【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル提示用上面と下面とを備えたマトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）用サンプル支持プレートであって、前記サンプル提示用上面には１以上のサンプル受け入れ穴があり、前記穴はサンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり、前記穴には、サンプル中に含まれる分析対象とマトリックス分子とを前記穴の表面で保持・濃縮するための多孔性材料が充填されている、前記サンプル支持プレート。
【請求項２】
前記多孔性材料が、選択された分子を多孔性材料中へあるいは多孔性材料を通って浸透させ、または選択された分子を多孔性材料上に保持することができるほど、十分に多孔性である、請求項１に記載のサンプル支持プレート。
【請求項３】
前記多孔性材料が、多孔性モノリス（monolith）および粒子層からなる群より選択される、請求項２に記載のサンプル支持プレート。
【請求項４】
前記多孔性材料を浸透する分子が、塩、溶媒、およびこれらの混合物から選択され、前記多孔性材料の表面に保持される分子が分析対象およびマトリックスである、請求項２に記載のサンプル支持プレート。
【請求項５】
前記多孔性材料が多孔性モノリスである、請求項３に記載のサンプル支持プレート。
【請求項６】
前記多孔性モノリスが、モノマー、ポロゲン（porogen）、および開始剤を混合することにより作製される、請求項５に記載のサンプル支持プレート。
【請求項７】
前記モノマーが、モノビニルモノマー、ポリビニルモノマー、およびモノビニルモノマーとポリビニルモノマーとの混合物からなる群より選択される、請求項６に記載のサンプル支持プレート。
【請求項８】
前記モノビニルモノマーが、スチレン、Ｎ−ビニルピロリドン、メタクリレート、ビニルアセテート、グリシジル・メタクリレート、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項７に記載のサンプル支持プレート。
【請求項９】
前記ポリビニルモノマーが、ジビニルベンゼン、エチレンジメタクリレート、ビス−アクリルアミド、ジビニルピリジン、エチレンジメタクリレート、ヒドロキシアルキレンジメタクリレート、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項７に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１０】
前記ポロゲンが、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール、ケトン、エーテル、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項６に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１１】
前記開始剤が、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酸化二硫酸、バゾ（Vazo）52、バゾ64、バゾ67、バゾ88、V70、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項６に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１２】
前記穴が、正確に定められた位置にある、請求項１に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１３】
前記穴の正確に定められた位置が、自動分析を容易にするものである、請求項７に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１４】
前記穴が、前記プレートを垂直方向に通り、プレート表面に対し垂直方向を向いている、請求項１に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１５】
選択された分子を多孔性材料中へまたは多孔性材料を通って浸透させやすくするために、前記穴を減圧状態にする、請求項２に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１６】
前記減圧状態が、真空マニホールドによってかけられる、請求項１５に記載のサンプル支持プレート。
【請求項１７】
請求項１に記載の前記サンプル支持プレートを準備し；
サンプルを前記穴に添加し；
サンプル中の選択された分子を前記穴にある多孔性材料へ浸透または通過させ、サンプル中の他の選択された分子を前記多孔性材料の上部に保持させることによって、前記他の選択された分子を前記穴の表面に濃縮し；
それによって、ＭＡＬＤＩ−ＭＳ用のサンプルを調製することを有するマトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析機（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）用のサンプル調製方法。
【請求項１８】
前記穴にサンプルを添加する前に、前記サンプル支持プレートを減圧状態にすることをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記減圧状態が、前記サンプル支持プレートを真空マニホールドに置くことによってかけられる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記サンプルが、分析対象、マトリックス材料、１以上の塩、または１以上の溶媒を含んでなる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記サンプルが前記吸着剤中へまたは前記吸着剤を通って徐々に通過するような速度で減圧状態にすることによって、１以上の塩および１以上の溶媒を前記多孔性材料中へまたは前記多孔性材料を通って通過させ、前記分析対象および前記マトリックス材料を前記多孔性材料の上部に保持させ、それによって、前記分析対象を前記穴の表面に濃縮させる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記サンプルが、マトリックス材料の溶液を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記サンプルが前記吸着剤中へまたは前記吸着剤を通って徐々に通過するような速度で減圧状態にすることによって、前記多孔性材料の上部に前記マトリックス材料を保持させ、前記多孔性材料の上部に前記マトリックス材料の結晶を形成させ、それによって、前記穴の表面に前記マトリックス材料の結晶を濃縮させる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
