【事件の表示】
　特願２００６−　２４５２４「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月１６日出願公開、特開２００７−２０７９７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年　２月　１日の出願であって、平成２２年　８月１９日付けで最初の拒絶理由が通知され、これに対して同年１０月１９日付け（受付日）で意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年１２月１４日付けで最後の拒絶理由が通知され、これに対して平成２３年　２月１８日付け（受付日）で意見書が提出されたが、同年　４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これ不服として同年　７月１４日付け（受付日）で拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年１０月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　複数枚の製品基板を複数枚のダミー基板と共に基板保持具によって保持するステップと、
　前記基板保持具にて保持した基板を処理室内に搬入するステップと、
　前記処理室内の一端側から処理ガスを供給してその反対側に流し、前記基板保持具にて保持した基板を前記処理室内で処理するステップと、
　処理後の基板を前記処理室より搬出するステップとを有し、
　前記基板保持具は、少なくとも前記製品基板が配列される第一領域と、前記第一領域よりも上流側に設けられる第二領域とを有し、前記第二領域における前記製品基板と隣接する部分に前記ダミー基板を配置し、それよりも上流側には前記ダミー基板を配置することなく空とし、
　前記第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域は、前記第二領域におけるダミー基板を配列する領域よりも倍以上広く、
　前記処理ガスは有機系液体原料を気化したガスである、
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された特開２００３−１４２４１３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（刊１ア）「【０００２】
【従来の技術】一般に、多数枚の半導体ウエハに対して成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などの熱処理を一括して行うバッチ式の熱処理装置・・・・
【０００５】ところで、最近にあっては、多種多様な半導体デバイスが要求されることから小ロットの多品種のウエハに対して熱処理が必要とされる場合がある。例えば製品ウエハとしてフル枚数である１５０枚の処理が必要なときには、ウエハボート１２は満載状態となるが、それよりも少ない枚数、例えば１００枚、５０枚あるいは２５枚の熱処理が必要な場合もある。・・・
【０００７】本発明は・・・基板に対し熱処理をバッチ式で行うにあたり、１バッチで処理される基板枚数の多少に拘わらず、均一性の高い処理を行うことのできる技術を提供することにある。・・・
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る熱処理装置は、多数の基板を反応容器の長さ方向に配列保持する保持具に移載手段を用いて基板を移載し、基板を保持した保持具を反応容器内に搬入した後、該反応容器内にて基板に対する熱処理を行う熱処理装置・・・
【００１０】また本発明は・・・これから１バッチで処理しようとする製品基板の枚数が属するバッチサイズを決定し、・・・このバッチサイズに対応する配置レイアウトの選択を行うものとして構成されることが好ましく、このような構成とすることで容易かつ速やかにダミー基板の使用枚数を抑えた配置レイアウトの選択が可能となり、上述効果を高めることができる。」
　
