【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2005519968.tif 000001
及び
【化２】
2005519968.tif 000002
［式中、各Ａ及びＺは、独立に、水素、ハロゲン、一価ヒドロカルビル基及びトリ（ヒドロカルビル）シリル基からなる群から選ばれ；各Ｂ及びＹは、独立に、アリール基、ｔｅｒｔ−アルキル基及びトリ（ヒドロカルビル）シリル基から選ばれるが、少なくとも１つのＢ又は少なくとも１つのＹはトリ（ヒドロカルビル）シリル基であり；各Ｒ1は、独立に、水素、一価アルキル基及び一価アリール基からなる群から選ばれ；ｎは０〜２の整数であり；Ｘはアルキル及びアリールジラジカル並びにそれらの置換誘導体からなる群から選ばれる］
からなる群から選ばれるホスオキソファイト組成物。
【請求項２】
各Ａ及びＺが、独立に、水素、ハロ、アルキル、アリール、アルカリール、アルアルキル、脂環基、アルコキシ、アリールオキシ、ヒドロカルビルカルボニル、ヒドロカルビルカルボキシ及びトリ（ヒドロカルビル）シリル基からなる群から選ばれ、前記ヒドロカルビル又はトリ（ヒドロカルビル）シリル基は炭素数が１〜２０であり；各Ｂ及びＹは、独立に、オルト位に置換基を有しアリール基、ｔｅｒｔ−アルキル基及びトリ（ヒドロカルビル）シリル基から選ばれ、Ｙは炭素数が３〜３０である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
各Ａが、独立に、水素、クロロ、ブロモ、ヨード、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソアミル、ｔｅｒｔ−アミル、ｔｅｒｔ−オクチル、メトキシ、アセチル［ＣＨ3Ｃ（Ｏ）−］、プロピオニル［ＣＨ3ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−］及びトリメチルアセトキシ［（ＣＨ3）3Ｃ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−］基から選ばれ；各Ｚは、独立に、ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−アミル、ｔｅｒｔ−オクチル、トリ（メチル）シリル、トリ（エチル）シリル、キシリル、ジメチルフェニル、ジエチルフェニル、トリメチルフェニル及びトリメチルアセトキシ基から選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
各Ｂが、独立に、ｔｅｒｔ−ブチル、トリメチルシリル、フェニル、３，５−ジメチルフェニル及び３，４，５−トリメチルフェニル基から選ばれ、各Ｙが、独立に、ｔｅｒｔ−ブチル及びトリメチルシリル基から選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
両方のＢがトリ（ヒドロカルビル）シリル基であるか、又は両方のＹがトリ（ヒドロカルビル）シリル基である請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
Ｘがメチレン（−ＣＨ2−）、エチレン（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，３−プロピレン（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−フェニレン（−Ｃ6Ｈ4−）、１，２−ナフチレン（−Ｃ10Ｈ6−）、２，３−ナフチレン（−Ｃ10Ｈ6）、３，５−ジクロロ−１，２−フェニレン、３，５−ジブロモ−１，２−フェニレン、３−ヨード−５−メチル−１，２−フェニレン、３，５−ジイソプロピル−１，２−フェニレン、３，５，６−トリクロロ−１，２−フェニレン、３−フェニル−１，２−フェニレン、１，１−ジエチル−１，１−メチレン、１，１−シクロへキシリデン、１，１−シクロへプチリデン及び３−イソプロピル−６−メチル−１，２−フェニレンからなる群から選ばれたアルキル又はアリールジラジカルである請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
各Ｒ1が水素、Ｃ1-6アルキル及びフェニル基からなる群から選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
ｎが０であり、組成物が式：
【化３】
2005519968.tif 000003
［式中、Ａ、Ｂ、Ｙ及びＺは請求項１で定義した通りである］
で表される請求項１に記載の組成物ＩＩａ。
【請求項９】
下記式：
【化４】
2005519968.tif 000004
【化５】
2005519968.tif 000005
【化６】
2005519968.tif 000006
【化７】
2005519968.tif 000007
【化８】
2005519968.tif 000008
【化９】
2005519968.tif 000009
【化１０】
2005519968.tif 000010
【化１１】
2005519968.tif 000011
【化１２】
2005519968.tif 000012
【化１３】
2005519968.tif 000013
【化１４】
2005519968.tif 000014
［式中、Ｘは２つの隣接結合部位を有するアリールラジカル又は炭素数１〜３のアルキルジラジカルである（Ｘは場合よっては更に炭素数１〜２０の１個又はそれ以上の置換基を含む）］からなる群から選ばれる請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
下記式：
【化１５】
2005519968.tif 000015
【化１６】
2005519968.tif 000016
【化１７】
2005519968.tif 000017
【化１８】
2005519968.tif 000018
