【事件の表示】
　特願２００５−　８６７８９「センサ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月２４日出願公開、特開２００６−２２０６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月２４日の出願（先の特許出願である特願２００４−２１９３３０号、特願２００４−２１９３３１号、特願２００５−５６３９号、特願２００５−５６４０号に基づく優先権主張を伴い、優先日は、それぞれ、平成１６年７月２７日、同左、平成１７年１月１２日、同左である。）であって、明細書及び特許請求の範囲について、平成２２年３月８日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２３年２月１７日付け（送達：同年同月２２日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２３日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に、明細書及び特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　　
２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、次のとおりに補正するものである。
（本件補正前）
「対象領域に疎密波を送波する送波素子および疎密波が間欠的に送波されるように送波素子を駆動する送波制御部を有する送波装置と、
　送波素子から送波され対象領域内に存在する物体で反射された疎密波を受波するとともに受波した疎密波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置と、
　送波素子が疎密波を送波してから当該疎密波が受波素子に受波されるまでの時間に基づいて前記物体までの距離と前記物体の存在する方位との少なくとも一方を求める検出部とを備え、
　送波素子は、残響成分が少ない疎密波を発生するものであり、
　受波素子は、マイクロマシンニング技術を利用して形成されて固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホンであり、疎密波を受波したときに発生する受波信号における残響成分が少ないものであることを特徴とするセンサ装置。」
（本件補正後）
「対象領域に疎密波を送波する送波素子および疎密波が間欠的に送波されるように送波素子を駆動する送波制御部を有する送波装置と、
　送波素子から送波され対象領域内に存在する物体で反射された疎密波を受波するとともに受波した疎密波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置と、
　送波素子が疎密波を送波してから当該疎密波が受波素子に受波されるまでの時間に基づいて前記物体までの距離と前記物体の存在する方位との少なくとも一方を求める検出部とを備え、
　送波素子は、
シリコン基板の一表面側に多孔質シリコン層からなる熱絶縁層が形成され、熱絶縁層上に高融点金属により形成された発熱体層を有し、空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子からなり、送波制御部から正弦波波形の半周期の孤立波が駆動入力波形として与えられることにより
　受波素子は、マイクロマシンニング技術を利用して形成されて固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホンであり、疎密波を受波したときに発生する受波信号における残響成分が少ないものであることを特徴とするセンサ装置。」（下線は補正箇所を示し、また、便宜のため、段落毎に改行してある。）
　
　この補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「送波素子」について、「シリコン基板の一表面側に多孔質シリコン層からなる熱絶縁層が形成され、熱絶縁層上に高融点金属により形成された発熱体層を有し、空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子からなり、送波制御部から正弦波波形の半周期の孤立波が駆動入力波形として与えられることにより」との限定を付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（２）引用例に記載の事項・発明
ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−１８０２６２号公報（発明の名称：３次元センサ、出願人：松下電工株式会社、公開日：平成１６年６月２４日、以下「引用例１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ア）記載事項
