【事件の表示】
　特願２００４−５５８１１１「キャップ層を有する半導体相互接続構造上に金属層を堆積させる方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月２４日国際公開，ＷＯ２００４／０５３９７９，平成１８年　３月２３日国内公表，特表２００６−５１０１９５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００３年１２月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１２月１１日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年６月１７日付けで拒絶の理由が通知され，同年９月１日に意見書と手続補正書が提出されたが，同年１１月２４日付けで拒絶査定されたものである。その後，平成２２年３月３１日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されると共に手続補正がなされ，平成２３年９月２０日付けで審尋がおこなわれ，同年１２月２１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年３月３１日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年３月３１日に提出された手続補正書でした補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２２年３月３１日に提出された手続補正書でした補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含むものであって，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「【請求項１】
　半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法であって，
　（ａ）キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体を含む相互接続構造を提供するステップと，
　（ｂ）前記誘電体層をパターン形成して，前記金属導体上の前記キャップ層を露出させる開口を形成するステップと，
　（ｃ）前記開口の壁面および底部にライナ層を堆積させるステップと，
　（ｄ）前記ライナ層およびキャップ層をスパッタ・エッチングして，前記金属導体を露出させるとともに，前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記ライナ層およびキャップ層を再堆積させるステップと，
　（ｅ）前記開口の壁面および底部に少なくとも１つの層を堆積させ，前記再堆積したライナ層およびキャップ層を被覆するステップとを含む方法。
【請求項２】
　前記少なくとも１つの層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）ＮおよびＷから選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　（ｆ）前記少なくとも１つの層上に銅シード層を堆積させるステップと，
　（ｇ）前記開口を銅で充填するステップとをさらに含む，請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
　前記キャップ層が，窒化ケイ素，炭化ケイ素，シリコンオキシカーバイド，水素化炭化ケイ素，二酸化ケイ素，および有機ケイ酸塩ガラスから選択される，請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
　前記ライナ層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）ＮおよびＷから選択され，前記少なくとも１つの層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）Ｎ，ＷおよびＣｕから選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記ライナ層がＴａＮであり，前記少なくとも１つの層がＴａである，請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　前記開口がビアまたはトレンチである，請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
　前記金属導体が，銅，タングステン，およびアルミニウムから選択される，請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
　スパッタ・エッチング用のガスが，Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ２，およびそれらの混合物から選択される，請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
