【事件の表示】
　特願２００１−５３７０５０「熱誘導相転移を利用した磁気媒体のパターン化」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１７日国際公開、ＷＯ０１／３５３９６、平成１５年　４月１５日国内公表、特表２００３−５１４３２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１２年１１月９日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理１９９９年１１月１２日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年３月１日付で通知した拒絶の理由に対し，同年７月２日付で手続補正されたが，同年９月１日付で拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付で手続補正がなされたものである。
　その後，平成２３年８月３１日付で，審査官の作成した前置報告書を利用した審尋を行ったところそれに対し，回答がなされなかったものである。
　
２．平成２２年１２月２２日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２２年１２月２２日付の手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）補正後の本願発明
　平成２２年１２月２２日付の手続補正（以下，「本件補正」という。）は，　補正前の請求項８を削除するとともに補正前の請求項９乃至１６をそれぞれ請求項８乃至１５に繰り上げる補正，および，補正前の請求項１２（補正後の請求項１１に該当する。）に，
「【請求項１２】　パターン化磁気媒体であって、
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上のパターン化磁気記録層とを備え、前記パターン化磁気記録層が、室温より高いキュリー温度（Ｔｃ）、および、
　ｉ　磁気層の磁気領域を予備整列させることによって磁気層の磁気状態を均一にするだけの十分な強度を有する、第１の方向の第１の均一な磁界を、前記磁気層の容易軸に印加するステップと、
　ｉｉ　前記第１の磁界の強度より小さく、かつ、方向が逆の第２の方向の第２の均一な磁界であって、前記第２の磁界の前記第２の強度は、磁気層の温度がＴｃに等しいか、あるいはＴｃを超える第１の高められた温度にある場合、前記磁気層の前記磁気領域の整列を変えるだけの十分な強度であり、また、磁気層の温度がＴｃ未満の第２のより低い温度にある場合は、前記磁気層の前記磁気領域を変えるには不十分である第２の均一な磁界を磁気層に印加し、定矩形性（Ｓ）値を有する磁気材料の場合、Ｈｃ＝保磁力（Ｏｅ）、Ｍ＝磁化（ｅｍｕ／ｍｍ３）、Ｍｒ＝残留磁化、および添字０＝ゼロ印加磁界である次式、
　｛Ｈｃ（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−Ｍｒ｝／｛（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−（ｄＭ／ｄＨ）０｝
によって決定される強度の第２の均一な磁界を磁気層に印加するステップを含むステップと、
　ｉｉｉ　前記第２の磁界を前記磁気層に印加している間、前記磁気層の表面領域のパターン化された複数の選択部分の温度を、所望の時間間隔の間、少なくともＴｃに選択的に上昇させ、それにより前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分の前記磁気領域の磁気整列を選択的に変えるステップと、
　ｉｖ　ステップｉｉｉが完了した後、前記磁気層への前記第２の磁界の印加を終了させるステップと、
　ｖ　パターン化された複数の選択部分をＴｃ未満の温度に冷却するステップとを含むプロセスによって形成される磁気パターンを備えた表面を有するパターン化磁気媒体。」
とあったものを
　「【請求項１１】　パターン化磁気媒体であって、
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上のパターン化磁気記録層とを備え、前記パターン化磁気記録層が、室温より高いキュリー温度（Ｔｃ）、および、
　ｉ　磁気層の磁気領域を予備整列させることによって磁気層の磁気状態を均一にするだけの十分な強度を有する、第１の方向の第１の均一な磁界を、前記磁気層の容易軸に印加するステップと、
　ｉｉ　前記第１の磁界の強度より小さく、かつ、方向が逆の第２の方向の第２の均一な磁界であって、前記第２の磁界の前記第２の強度は、磁気層の温度がＴｃに等しいか、あるいはＴｃを超える第１の高められた温度にある場合、前記磁気層の前記磁気領域の整列を変えるだけの十分な強度であり、また、磁気層の温度がＴｃ未満の第２のより低い温度にある場合は、前記磁気層の前記磁気領域を変えるには不十分である第２の均一な磁界を磁気層に印加し、定矩形性（Ｓ）値を有する磁気材料の場合、Ｈｃ＝保磁力（Ｏｅ）、Ｍ＝磁化（ｅｍｕ／ｍｍ３）、Ｍｒ＝残留磁化、および添字０＝ゼロ印加磁界である次式、
