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　特願２００７−２６５９８１「圧電薄膜共振子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月　３日出願公開、特開２００８−　７９３２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年８月２７日の出願である特願２００３−３０３７０７号の一部を平成１９年１０月１２日に特願２００７−２６５９８１号として新たな特許出願としたものであって、平成２２年１２月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２３年３月２４日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
　　
　　
第２．平成２３年３月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年３月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　　
 ［理由］
１．補正内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２２年１１月４日付けで補正）の請求項１：
「【請求項１】
基板の第１の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子であって、
　前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、
　前記上部電極及び下部電極はそれぞれルテニウム層、ルテニウム及び銅の合金層、ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びにルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つを含み、
　前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出しているとともに、クロムによる薄膜層が形成されており、前記下部電極は前記空隙に露出していないことを特徴とする圧電薄膜共振子。」を、
　　　　　　　　
「【請求項１】
基板の第１の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子であって、 　前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、
　前記上部電極及び下部電極はそれぞれルテニウム層、ルテニウム及び銅の合金層、ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びにルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つを含み、
　前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出しているとともに、クロムによる薄膜層が形成されており、前記下部電極は前記空隙に露出して
おらず、
　前記ルテニウム層、前記ルテニウム及び銅の合金層、前記ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びに前記ルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つの層は、前記薄膜層上に直接形成されている
　　　
と補正することを含むものである。なお、下線は、平成２３年３月２４日付けの手続補正書において付されているものである。
　　
　すなわち、本件補正は、請求項１において、
  　　　
ａ．「前記ルテニウム層、前記ルテニウム及び銅の合金層、前記ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びに前記ルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つの層は、前記薄膜層上に直接形成されている」という事項を加入している。
　　　　　　
　　　　
２．補正の目的　　　　
　上記補正事項ａ．は、「前記ルテニウム層、前記ルテニウム及び銅の合金層、前記ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びに前記ルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つの層」と「薄膜層」の位置関係を限定したものであるから、特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものである。
　　　　　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　　
　　　
３．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開２００３−２０４２３９号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。ただし、下線は、当審が付した。
　　　　　
（ａ）段落番号【００１４】
「【００１４】本発明において、
第１電極膜および第２電極膜
クロム（Ｃｒ）
　　　　
（ｂ）段落番号【００３９】−【００４１】