　前記スパッタ・エッチングのステップにおいて，前記金属導体を少なくとも部分的にスパッタ・エッチングした後でスパッタ・エッチングを停止する，請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
　前記スパッタ・エッチングのステップにおいて，前記金属導体の上面でスパッタ・エッチングを停止する，請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】
　半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法であって，
　（ａ）キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体を含む相互接続構造を提供するステップと，
　（ｂ）前記誘電体層をパターン形成して，前記金属導体上の前記キャップ層を露出させる開口を形成するステップと，
　（ｃ）前記開口の壁面および底部に第１のライナ層を堆積させるステップと，
　（ｄ）前記第１のライナ層および前記キャップ層をスパッタ・エッチングして，前記金属導体を露出させるとともに，前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記第１のライナ層および前記キャップ層を再堆積させるステップと，
　（ｅ）前記開口の壁面および底部に第２のライナ層を堆積させ，再堆積した前記第１のライナ層および前記キャップ層を被覆するステップとを含む方法。
【請求項２】
　前記第２のライナ層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）ＮおよびＷから選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　（ｆ）前記第２のライナ層上に銅シード層を堆積させるステップと，
　（ｇ）前記開口を銅で充填するステップとをさらに含む，請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
　前記キャップ層が，窒化ケイ素，炭化ケイ素，シリコンオキシカーバイド，水素化炭化ケイ素，二酸化ケイ素，および有機ケイ酸塩ガラスから選択される，請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
　前記第１のライナ層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）ＮおよびＷから選択され，前記第２のライナ層が，ＴａＮ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｔｉ（Ｓｉ）Ｎ，ＷおよびＣｕから選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記第１のライナ層がＴａＮであり，前記第２のライナ層がＴａである，請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　前記開口がビアまたはトレンチである，請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
　前記金属導体が，銅，タングステン，およびアルミニウムから選択される，請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
　スパッタ・エッチング用のガスが，Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｎ２，Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ２，およびそれらの混合物から選択される，請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
　前記スパッタ・エッチングのステップにおいて，前記金属導体を少なくとも部分的にスパッタ・エッチングした後でスパッタ・エッチングを停止する，請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
　前記スパッタ・エッチングのステップにおいて，前記金属導体の上面でスパッタ・エッチングを停止する，請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。」
とするものである。
　
２　補正目的の適否について
　上記補正の内，請求項１についてする補正は，補正前の請求項１に係る発明における「少なくとも１つの層」を補正後に「第２のライナ層」と補正するとともに，補正前の請求項１の「ライナ層」を補正後の「第１のライナ層」とすることで，補正前の請求項１の「少なくとも１つの層」の当該「層」が「ライナ層」であることを具体的に限定するものであるから，上記補正は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正といえる。
　
３　独立特許要件について
