Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーの層を含む発光デバイスにおいて、環境による攻撃からデバイスを保護するための低温塗布無機材料のカプセル形成層を含み、該無機材料がホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）または鉛の窒化物を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項２】  該無機材料が窒化シリコン材料であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】  陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーの層を含む発光デバイスを保護する方法であって、前記デバイスを低温塗布無機材料のカプセル形成層でカプセル封入することを含み、該無機材料がホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）または鉛の窒化物を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】  該無機材料が窒化シリコン材料であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施例５
この実施例では、上記の実施例１に記載したようにポリマー発光性表示装置を構築した。窒化シリコン堆積の後、窒化シリコン層の周縁に金属フレームを堆積させた。その寸法が大きさ、形共に窒化シリコン層上のフレームに合致する金属フレームの付いた、離れたガラスぶたも作製した。次に、そのガラスぶたを低融点はんだ（この実施例では１３５℃）を用いて表示装置に取付けた。この場合、表示装置の一次保護は、ガラスぶたおよびそれと結合した金属はんだ封止材によってなされた。この実施例における窒化シリコンの目的は、陽極を形成する列と陰極を形成する行の間に、金属フレーム封止材が電気的短絡を創生するのを防止するためであった。このデバイスの横断面は図５に示されている。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーの層を含む発光デバイスにおいて、環境による攻撃からデバイスを保護する、低温塗布無機材料のカプセル形成層を含むことを特徴とするデバイス。
［２］  低温塗布無機材料がＩＩＩｂ族またはＩＶｂ族元素の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする［１］に記載のデバイス。
［３］  無機材料がシリコン系材料であることを特徴とする［２］に記載のデバイス。
［４］  無機材料が、窒化シリコンおよび酸化シリコンから選択されたシリコン系材料であることを特徴とする［３］に記載のデバイス。
［５］  デバイスと無機材料層の間に配置され、非反応性金属を含む低温塗布被覆を更に含むことを特徴とする［１］に記載のデバイス。
［６］  無機材料層の上に取付けられた保護用カバープレートを更に含むことを特徴とする［１］に記載のデバイス。
［７］  保護用カバープレートがエポキシで取付けられることを特徴とする［６］に記載のデバイス。
［８］  エポキシがカバープレートの周辺にあることを特徴とする［７］に記載のデバイス。
［９］  カバープレートと無機材料層の間に不活性ガスを更に含むことを特徴とする［８］に記載のデバイス。
［１０］  エポキシがカバープレートと無機材料層の間に均一に分布していることを特徴とする［７］に記載のデバイス。
［１１］  無機材料層の上に取付けられた保護用カバープレートを更に含むことを特徴とする［５］に記載のデバイス。
［１２］  保護用カバープレートがエポキシで取付けられることを特徴とする［１１］に記載のデバイス。
［１３］  エポキシがカバープレートの周辺にあることを特徴とする［１２］に記載のデバイス。
［１４］  カバープレートと無機材料層の間に不活性ガスを更に含むことを特徴とする［１３］に記載のデバイス。
［１５］  エポキシがカバープレートと無機材料層の間に均一に分布していることを特徴とする［１２］に記載のデバイス。
［１６］  保護用カバープレートがはんだで取付けられることを特徴とする［６］に記載のデバイス。
［１７］  保護用カバープレートがはんだで取付けられることを特徴とする［１１］に記載のデバイス。
［１８］  無機材料の被覆がフレームプレートの形をしていることを特徴とする［１］に記載のデバイス。
［１９］  無機材料層が４００℃未満の温度で塗布されることを特徴とする［１］に記載のデバイス。
［２０］  非反応性金属が４００℃未満の温度で塗布されることを特徴とする［５］に記載のデバイス。
［２１］  非反応性金属と無機材料が、共に４００℃未満の温度で塗布されることを特徴とする［５］に記載のデバイス。
［２２］  陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーを含む発光デバイスを保護する方法であって、前記デバイスを低温塗布無機材料のカプセル形成層でカプセル封入することを含むことを特徴とする方法。
［２３］  低温塗布無機材料がＩＩＩｂ族またはＩＶｂ族元素の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする［２２］に記載の方法。
［２４］  低温塗布無機材料層を非反応性金属層でオーバーコートする段階を更に含むステップを特徴とする［２２］に記載の方法。
［２５］  無機材料層の上に保護板を取付ける段階を更に含むステップを特徴とする［２］に記載の方法。
［２６］  デバイスと無機材料層の間に配置され、非反応性金属を含む低温塗布被覆を更に含むことを特徴とする［２４］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  仮想離散ウェーブレット変換（ＤＷＴ）サブバンドを、ＤＷＴを実行することなく、近似によって画像から構築するステップであって、
仮想ＬＬサブバンドが、縮小なく、元画像のピクセルの幅方向および高さ方向の規模に近似されるステップと、前記仮想サブバンドに逆ＤＷＴを適用するステップであって、前記逆ＤＷＴの結果が、前記画像のアップサンプリングされたバージョンを表わし、前記画像の前記アップサンプリングされたバージョンが、拡大された、前記元画像のピクセルの幅方向および高さ方向の規模を持つステップと、を含んでなる方法。
【請求項２】  画像データを伝達するためのインターフェイスと、
アップサンプリング・ユニットであって、前記アップサンプリング・ユニットが、前記インターフェイスに結合されて、前記画像データを受け取り、前記アップサンプリング・ユニットが、近似によって、前記画像データから仮想サブバンド入力データを構築し、ＬＬサブバンドが、縮小なく、元画像のピクセルの幅方向および高さ方向の規模に近似され、前記アップサンプリング・ユニットが、前記入力データに対して逆離散ウェーブレット変換（ＤＷＴ）を実行して、前記入力データからアップサンプリングされた画像を生成し、前記アップサンプリングされた画像が、拡大された、前記元画像のピクセルの幅方向および高さ方向の規模を持つアップサンプリング・ユニットと、
