【事件の表示】
　特願２００９−１８４８３７「発光装置および画像表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月２４日出願公開、特開２０１１−　４０４８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年８月７日の出願であって、平成２３年６月２４日に手続補正がなされたが、同年９月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２３年１２月６日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前の
「発光素子と、
　コア部および当該コア部を覆い、発光素子の発する光の少なくとも一部を吸収し、前記コア部より体積の大きいシェル部を有する、コア／シェル構造の半導体微粒子蛍光体とを備える、発光装置。」
を
「発光素子と、
　コア部および当該コア部を覆い、発光素子の発する光の少なくとも一部を吸収し、前記コア部より体積の大きいシェル部を有する、コア／シェル構造の半導体微粒子蛍光体とを備える発光装置であって、
　前記コア部がＩｎＰまたはＩｎＮであり、前記シェル部がＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＺｎＯＳ、ＺｎＯＳｅ、ＺｎＯＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳＴｅおよびＺｎＳｅＴｅからなる群から選ばれるいずれかの三元混晶である、発光装置。」
に補正することを含むものであって、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−８３２６０公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
「【０００１】
  本発明は、発光素子からの励起光を受けて発光する蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置に関する。」、
「【０００６】
  上記状況を鑑みて、本発明は、励起光の吸収効率が高く輝度の高い蛍光体粒子および演色性に優れた蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
  本発明は、励起エネルギーＥeを有する励起光を受けて蛍光を発する蛍光体粒子であって、バンドギャップエネルギーＥ1を有する半導体コア粒子と、半導体コア粒子を被覆するバンドギャップエネルギーＥ2を有する半導体シェル層を含み、半導体コア粒子のＥ1と半導体シェル層のＥ2と励起光のＥeとの関係がＥ1＜Ｅ2≦Ｅeであり、半導体シェル層で半導体コア粒子を被覆することにより半導体コア粒子中にＥ1とＥ2との間のエネルギーを有する離散的なエネルギー準位が形成され、エネルギー準位における基底準位間のエネルギーＥに基づく蛍光を発する蛍光体粒子である。
…。
【００１０】
  本発明は、上記の蛍光体粒子または蛍光体粒子分散体と、発光素子とを含む照明装置である。」、
「【００１３】
  （実施形態１）
  本発明の実施形態１による蛍光体粒子は、図１を参照して、励起エネルギーＥeを有する励起光１１を受けて蛍光１３を発する蛍光体粒子１００であって、バンドギャップエネルギーＥ1（伝導帯１０１ｃと価電子帯１０１ｖとの間のバンドギャップエネルギー）を有する半導体コア粒子１０１と、半導体コア粒子を被覆するバンドギャップエネルギーＥ2（伝導帯１０２ｃと価電子帯１０２ｖとの間のバンドギャップエネルギー）を有する半導体シェル層１０２とを含み、半導体コア粒子のＥ1と半導体シェル層のＥ2と励起光のＥeとの関係がＥ1＜Ｅ2≦Ｅeであり、半導体シェル層１０２で半導体コア粒子１０１を被覆することにより半導体コア粒子１０１中にＥ1とＥ2との間のエネルギーを有する離散的なエネルギー準位が形成され、エネルギー準位における基底準位１１１ｃ，１１１ｖ間のエネルギーＥに基づく蛍光１３を発する蛍光体粒子である。
【００１４】
  本実施形態の蛍光体粒子が、励起光の吸収効率が高く輝度が高くなる理由を、従来の蛍光体粒子と対比させて、具体的に説明する。
【００１５】
  従来の蛍光体粒子は、たとえば、図２を参照して、半導体コア粒子２０１として１．７ｅＶ程度のバンドギャップエネルギーＥ1を有する直径６〜１０ｎｍ程度のＣｄＳｅコア粒子と、半導体コア粒子２０１を被覆する半導体シェル層２０２として３．８０ｅＶのバンドギャップエネルギーＥ2を有するＺｎＳシェル層とからなり、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ（０≦ｘ３≦１）発光素子が発した励起エネルギーＥeが２．８８ｅＶ（波長４３０ｎｍ）の励起光１１を受けて、蛍光１３を発する蛍光体粒子である。なお、励起光の一部は、蛍光体粒子表面によって散乱され散乱光１２として反射される。
【００１６】
  この従来の蛍光体粒子において、ＺｎＳシェル層でＣｄＳｅコア粒子を被覆することによってＣｄＳｅコア粒子中に形成された基底準位２１１ｃ，２１１ｖ間のエネルギーＥはたとえば１．９ｅＶ（６５０ｎｍ）であり、波長が６５０ｎｍの蛍光１３を発する。なお、図２（ｂ）において、Ｃ．Ｂは伝導帯、Ｖ．Ｂは価電子帯、白丸は電子１４、黒丸は正孔１５を示す。
【００１７】
  上記のように、従来の蛍光体粒子においては、ＥeとＥ2とＥとの関係はＥ＜Ｅe＜Ｅ2となり、このようなバンド構造においては、ＣｄＳｅコア粒子内に形成されるエネルギー準位、すなわち励起エネルギーＥeを有する励起光１１を吸収できるエネルギー状態密度は離散的にしか存在せず、このエネルギー準位から少しでも外れると励起光の吸収効率が低下し輝度が低下する。なお、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ発光素子（０≦ｘ３≦１）において、ＩｎおよびＧａの組成をどのように変化させても、その励起エネルギーＥeは３．３８ｅＶ以下となり、上記と同様にＥe＜Ｅ2となってしまう。
【００１８】
  これに対し、本実施形態の蛍光体粒子は、たとえば、図１を参照して、半導体コア粒子１０１として２．００ｅＶ（波長６２０ｎｍ）のバンドギャップエネルギーＥ1を有するＩｎＮコア粒子と、半導体コア粒子１０１を被覆する半導体シェル層１０２として２．８０ｅＶ（波長４４２ｎｍ）のバンドギャップエネルギーＥ2を有するＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層（０＜ｘ２＜１）とからなり、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ発光素子（０≦ｘ３≦１）が発した励起エネルギーＥeが２．８８ｅＶ（４３０ｎｍ）の励起光１１を受けて蛍光１３を発する蛍光体粒子である。なお、励起光の一部は、蛍光体粒子表面によって散乱され散乱光１２として反射される。