（刊１イ）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る縦型熱処理装置の実施の形態について、成膜処理を行う装置を例に説明を行う。・・・受け渡しステ−ジ２４上のキャリアＣ内からウエハＷを取り出し、ボ−トエレベ−タ２６上に設けられる保持具であるウエハボ−ト２７へと移載を行うように構成されている。またウエハボ−ト２７は、ボ−トエレベ−タ２６により上昇し、加熱炉４内に搬入される構成とされている。
【００１５】・・・このマニホールド４２には内管４１ａの内側の下部領域に供給口が開口するように複数のガス供給管４３（ここでは便宜上２本のみ図示）が設けられると共に、内管４１ａと外管４１ｂとの間から排気するように図示しない真空ポンプに一端側が接続された排気管４４が接続されている。・・・
【００１６】・・・受け渡しステージ２４に置かれているキャリアＣ内の製品ウエハあるいはダミーウエハを所定の配置レイアウトに従ってウエハボート２７に移載すると共に、この配置レイアウトに応じた熱処理を行う・・・
・・・
【００２１】本実施の形態では、後述のフレキシブルバッチモードを選択して処理するときには、製品ウエハの枚数を２５枚毎に区切って・・・Ｌ２５（１枚〜２５枚），Ｌ５０（２６枚〜５０枚）・・・Ｌ１５０（１２６枚〜１５０枚）の各バッチサイズ毎に・・・設定している。・・・
・・・
【００２４】図６はレイアウト記憶部６７に記憶される前記バッチサイズ毎におけるウエハボート２７内のウエハの配置レイアウトを示すものであり、ここでは満載時を示すＬ１５０を除き、ウエハを上詰めで載置するものを示している。図中斜線で示されるＰＷの領域は製品ウエハの移載される部位であり、１ブロックあたり最大で２５枚の製品ウエハを載置することが可能となっている。そして、製品ウエハを載置するゾーンの上下端をなす図中ＤＷの領域には、熱処理時において端部近傍と中央部とで製品ウエハに対する処理状況に差が生じることを抑えることを目的としてダミーウエハが載置される。ダミーウエハには例えばサイドダミーまたはエクストラダミーと呼ばれるものが含まれ、その枚数は例えば
上端側で１〜４枚
下端側で１〜１１枚
【００２５】また、図６では作図の便宜上領域ＰＷを全て斜線で示したが、既述のように
各配置レイアウトは例えば２５枚毎に区切られるバッチサイズに対応して設けられる
領域ＰＷ内に空き領域が生じるときには、該空き領域にダミーウエハを補充して熱処理が行われる
配列ルールには、例えば領域ＰＷ内に先ず上側から製品ウエハの移載を行っていき、その後下方側に生じる空き領域にダミーウエハの移載を行うといったような手順が記憶される。
　
（刊１ウ）「【００３０】・・・製品ウエハの枚数に応じた適切なバッチサイズの選択が行われる。・・・具体的には、例えば前記枚数カウント値が４０であれば、図４に示すように２６〜５０の間であることからバッチサイズはＬ５０に決定される。
【００３１】・・・バッチサイズＬ５０と対応する配置レイアウトの選択が行われ、その後バッチサイズ内に何枚のダミーウエハが必要か算出が行われる（ステップＳ６）。必要となるダミーウエハ枚数の算出は、バッチサイズに対応する製品ウエハの配置領域ＰＷの枚数（製品基板の充填枚数）と既に把握された製品ウエハの枚数との差で求まるため、ここでは５０−４０＝１０枚であり、移載手段３は・・・４０枚分の製品ウエハ及び１０枚のダミーウエハを、Ｌ５０に対応する前記レイアウトに基づいてウエハボート２７内の領域ＰＷ（図６参照）へと移載する（ステップＳ７）。
【００３２】このとき、領域ＰＷ内における製品ウエハとダミーウエハとの配置位置（順序）の決定に際しては、例えばＬ５０の配置レイアウトに添付して記憶される配置ルールが参照され、該配置ルールに基づいて製品ウエハ及びダミーウエハの夫々が所定の位置へと移載された後、ＭＷの領域にはモニタウエハが、ＤＷの領域にはダミーウエハが夫々移載される。なお図６にも示されるように例えばＬ５０におけるモニタウエハ枚数は３枚であり、ダミーウエハは上端側が４枚・・・、下端側が１１枚・・・であり、このようにして計６８枚の移載が終了した後、・・・ウエハボート２７を反応容器内へ搬入する。
【００３３】・・・反応容器内に所定の処理ガスが所定の流量で供給されると共に、所定の圧力となるように排気が行われ、このような状態で加熱状態を維持することによりウエハに対する熱処理である成膜処理が行われる。」
