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【事件の表示】
　特願２００９−　９８２８４「光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月　４日出願公開、特開２０１０−２５０８８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年４月１４日に出願したものであって、平成２２年７月１３日付で通知した拒絶の理由に対し、同年９月２１日付で手続補正されたが、同年１２月２２日付で拒絶査定がされ、これに対し、平成２３年４月４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明について
　（１）本願発明
　本願の請求項１乃至３に係る発明は，平成２２年９月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「
基板上に反射膜および光透過層の積層された構造を含み、かつ青色レーザーによって情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、
　前記反射膜が、Ｓｉ
ま
し、残部：Ａｌおよび不可避不純物である
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特表２００４−５２８６７４号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
(a)
「【請求項１】
走査型放射ビームにより読み取り可能な保存された情報を示すマークのトラックを有する表面を伴う基板；及び
前記放射ビームを反射する反射層；
を備えた光学データ保存媒体であって、
当該媒体は、５０％以上の放射ビーム反射率を有し；かつ
前記反射層は、
Ａｌをアルミニウムとし、
ＸをＧｅ及びＳｉのみからなる群から選択された要素とし、
ｙを５よりも大きく３５よりも小さいとし、かつ
ｙは前記Ｘの原子分率の百万分率を示すとして、
Ａｌ
１００−ｙ
Ｘ
ｙ
なる化学式の合金を備える；
ことを特徴とする、光学データ保存媒体。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、光学データ保存媒体に関し、走査型放射ビームにより読み取り可能な保存データを示すマークのトラックを持つ表面領域を有する基板、及び放射ビームを反射する反射層を備えており、この媒体は、さらに５０％以上の放射ビーム反射性を有している。
【０００２】
また、本発明は、識別記号を読み取るためのこのような光学データ保存媒体の使用に関する。
【０００３】
導入部で述べたタイプの光学データ保存媒体の具体例は、米国特許第４、９６１，０７７号明細書にて公知である。この特許において、データはこの光学データ保存媒体と放射ビームとの相互作用を介して保存される。この媒体は、情報をこの媒体上に保存することにより製造され、一般に、ポリカーボネート基板に形成されたエンボス加工された凹部又はピットの形で製造される。反射層は、このポリカーボネート基板上に堆積され、放射ビームは、この反射層上に集束される。
このタイプの媒体は、ディスクに関する具体例において、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）ディスクなどとして頻繁に参照される。
(b)
「【００１１】
一つの好適実施例において、ｙ値は１６以下である。これは、反射層における放射ビームの反射率が７０％であるという利点を有し、この７０％という値は、ＣＤレッドブック基準にて適合可能とすべく必要とされている。この基準は、ブランク領域が７０％以上のＣＤオーディオディスク又はＣＤ−ＲＯＭディスクにおいて、ダブルパスにて測定される反射性及び基板透過性を要求している。
レッドブック基準に従ったＣＤシステムでは、７７０から８３０ｎｍの放射ビーム波長に最適化されており、例えば、放射源として、７８０ｎｍの半導体レーザーを使用してもよい。現在の開発は、例えば６８０あるいは４０５ｎｍの短波長を有する放射ビームを使用した光学的記録システムに関して向けられている。これらの短波長の使用は、明らかに、本発明の狙いから外れたものではない。
　
　ここで上記(a)の「百万分率」は，明らかに「百分率」の誤記であると解されることもふまえて上記記載事項および図面の記載を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「走査型放射ビームにより読み取り可能な保存された情報を示すマークのトラックを有する表面を伴う基板；及び
前記放射ビームを反射する反射層；
を備えた光学データ保存媒体であって、
当該媒体は、５０％以上の放射ビーム反射率を有し；かつ
前記反射層は、
Ａｌをアルミニウムとし、
ＸをＧｅ及びＳｉのみからなる群から選択された要素とし、
ｙを５よりも大きく３５よりも小さいとし、かつ
ｙは前記Ｘの原子分率の百分率を示すとして、
Ａｌ１００−ｙＸｙなる化学式の合金を備え,
４０５ｎｍの短波長を有する放射ビームを使用した光学的記録システムに使用される読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）ディスクである光学データ保存媒体。」
　
　（３）対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　「４０５ｎｍの短波長を有する放射ビームを使用した光学的記録システムに使用される読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）ディスク」が光透過層を有することは自明であることを勘案すると，引用発明の「走査型放射ビームにより読み取り可能な保存された情報を示すマークのトラックを有する表面を伴う基板；及び前記放射ビームを反射する反射層；を備えた光学データ保存媒体であって」「４０５ｎｍの短波長を有する放射ビームを使用した光学的記録システムに使用される読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）ディスクである光学データ保存媒体」は，明らかに，本願発明の「基板上に反射膜および光透過層の積層された構造を含み、かつ青色レーザーによって情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、」「読み出し専用の光情報記録媒体」を満足する。
　引用発明の「前記反射層は、Ａｌをアルミニウムとし、ＸをＧｅ及びＳｉのみからなる群から選択された要素とし、ｙを５よりも大きく３５よりも小さいとし、かつｙは前記Ｘの原子分率の百万分率を示すとして、Ａｌ１００−ｙＸｙなる化学式の合金を備え」は、本願発明の「前記反射膜が、ＳｉまたはＧｅを５〜４０％（特記しない限り、成分において％は原子％を意味する。以下同じ。）含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物であるＡｌ基合金からなる」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは一致しており、相違点はない。
　
