【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合体バックボーンが分枝を含んで成るポリプロピレンを製造する方法であって、
（ａ）マクロマーをオレフィン単量体から生じさせ、そして
（ｂ）プロピレンを前記マクロマーおよび触媒の存在下で前記マクロマーがポリプロピレンバックボーンの中に取り込まれるのを助長する重合条件下で重合させることで分枝したポリプロピレンを生じさせる、
ことを含んで成っていて、段階（ａ）で用いる触媒が、前記マクロマーに末端不飽和基が生じるように連鎖を停止させるβ−アルキル脱離反応を助長しかつ
（Ｉｎｄ−Ｒm）2Ｒ"ＭＱ2                    （Ｉ）
［ここで、Ｉｎｄは、両方とも同じで、インデニル基またはテトラヒドロインデニル基であり、Ｒは、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｍは０−６の整数であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジでありかつ含有する炭素原子は多くて１個であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］、または
Ｒ"（ＣｐＲk）2ＭＱ2                       （ＩＩ）
［ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジでありかつ含有する炭素原子は多くて１個であり、Ｒは、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｋは１−４の整数であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］
から選択されるメタロセン触媒を含んで成る方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法に従って入手可能な分枝ポリプロピレン。
【請求項３】
請求項２記載の分枝ポリプロピレンから作られたブローンフィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明の分枝ポリプロピレンは非常に高い溶融強度を有することから、いろいろな用途、例えば熱成形用途、押出しブロー成形、ブローンフィルム（ｂｌｏｗｎ  ｆｉｌｍｓ）または押出し被覆などで用いるに適する。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  重合体バックボーンが分枝を含んで成るポリプロピレンを製造する方法であって、
（ａ）マクロマーをオレフィン単量体から生じさせ、そして
（ｂ）プロピレンを前記マクロマーおよび触媒の存在下で前記マクロマーがポリプロピレンバックボーンの中に取り込まれるのを助長する重合条件下で重合させることで分枝したポリプロピレンを生じさせる、
ことを含んで成っていて、段階（ａ）で用いる触媒が、前記マクロマーに末端不飽和基が生じるように連鎖を停止させるβ−アルキル脱離反応を助長しかつ
（Ｉｎｄ−Ｒm）2Ｒ"ＭＱ2                    （Ｉ）
［ここで、Ｉｎｄは、両方とも同じで、インデニル基またはテトラヒドロインデニル基であり、Ｒは、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｍは０−６の整数であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジでありかつ含有する炭素原子は多くて１個であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］、または
Ｒ"（ＣｐＲk）2ＭＱ2                       （ＩＩ）
［ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジでありかつ含有する炭素原子は多くて１個であり、Ｒは、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｋは１−４の整数であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］
から選択されるメタロセン触媒を含んで成る方法。
２．  段階（ａ）で用いるビスインデニル触媒（Ｉ）が対称的置換パターンを含んで成りかつインデニルまたはテトラヒドロインデニル基の両方とも３位が一置換されている上記１記載の方法。
３．  インデニルまたはテトラヒドロインデニル基の各々に存在する置換基がかさ高い置換基である上記２記載の方法。
４．  段階（ａ）で用いるジ−シクロペンタジエニル触媒（ＩＩ）が対称的置換パターンを含んで成りかつシクロペンタジエニル基の両方とも３位が一置換されている上記１記載の方法。
５．  シクロペンタジエニル基の各々に存在する置換基がかさ高い置換基である上記４記載の方法。
６．  前記かさ高い置換基をイソプロピル基、第三級ブチル基およびトリメチルシリル（ＴＭＳ）基から選択する上記２から５のいずれか１項記載の方法。
７．  段階（ｂ）で用いる触媒が、式（Ｉ）−（Ｖ）：
（Ｉｎｄ−Ｒm）2Ｒ"ＭＱ2                    （Ｉ）
［ここで、Ｉｎｄは、各々、同一または異なり、インデニル基またはテトラヒドロインデニル基であり、Ｒは、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｍは０−６の整数であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］、
Ｒ"（ＣｐＲ1Ｒ2）（Ｃｐ'Ｒ'n）ＭＱ2     （ＩＩｂ）
［ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、Ｃｐ'はフルオレニル環であり、Ｒ"は、該触媒に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｒ1は、前記シクロペンタジエニル環上の置換基であり、これは前記ブリッジに対して遠位に位置し、この遠位の置換基は、式ＸＲ*3（式中、ＸはＩＶＡ族の原子であり、そしてＲ*は、各々、同一もしくは異なり、水素または炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基から選択される）で表されるかさ高い基を含んで成り、Ｒ2は、前記シクロペンタジエニル環上の置換基であり、これは前記ブリッジに対して近位に位置しかつ前記遠位の置換基に隣接せず、そしてこれは式ＹＲ＃3（式中、ＹはＩＶＡ族の原子であり、そしてＲ＃は、各々、同一もしくは異なり、水素または炭素原子数が１−７のヒドロカルビル基から選択される）で表され、ここで、前記Ｃｐ環は、場合により、基Ｒ1およびＲ2に加えて、さらなる置換基を含んで成っていてもよく、Ｒ'は、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、そしてｎは０−８の整数であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］、
Ｒ"（ＣｐＲm）（Ｃｐ'Ｒ'r）ＭＱ2          （ＩＩＩ）
［ここで、Ｃｐは、置換もしくは未置換シクロペンタジエニル環であり、Ｃｐ'は、置換もしくは未置換フルオレニル環であり、Ｒ"は、該成分に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｒは、各々、同一もしくは異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、Ｒ'は、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、ｍは０−４の整数であり、ｒは０−８の整数であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンである］、
Ｒ"（ＣｐＲx）（Ｃｐ'Ｒ'y）ＭＱ2          （ＩＶ）
［ここで、Ｃｐは、置換シクロペンタジエニル環であり、Ｃｐ'は、置換もしくは未置換フルオレニル環であり、Ｒ"は、該成分に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｒは、各々、同一もしくは異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、Ｒ'は、各々、同一または異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基であり、そしてｘおよびｙは、独立して、それぞれ０−４および０−８の整数であり、Ｍは、ＩＶＢ族の金属原子またはバナジウムであり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンであり、ここで、前記ＣｐＲx基は左右対称を示さず、そしてここで、前記Ｃｐ基は好適には３位が置換されている］、
Ｒ"（ＣｐＲq）ＸＭＱ                          （Ｖ）
［ここで、Ｃｐは、置換シクロペンタジエニル環または置換もしくは未置換フルオレニル環であり、Ｒ"は、ＣｐとＸの間に位置していて該成分に立体剛性を与える構造ブリッジであり、Ｒは、各々、同一もしくは異なり、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキルアミノ基またはアルキルシリロ基から選択され、Ｃｐがシクロペンタジエニル環の時にはｑは０−４の整数であり、そしてＣｐがフルオレニル環の時にはｑは０−８の整数であり、Ｘは、ＶＡ族もしくはＶＩＡ族のヘテロ原子であり、これは置換されているか或は置換されておらず、Ｍは、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属原子であり、それの理論的酸化状態のいずれかの状態にあり、そしてＱは、各々、炭素原子数が１−２０の炭化水素またはハロゲンであり、ここで、前記ＣｐＲq基は左右対称を維持しており、そしてここで、前記ＣｐＲq基は好適には対称的に置換されている］
の中のいずれかから選択されるメタロセン触媒を含んで成る上記１−６のいずれか記載の方法。
８．  ＭがＴｉ、ＺｒまたはＨｆである上記１から７のいずれか記載の方法。
９．  ＱがＣｌである上記１から８のいずれか記載の方法。
１０．  Ｒ"が（Ｍｅ2Ｃ）、Ｈ2ＣまたはＰｈ2Ｃ基である上記１から９のいずれか記載の方法。
１１．  段階（ａ）において、前記マクロマーに末端エチレニル基が生じるのを助長する目的で前記マクロマーをエチレンの存在下で生じさせる上記１−１０のいずれか記載の方法。
１２．  前記マクロマーを形成する前記オレフィン単量体がプロピレンを含んで成る前上記１〜１１のいずれか記載の方法。
１３．  段階（ａ）および（ｂ）を同じ反応ゾーンの中で実施しかつ前記２種類の触媒を同じ支持体または異なる支持体に担持させておく上記１２記載の方法。
１４．  前記マクロマーを生じさせる段階（ａ）をマクロマーが生じる条件下で実施しかつ重合段階（ｂ）を重合条件下で実施する上記１２または上記１３記載の方法。
１５．  前記マクロマーを形成する前記オレフィン単量体がプロピレン以外のオレフィンを含んで成る上記１−１１のいずれか記載の方法。
１６．  前記マクロマーを形成する前記オレフィン単量体がエチレン、ブテン、ペンテンおよび／またはヘキセンを含んで成る上記１５記載の方法。
１７．  段階（ａ）および（ｂ）を個別の反応ゾーンの中で実施する上記１５または上記１６記載の方法。
１８．  前記マクロマーがオレフィン単量体、オレフィンのオリゴマーまたはポリオレフィンを含んで成る上記１−１７のいずれか記載の方法。
１９．  段階（ａ）を１番目の反応ゾーンの中で実施しそして段階（ｂ）を前記１番目の反応ゾーンと直列の２番目の反応ゾーンの中で実施する上記１８記載の方法。
２０．  段階（ｂ）を１００℃以上の温度で実施する上記１−１９のいずれか記載の方法。
２１．  段階（ｂ）を水素の存在無しに実施する上記１−２０のいずれか記載の方法。
２２．  上記１−２１のいずれか記載の方法に従って入手可能な分枝ポリプロピレン。
２３．  分枝イソタクティックポリプロピレンを含んで成る上記２２記載の分枝ポリプロピレン。
２４．  上記２２または上記２３記載の分枝ポリプロピレンから作られたポリプロピレン発泡体。
２５．  上記２２または上記２３記載の分枝ポリプロピレンから作られたブローンフィルム。