(57)【要約】【課題】導電パターンがさらに高精細化されるとともに、導電パターンや透明基板へのダメージが抑えられた導電パターン形成基板を提供する。【解決手段】透明基板１０１と透明導電層１０２と導電パターン１１０とを備えた導電パターン形成基板１において、導電パターン１１０が、透明基板１０１の表面に、透明導電層１０２に連続して所定パターンに形成されたパターン化透明導電層１１１と、パターン化透明導電層１１１の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料で形成されたパターン化金属層１１２と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性及び絶縁性を有する透明基板と、該透明基板の表面に形成された所定パターンの導電パターンと、を備えた導電パターン形成基板において、
前記導電パターンが、
前記透明基板の表面に、前記所定パターンに形成されて透光性及び導電性を有するパターン化透明導電層と、
前記パターン化透明導電層の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料で形成されたパターン化金属層と、
を備えたことを特徴とする導電パターン形成基板。
【請求項２】
前記パターン化金属層の厚みが、１μｍ〜１５μｍの範囲内の厚みであることを特徴とする請求項１に記載の導電パターン形成基板。
【請求項３】
前記透明基板の表面に、前記所定パターンを含んだ包絡形状に形成されて透光性及び導電性を有する包絡形状透明導電層と、該包絡形状透明導電層の表面に前記導電材料で形成された包絡形状金属層と、を有する積層膜から、前記所定パターン以外の領域がレーザー照射によって除去されることにより、前記導電パターンが形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電パターン形成基板。
【請求項４】
前記導電材料は、前記金属粒子と樹脂バインダーとがペースト状に混合された導電性ペーストが焼成されることで、前記金属粒子が前記樹脂バインダーによって結着されたものであることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか一項に記載の導電パターン形成基板。
【請求項５】
前記金属粒子が銀粒子であることを特徴とする請求項４に記載の導電パターン形成基板。
【請求項６】
透光性及び絶縁性を有する透明基板と、該透明基板の表面に形成された所定パターンの導電パターンと、を備えた導電パターン形成基板を製造する基板製造方法において、
前記透明基板の表面に、前記所定パターンを含んだ包絡形状を有するとともに透光性及び導電性を有する包絡形状透明導電層を形成する第１の層形成過程と、
前記包絡形状透明導電層の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料からなる包絡形状金属層を形成して、前記包絡形状透明導電層と前記包絡形状金属層との積層膜を形成する第２の層形成過程と、
前記積層膜から前記所定パターン以外の領域を除去することにより、前記導電パターンを形成するパターン形成過程と、
を備えたことを特徴とする基板製造方法。
【請求項７】
前記第２の層形成過程が、前記金属粒子と樹脂バインダーとがペースト状に混合された導電性ペーストを用いたスクリーン印刷と印刷後の焼成により前記包絡形状金属層を形成する過程であり、
前記パターン形成過程が、レーザー照射によって前記積層膜から前記所定パターン以外の領域を除去する過程であることを特徴とする基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターン形成基板及び基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及びプラズマディスプレイといったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）では、次のような導電パターン形成基板が使われている。即ち、透明基板の上に導電パターンが形成された導電パターン形成基板が使われている。
【０００３】
