Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４８】
積層配置で基板および基板に置かれた複数の半導体ダイを含むアセンブリーであって、請求項１の接着剤組成物の硬化部材によって各半導体ダイが、基板または異なるダイに接着されているアセンブリー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
図を参照しながら、いくつかの積層ダイ構造を示す。例えば、図１は積層構造を示しており、２０と２２で示される本発明の接着剤を使用して、装置３および装置５が基板１にマウントされている。本発明の接着剤中における、有機スペーサーの存在により、アセンブリーのすべての寸法にわたって、接着剤が実質上一定の接着剤ライン（ボンドライン）を維持していることに注目されたい。ワイヤボンド１１は、装置３を基板１に電気的に接続し、ワイヤボンド１３は装置５を基板１に電気的に接続する。図１に示された実施形態は、装置５は装置３より大きさがより小さい。半田バンプ１０は、基板１の下に配置されている。当業者が容易に理解するように、装置５の上に追加の装置をマウントすることができるかもしれないし、そのために、さらに高密度製品を提供できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
さらに異なる例として、図３はフリップチップが基板１として役立つ積層アセンブリの例であり、装置の残りとの電気的接続を半田バンプ１０を通して行っている。アセンブリの残り部分は、例えば、図１、２にしめしたように種々の方法で作製することができ、簡単のために、装置３、５として図１で示したのと同じ形のものを示した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005519150.tif 000001
【図２】
2005519150.tif 000002
【図３】
2005519150.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担持又は懸濁水素化触媒の存在下に、６０バール（ゲージ）（ｂａｒｇ）の水素圧及び１８０〜２８０℃の温度において、テレフタル酸残基を含むポリエステルオリゴマーを水素と接触させることを含んでなる、少なくとも１モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる方法。
【請求項２】
少なくとも７０〜１７０ｂａｒｇの水素圧及び２４０〜２７０℃の温度において、重合度が２〜２０のテレフタル酸残基を含むポリエステルオリゴマーを水素と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒支持材料上の０．１〜１０重量％パラジウム又は白金を含んでなる触媒から選ばれた担持又は懸濁水素化触媒存在下に、重合度が２〜１０のテレフタル酸残基を含むポリエステルオリゴマーを水素と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ポリエステルオリゴマーの重合度が２〜１０である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
式：
ＨＯ・・［Ｄｉｏｌ］x−［・・ＴＰＡ・・Ｄｉｏｌ・・］y−Ｈ
（式中、Ｄｉｏｌはジオール成分の２価残基であり、ＴＰＡはテレフタル酸の２価残基であり、ｘは０又は１であり、そしてｙは平均２〜２０の値である）
を有するポリエステルオリゴマーを、触媒担持材料上の０．１〜１０重量％パラジウム又は白金を含んでなる触媒から選ばれた担持又は懸濁水素化触媒存在下に、少なくとも７０〜１７０ｂａｒｇの水素圧及び２４０〜２７０℃の温度において、接触させることを含んでなる、少なくとも１モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる方法。
【請求項６】
Ｄｉｏｌがエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−及び１，３−プロパンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール及び１，４−シクロヘキサンジメタノールから選ばれたジオール成分の２価の残基であり、そして１０〜５０モル％のテレフタル酸残基が１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（１）担持又は懸濁水素化触媒の存在下に、６０バール（ゲージ）（ｂａｒｇ）の水素圧及び１８０〜２８０℃の温度において、テレフタル酸残基を含むポリエステルオリゴマーを水素と接触させることによって、少なくとも１モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化せしめ、そして
（２）工程（１）のオリゴマー生成物を、重合触媒の存在下に、重合圧力及び温度条件で、１種又はそれ以上のポリエステル形成性反応体を反応させることによって１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基を含むポリエステルを生成せしめることを含んでなるポリエステルの製造方法。
【請求項８】
（１）式：
ＨＯ・・［Ｄｉｏｌ］x−［・・ＴＰＡ・・Ｄｉｏｌ・・］y−Ｈ
（式中、Ｄｉｏｌはジオール成分の２価残基であり、ＴＰＡはテレフタル酸の２価残基であり、ｘは０又は１であり、そしてｙは平均２〜２０の値である）
を有するポリエステルオリゴマーを、触媒担持材料上の０．１〜１０重量％パラジウム又は白金を含んでなる触媒から選ばれた担持又は懸濁水素化触媒存在下に、少なくとも７０〜１７０ｂａｒｇの水素圧及び２４０〜２７０℃の温度において、接触させることによって、少なくとも１モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化せしめ、そして
（２）工程（１）のオリゴマー生成物を、重合触媒の存在下に、重合圧力及び温度条件で、１種又はそれ以上のポリエステル形成性反応体と反応させることによって１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基を含むポリエステルを生成する工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｄｉｏｌがエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−及び１，３−プロパンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール及び１，４−シクロヘキサンジメタノールから選ばれたジオール成分の２価の残基であり、そして１０〜５０モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
（１）式：
ＨＯ・・［Ｄｉｏｌ］x−［・・ＴＰＡ・・Ｄｉｏｌ・・］y−Ｈ
（式中、Ｄｉｏｌはエチレングリコールの２価残基であり、ＴＰＡはテレフタル酸の２価残基であり、ｘは０又は１であり、そしてｙは平均２〜２０の値である）
を有するポリエステルオリゴマーを、触媒担持材料上の０．１〜１０重量％パラジウム又は白金を含んでなる触媒から選ばれた担持又は懸濁水素化触媒存在下に、少なくとも７０〜１７０ｂａｒｇの水素圧及び２４０〜２７０℃の温度において、接触させることによって１０〜５０モル％のテレフタル酸残基を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化せしめ、そして