　
（刊１エ）「【００３８】更に、本実施の形態は配置レイアウトを自由に選択できるところに意義がある・・・モニタウエハについては配置しなくても構わない。更にまた本実施の形態は成膜処理に限らず、例えば酸化処理や不純物の拡散処理を行う熱処理装置、いわゆる酸化、拡散炉に適用してもよい。」
　
（刊１オ）図６には、ウエハの配置レイアウトの一例が図示されており、Ｌ２５，Ｌ５０・・・Ｌ１５０の各バッチサイズ毎に、ウエハボートの上端から領域ＤＷ、領域ＰＷと領域ＭＷとの交互領域、領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハが上詰めで載置されている事が看取できる。
　
（刊１カ）図２には、反応管の内管下端部の左右に、先端を上方に向けた供給管が配置され、内管の上端部までウエハボートの先端が届いており、内管の上端は、外管上部天井部分との間に隙間が形成され、外環と内管の間の下端に排気管が接続されていることが看取できると共に、ウエハボートのウエハ載置部下端とガス供給管との間が空いていることも看取できる。
　
　
４　刊行物１に記載された発明
　上記摘記事項（刊１ア）〜（刊１ウ）、（刊１オ）を整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
　「多数枚の半導体ウエハに対して成膜処理を行う熱処理方法において、
　移載手段は、製品ウエハ及び上端側が１〜４枚、下端側が１〜１１枚のダミーウエハを、レイアウトに基づいてウエハボートへ移載するステップと、
　移載が終了した後、ウエハボートを反応容器内へ搬入するステップと、
  反応容器内に所定の処理ガスが所定の流量で供給されると共に、所定の圧力となるように排気が行われ、このような状態で加熱状態を維持することによりウエハに対する熱処理である成膜処理が行われるステップとを有し、
　ウエハボートに移載する製品ウエハの枚数に応じて、バッチサイズを設定し、ウエハボートの上端から領域ＤＷ、領域ＰＷと領域ＭＷとの交互領域、領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハを上詰めで載置し、領域ＰＷ内に先ず上側から製品ウエハの移載を行っていき、その後下方側に生じる空き領域にダミーウエハの移載を行う熱処理方法。」
　
５　当審の判断（対比・判断）
（１）対比
　本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、以下のとおりである。
　ア　刊行物１発明の「ウエハ」、「ウエハボート」及び「反応容器」は、それぞれ本願発明の「基板」、「基板保持具」及び「処理室」に相当する。
　イ　刊行物１発明の「移載手段は、製品ウエハ及び上端側が１〜４枚、下端側が１〜１１枚のダミーウエハを、レイアウトに基づいてウエハボートへ移載するステップ」は多数枚の半導体ウエハに対して行われるものであるから、本願発明の「複数枚の製品基板を複数枚のダミー基板と共に基板保持具によって保持するステップ」に相当する。
　ウ　上記摘記事項（刊１カ）及び図２から、処理ガスの流れは、内管下端部のガス供給管から処理ガスが供給され、内管内を上方に向けて流れ、内管の上端において、内管と外管の天井部との間を通り、外管と内管の間の下端にある排気管から処理ガスが排気されていることは明らかであり、また、そのようなガスの流し方は、二重管構造の縦型熱処理装置における、一般的な流し方でもあり、刊行物１において、特段これと異なる処理ガスの流れについても説明されていないことから、刊行物１発明の「反応容器内に所定の処理ガスが所定の流量で供給されると共に、所定の圧力となるように排気が行われ、このような状態で加熱状態を維持することによりウエハに対する熱処理である成膜処理が行われるステップ」は、本願発明の「前記処理室内の一端側から処理ガスを供給してその反対側に流し、前記基板保持具にて保持した基板を前記処理室内で処理するステップ」に相当する。
　エ　刊行物１には、成膜処理後のウエハをどうするかについては明記されていないが、処理が終われば、それを搬出することは、明らかであるから、刊行物１発明においても、「処理後の基板を前記処理室より搬出するステップ」は、実質的に有しているものである。
