【事件の表示】
　特願２００２−３８３７２２「イメージセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月　５日出願公開、特開２００３−２４９６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年１２月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１月１１日，米国）の出願であって、平成１９年８月１６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２１年２月２０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月１日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、その後の前置審査において、同年１０月２３日付けで最後の拒絶理由通知がなされたが、それに対して応答はなされなかったものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年６月１日に提出の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１の「第２導電型の第２導電体」は、「第１導電型の第２導電体」の明らかな誤記と認め、本願発明を以下のとおり読み替えて認定する。（下線は読替え箇所）　
　
「【請求項１】　受光素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードで生成された光電荷が伝達されるフローティング拡散領域と、
前記フォトダイオードから前記フローティング拡散領域に光電荷を伝達するトランスファートランジスタと、前記フローティング拡散領域の電位を調節するリセットトランジスタと、前記フォトダイオードにより駆動されソース電圧を供給するドライバートランジスタ及びアドレッシングのためのセレクトトランジスタとを含むイメージセンサにおいて、
　前記フォトダイオードは、第１導電型の半導体基板下部に形成された第２導電型の不純物領域と接続され前記基板上部に形成される第２導電型の第１導電層と、
　前記第１導電層上に形成された
第１導電型の第２導電体
　前記ｎ型導電層の面積は下部から上部に行くほど増加し、前記フォトダイオードのｐタイプ領域は、前記ｎ型導電層上に形成されたｐ型導電層からなり、
　前記フォトダイオードのｎタイプ領域が埋め込まれる前記ホールは、上側に向かって面積が広くなるように形成され、トランスファートランジスタのソース／ドレイン電極の表面を露出させるように形成され、
　前記フローティング拡散領域は、前記半導体基板表面下に形成され、
　前記第２導電型の不純物領域と前記フローティング拡散領域との間の前記半導体基板上に形成された前記トランスファートランジスタのゲート電極と、前記半導体基板上に形成されて前記フローティング拡散領域に接続される前記ドライバートランジスタのゲート電極とをさらに含み、
　前記フローティング拡散領域と前記ドライバートランジスタのゲート電極を接続する金属配線をさらに含み、
　前記フォトダイオードは、前記金属配線より高い領域に位置し、
　前記第１導電層の面積は、下部から上部に行くほど増加する
ことを特徴とするイメージセンサ。」
　
第３．引用刊行物に記載された発明
（１）前置審査における平成２１年１０月２３日付けの最後の拒絶理由に引用した、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−３１４５４号公報（以下「引用例１」という。）には、図１及び図２，図１１ないし図１６とともに次の記載がある。（なお、下線は当合議体にて付加したもの。以下同じ。）
　
「【０００３】図1は従来技術に係るCMOSイメージセンサの単位画素の回路図である。
【０００４】
図1に示された通り、CMOSイメージセンサの単位画素は、1個のピンドフォトダイオード(PPD)と4個のNMOSトランジスタで構成されている。4個のNMOSトランジスタはピンドフォトダイオード(PPD)で生成された光電荷をセンシングノードに伝達するためのトランスファートランジスタ(102)と、次の信号検出のためにセンシングノードをリセットするためのリセットトランジスタ(104)と、ソースフォロアの役割を遂行するためのドライブトランジスタ(106)と、アドレス信号に応答して出力端にデータを出力するためのセレクトトランジスタ(108)で構成される。
【０００５】図2は従来技術に係るCMOSイメージセンサの単位画素の断面図である。
