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　特願２００５−１３６９８３「リソグラフィ装置及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月２４日出願公開、特開２００５−３２８０５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１７年５月１０日（パリ条約による優先権主張　平成１６年５月１１日　米国）の出願であって、平成２１年４月２日付けで手続補正がなされ、同年７月６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２２年１月１２日付けで手続補正がなされたが、同年４月１４日付けで当該手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２３年５月１１日付けで審尋がなされ、同年８月１６日付けで当該審尋に対する回答書が提出された。
　
　
　
２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成２２年８月１３日付け手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
　
２−１．本願補正発明
　
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載を以下のとおり補正することを含むものである。
　
「　放射ビームを提供するように構成された照明系と、
　パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、該パターン形成装置が前記ビームの断面にパターンを与えるように構成された支持体と、
　基板を保持する真空チャックを含む基板テーブルと、
　パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
　真空チャックの供給
孔
、前記調節用流体は気体である
し、
前記供給孔が、前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである
　
　上記の請求項１に係る補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するための事項である「調節用流体」について「気体である」と限定し、同じく「供給孔」について「前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである」と限定することを含むものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明（以下「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
　
２−２．引用発明
　
２−２−１．刊行物の記載事項
　
２−２−１−１．引用例１
　
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開平０４−２０８５５１号公報（以下「引用例１」という）には、以下の技術事項が記載されている（後述の「２−２−２．引用発明の認定」において引用した記載の下線を付した）。
　
記載事項ａ．第２頁左上欄第３行乃至右上欄第６行
「［発明が解決しようとする課題］
　上記の如き従来の技術においては、真空吸着ホルダ上に載置された基板に露光エネルギーが照射されると、その一部が熱として基板に蓄積されるとともに、この熱が真空吸着ホルダ、さらにはステージまで伝導する。これより、上記熱の吸収による真空吸着ホルダの膨張によって基板が膨張（変形）するとともに、真空吸着ホルダとステージとの間にも同様の現象が生じ、これを要因としても基板が変形し得る。この結果、マスクパターンを基板上の回路パターンに正確に重ね合わせて露光することができないと言う問題点があった。また上記、ホルダ等を熱膨張率の低い材料（セラミック、インバー等）で構成しても、基板交換を行って新たに露光を行う際に、前の基板の露光時にホルダ等に蓄積された熱によって基板が変形してしまい、同様に重ね合わせ精度が低下すると言う問題点もあった。
　本発明は以上の点を考慮してなされたもので、露光エネルギーの照射による基板の熱膨張、及び真空吸着ホルダやステージの熱吸収を防止でき、基板及び真空吸着ホルダの温度を安定化して基板の変形を防止できる基板吸着装置を得ることを目的としている。」
　
記載事項ｂ．第２頁左下欄第１７行乃至第３頁右上欄第９行
「　第１図は本発明の第１実施例による装置の構成を示す正面図、第２図は第１図のＡＡ’矢視断面図、第３図は第１図のＢＢ’矢視断面図である。
　尚、基板Ｗは受渡手段（１５）が上下動することによって搬送手段（図示せず）と基板吸着装置（１）との間で受渡しが行われる。第１図〜第３図において、
