【事件の表示】
　特願２００５−５１３５２１「貼り合わせウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１０日国際公開，ＷＯ２００５／０２２６１０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯  
　本願は，平成１６年９月１日（優先権主張　平成１５年９月１日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年２月１８日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年４月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され，続いて同年１０月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され，これに対して，平成２２年１月４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが，同年６月２１日付けで平成２２年１月４日付けの手続補正が却下されるとともに，同日付で拒絶査定がされたところ，これに対して，同年９月２４日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同日付けで手続補正がされ，その後，当審において平成２３年１２月２日付けで審尋がされ，それに対して，平成２４年２月６日に回答書が提出されたものである。
　
第２ 補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年９月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１ 本件補正の内容  
　平成２２年９月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１を，補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するとともに，請求項１に対応する記載である発明の詳細な説明の補正前の段落【００１１】を補正後の段落【００１１】とするものであって，補正前後の請求項１は，以下のとおりである。 
　  
（１）　補正前  
「【請求項１】
　絶縁膜が形成された活性層用ウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入し，上記活性層用ウェーハにイオン注入領域を形成するイオン注入工程と，
　その後，上記活性層用ウェーハと，絶縁膜が形成された支持用ウェーハとを，両絶縁膜同士を重ね合わせて貼り合わせ，貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせ工程と，
　この貼り合わせウェーハを熱処理し，上記イオン注入領域内に軽元素バブルを形成させ，上記貼り合わせウェーハのイオン注入側を剥離して，厚さが３３３ｎｍ以下の活性層を形成する剥離工程とを備えた貼り合わせウェーハの製造方法であって，
　上記活性層用ウェーハの絶縁膜の厚さｔｄｏｘは，
　ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉ
　ｔｓｏｉ＝活性層の厚さ
の式を満足させる貼り合わせウェーハの製造方法。」
　
（２）　補正後  
「【請求項１】
　熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入し，上記活性層用シリコンウェーハにイオン注入領域を形成するイオン注入工程と，
　その後，上記活性層用シリコンウェーハと，熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハとを，両熱酸化膜同士を重ね合わせて貼り合わせ，貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせ工程と，
　この貼り合わせウェーハを熱処理し，上記イオン注入領域内に軽元素バブルを形成させ，上記貼り合わせウェーハのイオン注入側を剥離して，厚さが３３０ｎｍ以下の活性層を形成する剥離工程とを備えた貼り合わせウェーハの製造方法であって，
　上記活性層用シリコンウェーハの熱酸化膜の厚さｔｄｏｘは，
　ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉ
　ｔｓｏｉ＝活性層の厚さ
の式を満足させる貼り合わせウェーハの製造方法。」
  
２ 補正事項の整理  
　本件補正による特許請求の範囲の請求項１の補正事項を整理すると，以下のとおりである。  
  
（補正事項１）
　補正前の請求項１の「絶縁膜が形成された活性層用ウェーハ」，「絶縁膜が形成された支持用ウェーハ」及び「両絶縁膜」を，補正後の請求項１の「熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハ」，「熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハ」及び「両熱酸化膜」と補正すること。　
　
（補正事項２）  
　補正前の請求項１の「絶縁膜の厚さ」を，補正後の請求項１の「熱酸化膜の厚さ」と補正すること。
　
（補正事項３）
　貼り合わせウェーハの活性層の厚さについて，補正前の請求項１の「３３３ｎｍ以下」を，補正後の請求項１の「３３０ｎｍ以下」と補正すること。
　  
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について  
（１）新規事項の追加の有無について　  
（補正事項１，２）  
