【事件の表示】
　特願２００５−　７８５８１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２８日出願公開、特開２００６−２６１４８５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．本願は、平成１７年３月１８日を出願日とする出願であって、平成２２年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。 
　その後、平成２３年８月２２日付けで当審において拒絶理由の通知がなされ、それに対して平成２３年１０月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。 
　 
第２．当審における拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。 
　この出願の下記の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　　　　　　　　　　　　　　　記  
　［引用刊行物］  
　引用例１：特開平９−２４６２９０号公報  
　引用例２：特開２００４−１５２７７８号公報  
　引用例３：特開２００４−９９８３３号公報
　  　  
第３．本願の発明  
　平成２３年１０月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。  
「【請求項１】
　上面、前記上面と反対側の下面、前記上面に形成された上面側導体部、前記上面に形成され、かつ前記上面側導体部と電気的に接続されたボンディング用電極、前記下面に形成された下面側導体部、前記下面に形成され、かつ前記下面側導体部と電気的に接続されたランド、前記上面側導体部を覆い、かつ前記ボンディング用電極を露出するように、前記上面に形成されたフィルム状の上面側絶縁膜、および前記下面側導体部を覆い、かつ前記ランドを露出するように、前記下面に形成されたフィルム状の下面側絶縁膜を有する配線基板と、
　主面、前記主面に形成された電極、および前記主面と反対側の裏面を有し、前記裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面の前記上面側絶縁膜にフィルム状のダイボンド材を介して固定された半導体チップと、
　前記配線基板の前記ボンディング用電極と前記半導体チップの前記電極とを電気的に接続するワイヤと、
　前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止体と、
　前記配線基板の前記下面に設けられ、前記ランドと電気的に接続する外部端子と、
　を含み、
　
前記上面側導体部、
および
の前記裏面
おり、
前記上面側絶縁膜は、前記半導体チップの前記裏面の全てと重なる領域に位置して
　　  
第４．引用刊行物の記載事項と引用発明  
（１）上記の拒絶理由に引用例１として引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平９−２４６２９０号公報には、次の（ａ）、（ｂ）の事項が記載されている。  
　 
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】ダイボンドパターンとリードパターンを有する回路基板と、前記ダイボンドパターン上に接着材を用いて固着するＩＣチップと、前記リードパターンとＩＣチップとを接続するワイヤーと、前記リードパターンを保護するためのレジストと、前記ＩＣチップ及びワイヤーを封止するための封止樹脂とを有する半導体装置において、前記接着材は前記回路基板に対して塗布する第１の接着材と、該第１の接着材の上に塗布する第２の接着材とから構成されていることを特徴とする半導体装置。」
　 
（ｂ）「【００１７】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明における半導体装置について説明する。図１は本発明の好適な実施の形態であり、図１は半導体装置の要部断面図、図２はその要部平面図である。
【００１８】図１及び図２において、前記回路基板１はガラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面に銅張りの樹脂基板に複数のスルーホール２を切削ドリル等の手段により加工し、全表面に無電解メッキ及び電解メッキちより銅メッキ層を形成し、前記スルーホール２内まで施される。更に、メッキレジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを形成した後、通常の回路基板エッチング液を用いてパターンエッチングを行う。前記樹脂基板の上面側にＩＣチップ３のダイボンドパターン４及びワイヤーボンティング用の外部接続電極であるリードパターン５を形成し、ＢＧＡにおいては、下面側に外部接続電極であるパッド電極６を形成する。尚、前記ダイボンドパターン４とパッド電極６とは前記スルーホール２を介して接続されている。次に、前記回路基板１の上下面に露出している電極の銅メッキ層の表面にＮｉメッキ層を施し、更にその上に導通性の優れたＡｕメッキ層を施すことは従来技術と同様である。