基板（半導体ウェハ）Ｗを載置する基板吸着装置
流体（例えば、空気、窒素等
　
吸引隔室（２）〜（５）は第２図に示したように吸引孔（９）及び吸引配管（１０）を通して、減圧手段としての吸引ポンプ（図示せず）へ連通し、この吸引孔（９）を介して吸引（減圧）することにより吸引隔室（２）〜（５）が負圧となって、載置面上に載置された基板Ｗは環状凸部（１６）の上端面にならって平坦化矯正されて載置面上に吸着固定される
　また、温調隔室（６）〜（８）は第３図に示したように
温度コントロールされた温調流体を供給配管（１１）及び供給孔（１２）から供給し、各温調隔室（６）〜（８）へ導く
各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた温調流体は、基板Ｗの裏面に沿って流れ、排出孔（１３）及び排出配管（１４）を通して基板吸着装置（１）の外へ排出される
　以上のように、各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた温調流体は、基板Ｗの裏面に沿って流れるため、基板Ｗで発生した熱を基板吸着装置（１）本体に伝導することなく吸収でき、基板吸着装置（１）の温度を一定に保持することが可能なので、基板吸着装置（１）上に基板Ｗを載置した時に、基板Ｗを熱膨張させることなく保持でき、高い精度を維持できるものである。」
　
記載事項ｃ．第４頁左下欄第５行乃至第１６行
「　次に、第７図を参照して本発明による基板吸着装置を
露光装置
所定波長域の露光光ＩＬの照射によりマスク（図示せず）に形成されたパターンは、投影光学系（２０）の最良結像面内に配置された基板（ウェハ）Ｗに転写される
　
記載事項ｄ．第１図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項ｅ．第２図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項ｆ．第３図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　
２−２−１−２．引用例２
　
　本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平０４−０４８７１６号（以下「引用例２」という）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ｇ．第２頁左上欄第４行乃至第１４行
「　半導体製造装置の露光装置において、マスクパターンをウェハなどの基板に転写する際の基板保持装置としては、該基板の裏面を真空吸着することにより保持する基板保持装置（たとえば、特公平１−１４７０３号公報）がよく用いられている。
　一般に、基板保持装置で基板を保持したとき、該基板と該基板保持装置の保持台間の接触熱抵抗が大きいと、マスクパターンを前記基板に転写する際の露光エネルギーが該基板から前記保持台に逃げていかないため、該基板の温度上昇および熱変形を招きパターン転写精度が悪化する。」
　
記載事項ｈ．第４頁左上欄第４行乃至左下欄第２行
「　本実施例の基板保持装置は、外周壁１ａを有する保持台１と、該保持台１のチャック面６に対称性よく設けられた複数（同図に示す断面には９個）の円柱状の突起部２と、該各突起部２の下を通るように配管された水路５と、該水路５に温調水を循環させる恒温槽１２とを有する点については第９図に示した従来のものと同様であるが、前記保持台１のチャック面６に設けられた複数（同図に示す断面には５個）の吹出口７と、該各吹出口７と外部空間とを接続する吹出管８と、該吹出管８の途中に設けられた吹出量調節弁１４と、前記各吹出口７からそれぞれ吹出された気体を吸収できるよう該各吹出口７と交互に前記保持台１のチャック面６に設けられた複数（同図に示す断面には５個）の吸引口３と、該各吸引口３と真空発生源９とを接続する吸引管４と、該吸引管４の途中に設けられた吸引量調節弁１０と、真空吸着された基板の裏面と前記保持台１のチャック面６との間に形成される微小空間の圧力を検出する圧力センサとして、前記吸引管４の前記吸引量調節弁１０と前記各吸引口３との間に設けられた、前記吸引管４内の圧力を検出する圧力センサ１１と、該圧力センサ１１の出力信号より前記吹出量調節弁１４および前記吸引量調節弁１０の開閉を制御する制御手段としてのマイクロプロセッサ（以下、「ＣＰＵ」と称する。）１５およびコントローラ１６とを有する点については、従来のものと異なる。
　次に、本実施例の動作を説明する前に、プロキシミティ方式による露光装置における露光中のマスクの温度上昇について、第３図〜第５図を用いて詳しく説明する。
　簡単化のために第４図に示すように、形状が板状である厚さｔｃの保持台５０の反チャック面５２側の面が温調水により温度が一定に保たれ、前記保持台５０のチャック面５２に厚さｔｗの基板５１の裏面が吸着され、該基板５１の表面とプロキシミティギャップｇだけ離れた位置にマスク５３が設置されているとする。」