　｛Ｈｃ（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−Ｍｒ｝／｛（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−（ｄＭ／ｄＨ）０｝
によって決定される強度の第２の均一な磁界を
Ｔ
ｃ
に等しい、またはＴ
ｃ
を超える第１の高められた温度にある
　ｉｉｉ　前記第２の磁界を前記磁気層に印加している間、前記磁気層の表面領域のパターン化された複数の選択部分の温度を、所望の時間間隔の間、少なくともＴｃに選択的に上昇させ、それにより前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分の前記磁気領域の磁気整列を選択的に変えるステップと、
　ｉｖ　ステップｉｉｉが完了した後、前記磁気層への前記第２の磁界の印加を終了させるステップと、
　ｖ　パターン化された複数の選択部分をＴｃ未満の温度に冷却するステップとを含むプロセスによって形成される磁気パターンを備えた表面を有するパターン化磁気媒体。」
とする補正を含むものである。
　
　上記補正は，補正前の請求項１２に記載した発明を特定するために必要な事項である「磁気層」について「Ｔｃに等しい、またはＴｃを超える第１の高められた温度にある」との限定を付加するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで，本件補正後の前記請求項１１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である，特開昭６２−１９２０２５号公報（以下，「第１引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付した。
　
「（１）
磁気ヘッドによってデータを記録、再生する磁気記憶装置の記録媒体を一様に一方向に磁化しその媒体に光による熱あるいは直接的な熱により媒体の一部をキューリ点以上に温度上昇させるとともに、前記一様に磁化した方向とは逆方向の磁気バイアスを同時に印加することにより、媒体面に一方向に磁化されている部分と反対方向に磁化されている部分を作り出し、この記録情報を磁気記録媒体からデータを読み出す際の制御信号として用いることを特徴とする磁気ディスク
（２）制御信号はヘッド位置決めに用いるサーボ信号とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク信号記録方式。」（特許請求の範囲）
　
　上記記載事項、図面、および、を総合勘案すると，上記第１引用例には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「磁気ヘッドによってデータを記録，再生する磁気記憶装置の記録媒体を一様に一方向に磁化しその媒体に光による熱あるいは直接的な熱により媒体の一部をキューリ点以上に温度上昇させるとともに，前記一様に磁化した方向とは逆方向の磁気バイアスを同時に印加することにより，媒体面に一方向に磁化されている部分と反対方向に磁化されている部分からなるパターンを作り出し，この記録情報を磁気記録媒体からデータを読み出す際の制御信号として用いる磁気ディスク。」
　
　（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「磁気ディスク」が基板を有することは明らかである。
　引用発明における「記録媒体」は，「一様に一方向に磁化し，その媒体に光による熱あるいは直接的な熱により媒体の一部をキューリ点以上に温度上昇させるとともに，前記一様に磁化した方向とは逆方向の磁気バイアスを同時に印加することにより，媒体面に一方向に磁化されている部分と反対方向に磁化されている部分からなるパターンを作り出」すことにより「磁気記録媒体からデータを読み出す際の制御信号として用い」られる「この記録情報」を形成するもので，ディスク状の記録媒体には前記「基板」上に「層」状に形成されていることが自明であるから，本願補正発明における「前記基板上のパターン化磁気記録層とを備え」「前記パターン化磁気記録層が」「磁気パターンを備えた表面を有する」の点を満足する。
　引用発明における「磁気ディスク」は，本願補正発明における「パターン化磁気媒体」に相当する。
　引用発明の「その媒体に光による熱あるいは直接的な熱により媒体の一部」「キューリ点以上に温度上昇」に関し，「熱により」「温度上昇」する前は室温であったと解することが妥当であるから，引用発明の「キューリ点」が本願補正発明の「室温より高いキュリー温度（Ｔｃ）」「を備えた」を満足することは明らかである。
