【事件の表示】
　特願２００６−　５６４７６「有機薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板ディスプレイ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２１日出願公開、特開２００６−２５３６７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年３月２日（パリ条約による優先権主張２００５年３月８日、大韓民国）の出願であって、平成２１年８月７日に手続補正がなされ、平成２２年９月１３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２３年１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２４年１月１８日付けで審尋がなされ、それに対する回答はなされなかった。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年１月２０日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２３年１月２０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように形成された正孔注入層と、を備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に配置され、前記ゲート電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記正孔注入層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように前記基板の全面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項３】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を覆うように介在された正孔注入層とを備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ゲート電極の上部に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記ｐ型有機半導体層は、正孔輸送層であることを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項５】
　前記正孔注入層のＨＯＭＯレベルは、前記ソース電極または前記ドレイン電極のフェルミレベルと前記ｐ型有機半導体層のＨＯＭＯレベルとの間に位置することを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項６】
　前記ｐ型有機半導体層の正孔移動度は、前記正孔注入層の正孔移動度より大きいことを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項７】
　前記正孔注入層の厚さは、１０ｎｍないし１００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項８】
　前記正孔注入層は、トリアリールアミン系化合物、ジアリールアミン系化合物、アリールアミン系化合物及びメタルを含有するフタロシアニン系化合物からなる群から選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項９】
　前記ｐ型有機半導体層は、ペンタセン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−３−へキシルチオフェン、α−へキサチエニレン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−６−チオフェン、α−４−チオフェン、ペリレン、ルブレン、コロネン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びそれらの誘導体のうち少なくとも何れか一つを備えることを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項１０】
　前記ｐ型有機半導体層に形成されるチャンネル領域の厚さは、５０ｎｍないし２００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項１１】
　請求項１又は３に記載の有機薄膜トランジスタを備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を完全に覆うように形成され、前記基板の全面に配置された正孔注入層と、を備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に配置され、前記ゲート電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項２】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を完全に覆うように介在され、前記基板の全面に配置された正孔注入層とを備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ゲート電極の上部に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項３】
　前記ｐ型有機半導体層は、正孔輸送層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記正孔注入層のＨＯＭＯレベルは、前記ソース電極または前記ドレイン電極のフェルミレベルと前記ｐ型有機半導体層のＨＯＭＯレベルとの間に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項５】
　前記ｐ型有機半導体層の正孔移動度は、前記正孔注入層の正孔移動度より大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項６】
　前記正孔注入層の厚さは、１０ｎｍないし１００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項７】
　前記正孔注入層は、トリアリールアミン系化合物、ジアリールアミン系化合物、アリールアミン系化合物及びメタルを含有するフタロシアニン系化合物からなる群から選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項８】
　前記ｐ型有機半導体層は、ペンタセン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−３−へキシルチオフェン、α−へキサチエニレン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−６−チオフェン、α−４−チオフェン、ペリレン、ルブレン、コロネン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びそれらの誘導体のうち少なくとも何れか一つを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項９】