　上記のとおり，請求項１についてした補正は，特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるから，この補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて更に検討する。
　
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特表２００２−５２１８４２号公報
（１ａ）「【技術分野】
　
本発明は，半導体装置の金属層配線に関し，特に，配線におけるコンタクト抵抗の低減に関する
　【発明の背景】
　典型的な集積回路は，集積回路からなる種々の半導体装置に電力を与え，これら半導体装置が電気的情報を共有／交換することを可能にする複数の金属経路を含んでいる。半導体回路内においては，金属層を相互に絶縁する中間層または「層間」誘電体を使用して，金属層が次々にスタックされる。しかし，典型的には，各金属層は追加の金属層に対する電気的コンタクトを形成しなければならない。
金属層対金属層の電気的コンタクトは，以下で更に説明するように，第一および第二の金属層を分離する層間誘電体に孔（即ち，ビア）をエッチングし，得られた孔またはビアに金属を充填して相互接続を形成することにより達成される
　
（１ｂ）「図１Ａ〜１Ｃは，二つの銅層（誘電体層D内の第一の銅層11aおよび第二の銅層11b）の間に配置された誘電体層中の孔を通しての，従来の銅配線10（図１Ｃ）の形成を示す一連の断面図である。図１Ａを参照すると，銅配線10を形成するために，第一の銅層11aを覆って二酸化シリコンの層間誘電体13が堆積される。次いで，層間誘電体13に第一のビア15がエッチングされ，第一の銅層11aが露出される。
　銅は酸素との反応性が高く，酸素に富む雰囲気に露出されると，高抵抗の酸化銅表面層を形成し易い。第一の層11aは銅であるから，第一の銅層11aが酸素または水蒸気（例えば空気）に曝されると，第一の銅層11aの頂面に高抵抗の酸化銅層11a'が形成される可能性がある。この酸化は，ビアがエッチングされたばかりのウエハーを，エッチング装置からメタライゼーション装置へと移動するときに生じ得る。露出された未酸化の銅の全部が酸化銅に変換されると，酸化銅の層11a'の形成は完了するであろう。従って，銅配線10の抵抗を最小にするためには，酸化銅の層11a'を除去しなければならない。
典型的には，酸化銅層11a'は，アルゴンプラズマ内で発生したアルゴンイオンのような，プラズマで発生したイオンを用いて酸化銅層11a'をスパッタリングすること（即ち，スパッタエッチング）によって除去される。アルゴンイオンは，ウエハーまたはウエハー支持体に印加された負の電圧バイアスにより，ウエハーに向けて加速される。これらのイオンはウエハーおよび充填されていないビアの底にある酸化銅層に衝突し，加速されたアルゴンイオンと酸化銅層11a'との間での運動量の移動によって，酸化銅層11a'（酸化銅の直ぐ下の銅を含む）から材料を駆逐する
　
銅原子11a''を含む駆逐された材料は，図１Ａに示すように，層間誘電体13を被覆する。駆逐された材料に含まれる銅原子11a''は，印加された電界（例えば装置電圧）の影響下で層間誘電体13に侵入し，その中をドリフトして，配線部から配線部への有害な漏れ電流（ビアからビアへの漏れ電流）を生じる可能性がある
従って，従来の銅配線は，未充填のビアの側壁に直接スパッタされた銅により誘起される誘電体破壊を防止するために元の場所に残留する高抵抗の酸化銅層11a'による欠点，またはビア／ビア漏れ電流を導く銅原子に誘起された誘電体劣化の欠点の何れかを受ける
　
酸化銅層11a'の除去に続いて，図１Ｂに示すように，層間誘電体13および第一の銅層を覆って，薄いバリア層17（例えば，タンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）が堆積される。このバリア層17は，その後に堆積される銅層（即ち，図１Ｃの第二の銅層）からの銅原子が，層間誘電体13の中に組込まれてこれを劣化するのを防止する
　従来の銅配線10を完成するために，図１Ｃに示すように，バリア層１７を覆う第二の銅層11bが，共形的にまたは銅プラグ11b'の形態で堆積される。銅の「種」層（図示せず）は，典型的には銅プラグ11b'を堆積する前に堆積される。従って，従来の銅配線10は，バリア層を介して第二の銅層11bと「コンタクト」した第一の銅層11aからなっている。」（【０００４】−【０００８】）
　
（１ｃ）「【発明の概要】
　本発明は，銅原子によるビアからビアへの漏れ電流経路がなく，好ましくは著しく減少した抵抗を有する銅配線を提供する。」（【００１１】）　
　
（１ｄ）「
本発明の第三の側面
　
バリア層，および層間誘電体の側壁上に再分布したキャッピング誘電体バリア層からの材料の両者が，スパッタエッチングされた銅原子が層間誘電体に達するを防止する
　
（１ｅ）「図３Ａ〜図３Ｃは，
本発明の第一の側面
　
CVD，PVD，電着または周知の他の金属堆積技術を使用して第一の金属層が堆積され，該金属層は誘電体層を貫通するビアコンタクトを介して，下地の半導体ウエハーに形成された装置に接続される