（２）工程（１）のオリゴマー生成物を、重合触媒の存在下に、重合圧力及び温度条件で重合させて１，４−シクロヘキサンジカルボン酸残基を含むポリエステルを生成せしめる工程を含んでなるポリエステルの製造方法。
【請求項１１】
担持又は懸濁水素化触媒の存在下に、少なくとも６０バール（ゲージ）（ｂａｒｇ）の水素圧及び１８０〜２８０℃の温度において、イソフタル酸残基を含むポリエステルオリゴマーを水素と接触させることを含んでなる、少なくとも１モル％のイソフタル酸残基を１，３−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる方法。
【請求項１２】
式：
ＨＯ・・［Ｄｉｏｌ］x−［・・ＩＰＡ・・Ｄｉｏｌ・・］y−Ｈ
（式中、Ｄｉｏｌはジオール成分の２価残基であり、ＩＰＡはイソフタル酸の２価残基であり、ｘは０又は１であり、そしてｙは平均２〜２０の値である）
を有するポリエステルオリゴマーを、触媒担持材料上の０．１〜１０重量％パラジウム又は白金を含んでなる触媒から選ばれた担持又は懸濁水素化触媒存在下に、少なくとも７０〜１７０ｂａｒｇの水素圧及び２４０〜２７０℃の温度において、接触させることによって少なくとも１モル％のイソフタル酸残基を１，３−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる方法。
【請求項１３】
Ｄｉｏｌがエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−及び１，３−プロパンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール及び１，４−シクロヘキサンジメタノールから選ばれたジオール成分の２価の残基であり、そして１０〜５０モル％のイソフタル酸残基を１，３−シクロヘキサンジカルボン酸残基に転化させる請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2005519149.tif 000001
〔式中、
Ｘは、−Ｏ−または−ＮＲ7−であり、
Ｙは、−Ｎ＝または−ＣＲ8＝であり、
Ａは、無色アニオンであり、
Ｒ1およびＲ8は、各々互いに独立に、水素；Ｃ1〜Ｃ4アルキル；−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキル；ハロゲンまたはニトロであり、
Ｒ2およびＲ7は、各々互いに独立に、水素；非置換Ｃ1〜Ｃ4アルキルまたは−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ3およびＲ4は、各々互いに独立に、水素；非置換Ｃ1〜Ｃ4アルキル；−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキル；非置換Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ；−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ12アルコキシ；またはハロゲンであり、
Ｒ5は、水素；非置換Ｃ1〜Ｃ4アルキル；または−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ6は、水素；非置換Ｃ1〜Ｃ4アルキル；−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキル；または式（ａ）もしくは（ｂ）：
【化２】
2005519149.tif 000002
（式中、
Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は上記と同義であり、そして
Ｒ9およびＲ10は、各々互いに独立に、水素；非置換Ｃ1〜Ｃ4アルキル；−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキル；−ＯＲ11；−ＮＲ11Ｒ12または−ＮＲ11ＣＯＲ12であり、ここでＲ11およびＲ12は、各々互いに独立に、水素；−ＮＨ2；非置換Ｃ1〜Ｃ12アルキルまたは−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ12アルキルであり、
Ｑは、ブリッジ部であり、そして
ｍは、０または１である）で示される基であり、あるいは
Ｒ5とＲ6は、それらが結合している窒素原子と一緒になって、ピロリジン、ピペリジン、モルホリンまたはピペラジン環を形成する〕
で示されるアゾ化合物を、式（II）の化合物または式（II）の化合物の混合物と、
【化３】
2005519149.tif 000003
式（III）の化合物もしくは式（III）の化合物の混合物と、
ＮＨＲ5Ｒ6    （III）
（式中、全ての置換基は上記と同義である）
を不活性の溶媒または溶媒混合物中で反応させることにより製造する方法であって、
反応混合物に、少なくとも１種の第三級アミンおよび／または少なくとも１種の式：Ｒ13Ｏ−Ｚ（式中、Ｒ13は、非置換Ｃ1〜Ｃ10アルキルまたは−ＯＨ、−Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、−ＣＮもしくはフェニルで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルであり、そしてＺは、アルカリ金属である）で示されるアルコラートを添加することを含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法により製造された式（Ｉ）の化合物を含む、ケラチン含有材料染色用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック製ゲル囲い体中においてポリアクリルアミドゲルを注型する方法であって、
（ａ）アクリルアミドと、架橋剤と、亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、リグノ硫酸ナトリウム、重亜硫酸アンモニウム、ヒドロキノン、ジエチルヒドロキシエタノール、ジエチルヒドロキシルアミン、メチルエチルケトキシム、アスコルビン酸、エリソルビン酸及びエリソルビン酸ナトリウムから成る群から選択された群員である酸素スカベンジャーとを含むモノマー混合物の水溶液を形成させ、そして
（ｂ）該モノマー混合物をプラスチック製ゲル囲い体中で重合してポリアクリルアミドゲルを形成させる
ことを含む方法。
【請求項２】
モノマー混合物が、フリーラジカル開始剤を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸素スカベンジャーが、亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、リグノ硫酸ナトリウム及び重亜硫酸アンモニウムから成る群から選択された群員である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
酸素スカベンジャーが、亜硫酸ナトリウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
水溶液中の酸素スカベンジャーの濃度が、１ｍＭから３０ｍＭである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
水溶液中の酸素スカベンジャーの濃度が、３ｍＭから１５ｍＭである、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