　したがって，本願発明は，第１引用例に記載された発明と同一であるから，特許法２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　（４）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，第１引用例に記載された発明と同一であるから，特許法２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００３−５１００５３「炎症過程の調節に有用なチラコイドを含む組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１６日国際公開、ＷＯ０３／０４０４２、平成１６年１１月２５日国内公表、特表２００４−５３５４５８、請求項の数（１９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　本願は、２００２年　７月　２日（パリ条約による優先権主張　２００２年　４月１５日　（ＣＡ）カナダ）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜１９に係る発明は、平成２３年１０月３１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
　
　なお、本願の優先権主張、並びに原審において引用された刊行物（カナダ国特許出願公開第２２９３８５２号明細書）に関して、以下、付言する。　
　本願発明は、上記補正書により補正された特許請求の範囲に記載のとおり、抗炎症剤を包含する組成物の発明であるか、あるいは抗炎症剤との組み合わせでの使用に係る発明である。　
  そして、本願は、パリ条約による優先権の主張を複数の出願に基づいてするものであるが、そのうちの２００１年７月２日、米国出願の明細書には、チラコイド抽出物を抗炎症剤と組み合わせて使用することについては何ら記載はないから、本願は、当該出願を基礎とするパリ条約による優先権主張の利益を享受することはできない。　
　また、上記刊行物には、当該抽出物を抗炎症剤と組み合わせて使用することに関する記載は見当たらないので、同刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が本願発明を容易に発明することができたと認めることはできない。
【事件の表示】
　特願２００２−５７９３７８「遠赤外線放射波動水の製造方法及び遠赤外線放射波動水」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１７日国際公開、ＷＯ０２／８１３８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、２００２年４月８日（優先権主張２００１年４月６日、日本国）を国際出願日とする出願であって、「遠赤外線放射波動水の製造方法及び遠赤外線放射波動水」に関するものと認められ、その請求項１〜１８に係る発明は、平成１９年８月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載によれば、その特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　これに対して、平成２３年９月３０日付けで、本願は、その明細書と図面の記載が不備で特許法第３６条第４項及び同条第６項第１号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何ら応答もなく、依然として上記の拒絶理由で指摘した不備の点は解消していない。
　したがって、本願は、上記の拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００１−　１２９４９「薄膜製造方法および薄膜製造設備」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月３１日出願公開、特開２００２−２１２７０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第一　手続の経緯  
　本件審判に係る出願は、平成１３年１月２２日の出願であって、平成２２年６月１１日付けで拒絶査定され、この拒絶査定を不服として、平成２２年９月１３日付けで、審判請求されたものであって、同日付けで明細書についての手続補正がなされた。
　
第二　本件発明について 
１．本願発明は、平成２２年９月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、本願請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、以下のとおりのものである（以下、下線は当審において付した。）。 
　
「硫化物系の無機固体電解質を含む薄膜を製造する方法であって、薄膜製造工程の
薄膜の形成において
　
２．原査定の拒絶理由の概要は以下のとおりである。  
　この出願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において
頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　１．特開２０００−３４０２５７号公報
　
３．当審の判断
（１）引用文献１に記載された事項は以下のとおりである。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高容量、高安全性のリチウム二次電池に関するものである。」
　
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の各技術においては次のような問題があった。
　・・・
【００１４】・・・
固体電解質の材質としては、硫化物系
硫化物を含有する化合物
高い吸湿性および加水分解性の欠点
そのため、電解質層の成膜後の取り扱いが難しく、電池に組み上げる際、運搬には不活性雰囲気に封入する
　
「【００７４】（実施例2-1）
　　・・・
【００７５】
硫化物を含有するリチウムイオン伝導性化合物
Li
２
S-SiS
２
の混合物をターゲットにして、アルゴンガス雰囲気中にて、固体電解質薄膜を形成した
　
「【０１００】（実施例4-1）１インチ径のニッケル金属よりなる集電体上に、厚さ200μｍ（ミクロンメートル）のリチウム金属を張り合わせて、負極とした。RFマグネトロンスパッタ法により、
Li
２
S、P
２
S
５
、Li
３
PO
４
の混合物をターゲットにして、この負極上に固体電解質薄膜を形成した
　・・・
【０１０３】
露点−60℃以下のアルゴンガス雰囲気下
　
（２）引用発明の認定
　引用文献１には、段落００７５の記載を、本件発明の記載にそって整理すると、「Li２S-SiS２の混合物をターゲットにして固体電解質薄膜を製造する方法であって、薄膜製造工程の
薄膜の形成において
アルゴンガス雰囲気
　　
（３）対比・判断
　引用発明の「Li２S-SiS２の混合物をターゲットにして固体電解質薄膜を製造する方法」は、
　本件発明の「硫化物系の無機固体電解質を含む薄膜を製造する方法」に相当する。
　
　引用発明の薄膜を製造する雰囲気は、無機固体電解質もしくはその原料ターゲットと接触しているといえるから、
　本件発明の「前記無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気」に相当する。
　
　したがって、本件発明と引用発明とは、以下の点で一致し、相違する。
（一致点）
「硫化物系の無機固体電解質を含む薄膜を製造する方法であって、薄膜製造工程の
薄膜の形成において
　
（相違点）
　本件発明は雰囲気を「露点を−４０℃以下とする」のに対して、
　引用発明は雰囲気の「露点」について不明の点。
　
　以下、相違点について検討する。
　引用文献１の段落００１４の記載によると、引用発明における無機固体電解質は、高い吸湿性および加水分解性の欠点を有するものであり、段落０１０３の記載によると、成膜後の電池作成の際には、露点−60℃以下のアルゴンガス雰囲気とされるものである。
　そして、薄膜製造工程において、水分により膜の品質が劣化する場合に、雰囲気ガスから水分を除いて、例えば露点を−４０℃以下等の雰囲気とすることは、以下の文献に記載されているように周知である。
