【事件の表示】
　特願２００４−５３９８６６「エッチング深度を制御する装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日国際公開、ＷＯ２００４／０３００５０、平成１８年　１月　５日国内公表、特表２００６−５００７８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００３年９月１８日（外国庁受理、パリ条約による優先権主張２００２年９月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年３月２４日付けで特許法第１８４条の５第１項に規定する書面が提出され、同年５月１８日付けで同法第１８４条の４第１項に規定する明細書、請求の範囲、図面、及び要約の翻訳文（明細書、請求の範囲、及び図面の翻訳文を、以下、「当初明細書等翻訳文」という。）が提出され、平成１８年９月６日付けで手続補正書が提出され、平成２１年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、同年８月６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年７月１日付けで審尋がなされ、同年１０月３日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年８月６日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］  
　平成２２年８月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］  
　１　本件補正の内容  
　本件補正は、本願の特許請求の範囲の請求項１、１６、及び２０についての補正を含むものであり、当該請求項１、１６、及び２０に係る補正は、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年７月２４日付け手続補正書により補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の請求項１、１６、及び２０の記載を下記（２）に示す特許請求の範囲の請求項１、１６、及び２０の記載に補正するものである（以下、これらの補正を「本件補正事項」という。）。 
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、１６、及び２０
　「【請求項１】
　ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする方法であって、
　第１のエッチング速度で、前記特徴部の第１の深度までエッチングする工程と、
　前記第１のエッチング速度より遅い第２のエッチング速度で、前記第１の深度から第２の深度までエッチングする工程と、
　前記第２の深度が前記所定の深度に達した時期を光学的に決定する工程と、
　前記特徴部のエッチングを停止する工程と、
を備え、
　前記ウェーハは、結晶シリコンウェーハであり、
　前記特徴部は、前記エッチングが前記結晶シリコンウェーハに対して行われることにより前記結晶シリコンウェーハに形成される方法。」
　「【請求項１６】
　ウェーハのシリコン層において終点を有するトレンチをエッチングする方法であって、
　第１のエッチング速度で結晶シリコンウェーハにエッチングする工程と、
　前記第１のエッチング速度でのエッチングの後に、前記第１のエッチング速度より低い第２のエッチング速度で前記結晶シリコンウェーハにエッチングする工程と、
　現在のエッチング深度を光学的に決定する工程と、
　前記トレンチ深度が前記終点に達するようにエッチングを停止する工程と、
を備える方法。」
　「【請求項２０】
　ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする装置であって、
　結晶シリコンウェーハである前記ウェーハを保持するチャックを含むエッチングツールと、
　前記エッチングツールに隣接し、前記結晶シリコンウェーハにエッチングされるべき前記特徴部のエッチング深度を測定するために位置決めされる光学終点デバイスと、
　前記光学終点デバイス及びエッチングツールと通信し、前記所定の深度未満の第１のエッチング深度で前記エッチングツールのエッチング速度を低減させ、前記エッチング深度が前記所定の深度に達するように前記エッチングツールがエッチングするのを停止させるために構成された電子コントローラと、
を備える装置。」
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１、１６、及び２０ 
　「【請求項１】
　ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする方法であって、
　第１のエッチング速度で、前記特徴部の第１の深度までエッチングする工程と、
　前記第１のエッチング速度より遅い第２のエッチング速度
であって、前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度
　
前記所定の深度に近い前記第２の深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて
　前記特徴部のエッチングを停止する工程と、
を備え、
　前記ウェーハは、結晶シリコンウェーハであり、
　前記特徴部は、前記エッチングが前記結晶シリコンウェーハに対して行われることにより前記結晶シリコンウェーハに形成される方法。」
　「【請求項１６】
　ウェーハのシリコン層において終点を有するトレンチをエッチングする方法であって、
　第１のエッチング速度で結晶シリコンウェーハにエッチングする工程と、
　前記第１のエッチング速度でのエッチングの後に、前記第１のエッチング速度より低い第２のエッチング速度
であって、前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度
、
　
前記終点に近い深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて、
　前記トレンチの深度が前記終点に達するようにエッチングを停止する工程と、
を備える方法。」
　「【請求項２０】
　ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする装置であって、
　結晶シリコンウェーハである前記ウェーハを保持するチャックを含むエッチングツールと、
　前記エッチングツールに隣接し、前記結晶シリコンウェーハにエッチングされるべき前記特徴部のエッチング深度を測定するために位置決めされる光学終点デバイスと、
　前記光学終点デバイス及びエッチングツールと通信し、前記所定の深度未満の第１のエッチング深度で前記エッチングツールのエッチング速度を
、第１のエッチング速度から、第２のエッチング速度であって前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きく前記所定の深度に近くにおいて前記光学終点デバイスが前記エッチング深度をより大きな分解能と正確さで測定できる第２のエッチング速度に、
を備える装置。」
（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。） 
　  
　２　本件補正の目的  
　本件補正事項は、本件補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第２のエッチング速度」に「
であって、前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度
前記所定の深度に近い前記第２の深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて
　また、本件補正事項は、本件補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「第２のエッチング速度」に「
であって、前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度
前記終点に近い深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて、
　さらに、本件補正事項は、本件補正前の請求項２０に係る発明における「前記エッチングツールのエッチング速度を」と「低減させ」の間に「
、第１のエッチング速度から、第２のエッチング速度であって前記第１のエッチング速度の前記第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きく前記所定の深度に近くにおいて前記光学終点デバイスが前記エッチング深度をより大きな分解能と正確さで測定できる第２のエッチング速度に、
　よって、本件補正は、本件補正事項についていうならば、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　
　３　本件補正の適否
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討するに、まず、当該請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について、以下に検討する。
　
（１）引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に外国で頒布された刊行物である国際公開第０２／２５６９６号（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付したものである。以下、順に「引用文献記載事項ａ」ないし「引用文献記載事項ｄ」という。また、審決訳として、特表２００４−５２６２９３号公報の記載を援用した。）。 
　
ａ．「In substrate fabrication processes, semiconductor, dielectric, and conductor materials are formed on a substrate and etched to form patterns of gates, vias, contact holes or interconnect lines. ・・・（略）・・・For example, in the etching of gate structures, it is desirable to stop etching of overlying polysilicon when the underlying gate oxide is reached. As another example, it is often desirable to stop a deposition, oxidation or nitridation process when a predetermined thickness of material is obtained.」（第１ページ第１１ないし２６行）（審決訳：基体製造プロセスにおいては、半導体、誘電体、及び導体材料が基体上に形成され、エッチングされて、ゲート、バイア、コンタクトホール、または相互接続線のパターンが形成される。・・・（略）・・・例えば、
ゲート構造のエッチングでは、下側に位置するゲート酸化物に到達した時に、上側に位置するポリシリコンのエッチングを停止させることが望ましい。
　　
ｂ．「A substrate processing apparatus 20 is used to fabricate active or passive electronic devices on a substrate 30. ・・・（略）・・・Spent process gas and etchant byproducts are exhausted from the process chamber 35 via an exhaust system 85 which includes exhaust pumps 90, and a throttle valve 95 is provided to control the pressure of process gas in the process chamber 35.」（第６ページ第１９ないし３３行）（審決訳：
基体処理装置２０は、基体３０上に能動または受動電子デバイスを製造するために使用される。
　  
ｃ．「Operation of an exemplary process chamber 35 according to the present invention having a wall 38, a recessed window 130, and a process monitoring system 25, will now be described with reference to Figure 2. In this example, the process monitoring system 25 comprises an interferometric system that evaluates a property of a substrate reflected radiation beam 148b, such as its intensity, to determine the endpoint of the etching process. The process monitoring system 25 comprises a radiation source 150 that may be outside or inside the chamber 35 to provide a source of radiation in the chamber 35. The radiation source 150 may comprise, for example, an emission from a plasma generated inside the chamber 35 which is generally multi-spectral and provides radiation having multiple wavelengths across a spectrum. The radiation source 150 may also be positioned outside the chamber 35 so that an incident radiation beam 148a from the source 150 may be passed through the window 130 and recess 145 and into the chamber 35. The external radiation source 150 may provide radiation such as ultraviolet (UV), visible or infrared radiation; or may provide other types of radiation such as X-rays. In one embodiment, the radiation source 150 provides radiation having a predominant wavelength, such as a monochromatic radiation having primarily radiation at a single or a few wavelengths, for example, a He-Ne or Nd-YAG laser. 