（１ｆ）「図５Ａ〜図５Ｃは，本発明の第三の側面に従った第三の銅配線63（図５Ｃ）の形成を示す一連の断面図である。図５Ａを参照すると，図４Ｄの第二の銅配線53と同様に，
第一の金属層（例えば第一の銅層67a）
キャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）が堆積される
層間誘電体69を堆積
該層間誘電体69にビアを形成して，窒化シリコン層65を露出
　層間誘電体層の堆積およびその中のビア69'の形成に続き，
層間誘電体69および露出された窒化シリコン層65を覆うバリア層（例えばタンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）を堆積
バリア層71，窒化シリコン層65，および形成され得る如何なる酸化銅層67a'も，先に説明したようにして，アルゴンプラズマによりスパッタエッチング
バリア層71，窒化シリコン層65，および如何なる酸化銅層67a'をもスパッタエッチするときに，各層からの材料はビア69'の側壁に沿って再分布される
酸化銅層67a'からスパッタエッチされる銅原子67a''は，バリア層71上およびビア69'の側壁を被覆する再分配された窒化シリコン材料の上に堆積する。バリア層71および窒化シリコン層65の両者は銅原子に対する拡散バリアであるから，銅原子67a''は層間誘電体69に達することができず，従ってビアからビアへの漏れ電流を発生しない
　
バリア層71および露出した第一の銅層67aを覆う第二の銅層67bを堆積する
　図３Ｃの銅配線43のバリア層51の場合のように，
ビア69'の側壁への（図５Ｃの銅配線63の）バリア層71の堆積，並びにバリア層71，窒化シリコン層65，およびビア69'の底にある幾らかの酸化銅のスパッタエッチングは，（例えば，高密度プラズマスパッタリングチャンバ内で）好ましくは同時に起る
　
（１ｇ）図５Ａは，引用例１に記載された発明の第三の側面に従う銅配線の形成を示す一連の断面図の一つであって，上記摘記（１ｆ）の記載を参酌すれば，同図から，キャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）および層間誘電体69で被覆された第一の金属層（例えば第一の銅層67a）含む相互接続構造の，前記層間誘電体69がパターン形成されて形成された，前記第一の金属層（例えば第一の銅層67a）上の前記キャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）を露出するビアの壁面および底部に，バリア層（例えばタンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）が堆積している構造を読み取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｆ），（１ｇ）を総合勘案すれば，引用例１には，引用例１に記載された発明の第三の側面に従った以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第一の金属層（例えば第一の銅層67a）を覆うキャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）を堆積する工程と，
　前記窒化シリコン層65を覆う層間誘電体69を堆積する工程と，
　前記層間誘電体69にビアを形成して，前記窒化シリコン層65を露出させる工程と，
　前記ビアの側面及び底部にバリア層71（例えばタンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）を堆積する工程と，
　前記バリア層71，前記窒化シリコン層65，および形成され得る如何なる酸化銅層67a'も，アルゴンプラズマによりスパッタエッチングする工程であって，前記バリア層71，前記窒化シリコン層65，および如何なる酸化銅層67a'をもスパッタエッチするときに，各層からの材料は前記ビア69'の側壁に沿って再分布される工程と，
　前記バリア層71および露出した前記第一の銅層67aを覆う第二の銅層67bを堆積する工程とを含む方法。」
　
ウ　引用例２：特開２０００−３２３５７１号公報
（２ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置の製造方法に関し，詳しくはダマシン法，デュアルダマシン法等の埋め込み技術を用いた半導体装置の製造方法に関する。」（【０００１】）
　
（２ｂ）「【従来の技術】ＬＳＩデバイスの微細化，高速化の要求から，配線抵抗の低減，信頼性の向上が望まれている。これを実現するべく，従来のアルミニウム合金配線に比べて抵抗が低くエレクトロマイグレーション耐性の高い銅配線が検討され，一部実用化されている。」（【０００２】）
　
（２ｃ）「一方，配線材料の銅は，酸化シリコン等の層間絶縁膜中に移動する性質を有する。そのため，銅配線の形成では，銅と絶縁膜との間にバリアメタル層を形成する必要がある。バリアメタルには，従来より用いられてきた窒化チタンの他にタンタル，窒化タンタル，窒化タングステン等が用いられている。そのバリアメタル層の形成には，一般に，スパッタリング，化学的気相成長法等が用いられている。」（【０００５】）
