【事件の表示】
　特願２００４−３７３８５９「光感知パネル、及びこれを有する液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２１日出願公開、特開２００５−１９６１７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１６年１２月２４日（パリ条約による優先権主張　２００３年１２月２６日　韓国）に特許出願したものであって、平成２３年１月５日に手続補正がなされ、同年３月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２３年７月２２日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
　
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「一定レベルでスウィングするスキャン信号を伝達するスキャンラインと、
　バイアス電圧が印加される電源ラインと、
　光感知信号を伝達する読み出しラインと、
　制御電極が前記スキャンラインに接続され、第１電流電極が前記電源ラインに接続され、第２電流電極が前記読み出しラインに接続され、外部光の入射によって前記スキャン信号とバイアス電圧に基づいて前記光感知信号を前記読み出しラインに出力する光感知素子と、を含み、前記スキャン信号は、−７．５Ｖ〜５Ｖの間を反復する電圧であることを特徴とする光感知パネル。」を、
「一定レベルでスウィングするスキャン信号を伝達するスキャンラインと、
　バイアス電圧が印加される電源ラインと、
　光感知信号を伝達する読み出しラインと、
　制御電極が前記スキャンラインに接続され、第１電流電極が前記電源ラインに接続され、第２電流電極が前記読み出しラインに接続され、外部光の入射によって前記スキャン信号とバイアス電圧に基づいて前記光感知信号を前記読み出しラインに出力する光感知素子と、を有し、
　前記スキャン信号は、−７．５Ｖ〜５Ｖの間を反復する電圧であり、
　前記光感知素子は、一つの薄膜トランジスタから構成されて、スキャン駆動部、電源供給部、及び読み出し駆動部と電気的に連結し、
　（ｐ＋１）番目の前記読み出しラインに接続された前記光感知素子に光が印加された場合、ｑ番目の前記スキャンラインを非アクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオフされハイ・インピーダンス状態になり、（ｑ＋１）番目の前記スキャンラインをアクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオンされロー・インピーダンス状態になり、前記読み出し駆動部は、前記読み出しラインで感知するインピーダンス値に基づいて、いかなる画素に対応して光が感知されるかを検出することを特徴とする光感知パネル。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１の「光感知素子」に関して「一つの薄膜トランジスタから構成されて、スキャン駆動部、電源供給部、及び読み出し駆動部と電気的に連結し、（ｐ＋１）番目の前記読み出しラインに接続された前記光感知素子に光が印加された場合、ｑ番目の前記スキャンラインを非アクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオフされハイ・インピーダンス状態になり、（ｑ＋１）番目の前記スキャンラインをアクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオンされロー・インピーダンス状態になり、前記読み出し駆動部は、前記読み出しラインで感知するインピーダンス値に基づいて、いかなる画素に対応して光が感知されるかを検出する」との限定を付加するものであるから、上記（１）の本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。
ア　本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載及び引用発明
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された特開昭５６−８５７９２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下ａないしｌの記載がある。
　
ａ　「（１）少なくとも電極を有する二枚の基板で挟持された液晶層と該電極を通じて印加される駆動信号により制御される複数の表示要素と該駆動信号を供給する駆動手段と前記基板上に設けられたスイッチング素子と光感応素子と該光感応素子の特性の変化を読み出す手段とを有する液晶表示装置。
