【事件の表示】
　特願２００４−１０８６１９「透明導電フィルムの製造方法及び該製造方法により得られた透明導電フィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月２０日出願公開、特開２００５−２９４０８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年４月１日の出願であって、平成２０年７月２９日付けで拒絶理由通知書が送付され、同年９月３０日付け手続補正書が提出されたところ、平成２１年１０月１３日付けで拒絶査定がされ、この査定を不服として、平成２２年１月１３日に審判請求がされるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。 
　そして、当審において、平成２３年６月２２日付けで、平成２２年１月１３日付けの手続補正の却下の決定を行うとともに、拒絶理由通知書を送付したところ、平成２３年８月１９日付け意見書及び同日付け手続補正書が提出されている。 
 　 
第２　本願発明 
　本願の発明は、平成２３年８月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
 　  
「基材として用いるプラスチックフィルムの表面に、ハードコート層が積層されてなると同時に、
　前記プラスチックフィルムの該ハードコート層の積層面とは反対面に、アンカーコート層をコーティング法により形成し、
　次いでその表面に、前記透明導電フィルムの耐環境性における比抵抗の上昇を抑制させるために、スパッタリング法により酸化珪素膜を形成し、
　次いで前記酸化珪素膜を形成した後に、前記酸化珪素膜の表面を大気に接触させることなく前記透明導電層を形成してなること、
　を特徴とする、透明導電フィルムの製造方法であって、
　前記透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下であり、
　かつ前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素が、酸化珪素の還元作用が直接前記透明導電層に対して働くことにより透明導電層が酸化してしまうことを抑制するために、前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表される構成とするものであること、
　を特徴とする、透明導電フィルムの製造方法。」 
 　 
第３　当審の拒絶理由の概要 
　当審の平成２３年６月２２日付け拒絶理由の概要は、以下のとおりのものである。
 　 
「本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
 　　　　　　　　　　　　　　記 
　　引用例１；特開２００２−２６４２３９号公報
　　引用例２；特開平９−２２６０４６号公報
　　引用例３；特開平９−２５４３３２号公報
　　引用例４；特開２００２−１９７９２５号公報
　　引用例５；特開２００３−４８２６７号公報」
 　 
第４　引用例とその記載事項  
　当審の拒絶理由に引用された引用例１から引用例５には、以下の記載がある。
　
（１）引用例１；特開２００２−２６４２３９号公報
（１ａ）；
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性の均一性に優れた透明導電性積層体に関し、さらに工業的に製造されるところの長尺であってかつ透明導電性が均質な品質に優れた各種デイスプレイ等特にタッチパネルにおいて使用される透明導電性積層体に関するものである。」
  
（１ｂ）； 
「【０００９】本発明における透明導電性薄膜（Ｂ）としては、金属アルコキシド等の加水分解物をコーティングすることによって形成される無機酸化物を主成分とするコーティング層や、若しくは、ＣＶＤ、ＥＢ蒸着、イオンプレーティグ、スパッタリング、等によって形成されるものであり、インジウム−錫系（ＩＴＯ）、ＺｎＯ２系、ＣｄＯ系、ＳｎＯ２系等が適宜選択使用されるものである。・・・本発明における透明導電性薄膜（Ｂ）の薄膜厚さは透明性、均質性など本発明の主旨を損なわないかぎりにおいては、限定されないが・・・より好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００１０】本発明においては・・・高分子フイルムからなる基材（Ａ）にアンカーコート層、ＳｉＯｘ層、透明導電性薄膜（Ｂ）を順に設けてもよく、ＳｉＯｘ層は本発明の透明導電性積層体の透明性、筆記耐久性などの向上に寄与するものである。ＳｉＯｘ層のｘとしては１．５〜２．０が好ましく、その厚さは２〜５０ｎｍが好ましく更に好ましくは５〜１５ｎｍである。・・・このＳｉＯｘ層の形成法は特に限定されず電子ビーム蒸着法、加熱蒸着法、スパッタリング法、等公知の方法が適宜選択採用される。このＳｉＯｘ層の形成によって、得られる透明導電性フイルムの透明性が向上しかつ、ペン入力等に耐えられる、さらに該ＳｉＯｘ層の水蒸気バリヤー性によると考えられる透明導電性薄膜（Ｂ）の劣化を抑制する等、耐久性も向上する。
