【事件の表示】
　特願２００５−　８２３１１「アンテナスイッチモジュール及びこれを用いた通信装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月　５日出願公開、特開２００６−２７０２４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月２２日の出願であって、平成２１年１１月１０日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２２年１月１２日付けで手続補正がなされたが、同年１月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２２年５月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正内容
　平成２２年５月６日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）の内容は、特許請求の範囲の請求項１の記載を、
「共用のアンテナ端子と、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信経路及び受信経路と、前記アンテナ端子と前記送信経路及び受信経路との間に接続された分波回路と、前記分波回路と接続される入出力端子と、前記受信経路に接続される入力（受信）端子と、前記送信経路に接続される出力（送信）端子とを有し、前記入出力端子と前記出力（送信）端子及び入力（受信）端子との間に前記アンテナ端子と送信経路の接続及び前記アンテナ端子と受信経路との接続を切り換えるアンテナスイッチ回路を設けた
、回路パターンが形成された複数の誘電体層を積層してなる
　前記アンテナスイッチ回路のうち、前記送信経路にはダイオード素子とローパスフィルタを直列に接続しており、さらに前記ダイオード素子とローパスフィルタとの間に伝送線路を設け、かつ、一端同士が接続されて直列に接続されたコンデンサ素子とインダクタ素子を設け、
　前記コンデンサ素子の他端は前記入出力端子とダイオード素子との間に接続され、前記インダクタ素子の他端は前記伝送線路とローパスフィルタの間に接続
されており、　前記分波回路の積層体内の回路パターンが、積層方向に見て前記伝送線路と重ならない領域に形成されている
に補正することを含むものである。
　
（２）当審の判断
　上記補正によって、「前記分波回路の積層体内の回路パターンが、積層方向に見て前記伝送線路と重ならない領域に形成されている」ものであることになった点が、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて、以下検討する。
　
　当初明細書等には、次の記載がなされている。
　
ａ．「【００１９】
　さて本発明によるアンテナスイッチモジュールは、図６に示すように誘電体シートを複数枚積層した積層体構造となし、その積層体上にチップ部品を搭載することにより軽量小型に構成できる。裏面のＲＸ１〜４、ＴＸ１〜２、ＡＮＴ端子はそれぞれ高周波信号用の端子であり、ＲＸ１端子はＧＳＭ８５０＿Ｒｘ端子、ＲＸ２端子はＥＧＳＭ＿Ｒｘ端子、ＲＸ３端子はＤＣＳ＿Ｒｘ端子、ＲＸ４端子はＰＣＳ＿Ｒｘ端子、ＴＸ１端子はＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ＿Ｔｘ端子、ＴＸ２端子はＤＣＳ／ＰＣＳ＿Ｔｘ端子に対応している。ＧＮＤはグラウンドに接続される端子である。それぞれの高周波信号用端子は、特に送信端子どうしが隣り合わないように設計している。これにより高出力である送信端子間の干渉を抑え、挿入損失の改善ができる。
　【００２０】
　図６の誘電体シートに印刷された電極について説明する。図６は本発明を用いたアンテナスイッチモジュールの積層体構造を形成するシートの一部を示している。上面にはチップコンデンサ、インダクタ、抵抗やＰＩＮダイオード、ＧａＡｓスイッチなどが搭載されている。２枚目のシートには主な伝送線路としてＬＧ３Ａ、ＬＧ５Ａ、ＬＦ４Ａ，ＬＦ５Ａが印刷されている。ＬＧ３Ａはスイッチ回路２４の中にある、受信側のλ／４伝送線路ＬＧ３の一部である。ＬＧ５Ａはスイッチ回路２４とＧａＡｓスイッチ３０を接続するための伝送線路である。伝送線路３８の長さは約１．２ｍｍであり、線幅は７５μｍである。この伝送線路長ならびに伝送線路幅、また伝送線路の形状を変更することにより、３倍周波数の減衰極をシフトさせることができる。また伝送線路２８はローパスフィルタ２９や分波回路２３と干渉しないように設計するのが望ましい。また伝送線路２８をダイオードＤ４のアノード側に接続した場合には同様の効果が得られるが、受信経路のλ／４伝送線路ＬＤ３のインピーダンスに影響を与えるため、本実施例においてはダイオードＤ４のカソード側に伝送線路３８を接続することが望ましい。
　【００２１】