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】発熱部の温度変化を媒質の膨張収縮に変換することにより媒質を伝播する粗密波を生成する送波装置と、送波装置から送波され物体で反射された粗密波を受波するとともに受波した粗密波を電気信号である受波信号に変換する受波エレメントを複数個配列した受波装置と、媒質の単発的な圧力変化による粗密波が生じるように送波装置を駆動する送波制御部と、各受波エレメントからの受波信号の遅延時間を調整した後に合成することにより受波エレメントの位置と遅延時間とで決まる受波装置の指向性を制御する指向性制御部と、指向性制御部により設定された受波装置のメインビームの方向において送波装置が粗密波を送波してから受波装置が受波するまでの時間によって物体までの距離を求める３次元位置検出部とを備えることを特徴とする３次元センサ。」
（ｂ）「【００２８】
【発明の実施の形態】
本実施形態に示す３次元センサは、図１に示すように、媒質の単発的な圧力変化による粗密波を送波する送波装置１０と、粗密波が物体Ｏｂで反射された反射波を受波する受波装置２０とを備え、送波装置１０により粗密波を送波してから受波装置２０が反射波を受波するまでの時間により物体Ｏｂまでの距離を求めることができる。また、受波装置２０は指向性を制御可能であって、受波装置２０のメインビームの方向が物体Ｏｂを検知する方向になる。つまり、受波装置２０のメインビームの方向において物体Ｏｂまでの距離を求めることにより、物体Ｏｂの３次元位置を知ることが可能になっている。
【００２９】
送波装置１０は、図２に示すように、基本的には特許文献２に記載された圧力波発生装置と同様の構成を有するものであって、単結晶シリコンからなる基板１０ａに、多孔質シリコン（ナノ結晶シリコン）からなる熱絶縁層１０ｂを介して薄膜の発熱部１０ｃを積層した構成を有する。この構造の送波装置１０は半導体製造プロセスにより形成される。発熱部１０ｃは熱絶縁層１０ｂの表面に沿って形成され、本実施形態では４本の直線部分を並設するとともに隣り合う直線部分の端部同士を連結して形成した１本の電路によって発熱部１０ｃが形成されている。発熱部１０ｃの両端間に通電して発熱部１０ｃに温度変化を生じさせると、発熱部１０ｃに接触する媒質（空気）に温度変化が生じる。発熱部１０ｃに接触している媒質は、発熱部１０ｃの温度上昇時には膨張し発熱部１０ｃの温度下降時には収縮するから、発熱部１０ｃの通電を適宜に制御することによって媒質を膨張収縮させることができ媒質を伝播する粗密波を生成することになる。
【００３０】
基板１０ａにおける単位体積当たりの熱容量と熱伝導率との積は熱絶縁層１０ｂにおける単位体積当たりの熱容量と熱伝導率との積よりも大きくしてある。基板１０ａおよび熱絶縁層１０ｂのそれぞれについて求められる積の比は１００以上（好ましくは４００以上）になるように材料が選択される。たとえば、基板１０ａの材料である単結晶シリコンは単位体積当たりの熱容量が１．６７、熱伝導率が１６８であり、熱絶縁層１０ｂの材料である多孔質シリコンは単位体積当たりの熱容量が０．７、熱伝導率が１であって、上述した熱容量と熱伝導率との積の比は０．７／２８０．６≒１／４０９になる。このような設定によって、基板１０ａは熱絶縁層１０ｂからの熱を効率よく受け取って熱絶縁層１０ｂの熱を逃がすことができ、熱絶縁層１０ｂの存在によって送波装置１０の発熱部１０ｃの温度変化を媒質に効率よく伝達しながらも、発熱部１０ｃからの熱が熱絶縁層１０ｂに蓄積されるのを防止することができる。また、基板１０ａは熱絶縁層１０ｂからの放熱を促す機能を持っている。
【００３１】
発熱部１０ｃの通電制御は図１に示す送波制御部１１が行う。送波制御部１１は、発熱部１０ｃに対して図３（ａ）に示すようなベル形の波形の電圧を間欠的に印加することができるように、電圧印加のタイミングを決定するタイミング制御部１１ａと、タイミング制御部１１ａにより指示された送波タイミングで上述した波形の信号を生成する信号源１１ｂと、信号源１１ｂで生成した信号を電圧増幅する増幅器１１ｃとを備える。また、発熱部１０ｃに対する１回の通電時間は１〜１００ｎｓの範囲で設定されている。したがって、発熱部１０ｃに接触している媒質には、発熱部１０ｃの通電時間に相当する圧力変化が生じ、この圧力変化が粗密波として媒質中を伝播されるのである。上述のように、発熱部１０ｃに印加される電圧の波形がベル形（正弦波形の下限値から下限値までの１サイクルに相当する波形）であるから、発熱部１０ｃに接触している媒質には単発的な圧力変化が生じ、この圧力変化により生じる粗密波が媒質を伝播される。このような粗密波は、連続した波ではなく媒質中を孤立波として伝播するから、エネルギがあまり分散せず遠方まで伝播することになる。」
