【事件の表示】
　特願２００３−　７６２４４「圧電アクチュエータ，インクジェット式ヘッド，吐出装置，及び圧電アクチュエータの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開，特開２００４−　　６７２２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯  
　本願は，特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１５年３月１９日（優先日平成１４年３月２７日）の出願であって，平成２２年１月１５日付けで手続補正がなされ，同年２月９日付けで拒絶査定がなされ，それに対して，同年５月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　なお，本願については，平成２２年６月８日付けの手続補正書が提出されたが，当該手続補正書に係る手続は，同年７月２９日付けの手続却下の決定により却下された。
　  
２　本願発明  
　本願の請求項１〜１４に係る発明は，平成２２年１月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　  
（本願発明） 
「【請求項１】　（１００）若しくは（１１０）配向であるＳｉ基板上にエピタキシャル形成された酸化物からなるバッファ層と，
　前記バッファ層上に形成された，遷移金属酸化物からなりペロブスカイト構造を有する擬立方晶（１００）配向を備えた下部電極と，
　前記下部電極上に形成された，擬立方晶（００１）配向の（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））からなる圧電体層と，
　前記圧電体層上に形成された上部電極と，を備えた圧電アクチュエータ。」
　  
３　引用例に記載された発明  
（１）　引用例に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００１−２６７６４５号公報（以下「引用例」という。）には，「強誘電体薄膜素子」について図１とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　  
　ア　「【請求項１】
Ｓｉ基板と，Ｓｉ基板上に形成された薄膜積層体とを有する強誘電体薄膜素子
前記薄膜積層体は，
Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長したバッファ層と，バッファ層上にエピタキシャル成長した金属薄膜からなる下部電極と，下部電極上に配向成長またはエピタキシャル成長した強誘電体薄膜と，強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを有し，
前記薄膜積層体の一部は，前記Ｓｉ基板から浮かせるように配置されていることを特徴とする
強誘電体薄膜素子。
　 
　イ　「【請求項５】前記
バッファ層は，ＭｇＯ層，Ｔｉ
1-x
Ａｌ
x
Ｎ層
【請求項６】前記
下部電極は，Ｉｒ
ＳｒＲｕＯ
3
【請求項７】前記
強誘電体薄膜は，一般式ＡＢＯ
3
（ただし，Ａ＝Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａのうちの少なくとも１種，Ｂ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｎｂ，Ｚｎのうちの少なくとも１種）で示されるペロブスカイト型化合物
　 
　ウ　「【００１６】
【発明の実施の形態】［第１実施例］本実施例では，ダイヤフラム構造を有する強誘電体薄膜素子，およびその製造方法について，図１を用いて説明する。図１は本実施例のダイヤフラム構造を有する強誘電体薄膜素子の製造方法を示す工程断面図である。
【００１７】まず，図１（ａ）に示すような薄膜積層体６を基板上に形成する。１はＳｉ基板を示し，薄膜積層体６は，
Ｓｉ基板１上にエピタキシャル成長したバッファ層２，バッファ層２上にエピタキシャル成長した下部電極３，下部電極３上にエピタキシャル成長した強誘電体薄膜４，強誘電体薄膜４上に形成された上部電極５とからなる
【００１８】それぞれの薄膜の形成方法は特に限定されることはないが，本実施例では，まず，
Ｓｉ基板１としてＳｉ（００１）単結晶基板を用意し，
厚さ約３０〜１００ｎｍのＭｇＯ薄膜からなるバッファ層２を形成する
【００１９】続いて，同じくレーザー蒸着装置（Pulsed Laser Deposition（ＰＬＤ）装置）を用いて，バッファ層２であるＭｇＯ薄膜上に，５００〜６５０℃の温度で，
厚さ約１００〜２００ｎｍのＩｒ薄膜からなる下部電極３
【００２０】このようにして得られたエピタキシャルＩｒ薄膜上に，ＣＶＤ法を用いて，６００〜７００℃の温度で，
厚さ約５００〜１０００ｎｍのＰＺＴ薄膜からなる強誘電体薄膜４
　
　エ　「【００２５】なお，上述の実施例では
基板としてＳｉ（００１）単結晶基板を用いたが，これに限らずＳｉ（１１１），Ｓｉ（１１０）等の基板を使用してもよい。
　
　オ　「【００２８】
