【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供することと、
基板の表面に予備形成されたナノチューブを塗布し、カーボンナノチューブの不織布を作成することと、
不織布の部分を定められたパターンに従って選択的に除去し、製品を作成することと、
を備えることを特徴とする製品を製造する方法。
【請求項２】
基板の表面に対する予備形成したナノチューブの接着を促進するために表面を機能化することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面を機能化する行為が表面状態を化学的に変換するために表面を誘導体化することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
炭素及び他の不純物を除去するために表面を酸化することをさらに含む請求項２の方法。
【請求項５】
表面がシランと反応させられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
表面が３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＳ）にさらされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
表面がＡＰＴＳの約１から５０モル溶液にさらされることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
表面がＡＰＴＳの約１３から２８モル溶液にさらされることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ＡＰＴＳの溶液がヘキサンを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板が所定の時間ＡＰＴＳの溶液に浸漬されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
シランが実質的に単分子層として表面に付着されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
基板が予備形成されたナノチューブの塗布の前にヘキサンの中で保管されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
表面へのナノチューブの塗布が、予備形成されたナノチューブを分散するために基板を回転することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
予備形成されたナノチューブがレーザアブレーションされたナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
予備形成されたナノチューブが高圧一酸化炭素分解ナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
予備形成されたナノチューブが単壁ナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
予備形成されたナノチューブが多壁ナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
ナノチューブが約１００から５００μｇ／ｍＬという濃度で溶媒と混合されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
溶媒が１，２ジクロロベンジンであることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
溶媒の中のナノチューブが分散させられることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
ナノチューブの溶液及び溶媒が超音波処理にさらされることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ナノチューブが約１０から２００μｇ／ｍＬという濃度で溶媒と混合されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
溶媒が１，２ジクロロベンジンであることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
溶媒中のナノチューブが分散させられることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
ナノチューブの溶液と溶媒が超音波処理にさらされることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
基板が、ナノチューブを含む溶液が基板に付着されるにつれて所定の速度で回転させられ、表面が所定の期間回転し続けることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２７】
所定の速度が約１０００ｒｐｍであり、定められた期間が約３０秒であることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
基板がナノチューブの塗布に続いて乾燥されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
基板が以後の回転動作により乾燥されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
ナノチューブの塗布が、予備形成されたナノチューブの溶液の複数のスピンコート動作により達成されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項３１】
スピンコート動作の間で基板が溶媒から乾燥されることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ナノチューブを塗布すると、約１から１０００ｋΩ／□という抵抗により特徴付けられる不織布を生じさせるために十分なナノチューブの密度が生じることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
不織布付きの基板が焼きなまされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
不織布のカーボンナノチューブが金属性ナノチューブ及び半導体ナノチューブを含み、ファブリック内での金属性ナノチューブと半導体ナノチューブの相対的な組成が制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
不織布のカーボンナノチューブが金属性のナノチューブと半導体ナノチューブを含み、方法が金属性ナノチューブを選択的に除去することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
不織布のカーボンナノチューブが金属性ナノチューブと半導体ナノチューブを含み、方法が半導体ナノチューブを選択的に除去することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
選択的に金属性のナノチューブを除去した後に、予備形成されたナノチューブの以後の塗布が行われることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
選択的に半導体ナノチューブを除去した後に、予備形成されたナノチューブの以後の塗布が行われることを特徴とする請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
不織布が基板の表面を覆い、実質的に一様な密度となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４０】
不織布が、基板の表面を覆い、厚さが約２ｎｍ以下になるように作られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４１】