演算処理セルに結合されて、前記中間出力を受け取って、選択的に加算する加算器と、を備えてなる装置。
【請求項３】  画像データを伝達するためのインターフェイスと、
アップサンプリング・ユニットであって、前記アップサンプリング・ユニットが、前記インターフェイスに結合されて、前記画像データを受け取り、前記アップサンプリング・ユニットが、近似によって、前記画像データから仮想サブバンド入力データを構築し、ＬＬサブバンドが、縮小なく、元画像のピクセル規模に近似され、前記アップサンプリング・ユニットが、前記入力データに対して逆離散ウェーブレット変換（ＤＷＴ）を実行して、前記入力データからアップサンプリングされた画像を生成するように構成されているアップサンプリング・ユニットと、
演算処理セルに結合されて、中間出力を受け取って、選択的に加算する加算器と、を備えてなる装置であって、前記アップサンプリング・ユニットが、
第一のアップサンプリングされたデータ出力生成と、
第二のアップサンプリングされたデータ出力生成と、を備えてなり、前記第一および第二の出力生成器が、それぞれの出力を交互に供給し、前記第一の生成および第二の生成の各々は、
各演算処理セルが、前記入力データから中間逆ＤＷＴ出力を生成することができる、複数の演算処理セルと、
前記演算処理セルに結合されて、前記中間出力を受け取って、選択的に加算する加算器と、を備えてなり、前記各出力生成が、
前記演算処理セルに選択的に結合される遅延素子であって、前記演算処理セルへの出力を選択的に遅延させる前記遅延素子を備えてなる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  接着剤層（２）と、
（ａ）熱可塑性ポリオレフィンの、エチレン−プロピレンコポリマーゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ジエンは、５−エチリデン−２−ノルボルネン（ＥＮＢ）、１，４−ヘキサジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン（ＭＮＢ）、５−ビニルノルボルネン（ＶＮＢ）、１，６−オクタジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、３，７−ジメチル−１，６−オクタジエン、１，３−シクロペンタジエン、１，４−シクロヘキサジエンおよびジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）から選択される）、ブチルゴム、天然ゴム、ニトリルゴム、ポリイソプレンゴム、ポリクロロプレンゴム、Ｃ４−７イソモノオレフィンとパラ−Ｃ１−８−アルキルスチレンとのコポリマーもしくはそのハロゲン化誘導体、ポリブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴムから選択される硬化性ゴムとのブレンド、または、スチレン／共役ジエン／スチレンブロックコポリマー
からなる群より選択される最も上の熱可塑性エラストマー層（４）；と、
（ｂ）ポリオレフィンまたはポリエステル層（５）
との共押出フィルム（３）を含む、ラベル（１）。
【請求項２】  共押出フィルム（３）が、ポリオレフィン／ポリエステル層（５）の外側表面上、熱可塑性エラストマー層（４）の外側表面上、または両方に印刷（６）されている、請求項１のラベル（１）。
【請求項３】  共押出フィルム（３）が、そのポリオレフィン側でポリオレフィンシート（７）に積層されている、請求項１または２に記載のラベル（１）。
【請求項４】  ポリオレフィンシート（７）が印刷されている、請求項３のラベル（１）。
【請求項５】  積層がラミネート接着剤の層（８）により行われる、請求項３のラベル（１）。
【請求項６】  共押出シート（３）のポリオレフィン（５）が、ポリエチレンまたはポリプロピレンから選択される、請求項１のラベル（１）。
【請求項７】  共押出シート（３）のポリエステル（５）が、アモルファスポリエチレンテレフタレートから選択される、請求項１のラベル（１）。
【請求項８】  ポリオレフィンシート（７）が、ポリエチレンまたはポリプロピレンシートから選択される、請求項３のラベル（１）。
【請求項９】  接着剤層（２）が感圧性接着剤である、請求項１のラベル（１）。
【請求項１０】  基材（９）上の、請求項１〜９のいずれか１つのラベル（１）。
【請求項１１】  基材（９）が、剥離紙、ポリエチレンまたはポリプロピレンである、請求項１０のラベル（１）。
【請求項１２】  共押出フィルム（３）が、熱収縮性の、１軸または２軸熱延伸フィルムである、請求項１のラベル（１）。
【請求項１３】  共押出フィルム（３）が、４０μｍから１２０μｍの厚みを有する、請求項１〜１２のいずれか１つのラベル（１）。
【請求項１４】  熱可塑性エラストマー層（４）のポリオレフィン／ポリエステル層（５）に対する厚みの比が、１：９から１：１である、請求項１〜１３のいずれか１つのラベル（１）。
【請求項１５】  ゴムが、硬化されていないか、部分的に硬化されているかまたは十分に硬化されている、請求項１のラベル（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査ビームを供給するための放射源と、前記走査ビームを前記情報面上の走査スポットにフォーカスさせるための対物レンズシステムを有する、情報面を光学的に走査する光学装置において、
平凸の第1要素と平凹の第2要素の接着型ダブレットを有する温度補償器が、前記放射源と前記対物レンズシステムの間に配置され、前記第1要素の凸面が前記第2要素の凹面に対して配置され、前記第1要素と前記第2要素の前記屈折率が、前記設計温度では実質的に等しいが、相異なる温度依存性を有していることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記補償器の前記要素の一方の材料がガラスであり、前記他方の要素の材料が透明な合成材料であることを特徴とする、請求項1に記載の光学装置。
【請求項３】
当該ガラスがBAK4であり、当該合成材料がDiacrylであることを特徴とする、請求項2に記載の光学装置。
【請求項４】
前記対物レンズシステムが対物レンズと平凸レンズを有し、前記対物レンズが対物側に位置し、前記平凸レンズが像側に位置し、前記平凸レンズの前記凸面が前記対物レンズに面していることを特徴とする、請求項1、2、3の何れかに記載の光学装置。
【請求項５】
前記補償器の前記要素が、相異なるアッベ数をもつことを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の光学装置。
【請求項６】
コリメータレンズが、前記放射源と前記補償器の間に配置されていることを特徴とする、請求項１から５の何れかに記載の光学装置。
【請求項７】
前記情報面上に走査スポットを形成するための光学装置と、前記情報面からの放射光を電気信号に変換するための放射検出システムと、前記走査スポットと前記情報面を互いに相対的に動かすための手段とを有する、光学記録担体の情報面における情報の読み取りおよび／または書き込みを行う機器において、