【００１１】本発明の透明導電性積層体は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）に、アンカーコート層、ＳｉＯｘ層、透明導電性薄膜（Ｂ）を設けたことで得られる場合もあるが、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の透明導電性薄膜（Ｂ）を設ける側の他の一面にハードコート層を設けてもよく・・・」
　
（１ｃ）； 
「【００１６】・・・キスコートで塗布し乾燥厚さ０．０２μｍのアンカー層を形成した。」
　
（２）引用例２；特開平９−２２６０４６号公報
（２ａ）；
「【０００２】
【従来の技術】・・・透明導電性積層体は、透明タッチパネル等の入力装置の電極として、また液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ等の表示素子の電極として、更には太陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの電磁遮蔽膜など幅広く利用されている。」
  
（２ｂ）；
「【００２８】
【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明する。
［実施例１］ポリアリレートフィルム（厚さ：７５μｍ）の一方の主面に・・・厚さ３０ｎｍの酸化インジウム膜をマグネトロンＤＣスパッタリング法により形成し、さらに、酸化インジウム膜上に・・・厚さ１５ｎｍのＩＴＯ膜をマグネトロンＤＣスパッタリング法により形成し透明導電性積層体を作製した。」
 　 
（３）引用例３；特開平９−２５４３３２号公報
（３ａ）；
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル用電極基板などの用途に適した取り扱いやすいプラスチックス基板に関するものである。」
　
（３ｂ）；
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。本明細書においては、プラスチックス基板(1)のうち透明電極を形成する側の面をＡ面、その反対側の面をＢ面と名付けることにする。
・・・
【００１４】Ａ面側またはＢ面側の外層を構成する硬化型樹脂硬化物層(11), (12)の少なくとも一方（好ましくは双方）の外側には、スパッタリング法によりＳｉＯｘ（ 1.2＜ｘ＜２）層(11'), (12')を形成することが好ましい。
・・・
【００１５】ＳｉＯｘ層(11'), (12')におけるｘは、 1.2＜ｘ＜２、好ましくは 1.3≦ｘ≦1.9 である。ＳｉＯｘ層(11'), (12')は、酸・アルカリに対する耐性がすぐれており、防湿性が良好で、防気性もあり、またＡ面側のＳｉＯｘ層(11') はＩＴＯ形成時のアンダーコート層にもなるので、これらの層を設けた方が品質的に高級となる。」
　
（３ｃ）；
「【００４６】上記のプラスチックス基板(1) のＡ面側に厚み８０オングストロームのＳｉＯｘ（ｘ＝ 1.9）層(11') からなるアンダーコートを施してからＩＴＯスパッタリングによる厚み４５０オングストロームの透明電極(2) を形成したものを用いて、常法により液晶セル(3) を作製した。」
　
（４）引用例４；特開２００２−１９７９２５号公報
（４ａ）；
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  高分子フィルム上に、金属化合物層と導電性金属層との積層膜が形成されてなる透明導電フィルムにおいて、該積層膜は、高分子フィルム上に下地層を介して形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。
【請求項２】  請求項１において、該下地層が・・・ＳｉＯｘ・・・よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の珪素化合物よりなることを特徴とする透明導電フィルム。
・・・
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれか１項において、該金属化合物層がＩＴＯ・・・よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の複合金属化合物の薄膜であることを特徴とする透明導電フィルム。」
　
（４ｂ）；
「【００３１】スパッタリング法により・・・ＳｉＯｘ・・・よりなる下地層を形成する場合、ターゲット材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができ、それぞれ反応性ガスの種類、流量を調整することにより、所望の組成の下地層を形成することができる。
・・・
【００３５】この下地層上の積層膜は、常法に従って成膜することができるが、一般的には、下地層をスパッタリング法で成膜した場合には、積層膜の金属化合物層及び導電性金属層は、ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内で下地層の成膜後連続的にスパッタリング成膜することが好適である。」
　
（５）引用例５；特開２００３−４８２６７号公報
（５ａ）；
「【００２５】
【実施例】次に実施例により、本発明を具体的に説明する。
