【事件の表示】
　特願２００４−２６１７７０「基板を露光する方法およびリソグラフィ投影装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月３１日出願公開、特開２００５−　８６２１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１６年　９月　９日
　（優先権主張の日　　　：平成１５年　９月１０日、欧州） 
　　翻訳文提出　　　　　：平成１６年１１月　２日
　　拒絶理由通知（最初）：平成２０年　２月　４日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２０年　４月３０日  
　　拒絶理由通知（最後）：平成２０年　６月　５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２０年１２月　５日
　　補正の却下の決定　　：平成２１年　１月　６日（起案日）
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年　１月　６日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２１年　４月　６日  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　４月　６日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２２年　７月２７日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２２年１０月２５日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２３年　１月２５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２３年　４月２６日  
　　意見書　　　　　　　：平成２３年　４月２６日
 　 　　　 　  
第２　本願発明について  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年４月２６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
　 　　  
「【請求項１】
　少なくとも部分的に放射線感光層で覆われた基板を、リソグラフィ投影装置を使用して露光する方法であって、
　前記リソグラフィ投影装置は、
　放射線の投影ビームを提供する照明システムと、
　投影ビームの断面に孤立した形態及び稠密な形態を両方とも含むパターンを与える働きをするパターン付与手段を支持する支持構造と、
　基板を保持する基板テーブルと、
　パターンの像を基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、
　前記方法は、前記放射線感光層に前記像を露光するステップを有し、
　前記露光するステップは、露光の間に、前記孤立した形態及び稠密な形態のＣＤ−ピッチ特性を改造するために目標部分で前記像のコントラスト損を誘発することにより、前記ＣＤ−ピッチ特性における所定値より大きいピッチの範囲で前記ＣＤ−ピッチ特性と目標ＣＤ−ピッチ特性との間の差を低減し、
　前記目標ＣＤ−ピッチ特性は、同一製造ライン上で前記基板を複数のステップで露光するのに用いられる各ステップに対応する複数の異なる他のリソグラフィ投影装置のうちの一つのリソグラフィ投影装置のＣＤ−ピッチ特性である、方法。」　　  
 　　　  
第３　引用例  
　当審で通知した平成２３年１月２５日付けの拒絶理由で引用した、本願の優先権主張の日（平成１５年９月１０日）前に頒布された刊行物である特開２００２−３２９６４５号公報（以下「引用例」という。公開日：平成１４年１１月１５日）には、図面とともに、次の事項が記載されている。  
 　  
（ａ）「【請求項１】 基板の目標部分にパターン形成したビームを投射するための投影システムを備える第１のリソグラフィ投影装置を用意する工程と、 
 放射感応材料の層で少なくとも部分的に覆った基板を用意する工程と、 
 放射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、 
 パターン形成手段を用いて前記投影ビームの断面にパターンを与える工程と、 
 前記投影システムを使用して、前記層の目標部分に前記パターン形成した放射のビームを投影して、投影された像を得る工程と、 
 基準のための第２のリソグラフィ投影装置を用意する工程とを備えるリソグラフィ製造法において、 
 前記放射感応層の前記投影された像から、第１のリソグラフィ伝達関数の空間周波数依存性についての第１の情報を得る工程と、 
