【手続補正書】
【提出日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ内で使用されるアクティブマトリクスバックプレーンであって、
複数の画素と、
複数のカラムトランジスタであって、該複数のカラムトランジスタ内のカラムトランジスタは、複数の画素トランジスタのサブセットに電圧を印加する、複数のカラムトランジスタおよび／または
複数のロウトランジスタであって、該複数のロウトランジスタ内の少なくとも２つのトランジスタは、対応する画素トランジスタをオン／オフする、複数のロウトランジスタと、
複数の画素トランジスタと
を含み、
該複数の画素トランジスタ内の画素トランジスタは、該複数の画素内の対応する画素を制御し、該複数の画素トランジスタ内のそれぞれの画素トランジスタ、該複数のカラムトランジスタ内のそれぞれのカラムトランジスタ、および該複数のロウトランジスタ内のそれぞれのトランジスタは、複数のナノワイヤトランジスタであり、該複数のナノワイヤトランジスタは、該トランジスタの第１のソース電極と第１のドレイン電極との間を延伸した複数のナノワイヤを含み、該複数のナノワイヤは、第１の材料からなるコアと、該コアの回り配置されている第２の材料からなるシェル層とを含み、該第１の材料の組成は、該第２の材料の組成と異なっており、該複数のナノワイヤトランジスタのそれぞれは、所望のレートで画素を少なくとも充電および放電するのに十分な平均数のナノワイヤを含む、アクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項２】
前記複数のカラムナノワイヤトランジスタのそれぞれは、少なくともソース／ドレイン電極間を延伸した少なくとも１００個のナノワイヤを含む、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項３】
前記複数のロウナノワイヤトランジスタのそれぞれは、少なくともソース／ドレイン電極間を延伸した少なくとも１００個のナノワイヤを含む、請求１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項４】
ナノワイヤエッジ電子回路をさらに含む、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項５】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤバッファを含む、請求項４に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項６】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤシフトレジスタを含む、請求項４に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項７】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤレベルシフタを含む、請求項４に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項８】
前記ディスプレイは、液晶ディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項９】
前記ディスプレイは、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）である、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１０】
前記ＯＬＥＤは、ナノ結晶を含む、請求項９に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１１】
前記ディスプレイは、エレクトロフォレティックディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１２】
前記ディスプレイは、プラズマディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１３】
前記ディスプレイは、エレクトロクロミックディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１４】
前記ディスプレイは、マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭ）ディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１５】
前記ディスプレイは、マイクロミラーディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１６】
前記ディスプレイは、電界放出ディスプレイである、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１７】
前記ディスプレイは、ナノチューブ電界放出ディスプレイである、請求項１６に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１８】
前記ディスプレイは、剛性である、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項１９】
前記ディスプレイは、可撓性である、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項２０】
前記ディスプレイは、非平面状である、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項２１】
ベース基板を有する液晶ディスプレイであって、
（ａ）複数の画素と、
（ｂ）複数の画素トランジスタであって、該複数の画素トランジスタ内の画素トランジスタは、該複数の画素トランジスタ内の対応する画素を制御する、複数の画素トランジスタと、
（ｃ）複数のカラムトランジスタであって、該複数のカラムトランジスタ内のカラムトランジスタは、該複数の画素トランジスタのサブセットに電圧を印加する、複数のカラムトランジスタと、
（ｄ）複数のロウトランジスタと
を含み、
該複数のロウトランジスタ内の少なくとも２つのロウトランジスタは、対応する画素トランジスタをオン／オフし、（ｉ）該複数の画素トランジスタ、（ｉｉ）該複数のカラムトランジスタ、および（ｉｉｉ）該複数のロウトランジスタ内の少なくとも１つは、複数のナノワイヤトランジスタであり、該複数のナノワイヤトランジスタは、該ナノワイヤトランジスタの第１のソース電極と第１のドレイン電極との間を延伸した複数のナノワイヤを含み、該複数のナノワイヤは、第１の材料からなるコアと、該コアの回り配置されている第２の材料からなるシェル層とを含み、該第１の材料の組成は、該第２の材料の組成と異なっており、該複数のナノワイヤトランジスタのそれぞれは、所望のレートで画素を少なくとも充電および放電するのに十分な平均数のナノワイヤを含む、液晶ディスプレイ。
【請求項２２】