近年、ＦＰＤで求められる高精細な導電パターンを有する導電パターン形成基板として、次のようなものが知られている。例えば、透明基板の上にスパッタリングで形成された金属膜に対してレーザー光の照射によるパターン形成を行って導電パターンが形成された導電パターン形成基板が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。また、レーザー光の照射前の金属膜が、アルミニウムの蒸着によって形成された導電パターン形成基板も知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、高機能化が進むＦＰＤの分野では、上記のような導電パターン形成基板における導電パターンのさらなる高精細化が求められている。電極パターン等の導電パターンは電気抵抗が低いことが求められるが、高精細でパターン幅が狭い導電パターンの電気抵抗を抑えるには、導電パターンの厚みをある程度厚くする必要がある。しかしながら、スパッタリングや蒸着では、導電パターンの元となる金属膜を余り厚く形成できず、上記の特許文献１〜３に記載の技術では、導電パターンの高精細化には自ずと限界がある。また、仮に、金属膜を厚く形成できたとしても、例えばレーザー照射等により厚い金属膜から不要部分を除去するに当たって、次のような課題が残る。即ち、導電パターンどうしの短絡が生じないように十分に不要部分を除去し、かつ、除去後の導電パターンや透明基板に与えるダメージを極力抑えなければならないといった課題が残る。
【０００５】
そこで、本発明は、導電パターンがさらに高精細化されるとともに、導電パターンや透明基板へのダメージが抑えられた導電パターン形成基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、透光性及び絶縁性を有する透明基板と、該透明基板の表面に形成された所定パターンの導電パターンと、を備えた導電パターン形成基板において、前記導電パターンが、前記透明基板の表面に、前記所定パターンに形成されて透光性及び導電性を有するパターン化透明導電層と、前記パターン化透明導電層の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料で形成されたパターン化金属層と、を備えたことを特徴とする導電パターン形成基板となっている。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、導電パターンがさらに高精細化されるとともに、導電パターンや透明基板へのダメージが抑えられた導電パターン形成基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。
【図２】図１中の領域Ａ１の模式的な拡大図である。
【図３】図１及び図２に示されている導電パターン形成基板を製造する基板製造方法において、導電パターンの元となる積層膜を形成するまでの各過程を、図１と同様の模式的な平面図で示す図である。
【図４】導電パターンの元となる積層膜を形成するまでの各過程を、模式的な断面図で示す過程である。
【図５】形成された積層膜から導電パターンを形成する過程を、図４と同様の模式的な断面図で示す図である。
【図６】第１実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真を、その断面形状とともに示す図である。
【図７】第２実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真を、その断面形状とともに示す図である。
【図８】第３実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。
【図９】第１比較例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。
【図１０】第２比較例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態にかかる導電パターン形成基板について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。図２は、図１中の領域Ａ１の模式的な拡大図である。図２（ａ）には、図１中の領域Ａ１の模式的な拡大平面図が示され、図２（ｂ）には、図２（ａ）のＶ１−Ｖ１切断線に沿った模式的な断面図が示されている。
【００１０】
本実施形態の導電パターン形成基板１は、上述したＦＰＤに使用されるものであり、透明基板１０１と、透明導電層１０２と、導電パターン１１０と、を備えている。
【００１１】
透明基板１０１は、透光性及び絶縁性を有する基板であり、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）等に代表される透明プラスチックで形成された基板や、ガラスで形成された基板等が挙げられる。
【００１２】
透明導電層１０２は、透明基板１０１の表面に形成されて透光性及び導電性を有する層であり、ＦＰＤに対応したパターン形成が施されている。この透明導電層１０２を形成する材料としては、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、インジウムドープ酸化亜鉛（ＩＺＯ）、及び酸化亜鉛（ＺＯ）等の酸化物が挙げられる。これらの材料の中では、電気抵抗の低さという観点からＩＴＯが好適である。また、透明導電層１０２の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲が望ましく、透明性の高さという観点から１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が一層望ましい。
