【事件の表示】
　平成１０年特許願第３７１８５９号「直接変換光子検出器及び直接変換検出器カメラ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月１６日出願公開、特開平１１−３１６２８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１２月２８日（パリ条約による優先権主張　平成９年１２月３１日　米国）の出願であって、平成１１年２月２５日に翻訳文が提出された後、平成２１年１月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年２月２６日付けで手続補正がなされたものの、同年１２月２４日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２２年３月１６日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、当該請求と同時に手続補正がなされた。その後、当審において平成２３年２月２日付けで、前置報告書に基づく審尋が行われ、同年８月２５日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２２年３月１６日付け手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
　平成２２年３月１６日付け手続補正を却下する。
　
[理由]
１　補正の内容と目的
　平成２２年３月１６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の記載を補正するものであって、補正前（平成２１年２月２６日付けで補正。以下同じ。）の請求項１の発明特定事項である「各々のアノード部材を少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段」を、「各々のアノード部材を
別々の抵抗セグメントにより
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「対向するカソード表面およびアノード表面を持つ、光子を吸収する吸収部材であって、光子を吸収したときに複数の正孔および電子を発生するように半導体材料で形成されている吸収部材、
前記カソード表面に取り付けられて前記カソード表面を覆うカソード部材、
少なくとも第１および第２のアノード部材を含む複数のアノード部材であって、各々のアノード部材が前記アノード表面に取り付けられていて、隣り合うアノード部材が電極ギャップによって隔てられている複数のアノード部材、
前記ギャップ内で前記アノード表面に取り付けられた少なくとも１つの整形電極であって、当該電極と各々の隣接のアノード部材との間に空間を形成している少なくとも１つの整形電極、
前記カソードおよび前記少なくとも１つの整形電極の各々に結合されれて、電極電位を負にし且つカソード電位をアノード電位に対して負にするバイアス手段、
各々のアノード部材を別々の抵抗セグメントにより少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段、並びに
前記第１および第２のアノード部材に結合され、前記カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生する少なくとも第１および第２の増幅器を有している直接変換光子検出器。」
　
３　本願の優先日前に頒布された刊行物
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である実願平５−６３９９２号（実開平７−３２９６８号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（１ａ）「【請求項１】  化合物半導体基板の両面に電極を形成し、両電極間に所定電圧を印加することにより入射放射線を検出する放射線検出器において、
　前記化合物半導体基板の一方の面に信号取出電極と特性Ｘ線の平均自由行程程度の幅を持ったダミー電極とを交互に複数個形成したことを特徴とする放射線検出器。」
（１ｂ）「【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本考案は、医療用放射線受像装置、被破壊検査用放射線検査装置等に用いられる放射線検出器に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　一般に、放射線検出器は、図５に示されるように、例えばＣｄＴｅ結晶、ＧａＡｓ結晶等の化合物半導体基板５１の両面側に電極５２、５３を備えており、その電極５２、５３間に所定レベルの電圧を印加するよう構成されている。そして、放射線γの入射により発生した誘導電荷ｑによって生じる電流やパルスを検出することで放射線の入射量を検知することができる。そして、従来においては被検体の一次元または二次元撮影等を行うべく、図６に示すように化合物半導体基板６４の一方の面に多数の信号取出電極・・６２n-1,６２n,６２n+1 ・・を形成することで多数の検出チャンネルをアレイ化した構成が採用されている。
