(57)【要約】【課題】電源オフ時において、磁心が着磁する可能性を低くすることができる電流検出装置を提供する。【解決手段】電流検出装置１０は、磁心１３、励磁コイル１４、励磁部１２、検出抵抗１５、検出部１７及び遮断制御部２０を備える。励磁部１２は、電源電圧Ｖ０の供給を受けて、所定の周波数の励磁電圧Ｖ１を励磁コイル１４に印加して励磁コイル１４に流れる励磁電流を生成する。検出抵抗１５は、励磁電流を検出電圧Ｖ２に変換する。検出部１７は、検出電圧Ｖ２を用いて導体３０に流れる電流を検出する。遮断制御部２０は、電源電圧Ｖ０を遮断する。遮断制御部２０は、電源電圧Ｖ０の遮断を指示する遮断指令信号Ｓ１を受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁部１２から出力される励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで当該励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにする。【選択図】図１
2017125722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体が挿通される磁心と、
前記磁心に巻かれた励磁コイルと、
電源電圧の供給を受けて、所定の周波数の励磁電圧を前記励磁コイルに印加して前記励磁コイルに流れる励磁電流を生成する励磁部と、
前記励磁電流を電圧信号に変換する変換部と、
前記電圧信号を用いて前記導体に流れる電流を検出する検出部と、
前記電源電圧を遮断する遮断制御部とを備え、
前記遮断制御部は、
前記電源電圧の遮断を指示する遮断指令信号を受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部から出力される前記励磁電圧が変化するタイミングで当該励磁電圧をグランドレベルにする
ことを特徴とする電流検出装置。
【請求項２】
前記検出部に基準電圧を出力する基準電圧発生部を、さらに備え、
前記電源電圧は、片電源構成の電源部から供給され、
前記検出部は前記電圧信号と前記基準電圧との差分に基づいて前記導体に流れる電流を検出し、
前記遮断制御部は、さらに、
前記遮断指令信号を受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部の前記励磁電圧が変化するタイミングで前記基準電圧をグランドレベルにする
ことを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
前記励磁部は、前記変換部の電圧信号が入力されることにより自励発振する構成を有しており、
前記遮断制御部は、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部の前記励磁電圧が変化するタイミングで前記励磁部の前記自励発振を停止する
ことを特徴とする請求項２に記載の電流検出装置。  
【請求項４】
前記電源電圧は、両電源構成の電源部から供給され、
前記遮断制御部は、
前記遮断指令信号を外部から受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁電圧の立ち上りまたは立ち下りタイミングで、前記励磁電圧をグランドレベルにする
ことを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項５】
前記励磁部では、前記電源電圧として正の電源電圧及び負の電源電圧が供給されており、
前記遮断制御部は、前記励磁部の前記励磁電圧がグランドレベルになった状態で、正の電源電圧及び負の電源電圧を遮断する
ことを特徴とする請求項４に記載の電流検出装置。
【請求項６】
前記遮断制御部は、前記遮断指令信号を受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部の前記励磁電圧が変化する所定のタイミングで前記励磁部の励磁電圧の振幅を徐々に小さくする指示である振幅低減信号を前記励磁部に出力し、
前記励磁部は、前記振幅低減信号を受け取ると所定期間内で前記励磁電圧の振幅を徐々に小さくし、
前記遮断制御部は、前記所定期間の経過後、前記励磁電圧が変化するタイミングで当該励磁電圧をグランドレベルにする
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電流検出装置。
【請求項７】
前記遮断制御部は、前記励磁電圧としての電圧信号を入力とするＮＯＴ回路と、Ｄフリップフロップとを有し、
前記遮断指令信号は前記Ｄフリップフロップのデータ入力端子に入力され、
前記ＮＯＴ回路の出力は前記Ｄフリップフロップのクロック入力端子に入力され、
前記Ｄフリップフロップは、前記励磁部の前記励磁電圧が変化するタイミングで出力される信号を遮断タイミング信号として、前記励磁部に出力し、
前記励磁部は、前記遮断タイミング信号を受け付けることで、前記励磁電圧をグランドレベルにする
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電流検出装置。
【請求項８】
前記遮断制御部は、前記遮断指令信号を受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部の前記励磁電圧が変化するタイミングで、前記励磁部及び前記電源電圧を供給する電源部に、出力する電圧をグランドレベルにする指示を表す遮断タイミング信号を出力し、
前記励磁部は、前記遮断タイミング信号を受け取ることで、前記励磁電圧をグランドレベルにし、
前記遮断制御部は、前記遮断タイミング信号を前記電源部に出力することで、前記電源部に前記電源電圧の供給を遮断させる
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電流検出装置としては、例えばフラックスゲート方式の磁束検知方法を用いた電流検出装置が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１で開示された電流検出装置は、磁心とコイルとを含む磁気回路ユニットと、コイルへ磁心を磁気飽和させる電圧を印加する励磁回路とを含んでいる。電流検出装置では、励磁回路が印加した電圧でコイルに電流が流れる。磁心で発生する磁界は、電流の検出対象である導体に流れる電流の変化に応じて変化する。そして、磁界が変化すると、コイルに流れる電流も変化する。電流検出装置では、コイルに流れる電流の変化を検出することで、導体に流れる電流を検出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２０１４／０１０１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の電流検出装置では、電源をオフするタイミングによっては励磁回路の磁心が磁気飽和していない場合があり、この場合において励磁回路への電源供給を遮断すると、磁心が着磁する可能性があり、以降の電流検出において正確な検出が行えない可能性がある。