【事件の表示】
　特願２００６−３４０５９５「層間絶縁構造およびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月２２日出願公開，特開２００７−　７４００４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年９月２０日に出願した特願２００２−２７６４０１号の一部を平成１８年１２月１８日に新たな特許出願としたものであって，平成２０年７月４日付けで拒絶理由が通知され，同年９月８日に手続補正書及び意見書が提出され，平成２１年９月３日付けで再度拒絶理由が通知され，同年１１月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２１年１２月１４日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２２年３月９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正書が提出されたものである。
　その後，平成２３年９月２０日付けで，当審より審尋がなされ，同年１１月８日に回答書が提出されている。
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年３月９日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
（１）本件補正の内容
　平成２２年３月９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３７を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３５とするものであり，本件補正前後の請求項１の記載は，以下のとおりである。
　ア　本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　デバイス領域を有する基板上に第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され，第１の金属線を構成する第１の金属層と，
　該第１の金属層の上側に形成され，第２の金属線を構成する第２の金属層とを有し，
　該第１の金属層と該第２の金属層との間には，該第１の金属線と第２の金属線を絶縁するエアギャップが形成されており，
　該第１の金属層上に位置する該第２の金属層を機械的に支持する支持機構が，該基板上に該基板表面内で分散させて設けられ，第２の酸化膜層上に該第２の金属層が設けられて支持され，該支持機構は，該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分と，該低誘電率材料を通して該第１の金属部分と該デバイス領域を接続すると共に，該第２の酸化膜層を通して該第１および第２の金属部分を接続するビアとを含んでいる，層間絶縁構造。」
　
　イ　本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　デバイス領域を有する基板上に第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され，第１の金属線を構成する第１の金属層と，
　該第１の金属層の上側に形成され，第２の金属線を構成する第２の金属層とを有し，
　該第１の金属層と該第２の金属層との間には，該第１の金属線と第２の金属線を絶縁するエアギャップが形成されており，
　該第１の金属層上に位置する該第２の金属層を機械的に支持する支持機構が，該基板上に該基板表面内で分散させて設けられ，第２の酸化膜層上に該第２の金属層が設けられて支持され，該支持機構は，該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分と，該低誘電率材料を通して該第１の金属部分と該デバイス領域を接続すると共に，該第２の酸化膜層を通して該第１および第２の金属部分を接続するビアとを含んでおり，
　該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている層間絶縁構造。」
　
（２）請求項１に係る補正の整理
　ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「ビアとを含んでいる，層間絶縁構造」を，補正後の請求項１の「ビアとを含んでおり，該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている層間絶縁構造」と補正すること。
　
２　特許法第１７条の２第３項について 
（１）当初明細書等の記載
　本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した図面を「当初図面」といい，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）を参照すると，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
・「【請求項１７】
  前記第１の金属層は基板上に設けられており，該
基板がデバイス領域を有し
  前記支持台は，該第１部分をさらに含んでいる，請求項１６に記載の層間絶縁構造。
【請求項１８】
  前記支持台に含まれる前記ビアと前記第１金属線の第１部分とが，上下方向に重なっている，請求項１７に記載の層間絶縁構造。
【請求項１９】
  前記
