【事件の表示】
　特願２０００−５８５４６８「プラズマ浸漬イオン注入用増強プラズマモード、方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　８日国際公開、ＷＯ００／３２８３９、平成１４年　９月２４日国内公表、特表２００２−５３１９１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、パリ条約による優先権主張（平成１０年１２月１日　米国）をともなって、平成１１年１１月２３日に出願された国際出願であって、平成２１年４月２８日付けで通知された拒絶理由に対して同年８月１２日付け手続補正書によって手続補正がなされたものの、平成２２年４月５日付けで、前記平成２１年４月２８日付けで通知された拒絶の理由によって拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２２年８月１３日に請求された拒絶査定不服審判事件である。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし２１に係る発明は、平成２１年８月１２日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された技術的事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）次のとおりのものと認める。
「真空チャンバー内にプラズマを形成する方法であって、
　前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカスプ領域（第１の尖頭部領域）および第２のカスプ領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
　さらに、前記プラズマは、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている
ことを特徴とする方法。」
　
３　先の出願及び先の出願に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された先の出願
　原査定の拒絶の理由に引用された特願平１０−２３８９９９号（以下「先の出願」という。）は、本願の優先日前の平成１０年８月２５日に出願された特許出願であって、本願の優先日後の平成１２年３月３日に特開２０００−６８２５４号公報として出願公開がされたものであって、本願に係る発明の発明者と先の出願の発明者が同一であるとも、本願の出願の時において、本願の出願人と先の出願の出願人が同一でもない出願である。
　
（２）先の出願の記載事項及び先願発明
　先の出願の願書に最初に添付された明細書（特許請求の範囲を含む）又は図面（以下「先願明細書等」という。）には以下の記載がある。
（２ａ）「【請求項３】　真空に排気された試料処理室に、処理ガスを導入すると共に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、試料処理台に設置された被加工試料表面を該プラズマにさらすことによって処理するプラズマ処理装置であって、試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域におけるプラズマ密度が、試料処理台直上の空間領域におけるプラズマ密度より小さくなるように、外部磁場を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。」
（２ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波放電プラズマを用いたプラズマ処理方法とプラズマ処理装置、特にエッチング処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波放電を用いたプラズマ処理方法は、半導体製造方法において、微細加工のためのドライエッチング、薄膜形成のためのスパッタリング、プラズマＣＶＤ、イオン注入等さまざまなところで用いられている。…（中略）…
【０００３】…（中略）…イオンの方向性を揃えるためには、プラズマ発生装置内の圧力を低くし、イオンの平均自由行程を大きくすることが効果的であるが、プラズマ密度が低下しエッチ速度が低くなるという問題がある。
【０００４】その対策として、誘導結合型プラズマ装置やヘリコン型プラズマ装置等の高密度プラズマ装置が導入されつつある。…（中略）…
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このようにして改良された従来のプラズマ処理方法においても、エッチング形状の異常、マイクロローディング効果の発生、ゲート絶縁膜の劣化や破壊の発生という問題点があった。…（中略）…以下、図７に示す誘導結合型プラズマ装置を例にとって説明する。
【０００６】本装置は、誘導結合方式によるプラズマ生成室６１により構成されており、チャンバーは接地されている。ガス導入口６２からは、反応性ガス、…（中略）…を、５
０ｓｃｃｍ，５Ｐａ程度に導入する。プラズマ生成室６１に石英板６３を隔てて上部に取り付けられたコイル６４に、マッチング回路６５を介して高周波電源６６より高周波電力を印加することによりプラズマ６７を生成することができる。」
（２ｃ）「【００２３】第２の実施の形態
この発明の第２の実施の形態について、図２を参照しながら説明する。なお、図１と同一部分は同一符号を付してその説明を省略する。図２は、プラズマ処理装置の構造を示す模式図である。本装置も誘導結合方式によるが、磁場コイル（ヘルムホルツコイル）１３によって外部磁場を印加できる構成になっている。１４はコイル、１５はマッチング回路、１６は高周波電源である。
