Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  岩石壁内の穿孔（３０）内に挿入されるようになっている注入管（３）を備え、該注入管（３）を通して前記穿孔内に充填材（３１）を注入する、岩石壁を封止する装置において、
前記装置はまた、前記充填材用の逆止弁（４）を有することを特徴とする岩石壁を封止する装置。
【請求項２】  前記逆止弁（４）は前記穿孔内における前記充填材（３１）の正圧に耐えられるようになっており、かつ前記装置内において前記注入管（３）に連結されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記逆止弁（４）は、前記注入管（３）を囲む、好ましくは強い弾性材からなるスリーブ（５）を有し、前記注入管（３）は、前記スリーブ（５）の領域内に複数の出口開口（６）を備えている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】  前記スリーブ（５）はゴムで作られている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記スリーブ（５）は円錐台形の外被の形態をなし、その最も径の小さい短い端部は前記注入管（３）の周囲を封止するように構成され、かつその最も径の大きい短い端部はしっかりと前記注入管（３）に連結されている、請求項３または４に記載の装置。
【請求項６】  前記装置は、前記穿孔（３０）の開口に近接して配置されるようになっている部分に、前記穿孔の壁に対して作用するように構成されている封止部材（１０）を備えている、請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】  前記封止部材（１０）は好ましくはゴムまたは他の強い弾性材からなるスリーブから成り、該スリーブは、前記逆止弁（４）の上流の位置において前記注入管（３）を囲み、軸方向に圧縮されるとき半径方向に拡張することによって前記穿孔（３０）の壁に対して封止効果をもたらすようになっており、前記スリーブ（１０）は好ましくは、前記充填材が硬化したときに、前記スリーブによって占められていたスペースをその代わりに更なる充填材によって充填できるように、取り除かれるように構成されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】  ガス抜き管（３５）が前記装置に接続されて配設されており、該ガス抜き管（３５）は、前記充填材（３１）が前記穿孔（３０）内に注入されたときに前記穿孔（３０）から空気およびガスを排出するようになっている、請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】  岩石壁の穿孔（３０）内に挿入されるようになっている補強棒材（１）を有し、前記穿孔内に充填材（３１）を注入するようになっている、岩石壁を補強しかつ封止する装置において、
該装置はまた、前記充填材用の逆止弁（４）を有することを特徴とする、岩石壁を補強しかつ封止する装置。
【請求項１０】  前記逆止弁（４）は、前記穿孔内における前記充填材（３１）の正圧に耐えられるようになっており、かつ該装置が前記穿孔（３０）内に挿入される前に既に該装置内において前記補強棒材（１）に恒久的に連結されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  前記充填材は正圧を掛けられて注入されるようになっており、前記穿孔（３０）につながる岩石内のいかなる亀裂（３２）も前記充填材によって封止される、請求項９または１０に記載の装置。
【請求項１２】  前記逆止弁（４）は好ましくは強い弾性材からなるスリーブ（５）を有し、該スリーブは前記スリーブ（５）の領域内に複数の出口開口（６）を備えている注入管（３）を囲んでおり、該注入管は好ましくは前記補強棒材（１）に恒久的に連結されている、請求項９から１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】  前記スリーブ（５）はゴムで作られている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  前記スリーブ（５）は円錐台形の外被の形態をなし、その最も径の小さい短い端部は前記注入管（３）の周囲を封止するように構成され、かつその最も径の大きい短い端部はしっかりと前記注入管（３）に連結されている、請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】  前記装置は、前記穿孔（３０）の開口に近接して配置されるようになっている部分に、前記穿孔の壁に対して作用するように構成されている封止部材（１０）を備えている、請求項９から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】  前記封止部材（１０）は好ましくはゴムまたは他の強い弾性材からなるスリーブから成り、該スリーブは、前記逆止弁（４）の上流の位置において前記注入管（３）を囲み、軸方向に圧縮されるとき半径方向に拡張することによって前記穿孔（３０）の壁に対して封止効果をもたらすようになっており、前記スリーブ（１０）は好ましくは、前記充填材が硬化したときに、前記スリーブによって占められていたスペースをその代わりに更なる充填材によって充填できるように、取り除かれるように構成されている、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】  ガス抜き管（３５）が前記装置に接続されて配設されており、該ガス抜き管（３５）は、前記充填材（３１）が前記穿孔（３０）内に注入されたときに前記穿孔（３０）から空気およびガスを排出するようになっている、請求項９から１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】  前記装置は、好ましくは前記穿孔内において最も遠くに位置するようになっている部分に、岩石内に固着するためのエキスパンダを備え、該エキスパンダは好ましくは前記補強棒材（１）の回転によって広がるように構成されている、請求項９から１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】  前記エキスパンダは、前記補強棒材（１）の周囲または前記補強棒材に接合されているトップピース（２３）の周囲に配置されている複数のスリットを備えた複数の止め座金（２７）を有しており、該複数の止め座金は拡張前には円錐台形の外被の形態をなしている、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】  前記エキスパンダは、前記エキスパンダを広げるために前記複数の止め座金（２７）に押しつけられるように構成され、その結果として前記複数の止め座金の円錐台形の外被形状を少なくともいくらか平らにし、前記複数の止め座金をそれらの周縁において前記穿孔の壁に固着させる加圧装置（２８）を有している、請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このように広い幅はその上に繊維がほとんど又は全く付着しないことを確実にするので好都合である。ストリップの幅は、８ないし１０ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月4日(2006.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の反応生成物（Ａ）および少なくとも１種の適当な添加剤（Ｃ）を含む被覆組成物であって、（Ａ）が以下の工程（ｉ）、即ち少なくとも１種のフリーラジカル開始剤および式
【化１】
2002533534.tif 000001