バッファ層２としてはＭｇＯ薄膜を用いたが，これに限定されるものではなく，
Ｔｉ
1-x
Ａｌ
x
Ｎ（ただし，ｘが０以上０．４以下）薄膜や，ＹＳＺ薄膜等を用いることもできる。
【００２９】
下部電極３としてはＩｒ薄膜を用いたが，これに限定されるものではなく，
Ｒｈ，Ｐｔ，ＳｒＲｕＯ
3
，（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ
3
等を用いることもできる。
【００３０】
強誘電体薄膜４としては，強誘電体のなかでも
圧電性
に優れたＰＺＴ薄膜を用いたが，これに限定されるものではなく，
一般式ＡＢＯ
3
（ただし，Ａ＝Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａのうちの少なくとも１種，Ｂ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｎｂ，Ｚｎのうちの少なくとも１種）で示されるペロブスカイト型化合物薄膜を形成しても良い。
　
　カ　「【００４２】上記
第１〜第４実施例において形成された強誘電体薄膜素子
マイクロアクチュエータ等の様々な電子部品への応用
　
　キ　ＳｒＲｕＯ3がペロブスカイト構造を有する導電性の遷移金属酸化物であることは，以下の周知例１にもあるように当業者にとって周知の技術である。
　
　以上総合すると，引用例には以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
 　
「Ｓｉ（００１）基板１上にエピタキシャル成長したＭｇＯ薄膜からなるバッファ層２と，前記バッファ層２上にエピタキシャル成長した遷移金属酸化物からなりペロブスカイト構造を有するＳｒＲｕＯ3からなる下部電極３と，前記下部電極３上に配向成長またはエピタキシャル成長した一般式ＡＢＯ3（ただし，Ａ＝Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａのうちの少なくとも１種，Ｂ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｎｂ，Ｚｎのうちの少なくとも１種）で示されるペロブスカイト型化合物強誘電体薄膜４を有し，前記強誘電体薄膜４上に形成された上部電極５とを有していることを特徴とする強誘電体薄膜素子。」 
　
　ク　周知例１：特開２０００−３５１６２３号公報
「【００５３】このようなペロブスカイト型酸化物薄膜の形成に用いられる耐熱性の基板材料としては，シリコン（単結晶又は多結晶），白金，ニッケルなどの金属類，酸化ルテニウム，酸化イリジウム，ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ3）又はコバルト酸ランタンストロンチウム（（ＬａXＳｒ1-X）ＣｏＯ3）などのぺロブスカイト型導電性酸化物など，石英，窒化アルミニウム，酸化チタンなどの無機化合物が挙げられる。キャパシター膜の場合には，基板は下部電極であり，
下部電極としては
ＳｒＲｕＯ
3
ぺロブスカイト型導電性酸化物
　
４　対比・判断 
（１）　対比  
　Ｓｉの（００１）面が（１００）面と同じであることは，当業者にとって明らかであるから，引用発明の「Ｓｉ（００１）基板」，「ＭｇＯ薄膜」は，それぞれ本願発明の「（１００）配向であるＳｉ基板」，「酸化物」に相当する。 
　３（１）オによれば，引用発明の「強誘電体」は，強誘電体のなかで「圧電性」に優れたものを選択していることが分かるから，引用発明において「強誘電体」は「圧電体」として用いられていることは当業者にとって明らかであるので，引用発明の「強誘電体」は，本願発明の「圧電体」に相当する。
　また，本願明細書の「圧電体薄膜層４３は，ペロブスカイト型結晶構造を持つ圧電性セラミックスであり」（段落【００４２】）という記載から，本願発明の「圧電体」である「（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））」がペロブスカイト型結晶構造を持つものであることを前提としていると認められる。そうすると，引用発明の「一般式ＡＢＯ3（ただし，Ａ＝Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａのうちの少なくとも１種，Ｂ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｎｂ，Ｚｎのうちの少なくとも１種）で示されるペロブスカイト型化合物強誘電体薄膜４」と本願発明の「（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））」は，どちらもペロブスカイト型結晶構造を持つ圧電体である点で共通する。
　引用発明の「強誘電体薄膜素子」は，強誘電体の圧電性を利用した素子であり，本願発明の「圧電アクチュエータ」も「圧電体」を用いた「素子」であることは当業者にとって明らかであるから，両者は「圧電素子」である点で共通する。 
　 
(一致点）　  
　本願発明と引用発明とは， 
「（１００）配向であるＳｉ基板上にエピタキシャル形成された酸化物からなるバッファ層と，