【００１９】次に、所定の部分にソルダーレジスト処理を行う。前記回路基板１の上面側に形成するレジスト７は前記ダイボンドパターン４を取り囲むように、ダイボンドパターン４の外形形状よりも若干大きめのレジスト開口部７ａを有する枠体を構成しており、該レジスト開口部７ａの形状は、前記ダイボンドパターン４の外形形状と共に略円形状に形成されている。また、前記回路基板１の下面側に形成するレジスト８はＢＧＡにおいては、マトリックス状に多数の同一形状の半田付け可能な表面であるレジスト膜開口部を形成する。」  
　
（ｃ）また、上記記載事項（ｂ）及び図１の記載からみて、以下のことが明らかである。      
　
・回路基板１は、「ガラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面に銅張りの樹脂基板に複数のスルーホール２を切削ドリル等の手段により加工し、全表面に無電解メッキ及び電解メッキちより銅メッキ層を形成し、前記スルーホール２内まで施されている。更に、メッキレジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを形成した後、通常の回路基板エッチング液を用いてパターンエッチングを行う。前記樹脂基板の上面側にＩＣチップ３のダイボンドパターン４及びワイヤーボンティング用の外部接続電極であるリードパターン５を形成し、ＢＧＡにおいては、下面側に外部接続電極であるパッド電極６を形成する。尚、前記ダイボンドパターン４とパッド電極６とは前記スルーホール２を介して接続されている。」ことから、ＢＧＡにおいては、回路基板１の上面の銅メッキ層から形成されたダイボンドパターン４と下面の銅メッキ層とはスルーホール２を介して電気的に接続され導体部として機能しており、外部端子に対応して外部接続電極であるパッド電極６を形成している。　
　
・レジストは回路基板１の上面に形成するレジスト７と下面に形成されるレジスト８とからなる。
　
・図１の記載からみて、外部接続電極であるパッド電極６と電気的に接続されている外部端子が回路基板１の下面に設けられている。
　
・図１の記載からみて、レジスト７はＩＣチップ３の下向きの面と一部重なる領域に位置している。
　 
・上面側ダイボンドパターン４、レジスト７および接着材９、１０は、ＩＣチップ３の下向きの面と回路基板１の上面との間に位置している。
　
・図１の記載からみて、ＩＣチップ３は、その上向きの面にはワイヤーによりリードパターン５と電気的に接続する電極が形成され、上向きの面と反対側の下向きの面が回路基板１の上面と対向するように、回路基板１の上面のレジスト７に接着材９、１０を介して固定されている。
　　
［引用例１に記載されている発明］  
　上記の記載事項（ａ）ないし（ｃ）の記載内容を総合すると、上記引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
　
「上面、前記上面と反対側の下面、前記上面の導体部から形成されたダイボンドパターン４、前記上面の銅メッキ層から形成されたリードパターン５、前記下面の銅メッキ層から形成され、かつ前記下面の銅メッキ層と電気的に接続されたパッド電極６、前記リードパターン５を露出するように前記上面に形成されたレジスト７、および前記下面の銅メッキ層を覆い、かつ前記パッド電極６を露出するように、前記下面に形成されたレジスト８を有する回路基板１と、
　上向きの面、前記上向きの面に形成された電極、および前記上向きの面と反対側の下向きの面を有し、前記下向きの面が前記回路基板１の前記上面と対向するように、前記回路基板１の前記上面の前記レジスト７に接着材９、１０を介して固定されたＩＣチップ３と、
　前記回路基板１の前記リードパターン５と前記ＩＣチップ３の前記電極とを電気的に接続するワイヤーと、
　前記ＩＣチップ３および前記ワイヤーを封止する封止樹脂と、
　前記回路基板１の前記下面に設けられ、前記パッド電極６と電気的に接続する外部端子と、
　を含み、
　前記ダイボンドパターン４、前記レジスト７および前記接着材９、１０は、前記ＩＣチップ３の前記下向きの面と前記回路基板１の前記上面との間に位置しており、
　前記レジスト７は、前記ＩＣチップ３の前記下向きの面と一部重なる領域に位置していることを特徴とするＢＧＡ型の半導体装置。」  
　  
（２）同じく、本願の出願日前に頒布された刊行物であり、「引用例２」として引用された特開２００４−１５２７７８号公報には、次の技術事項が記載されている。  
「【００４０】
（絶縁被膜の感光性及び両面形成）
半導体搭載用基板に使用する絶縁被膜は、外部接続端子部等高精度のパターン形成を要求される。これらのパターン形成は、ワニス状の材料であれば、印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダレジスト、カバーレイフィルム、フィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質は特に制限しないが、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系の材料を用いることができる。
また、このような絶縁被膜は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りが発生しやすい。そこで、基板の反りを防止するためには、絶縁被膜を両面に形成することが好ましい。さらに、反りは絶縁被膜の厚みによって変化するため、両面の絶縁被膜の厚みは実験的に反りが発生しないように調整することがより好ましい。」
　
「【００５１】
実施例４
