【事件の表示】
　特願２００７−１２６７７９「光放射デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２０１５１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１０年（１９９８年）５月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９７年５月２７日、ドイツ）を国際出願日とする特願平１１−５０００９１号（以下「原出願」という。）の一部を平成１８年３月１０日に新たな特許出願とした、特願２００６−６５６６８号の一部を平成１９年５月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年８月３０日に手続補正がなされたが、平成２３年５月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
 　 
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年８月３０日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「少なくとも１つの活性層（３）を含み、エピタキシャルに析出された多重層（２、３、４、５）と、
　該多重層（２、３、４、５）の裏側（６）の上に形成された第１の金属コンタクト層（７）と、
　ヘテロ基板（９）の表側（８）の上に形成された第２の金属コンタクト層（１０）と、
　第１の金属コンタクト層（７）と第２の金属コンタクト層（１０）との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層（１１）と
を備え、
　ヘテロ基板（９）はシリコンへテロ基板である
ことを特徴とする光放射デバイス。」
　
３　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用した、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−３０２８５７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　  
（１）「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般に発光ダイオードに関し
　
（２）「【００２４】
【実施例】図１を参照すると、本発明を実施する第１の工程は、複数個のＬＥＤ層をその上で順次成長させる第１基板として成長基板３０を選択することである。好適な実施例では、成長基板３０はＬＥＤ層の製造後に除去される一時的成長基板である。この実施例では、成長基板の電気的、光学的特性は製造されるＬＥＤの動作には関係ないので、成長基板はＬＥＤ層の成長に影響する特性に関してだけ選択することができる。例えば、格子整合は一般に成長基板を選択する上で配慮される重要な側面である。しかし、実施例によっては成長基板は残されるので、その実施例では成長の適応性以外の特性が重要になる。
【００２５】一時的成長基板３０の例は厚さが２５０ないし５００μｍの範囲内のＧａＡｓ基板である。次に
四つのＬＥＤ層３２，３４，３６及び３８が成長基板３０上で成長される
【００２６】成長基板３０の真上のＬＥＤ層３２はｎ−ドーピングされた緩衝層であるが、成長基板（３０）と結合された第２側面ともなる。緩衝層の上方ではｎ−ドーピングされた下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層が成長される。下部の密封層のＬＥＤ層３４の厚さは例えば８００ナノメートルである。
【００２７】ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６は厚さが例えば５００ナノメートルまで成長される。次にｐ−ドーピングされたＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となるとともに、第１側面ともなるＬＥＤ層３８の模範的な厚さが例えば８００ナノメートルである。電流の拡散を促進することによって、ＬＥＤ構造の性能を向上するために、透明で、ＬＥＤ層３４，３６及び３８よりも導電性が高いウインドゥ層をオプションとして上部密封層となるＬＥＤ層３８の上で成長させてもよい。このようなウインドゥ層はフレッチャー(Fletcher)他の米国特許明細書第５，００８，７１８号に記載されている。
【００２８】ＬＥＤ層３２−３８内ではある程度の光吸収性及び電気抵抗率の誤差が許容される。それはこれらの層が充分に薄く、最適な特性を達成するために素子の性能を著しく妥協しなくてもよいからである。しかし、光吸収性の一時的成長基板３０は明確に性能に影響を及ぼす。さて、図２を参照すると、
成長基板は既に除去され、成長層であるＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造が残されている
【００２９】
一時成長基板を除去した後、性能向上基板が図２に示したＬＥＤ構造４０の最下層のＬＥＤ層３２又は最上層のＬＥＤ層３８の何れかに接合される
【００３０】図３は
透明層として使用され、また永久基板でもある導電性、透光性基板４２が緩衝層であるＬＥＤ層３２にウェーハ接合された
　
（３）「【００３４】更に、図１の素子は導電率が低く、
装置の電流拡散力が限定される従来形の透光性層の成長基板３０を有している
導電率がより高い透光性基板をウェーハ接合する
【００３５】
同様にして、吸収性の一時的成長基板を導電率がより高い吸収性基板と置き換えてもよい
　
（４）「【００３７】図３を再び参照すると、導電性、透光性基板４２とＬＥＤ構造４０との間の所望の電気的接続は金属化の実施によって保証することができる。例えば、ウェーハ接合される
導電性、透光性基板４２の上面に薄い接点領域を形成する