【００２４】イオン／ラジカル生成の機構からは、最低限、試料台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂのプラズマ密度を、試料台直上の空間領域Ａのプラズマ密度よりも小さくすることが必要である。空間的にプラズマ密度を変える方法としては、カプス磁場（当審注：技術常識からして「カプス磁場」は「カスプ磁場」の誤記と認められる。）等によるプラズマの閉じこめを利用することができ、試料台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂに低密度プラズマ１７ｂを、試料台直上の空間領域Ａに高密度プラズマ１７ａを発生させることができる。
【００２５】このように構成されたプラズマ処理方法とプラズマ処理装置によると、試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂは、主として高密度のラジカルを供給する比較的低密度のプラズマ１７ｂの生成部とし、試料処理台直上の空間領域Ａは、主として均一で高いイオン電流を供給する高密度プラズマ１７ａの生成部とすることで、プラズマ生成領域を径方向に分離して、それぞれを主にラジカルとイオンの供給源にすることができ、高機能なプラズマ処理を実現することができる。」
（２ｄ）
　　【図２】　　　　　　　　　　　　　　　【図７】
　
　これらの記載からして、先願明細書等には、以下の発明が記載されているといえる。
「真空に排気された試料処理室に、処理ガスを導入すると共に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させる装置であって、
コイルに、マッチング回路を介して高周波電源から高周波電力を印加する誘導結合方式によって前記試料処理室内にプラズマ生成がなされ、
前記試料処理室の外部に設けられた２本のヘルムホルツコイルによって、試料処理室内に、試料処理室上方及び下方に向かう外部磁場を印加することにより、カスプ磁場によるプラズマの閉じこめを利用し、
試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂに低密度プラズマ１７ｂを、試料処理台直上の空間領域Ａに高密度プラズマ１７ａを発生させるようにした装置。」（以下「先願発明」という。）
　
４　対比・検討
　本願発明と上記先願発明を対比する。
（１）先願発明の「真空に排気された試料処理室」が、本願発明の「真空チャンバー」に相当することは明らかである。そして、先願発明の装置は、「真空に排気された試料処理室に、……プラズマを発生させる装置」であることからして、本願発明の「真空チャンバー内にプラズマを形成する方法」に相当する方法を実施する装置であることは明らかであるから、両者は、「真空チャンバー内にプラズマを形成する方法」に係る発明を含む点で一致している。
（２）先願発明の「試料処理室に石英板を隔てて上部に取り付けられたコイルに、マッチング回路を介して高周波電源から高周波電力を印加する誘導結合方式によって前記試料処理室内にプラズマ生成がなされ、
前記試料処理室の外部に設けられた２本のヘルムホルツコイルによって、試料処理室内に、試料処理室上方及び下方に向かう外部磁場を印加印加することにより、カスプ磁場によるプラズマの閉じこめを利用し、
試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂに低密度プラズマ１７ｂを、試料処理台直上の空間領域Ａに高密度プラズマ１７ａを発生させる」という事項と、本願発明の「前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカスプ領域（第１の尖頭部領域）および第２のカスプ領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
　さらに、前記プラズマは、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている」という事項を対比・検討する。
ア　本願発明の「誘導結合構造」に関連する本願明細書の記載
　本願明細書等には、誘導結合構造、誘導結合、rfプラズマ源とカスプ領域の関係について、以下の記載がある。
（ａ）「誘導結合構造」について
　「【００１０】特定実施形態では、真空チャンバ内にプラズマが形成される。プラズマは誘導結合構造により閉じ込められ、該誘導結合構造は、該構造の第１端部の第１カスプ領域および第２端部の第２カスプ領域を備えている。…（中略）…第１カスプ領域は第１電磁気源により形成され、第２カスプ領域は第２電磁気源により形成される。第１電磁気源および第２電磁気源は、プラズマの大部分を、真空チャンバの壁から離れた領域に閉じ込める。…（以下略）」
（ｂ）「誘導結合」について
　「【００１９】…（中略）…
　　　　　　　　　２．本発明のプラズマ浸漬システム
　図２は、本発明の一実施形態による粒子注入用プラズマ処理システム２００を示す概略図である。…（中略）…特定実施形態では、システム２００は、真空ポンプ（図示せず）に連結された真空ポート１８を備えた真空チャンバ１４を有している。システム２００は、Оリング３０により真空シールされかつ着脱可能なクランプ３４により真空チャンバ１４の上面２２に取り付けられた誘電体窓２６を有している。外側シールド／接地４４内に配置されたヘリカルアンテナすなわちパンケーキアンテナ４６を備えた一実施形態では、rfプラズマ源４０が誘電体窓２６に着脱可能に取り付けられている。容量結合または誘導結合を用いたアンテナの他の実施形態を使用することもできる。rfプラズマ源は、１３．５６MHzおよび他の周波数で作動できる。…（中略）…
【００２０】…（中略）…アンテナ４６は、結合コンデンサ５４および整合網５０を介してrf発生器６６に接続されている。…（以下略）」
（ｃ）「rfプラズマ源」と「カスプ領域」の関係について