【０００６】図2に示された通り、従来CMOSイメージセンサの単位画素はP+シリコン基板(201)、P型-エピ層(202)、P型-ウェル(203)、フィールド酸化膜(204)、ゲート酸化膜(205)、ゲート電極(206)、N-拡散領域(207)、P0拡散領域(208)、N+拡散領域(209)及び酸化膜スペーサ(210)を含む。
【０００７】ピンドフォトダイオード(PPD)は、P型-エピ層(202)とN-拡散領域(207)及びP0拡散領域(208)が積層されたPNP接合構造であり、このようなピンドフォトダイオードは電源電圧3.3V以下(例えば、1.2Vないし2.8V)で二つのP型領域が互いに等電位になるようにN-拡散領域(207)が安定的に完全空乏されている。
【０００８】また、トランスファーゲート(Tx)を持つトランスファートランジスタがネイティブトランジスタで構成されるために、トランスファーゲート(Tx)の下部でチャンネル役割をするP型-エピ層(202)にはトランジスタの特性(しきい電圧及びパンチスルー特性)を調節するためのイオン注入工程が省略できる。
【０００９】したがって、負のしきい電圧を有するNMOSトランジスタ(ネイティブトランジスタ)は電荷伝達効率を極大化でき、トランスファーゲート(Tx)とリセットゲート(Rx)間のP型-エピ層(202)の表面に形成されたN+拡散領域(センシングノード)はLDD領域なしで高濃度N+領域でにみなされて運送される電荷量にともなうセンシングノードの電位量を増幅させるように構成されている。一方、P型-エピ層(202)がP-シリコン基板(201)に比べて基板ドーピング濃度が低いために、P型-エピ層(202)がピンドフォトダイオードの空乏層の深さを増加させて光感度を高めることができ、P-シリコン基板(201)の存在によって空乏層の下部の深い所で発生されられる光電荷が再結合され単位画素間のクロストーク(cross  talk)効果を減らすことができるためである。
【００１０】従来のピンドフォトダイオードは、フィールド酸化膜(204)とトランスファーゲート(Tx)間のP型-エピ層(202)の一定領域に形成されるために、集積度を下げないでピンドフォトダイオードの単位面積を増大させることは不可能であった。また、従来のピンドフォトダイオードはデザインルールを超過する単位面積を増加させることができないために、CMOSイメージセンサのデザインルールが0.25μm以下となれば光感度が顕著に低下しイメージセンサの解像度が大きく落ちる短所があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする技術的課題】本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決するために案出されたものであり、
集積度が維持された状態でフォトダイオードの単位面積の増加ひいては光感度を増加させることができるイメージセンサ
「【００２７】図１１ないし図１６は本発明の他の実施例に係るCMOSイメージセンサの単位画素製造方法を説明するための断面図であり、スタックト型ピンドフォトダイオードは所定の集積度を有するピンドフォトダイオードの単位面積を増加させて光感度を増加させる。
【００２８】
図１１に示された通り、約15
-
25Ωcmの比抵抗を有するP型-エピ層(412)を具備したシリコン基板(411)上に約50
-
100KeV範囲のエネルギー及び7E12
-
9E12/cm
2
範囲のドーズの条件でB(硼素)原子をイオン注入してP型
-
ウェル(413)を形成した後、公知の方法でフィールド酸化膜(414)を形成し、ゲート酸化膜(415)とドーピングされたポリシリコン膜で構成されたゲート電極(416)を形成する。この時、トランスファーゲート(Tx)及びリセットゲート(Rx)のチャンネル寸法は約1μm以上で、ドライブゲート(MD)及びセレクトゲート(Sx)のチャンネル寸法は約0.5μm以下である
【００２９】以後、図１２に示された通り、P型-ウェル(413)領域が露出されるように第1マスクパターン(417)を形成し、約20-60KeV範囲のエネルギー及び1E13-5E13/cm2範囲のドーズの条件でP(リン)原子をイオン注入してLDD構造のための低濃度N-領域(418)を形成する。
【００３０】以後、図１３に示された通り、第1マスクパターン(417)を除去した後、全体構造の上部に低圧化学気相蒸着法で約2,000-2,500ÅのTEOS酸化膜(図示せず)を形成し、非等方性プラズマエッチングすることで露出されたゲート電極(416)の側壁に酸化膜スペーサ(419)を形成し、ピンドフォトダイオードが形成される部分が覆われるように第2マスクパターン(420)を形成する。
第2マスクパターン(420)及び酸化膜スペーサ(419)をイオン注入マスクで使用して約60
-
90KeV範囲のエネルギー及び1E15
-
9E15/cm
2
