【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １００ｎｍ未満の形状寸法を有する印刷配線態様の集積回路を製造するための投影リソグラフィー法であって、
遠紫外軟Ｘ線源を備えて、遠紫外軟Ｘ線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、
該照射サブシステムによって発生せしめられた前記遠紫外軟Ｘ線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供し、
前記遠紫外軟Ｘ線λによって照射されたときに投影されるマスクリソグラフィーパターンを形成するためにパターン化された、マスク・サブシステムの反射リソグラフィーマスクを提供し、
ここで、前記パターン化された反射マスクは、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハを含み、前記ガラスウエーハは、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する欠陥のない表面を有し、前記表面を覆う遠紫外軟Ｘ線λを反射し得る多層被膜を有し、前記多層被膜上に被せられたパターン化された遠紫外軟Ｘ線λ吸収テンプレートを有してなり、
投影サブシステムを提供し、
遠紫外軟Ｘ線λに感応するウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハを提供し、
前記投影サブシステムを用いて、前記パターン化された反射マスクから投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ表面に投影する、
各工程を含むことを特徴とする投影リソグラフィー方法。
【請求項２】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが混入異物を含んでいないガラスウエーハであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが塩素を含んでいないガラスウエーハであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、塩素については１０ｐｐｍ未満、アルカリ金属およびアルカリ土類金属については１０ｐｐｂ未満の不純物のレベルを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記ウエーハの熱膨脹係数の変化が１５ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、前記遠紫外軟Ｘ線λによって加熱され、前記パターン化された吸収テンプレートが前記ガラスウエーハの加熱に実質的に影響されない吸収テンプレートであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの欠陥のないウエーハ表面が仕上げ加工された平面状表面であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項８】  前記仕上げ加工された平面状表面が８０ｎｍよりも大きい寸法の印刷可能な欠陥を備えていない表面であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが前記遠紫外軟Ｘ線λによって動作温度にまで加熱され、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが前記動作温度において略ゼロを中心とする熱膨脹係数を有するようなＴｉドーパントレベルを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】  前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが１２００ｐｐｍ未満のＯＨを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】  前記反射リソグラフィーマスクが、最低リソグラフィー動作温度および最高リソグラフィー動作温度を有し、前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスは、最低リソグラフィー動作温度から最高リソグラフィー動作温度まで少なくとも百回反復された場合でも熱サイクルヒステリシスを生じないガラスであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  投影リソグラフィー印刷パターンの作成方法であって、
遠紫外軟Ｘ線源を備えた照射サブシステムを提供し、
マスク受容部材と、該マスク受容部材に受容された、Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハとを備えた反射マスクを含むマスク・サブシステムを提供し、ここで、前記ガラスマスクウエーハは、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を備えた反射多層被膜で覆われたエッチングされていないガラスマスクウエーハ表面を有し、
１μｍ以上の焦点深度と０．１以下の開口数ＮＡとを備えたカメラを含む投影サブシステムを提供し、
放射線感応印刷媒体を備えた放射線感応印刷サブシステムを提供し、
前記照射サブシステム、前記マスク・サブシステム、前記投影サブシステムおよび前記放射線感応印刷サブシステムを整合させ、遠紫外軟Ｘ線源からの遠紫外軟Ｘ線で前記反射マスクを照射し、該反射マスクが前記放射線を反射させて、前記投影サブシステムのカメラによって前記放射線感応印刷媒体上に投影される印刷パターンを形成する、
各工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】  反射マスクを含む前記マスク・サブシステムを提供する工程が、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するウエーハ表面を備えた反射マスクを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  前記投影リソグラフィーサブシステムの動作中に前記照射サブシステムによって照射されたときの前記反射マスクの動作温度を測定する工程をさらに含み、反射マスクを備えたマスク・サブシステムを提供する工程が、前記反射マスクの動作温度においてほぼゼロ中心とされた熱膨脹係数を有するＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスマスクウエーハを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】  遠紫外軟Ｘ線反射マスクの作成方法であって、
プリフォーム表面を備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、
前記プリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に仕上げ加工し、
