【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空セルと、
該真空セル内にある透明な基板と、
該基板上にある静電的に作動可能な回転可能な複数のマイクロミラーのアレイであって、該アレイは、基準電位に保持されている、複数のマイクロミラーのアレイと、
該真空セル内で支持されている複数の絶縁支柱のアレイと、
該複数のマイクロミラーのアレイの上方に該複数の支柱によって支持されている薄い浮動電位絶縁膜と、
該真空セル内にあるコレクターグリッドであって、該アレイに対向して該絶縁膜から間隔をあけて配置されているコレクターグリッドと、
該真空セル内にあるソースであって、該コレクターグリッドを介して該基準電位に向かって加速されて該絶縁膜の裏側に衝突する一次電子を放射することにより、射出されるべき二次電子であって、該コレクターグリッド上に収集されるべき二次電子を生じさせ、これにより、該複数のマイクロミラーを回転させて該膜に向かって変形させる微細に分解された静電引力を生成する所定の電荷パターンを該膜の上に残す、ソースと
を備え、
該膜は、該一次電子が該複数のマイクロミラーを透過することを止めさせるように十分に厚く、該膜は、該電荷パターンと該複数のマイクロミラーとの間のフリンジ場が該静電引力の分解能を劣化させないように十分に薄い、光モジュレータ。
【請求項２】  前記基板と前記複数のマイクロミラーのアレイとの間に、前記透明な基板の上の電荷の蓄積から該複数のマイクロミラーを遮蔽する透明な等電位層（４２）をさらに備える、請求項１に記載の光モジュレータ。
【請求項３】  前記等電位層の上に、前記複数のマイクロミラー間の電気的連続性を確実にする導電性グリッド（４０）をさらに備える、請求項１または２に記載の光モジュレータ。
【請求項４】  前記等電位層（４２）は、複数のマイクロミラーの下に複数の穴（１０８）のアレイを有しており、
前記光モジュレータは、
該等電位層の下にある絶縁層（１０４）と、
該絶縁層と前記基板との間にある埋め込み導電層（１０２）であって、一定の電位に保持されている埋め込み導電層（１０２）と
をさらに備え、
該一定の電位は、前記基準電位に対して該穴を通る電界を作り出し、該電界が該複数のマイクロミラーを該基板に向かって下方にバイアスする一定の引力を該複数のマイクロミラー上に確立する、請求項２に記載の光モジュレータ。
【請求項５】  前記膜の裏面上にある複数のアトラクターパッド（４４）のアレイであって、前記複数のマイクロミラーのアレイに対して整列されている複数のアトラクターパッド（４４）のアレイをさらに備え、
前記ソースは、各マイクロミラーの電荷が、対応するアトラクターパッドに均一に分散されるように、該複数のアトラクターパッド上に前記電荷パターンを書き込む、請求項１に記載の光モジュレータ。
【請求項６】  前記膜の表面上にある複数のアトラクターパッド（４６）のアレイであって、前記複数のマイクロミラーのアレイに面し、かつ、該複数のマイクロミラーのアレイに対して整列されている複数のアトラクターパッド（４６）のアレイをさらに備え、
該膜の裏面上および該膜の表面上にある複数のアトラクターパッドが、直列キャパシタのアレイを形成し、それにより、該裏面上にある複数のアトラクターパッドに堆積された電荷が、該複数のマイクロミラーに対向する該表面上にある複数のアトラクターパッド上にミラー電荷を生成する、請求項５に記載の光モジュレータ。
【請求項７】  前記複数のアトラクターパッドが、１より小さな二次放射係数を示し、
前記光モジュレータは、各アトラクターパッドの上に、１より大きな二次放射係数を示す制御パッド（９２）をさらに備える、請求項５に記載の光モジュレータ。
【請求項８】  前記複数のマイクロミラーのそれぞれは、
前記基板から間隔をあけて該マイクロミラーを配置する導電性支柱（２８）と、
前記静電引力に応答して、該マイクロミラーを回転させ、かつ、前記膜に向かって上方に該マイクロミラーを変形させることが可能なヒンジ（３０）と、
