(57)【要約】【課題】高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供する。低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。厚さの薄い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、反射型の液晶素子を含み、液晶層は、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する反射電極と重なる第１の部分と、隣接する２つの反射電極の間と重なる第２の部分を有する。第１の部分は、モノマー及び液晶を含み、第２の部分は、当該モノマーが重合したポリマーを含む。第２の部分において、ポリマーは一対の基板を接着する柱状の隔壁の骨子を構成する。隔壁は、光の照射時に反射電極を遮光マスクとして用いることで、自己整合的に形成することができる。【選択図】図１
2017058678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、液晶層と、遮光層と、を有する表示装置であって、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、それぞれ離間して同一面上に設けられ、
前記遮光層は、前記第１の電極と前記第２の電極の間の領域と重なる部分を有し、
前記液晶層は、前記第１の電極と重なる第１の部分と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の領域と重なり、且つ前記遮光層と重なる第２の部分と、を有し、
前記第１の部分は、モノマーと、液晶を含み、
前記第２の部分は、前記モノマーが重合したポリマーを含む、
表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極と前記液晶層を挟んで重なる第３の電極を有し、
前記第３の電極は、可視光を透過する機能を有する、
表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、前記第３の電極を覆う第２の配向膜と、を有し、
前記液晶層の前記第２の部分は、前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜のそれぞれと接して設けられた、
表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の部分の内側に、絶縁性を有する構造体を有し、
前記構造体は、前記遮光層と重なる部分を有する、
表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
第１の基板と第２の基板とを有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記第１の基板と前記液晶層の間に位置し、
前記遮光層は、前記第２の基板と前記液晶層の間に位置し、
前記第２の基板は、前記第１の基板よりも厚さが薄い、
表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
第３の基板と第４の基板とを有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記第３の基板と前記液晶層の間に位置し、
前記遮光層は、前記第４の基板と前記液晶層の間に位置し、
前記第３の基板及び前記第４の基板は、それぞれ可撓性を有する、
表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
絶縁層と、発光素子と、を有し、
前記発光素子は、前記絶縁層側から、可視光を透過する第４の電極、発光性の物質を含む層、及び第５の電極の積層構造を有し、
前記第１の電極は、可視光を透過する開口を有し、
前記第４の電極は、前記絶縁層を挟んで前記開口と重なる領域を有する、
表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の電極は、前記開口と重なる部分に、可視光を透過する導電膜を有する、
表示装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第１の電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、
前記第４の電極と電気的に接続する第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、同一面上に設けられた、
表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、前記絶縁層の第１の面側に設けられ、
前記第１の電極は、前記絶縁層を挟んで前記第１のトランジスタとは反対側に設けられ、
前記第１の電極と、前記第１のトランジスタは、前記絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続する、
表示装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、前記絶縁層の第１の面側に設けられ、
前記第４の電極は、前記絶縁層を挟んで前記第２のトランジスタとは反対側に設けられ、
前記第４の電極と、前記第２のトランジスタは、前記絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続する、
表示装置。
【請求項１２】