前記光学装置が、請求項１から６の何れかに記載の装置であることを特徴とする機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  通気乾燥ティッシュシートを製造する方法であって、
（ａ）製紙用繊維の水性懸濁液を成形用布上に堆積させてウェットウェブを形成する段階と；
（ｂ）前記ウェットウェブを約２０ないし約３０パーセントの濃度に脱水する段階と；
（ｃ）前記脱水されたウェブを、前記成形用布から、前記成形用布より約１０ないし約８０パーセント遅い速度で移動する搬送用布に移送する段階と；
（ｄ）前記ウェブを、１平方インチ当たり約５ないし約３００個の、前記布の面より少なくとも約０．００５インチ持ち上がっている、機械方向の型押し稜部を有する通気乾燥用布上に移送して、前記機械方向に延びる、持ち上がった枕状領域の平行な不連続列を形成する前記通気乾燥用布の表面に整合するように前記ウェブを巨視的に再配列する段階と；
（ｅ）前記ウェブを通気乾燥する段階と；
を含み、前記搬送用布の前記シート側が、乾燥された前記ティッシュシートの前記空気側に概略機械横方向の棒様突出部を与える概略機械横方向の谷部を含むものであることを特徴とする方法。
【請求項２】  通気乾燥ティッシュシートを製造する方法であって、
（ａ）製紙用繊維の水性懸濁液を成形用布上に堆積させてウェットウェブを形成する段階と；
（ｂ）前記ウェットウェブを約２０ないし約３０パーセントの濃度に脱水する段階と；
（ｃ）前記脱水されたウェブを、前記成形用布から、前記成形用布より約１０ないし約８０パーセント遅い速度で移動する搬送用布に移送する段階と；
（ｄ）前記ウェブを、１平方インチ当たり約５ないし約３００個の、前記布の面より少なくとも約０．００５インチ持ち上がっている、機械方向の型押し稜部を有する通気乾燥用布上に移送して、前記機械方向に延びる、持ち上がった枕状領域の平行な不連続列を形成する前記通気乾燥用布の表面に整合するように前記ウェブを巨視的に再配列する段階と；
（ｅ）前記ウェブを通気乾燥する段階と；
を含み、前記通気乾燥用布が、前記布の機械横方向に対して約２度あるいはそれ以下の角度にあるオフセット継ぎ目を有することを特徴とする方法。
【請求項３】  前記オフセット継ぎ目の角度が、前記シートの前記機械横方向に対し約１度あるいはそれ以下であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記オフセット継ぎ目の角度が、前記シートの前記機械横方向に対し約０．０５ないし約１度であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記オフセット継ぎ目の角度が、前記シートの前記機械横方向に対し約０．１ないし約０．６度であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記搬送用布の機械横方向の谷部は、該搬送用布の機械方向の主要なフィラメント間の空間に対応する幅を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記搬送用布の機械横方向の主要フィラメント間の空間は約０．３か、それ以上であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記搬送用布の機械横方向の主要フィラメント間の空間は約０．３から約３ミリメートルであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記搬送用布の機械横方向の主要フィラメント間の空間は約０．５から約１．５ミリメートルであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】  前記搬送用布は、機械横方向の谷部をより深いものとするために相互に積み重ねられた複数の機械横方向の主要フィラメントを含むものであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】  空気側と乾燥機側を有し、その該乾燥機側が概略機械方向の、隆起した枕様領域の平行した不連続の列を有する通気乾燥ティッシュシートであって、前記隆起した枕様領域の列の前記不連続部が、前記シートの前記空気側に概略機械横方向の棒様突出部として現れている概略機械横方向の谷部であることを特徴とするティッシュシート。
【請求項１２】  シートの機械方向に対し約０．０５゜ないし約２゜の角度で延びる、隆起した枕様領域の概ね平行な列を含むことを特徴とする通気乾燥ティッシュシート。
【請求項１３】  前記角度が約０．０５゜ないし約１゜であることを特徴とする請求項１２に記載のティッシュシート。
【請求項１４】  前記角度が約０．１゜ないし約０．６゜であることを特徴とする請求項１２に記載のティッシュシート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１の農薬と、以下の式〔（Ｈ−Ｂ）+ 〕n Ａn-：
｛式中、Ａn-は以下の：
【化１】
2002522400.tif 000001
（ここで、各Ｒ1 は独立してＣ8 −Ｃ22アルキル及びＣ8 −Ｃ22アルキルアリールから成る群から選ばれ、ｍは１〜５の数であり、ｎは１〜３の数であり、そしてｓは１〜３の数である。）
であり、そして（Ｈ−Ｂ）+ は以下の式：
【化２】
2002522400.tif 000002
（ここで、Ｒ4 は、Ｃ7 −Ｃ19アルキル及びＣ7 −Ｃ19アルケニル−ＣＨ2 −から成る群から選ばれ、そしてｘ＋ｙは２〜１５の数である。）により表されるカチオンである。｝により表される塩化合物とを、含む農薬製剤。
【請求項２】  以下の式（Ｈ−Ｂ）+ Ａ- ：
｛式中、Ａ- は以下の：
【化３】
2002522400.tif 000003
（ここで、Ｒ1 はＣ8 −Ｃ22アルキルである。）であり；そして（Ｈ−Ｂ）+ は以下の式：
【化４】
2002522400.tif 000004
（ここで、ｘ＋ｙは７〜９の数であり、そしてＲ4 は先に定義したものである。）により表されるカチオンである。｝を有する、請求項１に記載の農薬製剤。
【請求項３】  Ｒ1 がｎ−ドデシル基である、請求項２に記載の農薬製剤。
【請求項４】  Ｒ4 がｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル及びシス−９−オクタデセニルから成る群から選ばれ；そしてｘ＋ｙが８に等しい、請求項２に記載の農薬製剤。
【請求項５】  以下の式（II）：
【化５】
2002522400.tif 000005
｛式中、各Ｒ1 は独立して、Ｃ8 −Ｃ22アルキル及びＣ8 −Ｃ22アルキルアリールから成る群から選ばれ、ｍは１〜５の数であり、ｎは１〜３の数であり、そしてｓは１〜３の数である。｝により表される少なくとも１の芳香族スルホン酸を、以下の式（IV）：
【化６】
2002522400.tif 000006
｛式中、Ｒ4 は、Ｃ7 −Ｃ19アルキル及びＣ7 −Ｃ19アルケニル−ＣＨ2 −から成る群から選ばれ、そしてｘ＋ｙは２〜１５（含む）の数である。｝により表される少なくとも１のエトキシル化アミン塩基で、中和するステップを含む、請求項１に記載の農薬製剤の製造方法。
【請求項６】  前記少なくとも１の芳香族スルホン酸が、以下の式（IIａ）：
【化７】
2002522400.tif 000007