（拒絶理由の先行技術文献の　
　　　　　　　　　　　特開平１１−１２６６８６号公報　段落００３７
　平成２２年３月１６日付け刊行物提出書の
　　　　　甲第２号証　特開平７−０９４１８８号公報　段落００３９
　　　　　甲第３号証　特開平６−２７９０５０号公報　段落０００６
　新たな公報　　　　　特開平４−１８２９５５号公報　２頁左上欄下から６行〜右上欄５行、左下欄３行〜下から４行）。
　
　そうすると、引用発明における薄膜製造工程の薄膜の形成において、高い吸湿性および加水分解性の欠点を有する固体電解質と接触する雰囲気から水分を除いて、その露点を、上記周知技術や電池作成時の雰囲気を参酌して、−４０℃以下とすることは、当業者が容易に想到する事項である。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件発明は、引用文献１の記載に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００１−５８０４６４「シリコン単結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　８日国際公開、ＷＯ０１／８３８６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００１年４月２５日（優先権主張２０００年４月２８日：日本国、２０００年７月３１日：日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月５日付けで拒絶理由の起案がなされ、同年６月１１日付けで意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２０年４月２３日付けで拒絶査定の起案がなされ、同年５月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年６月３０日付けで明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２２年１１月１２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年１２月２８日付けで回答書が提出され、その後、平成２３年８月３０日付けで当審からの拒絶理由の起案がなされ、同年１０月２１日付けで意見書（以下、「最終意見書」という。）及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年１０月２１日付けの明細書の記載に係る手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
【請求項１】
　チョクラルスキー法によりＶ−リッチ領域を含むシリコン単結晶を育成する際に、結晶中心部におけるシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の温度勾配をＧｃ（Ｋ／ｍｍ）、１１５０℃から１０８０℃の温度領域の長さをＬ（ｍｍ）、結晶成長速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、（Ｌ／Ｆ）が４０ｍｉｎ以上の時、それらから計算される値（Ｆ／Ｇｃ）／√（Ｌ／Ｆ）を、０．０１４〜０．０３５ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ１．５の範囲とすると共に、前記シリコン単結晶の周辺部１０ｍｍでの融点から１４００℃までの温度勾配Ｇｅ（Ｋ／ｍｍ）と結晶成長速度Ｆ（ｍｍ／ｍｉｎ）との関係値Ｆ／Ｇｅを、０．２２ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ以上として育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
　
第２．平成２３年８月３０日付けの当審からの拒絶理由について
　平成２３年８月３０日付けの当審からの拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）は、次の指摘を含む。
　
・この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとし、 
本願発明４に特定される条件であるＬ／Ｆ・・・の値について記載がされておらず、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」・・・であることの確認ができない。 
・・・
「（実施例２）」は、「（Ｆ／Ｇｃ）／√（Ｌ／Ｆ）を、０．０１４〜０．０３５ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ１．５の範囲とする」ことにより、「ＦＰＤ欠陥の密度が、ウエーハ周辺部１０ｍｍを除き、２０〜３００個／ｃｍ２」であるウェーハが得られることの実証であると推認されるが、「（実施例１）」と同様にＬ／Ｆについて記載がされておらず、前記ウェーハ及びその基になる単結晶（本願発明１〜３及び５〜６）をどのようして得るのかが不明である。
 　よって、本願発明１〜６は、出願時の技術常識に照らしても、これら発明の範囲まで発明の詳細な説明に記載された内容を一般化できない。
　
第３．判断
１．当審拒絶理由でいう「本願発明４」は「本願発明」のことであり、同「本願発明５」は、「本願発明４」「に記載された方法により育成されたことを特徴とするシリコン単結晶」に係るものである。
　当審拒絶理由における「「実施例２」は・・・Ｌ／Ｆについて記載がされておらず」とは、「「実施例２」は・・・Ｌ／Ｆの値について記載がされておらず、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」であることの確認ができない」ということである。
　そうすると、「「実施例２」は・・・Ｌ／Ｆについて記載がされておらず・・・単結晶（本願発明・・・５・・・）をどのようして得るのかが不明である」とは、「「実施例２」は・・・Ｌ／Ｆの値について記載がされておらず、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」であることの確認ができない」から「本願発明４に記載された方法により育成された・・・シリコン単結晶」をどのようにして得るのかが不明ということであって、本願発明４、すなわち、本願発明に係る方法によって、シリコン単結晶の製造ができるのか不明であるとの指摘であり、
本願発明について、出願時の技術常識に照らしても、これら発明の範囲まで発明の詳細な説明に記載された内容を一般化できないから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないというものである。
２．そこで、発明の詳細な説明の記載をみてみると、上記のとおり、「Ｌ／Ｆ」の値について記載は何らされておらず、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」であることは確認できない。
３．請求人は、上記最終意見書において、「実施例２中にＬ／Ｆの値は明記されていないものの、当業者であれば、実施例２においても、（特徴その１）のように「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」であることを、本願明細書の記載から十分に読み取れるものと思料致します。・・・実施例２ではＬ／Ｆが４０ｍｉｎ以上であることを前提とする図４の単結晶引上げ装置を用いていますので、実施例２におけるＬ／Ｆが４０ｍｉｎ以上であることは明細書の記載から十分に読み取れ、確認することができるものと思料致します。
　なお、明記はされていませんが、実施例２における実際のＬ／Ｆの値は１２９ｍｉｎです（Ｌ＝１０３ｍｍ、Ｆ＝０．８ｍｍ／ｍｉｎ）。」と主張している。
