【事件の表示】
　特願２００８−１７９４９１「量子井戸構造の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日出願公開、特開２０１０−　２１２９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２０年７月９日に特許出願したものであって、平成２２年６月２８日付けで手続補正がなされたが、同年７月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年１０月１８日になされた手続補正を「本件補正」という。）。 
 　 
第２　本件補正についての却下の決定 
　
１　結論 
　本件補正を却下する。 
　
２　理由 
（１）補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前の 
「【請求項１】インジウムを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む井戸層と、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む障壁層とを備える量子井戸構造を基板上に形成する方法であって、
　前記基板の温度を第１の温度に保ちつつ前記井戸層を成長させる井戸層成長工程と、
　前記基板の温度を前記第１の温度から次第に昇温させながら、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む中間層を前記井戸層上に成長させる中間層成長工程と、
　前記基板の温度を前記第１の温度より高い第２の温度に保ちつつ前記障壁層を前記中間層上に成長させる障壁層成長工程とを含み、
　前記中間層成長工程の際に、前記中間層を１［ｎｍ］より厚く３［ｎｍ］より薄い厚さに成長させて前記井戸層の結晶構造の分解を抑えることにより、前記井戸層の発光波長を５００ｎｍ以上とすることを特徴とする、量子井戸構造の製造方法。」
を
「【請求項１】インジウムを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む井戸層と、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む障壁層とを備える量子井戸構造を基板上に形成する方法であって、
　前記基板の温度を第１の温度に保ちつつ前記井戸層を成長させる井戸層成長工程と、
　前記基板の温度を前記第１の温度から次第に昇温させながら、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含
み前記井戸層の発光波長の短波長化を防ぐための
前記井戸層の成長速度以下の成長速度で
　前記基板の温度を前記第１の温度より高い第２の温度に保ちつつ前記障壁層を前記中間層上に成長させる障壁層成長工程とを含み、
　前記中間層成長工程の際に、前記中間層を１［ｎｍ］より厚く３［ｎｍ］より薄い厚さに成長させて前記井戸層の結晶構造の分解を抑えることにより、前記井戸層の発光波長を５００ｎｍ以上とすることを特徴とする、量子井戸構造の製造方法」 
に補正する内容を含むものである（以下「本件補正」という。）。 
 　 
（２）補正の適否についての判断 
　本件補正は、発明を特定するために必要な事項である中間層及び中間層成長工程につき、それぞれ
井戸層の発光波長の短波長化を防ぐための
井戸層の成長速度以下の成長速度で
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について  
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。 
ア　本願補正発明の認定  
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。） は、上記２（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
 　  
イ　刊行物の記載 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２００２−４３６１８号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載（ア）ないし（キ）がある。（下線は、審決で付した。以下同じ。）
（ア）「【請求項１】
基板の上に
窒化物半導体からなる井戸層
前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる障壁層
交互に積層した多重量子井戸構造を有する窒化物半導体を製造する方法
第１の基板温度で前記井戸層を成長させる第１の工程
前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層を成長させる第２の工程
前記第２の基板温度から前記第１の基板温度に降温する第３の工程
多重量子井戸を形成する
窒化物半導体の製造方法
【請求項２】
前記第２の工程により前記障壁層を成長させた後、前記第３の工程の前に、前記第２の基板温度を略一定に保った基板温度で更に前記障壁層を成長させる第４の工程を設け
【請求項６】
前記井戸層がＩｎ
x
Ｇａ
1-x
Ｎ（但し、０＜ｘ＜１）であり、前記障壁層がＩｎ
y
Ａｌ
z
Ｇａ
1-y-z
Ｎ（但し、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ＜１、ｘ＞ｙ）である