範囲のドーズの条件でAs(砒素)原子をイオン注入することによって、ソース/ドレーン電極の役割をするN
+
拡散領域(421)を形成する
【００３１】以後、図１４に示された通り、第2マスクパターン(420)を除去した後、TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)酸化膜のような平坦化用酸化膜(422)を約8,000-10,000Å厚さで形成し、平坦化用酸化膜(422)を化学的機械的錬磨技術で錬磨するものであり、アルミナのようなスラリーを使用して約0.3〜0.5kg/cm2の錬磨AB、約30〜40RPMの回転速度及び約3,000〜4,000Åの錬磨厚さになるように条件を設定することによって平坦化用酸化膜(422)を平坦化させる。
【００３２】
以後、図１５に示された通り、フォトダイオードが形成される領域のP型
-
エピ層(412)を露出させるコンタクトホールを写真エッチング法で形成する。コンタクトホールを形成した後に、全体構造の上部に約0.5-1.5μm程度の厚さを持つP型
-
エピ層(427)を形成する。約250
-
500KeV範囲のエネルギー及び1E12
-
3E12/cm
2
範囲のドーズ(dose)の条件でP(リン)原子をイオン注入してP型
-
エピ層(427)にN
-
拡散領域を形成して(以下、P型
-
エピ層(427)をN型
-
エピ層(427')という)、P型
-
エピ層(412)の一部がN型
-
エピ層(427')と接触される。また、約20
-
40KeV範囲のエネルギー及び3E12
-
5E12/cm
2
範囲のドーズの条件でBF
2
をイオン注入して約0.1μm内外の接合深さを有するP0拡散領域(426)をN型
-
エピ層(427')の表面に形成する
【００３３】この時、N型-エピ層(427')を形成する方法は次の通りである。すなわち、全体構造の上部にポリシリコン膜または非晶質シリコン膜を公知の方法で形成した後に、レーザーまたは棒型ヒーターのようなエネルギービームを上記ポリシリコン膜または非晶質シリコン膜に照射して上記シリコン膜を溶かし結晶化して数μmないしミリメートルグレーン寸法を有する単結晶エピタキシャルシリコン層に変形させて形成できる。
【００３４】以後、図１６に示された通り、P型-エピ層(427')を写真エッチング法でパタニーングしてスタックト型ピンドフォトダイオードを完成する。スタックト型ピンドフォトダイオードは光感知領域のP-エピ層と接触し、酸化膜(422)で水平的に拡張する。
【００３５】本発明の技術思想は上記望ましい実施形態によって具体的に記述されたが、上記一実施形態はその説明のためのものでありその制限のためのものでないことを注意するべきである。」
　
（２）引用例１の明細書及び図面の記載から明らかな事項について
ア　引用例１の明細書及び図面全体の記載からみて、図１１ないし図１６に示される「ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素製造方法」は、図１に示される「ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の回路図」を構成する単位画素の製造方法であり、かつ、図１６から看取される４つのトランジスタは、図１及び図２並びにそれらの記載に照らし、左から順に「トランスファートランジスタ」、「リセットトランジスタ」、「ドライブトランジスタ」、及び「セレクトトランジスタ」に相当すると解するのが自然である。
　また、図１６に４箇所示されるうち一番左の「N+拡散領域(421)」は、「トランスファートランジスタ」によって「受光素子」である「フォトダイオード」で生成された光電荷が伝達される「センシングノード」の役割を果たすことも明らかである。
　
イ　引用例１の段落【０００４】に記載された「ソースフォロアの役割を遂行するためのドライブトランジスタ」は、図１からみて、フォトダイオードで生成された光電荷が伝達される「センシングノード」に「ドライブゲート（MD）」（段落【００２８】）が接続されるトランジスタであって、「フォトダイオードにより駆動され」るトランジスタであることは明らかである。
　また、上記アで述べたような「センシングノード」の役割を果たす「N+拡散領域(421)」と上記「ドライブゲート（MD）」との当該接続が何らかの「接続手段」によりなされるものであることは、半導体分野の技術常識に照らしても明らかである。
　