　しかし、上記主張を考慮しても、発明の詳細な説明からＬ／Ｆの具体的な値が導出されることにはならないし、仮に、Ｌ＝１０３ｍｍ、Ｆ＝０．８ｍｍ／ｍｉｎ、Ｌ／Ｆ＝１２９ｍｉｎなる値が発明の詳細な説明の記載から導き出されるとしても、このＬ／Ｆ＝１２９ｍｉｎなる値はＬ／Ｆの下限値である４０ｍｉｎを大きく上回るものであって、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」なる広い範囲の中のわずか１点のみにおける本願発明の裏付けといえ、しかも、該下限値である４０ｍｉｎを裏付けるものでもないから、「Ｌ／Ｆが４０ｍｉｎ以上」の範囲で本願発明に係る方法によって、シリコン単結晶の製造ができるのかが依然として不明である。
４．よって、本願発明について、出願時の技術常識に照らしても、また、上記最終意見書を考慮しても、この発明の範囲まで発明の詳細な説明に記載された内容を一般化できないから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
第４．むすび 
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、その余の当審からの拒絶理由について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する
【事件の表示】
　特許第４２５５３３０号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４２５５３３０号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件訂正審判の請求に係る特許第４２５５３３０号（以下、「本件特許」という。）は、平成１５年７月３１日にした出願（特願２００３−２８３５２２号）の請求項１〜５に係る発明について平成２１年２月６日に特許権の設定登録がなされ、平成２３年１２月２８日に本件訂正審判の請求がなされたものである。
　　　　
第２　請求の趣旨
　本件訂正審判の請求の趣旨は、本件特許の願書に添付した明細書（以下「特許明細書」という。）及び特許請求の範囲を、本件審判請求書に添付の明細書及び特許請求の範囲のとおりに訂正することを求めるものである。
　
第３　訂正の内容
　本件訂正審判の請求に係る訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（下線部分が訂正に係る部分である。）。
　
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１について、
　「質量百分率（％）に基づいて（以下、％と表記する）Ｎｉ：１．０〜４．５％、Ｓｉ：０．２〜１．２％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物から成る銅合金からなり、表面に２３〜１８４ＭＰａの圧縮残留応力が存在し、表面の最大谷深さ（以下、Ｒｖと表記する）が
０．９３
　「質量百分率（％）に基づいて（以下、％と表記する）Ｎｉ：１．０〜４．５％、Ｓｉ：０．２〜１．２％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物から成る銅合金からなり、表面に２３〜１８４ＭＰａの圧縮残留応力が存在し、表面の最大谷深さ（以下、Ｒｖと表記する）が
０．５
　
２．訂正事項２
　特許明細書の【０００５】について、５行目の「
０．９３
０．５
　
第３　当審の判断　 
１．訂正の目的、新規事項の追加、及び特許請求の範囲の拡張・変更について 
（１）訂正事項１について 
　訂正事項１は、請求項１に記載のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材の表面谷深さＲｖの数値範囲について、上限値を「０．９３μｍ」から「０．５μｍ」に引き下げるものであって、請求項１の記載を引用する請求項２〜５においても、同様にＲｖの上限値を引き下げるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許明細書の【０００４】には、本件特許に係る発明の解決しようとする課題がＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材の疲労特性を改良することであり、同【０００８】には、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材の表面粗さを小さくすると、疲労寿命が延び、表面の最大谷深さＲｖのより好ましい範囲が０．５μｍ以下であることが記載されているから、訂正事項１は、特許明細書に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　さらに、特許明細書の【００３２】、【００３３】【表３】には、Ｍｇを含むＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材であって、訂正後の請求項２に記載された発明に相当するる表面最大深さＲｖが０．４４μｍや、０．２７μｍであるＮｏ．２６，２７の試料が、Ｒｖが０．５μｍを超えるＮｏ．２８〜３１の試料より、疲労寿命において優れていることが示されているし、【００２９】、【００３０】【表２】には、Ｍｇを含まないＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材であって、訂正後の請求項１に記載された発明に相当するるＮｏ．２０の試料、及びＰ、Ｓｎ又はＺｎを含むＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金部材であって、それぞれ訂正後の請求項３〜５に記載された発明に相当するるＮｏ．１７〜１９の試料も、Ｒｖがともに０．３〜０．４μｍであると、訂正後の請求項２に記載された発明に相当するＮｏ．１６の試料、及び前述のＮｏ．２６，２７の試料とほぼ同等の疲労寿命を達成していることが示されているから、訂正事項１によって、請求項１〜５に記載された発明におけるＲｖの技術的意義に変更はない。したがって、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正事項１に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との記載に矛盾がないように明りょう化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、特許明細書に記載した事項の範囲内においてするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
　 
（３）まとめ 
　よって、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ同条第３項及び第４項の規定に適合する。
　 
２．独立特許要件について 
　上記のとおり、本件訂正の訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件訂正後における特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された発明（以下、まとめて「本件訂正発明」という。）が独立して特許を受けることができるものかどうかについて検討する。
　本件特許に係る出願は、拒絶理由を発見しないとして特許査定されたものであるところ、本件訂正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないとする新たな理由も見当たらない。