[上記式において、Ｒ1からＲ4は各々互いに独立して、水素、置換または無置換のアルキル基、シクロアルキル基、またはアラルキル基を表すか、無置換または置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ1からＲ4のうち少なくとも２個が、無置換または置換の芳香族炭化水素基を表す。]で表される化合物（Ｉ）の存在下、少なくとも１種のフリーラジカル反応可能なモノマー(ａ）を含む反応混合物と、フリーラジカル条件下、水相で反応させる工程、を含む方法により得られる被覆組成物。
【請求項２】
反応（ｉ）を、少なくとも１種の塩基の存在下で行なう請求項１に記載された組成物。
【請求項３】
上記フリーラジカル開始剤が、酸化フリーラジカル開始剤である請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
フリーラジカル開始剤の、前記少なくとも１種のモノマー(ａ）に対する比率が、開始剤およびモノマ−（ａ）の全量を基礎として０．５から５０質量％である請求項１から３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
上記化合物（Ｉ）がジフェニルエチレン、アルコキシジフェニルエチレン、ジナフタレンエチレン、４，４−ビニリデンビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン）、４，４−ビニリデンビス（１−アミノベンゼン）、cis−もしくはtrans−スチルベンまたはこれらの２種以上の混合物である請求項１から４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
上記モノマー（ａ）が親水性モノマー、少なくとも２種の親水性モノマーを含む混合物または少なくとも１種の親水性モノマーと少なくとも１種の疎水性モノマーを含む混合物である、請求項１から５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
反応混合物が、第一のモノマー（ａ）としてアクリルまたはメタクリル酸、アクリル酸またはメタクリル酸Ｃ1〜Ｃ4アルキルまたはＣ1〜Ｃ4ヒドロキシアルキル、酢酸ビニル、置換または無置換のビニルピロリドン、これらの２種以上の混合物、または第一のモノマー（ａ）と、少なくとも１種以上の他のラジカル単独重合可能もしくは共重合可能なモノマーとの混合物を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
低分子量の塩基が、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニア、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノ−、ジ−またはトリエチルアミン、ジメチルエタノールアミンまたはこれらの２種以上の混合物である、請求項１から７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記請求項１から８のいずれかに記載の反応生成物（Ａ）、少なくとも１種の添加剤（Ｃ）および少なくとも１種の重合体（Ｂ）を含む被覆組成物であって、重合体（Ｂ）が、
（ｉｉ）少なくとも１種のラジカル単独重合可能または共重合可能なモノマー（ｂ）の存在下で、フリーラジカル条件下、工程（ｉ）で得られた反応生成物（Ａ）と反応させる工程により得られる、被覆組成物。
【請求項１０】
反応組成物（Ａ）および／または重合体（Ｂ）を分散体として含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の組成物を使用することを特徴とする、基材を被覆する方法。
【請求項１２】
上記組成物がマルチコートシステムの成分である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
組成物が、架橋可能な成分を含む請求項１１または１２に記載された方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電磁エネルギー・ビームを操縦するロジック・ツリー構造体のブランチであって、
該電磁エネルギー・ビームを第１の経路と第２の経路のうちの一方の経路へ向けるアクティブ素子と、
該第２の経路に設けられ、該電磁エネルギー・ビームが該第２の経路へ向けられるとき、該電磁エネルギー・ビームを該第１の経路と平行な経路へ向けるパッシブ素子と、
を有する、ロジック・ツリー構造体のブランチ。
【請求項２】  電磁エネルギー・ビームを操縦する複数のステージを含み、
ｎがステージ番号を表すとき、第ｎ番目のステージは２ｎ−１本のブランチを有し、
該複数のステージの中の第１ステージのブランチは、後続の各ステージ内の同様のブランチへ該電磁エネルギーを送る、
ロジック・ツリー構造体。
【請求項３】  電磁エネルギー・ビームを操縦し画像を生成するフラット・パネル・ディスプレイ構造体であって、
複数のステージを有する複数の第１ロジック・ツリー構造体と、
単一の入力ポートと、
複数の出力ポートと、
を具備し、
ｍ及びｎがステージの番号を表すとき、アレイは、２ｍ×２ｎ個の出力ポートを有する、
フラット・パネル・ディスプレイ構造体。
【請求項４】  複数の波長を有する複数の絶縁媒体と、該絶縁媒体の表面に対し一定の角度で該絶縁媒体に埋め込まれた偏光素子とを、該偏光素子間の間隔が該複数の絶縁媒体の異なる絶縁媒体毎に半分になるように形成する手順（ａ）と、
導電材の第１の部分が各絶縁媒体内の一つおきの偏光素子と位置合わせされ該絶縁媒体の片面に配置され、導電材の他の部分が該偏光素子の全体の上に重なる該絶縁媒体の反対面に配置され、位相シフト材が少なくとも一つおきの該偏光素子の上に配置されるように、位相シフタ装置を形成する手順（ｂ）と、
最上段の絶縁媒体が二つの偏光素子を具備し、後続段の絶縁媒体が先行段の絶縁媒体の偏光素子数の２倍の偏光素子を具備するように、該複数の絶縁媒体を積層する手順（ｃ）と、
を有する、ビーム操縦アレイを製造する方法。
【請求項５】  複数の波長を有する複数の絶縁媒体と、該絶縁媒体の表面に対し一定の角度で該絶縁媒体に埋め込まれた偏光素子とを、該偏光素子間の間隔が該複数の絶縁媒体の異なる絶縁媒体毎に半分になるように形成する手順（ａ）と、
導電材の一部が各絶縁媒体内の一つおきの偏光素子と位置合わせされ該絶縁媒体の片面に配置され、導電材の他の部分が該偏光素子の全体の上に重なる該絶縁媒体の反対面に配置され、位相シフト材が少なくとも一つおきの偏光素子の上に配置されるように、位相シフタ装置を形成する手順（ｃ）と、
最上段の絶縁媒体が二つの偏光素子を具備し、後続段の絶縁媒体が先行段の絶縁媒体の偏光素子数の２倍の偏光素子を具備するように、該複数の絶縁媒体を積層する手順（ｃ）と、
を有する、ビーム操縦アレイを製造する方法。
【請求項６】  複数の波長を有する複数の絶縁媒体と、該絶縁媒体の表面に対し一定の角度で該絶縁媒体に埋め込まれた偏光素子とを、該偏光素子間の間隔が該複数の絶縁媒体の異なる絶縁媒体毎に半分になるように形成する第１の手段と、
導電材の第１の部分が各絶縁媒体内の一つおきの偏光素子と位置合わせされ該絶縁媒体の片面に配置され、導電材の他の部分が該偏光素子の全体の上に重なる該絶縁媒体の反対面に配置され、位相シフト材が少なくとも一つおきの該偏光素子の上に配置されるように、位相シフタ装置を形成する第２の手段と、
最上段の絶縁媒体が二つの偏光素子を具備し、後続段の絶縁媒体が先行段の絶縁媒体の偏光素子数の２倍の偏光素子を具備するように、該複数の絶縁媒体を積層する第３の手段と、
を有する、ビーム操縦アレイを製造する装置。
【請求項７】  観察者が見るための可視画像を生成する光電子表示システムであって、
