【事件の表示】
　特願２００３−　１５３９６「ＳＯＩウエーハ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２４日出願公開、特開２００４−２６５９０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　  
　本願は、平成１５年１月２３日の出願であって、平成２１年２月１７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年３月２５日に審判が請求されたものである。 
　  
　  
第２　本願発明  
　請求項１〜３に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。  
　  
「【請求項１】　それぞれシリコン単結晶からなるベースウエーハとボンドウエーハとを、厚さが１０〜１００ｎｍの範囲にある酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ベースウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないものからなり、また前記ボンドウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、全面にわたってＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないものからなることを特徴とするＳＯＩウエーハ。」 　  
　 
第３　引用例の記載と引用発明  
１　引用例１とその記載内容  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−４４３９８号公報（以下「引用例１」という。）には、「張り合わせ基板およびその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。  
　  
（１）発明の属する技術分野等  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は
張り合わせ基板およびその製造方法
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シリコンウェーハにおけるデバイスの作製領域は、表層部の１０μｍ以下である。
ＳＯＩウェーハの場合、厚さが数１０μｍ〜数μｍの表層部にデバイスが造られる。このように活性層用ウェーハの結晶特性が重要になる。すなわち、このウェーハ表面は完全に無欠陥でなければならず、表層部としても均質かつ無欠陥であることが要求される。しかしながら、活性層用ウェーハもＣＺウェーハである。よって、ウェーハ内に酸素が過飽和状態で存在している。この過飽和な酸素が活性層用ウェーハに微小欠陥を生じさせている。微小欠陥により例えば酸化膜耐圧特性の劣化を招くという問題点が発生していた。
【０００４】そこで、発明者は、
電気的特性を劣化させるような微小欠陥（以下、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥という）が存在しないピュアシリコンウェーハに着目し、この発明を完成させた。ここで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥は、結晶の引き上げに起因する欠陥で、上記酸素誘起積層欠陥などのほか、赤外散乱欠陥、転位クラスタなどを含む。
【０００５】
【発明の目的】この発明は、
デバイスが作製される側のシリコンウェーハを無欠陥化させることで、ウェーハ表面の電気的特性を高めることができる張り合わせ基板およびその製造方法を提供することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は、
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを張り合わせた張り合わせ基板において、第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハのうち、少なくともデバイスが作製される側のシリコンウェーハを、ウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハとした張り合わせ基板である。張り合わせ基板としては、例えばＳＯＩ基板などが挙げられる。
【０００７】ピュアシリコンウェーハの作製方法としては、請求項３に記載した条件により単結晶シリコンインゴットを引き上げ、これを一般的な方法でウェーハ加工する方法などが挙げられる。ピュアシリコンウェーハの作製方法は、この請求項３に記載の条件に限定されない。
ピュアシリコンウェーハが採用されるウェーハは、基本的にデバイス作製側のウェーハである。ただし、これに限定されない。すなわち、ピュアシリコンウェーハは、第１のシリコンウェーハであっても、第２のシリコンウェーハであってもよく、両方のウェーハでもよい。
「【００１２】
【作用】この発明によれば、第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハのうち、少なくともデバイスが作製される側のウェーハをピュアシリコンウェーハとして、両ウェーハが張り合わされる。
このピュアシリコンウェーハは、すでにＣＺ法によるインゴット引き上げの際から、引き上げ速度および結晶内温度勾配の平均値を制御することにより、各種のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が排除されている。したがって、酸化膜耐圧などの電気的特性を高めることができる。