（２）光感応素子はマトリクス状に配置してなる特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。・・・
（６）光感応素子は整流性素子よりなる事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。・・・
（９）光感応素子の特性変化はマトリクスの行電極及び桁電極を通じて読み出されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「又、後述の実施例で詳述する様に本発明では表示要素駆動用の配線及び周辺回路と、光感応素子特性の変化読み出し用の配線及び周辺回路の一部又はほとんどとを兼用する事が可能であり従来例の第４の問題点であった配線及び周辺回路の複雑さも大巾に改善される。」（３頁左下欄１５〜２０行）
　
ｃ　「第１図は本実施例の表示パネルの説明図である。表示パネルはツイスト配向した液晶層３が２枚の電極を有する基板１、２により挾持され、基板の両外側に偏光板４、５が設けられるＴＮ方式の基本構成をとつている。基板１上には電極層６が形成され、もう一方の基板上には電極及びスイツチング素子、光感応素子による層７が形成されている。
  第２図は表示パネルの各要素の等価回路である。Xi（ｉ＝１〜ｎ）は表示信号が供給される列電極、Yj（ｊ＝１〜ｍ）は時分割信号が供給される行電極、Sij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）はスイツチング素子、Zij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）は表示要素の表示用電極aijと対向基板上の電極ｅにより挾まれた液晶インピーダンス、Cij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）は必要に応じて設けられる付加容量、Pijは光感応素子である。列電極Xi、行電極Yj、表示用電極aij等の電極と、スイツチング素子Sij、光感応素子Pijは同一基板上に形成され、第１図で言うと基板２上の層７に対応する。対向基板上の電極ｅは第１図基板１上の電極層６に対応する。
  スイツチング素子Sijは行電極Yjの一部で構成されるゲートgijの電位により、列電極Xiに接続するソースsijと表示用電極aijに接続するドレインdijの間のコンダクタンスを制御する機能を有する。光感応素子Pijは光照射によりコンダクタンスが変化する特性を有する。
  本実施例の特徴はスイツチング素子Sijを介して表示要素を制御する為の駆動信号が印加される電極、即ち行電極Yjと列電極Xiが、光感応素子Pijの特性変化を読み出す際の読み出し電極と兼用して用いられている点にある。」（４頁左上欄１７行〜左下欄８行）
　
ｄ　「１２は表示要素を駆動する際及び光感応素子特性の変化を読み出す際の行選択信号を表示パネル１０の行電極Yjに供給する回路でクロツク回路１３からの信号を基準とするシフトレジスタやモード選択スイツチ等からなる行電極ドライバである。１１は表示要素を駆動する際に情報処理回路１４から送られる情報に応じた表示信号を表示パネル部１０の列電極Xiに供給する回路で、クロツク回路１３からの信号を基準とするシフトレジスタやサンプル・ホールド回路、ライン・スイツチ、アンプ等と、光感応素子特性の変化を読み出すためのライン・スイツチ、電圧検出部、シフト・レジスタ等からなる列電極ドライバである。情報処理回路１４から列電極ドライバ１１には前述の表示情報及びモード選択信号等が送られ、逆方向には光入力信号が送られる。情報処理回路１４から行電極ドライバ１１にはモード選択信号が送られる。」（４頁左下欄１３行〜右下欄１０行）
　
ｅ　「検出フレイムT2に於いても行電極Yjには時分割された選択信号が第４図の様に供給される。この場合選択信号Ｌは低インピーダンスで接続された電位レベルであり、非選択信号Ｆは適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態を意味する。この時列電極の状態２２は読み出し動作モードになつている。光入力時には光感応素子のコンダクタンスは増大し、対応する行及び列電極の交点は短絡状態となる。よつてXi電極の各小区間tj（ｊ＝１〜ｍ）における電位がＬであるかＦであるかを検出する事により入力信号の入つた光感応素子を識別する事が可能である。」（５頁左上欄１２行〜右上欄４行）
　第４図は、次のとおりである。
