【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板結合用熱界面材であって、該熱界面材は約３５０℃未満のリフロー温度を有し、少なくとも約１５Ｗ／ｍｋの熱伝導度を有し、そして、本質的に：
ａ．  約３００℃未満の溶融温度を有する半田であって、該半田は本質的に：
ｉ．    インジウム、インジウム−錫合金、金−錫合金およびこれらの混合物からなる群から選ばれる結合成分；
ｉｉ．  所望により、少なくとも約１００Ｗ／ｍｋの熱伝導度を有する熱伝導度増進成分；および
ｉｉｉ．希土類金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、高融点金属、亜鉛ならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれる内部酸素捕獲材からなり；および
ｂ．  約１０μｍ／ｍ℃未満の熱膨張係数を有するＣＴＥ変性成分、
からなることを特徴とする熱界面材。
【請求項２】
前記リフロー温度が約２５０℃未満でありそして少なくとも約２０Ｗ／ｍｋの熱伝導度を有する請求項１に記載の熱界面材。
【請求項３】
前記リフロー温度が約２００℃未満でありそして少なくとも約３０Ｗ／ｍｋの熱伝導度を有する請求項１に記載の熱界面材。
【請求項４】
前記結合成分がインジウムである請求項１に記載の熱界面材。
【請求項５】
前記ＣＴＥ変性成分が、酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素、銅−タングステン合金、低膨張  鉄−ニッケル合金、低膨張セラミック粉、低膨張ガラス粉およびこれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１に記載の熱界面材。
【請求項６】
前記半田が熱界面材の容量で約３０％から約９０％であり、ＣＴＥ変性成分は熱界面材の容量で約１０％から約７０％である請求項１に記載の熱界面材。
【請求項７】
前記半田が熱界面材の容量で約５０％から約９０％であり、ＣＴＥ変性成分は熱界面材の容量で約１０％から約５０％である請求項１に記載の熱界面材。
【請求項８】
前記熱伝導度増進成分が銀、銅、金ならびにそれらの混合物および合金からなる群から選ばれる請求項１記載の熱界面材。
【請求項９】
前記アルカリ金属はリチウム、ナトリウム、カリウムならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれるものであり、前記アルカリ土類金属はマグネシウムおよびカルシウムならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれるものであり、前記高融点金属はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、バナジウムおよびニオブならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれるものであり、前記希土類金属はランタン、セリウム、プラセオジム、サマリウム、ネオジウム、ヨーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、イットリウムならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の熱界面材。
【請求項１０】
前記結合成分はインジウムまたはインジウム−錫合金であり、そして前記高融点金属の半田における合計の濃度は約１０重量％未満であり、前記希土類金属の半田における合計の濃度は約５重量％未満であり、そして前記アルカリ金属、アルカリ土類金属および亜鉛の合計の濃度は約２０重量％未満である請求項１記載の熱界面材。
【請求項１１】
前記結合成分が金−錫合金であり、前記半田中の高融点金属の合計濃度は約５重量％未満であり、高融点金属は約３％未満であり、アルカリ金属、アルカリ土類金属および亜鉛の合計の濃度は約１０重量％未満である請求項１記載の熱界面材。
【請求項１２】
基板結合のための熱界面材であって、該熱界面材は金と、錫、珪素、ゲルマニウムならびにその混合物および合金からなる群から選ばれる第２の金属、および、希土類金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、高融点金属、亜鉛ならびにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれる内部酸素捕獲材とからなることを特徴とする熱界面材。
【請求項１３】
前記半田は約７５から約８５重量％の金および約１５から約２５重量％の錫からなり、または前記半田は少なくとも約９０重量％の金および約１％から約５重量％の珪素からなり、または前記半田は少なくとも約８０％重量％の金および約５から１５重量％のゲルマニウムからなる請求項１２に記載の熱界面材。
【請求項１４】
前記半田中の高融点金属の合計の濃度は約５重量％未満であり、前記高融点金属の合計の濃度は約３重量％未満であり、前記アルカリ金属、アルカリ土類金属および亜鉛の合計の濃度は約１０重量％未満である請求項１３に記載の熱界面材。
