【事件の表示】
　特願２００５−２６５６９５「リソグラフィ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年３月３０日出願公開、特開２００６−８５１７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願（以下「本願」と記す。）は、２００５年９月１３日（パリ条約による優先権主張２００４年９月１４日、米国）の出願であって、平成２０年７月２３日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年１０月２４日付けで手続補正がなされ、その後平成２１年９月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２２年１１月１１日付けで審尋がなされ、平成２３年５月６日に回答書が提出された。
　
２．平成２２年１月５日付けの手続補正についての補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２２年１月５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
〔理由〕
（２−１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲と、明細書の発明の名称を補正するものであって、その補正内容は、特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】
　相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を使用するデバイス製造方法であって、
　放射線の第一パターン形成ビームを基板の目標部分に投影するステップと、
　放射線の第二パターン形成ビームを前記基板の前記目標部分に投影するステップと、を含み、
　前記第一パターン形成ビームが、第一放射線ビームに露光した交番移相マスクを使用して形成され、
　前記交番移相マスクが、ゲート線、前記ゲート線に隣接する一対の移相区域、および各移相区域にさらに隣接する一対のダミー区域を備え、
　前記第二パターン形成ビームが、第二放射線ビームに露光した相補型移相マスクとして形成されたトリムマスクを使用して形成され、前記トリムマスクが、自身上に設けた少なくとも１つの散乱バーを有する、
デバイス製造方法。」
とする補正を含むものである。
　
（２−２）本件補正の目的
　請求項１に係る上記補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２０年１０月２４日付け手続補正書に記載された特許請求の範囲）の請求項１１に、請求項１７に記載された交番移相マスクについての発明特定事項を付加して限定し、かつ文章上の表現の体裁を整えた補正であって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−３）独立特許要件について
　本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について以下に検討する。
　
（２−３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である１９９９年７月８日に頒布された「国際公開第９９／３４４１７号」（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「
技術分野
　
（ｂ）「［４．第４実施形態（孤立パターンの形成）］
　デバイスパターンとして、孤立パターンを形成する場合について、図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを参照して説明する。なお、図６Ａ及び図６Ｂはレチクル上に形成されたレチクルパターンを示しており、着色された部分は遮光部、着色されていない部分は透光部である。図６ＣはウエハＷ上に形成すべき、あるいは形成されたデバイスパターンを示しており、着色された部分はライン（凸部）、着色されていない部分はスペース（凹部）である。
　図６Ｃに示されるような孤立パターン６２ｃを構成要素とするデバイスパターンを所定の感度特性を有するフォトレジスト（ポジレジスト）が塗布されたウエハＷ上に形成するものとする。
　この場合、以下のようなレチクルパターンがそれぞれ形成された第１レチクルＲ１及び第２レチクルＲ２を準備する。即ち、第１レチクルＲ１には、図６Ａに示されるように、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ａ及びその近傍に複数の補助パターン６３ａを付加的に形成することにより、密集パターンとしたものからなるレチクルパターンが形成されている。具体的には、孤立パターン６２ａの線幅は０．１８μｍであり、これと０．１８μｍのスペース（透光部）をおいて、０．１８μｍの線幅の補助パターン６３ａを形成し、さらに外側に同様に補助パターン６３ａを形成した。
