【事件の表示】
　特願２００９−１８６１３９「ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月１９日出願公開、特開２００９−２６９１７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、パリ条約に基づく優先権主張（優先日　平成１３年３月３０日及び平成１４年１月１５日　米国）を伴って平成１４年３月２９日を国際出願日として出願された特願２００２−５７８５７９号の一部を新たな特許出願として、平成２１年８月１０日に適法に出願された、いわゆる分割出願であって、平成２１年１０月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年４月１９日付けで特許請求の範囲について手続補正がなされるとともに意見書が提出されたものの、平成２２年７月８日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２２年１１月１２日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、当該請求と同時に特許請求の範囲について手続補正がなされている。
　
２　本願発明
　本願について、平成２２年１１月１２日付けでなされた手続補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２２年４月１９日付けで補正されたもの。以下同様。）の、請求項２，７，８，１１，１９〜３１を削除して請求項の項番を改めるとともに、補正前の請求項１０の記載を釈明して明りようとすることを目的とする適法なものと認められるから、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成２２年１１月１２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。 
「組成的に異なる非晶質ではない材料のシースによって少なくとも部分的に囲まれた第一の材料のコア；
を含む、ナノワイヤーにおいて、
　前記ナノワイヤーは、ナノワイヤーの集団より選択されたものであるために構成されたものであると共に、前記ナノワイヤーの集団は、５０％ＲＭＳと比べてより少ないものである実質的に均一なワイヤー間の直径を有するものである；と共に、
　前記コア及び前記シースの前記少なくとも一つは、前記コア又はシースの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する、ナノワイヤー。」
　
３　刊行物
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−９５１２１号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載ないし図示されている。
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体基板結晶上にエピタキシャル成長させた針状の半導体結晶であって、該針状結晶がその中心部を形成する結晶とそれを同心状に取り囲む周辺部を形成する結晶からなるヘテロ接合構造を有し、かつ中心部のバンドエネルギーの値が周辺部のバンドエネルギーの値より小さく、さらに中心部の結晶のキャリア濃度が最外周辺部の結晶のキャリア濃度より小さいことを特徴とする量子細線構造。
…（中略）…
【請求項５】導電性半導体基板に酸化物被膜を形成し、かつ該被膜の所定の部分をエッチング除去して窓を形成する工程と、前記基板表面に成長させるべき針状半導体結晶の構成元素と合金化し得る金属膜を前記窓内に被着する工程と、前記基板表面に前記針状半導体結晶の構成元素を含むガスを供給して前記構成元素と前記金属との合金液滴を形成し、かつ気相成長法によって該合金液滴の底部から前記針状半導体結晶を前記基板表面にエピタキシャル成長させる工程と、前記針状半導体結晶の周囲にバンドエネルギーの値が該針状半導体結晶のバンドエネルギーの値より大きい第２の半導体層を被着する工程と、該第２の半導体層の周囲にキャリア濃度の値が前記針状結晶のキャリア濃度の値より大きい第３の半導体層を被着する工程を有することを特徴とする量子細線構造の作製方法。」
（１ｂ）「【００１３】
【作用】本発明においては、半導体結晶基板に成長させた針状結晶を量子細線構造とするので、極めて小型の量子効果素子を作ることができる。」
（１ｃ）「【００１４】
【実施例】以下に、本発明を図面に基づいて説明する。
【００１５】実施例１
図１は、（１００）方位をもつｎ形ＧａＡｓ基板結晶８上に成長させた針状結晶１を示す斜視図、図２はその拡大断面図である。２は成長の第一段階で成長させたシリコンドープのｎ形ＧａＡｓであり、３は第二段階で成長させた高純度ＧａＡｓ、４はノンドープＡｌＧａＡｓである。５は、シリコンドープのｎ形ＡｌＧａＡｓである。ノンドープＧａＡｓ３の断面径は約１０ｎｍであり、量子効果が期待できる細さである。６は酸化珪素マスクであり厚さは２μｍである。７は酸化珪素マスクに開けた窓の部分を示し、この窓の基板面が露出した箇所に針状結晶を成長させる。