　３枚目のシートには３つのグラウンド電極が印刷されている。この電極パターンはグラウンド電極との間で接地容量を構成する役割を持つほか、上下間の層どうしでの干渉を防ぐために挿入されている。またＣＦ２Ａは分波器２１のハイパスフィルタ２３を構成するためのコンデンサ電極ＣＦ２の一部であり、ＬＧ１Ａはローパスフィルタ２５を構成する伝送線路ＬＧ１の一部である。この伝送線路の長さや幅を調整することにより、ＥＧＳＭ＿Ｔｘ→ＡＮＴ間の高周波特性の減衰特性を調整することができる。
　【００２２】
　４枚目のシートには、８つの主な伝送線路の一部である電極が印刷されている。ＬＦ１Ａ、ＬＦ２Ａは分波器３３を構成するローパスフィルタ２１の伝送線路ＬＦ１、ＬＦ２の一部である。ＬＧ１Ｂ、ＬＧ２Ａはローパスフィルタ２５を構成する伝送線路ＬＧ１，ＬＧ２の一部である。ＬＧ３Ａはアンテナスイッチ回路２４の受信側のλ／４伝送線路ＬＧ３の一部である。ＬＤ１Ａはローパスフィルタ２９を構成する伝送線路の一部である。ＬＶ５Ａは上面に搭載されているＧａＡｓスイッチ３０、３１に電圧を印加させるための伝送線路である。
　【００２３】
　本発明では、１層の厚みが２０〜８０μｍ（一体焼成後の寸法）の誘電体シートの各層の電極を印刷してスルーホールで接続した例である。図６でスルーホールは黒塗りした正方形である。この正方形部に孔があいておりスルーホールを形成している。誘電体としては、例えばアルミナ系ガラスセラミック等の低温同時焼成セラミクス（ＬＴＣＣ）材料などが挙げられる。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどの導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、９００℃程度で一体焼成して構成される。シートの厚さは大体２５〜１１０μｍの範囲で、使用用途によりドクターブレード法などで制御される。所定の内部電極パターンを多数形成した大きなシートを積層し、一つ一つのチップサイズに切断した後、焼成し、端子電極を形成し、誘電体積層素体を作製する。端子電極は、通常Ａｇ−Ｎｉ−半田の三層構造をしており、Ｎｉ層により半田熱耐性、半田層による半田濡れ製を充分得られるようにしている。この誘電体積層素体上にメタルマスクを使用した半田印刷を行い、そのあとＧａＡｓスイッチやダイオードスイッチ、また容量が大きく積層素体内に形成できなかったチップコンデンサや抵抗、インダクタなどを搭載し、リフローする。」
　
ｂ．「【００２６】
　・・・（中略）・・・
　　【図６】本発明のアンテナスイッチモジュールを積層体に構成したときの積層シートの一部の展開図である。」
　
　上記ａには、「誘電体シートを複数枚積層した積層体構造」にて実現した「アンテナスイッチモジュール」の構成が、図６の記載と共に説明されている。
　上記ａの段落【００２０】には、「また伝送線路２８はローパスフィルタ２９や分波回路２３と干渉しないように設計するのが望ましい。」との記載がなされているが、当初明細書等の段落【００１３】に「分波回路２１」及び「ハイパスフィルタ２３」と記載されていること、及び図２の記載では符号２１が分波回路を表し、符号２３がハイパスフィルタを表していることより、上記段落【００２０】中の「分波回路２３」という記載は「分波回路２１」の誤記であると認められる。そして、上記段落【００２０】に記載された上記誤記を訂正した「また伝送線路２８はローパスフィルタ２９や分波回路２１と干渉しないように設計するのが望ましい。」という旨の内容は、「分波回路２１の積層体内の回路パターンが、積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されている」ものであることまでを示唆するものではない。
　また、上記ａの段落【００２０】や上記ｂに、図６の記載はアンテナスイッチモジュールを積層体に構成したときの積層シートの一部の展開図であることが記載されており、図６を見ると、分波回路２１の構成要素としては、伝送線路ＬＦ１の一部である電極ＬＦ１Ａ、伝送線路ＬＦ２の一部である電極ＬＦ２Ａ、及びコンデンサ電極ＣＦ２の一部である電極ＣＦ２Ａのみが記載されており、これらは積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されていると図６から読み取ることができるものである。しかし、図６には、電極ＬＦ１Ａ以外の伝送線路ＬＦ１の電極、電極ＬＦ２Ａ以外の伝送線路ＬＦ２の電極、電極ＣＦ２Ａ以外のコンデンサ電極ＣＦ２の電極、さらに分波回路２１を構成するその他の構成要素である伝送線路ＬＦ３の電極、コンデンサ電極ＣＦ１、コンデンサ電極ＣＦ３、コンデンサ電極ＣＦ４、及びコンデンサ電極ＣＦ５は記載されておらず、それらは積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されていると図６から読み取ることができるものでもない。
