【事件の表示】
　特願２００１−１８２１９６「圧電薄膜共振子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月２６日出願公開、特開２００２−３７４１４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月１５日の出願であって、平成２１年１０月２８日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月１８日付けで手続補正がなされたが、平成２２年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２２年５月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の請求項１に係る発明
　平成２２年５月１７日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極とを含む圧電積層構造体の一部を含んで振動部が構成される圧電薄膜共振子であって、
　前記圧電体膜は一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜０．５）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜０．３）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜であり、
　前記電極は、面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下であることを特徴とする圧電薄膜共振子。」
と補正された。
　
　そして、請求項１に係る上記補正は、次の内容を含むものである。
（ア）「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜１）」を「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、
０＜ｘ＜０．５
（イ）「一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜１）」を「一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、
０＜ｙ＜０．３
（ウ）「配向性結晶膜であることを特徴とする」を「配向性結晶膜で
あり、
前記電極は、面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下であることを特徴とする
　
　上記補正のうち、（ア）については、補正前の「０＜ｘ＜１」を、補正後の「
０＜ｘ＜０．５
　（イ）については、補正前の「０＜ｙ＜１」を、補正後の「
０＜ｙ＜０．３
　（ウ）については、補正前の「電極」に関して「
面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下である
　
　してみれば、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件手続補正後の上記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−８８１１１号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平１１−２６０８３５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例１）
Ａ．「【００４３】図１と図２に、膜すなわち橋かけ構造28を持つBAW 共振器20の横断面の側面および平面をそれぞれ示す。BAW 共振器20は、圧電層22、層38b 、保護層38a(たとえばポリイミド）、第１下部電極24、第２上部電極26、膜28、エッチ・ウインドウ40a と40b 、エアーギャップ34、および基板36を有する。圧電層22は、例えば、酸化亜鉛(ZnO）、硫化亜鉛(ZnS）、あるいは窒化アルミニウム(AlN）のような薄膜として製造できるような圧電材料を有する。膜28は、２つの層、すなわち、最上層30および最下層32を有する。しかし、単一の膜層を用いてもよい。最上層30は、例えば、シリコン(Si)、二酸化珪素(Si02)、ポリシリコン(polysi)、あるいは窒化アルミニウム(AlN）から成る。また、最下層32は、例えば、シリコン、二酸化珪素(SiO2)、あるいはひ化ガリウム(GaAs)から成る。層38b もまた、例えば、SiO2あるいはGaAsから成る。下部電極24は、例えば、金(Au)、モリブデン(Mo)、あるいはアルミニウム(Al)から成るものであってもよい。しかしながら、金を用いることが望ましい。というのは、金は、圧電層22の成長中に他の材料よりも大きな利点を生むからである。上部電極26は、例えば、金(Au)、モリブデン(Mo)、あるいはアルミニウム(Al)から成るものであってもよい。しかしながら、アルミニウムを使用することが望ましい。なぜなら、アルミニウムは電気的損失が少ないからである。デバイス20の製造中、層38b と32は単一の層としてデバイス20の基板36上に同時に成膜される。エッチ・ウインドウ40a と40b は、この単一層と層38a を貫いてエッチングを行うことにより形成される（その結果、別個にラベルした層38b と34ができる）。基板36は、例えば、シリコン(Si)、SiO2、GaAs、あるいはガラスのような材料から成る。エッチ・ウインドウ40a と40b の中を通して、基板36の一部分がエッチングされ、膜層が基板36上に成膜されてしまった後エアーギャップ34が形成される。」
