【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセテチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む、架橋可能な液晶ポリマを含む、
回路又は多層回路の形成のための回路材料。
【請求項２】
前記導電層は、銅である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項３】
前記誘電体層は、十分に架橋されると、実質的に非流動性である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項４】
前記誘電体層は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上のうちの少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項５】
誘電体層は、部分的に架橋されると、流動性である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項６】
前記誘電体層の、前記第１の導電層とは反対の側に配設された第２の導電層
を更に備える、請求項１に記載の回路材料。
【請求項７】
前記誘電体層は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項６に記載の回路材料。
【請求項８】
前記架橋可能な液晶ポリマは、フェニルマレイミド基を含む、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項９】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項１０】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体基板と、
を備える、回路又は多層回路の形成のための回路ラミネートであって、
前記誘電体基板は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、から誘導された架橋された基を有する、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマを含む、回路ラミネート。
【請求項１１】
前記導電層は、銅である、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１２】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１３】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１４】
フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する、架橋可能な液晶ポリマを含む、架橋可能な液晶ポリマ組成物を、導電層と接触させるステップと、
前記架橋可能な液晶ポリマを架橋して、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマ誘電体材料を形成するステップと、
を含む、回路材料を形成する方法。
【請求項１５】
架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体基板と、
前記誘電体基板上に配設された導電回路層と、
を備える回路。
【請求項１６】
前記導電層は、銅である、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１７】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１８】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１９】
流動性誘電体材料上に配設された第１の導電層を備える、樹脂コートされた導電層と、
回路層と第２の導電層との間に配設された誘電体基板を備える、２層クラッド回路と、
を備え、
前記流動性誘電体材料は、前記回路層の、前記誘電体基板とは反対の側に配設され、
更に、
前記流動性誘電体材料、前記誘電体基板、又はその両方は、
架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する熱硬化性液晶ポリマを含む、
多層回路。
【請求項２０】
第１の導電層、第２の導電層、及び回路層は、銅である、
請求項１９に記載の多層回路。
【請求項２１】
約３．８より小さい誘電率と、
約０．００７以下の誘電正接と、
Ｖ−１又はそれより良いＵＬ−９４の等級と、
を有する、請求項１９に記載の多層回路。
【請求項２２】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１９に記載の多層回路。
【請求項２３】
第１の回路層と第２の回路層との間に配設された第１の誘電体基板を備える、第１の２層クラッド回路と、
第３の回路層と第４の回路層との間に配設された第２の誘電体基板を備える、第２の２層クラッド回路と、
前記第１の誘電体基板の層とは反対の側にある前記第２の回路層と、前記第２の誘電体層とは反対の側にある前記第３の回路層と、の間に配設された接着層と、
を備え、
前記第１の誘電体基板、前記第２の誘電体基板、又は前記接着層、の少なくとも一つは、
架橋されたフェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマを含む、
多層回路。
【請求項２４】
約３．８より小さい誘電率と、
約０．００７以下の誘電正接と、
Ｖ−１又はそれより良いＵＬ−９４の等級と、
を有する、請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２５】
前記第１の誘電体基板、前記第２の誘電体基板、又は前記接着層の少なくとも一つは、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２６】
前記第１の回路層の、前記第１の誘電体層とは反対の側に配設されたカバーフィルムを更に備え、
前記カバーフィルムは、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、の架橋により形成される、熱硬化性液晶ポリマを含む、
請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２７】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、部分的に架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む液晶ポリマを含む、
回路又は多層回路の形成のためのＢステージ回路材料。
【請求項２８】
前記導電層は、銅である、
請求項２７に記載のＢステージ回路材料。
【請求項２９】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、または以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む液晶ポリマを含み、
更に、
前記基は、前記液晶ポリマの溶融温度より少なくとも約２０℃高い温度で架橋する、
回路又は多層回路の形成のための回路材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１に第１の実施の形態を示す。ここで、回路材料１０は、誘電体材料（層）１２上に配設される導電層２０を含む。本願において開示全体に渡り使用されるように、「配設される」は、互いに部分的又は全体的に被う層を含む。誘電体材料（層）１２は、Ｂステージ又は熱硬化された液晶ポリマ１４、微粒子フィラー１６、及び織られたウェブ１８を含む。誘電体材料（層）１２が実質的に非流動性（即ち、誘電体基板）であるとき、単層クラッド（ｓｉｎｇｌｅ  ｃｌａｄ）回路ラミネートが設けられ、また誘電体材料（層）１２が、回路製造中に、例えばラミネーション中に、流動性であるとき、樹脂で被われた導電層が設けられる。あるいは、織られたウェブ１８は織られない集合（図示せず）により置き換えられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
１０，３０  回路材料、１２  誘電体材料（層）、１４  液晶ポリマ、１６，４６，７６，１１８，１６８，２３４，２３７  微粒子フィラー、１８，４８，７８，１２０，１７０，２３６，２３９  織られたウェブまたは繊維ウェブ、２０，３６，５０，５２，６２，６８，１３４，１４６，１５４，１６４，１８４，１９４，２０４，２３０，２７０  導電層、３２  誘電体層、３４，４４，６６，７４，９４，１１６，１４８，２３２，２３５  熱硬化性液晶ポリマ、４０，６０  ２層クラッド回路ラミネート、４２，６４，１１４，１４４，１６２，１９２，２１２，２２２，２４８，２５８  誘電体基板、７０，９０  カバーフィルム、７２，９２，１０８，１３８，１５６，１８６，２０６，２２８，２６４，２６８  流動性誘電体材料、８０，９６，１０６，１３６  非流動性誘電体材料、１００，１３０，１５０，１８０，２００，２４０  多層回路、１０２，１３２，１５２，１８２，２０２，２２６，２４２，２６２  樹脂コートされた導電層、１１０，１４０，１５８，１８８  ２層クラッド回路、１１２，１４２，１６０，１９０，２１０，２１４，２２０，２２４  回路層、２０８，２４４  第１の２層クラッド回路、２１６，２５２  接着層、２１８，２５４  第２の２層クラッド回路、２４６  第１の回路層、２５０  第２の回路層、２５６  第３の回路層、２６０  第４の回路層。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2006501688.tif 000001