　
（イ）「【０００２】
【従来の技術】III族元素としてＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ等を含み、５族元素としてＮ等を含むＡｌＧａＩｎＮで表される窒化物半導体は、可視光の発光デバイスや高温動作電子デバイス用の半導体材料として多用されるようになっており、青色や緑色の発光ダイオードや、青紫色のレーザダイオードの分野で実用化が進んでいる。」
　
（ウ）「【００２５】また、障壁層Ｂを成長させる際に、井戸層および障壁層Ａよりも速い成長速度で成長させることや、障壁層Ｂを成長した後、井戸層を成長させる基板温度まで降温する際にも、少なくとも障壁層の一部を成長させる工程を加えることによって、障壁層が厚い場合や、ＭＱＷの周期数が多い場合でも、ＭＱＷの形成時間がさらに短縮できることを見出した。」
　
（エ）「【００４２】図１には、本発明の一実施の形態に係るＭＱＷからなる窒化物半導体発光素子の層構造を表す断面図を示す。
【００４３】この発光素子は、サファイアからなる基板１の上に、ＧａＮからなるバッファ層２と、ＧａＮからなる第１のｎ型クラッド層３と、ＡｌＧａＮからなる第２のｎ型クラッド層４と、ＩｎＧａＮからなる井戸層５およびＧａＮからなる障壁層６を交互に成長させたＭＱＷ層（５〜１０）と、ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１１とが順に積層されている。また、ｐ型クラッド層１１の表面には透光性電極１２、ｐ側電極１３が順に形成され、第１のｎ型クラッド層３の表面にはｎ側電極１４が形成されている。・・・
【００４７】次に、水素、ＴＭＧ、ＴＭＡの各供給を止めて、
基板１の温度を７５０℃まで下げ、窒素、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアをそれぞれ流して、ＩｎＧａＮからなる井戸層５を形成する
【００４８】その後、ＴＭＩの供給のみを止めて、引き続き、基板温度を７５０℃から１０５０℃まで昇温しながら
障壁層Ａを形成し
障壁層Ｂを形成し
障壁層Ａと障壁層Ｂを合わせて障壁層６とする
井戸層の分解が抑制でき
【００４９】本発明者らの知見によれば、障壁層Ｂの成長速度は障壁層Ａの成長速度より大きくすることが望ましい。具体的には、障壁層Ａの成長速度は０．０１μｍ／ｈ〜０．５μｍ／ｈであるのに対し、障壁層Ｂの成長速度は０．１μｍ／ｈ〜１０μｍ／ｈであることが好ましい。障壁層Ｂの成長速度が０．１μｍ／ｈよりも小さいとＭＱＷの形成に時間がかかり過ぎるし、１０μｍ／ｈより大きいと障壁層Ｂの結晶性が悪化する。障壁層の膜厚は井戸層に比較して厚く形成する必要があり、特に、障壁層Ｂの成長時に、障壁層Ａよりも高い成長速度とすることによって、高温（概略一定温度）での成長速度が大きくなるので、障壁層の結晶性が向上すると同時に、障壁層を厚くする場合や、ＭＱＷの周期数を増やす場合に、成長時間を従来よりも短縮することができ、ＭＱＷからなる窒化物半導体の製造コストを低減できる。
【００５０】次に、障壁層Ｂの成長時の雰囲気の水素濃度は障壁層Ａの成長時の雰囲気の水素濃度よりも高くすることが望ましい。具体的には、障壁層Ａの成長時の雰囲気の水素濃度が０％〜５％であるのに対し、障壁層Ｂの成長時の雰囲気の水素濃度は５％〜７０％が好ましい。ここで、水素濃度は水素ガスの容量比である。障壁層Ｂの成長時の雰囲気の水素濃度が５％より低い場合は、障壁層Ｂの結晶性が悪化するし、７０％以上では、基板面内での膜厚等の均一性が悪化する。
【００５１】障壁層Ａにおいては、井戸層の分解を抑制することが重要となるため、障壁層の成長時の雰囲気の水素濃度は低い方が、井戸層の分解が抑えられる。これに対し、障壁層Ｂは障壁層の結晶性を向上させることが重要となるため、高温（１０５０℃）で障壁層Ａよりも成長時の雰囲気の水素濃度を高めることにより、成長表面でのマイグレ−ションを促進し、障壁層の結晶性を向上させることができる。」
　
（オ）「【００５５】次に、基板温度については、井戸層は５００℃〜９００℃の範囲が望ましい。井戸層では、成長時においても分解が発生するので、９００℃よりも高いとＩｎＧａＮの分解が促進されて井戸層がほとんど成長しなくなり、５００℃よりも低いと井戸層の結晶性が悪くなる。一方、昇温後の基板温度は８００℃〜１２００℃が望ましい。基板温度がより高い方が障壁層の結晶性は向上するが１２００℃よりも高いと、ウェハーの表面荒れが発生するし、ＭＯＣＶＤ装置の基板加熱源への負荷も大きくなり、好ましくない。また、基板温度が８００℃よりも低いと、十分な結晶性をもつ障壁層が成長できない。
【００５６】次に、少なくとも障壁層Ａの成長開始時のＧａ原料供給量は井戸層のＧａ原料供給量より少なくすることが望ましい。具体的には、井戸層成長時のＴＭＧ供給量が２μｍｏｌ／分〜１０μｍｏｌ／分であるのに対し、障壁層Ａの成長開始時のＴＭＧ供給量は０．４μｍｏｌ／分〜４μｍｏｌ／分が好ましい。障壁層Ａの成長開始時のＴＭＧ供給量が０．４μｍｏｌ／分よりも小さいと、障壁層Ａを成長させる際、井戸層の分解を抑制することが困難となるし、４μｍｏｌ／分よりも大きいと、障壁層Ａの結晶性が悪化する。これは、障壁層ＡのＴＭＧ供給量を増やすと井戸層の分解は抑制され易くなるが、障壁層を低温で比較的速い成長速度で成長させることになるので、障壁層の結晶性がより悪化するためである。・・・