【００１３】
導電パターン１１０は、透明基板１０１の表面に形成されて透明導電層１０２に電気的に接続されたパターンであり、透明導電層１０２に対する電極パターンの役割を果たしている。
【００１４】
ここで、本実施形態では、導電パターン１１０は、図２（ａ）に示されているように、一定間隔を空けて互いに平行に複数本配列された高精細な細線パターンとなっている。そして、各導電パターン１１０が、図２（ｂ）に示されているように、透明基板１０１の表面にパターン化透明導電層１１１とパターン化金属層１１２とが積層されたものとなっている。
【００１５】
パターン化透明導電層１１１は、透明基板１０１の表面に、透明導電層１０２に連続して、上記の高精細なパターン形状に形成されている。このパターン化透明導電層１１１は、透明導電層１０２と同様にＩＴＯ等の材料で、透明導電層１０２と同じ厚みに形成されたパターンである。
【００１６】
パターン化金属層１１２は、パターン化透明導電層１１１の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料で形成されたものである。具体的には、銀粒子と樹脂バインダーとがペースト状に混合された導電性銀ペーストを用いて後述するように形成されたものであり、銀粒子が樹脂バインダーによって結着された層となっている。パターン化金属層１１２は、高精細な導電パターン１１０の電気抵抗を抑えるという観点から、その厚みが１μｍを超えていることが望ましく、後述する形成の容易さの観点から、その厚みが１５μｍ以下であることが望ましい。
【００１７】
次に、図１及び図２に示されている導電パターン形成基板１を製造する基板製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。
【００１８】
この基板製造方法は、所定パターンの導電パターン１１０の元となる積層膜を形成し、その積層膜から導電パターン１１０のパターン以外の領域を除去して導電パターン１１０を形成する製造方法となっている。図３は、図１及び図２に示されている導電パターン形成基板を製造する基板製造方法において、導電パターンの元となる積層膜を形成するまでの各過程を、図１と同様の模式的な平面図で示す図である。図４は、導電パターンの元となる積層膜を形成するまでの各過程を、模式的な断面図で示す過程である。また、図５は、形成された積層膜から導電パターンを形成する過程を、図４と同様の模式的な断面図で示す図である。
【００１９】
この基板製造方法では、図３及び図４にステップＳ１として示されているように、まず、透明基板１０１の表面に、透明導電層１０２と、包絡形状透明導電層１０３と、が形成される（第１の層形成過程）。包絡形状透明導電層１０３は、透明導電層１０２に連続するとともに導電パターン１１０のパターンを含んだ包絡形状を有するパターンである。
【００２０】
本実施形態では、このステップＳ１におけるパターン形成は、スパッタリングや蒸着によるＩＴＯ等の材料からなる薄膜の形成と、フォトリソグラフィー法によるパターン形成とからなる。パターン形成では、透明導電層１０２についてのパターン形成と、包絡形状透明導電層１０３についてのパターン形成とが同時に行われる。
【００２１】
フォトリソグラフィー法によるパターン形成は、次のような手順で行われる。まず、形成された薄膜の表面にフォトレジストが塗付され、そのフォトレジストに対してプリベークが施される。プリベークでは、加熱によりフォトレジストが固化される。
【００２２】
続いて、マスク露光が行われる。マスク露光では、透明導電層１０２のパターンと、包絡形状透明導電層１０３の包絡パターンとが描かれたマスクが用いられ、このマスク越しにフォトレジストが露光される。このマスク露光の後に、現像液による現像が行われる。露光により変質した部分以外のフォトレジストが現像により除去される。この現像により、透明導電層１０２のパターンと、包絡形状透明導電層１０３の包絡パターンとからなるマスクパターンが、上記の薄膜上にフォトレジストによって描かれる。現像後には、超純水等のリンス液による洗浄が行われ、さらに、ポストベークでの加熱によるリンス液の除去が行われる。
【００２３】
この後、マスクパターンから外れた余分な薄膜がエッチングにより除去されて、パターン化された透明導電層１０２と包絡形状透明導電層１０３とが形成される。最後に、マスクパターンとしてのフォトレジストが除去されてフォトリソグラフィー法によるパターン形成が終了する。
【００２４】
ステップＳ１の次には、図３及び図４にステップＳ２として示されているように、包絡形状透明導電層１０３の表面に包絡形状金属層１０４が形成される（第２の層形成過程）。このステップＳ２により、包絡形状透明導電層１０３と包絡形状金属層１０４との積層膜１２０が形成される。