【化１９】
2005519968.tif 000019
【化２０】
2005519968.tif 000020
【化２１】
2005519968.tif 000021
【化２２】
2005519968.tif 000022
【化２３】
2005519968.tif 000023
【化２４】
2005519968.tif 000024
【化２５】
2005519968.tif 000025
【化２６】
2005519968.tif 000026
【化２７】
2005519968.tif 000027
【化２８】
2005519968.tif 000028
【化２９】
2005519968.tif 000029
【化３０】
2005519968.tif 000030
【化３１】
2005519968.tif 000031
【化３２】
2005519968.tif 000032
【化３３】
2005519968.tif 000033
【化３４】
2005519968.tif 000034
からなる群から選ばれる請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
下記式：
【化３５】
2005519968.tif 000035
［式中、Ａ、Ｂ、Ｒ1、ｎ、Ｙ及びＺは請求項１に定義した通りである］
で表されるジクロロ−ビスホスファイト組成物を下記式：
【化３６】
2005519968.tif 000036
［式中、Ｘは請求項１に定義した通りである］
で表されるヒドロキシ酸と接触させることを含んでなる請求項１に記載の組成物ＩＩａの製造方法であって、前記接触を、塩基の存在下、請求項１に記載の組成物ＩＩａを調製するのに十分な反応条件下で実施する組成物ＩＩａを製造する方法。
【請求項１２】
ジクロロ−ビスホスファイト化合物対ヒドロキシ酸のモル比が０．７／１より大きく且つ１．３／１未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記塩基がトリアルキルアミン及びＮ−複素環化合物から選ばれる請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
ジクロロ−ビスホスファイトに対する塩基のモル比が２．２／１より大きいが２．７／１未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記温度が−３５℃より大きく且つ６０℃未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１の式から選ばれたホスオキソファイト配位子の少なくとも１つの分子に結合し、場合によっては、一酸化炭素、水素又は一酸化炭素と水素の両方に結合した第ＶＩＩＩ族遷移金属を更に含んでなる遷移金属錯体触媒又はその前駆体組成物。
【請求項１７】
前記第ＶＩＩＩ族遷移金属がルテニウム、ロジウム、コバルト及びイリジウムから選ばれる請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記第ＶＩＩＩ族遷移金属がロジウムである請求項１６に記載の組成物。
【請求項１９】
前記ホスオキソファイト配位子が請求項１０に記載の組成物から選ばれる請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
有機溶媒、遊離ホスオキソファイト配位子及びホスオキソファイト配位子の少なくとも１つの分子に結合した第ＶＩＩＩ族遷移金属を含む遷移金属錯体触媒又は錯体触媒前駆体組成物を含んでなる溶液であって、前記遊離及び結合ホスオキソファイト配位子が請求項１の式から選ばれる溶液。
【請求項２１】
前記第ＶＩＩＩ族遷移金属がルテニウム、ロジウム、コバルト及びイリジウムからなる群から選ばれる請求項２０に記載の溶液。
【請求項２２】
前記第ＶＩＩＩ族遷移金属がロジウムである請求項２０に記載の溶液。
【請求項２３】
前記遊離及び結合ホスオキソファイト配位子が独立に請求項１０に示されたホスオキソファイト配位子からなる群から選ばれる請求項２０に記載の溶液。
【請求項２４】
ホスオキソファイト配位子の少なくとも１つの分子に結合した第ＶＩＩＩ族遷移金属を含む遷移金属錯体触媒の存在下に、場合によっては、更に遊離ホスオキソファイト配位子の存在下において、カルボニル化可能な有機化合物を一酸化炭素と接触させることを含んでなるカルボニル化方法であって、前記結合及び遊離ホスオキソファイト配位子が請求項１に示した式から独立して選ばれ、前記接触を対応するカルボニル化有機化合物を製造するのに十分なカルボニル化条件下で実施するカルボニル化方法。
【請求項２５】
前記カルボニル化が単純なカルボニル化、ヒドロホルミル化、ヒドロアシル化、ヒドロシアノ化、ヒドロアミド化、ヒドロエステル化及びヒドロカルボキシル化を含む請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項２６】
前記第ＶＩＩＩ族遷移金属がルテニウム、ロジウム、コバルト及びイリジウムから選ばれる請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項２７】
前記遊離及び結合ホスオキソファイト配位子が、それぞれ独立に、請求項１０に示されたホスオキソファイト配位子から選ばれる請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項２８】
前記方法がオレフィン性不飽和脂肪族炭化水素を水素の存在下に一酸化炭素と接触させるヒドロホルミル化方法を含む請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項２９】
前記オレフィン性不飽和脂肪族炭化水素が２〜６０個の炭素原子及び１個又はそれ以上の不飽和基を含む請求項２８に記載のヒドロホルミル化方法。
【請求項３０】
