【事件の表示】
　特願２００５−　９２９４４「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日出願公開，特開２００６−２７８５５０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年３月２８日の出願であって，平成２２年６月２２日に手続補正書が提出されたが，同年７月２０日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年１０月２６日に審判の請求がされるとともに，同日付で手続補正書が提出されたものである。その後，平成２３年１２月９日付けで審尋がされ，これに対し，平成２４年２月８日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２２年１０月２６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
 　 
〔理由〕
１　本件補正
（１）本件補正の内容
　平成２２年１０月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし８を，補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７と補正するとともに，明細書を補正するものであるところ，補正前後の請求項１の記載は，次のとおりである。
　
　ア　補正前
「【請求項１】
　下部電極膜を形成する工程と，
　前記下部電極膜上に，厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜を形成する工程と，
　前記強誘電体膜に対して，酸化雰囲気中で熱処理を行うことにより，前記強誘電体膜を結晶化する工程と，
　前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と，
　を有し，
　前記熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　イ　補正後
「【請求項１】
　下部電極膜を形成する工程と，
　前記下部電極膜上に，厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜を形成する工程と，
　前記強誘電体膜に対して，酸化雰囲気中で熱処理を行うことにより，前記強誘電体膜を結晶化する工程と，
　前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と，
　を有し，
　前記熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍとし，
　前記強誘電体膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅を４．６度以下とし，
　前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正内容の整理
（補正事項１）
　補正前の請求項１に「前記強誘電体膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅を４．６度以下とし，　前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」ことを付加して，補正後の請求項１とする。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項７を削除する。
　
（補正事項３）
　補正前の請求項８に「前記強誘電体膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅を４．６度以下とし，　前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」ことを付加して，補正後の請求項７とする。
　
（補正事項４）
　補正前の明細書の段落【００２６】を，補正後の請求項１の記載にそろえて補正する。
　
２　新規事項の有無について
（１）補正事項１について
　ア　請求人は，補正事項１について，審判請求書の【本願発明が特許されるべき理由】の「（２）補正について」において，「請求項１についての補正は，補正前の請求項７の構成要件を追加するとともに，図９及び図１１に図示されている内容に基づいて，強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とすることを明確にするものであり，所謂限定的減縮を目的とするものであります。」と主張している。
　イ　ここで，「強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値」に関して，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した図面を「当初図面」といい，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）には，以下の記載がある。
　
　ａ．「【００５２】
  （第１の試験）
