【事件の表示】
　特願２００７−５４９４１５「高効率スイッチモード電力増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月１３日国際公開、ＷＯ２００６／０７３７０１、平成２０年　７月２４日国内公表、特表２００８−５２７８０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年１２月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１２月３１日、米国、２００５年５月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年７月９日付けで手続補正がなされ、同年９月１０日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２１年２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２１年５月２８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「高周波アプリケーションのためのスイッチモード電力増幅器であって、
　ａ）第１端子と、第２端子と、そして制御端子とを有し、かつ、前記第１端子と第２端子との間に内部キャパシタンスを有するトランジスタと、
　ｂ）前記制御端子に結合された信号入力端子と、
　ｃ）前記第２端子に伝導的に結合された電力端子と、
　ｄ）前記第１端子に結合されたアース端子と、
　ｅ）前記第２端子を出力端子に結合する共振回路と、
　ｆ）前記出力端子をアース端子に結合する抵抗と
を備え、
　それによって、入力信号が、前記トランジスタの伝導を制御し、電源から前記第２端子への電流が増加する状態で前記トランジスタが伝導する時には、前記第２端子がアースに結合され、そして、前記トランジスタがオフにされた時には、前記電源からの電流が前記トランジスタの前記内部キャパシタンスへと流れ、前記第２端子での電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、前記第２端子の電圧が、前記共振回路を通じて前記出力端子の電圧と等しくなっており、
　前記トランジスタが、前記第１端子はソース端子であり、かつ、前記第２端子はドレイン端子であるような化合物半導体電界効果トランジスタであり、化合物半導体基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたチャネル層と、チャネル上に形成されたバリア層とを備え、
　前記トランジスタが高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備え、前記化合物半導体基板が広バンドギャップ化合物材料であることを特徴とするスイッチモード電力増幅器。」
　
３．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２５４０１４号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特表２００４−５１７４６１号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例１）
Ａ．「（産業上の利用分野）
　本発明は、通信機器等の出力段に用いられる電力増幅器に係り、特に高効率化をはじめとする高性能化をした高周波電力増幅器に関する。」（第１頁左下欄第１８行〜第１頁右下欄第１行）
　
Ｂ．「高周波電力増幅器の効率をさらに高めるためにＥ級やＦ級動作が提案されている。これらの動作はいずれも半導体素子を高周波で作動するスイッチとして利用するもので、半導体素子の持つ基本的増幅機能を利用するＡ級、Ｂ級、Ｃ級動作とは概念的に異なる動作モードである。いずれの動作も利得が高く理論効率が１００％であるために電力付加効率としてＣ級より高効率である。Ｅ級とＦ級の違いは高周波成分も含めた出力負荷のインピーダンス条件の差による。以下、第３図により従来のＦＥＴを用いたＦ級動作を例にスイッチングによる高効率電力増幅器を説明する。
