【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの制御ワイヤと、前記２つの制御ワイヤを０°以外の角度で横切り、それにより各制御ワイヤとの接合部を形成する１つの信号ワイヤとを含む分子クロスバーラッチであって、
前記各接合部は１つのスイッチを形成し、前記各接合部はナノメートル単位の機能寸法を有し、
前記信号ワイヤは、０状態から１状態までの範囲にある、少なくとも２つの異なる電圧状態を選択的に有し、
１つの接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを開くか、あるいは閉じることができるように、一方、他の接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを閉じるか、あるいは開くことができるように、１つの接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向と、他の接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向とが非対称であり、
開いたスイッチと閉じたスイッチとの間で切り替わるための電圧閾値が存在することを特徴とする、分子クロスバーラッチ。
【請求項２】
前記スイッチは、「強１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に開かれ、「強０」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に閉じられ、
前記「強１」および前記「強０」はいずれも閾値レベルを超していることを特徴とする、請求項１に記載の分子クロスバーラッチ。
【請求項３】
前記スイッチは、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで開かれ、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで閉じられ、
前記弱い電圧状態は前記強い電圧状態より強くないことを特徴とする、請求項２に記載の分子クロスバーラッチ。
【請求項４】
前記接続部はそれぞれ、ある状態から別の状態に切り替わることができる双安定性分子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の分子クロスバーラッチ。
【請求項５】
前記双安定性分子は、電気化学的反応を用いて、酸化された状態と還元された状態との間で切り替わることができることを特徴とする、請求項４に記載の分子クロスバーラッチ。
【請求項６】
前記双安定性分子は、ロタキサン、擬似ロタキサン、カテナンおよびスピロピランからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項５に記載の分子クロスバーラッチ。
【請求項７】
ロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法であって、
（ａ）２つの制御ワイヤと、前記２つの制御ワイヤを０°以外の角度で横切り、それにより前記各制御ワイヤとの接合部を形成する１つの信号ワイヤとを含む分子クロスバーラッチを配設することであって、
前記各接合部は１つのスイッチを形成し、前記各接合部はナノメートル単位の機能寸法を有し、
前記信号ワイヤは、０状態から１状態までの範囲にある、少なくとも２つの異なる電圧状態を選択的に有し、
１つの接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを開くか、あるいは閉じることができるように、一方、他の接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを閉じるか、あるいは開くことができるように、１つの接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向と、他の接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向とが非対称であり、
開いたスイッチと閉じたスイッチとの間で切り替わるための電圧閾値が存在する、分子クロスバーラッチを配設すること、および
（ｂ）前記２つの制御ワイヤに複数の電圧のシーケンスを印加することであって、その結果として、前記信号ワイヤが論理１を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが開き、かつ前記第２のスイッチが閉じるか、あるいは前記信号ワイヤが論理０を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが閉じ、かつ前記第２のスイッチが開くように、前記２つの接合部からなる前記スイッチが設定される、前記２つの制御ワイヤに複数の電圧のシーケンスを印加すること、
を含むことを特徴とする、ロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項８】
前記スイッチは、「強１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に開かれ、「強０」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に閉じられ、
前記「強１」および前記「強０」はいずれも閾値レベルを超していることを特徴とする、請求項７に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項９】
前記スイッチは、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで開かれ、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで閉じられ、
前記弱い電圧状態は前記強い電圧状態より強くないことを特徴とする、請求項８に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１０】
前記接続部はそれぞれ、ある状態から別の状態に切り替わることができる双安定性分子を含むことを特徴とする、請求項７に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１１】
前記双安定性分子は、電気化学的反応を用いて、酸化された状態と還元された状態との間で切り替わることができることを特徴とする、請求項１０に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１２】
前記双安定性分子は、ロタキサン、擬似ロタキサン、カテナンおよびスピロピランからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１１に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１３】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の３つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号ワイヤが論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、同時に、前記信号ワイヤが論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じるステップと、