　
ｆ　「検出フレイムT2に於いてはライン・スイツチSW2が導通状態となりアンドゲートVDには選択状態にある行電極電位Ｌと第５図の電位ｖを抵抗γと光感応素子のインピーダンスで分圧した電位が印加され、アンドゲートVDのスレツシヨールド・レベルにより光感応素子インピーダンスの変化が判別される。」（５頁右下欄１２〜１８行）
　
ｇ　「光感応素子Ｐは本例では逆接続されたPN接合による一種のホト・トランジスタ構造を採用した。即ち、Ｘ電極とＹ電極の各交点に対応する部分に、PNPあるいはNPN構造を形成した。光は少なくともいずれかのPN接合部に照射されるべく配置すれば良く極めて良好な光によるスイツチング特性を示す。PNPあるいはNPN構造は積層構造でも平面構造でも良い。本例では第８図の如く平面的構造を採用した。」（６頁右上欄１１〜１９行）
　
ｈ　「第９図（ｃ）のパタンでｓ，ｄはスイツチング素子のソース、ドレイン部、５１，５３は光感応素子のＸ、Ｙ電極接触部を形成する。」（７頁左上欄１２〜１４行）
　
ｉ　「（実施例ＩＶ）
  第１２図に実施例ＩＶに於ける表示パネル上の単位要素の等価回路を示す。本実施例の特徴はスイツチング素子用および光感応素子用にそれぞれ専用の行列電極Y*、X*を設けている点にある。本実施例では前述の実施例Ｉ、II、IIIの如く基本フレイムを表示、検出両フレイムに分割する必要はなく同時に独立に表示および検出のための駆動を行う事が出来る。又、実施例Ｉ、II、IIIと同様、表示モードでの光感応素子Ｐによる電流ロスや検出モードでの液晶インピーダンスＺのチヤージ変動は全くない。
（実施例Ｖ）
  第１３図に実施例Ｖに於ける表示パネル上の単位要素の等価回路を示す。本実施例の特徴は光感応素子制御用のスイツチング素子S*のゲートが列電極Xkに接続されている点にある。本例では表示フレイムT1では第４図の例に準じて表示信号を印加する。検出フレイムT2では行電極Ylのすべてにスイツチング素子ＳをOFFする電位を接続し、列電極Xkも順次、時分割してスイツチング素子S*をONする電位を印加し、各行電極Ylを流れる電流を検出する。表示フレイムT1で液晶層を駆動する為に列電極Xkに供給する電位がスイツチング素子S*をONしない範囲にあれば、実施例II、III、IVと同様表示フレイムに於ける光感応素子を通して流れる漏洩電流による電力損失は防止する事が出来る。又検出フレイムでは上述の如くスイツチング素子ＳはすべてOFFとなり液晶に印加される電位の変動は小さい。
  本実施例でスイツチング素子S*のゲート制御用に独立した列電極X*kを設けてもよい。」（８頁右上欄１５行〜右下欄５行）
　第１２図及び第１３図は、次のとおりである。
　
ｊ　「又、実施例Ｉでは２つのPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタを光感応素子として用いたが、実施例の如くPN接合を用いない光感応素子を用いても良く、又、単一のPN接合によるホトダイオードを用いても良い。第２、１０、１１、１２、１３図の光感応素子Ｐは以上の例の様な光によりコンダクタンスの変化する素子ならいずれの素子でも用いる事が出来る。」（９頁左下欄７〜１４行）
　
ｋ　上記ｉの記載を踏まえて第１２図及び第１３図をみると、ｉの記載における実施例ＩＶとしての記載中の「第１２図」及び実施例Ｖとしての記載中の「第１３図」は、図面としての第１２図及び第１３図と対応関係が逆（誤記）であることが理解できる。
　したがって、上記ｉの記載のうち実施例ＩＶの記載、及び、上記ｃ、ｊの記載を踏まえて第１３図をみると、光感応素子用に専用の行列電極Y*、X*を設け、光感応素子Ｐ（Pij）が列電極X*kと行電極Y*ｌに接続されているPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタ構造であることがみてとれる。
　そうすると、実施例ＩＶの記載に基づくと、上記ｃ、ｅ、ｄの記載における、光感応素子Pijには、列電極Xi及び行電極Yjに代わって、列電極X*k及び行電極Y*ｌが接続される、光感応素子Pijが列電極X*kと行電極Y*ｌに接続されるPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタ構造であると認められる。
　
ｌ　上記ｅ及びｋの記載を踏まえて第４図をみると、入力信号の入つた光感応素子を識別する検出フレイムT2において、列電極X*kにおける小区間t'ｌのタイミングでは、行電極Y*ｌに時分割された低インピーダンスで接続された電位レベルである選択信号Ｌが印加され、行電極（Y*ｌ-1及びY*ｌ+1を含む）Y*ｌ以外は適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態を意味する非選択信号Ｆとなっていることがみてとれる。
