【事件の表示】
　特願２００５−５１３６６１「ＳＯＩウェーハの作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１７日国際公開、ＷＯ２００５／０２４９１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　  
　本願は、平成１６年９月２日（特許法第４１条に基づく優先権主張：平成１５年９月５日）に出願された国際出願であって、平成２１年１０月２７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、平成２２年１月２５日に審判が請求されたものである。 
　  
　  
第２　本願発明  
　請求項１〜３に係る発明は、明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。  
　  
「【請求項１】
活性層用ウェーハに絶縁膜を介して希ガス元素をイオン注入して、この活性層用ウェーハにイオン注入層を形成し、次いで、この活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、この後、この貼り合わせウェーハを設定温度に保持して熱処理することにより、イオン注入層を境界として活性層用ウェーハの一部を剥離するＳＯＩウェーハの作製方法であって、
  上記熱処理では、貼り合わせウェーハの表面内の温度差を４０℃以下に制御して、イオン注入層を境界として剥離するＳＯＩウェーハの作製方法。」 　  
　 
第３　引用例の記載と引用発明  
１　引用例とその記載内容  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００３／０１３４４８９号明細書（以下「引用例」という。）には、「Process for cleaving a wafer layer from a donor wafer」（発明の名称）について、図１〜５とともに、次の記載がある（括弧の訳文は特開２００３−２６４２７０号公報を参考にしつつ当審で付加したもの。また、下線も当審で付加したもの。そして、段落［0005］に記載の「○R」は、丸付き文字のRを、段落［0014］に記載の「ｏ..」は、「..」が「ｏ」の上部に付加された文字を、ぞれぞれ示す。以下同じ。）。  
　  
（１）発明の属する技術分野等  
ア「 BACKGROUND ART  
［0001］The present invention relates in general to the processing of materials, and more particularly semiconductor substrates for use in electronic, optic and optoelectronic components. More specifically, the invention relates to a process for cleaving two layers of a wafer along an embrittled or weakened zone between the two layers, wherein the process includes a thermal anneal for the purpose of cleaving the layers. 
［0002］ Processes of the aforementioned type are already generally known. In particular, the skilled artisan is aware of how to utilize such known processes in order to produce cleavage of the layers. Generally, a layer is cleaved from the substrate along a weakened zone that has been previously created by the implantation of species within the substrate. The implanted species may be ions or atoms. Thus, it is known to implant a substrate of a semiconductor material such as silicon with ions or atoms of hydrogen or helium to provide this weakened zone. 」
  　
（発明の属する技術分野
【０００１】本発明は一般的に材料の処理に関するものであり、より詳細には電子工学、光学またはオプトエレクトロニクスのための基板の処理に関するものである。より正確には、本発明は二層の間に画定された脆化表面にそってウェハの二層を劈開する方法に関するものであって、該方法は前記層を含むウェハの熱アニーリングを含んでいる。         　
【０００２】上述のようなタイプの方法は既知である。特に、
かかる既知の方法を、基板内への各種イオンビーム等の打ち込みによってあらかじめ脆化表面を画定した、同一基板に由来する材料の二層の劈開を実行するために応用する
打ち込む各種イオンビームとしては、
水素またはヘリウムなどのイオンビームで打ち込む
　
イ「［0005］ The cleaving of a layer along a weakened zone can be used to obtain thin layers, the thickness of which may range between a fraction of a micron and several microns, as described, for example, in U.S. Pat. No. 5,374,564. This document describes a process known by the name SMARTCUT○R which is used to manufacture SOI structures. The main steps of SOI manufacturing according to this process are as follows: 
［0006］ Oxidation of an upper silicon plate in order to create an oxide layer (which corresponds to the embedded oxide layer of the SOI structure), 
［0007］ Implantation of ions into the upper plate for the purpose of creating a weakened zone, and to delimit, on the one hand, by means of this zone, the SOI structure (situated on the side of the embedded oxide) and, on the other hand, a silicon material, 
［0008］ Bonding of the upper plate onto a supporting plate which may be made of silicon or of another material, 
［0009］ Cleaving of a layer, preferably by annealing the structure, for the purpose of: 
［0010］ cleaving on one hand a SOI structure comprising the supporting plate, the embedded oxide layer and the silicon layer situated between the embedded oxide and the weakened zone and, on the other hand, the silicon material situated on the other side of the weakened zone.・・・」
  
（【０００５】このような脆化表面によって分離された二層の劈開は、米国特許第５３７４５６４号に記載のごとく、数分の一ミクロンと数ミクロンの間に含まれる薄い膜層の実現に利用することができる。実際、この文書に記載された
