【事件の表示】
　特願２００６−３３５３５７「液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開、特開２００８−　　９３６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１２月１３日（パリ条約による優先権主張２００６年６月２７日、大韓民国）の出願であって、平成２２年１月１３日及び同年１０月１２日に手続補正がなされたところ、平成２３年２月２日付けで前記平成２２年１０月１２日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年６月７日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２３年６月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年６月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２３年６月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２２年１月１３日付け手続補正後のもの）の請求項１を以下のように補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。
　
「基板上に位置して、相互に離隔するように位置する第１、第２ゲート配線と、
　前記第１、第２ゲート配線間で、前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する共通配線と、
　前記共通配線を基準に前記第１、第２ゲート配線と交差して第１、第２画素領域を画定するデータ配線と、
　前記第１ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第１薄膜トランジスタと、
　前記第２ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第２薄膜トランジスタと、
　前記第１画素領域で前記第１薄膜トランジスタに連結される第１画素電極と、
　前記第２画素領域で前記第２薄膜トランジスタに連結される第２画素電極と、
　前記共通配線と前記第１及び第２画素電極との間に位置する絶縁層とを含み、
　前記第１、第２画素電極は、前記共通配線を基準に対称状であり、前記第１、第２画素電極各々の端部は前記共通配線と重なり、
　前記第１及び第２画素領域に対応する前記共通配線は、それぞれ前記第１及び第２画素電極のそれぞれの端部のみと重なり、
　前記第１、第２の画素電極の各々が前記共通配線と直接重なり、
　前記共通配線に接続された共通電極が、カラーフィルタ基板上に形成され、
　前記共通配線と前記第１、第２画素電極の各々との間に電場が生成され、そして、
　前記共通配線及び第１画素電極の前記絶縁層と重なる領域が第１ストレージキャパシターを構成し、そして、前記共通配線及び第２画素電極間の前記絶縁層と重なる領域が第２ストレージキャパシターを構成する、ことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１において、
（１）「第１画素電極」、「第２画素電極」の各々が「共通配線」と直接重なり、
（２）「共通配線」に接続された共通電極が、カラーフィルタ基板上に形成され、
（３）「共通配線」と「第１画素電極」、「第２画素電極」の各々との間に電場が生成され、
との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１５０２４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  マトリクス状に配置された画素電極の各行の側方に行方向に沿って走査線が形成され、前記画素電極の各列の側方に列方向に沿って信号線が形成され、各画素電極毎にそれぞれ走査線および信号線に接続されたスイッチング素子が設けられ、
相隣接する前記画素電極の行どうしの間部は、２本の前記走査線が並んで存在する走査線形成領域と前記走査線が存在しない非走査線形成領域とがあり、
列方向に沿って前記走査線形成領域と非走査線形成領域とが、前記画素電極の行を介して交互に存在する、ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】  前記非走査線形成領域に臨む、当該非走査線形成領域を挟む両側の前記画素電極の端縁部に渡って両端縁部を覆うように、絶縁膜を介して補助容量電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。」