【００１６】図３は、図２に示した構造の製作工程を示す。まず図３（ａ）のように厚さ２μｍの酸化珪素の膜６をＧａＡｓ基板８の表面に形成した後フォトリソグラフィーにより直径０．２μｍの窓７を形成する。次に、この基板を蒸着装置に入れ、１００ｎｍの厚みに金膜９を蒸着により形成する（図３（ｂ））。このあと結晶成長工程に入るが、本例では、有機金属と水素化物を原料とするＭＯＶＰＥ法によった。すなわちＧａ源としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ），Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ），ひ素源としてアルシン（ＡｓＨ3 ）を用いた。ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓに対するｎ形ドーパントとしてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）を用いた。上記の酸化珪素マスク６をつけた基板８を水素（毎分３０００ｃｃ）で希釈したアルシン（１００％原料で５０ｃｃ）雰囲気中で、まず３５０℃まで加熱すると金が基板のＧａと反応し金−ガリウム合金の液滴１０が窓７の中央部に形成される。液滴１０の直径は蒸着膜の量で決まるが、本実施例では５０ｎｍであった。このとき、酸化珪素のマスク６上に付いた金は膜のままである。次にＴＥＧ（２５ｃｃ），Ｓｉ2 Ｈ6 （５ｃｃ）を１０分間流すと、液滴１０にひ素がとけ込み過飽和状態になると液滴の底部から結晶化し始め、直径約３０ｎｍの細線状の結晶２が基板８に対してエピタキシャル成長する。この時の成長機構は針状結晶の成長でよく知られた、ＶＬＳ機構（ｖａｐｏｕｒ−ｌｉｑｕｉｄ−ｓｏｌｉｄ　ｍａｃｈａｎｉｓｍ：アール・エス・ワグナー，シー・エリス著トランズアクション　メタラジカル　ソサイエテイ　エイアイエムイー　２３３巻１０５３−１０６４ページ，１９６４年（Ｔｒａｎｓ．Ｍｅｔａｌ．Ｓｏｃ．ＡＩＭＥ　１９６４，ｖｏｌ．２３３，ｐｐ．１０５３−１０６４）によるものである。酸化珪素マスクの上の金属は、トリメチルガリウムと反応して、金−ガリウム液滴１０Ａとなる（図３（ｃ））。液滴の下から成長した結晶の長さが約１．５μｍとなると、針状結晶２の直径は、およそ１０ｎｍとなっているので、ここでジシランの供給を止め、ノンドープＧａＡｓの成長をさらに５分間続けると、ノンドープＧａＡｓ結晶３の直径は余り変化せず液滴をのせたままさらに２μｍ成長する。ここでＧａの供給を一旦停止し、アルシンのみを流して６００℃まで加熱すると金−ガリウムの液滴は気化してなくなる。この温度に保ちながら、ＴＥＧとアルシン以外にさらにＴＭＡを１０ｃｃ加え、ＡｌＧａＡｓ（ノンドープ）を５分成長させた後、ジシランを加えて１０分成長させて、針状結晶の成長を終える。このようにして形成した針状結晶の断面は図３（ｄ）で示すようになっている。２および３は３５０℃で金−ガリウム液滴の下で成長した針状の結晶であり、４はノンドープＡｌＧａＡｓで厚みは２０ｎｍ、５はシリコンドープのＡｌＧａＡｓで厚みは１００ｎｍである。シリコンのドープ量はＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓのそれぞれに対して１０18ｃｍ-3とした。ＡｌＧａＡｓが針状結晶２の外周に成長しないのは、針状結晶２と、酸化珪素マスクの窓７の内側との隙間には原料となるトリメチルアルミニウム，トリメチルガリウムが充分に入らないため成長が起こらないためである。」
（１ｄ）「【００１７】このときの伝導帯エネルギバンドは図４（ａ）に示すように、ＧａＡｓが周囲をＡｌＧａＡｓで取り巻かれているので一次元的なポテンシャルの井戸が形成される。図４（ｂ）は従来の二次元的なポテンシャル井戸であり、ＧａＡｓ界面に形成された、くさび形の井戸に電子が閉じ込められ二次元的な振舞いをすることが知られている。
【００１８】ＧａＡｌＡｓの電子の一部は中心のＧａＡｓにトンネル効果によって入り込むが、ＧａＡｓはノンドープかつ高純度であるため、イオン散乱などの電子移動を妨げる障害がほとんど無く、高移動度の電子流が発生する。また、極めて細い量子井戸に閉じ込められるため、量子効果が得られる。」
（１ｅ）「【図１】〜【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｆ）「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これら（１ａ）〜（１ｆ）の記載及び図示内容からして、引用例１には、 
「半導体結晶基板上にエピタキシャル成長させた、中心部を形成する結晶とそれを同心状に取り囲む周辺部を形成する結晶からなるヘテロ接合構造を有する量子細線構造であって、
直径５０ｎｍの金−ガリウム液滴の下から成長した、直径がおよそ１０ｎｍのシリコンドープのｎ型ＧａＡｓ針状結晶２上に、ノンドープＧａＡｓ結晶３を、ジシランの供給を止めてノンドープＧａＡｓの成長をさらに５分間続けることにより、液滴をのせたままで直径が余り変化することなくさらに２μｍ成長形成せしめ、
次いでＧａの供給を一旦停止することにより、アルシン（ＡｓＨ3 ）のみを流して６００℃まで加熱して金−ガリウムの液滴は気化して消失せしめ、この温度に保ちながら、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）以外にさらにトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１０ｃｃ加えて、ＡｌＧａＡｓ（ノンドープ）を５分成長させた後、ジシランを加えて１０分成長させて針状結晶の成長を終えることにより、
