【事件の表示】
　特願２００５−１７５６４０「磁気トンネル接合素子およびその形成方法，磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月　５日出願公開，特開２００６−　　５３５６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年６月１５日（パリ条約に基づく優先権主張　２００４年６月１５日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２１年４月２８日付けで拒絶理由が通知され，これに対して同年８月７日に手続補正されたが，平成２２年１月１２日付けで拒絶査定がされ，それに対して同年５月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正がされ，その後，平成２３年９月１６日付けで審尋がされ，平成２４年１月２０日に回答がされたものである。
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年５月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２２年５月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４４を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３９と補正し，それにともなって発明の詳細な説明を補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。
　
（１）補正前
「　【請求項１】
　スピン偏極した磁化自由層と，
　前記磁化自由層の側から順に積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含むキャップ層と
　を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
　　【請求項２】
　前記キャップ層は，前記磁化自由層と前記酸素吸着層との間に内部拡散バリア層をさらに有するものである
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項３】
　前記磁化自由層は，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みを有している
　ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項４】
　さらに，前記磁化自由層における前記キャップ層と反対側に，
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなるシード層と，マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなる反強磁性ピンニング層と，シンセティックピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に備えた
　ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項５】
　前記シンセティックピンド層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．３ｎｍの厚みをなす下部コバルト鉄合金層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）からなり０．７５ｎｍの厚みをなす結合層と，
　鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．０ｎｍの厚みをなす上部コバルト鉄合金層と
　を順に有するものである
　ことを特徴とする請求項４に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項６】
　前記トンネルバリア層は，前記シンセティックピンド層の上に０．５ｎｍ以上１．２ｎｍ以下の厚みをなすように形成されたアルミニウム膜をその場で酸化処理したものである　ことを特徴とする請求項４に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項７】
　前記内部拡散バリア層は，ルテニウム（Ｒｕ）からなり，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項８】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項９】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項１０】
　前記内部拡散バリア層の厚みに応じて全体の磁歪定数が変化することを特徴とする請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項１１】
　基体上に，下部導電層と，磁気トンネル接合素子と，上部導電層とを順に備えた磁気メモリ構造であって，
　前記磁気トンネル接合素子が，前記下部導電層の側から順に第１シード層と，反強磁性ピンニング層と，ピンド層と，トンネルバリア層と，スピン偏極した磁化自由層と，第１キャップ層とを有し，
　前記第１キャップ層が，前記磁化自由層の側から順に積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含む
　ことを特徴とする磁気メモリ構造。
　　【請求項１２】
　前記第１キャップ層は，前記磁化自由層と前記酸素吸着層との間に内部拡散バリア層をさらに有するものである
　ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１３】
　前記下部導電層は，
　タンタル（Ｔａ）またはニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなる第２シード層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）または銅（Ｃｕ）からなる電極層と，
　タンタル（Ｔａ）からなる第２キャップ層と
　を有するものである
　ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１４】
　前記第１シード層はニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなり，前記反強磁性ピンニング層はマンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなり，前記ピンド層はシンセティック構造を有する
　ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１５】
　前記トンネルバリア層は，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなり，１．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１６】
　前記磁化自由層は，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなる
　ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１７】