【００５８】次に、井戸層を成長させる基板温度よりも高い基板温度で障壁層を成長した後、基板温度を井戸層を成長させる温度まで降温する際にも、少なくとも障壁層の一部を成長させることが、成長時間短縮の点で望ましい。前記降温時は井戸層成長後の昇温時に比較して
井戸層への影響（結晶性の劣化）が少なくなる
　
（カ）「【００６９】井戸層５を成長後、ＴＭＩの供給を止め、キャリアガスとして窒素を１４リットル／分、アンモニアを６リットル／分、ＴＭＧを２μｍｏｌ／分で供給して、基板１の温度を１０５０℃に向けて昇温させながら、引き続きアンドープの
ＧａＮ（障壁層Ａ）を３ｎｍの厚さで成長させ
　
（キ）「【００９２】この後、サファイアの基板１の裏面を研磨して１００μｍ程度にまで薄くし、スクライブによりチップ状に分離した。このチップを電極形成面側を上向きにしてステムに接着した後、チップのｐ側電極１３とｎ側電極１４をそれぞれステム上の電極にワイヤで結線し、その後樹脂モールドして発光素子を作製し、試料３とした。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、
ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光
　
ウ　引用発明
（ア）上記イ（ア）によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
「基板の上に、窒化物半導体からなる井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる障壁層と、を交互に積層した多重量子井戸構造を有する窒化物半導体を製造する方法であって、第１の基板温度で前記井戸層を成長させる第１の工程と、前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層を成長させる第２の工程と、前記第２の基板温度から前記第１の基板温度に降温する第３の工程と、を順に繰り返すことによって多重量子井戸を形成する窒化物半導体の製造方法において、
　前記第２の工程により前記障壁層を成長させた後、前記第３の工程の前に、前記第２の基板温度を略一定に保った基板温度で更に前記障壁層を成長させる第４の工程を設け、
　前記井戸層がＩｎxＧａ1-xＮ（但し、０＜ｘ＜１）であり、前記障壁層がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ＜１、ｘ＞ｙ）である窒化物半導体の製造方法。」
　
（イ）上記（ア）の発明は、「前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層を成長させる第２の工程」を有するものであるところ、上記イ（エ）の「基板１の温度を７５０℃まで下げ、窒素、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアをそれぞれ流して、ＩｎＧａＮからなる井戸層５を形成する・・・基板温度を７５０℃から１０５０℃まで昇温しながら障壁層Ａを形成し」の記載によれば、「障壁層を成長させ」は「障壁層Ａを成長させ」るものであり、上記イ（カ）の「基板１の温度を１０５０℃に向けて昇温させながら、引き続きアンドープのＧａＮ（障壁層Ａ）を３ｎｍの厚さで成長させ」の記載によれば、上記の「第２の工程」は、「障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させ」るものであると認められる。
　
（ウ）上記（ア）の発明は、「前記第２の工程により前記障壁層を成長させた後、前記第３の工程の前に、前記第２の基板温度を略一定に保った基板温度で更に前記障壁層を成長させる第４の工程」を有するものであるところ、上記イ（エ）の「更に１０５０℃において、窒素、水素、 ＴＭＧ、アンモニアをそれぞれ流しながら、障壁層Ｂを形成し」の記載によれば、上記「障壁層」は「障壁層Ｂ」であり、上記イ（エ）の「障壁層Ａと障壁層Ｂを合わせて障壁層６とする」の記載によれば、上記（ア）の発明の「前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる障壁層」、及び、「前記障壁層がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ＜１、ｘ＞ｙ）である」の「障壁層」は、「障壁層Ａと障壁層Ｂを合わせて障壁層とする」ものであると認められる。
　
（エ）上記（ア）の発明の「多重量子井戸を形成する窒化物半導体」は、上記イ（エ）の「基板温度を７５０℃から１０５０℃まで昇温しながら障壁層Ａを形成し、更に１０５０℃において、窒素、水素、 ＴＭＧ、アンモニアをそれぞれ流しながら、障壁層Ｂを形成し、障壁層Ａと障壁層Ｂを合わせて障壁層６とする。・・・この方法によれば、井戸層の分解が抑制できる」の記載によれば、「井戸層の分解が抑制できる多重量子井戸を形成する窒化物半導体」であって、上記イ（キ）の「この後、サファイアの基板１の裏面を研磨して１００μｍ程度にまで薄くし、スクライブによりチップ状に分離した。このチップを電極形成面側を上向きにしてステムに接着した後、チップのｐ側電極１３とｎ側電極１４をそれぞれステム上の電極にワイヤで結線し、その後樹脂モールドして発光素子を作製し、試料３とした。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光した」の記載によれば、上記（ア）の発明「井戸層の分解が抑制できる、多重量子井戸を形成する窒化物半導体」は、「井戸層の分解が抑制できる、ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光する多重量子井戸を形成する窒化物半導体」であると認められる。