　　　【０００３】
　　【考案が解決しようとする課題】
　しかしながら、このように多数の検出チャンネルをアレイ化した構成では、例えば、入射放射線６５により検出領域６４n で発生した特性Ｘ線６６が隣接する検出領域６４n-1 へエスケープすることで、この隣接する検出領域６４n-1 に誘導電荷ｑを発生させるため、隣接する検出領域からエスケープした特性Ｘ線による入射放射線の検出誤差が発生して空間分解能を低下させるという問題があった。
　　　【０００４】
　そこで、本考案はこれらの問題点を解決するため、簡単な構成で特性Ｘ線の隣接する検出領域へのエスケープを防止し、より精度の高い入射放射線の濃度分布の測定が可能な放射線検出器を提供することを目的とする。」
（１ｃ）「【０００７】
　　【実施例】
  本考案の実施例を、図１〜図４に基づいて説明する。
　　　【０００８】
　図１は、本考案を１次元アレイ状の放射線検出器に応用した場合を示す一例であり、図１ａはその正面図、また図１ｂは信号取出電極側から見た平面図である。同図において、１はバイアス電極で化合物半導体基板４の放射線の入射面側にその面全体を覆うように形成されている。２は信号取出電極で、前記バイアス電極１と対向する面に多数形成されており、それぞれの電極で入射放射線５により発生した誘導電荷を検出する。３は前記多数形成された信号取出電極２と交互に配置して形成されたダミー電極で、それぞれ特性Ｘ線の平均自由行程程度の幅を持って形成されており、化合物半導体基板４で発生した特性Ｘ線により生じる誘導電荷を吸収する。なお、上述したバイアス電極１と信号取出電極２との間にはバイアス電極１が陰極となるよう所定の電圧が印加されており、またダミー電極３は共通のダミー電位供給用電極６に接続され、発生した誘導電荷を有効に吸収できるよう所定の電位に保持されている。」
（１ｄ）「【００１１】
　なお、上述したように、入射放射線５の入射側にバイアス電極１を、その対向側に信号取出電極２及びダミー電極３を設けることで、信号取出電極２からバイアス電極１に向かう電界は矢印７のようになる。このとき、誘導電荷のほとんどが入射放射線５の入射側であるバイアス電極１の近傍付近で発生するため、入射放射線５の入射側に信号取出電極２及びダミー電極３を設ける場合に比べて検出領域４ｎと干渉領域３n-1 入射放射線５の入射側であるバイアス電極１の近傍で発生した誘導電荷をより確実に検知することが可能となる。
　　　【００１２】
　図３は、図１、図２で示した１次元アレイ状の放射線検出器を実際に使用する場合の模式図を示している。放射線検出器は配線基板７にバンプや接着剤等を用いて接続され、複数の信号取出電極２から得られる検出信号は、アンプアレイ７ａで増幅されると共に、コンパレータアレイ７ｂでパルス化されカウンターアレイ７ｃにて計数される。この時、それぞれのダミー電極３はダミー電位供給用電極６を介して、０電位、または、アンプアレイ７ａの入力ゲートと等電位、または、その他の適当な電位に固定される。」
（１ｅ）【図１】
（１ｆ）【図２】
（１ｇ）【図３】
（１ｈ）図面の図示内容から看取できる事項
　上記（１ｅ）ないし（１ｇ）の図示内容からして、「信号取出電極とダミー電極は、離間して交互に配置されている」こと、また、上記（１ｅ）の図示内容からして、「化合物半導体基板内には、信号取出電極および前記ダミー電極からバイアス電極に向かう電界が形成されている」ことを看取することができる。
　
　引用例１に関する上記（１ａ）ないし（１ｇ）の記載、および、上記（１ｈ）の事項からして、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「両面側に電極を設け、その電極間に所定レベルの電圧を印加することによって、入射放射線による誘導電荷を発生させて入射放射線を検出することができるＣｄＴｅ結晶、ＧａＡｓ結晶等の化合物半導体基板、
前記化合物半導体基板の放射線の入射面側に、その面全体を覆うように形成されているバイアス電極、
前記バイアス電極と対向する面に多数形成されており、それぞれの電極で入射放射線により発生した誘導電荷を検出する信号取出電極、
前記信号取出電極と離間して交互に配置され、特性Ｘ線の平均自由行程程度の幅を持って形成され、共通のダミー電位供給用電極に接続されたダミー電極、で形成され、
前記化合物半導体基板内に、前記信号取出電極および前記ダミー電極から前記バイアス電極に向かう電界が形成されるように、前記バイアス電極と前記信号取出電極との間にバイアス電極が陰極となるよう所定の電圧を印加し、また前記ダミー電極を所定の電位に保持した放射線検出器であって、
被検体の一次元または二次元撮影等を行うべく、多数形成された前記信号取出電極から得られる検出信号をアンプアレイで増幅すると共に、コンパレータアレイでパルス化されカウンターアレイにて計数することができる放射線検出器。」　