直径５０ｎｍの金−ガリウム液滴の下に成長形成された、直径およそ１０ｎｍのシリコンドープｎ型ＧａＡｓ針状結晶２上に、直径が余り変化することなく２μｍ成長せしめたノンドープＧａＡｓ結晶３の外側に、厚みが２０ｎｍのノンドープＡｌＧａＡｓ４、さらにその外側に、厚みが１００ｎｍのシリコンドープＡｌＧａＡｓ５を形成せしめた、量子細線構造。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由において提示された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−３０６２００号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】尖鋭な先端を有する導電性の針を基板表面に近接させ、基板材料と共晶型相平衡を示す金属を含有する所定の圧力の気体中で、針と基板表面の間に所定の電界を印加しトンネル電流あるいは電界放出電流を流すことにより基板表面に少なくとも前記金属を局所的に析出させ、その後基板表面の温度を前記金属と基板材料との共晶点温度以上かつそれぞれの融点以下に設定することで、前記の金属析出場所に局所的な合金液滴領域を形成し、気相−液相−固相反応を用いることによりその液滴領域に接する基板表面上に結晶を局所的に析出させることを特徴とする微細構造の製造方法。
…（中略）…
【請求項４】気相−液相−固相反応が、少なくとも基板材料構成元素あるいは所定の元素を含むハロゲン化物あるいは有機金属化合物あるいは水素化物等で構成される所定の圧力の気体を直接、あるいは熱もしくは電磁波もしくはその他のエネルギーを用いて分解して基板表面に曝すことで合金液滴領域に所望の元素を溶解させ、液滴領域に接する基板表面上に結晶を局所的に析出させる反応であることを特徴とする請求項１に記載の微細構造の製造方法。
…（以下略）」
（２ｂ）「【００１２】上記いづれの場合も、金属は基板材料と共晶型相平衡を示す材料でその共晶点温度は前記金属、前記基板材料各々の融点より低いので、前記基板表面を前記共晶点温度以上かつ各々の融点以下に加熱することで、金属が析出した場所のみ局所的に基板材料と金属が合金化し融解した状態、即ち合金液滴領域が形成される。…（中略）…
【００１３】次に、上記状態の基板上にいわゆる気相−液相−固相反応を生じさせる。具体的には下記の作用が生じる。即ち、前記基板上に少なくとも基板材料構成元素あるいは所定の元素を含むハロゲン化物あるいは有機金属化合物あるいは水素化物等で構成される所定の圧力の気体を直接、あるいは熱もしくは電磁波もしくはその他のエネルギーを用いて分解して基板表面に曝す。その際、気体原子は基板表面および前記合金液滴領域に単位面積、単位時間に同じ数だけ衝突するが、その内凝集し結晶成長に寄与する原子の割合（以後、適合係数と呼ぶ）が両者で圧倒的に異なる成長条件が存在する。即ち固体基板表面では、曝される気体の過飽和度が小さかったり、系の温度が低かったり、あるいは基板表面に殻生成のきっかけとなるステップや吸着物などが少なく結晶表面の完全性が高い場合、その適合係数は非常に小さいのに対して、液体表面は微視的に非常に凹凸が多く原子を捕まえる能力が高く適合係数はほぼ１に近い。従って上記のような条件下にこの系をおくと、気体原子は優先的に合金液滴領域に取り込まれる。捕らえられた原子は液滴中を拡散して下地基板との界面に到達し析出する。即ち結晶は下地基板の局所的な領域においてのみエピタキシャル成長してゆくことになる。しかも、結晶はその条件における最も成長速度の速い結晶方位（例えばＳｉにおいては〈１１１〉）の方向に主に成長する。従って、下地基板の結晶方位を選ぶことで基板面に対する結晶の成長方向を制御することができる。
【００１４】ここで、液滴を形成する金属の析出させる結晶物質中における偏析係数は１より十分小さいので、上記結晶物質中に上記金属はほとんど取り込まれない。即ち成長が進んでも合金液滴領域はつねに成長する結晶の上部に残存し、本成長機構を長く保つ。
【００１５】以上の作用により、断面積が描画した液滴領域の面積にほぼ等しい柱状あるいは針状の微細構造が基板上に成長する。針を基板表面上で上記の加工作用をさせながら移動させれば、その軌跡を射影した任意の形の柱の列や壁や庇等の微細構造が形成される。」
（２ｃ）「【００１８】
【実施例】本発明の第１実施例の微細構造の製造方法を以下に示す。高真空チャンバー内で、先端曲率が数１００ｎｍ以下の金製の針を基板の表面に対峙して配置する。…（中略）…
【００１９】本発明における加工装置の構成ならびに駆動機構は走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）と同一のものを用いた。…（中略）…本装置を用いてまずＳＴＭ観察モードで描画したい場所を観察した。針のバイアス電位Ｖtは基板に対してＶt＝２Ｖ程度で、針と基板の間を流れるトンネル電流Ｉt＝０.５ｎＡ程度の定電流モードで観察した。次にそのまま針の面内走査を停止し、典型的にはＶt ＝３〜１０Ｖ程度、印加時間Δｔ＝数ｎｓｅｃ〜数１００ｍｓｅｃ程度のパルス電圧を印加した。次に針を水平面内でＸ軸方向に５０ｎｍ移動して同様にパルス電圧を印加した。この作業を…（中略）…繰り返し、４５０ｎｍ×４５０ｎｍの領域にマトリックス状に合計１０個×１０個＝１００個の描画点を形成した。その後、再びこの領域を観察モードで走査したところ、各描画点の位置に直径数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度、高さ０．数ｎｍ〜数ｎｍ程度の突起が形成されていることを確認した。その突起を模式的に描いた図を図１（ａ）に示す。…（中略）…
