【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも３つのブロックを有し、少なくとも１つのハードブロックと少なくとも１つのソフトブロックを有するブロックコポリマーであって、
ハードブロックが、一般式（I）：
【化１】
2002531598.tif 000001
〔式中、
Ｒ1およびＲ2は、相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｒ3は、水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基または環上に縮合した環を形成するアルキレン基を表し、
ｐは０または１〜５の整数を表す。〕
で表される反復構成単位を少なくとも６５質量％有し、
ソフトブロックが、
直鎖または分枝のＣ2〜Ｃ14アルキレン基に基づく反復構成単位を９９〜５０質量％、および
一般式（I）で表される反復構成単位を１〜５０質量％有するブロックコポリマー。
【請求項２】  ハードブロックが、式（I）で表される反復構成単位を少なくとも７０質量％有する請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項３】  ハードブロックが、式（I）で表される反復構成単位を少なくとも７５質量％有する請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項４】  ハードブロックが、式（I）で表される反復構成単位を少なくとも８０質量％有する請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項５】  ハードブロックが、式（I）で表される反復構成単位を少なくとも８４質量％有する請求項１に記載のブロックコポリマー。
【請求項６】  ソフトブロックが、直鎖または分枝のＣ2〜Ｃ14アルキレン基に基づく反復構成単位を９５〜７０質量％、および一般式（I）で表される反復構成単位を５〜３０質量％有する請求項１〜５のいずれかに記載のブロックコポリマー。
【請求項７】  ポリマー総量に対して、ハードブロックの割合が６５〜９７質量％であり、ソフトブロックの割合が３〜３５質量％である請求項１〜６のいずれかに記載のブロックコポリマー。
【請求項８】  次のブロック構造：
Ａ1-(Ｂi-Ａi)n、
Ｂ1-(Ａi-Ｂi)n、
(Ａi-Ｂi)n、
〔式中、Ａはハードブロックを表し、Ｂはソフトブロックを表し、ｎは１以上（ｎ≧１）、好ましくは１、２、３または４を表し、ｉは１以上ｎ以下（１≦ｉ≦ｎ）の整数を表す。〕
を有する請求項１〜７のいずれかに記載のブロックコポリマー。
【請求項９】  ハードブロックのための一般式（II）で表される芳香族ビニルモノマーと、ソフトブロックのための一般式（III）で表される共役ジエンおよび一般式（II）で表される芳香族ビニルモノマー：
【化２】
2002531598.tif 000002
〔式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびｐは上記と同じ意味であり、
Ｒ4からＲ7は、相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ4アルキル基を表す。〕
とを活性重合法により反応させ、プレポリマーを形成し、次いでプレポリマーの炭素-炭素二重結合を均一または不均一触媒存在下で水素化する請求項１〜８のいずれかに記載のブロックコポリマーの製造方法。
【請求項１０】  少なくとも３つのブロックを有し、少なくとも１つのハードブロックと少なくとも１つのソフトブロックを有するプレポリマーであって、
ハードブロックが、一般式（IV）：
【化３】
2002531598.tif 000003
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびｐは上記と同じ意味である。〕
で表される反復構成単位を少なくとも６５質量％有し、
ソフトブロックが、
２〜１４個の炭素原子を有し、Ｃ1〜Ｃ4アルケニル基により任意に置換されている直鎖または分枝の脂肪族（場合によりオレフィン性の）炭化水素鎖に基づく反復構成単位を９９〜５０質量％、および
一般式（IV）で表される反復構成単位を１〜５０質量％有するプレポリマー。
【請求項１１】  請求項１〜１０のいずれかに記載のブロックコポリマーから得られる成形品。
【請求項１２】  請求項１〜１０のいずれかに記載のブロックコポリマーから得られる光学式データ記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
（背景技術）
水素化ポリスチレン（ポリビニルシクロヘキサン）は、１９２９年に Hermann Staudinger により初めて記述された。この物質は、非常に低い複屈折、非常に低い吸水性および十分な耐熱変形性を示し、光学式データ記憶媒体のための基材物質として特に好適である。US 4 911 966 は、ポリスチレンの水素化生成物を光ディスクのための基材物質として使用することを記載する。異なる微細構造の水素化ポリスチレンを生じ、かつ特殊な触媒を使用する方法は、WO 94/21694 および US 5,352,744 に記載されている。特殊な触媒を使用することによってアタクチックポリスチレンを水素化してアタクチック水素化ポリスチレンを形成する方法は知られている（EP-A 0 322 731、EP-A 0 423 100、US-A 5,654,253、US-A 5,612,422、WO 96/34896）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ポリビニルシクロヘキサンと比べて、上記文献に記述されている、少なくとも７０％のビニルシクロヘキサン含有量を有するブロックコポリマーは、向上した破断点伸びを示し、硬質かつ透明として記載されている。しかしながら、記載された光透過データ（７５〜８２％）は、かなり高い曇り度の水準を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（発明の開示）
本発明は、少なくとも３つのブロックを有し、少なくとも１つのハードブロックと少なくとも１つのソフトブロックを有するブロックコポリマーに関し、そのブロックコポリマー中では、ハードブロックが、一般式（I）：
