【事件の表示】
　特願２０１０−５０２５８９「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月１４日国際公開、ＷＯ２０１０／１１６４２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年７月２９日（優先権主張平成２１年４月８日）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１月２０日、同年９月１４日及び同年１２月２２日に手続補正がなされたところ、平成２３年３月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２３年６月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年６月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２３年６月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２２年１２月２２日付け手続補正後のもの）の請求項２を以下のように補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。
　
「加熱された雰囲気中で、ｍ面を成長面とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有機金属気相成長法によって成長させる工程（ａ）と、
　前記工程（ａ）の後、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する工程（ｂ）とを含み、
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる反応室内に水素を供給し、前記工程（ｂ）では、前記反応室への前記水素の供給を停止した状態で前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却することにより、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、アニーリング処理を行うことなく２．０Ωｃｍ以下の抵抗率を有し、
　前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型ドーパントはマグネシウムであり、
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれる前記マグネシウムの含有量が、７．４×１０１８ｃｍ−３以上９．０×１０１８ｃｍ−３以下となるように、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる、半導体素子の製造方法。」
　
　本件補正は、補正前の請求項２において、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」が、「アニーリング処理を行うことなく２．０Ωｃｍ以下の抵抗率を有」する、との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）刊行物記載の発明
　ア　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−１８６２５７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　（ア）「【０００１】
　この発明は、半導体発光素子の製造方法、集積型半導体発光装置の製造方法・・・に関し、特に、ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光ダイオードに適用して好適なものである。」
　（イ）「【００４７】
　次に、第３の例によるＧａＮ系発光ダイオードについて説明する。
・・・
　図２３に示すように、まず、例えば主面がＲ面であるサファイア基板１１を用意し、サーマルクリーニングなどによりその表面を清浄化した後、このサファイア基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層１２を表面がｍ面となるように成長させる。
  次に、ＧａＮ層１２上に、ＭＯＣＶＤ法により例えば１０００℃の成長温度でｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層１４を成長させる。このｎ型ＧａＮ層１４の厚さは例えば２μｍ程度とする。
【００４８】
　次に、ｎ型ＧａＮ層１４上に活性層１５、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６を順次成長させる。・・・ｐ型ＡｌＧａＮ層２１のＡｌ組成は例えば０．１５、厚さは例えば２０ｎｍとする。ｐ型ＧａＮ層１６の厚さは例えば０．２μｍとする。これらのｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型ＧａＮ層１６の成長温度は例えば８５０℃程度とする。ｐ型ＧａＮ層１６を成長させた後には、ｐ型不純物の活性化のためにアニールを行う。このアニールは、例えば、６００℃で１０分間行う。
【００４９】
　上記のＧａＮ系半導体層の成長時のキャリアガス雰囲気としては、ｎ型ＧａＮ層１４はＮ２とＨ２との混合ガス、活性層１５はＮ２ガス雰囲気、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１６はＮ２とＨ２との混合ガスを用いる。・・・また、ｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型ＧａＮ層１６の成長時にはキャリアガス雰囲気をＮ２とＨ２との混合ガス雰囲気としているので、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１６を良好な結晶性で成長させることができる。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「主面がＲ面であるサファイア基板１１を用意し、サーマルクリーニングなどによりその表面を清浄化した後、このサファイア基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層１２を表面がｍ面となるように成長させ、
　次に、ＧａＮ層１２上に、ＭＯＣＶＤ法により例えば１０００℃の成長温度でｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層１４を成長させ、
　次に、ｎ型ＧａＮ層１４上に活性層１５、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６を順次成長させ、これらのｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型ＧａＮ層１６の成長温度は例えば８５０℃程度とし、ｐ型ＧａＮ層１６を成長させた後には、ｐ型不純物の活性化のためにアニールを行い、このアニールは、例えば、６００℃で１０分間行い、
　上記のＧａＮ系半導体層の成長時のキャリアガス雰囲気として、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１６はＮ２とＨ２との混合ガスを用いる、半導体発光素子の製造方法。」
　 