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされ、電源オフ時において、磁心が着磁する可能性を低くすることができる電流検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る電流検出装置は、導体が挿通される磁心と、前記磁心に巻かれた励磁コイルと、電源電圧の供給を受けて、所定の周波数の励磁電圧を前記励磁コイルに印加して前記励磁コイルに流れる励磁電流を生成する励磁部と、前記励磁電流を電圧信号に変換する変換部と、前記電圧信号を用いて前記導体に流れる電流を検出する検出部と、前記電源電圧を遮断する遮断制御部とを備え、前記遮断制御部は、前記電源電圧の遮断を指示する遮断指令信号を受け取った後、前記電源電圧を遮断する前に、前記励磁部から出力される前記励磁電圧が変化するタイミングで当該励磁電圧をグランドレベルにすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る電流検出装置によれば、電源オフ時において、磁心が着磁する可能性を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態１に係る電流検出装置の構成を説明するブロック図である。
【図２】図２は、同上の電流検出装置の利用形態の一例を示す図である。
【図３】図３は、同上の電流検出装置の励磁部の構成を説明するブロック図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｆは、同上の電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【図５】図５は、同上の電流検出装置の変形例である電流検出装置の構成を説明するブロック図である。
【図６】図６は、同上の電流検出装置の変形例である電流検出装置の励磁部の構成を説明するブロック図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｄは、比較例の電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態２に係る電流検出装置の遮断制御部の構成を説明するブロック図である。
【図９】図９は、本発明の実施形態３に係る電流検出装置の励磁部の構成を説明するブロック図である。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｇは、同上の電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【図１１】図１１は、同上の電流検出装置における磁気ヒステリシス曲線を表す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施形態４に係る電流検出装置の構成を説明するブロック図である。
【図１３】図１３Ａ〜図１３Ｆは、同上の電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｆは、同上の電流検出装置の変形例である電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【図１５】図１５Ａ〜図１５Ｇは、同上の電流検出装置の別の変形例である電流検出装置の動作を説明するタイミング図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施形態は、一般に電流検出装置に関し、より詳細には導体を流れる被測定電流を検出する電流検出装置に関する発明である。
【００１１】
（実施形態１）
以下、本実施形態のフラックスゲート型の電流検出装置（以下、電流検出装置）１０について説明する。図１は、本実施形態の電流検出装置１０の構成を説明する図であり、図２は、電流検出装置１０の利用用途を説明する図である。
【００１２】
電流検出装置１０は、図２に示すように、電動車両３の蓄電池を充電する充電システムで用いられる。電動車両３は、例えば電気自動車やプラグインハイブリッド車等である。具体的には、充電システムは、商用電源を供給する商用系統１と、電動車両３とが、変換装置２を介して電気的に接続される。そして、電流検出装置１０は、商用系統１と変換装置２とを接続する導体３０に設けられ、導体３０に流れる被測定電流（不平衡な直流電流）を検出することで、商用系統１と電動車両３との間における漏電を検出する。なお、変換装置２は、交流電源を直流電源に変換、及び直流電源を交流電源に変換する機能を備える。ここで、導体３０には、商用系統１から電動車両３の方向へと電流が流れる第１の導線と、電動車両３から商用系統１の方向へと電流が流れる第２の導線とがある。漏電が発生していない場合には第１の導線に流れる電流の量と第２の導線に流れる電流の量とは同一であるため被測定電流（不平衡電流）は発生しない。しかしながら、漏電が発生している場合には、第１の導線に流れる電流の量と第２の導線に流れる電流の量とは異なるため被測定電流が発生する。電流検出装置１０は、この被測定電流を検出することで商用系統１と電動車両３との間の漏電を検出することができる。
【００１３】
これにより、電流検出装置１０は、商用系統１と変換装置２との間で流れる交流電流、変換装置２に流れる高周波電流、及び変換装置２と電動車両３との間で流れる直流電流についての漏電を検出することができる。なお、変換装置２は、電動車両３に設けられていてもよい。また、本実施形態では、電源の供給元を商用系統１としたが、これに限定されない。電源の供給元は、太陽光発電等の分散電源であってもよい。
【００１４】
以下、本実施形態に係る電流検出装置１０の各構成要素について説明する。
【００１５】
電流検出装置１０は、図１に示すように、電源部１１と、励磁部１２と、磁心１３と、励磁コイル１４と、検出抵抗１５（変換部）と、基準電圧発生部１６と、検出部１７と、遮断制御部２０とを備える。
【００１６】
電源部１１は、電源電圧Ｖ０を励磁部１２、基準電圧発生部１６及び検出部１７に供給する。ここで、本実施形態では、電源部１１は、片電源で構成されているとする。具体的には、電源部１１は、遮断制御部２０から遮断タイミング信号Ｓ２を逐次受け付けており、遮断タイミング信号Ｓ２の値に応じて、電源電圧Ｖ０の供給及び遮断を行っている。電源部１１は、Ｈ（Ｈｉｇｈ）レベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けている間は、電源電圧Ｖ０を供給する。電源部１１は、Ｌ（Ｌｏｗ）レベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後、電源電圧Ｖ０を遮断、つまり電源電圧Ｖ０をグランドレベルにする。ここで、電圧をグランドレベルにするとは、電圧を０Ｖにすることをいう。
【００１７】
励磁部１２は、電源電圧Ｖ０の供給を受け、所定の周波数で発振される励磁電圧Ｖ１を生成する。励磁部１２は、図３に示すように、発振器１００及びスイッチ１０１を有している。