　補正後の請求項１の「熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハ」及び「熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハ」は，本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。）に「ボロンが所定量添加されたｐ型の単結晶シリコンインゴットをＣＺ法により引き上げる。その後，この単結晶シリコンインゴットに，ブロック切断，スライス，面取り，鏡面研磨などを施す。これにより，いずれも，厚さ７２５μｍ，直径２００ｍｍ，比抵抗１０〜２０Ωｃｍ，ｐ型の片面が鏡面仕上げされた活性層用ウェーハ１０および支持用ウェーハ２０が得られる（図１のＳ１０１工程およびＳ１０２工程を参照）。
　その後，図１のＳ１０３工程およびＳ１０４工程に示すように，両ウェーハ１０，２０に酸素ガス雰囲気で熱酸化処理を施し，両ウェーハ１０，２０の露出面の全域に，シリコン酸化膜１２ａ，１２ｂをそれぞれ形成する。」（段落【００２９】）と記載されており，「ウェーハ」は「シリコンウェーハ」であり，「活性層用シリコンウェーハ」及び「支持用シリコンウェーハ」の表面に「熱酸化処理を施し，」シリコンの「熱酸化膜」であるシリコン酸化膜を「絶縁膜」として形成されているものであることは明らかであるから，補正事項１，２は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
（補正事項３）
　活性層１３の厚さ（ｔｓｏｉ）は，当初明細書の段落【００３７】の【表１】の活性層基板のＢＯＸ厚さ（μｍ）とｔｄｏｘ／ｔｓｏｉから計算すると，試験例１の１／３（μｍ）が最大であって，その他の試験例２，比較例１〜３の値はすべて１／３（μｍ）以下であることが明らかである。そして，活性層の厚さを１／３（μｍ）以下とすることは，活性層の厚さの有効桁数を考慮すると，活性層の厚さを「３３０ｎｍ以下」に対応することは明らかであるから，補正事項２は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
　以上から，本件補正は，当初明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。　　 
　
（２）補正の目的の適否について  
（補正事項１，２）  
　この補正は，補正前の「ウェーハ」の材料を「シリコン」と技術的に限定して補正後の「シリコンウェーハ」とした上で，補正前の「絶縁膜」を補正後のシリコンの「熱酸化膜」と技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（補正事項３）
　この補正は，貼り合わせウェーハの活性層の厚さについて，補正前の「３３３ｎｍ以下」から，補正後の「３３０ｎｍ以下」と範囲を限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）小括
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件について
（１）補正発明  
　本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，補正後の請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりのものである。  
　  
「【請求項１】
　熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入し，上記活性層用シリコンウェーハにイオン注入領域を形成するイオン注入工程と，
　その後，上記活性層用シリコンウェーハと，熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハとを，両熱酸化膜同士を重ね合わせて貼り合わせ，貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせ工程と，
　この貼り合わせウェーハを熱処理し，上記イオン注入領域内に軽元素バブルを形成させ，上記貼り合わせウェーハのイオン注入側を剥離して，厚さが３３０ｎｍ以下の活性層を形成する剥離工程とを備えた貼り合わせウェーハの製造方法であって，
　上記活性層用シリコンウェーハの熱酸化膜の厚さｔｄｏｘは，
　ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉ
　ｔｓｏｉ＝活性層の厚さ
の式を満足させる貼り合わせウェーハの製造方法。」  
　 
（２）引用例に記載された発明  
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２０００−３０９９６号公報（以下「引用例」という。）には，「ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ」（発明の名称）に関して，図１〜２とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。  
　  
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
イオン注入したウエーハを結合及び分離してＳＯＩウエーハを製造する方法（スマートカット法とも呼ばれている）で得られたＳＯＩ（Silicon OnInsulator）構造ウエーハに関し，活性ＳＯＩ層の膜厚均一性に優れたＳＯＩウエーハの製造方法
　
　イ　「【０００９】本発明は，このような問題点に鑑みなされたもので，
ＳＯＩウエーハにおけるボンドウエーハの酸化膜の膜厚のバラツキが，ＳＯＩ層の膜厚均一性に与える影響を最小限に抑え，ＳＯＩ層の膜厚均一性が著しく改善されたＳＯＩウエーハの製造方法