　第３図（ａ）で１０はソース接地のＦＥＴで、このＦＥＴｌ０のドレインにはＲＦチョーク１２を介してＤＣ電源端子１１が接続されると共に出力インピーダンス回路１３を介して電力増幅器の負荷（５０オーム）１４が接続される。ＦＥＴ１０のゲートはＲＦ阻止用の高抵抗１６を介してほぼピンチオフ近傍の電圧−Ｖｐにバイアスされる。入力信号は端子１５に印加され、ＲＦ信号が正の時ＦＥＴｌ０を導通、負の時非導通の状態にオン、オフする。これは第３図（ｂ）に示す様な入力信号の周期に同期したスイッチ１９を含む回路と考えられ、スイッチ１９のオン状態においてはスイッチ１９の端子電圧ｖは０となり、オフ状態においてはスイッチ１９を流れる電流ｉが０となる。具体的な電流電圧波形はスイッチ１９から負荷１４側を見たインピーダンスＺ（ω）による。ここでωは角周波数である。」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁右上欄第４行）
　
Ｃ．「（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、（７）式からわかる様に出力電力はスイッチ素子電流ＩＯと電圧ＶＯの積で定まるので、所要の高出力電力を得るには電流か電圧のいずれかを増やさねばならない。ところが、半導体素子の耐電圧には限度があり、例えば高周波ＧａＡｓＦＥＴではゲート・ドレイン間の耐圧は２０Ｖ程度、従ってドレイン・ソース間ではおよそ１５Ｖが限度である。そこで高出力化のためには電流を増やす事で対処せざるを得ない。」（第２頁左下欄第８行〜第２頁左下欄第１７行）
　
　ここで、
（ア）上記Ａに記載されているように、引用例１記載のものにおける高周波電力増幅器は、通信機器等の出力段に用いられる電力増幅器であるから、高周波アプリケーションのための電力増幅器であるといえる。
（イ）上記Ｂに記載された高周波電力増幅器は、半導体素子を高周波で作動するスイッチとして利用する動作モードのものであるから、スイッチモード電力増幅器であるといえる。
（ウ）上記Ｂ及び第３図（ａ）に記載されたＦＥＴ１０は、トランジスタの一種であることは明らかである。
（エ）上記Ｂ及び第３図（ａ）に記載されたＤＣ電源端子１１は、ＦＥＴ１０のドレインにＲＦチョーク１２を介して接続されているから、ドレインに伝導的に結合されたものであるといえる。
（オ）上記Ｂ及び第３図（ａ）に記載されたＦＥＴ１０は、ソース接地されたものであるから、ソースに結合されたアース端子を備えるものであるといえる。
（カ）上記Ｂ及び第３図（ａ）に記載された負荷１４は、電力増幅器の出力端子をアース端子に結合する抵抗であると解される。
（キ）上記Ｂ及び第３図（ａ）に記載されたＦＥＴ１０として、上記Ｃに記載されたＧａＡｓＦＥＴをも使用し得ると認められ、このＧａＡｓＦＥＴからなるＦＥＴ１０は、化合物半導体電界効果トランジスタであるといえる。
　
　よって、上記Ａ〜Ｃの記載及び関連する図面を参照すると、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例１記載の発明」という。）
「高周波アプリケーションのためのスイッチモード電力増幅器であって、
　ａ）ソースと、ドレインと、そしてゲートとを有するトランジスタと、
　ｂ）前記ゲートに結合された端子１５と、
　ｃ）前記ドレインに伝導的に結合されたＤＣ電源端子１１と、
　ｄ）前記ソースに結合されたアース端子と、
　ｅ）前記ドレインを出力端子に結合する出力インピーダンス回路１３と、
　ｆ）前記出力端子をアース端子に結合する抵抗と
を備え、
　前記トランジスタが、化合物半導体電界効果トランジスタであるスイッチモード電力増幅器。」
　
（引用例２）
Ｄ．「【０００２】
（発明の背景）
（発明の分野）
本発明は、高周波のソリッドステートトランジスタ（ｓｏｌｉｄ　ｓｔａｔｅ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に関し、より詳しくは、ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタおよび高電子移動度トランジスタに関する。
【０００３】
（関連技術の説明）
マイクロ波システムは、一般に、ソリッドステートトランジスタを増幅器および発信器として使用しており、それにより、システムサイズ（ｓｙｓｔｅｍ　ｓｉｚｅ）を著しく小さくし、信頼性を増大させた。拡大するマイクロ波システムに対処するためには、その動作周波数および動作電力を増すことが重要である。周波数信号が高いほどより多くの情報（帯域幅）を伝達することができ、非常に高い利得を持つより小さいアンテナが可能となり、解像度の改良されたレーダを提供する。