　
（オ）以上によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
「基板の上に、窒化物半導体からなる井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる障壁層と、を交互に積層した多重量子井戸構造を有する窒化物半導体を製造する方法であって、第１の基板温度で前記井戸層を成長させる第１の工程と、前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させる第２の工程と、前記第２の基板温度から前記第１の基板温度に降温する第３の工程と、を順に繰り返すことによって、井戸層の分解が抑制できる、ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光する多重量子井戸を形成する窒化物半導体の製造方法において、
　前記第２の工程により前記障壁層を成長させた後、前記第３の工程の前に、前記第２の基板温度を略一定に保った基板温度で更に前記障壁層Ｂを成長させる第４の工程を設け、障壁層Ａと障壁層Ｂを合わせて障壁層とし、
　前記井戸層がＩｎxＧａ1-xＮ（但し、０＜ｘ＜１）であり、前記障壁層がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ＜１、ｘ＞ｙ）である窒化物半導体の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
エ　対比
（ア）本願発明と引用発明を比較すると、
　引用発明の「窒化物半導体（ＩｎxＧａ1-xＮ）からなる井戸層」、「井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる（ＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮの）障壁層」、「交互に積層した多重量子井戸構造」、「第１の基板温度で前記井戸層を成長させる第１の工程」、「前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させる第２の工程」、「前記第２の工程により前記障壁層を成長させた後、前記第３の工程の前に、前記第２の基板温度を略一定に保った基板温度で更に前記障壁層Ｂを成長させる第４の工程」、及び、「窒化物半導体の製造方法」は、
　本願補正発明の「インジウムを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む井戸層」、「井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む障壁層」、「量子井戸構造」、「基板の温度を第１の温度に保ちつつ前記井戸層を成長させる井戸層成長工程」、「前記基板の温度を前記第１の温度から次第に昇温させながら、中間層を前記井戸層上に成長させる中間層成長工程」、「前記基板の温度を前記第１の温度より高い第２の温度に保ちつつ前記障壁層を前記中間層上に成長させる障壁層成長工程」、及び、「量子井戸構造の製造方法」にそれぞれ相当する。 
　
（イ）引用発明の「第２の工程」は、「前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させる」ものであるところ、「第２の工程で」成長させる障壁層Ａは、「障壁層」の１つであって、「障壁層」が「ＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ」からなるとともに「井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる」ことに照らして、引用発明の「第２の工程」の「障壁層Ａ」は、「前記第１の基板温度から前記第１の基板温度より高い第２の基板温度に向かって昇温しながら前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体であるＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮからなる障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させる」ものであるといえる。
　
（ウ）上記イ（オ）の「井戸層への影響（結晶性の劣化）が少なくなる」に照らしてみれば、引用発明の「井戸層の分解が抑制できる」とは、「井戸層の結晶性の劣化（結晶構造の分解）が抑制できる」ということであるといえるから、本願補正発明の「井戸層の結晶構造の分解を抑える」に相当する。
　
（エ）以上によれば両者は、
「インジウムを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む井戸層と、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む障壁層とを備える量子井戸構造を基板上に形成する方法であって、前記基板の温度を第１の温度に保ちつつ前記井戸層を成長させる井戸層成長工程と、前記基板の温度を前記第１の温度から次第に昇温させながら、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む中間層を、前記井戸層上に成長させる中間層成長工程と、前記基板の温度を前記第１の温度より高い第２の温度に保ちつつ前記障壁層を前記中間層上に成長させる障壁層成長工程とを含む量子井戸構造の製造方法。」
