【事件の表示】
　特願２００８−　８８３３１「表示装置及び表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月２２日出願公開、特開２００９−２４４３７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成２０年　３月２８日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２２年　１月２７日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　４月　２日  
　　意見書　　　　　　　：平成２２年　４月　２日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　５月１４日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　７月２３日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　７月２３日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　５月　９日（起案日）  
　　  
第２　平成２２年７月２３日付け手続補正についての補正の却下の決定  
〔補正の却下の決定の結論〕  
　平成２２年７月２３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　 　  
〔理由〕  
１　平成２２年７月２３日付け手続補正の内容  
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２２年４月２日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　基板上に形成された発光素子と、
　前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御するアモルファスシリコン薄膜トランジスタである駆動素子と、
　前記駆動素子をスイッチングするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチング素子と、
　前記スイッチング素子上のみにおいて前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、酸化クロム（III）、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかからなる遮光膜と、
　を備えることを特徴とする表示装置。」  
　なる記載を、本件補正後の請求項１の、  
「【請求項１】
　基板上に形成された
画素電極と、対向電極と、及び前記画素電極と前記対向電極の間に設けられた発光層と、からなる
　前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御するアモルファスシリコン薄膜トランジスタである駆動素子と、
　前記駆動素子をスイッチングするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチング素子と、
　前記スイッチング素子上のみにおいて前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、酸化クロム（III）、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかからなる遮光膜と、
　を備え
、
　
前記対向電極は、前記発光層、前記絶縁膜、及び前記遮光膜の上部を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成されてい
　という記載にすることを含むものである。  
　　  
２　独立特許要件について 
　本件補正後の請求項１に係る上記補正は、平成２２年４月２日付け手続補正により補正された請求項１について、「発光素子」及び「対向電極」の構造を限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。  
　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
　  
２−１　本件補正発明  
　本件補正発明は、上記「１　平成２２年７月２３日付け手続補正の内容」に記載したとおりのものである。  
　  
２−２　引用例  
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２０００−１７２１９９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　　  
（１ａ）「【００１９】図１に本発明の実施の形態の有機ＥＬ素子及びＴＦＴを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の１つの画素を示す平面図を示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２０】図１に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２との交点付近に第１のＴＦＴ３０を形成し、そのＴＦＴ３０のソースは後述の補助容量電極線５４と補助容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されている。第２のＴＦＴのソース電極１８は陽極６１に接続され他方のドレイン電極１６はＥＬ素子を駆動する駆動電源線５３に接続されている。
【００２１】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５１と並行に補助容量電極線５４が配置されている。この補助容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して、ＴＦＴのソース１３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積する補助容量である。この補助容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧が第１のＴＦＴ３０のリーク電流により電圧が減少することを防止し印加された電圧を保持するために設けられている。
【００２２】図２に示すように、表示画素１は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上にＴＦＴを形成する。
【００２３】ＴＦＴは、本実施の形態においては、第１及び第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、能動層として多結晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称する。）膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１がダブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。