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関し、さらに詳しくは、アクティブマトリクス駆動を行う液晶表示装置を始とする表示装置に係る。」
　ウ　「【００２４】
【発明の実施の形態】…
（実施形態１）図１〜図３は、この発明を透過型の液晶表示装置に適用した実施形態１を示している。図１は本実施形態の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板に列方向に並ぶ画素電極、配線およびＴＦＴなどの配置を示す要部平面図、図２は図１のＸ−Ｙ断面に相当する液晶表示装置の断面図、図３はＴＦＴ基板側の走査線、信号線および画素電極の配置構造を示す平面説明図である。…
【００２５】…１８は画素電極であり、複数の画素電極１８が行列をなすように配置されている。そして、行方向に並ぶ画素電極群（以下、画素行という）どうしの間の領域は、走査線としてのゲートライン１５が行方向に沿って２本平行に形成される走査線形成領域としてのゲート形成領域１９と、ゲートライン１５が形成されない非走査線形成領域としての非ゲート形成領域２０とが、画素行を介して列方向に交互に存在するようになっている。また、列方向に並ぶ画素電極群（以下、画素列という）のそれぞれの側方には、信号線としてのドレインライン２２が列方向に沿って形成されている。…
【００２６】…図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１１は、相対向する一対の、後ガラス基板（ＴＦＴ基板）１２と前ガラス基板（コモン基板）１３との間に液晶１４が封止されて、大略構成されている。
【００２７】後ガラス基板１２の、前ガラス基板１３と対向する面には、走査線としてのゲートライン１５と、このゲートライン１５と同一材料膜でなる補助容量電極１６とが図１および図３に示すように配置、形成されている。すなわち、各ゲート形成領域１９には２本のゲートライン１５が配置され、非ゲート形成領域２０が存在する部分には、この非ゲート形成領域２０に臨む２つの画素電極１８の縁部にも重なるような領域に補助容量電極１６が配置されている。そして、これらゲートライン１５および補助容量電極１６および後ガラス基板１２を覆うように、ゲート絶縁膜１７が形成されている。そして、図１に示すように、ゲートライン１５の上には、ＩＴＯ（indume tin oxide）でなる画素電極１８が形成されている。この画素電極１８の配列は、上述したように、行列をなすようにマトリクス状に配置されている。また、画素行どうしの間は、上述のように画素行を介して交互にゲート形成領域１９と非ゲート形成領域２０とが配置されている。…
【００２８】また、ゲートライン１５の上方で且つ画素電極１８の一側縁の側方に位置するゲート絶縁膜１７の上には、例えばアモルファスシリコンでなる半導体層２１がパターン形成されている。…さらに、画素列のそれぞれの側方には、上述したように、列方向に沿ってドレインライン２２が延在されている。そして、ゲート形成領域１９に相隣接して形成された半導体層２１、２１には、共通のドレイン電極２３がドレインライン２２に接続するように形成されている。…ドレイン電極２３が接続された部分と反対側の半導体層２１の部分には、隣接する画素電極１８と接続されるソース電極２４が形成されている。…
【００２９】そして、図２に示すように、ソース電極２４と半導体層２１との間、およびドレイン電極２３と半導体層２１との間には、それぞれ例えば不純物が導入されたアモルファスシリコンでなるオーミックコンタクト層２５が介在されている。…このように、ゲート形成領域１９内の画素電極１８どうしで挟まれた各領域には、図１に示すように、ドレイン電極２３を共通にする、スイッチング素子としての２つのＴＦＴ２７が設けられている。
…
【００３３】このような構成の、後ガラス基板１２側と、前ガラス基板１３側とを、それぞれに形成された配向膜２８、３２どうしが対向するように、上記したように図示しないシール材を介して接合され、シール材と前後ガラス基板１３、１２とで形成された空隙内に液晶１４が封止されて、本実施形態の液晶表示装置１１が構成されている。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「相対向する一対の、後ガラス基板（ＴＦＴ基板）１２と前ガラス基板（コモン基板）１３との間に液晶１４が封止されて、大略構成されている液晶表示装置１１であって、
