【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第１の所定の厚みにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第２の所定の異なった厚みにまで薄くするステップとを含む方法。
【請求項２】
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分および前記少なくとも一つの第２部分上の窒化酸化物の前記初期層を薄くするステップは、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分をマスクして、前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分上の窒化酸化物の被覆されない前記初期層をウェットエッチングするステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分をマスクして、前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の窒化酸化物の被覆されない前記初期層をウェットエッチングするステップとを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記窒化酸化物の初期層は所定のエッチング速度を持つアンモニア過酸化物混合液を用いてウェットエッチングされる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも一つの第１部分上の初期層は第１の所定の時間ウェットエッチングされ、前記少なくとも一つの第２部分上の前記初期層は第２の所定の異なる時間ウェットエッチングされる、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記窒化酸化物の初期層の初期厚さが、前記第１および第２の所定の厚みよりも約１０％から５０％厚い、請求項４記載の方法。
【請求項６】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第１の所定の厚みよりも薄い、第１の中間の厚みまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、前記第１の中間の厚みとは異なり、対応する第２の所定の厚みよりは薄い、第２の中間の厚みにまで薄くするステップと、
前記少なくとも２つの窒化酸化物層に酸化物層を付加して、所定の異なった厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るステップとを含む方法。
【請求項７】
前記窒化酸化物の初期層の初期厚さが、前記第１および第２の所定の厚みよりも約１０％から５０％厚い、請求項６記載の方法。
【請求項８】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
窒素を含む雰囲気中で少なくとも一つの酸化物層を熱成長させて、前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するステップと、
前記窒化酸化物の初期層を、薄い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分から除去するステップと、
厚い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する所定の厚みよりも薄い厚みにまで薄くするステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分上に酸化物層を熱成長させて、所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るステップとを含む方法。
【請求項９】
前記窒化酸化物の前記層を、薄い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分から除去するステップは、
前記厚い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分をマスクするステップと、前記薄い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記酸化物層をドライエッチングまたはウェットエッチングするステップとを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記厚い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の前記初期層を薄くするステップは、前記薄い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分をマスクするステップと、前記厚い酸化物層の形成対象となる前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第２部分上の窒化酸化物の被覆されていない初期層をウェットエッチングするステップとを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記窒化酸化物の初期層の初期厚さが、前記第１および第２の所定の厚みよりも約１０％から５０％厚い、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの酸化物の初期層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で前記酸化物の初期層をアニールするステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第１の所定の厚みにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第２の所定の異なった厚みにまで薄くするステップとを含む方法。
【請求項１３】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で少なくとも一つの酸化物層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第１の所定の厚みにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を対応する第２の所定の異なった厚みにまで薄くするステップとを含む方法。
【請求項１４】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの酸化物の初期層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で前記酸化物の初期層をアニールするステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第１の所定の厚みよりも薄い第１中間厚さにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第２の所定の異なった厚みよりも薄い、前記第１中間厚さとは異なる第２中間厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記窒化酸化物の少なくとも２つの層の上に酸化物層を熱成長させるステップとを含む方法。
【請求項１５】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で少なくとも一つの酸化物層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第１の所定の厚みよりも薄い第１中間厚さにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第２の所定の異なった厚みよりも薄い、前記第１中間厚さとは異なる第２中間厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記窒化酸化物の少なくとも２つの層の上に酸化物層を熱成長させるステップとを含む方法。
【請求項１６】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの酸化物の初期層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で前記酸化物の初期層をアニールするステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第１の所定の厚みよりも薄い第１中間厚さにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第２の所定の異なった厚みよりも薄い、前記第１中間厚さとは異なる第２中間厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記窒化酸化物の少なくとも２つの層の上に、化学気相成長プロセスで酸化物層を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項１７】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で少なくとも一つの酸化物層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の前記少なくとも一つの第１部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第１の所定の厚みよりも薄い第１中間厚さにまで薄くするステップと、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する第２の所定の異なった厚みよりも薄い、前記第１中間厚さとは異なる第２中間厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記窒化酸化物の少なくとも２つの層の上に、化学気相成長プロセスで酸化物層を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項１８】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの酸化物の初期層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で前記酸化物の初期層をアニールするステップと、
前記薄い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分から前記窒化酸化物層を取り除くステップと、
前記厚い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する所定の厚みよりも薄い厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に酸化物層を熱成長させるステップとを含む方法。
【請求項１９】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの酸化物の初期層を熱成長させるステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で前記酸化物の初期層をアニールするステップと、
前記薄い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分から前記窒化酸化物層を取り除くステップと、
前記厚い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する所定の厚みよりも薄い厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に酸化物層を堆積するステップとを含む方法。
【請求項２０】
基板の表面の少なくとも一つの第１部分上に第１の所定の厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第１層、および基板の表面の少なくとも一つの第２部分上に第２の所定の異なった厚みを持つ、少なくとも一つの酸化物の第２層を形成する方法であって、
前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に、前記第１および第２の所定の厚みのどちらをも超える初期厚さを持つ、少なくとも一つの窒化酸化物の初期層を形成するために、窒素含有雰囲気中で少なくとも一つの酸化物層を熱成長させるステップと、
前記薄い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分から前記窒化酸化物層を取り除くステップと、
前記厚い酸化物層の対象となる前記基板の表面の前記少なくとも一つの第２部分上の前記窒化酸化物の初期層を、対応する所定の厚みよりも薄い厚さにまで薄くするステップと、
所定の異なる厚みを持つ少なくとも２つの酸化物層を得るために、前記基板の表面の前記少なくとも一つの第１部分および少なくとも一つの第２部分の上に酸化物層を堆積するステップとを含む方法。