｛式中、Ｒ1 はＣ8 −Ｃ22アルキルである。｝により定められる化合物であり；そして
前記少なくとも１のエトキシル化アミン塩基が以下の式（IV）：
【化８】
2002522400.tif 000008
｛式中、Ｒ4 はＣ7 −Ｃ19アルキルであり、そしてｘ＋ｙは７〜９の数である。｝により表される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  イソプロパノールと水の溶液中の前記芳香族スルホン酸成分（II）と前記エトキシル化アミン塩基成分（IV）の比が正確に調節され、その結果、前記式〔（Ｈ−Ｂ）+ 〕n Ａn-の界面活性化合物の調製における制御因子としてのpH範囲が、３〜７のpHとなる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】  イソプロパノールと水の溶液中の前記芳香族スルホン酸成分（II）と前記エトキシル化アミン塩基成分（IV）の比が正確に調節され、その結果、前記式〔（Ｈ−Ｂ）+ 〕n Ａn-の界面活性化合物の調製における制御因子としてのpH範囲が、４〜６のpHとなる、請求項５に記載の方法。
【請求項９】  イソプロパノールと水の溶液中の前記芳香族スルホン酸成分（II）と前記エトキシル化アミン塩基成分（IV）の比が正確に調節され、その結果、前記式〔（Ｈ−Ｂ）+ 〕n Ａn-の界面活性化合物の調製における制御因子としてのpH範囲が、５〜６のpHとなる、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】  前記少なくとも１の農薬がメフェノキサム（ｍｅｆｅｎｏｘａｍ）、ｓ−メトラクロール（ｓ−ｍｅｔｏｌａｃｈｌｏｒ）、フルメツラム（ｆｌｕｍｅｔｓｕｌａｍ）、フルチアセット−メチル（ｆｌｕｔｈｉａｃｅｔ−ｍｅｔｈｙｌ）、アトラジン（ａｔｒａｚｉｎｅ）、及びグリフォセート（ｇｌｙｐｈｏｓａｔｅ）から成る群から選ばれる、請求項１に記載の農薬製剤。
【請求項１１】  保護の必要な作物の場に、農業的に有効な量の請求項１に記載の製剤を適用するステップを含む、作物保護方法。
【請求項１２】  保護の必要な作物の場に、農薬的に有効な量の請求項２に記載の製剤を適用するステップを含む、作物保護方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）で示されるインドール化合物、またはその医薬的に許容される塩、溶媒和物もしくはプロドラッグ誘導体：
【化１】
2002522385.tif 000001
［式中、Ｒ1は、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）群から選ばれる。ここで、
（ａ）は、Ｃ7−Ｃ20アルキル、Ｃ7−Ｃ20ハロアルキル、Ｃ7−Ｃ20アルケニル、Ｃ7−Ｃ20アルキニル、炭素環式ラジカル、またはヘテロサイクリックラジカルであるか、または
（ｂ）は、１またはそれ以上の独立して選ばれる非干渉置換基で置換された（ａ）のメンバーであるか、または
（ｃ）は、基−（Ｌ1）−Ｒllである。ここで、−（Ｌ1）−は原子数１〜８の二価のリンキング基であり、Ｒ1lは（ａ）または（ｂ）から選ばれる基である。
Ｒ2は、水素または１〜４個の水素以外の原子を含む基である。
Ｒ3は、−（Ｌ3）−Ｚである。ここで、−（Ｌ3）−は、結合または
【化２】
2002522385.tif 000002
から選ばれる二価の基から選ばれる二価のリンカー基であり、
Ｚは、式：
【化３】
2002522385.tif 000003
で示される基から選ばれる。ここで、Ｘは酸素または硫黄であり、Ｙは−ＮＨ2、Ｃ1−Ｃ4アルキル、−ＣＦ3、−ＣＯＮＨ2、または−ＣＨ2Ｚであり、ＺはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである。
Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立して、水素、非干渉置換基、または基−（Ｌa）−（酸性基）から選ばれる。ここで、−（Ｌa）−は、酸リンカー長１〜８の二価の酸リンカーである（ただし、Ｒ4およびＲ5の少なくとも１つは基、−（Ｌa）−（酸性基）でなければならない）。
Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立して、水素、非干渉置換基、炭素環式ラジカル、非干渉置換基で置換された炭素環式ラジカル、ヘテロサイクリックラジカル、および非干渉置換基で置換されたヘテロサイクリックラジカルから選ばれる。］。
【請求項２】  式（ＩＩ）で示されるインドール化合物、またはその医薬的に許容される塩、溶媒和物、もしくはプロドラッグ誘導体：
【化４】
2002522385.tif 000004
［式中、Ｒ16は水素およびＣ1−Ｃ8アルキル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ1−Ｃ8アルキルチオ、Ｃ1−Ｃ8ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ8ヒドロキシアルキル、およびハロから選ばれ、
−（Ｌ4）−は、
【化５】
2002522385.tif 000005
【化６】
2002522385.tif 000006
から選ばれる二価の基であり、
Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、およびＲ43は、それぞれ独立して水素、Ｃ1−Ｃ8アルキルから選ばれ、
Ｒ22は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、−Ｆ、−ＣＦ3、−Ｃｌ、−Ｂｒ、または−Ｏ−ＣＨ3から選ばれ、
Ｒ13は、Ｃ1−Ｃ8アルキル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、フェニル、ハロフェニル、−Ｓ−（Ｃ1−Ｃ8アルキル）、Ｃ1−Ｃ8ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ8ヒドロキシアルキル、およびハロであり、ｔは０〜５の整数である。］。
【請求項３】  式（Ｃ１）：
【化７】
2002522385.tif 000007
で示されるインドール化合物。
【請求項４】  請求項１記載のインドール化合物と医薬的に許容される担体もしくは希釈剤を含む医薬製剤。
【請求項５】  ｓＰＬＡ2を治療的有効量の、請求項１記載のインドール化合物と接触させることを含む脂肪酸のｓＰＬＡ2介在性放出の阻害方法。
【請求項６】  式（Ｉ）で示されるインドール化合物、またはその医薬的に許容される塩、溶媒和物、もしくはプロドラッグ誘導体：
【化８】
2002522385.tif 000008
［式中、Ｒ1は、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）群から選ばれる。ここで、
（ａ）は、Ｃ7−Ｃ20アルキル、Ｃ7−Ｃ20ハロアルキル、Ｃ7−Ｃ20アルケニル、Ｃ7−Ｃ20アルキニル、炭素環式ラジカル、またはヘテロサイクリックラジカルであるか、または
（ｂ）は、１またはそれ以上の独立して選ばれる非干渉置換基で置換された（ａ）のメンバーであるか、または