【００２５】
ここで、本実施形態では、包絡形状金属層１０４の形成が、粒子径が数百ｎｍ〜１μｍ程度の銀粒子と樹脂バインダーとがペースト状に混合された導電性銀ペーストを用いたスクリーン印刷と、印刷後の焼成により行われる。導電性銀ペーストとしては、レーザーパターニングに適したものが望ましい。スクリーン印刷では、導電性銀ペーストが、包絡形状透明導電層１０３の表面に、この包絡形状透明導電層１０３と同形状に印刷される。
【００２６】
印刷された導電性銀ペーストが焼成されて包絡形状金属層１０４が形成される。導電性銀ペーストは、溶剤成分を含ませることでペースト状となっている。焼成によりこの溶剤成分がとばされて、銀粒子が樹脂バインダーによって結着された状態となる。本実施形態では、この焼成後の包絡形状金属層１０４の厚みが１μｍ〜１５μｍの範囲内に収まるようにスクリーン印刷が行われる。
【００２７】
次に、包絡形状透明導電層１０３と包絡形状金属層１０４との積層膜１２０から、導電パターン１１０として残す部分以外の余分な領域が除去されることにより、導電パターン１１０が形成される（パターン形成過程）。この余分な領域の除去は、図５にステップＳ３として示されているように、レーザー照射によって行われる。また、本実施形態では、レーザー照射に用いるレーザーとして、波長が１０３０〜１１００ｎｍの基本波でレーザー発振が可能なパルスレーザーが使用される。
【００２８】
余分な領域にレーザー光Ｌが照射されると、包絡形状金属層１０４よりも薄い下地層としての包絡形状透明導電層１０３がアブレーションを起こす。これにより、余分な領域の包絡形状金属層１０４が、包絡形状透明導電層１０３ごと残らず除去されて、導電パターン１１０相互間の分割部に、平滑かつ電気的短絡の無い基板表面が露出されることとなる。
【００２９】
このとき、アブレーションを起こす包絡形状透明導電層１０３が剥離容易層的な下地としての働きをするため、照射するレーザー光Ｌの強度を抑えることができる。これにより、導電パターン１１０を構成するパターン化透明導電層１１１及びパターン化金属層１１２、さらには、導電パターン１１０相互間の分割部に露出される透明基板１０１の表面へのダメージを抑えることができる。このようなダメージ抑制の効果は、ガラスに比べてレーザー照射によるダメージを受け易い透明プラスチックで形成された透明基板を用いる際に特に有効である。
【００３０】
また、上述したように本実施形態では、波長が１０３０〜１１００ｎｍの基本波のレーザー光の照射により導電パターン１１０が形成される。このような基本波のレーザー光をパターン形成に使用することで、例えば第二高調波のレーザー光をパターン形成に使用する場合に比較して透明基板１０１の表面へのダメージを抑えることができる。即ち、第二高調波のレーザー光は基本波のレーザー光よりも波長が短くなる。透明基板１０１としてガラス以外のＰＥＴ等で形成されたものを採用した場合、第二高調波のレーザー光は、基本波のレーザー光よりも波長が短い分、透明基板１０１に吸収され易く、その結果、照射時に透明基板１０１の表面にダメージを与え易くなる。本実施形態では、基本波のレーザー光をパターン形成に使用するので、透明基板１０１がＰＥＴ等で形成されたものであっても透明基板１０１の表面へのダメージを抑えることができる。
【００３１】
このようにして製造される本実施形態の導電パターン形成基板１では、導電パターン１１０が、パターン化透明導電層１１１の表面に、金属粒子を主成分とする導電材料で形成されたパターン化金属層１１２を備えている。導電パターン１１０における導電性は主にパターン化金属層１１２が担っている。このため、高精細で狭小なパターン幅の導電パターン１１０でも、その電気抵抗を十分に低く抑えるためには、パターン化金属層１１２の厚みとしてある程度以上の厚みが必要となる。ここで、このパターン化金属層１１２の厚みは、上記の金属粒子の粒子径に左右される。従って、この金属粒子として、パターン化金属層１１２における所望の厚みに対応した粒子径の金属粒子を採用することで、導電パターン１１０の高精細化と、導電パターン１１０の電気抵抗の抑制とを両立させることができる。本実施形態では、粒子径が数百ｎｍ〜１μｍ程度の金属粒子（銀粒子）が採用されている。この両立が可能となっていることから、本実施形態の導電パターン形成基板１では、導電パターン１１０のさらなる高精細化が可能となっている。
【００３２】
また、上述したように、本実施形態では、導電パターン１１０の元となる積層膜１２０における包絡形状透明導電層１０３が、レーザー照射時にアブレーションを起こして剥離容易層的な下地としての働きをする。これにより、余分な領域の包絡形状金属層１０４が、包絡形状透明導電層１０３ごと残らず除去されて、導電パターン１１０相互間の分割部に、平滑かつ電気的短絡の無い基板表面が露出される。そして、このような下地の働きを見込めるため、包絡形状金属層１０４を上記のように厚く形成しても、照射するレーザー光Ｌの強度を抑えることができる。これにより、導電パターン１１０や透明基板１０１の表面へのダメージを抑えることができる。
