【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 絶縁層とエネルギ源とガス源とを備えるプラズマ物理蒸着装置内の対象物に材料層を堆積させるために使用されるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、スパッタリングされることによって前記堆積に用いられるスパッタリング材料粒子を生成するように構成されており、
前記スパッタリングターゲットは、さらに、前記絶縁層上で線状に延びた形状を有するスパッタリングアンテナとして構成されており、
前記絶縁層の一部は、前記スパッタリングアンテナの複数の隣り合う部分の間で露出しており、
前記線状に延びた形状の第１の端部は、前記エネルギ源と電気的に接続されており、
前記線状に延びた形状の第２の端部は、前記線状に延びた形状と前記エネルギ源とが閉回路を形成するように、前記エネルギ源と電気的に接続されており、
前記エネルギ源と前記延びた形状とは、前記ガス源からのガスを誘導的に励起してプラズマにするように形成されており、
前記スパッタリングアンテナは、前記エネルギ源を介して前記対象物に電気的に接続されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記エネルギ源は、可変エネルギ源であり、前記可変エネルギ源の設定に応じて、前記スパッタリングターゲットから前記スパッタリング材料粒子が叩き出される速度を制御する、スパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットが前記プラズマ物理蒸着装置内で励起されたとき、前記スパッタリング材料粒子は、前記対象物に向かってほぼ異方的に進む、スパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットの形状は、コイルである、スパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項４記載のスパッタリングターゲットであって、
前記コイルは、ほぼ平らになっている、スパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットの形状は、線状に延びた部材と、リングと、円錐形コイルと、半球形コイルと、溝を有する平板と、溝を有する円板とで構成されるグループから選択された形状である、スパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは金属で構成されている、スパッタリングターゲット。
【請求項８】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、アルミニウムと、銅と、アルミニウム合金と、タングステンと、チタンと、タンタルとで構成されるグループから選択されたスパッタリング材料で形成されている、スパッタリングターゲット。
【請求項９】  請求項１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリング材料は導電性のコアを含んでおり、
前記導電性のコアは、外側カバーの内側に包まれており、
前記外側カバーは、前記スパッタリングターゲットが励起されたときに、スパッタリング材料粒子を飛散させるように構成されている、スパッタリングターゲット。
【請求項１０】  請求項１１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記外側カバーは、前記導電性のコアよりも高い抵抗率を有する外側カバー材料で形成されている、スパッタリングターゲット。
【請求項１１】  請求項１１記載のスパッタリングターゲットであって、
前記外側カバー材料は、窒化チタンと、窒化アルミニウムと、窒化タンタルとで構成されるグループから選択される、スパッタリングターゲット。
【請求項１２】  対象物に材料層を堆積させるために使用されるプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記堆積中に、前記対象物を取り囲むチャンバと、
エネルギ源であって、対象物は、前記チャンバ内に配置され、前記エネルギ源と電気的に結合されている、前記エネルギ源と、
前記チャンバ内に配置され、前記エネルギ源と電気的に結合されたスパッタリングターゲットと、
を備え、
前記スパッタリングターゲットは、前記堆積中に、スパッタリングされることによってスパッタリング材料粒子を生成するように構成されており、
前記スパッタリングターゲットは、さらに、絶縁層上でスパッタリングアンテナとして構成されており、
前記スパッタリングアンテナは、前記スパッタリングアンテナの複数の隣り合う部分の間で露出している前記絶縁層の一部を伴って、線状に延びた形状を有していることを特徴とするプラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１３】  請求項１２記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記エネルギ源は、バイアス電源を含んでおり、
前記エネルギ源が前記スパッタリングターゲットを励起する際、前記バイアス電源は、前記対象物に対するバイアス電位を前記スパッタリングターゲットに与え、前記電位は、前記スパッタリングターゲットからの前記スパッタリング材料粒子の飛散を促進させ、前記スパッタリング材料粒子は前記対象物に向かって進む、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１４】  請求項１３記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記バイアス電源は、前記対象物に対する交流電圧電位および直流電圧電位を前記スパッタリングターゲットに与える、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１５】  請求項１３記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記バイアス電源は、可変であり、
前記スパッタリングターゲットから前記スパッタリング材料粒子が叩き出される速度は、前記可変バイアス電源の設定に応じて変化する、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１６】  請求項１２に記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記エネルギ源は、誘導電源を含んでおり、
前記エネルギ源が前記スパッタリングターゲットを励起する際、前記誘導電源は、高周波電流を前記スパッタリングターゲットに与え、前記高周波電流が前記スパッタリングターゲットに与えられたとき、前記高周波電流は、前記チャンバ内での前記プラズマの生成を促進させ、これにより、前記スパッタリング材料粒子は、前記対象物に向かってほぼ異方的に進む、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１７】  請求項１６記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記誘導電源は、可変であり、
前記プラズマのサイズおよび密度は、前記誘導電源の設定に応じて変化し、これにより、前記対象物に向かう前記スパッタリング材料粒子の移動が制御される、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１８】  請求項１２に記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記エネルギ源は、
誘導電力を出力する誘導電源と、
バイアス電力を出力するバイアス電源と、
前記誘導電源および前記バイアス電源に電気的に結合された整合回路と、
を備え、
前記整合回路は、
前記誘導電力出力を前記バイアス電力出力と整合させ、整合した出力を前記スパッタリングターゲットに供給する、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項１９】  請求項１３記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、さらに、
前記絶縁層に隣接し、前記エネルギ源と結合された導体を備え、
前記バイアス電源は、
前記スパッタリングアンテナおよび前記導体にバイアス電位を与え、これにより、前記スパッタリング材料粒子が前記絶縁体の露出部分に堆積するのを阻止する、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項２０】  請求項１３記載のプラズマエンハンスド物理蒸着装置であって、
前記スパッタリングアンテナの前記複数の隣り合う部分の複数の壁は、前記スパッタリング材料粒子が前記絶縁体の露出部分に堆積するのを阻止するような形状を有する、プラズマエンハンスド物理蒸着装置。
【請求項２１】  プラズマプロセスチャンバ内において半導体基板に材料層を堆積させる方法であって、
前記半導体基板を前記プラズマプロセスチャンバ内に設置する工程と、
前記プラズマプロセスチャンバ内でスパッタリングターゲットを励起する工程であって、前記スパッタリングターゲットは、前記堆積中に、スパッタリングされることによってスパッタリング材料粒子を生成するように構成されており、前記スパッタリングターゲットは、さらに、絶縁層上でスパッタリングアンテナとして構成されており、前記スパッタリングアンテナは、前記スパッタリングアンテナの複数の隣り合う部分の間で露出している前記絶縁層の一部を伴って、線状に延びた形状を有している、前記工程と、
を含み、
前記励起する工程は、
前記スパッタリングターゲットと前記半導体基板との間にバイアス電位を発生させる工程と、
誘導電流を発生させる工程と、
前記バイアス電位を前記誘導電流と結合して、結合された電力出力を生成する工程であって、前記バイアス電位が前記誘導電流の発生中に印加されるように、前記結合された電力出力が前記スパッタリングターゲットに印加される、前記工程と、
を含むことを特徴とする方法。