（ｃ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項７に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１４】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の４つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号ワイヤが論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、前記第２のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第２のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｃ）前記信号ワイヤが論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じ、前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第１のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｄ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項７に記載のロジックアレイ内のナノワイヤ上に論理値をラッチするための方法。
【請求項１５】
ナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法であって、
（ａ）２つの制御ワイヤと、前記２つの制御ワイヤを０°以外の角度で横切り、それにより前記各制御ワイヤとの接合部を形成する１つの信号ワイヤとを含む分子クロスバーラッチを配設することであって、
前記各接合部は１つのスイッチを形成し、前記各接合部はナノメートル単位の機能寸法を有し、
前記信号ワイヤは、０状態から１状態までの範囲にある、少なくとも２つの異なる電圧状態を選択的に有し、
１つの接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを開くか、あるいは閉じることができるように、一方、他の接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを閉じるか、あるいは開くことができるように、１つの接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向と、他の接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向とが非対称であり、
開いたスイッチと閉じたスイッチとの間で切り替わるための電圧閾値が存在する、分子クロスバーラッチを配設すること、
（ｂ）前記２つの制御ワイヤに複数の電圧のシーケンスを印加することにより前記信号をラッチすることであって、その結果として、
前記信号ワイヤが論理１を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが開き、かつ前記第２のスイッチが閉じるか、あるいは
前記信号ワイヤが論理０を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが閉じ、かつ前記第２のスイッチが開くように、
前記２つの接合部からなる前記スイッチが設定される、信号をラッチすること、および
（ｃ）前記第１の制御ワイヤ上に論理０を表す電圧を設定し、前記第２の制御ワイヤ上に論理１を表す電圧を設定すること、
を含むことを特徴とする、ナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項１６】
前記スイッチは、「強１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に開かれ、「強０」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に閉じられ、前記「強１」および前記「強０」はいずれも閾値レベルを超していることを特徴とする、請求項１５に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項１７】
前記スイッチは、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで開かれ、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで閉じられ、前記弱い電圧状態は前記強い電圧状態より強くないことを特徴とする、請求項１６に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項１８】
前記接続部はそれぞれ、ある状態から別の状態に切り替わることができる双安定性分子を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項１９】
前記双安定性分子は、電気化学的反応を用いて、酸化された状態と還元された状態との間で切り替わることができることを特徴とする、請求項１８に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項２０】
前記双安定性分子は、ロタキサン、擬似ロタキサン、カテナンおよびスピロピランからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１９に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項２１】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の３つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号線が論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、同時に、前記信号線が論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じるステップと、