ウ　引用例１における段落【００３２】の「約250-500KeV範囲のエネルギー及び1E12-3E12/cm2範囲のドーズ(dose)の条件でP(リン)原子をイオン注入してP型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成して(以下、P型-エピ層(427)をN型-エピ層(427')という)、P型-エピ層(412)の一部がN型-エピ層(427')と接触される。」との記載、及び対応する図１５から看取される構造とに照らし、引用例１の図１６に示された「ＣＭＯＳイメージセンサ」は、段落【００３２】に記載された「P(リン)原子」の「イオン注入」によって、「P型-エピ層(427)」に「N-拡散領域」を形成し、「N型-エピ層(427')」とするとともに、「P型-エピ層(427)」に「N-拡散領域」を形成した「N型-エピ層(427')」に接続する「P型-エピ層(412)」の一部にも「N-拡散領域」を形成し、これを「トランスファートランジスタ」の「ソース／ドレイン電極」として機能させるものであることは、明らかである。
　
エ　引用例１における段落【００３２】に「以後、図１５に示された通り、フォトダイオードが形成される領域のP型-エピ層(412)を露出させるコンタクトホールを写真エッチング法で形成する。コンタクトホールを形成した後に、全体構造の上部に約0.5-1.5μm程度の厚さを持つP型-エピ層(427)を形成する。」と記載され、後に「P(リン)原子をイオン注入して」「N-拡散領域を形成」する「P型-エピ層(427)」は、「P型-エピ層(412)」上部に形成されるものであることは、明らかである。
　
オ　引用例１における段落【００３２】に「また、約20-40KeV範囲のエネルギー及び3E12-5E12/cm2範囲のドーズの条件でBF2をイオン注入して約0.1μm内外の接合深さを有するP0拡散領域(426)をN型-エピ層(427')の表面に形成する。」と記載される「N型-エピ層(427')」は「ｎ型導電層」であり、また、「P0拡散領域(426)」は当該「ｎ型導電層」上に形成された「ｐ型導電層」であることは明らかである。
　
カ　引用例１における段落【００３２】における「コンタクトホールを形成した後に、全体構造の上部に約0.5-1.5μm程度の厚さを持つP型-エピ層(427)を形成する。」との記載、及び対応する図１５から看取される構造とに照らし、後に「P(リン)原子をイオン注入して」「N-拡散領域を形成」する「P型-エピ層(427)」が、「コンタクトホール」に埋め込まれることは明らかであり、さらに、該「コンタクトホール」が、「トランスファートランジスタ」の「ソース／ドレイン電極」を露出させるように形成されることも、明らかである。
　
キ　引用例１の図１６に照らし、上記アで述べたような「センシングノード」の役割を果たす「N+拡散領域(421)」が「P型-エピ層(412)」表面下に形成されることは、明らかである。
　
ク　引用例１の図１６に照らし、上記ウで述べたような「トランスファートランジスタ」の「ソース／ドレイン電極」として機能させる「P型-エピ層(412)」の一部に形成した「N-拡散領域」と、上記アで述べたような「センシングノード」の役割を果たす「N+拡散領域(421)」との間において、「P型-エピ層(412)」上に「トランスファートランジスタ」の「トランスファーゲート(Tx)」（段落【００２８】）が形成されることは、明らかである。
　
（３）そうすると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「受光素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードで生成された光電荷が伝達されるセンシングノードの役割を果たすN+拡散領域(421)と、
　前記フォトダイオードからセンシングノードの役割を果たす前記N+拡散領域(421)に光電荷を伝達するトランスファートランジスタと、次の信号検出のためにセンシングノードをリセットするためのリセットトランジスタと、前記フォトダイオードにより駆動されソースフォロアの役割を遂行するためのドライブトランジスタ及びアドレス信号に応答して出力端にデータを出力するためのセレクトトランジスタとを含むＣＭＯＳイメージセンサにおいて、
　前記フォトダイオードは、P型-エピ層(412)の一部に形成されたN-拡散領域と接続され前記P型-エピ層(412)上部に形成されるP型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成してなるN型-エピ層(427')と、
　前記N型-エピ層(427')の表面に形成するP0拡散領域(426)からなり、
　前記フォトダイオードのP0拡散領域(426)は、ｎ型導電層上に形成されたｐ型導電層からなり、
　前記フォトダイオードのP型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成してなるN型-エピ層(427')が埋め込まれるコンタクトホールは、トランスファートランジスタのソース／ドレイン電極の表面を露出させるように形成され、