　後ガラス基板１２の、前ガラス基板１３と対向する面には、走査線としてのゲートライン１５と、このゲートライン１５と同一材料膜でなる補助容量電極１６とが配置、形成され、各ゲート形成領域１９には２本のゲートライン１５が配置され、非ゲート形成領域２０が存在する部分には、この非ゲート形成領域２０に臨む２つの画素電極１８の縁部にも重なるような領域に補助容量電極１６が配置されており、
　複数の画素電極１８は行列をなすように配置されており、行方向に並ぶ画素電極群（画素行）どうしの間の領域は、走査線としてのゲートライン１５が行方向に沿って２本平行に形成される走査線形成領域としてのゲート形成領域１９と、ゲートライン１５が形成されない非走査線形成領域としての非ゲート形成領域２０とが、画素行を介して列方向に交互に存在するようになっており、また、列方向に並ぶ画素電極群のそれぞれの側方には、信号線としてのドレインライン２２が列方向に沿って形成されており、
　これらゲートライン１５および補助容量電極１６および後ガラス基板１２を覆うように、ゲート絶縁膜１７が形成されており、ゲートライン１５の上には、ＩＴＯ（indume tin oxide）でなる画素電極１８が形成されており、
　ゲートライン１５の上方で且つ画素電極１８の一側縁の側方に位置するゲート絶縁膜１７の上には、アモルファスシリコンでなる半導体層２１がパターン形成されており、ゲート形成領域１９に相隣接して形成された半導体層２１、２１には、共通のドレイン電極２３がドレインライン２２に接続するように形成されており、ドレイン電極２３が接続された部分と反対側の半導体層２１の部分には、隣接する画素電極１８と接続されるソース電極２４が形成されており、ソース電極２４と半導体層２１との間、およびドレイン電極２３と半導体層２１との間には、それぞれ不純物が導入されたアモルファスシリコンでなるオーミックコンタクト層２５が介在されており、ゲート形成領域１９内の画素電極１８どうしで挟まれた各領域には、ドレイン電極２３を共通にする、スイッチング素子としての２つのＴＦＴ２７が設けられており、
　このような構成の、後ガラス基板１２側と、前ガラス基板１３側とを、それぞれに形成された配向膜２８、３２どうしが対向するように、シール材を介して接合され、シール材と前後ガラス基板１３、１２とで形成された空隙内に液晶１４が封止されて構成されている液晶表示装置１１。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と、引用発明の「（２本のゲートライン１５、補助容量電極１６、ドレインライン２２、２つのＴＦＴ２７、画素電極１８及びゲート絶縁膜１７が形成された）後ガラス基板１２」（以下「ＴＦＴ等形成基板」という。）とを対比する。
　ア　引用発明の「後ガラス基板１２」、「（２本のゲートライン１５の内の一方の）ゲートライン１５」及び「（補助容量電極１６を挟んで前記一方のゲートライン１５と反対側に配置する）ゲートライン１５」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「（基板上に位置する）第１ゲート配線」及び「（基板上に位置して、前記第１ゲート配線と相互に離隔するように位置する）第２ゲート配線」に相当する。
　イ　引用発明の「補助容量電極１６」と、本願補正発明の「（第１、第２ゲート配線間で、前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する）共通配線」とは、「（第１、第２ゲート配線間で、前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する）容量線」である点で一致する。
　ウ　引用発明の「ドレインライン２２」、「２つのＴＦＴ２７」、「（一方のＴＦＴ２７のソース電極２４に接続される）画素電極１８」及び「（他方のＴＦＴ２７のソース電極２４に接続される）画素電極１８」は、それぞれ、本願補正発明の「（前記共通配線を基準に前記第１、第２ゲート配線と交差して第１、第２画素領域を画定する）データ配線」、「『（前記第１ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された）第１薄膜トランジスタ』及び『（前記第２ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された）第２薄膜トランジスタ』」、「（前記第１画素領域で前記第１薄膜トランジスタに連結される）第１画素電極」及び「（前記第２画素領域で前記第２薄膜トランジスタに連結される）第２画素電極」に相当する。