　よって、本件訂正は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　 
第４　むすび 
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第５項の規定に適合する。 
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第４４２２７５０号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４４２２７５０号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第４４２２７５０号の請求項１〜３に係る発明は、平成１５年２月１２日に出願した特願２００３−３３４５５号の特許出願の一部を平成１９年１０月１６日に特願２００７−２６８５２７号として分割した特許出願に係り、平成２１年１２月１１日にその特許権の設定の登録がなされたものである。
　
２．審判請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第４４２２７５０号の特許請求の範囲を特許請求の範囲の減縮を目的として審判請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、すなわち、下記のとおり訂正することを求めるものである。
　
＜訂正事項＞
　特許請求の範囲の請求項３を削除する訂正
　
３．当審の判断
＜訂正事項＞について 
　本件訂正前の請求項３の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項は請求項の削除であるから、本件特許の明細書、特許請求の範囲又は図面の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　また、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。 
　
４．むすび
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第５項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第４８９５００１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４８９５００１号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第４８９５００１号の請求項１−４に係る発明は、平成１８年１月１２日に出願した特願２００６−４６１６号の特許出願に係り、平成２４年１月６日にその特許権の設定の登録がなされたものである。
　
２．審判請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、本件特許第４８９５００１号の明細書及び特許請求の範囲を、本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものである。
　その訂正内容は、次のとおりである。
　
＜訂正事項１＞
　本件の特許請求の範囲の請求項１の、
「前記第２開閉部材の側部上部に上下にスライド変位可能に軸支されたピン部材と」を
「前記第２開閉部材の側部における上部側に上下にスライド変位可能に軸支されたピン部材と」と訂正する。
　
＜訂正事項２＞
　本件特許明細書の段落【０００８】の、
「前記第２開閉部材の側部上部に上下にスライド変位可能に軸支されたピン部材と」を
「前記第２開閉部材の側部における上部側に上下にスライド変位可能に軸支されたピン部材と」と訂正する。
　
３．当審の判断
（１）訂正事項１について
　訂正前の請求項１における「第２開閉部材の側部上部」では、「第２開閉部材の側部」のさらに「上部」であると解釈される可能性を有しており、発明の詳細な説明および図面からも、「第２開閉部材」自体の側部であることが明らかであるから、訂正事項１は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正は訂正前の明細書に記載された事項に基づいたものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（２）訂正事項２について
　特許請求の範囲における請求項１を訂正事項１のとおりに訂正したことに伴い、整合性を取るために、明細書の記載を訂正したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、訂正事項１と同じ理由により、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）付記
　訂正事項１及び２は、上述したとおり、いずれも明りょうでない記載の釈明を目的としたものと認めることができ、特許法第１２６条第１項ただし書第１号または第２号に掲げる事項を目的としたものではないから、同法同条第５項の適用はない。
　そのため、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができたか否かを、あらためて検討することは、訂正許否の要件とはならない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものである。また、同条第３項及び第４項の規定にも適合する。
【事件の表示】
　特許第４５２１８７４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４５２１８７４号に係る特許請求の範囲及び明細書を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第４５２１８７４号の請求項１に係る発明は、平成１７年９月２７日に特許出願され、平成２２年６月４日に特許権の設定登録がなされ、その後、平成２４年１月３１日付けで本件審判が請求されたものである。
　
　
２．審判請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、本件特許第４５２１８７４号の明細書(以下、「本件特許明細書」という。)及び特許請求の範囲（以下、「本件特許請求の範囲」という。）を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり訂正することを求めるものである。
　その訂正内容は、次のとおりである。（下線は当審で付加。以下同じ。）
　
＜訂正事項１＞
　本件特許請求の範囲の
「【請求項１】
　ベース部材と、互いの側部に設けられた上下一対の第１ヒンジ機構により前記ベース部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第１開閉部材と、前記第１開閉部材の上部に配設され互いの側部に設けられた上下一対の第２ヒンジ機構により前記第１開閉部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第２開閉部材とを備えてなる遊技機の上部ヒンジ構造であって、
　前記第１ヒンジ機構における上方の第１ヒンジ機構は、前後に延びる板状部に上方に突出して固着された軸部を有して前記第１開閉部材に固定された開閉側ヒンジ部材と、前後に延びる板状部に設けられ前記軸部と係合する軸受部を有して前記ベース部材に固定されたベース側ヒンジ部材とからなり、
　前記第２ヒンジ機構における上方の第２ヒンジ機構は、前記第２開閉部材の上部に上下にスライド変位可能に軸支され上方に付勢されたピン部材と、前記開閉側ヒンジ部材に設けられて前記ピン部材と係合するピン受容穴とからなり、