　
（２ｄ）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記銅の溝配線の形成方法では，アルゴンスパッタエッチングにより，下層銅配線の表面に生成されている自然酸化膜を除去することはできるが，下層銅配線の表面がスパッタされ，そのスパッタされた銅が接続孔の側壁に付着する。すなわち，スパッタされた銅が層間絶縁膜に直接接触する状態に付着する。層間絶縁膜の接続孔が形成されている部分は，通常，酸化シリコン膜で形成されている。そのため，窒化タンタル等のバリアメタル層を形成して，埋め込んだ銅と層間絶縁膜とが接触しないようにしても，接続孔の側壁に付着した銅がその後の加熱工程等のプロセスにより層間絶縁膜中に移動し，配線間リーク等の問題を引き起こしていた。」（【０００９】）
　
（２ｅ）「また，上記溝配線の形成方法では，溝，接続孔等に配線材料となる銅を埋め込んだ後，余剰の銅やバリアメタルをＣＭＰにより除去している。このバリアメタルとしては，バリア性，銅との密着性の観点から，タンタルもしくは窒化タンタルを用いる場合が多い。しかしながら，バリアメタル層のような厚さのタンタル系材料のＣＭＰは一般的に容易ではなく，研磨残りが生じ易い。そして研磨残りが生じた場合には，配線間のショートが発生することがあった。」（【００１０】）
　
（２ｆ）「【課題を解決するための手段】本発明は，上記課題を解決するためになされた半導体装置の製造方法であり，層間絶縁膜に凹部を形成する工程と，凹部の内面に第１のバリアメタル層を形成する工程と，凹部の底部の第１のバリアメタル層を選択的に除去して凹部の底部を露出させる工程と，凹部の底部に対してスパッタエッチングを行う工程と，凹部の内面に第１のバリアメタル層を介して第２のバリアメタル層を形成する工程とを備えている。」（【００１１】）
　
（２ｇ）「上記半導体装置の製造方法では，凹部の内面に第１のバリアメタル層を形成してから，凹部の底部の第１バリアメタル層を選択的に除去して凹部の底部を露出させることから，凹部の側壁に第１のバリアメタル層が残される。そして凹部の底部に対してスパッタエッチングすることから，凹部の底部に金属もしくは金属化合物からなる配線もしくは電極のような導電体が形成されている場合，その表面に生成されている自然酸化膜を除去することが可能になる。その際，スパッタされた導電体が凹部の側壁に付着しても，側壁には第１のバリアメタル層が形成されているので，その付着物が層間絶縁膜に直接に接触することはない。このため，導電体が銅配線であって，付着物が銅もしくは銅合金であっても，第１のバリアメタル層により層間絶縁膜方向への銅の移動が阻止されるので，銅が層間絶縁膜中に移動することはない。」（【００１２】）
　
（２ｈ）「また，第２のバリアメタル層は，銅との密着性を有し，かつ凹部の内部の段差被覆性が確保されればよい。例えば，凹部が溝とその溝の底部の一部に形成した接続孔とからなる場合には，その溝底部の段差被覆性が確保されればよい。したがって，第２のバリアメタル層は，従来のバリアメタル層よりも薄く形成することができるので，従来のバリアメタル層のような厚さに形成する必要はない。そのため，第２のバリアメタル層を形成した後，凹部内に導電体を埋め込んで，例えばＣＭＰによって層間絶縁膜上の余分な導電体を除去する際に，層間絶縁膜上の第２のバリアメタル層はＣＭＰによって，研磨残りを生じることなく容易に除去されるようになる。」（【００１３】）
　
（２ｉ）「また，第２のバリアメタル層を形成するので，層間絶縁膜最表面での銅との密着性を確保することができ，かつ凹部内の溝底部の段差被覆性が確保できる。しかも，第２のバリアメタル層は従来のバリアメタル層のような厚さに形成する必要がないので，凹部内に埋め込んだ導電体を例えばＣＭＰによって除去する際に，層間絶縁膜上の第２のバリアメタル層はＣＭＰによって研磨残りを生じることなく容易に除去することができる。」（【００３８】）
　
（２）対比
ア　引用発明の「第二の銅層67b」は，「金属層」といえる。また，引用例１の上記摘記（１ａ）の「
本発明は，半導体装置の金属層配線に関し
相互接続を形成
本発明の第一の側面
下地の半導体ウエハーに形成された装置に接続
　
イ　引用発明の「キャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）」，「層間誘電体69」及び「第一の金属層（例えば第一の銅層67a）」は，それぞれ本願補正発明１の「キャップ層」，「誘電体層」，及び，「キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体」に相当する。そうすると，引用発明の「第一の金属層（例えば第一の銅層67a）を覆うキャッピングバリア層（例えば，窒化シリコン層65）を堆積する工程と，前記窒化シリコン層65を覆う層間誘電体69を堆積する工程と」からなるステップは，本願補正発明１の「キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体を含む相互接続構造を提供するステップ」に相当するといえる。