 In another embodiment, the radiation source 150 provides polychromatic radiation which may be selectively filtered to provide substantially only a single wavelength. For example, suitable radiation sources 150 for providing polychromatic radiation include a plasma emission in the chamber, mercury discharge lamps that are capable of generating a polychromatic radiation spectrum having wavelengths in a range of from about 180 to about 600 nanometers; arc lamps such as Xenon, Hg-Xe and tungsten-halogen lamps; and radiation emitting diodes, such as LEDs. The polychromatic radiation source 150 may be filtered to provide an incident radiation beam 148a having selected frequencies, particular plasma emission spectra wavelengths can be used, or color filters (not show) can be placed in front of a radiation detector 160 to filter out undesirable wavelengths prior to measuring the intensity of the reflected radiation beam 148b entering the radiation detector 160. Also, the incident radiation beam 148a may comprise non-polarized radiation because the polarization state of a polarized radiation may be altered by process residues formed on the process window 130. However, a depo.sition free window 130 as described herein would allow the use of polarized light because little or no process residues would be formed on the window 130.
 The radiation source 150 may be also adapted to direct a radiation beam148a, such as a laser beam at nearly a right angle relative to the surface of the substrate 30, i.e., at an angle of close to 90# to measure etching of features having a high aspect ratio, which may otherwise be blocked from a radiation beam directed at low or acute angle onto the substrate 30. Typically, one or more convex focusing lenses 165 are used to focus a radiation beam 148a from the radiation source 150 into a collimated beam that is directed onto the substrate surface and/or to focus reflected radiation 148b back from the substrate 30 to the radiation detector 160. Generally, the area of the incident beam spot is large (relative to the size of the features) to compensate for variations in surface topography of the substrate 30 for example in the etching of high aspect ratio features having small openings, such as vias or deep narrow trenches; however, it may also be small to focus the beam incident spot onto particular features of the substrate 30.
 Optionally, a positioner 170 may be used to move the incident radiation beam 148a across the substrate surface to locate a suitable portion of the substrate being processed on which to park the beam spot to monitor processing of the substrate 30. Typically, the radiation beam positioner 170 comprises one or more primary mirrors 175 that rotate at small angles to deflect the incident radiation beam 148a from the radiation source 150 onto different positions of the substrate surface, and to receive the reflected radiation beam 148b and focus it on the radiation detector 160. In another embodiment, the positioner 170 scans the source radiation beam 148a in a raster pattern across the substrate surface during processing. For example, the beam positioner 170 may comprise a scanning assembly consisting of a movable stage (not shown), upon which the radiation source 150, focusing assembly, collecting lens, and detector 160 are mounted. The movable stage may be moved through set intervals by a drive mechanism, such as a stepper motor, to move the incident beam spot across the substrate surface.