　
　上記（ア）ａないしｌによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも電極を有する二枚の基板で挟持された液晶層と該電極を通じて印加される駆動信号により制御される複数の表示要素と該駆動信号を供給する駆動手段と前記基板上に設けられたスイッチング素子と光感応素子と該光感応素子の特性の変化を読み出す手段とを有し、
　光感応素子はマトリクス状に配置してなり、
　光感応素子は整流性素子よりなり、
　光感応素子の特性変化はマトリクスの行電極及び列電極を通じて読み出される液晶表示素子であって
　表示パネルは、表示信号が供給される列電極Xi（ｉ＝１〜ｎ）、時分割信号が供給される行電極Yj（ｊ＝１〜ｍ）、表示要素の表示用電極aij、及び、光感応素子Pijが同一基板上に形成され、光感応素子PijのX*、Y*電極接触部を形成し、
　光感応素子Pijは光照射によりコンダクタンスが変化する特性を有し、
　光感応素子Pijが列電極X*kと行電極Y*ｌに接続されるPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタ構造であり、
　光感応素子特性の変化を読み出す際の行選択信号を表示パネル部の行電極Y*ｌに供給する回路でクロツク回路からの信号を基準とするシフトレジスタやモード選択スイツチ等からなる行電極ドライバと、
　表示要素を駆動する際に情報処理回路から送られる情報に応じた表示信号を表示パネル部の列電極Xiに供給する回路で、クロツク回路からの信号を基準とするシフトレジスタやサンプル・ホールド回路、ライン・スイツチ、アンプ等と、光感応素子特性の変化を（列電極X*kを介して）読み出すためのライン・スイツチ、電圧検出部、シフト・レジスタ等からなる列電極ドライバとからなり、
　情報処理回路から列電極ドライバには前述の表示情報及びモード選択信号等が送られ、逆方向には光入力信号が送られ、情報処理回路から行電極ドライバにはモード選択信号が送られ、
　検出フレイムT2において、行電極Y*ｌに時分割された低インピーダンスで接続された電位レベルである選択信号Ｌが印加され、行電極（Y*ｌ-1及びY*ｌ+1を含む）Y*ｌ以外は適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態を意味する非選択信号Ｆとなるものであって、光入力時には光感応素子のコンダクタンスは増大し、対応する行及び列電極の交点は短絡状態となることで、列電極X*kの各小区間tｌ（ｌ＝１〜ｍ）における電位がＬであるかＦであるかを検出する事により入力信号の入つた光感応素子を識別する事が可能であり、
　検出フレイムT2においては光感応素子インピーダンスの変化が判別される液晶表示素子。」
　
（イ）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された特開平２−１６７７７号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下ａないしｅの記載がある。
　
ａ　「（１）ゲート電極とソース電極間、及び／またはゲート電極とドレイン電極間にオフセット部を有した薄膜トランジスタを基板上に形成し、上記薄膜トランジスタに照射される光の量に対応した上記オフセット部の抵抗変化を利用して光量を検出することを特徴とする半導体光検出装置。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「半導体光検出装置、特にこの半導体光検出装置をアレイ状に集積化してマルチプレックス動作を行うものでは、薄膜トランジスタと光導電性を有する薄膜抵抗とを光検出装置の１単位として、これを同一基板上に形成したものが従来より用いられている。」（１頁左欄１９行〜右欄４行）
　
ｃ　「［発明が解決しようとする課題〕
　上記従来の半導体光検出装置では、薄膜トランジスタ２１と薄膜抵抗２２との２素子により光検出装置の１単位を構成しているため、集積化を行う場合、上記光検出装置の１単位が広い面積を必要とし、これが生産コストの増加をもたらしていた。
　本発明は上記従来の課題に対してなされたものであり、広い面積を必要としないで集積化を行うことができる半導体光検出装置を提供することを目的としている。」（１頁右欄１７行〜２頁左上欄７行）
　
ｄ　「本例は、上記オフセット部５に照射される上記光６の光量変化をオフセット部の半導体層８の抵抗変化に変換し、この抵抗変化を例えば薄膜トランジスタに流れる電流変化として検出するものである。