  第１の試験では，上述の実施形態に倣って下部電極膜を２種類の方法で形成した。その後，強誘電体膜の形成及び結晶化アニールを行った。また，いずれの方法においても，強誘電体膜（ＰＬＺＴ）を結晶化させるために行う１回目のＲＴＡの際のＯ2ガスの流量を変化させた。但し，Ｏ2ガス及びＡｒガスの総流量は２０００ｓｃｃｍに固定した。そして，ＰＬＺＴ膜の形成後に，ＰＬＺＴ膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅（ロッキング半値幅）及び（１０１）面のピーク値を測定した。（１１１）面がスイッチング可能な配向面であるのに対し，（１０１）面はスイッチング可能であるが，強度が弱い配向面である。（１１１）面のロッキング半値幅は４軸Ｘ線回折により求め，（１０１）面のピーク値は３軸Ｘ線回折により求めた。これらの結果を，夫々図３，図４に示す。なお，図３及び図４中の◆は，高温で下部電極膜を形成した場合の結果を示し，■は，低温で下部電極膜を形成した場合の結果を示す。
【００５３】
  図３に示すように，Ｏ2ガスの流量が低くなるほど，ロッキング半値幅が小さくなり，結晶性が向上した。特に，Ｏ2ガスの流量が７５ｓｃｃｍ以下の範囲において低いロッキング半値幅が得られた。また，図４に示すように，Ｏ2ガスの流量が２５ｓｃｃｍ〜７５ｓｃｃｍの範囲において，ＰＬＺＴ膜の（１０１）面への配向はほとんど検出されなかった。但し，Ｏ2ガスの流量が１５ｓｃｃｍ以下の範囲では，ＰＬＺＴ膜が若干（１０１）面へ配向した。これは，酸素欠損が生じたためであると考えられる。これらの結果を考慮すると，Ｏ2ガスの流量は２５ｓｃｃｍ〜７５ｓｃｃｍであることが好ましい。」
　ｂ．「【００５８】
  （第４の試験）
  第４の試験では，上述の実施形態に倣って３種類の厚さの強誘電体膜を形成した。なお，下部電極膜としては，第１〜第３の試験で形成したものとは異なるものを形成した。４軸Ｘ線回折により下部電極膜（Ｐｔ膜）の（１１１）面配向を測定したところ，そのロッキング半値幅は３．０度程度であった。強誘電体膜の形成後には，Ａｒ及びＯ2の雰囲気下で６００℃以下のＲＴＡを行った。次に，厚さが５０ｎｍのＩｒＯx膜を上部電極膜として形成した。次いで，上部電極膜及びＰＬＺＴ膜に対して，７００℃以上のＡｒ及びＯ2の雰囲気中（Ｏ2濃度：０．１−１００％，制限なし）でＲＴＡを行った。このアニールにより，ＰＬＺＴ膜が完全に結晶化すると共に，強誘電体膜と上部電極膜との界面が改善された。更に，下部電極膜（Ｐｔ膜）が緻密化し，下部電極とＰＬＺＴ膜との間の境界面近傍におけるＰｔとＯとの相互拡散が抑制されるようになる。そして，第１の試験と同様に，ＰＬＺＴ膜の（１１１）面のロッキング半値幅及び（１０１）面のピーク値を測定した。これらの結果を図７〜図１２に示す。図７は，ＰＬＺＴ膜の厚さが２００ｎｍの場合の（１０１）面のピーク値を示し，図８は，ＰＬＺＴ膜の厚さが２００ｎｍの場合の（１１１）面のロッキング半値幅を示す。図９は，ＰＬＺＴ膜の厚さが１５０ｎｍの場合の（１０１）面のピーク値を示し，図１０は，ＰＬＺＴ膜の厚さが１５０ｎｍの場合の（１１１）面のロッキング半値幅を示す。図１１は，ＰＬＺＴ膜の厚さが１２０ｎｍの場合の（１０１）面のピーク値を示し，図１２は，ＰＬＺＴ膜の厚さが１２０ｎｍの場合の（１１１）面のロッキング半値幅を示す。なお，図７，図９及び図１１中の「ｃｅｎｔｅｒ」は，ウェハの中央部でのピーク強度を示し，「ｂｏｔｔｏｍ」はウェハの下部（中央部よりオリエンテーションフラットが形成された側の部分）におけるピーク強度を示している。
【００５９】
  図７に示すように，ＰＬＺＴ膜の厚さが２００ｎｍの場合には，Ｏ2ガスの流量が２０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの範囲において，ＰＬＺＴ膜は（１０１）面にほとんど配向していなかった。一方，Ｏ2ガスの流量が１５ｓｃｃｍ以下の範囲では，酸素欠損のために（１０１）面に若干配向した。また，図８に示すように，Ｏ2ガスの流量が低いほど，ロッキング半値幅が低くなり，Ｏ2ガスの流量が１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍの範囲において，４．５度以下の良好なロッキング半値幅が得られた。特に，Ｏ2ガスの流量が２５ｓｃｃｍ程度であると，ロッキング半値幅が４．０度以下となった。これらを考慮すると，Ｏ2ガスの流量は２０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍであることが特に好ましい。
【００６０】
  図９に示すように，ＰＬＺＴ膜の厚さが１５０ｎｍの場合には，Ｏ2ガスの流量が１５ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの範囲において，ＰＬＺＴ膜は（１０１）面にほとんど配向していなかった。一方，Ｏ2ガスの流量が１０ｓｃｃｍ以下の範囲では，酸素欠損のために（１０１）面に若干配向した。また，図１０に示すように，Ｏ2ガスの流量が低いほど，ロッキング半値幅が低くなり，Ｏ2ガスの流量が１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍの範囲において，４．５度以下の良好なロッキング半値幅が得られた。特に，Ｏ2ガスの流量が２５ｓｃｃｍ程度であると，ロッキング半値幅が４．１度以下となった。これらを考慮すると，Ｏ2ガスの流量は１５ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍであることが特に好ましい。
【００６１】