　
ウ　引用発明の「ビアを形成」は，「パターン形成」といえる。また，引用発明の「ビア」は，本願補正発明１の「開口」に相当する。
　
エ　引用発明の「バリア層71（例えばタンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）」は，「ライナ層」といえる。
　
オ　引用発明の「再分布」は，本願補正発明１の「再堆積」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法であって，
　（ａ）キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体を含む相互接続構造を提供するステップと，
　（ｂ）前記誘電体層をパターン形成して，前記金属導体上の前記キャップ層を露出させる開口を形成するステップと，
　（ｃ）前記開口の壁面および底部に第１のライナ層を堆積させるステップと，
　（ｄ）前記第１のライナ層および前記キャップ層をスパッタ・エッチングして，前記金属導体を露出させるとともに，前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記第１のライナ層および前記キャップ層を再堆積させるステップとを含む方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１が，「開口の壁面および底部に第２のライナ層を堆積させ，再堆積した第１のライナ層およびキャップ層を被覆するステップ」を含むに対して，引用発明はこの点が明らかでない点。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例２の上記摘記（２ａ）−（２ｃ）には，半導体装置の製造という技術分野において，従来のアルミニウム合金配線に比べて抵抗が低くエレクトロマイグレーション耐性の高い銅配線が検討され，一部実用化されているが，この配線材料の銅は，酸化シリコン等の層間絶縁膜中に移動する性質を有するので，これを防ぐために，銅配線の形成では，銅と絶縁膜との間に，窒化チタン，タンタル，窒化タンタル，窒化タングステン等からなるバリアメタル層を形成することが従来の技術として知られていたことが開示されている。
　
イ　そして，引用例２の上記摘記（２ｄ）−（２ｅ）から，前記の従来の技術が，二つの解決すべき課題を有すること，すなわち，（ア）銅の溝配線の形成方法では，アルゴンスパッタエッチングにより，下層銅配線の表面がスパッタされ，そのスパッタされた銅が，層間絶縁膜に形成された接続孔の側壁に直接接触する状態で付着するため，そのスパッタ後に，窒化タンタル等のバリアメタル層を形成して，埋め込んだ銅と層間絶縁膜とが接触しないようにしても，接続孔の側壁に付着した銅がその後の加熱工程等のプロセスにより層間絶縁膜中に移動し，配線間リーク等の問題を引き起こすこと，及び，（イ）上記溝配線の形成方法では，溝，接続孔等に配線材料となる銅を埋め込んだ後，余剰の銅やバリアメタルをＣＭＰにより除去するが，バリアメタル層のような厚さのタンタル系材料のＣＭＰは一般的に容易ではないので研磨残りが生じ易く，研磨残りが生じた場合には，配線間のショートが発生することがあるという二つの解決すべき課題があったことを理解することができる。
　
ウ　一方，引用例２の上記摘記（２ｆ）には，上記の二つの課題を解決するための手段として，層間絶縁膜に凹部を形成する工程と，凹部の内面に第１のバリアメタル層を形成する工程と，凹部の底部の第１のバリアメタル層を選択的に除去して凹部の底部を露出させる工程と，凹部の底部に対してスパッタエッチングを行う工程と，凹部の内面に第１のバリアメタル層を介して第２のバリアメタル層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法という引用例２に記載された発明が開示されており，同摘記（２ｇ）−（２ｉ）から，（ア）上記の半導体装置の製造方法における，凹部の内面に第１のバリアメタル層を形成したことによる効果が，スパッタされた導電体が凹部の側壁に付着しても，側壁には第１のバリアメタル層が形成されているので，その付着物が層間絶縁膜に直接に接触することはなく，付着物が銅もしくは銅合金であっても，第１のバリアメタル層により層間絶縁膜方向への銅の移動が阻止され，銅が層間絶縁膜中に移動することはないことであり，また，（イ）第２のバリアメタル層を形成したことによる効果が，銅との密着性を確保することができ，かつＣＭＰによって層間絶縁膜上の余分な導電体を除去する際に，層間絶縁膜上の第２のバリアメタル層をＣＭＰによって，研磨残りを生じることなく容易に除去できることであると理解することができる。
　