　本例では、光検出装置の１単位が上記オフセット部５を有した薄膜トランジスタのみで構成できるため、上記光検出装置の１単位の占有面積を少なくすることができる。」（２頁右上欄１４行〜左下欄２行）
　
ｅ　「同図（ａ）は光を薄膜トランジスタのゲート電極側、即ち第１図では基板１の裏面側から照射したときの静特性、同図（ｂ）は光を薄膜トランジスタのゲート電極と反対側から照射したときの静特性を示したものであり、横軸はゲート電圧Ｖｇ、縦軸はドレイン電流Ｉｄで、ドレイン電圧Ｖｄを一定としたものである。
　同図（ｃ）は測定回路であり、オフセット部５ａをゲート電極２とソース電極３の間に形成している。」（２頁右下欄１２行〜３頁左上欄１行）
　
ウ　対比
（ア）本願補正発明と引用発明を比較すると、
　引用発明の「光感応素子」及び「液晶表示素子」は、本願補正発明の「光感知素子」及び「光感知パネル」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明は「検出フレイムT2において、行電極Y*ｌに時分割された低インピーダンスで接続された電位レベルである選択信号Ｌが印加され、行電極（Y*ｌ-1及びY*ｌ+1を含む）Y*ｌ以外は適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態を意味する非選択信号Ｆとなるものであ」るから、「選択信号Ｌ」が印加される「行電極Y*ｌ」は本願補正発明の「スキャン信号」を伝達する「スキャンライン」に相当し、「各小区間tｌ（ｌ＝１〜ｍ）における電位がＬであるかＦであるか」を検出する「列電極X*k」は本願補正発明の「光感知信号」を伝達する「読み出しライン」に相当する。
　また、引用発明の「選択信号Ｌ」及び「非選択信号Ｆ」は、「低インピーダンスで接続された電位レベル」及び「適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態」の間で変動するから、本願補正発明の「一定レベルでスウィング」する「スキャン信号」に相当する。
　
（ウ）引用発明は上記（イ）で検討したように、選択信号Ｌが供給される「行電極Y*ｌ」は本願補正発明のスキャン信号を伝達する「スキャンライン」に相当し、各小区間tl（ｌ＝１〜ｍ）における電位がＬであるかＦであるかを検出する「列電極X*k」は本願補正発明の光感知信号を伝達する「読み出しライン」に相当し、「光感応素子のＸ*、Ｙ*電極接触部を形成」するものであることに照らして、引用発明の光感応素子Pijの「光感応素子のＸ*電極接触部」は本願補正発明の「制御電極」に相当し、引用発明の光感応素子Pijの「光感応素子のＹ*電極接触部」は本願補正発明の「第２電流電極」に相当するから、引用発明は本願補正発明の光感知素子の「制御電極」が「スキャンライン」に接続され、「第２電流電極」が「読み出しライン」に接続される構成を備える。
　また、引用発明の光感応素子Pijは、光照射により「コンダクタンスが変化する特性」を有し、スキャン信号である「選択信号Ｌ」が供給されると、光感応素子Pijの「特性変化」を読み出し光感知（電位がＬであるかＦであるかの）信号を読み出しラインである列電極X*kで検出するから、引用発明は本願補正発明の、外部光の入射によって「スキャン信号」に基づいて「光感知信号」を読み出しラインに出力する光感知素子の構成を備える。
　
（エ）引用発明は、「光感応素子特性の変化を読み出す際の行選択信号を表示パネル部の行電極Y*ｌに供給する回路・・・等からなる行電極ドライバと、・・・表示信号を表示パネル部の列電極X*kに供給する回路で、・・・光感応素子特性の変化を読み出すためのライン・スイツチ、電圧検出部、シフト・レジスタ等からなる列電極ドライバとからな」るから、引用発明の光感応素子は「行電極ドライバ」と「列電極ドライバ」に接続されていると認められる。
　そうすると、「行電極ドライバ」は「光感応素子特性の変化を読み出す際の行選択信号を表示パネル部の行電極Y*ｌに供給する」ものであるから本願補正発明の「スキャン駆動部」に相当し、「列電極ドライバ」は「光感応素子特性の変化を読み出すためのライン・スイツチ、電圧検出部、シフト・レジスタ等からなる」ものであるから本願補正発明の「読み出し駆動部」に相当する。
　したがって、引用発明は本願補正発明の光感知素子が「スキャン駆動部」及び「読み出し駆動部」と電気的に連結する構成を備える。
　
　以上によれば両者は、
「一定レベルでスウィングするスキャン信号を伝達するスキャンラインと、
　光感知信号を伝達する読み出しラインと、