　第２レチクルＲ２には、図６Ｂに示されるように、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ｂ及びその両側にそれぞれ補助パターン６３ｂを付加的に形成して、第１レチクルＲ１の密集パターンよりも密集していない比較的に疎である周期パターンとしたものからなるレチクルパターンが形成されている。具体的には、パターン６２ｂの線幅は第１レチクルＲ１の孤立パターン６２ａの線幅と同じ０．１８μｍであり、これと０．３９μｍのスペース（透光部）をおいて、０．１２μｍの線幅の補助パターン６３ｂを形成した。第１レチクルＲ１及び第２レチクルＲ２はレチクルステージ１７に並べて固定保持されている。
　まず、ステージ制御装置１３によりレチクルステージ１７のレチクル位置調整機構等を制御して、第１レチクルＲ１を所定の照明位置（走査開始初期位置）に設定し、ウエハＷ上における実質的な露光量がウエハＷに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の１／２となるように、照明視野絞り系１１による視野等との関係で、エキシマレーザ光源２によるレーザ光の発振周波数及びウエハステージ２２の移動速度の一方又は双方を適宜に選択調整して第１回目の露光を実施する。
　次いで、ステージ制御装置１３によりレチクルステージ１７のレチクル位置調整機構等を制御して、第２レチクルＲ２を所定の照明位置に設定し、上記と同様に、ウエハＷ上における実質的な露光量がウエハＷに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の１／２となるようにして第２回目の露光を実施する。これにより、ウエハＷ上に２回の露光によって適正露光量とされたデバイスパターン６２ｃが形成される。なお、補助パターン６３ａ，６３ｂによる転写像は、適正露光量の１／２の露光量であるため、現像後に残ることはない。
　密集パターンはデフォーカスによる線幅変化は太くなる傾向にあり、これよりも疎の周期パターンではデフォーカスによる線幅変化は該密集パターンよりも細くなる傾向にある。従って、第１回目として、孤立パターン６２ａに補助パターン６３ａを付加して密集パターンとしたレチクルパターンを有する第１レチクルを用いて露光を実施し、第２回目として孤立パターン６２ｂに補助パターン６３ｂを付加して周期パターン（第１レチクルＲ１の密集パターンよりも疎）としたレチクルパターンを有する第２レチクルを用いて露光を実施して、これら２回の露光で適正露光量となるようにすることにより、重ね合わされた孤立パターンに着目すると、第１回目ではやや太めのパターンが形成され、第２回目ではそれよりも細めのパターンが形成されることになり、デフォーカス量に応じて、第１回目と第２回目の互いの線幅変化が平均化され、全体としてベストフォーカスにおける線幅に近い線幅とすることができ、焦点深度を大きくすることができる。」（明細書第２６頁下から第８行−第２８頁第１６行）
　
（ｃ）「さらに、第１及び第２レチクルにそれぞれ形成されるレチクルパターンの少なくとも一方を、空間周波数変調型（渋谷−レベンソン型）、エッジ強調型、あるいはハーフトーン型などの位相シフトパターンとしてもよいし、あるいはその位相シフトパターンに対して、前述した２次光源の形状や大きさを変更する変形照明法、累進焦点法、及び瞳フィルターの少なくとも１つを組み合わせて使用するようにしてもよい。」（明細書第３６頁第９−１４行）
　
　上記引用刊行物の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「半導体集積回路、薄膜磁気ヘッド、液晶ディスプレイ等のマイクロデバイスの製造に使用される露光方法において、
　まず、ステージ制御装置１３によりレチクルステージ１７のレチクル位置調整機構等を制御して、第１レチクルＲ１を所定の照明位置（走査開始初期位置）に設定し、ウエハＷ上における実質的な露光量がウエハＷに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の１／２となるように、照明視野絞り系１１による視野等との関係で、エキシマレーザ光源２によるレーザ光の発振周波数及びウエハステージ２２の移動速度の一方又は双方を適宜に選択調整して第１回目の露光を実施し、
　次いで、ステージ制御装置１３によりレチクルステージ１７のレチクル位置調整機構等を制御して、第２レチクルＲ２を所定の照明位置に設定し、上記と同様に、ウエハＷ上における実質的な露光量がウエハＷに塗布されたフォトレジストの感度特性に応じた適正露光量の１／２となるようにして第２回目の露光を実施し、
　これにより、ウエハＷ上に２回の露光によって適正露光量とされたデバイスパターン６２ｃが形成される露光方法であり、
　第１レチクルＲ１には、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ａ及びその近傍に複数の補助パターン６３ａを付加的に形成することにより、密集パターンとしたものからなるレチクルパターンが形成され、
　第２レチクルＲ２には、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ｂ及びその両側にそれぞれ補助パターン６３ｂを付加的に形成して、第１レチクルＲ１の密集パターンよりも密集していない比較的に疎である周期パターンとしたものからなるレチクルパターンが形成され、
　補助パターン６３ａ，６３ｂによる転写像は、適正露光量の１／２の露光量であるため、現像後に残ることはない、
露光方法。」
　
（２−３−２）対比
　本願補正発明と、引用発明とを対比する。
