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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月17日(2006.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
キャリアエレメント２、３の各々は、垂直下向きに延びた排水リッジ７ａを有し、そしてカウンターキャリアエレメント４は、垂直上向きに延びたさらなる排水リッジ７ｂを有する。排水リッジ７ａ、７ｂの幅または高さは、キャリアエレメント２、３、および／またはカウンターキャリアエレメント４の中央に向かって増大する。壁１の下端８は、下端８は、中央に第１のリセスを有する。Ｕ字型の第１のリセス９の両側から外側に対して下向きに傾斜する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
それにも関わらず、相応の高い遮断電圧の場合、特に典型的な中高圧クラスである２．３ｋＶ，３．３ｋＶ，４．１６ｋＶおよび６．９ｋＶの場合、ガスを充填された体積部を通して配線された絶縁されていない導線によって、ガスを充填された体積部と境界を接している絶縁材料の表面上に、ＡＳＩＰＭにおける短絡に結び付く表面漏れ電流が発生する可能性があるので、問題は残されたままである。導線間の間隔が小さすぎる場合には、ガスを充填された体積部における絶縁破壊に結び付く可能性がある。表面漏れ電流も絶縁破壊も、ＡＳＩＰＭの損傷または破壊、しかもＡＳＩＰＭを統合している上位システムの損傷または破壊にも結び付く可能性があり、そのために望ましいものではない。
特開昭５８−１１２３５４号公報（富士電機製造株式会社）は、従来技術によるパワー半導体モジュールを開示している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乳酸、乳酸アンモニウム、水、１−シクロヘキシル−２−ピロリジノンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、および、フッ化アンモニウムを含む調合物（Ｉ）；ギ酸、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、水、場合によりイミノニ酢酸、および、場合によりフッ化アンモニウムを含む調合物（ＩＩ）からなる群から選ばれる半導体デバイスのための半水溶性洗浄調合物。
【請求項２】
前記調合物は、調合物（Ｉ）であって、
【表１】
2005522027.tif 000001
を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項３】
前記調合物は、調合物（ＩＩ）であって、
【表２】
2005522027.tif 000002
を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項４】
前記調合物は、調合物（ＩＩ）であって、
【表３】
2005522027.tif 000003
を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項５】
前記調合物は、調合物（ＩＩ）であって、
【表４】
2005522027.tif 000004
を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項６】
前記調合物は、調合物（ＩＩ）であって、
【表５】
2005522027.tif 000005
を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項７】
半導体ウエハー表面から粒子を除去する方法であって、ウエハー表面から前記粒子の少なくとも一部を除去するのに十分な時間、ウエハー表面を半水溶性洗浄調合物に接触させる工程を含み、前記洗浄調合物は、（ａ）乳酸、乳酸アンモニウム、水、１−シクロヘキシル−２−ピロリジノンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、および、フッ化アンモニウムを含む調合物（Ｉ）；および（ｂ）ギ酸、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、水、場合によりイミノニ酢酸、および、場合によりフッ化アンモニウムを含む調合物（ＩＩ）からなる群から選ばれる、方法。
【請求項８】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を所定のパターンになるようにドライエッチングし、これにより半導体基板上の絶縁膜からの少なくとも１つの反応生成物を含む粒子を生成する工程と、該反応生成物を請求項１に記載の調合物（Ｉ）により洗浄する工程を含む、半導体基板から粒子を除去する方法。
【請求項９】
半導体基板上に、金属材料あるいは半導体材料から導電性のラインパターンを形成する工程と、該導電性のラインパターン上に絶縁膜を形成する工程と、ドライエッチングにより該絶縁膜にビアホール形成し、これにより、半導体基板上の絶縁膜あるいは金属物質からの少なくとも１つの生成物を含む粒子を生成する工程と、該反応生成物を請求項１に記載の調合物（Ｉ）により洗浄する工程を含む、半導体基板から粒子を除去する方法。
【請求項１０】
前記調合物が調合物（ＩＩ）であって、ギ酸、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、水、およびイミノニ酢酸を含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項１１】
前記調合物が調合物（ＩＩ）であって、ギ酸、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、水、およびフッ化アンモニウムを含む、請求項１に記載の半水溶性洗浄調合物。
【請求項１２】
半導体ウエハー表面から粒子を除去する方法であって、ウエハー表面から前記粒子の少なくとも一部を除去するのに十分な時間、ウエハー表面を請求項１の調合物（ＩＩ）に接触させる工程を含む、方法。
【請求項１３】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を所定のパターンになるようにドライエッチングし、これにより半導体基板上の絶縁膜からの少なくとも１つの反応生成物を含む粒子を生成する工程と、該反応生成物を請求項１に記載の調合物（ＩＩ）により洗浄する工程を含む、半導体基板から粒子を除去する方法。
【請求項１４】
半導体基板上に、金属材料あるいは半導体材料から導電性のラインパターンを形成する工程と、該導電性のラインパターン上に絶縁膜を形成する工程と、ドライエッチングにより該絶縁膜にビアホール形成し、これにより、半導体基板上の絶縁膜あるいは金属物質からの少なくとも１つの生成物を含む粒子を生成する工程と、該反応生成物を請求項１に記載の調合物（ＩＩ）により洗浄する工程とを含む、半導体基板から粒子を除去する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１０）上にボンドパッド（１００）を製造するための方法であって、