エ　一方，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｂ）から，引用発明の属する技術分野が，半導体装置の金属配線に関するものであり，かつ，引用発明の前提となる従来の技術として，第一の銅層を覆って二酸化シリコンの層間誘電体を堆積し，次いで，前記層間誘電体に第一のビア15をエッチングし第一の銅層を露出し，前記層間誘電体および第一の銅層を覆って，その後に堆積される銅層からの銅原子が前記層間誘電体の中に組込まれてこれを劣化するのを防止するための薄いバリア層（例えば，タンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）を堆積し，その後，第二の銅層を，共形的にまたは銅プラグの形態で堆積する銅配線の形成方法が知られていたこと，及び，前記従来の技術が，第一の銅層の頂面に形成された高抵抗の酸化銅層をアルゴンイオンを用いたスパッタエッチングによって除去するにあたり，駆逐された銅原子を含む材料が前記層間誘電体を被覆し，前記駆逐された材料に含まれる銅原子が，印加された電界の影響下で前記層間誘電体に侵入し，その中をドリフトして，配線部から配線部への有害な漏れ電流を生じる可能性があるという解決すべき課題を有していたことを理解することができる。
　
オ　そして，引用発明は，前記課題を解決する手段として，前記従来の技術の，アルゴンプラズマによりスパッタエッチングする工程の前に，ビアの側面及び底部にバリア層71（例えばタンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステンまたは窒化タングステン）を堆積する工程を付加したものであると理解することができる。
　
カ　そうすると，引用発明と引用例２に記載された半導体の製造方法は，いずれも，半導体装置の金属配線に関するものである点でその属する技術分野を共通とし，また，それぞれが従来の技術として，銅と絶縁膜との間に，配線材料の前記銅が，前記絶縁膜中に移動することを防ぐための窒化タンタル等からなるバリアメタル層を形成する銅配線の形成方法を開示しており，更に，両者は，いずれも，前記従来の技術の解決すべき課題として，アルゴンスパッタエッチングにより，下層銅配線の表面がスパッタされ，そのスパッタされた銅が，層間絶縁膜に形成された接続孔の側壁に直接接触する状態で付着するため，そのスパッタ後に，窒化タンタル等のバリアメタル層を形成して，埋め込んだ銅と層間絶縁膜とが接触しないようにしても，接続孔の側壁に付着した銅がその後の加熱工程等のプロセスにより層間絶縁膜中に移動し，配線間リーク等の問題を引き起こすことであることを示したうえで，前記課題を解決する手段として，両者のいずれもが，従来の技術のアルゴンプラズマによりスパッタエッチングする工程の前に前記接続孔の少なくとも側壁にバリア層を堆積する構成を採用している点で一致するから，引用例２に記載された半導体の製造方法は，引用発明に極めて近い技術分野の属する発明であると認められる。
　
キ　してみれば，引用発明と引用例２の前記記載に接した当業者であれば，引用発明の構成を採用して，従来の技術が有する課題を解決するにあたり，引用発明と極めて近い技術分野の属する発明であると認められる引用例２に記載された半導体の製造方法において用いられている，スパッタエッチングする工程の後に「凹部の内面に第１のバリアメタル層を介して第２のバリアメタル層を形成する工程」を設けたことにより得られる「銅との密着性を確保することができ，かつＣＭＰによって層間絶縁膜上の余分な導電体を除去する際に，層間絶縁膜上の第２のバリアメタル層をＣＭＰによって，研磨残りを生じることなく容易に除去できる」という効果に着目して，引用発明においても「銅との密着性」及び「研磨残りを生じることなく容易に除去できる」ことが望ましいことに思い至り，引用発明に，引用例２に記載された半導体の製造方法に係る発明を適用して，スパッタエッチングする工程の後に「凹部の内面に第１のバリアメタル層を介して第２のバリアメタル層を形成する工程」を設けること，すなわち，引用発明において，前記相違点１について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
ク　なお，審判請求人は，審判請求書において，「この点につき，引例２を参照してみると，引例２は，接続孔の底部に形成された第１のバリアメタル層を除去した後に，改めて当該接続孔の内面に第２のバリアメタル層を形成しており，開口に対して２つの金属層を積層する点で本願発明と一部共通するものの，上記構成（ｄ）における「前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記第１のライナ層および前記キャップ層を再堆積させるステップ」を開示するものではなく，当然にして，上記構成（ｅ）における「再堆積した前記第１のライナ層および前記キャップ層を被覆するステップ」については何ら開示するものでも示唆するものでもありません。 
 　さらに，引例１および引例２を寄せ集めてみても，本願の請求項１の発明が，スパッタ・エッチングの工程で第１のライナ層とキャップ層の一部をビアの側壁に再堆積させ，さらに第２のライナ層で被覆することにより，これを銅拡散バリア材料として機能させ，もって，エレクトロマイグレーションおよびＴＤＤＢの問題を回避するという技術的思想については，引例１および引例２は何ら開示するものでも示唆するものでもなく，何ら動機付けを与えるものではありません。」と主張するので，以下検討する。