実質的にコリメートされたビーム特性を有する電磁ビームを生成する電磁ビーム生成手段と、
表示される画像を表すビデオ信号に応じて電気制御信号を生成する制御信号生成手段と、
画像表示手段と、
を有し、
該画像表示手段は、
実質的に平面的な表面特性を有する表示面と、
ロジック・ツリー構造体に配置されたビーム操縦素子のアレイと、
を含み、
該ビーム操縦素子は、パッシブＣＬＣ素子及び電気的アクティブＣＬＣ素子とを具備し、画像表示装置内で該電磁ビームを操縦するため制御可能であり、
該制御信号生成手段によって生成された該電気制御信号に応じて、一つ以上の該ビーム操縦素子は、可視スペクトル域の光線が該表示面から放射し、観察者が見るための該可視画像を該表示面に生成するよう、該電磁ビームを操縦する、
光電子画像表示システム。
【請求項８】  実質的に平面的な表面特性を有する表示面と、
ブランチを有するロジック・ツリー構造体の形式で配置されたビーム操縦素子のアレイと、
を具備し、
各ビーム操縦素子が内部で電磁ビームを操縦するため電気的に制御可能である、画像表示パネル構造体に画像を生成する方法であって、
実質的にコリメートされたビーム特性を有する電磁ビームを生成する手順（ａ）と、
表示される画像を表すビデオ信号に応じて電気制御信号を生成する手順（ｂ）と、
該電磁ビームが最小限の強度損失で画像表示パネル内を通過し、可視スペクトル域の光線が該表示面から放射し、観察者が見るための画像を該表示面に生成するように、該電気制御信号の生成に応じて、該ビーム操縦素子が１本以上のブランチに沿って該電磁ビームを操縦する手順（ｃ）と、
を有する方法。
【請求項９】  実質的に平面的な表面特性を有する表示面、及び、ブランチを有するロジック・ツリー構造体の形式で配置されたビーム操縦素子のアレイを具備し、各ビーム操縦素子が内部で電磁ビームを操縦するため電気的に制御可能である、画像表示パネルと、
実質的にコリメートされたビーム特性を有する電磁ビームを生成するビーム生成器と、
該表示面に表示される画像を表すビデオ信号に応じて電気制御信号を生成する制御信号生成器と、
を有し、
該電磁ビームが最小限の強度損失で該画像表示パネル内を通過し、可視スペクトル域の光線が該表示面から放射し、観察者が見るための画像を該表示面に生成するように、該電気制御信号の生成に応じて、該ビーム操縦素子が１本以上のブランチに沿って該電磁ビームを操縦する、
画像を生成する光電子システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月20日(2006.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  膜を中に締め付ける少なくとも二枚のターミナルプレートを有するPEM燃料電池であって、当該膜は、最外縁部を除いて、電極層により両側を覆われ、当該少なくとも一層の電極層による膜の被覆は、燃料電池の構造上の端部領域に突き出ている、上記PEM燃料電池。
【請求項２】  端部領域において、膜とフレーム部材との間にシールが配置される請求項１に記載のPEM燃料電池。
【請求項３】  膜を湿潤させるために、PEM燃料電池の構造上の端部領域中の生成水の形成を利用するPEM燃料電池の作動方法。
【請求項４】  電気的に直列結合される燃料電池から製造され、互いに機械的に結合される、請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池の少なくとも２つのスタックを含む燃料電池蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータネットワークを利用して、買い手と製品又はサービスの複数の売り手のうちの少なくとも１つとの間の取引を容易にするためにバーコード読取器を使用する方法であって、
前記バーコード読取器の第１ボタンを手で押すことによってバーコード記号を走査して引き出された製品又はサービス識別を、前記バーコード読取器の中に入力する段階と、
前記バーコード読取器に顧客識別子を供給する段階と、
前記バーコード読取器をコンピュータネットワークとリンクした取引端末に手動で関連づける段階と、
前記製品又はサービスを提供できる前記ネットワーク上の潜在的売り手を判断する段階と、
前記製品又はサービスの価格及び入手可能性を判断するために、前記複数の売り手に前記ネットワーク上で問い合わせを送信する段階と、
販売申し込みを含む１つ又はそれ以上の売り手からの回答を前記端末で受信する段階と、
前記販売申し込みのうちの１つに応える受諾を送信する段階と、
前記取引端末によって送信される支払い識別子を使用することにより前記１つの売り手に支払いを準備する段階と、
前記第１ボタンを押すと同時に所定の時間の間前記読取器の別のボタンを押してその状態を保持し、許可されていない使用を防ぐようにする段階と、を
含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記バーコード読取器は、該バーコード読取器を受け取り、前記取引端末と通信リンクを確立するようになっているドッキングステーション内で前記バーコード読取器をドッキングすることで前記取引端末と手で関連付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記バーコード読取器は、購入されるべき商品またはサービスを識別するバーコード記号を読み取るためのバッテリ作動式携帯ユニットであることを特徴とする請求項１に起債の方法。
【請求項４】  前記顧客識別子は、前記バーコード読取器の電子メモリ内に記録されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記顧客識別子と前記支払識別子とが前記バーコード読取器の電子メモリ内に記録されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記顧客識別子と前記支払識別子と納入業者識別子が前記バーコード読取器の電子メモリ内に記録されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記買い手に携帯式バッテリ充電型バーコード読取器を提供する段階を備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記バーコード読取器を受け取り、前記コンピュータネットワークにリンクされた前記取引端末と通信リンクを確立するようになっているドッキングステーションにおいて前記バーコード読取器をドッキングすることで、前記問い合わせが前記ネットワークを介し送信されるものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記ネットワークは前記バーコード読取器内に無線トランシーバを統合することによりアクセスされるものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  装置であって、
プローブを受取るよう結合される第１のノードを含み、前記プローブは、ソースノードによってターゲットノードに送信される要求に応答してターゲットノードによって生成され、前記第１のノードはプローブに応答してプローブ応答を生成するよう構成され、前記第１のノードは、プローブ内の表示に応答してターゲットノードおよびソースノードのいずれの１つがプローブ応答を受取るべきかを選択するよう構成され、前記第１のノードはターゲットノードまたはソースノードのいずれか１つにプローブ応答を送信するよう構成される、装置。