半導体基板上に誘電体層（１２）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）をパターニングして誘電体層（１２）のボンドパッド領域内に複数のフィーチャ（１４）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）上、前記複数のフィーチャ（１４）間、および前記複数のフィーチャ（１４）上に銅層（１６）を堆積させる工程と、
プローブ（８０）を直接受容するために、前記銅層（１６）をエッチバックした後、化学的機械研磨して、複数のフィーチャ（１４）および銅層（１８）が露出された頂面を備えたほぼ平坦な表面を形成する工程と、
前記複数のフィーチャ（１４）をエッチバックして、エッチバックされた銅層内に凹部（１５）を形成する工程と、
前記エッチバックされた銅層上および凹部内に、バリア層（２２）を適用する工程とを含む方法。
【請求項２】
半導体基板（１０）を提供する工程と、
前記基板（１０）上に誘電体層（１２）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）をエッチングしてボンドパッド領域内に複数のフィーチャ（１４）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）上に銅（１６）を堆積させて、前記誘電体層（１２）上に銅層（１８）を形成し、かつ前記フィーチャの間および上部に銅充填部（１８）を形成する工程と、
前記銅層（１６）および銅充填部（１８）の一部を除去して、前記銅充填部（１８）の頂面と各フィーチャ（１４）の頂面とを備えるほぼ平坦な表面を形成する工程と、
前記複数のフィーチャ（１４）に窪みを形成して、前記銅充填部（１８）の頂面の下方において凹部（１５）を形成する工程と、
前記銅充填部（１８）の頂面にワイヤ（２４）を直接取付ける工程とを含む方法。
【請求項３】
半導体構造を製造するための方法であって、
基板（１０）を提供する工程と、
前記基板（１０）上に誘電体層（１２）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）をエッチングしてボンドパッド領域内に複数のフィーチャ（１４）を形成する工程と、
前記誘電体層（１２）上に銅（１６）を堆積させて、前記誘電体層（１２）上に銅層（１６）を形成し、かつ前記フィーチャ（１４）の間および上部に銅充填部（１８）を形成する工程と、
前記銅層（１６）および銅充填部（１８）を平坦化して、プローブ（８０）を直接受容するための銅充填部（１８）の頂面と、各フィーチャ（１４）の頂面とを備えるほぼ平坦な表面を形成する工程と、
前記複数のフィーチャ（１４）に窪みを形成して、前記銅充填部（１８）の頂面の下方において凹部（１５）を形成する工程とを含む方法。
【請求項４】
半導体基板（１０）と、
前記基板（１０）上の誘電体層（１２）と、該誘電体層（１２）は、ボンドパッド領域内に配置された複数のフィーチャ（１４）を有し、かつ前記フィーチャは第一の高さを有することと、
前記フィーチャの周囲において第二の高さに延びる銅充填剤（１８）と、前記第二の高さは前記第一の高さよりも高く、従って前記フィーチャの上方において前記第一の高さと第二の高さとの間に凹部（１５）が形成されることと、
前記銅充填剤（１８）上および前記凹部（１５）内に、バリア層（２２）を備える半導体構造。
【請求項５】
半導体基板（１０）と、
前記基板（１０）上の誘電体層（１２）と、該誘電体層（１２）は、ボンドパッド領域内に配置された複数のフィーチャ（１４）を有し、かつ前記フィーチャは第一の高さを有することと、
前記フィーチャの周囲において第二の高さに延びる銅充填剤（１８）と、前記第二の高さは前記第一の高さよりも高く、従って前記フィーチャの上方において前記第一の高さと第二の高さとの間に凹部（１５）が形成されることとを備える半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタック（ＦＴＬスタック）に配列された複数の多孔性燃料電池流体輸送層（ＦＴＬ）をシンギュレートする方法であって、前記ＦＴＬスタックが、最上ＦＴＬを含み、前記方法が、
ピックヘッドを前記ＦＴＬスタックより上に位置決めする工程と、
接着テープと前記ピックヘッドとの間で真空を用いることによって、前記ピックヘッドに対して前記接着テープを安定させる工程と、
前記安定された接着テープと前記最上ＦＴＬとの間の接触を行う工程と、
前記ピックヘッドを移動させて、前記最上ＦＴＬを前記ＦＴＬスタックから所定の位置に移動させる工程と、
前記所定の位置にある間、前記最上ＦＴＬから前記接着テープを分離する工程と、
その後の最上ＦＴＬについて、前記位置決めする工程、安定させる工程、行う工程、移動させる工程、および分離する工程を繰返す工程とを含む、方法。
【請求項２】
スタックに配列された複数の薄く実質的に多孔性の材料層をシンギュレートする方法であって、前記材料層スタックが、最上材料層を含み、前記方法が、
ピックヘッドを前記材料層スタックより上に位置決めする工程と、
接着テープと前記ピックヘッドとの間で真空を用いることによって、前記ピックヘッドに対して前記接着テープを安定させる工程と、
前記安定された接着テープと前記最上材料層との間の接触を行う工程と、
前記ピックヘッドを移動させて、前記最上材料層を前記スタックから所定の位置に移動させる工程と、
前記所定の位置にある間、前記最上材料層から前記接着テープを分離する工程と、
その後の最上材料層について、前記位置決めするプロセス、安定させるプロセス、行うプロセス、移動させるプロセス、および分離するプロセスを繰返す工程とを含む、方法。
【請求項３】
スタック（ＦＴＬスタック）に配列された複数の多孔性燃料電池流体輸送層（ＦＴＬ）をシンギュレートする装置であって、前記ＦＴＬスタックが、最上ＦＴＬを含み、前記装置が、
ピック領域と、前記ピック領域に近接して位置するストリッパ機構と、前記ピック領域に配置された真空ポートとを含むピックヘッドであって、前記真空ポートが、真空システムに結合するように適合されている、ピックヘッドと、
前記ピック領域における前記真空ポートに近接した接着テープの移動を制御するテープ駆動機構と、
前記ピックヘッドを垂直および水平に移動させるように制御可能である、前記ピックヘッドを支持する位置決めシステムと、
制御装置であって、前記制御装置が、前記接着テープが前記最上ＦＴＬと接触するように前記ピックヘッドを移動させるように前記位置決めシステムを制御するようにプログラムされ、前記接着テープが、前記接着テープと前記ピック領域との間の真空によって前記ピック領域で安定され、前記制御装置が、前記ピックヘッドを所定の位置に移動させるように前記位置決めシステムをさらに制御するようにプログラムされ、前記ストリッパ機構が、前記所定の位置で前記接着テープから前記最上ＦＴＬを分離するように作動する、制御装置とを含む、装置。
【請求項４】
スタックに配列された複数の多孔性材料層をシンギュレートする装置であって、前記スタックが、最上多孔性材料層を含み、前記装置が、
ピック領域と、前記ピック領域に近接して位置するストリッパ機構と、前記ピック領域に配置された真空ポートとを含むピックヘッドであって、前記真空ポートが、真空システムに結合するように適合されている、ピックヘッドと、
前記ピック領域における前記真空ポートに近接した接着テープの移動を制御するテープ駆動機構と、