　センシングノードの役割を果たす前記N+拡散領域(421)は、前記P型-エピ層(412)表面下に形成され、
　P型-エピ層(412)の一部に形成された前記N-拡散領域と、センシングノードの役割を果たす前記N+拡散領域(421)との間の前記P型-エピ層(412)上に形成された前記トランスファートランジスタのトランスファーゲート(Tx)と、前記P型-エピ層(412)上に形成されてセンシングノードの役割を果たす前記N+拡散領域(421)に接続される前記ドライブトランジスタのドライブゲート（MD）とをさらに含み、
　センシングノードの役割を果たす前記N+拡散領域(421)と前記ドライブトランジスタのドライブゲート（MD）を接続する接続手段をさらに含む、
ことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。」
　　
 第４．本願発明と引用発明との対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「センシングノードの役割を果たすN+拡散領域(421)」，「ドライブトランジスタ」，「ＣＭＯＳイメージセンサ」，「P型-エピ層(412)」，P型-エピ層(412)の一部に形成された「N-拡散領域」，P型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成してなる「N型-エピ層(427')」，「P0拡散領域(426)」，「コンタクトホール」，トランスファートランジスタの「トランスファーゲート(Tx)」，及びドライブトランジスタの「ドライブゲート（MD）」は、それぞれ本願発明の「フローティング拡散領域」，「ドライバートランジスタ」，「イメージセンサ」，「第１導電型の半導体基板」，「第２導電型の不純物領域」，「第２導電型の第１導電層」及びフォトダイオードの「ｎタイプ領域」，「第１導電型の第２導電体」及びフォトダイオードの「ｐタイプ領域」，「ホール」，トランスファートランジスタの「ゲート電極」，並びにドライバートランジスタの「ゲート電極」に相当する。
　また、引用発明の「リセットトランジスタ」のように「次の信号検出のためにセンシングノードをリセットする」ことは、本願発明の「リセットトランジスタ」の「フローティング拡散領域の電位を調節する」ことに相当する。
　また、引用発明の「ドライブトランジスタ」のように「ソースフォロアの役割を遂行する」ことは、本願発明の「ドライバートランジスタ」の「ソース電圧を供給する」ことに相当する。
　また、引用発明の「セレクトトランジスタ」のように「アドレス信号に応答して出力端にデータを出力する」ことは、本願発明の「セレクトトランジスタ」の「アドレッシング」に相当する。
　また、引用発明のように、N-拡散領域が「P型-エピ層(412)の一部に形成され」ることは、本願発明のように、第２導電型の不純物領域が「第１導電型の半導体基板下部に形成され」ることに相当する。
　また、引用発明のように、P0拡散領域(426)が「N型-エピ層(427')の表面に形成され」ることは、本願発明のように、第１導電型の第２導電体が「第１導電層上に形成され」ることに相当する。
　さらに、本願発明の「金属配線」は、フローティング拡散領域とドライバートランジスタのゲート電極を接続する接続手段である点において、引用発明の「接続手段」と共通する。
　
（２）そうすると、本願発明と引用発明とは、
「受光素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードで生成された光電荷が伝達されるフローティング拡散領域と、
前記フォトダイオードから前記フローティング拡散領域に光電荷を伝達するトランスファートランジスタと、前記フローティング拡散領域の電位を調節するリセットトランジスタと、前記フォトダイオードにより駆動されソース電圧を供給するドライバートランジスタ及びアドレッシングのためのセレクトトランジスタとを含むイメージセンサにおいて、
　前記フォトダイオードは、第１導電型の半導体基板下部に形成された第２導電型の不純物領域と接続され前記基板上部に形成される第２導電型の第１導電層と、
　前記第１導電層上に形成された第１導電型の第２導電体からなり、
　前記フォトダイオードのｐタイプ領域は、前記ｎ型導電層上に形成されたｐ型導電層からなり、
　前記フォトダイオードのｎタイプ領域が埋め込まれる前記ホールは、トランスファートランジスタのソース／ドレイン電極の表面を露出させるように形成され、
　前記フローティング拡散領域は、前記半導体基板表面下に形成され、
　前記第２導電型の不純物領域と前記フローティング拡散領域との間の前記半導体基板上に形成された前記トランスファートランジスタのゲート電極と、前記半導体基板上に形成されて前記フローティング拡散領域に接続される前記ドライバートランジスタのゲート電極とをさらに含み、
