【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コイルの長手方向に沿って連続して配設された複数のコイル・ターン（３２、５２、２２０）を有するコイルを具える導電性要素（１０、２２０、２８０）を具える、電気エネルギーをプロセス・チャンバ（１３、２０２、２４６）中に結合して、チャンバ（１３）内のプロセス・ガスからプラズマ（２８）を発生させる要素であって、前記コイル・ターン（３４ａ、４３ａ、４５、５０ａ、５３、２２４）の少なくとも１個は第１の平面（３６）に配向し、前記コイル・ターン（３４ｂ、４３、４８、５０ｂ、５５、２２２）の少なくとも１個は前記第１の平面（３６）と角度をなす第２の平面（３８）に配向することを特徴とする要素。
【請求項２】  前記第１の平面（３６）に配向するもう１つのコイル・ターン（３４ａ、４３、４５、５０ａ、５３、２２４）をさらに具え、前記第２の平面（３８）にある前記コイル・ターン（３４ｂ、４３、４８、５０ｂ、５５、２２２）が、概ね前記第１の平面（３６）にある前記コイル・ターン（３４ａ、４３、４５、５０ａ、５３、２２４）の間に配設された、請求項１に記載の要素。
【請求項３】  前記第１の平面（３６）に配向する複数のコイル・ターン（３４ａ、４３、４５、５０ａ、５３、２２４）をさらに具える、請求項１または２に記載の要素。
【請求項４】  複数のコイル・ターン（３４ｂ、４３、４８、２２２）をさらに具え、各巻線が、概ね前記第２の平面（３８）に平行な平面に配向する、前記請求項のいずれかに記載の要素。
【請求項５】  前記第１および第２の平面（３６、３８）の間の角度をなす第３の平面に配向する、少なくとも１個のコイル・ターン（５０ｂ）をさらに具える、請求項１から３までのいずれか一項に記載の要素。
【請求項６】  前記第２の平面（３８）が、概ね前記第１の平面（３６）に直交するように配向する、前記請求項のいずれかに記載の要素。
【請求項７】  各コイル・ターン（６２）が支配的弓形部分（６４）を具える、複数のコイル・ターン（６２）を有するコイルを有する導電性要素（６０、７２、２８０）を具える、電気エネルギーをプロセス・チャンバ中に結合して、チャンバ内のプロセス・ガスからプラズマを発生させる要素であって、各支配的弓形部分（６４）が線形部分（６８）に結合され、前記誘導要素の少なくとも第１および第２のコイル・ターンの前記支配的弓形部分（６４）が、間隔が置かれた概ね平行な平面に配向されて、スタックされたコイル・ターン（６２）が形成され、前記線形部分（６８）が互いにほぼ同一平面にあることを特徴とする要素。
【請求項８】  前記要素（６０、７２）が、互いに隣接して位置する複数セットのスタックされたコイル・ターン（６２）を具える、請求項７に記載の要素。
【請求項９】  前記スタックされたコイル・ターン（６２）に対して角度をなして配向された第３コイル・ターン（７４）をさらに具える、請求項７または８に記載の要素。
【請求項１０】  複数の離散的な反復された導体セグメント（８２、９２、１０２、１１２、１６４）を具える導電性要素（８０、９０、１００、１１０、１６０、２８０）を具え、前記離散的な反復されたセグメントは、端部が互いに結合され、非コイル形式に配列され、中心（８４、９４、１０４、１１４、１６１）の周囲に円形パターンで配設され、前記反復されたセグメント（８２、９２、１０２、１１２、１６４）は、概ね平行な平面に配向される、平面を画定する誘電ウィンドウを通じて電気エネルギーをプロセス・チャンバ中に結合して、チャンバ内のプロセス・ガスからプラズマを発生させる要素であって、前記離散的な反復されたセグメント（８２、９２、１０２、１１２、１６４）は、端部が互いに結合されることを特徴とする要素。
【請求項１１】  前記離散的セグメント（８２）の前記円形パターンは、パターンの中心を概ね開いたままにしておく、請求項１０に記載の要素。
【請求項１２】  前記反復された導体セグメント（１１２）が、前記導電性要素（１１０）の中心（１１４）から半径方向に外側に延びるように配設された、請求項１０または１１に記載の要素。
【請求項１３】  前記反復された導体セグメントが、個々のコイル（９２）を形成し、前記コイルが、前記誘導要素（９０）の中心（９４）の周囲に円形パターンで配列される、請求項１２に記載の要素。
【請求項１４】  前記個々のコイル（９２）の形状がそれぞれらせん形であり、約１．５のコイル・ターンを含む、請求項１３に記載の要素。
【請求項１５】  前記導電性要素の前記反復された導体セグメント（１０２）が、前記要素の第１の層（１０６）を形成し、前記導電性要素がさらに、反復された導体セグメント（１０２）の追加の層１０８を具える、請求項１０または１１に記載の要素。
【請求項１６】  前記層（１０６、１０８）が概ね同一空間に広がる、請求項１５に記載の要素。