　したがって，本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「パターン化磁気媒体であって，
（ａ）基板と，
（ｂ）前記基板上のパターン化磁気記録層とを備え，前記パターン化磁気記録層が，室温より高いキュリー温度（Ｔｃ）、および、磁気パターンを備えた表面を有するパターン化磁気媒体。」
　
　また，下記の点で一応相違する。
　
　＜一応の相違点＞
　本願補正発明は，「磁気パターン」を形成する「プロセス」に関し，
「　ｉ　磁気層の磁気領域を予備整列させることによって磁気層の磁気状態を均一にするだけの十分な強度を有する，第１の方向の第１の均一な磁界を，前記磁気層の容易軸に印加するステップと，
　ｉｉ　前記第１の磁界の強度より小さく，かつ，方向が逆の第２の方向の第２の均一な磁界であって，前記第２の磁界の前記第２の強度は，磁気層の温度がＴｃに等しいか，あるいはＴｃを超える第１の高められた温度にある場合，前記磁気層の前記磁気領域の整列を変えるだけの十分な強度であり，また，磁気層の温度がＴｃ未満の第２のより低い温度にある場合は，前記磁気層の前記磁気領域を変えるには不十分である第２の均一な磁界を磁気層に印加し，定矩形性（Ｓ）値を有する磁気材料の場合，Ｈｃ＝保磁力（Ｏｅ），Ｍ＝磁化（ｅｍｕ／ｍｍ３），Ｍｒ＝残留磁化，および添字０＝ゼロ印加磁界である次式，
　｛Ｈｃ（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−Ｍｒ｝／｛（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−（ｄＭ／ｄＨ）０｝
によって決定される強度の第２の均一な磁界をＴｃに等しい，またはＴｃを超える第１の高められた温度にある磁気層に印加するステップを含むステップと，
　ｉｉｉ　前記第２の磁界を前記磁気層に印加している間，前記磁気層の表面領域のパターン化された複数の選択部分の温度を，所望の時間間隔の間，少なくともＴｃに選択的に上昇させ，それにより前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分の前記磁気領域の磁気整列を選択的に変えるステップと，
　ｉｖ　ステップｉｉｉが完了した後，前記磁気層への前記第２の磁界の印加を終了させるステップと，
　ｖ　パターン化された複数の選択部分をＴｃ未満の温度に冷却するステップとを含むプロセス」に限定されているのに対し，
　引用発明は，「パターン」を形成する方法に関し，
「記録媒体を一様に一方向に磁化しその媒体に光による熱あるいは直接的な熱により媒体の一部をキューリ点以上に温度上昇させるとともに，前記一様に磁化した方向とは逆方向の磁気バイアスを同時に印加すること」により「媒体面に一方向に磁化されている部分と反対方向に磁化されている部分からなるパターンを作り出」す方法に限定されている点。
　
　（４）判断
（ア）
　本願補正発明の「磁気パターン」は，特定の「プロセスによって形成され」たものであり，該「プロセス」は，概略，「第１の方向の第１の均一な磁界」によって「磁気層の磁気領域を予備整列させることによって磁気層の磁気状態を均一に」した後，「第２の方向の第２の均一な磁界」によって「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分の前記磁気領域の磁気整列を選択的に変える」ものであるから，結局，「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分」の形状（パターン）のみに依存して「磁気パターン」が決定されるものであるところ，該「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分」の形状に関して何ら限定が無い。
　同様に，引用発明の「パターン」も，「キューリ点以上に温度上昇させ」た「媒体の一部」の形状（パターン）のみに依存して「パターン」が決定されるものであるところ，該「キューリ点以上に温度上昇させ」た「媒体の一部」の形状に関して何ら限定が無い。
（イ）　
　本願補正発明の「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分」を形成する手段，および，引用発明の「キューリ点以上に温度上昇させ」た「媒体の一部」を形成する手段は，いずれも特に限定がないため，該手段として当技術分野において周知慣用の手段を利用すると解することが妥当である。
　したがって，本願補正発明の「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分」を形成する手段と引用発明の「キューリ点以上に温度上昇させ」た「媒体の一部」を形成する手段は，一致している。
（ウ）