（ｃ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項１５に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項２２】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の４つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号ワイヤが論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、前記第２のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第２のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｃ）前記信号ワイヤが論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じ、前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第１のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｄ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項１５に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の減衰した電圧値をその完全な値に復元するための方法。
【請求項２３】
ナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法であって、
（ａ）２つの制御ワイヤと、前記２つの制御ワイヤを０°以外の角度で横切り、それにより前記各制御ワイヤとの接合部を形成する１つの信号ワイヤとを含む分子クロスバーラッチを配設することであって、
前記各接合部は１つのスイッチを形成し、前記各接合部はナノメートル単位の機能寸法を有し、
前記信号ワイヤは、０状態から１状態までの範囲にある、少なくとも２つの異なる電圧状態を選択的に有し、
１つの接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを開くか、あるいは閉じることができるように、一方、他の接合部を通って、前記信号ワイヤに流れ込む電流あるいは前記信号ワイヤから流れ出る電流がそれぞれ前記スイッチを閉じるか、あるいは開くことができるように、１つの接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向と、他の接合部を通って前記信号ワイヤから流れる電流の方向とが非対称であり、
開いたスイッチと閉じたスイッチとの間で切り替わるための電圧閾値が存在する、分子クロスバーラッチを配設すること、
（ｂ）前記２つの制御ワイヤに複数の電圧のシーケンスを印加することにより前記信号をラッチすることであって、その結果として、前記信号ワイヤが論理１を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが開き、かつ前記第２のスイッチが閉じるか、あるいは前記信号ワイヤが論理０を表す電圧を有する場合に、前記第１のスイッチが閉じ、かつ前記第２のスイッチが開くように、前記２つの接合部からなる前記スイッチが設定される、信号をラッチすること、および
（ｃ）前記第１の制御ワイヤ上に論理１を表す電圧を設定し、前記第２の制御ワイヤ上に論理０を表す電圧を設定すること、
を含むことを特徴とする、ナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２４】
前記スイッチは、「強１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に開かれ、「強０」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって無条件に閉じられ、前記「強１」および前記「強０」はいずれも閾値レベルを超していることを特徴とする、請求項２３に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２５】
前記スイッチは、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで開かれ、「弱１」で示される前記信号ワイヤ上の電圧状態によって条件付きで閉じられ、前記弱い電圧状態は前記強い電圧状態より強くないことを特徴とする、請求項２４に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２６】
前記接続部はそれぞれ、ある状態から別の状態に切り替わることができる双安定性分子を含むことを特徴とする、請求項２３に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２７】
前記双安定性分子は、電気化学的反応を用いて、酸化された状態と還元された状態との間で切り替わることができることを特徴とする、請求項２６に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２８】
前記双安定性分子は、ロタキサン、擬似ロタキサン、カテナンおよびスピロピランからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項２７に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項２９】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の３つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号ワイヤが論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、同時に、前記信号ワイヤが論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じるステップと、
（ｃ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項２３に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【請求項３０】
前記複数の電圧のシーケンスは、以下の４つのステップ：
（ａ）前記スイッチを両方とも無条件で開くステップと、
（ｂ）前記信号ワイヤが論理１を有する場合に前記第１のスイッチを条件付きで閉じ、前記第２のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第２のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｃ）前記信号ワイヤが論理０を有する場合に前記第２のスイッチを条件付きで閉じ、前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤ上に、前記第１のスイッチの状態を変更するには不十分である電圧を印加することにより、前記状態を変更されないままにするステップと、
（ｄ）前記第１のスイッチに関連する前記制御ワイヤを論理０電圧レベルに接続し、同時に、前記第２のスイッチに関連する前記第２の制御ワイヤを論理１電圧レベルに接続するステップと、