【００１８】
スイッチ１０１は、遮断制御部２０から出力される遮断タイミング信号Ｓ２のレベルに応じて、励磁コイル１４との電気的な接続先を発振器１００及び基準電圧発生部１６のいずれかに切り替える。具体的には、遮断制御部２０から出力される遮断タイミング信号Ｓ２がＨレベルである場合には、スイッチ１０１は、発振器１００と励磁コイル１４とを電気的に接続する。遮断制御部２０から出力される遮断タイミング信号Ｓ２がＬレベルである場合には、スイッチ１０１は、基準電圧発生部１６と励磁コイル１４とを電気的に接続する。
【００１９】
発振器１００は、所定の周波数で発振する発振回路を備える。発振器１００は、発振回路で生成された励磁クロックを増幅し、所定の電圧振幅を有する方形波信号（励磁電圧Ｖ１）を生成し、方形波信号をスイッチ１０１を介して励磁コイル１４へ出力する。これにより、励磁電圧Ｖ１が励磁コイル１４に印加されることになる。
【００２０】
磁心１３は、例えば磁性体コアであり、導体３０が挿通される開口部を有する環状に形成されている。励磁コイル１４は、磁心１３に巻かれたコイルである。
【００２１】
検出抵抗１５は、一端が励磁コイル１４に、他端が基準電圧発生部１６にそれぞれ電気的に接続されている。検出抵抗１５は、励磁コイル１４から出力される励磁電流Ｉを、検出電圧Ｖ２に変換する。
【００２２】
基準電圧発生部１６は、電源電圧Ｖ０の供給を受けて、基準電圧Ｖ３（例えば、Ｖ３＝Ｖ１／２）を生成し、励磁部１２及び検出部１７に出力する。具体的には、基準電圧発生部１６は、遮断制御部２０からＨレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けている間は、基準電圧Ｖ３（例えば、Ｖ３＝Ｖ１／２）を生成し、励磁部１２及び検出部１７に出力する。基準電圧発生部１６は、遮断制御部２０からＬレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、基準電圧Ｖ３をグランドレベルにする。このとき、励磁部１２のスイッチ１０１は、基準電圧発生部１６と励磁コイル１４とを電気的に接続するので、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１はグランドレベル（０Ｖ）になる。なお、励磁部１２では、基準電圧Ｖ３を基準として所定の周波数で発振される励磁電圧Ｖ１が生成されることとなる。
【００２３】
検出部１７は、検出電圧Ｖ２と、基準電圧Ｖ３とを用いて導体３０の電流（不平衡電流）の有無を検出する。例えば、検出部１７は、検出電圧Ｖ２の平均値と、基準電圧Ｖ３との差分の絶対値が所定値以上である場合には商用系統１と電動車両３との間で漏電が発生していることを検出する。検出部１７は、差分が所定値未満である場合には商用系統１と電動車両３との間で漏電が発生していないことを検出する。検出部１７は、検出結果を出力する。例えば、検出部１７は表示装置に検出結果を出力し、表示装置に検出結果を表示させる。
【００２４】
遮断制御部２０は、電流検出装置１０の動作を終了するタイミングでＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を外部から受け付けると、それ以降の励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミングでＬレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を、電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６に出力する。遮断制御部２０は、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付けている間は、Ｈレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６へ出力する。つまり、Ｈレベルの遮断指令信号Ｓ１は電源電圧Ｖ０の遮断を指示する信号であり、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１は電源電圧Ｖ０の供給の維持を指示する信号である。なお、遮断制御部２０は、ユーザの操作で遮断指令信号Ｓ１を受け付けてもよいし、他の装置から遮断指令信号Ｓ１を受け付けてもよい。
【００２５】
次に、遮断指令信号を受け取ってから電源電圧Ｖ０が遮断されるまでの間の電流検出装置１０の動作について、図４Ａ〜図４Ｆに示すタイミング図を用いて説明する。
【００２６】
遮断制御部２０は、時点ｔ１で、外部からＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付ける（図４Ａ参照）。
【００２７】
遮断制御部２０は、時点ｔ１以後で、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミングである時点ｔ２で、遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する（図４Ｃ参照）。基準電圧発生部１６は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、基準電圧Ｖ３をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）にする（図４Ｄ参照）。励磁部１２は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、励磁電圧Ｖ１をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）にする（図４Ｅ参照）。具体的には、スイッチ１０１の接続先を発振器１００から基準電圧発生部１６に変更する。
【００２８】
電源部１１は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後（励磁電圧Ｖ１及び基準電圧Ｖ３がグランドレベルになった後）の時点ｔ３で、電源電圧Ｖ０をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）に変更する（図４Ｂ参照）。
【００２９】
励磁電圧Ｖ１が立ち下がる時点（ｔ２）では、励磁電流Ｉは最大となっており、磁心１３が磁気飽和した状態となっている（図４Ｆ参照）。時点ｔ２で励磁電圧Ｖ１がグランドレベルになるので、励磁電流Ｉは減少していき、最後には０となる。したがって、電源部１１のオフ時（電源電圧Ｖ０の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【００３０】
ここで、遮断タイミング信号Ｓ２が電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６に出力されると、電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６は、出力する電圧をグランドレベルにしている。つまり、遮断タイミング信号Ｓ２は、出力する電圧をグランドレベルにする指示を表す信号であるといえる。