第１の基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第１のステップと、
第２の基板上に、遮光層を形成する第２のステップと、
前記第１の基板と前記第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第３のステップと、
前記第１の基板側から光を照射し、前記第１の電極及び前記第２の電極に遮光されない領域において、前記液晶層中の前記モノマーを重合させる第４のステップと、を有する、
表示装置の作製方法。
【請求項１３】
第１の基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第１のステップと、
支持基板上に、第１の絶縁層を形成する第２のステップと、
前記第１の絶縁層上に、遮光層を形成する第３のステップと、
前記第１の基板と前記支持基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第４のステップと、
前記第１の基板側から光を照射し、前記第１の電極及び前記第２の電極に遮光されない領域において、前記液晶層中の前記モノマーを重合させる第５のステップと、
前記支持基板と前記第１の絶縁層の間で剥離し、前記第１の絶縁層に接着層を介して第２の基板を貼り合せる第６のステップと、を有する、
表示装置の作製方法。
【請求項１４】
第１の支持基板上に、第２の絶縁層を形成する第１のステップと、
前記第２の絶縁層上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第２のステップと、
第２の支持基板上に、第３の絶縁層を形成する第３のステップと、
前記第３の絶縁層上に、遮光層を形成する第４のステップと、
前記第１の支持基板と前記第２の支持基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第５のステップと
前記第１の支持基板側から光を照射し、前記第１の電極及び前記第２の電極に遮光されない領域において、前記液晶層中の前記モノマーを重合させる第６のステップと、
前記第１の支持基板と前記第２の絶縁層の間で剥離し、前記第２の絶縁層に第１の接着層を介して第３の基板を貼り合せる第７のステップと、
前記第２の支持基板と前記第３の絶縁層の間で剥離し、前記第３の絶縁層に第２の接着層を介して第４の基板を貼り合せる第８のステップと、を有する、
表示装置の作製方法。
【請求項１５】
第３の支持基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う第４の絶縁層を形成する第１のステップと、
前記第４の絶縁層に、前記第１の電極に達する開口を形成する第２のステップと、
前記第４の絶縁層上に、前記第１の電極と電気的に接続する第１の導電層、及び可視光を透過する第４の電極を形成する第３のステップと、
前記第４の電極上に、発光性の物質を含む層と、第５の電極を積層して形成する第４のステップと、
前記第５の電極を覆うように、第１の基板を第３の接着層を介して貼り合せる第５のステップと、
前記第３の支持基板と前記第４の絶縁層の間で剥離し、前記第１の電極及び前記第２の電極の一部を露出させる第６のステップと、
第２の基板上に、遮光層を形成する第７のステップと、
前記第１の基板と前記第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第８のステップと、
前記第１の基板側から光を照射し、前記第１の電極及び前記第２の電極に遮光されない領域において、前記液晶層中の前記モノマーを重合させる第９のステップと、を有する、
表示装置の作製方法。
【請求項１６】
第４の支持基板上に、可視光を透過する第４の電極と、前記第４の電極を覆う第５の絶縁層を形成する第１のステップと、
前記第５の絶縁層に、前記第４の電極に達する開口を形成する第２のステップと、
前記第５の絶縁層上に、前記第４の電極に電気的に接続する第２の導電層、ならびに、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を形成する第３のステップと、
第２の基板上に、遮光層を形成する第４のステップと、
前記第４の支持基板と前記第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第５のステップと、
前記第４の支持基板側から光を照射し、前記第１の電極及び前記第２の電極に遮光されない領域において、前記液晶層中の前記モノマーを重合させる第６のステップと、
前記第４の支持基板と前記第５の絶縁層の間で剥離し、前記第４の電極の一部を露出させる第７のステップと、
前記第４の電極を覆って、発光性の物質を含む層と、第５の電極を順に形成する第８のステップと、を有する、
表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。特に、本発明の一態様は、液晶素子を有する表示装置、及び表示装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
表示装置の一つとして、液晶素子を備える液晶表示装置がある。例えば、画素電極をマトリクス状に配置し、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてトランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めている。
【０００５】
例えば、画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている。（特許文献１及び特許文献２）
