【事件の表示】
　平成　９年特許願第１５３９４６号「半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月１０日出願公開、特開平１０−　７０１１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成９年６月１１日の出願（パリ条約による優先権主張　１９９６年６月１１日　米国）であって、平成２０年５月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされ、同年１０月１６日付けで手続補正書が提出され、平成２２年５月１０日付けで当審による拒絶理由通知がなされ、同年８月１２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　本願請求項１−２１に係る発明は、平成２２年８月１２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−２１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　
「プラズマ含有処理中に半導体処理チャンバ表面に隣接して使用される温度制御付きのセラミックライナ又はセラミック障壁において、
　前記処理チャンバ内での半導体基板の処理中に、前記セラミックライナ又は前記セラミック障壁上の堆積物の形成を減らすように、或いは前記ライナ若しくは前記障壁からの堆積物の除去を促進するように、独立して温度が制御される複数の場所を有し、
前記セラミックは、遷移金属及びアルカリを１０ｐｐｍ未満含有し、実質的には前記遷移金属及び前記アルカリを含んでいなく、
　前記複数の場所において独立して制御される温度は、堆積速度の低い第１の場所での温度が低い堆積物除去速度を与え、堆積速度の高い第２の場所での温度が高い堆積物除去速度を与えるように、制御される、
ことを特徴とする温度制御付きセラミックライナ又はセラミック障壁。」（以下、「本願発明１」という。）
　
［３］引用発明
　平成２２年５月１０日付けの拒絶理由通知において引用された、本出願の優先権主張日前に頒布された刊行物１（特開平５−２８３３６８号公報）には、以下の記載がある。
　
（ａ）「【請求項１】プラズマ生成室と試料室とを備え、該試料室内で試料を処理するプラズマエッチング装置において、前記試料室の室壁の内側に防着部材が配設され、該防着部材と前記室壁との間に加熱手段が配設されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。」（【特許請求の範囲】）
　
（ｂ）「本発明は…、主に半導体デバイスの製造プロセスにおいて用いられるプラズマエッチング装置に関する。」（【０００１】）
　
（ｃ）「上記した装置によれば、前記試料室の室壁と前記試料保持装置との間に防着部材が配設され、該防着部材と前記室壁との間に加熱手段が配設されているので、前記防着部材が前記加熱手段により直接的に効率的に加熱され、前記防着部材へのエッチング生成物の付着量が減少し、」（【００１４】）
　
（ｄ）「また試料室１３の室壁１３ｂと試料保持装置１７との間には不透明石英製の略筒形状をした防着部材１８が配設されており、」（【００１８】）
　
（ｅ）「このように構成されたプラズマエッチング装置を用い、試料Ｓにエッチング処理を施すには、まず加熱ヒータ１５に通電し、防着部材１８が時間的に一定温度となるように制御を行う。」（【００２０】）
　
　上記記載事項（ａ）−（ｅ）をまとめると、引用刊行物１には、
「プラズマエッチング処理中に半導体試料室壁内側で使用される温度制御付きの石英製防着部材において、
　前記試料室内での半導体基板の処理中に、前記石英製防着部材上のエッチング生成物の付着を減らすように、温度が制御される場所を有する温度制御付き石英製防着部材」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［４］対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「プラズマエッチング処理」、「試料室」、「壁内側で」、「エッチング生成物」、「付着」は、それぞれ、本願発明１における「プラズマ含有処理」、「処理チャンバ」、「表面に隣接して」、「堆積物」、「形成」に相当する。また、本願発明１における「セラミック障壁」はその材質としてシリカを含むものであるから（【請求項２】，【００２６】）、引用発明における「石英製防着部材」は、本願発明１における「セラミック障壁」に相当する。
　
　よって、両者は、
「プラズマ含有処理中に半導体処理チャンバ表面に隣接して使用される温度制御付きのセラミック障壁において、
