【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのナノスコピック構造体を形成する方法であって：
ａ．実質的に平行な配置で第１（１）及び第２の（２）プレートを位置決めし、ここで該プレートのうちの少なくとも１つは他の前記プレートに対向する少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極（１８）を備えることと、
ｂ．前記プレート同士の間に媒体を提供することと、
ｃ．前記プレート（１、２）を最初の位置に位置決めし、その結果、前記プレートは、前記プレート同士の間の距離と比較して大きな区域にわたってナノメトリックに密接していることと、
ｄ．エネルギーを前記少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極から前記媒体中に移動させることによって前記少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極と対向する前記プレートとの間の前記媒体を局所的に活性化し、その結果成長及び／またはエッチングを前記媒体中に誘導し、それによって
（ｉ）一方または両方のプレート表面に前記少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極から少なくとも１つの第１の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）を成長させ；及び／または
（ｉｉ）一方または両方のプレート表面に少なくとも１つの第２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）を成長させる及び／またはエッチングすることと、
を含む前記方法において、
前記方法は、三次元でのナノメトリックスケール運動を促進するための手段を含むプロセスセル中で実行される、前記方法。
【請求項２】
前記プレート（１、２）のうちの少なくとも１つはナノまたはミクロスケール電極（１８）のアレイを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）は予め製造される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の各々は、特注の高さ、深さ及び／または形状を有することができる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の高さ、深さ及び形状は、成長及び／またはエッチングの間中維持される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）は電子放出先端部を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）は機能性ナノ構造体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記機能性ナノ構造体は、量子電子装置、量子光学装置、メモリ装置、センサー装置、機能性膜、ナノワイヤ及び分子電子装置からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
単数または複数の前記第１及び／または第２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の高さ、深さ及び／または形状は、２つの前記プレートの相対的移動によって調節される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記移動はナノメトリックスケール移動である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも第１の局所的な構造体の成長は、２つの対向して配置される構造体同士の間の予め規定された距離に達するまで、前記第１及び前記第２のプレート表面に少なくとも２つの対向して配置される第１及び第２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）を成長させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記予め規定された距離は、前記第１と第２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）との間のトンネル電流、電気接点及び／または力接触状態を監視することによって得られる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の高さ、深さ、及び／または形状は監視される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの第１及び／または第２の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）は前記第１及び／または第２のプレート表面に成長させたナノスコピック構造体のアレイを含み、前記局所的なナノスコピック構造体の高さ、深さ、長さ、幅及び／または形状は監視される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の高さ、深さ及び／または形状を監視することは：
ａ．前記第１（１）及び第２（２）のプレートの相対的位置を調節して、その結果前記少なくとも１つの局所的なナノスコピック構造体は、対向して位置する前記プレート表面のプレート区域に対向する工程と；
ｂ．トンネル電流、電気接点及び／または力接触状態が前記少なくとも１つの局所的なナノスコピック構造体と前記プレート区域との間に達するまで、前記プレートのうちの１つを下向きに移動する工程と；
ｃ．前記少なくとも１つの局所的なナノスコピック構造体のどちらが確立したトンネル電流、電気接点及び／または力接触状態を有しないか監視し、これに基づいて前記少なくとも１つの局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）のどちらが、所望の高さ、深さ及び／または形状に達するための追加の成長を必要とするかを記録する工程と；
を含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの記録された局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）は、所望の高さ、深さ及び／または及び形状に達するように追加の成長を提供される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