「【００３９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電薄膜共振子１００を表す。図２は、図１の線II−IIに沿った断面図である。
【００４０】圧電薄膜共振子１００は、シリコン基板１１０と、その上に形成された積層共振体１２０とを有する。シリコン基板１１０は、（１１１）カットされた単結晶シリコン基板であり、（１１１）面に相当する第１の面１１１および第２の面１１２を有する。積層共振体１２０は、第１電極膜１２１と、第２電極膜１２２と、これらに挟まれた圧電膜１２３とからなる。本実施形態では、第１電極膜１２１は、１００ｎｍの厚みを有し、（１１１）の一軸配向構造をとるＡｌまたはＣｕにより形成されている。第２電極膜１２２は、１００ｎｍの厚みを有し、ＡｌまたはＣｕにより形成されている。圧電膜１２３は、５００ｎｍの厚みを有し、（００２）の一軸配向構造をとるＡｌＮまたはＺｎＯにより形成されている。
【００４１】シリコン基板１１０には、積層共振体１２０の下方に空隙部１１０ａが形成されている。空隙部１１０ａは、第１の面１１１および第２の面１１２に対して垂直にシリコン基板１１０を貫通しており、第２の面１１２における空隙部１１０ａの開口部１１２ａは、第１の面１１１における開口部１１１ａと同一の面積および形状を有する。」
　　　　　　
（ｃ）段落番号【００５４】
「【００５４】次に、図７（ｃ）に示すように、シリコンウエハ１０に対して、レジストパターン２０を介してドライエッチングであるＤｅｅｐ−ＲＩＥを施す。これによって、各素子ごとに空隙部１１０ａが形成される。本実施形態のＤｅｅｐ−ＲＩＥでは、エッチングと側壁保護膜形成とを交互に繰り返して行い、例えば、ＳＦ6ガスによるエッチングを１０秒間とし、Ｃ4Ｆ8ガスによる側壁保護膜形成を１０秒間とし、ウエハに印加するバイアスは２０Ｗ程度とする。これによって、シリコンウエハ１０の第１の面１１および第２の面１２に対して垂直な空隙部１１０ａが形成される。また、このとき、
このようなフッ素系ガスを用いたドライエッチングによっては、Ａｌ，Ｃｕ，ＡｌＮ，ＺｎＯはエッチングされないため、第１電極膜１２１および圧電膜１２２に損傷を与えることなく、信頼性よく空隙部１１０ａを形成することができる。すなわち、Ａｌ，Ｃｕ，ＡｌＮ，ＺｎＯは、このドライエッチングの際のエッチングストッパ層として機能している
る。」
　　　　　
（ｄ）段落番号【００５６】
「【００５６】図８は、本発明の第２の実施形態に係る圧電薄膜共振子２００の断面図である。圧電薄膜共振子２００は、圧電薄膜共振子１００のそれとは異なる第１電極膜２２１および第２電極膜２２２を有する。圧電薄膜共振子１００の第１電極膜１２１および第２電極膜１２２は、ＡｌまたはＣｕよりなる単層導電膜である。これに対し、
圧電薄膜共振子２００の第１電極膜２２１は第１導電層２２１ａおよび第２導電層２２１ｂからなる２層導電膜である。第１導電層２２１ａは、５０ｎｍの厚みを有し、（１１１）の一軸配向構造をとるＡｌまたはＣｕよりなる。第２導電層２２１ｂは、１００ｎｍの厚みを有し、（１１０）の一軸配向構造をとるＭｏよりなる。また、第２電極膜２２２は、１００ｎｍの厚みを有し、Ｍｏよりなる。
　　
（ｅ）図８から次の事項が見て取れる。
（イ）空隙部１１０ａは、第２導電層２２１ｂの下に形成されている。
（ロ）第１導電層２２１ａの全体が、空隙部１１０ａに露出している。
（ハ）第２導電層２２１ｂは、空隙部１１０ａに露出していない。
（ニ）第１導電層２２１ａの上面と、第２導電層２２１ｂの下面が接している。　
　　　　　
　　　　　
　したがって、刊行物１には、図８の第２の実施形態に係る圧電薄膜共振子２００として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　　
「シリコン基板１１０と、その上に形成された積層共振体１２０とを有する圧電薄膜共振子２００であって、
　シリコン基板１１０は、（１１１）カットされた単結晶シリコン基板であり、（１１１）面に相当する第１の面１１１および第２の面１１２を有し、
　積層共振体１２０は、第１電極膜２２１と、第２電極膜２２２と、これらに挟まれた圧電膜１２３とからなり、
　第１電極膜２２１は第１導電層２２１ａおよび第２導電層２２１ｂからなる２層導電膜であって、第１導電層２２１ａは、５０ｎｍの厚みを有し、（１１１）の一軸配向構造をとるＡｌまたはＣｕよりなり、第２導電層２２１ｂは、１００ｎｍの厚みを有し、（１１０）の一軸配向構造をとるＭｏよりなり、
　また、第２電極膜２２２は、１００ｎｍの厚みを有し、Ｍｏよりなり、
　圧電膜１２３は、５００ｎｍの厚みを有し、（００２）の一軸配向構造をとるＡｌＮにより形成されており、
　シリコン基板１１０には、積層共振体１２０の下方に空隙部１１０ａが形成されており、
　前記第２導電層２２１ｂには、その下に形成された空隙部１１０ａに全体が露出している第１導電層２２１ａが形成されており、前記第２導電層２２１ｂは前記空隙部１１０ａに露出しておらず、
　第１導電層２２１ａの上面と、第２導電層２２１ｂの下面が接している、
　圧電薄膜共振子２００。」
　　　　　
　　　　　
４．本願補正発明と引用発明の一致点・相違点
　　　　
　引用発明において、積層共振体１２０は、シリコン基板１１０の上に形成されており、該積層共振体１２０は、第１電極膜２２１と、第２電極膜２２２と、これらに挟まれた圧電膜１２３とからなる。したがって、引用発明のシリコン基板１１０が、本願補正発明の「基板」に相当し、引用発明の圧電膜１２３が、本願補正発明の「基板の第１の面に形成された圧電薄膜」に相当する。