　前記バッファ層上に形成された，遷移金属酸化物からなりペロブスカイト構造を備えた下部電極と，
　前記下部電極上に形成された，ペロブスカイト型結晶構造を持つ圧電体層と，
　前記圧電体層上に形成された上部電極と，を備えた圧電素子。」 
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点１）  
　本願発明は，下部電極が「擬立方晶（１００）配向を備え」ているのに対して，引用発明は，結晶の配向が特定されていない点。 
　 
（相違点２）  
　本願発明は，ペロブスカイト型結晶構造を持つ「擬立方晶（００１）配向の（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））からなる圧電体」であるのに対して，
　引用発明は，圧電体の結晶の配向が特定されておらず，材質が「一般式ＡＢＯ3（ただし，Ａ＝Ｂａ，Ｐｂ，Ｌａのうちの少なくとも１種，Ｂ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｎｂ，Ｚｎのうちの少なくとも１種）」である点。 
　
（相違点３）  
　本願発明は，「圧電アクチュエータ」であるのに対して，引用発明は，強誘電体薄膜素子であるもののその用途が明らかでない点。 
　
（２）　判断 
（相違点１について）
　擬立方晶（１００）配向を備えた下部電極をバッファ層を積んだ（１００）Ｓｉ上に形成することは，以下の周知例２，３にも記載されているように当該技術分野において周知の技術である。そして，引用発明においても，下部電極をエピタキシャル成長により製造していることから，当然（１００）配向となっているものと認められる。
　したがって，引用発明において，周知の技術を勘案し，遷移金属酸化物からなりペロブスカイト構造を備えた下部電極をエピタキシャル成長させて「擬立方晶（１００）配向を備えた」ものとすることは，当業者ならば容易になし得たことである。
　
　ア　周知例２：特開２００１−１２２６９８号公報
　（ア）　「【請求項１】  
（１００）シリコン基板
バッファ層
バッファ層上にペロブスカイト構造の擬立方晶で（１００）配向に相当する金属酸化物層ＡＢＯ
3
とを有することを特徴とする酸化物電極薄膜。
　
　（イ）　「【００３０】得られた薄膜キャパシタは，膜面に垂直方向で（１００）ＳｒＲｕＯ3／（００１）ＰＺＴ／
（１００）ＳｒＲｕＯ
3
／（１００）ＳｒＯ／
（１００）Ｓｉ
　
　イ　周知例３：特開平１０−９３０２９号公報
　（ア）　「【００２７】ここで，
導電性ぺロブスカイト型酸化物としては，ＳｒＲｕＯ
3
 （ＳＲＯ）
導電性ぺロブスカイト結晶は立方晶がやや歪んだぺロブスカイト構造を持ち，平均化して格子を立方晶に換算した場合の格子定数はＳＲＯ（ａ=0.3930nm)より大きいものが多く，ＳｒＩｒＯ
3
 ，ＳｒＭｏＯ
3
 ，ＳｒＯｓＯ
3
 ，ＳｒＲｅＯ
3
 等が代表的である。
【００２８】このような導電性ぺロブスカイト型酸化物において，ＳＲＯ結晶に周期律表で第４周期の元素であるＣａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，およびＬａ系列の希土類元素であるＮｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂから選ばれた少なくとも 1種の元素を，モル比で 5〜 60%の範囲で含有（固溶）させることにより，ＳＲＯより格子定数が小さい，すなわち格子定数が 0.393nm未満であり，加えて結晶的および化学的に安定な
導電性ペロブスカイト型酸化物
　
　（イ）　「【００３０】なお，ここで言う導電性ぺロブスカイト型酸化物結晶の立方晶系に換算したときの格子定数は，以下に示す通りである。すなわち，
立方晶で表されるペロブスカイトの単位格子を僅かに歪ませた場合，ａ軸，ｂ軸，ｃ軸の長さの比やそれらの成す角度によって，三方晶，正方晶，斜方晶，単斜晶等の様々な結晶系で表される。
　
　（ウ）　「【００３８】実施例１
まず，図１に示したように，
表面が平滑なＳｉ(100）単結晶基板１の上に，アドヒージョン層２として膜厚30nmのＴｉ
0.8
 Ａｌ
0.2
 Ｎ(100）膜，
(100)配向のＳｒ
1-x
 Ｃａ
x
 ＲｕＯ
3
 （ＳＣＲＯ）膜
【００３９】上記した
Ｓｒ
1-x
 Ｃａ
x
 ＲｕＯ
3
 膜上に，誘電体薄膜６として膜厚約50nmのＢａ
0.6
 Ｓｒ
0.4
 ＴｉＯ
3 
膜
【００３９】上記したＳｒ1-x Ｃａx ＲｕＯ3 膜上に，誘電体薄膜６として膜厚約50nmの
Ｂａ
0.6
 Ｓｒ
0.4
 ＴｉＯ
3
 膜
【００４０】この後，上記誘電体薄膜６としてのＢａ0.6 Ｓｒ0.4 ＴｉＯ3 膜上に，上部電極７として膜厚50nmのＰｔ膜をＲＦスパッタ法により作製した。Ｐｔ膜はリフトオフ法により 100μm × 100μm の形状に加工した。
【００４１】このようにして作製したＳｒ1-x Ｃａx ＲｕＯ3 膜およびＢａ0.6 Ｓｒ0.4 ＴｉＯ3 膜のＸ線回折を行ったところ，ともにペロブスカイト型結晶構造の(001），(002），(003）面からの回折線のみが現れており，これらの膜が 