　エ　引用発明の「（補助容量電極１６と画素電極１８との間に位置する）ゲート絶縁膜１７」と、本願補正発明の「（前記共通配線と前記第１及び第２画素電極との間に位置する）絶縁層」とは、「（前記容量線と前記第１及び第２画素電極との間に位置する）絶縁層」である点で一致する。
　オ　引用発明の「（補助容量電極１６を挟む２つの）画素電極１８」は、「補助容量電極１６」を基準に対称状に配置されているといえるから、引用発明の「（補助容量電極１６を挟む）画素電極１８が前記補助容量電極１６を基準に対称状に配置されている」との事項と、本願補正発明の「前記第１、第２画素電極は、前記共通配線を基準に対称状であり」との事項とは、「前記第１、第２画素電極は、前記容量線を基準に対称状であり」との点で一致する。
　カ　引用発明は、「非ゲート形成領域２０に臨む２つの画素電極１８の縁部にも重なるような領域に補助容量電極１６が配置されており」、「補助容量電極１６」と「２つの画素電極１８」の各々との間に電場が生成され、「補助容量電極１６」及び「（一方の）画素電極１８」の「ゲート絶縁膜１７」と重なる領域がストレージキャパシターを構成し、また、「補助容量電極１６」及び「（他方の）画素電極１８」の「ゲート絶縁膜１７」と重なる領域が別のストレージキャパシターを構成するといえるから、
　（ア）引用発明の「非ゲート形成領域２０に臨む２つの画素電極１８の縁部にも重なるような領域に補助容量電極１６が配置されており」との事項と、本願補正発明の「前記第１、第２画素電極各々の端部は前記共通配線と重なり、前記第１及び第２画素領域に対応する前記共通配線は、それぞれ前記第１及び第２画素電極のそれぞれの端部のみと重なり、前記第１、第２の画素電極の各々が前記共通配線と直接重なり」との事項とは、「前記第１、第２画素電極各々の端部は前記容量線と重なり、前記第１及び第２画素領域に対応する前記容量線は、それぞれ前記第１及び第２画素電極のそれぞれの端部のみと重なり、前記第１、第２の画素電極の各々が前記容量線と直接重なり」との点で一致し、
　（イ）引用発明の「『補助容量電極１６』と『２つの画素電極１８』の各々との間に電場が生成され、『補助容量電極１６』及び『（一方の）画素電極１８』の『ゲート絶縁膜１７』と重なる領域がストレージキャパシターを構成し、また、『補助容量電極１６』及び『（他方の）画素電極１８』の『ゲート絶縁膜１７』と重なる領域が別のストレージキャパシターを構成する」との事項と、本願補正発明の「前記共通配線と前記第１、第２画素電極の各々との間に電場が生成され、そして、前記共通配線及び第１画素電極の前記絶縁層と重なる領域が第１ストレージキャパシターを構成し、そして、前記共通配線及び第２画素電極間の前記絶縁層と重なる領域が第２ストレージキャパシターを構成する」との事項とは、「前記容量線と前記第１、第２画素電極の各々との間に電場が生成され、そして、前記容量線及び第１画素電極の前記絶縁層と重なる領域が第１ストレージキャパシターを構成し、そして、前記容量線及び第２画素電極間の前記絶縁層と重なる領域が第２ストレージキャパシターを構成する」との点で一致する。
　キ　引用発明の「ＴＦＴ等形成基板」は、本願補正発明の「液晶表示装置用アレイ基板」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明の「ＴＦＴ等形成基板」とは、
「基板上に位置して、相互に離隔するように位置する第１、第２ゲート配線と、
　前記第１、第２ゲート配線間で、前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する容量線と、
　前記容量線を基準に前記第１、第２ゲート配線と交差して第１、第２画素領域を画定するデータ配線と、
　前記第１ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第１薄膜トランジスタと、
　前記第２ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第２薄膜トランジスタと、
　前記第１画素領域で前記第１薄膜トランジスタに連結される第１画素電極と、
　前記第２画素領域で前記第２薄膜トランジスタに連結される第２画素電極と、
　前記容量線と前記第１及び第２画素電極との間に位置する絶縁層とを含み、
　前記第１、第２画素電極は、前記容量線を基準に対称状であり、前記第１、第２画素電極各々の端部は前記容量線と重なり、
　前記第１及び第２画素領域に対応する前記容量線は、それぞれ前記第１及び第２画素電極のそれぞれの端部のみと重なり、
　前記第１、第２の画素電極の各々が前記容量線と直接重なり、
