【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の上に配置されているとともにエッチングマスクの下に配置されている遷移金属含有層を、少なくとも部分的にエッチングするためのプラズマ処理システムを構成する方法であって、
プラズマ処理チャンバを有する前記プラズマ処理システムを提供する工程と、
前記プラズマ処理チャンバを、前記遷移金属含有層をエッチングするように構成する工程と、
を備え、前記プラズマ処理チャンバを構成する工程は、
前記プラズマ処理チャンバを、主としてＨＣｌおよびＡｒから成るソースガスを受け取るように構成することにより、各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供するようにする工程と、
前記プラズマ処理チャンバに関する電源を、前記ソースガスからプラズマを発生させるためのエネルギを供給するように構成する工程と、
前記プラズマ処理チャンバを、前記プラズマで前記遷移金属含有層を少なくとも部分的にエッチングするように構成する工程と、
を備え、
前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する、方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法であって、
前記電源は高周波（ＲＦ）電源であり、前記エネルギは高周波（ＲＦ）エネルギである、方法。
【請求項３】  請求項１又は２記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは高密度プラズマ処理チャンバである、方法。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記水素の存在がフォトレジストに対する高い選択性に寄与する、方法。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理システムはさらに、水で前記基板をリンスするように構成されたリンスモジュールを備えており、前記方法はさらに、前記プラズマ処理チャンバ内で前記ソースガスによりエッチングされた後に前記基板をリンスするように前記リンスモジュールを構成する工程を備える、方法。
【請求項６】  請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、周期表のIIIＡ族からIIＢ族までの元素よりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、主として鉄、白金、コバルト、およびニッケルよりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは誘導結合高密度プラズマ処理チャンバである、方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記ＨＣｌの前記Ａｒに対する流量比は約１：９９から約９９：１の間である、方法。
【請求項１０】  基板の上に配置されるとともにエッチングマスクの下に配置されている遷移金属含有層を、プラズマ処理チャンバ内でエッチングするための方法であって、
ＨＣｌおよびＡｒを含有するソースガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流すことにより、各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供するようにする工程と、
前記プラズマ処理チャンバ内で前記ソースガスからプラズマを発生させる工程と、
前記遷移金属含有層を前記プラズマで少なくとも部分的にエッチングする工程と、
を備え、
前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する、方法。
【請求項１１】  請求項１０記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、周期表のIIIＡ族からIIＢ族までの元素よりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項１２】  請求項１０記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、主として鉄、白金、コバルト、およびニッケルよりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項１３】  請求項１０ないし１２のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは高密度プラズマ処理チャンバである、方法。
【請求項１４】  請求項１０ないし１３のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは誘導結合プラズマ処理チャンバである、方法。
【請求項１５】  請求項１０ないし１４のいずれかに記載の方法であって、
前記ソースガスは主として前記ＨＣｌおよび前記Ａｒよりなる、方法。
【請求項１６】  請求項１０ないし１５のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記エッチングの工程の後に脱イオン水で前記基板をリンスし、前記遷移金属の塩化物を除去する工程を備える、方法。
【請求項１７】  請求項１０ないし１６のいずれかに記載の方法であって、
前記ＨＣｌの前記Ａｒに対する流量比は約９５：５から約５：９５の間である、方法。
【請求項１８】  基板の上に配置されるとともにエッチングマスクの下に配置さている遷移金属含有層を、高密度プラズマ処理チャンバ内でエッチングするための方法であって、
主としてＨＣｌおよびＡｒよりなるソースガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流すことにより、各ＨＣｌ分子がエッチング時に本質的に１塩素原子当たり１水素原子を提供するようにする工程と、
前記プラズマ処理チャンバの少なくとも１つの電極に高周波（ＲＦ）エネルギを供給し、前記プラズマ処理チャンバ内で前記ソースガスからプラズマを発生させる工程と、
前記遷移金属含有層を前記プラズマで少なくとも部分的にエッチングする工程と、
を備え、
前記水素の存在が前記遷移金属含有層の高いエッチング速度に寄与する、方法。
【請求項１９】  請求項１８記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、周期表のIIIＡ族からIIＢ族までの元素よりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項２０】  請求項１８記載の方法であって、
前記遷移金属含有層は、主として鉄、白金、コバルト、およびニッケルよりなる群から選択される遷移金属を備える、方法。
【請求項２１】  請求項１８ないし２０のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、前記少なくとも１つの電極がコイルである誘導結合プラズマ処理チャンバである、方法。
【請求項２２】  請求項１８ないし２１のいずれかに記載の方法であって、
前記ＨＣｌの前記Ａｒに対する流量比は約９０：１０から約１０：９０の間である、方法。
【請求項２３】  請求項１８ないし２２のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記エッチングの工程の後に脱イオン水で前記基板をリンスし、前記遷移金属の塩化物を除去する工程を備える、方法。
【請求項２４】  請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
エッチング時に存在する塩素の密度を低減するために前記ＨＣＬが主要な塩素含有エッチャントとして使用され、これによってマスクエッチ浸食を軽減する、方法。
【請求項２５】  請求項１０ないし１７のいずれかに記載の方法であって、
前記水素の存在がフォトレジストに対する高い選択性に寄与する、方法。
【請求項２６】  請求項１０〜１７，２５のいずれかに記載の方法であって、
エッチング時に存在する塩素の密度を低減するために前記ＨＣＬが主要な塩素含有エッチャントとして使用され、これによってマスクエッチ浸食を軽減する、方法。
【請求項２７】  請求項１８ないし２３のいずれかに記載の方法であって、
前記水素の存在がフォトレジストに対する高い選択性に寄与する、方法。
【請求項２８】  請求項１８〜２３，２７のいずれかに記載の方法であって、
エッチング時に存在する塩素の密度を低減するために前記ＨＣＬが主要な塩素含有エッチャントとして使用され、これによってマスクエッチ浸食を軽減する、方法。