　引用発明における「半導体集積回路、薄膜磁気ヘッド、液晶ディスプレイ等のマイクロデバイスの製造に使用される露光方法」は、本願補正発明における「デバイス製造方法」に相当する。
　引用発明における「ウエハＷ」は、本願補正発明における「基板」に相当する。
　引用発明における「デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ａ及びその近傍に複数の補助パターン６３ａを付加的に形成」した「第１レチクルＲ１」は、「補助パターン６３ａ」「による転写像は、適正露光量の１／２の露光量であるため、現像後に残ることはな」いのであるから、本願補正発明における「ゲート線」および「一対のダミー区域を備え」た「マスク」に相当する。
　引用発明における「デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ｂ及びその両側にそれぞれ補助パターン６３ｂを付加的に形成し」た「第２レチクルＲ２」は、「補助パターン」「６３ｂによる転写像は、適正露光量の１／２の露光量であるため、現像後に残ることはな」いのであるから、本願補正発明における「自身上に設けた少なくとも１つの散乱バーを有する」「トリムマスク」に相当する。
　引用発明における「エキシマレーザ光源２によるレーザ光」は、により「第１レチクルＲ１」や「第２レチクルＲ２」を照明して「ウエハＷ上」に照射される露光のための光を生じさせるものであるから、本願補正発明における「第一放射線ビーム」及び「第二放射線ビーム」に相当する。
　引用発明における「エキシマレーザ光源２によるレーザ光」により「第１レチクルＲ１」を照明して「ウエハＷ上」に行う「第１回目の露光」における露光のための光は、本願補正発明における「第一放射線ビームに露光した」「マスクを使用して形成され」た「放射線の第一パターン形成ビーム」に相当する。
　引用発明における「エキシマレーザ光源２によるレーザ光」により「第２レチクルＲ２」を照明して「ウエハＷ上」に行う「第２回目の露光」における露光のための光は、本願補正発明における「第二放射線ビームに露光したトリムマスクを使用して形成され」た「放射線の第二パターン形成ビーム」に相当する。
　引用発明における「第１回目の露光」は、「エキシマレーザ光源２によるレーザ光」により「第１レチクルＲ１」を照明して「ウエハＷ上」に行うものであるから、本願補正発明における「放射線の第一パターン形成ビームを基板の目標部分に投影するステップ」に相当する。
　引用発明における「第２回目の露光」は、「エキシマレーザ光源２によるレーザ光」により「第２レチクルＲ２」を照明して「ウエハＷ上」に行うものであるから、本願補正発明における「放射線の第二パターン形成ビームを前記基板の前記目標部分に投影するステップ」に相当する。
　
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「デバイス製造方法であって、
　放射線の第一パターン形成ビームを基板の目標部分に投影するステップと、
　放射線の第二パターン形成ビームを前記基板の前記目標部分に投影するステップと、を含み、
　前記第一パターン形成ビームが、第一放射線ビームに露光したマスクを使用して形成され、
　前記マスクが、ゲート線、および一対のダミー区域を備え、
　前記第二パターン形成ビームが、第二放射線ビームに露光したトリムマスクを使用して形成され、前記トリムマスクが、自身上に設けた少なくとも１つの散乱バーを有する、
デバイス製造方法。」
　
　一方で、両者は、次の点で相違する。
＜相違点＞
　本願補正発明では、「相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を使用するデバイス製造方法であ」り、第一パターン形成ビームが、「ゲート線、前記ゲート線に隣接する一対の移相区域、および各移相区域にさらに隣接する一対のダミー区域を備え」た「交番移相マスク」を使用して形成され、第二パターン形成ビームが「相補型移相マスクとして形成されたトリムマスク」を使用して形成されるのに対し、引用発明では、「第１回目の露光」における露光のための光が「第１レチクルＲ１」を使用して形成され、「第２回目の露光」における露光のための光が「第２レチクルＲ２」を使用して形成されることから、相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を使用していない点。
　
（２−３−３）判断
　上記相違点について判断する。
　本願補正発明における「相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術」は、本願明細書の段落【０００３】の記載
「ｃ：ＰＳＭでは２つの露光ステップを使用する。第一露光では暗視野交番移相マスクを使用して、印刷すべきＩＣのゲートを画成する。（ゲートは通常は明るい背景に印刷した暗い線であり、自身より大きい構造に接続される。ゲートは高密度で集積された状態、さらには孤立した線としても生じる。）第二露光では、バイナリ「トリムマスク」を使用して、基板から望ましくない残留フォトレジストを除去する。」
から、「２つの露光ステップを使用し、第一露光では交番移相マスクを使用して、印刷すべきＩＣのゲートを画成し、第二露光ではバイナリトリムマスクを使用して基板から望ましくない残留フォトレジストを除去するものである」と認められる。