 前記第２のリソグラフィ投影装置を使用して、第２のリソグラフィ伝達関数の空間周波数依存性についての、基準のための第２の情報を得る工程と、
 前記第１の情報と前記第２の情報の差を計算する工程と、 
 前記差を最小限にするように前記第１のリソグラフィ投影装置の機械設定のうちの少なくとも１つに適用するためのこれら機械設定の変更を計算する工程と、 
 前記計算した機械設定の変更を適用する工程とを特徴とするリソグラフィ製造法。」 
　　 　　　 
（ｂ）「【０００７】リソグラフィでは、光学的近接効果として知られる現象を扱うために、ＣＤ近接整合化として知られている方法が用いられる。この効果は、高密度な特徴に比べて、孤立した特徴の回折パターンが本質的に異なることによって生じる。一般に、光学的近接効果は、高密度な特徴とより孤立した特徴とが同時に印刷されたときのクリティカル寸法（ＣＤ）の差の原因となる。ＣＤのピッチ依存性は、以下では「ＣＤピッチ異常」と呼ぶ。ＣＤピッチ異常が存在する状態では、印刷されたＣＤは、ＣＤの寸法の要素が特徴内に配列されているピッチ（空間周波数の逆数）に依存する。」 
 　　 
（ｃ）「【０００９】・・・（中略）・・・一般に、大量生産現場では、ＯＰＣを含んだリソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用されることになる。そのような状況では、ＣＤばらつきを減少させるためのような異なるリソグラフィ投影装置の整合化は、通常、１つの選ばれた特徴の種類（例えば、高密度な特徴または孤立した特徴）について、基準に使用される装置を除いた前記の異なるリソグラフィ投影装置の各々で照射エネルギーを調整することで行われる。・・・（後略）・・・」
　　　
（ｄ）「【００１３】明らかに、ＬＴＦは唯一無二ではない。例えば、基板が露出前および後に受ける手順は（上で言及したように）、印刷されたパターンの空間周波数内容に、したがってＬＴＦの空間周波数依存性に重大な影響を及ぼすことがある。また、単一のリソグラフィ投影装置で実行される方法が、異なるＬＴＦをもたらすことがある。これは、像形成すべき特定のパターンが与えられたとすると、例えば照射量設定および照明設定のような機械設定が、印刷されるようなパターンに重大な影響を及ぼすことができ、したがって印刷されるようなパターンの空間周波数内容に重大な影響を及ぼすことができるということによっている。必然的に、特定の方法の工程に対して、リソグラフィ投影装置が異なると、種類が同じものでも、そのＬＴＦは空間周波数依存性が異なっている。これは、例えば、機械設定の残留較正誤差、およびそれぞれの異なるリソグラフィ投影装置のレンズの残留収差誤差によって生じることがある。また、異なる世代または種類のリソグラフィ投影装置は、たとえ同じ像形成仕様で動作していても、例えば、それぞれの（第１および第２の）投影システムの公称設計の一部である収差の差のために、異なるＬＴＦ、したがって異なった印刷パターンおよび／または異なったＣＤを多分に生じることがある。投影リソグラフィの慣行では、ＬＴＦは、リソグラフィの特徴誤差のピッチ依存性を通して観察することができるので、ＬＴＦの整合化は、例えばＣＤピッチ異常のようなリソグラフィの特徴誤差のピッチ依存性を整合させることで実質的に実現することができる。ＬＴＦの実質的なリソグラフィ装置間整合化がいったん実施されてしまうと、対応する複数の（異なる）ピッチで特徴付けられる複数の特徴の種類で印刷されたＣＤの整合が向上する。簡単にするために、ここで説明するようなリソグラフィ装置間の整合化は、以下では「機械間」整合化と呼ぶことがある。改良した機械間整合化のその他の利点は、レチクルに対して行われるＯＰＣ測定の有効性が向上することである。 
 【００１４】本発明によるリソグラフィ製造法を応用するために、第１のＬＴＦおよび第２のＬＴＦそれぞれの空間周波数依存性についての完全な第１および第２の情報、すなわち、ＬＴＦがゼロにならない全ての空間周波数の情報を含む完全な情報を得ることは必要でない。整合化のために、第１のＬＴＦについての十分な第１の情報は、例えば２つの印刷された特徴に生じるような任意のリソグラフィ誤差の大きさであってもよい。ここで前述の２つの特徴は、２つの対応する異なるピッチで特徴付けられる。簡単にするために、印刷された特徴に生じるリソグラフィ誤差は、以下では「特徴誤差」と呼ぶことがある。一般に、特徴誤差の大きさは、その特徴に特有のピッチに依存する。そのような誤差は、例えば、Ｐｒｏｌｉｔｈ（商標）、Ｓｏｌｉｄ−Ｃ（商標）またはＬｉｔｈｏＣｒｕｉｓｅｒ（商標）のような市販のリソグラフィ・シミュレーション・ソフトウェアを使用して測定または計算することができる。例えば、像形成すべき特定の（クリティカルな）特徴が与えられ、投影システムの収差が与えられ、基板上の放射感応層に関するデータが与えられ、さらに、放射のエネルギーおよび波長のような放射ビーム特性が与えられると、特徴誤差の大きさに関する予測は、これらのシミュレーション・プログラムを用いて行うことができる。 