【請求項２】  前記プローブは、ターゲットノードを示す第１のノード番号と、ソースノードを示す第２のノード番号とを含み、前記第１のノードは、プローブ内の表示に応答するプローブ応答を経路制御するために前記第１のノード番号および前記第２のノード番号のいずれか１つを選択するよう構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記プローブ応答は、前記第１のノードがプローブによって識別されたデータの修正されたコピーをストアしているか否かに依存するデータを任意で含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記プローブは、前記修正されたコピーがプローブに応答して送信されるべきか否かを示すデータ移動表示を含み、前記プローブ応答は、データ移動表示にさらに依存するデータを任意で含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記プローブは、前記第１のノードがデータをキャッシュしていれば前記第１のノードにおいて前記プローブによって識別されるデータの次の状態を識別するネクストステートフィールドを含み、前記第１のノードは、ネクストステートフィールドに応答する前記第１のノードにおけるデータの状態を変更するよう構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】  方法であって、
第１のノードにおいてプローブを受取るステップを含み、前記プローブは、ソースノードによってターゲットノードに送信される要求に応答してターゲットノードによって生成され、方法はさらに、
前記プローブに応答して前記第１のノードにおいてプローブ応答を生成するステップと、
プローブ内の表示に応答して、ターゲットノードおよびソースノードのいずれの１つが
プローブ応答を受取るべきかを選択するステップと、
ターゲットノードまたはソースノードのいずれか１つにプローブ応答を送信するステップとを含む、方法。
【請求項７】  前記プローブは、ターゲットノードを示す第１のノード番号と、ソースノードを示す第２のノード番号とを含み、方法はさらに、
プローブ内の表示に応答するプローブ応答を経路制御するために前記第１のノード番号および前記第２のノード番号のいずれか１つを選択するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記第１のノードがプローブによって識別されたデータの修正されたコピーをストアしているか否かに依存する、プローブ応答内のデータを任意で送信するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記プローブは、前記修正されたコピーがプローブに応答して送信されるべきか否かを表示するデータ移動表示を含み、前記任意で送信するステップは、データ移動表示にさらに依存する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記プローブは、前記第１のノードがデータをキャッシュしていれば前記第１のノードにおいて前記プローブによって識別されるデータの次の状態を識別するネクストステートフィールドを含み、方法はさらに、
ネクストステートフィールドに応答する前記第１のノードにおけるデータの状態を変更するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フェイシャルティッシュ基質と、主に無水性組成物とを含むフェイシャルティッシュであって、前記無水性組成物は、(ａ) 非変性クレー、シリカ、二酸化チタンおよびこれらの組合わせから選択される、サイトカインを結合する親水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤と、（ｂ）疎水性に変性されたクレー、疎水性に変性されたシリカ、疎水性に変性された二酸化チタン及びこれらの組合わせから選択された、エイコサイドを結合する疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤を含むことを特徴とするフェイシャルティシュ。
【請求項２】  該親水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤と疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が該基質の区分された領域で相互に分離されている、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項３】  該基質の該区分された領域が該基質の別個の層として形成されている、請求項２記載のフェイシャルティシュ。
【請求項４】  該基質の該区分された領域が該基質の別個のプライとして形成されている、請求項２記載のフェイシャルティシュ。
【請求項５】  該基質の該区分された領域が該基質上のパターン構造によって形成されている、請求項２記載のフェイシャルティシュ。
【請求項６】  該基質の該区分された領域が該基質の別個の繊維によって形成されている、請求項２記載のフェイシャルティシュ。
【請求項７】  該ティシュ基質が紙繊維を含んでいる、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項８】  前記サイトカインがインターロイキン-8、インターロイキン-1α、及び／又はインターロイキン-1βおよびこれらの組合わせより選ばれる、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項９】  前記エイコサノイドがプロスタグランジンである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１０】  該プロスタグランジンがE2である、請求項９記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１１】  該エイコサノイドがロイコトリエンである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１２】  該ロイコトリエンがロイコトリエンB4である、請求項１１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１３】  前記親水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤がベントナイト、カオリナイト、ラポナイト、ゼオライト、モンモリロナイト、ベイデライト、ヘクトライト、サポナイト、又はスチーブンナイト及びこれらの組合わせである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１４】  前記非変性クレーがベントナイトである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１５】  前記親水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が該フェイシャルティシュの全重量の0.001重量％〜5.0重量％の量で該ティシュ中に存在する、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１６】  該親水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が該フェイシャルティシュの全重量の0.01重量％〜1.0重量％の量で該ティシュ中に存在する、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１７】  前記疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が四級アンモニウム変性ベントナイトである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１８】  