（ｃ）は、基  −（Ｌ1）−Ｒllである。ここで、−（Ｌ1）−は原子数１〜８の二価のリンキング基であり、Ｒ1lは（ａ）または（ｂ）から選ばれる基である。
Ｒ2は、水素または１〜４個の水素以外の原子を含む基である。
Ｒ3は、−（Ｌ3）−Ｚである。ここで、−（Ｌ3）−は、結合または
【化９】
2002522385.tif 000009
から選ばれる二価の基から選ばれる二価のリンカー基であり、
Ｚは、式：
【化１０】
2002522385.tif 000010
で示されるウレイドまたはチオウレイド基であり、Ｘは酸素または硫黄である。
Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立して水素、非干渉置換基、または基  −（Ｌa）−（酸性基）から選ばれる。ここで、−（Ｌa）−は、酸リンカー長１〜８の二価の酸リンカーである（ただし、Ｒ4およびＲ5の少なくとも１つは基、（Ｌa）−（酸性基）でなければならない）。
Ｒ6およびＲ7は、それぞれ独立して、水素、非干渉置換基、炭素環式ラジカル、非干渉置換基で置換された炭素環式ラジカル、ヘテロサイクリックラジカル、および非干渉置換基で置換されたヘテロサイクリックラジカルから選ばれる。］。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】次の：
（ｉ）イブプロフェン薬剤；
（ｉｉ）ドンペリドン薬剤；および
（ｉｉｉ）キャリアー物質
の混合物を含んで成る安定な製薬組成物において、
該キャリアー物質がポビドンを実質的に含まず、
そして次の：
（ａ）粒状イブプロフェンおよびキャリアー物質を含んで成る圧縮錠剤であって、該キャリアー物質が総錠剤重量に対して３〜４％の乾燥トウモロコシデンプンと組み合わされている、総錠剤重量に対して３５〜３８％のトウモロコシデンプンか、または総錠剤重量に対して１４〜１６％のクロスカルメロース・ナトリウムおよび総錠剤重量に対して１０％のプレゲル化デンプンと組み合わされている、総錠剤重量に対して１０〜１１％の微結晶性セルロースのいずれかより本質的に成る該圧縮錠剤；
（ｂ）総錠剤重量に対して８〜１１％の微結晶性セルロースおよび総錠剤重量に対して５〜６％のラクトースより本質的に成るキャリアー物質を含んで成る直接圧縮錠剤；
（ｃ）総カプセル含有物重量に対して５〜６％のプレゲル化デンプンと組み合わされている、総カプセル含有物重量に対して１５〜２０％のトウモロコシデンプンより本質的に成るキャリアーを含んで成る硬質ゼラチンカプセル
を除いて、少なくとも１種の崩壊剤および造粒剤と組み合わされた少なくとも１種の希釈剤を含んで成ることを特徴とする、上記の製薬組成物。
【請求項２】  総錠剤重量に対して１０％までの程度で存在する造粒剤を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  次の：
天然ガム、合成ガムおよびセルロース系物質から選ばれる高分子造粒剤；糖系造粒剤；およびデンプン系造粒剤の１種または２種以上より本質的に成る造粒剤を含んでいる、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】  造粒剤がセルロース誘導体であることを特徴とする、請求項２または３に記載の組成物。
【請求項５】  造粒剤がヒドロキシプロピルセルロースまたはヒドロキシプロピルメチルセルロースであることを特徴とする、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】  直接圧縮錠剤の形態であって、
次の：
（ｉ）イブプロフェン薬剤；
（ｉｉ）ドンペリドン薬剤；および
（ｉｉｉ）キャリアー物質
を含んで成る直接圧縮錠剤組成物において、
該キャリアー物質がポビドンを実質的に含まず、そして少なくとも１種の崩壊剤、潤滑剤および造粒剤と組み合わされた少なくとも１種の希釈剤を含んで成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】  別個の崩壊剤物質を１５％まで含むキャリアー物質を２０〜６０％含んでいる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】  キャリアー物質が次の希釈剤、即ち微結晶性セルロース、リン酸三カルシウムおよびラクトースの１種または２種以上より本質的に成る、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】  クロスカルメロース・ナトリウムおよびデンプン・グリコール酸ナトリウムを含んでいる１種または２種以上の別個の崩壊剤を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】  組成物に対して５０〜６５重量％の程度で存在する、ラセミイブプロフェンか、Ｓ（＋）−イブプロフェンか、またはそれらのナトリウム塩若しくはリシン塩のいずれ、および、組成物に対して１〜５％の程度で存在するドンペリドンか、またはそのマレイン酸塩のいずれかを含む、請求項の１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】  （ａ）場合によってドンペリドン薬剤を含んでいるイブプロフェン薬剤を、キャリアー物質の少なくとも第一の部分および造粒流体と共に粒状化し；（ｂ）その粒体を乾燥し；（ｃ）潤滑剤、および場合によって用いられる流動助剤とブレンドして均一な混合物を形成し；そして（ｄ）錠剤に圧縮成形する工程を含んで成る、請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧縮組成物の製造方法。
【請求項１２】  造粒剤としてセルロース物質をさらに含んでいる、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】  偏頭痛の治療のための薬剤を製造するための、
次の：
（ｉ）イブプロフェン薬剤；
（ｉｉ）ドンペリドン薬剤；および
（ｉｉｉ）キャリアー物質
の混合物であって、
該キャリアー物質がポビドンを実質的に含まず、
そして次の：
（ａ）粒状イブプロフェンおよびキャリアー物質を含んで成る圧縮錠剤であって、該キャリアー物質が総錠剤重量に対して３〜４％の乾燥トウモロコシデンプンと組み合わされている、総錠剤重量に対して３５〜３８％のトウモロコシデンプンか、または総錠剤重量に対して１４〜１６％のクロスカルメロース・ナトリウムおよび総錠剤重量に対して１０％のプレゲル化デンプンと組み合わされている、総錠剤重量に対して１０〜１１％の微結晶性セルロースのいずれかより本質的に成る該圧縮錠剤；
（ｂ）総錠剤重量に対して８〜１１％の微結晶性セルロースおよび総錠剤重量に対して５〜６％のラクトースより本質的に成るキャリアー物質を含んで成る直接圧縮錠剤；
（ｃ）総カプセル含有物重量に対して５〜６％のプレゲル化デンプンと組み合わされている、総カプセル含有物重量に対して１５〜２０％のトウモロコシデンプンより本質的に成るキャリアーを含んで成る硬質ゼラチンカプセル
を除いて、少なくとも１種の崩壊剤および造粒剤と組み合わされた少なくとも１種の希釈剤を含んで成ることを特徴とする上記の混合物の使用。
【請求項１４】  圧縮錠剤の形態であって、キャリアー物質が次の：