　イ　引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−１０１６２３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　（ア）「【請求項１】
加熱したサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板上に、Ｖ／ＩＩＩ比（反応炉に流通するＩＩＩ族元素を含む分子のモル数と、Ｖ族元素を含む分子のモル数の比率）を５００以下（Ｖ／ＩＩＩ比が０の場合を含む）としてＩＩＩ族原料を供給し、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物半導体（以下、ＩＩＩ族窒化物半導体はＩｎＧａＡｌＮで表されるものとする。）を形成する第１の工程と、その後ＩＩＩ族原料と窒素原料を用いて、該基板上に、基板温度９５０℃〜１２００℃で、かつ第１の工程の基板温度以下で、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を気相成長させる第２の工程を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。」
　（イ）「【０００１】
　本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、電子デバイス等の作製に用いられる結晶性の良いＩＩＩ族窒化物半導体（以下、ＩＩＩ族窒化物半導体はＩｎＧａＡｌＮで表されるものとする。）結晶とその製造方法に関する。・・・」
　（ウ）「【００６３】
 ・・・
（実施例５）
　本実施例５では、本発明のＩＩＩ窒化物半導体結晶の製造方法を用いた、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法について説明する。本実施例５では、実施例３と同じ条件を用いて平坦な低ＳｉドープＧａＮ結晶を作製し、さらにその上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成して最終的に図１に示す半導体発光素子用のエピタキシャル層構造を有するエピタキシャルウェーハを作製した。つまりエピタキシャルウェーハは、ｃ面を有するサファイア基板９上に、実施例３に記載したのと同じ成長方法によって柱状の構造を持つ金属過剰のＡｌＮ層８を形成したのち、基板側から順に、１×１０１７ｃｍ−３の電子濃度を持つ２μｍの低ＳｉドープＧａＮ層７、１×１０１９ｃｍ−３の電子濃度を持つ１．８μｍの高ＳｉドープＧａＮ層６、１×１０１７ｃｍ−３の電子濃度を持つ１００ÅのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層５、ＧａＮ障壁層に始まりＧａＮ障壁層に終わる、層厚を７０Åとする６層のＧａＮ障壁層３と、層厚を２０Åとする５層のノンドープのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ井戸層４とからなる多重量子井戸構造２０、３０ÅのノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層２、８×１０１７ｃｍ−３の正孔濃度を持つ０．１５μｍのＭｇドープＧａＮ層１、を積層した構造を有する。また、本実施例５で作製した半導体発光素子の電極構造の平面図を図２に示す。
【００６４】
　上記の半導体発光素子構造のエピタキシャル層を有するウェーハの作製は、ＭＯＣＶＤ法を用いて以下の手順で行った。サファイア基板上に柱状の構造を持つＡｌＮ層８を形成するまでは、実施例３で記述したのと同じ手順を用いた。サファイア基板上に柱状の構造を持つＡｌＮ層８を形成した後、・・・２μｍの膜厚を成す低ＳｉドープＧａＮ層７を形成した。
【００６５】
　更に、この低ＳｉドープＧａＮ層７上に高Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層６を成長した。・・・
【００６６】
　高ＳｉドープＧａＮ層６を成長した後、・・・１００Åの膜厚を成すＳｉドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層５を形成した。・・・
【００６７】
　次に、ＧａＮよりなる障壁層３とＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層４で構成される多重量子井戸構造２０を作製した。
・・・
【００７０】
　このＧａＮ障壁層で終了する多重量子井戸構造２０上に、ノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層２を作製した。
・・・
【００７２】
　このノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層上に、ＭｇドープのＧａＮ層１を作製した。ＴＥＧａとＴＭＡｌの供給を停止して、ノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層の成長が終了した後、２分間をかけて、基板の温度を１０６０℃に上昇した。更に、キャリアガスを水素に変更した。また、あらかじめビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）のバブラへのキャリアガスの流通を開始しておいた。・・・
【００７３】
　温度と圧力を変更して炉内の圧力が安定するのを待って、ＴＭＧａとＣｐ２Ｍｇのバルブを切り替え、これらの原料の炉内への供給を開始した。
Ｃｐ２Ｍｇを流通させる量は事前に検討してあり、ＭｇドープＧａＮクラッド層の正孔濃度が８×１０１７ｃｍ−３となるように調整した。その後、約６分間に渡って成長を行ったあと、ＴＭＧａとＣｐ２Ｍｇの供給を停止し、ＭｇドープのＧａＮ層の成長を停止した。これにより、０．１５μｍの膜厚を成すＭｇドープＧａＮ層１が形成された。
【００７４】
　ＭｇドープＧａＮ層の成長を終了した後、誘導加熱式ヒータへの通電を停止して、基板の温度を室温まで２０分をかけて降温した。成長温度から３００℃までの降温中は、反応炉内のキャリアガスを窒素のみから構成し、容量にして１％のＮＨ３を流通した。その後、基板温度が３００℃となったのを確認した時点でＮＨ３の流通を停止し、雰囲気ガスを窒素のみとした。基板温度が室温まで降温したのを確認して、ウェーハを大気中に取り出した。
【００７５】
　以上のような手順により、半導体発光素子用のエピタキシャル層構造を有するエピタキシャルウェーハを作製した。ここでＭｇドープＧａＮ層はｐ型キャリアを活性化するためのアニール処理を行わなくてもｐ型を示した。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「サファイア基板上に柱状の構造を持つＡｌＮ層８を形成した後、２μｍの膜厚を成す低ＳｉドープＧａＮ層７を形成し、 更に、この低ＳｉドープＧａＮ層７上に高Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層６を成長し、高ＳｉドープＧａＮ層６を成長した後、１００Åの膜厚を成すＳｉドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層５を形成し、次に、ＧａＮよりなる障壁層３とＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる井戸層４で構成される多重量子井戸構造２０を作製し、このＧａＮ障壁層で終了する多重量子井戸構造２０上に、ノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層２を作製し、このノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層上に、ＭｇドープのＧａＮ層１を作製する、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　ＭｇドープのＧａＮ層１は、ノンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ拡散防止層の成長が終了した後、２分間をかけて、基板の温度を１０６０℃に上昇し、更に、キャリアガスを水素に変更し、温度と圧力を変更して炉内の圧力が安定するのを待って、ＴＭＧａとＣｐ２Ｍｇのバルブを切り替え、これらの原料の炉内への供給を開始し、その後、約６分間に渡って成長を行ったあと、ＴＭＧａとＣｐ２Ｍｇの供給を停止し、ＭｇドープのＧａＮ層の成長を停止することにより形成され、