　
記載事項ｉ．第５頁右下欄第４行乃至第６頁左上欄第９行
「　この基板保持装置では、真空吸着される基板（不図示）は、該基板が保持台１の外周壁１ａおよび各突起部２の接触面と接触する位置まで公知の搬送ハンド（不図示）により搬送されてくる。
　その後、ＣＰＵ１５は吸引量調節弁１０を開くようにコントローラ１６を制御する。該吸引量調節弁１０が開かれると、吸引管４が真空発生源９に連通され、前記基板の裏面と前記保持台１のチャック面６との間に形成される微小空間に存在する気体が吸引されて該微小空間の圧力が減少し、これによって生じる前記基板の表面と裏面との圧力差によって該基板は前記保持台１に吸着・保持される。また、露光中の前記基板の温度管理は、恒温槽１２により水路５に温調水を循環させて前記保持台１（特に、前記各突起部２）の温度を一定に保つことにより行われる。
　このようにして前記基板の真空吸着が開始されると、前記接触熱抵抗Ｒを２．３［ｄｅｇ・ｃｍ２／Ｗ］以下にするため、前記ＣＰＵ１５は、所定のタイミングで前記圧力センサ１１の８力信号を取り込んで該出力信号が示す前記吸引管４内の圧力（すなわち、前記微小空間内の圧力）を監視するとともに、該微小空間の圧力が常に５０［Ｔｏｒｒ］以上となるように、吸引量調節弁１０および吹出量調節弁１４の開閉を行う前記コントローラ１６を制御する。」
　
記載事項ｊ．第１図　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　
２−２−２．引用発明の認定
　
　記載事項ａ乃至記載事項ｆの記載内容から、引用例１には、
　
「　基板（半導体ウェハ）Ｗを裁置する基板吸着装置を有し、
　吸引隔室（２）〜（５）は吸引孔（９）及び吸引配管（１０）を通して、減圧手段としての吸引ポンプへ連通し、この吸引孔（９）を介して吸引（減圧）することにより吸引隔室（２）〜（５）が負圧となって、載置面上に載置された基板Ｗは環状凸部（１６）の上端面にならって平坦化矯正されて載置面上に吸着固定され、
　所定波長域の露光光ＩＬの照射によりマスクに形成されたパターンは、投影光学系（２０）の最良結像面内に配置された基板（ウェハ）Ｗに転写され、
　温度コントロールされた温調流体（例えば、空気、窒素等）を供給配管（１１）及び供給孔（１２）から供給し、各温調隔室（６）〜（８）へ導き、各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた温調流体は、基板Ｗの裏面に沿って流れ、排出孔（１３）及び排出配管（１４）を通して基板吸着装置（１）の外へ排出される、
　露光装置。」
　
（以下「引用発明」という）が記載されていると認められる。
　
　
２−３．対比
　
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「露光装置」は、本願補正発明の「リソグラフィ装置」に相当する。
　引用発明は、「所定波長域の露光光ＩＬの照射によりマスクに形成されたパターンは、投影光学系（２０）の最良結像面内に配置された基板（ウェハ）Ｗに転写され」るものであるから、引用発明の「露光装置」が、露光光ＩＬを照射する光源、及び、露光光ＩＬにパターンを与えるようマスクを支持する手段を有していることは明らかであり、当該「露光光ＩＬを照射する光源」及び「露光光ＩＬにパターンを与えるようマスクを支持する手段」はそれぞれ、本願補正発明の「放射ビームを提供するように構成された照明系」及び「パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、該パターン形成装置が前記ビームの断面にパターンを与えるよう構成された支持体」に相当する。
　引用発明の「基板吸着装置（１）」は、吸引（減圧）することにより基板Ｗを吸着するものであるので、引用発明の「基板吸着装置（１）」は、本願補正発明の「基板を保持する真空チャックを含む基板テーブル」に相当する。
　引用発明は、マスクにより形成されたパターンを投影光学系（２０）により基板（ウェハ）Ｗに転写するものであるので、引用発明の「投影光学系（２０）」は、本願補正発明の「パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システム」に相当する。
　引用発明の、「温度コントロールされた温調流体（例えば、空気、窒素等）」を「基板Ｗの裏面」に供給するための、「供給配管（１１）」、「供給孔（１２）」、「各温調隔室（６）〜（８）」、「排出孔（１３）」及び「排出配管（１４）」からなる機構（系）と、本願補正発明の「真空チャックの供給孔を通じて供給される調節用流体を用いて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節するように構成され、前記調節用流体は気体である調節システム」とは、「調節用流体を用いて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節するように構成され、前記調節用流体は気体である調節システム」である点で一致する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