  図１１に示すように，ＰＬＺＴ膜の厚さが１２０ｎｍの場合には，Ｏ2ガスの流量が１０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの範囲において，ＰＬＺＴ膜は（１０１）面にほとんど配向していなかった。一方，Ｏ2ガスの流量が５ｓｃｃｍ以下の範囲では，酸素欠損のために（１０１）面に若干配向した。また，図１２に示すように，Ｏ2ガスの流量が低いほど，ロッキング半値幅が低くなり，Ｏ2ガスの流量が１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍの範囲において，４．５度以下の良好なロッキング半値幅が得られた。特に，Ｏ2ガスの流量が２５ｓｃｃｍ程度であると，ロッキング半値幅が４．２度以下となった。これらを考慮すると，Ｏ2ガスの流量は１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍであることが特に好ましい。」
　ｃ．当初図面の【図４】には，Ｏ2ガスの流量に対して（１０１）面のピーク値を示すグラフが，また，【図７】，【図９】，【図１１】には，ＰＬＺＴ膜の厚さが２００ｎｍの場合，１５０ｎｍの場合，１２０ｎｍの場合の（１０１）面のピーク値を示すグラフが示されている。
　
　ウ　しかしながら，上記摘記事項ａ．〜ｃ．を参照しても，当初明細書には，「強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」との記載は一切なく，ピーク値が低いものについて「ＰＬＺＴ膜は（１０１）面にほとんど配向していなかった。」との記載はあるものの，「前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」ことの技術的意義は記載されていない。
　エ　また，上記各図には，様々な条件下でのＰＬＺＴ膜の（１０１）面のピーク値が示されているが，「厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜」を用い，「熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍ」との条件のもとで，「強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）」とした例は見あたらない。
　オ　そうすると，補正事項１は，当初明細書等に記載がなく，また当初明細書等の記載から自明な事項でもないので，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであり，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（２）補正事項２について
　ア　補正事項２は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものであり，新規事項を追加するものではないことは明らかである。
　
（３）補正事項３，４について
　ア　補正事項３，４は，補正事項１と同様に，「強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」ことを含むものである。
　イ　そして，上記（１）にて検討したとおり，当初明細書等には，「前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）とする」ことが記載されているとはいえない。
　ウ　したがって，補正事項３，４は，当初明細書等に記載がなく，また当初明細書等の記載から自明な事項でもないので，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであり，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（４）新規事項の有無についてのむすび
　以上のとおり，上記補正事項１，３，４を含む本件補正は，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定する要件を満たしていない。
　
３　独立特許要件について
　以上，検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし，かつ，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合において，補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について，以下，予備的に検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，上記１（１）イの補正後の請求項１の記載のとおりである。
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例の記載
 　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１５３０１９号公報（以下「引用例」という。）には，「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１〜３５とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同様。）。
　ア　技術分野
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置及びその製造方法に関し，より詳しくは，強誘電体キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関する。」