支持台は，前記デバイス領域の周囲に分散している
【請求項２０】
  前記
支持台は，チップ領域の全体にわたる要点に設けられている
・「第１の金属線を含む金属線の第１の部分および第２の金属線を含む金属線の第２の部分は，エッジシールディング構造を形成してもよい。
　複数のエッジシールディング構造は，
デバイスの周囲に沿って広がり
・「図１は，初期段階の製造に続く
デバイス領域１４
・「概略図は接触した２つの堆積物を示した。左側は，普通のインタコネクトになる傾向があった。右側の堆積物は，エッジシールディングを図示している。エッジシールディングは，エッチング停止層／スペースホルダーの酸化膜層および銅線の機械的な支持台のために必要とされる。１実施形態において，
エッジシールディングをデバイスの周囲に分散して，さらなる機械的な支持台を提供する
エッジシールディングを，チップ領域の全体に渡る要点においてさらに提供する
　
（２）新規事項の検討
　ア　段落【００４３】より，「エッジシールディング」と「支持台」とは同一物と認められ，さらに，補正後の「支持機構」に該当すると認められる。
　また，段落【００２６】の記載および図１〜図１４を参照するに，「デバイス領域」１４は，基板１２に形成された不純物領域等の半導体領域と認められる。一方，当初明細書等には，「デバイス」について，具体的な説明はないが，請求項１９の「前記支持台は，前記デバイス領域の周囲に分散している」との記載，と段落【００４３】の「エッジシールディングをデバイスの周囲に分散して，さらなる機械的な支持台を提供する」との記載とが，ほぼ同内容を意味していることから判断して，「デバイス」と「デバイス領域」とは，格別の区別をすることなく，同等の用語として用いられているものと理解できる。
　イ　しかしながら，当初明細書の段落【００４３】には，「別の実施形態において，エッジシールディングを，チップ領域の全体に渡る要点においてさらに提供する。」と記載されているが，「要点」が何を示すものであるか他に説明はなく，「要点」が「デバイス領域の周囲」であることは記載されていない。
　同段落には，「１実施形態において，エッジシールディングをデバイスの周囲に分散して，さらなる機械的な支持台を提供する。」との記載はあるものの，異なる実施形態であるから，この記載が，直ちに前記「要点」の説明であると解することはできない。
　ウ　そうすると，「チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」ことは，当初明細書等に記載がなく，また当初明細書等の記載から自明な事項でもないので，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであり，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は，補正後の「該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」との事項は，当初明細書の段落【００４３】及び図１２に基づくものであると主張している（補正前の請求項１６，１７についての，平成２１年１１月４日提出の意見書における主張を参照。）。しかしながら，段落【００４３】及び図１２を含め，当初明細書等のすべての記載を参照しても，上記（２）のとおり，請求人の主張は採用できない。
　
（４）特許法第１７条の２第３項についてのまとめ 
　よって，「チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」ことを含む補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものでないから，補正事項１を含む本件補正は，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同様。）の規定に違反する。 
 　  
３　特許法第１７条の２第５項（独立特許要件）について
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるが，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし，かつ，同法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同様。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合について，念のため本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
  
（１）本願補正発明  
　本願補正発明は，上記１（１）イに記載のとおりである。  
　
（２）引用例の記載と引用発明  
（２−１）引用例の記載 
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１２６８２０号公報（以下「引用例」という。）には，「半導体装置とその製造方法」（発明の名称）に関して，図１，図２とともに以下の記載がある。（下線は，当審において付加。以下同様。）  
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に係り，特に配線遅延の低減対策に関するものである。」