前記ピックヘッドを垂直および水平に移動させるように制御可能である、前記ピックヘッドを支持する位置決めシステムと、
制御装置であって、前記制御装置は、前記接着テープが前記最上多孔性材料層と接触するように前記ピックヘッドを移動させるべく前記位置決めシステムを制御するためにプログラムされ、前記接着テープが、前記接着テープと前記ピック領域との間の真空によって前記ピック領域で安定化され、前記制御装置が、前記ピックヘッドを所定の位置に移動させるように前記位置決めシステムをさらに制御するべくプログラムされ、前記ストリッパ機構が、前記所定の位置で前記接着テープから前記最上多孔性材料層を分離するように作動する、制御装置とを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
例示的なＡＧＣ１０９の機能ブロック図は、高データ速度（ＨＤＲ）ＣＤＭＡ通信システムと関連して図２に図示されている。ＨＤＲ通信システムは、通常、「第３世代パートナーシッププロジェクト」と呼ばれるコンソーシアムにより普及されている２０００年１０月２７日、「ｃｄｍａ２０００高速パケットデータ、エアインタフェース規格（cdma2000 High Rate Packet Data Air Interface Specification）」３ＧＰＰ２  Ｃ．Ｓ００２４バージョン２などのような１つまたは複数の規格に準拠するように設計されている。このようなＨＤＲ通信の例は、１９９７年１１月３日に出願された「高速パケットデータ伝送のための方法および装置（Method and Apparatus for High Rate Packet Data Transmission）」と題される米国特許出願第０８／９６３，３８６号（２００３年６月３日にパドヴァニ等に特許された特許番号６，５７４，２１１）に開示されている。前述された規格および特許出願の内容は参照によりここに組み込まれる。当業者が理解するであろうように、全体を通して説明されたＡＧＣの発明の概念は他の通信装置に等しく適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に第１酸素イオン注入プロセスを実行するステップと、
前記第１酸素イオン注入プロセスの後で、前記基板上にマスキング層を形成するステップと、
前記マスキング層を介して、前記基板に第２酸素イオン注入プロセスを実行するステップと、
前記基板に複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜を形成するために、前記基板において少なくとも１つの加熱処理を実行するステップとを含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記マスキング層はゲート電極構造を含み、前記第２酸素イオン注入プロセスは少なくとも前記ゲート電極構造をマスキング層として用いて実行される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜の上にソース／ドレイン領域デバイスを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１酸素イオン注入プロセスを、おおよそ１０−４０ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて、おおよそ１０１７−１０１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素ドーパント薬量を用いて実行する、請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
前記第２酸素イオン注入プロセスを、おおよそ３０−１５０ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて、おおよそ１０１７−１０１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素ドーパント薬量を用いて実行する、請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの加熱処理を実行するステップは、摂氏約９５０度から約１１５０度の温度範囲で少なくとも一つの加熱処理を実行するステップを含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項７】
前記複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜は、二つの第２部分の間に配置された第１部分であって、前記第１部分は厚みを有し、前記二つの第２部分のそれぞれも厚みを有し、前記第１部分の厚みは前記第２部分の厚みよりも薄い第１部分を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項８】
基板上にマスキング層を形成するステップと、
前記マスキング層を介して前記基板に第１酸素イオン注入プロセスを実行するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
前記マスキング層を取り除いた後に前記基板に第２酸素イオン注入プロセスを実行するステップと、
前記基板に複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜を形成するために前記基板において少なくとも１つの加熱処理を実行するステップと含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項９】
前記第２酸素イオン注入プロセスを、おおよそ１０−４０ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて、おおよそ１０１７−１０１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素ドーパント薬量を用いて実行する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１酸素イオン注入プロセスを、おおよそ１０−４０ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて、おおよそ１０１７−１０１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素ドーパント濃度を用いて実行する、請求項８または９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上表面上に、側面を有するゲート電極を、このゲート電極と前記基板との間にゲート絶縁層を挟んだ状態で形成するステップと、
浅いソース／ドレイン拡張部を形成すべく、前記ゲート電極をマスクとして使用して、ドーパントを前記基板にイオン注入するステップと、
前記ゲート電極の側面および前記基板の上表面上に、酸化物ライナーを形成するステップと、
前記酸化物ライナーにドーパントをイオン注入するステップと、
を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記酸化物ライナーに、活性不純物ドーパントをイオン注入するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物ライナー上にスペーサ材料の層をたい積するステップと、