【０００４】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）および高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）は、一般タイプのソリッドステートトランジスタであって、シリコン（Ｓｉ）または砒化ガリウム（ＧａＡｓ）等の半導体材料から作られる。Ｓｉの１つの不都合は、それが低い電子移動度（約１４５０ｃｍ2／Ｖ−ｓ）を持ち、それによって高いソース（ｓｏｕｒｃｅ）抵抗を生むことである。この抵抗のため、そうでなければＳｉに基づくＦＥＴおよびＨＥＭＴから得ることが可能な高性能の利得がひどく低下される。［ＣＲＣ　Ｐｒｅｓｓ，Ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ，Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｄｏｒｆ，ｐ．９９４，（１９９７）］
【０００５】
ＧａＡｓもまたＦＥＴおよびＨＥＭＴに用いる一般的な材料であり、民間用および軍事用レーダ、ハンドセットセルラー（ｈａｎｄｓｅｔ　ｃｅｌｌｕｌａｒ）通信、および、衛星通信における信号増幅の標準となっている。ＧａＡｓは、Ｓｉより高い電子移動度（約６０００ｃｍ2／Ｖ−ｓ）および低いソース抵抗を持っており、そのことが、ＧａＡｓベースのデバイスがより高い周波数で機能することを可能にしている。しかしながら、ＧａＡｓは比較的小さいバンドギャップ（室温で１．４２ｅＶ）および比較的小さい降伏電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　ｖｏｌｔａｇｅ）を有しており、そのことが、ＧａＡｓベースのＦＥＴおよびＨＥＭＴが高周波数において高い電力を提供することを妨げる。
【０００６】
ＧａＮ／ＡｌＧａＮ半導体材料の製造における改良は、ＧａＮ／ＡｌＧａＮベースのＦＥＴおよびＨＥＭＴの開発に重点が絞られてきた。これらのデバイスは、高い降伏電界、広いバンドギャップ（室温のＧａＮで３．３６ｅＶ）、大きな伝導帯オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）、高い飽和電子ドリフト速度等を含む材料特性の独特の組合せによって大量の電力を発生することができる。同じ周波数で作動させて、同じ大きさのＧａＮ増幅器が、ＧａＡｓ増幅器の電力の１０倍まで生ずることができる。」
　
Ｅ．「【００１７】
（発明の詳細な説明）
（新規ＧａＮ／ＡｌＧａＮのＦＥＴおよびＨＥＭＴ）
図１は、本発明に従って組み立てた新規なＩＩＩ族窒化物ベースのＦＥＴ１０を示す。それは、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のいずれかであり得る基板１１を含み、好ましい基板は、４Ｈポリタイプの炭化ケイ素である。３Ｃ、６Ｈおよび１５Ｒポリタイプを含む他のポリタイプの炭化ケイ素もまた使用することができる。ＡｌxＧａ1-xＮバッファ層１２（ただし、ｘは０と１の間）が基板１１の上にあり、ＦＥＴ１０の炭化ケイ素基板とその他のものとの間の適切な結晶構造の遷移（ｃｒｙｓｔａｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を提供する。
【００１８】
炭化ケイ素は、ＩＩＩ族窒化物に対して、サファイアよりはるかに近い結晶格子整合を有しており、より高い品質のＩＩＩ族窒化物薄膜をもたらす。炭化ケイ素はまた、非常に高い熱伝導性を有しており、そのため炭化ケイ素上のＩＩＩ族窒化物デバイスの全出力能力は、（サファイア上に形成したデバイスの場合よくあるように）基板の熱散逸によって制限されない。また、炭化ケイ素基板の入手のし易さがデバイスを分離する余地および低減された寄生キャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を提供し、デバイスの工業化を可能にする。ＳｉＣ基板は、ノースカロライナ州ダラムのＣｒｅｅ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．から入手でき、それらを製造する方法は、科学文献ならびに米国特許再発行特許明細書第３４，８６１号、米国特許第４，９４６，５４７号、同第５，２００，０２２号に明らかにされている。
【００１９】
ＩＩＩ族窒化物とは、窒素と、周期律表のＩＩＩ族元素、通常は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）の間で形成される半導体化合物を指す。この用語はまた、ＡｌＧａＮおよびＡｌＩｎＧａＮ等の、３つからなる（ｔｅｒｎａｒｙ）および３次の（ｔｅｒｔｉａｒｙ）化合物を指す。