　前記ｐ型有機半導体層に形成されるチャンネル領域の厚さは、５０ｎｍないし２００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
　　【請求項１０】
　請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタを備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を完全に覆うように形成され、前記基板の全面に配置された正孔注入層と、を備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に配置され、前記ゲート電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
  補正前の請求項２を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項３を、補正後の請求項２の
「【請求項２】
　基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を完全に覆うように介在され、前記基板の全面に配置された正孔注入層とを備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ゲート電極の上部に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」
と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１の発明特定事項である「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように形成された正孔注入層」を、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を完全に覆うように形成され、前記基板の全面に配置された正孔注入層」と限定的に減縮する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を完全に覆うように形成され、前記基板の全面に配置された正孔注入層」は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３４】、【００３５】及び図２の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂについて
  補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とする補正である。
　
（３−１）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項３の発明特定事項である「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を覆うように介在された正孔注入層」を、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を完全に覆うように介在され、前記基板の全面に配置された正孔注入層」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に、前記ｐ型有機半導体層を完全に覆うように介在され、前記基板の全面に配置された正孔注入層」は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３９】及び図４の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２３年１月２０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１６年４月２日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−１０３９０５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし５及び１１とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである。（以下、同じ。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キャリア移動性の有機化合物を利用し、かかる有機化合物からなる有機半導体層を備えた有機半導体素子に関する。
「【０００４】
図１及び図２は有機半導体薄膜を用いた有機ＭＯＳ−ＴＦＴの構造のボトムコンタクト型及びトップコンタクト型の例を示す。有機ＭＯＳ−ＴＦＴは、基板１０上にゲート電極１４、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１１及びドレイン電極１５、並びに有機半導体層１３を備えている。ゲート電極１４としてはＮｉ、Ｃｒなどが、ゲート絶縁膜１２にはＳｉＯ2、ＳｉＮなど金属の酸化物や窒化物などの無機物やＰＭＭＡなどの樹脂が、有機半導体層１３にはペンタセンなどが、それぞれ用いられている。また、ソース電極１１及びドレイン電極１５にはＰｄ、Ａｕなどの単層膜が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、
ソース電極から有機半導体層を介してドレイン電極へと電流が流れる際、各々の界面ではソース電極及びドレイン電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの差による障壁が存在し、駆動電圧が高くなってしまっていた。
【０００６】
本発明の解決しようとする課題には、駆動電圧の上昇を抑え得る有機半導体素子を提供することが一例として挙げられる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の有機半導体素子の発明は対向する１対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記１対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明による有機半導体素子として有機トランジスタの実施例を図面を参照しつつ説明する。
図３は実施形態のボトムコンタクト型有機トランジスタを示す。
有機トランジスタは、ガラス、プラスチックなどの絶縁性の基板１０上に形成されたゲート電極１４上に形成されたゲート絶縁膜１２と、この上に形成されたペンタセンなどのキャリア移動性の有機化合物からなる有機半導体層１３と、ソース電極１１及びドレイン電極１５と有機半導体層１３との間に接触して挿入されるように形成されたバッファ層ＢＦから構成されている。
【０００９】
図４は実施形態のトップコンタクト型有機トランジスタを示す。トップコンタクト型素子は、有機半導体層１３が先に成膜され、その上にバッファ層ＢＦ、ソース電極１１及びドレイン電極１５が順に形成されて、その積層順が逆の順となる以外、図３のボトムコンタクト型と同じ構成を有する。
有機半導体層１３は電界印加によって正孔又は電子の輸送能力を有する有機化合物からなる。有機半導体層１３は、それぞれキャリア輸送能力を有する有機化合物の薄膜からなる多層構造とすることもできる。有機半導体として、キャリア移動度が大きいペンタセンの他に、アントラセン、テトラセンなどの縮合環類も用いられる。
【００１０】