該０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する仕上げられた平面状マスクウエーハ表面を反射多層被膜で覆って、遠紫外軟Ｘ線に対し少なくとも６５％の反射率を有する反射マスク表面を形成する、
各工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】  Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供する工程がさらに、高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供し、該高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を転化サイトに配送し、前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートを、混入異物を含まない均質なＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させ、該ガラスを、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームに成形する各工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供する工程が、塩素を含まない高純度Ｓｉを含む原料および塩素を含まない高純度Ｔｉを含む原料を提供し、該塩素を含まない原料を、塩素を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該スートを、塩素を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】  前記プリフォーム表面を平面状マスクウエーハ表面に仕上げる工程が、前記プリフォーム表面を研磨して約０．６ないし１．０ｎｍの範囲のＲａ表面粗さを有する第１の研磨されたプリフォーム面にし、該研磨されたプリフォーム面をさらに研磨して、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する前記平面状マスクウエーハ表面にする各工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１９】  エッチングされていない研磨された第１表面と反対側の研磨された平面状第２表面とを備えた混入異物を含まないＴｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスウエーハを含み、前記第１表面が、８０ｎｍよりも大きい寸法を有する印刷可能な表面欠陥を有さずかつ０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するものであって、前記ガラスウエーハが塩素を含んでいないガラスウエーハであることを特徴とする遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハ。
【請求項２０】  遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法であって、
第１のプリフォーム表面と第２のプリフォーム表面とを備えかつ混入異物を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供し、
前記第１のプリフォーム表面を、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する平面状マスクウエーハ表面に仕上げ加工する各工程を含むものであって、
前記Ｔｉをドープされた高純度ＳｉＯ２ ガラスプリフォームを提供する工程が、高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供し、該高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を転化サイトに配送し、前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートを、混入異物を含まない均質なＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させ、該ガラスを、ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスプリフォームに成形する各工程をさらに含むものであって、前記高純度Ｓｉを含む原料および高純度Ｔｉを含む原料を提供する工程が、塩素を含まない高純度Ｓｉを含む原料および塩素を含まない高純度Ｔｉを含む原料を提供し、該塩素を含まない原料を、塩素を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラススートに転化させ、該スートを、塩素を含まないＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスに固結させる各工程を含むことを特徴とする遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハ作成の方法。
【請求項２１】  混入異物を含まない結晶化されていないＴｉをドープされた遠紫外軟Ｘ線反射リソグラフィマスクウエーハであって、前記ＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハが、５ないし１０重量％のＴｉＯ２ を含み、アルカリ金属およびアルカリ土類金属については、含有量が１０ｐｐｂ以下であり、かつ２０℃において＋１０ｐｐｂから−１０ｐｐｂまでの範囲の熱膨脹係数を有し、熱膨張係数の分布が１５ｐｐｂ以下であり、
前記パターン化された反射マスクは、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有するＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスの欠陥のない表面を覆う遠紫外軟Ｘ線λを反射し得る多層被膜上に被せられたパターン化された吸収テンプレートを備えたＴｉをドープされたＳｉＯ２ ガラスウエーハを含み、反射多層膜を被せられたTiをドープされた欠陥のない前記ガラスウエーハ表面が、８０ｎｍより大きな欠陥を有しないことを特徴とするマスクウエーハ。
【請求項２２】  遠紫外軟Ｘ線反射マスクウエーハの作成方法であって、
５ないし１０重量％のＴｉＯ２ を含み、アルカリ金属およびアルカリ土類金属については、含有量が１０ｐｐｂ以下であって、かつ２０℃において＋１０ｐｐｂから−１０ｐｐｂまでの範囲の熱膨脹係数を有し、熱膨張係数の分布が１５ｐｐｂ以下であって、混入のないＴｉをドープされたガラスプリフォームであって、第１のプリフォーム表面を有するものを準備する工程、
前記第１のプリフォーム表面を平面状マスクウエーハ表面に仕上げる工程が、前記第１のプリフォーム表面を研磨して、第１の研磨されたプリフォーム表面であって、0.6ないし1.0ｎｍＲａ粗さを有するものにし、
さらに、前記研磨された表面を、コロイドシリカで研磨して、０．１５ｎｍ以下のＲａ粗さを有する欠陥のない平面マスクウエーハ表面にする工程を含むことを特徴とする方法。