　本願補正発明は，「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た部分の「磁気整列を選択的に変える」のであるが，温度が「少なくともＴｃ」であるということは保磁力がゼロであることを意味するから，「第２の方向の第２の均一な磁界」の強度をどのような式で規定するかとは関係なくその値がゼロより大でありさえすれば「磁気整列を選択的に変える」ことができるため，「第２の方向の第２の均一な磁界」の強度を「｛Ｈｃ（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−Ｍｒ｝／｛（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−（ｄＭ／ｄＨ）０｝によって決定される強度」とすると特別な形状の「磁気パターン」が形成されるというようなことはありえない。
　引用発明の「磁気バイアス」，等についても同様である。
　
　以上を総合すると，本願補正発明の「磁気パターン」の形成「プロセス」と引用発明の「パターン」を作り出す方法は，一致していないが，本願補正発明の「磁気パターン」と引用発明の「パターン」を比較すると相違している点を見いだせず，結局の所，前記「プロセス」は，製造方法によって生産物を特定しようとする記載であるものの「物」である「磁気媒体」の特定には役立っておらず，本願補正発明の「磁気媒体」と引用発明の「磁気ディスク」との間に相違している点を見いだせないから，両者は実質的に同一である。
　
　したがって，本願補正発明は，第１引用例に記載された発明であるから，特許法２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　なお，その余の理由については検討するまでもないところであるが，参考までに，製造方法についての見解も示しておくと，本願補正発明の「プロセス」と引用発明の「パターンを作り出」す方法は，ともに，「第１の方向の第１の均一な磁界」によって「磁気層の磁気領域を予備整列させることによって磁気層の磁気状態を均一に」した後，「第２の方向の第２の均一な磁界」によって「少なくともＴｃに選択的に上昇させ」た「前記磁気層の前記パターン化された複数の選択部分の前記磁気領域の磁気整列を選択的に変える」ものである点で軌を一にするプロセスであり，その実施にあたり適宜磁界の強度を決定することが当然行われるといえ，かつ，「第２の方向の第２の均一な磁界」の強度である「｛Ｈｃ（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−Ｍｒ｝／｛（ｄＭ／ｄＨ）Ｈｃ−（ｄＭ／ｄＨ）０｝」は，磁気媒体の技術分野において周知の核生成磁場を意味する（意見書第３頁１４行目も参照。）ことを勘案すると，「磁気バイアス」に代えて核生成磁場に相当する磁界の強度を「第２の方向の第２の均一な磁界」の強度とする程度のことは当業者であれば適宜なしうると認められる。
　
　（５）むすび
　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２２年１２月２２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至１６に係る発明は，平成２２年７月２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至１６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，そのうち請求項１２に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，前記「２．（１）」に記載したとおりのものである。
　
　（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例，及びその記載事項は，前記「２．（２）」に記載したとおりである。　
　
　（２）対比・判断
　本願発明は，前記２．で検討した本願補正発明から「磁気層」の限定事項である「Ｔｃに等しい，またはＴｃを超える第１の高められた温度にある」との構成を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記２．（４）に記載したとおり，第１引用例に記載された発明であるから，本願発明も同様の理由により，第１引用例に記載された発明である。　
　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１２に係る発明は，第１引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その余の請求項およびその余の理由について論及するまでもなく，本願は，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。