【００２０】
ＦＥＴ１０は、ＡｌxＧａ1-xＮで形成されているバリア層１８を有しており、それはＧａＮで形成されている高比抵抗をもつ非伝導層２０の上にある。その高比抵抗層２０は、バリア層１８とバッファ層１２の間に挟まれている。そのバリア層は、一般に、約０．１から０．３マイクロメートルの厚さであり、バリア層１８、高比抵抗層２０、およびバッファ層１２は、好ましくは、基板１１上にエピタキシャル成長またはイオン注入によって形成する。
【００２１】
そのＦＥＴはまた、ソースコンタクト１３およびドレインコンタクト１４を持っており、それらは高比抵抗層２０の表面上にある。バッファ層１２は、コンタクト１３および１４の間に配置されており、それぞれがバリア層の端と接触している。コンタクト１３および１４は、マイクロ波デバイス用としては通常３から１０マイクロメートルの間隔で分離されている。ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）整流コンタクト（ゲート）１６は、ソースコンタクト１３とドレインコンタクト１４の間でバッファ層１２の表面上に位置し、一般的には、０．１から２マイクロメートルの範囲の長さを有する。そのＦＥＴの全幅は、必要な全出力に依存する。３０ミリメートルより大きい幅もあり得るが、一般的な幅は、５０から１００ミクロンの範囲内である。コンタクト間のバリア層表面の面積を、バリア層のアクセス領域と称する。
【００２２】
ソースコンタクト１３およびドレインコンタクト１４は、好ましくは、チタン、アルミニウム、ニッケルおよび金の合金から形成し、ゲート１６は、好ましくは、チタン、白金、クロム、ニッケル、チタンとタングステンの合金、ケイ化白金から形成する。１つの実施形態においては、コンタクトは、ニッケル、シリコン、チタンのそれぞれの層を付着した後、それらをアニールをすることにより形成されるこれら材料の合金を含む。この合金のシステムはアルミニウムを排除しているので、それにより、アニール温度がアルミニウムの融点（６６０℃）を超えるときのデバイス表面上の望ましくないアルミニウムの汚染を避ける。
【００２３】
作動中、ドレインコンタクト１４には、特定の電圧（ｎチャネルデバイス用のプラスのドレイン電圧）でバイアスをかけ、ソースは接地する。これにより電流がチャネルを通ってドレインからソースに流れるようになる。その電流は、ゲート１６にかけるバイアスおよび周波数電位によって制御され、チャネル電流を変調して利得を与える。」
　
Ｆ．「【００２４】
本発明はまた、ＧａＮ／ＡｌＧａＮに基づくＨＥＭＴに適用することができる。図２は、ＨＥＭＴ３０を示し、それもＦＥＴ１０のものと同様のソースコンタクト１３、ドレインコンタクト１４およびショットキーゲート１６を有する。それはまた、高比抵抗をもつ非伝導性のＧａＮ層３４の上にＡｌxＧａ1-xＮ半導体バリア層４２を持っている。これらの層は両方とも、図１のものと同様に、窒化アルミニウムのバッファ層１２および基板１１上に形成されている。
【００２５】
しかしながら、この実施形態においては、層４２は、ＧａＮ層３４より幅広のバンドギャップを有しており、エネルギーバンドギャップにおけるこの不連続性によって、自由電荷のより幅広のバンドギャップ材料からより低いバンドギャップ材料への移動がもたらされる。２つの界面に電荷が蓄積し、二次元電子ガス（２ＤＥＧ）を生み出し、その結果、ソースコンタクト１３とドレインコンタクト１４の間に電流が流れることが可能となる。この２ＤＥＧは、非常に高い電子移動度を有しており、高周波数においてＨＥＭＴに非常に高い相互コンダクタンスを与える。ゲート１６にかける電圧によってゲート直下の２ＤＥＧ中の電子の数を静電気的に制御し、かくして、全体の電子の流れを制御する。」
　
　ここで、
（ク）段落【００２４】に「本発明はまた、ＧａＮ／ＡｌＧａＮに基づくＨＥＭＴに適用することができる。・・・これらの層は両方とも、図１のものと同様に、窒化アルミニウムのバッファ層１２および基板１１上に形成されている。」と記載されていることから、段落【００２４】及び図２に記載された「基板１１」は、段落【００１７】及び図１に記載された「基板１１」と同じく、炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなるものであると考えられる。そして、炭化ケイ素（ＳｉＣ）は化合物半導体であるから、炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる「基板１１」は、「化合物半導体基板」であると認められる。また、炭化ケイ素（ＳｉＣ）は一般に広バンドギャップを有するものとして知られているから、炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる「基板１１」は、広バンドギャップ化合物材料であると解される。