ソース電極１１及びドレイン電極１５には、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇ、Ｚｎなどの金属が挙げられる。これらの中では、特に比抵抗が低いＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ又はこれらを含む合金が好適である。
ゲート電極１４は、ゲート絶縁膜１２を介して電界を印加する場合、電極材料として一般に用いられるＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、及びそれらを含む合金などが用いられる。
【００１１】
有機半導体中のキャリア移動のために、バッファ層ＢＦが有するイオン化ポテンシャルの条件すなわち、接触電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルとの間の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）の値は特に重要である。抵抗なくキャリアが移動するにはエネルギー障壁が小さいほうがよいからである。図５に示すように、金属からなるソース電極１１及びドレイン電極１５の仕事関数Ｗｆ及びバッファ層ＢＦの仕事関数ＷｆBは真空準位（０ｅＶ）から各フェルミ準位へと測定したエネルギーである。有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルＩｐは真空準位から価電子帯ＶＢ上端の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位へと測定したエネルギーである。なお、電子親和力Ｅａは０ｅＶの基準エネルギー準位の真空準位（ＶＡＣＵＵＭ　ＬＥＶＥＬ）から伝導帯ＣＢ下端の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）準位へと測定したエネルギーである。
【００１２】
本実施形態のｐ型有機半導体素子で使用するバッファ層ＢＦの材料としては、Ｗｆ＜ＷｆＢ＜Ｉｐを満たすものが好ましい。かかるバッファ層ＢＦの挿入によって、ソース電極１１からバッファ層ＢＦを介して有機半導体層へと障壁が段階的になり、電流が流れやすくなる。例えば、有機半導体層材料としてペンタセン（イオン化ポテンシャルＩｐ＝５．０６ｅＶ）、ソース電極及びドレイン電極としてＡｕ（仕事関数φ＝４．５８ｅＶ）を用いた場合、バッファ層の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）をこれらの間（４．５８〜５．０６ｅＶ）とすればよい。
バッファ層ＢＦに接触電極の仕事関数の値と有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間のイオン化ポテンシャル値を有する電荷輸送性例えば正孔輸送性を有する有機化合物を用いることができる。
「【００１４】
バッファ層の具体的な膜厚は、最も好ましいのは５〜１００Å、好ましくは１００〜１０００Å、少なくとも５０００Å以下にする必要がある。図３のようなボトムコンタクト型の素子では、バッファ層が厚いとチャネル部分に電流が流れにくくなるので、特にバッファ層の膜厚を薄くする方が好ましい。
これらバッファ層、ソース電極及びドレイン電極の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など、任意の方法を用い得る。材料の使用効率、装置の簡便性を考慮するとスパッタ法が好ましい。
【００１５】
有機半導体層のペンタセンは、高い正孔移動度を示すキャリア輸送性材料である。このペンタセン有機半導体層を用いて、図３に示すボトムコンタクト型素子を作成すると、正孔輸送性（ｐ型）素子が実現できる。
有機半導体層におけるキャリアが正孔の場合には正孔が移動できる正孔輸送性材料または両性輸送性材料が有機半導体として必要になり、キャリアが電子の場合には電子が移動できる電子輸送材料または両性輸送性材料が必要になる。正孔輸送材料又は両性輸送材料としては、銅フタロシアニン（copper-phthalocyanine）などが、電子輸送材としてはアルミニウムキノリノール錯体（tris-8-hydoroxyqunoline aluminum）などがある。」
「【００１９】
またさらに、
図１１に示すように、有機トランジスタは、互いに積層されたゲート電極１４、ソース電極１１及びドレイン電極１５から構成されていればよく、図３とは逆の順序すなわち、基板１０上に、ソース電極１１及びドレイン電極１５、バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２並びにソース電極１１及びドレイン電極１５を形成し、有機半導体層１３、ゲート絶縁膜１２、並びにゲート電極１４の順で積層して形成してもよい。
　
（４−３−２）図１１からは、バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２は、各々基板１０上に形成されたソース電極１１及びドレイン電極１５の上に形成されており、有機半導体層１３は、前記バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２を覆うように、基板１０の全面に形成されていることが見て取れる。
　
（４−３−３）引用刊行物（段落【００１５】）には、代表的な有機半導体層として、「ペンタセン」を用いることが記載されているから、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
 「基板１０上に、ソース電極１１及びドレイン電極１５が形成され、
　前記ソース電極１１及びドレイン電極１５の上に、各々バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２が形成され、
　前記バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２を覆うように、前記基板１０の全面にペンタセンからなる有機半導体層１３が形成され、
　前記有機半導体層１３の上に、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極１４が積層して形成された有機トランジスタであって、
　前記バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２は、前記ソース電極１１及びドレイン電極１５の仕事関数の値と前記有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルの値との間のイオン化ポテンシャル値を有する正孔輸送性を有する有機化合物である、有機トランジスタ。」
　
（４−４）対比・判断
（４−４−１）刊行物発明の「ペンタセンからなる有機半導体層１３」は、「高い正孔移動度を示すキャリア輸送性材料」であるから、補正後の発明の「ｐ型有機半導体層」に相当する。また、刊行物発明の「ソース電極１１及びドレイン電極１５の仕事関数の値と」「有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルの値との間のイオン化ポテンシャル値を有する正孔輸送性を有する有機化合物」からなる「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」は、補正後の発明の「正孔注入層」に相当する。そして、刊行物発明の「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」と補正後の発明の「正孔注入層」は、「ソース電極」及び「ドレイン電極」の上に形成されている点で、共通する。