【００２４】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。
【００２５】図２（ａ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極１１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５３を形成する。そしてＥＬ素子の駆動電源であり駆動電源５０に接続されＡｌから成る駆動電源線５３を形成する。
【００２６】続いて、ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成する。
【００２７】その能動層１３には、ゲート電極１１上方のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジストにてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
【００２８】ここで、ＬＤＤ構造におけるチャネルとドレインとの接合部は、ゲートに隣接して設けられる低濃度領域も含む。即ち、チャネルと低濃度領域との接合部、低濃度領域、及びドレインと低濃度領域との接合部を含む。また、チャネルとソースとの接合部は、ゲートに隣接して設けられる低濃度領域も含む。即ち、チャネルと低濃度領域との接合部、低濃度領域、及びソースと低濃度領域との接合部を含む。
【００２９】なお、オフセット構造におけるチャネルとドレインとの接合部は、ゲートに隣接して設けられる真性領域も含む。即ち、チャネルと真性領域との接合部、真性領域、及びドレインと真性領域との接合部を含む。また、チャネルとソースとの接合部は、ゲートに隣接して設けられる真性領域も含む。即ち、チャネルと真性領域との接合部、真性領域、及びソースと真性領域との接合部を含む。
【００３０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成るソース電極１８を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
【００３１】このソース電極１８は、第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されている。
【００３２】ここで、能動層１３のドレイン１３ｄとチャネル１３ｃとの接合部７０（図中点線の楕円で示す。）の上方、及びソース１３ｓとチャネル１３ｃとの接合部７１（図中点線の楕円で示す。）の上方の層間絶縁膜１５上には、第１のＴＦＴ３０に発光層６４にて発光した光を遮るように、遮光材料５６、例えばＡｌ、樹脂等を形成して覆っている。
【００３３】なお、上述の接合部７０，７１を少なくとも覆っていれば、第１のＴＦＴのリーク電流を抑制することができるが、もちろん図１中の点線の四角形５６で示すように両ゲート電極１１及びその間のチャネルを含む能動層領域１３を覆っていても良い。
【００３４】そうすることにより、第１のＴＦＴの能動層にＥＬ素子によって発光した光が能動層１３に到達しなくなるので第１のＴＦＴ３０のリーク電流を抑制することができ、第２のＴＦＴ４０に安定して駆動電源からの電流を供給することが可能となり、安定した表示を得ることができる。
【００３５】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴである第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００３６】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１１を形成する。
【００３７】ゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成する。
【００３８】その能動層１３には、ゲート電極１１上方のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジストにてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、第２のＴＦＴはいわゆるＬＤＤ構造を有する。
【００３９】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース１３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
【００４０】また、ドレイン電極１６は駆動電源線５４に接続されている。
【００４１】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であり、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された構造である。
【００４２】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。」 
　　　　 
（１ｂ）「【００５２】なお、本実施の形態においては、第１及び第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１３の下に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴについて説明したが、ゲート電極が能動層の上にあるいわゆるトップゲート型ＴＦＴでも良い。また、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は非晶質シリコンを用いても良い。
【００５３】また、本実施の形態においては、ダブルゲート構造及びＬＤＤ構造を有するＴＦＴについて説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、シングルゲート及びゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造においても適用が可能であり、また、ＬＤＤ構造を備えない場合にも適用は可能である。更に能動層にオフセット領域を有するいわゆるオフセット構造を有するＴＦＴに適用することも可能であり、同様の効果を得ることができる。ＬＤＤ構造及びオフセット構造を有さない構造でも適用は可能である。
【００５４】
【発明の効果】本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、第１のＴＦＴの能動層を層間絶縁膜上に設けた遮光材料によって遮光したので、第１のＴＦＴのリーク電流を抑制して第２のＴＦＴのゲート電極の電位を一定に保つことができ、発光する表示画素が発光すべき輝度で発光するエレクトロルミネッセンス表示装置を得ることができる。」  
　　　  
（１ｃ）図１
（１ｄ）図２
　　　　
〔引用例１に記載された発明〕　  
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）からして、引用例１には、  