【０００６】
アクティブマトリクス型液晶表示装置には大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイプが知られている。
【０００７】
透過型の液晶表示装置は、冷陰極蛍光ランプやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライトからの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。
【０００８】
また、反射型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、即ち入射光が画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
表示装置に表示される画像として、より鮮明なものが求められており、これに応じて高精細な表示装置が求められている。
【００１１】
また特に携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチ等の携帯用途においては、これらに組み込まれる表示装置として、厚さの低減、軽量化、低消費電力駆動可能なことなどが求められている。
【００１２】
本発明の一態様は、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供することを課題の一とする。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供することを課題の一とする。または、厚さの薄い表示装置を提供することを課題の一とする。または、軽量な表示装置を提供することを課題の一とする。
【００１３】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、液晶層と、遮光層と、を有する表示装置である。第１の電極及び第２の電極は、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する。また第１の電極と第２の電極は、それぞれ離間して同一面上に設けられる。遮光層は、第１の電極と第２の電極の間の領域と重なる部分を有する。液晶層は、第１の電極と重なる第１の部分と、第１の電極と第２の電極の間の領域と重なり、且つ遮光層と重なる第２の部分と、を有する。また第１の部分は、モノマーと、液晶を含み、第２の部分は、モノマーが重合したポリマーを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、上記第１の電極と液晶層を挟んで重なる第３の電極を有することが好ましい。このとき、当該第３の電極は、可視光を透過する機能を有することが好ましい。
【００１６】
また、上記第１の電極を覆う第１の配向膜と、上記第３の電極を覆う第２の配向膜と、を有することが好ましい。このとき、液晶層の第２の部分は、第１の配向膜及び第２の配向膜のそれぞれと接して設けられていることが好ましい。
【００１７】
また、上記第２の部分の内側に、絶縁性を有する構造体を有することが好ましい。このとき、当該構造体は、遮光層と重なる部分を有することが好ましい。
【００１８】
また、上記において、第１の基板と第２の基板とを有することが好ましい。このとき、第１の電極及び第２の電極は、第１の基板と前記液晶層の間に位置し、遮光層は、第２の基板と液晶層の間に位置することが好ましい。特に、第２の基板は、第１の基板よりも厚さが薄いことが好ましい。
【００１９】
または、上記において、第３の基板と第４の基板とを有することが好ましい。このとき、第１の電極及び第２の電極は、第３の基板と液晶層の間に位置し、遮光層は、第４の基板と液晶層の間に位置することが好ましい。特に、第３の基板及び第４の基板は、それぞれ可撓性を有することが好ましい。
【００２０】
また、上記において、絶縁層と、発光素子と、を有することが好ましい。このとき、発光素子は、当該絶縁層側から、可視光を透過する第４の電極、発光性の物質を含む層、及び第５の電極の積層構造を有することが好ましい。特に、第１の電極は、可視光を透過する開口を有し、第４の電極は、絶縁層を挟んで当該開口と重なる領域を有することが好ましい。
【００２１】
また、上記第１の電極は、開口と重なる部分に、可視光を透過する導電膜を有することが好ましい。
【００２２】
また、上記第１の電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、第４の電極と電気的に接続する第２のトランジスタと、を有することが好ましい。特に、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは、同一面上に設けられていることが好ましい。
【００２３】
また、上記第１のトランジスタと第２のトランジスタは、絶縁層の第１の面側に設けられ、第１の電極は、絶縁層を挟んで第１のトランジスタとは反対側に設けられていることが好ましい。特に、第１の電極と、第１のトランジスタは、絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続することが好ましい。
【００２４】
または、上記第１のトランジスタと第２のトランジスタは、絶縁層の第１の面側に設けられ、第４の電極は、絶縁層を挟んで第２のトランジスタとは反対側に設けられていることが好ましい。特に、第４の電極と、第２のトランジスタは、絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続することが好ましい。
【００２５】