前記酸化物ライナー上に側壁スペーサを形成すべく、エッチングするステップと、
深く、適度にまたは高濃度にドープされたインプラントを形成すべく、前記基板にドーパントをイオン注入するステップと、
活性化アニーリングするステップと、をさらに含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
酸化シリコンを含む前記酸化物ライナーを形成するステップと、
窒化ケイ素またはシリコン酸化窒化物を含む前記スペーサ層を形成するステップと、を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ドーパントとしてＰ型不純物をイオン注入するステップを含む、請求項１ないし４のいずれかの項記載の方法。
【請求項６】
前記ドーパントとしてホウ素（B）またはホウ素二弗化物（BF2）をイオン注入するステップを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
第１不純物濃度で、前記浅いソース／ドレイン拡張部を形成すべく、前記基板に前記ドーパントをイオン注入するステップと、
前記第１不純物濃度と実質的に同じ濃度で、前記酸化物ライナーに前記ドーパントをイオン注入するステップと、を含む、請求項１ないし６のいずれかの項記載の方法。
【請求項８】
約１×１０２０から約６×１０２０原子／ｃｍ３の濃度で、前記浅いソース／ドレイン拡張部を形成すべく前記基板に前記ドーパントをイオン注入するとともに、前記酸化物ライナーに前記ドーパントをイオン注入するステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記酸化物ライナー中の前記ドーパント濃度が約１原子％になるように、前記酸化物ライナーに前記ドーパント不純物をイオン注入するステップを含む、請求項１ないし８のいずれかの項記載の方法。
【請求項１０】
約５×１０１４ から約２×１０１５イオン／ｃｍ２の注入量および約１から約３ＫｅＶの注入量で、前記酸化物ライナーにBF2をイオン注入するステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
約５０Åから約２００Åの厚みで、前記酸化物ライナーを形成するステップを含む、請求項１ないし１０のいずれかの項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシロキサンプレポリマーであって、
ジアルコキシジアルキルシラン、ジアルコキシ二芳香族置換シランおよび１，３−ビスビニルテトラアルキルジシロキサンを重合することにより生成され、
該ポリシロキサンプレポリマーは、以下：
【化１】
2005522579.tif 000001
を含み、ここで、該Ｒ１基は、Ｃ１−１０アルキル置換基およびＣ６−３０芳香族置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよく；該Ｒ２基は、同じかまたは異なるＣ１−１０アルキル置換基であり得；該Ｒ３基は、同じかまたは異なるＣ６−３０芳香族置換基であり得；そしてｘおよびｙは、同じかまたは異なる自然数であり得、ｘ／ｘ＋ｙは、少なくとも０．５に等しい、ポリシロキサンプレポリマー。
【請求項２】
前記ジアルコキシジアルキルシランが、以下：
【化２】
2005522579.tif 000002
を含み、ここで、該Ｒ２基は、同じかまたは異なるＣ１−１０アルキル置換基であり得、そしてＲ４は、メチルおよびエチルからなる群より選択される、請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマー。
【請求項３】
前記ジアルコキシ二芳香族置換シランが、以下：
【化３】
2005522579.tif 000003
を含み、ここで、該Ｒ３基は、同じかまたは異なるＣ６−３０芳香族置換基であり得、そしてＲ４は、メチルおよびエチルからなる群より選択される、請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマー。
【請求項４】
前記１，２−ビスビニルテトラアルキルジシロキサンが、以下：
【化４】
2005522579.tif 000004
を含み、ここで、該Ｒ１基は、Ｃ１−１０アルキル置換基およびＣ６−３０芳香族置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよい、請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマー。
【請求項５】
前記Ｒ１基の少なくとも一方が、芳香族置換基である、請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマー。
【請求項６】
前記Ｒ１基の少なくとも一方が、アルキル置換基である、請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマー。
【請求項７】
ポリマー組成物であって、請求項１に記載の１以上のポリシロキサンプレポリマーと、１以上のヒドロシラン含有ポリシロキサンおよび補強成分との共重合によって生成された、ポリマー組成物。
【請求項８】
前記１以上のヒドロシラン含有ポリシロキサンが、以下：
【化５】
2005522579.tif 000005
を含み、ここで、該Ｒ１基は、Ｃ１−１０アルキル置換基およびＣ６−３０芳香族置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよく；該Ｒ５基は、水素およびＣ１−１０アルキル置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよく；そしてｘおよびｙは、同じかまたは異なる自然数であり得る、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項９】
前記補強成分が、シリカフィラーおよび複数のビニル基を有するポリシロキサンからなる群より選択される、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項１０】
前記補強成分が、シリカフィラーである、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項１１】
前記補強成分が、複数のビニル基を有するポリシロキサンである、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項１２】
ヒドロシラン基の数が、ビニル基の数以上である、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項１３】
請求項１に記載のポリシロキサンプレポリマーを生成するためのプロセスであって、該プロセスは、ジアルコキシジアルキルシラン、ジアルコキシ二芳香族置換シランおよび１，２−ビスビニルテトラアルキルジシロキサンを重合する工程を包含する、プロセス。
【請求項１４】
前記ジアルコキシジアルキルシランが、以下：
【化６】
2005522579.tif 000006