（２）発明の実施の形態 
「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、
この発明の実施例を図面を参照して説明する。なお、ここでは張り合わせ基板として張り合わせＳＯＩ基板を例にとる。図１は、この発明の一実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローチャートである。図１に示すように、あらかじめＣＺ法による単結晶シリコンインゴットの引き上げ工程において、その引き上げ速度およびその結晶内温度勾配の平均値を制御しながら単結晶シリコンインゴットを作製する。
「【００１６】引き上げ後の単結晶シリコンインゴットを結晶軸方向と平行に厚さ１．５ｍｍで切り出し、ＨＦおよびＨＮＯ３からなる混酸溶液中で加工歪を溶解除去し、さらに希ＨＦ溶液中に浸漬し、その後、超純水によりリンスし、乾燥させた。このサンプルを８００℃で４時間、１０００℃で１６時間、乾燥酸素中で熱処理を行った後、Ｘ線トポグラフにより欠陥の発生分布を調べた。欠陥の分布を、図２の結晶軸を含む平面における欠陥分布の模式図に示す。なお、図２中、０〜７００ｍｍの線は、単結晶シリコンインゴットの肩からの長さを示し、これは結晶引き上げ量に対応している。この結果、
単結晶シリコンインゴットのトップ部からテイル部にかけての全長の約１／２の長さの範囲において、酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦリング）、赤外散乱欠陥、転位クラスタといった欠陥の発生は見られなかった。
【００１７】
その後、この得られた単結晶シリコンインゴットを、ブロック切断、スライス、面取り、研磨などを施して、厚さ６２０μｍ、直径１５０ｍｍ（６インチ）の活性層用ウェーハ１１を用意する。また、この活性層用ウェーハ１１と同じ製法により、同じ厚さ、同一口径の支持基板用ウェーハ１２を用意する。なお、この支持基板用ウェーハ１２の表面には、ウエットＯ
２
酸化によって、絶縁膜であるシリコン酸化膜１２ａが、厚さ１μｍだけ形成される。
【００１８】
次に、これらの活性層用ウェーハ１１、支持基板用ウェーハ１２をＳＣ１洗浄し、純水によるリンス後、乾燥させる。そして、両ウェーハ１１，１２の鏡面同士をクリーンルームの室温下で重ね合わせる。これにより、張り合わせシリコンウェーハ１３が形成される。その後、この張り合わせシリコンウェーハ１３を、
熱処理する。
良品の張り合わせシリコンウェーハ１３は、面取りされ、活性層用ウェーハ１１の研削・研磨が行われる。よって、活性層用ウェーハ１１は所定厚さまで薄肉化される。
【００１９】作製された張り合わせ基板は、その後、洗浄され、ウェーハケースなどに梱包されて、デバイスメーカなどへ出荷される。このように、デバイスが作製される活性層用ウェーハ１１として、各種の欠陥が排除されたピュアシリコンウェーハを採用するようにしたので、この活性層用ウェーハ１１の表面が無欠陥化される。これにより、その電気的特性、例えば酸化膜耐圧特性を高めることができる。」
　 
２　引用発明  
　上記（１）及び（２）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。  
　 
「ＣＺ法により得られた単結晶シリコンインゴットをスライスを施して、活性層用ウェーハ１１を用意し、該活性層用ウェーハ１１と同じ製法により、支持基板用ウェーハ１２を用意し、前記支持基板用ウェーハ１２の表面に、厚さ１μｍのシリコン酸化膜１２ａが形成され、前記活性層用ウェーハ１１、支持基板用ウェーハ１２をＳＣ１洗浄し、両ウェーハ１１，１２の鏡面同士を重ね合わせて、張り合わせシリコンウェーハ１３が形成され、その後、前記張り合わせシリコンウェーハ１３が、張り合わせ熱処理され、続いて、活性層用ウェーハ１１の研削・研磨が行われ、前記活性層用ウェーハ１１が薄肉化された、張り合わせＳＯＩ基板。」
　
３　引用例２とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２０１０９３号公報（以下「引用例２」という。）には、「シリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。　　
　
（１）特許請求の範囲
「【請求項１】  
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
（２）発明の属する技術分野等 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、後述するようなＶ領域、ＯＳＦ領域およびＩ領域のいずれの欠陥領域でもなく、さらに銅デポジション処理により検出される酸化膜欠陥も形成されない、高耐圧で優れた電気特性をもつシリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法に関する
「【００１１】このＮ領域をさらに分類すると、ＯＳＦリングの外側に隣接するＮｖ領域（空孔の多い領域）とＩ領域に隣接するＮｉ領域（格子間シリコンが多い領域）とがあり、Ｎｖ領域では、熱酸化処理した際に酸素析出量が多く、Ｎｉ領域では酸素析出が殆ど無いことがわかっている。
【００１２】ところが上記のように、全面Ｎ領域であり、熱酸化処理した際にＯＳＦリングを発生せず、かつ全面にＦＰＤ、Ｌ／Ｄが存在しない単結晶であるにもかかわらず酸化膜欠陥が著しく発生する場合があることがわかった。そして、これが