図３（ａ）に示すように、厚さ１８μｍの銅箔５と可撓性の絶縁基材１として厚さ５０μｍのポリエーテルエーテルケトンからなる積層体を作製する。次に、接続端子となる箇所の絶縁基材１をレーザによって穴あけし、図３（ｂ）に示すように、直径０．４ｍｍの銅箔の裏面に達する貫通穴４を形成し、更に図３（ｃ）に示すように、銅箔の不要な箇所をエッチング除去して配線導体６を形成した。更に配線導体６表面に無電解のニッケル、金めっきを施した。この絶縁基材１の透湿率は４０℃で６．０×１０−４（ｇ・ｍ／ｍ２・２４ｈ）、８０℃で１．４×１０−２（ｇ・ｍ／ｍ２・２４ｈ）であった。このようにして製造した半導体搭載用基板の配線導体６の上に、図３（ｄ）に示すような半導体チップ７の裏面にダイボンドフィルム８を貼ったものを図３（ｅ）に示すように搭載し、半導体チップ７と配線導体６を金ワイヤ９で図３（ｆ）に示すようにワイヤボンドして接続した後、半導体チップを封止樹脂１０で図３（ｇ）のようにトランスファモールドして封止し、最後に接続端子部に鉛・錫共晶はんだボール３の一部を溶融して配線導体６に融着した。このようにして作製した半導体パッケージを、実施例１と同様にして試験を行った。結果を表１に示す。」 　 
　
「【００５６】
実施例６
可撓性を有する絶縁基材１として、厚さ７５μｍのガラスクロス入りポリフェニレンサルファイドフィルムを用い、図５（ａ）に示すように、接続導体を形成する箇所にドリルを用いて直径０．１５ｍｍの穴を明けた。次に、図５（ｂ）に示すように、穴のデスミア処理を行った後、絶縁基材両面の必要な箇所と穴側面に無電解銅めっきまたは電解めっきを併用して、接続導体１５のスルーホールと配線導体６を同時に形成した。続いて図５（ｃ）に示すように、絶縁基材の両面に絶縁被膜１４である感光性ソルダレジストを２５μｍ塗布し、外部接続端子１７及び半導体チップ接続端子１６を現像開口させ、これらの露出した箇所に無電解のニッケル、金めっきを順次施した。絶縁被膜１４の透湿率は７．０×１０−４（ｇ・ｍ／ｍ２・２４ｈ）であった。また、使用した絶縁被膜は、室温での弾性率０．９ＧＰａ、伸び率４％、ガラス転移温度１８０℃、エリクセン値７．５ｍｍであった。」  
　 
　これらの記載事項からみて、引用例２には「基板の反りを防止するために、フイルム状の絶縁被膜を両面に形成すること（【００４０】）、及び、基材両面の接続端子開口部以外の全面を絶縁被膜で覆うこと（【００５６】，図５（ｃ））、また、半導体チップをダイボンドフイルムで基板に固定すること（【００５１】，図３（ｄ））」（以下「引用例２の記載事項」という。）が記載されている。 
　  
　　 　  
第５．発明の対比  
（１）本願発明と引用発明を対比する。
・本願発明の「半導体装置」も引用発明の「ＢＧＡ型の半導体装置」も共に「半導体装置」であり、引用発明の「回路基板１」は本願発明の「配線基板」に相当しており、以下同様に、「上面の銅メッキ層」及び「上面の導体部から形成されたダイボンドパターン４」は「上面側導体部」に、「下面の銅メッキ層」は「下面側導体部」に、「下面の銅メッキ層から形成され」た「」パッド電極６」は「ランド」に、「レジスト７」は「上面側絶縁膜」に、「レジスト８」は「下面側絶縁膜」に、外部接続電極である「リードパターン５」は「ボンディング用電極」に、「接着材９、１０」は「ダイボンド材」に、「ＩＣチップ３」は「半導体チップ」に、「（ＩＣチップ３の）上向きの面」は「主面」に、「（ＩＣチップ３の）下向きの面」は「裏面」に、「封止樹脂」は「封止体」に、「ワイヤー」は「ワイヤ」にそれぞれ相当する。 
　
・引用発明の「レジスト７は、前記ＩＣチップ３の前記下向きの面と一部重なる領域に位置している」ことと本願発明の「上面側絶縁膜は、前記半導体チップの前記裏面の全てと重なる領域に位置している」こととは、共に「重なる領域に位置している」という点で共通している。
　  
（２）本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。  
［一致点］ 
「上面、前記上面と反対側の下面、前記上面に形成された上面側導体部、前記上面に形成されたボンディング用電極、前記下面に形成された下面側導体部、前記下面に形成され、かつ前記下面側導体部と電気的に接続されたランド、前記上面側導体部を覆い、かつ前記ボンディング用電極を露出するように、前記上面に形成された上面側絶縁膜、および前記下面側導体部を覆い、かつ前記ランドを露出するように、前記下面に形成された下面側絶縁膜を有する配線基板と、
　主面、前記主面に形成された電極、および前記主面と反対側の裏面を有し、前記裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面の前記上面側絶縁膜にダイボンド材を介して固定された半導体チップと、
　前記配線基板の前記ボンディング用電極と前記半導体チップの前記電極とを電気的に接続するワイヤと、
　前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止体と、
　前記配線基板の前記下面に設けられ、前記ランドと電気的に接続する外部端子と、
　を含み、
　前記上面側導体部、前記上面側絶縁膜および前記ダイボンド材は、前記半導体チップの前記裏面と前記配線基板の前記上面との間に位置しており、　前記上面側絶縁膜は、前記半導体チップの前記裏面と重なる領域に位置していることを特徴とする半導体装置。」 