　
　上記Ａの記載及び関連する図面を参照すると、引用例１には、実質的に、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例１記載の発明」という。）
「圧電層とその両面にそれぞれ形成された第１下部電極、第２上部電極とを含むBAW 共振器であって、
　前記圧電層は窒化アルミニウム(AlN）のような薄膜として製造できる圧電材料よりなる薄膜であり、
　前記第１下部電極と第２上部電極は、金(Au)からなるBAW 共振器。」
　
（引用例２）
Ｂ．「【０００２】
【従来の技術】半導体結晶基板であるＳｉ基板上に、酸化物、窒化物などの機能膜を形成して集積化した電子デバイスが考案されている。例えば、半導体基板と誘電体薄膜とを組み合わせることにより、集積度のさらに高いＬＳＩ、ＳＯＩ技術による誘電体分離ＬＳＩが検討されている。さらに、誘電体の一種である強誘電体からなる薄膜を用いると、不揮発性メモリ、赤外線センサ、光変調器および光スイッチ、ＯＥＩＣ等が構成可能である。また、半導体基板と超伝導体薄膜との組み合わせでは、ＳＱＵＩＤ、ジョセフソン素子、超伝導トランジスタ、電磁波センサ、超伝導配線ＬＳＩなどが構成可能であり、半導体基板と圧電体薄膜との組み合わせでは、ＳＡＷ素子、コンボルバ、コリメータ、メモリ素子、イメージスキャナ、薄膜バルク共振器、フィルタなどが構成可能である。
【０００３】これらの機能膜を用いた半導体デバイスにおいて、最適なデバイス特性を実現し、かつその再現性を確保するためには、半導体基板として単結晶を用いることが好ましい。多結晶体では粒界による物理量の撹乱のため、良好なデバイス特性を得ることが難しい。このことは機能膜についても同様であり、機能膜は単結晶にできるだけ近いエピタキシャル膜であることが望まれている。
　・・・（中略）・・・
【００１１】ＧａＮ等の窒化物半導体からなる薄膜の結晶性を向上させるための提案として、例えば、特開平９−４５９６０号公報には、サファイア基板やＳｉ基板上にＺｎＯバッファ層を介してＩｎＧａＡｌＮ層を設けることが記載されている。同公報では、Ｓｉ基板上にＺｎＯバッファ層をスパッタ法等により直接形成している。しかし、本発明者らの実験では、前述したように、Ｓｉ基板上にＺｎＯバッファ層を単結晶膜（本明細書におけるエピタキシャル膜）として形成することは実質的に不可能であり、結晶性および表面性に優れた膜とすることができないことがわかった。このため、このようなＺｎＯバッファ層上には、良好な結晶性を有する窒化物半導体層を形成することはできない。
【００１２】また、特開平８−２６４８９４号公報には、ＳｉやＳｉＣ基板上に、ＣａxＭｇ1-xＦ2（０≦ｘ≦１）層およびＭｇtＣａ3-tＮ2（０≦ｔ≦３）層の少なくとも一方を形成し、この上にＧａyＩｎzＡｌ1-y-zＮ（０≦ｙ，ｚ≦１）層を形成した半導体素子が記載されている。同公報では、表面の平坦性が高いＳｉやＳｉＣ等を用いることができ、かつ良質のＧａＩｎＡｌＮ層を形成できることを効果としている。しかし、本発明者らの実験によれば、Ｓｉ基板上に形成したＣａxＭｇ1-xＦ2層やＭｇtＣａ3-tＮ2層は、結晶性および表面性が不十分であることがわかった。このため、これらの層の上には、良好な結晶性を有する窒化物半導体層を形成することはできない。
【００１３】また、Ｓｉ基板上にＧａＮ薄膜を形成する際に、バッファ層としてＡｌＮ薄膜やＳｉＣ薄膜を利用することも知られている［J.Cryst.Growth 128,391(1993)およびJ.Cryst.Growth 115,634(1991)］。しかし、本発明者らの実験によれば、Ｓｉ基板上に直接形成したＡｌＮ薄膜やＳｉＣ薄膜は、結晶性および表面性が不十分であることがわかった。このため、これらの薄膜の上には、良好な結晶性を有する窒化物半導体層を形成することはできない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｓｉ基板上に、半導体膜等の機能膜として、あるいはこのような機能膜の下地としての使用が可能な、ウルツァイト型の結晶構造をもつエピタキシャル膜が存在する電子デバイス用基板を提供することである。」
　
Ｃ．「【００１８】したがって、本発明によれば、品質の高い大径の単結晶が容易に得られ、しかも単結晶の中でも極めて安価なＳｉ基板上に、ウルツァイト型化合物からなるエピタキシャル膜が存在する電子デバイス用基板を得ることができる。ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等のウルツァイト型化合物は圧電性を示すので、本発明の電子デバイス用基板は、ＳＡＷ素子、コンボルバ、薄膜バルク共振器、各種フィルタ、レゾネータに適用できる。」
　
Ｄ．「【００２９】２層の薄膜を連続して形成する場合、下地となる薄膜（以下、下地薄膜という）とその上に成長する薄膜（以下、成長薄膜という）との間の格子の不整合度は、ミスマッチ度で表される。例えば、下地薄膜構成材料のバルク体の格子定数をｄsubとし、成長薄膜構成材料のバルク体の格子定数をｄepiとすれば、ミスマッチ度δ（単位：％）は、
　　δ（％）＝［（ｄepi−ｄsub）／ｄsub］×１００
で表される。成長薄膜の格子定数が下地薄膜のそれより大きければ、δは正の値となる。一方、δが負の場合、下地薄膜の格子定数が成長薄膜のそれよりも大きいことになる。δ＝０である場合には、下地薄膜と成長薄膜との格子が一致している、すなわち格子が完全に整合していることになる。δの符号にかかわらず、δの値が大きいほど格子不整合度が大きく、格子不整合に起因する歪みや欠陥等が結晶に導入されやすくなるので、好ましくない。」