　オ　上記摘記事項（刊１エ）には、モニタウエハを配置しなくても良いことが記載されていることから、刊行物１発明の「ウエハボートの上端から領域ＤＷ、領域ＰＷと領域ＭＷとの交互領域、領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハを上詰めで載置」することは、「ウエハボートの上端から領域ＤＷ、領域ＰＷ、領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハを上詰めで載置」することに相当する。
　そして、製品ウエハが、最下端の領域ＰＷを全て満たしている場合は、最下端の領域ＰＷが本願の第一領域に相当し、下側の領域ＤＷは、ダミーウエハが満たされているのであるから、第一領域の製品ウエハと下側領域ＤＷの上端ダミーウエハとは隣接することになり、当該下側領域ＤＷは本願の第二領域に相当する。また、製品ウエハの枚数によっては、領域ＰＷの全てが製品ウエハで埋まらない場合が発生するが、この場合は、領域ＰＷ内に先ず上側から製品ウエハの移載を行い、その後、領域ＰＷ内の下方側に生じる空き領域にダミーウエハ移載し、連続して下側領域ＤＷにダミーウエハが所定枚数移載されているので、領域ＰＷの製品ウエハとダミーウエハとが隣接する境界の上側が第１の領域、下側が第２の領域となり、下側領域ＤＷの下側の空き領域と合わせて、第２の領域となる。そして、上記「ウ」を参酌すれば、下側は、ガスの流れにおいて上流となる。
　したがって、刊行物１発明の「ウエハボートに移載する製品ウエハの枚数に応じて、バッチサイズを設定し、ウエハボートの上端から領域ＤＷ、領域ＰＷと領域ＭＷとの交互領域、領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハを上詰めで載置し、領域ＰＷ内に先ず上側から製品ウエハの移載を行っていき、その後下方側に生じる空き領域にダミーウエハの移載を行う」ことは、本願発明の「前記基板保持具は、少なくとも前記製品基板が配列される第一領域と、前記第一領域よりも上流側に設けられる第二領域とを有し、前記第二領域における前記製品基板と隣接する部分に前記ダミー基板を配置し、それよりも上流側には前記ダミー基板を配置することなく空と」することに相当する。
　カ　刊行物１発明の「熱処理方法」は、半導体ウエハの成膜処理であるから、本願発明１の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　そこで、上記ア〜カの事項を考慮すると、両者は、
　「複数枚の製品基板を複数枚のダミー基板と共に基板保持具によって保持するステップと、
　前記基板保持具にて保持した基板を処理室内に搬入するステップと、
　前記処理室内の一端側から処理ガスを供給してその反対側に流し、前記基板保持具にて保持した基板を前記処理室内で処理するステップと、
　処理後の基板を前記処理室より搬出するステップとを有し、
　前記基板保持具は、少なくとも前記製品基板が配列される第一領域と、前記第一領域よりも上流側に設けられる第二領域とを有し、前記第二領域における前記製品基板と隣接する部分に前記ダミー基板を配置し、それよりも上流側には前記ダミー基板を配置することなく空とした、
　半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明は、「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域は、前記第二領域におけるダミー基板を配列する領域よりも倍以上広」いのに対して、刊行物１発明はそのような事が明記されていない点。
　相違点２：処理ガスについて、本願発明は、有機系液体原料を気化したガスであるのに対し、刊行物１発明は、そのようなガスを用いることが不明である点。
　
　そこで、上記相違点１、２について、次に検討する。
　
（２）相違点１，２の判断
　ア　相違点１について
