【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波数の電磁干渉に対してシールドを提供する装置であって、該装置は、
デバイスの少なくとも一部分を覆うように適合された導電性シールドと、
該導電性シールドの少なくとも一部分の上に配置されている電磁吸収材料であって、少なくとも約１ギガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収する電磁吸収材料と
を備え、
該結合された導電性シールドおよび電磁吸収材料は、該デバイスに対する電磁エネルギーの伝達を減衰する、装置。
【請求項２】
前記装置は、デバイスをハウジングするように適したキャビティを規定する筐体を備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記筐体は、実質的に全ての側面で前記デバイスを囲むように適合された、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記筐体は、基板に搭載されたデバイスを覆うように適合された、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記電磁吸収材料は、前記筐体の内部表面の少なくとも一部分に付与される、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記筐体は、回路基板に取り付けられるように適合された、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記筐体は、取り外し可能に取り付け可能であり、該筐体内の前記デバイスの少なくとも一部分にアクセスを提供する少なくとも一部分を備えた、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記導電性シールドは、光ファイバ送信機および光ファイバ受信機のうちの少なくとも１つをハウジングするように適合された、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記導電性シールドは、ギガビット干渉変換器（ＧＢＩＣ）をハウジングするように適合された、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記導電性シールドは、ｓｍａｌｌ−ｆｏｒｍ−ｆａｃｔｏｒ−ｐｌｕｇｇａｂｌｅ規格に実質的に準拠したフォームファクタを備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記導電性シールドは、アルミニウム、銅、ニッケル、錫、銀、金、ベリリウム、リン、銅、スチール、ステンレススチール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された１つ以上の材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記導電性シールドは、シート金属を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記電磁吸収材料は、導電性材料、カルボニル鉄粉、センダスト、フェライト、鉄シリサイド、磁性合金、磁性フレーク、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された１つ以上の材料を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１４】
前記電磁吸収材料は、マトリクス中に懸濁する電気的吸収粒子を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記電磁吸収材料は、導電性材料と、炭素と、カルボニル鉄粉と、センダストと、フェライトと、鉄シリサイドと、磁性合金と、磁性フレークと、スチールウールと、炭素含浸ゴムと、プラスチックストランドキャリアのフェライトと、金属ホイルと、鉄、ニッケル、および鉄／ニッケル合成物を含有する金属被覆材料と、鉄、ニッケル、エポキシ銅、ラッカー結合剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたペースト合成物と、それらの組み合わせとからなる群から選択された１つ以上の材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記電磁吸収材料は、接着剤を用いて前記導電性シールドに取り付けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
デバイスに対する高周波数の電磁エネルギーの伝達を減衰する方法であって、該方法は、
デバイスの少なくとも一部分を覆うように適合された導電性シールドにおいて電磁エネルギーを反射させるステップと、
該導電性シールドに関連付けられた電磁共振を変化せるステップと、
電磁吸収材料を用いて、該導電性シールドに近接した少なくとも約１ギガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収し、それによって、該デバイスに対する電磁エネルギーの伝達を低減するステップと
を包含する、方法。
【請求項１８】
前記電磁共振を変化させるステップは、該電磁共振のピーク振幅を低減するステップを包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
デバイスに対する高周波数の電磁エネルギーの伝達を減衰する方法であって、該方法は、
電磁吸収材料を用いて、デバイスの少なくとも一部分を覆うように適合された導電性シールドの少なくとも一部分を処理するステップであって、該電磁吸収材料は、所定の周波数範囲を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するように適合された、ステップと、
該デバイスに近接して該処理された導電性シールドを配置するステップと
を包含し、
少なくとも約１ギガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収することによって、該処理された導電性シールドは、該デバイスに対する電磁エネルギーの伝達を低減する、方法。
【請求項２０】
前記処理するステップは、前記導電性シールドの第１の側面に前記電磁吸収材料を付与するステップを包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理するステップは、ペインティング、ディッピング、スプレー、蒸着、堆積、シルクスクリーニング、機械的締結、化学的結合、およびそれらの組み合わせを含む群から選択された、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記処理するステップは、前記電磁吸収性材料を前記電気伝導性シールド上に成形するステップ、形成するステップ、および所定の位置に形成するステップのうちの少なくとも１つを包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
所定の厚みを有する吸収材料のシートを形成するステップと、
前記導電性シールドの第１の側面に付与される該吸収材料のシートを適合させるステップと
をさらに包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記導電性シールドの第１の側面に付与される前記吸収材料のシートを適合させるステップは、該吸収材料のシートの少なくとも１つの側面に化学的ファスナーを付与するステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記導電性シールドの第１の側面に付与される前記吸収材料のシートを適合させるステップは、該吸収材料のシートの少なくとも１つの側面に感圧性接着剤を付与するステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
デバイスに対する高周波数の電磁エネルギーの伝達を減衰する装置であって、該装置は、
該デバイスの少なくとも一部分を覆うように適合された電磁エネルギーを反射させる手段と、
該電磁エネルギーを反射させる手段に関連付けられた電磁共振応答を変化させる手段と、
該電磁エネルギーを反射させる手段に近接した少なくとも約１ギガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収し、それによって、該デバイスに対する電磁エネルギーの伝達を低減する手段と
を備えた、装置。
【請求項２７】
前記電磁エネルギーを反射させる手段は、導電性シールドを含む、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記電磁共振を変化させる手段は、電磁吸収材料を含む、請求項２６に記載の装置。
【請求項２９】