　そのうえ、上記段落【００２０】に記載された上記誤記を訂正した「また伝送線路２８はローパスフィルタ２９や分波回路２１と干渉しないように設計するのが望ましい。」という事項と、図６に記載された分波回路２１を構成する伝送線路ＬＦ１の一部である電極ＬＦ１Ａ、伝送線路ＬＦ２の一部である電極ＬＦ２Ａ、及びコンデンサ電極ＣＦ２の一部である電極ＣＦ２Ａが積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されているという事項を合わせたものは、電極ＬＦ１Ａ以外の伝送線路ＬＦ１の電極、電極ＬＦ２Ａ以外の伝送線路ＬＦ２の電極、電極ＣＦ２Ａ以外のコンデンサ電極ＣＦ２の電極、伝送線路ＬＦ３の電極、コンデンサ電極ＣＦ１、コンデンサ電極ＣＦ３、コンデンサ電極ＣＦ４、及びコンデンサ電極ＣＦ５のすべてが積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されているということまでを示唆するものではない。
　そして、当初明細書等の他のいずれの箇所を見ても、「分波回路２１の積層体内の回路パターンが、積層方向に見て伝送線路２８と重ならない領域に形成されている」ものであることは、記載も示唆もされていない事項であり、また、このことは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであると認められる。
　したがって、「前記分波回路の積層体内の回路パターンが、積層方向に見て前記伝送線路と重ならない領域に形成されている」ものであるとする補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるとは認められない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、上記（１）に示す請求項１に係る補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるとは認められない。
　したがって、本件手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２２年５月６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年１月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「共用のアンテナ端子と、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信経路及び受信経路と、前記アンテナ端子と前記送信経路及び受信経路との間に接続された分波回路と、前記分波回路と接続される入出力端子と、前記受信経路に接続される入力（受信）端子と、前記送信経路に接続される出力（送信）端子とを有し、前記入出力端子と前記出力（送信）端子及び入力（受信）端子との間に前記アンテナ端子と送信経路の接続及び前記アンテナ端子と受信経路との接続を切り換えるアンテナスイッチ回路を設けたアンテナスイッチモジュールにおいて、
　前記アンテナスイッチ回路のうち、前記送信経路にはダイオード素子とローパスフィルタを直列に接続しており、さらに前記ダイオード素子とローパスフィルタとの間に伝送線路を設け、かつ、一端同士が接続されて直列に接続されたコンデンサ素子とインダクタ素子を設け、前記コンデンサ素子の他端は前記入出力端子とダイオード素子との間に接続され、前記インダクタ素子の他端は前記伝送線路とローパスフィルタの間に接続させたことを特徴とするアンテナスイッチモジュール。」
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２９９９２２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波モジュールに関し、特に移動体通信機中の高周波部分に用いられる高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来技術】近年、１つの送受信系を採用している通常の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯電話機は１台の携帯電話機内に２つの送受信系を搭載するもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択して送信することができるようにした利便性の高い機器として期待されているものである。
【０００３】近年の欧州においては、通過帯域の異なる複数の送受信系としてＧＳＭ方式／ＤＣＳ方式の双方を搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が検討されている。」
　