　
　ウ　「【００１２】上記課題を解決するため，本発明の請求項２に記載した発明は，
ＳＯＩ層を形成するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハのうち，少なくともボンドウエーハに酸化膜を形成し，該酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し，ボンドウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後，該イオン注入した方の面を前記ベースウエーハと密着させ，その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面（剥離面）としてボンドウエーハを薄膜状に分離するＳＯＩウエーハの製造方法
【００１３】このように，ボンドウエーハに予め酸化膜を形成するＳＯＩウエーハの製造方法において，ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが，
イオン注入深さのバラツキよりも小さくなるように，ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さを設定すれば，酸化膜の厚さのバラツキが，イオン注入深さのバラツキに与える影響を最小限に抑えることができ，ＳＯＩ層の膜厚均一性が改善されたＳＯＩウエーハを製造することができる
【００１４】この場合，請求項３に示したように，
ボンドウエーハと密着させるベースウエーハに予め酸化膜を形成し，該ベースウエーハに形成する酸化膜の厚さは，ボンドウエーハに形成させた酸化膜と合わせて，ＳＯＩウエーハの所望とされる厚さの埋め込み酸化膜を形成するようにすることが好ましい
【００１５】このように，
ベースウエーハにも予め酸化膜を形成しておき，ベースウエーハに形成した酸化膜の厚さとボンドウエーハに形成した酸化膜の厚さとを合わせて，ＳＯＩウエーハの所望とされる厚さの埋め込み酸化膜を形成するようにすれば，容易に所望とされる厚さの埋め込み酸化膜を得ることができ，酸化膜厚が不足するようなことがないし，ボンドウエーハの酸化膜厚のバラツキがＳＯＩ層の膜厚均一性に与える影響を最小限に抑えることができる
【００１６】この場合，請求項４に記載したように，
前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さを１０〜１００ｎｍとすることが好ましい
【００１７】これは，酸化膜厚のバラツキとイオン注入深さのバラツキは，使用する装置やイオンの注入条件，酸化膜形成時の酸化条件により異なるものではあるが，現在の量産レベルで用いられる装置では，
酸化膜厚のバラツキをイオン注入深さのバラツキより小さくするためには，ボンドウエーハに形成する酸化膜厚を１００ｎｍ以下とすることが好ましいからである。また，酸化膜により，前述のチャネリング効果を防止するためには，少なくとも１０ｎｍの膜厚が必要とされるので，酸化膜厚は１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　 
　エ　「【００１９】また請求項６に記載したように，埋め込み酸化膜内または埋め込み酸化膜とベースウエーハとの境界に貼り合わせ面を有し，ＳＯＩ層の膜厚均一性が±１．５ｎｍ以下であることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエーハは，イオン注入分離法によって２枚のウエーハを貼り合わせて製造されたＳＯＩウエーハにおいて，ＳＯＩ層の膜厚均一性が±１．５ｎｍ以下という高い膜厚均一性を有するため，作製されるデバイス特性を向上できるとともにデバイス設計上の自由度も広がる。
【００２０】以下，本発明についてさらに詳述するが，本発明はこれらに限定されるものではない。ＳＯＩウエーハを製造するにあたり，ＳＯＩウエーハに必要な厚さの埋め込み酸化膜を得ようとすると，
通常の量産レベルでの酸化条件では，ウエーハに形成される酸化膜の厚さのバラツキは，イオン注入深さのバラツキに比べて極めて大きなものとなり，ＳＯＩ層の膜厚均一性に大きな影響を与える。
【００２１】
通常酸化膜厚のバラツキは，酸化膜厚が大きいほど大きくなる。そこで，本発明の発明者は，イオン注入による注入深さのバラツキよりも，酸化膜厚のバラツキが小さくなるように，ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さを薄くすることにし，ＳＯＩウエーハに必要な埋め込み酸化膜厚の残りはベースウエーハ側に形成し，ボンドウエーハとベースウエーハの酸化膜を合わせて所望の厚さの埋め込み酸化膜を得ることを着想した
【００２２】例えば，ＳＯＩウエーハ製造に使用しているイオン注入装置の注入深さのバラツキが０．４ｎｍであり，ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが０．４ｎｍ以下となる酸化膜厚の境界が１００ｎｍの場合，ボンドウエーハに形成する酸化膜厚として１００ｎｍ以下の酸化膜厚を選択すればよい。この場合，仮にボンドウエーハ酸化膜厚を４０ｎｍとし，ＳＯＩウエーハとして必要な埋め込み酸化膜の厚さが４００ｎｍであるとすると，４０ｎｍをボンドウエーハに形成した後にイオンを注入し，残りの３６０ｎｍをベースウエーハに形成した後，両ウエーハを結合すればよい。
【００２３】本発明では，酸化膜厚のバラツキとイオン注入深さのバラツキとの関係が重要となる。そこで，本発明の発明者は，酸化膜厚のバラツキとイオン注入深さのバラツキについて調査を行った。