【請求項１５】
基板結合用熱界面材であって、該熱界面材は約３００℃未満のリフロー温度を有し、少なくとも約１５Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有し、該熱界面材は、本質的に：
インジウム、約０．１から約２重量％のチタンおよび約０．１から約２重量％のミッシュ（misch）金属から本質的になる半田であり、半田の濃度は熱界面材の容量で約３０％から９０％の範囲にある；そして
酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素、銅−タングステン合金、低膨張  鉄−ニッケル合金、低膨張セラミック粉、低膨張ガラス粉およびこれらの混合物からなる群から選ばれるＣＴＥ変性成分であって、熱界面材濃度は、熱界面材の容量で約１０％から約７０％の範囲にある、からなる熱界面材。
【請求項１６】
基板結合用熱界面材であって、該熱界面材は約３５０℃未満のリフロー温度を有し、少なくとも約１５Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有し、該熱界面材は、本質的に：
インジウム、約１重量％のチタンおよび約０．２重量％のミッシュ（misch）金属から本質的になる半田であり、半田の濃度は熱界面材の容量で約３０％から約９０％の範囲にある；そして
酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素、銅−タングステン合金、低膨張  鉄−ニッケル合金、低膨張セラミック粉、低膨張ガラス粉およびこれらの混合物からなる群から選ばれるＣＴＥ変性成分であって、ＣＴＥ変性成分濃度は、熱界面材の容量で約１０％から約７０％の範囲にある、からなる熱界面材。
【請求項１７】
外部フラックス処理することなしに約３００℃未満の温度で金属および非金属表面を湿潤する活性半田であって、該活性半田はインジウム、インジウム−錫合金、金−錫合金およびそれらの混合物からなる群から選ばれる結合成分、アルカリ金属、アルカリ土類金属、高融点金属、希土類金属、亜鉛並びにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれる内部酸素捕獲材からなるものである活性半田。
【請求項１８】
前記結合成分がインジウムまたはインジウム−錫合金であり、前記高融点金属の合計の濃度が約１０重量%未満であり、前記希土類金属の合計の濃度が約５重量%未満であり、そして前記アルカリ金属、アルカリ土類金属および亜鉛の合計の濃度が約２重量%未満である請求項１７に記載の活性半田。
【請求項１９】
前記結合成分がインジウムまたはインジウム−錫合金であり、前記内部酸素捕獲材が約０．５から約２重量％のチタンおよび約０．１から約２重量％のメッシュ金属である請求項１７に記載の活性半田。
【請求項２０】
前記結合成分がインジウムまたはインジウム−錫合金であり、前記内部酸素捕獲材が約１重量％のチタンおよび約０．２重量％のメッシュ金属である請求項１７に記載の活性半田。
【請求項２１】
前記結合成分が金−錫合金からなり、金−錫合金は約７７から約８３重量％の金および約１７から約２３重量％の錫からなり、そして前記半田中の高融点金属の合計の濃度は約０．５から約１．５重量％であり、前記アルカリ金属の合計の濃度は約０．１から約０．５重量％であり、前記アルカリ土類金属の合計の濃度は約０．１から約０．５重量％であり、前記亜鉛の合計の濃度は約０．１から約０．５重量％である請求項１７に記載の活性半田。
【請求項２２】
ａ．  前面と後面を有する半導体基板；
ｂ．  半導体基板の前面にある電子機器；
ｃ．  前面と後面を有するヒートシンク部品；および
ｄ．  半導体基板の後面をヒートシンク部品の前面に結合する熱界面材であって、該熱界面材は約３５０℃未満のリフロー温度を有し、少なくとも約１５Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有し、そして融点が約３００℃未満の半田と約１０μｍ／ｍ℃未満の熱膨張係数を有するＣＴＥ変性成分から本質的になり、
ここで、該半田は、
ｉ．    インジウム、インジウム−錫合金、金−錫合金およびこれらの混合物からなる群から選ばれる結合成分；
ｉｉ．  所望により少なくとも約１００Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有する熱伝導度増進成分；および
ｉｉｉ．希土類金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、高融点金属、亜鉛並びにこれらの混合物および合金からなる群から選ばれる内部酸素捕獲材から本質的になる半田である、
からなる電子機器装置。
【請求項２３】
前記ＣＴＥ変性成分が約８μｍ／ｍ℃未満の熱膨張係数を有する請求項２２記載の電子機器装置。
【請求項２４】
前記熱界面材が容量で約３０％から約９０％の半田および容量で約１０％から約７０％のＣＴＥ変性成分からなることを特徴とする請求項２２記載の電子機器装置。