【事件の表示】
　特願２００３−２７１２５３「低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月　３日出願公開、特開２００５−　３３０２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月７日の出願であって、平成２０年１月２９日付でなされた拒絶理由通知に対して、同年４月４日付で手続補正がなされ、さらに、平成２１年４月３０日付でなされた拒絶理由通知に対して、同年７月１０日付で手続補正がなされたものの、平成２２年３月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月３０日付で拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
第２．平成２２年６月３０日付の手続補正についての補正却下の決定
［結論］
　平成２２年６月３０日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を下記のとおりに補正するものである。
「【請求項１】
　ＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料から構成される低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法において、
　エッチングガスとして、総流量に対する比率が４０〜８０％の窒素ガスと、総流量に対する比率が１０〜６０％のフロロカーボンガスと、総流量に対して１０％以下の比率でＣｘＨ２ｘ＋２（ｘ＝１〜５である）と、を含み、酸素及びアルゴンを含まない混合ガスを用いることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。
　　【請求項２】
　前記層間絶縁膜は、多孔質材料を含むことを特徴とする請求項１記載の低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。
　　【請求項３】
　前記エッチングを、１Ｐａ以下の圧力であってプラズマ雰囲気で行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。」
　
２．補正の適否について
（１）補正の目的
　補正前の請求項１において、エッチングガスとして、「総流量に対して１０％以下の比率でＣｘＨ２ｘ＋２（ｘ＝１〜５である）」を含むことを限定するとともに、補正前の請求項３を削除したものであり、特許請求の範囲の減縮及び請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　したがって、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
（２−１）引用刊行物の摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に国内において頒布された特開２００１−１２７０４０号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特表２００２−５４３６１３号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（ア）引用刊行物１：特開２００１−１２７０４０号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
　【請求項１】気密な処理室内に処理ガスを導入し，前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，前記処理ガスは少なくともＣＦ４とＮ２とを含み，前記エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層のＳｉＯ２膜からなることを特徴とする，エッチング方法。
　【請求項２】前記処理ガスは，Ａｒをさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のエッチング方法。
　【請求項３】前記処理ガスの前記ＣＦ４と前記Ｎ２の流量比は実質的に，１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４
であることを特徴とする，請求項１または２に記載のエッチング方法。」（
第２頁第１欄第１行−第１４行）
　
（１ｂ）「【０００２】
【従来の技術】配線構造の微細化が要請されている近年の半導体製造技術においては、Ｓｉ基板上の層間絶縁膜（エッチング対象膜）に、被誘電率が従来のＳｉＯ２よりも非常に小さい有機系低誘電率材料が用いられている。……