である点。  
　 
［相違点１］本願発明では、「上面側絶縁膜」、「下面側絶縁膜」、「ダイボンド材」はそれぞれ「フィルム状」であり、「上面側絶縁膜」と「下面側絶縁膜」は配線基板の反りを防止するために配線基板の両全面を接続端子開口部以外覆うもの、すなわち「上面側導体部を覆い、かつボンディング用電極を露出するように」したのに対して、引用発明では、「ダイボンド材」は「フィルム状」とはいえない点及び「レジスト７」、「レジスト８」は回路基板１の両全面を接続端子開口部以外覆うような構成となっていない点。　  
  
［相違点２］本願発明の「上面側絶縁膜」は「半導体チップの裏面の全てと重なる領域」であるのに対して、引用発明の「レジスト７」は「ＩＣチップ３の裏面と一部重なる領域」であるが「裏面の全て」ではない点。
　
［相違点３］本願発明の「ボンディング用電極」は「上面側導体部と電気的に接続され」ているのに対して、引用発明の外部接続電極である「リードパターン５」はどこと電気的に接続されているの不明である点。　　
　　
第６．当審の判断  　                        
（１）上記の相違点１について検討する。  
　上記引用例２には「基板の反りを防止するために、フイルム状の絶縁被膜を両面に形成すること、及び、基材両面の接続端子開口部以外の全面を絶縁被膜で覆うこと、また、半導体チップをダイボンドフイルムで基板に固定すること」（「引用例２の記載事項」参照）が記載されている。
　また、半導体搭載用基板に絶縁被膜を使用する場合には絶縁被膜は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りが発生しやすいことは当業界において周知な事項であり、この基板の反りの発生を防止することは当業者において当然配慮すべき自明な課題であるといえる。
    
　そうすると、 引用発明の「レジスト７」、「レジスト８」、「ダイボンド材」に上記の引用例２の記載事項を適用して、上記相違点１で指摘されている本願発明の「上面側導体部を覆い、かつボンディング用電極を露出するように」構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度のことである。
　 
（２）上記の相違点２について、 
　引用発明において、「レジスト７」はＩＣチップ３の裏面と一部重なる領域に位置しているが、上記相違点１で検討したように、「レジスト７」が配線基板の両全面を接続端子開口部以外を覆ってしまうと、自ずと「レジスト７」はＩＣチップ３の裏面の全てと重なる領域となることは明らかであり、そうすることに何ら阻害要因も認められないから、当業者であれば容易に成し得る程度の事項に過ぎないといえる。
　
（３）上記の相違点３について、
　ＢＧＡ(ball grid array) 型の半導体装置おいては、回路基板の下面に配設されたはんだバンプ（はんだボール）が形成され外部端子となっている。
そして、半導体チップと基板上面側のボンディング用電極とはボンディングワイヤにより接続され、該電極と回路基板の下面の外部端子であるはんだバンプとは電気的に接続されている。
　そうすると、ＢＧＡ(ball grid array) 型半導体装置である引用発明において、「外部接続電極であるリードパターン５」と外部端子とを電気的に接続することは当業者であれば容易に成し得る程度のことである。
　その結果、「リードパターン５」は外部端子と電気的に接続されている「ダイボンドパターン４」とも電気的に接続されることは明らかである。
　
（４）更に、上記の相違点１ないし３で指摘されている構成を併せ備える本願発明の効果について検討しても、引用発明及び上記引用例２の記載事項から想定されるところを超えるものとは認められない。  
　             
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。 　  
　
第７．請求人の主張に対して　 
　請求人は当審における拒絶理由に対する意見書（平成２３年１０月１９日付け）の第２頁第２２〜３６行目に「引用例１では、強固な密着力を有し信頼性の優れた半導体装置を提供することを課題としており、この解決手段として、上面側にダイボンドパターン４とリードパターン５を有する回路基板１に、ダイボンドパターン４を取り囲むレジスト７の枠体を形成し、このレジスト開口部７ａ内にダイボンドパターン４との密着力の強固な溶剤型の第１の接着材９を塗布し、さらに、この第１の接着材９の上に第２の接着材１０を塗布しＩＣチップ３を固着することを、特徴としております（引用例１の図１，２および関連箇所を参照）。すなわち、引用例１では、ＩＣチップ３と回路基板１との間に位置するダイボンドパターン４（上面側導体部）をレジスト７（上面側絶縁膜）で覆わないことを特徴（前提事項）としております。」と主張している。しかしながら、引用例１の請求項１に係る発明はレジストの形状・構造については何ら限定しているものではないから、接着剤をフイルム状とすること及びダイボンドパターン４をレジスト７で覆うことを阻害するものではないと認められるから、上記請求人の主張は採用することができない。
　
第８．むすび  
　以上、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び上記引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。