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平２−１０８９９２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（２ａ）第１頁右下欄第１０行〜第２頁左上欄第１２行
「〔産業上の利用分野〕
　　本発明は、原子力発電所等において放射線の測定を行なう放射線検出器およびこれを用いた放射線検出装置に関する。
　　〔従来の技術〕
　　第４図はかかる放射線検出器の構成を示す断面図である。この放射線検出器は、使用環境を考慮して金属またはセラミクス等からなるパッケージ１内に半導体から成る検出器本体２が収納されたものとなっている。この検出器本体２は、放射線検出素子３を挟んで一対の電荷収集用電極４，５が対向配置されて、例えば、一方の電荷収集用電極４が正極（＋）に印加されるとともに他方の電荷収集用電極５が負極（−）に印加されている。なお、６，７はリード線である。
　このような構成において、放射線が検出器本体２を通過すると、このとき放射線検出素子３内に電子及び正孔か発生し、電子が正極の電荷収集用電極４に収集されるとともに正孔が負極の電荷収集用電極５に収集される。しかるに、各リード線６，７を通して電荷が流れ、これが放射線検出信号として外部に取出されて放射線の検出が行なわれる。」
（２ｂ）第４頁左上欄第６行〜同右上欄第１４行
「次に本発明の第３実施例について説明する。
　第３図は放射線検出装置の構成を示す図である。この装置は上記第２実施例に放射線の入射位置の判定を行なう判定機能を備えた例である。なお、同図では放射線検出器を３つとして説明する。電荷取出し用電極２５，２７をそれぞれ共通接続して形成される各共通取出し電極４０，４１はその抵抗率が均一となっている。そして、この共通取出し電極４０の両端にはそれぞれ増幅器４２，増幅器４３が接続され、これら増幅器４２，４３の出力端が放射線の入射位置の判定を行なう判定回路４４に接続されている。
　このように構成したことにより、例えば放射線が位置Ｐに入射すると、その入射位置に発生した電荷による電流がｉ１およびｉ２として共通取出し電極４０に流れる。このとき、各電流ｉ１，ｉ２が共通取出し電極４０を流れる距離が異なるために各増幅器４２，４３で増幅される電圧Ｖ１，Ｖ２は、放射線の入射位置に応じた値となる。しかるに、これら電圧Ｖ１およびＶ２は判定手段３４に入力され、この判定手段３４では入力された電圧値Ｖ１，Ｖ２の比から放射線の入射位置Ｐを検出する。
　このように第３実施例によれば、共通取出し電極３１を一様な抵抗率に形成し、この共通取出し電極３１から取出される各電圧Ｖｌ，Ｖ２から放射線の入射位置Ｐを検出するようにしたので、上記第１および第２実施例の効果に加えて放射線の入射位置Ｐを検出することができる。」
（２ｃ）第３図
　
４　本件補正発明と引用発明の対比
　本件補正発明と上記引用発明を対比する。
（１）当業者の技術常識を勘案すると、引用発明の「両面側に電極を設け、その電極間に所定レベルの電圧を印加することによって、入射放射線による誘導電荷を発生させて入射放射線を検出することができるＣｄＴｅ結晶、ＧａＡｓ結晶等の化合物半導体基板」が、本件補正発明の「対向するカソード表面およびアノード表面を持つ、光子を吸収する吸収部材であって、光子を吸収したときに複数の正孔および電子を発生するように半導体材料で形成されている吸収部材」に相当し、同様に、引用発明の「前記化合物半導体基板の放射線の入射面側に、その面全体を覆うように形成されているバイアス電極」が、本件補正発明の「前記カソード表面に取り付けられて前記カソード表面を覆うカソード部材」に相当するといえる。
（２）引用発明の「前記バイアス電極と対向する面に多数形成されており、それぞれの電極で入射放射線により発生した誘導電荷を検出する信号取出電極、
前記信号取出電極と離間して交互に配置され、特性Ｘ線の平均自由行程程度の幅を持って形成され、共通のダミー電位供給用電極に接続されたダミー電極」という事項と、本件補正発明の「少なくとも第１および第２のアノード部材を含む複数のアノード部材であって、各々のアノード部材が前記アノード表面に取り付けられていて、隣り合うアノード部材が電極ギャップによって隔てられている複数のアノード部材、
前記ギャップ内で前記アノード表面に取り付けられた少なくとも１つの整形電極であって、当該電極と各々の隣接のアノード部材との間に空間を形成している少なくとも１つの整形電極」という発明特定事項を対比する。
　本件補正発明の「アノード部材」が、増幅器に結合されてカソード表面の光子衝突位置を推定するために使用する位置信号を発生するためのものであることを勘案すると、引用発明の「信号取出電極」が、本件補正発明の「アノード部材」に相当することは明らかである。そして、引用発明の「ダミー電極」は、「前記信号取出電極と離間して交互に配置され、特性Ｘ線の平均自由行程程度の幅を持って形成され」ているものであることからして、引用発明の隣り合う信号取出電極間にはギャップが形成されていて、さらに、そのギャップ内に、信号取出電極と互いに離間してダミー電極が形成されているということができるから、引用発明の「ダミー電極」は、本件補正発明の「整形電極」に相当するといえる。