【００３１】
なお、本実施形態における励磁部１２は、自励発振する構成であってもよい。この場合の電流検出装置１０（以下、「本変形例の電流検出装置１０」という）の構成を図５に示す。
【００３２】
本変形例の電流検出装置１０の励磁部１２は、図５に示すように、検出電圧Ｖ２をさらに受け付ける構成となっている。
【００３３】
本変形例の励磁部１２は、図６に示すように、コンパレータ１１０、抵抗１１１、１１２及びスイッチ１１３を有している。抵抗１１１の一端は、基準電圧発生部１６に電気的に接続されている。抵抗１１１の他端は、抵抗１１２の一端と接続されている。コンパレータ１１０のマイナス入力端子は検出抵抗１５と、プラス入力端子は抵抗１１１と抵抗１１２との接続点と、それぞれ電気的に接続されている。コンパレータの出力端子は、抵抗１１２の他端及びスイッチ１１３と電気的に接続されている。コンパレータ１１０が出力する電圧を分圧した電圧が閾値電圧としてコンパレータ１１０のプラス入力端子に入力される。マイナス入力端子に入力される検出電圧Ｖ２が閾値電圧を超えるとコンパレータ１１０が出力する電圧の極性が反転する。これにより、励磁部１２は自励発振することができる。
【００３４】
スイッチ１１３は、遮断タイミング信号Ｓ２のレベルに応じて、コンパレータ１１０及び基準電圧発生部１６のいずれかに切り替える。具体的には、遮断タイミング信号Ｓ２がＨレベルである場合には、スイッチ１０１は、コンパレータ１１０と励磁コイル１４とを電気的に接続する。遮断タイミング信号Ｓ２がＬレベルである場合には、スイッチ１０１は、基準電圧発生部１６と励磁コイル１４とを電気的に接続する。
【００３５】
ここで、従来の電流検出装置（以下、「比較例の電流検出装置」という）の動作について、図７Ａ〜図７Ｄに示すタイミング図を用いて説明する。比較例の電流検出装置では、時点ｔａで電源部の電圧供給を遮断すると、電源部から出力される電源電圧Ｖａは、Ｈレベルから徐々に減少し、時点ｔｂでグランドレベル（Ｌレベル）となる（図７Ａ参照）。このとき、電源部からの電圧供給が徐々に減少するに伴って、比較例の電流検出装置の基準電圧発生部から出力される基準電圧Ｖｂも徐々に減少し、時点ｔｃでグランドレベル（Ｌレベル）となる（図７Ｂ参照）。また、電源部からの電圧供給が徐々に減少するに伴って、比較例の電流検出装置の励磁部から出力される励磁電圧ＶｃのＨレベルは徐々に変化し、方形波信号とは異なる信号となり、時点ｔｄでＬレベルとなる（図７Ｃ参照）。このように、比較例の電流検出装置では、電源部からの電圧供給を遮断すると、比較例の電流検出装置の基準電圧発生部と励磁部との遮断のタイミングが異なってしまう可能性がある。遮断のタイミングが異なってしまうと、電源部からの電圧供給を遮断した後（時点ｔａ後）、励磁コイルに偏った電流、左右非対称の電流が流れる（図７Ｄ参照）。励磁コイルに偏った電流が流れるため、磁心が着磁する可能性がある。
【００３６】
さらには、電源部からの電圧供給の遮断のタイミングと励磁電圧Ｖｃとの位相との関係は電圧供給の遮断のタイミングの度に異なるため、励磁電流Ｉａは、電圧供給の遮断の度に異なる波形となる。つまり、電圧供給の遮断する度に再現性が低い。
【００３７】
一方、本実施形態の電流検出装置１０は、磁心１３、励磁コイル１４、励磁部１２、検出抵抗１５（変換部）、検出部１７及び遮断制御部２０を備える。磁心１３には、導体３０が挿通される。励磁コイル１４は、磁心１３に巻かれたコイルである。励磁部１２は、電源電圧Ｖ０の供給を受けて、所定の周波数の励磁電圧Ｖ１を励磁コイル１４に印加して励磁コイル１４に流れる励磁電流Ｉを生成する。検出抵抗１５は、励磁電流Ｉを電圧信号（検出電圧Ｖ２）に変換する。検出部１７は、検出電圧Ｖ２を用いて導体３０に流れる電流を検出する。遮断制御部２０は、電源電圧Ｖ０を遮断する。遮断制御部２０は、電源電圧Ｖ０の遮断を指示する遮断指令信号Ｓ１を受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁部１２から出力される励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで当該励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにする。
【００３８】
この構成によると、電流検出装置１０は、電源部１１からの電圧の供給を遮断する前に、励磁電圧Ｖ１が変化するタイミング（本実施形態では、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミング）で励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにしている。このタイミングでは、励磁電流Ｉは最大となっており、磁束密度が磁気飽和した状態となる。このタイミングで励磁電圧Ｖ１がグランドレベルになるので、励磁電流Ｉは減少していき、最後には０となる。したがって、電源部１１のオフ時（電源電圧Ｖ０の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。また、電流検出装置１０は、電源部１１からの電圧の供給を遮断する前に、常に、磁束密度が磁気飽和した状態となった状態で励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにしている。そのため、励磁電流Ｉａは、電圧供給の遮断の度に同じ波形することができるので、電圧供給の遮断の度に再現性は高くなる。
【００３９】
ここで、本実施形態の電流検出装置１０は、検出部１７に基準電圧Ｖ３を出力する基準電圧発生部１６を、さらに備えることが好ましい。電源電圧Ｖ０は、片電源構成の電源部１１から供給されることが好ましい。検出部１７は、検出電圧Ｖ２（電圧信号）と基準電圧Ｖ３との差分に基づいて導体３０に流れる電流を検出する。遮断制御部２０は、さらに、遮断指令信号Ｓ１を受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで基準電圧Ｖ３をグランドレベルにすることが好ましい。この構成によると、電流検出装置１０は、磁心１３のランダムな着磁を防ぐことができる。また、片電源構成とすることで、電流検出装置１０の構成を簡単にすることができる。
【００４０】
ここで、励磁部１２は、検出抵抗１５（変換部）の検出電圧Ｖ２（電圧信号）が入力されることにより自励発振する構成を有していることが好ましい。遮断制御部２０は、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで励磁部１２の自励発振を停止することが好ましい。この構成によると、励磁電圧Ｖ１を自励発振させる場合であっても、磁心１３のランダムな着磁を防ぐことができる。
【００４１】