　
　イ　第１の実施の形態
・「【００３７】
次に，第１の層間絶縁膜１１上に，表面粗さＲｍｓが０．７９ｎｍ以下の密着層１２を形成する。なお，表面粗さＲｍｓは，測定対象面において，平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根である。
【００３８】
密着層１２として，例えば表面粗さＲｍｓが０．７９ｎｍ以下のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）層を形成する。表面粗さＲｍｓが０．７９ｎｍ以下のアルミナ層をスパッタにより形成する条件として，スパッタ装置のチャンバ内に入れたシリコン基板１の温度を２０〜１００℃とし，チャンバ内に導入するアルゴンガスの流量を１０〜５０ｓｃｃｍとし，ターゲットとしてアルミナを用い，ターゲット・基板間に印加するパワーを０．２〜４．０ｋＷとする。そのような表面粗さを有するアルミナ層の膜厚は，特に限定されるものではないが，５〜１００ｎｍ，より好ましくは，５〜３０ｎｍに形成される。なお，アルミナ層はアモルファス状態である。
【００３９】
密着膜１２は，後述する下部電極と第１層間絶縁膜１１の密着層であって，下部電極の下地層となる。
【００４０】
次に，図１（ｂ）  に示すように，
密着膜１２上に，第１の導電膜１３としてプラチナ（Ｐｔ）膜を５０〜３００ｎｍ，例えば１５０ｎｍの厚さに形成する
【００４１】
この状態では，密着層１２上のＰｔ膜の結晶粒の（１１１）配向方位の傾きは，シリコン基板１上面の垂直方向から２．３度以下に傾いている。なお，本実施形態及び以下の実施形態における配向は，膜又は層の上面に現れる面方位である。
【００４２】
その後に，図２（ａ）  に示すように，
強誘電体膜１４として厚さ１００〜３００ｎｍ，例えば２００ｎｍのチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ；  Ｐｂ（Ｚｒ
１−ｘ
Ｔｉ
ｘ 
 ）Ｏ
３
  ，０＜ｘ＜１）膜をＲＦスパッタ法により第１の導電膜１３上に形成する
【００４３】
厚さ２００ｎｍのＰＺＴ膜を形成する条件として，例えば，スパッタパワーを１ｋＷ，チャンバ内に導入するアルゴンの流量を２０ｓｃｃｍ，基板温度を５０℃，ターゲットとしてＰＺＴ，膜形成時間を３１５秒とする。
【００４４】
なお，強誘電体層１４の形成方法は，その他に，ＭＯＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）溶液を用いたスピンオン法，ＭＯＣＶＤ（  有機金属ＣＶＤ）法，ゾル・ゲル溶液使用のスピンオン法などがある。また，強誘電体層１５の材料としては，ＰＺＴ以外に，ＰＺＴにランタン（Ｌａ），ストロンチウム（Ｓｒ），カルシウム（Ｃａ）の少なくとも１つの元素を含む他のＰＺＴ系材料や，ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ，Ｙ１），ＳｒＢｉ２（Ｔａ，Ｎｂ）２Ｏ９  （ＳＢＴＮ，ＹＺ）等のＢｉ層状構造化合物，その他の金属酸化物強誘電体を採用してもよい。
【００４５】
続いて，
強誘電体膜１４を構成するＰＺＴ膜の第１回目のアニール処理として，急速加熱処理装置を用いて，酸素雰囲気中で温度５８５℃程度，９０秒間程度の条件で急速熱処理（ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ））を行う。この場合，酸素雰囲気には，酸素ガスを流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．  ，アルゴンガスを流量１．９５リットル／ｍｉｎ．  で導入する。この第１回目のＰＺＴアニールによりＰＺＴ膜が結晶化する
【００４６】
続いて，図２（ｂ）  に示すように，
強誘電体膜１４の上に第２の導電膜１５として酸化イリジウム（ＩｒＯ
ｘ
  ）  膜を反応性スパッタ法により例えば２００ｎｍの厚さに形成する
　
　ウ　配向方位について
・「【００７０】
上記した強誘電体キャパシタＱは，密着層１２，下部電極１３ａ，誘電体層１４ａ及び上部電極１５ａの各層の改善により従来よりも優れたキャパシタ特性を有している。そこで，その詳細を以下に説明する。
【００７１】
まず，半導体チップ内で，強誘電体キャパシタＱとＭＯＳトランジスタＴ１  ，Ｔ２  から構成されるメモリセルの特性のバラツキを抑えることを目的として，
強誘電体膜１４を構成するＰＺＴ結晶の配向方位の不均一性を小さくことと，下部電極１３ａを構成するＰｔ結晶の配向方位の不均一性を小さくすることについて説明する
【００７２】
Ｐｔ下部電極１３ａの下の密着層１２の表面粗さがＰｔ膜の配向性に与える影響を調査するために，複数枚のシリコン基板上に１００ｎｍの厚さのＳｉＯ２膜を形成し，さらに，各ＳｉＯ２膜上にそれぞれ種類の異なる膜を形成した。ここでは，種類の異なる膜として，酸化チタン（ＴｉＯ２）膜と酸化プラチナ（ＰｔＯ）  膜とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜のいずれかをＳｉＯ２膜上に形成した。
【００７３】
そして，シリコン基板，ＳｉＯ２膜，Ａｌ２Ｏ３  膜の積層構造を第１の試料とした。また，シリコン基板，ＳｉＯ２膜，ＰｔＯ  膜の積層構造を第２の試料とした。さらに，シリコン基板，ＳｉＯ２膜，ＴｉＯ２膜の積層構造を第３の試料とした。
【００７４】〜【００７６】（略）
【００７７】