【００２０】次に、上記基板上にいわゆる気相−液相−固相反応を生じさせた。具体的には下記の作業を行った。即ち、突起群を形成した基板を開管ＣＶＤ装置に設置し、基板温度を前述したこの系における広義の共晶点温度以上かつ広義の金の融点以下に加熱した。典型的には、おおよそ５０℃以上１０００℃以下の温度に設定した。この状態では、突起部分が局所的にシリコン基板と金が合金化し融解した液滴状態になっている。
【００２１】ここに、所定のモル比の純化した水素とＳｉＣｌ4 の混合気体を導入する。すると、還元反応によってシリコンが供給され（水素還元法）、前記液滴の場所のみシリコンが基板に垂直な方向に針状に成長した。しかも針状に成長した結晶の先端には前記の合金液滴が残存していた。その様子を図１（ｂ）に示す。これらの成長機構は以下の様である。即ち、シリコン基板１上には気中からシリコンはほとんど析出しないのに対して、液体の適合係数は１に近いので金の液滴中には気中からシリコンが効率よく取り込まれた。捕らえられた金の原子は合金液滴５の中を拡散して下地のシリコン基板１との界面に到達し析出した。つまりシリコン結晶が下地基板の局所的な領域においてのみエピタキシャル成長した。ここで、金のシリコン結晶中における偏析係数は１０-4以下と、成長する針状結晶４中に金は殆ど取り込まれない。従って成長が進んでも合金液滴５は常に成長する結晶の上部に残存し、本成長機構を長く保った。以上の作用により、断面積が描画した合金液滴５の面積にほぼ等しい直径数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度のシリコン単結晶よりなる針状結晶４が基板１上に成長した。」
（２ｄ）「【００２５】この針状の微細構造は、そのままで、あるいはさらにその外側に、後述の実施例の様に、ＣＶＤなどの手法を用いて所定の材料を被覆した構造で、その中のキャリアを水平面内方向に制限することができる。径が２０ｎｍ程度以下の針状微細構造になると、水平面内方向の電子状態は量子化され、その運動の自由度が残るのは針の長手方向のみとなる。即ちいわゆる量子細線構造となる。これらの微細構造はエピタキシャル機構により成長したものなので良質の単結晶である。結晶内に種々の格子欠陥に起因するキャリアの散乱中心や非輻射再結合中心などが非常に少ない。従って、良好な量子細線として機能する。」
（２ｅ）
「【図１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）引用例３
　原査定の時に、本願優先日当時の技術水準を示す文献として提示された刊行物である特開平７−１８３４８５号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（３ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス等に使用される半導体量子細線装置に関するものである。」
（３ｂ）「【０００６】まず、本発明で用いられるＶＬＳ成長法について説明する。この方法は、（R.S.Wagner and W. C. Ellis:Appl. Phys Letters4 (1964) 89）に開示されているものである。図３はかかる針状結晶の形成方法を説明するための図である。図３（ａ）に示すように、表面が（１１１）面であるシリコン単結晶基板１の所定の位置にＡｕの層２を載置する。これをSiH4、SiCl4 などのシリコンを含むガスの雰囲気の中でSi−Au合金の融点以上に加熱する。Si−Au合金はその融点が低いため、Ａｕの層２は載置された部分にこの合金の液滴ができる。この時、ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より取り込まれるが、液状体は他の固体状態に比べてシリコン原子を取り込み易く、Si−Au合金の液滴中には次第にシリコンが過剰になる。この過剰シリコンはシリコン基板１上にエピタキシャル成長し同図（ｂ）に示すように＜１１１＞軸方向に沿って、頂部にSi−Au合金液滴５を有しつつ、針状結晶３が成長する。また、針状結晶３は単結晶であり、基板１の結晶方位と同一方位を有する。また、針状結晶３の直径は、図３−（Ｃ）に示す様に、針状結晶３形成時に温度勾配をもたせる等により可変させることができる。尚、以上の結晶成長機構はＶＬＳ（Vapor-liquid-Solid）成長と呼ばれており、以下ＶＬＳ成長と記す。」
（３ｃ）
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
４　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「中心部を形成する結晶とそれを同心状に取り囲む周辺部を形成する結晶からなるヘテロ接合構造を有す量子細線構造」という事項は、本願発明の「組成的に異なる非晶質ではない材料のシースによって少なくとも部分的に囲まれた第一の材料のコア；を含む、ナノワイヤー」に相当する。
　