酸化膜耐圧特性のような電気特性を劣化させる原因となっており、従来の全面がＮ領域であるというだけでは不十分であり、さらなる改善が望まれていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に得ることを目的とする。」　
（３）発明の実施の形態 
「【００３３】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ＣＺ法によるシリコン単結晶成長に関し、Ｖ領域とＩ領域の境界近辺について、詳細に調査したところ、Ｖ領域とＩ領域の中間でＯＳＦリングの外側に、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰの数が著しく少なく、Ｌ／Ｄも存在しないニュートラルなＮ領域を見出した。そして、このＮ領域をさらに分類すると、ＯＳＦリングの外側に隣接するＮｖ領域（空孔の多い領域）とＩ領域に隣接するＮｉ領域（格子間シリコンが多い領域）とがあり、Ｎｖ領域では、熱酸化処理した際に酸素析出量が多く、Ｎｉ領域では酸素析出が無いことがわかってきた。
【００３４】ところが、上記Ｎ領域で結晶を育成しても、酸化膜耐圧が悪いものがあり、その原因がよく判っていなかった。そこで本発明者等は、Ｃｕデポジション法によりＮ領域についてさらに詳細に調査したところ、
ＯＳＦ領域の外側のＮ領域であって、析出熱処理後酸素析出が発生し易いＮｖ領域の一部にＣｕデポジション処理で検出される欠陥が著しく発生する領域があることを発見した。そして、これが酸化膜耐圧特性のような電気特性を劣化させる原因となっていることをつきとめた。
【００３５】
そこで、このＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域のない領域をウエーハ全面に広げることができれば、前記種々のグローンイン欠陥がないとともに、確実に酸化膜耐圧特性等を向上することができるウエーハが得られることになる。
「【００４５】本発明者等は、以上の実験で得られた知見を踏まえた上で鋭意検討を重ね、本発明に想到したものである。
本発明の第１のシリコン単結晶の製造方法は、育成されたシリコン単結晶ウエーハに熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない無欠陥領域内で結晶を成長させる
【００４６】
この方法を図１に基づいて説明すると、引上げ中のシリコン単結晶の成長速度を漸減した場合、ＯＳＦリング消滅後に残存するＣｕデポジションにより検出される欠陥領域が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減した場合に格子間転移ループが発生する境界の成長速度との間の成長速度に制御して結晶を育成することになる。
【００４７】以上述べた方法により育成された単結晶棒から切り出されたウエーハは、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が全く存在しない無欠陥シリコン単結晶ウエーハとなる。」
　
４　引用例２に記載の技術
　上記（１）及び（２）によれば、引用例２には、次の技術が記載されている。 
　
「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面がＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない、酸化膜耐圧特性等を向上するための、シリコン単結晶ウエーハ。」
　
　
第４　対比  
１　本願発明と引用発明とを対比すると、  
ア　引用発明の「活性層用ウェーハ１１」、「支持基板用ウェーハ１２」は、それぞれ、本願発明の「ボンドウエーハ」、「ベースウエーハ」に相当する。
　そして、引用発明では、「ＣＺ法により得られた単結晶シリコンインゴットをスライスを施して」ウェーハを用意することから、上記「活性層用ウェーハ１１」、「支持基板用ウェーハ１２」は、それぞれ、チョクラルスキー法により育成された、シリコン単結晶からなるものと言える。　
　
イ　引用例１の図１の記載と、引用発明の「支持基板用ウェーハ１２の表面に、厚さ１μｍのシリコン酸化膜１２ａが形成され、前記活性層用ウェーハ１１、支持基板用ウェーハ１２をＳＣ１洗浄し、両ウェーハ１１，１２の鏡面同士を重ね合わせて、張り合わせシリコンウェーハ１３」との記載から、上記「活性層用ウェーハ１１」と上記「支持基板用ウェーハ１２」とを、「シリコン酸化膜１２ａ」を介して張り合わせていることが分かる。　
　
ウ　引用発明では、「活性層用ウェーハ１１」、「支持基板用ウェーハ１２」の「鏡面同士を重ね合わせて、張り合わせシリコンウェーハ１３」が形成された後に、「活性層用ウェーハ１１の研削・研磨が行われ、前記活性層用ウェーハ１１が薄肉化され」ていることから、上記アを勘案すれば、引用発明もベースウエーハとボンドウエーハとを、貼り合わせた後、「前記ボンドウエーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成され」ていると言える。　
　
エ　引用発明の「張り合わせＳＯＩ基板」は、本願発明の「ＳＯＩウエーハ」に相当する。
　  
２　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。 
　  
〈一致点〉  
「それぞれシリコン単結晶からなるベースウエーハとボンドウエーハとを、酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを薄膜化することによりシリコン活性層が形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ベースウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、また前記ボンドウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であるＳＯＩウエーハ。」 
