【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  以下の段階、つまり
請求項１に記載の段階a)〜f)、及び
g)  1)  フォトレジスト組成物を感光化するのに十分な量の感光性成分、2)  f)で得た成    膜性ノボラック樹脂溶液、及び3)  追加のフォトレジスト溶液を含む混合物を調製す    ることによって、フォトレジスト組成物を得、
h)  適当な基体をg)で得たフォトレジスト組成物でコーティングし、
i)  h)のコーティングされた基体を、実質的に全てのフォトレジスト溶剤が除去されるま    で加熱処理し、その感光性組成物を像様露光し、この組成物の像様露光された領域を    適当な現像剤、例えば水性アルカリ性現像剤を用いて除去し、そして場合によっては    、上記除去段階の直ぐ前もしくは後に基体をベーク処理してもよい、
ことを含む、適当な基体をポジ型フォトレジスト組成物でコーティングすることによって基体上にフォトイメージを形成して半導体デバイスを作製する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
フォトレジスト組成物は、小型化された電子部品、例えばコンピューターチップ及び集積回路等の作製のためにマイクロリトグラフプロセスに使用される。このようなプロセスでは通常、先ず、フォトレジスト組成物のフィルムの薄膜を、基体材料、例えば集積回路を作製するのに使用されるシリコンウェハにコーティングする。次いで、このコーティングされた基体をベーク処理してフォトレジスト組成物中の溶剤を蒸発させ塗膜を基体上に定着させる。次に、このコーティングされ熱処理された基体の表面を、像様露光させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この露光により、コーティングされた表面の露光された領域に化学的な変化が生ずる。可視光、紫外線(UV)、電子ビーム及びX-線の放射エネルギーが、現在、マイクロリトグラフプロセスに通常使用される放射線種である。この像様露光(image-wise exposure) の後、このコーティングされた基体を現像剤溶液で処理して、基体のコーティングされた表面の露光された領域または露光されていない領域を溶解除去する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
フォトレジスト組成物にはネガ型とポジ型の二つのタイプのものがある。ネガ型フォトレジスト組成物を像様露光した場合は、レジスト組成物の露光された領域が現像剤溶液に対して溶けにくくなり（例えば、架橋反応が生ずる）、一方フォトレジスト膜の非露光領域はこのような溶液に対して比較的可溶性のままに維持される。それゆえ、露光したネガ型レジストを現像剤で処理することにより、フォトレジスト膜の非露光領域が除去され、そして膜にネガ型の像が形成される。それにより、フォトレジスト組成物が付着していたその下の基体表面の所望の部分が裸出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、ポジ型フォトレジスト組成物を像様露光した場合には、フォトレジスト組成物の露光された領域が現像剤溶液に対してより可溶性になり（例えば、転位反応が起こる）、そして非露光領域は、現像剤に対して比較的不溶性のまま維持される。それゆえ、露光されたポジ型フォトレジストを現像剤で処理することにより、膜の露光領域が除去されそしてフォトレジスト膜にポジ型の像が形成する。ここでもまた、下にある基体表面の所望の部分が裸出される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この現像操作の後に、部分的に非保護の基体を、基体- エッチング溶液またはプラズマガス等のもので処理することができる。エッチング溶液またはプラズマガスは、現像の間にフォトレジスト膜が取り除かれた基体部分を腐食する。フォトレジスト膜がなお残る基体領域は保護され、そして像様露光に使用したフォトマスクに対応するエッチングパターンが基体材料に形成される。その後、フォトレジスト膜の残りの領域は剥離操作で除去することができ、これによってエッチングされたきれいな基体表面が得られる。幾つかの場合においては、下にある基体に対するフォトレジスト層の粘着性及びエッチング溶液に対するフォトレジスト層の耐性を高めるために、現像段階の後及びエッチング段階の前に、残りのフォトレジスト層を熱処理することが望ましい。塗膜の軟化はコーティングされたレジストウェハの像領域において望ましくない歪みを招くため、この段階において耐熱性が重要となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、更に、適当な基体をポジ型フォトレジスト組成物でコーティングし、基体上にフォトイメージを形成することによって半導体デバイスを作製する方法も提供する。この方法は、以下の段階、つまり