プラスチック製ゲル囲い体が、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートグリコレート及びポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）から成る群から選択された群員である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
モノマー混合物が、水溶液中においてアクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドを含み、しかもこれらのアクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドの総量が該水溶液のミリリットル当たり５ｇから３０ｇになる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
モノマー混合物が、アクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドを、水溶液のミリリットル当たり１０ｇから２０ｇの総合濃度にて含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
アクリルアミド対Ｎ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドの重量比が、１０：１から１００：１である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
プラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲルであって、
（ａ）アクリルアミドと、架橋剤と、亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、リグノ硫酸ナトリウム、重亜硫酸アンモニウム、ヒドロキノン、ジエチルヒドロキシエタノール、ジエチルヒドロキシルアミン、メチルエチルケトキシム、アスコルビン酸、エリソルビン酸及びエリソルビン酸ナトリウムから成る群から選択された群員である酸素スカベンジャーとを含むモノマー混合物の水溶液を形成させること、および
（ｂ）該モノマー混合物を無被覆プラスチック製ゲル囲い体中で重合してポリアクリルアミドゲルを形成させることにより、製造されたゲル。
【請求項１２】
前記モノマー混合物がフリーラジカル開始剤を更に含む請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１３】
酸素スカベンジャーが、亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、リグノ硫酸ナトリウム及び重亜硫酸アンモニウムから成る群から選択された群員である、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１４】
酸素スカベンジャーが、亜硫酸ナトリウムまたは重亜硫酸ナトリウムである、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１５】
酸素スカベンジャーが、亜硫酸ナトリウムである、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１６】
水溶液中の酸素スカベンジャーの濃度が、１ｍＭから３０ｍＭである、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１７】
水溶液中の酸素スカベンジャーの濃度が、１ｍＭから３０ｍＭである、請求項１３に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１８】
水溶液中の酸素スカベンジャーの濃度が、３ｍＭから１５ｍＭである、請求項１３に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項１９】
プラスチック製ゲル囲い体が、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートグリコレート及びポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）から成る群から選択された群員である、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項２０】
モノマー混合物が、水溶液中においてアクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドを含み、しかもこれらのアクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドの総量が水溶液の５％から３０％になる、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項２１】
モノマー混合物が、アクリルアミド及びＮ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドを、水溶液の１０％から２０％の総合濃度にて含む、請求項１１に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項２２】
アクリルアミド対Ｎ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドの重量比が、１０：１から１００：１である、請求項２０に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【請求項２３】
アクリルアミド対Ｎ，Ｎ′−メチレン−ビスアクリルアミドの重量比が、２５：１から５０：１である、請求項２０に記載のプラスチック製ゲル囲い体中に囲まれたポリアクリルアミドゲル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスフェノールの製造方法であって、
フェノールとケトンを下降流で反応器（１０）内に導入し、
フェノールとケトンを反応させて反応混合物を形成し、
ビスフェノールを反応混合物から回収する
ことを含んでなり、上記反応器が、イオン交換樹脂触媒床（１４）内にランダムに分布した充填物を含み、適宜含イオウ化合物の触媒促進剤を含むイオン交換樹脂触媒床（１４）を備える、方法。
【請求項２】
床（１４）内のイオン交換樹脂触媒が架橋している、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記イオン交換樹脂触媒の架橋度が樹脂の４重量％以下である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記イオン交換樹脂触媒がスルホン化芳香族樹脂である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
バルク促進剤が、反応混合物中に自由分散した含イオウ化合物からなる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記充填物が、０．６〜０．９８の空隙容積を有する不活性物質からなる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
ビスフェノールの製造方法であって、
フェノールとケトンを下降流で反応器系（５０）内に導入し、
ケトンとフェノールを反応器（１０）内で反応させてビスフェノール含有反応混合物を形成し、
