【事件の表示】
　特願２００５−５１８６０１「大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日国際公開、ＷＯ２００４／０９４６９３、平成１８年　５月１８日国内公表、特表２００６−５１５０３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、２００４年４月１４日（パリ条約による優先権主張２００３年４月１６日、米国）を国際出願日とする出願であって、原審にて平成２０年８月６日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し同年１２月１１日付けで特許請求の範囲の手続補正がなされたが、平成２１年７月２７日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件審判は、この査定を不服として、同年１１月３０日に請求がなされたものであり、同日付けで特許請求の範囲の手続補正もなされている。
　その後、当審にて平成２３年６月１６日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し平成２４年１月１１日付けで意見書が提出されるとともに特許請求の範囲の手続補正がなされている。
　
２．本願発明の認定
　
　本願の請求項８に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年１月１１日付けで手続補正がなされた特許請求の範囲において、請求項８に記載された次の事項により特定されるとおりものと認められる。
　
【請求項８】
　処理チャンバ用のガス分配プレートアセンブリであって、
　陽極処理されていないアルミニウム製上流側部と、陽極処理された下流側部とを有する拡散プレートアセンブリと、
　前記拡散プレートアセンブリの前記上流側部と前記下流側部との間を通過する複数のガス通路と、を備え、
　前記ガス通路の少なくとも１つが、
　円筒状に形成され、前記上流側部から延びた第１穴と、
　前記第１穴の底部と流体結合したオリフィス穴と、
　前記オリフィス穴から前記下流側部へ延びたフレア型第２穴と、を備え、
　前記オリフィス穴の直径が前記第１穴および前記第２穴よりも小さい、ガス分配プレートアセンブリ。
　
３．当審拒絶の理由
　
　当審で通知した拒絶理由の一つは、「本願発明は、その優先権の基礎とされた先の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものであり、次の文献を引用している。
　米国特許第６０２４７９９号明細書　（以下、「引用例１」という。） 
　国際公開第１９９８／０４６８０８号（以下、「引用例２」という。）
　
４．引用例の記載事項
　
　引用例１
　
○摘記1-1（図４）
　
○摘記1-2（図９）
　
○摘記1-3（第１欄第６〜３１行）
　本発明は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）の技術分野、特に、蒸着の際に、基板に近接して対向するガスインレットマニホールドまたはフェースプレートを備えるタイプのＣＶＤ反応装置に関する。
　ＣＶＤは、多様な形式で、適合する加熱下で反応ガスを導入することにより、基板、通常は半導体ウエハ、に薄層または薄膜を形成するために使用されるプロセスである。ウエハは、通常、平らなサセプタや他のヒータ素子に保持される。一般的な蒸着材料には、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び/又はタングステンシリサイドが含まれる。いくつかの反応装置は、プラズマＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）において、反応ガスのプラズマを利用する。 ＰＥＣＶＤ反応装置において、プラズマを形成する一般的な方法は、無線周波数（ＲＦ）励起である。一般的な構造として、ＰＥＣＶＤと基本的なＣＶＤ反応装置の両方が、膜が蒸着される基板に対して、近接して対向した作動位置にある平板状の分配マニホールド又は「フェースプレート」を備えることを特徴としている。図１に最も典型的な形状が示されるように、マニホールド10は、平坦な上流面、下流面12,14と、基板18の計画領域に対応する領域をカバーし、両面間に伸びる複数の孔16の中央部配列を有する。反応ガス20は、孔を通って基板へと流れる。 ＲＦ反応装置では、マニホールドは、ＲＦ電極として機能する。
（原文）
　This invention relates to the field of chemical vapor deposition (CVD), and more particularly to CVD reactors of the type featuring a gas inlet manifold or face plate in close facing relationship to a substrate upon which deposition is desired.
　CVD, in its many forms, is a process which may used to apply a thin layer or film of material to a substrate, typically a semiconductor wafer, by introduction of reactant gasses in the presence of applied heat. The wafer is typically held on a flat susceptor or other heater element. Common deposited materials include silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride and/or tungsten silicide. Some reactors utilize a plasma of the reactant gasses in a plasma enhanced CVD process (PECVD). Common means of forming the plasma used in PECVD reactors are radio frequency (RF) excitation. In common constructions, both PECVD and basic CVD reactors feature a flat plate distribution manifold or face plate in an operative position in close facing relationship to the face of the substrate onto which the film is to be deposited. As is shown in a most schematic form in FIG. 1, the manifold 10 typically has flat upstream and downstream faces 12 and 14 with a central array of holes 16 extending therebetween and covering an area corresponding to the plan area of the substrate 18. Reactant gas 20 flows through the holes to the substrate. In RF reactors, the manifold serves as an RF electrode. 