そして，
第１の試料のＡｌ
２
Ｏ
３
  膜，第２の試料のＰｔＯ  膜，第３の試料のＴｉＯ
２
膜のそれぞれの上に，真空チャンバ内で同じ条件のスパッタによりプラチナ（Ｐｔ）膜を１５０ｎｍの厚さに形成した
【００７８】
その後に，第１〜第３の試料の各々のＰｔ膜について，（１１１）配向のロッキングカーブを取得し，その半値幅を求めた。その測定は，４軸ゴニオＸ線測定装置を用いて２θ／θ法により測定する。即ち，Ｐｔ膜の（１１１）配向を示す強度のピークが最大となる２θ＝３９．８゜付近に２θ／θ角を固定してウェハをあおりながら（１１１）配向強度のピークを測定するχスキャン法を採用した。これにより，プラチナ膜のχスキャンのあおり角度χと（１１１）配向強度の関係は図７に示すような結果となった。
【００７９】
図７によれば，第１〜第３の試料の層構造について，プラチナ膜の（１１１）配向強度のロッキングカーブの半値幅を小さい順に挙げるとＰｔ／Ａｌ２Ｏ３，Ｐｔ／ＰｔＯ，Ｐｔ／ＴｉＯ２  となる。
【００８０】
また，
第１〜第３の試料にプラチナ膜を形成する前に，Ａｌ
２
Ｏ
３
  膜，ＰｔＯ  膜，ＴｉＯ 
 ｘ
  膜のそれぞれの表面の粗さＲｍｓを測定したところ，図８に示すような結果が得られ，Ａｌ
２
Ｏ
３
  膜のＲｍｓは０．２８，ＰｔＯ  膜のＲｍｓは０．４３，ＴｉＯ
２
膜のＲｍｓは１．８となった
【００８１】
そこで，第１〜第３の試料のＡｌ２Ｏ３  ，ＰｔＯ  ，ＴｉＯ  ｘ  のそれぞれをＰｔ膜とＳｉＯ２膜を密着させるための密着層とし，Ｐｔ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅と密着層のＲｍｓとの関係をプロットしたところ，図９に示すような結果が得られた。図９によれば，Ｐｔ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅と密着層表面のＲｍｓとの間に直線的な相関関係があり，Ｐｔ膜の（１１１）配向性は密着層の表面粗さに大きく依存し，表面粗さＲｍｓが小さくなるほどＰｔ膜の（１１１）配向方位の基板面垂直方向からのずれが小さくなることがわかる。
【００８２】
密着層上のＰｔの自己配向の面方位は（１１１）である。従って，以上のような実験結果により，プラチナの自己配向性を阻害する要因として下地の表面粗さがあり，下地である密着層の平坦性が良いほどプラチナ膜の自己配向が促進される。即ち，密着層の粗さが小さいほどプラチナ膜の自己配向が優勢となる。
【００８３】
なお，同じ材料の密着層であってもその形成条件の相違によってその表面の粗さＲｍｓは異なる。
【００８４】
次に，
第１，第２及び第３の試料の各々のＰｔ膜上にＰＺＴ膜をスパッタにより２００ｎｍの厚さに形成し，急速加熱処理装置で各試料のＰＺＴ膜に一回目の熱処理を行い，各試料のＰＺＴ膜上に酸化イリジウムを上部電極として形成し，その後に，各試料に急速加熱処理装置で二回目の熱処理をした。その後に，第１，第２，第３の試料のそれぞれのＰＺＴ膜の（１１１）配向の特性を評価した
【００８５】
ＰＺＴ膜を真空チャンバ内で形成する条件として，例えば，スパッタパワーを１ｋＷ，チャンバ内に導入するアルゴンの流量を２０ｓｃｃｍ，基板温度を５０℃，ターゲットとしてＰＺＴ，膜形成時間を３１５秒とする。また，
一回目の熱処理条件として，酸素ガスが流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．  ，アルゴンガスが流量１．９５リットル／ｍｉｎ．  で導入された酸素雰囲気中で基板温度５８５℃，加熱時間９０秒間に設定する
【００８６】
また，酸化イリジウム膜をスパッタにより形成する条件として，例えばスパッタ装置のチャンバ内に入れたシリコン基板１の温度を約２０℃とし，チャンバ内に導入するアルゴンガスの流量を約１００ｓｃｃｍ，酸素（Ｏ２）ガスの流量を５６ｓｃｃｍとし，ターゲットとしてイリジウム（Ｉｒ）を用い，ターゲット・基板間に印加するパワーを約２．０ｋＷとする。
【００８７】
さらに，二回目の熱処理条件として，酸素ガスが流量２０ｃｃ／ｍｉｎ．  ，アルゴンガスが流量２リットル／ｍｉｎ．  で導入された酸素雰囲気中で基板温度７２５℃，加熱時間２０秒間に設定する。
【００８８】
第１，第２，第３の試料のＰＺＴ膜のそれぞれの（１１１）配向の特性を評価するために，各ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブを測定し，その半値幅を求めた
【００８９】
図１０によれば，第１〜第３の試料のＰＺＴ膜の下の層構造について，ＰＺＴ膜の（１１１）配向強度のロッキングカーブの半値幅を小さくする順に挙げるとＰｔ／Ａｌ２Ｏ３，Ｐｔ／ＰｔＯ，Ｐｔ／ＴｉＯ２  となる。なお，あおり角度χの半値幅が小さいほど（１１１）配向が良くなる。
【００９０】
また，
第１〜第３の試料のそれぞれのＡｌ
２
Ｏ
３
  膜，ＰｔＯ  膜，ＴｉＯ
２
膜を密着層として，図８の結果に基づき，密着層の表面粗さとＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅との関係をプロットしたところ図１１に示すような結果が得られた
【００９１】
図１１によれば，ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅と密着層表面のＲｍｓとの間に直線的な相関関係があり，ＰＺＴ膜の（１１１）配向性は密着層の表面粗さに大きく依存し，表面粗さＲｍｓが小さくなるほどＰＺＴ膜の（１１１）配向方位の基板面垂直方向からのずれが小さくなることがわかる。」