　
「　放射ビームを提供するように構成された照明系と、
　パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、該パターン形成装置が前記ビームの断面にパターンを与えるように構成された支持体と、
　基板を保持する真空チャックを含む基板テーブルと、
　パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
　調節用流体を用いて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節するように構成され、前記調節用流体は気体である調節システムとを有する、
　リソグラフィ投影装置。」
　
　である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、「調節用流体」が「真空チャックの供給孔を通じて供給される」ものであるのに対し、引用発明の「温調流体」はそのような特定事項を備えていない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、「供給孔」が、「前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである」のに対し、引用発明の「供給孔」は当該特定事項を有していない点。
　
　
２−４．判断
　
２−４−１．相違点１について
　
　本願明細書の段落【００４１】及び図２の記載内容を参酌するに、本願補正発明における「調節用流体」が「真空チャックの供給孔を通じて供給される」とは、供給孔を通じて供給された調節用流体が、真空チャック用の除去孔を通じて除去（排出）される構成、すなわち、真空チャック用の除去孔を、基板を吸着するための真空引きと調節用流体の排出とに兼用している構成を意味すると認められる（回答書の補正案は、上記の意味に明確化する趣旨であると認められる）。
　
　一方、前記記載内容ｇ乃至記載事項ｊの記載内容から、引用例２には、
　
「　半導体製造装置の露光装置における基板保持装置であって、
　保持台１のチャック面６に設けられた複数の吹出口７と、該各吹出口７と外部空間とを接続する吹出管８と、該吹出管８の途中に設けられた吹出量調節弁１４と、前記各吹出口７からそれぞれ吹出された気体を吸収できるよう該各吹出口７と交互に前記保持台１のチャック面６に設けられた複数の吸引口３と、該各吸引口３と真空発生源９とを接続する吸引管４と、を備え、
　基板の裏面と保持台１のチャック面６との間に形成される微小空間に存在する気体が吸引されて該微小空間の圧力が減少し、これによって生じる前記基板の表面と裏面との圧力差によって該基板は前記保持台１に吸着・保持され、
　基板の真空吸着が開始されると、接触熱抵抗Ｒを２．３［ｄｅｇ・ｃｍ２／Ｗ］以下にするため、ＣＰＵ１５は、所定のタイミングで前記圧力センサ１１の８力信号を取り込んで該出力信号が示す前記吸引管４内の圧力（すなわち、前記微小空間内の圧力）を監視するとともに、該微小空間の圧力が常に５０［Ｔｏｒｒ］以上となるように、吸引量調節弁１０および吹出量調節弁１４の開閉を行う前記コントローラ１６を制御する、
　基板保持装置。」
　
の発明が記載されていると認められる。
　引用例２に記載された発明において、基板と保持台との間に形成される微小空間に存在する気体を吸引するための真空発生源９に接続された吸引管４及び吸引口３は、吹出口７から吹出された（温調用の）気体の吸収も行っているのであるから、引用例２に記載された発明は、真空チャック用の除去孔を、基板を吸着するための真空引きと（温調用の）気体の排出とに兼用しているといえる。
　
　引用発明と引用例２に記載の発明とは、基板の裏面に温調用の気体を供給する基板保持装置である点で技術分野が共通し、温調用の気体を除去（排出）する作用も共通するので、引用例２に記載の発明における、真空チャック用の除去孔を、基板を吸着するための真空引きと（温調用の）気体の排出とに兼用する構成を、引用発明の「温調流体」の排出の構成に採用することにより、上記相違点１に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　なお、引用例２に記載の発明における（温調用の）「気体」は、基板と保持台との間の接触熱抵抗を下げるためのもの、すなわち、間接的に基板の温度を調節するものであるが、温調用の気体を真空チャック用の除去孔を通じて（兼用して）除去（排出）する構成について、温調用の気体による温度調節が直接的であれ間接的であれ、いずれにおいても適用可能な技術思想であるから、当該構成を、引用発明の「温調流体」の排出の構成に採用することを何ら阻害するものではない。