　
Ｅ．「【００３６】本発明の電子デバイス用基板を利用した窒化物半導体装置では、表面層の上に、窒化物半導体層やその下地となる窒化物層が形成される。これらの窒化物層は、一般にＧａxＩｎyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される組成をもつウルツァイト型結晶から構成されるので、表面層との間で格子整合性が極めて良好となる。具体的には、表面層として用いられるＺｎＯ系薄膜およびＡｌＧａＩｎＮ系薄膜の構成材料、例えばＺｎＯ結晶およびＡｌＮ結晶では、（０００１）面内の格子定数がそれぞれ０．３２５nmおよび０．３１１nmであり、窒化物半導体層またはその下地層にＧａＮを用いる場合には、表面層の（０００１）面内の格子がＧａＮ（０００１）面内の格子と整合し、そのときのδはＺｎＯでは−１．８５％、ＡｌＮでは＋２．５７％と極めて小さくなる。」
　
Ｆ．「【００８１】表面層は、組成の異なる２種以上の薄膜を積層したものであってもよく、厚さ方向において組成が徐々に変化する傾斜構造膜であってもよい。
【００８２】表面層の組成は特に限定されず、目的とする電子デバイス用基板に必要な特性が得られるように適宜決定すればよい。例えば、組成によって格子定数および熱膨張係数を調整することが可能なので、電子デバイス用基板上に形成する薄膜の格子定数や熱膨張係数に応じた組成を選択すればよい。ただし、好ましくは、以下に説明するＡｌＧａＩｎＮ系薄膜またはＺｎＯ系薄膜から表面層を構成する。
【００８３】
ＡｌＧａＩｎＮ系薄膜
ＡｌＧａＩｎＮ系薄膜は、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型の結晶構造を有するエピタキシャル膜である。
【００８４】ＡｌＧａＩｎＮ系薄膜の組成は特に限定されないが、実質的にＧａxＩｎyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される組成を有することが好ましい。」
　
Ｇ．「【００８７】
金属薄膜
金属薄膜を設ける理由は、以下の通りである。本発明の電子デバイス用基板において、金属薄膜は主に電極として機能する。ＺｎＯやＡｌＮなどのウルツァイト型化合物薄膜を機能膜として利用した電子部品、たとえば、光変調器、薄膜バルク共振器などでは、機能膜の厚さ方向に電界を印加することにより、部品としての諸機能が発現する。このような用途では、機能膜の下側に電極が必要となる。
　・・・（中略）・・・
【００８８】また、金属薄膜は、その上に形成される薄膜との間で格子定数を好ましくマッチングさせることにより、結晶性の高い薄膜を形成する役割を果たす。このためには、金属薄膜は上記したＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜と同様に結晶性および表面平坦性に優れることが好ましい。
【００８９】金属薄膜は、基本的に立方晶または六方晶から構成され、膜面と平行に（１１１）面または（０００１）面が配向したエピタキシャル膜である。ただし、応力によって結晶が変形して、正方晶など、立方晶や六方晶からずれた結晶となることもある。なお、（１１１）配向の金属薄膜を形成するためには、その下に設けるＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜は、（１１１）配向であっても（００１）配向であってもよい。いずれの場合も、金属薄膜は（１１１）配向となる。また、（０００１）配向の金属薄膜を形成するためには、通常、その下に設けるＲ−Ｚｒ系酸化物薄膜を（１１１）配向とすることが好ましいが、（００１）配向とした場合でも、金属薄膜を（０００１）配向とすることは可能である。
【００９０】金属薄膜を設ける位置は特に限定されず、図１の（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示すように、表面層上、表面層中、バッファ層と表面層との間、バッファ層中のいずれであってもよく、適用される電子デバイスに応じて適宜決定すればよい。
【００９１】金属薄膜は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｐｄ、ＲｈおよびＲｕの少なくとも１種を主成分とすることが好ましく、これらの金属の単体またはこれらの金属を含む合金から構成されることが好ましい。なお、Ｐｔ、Ｉｒ、ＰｄおよびＲｈは立方晶となり、Ｏｓ、ＲｅおよびＲｕは六方晶となる。」
　
　ここで、上記Ｂ〜Ｇの記載事項のうちの段落【００８１】〜【００８４】、【００８７】、【００８８】、【００９０】、【００９１】の記載を特に参照するとともに、上記記載事項を技術常識に照らせば、以下のことがいえる。
（ア）段落【００８４】でいうＧａxＩｎyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）は、その組成を適宜調整し、立方晶のＰｔであり得る金属薄膜上に形成することで、圧電薄膜共振子用の圧電体膜であって、上記Ｐｔと格子定数がマッチした配向性結晶膜となし得るものである。
（イ）上記「立方晶のＰｔ」は、上記圧電薄膜共振子用の電極とし得るものであり、面心立方格子の結晶である。