を含み、ここで、該Ｒ２基は、同じかまたは異なるＣ１−１０アルキル置換基であり得、そしてＲ４は、メチルおよびエチルからなる群より選択される、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記ジアルコキシ二芳香族置換シランが、以下：
【化７】
2005522579.tif 000007
を含み、ここで、該Ｒ３基は、同じかまたは異なるＣ６−３０芳香族置換基であり得、そしてＲ４が、メチルおよびエチルからなる群より選択される、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記１，２−ビスビニルテトラアルキルジシロキサンが、以下：
【化８】
2005522579.tif 000008
を含み、ここで、該Ｒ１基は、Ｃ１−１０アルキル置換基およびＣ６−３０芳香族置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよい、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１７】
ポリマー組成物を生成するためのプロセスであって、該プロセスは、請求項１に記載の１以上のポリシロキサンプレポリマー、ヒドロシラン含有ポリシロキサンおよび補強成分を重合する工程を包含する、プロセス。
【請求項１８】
前記１以上のヒドロシラン含有ポリシロキサンが、以下：
【化９】
2005522579.tif 000009
を含み、ここで、該Ｒ１基は、Ｃ１−１０アルキル置換基およびＣ６−３０芳香族置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよく；該Ｒ５基は、水素およびＣ１−１０アルキル置換基からなる群より選択され、同じであっても異なっていてもよく；そしてｘおよびｙは、同じかまたは異なる自然数であり得る、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記補強成分が、シリカフィラーまたは複数のビニル基を有するポリシロキサンからなる群より選択される、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記補強成分が、シリカフィラーである、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２１】
前記補強成分が、複数のビニル基を有するポリシロキサンである、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２２】
ヒドロシラン基の数が、ビニル基の数以上である、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２３】
請求項１７に記載のプロセスによって生成されたポリマー組成物を用いて眼用デバイスを生成する方法であって、該ポリマー組成物をキャスティングして、成型体にする工程を包含する、方法。
【請求項２４】
請求項１７に記載のプロセスによって生成されるポリマー組成物を用いて眼用デバイスを生成する方法であって、以下：
該ポリマー組成物をキャスティングして、ロッドの形態にする工程；
該ロッドを旋盤または機械加工して、円板にする工程；および
該円盤を旋盤または機械加工して、眼用デバイスにする工程を包含する、方法。
【請求項２５】
請求項２３または請求項２４に記載の方法によって生成された眼用デバイス。
【請求項２６】
請求項１に記載の１以上のポリシロキサンプレポリマーから生成されたポリマー組成物を用いて眼用デバイスを生成する方法であって、以下：
該ポリマー組成物を、硬化前に型に注ぐ工程；
該ポリマー組成物を硬化させる工程；および
該ポリマー組成物を、その硬化後に該型から取り出す工程
を包含する、方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法によって生成された眼用デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己架橋性ポリウレタンポリマーの製造方法であって、１つの工程において２またはそれ以上のイソシアネート基官能価を有するイソシアネート成分（Ａ）と、少なくとも１種の酸官能性化合物（Ｃ）を含み、平均分子量６２〜２５００を有する少なくとも二官能性のポリオール（Ｂ１）とを反応させて、イソシアネート基またはヒドロキシル基を有するプレポリマーを生じさせ、次いで２またはそれ以上のＯＨ官能価を有する１種またはそれ以上のポリオール成分（Ｂ２）、および所望により、（Ａ）と同じまたは異なるものであり得るイソシアネート成分（Ａ'）を添加し、生じたＮＣＯ官能性生成物を、ブロック化剤（Ｄ）と混合し、さらなる段階においてポリオール成分（Ｂ３）を添加することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、ラッカーの塗布中に放出される溶剤を管理する排出規制がますます厳重となる結果として、水性ラッカーおよび塗料プロフィルの急激な進歩が見られる。多くの適用分野のために、現在、利用できる水性ラッカー系が存在するが、これらの系は、しばしば、耐溶剤性および耐薬品性または弾性および機械的耐久性に関して通例の溶剤系ラッカーの高品位レベルを達成することができない。特に、水相から加工することができ、自動車ラッカー下塗において該技術の厳しい要求を満たすのに充分に役立つポリウレタンベースの塗料の開示は、現在まで存在しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、先行技術の方法により、本発明の自己架橋性ポリウレタンを含む水性分散体を製造する。
本発明のポリウレタン中に存在するカルボン酸の基は、少なくとも５０％、好ましくは８０％〜１２０％、より好ましくは９５〜１０５％の程度まで適当な中和剤で中和され、次いでその生成物は、脱イオン水で分散される。中和は、分散または溶解工程の前、その間またはその後に行うことができる。しかしながら水を添加する前の中和が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーを製造および加工する装置における粘着防止コーティングとしての
式（Ｉ）
［Ｒ１‐(Ｅ)ｉ‐]ｊ‐Ｓｉ［Ｒ２ｋ(Ｏ１／２)３−ｋ]４−ｊ        （Ｉ）
（式中、ｉは０または１であり、
ｊは１、２または３であり、
ｋは０、１または２であり、
Ｅは酸素または硫黄であり、
Ｒ１は任意に置換アルキルまたはアリール基、あるいはブリッジするアルキレンまたはアリーレン基であり、
Ｒ２は任意に置換アルキルまたはアリール基である）
の少なくとも１つの構造要素を含有する組成物の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
A)シリコーン-有機ブロック共重合体を含むマトリックス
B)熱伝導性充填剤
を含む組成物であって、
前記成分A)が第１のシリコーン-有機ブロック共重合体及び第２のシリコーン-有機ブロック共重合体からなる群から選択されるシリコーン-有機ブロック共重合体を含み、
前記第１のシリコーン-有機ブロック共重合体が式
【化１】
2005522551.tif 000001
の単位を含み、
前記第２のシリコーン-有機ブロック共重合体が式
【化２】
2005522551.tif 000002
の単位を含む組成物（上記各式中、
nは少なくとも1、最大700であり、
mは少なくとも1、最大300であり、