　
　なお、引用例２は、原査定の拒絶の理由に引用されたものではないものの、審査段階（補正の却下の決定）において既に提示されたものであり、請求人はその存在を知り得た上で以後の手続を行うことができたものである。
　
　
２−４−２．相違点２について
　
　本願の明細書及び図面を参酌しても、本願補正発明の「ノズル」が具体的にどのような形状に成形されたものであるのか不明である。一方、本願の明細書の段落【００４１】の「特に、流体が気体である実施例では、孔がノズルの形で設けられる。すなわち流出面積を小さくすることによって流出速度を増加させれば、基板Ｗの調節が改善されることが分かっている。」等を参酌するに、本願補正発明において、「前記供給孔が、前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである」とは、ノズルが、流体の流速を高めて熱伝達特性を高める作用を奏するような何らかの形状に成形されているものであると認められる。
　しかしながら、温調用の気体を、流速を高めることにより高い温調効果を奏するノズルを用いて供給することは、例えば、特開２０００−０３１２５３号に記載されているように、本願の優先日前において周知の技術である。当該公報に記載されている「ノズル」は、冷却ガスを基板に高速に衝突させて高速に離脱することによって高い冷却効果が得られるものであるから（【００１８】参照）、その形状は、流体の流速を高めて熱伝達特性を高める作用を奏するような何らかの形状に成形されているものであると認められる。
　よって、引用発明において、「温調流体」を供給する「供給孔」について、上記周知の技術を採用することにより、上記相違点２に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
　
２−５．本願補正発明の効果について
　
　本願補正発明による効果は、引用発明、引用例２に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず、格別なものとはいえない。
　
　
２−６．補正の却下の決定のむすび
　
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明、引用例２に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
３．本願発明について
　
３−１．本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成２１年４月２日付け手続補正により補正された以下のとおりのものである。
　
「　放射ビームを提供するように構成された照明系と、
　パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、該パターン形成装置が前記ビームの断面にパターンを与えるように構成された支持体と、
　基板を保持する真空チャックを含む基板テーブルと、
　パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
　真空チャックの供給口を通じて供給される調節用流体を用いて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節するように構成された調節システムとを有するリソグラフィ投影装置。」
　
　
３−２．引用発明
　
　引用例及びその記載事項は、前記「２−２．引用発明」に記載したとおりである。
　
　
３−３．対比・判断
　
　本願発明は、本願補正発明から、「調節用流体」について「気体である」と限定のあるところを、これを削除し、同様に「供給孔」について「前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである」と限定のあるところを、これを削除したものに相当する。なお、本願補正発明においては「供給孔」であるところを、本願発明では「供給口」に変更されているが、単なる表記上の微差であり、この点について実質的な差異はないと認められる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、前述の「２−３．対比」において述べた相違点１についてのみ相違し、その他の点で一致するが、前述の「２−４−１．相違点１について」において述べたように、相違点１については、引用発明及び引用例２に記載の発明に基いて、当業者が容易に想到し得ることであるから、本願発明は、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
３−４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受ける事ができない。
　
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。