　前記ピン受容穴が前記開閉側ヒンジ部材の下面側に開口して前記軸部に形成され、前記ピン部材の先端部を受容して前記第２開閉部材が揺動開閉自在にヒンジ接続されるように構成したことを特徴とする遊技機の上部ヒンジ構造。」を
「【請求項１】
　ベース部材と、互いの側部に設けられた上下一対の第１ヒンジ機構により前記ベース部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第１開閉部材と
、互
の前面に位置して
　前記第１ヒンジ機構における上方の第１ヒンジ機構は、前後に延びる板状部に上方に突出して固着された軸部を有して前記第１開閉部材に固定された開閉側ヒンジ部材と、前後に延びる板状部に設けられ前記軸部と係合する軸受部を有して前記ベース部材に固定されたベース側ヒンジ部材とからなり、
　前記第２ヒンジ機構における上方の第２ヒンジ機構は、前記第２開閉部材の上部に上下にスライド変位可能に軸支され上方に付勢されたピン部材と、前記開閉側ヒンジ部材に設けられて前記ピン部材と係合するピン受容穴とからなり、
　前記ピン受容穴が前記開閉側ヒンジ部材の下面側に開口して前記軸部に形成され、前記ピン部材の先端部を受容して前記第２開閉部材が揺動開閉自在にヒンジ接続されるように構成したことを特徴とする遊技機の上部ヒンジ構造。」と訂正する。
　
＜訂正事項２＞
　本件特許明細書の段落【０００９】の
「上記目的達成のため、本発明は、ベース部材（例えば、実施形態における外枠１）と、互いの側部に設けられた上下一対の第１ヒンジ機構（例えば、実施形態における枠ヒンジ機構ＷＨ）によりベース部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第１開閉部材（例えば、実施形態における前枠２）と、第１開閉部材の上部に配設され互いの側部に設けられた上下一対の第２ヒンジ機構（例えば、実施形態における扉ヒンジ機構ＴＨ）により第１開閉部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第２開閉部材（例えば、実施形態におけるガラス扉５）とを備えてなる遊技機の上部ヒンジ構造である。このヒンジ構造では、第１ヒンジ機構における上方の第１ヒンジ機構（例えば、実施形態における枠上部ヒンジ機構ＷＨ１）は、前後に延びる板状部に上方に突出して固着された軸部を有して第１開閉部材に固定された開閉側ヒンジ部材（例えば、実施形態における前枠側ヒンジ金具１２０）と、前後に延びる板状部に設けられ軸部と係合する軸受部を有してベース部材に固定されたベース側ヒンジ部材（例えば、実施形態における外枠側ヒンジ金具１１０）とからなる。また第２ヒンジ機構における上方の第２ヒンジ機構（例えば、実施形態における扉上部ヒンジ機構ＴＨ１）は、第２開閉部材の上部に上下にスライド変位可能に軸支されて上方に付勢されたピン部材と、開閉側ヒンジ部材に設けられてピン部材と係合するピン受容穴とからなり、ピン受容穴が開閉側ヒンジ部材の下面側に開口して軸部に形成され、ピン部材の先端部を受容して第２開閉部材が揺動開閉自在にヒンジ接続されるように構成される。」を、
「上記目的達成のため、本発明は、ベース部材（例えば、実施形態における外枠１）と、互いの側部に設けられた上下一対の第１ヒンジ機構（例えば、実施形態における枠ヒンジ機構ＷＨ）によりベース部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第１開閉部材（例えば、実施形態における前枠２）と
、互
の前面に位置して
　
　
３．当審の判断
＜訂正事項１＞について
　訂正事項１は、「前記第１開閉部材の上部に配設され互いの側部に設けられた上下一対の第２ヒンジ機構により前記第１開閉部材に対して揺動開閉自在にヒンジ接続された第２開閉部材」を「
互
の前面に位置して
の前面
　ところで、前記「前記第１開閉部材
に対して
の前面に位置して
　請求項１の「第１開閉部材に固定された開閉側ヒンジ部材」及び「前記第２ヒンジ機構における上方の第２ヒンジ機構は、前記第２開閉部材の上部に上下にスライド変位可能に軸支され上方に付勢されたピン部材と、前記開閉側ヒンジ部材に設けられて前記ピン部材と係合するピン受容穴とからなり」という記載により、第２開閉部材が第１開閉部材に対してヒンジ接続していることは明らかであるから、
　前記訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
＜訂正事項２＞について
　訂正事項１における訂正した特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を取るものであって、明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　したがって、訂正事項１〜２は、いずれも特許法１２６条１項ただし書２〜３号に掲げる事項を目的としたものと認める。
　そして、訂正事項１〜２は、願書に最初に添付した明細書若しくは図面並びに願書に添付した明細書若しくは図面に記載された事項の範囲内においてされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないので、特許法１２６条３〜４項の規定に適合する。
　さらに、訂正後の請求項１に係る発明について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しないから、特許法１２６条５項の規定にも適合する。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正審判の請求は、特許法１２６条１項ただし書２〜３号に掲げる事項を目的とするものである。また、同条３〜５項の規定にも適合する。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第４７４５４３６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４７４５４３６号に係る明細書、特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　経緯
　　
１　平成１４年　８月　８日　原出願（特願２００３−５２１４７６号）
　　（優先権主張　平成１３年　８月　９日、米国、
　　　　　　　　　平成１３年１１月３０日、米国、
　　　　　　　　　平成１４年　５月　２日、米国）
２　平成１７年　１月２６日　１の分割出願（特願２００５−１７８６７号）
３　平成１７年　９月１６日　２の分割出願（特願２００５−２６９６３９号）
４　平成１９年　５月３０日　３の分割出願（特願２００７−１４３４９９号）
５　平成１９年１２月１２日　４の分割出願（特願２００７−３２０４２１号）
６　平成２１年１０月　８日　５の分割出願、本件出願（特願２００９−２３４０７０号）
７　平成２３年　５月２０日　設定登録（特許権者：シャープ株式会社、請求項の数：２）
　　
第２　請求
　　
１　請求の趣旨
　本件審判請求の趣旨は、特許第４７４５４３６号の明細書、特許請求の範囲を本件審判請求書に添付の訂正明細書、特許請求の範囲のとおりに訂正することを認める、との審決を求めるものである。
　　
２  訂正事項
  請求項１、２に
「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
とあるのを、
「（ここでＲｍ，０、Ｒｍ，１、Ｒｍ，２はＰ×３の行列要素）」
と訂正する。
　　
第３　当審の判断
　　
１　訂正の目的
　請求人は、訂正事項は、錯誤により誤って添え字に「ＱＰ」をそのまま用いて記載したものを訂正するもので、特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に該当すると主張するので検討する。
　訂正前の請求項１及び２には