 【００１５】同様に、基準のためのデータ（「基準特徴誤差」）をもたらす（基準のための）第２の情報を測定または計算することができる。それから、特徴誤差と基準特徴誤差の大きさの差を、関心のあるピッチについて求めることができる。」 
 　　　 
（ｅ）「【００１８】本発明の態様は、特に、機械間のＣＤピッチ異常整合化を可能にすることである。高密度な特徴（小さなピッチ）では、照射エネルギーを使用して、印刷された特徴に現れるようにＣＤを変えることができることは知られている。孤立した特徴では、照射エネルギーと例えば照明設定「σ−ｉｎｎｅｒ」および「σ−ｏｕｔｅｒ」との両方を使用して印刷されたＣＤに影響を与えることができ、この照明設定の「σ−ｉｎｎｅｒ」および「σ−ｏｕｔｅｒ」は、放射システムの瞳内における環状強度分布の内側半径範囲および外側半径範囲（投影システムの開口数に関係して）をそれぞれ定義する。使用可能な２つの機械設定変更（照射エネルギーと、例えば、σ−ｏｕｔｅｒ）が与えられたとすると、基本的に２つの好ましいピッチを選び、これらの２つのピッチで起こっているクリティカルな特徴に関するＣＤピッチ異常の整合化を実質的に得ることができる。孤立した特徴の印刷されたＣＤは、例えば、投影システムの開口数設定（以下で、ＮＡ設定とも呼ぶ）および基板の露出表面に実質的に垂直な方向での基板の変位の影響も受ける。そのような変位は、以下で、基板の焦点設定の変化と呼ぶ。孤立した特徴の印刷されたＣＤに影響を及ぼす他の可能性は、例えば、パターン形成された投影ビームに、予め選ばれた量の等波面収差を与えることによる。前記の等波面収差は、例えば球面収差を含むことがある。調整可能なレンズ要素を備える投影システムによって、一般に、１つまたは複数の投影システム・レンズ要素の軸方向位置（投影システムの光軸方向）を調整して、予め選ばれた量の球波面収差を設定することが可能になる。」 
 　　　 
（ｆ）「【００２６】 
 【発明の実施の形態】実施形態１ 
 図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置は、放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための、この場合に放射源ＬＡを備える放射システムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、石英および／またはＣａＦ2レンズ・システム、またはそのような材料で作られたレンズ要素を含むカタディオプトリック・システム）とを備える。ここに示すように、本装置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（反射マスクを有する）であってもよい。もしくは、本装置は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用することができる。」 
 　　 
（ｇ）「【００３１】図２に、リソグラフィ投影装置で発生するようなＣＤピッチ異常を模式的に示すグラフを示す。縦軸および横軸方向に、印刷されたＣＤとそのピッチをそれぞれ示す。グラフは、次のデータで特徴付けられるリソグラフィ製造法を表している。すなわち、放射ビームの波長λは２４８ｎｍであり、開口数はＮＡ＝０．７であり、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒの設定はそれぞれ０．８と０．５５であり、および公称ＣＤは１３０ｎｍである。グラフ２１は、第２のリソグラフィ投影装置に特有なＣＤピッチ異常を表す。この装置は、簡単にするために以下で、「基準ツール」と呼ぶ。整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置は、以下で、「ツール」と呼ぶ。グラフ２２は、ツールのＣＤピッチ異常を表す。ツールに加えられた照射量の小さな変化は、矢印２３で示すように、グラフ２２を縦軸に平行に平行移動させる効果がある。図３に、グラフ２１と２２のＣＤ値の差として定義されるＣＤピッチ異常整合を、ｎｍ単位で、ピッチの関数としてプロットする。前記の照射量調整は、図２のグラフに対して持つのと同じ平行移動効果を図３のグラフに対しても持つ（矢印２３で示すように）。従って、照射量調整を使用して、図３のＣＤピッチ異常整合をゼロ・ナノメートルのレベル（すなわち、図３の横軸）まで移動させることができる。ＣＤピッチ異常整合をさらに改善するために、例えばσ−ｏｕｔｅｒに対するツール設定の変更の効果を使用することができる。この効果を模式的に図２に示す。この効果は、良い近似で、グラフ２２の一部を点２５の周りに回転２４させることから成る。ここで、ピッチはピッチＰｒよりも大きい。 