　前記容量線と前記第１、第２画素電極の各々との間に電場が生成され、そして、
　前記容量線及び第１画素電極の前記絶縁層と重なる領域が第１ストレージキャパシターを構成し、そして、前記容量線及び第２画素電極間の前記絶縁層と重なる領域が第２ストレージキャパシターを構成する液晶表示装置用アレイ基板。」 
である点で一致し、次の点で相違する。
　 
　本願補正発明は、容量線が共通配線であって、該共通配線に接続された共通電極がカラーフィルタ基板上に形成されるのに対し、引用発明の「ＴＦＴ等形成基板」は、容量線が共通配線であるか否か明らかではなく、また、該共通配線が、カラーフィルタ基板上に形成された共通電極に接続されているのか否かも明らかでない点（以下「相違点」という。）。
　
　上記相違点につき検討する。
　引用発明の「ＴＦＴ等形成基板」において、「補助容量電極１６」を具体的にどこに接続するかは、当該「ＴＦＴ等形成基板」を構成する上で当業者が適宜に定めるべき設計的事項というべきところ、基板上に、縦横に多数配列される画素電極と、この画素電極の周囲で行方向に配列されるゲートライン（ゲート配線）と、列方向に配列されるデータライン（データ配線）と、ゲートラインと平行に行方向に設けられる補助容量ライン（容量線）とを備えてなる液晶表示装置用アレイ基板において、前記補助容量ラインを、前記基板に対向する（カラーフィルタが設けられた）基板上の共通電極に接続し、当該補助容量ラインに共通電極と同じ信号を印加するようにしたものが、例えば、特開２００２−５５６５６号公報（【０００２】、【００２５】）、特開平９−１５２６２５号公報（【０１０７】）、特開２００６−３０７８２号公報（【０００９】、【００４０】）、特開平１１−５２４２７号公報（【００２８】〜【００３０】）に記載されていることに照らして、その接続先をカラーフィルタが形成された対向基板上の共通電極とすることに格別の困難があるものとは認められない。
　また、本願補正発明において、そのようにした点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　そして、本願補正発明の奏する効果が、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　よって、引用発明の「ＴＦＴ等形成基板」において、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「基板上に位置して、相互に離隔するように位置する第１、第２ゲート配線と、
　前記第１、第２ゲート配線間で、前記第１、第２ゲート配線と平行に位置する共通配線と、
　前記共通配線を基準に前記第１、第２ゲート配線と交差して第１、第２画素領域を画定するデータ配線と、
　前記第１ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第１薄膜トランジスタと、
　前記第２ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成された第２薄膜トランジスタと、
　前記第１画素領域で前記第１薄膜トランジスタに連結される第１画素電極と、
　前記第２画素領域で前記第２薄膜トランジスタに連結される第２画素電極と、
　前記共通配線と前記第１及び第２画素電極との間に位置する絶縁層とを含み、
　前記第１、第２画素電極は、前記共通配線を基準に対称状であり、前記第１、第２画素電極各々の端部は前記共通配線と重なり、
　前記第１及び第２画素領域に対応する前記共通配線は、それぞれ前記第１及び第２画素電極のそれぞれの端部のみと重なり、そして、
　前記共通配線及び第１画素電極の前記絶縁層と重なる領域が第１ストレージキャパシターを構成し、そして、前記共通配線及び第２画素電極間の前記絶縁層と重なる領域が第２ストレージキャパシターを構成する、ことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「第１画素電極」、「第２画素電極」の各々が「共通配線」と直接重なりとの限定（上記第２の１（１）参照）、「共通配線」に接続された共通電極が、カラーフィルタ基板上に形成されとの限定（上記第２の１（２）参照）及び「共通配線」と「第１画素電極」、「第２画素電極」の各々との間に電場が生成されとの限定（上記第２の１（３）参照）を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（２）で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。