（ａ）該イブプロフェン薬剤および該キャリアー物質の少なくとも第一の部分を含んで成る粒状成分；および
（ｂ）潤滑剤物質および該キャリアー物質の、場合によって用いられるさらに他の部分を含んで成る粉末成分；の圧縮混合物を含み、
該ドンペリドン薬剤が成分（ａ）および（ｂ）のいずれかに存在し、
該キャリアー物質がポビドンを実質的に含まず、そして少なくとも１種の崩壊剤および造粒剤と組み合わされた少なくとも１種の希釈剤を含んで成ることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  薬理活性成分とキサンタン ガムを含有する徐放性担体との圧縮混合物を含有する、体内に摂取した後、組成物が胃腸管に沿って進行するにつれて薬理活性成分をゆっくりと放出するように意図した固形徐放性医薬組成物であって、当該組成物が10−25重量%の徐放性担体を含み、且つ当該キサンタン ガムが水100重量部に対してキサンタン ガム１重量部の濃度で水中に溶解し、50%を越える透過度（600 nm）を有する溶液を形成し得ることを特徴とする、上記医薬組成物。
【請求項２】  徐放性担体が50%又はそれ以上の当該キサンタン ガムを含有することを特徴とする、請求項１記載の固形組成物。
【請求項３】  当該徐放性担体が、少なくとも80%の当該キサンタン ガムを含む、請求項１及び２のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項４】  当該徐放性担体が本質的に当該キサンタン ガムで構成されることを特徴とする、請求項１−３のいずれか一項に記載された固形組成物。
【請求項５】  当該キサンタン ガムの透過度が75−100%の範囲内にあることを特徴とする、請求項１−４のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項６】  薬理活性成分がNSAIDを含有することを特徴とする、前出請求項のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項７】  当該薬理活性成分がイブプロフェン又はフルルビプロフェン及びそれらの塩又は鏡像異性体を含むことを特徴とする、前出請求項のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項８】  65−90%のイブプロフェン又はS(+)イブプロフェンを含有する、前出請求項のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項９】  該組成物の10−50重量%程度に存在するラセミ体フルルビプロフェン、S(+)フルルビプロフェン又はR(-)フルルビプロフェンを含有することを特徴とする、請求項１−７のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項１０】  錠剤形態である、前出請求項のいずれか１項に記載された固形組成物。
【請求項１１】  徐放性担体を薬理活性成分及びキサンタン ガムと混合し、当該混合物を圧縮成形して固形処方を造ることを含む、前出請求項のいずれか１項に記載された固形調剤形態を調製する方法。
【請求項１２】  少ない割合のキサンタン ガムを活性成分の前顆粒化形態中に含ませ、主要割合の当該キサンタン ガムを、固形調剤形態に圧縮成形する前に、前顆粒化活性成分及び基礎賦形剤に合わせることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
低い水含量は、固いから極めて乾いたコンシステンシー、典型的なＷ／Ｃ比が0.36またはそれより低く、好ましくは0.30またはそれより低いセメント乾燥成型混合物を提供する。理論によって制限されることなく、低い水含量は、セメント乾燥成型混合物を水和させ、そしてより早く凝結させ、セメント乾燥成型混合物からつくられる製品の生地強度を増す。これはまた、製品が型枠から取りはずされたり、ダイスから成形されるとき、少ないサグや変形を生むと考えられる。さらに、本発明のセメント乾燥成型混合物は乾いたからほとんど乾いた外観を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
例４
異なる分散剤との混合物の振動へのペースト反応を試験する。各混和材が同じＷ／Ｃ比で比較される。各ペースト混合物はＷ／Ｃ比0.248でセメント650gおよび水161gを含有した。以下の分散剤：Ａ（ポリオキシアルキレン誘導化メタクリレートポリマー）；Ｂ（ポリオキシアルキレン誘導化スチレンマレイン酸共重合体）；およびＣ（ヒドロキシアルキル誘導化メタクリレート共重合体）がリグニンスルホン酸カルシウムと比較される。レベルはＡ、ＢおよびＣに対して0.049％であり、そしてリグニンスルホン酸カルシウムに対して0.188％である。ペーストをASTM C-305配合操作を用いて作成した。すべてがパテ状のコンシステンシーを有したが、リグニンスルホン酸カルシウムペーストが他の混合物よりも目だってより湿潤性である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水硬性ポルトランドセメント、およびポルトランドセメントとセメント代替物の重量の１０重量％より多くのポゾランセメント代替物を含有するセメント混合物に対する適合性混和材料であって、置換カルボン酸モノマーおよび置換エチレン性不飽和モノマーの少なくとも１つ、Ｎ−ポリオキシアルキレンマレイン酸イミドおよび非置換カルボン酸モノマーとアルコキシポリオキシアルキレン１級アミン置換カルボン酸モノマーとの縮合生成物の少なくとも１つから誘導され、且つ不飽和炭化水素を含有するユニットを含むポリマーである、誘導されたポリカルボキシレート分散剤を、コンクリートの急結剤と組み合わせて含む、前記混和材料。
【請求項２】
誘導されたポリカルボキシレート分散剤が、一般構造式、
【化１】
2002522350.tif 000001
式中、
Ｄ＝  構造ｄ１、構造ｄ２およびそれらの混合からなるグループから選択される成分；
Ｘ＝  Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２−Ｃ６アルキル、フェニル、および置換フェニル；
Ｙ＝  Ｈ、ＣＯＯＭ；
Ｒ＝  Ｈ、ＣＨ３；
Ｚ＝  Ｈ、−ＳＯ３Ｍ、−ＰＯ３Ｍ、−ＣＯＯＭ、ＯＲ３、−ＣＯＯＲ３、−ＣＨ２ＯＲ３、−ＣＯＮＨＲ３、−ＣＯＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＳＯ３Ｍ、−ＣＯＯ（ＣＨＲ４）ｎＯＨ式中ｎは２から６；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は、各々独立してオキシエチレンユニットおよびオキシプロピレンユニットの−（ＣＨ２ＣＨＲＯ）ｍＲ４ランダム共重合体であり、式中ｍは１０か５００、および ランダム共重合体中のオキシエチレンの量は６０％から１００％であり、およびランダム共重合体中のオキシプロピレンの量は０％から４０％である；
Ｒ４＝  Ｈ、メチル、Ｃ２−Ｃ６アルキル；
Ｍ＝  Ｈ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニア、アミン、トリエタノールアミン等の置換アミン、メチル、Ｃ２−Ｃ６アルキル；