・「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記図１０（ａ），（ｂ）及び図１１（ａ），（ｂ）に示す技術においては，図１０（ｂ）や図１１（ｂ）に示す工程で，４５０℃程度の酸素雰囲気中でカーボン膜１０２，１０６，１０８を灰化させ取り除く際に，酸素が順次下方まで透過するようにシリコン酸化膜１０４，１０７，１１１を十分薄くしなければならない。そうすると，
シリコン酸化膜が各配線を支持する強度が弱くなり，十分な信頼性が得られないという問題
・「【００１９】本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり，その第１の目的は，空中配線構造を形成することを基本としながら，
配線構造の強度が高く信頼性の高い半導体装置
・「【００４１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について，図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００４２】まず，図１（ａ）に示す工程では，
Ｐ型シリコン基板１上にトレンチ分離領域２を形成した後，ソース・ドレイン領域３，サイドウオール４，ゲート酸化膜５，ゲート電極６及びゲート配線６ａとを有するＭＯＳトランジスタを形成する
ＳｉＯ
2 
からなる基板被覆膜７と
下側ＳｉＯ
2 
膜９ａと，配線形成層の仮設膜となる上側カーボン膜１０ｂとを順次堆積していく
上側カーボン膜１０ｂに配線用溝を形成した後，配線用溝の底面から下側ＳｉＯ
2 
膜９ａ及び下側カーボン膜１０ａを貫通してソース・ドレイン領域３に到達するコンタクトホールを開口する
基板の全面上にバリアメタル膜とＣｕ合金膜をスパッタ法を用いて堆積し，４００〜５００℃での熱処理によりＣｕ合金膜をリフローさせて配線用溝及びコンタクトホール中にＣｕ合金を充填する
ＣＭＰ（Chemical MechanicalEtching ）により平坦化を行って
その結果，上側仮設膜１０ｂに形成された配線用溝内に残存するバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７が第１配線層の配線として機能する。また，下側仮設膜１０ａに形成されたコンタクトホール内に残存するバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７が，第１配線層の配線とソース・ドレイン領域３とを縦方向に接続するプラグとして機能する
【００４３】次に，図１（ｂ）に示す工程で，
上側ＳｉＯ
2 
膜９ｂ，下側カーボン膜１０ａ，下側ＳｉＯ
2 
膜９ａ，上側カーボン膜１０ｂの堆積，配線用溝，バイヤホールの形成，バリアメタル膜１３，Ｃｕ合金膜１７の堆積及びリフローと，ＣＭＰによる平坦化とを何回か繰り返すことにより，第２配線層及び第３配線層の配線とプラグとが形成される。最上層には，保護膜としても機能する上側ＳｉＯ
2 
膜９ｂを堆積する
【００４４】次に，図１（ｃ）に示す工程で，最上層の上側ＳｉＯ2 膜９ｂに，第３配線層（最上配線層）の配線であるＣｕ合金膜１７のパッド部を露出させるための開口１６を形成する。また，多層のカーボン膜１０a，１０ｂと，ＳｉＯ2 膜９ａ，９ｂ及び基板被覆膜７とを貫通して，トレンチ分離領域２上のゲート配線６ａに達する
ダミー開口３０を形成する
【００４５】次に，図１（ｄ）に示す工程で，
酸素を利用した（例えば酸素プラズマによる）アッシングによりカーボン膜１０ａ，１０ｂを除去する。その結果，バリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる各配線層同士の間が空気層４０となる
【００４６】本実施形態では，カーボン膜を除去する前にダミー開口３０を形成しておき，ダミー開口３０を通じて酸素を利用したアッシングを行うことにより空気層４０を形成するようにしているので，従来例のように，アッシング時に酸素が通過しやすいようにＳｉＯ2 膜を薄くしなくてもよい。すなわち，
半導体装置の構造としては，下側及び上側ＳｉＯ
2 
膜９ａ，９ｂを厚くして配線とプラグを連結する強度を高めることができるという利点を有する
「【００５３】（第２の実施形態）上記第１の実施形態では，基板被覆膜７まで貫通するダミー開口３０を設けたが，このダミー開口３０は，途中のいずれかのカーボン膜１０ａ又は１０ｂ，あるいはＳｉＯ2 膜９ａ又は９ｂまで形成してもよい。その方法としては，以下に説明するような２つの方法がある。
【００５４】第１の方法は，ダミー開口３０が形成される部分よりも下方の領域においては空気層に代えてシリコン酸化膜などを設ける方法であり，第２の方法は，ダミー開口３０が形成される部分よりも下方の領域においては，上記従来の方法を利用した空気層を設ける方法である。
【００５５】図２（ａ）は，本実施形態の第１の方法によって形成される半導体装置の構造を示す図である。
第１配線層の下方にはＢＰＳＧ膜などからなる層間絶縁膜４１が設けられており，その上方の領域においてのみ，配線及びプラグの周囲が空気層４０になっている
【００５６】このような構造は，図１（ａ）に示す工程で，
基板の直上の下側カーボン膜１０ａに代えてＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１を形成し，その後は，図１（ａ）〜（ｄ）に示す工程と同様の処理を行なう
【００５７】図２（ａ）に示す構造では，トランジスタ等の素子が形成された部分は層間絶縁膜４１によって確実に保護することができる。一方，その上方の配線及びプラグの周囲を空気層４０にすることで，第１の実施形態と同様の寄生容量の小さい配線構造を得ることができる。また，最下層に厚い層間絶縁膜４１が存在することで，ダミー開口３０を形成する際に，ゲート配線やゲート電極のエッチングを確実に防止できる効果もある。」