前記疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が四級アンモニウム変性モンモリロナイトである、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項１９】  該疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が該フェイシャルティシュの全重量の0.001重量％〜5.0重量％の量で該ティシュ中に存在する、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２０】  該疎水性鼻汁皮膚刺激物質隔離剤が該フェイシャルティシュの全重量の0.01重量％〜1.0重量％の量で該ティシュ中に存在する、請求項１記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２１】  該皮膚刺激物質が、該基質上に存在する該隔離剤に結合する、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２２】  該皮膚刺激物質が、皮膚上に存在する該隔離剤に結合する、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２３】  平均炭化水素鎖長がC-8より大きい親油性隔離剤組成物を更に含んでいる、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２４】  ステアリン酸、イソパラフィン、ワセリン、又はその組合わせより選ばれる親油性スキンヘルス援助物質が含まれている、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２５】  該親油性スキンヘルス援助物質が脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪アルコール、トリグリセリド、リン脂質、鉱油、精油、ステロール、ステロールエステル、エモリエント、ワックス、又はその組合わせより選ばれる、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【請求項２６】  ゲル、ペースト、クリーム、粉末、ローション、エマルジョン、又は水性製剤、又はその組合わせより選ばれた賦形剤を更に含んでいる、請求項１から２０のいずれかに記載のフェイシャルティシュ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アミノフェノールと無水物との反応で製造されるフェノール系前駆体とカーボネート前駆体との反応の残渣である耐熱性カーボネートポリマーであって、上記アミノフェノールが以下の式（１）〜（３）の化合物からなる群から選択され、上記無水物が以下の式（５）〜（７ｂ）の化合物からなる群から選択される、耐熱性カーボネートポリマー。
【化１】
2002533324.tif 000001
式（１）〜（３）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立に炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルキルアリール基及びアリールアルキル基の中から選択される。
【化２】
2002533324.tif 000002
式（５）及び（６）におけるＲ1は各々独立に炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルキルアリール基及びアリールアルキル基の中から選択されるが、式（６）のＲ1は水素であってもよく、Ｘは二価フェノール、置換二価フェノール、スピロビインダン、スルホン、酸素及び以下の式（８）〜（１０）の二価基からなる群から独立して選択される残基である。
【化３】
2002533324.tif 000003
【請求項２】  カーボネート前駆体が塩化カルボニルである、請求項１記載の耐熱性カーボネートポリマー。
【請求項３】  以下の式（１４）〜（１６）からなる群から選択される繰返し単位を含んでなる耐熱性カーボネートポリマー。
【化４】
2002533324.tif 000004
式中、Ｒ1〜Ｒ6は各々独立に炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルキルアリール基及びアリールアルキル基からなる群から選択され、Ｘは各々独立に二価フェノール、置換二価フェノール、スピロビインダン、スルホン、酸素及び以下の式（８）〜（１０）の二価基からなる群から選択される
【化５】
2002533324.tif 000005
【請求項４】  アミノフェノールと無水物との反応で製造されるフェノール系前駆体と二価フェノールとカーボネート前駆体との反応の残渣である耐熱性カーボネートポリマーであって、上記アミノフェノールが以下の式（１）〜（３）の化合物からなる群から選択され、上記無水物が以下の式（５）〜（７ｂ）の化合物からなる群から選択される、耐熱性カーボネートポリマー。
【化６】
2002533324.tif 000006
式（１）〜（３）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立に炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルキルアリール基及びアリールアルキル基の中から選択される。
【化７】
2002533324.tif 000007
式（５）及び（６）におけるＲ1は各々独立に炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルキルアリール基及びアリールアルキル基の中から選択されるが、式（６）のＲ1は水素であってもよく、Ｘは二価フェノール、置換二価フェノール、スピロビインダン、スルホン、酸素及び以下の式（８）〜（１０）の二価基からなる群から独立して選択される残基である。
【化８】
2002533324.tif 000008
【請求項５】  さらにコポリマーを含んでおり、コポリマーの分布がランダム、交互ブロック又はこれらの混合型である、請求項３記載の耐熱性カーボネートポリマー。
【請求項６】  コポリマーが１５０℃を上回るガラス転移温度を有する、請求項５記載のカーボネートコポリマー。
【請求項７】  請求項１記載の耐熱性カーボネートポリマーを製造する方法であって、
（１）二価フェノールを芳香族アミンと反応させて式（１）〜（３）のアミノフェノールを形成し、
（２）上記アミノフェノールを酸媒質又は高沸点溶媒中還流温度で式（５）〜（７ｂ）の無水物と反応させてフェノール系前駆体を形成し、
（３）界面重合法によりアミン触媒の存在下で上記フェノール系前駆体をカーボネート前駆体と反応させた後カーボネートポリマーを固体形態で回収する
段階を含んでなる方法。
【請求項８】  アミノフェノールを還流温度で１０〜１６時間無水物と反応させる、請求項７記載の方法。
【請求項９】  フェノール系前駆体を、１６０〜２００℃の沸騰温度を有する高沸点溶媒中で還流した後精製固体ジフェノール系前駆体を有機液体相中で沈殿させて回収することによって精製する、請求項７又は請求項８記載の方法。
【請求項１０】  高沸点溶媒がｏ−ジクロロベンゼンである、請求項９記載の方法。
【請求項１１】  有機液体相がキシレンである、請求項９記載の方法。
【請求項１２】  カーボネート前駆体が炭酸ジフェニルであり、耐熱性カーボネートポリマーの形成プロセスが溶融エステル交換法である、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ジアリールカーボネート製造で生成した水性抽出流からヒドロキシ芳香族化合物を回収する方法であって、
ジフェニルカーボネート及びアニソールからなる群から選択される溶剤で水性抽出流を抽出することにより、ヒドロキシ芳香族化合物を水性抽出流から溶剤中に移動させることを含んでなる方法。