　
　エ　第２の実施の形態
・「【０１４２】
この後に，図２（ａ）  に示すように，第１の導電膜１３の上に強誘電体膜１４として
ＰＺＴ膜を１２０ｎｍの厚さ
　
　オ　図面
　図１１には，横軸（密着層のＲｍｓ）が０．２８で縦軸（ＰＺＴ（１１１）配向方位の垂直方向からのずれ）が約３°である測定点が見て取れる。
　  
（２−２）引用発明
　ア　引用例において，シリコン基板，ＳｉＯ２膜，Ａｌ２Ｏ３膜の積層構造を有する第１の試料に注目すると，Ａｌ２Ｏ３膜の表面粗さＲｍｓは０．２８である。
　イ　引用例では，第１の試料として，Ａｌ２Ｏ３膜の上に，下部電極１３ａとしてプラチナ（Ｐｔ）膜を１５０ｎｍの厚さに形成し，さらに，誘電体層１４ａとしてＰＺＴ膜をスパッタにより２００ｎｍの厚さに形成し，急速加熱処理装置で試料のＰＺＴ膜に一回目の熱処理を行い，試料のＰＺＴ膜上に酸化イリジウムを上部電極として形成している。また，一回目の熱処理条件は，酸素ガスが流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．，アルゴンガスが流量１．９５リットル／ｍｉｎ．で導入された酸素雰囲気中で基板温度５８５℃，加熱時間９０秒間である。
　ウ　そして，引用例（段落【００４５】）によれば，強誘電体膜１４を構成するＰＺＴ膜の第１回目のアニール処理（急速加熱処理装置を用いて，酸素雰囲気中で温度５８５℃程度，９０秒間程度の条件，酸素雰囲気には，酸素ガスを流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．，アルゴンガスを流量１．９５リットル／ｍｉｎ．で導入。）により，ＰＺＴ膜が結晶化する。
　エ　図１１は，「第１〜第３の試料のそれぞれのＡｌ２Ｏ３膜，ＰｔＯ膜，ＴｉＯ２膜を密着層として，図８の結果に基づき，密着層の表面粗さとＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅との関係をプロットした」結果であるから，図面の縦軸の「ＰＺＴ（１１１）配向方位の垂直方向からのずれ」とは，実質的に「ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅」を意味するものと認められる。そうすると，Ａｌ２Ｏ３膜（Ｒｍｓ：０．２８）を密着層とした場合の「ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅」は，約３度である。
　エ　したがって，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されていることが理解できる。
　
「Ａｌ２Ｏ３膜の上に，下部電極１３ａとしてのプラチナ（Ｐｔ）膜を形成し，
　下部電極１３ａ上に，誘電体層１４ａとしてのＰＺＴ膜を２００ｎｍの厚さに形成し，
　急速加熱処理装置で酸素雰囲気中でＰＺＴ膜に熱処理を行い，ＰＺＴ膜を結晶化し，
　ＰＺＴ膜上に上部電極としての酸化イリジウム膜を形成し，
　前記熱処理では，酸素ガスを流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．導入し，
　ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅は，約３°である
　半導体装置の製造方法。」 
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　本願補正発明と引用発明を対比すると，引用発明の「下部電極１３ａとしてのプラチナ（Ｐｔ）膜」，「誘電体層１４ａとしてのＰＺＴ膜」及び「上部電極としての酸化イリジウム膜」は，それぞれ本願補正発明の「下部電極膜」，「強誘電体膜」及び「上部電極膜」に相当する。
　イ　したがって，引用発明の「下部電極１３ａ上に，誘電体層１４ａとしてのＰＺＴ膜を２００ｎｍの厚さに形成」することと，本願補正発明の「前記下部電極膜上に，厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜を形成する工程」とは，「前記下部電極膜上に」，所定の厚さの「強誘電体膜を形成する工程」であることにおいて共通する。
　ウ　また，引用発明の「前記熱処理では，酸素ガスを流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．導入」することと，本願補正発明の「前記熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍと」することとは，「前記熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を」所定量とすることにおいて，共通する。
　エ　引用発明において，「ＰＺＴ膜の（１１１）配向のロッキングカーブの半値幅は，約３°である」ことは，本願補正発明の「前記強誘電体膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅を４．６度以下」とすることを満たしている。
　オ　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「下部電極膜を形成する工程と，
　前記下部電極膜上に，所定の厚さの強誘電体膜を形成する工程と，
　前記強誘電体膜に対して，酸化雰囲気中で熱処理を行うことにより，前記強誘電体膜を結晶化する工程と，