（ウ）上記「ＧａxＩｎyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）」は、その括弧内の記載からみて、ｘ＝０の場合とｙ＝０の場合を事実上の選択肢として含んでいる。そして、そのｙ＝０の場合は、「Ａｌ１−ｘＧａｘＮで表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体」であり、ｘ＝０の場合は、「Ａｌ１−ｙＩｎｙＮで表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体」である。
　
　したがって、引用例２には、以下の３つの技術的事項が記載されているといえる。
＜技術的事項１＞
　圧電薄膜共振子用の電極として使用可能な面心立方格子の結晶。
＜技術的事項２＞
　上記技術的事項１の「圧電薄膜共振子用の電極として使用可能な面心立方格子の結晶」上に形成することで、圧電薄膜共振子用の圧電体膜として使用可能な結晶膜であって、一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮで表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮで表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜。
＜技術的事項３＞
　上記技術的事項２でいう「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮで表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮで表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体」は、その組成を調整することで、格子定数を調整することができ、その格子定数を上記技術的事項１でいう「圧電薄膜共振子用の電極として使用可能な面心立方格子の結晶」の格子定数とマッチさせることで、結晶性の高い薄膜とすることができる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例１記載の発明における「圧電層」、「第１下部電極」及び「第２上部電極」は、それぞれ、本願補正発明における「圧電体膜」、「電極」に相当する。
　
（い）上記（あ）で検討した事項を踏まえ、引用例１記載の発明における「圧電層とその両面にそれぞれ形成された第１下部電極、第２上部電極」とからなる部分は、本願補正発明における「圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極とを含む圧電積層構造体」に相当する。
　
（う）一般にBAW 共振器は振動部を有しており、引用例１の図１を参照すれば、引用例１記載の発明における「圧電層とその両面にそれぞれ形成された第１下部電極、第２上部電極」とからなる部分の少なくとも一部を含んで振動部が構成されていることは明らかであり、そのことは、上記（い）で検討した事項を踏まえ、本願補正発明における「圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極とを含む圧電積層構造体の一部を含んで振動部が構成される」ことに相当する。
　
（え）一般的にBAW 共振器は圧電薄膜共振子の一種であるから、引用例１記載の発明における「BAW 共振器」は、本願補正発明における「圧電薄膜共振子」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用例１記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願補正発明と引用例１記載の発明とは、ともに、
「圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極とを含む圧電積層構造体の一部を含んで振動部が構成される圧電薄膜共振子。」
である点。
　
（相違点）
相違点１：「圧電体膜」が、本願補正発明においては、「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜０．５）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜０．３）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜」であるのに対し、引用例１記載の発明においては、「窒化アルミニウム(AlN）のような薄膜として製造できる圧電材料よりなる薄膜」とされているだけで「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜０．５）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜０．３）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜」とはされていない点。
　
相違点２：「電極」が、本願補正発明においては、「面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下である」のに対し、引用例１記載の発明においては、「金(Au)からなる」とされているだけで「面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下である」とはされていない点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
　