（ｃ）「【００３５】
受波装置２０は、図６に示すように、複数個の受波エレメント２１を一平面上に２次元的に配列したものであって、受波エレメント２１は、たとえばマトリクス状（図６はマトリクス状の例を示している）、千鳥格子状、同心円状などに配列される。図７（ａ）は１つの円周上に受波エレメント２１を配列した例を示し、図７（ｂ）は中心を共通に持ち異なる直径を有した２個の円周上に受波エレメント２１を配列した例を示している。図７（ｂ）は２個の円周であるが３個以上の円周上に受波エレメント２１を配列することも可能である。このように円周上に受波エレメント２１を配列すると、中心部分には受波エレメント２１を配列しないから、後述する指向性の制御を同程度に行うとすれば、マトリクス状に配列する場合に比較して受波エレメント２１の個数を削減することができる。また、２個の円周上に受波エレメント２１を配列すれば、１つの円周上に受波エレメント２１を配列している場合よりも受波エレメント２１の個数が多くなり指向性を鋭くすることができる。その結果、サイドローブを低減することが可能である。ここに、受波装置２０の指向性を高めるには、受波エレメント２１の配列ピッチが粗密波の波長の２分の１を越えないようにすることも有効である。つまり、一般に複数個の受波エレメント２１を配列して受波装置２０の指向性を鋭くするには、受波エレメント２１の配列ピッチを扱う波長に比べて小さくする必要があり、配列ピッチの限界値は扱う波長の２分の１になることが知られているから、受波エレメント２１の配列ピッチが粗密波の波長の２分の１を越えないように設定しているのである。
【００３６】
ところで、本実施形態では、図８に示すように、受波装置２０を送波装置１０と同じ基板１０ａの上に形成してあり、受波装置２０にも送波装置１０と同様に半導体製造プロセスによって製造可能なものを用いている。つまり、受波エレメント２１は、粗密波を受波して変位する受圧部と、受圧部の変位を電気量に変換するピエゾ素子とを備える構造を有している。この種の受波エレメント２１としては、図９に示すように、基板１０ａの一部に形成した窓孔２１ａを覆うダイアフラム型の状の受圧部２１ｂを設け、受圧部２１ｂにピエゾ素子２１ｃを積層した形のもの、あるいは図１０に示すように、基板１０ａの一部に形成した窓孔２１ａの一辺において基板１０ａに連続するカンチレバー型の受圧部２１ｂを設け、窓孔２１ａの周部と受圧部２１ｂとを連結している部位に拡散抵抗からなるピエゾ素子（ピエゾ抵抗素子）２１ｃを形成したものなどが知られている。ダイアフラム型の受圧部２１ｂを備える受波エレメント２１に用いるピエゾ素子２１ｃとしては、ＰＺＴ、ＺｎＯなどの材料が用いられる。
【００３７】
上述のように送波装置１０と受波装置２０との基板１０ａを共用し、しかも両者を半導体製造プロセスにより製造可能としているから、送波装置１０と受波装置２０とを一括して製造することができ製造工程が容易になるのであって、大量生産に適した構成になる。また、基板１０ａには単結晶シリコンを用いているから、他の部品を集積回路として基板１０ａに形成することが可能であり、後述する回路部を送波装置１０および受波装置２０とともに基板１０ａ上に形成することで小型化が可能になる。なお、上述した構成の送波装置１０は機械的振動がほとんど発生しないから、受波装置２０とともに１枚の基板１０ａに形成しても送波装置１０の駆動に伴う受波装置２０への影響が比較的少なく、このことによって送波装置１０と受波装置２０とを１枚の基板１０ａに設けることが可能になっている。」
　
（イ）引用例に記載された発明
　上記記載（ｂ）によれば、送波装置１０は、基本的には特許文献２に記載された圧力波発生装置と同様の構成を有するものであって、単結晶シリコンからなる基板１０ａに、多孔質シリコン（ナノ結晶シリコン）からなる熱絶縁層１０ｂを介して薄膜の発熱部１０ｃを積層した構成を有するものであるところ、特許文献２である特開平１１−３００２７４号公報（引用例１の段落【０００５】）には、発熱部としてアルミニウムを用いることが記載されている。
　また、受波エレメント２１は、空気の圧力変化を受波信号として電気信号に変換するものであるから、マイクロホンであるといえる。
　また、送波装置１０と送波制御部１１とを併せて、「送波部」と呼ぶこととする。
  以上の点を踏まえ、記載事項（ａ）ないし（ｃ）、及び図１，２，３，６，８，９の記載内容を総合すると、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「検知領域に粗密波を送波する送波装置１０及び粗密波が間欠的に送波されるように送波装置１０を駆動する送波制御部１１を有する送波部と、