【請求項２】  前記ヒドロキシ芳香族化合物に含まれるヒドロキシ芳香族出発原料が該ヒドロキシ芳香族化合物の全量の９０重量％以上をなす、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記ヒドロキシ芳香族化合物に含まれるヒドロキシ芳香族出発原料が該ヒドロキシ芳香族化合物の全量の９５重量％超をなす、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記ヒドロキシ芳香族化合物がフェノールである、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  前記溶剤がジフェニルカーボネートであり、抽出温度が８０〜１１０℃である、請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記溶剤がアニソールであり、抽出温度が５℃を超える温度である、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力端子と負荷回路とに結合された入力トランジスタと、出力端子に結合された出力トランジスタとを有する差動増幅器回路における回路であって、
コレクタ、対応する入力端子に結合されたベース、さらに第１抵抗対の抵抗を介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する第１トランジスタの対と、
対応する入力トランジスタのコレクタに結合されたベース、電源端子に結合されたコレクタ、対応する出力トランジスタのベースに結合され、かつ第１トランジスタの対応するコレクタに結合されたエミッタをそれぞれ有する第２トランジスタの対と
を備える差動増幅器回路における回路。
【請求項２】  入力端子と出力端子とを有する差動増幅器コア回路であって、
対応する入力端子に結合されたベース、コレクタ、第１抵抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する入力トランジスタの対と、
それぞれ入力トランジスタのコレクタと電源端子との間に結合された負荷回路対と、
入力トランジスタの対応するコレクタに結合されたベース、電源端子に結合されたコレクタ、エミッタをそれぞれ有する第２トランジスタの対と、
対応する入力端子に結合されたベース、第２トランジスタの対応するエミッタに結合されたコレクタ、第２抵抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する第３トランジスタの対と、
第２トランジスタの対応するエミッタに結合されたベース、対応する出力端子に結合され、かつ第３抵抗対の対応する抵抗を介して電源端子に結合されたコレクタ、第４抵抗対の対応する抵抗を介して共通端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する出力トランジスタの対と
を備える差動増幅器コア回路。
【請求項３】  差動増幅器回路であって、
対応する入力端子の１つに結合されたベース、対応する負荷回路の１つを介して電源端子に結合されたコレクタ、第２電源端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する入力トランジスタの対を含む入力段と、
ベース、対応する出力端子の１つに結合され、かつ第１抵抗対の対応する１つを介して電源端子に結合されたコレクタ、第２抵抗対の対応する１つを介して第２電源端子に結合されたエミッタをそれぞれ有する出力トランジスタを含む出力段と、
入力段の入力トランジスタのコレクタと、出力段の出力トランジスタのベースとの間に結合されたバッファ段と
を備える差動増幅器回路。
【請求項４】  第１端子と第２端子を有し、ベース、コレクタ、エミッタをそれぞれ有する第１、第２、第３トランジスタの対を有し、かつ入力端子に結合された入力トランジスタと、出力端子に結合された出力トランジスタとを有する差動増幅器回路の入出力特性を線形化する方法であって、
前記トランジスタの対の各トランジスタに対して、
第１トランジスタのベースとコレクタを纏めて第１端子に結合し、
第１トランジスタのエミッタを、第１抵抗対の対応する抵抗を介して、対応する入力トランジスタに結合し、
第２トランジスタのベースを対応する入力トランジスタに結合し、
第２トランジスタのコレクタを第１端子に結合し、
第２トランジスタのエミッタを対応する出力トランジスタと第３トランジスタのコレクタに結合し、
第３トランジスタのベースを対応する入力端子に結合し、
第３トランジスタのエミッタを、第２抵抗対の対応する抵抗を介して第２端子に結合する
ことを含む、差動増幅器回路の入出力特性を線形化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ処理チャンバの内側にチャンバ・ライナおよびライナ支持体を有し、前記ライナ支持体が前記チャンバ・ライナの外面を取り囲むように構成された可撓壁を含み、前記可撓壁が前記チャンバ・ライナの前記外面から間隔をおいて配置されたプラズマ処理チャンバ。
【請求項２】  前記ライナ支持体に熱的に接続され、前記ライナ支持体から前記チャンバ・ライナに熱が熱的に伝導されるようにするヒータをさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項３】  前記ライナ支持体が可撓性アルミニウム材料から製作され、前記チャンバ・ライナがセラミック材料を含む、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項４】  前記可撓壁が熱応力を吸収することを可能にする複数のフィンガに前記ライナ支持体を分割する溝を前記可撓壁が含む、請求項３に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項５】  前記ライナ支持体の下部延長部分が、前記チャンバ・ライナの下部支持セクションに固定されている、請求項４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項６】  前記チャンバ・ライナおよび前記ライナ支持体と熱接触したバッフル・リングをさらに備え、前記バッフル・リングが、前記チャンバの中央部分に位置する静電チャックの周囲にプラズマ・スクリーンを画定する、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項７】  前記バッフル・リングが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの１つまたはいくつかから製作された、請求項６に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項８】  前記チャンバ・ライナが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの１つまたはいくつかから製作された、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項９】  前記チャンバ・ライナが低い電気抵抗率を有し、接地に至るＲＦ経路を提供するように構成されている、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】  静電チャックの上に画定されたガス分配プレートをさらに備え、前記ガス分配プレートが高い電気抵抗率を有する、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】  