「石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡから成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤからなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６６がこの順番で積層形成された構造の有機ＥＬ素子６０を有し、
　絶縁性基板１０上に形成された有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦＴであり、能動層として非晶質シリコンを用いる第２のＴＦＴ４０を有し、当該第２のＴＦＴ４０は陽極６１と接続されており、
　絶縁性基板１０上に形成されたスイッチング用のＴＦＴであり、能動層として非晶質シリコンを用いる第１のＴＦＴ３０を有し、
　第１のＴＦＴ３０の両ゲート電極１１及びその間のチャネルを含む能動層領域１３の上方の層間絶縁膜１５上には、第１のＴＦＴ３０に発光層６４にて発光した光を遮るように、遮光材料５６、例えばＡｌ、樹脂等を形成して覆っており、有機ＥＬ素子６０によって発光した光が第１のＴＦＴの能動層に到達しなくなるので第１のＴＦＴ３０のリーク電流を抑制することができるエレクトロルミネッセンス表示装置。」
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　　 
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００４−１３４３５６号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　　  
（２ａ）「【００３０】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極から成るアノード層６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成るカソード層６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００３１】
カソード層６５は、発光層６３を被覆し、画素領域全体に延在している。そして、カソード層６５の下層の、平坦化絶縁膜１７上には、酸化クロムから成る反射防止層１８が、蒸着法やスパッタ法を用いて形成されている。ただし、反射防止層１８は発光層６３の下層には形成されていない。」
　　　　　
（２ｂ）「【００４０】
上述したように、反射防止層１８はデバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止するものであるからカソード層３の下層であれば、発光層６３の形成領域を除き、デバイスガラス基板１のどこに形成されていてもよいが、本実施形態では、上述したスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の下層に、酸化クロム層１９（ＣｒＯ層）を形成した。具体的には、絶縁性基板１０上に、酸化クロム層１９を蒸着法やスパッタ法を用いて形成し、少なくともスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の形成領域に残すようにパターニングする。そして、前述した方法で、この酸化クロム層１９上にポリシリコン膜から成る能動層３３、４３を形成する。酸化クロム層１９の厚さは、約５００Åが適当であるが、これに限るものではない。
【００４１】
この酸化クロム層１９は、デバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止するための反射防止層として機能するが、これに加えて、スイッチング用ＴＦＴ３０及び駆
動用ＴＦＴ４０の能動層３３、４３への入射光を遮光する遮光層としても機能し、スイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０にホトカレントが流れるのを防止する効果も有する。
【００４２】
すなわち、そのような遮光層が無いと、デバイスガラス基板１の裏面からスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の能動層３３、４３に光が入射し、この光のエネルギーによって能動層３３、４３内にキャリアが生成する。するとスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０がオフ状態に設定されていてもソースドレイン間にホトカレントが流れてしまい、表示コントラストの劣化が生じる。そこで、上記の酸化クロム層１９を形成することで、そのようなホトカレントの発生を抑制し、表示品位の向上を図ることができる。」 
　　　　  
２−３　本件補正発明と引用発明との対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「絶縁性基板１０」、「陰極６６」、「発光素子層６５」及び「有機ＥＬ素子６０」は、それぞれ本件補正発明の「基板」、「対向電極」、「発光層」及び「発光素子」に相当する。  
　 　　　  
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極６１」は、技術常識を踏まえると、個別の画素を駆動する「有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴ」である「第２のＴＦＴ４０」と接続されるものであるから、本件補正発明の「画素電極」に相当する。  
　　　　  
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであり、能動層として非晶質シリコンを用いる第２のＴＦＴ４０」は、本件補正発明の「発光素子に流れる電流を制御するアモルファスシリコン薄膜トランジスタである駆動素子」に相当する。 
　　　　　 
＜対応関係Ｄ＞ 
　引用発明の「スイッチング用のＴＦＴであり、能動層として非晶質シリコンを用いる第１のＴＦＴ３０」は、本件補正発明の「駆動素子をスイッチングするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチング素子」に相当する。  
　　　  
＜対応関係Ｅ＞  
　引用発明は「遮光材料５６」を「第１のＴＦＴ３０」に対応する領域には設けるが、「第２のＴＦＴ４０」に対応する領域には設けないものであるから、引用発明の「第１のＴＦＴ３０の両ゲート電極１１及びその間のチャネルを含む能動層領域１３の上方の層間絶縁膜１５上」に「第１のＴＦＴ３０に発光層６４にて発光した光を遮るように」形成される「Ａｌ、樹脂等」からなる「遮光材料５６」と、本件補正発明の「スイッチング素子上のみにおいてスイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、酸化クロム（III）、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかからなる遮光膜」とは、「スイッチング素子上のみにおいてスイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、所定の遮光材料からなる遮光膜」である点で共通する。  
