【事件の表示】
　特願２００２−５４０１７８「非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月１０日国際公開，ＷＯ０２／３７５２４，平成１６年　６月１０日国内公表，特表２００４−５１７４６９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００１年１０月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１０月３０日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年２月２２日付けの拒絶理由通知に対して，同年５月２２日に意見書が提出されたが，同年６月１１日に拒絶査定がされ，これに対し，同年９月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年１０月１０日付けで手続補正がされ，その後当審において平成２２年１０月１５日付けで審尋がされ，平成２３年４月１４日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１０月１０日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１０月１０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２０年１０月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の請求項１７を，本件補正後の請求項１７とする補正（以下「本件補正事項」という。）を含むものであって，本件補正前後の請求項１７は，次のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１７
「ワークピースにイオンを注入する方法であって，
　イオンビームを発生させる工程と，
　基準の向きに関して第一の角度に向けられたワークピースについて第一の注入を実行する工程と，
　基準の向きに関して第二の角度に向けられたワークピースについて第二の注入を実行する工程と，
を含み，
　第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもつ，ところの方法。」
　
（２）本件補正後の請求項１７
「ワークピースにイオンを注入する方法であって，
　イオンビームを発生させる工程と，
　基準の向きに関して第一の角度に向けられたワークピースについて第一の注入を実行する工程と，
　基準の向きに関して第二の角度に向けられたワークピースについて第二の注入を実行する工程と，
を含み，
　第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもち，さらに第一および第二の角度がイオンビームの発散角度の半分に等しいか，またはそれよりも大きい，
ところの方法。」
　
２　新規事項の追加の有無，及び補正目的の適否について
　本件補正事項は，補正前の請求項１７に，「さらに第一および第二の角度がイオンビームの発散角度の半分に等しいか，またはそれよりも大きい」との事項を付加するものである。当該事項は，本願の願書に最初に添付された明細書の【００２５】，【００２６】に基づくものであり，また，補正前の「第一の角度」及び「第二の角度」を更に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって，本件補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正事項は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１７に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
　
３−１　本件補正後の請求項１７に係る発明
　本件補正後の請求項１７に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１７に記載されたとおりのものである（上記１（２））。
　
３−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開昭６３−２２６９２２号公報（以下「引用例」という。）には，第１図とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア「再び第１図に戻ると，Ｓｉイオン注入において，
１回目のイオン注入は同図（ａ）に示される如く，半導体基板１をイオン注入方向に対し＋７°傾けて，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０
13
ｃｍ
-2
で１分注入する
　
次に，第１図（ｂ）に示される如く，半導体基板１をイオン注入方向に対して−７°傾け，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０
13
ｃｍ
-2
で１分注入する
　
イ「図示のように，従来のイオン注入方法では，面チャネリングを防ぐため半導体基板に対し＋７゜の角度で注入している。これをやや詳しく説明すると，半導体基板１の結晶をみると結晶が密な部分と粗の部分とがあり，イオンを基板面に垂直に注入すると結晶の密な部分ではイオンが入り難く浅くしか注入されないが，粗な部分ではイオンが入り易く深くまで注入される。その結果，イオン注入の深さにバラツキがあり，量産においては均一性が損なわれ再現性が悪いので，前記した如くイオンを半導体基板に対し＋７°の角度で注入する。なお図において，７°の角度は説明のため誇張して示される。」（第２頁左上欄第１行〜第１３行）
　
（２）上記（１）によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板１をイオン注入方向に対し＋７°傾けて，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０13ｃｍ-2で１分注入する工程と，
次に，半導体基板１をイオン注入方向に対して−７°傾け，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０13ｃｍ-2で１分注入する工程と，
を含むイオン注入方法。」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「半導体基板１」は，補正発明における「ワークピース」に相当する。また，引用発明の「イオン注入方法」は，「半導体基板１」にイオンを注入する方法であるから，補正発明と引用発明は「ワークピースにイオンを注入する方法」である点で一致する。また，引用発明が「イオンビームを発生させる工程」を有していることは明らかである。
