【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の式で示される遷移金属のπ錯体化合物：
【化１】
2001527086.tif 000001
[式中、πは、荷電しているかまたは電気的に中性であるπ系であり、このπ系は、１個または２個の不飽和または飽和の５員環または６員環に縮合されていてよく、縮合または非縮合形態の水素原子は、未分岐または分岐のＣ1−Ｃ20(シクロ)アルキル、Ｃ1−Ｃ20ハロゲン化(シクロ)アルキル、Ｃ2−Ｃ20(シクロ)アルケニル、Ｃ1−Ｃ20(シクロ)アルコキシ、Ｃ7−Ｃ15アラルキルおよびＣ6−Ｃ12アリールからなる群からの同一または異なる基によって部分的または完全に置換されているか、または１個または２個がＤまたはＡにより置換されていてよく、
Ｄは、供与体原子であり、部分構造(Ｉａ)の場合にはπ系の置換基または一部であるかまたはπ系にスペーサーを介して結合しており、部分構造(Ｉｂ)の場合には遷移金属に結合しており、
Ａは、受容体原子であり、部分構造(Ｉａ)の場合には遷移金属に結合しており、部分構造(Ｉｂ)の場合にはπ系の置換基または一部であるかまたはπ系にスペーサーを介して結合しており、
ＤまたはＡの遷移金属への結合は、直接またはスペーサーを介して為され、ＤおよびＡは、供与体原子が(部分的)正電荷を採り、受容体原子が(部分的)負電荷を採るように、配位結合によって結合しており、ＤおよびＡが置換基を有していてよく、
Ｍは、メンデレーエフの元素周期律表の亜族III〜VIIIの遷移金属(ランタニドおよびアクチニドを含む)、好ましくは亜族III〜VIの遷移金属(ランタニドを含む)およびＮｉであり、
Ｘは、アニオン等価物であり、
ｎは、Ｍおよびπの電荷に依存して、０、１、２、３または４の数であり、
ＤおよびＡは、さらに具体的には以下のように規定される：
(ｉ)式(Ｉａ)において、
Ｄは、直接またはスペーサーを介してπに結合している２置換のＮ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであるか、または１置換のＯ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅであり、そして
Ａは、直接またはスペーサーを介してＭに結合しているＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎであるか；または
(ii)式(Ｉａ)において、
ＤおよびＡが一緒になって、直接またはスペーサーを介してπまたはＭに結合している以下の基のいずれか：
【化２】
2001527086.tif 000002
(これらは、ホスホニウム塩、リンイリド、アミノホスホニウム塩およびホスフィンイミンである)
または、対応するアンモニウム塩および窒素イリド、アルソニウム塩およびヒ素イリド、スルホニウム塩および硫黄イリド、セレニウム塩およびセレンイリド、および対応するアミノアルソニウム塩およびアルシンイミン、アミノスルホニウム塩およびスルフィミン、アミノセレニウム塩およびセレンイミン、
【化３】
2001527086.tif 000003
および、対応するスルフィミン構造であるか；または
(iii)式(Ｉｂ)において、
Ｄは、直接またはスペーサーを介してＭに結合している２置換のＮ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであるか、または１置換のＯ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅであり、そして
Ａは、直接またはスペーサーを介してπに結合している２置換のＡｌ、ＧａまたはＩｎであるか、またはスペーサーを介してπに結合している２置換のＢである；
上記において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3またはＲ4および用語「置換」は、互いに独立して、Ｃ1−Ｃ20(シクロ)アルキル、Ｃ1−Ｃ20ハロゲン化(シクロ)アルキル、Ｃ2−Ｃ20(シクロ)アルケニル、Ｃ7−Ｃ15アラルキル、Ｃ6−Ｃ12アリール、Ｃ1−Ｃ20(シクロ)アルコキシ、Ｃ7−Ｃ15アラルコキシ、Ｃ6−Ｃ12アリールオキシ、インデニル、ハロゲン、１−チエニル、２置換アミノ、３置換シリル(−ＣＨ2−を介して結合されうる)またはフェニルアセチレニルであり、