　　 　  
＜対応関係Ｆ＞  
　引用発明の「・・・陽極６１、・・・発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層からなる発光素子層６５、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６６がこの順番で積層形成される構造」における「陰極６６」は、「発光層６４」を覆うものであり、かつ、「マグネシウム・インジウム合金」が反射性の高い陰極材料であるという技術常識（例えば、特開２００７−８０６３３号公報（段落【００１９】等）を参照されたい。）を踏まえると、当該「陰極６６」と本件補正発明の「対向電極」とは、「対向電極は、発光層の上部を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成されている」という構成を有する点で共通する。
　　　　 
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、  
「基板上に形成された画素電極と、対向電極と、及び前記画素電極と前記対向電極の間に設けられた発光層と、からなる発光素子と、
　前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御するアモルファスシリコン薄膜トランジスタである駆動素子と、
　前記駆動素子をスイッチングするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチング素子と、
　前記スイッチング素子上のみにおいて前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、所定の遮光材料からなる遮光膜と、
　を備え、
　前記対向電極は、前記発光層の上部を覆うように形成され、反射性を備える導電材料から形成されている表示装置。」  
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
（相違点１）  
　遮光膜の材料に関して、本件補正発明は「酸化クロム（III）、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれか」と限定しているのに対して、引用発明は「Ａｌ、樹脂等」としている点。  
　　　  
（相違点２）  
　対向電極の形成位置に関して、本件補正発明は「絶縁膜」及び「遮光膜」の上部も覆うように形成されるのに対して、引用発明は陰極６６が層間絶縁膜１５や遮光材料５６をも覆うように形成されるか否かが不明である点。  
　　  
２−４　検討・判断  
　上記相違点１〜２について検討する。  
　　　  
（１）相違点１について 
　引用例２の上記摘記事項（２ｂ）には、遮光膜の材料として酸化クロムを用いる技術が記載されており、引用発明に当該技術を採用することは、当業者であれば容易に想到することである。
　また、酸化クロムのうち、安定な三価の酸化クロムを遮光膜の材料として利用することもよく知られている（例えば、特開２００６−４７８０３号公報（段落【００４９】等）を参照されたい。）から、遮光膜に採用する酸化クロムを三価のものとすることは格別のことではない。
　よって、引用発明に引用例２に記載の技術を採用することで相違点１に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　　　　　  
（２）相違点２について 
　アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス表示装置において、対向電極を個々の有機ＥＬ素子の直上だけでなくスイッチング用のＴＦＴの上方を含む領域に広く面状に形成することは、通常採用される慣用の技術または周知の技術に過ぎない（例えば、引用例２の上記摘記事項（２ａ）、特開２００７−２１３０２６号公報（段落【００７９】及び図６等）、国際公開第９８／３６４０７号（図４〜６等）、特開２００８−３９９５０号公報（段落【００７７】〜【００７８】等）を参照されたい）。
　そうすると、引用発明において、当該慣用の技術または周知の技術を採用し、層間絶縁膜１５や遮光材料５６を形成する領域上をも対向電極（陰極６６）で覆うことは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　よって、引用発明に周知・慣用の技術を採用することで相違点２に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　　　　　  
（３）作用効果についての検討  
（３−１）請求人は請求の理由において、「引用文献（１）における遮光膜は、対向電極による反射光がスイッチング素子に入射することを防ぐために設けられているものではないと思料します。本願発明によれば、外光や発光層から出射し、反射性材料からなる対向電極で反射した光が、スイッチング素子に入射することを防ぐことができます。」と主張しているが、引用発明のように、反射性の高い陰極材料を用いる場合、有機ＥＬ素子からの光や外光が反射されることは技術常識からして自明な現象に過ぎない。
　そして、引用発明において、層間絶縁膜１５上に形成された遮光材料５６は、その形成位置からして、絶縁性基板１０の有機ＥＬ素子６０が形成される側からの光であれば、それが有機ＥＬ素子６０からの直接の発光であっても対向電極（陰極６６）からの反射光であっても遮ることは明らかである。
　そうすると、本件補正発明が奏する作用効果（スイッチング素子への光の入射を遮り、駆動素子への光の入射は遮らない。）は、引用発明、引用例２に記載の技術及び周知・慣用の技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　
（３−２）請求人は請求の理由において、「アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタでは、駆動時間の増加に伴いゲート閾値電圧がプラス側にシフトする作用が生じます。しかし、光を照射した状況でアモルファスシリコン薄膜トランジスタを連続駆動させると、閾値電圧はマイナス側にシフトする作用が生じます。この現象を利用し、閾値電圧の変化による影響を大きく受ける駆動素子には光が入り込むようにし、経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフト分を、光によってマイナス方向へシフト分で相殺させることにより、閾値電圧を初期状態に近い状態を維持することができます。」と主張しているが、本願明細書の発明の詳細な説明において、本件補正発明の作用効果に関して、 
「【００７８】