また、本発明の他の一態様は、第１の基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第１のステップと、第２の基板上に、遮光層を形成する第２のステップと、第１の基板と第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第３のステップと、第１の基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第４のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
【００２６】
また、本発明の他の一態様は、第１の基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第１のステップと、支持基板上に、第１の絶縁層を形成する第２のステップと、第１の絶縁層上に、遮光層を形成する第３のステップと、第１の基板と支持基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第４のステップと、第１の基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第５のステップと、支持基板と第１の絶縁層の間で剥離し、第１の絶縁層に接着層を介して第２の基板を貼り合せる第６のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
【００２７】
また、本発明の他の一態様は、第１の支持基板上に、第２の絶縁層を形成する第１のステップと、第２の絶縁層上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を、離間して形成する第２のステップと、第２の支持基板上に、第３の絶縁層を形成する第３のステップと、第３の絶縁層上に、遮光層を形成する第４のステップと、第１の支持基板と第２の支持基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第５のステップと第１の支持基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第６のステップと、第１の支持基板と第２の絶縁層の間で剥離し、第２の絶縁層に第１の接着層を介して第３の基板を貼り合せる第７のステップと、第２の支持基板と第３の絶縁層の間で剥離し、第３の絶縁層に第２の接着層を介して第４の基板を貼り合せる第８のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
【００２８】
また、本発明の他の一態様は、第３の支持基板上に、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極と、第１の電極及び第２の電極を覆う第４の絶縁層を形成する第１のステップと、第４の絶縁層に、第１の電極に達する開口を形成する第２のステップと、第４の絶縁層上に、第１の電極と電気的に接続する第１の導電層、及び可視光を透過する第４の電極を形成する第３のステップと、第４の電極上に、発光性の物質を含む層と、第５の電極を積層して形成する第４のステップと、第５の電極を覆うように、第１の基板を第３の接着層を介して貼り合せる第５のステップと、第３の支持基板と第４の絶縁層の間で剥離し、第１の電極及び第２の電極の一部を露出させる第６のステップと、第２の基板上に、遮光層を形成する第７のステップと、第１の基板と第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第８のステップと、第１の基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第９のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
【００２９】
また、本発明の他の一態様は、第４の支持基板上に、可視光を透過する第４の電極と、第４の電極を覆う第５の絶縁層を形成する第１のステップと、第５の絶縁層に、第４の電極に達する開口を形成する第２のステップと、第５の絶縁層上に、第４の電極に電気的に接続する第２の導電層、ならびに、それぞれ可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する第１の電極及び第２の電極を形成する第３のステップと、第２の基板上に、遮光層を形成する第４のステップと、第４の支持基板と第２の基板を、液晶、モノマー及び重合開始剤を含む液晶層を挟んで貼り合せる第５のステップと、第４の支持基板側から光を照射し、第１の電極及び第２の電極に遮光されない領域において、液晶層中のモノマーを重合させる第６のステップと、第４の支持基板と第５の絶縁層の間で剥離し、第４の電極の一部を露出させる第７のステップと、第４の電極を覆って、発光性の物質を含む層と、第５の電極を順に形成する第８のステップと、を有する、表示装置の作製方法である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一態様によれば、高精細化に適した表示装置、及びその作製方法を提供できる。または、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供できる。または、厚さの薄い表示装置を提供できる。または、軽量な表示装置を提供できる。
【００３１】