　前記内部拡散バリア層は，ルテニウム（Ｒｕ）からなり，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１８】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１９】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項２０】
　基体上に，下部シールド層と，スピン偏極した磁化自由層およびキャップ層を有する磁気トンネル接合素子と，上部シールド層とを順に備え，
　前記キャップ層が，前記磁化自由層の側から順に積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含む
　ことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２１】
　前記キャップ層は，前記磁化自由層と前記酸素吸着層との間に内部拡散バリア層をさらに有するものである
　ことを特徴とする請求項２０に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２２】
　さらに，前記磁化自由層における前記キャップ層と反対側に，
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなるシード層と，マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなる反強磁性ピンニング層と，シンセティックピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に備えた
　ことを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２３】
　前記シンセティックピンド層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．３ｎｍの厚みをなす下部コバルト鉄合金層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）からなり０．７５ｎｍの厚みをなす結合層と，
　鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．０ｎｍの厚みをなす上部コバルト鉄合金層と
　を順に有するものである
　ことを特徴とする請求項２２に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２４】
　前記下部シールド層は，ニッケル鉄合金からなることを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２５】
　前記磁化自由層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすコバルト鉄合金層と，
　鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，３．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の厚みをなすニッケル鉄合金層と
　が積層された２層構造を有する
　ことを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２６】
　前記内部拡散バリア層は，ルテニウム（Ｒｕ）からなり，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２７】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２８】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２９】
　基体上に，シード層と，反強磁性ピンニング層と，ピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に形成する工程と，
　前記トンネルバリア層の上に，スピン偏極した磁化自由層を形成する工程と，
　前記磁化自由層の上に，α相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層と，ルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを順に形成することによりキャップ層を形成する工程と
　を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３０】
　前記キャップ層を形成する工程において，前記磁化自由層と前記酸素吸着層との間に内部拡散バリア層をさらに形成する
　ことを特徴とする請求項２９に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３１】
　前記基体として，磁気メモリ構造における下部導電層を用いることを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３２】
　前記基体として，トンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける下部シールド層を用いることを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３３】
　さらに，前記キャップ層の上に上部導電層を形成することを特徴とする請求項３１に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３４】
　さらに，前記キャップ層の上に上部シールド層を形成することを特徴とする請求項３２に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３５】
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて前記シード層を形成し，
　マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）を用いて前記反強磁性ピンニング層を形成し，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなる下部コバルト合金層と，ルテニウム（Ｒｕ）からなる結合層と，鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなる上部コバルト鉄合金層とを順に積層することによりシンセティック構造をなす前記ピンド層を形成する
　ことを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３６】
　０．８ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすようにアルミニウム膜を形成したのち，このアルミニウム膜に対してラジカル酸化処理を行うことにより前記トンネルバリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項３１に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３７】
　０．５ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚みをなすようにアルミニウム膜を形成したのち，このアルミニウム膜に対して自然酸化処理を行うことにより前記トンネルバリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項３２に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３８】