【００２４】酸化膜の膜厚のバラツキは，通常の量産レベルの酸化条件により，実際にウエーハに数種類の膜厚の酸化膜を形成し，それぞれ膜厚の面内分布から標準偏差を求めた。その結果，図２のライン（ａ）に示すような酸化膜厚と酸化膜厚のバラツキの関係を得ることができた。
【００２５】イオン注入深さのバラツキは，酸化膜の影響を排除するために酸化膜のないウエーハに，通常用いられる装置によりイオン注入を行い，チャネリング現象を避けるために注入角を数度傾けてイオン注入をした後，酸化膜を形成したウエーハと結合し，５００℃程度で剥離熱処理してＳＯＩウエーハを製造し，そのＳＯＩ層の膜厚の面内分布を測定することにより求めた。そして，異なる注入エネルギーでイオンを注入することにより複数のＳＯＩウエーハを製造して同様の測定を行い，図２のライン（ｂ）に示すようなイオン注入深さとそのバラツキの関係を得ることができた。
【００２６】これらの酸化膜厚のバラツキとイオン注入深さのバラツキの変化の様子を図２において比較してみると，
黒丸のプロットで示した図２のライン（ａ）より，酸化膜厚のバラツキは，ウエーハに形成される酸化膜厚に比例して増大することが判る。
【００２７】これらの関係より，ボンドウエーハに形成すべき適切な酸化膜厚を決定することができる。すなわち，図２の関係は，現在の量産レベルで用いられる装置や条件での関係を示したものであるが，イオン注入深さのバラツキよりも酸化膜厚のバラツキを小さくするためには，ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さは１００ｎｍ以下が適切であることが判る。
【００２８】
ボンドウエーハの酸化膜の厚さが薄くなればなるほど酸化膜厚のバラツキは小さなものとなり，酸化膜厚のバラツキがイオン注入深さに与える影響は小さなものとなる
ボンドウエーハに形成する酸化膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい
【００２９】この場合，イオン注入装置あるいは酸化膜形成条件その他の条件の違いにより酸化膜の厚さのバラツキ，イオン注入深さのバラツキが変ったとしても，上記と同様にして，両者のバラツキを求めて，酸化膜の厚さのバラツキをイオン注入深さのバラツキより小さくするようにすればよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明するが，本発明はこれらに限定されるものではない。ここで，図１は本発明のＳＯＩウエーハを製造する方法によるＳＯＩウエーハの製造工程の一例を示すフロー図である。
【００３１】まず，図１のイオン注入分離法において，工程（ａ）では，
２枚の鏡面ウエーハを準備する
ベースウエーハ１とＳＯＩ層８となるボンドウエーハ２を準備する
【００３２】次に工程（ｂ）では，そのうちの
ボンドウエーハ２を熱酸化し，その表面に１０〜１００ｎｍの厚さの酸化膜３を形成する
【００３３】一方，工程（ｃ）では，
ベースウエーハ１を熱酸化し，その表面に酸化膜５を形成し
【００３４】工程（ｄ）では，表面に酸化膜を形成した
ボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し，イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４を形成させる
【００３５】工程（ｅ）は，水素イオンまたは希ガスイオンを注入した
ボンドウエーハ２のイオン注入面に，ベースウエーハ１を酸化膜３あるいは酸化膜３及び酸化膜５を介して重ね合せて密着させる工程
２枚のウエーハの表面同士を接触させることにより
ウエーハ同士が接着する
【００３６】次に，工程（ｆ）は，封入層４を境界として剥離することによって，剥離ウエーハ６とＳＯＩウエーハ７（ＳＯＩ層８＋埋め込み酸化膜９＋ベースウエーハ１）に分離する剥離熱処理工程で，例えば不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で
熱処理を加えれば，結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ６とＳＯＩウエーハ７とに分離され
　 
　オ　「【００４４】（実施例２）導電型がｐ型で抵抗率が２０Ω・ｃｍ，直径が１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを２枚準備した。図１（ａ）〜（ｆ）にしたがい，ボンドウエーハを剥離して，ＳＯＩウエーハを得た。主な条件は以下の通りである。
１）ベースウエーハの酸化膜厚：３６０ｎｍ
２）
ボンドウエーハの酸化膜厚：４０ｎｍ
３）
ボンドウエーハの酸化膜厚のバラツキ：σ＝０．２０ｎｍ
４）イオン注入条件：Ｈ+ イオン，注入エネルギー  ３９ｋｅＶ
注入線量  ８×１０16／ｃｍ2　
５）
イオン注入深さ：３４０ｎｍ（ＳＯＩ層膜厚＋ボンドウエーハ酸化膜厚）
６）イオン注入深さのバラツキ：σ＝０．４ｎｍ」
　
　以上を総合すると，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。  
　
「ベースウエーハ１を熱酸化し，その表面に酸化膜５を形成し，ボンドウエーハ２を熱酸化し，その表面に１０〜１００ｎｍの厚さの酸化膜３を形成し，酸化膜３を通してボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し，イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４を形成させた後，ボンドウエーハ２のイオン注入面に，ベースウエーハ１を酸化膜３及び酸化膜５を介して重ね合せて密着させ，ウエーハ同士を接着し，その後熱処理を加え，封入層４の結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ６とＳＯＩウエーハ７とに分離するＳＯＩウエーハの製造方法。」