【０００３】従来，上記有機系低誘電率材料にコンタクトホール等の溝を形成するドライエッチングプロセスにおいては，プラズマ放電等によりフッ素を含む反応活性種を生成させるため，エッチングガスとしてフッ素原子を多く含有するガスとしてＣＦ４が用いられ，さらに，主にガス流量比制御のために用いられるＡｒや，主にぬけ性の向上，すなわち，深さ方向のエッチングを促進するために用いられるＯ２を混合させた処理ガスを用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述のように有機系低誘電率材料からなるエッチング対象膜の処理ガスにＣＦ４とＯ２とＡｒの混合ガスを用いた場合には，対レジスト選択比が低いという第１の問題点があった。なお，対レジスト選択比とは，（エッチング対象膜の平均エッチング速度）／（フォトレジストのエッチング速度）で表される値をいい，以下，単に「選択比」という。選択比が低い処理ガスを用いると，溝の開口部が広がるため好ましくない。さらに、ボーイングによるエッチング形状異常が生ずるという第２の問題点もあった。
【０００５】……本発明の目的は，選択比の向上，及びエッチング形状の改善を図ることの可能な，新規かつ改良されたエッチング方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】……
……請求項１に記載のように，気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスは少なくともＣＦ４とＮ２とを含み，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層のＳｉＯ２膜からなることを特徴とするエッチング方法が提供される。また，請求項２に記載のように，Ａｒをさらに含むようにしてもよい。
【０００７】ここで、有機ポリシロキサンとは、以下の構造のようにＳｉＯ２の結合構造中にＣ，Ｈを含む官能基を含むものをいう。
　なお、以下の構造中、符号Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基やその誘導体、あるいは、フェニル基等のアリル基やその誘導体である。
【０００８】
【化１】
　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　」（第２頁第１欄第３１行−第２欄第４３行）　　　　　　　　
（１ｃ）「【００１０】また，処理ガスのＣＦ４とＮ２の流量比は，（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）が１未満であると，エッチングストップを起こし，深くエッチングできない。また，（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）が４より大きいと，ボーイングが生じるなど，エッチング形状が良くない。このため，処理ガスのＣＦ４とＮ２の流量比は，請求項３に記載のように，実質的に，１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４であることが好ましい。」（第３頁第３欄第１行−第３頁第３欄第８行）
　
（１ｄ）「【００４１】（Ａ）実施例１（ＣＦ４とＮ２の流量比の変化）
本実施例では，ＣＦ４とＮ２とＡｒとの混合ガスにより処理ガスを構成し，ＣＦ４とＮ２の流量比を変化させた場合について説明する。実施例１（ａ）〜実施例１（ｃ）は，ＣＦ４とＮ２とＡｒの流量を，（ａ）５０：２００：３００，（ｂ）５０：１００：３００，（ｃ）５０：５０：３００，に調整してエッチング処理を行い，上述したウェハＷの層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した。……
【００４２】図２に示したように，（ａ）ＣＦ４：Ｎ２＝５０：２００では，ボーイングＸが生じており，形状が好ましくない。（ｂ）ＣＦ４：Ｎ２＝５０：１００では，選択比も大きく，形状も良好である。（ｃ）ＣＦ４：Ｎ２＝５０：５０では，選択比も（ｂ）の場合に比べて小さく，さらにエッチストップが起きている。
【００４３】従って，本実施例における流量比の例では，（ｂ）ＣＦ４：Ｎ２＝５０：１００＝１：２が好ましく，（ａ）〜（ｃ）の結果の比較から，実質的に，１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４であれば，レジスト選択比が大きく，形状も良好であると判断される。」（第５頁第７欄第３５行−第８欄第１２行）
　
（１ｅ）「【００４７】以上，添付図面を参照しながら本発明にかかるエッチング方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。・・・
【００４８】例えば，上記実施の形態及び実施例において，・・・Ｎ２とＣＦ４とＡｒとを混合した処理ガスを採用した構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。例えば，Ａｒを処理ガスに採用しない場合や，Ａｒの代わりに他の不活性ガスを添付した場合であっても，本発明を実施することができる。すなわち，・・・少なくともＮ２とＣＦ４が含まれた処理ガスを用いれば，本発明を実施することが可能である。」（第５頁第８欄第３７行−第６頁第９欄第４行）
　
（イ）引用刊行物２：特表２００２−５４３６１３号公報
（２ａ）「【００１９】
　本発明の一態様にしたがって、低容量の有機誘電材料からなる低容量の誘電体層を、炭化水素を含むエッチング化学剤を使用してプラズマリアクタ内でエッチングする。一実施形態において、エッチング化学剤はＮ２、Ｏ２、およびＣｘＨｙである。」（第１０頁第２１行−第２５行）
　
（２ｂ）「【００２３】