（２）さらに、引用発明の「ノンドープＧａＡｓ結晶３」は「中心部を形成する結晶」であるから、当該結晶が「直径が余り変化することなく２μｍ成長せしめ」られたものであるという事項と、本願発明の「コア及び前記シースの前記少なくとも一つは、前記コア又はシースの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する」という事項とを対比すると、両者は、「コアは、長さにわたって変動の少ない直径を有する」点で共通しているといえる。
　
（３）してみると、本願発明と引用発明は、
「組成的に異なる非晶質ではない材料のシースによって少なくとも部分的に囲まれた第一の材料のコア；
を含む、ナノワイヤーにおいて、
　前記コアは、長さにわたって変動の少ない直径を有するナノワイヤー。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
〈相違点〉 
　ナノワイヤーが、本願発明は、「ナノワイヤーの集団より選択されたものであるために構成されたものであると共に、前記ナノワイヤーの集団は、５０％ＲＭＳと比べてより少ないものである実質的に均一なワイヤー間の直径を有するものである」と共に、
　コアの直径が、本願発明は、「前記コアの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する」のに対し、引用発明は、ナノワイヤーの直径の分散及び長手方向の変動割合について明らかでない点。
　 
５　検討・判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点に関する本願発明の技術的意義
　最初に、本願発明の「ナノワイヤーの集団は、５０％ＲＭＳと比べてより少ないものである実質的に均一なワイヤー間の直径を有する」という事項と、「コア又はシースの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する」という事項の技術的意義について検討する。
（１ａ）本願明細書の発明の詳細な説明の記載
ア　ナノワイヤー集団中の径の分散、ならびに、コア、シースあるいはナノワイヤー自体の長さ方向における径の変動について、本願明細書の発明の詳細な説明には以下の記載がある。
（ア）「【００１１】
　本発明の別の態様によると、ナノワイヤーを組み立てる工程が開発された。特に、本発明のかかる態様は、総数内の直径の分配が約５０％ｒｍｓ以下であるか、より好ましくは２０％以下であるか、最も好ましくは１０％以下である場合に、直径の実質的な単分散の分配でナノワイヤーのヘテロ構造の総数を成すための工程を含む。本発明のさらなる態様は、長さの実質的な単分散の分配でナノワイヤーの総数を形成する工程を含む。ナノワイヤーの総数は、総数内の分配での長さの単分散の分配が、２０％ｒｍｓ以下であるか、より好ましくは１０％以下であるか、さらにより好ましくは５％以下であるか、最も好ましくは１％以下であることを有するように考慮される。本発明のさらなる態様は、大量におけるバッチの組み立てを可能にする、ナノワイヤーの設計を含む。本発明の別の態様は、ヘテロ構造又はホモ構造のいずれかから形成できる、レーザー装置を含む。」
（イ）「【００１６】
　好ましくは、本発明によるナノワイヤーは、かかるワイヤーの最大点において約２００ｎｍ未満の直径を有し、好ましくは、縦軸に沿ったかかる直径は、直径での最大変化を表すセクションの約１０％未満で変化する。追加として、本発明によるナノワイヤーは、下記に限定しないが、円形、正方形、長方形、及び六角形を含む、様々な断面の形状を有することができる。例えば、ＺｎＯナノワイヤーは六角形の断面を有し、ＳｎＯ２ナノワイヤーは長方形断面を有し、ＰｂＳｅナノワイヤーは正方形断面を有し、Ｓｉ又はＧｅナノワイヤーは円形断面を有する。各場合において、用語“直径”は、構造の断面の主軸と短軸との平均によって定義される、効果的な直径として参照されるように目的とする。」
（ウ）「【００２０】
　本発明のある実施態様では、組み立ては、ここに記載される周知の蒸気−液体−固体（ＶＬＳ）化学的合成処理で容易になる。その基本の（無修正）ＶＬＳ処理は、参照としてここに組み入れられた、下記の文献、Ｗａｇｎｅｒ，Ｒ．Ｓ．，　“ＶＬＳ　Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ”，　Ｗｈｉｓｋｅｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　ｐｐ．４７−１１９　（１９７０）；　Ｗａｇｎｅｒ　ｅｔ　ａｌ．，　“Ｖａｐｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ−Ｓｏｌｉｄ　Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｆ　Ｓｉｎｇｌｅ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ”，　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　Ｖｏｌ．４．，　Ｎｏ．５，　ｐｐ．８９−９０　（１９６４）；　Ｇｉｖａｒｇｉｚｏｖ，Ｅ．，　“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ　Ａｓｐｅｃｔｓ　ｏｆ　ＶＬＳ　Ｇｒｏｗｔｈ”，　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，　Ｖｏｌ．