（２）引用発明における「イオン注入方向」は，補正発明における「基準の向き」に相当し，引用発明における「イオン注入方向に対し＋７°」及び「イオン注入方向に対して−７°」が，補正発明における「第一の角度」及び「第二の角度」に相当する。また，補正発明と引用発明は「第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもつ」点で一致する。
（３）上記（２）から，引用発明における「半導体基板１をイオン注入方向に対し＋７°傾けて，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０13ｃｍ-2で１分注入する工程」は，補正発明における「基準の向きに関して第一の角度に向けられたワークピースについて第一の注入を実行する工程」に相当し，引用発明における「半導体基板１をイオン注入方向に対して−７°傾け，１５０ＫｅＶの注入エネルギー，注入ドーズ量０．９×１０13ｃｍ-2で１分注入する工程」は，補正発明における「基準の向きに関して第二の角度に向けられたワークピースについて第二の注入を実行する工程」に相当する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「ワークピースにイオンを注入する方法であって，イオンビームを発生させる工程と，基準の向きに関して第一の角度に向けられたワークピースについて第一の注入を実行する工程と，基準の向きに関して第二の角度に向けられたワークピースについて第二の注入を実行する工程と，を含み，第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもつ，ところの方法。」である点。
＜相違点＞
　補正発明は「第一および第二の角度がイオンビームの発散角度の半分に等しいか，またはそれよりも大きい」のに対し，引用発明では「第一及び第二の角度」と「イオンビームの発散角度」の関係が，そのように規定されていない点。
　
３−４　相違点についての判断
（１）引用例の上記３−２（１）イで摘記した箇所において，「イオンを基板面に垂直に注入」したとき，半導体基板の結晶の粗密に起因してイオン注入深さがバラつくと説明されていること，上記３−２（１）アで摘記した箇所において，「イオン注入方向」を基準に基板の傾きを規定していること，更に，引用例の第１図に，注入イオンが複数本の矢線で図示され，当該矢線と，一点鎖線で図示された基板の法線との角度が示されていることからみて，引用例では，イオンビームの方向が基板に対して一様であることが前提となっていると理解できる。すなわち，引用例には，引用発明におけるイオンビームの発散角度が０°（平行なイオンビーム）であることが記載されているに等しいものと理解できる。
　一方，補正発明では，イオンビームの発散角度の範囲について特定されていないから，イオンビームの発散角度が０°（平行なイオンビーム）の場合を含むものと認められる。
　そうすると，補正発明は，発散角度が０°の場合において引用発明と区別のつかないものであるといえる。
　よって，補正発明は，引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　
（２）なお，引用発明の発散角度を０°と特定できないとしても，上記３−２（１）ア，イで摘記した引用例の記載からみて，引用例では，少なくとも平行なイオンビームを想定した検討がなされていると理解できるから，引用発明におけるイオンビームとして，技術的に可能な範囲でなるべく平行に近いもの（発散角度が小さいもの）を用いることが示唆されているといえる。
　一方，引用発明における「第一及び第二の角度」の大きさは７°であるところ，発散角度の半分が７°以下であるイオンビームは，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，次の周知例１〜３にも記載されているとおり，周知のイオンビームである。
・周知例１：特開昭６３−３０１４５６号公報
「この場合に静電レンズ３とウェーハ５の間に第１図（ｂ）に示すようにイオンビーム２の照射領域の両端にほぼ平行の接地電位の筒の先に測定電極７を設け，この測定電極７に流入するイオンビーム２の電流値を電流計８にて計測し，その電流値が最大となるように静電レンズ電源６を制御し，イオンビーム２の収斂状態を補正する平行度計測手段により
イオンビーム２の平行度を±１°に安定させている
・周知例２：特開平４−３６８１２２号公報
「図５にイオン注入時のイオンビームと半導体基板との位置関係を示す。現在用いられている一般的な角度スキャン方式のイオン注入装置では，半導体基板位置でのイオンビームの平行度が良くなく（
３インチ基板内で±１．５°《図５のΔ》程度
・周知例３：特開平５−１６６４８３号公報
「【００３４】図７の（Ａ）図によると，
水平方向の発散角を０度近傍に抑え，垂直方向のビーム傾きも０度近傍に抑えるには，電界レンズ６へ約３０ＫＶの電圧を印加すればよいことが分かる
　
　そうすると，引用発明において，なるべく平行に近いイオンビームとして上記周知のイオンビームを採用することにより，「第一および第二の角度がイオンビームの発散角度の半分に等しいか，またはそれよりも大きい」設定とすることは，当業者が引用発明を実施するに当たり，引用例の示唆に沿って自然に到達し得たことである。
　よって，補正発明は，周知の事項を勘案し引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
  以上のとおり，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１７に記載されている事項により特定される発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年１０月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２７に係る発明は，平成１７年７月１５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１７に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１７として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２で検討したように，補正発明は，実質的に，本件補正前の請求項１７に対し，「さらに第一および第二の角度がイオンビームの発散角度の半分に等しいか，またはそれよりも大きい」との限定事項を付加したものである。また，上記第２，３，３−３で検討したとおり，補正発明と引用発明は，上記限定事項の点でのみ相違するものである。
　そうすると，上記限定事項を有さない本願発明は，引用発明と構成上の差異を有さないから，本願発明と引用発明は，同一の発明であるということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。