　前記強誘電体膜上に上部電極膜を形成する工程と，
　を有し，
　前記熱処理の際に，Ｏ2ガスの流量を所定量とし，
　前記強誘電体膜の（１１１）面のロッキングカーブの半値幅を４．６度以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　であることにおいて一致しており，次の３点で相違している。
　
〈相違点１〉
　本願補正発明は，「厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜」を形成しているのに対して，引用発明は，ＰＺＴ膜の厚さを２００ｎｍとしている点。
〈相違点２〉
　本願補正発明は，「Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍ」としているのに対して，引用発明は，酸素ガスを流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．導入している点。
〈相違点３〉
　本願補正発明は，「前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）」としているのに対して，引用発明は，（１０１）面について特定されていない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１について
　ア　引用発明においては，２００ｎｍのＰＺＴ膜を形成しているが，引用例（段落【００４２】）に「強誘電体膜１４として厚さ１００〜３００ｎｍ，例えば２００ｎｍのチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ；  Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ  ）Ｏ３  ，０＜ｘ＜１）膜」と記載されるように，２００ｎｍは例示であって，強誘電体膜の厚さを「１００〜３００ｎｍ」の範囲から適宜選択することは，引用例に開示されている技術的事項であるといえる。
　イ　また，引用例（段落【０１４２】）には，製法が異なるものの，強誘電体膜１４としてＰＺＴ膜を１２０ｎｍの厚さ，すなわち，１５０ｎｍ以下の厚さに形成することも記載されている。
　ウ　そして，一般に，キャパシタを構成する際に，誘電体膜の厚さを薄くした方が，容量の大きいキャパシタを得ることができることは技術常識であるから，強誘電体キャパシタの誘電体膜であるＰＺＴ膜の厚さを薄くすることは，当業者であれば容易に想到しうることである。
　エ　そうすると，引用発明において，強誘電体膜であるＰＺＴ膜を形成する際に，本願補正発明のように「厚さが１５０ｎｍ以下の強誘電体膜」を形成することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（４−２）相違点２について
　ア　引用発明の「流量５０ｃｃ／ｍｉｎ．」は，「流量を５０ｓｃｃｍ」としたことに相当するから，引用発明は，本願補正発明よりも多くの酸素を流しているが，以下の周知例１（拒絶査定で例示された周知例）にも記載されるように，従来より，熱処理雰囲気の酸素分圧が低いほど，ＰＺＴ膜の結晶化温度が低下することが知られているから，結晶化温度の低温下を図るために，酸素分圧，すなわち，酸素流量を少なくすることは，当業者が適宜なし得ることである。
　
　周知例１：特開２００２−９４０２３号公報
　上記周知例１には，「【００２３】［第２の比較例］次に，熱処理雰囲気の影響を調べた。図３は，熱処理時の酸素分圧を変化させ，得られた膜のペロブスカイト相含有率を前記（１）式に従って計算したものを縦軸に，横軸を熱処理温度としてプロットしたグラフである。ここでは，Ａｒ／Ｏ2＝９／１，０．８Ｐａ（５．７ｍＴｏｒｒ），４００℃，３ｋＷ，５分間スパッタ成膜を行った後に施す熱処理雰囲気の影響を調べた。用いたターゲット組成は，Ｐｂ1.1Ｚｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏxである。熱処理雰囲気の酸素分圧が低いほど，ペロブスカイト相への結晶化温度が低下する様子が見られ，熱処理雰囲気を酸素分圧０とした場合には，４８０℃でペロブスカイト相への結晶化を実現した。」と記載されている。
　
　イ　ところで，本願明細書（段落【００２７】）によれば，本願の発明は，熱処理における酸化性ガスの流量を適切に規定し，強誘電体膜の配向性を良好なものとしたものと解されるが，一般に，熱処理を行う際の酸化雰囲気は，単に「Ｏ2ガスの流量」のみで特定できるものではなく，同時に加えるガスの種類や流量，処理室内の圧力や構造等，様々な条件を設定した上で定まるものであり，最適な「Ｏ2ガスの流量」も，他の条件により影響を受けるものと認められるから，最適な「Ｏ2ガスの流量」は，他の条件を定めた上で，当業者が適宜決定しうるものと認められる。
　ウ　また，本願補正発明の「Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍ」とすることは，本願明細書の段落【００７４】を根拠とするものと認められるが（意見書での主張を参照），段落【００７４】には，「アニール温度が６００℃〜６３０℃の範囲，Ｏ2ガスの流量が１５ｓｃｃｍ〜２５ｓｃｃｍの範囲では，スイッチング電荷量はほとんど変化しなかった。」との記載はあるものの，図２４，２５にはＯ2ガスの流量として１５ｓｃｃｍと２５ｓｃｃｍのデータのみが記載されており，他の流量との比較等はなく，適切な「Ｏ2ガスの流量」として，「１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍ」の範囲に，格別の臨界的意義があるとも認められない。