 Ｐｒ＝λ／ＮＡ （１） 
 ピッチＰｒは、図２にピッチ２６として示す。このように、σ−ｏｕｔｅｒの調整によって、図２のグラフ２２１および２２２のようなＣＤピッチ異常のグラフになる。ＣＤピッチ異常整合に対するσ−ｏｕｔｅｒ調整の対応する効果を図３に示す。この対応する効果もまた、例えばＣＤピッチ異常整合のグラフ３２および３３を生じさせる前記の回転を含む。明らかに、図３のグラフ３３をゼロ・ナノメートル・レベルに平行移動させるσ−ｏｕｔｅｒ変化と照射量変化の組合せで、ＣＤピッチ異常の整合化は最適化される。
 【００３２】下に説明するようなことを除いては実施形態２と同じである他の実施形態では、図２および図３で矢印２４で表される前記の回転は、基板を移動させるための焦点設定の変更で実施される。基板の焦点設定を実現しかつ正確に制御する手段に加えて、リソグラフィ投影装置は球波面収差を制御調整する手段もまた備えることができる。そのような手段は、調整可能な投影システム・レンズ要素を備えてもよい。球面収差を調整する効果は、焦点設定の変更の効果と実質的に同様であり、同じく図２および図３に矢印２４で模式的に表す。したがって、この実施形態で、ＣＤピッチ異常整合化は投影システム・レンズ要素の調整も含むことがある。σ設定の調整、焦点設定の調整、および球面収差設定の調整などの設定変更の組合せを使用してＣＤピッチのグラフの回転２４を実現し、したがって、ＣＤピッチ異常整合化を最適化することができる。」 
 　　 
（ｈ）「【００３３】他の好ましい実施形態では、パターンを２つの部分パターンに分割する。一方の部分パターンは、ピッチＰｒよりも小さなピッチの特徴を実質的に含み、他方の部分パターンは、ピッチＰｒよりも大きなピッチの特徴を実質的に含む。ＣＤピッチ異常整合化に関して前記のパターンを分割すること（および二重露出の可能性を利用すること）の利点は、例えば、ツールの投影システムに比較的高次の残留球面収差が存在する効果を考察するときに明らかになる。図４は、上記の実施形態で説明したリソグラフィ製造プロセスについてのＣＤピッチ異常のグラフを示す。ここで、基準ツールは球面収差を示さず（グラフ４１）、またツールの投影システム（整合されるべきもの）は、Ｚｅｒｎｉｋｅ係数Ｚ１６で特徴付けられる０．０５波の球面収差を示す（グラフ４２）。図５は、計算された結果としてのＣＤピッチ異常整合の詳細なプロットを示す。グラフ５１を参照されたい。高密度なピッチ（ピッチ＜λ／ＮＡ）については、整合は＋１ｎｍと−１ｎｍの範囲内であるが、孤立したピッチ（＞λ／ＮＡ）については、＋３ｎｍまで非整合化が起こる。二重露出を使用するために、今や、λ／ＮＡよりも小さなピッチに対して既に得られた十分なＣＤピッチ異常整合化とは無関係に、λ／ＮＡより大きなピッチに対してＣＤピッチ異常整合化を改善することが可能である。これを図５に示す。ここで、組み合わされた照射量（矢印５２で示される効果）とσ−ｏｕｔｅｒ調整（矢印５３で示される効果）を使用して、ピッチ＞Ｐｒの部分パターンについてＣＤピッチ異常整合化を最適化する。二重露出像に対して結果的に生じる全体的なＣＤピッチ異常整合化を図６に示す。パターンで起こるピッチの全範囲について、＋および−１ｎｍよりも優れた整合が得られる。」 
 　　 
（ｉ）図１ 
（ｊ）図２ 
（ｋ）図３
〔記載事項からの認定事項〕
　上記記載事項（ｅ）、（ｇ）の記載及び記載事項（ｋ）の図示内容からして、「基板の露出表面に実質的に垂直な方向での基板の変位」である「基板を移動させるための焦点設定の変更で実施される」「グラフ２２」上の「点２５」の周りの「矢印２４で表される回転２４」により、「整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置」の「ＣＤピッチ異常」の「グラフ２２」と「基準ツール」である「第２のリソグラフィ投影装置」の「ＣＤピッチ異常のグラフ２１」との「ＣＤ値の差として定義されるＣＤピッチ異常整合」が改善（ＣＤ値の差が低減）されることが示されている。
　特に、記載事項（ｋ）の図示内容において、「矢印２４で表される回転２４」により、「ＣＤピッチ異常整合」の「グラフ３３」が得られていることからして、「焦点設定の変更」を行うことで、回転中心である「点２５」よりも大きいピッチの範囲において、「ＣＤピッチ異常整合」が改善（ＣＤ値の差が低減）されることが示されている。
　　　　
〔引用例に記載された発明の認定〕  
　これらの記載事項（ａ）〜（ｋ）からして、引用例には、  
「放射感応材料の層で少なくとも部分的に覆った基板を、リソグラフィ投影装置を使用して露光する方法において、
　リソグラフィ投影装置は、 
　放射の投影ビームＰＢを供給するための放射源ＬＡを備える放射システムＥｘ，ＩＬと、 