　 
（３）対比  
　以下，補正発明と引用発明とを対比する。  
　
　ア　引用発明の「ベースウェーハ１」，「ボンドウェーハ２」及び「ＳＯＩウェーハ」は，それぞれ補正発明の「支持用シリコンウェーハ」，「活性層用シリコンウェーハ」及び「貼り合わせウェーハ」に相当する。
　
　イ　引用発明は「ベースウエーハ１を熱酸化し，その表面に酸化膜５を形成し」，また「ボンドウエーハ２を熱酸化し，その表面に１０〜１００ｎｍの厚さの酸化膜３を形成し」ているので，引用発明の「酸化膜５」及び「酸化膜３」は，それぞれ本願発明の「支持用シリコンウェーハ」に形成された「熱酸化膜」及び「活性層用シリコンウェーハ」に形成された「熱酸化膜」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「水素イオン」が，補正発明の「軽元素」であることは，当業者にとって明らかであり，また，引用発明は，イオン注入によりイオンが「イオンの平均進入深さ」に注入されていることから，補正発明の「所定深さ位置に」イオンが注入されることに相当する。
　そして，イオン注入の結果形成される引用発明の「微小気泡層（封入層）４」は，補正発明の「イオン注入領域」に相当する。
　よって，引用発明の「酸化膜３を通してボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し，イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４を形成」する工程は，補正発明の「熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入し，上記活性層用シリコンウェーハにイオン注入領域を形成するイオン注入工程」に相当する。
　
　エ　引用発明の「ボンドウエーハ２のイオン注入面に，ベースウエーハ１を酸化膜３及び酸化膜５を介して重ね合せて密着させ，ウエーハ同士を接着」する工程は，補正発明の「活性層用シリコンウェーハと，熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハとを，両熱酸化膜同士を重ね合わせて貼り合わせ，貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせ工程」に相当する。
　
　オ　引用発明の「熱処理を加え，封入層４の結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ６とＳＯＩウエーハ７とに分離する」工程は，補正発明の「貼り合わせウェーハを熱処理し」，「上記貼り合わせウェーハのイオン注入側を剥離して」，「活性層を形成する剥離工程」に相当する。
  
（一致点）  
　したがって，補正発明と引用発明とは，  
　「熱酸化膜が形成された活性層用シリコンウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入し，上記活性層用シリコンウェーハにイオン注入領域を形成するイオン注入工程と，
　その後，上記活性層用シリコンウェーハと，熱酸化膜が形成された支持用シリコンウェーハとを，両熱酸化膜同士を重ね合わせて貼り合わせ，貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせ工程と，
　この貼り合わせウェーハを熱処理し，上記貼り合わせウェーハのイオン注入側を剥離して，活性層を形成する剥離工程とを備えた貼り合わせウェーハの製造方法。」  
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　
（相違点１）  
　補正発明は，貼り合わせウェーハを熱処理することにより，「イオン注入領域内に軽元素バブルを形成させ」ているのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。
　
（相違点２）  
　補正発明は，ウェーハの活性層の厚さが「３３０ｎｍ以下」であるのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。
  
（相違点３）  
　補正発明は，熱酸化膜の厚さに関して「上記活性層用シリコンウェーハの熱酸化膜の厚さｔｄｏｘは，
　ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉ
　ｔｓｏｉ＝活性層の厚さ」という関係式で限定しているのに対して，引用発明は「１０ｎｍ〜１００ｎｍ」である点。
　  
（４）判断  
（４−１）相違点１について 
　ア　引用発明においても，「熱処理を加え」ることにより，「微小気泡層（封入層４）」（本願のイオン注入領域）においての「結晶の再配列と気泡の凝集」が生じている。
　また，ＳＯＩウェハの製造法において，イオン注入がされたウェーハを分離する際に，ウェーハを熱処理することにより，微小気泡層で気泡が凝集し，マクロな気泡，すなわち補正発明の軽元素バブルを生じることは，本願出願人が明細書中で提示している以下の周知例にもあるように，普通の物理現象であって周知の事項である。
　よって，引用発明も軽元素のマクロな気泡，すなわち軽元素バブルが生じていると認められるから，相違点１は実質的なものではない。仮に実質的なものではないと言えないとしても，ウェーハを熱処理することにより軽元素バブルを形成させることは当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　
　イ　周知例：特開平５−２１１１２８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−２１１１２８号公報には，以下の記載がある。  
