【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの少なくとも１つの表面を貫通して形成される開口部を設けること、
前記開口部を形成する前記少なくとも１つの表面上および前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少なくとも一部分の上にあるの開口部内に少なくとも１つの導電性材料を形成すること、
支持フィルムを前記少なくとも１つの導電性材料の上に形成すること、
充填材料を前記支持フィルムの少なくとも一部分の上に形成し、前記充填材料は少なくとも前記開口部を充填すること、
前記開口部外の少くとも支持フィルムを平坦化により前記少くとも１つの電導性材料まで除去すること、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を前記基板アセンブリの少くとも表面までエッチングすること、
前記開口部内の前記充填材料を除去すること、および
前記開口部内の前記支持フィルムを除去すること
を含む、開口部中に導電性材料を設ける方法。
【請求項２】
前記少くとも１つの導電性材料、支持フィルム及び充填材料の形成は、前記開口部を形成する少くとも１つの表面上及び前記基板アセンブリ表面を貫通する開口部が形成されている少くとも１部分の上の開口部内に、少くとも１つの導電性材料、支持フィルム及び充填材料のスタックを形成することを含み、前記開口部がスタックで完全に充填され、前記開口部外の少くとも充填材料の除去が前記開口部外の少くとも充填材料を平坦化により除去することを含み、前記開口部外の少くとも１つの導電性材料をエッチングすることが、前記開口部外の少くとも１つの導電性材料をウェットエッチング及びドライエッチングの少くとも一方により少くとも前記基板アセンブリの表面まで除去することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料のエッチングが、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれか一方により該少くとも１つの導電性材料を少くとも前記基板アセンブリ表面までエッチングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
少くとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの表面を貫通して形成される開口部を設け、該開口部は少くとも１つの表面で形成されていること、
前記開口部を形成する少くとも１つの表面上及び前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少くとも一部分上の開口部内に、少くとも１つの導電性材料、支持フィルム及び充填材料のスタックを形成し、該開口部をスタックで完全に充填すること、
前記開口部外の少くとも充填材料を除去すること、
前記開口部外の支持フィルムを除去し、この前記開口部外の支持フィルムの除去は、該開口部外の支持フィルムをウェットエッチングすることを含むこと、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を除去し、この前記開口部外の少くとも１つの導電性材料の除去は、ウェットエッチング及びドライエッチングの少くとも一方により前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を少くとも前記基板アセンブリ表面までエッチングすること、
開口部内の充填材料を除去すること、
開口部内の支持フィルムを除去することを含む、開口部内に導電性材料を設ける方法。
【請求項５】
少なくとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの表面を貫通して形成される開口部を設け、該開口部は少くとも１つの表面で形成されていること、
前記開口部を形成する前記少なくとも１つの表面上および前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少なくとも一部分上の開口部内に少なくとも１つの導電性材料を形成すること、
支持フィルムを前記少なくとも１つの導電性材料の上に形成すること、
前記開口部を少なくとも充填する充填材料を前記支持フィルムの少なくとも一部分の上に形成すること、
前記開口部外の少なくとも充填材料を平坦化によって除去すること、
前記開口部外の少くとも支持フィルムをウェットエッチング及びドライエッチングの少くともいずれか一方により除去すること、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を、ウェットエッチング及びドライエッチングの少くともいずれか一方により少くとも前記基板アセンブリ表面まで除去すること、
前記開口部内の前記充填材料を除去すること、および
前記開口部内の支持フィルムを除去すること
を含む、開口部中に導電性材料を設ける方法。
【請求項６】
少くとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの表面を貫通して形成される開口部を設け、該開口部は少くとも１つの表面で形成されること、
前記開口部を形成する少くとも１つの表面上及び前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少くとも一部分上の開口部内に少くとも１つの導電性材料を形成すること、      
前記少くとも１つの導電性材料上に少くとも支持材料を形成し、該少くとも支持材料の形成は、前記少くとも１つの導電性材料上に支持フィルムを形成し、該支持フィルムは開口部を完全に充填しないこと、を含むこと、
前記開口部外の少くとも支持材料を平坦化により前記少くとも１つの導電性材料まで除去し、該前記開口部外の少くとも支持部材を平坦化による前記少くとも１つの導電性材料までの除去は、前記開口部外の支持フィルムを少くとも１つの導電性材料まで平坦化することを含むこと、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を除去し、該開口部外の少くとも１つの導電
性材料の除去は、ウェットエッチング及びドライエッチングの少くとも一方を使用して、少くとも前記基板アセンブリ表面まで除去することを含むこと、