ビスフェノールを混合物から回収する
ことを含んでなり、反応器系（５０）が、下降流式化学反応器（１０）と、該反応器（１０）に充填した固定床（１４）イオン交換樹脂触媒内にランダムに分布した充填物を有する固定床（１４）イオン交換樹脂触媒を含み、上記樹脂触媒が、該樹脂触媒を基準にして２重量％以下の架橋度を有するスルホン化芳香族樹脂である、方法。
【請求項８】
下降流方式で導入されるフェノールとアセトンの反応でビスフェノールＡを製造するための反応器（１０）であって、
反応容器（１０）、
反応容器（１０）内のイオン交換樹脂床であって、適宜促進剤を含むイオン交換樹脂触媒床（１４）、及び
イオン交換樹脂触媒床（１４）全体にランダムに分布した充填物
を備える反応器（１０）。
【請求項９】
フェノールとアセトンからビスフェノールＡを製造するための系（５０）であって、
アセトン供給流、
アセトン供給流と混合されて供給流混合物（５４）を形成するフェノール供給流、
供給流混合物（５４）を受け入れる冷却装置（５８）、
冷却装置（５８）と流体連通して接続された反応器（１０）であって、供給流混合物（５４）が流入する入口を上端に及び出口を下端に有する反応容器（１０）を備えていて、上記出口と入口の中間に支持触媒樹脂床（１４）が配置されており、触媒樹脂床（１４）がイオン交換触媒樹脂と該樹脂全体にランダムに分布した不活性充填物を含む、反応器（１０）、
容器（１０）と連通した温度検知手段（３６）、
容器（１０）と連通した圧力検知手段（３４）、
上記入口と出口の間のバイパス流、
上記出口で受入れ可能な第二のフェノール供給流（６２）、
反応器の下端と流体連通して配置され、反応器（１０）が完全に液体で満たされたままオーバーフロー方式で運転できるように上記入口と同じ高さにある生成物取出ライン（３０）、
生成物取出バルブの下流に配置されたサイホンブレイク（７０）
を備える系。
【請求項１０】
促進剤とイオン交換樹脂触媒床（１４）内にランダムに分布した充填物とを含むイオン交換樹脂触媒床（１４）を備える反応器内に、フェノールとアセトンを下降流で導入し、
フェノールとアセトンを反応させて反応混合物を形成し、
ビスフェノールを反応混合物から回収する
ことを含んでなる方法によって製造されるビスフェノールＡ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層フィルムであって、以下：
第一成分と第二成分とのジエン非含有ポリマーブレンドであって、該第一成分は、架橋可能であり、エチレン含有ポリマーからなる選択される重合体物質であって、該フィルムの約５０重量％ないし約９５重量％の量で存在し、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によって測定した際に第一融点温度を有し、そして該第二成分は、容易には架橋されず、プロピレン含有ポリマー類と、メチルペンテン含有ポリマー類と、これらの組み合わせとからなる群から選択され、該フィルムの約５０重量％ないし約５重量％の量で存在し、ＤＳＣによって測定した際に第二融点温度を有する、ポリマーブレンドを含んでなり；
該第一成分の一部が架橋され、該第二成分は実質的に架橋されておらず；そして
該フィルムが、約７ないし約３０の表面のあらさの平均値を有する、単層フィルム。
【請求項２】
前記第二融点温度が前記第一融点温度より高い、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
前記第一融点温度より高く、前記第二融点温度よりは低い温度に加熱した際にそれ自体ピール−シールを形成できる、請求項１に記載のフィルム。
【請求項４】
前記第二融点温度より高い温度に加熱した際にそれ自体永久シールを形成できる、請求項３に記載のフィルム。
【請求項５】
前記約１００℃ないし約１３０℃の温度で蒸気滅菌することができる、請求項１に記載のフィルム。
【請求項６】
前記第一融点温度と第二融点温度との間に存在する温度領域の間にピール−シールヒートシーリングウィンドーが規定される、請求項２に記載のフィルム。
【請求項７】
前記ピール−シールヒートシーリングウィンドーが蒸気滅菌に適した温度範囲内の少なくも一つの温度を含む、請求項６に記載のフィルム。
【請求項８】
前記ピール−シールウィンドーが約７５℃ないし約１３５℃の範囲内の少なくも一つの温度を含む、請求項６に記載のフィルム。
【請求項９】
接着性放出が可能なピール−シールをそれ自体で形成できる、請求項１に記載のフィルム。
【請求項１０】
前記エチレン含有ポリマーが、エチレンホモポリマーとエチレンコポリマーとからなる群から選択される、請求項１に記載のフィルム。
【請求項１１】
前記エチレンコポリマーが、エチレンと：α−オレフィン類、ビニルエステル類、ビニルカルボン酸類、アルキル置換ビニルエステル類、アルキル置換ビニルカルボン酸類、アクリル酸類、アクリル酸のエステル誘導体類、アルキル置換アクリル酸類、アルキル置換アクリル酸のエステル誘導体類およびイオン安定化アルキル置換アクリル酸類からなる群から選択されるコモノマーとの反応によって得られる、請求項１０に記載のフィルム。
【請求項１２】
前記エチレンコポリマーが、約０．９１５ｇ／ｃｃ未満の密度を有するエチレンα−オレフィンコポリマーである、請求項１１に記載のフィルム。
【請求項１３】
前記エチレンコポリマーが単点触媒されたエチレンコポリマーである、請求項１２に記載のフィルム。
【請求項１４】
前記プロピレン含有ポリマーがプロピレンホモポリマー類とプロピレンコポリマー類とからなる群から選択される、請求項１に記載のフィルム。
【請求項１５】
前記プロピレン含有ポリマーが約２００，０００ｐｓｉ未満の弾性率を有する、請求項１４に記載のフィルム。
【請求項１６】
前記第一成分がエチレン含有ポリマー類のブレンドである、請求項１に記載のフィルム。
【請求項１７】
単層フィルムであって、以下：
第一成分と第二成分とからのみなるポリマーブレンドであって、該第一成分は、架橋可能であり、エチレン含有ポリマーからなる選択される重合体物質であって、該フィルムの約５０重量％ないし約９５重量％の量で存在し、ＤＳＣによって測定した際に第一融点温度を有する、ポリマーブレンドを含んでなり；
該第二成分は、容易には架橋されず、プロピレン含有ポリマー類と、メチルペンテン含有ポリマー類と、その組み合わせとからなる群から選択され、該フィルムの約５０重量％ないし約５重量％の量で存在し、ＤＳＣによって測定した際に第二融点温度を有し、
該第一成分の一部が架橋され、該第二成分は実質的に架橋されていない、単層フィルム。
【請求項１８】
前記第二融点温度が前記第一融点温度より高い、請求項１７に記載のフィルム。
【請求項１９】
前記第一融点温度より高く、前記第二融点温度よりは低い温度に加熱した際にそれ自体ピール−シールを形成できる、請求項１８に記載のフィルム。
【請求項２０】
前記第二融点温度より高い温度に加熱した際にそれ自体永久シールを形成できる、請求項１９に記載のフィルム。
【請求項２１】
前記約１００℃ないし約１３０℃の温度で蒸気滅菌することができる、請求項１７に記載のフィルム。
【請求項２２】
前記第一融点温度と第二融点温度との間に存在する温度領域の間にピール−シールヒートシーリングウィンドーが規定される、請求項１８に記載のフィルム。
【請求項２３】
前記ピール−シールヒートシーリングウィンドーが蒸気滅菌に適した温度範囲内の少なくも一つの温度を含む、請求項２２に記載のフィルム。
【請求項２４】
前記ピール−シールヒートシーリングウィンドーが約７５℃ないし約１３５℃の範囲内の少なくも一つの温度点を含む、請求項２２に記載のフィルム。