　
ケ　上記の「（２）対比　＜一致点＞」で検討したように，引用発明は，本願補正発明１の「（ｄ）前記第１のライナ層および前記キャップ層をスパッタ・エッチングして，前記金属導体を露出させるとともに，前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記第１のライナ層および前記キャップ層を再堆積させるステップ」に相当する工程を有するといえる。そして，上記の「（３）相違点についての判断　・相違点１について」で検討したように，引用発明に，引用例２に記載された半導体の製造方法に係る発明を適用して，スパッタエッチングする工程の後に「凹部の内面に第１のバリアメタル層を介して第２のバリアメタル層を形成する工程」を設けることは当業者が容易に想到し得たことであると認められるところ，スパッタエッチングした工程の後に形成する前記「第２のバリアメタル層」が，引用発明の「開口の側壁に少なくとも部分的に再堆積された第１のライナ層およびキャップ層」を被覆することは明らかであるから，引用発明と引用例２に記載された事項に接した当業者であれば，引用発明に，構成（ｅ）における「再堆積した前記第１のライナ層および前記キャップ層を被覆するステップ」を付加して本願補正発明１の構成とすることは容易になし得たことであるといえる。
　また，上記の「（３）相違点についての判断　・相違点１について」で検討したように，引用発明に，引用例２に記載された半導体の製造方法に係る発明を適用する動機づけを認めることができる。
　
コ　さらに，引用例１の上記摘記（１ｄ）の「しかし，第二の側面とは異なり，該バリア層はスパッタエッチングに先立って，キャッピング誘電体バリア層および層間誘電体の上に堆積される。その後，バリア層，キャッピング誘電体バリア層，および第一の銅層上の如何なる酸化銅もエッチングされ，露出された第一の銅層の上に第二の銅層が直接堆積される。
バリア層，および層間誘電体の側壁上に再分布したキャッピング誘電体バリア層からの材料の両者が，スパッタエッチングされた銅原子が層間誘電体に達するを防止する
酸化銅層67a'からスパッタエッチされる銅原子67a''は，バリア層71上およびビア69'の側壁を被覆する再分配された窒化シリコン材料の上に堆積する。バリア層71および窒化シリコン層65の両者は銅原子に対する拡散バリアであるから，銅原子67a''は層間誘電体69に達することができず，従ってビアからビアへの漏れ電流を発生しない
　そうすると，引用発明と本願補正発明１とは，スパッタ・エッチングの工程で第１のライナ層とキャップ層の一部をビアの側壁に再堆積させ，これを銅拡散バリア材料として機能させるという技術的思想において共通するといえる。
　
サ　したがって，スパッタ・エッチングの工程で第１のライナ層とキャップ層の一部をビアの側壁に再堆積させ，さらに第２のライナ層で被覆することにより，これを銅拡散バリア材料として機能させるという技術的思想は，引用例１および引用例２に記載された事項から当業者が容易に想到し得たことであり，また，引用発明に引用例２に記載された半導体製造方法に係る発明を適用する動機づけの存在も認めることができるから，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用例１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年３月３１日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１１に係る発明は，平成２１年９月１日に提出された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１１に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「半導体ウェハの相互接続構造上に金属層を堆積させる方法であって，
　（ａ）キャップ層および誘電体層で被覆された金属導体を含む相互接続構造を提供するステップと，
　（ｂ）前記誘電体層をパターン形成して，前記金属導体上の前記キャップ層を露出させる開口を形成するステップと，
　（ｃ）前記開口の壁面および底部にライナ層を堆積させるステップと，
　（ｄ）前記ライナ層およびキャップ層をスパッタ・エッチングして，前記金属導体を露出させるとともに，前記開口の側壁に少なくとも部分的に前記ライナ層およびキャップ層を再堆積させるステップと，
　（ｅ）前記開口の壁面および底部に少なくとも１つの層を堆積させ，前記再堆積したライナ層およびキャップ層を被覆するステップとを含む方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項は，上記「第２　３　（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　３　（３）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様の理由で，引用例１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。