　送波装置１０から送波され検知領域内に存在する物体で反射された粗密波を受波するとともに受波した粗密波を電気信号である受波信号に変換する受波エレメント２１を有する受波装置２０と、
　送波装置１０が粗密波を送波してから当該粗密波が受波エレメント２１に受波されるまでの時間に基づいて前記物体までの距離を求める３次元位置検出部２３とを備え、
　送波装置１０は、単結晶シリコン基板１０ａの一表面側に多孔質シリコンからなる熱絶縁層１０ｂが形成され、熱絶縁層１０ｂ上にアルミニウムにより形成された発熱部１０ｃを有し、空気に温度変化を生じさせて膨張収縮させることにより粗密波を発生させる圧力波発生装置からなり、送波制御部１１からベル形の間欠的な電圧が駆動入力波形として与えられることにより粗密波を発生するものであり、
　受波エレメント２１は、半導体製造プロセスにより形成されて受圧部２０ｂの変位を電気量に変換するピエゾ素子２１ｃを有するマイクロホンである３次元センサ。」（以下、「引用例１に記載された発明」という。）
　
イ　引用例２
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１４９２９９号公報（発明の名称：アレイ型超音波トランスデユ−サ、出願人、工業技術院長、公開日：昭和６２年７月３日、以下「引用例２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ア）記載事項
（ａ）「（産業上の利用分野）
　本発明は、ロボットや各種産業機器に装備し、比較的近い距離にある対象物体との間の距離を測定したり、あるいは対象物の大きさや形状を認識したりするための新しい超音波トランスデユーサの構造に関するものである。」（１頁左下欄１２〜１７行）
（ｂ）「従来、この種の空中超音波トランスデユーサとしてＰＺＴ等の圧電体の共振を利用したものや静電容量型のトランスデユーサが市販されている。静電容量型のトランスデユーサの中で最も良く知られているのはコンデンサスピーカやコンデンサマイクロホン等の音響機器であり、これらは周波数帯域は低く可聴音波領域であるが、電気音響変換機器の代表である。第６図はコンデンサスピーカの動作原理及び構造を示す模式断面図である。電極６０３の周辺部に絶縁体６０５でできた枠を設け、その上に高分子フィルム６０２を張りつける。フィルム６０２の上面には、アルミあるいは金等の導体の蒸着膜が形成されており、フィルム表面が等電位になるように作られている。そのフィルム面上の金属膜はアース電極６０１と接着されアース電位となる。裏面の金属電極６０３に直流バイアス電圧が加えられ、フィルムが金属電極に引きつけられ、更に交流信号を加えることにより、フィルムが振動し音波が空中に発せられる。マイクロホンの場合は、空中を伝播してきた音波によりフィルムが振動し、その容量変化を検出するため、第６図で交流信号印加の代りに増幅器を設ければよい。」（２頁左上欄３行〜右上欄４行）
（ｃ）「（発明が解決しようとする問題点）
　上述した従来技術の第１及び第２の静電型トランスデユーサは構造が簡単である利点を有するがこれらのトランスデユーサを用いて、超音波を電子・走査することは、従来全く考慮されていなかった。また第３の例の場合は素子のアレイ化あるいは集積化にはすぐれた方法であると考えられるが、超音波素子が共振型であるために、位相まで考慮する必要のある電子走査型超音波トランスデユーサを作るためには、すべての素子エレメントを同一の共振周波数で駆動できるように精度良く、片持梁を作る必要があり、このため素子の分留りが悪くなる。また素子の共振の鋭さを示すＱ値が大きいため、振動子の振動が減衰しにくく、近距離の反射音波の測定ができなかった。本発明の目的は上記の従来の欠点を除去し、電子走査するのに適したアレイ型超音波トランスデユーサの新規な構造を提供することである。」（２頁右下欄６行〜３頁左上欄３行）
（ｄ）「（問題点を解決するための手段）
　本発明は、静電型超音波トランスデユーサに於いて、振動フィルム上に形成された可動電極もしくは可動電極に相対している固定電極の少なくとも一方を分割し、アレイ化したことを特徴とするアレイ型超音波トランスデユーサである。
（作用）
　本発明のアレイ型超音波トランスデユーサは、原理的には、静電容量型超音波トランスデュニサであるため、周波数特性が平坦である。その結果信号源に忠実な音波を発信あるいは受信が可能である。また従来このような静電容量型超音波トランスデユーサをアレイ化する場合、電極間でフィルムが完全に固定されていなければ一つの電極に加えられた信号により振動したフィルムは隣接する電極方向にも超音波が伝播し、各エレメント間のクロストークのために超音波の電子走査は、不可能であると考えられていた。しかしながら、本発明者がはじめて見出した電極を分割するという単純な構造のみで、クロストークがほとんどなく超音波が電子走査できるということが判明した。また圧電体の振動周波数は通常１００ｋＨｚ〜ＩＭＨｚ程度であり、空気中の超音波としては減衰が激しく、その点でも静電型トランスデユーサは有利である。」（３頁左上欄４行〜右上欄８行）