前記マトリクスは、十分な厚さを有し、前記電気的吸収粒子は、該マトリクス中において、少なくとも１ギガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項３０】
前記マトリクスは、シリコンエラストマーを含み、前記電気的吸収粒子は、カルボニル鉄粉を含む、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記電磁吸収材料は、少なくとも約１ギガヘルツと約１０ギガヘルツとの間の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収する、請求項１に記載の装置。
【請求項３２】
前記電磁吸収材料は、成形された材料および所定の位置に形成された材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３３】
前記電磁吸収材料は、硬化可能な接着剤を用いて取り付けられており、該電磁吸収材料は、該硬化可能な接着材を含む、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
前記導電性シールドは、該シールドの下に配置されている前記デバイスの少なくとも一部分にアクセスを可能にする少なくとも１つの開口を有する導電性フレームを含み、該少なくとも１つの開口の上の少なくとも１つのカバーは、該フレームに取り外し可能に取り付け可能であり、前記電磁吸収材料は、該カバーの少なくとも一部分の上に配置されており、かつ、該導電性シールドの下に備え付けられたアップグレードされたデバイスのシールドを提供するように、必要に応じて調整される、請求項１に記載の装置。
【請求項３５】
前記導電性シールドは、少なくとも１つの実質的に開放された側面を有するボックスを含み、それによって、該ボックスが基板に搭載されたデバイス上に配置されることを可能にする、請求項１に記載の装置。
【請求項３６】
前記電磁吸収材料を有するマトリクス中に懸濁する難燃剤をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３７】
前記反射させるステップは、毎秒約２．５ギガビットから毎秒約１０ギガビットの範囲内の動作周波数を有するデイバスの少なくとも一部分を覆う導電性シールドにおいて反射性電磁エネルギーを反射させるステップを包含し、前記吸収するステップは、電磁吸収材料を用いて、該導電性シールドに近接した約２０００メガヘルツから約１００００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するステップを包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項３８】
前記吸収するステップは、電磁吸収材料を用いて、光ファイバ送信機に関連付けられた約２０００メガヘルツから約３０００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するステップを包含し、それによって、該光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの減衰が、少なくとも約６デシベル分改善される、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記吸収するステップは、電磁吸収材料を用いて、光ファイバ送信機に関連付けられた約７５００メガヘルツから約１００００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するステップを包含し、それによって、該光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの減衰が、少なくとも約６デシベル分改善される、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記導電性シールドは、該導電性シールドによって覆われる前記デバイスの少なくとも一部分にアクセスを提供する少なくとも１つの取り外し可能な部分をさらに含み、前記方法は、該導電性シールドによって覆われる該デバイスの少なくとも一部分にアクセスする該少なくとも１つの取り外し可能な部分を取り外すステップを包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項４１】
前記処理するステップは、電磁吸収材料を用いて、毎秒約２．５ギガビットから毎秒約１０ギガビットの範囲内の動作周波数を有する光ファイバ送信機の少なくとも一部分を覆うように適合された導電性シールドを処理するステップを包含し、該電磁吸収材料は、該光ファイバ送信機に関連付けられた約２０００メガヘルツから約１００００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収するように適合されており、該光ファイバ送信機に関連付けられた約２０００メガヘルツから約１００００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収することによって、該処理された導電性シールドが該光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの伝達を低減するように、前記配置するステップは、該光ファイバ送信機に近接して該処理された導電性シールドを配置するステップを包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項４２】
前記反射させる手段は、毎秒約２．５ギガビットの動作周波数、または毎秒約７．５ギガビットから毎秒約１０ギガビットの範囲内の動作周波数を有すデバイスの少なくとも一部分を覆い、前記吸収する手段は、該反射させる手段の少なくとも一部分の上に配置されており、かつ、約２０００メガヘルツから約３０００メガヘルツ、または約７５００メガヘルツから約１００００メガヘルツの範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収し、それによって、該デバイスに対する電磁エネルギーの伝達を少なくとも約６デシベル分低減する、請求項２６に記載の装置。
【請求項４３】
前記吸収する手段は、成形された材料および所定の位置に形成された材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項２６に記載の装置。
【請求項４４】
前記吸収する手段は、接着手段を用いて前記反射させる手段に取り付けられており、該吸収する手段は、該接着手段を含む、請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
前記吸収する手段は、硬化可能な接着剤および硬化不可能な接着材のうちの少なくとも１つを用いて前記反射させる手段に取り付けられている、請求項２６に記載の装置。
【請求項４６】
前記硬化不可能な接着剤は、感圧性接着剤を含む、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
高周波数の電磁干渉に対してシールドを提供する装置であって、該装置は、
導電性シールドであって、毎秒約２．５ギガビットの動作周波数、または毎秒約７．５ギガビットから毎秒約１０ギガビットの範囲内の動作周波数を有する光ファイバ送信機の少なくとも一部分を覆う導電性シールドと、
該導電性シールドの少なくとも一部分の上に配置されている電磁吸収材料であって、該光ファイバ送信機に関連付けられた約２０００メガヘルツから約３０００メガヘルツ、または約７５００メガヘルツから約１００００メガヘルツの所定の範囲内の周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収する電磁吸収材料と
を備え、
それによって、該電磁吸収材料は、該光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの減衰が少なくとも約６デシベル分改善されることを提供する、装置。
【請求項４８】
前記電磁吸収材料は、約２０００メガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収し、かつ、前記光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの減衰が、少なくとも約８デシベル分改善されることを提供する、請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
前記電磁吸収材料は、少なくとも約７５００メガヘルツの周波数を有する電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収し、かつ、該光ファイバ送信機に対する電磁エネルギーの減衰が少なくとも約８デシベル分改善されることを提供する、請求項４７に記載の装置。