ここで、遮断制御部２０は、遮断指令信号Ｓ１を受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで、励磁部１２及び電源電圧Ｖ０を供給する電源部１１に、遮断タイミング信号Ｓ２を出力する。遮断タイミング信号Ｓ２は、出力する電圧（励磁電圧Ｖ１、電源電圧Ｖ０）をグランドレベルにする指示を表す信号である。励磁部１２は、遮断タイミング信号Ｓ２を受け取ることで、励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにする。遮断制御部２０は、遮断タイミング信号Ｓ２を電源部１１に出力することで、電源部１１に電源電圧Ｖ０の供給を遮断させる。この構成によると、電流検出装置１０は、励磁部１２における励磁電圧Ｖ１の遮断から電源部１１の電源停止まで、自動で行うことができる。
【００４２】
なお、図３及び図６で示した励磁部１２の構成はあくまでも一例であり、同様の機能を有していれば、これと異なる構成であってもよい。
【００４３】
（実施形態２）
ここでは、実施形態２の電流検出装置１０について説明する。具体的には、遮断制御部２０の構成について説明する。なお、ここでの構成は一例である。
【００４４】
遮断制御部２０は、図８に示すように、ＮＯＴ回路２００及びＤフリップフロップ２０１を有している。ＮＯＴ回路２００は、励磁電圧Ｖ１である電圧信号を入力として、当該電圧信号のＨ／Ｌを反転させた信号をＤフリップフロップ２０１へ出力する。
【００４５】
Ｄフリップフロップ２０１は、データ入力端子（Ｄ入力端子）で受け付けられる信号がＨレベルである場合において、クロック信号の立ち上がりのタイミングで出力する信号を変化させる。具体的には、Ｄフリップフロップ２０１のＤ入力端子は、遮断指令信号Ｓ１を受け付ける。Ｄフリップフロップ２０１のクロック入力端子は、ＮＯＴ回路の出力を受け付ける。Ｄフリップフロップ２０１は、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付けている間は、励磁電圧Ｖ１の電圧変化に関係なくＨレベルの遮断タイミング信号Ｓ２をＱ’端子から出力する。Ｄフリップフロップ２０１は、Ｈレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付けると、励磁電圧Ｖ１の立ち下がりのタイミング（クロック端子に入力される信号は立ち上がりのタイミングとなっている）で、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２をＱ’端子から出力する。
【００４６】
この構成によると、既存の論理回路（ＮＯＴ回路２００、Ｄフリップフロップ２０１）により、遮断制御部２０の機能を実現することができる。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態の電流検出装置１０において、遮断制御部２０は、励磁電圧Ｖ１としての電圧信号を入力とするＮＯＴ回路２００と、Ｄフリップフロップ２０１とを有することが好ましい。遮断指令信号Ｓ１はＤフリップフロップ２０１のデータ入力端子に入力される。ＮＯＴ回路２００の出力はＤフリップフロップ２０１のクロック入力端子に入力される。Ｄフリップフロップ２０１は、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで出力される信号を遮断タイミング信号Ｓ２として、励磁部１２に出力することが好ましい。励磁部１２は、遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けることで、励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにすることが好ましい。
【００４８】
この構成によると、電流検出装置１０は、汎用の論理回路を用いることで、励磁電圧Ｖ１の遮断を制御することができる。
【００４９】
また、Ｄフリップフロップ２０１は、遮断タイミング信号Ｓ２を、基準電圧発生部１６に出力することが好ましい。基準電圧発生部１６は、遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けることで、基準電圧Ｖ３をグランドレベルにすることが好ましい。
【００５０】
（実施形態３）
本実施形態では、電流検出装置１０は、遮断指令信号Ｓ１を受け付けた後、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくして、励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにする点が、実施形態１の電流検出装置１０と異なる。
【００５１】
以下、異なる点を中心に説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００５２】
本実施形態の励磁部１２は、図９に示すように、発振器１２０、減衰器１２１及びスイッチ１２２を有している。
【００５３】
発振器１２０は、所定の周波数で発振される励磁クロックを生成する。発振器１００は、生成した励磁クロックを増幅し、励磁電圧Ｖ１を生成し、励磁電圧Ｖ１を減衰器１２１及びスイッチ１２２を介して励磁コイル１４へ出力する。
【００５４】
減衰器１２１は、振幅低減信号Ｓ３を逐次受け付けており、振幅低減信号Ｓ３の値に応じて、励磁電圧Ｖ１の振幅の低減を行っている。減衰器１２１は、Ｌレベルの振幅低減信号Ｓ３がＬレベルの間は、励磁電圧Ｖ１の振幅を低減することなく、つまり振幅を変更することなく励磁電圧Ｖ１をスイッチ１２２を介して励磁コイル１４へ出力する。減衰器１２１は、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３を受け付けると、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に減衰し、振幅が小さくなった励磁電圧Ｖ１をスイッチ１２２を介して励磁コイル１４へ出力する。減衰器１２１は、励磁電圧Ｖ１が立ち上がりのタイミング、または立ち下がりのタイミング毎に振幅を小さくする。このように、減衰器１２１は、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３を受け付けることで励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に低減している。つまり、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３は、励磁電圧Ｖ１が変化する所定のタイミングで励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする指示を表す信号である。
【００５５】