３１，　ｐｐ．２０　（１９７５）で詳細に記載される。基本の（無修正）ＶＬＳを用いて、約１μｍより大きい平均直径と５０％より大きい直径分配と多ミリメートルまでか又は多ミリメートルを越える長さを備える、変化に富んだ半導体物質（例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，ＺｎＯなど）の単結晶のナノワイヤーを成長することが可能である。本発明は、約２００ｎｍ未満で、好ましくは約５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲の直径と、約１００ｎｍ乃至１００μｍの範囲の長さで、好ましくは約１μｍ乃至２０μｍの範囲の長さとを備えるナノワイヤーの構造を形成する方法を提供する。」
（エ）「【００３２】
　本発明によるナノワイヤーの直径は、一般的に、直径の最大点において約２００ｎｍ未満であり、好ましくは、約５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲である。加えて、同じ処理で合成されたワイヤーの全体にわたる直径における変化は、直径の分配が典型的に約５０％未満、好ましくは約２０％未満、より好ましくは約１０％未満であるように、比較的鋭い。ナノワイヤーの断面が円形でない場合、本開示での用語“直径”は、ナノワイヤーの縦軸に垂直な平面を備え、ナノワイヤーの断面での主軸と短軸の長さの平均を意味する。
【００３３】
　ある実施態様において、本発明によるナノワイヤーは、一般的に末端から末端までの直径の高い均一性を表す。より詳細には、ナノワイヤーのセクション上に、直径での最大の変化が好ましくは約１０％を越えず、より好ましくは約５％を越えず、さらにより好ましくは５％を越えないことを示す。直径の変化は、（ｄｍａｘ−ｄｍｉｎ）／（ｄｍｉｎ）によって与えられると考慮されてよい。ナノワイヤーの末端が、おそらく無限の傾斜を表す、直径の鋭い変化を含み、上に記載の測定がナノワイヤーの末端から離れた位置であることが考慮されることを当業者によって認識されるべきである。好ましくは、測定は少なくとも５％で末端から分離された位置で成され、より好ましくはワイヤーの全体の長さの少なくとも１０％である。ある実施態様において、直径の変化は、ナノワイヤーの全長の約１％から好ましくは約２５％まで、より好ましくはナノワイヤーの全長の約７５％まで、さらにより好ましくはナノワイヤーの全長の約９０％までの範囲でのナノワイヤーの長さにわたって評価される。」
　
イ　また、コア材料がシースによって囲まれた態様のナノワイヤー、すなわち、共軸ヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮｓ）の形成手法に関して、本願明細書の発明の詳細な説明には以下の記載がある。
（オ）「【００２６】
　ある実施態様において、ＣＯＨＮｓは，単一セグメントのナノワイヤー又はＬＯＨＮを部分的にコーティングすることによって形成できる。例えば、図８は、サック７８によって部分的にのみ囲まれた単一のセグメントコア７６を有するＣＯＨＮ７４を示す。図９は、セグメント８２，８４を含むＬＯＨＮコアを有するＣＯＨＮ８０を示し、コアはサック８６によって部分的にだけ囲まれる。代替として、コアは、部分的なサックを備えるスーパーラチスを含む。サック部分は同様にセグメント化されて、さらにサックのセグメントは隣接するか、又は間隔が離れるであろうことを注意する。従来のマスキング技術を用いてかかるサックの形態が達成されて、それらの形態がここに記載のナノワイヤー構造に基づきわずかに可能な形態を表すことを当業者は認識するであろう。」
（カ）「【００４０】
　例１
　図１２の概略図を参照するに、Ｓｉ（１１１）基板１００上のＳｉナノワイヤーの成長プロセスの例が例示される。この実施例において、ＳｉＨ４ガス１０２は、触媒としてのＳｉ蒸気源及びＡｕナノクラスタ１０４として活用される。化学蒸着（ＣＶＤ）は、好ましくは約６００℃乃至約８００℃で実行される。この温度で、Ａｕナノクラスタ１０４はＳｉを伴う液体合金を形成し、同時にナノメートルサイズのＡｕ−Ｓｉ合金の小滴１０６に分割される。次に、Ｓｉは連続して、Ｓｉナノワイヤー１０８の成長がシリコンによって金の過飽和で開始される、Ａｕ−Ｓｉ合金の小滴に沈着する。プロセスは、ナノワイヤー１０８が所望の長さに達成するまで続けられる。ナノワイヤーは、従来の化学蒸気移動／化学蒸着（ＣＶＴ／ＣＶＤ）システムにおけるかかる機能を活用してＳｉ、Ｇｅ、及びＺｎＯから成功裏に調製される。透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）及びＸ線回折（ＸＲＤ）研究は、無機ナノワイヤーが好ましい成長方向（例えば、Ｇｅの〔１１１〕）を有する単結晶であることを示している。かかるナノワイヤーの直径は、約２００ｎｍ未満の直径で正確に制御できる。好ましくは、直径は、約１００ｎｍ未満で制御され、より好ましくは約５０ｎｍ未満、さらに最も好ましくは、約２５ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍ未満で制御される。単分散の直径分配を備え、及び異なるサイズ（例えば、約１ｎｍ乃至約１０ｎｍ、より一般的には、約５ｎｍ乃至約１００ｎｍ）を備えた触媒のナノクラスタ（例えば、Ａｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ）の使用によって、かかるナノワイヤーは容易に生成できる（例えば、約５ｎｍ乃至約２００ｎｍ、さらに最も一般的には約１０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲の直径を有する。）。かかる触媒は、Ｓｉ基板（例えば、他の望ましい物質からなるＳｉ基板又は基板）上に分散されるか、又は、メスポラスなシリカ膜（例えば、他の望ましい物質からなるＳｉフィルム若しくは代替フィルム）の最上部に分散される。ナノワイヤーの縦横比は、約１．５又は２から１，０００，０００オーダーまで、さらに一般的には約１００から１００，０００まで、異なる成長時間を用いることによって変化できる。」