なお、本発明の一態様は、必ずしもこれらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図３】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図４】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図５】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図６】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図８】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図９】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１１】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１４】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１５】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図１６】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１７】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１８】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１９】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２０】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２１】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２２】実施の形態に係る、入力装置の構成例。
【図２３】実施の形態に係る、入力装置の構成例。
【図２４】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２５】実施の形態に係る、入力装置の駆動方法例を説明する図。
【図２６】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２７】実施の形態に係る、表示装置の回路図。
【図２８】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図２９】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図３０】実施の形態に係る、トランジスタの構成例。
【図３１】実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図３２】実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。
【図３３】実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００３５】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００３６】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００３７】
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。
【００３８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、および表示装置の作製方法について説明する。
【００３９】
本発明の一態様の表示装置は、複数の反射型の液晶素子を含む。液晶素子は、一対の電極と、液晶層を有する。一対の電極の少なくとも一方には、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光（反射または吸収）する材料を用いることができる。液晶層は、一対の基板の間に設けることができる。
【００４０】
液晶層は、上記可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する電極（以下、反射電極と呼ぶ場合がある）と重なる第１の部分と、隣接する２つの反射電極の間と重なる第２の部分を有する。第１の部分は、モノマー及び液晶を含み、第２の部分は、当該モノマーが重合したポリマーを含む。第２の部分において、ポリマーは一対の基板を接着する柱状の隔壁の骨子を構成する。また、第２の部分は、隣接画素間の混色を抑制するために設けられる遮光層と重ねて配置されることが好ましい。また第２の部分には、液晶が含まれていてもよいし、柱状の隔壁がポリマーと液晶を含んでいてもよい。
【００４１】
液晶層の第２の部分に設けられた、ポリマーを含む柱状の隔壁は、隣り合う２つの液晶素子の間に配置され、２つの液晶素子の液晶層を分離する機能を有する。そのため、当該ポリマーを含む柱状の隔壁はポリマーウォールとも呼ぶこともできる。１つの液晶素子は第１の部分において、当該隔壁と、一対の基板とに取り囲まれた液晶を有する構成とすることができる。隔壁により、隣の液晶素子が有する液晶の配向状態の影響が受けにくくなるため、コントラストなどが向上し、より鮮やかな表示が可能な表示装置を実現できる。なお、１つの液晶素子の液晶は、隣接する液晶素子の液晶と完全に分離されている必要はなく、隣接する２つの液晶素子間に少なくとも一つ以上の隔壁が存在している構成とすればよい。
【００４２】