前記オレフィン性不飽和脂肪族炭化水素がα−オレフィン、内部オレフィン、アルキルアルケノエート、アルケニルアルカノエート、アルケニルアルキルエーテル及びアルケノールからなる群から選ばれる請求項２８に記載のカルボニル化方法。
【請求項３１】
前記オレフィン性不飽和脂肪族炭化水素がエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−オクタデセン、２−ブテン、２−メチルプロペン（イソブチレン）、イソアミレン、２−ペンテン、２−ヘキセン、３−ヘキセン、２−ヘプテン、シクロヘキセン、プロピレン二量体、プロピレン三量体、プロピレン四量体、２−エチルヘキセン、スチレン、３−フェニル−１−プロペン、ブタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，７−オクタジエン、３−シクロヘキシル−１−ブテン、アリルアルコール、ヘキサ−１−エン−４−オール、オクタ−１−エン−４−オール、酢酸ビニル、酢酸アリル、酢酸３−ブテニル、プロピオン酸ビニル、１−ビニル−３−シクロヘキセン、プロピオン酸アリル、酪酸アリル、メタクリル酸メチル、ビニルエーテル、ビニルメチルエーテル、アリルエチルエーテル、ｎ−プロピル−７−オクテノエート、１−デセン酸メチル、３−ブテネニトリル、５−ヘキセンアミド、オレイン酸メチル、大豆油及びヒマシ油からなる群から選ばれる請求項２８に記載のカルボニル化方法。
【請求項３２】
飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、アルデヒド、ケトン、ニトリル及びアルデヒド縮合生成物からなる群から選ばれた溶媒の存在下に、前記カルボニル化方法を実施する請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３３】
請求項１に記載の式によって表されるホスオキソファイト配位子から選ばれた遊離ホスオキソファイト配位子の存在下に前記方法を実施する請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３４】
第ＶＩＩＩ族遷移金属に対するホスオキソファイト配位子のモル比が３／１より大きく且つ１００／１未満である請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３５】
前記カルボニル化プロセス温度が３０℃より高く且つ２００℃未満である請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３６】
前記カルボニル化方法の全圧が１ｐｓｉａ（７ｋＰａ）より高く且つ１０，０００ｐｓｉａ（６８，９４８ｋＰａ）未満である請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３７】
一酸化炭素分圧が１ｐｓｉａ（７ｋＰａ）より高く且つ１，０００ｐｓｉａ（６，８９５ｋＰａ）未満であり；ヒドロホルミル化方法において水素分圧が５ｐｓｉａ（３５ｋＰａ）より高く且つ１，０００ｐｓｉａ（６，８９５ｋＰａ）未満である請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【請求項３８】
一酸化炭素に対する水素ガスのＨ2／ＣＯモル比が１／１０より大きく且つ１００／１未満である請求項３７に記載のカルボニル化方法。
【請求項３９】
前記方法がヒドロホルミル化方法であり、前記プロセス温度が３０℃より高く且つ１５０℃未満である請求項２８に記載のカルボニル化方法。
【請求項４０】
遷移金属の濃度が１０ｐｐｍより高く且つ１，０００ｐｐｍ未満である請求項２４に記載のカルボニル化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本発明の好ましいカルボニル化方法に使用するオレフィン反応体は、直鎖、分岐鎖及び環状の式を含む、任意の末端又は内部オレフィン性不飽和脂肪族炭化水素であることができる。このようなオレフィンは、好ましくは炭素数が２〜２０で、１個又はそれ以上の不飽和基を含む。更に、このようなオレフィンは、本質的にヒドロホルミル化方法を不利に妨げることのない置換基、例えばカルボニル、カルボニルオキシ、ヒドロキシ、オキシカルボニル、ハロ、アルキルオキシ、アリール、ハロアルキルなどを含むことができる。適当なオレフィン性不飽和反応体の非限定的例としては、例えばα−オレフィン、内部オレフィン、アルキルアルケノエート、アルケニルアルカノエート、アルケニルアルキルエーテル、アルケノールなど；より具体的には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−オクタデセン、２−ブテン、２−メチルプロペン（イソブチレン）、イソアミレン、２−ペンテン、２−ヘキセン、３−ヘキセン、２−ヘプテン、シクロヘキセン、プロピレン二量体、プロピレン三量体、プロピレン四量体、２−エチルヘキセン、スチレン、３−フェニル−１−プロペン、ブタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４−シクロヘキサンジエン、１，７−オクタジエン、３−シクロヘキシル−１−ブテン、アリルアルコール、ヘキサ−１−エン−４−オール、オクタ−１−エン−４−オール、酢酸ビニル、酢酸アリル、酢酸３−ブテニル、プロピオン酸ビニル、１−ビニル−３−シクロヘキセン、プロピオン酸アリル、酪酸アリル、メタクリル酸メチル、ビニルエーテル、ビニルメチルエーテル、アリルエチルエーテル、ｎ−プロピル−７−オクテノエート、メチル１−デセノエート、３−ブテネニトリル、５−ヘキセンアミド、オレイン酸メチル、ヒマシ油、大豆油などが挙げられる。オレフィン出発原料の混合物も、所望ならば使用できる。好ましくは、カルボニル化方法は、炭素数２〜約６０のα−オレフィン及び炭素数４〜約６０の内部オレフィン並びにこのようなα−オレフィンと内部オレフィンとの混合物のヒドロホルミル化によるアルデヒドの製造に特に有用である。