ナノワイヤエッジ電子回路をさらに含む、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２３】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤバッファを含む、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２４】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤシフトレジスタを含む、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２５】
ナノワイヤエッジ電子回路は、ナノワイヤレベルシフタを含む、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２６】
前記複数の画素トランジスタ内の画素トランジスタ、前記複数のカラムトランジスタ内のカラムトランジスタ、および前記複数のロウトランジスタ内のロウトランジスタは、ナノワイヤトランジスタである、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２７】
（ｉ）前記複数の画素トランジスタ、（ｉｉ）前記複数のカラムトランジスタ、および（ｉｉｉ）前記複数のロウトランジスタのうちの少なくとも１つは、ａ−Ｓｉ薄膜トランジスタである、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２８】
（ｉ）前記複数の画素トランジスタ、（ｉｉ）前記複数のカラムトランジスタ、および（ｉｉｉ）前記複数のロウトランジスタのうちの少なくとも１つは、バルクＳｉ薄膜トランジスタである、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２９】
（ｉ）前記複数の画素トランジスタ、（ｉｉ）前記複数のカラムトランジスタ、および（ｉｉｉ）前記複数のロウトランジスタのうちの少なくとも１つは、有機半導体である、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３０】
（ｉ）前記複数の画素トランジスタ、（ｉｉ）前記複数のカラムトランジスタ、および（ｉｉｉ）前記複数のロウトランジスタのうちの少なくとも１つは、ポリＳｉ薄膜トランジスタである、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３１】
前記複数のトランジスタを形成するために用いられたナノワイヤは、実質的に平行に整列されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３２】
前記複数のワイヤは、実質的にランダム状および等方状のうちの１つに整列されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３３】
複数のナノワイヤカラムトランジスタは、カラムトレース間に配置されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３４】
複数のナノワイヤカラムトランジスタは、カラムトレースとインライン配置されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３５】
複数のナノワイヤロウトランジスタは、ロウトレース間に配置されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３６】
複数のナノワイヤロウトランジスタは、ロウトレースとインライン配置されている、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３７】
ナノワイヤトランジスタは、該ナノワイヤトランジスタのソースをドレイン電極に接続する少なくとも１０個のナノワイヤを含む、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３８】
ナノワイヤトランジスタは、該ナノワイヤトランジスタのソースをドレイン電極に接続する少なくとも１００個のナノワイヤを含む、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３９】
前記ベース基板は、可撓性材料である、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４０】
前記ベース基板は、溶融温度が華氏５００度未満の低融点材料である、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４１】
前記ベース基板は、プラスチックである、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４２】
前記ベース基板は、半透明材料である、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４３】
ディスプレイ内で使用されるアクティブマトリクスバックプレーンであって、
複数の画素と、
複数のアモルファスシリコン画素トランジスタであって、該複数の画素トランジスタ内の画素トランジスタは、該複数の画素内の対応する画素を制御する、複数のアモルファスシリコン画素トランジスタと、
複数のカラムトランジスタと
を含み、
該複数のカラムトランジスタ内のカラムトランジスタは、該複数の画素トランジスタのサブセットに電圧を印加し、該複数の画素トランジスタ内のそれぞれのカラムトランジスタは、ナノワイヤトランジスタであり、該ナノワイヤトランジスタは、該トランジスタの第１のソースコンタクトと第１のドレインコンタクトとの間を延伸した複数のナノワイヤを含み、該複数のナノワイヤは、第１の材料からなるコアと、該コアの回り配置されている第２の材料からなるシェル層とを含み、該第１の材料の組成は、該第２の材料の組成と異なっており、該複数のナノワイヤトランジスタのそれぞれは、所望のレートで画素を少なくとも充電および放電するのに十分な平均数のナノワイヤを含む、アクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項４４】
前記第１の材料は、シリコンを含み、前記第２の材料は、ＳｉＯ２を含む、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項４５】
前記シェル層の周りに配置されているゲートコンタクトをさらに含む、請求項１に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。
【請求項４６】
前記第１の材料は、シリコンを含み、前記第２の材料は、ＳｉＯ２を含む、請求項２１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４７】
前記複数のナノワイヤトランジスタのそれぞれは、少なくともソース／ドレイン電極間を延伸した少なくとも１００個のナノワイヤを含む、請求項４３に記載のアクティブマトリクスバックプレーン。