【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の電圧範囲内で供給電圧を受取ることができる供給電圧を入力を有し、この所定の範囲よりも高いオンチップ電圧を使用する集積回路上の部品を含む集積回路において、
ブースト信号の遷移に応答して集積回路上のノードにオンチップ電圧をブーストする、供給電圧入力とブースト信号に結合された電圧ブースト回路であり、該電圧ブースト回路は遷移に応答して第１しきい値までブーストの第１速度でオンチップ電圧をブーストする第１モードと、第１しきい値の後、第２しきい値までブーストの第２速度でオンチップ電圧をブーストする第２モードとを有し、第２速度は第１速度よりも遅い、電圧ブースト回路と、
集積回路上のノード及び電圧ブースト回路と結合し、ノードが第１しきい値に到達した時に電圧ブースト回路に信号し、そしてノードが第２しきい値に到達した時に電圧ブースト回路に信号する検出回路と、
を有する集積回路。
【請求項２】  検出回路が、
ノードが第１しきい値に到達する第１時間間隔の内に電圧ブースト回路が第１速度でブーストし続ける間に電圧ブースト回路に第１制御信号を供給する、ノードに結合された第１検出回路と、
ノードが第２しきい値に到達する第２時間間隔の内に電圧ブースト回路が第２速度でブーストし続ける間に電圧ブースト回路に第２制御信号を供給する、ノードのオンチップ電圧が第２時間間隔中に第１時間間隔よりも少なく増加するようにした、ノードに結合された第２検出回路と、
を含む請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】  電圧ブースト回路が、
集積回路のノードに結合された第１端子と第２端子とを有するキャパシターと、
第１モード中に第１速度で電流を供給し、第２モード中に第２速度で電流を供給することにより、キャパシターの第２端子に遷移を供給する、キャパシターの第２端子に結合した駆動回路と、
を有する請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】  駆動回路が、
ブースト信号を受取るために接続された入力と、キャパシターの第２端子に結合された出力と、第１及び第２電源供給端子とを有する反転器と、
第１速度で第１モード供給電流を有し、そして第２速度で第２モード供給電流を有する第１及び第２電源供給端子の１つに結合された電流源と、
を有する請求項３に記載の集積回路。
【請求項５】  電圧ブースト回路が、
第１端子と第２端子を有する第１キャパシターと、このキャパシターの第２端子に結合されたアノードと集積回路のノードに結合されたカソードと有するダイオードと、第１キャパシターに第１遷移信号を供給するキャパシターの第１端子に結合された駆動回路と、を含む第１段と、
集積回路上のノードに結合された第１端子と第２端子を有する第２キャパシターと、第２キャパシターの第２端子に結合されて第１モード中に第１速度で電流を供給しそして第２モード中に第２速度で電流を供給することによりキャパシターの第２端子にブースト信号の遷移を供給する第２駆動回路と、を含む第２段と、
を有する請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】  ダイオードのアノードに結合された第１予備充電回路と、第１遷移信号前に第２キャパシターの第１端子とノードを開始電圧に予備充電するノードに結合された第２予備充電回路とを備えた請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】  第１遷移信号とブースト信号の遷移を発生するために事象に応答する論理を含む請求項５に記載の集積回路。
【請求項８】  ブースト回路がブースト信号の遷移後に５ナノ秒以下で第１しきい値に達する請求項１に記載の集積回路。
【請求項９】  ブースト回路がブースト信号の遷移後に約２ナノ秒又はそれ以下で第１しきい値に達する請求項１に記載の集積回路。
【請求項１０】  メモリセルの配列と、
配列のメモリセルの行に結合された複数のワード線と、
配列のメモリセルの列に結合された複数のビット線と、
集積回路上の前記ノードからワード線電圧を選択されたワード線上に駆動する、複数のワード線に結合された１組のワード線駆動回路と、
集積回路上の事象を検出して、ブースト信号の遷移を発生する論理と、
を含む請求項１に記載の集積回路。
【請求項１１】  予め定められた範囲の電圧内の供給電圧を受取ることができる供給電圧入力を有する集積回路メモリであって、
メモリセルの配列と、
少なくとも１つのアドレス入力と、
配列のメモリセルの行に結合された複数のワード線と、
配列のメモリセルの列に結合された複数のビット線と、
予め定められた範囲の供給電圧よりも高いワード線電圧を集積回路上のノードから選択されたワード線上に駆動する、複数のワード線に結合された１組のワード線駆動回路と、
集積回路上の事象を検出して、予備充電信号と、少なくとも１つのアドレス入力の遷移に応答して予備充電信号後にブースト信号の第１遷移と、第１遷移後にブースト信号の第２遷移と、を発生し、第１及び第２予備充電回路が予備充電信号に応答する論理と、