　
（２−２）引用発明 
　ア　上記（２−１）の記載，図１及び図２（ａ）を参照すると，図２（ａ）に記載の半導体装置は，図１（ａ）に示す工程で，基板の直上の下側カーボン膜１０ａに代えてＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１を形成したものであるから（段落【００５６】），引用例には，図２（ａ）の半導体装置に関して，以下の製造方法が記載されている。
・Ｐ型シリコン基板１上に，ソース・ドレイン領域３，サイドウオール４，ゲート酸化膜５，ゲート電極６及びゲート配線６ａとを有するＭＯＳトランジスタを形成すること。（段落【００４２】）
・その上に，ＳｉＯ2 からなる基板被覆膜７と，ＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１と，下側ＳｉＯ2 膜９ａと，上側カーボン膜１０ｂを順次堆積すること。（段落【００４２】【００５６】）
・次いで，上側カーボン膜１０ｂに配線用溝を形成し，下側ＳｉＯ2 膜９ａ及び層間絶縁膜４１を貫通してソース・ドレイン領域３に到達するコンタクトホールを開口し，配線用溝及びコンタクトホール中にバリアメタル膜１３とＣｕ合金を充填し，ＣＭＰにより平坦化を行って，配線用溝内に残存するバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７を第１配線層の配線とし，コンタクトホール内に残存するバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７を第１配線層の配線とソース・ドレイン領域３とを縦方向に接続するプラグとすること。（段落【００４２】）
・上側ＳｉＯ2 膜９ｂ，下側カーボン膜１０ａ，下側ＳｉＯ2 膜９ａ，及び上側カーボン膜１０ｂの堆積，配線用溝及びバイヤホールの形成，バリアメタル膜１３，Ｃｕ合金膜１７の堆積及びリフローと，ＣＭＰによる平坦化とを何回か繰り返すことにより，第２配線層及び第３配線層の配線とプラグを形成すること。（段落【００４３】）
・ダミー開口３０を形成後に，酸素を利用したアッシングによりカーボン膜１０ａ，１０ｂを除去して，バリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる各配線層同士の間を空気層４０とすること。（段落【００４４】【００４５】）
　イ　そして，図２（ａ）を参照すると，上記製造方法により製造された半導体装置として，引用例には，以下の構成を有する半導体装置の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「Ｐ型シリコン基板１上に，ソース・ドレイン領域３，サイドウオール４，ゲート酸化膜５，ゲート電極６及びゲート配線６ａを有するＭＯＳトランジスタを備え，
　その上に，ＳｉＯ2 からなる基板被覆膜７と，ＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１と，下側ＳｉＯ2 膜９ａとを備え，さらに，
　下側ＳｉＯ2 膜９ａ及び層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホールに埋め込まれたバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる，第１配線層の配線とソース・ドレイン領域３とを縦方向に接続するプラグと，
　下側ＳｉＯ2 膜９ａ上に形成されたバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる第１配線層の配線と，
　第１配線層の配線上の上側ＳｉＯ2 膜９ｂと，
　第１配線層の配線の上方に設けられている下側ＳｉＯ2 膜９ａ上に形成されたバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる第２配線層の配線と，
　第１配線層の配線と第２配線層の配線との間に形成されている空気層４０と，
　下側ＳｉＯ2 膜９ａと空気層４０と上側ＳｉＯ2 膜９ｂを貫通し，バリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる， 第１配線層の配線と第２配線層の配線とを接続するプラグと，
を含んでいる半導体装置。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比  
　ア　引用発明の「Ｐ型シリコン基板１」，「ソース・ドレイン領域３」は，それぞれ，本願補正発明の「基板」，「デバイス領域」に相当するから，引用発明の「ソース・ドレイン領域３」を有するＭＯＳトランジスタを備えた「Ｐ型シリコン基板１」は，本願補正発明の「デバイス領域を有する基板」に相当する。
　イ　引用発明の「バリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる第１配線層」，「第１配線層の配線」は，本願補正発明の「第１の金属層」，「第１の金属線」にそれぞれ相当する。
　また，同様に，引用発明の「バリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる第２配線層」，「第２配線層の配線」は，本願補正発明の「第２の金属層」，「第２の金属線」にそれぞれ相当する。