（ｅ）「（実施例）
　以下本発明を実施例にもとづいて説明する。第１図（ａ）、（ｂ）は第１の実施例を説明するための上面及び断面模式図である。シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜１０２を厚さ１０００Å形成し、アルミニウム膜を真空蒸着法により厚さ約５０００Å形成し、加工し、分割電極１０３を形成する。この電極の幅の大きさ、ピッチ、数等は、駆動する周波数により必要とする指向性及び走査角度によって決まるが、本実施例の場合、１つの電極の幅が０．６３ｍｍ長さ２０ｍｍでピッチ１ｍｍで３２個アレイ化した。チップサイズは、３５ｍｍ×２５ｍｍである。次に約５００Åの厚さのアルミニウムが片側表面全面に蒸着された１２μｍ厚さのポリエステル膜の裏面を適度な張力をもたせて、シリコン基板に張りつけ、チップの両端で固定する。この際、分離された電極間の露出した酸化膜部１０７の部分で膜を接着しても良いが、静電力でひきつけられるのでわざわざ接着しなくてもよく、極めて簡単な工程でアレイ化超音波エレメントが構成できる。次にチップをパッケージにマウントし、電極用パッド１０６とパッケージのパッドをボンディングワイヤで結線し、フィルム面上の結線は、導電性テープで行った。このようにして得られたアレイ型超音波トランスデユーサの各電極に第２図に示すようにプログラマブルな遅延回路２０３、２００Ｖの直流バイアス回路２０５、交流信号発生器２０４を結線し、振幅１０Ｖｐ−ｐで５０ｋＨｚのサイン波を５発ずつ入力し、超音波を所定の方向に発信した。第３図に示すように３０１試料を中央に設置し、半径３０ｃｍの円弧上をブリューエル・アンド・ケア社（Ｂｒｕｅｌ＆Ｋｊａｅｒ）のマイクロホン３０２を回転し、各方向での指向特性を測定した。第４図（ａ）は全素子を同位相で発信した場合、第４図（ｂ）は、隣接電極間の位相遅れを０．６４μｓｅｃごとにした場合、第４図（ｃ）は１．５９μｓｅｃごとにした場合で、それぞれ０°、１３°、３３°の方向に超音波が放射されており、これは１ｍｍ間隔で点音源が８２個並んだ場合の計算値と極めて良く一致している。」（３頁右上欄９行〜右下欄６行）
（ｆ）「（発明の効果）
　以上説明したように、本発明の構造によるアレイ型超音波トランスデユーサは極めて簡単な工程で、作製することができ、歩留りが向上した。また、空中での電子走査による超音波走査を行うことができた。本実施例では、超音波の発信実験を示したが、交流信号発生器の代わりに受信用増幅器を設けることにより、斜め方向からの超音波も受信できることは言うまでもない。また時間的位相をずらしながら送信、受信を行うことにより超音波の電子走査による２次元像を得ることも可能である。また本素子の実施例では直流バイアス電圧を加えたが、予しめ帯電処理の施されたエレクトレット膜を用いることにより、直流バイアス回路をなくし、自己バイアスとすることもできる。」（４頁左上欄１０行〜右上欄４行）　
　
（イ）引用例に記載された技術事項
　上記記載（ａ）ないし（ｆ）及び第１図ないし第８図より、引用例２には、次の技術事項が記載されているものと認める。
「シリコン基板上に形成された電極と、高分子フィルムを介して設けられた電極とからなる静電容量型超音波トランスデューサを超音波発振器や超音波受信器として用いることにより、該トランスデューサの機械的共振に係るＱ値が小さいことから、該トランスデューサの振動の減衰をし易くして、近距離の対象物体までの距離を測定できるようにすること。」（以下、「引用例２に記載された技術事項」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と、引用例１に記載された発明とを対比する。
ア  まず、引用例１に記載された発明における「検知領域」、「粗密波」、「送波装置１０」、「送波制御部１１」、「送波部」、「受波エレメント２１」、「受波装置２０」、「３次元位置検出部２３」、「単結晶シリコン基板１０ａ」、「多孔質シリコンからなる熱絶縁層１０ｂ」、「圧力波発生装置」、及び「３次元センサ」は、本願補正発明における「対象領域」、「疎密波」、「送波素子」、「送波制御部」、「送波装置」、「受波素子」、「受波装置」、「検出部」、「シリコン基板」、「多孔質シリコン層からなる熱絶縁層」、「音波発生素子」、及び「センサ装置」にそれぞれ相当する。
イ　また、送波素子に関し、引用例１に記載された発明における「アルミニウム」も、本願補正発明における「高融点金属」も、共に、「金属」である点で共通する。