「【００２４】特定実施形態では、rfプラズマ源４０と電磁源２０７、２０９との組合せによって、「カスプ（cusp）」領域２１７、２１８、２１９を形成する。ここで、これらの源の組合せは、プラズマの大部分が壁から離れた空間領域内に閉込められる状態に維持される態様で作動される。この閉込めにより、壁の近くのプラズマ種の再結合が低減される。また、源の組合せにより、高いプラズマ密度が得られる。高密度プラズマはrfプラズマ源からの誘導結合を使用し、かつ磁気源２０７、２０９を使用してプラズマを定形する。定形プラズマ（shaped plasma）はまた、rfプラズマ源のみにより創出されたプラズマより、非常に高いエネルギおよび密度を有する。…（以下略）」
（ｄ）【図２】
　
　
イ　本願発明の「誘導結合構造」の実体的構成
　これら（ａ）〜（ｃ）の記載及び【図２】の図示内容からして、本願発明では、「真空チャンバの上面の誘電体窓に着脱可能に取り付けられている、結合コンデンサおよび整合網を介してrf発生器に接続されているアンテナからなるrfプラズマ源からの誘導結合を使用してプラズマを創出し、前記rfプラズマ源からの誘導結合を使用して創出されたプラズマを、２つの電磁源によって形成される第１カスプ領域と第２カスプ領域によって、プラズマを壁から離れた空間領域内に閉込めてプラズマを定形するための構成である、rfプラズマ源と電磁源の組合せ構成」を、「誘導結合構造」と称していると認められる。
　
ウ　具体的対比・検討
　そこで、先願発明の上記事項と上記「イ」で述べた本願発明の「誘導結合構造」の実体的構成を対比すると、先願発明の、「試料処理室に石英板を隔てて上部に取り付けられたコイルに、マッチング回路を介して高周波電源から高周波電力を印加する誘導結合方式によって前記試料処理室内にプラズマ生成がなされ」るという構成は、高周波回路のマッチング回路は結合コンデンサを有するという技術常識に照らすと、上記「イ」で述べた「真空チャンバの上面の誘電体窓に着脱可能に取り付けられている、結合コンデンサおよび整合網を介してrf発生器に接続されているアンテナからなるrfプラズマ源からの誘導結合を使用してプラズマを創出」することに相当する。
　ここで、先願発明の「ヘルムホルツコイル」が、上記「イ」で述べた「電磁源」であることは明らかであり、ヘルムホルツコイルによって試料処理室内に形成されている、試料処理室上方及び下方に向かうカスプ磁場が、上記「イ」で述べた「２つの電磁源によって形成される第１カスプ領域と第２カスプ領域」と同義であることは明らかであって、磁場の形状に応じてプラズマの閉じこめ形状が変化することは技術常識であるから、先願発明の、「試料処理室の外部に設けられた２本のヘルムホルツコイルによって、試料処理室内に、試料処理室上方及び下方に向かう外部磁場を印加することにより、カスプ磁場によるプラズマの閉じこめを利用し」という構成は、上記「イ」で述べた、「２つの電磁源によって形成される第１カスプ領域と第２カスプ領域によって、プラズマを」、「空間領域内に閉込めてプラズマを定形する」ことに相当する。
　また、先願発明の「カスプ磁場によるプラズマの閉じこめを利用し」、「試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Ｂに低密度プラズマ１７ｂを、試料処理台直上の空間領域Ａに高密度プラズマ１７ａを発生させる」という構成からして、先願発明のカスプ磁場は、試料処理室内に生成されたプラズマを、試料処理室の壁から離れた試料処理台直上の空間領域に閉じ込める作用を果たすことは明らかであるから、先願発明の前記構成は、上記「イ」で述べた「２つの電磁源によって形成される第１カスプ領域と第２カスプ領域によって、プラズマを壁から離れた空間領域内に閉込め」ることに相当するといえる。
　そうすると、先願発明の上記事項と上記「イ」で述べた本願発明の「誘導結合構造」の実体的構成は、「真空チャンバの上面の誘電体窓に着脱可能に取り付けられている、結合コンデンサおよび整合網を介してrf発生器に接続されているアンテナからなるrfプラズマ源からの誘導結合を使用してプラズマを創出し、前記rfプラズマ源からの誘導結合を使用して創出されたプラズマを、２つの電磁源によって形成される第１カスプ領域と第２カスプ領域によって、プラズマを壁から離れた空間領域内に閉込めてプラズマを定形するための構成である、rfプラズマ源と電磁源の組合せ構成」である点で一致する。
　
エ　小括
　上記「ウ」の対比・検討結果からして、先願発明の上記事項と本願発明の上記事項は、実体上、「前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカスプ領域（第１の尖頭部領域）および第２のカスプ領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
　さらに、前記プラズマは、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている」点で一致するといえる。
　
（３）上記「（１）」及び「（２）」の一致関係からして、本願発明と先願発明は、
「真空チャンバー内にプラズマを形成する方法であって、
　前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカスプ領域（第１の尖頭部領域）および第２のカスプ領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
　さらに、前記プラズマは、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている方法。」の点で一致し、両者は同一である。
　
５　むすび
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願出願の日前の特許出願であって、本願出願後に出願公開がされた上記先の出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者が本願出願前の上記先の出願に係る発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、本願の出願人が上記先の出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。