　ウ　引用発明において，「ＳｉＯ2 からなる基板被覆膜７と，ＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１と，下側ＳｉＯ2 膜９ａとを備え」，第１配線層の配線が「下側ＳｉＯ2 膜９ａ上に形成された」ことは，本願補正発明において，第１の金属層が「第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され」ることと，「絶縁材料を介して形成され」ることにおいて，共通している。
　エ　引用発明の「第１配線層の配線と第２配線層の配線との間に形成されている空気層４０」は，本願補正発明の「第１の金属線と第２の金属線を絶縁するエアギャップ」に相当する。
　オ　引用例に記載のものは，従来技術において「シリコン酸化膜が各配線を支持する強度が弱くなり，十分な信頼性が得られないという問題が生じる」ことを解決しようとする課題とし（段落【００１６】），「半導体装置の構造としては，下側及び上側ＳｉＯ2 膜９ａ，９ｂを厚くして配線とプラグを連結する強度を高めることができるという利点を有する」（段落【００１６】）ようにしたものであるから，引用発明において，「第２配線層の配線」は，「下側ＳｉＯ2 膜９ａ」により支持されているのは明らかである。
　そして，引用発明の「第１配線層の配線の上方に設けられている下側ＳｉＯ2 膜９ａ」は，本願補正発明の「第２の酸化膜層」に相当するから，引用発明の「第１配線層の配線の上方に設けられている下側ＳｉＯ2 膜９ａ上に形成されたバリアメタル膜１３及びＣｕ合金膜１７からなる第２配線層の配線」を有することは，本願補正発明の「第２の酸化膜層上に該第２の金属層が設けられて支持され」ることに相当する。
　カ　引用発明の「半導体装置」は，空気層４０による配線層間の絶縁構造といえるから，本願補正発明の「層間絶縁構造」に相当する。
　
　キ　したがって，本願補正発明と引用発明とは，
「デバイス領域を有する基板上に絶縁材料を介して形成され，第１の金属線を構成する第１の金属層と，
　該第１の金属層の上側に形成され，第２の金属線を構成する第２の金属層とを有し，
　該第１の金属層と該第２の金属層との間には，該第１の金属線と第２の金属線を絶縁するエアギャップが形成されており，
　第２の酸化膜層上に該第２の金属層が設けられて支持されている，
　層間絶縁構造。」
であることにおいて，一致しており，次の点で相違している。
（相違点１）
　本願補正発明は，第１の金属層が「デバイス領域を有する基板上に第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され」ているのに対して，引用発明は，このような構成を有していない点。
（相違点２）
　本願補正発明は，「該第１の金属層上に位置する該第２の金属層を機械的に支持する支持機構が，該基板上に該基板表面内で分散させて設けられ」，「該支持機構は，該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分と，該低誘電率材料を通して該第１の金属部分と該デバイス領域を接続すると共に，該第２の酸化膜層を通して該第１および第２の金属部分を接続するビアとを含んでおり，　該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」のに対して，引用発明は，支持機構に関して記載されていない点。
　
（４）相違点の判断  
 　以下，上記相違点について検討する。  
（４−１）相違点１について 
　ア　引用発明は，基板と第１配線層の配線との間に「ＳｉＯ2 からなる基板被覆膜７と，ＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４１と，下側ＳｉＯ2 膜９ａとを備え」るものであるが，引用例に記載の第１の実施形態（図１）では，基板と第１配線層の配線との間に空気層４０を設けていることからも明らかなように，一般に，基板（半導体デバイス）と第１配線層の配線との間の寄生容量を低減することも，当業者が当然に考慮することである。
　イ　そして，以下の周知例１，２に記載されるように，半導体基板上の絶縁層として低誘電率材料を形成することは，周知の技術である。 　
 
周知例１：特開平１１−３１７４５０号公報 
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−３１７４５０号公報（原審の拒絶査定時に提示。以下「周知例１」という。）には，図１ないし図５とともに以下の記載がある。 
「【００１６】以上の後，オフセット４及びサイドウォール５をマスクにしたイオン注入によって，基板１の表面層にソース・ドレイン拡散層６を形成するための不純物を導入する。この際，ｎチャンネル型の素子を形成する領域には，砒素イオン（Ａｓ+ ）を４０ｋｅＶ程度の注入エネルギーで５×１０15個／ｃｍ2 程度のドーズ量で導入する。一方，ｐチャンネル型の素子を形成する領域には，２フッ化ホウ素イオン（ＢＦ2 + ）を１５ｋｅＶ程度の注入エネルギーで３×１０15個／ｃｍ2程度のドーズ量で導入する。上記イオン注入の後，１０００℃で１０秒間の活性化熱処理を行う。
【００１７】しかる後，オフセット４及びサイドウォール５を覆う状態で，基板１上に層間絶縁膜７を形成する。この層間絶縁膜７としては，例えば膜厚８００ｎｍの酸化シリコン膜を用い，例えば上記オフセット４の形成の説明で記載した酸化シリコン膜と同一条件にて形成する。