　１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を用いて，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記磁化自由層を形成する
　ことを特徴とする請求項３１に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３９】
　１０原子パーセント（ａｔ％）の鉄含有率であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすコバルト鉄合金層と，１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，３．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の厚みをなすニッケル鉄合金層とを積層することにより前記磁化自由層を形成する
　ことを特徴とする請求項３２に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項４０】
　ルテニウム（Ｒｕ）を用いて，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記内部拡散バリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項４１】
　　２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記酸素吸着層を形成することを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項４２】
　　１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記金属層を形成することを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項４３】
　スパッタリング用チャンバと酸化用チャンバとを備えた超高真空スパッタリング装置において，一回のポンプダウン操作ののちに全ての層を順次形成する
　ことを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項４４】
　前記基体として，最上面にアモルファスのタンタル層を有するものを用いることにより，その上に形成される前記シード層，反強磁性ピンニング層，ピンド層，トンネルバリア層および磁化自由層における平滑かつ緻密な結晶成長の促進を図るようにする
　ことを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。」
　
（２）補正後
「　【請求項１】
　鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層と，
　前記磁化自由層の側から順に積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造のキャップ層と
　を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
　　【請求項２】
　前記磁化自由層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みを有している
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項３】
　さらに，前記磁化自由層における前記キャップ層と反対側に，
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなるシード層と，マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなる反強磁性ピンニング層と，シンセティックピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に備えた
　ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項４】
　前記シンセティックピンド層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．３ｎｍの厚みをなす下部コバルト鉄合金層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）からなり０．７５ｎｍの厚みをなす結合層と，
　鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．０ｎｍの厚みをなす上部コバルト鉄合金層と
　を順に有するものである
　ことを特徴とする請求項３に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項５】
　前記トンネルバリア層は，前記シンセティックピンド層の上に０．５ｎｍ以上１．２ｎｍ以下の厚みをなすように形成されたアルミニウム膜をその場で酸化処理したものである
　ことを特徴とする請求項３に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項６】
　前記内部拡散バリア層は，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項７】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項８】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項９】
　前記内部拡散バリア層の厚みに応じて全体の磁歪定数が変化することを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
　　【請求項１０】
　基体上に，下部導電層と，磁気トンネル接合素子と，上部導電層とを順に備えた磁気メモリ構造であって，
　前記磁気トンネル接合素子が，前記下部導電層の側から順に第１シード層と，反強磁性ピンニング層と，ピンド層と，トンネルバリア層と，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層と，第１キャップ層とを有し，
　前記第１キャップ層が，前記磁化自由層の側から順に積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造である
　ことを特徴とする磁気メモリ構造。
　　【請求項１１】
　前記下部導電層は，
　タンタル（Ｔａ）またはニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなる第２シード層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）または銅（Ｃｕ）からなる電極層と，
　タンタル（Ｔａ）からなる第２キャップ層と
　を有するものである
　ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１２】
　前記第１シード層はニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなり，前記反強磁性ピンニング層はマンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなり，前記ピンド層はシンセティック構造を有する
　ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１３】
　前記トンネルバリア層は，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなり，１．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１４】
　前記内部拡散バリア層は，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１５】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１６】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすものであることを特徴とする請求項１０に記載の磁気メモリ構造。
　　【請求項１７】
　基体上に，下部シールド層と，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層およびキャップ層を有する磁気トンネル接合素子と，上部シールド層とを順に備え，
　前記キャップ層が，前記磁化自由層の側から順に積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造である
　ことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項１８】
　さらに，前記磁化自由層における前記キャップ層と反対側に，
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなるシード層と，マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）からなる反強磁性ピンニング層と，シンセティックピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に備えた
　ことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項１９】
　前記シンセティックピンド層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．３ｎｍの厚みをなす下部コバルト鉄合金層と，
　ルテニウム（Ｒｕ）からなり０．７５ｎｍの厚みをなす結合層と，
　鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，２．０ｎｍの厚みをなす上部コバルト鉄合金層と
　を順に有するものである
　ことを特徴とする請求項１８に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２０】
　前記下部シールド層は，ニッケル鉄合金からなることを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２１】
　前記磁化自由層は，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり，０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすコバルト鉄合金層と，
　鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，３．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の厚みをなすニッケル鉄合金層と
　が積層された２層構造を有する
　ことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２２】
　前記内部拡散バリア層は，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２３】
　前記酸素吸着層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２４】
　前記金属層は，１０．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下の厚みをなすものである
　ことを特徴とする請求項１７に記載のトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド。
　　【請求項２５】
　基体上に，シード層と，反強磁性ピンニング層と，ピンド層と，酸化アルミニウム（ＡｌＯX）からなるトンネルバリア層とを順に形成する工程と，
　前記トンネルバリア層の上に，１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を用いてスピン偏極した磁化自由層を形成する工程と，
　前記磁化自由層の上に，ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造のキャップ層を形成する工程と
　を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項２６】
　前記基体として，磁気メモリ構造における下部導電層を用いることを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項２７】
　前記基体として，トンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける下部シールド層を用いることを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項２８】
　さらに，前記キャップ層の上に上部導電層を形成することを特徴とする請求項２６に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項２９】
　さらに，前記キャップ層の上に上部シールド層を形成することを特徴とする請求項２７に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３０】
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて前記シード層を形成し，
　マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）を用いて前記反強磁性ピンニング層を形成し，
　鉄含有率が１０原子パーセント（ａｔ％）であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなる下部コバルト合金層と，ルテニウム（Ｒｕ）からなる結合層と，鉄含有率が２５原子パーセント（ａｔ％）以上５０原子パーセント（ａｔ％）以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなる上部コバルト鉄合金層とを順に積層することによりシンセティック構造をなす前記ピンド層を形成する
　ことを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３１】
　０．８ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすようにアルミニウム膜を形成したのち，このアルミニウム膜に対してラジカル酸化処理を行うことにより前記トンネルバリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項２６に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３２】