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  薄い半導体材料フィルムの製造方法であって，半導体材料が完全に単結晶質の場合にはその面が主要結晶面と実質的に平行であり，材料が多結晶質の場合にはその面が全ての粒子に対して同一指数の主要結晶面に対して僅かに傾斜している半導体材料ウェーハを，以下の３つの段階：
基板のバルクを構成する下方区域と薄いフィルムを構成する上方区域とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層をイオンの平均進入深さに近い深さの前記ウェーハの容積部に生じる
前記
ウェーハの平面を，少なくとも１つの剛性材料層からなる補剛材と密着させる第２段階
イオンボンバードが実施される温度よりも高く，且つこの段階中に前記補剛材と前記ウェーハの平面とは密着させたままで，
ウェーハ中の結晶の再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルムと基板のバルクとを分離させるのに適した温度で前記ウェーハと前記補剛材とのアセンブリを熱処理する第３段階
　
（イ）「【０００３】単結晶質フィルムの製造に使用されている方法の中には，いわゆる
“絶縁体上シリコン”基板の製造に使用されている方法
フィルムから電気的に絶縁された基板上に位置する単結晶質シリコンフィルムを製造
 　
（ウ）「【００１８】ウェーハ−補剛材アセンブリの熱処理という第３段階中には，イオン注入によって発生された無秩序に続いての結晶の再配列が生じる。共に
第３段階の熱処理によって生じる結晶の再配列とマクロな気泡を生じる気泡の凝集とによってフィルムと基板とが分離される。
　
（エ）「【００２９】約１０16ｃｍ-2の線量では，
注入水素原子は気泡を形成し始め，これらの気泡は表面に平行な面の付近に配分されている。表面の面は主要結晶面に相当し，また結果的に劈開面となる微小気泡面についても同様である
　
（４−２）相違点２，３について  
　第２，４（２）オによれば，引用例に記載の実施例２は，ボンドウエーハの活性層の厚さは，イオン注入深さが３４０ｎｍでボンドウエーハの酸化膜厚が４０ｎｍであることから，３００ｎｍであることが分かり，活性層の厚さは，補正発明の３３０ｎｍ以下の範囲に含まれるものである。
　そして，第２，４（２）エによれば，引用発明は，「ボンドウエーハの酸化膜の厚さが薄くなればなるほど酸化膜厚のバラツキは小さなものとなり，酸化膜厚のバラツキがイオン注入深さに与える影響は小さなものとなる」との技術認識に基づいて，「ボンドウエーハに形成する酸化膜厚は１０〜１００ｎｍ」とするものであるから，実施例２のものにおいて，「ＳＯＩ層の膜厚均一性」を向上させるために，ボンドウェーハの酸化膜の厚さを４０ｎｍよりもさらに薄くすることは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　そして，引用発明のボンドウェーハの酸化膜の厚さは補正発明の活性層用ウェーハの絶縁膜の厚さｔｄｏｘに相当し，引用発明のボンドウェーハの活性層の厚さはｔｓｏｉに相当し，実施例２のボンドウェーハの酸化膜の厚さを
　ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉ
の式を満足するように４０ｎｍから，さらに薄くすることは当業者にとって適宜なし得たことである。
　したがって，引用発明において，ボンドウエーハの活性層の厚さを３３０ｎｍ以下とし，ボンドウェーハの活性層の膜厚均一性を向上させるために，ｔｄｏｘ＜（１／９）×ｔｓｏｉの式を満足する範囲の厚さまで，ボンドウェーハの酸化膜の厚さを薄く形成するようにすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（４−３）判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，補正発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。  
　  
（５）独立特許要件についてのまとめ  
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。  
　  
５　補正却下の決定についてのむすび  
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
　  
第３　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜３に係る発明は，平成２１年４月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，第２，１（１）に記載されている事項により特定されるとおりのものである。  
  
第４　引用例に記載された発明  
　引用例には，上記第２，４（２）に記載したとおり，引用発明が記載されている。  
　 
第５　判断  
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２に記載した補正事項１〜３についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　  
　そうすると第２，４（４）において検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，周知の事項を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　  
第６　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。