【００３３】
このように本実施形態の導電パターン形成基板１は、導電パターン１１０がさらに高精細化されるとともに、導電パターン１１０や透明基板１０１へのダメージが抑えられたものとなっている。
【００３４】
また、本実施形態の導電パターン形成基板１では、パターン化金属層１１２の厚みが、１μｍ〜１５μｍの範囲内の厚みとなっている。パターン化金属層１１２は、高精細な導電パターン１１０における電気抵抗を抑えるという観点から、その厚みが１μｍを超えていることが望ましく、レーザー照射による加工の容易さの観点から、その厚みが１５μｍ以下であることが望ましい。
【００３５】
また、本実施形態では、包絡形状透明導電層１０３と包絡形状金属層１０４との積層膜１２０から余分な領域がレーザー照射によって除去されることにより、導電パターン１１０が形成されている。本実施形態では、レーザー照射により高精細な導電パターン１１０が高い加工精度で形成されている。また、上記の積層膜１２０に対してレーザー照射が行われることから、上述したように、本実施形態の導電パターン形成基板１は、導電パターン１１０や透明基板１０１の表面へのダメージが抑えられたものとなっている。
【００３６】
また、本実施形態では、パターン化金属層１１２をなす導電材料は、金属粒子（銀粒子）と樹脂バインダーとがペースト状に混合された導電性ペースト（導電性銀ペースト）が焼成されることで、金属粒子が樹脂バインダーによって結着されたものとなっている。導電材料としてこのような材料を採用することで、導電性ペーストのスクリーン印刷を経た簡易で安価な作業を経てパターン化金属層１１２を形成することができる。本実施形態の導電パターン形成基板１は、これにより製造コストの軽減が図られている。
【００３７】
また、本実施形態では、導電材料に含有される金属粒子として銀粒子が採用されている。銀粒子を含有する導電材料は、低い電気抵抗と、またレーザー照射によるパターン形成の容易さの点で好ましい。
【００３８】
また、図３〜図５を参照して説明した本実施形態の基板製造方法によれば、上記のように導電パターン１１０の高精細化と、導電パターン１１０の電気抵抗の抑制とを両立させた導電パターン形成基板１を製造することができる。
【００３９】
また、本実施形態の基板製造方法によれば、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷の採用により製造コストの軽減が図られ、レーザー照射によるパターン形成を採用することで、高精細な導電パターン１１０の高い加工精度での形成が可能となっている。
【００４０】
尚、前述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。かかる変形によってもなお本発明の導電パターン形成基板及び基板形成方法の構成を具備する限り、勿論、本発明の範疇に含まれるものである。
【００４１】
例えば、前述した実施形態では、本発明にいう導電パターン形成基板の一例として、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に使用される導電パターン形成基板１が例示されている。しかしながら、本発明にいう導電パターン形成基板は、これに限るものではなく、その具体的な使用態様を問うものではない。
【００４２】
また、前述した実施形態では、本発明にいう導電パターンの一例として、一定間隔を空けて互いに平行に複数本配列された導電パターン１１０が例示されている。しかしながら、本発明にいう導電パターンは、これに限るものではなく、その具体的なパターン形状を問うものではない。
【００４３】
また、前述した実施形態では、本発明にいう導電パターンを形成する導電材料に含有される金属粒子の一例として銀粒子が例示されている。しかしながら、ここにいう金属粒子は、これに限るものではなく、銀以外の金属からなる粒子であってもよい。ただし、銀粒子を含有する導電材料が、低い電気抵抗と、またレーザー照射によるパターン形成の容易さの点で好ましいことは上述したとおりである。
【実施例】
【００４４】
次に、実際に導電パターン形成基板の製造を行った実施例について、その実施例と比較するための比較例とともに説明する。また、実施形態の説明で参照した図１〜図５を、以下の実施例や比較例での説明でも参照する。尚、以下の実施例では、各種寸法や材質について具体的に述べるが、これらの寸法や材質はあくまでも例であって、本発明は、これらの寸法や材質に限定されるものではない。
【００４５】
（第１実施例）
第１実施例では、透明基板として、ＰＥＴで形成された厚みが１５０μｍの基板を用いた。そして、図３及び図４のステップＳ１の処理を行った。