　制御電極が前記スキャンラインに接続され、第２電流電極が前記読み出しラインに接続され、外部光の入射によって前記スキャン信号に基づいて前記光感知信号を前記読み出しラインに出力する光感知素子と、を有し、
　前記光感知素子は、スキャン駆動部及び読み出し駆動部と電気的に連結する光感知パネル。」
である点で一致し、
　
ａ　本願補正発明の光感知素子は、「一つの薄膜トランジスタから構成され」たものであって、「バイアス電圧が印加される電源ライン」を有し、「第１電流電極が前記電源ラインに接続され」、「外部光の入射によって前記スキャン信号とバイアス電圧に基づいて前記光感知信号を前記読み出しラインに出力する」とともに、「スキャン駆動部、電源供給部及び読み出し駆動部と電気的に連結し」たものであるのに対して、引用発明の光感応素子は「逆接続されたPN接合による一種のホト・トランジスタ構造」であって、バイアス電圧を用いないため、「バイアス電圧が印加される電源ライン」がなく、「第１電流電極が前記電源ラインに接続され」ておらず、「外部光の入射によって前記スキャン信号とバイアス電圧に基づいて前記光感知信号を前記読み出しラインに出力」しておらず、「スキャン駆動部、電源供給部及び読み出し駆動部と電気的に連結し」たものではない点（以下「相違点１」という。）、
　
ｂ　本願補正発明は、「スキャン信号は、−７．５Ｖ〜５Ｖの間を反復する電圧であ」るのに対して、引用発明の「選択信号」はこのような電圧で反復するか明らかではない点（以下「相違点２」という。）、及び、
　
ｃ　本願補正発明は、「（ｐ＋１）番目の前記読み出しラインに接続された前記光感知素子に光が印加された場合、ｑ番目の前記スキャンラインを非アクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオフされハイ・インピーダンス状態になり、（ｑ＋１）番目の前記スキャンラインをアクティブにさせる前記スキャン信号が前記光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオンされロー・インピーダンス状態になり、前記読み出し駆動部は、前記読み出しラインで感知するインピーダンス値に基づいて、いかなる画素に対応して光が感知されるかを検出する」のに対して引用発明はこのような検出であるか明らかではない点（以下「相違点３」という。）、
で相違するものと認められる。
　
エ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。
　引用発明は、列電極X*kと行電極Y*ｌに接続されるPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタ構造の光感応素子を用いるものであるところ、引用文献２には、「薄膜トランジスタ２１と薄膜抵抗２２との２素子により光検出装置の１単位を構成しているため、集積化を行う場合、上記光検出装置の１単位が広い面積を必要とし、これが生産コストの増加をもたらしていた」（イ（イ）ｂ）従来の半導体光検出装置を、「光検出装置の１単位が上記オフセット部５を有した薄膜トランジスタのみで構成」（イ（イ）ｃ）するものであって、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極からなる３端子素子の薄膜トランジスタを用いるものが記載されている。
　そうすると、引用発明の列電極X*kと行電極Y*ｌに接続されるPN接合を逆接続した一種のホト・トランジスタ構造の光感応素子に代えて、引用文献２記載の１単位がオフセット部を有した３端子素子の薄膜トランジスタからなる光検出装置を適用することは、当業者が容易に想到できることである。
　しかるところ、引用文献２に記載されたような、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極からなる３端子素子の薄膜トランジスタを駆動するためにバイアス電圧が必要なことは優先日当時周知の事項であって、引用発明の一種のホト・トランジスタ構造に代えて、引用文献２に記載された薄膜トランジスタを適用するに際して、薄膜トランジスタにバイアス電圧を印加するために適宜の電源ラインを用いることは当業者において格別困難なこととはいえない。
　したがって、引用発明における一種のホト・トランジスタ構造に代えて、１単位がオフセット部を有した薄膜トランジスタのみで構成する引用文献２記載の構成とし、薄膜トランジスタの駆動に必要なバイアス電圧を印加する電源ラインを適宜用いることにより、上記相違点１に係る本願発明の特定事項となすことは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）上記相違点２について検討する。