　前記フローティング拡散領域と前記ドライバートランジスタのゲート電極を接続する接続手段をさらに含む、
ことを特徴とするイメージセンサ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
（相違点１）
　本願発明は、ホールが「上側に向かって面積が広くなるように形成され」るものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、ｎ型導電層の面積が「下部から上部に行くほど増加」するものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
（相違点３）
　本願発明は、第１導電層の面積が、「下部から上部に行くほど増加する」ものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
（相違点４）
　フローティング拡散領域とドライバートランジスタのゲート電極との「接続手段」が、本願発明では、「金属配線」とされているのに対し、引用発明では、そのような具体的な特定はなされていない点。
　
（相違点５）
　本願発明は、「フォトダイオード」が「金属配線より高い領域に位置」するものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
（３）相違点についての検討
（３−１）相違点１〜３について
（３−１−１）一般に、Ｖ字形状のごとく入射光に対し垂直ではない受光面を持つフォトダイオードが、入射光に対して垂直な受光面のみを持つものより実質的な受光面積が増加し、ひいては光感度も増加するということは、例えば下記周知例１や周知例２の記載からも示唆されるように本願優先権主張日前の周知技術である。
　
周知例１：特開２０００−３１４５５号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−３１４５５号公報には、図３Ａ及び図３Ｂとともに、次の記載がある。
「【請求項 1】
外部からの光を感知するためのCMOSイメージセンサのフォトダイオードにおいて、PN接合面積を増加させるための不均一な表面を含み、増加されたPN接合面積によって光感度を改善させることを特徴とするCMOSイメージセンサのフォトダイオード。
「【００１４】図3A及び図3Bに図示されるように、一定な集積度を維持しながらピンドフォトダイオードの単位面積を増加させ、光感度を増加させることができるように、不均一な表面(uneven surface)であるトレンチ（trench)(300)がＰ型―エピ層(302）の表面に形成される。
【００１５】光感知領域のＰ型―エピ層(302)にはその表面から一部の厚さが蝕刻された少なくとも一つのトレンチ(300)が形成され、トレンチ(300）のＰ型―エピタキシャル層(302)の側壁及び底面の下部にP0拡散領域(305)及びN-拡散領域(304）が形成されている。好ましい実施形態では、N-拡散領域(304）がP0拡散領域(305)に拡張する。この時、イオン注入はN-拡散領域(304）がP0拡散領域(305）を完全に取り囲まないように制御されなければならない。すなわち、Ｐ型―エピ層(302)及びP0拡散領域(305）が等電位を持つように、P0拡散領域(305）の一部がＰ型―エピ層(302)と直接的に接触されなければならない。このような直接的な接触は低電圧でN-拡散領域(304）を完全に空乏させることにより３.３Vの電源電圧の以下で低電圧の動作を可能にする。
【００１６】
PNP接合がトレンチ(300）のＰ型―エピ層(302）の側壁及びトレンチ(300）の底面の下部に形成されることができ、ピンドフォトダイオードにおいてPNP接合面積が増加される。
　
　なお、周知例１の図３Ａ及び図３Ｂに図示される形態は、周知例１の請求項１記載の「PN接合面積を増加させるための不均一な表面」を光感知領域のＰ型―エピ層(302)に形成された「トレンチ（３００）」により実現したものであるが、そのようにしてフォトダイオードのＰＮ接合面積を増加できるのは、トレンチにおける入射光に対し垂直ではない面（側壁）に沿ったＰＮ接合面をも設けたことによるものであって、トレンチという形態を必ずしも利用したものでなくとも、同様の形状のＰＮ接合面さえ実現できるならば、フォトダイオードのＰＮ接合面積も増加できるということは、当該周知例１の記載に接した当業者にとって自明なことである。
　
周知例２：実願昭５５−１４８９２７号（実開昭５７−７１３５６号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である実願昭５５−１４８９２７号（実開昭５７−７１３５６号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（昭和５７年４月３０日特許庁発行）には、第２図とともに、次の記載がある。