　エ　そうすると，引用発明において，上記周知の技術的事項等を勘案して，酸素流量をさらに少なくし，本願補正発明のように「Ｏ2ガスの流量を１５ｓｃｃｍ乃至２５ｓｃｃｍ」とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（４−３）相違点３について
　ア　まず，本願補正発明の「前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）」とすることの技術的意義を検討すると，「arb. unit」とは，一般に，「arbitrary unit」の省略形であって，「任意単位」と言われるものであり，所定の基準測定系に対する物質量・強度等の量の比を表すために用いられる，相対的な物理単位である。したがって，何の測定条件も設定せずに「１００（arb. unit）」とすることは，他との比較ができないから，発明の特定事項として，何らの技術的意義も認めることはできない。
　イ　請求人は，審判請求書の【本願発明が特許されるべき理由】の「（２）補正について」において，「１００（arb. unit）の単位である『arb. unit』が『ｃｐｓ』と等価であることは当業者にとって明らかであり，補正後の発明は明確であるということができます。」と主張するが，「arb. unit」がＸ線回折の強度を示す「ｃｐｓ」と等価であるとしても，やはり，Ｘ線回折の測定条件等を何ら設定することなく，強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を「１００（ｃｐｓ）」（＝１００（arb. unit））と特定することは，他との比較ができないから，格別の技術的意義を認めることはできない。
　ウ　さらに，以下の周知例２にも示されるように，強誘電体膜の（１０１）面は，従来よりＸ線回折において回折強度を測定していた結晶面であり，その強度が比較的弱いことも周知の技術的事項であるから，強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を小さいものとすることは，当業者が適宜なし得ることである。
　
　周知例２：特開平１１−３４０４２８号公報
　上記周知例２には，「【００３６】仮焼成を終えた後，ＲＴＡにより結晶化の熱処理を行い，得られたＰＬＺＴ膜の結晶性をＸ線回折法により測定した。Ｘ線回折により得られた結果を表１に示す。なお，Ｘ線回折の測定は，スイッチング可能な配向方向である（１１１）面ピ−クの他，スイッチング可能であるが強度が弱い（１０１）面ピ−クおよびスイッチングに寄与しない（１００）に対して行なった。これらのピークの回折強度および相対強度（％配向性）を表１に示す。」と記載されている。
　
　エ　そうすると，引用発明において，本願補正発明のように「前記強誘電体膜の（１０１）面のロッキングカーブのピーク値を１００（arb. unit）」とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（５）小括
　したがって，本願補正発明は，引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって，本件補正は，本願補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。 
　 
４　補正の却下についてのむすび 
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。また，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし，かつ，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとみなした場合であっても，同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。 
　したがって，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　上記のとおり，本件補正は却下されたので，本願発明（本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明）は，前記第２，１（１）アに摘記したとおりのものである。
　
　２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載及び引用発明は，前記第２，３（２）で認定したとおりである。
　
　３　対比・判断
　本願補正発明は，本件補正前に記載した発明特定事項を更に限定するものである。 
　そうすると，本願発明の構成要素をすべて含み，これを更に限定したものである本件補正発明が，前記第２，３（３）ないし（５）で検討したように，引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，この限定をなくした本願発明も，同様の理由により，引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明（請求項１に係る発明）は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。