【００１９】
  この本実施形態の蛍光体粒子において、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層（０＜ｘ２＜１）でＩｎＮコア粒子を被覆することによって、ＩｎＮコア粒子中に形成された基底準位１１１ｃ，１１１ｖ間のエネルギーＥは、たとえば２．５８ｅＶ（波長４８０ｎｍ）となり、波長４８０ｎｍの蛍光１３を発する。
【００２０】
  上記のように、半導体シェル層であるＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層（０＜ｘ２＜１）のＥ2が励起光のＥe以下になるように、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層の元素組成比ｘ２を設定することにより、励起光の大部分を半導体シェル層で吸収することができる。これにより、励起光を吸収し得る体積（半導体シェル層の体積）を増大することができ、蛍光体粒子の輝度が高くなる。」
　
３　引用発明
　上記２の引用刊行物の記載、特に【００１０】、【００１８】及び【００２０】によれば、引用刊行物には、
「蛍光体粒子と、発光素子とを含む照明装置であって、
　前記蛍光体粒子は、半導体コア粒子１０１として２．００ｅＶ（波長６２０ｎｍ）のバンドギャップエネルギーＥ1を有するＩｎＮコア粒子と、半導体コア粒子１０１を被覆する半導体シェル層１０２として２．８０ｅＶ（波長４４２ｎｍ）のバンドギャップエネルギーＥ2を有するＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層（０＜ｘ２＜１）とからなり、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ発光素子（０≦ｘ３≦１）が発した励起エネルギーＥeが２．８８ｅＶ（４３０ｎｍ）の励起光１１を受けて蛍光１３を発する、励起光の大部分を半導体シェル層で吸収することができる蛍光体粒子であり、
　前記発光素子は、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ発光素子（０≦ｘ３≦１）である、照明装置。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「発光素子」、「半導体コア粒子１０１」、「半導体シェル層１０２」、「蛍光体粒子」及び「照明装置」が本願補正発明の「発光素子」、「コア部」、「シェル部」、「コア／シェル構造の半導体微粒子蛍光体」及び「発光装置」にそれぞれ相当するところであり、本願補正発明と引用発明は、「発光素子と、コア部および当該コア部を覆い、発光素子の発する光の少なくとも一部を吸収するシェル部を有する、コア／シェル構造の半導体微粒子蛍光体とを備える発光装置」である点で一致する。
　
（２）引用発明において、「半導体コア粒子１０１」は、「ＩｎＮコア粒子」であり、また、「半導体シェル層１０２」は、「Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎシェル層」であり、これらは、それぞれ、本願補正発明の「ＩｎＮ」及び「ＧａＩｎＮ」に相当するから、本願補正発明と引用発明は、「前記コア部がＩｎＰまたはＩｎＮであり、前記シェル部がＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＺｎＯＳ、ＺｎＯＳｅ、ＺｎＯＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳＴｅおよびＺｎＳｅＴｅからなる群から選ばれるいずれかの三元混晶である、発光装置」である点で一致する。
　
（３）以上によれば、本願補正発明と引用発明は、
「発光素子と、
　コア部および当該コア部を覆い、発光素子の発する光の少なくとも一部を吸収するシェル部を有する、コア／シェル構造の半導体微粒子蛍光体とを備える発光装置であって、
　前記コア部がＩｎＰまたはＩｎＮであり、前記シェル部がＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＺｎＯＳ、ＺｎＯＳｅ、ＺｎＯＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳＴｅおよびＺｎＳｅＴｅからなる群から選ばれるいずれかの三元混晶である、発光装置。」
である点で一致し、
「シェル部が、本願補正発明では、前記コア部より体積の大きいものとされているのに対し、引用発明の半導体シェル層１０２がこのようなものであるか明確でない点。」
で相違するものと認められる。
　
５　判断
　上記相違点について検討するに、引用刊行物には、【００２０】に「励起光を吸収し得る体積（半導体シェル層の体積）を増大することができ、蛍光体粒子の輝度が高くなる」と記載されているように、半導体シェル層の体積を増大することが示唆されているから、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことというべきであり、また、そのようにしたことによる効果についても引用刊行物の記載から当業者が予測可能な程度のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　　　　
６　補正却下の決定の理由についてのむすび
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成２３年改正前特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年６月２４日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、［理由］１において、本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　判断
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものが本願補正発明であるところ、本願補正発明が前記第２、［理由］２〜６において検討したように引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることに照らせば、本願発明が引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。