【請求項１７】  プロセス空間（１４、２０４）を画定し、基板（２０６）をプロセス空間（１４、２０４）中に保持する基板サポート（１７、２０８）を含むプロセス・チャンバ（１３、２０２）と、プロセス・ガスを前記プロセス空間（１４）に導入するガス導入口（２０）と、前記プロセス空間で、内部に導入されたプロセス・ガスからプラズマを生成するように動作可能なプラズマ源であって、概ね平坦な表面（３０）を有し、前記プロセス空間（１４）に近接する前記プロセス・チャンバ（１３）に接する誘電ウィンドウ（２４ａ、２１６）を具えるプラズマ源と、前記チャンバ（１３、２０２）の外側に、前記誘電ウィンドウ（２４ａ、２１６）に近接して位置し、前記誘電ウィンドウ（２４ａ）を介して前記プロセス空間へ電気エネルギーを結合させて内部にプラズマを生成するように動作可能な前記請求項のいずれかに記載の誘電要素（１０、６０、７２、８０、９０、１００、１１０、１６０、２２０、２８０）とを具える、プラズマにより基板を処理する処理システム（１２、２００）。
【請求項１８】  前記プラズマ源が、請求項１から６までのいずれか一項に記載の誘導要素（１０、２２０）を具える、請求項１７に記載の処理システム。
【請求項１９】  前記第１の平面（３６）は、前記誘電ウィンドウ（２４ａ）の前記平坦な表面（３０）に概ね平行に配向する、請求項１８に記載の処理システム。
【請求項２０】  前記誘導要素（１０、２２０）が、前記第１の平面（３６）と角度をなす平面に配向する複数のコイル・ターン（３４ｂ、４３、４８、５０ｂ、２２２）を含む、請求項１８または１９に記載の処理システム。
【請求項２１】  前記コイル・ターン（３４ａ、３４ｂ、５０ａ、５０ｂ、２２２、２２４）の少なくとも１個が、半円形である、請求項１８から２０までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項２２】  前記コイル・ターン（４３ａ、５５）の少なくとも１個が、長方形である、請求項１８から２０までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項２３】  前記第１の平面（３６）の前記コイル・ターン（３４ａ、４３ａ）が、内側コイルの端部（４２ａ、４６ａ）と外側コイルの端部（４２ｂ、４６ｂ）を画定し、前記第２の平面の前記コイル・ターン（３４ｂ、４３、４８）が、前記第１の平面コイル・ターン（３４ａ）の外側コイルの端部（４２ｂ）に結合される、請求項１８から２２までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項２４】  前記第１の平面（３６）の前記コイル・ターン（３４ａ、４３ａ）が、内側コイルの端部（４２ａ、４６ａ）と外側コイルの端部（４２ｂ、４６ｂ）を画定し、前記第２の平面（３８）の前記コイル・ターン（３４ｂ、４３、４８）が、前記第１の平面のコイル・ターン（３４ａ、４３ａ）の内側コイルの端部（４６ａ）に結合される、請求項１８から２２までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項２５】  前記誘導要素が、第１の平面に配向する部分と、第２の平面に配向する部分とを有するコイル・ターンをさらに具える、請求項１８に記載の処理システム。
【請求項２６】  前記第２の平面（３８）が、概ね第１の平面（３６）に直交するように配向する、請求項１８に記載の処理システム。
【請求項２７】  プロセス空間を画定し、基板（２４７）を前記プロセス空間中に保持する基板サポート（２７５）を含むプロセス・チャンバ（２７２）と、プロセス・ガスを前記プロセス空間に導入するガス導入口と、前記プロセス空間で、内部に導入されたプロセス・ガスからプラズマを生成するように動作可能なプラズマ源であって、概ね平坦な表面を有し、前記プロセス空間に近接する前記プロセス・チャンバ（２７２）に接する誘電ウィンドウ（２７８）を具えるプラズマ源と、前記チャンバ（２７２）の外側に、前記誘電ウィンドウ（２７８）に近接して位置し、前記ウィンドウを介して前記プロセス空間へ電気エネルギーを結合させて内部にプラズマを生成するように動作可能な請求項７から１７までのいずれか一項に記載の誘電要素（６０、７２、８０、９０、１００、１１０、１６０、２８０）とを具える、プラズマにより基板を処理する処理システム（２７０）。
【請求項２８】  前記スタックされたコイル・ターン（６２）が、前記誘電ウィンドウの平坦な表面に概ね平行に配向する、請求項２７に記載の処理システム。
【請求項２９】  前記プラズマ源が、請求項１０から１６までのいずれか一項に記載の誘導要素を有し、前記チャンバが、端壁部（１２２）と側壁部（１２１）を具え、前記反復された導体セグメントが、前記チャンバの端壁部に沿って配向する水平方向セグメント（１６４）を含み、前記要素（１６０）が、前記チャンバの側壁部（１２１）に沿って配向する垂直方向セグメント（１６６）を含む、請求項２７に記載の処理システム。