　刊行物１の上記摘記事項（刊１ウ）には、実施例として、製品ウエハの枚数に応じた適切なバッチサイズの選択が行われ、たとえば製品ウエハが４０枚であれば、バッチサイズはＬ５０に決定され、必要となるダミーウエハ枚数は、バッチサイズに対応する領域ＰＷの枚数と製品ウエハの枚数との差で求め、５０−４０＝１０枚となり、配置ルールに基づいて、モニタウエハを３枚、ダミーウエハは上端側（下流側）が４枚、下端側（上流側）が１１枚、計６８枚の移載が行われる事が、記載されている。
　なお、上記摘記事項（刊１エ）にもあるようにモニタウエハは、配置しなくても良いのであるから、以下、モニタウエハがない場合として検討する。
　上記Ｌ５０では、製品ウエハ５０枚、ダミーウエハが上端側（下流側）４枚、下端側（上流側）１１枚の計６５枚となる。
　上記実施例の場合の下側の連続したダミーウエハの領域と空き領域とを比べると、まず、製品ウエハが満載時であることを示すＬ１５０の場合、製品ウエハは１５０枚、ダミーウエハは上端側が４枚、下端側が１１枚、であるから、ウエハは計１６５枚であり、Ｌ１５０のウエハの枚数とＬ５０のウエハの枚数との差は、１６５−６５＝１００枚となるから、空き領域は、ウエハ１００枚分である。
　そうすると、Ｌ５０での製品ウエハが４０枚の場合、下端側の領域ＰＷにあるダミーウエハが１０枚、下端側の領域ＤＷのダミーウエハが１１枚、計２１枚のダミーウエハに対して、空き領域は、１００枚であるから、空き領域は、製品ウエハを配置する領域より下端側にあるダミーウエハを配置する領域の倍以上であることは明らかである。
　同様に、Ｌ７５では、製品ウエハの枚数が７５枚から５１枚であり、下側領域ＰＷにダミーウエハが積載される最大枚数は、下側領域ＰＷに製品ウエハ１枚となる場合である。この場合、この下側領域ＰＷには、ダミーウエハ２４枚が積載され、連続して下側領域ＤＷに１１枚が積載されるから、下側の連続するダミーウエハは３５枚となり、空き領域は、ウエハ７５枚分である。したがって、Ｌ７５における下側ダミーウエハの最大積載枚数の場合でも、空き領域は、製品ウエハを配置する領域より下端側にあるダミーウエハを配置する領域の倍以上であり、それよりも空き領域が広いＬ５０，Ｌ２５の場合は、製品枚数にかかわらず、空き領域は、製品ウエハを配置する領域より下端側にあるダミーウエハを配置する領域の倍以上であることは明らかである。
　また、Ｌ１００では、空き領域が、ウエハ５０枚分であるから、ダミーウエハの領域がその半分２５枚以下、即ち、下側領域ＰＷのダミーウエハが１４枚以下の場合（製品ウエハが、７５＋６＝８１枚から１００枚の場合）には、空き領域は、製品ウエハを配置する領域より下端側にあるダミーウエハを配置する領域の倍以上である。
　したがって、刊行物１発明の「ウエハボートに移載する製品ウエハの枚数に応じて、バッチサイズを設定し、ウエハボートの上端から上部領域ＤＷ、領域ＰＷと領域ＭＷとの交互領域、下部領域ＤＷそして、空き領域となるように、ウエハを上詰めで載置し、領域ＰＷ内に先ず上側から製品ウエハの移載を行っていき、その後下方側に生じる空き領域にダミーウエハの移載を行う」は、製品ウエハの枚数が７５枚以下及び８１〜１００枚の場合において、「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域は、前記第二領域におけるダミー基板を配列する領域よりも倍以上広く」配置させていることは明らかである。
　
　一方、本願発明においては、第１領域の下端に、製品基板を、第２領域の上端にダミー基板を配置する際に、製品基板の枚数にかかわらず、常に第１領域と第２領域が基板保持具の一定の場所で固定されかつ常に第１領域の下端に製品基板を、第２領域上端にダミー基板を配置する事については特定されていない。
　また、基板保持具における、第１領域と第２領域の場所が固定されていないとした場合であっても、製品基板が満載された場合等製品基板の枚数にかかわらず、全ての場合おいて「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域」を設けるとの特定もされていない。
　
　してみると、上記の何れの条件も特定されていない本願発明における、「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域は、前記第二領域におけるダミー基板を配列する領域よりも倍以上広く」との発明特定事項は、刊行物１発明においても有していることは明らかである。