スイッチ１２２は、遮断制御部２０から出力される遮断タイミング信号Ｓ２のレベルに応じて、励磁コイル１４との電気的な接続先を減衰器１２１及び基準電圧発生部１６のいずれかに切り替える。具体的には、遮断タイミング信号Ｓ２がＨレベルである場合には、スイッチ１２２は、減衰器１２１と励磁コイル１４とを電気的に接続する。遮断タイミング信号Ｓ２がＬレベルである場合には、スイッチ１２２は、基準電圧発生部１６と励磁コイル１４とを電気的に接続する。
【００５６】
本実施形態の遮断制御部２０は、Ｈレベルの遮断指令信号Ｓ１を外部から受け付けると、それ以降の励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミングでＨレベルの振幅低減信号Ｓ３を、励磁部１２に出力する。遮断制御部２０は、励磁電圧Ｖ１の振幅の減衰が所定回数行われた後、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を、電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６に出力する。遮断制御部２０は、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付けている間は、Ｌレベルの振幅低減信号Ｓ３を励磁部１２へ、Ｈレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を電源部１１、励磁部１２及び基準電圧発生部１６へ、それぞれ出力する。
【００５７】
次に、遮断指令信号を受け取ってから電源電圧Ｖ０が遮断されるまでの間における本実施形態の電流検出装置１０の動作について、図１０Ａ〜図１０Ｇに示すタイミング図を用いて説明する。
【００５８】
遮断制御部２０は、時点ｔ１１で、外部からＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付ける（図１０Ａ参照）。
【００５９】
遮断制御部２０は、時点ｔ１１以後で、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミングである時点ｔ１２で、振幅低減信号Ｓ３をＬレベルからＨレベルに変更する（図１０Ｄ参照）。
【００６０】
励磁部１２は、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３を受け付けると、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする（図１０Ｅ参照）。本実施形態では、振幅の変更を４回行っている。なお、この回数は、一例であり、この数値に限定する趣旨ではない。
【００６１】
励磁電流Ｉは、励磁電圧Ｖ１の振幅が徐々に小さくになるにつれて、電流の波形も小さくなる（図１０Ｆ参照）。
【００６２】
遮断制御部２０は、励磁電圧Ｖ１の振幅の変更が所定回数（ここでは、４回）行われた時点（ここでは、時点ｔ１３）で、遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する（図１０Ｃ参照）。
【００６３】
基準電圧発生部１６は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、基準電圧Ｖ３をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）にする（図１０Ｇ参照）。
【００６４】
励磁部１２は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、励磁電圧Ｖ１をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）にする（図１０Ｅ参照）。
【００６５】
電源部１１は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後（励磁電圧Ｖ１及び基準電圧Ｖ３がグランドレベルになった後）の時点ｔ１４で、電源電圧Ｖ０をＨレベルからグランドレベル（Ｌレベル）に変更する（図１０Ｂ参照）。
【００６６】
図１１は、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくした場合の磁束密度Ｂと磁界Ｈとの特性を示す磁気ヒステリシス曲線を表す図である。励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくすることで、磁気ヒステリシス曲線は、Ｂ−Ｈループの中心（原点）の付近に収束する。つまり、磁心１３に磁気がない状態となるので、電源部１１のオフ時（電源電圧Ｖ０の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態の電流検出装置１０において、遮断制御部２０は、遮断指令信号Ｓ１を受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に励磁電圧Ｖ１が変化する所定のタイミングで振幅低減信号Ｓ３を励磁部１２に出力することが好ましい。振幅低減信号Ｓ３は、励磁部の励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする指示を表す信号である。励磁部１２は、振幅低減信号Ｓ３を受け取ると所定期間内で励磁電圧の振幅を徐々に小さくすることが好ましい。遮断制御部２０は、所定期間の経過後、励磁電圧Ｖ１が変化するタイミングで当該励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにすることが好ましい。
【００６８】
この構成によると、電流検出装置１０は、Ｂ−Ｈループの中心（原点）の付近で励磁を止めるため、磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【００６９】
なお、実施形態３で説明した電流検出装置１０の構成を実施形態１，２と適宜組み合わせてもよい。
【００７０】
（実施形態４）
本実施形態では、電流検出装置１０が備える電源部１１が両電源構成である点が、実施形態１の電流検出装置１０と異なる。
【００７１】
以下、異なる点を中心に説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００７２】
本実施形態の電流検出装置１０は、図１２に示すように、電源部１１、励磁部１２、磁心１３、励磁コイル１４、検出抵抗１５と、検出部１７と、遮断制御部２０とを備える。
【００７３】
電源部１１は、両電源で構成され、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とを励磁部１２及び検出部１７に供給する。ここで、正の電源電圧Ｖ１０の絶対値と負の電源電圧Ｖ１１の絶対値とは同じ値である。
【００７４】