(001)面が配向したぺロブスカイト型結晶構造を持つことを確認した。
　
（相違点２について） 
　環境問題の観点から，有害物質であるＰｂを含まない圧電材料が求められていることは，例えば周知例４，５にも記載されているように当該技術分野において周知であって，当該技術課題は，当業者は常に念頭に置いているものといえる。そうすると，引用発明の圧電材料においても，Ｐｂを含まない材料を選択することは，当業者にとって自然なことといえる。
　そして，組成が（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ３（ただしｘ＝０．１〜０．５）である圧電材料は，周知例６にも記載されているように当該技術分野において周知の技術であり，この組成が本願発明の組成である「（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））」と重なっており，Ｐｂを含まない材料であることは明らかであるから，上記の周知の技術課題に基いて，引用発明の圧電材料として，Ｐｂを含まない周知の（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ３を選択することは，当業者にとって困難性はない。
　なお，本願発明において，０＜ｘ≦０．３と限定した点は，本願の明細書の記載段落【００４２】を見ても「圧電体薄膜層４３は，擬立方晶（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））である。」と記載されてるのみであり，０＜ｘ≦０．３と限定する臨界的な意義は認められない。
　また，（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ３を（１００）Ｓｉ，バッファ層，（１００）電極層上にエピタキシャル成長させることにより，配向方向が（００１）になることは周知例３に記載されているように当該技術分野において周知の技術である。
　以上から，引用発明において，上記周知の技術を勘案し，圧電材料を「擬立方晶（００１）配向の（Ｂａ1-xＭx）（Ｔｉ1-yＺy）Ｏ3（ここで，（Ｍ＝Ｓｒ又はＣａ，０＜ｘ≦０．３），（Ｚ＝Ｚｒ又はＨｆ，０≦ｙ≦０．２））」とすることは，当業者ならば容易になし得たことである。
　
　ア　周知例４：特開２０００−４４３３５号公報
　「【０００２】
【従来の技術】従来，
圧電セラミックス材料としては，二成分で構成されるＰＺＴ（ＰｂＴｉＯ
3
 −ＰｂＺｒＯ
3
 ）系セラミックス
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし，これらの材料の主成分は，どれも鉛を主成分とするもので，原料比でいうと酸化鉛にして，６０ｗｔ％以上も含まれている。酸化鉛は低温でも揮発性が高く，仮焼，焼結等の製造時に大気中に洩れるのは必至である。
【０００４】また，産業廃棄物中から溶出することも考えられ，
公害の面から見ると，鉛は大変有害な物質
【０００５】そこで，低公害化の策として，
無鉛材料で大きな圧電特性を示す材料が要望されている。
　
　イ　周知例５：特開平１１−２９２６２７号公報
　「【０００４】他方，近年では，
有害物質に対する環境問題が重視されてきていることから，鉛を含まない圧電材料に関する開発のニーズも高まってきており
圧電材料の研究が進められている。
　
　ウ　周知例６：特開平２−１５９０７９号公報
　（ア）　「(1)　下記一般式：
　　　（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ３　（ただしｘ＝０．１〜０．５）」
により表される組成を有することを特徴とするアクチュエータ用圧電材料。」（第１ページ左下欄５行〜１０行）
　
　（イ）　「上記目的に鑑み鋭意研究の結果，本発明者等はＢａＴｉＯ３中のＢａを所定の割合のＳｒで置換することによりキュリー点を低下することができ，もって実際の作動温度における歪量を大きくすることができることを発見し，本発明に想到した。
　すなわち，本発明のアクチュエータ用圧電材料は下記一般式：
　　　（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ３　（ただしｘ＝０．１〜０．５）
により表される組成を有することを特徴とする。」（第２ページ右上欄６行〜１５行）
　
（相違点３について） 
　３（１）カによれば，引用発明の強誘電体薄膜素子も「マイクロアクチュエータ」へ応用が可能であることが示唆されており，相違点３は実質的なものではない。また，仮に実質的な相違点であるとしても，当該示唆に基いて，引用発明の強誘電体薄膜素子をアクチュエータに応用し，「圧電アクチュエータ」とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　 
５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。