　本発明によるＮ２／Ｏ２／ＣｘＨｙ含有のエッチング化学剤では、不活性化剤としてＣ２Ｈ４またはＣＨ４等の炭化水素が利用される。
……
エッチング化学剤の炭化水素成分によって適度な不活性化がもたらされ、微小寸法および側壁の垂直輪郭が望ましい状態に保たれることを意味する。結果として、エッチングされた開口部の断面は拡大されず、微小寸法の制御が実現される。
【００２４】
図７は、本発明によるＮ２／Ｏ２／ＣｘＨｙ含有のエッチング化学剤を使用して低容量の誘電体層１０６にエッチングされた代表的なビア／トレンチ７０２を示した図である。……エッチング化学剤の炭化水素成分による側壁７０４の不活性化によって、輪郭を垂直に保ち、望ましい微小寸法を達成することができる。」（第１２頁第２行−第２３行）
　
（２ｃ）「【００３７】……
総流量に占める割合で表されるＣｘＨｙの流量率は、…代表的なエッチングプロセスでは約３．３％で良い。」（第１７頁第２１行−第２６行）
　
（２ｄ）図７には、誘電体層１０６にエッチングにより形成されたビア／トレンチ７０２の側壁７０４が、垂直に保たれる様子が示されている。
　
（２−２）引用刊行物１に記載された発明
　上記摘記事項（１ａ）−（１ｃ）によれば、有機ポリシロキサンから構成される低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする方法において、処理ガスとして、少なくともＣＦ４とＮ２を含むがＯ２を含まないガスを用い、そのガス流量比を１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４とすること、また、Ａｒをさらに含むようにしてもよいことが記載されている。
　一方、上記摘記事項（１ｄ）によれば、実施例として、ＣＦ４とＮ２とＡｒとの混合ガスにより処理ガスを構成し、ＣＦ４とＮ２の流量について、１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４であれば，レジスト選択比が大きく、また、エッチング形状も良好なコンタクトホールを形成することが示されるが、上記摘記事項（１ｅ）によれば、該構成に限定されるものではなく、例えば、Ａｒを処理ガスに採用しない場合であっても、実施することが可能であることが記載されている。
　
　以上の記載によれば、引用刊行物１には、
　「有機ポリシロキサンから構成される低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする方法において、処理ガスとして、ＣＦ４とＮ２からなり、そのガス流量比を１≦（Ｎ２の流量／ＣＦ４の流量）≦４とし、Ｏ２及びＡｒを含まない混合ガスを用いる、ドライエッチング方法。」が記載されており、これを言い換えれば、
　
　「有機ポリシロキサンから構成される低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする方法において、処理ガスとして、総流量に対する比率が５０〜８０％のＮ２と、総流量に対する比率が２０〜５０％のＣＦ４を含み、Ｏ２及びＡｒを含まない混合ガスを用いる、ドライエッチング方法。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（２−３）対比・判断
　本願補正発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「有機ポリシロキサン」、「処理ガス」、「Ｎ２」、「ＣＦ４」、「Ｏ２」、「Ａｒ」は、本願補正発明１の「ＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料」、「エッチングガス」、「窒素ガス」、「フロロカーボンガス」、「酸素」、「アルゴン」に相当する。
　
　よって、両者は、
「ＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料から構成される低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法において、エッチングガスとして、窒素ガスと、フロロカーボンガスと、を含み、酸素及びアルゴンを含まない混合ガスを用いる低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明１では、窒素ガスは「総流量に対する比率が４０〜８０％」であり、フロロカーボンガスは「総流量に対する比率が１０〜６０％」であるのに対し、引用発明１では、窒素ガスは「総流量に対する比率が５０〜８０％」であり、フロロカーボンガスは「総流量に対する比率が２０〜５０％」である点
　
（相違点２）
　本願補正発明１は、エッチングガスとして、総流量に対して１０％以下の比率でＣｘＨ２ｘ＋２（ｘ＝１〜５である）を含むのに対し、引用発明１は、それを含まない点。
　
　上記相違点１、２について検討する。
（ア）相違点１について
　上記記載事項（１ｃ）によれば、引用発明１のエッチングガスにおいて、窒素ガス、フロロカーボンガスの総流量に対する各比率「５０〜８０％」、「２０〜５０％」は、エッチングの深さ及び形状の点から決められており、該比率を「４０〜８０％」、「１０〜６０％」とすることは、所望とするエッチング深さ、あるいはエッチング形状に応じて適宜なし得る設計的事項である。
　
（イ）相違点２について