（ケ）段落【００２５】の記載より、バリア層４２との界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）を生み出すＧａＮ層は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のチャネル層であると解される。
　
　よって、上記Ｄ〜Ｆの記載及び関連する図面を参照すると、引用例２には、次の技術が記載されているものと認められる。（以下、「引用例２記載の技術」という。）
「化合物半導体基板と、基板上に形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成されたチャネル層と、チャネル上に形成されたバリア層４２とを備え、
　前記化合物半導体基板が広バンドギャップ化合物材料である高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。」
　
４．対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例１記載の発明における「ソース」、「ドレイン」、「ゲート」、「端子１５」、「ＤＣ電源端子１１」は、それぞれ、本願発明における「第１端子」及び「ソース端子」、「第２端子」及び「ドレイン端子」、「制御端子」、「信号入力端子」、「電力端子」に相当する。
　
（い）引用例１記載の発明における「出力インピーダンス回路１３」と、本願発明における「共振回路」とは、ともに、「第２端子を出力端子に結合する回路」であるということができる。
　
　上記（あ），（い）の事項を踏まえると、本願発明と引用例１記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願発明と引用例１記載の発明とは、ともに、
「高周波アプリケーションのためのスイッチモード電力増幅器であって、
　ａ）第１端子と、第２端子と、そして制御端子とを有するトランジスタと、
　ｂ）前記制御端子に結合された信号入力端子と、
　ｃ）前記第２端子に伝導的に結合された電力端子と、
　ｄ）前記第１端子に結合されたアース端子と、
　ｅ）前記第２端子を出力端子に結合する回路と、
　ｆ）前記出力端子をアース端子に結合する抵抗と
を備え、
　前記トランジスタが、前記第１端子はソース端子であり、かつ、前記第２端子はドレイン端子であるような化合物半導体電界効果トランジスタであるスイッチモード電力増幅器。」
である点。
　
（相違点）
　相違点１：本願発明においては、「トランジスタ」が「第１端子と第２端子との間に内部キャパシタンスを有する」ものであるとともに、「第２端子を出力端子に結合する回路」が「共振回路」であり、「入力信号が、前記トランジスタの伝導を制御し、電源から前記第２端子への電流が増加する状態で前記トランジスタが伝導する時には、前記第２端子がアースに結合され、そして、前記トランジスタがオフにされた時には、前記電源からの電流が前記トランジスタの前記内部キャパシタンスへと流れ、前記第２端子での電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、前記第２端子の電圧が、前記共振回路を通じて前記出力端子の電圧と等しくなって」いるものであるのに対し、引用例１記載の発明においては、そのようなものでない点。
　
　相違点２：「トランジスタ」が、本願発明においては、「化合物半導体基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたチャネル層と、チャネル上に形成されたバリア層とを備え、」さらに、「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備え、前記化合物半導体基板が広バンドギャップ化合物材料である」のに対し、引用例１記載の発明においては、そのようなものでない点。
　
５．判断