【００１８】この
層間絶縁膜７は，
例えば，フルオロカーボン，アリールエーテル，ベンゼンシクロブテン（例えば，ＢＣＢ膜やＳｉＬＫ；ダウケミカル社商品名），アモスファスカーボンのような低誘電率膜を用いても良い
　 
周知例２： 特開平８−１０２４４９号公報 
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１０２４４９号公報（原審の拒絶査定時に提示。以下「周知例２」という。）には，図１ないし図４とともに以下の記載がある。 
「【００１２】
【実施例】図１に，本発明によるＳＡＣＴ形成方法を示す。図１（Ａ）において，薄いゲート酸化物２２（例えば熱成長二酸化シリコン）が基板２０上に示されている。ケイ化耐火金属上側層（refractory metal silicide overlayer ）（図示していない）をもつポリシリコンであり得る誘電体層１６が，ゲート酸化物上に堆積され，例えば，付加的な熱成長酸化物であり得る絶縁層１８が続く。
【００１３】図１（Ｂ）は，周知の方法によってパターンぎめ及びエッチングして，２つの導体２６を形成した後の構造を示し，絶縁導電キャップ２８を有し，比較的縦横比の大きい（図の縦横比は1.4:1 ）すき間２４によって隔てられる。図１（Ｃ）は，ゲート酸化物２２，導体２６，及び導電キャップ２８の上の共形誘電体層３０（例えば熱成長酸化物）を示す。層３０は導体２６の壁に付着（adhere）して，絶縁されたすき間２９を形成する。  誘電体層３０のデポジションがすき間２４（図１（Ｂ））の幅のわずか１５％の厚さであるため，絶縁されたすき間２９の縦横比は2:1 で示され，薄い誘電体層３０のみを必要とする方法が望ましいことを示している。
【００１４】図１（Ｄ）では幾つかの付加層を示し，一つ目は
有機含有誘電体層３２
層３２は，３０〜４０重量％の有機ポリマーを含む，例えばアライドシグナル５１５シリーズのような低誘電率（誘電率は約２）ＳＯＧのようなスピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）から構成されてもよい
　
　ウ　したがって，上記周知例１，２に記載されるように，ＭＯＳトランジスタ等のデバイスが設けられた半導体基板上に形成する絶縁膜として，従来の酸化膜に代えて低誘電率の絶縁材料を用いることは周知技術であり，この低誘電率絶縁材料により，半導体基板に設けられたデバイスと，第１層配線との間の寄生容量が低減することも，当業者にとって自明のことにすぎない。
　エ　そうすると，引用発明においても，半導体基板（デバイス）と第１配線層の配線との間の寄生容量を低減することは当然の要請であるから，上記周知技術を適用し，引用発明において，第１の金属層が「デバイス領域を有する基板上に第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され」るようにすることは，当業者が容易に想到しうるものである。 
　
（４−２）相違点２について
　ア　引用発明には，支持機構は記載されていないものの，引用例には，その技術課題（段落【００１４】【００１９】）から明らかなように，各配線を支持する強度を高くして，半導体装置の信頼性を高めることが記載されている。
　イ　ここで，空気絶縁された配線構造（エアブリッジ配線）を有する半導体装置において，配線層を支持する支持機構を形成することは，以下の周知例３〜５に記載されるように周知の技術である。
　
周知例３：特開平２−２２０４６４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−２２０４６４号公報（原審の拒絶理由に引用。以下「周知例３」という。）には，第１図〜第４図とともに以下の記載がある。  
・「（産業上の利用分野）
本発明は中空配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。」（第１頁右下欄第８行〜第１０行）
・「本発明の詳細を実施例によって説明する。
　第１図は本発明の第１の実施例に係るＧａＡｓＩＣを製造工程順に示した断面図である。
　先ず。
半絶縁性ＧａＡｓ基板（１）表面に拡散層（図示せず）を設け，この上に電極（２）を形成する
全面に例えばＳｉＯ
２
膜を堆積し，所望の箇所に開孔設けて第１層間絶縁膜（５）を形成する
面にＡｌを被着した後これをエッチングによって加工し，第１層配線（３）と，配線支持用柱（４
１
）及び電極（２）とのコンタクト部（４
２
）を夫々形成する
　さらに，ＳｉＯ２膜を全面に堆積し，この膜のうち支持用柱（４１）及び第１層配線（３）の所望箇所上を開孔して第２層間絶縁膜（６）を形成する。その後全面にＡｌを被着し，これを所望の配線形状にエッチングで加工することにより，第２層配線（７）と，この配線から延在した配線支持用柱（８１）及び第１層配線とのコンタクト部（８２）を形成する（第１図（ｂ））。
　その後第１図（ｂ）に示した工程と同様にして第３層間絶縁膜（９）と，第３層配線（１０）及びこれから延在した配線支持用柱（１１１）やコンタクト部（１１２）を夫々形成する（第１図（Ｃ））。
　最後に
第１，第２及び第３層間絶縁膜（５），（６），（９）をウェットエッチングにより除去する事によって，第１，第２及び第３層配線からなる中空配線が完成する
　この様に形成された
中空配線例えば第３層配線（１０）は，３つの配線支持用柱（４
１
），（８
１
），（１１
１
）を順次積層して形成した柱（以下積層支持柱と呼ぶ）によって支持される
　
