【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と呼ばれる電極と、上部電極と呼ばれる電極とに挟まれた多層積層体（３）が載った少なくとも１つのキャリア基板（１、１’）であって、各前記電極は、少なくとも１つの電流バスに電気的に接続された少なくとも１つの導電層（２、２’）を備えるキャリア基板を備える、光学特性および／またはエネルギー特性が変えられる電気的制御が可能なデバイスにおいて、電流バスのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの導電層（２、２’）の表面全体に電気エネルギーを分配するのに適した少なくとも１つのリード線であって、電極を形成する層（２、２’）の上もしくは内部を走る導電性ワイヤー（４）またはワイヤー・ネットワークを備えるリード線、と電気的に接続されていて、前記電気エネルギーが、電気によってアクティブになる多層積層体（３）の内部で均一に光に変換されることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記導電性ワイヤー（４）が金属ワイヤーであってタングステンまたは銅でできており、必要に応じて表面コーティングで覆われており、直径は１０〜１００μｍであり、直線状または波形であり、熱可塑性物質からなるシート（５）の上に堆積されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記下部電極が、キャリア基板の実質的に長方形の領域を覆う導電層（２）を備え、この導電層（２）は、ドープした酸化金属であるＩＴＯと呼ばれるスズをドープした酸化インジウム、フッ素をドープした酸化スズ（Ｆ：ＳｎＯ２ ）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ）のいずれかをベースとしており、基板がガラスでできている場合には、必要に応じ、酸化ケイ素、オキシカーバイド、オキシナイトライドいずれかのタイプであって光学機能および／またはアルカリ金属障壁機能を有する予備層の上に堆積されている請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記下部電極を構成する導電層（２）を、ＳｉＯＣからなる厚さが１０〜１５０ｎｍの第１の層と、その上に載ったＦ：ＳｎＯ2からなる厚さが１００〜１０００ｎｍの第２の層とで構成された２層構造体にすることが可能である請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項５】
ＡｌまたはＢのタイプの金属をわずかにドープしたＳｉＯ2  をベースとした厚さが約２０ｎｍの第１の層と、その上に載ったＩＴＯからなる厚さが約１００〜３００ｎｍの第２の層とで構成された２層構造体を備える請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
厚さが約１００〜３００ｎｍのＩＴＯで形成された層を備える請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
アクティブな前記システム（３）は、不飽和の複素環化合物をベースとした厚さが５ｎｍの少なくとも１つのＨＩＬ層（３ａ）と、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）またはＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さが５０ｎｍのＨＴＬ層（３ｂ）と、必要に応じてルブレン、ＤＣＭ、キナクリドンのいずれかを数％ドープしたＡｌＱ3  （アルミニウムトリス（８−ヒドロキシ−キノリン））複合体の蒸発分子からなる厚さが１００ｎｍの層（３ｃ）と、２−（４’−ビフェニル）−５−（４”−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ−ＰＢＤ）または３−（４’−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４”−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−トリアゾール（ＴＡＺ）からなる厚さが５０ｎｍのＥＴＬ層（３ｄ）と、を備える多層積層体で構成される請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
アクティブな前記システム（３）は、ＰＥＤＴ／ＰＳＳからなる厚さが５０ｎｍのＨＩＬ層（３ａ）と、ＰＰＶ、ＰＰＰ、ＤＯ−ＰＰＰ、ＭＥＨ−ＰＰＶ、ＣＮ−ＰＰＶのいずれかをベースとした厚さが１００ｎｍのポリマー層（３ｂ）と、を備える多層積層体で構成される請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
アクティブな前記システム（３）は、活性物質をベースとした厚さが５００ｎｍの少なくとも１つの層（３ａ）を備える多層積層体で構成され、この層（３ａ）のそれぞれの側には、誘電体（Ｓｉ3  Ｎ4、ＢａＴｉＯ3  、Ａｌ2  Ｏ3  ／ＴｉＯ2  ）からなる厚さが１５０ｎｍの絶縁層（３ｅ、３ｆ）が接合されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記上部電極を形成する前記導電層（２’）が、金属またはアルミニウム合金をベースとしている請求項１または９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記上部電極を形成する前記導電層（２’）が、正に帯電する金属またはこの金属の合金をベースとしている請求項１、７または８に記載のデバイス。
【請求項１２】