　
　イ　相違点２について
　縦型熱処理装置における半導体装置の成膜処理において、処理ガスとして有機系液体原料を気化したガスを使用することは、下記の周知例１、周知例２に記載されているように周知の使用方法であり、縦型熱処理装置として成膜処理を行う刊行物１発明は、特定の成膜処理に限定されるものでもないから、刊行物１発明において、処理ガスを有機系液体原料を気化したガスとして使用することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
 ＜周知例の記載事項＞
＊周知例１：特開２００２−２４６３７９号公報
　「【０００８】・・・ＴＥＯＳを用いたＬＰ−ＣＶＤ処理」
＊周知例２：特開２００１−３３８９１９号公報
　「【００１１】・・・原料液体５２を原料タンク５４に設けた気化用ヒータ５６で加熱することにより、気化させて成膜ガスを発生するようになっている。・・・Ｓｒ（ＤＰＭ）２ とＴｉ（ｔ−ＢｕＯ）２ （ＤＰＭ）２ とを所定の重量比で溶媒であるＴＨＦ（テトラヒドロフラン：Ｃ４ Ｈ８ Ｏ）や酢酸ブチルに溶解させてなる原料液体を用いることができる。・・・ここでは原料液体として２種類、或いは３種類の有機金属材料を混合状態で用いたが、これらをそれぞれ別個独立して用いて原料ガスを個別に流量制御可能に供給できるようにしてもよい。」
　
（３）本件審判請求人の主張について　
　ア　本件審判請求人は、請求の理由において、
　「引用文献１記載発明は、『満載時（Ｌ１５０）〜２５枚（Ｌ２５）までを選択可能とする発明』と認定すべきものであり、例えば、２５枚時のみを抜き出して、『ダミー基板が配置される領域の上流側に広い空間を有する発明』と認定することは、引用文献１記載発明の主旨を逸脱するものであり、特許法上公正公平でないと、確信します。そして、引用文献１記載発明では、満載時（Ｌ１５０）には『ダミー基板が配置される領域の上流側に広い空間』を有しない構成となります」（審判請求書４頁２２行〜２８行）
と主張している。
　
　イ　しかしながら、上記（２）＜相違点１について＞で検討したように、本願発明は、製品基板の枚数にかかわらず、常に第１領域と第２領域が基板保持具の一定の場所で固定されている事、或いは、第１領域と第２領域が固定されていないとした場合に、製品基板の枚数にかかわらず、全ての場合おいて「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域」を設けるとの特定もされていないから、本願発明に対応する発明として、引用文献１に記載された発明を認定するに際し、本願発明における特定の条件の場合に限ったＬ１５０の場合を認定しなければならない特段の理由が無いことは明らかである。
　
　ウ　ところで、本願発明における「第二領域におけるダミー基板を配置することなく空とする領域は、第二領域におけるダミー基板を配列する領域よりも倍以上広くした」との発明特定事項による効果について、本願明細書の発明の詳細な説明を参照すると、【００２９】、【００３０】に記載されたＴＥＯＳ酸化膜の形成例においては、ダミーウエハを１０枚全部挿入した時のボトムモニタウエハの膜厚面内均一性±２．５０％が、ダミーウエハ一の配列領域を３スロット分、空き領域を７スロット分とし、空き領域がダミーウエハの配列領域の２．３倍とした時に、同均一性±１．７９％となっているのに対して、【００３１】、【００３２】に記載されたＢＴＢＡＳ窒化膜形成例においては、ダミーウエハを１０枚全部挿入した時のボトムモニタウエハの膜厚面内均一性±２．７２％が、ダミーウエハ一の配列領域を４スロット分、空き領域を６スロット分とし、空き領域がダミーウエハの配列領域の１．５倍とした時に、同均一性±１．２０％となったことが説明されている。
　上記内容は、ガスの場合に空き領域がダミーウエハの配列領域の２．３倍よりも低い１．５倍において、より均一性が向上していること、即ち、倍以上（２倍以上）よりも低い倍率の方がより均一性が増している事を示してる。
　また、同一種類の処理ガスにおいて前記領域の倍率を倍（２倍）の前後で変え、急激な効率性向上を示すような実験例は示されていない。