本発明の一態様の表示装置を作製する際、一対の基板に挟持する液晶層には、液晶と、モノマーと、重合開始剤を含む材料を用いる。そして、反射電極を遮光マスクとして用い、液晶層の一部に対して光を照射することにより、液晶層の反射電極と重ならない領域において、モノマーが重合してポリマーに変化する。これにより、隣接する反射電極の間に位置し、ポリマーを含む隔壁を、遮光マスクなどを用いずに自己整合的に形成することができる。
【００４３】
本発明の一態様の表示装置は、一対の基板を接着するポリマーを含む隔壁を、隣接画素間に配置することが可能となるため、基板間の接着強度が極めて高い。また隔壁は一対の基板間の距離を保持するためのギャップスペーサとして機能させることもできる。そのため、表示面を押す、または表示装置を曲げるなどの外力が加わった際や、表示装置を振動させたときなどに、液晶素子のセルギャップが変化しにくいため、セルギャップが変化することによる干渉や色の変化などが生じにくい。
【００４４】
また上述した方法を用いることで、反射電極で遮光されない領域、すなわち反射液晶素子を用いた表示に影響しない領域に、自己整合的にポリマーを形成することができるため、例えば、遮光マスクなどを用いてポリマーを形成する場合に比べて、径の小さな隔壁を高密度に配置することが可能となる。そのため、極めて高精細な表示装置を作製することが可能となる。例えば、表示部の精細度が３００ｐｐｉ以上、または５００ｐｐｉ以上、または８００ｐｐｉ以上、または１０００ｐｐｉ以上であって、３０００ｐｐｉ以下の極めて高精細な表示装置にも適用することが可能である。
【００４５】
以下では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び作製方法の例について、図面を参照して説明する。
【００４６】
［構成例１］
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置１０の斜視概略図である。表示装置１０は、基板２１と基板３１とが貼り合わされた構成を有する。図１（Ａ）では、基板３１を破線で明示している。
【００４７】
表示装置１０は、表示部３２、回路３４、配線３５等を有する。基板２１には、例えば回路３４、配線３５、及び表示部３２に含まれ、画素電極として機能する導電層２３が設けられる。また図１（Ａ）では基板２１上にＩＣ４３とＦＰＣ４２が実装されている例を示している。そのため、図１（Ａ）に示す構成は、表示モジュールとも呼ぶことができる。
【００４８】
回路３４は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
【００４９】
配線３５は、表示部３２や回路３４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ４２を介して外部から、またはＩＣ４３から配線３５に入力される。
【００５０】
また、図１（Ａ）では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板２１にＩＣ４３が設けられている例を示している。ＩＣ４３は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置１０が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ４２を介して表示装置１０を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ４３を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ４３を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式等により、ＦＰＣ４２に実装してもよい。
【００５１】
図１（Ａ）には、表示部３２の一部の拡大図を示している。表示部３２には、複数の表示素子が有する導電層２３がマトリクス状に配置されている。導電層２３は、例えば画素電極として機能する。ここで、導電層２３は、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する機能を有する。
【００５２】
〔断面構成例１−１〕
図１（Ｂ）に、図１（Ａ）中の切断線Ａ１−Ａ２に対応する断面の一例を示す。図１（Ｂ）には、隣接する２つの画素（副画素）を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子として、反射型の液晶素子４０を適用した場合の例を示している。図１（Ｂ）において、基板３１側が表示面側となる。
【００５３】
表示装置１０は、基板２１と基板３１の間に液晶層２４が挟持された構成を有している。また液晶素子４０は、基板２１側に設けられた導電層２３と、基板３１側に設けられた導電層２５と、これらに挟持された液晶層２４と、を有する。ここで導電層２５は、可視光を透過する機能を有する。導電層２５は、共通電極などとして機能する。
【００５４】
基板２１上には、導電層２３と電気的に接続するトランジスタ７０が設けられている。一方、基板３１の基板２１側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６１、導電層２５等が設けられている。また導電層２３と液晶層２４の間に配向膜５３ａが設けられ、導電層２５と液晶層２４の間に配向膜５３ｂが設けられている。なお、配向膜５３ａ及び配向膜５３ｂは、不要であれば設けなくてもよい。
【００５５】
トランジスタ７０は、ゲートとして機能する導電層７１、半導体層７２、ゲート絶縁層として機能する絶縁層７３、ソース又はドレインの一方として機能する導電層７４ａ、ソース又はドレインの他方として機能する導電層７４ｂ等を有する。
