【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板であって、該基板が、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層および、Ｂ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及び層Ｂ）が層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合するテンプレート型基板。
【請求項２】
窒化物バルク単結晶の層Ａ）がガリウムまたはアルミニウム含有窒化物を含有し、アルミニウム含有窒化物が一般式ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項３】
気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物の層Ｂ）が一般式ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項４】
層Ｂ）がＭＯＣＶＤ法、ＨＶＰＥ法またはＭＢＥ法で、層Ａ）を有する基板上に形成されることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項５】
層Ｂ）が少なくとも２つの層からなり、第１層Ｂ１）が層Ａ）を有する基板上にＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法で形成され、第２層Ｂ２）が第１層Ｂ１）上にＨＶＰＥ法で形成されることを特徴とする請求項４記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項６】
窒化物バルク単結晶層のＡ）を層Ｂ）を有するシード上に、少なくとも１種のアルカリ金属を含有する超臨界アンモニア溶液中で窒化物を結晶させて形成することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項７】
気相エピタキシャル成長法で形成したガリウムまたはアルミニウム含有窒化物の層Ｃ）を備え、少なくとも１種のアルカリ金属（族番号Ｉ、IUPAC 1989）を含有する窒化物バルク単結晶の層Ａ）を層Ａ１）とＡ２）としてシード層Ｂ）の非Ｎ極性面とＮ極性面の両方の面に形成し、層Ｃ）を層Ａ１）の非Ｎ極性面と、層Ｃ）のＮ極性面で結合することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項８】
ガリウムまたはアルミニウム含有窒化物の層Ｃ）をＭＯＣＶＤ法、ＨＶＰＥ法またはＭＢＥ法で層Ａ１）の基板上に形成することを特徴とする請求項７記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項９】
層Ｃ）は少なくとも２つの層を備え、第１層Ｃ１）をＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法で層Ａ１）の基板上に形成し、第２層Ｃ２）をＨＶＰＥ法で第１層Ｃ１）上に形成することを特徴とする請求項７記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１０】
塩素化合物を含有し、主面が実質的にＧａ極性面からなることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１１】
欠陥密度が１０６／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１２】
層Ａ）または層Ａ１）及びＡ２）が、少なくとも１種のアルカリ金属を含有する超臨界アンモニア溶液中で窒化物を結晶させて形成した窒化物バルク単結晶であることを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１３】
層Ａ）がＣ面の両面を有し、直径が１インチ以上であり、少なくとも１種のアルカリ金属を含有する超臨界アンモニア溶液中で窒化物バルク単結晶をＡ軸方向に成長させることによって形成することを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１４】
基板の欠陥密度が１０４／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１３記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１５】
ガリウムまたはアルミニウム含有窒化物の層Ｂ）またはＣ）及び層Ｂ１）及びＢ２）またはＣ１）及びＣ２）の中のアルカリ金属の濃度が、少なくとも１種のアルカリ金属を含有する超臨界アンモニア溶液中で窒化物を結晶化させることによって形成した層Ａ）の濃度よりも低いことを特徴とする請求項１記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１６】
窒化物層Ａ）がＡｌＮまたはＧａＮからなることを特徴とする請求項２記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１７】
層Ｂ）、Ｂ１）、Ｃ）またはＣ１）をＭＯＣＶＤ法で形成し、厚さが０．１から３μｍであることを特徴とする請求項１，５，７または９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１８】
気相成長法により形成した層Ｂ）またはＣ）が一般式ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であることを特徴とする請求項１７記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項１９】
層Ｂ）またはＣ）がＡｌＧａＮおよびＧａＮの二重層の組み合わせであることを特徴とする請求項１８記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項２０】
層Ｂ）またはＣ）がドナー添加物としてシリコン（Ｓｉ）または酸素（Ｏ）を含有するガリウムまたはアルミニウム含有窒化物であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項２１】
層Ｂ）またはＣ）がアクセプター添加物としてマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）を含有するガリウムまたはアルミニウム含有窒化物であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項２２】
添加物の濃度が１０１７／ｃｍ３から１０２１／ｃｍ３の範囲であることを特徴とする請求項２０または２１に記載のオプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板。
【請求項２３】
テンプレート型基板の製造方法が、
（ａ）超臨界アンモニア含有溶液からシード上にガリウムまたはアルミニウム含有窒化物を結晶させて、窒化物バルク単結晶の層Ａ）を、基板のための膜厚をもたせて形成し、
（ｂ）気相エピタキシャル成長法により、層Ａ）のＡｌまたはＧａ極性面上に窒化物の層Ｂ）を形成し、基板が層Ａ）及び層Ｂ）からなり、層Ａ）のＡｌまたはＧａ極性面と層Ｂ）のＮ極性面において結合した基板を得る工程を備えることを特徴とするテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２４】
窒化物バルク単結晶層Ａがアルカリ金属（Ｉ属元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項２３記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２５】
（ｃ）層Ｂ）の１つの面を研磨し、気相エピタキシャル成長のための基板を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項２３記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２６】
層Ａ）およびＢ）を備える基板を水素を含有しない空気中で、約６００℃から１０５０℃の温度で、アニーリング処理し、アニーリング処理前よりもより良好な結晶性を有する材料を製造する工程をさらに備える特徴とする請求項２５記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２７】
アニーリング工程を１０から３０Ｖｏｌ．％の酸素を添加した不活性ガスの空気中で行うことを特徴とする請求項２６記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２８】
不純物（水素および／またはアンモニアまたは結晶化および／またはアニーリング処理中に生じた不純物から形成されたイオン）が望ましいレベルに達するまで、アニーリング工程を単一工程または複数の工程で行うことを特徴とする請求項２７記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項２９】
アンモニア含有溶媒、水または二酸化炭素の超臨界環境下に浸漬、またはガス状水素、窒素またはアンモニアの作用下に付し、窒化物バルク単結晶から不純物を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項２６記載のテンプレート型基板の製造方法。
【請求項３０】
洗浄工程で超音波または電子ビーム照射を補助的に用いることを特徴とする請求項２３記載のテンプレート型基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現在気相エピタキシャル成長用に使用されている基板は、通常サファイア、ＳｉＣ、ＧａＡｓ及びＳｉを含有し、該基板上で成長させて得たエピタキシャル層は依然として１０９／cm2という高い欠陥密度（転位密度）を示しており好ましくない。ゆえに、基板へのＥＬＯＧ型構造の適用が提案され、これにより欠陥密度を１０６／cm2に減少できるが、この欠陥密度では依然として高すぎるため、多くのエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス機器、特に高出力半導体レーザを適切に機能させることが可能かは保証できない。さらに、得られる基板はＥＬＯＧ構造によりエピタキシャル面領域が狭くなっているという別の問題がある。従って、我々はガリウムまたはアルミニウム含有窒化物単結晶の他の製造方法を提案しており、例えば、ポーランド特許出願番号Ｐ−３４７９１８で、窒化ガリウムに代表される窒化物バルク単結晶を超臨界アンモニア含有溶液からの再結晶により製造する方法を提案している。上記の超臨界アンモニア溶液を用いて得られる窒化ガリウムバルク単結晶の特徴は、欠陥密度が低いことである。（バルクＧａＮの場合：１０４／cm2）しかし、これは低い成長率、事実上気相成長法で用いられる成長率よりも何倍も低い成長率で得られるものである。