【事件の表示】
　特願２００５−５１７４３４「シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日国際公開、ＷＯ２００５／０７３４３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は２００５年１月２４日（優先権主張２００４年２月２日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年３月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月３０日付けで意見書と手続補正書が提出され、同年１２月２日付けで拒絶査定され、平成２１年１月７日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同年１月２７日付けで手続補正書が提出され、平成２３年６月２１日付けで特許法第１６４条第３項の規定に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年８月８日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２．本願発明
　平成２１年１月２７日付け手続補正書による補正は、平成２０年５月３０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１及び４〜７を削除したものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に該当し適法なものである。
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２１年１月２７日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であって、前記シリコン単結晶が、結晶成長軸方向全域に亘って、ＯＳＦリング外側のＮｖ領域であり、前記シリコン単結晶中のＣｕ濃度が、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、前記シリコン単結晶内部にＣｕ析出物が存在しないものであり、前記シリコン単結晶が、前記Ｃｕ析出物に起因するＯＳＦが発生しないものであり、且つ前記シリコン単結晶から製造されるシリコンウェーハが、前記ウェーハの表面に変形空洞欠陥が存在しないものとなるものであることを特徴とするシリコン単結晶。
　
第３．引用文献
１．引用文献１
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−８０１９３号公報（原査定の拒絶理由において引用文献１として引用されたもの。以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「（１）シリコン単結晶中の不純物濃度がＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ並びにＣｒについていずれもそれぞれ０．１ｐｐｔａ以下であり、且つ総量が０．４ｐｐｔａ以下であることを特徴とする酸化誘起積層欠陥の発生を抑制したシリコン半導体単結晶。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２）「酸化誘起積層欠陥（以下ＯＳＦと記す）」（１頁右下欄４〜５行）
（３）「〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明は、シリコン半導体単結晶基板のＯＳＦが実質的にゼロであるシリコン半導体単結晶を提供することを課題とし、特にＯＳＦの発生密度としてｎ型、（１００）方位の半導体集積回路素子基板において、１００ケ／ｃｍ３以下であり、更に１０ケ／ｃｍ３以下であるシリコン半導体単結晶を提供することを課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
　上記課題を解決するために、本発明においては、シリコン単結晶中の不純物濃度がＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ並びにＣｒについていずれもそれぞれ０．１ｐｐｔａ以下であり、且つ総量が０．４ｐｐｔａ以下であるシリコン半導体単結晶を用いることによって、ｎ型、主面結晶方位（１００）の鏡面基板上のＯＳＦの発生密度を１００ケ／ｃｍ３以下に抑制するものである。」（２頁右上欄１９行〜同頁左下欄１５行）
（４）「実施例１〜４
　単結晶シリコン中の主要不純物濃度を第３表に示したように調製したシリコン単結晶を引き上げた」（４頁右下欄下から６〜９行）
　
２．引用文献２
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−３２７４９３号公報（原査定の拒絶理由において引用文献３として引用されたもの。以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のように全面Ｎ領域であり、熱酸化処理した際にＯＳＦリングを発生せず、かつ全面にＦＰＤ、Ｌ／Ｄが存在しない単結晶であるにもかかわらず酸化膜欠陥が著しく発生する場合があることがわかった。そして、これが酸化膜耐圧特性のような電気特性を劣化させる原因となっており、従来の全面がＮ領域であるというだけでは不十分であり、電気特性を一層向上させることが望まれていた。さらに、上記酸素析出が多いＮｖ領域で結晶を育成してもゲッタリング能力にバラツキが生じ、必ずしもデバイス歩留りを向上させることにならない場合があり、品質のさらなる改善が望まれていた。
そこで本発明は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供することを目的とする。」（【００１２】〜【００１３】）
（２）「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明によれば、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在せず、かつ少なくともウエーハ中心が、酸素析出処理後のＢＭＤ密度が１×１０７個／ｃｍ３以上及び／又はウエーハライフタイムが３０μｓｅｃ以下の数値を示す高酸素析出Ｎｖ領域内のものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハが提供される（請求項１）。
このようなシリコン単結晶ウエーハは、Ｖ領域のＦＰＤ等の欠陥、Ｉ領域の巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）、及びＯＳＦ欠陥が形成されないＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥（Ｃｕデポジション欠陥）が存在せず、ウエーハライフタイムが低くなる程の高酸素析出により極めて高いゲッタリング能力を有し、しかも、高酸化膜耐圧で優れた電気特性を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるものとなる。」（【００１４】〜【００１５】）
（３）「６）Ｃｕデポジション法は、半導体ウエーハの欠陥の位置を正確に測定し、半導体ウエーハの欠陥に対する検出限度を向上させ、より微細な欠陥に対しても正確に測定し、分析できるウエーハの評価法である。