【請求項２５】
接着性放出が可能なピール−シールをそれ自体で形成できる、請求項１７に記載のフィルム。
【請求項２６】
前記エチレン含有ポリマーが、エチレンホモポリマーとエチレンコポリマーとからなる群から選択される、請求項１７に記載のフィルム。
【請求項２７】
前記エチレンコポリマーが、エチレンと：α−オレフィン類、ビニルエステル類、ビニルカルボン酸類、アルキル置換ビニルエステル類、アルキル置換ビニルカルボン酸類、アクリル酸類、アクリル酸のエステル誘導体類、アルキル置換アクリル酸類、アルキル置換アクリル酸のエステル誘導体類およびイオン安定化アルキル置換アクリル酸類からなる群から選択されるコモノマーとの反応によって得られる、請求項２６に記載のフィルム。
【請求項２８】
前記エチレンコポリマーが、約０．９１５ｇ／ｃｃ未満の密度を有するエチレンおよびα−オレフィンコポリマーである、請求項２７に記載のフィルム。
【請求項２９】
前記エチレンコポリマーが単点触媒された酵素コポリマーである、請求項２８に記載のフィルム。
【請求項３０】
前記メチルペンテン含有ポリマーが：４−メチルペンテン−１のホモポリマー類、および４−メチルペンテン−１のコポリマー類とからなる群から選択される、請求項１７に記載のフィルム。
【請求項３１】
前記プロピレン含有ポリマーが約２００，０００ｐｓｉ未満の弾性率を有する、請求項３０に記載のフィルム。
【請求項３２】
前記第一成分がエチレン含有ポリマー類のブレンドである、請求項１７に記載のフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン酸化合物をフェノール性溶媒から分離する方法であって、フェノール性溶媒を陰イオン交換物質と接触させることにより、スルホン酸化合物量の低減した精製フェノール含有生成物を生成させることを含んでなり、陰イオン交換物質が次式の層状複水酸化物組成物又はその水和物を含んでなる方法。
［ＭII1-xＭIIIx（ＯＨ）2］（Ａn-）x/n
式中、ＭIIは二価金属陽イオンであり、ＭIIIは三価金属陽イオンであり、Ａは電荷ｎ-の層間陰イオンであり、ｘは０．１２〜０．８である。
【請求項２】
フェノールの製造方法であって、
クメンの変換により、カルボニル型不純物を含有し得る粗フェノールを生成させ、
粗フェノール及び存在し得るカルボニル型不純物をイオン交換樹脂触媒（ＩＥＲ）の存在下で反応させて、スルホン酸化合物を含有し得る反応生成物を生成させ、
反応生成物を陰イオン交換物質と接触させて、存在し得るスルホン酸化合物の量を低減すると共に精製フェノール含有流を生成させる
工程を含んでなり、陰イオン交換物質が次式の層状複水酸化物組成物又はその水和物からなる方法。
［ＭII1-xＭIIIx（ＯＨ）2］（Ａn-）x/n
式中、ＭIIは二価金属陽イオンであり、ＭIIIは三価金属陽イオンであり、Ａは電荷ｎ-の層間陰イオンであり、ｘは０．１２〜０．８である。
【請求項３】
スルホン酸化合物を含有し得る粗フェノール流（ＣＰＳ）が生成する、クメンをフェノールに変換する方法であって、ＣＰＳを陰イオン交換物質と接触させる工程を含んでおり、陰イオン交換物質が次式の層状複水酸化物組成物又はその水和物を含んでなる方法。
［ＭII1-xＭIIIx（ＯＨ）2］（Ａn-）x/n
式中、ＭIIは二価金属陽イオンであり、ＭIIIは三価金属陽イオンであり、Ａは電荷ｎ-の層間陰イオンであり、ｘは０．１２〜０．８である。
【請求項４】
ＭIIがアルカリ土類金属陽イオン単独又は他の二価金属陽イオンとの組合せから選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
アルカリ土類金属陽イオンがマグネシウム陽イオンである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
ＭIIIが第IIIＡ族金属陽イオン単独又は他の三価金属陽イオンとの組合せから選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第IIIＡ族金属陽イオンがアルミニウム陽イオンである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
陰イオンＡが、ＣＯ32-、ＮＯ3-、ＯＨ-、Ｃｌ-、Ｆ-又はこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ｘが０．２〜０．３３である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
クメンをフェノールに変換するための装置であって、
クメンを収容する容器と、
クメンを含有する容器に連結された第１の反応容器であって、クメンが酸化されてクメンヒドロペルオキシド（ＣＨＰ）混合物を形成する、第１の反応容器と、
第１の反応容器に連結された第２の反応容器であって、ＣＨＰ混合物が分解されて粗分解塊混合物を形成する、第２の反応容器と、
粗分解塊混合物を受容するように連結された分離部であって、粗分解塊混合物が複数の流れに分離され、それらの流れの１つがフェノールを含んでおりカルボニル型の不純物を含有し得る粗フェノール流（ＣＰＳ）である、分離部と、
ＣＰＳを受容するように連結されており、スルホン酸化合物を含有し得る反応生成物を生成するイオン交換樹脂触媒（ＩＥＲ）床と、
反応生成物を受容するように連結された陰イオン床と
を含んでなり、陰イオン床が次式の層状複水酸化物組成物又はその水和物を含んでなる装置。
［ＭII1-xＭIIIx（ＯＨ）2］（Ａn-）x/n
式中、ＭIIは二価金属陽イオンであり、ＭIIIは三価金属陽イオンであり、Ａは電荷ｎ-の層間陰イオンであり、ｘは０．１２〜０．８である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）組成物の重量に基づき少なくとも５０重量％のプロピレン部分含有量を有するポリマー樹脂組成物；
（ｂ）成分（ａ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）のみを含むプロピレンポリマー発泡体の熱伝導率よりも少なくとも０．０００５ワット／メーター−ケルビン低い熱伝導率を有する発泡体を生成するのに充分な量の、カーボンブラック、活性化カーボンブラック、グラファイト及びそれらの混合物からなる群から選ばれた赤外線遮断材料；
（ｃ）ＤＩＮ  ４１０２燃焼性評価Ｂ２を発泡体に与えるのに充分な量で存在する、少なくとも１種の臭素化合物；
（ｄ）フェノール系酸化防止剤；並びに
（ｅ）臭素化合物とは実質的に反応せず、発泡体に、（１）少なくとも２５日間の期間でかつ（２）成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）のみを含む発泡体の耐熱老化性よりも３日長い、温度１５０℃における耐熱老化性を与えるのに充分な量で存在する、ヒンダードアミン光安定剤、Ｎ−アルコキシアミン安定剤、Ｎ−ヒドロキシルアミン安定剤及びチオ相乗剤から選ばれた少なくとも１種の安定剤から実質的になるプロピレンポリマー発泡体。
【請求項２】
前記発泡体が成分（ｂ）の潜在的悪影響を相殺するのに充分な量の（ｆ）充填剤表面不活性化剤を更に含んでなり、前記充填剤不活性化剤がエポキシ樹脂又はエポキシ化合物である請求項１に記載の発泡体。
【請求項３】