 The radiation detector 160 comprises an electronic component having a radiation sensitive surface which provides a signal in response to the intensity of the reflected radiation 148b. In interferometry, the reflected radiation 148b undergoes constructive and/or destructive interference to provide an intensity that fluctuates as the thickness of the layer being processed or the depth of trench being etched on the substrate 30 increases or decreases, respectively, and the radiation detector 160 provides an electrical output signal in relation to the measured intensity of the reflected radiation 148b. The detector 160 comprises a radiation sensor, such as a photovoltaic cell, photodiode, photomiiltiplier, or phototransistor, which provides an electrical output signal in response to a measured intensity of the reflected radiation 148. The detector signal can comprise a change in the level of a current passing through an electrical component or a change in a voltage applied across an electrical component.The detector may comprise a photomultiplier (PMT), such as those commercially available from Hamamatsu, Japan.」（第１８ページ第４行ないし第２０ページ第１０行）（審決訳：以下に図２を参照して、壁３８、凹み付き窓１３０、及びプロセス監視システム２５を有する本発明による処理チャンバ３５の実施の形態の動作を説明する。
この例では、プロセス監視システム２５は、基体から反射した放射ビーム１４８ｂの特性（例えば、エッチングプロセスのエンドポイントを決定するために、その強度）を評価する干渉分析システムを備えている。
放射源１５０は、例えば、チャンバ３５の内側で生成されるプラズマからの放出からなり、これは、一般的には多重スペクトルであり、あるスペクトルにまたがる多重波長を有する放射を供給するることができる。
外部放射源１５０は、紫外（ＵＶ）、可視、または赤外放射を発生することも、またはＸ線のような他の型の放射を発生することもできる。一実施の形態では、放射源１５０は、例えばＨｅ−ＮｅまたはＮｄ−ＹＡＧレーザのような単一の、または幾つかの波長の主放射を有する単色放射のような、優位波長を有する放射を発生する
　別の実施の形態では、放射源１５０は多色放射を発生し、それを実質的に単一波長だけを供給するように選択的に濾波することができる。例えば、多色放射を発生する適当な放射源１５０は、チャンバ内のプラズマ放出、約１８０ｎｍから約６００ｎｍまでの範囲内の波長を有する多色放射スペクトルを生成することができる水銀放電灯、キセノン、Ｈｇ−Ｘｅ及びタングステン・ハロゲン灯のようなアーク灯、及びＬＥＤのような発光ダイオードを含む。多色放射源１５０は、特定のプラズマ放出スペクトル波長を使用できるように、選択された周波数を有する入射放射ビーム１４８ａを得るために濾波することも、または放射検出器の前にカラーフィルタ（図示せず）を配置して、放射検出器１６０へ進入する反射放射ビーム１４８ｂの強度を測定する前に不要波長を濾波して除去することもできる。また、偏光された放射の偏光状態がプロセス窓１３０上に形成されたプロセス残留分によって変更され得るので、入射放射ビーム１４８ａは非偏光放射からなることができる。しかしながら、上述したように窓１３０に堆積を生じない場合には、窓１３０上には殆ど、または全くプロセス残留分が形成されないので、偏光光を使用することができる。
　放射源１５０は、レーザビームのような放射ビーム１４８ａを、基体３０の表面に対してほぼ直角に、即ち９０°に近い角度に導いて
高いアスペクト比を有する特徴部のエッチング
一般的には、入射ビームスポットの面積は、例えばバイア、または深くて狭いトレンチのような小さい開口を有する高アスペクト比の特徴部をエッチングする際の