Ｂ．「【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を示すブロック図である。本高周波モジュール１は、通過帯域の異なる複数の送受信系ＧＳＭ、ＤＣＳを各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１、および各送受信系において送信系と受信系とを切り替えるダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２を有するマルチバンド用高周波スイッチＳＷと、増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２の出力をモニタするためのカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２とで構成されている。カプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２は増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２からの送信信号をダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２のＴｘ端子に伝送するもので、それぞれの通過周波数に対応する高調波信号を取り除くためのローパスフィルタの機能も兼ね備えている。高周波スイッチＳＷは、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の携帯電話機において、それぞれのシステムに対応する送信回路Ｔｘと分波回路ＤＩＰ１との接続、および受信回路Ｒｘと分波回路ＤＩＰ１との接続を切り替えるものである。
【００１３】分波回路ＤＩＰ１は、異なる２つのシステムの周波数、例えばＧＳＭシステムの９００ＭＨｚ帯の送受信信号とＤＣＳシステムの１８００ＭＨｚ帯の送受信信号を分離する役割を持っている。この分波回路ＤＩＰ１は、図２に示すように、例えば１８００ＭＨｚ帯を通過させるハイパスフィルタＨＰＦ１、コンデンサＣ２およびインダクタＬ２と、９００ＭＨｚ帯を通過させるローパスフィルタＬＰＦ１、コンデンサＣ１およびインダクタＬ１とにより形成されている。
【００１４】また、送信回路Ｔｘ側のカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２は各々の増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２により増幅された送信信号の一部を取り出し、ＤＣＳモニタ端子、ＧＳＭモニタ端子を介して自動利得制御回路ＡＰＣにフィードバック信号を送る役割を果たし、これにより増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２からの出力信号のレベル調整が図られる。
【００１５】図２は、図１に示す高周波モジュールのブロック図の具体的回路図である。カプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２は電気的な設定値は相違するものの、回路構成上は同一構造を有する。
【００１６】ＧＳＭシステム側について説明する。カプラＣＯＰ１はそれぞれ所定長さ、幅が設定されたストリップラインである主伝送線路ＳＴＬＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２２とが電気的に直列接続されて主伝送線路ＳＴＬＧ２０を構成している。主伝送線路ＳＴＬＧ２１は高周波スイッチＳＷ側の第１ポートＰ１に接続されている。主伝送線路ＳＴＬＧ２１には所定の静電容量を有するコンデンサＣＧ２１が電気的に並列接続されている。一方、主伝送線路ＳＴＬＧ２１には近接位置に平行配置されたストリップラインである結合線路ＳＴＬＧ２３が設けられている。結合線路ＳＴＬＧ２３の一端側は所定抵抗値（５０Ω）の終端抵抗ＲＧ２１を経て接地されている。また、結合線路ＳＴＬＧ２３の他端はモニタ端子ＭＯＮ１に接続されており、この端子ＭＯＮ１を介して上述した自動利得制御回路ＡＰＣに接続される。
【００１７】カプラＣＯＰ１は第１ポートＰ１、コンデンサを介してダイオードＤＧ１のアノードに接続されている。ダイオードＤＧ１のアノードはインダクタＬＧ２およびコンデンサＣＧ４を介して接地されている。インダクタＬＧ２とコンデンサＣＧ４との接続点は制御抵抗ＲＧ１を介して制御端子ＶＧ１に接続されている。また、ダイオードＤＧ１のカソードはコンデンサを介して分波回路ＤＩＰ１の第２ポートＰ２に接続されている。
【００１８】スイッチ回路ＳＷ１は第１ポートＰ１と第２ポートＰ２の間に形成されている。ダイオードＤＧ１のカソードには伝送線路ＳＴＬＧ１の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬＧ１の他端はコンデンサＣＧ３を介してＲｘ信号出力端子である第３ポートＰ３（Ｒｘ１）に接続されている。また、伝送線路ＳＴＬＧ１の他端はダイオードＤＧ２のアノードに接続され、ダイオードＤＧ２のカソードはコンデンサＣＧ２とインダクタＬＧ１とから構成される並列共振回路を介して接地されている。コンデンサＣＧ２とインダクタＬＧ１とで構成される並列共振回路は送信時における送信信号の受信系への漏れを改善する目的で、また直流電流の経路を確保する目的で形成されている。