　一方、引用発明における露光方法は、第１回目の露光及び第２回目の露光を行うものであり、第１回目の露光において、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ａ及びその近傍に複数の補助パターン６３ａを付加的に形成されている第１レチクルＲ１を用いて露光を行い、第２回目の露光においてデバイスパターンの孤立パターン６２ｃに対応する形状のパターン６２ｂ及びその両側にそれぞれ補助パターン６３ｂを付加的に形成した第２レチクルＲ２を用いて露光を行い、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃを適正露光量で露光し、補助パターン６３ａ，６３ｂを適正露光量の１／２で露光することにより、現像後に孤立パターン６２ｃのみ残るようにした露光方法である。つまり、引用発明における露光方法は、２つの露光ステップを使用し、第一露光では第１レチクルＲ１を使用して、デバイスパターンの孤立パターン６２ｃを画成し、第二露光でトリムマスクである第２レチクルＲ２を使用して、第１露光による補助パターン６３ａによる残留フォトレジストを除去している。また、引用発明において、第１レチクルＲ１を空間周波数変調型（渋谷−レベンソン型）の位相シフトパターンにしてもよいことは、上記引用例において示唆されている（上記「（２−３−１）」の摘記事項（ｃ）参照。）。さらに、引用発明と同一の技術分野である半導体露光の分野において、デバイスパターンの孤立パターンの露光に用いる空間周波数変調型（渋谷−レベンソン型）の位相シフトマスクとして、ゲート線、前記ゲート線に隣接する一対の移相区域、および各移相区域にさらに隣接する一対のダミー区域を備えたものは、本願の優先日前において周知である（必要ならば、特開２００３−１６８６４０号公報の【図１】ないし【図３】における（Ｂ）位相シフトパターン参照。）。よって、引用発明における第１レチクルＲ１の具体的構成として、上記周知技術を適用することは、当業者にとって格別の困難性無く行い得たことであり、そのような適用を行うことにより導き出された発明は、交番移相マスクとバイナリトリムマスクをそれぞれ使用した２回露光を行う相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を用いた方法を用いた露光方法となる。なお、上記導き出された発明における露光方法が相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を用いた露光方法であるということは、引用発明における「第２レチクルＲ２」は、「相補型移相マスクとして形成されたトリムマスク」ということになる。
　
　また、本願補正発明における作用効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測しうる程度のものに過ぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２−４）むすび
　以上のとおり、本件補正のうち請求項１に係る補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、上記請求項１に係る補正を含む本件補正は同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２２年１月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２３に係る発明は、平成２０年１０月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至２３に記載されたとおりのものであるところ、請求項１１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１１】
　相補型移相マスク（ｃ：ＰＳＭ）描像技術を使用するデバイス製造方法であって、
　放射線の第一パターン形成ビームを基板の目標部分に投影することを含み、前記第一パターン形成ビームが、第一放射線ビームに露光した交番移相マスクを使用して形成され、
さらに、
　放射線の第二パターン形成ビームを基板の目標部分に投影することを含み、前記第二パターン形成ビームが、第二放射線ビームに露光した相補型移相マスクとして形成されたトリムマスクを使用して形成され、前記トリムマスクが、自身上に設けた少なくとも１つの散乱バーを有するデバイス製造方法。」
　
４．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物並びにその記載事項は、前記「２．」の「（２−３−１）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記「２．」の「（２−３）」で検討した本願補正発明から、「前記交番移相マスクが、ゲート線、前記ゲート線に隣接する一対の移相区域、および各移相区域にさらに隣接する一対のダミー区域を備え、」という事項を削除し、文章上の表現の体裁を整えたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．」の「（２−３）」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１１に係る発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。