　マスクＭＡを保持するためのマスク・ホルダと、 
　基板Ｗを保持するための基板ホルダを備える基板テーブルＷＴと、 
　マスクＭＡの放射照射部分の像を基板Ｗの目標部分Ｃに形成するための投影システムとを有し、
　光学的近接効果は、高密度な特徴とより孤立した特徴とが同時に印刷されたときのクリティカル寸法（ＣＤ）の差の原因となり、 
　前記方法は、前記放射感応材料の層に前記マスクＭＡの放射照射部分の像を投影するステップを有し、 
　大量生産現場で、リソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用される際に、ＣＤばらつきを減少させることにより異なるリソグラフィ投影装置の整合化を行う方法であって、
　整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置及び基準ツールである第２のリソグラフィ投影装置のそれぞれに特有のＣＤピッチ異常は、縦軸を印刷されたＣＤ、横軸をピッチとして、それぞれグラフ２２及び２１により示され、
　前記投影するステップは、基板を移動させるための焦点設定（基板の露出表面に実質的に垂直な方向での基板の変位）の変更により、整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２を、当該グラフ２２上の点２５の周りに回転２４させることで、整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２と基準ツールである第２のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２１とのＣＤ値の差として定義されるＣＤピッチ異常整合を改善（ＣＤ値の差を低減）させるものであり、回転中心である点２５よりも大きいピッチの範囲において、ＣＤピッチ異常整合が改善（ＣＤ値の差が低減）される方法」  
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。  
 　　　　  
第４　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　　　　
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明の「放射感応材料の層」、「放射の投影ビームＰＢ」、「放射システムＥｘ，ＩＬ」、「孤立した特徴」、「高密度な特徴」、「基板Ｗを保持するための基板ホルダを備える基板テーブルＷＴ」及び「マスクＭＡの放射照射部分の像を基板Ｗの目標部分Ｃに形成するための投影システム」は、それぞれ本願発明の「放射線感光層」、「放射線の投影ビーム」、「照明システム」、「孤立した形態」（のパターン）、「稠密な形態」（のパターン）、「基板を保持する基板テーブル」及び「パターンの像を基板の目標部分に投影する投影システム」に相当する。 
 　　 
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明において、「光学的近接効果は、高密度な特徴とより孤立した特徴とが同時に印刷されたときのクリティカル寸法（ＣＤ）の差の原因」となるということは、マスクＭＡにそのような高密度な特徴と孤立した特徴とを両方とも含むパターンが存在することを意味するから、引用発明の「マスクＭＡを保持するためのマスク・ホルダ」は、本願発明の「投影ビームの断面に孤立した形態及び稠密な形態を両方とも含むパターンを与える働きをするパターン付与手段を支持する支持構造」に相当する。 
 　　  
＜対応関係Ｃ＞ 
　引用発明の「放射感応材料の層にマスクＭＡの放射照射部分の像を投影するステップ」は、放射感応材料の層に像を形成するための露光を行うものであるから、本願発明の「放射線感光層に像を露光するステップ」に相当する。 
 　　 
＜対応関係Ｄ＞ 
　引用発明の「ＣＤピッチ異常」及び／または「ＣＤピッチ異常のグラフ」に示される特性は、縦軸を印刷されたＣＤ、横軸をピッチとしてグラフに示される特性であるから、本願発明の「ＣＤ−ピッチ特性」に相当する。 
 　　 
＜対応関係Ｅ＞ 
　引用発明において、露光期間の間は基板の変位は変更された状態であることは明らかである。