「前記量子化ステップは、（ｉ，ｊ）が共に偶数の場合にＲｍ，０、（ｉ，ｊ）が共に奇数の場合にＲｍ，１、それ以外の場合にＲｍ，２（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
と記載されており、
「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
の記載は、直前の記載の
「前記量子化ステップは、（ｉ，ｊ）が共に偶数の場合にＲｍ，０、（ｉ，ｊ）が共に奇数の場合にＲｍ，１、それ以外の場合にＲｍ，２」
における「Ｒｍ，０」等の記号を説明をしていると解される。
　括弧内の記載が直前の記載の記号を説明していることは、請求項１及び２に
　　
「前記仮数部分の行列要素は、量子化パラメータＱＰをｍとして、以下の構造　
」
　　
と記載されており、この記載は、括弧でくくられた「ここで・・・」における「Ｓｍ，０」、「Ｓｍ，１」、「Ｓｍ，２」が、直前の記載における「Ｓｍ，０」、「Ｓｍ，１」、「Ｓｍ，２」を説明していることからも明らかである。
　上記のとおり、「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」の記載は、直前の記載の記号「Ｒｍ，０」、「ＲＱＰ，１」、「ＲＱＰ，２」を説明していると解されるところ、「ＲＱＰ，１」、「ＲＱＰ，２」は直前の記載にはなく、直前に記載された「Ｒｍ，１」、「Ｒｍ，２」の誤記であると認められる。
　したがって、訂正前の
「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
は、
「（ここでＲｍ，０、Ｒｍ，１、Ｒｍ，２はＰ×３の行列要素）」
の誤記であると認められる。
　　
２　訂正の適合性
（１）訂正の範囲
　願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」ともいう。）の段落【００６４】、【００６６】には、次の記載がある。
　　
「【００６４】
　量子化マトリックスの本発明の使用を示す一実施例が続く。式１３に定められた順方向及び逆方向変換は単一のスカラ量子化値ではなく、１つの量子化マトリックスを必要とする。サンプルの量子化パラメータ及び逆量子化パラメータが示される。式１４及び式１６は、関連する計算式と共にこの発明の実施例を示す。この例は周期Ｐ＝６を使用している。式１４では、ＡｍａｎｔｉｓｓａはＱで示され、ＱＰはｍで示されている。式１６では、ＢｍａｎｔｉｓｓａはＲで示され、ＱＰはｍで示されている。」
　　
「
」
　　
　段落【００６６】の式１４におけるＭが量子化行列であると認められ、請求項１及び２におけるＲに相当する。
　式１４においては、ＱＰはｍで示されており（段落【００６４】）、式１４においては、Ｍｍ，０、Ｍｍ，１、Ｍｍ，２と表現されているから、訂正前の
「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
を
「（ここでＲｍ，０、Ｒｍ，１、Ｒｍ，２はＰ×３の行列要素）」
とする訂正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　　
（２）特許請求の範囲の拡張・変更
　訂正前の
「（ここでＲｍ，０、ＲＱＰ，１、ＲＱＰ，２はＰ×３の行列要素）」
は、
「（ここでＲｍ，０、Ｒｍ，１、Ｒｍ，２はＰ×３の行列要素）」
の誤記であることは上記のとおりであり、請求項１及び２において、「量子化パラメータＱＰをｍとして」いるから、訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）独立特許要件 
　本件訂正が誤記の訂正を目的とするものであることは前記のとおりであるところ、訂正後における特許請求の範囲の請求項１及び２に記載される事項により特定される発明について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、訂正後における特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
 　 
（４）まとめ 
　以上によれば、本件訂正は、特許法第１２６条第３項ないし第５項までの規定に適合する。
　　
第４　むすび 
　
　以上、本件審判の請求に係る訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に揚げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第５項までの規定に適合する。 
　
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第４６６８３１４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４６６８３１４号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第４６６８３１４号の請求項に係る発明は、平成１４年５月２１日に出願した特願２００２−１４６８７５号の特許出願の一部を、平成２０年１１月２８日に特願２００８−３０４９７２号として分割した特許出願に係り、平成２３年１月２１日にその特許権の設定の登録がなされたものである。
　
２．審判請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、本件特許第４６６８３１４号の特許請求の範囲及び明細書を、本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり訂正することを求めるものである。
　その訂正内容は、次のとおりである。
　
＜訂正事項１＞
　本件の特許請求の範囲の請求項１及び２の、
「前記特定の態様を選択する割合が低い第２のデータテーブル」を
「前記特定の演出の態様を選択する割合が低い第２のデータテーブル」と訂正する。
　
＜訂正事項２＞
　本件特許明細書の段落【０００９】に２箇所、同段落【００１０】に１箇所ある、
「特定の態様を選択する割合が低い第２のデータテーブル」を
「特定の演出の態様を選択する割合が低い第２のデータテーブル」と訂正する。
　
３．当審の判断
（１）訂正事項１について
　訂正前の請求項１において、「前記特定の態様」より前に「特定の態様」という記載はなく、「前記」が何を指し示すのか、明りょうではなかった。
　さらに、訂正箇所の直前に「前記特定の演出の態様を所定の割合で選択する第１のデータテーブル」と記載されており、「第２のデータテーブル」が「第１のデータテーブル」との比較に関する記載であることを勘案すると、第２のデータテーブルに係る「特定の態様」も「特定の演出の態様」のことであることは明らかであるから、訂正事項１は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正は訂正前の明細書及び特許請求の範囲に記載された事項に基づいたものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（２）訂正事項２について
　特許請求の範囲における請求項１を訂正事項１のとおりに訂正したことに伴い、整合性を取るために、明細書の記載を訂正したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、訂正事項１と同じ理由により、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）付記
　訂正事項１及び２は、上述したとおり、いずれも明りょうでない記載の釈明を目的としたものと認めることができ、特許法第１２６条第１項ただし書第１号または第２号に掲げる事項を目的としたものではないから、同法同条第５項の適用はない。