aは少なくとも1、最大60であり、
Xは2価炭化水素基であり、
X1は2価有機基であり、
R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シロキサンを含む鎖、および、フェニルであり、フェニルが場合によっては、メチルおよびエチルから独立に選択される1〜3個の基によって置換されていてよい）。
【請求項２】
nは少なくとも10、最大500であり、
mは少なくとも1、最大300であり、
Xは少なくとも1、最大30の炭素原子を有し、
X1は少なくとも1、最大40の炭素原子の置換又は非置換2価炭化水素基であり、
R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立して、メチル又はエチルである
請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
nは少なくとも10、最大500であり、
mは少なくとも50、最大300であり、
Xは少なくとも1、最大30の炭素原子を有し、
X1は少なくとも1、最大40の炭素原子の置換又は非置換2価炭化水素基であり、
R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立して、メチル又はエチルである
請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
以下の成分：
(C)式
R5XSi(OR6)(4-X)
（式中、
R5は、少なくとも1個の炭素原子および最大50個の炭素原子を有する、置換または非置換1価炭化水素基であり、
R6は、独立して、少なくとも1個の炭素原子および最大4個の炭素原子を有する、非置換飽和炭化水素基であり、
Xは1、2または3である）を有するアルコキシシランを含む処理剤；
(D)抗酸化剤；
(E)触媒阻害剤；
(F)シリコーン樹脂、シリコーンワックスまたはその組合せ；
(G)ベヒクル；
(H)湿潤剤；
(I)消泡剤；
(J)色素；
(K) 難燃剤；
(L)スペーサー；
(M)低融解金属充填剤；及び
(N)補強充填剤
から選択される１以上の成分を更に含む請求項1に記載の組成物。
【請求項５】
成分B)が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、ダイヤモンド、グラファイト、酸化マグネシウム、金属微粒子、炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化亜鉛またはその組合せを含む請求項1に記載の組成物。
【請求項６】
成分D)が存在し、フェノール抗酸化剤またはフェノール抗酸化剤と安定剤との組合せを含む請求項1に記載の組成物。
【請求項７】
I)請求項１から６のいずれかに記載の組成物
を含み、前記組成物が平らな要素、半球状小塊、凸状要素、角錐または円錐の形状である、インターフェース材料。
【請求項８】
II)剥離シート
を更に含み、前記剥離シートが前記組成物の表面を被覆している、請求項7記載のインターフェース材料。
【請求項９】
前記組成物が基板の表面に被覆されている、請求項7記載のインターフェース材料。
【請求項１０】
i)請求項1から6のいずれかに記載の組成物を熱源とヒートスプレッダーとの間の熱伝導路に沿って挿入すること
ii)前記組成物を前記組成物の相転移温度以上の温度に加熱すること
iii)前記組成物に圧力を加えること
を含む方法。
【請求項１１】
iv)前記iii)の後に前記組成物を前記相転移温度未満の温度に冷却することを含む請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
a)ヒートスプレッダーと、
b)前記ヒートスプレッダーの表面上のインターフェース材料と
を含み、前記インターフェース材料と前記ヒートスプレッダーとが電子部品とヒートシンクとの間の熱伝導路の一部を含むように配置されており、
前記インターフェース材料が請求項1から6のいずれかに記載の組成物であるデバイス。
【請求項１３】
次式
【化３】
2005522551.tif 000003
（式中、
nは少なくとも1、最大700であり、
mは少なくとも1、最大300であり、
aは少なくとも1、最大60であり、
Xは2価炭化水素基であり、
X1は2価有機基であり、
R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ハロゲン化アルキル基、シロキサンを含む鎖、および、フェニルであり、フェニルが場合によっては、メチルおよびエチルから独立に選択される1〜3個の基によって置換されていてよい）の単位を含む共重合体。
【請求項１４】
nは少なくとも10、最大500であり、
mは少なくとも1、最大200であり、
Xは少なくとも1、最大30の炭素原子を有し、
X1は少なくとも1、最大40の炭素原子の置換又は非置換2価炭化水素基であり、
R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立して、メチル又はエチルである
請求項13に記載の共重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記乾燥混合物が、ｉ）少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料を含む水性または非水性の分散液と変性剤とを任意の順序にて一緒にして湿潤混合物を生成させ、そしてｉｉ）この湿潤混合物を乾燥することにより作製される、方法。
【請求項２】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記乾燥混合物が、ｉ）少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料の乾燥形態と変性剤の液体形態とを任意の順序にて一緒にして湿潤混合物を形成させ、そしてｉｉ）この湿潤混合物を乾燥することにより作製される、方法。
【請求項３】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記乾燥混合物が、少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料の乾燥形態と変性剤の固体形態とを任意の順序にて一緒にすることにより作製される、方法。
【請求項４】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記反応性基が、少なくとも１個のイオン基、イオン化可能な基又はそれらの混合物を含む、方法。
【請求項５】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記反応性基が、アミン基又はその塩を含む、方法。
【請求項６】
アミン基が、ベンジルアミン、フェニルエチルアミン、フェニレンアミン、アミノアルキルアミン、ポリエチレンイミン、ペンタエチレンヘキサミン、又はポリアミドアミン基である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