　０．５ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚みをなすようにアルミニウム膜を形成したのち，このアルミニウム膜に対して自然酸化処理を行うことにより前記トンネルバリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項２７に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３３】
　　２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記磁化自由層を形成する
　ことを特徴とする請求項２６に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３４】
　１０原子パーセント（ａｔ％）の鉄含有率であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）からなり０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の厚みをなすコバルト鉄合金層と，１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，３．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の厚みをなすニッケル鉄合金層とを積層することにより前記磁化自由層を形成する
　ことを特徴とする請求項２７に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３５】
　１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記内部拡散バリア層を形成する
　ことを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３６】
　２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記酸素吸着層を形成することを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３７】
　１０．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下の厚みをなすように前記金属層を形成することを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３８】
　スパッタリング用チャンバと酸化用チャンバとを備えた超高真空スパッタリング装置において，一回のポンプダウン操作ののちに全ての層を順次形成する
　ことを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。
　　【請求項３９】
　前記基体として，最上面にアモルファスのタンタル層を有するものを用いることにより，その上に形成される前記シード層，反強磁性ピンニング層，ピンド層，トンネルバリア層および磁化自由層における平滑かつ緻密な結晶成長の促進を図るようにする
　ことを特徴とする請求項２５に記載の磁気トンネル接合素子の形成方法。」
　
２ 補正事項の整理
　本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
（１）　補正事項１
ア　補正事項１−ａ
　補正前の請求項１，１１，２０の「スピン偏極した磁化自由層」を，補正後の請求項１，１０，１７の「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層」と補正すること。
　
イ　補正事項１−ｂ
　補正前の請求項２９の「スピン偏極した磁化自由層」を，補正後の請求項２５の「１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を用いてスピン偏極した磁化自由層」と補正すること。
　
（２）　補正事項２
ア　補正事項２−ａ
　補正前の請求項１の「積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含むキャップ層」を，補正後の請求項１の「積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造のキャップ層」と補正すること。
　
イ　補正事項２−ｂ
　補正前の請求項１１，２０の「積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含むキャップ層とを含む」を，補正後の請求項１０，１７の「積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造である」と補正すること。
　
ウ　補正事項２−ｃ
　補正前の請求項２９の「α相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層と，ルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを順に形成することによりキャップ層」を，補正後の請求項２５の「ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造のキャップ層」と補正すること。
　
（３）　補正事項３
ア　補正事項３−ａ
　補正前の請求項２を削除し，補正前の請求項３〜１０の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項２〜９とするとともに，引用する請求項の項番も補正すること。
　
イ　補正事項３−ｂ
　補正前の請求項１２を削除し，補正前の請求項１３〜１５の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項１１〜１３とするとともに，引用する請求項の項番も補正すること。
　
ウ　補正事項３−ｃ
　補正前の請求項１６を削除し，補正前の請求項１７〜１９の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項１４〜１６とするとともに，引用する請求項の項番も補正すること。
　
エ　補正事項３−ｄ
　補正前の請求項２１を削除し，補正前の請求項２２〜２８の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項１８〜２４とするとともに，引用する請求項の項番も補正すること。
　
オ　補正事項３−ｅ
　補正前の請求項３０を削除し，補正前の請求項３１〜４４の請求項の項番を繰り上げて，補正後の請求項２６〜３９とするとともに，引用する請求項の項番も補正すること。
　
（４）　補正事項４
ア　補正事項４−ａ
　補正前の請求項３の「磁化自由層は，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなり，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みを有し」を，補正後の請求項２の「磁化自由層は，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みを有し」と補正すること。
　
イ　補正事項４−ｂ