　オプションとして、基体３０の処理を監視するためにビームスポットを“駐車”させるように、基体表面を横切って入射放射ビーム１４８ａを運動させて処理中の基体の適当な部分を探知する位置決め装置１７０を使用することができる。典型的には、放射ビーム位置決め装置１７０は、小さい角度だけ回転して放射源１５０からの入射放射ビーム１４８ａを基体表面の異なる位置上へ偏向させ、また反射放射ビーム１４８ｂを受けてそれを放射検出器１６０上に集束させる１つまたはそれ以上の主鏡１７５からなる。別の実施の形態では、位置決め装置１７０は、処理中に源放射ビーム１４８ａを基体表面を横切ってラスタパターンで走査させる。例えば、ビーム位置決め装置１７０は、放射源１５０、集束用アセンブリ、集光レンズ、及び検出器１６０を取付けた可動ステージ（図示せず）からなる走査アセンブリを含むことができる。この可動ステージは、基体表面を横切って入射ビームを運動させるために、ステッパモータのような駆動メカニズムによって、設定された間隔で運動させることができる。
　放射検出器１６０は放射感応表面を有する電子成分からなり、反射放射１４８ｂの強度に応答して信号を発生する。干渉分析法においては、反射放射１４８ｂは、建設的及び／または破壊的干渉を受けて処理中の層の厚み、または基体３０上のエッチング中のトレンチの深さの増減に伴って変動する強度を発生し、放射検出器１６０は、反射放射１４８ｂの測定された強度に関係付けられた電気出力信号を発生する。検出器１６０は、反射放射１４８ｂの測定された強度に応答して電気出力信号を発生する光起電力セル、フォトダイオード、光電子増倍管、またはフォトトランジスタのような放射センサからなる。検出器信号は、電気成分を通過する電流のレベルの変化、または電気成分にまたがって印加される電圧の変化からなることができる。検出器は、日本のハママツから市販されているような光電子増倍管（ＰＭＴ）からなることができる。）
　
ｄ．「A controller 155 receives the signal from the radiation detector 160, evaluates the signal relative to calculated values, using an algorithm, or from stored values, and changes process conditions in the process chamber 35 in relation to the evaluated signal or according to programmed guidelines. For example, upon detection of a process endpoint, the controller 155 may change first process conditions to second process conditions to change a rate of etching of a layer on the substrate 30 before the entire layer is etched through, or to stop the etching process. The etch rate may be reduced by changing the composition of the process gas to reduce the content of the more chemically reactive etchant gases, the RF energy coupled to the process gas may be lowered, or the substrate temperature may be lowered. A typical controller 155 comprises a computer comprising one or more central processor units (CPUs) interconnected to a memory system with peripheral control components, such as for example, a PENTIUM microprocessor, commercially available from Intel Corporation, Santa Clara, California. The CPUs can also comprise ASIC (application specific integrated circuits) that operate a particular component of the process chamber 35. The interface between an operator and the computer controller 155 can comprise a CRT monitor and a radiation pen (not shown), or other devices, such as a keyboard, mouse or pointing communication device. A computer program or computer instructions may be used to operate the controller.」（第２０ページ第１１ないし２９行）（審決訳：コントローラ１５５は、放射検出器１６０から信号を受信し、アルゴリズムを使用して計算された値、または格納されている値に対してその信号を評価し、そして評価された信号に関係付けて、またはプログラムされているガイドラインに従って処理チャンバ３５内の処理条件を変化させる。例えば、