反応性基が、ポリアミン基、ポリアルキレンオキシド基、ポリオール基、ポリ酸基、又はそれらの塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１個の反応性基が結合されている顔料及び変性剤を含む乾燥混合物を強力混合条件下で、変性顔料を形成するのに十分な時間及び温度にて反応させる工程を含む、少なくとも１個の有機基が結合されている変性顔料を製造する方法であって、前記変性剤が、カルボン酸、アミン又はそれらの塩を含む、方法。
【請求項９】
前記変性剤が、ポリアミン、ポリアルキレンオキシド、ポリオール、ポリ酸、又はそれらの塩である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記変性顔料が、単又は二遊星型混合機、二軸遊星型混合機、螺旋型混合機、二本腕混練混合機、強力混合機、二本ロール混合機、三本ロール混合機、一軸スクリュー押出機及び双軸スクリュー押出機から成る群から選択された強力混合機にて製造される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チオフェンおよび／またはチオフェン系化合物を含有する装入物の脱硫方法であって、下記の工程を包含する方法：
ｅ）この工程ｅ）に導入された装入物中に含まれているチオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類の、少なくとも１種のオレフィンによる、アルキル化帯域Ｅにおけるアルキル化、
ｆ）アルキル化工程ｅ）からの流出液（留分η’）の少なくとも一部の、分留帯域Ｆにおける、少なくとも２つの画分：硫黄含量の低下した軽質留分（λ）（これは回収する）およびアルキルチオフェン類およびアルキルチオフェン系化合物類に富んだ重質留分（μ）への分別蒸留、
ｇ）分別蒸留工程ｆ）からの重質留分（μ）の少なくとも一部の、この工程ｇ）へ導入されたこの重質留分の該画分中に含まれているアルキルチオフェン類およびアルキルチオフェン系化合物類の、水素化分解帯域Ｇにおける水素化分解、
ｈ）水素化分解帯域Ｇからの流出液の少なくとも一部の、水素化処理帯域Ｈにおける水素化処理；この帯域から、硫黄含量の低下した留分を回収する。
【請求項２】
アルキル化工程ｅ）の前に、チオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を含有する装入物を少なくとも下記の３つの画分に分別蒸留する少なくとも１つの工程を包含する請求項１に記載の方法：
・水素化処理工程ｈ）へ直接送られる重質画分、
・分子中の炭素原子数７未満の軽質オレフィン類を含有する軽質画分、
・アルキル化工程ｅ）へ送るべきチオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を含有する中間画分。
【請求項３】
アルキル化工程ｅ）の前に、下記の工程を包含する請求項１に記載の方法：
・装入物を分別蒸留帯域に導入し、そこから少なくとも１つの軽質画分および少なくとも１つの重質画分を回収する分別蒸留工程ｂ）、
・工程ｂ）からの重質画分γを、アルキル化工程ｅ）へ送る軽質留分ηおよび水素化処理工程ｈ）へ送る少なくとも１つの重質留分φに分留する分別蒸留工程ｄ）。
【請求項４】
工程ｂ）からの軽質画分βを気／液分離帯域へ送り（工程ｃ））、そこから、気体画分およびオレフィン類含有画分を回収し、該オレフィン類を０〜１００％含有する画分をつぎにアルキル化工程ｅ）へ送る請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アルキル化工程ｅ）で使用するオレフィンが、チオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を含有する装入物中に少なくとも部分的に存在している請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
アルキル化工程ｅ）で使用するオレフィンの少なくとも一部が外部オレフィン供給源に由来するものである請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
装入物が、接触分解装置、水蒸気分解装置またはコークス生産装置からの流出液からなる群から選ばれたものである請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
アルキル化工程ｅ）を、好ましくは担持された燐酸類または硫酸類、ゼオライト類、シリカ−アルミナ類およびイオン交換樹脂類からなる群から選ばれた、酸性アルキル化触媒の存在下で実施する請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
水素化分解工程ｇ）を、好ましくはゼオライト類、シリカ−アルミナ類、クレー類および酸性樹脂類からなる群から選ばれた酸性触媒の存在下で実施する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
水素化処理工程ｈ）を、無機担体ならびに少なくとも１種の第ＶＩＩＩ族非貴金属および少なくとも１種の第ＶＩＢ族金属を包含する触媒からなる群から選ばれた水素化処理触媒の存在下で実施する請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
処理される装入物が沸点３５０℃未満の炭化水素留分であり、同時に、少なくとも３重量％、ただし多くとも９０重量％のオレフィン類および少なくとも５重量ｐｐｍ、ただし多くとも３重量％の硫黄を含有しているものである請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
チオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を、炭素原子数が少なくとも２、ただし多くとも１０のオレフィン類の存在下に酸性触媒上でアルキル化するものであり、チオフェン＋チオフェン系化合物類の合計に対するオレフィンのモル比が０．１〜２０００モル／モルの間である請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
アルキル化装置の圧力が少なくとも０．５ＭＰａである請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
下記を包含する、チオフェンまたはチオフェン系化合物類を含有する装入物の脱硫のための請求項１〜１３のいずれかに記載の方法：
ａ）装入物の初期ジオレフィン含量の低下を可能ならしめる条件下で実施される水素化工程、
ｂ）工程ａ）からの流出液を一つの蒸留帯域において、その後に脱硫されるべき重質留分とチオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を含有する相対的に軽質の留分とに分別蒸留する工程、
ｃ）工程ｂ）からの相対的に軽質の画分中に存在するチオフェンおよび／またはチオフェン系化合物類を少なくとも１種のオレフィンによってアルキル化する工程、
ｄ）アルキル化工程ｅ）の前に実施される工程であって、アルキル化帯域に入る装入物から、前もって、それが含有する塩基性含窒素化合物の少なくとも一部を除去する工程。
【請求項１５】
該塩基性含窒素化合物の少なくとも一部の除去のために、酸性媒質中で操作する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