（キ）「【００５６】
　３．５　共軸ヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮｓ）
　物理的なテンプレートとして作られたナノワイヤーを使用して図２に示されるような共軸ナノ構造の合成が可能である。例えば、Ｇｅナノワイヤー上の等角で一定のカーボンコーティングは、ワイヤー表面上の有機分子の分解により得ることができる。このアプローチは、強力な電子制限効果を備えたＣＯＨＮｓを生成するために容易に拡張できる。例えば、ＶＬＳを使用して組み立てられたＧａＡｓナノワイヤーは、ワイヤー軸に沿った結晶の成長を効果的に避け、Ａｌ１−ｘＧａｘＡｓの表面の異常な成長を促進する、低温度の化学蒸気沈着プロセスを用いることによって、Ａｌ１−ｘＧａｘＡｓの薄層で結果としてコーティングされ得る。しかしながら、サックは結晶かもしれないし、又は非晶質かもしれない、また、ポリマー、半導体、酸化物及びその他同種のような物質を含むことができることに注意する。ＣＯＨＮを形成するために、単一セグメントのナノワイヤー又はＬＯＨＮは、ここに記載の任意の方法によって最初に形成され得る。ＣＯＨＮのコアになるであろう、単一セグメントのナノワイヤー又はＬＯＨＮは、サックを形成するためのテンプレートとして使用される。例えば、サックは、単一セグメントのナノワイヤー又はＣＯＨＮの表面にモノマーの重合によって形成できる。代替として、物理蒸着（ＰＶＤ）又は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスは、単一セグメントのナノワイヤー又はＬＯＨＮをコーティングするために使用できる。コア／サックの例は、下記に限定しないが、それぞれ、ＳｉとＺｎＯ、ＧｅとＣ、ＳｉとＳｉＯ２、ＳｎＯ２とＴｉＯ２、ＧａＮとＺｎＯ、ＧａＡｌＮとＧａＮを含む。本質的に、コア／サックの物質形態の限定されない数があることを注意する。ＺｎＯなどの酸化物でさえ、コア物質のために使用できる。下記は、例えば、コアとサックの両物質が単結晶である場合のコア／サック形態のリストである。かかるリストは、ＴｉＯ２／ＳｎＯ２、Ｍ：ＴｉＯ２／ＳｎＯ２（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒなど）、ＰｂＴｉＯ３／ＳｎＯ２、ＢａＴｉＯ３／ＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３／ＳｎＯ２、ＨＴＳＣ／ＳｎＯ２（高温半導体−ＨＴＳＣ）、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓである。」
（ク）「【００５８】
　４．ナノワイヤー特性
　４．１　電気的な構造と特性
　４．１．１　モデリング
　ナノワイヤーのインターフェースの粗さとローカライズの役割は、電子ビームリソグラフィーを使用し、又は、分離したゲート方法で静電気の制限を使用して定義された量子ワイヤーにおいて広範囲に研究されている。バリスティックな移動から拡散性移動までの遷移、正と負の磁気発電気抵抗、コンダクタンスの量子化及び普遍的な変動は、低温度で観察された。本発明のプロセスを用いて組み立てられたナノワイヤーは、一次元の電子物質の変化における電子の移動を研究するために独特の機会を提供する。加えて、薄膜物質へのＣＶＤ蒸着と同様にナノワイヤーをドープする可能性は、様々な電子密度で支配的な分散メカニズムを調査するために余分な自由度を与える。図２及び図１５を参照するに、ＣＯＨＮｓにおいて、より広いバンドギャップ物質の調整ドーピングは、イオン化されたドーパント１４０及びフリーキャリア１４２の空間的な分離を可能にし、したがって、より高い可動性を達成することができ得る。ナノワイヤーサック内部のコア領域に対してフリーキャリアを制限することは、表面拡散効果を縮小するだろう。電子が共軸ナノワイヤーでヘテロ構造インターフェースの隣の円筒状の領域を占領する場合、新規の量子化されたウィスパリングギャラリー（ｗｈｉｓｐｅｒｉｎｇ　ｇａｌｌｅｒｙ）の電子状態はさらに形成できる。図１６を参照するに、ＬＯＨＮナノワイヤーの方向に沿ったヘテロ構造は、量子ドット状態１４４の形成を可能にする。かかる状態はナノワイヤーの電子特性に著しい影響を及ぼす。一次元の共振トンネル特徴と同様にクーロン障壁を観察することができた。」
　
（１ｂ）技術的意義についての検討