　以下の事情を勘案すると、引用例１記載の発明において、上記相違点１、２に係る本願補正発明の構成を採用すること、すなわち、引用例１記載の発明の「圧電体膜」を「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜０．５）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜０．３）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜」とするとともに、同引用例１記載の発明の各「電極」を「面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下である」ものとすることは、当業者が容易に推考し得たことというべきである。
（あ）引用例１記載の発明でいう「窒化アルミニウム(AlN）のような薄膜として製造できる圧電材料」及び各「電極」として、それぞれ、上記引用例２に記載の技術的事項２の「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮで表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮで表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜」及び上記引用例２に記載の技術的事項１の「面心立方格子の結晶」を採用可能であることは、上記引用例２に記載の技術的事項１、２自体から明らかである。
（い）上記（あ）にしたがって、引用例１記載の発明でいう「窒化アルミニウム(AlN）のような薄膜として製造できる圧電材料」及び各「電極」として、それぞれ、上記引用例２に記載の技術的事項２の「一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮで表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮで表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜」及び上記引用例２に記載の技術的事項１の「面心立方格子の結晶」を採用する際、上記引用例２に記載の技術的事項３にしたがって、それらの格子定数を相互にマッチさせるべく、上記一般式におけるｘの値とｙの値を調整することは、当業者が容易に推考し得たことである。そして、その調整をどの程度まで行うかは当業者が必要に応じて適宜決定し得た事項であって、「ミスマッチが２．６％以下」となるようにすることや、「０＜ｘ＜０．５」や「０＜ｙ＜０．３」の範囲を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
（う）上記ｘやｙを上記「０＜ｘ＜０．５」や「０＜ｙ＜０．３」の範囲内の値としたり、上記「ミスマッチが２．６％以下」となるような構成を採用することにより得られる効果は、上記（い）にしたがって格子定数をマッチさせるべくｘの値とｙの値を調整した場合に期待される効果の域を出るものとは認められず、上記「０＜ｘ＜０．５」、「０＜ｙ＜０．３」、「ミスマッチが２．６％以下」という各要件に規定される各数値に、いわゆる数値限定の臨界的意義があるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２に記載の技術的事項１〜３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　よって、本件手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２２年５月１７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年１２月１８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極とを含む圧電積層構造体の一部を含んで振動部が構成される圧電薄膜共振子であって、
　前記圧電体膜は一般式Ａｌ１−ｘＧａｘＮ（但し、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ１−ｙＩｎｙＮ（但し、０＜ｙ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜であることを特徴とする圧電薄膜共振子。」
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例とその記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．（１）で検討した本願補正発明における、「０＜ｘ＜０．５」を「０＜ｘ＜１」とし、「０＜ｙ＜０．３」を「０＜ｙ＜１」とするとともに、「電極」に関して「面心立方格子の結晶からなり、前記圧電体膜の結晶との格子長のミスマッチが２．６％以下である」という限定を省いたものである
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに特定の限定を施したものに相当する本願補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用例１記載の発明、引用例２に記載の技術的事項１〜３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記特定の限定を省いた本願発明も、同様に、引用例１記載の発明、引用例２に記載の技術的事項１〜３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２に記載の技術的事項１〜３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。