接点領域をＬＥＤ構造の最下層のＬＥＤ層３２に形成する
基板の表面が最下層のＬＥＤ層３２の表面と接触され、装置は温度を上昇して熱処理される。熱処理によって金属化されない領域でのウェーハ・ボンディングが達成され、金属化された接点での接合がなされる
　
（５）「【００３９】さて図８を参照すると、前述のＬＥＤ構造４０はミラー６０にウェーハ接合することができる。
ミラー６０はそこで下方に放射された光線、又は先に反射された内部光線を反射する
光線は基板に到達する前に反射されるので、基板の光学特性は関係がない
【００４０】
ミラー６０と基板６２はＬＥＤ構造４０にバイアスを加えるために電極を基板に接合できるように、導電性材料から成る必要がある
シリコン
例えばＳｉは熱伝導率が比較的高いので、これらの材料によって装置を更に向上させることができる
　
４　引用発明 
　前記３（１）（２）及び（４）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。 
「四つのＬＥＤ層３２，３４，３６及び３８が一時成長基板３０上で成長され、一時成長基板３０を除去した後、性能向上基板である導電性、透光性基板４２が、ＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造４０の最下層のＬＥＤ層３２に接合された発光ダイオードであって、導電性、透光性基板４２の上面に薄い接点領域を形成するとともに対応する接点領域をＬＥＤ構造の最下層のＬＥＤ層３２に形成し、導電性、透光性基板４２の表面が最下層のＬＥＤ層３２の表面と接触され、熱処理によって金属化されない領域でのウェーハ・ボンディングが達成され、金属化された接点での接合がなされた発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
 　 
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比するに、引用発明の「ＬＥＤ層３２−３８によって形成されたＬＥＤ構造４０」、「性能向上基板である導電性、透光性基板４２」及び「発光ダイオード」は、それぞれ、本願発明の「少なくとも１つの活性層（３）を含み、エピタキシャルに析出された多重層（２、３、４、５）」、「ヘテロ基板（９）」及び「光放射デバイス」に相当する。
　そして、引用発明は、「金属化された接点での接合」がなされるようにするものであるから、引用発明の「『導電性、透光性基板４２の上面』に形成した『薄い接点領域』」及び「『ＬＥＤ構造の最下層のＬＥＤ層３２に形成』した『接点領域』」は、それぞれ、本願発明の「ヘテロ基板（９）の表側（８）の上に形成された第２の金属コンタクト層（１０）」及び「該多重層（２、３、４、５）の裏側（６）の上に形成された第１の金属コンタクト層（７）」に相当する。
　したがって、両者は、
「少なくとも１つの活性層（３）を含み、エピタキシャルに析出された多重層（２、３、４、５）と、該多重層（２、３、４、５）の裏側（６）の上に形成された第１の金属コンタクト層（７）と、ヘテロ基板（９）の表側（８）の上に形成された第２の金属コンタクト層（１０）と、を備える光放射デバイス。」
である点で一致し、以下の（１）及び（２）の点で相違するものと認められる。
　
（１）ヘテロ基板が、本願発明では「シリコンへテロ基板」であるのに対して、引用発明では「導電性、透光性基板４２」である点（以下「相違点１」という。）。
　
（２）本願発明は、「第１の金属コンタクト層（７）と第２の金属コンタクト層（１０）との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層（１１）」を備えるのに対して、引用発明は、ろう層を備えるものであるのかどうか不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
６　判断
（１）相違点１について
　前記３（５）によれば、引用刊行物には、ミラー６０で光線を反射する場合、基板の光学特性は関係がないことが記載され、この場合に用いられる基板６２について、導電性材料からなる必要があること、シリコンが使用できることが記載されているものと認められる。かかる記載によれば、シリコンは光吸収性だが導電性の高い材料とされていることが理解できる。
　しかるところ、前記３（３）によれば、引用刊行物には、装置の電流拡散力が限定される従来形の透光性層の一時成長基板３０を、導電率がより高い透光性基板に置き換えるのと同様にして、光吸収性の一時的成長基板を導電率がより高い光吸収性基板と置き換えてもよいことが記載されているものと認められる。
　してみれば、引用発明の導電性、透光性基板４２に代えて、導電率の高い光吸収性基板となるシリコン基板を用いること、すなわち、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことというべきである。
　
（２）相違点２について
　電気接点同士を接続する際に、接点間に電気的および機械的接触を生ずるろう層を形成することは慣用手段であるから、引用発明において「金属化された接点での接合」がなされるようにするために、「第１の金属コンタクト層と第２の金属コンタクト層との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層」を備えるようにすること、すなわち、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用刊行物の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
７　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用刊行物の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。