　周知例３の第１図〜第４図において，半導体基板上に，電界効果型トランジスタの電極（２）の周辺に電極（２）のコンタクト部（４２）（８２）（１１２）とは別に，配線支持用柱（４１）（８１）（１１１）が多数形成されているのが見て取れ，この配線支持用柱が，第１，第２，第３配線層の空中配線を支持している。
　そして，この電極（２）の下の基板内には，電界効果型トランジスタを構成する半導体領域（デバイス領域）が存在することは自明のことであるから，この配線支持用柱（４１）（８１）（１１１）は，全体として，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているといえ，半導体基板上で基板表面内で分散させて設けられているといえる。なお，この配線支持用柱（４１）（８１）（１１１）は，第１，第２，第３配線層と同時に形成された横方向への拡張部分を有していることが見て取れる。
　また，配線支持用柱（４１）（８１）（１１１）やコンタクト部（４２）（８２）（１１２）は，デバイス領域と第１層配線の間，又は各層の配線の間を接続するものであり，本願補正発明の「ビア」に相当することは明らかである。
　
周知例４：特開平３−２８０４５０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−２８０４５０号公報（以下「周知例４」という。）には，第１図〜第４図とともに以下の記載がある。  
・「第１図は本発明による半導体装置の第１の実施例の構成を示す概略図である。この図に示すように，半絶縁性ＧａＡｓ基板６１にはＭＥＳＦＥＴが形成されている。即ち，図示した様に，ｎ＋型ソース，ドレイン６２ａ，６２ｂ，６３ａ，６３ｂが設けられ，ソース，ドレイン間には，ｎ型チャネル６２ｃ，６３ｃが形成されている。ソース，ドレイン上には，電極，例えばＡｕＧｅ合金層６２ｄ，６２ｅ，６３ｄ，６３ｅが形成され，チャネル上にはゲート電極例えばＷＮ層６２ｆ，６３ｆが形成されている。また，図示されている様に他の素子（例えばＭＥＳＦＥＴ）の電極６４がＡｕＧｅ合金層で設けられている。ここでは１つの電極６４が便宜的に示されている。更に，半絶縁性ＧａＡｓ基板６１の表面に接してＡｕＧｅ合金層６５が設けられている。この層６５は電気的に意味のないダミーの電極である。
　この基板上にはエアブリッジ配線が設けられている。
このエアブリッジ配線は，電極が流れる素子電極６２ｅ，６４間を架橋して設けられ，配線部６６はくの字型に折れ曲がり，支持柱６６ａ，６６ｂは電極を構成している。角部Ａには導体層（穴長配線）６７が結合し一体構造となっている。この導体層６７は支持柱６７ａで支えられている。
　尚，エアブリッジ配線の配線部６６，導体層６７，支持柱６６ａ，６６ｂ，６７ａはＡｕであり，同時形成されている。
　この構造のエアブリッジ配線であれば，前記支持柱６７ａは，前記角部Ａを前記導体層６７を介して，支持するので，前記角部Ａが，前記配線６６に生ずるモーメントにより落下したり，この配線６６に存在する内部応力により上方又は下方への「そり」等の変形を生ずることはない。従って，下層に形成された接触してはいけない電極６３ｄ〜ｆなどの電極や別の配線（図示しない）と短絡することはない。」（第３ページ左下欄第８行〜第４ページ左上欄第２行）
・「次に第２図に第１図に示した実施例装置の他の例を示す。第２図において第１図と同一の部分には同一の符号を付して示し，詳細な説明は省略する。第１図と異なるのは，基板６１上に形成された電気的意味のない
ダミーの電極８０の上に支持柱８１（金属）を設け，角部Ａを直接支持するようにした
・「第６図は第２図の装置の変形例の構成を示した概略図である。第５図と同様に，上層のエアブリッジ配線６８及び支持柱６８ａ，６８ｂにより一部が置き換えられている。」（第５ページ右下欄第５行〜第８行）
　
　周知例４において，エアブリッジ配線の配線部６６を，同時形成された導体層６７及び支持柱６７ａで支持すること，さらに，２層目の配線６８についても，ダミーの電極８０の上に支持柱８１（金属）により支持することが，開示されている。
　
周知例５：特開平６−３１０６１２号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３１０６１２号公報（以下「周知例５」という。）には，図１，図６とともに以下の記載がある。  
・「【００４７】
【実施例】図１により第一の実施例を説明する。図１（ａ）は，本発明を用いて構成した配線構造の断面図であり，図１左側ＭＯＳトランジスタのドレイン４と次段の右側ＭＯＳトランジスタのゲート６を接続したものである。本発明構造の従来構造との違いは，
配線の全部あるいは一部が空中に浮いた構造を持つ
・「【００５７】次に，図６により第二の実施例を説明する。本実施例の，第一の実施例との違いは，第一の実施例では絶縁材料を用いて支柱構造を形成していたのに対して，
配線材料及びｐｎ接合ダイオードを用いて支柱構造を形成すること
【００５８】図６（ｂ）は，第二の実施例のレイアウト図である。従来のレイアウトとの違いは，
配線の中間に支柱構造を形成するために，活性領域４２とコンタクトホール４１が加わること
　
　周知例５において，配線層７の中間に設けられた配線材料による支柱構造２２は，活性領域４２（すなわち，デバイス領域）に接続されている。
　
　ウ　そうすると，引用発明は，空気層で絶縁された配線構造の強度を高くして，半導体装置の信頼性を高めることを課題の一つとするものであるから，上記周知例３〜５に記載されるような，空気絶縁された配線層を支持する支持機構を形成する周知技術を適用することは，当業者が直ちに想到し得ることにすぎない。