スマートカット法（登録商標）という一般名で知られている方法が目的としているのはＳＯＩ構造の製造である。この主要な工程は、下記の通りである。
【０００６】
（ＳＯＩ構造の埋め込み酸化膜に対応する）酸化膜を生成するための、いわゆる上部シリコンプレートの酸化工程。
【０００７】
脆化表面を生成し、そしてこの表面によって一方で（埋め込み酸化膜側にある）ＳＯＩ構造、他方でシリコンの残部を限定するために、この上部プレート内への水素イオンの打込工程。
【０００８】
シリコンでも、また別の材料でも実現できる支持プレートへの上部プレートの接着工程。
【０００９】
劈開および剥離のアニーリング工程。
【００１０】
これにより、一方で、支持プレート、埋め込み酸化膜、および埋め込み酸化膜と脆化表面の間に位置するシリコン層とを含むＳＯＩ構造を、他方で、脆化表面の別の側に位置するシリコンの残部を劈開する。
　
ウ「［0014］The surface condition of the wafers is an extremely important factor, as very stringent specifications are imposed with respect to the subsequent use of the wafers following the detachment process, for example, when semiconductor material is used to form electronic, optical or optoelectronic components. This surface condition is characterized, in particular, by the surface roughness of the wafers following detachment. It is therefore common to find specifications for roughness that should not exceed 5 Angstro..ms expressed as a RMS (or Root Mean Square) value. 」
　
（【００１４】
ウェハの表面状態はきわめて重要な要因
　
エ「［0015］ It is also made clear that it is possible to measure the surface roughness using other methods, in particular by means of a haze measurement. In particular, this method has the advantage of making it possible to quickly characterize the uniformity of the roughness over an entire surface area. This haze, measured in ppm, is the result of a method which utilizes the optical reflection properties of the surface being characterized, and corresponds to an optical background noise diffused by the surface due to its microroughness.」
　
（【００１５】また正確には他の方法によっても、特に
ヘイズ測定という手段で測定することができる。
 
オ「［0017］・・・Cleaving and detachment anneals are conventionally carried out in annealing furnaces a typical configuration of which is illustrated in  FIG. 2 . Furnaces such as this are capable of simultaneously processing a plurality of wafers. FIG. 2  thus shows a plurality of wafers  10  arranged on a receptacle  11  such as a quartz boat, the wafers being aligned in parallel. The boat  11  is itself place on a loader  12  fastened to a door  13  for sealing the mouth of the furnace. The assembly  100  formed by the door  13 , the loader  12  and the boat and the wafers supported by the loader is capable of moving in relation to an furnace structure  20  which comprises a quartz processing tube  21  around which a heating element  22  is wound. A pyrometer tube  23  equipped with thermocouples is likewise provided. 
［0018］ The furnace of  FIG. 2  is shown in open position. In a closed position, the assembly  100  is inserted into the furnace structure  20 , the door  13  blocking the mouth of the furnace.
［0019］ Inside of each wafer to be detached, the two layers forming the wafer face each other so that the useful surfaces, for which it is desired to control the surface condition in an extremely precise manner, are placed face-to-face.」
　
（【００１７】・・・
劈開と剥離のアニーリングは従来、図２に示した形状のような、アニール炉で実施される。かかる炉は、同時に複数のウェハを処理することができる。したがって図２が示すのは、石英製の船型の容器１１に配置された複数のウェハ１０であるが、該ウェハは互いに平行に整列されている。
【００１８】
図２の炉は、開いた位置で表されている。閉鎖位置で、組立体１００は炉２０に係合し、扉１３が炉口を閉鎖する。
【００１９】剥離すべき各ウェハの内部で、ウェハを構成する二層は向かい合い、したがって表面状態をきわめて厳密に制御することを望む有効表面が向かい合って置かれる。）
　
（２）発明の実施の形態 
ア　「DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS  
・・・
［0045］ With specific reference to  FIG. 4, a  furnace  30  has been shown which is used according to the invention for carrying out the cleaving anneal of a plurality of wafers  10 . More specifically, each wafer  10  is placed inside a chamber  31  formed by two adjacent electrodes  32  of a plurality of electrodes in the furnace  30 . And these electrodes  32 , which run parallel to each other in a horizontal direction, define horizontal chambers  31 , each of which is capable of accommodating one donor wafer  10  from which a wafer layer is to be detached, in horizontal position. 