　
（４−４−２）刊行物発明において、「有機半導体層１３」は、「ゲート電極１４」と絶縁されていることは明らかである。また、刊行物発明において、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」は、「ゲート電極１４」と絶縁されて相互離隔されて配置されていることも明らかである。
　
（４−４−３）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「基板と、
　前記基板の上部に配置されたゲート電極と、
　前記ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、
　前記ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に形成された正孔注入層と、を備え、
　前記ｐ型有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上部に配置され、前記ゲート電極は、前記ｐ型有機半導体層の上部に配置され、前記ｐ型有機半導体層と前記ゲート電極との間には、ゲート絶縁膜がさらに備えられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）補正後の発明の「正孔注入層」は、「少なくとも」「ソース電極及び」「ドレイン電極を完全に覆うように形成され、」「基板の全面に配置され」ているのに対して、刊行物発明の「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」は、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」上に形成されているものの、このような構造を有していない点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点について、検討する。
　引用刊行物には、「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」の形成方法について、「【００１４】・・・これらバッファ層、ソース電極及びドレイン電極の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など、任意の方法を用い得る。材料の使用効率、装置の簡便性を考慮するとスパッタ法が好ましい。」と記載されており、図３、４、７〜９、１１をも参照すると、刊行物発明の「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの方法で堆積された後、所望の形状にパターニングすることにより形成されたものと認められる。
　ここで、刊行物発明（図１１）は、ソース電極及びドレイン電極の一部が、直接、有機半導体層１３に接しているが、引用刊行物の「【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の有機半導体素子の発明は対向する１対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記１対の電極の少なくとも一方と前記有機半導体層との間に接触して挿入されかつ前記接触する電極の仕事関数の値と前記有機半導体層のイオン化ポテンシャルの値との間の仕事関数又はイオン化ポテンシャルの値を有するバッファ層を備えることを特徴とする。」
「【００１１】
有機半導体中のキャリア移動のために、バッファ層ＢＦが有するイオン化ポテンシャルの条件すなわち、接触電極の仕事関数と有機半導体層のイオン化ポテンシャルとの間の仕事関数（又はイオン化ポテンシャル）の値は特に重要である。抵抗なくキャリアが移動するにはエネルギー障壁が小さいほうがよいからである。・・・
【００１２】
本実施形態のｐ型有機半導体素子で使用するバッファ層ＢＦの材料としては、Ｗｆ＜ＷｆＢ＜Ｉｐを満たすものが好ましい。かかるバッファ層ＢＦの挿入によって、ソース電極１１からバッファ層ＢＦを介して有機半導体層へと障壁が段階的になり、電流が流れやすくなる。・・・」という記載からみて、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」と「有機半導体層１３」が対向する部分全域にわたって、すなわち、「ソース電極及びドレイン電極を完全に覆うように」、「バッファ層ＢＦ」を形成した方が、電流が流れやすくなるということは、当業者であれば、当然に予想し得ることである。
　さらに、引用刊行物の図３、９のように、「ソース電極１１及びドレイン電極１５」と「有機半導体層１３」が対向する部分のみならず、電極が存在しない部分を含めて、ソース電極１１とドレイン電極１５にまたがってバッファ層ＢＦを形成してもよいこと、図３、４のように、「有機半導体層１３」と「バッファ層ＢＦ」がその対向する部分全域にわたって接触してもよいことを考慮すれば、刊行物発明において、「ソース電極１１及びドレイン電極１５の上に、」「バッファ層ＢＦ１及びＢＦ２」を「形成」する際に、「ソース電極１１及びドレイン電極１５の上に、」「バッファ層」となる「有機化合物」を全面に堆積した後、パターニングすることなく、その上に、「有機半導体層１３」を形成することにより、補正後の発明のように、「ソース電極及び」「ドレイン電極と」「ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも」「ソース電極及び」「ドレイン電極を完全に覆うように形成され、」「基板の全面に配置された正孔注入層」とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　 本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２３年１月２０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２１年８月７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（４−３−３）において認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の発明は、補正前の請求項１の発明特定事項である「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように形成された正孔注入層」を、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ｐ型有機半導体層との間に介在され、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極を完全に覆うように形成され、前記基板の全面に配置された正孔注入層」と限定的に減縮したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定事項をなくしたものである。そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。