監視し、記録し、成長させる手順は、前記局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）の所望の高さ、深さ及び／または形状に達するまで繰り返される、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）のアレイを監視し、記録し、成長させる手順は、構造体の前記アレイを修復するために使用される、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの第１の局所的なナノスコピック構造体及び前記プレートの相対的移動範囲によって規定される区域にわたって、前記少なくとも１つの第１の局所的なナノスコピック構造体（６４、６５）を使用して、ナノ構造体を成長させる、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記媒体は、成長及び／またはエッチング媒体である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記媒体は、極低温ガス及び／または極低温固体及び／または極低温液体及び／または電解質である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記媒体は、周期系のＩＩＩ−ＶＩＩ族の元素及び／または式ＭＨｘ（式中、Ｍは水素と安定な化合物を形成する任意の元素を表し、ｘは整数である。）の分子状水素化物をさらに含む、請求項２０〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記媒体を活性化することは、前記少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極（１８）の各々を個々に制御することによって、電気的パルスを対向する前記プレートに向かって送出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
様々な高さ、持続時間及び／または形態の電圧パルスは、前記少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極（１８）に印加される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記媒体は入力手段によって提供され、出力手段によって実質的に除去されることができる、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
第１の媒体を除去し、これを第２の媒体で置き換えるように、前記入力及び出力手段は交換媒体に適合される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
成長及び／またはエッチング手順は、成長及び／またはエッチング媒体を置き換えた後に続いて繰り返される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ナノメトリックスケール運動は、三次元ｘ−ｙ−ｚ−運動、例えば二次元ナノメトリックスケール運動、例えば一次元ナノメトリックスケール運動を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記プレート（１、２）の少なくとも一部分は交換可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記プレートは、電極を有する処理表面を形成するための電子回路及び配線（６７）を有する処理チップ（１９）を含む及び／または少なくとも１つの第１及び／または少なくとも１つの第２のナノ構造体（６４、６５）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
コード化位置情報は、前記第１及び／または第２のプレート表面に成長する及び／またはエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
前記コード化位置情報は、前記プレートの一方及び／または両方の表面の前記少なくとも１つのナノスコピック構造体によって読取られる、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
移動手段によって前記プレートの上に加えられた外力を前記プレート区域にわたって等しく分布させるために、一方及び／または両方のプレート表面に弾性支持体（３）が提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
少なくとも１つのナノスコピック構造体を成長させる及び／またはエッチングするための装置であって：
ａ．実質的に平行な配置で位置決めされた第１（１）及び第２（２）のプレートを含む内部を有するプロセスセルにおいて、前記プレートのうちの少なくとも１つは、少なくとも１つのナノまたはミクロスケール電極（１８）及び所望により前記第２のプレートに対向する局所的な構造体（６４、６５）を備え、前記プロセスセルは、前記第１及び第２のプレートに接合する変形可能な材料（３）を含む前記プロセスセルと、
ｂ．２つの前記プレート同士の間に媒体を提供するための手段と、
ｃ．前記媒体を活性化し、その結果前記媒体はナノスコピック成長へと転換される及び／またはナノスコピックエッチングが前記媒体中に誘導されるためのエネルギー源（７３）と、
ｄ．前記プレートのうちの少なくとも１つを三次元のナノメトリックスケール運動で移動するためのナノスコピック移動手段（７４）と、
ｅ．前記電極（１８）及びプロセスチップに接続した通信手段と、
ｆ．成長及び／またはエッチングプロセスを制御するためのコンピュータシステム（７６）と、
を含む装置。
【請求項３５】
前記第１及び／または第２のプレート中の交換可能なプロセス区域または処理区域及び／またはプロセスチップまたは処理チップをさらに含む、請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記プロセスセルを収容するように適合させた取り扱い装置を含み、該取り扱い装置は前記移動手段及び前記コンピュータシステムを含む、請求項３４または３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記取り扱い装置は、制御可能な加熱及び冷却装置をさらに含む、請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
底部プレート及び所望により最上部プレートの一部分は交換可能である、請求項３４〜３７に記載の装置。
【請求項３９】
２つの前記プレート同士の間に媒体を提供するための手段は、該媒体を挿入し、除去するための入力手段及び出力手段を含む、請求項３４に記載の装置。
【請求項４０】
前記エネルギー源は、前記少なくとも１つの電極に接続した制御可能な電圧源である、請求項３４に記載の装置。