　　　
　引用発明では、第１導電層２２１ａの上面と、第２導電層２２１ｂの下面が接しているから、第２導電層２２１ｂと第２電極膜２２２とで、圧電膜１２３が挟まれている。したがって、引用発明の第２導電層２２１ｂ、第２電極膜２２２が、各々、本願補正発明の下部電極、上部電極に相当し、引用発明と本願補正発明とは、「該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子」である点で一致している。
　　　
　引用発明では、圧電膜１２３は、ＡｌＮにより形成されているから、引用発明と本願補正発明とは、「前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され」ている点で一致している。
　　　　
　引用発明では、前記第２導電層２２１ｂには、その下に形成された空隙部１１０ａに全体が露出している第１導電層２２１ａが形成されており、前記第２導電層２２１ｂは前記空隙部１１０ａに露出していないから、引用発明の第１導電層２２１ａが、本願補正発明の薄膜層に相当し、引用発明と本願補正発明とは、「前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出している薄膜層が形成されており、前記下部電極は前記空隙に露出して」いない点で一致している。
　　　　　
　引用発明では、第１導電層２２１ａの上面と、第２導電層２２１ｂの下面が接しているから、第２導電層２２１ｂ上に、第１導電層２２１ａが直接形成されている。したがって、引用発明と本願補正発明とは、「下部電極は、薄膜層上に直接形成されている」いる点で一致している。
　　　　　　
　したがって、本願補正発明と引用発明の一致点・相違点は、次のとおりである。
　　　
［一致点］
「基板の第１の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子であって、 　
　前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、
　前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出している薄膜層が形成されており、前記下部電極は前記空隙に露出しておらず、
　前記下部電極は、前記薄膜層上に直接形成されていることを特徴とする圧電薄膜共振子。」である点。
　　　　　　　
［相違点１］
　本願補正発明では、上部電極及び下部電極はそれぞれルテニウム層、ルテニウム及び銅の合金層、ルテニウム及びアルミニウムの合金層、並びにルテニウム及びクロムの合金層の少なくとも１つを含むのに対して、引用発明の上部電極及び下部電極は、Ｍｏよりなる点。
　　　　　
［相違点２］
　本願補正発明の薄膜層はクロムによるのに対して、引用発明の薄膜層は、ＡｌまたはＣｕよりなる点。
　　　
　　　
５．相違点についての検討
　　　　
［相違点１について］
　　　　　
　特開２００１−２５１１５９号公報の段落番号【００１１】に、
「【００１１】この発明の実施の形態１の
薄膜圧電体素子
下部電極１３として
ルテニウム等を用いる
　　　
　また、 特開２００１−１６８６７５号公報の段落番号【００２２】に、
「【００２２】また、
上部電極４ａ、下部電極層４
圧電体膜
主伝導層を堆積させた
主伝導層として
ルテニウム、
ルテニウム酸化物
　　　　　　　
　また、圧電素子に関する文献である特開２００３−４６１６０号公報の段落番号【００６０】、【００６３】に、
「【００６０】本発明において、
下部電極３は、
ルテニウム（Ｒｕ）から選択される金属あるいはそれらの酸化物
「【００６３】本発明において、
上部電極４は、
ルテニウム（Ｒｕ）及び金（Ａｕ）から選択される金属あるいはそれらの酸化物
　　　　　　　
　このように、「圧電薄膜素子の下部電極及び上部電極の材料として、ルテニウムを採用すること」は、周知である。
　したがって、引用発明のＭｏからなる第２導電層２２１ｂ及び第２電極膜２２２を、ルテニム層を含む下部電極及び上部電極に置換することは、容易に想到されたことである。
　　　　　　　　　　　
［相違点２について］
　　　
　特開平１０−５０６６７号公報の第７頁の段落番号【００２０】に、
「【００２０】なお、本実施形態においては、
エッチングストップ層として
エッチングをストップできる層であれば良く、例えば、クロム膜等でも良い。
エッチングマスク層として
クロム（Ｃｒ）等でも良い
　　　　
　また、複合圧電基板振動子に関する文献である特開２０００−３５７９３１号公報の段落番号【００１９】に、
「【００１９】その後、図１（ｄ）に示すように、シリコン基板２０の中央部に、
Ｃｒ膜１１’
Ｃｒ膜１１’は、エッチングに対するストッパー膜として作用する
これにより圧電基板１０までエッチングされずＣｒ膜１１’のところでエッチングが停止する
　　　
　このように、エッチングされない材料として、クロムが周知である。
　　　　　
　刊行物１の上記摘記事項（ｂ）に「また、このとき、
このようなフッ素系ガスを用いたドライエッチングによっては、Ａｌ，Ｃｕ，ＡｌＮ，ＺｎＯはエッチングされないため、第１電極膜１２１および圧電膜１２２に損傷を与えることなく、信頼性よく空隙部１１０ａを形成することができる。すなわち、Ａｌ，Ｃｕ，ＡｌＮ，ＺｎＯは、このドライエッチングの際のエッチングストッパ層として機能している