　また、送波素子に関し、上記相当関係を踏まえると、引用例１に記載された発明における「空気に温度変化を生じさせて膨張収縮させることにより粗密波を発生させる圧力波発生装置」は、その疎密波発生原理から見て、本願補正発明における「空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子」に相当するといえる。
　同様に、送波素子に関し、引用例１に記載された発明における「ベル形の間欠的な電圧」の波形形状は、引用例１の図３（ａ）に記載のとおりであり、本願補正発明における「正弦波波形の半周期の孤立波」に相当するといえる。
ウ　また、一般に、マイクロマシニング技術は、半導体製造プロセスによるものであり、受波素子に関し、引用例１に記載された発明における「半導体製造プロセスにより形成されて受圧部２０ｂの変位を電気量に変換するピエゾ素子２１ｃを有するマイクロホン」も、本願補正発明における「マイクロマシンニング技術を利用して形成されて固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホン」も、共に、「マイクロマシンニング技術を利用して形成されたマイクロホン」である点で共通する。
　
　してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「対象領域に疎密波を送波する送波素子および疎密波が間欠的に送波されるように送波素子を駆動する送波制御部を有する送波装置と、
　送波素子から送波され対象領域内に存在する物体で反射された疎密波を受波するとともに受波した疎密波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置と、
　送波素子が疎密波を送波してから当該疎密波が受波素子に受波されるまでの時間に基づいて前記物体までの距離と前記物体の存在する方位との少なくとも一方を求める検出部とを備え、
　送波素子は、シリコン基板の一表面側に多孔質シリコン層からなる熱絶縁層が形成され、熱絶縁層上に金属により形成された発熱体層を有し、空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子からなり、送波制御部から正弦波波形の半周期の孤立波が駆動入力波形として与えられることにより疎密波を発生するものであり、
　受波素子は、マイクロマシンニング技術を利用して形成されたマイクロホンであるセンサ装置。」
（相違点）
・相違点１：発熱体層として形成された金属が、
　本願補正発明では「高融点金属」であるのに対し、引用例１に記載された発明では「アルミニウム」である点。
・相違点２：送波素子に関し、
　本願補正発明では、「残響成分が少ない疎密波を発生するもの」としているのに対し、引用例１に記載された発明では、この点が明示されていない点。
・相違点３：受波素子としてのマイクロホンが、
　本願補正発明では、「固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホンであり、疎密波を受波したときに発生する受波信号における残響成分が少ないもの」であるのに対し、引用例１に記載された発明では、「受圧部２０ｂの変位を電気量に変換するピエゾ素子２１ｃを有するマイクロホン」である点。
　
（４）判断
　前記相違点について検討する。
ア　相違点１について
　発熱体層について、本願明細書には、「【００４４】　発熱体層１３は、高融点金属の一種であるタングステンにより形成してあるが、発熱体層１３の材料はタングステンに限らず、例えば、タンタル、モリブデン、イリジウム、アルミニウムなどを採用してもよい。」と記載されており、本願補正発明における「高融点金属」は、アルミニウムをも含むものと解されるところ、そうだとすれば、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　仮に、高融点金属がタングステンやタンタル、モリブデン、インジウムを意味し、アルミニウムは含まないものと解したとしても、これら金属は発熱体として例示するまでもなく周知なものであるから、発熱体層としてこれら金属、すなわち、高融点金属を採用したことに格別の困難はない。
　
イ　相違点２について
　引用例１に記載された発明は、送波素子として、本願補正発明と同一の超音波発信原理である熱励起式の音波発生素子を採用しており、その具体的構成についても、「単結晶シリコン基板１０ａの一表面側に多孔質シリコンからなる熱絶縁層１０ｂが形成され、熱絶縁層上にアルミニウムにより形成された発熱部１０ｃを有し、空気に温度変化を生じさせて膨張収縮させることにより粗密波を発生させる圧力波発生装置」とあるように、本願補正発明の「シリコン基板の一表面側に多孔質シリコン層からなる熱絶縁層が形成され、熱絶縁層上に高融点金属により形成された発熱体層を有し、空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子」と全く同等な構成である。