ａは、０から０．８；
ｂは、０．２から０．９９；
ｃは、０から０．５；
ｄは、０から０．５；および
式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、各ユニットのモル分率を表わし、且つａ、ｂ、ｃおよびｄの和は１．０であり、および式中ｃおよびｄの少なくとも１つは０より大きい、
のポリマーを含む、請求項１に記載の混和材料。
【請求項３】
水硬性セメントを、フライアッシュ、スラグ、焼き粘土、天然ポゾラン、およびそれらの混合物から選択されるポゾランセメント代替物、および請求項１または２に記載の適合性混和材料と混合することを含み、骨材をセメントおよびセメント代替物と混合することを含み、およびさらにセメント、セメント代替物および骨材混合物の水硬性凝結を起させるために十分な量の水を混合することを含むセメント材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ±15×10-7Ｋ-1（20-700℃）の間の低熱膨張係数を有するガラスセラミックプレートおよび該プレートの表面上の装飾を備えた、レンジ上面として特に適した装飾ガラスセラミックプレートであって、該装飾が、10から35重量％の顔料を含有するビトリファイドガラスフリットから構成され、前記装飾ガラスセラミックプレートが少なくとも120ＭＰａの破壊係数を有することを特徴とする装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項２】  前記ガラスフリットが、30-40×10-7Ｋ-1（0-300℃）の熱膨張係数、および少なくとも750℃の軟化点を有することを特徴とする請求項１記載の装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項３】  前記フリットを構成するガラスがソーダカリホウケイ酸塩であることを特徴とする請求項１または２記載の装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項４】  前記ガラスフリットの組成が、酸化物の重量％で計算して、70-82％のＳｉＯ2、12-18％のＢ2Ｏ3、1-3％のＡｌ2Ｏ3、多くても５％のＮａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏおよび多くても1.2％の少なくとも１つの清澄剤から実質的になることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項５】  前記ガラスフリットの組成が、76-81％のＳｉＯ2、14.4-15.5％のＢ2Ｏ3、2-2.7％のＡｌ2Ｏ3、2.3-3.2％のＮａ2Ｏ、1-1.5％のＫ2Ｏ、0-1％のＡｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3から実質的になることを特徴とする請求項４記載の装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項６】  前記ガラスセラミックプレートが0±3×10-7Ｋ-1（20-700℃）の範囲の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の装飾ガラスセラミックプレート。
【請求項７】  ±15×10-7Ｋ-1（20-700℃）の間の低熱膨張係数を有するガラスセラミックプレートを装飾する方法であって、
65から90重量％のガラスフリットおよび10から35重量％の顔料の混合物を製造し、ここで、該ガラスフリットは、30-40×10-7Ｋ-1（0-300℃）の熱膨張係数、および少なくとも750℃の軟化点を有しており、
該ガラスフリットと顔料との混合物をガラスセラミックプレートの表面上またはガラスセラミック前駆体であるガラスプレートの表面上に施し、
該ガラスフリットと顔料との混合物により被覆された前記プレートを焼成し、必要に応じて、前記ガラスプレートをガラスセラミックプレートに転化させ、該ガラスフリットと顔料との混合物中のガラスフリットをガラス質化させ、生成された装飾の前記ガラスセラミックプレートとの付着性を提供し、
該焼成されたプレートを冷却して、少なくとも120ＭＰａの破壊係数を有する装飾ガラスセラミックプレートを得る、
各工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】  前記ガラスフリットと顔料との混合物をガラスセラミックプレートの表面上に施し、次いで、該ガラスフリットと顔料との混合物を920-960℃の範囲にある温度で約15分間に亘り熱処理する各工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記ガラスフリットと顔料との混合物を、0±3×10-7Ｋ-1（20-700℃）の範囲の熱膨張係数を有するガラスセラミックプレートの表面上に施す工程を含むことを特徴とする請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】  前記ガラスフリットと顔料との混合物をガラスセラミック前駆体ガラスプレートの表面上に施し、次いで、以下のスケジュール：
一般的にガラスの転移範囲の近くに位置する、核形成範囲まで50-80℃／分の速度での温度上昇、
約15-25分で核形成範囲（670-800℃）の温度上昇、
約15-30分で結晶化温度（900-960℃）までの温度上昇、
10-25分間に亘る結晶化温度の維持、および
周囲温度への急冷
にしたがって、前記前駆体ガラスプレートおよびその上に施された前記ガラスフリットと顔料との混合物を熱処理する各工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１１】  請求項７から１０いずれか１項記載の方法を実施するのに特に有用なエナメルであって、10から35重量％の顔料と、30-40×10-7Ｋ-1（0-300℃）の熱膨張係数、および少なくとも750℃の軟化点を有する65から90重量％のガラスフリットとから構成されることを特徴とするエナメル。
【請求項１２】  前記ガラスフリットの組成が、酸化物の重量％で計算して、70-82％のＳｉＯ2、12-18％のＢ2Ｏ3、1-3％のＡｌ2Ｏ3、多くても５％のＮａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏおよび多くても1.2％の少なくとも１つの清澄剤から実質的になることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  挟持された結合材料（８）によってフレーム（７）に結合されたグレージングパネル（１６）を、該フレームから取り外す方法であって、該方法は：
ｉ）該グレージングパネルに隣接して光エネルギー送達手段（４）を配置する工程；および、
ｉｉ）該光エネルギー送達手段（４）を操作して、光エネルギーを該グレージングパネル（１６）を通じて伝達して、該フレーム（７）からの該グレージングパネル（１６）の取り外しを達成する工程を包含し、