　
○摘記1-4（第５欄第６〜１３行）
　図４に示すように、上流から下流に向けて、各々の貫通孔50は、入口側に、均一円形断面の上流領域52を備え、これは、均一円形断面の中間領域56へ順次連なる第一の円錐形遷移領域54に接続される。中間領域56は、出口側で、均一円形断面の下流領域60へ順次連なる第二の円錐形遷移領域58に最終的に接続される。
（原文）
　As shown in FIG. 4, from upstream to downstream, each through-bore 50 has an upstream region 52 of uniform circular section at the inlet, connecting to a first conical transition region 54 which in turn connects to an intermediate region 56 of uniform circular section. The intermediate region 56, in turn, connects to a second conical transition region 58 which finally connects to a downstream region 60, at the outlet, of uniform circular section. 
　
○摘記1-5（第５欄第３５〜４３行）
　Ｄ２と、典型的構成で約0.218インチである充填間隔Ｓ、の選択は、主に所望のガス流量特性を達成するために行われ、それらの選択は、マニホールド設計の通常の工程上における最適化の問題である。これらの寸法が実質的に決定されると、直径Ｄ３は、隣接する孔の下流側円筒形部分60の間が、極端に脆弱な材料ウエブ62とならない限り、できるだけ大きくなるように選択される。
（原文）
　The selection of Ｄ２ and the packing separation Ｓ, which in the exemplary construction can be approximately 0.218 inches, is made largely to achieve desired gas flow characteristics and their selection may be a matter of optimization in the ordinary course of manifold design. With these dimensions substantially determined, the diameter Ｄ３ is chosen to be as large as possible without leaving too fragile a web 62 of material between the downstream cylindrical sections 60 of adjacent bores. 
　
○摘記1-6（第７欄第４〜９行）
　図９に示すさらに別の実施形態では、図４の貫通孔50に関して、上流領域とそれに関連付けられた遷移領域および／または下流領域とそれに関連付けられた遷移領域を、孔250のように組み合わせることができる。孔250は、それぞれ円錐形の上流と下流の領域252および260を備える。
（原文）
　In a further embodiment shown in FIG. 9, relative to the through-bore 50 of FIG. 4, the upstream region and its associated transition region and/or the downstream region and its associated transition region may be combined such as in a bore 250. Bore 250 has conical upstream and downstream regions 252 and 260, respectively.
　
　引用例２
　
○摘記2-1（第１０頁第９〜１１行）
　また，サセプタ１１０の載置面と対向する位置には、導電性材料、例えばアルミニウムから成りその表面が陽極酸化処理された略円盤状の上部電極１２８が配置されている。
　
○摘記2-2（第１４頁第１１〜１３行）
　また、ガス吐出孔１２８ａの処理室１０２側開口部から肩部１２８ｂに至る部分には、耐プラズマ処理、例えば上述した上部電極１２８の表面に施されている陽極酸化処理が、同様にして施されている。
　
○摘記2-3（第２１頁第１３〜１８行）
　さらに、上記実施の形態において、エッチング装置を例に挙げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されるものではなく、処理室内にガス吐出孔からガスを導入する処理装置、例えばＣＶＤ装置やスパッタ装置等の各種装置にも適用することができる。また、被処理体は、上記実施の形態で説明したウェハに限定されず、例えばＬＣＤ用ガラス基板などの各種被処理体に処理を施す場合にも、本発明を適用することができる。
　
５．引用発明の認定
　