　 
〈相違点〉  
相違点１　 
 　貼り合わせに際して、ベースウエーハとボンドウエーハとの間に介する酸化膜について、本願発明では、「厚さが１０〜１００ｎｍの範囲にある酸化膜」であるのに対し、引用発明では、「厚さ１μｍのシリコン酸化膜１２ａが形成され」ており、「厚さが１０〜１００ｎｍ」とは特定されていない点。  　
　 
相違点２ 
 　ベースウエーハについて、本願発明では、「該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないもの」からなるのに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点。　
　
相違点３
 　ボンドウエーハについて、本願発明では、「全面にわたってＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないもの」からなるのに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点。
　　
　 
第５　相違点についての検討  
（１）相違点１について  
ア　一般に、ＳＯＩウエーハの活性層や埋め込み酸化膜の膜厚は、適用するデバイスや必要とする特性等に応じて、当業者が適宜設定するものである。
　　
イ　ここで、ＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜、すなわち、貼り合わせに際して、ベースウエーハとボンドウエーハとの間に介する酸化膜の厚さとして、１００ｎｍ以下程度を選択することは、例えば、以下の周知例１の段落【００４６】の「酸化膜厚（埋め込み酸化膜厚）：１００ｎｍの熱酸化膜を形成する。」、周知例２の段落【００３２】の「工程２の酸化膜厚：８０ｎｍ」と記載されているように、本願出願前に周知技術として知られていたものである。加えて、ＳＯＩウエーハの埋め込み酸化膜は、１００ｎｍ以下程度を選択する場合に、その絶縁性を保つために必要な最小限度の厚さを適宜設定することは、当業者とって技術常識である。　
　　
ウ　そうすると、引用発明において、適用するデバイスや必要とする特性等に応じて、上記周知技術及び上記技術常識を勘案し、「厚さ１μｍのシリコン酸化膜１２ａ」に代えて、１０〜１００ｎｍの範囲にある酸化膜を選択することは、当業者が適宜設定し得る設計的事項である。 
　
（周知例１：特開２０００−２９４４７０号公報、原査定で引用した。） 
　上記周知例１には、次の記載がある。 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
シリコン単結晶ウエーハ中にシリコン酸化膜絶縁層を形成したＳＯＩウエーハおよびＳＯＩウエーハの製造方法に関する。
「【００４４】
【実施例】以下、本発明の実施例と比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例および比較例）直径が２００ｍｍで片面が鏡面研磨されたシリコンウエーハ（ＰＷ）をボンドウエーハ用とベースウエーハ用に６枚ずつ用意し、これら１２枚のウエーハを用いて図４の製造工程に従い、６組の
貼り合わせＳＯＩウエーハを作製した。
【００４５】
図４のフロー図における各工程の詳細な製造条件は下記の通りである。
・・・
【００４６】［２］水素イオン注入工程、
水素イオン注入前の
酸化膜厚（埋め込み酸化膜厚）：１００ｎｍの熱酸化膜を形成する。
　 
（周知例２：特開２０００−３０９９５号公報、原査定で引用した。） 
　上記周知例２には、次の記載がある。 
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入したウエーハを結合および分離してＳＯＩ（Silicon OnInsulator）ウエーハを製造する方法（水素イオン剥離法、スマートカット法と呼ばれる技術）で得られるＳＯＩ構造ウエーハのＳＯＩ層を厚くする方法並びにこの方法で作製される
ＳＯＩウエーハに関する。
「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、図１はエピタキシャル成長工程を含むイオン注入したウエーハを結合及び分離してＳＯＩウエーハを製造する方法によるＳＯＩウエーハの製造工程の一例を示すフロー図である。この水素イオン剥離法には、例えば処理工程順序の違いから大きく分けてＡ法とＢ法とがあり、先ずＡ法から、本発明の厚い膜厚のＳＯＩウエーハを製造する方法を説明する。」
「【００２８】続いて
Ｂ法によるＳＯＩウエーハの製造方法を述べる。Ｂ法の工程１では、２枚のシリコン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様に合ったウエーハ２２、２３を準備する。工程２では、そのうちの少なくとも一方のウエーハを熱酸化し、その表面に約０．１μｍ〜２．０μｍ厚の酸化膜３１を形成する。
【００２９】工程４は、水素イオン注入したウエーハ２３の水素イオン注入面である酸化膜３１の面にシリコンウエーハ２２を重ね合せる工程であり、常温の清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウエーハ同士が接着する。次に、工程５から工程７までは、Ａ法と同様の処理工程を経て、膜厚の均一性が良好で結晶欠陥がなく、