　そうすると、引用発明において、「投影するステップは、基板を移動させるための焦点設定（基板の露出表面に実質的に垂直な方向での基板の変位）の変更により、整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２を、当該グラフ２２上の点２５の周りに回転２４させることで、整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２と基準ツールである第２のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２１とのＣＤ値の差として定義されるＣＤピッチ異常整合を改善（ＣＤ値の差を低減）させるものであり、回転中心である点２５よりも大きいピッチの範囲において、ＣＤピッチ異常整合が改善（ＣＤ値の差が低減）される」ことと、本願発明の「前記露光するステップは、露光の間に、前記孤立した形態及び稠密な形態のＣＤ−ピッチ特性を改造するために目標部分で前記像のコントラスト損を誘発することにより、前記ＣＤ−ピッチ特性における所定値より大きいピッチの範囲で前記ＣＤ−ピッチ特性と目標ＣＤ−ピッチ特性との間の差を低減」することとは、「露光するステップは、露光の間に、孤立した形態及び稠密な形態のＣＤ−ピッチ特性を改造するために、前記ＣＤ−ピッチ特性における所定値より大きいピッチの範囲で前記ＣＤ−ピッチ特性と目標ＣＤ−ピッチ特性との間の差を低減」する点で共通する。 
 　　　 
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明において、「大量生産現場で、リソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用される際に、ＣＤばらつきを減少させることにより異なるリソグラフィ投影装置の整合化を行う」に際して、「整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２を、当該グラフ２２上の点２５の周りに回転２４させることで、整合されるべき任意の他の第１のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２２と基準ツールである第２のリソグラフィ投影装置のＣＤピッチ異常のグラフ２１とのＣＤ値の差として定義されるＣＤピッチ異常整合を改善（ＣＤ値の差を低減）させる」ことと、本願発明の「目標ＣＤ−ピッチ特性は、同一製造ライン上で前記基板を複数のステップで露光するのに用いられる各ステップに対応する複数の異なる他のリソグラフィ投影装置のうちの一つのリソグラフィ投影装置のＣＤ−ピッチ特性である」こととは、「目標ＣＤ−ピッチ特性は、製造ライン上で前記基板を複数のステップで露光するのに用いられる各ステップに対応する複数の異なる他のリソグラフィ投影装置のうちの一つのリソグラフィ投影装置のＣＤ−ピッチ特性である」点で共通する。
　　　
　そうすると、両者は、  
「少なくとも部分的に放射線感光層で覆われた基板を、リソグラフィ投影装置を使用して露光する方法であって、
　前記リソグラフィ投影装置は、
　放射線の投影ビームを提供する照明システムと、
　投影ビームの断面に孤立した形態及び稠密な形態を両方とも含むパターンを与える働きをするパターン付与手段を支持する支持構造と、
　基板を保持する基板テーブルと、
　パターンの像を基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、
　前記方法は、前記放射線感光層に前記像を露光するステップを有し、
　前記露光するステップは、露光の間に、前記孤立した形態及び稠密な形態のＣＤ−ピッチ特性を改造するために、前記ＣＤ−ピッチ特性における所定値より大きいピッチの範囲で前記ＣＤ−ピッチ特性と目標ＣＤ−ピッチ特性との間の差を低減し、
　前記目標ＣＤ−ピッチ特性は、製造ライン上で前記基板を複数のステップで露光するのに用いられる各ステップに対応する複数の異なる他のリソグラフィ投影装置のうちの一つのリソグラフィ投影装置のＣＤ−ピッチ特性である、方法。」  
　である点で一致し、以下の各点で相違する。  
 　　　　　　　  
（相違点１）  
　「孤立した形態及び稠密な形態のＣＤ−ピッチ特性を改造するために、前記ＣＤ−ピッチ特性における所定値より大きいピッチの範囲で前記ＣＤ−ピッチ特性と目標ＣＤ−ピッチ特性との間の差を低減」する手段として、本願発明は「像のコントラスト損を誘発すること」によりしているのに対して、引用発明は「基板を移動させるための焦点設定（基板の露出表面に実質的に垂直な方向での基板の変位）の変更」を行っており、像のコントラスト損が生じているのか否かが不明である点。  
 　　　  　　
（相違点２）
　特性を整合する目標とするリソグラフィ投影装置について、本願発明では、「同一製造ライン上」のものを対象としているのに対して、引用発明では、そのように限定していない点。
　　　　　　
第５　判断  
　上記各相違点について検討する。  
 　 
（１）相違点１について
　複数のリソグラフィ投影装置がある場合、各装置の性能等に応じた特性の相違が存在し得るが、なるべく精緻なパターン形成を実現するというリソグラフィ技術分野における技術的要請（技術常識）からして、それぞれの装置をなるべく良好な性能を示す状態で用いることは、当業者であれば当然に行っていることといえる。