該光エネルギー送達手段（４）がフラッシュランプ電気的ガス放電装置（２）を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】  前記送達される光エネルギーが実質的に３００ｎｍ−１５００ｎｍまたは４００ｎｍ−７００ｎｍの範囲の波長のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記送達される光エネルギーが複数の波長を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  前記光エネルギーは距離によって顕著に減衰し、その結果、前記エネルギー送達手段から数センチメートルで、光エネルギー密度がその極大値から顕著に減少し、該送達手段から実質的に数センチメートル以下の範囲にある距離において、該光エネルギー密度がその最大値よりも顕著に低い、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  前記光エネルギーが非コヒーレントである、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  前記送達される光エネルギーが所定の様式に従ってパルス化され、光パルスイベントのパルス持続時間は、実質的に１μｓ−１００ｍｓの範囲にある、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  前記パルス様式が、先の光パルスイベントの後に経過した時間が所定の時間未満の場合に次の光パルスイベントを阻止するように制御される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  前記パルス様式が、先の光パルスイベントの後に経過した時間が所定の時間を越える場合に次の光パルスイベントを阻止するように制御される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  前記パルス持続時間が最小許容パルス間間隔未満である、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  前記光エネルギー送達手段（４）が携帯式であり、オペレータによって前記グレージングに対して相対的に手動で位置決め可能な、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  前記フラッシュランプガス放電装置の操作が、前記光パルスのパルス速度および／または持続時間を制限するように制御される、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  前記ガス放電装置の操作が：
ｉ）コンデンサ配列（３２）を充電する工程；
ｉｉ）トリガパルスを開始して該コンデンサ配列を放電する工程；および
ｉｉｉ）該コンデンサ配置を該ガス放電装置に対して放電する工程によって制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記フラッシュランプ電気的ガス放電光放射装置（２）に細流／漏出電流がパルスイベント以外のときに供給され、好適には、該細流漏電流がモニタされ、該ガス放電光放射装置の操作性の指標が提供される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  挟持された結合材料（８）によってフレーム（７）に結合されたグレージングパネル（１６）を、該フレームから取り外すグレージングパネル取り外し装置（１）であって、該装置は、該グレージングパネルに隣接して配置可能で、かつ光エネルギーを該グレージングパネルを通じて伝達して、該フレームからの該パネルの取り外しを達成するように動作可能な、光エネルギー送達手段（４）を備え、
該光エネルギー送達手段（４）がフラッシュランプ電気的ガス放電装置（２）を含むことを特徴とする、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月27日(2006.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、液圧シリンダ（２）の液圧式循環経路のブリッジ回路状にまとめて連結された開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）を示す。これらの開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）は、弁ブロック（３）に統合されている。開閉弁（１ａ，ｂ）は、第１接合点（４）を介して圧力吸込み部（５）に連結可能である。開閉弁（１ｃ，ｄ）は、第２接合点（６）を介して圧力源（７）に連結可能である。開閉弁（１ａ，ｃ）は、さらに第３接合点（８）を介してシリンダ室（９）に連結されている。開閉弁（１ｂ，ｄ）は、第４接合点（１０）を介して液圧シリンダ（２）のリングシリンダ室（１１）に連結されている。このシリンダ室（９) とこのリングシリンダ室（１１) とは、ピストン（１２）によって水密に仕切られている。このピストン（９）は、このリングシリンダ室（１１）から突出しているピストンロッド（１３）を有する。非常にコンパクトでかつ僅かな配管経費で実現する弁ブロック（３) の配置が、図１から分かる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２中には、液圧シリンダ（２）と簡略的に示された開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）の電気制御部とを有する弁ブロックが示されている。図２中には、これらの開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）を圧力吸込み部（５) と圧力源（７）とシリンダ室（９）とリングシリンダ室（１１）に連結させる接合点（４，６，８，１０）も示す。このピストン（１２) は、連結ロッド（１４) を介して位置センサ（１５）に接続されている。この位置センサ（１５) は、液圧シリンダ( ２) に対するこのピストン（１２）のその都度の位置を出力する。これらの開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）はそれぞれ、１つの電磁石（１６）を有する。この電磁石（１６) は、電線  （１７ａ，ｂ，ｃ，ｄ）を介して３位置制御器（１８）又はパルス幅変調器（１９）に接続されている。３位置制御器（１８）又はパルス幅変調器（１９）は、電子機器ハードウェアとして実現されているか、又はソフトウェアとしてコンピュータ（２０）内に格納されている。開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）がバネ（２１) を有する。これらの開閉弁（１ａ，ｂ，ｃ，ｄ）は、電流の通電していないときにこれらのバネ（２１）を作動させる。ピストンロッド（１３) の隙間が、パッキン箱（２２) によってふさがれている。これらのパッキン箱（２２) は、液圧シリンダ（２) を複数のストランドガイド区分（３５，図４）の一方の半分上で支えるために使用される。これらのピストンロッド（１３) は、これらのストランドガイド区分（３５) の他方の半分と連結するためにその開放端に連結ヘッド（２３）を担持する。