【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層堆積（ＡＬＤ）型プロセスによって、反応空間内の基体の表面上に金属薄膜を形成する方法であって、ここで、ＡＬＤ型プロセスが、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互のパルスを提供することを包含し、各サイクルが、以下：
金属ハロゲン化物反応物；
金属薄膜に含まれるべき化学種を含む第二反応物；および
単層からハロゲン化物をゲッタリングし得る第三反応物、
を供給することを含み、
ここで、第三反応物は連続して金属ハロゲン化物反応物に直ちに続くことはなく、そして、ここで、過剰の反応物および/または反応物副生成物は、次の反応物を供給する前に反応空間から除去される。
【請求項２】
第二反応物が窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第二反応物がアンモニアを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第二反応物が炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
金属ハロゲン化物が金属フッ化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
金属ハロゲン化物がＷＦ６である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
表面が金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
表面が銅を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
表面が酸化ケイ素の形態をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
表面が５ｎｍ厚未満の材料によって銅の上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第三反応物がホウ素化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第三反応物がアルキルボロン(alkylboron)化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第三反応物がトリエチルボロン(triethyl boron)(TEB)である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基体温度が約２２５℃と約４００℃との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基体温度が約２７５℃と約３５０℃との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
基体温度が約３００℃と約３２５℃との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
薄膜が伝導性拡散バリアである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
拡散バリアの厚みが約２０ｎｍ未満である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
拡散バリアの厚みが約１０ｎｍ未満である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
拡散バリアの厚みが約５ｎｍ未満である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法によって生産されたナノラミネート(nanolaminate)構造。
【請求項２２】
各層が隣接する層とは異なる組成物を含む、請求項２１に記載のナノラミネート構造。
【請求項２３】
２つの異なる金属窒化物が交互されている、請求項２２に記載のナノラミネート構造。
【請求項２４】
少なくとも１つの金属炭化物層を含む、請求項２１に記載のナノラミネート構造。
【請求項２５】
反応空間中の基体上に材料を堆積する方法であって、基体はハロゲン化物攻撃(halide attack)を受けやすい表面を含み、該方法は、複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを含み、各サイクルは、以下：
ハロゲン化物末端(halide-terminated)化学種の約１以下の単層を表面上に化学吸着する第一反応物；
水素を含有する第二反応物；および
サイクルを繰り返す前に基体表面からハロゲン化物をゲッタリングし得る第三反応物
を供給し、ここで、第三反応物は連続して第一反応物に直ちに続くことはなく、そして、ここで、過剰の反応物および/または反応物副生成物は、次の反応物を提供する前に反応空間から除去される。
【請求項２６】
第一反応物が金属ハロゲン化物を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
第二反応物が窒素のソースを含み、材料が遷移金属窒化物を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
材料がナノラミネートスタック(stack)中に薄膜を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
第三反応物が炭素ソースである、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
第二反応物が非金属種提供反応物(non-metal species-contributing reactant)である、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
原子層堆積（ＡＬＤ）型プロセスによって反応空間内の基体上にＷＮｘＣｙ薄膜を形成する方法であって、ここで、ＡＬＤ型プロセスが複数の堆積サイクルにおいて反応物の交互パルスを提供することを包含し、各サイクルが、以下：
ＷＦ６；
ＮＨ３；および
トリエチルボロン（ＴＥＢ）
を提供することを含み、ここで、過剰の反応物および/または反応物副生成物は、次の反応物を提供する前に反応空間から除去され、ここで、ＴＥＢは、ＷＦ６の後に供給される次の反応物ではない。
【請求項３２】
基体が１以上の感受性表面を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
基体が銅表面を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
基体が誘電体表面を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
基体がケイ素表面を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
ＷＮｘＣｙ薄膜が拡散バリアである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
拡散バリアの厚みが約５ｎｍ未満である、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
基体温度が約３００℃と約３２５℃との間である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】
ＷＮｘＣｙ薄膜が約５５at.-％タングステン、約２５〜約３０at.-％炭素および約１５〜約２０at.-％窒素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
原子層堆積（ＡＬＤ）型プロセスによって反応空間中で基体上に金属ナイトライドカーバイド薄膜を形成する方法であって、該ＡＬＤプロセスは、以下：
表面上に約１以下の単層を化学吸着させるための第一金属含有反応物を供給すること；
反応空間から過剰の第一反応物および反応副生成物を除去すること；
窒素含有第二反応物を供給すること；
反応空間から過剰の第二反応物および反応副生成物を除去すること；
トリエチルボロン（ＴＥＢ）を供給すること；および
反応空間から過剰のＴＥＢおよび反応副生成物を除去することを包含し、ここで、ＴＥＢは、金属含有第一反応物の後に直ちに提供される反応物ではない。
【請求項４１】
金属含有第一反応物が金属ハロゲン化物である、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
金属含有第一反応物がタングステン六フッ化物（ＷＦ６）である、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
金属ナイトライドカーバイドがＷＮｘＣｙである、請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】
第二反応物がＮＨ３である、請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】
集積回路を生産するためのプロセスであって、以下：
基体上の絶縁材料中にトレンチを含むダマシン構造を形成すること；
反応チャンバー中に基体を配置すること；
原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって金属ナイトライドカーバイド拡散バリアを堆積すること；
金属カーバイドナイトライドの上に金属を堆積すること、
を含む。
【請求項４６】
ＡＬＤプロセスが複数のサイクルを包含し、各サイクルがゲッタリング剤の少なくとも１パルスを含む請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
ＡＬＤプロセスが金属ハロゲン化物の１パルスを提供することをさらに包含し、介在する反応物パルスが常に、金属ハロゲン化物のパルスとゲッタリング剤のパルスとの間で提供される、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
介在する反応パルスがＮＨ３のパルスを含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
金属ナイトライドカーバイド拡散バリアを堆積する前に暴露された酸化銅が還元される、請求項４５に記載の方法。
【請求項５０】
暴露された酸化銅が、アルコール、アルデヒドおよびカルボン酸からなる群より選択される化合物で還元される、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
暴露された酸化銅の還元の後に、アンモニアで基体表面を処理する工程を更に含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５２】
基体上に金属酸化物を堆積する工程；および
金属ナイトライドカーバイド拡散バリアを堆積する後かつ金属ナイトライドカーバイド上に金属を堆積する前に、金属酸化物を金属に還元する工程、
を更に含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５３】
堆積された金属酸化物が、アルコール、アルデヒドおよびカルボン酸からなる群より選択される化合物に暴露されることによって還元される、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
金属ナイトライドカーバイド上に金属を堆積させる前にシード層を堆積する工程をさらに含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５５】
金属ナイトライドカーバイドがＷＮｘＣｙである、請求項４５に記載の方法。
【請求項５６】
金属ナイトライドカーバイド上に堆積される金属が銅である、請求項４５に記載の方法。
【請求項５７】
銅が無電解めっき、電気化学的堆積、化学気相成長法および触媒で促進された化学気相成長法からなる群より選択される方法によって堆積される、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
反応チャンバーがクラスターツールの一部である、請求項４５に記載の方法。