【００１９】次に、ＤＣＳシステム側について説明する。カプラＣＯＰ２はそれぞれ所定長さ、幅が設定されたストリップラインである主伝送線路ＳＴＬＤ２１と主伝送線路ＳＴＬＤ２２とが電気的に直列接続されて主伝送線路ＳＴＬＤ２０を構成している。主伝送線路ＳＴＬＤ２２は高周波スイッチＳＷ側の第４ポートＰ４に接続されている。主伝送線路ＳＴＬＤ２１には所定の静電容量を有するコンデンサＣＤ２１が並列接続されている。一方、主伝送線路ＳＴＬＤ２１には近接位置に平行配置されたストリップラインである結合線路ＳＴＬＤ２３が設けられている。結合線路ＳＴＬＤ２３の一端側は所定抵抗値（５０Ω）の終端抵抗ＲＤ２１を経て接地されている。また、結合線路ＳＴＬＤ２３の他端はモニタ端子ＭＯＮ２に接続されており、この端子ＭＯＮ２を介して上述した自動利得制御回路ＡＰＣに接続される。
【００２０】カプラＣＯＰ２は第４ポートＰ４、コンデンサを介してダイオードＤＤ１のアノードに接続されている。ダイオードＤＤ１のアノードはインダクタＬＤ２およびコンデンサＣＤ４を介して接地されている。インダクタＬＤ２とコンデンサＣＤ４との接続点は制御抵抗ＲＤ１を介して制御端子ＶＤ１に接続されている。また、ダイオードＤＤ１のカソードはコンデンサを介して分波回路ＤＩＰ１の第５ポートＰ５に接続されている。
【００２１】スイッチ回路ＳＷ２は第４ポートＰ４と第５ポートＰ５の間に形成されている。ダイオードＤＤ１のカソードには伝送線路ＳＴＬＤ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬＤ２の他端はコンデンサＣＤ３を介してＲｘ信号出力端子である第６ポートＰ６（Ｒｘ２）に接続されている。また、伝送線路ＳＴＬＤ１の他端はダイオードＤＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤＤ２のカソードはコンデンサＣＤ２とインダクタＬＤ１とから構成される並列共振回路を介して接地されている。コンデンサＣＤ２とインダクタＬＤ１とで構成される並列共振回路は送信時における送信信号の受信系への漏れを改善する目的で、また直流電流の経路を確保する目的で形成されている。
【００２２】以上の構成において、分波回路ＤＩＰ１、ダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２およびカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の少なくとも一部が積層体内に内蔵されている。例えば、分波回路ＤＩＰ１を構成するハイパスフィルタＨＰＦ１、ローパスフィルタＬＰＦ１、およびダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２を構成する伝送線路ＳＴＬＤ１、ＳＴＬＤ２、およびカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２が誘電体層を積層してなる基板の表面あるいは内層の電極パターンとして形成されている。また、分波回路ＤＩＰ１、ダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、およびカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の一部を構成するダイオード等のチップ素子は最上層の誘電体層上に実装されている。
【００２３】図３は、本発明に係る高周波モジュールの概略構成を示す一部切欠斜視図である。図３に示すように、本高周波モジュール１はセラミック等からなる同一寸法形状の８層の誘電体層１１、１２、…１８が積層されて基板が形成されており、この基板の上面は金属からなるシールドカバー１０で被覆され、さらに側面適所には必要に応じて形成された所要数の端面電極が上面から底面に亘るように形成されている。なお、最上層の誘電体層１１の上面の導電パターンは作図上、一部省略されている。また、端面電極は高周波モジュール１と、この高周波モジュール１が実装されるプリント基板上の回路との電気的接続を行うためのものである。
【００２４】誘電体層１１〜１８はそれぞれ低温焼成用のセラミックで、セラミックグリーンシートの表面に導電ペースト等を塗布して上述した各回路を構成する電極パターンをそれぞれ形成した後、この電極パターンが形成されたグリーンシートを積層して所要の圧力と温度の下で熱圧着して焼成されたものである。また、各誘電体層には複数の層に亘って回路を構成乃至は接続するために必要なバイアホールが適宜形成されている。最上層の誘電体層１１には、種々のパターンの他、終端抵抗ＲＤ２１、ＲＧ２１に相当するチップ抵抗、またはトリマブル抵抗器（あるいは電極パターン）、その他のチップ部品（図２に示したダイオード等を含むその他のチップ素子）が複数実装されている。