〈実施例１〉図５に示すような巻き取り式スパッタリング装置（１００）を用いて、図２に示すように、既に表面に３Ｈ程度のハードコート層（１４）が、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムでなる基材（１０）の裏面に、密着層（１３）と透明導電膜（１２）としてのＩＴＯ層の成膜をした。
・・・
【００２７】上記条件でまず、図５に示すように、基材（１０）を巻出し方向（Ｐ）に巻出しロール（２４）に巻き取りながら、密着層（１３）としてＳｉＯｘをスパッタリング成膜部１（２１）で形成した。・・・続いて巻取り方向（Ｑ）に巻取りロール（２５）で巻き取りながら、スパッタリング成膜部３（２３）およびスパッタリング成膜部２（２２）を用いて透明導電層（１２）としてのＩＴＯ層の成膜をした。」
　
第５　当審の判断
１　引用例１に記載された発明 
ア　引用例１の（１ａ）には、透明導電性積層体が記載され、（１ｂ）には、当該透明導電性積層体の製造方法に関して、高分子フイルムからなる基材（Ａ）にアンカーコート層、ＳｉＯｘ層、透明導電性薄膜（Ｂ）を順に設けること、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の透明導電性薄膜（Ｂ）を設ける側の他の一面にハードコート層を設けること、ＳｉＯｘ層の形成法としてスパッタリング法が採用されること、ＳｉＯｘ層の形成によって、透明導電性薄膜（Ｂ）の劣化が抑制されること、透明導電性薄膜（Ｂ）の膜厚が１０ｎｍ〜２００ｎｍであること、ＳｉＯｘ層のｘが１．５〜２．０であることが記載され、（１ｃ）には、キスコートでアンカー層を形成することが記載されている。
　
イ　以上の記載を、本願発明の記載ぶりに沿って整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「高分子フイルムからなる基材（Ａ）の表面に、ハードコート層が積層されてなると同時に、
　前記高分子フイルムからなる基材（Ａ）の該ハードコート層の積層面とは反対面に、アンカーコート層をキスコートにより形成し、
　次いでその表面に、透明導電性薄膜（Ｂ）の劣化を抑制させるために、スパッタリング法によりＳｉＯｘ層を形成し、
　次いで前記ＳｉＯｘ層を形成した後に、前記透明導電性薄膜（Ｂ）を形成してなる、
　透明導電性積層体の製造方法であって、
　前記透明導電性薄膜（Ｂ）の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
　かつ前記ＳｉＯｘ層を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．５≦ｘ≦２である。）で表される構成とするものである、
　透明導電性積層体の製造方法。」 
 　 
２　本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「高分子フイルムからなる基材（Ａ）」、「キスコート」、「透明導電性薄膜（Ｂ）」、「ＳｉＯｘ層」、及び「透明導電性積層体」は、それぞれ本願発明の「基材として用いるプラスチックフィルム」、「コーティング法」、「透明導電層」、「酸化珪素膜」、及び「透明導電フィルム」に相当する。
　また、透明導電性薄膜（Ｂ）の劣化が抑制されることにより、「透明導電性積層体」の導電性機能が維持され、比抵抗の上昇が抑制されることは明らかである。
　
イ　以上によると、本願発明と引用発明との対比において、両者は以下の点で一致する。
　
＜一致点＞
「基材として用いるプラスチックフィルムの表面に、ハードコート層が積層されてなると同時に、
　前記プラスチックフィルムの該ハードコート層の積層面とは反対面に、アンカーコート層をコーティング法により形成し、
　次いでその表面に、透明導電フィルムの耐環境性における比抵抗の上昇を抑制させるために、スパッタリング法により酸化珪素膜を形成し、
　次いで前記酸化珪素膜を形成した後に、透明導電層を形成してなる、
　透明導電フィルムの製造方法。」 
　
ウ　そして、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本願発明は、透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下に限定されるのに対して、引用発明は、当該膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である点。
 　 
＜相違点２＞
　本願発明は、酸化珪素の還元作用が直接透明導電層に対して働くことにより透明導電層が酸化してしまうことを抑制するために、酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表される構成とするものであるのに対して、引用発明は、酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．５≦ｘ≦２である。）で表される構成とするものである点。
 　 
＜相違点３＞
　本願発明は、酸化珪素膜を形成した後に、前記酸化珪素膜の表面を大気に接触させることなく透明導電層を形成してなるのに対して、引用発明は、酸化珪素膜を形成した後に、大気が接触しているか否か不明である点。
　
３　相違点についての判断 
ア　相違点１について 