「第２図は固体撮像装置に用いられた本考案の光電変換素子部の断面図である。同図に於て、（１）〜（５）は第１図に示した従来の固体撮像装置と同じく半導体基板〜電荷転送電極を示しており、（Ａ’）は光電変換素子である。本考案の光電変換素子（Ａ’）が従来素子と異なる所は、半導体基板（１）上に透明絶縁膜（２）を介して配置した電荷蓄積電極（３）の光入射窓（４）と対面する箇所の上記半導体基板（１）に断面Ｖ字型の溝（７）を設けた点にある。
斯る溝（７）は上記電荷蓄積電極（３）の光入射窓（４）を通過した光をそのＶ字型の受光面で受光する事になる。この溝（７）の受光面が入射光を受光する場合は、実質的な受光面積が大きくなる
この光電変換素子（Ａ’）の受光効率が高まる。
　
（３−１−２）そして、引用発明は、フォトダイオードを構成する「P型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成してなるN型-エピ層(427')」が「コンタクトホール」に埋め込まれる構造を有するものであるが、引用例１の段落【００１１】に記載されているように、引用発明は「光感度を増大させる」ことを技術的課題としているから、引用発明に、周知例１及び２に記載された周知技術を採用し、「コンタクトホール」及び「P型-エピ層(427)にN-拡散領域を形成してなるN型-エピ層(427')」について、それぞれ面積が下部から上部に行くほど増加するような設計変更をなすことは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、本願発明の上記相違点１〜３の構成を得ることは、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。 
　
（３−２）相違点４について
（３−２−１）固体撮像装置内部の接続手段として「金属配線」を採用することは、例えば下記周知例３にも記載のとおり本願優先権主張日前の周知技術である。
　
周知例３：特開２００１−２３７４０８号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２３７４０８号公報には、次の記載がある。
「【請求項５】  請求項３または４に記載の固体撮像装置の製造方法において、上記ゲート電極の開口部の上方に位置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コンタクト穴に金属配線を形成することにより、
上記第２導電型の浮遊拡散層と上記ゲート電極とを上記金属配線で接続することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
　
（３−２−２）そして、引用発明の「接続手段」を、かかる周知技術の「金属配線」となすことは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、本願発明の上記相違点４の構成を得ることは、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３−３）相違点５について
　上記（３−２）で検討したとおり、引用発明における当該接続手段を周知技術の「金属配線」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、引用例１の段落【００１１】にも記載されるように、引用発明は「集積度が維持された状態でフォトダイオードの光感度を増加させることができるイメージセンサ」に関する発明であることに照らし、引用発明の「フォトダイオード」を、光が遮られることのないよう、できるだけ高い位置に設けることは、当業者が当然に配慮する事項である。
　ゆえに、引用発明において、本願発明のように「フォトダイオード」が「金属配線より高い領域に位置」する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、引用発明において、本願発明の上記相違点５の構成を得ることは、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）小括
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、前置審査における最後の拒絶理由において指摘したとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５．結言
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。