【００２５】なお、上記の各実施形態においては、ラインの縁でカップリングする場合を示したが、基板内において、主伝送線路ＳＴＬＤ２１、ＳＴＬＧ２１を上層の誘電体層に、結合線路ＳＴＬＤ２３、ＳＴＬＧ２３を１段又は所要段だけ下層の誘電体層に配置し、あるいは逆に主伝送線路ＳＴＬＤ２１、ＳＴＬＧ２１を下層の誘電体層に、結合線路ＳＴＬＤ２３、ＳＴＬＧ２３を１段又は所要段だけ上層の誘電体層に配置してカップリングしても同様であることはいうまでもない。また、誘電体層の層数も８層に限定されない。
【００２６】図４は、図２に示すカプラＣＯＰ１、ＣＯＰ２の拡大図を示す。両者は構造的に同一であるので、以下、カプラＣＯＰ１を例に説明する。
【００２７】主伝送線路ＳＴＬＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２２はそれぞれ所定長さ、幅が設定された直線状のストリップラインで、特定の位置関係にこだわることなく形成可能であり、同一の誘電体層上である必要もないし（バイアホールで接続すればよい）、直線状、曲線状、その混合のいずれの形状も採用可能である。本実施形態では直線状に配置された電極パターンとして同一の誘電体層上に形成されている。主伝送線路ＳＴＬＧ２１に並列接続されたコンデンサＣＧ２１は、２層分の誘電体層を利用する等して形成された対向する電極パターンで構成されている。一方、結合線路ＳＴＬＧ２３は主伝送線路ＳＴＬＧ２１に近接して平行配置されたもので、所定長、幅が予め設定されている。結合線路ＳＴＬＧ２３は一端が終端抵抗ＲＧ２１に接続され、他端は積層体の端面電極に接続されてモニタ端子ＭＯＮ１に接続可能にされている。
【００２８】コンデンサＣＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２１とがローパスフィルタとしての並列共振回路を構成し、コンデンサＣＧ２１の静電容量値と主伝送線路ＳＴＬＧ２１のインダクタンスとによって増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２で発生する高調波の内の所望の成分を減衰させるようにしている。また、主伝送線路のＳＴＬＧ２２によりカプラＣＯＰ１を通過する高調波成分の位相を変更するようにしている。
【００２９】また、図示していないが、主伝送線路ＳＴＬＧ２０の途中の任意の部分とグランド電極との間には寄生容量が生じ、この寄生容量と主伝送線路ＳＴＬＧ２０のインダクタンスとで低域通過フィルタが構成されている。この寄生容量の代わりに、グランド電極に対向するコンデンサを新たに形成してもよい。
【００３０】上記コンデンサＣＧ２１の容量値、主伝送線路ＳＴＬＧ２１のライン長、主伝送線路ＳＴＬＧ２２のライン長をそれぞれ独立して変化させて最適化することにより、カプラＣＯＰ１に付加した低域通過フィルタ機能の減衰効果を最大限に得られるよう調整することができる。長さ以外に幅、形状を調整する態様としてもよい。コンデンサＣＧ２１に対しては電極パターンの対向面積を調整すればよい。
【００３１】図５は、高周波モジュールのＧＳＭ送信モードにおける通過特性を示す図で、（ａ）は従来の特性図、（ｂ）は本発明によるときの特性図ある。図５は横軸が周波数、縦軸が通過減衰量を示している。図５（ａ）において、通過特性の減衰域には跳ね上がり６１、６３が表れており、これは主にカプラＣＯＰ１と高周波スイッチＳＷ１とがこれらの周波数において共役整合条件に近づき、すなわち容量性側と誘導性側に別れ、その周囲の周波数帯に比べて高周波信号が伝送し易くなっていることによる。このような通過特性の跳ね上がり６１、６３の周波数が減衰量を必要とする周波数（例えば、基本波の整数倍の周波数）に近い場合、基板ばらつきが通過特性の跳ね上がり６１、６３の周波数のばらつきを招き、減衰量を必要とする周波数で所望の減衰量を得られない現象が起こることがある。この場合に、コンデンサＣＧ２１、主伝送線路ＳＴＬＧ２１、ＳＴＬＧ２２のライン長を調整（乃至は調整後の寸法で設計）することにより、共役整合条件を変化させ（すなわち、カプラＣＯＰ１と高周波スイッチＳＷ１とを、容量性側に統一、あるいは誘導性側に統一させ）、前記通過特性の跳ね上がり６１、６３の減衰量、および周波数を調整することが可能となる。図５（ｂ）では跳ね上がり６１、６２のレベルが抑えられて、より減衰量が確保できる。」
　
　ここで、
（ア）上記Ｂ及び図１，図２より、高周波モジュール１は、分波回路ＤＩＰ１をアンテナＡＮＴに接続するための共用のアンテナ端子を有していると解される。