  図８は、初期状態のアモルファスシリコンＴＦＴにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に１０Ｖの電圧を印加したときのゲート電圧Ｖｇに対するドレイン−ソース間電流Ｉｄと、光が入射されず７０℃、５０時間、ドレイン−ソース間に５Ｖの電圧をｄｕｔｙ１００％で印加してドレイン−ソース間電流Ｉｄを２．５μＡ流し続けた連続駆動後のアモルファスシリコンＴＦＴにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に１０Ｖの電圧を印加したときのゲート電圧Ｖｇに対するドレイン−ソース間電流Ｉｄと、を示したグラフである。初期状態のアモルファスシリコンＴＦＴに比べて連続駆動後のアモルファスシリコンＴＦＴでは、ゲート閾値電圧がプラス方向にシフトしている。つまり光を照射しない環境下で電流を流し続けたアモルファスシリコンＴＦＴゲート閾値電圧がプラス方向にシフトすることを意味する。
【００７９】
  次に、アモルファスシリコンを用いたｎチャネルトランジスタを光を照射した状態で連続駆動させた場合の閾値電圧の変化を図９に示す。図９は、初期状態のアモルファスシリコンＴＦＴにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に１０Ｖの電圧を印加したときのゲート電圧Ｖｇに対するドレイン−ソース間電流Ｉｄと、２５００ｌｘの光が入射された環境下で、７０℃、７２時間、ドレイン−ソース間電圧を０Ｖとし、ｄｕｔｙ比１／２４０で±１５Ｖのゲート電圧を印加し続けた連続駆動後のアモルファスシリコンＴＦＴにおいて、光が入射されない環境下でドレイン−ソース間に１０Ｖの電圧を印加したときのゲート電圧Ｖｇに対するドレイン−ソース間電流Ｉｄと、を示したグラフである。初期状態のアモルファスシリコンＴＦＴに比べて連続駆動後のアモルファスシリコンＴＦＴでは、ゲート閾値電圧がマイナス方向にシフトしている。つまりゲートにゲート電圧Ｖｇを印加した状態で光を連続照射すると、アモルファスシリコンＴＦＴゲート閾値電圧がマイナス方向にシフトすることを意味する。
【００８０】
  本実施形態の発光駆動トランジスタＴｒ１３は、有機ＥＬ素子２１の発光を制御するトランジスタであり、このトランジスタの閾値電圧の変化は、表示装置の発光量に特に大きく影響する。また、特に電圧階調信号で有機ＥＬ素子の発光量が制御されている場合、この影響が大きい。本実施形態では、図８及び図９に示す現象を利用し、閾値電圧の変化による影響を大きく受ける発光駆動トランジスタＴｒ１３には光が入り込むようにし、経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフト分を、光の入射によってマイナス方向へシフトさせ、相殺させることにより、閾値電圧を初期状態に近い或いは同等の状態を維持することができる。このように本実施形態では、閾値電圧の変化を抑制することによりができれば、経年駆動による、発光量制御の変化を抑制することもできる。」
と記載されている。
　当該記載によれば、光の照射の有無で閾値電圧のシフト方向がマイナスとプラスで変動し得ることは示されているが、「経年駆動による閾値電圧のプラス方向へのシフト分を、光の入射によってマイナス方向へシフトさせ、相殺させる」ことについては、いかなる技術手段により達成可能であるのかが示されておらず、本件補正発明が奏する作用効果であるとは認められない。
　技術常識からして、「相殺させる」には、プラス方向へのシフトとマイナス方向へのシフトの双方が生じて、両者を差し引いたシフト分が、従来のプラス方向へのシフト分よりも小さくなる必要があると考えられるが、本件補正発明のように、単純に駆動素子への光の入射を遮らないだけの構造のものでは、駆動時には常に発光駆動トランジスタＴｒ１３が光（有機ＥＬ素子の発光と外光）を照射された状態となり、図９の実験結果を参酌すれば、マイナス方向へ大きなシフト（図８と比較すると、マイナス方向へのシフトの方がシフト量が明らかに大きい。）が生ずる結果となると推測され、プラス方向へのシフトとマイナス方向へのシフトを上手く「相殺」することは困難である。
　また、仮に、特別な手段によらず、発光駆動トランジスタＴｒ１３に光が入射するようになっていれば当該作用効果が得られるのであれば、引用発明も第２のＴＦＴ４０には光が入射する構造になっているから、当該作用効果は必然的に奏するものといえる。
　　　　
（４）まとめ  
　よって、本件補正発明は、当業者が引用発明、引用例２に記載の技術及び周知・慣用の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　 　　  
３　本件補正についてのむすび  
　本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 　　  
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２２年７月２３日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年４月２日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　基板上に形成された発光素子と、
　前記基板上に形成され、前記発光素子に流れる電流を制御するアモルファスシリコン薄膜トランジスタである駆動素子と、
　前記駆動素子をスイッチングするアモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチング素子と、
　前記スイッチング素子上のみにおいて前記スイッチング素子を覆う絶縁膜上に形成され、酸化クロム（III）、コバルト−鉄−クロム酸化物、アモルファスシリコンの少なくともいずれかからなる遮光膜と、
　を備えることを特徴とする表示装置。」 
　である。  
　 　　  
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「２−２　引用例」に記載したとおりである。  
　 　　  
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」の「１　平成２２年５月２７日付け手続補正の内容」及び「２　独立特許要件について」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、平成２２年７月２３日付け手続補正により請求項１に導入された、「発光素子」及び「対向電極」の構造を限定する発明特定事項を省いたものに相当するから、本願発明と引用発明とは、上記「第２」「〔理由〕」「２−３　本件補正発明と引用発明との対比」で述べた「相違点１」の点でのみ相違する。 
　そして、上記「第２」「〔理由〕」「２−４　検討・判断」「（１）相違点１について」に記載したとおり、引用発明において、引用例２に記載の技術を採用することで上記「相違点１」に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。  
　よって、本願発明は、当業者が、引用発明及び引用例２に記載の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。　  
　　　　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　　  
　よって、結論のとおり審決する。