前記ガス分配プレートが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの１つまたはいくつかから製作されている、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】  フォーカス・リング、前記フォーカス・リングを支持するペデスタルおよび静電チャックをさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】  前記フォーカス・リングおよび前記ペデスタルが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの１つまたはいくつかから製作されている、請求項１２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】  炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの１つまたはいくつかから製作された、フォーカス・リング、ペデスタルおよび／またはガス分配プレートをさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】  前記ガス分配プレートを介してＲＦエネルギーを誘導的に結合し、前記チャンバ内に高密度プラズマを発生させるＲＦエネルギー源をさらに備える、請求項１１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】  前記ＲＦエネルギー源が平面アンテナを備える、請求項１５に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１７】  前記ライナ支持体が、前記ライナ支持体の下部延長部分に熱的に接続された外側支持体をさらに含み、前記外側支持体が、前記チャンバに装着された水冷式トップ・プレートと熱接触している、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１８】  前記チャンバがプラズマ・エッチング・チャンバである、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１９】  前記ライナ支持体が、上部延長部分、可撓壁および下部延長部分を含み、前記可撓壁および前記下部延長部分が、前記ライナ支持体中に複数のフィンガを画定する複数の溝を有する、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項２０】  鋳造されたヒータ・リングが前記ライナ支持体と熱接触し、前記チャンバ・ライナの温度を熱的に制御するために前記ヒータ・リングが前記ライナ支持体を加熱する抵抗加熱部品を含む、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項２１】  請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、半導体ウェーハが前記チャンバ内に移送され、前記半導体ウェーハの露出面が高密度プラズマで処理される方法。
【請求項２２】  前記チャンバ・ライナがセラミック材料であり、前記ライナ支持体が、前記ライナ支持体と前記チャンバの被温度制御部分との間に延びる外側支持体を含み、前記外側支持体の寸法が、１バッチの半導体ウェーハの順次処理中の前記チャンバ・ライナの温度ドリフトが最小限に抑えられるように決められている、請求項２１に記載の半導体基板処理方法。
【請求項２３】  前記チャンバ・ライナが、所定の数の半導体ウェーハを処理した後に前記チャンバから取り外され、別のセラミック・ライナと交換されるセラミック・ライナである、請求項２１に記載の半導体基板処理方法。
【請求項２４】  前記チャンバ・ライナが、前記チャンバ内に前記ウェーハを通過させることができるウェーハ・エントリ・ポートを含む、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可視表示スクリーンと、前記表示スクリーンに隣接して配置され少なくとも部分的に透明でありその部分を通して前記表示スクリーンを見ることができるパネル形状部材と、前記パネル形状部材の端部又は周辺部に取り付けられ前記パネル形状部材にエネルギーを付与して前記パネル形状部材を音響ラジエータとして作用させる振動励振変換器とを備えるラウドスピーカ駆動ユニットであって、前記パネル形状部材が可聴周波数に共振するように配置され、前記振動励振変換器が前記パネル形状部材に撓み波エネルギーを付与するようになっており、その部材を共振させて共振時に音響ラジエータとして作用させ、前記パネル形状部材の１つ又はそれ以上の周辺部がクランプされ又は拘束されていることを特徴とするラウドスピーカ。
【請求項２】  前記共振パネル形状部材の全体が透明であることを特徴とする請求項１に記載のラウドスピーカ。
【請求項３】  振動励振器が対になって前記パネル形状部材の１つの端部又は複数の端部又は周辺部に取り付けられることを特徴とする請求項１又は２に記載のラウドスピーカ。
【請求項４】  前記振動励振変換器又は各々の振動励振変換器が、前記パネル形状部材に直接結合されていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項５】  前記振動励振変換器が、慣性式であることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項６】  前記駆動ユニットが取り付けられる関連する支持手段を備えることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項７】  前記共振パネル部材が、前記関連する支持手段上に弾性支持されることを特徴とする請求項６に記載のラウドスピーカ。
【請求項８】  前記パネル部材が矩形形状であり、前記弾性支持のための支持材が該パネル部材の少なくとも３つの隣接縁に沿って延びることを特徴とする請求項７に記載のラウドスピーカ。
【請求項９】  前記振動励振器又は各々の振動励振器が、前記関連する支持手段に弾性的に取り付けられていることを特徴とする請求項６から８までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項１０】  前記パネル形状部材の１つ又はそれ以上の周辺部が、機械的にクランプされていることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項１１】  パネル形状部材が、パネル形状部材の表面を取り囲む、関連するキャビティ形成手段又はエンクロージャに取り付けられ、それにより前記表面からの音響放射が前記エンクロージャ又はキャビティに少なくとも部分的に包含されることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項１２】  前記エンクロージャ又はキャビティは深さが浅く、前記パネル形状部材のモード特性を変更するようになっていることを特徴とする請求項１１に記載のラウドスピーカ。
【請求項１３】  前記共振パネル形状部材が、ユーザがアクセス可能な表面と、その表面に又はその表面に関連して設けられ、ユーザの接触に応答する手段とを備えることを特徴とする請求項１から１２までのいずれか１項に記載のラウドスピーカ。
【請求項１４】  請求項１から１３までのいずれか１項に記載のラウドスピーカを備えることを特徴とする電話受話器。
【請求項１５】  請求項１から１３までのいずれか１項に記載のラウドスピーカを備えることを特徴とする携帯パーソナルコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  滅菌インプラントの表面が、水素化外層からなることを特徴とする、改良した生体適合性のための改質表面を有し、かつ金属またはその合金からなる滅菌インプラント。