プロセスのエンドポイントに到達したことを検出すると、コントローラ１５５は第１の処理条件を第２の処理条件へ変化させ、基体上のある層の全体がエッチングされる前にその層のエッチング速度を変化させるか、またはエッチングプロセスを停止させることができる。エッチング速度はプロセスガスの組成を変化させ、化学的により反応性のエッチャントガスの含量を減少させることによって低下させることができ、プロセスガスに結合されるＲＦエネルギを低下させることができ、または基体温度を下降させることができる。
　
（２）引用文献に記載された発明
　引用文献には、以下の事項が記載されている。
ア　引用文献記載事項ｃの「高いアスペクト比を有する特徴部のエッチング」及び「一般的には、入射ビームスポットの面積は、例えばバイア、または深くて狭いトレンチのような小さい開口を有する高アスペクト比の特徴部をエッチングする際の」の記載によると、高アスペクト比の特徴部をエッチングする方法が記載されている。
　
イ　引用文献記載事項ｄの「プロセスのエンドポイントに到達したことを検出すると、コントローラ１５５は第１の処理条件を第２の処理条件へ変化させ、基体上のある層の全体がエッチングされる前にその層のエッチング速度を変化させるか、またはエッチングプロセスを停止させることができる。エッチング速度はプロセスガスの組成を変化させ、化学的により反応性のエッチャントガスの含量を減少させることによって低下させることができ、プロセスガスに結合されるＲＦエネルギを低下させることができ、または基体温度を下降させることができる。」の記載によると、以下の事項が記載されている。
　・第１の処理条件におけるエッチング速度でエンドポイントまでエッチングすること。
　・第２の処理条件におけるエッチング速度でエンドポイントからさらにエッチングすること。
　・第２の処理条件におけるエッチング速度は第１の処理条件におけるエッチング速度より遅いこと。
　なお、審判請求人は、平成２１年７月２４日付け意見書の「３．特許法２９条２項の要件について：（１）請求項１に係る発明（iii）」において、「しかし、引用文献１においては、・・・（略）・・・まず高速度のエッチングを行い、その後、それよりも遅い速度でエッチングを行うこと（上記（ｃ））については記載されていません。」と主張するが、引用文献記載事項ｄにおいて、第１の処理条件に後続する「第２の処理条件」につき、「エッチング速度は・・・（略）・・・低下させることができ」る旨の記載があるから、「第２の処理条件」の「エッチング速度」が「第１の処理条件」のそれより遅い場合が示されている。よって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
ウ　引用文献記載事項ｃの「この例では、プロセス監視システム２５は、基体から反射した放射ビーム１４８ｂの特性（例えば、エッチングプロセスのエンドポイントを決定するために、その強度）を評価する干渉分析システムを備えている。」、「放射源１５０は、例えば、チャンバ３５の内側で生成されるプラズマからの放出からなり、これは、一般的には多重スペクトルであり、あるスペクトルにまたがる多重波長を有する放射を供給するることができる。」、及び「外部放射源１５０は、紫外（ＵＶ）、可視、または赤外放射を発生することも、またはＸ線のような他の型の放射を発生することもできる。一実施の形態では、放射源１５０は、例えばＨｅ−ＮｅまたはＮｄ−ＹＡＧレーザのような単一の、または幾つかの波長の主放射を有する放射を発生する。」の記載によると、エンドポイントに到達したことを光学的に決定する工程が記載されている。
　
エ　引用文献記載事項ｂの「基体処理装置２０は、基体３０上に能動または受動電子デバイスを製造するために使用される。」、並びに引用文献記載事項ｃの「高いアスペクト比を有する特徴部のエッチング」及び「一般的には、入射ビームスポットの面積は、例えばバイア、または深くて狭いトレンチのような小さい開口を有する高アスペクト比の特徴部をエッチングする際の」の記載によると、基体に対してエッチングが行われ、高アスペクト比の特徴部が形成されることが記載されている。
　
　以上のことから、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
　「基体の層において高アスペクト比の特徴部をエッチングする方法であって、
　第１の処理条件におけるエッチング速度で、前記特徴部のエンドポイントまでエッチングする工程と、
　第１の処理条件におけるエッチング速度より遅い第２の処理条件におけるエッチング速度で、前記エンドポイントからさらにエッチングする工程と、
　前記エンドポイントに到達したことを光学的に決定する工程と、
　前記特徴部は、前記エッチングが前記基体に対して行われることにより前記基体に形成される方法。」  
　
（３）対比  
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明における「基体」は、本願補正発明における「ウェーハ」に相当し、以下、同様に、「高アスペクト比の特徴部」は「所定の深度を有する特徴部」に相当し、「第１の処理条件におけるエッチング速度」は「第１のエッチング速度」に相当し、「エンドポイント」は「第１の深度」に相当し、「第２の処理条件におけるエッチング速度」は「第２のエッチング速度」に相当する。