　スキャン信号として反復する電圧を具体的に何Ｖとするかは、用いる光感応素子の特性などに応じて当業者が設計上適宜定め得る事項であり、これを−７．５Ｖ〜５Ｖとすることに格別の困難は認められないから、上記相違点２に係る本願発明の特定事項となすことは当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（ウ）上記相違点３について検討する。
　ある特定（ｐ＋１番目）ラインをスキャンして検知するに際して、「ｑ番目」のスキャンラインを非アクティブにし、「（ｑ＋１）番目」のスキャンラインをアクティブにするとの構成は、スキャンの全体的な構成が不明確であるが、あるラインについてスキャンライン電位として順次スキャンする構成を意味するものと解されるところ、引用発明も「検出フレイムT2において、行電極Y*ｌに時分割された低インピーダンスで接続された電位レベルである選択信号Ｌが印加され、行電極（Y*ｌ-1及びY*ｌ+1を含む）Y*ｌ以外は適当なインピーダンスで接続された一種のフロート状態を意味する非選択信号Ｆとなる」ものであって、ｌ−１番目及びｌ＋１番目の行電極（スキャンライン）を非選択信号Ｆとし、ｌ番目の行電極（スキャンライン）を選択信号Ｌとしており、順次スキャンする構成として同様のものであるから、上記相違点３は実質的な相違ではない。
　
　なお、請求人は、平成２３年７月２２日の審判請求書において、「本願発明は、光感知部を構成する１つの薄膜トランジスタのゲートに印加されるスキャン電圧を一定レベル、即ち、約−７．５Ｖ〜約５Ｖに制限することにより、逆電流経路を形成せず、構造を単純化させることができる。これにより、液晶表示装置のアレイ基板と単位画素領域に前記した光感知部を採用しても、単純化された構造を通じて光感知パネルを具現することができるので、開口率が低下することを防止することができる。という特徴を有するものであります。
　すなわち、本発明は、光感知素子が一つの薄膜トランジスタから構成されて、スキャン駆動部、電源供給部、及び読み出し駆動部と電気的に連結しているもので、
　（ｐ＋１）番目読み出しラインに接続された光感知素子に光が印加された場合、ｑ番目のスキャンラインを非アクティブにさせるスキャン信号が光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオフされハイ・インピーダンス状態になり、（ｑ＋１）番目スキャンラインをアクティブにさせるスキャン信号が光感知素子のゲートに印加されると、前記光感知素子は、ターンオンされロー・インピーダンス状態になり、読み出し駆動部では、同じ読み出しラインで感知するインピーダンス値に基づいて、いかなる画素に対応して光が感知されるかを検出できる、ものであります。これに対して引用文献１は光検知パネルについての、引用文献２には光感応素子アレイについての設計イメージが記載された概念的なものであり、本願は引用文献１、２から容易に想到できるものではありません。」と主張している。
　しかしながら、光感知素子を一つの薄膜トランジスタで構成することにより開口率の低下が防止できるという効果は引用文献２に記載された技術を引用発明に適用することにより当然奏される効果として当業者が予測し得たものである。また、インピーダンス値に基づいて光を感知する構成は、引用発明も同様であるから、請求人の上記主張は採用できない。
　
オ　まとめ
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
 　上記２の検討によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年１月５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　上記第２、２（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、引用文献１に記載された発明及び引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、２（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用文献１に記載された発明及び引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明し得るものである。
　
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。