［0046］ Heating of the wafer is ensured by a gas that penetrates into the chambers  31  by way of respective inlets  310 , this gas itself being heated by the electrodes that define the boundaries of each chamber. It should be noted that the heating gas may be used solely for the purpose of diffusing the heat coming from the electrodes onto the wafers. It may also have been preheated, prior to its introduction into the furnace. 」　
　
（発明の実施の形態
・・・
【００４５】
図４を参照するが、そこに複数のウェハ１０の劈開アニーリングを実行するために、本発明に従って実施した炉３０を示した。より正確には、各ウェハ１０は、炉３０の複数の電極に隣接する二つの加熱用電極３２によって画定された収納部３１に置かれる。そしてこの加熱用電極３２は、水平方向に互いに平行に延長し、該電極が水平な収納部３１を画定するが、それによりそれぞれが剥離されるウェハ１０を、水平位置に、収納することができる。
【００４６】加熱は、それぞれの入口３１０から収納部３１に侵入する気体を介して行われるが、この気体自体は各収納部を形成する電極によって加熱される。明確には、「加熱」気体は電極からの熱をウェハに伝達する役割だけを果たす。この気体は、炉内に導入する前に、予熱しておくこともできる。）
　
イ「［0047］ The specific configuration of the horizontal furnace used according to the invention for carrying out a cleaving anneal makes it possible to eliminate the effects of a temperature gradient inside the furnace, between the top and bottom parts of the furnace. This leads to a substantial improvement in the evenness of the surface roughness of the layers, after they have been detached.
［0048］ In this regard, the effect of using a horizontal furnace according to the invention, for the purpose of a cleaving anneal, has been illustrated in  FIGS. 5 a  and  5 b. FIG. 5 a  shows the distribution of haze on the surface of a detached SOI structure following a conventional cleaving anneal in a vertical furnace, as illustrated in  FIG. 2 . This figure, which is analogous to  FIG. 3 , reveals a dense region corresponding to an irregularity in roughness in the lower right part of the layer. 
［0049］ Conversely,  FIG. 5 b  shows the perfectly symmetrical roughness of a SOI detached after a cleaving anneal carried out in a horizontal furnace according to the invention. And this roughness no longer exhibits the characteristic of a dense region as observed in the case of the SOI structure of  FIG. 5 a. Thus the use of a horizontal furnace according to the invention makes it possible to overcome the problems associated with a dense region of roughness as mentioned above with respect to prior art cleaving anneals. 」