具体的なウエーハの評価方法は、ウエーハ表面上に所定の厚さの絶縁膜を形成させ、前記ウエーハの表面近くに形成された欠陥部位上の絶縁膜を破壊して欠陥部位にＣｕ等の電解物質を析出（デポジション）するものである。つまり、Ｃｕデポジション法は、Ｃｕイオンが溶存する液体の中で、ウエーハ表面に形成した酸化膜に電位を印加すると、酸化膜が劣化している部位に電流が流れ、ＣｕイオンがＣｕとなって析出することを利用した評価法である。酸化膜が劣化し易い部分にはＣＯＰ等の欠陥が存在していることが知られている。」（【００３０】〜【００３１】）
　
第４．対比・判断
１．引用発明
ア．引用文献１の（１）に記載の「シリコン単結晶」すなわち「シリコン半導体結晶」は、Ｃｕの不純物濃度が「０．１ｐｐｔａ以下であり・・・・・・酸化誘起積層欠陥の発生を抑制したシリコン半導体単結晶」といえる。
イ．引用文献１の（３）の「シリコン単結晶を引き上げた」との記載から、上記（１）の「シリコン半導体単結晶」は、「引き上げた」ものといえる。
ウ．引用文献１の（２）に「酸化誘起積層欠陥」と「ＯＳＦ」が同義と記載されており、同（３）の「本発明は、シリコン半導体単結晶基板のＯＳＦが実質的にゼロであるシリコン半導体単結晶」との記載からみて、引用文献１の（１）に記載の「シリコン半導体結晶」に関し、「酸化誘起積層欠陥の発生を抑制した」とは、「酸化誘起積層欠陥の発生が実質的にゼロ」とみることができる。
エ．上記ア．〜ウ．の検討を踏まえ、引用文献１の（１）〜（４）の記載事項を、本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「引き上げたシリコン半導体単結晶中のＣｕ不純物濃度が０．１ｐｐｔａ以下であり、ＯＳＦの発生が実質的にゼロのシリコン半導体単結晶。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
２．本願発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明の「引き上げたシリコン半導体単結晶」は、チョクラルスキー法によって引き上げられたことは明らかであるから、本願発明の「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶」に相当する。
イ．引用発明の「Ｃｕ不純物濃度が０．１ｐｐｔａ以下」とは、単位を換算すると、「５×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」であるから、本願発明の「結晶成長軸方向全域に亘って、Ｃｕ濃度が、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満」と「結晶成長軸方向全域に亘って、Ｃｕ濃度が、５×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下」である点で一致し、引用発明においてもＣｕ析出物が存在しないものといえる。
ウ．引用発明の「ＯＳＦの発生が実質的にゼロ」であるから、引用文献１には記載はないものの、引用発明のシリコン半導体結晶は結晶成長軸方向全域に亘ってＮ領域であることは明らかである。
エ．引用文献１の（３）には、「シリコン単結晶中の不純物濃度がＣｕ・・・・・・について・・・・・・０．１ｐｐｔａ以下であ・・・・・・るシリコン半導体単結晶を用いることによって、ｎ型、主面結晶方位（１００）の鏡面基板上のＯＳＦの発生密度を１００ケ／ｃｍ３以下に抑制するものである。」と記載されているから、Ｃｕ、すなわち、Ｃｕ析出物に起因するＯＳＦの発生が実質的にゼロ、すなわち、発生しないといえる。
オ．上記ア．〜エ．の検討を踏まえると、両者は、
「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であって、前記シリコン単結晶が、結晶成長軸方向全域に亘って、前記シリコン単結晶中のＣｕ濃度が、５×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、前記シリコン単結晶内部にＣｕ析出物が存在しないものであり、前記シリコン単結晶が、前記Ｃｕ析出物に起因するＯＳＦが発生しないものであるシリコン単結晶。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：本願発明は、結晶成長軸方向全域に亘って、ＯＳＦリング外側のＮｖ領域であるのに対し、引用発明はＮ領域である点
相違点２：本願発明は、シリコン単結晶から製造されるシリコンウェーハが、前記ウェーハの表面に変形空洞欠陥が存在しないものであるのに対し、引用発明はかかる事項を有していない点
　次に、これら相違点について検討する。
カ．相違点１について
　引用文献２の（１）には、「従来の全面がＮ領域であるというだけでは不十分であり、電気特性を一層向上させることが望まれていた。さらに、上記酸素析出が多いＮｖ領域で結晶を育成してもゲッタリング能力にバラツキが生じ、必ずしもデバイス歩留りを向上させることにならない場合があり、品質のさらなる改善が望まれていた」ことが記載されており、そのために、同（２）には、シリコン単結晶を「リング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、・・・・高酸素析出Ｎｖ領域」とすることが開示されているといえる。
　そうすると、デバイス歩留りを向上させ、品質を更に向上させるために、引用発明において、シリコン半導体単結晶のＮ領域をリング状に発生するＯＳＦの外側の高酸素析出Ｎｖ領域とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　そして、ＯＳＦの外側の高酸素析出Ｎｖ領域とは、同（２）の「ＯＳＦの外側のＮ領域であって・・・・・・高酸素析出Ｎｖ領域」との記載によれば、ＯＳＦの外側のＮｖ領域に含まれるから、上記相違点１に係る本願発明の特定事項をなすことは当業者であれば困難なくなし得ることである。
キ．相違点２について
　「ウェーハの表面に変形空洞欠陥」について、本願明細書の【００１７】には「変形空洞欠陥とは、シリコン単結晶の［１００］方向及び［１１０］方向に伸びる、棒状若しくは特殊な形状の空洞欠陥のことである」と記載されている。
　一方、引用文献２の（２）によれば、「リング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、・・・・高酸素析出Ｎｖ領域」とは、「Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在」しない領域のことである。そして、同（３）「Ｃｕデポジション」はＣＯＰ等の欠陥、すなわち、空孔等の欠陥の存在を測定するものであるから、「リング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、・・・・高酸素析出Ｎｖ領域」には空孔等の欠陥が存在しないといえる。
　さらに、引用発明は、引用文献１の（３）によれば、主面結晶方位が（１００）であるから、引用発明のＮ領域を引用文献２に記載されるリング状に発生するＯＳＦの外側の高酸素析出Ｎｖ領域とすれば、主面結晶方位（１００）を含む方位の空孔等の欠陥が存在しない、すなわち、「ウェーハの表面に変形空洞欠陥」が存在しないものとなり、上記相違点２に係る本願発明の特定事項は当業者であれば困難なくなし得ることである。
　
第５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。