前記臭素化合物がデカブロモジフェニルエタン、テトラブロモフタル酸ジ−２−エチルヘキシルエステル、オクタブロモジフェニルオキシド、ビス（トリブロモフェノキシ）エタン、トリス（トリボロモネオペンチル）ホスフェート、臭素化トリメチルフェニルインダン及び臭素化エポキシ樹脂からなる群から選ばれた芳香族臭素化合物であって、ポリマー樹脂組成物の重量に基づき、少なくとも０．２重量％の臭素含量を生じるのに充分な量で存在する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項４】
２４ｋｇ／ｍ3未満の密度を有する請求項１に記載の発泡体。
【請求項５】
０．１〜１．５ｍｍの範囲内の気泡サイズを有する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項６】
前記発泡体が融合ストランド構造を有する厚板であり、前記厚板が１０〜１００ｍｍの範囲内の厚さを有する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項７】
前記赤外線遮断材料がサーマルブラック、ファーネスブラック、アセチレンブラック及びチャンネルブラックからなる群から選ばれた低ストラクチャーのカーボンブラックであり、前記カーボンブラックが１０〜４００ｎｍの範囲内の平均粒径を有し且つ、ポリマー樹脂組成物の重量に基づき、少なくとも２重量％の量で存在する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項８】
０．０４５ワット／メーター−ケルビン以下の熱伝導率を有する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項９】
前記赤外線遮断材料がグラファイトであり、前記グラファイトが１〜２００μｍの平均粒径を有し且つ、ポリマー樹脂組成物重量に基づき、０．１〜１０重量％の範囲内の量で存在する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項１０】
前記フェノール系酸化防止剤が、ポリマー樹脂組成物の重量に基づき、少なくとも０．３重量％の量で存在する請求項１又は２に記載の発泡体。
【請求項１１】
枠組壁工法の壁間柱間の断熱材として、たる木若しくは天井野縁間の断熱材として、又は断熱コンクリート壁パネル内の又はレンガ及びコンクリートブロック壁若しくは現場打ちコンクリート壁の内腔内の断熱成分として使用するのに適した断熱構造であって、請求項１又は２に記載の発泡体を含んでなる断熱構造体。
【請求項１２】
隣接する建物壁間柱間の間隙、隣接するたる木間の間隙、隣接する天井野縁間の間隙、断熱コンクリート壁パネルの内側及び外側パネル部分の間の間隙、レンガ及びコンクリートブロック壁の内部キャビティ又は現場打ちコンクリート壁の内部キャビティから選ばれた建物又は構造の空隙並びに請求項１又は２に記載された発泡体を含んでなる断熱組合せ体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メラミン−ホルムアルデヒド樹脂コーティングを有する薄片型の効果顔料
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
適した基質は、おおむね全ての無機薄片型キャリアー材を含む。薄片型基質は、実質的に、平面型、特にリーフレット状（leafletlike)、もしくは片状（flakelike）の基質を意味する。適した例は、白雲母（muscovite）、金雲母（phlogopite）、フッ素金雲母（fluorophlogopite）などの雲母、他のケイ石薄片（silicatic platelete)、シリカ片もしくはガラス片だけでなく、銀、銅、ニッケル、金、アルミニウムもしくはこれら金属の合金などの金属片または金属ホイルである。また、薄片型無機基質として特に適性を有するのは、例えば雲母、シリカ片、ガラス、およびそれらの上に積層された１層または２層以上の酸化金属層から構成される真珠光沢顔料である。酸化金属層は、例えば、二酸化チタン、酸化鉄(III)と混合された酸化チタン、酸化鉄(III)、酸化クロム、酸化ジルコニウム、二酸化スズ、もしくは酸化亜鉛から構成される。この種の顔料は、Iriodin（登録商標)という名前で市販されている(製造者: E. Merck, Darmstadt)。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
したがって、表面官能基化の別の方法は、フリーの架橋されていないメチロールネルアミン基(NH-CH2OH-) もしくはアミノ基を有する、すでに重縮合されたメラミン−ホルムアルデヒド樹脂表面から開始する。これらの基は、例えば、塩化カルボニルと簡単に反応しうる。長鎖塩化カルボニルを用いる場合には、このようにして顔料を疎水化する（hydrophobize)ことができる。パーフルオロオクタン酸などのパーフルオロ化された酸の塩化物を用いることにより、例えば、疎水性であり疎油性でもある表面を得ることができる。例えば、強力なUV光線吸収剤である基を含むなどの、複雑な酸の塩化物の使用により、メラミン−ホルムアルデヒド表面はまた、UV防止剤などのさらなる官能性を含有し得る。顔料表面の引き続く疎水化の一例は、例９において記載されている。
以下の例は、本発明を説明するためのものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
陰極線束（３７）および点火電極（９）を有する絶縁体部材（８）とその周りの前記陽極部材（１３）とを含む、金属プラズマ発生器（７）としての金属プラズマスプレーヘッド（２１）が、ゲッター合金プラズマ（６）の点火後に、前記被覆される高真空容器（５）の前記内部（１５）で、直線状高真空スライドスルーポート（２２）によって直線状に移動し、前記陰極線束（３７）の前記ゲッター合金（２）が前記被覆される高真空容器（５）の前記内壁（３）にプラズマ形成によって堆積することを特徴とする、請求項２６から２８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
被覆される高真空容器の内壁へのゲッター合金被膜の生成を行うために、本発明により以下の機構が提供される。この機構は基本的に、金属プラズマ発生器からなり、金属プラズマ発生器は以下の構成部品を備える。
−点火電極および陰極線を有する、ゲッター合金からなる絶縁体部材であって、点火電極および陰極線は、点火パルス発生器および陰極電位それぞれに接続可能であり、点火電極および陰極線は、互いに空間的に離間して絶縁体部材上に配置される、絶縁体部材と、
−ケージ形陽極部材であって、絶縁体部材から空間的に離間して絶縁体部材を包囲しており、かつ陽極電位に接続可能であり、絶縁体部材およびその周りの陽極部材は、被覆中は、被覆される高真空容器の内部に突出している、ケージ形陽極部材と、
−陰極電位切り替えデバイスを有する電圧供給装置であって、真空ポートにより陰極線に陰極電位を印加し、真空高電圧ポートにより点火電極に高電圧点火パルスを印加し、かつ被覆される高真空容器および陽極部材に陽極電位を接続する、電圧供給装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