分析対象の溶液を含む第２のサンプルを前記穴に添加し、前記第２のサンプルが前記多孔性材料中へまたは前記多孔性材料を通って徐々に通過するような速度で減圧状態にすることによって、前記分析対象を前記多孔性材料の上部に保持させ、それによって、前記多孔性材料の上部に前記分析対象を濃縮させ、前記穴の表面でマトリックス材料の結晶に前記分析対象を含ませることをさらに含んでなる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記サンプルが分析対象の溶液を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記サンプルが前記多孔性材料中へまたは前記多孔性材料を通って徐々に通過するような速度で減圧状態にすることによって、前記分析対象を前記多孔性材料の上部に保持させ、それによって、前記穴の表面に分析対象を濃縮させる、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
マトリックス材料の溶液を含む第２のサンプルを前記穴に添加し、前記第２のサンプルが前記多孔性材料中へまたは前記多孔性材料を通って徐々に通過するような速度で減圧状態にすることによって、前記マトリックス材料が前記多孔性材料の上部に保持され、前記多孔性材料の上部に前記マトリックス材料の結晶を形成させ、それによって、前記マトリックス材料の結晶を濃縮させ、前記穴の表面で前記分析対象に前記マトリックス材料を含ませることをさらに含んでなる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記マトリックス材料の溶液を含有する第２のサンプルを添加する前に、水を前記穴に添加し、水が前記多孔性材料を通って通過するよう減圧状態にすることをさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
サンプル提示用上面と下面とを備えたサンプル支持プレートを準備し；
サンプル提示用上面にサンプル受け入れ用の１以上の穴を形成させ、この穴は、サンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり；および
多孔性材料を前記穴に加えることをさらに含んでなる、請求項１に記載の前記サンプル支持プレートの作製方法。
【請求項３０】
サンプル提示用上面と下面とを備えたサンプル支持プレート上に１以上の穴を形成させ、この穴は、サンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり；および
多孔性材料を前記穴に加えることを含んでなる、請求項１のサンプル支持プレートの作製方法。
【請求項３１】
前記多孔性材料が、多孔性モノリスを含んでなる、請求項２９または３０に記載の方法。
【請求項３２】
モノマー、ポロゲン、および開始剤を混合し；
前記穴を前記混合物で充填し；
重合反応を開始させ、多孔性モノリスプラグ（plug）を形成させ；および
前記多孔性高分子吸着剤プラグを洗浄して、未反応のモノマー、ポロゲン、および開始剤を除去することをさらに含んでなる、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記モノマーが、モノビニルモノマー、ポリビニルモノマー、およびモノビニルモノマーとポリビニルモノマーとの混合物からなる群より選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記モノビニルモノマーが、スチレン、Ｎ−ビニルピロリドン、メタクリレート、ビニルアセテート、グリシジルメタクリレート、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ポリビニルモノマーが、ジビニルベンゼン、エチレンジメタクリレート、ビス−アクリルアミド、ジビニルピリジン、エチレンジメタクリレート、ヒドロキシアルキレンジメタクリレート、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記ポロゲンが、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール、ケトン、エーテル、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記開始剤が、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酸化二硫酸、バゾ（Vazo）52、バゾ64、バゾ67、バゾ88、V70、およびこれらのいかなる混合物からなる群より選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記穴が、選択された分子の浸透と、他の選択された分子の保持とを可能にするいかなる形状であってよい、請求項１に記載の支持プレート。
【請求項３９】
サンプル支持プレートを準備し、前記サンプル支持プレートにはサンプル提示用上面と下面とがあり、前記サンプル提示用上面には１つ以上のサンプル受け入れ用の穴があり、前記穴は、サンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり、前記穴には、サンプルに含まれる分析対象とマトリックス分子とを前記穴の表面に保持・濃縮する多孔性材料が充填されており；
分析対象を含むサンプルを前記穴に添加し；
前記サンプル中の選択された分子を前記穴にある前記多孔性材料へ浸透または通過させ、および、前記サンプル中の分析対象を前記多孔性材料の上部に保持させ、それによって、前記穴の表面の分析対象を濃縮させ；および
前記分析対象にＭＡＬＤＩ−ＭＳを行うことを含んでなる、分析対象にマトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）を行う方法。
【請求項４０】
前記サンプル提示用上面に１以上のサンプル受け入れ用の穴があり、前記穴は、サンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり、前記穴には、サンプル中に含まれる分析対象とマトリックス分子とを前記穴の表面に保持・濃縮するための多孔性モノリスが充填されている、サンプル提示用上面と下面とを備えたマトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）において使用するサンプル支持プレート。
【請求項４１】
前記多孔性モノリスが、マクロ多孔性高分子プラグである、請求項５または４０に記載のサンプルプレート。
【請求項４２】
前記サンプル提示用上面に１以上のサンプルターゲットスポットがあり、前記ターゲットスポットの中に前記穴が位置している、請求項１、１７、２９、３０、３９、または４０のいずれか１項に記載の方法またはサンプルプレート。
【請求項４３】
前記サンプル提示用上面に１以上のサンプル受け入れ用の穴があり、前記穴は、サンプル提示用上面と下面とを通って、サンプル提示用上面と下面との間にあり、さらに、前記穴には、サンプル中に含まれる分析対象またはマトリックス分子を前記穴の表面に保持・濃縮するための多孔性モノリスが充填されている、サンプル提示用上面と下面とを有するモノリス支持プレートを備えたマトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析機（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）用サンプル支持プレート。
【請求項４４】
ターゲットスポットのグリッドが、サンプル提示用上面に形成される、複数の穴を備えた請求項１２または１３に記載のサンプル支持プレート。
【請求項４５】
前記グリッドが、９６の穴を有する、請求項４４に記載のサンプル支持プレート。
【請求項４６】
前記複数の穴が、ハイスループット分析を容易にするものである、請求項４４に記載のサンプル支持プレート。