【００４６】
まず、透明基板の表面に、透明導電層及び包絡形状透明導電層の元となる厚みが２０ｎｍのＩＴＯ薄膜を、スパッタ法によって形成した。次に、上述したフォトリソグラフィー法により、ＩＴＯ薄膜から、透明導電層及び包絡形状透明導電層以外の不要な部分を除去して、透明導電層及び包絡形状透明導電層を形成した。
【００４７】
続いて、図３及び図４のステップＳ２の処理を行い、包絡形状透明導電層の表面に包絡形状金属層を、導電性銀ペーストを用いたスクリーン印刷と、印刷後の焼成により形成した。本実施例では、レーザーパターニング用の導電性銀ペーストとして、トーヨーケム株式会社製の「ＲＡ  ＦＳ  １１０Ｓ」を採用した。尚、レーザーパターニング用の導電性銀ペーストとしては、株式会社アサヒ化学研究所製の「ＬＳ−４７０Ｌ−２Ｆ」等も採用し得る。また、印刷後の焼成は、１３０℃前後で３０分程度行った。本実施例では、焼成後の包絡形状金属層の厚みが６〜７μｍの厚みとなるようにスクリーン印刷を行った。
【００４８】
ここで、導電性銀ペーストは、印刷後の焼成により溶剤成分がとばされるが、この焼成後の組成比率は、銀粒子の比率が７２〜７８％、樹脂バインダー（ポリエステル系又はウレタン系）の比率が２２〜２８％の比率となる。
【００４９】
次に、図５のステップＳ３の処理を行い、包絡形状透明導電層と包絡形状金属層との積層膜から、導電パターンとして残す部分以外の余分な領域を除去した。
【００５０】
本実施例では、導電パターンの配列ピッチを６０μｍ、導電パターンのパターン幅を４０〜４５μｍ、導電パターン相互間の間隔を１５〜２０μｍとした。また、このような導電パターンの形成に用いるレーザーとして、波長が１０５０ｎｍの基本波で平均出力が１３Ｗでのレーザー発振が可能なパルスファイバーレーザーを使用した。レーザー照射条件は、ビーム集光径を３０μｍ、平均出力を１２Ｗ、走査速度を３０００ｍｍ／ｓとした。
【００５１】
以上の処理を経て、第１実施例の導電パターン形成基板を得た。
【００５２】
図６は、第１実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真を、その断面形状とともに示す図である。図６（ａ）には、第１実施例の導電パターン形成基板１−１における導電パターン１１０−１の拡大写真が示され、図６（ｂ）には、隣り合う導電パターン１１０−１の相互間の分割部の実測断面形状が示されている。
【００５３】
図６に示されているように、第１実施例の導電パターン形成基板１−１では、導電パターン１１０−１相互間の分割部に、平滑かつ電気的短絡の無い基板表面が露出されている。また、露出された透明基板１０１−１の表面や、その両脇の導電パターン１１０−１へのダメージが殆どないことも目視により確認された。
【００５４】
尚、図５のステップＳ３の処理のようにレーザー照射を行って、導電パターンとして残す部分以外の余分な領域を除去した場合、レーザー照射で形成されたことを目視確認可能とする痕跡が導電パターンに残る。即ち、図６（ａ）の拡大写真に示されているように、導電パターン１１０−１の縁の部分が許容される範囲で僅かに凸凹した形状となり、かつ、レーザー照射の熱で溶けた形状が残る。また、パルスレーザーを照射した場合には、レーザー光のビームスポット形状（円形）が連続して重なった形状として加工跡に現れることとなる。ただし、無論のこと、この加工跡も許容される範囲の痕跡であることは言うまでもない。
【００５５】
（第２実施例）
第２実施例では、導電パターンの配列ピッチを４０μｍ、導電パターンのパターン幅を２０〜２５μｍ、導電パターン相互間の間隔を１５〜２０μｍとした。また、レーザー照射条件は、ビーム集光径を３０μｍ、平均出力を９Ｗ、走査速度を３０００ｍｍ／ｓとした。以上の点以外は、上述した第１実施例と同じ条件の下で第２実施例の導電パターン形成基板を得た。
【００５６】
図７は、第２実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真を、その断面形状とともに示す図である。図７（ａ）には、第２実施例の導電パターン形成基板１−２における導電パターン１１０−２の拡大写真が示され、図７（ｂ）には、隣り合う導電パターン１１０−２の相互間の分割部の実測断面形状が示されている。
【００５７】
図７に示されているように、第２実施例の導電パターン形成基板１−２でも、第１実施例よりも高精細な導電パターン１１０−２相互間の分割部に、平滑かつ電気的短絡の無い基板表面が露出されている。また、露出された透明基板１０１−２の表面や、その両脇の導電パターン１１０−２へのダメージが殆どないことも目視により確認された。
【００５８】
（第３実施例）
第３実施例では、導電パターンの形成に用いるレーザーとして、波長が１０６４ｎｍの基本波で平均出力が１５Ｗでのレーザー発振が可能なパルスＹＡＧレーザーを使用した。この点以外は、上述した第１実施例と同じ条件の下で第３実施例の導電パターン形成基板を得た。