原理上、金属プラズマスプレーロッドの絶縁体部材は、その中心に点火供給ラインを有し、これは絶縁体ロッドの端面まで延びて点火電極で終端する。点火電極は、ディスクの形態またはリング板の形態であってもよく、まず、ゲッター金属プラズマに点火するための点火パルスが、供給ラインによって点火電極に印加され、端面において点火電極と陰極線との間で点火プラズマが生じ、このプラズマは陽極に向かって伝播し、一方で巻き付き陰極線が陰極電位に接続されており、高真空容器壁とともに陽極部材が接地電位に接続されている場合は陽極で持続する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のさらに好ましい実施形態では、点火電極は、高真空容器内に突出した絶縁体部材の端面に配置される。点火電極がこの位置にあることは、金属プラズマが絶縁体部材の端面領域で生成することを確実にし、点火電極を比較的簡単な手段で始動させることができるという利点を有する。このために、絶縁体部材は円筒状のセラミック管からなり、これはその軸領域に、絶縁体部材の端面で点火電極としての中心金属板につながる供給線を有し、これにより、ゲッター金属プラズマスプレーロッドの端面の中心に点火電極を比較的簡単に組み立て、かつ固定することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図３は、本発明の第３の実施形態のゲッター金属被膜１を生成する機構の概略図を示し、図３ａは、図３ｂの線Ｃ−Ｃに沿った部分の平面の断面図を示し、図３ｂは、金属プラズマスプレーヘッド２１を有する部分的に破断した高真空容器５を基本的な概略形態で示す。前の図と同じ機能を有する構成部品は同じ参照符号で示されており、独立して説明しない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用済核燃料中に存在する金属酸化物を金属状態に還元する方法を実行するための装置であって、この装置は電気化学電池を備えており、この電気化学電池は、陰極として維持されるボディまたはハウジングと、陰極容器と、陰極コネクタとを備える一方、ボルトまたはネジで留められた付属器具を備えていない装置。
【請求項２】
前記陰極コネクタが、前記電池の内面に固定されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記陰極コネクタが、溶接によって前記電池の内面に固定されている請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記陰極容器から前記電池のボディまたはハウジングへの電気接続が、前記陰極コネクタによって提供される請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記電気接続がプレス接続によって提供される請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記陰極コネクタが陰極レールを含んでなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記レールが、前記電池の底面に溶接されている請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記陰極容器が、メッシュバスケットまたは金属酸化物保持容器を含んでなる請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記陰極容器が、複数の陰極容器の集合体を含んでなる請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記集合体が、複数のメッシュバスケットまたは金属酸化物保持容器の集合体を含んでなる請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
陽極が炭素陽極である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記電池のボディまたはハウジングが、電源から前記電池のボディまたはハウジングへの電気接続を設けることによって、陰極として維持される請求項１〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
使用済核燃料中に存在する金属酸化物を金属状態に還元する方法であって、この方法は、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置内に溶融塩電解質が存在する下で前記酸化物を陰極電解することを含んでなり、前記溶融塩中に存在するカチオンからの金属の析出より酸素のイオン化が優先されるように陰極の電位を制御する方法。
【請求項１４】
前記電池のボディまたはハウジングが、陰極として維持されるとともに、陰極容器と陰極コネクタとの間のプレス接続によって陰極容器と接触するようにされる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化物が、ジルコニウムまたはハフニウムの酸化物を含んでなる請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸化物が、アクチニド酸化物を含んでなる請求項１３または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アクチニド酸化物が、酸化ウラン、照射済酸化ウラン、または混合ウラン／プルトニウム酸化物燃料ペレットを含んでなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸化ウランが、二酸化ウランを含んでなる請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸化物が、前記陰極を形成するメッシュバスケット内に置かれる請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記溶融塩電解質が、少なくとも一つの塩化物塩を含んでなる請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記塩化物が、ＣａＣｌ2またはＢａＣｌ2である請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記燃料が、その被覆とともに処理される請求項１３〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記被覆が、処理前に前記燃料から除去される請求項１３〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１３から２３のいずれかに記載の方法であって、この方法から得られる金属が、電気精錬プロセスのための供給原料として使用される方法。
【請求項２５】
前記電気精錬プロセスが、前記電解還元プロセスと同じ電解槽内で行われる請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは数個のシャペロニンを含むナノ鋳型であって、該１つまたは数個のシャペロニンのうち少なくとも１つのシャペロニンが、少なくとも１つの変異シャペロニンポリペプチドを含む変異シャペロニンであることを特徴とするナノ鋳型。
【請求項２】