　また、引用発明における「エンドポイントに到達したこと」を「決定する」は、「エンドポイントに到達した時期」を「決定する」ことを意味するから、引用発明における「エンドポイントに到達したことを光学的に決定する工程」と本願補正発明における「前記所定の深度に近い前記第２の深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて前記第２の深度が前記所定の深度に達した時期を光学的に決定する工程」は、「深度に達した時期を光学的に決定する工程」である限りで一致する。
　
　したがって、両者は、
　「ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする方法であって、
　第１のエッチング速度で、前記特徴部の第１の深度までエッチングする工程と、
　前記第１のエッチング速度より遅い第２のエッチング速度で、前記第１の深度からエッチングする工程と、　
　深度に達した時期を光学的に決定する工程と、
　前記特徴部は、前記エッチングが前記ウェーハに対して行われることにより前記ウェーハに形成される方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。  
　
＜相違点１＞
　本願補正発明では、第１のエッチング速度より遅い速度であって、第１のエッチング速度の第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度で、第１の深度から第２の深度までエッチングする工程及び特徴部のエッチングを停止する工程を有しているのに対し、引用発明では、第１のエッチング速度より遅い速度でエッチングしているものの、どの程度遅い速度であるのか明らかでなく、また、エンドポイントからどこまでエッチングしているのかも明らかでなく、さらに、特徴部のエッチングを停止する工程を有しているのかも明らかでない点。
　
＜相違点２＞
　深度に達した時期を光学的に決定する工程が、本願補正発明では、「前記所定の深度に近い前記第２の深度の光学的な測定においてより大きな分解能と正確さを提供する前記第２のエッチング速度の前記エッチングにおいて前記第２の深度が前記所定の深度に達した時期を光学的に決定する工程」であるのに対し、引用発明では、エンドポイントに到達したことを光学的に決定する工程であるものの、それ以外の時期の決定に関しては明らかでない点。
　
＜相違点３＞
　ウェーハが、本願補正発明では、結晶シリコンウェーハであるのに対し、引用発明では、基体とされている点。
　　
（４）判断  
　そこで、上記相違点１ないし３について、以下に検討する。  
　  
ア　相違点１について
　平均のエッチング速度を高めるととも、エッチングの終点で確実にエッチング処理を停止するために、エッチングの終点に近づいた段階で、確実にエッチングの終点検出を行えるようにエッチング速度をそれまでのエッチング速度よりゆっくりにすること、言い換えれば、エッチングの終点に近づいた段階で、エッチングの終点検出の分解能を大きくし正確さを高めるようにエッチング速度をそれまでのエッチング速度より遅くすることは、周知であり（必要であれば、下記の周知文献１の記載を参照。以下、「周知技術１」という。）、また、本願補正発明において、第２のエッチング速度を、第１のエッチング速度の第２のエッチング速度に対する比が３．５：１より大きい第２のエッチング速度にすることの意義に関しては、当初明細書等翻訳文の明細書の【００３８】に「エッチング速度の比（高：低）は、１．３：１より高く、好ましくは１．５：１より高く、更に好ましくは２．５：１より高く、最も好ましくは３．５：１より高くできる。エッチング速度比（高：低）は、約１．５：１乃至２．５：１、好ましくは約２．５：１乃至３．５：１、更に好ましくは３．５：１乃至１０：１の範囲にできる。」と記載されているだけであって、数値に特に臨界的な意義はない。
　また、引用発明において、第１の深度と所定の深度の間に第２のエッチング速度でエッチングされる深度（以下、便宜上、「第２のエッチング速度でエッチングされる深度」という。）があることは明らかであり、上記「第２のエッチング速度でエッチングされる深度」が本願補正発明における「第２の深度」に相当するといえるから、引用発明も、第１の深度から第２の深度までエッチングするものである。
　さらに、引用発明において、エッチングをし続けることは考えられないことから、引用発明が、「特徴部のエッチングを停止する工程」を有していることは、明らかである。　
　よって、引用発明に周知技術１を適用し、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
・周知文献１（特開昭６１−１３１４５２号公報）の記載
　「例えば第一段のリアクタ９でのエッチング速度を大きくして、同程度の時間内にリアクタ９でおおよそのエッチング処理を行ない、かつリアクタ１０においてはゆっくりとエッチングを行なうようにすれば、終点で確実にエッチング処理を停止し得る。すなわちリアクタ１０側で確実に終点検出を行ない得るため、リアクタ９でのエッチングの深さはそれ程正確でなくてもよく、リアクタ９でのエッチング速度を大きくし得、実質的に平均のエッチング速度を高め得る。」（第７ページ右上欄第８ないし１７行）
  　
