【事件の表示】
　特願２００５−１７８１８４号「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２８日出願公開、特開２００６−３５１９５０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年６月１７日の出願であって、平成２３年４月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年７月１２日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成２３年７月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年７月１２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが半田層を介してダイボンディングされた基板と
を備えた半導体装置であって、
前記半導体チップの下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部を有する
とともに、前記半田層が前記半導体チップの下面の角、前記側面および前記側辺面取り部と接している
　と補正された。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「半田層」について、上記下線部記載のように限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された、特開平７−３１２４７４号公報（以下「引用例」という。）には、「電子部品の搭載構造」と題して、図面とともに次の技術事項が記載されている。
　・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、線膨張係数の異なる基材と電子部品とを接合材を介して接合してなる電子部品の搭載構造に関するものである。」
　・「【００１３】
【実施例】
〔実施例１〕以下、本発明を具体化した一実施例におけるシリコンチップの搭載構造を図１〜図３に基づき詳細に説明する。
【００１４】本実施例では、基材として銅板１が選択され、電子部品としてシリコンチップ（９mm角，０．５mm厚）２が選択されている。また、両者を接合するための接合材として、Ｐｂ：Ｓｎ＝３７：６３という合金組成を有する共晶はんだ３が選択されている。なお、銅の線膨張係数は約１７×１０−６／℃、シリコンの線膨張係数は約３×１０−６／℃、共晶はんだの線膨張係数は約２５×１０−６／℃である。従って、搭載物であるシリコンチップ２と、被搭載物である銅板１との線膨張係数の差は、およそ１４×１０−６／℃となっている。
【００１５】シリコンチップ２の内部及び上面側（即ち非接合面Ｓ１側）には、従来公知の半導体製造プロセスによって、あらかじめ所定の回路パターン（図示略）が形成されている。一方、シリコンチップ２の裏面側（即ち接合面Ｓ２）は、その外周部全域にわたって直線的に切り欠かれている。その結果、接合面Ｓ２にあった直角のエッジ部の代わりに、図２に示されるような切り欠き部４が形成されている。同図において、Ｐ１はあらたに形成されたエッジ部Ｐ１を示し、Ｐ２は切り欠き部４と底面との中間にあたる屈曲部Ｐ２を示している。
【００１６】切り欠き部４の大きさ（ここでは図１に示すＬの長さ）は大きいほどよく、エッジ部Ｐ１及び屈曲部Ｐ２のそれぞれの角度θ１，θ２は１８０°に近いほどよい。その理由は、以下に示す通りである。切り欠き部４の大きさＬについては、屈曲部Ｐ２がチップ中心部に近いほど屈曲部Ｐ２にかる応力集中が緩和され、切り欠いていない接合面Ｓ２の膨張等による変化量が少なくなるためである。また、エッジ部Ｐ１及び屈曲部Ｐ２の角度θ１，θ２については、大きいほど当該部分への応力集中が緩和されるためである。従って、互いの条件の兼ね合いで最適値が決定されることになる。例えばエッジ部Ｐ１の角度θ１と屈曲部Ｐ２の角度θ２とをほぼ等しくすると、両部分における応力が適切に分散されることになる。」
　・「【００３４】（４）　基材として銅板１以外にも、例えば銅合金からなる板、鉄合金からなる板、鉄板、アルミニウム板、アルマイト板等の金属板を使用してもよい。また、表面に接続用パッド等が形成された、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス基板や、ガラスエポキシ等の樹脂基板であっても勿論よい。」
　
　ここにおいて、段落【００３４】の記載によれば、「銅板１」は、セラミック基板であっても樹脂基板であってもよいのであるから、これを「基板」と言い換えることができるので、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されているものと認められる。
　「シリコンチップ２と、前記シリコンチップ２が共晶はんだ３を介して接合された基板とを備えた電子部品の搭載構造であって、前記シリコンチップ２の裏面側の外周部全域にわたって直線的に切り欠かれた切り欠き部４を有する電子部品の搭載構造。」
　
　なお、原査定の拒絶の理由に引用文献２，３として挙げられた、特開平６−１７７１７８号公報、実願昭５９−５０３５８号（実開昭６０−１６３７４０号）のマイクロフィルムにも同様の発明について記載がある。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「シリコンチップ２」が、本願補正発明の「半導体チップ」に相当する。同様に「共晶はんだ３」が「半田層」に、「接合」が「ダイボンディング」に、「電子部品の搭載構造」が「半導体装置」にそれぞれ相当する。また、本願補正発明の「半導体チップの下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部」と、引用発明の「シリコンチップの裏面側の外周部全域にわたって直線的に切り欠かれた切り欠き部４」とは、ともに「半導体チップの一部に平面からなる面取り部」との点において概念上共通する。
　
　すると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
（一致点）
　「半導体チップと、前記半導体チップが半田層を介してダイボンディングされた基板とを備えた半導体装置であって、前記半導体チップの一部に平面からなる面取り部を有する半導体装置。」
　
（相違点）
　（ア）本願補正発明の「半導体チップ」が「下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部を有する」のに対して、引用発明の「シリコンチップ」は「裏面側の外周部全域にわたって直線的に切り欠かれた切り欠き部４を有する」点。
　（イ）本願補正発明の「半田層」が「半導体チップの下面の角、前記側面および前記側辺面取り部と接している」のに対して、引用発明は、そのような構成となっていない点。
　
（４）相違点についての判断　
・相違点（ア）について
　半導体チップとして、「下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部を有する」構成は、例えば、原審査定時に挙げられた文献である特開２００４−７９６６７号公報をはじめ、特開平５−１０２３００号公報（【図４】など参照）、特開平１１−２５１４９３号公報（【図２４】など参照）、特開２０００−３０６９５８号公報（【図４】など参照）、特開２００４−１１９９８５号公報（【図２４】など参照）などにも記載があり周知である。いずれも半導体チップに生ずる応力集中を緩和する。
　ここで、「側辺面取り部」に関し、これを「下面から上面に渡った側面の辺に」設けるとの限定は、出願当初の特許請求の範囲に記載がなかったのであるから、原審における査定時に、これを周知であるとした点は正当といえる。
　すると、引用発明において、シリコンチップの形状につきチップに生じる応力集中を緩和するための構成として、裏面側の外周部全域にわたって直線的に切り欠かれた切り欠き部４に替えて、又はそれに加えて、下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部を施し、本願補正発明の上記相違点（ア）に係る構成とすることは当業者にとって容易の範囲である。
　
・相違点（イ）について
　チップと基板とを半田にて接合するに、半田をチップの側面に達するようにするものも、達しないようにするものも、ともに周知の技術である。前者については、当審前置審尋において挙げた、特開平２−２５７６４４号公報、特開平１０−２３３４１６号公報などに記載があり、後者については、原査定の拒絶理由に挙げられた、引用文献１ないし３（引用文献１について【図９】など）や特開平８−１１４７６号公報などに記載がある。
　すると、引用発明において、半田層をチップ側面に達するように接合して、本願補正発明の上記相違点（イ）に係る構成とすることは当業者にとって想到容易ということができる。
　
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び周知の技術から当業者であれば予測できる範囲のものであって、格別のものとはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成２３年７月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年１０月１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであるところ、そこには次のとおり記載されている。
　「【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが半田層を介してダイボンディングされた基板と
を備えた半導体装置であって、
前記半導体チップの下面から上面に渡った側面の辺に、長方形の平面からなる側辺面取り部を有することを特徴とする半導体装置。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から前記の限定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）において検討したとおり、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。