　そのため、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができたか否かを、あらためて検討することは、訂正許否の要件とはならない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものである。また、同条第３項及び第４項の規定にも適合する。
【事件の表示】
　特許第４１６６１９６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４１６６１９６号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件訂正審判の請求に係る特許第４１６６１９６号（以下、「本件特許」という。）は、平成１６年６月２８日にした出願（特願２００４−１８９３４７号）の請求項１，２に係る発明について平成２０年８月８日に特許権の設定登録がなされ、平成２３年１２月２８日に本件訂正審判の請求がなされたものである。
　　　　
第２　請求の趣旨
　本件訂正審判の請求の趣旨は、本件特許の願書に添付した明細書（以下「特許明細書」という。）及び特許請求の範囲を、本件審判請求書に添付の明細書及び特許請求の範囲のとおりに訂正することを求めるものである。
　
第３　訂正の内容
　本件訂正審判の請求に係る訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（下線部は訂正に係る箇所を示す。）。
　
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項２について、
　「Ｎｉを１．０〜４．５質量％（以下％とする）、Ｓｉを０．２５〜１．５％を含有し、更にＺｎ、Ｓｎ、及びＭｇのうち１種類以上を含有し、Ｍｇを含有する場合は０．０５〜０．３％とし、Ｚｎ及び／又はＳｎを含有する場合は総量で０．００５〜２．０％とし、残部がＣｕおよび不可避的不純物よりなる銅基合金の圧延面においてＸ線回折を用いて測定した３つの（ｈｋｌ）面のＸ線回折強度が、
    （Ｉ(111)＋Ｉ(311)）／Ｉ(220)≦２．０
を満足し、
圧延面においてＸ線回折を用いて測定した（２２０）面のＸ線回折強度をＩ(220)、および純銅粉末標準試料においてＸ線回折を用いて測定した（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0(220)としたときの、Ｉ(220)／Ｉ0(220)が、
   
 １．０
を満足し、
圧延方向に直角な断面における結晶粒の幅方向の平均長さをａ、厚み方向の平均長さをｂとしたときに、
    ０．５≦ｂ／ａ≦０．９
    ２μｍ≦ａ≦２０μｍ
であることを特徴とする高強度および高曲げ加工性を両立させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条。」を、
　「Ｎｉを１．０〜４．５質量％（以下％とする）、Ｓｉを０．２５〜１．５％を含有し、更にＺｎ、Ｓｎ、及びＭｇのうち１種類以上を含有し、Ｍｇを含有する場合は０．０５〜０．３％とし、Ｚｎ及び／又はＳｎを含有する場合は総量で０．００５〜２．０％とし、残部がＣｕおよび不可避的不純物よりなる銅基合金の圧延面においてＸ線回折を用いて測定した３つの（ｈｋｌ）面のＸ線回折強度が、
     （Ｉ(111)＋Ｉ(311)）／Ｉ(220)≦２．０
を満足し、
圧延面においてＸ線回折を用いて測定した（２２０）面のＸ線回折強度をＩ(220)、および純銅粉末標準試料においてＸ線回折を用いて測定した（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0(220)としたときの、Ｉ(220)／Ｉ0(220)が、
   
 ２．２８
を満足し、
圧延方向に直角な断面における結晶粒の幅方向の平均長さをａ、厚み方向の平均長さをｂとしたときに、
    ０．５≦ｂ／ａ≦０．９
    ２μｍ≦ａ≦２０μｍ
であることを特徴とする高強度および高曲げ加工性を両立させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条。」と訂正する。
　
２．訂正事項２
　特許明細書の【０００９】について、下から１０行目の「（式２） 
 １．０
 ２．２８
　
第３　当審の判断
１．訂正の目的、新規事項の追加、及び特許請求の範囲の拡張・変更について
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、請求項２に記載のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条のＩ(220)/Ｉ0(220)（以下、「集積度」という。）の数値範囲について、下限値を「１．０」から「２．２８」に引き上げるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、請求項２に記載された発明は、「高強度および高曲げ加工性を両立させた」ものであり、特許明細書の【０００７】、【０００８】にも、本件特許に係る発明の解決しようとする課題が高強度および高曲げ加工性の両立である旨の記載があるところ、特許明細書の【００２２】、【００２３】【表２】、【００２４】には、訂正前の請求項２に記載された発明に相当するＮｏ．８〜１１の試料中、訂正後の請求項２に記載された発明に相当する集積度が２．２８以上であるＮｏ．９〜１１の試料が、集積度が１．１５であるＮｏ．８の試料と対比して、曲げ加工性は及ばないものの、０．２％耐力に優れることが記載されており、比較例とされるＮｏ．１２〜１７との関係においても高強度と高曲げ加工性との両立が示されているといえるから、訂正の前後で集積度に関する技術的意義に変更はないといえる。
　したがって、訂正事項１は、特許明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであるとともに、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正事項１に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との記載に矛盾がないように明りょう化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、特許明細書に記載した事項の範囲内においてするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
　　　　　
（３）まとめ
　よって、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ同条第３項及び第４項の規定に適合する。
　
２．独立特許要件について
　上記のとおり、本件訂正の訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件訂正後における特許請求の範囲の請求項２に記載された発明（以下、「本件訂正発明」という。）が独立して特許を受けることができるものかどうかについて検討する。
　すると、本件特許に係る出願は、特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号の規定を満たさないという拒絶査定の理由を、前置審査において解消して特許査定されたものであって、本件訂正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないとする新たな理由も見当たらない。
　よって、本件訂正は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第５項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。