「スペーサー」は、２価のシリル、ゲルマニル、アミノ、ホスフィノ、メチレン、エチレン、プロピレン、ジシリルエチレンまたはジシロキサン基(これらはＣ1−Ｃ4アルキル、フェニルまたはＣ4−Ｃ6シクロアルキルによって１置換〜４置換されていてよい)であり、
元素Ｐ、Ｎ、Ａｓ、ＳまたはＳｅは、直接またはスペーサーを介してπに結合しており、
Ｄがπ系の一部である場合にはスペーサーがＡとＭの間に配置され、
(ｉ)および(ii)の場合には−Ｃ(Ｒ1)＝がスペーサーとして生じる]。
【請求項２】  Ｃ2−Ｃ12α−オレフィン、Ｃ4−Ｃ30シクロオレフィン、Ｃ2−Ｃ8アルキン、Ｃ4−Ｃ8ジオレフィン、Ｃ4−Ｃ8ビニルエステルおよびＣ8−Ｃ12ビニル芳香族化合物からなる群からのモノマーを、ガス、溶液、高温溶液、塊状、高圧またはスラリー相において、−６０〜＋２５０℃および０.５〜５０００バールで、飽和もしくは芳香族の炭化水素または飽和もしくは芳香族のハロゲン化炭化水素の存在下もしくは非存在下に、および水素の存在下もしくは非存在下に、単独重合または共重合するための方法における触媒としての、請求項１に記載の遷移金属のπ錯体化合物の使用であって、該π錯体化合物を、モノマー１モルあたり１０-12〜１０-1モルの量で使用し、該重合を、ルイス酸、ブレンステッド酸またはピアーソン酸の存在下に、またはさらにルイス塩基の存在下に行うこともある使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに本発明は、Ｃ2−Ｃ12α−オレフィン、Ｃ4−Ｃ30シクロオレフィン、Ｃ2−Ｃ8アルキン、Ｃ4−Ｃ8ジオレフィン、Ｃ4−Ｃ8ビニルエステルおよびＣ8−Ｃ12ビニル芳香族化合物からなる群からのモノマーを、ガス、溶液、高温溶液、塊状、高圧またはスラリー相において、−６０〜＋２５０℃および０.５〜５０００バールで、飽和もしくは芳香族の炭化水素または飽和もしくは芳香族のハロゲン化炭化水素の存在下もしくは非存在下に、および水素の存在下もしくは非存在下に、単独重合または共重合するための方法における触媒としての、上記タイプ(ＩａまたはＩｂ)の遷移金属のπ錯体化合物の使用であって、該π錯体化合物を、モノマー１モルあたり１０-12〜１０-1モルの量で使用し、該重合を、ルイス酸、ブレンステッド酸またはピアーソン酸の存在下に、またはさらにルイス塩基の存在下に行うこともある使用に関する。
π錯体化合物は、特に、上記式(Ｉａ)および(Ｉｂ)において、π系が、シクロペンタジエン、置換シクロペンタジエン、インデン、置換インデン、フルオレンおよび置換フルオレンからなる群からのシクロペンタジエニル骨格であり、Ｃ1−Ｃ20(シクロ)アルキル、Ｃ1−Ｃ20(シクロ)アルコキシ、ハロゲン、Ｃ6−Ｃ12アリール、ＤおよびＡからなる群からの１〜４個の置換基が、シクロペンタジエン環または縮合ベンゼン環あたりに存在し、ＤおよびＡが定義の通りであり、縮合芳香族環が部分的または完全に水素化されていてもよい化合物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明の式(Ｉａ)および(Ｉｂ)の遷移金属のπ錯体化合物を、重合過程における触媒として用いることができる。このような単独重合または共重合の過程を、ガス、溶液、高温溶液、塊状、高圧またはスラリー相において、−６０〜＋２５０℃(好ましくは１〜２００℃)および０.５〜５０００バール(好ましくは１〜３０００バール)で、飽和もしくは芳香族の炭化水素または飽和もしくは芳香族のハロゲン化炭化水素の存在下もしくは非存在下に、および水素の存在下もしくは非存在下に行い、π錯体化合物を、モノマー１モルあたり１０-12〜１０-1モルの量で使用する。このような重合過程を、バッチ式で、または好ましくは連続的に行うことができる。同様に、重合を半バッチ式で行うことができる。また、このような過程を、１を越える反応器において、または１を越える反応ゾーンにおいて行うことができる。いくつかの反応ゾーンが包含されるときには、それらに異なる重合条件を用いることができる。即ち、１つの反応器においてプレポリマーを形成させることができ、これが、その後の反応器において、実際の重合(共重合)のための不均質触媒として特に適する。無機支持体上の本発明のπ錯体化合物の形態にある不溶性の不均質Ｄ／Ａ触媒が、このようなプレポリマーの形成に特に適する。
π錯体化合物を、アルミノキサン、アランまたはアラネート、ボランまたはボレート、および所望により、他の共触媒および／または金属アルキルと共に、触媒系として使用することもできる。