　上記、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からして、本願発明のナノワイヤーは、Ｓi等の基板上に、Ｓi等の基板材料と触媒金属のナノメートルサイズの合金液滴を形成し、当該合金液滴上に、周知の蒸気−液体−固体（ＶＬＳ）化学的合成処理によって単結晶のナノワイヤーを成長せしめ、さらに、当該ナノワイヤーをコアとし、その上にモノマー重合、物理蒸着（ＰＶＤ）又は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを施すことに、シースを形成することによって作成されるものであると認められる。
　そして、「ナノワイヤーの集団を、５０％ＲＭＳと比べてより少ないものである実質的に均一なワイヤー間の直径を有する」点について、本願明細書の発明の詳細な説明には、「本発明の別の態様によると、ナノワイヤーを組み立てる工程が開発された。」として、「特に、本発明のかかる態様は、総数内の直径の分配が約５０％ｒｍｓ以下であるか、より好ましくは２０％以下であるか、最も好ましくは１０％以下である場合に、直径の実質的な単分散の分配でナノワイヤーのヘテロ構造の総数を成すための工程を含む。」と記載され（上記「（１ａ）」の「（ア）」参照）、その直径の分散を得られるのは、開発されたナノワイヤーを組み立てる工程を採用したことによるものであることが記載されていると認められるものの、上記作成の際、どのようにすると、「ナノワイヤーの集団を、５０％ＲＭＳと比べてより少ないものである実質的に均一なワイヤー間の直径を有する」ように形成し得るのか、あるいは、「コア又はシースの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する」ように形成し得るのか、その具体的な作成条件等について、本願明細書の発明の詳細な説明には何ら記載がない。
　また、本願明細書の発明の詳細な説明には、直径の分散の程度は、少ないほど好ましいことが記載されているにすぎず、「コア又はシースの長さにわたって約１０％と比べてより多いものまで変動するものではないものである直径を有する」点についても同様に、「好ましくは」としているにすぎず、そのように設定することによる有利な作用効果等についても何ら記載がない（上記「（１ａ）」の「（イ）」〜「（エ）」参照）。
　そうすると、上記相違点に関する事項は、ナノワイヤーの形成プロセス自体に依拠するものであって、ナノワイヤー直径の分散の程度や、ナノワイヤー長手方向の直径変動の程度は、単に「好ましく」設定される事項にすぎないものと認めざるを得ない。
　
（２）引用発明の量子細線構造（ナノワイヤー）についての検討
（２ａ）引用発明の量子細線構造の形成方法
　一方、引用発明の量子細線構造、すなわち、ナノワイヤーは、上記「３　刊行物」の「（１）引用例１」に記載したとおり、「直径５０ｎｍの金−ガリウム液滴の下から成長した、直径がおよそ１０ｎｍのシリコンドープのｎ型ＧａＡｓ針状結晶２上に、ノンドープＧａＡｓ結晶３を、ジシランの供給を止めてノンドープＧａＡｓの成長をさらに５分間続けることにより、液滴をのせたままで直径が余り変化することなくさらに２μｍ成長形成せしめ、
次いでＧａの供給を一旦停止することにより、アルシン（ＡｓＨ3 ）のみを流して６００℃まで加熱して金−ガリウムの液滴は気化して消失せしめ、この温度に保ちながら、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）以外にさらにトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１０ｃｃ加えて、ＡｌＧａＡｓ（ノンドープ）を５分成長させた後、ジシランを加えて１０分成長させて針状結晶の成長を終える」ことにより形成したものであり、上記（１ｂ）で述べた、本願発明のナノワイヤーの作成方法と、実質的に相違しない。
　
（２ｂ）本願優先日当時の当業者の技術水準について
　また、引用発明の「ノンドープＧａＡｓ結晶３」は、直径が余り変化することなく成長せしめられたものであるし、引用例２や引用例３の記載（上記「３　刊行物」の「（２）引用例２」、「（３）引用例３」参照）からしても、合金液滴上に蒸気−液体−固体（ＶＬＳ）化学的合成処理によって成長せしめられる結晶は、当該合金液滴の面積とほぼ等しい面積で成長するものであって、その結晶の直径を可変とするためには、結晶形成の際、温度勾配を与える等の結晶成長条件を変化させる処理が必要であるということが、当業者の技術水準であるということができる。
　
（３）相違点に関する検討、判断のまとめ
　以上検討したとおり、引用発明の量子細線構造（ナノワイヤー）の形成方法は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたナノワイヤーの作成方法と実質的に相違せず、また、本願発明の上記相違点に係る事項は、ナノワイヤーの形成プロセス自体に依拠するものであって、ナノワイヤー直径の分散の程度や、ナノワイヤー長手方向の直径変動の程度は、単に「好ましく」設定される事項にすぎないものであると認られる以上、上記相違点に係る事項は、実質的な相違点ではない、もしくは、本願優先日当時の当業者の技術水準に基いて、当業者が適宜設定し得る設計的事項にすぎないものと認めざるを得ない。
　以上のとおりであるので、本願優先日当時の技術水準を勘案すると、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。 
　
６　むすび
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。