　補正前の請求項３８「１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下の鉄含有率であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を用いて，２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなす」を，補正後の請求項３３の「２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の厚みをなす」と補正すること。
　
（５）　補正事項５
ア　補正事項５−ａ
　補正前の請求項７，１７，２６の「内部拡散バリア層は，ルテニウム（Ｒｕ）からなり，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなす」を，補正後の請求項６，１４，２２の「内部拡散バリア層は，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなす」と補正すること。　
　
イ　補正事項５−ｂ
　補正前の請求項４０「ルテニウム（Ｒｕ）を用いて，１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなす」を，補正後の請求項３５の「１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の厚みをなす」と補正すること。
　
３　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
　
（１）新規事項の追加の有無について　
ア　補正事項１
　補正後の請求項１，１０，１７，２５の「磁化自由層」の組成として，「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）」とすることは，本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲（以下「当初の特許請求の範囲」という。）の請求項３，１６，２５，３８及び本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）の段落【００２５】，【００３１】，【００３７】，【００４３】，【００４４】，【００６４】，【００８６】，【００９３】に記載されている。
　したがって，補正事項１は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
イ　補正事項２
　補正後の請求項１，１０，１７，２５の「キャップ層」として，「ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層」を加えた「３層構造」とすることは，当初の特許請求の範囲の請求項２，６，１２，１７，２１，２６，３０，４０及び当初明細書の段落【００２４】，【００２６】，【００２９】，【００３４】，【００３８】，【００４１】，【００４５】，【００４９】等に記載されている。
　したがって，補正事項２は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
ウ　補正事項３
　補正事項３は請求項の削除及びそれに伴い引用関係を整理したものであるから，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
エ　補正事項４，５は，それぞれ補正事項１，２に伴って，重複する記載を削除するものであるから，補正は実質的なものではなく，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
オ　以上から，本件補正は特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（２）補正の目的の適否について
　
ア　補正事項１，２，４，５
（ア）　補正事項１は，「磁化自由層」の材料の組成を「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）」と技術的に限定するものである。
　
（イ）　補正事項２は，「キャップ層」の構造を「ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造」と技術的に限定するものである。
　
（ウ）　補正事項４，５は，それぞれ補正事項１，２に伴って，重複する記載を削除するものであるから，補正は実質的なものではない。
　
（エ）　以上から，補正事項１，２，４，５は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
イ　補正事項３
（ア）　補正事項３は，補正前の請求項２，１２，１６，２１，３０の削除と，補正前の請求項３〜１０，１３〜１５，１７〜１９，２２〜２８，３１〜４４が引用する請求項が，補正前の請求項１，１１，２０，２９より技術的に限定された補正後の請求項１，１０，１７，２５及びこれを引用する請求項とするものである。
　よって，補正事項３は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除及び特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（イ）　以上から，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（３）小括 
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。 
　 
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下において更に検討する。 
　
４　独立特許要件について
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３９に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜３９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，補正後の請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層と，
　前記磁化自由層の側から順に積層されたルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層とα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との３層構造のキャップ層と
　を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。」
　
（２）引用例１に記載された発明及び引用例２，３の記載
　ア　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００３−１８３８３８号公報（以下「引用例１」という。）には，「酸化膜形成装置及び磁気記録再生装置」（発明の名称）に関して，以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様）。
　
（ア）　「【００２６】（磁気記録再生装置の実施例）最後に，本発明の酸化膜形成装置により酸化膜を成膜，管理した磁気抵抗型センサを搭載した磁気記録再生装置について説明する。