イ　相違点２について
　エッチング途中の終点ではなく、エッチングの最終的な終点を光学的に検出することは、周知である（必要であれば、下記の周知文献２の記載を参照。以下、「周知技術２」という。）。
　また、周知技術１として示したように、エッチングの終点で確実にエッチング処理を停止するために、エッチングの終点に近づいた段階で、確実にエッチングの終点検出を行えるようにエッチング速度をそれまでのエッチング速度よりゆっくりにすること、言い換えれば、エッチングの終点に近づいた段階で、エッチングの終点検出の分解能を大きくし正確さを高めるようにエッチング速度をそれまでのエッチング速度より遅くすることは、周知である。　
　さらに、引用発明において、上記「第２のエッチング速度でエッチングされる深度」が所定の深度に近いことも明らかである。
　したがって、引用発明において、周知技術１及び２を適用し、光学的に検出する工程を、エンドポイントに達した時期の決定だけではなく、本願補正発明における「第２の深度」に相当する「第２のエッチング速度でエッチングされる深度」が所定深度に達した時期の決定にも適用し、その際、エッチング速度を、光学的に検出する工程での分解能を大きくし正確さを提供するようなエッチング速度として、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
・周知文献２（特開平５−２９９３８６号公報）の記載
　「【０００２】
【従来の技術】従来、ドライエッチング装置に於ける光学式終点検出モニターとして、図１に示すようなドライエッチング装置内のエッチング処理されるべき基板ａに形成されている遮光膜ｂに対するエッチングの終点を検出するために、図２の監視領域ｃの反射率（又は透過率）を監視する方式のものが知られている（特開昭６１−１４９９５５号公報）。
・・・（略）・・・
【０００５】該製品基板ａのエッチング処理は次の手順で行なわれる。まず、真空室ｆ内の気体を排気口ｄから真空ポンプにより排気し、ガス導入口ｅからエッチング用ガスを導入してガス流量と真空室ｆ内の圧力を一定の作動圧力に維持し、高周波電源ｇを作動させて高周波電極ｈに13.5MHzの高周波をかけると、高周波電極ｈと対向電極ｉの間の空間にプラズマが形成され、励起された反応ガスが製品基板ａの表面に入射反応して製品基板ａ上の遮光膜ｂのエッチングが進行する。この間、終点検出系によって製品基板ａの反射率を監視してエッチングの終点が検出されたら、高周波電源ｈを切り、ガスの供給を停止し、真空室ｆ内のガスを排出した後、真空室ａ内に窒素ガスまたは空気を導入して大気圧とし、エッチング処理済み製品基板ａを取り出し、次の製品基板ａをセットする。」（【０００２】ないし【０００５】）
　
ウ　相違点３について
　結晶シリコンウェーハは、エッチングの対象となるウェーハ（引用発明における「基体」）として、周知である（必要であれば、下記の周知文献３の記載を参照。以下、「周知技術３」という。）。
　したがって、引用発明において、結晶シリコンウェーハをエッチング対象とすることは、当業者が適宜なしえた設計的事項にすぎない。
　　
・周知文献３（特開平１１−１８６２２８号公報）の記載
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に単結晶シリコン基板に素子分離要トレンチを形成するドライエッチング方法に関する。」（【０００１】）　
　　
エ　そして、本願補正発明を全体としてみても、本願補正発明の効果は、引用発明及び周知技術１ないし３からみて、格別なものとはいえない。
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
　４　むすび
　以上のとおりであるから、本件補正事項を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について  
　１　本願発明  
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２１年７月２４日付け手続補正書により補正された当初明細書等翻訳文の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（１）」のとおりである。
　
　２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に外国で頒布された刊行物である国際公開第０２／２５６９６号には、上記「第２［理由］３（２）」のとおりの発明（以下、上記「第２［理由］３（２）」と同様に「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
　３　対比・判断
　上記「第２［理由］２」で検討したように、本願補正発明は、本願発明の発明特定事項に限定を加えて減縮したものである。そして、本願発明の発明特定事項に限定を加えて減縮した本願補正発明が上記「第２［理由］３」のとおり、引用発明及び周知技術１ないし３（周知技術１ないし３は、上記「第２［理由］３（４）ア」、「第２［理由］３（４）イ」、及び「第２［理由］３（４）ウ」に記載されたとおりのものである。）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様に引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。