　
（【００４７】
劈開アニーリングを実行するために本発明に従って用いられる「水平」炉の独特の形状は、炉の上部と下部の間の、炉内の温度勾配の影響を排除することを可能にする。これによって、剥離の後の、層の表面の粗さの均質性が大幅に改善される。
【００４８】この点に関して、図５ａと５ｂに、劈開アニーリング用の「水平」炉を本発明に従って用いた効果を示した。
図５ａが示すのは、図２に示したような「垂直」炉における、従来の劈開アニーリングに続いて剥離されたＳＯＩ表面に対するヘイズの分布である。図３に類似したこの図は、層の右下部における、粗さの非均質性に対応する「高密度区域」を表している。
【００４９】
図５ｂは、反対に、本発明に従って、「水平」炉内で実施された劈開アニーリングに続いて剥離されたＳＯＩの完全に対称な粗さを示している。そしてこの粗さは、図５ａのＳＯＩの場合に認められた「高密度区域」の特徴をもはや示していない。したがって、明らかになったことは、「水平」炉の本発明による使用が、従来技術の劈開アニーリングに関して上述した粗さの「高密度区域」の問題を免れることを可能にすることである。
　 
２　引用発明  
　上記（１）及び（２）によれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。  
　 
「ＳＯＩ構造の埋め込み酸化膜に対応する酸化膜を生成するための、上部シリコンプレートの酸化工程と、
　脆化表面を生成し、該表面によって、埋め込み酸化膜側にあるＳＯＩ構造を一方とし、シリコンの残部を他方と限定するための、上部プレート内へのイオンの打込工程と、
　支持プレートへの上部プレートの接着工程と、
　支持プレート、埋め込み酸化膜、および埋め込み酸化膜と脆化表面の間に位置するシリコン層とを含むＳＯＩ構造を一方とし、脆化表面の別の側に位置するシリコンの残部を他方とする、劈開および剥離のアニーリング工程と、からなるスマートカット法によるＳＯＩ構造の製造方法であって、劈開アニーリングを水平炉を用いて行い、炉の上部と下部の間の炉内の温度勾配の影響を排除することを可能にした、スマートカット法によるＳＯＩ構造の製造方法。」　
　
　
第４　対比  
１　本願発明と引用発明とを対比すると、  
ア　引用発明の「上部シリコンプレート」及び「上部プレート」は、本願発明の「活性層用ウェーハ」に相当する。
　
イ　引用発明の「酸化工程」では、「酸化膜」すなわち絶縁膜が「上部シリコンプレート」に形成され、引用例の段落［0002］には、脆化表面を画定するための打ち込む各種イオンビームとして、シリコンなどの半導体材料の基板を、水素またはヘリウムなどのイオンビームで打ち込むことが記載されているから、引用発明の「イオンの打込工程」は、ヘリウムすなわち希ガス元素のイオン打ち込みが実質的に記載されているものと認められる。
　そして、引用発明は、絶縁膜が「上部シリコンプレート」に形成される「酸化工程」の後に、「脆化表面を生成し、該表面によって、埋め込み酸化膜側にあるＳＯＩ構造を一方とし、シリコンの残部を他方と限定するために、上部プレート内へのイオンの打込工程」を行っているスマートカット法であることから、技術常識を参酌すれば、引用発明の「イオンの打込工程」は、前記絶縁膜を介してイオンの打ち込みを行う工程であることは、当業者にとって明らかである。　
　そうすると、引用発明の「イオンの打込工程」は、本願発明の「活性層用ウェーハに絶縁膜を介して希ガス元素をイオン注入して、この活性層用ウェーハにイオン注入層を形成」することに相当することが分かる。　
　
ウ　引用発明の「支持プレート」は、本願発明の「支持ウェーハ」に相当する。
　そして、上記イのとおり、引用発明の「酸化工程」で、絶縁膜が上部シリコンプレートに形成されることから、引用発明の「支持プレートへの上部プレートの接着工程」は、上記アを勘案すれば、本願発明の「活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成」することに相当することが分かる。
　
エ　引用発明の「劈開および剥離のアニーリング工程」は、「支持プレート、埋め込み酸化膜、および埋め込み酸化膜と脆化表面の間に位置するシリコン層とを含むＳＯＩ構造を一方とし、脆化表面の別の側に位置するシリコンの残部を他方とする」ものであり、そして、該「脆化表面」は、「上部プレート内へのイオンの打込工程」により、「生成」されるものであるから、「イオン注入層を境界として活性層用ウェーハの一部を剥離する」ともいえる。さらに、「アニーリング工程」は、設定温度に保持して熱処理するものであることは明らかである。　
　
２　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。 
 　  
〈一致点〉  