電源部１１は、遮断制御部２０から遮断タイミング信号Ｓ２を逐次受け付けており、遮断タイミング信号Ｓ２の値に応じて、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１との供給及び遮断を行っている。電源部１１は、Ｈ（Ｈｉｇｈ）レベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けている間は、正の電源電圧Ｖ１０及び負の電源電圧Ｖ１１を供給する。電源部１１は、Ｌ（Ｌｏｗ）レベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とを遮断、つまり正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とをグランドレベル（０Ｖ）にする。
【００７５】
励磁部１２は、正の電源電圧Ｖ１０及び負の電源電圧Ｖ１１の供給を受け、０Ｖを基準として所定の周波数で発振される励磁電圧Ｖ１を生成する。
【００７６】
検出抵抗１５は、一端が励磁コイル１４に電気的に接続され、他端が接地されている。検出抵抗１５は、励磁コイル１４から出力される励磁電流Ｉを、検出電圧Ｖ２に変換する。
【００７７】
検出部１７は、検出電圧Ｖ２と、基準電圧Ｖ３（＝０Ｖ）とを用いて導体３０の電流（不平衡電流）の有無を検出する。例えば、検出部１７は、検出電圧Ｖ２の平均値と、基準電圧Ｖ３との差分が所定値以上である場合には商用系統１と電動車両３との間で漏電が発生していることを検出する。検出部１７は、差分が所定値未満である場合には商用系統１と電動車両３との間で漏電が発生していないことを検出する。
【００７８】
遮断制御部２０は、Ｈレベルの遮断指令信号Ｓ１を外部から受け付けると、それ以降の励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミング又は立ち上がるタイミングでＬレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を、電源部１１及び励磁部１２に出力する。遮断制御部２０は、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付けている間は、Ｈレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を電源部１１及び励磁部１２へ出力する。つまり、Ｈレベルの遮断指令信号Ｓ１は正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１との遮断を指示する信号であり、Ｌレベルの遮断指令信号Ｓ１は正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１との供給の維持を指示する信号である。なお、遮断制御部２０は、ユーザの操作で遮断指令信号Ｓ１を受け付けてもよいし、他の装置から遮断指令信号Ｓ１を受け付けてもよい。
【００７９】
次に、遮断指令信号Ｓ１を受け取ってから電源電圧が遮断されるまでの間の電流検出装置１０の動作について、図１３Ａ〜図１３Ｆに示すタイミング図を用いて説明する。
【００８０】
遮断制御部２０は、時点ｔ２１で、外部からＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付ける（図１３Ａ参照）。
【００８１】
遮断制御部２０は、時点ｔ２１以後で、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミング又は立ち上がるタイミングで遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する。ここでは、立ち下がるタイミングある時点ｔ２２（ここでは、立ち下がるタイミング）で、遮断制御部２０は、遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する（図１３Ｄ参照）。励磁部１２は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、励磁電圧Ｖ１をグランドレベル（０Ｖ）とする（図１３Ｅ参照）。
【００８２】
電源部１１は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後（励磁電圧Ｖ１が０Ｖとなった後）の時点ｔ２３で、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１３Ｂ参照）。また、電源部１１は、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベルにした後、時点ｔ２４で、負の電源電圧Ｖ１１をＬレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１３Ｃ参照）。なお、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とは、同じタイミングでグランドレベルにしてもよい。
【００８３】
励磁電圧Ｖ１が立ち下がる時点又は立ち上がる時点では励磁電流Ｉは最大又は最小となっており、磁束密度が磁気飽和した状態となっている（図１３Ｆ参照）。時点ｔ２２で励磁電圧Ｖ１がグランドレベルになるので、励磁電流Ｉは減少していき、最後には０となる。したがって、電源部１１のオフ時（電源電圧の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【００８４】
本実施形態の励磁部１２は、実施形態１の励磁部１２と同様に自励発振する構成であってもよい。
【００８５】
また、本実施形態の遮断制御部２０の構成として、実施形態２の遮断制御部２０の構成を適用してもよい。
【００８６】
また、本実施形態の電流検出装置１０に、実施形態３の電流検出装置１０の機能を適用してもよい。
【００８７】
励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする機能を適用した場合の電流検出装置１０（以下、「本変形例の電流検出装置１０」という）の動作について、図１４Ａ〜図１４Ｆに示すタイミング図を用いて説明する。
【００８８】
遮断制御部２０は、時点ｔ３１で、外部からＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付ける（図１４Ａ参照）。
【００８９】
遮断制御部２０は、時点ｔ３１以後で、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミング又は立ち上がるタイミングで振幅低減信号Ｓ３をＬレベルからＨレベルに変更する。ここでは、時点ｔ３２（ここでは、立ち下がるタイミング）で、遮断制御部２０は、振幅低減信号Ｓ３をＬレベルからＨレベルに変更する（図１４Ｄ参照）。
【００９０】
励磁部１２は、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３を受け付けると、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする（図１４Ｅ参照）。本実施形態では、振幅の変更を４回行っている。なお、この回数は、一例であり、この数値に限定する趣旨ではない。
【００９１】