である点で一致し、
　
　本願補正発明は、「中間層」が「井戸層の発光波長の短波長化を防ぐための中間層」であって、「前記井戸層の成長速度以下の成長速度」で「前記井戸層上に成長させる中間層成長工程」で成長させるものであるのに対して、引用発明は、中間層（障壁層Ａ）が「井戸層の発光波長の短波長化を防ぐ」ものか否か明らかではなく、井戸層の成長速度との関係を考慮していない点（以下「相違点１」という。）、及び、
　
　本願補正発明は、「前記中間層成長工程の際に、前記中間層を１［ｎｍ］より厚く３［ｎｍ］より薄い厚さに成長させて前記井戸層の結晶構造の分解を抑えることにより、前記井戸層の発光波長を５００ｎｍ以上とする」ものであるのに対して、引用発明は「井戸層の結晶性の劣化（結晶構造の分解）が抑制できる」ものであって、「障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させ」、「ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光する」ものである点（以下「相違点２」という。）
で相違するものと認められる。
　
オ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。
ａ　本願補正発明は、井戸層の上に中間層を成長させることによって井戸層の結晶構造の分解を抑え、その結果として井戸層の発光波長の短波長化を防ぐものであるところ、引用発明も、井戸層の上に障壁層Ａを形成することで井戸層の結晶性の劣化（結晶構造の分解）を抑制していることに照らして、引用発明の中間層（障壁層Ａ）は本願補正発明の中間層と同じ効果を生じるものといえ、また、発光波長を目標とする波長となるように調整することは当業者が当然考慮する事項であるから、引用発明において、中間層を井戸層の発光波長の短波長化を防ぐものとすることは当業者が容易に想到できたことである。
　　
ｂ　本願補正発明は、井戸層の成長速度以下の成長速度で中間層を井戸層上に成長させているが、本願明細書ではそのようにした技術的な意義は説明されておらず、引用発明において、中間層を井戸層の上にどのような成長速度で成長させるかは、当業者が適宜になし得る設計的事項であるものと認められる。
　
（イ）上記相違点２について検討する。
ａ　引用発明において、その中間層（障壁層Ａ）の厚みをどの程度とするかは、当業者が当該引用発明を実施する上で、適宜に定めるべき設計的事項であって、その中間層（障壁層Ａ）の厚みを３ｎｍより薄い厚さとすることは当業者が適宜になし得る設計的事項である。
　
ｂ　発光波長を５００ｎｍ以上とすることについても、発光ダイオードを４７０ｎｍより長い緑色の発光波長で発光させることは従来から行われていたことであるから、その発光波長が４７０ｎｍである引用発明において、その発光波長を５００ｎｍ以上のものとすることは当業者が適宜になし得る設計的事項である。
　
（ウ）以上の検討によれば、相違点１、及び、相違点２は、当業者が設計上適宜なし得ることである。
　
カ　まとめ 
　以上アないしオの検討によれば、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）小括
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たしていない。 
 　 
３　本件補正についてのむすび  
　上記２で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　
第３　本願発明について 
　
１　本願発明  
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月２８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。  
 　
２　刊行物の記載及び引用発明  
　前記第２、２（３）イ及びウのとおりである。  
　
３　対比・判断  
　前記第２、２（３）での検討に照らして、本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明は、「前記中間層成長工程の際に、前記中間層を１［ｎｍ］より厚く３［ｎｍ］より薄い厚さに成長させて前記井戸層の結晶構造の分解を抑えることにより、前記井戸層の発光波長を５００ｎｍ以上とする」ものであるのに対して、引用発明は「井戸層の結晶性の劣化（結晶構造の分解）が抑制できる」ものであって、「障壁層Ａを３ｎｍの厚さで成長させ」、「ピーク波長４７０ｎｍの青色で発光する」ものである点で相違し、両者はその余の点において一致するものと認められる。  
　そして、上記相違点は、前記第２、２（３）エ（カ）で示した相違点２であるところ、前記第２、２（３）オ（イ）での検討と同様の理由により、引用発明において本願発明の相違点２に係る構成を備えることは、設計上適宜なし得ることである。 
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
　
第４　むすび  
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。