【化４】
2002531598.tif 000004
〔式中、
Ｒ1およびＲ2は、相互に独立に、水素またはＣ1〜Ｃ6アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル基を表し、
Ｒ3は、水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル基、特にはメチル基および／若しくはエチル基、または環上に縮合した環を形成するアルキレン基、好ましくは（環上に縮合した脂環式５または６員環を形成する）Ｃ3またはＣ4アルキレン基を表し、
ｐは０または１〜５、好ましくは０または１〜３の整数を表す。〕
で表される反復構成単位を少なくとも６５質量％、好ましくは少なくとも７０質量％、特に少なくとも７５質量％、最も好ましくは少なくとも８０質量％、とりわけ少なくとも８４質量％有し、
ソフトブロックが、
直鎖または分枝のＣ2〜Ｃ14アルキレン基、好ましくはＣ2〜Ｃ8アルキレン基に基づく反復構成単位を９９〜５０質量％、好ましくは９５〜７０質量％、および
一般式（I）で表される反復構成単位を１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明はさらに、少なくとも３つのブロックを有し、少なくとも１つのハードブロックと少なくとも１つのソフトブロックを有するプレポリマーに関し、そのプレポリマー中では、ハードブロックが、一般式（IV）：
【化６】
2002531598.tif 000005
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびｐは上記と同じ意味である。〕
で表される反復構成単位を少なくとも６５質量％、好ましくは少なくとも７０質量％、より好ましくは少なくとも７５質量％、最も好ましくは少なくとも８０質量％、とりわけ少なくとも８４質量％有し、
ソフトブロックが、
２〜１４個、好ましくは２〜５個の炭素原子を有し、Ｃ1〜Ｃ4アルケニル基により任意に置換されている直鎖または分枝の脂肪族（場合によりオレフィン性の）炭化水素鎖に基づく反復構成単位を９９〜５０質量％、好ましくは９５〜７０質量％、および
一般式（IV）で表される反復構成単位を１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ソフトブロック中の反復構成単位は、ランダムに、交互に、または勾配を持った形態で分布され得る。ハードブロックの割合は、一般に６５〜９７質量％、好ましくは７５〜９５質量％であり、ソフトブロックの割合は、３〜３５質量％、好ましくは５〜２５質量％である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
際立った光学特性の故に、本発明のポリマーは、光学材料の製造、例えば、レンズ、プリズム、鏡、カラーフィルターなどのために特に好適であり、ホログラフイメージ（立体回折像）のため（例えば、キャッシュカード、クレジットカード、許可証のため、および三次元ホログラフイメージのため）の媒体としても好適である。本物質を、三次元構造（例えば、集束コヒーレント放射（レーザー）による三次元構造）をその上に刻むことができる透明媒体として使用することができ、特に、三次元データ記憶媒体としてまたは物体の立体像のために使用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
家庭用の適用例は、低透水性を示す透明な包装材料、家庭用品（例えば、コップおよび容器）、家庭用器具のためのハウジングおよび照明器具の透明カバーを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明のブロックコポリマーは、光学式データ記憶媒体（例えば、コンパクトディスク、ビデオディスク、書き換え可能光ディスクおよび光磁気ディスク）のための基材物質として特に好適である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
光学式データ記憶媒体の例は、次のものを含む：
・光磁気ディスク（ＭＯディスク）
・ミニディスク（ＭＤ）
・ＡＳＭＯ（ＭＯ-７）（"Advanced storage magnetooptic(高度記憶光磁気製品)"）
・ＤＶＲ（１２Ｇバイトディスク）
・ＭＡＭＭＯＳ（"Magnetic Amplifying magneto optical system(磁気増幅光磁気システム)"）
・ＳＩＬおよびＭＳＲ（"Solid immersion lens(固体界浸レンズ)" および "magnetic superresolution(磁気式高解像度製品)"）
・ＣＤ-ＲＯＭ（読出し専用記録媒体）
・ＣＤ、ＣＤ-Ｒ（記録可能）、ＣＤ-ＲＷ（書き換え可能）、ＣＤ-Ｉ（対話式）、フォトＣＤ、スーパーオーディオＣＤ
・ＤＶＤ、ＤＶＤ-Ｒ（記録可能）、ＤＶＤ-ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）
・ＤＶＤデジタル多目的ディスク
・ＤＶＤ-ＲＷ（書き換え可能）
・ＰＣ＋ＲＷ（フェーズ変化式および書き換え可能）
・ＭＭＶＦ（マルチメディアビデオファイルシステム）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
透明プラスチック（例えば、芳香族ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートまたはポリスチレン）を、光学式データ記憶媒体のための基材として使用することができる。しかしながら、これらの通常用いられる基材物質は、非常に高密度のデータ記憶媒体（直径１２０ｍｍのピット層あたり１０Ｇバイト超）のために、制限無しに用いることができない。非常に低い複屈折および吸水性、高耐熱変形性、流動性および十分な機械的特性が、この目的のために同時に必要である。実際、芳香族ポリカーボネートは、非常に良好な機械的特性および耐熱変形性を示すが、高すぎる複屈折および吸水性を有する。ポリスチレンは、高すぎる複屈折と低すぎる耐熱変形性を有する。ポリメチルメタクリレートは、高すぎる吸水性と低すぎる耐熱変形性を有する。