【事件の表示】
　特願２００３−１６９０３８「電圧制御発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月　６日出願公開、特開２００５−　　６１５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　
　本願は、平成１５年６月１３日の出願であって、平成２０年６月６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年８月１８日付けで手続補正がなされ、平成２１年９月４日付けで再度拒絶理由通知がなされ、同年１１月１６日付けで手続補正がなされたが、平成２２年１２月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年３月１８日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
　
２．本願発明 
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、出願当初の明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の「請求項１」に記載されたとおりの次のものと認める。
　
「【請求項１】
　基板及びこの基板上に設けられた多層配線層を備えた半導体集積回路装置に形成された電圧制御発振器において、
　前記多層配線層に設けられたスパイラルインダクタと、
　このスパイラルインダクタの直下域を含み且つこのスパイラルインダクタの中心軸を含まない領域に形成され、このスパイラルインダクタに並列に接続されてこのスパイラルインダクタと共に共振回路を形成する可変キャパシタと、
　前記領域に形成され、前記共振回路の両端間に接続されて、この共振回路の両端に生じた共振電圧と同極性の電圧を外部の電源からこの共振回路の両端間へと印加することにより、この共振回路から発振される共振信号に同期してこの共振回路に電流を供給する負性抵抗部と、
　を有することを特徴とする電圧制御発振器。」
　
３．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された「特開２００１−２７４３３０号公報」（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
あ．「【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係るＣＭＯＳ基板を用いて電圧制御発振器を構成した半導体装置の回路構成を示す図であり、図２は、ＣＭＯＳ基板上において集積化したインダクタの構成を示す図である。これらの図に示す電圧制御発振器を構成した半導体装置１０は、交差結合された２つのｎＭＯＳトランジスタ１２，１４からなる負性抵抗回路１６と、２つのインダクタ１８，２０及び２つのバラクタダイオード（可変容量ダイオード）２２，２４からなるＬＣ共振器２６とを備えている。
【００１７】ＬＣ共振器２６は、２つのインダクタ１８，２０の一端同士が互いに接続されると共に、２つのバラクタダイオード２２，２４のカソード同士が互いに接続され、これらのバラクタダイオード２２，２４のアノードが２つのインダクタ１８，２０の他端にそれぞれ接続されて構成されている。なお、２つのインダクタ１８，２０の各他端は、負性抵抗回路１６を構成する２つのｎＭＯＳトランジスタ１２，１４のドレインにそれぞれ接続されている。
【００１８】これらの負性抵抗回路１６とＬＣ共振器２６とは、いずれも微細ＣＭＯＳプロセス（本実施形態では、0.35μmＣＭＯＳプロセス）を利用してＣＭＯＳ基板２８上（図２）に形成されている。インダクタ１８，２０は、いずれもアルミ配線によりスパイラル状に形成された２つのインダクタからなり、各インダクタを構成するアルミ配線が径方向に交互に配置されて構成されたもので、バラクタダイオード２２，２４は、p+-nwell接合を利用して構成されたものである。なお、インダクタ１８，２０の詳細な構成については後述する。
【００１９】また、ＣＭＯＳ基板２８（図２）には、負性抵抗回路１６に電流を供給する２つのｐＭＯＳトランジスタ２８，３０が互いに直列接続された状態で入力端子３２と２つのインダクタ１８，２０の接続点とに接続されて形成されると共に、出力振幅を調節する機能を有する３つのｐＭＯＳトランジスタ３４，３６，３８が入力端子３２と２つのインダクタ１８，２０の各他端とに図示のように接続されて形成されている。これらのｐＭＯＳトランジスタ２８，３０，３４，３６，３８も微細ＣＭＯＳプロセスを利用して形成されている。さらに、ＣＭＯＳ基板２８には、上記の入力端子３２の他に、２つのインダクタ１８，２０の各他端から引き出された２つの出力端子４０，４２が形成されると共に、２つのバラクタダイオード２２，２４の各カソードから引き出された制御電圧端子４４が形成されている。