（イ）上記Ｂの段落【００１２】の「本高周波モジュール１は、通過帯域の異なる複数の送受信系ＧＳＭ、ＤＣＳを各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１、および各送受信系において送信系と受信系とを切り替えるダイオードスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２を有するマルチバンド用高周波スイッチＳＷと、・・・で構成されている。」という記載より、高周波モジュール１は、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信経路及び受信経路を有していると認められる。
（ウ）上記（ア），（イ）にて検討した事項と、上記Ｂ及び図１，図２より、高周波モジュール１は、分波回路ＤＩＰ１と接続される入出力端子と、受信経路に接続される第３ポートＰ３（Ｒｘ１）と、送信経路に接続される出力（送信）端子（ＴＸ１）とを有し、前記入出力端子と前記出力（送信）端子（ＴＸ１）及び第３ポートＰ３（Ｒｘ１）との間にアンテナ端子と送信経路の接続及び前記アンテナ端子と受信経路との接続を切り換えるスイッチ回路ＳＷ１を設けたものであると認められる。
（エ）上記Ｂの段落【００２８】の「コンデンサＣＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２１とがローパスフィルタとしての並列共振回路を構成し、コンデンサＣＧ２１の静電容量値と主伝送線路ＳＴＬＧ２１のインダクタンスとによって増幅部ＡＭＰ１、ＡＭＰ２で発生する高調波の内の所望の成分を減衰させるようにしている。」という記載より、送信経路にコンデンサＣＧ２１と主伝送線路ＳＴＬＧ２１からなるローパスフィルタがあるものと認められる。
（オ）上記（エ）にて検討した事項と、上記Ｂの段落【００２８】の「また、主伝送線路のＳＴＬＧ２２によりカプラＣＯＰ１を通過する高調波成分の位相を変更するようにしている。」という記載、さらに図２より、ダイオードＤＧ１とローパスフィルタとの間に主伝送線路ＳＴＬＧ２２があるものと認められる。
　
　よって、上記Ａ，Ｂの記載及び関連する図面を参照すると、引用例には、次の発明（以下、「引用例記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「共用のアンテナ端子と、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信経路及び受信経路と、前記アンテナ端子と前記送信経路及び受信経路との間に接続された分波回路ＤＩＰ１と、前記分波回路ＤＩＰ１と接続される入出力端子と、前記受信経路に接続される第３ポートＰ３（Ｒｘ１）と、前記送信経路に接続される出力（送信）端子（ＴＸ１）とを有し、前記入出力端子と前記出力（送信）端子（ＴＸ１）及び第３ポートＰ３（Ｒｘ１）との間に前記アンテナ端子と送信経路の接続及び前記アンテナ端子と受信経路との接続を切り換えるスイッチ回路ＳＷ１を設けた高周波モジュール１において、
　前記送信経路にはスイッチ回路ＳＷ１のダイオードＤＧ１とローパスフィルタを直列に接続しており、さらに前記ダイオードＤＧ１とローパスフィルタとの間に主伝送線路ＳＴＬＧ２２を設けた高周波モジュール１。」
　
（３）対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明における「分波回路ＤＩＰ１」，「第３ポートＰ３（Ｒｘ１）」，「出力（送信）端子（ＴＸ１）」，「スイッチ回路ＳＷ１」，「高周波モジュール１」，「ダイオードＤＧ１」，「主伝送線路ＳＴＬＧ２２」は、それぞれ、本願発明における「分波回路」，「入力（受信）端子」，「出力（送信）端子」，「アンテナスイッチ回路」，「アンテナスイッチモジュール」，「ダイオード素子」，「伝送線路」に相当するから、本願発明と引用例記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願発明と引用例記載の発明とは、ともに、
「共用のアンテナ端子と、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信経路及び受信経路と、前記アンテナ端子と前記送信経路及び受信経路との間に接続された分波回路と、前記分波回路と接続される入出力端子と、前記受信経路に接続される入力（受信）端子と、前記送信経路に接続される出力（送信）端子とを有し、前記入出力端子と前記出力（送信）端子及び入力（受信）端子との間に前記アンテナ端子と送信経路の接続及び前記アンテナ端子と受信経路との接続を切り換えるアンテナスイッチ回路を設けたアンテナスイッチモジュールにおいて、
　前記送信経路にはダイオード素子とローパスフィルタを直列に接続しており、さらに前記ダイオード素子とローパスフィルタとの間に伝送線路を設けたアンテナスイッチモジュール。」
である点。
  
（相違点）
