【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電気的に接着されて基板との間にアンダーフィル接着剤を有する電子部品を含み、前記アンダーフィル接着剤が、ポリエポキシド樹脂と、硬化触媒と、球形の非凝集、非晶質かつ固体である表面処理ナノ粒子との混合物を含む硬化性アンダーフィル接着用組成物の反応生成物を含む、電子アセンブリ。
【請求項２】
前記硬化性アンダーフィル接着用組成物が融剤をさらに含む、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項３】
前記表面処理ナノ粒子が５〜６００ナノメートルの平均粒度を有する、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項４】
前記表面処理ナノ粒子が、２つ以上の表面処理ナノ粒子のブレンドを含み、各々が１０〜１５０ナノメートルの平均粒度を有する、請求項１に記載の電子アセンブリ。
【請求項５】
電子部品を提供する工程と、
基板を提供する工程と（ここで前記電子部品または前記基板のどちらか一方が半田バンプを有し、他方が電気ボンディングパッドを有している）、
ポリエポキシド樹脂と、
硬化触媒と、
融剤と、
球形の非凝集、非晶質かつ固体である表面処理ナノ粒子と
を含む硬化性アンダーフィル接着用組成物を提供する工程と、
前記半田バンプが前記電気ボンディングパッドと整列して硬化性アセンブリを形成するように前記硬化性組成物を前記電子部品と前記基板との間に配置する工程と、
前記硬化性アセンブリに熱を加えて前記接着用組成物を硬化させる工程とを含む、請求項１記載の電子アセンブリの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のノーフロー方法は、１）重力以外に、半田バンプと、相応する電気的接触ボンディングパッドとの間の電気的接触を設けるために電子部品に適用された付加的な力、２）接着用組成物を硬化し、半田をリフローさせるために必要とされた量を超える粘度調節のための付加的な熱、３）半田バンプが、半田がリフローする間に電気的接続を設けるために特定または不規則な形状を有すること、および４）アンダーフィル接着用組成物が１つより多い層において分配されること（前記層のすべてが充填されるわけではない）を必要としない。
以下に、本発明に関連する具体的態様について、列挙する。
本発明は、具体的態様の第１として、基板に電気的に接着されて基板との間にアンダーフィル接着剤を有する電子部品を含み、前記アンダーフィル接着剤が、ポリエポキシド樹脂と、硬化触媒と、実質的に球形の非凝集、非晶質かつ固体である表面処理ナノ粒子との混合物を含む硬化性アンダーフィル接着用組成物の反応生成物を含む、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第２として、具体的態様の第１において、前記硬化性アンダーフィル接着用組成物が融剤をさらに含む、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第３として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が５〜６００ナノメートルの平均粒度を有する電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第４として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が３０〜７０重量パーセントの量において前記アンダーフィル接着剤中に存在している、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第５として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子がオルガノシランで表面処理される、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第６として、具体的態様の第１において、前記アンダーフィル接着剤の熱膨張率が２０〜５０ｐｐｍ／℃の範囲である、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第７として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子がシリカを含む、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第８として、具体的態様の第１において、前記ポリエポキシドが、全組成物１００部当たり１０〜７０部の量において前記アンダーフィル接着剤中に存在している、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第９として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が、３５〜６５重量パーセントの量において前記アンダーフィル接着剤中に存在している、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１０として、具体的態様の第１において、前記ポリエポキシドがヒドロキシル官能価を実質的に含まない、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１１として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が１０〜３００ナノメートルの平均粒度を有する、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１２として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が２０〜１５０ナノメートルの平均粒度を有する、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１３として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が２０〜１２５ナノメートルの平均粒度を有する、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１４として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が１００〜５００ナノメートルの平均粒度を有する、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１５として、具体的態様の第２において、前記融剤がカルボン酸、酸無水物、キレート剤、およびその組合せからなる群から選択される、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１６として、具体的態様の第１において、前記ポリエポキシドがビスフェノールＦのジグリシジルエーテルとパラアミノフェノールのトリグリシジルエーテルとの混合物である、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１７として、具体的態様の第１において、前記表面処理ナノ粒子が、２つ以上の表面処理ナノ粒子のブレンドを含み、各々が１０〜１５０ナノメートルの平均粒度を有する、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１８として、具体的態様の第１において、１マイクロメータより大きい平均粒径を有する充填剤粒子をさらに含む、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第１９として、具体的態様の第１において、前記電子部品が、集積回路チップ、抵抗器、キャパシタ、パッケージ、およびその組合せからなる群から選択される、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第２０として、具体的態様の第１において、前記基板がプリント回路基板またはフレキシブル回路である、電子アセンブリに関する。
本発明は、具体的態様の第２１として、電子部品を提供する工程と、
基板を提供する工程と（ここで前記電子部品または前記基板のどちらか一方が半田バンプを有し、他方が電気ボンディングパッドを有している）、
ポリエポキシド樹脂と、
硬化触媒と、
融剤と、
実質的に球形の非凝集、非晶質かつ固体である表面処理ナノ粒子と
を含む硬化性アンダーフィル接着用組成物を提供する工程と、
前記半田バンプが前記電気ボンディングパッドと整列して硬化性アセンブリを形成するように前記硬化性組成物を前記電子部品と前記基板との間に配置する工程と、
前記硬化性アセンブリに熱を加えて前記接着用組成物を硬化させる工程とを含む電子アセンブリの製造方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２２として、具体的態様の第２１において、前記硬化性アンダーフィル接着用組成物が、前記半田バンプを前記電気ボンディングパッドと整列させる前に前記電子部品と前記基板との間に配置される、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２３として、具体的態様の第２１において、前記硬化性アンダーフィル接着用組成物が、前記半田バンプを前記電気ボンディングパッドと整列させて、前記半田をリフローさせた後に前記電子部品と前記基板との間に配置される、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２４として、具体的態様の第２１において、前記硬化性アンダーフィル接着剤組成物の粘度が２５℃において１，０００〜１００，０００センチポアズの範囲である、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２５として、具体的態様の第２１において、前記表面処理ナノ粒子が５〜６００ナノメートルの平均粒度を有する、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２６として、具体的態様の第２１において、前記表面処理ナノ粒子が、３０〜７０重量パーセントの量において前記アンダーフィル接着剤中に存在している、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２７として、具体的態様の第２１において、前記表面処理ナノ粒子がシリカを含む、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２８として、具体的態様の第２１において、熱が適用されてさらに前記半田をリフローさせる、方法に関する。
本発明は、具体的態様の第２９として、具体的態様の第２１において、前記表面処理ナノ粒子が、３５〜６５重量パーセントの量において前記硬化性アンダーフィル接着用組成物中に存在している、方法に関する。