　ＭｇドープＧａＮ層の成長を終了した後、誘導加熱式ヒータへの通電を停止して、基板の温度を室温まで２０分をかけて降温し、成長温度から３００℃までの降温中は、反応炉内のキャリアガスを窒素のみから構成し、容量にして１％のＮＨ３を流通させ、その後、基板温度が３００℃となったのを確認した時点でＮＨ３の流通を停止し、雰囲気ガスを窒素のみとし、基板温度が室温まで降温したのを確認して、ウェーハを大気中に取り出し、
　以上のような手順により、半導体発光素子用のエピタキシャル層構造を有するエピタキシャルウェーハを作製することで、ＭｇドープＧａＮ層はｐ型キャリアを活性化するためのアニール処理を行わなくてもｐ型を示す、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　 
　ウ　引用刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−１１７９２１号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　「【０００２】
　近年、高密度光ディスク用光源、白色照明用光源、更には空気又は水の清浄化及び殺菌用光源として、窒化物半導体を利用した青〜紫外の短波長ＬＤやＬＥＤ等の発光デバイスの開発が盛んに行われている。・・・
【０００３】
　上記のような半導体デバイスの製造において、各半導体層のｎ型又はｐ型の導電性及びキャリア濃度の制御が重要である。ＧａＮに代表される窒化物半導体においては、ｎ型半導体はＳｉ等のｎ型不純物を混入することで容易に得られ、またその殆どが活性化することから、不純物量によりキャリア濃度の制御も可能である。
【０００４】
　一方、ｐ型半導体については、Ｍｇ等のｐ型不純物を混入しても水素パッシベーションにより不純物が不活性化されるため、そのままでは高抵抗であり使用できない。一般的には、結晶成長後に不活性ガス雰囲気中でのアニール処理を行い、ｐ型不純物を活性化することでｐ型半導体が得られる。アニール処理による活性化は、得られるキャリア濃度のウエハ面内均一性並びにコストパフォーマンスに優れている。
【０００５】
　しかしながら、通常のアニールによるｐ型不純物の活性化率は１％程度であり、ｐ型半導体層に高濃度の不純物を混入してもキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３程度と低い。優れた特性のデバイスを作製するためには、ｐ型不純物の活性化率を上げ更なる低抵抗化が必要である。また、アニール処理は高温を必要とするため、半導体表面からＮ（窒素）原子が離脱して結晶品質の低下も問題となっている。・・・」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物３には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
　
「ＧａＮに代表される窒化物半導体のｐ型半導体について、Ｍｇ等のｐ型不純物を混入しても水素パッシベーションにより不純物が不活性化されるため、そのままでは高抵抗であり使用できず、一般的には、結晶成長後に不活性ガス雰囲気中でのアニール処理を行い、ｐ型不純物を活性化することでｐ型半導体が得られるが、通常のアニールによるｐ型不純物の活性化率は１％程度であり、また、アニール処理は高温を必要とするため、半導体表面からＮ（窒素）原子が離脱して結晶品質の低下も問題となること。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　ア　引用発明１は、「・・・サファイア基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層１２を表面がｍ面となるように成長させ、次に、ＧａＮ層１２上に、・・・ｎ型ＧａＮ層１４を成長させ、次に、ｎ型ＧａＮ層１４上に活性層１５、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型不純物として例えばＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６を順次成長させ、これらのｐ型ＡｌＧａＮ層２１およびｐ型ＧａＮ層１６の成長温度は例えば８５０℃程度と」するものであり、前記「『Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１』または『Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６』」は、加熱された雰囲気中で、ｍ面を成長面としてＭＯＣＶＤ法により成長されるといえるから、
　（ア）引用発明１の「『Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１』または『Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６』」は、本願補正発明の「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」に相当し、
　（イ）引用発明１は、本願補正発明の「加熱された雰囲気中で、ｍ面を成長面とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有機金属気相成長法によって成長させる工程（ａ）を含み」との事項を備え、
　（ウ）引用発明１は、本願補正発明の「前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型ドーパントはマグネシウムであり」との事項を備える。
　
　イ　引用発明１は、「・・・ＧａＮ系半導体層の成長時のキャリアガス雰囲気として、ｐ型ＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＧａＮ層１６はＮ２とＨ２との混合ガスを用いる」から、本願補正発明の「前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる反応室内に水素を供給し」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、 
「加熱された雰囲気中で、ｍ面を成長面とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有機金属気相成長法によって成長させる工程（ａ）を含み、