ウェハ基板を提供することと、
ウェハ基板の表面に予備形成されたナノチューブを塗布し、接触しているカーボンナノチューブの不織布を作成し、不織布が実質的に一様な密度であることと、
を備えることを特徴するウェハ基板に対してナノチューブの不織布を作る方法。
【請求項４２】
ファブリックがおもにナノチューブの単分子層であることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
ファブリックの厚さが約２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
予備形成されたナノチューブが単壁ナノチューブであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
予備形成されたナノチューブのウェハ基板の表面への接着を促進するために表面を機能化することを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
表面を機能化する行為が表面状態を化学的に変換するために表面を誘導体化することを含むことを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
炭素及び他の不純物を除去するために表面を酸化することをさらに含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４８】
表面がシランと反応させられることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
表面が３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＳ）にさらされることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５０】
表面がＡＰＴＳの約１から５０モルの溶液にさらされることを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５１】
表面がＡＰＴＳの約１３から２８モルの溶液にさらされることを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５２】
ＡＰＴＳの溶液がヘキサンを含むことを特徴とする請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
基板が所定の時間ＡＰＴＳの溶液の中に浸漬されることを特徴とする請求項４８に記載の方法。
【請求項５４】
シランが実質的に単分子層として表面上に付着されることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５５】
基板に塗布される予備形成されたナノチューブが半導体ナノチューブを基準にして金属性ナノチューブの制御された組成を有することを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５６】
ナノチューブの表面への塗布が予備形成されたナノチューブを分散するために基板を回転することを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項５７】
予備形成されたナノチューブがレーザアブレーションされたナノチューブであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５８】
予備形成されたナノチューブが高圧一酸化分解ナノチューブであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５９】
予備形成されたナノチューブがカーボン単壁ナノチューブであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項６０】
事前に形成されたナノチューブが多壁ナノチューブであることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項６１】
ナノチューブが約１００から５００μｇ／ｍＬという濃度で溶媒と混合されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。
【請求項６２】
溶媒が１，２ジクロロベンジンであることを特徴とする請求項５９に記載の方法。
【請求項６３】
溶媒中のナノチューブが分散させられることを特徴とする請求項５９に記載の方法。
【請求項６４】
ナノチューブの溶液と溶媒が超音波処理にさらされることを特徴とする請求項６１に記載の方法。
【請求項６５】
ナノチューブが約１０から２００μｇ／ｍｌの濃度で溶媒と混合されることを特徴とする請求項５６に記載の方法。
【請求項６６】
溶媒が１，２ジクロロベンジンであることを特徴とする請求項６３に記載の方法。
【請求項６７】
溶媒中のナノチューブが分散させられることを特徴とする請求項６３に記載の方法。
【請求項６８】
ナノチューブの溶液及び溶媒が超音波処理にさらされることを特徴とする請求項６５に記載の方法。
【請求項６９】
ナノチューブを含む溶液が表面に付着されるにつれて基板が溶液として所定の速度で回転され、表面が所定の期間回転し続けることを特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項７０】
所定の速度が約１０００ｒｐｍであり、所定期間が約３０秒であることを特徴とする請求項６７に記載の方法。
【請求項７１】
基板がナノチューブの塗布に続いて乾燥されることを特徴とする請求項６７に記載の方法。
【請求項７２】
基板が以後の回転動作により乾燥されることを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７３】
ナノチューブの塗布が、予備形成されたナノチューブの溶液の複数のスピンコート動作によって達成されることを特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項７４】
スピンコート動作の間で基板が溶液から乾燥されることを特徴とする請求項７１に記載の方法。
【請求項７５】
ナノチューブの塗布が約１から１０００ｋΩ／□という抵抗により特徴付けられる不織布を生じさせるほどナノチューブの十分な密度を生じさせることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項７６】
不織布を備える基板が焼きなまされることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項７７】
不織布のカーボンナノチューブが金属性のナノチューブと半導体ナノチューブを含み、ファブリックの中の金属性のナノチューブと半導体ナノチューブの相対的な組成が制御されることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項７８】
不織布のカーボンナノチューブが金属性のナノチューブと半導体ナノチューブを含み、方法が金属性のナノチューブを選択的に除去することをさらに含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項７９】
不織布のカーボンナノチューブが金属性のナノチューブと半導体のナノチューブを含み、方法が半導体ナノチューブを選択的に除去することをさらに含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項８０】
金属性のナノチューブを選択的に除去したのに続き、予備形成されたナノチューブの以後の塗布が行われることを特徴とする請求項７８に記載の方法。
【請求項８１】
半導体ナノチューブを選択的に除去したのに続き、予備形成されたナノチューブの以後の塗布が行われることを特徴とする請求項７９に記載の方法。
【請求項８２】
基板に塗布される予備形成されたナノチューブが、半導体ナノチューブを基準にして金属性のナノチューブの制御された組成を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。