　つまり、当然の前提条件として、複数のリソグラフィ投影装置は、それぞれの焦点設定を最良の状態に近い設定にしておくべきものといえるから、引用発明のように、焦点設定の変更によりＣＤピッチ異常を整合させようとすると、引用発明における、整合されるべき任意の第１のリソグラフィ投影装置に基板の変位に応じたコントラスト損が生じることは当然の結果であるといえる。
　よって、相違点に係る本願発明の「孤立した形態及び稠密な形態の等稠密バイアス特性を改造するために像のコントラスト損を誘発」するという作用は、引用発明でも当然に生じる作用であるといえるので実質的な相違点ではない。
　また、複数のリソグラフィ投影装置を整合しようとすれば、相対的に高性能な装置（良好な特性を示す装置）の側の焦点設定を悪化させて低性能な装置の特性に整合させざるを得ないのは技術常識から明らかであるから、当該作用が生じるような方向を意図して整合化することも、当業者であれば容易に想到することである。 
　　　　　  
（２）相違点２について
　同一製造ライン上で複数のリソグラフィ投影装置を用いることはよく行われていることであるから、引用発明の「リソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用される」形態に、「同一製造ライン上」における「リソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用される形態」が含まれていることは、技術常識からして自明なことである。
　そうすると、引用発明をそのような形態に適用すること、すなわち、ＣＤピッチ異常整合を行う対象を同一製造ライン上の複数のリソグラフィ投影装置とすることにより、相違点２に係る構成を得ることは、当業者であれば容易に想到することである。
　　　　　
　なお、ここでは、相違点２を具体的な相違点として扱ったが、請求人が補正の根拠とした本願明細書の段落【００１４】の記載では、「同じリソグラフィ製造層プロセスのステップで異なるリソグラフィ投影装置を使用すべき状況・・・」とあるだけで、「同一の製造ライン」に限定されていない。通常の技術用語解釈からして、「同じリソグラフィ製造層プロセスのステップ」とは、「同一の製造ライン」上のステップのみを意味するとはいえず、別々の製造ライン上のステップ等も意味し得る概念である。そうすると、引用発明における「リソグラフィ製造法の工程に異なるリソグラフィ投影装置が使用される」形態と、本願明細書における上記「同じリソグラフィ製造層プロセスのステップで異なるリソグラフィ投影装置を使用すべき状況」とは、実質的には同じ意味内容と解される。よって、適法に補正された本願発明の「同一の製造ライン上・・・」という発明特定事項は、格別の技術的意味を有さないものと解するのが相当であるから、相違点２については実質的な相違点とはいえない（仮に、この点が格別の技術的相違をもたらすものであるとするなら、平成２３年４月２６日付け手続補正は新規事項を追加するものであり、治癒の困難な不適法な補正である。）。
　　　　
（３）作用効果についての検討
　本願発明の作用効果（複数のリソグラフィ投影装置におけるＣＤ−ピッチ特性の整合等）は、引用発明から予測可能なものである。
　　　
〔平成２３年４月２６日付け意見書における主張について〕
（１）請求人は、「６．理由４について」において、本願発明の像のコントラスト損の誘発は引用発明の焦点設定の変更とは異なる、という趣旨の主張をしている。
　しかし、本願明細書を参照しても、像のコントラスト損の誘発について、何らかの手段により基板表面に実質的に垂直な方向（Ｚ方向）の焦点位置制御を行う技術しか開示されておらず、引用発明の焦点設定の変更と特段の相違が認められないので、当該主張は妥当なものではない。
（２）請求人は、「６．理由４について」において、本願発明は像のコントラスト損の動的制御を行うもの、という趣旨の主張をしている。
　しかし、本願発明は動的制御に限定されたものではないから、当該主張は妥当なものではない。
　なお、請求人は、平成２３年１月２５日付け拒絶理由通知の「拒絶理由３」における「本願発明１〜１４はコントラスト損を動的に制御することでＣＤ−ピッチ特性を制御する技術を
包含
　　　
（４）小括
　よって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　　　　
第６　まとめ  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、第２９条第２項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができないものである。  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
　よって、結論のとおり審決する。