を有することを特徴とする、請求項２３に記載のナノスケールスイッチにおいて信号の論理値を反転するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ナノコンピューティングは、機能寸法（１つあるいは複数）がナノメートルスケールであるスイッチを前提としている。ナノスケールスイッチを実施する際に用いられる技術の例が、全て本特許出願と同じ譲受人に譲渡される、James R. Heath等の名義で1999年3月29日に出願された「Chemically Synthesized and Assembled Electronic Devices」という名称の特許出願第０９／２９２，７６７号、Philip J. Kuekes等の名義で１９９９年３月２９日に出願された「Molecular Wire Crossbar Interconnect」という名称の特許出願第０９／２８２，０４５号、Philip J. Kuekes等の名義で１９９９年３月２９日に出願された「Molecular Wire Crossbar Logic (MWCL)」という名称の特許出願第０９／２８０，０４５号、２０００年１０月３日にPhilip J. Kuekes等に付与された「Molecular Wire Crossbar Memory」という名称の米国特許第６，１２８，２１４号、２００１年７月３日にPhilip J. Kuekes等に付与された「Demultiplexer for a Molecular Wire Crossbar Network」という名称の米国特許第６，２５６，７６７号に開示され、特許請求されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、２つの制御ワイヤと、２つの制御ワイヤを０°以外の角度で横切り、それにより各制御ワイヤと接合部を形成する１つの信号ワイヤとを含む分子クロスバーラッチが提供される。各接合部はスイッチを形成し、その接合部はナノメートル単位の機能寸法を有する。信号ワイヤは、０状態から１状態までの範囲にある、少なくとも２つの異なる電圧状態を選択的に有し、１つの接合部を通って信号ワイヤに流れ込む（あるいは信号ワイヤから流れ出る）電流が第１のスイッチを開く（あるいは閉じる）ことができるように、一方、他の接合部を通って信号ワイヤに流れ込む（あるいは信号ワイヤから流れ出る）電流が他方のスイッチを閉じる（あるいは開く）ことができるように、１つの接合部を通って信号ワイヤから流れる電流の方向と、他の接合部を通って信号ワイヤから流れる電流の方向とが非対称であり、開いたスイッチと閉じたスイッチとの間で切り替わるための電圧閾値が存在する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
非対称なスイッチ１２８、２２８の機能が図５Ａおよび図５Ｂに示される。スイッチを開く（閉じる）機能は、スイッチにかかる電圧が閾値よりも高くなることと、矢印３４によって示される電流の方向とに依存する。電圧が閾値よりも低い場合には、スイッチはその状態を変更しないであろう。電圧が閾値よりも高い場合には、電流がある方向に流れるときにスイッチが開き、電流が逆の方向に流れるときにスイッチは閉じるであろう。電流の方向（高い電圧から低い電圧へ）を非対称なスイッチの物理的な方向に関連付ける取り決めが図５Ａおよび図５Ｂに示される。図５Ａでは、電流３４の方向は非対称なスイッチ１２８と同じ方向になる。電圧が閾値よりも高い場合には、これによりスイッチ１２８は開くようになるであろう。逆に、図５Ｂでは、電流３４の方向は非対称なスイッチ２２８と逆の方向になる。電圧が閾値よりも高い場合には、これによりスイッチ２２８は閉じるようになるであろう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図６はラッチ１００の動作を理解するために必要とされるシステム内の電圧レベルを示す。図示されるエネルギーレベルは、信号線３２と制御線３０との間の電圧の差に基づく。最も高い正の電圧はスイッチ２８を開くであろう。その下にあるのは、論理１の初期値である強１と、論理１が劣化するのが許される最も低い値である弱１である。これに対応して、弱０、強０およびスイッチ２８を閉じることになる最も高い負の電圧が存在する。これらの電圧の相対的な順序によってラッチ１００が機能することができるようになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
スイッチが非対称なトンネル接合を形成するので、ラッチ１００が機能する。非対称な分子スイッチ接合部は、条件付き（ラッチ）パルスあるいは無条件パルスのいずれかで切り替えられることができる。素子内をある方向に流れる電流３４の方向は「正味の酸化」であると見なされるのに対して、逆の方向では、「正味の還元」であると見なされる。図５Ａおよび図５Ｂを参照されたい。分子接合部は、本明細書において「ＶＭ」と呼ばれる、閉じるための急峻で、解析的な酸化切替え電圧によって特徴付けられる。全てのスイッチは、計算を始める前には、無条件に開かれる。論理出力ワイヤは、それぞれ１あるいは０のいずれかを表す、可変信号ＶＳ１あるいはＶＳ０を有する。図４を参照すると、信号ワイヤ１３２上および制御線１３０、２３０上には、ある電圧±Ｖｃｏｎｄが設定されることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６Ａ、図６Ｂおよび図７は、名称を付けられた電圧レベル（閉、強０、弱０、弱１、強１および開）およびグランドレベルを示す。その順序は名称を付けられた電圧レベルに関しては不可欠であるが、グランドレベルは相対的であり、これらの図面内のその配置は例示にすぎず、それにより本発明を限定するつもりがないことは当業者には理解されよう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図８Ｂに示されるように、ステップ２は両方のスイッチに対して同時に行われることができる。別法では、ステップ２は、図９Ａおよび図９Ｂに示されるように、２つの連続したサブステップにおいて行われることができ、スイッチ１２８が閉じられ、その後、スイッチ２２８が閉じられる。これは、スイッチ１２８を閉じることがワイヤ１３２上の論理値を乱すことがなく、それゆえ、偶然に２つのスイッチ１２８および２２８の両方が閉じることがないという利点を有する。具体的には、スイッチ１２８が条件付きで閉じられるとき、スイッチ２２８の状態を変更するには不十分な電圧を制御ワイヤ２３０上に印加することにより、スイッチ２２８の状態は変更されないままに維持される（図９Ａ）。さらに、スイッチ２２８が条件付きで閉じられるとき、スイッチ１２８の状態を変更するには不十分な電圧を制御ワイヤ１３０上に印加することにより、スイッチ１２８の状態は変更されないままに維持される（図９Ｂ）。こうして、スイッチ２２８は第１のサブステップ中に、その状態を変更することはなく、スイッチ１２８は、スイッチ２２８が閉じているか否かにかかわらず、第２のサブステップ中にその状態を変更することがないであろう。