相違点１：本願発明は、「一端同士が接続されて直列に接続されたコンデンサ素子とインダクタ素子を設け、前記コンデンサ素子の他端は前記入出力端子とダイオード素子との間に接続され、前記インダクタ素子の他端は前記伝送線路とローパスフィルタの間に接続させた」ものであるのに対し、引用例記載の発明は、そのようなものでない点。
　
相違点２：本願発明においては、「ダイオード素子」、「ローパスフィルタ」、「伝送線路」、「コンデンサ素子」、及び「インダクタ素子」が「アンテナスイッチ回路」に含まれるのに対し、引用例記載の発明においては、「ダイオード素子」は「アンテナスイッチ回路」に含まれるものの、「ローパスフィルタ」、「伝送線路」、「コンデンサ素子」、及び「インダクタ素子」は「アンテナスイッチ回路」には含まれない点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点１，２について検討する。
　
（相違点１について）
　本願明細書の段落【００１４】には、オフ状態であるダイオードＤ４のアイソレーションを向上させるために、コンデンサＣＤ６及びインダクタＬＤ４からなる直列回路を設けた旨が記載されている。
　一方、オフ状態であるダイオード素子のアイソレーションを向上させるために、当該ダイオード素子に並列にコンデンサ素子及びインダクタ素子からなる直列回路を設けることは、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−３２８１３６号公報の段落【００４８】及び図１１や、特開２００１−２０３６０２号公報の段落【００２２】及び図３等に記載されているように、周知技術である。
　そして、オフ状態であるダイオード素子のアイソレーションを向上させるという課題は一般的なものであり、ダイオード素子をスイッチとして用いている引用例記載の発明においても当該課題は内在されていると考えられるから、引用例記載の発明において、上記周知技術を適用し、ダイオード素子に並列にコンデンサ素子及びインダクタ素子からなる直列回路を設けた構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。また、そのようにする際、「コンデンサ素子及びインダクタ素子からなる直列回路」を、「ダイオード素子のみに対して並列に設ける」という構成（以下、「構成Ａ」という。）を採用しても、「ダイオード素子と伝送線路の直列回路に対して並列に設ける」という構成（以下、「構成Ｂ」という。）を採用しても、上記周知技術が目指す「オフ状態であるダイオード素子のアイソレーションを向上させる」という目的を達成し得ることは当業者に自明であり、そのいずれの構成を採用するかは、当業者が適宜決定し得たことである。したがって、「一端同士が接続されて直列に接続されたコンデンサ素子とインダクタ素子を設け、前記コンデンサ素子の他端は前記入出力端子とダイオード素子との間に接続され、前記インダクタ素子の他端は前記伝送線路とローパスフィルタの間に接続させた」構成とすることも当業者が容易に想到できたことである。
　なお、この点に関し、審判請求人は、「ダイオード素子とローパスフィルタの間に配置される伝送線路２８がこの回路２７の外側に配置されたもの（審決注：上記構成Ａに相当）では、ローパスフィルタと伝送線路が干渉して調整が難しくなり、所望の高調波抑制効果を得ることも困難になります。伝送線路２８を回路２７の並列接続の内側に入れること（審決注：上記構成Ｂに相当）で、回路２７とローパスフィルタを個別に調整できるようになります。」（審判請求書の「（３−２）特開２００４−３２８１３６号（引用文献２）との差異」という項目を参照。）と主張しているが、この主張は以下の理由で採用できない。
ア．上記主張を裏付ける記載は本願明細書には一切なく、該主張内容の詳細も真偽も定かでない。
イ．仮に上記主張内容が正しいとしても、その主張に係る効果（上記構成Ｂを採用したことによる効果）は、当業者の適宜の決定に基づき採用し得た構成のものが当然に有する効果にすぎず、本願発明の進歩性を肯定する根拠となり得るものではない。
　
（相違点２について）
　一般的に、どの構成要素を含むブロックをどのような機能部として捉えるかということは、当業者が適宜決定することができる設計事項にすぎず、上記「相違点１について」で検討した事項を踏まえて引用例記載の発明に上記周知技術を適用した構成において、「ダイオード素子」だけでなく、「ローパスフィルタ」、「伝送線路」、「コンデンサ素子」、及び「インダクタ素子」も含めたブロックを「アンテナスイッチ回路」として捉えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（本願発明の作用効果について）
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び上記周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。