光線を偏向させる反射面（３２）と
を備え、
該ヒンジおよび該反射面は、同一平面上にあり、かつ、同一の厚さを有しており、その同一の厚さは、該膜が存在しない場合に前記一次電子を止めるには薄すぎる、請求項１に記載の光モジュレータ。
【請求項９】  前記電荷パターンは、電極電位に向かって局所化された膜の電位を増加させ、それにより、前記膜と前記複数のマイクロミラーとの間の電位差が前記微細に分解された静電引力を生成し、該複数のマイクロミラーは、該電位差が閾値電位を超えた場合にスナップオーバーしやすく、該コレクター電極は、該電極電位が該閾値電位よりも小さくなるようにバイアスされる、請求項１に記載の光モジュレータ。
【請求項１０】  真空セルと、
該真空セルに取り付けられた電荷制御ミラー（ＣＣＭ）と、
ソースと
を備え、
該電荷制御ミラーは、
透明な基板と、
該透明な基板上にある透明な等電位層と、
該等電位層上にある静電的に作動可能な回転可能な複数のマイクロミラーのアレイであって、該等電位層および該複数のマイクロミラーのアレイの両方が基準電位に保持されている、複数のマイクロミラーのアレイと、
該基板上にある複数の絶縁支柱のアレイと、
該複数のマイクロミラーのアレイの上方に該複数の支柱によって支持されている浮動電位絶縁膜と、
該複数のマイクロミラーに対向して該絶縁膜から間隔をあけて配置されているコレクターグリッドと
を含み、
該ソースは、該コレクターグリッドを介して加速されて該複数のマイクロミラーの上方にある該絶縁膜の一部に衝突する一次電子を放射することにより、射出されるべき二次電子であって、該コレクターグリッド上に収集されるべき二次電子を生じさせ、これにより、該複数のマイクロミラーを回転させて該膜に向かって変形させる微細に分解された静電引力を生成する所定の電荷パターンを該膜の上に残す、光モジュレータ。
【請求項１１】  真空セルと、
該真空セルに取り付けられた電荷制御ミラー（ＣＣＭ）と、
ソースと
を備え、
該電荷制御ミラーは、
透明な基板と、
該透明な基板上にある透明な等電位層と、
該等電位層上にある導電性グリッドと、
静電的に作動可能な片持ちの複数のマイクロミラーのアレイであって、該複数のマイクロミラーは、それぞれ、該導電性グリッドの一部を共通の支柱領域として共有し、該導電性グリッドと該等電位層と該複数のマイクロミラーとは、基準電位に保持されている、複数のマイクロミラーのアレイと、
該複数のマイクロミラーに共通の支柱領域上にある複数の絶縁電位支柱膜のアレイであって、該複数の絶縁電位支柱膜は、各支柱領域を共有する該複数のマイクロミラーのそれぞれの上方に扇状に広がっている、複数の絶縁電位支柱膜のアレイと、
該複数の支柱膜上にある複数のアトラクターパッドのアレイであって、該複数のマイクロミラーに対して整列されている複数のアトラクターパッドのアレイと、
該複数のマイクロミラーに対向して該複数の絶縁支柱膜から間隔をあけて配置されているコレクターグリッドと
を含み、
該ソースは、該コレクターグリッドを介して加速されて該複数の支柱膜上にある該複数のアトラクターパッドに衝突する一次電子を放射することにより、射出されるべき二次電子であって、該コレクターグリッド上に収集されるべき二次電子を生じさせ、これにより、該複数のマイクロミラーを回転させて該複数の支柱膜に向かって変形させる微細に分解された静電引力を生成する所定の電荷パターンを該複数のアトラクターパッドの上に残す、光モジュレータ。
【請求項１２】  透明な基板と、
該透明な基板上にある透明な等電位層と、
該等電位層上にある静電的に作動可能な片持ちの複数のマイクロミラーのアレイと、
該基板上にある複数の絶縁支柱のアレイと、
該複数のマイクロミラーのアレイの上方に該複数の支柱によって支持されている薄い浮動電位絶縁膜と、
該真空セル内にあるコレクターグリッドであって、該アレイに対向して該絶縁膜から間隔をあけて配置されているコレクターグリッドと
を備える、電荷制御ミラー（ＣＣＭ）。