　したがって、ガス成分等を特定せずに、単に空き領域がダミーウエハの配列領域の倍以上広くすること自体に、格別な臨界的効果は見いだせない。
　
　また、複数種類のガスを別々に供給する場合反応ガスが混合されるまでに十分な空間領域を設けることは、下記周知例３に記載されているように周知の事項にすぎず、第２の領域におけるスロットの数、間隔、周知例４、５のようなスロット形成領域よりも下部の空間の有無、基板保持具の第２の領域よりも下の構造、周知例６、１のような基板保持具の下部における他の部材の有無・構造、処理室内の下部空間の構造及び処理ガスの供給口と基板保持具下部との拒理、処理ガスの供給口が複数か否か、複数の場合は離れているのか近傍か等、縦型の熱処理装置においてガスの混合及び拡散に影響の構造を有したものが種々知られているところ、本願発明においては、上記のようなガスの混合及び拡散に影響を与える事が明らかな装置構成が特定されていないから、この点からも、単に空き領域がダミーウエハの配列領域の倍以上広くすること自体に、格別な臨界的効果は見いだせない。
　
　してみると、本願発明においては、単に空間を設けないよりは、空間を設けた方が、均一性が上がるという程度の効果を有しているにすぎず、そのような効果は、上記周知例３のように周知の効果にすぎない。
　
　そして、仮に請求項１に係る発明を、製品ウエハが満載時の場合に限定したとしても、縦型熱処理装置において膜厚均一性のために反応ガスが混合されるまでの助走距離を充分にとったり、あるいは半導体ウェハの犠牲ダミーまたは半導体ウェハが積載されない空間領域を設ける事が周知なのであるから、引用発明においても膜厚均一性は、必然的な課題で有り、製品ウエハ満載時であっても、実際に適用するガス種、基板保持具の構造及びその下部構造等に応じて、空間を設けるか、否かは適宜設定しうる設計的事項にすぎない。
　
　したがって、本件審判請求人の主張は採用できない。
　
 ＜周知例の記載事項＞
＊周知例３：特開平９−５３１７９号公報
【０００３】・・・縦形反応管を用いた低圧ＣＶＤ装置があり、・・・この方式の課題は、反応ガスをいかに均一に反応管内のそれぞれの半導体ウェハに供給するかにある。
【０００４】この縦形反応管を用いた低圧ＣＶＤ装置においては、たとえば２種類の反応ガスを反応管内に導入する方法として、
別々の供給ノズルにより排気方向に向かって反応ガスを導入するような構造
反応ガスが混合されるまでの助走距離を充分にとったり、あるいは半導体ウェハの犠牲ダミーまたは半導体ウェハが積載されない空間領域を設けることで反応ガスの混合を充分に行う方式が採用されている
【０００５】なお、このようなＣＶＤ装置に関する技術としては、たとえば昭和５９年１１月３０日、株式会社オーム社発行、社団法人電子通信学会編の「ＬＳＩハンドブック」Ｐ３０７〜Ｐ３１８などの文献に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のような２種類の反応ガスを別々の供給ノズルから導入する構造においては、
ガス導入部付近での反応ガスの混合・分解反応が悪いために充分な助走距離、空間領域または犠牲ダミーが必要
【０００７】たとえば、
ウェハボートに積載される半導体ウェハのうちの約２／３の膜厚均一性しか得ることができず、半導体ウェハの処理枚数に限りが生じている
＊周知例４：特開２００３−１６３２５２号公報の図３、図４
　図３、図４には下部にウエハが搭載されていない空間を有するボートが示されている。
＊周知例５：特開２００２−４３３０３号公報
　図１には、ボートのダミー領域Ａ３の下端に断熱板５００を設け、さらにその下部を空間としている。　
＊周知例６：特開２００１−３３８８８３号公報
　図１には、ウエハの保持部材の下に断熱キャップを設け、さらにその下部の底面にガスの供給口が設けられ、ガス供給口とウエハ下端の間が離れている事が示されている。
＊周知例１：特開２００２ー２４６３７９号公報
　図１、図６には、ウエハボートの下に保温筒が設けられガスの供給口とウエハ下端との距離が空いている。
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。