【請求項３０】  チャンバ（１２３、２４６）内のプロセス・ガスからプラズマを発生させるように動作可能であり、複数のコイル・ターン（１２４、１４２）を有するコイルを具える導電性要素（１２０、１４０、１５０、２５０）を具える、側壁部（１２１、２５２）および端壁部（１２２、２５１）を有するプロセス・チャンバ（１２３、２４６）中に電気エネルギーを結合する要素であって、各ターンが、前記チャンバ（１２３）の側壁部と端壁部（１２１、１２２）の両方を介して、電気エネルギーをプロセス空間中に結合するため、チャンバの側壁部（１２１）に沿って配設されるように配向するセグメント（１２６、１４２）と、同時にチャンバの端壁部（１２２）に沿って配設されるように配向するセグメント（１２７）とを含むことを特徴とする要素。
【請求項３１】  前記複数のコイル・ターン（１２４、１４２）が、コイル・ターンのセットとして配列され、ターンの少なくとも１セットが、概ね前記チャンバ（１２３、２４６）の片側に沿って配向し、ターンの他の１セットが、前記チャンバの他の側に沿って配向する、請求項３０に記載の要素。
【請求項３２】  前記チャンバの側壁部分（１２１）に沿って配向する各コイル・ターン（１２４、１４２）の前記セグメント（１２６）が、第１の配向に配向する部分（１３３）と、前記第１の配向から角度をなす第２の配向に配向する部分（１３４）とを含む、請求項３０または３１に記載の要素。
【請求項３３】  前記第１の配向が、概ね前記第２の配向と直交する、請求項３２に記載の要素。
【請求項３４】  プロセス空間を画定し、基板（２６０）をプロセス空間中に保持する基板サポート（２６１）を含み、誘電体材料で形成された端壁部（２５２）と側壁部（２５１）を有するプロセス・チャンバ（２４６）と、前記プロセス空間で、内部に導入されたプロセス・ガスからプラズマを生成するように動作可能であり、前記チャンバ（２４６）の外側に位置し、前記プロセス空間へ電気エネルギーを結合させて内部にプラズマを生成するように動作可能な請求項３０から３３までのいずれか一項に記載の誘導要素（１２０、１４０、１５０、２５０）を具えるプラズマ源とを具える、プラズマにより基板を処理する処理システム（２４５）。
【請求項３５】
前記プロセス・チャンバ（２４６）が、誘電体材料で形成された側壁部を有し、前記チャンバ側壁部が、前記側壁部（１２１、１５２）および端壁部（１２２、２５１）の下に位置する、前記側壁部を介して前記プロセス空間へ電気エネルギーをさらに結合させるために前記側壁部に近接する第２誘導要素（２５７）をさらに具える、請求項３４に記載の処理システム。
【請求項３６】  前記プロセス・チャンバが、誘電体材料で形成された側壁部（２４ａ、２１０）を有する、前記側壁部を介して前記プロセス空間（２０４）へ電気エネルギーをさらに結合させるために前記側壁部（２１０、２８６）に近接して位置する第２誘導要素（２３０、２５７、２８５）をさらに具える、請求項１７から２９までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項３７】  前記第２誘導要素が、前記チャンバ側壁部分（２１０、２８６）に巻かれたコイル（２３０、２５７、２８５）を具える、請求項３５または３６に記載の処理システム。
【請求項３８】  前記第１および第２誘導要素が、電気エネルギーをプロセス空間（１４、２０４）中に結合するため、それぞれ電気エネルギー源（２６ｂ、２２６、２３２、２５５、２５６、２８２、２９０）に結合され、前記電気エネルギー源（２６ｂ、２２６、２３２、２５５、２５６、２８２、２９０）は、前記第１および第２誘導要素を独立してバイアスするため、互いに独立して動作可能である請求項３５から３７までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項３９】  前記第２誘導要素（２３０、２５７、２８５）と、前記プロセス空間（１４、２０４）との間に配設されたファラデー・シールド（２１、２３６、２５８）をさらに具える、請求項３５から３８までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項４０】  前記誘導要素と、前記プロセス空間（１４、２０４）の間に配設されたファラデー・シールド（１５、２３４、２８３）をさらに具える、請求項１７から２９までまたは３４から３９までのいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項４１】  前記プロセス・チャンバ（２０２、２４６、２７２）中に、ターゲット（２１４、２５４、２７７）の材料を保持する形態のマウントをさらに具える、請求項１７から２９までまたは３４から４０までのいずれか一項に記載の処理システム。