　引用例１の（１ａ）と引用例２の（２ａ）には、透明導電性積層体が透明タッチパネル等の入力装置の電極として利用されることが記載され、（２ｂ）には、厚さ１５ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成して透明導電性積層体を作製した実施例が記載されている。
　これらの記載から、透明タッチパネル等に使用される透明導電性積層体の製造に関して、厚さ１５ｎｍのＩＴＯ膜、すなわち透明導電膜を形成することは公知の事項と認められる。
　そうであれば、引用発明において、透明導電性薄膜（Ｂ）（透明導電層）に求められる光学特性等に応じて、その膜厚として１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下の範囲のものを選定することは、上記公知の事項に基づいて当業者が容易になし得るものである。 
　
イ　相違点２について 
　引用例３の（３ａ）には、液晶表示パネル用電極基板などの用途に適したプラスチックス基板が記載され、（３ｂ）には、当該プラスチック基板の製造に関して、透明電極を形成する面側の、ＩＴＯ形成時のアンダーコート層としてＳｉＯｘ層を設けること、当該ＳｉＯｘ層のｘの範囲として１．３≦ｘ≦１．９が好ましいこと、当該ＳｉＯｘ層は酸・アルカリに対する耐性がすぐれており、防湿性が良好で、防気性もあることが記載され、（３ｃ）には、プラスチックス基板上にＳｉＯｘ（ｘ＝１．９）層からなるアンダーコートを施してからＩＴＯスパッタリングによる透明電極を形成した実施例が示されている。
　ここで、かかる組成のＳｉＯｘ層がＳｉＯ２に対する酸素欠損により、隣接する透明電極層（透明導電層）に対して還元作用を奏する、すなわち透明導電層の酸化を抑制する作用を奏することは、当業者にとって自明の事項である（かかる酸化珪素の還元作用に関して、要すれば特開昭５７−１２３８２９号公報の特許請求の範囲、第２頁右上欄第４行〜第１２行を参照。）。
　そして、（１ｂ）に記載されるように、引用発明のＳｉＯｘ層（酸化珪素膜）も、引用例３に記載されたＳｉＯｘ層と同様、水蒸気バリヤー性による透明導電層の劣化抑制を目的とするものであるから、引用発明においてＳｉＯｘ（１．５≦ｘ≦２）の組成から、１．６＜ｘ＜２の範囲にある組成を選択することにより、本願発明の相違点２に係る構成を導くことは、当業者が容易になし得るものである。
 　 
ウ　相違点３について 
　ＳｉＯｘ膜、及びその上に形成されるＩＴＯ膜を含む積層膜の成膜を、スパッタリングにより同一の装置内で連続的に行うことにより、大気への接触を経ることなく積層膜を成膜することは、引用例４の（４ａ）、（４ｂ）、引用例５の（５ａ）にそれぞれ摘示されるように本願出願前周知かつ慣用の技術であり、引用発明において、上記の周知、慣用技術を適用して透明導電フィルムを製造することに別途困難を伴わない。
　
４　補足　審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成２３年８月１９日付け意見書の第２頁第２０行〜第４４行において、本願発明においては、
（Ｂ）　前記透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下であること、
（Ｃ）　前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素が、酸化珪素の還元作用が直接前記透明導電層に対して働くことにより透明導電層が酸化してしまうことを抑制するために、前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表される構成とするものであること、
という構成要素を同時に達成することにより、ＩＴＯ膜を薄くしてもＩＴＯが水分を吸収して脆くなり膜質劣化が生じる、という事態が発生することを抑制できる、という著しい作用効果が得られる旨主張している。
　
　上記主張について検討する。
　引用例１の（１ｂ）には、水蒸気バリヤー性を有するＳｉＯｘ層の形成によって透明導電性薄膜の劣化が抑制されることが、また引用例３の（３ｂ）には、ＩＴＯ形成時のアンダーコート層としてのＳｉＯｘ層が防湿性、防気性に優れ、かかる層を設ける方が品質が優れることがそれぞれ記載されており、このようなＳｉＯｘ層の透明導電性薄膜に対する水蒸気バリヤー効果は、その上に形成される透明導電性薄膜の膜厚に依ることなく発現する効果であることは、当業者であれば当然に予測可能であるものといえる。
　そうすると、上記審判請求人が主張する、ＩＴＯ膜を薄くしてもＩＴＯが水分を吸収して脆くなり膜質劣化が生じる、という事態が発生することを抑制できる効果は、各引用例の記載から予測可能なものであって、格別顕著なものと認めることができないから、上記審判請求人の主張は採用できない。
 　 
５　小括  
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
第６　むすび  
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、当審における拒絶の理由により拒絶すべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。