磁気抵抗型センサは本発明の酸化膜形成装置で基板上にTa(5nm)／NiFe(5nm)／MnPt(25nm)／CoFe(3nm)成膜した後，アルミニウムを0.5nm成膜，プラズマ酸化し，所望の酸化膜の膜厚に対応する赤外ピークの強度と位置になるように酸化膜を成膜，管理した後，CoFe(1nm)／NiFe(5nm)／Ta(5nm)／Ru(10nm)を成膜した。得られたウエハをヘッド加工にまわした。
　
　以上から，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「Ta(5nm)／NiFe(5nm)／MnPt(25nm)／CoFe(3nm)成膜した後，アルミニウムを0.5nm成膜，プラズマ酸化し，CoFe(1nm)／NiFe(5nm)／Ta(5nm)／Ru(10nm)を成膜して形成した磁気抵抗型センサ。」
　
　イ　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００４−７９９３６号公報（以下「引用例２」という。）には，「強磁性トンネル接合を有する積層膜，その製造方法，磁気センサ，磁気記録装置，及び，磁気メモリ装置」（発明の名称）に関して，図２（ａ），（ｂ），図７（ｂ），（ｃ）とともに以下の記載がある。
　
（ア）「【００２１】
この場合の
強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）部
磁性層（フリー層）／　絶縁層／　磁性層（ピンド層）／　反強磁性層（ピン層）
ＣｏＦｅピンド層８７がＩｒＭｎピン層８８と交換結合し，ＣｏＦｅピンド層８７の磁化方向が固定される
【００２２】
したがって，外部から磁場を印加すると，ＣｏＦｅフリー層８５及び
ＮｉＦｅフリー層８４のみが磁化回転する
　
（イ）「【００４０】
【発明の実施の形態】
ここで，図２及び図３を参照して，本発明の第１の実施の形態のＭＴＪ磁気センサを説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）参照
図２（ａ）は，本発明の第１の実施の形態のＭＴＪ磁気センサの平面図であり，また，図２（ｂ）は，ＭＴＪ部２０の近傍を拡散した概念的拡大図である。
まず，ＳｉＯ２　膜１２を形成したシリコン基板１１上に，２５ｎｍのＴａ，３０ｎｍのＡｕ，及び，５ｎｍのＴａを順次堆積させた下部電極１３，厚さが６ｎｍの
ＮｉＦｅフリー層１４
なお，この時，図２（ａ）における上下方向に磁場を印加した状態で堆積を行うものであり，
ＮｉＦｅの組成は，例えば，Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
であり
　
（ウ）「【００６４】
図７（ｂ）及び（ｃ）参照
図７（ｂ）及び（ｃ）はＭＴＪ部７１の模式図
ＮｉＦｅフリー層７７を順次積層し，Ｔａ膜７８を介してワード線６２と接続
　
　ウ　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００４−６５８９号公報（以下「引用例３」という。）には，「磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド及び磁気再生装置」（発明の名称）に関して，以下の記載がある。
　
（ア）「【０１９５】
ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）の組成としては，Ｎｉ
７０
Ｆｅ
３０
〜Ｎｉ
９０
Ｆｅ
１０
が好ましく，Ｎｉ
７８
Ｆｅ
２２
〜Ｎｉ
８３
Ｆｅ
１７
の範囲がさらに好ましい。
　
（イ）「【０２０３】
本実施例において，
フリー層Ｆの上に積層されている銅（Ｃｕ）層は，その上のタンタル（Ｔａ）との界面ミキシングの防止層としても機能する。銅（Ｃｕ）の代わりに
ルテニウム（Ｒｕ），
を用いてもよい
【０２０４】
フリー層Ｆの上の銅（Ｃｕ）層と，その上に積層されているタンタル（Ｔａ）層を，ここでは「キャップ層」と呼ぶことにする。
　
（３）対比
　以下に，補正発明と引用発明とを対比する。
ア　また，引用発明の「磁気抵抗型センサ」は，補正発明の「磁気トンネル接合素子」に相当する。
　
イ　「ＭｎＰｔ」が反強磁性を示することは当業者に広く知られており，引用発明の「ＭｎＰｔ」層がピンニング層であることは当業者にとって明らかである。そうすると「磁気トンネル接合素子」の構造と，各材料の磁気特性を考慮すると，引用発明の「ＣｏＦｅ」層が強磁性層（いわゆるピンド層）であり，引用発明の「アルミニウムを0.5nm成膜，プラズマ酸化し」て形成された酸化アルミニウムがトンネル絶縁層に，続く「ＣｏＦｅ」「ＮｉＦｅ」層が磁化自由層であることは当業者にとって自明である。そして，「磁気トンネル接合素子」の磁化自由層がスピン偏極していることも当業者にとって明らかである。
　そうすると，引用発明の「ＮｉＦｅ」層は，補正発明の「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層」に相当する。
　
ウ　引用発明の前記「ＮｉＦｅ」層に続く「Ｔａ」層，「Ｒｕ」層は，補正発明の「タンタル（Ｔａ）からなる」層，「ルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層」にそれぞれ相当する。
　
（一致点）
　したがって，補正発明と引用発明とは，
　「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含んでスピン偏極した磁化自由層と，
　　前記磁化自由層の側から順にタンタル（Ｔａ）からなる層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層との層構造のキャップ層と
　を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は，「磁化自由化層」の組成が「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を含ん」だものであるのに対して，引用発明は，組成が特定されていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は，「ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層」を設けているのに対して，引用発明はこの層が設けられていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は，「α相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層」であるのに対して，引用発明は「Ｔａ」の相が特定されておらず，また「酸素」を「吸着」するという機能を有することも特定されていない点。
　
（４）判断 
（４−１）相違点１について
ア　４（２）イ（イ）によれば，引用例２には，強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）において，フリー層（補正発明の「磁化自由層」に相当する。）にＮｉＦｅの組成として，「Ｎｉ８０Ｆｅ２０」のものが記載されており，４（２）ウ（ア）によれば，引用例３には，フリー層の「ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）の組成としては，Ｎｉ７０Ｆｅ３０〜Ｎｉ９０Ｆｅ１０が好ましく，Ｎｉ７８Ｆｅ２２〜Ｎｉ８３Ｆｅ１７の範囲がさらに好ましい」と記載され，どちらも補正発明の「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）」における「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下」の範囲に含まれるものである。