励磁電流Ｉは、励磁電圧Ｖ１の振幅が徐々に小さくになるにつれて、電流の波形も小さくなる（図１４Ｆ参照）。
【００９２】
励磁電圧Ｖ１の振幅の変更が所定回数（ここでは、４回）行われた後（ここでは、時点ｔ３３）で、電源部１１は、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１４Ｂ参照）。また、電源部１１は、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベルにした後、時点ｔ３４で、負の電源電圧Ｖ１１をＬレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１４Ｃ参照）。なお、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とは、同じタイミングでグランドレベルにしてもよい。
【００９３】
このように、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくすることで、磁心１３に磁気がない状態となるので、電源部１１のオフ時（電源電圧の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【００９４】
本変形例の電流検出装置１０では、遮断タイミング信号Ｓ２を用いることなく、電源部１１をオフしたが、遮断タイミング信号Ｓ２を用いて電源部１１をオフしてもよい。この場合の電流検出装置１０の動作について、図１５Ａ〜図１５Ｆに示すタイミング図を用いて説明する。
【００９５】
遮断制御部２０は、時点ｔ４１で、外部からＨレベルの遮断指令信号Ｓ１を受け付ける（図１５Ａ参照）。
【００９６】
遮断制御部２０は、時点ｔ４１以後で、励磁電圧Ｖ１が立ち下がるタイミング又は立ち上がるタイミングで振幅低減信号Ｓ３をＬレベルからＨレベルに変更する。ここでは、時点ｔ４２（ここでは、立ち下がるタイミング）で、遮断制御部２０は、振幅低減信号Ｓ３をＬレベルからＨレベルに変更する（図１５Ｄ参照）。
【００９７】
励磁部１２は、Ｈレベルの振幅低減信号Ｓ３を受け付けると、励磁電圧Ｖ１の振幅を徐々に小さくする（図１５Ｅ参照）。本実施形態では、振幅の変更を３回行っている。なお、この回数は、一例であり、この数値に限定する趣旨ではない。
【００９８】
励磁電流Ｉは、励磁電圧Ｖ１の振幅が徐々に小さくになるにつれて、電流の波形も小さくなる（図１５Ｆ参照）。
【００９９】
遮断制御部２０は、励磁電圧Ｖ１の振幅の変更が所定回数（ここでは、３回）行われた後、励磁電圧Ｖ１の立ち下がるタイミング又は立ち上がるタイミングで、遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する。ここでは、遮断制御部２０は、励磁電圧Ｖ１が立ち上がるタイミング（ここでは、時点ｔ４３）で、遮断タイミング信号Ｓ２をＨレベルからＬレベルに変更する（図１５Ｇ参照）。
【０１００】
励磁部１２は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、励磁電圧Ｖ１をＨレベルからグランドレベル（０Ｖ）にする（図１５Ｅ参照）。
【０１０１】
電源部１１は、Ｌレベルの遮断タイミング信号Ｓ２を受け付けると、所定時間経過後（励磁電圧Ｖ１がグランドレベルになった後）の時点ｔ４４で、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１５Ｂ参照）。また、電源部１１は、正の電源電圧Ｖ１０をＨレベルからグランドレベルにした後、時点ｔ４５で、負の電源電圧Ｖ１１をＬレベルからグランドレベル（０Ｖ）に変更する（図１５Ｃ参照）。なお、正の電源電圧Ｖ１０と負の電源電圧Ｖ１１とは、同じタイミングでグランドレベルにしてもよい。
【０１０２】
この場合においても、電流検出装置１０は、電源部１１のオフ時（電源電圧の遮断時）において磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【０１０３】
以上説明したように、本実施形態の電流検出装置１０では、電源電圧Ｖ０は、両電源構成の電源部から供給されることが好ましい。遮断制御部２０は、遮断指令信号Ｓ１を外部から受け取った後、電源電圧Ｖ０を遮断する前に、励磁電圧Ｖ１の立ち上りまたは立ち下りタイミングで、励磁電圧Ｖ１をグランドレベルにすることが好ましい。この構成によると、電流検出装置１０は、両電源構成の電源部１１から電源電圧Ｖ０を受ける場合であっても磁心１３のランダムな着磁を防ぐことができる。
【０１０４】
ここで、励磁部１２では、電源電圧Ｖ０として正の電源電圧Ｖ１０及び負の電源電圧Ｖ１１が供給されている。遮断制御部２０は、励磁部１２の励磁電圧Ｖ１がグランドレベルになった状態で、正の電源電圧Ｖ１０及び負の電源電圧Ｖ１１を遮断することが好ましい。この構成によると、電流検出装置１０は、回路の雑音の影響を小さくすることできるので、磁心１３が着磁する可能性を低くすることができる。
【０１０５】
（変形例）
上記各実施形態では、電流検出装置１０が電源部１１を備える構成としたが、この構成に限定されない。電流検出装置１０が電源部１１を備える構成である必要はない。例えば、電流検出装置１０は、他の装置が備える電源部から電力供給を受けてもよい。
【０１０６】
上記各実施形態において、磁心１３の形状は環状である構成としたが、この構成に限定されない。磁心１３の形状は、閉磁路が形成される形状であればよい。
【０１０７】
上記各実施形態では、電流検出装置１０は、電流検出の方法としてオープンループ方式、クローズドループ方式などのような磁気センサ方式であってもよい。
【０１０８】
また、遮断指令信号Ｓ１、遮断タイミング信号Ｓ２、振幅低減信号Ｓ３の極性は前述した極性に限定されず、同様の信号タイミング及び機能を実現できれば、前述したものと異なる極性を有する信号であってもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１０    電流検出装置
１１    電源部
１２    励磁部
１３    磁心
１４    励磁コイル
１５    検出抵抗（変換部）
１６    基準電圧発生部
１７    検出部
２０    遮断制御部
３０    導体
２００    ＮＯＴ回路
２０１    Ｄフリップフロップ
Ｖ０    電源電圧
Ｖ１    励磁電圧
Ｖ２    検出電圧（電圧信号）
Ｖ３    基準電圧
Ｖ１０    正の電源電圧
Ｖ１１    負の電源電圧
Ｓ１    遮断指令信号
Ｓ２    遮断タイミング信号
Ｓ３    振幅低減信号
Ｉ      励磁電流
【図１】
2017125722.tif 000003
【図２】
2017125722.tif 000004
【図３】
2017125722.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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