供給電圧入力に結合され、そしてブースト信号を受取り、集積回路上のノードにオンチップ電圧をブーストする電圧ブースト回路であり、該電圧ブースト回路は、
第１端子と第２端子を有する第１キャパシターと、このキャパシターの第２端子に結合されたアノードと集積回路のノードに結合されたカソードと有するダイオードと、第１キャパシターに第１遷移を供給するキャパシターの第１端子と論理に結合された駆動回路と、を含む第１段と、
集積回路上のノードに結合された第１端子と第２端子を有する第２キャパシターと、第２キャパシターの第２端子と論理に結合されて第１しきい値に到達するまで第１速度で電流を供給しそして第２しきい値に到達するまで第２速度で電流を供給することによりキャパシターの第２端子にブースト信号の第２遷移を供給する第２駆動回路と、を含み、第１しきい値が第２しきい値の５ナノ秒より短く到達し、第１速度よりも第２速度が遅い、第２段と、
ダイオードのアノードに結合された第１予備充電回路と、第１遷移信号前に第２キャパシターの第１端子とノードを開始電圧に予備充電するノードに結合された第２予備充電回路と、
集積回路上のノード及び電圧ブースト回路と結合し、ノードが第１しきい値に到達した時に電圧ブースト回路に信号し、そしてノードが第２しきい値に到達した時に電圧ブースト回路に信号する検出回路とを有し、この検出回路が、
ノードが第１しきい値に到達する第１時間間隔の内に電圧ブースト回路が第１速度でブーストし続ける間に電圧ブースト回路に第１制御信号を供給する、ノードに結合された第１検出回路と、
ノードが第２しきい値に到達する第２時間間隔の内に電圧ブースト回路が第２速度でブーストし続ける間に電圧ブースト回路に第２制御信号を供給する、ノードのワード線電圧が第２時間間隔中に第１時間間隔よりも少なく増加するようにした、ノードに結合された第２検出回路と、
を含む集積回路。
【請求項１２】  第２駆動回路が、
ブースト信号を受取るために接続され入力と、第２キャパシターの第２端子及び第１及び第２電源供給端子に結合された出力とを有する反転器と、
第１速度での第１モード供給電流を有し、そして第２速度での第２モード供給電流を有する第１及び第２電源供給端子の１つに結合された電流源と、
を含む請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１３】  メモリセルの配列がＲＯＭセルを含む請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１４】  メモリセルの配列がフローテイングゲート・メモリセルを含む請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１５】  ブースト回路がブースト信号の遷移後に約２ナノ秒又はそれ以下で第１しきい値に達する請求項１１に記載の集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２中のワード線電圧発生器はまた、第１予備充電回路２１５及び第２予備充電回路２１６を含む。第１及び第２予備充電回路２１５、２１６は、ダイオード２０５のアノード及びノード２０６をブースト工程を容易にするために供給電位近くまで予備充電する。線２１７上のチップ可能化ＣＥＬ信号、線２１８上の可能化準備信号ＥＮＲＤＹＢ、及び線２１９上の可能化アドレス遷移検出信号ＥＮＡＴＤを含む制御信号が予備充電回路に供給される。これに加えて、予備充電回路は線２０２上の第１アドレス遷移パルスＡＴＤ１ＳＴに応答する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
レベル検出器回路は、入力としてノード４０６からＡＶＸ信号を受取る第１電流レッグを含む。このノードはｐチヤンネル・トランジスタ６０５のｎウエルとソースに接続される。ｐチャンネル・トランジスタ６０５のゲート及びドレインは、ｐチャンネル・トランジスタ６０６のｎウエルとソースに接続される。トランジスタ６０６のゲート及びドレインはトランジスタ６０４のドレインに接続される。トランジスタ６０４のソースはｎチャンネル・トランジスタ６０７のゲート及びドレインに接続される。ｎチャンネル・トランジスタ６０７のソースは接地に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
トランジスタ６１２のソースが接地される。トランジスタ６１２のゲートはトランジスタ６０７のゲートに電流ミラー方法で接続される。また、トランジスタ６１２のゲート及びトランジスタ６０７のゲートは、トランジスタ６０３のドレインに接続されている。トランジスタ６１２のドレイン上のノードＮＩＳＰは反転器６１５の入力として接続される。反転器６１５の出力はＳＲラッチ６１６のＳ入力に接続される。ＳＲラッチ６１６のリセット入力は線４３６上のＡＴＤ１ＳＴ信号を受取るために接続される。ＳＲラッチ６１６のＱ出力は、反転器６１８を駆動する反転器６１７に接続される。反転器６１８の出力は、線６２０上の制御信号ＣＴ１ＳＰである。動作において、信号ＡＶＸが増加する時、検出器の電流ミラー・レッグを介して電流が増加する。トランジスタ６１０を介して電流が増加する時、電圧ＮＩＳＰが降下する。電圧ＮＩＳＰが反転器６１５のトリップ点以下に降下する時、ラッチ６１６はＣＴ１ＳＰ信号を発生するためにセットされる。