該塩基性含窒素化合物の少なくとも一部の除去を、分別蒸留工程ｂ）の下流で、または上流で実施する請求項１４または１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明の範囲内で普通に処理される炭化水素留分の最終沸点は、通常３５０℃以下である。この留分は、ベンゼンを含有していてもよい。それゆえ大抵の場合、当業者に既知のあらゆる炭化水素転化法から全体あるいは部分（好ましくは少なくとも１０重量％）が由来するガソリン留分が対象となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥重量基準およびＮ×６．２５のケルダール窒素換算で少なくとも９０ｗｔ％のタンパク質含有量を有し、
６０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜４０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜５ｗｔ％の１２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示すカノーラタンパク質単離物。
【請求項２】
７０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜３０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜２ｗｔ％１２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示す、請求項１に記載の単離物。
【請求項３】
少なくとも１００ｗｔ％のタンパク質含有量を有する、請求項１または２に記載の単離物。
【請求項４】
（１）乾燥重量基準およびＮ×６．２５のケルダール窒素換算で少なくとも９０ｗｔ％のタンパク質含有量を有し、
６０〜９８ｗｔ％の７Ｓタンパク質、
１〜１５ｗｔ％の１２Ｓタンパク質、かつ
０〜２５ｗｔ％の２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示す第一カノーラタンパク質単離物、および
（２）乾燥重量基準およびＮ×６．２５のケルダール窒素換算で少なくとも９０ｗｔ％のタンパク質含有量を有し、
６０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜４０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜５ｗｔ％の１２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示す第二カノーラタンパク質単離物
を含むカノーラタンパク質単離物の組成物。
【請求項５】
前記第一カノーラタンパク質単離物および前記第二カノーラタンパク質単離物が前記組成物中に５：９５〜９５：５の重量比で存在する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記第一カノーラタンパク質単離物が、
８８〜９８ｗｔ％の７Ｓタンパク質、
１〜１０ｗｔ％の１２Ｓタンパク質、かつ
０〜６ｗｔ％の２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示す、請求項４または５に記載の組成物。
【請求項７】
前記第一カノーラタンパク質単離物が少なくとも１００ｗｔ％のタンパク質含有量を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記第二カノーラタンパク質単離物が、
７０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜３０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜２ｗｔ％の１２Ｓタンパク質
であるタンパク質プロフィールを示す、請求項５に記載の組成物。
【請求項９】
前記第二カノーラタンパク質単離物が少なくとも１００ｗｔ％のタンパク質含有量を有する、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
カノーラから単離し、かつ精製した７Ｓタンパク質。
【請求項１１】
ＭＡＬＤＩ−ＭＳで測定して１４５ｋＤａの分子量を有する、請求項１０に記載のタンパク質。
【請求項１２】
各々が約４１３個のアミノ酸の大きさに作られた３個のサブユニットを含む、請求項１１に記載のタンパク質。
【請求項１３】
実質的に表７または表８に示したようなアミノ酸分析値を有する、請求項１２に記載のタンパク質。
【請求項１４】
カノーラタンパク質ミセル集積物から単離し、かつ精製した、請求項１０から１３に記載のタンパク質。
【請求項１５】
前記タンパク質ミセル集積物が、弱い酸性条件下でカノーラ油糧種子粗粉から抽出されたカノーラタンパク質の濃縮塩溶液を希釈することによって形成される、請求項１４に記載のタンパク質。
【請求項１６】
カノーラタンパク質の単離されかつ精製された７Ｓタンパク質と、２Ｓおよび１２Ｓカノーラタンパク質からなる群から抽出された少なくとも１種の単離されかつ精製された追加のカノーラタンパク質との混合物を含む組成物。
【請求項１７】
２Ｓ、７Ｓおよび１２Ｓタンパク質からなる群から選択された少なくとも２つの異なるカノーラタンパク質の混合物を含むカノーラタンパク質単離物から個々のカノーラタンパク質を単離しかつ精製する方法であって、
乾燥重量基準およびＮ×６．２５のケルダール窒素換算で少なくとも９０ｗｔ％のタンパク質含有量を有する前記カノーラタンパク質単離物を準備すること、
カノーラタンパク質単離物を可溶性にすること、
得られるタンパク質溶液を分取高圧液体クロマトグラフィー、または分子のサイズを基にしてタンパク質を分離する同等の方法にかけること、
選択した個々のカノーラタンパク質を含む溶離液の分画を集めること、
溶出液の容積を減容するために、選択した分画を限外濾過にかけること、
可溶化物質を除去するために、濃縮した溶離液を透析すること、および
個々のカノーラタンパク質を取り出すために、透析物を乾燥すること、を含む方法。
【請求項１８】
前記カノーラタンパク質単離物が、
６０〜９８ｗｔ％の７Ｓタンパク質、
１〜１５ｗｔ％の１２Ｓタンパク質、かつ
０〜２５ｗｔ％の２Ｓタンパク質
であり、好ましくは、
８８〜９８ｗｔ％の７Ｓタンパク質、
１〜１０ｗｔ％の１２Ｓタンパク質、かつ
０〜６ｗｔ％の２Ｓタンパク質
であり、カノーラタンパク質単離物を処理して、７Ｓおよび／または１２Ｓタンパク質を単離しかつ精製する、
タンパク質プロフィールを示す、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記カノーラタンパク質単離物が、
６０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜３０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜２ｗｔ％の１２Ｓタンパク質
であり、好ましくは
７０〜９５ｗｔ％の２Ｓタンパク質、
５〜３０ｗｔ％の７Ｓタンパク質、かつ
０〜２ｗｔ％の１２Ｓタンパク質
であり、カノーラタンパク質単離物を処理して２Ｓタンパク質を単離しかつ精製する、
タンパク質プロフィールを示す、請求項１７または１８に記載の方法。