「活性層用ウェーハに絶縁膜を介して希ガス元素をイオン注入して、この活性層用ウェーハにイオン注入層を形成し、次いで、この活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、この後、この貼り合わせウェーハを設定温度に保持して熱処理することにより、イオン注入層を境界として活性層用ウェーハの一部を剥離するＳＯＩウェーハの作製方法。」 
　 
〈相違点〉  
　イオン注入層を境界として活性層用ウェーハの一部を剥離するための熱処理では、本願発明では、「貼り合わせウェーハの表面内の温度差を４０℃以下に制御」しているのに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点。  　
　 
　 
第５　相違点についての検討 
　 
ア　引用発明の「劈開アニーリングを水平炉を用いて行い、炉の上部と下部の間の炉内の温度勾配の影響を排除することを可能にした」という構成について検討する。　
　引用例の段落［0048］の記載によれば、図５ａが示すのは、図２に示したような「垂直」炉における、従来の劈開アニーリングに続いて剥離されたＳＯＩ表面に対するヘイズの分布であり、図３に類似したこの図は、層の右下部における、粗さの非均質性に対応する「高密度区域」を表しているから、炉内に垂直に配置されれば、炉内のウェハ１０は、剥離の後の、表面の粗さの非均質性に対応する「高密度区域」が生じるとある。
　このことから、垂直に配置された「ウェハ１０」は、剥離の後に、「高密度区域」が生じる程度に、炉の上部と下部の間の、炉内の温度勾配の影響を受けて、温度分布を生じていることが分かる。
　
イ　次に、引用例の段落［0047］の記載によれば、劈開アニーリングを実行するために本発明に従って用いられる「水平」炉の独特の形状は、炉の上部と下部の間の、炉内の温度勾配の影響を排除することを可能にする。これによって、剥離の後の、層の表面の粗さの均質性が大幅に改善される、すなわち、炉内に水平に配置されれば、炉の上部と下部の間の、炉内の温度勾配の影響が排除され、炉内のウェハ１０は、剥離の後の、表面の粗さの均質性が改善されるとある。
　このことから、技術常識を勘案すれば、従来の炉においては、ウェハ１０が縦に立っていたため、炉の上部と下部の間の温度勾配がウェハ１０の表面温度差に反映され、表面粗さが大きかったのに対し、引用発明においては、ウェハ１０が水平のため、炉の上部と下部の温度勾配があっても、ウェハ１０の表面温度は表面内で均一になるため、ウェハ１０の表面の粗さが改善されているものと解される。　
　
ウ　そして、このことは、引用例の段落［0049］の記載によれば、「図５ｂは、反対に、本発明に従って、「水平」炉内で実施された劈開アニーリングに続いて剥離されたＳＯＩの完全に対称な粗さを示している。そしてこの粗さは、図５ａのＳＯＩの場合に認められた「高密度区域」の特徴をもはや示していない。したがって、明らかになったことは、「水平」炉の本発明による使用が、従来技術の劈開アニーリングに関して上述した粗さの「高密度区域」の問題を免れることを可能にすることである」とあり、これらの記載からみても裏付けられる。　
　
エ　したがって、上記ア〜ウによれば、引用発明においては、ウェハ１０は、剥離後の表面の粗さの非均質性に対応する「高密度区域」の問題を免れるために、ウェハ１０の表面内の温度差を小さく制御しているものと認められる。　　
　
オ　そうすると、引用発明において、「劈開アニーリングを水平炉を用いて行い、炉の上部と下部の間の炉内の温度勾配の影響を排除すること」を実行するにあたり、ウェハ１０の表面内の温度差をできるだけ小さくしようとすることは当然なし得ることである。　
　
カ　ここで、上記温度差の数値について検討すると、上述した粗さの「高密度区域」の問題は、ウェーハの表面内の温度差に加え、本願の出願当初明細書の段落【００２２】〜【００２６】、【表２】及び【表３】にも記載されているとおり、ウェーハの炉への「投入温度」、投入されたウェーハの「昇温速度」にもぞれぞれ依存するものである。
　また、技術常識を勘案すれば、ウェーハ材料、剥離熱処理の設定温度など各種条件にも依存するものとも言える。
　そうすると、引用発明において、上記「ウェハ１０の表面内の温度差をできるだけ小さくしようとする」に際して、その温度差を「４０℃以下」とすることに臨界的意義を認めることができない。　
　
キ　したがって、引用発明において、本願発明のように、「上記熱処理では、貼り合わせウェーハの表面内の温度差を４０℃以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。　
　
（３）まとめ　
　以上検討したとおり、本願発明は、引用発明に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　  
　  
　 
第６　結言 　  
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。