　してみると、引用発明と本件補正発明は、「少なくとも第１および第２のアノード部材を含む複数のアノード部材であって、各々のアノード部材が前記アノード表面に取り付けられていて、隣り合うアノード部材が電極ギャップによって隔てられている複数のアノード部材、
前記ギャップ内で前記アノード表面に取り付けられた少なくとも１つの整形電極であって、当該電極と各々の隣接のアノード部材との間に空間を形成している少なくとも１つの整形電極」を具備する点で一致する。
（３）次いで、引用発明の「前記化合物半導体基板内に、前記信号取出電極および前記ダミー電極から前記バイアス電極に向かう電界が形成されるように、前記バイアス電極と前記信号取出電極との間にバイアス電極が陰極となるよう所定の電圧を印加し、また前記ダミー電極を所定の電位に保持した（放射線検出器）」という事項と、本件補正発明の「前記カソードおよび前記少なくとも１つの整形電極の各々に結合されれて、電極電位を負にし且つカソード電位をアノード電位に対して負にするバイアス手段」という発明特定事項を対比すると、引用発明の上記事項からして、ダミー電極の電位は負であって、バイアス電極は信号取出電極に対して負にバイアスされるように電圧印加されていることは明らかであるから、引用発明と本件補正発明は、「前記カソードおよび前記少なくとも１つの整形電極の各々に結合されれて、電極電位を負にし且つカソード電位をアノード電位に対して負にするバイアス手段」を具備する点で一致する。
（４）さらに、引用発明において、「被検体の一次元または二次元撮影等を行う」ためには、「多数形成された前記信号取出電極から得られる検出信号」が、バイアス電極への放射線の入射位置を推定可能とする信号であることは明らかであるから、引用発明と本件補正発明が、「前記カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生する」「複数の増幅器を有している直接変換光子検出器」である点で共通していることも明らかである。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明は、
「対向するカソード表面およびアノード表面を持つ、光子を吸収する吸収部材であって、光子を吸収したときに複数の正孔および電子を発生するように半導体材料で形成されている吸収部材、
前記カソード表面に取り付けられて前記カソード表面を覆うカソード部材、
少なくとも第１および第２のアノード部材を含む複数のアノード部材であって、各々のアノード部材が前記アノード表面に取り付けられていて、隣り合うアノード部材が電極ギャップによって隔てられている複数のアノード部材、
前記ギャップ内で前記アノード表面に取り付けられた少なくとも１つの整形電極であって、当該電極と各々の隣接のアノード部材との間に空間を形成している少なくとも１つの整形電極、
前記カソードおよび前記少なくとも１つの整形電極の各々に結合されれて、電極電位を負にし且つカソード電位をアノード電位に対して負にするバイアス手段、
前記カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生する複数の増幅器を有している直接変換光子検出器。」の点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉
　カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生するため、
本件補正発明は、「各々のアノード部材を別々の抵抗セグメントにより少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段」を備え、「前記第１および第２のアノード部材に結合され」ている「少なくとも第１および第２の増幅器を有している」のに対し、
引用発明は、信号取出電極（アノード部材）から得られる個々の検出信号を複数の増幅器で増幅し、計数することにより発生している点。
　
５　相違点についての検討、判断
　引用例２には、半導体検出素子の対向する表面に正および負の電位が印加される一対の電荷収集用電極を設けてなる放射線検出器を複数個並べた放射線検出装置において、電荷取出し用電極を所定の抵抗率を有する電極として互いに接続し、その接続された電極の両端部の電極それぞれに増幅器を接続して放射線の入射位置の判定を行うことが記載されているし、また、例えば、特開昭６０−７３４８４号公報、特開昭５３−４３８９号公報（米国特許第４０５５７６５号明細書に対応する日本国公開公報）に記載されているように、半導体検出素子を複数個配列したガンマカメラの信号（電荷）取出し用電極の各々を別々の抵抗器によって互いに結合するとともに、その両端部に増幅器を設けて放射線入射位置検出回路として構成し、それら両端部に設けられた増幅器の出力信号を用いて放射線入射位置を同定することは当業者に周知の事項であるといえる。