【００５６】
トランジスタ７０を覆って絶縁層８１が設けられている。また絶縁層８１上に導電層２３が設けられている。導電層２３と導電層７４ｂとは、絶縁層８１に設けられた開口を介して電気的に接続している。トランジスタ７０及び導電層２３は、画素（副画素）ごとに配置されている。
【００５７】
着色層５１ａ、着色層５１ｂは、それぞれ異なる導電層２３と重ねて配置されている。また遮光層５２は、隣り合う２つの導電層２３の間の領域と重なる部分を有する。図１（Ｂ）に示すように、遮光層５２の一部を導電層２３の端部と重ねて配置することが好ましい。
【００５８】
液晶層２４は、導電層２３と重なる領域において、液晶１２と、モノマー１３を有する。また液晶層２４は、隣り合う２つの導電層２３の間と重なる領域において、隔壁１１を有する。また、隔壁１１と遮光層５２は、互いに重なる部分を有していることが好ましい。
【００５９】
モノマー１３は、重合することによりポリマーとなる材料である。また、隔壁１１は、モノマー１３が重合することにより得られるポリマーを含んで構成される。隔壁１１の内部には、液晶１２と同じ材料が含まれていてもよい。
【００６０】
モノマー１３としては、重合性モノマーを用いることができる。例えば光により重合が進行する光重合性（光硬化性）や、熱により重合が進行する熱重合性（熱硬化性）を有する重合性モノマーを用いることができる。特に、光重合性を有する材料を用いることが好ましい。また、液晶層２４は、モノマー１３に加えて、例えば重合度が２以上１００以下のオリゴマーも含んでいてもよい。このとき、当該オリゴマーは、光重合性または熱重合性を有することが好ましい。
【００６１】
モノマー１３としては、例えば、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマー、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマーなどを用いることができる。また、単官能モノマーや多官能モノマーを、２種類以上混合させたものでもよい。また、モノマー１３としては液晶性の材料、非液晶性の材料、またはこれらが混合された材料を用いることができる。
【００６２】
液晶層２４の、導電層２３と重なる領域において、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤は、例えば光や熱などの外的刺激によりモノマーの重合のきっかけとなる物質に変化する材料である。重合開始剤としては、例えば紫外線などの光または熱によってラジカルが生成するラジカル重合開始剤等を用いることができる。なお、重合開始剤は液晶やモノマーに比べて極微量であればよく、例えば重合開始剤は、液晶、モノマー及び重合開始剤の総重量に対する重量比が、１ｗｔ％以下の比率で混合されていればよい。また、重合開始剤はモノマー１３の材料に応じて適宜選択することができる。モノマー１３の材料によっては、ラジカル重合開始剤に代えて、カチオン重合開始剤、アニオン重合開始剤などを用いてもよい。
【００６３】
モノマー１３は、使用する重合開始剤により重合が開始される材料を選択すればよい。特に、モノマー１３及び重合開始剤の組み合わせとして、紫外線により重合が開始され、且つ重合が進行する材料の組み合わせを用いることが好ましい。
【００６４】
また液晶層２４には、液晶１２、モノマー１３、重合開始剤等の他に、カイラル剤を含んでいてもよい。
【００６５】
隔壁１１は、モノマー１３が重合することにより得られるポリマーを含む。例えば、モノマー１３としてアクリレートを用いた場合には、隔壁１１がポリアクリレートを含む。
【００６６】
隔壁１１は、ポリマーだけでなく、液晶層２４に含まれる成分（液晶１２、重合されなかったモノマー１３、反応されずに残った重合開始剤、カイラル剤等）を含んでいてもよい。
【００６７】
また、ポリマーの重合度は、その形成条件やモノマー１３の材料に応じて変化する。また隔壁１１の体積密度も同様に、ポリマーの形成条件や、モノマー１３の材料等によって変わるが、例えば７０％以上１００％以下、好ましくは８０％以上１００％以下、より好ましくは９０％以上１００％以下とすることができる。
【００６８】
隔壁１１は、基板２１と基板３１を接着することが好ましい。より具体的には、隔壁１１は、基板２１側に設けられ、液晶層２４と接する層と、基板３１側に設けられ、液晶層２４と接する層を接着する機能を有する。図１（Ｂ）においては、基板２１側に設けられ液晶層２４と接する配向膜５３ａの一部と、基板３１側に設けられ、液晶層２４と接する配向膜５３ｂの一部とを、隔壁１１が接着している。なお、配向膜５３ａや配向膜５３ｂを設けない場合では、基板２１側に設けられ、液晶層２４と接する絶縁層８１の一部と、基板３１側に設けられ、液晶層２４と接する導電層２５の一部とを隔壁１１が接着する構成となる。
【００６９】
本発明の一態様の表示装置１０は、画素電極として機能する２つの導電層２３の間と重なる領域に位置する隔壁１１により、基板２１と基板３１との接着強度が高められており、破損しにくく、信頼性の高い表示装置である。また隔壁１１によって外力に対する物理的強度が高められたことに加え、外力によるセルギャップの変化が抑制された表示装置である。
【００７０】
以上が断面構成例１−１についての説明である。
【００７１】
〔作製方法例１−１〕
続いて、図１（Ｂ）に示した表示装置１０の作製方法の一例について説明する。図２及び図３に示す各図は、表示装置１０の作製方法に係る、工程の各段階における断面概略図である。
【００７２】