　前記処理チャンバ内での半導体基板の処理中に、前記セラミック障壁上の堆積物の形成を減らすように、温度が制御される場所を有する温度制御付きセラミック障壁。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　前記セラミックが、本願発明１では、「遷移金属及びアルカリを１０ｐｐｍ未満含有し、実質的には前記遷移金属及び前記アルカリを含んでいな」いのに対し、引用発明では、そのような限定がない点。
　
（相違点２）
　温度制御付きセラミック障壁が、本願発明１では、「独立して温度が制御される複数の場所を有」するとともに、「複数の場所において独立して制御される温度は、堆積速度の低い第１の場所での温度が低い堆積物除去速度を与え、堆積速度の高い第２の場所での温度が高い堆積物除去速度を与えるように、制御される」のに対し、引用発明では、単に、「温度が制御される場所を有する」点。
　
　そして、上記相違点について検討すると、
・（相違点１）について
　半導体製造装置用部材において、半導体の汚染を防止すべく、該部材に含有される遷移金属及びアルカリ金属の量をなるべく低減させた方がよいことは、以下の周知例１、２に記載されているように周知の事項であり、引用発明におけるセラミックである石英製防着部材においても、それらの含有量をなるべく低減させたものとすることは当業者が適宜なしえたことであり、「１０ｐｐｍ未満」なる数値範囲に格別な臨界的意義も見い出せない。
　周知例１：特開昭５９−７８５２９号公報
　「Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｒの重金属元素の総含有量が１００ｐｐｍ以下、アルカリ金属元素の総含有量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体製造用炭化珪素質材料。」（第１頁左欄第５−８行）
　「本発明によれば、短時間の清浄化処理で高性能の半導体装置を高歩留まりで製造することができ（第３頁左上欄第１−３行）
　
　周知例２：特開平８−１３３８４０号公報
　「本発明のセラミックスは、不純物として、鉄（Ｆｅ）、…が５ｐｐｍ以下、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎなどの遷移金属が総量で１００ｐｐｍ以下であることが半導体製造用として使用する上で重要である。つまり、これらの金属量が上記割合より多いと半導体製造時において系外に放出された際、半導体中に混入し半導体特性に影響を与えるためである。」（【００１０】）
　
・（相違点２）について
　同じく、当審による拒絶理由通知において引用された、本出願の優先権主張日前に頒布された、刊行物２（特開平８−３１７５１号公報）には、以下のとおりの記載がある。
「プラズマによる発生熱のためプラズマ生成室３１，試料室３３内の温度は不均一になり易く、…内壁面保護部材３８の温度を均一化することが難しいという課題があった。」（【００１１】）
　
　よって、プラズマ処理装置において、処理室内壁面保護部材の温度が不均一になり易いことは既に知られており、引用発明の防着部材においても同様の問題があったことは明らかである。
　したがって、引用発明の防着部材において、プラズマ処理生成物の付着の減少を均一に行うべく、複数の場所において独立して温度を制御することは、当業者が容易に想到しえたことであり、また、引用発明の防着部材は、加熱することにより、付着するプラズマ処理生成物が除去され、付着量の減少をはかるものといえるから（例えば、特開昭６３−５５２６号公報：「防着板４に付着するエッチング用ガスと試料７との反応によって生成された反応生成物を加熱遊離除去させることにより」（第２頁左下欄第１２−１４行））、上記複数の場所において独立して温度を制御する際、堆積速度の低い第１の場所では、堆積速度が上がるように（すなわち除去速度が低くなるように）、また、堆積速度の高い第２の場所では、堆積速度が下がるように（すなわち、除去速度が高くなるように）制御することは、単なる設計的な事項にすぎない。
　
　なお、審判請求人は、意見書において、引用文献１の発明において温度制御が行われる目的は、堆積物の付着を低減するためであり、一方、引用文献３（上記「引用刊行物２」に相当）では堆積物の剥離の防止であり、目的の異なる引用文献３の記載事項から想到される構成を、引用文献１の発明に組み合わせることは不可能である旨の主張をしているが、拒絶理由通知では、引用文献３により、「防着部材における温度の不均一化」という課題のみを引用しているにすぎないのであるから、上記主張は採用できない。
　
  そして、本願発明１が、引用刊行物１、２の記載及び周知技術からは予想しえない相乗的効果を奏するものとも認められない。
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　上記のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。