２つの前記電極のうちの少なくとも一方が、導電性ワイヤー／導電性ストリップからなるネットワーク（４）に接合された導電層を備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記導電性ネットワーク（４）が、ポリマーからなるシート（５）の表面に位置する実質的に金属からなる複数のワイヤーを備える請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ワイヤー／ストリップ（４）が、上部電極の導電層（２’）の長さまたは幅と実質的に平行な方向に、実質的に互いに平行に配置されており、前記ワイヤー／ストリップ（４）の端部は、基板の対向する縁部において、その基板上で導電層によって覆われた領域を少なくとも０．５ｍｍ超えて延びている請求項１２または１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記下部電極の導電層（２）に接合されている前記ワイヤー／ストリップ（４）の端部が、絶縁性ポリマーからなる柔軟性ストリップ（６ａ、６ｂ）の形態の電流バスに電気的に接続されており、そのストリップの一方の面が導電性コーティングで覆われている請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記電流バスが、前記キャリア基板（１、１’）を掴む導電性クリップの形態である請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記下部電極および前記上部電極のための電流バスのセットが、柔軟性のある絶縁性ポリマー支持体で構成されたほぼ長方形の１本のストリップにまとめられており、そのストリップの対向する２つの辺において、一方の面に導電性コーティングが設けられており、別の２つの辺において、その面とは反対側の面に導電性コーティングが設けられており、好ましくは単一の外部電気コネクタを有する請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記電流バスのうちの少なくとも１つがシム（１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂ）の形態、１本以上の導電性ワイヤーの形態、導電性物質でできた点状リード線の形態のいずれかである、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
電気によってアクティブになる前記多層積層体（３）が、キャリア基板上で多角形、長方形、菱形、台形、正方形、円、半円、楕円形、任意の平行四辺形のいずれかの形状になった領域を覆っている、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２０】
エレクトルミネセンス・システムを構成している請求項１〜１９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記エレクトルミネセンス・システムが透明である請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
特に多層構造になったエレクトルミネセンス板ガラス・ユニットである請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記エレクトルミネセンス・システムが、少なくとも１枚の平坦なガラス板および／または少なくとも１枚の曲がったガラス板を備える請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２４】
赤外光を反射するコーティング、親水性コーティング、疎水性コーティング、汚れ止め特性を有する光触媒性コーティング、反射防止コーティング、電磁シールド・コーティングのうちの少なくとも１つを有する請求項２０〜２３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記キャリア基板（１）が、堅固であるか、半堅固であるか、柔軟性を有する請求項２０〜２３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２６】
請求項１〜２４のいずれか一項に記載のデバイスを利用した、自動車用または建造物用の板ガラス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがってエレクトルミネセンス物質のタイプによっていくつかのファミリーを規定することができる。
・薄い層の有機エレクトルミネセンス物質を蒸着分子で形成する場合（ＯＬＥＤ）。有機エレクトルミネセンス物質としては、例えば、ＡｌＱ３（アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノリン））複合体、ＤＰＶＢｉ（４，４’−（ジフェニルビニレンビフェニル））、ＤＭＱＡ（ジメチルキナクリドン）、ＤＣＭ（（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）などがある。この場合には、キャリヤ（ホールと電子）の輸送を促進する付加層を薄い層のそれぞれの面に接合する。これら付加層は、それぞれ、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＴＬ（電子輸送層）と呼ばれる。さらに、ＨＴＬ層へのホールの注入状態を改善するため、ＨＴＬ層を、例えば銅フタロシアニンまたは亜鉛フタロシアニンで形成したＨＩＬ（ホール注入層）と呼ばれる層に接合する。
・薄い層の有機エレクトルミネセンス物質をポリマーで形成する場合（ｐＬＥＤ）。ポリマーとしては、ＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））、ＰＰＰ（ポリ（パラ−フェニレン））、ＤＯ−ＰＰＰ（ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン））、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］）、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ［２，５−ビス（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］）、ＰＤＡＦ（ポリ（ジアルキルフルオレン））などがある。このポリマー層も、ホールの注入を促進する層（ＨＩＬ）に接合される。このＨＩＬ層は、例えばＰＥＤＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルフォネート））で形成する。
・無機エレクトルミネセンス物質を薄い層で形成する場合。無機エレクトルミネセンス物質としては、例えば硫化物であるＭｎ：ＺｎＳまたはＣｅ：ＳｒＳ、あるいは酸化物であるＭｎ：Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｍｎ：Ｚｎ２ＧｅＯ４、Ｍｎ：Ｚｎ２Ｇａ２Ｏ４などがある。この場合、誘電体（例えばＳｉ３Ｎ４、ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＯ２）で形成された絶縁層を薄いエレクトルミネセンス層のそれぞれの面に接合する。
・無機エレクトルミネセンス物質を厚い発光層（例えばＭｎ：ＺｎＳまたはＣｕ：ＺｎＳ）で形成する場合。この層は、誘電体（例えばＢａＴｉＯ３）からなる絶縁層に接合される。これらの層は、一般にスクリーン印刷で形成する。