　引用例１には、典型的には、上流面と下流面の間に伸びる複数の反応ガス通過孔が中央部に配列している平板状の分配マニホールドであるプラズマＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）反応装置が備えるガスインレットマニホールド（摘記1-3参照）について、各々の反応ガス通過孔が、均一円形断面の上流領域、第一の円錐形遷移領域、均一円形断面の中間領域、第二の円錐形遷移領域、均一円形断面の下流領域を接続して構成され、中間領域の円形断面直径が、上流領域や下流領域の円形断面直径より小さい実施態様（摘記1-1,1-4参照）が記載されている。
　すなわち、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＰＥＣＶＤ反応装置が備えるガスインレットマニホールドであって、上流面と下流面の間に伸びる複数の反応ガス通過孔が中央部に配列している平板状の分配マニホールドを備え、該反応ガス通過孔が、均一円形断面の上流領域、第一の円錐形遷移領域、均一円形断面の中間領域、第二の円錐形遷移領域、均一円形断面の下流領域を接続して構成され、中間領域の円形断面直径は、上流領域や下流領域の円形断面直径より小さい、ガスインレットマニホールド。」
　
６．発明の対比
　
　本願発明と引用発明を比較する。
　
　本願明細書の段落００１８には、本願発明の「処理チャンバ」の一例としてプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システムが記載されているから、引用発明の「ＰＥＣＶＤ反応装置」は、本願発明の「処理チャンバ」に相当する。
　してみると、引用発明の
「ガスインレットマニホールド」「上流面」「下流面」「反応ガス通過孔」
「平板状の分配マニホールド」
「均一円形断面の上流領域、第一の円錐形遷移領域」
「均一円形断面の中間領域」
「第二の円錐形遷移領域、均一円形断面の下流領域」
は、それぞれ、本願発明の
「ガス分配プレートアセンブリ」「上流側部」「下流側部」「ガス通路」
「拡散プレートアセンブリ」
「円筒状に形成され、前記上流側部から延びた第１穴」
「前記第１穴の底部と流体結合したオリフィス穴」
「前記オリフィス穴から前記下流側部へ延びた第２穴」
に相当するから、
　本願発明のうち、
「処理チャンバ用のガス分配プレートアセンブリであって、
　上流側部と、下流側部とを有する拡散プレートアセンブリと、
　前記拡散プレートアセンブリの前記上流側部と前記下流側部との間を通過する複数のガス通路と、を備え、
　前記ガス通路の少なくとも１つが、
　円筒状に形成され、前記上流側部から延びた第１穴と、
　前記第１穴の底部と流体結合したオリフィス穴と、
　前記オリフィス穴から前記下流側部へ延びた第２穴と、を備え、
　前記オリフィス穴の直径が前記第１穴および前記第２穴よりも小さい、ガス分配プレートアセンブリ。」の点は、引用発明と一致し、両者は次の点で相違する。　
　　
相違点１：
　本願発明が、「陽極処理されていないアルミニウム製」上流側部と、「陽極処理された」下流側部とを有するのに対し、引用発明は、上流面と下流面の材質や表面処理が明らかでない点。
　
相違点２：
　本願発明が、「フレア型」第２穴を備えるのに対し、引用発明は、第二の「円錐形」遷移領域と「均一円形断面の」下流領域を備える点。
　
７．容易性の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
　相違点１について、引用例１には、引用発明の分配マニホールドが、サセプタに保持された基板に近接して対向した位置にあり、プラズマを励起するためのＲＦ電極として機能すること（摘記1-3参照）が記載されている。
　一方、引用例２には、ＣＶＤ装置などにおいて、サセプタの載置面と対向する位置に、アルミニウムから成り、その表面を陽極酸化処理により耐プラズマ処理した上部電極を配置すること（摘記2-1〜2-3参照）が記載されている。
　してみると、引用発明において、分配マニホールドをアルミニウム製とするともに、サセプタと対向した位置にある下流面に陽極酸化処理すること、すなわち、相違点１を解消することは、プラズマ励起用の電極として使用するための耐プラズマ処理として当業者が容易になし得たことである。
　
　次に、相違点２について、引用例１には、引用発明の反応ガス通過孔について、別の実施形態として、下流領域とそれに関連付けられた遷移領域を、円錐形の下流領域とすること（摘記1-2,1-6参照）が記載されている。
　してみると、引用発明において、下流領域とそれに関連付けられた遷移領域を、円錐形のフレア状とすること、すなわち、相違点２を解消することは、当業者にとって設計的選択事項にすぎない。
　なお、請求人は意見書で、引用例１には、反応ガス通過孔のサイズと間隔が詳細に記載されており、下流領域をフレア型にするとガスの流動性状とマニホールドの構造的健全性が損なわれると主張しているが、引用例１には、中間領域の径Ｄ２と間隔Ｓをガス流動性状により決定後、下流領域の径Ｄ３をマニホールドの構造的健全性を損なわないように設計すること（摘記1-5参照）が記載されているにすぎず、下流領域をフレア型にしても同様な設計は可能と認められるから、前記主張は採用できない。
　
８．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、当審拒絶の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。