　レジストを使用するエッチングにおいて、エッチングガスにＣＨ４等の炭化水素を添加することにより、ポリマー膜をレジストに堆積させ、選択比を向上させることは周知の事項であり（下記周知例１、２参照）、周知例１には、ＣＨ４ガスの比率を全ガス流量に対して１〜５％とすることが好ましい旨の記載もある。
　また、引用刊行物２にも記載されるとおり（記載事項（２ａ）−（２ｄ））、有機誘電材料からなる低容量の誘電体層のプラズマエッチングにおいて、エッチングガス中の３．３％程度のＣＨ４成分により、エッチング開口部側壁の垂直輪郭が保たれることも知られている。
　
（周知例１）特開２０００−１８３２８７号公報
（周１）「【００２２】・・・ここで、レジストからなるマスクを使用した場合は、エッチングガスにはＣＨ４ガスを含むことが好ましい。ＣＨ４ガスは、マスク側壁にポリマー状の保護膜を形成し、マスク側面がエッチングされてパターン幅が減少するのを抑える作用をする。但し、この保護膜は、残渣として残ることがあるため、エッチングガス中の割合を大きくすることは望ましくない。従って、ＣＨ４ガスは、全ガス流量に対して１〜５％であることが好ましい。」（第４頁第６欄第５行−第２０行）
　
（周知例２）国際公開第０２／２１５８６号
（周２ａ）「請求の範囲
１．二重結合に直接結合したＣＦ３ＣＦフラグメントを持つ化合物（ただし、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ２を除く）を含むドライエッチングガス。
　　・・・
５．さらに希ガス、不活性ガス、ＮＨ３、Ｈ２、炭化水素、Ｏ２、酸素化合物、ヨウ素化合物、ＨＦＣ・・・並びに単結合及び二重結合の少なくとも１種を持つＰＦＣ・・・ガス・・・からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１に記載のドライエッチングガス。」（第１２頁第２行−第１９行）
　
（周２ｂ）「炭化水素とＨＦＣは、プラズマ中でカーボンリッチなポリマー膜を、エッチングマスクであるレジストや下地に堆積させエッチングの選択比を向上させる。」（第７頁第５行〜第６行）
　
　そうすると、引用発明１は、上記記載事項（１ｂ）のとおり、レジスト選択比の向上、エッチング形状の改善を目的とするものであるから、引用発明１において、処理ガスに対して、全ガス流量の１〜５％程度のＣＨ４ガスを添加することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願補正発明１が、引用刊行物１、２の記載及び周知事項から予側し得ない格別の効果を奏するものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、上記刊行物１、２に記載された発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について　
１．本願発明
　平成２２年６月３０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２１年７月１０日付の手続補正書により補正された以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料から構成される低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法において、
　エッチングガスとして、総流量に対する比率が４０〜８０％の窒素ガスと、総流量に対する比率が１０〜６０％のフロロカーボンガスとを含み、アルゴン及び酸素を含まない混合ガスを用いることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。」
　
２．引用刊行物の記載事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物１には、上記「第２．２．（２）（２−１）」のとおりの記載があり、また、「第２．２．（２）（２−２）」のとおりの発明が記載されている。
　
３．対比・判断
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、両者は、以下の点でのみ相違する。　
（相違点）
　本願発明１では、窒素ガスは「総流量に対する比率が４０〜８０％」であり、フロロカーボンガスは「総流量に対する比率が１０〜６０％」であるのに対し、引用発明１では、窒素ガスは「総流量に対する比率が５０〜８０％」であり、フロロカーボンガスは「総流量に対する比率が２０〜５０％」である点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用発明１のエッチングガスにおいて、窒素ガス、フロロカーボンガスの総流量に対する各比率を、それぞれ、「４０〜８０％」、「１０〜６０％」とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項であることは、上記第２．２．（２）（２−３）のとおりである。
　
　そして、本願発明が、引用刊行物１の記載からは予測し得ない格別の効果を奏するものとは認められない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。