　そうすると，「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）」における「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下」の範囲のものを磁化自由層に用いることは当該技術分野においてごく普通のことといえる。
　
イ　また，本願明細書の記載を見ても，「磁化自由層は，鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下であるニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）からなることが望ましい。」（段落【００３１】）等と記載されているのみで，その組成範囲に限定したことによる効果も認められず，磁化自由層のニッケル鉄合金の「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下」としたことによる技術的な臨界的意義は認められない。　
　
ウ　したがって，引用発明において，引用例２，３に記載の事項を勘案し，磁化自由層における「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）」の組成として，「鉄含有率が１７．５原子パーセント（ａｔ％）以上２０．０原子パーセント（ａｔ％）以下」とすることは，当業者が容易になし得た範囲に含まれる事項である。
　
（４−２）相違点２について
ア　４（２）ウ（イ）によれば，引用例３には，フリー層（補正発明の「磁化自由層」に相当する。）の上に界面ミキシングの防止層としてルテニウム（Ｒｕ）を用いることが記載されており，またこの「界面ミキシング」が金属の内部拡散であることは当業者にとって明らかである。そして，界面ミキシングの防止層の上にキャップ層としてＴａが形成されることが記載されている。
　そうすると，磁化自由層とＴａからなるキャップ層とが内部拡散することを防ぐためにルテニウム（Ｒｕ）を間に形成していることが分かる。
　
イ　また，引用発明のものは，磁化自由層上にＴａからなるキャップ層を設けるものであるから，そこにおいて当然起こる金属の内部拡散という技術課題は当業者にとって自明のものである。
　
ウ　したがって，引用発明において，磁化自由層とＴａからなる層との間に，引用例３に記載の磁化自由層とキャップ層の界面ミキシングの防止のためにルテニウムを設け，防止層すなわちバリア層とする技術を適用して，ルテニウム（Ｒｕ）からなる内部拡散バリア層を設けることは当業者ならば容易になし得た範囲に含まれる事項である。
　
（４−３）相違点３について
ア　磁気トンネル接合素子の分野において，α相のタンタル（Ｔａ）を使用することは，以下の周知例１，２に記載されているように周知の技術であり，低抵抗・低コスト等の点から有利な材料であることも知られているから，引用発明のＴａをα相のタンタル（Ｔａ）とすることは，当業者が直ちに想到しうることにすぎない。
　
イ　また「α相のタンタル（Ｔａ）」が「酸素吸着」の機能を有する点については，タンタル（Ｔａ）が酸化されやすい金属であることが，当該技術分野において周知の事項であり，材料自体が有する特性といえる。そうするとα相のタンタルからなる層は，当然酸素吸着する機能を有していると認められ，この点は実質的な相違点ではない。
　
ウ　したがって，引用発明において，上記周知の技術を勘案し，タンタルからなる層を「α相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層」とすることは，当業者ならば適宜なし得たことといえる。
　
（ア）　周知例１：特開２００２−２８０６４１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００２−２８０６４１号公報には，「交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子」（発明の名称）に関して，図１とともに以下の記載がある。
ａ「【００８７】前記ハードバイアス層５，５は，例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成されており，
電極層８，８は，α−Ｔａ
で形成されている。
前記電極層８，８は，フリー磁性層１の上側
形成される
　
（イ）　周知例２：特開平５−２５８２４７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−２５８２４７号公報には，「磁気抵抗読取り変換器」（発明の名称）に関して，図３〜５とともに以下の記載がある。
ａ「【００１４】本発明によれば，
導電性リード構造３８および４１
低抵抗タンタル（Ｔａ）である。Ｔａの低抵抗相は，α相Ｔａとして知られているＴａの体心立方（ＢＣＣ）形状であり，３００°Ｋで約１３μΩ・ｃｍの体積抵抗率を有する。α相Ｔａの抵抗は，ＭＲセンサ用の導電性リード構造として使用するのに適した範囲内にある。
【００１５】しかし，薄膜形状ではＴａの特性は多くの要因により広範囲に変化し得る。これら特性の一つは，低抵抗α相では約２０μΩ・ｃｍという値から高抵抗正方晶系またはβ相では約２００μΩ・ｃｍという値の範囲を変化し得る抵抗である。一方，混合相Ｔａ薄膜は中間値の抵抗率を有する。α相の薄膜層で約２０μΩ・ｃｍの抵抗率は，ＭＲセンサ用の導電性リード構造としての利用に適した範囲内にある。しかし，β相Ｔａの薄膜層で約２００μΩ・ｃｍの抵抗はこの範囲を充分逸脱しており，ＭＲセンサ用の導電性リード構造としての利用には不適切である。」
　
（４−４）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案し，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
５　補正却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜４４に係る発明は，平成２１年８月７日に補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４４に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は再掲すると，請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　スピン偏極した磁化自由層と，
　前記磁化自由層の側から順に積層されたα相のタンタル（Ｔａ）からなる酸素吸着層とルテニウム（Ｒｕ）からなる金属層とを含むキャップ層と
　を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。」
　
第４　引用例に記載された発明 
　引用例１〜３には，上記第２，４（２）に記載したとおり，引用発明が記載されている。
　
第５　判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２（１）〜（２）に記載した補正事項１，２についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると第２，４（４）において検討したとおり，補正発明は，引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。