【００２０】このように構成された半導体装置１０では、ｐＭＯＳトランジスタ２８，３０，３４，３６，３８の各ゲートに外部のバイアス回路ＢＣから駆動電圧が供給され、制御電圧端子４４に入力される制御電圧の値に応じてバラクタダイオード２２，２４の空乏層容量が可変されることで発振周波数が調節され、出力端子４０，４２から所定の発振信号が出力される。」
　
い．「【００３１】これらのインダクタ１８，２０は、ｎＭＯＳトランジスタ１２，１４やバラクタダイオード２２，２４等の他の構成要素と共に、例えば、次のようにしてＣＭＯＳ基板２８上に集積される。すなわち、フィールド酸化膜が形成された半導体基板上にアルミスパッタ蒸着法でアルミ膜を形成し、その後にエッチングにより不要な箇所のアルミ膜を除去して１層目のスパイラル状のアルミ配線を形成する。次いで、その上にＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により堆積させた後、先のアルミ配線の位置に対応する所定箇所にコンタクトを形成するためのスルーホールをエッチングにより形成する。
【００３２】そして、このＰＳＧ膜上にアルミスパッタ蒸着法で次段のアルミ膜を形成し、その後にエッチングにより不要な箇所のアルミ膜を除去して２層目のスパイラル状のアルミ配線を形成する。なお、アルミ膜を形成するとき、ＰＳＧ膜に形成したスルーホール内にアルミが充填されてコンタクトが形成され、１層目のアルミ配線と２層目のアルミ配線とが接続された状態となる。３層以上のアルミ配線を形成する場合には上記のステップを繰り返し行うようにすればよい。その後、環境変化の影響を受けて特性が変化しないようにするため、プラズマＣＶＤ法等により保護膜を形成してインダクタの集積化が完了する。」
　
　また、上記記載事項を関連する図面と技術常識に照らせば以下のことがいえる。
　
（１）引用例の「電圧制御発振器」は、ＣＭＯＳ基板を用いて構成した半導体装置の回路構成を有するものであることから、「基板を備えた半導体集積回路装置に形成された電圧制御発振器」と言い得る。
（２）引用例の「インダクタ」は、概略「ＣＭＯＳ基板上にフィールド酸化膜が形成され、その上にアルミ膜を形成し、不要な箇所のアルミ膜を除去し、１層目のスパイラル上のアルミ配線を形成し、その上にＰＳＧ膜を堆積させ、先のアルミ配線の位置に対応するコンタクトを形成するためのスルーホールエッチングにより形成、このＰＳＧ膜上に次段のアルミ膜を形成し、不要な箇所のアルミ膜を除去して２層目のスパイラル上のアルミ線を形成する、そして当該ステップを繰り返すことによってインダクタが形成される。」ことから、引用例の「インダクタ」は、アルミ配線とフィールド酸化膜やＰＳＧ膜による「基板上に設けられた多層配線層」そのものであり、また「多層配線層に設けられたスパイラルインダクタ」とも言い得る。
（３）引用例の「ＬＣ共振器」は、２つのスパイラル状に形成されたインダクタと２つのバラクタダイオードが並列に接続されることによって構成されるものであり、２つのバラクタダイオードは制御電圧端子からの制御電圧によって「可変キャパシタ」として動作するものであることから、引用例の「ＬＣ共振器」、「２つのバラクタダイオード」は、それぞれ「共振回路」、「可変キャパシタ」と言い得る。
（４）引用例の「負性抵抗回路」は、「負性抵抗部」である。
　
　したがって、引用例には実質的に次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「基板及びこの基板上に設けられた多層配線層を備えた半導体集積回路装置に形成された電圧制御発振器において、
　前記多層配線層に設けられたスパイラルインダクタと、
　このスパイラルインダクタに並列に接続されてこのスパイラルインダクタと共に共振回路を形成する可変キャパシタと、
　前記共振回路の両端間に接続されて、この共振回路の両端に生じた共振電圧と同極性の電圧を外部の電源からこの共振回路の両端間へと印加することにより、この共振回路から発振される共振信号に同期してこの共振回路に電流を供給する負性抵抗部と、
　を有することを特徴とする電圧制御発振器。」
　
４．本願発明と引用発明との対比
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者間には以下の一致点、相違点があるといえる。
　
（一致点）
　
「基板及びこの基板上に設けられた多層配線層を備えた半導体集積回路装置に形成された電圧制御発振器において、
　前記多層配線層に設けられたスパイラルインダクタと、
　このスパイラルインダクタに並列に接続されてこのスパイラルインダクタと共に共振回路を形成する可変キャパシタと、
　前記共振回路の両端間に接続されて、この共振回路の両端に生じた共振電圧と同極性の電圧を外部の電源からこの共振回路の両端間へと印加することにより、この共振回路から発振される共振信号に同期してこの共振回路に電流を供給する負性抵抗部と、
　を有することを特徴とする電圧制御発振器。」である点。