　そうすると、引用発明の信号取出電極に設けられた位置信号を発生するための構成に代え、信号取出電極（アノード部材）を抵抗性手段で結合し、その両端部に増幅器を接続して位置検出を行うこと、そして、その際用いる抵抗性手段として、個々の信号取出電極を別々の抵抗器で接続した構成を採用することに格別の困難性を見いだすことはできないし、そのように構成することによって奏される作用効果が、当業者に想定可能な域を出るものともいえない。
　したがって、引用発明において上記相違点に係る構成を得ることは、引用例２ならびに当業者に周知の事項に基いて当業者が容易になし得ることである。
　
６　本件補正についての結び
　以上検討したとおり、本件補正発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明および引用例２ならびに当業者に周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件補正のうち請求項１に係る補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるものの、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年３月１６日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２１年２月２６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「対向するカソード表面およびアノード表面を持つ、光子を吸収する吸収部材であって、光子を吸収したときに複数の正孔および電子を発生するように半導体材料で形成されている吸収部材、
前記カソード表面に取り付けられて前記カソード表面を覆うカソード部材、
少なくとも第１および第２のアノード部材を含む複数のアノード部材であって、各々のアノード部材が前記アノード表面に取り付けられていて、隣り合うアノード部材が電極ギャップによって隔てられている複数のアノード部材、
前記ギャップ内で前記アノード表面に取り付けられた少なくとも１つの整形電極であって、当該電極と各々の隣接のアノード部材との間に空間を形成している少なくとも１つの整形電極、
前記カソードおよび前記少なくとも１つの整形電極の各々に結合されれて、電極電位を負にし且つカソード電位をアノード電位に対して負にするバイアス手段、
各々のアノード部材を少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段、並びに前記第１および第２のアノード部材に結合され、前記カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生する少なくとも第１および第２の増幅器を有している直接変換光子検出器。」
　
２　刊行物
　原査定において提示された本願の優先日前に頒布された刊行物およびその記載事項、ならびに引用発明は、前記「第２　[理由]３」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明の対比、検討・判断
（１）対比
　本願発明は、上記「第２　[理由]２」に記載した本件補正発明において「各々のアノード部材を別々の抵抗セグメントにより少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段」について、その結合態様を限定する事項である「別々の抵抗セグメントにより」という限定的事項を削除したものに相当するから、本願発明と引用発明は、上記「第２　[理由]４」で一致するとした点で一致し、次の点で相違することは明らかである。
〈本願発明と引用発明の相違点〉
　カソード表面に関して光子衝突位置を推定するために使用することの出来る位置信号を発生するため、
本願発明は、「各々のアノード部材を少なくとも１つの他のアノード部材に結合する抵抗性手段」を備え、「前記第１および第２のアノード部材に結合され」ている「少なくとも第１および第２の増幅器を有している」のに対し、
引用発明は、信号取出電極（アノード部材）から得られる個々の検出信号を複数の増幅器で増幅し、計数することにより発生している点。
　
（２）検討・判断
　上記本願発明と引用発明の相違点について検討するに、上記「第２　[理由]５」において既に述べたとおり、引用例２には、半導体検出素子の対向する表面に正および負の電位が印加される一対の電荷収集用電極を設けてなる放射線検出器を複数個並べた放射線検出装置において、電荷取出し用電極を所定の抵抗率を有する電極として互いに接続し、その接続された電極の両端部の電極それぞれに増幅器を接続して放射線の入射位置の判定を行うことが記載されているのであるから、引用発明の信号取出電極に設けられた位置信号を発生するための構成に代え、信号取出電極（アノード部材）を抵抗性手段で結合し、その両端部に増幅器を接続して位置検出を行うことに格別の困難性を見いだすことはできないし、そのように構成することによって奏される作用効果が、当業者に想定可能な域を出るものともいえない。
　したがって、本願発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。