【００５９】
図８は、第３実施例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。この図８に示されているように、第３実施例の導電パターン形成基板１−３でも、第１実施例と同様に、導電パターン１１０−３相互間の分割部に、平滑かつ電気的短絡の無い基板表面が露出されている。また、露出された透明基板１０１−３の表面や、その両脇の導電パターン１１０−３へのダメージが殆どないことも目視により確認された。
【００６０】
（第１比較例）
第１比較例では、図３及び図４のステップＳ１の処理において、包絡形状透明導電層を形成せずに、透明導電層のみを形成した。この点以外は、上述した第１実施例と同じ条件の下で第１比較例の導電パターン形成基板を得た。
【００６１】
図９は、第１比較例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。第１比較例では、下地としての包絡形状透明導電層が無い状態で、透明基板１０１−４の表面に直接に形成された厚みが６〜７μｍの包絡形状金属層に対し、レーザー照射が行われる。この第１比較例の導電パターン形成基板１−４では、図９の拡大写真における領域Ａ２や領域Ａ３に見られるように、不要な部分の除去が十分に行われず、隣り合う導電パターン１１０−４どうしの間で短絡が生じている。仮に、このような短絡を無くそうとしてレーザーの平均出力を更に上げたりすると、例えば導電パターン１１０−４のパターン幅が狭くなって断線等のダメージが生じる恐れが出て来る。
【００６２】
（第２比較例）
第２比較例でも、第１比較例と同様に、図３及び図４のステップＳ１の処理において、包絡形状透明導電層を形成せずに、透明導電層のみを形成した。また、第２比較例では、導電パターンの配列ピッチを４０μｍ、導電パターンのパターン幅を２０〜２５μｍ、導電パターン相互間の間隔を１５〜２０μｍとした。
【００６３】
さらに、第２比較例では、導電パターンの形成に用いるレーザーとして、波長が５３２ｎｍの第二高調波で平均出力が１０Ｗでのレーザー発振が可能なパルスＹＡＧレーザーを使用した。レーザー照射条件は、ビーム集光径を３０μｍ、平均出力を１０Ｗ、走査速度を３０００ｍｍ／ｓとした。以上の点以外は、上述した第１実施例と同じ条件の下で第２比較例の導電パターン形成基板を得た。
【００６４】
図１０は、第２比較例の導電パターン形成基板における導電パターンの拡大写真である。第２比較例では、下地としての包絡形状透明導電層が無い状態で、透明基板１０１−５の表面に直接に形成された厚みが６〜７μｍの包絡形状金属層に対し、波長が５３２ｎｍの第二高調波のレーザー光が照射される。この第２比較例の導電パターン形成基板１−５では、図１０の拡大写真に見られるように、導電パターン１１０−５相互間の分割部に露出した透明基板１０１−５の表面に、ビームスポット形状に抉れたようなダメージが生じている。第２比較例では、透明基板１０１−５として、ガラス以外のＰＥＴで形成されたものが使われており、上記のようなダメージが顕著に現れることとなっている。
【００６５】
（評価）
第１〜第３実施例について、図６〜図８の拡大写真から、高精細の導電パターン１１０−１〜１１０−３が、導電パターン１１０−１〜１１０−３や透明基板１０１−１〜１０１−３へのダメージが抑えられて形成されていることが分かる。また、第１実施例と第２実施例との比較から、このようにダメージを抑えつつも、導電パターン１１０−１，１１０−２のさらなる高精細化が可能であることが分かる。
【００６６】
そして、第１〜第３実施例と第１及び第２比較例との比較から、高精細化のために包絡形状金属層を厚く形成しても、包絡形状透明導電層の剥離容易層的な下地としての働きにより、不要部分が十分に除去され、かつ、ダメージが抑制されることが分かる。
【符号の説明】
【００６７】
１，１−１，１−２，１−３      導電パターン形成基板
１０１，１０１−１，１０１−２，１０１−３  透明基板
１０２    透明導電層
１０３    包絡形状透明導電層
１０４    包絡形状金属層
１１０，１１０−１，１１０−２，１１０−３    導電パターン
１１１    パターン化透明導電層
１１２    パターン化金属層
１２０    積層膜
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６８】
【特許文献１】特許第５４８８４６１号明細書
【特許文献２】特開２０１３−１５２５１４号公報
【特許文献３】国際公開第ＷＯ２０１２／０９６２３２号パンフレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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