厚膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハが得られる。」
「【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）導電型がｐ型で抵抗率が１０Ω・ｃｍ、直径１５０ｍｍ、結晶軸＜１００＞、厚さ６２５μｍの
ＣＺシリコン鏡面ウエーハを２枚準備し、図１に示したＢ法の工程１〜８に従って先ず、
ＳＯＩウエーハを製造した。
【００３２】
ＳＯＩウエーハを製造する主な処理条件は次の通りである。
ａ）
工程２の酸化膜厚：８０ｎｍ
ｂ）工程３の水素注入条件：Ｈ+ イオン、注入エネルギー：６７ｋｅＶ
注入線量：８×１０16／ｃｍ2                  　
ｃ）工程５の剥離熱処理条件：Ｎ2 ガス雰囲気下、５００℃、３０分、
ｄ）工程６の結合熱処理：なし（工程７と兼ねる）、
ｅ）工程７のＣＶＤ法エピタキシャル成長工程：Ｈ2 ベーク（Ｈ2 雰囲気、１１１０℃、６０秒）、エピタキシャル層デポジション（ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｈ2 、１１１０℃、６０秒）。
【００３３】こうして工程５では、水素イオン剥離法により、０．５μｍ厚さのＳＯＩ層が形成され、工程７では、ＣＶＤ法により１．５μｍエピタキシャル成長させて総膜厚２．０μｍの厚膜ＳＯＩ層を形成した。」
 　 
（２）相違点２及び３について　 
ア　引用発明における活性層用ウェーハ１１及び支持基板用ウェーハ１２は、引用例１の段落【００１６】から、酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦリング）、赤外散乱欠陥、転位クラスタといった欠陥のないものである。　
　他方、引用例２には、「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面がＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない、酸化膜耐圧特性等を向上するための、シリコン単結晶ウエーハ」が記載されている。　
　
イ　そして、引用例１の段落【０００３】の「活性層用ウェーハの結晶特性が重要になる。すなわち、このウェーハ表面は完全に無欠陥でなければならず、表層部としても均質かつ無欠陥であることが要求される。しかしながら、活性層用ウェーハもＣＺウェーハである。よって、ウェーハ内に酸素が過飽和状態で存在している。この過飽和な酸素が活性層用ウェーハに微小欠陥を生じさせている。微小欠陥により例えば酸化膜耐圧特性の劣化を招くという問題点が発生していた。」、段落【０００４】の「電気的特性を劣化させるような微小欠陥（以下、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥という）が存在しないピュアシリコンウェーハに着目し、この発明を完成させた。」、そして、段落【０００５】の「この発明は、デバイスが作製される側のシリコンウェーハを無欠陥化させることで、ウェーハ表面の電気的特性を高めることができる張り合わせ基板およびその製造方法を提供することを、その目的としている。」との記載から、引用発明は、ウェーハについて、引用例２に記載の「欠陥領域が存在しない、酸化膜耐圧特性等を向上するための、シリコン単結晶ウエーハ」と共通する技術課題を有することが分かる。　
　
ウ　そうすると、引用発明において、「ウェーハ」の表面における酸化膜耐圧特性の劣化を防止するために、引用例２に記載の「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面がＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しない、酸化膜耐圧特性等を向上するための、シリコン単結晶ウエーハ」を適用することは、当業者が容易になし得たものである。そして、その際に、引用例１の段落【０００７】に、「ピュアシリコンウェーハが採用されるウェーハは、基本的にデバイス作製側のウェーハである。ただし、これに限定されない。すなわち、ピュアシリコンウェーハは、第１のシリコンウェーハであっても、第２のシリコンウェーハであってもよく、両方のウェーハでもよい。」との記載があることから、上記適用対象として、引用発明の「活性層用ウェーハ１１」、「支持基板用ウェーハ１２」の両者ともに選択することは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。　
　
エ　したがって、引用発明において、活性層用ウェーハ（ボンドウエーハ）と支持基板用ウェーハ（ベースウエーハ）のそれぞれを本願発明のごとく「前記ベースウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないものからなり、また前記ボンドウエーハが、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、全面にわたってＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないものからなる」とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に記載された発明、引用例２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　  
　  
　 
第６　結言 　  
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。