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる反応室内に水素を供給し、
　前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型ドーパントはマグネシウムである、半導体素子の製造方法。」 
である点で一致し、次の点で相違する。
　 
　本願補正発明は、工程（ａ）の後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する工程（ｂ）を含み、前記工程（ｂ）では、前記反応室への前記水素の供給を停止した状態で前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却することにより、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、アニーリング処理を行うことなく２．０Ωｃｍ以下の抵抗率を有し、前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれる前記マグネシウムの含有量が、７．４×１０１８ｃｍ−３以上９．０×１０１８ｃｍ−３以下となるように、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させるのに対し、引用発明１は、工程（ａ）の後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する工程（ｂ）を含まず、ｐ型不純物の活性化のためにアニールを行うものであり、また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率及び前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれるマグネシウムの含有量の値が不明である点（以下「相違点」という。）。
　
　上記相違点につき検討する。
　上記（１）ウによれば、本願の優先日前に頒布された引用刊行物３には、「ＧａＮに代表される窒化物半導体のｐ型半導体について、Ｍｇ等のｐ型不純物を混入し」、「ｐ型不純物を活性化する」ために「アニール処理を行」っても、「ｐ型不純物の活性化率は１％程度であり、また、・・・半導体表面からＮ（窒素）原子が離脱して結晶品質の低下も問題となる」との技術的事項が記載されていたところ、上記（１）イによれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「基板の温度を１０６０℃に上昇し、更に、キャリアガスを水素に変更し」て「ＭｇドープのＧａＮ層１」を成長させ、その後、「基板の温度を室温まで２０分をかけて降温し、成長温度から３００℃までの降温中は、反応炉内のキャリアガスを窒素のみから構成」することで、「アニール処理を行わなくても」「ＭｇドープＧａＮ層はｐ型を示す」ようになることが示されているから、「（ｐ型不純物の活性化率が低く、また、結晶品質の低下も問題となる）アニールを行」う引用発明１において、当該「アニール」を行わなくても「『Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１』または『Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６』」がｐ型を示すよう、反応炉内のキャリアガスを窒素のみから構成してサファイア基板１１の温度を降温するようにすることは、当業者が容易になし得ることである。そして、その際、前記「『Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１』または『Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６』」に具体的にどの程度のＭｇをドープし、また、当該「『Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層２１』または『Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層１６』」が具体的にどの程度の抵抗率を有するものとするかは、当業者が当該発明を実施する上で設計上定めるべき設計的事項であるところ、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層抵抗率を２．０Ωｃｍ以下とし、また、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれるマグネシウムの含有量を７．４×１０１８ｃｍ−３以上９．０×１０１８ｃｍ−３以下と設定した点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、本願補正発明の奏する効果が、引用発明１ないし３から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。したがって、引用発明１ないし３に基づいて、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年１２月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　加熱された雰囲気中で、ｍ面を成長面とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有機金属気相成長法によって成長させる工程（ａ）と、
　前記工程（ａ）の後、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却する工程（ｂ）とを含み、
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる反応室内に水素を供給し、前記工程（ｂ）では、前記反応室への前記水素の供給を停止した状態で前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を冷却し、
　前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型ドーパントはマグネシウムであり、
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれる前記マグネシウムの含有量が、６．０×１０１８ｃｍ−３以上９．０×１０１８ｃｍ−３以下となるように、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる、半導体素子の製造方法。
　【請求項２】
　前記工程（ａ）では、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に含まれる前記マグネシウムの含有量が、７．４×１０１８ｃｍ−３以上９．０×１０１８ｃｍ−３以下となるように、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。」（以下、請求項２に係る発明を「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」が、「アニーリング処理を行うことなく２．０Ωｃｍ以下の抵抗率を有」する、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（２）で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。