　そこで、上記相違点１，２について検討する。
　
（相違点１について）
「ａ）第１端子と、第２端子と、そして制御端子とを有し、かつ、前記第１端子と第２端子との間に内部キャパシタンスを有するトランジスタと、
　ｂ）前記制御端子に結合された信号入力端子と、
　ｃ）前記第２端子に伝導的に結合された電力端子と、
　ｄ）前記第１端子に結合されたアース端子と、
　ｅ）前記第２端子を出力端子に結合する共振回路と、
　ｆ）前記出力端子をアース端子に結合する抵抗と
を備え、
　それによって、入力信号が、前記トランジスタの伝導を制御し、電源から前記第２端子への電流が増加する状態で前記トランジスタが伝導する時には、前記第２端子がアースに結合され、そして、前記トランジスタがオフにされた時には、前記電源からの電流が前記トランジスタの前記内部キャパシタンスへと流れ、前記第２端子での電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、前記第２端子の電圧が、前記共振回路を通じて前記出力端子の電圧と等しくなって」いる「スイッチモード電力増幅器」は、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特表２００４−５２０７３０号公報の段落【０００６】〜段落【０００９】及び図２や、原査定の拒絶の理由に引用された特公平８−２８９７６号公報の段落【００１２】及び図１，図２等に記載されているように、周知技術である。
　そして、引用例１記載の発明と上記周知技術はともに、トランジスタを高周波で作動するスイッチとして利用するスイッチモード電力増幅器であるから、引用例１記載の発明において、上記周知技術を適用し、ＦＥＴ１０（トランジスタ）を、ソース（第１端子）とドレイン（第２端子）との間に内部キャパシタンスを有するものにするとともに、ドレイン（第２端子）を出力端子に結合する回路として共振回路を用いて、入力信号が、前記ＦＥＴ１０（トランジスタ）の伝導を制御し、電源から前記ドレイン（第２端子）への電流が増加する状態で前記ＦＥＴ１０（トランジスタ）が伝導する時には、前記ドレイン（第２端子）がアースに結合され、そして、前記ＦＥＴ１０（トランジスタ）がオフにされた時には、前記電源からの電流が前記ＦＥＴ１０（トランジスタ）の前記内部キャパシタンスへと流れ、前記ドレイン（第２端子）での電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、前記ドレイン（第２端子）の電圧が、前記共振回路を通じて前記出力端子の電圧と等しくなっているものとすることは、当業者が適宜実施できたことである。
　
（相違点２について）
　引用例１には、上記３．のＣ．に、「ところが、半導体素子の耐電圧には限度があり、例えば高周波ＧａＡｓＦＥＴではゲート・ドレイン間の耐圧は２０Ｖ程度、従ってドレイン・ソース間ではおよそ１５Ｖが限度である。」と記載され、また、引用例２には、上記３．のＤ．における段落【０００５】及び段落【０００６】より、小さいバンドギャップおよび小さい降伏電圧を有するＧａＡｓベースのＦＥＴおよびＨＥＭＴは、高周波数において高い電力を提供することを妨げるが、高い降伏電界、広いバンドギャップを有するＧａＮといった半導体化合物からなるＦＥＴおよびＨＥＭＴは、高周波数において高い電力を提供することができる旨が記載されている。
　したがって、引用例１記載の発明において、半導体素子の耐電圧を高めるために、ＦＥＴ１０としてＧａＡｓＦＥＴを用いる代わりに、引用例２記載の技術における高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を用いること、換言すれば、化合物半導体基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたチャネル層と、チャネル上に形成されたバリア層とを備え、前記化合物半導体基板が広バンドギャップ化合物材料である高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を用いることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（本願発明の作用効果について）
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術、及び周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。