　
（相違点）
　本願発明の「電圧制御発振器」の有する「可変キャパシタ」及び「負性抵抗部」は、「スパイラルインダクタの直下域を含み且つこのスパイラルインダクタの中心軸を含まない領域に形成される」ものであるのに対し、引用発明の「電圧制御発振器」の有する「可変キャパシタ」及び「負性抵抗部」は、「スパイラルインダクタの直下域を含み且つこのスパイラルインダクタの中心軸を含まない領域に形成される」ものであるとは限らない点。
　
５．判断
　
（１）上記相違点について
　
　以下の事情を勘案すると、引用発明の「電圧制御発振器」の有する「可変キャパシタ」及び「負性抵抗部」を、「スパイラルインダクタの直下域を含み且つこのスパイラルインダクタの中心軸を含まない領域に形成される」ものとすることは、当業者が容易に推考し得たことというべきである。
ア．原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−３１３８４号公報（以下、「引用例２」という。なお、原査定では引用文献４として示されたものである。）の段落【０００２】−【０００３】には、「半導体基板に集積された複数のトランジスタによって形成された電子回路と、半導体基板の表面に配置されたフラットコイルを含むマイクロ構造において、寸法を減らすために前記フラットコイルと前記電子回路とが少なくとも部分的に重ねられる場合」があること、そのように重ねた場合には、「フラットコイルによって発生した磁界がフラットコイルによって規定された表面の下にある集積電子回路のある高感度のトランジスタに影響を及ぼす」問題があることが記載されており、同引用例２の段落【０００８】−【０００９】、図１、図２、図３には、当該問題を解決するために、概略「フラットコイルによって規定される表面（中心部分は除く部分）と重なってトランジスタが配置され、さらにトランジスタを流通する電子に殆どローレンツ力がない（かからない）様にトランジスタが配置される」ことが記載されている。
　なお、フラットコイルの中心部分では、フラットコイルによって発生する磁界Ｂの方向が、フラットコイルによって規定される面に垂直となる。したがって、磁界Ｂの方向が、トランジスタ６における電流Ｉに対して垂直となる。よって、図２で保証している「磁界Ｂの方向が、トランジスタ６における電流Ｉと実質的に同方向である。」が成立しなくなる。したがって、中心部分は避けるべきであって、トランジスタ６は中心部分を避けて配置されていることは明らかである。中心部分を避けて配置されていることは、図１において中心部分がハッチングされていないことからも確認できる。
イ．そして、上記「ア．」で示した記載を技術常識に照らすと、引用例２には、以下の事項が示唆されているといえる。
（ア）装置寸法を削減するための方策としてフラットコイルと電子回路とを重ねて配置することが考えられるが、フラットコイルの真下域に電子回路を配置すると当該電子回路を構成する素子を流れる電流が上記フラットコイルによる磁界の影響を受ける場合がある。
（イ）上記磁界の影響は、フラットコイルの中心軸以外の領域においては、上記電子回路を構成する素子を、自身を流れる電流の向きと上記磁界の向きが平行になるような向きに配設することで、回避することができるが、フラットコイルの中心軸の領域においては、上記電子回路を構成する素子を流れる電流の向きと上記磁界の向きを平行にすることは困難である。
（ウ）したがって、上記電子回路を構成する素子は、上記のようにフラットコイルと電子回路とを重ねて配置する場合であっても、上記フラットコイルの中心軸の領域を避けて配置するのが無難である。
ウ．一方、半導体集積回路の設計、製造において寸法の削減は、引用例２の課題の欄にも前提となるべき課題として記載されているとおり普遍的な課題であり、引用発明においても課題となり得るものであることは、当業者において自明である。
エ．そして、引用発明において、当該普遍的な課題への対処に、上記「イ．」に整理した引用例２に示唆される事項に基づく構成、すなわち、「電子回路を構成する素子を、フラットコイル直下域を含み且つそのフラットコイルの中心軸を含まない領域に、自身を流れる電流の向きと上記フラットコイルによる磁界の向きが平行となるような向きで配置する」という構成が有用かつ採用可能であることも当業者に自明である。
オ．以上のことは、引用発明の「電圧制御発振器」の有する「可変キャパシタ」及び「負性抵抗部」を、「スパイラルインダクタの直下域を含み且つこのスパイラルインダクタの中心軸を含まない領域に形成される」ものとすることが、当業者にとって容易であったことを意味している。
　
（２）本願発明の効果について　 
　
　本願発明の構成によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２の記載事項から当業者ならば容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。