　しかも、引用例１に記載された発明における「送波装置１０」は、「送波制御部１１からベル形の間欠的な電圧が駆動入力波形として与えられる」ことによって粗密波を発生するものであるところ、他方、本願補正発明における「送波素子」も、「送波制御部から正弦波波形の半周期の孤立波が駆動入力波形として与えられる」ことによって疎密波を発生するものであり、してみると、この疎密波の間欠的送波の点についても、両者は同じである。
　よって、引用例１に記載された発明における「送波装置１０」も、明示されていないものの、本願補正発明と同様に残響成分が少ない疎密波を発生するものといえるから、相違点２は、実質的な相違点ではない。　
　
ウ　相違点３について
　静電容量型超音波トランスデューサは、その機械的共振に係るＱ値が小さいことから、該トランスデューサの振動の減衰が早いという特性を活かして、これを超音波発振器や超音波受信器として用いることで、近距離の対象物体までの距離を測定できるようにすることは、前記したように引用例２に記載された技術事項として公知である。
　ここで、引用例２に記載された技術事項における「シリコン基板上に形成された電極」は、基板に固定された電極であり、「高分子フィルムを介して設けられた電極」は、振動に応じて変位する電極である。
　そして、引用例１に記載された発明も、引用例２に記載された技術事項も、共に、距離センサという同一の技術分野に属し、しかも、超音波を対象物に送信して、対象物からの反射波を受信するまでの時間により対象物までの距離を測定するという測定手法も同じである。
　よって、引用例１に記載された発明の受波エレメント２１として、引用例２に記載された技術事項である、Ｑ値が低い、すなわち、振動の減衰が早い「シリコン基板上に形成された電極と、高分子フィルムを介して設けられた電極とからなる静電容量型超音波トランスデューサ」を採用して、本願補正発明の如く、受波素子として、固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホンを用いることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。　
　　
エ　まとめ
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１に記載された発明や引用例２に記載された技術事項から当業者が予測可能なものであって格別のものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、補正１によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
「対象領域に疎密波を送波する送波素子および疎密波が間欠的に送波されるように送波素子を駆動する送波制御部を有する送波装置と、
　送波素子から送波され対象領域内に存在する物体で反射された疎密波を受波するとともに受波した疎密波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置と、
　送波素子が疎密波を送波してから当該疎密波が受波素子に受波されるまでの時間に基づいて前記物体までの距離と前記物体の存在する方位との少なくとも一方を求める検出部とを備え、
　送波素子は、残響成分が少ない疎密波を発生するものであり、
　受波素子は、マイクロマシンニング技術を利用して形成されて固定電極と可動電極との間にギャップを有する静電容量型のマイクロホンであり、疎密波を受波したときに発生する受波信号における残響成分が少ないものであることを特徴とするセンサ装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用例に記載の事項・発明
　原査定の拒絶の理由に引用された発明や技術事項は、前記「２．（２）引用例に記載の事項・発明」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．（１）補正の内容」で検討した本願補正発明から、「送波素子」についての限定事項である「シリコン基板の一表面側に多孔質シリコン層からなる熱絶縁層が形成され、熱絶縁層上に高融点金属により形成された発熱体層を有し、空気に熱衝撃を与えることにより疎密波を発生させる熱励起式の音波発生素子からなり、送波制御部から正弦波波形の半周期の孤立波が駆動入力波形として与えられることにより」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）対比、（４）判断」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。