Ａｌ，Ｃｕ
　　　　
　また、刊行物１の上記摘記事項（ａ）に、「本発明において、
第１電極膜および第２電極膜
クロム（Ｃｒ）
　　　
　したがって、引用発明の第１導電層２２１ａの材料として、エッチングストッパ層として機能するアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）の中から、どれを選択して使用するかは、設計的事項であったと認められる。
　　　　　　　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　　　　　　　　　　　  
　なお、審判請求書の「（３）本願発明に特有の効果」では、（３−１）音響インピーダンスの改善と（３−２）メンブレン領域における破壊の抑制について説明している。具体的には、（３−２）メンブレン領域における破壊の抑制において、以下のように説明している。
　「本願発明では、薄膜層に音響インピーダンスがルテニウムより低い（軟らかい）材料であるクロムを用い、その上に下部電極を形成することで、上記メンブレン領域における破壊を抑制することができます（図４）。」
　　　　　　　　　
　上記説明は本願発明の効果に関する説明であるから、上記説明の「メンブレン領域における破壊を抑制することができます」とは、引用発明のように薄膜層にＡｌまたはＣｕを使用した場合と比較してのことであると推測される。
　しかし、ＡｌまたはＣｕは、クロムよりも更に音響インピーダンスが低い（軟らかい）から、引用発明のように薄膜層にＡｌまたはＣｕを使用した方が、本願発明のように薄膜層にクロムを用いるよりも、メンブレン領域における破壊を抑制することができる。
　　　　　　　　　
　当審の見解では、（３−１）音響インピーダンスの改善という観点からは、薄膜層に音響インピーダンスが大きい材料を使用する方が有利である。他方、（３−２）メンブレン領域における破壊の抑制という観点からは、薄膜層に音響インピーダンスが小さい材料を使用する方が有利である。
　したがって、（３−１）音響インピーダンスの改善と（３−２）メンブレン領域における破壊の抑制とはトレードオフの関係にあり、アルミニウム及び銅と、クロムのどちらを薄膜層に用いるのが有利かは一概には言えない。
　また、本願の発明の詳細な説明の段落番号【００７２】には、「【００７２】薄膜層１６の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）若しくはクロム（Ｃｒ）の純金属、又はアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）若しくはクロム（Ｃｒ）の合金、又はアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）若しくはクロム（Ｃｒ）の酸化物、又はアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）若しくはクロム（Ｃｒ）の窒化物等を適用することができる。但し、これらに限らず、フッ素系のガスによるエッチングに対して比較的安定した材料であれば如何なるものも適用することができる。」と記載されており、薄膜層１６の材料として、アルミニウム及び銅よりもクロムが有利である旨の記載はない。
　　　　　　　　　　　　　　
　また、回答書の「４．上記認定に対する反論」において「しかし、
ルテニウムは柔らかく
エッチングにより損傷してしまう
　しかし、この説明は、審判請求書の「（３−２）メンブレン領域における破壊の抑制」の「図４に示すように、本願発明では電極材料に音響インピーダンスの高い
（硬い）材料であるルテニウム
ルテニウム又はルテニウム合金は、一般的にエッチングで使用されるフッ素系のガスや酸系の薬品に対して安定である、すなわちエッチングされにくいという特性を有する
　よって、本願発明の効果に関する請求人の各説明やそれに基づく主張は、採用できない。
　　　　　　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　
　　　　　
６．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　
　　　
第３．本願発明について
　平成２３年３月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年１１月４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものである。
　　　
１．刊行物及び引用発明　　　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び引用発明は、前記「第２．３．」に記載したとおりである。　
　　　　　
　　　　　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２．」で検討した本願補正発明から補正事項ａ．の構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．５．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　　
　　　
３．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。