前記開口部内の支持材料を除去すること、を含む開口部内に導電性材料を設ける方法。
【請求項７】
少くとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの表面を貫通して形成される開口部を設け、該開口部は少くとも１つの表面で形成されること、
前記開口部を形成する少くとも１つの表面上及び前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少くとも一部分上の開口部内に少くとも１つの導電性材料を形成し、該少くとも１つの導電性材料が白金を含むこと、
前記少くとも１つの導電性材料上に支持フィルムを形成すること、
少くとも前記支持フィルムの一部分上に充填材料を形成し、該充填材料は少くとも前記開口部を充填すること、
前記開口部の少くとも外側の充填材料を平坦化により除去すること、
前記開口部外の支持フィルムを除去すること、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を除去すること、
前記開口部内の充填材料を除去すること、
前記開口部内の支持フィルムを除去すること、を含む、開口部内に導電性材料を設ける方法。
【請求項８】
前記開口部外の前記支持フィルムを除去すること、および前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することが、前記開口部外の前記支持フィルムおよび前記少なくとも１つの導電性材料を平坦化によって少なくとも前記基板アセンブリの表面まで除去することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記開口部外の前記支持フィルムを除去することが、平坦化によって前記開口部外の前記支持フィルムを除去することを含み、さらに前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することが、ウェットエッチングおよびドライエッチングの少なくとも一方により、少なくとも前記基板アセンブリの表面まで前記少なくとも１つの導電性材料を除去することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記開口部外の前記支持フィルムを除去することが、ドライエッチングによって前記開口部外の前記支持フィルムを除去することを含み、さらに前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することが、ウェットエッチングおよびドライエッチングの少なくとも一方により、少なくとも前記基板アセンブリの表面まで前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記開口部外の前記支持フィルムを除去することが、ウェットエッチングによって前記開口部外の前記支持フィルムを除去することを含み、さらに前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することが、ウェットエッチングおよびドライエッチングの少なくとも一方により、少なくとも前記基板アセンブリの表面まで前記開口部外の前記少なくとも１つの導電性材料を除去することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
少くとも１つの表面を有する基板アセンブリを設けること、
前記基板アセンブリの表面を貫通して形成される開口部を設け、該開口部は少くとも１つの表面で形成されていること、
前記開口部を形成する少くとも１つの表面上及び前記開口部が貫通して形成される前記基板アセンブリ表面の少くとも一部分上の開口部内に、少くとも導電性材料、支持フィルム及び充填材料のスタックを形成し、前記開口部がスタックによって完全に充填され、更に前記少くとも１つの導電性材料が少くとも１つの第ＶＩＩＩ族金属を含むことと、
前記開口部外の少くとも充填材料を除去すること、
前記開口部外の支持フィルムを除去すること、
前記開口部外の少くとも１つの導電性材料を除去し、該開口部外の支持フィルムの除去及び該開口部外の少くとも１つの導電性材料の除去は、該開口部外の支持フィルム及び少くとも１つ導電性材料を、少くとも前記基板アセンブリの表面まで平坦化により除去することを含むこと、
開口部内の充填材料を除去すること、
開口部内の支持フィルムを除去することを含む、開口部内に導電性材料を設ける方法。
【請求項１３】
前記開口部内の充填材料または支持フィルムの除去は、ウェットエッチング及びドライエッチングの少くともいずれか一方を使用して前記充填材料または支持材料を除去することを含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記支持フィルムを、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、酸化材料及びスピンオングラスから成る群から選択される少くとも１つの材料で形成する、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記支持フィルムを酸化物材料で形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの導電性材料は、少なくとも１つの第ＶＩＩＩ族金属を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの導電性材料は、白金、ルテニウム、およびロジウムの少なくとも１つを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの導電性材料は白金を含む、請求項１〜６および１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
基板アセンブリの表面を通って形成された開口部を形成する、底表面および少なくとも１つの側壁の上に形成された第１の電極を含み、
前記第１の電極は、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の開口部中に導電性材料を設けることにより形成され、
さらに前記第１の電極の少なくとも一部分の上に誘電性材料を含み、該誘電性材料の少なくとも一部分の上に設ける第２の電極を含む、キャパシタ。