【請求項２】  前記金属が、チタン、ジルコニウム、ハフニウムまたはタンタルからなる請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】  前記水素化外層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウムまたはタンタルの水素化物を含む請求項２に記載のインプラント。
【請求項４】  前記金属が、チタンである請求項１〜３のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項５】  前記水素化外層が、水素化チタンを含む請求項４に記載のインプラント。
【請求項６】  インプラント表面が、外層の幾何的改良からなる請求項１〜５のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項７】  生体への移植を意図した請求項１〜６のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項８】  損失または損傷身体部分の代替を意図した請求項１〜７のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項９】  損失または損傷身体部分の機能の回復を意図した請求項１〜７のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項１０】  前記インプラントが、歯科用インプラントである請求項１〜９のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項１１】  前記インプラントが、整形用インプラントである請求項１〜９のいずれか一つに記載のインプラント。
【請求項１２】  金属またはその合金のコアが、水素化外層の表層で被覆され、被覆されたコアが滅菌されている請求項１に記載のインプラントの生産方法。
【請求項１３】  前記金属が、チタン、ジルコニウム、ハフニウムまたはタンタルである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記水素化外層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウムまたはタンタルの水素化物を含む請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記金属が、チタンである請求項１２〜１４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１６】  前記水素化外層が、水素化チタンを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記金属のコアが、チタンまたはその合金を原料とするインプラントである請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  前記金属のコアが、電解により処理され、それにより表面部位を、コアを構成する金属またはその合金の１またはそれ以上の水素化物に変換する請求項１２〜１７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１９】  陰極を構成する前記金属のコアが、電解浴中に入れられる請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記浴が、ＮａＣｌの酸性水溶液である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記浴が、４より低いｐＨ値と、少なくとも４０℃の温度を有する請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記浴の温度が、少なくとも８０℃である請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記浴のｐＨ値が、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、ＨＮＯ3およびＨＣｌＯ4からなる群から選択される少なくとも１つの酸を加えることにより調節される請求項１９〜２２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２４】  前記浴が、０．０５〜１Ｍ ＮａＣｌおよび３・１０-4〜２Ｍの酸を含む水溶液である請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  電解を行うのに用いる電流の密度が０．１〜１０ｍＡ／ｃｍ2である請求項１８〜２４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２６】  前記水素化外層の表面粗さが増加する請求項１２〜２５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２７】  前記表面粗さが、インプラントを水素化する前にインプラントをブラストすることにより増加する請求項２６による方法。
【請求項２８】  前記インプラントが、濃度０．２〜１０Ｍでフッ素イオンを含む水溶液からなる、３．３〜７のｐＨ値を有する浴中で、エッチングされる請求項１２〜２７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２９】  前記製造したインプラントが、骨形成を意図したものである請求項１２〜２８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３０】  前記製造したインプラントが、歯科用インプラントである請求項１２〜２９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３１】  骨インプラントとしての、請求項１〜１１のいずれか一つによるインプラントまたは請求項１２〜３０のいずれか一つに記載の方法で製造されたインプラントの使用。
【請求項３２】  歯インプラントとしての、請求項１〜１１のいずれか一つに記載のインプラントまたは請求項１２〜３０のいずれか一つに記載の方法で製造されたインプラントの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】配列番号５として示されるアミノ酸配列の、食品又は食品製造用原料の調製における使用。
【請求項２】原料が生地であることを特徴とする請求項１記載の使用。
【請求項３】配列番号５として示されるアミノ酸配列を含む、或いは該アミノ酸配列から調製される焼き製品又は焼き製品製造用原料。
【請求項４】生地であることを特徴とする請求項３記載の原料。
【請求項５】焼き製品がパン、プレッツェル、トルティヤ、ケーキ、クッキー、ビスケット、クラッカーであることを特徴とする請求項３記載の焼き製品。
【請求項６】配列番号５として示されるアミノ酸配列を含むアミノ酸配列を、真菌性キシラナーゼを含む生地より粘度の低い生地の調製に用いる使用であり、上記粘度が、本明細書のプロトコール２における粘度測定方法により測定可能であることを特徴とする使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの周辺イオン化性部分及び少なくとも１つの周辺非重合炭化水素の疎水性部分を有する水溶性誘導体化デンドリティックポリマーを含む、水系中に疎水性粒子を分散させるための分散剤。
【請求項２】  疎水性粒子及び請求項１に記載の分散剤を含む、水性懸濁液。
【請求項３】  ａ）顔料粒子、及び
ｂ）少なくとも１つの周辺イオン化性部分及び少なくとも１つの周辺非重合炭化水素の親水性部分を有する水溶性誘導体化デンドリティックポリマーを含む分散剤、及び
任意にｃ）第２の分散剤
の懸濁液を含む水性顔料インク。