２、３、４、５、６および７回対称の構造の少なくとも１つの構造を有することを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項３】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、グループIシャペロニンおよびグループIIシャペロニンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項４】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、原核生物または古細菌のシャペロニンポリペプチドであることを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項５】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、１環状構造あたり７、８および９サブユニットの少なくとも１つのサブユニットを含むことを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項６】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、野生型GroEL、変異型GroEL、野生型の真核生物TCP-1および変異型の真核生物TCP-1の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項７】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、アルファサブユニット、ベータサブユニット、ガンマサブユニットおよびデルタサブユニットの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項８】
前記１つまたは数個のシャペロニンが、野生型もしくは変異型のサーマルファクター５５（TF55）シャペロニンポリペプチドを含むことを特徴とする請求項１記載のナノ鋳型。
【請求項９】
少なくとも１つの請求項１記載のナノ鋳型と、ナノ粒子およびクオンタムドットの少なくとも１つとを含むナノ構造。
【請求項１０】
前記ナノ粒子またはクオンタムドットが、金属および半導体の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９記載のナノ構造。
【請求項１１】
前記ナノ粒子またはクオンタムドットが、金、銀、炭素、亜鉛、カドミウム、シリコン、ガリウム、鉛、インジウム、白金、パラジウム、コバルト、水銀、砒素およびニッケルの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９記載のナノ構造。
【請求項１２】
前記ナノ粒子が、高分子ナノ粒子および誘電ナノ粒子の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９記載のナノ構造。
【請求項１３】
前記クオンタムドットが、コバルト、鉄、銅、ニッケルおよび銀の少なくとも１つを含む磁気クオンタムドットであることを特徴とする請求項９記載のナノ構造。
【請求項１４】
請求項９記載のナノ構造が規則正しく配列したアレイを含むナノアレイ。
【請求項１５】
光量子的結晶であることを特徴とする請求項１４記載のナノアレイ。
【請求項１６】
ナノ鋳型、ナノ構造およびナノアレイの少なくとも１つを含むナノ装置。
【請求項１７】
光学電子スイッチ、光学スイッチ、レンズ、レーザー、光量子結晶、増幅器、磁気記憶装置、磁気格納装置、ハードディスク読み取りヘッド、磁気RAM、磁場センサー、磁気論理ゲートおよび磁気スイッチの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１６記載のナノ装置。
【請求項１８】
電子半導体的、機械的、電子機械的、磁気的、光量子的、光学的および光電子的装置の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１６記載のナノ装置。
【請求項１９】
請求項９記載のナノ構造および請求項１４記載のナノアレイの少なくとも１つを含む被膜。
【請求項２０】
ナノ構造を作成する方法であって：
（ａ）ナノ鋳型および野生型シャペロニンの少なくとも１つを含む１つまたは数個のナノ単位を表面に添加し；
（ｂ）ナノ粒子およびクオンタムドットの少なくとも１つを含む１つまたは数個のナノ単位を前記表面にさらに添加し；
（ｃ）結合しなかったナノ単位を前記表面から除去し；さらに
（ｄ）ナノ構造ができるまで前記(a)、(b)および(c)の工程を繰り返すことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記ナノ粒子またはクオンタムドットが金属を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記ナノ粒子またはクオンタムドットが半導体を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記ナノ粒子またはクオンタムドットが、金、銀、炭素、亜鉛、カドミウム、シリコン、ガリウム、鉛、インジウム、白金、パラジウム、コバルト、水銀、砒素およびニッケルの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
前記クオンタムドットが磁気クオンタムドットであることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２５】
前記ナノ鋳型が１つまたは数個の孔を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１つの前記クオンタムドットが、前記１つまたは数個の孔の内側に存在することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記ナノ構造が自動的集合によって形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２８】
前記ナノ構造が、２つまたはそれ以上のナノ鋳型もしくは２つまたはそれ以上の野生型シャペロニンを含み、該ナノ構造がナノ鋳型または野生型シャペロニンを表面にパターン化することによって形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つのクオンタムドットおよび／または前記少なくとも１つのナノ粒子がナノ装置を形成するように、前記ナノ鋳型を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記ナノ構造がナノアレイおよびナノ装置の少なくとも１つを形成することを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３１】
前記ナノ構造が、K+、Mg2+、ATP、ADP、AMP-PNP、GTPおよびATPγSの少なくとも１つの存在下で形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３２】
前記ナノ構造が、K+、Mg2+、ATP、ADP、AMP-PNP、GTPおよびATPγSの少なくとも１つの非存在下で形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３３】
前記ナノ鋳型および野生型シャペロニンの少なくとも１つが、約0.1、1、2、5、または20mg/mlの濃度で用いられることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３４】
変異シャペロニンポリペプチドを作成する方法であって：
（ａ）シャペロニンポリペプチドの少なくとも１つのアミノ酸残基に変異を導入して１つまたは数個の変異シャペロニンポリペプチドを作成し；さらに
（ｂ）前記１つまたは数個の変異シャペロニンポリペプチドを集合させて１つの変異シャペロニンを作成する；工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
前記集合が、K+、Mg2+、ATP、ADP、AMP-PNP、GTPおよびATPγSの少なくとも１つの存在下で生じることを特徴とする請求項３４記載の方法。