　エ　そして，空気絶縁された配線構造を支持する支持機構として，各配線層と同時に形成された，すなわち，各配線層と同じ金属層からなる金属部分（本願補正発明の「該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分」に相当）と，各金属層の間，又は基板と第１金属層の間を接続する金属部分（本願補正発明の「ビア」に相当）とを含む構成とすることは，各周知例から明らかなように，通常採用される構成である。
　また，上記周知例３を参照すると，支持機構（配線支持用柱）を，半導体基板上に該基板表面内で分散させて設けるとともに，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置することは，配線構造に求められる支持強度等を考慮して，当業者が必要に応じて適宜なし得ることといえる。
　さらに，半導体素子と配線層とを接続するビアと同様に，支持機構となる金属柱を半導体基板のデバイス領域に接続することも，周知例５に記載されるように，必要に応じて採用される周知の構造にすぎない。
　オ　したがって，引用発明に上記支持機構に関する周知技術を適用し，その際，上記相違点１で検討したとおり，基板上に低誘電率材料を形成することを考慮すると，引用発明において，本願補正発明のごとく，「該第１の金属層上に位置する該第２の金属層を機械的に支持する支持機構が，該基板上に該基板表面内で分散させて設けられ」，「該支持機構は，該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分と，該低誘電率材料を通して該第１の金属部分と該デバイス領域を接続すると共に，該第２の酸化膜層を通して該第１および第２の金属部分を接続するビアとを含んでおり，　該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」ようにすることは，当業者が容易になし得ることである。
 　 
（５）小括  
　以上のとおり，本願補正発明は，引用例に記載された発明及び従来より周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　
４　補正の却下についてのむすび  
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。また，仮に，同法第１７条の２第３項の規定をみたし，同法第１７条の２第４項第２号に該当するとしても，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。 
　したがって，本件補正は，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　  
第３　本願発明について  
１　本願発明 
　平成２２年３月９日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２１年１１月４日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。  
「【請求項１】
　デバイス領域を有する基板上に第１酸化膜層の代わりに低誘電率材料を介して形成され，第１の金属線を構成する第１の金属層と，
　該第１の金属層の上側に形成され，第２の金属線を構成する第２の金属層とを有し，
　該第１の金属層と該第２の金属層との間には，該第１の金属線と第２の金属線を絶縁するエアギャップが形成されており，
　該第１の金属層上に位置する該第２の金属層を機械的に支持する支持機構が，該基板上に該基板表面内で分散させて設けられ，第２の酸化膜層上に該第２の金属層が設けられて支持され，該支持機構は，該第１の金属層からなる第１金属部分と，該第２の金属層からなる第２金属部分と，該低誘電率材料を通して該第１の金属部分と該デバイス領域を接続すると共に，該第２の酸化膜層を通して該第１および第２の金属部分を接続するビアとを含んでいる，層間絶縁構造。」
　
２　引用発明  
　引用発明は，前記第２の３の「（２）引用例の記載と引用発明」に記載したとおりのものである。
  
３　対比・判断  
　前記第２の１の「（２）請求項１に係る補正の整理」から明らかなように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１係る発明（本願発明）について，前記補正事項１に係る構成（「該支持機構は，デバイス領域の周囲に沿って分散して配置されているか，または，チップ領域の全体にわたってデバイス領域の周囲に位置するよう分散させて配置されている」こと）を限定又は付加したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定又は付加を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定又は構成を付加したものである本願補正発明が，前記第２「３　特許法第１７条の２第５項（独立特許要件）について」において検討したとおり，引用発明及び従来より周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 
第４　むすび  
　以上のとおり，本願発明（請求項１に係る発明）は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。