a)  酸触媒の存在下にホルムアルデヒドと一種またはそれ以上のフェノール化合物とを縮    合させ、この際、多ヒドロキシ置換ベンゼン／ケトンもしくはアルデヒド縮合物から    構成される別途合成したポリマーを導入し、これによってブロックコポリマーの一部    として導入された多ヒドロキシ置換ベンゼン／ケトンもしくはアルデヒドからなる成    分の部分を有するノボラック樹脂コポリマーを生成し、
b)  未反応のホルムアルデヒド及び／またはフェノール化合物モノマーを、例えば蒸留す    ることによって除去して、上記a)で生成したノボラック樹脂コポリマーを単離し、
c)  上記b)で単離したノボラック樹脂コポリマーに水溶性有機極性溶剤を添加し、このコ    ポリマーを約15〜約40重量％、好ましくは約20〜約30重量％の割合で含む溶液を調製    し；  次いで、約1:10〜約10:1、好ましくは約2:8 〜約8:2 、より好ましくは約3:7     〜約7:3 、最も好ましくは約4:6 〜約6:4 の水溶性有機極性溶剤：脱イオン水の比率    で上記ノボラック樹脂コポリマー溶液に脱イオン水(DI 水) を添加することによって    、ノボラック樹脂コポリマーを析出させると共に、残留した未反応フェノール化合物    、低分子量ノボラック樹脂並びに不用のモノマー類及びオリゴマー類を含む溶液を生    ぜしめ、
d)  上記c)の残留溶液を、例えばデカンテーションまたは吸引することによって除去し、
e)  上記c)で得た析出したノボラック樹脂コポリマーに水溶性有機極性溶剤を添加しこの    コポリマーを約15〜約40重量％、好ましくは約20〜約30重量％の割合で含む溶液を調    製し；  次いで、約1:10〜約10:1、好ましくは約2:8 〜約8:2 、より好ましくは約3:    7 〜約7:3 、最も好ましくは約4:6 〜約6:4 の水溶性有機極性溶剤：脱イオン水の比    率で脱イオン水を添加して、上記ノボラック樹脂ポリマー性縮合生成物を再び析出さ    せ、次いで残留溶液を、例えばデカンテーションまたは吸引することによって除去し    、
f)  上記e)で得たノボラック樹脂コポリマー析出物をフォトレジスト溶剤中に溶解し、次    いで残留した水及び水溶性有機極性溶剤を、例えば減圧及び低温下に蒸留することに    よって除去して、上記フォトレジスト溶剤中の成膜性の分別されたノボラック樹脂コ    ポリマー溶液を得、
g)  1)    フォトレジスト組成物を感光化するのに十分な量の感光性成分；  2)    上記    f)で得た成膜性ノボラック樹脂溶液；及び3)追加のフォトレジスト溶液を含む混合物    を調製してフォトレジスト組成物を得、
h)  適当な基体を上記g)で得たフォトレジスト組成物でコーティングし、
i)  上記h)のコーティングされた基体を、実質的に全てのフォトレジスト溶剤が除去され    るまで加熱処理し；  この感光性組成物を像様露光し、そしてこの組成物の像様露光    された領域を適当な現像剤、例えば水性アルカリ性現像剤を用いて除去する、
ことを含む。場合によっては、上記の除去段階の直ぐ前もしくは後のどちらかに基体をベーク処理してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
フォトレジストがコーティングされ露光された基体は、アルカリ性現像溶液中に浸けることによって現像して像様露光された領域を除去するか、または噴霧現像プロセスによって現像する。好ましくはこの溶液は、例えば窒素噴出攪拌法(nitrogen burst agitation)によって攪拌する。この基体は、露光された領域から全てのまたは実質的に全てのフォトレジスト膜が溶解除去されるまで、現像剤中に留める。現像剤は、アンモニウムまたはアルカリ金属水酸化物の水溶液などであり得る。好ましいこのような水酸化物の一つは水酸化テトラメチルアンモニウムである。コーティングされたウェハを現像溶液から取り出した後、膜の粘着性並びにエッチング溶液及び他の物質に対する膜の耐薬品性を高めるために、任意の現像後熱処理またはベーク処理を行ってもよい。この現像後熱処理は、膜の軟化点以下での膜及び基体のオーブンベーク処理からなり得る。工業的プロセス、特にケイ素／二酸化ケイ素タイプの基体上で超小型回路を作製する場合は、現像された基体を、緩衝された、フッ化水素酸をベースとするエッチング溶液で処理することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、酸をベースとするエッチング溶剤に対し耐性があり、基体の露光されていないフォトレジスト膜領域に効果的な保護を与える。