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法を使ってもよい。
【００７３】
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
【００７４】
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
【００７５】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【００７６】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
【００７７】
まず、基板２１上に導電層７１を形成する。導電層７１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【００７８】
続いて、絶縁層７３を成膜する。
【００７９】
続いて、半導体層７２を形成する。半導体層７２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
【００８０】
続いて、導電層７４ａ及び導電層７４ｂを形成する。導電層７４ａ及び導電層７４ｂは、導電層７１と同様の方法により形成できる。
【００８１】
続いて、絶縁層８１を形成する。絶縁層８１に感光性の材料を用いることで、フォトリソグラフィ法等により開口を形成することができる。なお絶縁層８１を成膜した後にフォトリソグラフィ法等により開口を形成してもよい。
【００８２】
続いて、絶縁層８１上に導電層２３を形成する。導電層２３は、導電層７１等と同様の方法により形成できる。
【００８３】
続いて、配向膜５３ａを形成する。配向膜５３ａとなる薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより、配向膜５３ａを形成することができる。
【００８４】
この段階の断面が、図２（Ａ）に相当する。
【００８５】
続いて、基板３１上に遮光層５２を形成する。遮光層５２は、導電膜を加工して、導電層７１等と同様の方法により形成してもよいし、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いて、絶縁層８１等と同様の方法により形成してもよい。
【００８６】
続いて、着色層５１ａ、着色層５１ｂ等をそれぞれ形成する。着色層５１ａ、着色層５１ｂは、絶縁層８１等と同様の方法により形成できる。
【００８７】
なお、遮光層５２よりも先に、着色層５１ａ及び着色層５１ｂを形成してもよい。このとき、遮光層５２の一部が、着色層５１ａ及び着色層５１ｂの端部を覆うように形成することが好ましい。
【００８８】
続いて、遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ等を覆って絶縁層６１を成膜する。絶縁層６１は、着色層５１ａ等に含有された不純物等が液晶層２４に拡散することを防ぐオーバーコートとしての機能を有する。また絶縁層６１は、遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ等の表面の段差を被覆する平坦化層としての機能を有していてもよい。なお、絶縁層６１は不要であれば設けなくてもよい。
【００８９】
続いて、絶縁層６１上に導電層２５を形成する。導電層２５は、導電層７１等と同様の方法により形成することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の導電層２５を形成してもよい。
【００９０】
続いて、導電層２５上に配向膜５３ｂを形成する。配向膜５３ｂは、配向膜５３ａと同様の方法により形成することができる。
【００９１】
この段階における断面概略図が、図２（Ｂ）に相当する。
【００９２】
なお、上述した基板２１側の工程と、基板３１側の工程は、それぞれ独立に進めることができる。
【００９３】
続いて、基板２１と基板３１のいずれか一方、または両方に、これらを接着する接着層（図示しない）を形成する。接着層は、画素が配置されている領域を囲むように形成する。接着層は、例えばスクリーン印刷法や、ディスペンス法等により形成することができる。接着層としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、紫外線により仮硬化した後に、熱を加えることにより硬化する樹脂などを用いてもよい。または、接着層として、紫外線硬化性と熱硬化性の両方を有する樹脂などを用いてもよい。
【００９４】
続いて、液晶層２４となる組成物をディスペンス法等により接着層に囲まれた領域に滴下する。具体的には、液晶１２、モノマー１３、及び重合開始剤を含む組成物を滴下する。また、当該組成物にカイラル剤等が含まれていてもよい。
【００９５】
続いて、液晶層２４となる組成物を挟むように基板２１と基板３１とを貼り合せ、接着層を硬化する。貼り合せは、減圧雰囲気下で行うと基板２１と基板３１の間に気泡等が混入することを防ぐことができるため好ましい。
【００９６】
なお、液晶層２４となる組成物は、基板２１と基板３１を貼り合せた後に、減圧雰囲気下において、接着層に設けた隙間から注入する方法を用いてもよい。また、液晶層２４となる組成物の滴下後に粒状のギャップスペーサを画素が配置されている領域や、当該領域の外側に配置してもよいし、当該ギャップスペーサを含む組成物を滴下してもよい。
【００９７】
この時点で、導電層２３、導電層２５及び液晶１２を含む液晶素子４０が形成される。なおこの時点では、隔壁１１が形成されておらず、また液晶層２４に含まれるモノマー１３の濃度が高い状態である。
【００９８】
この段階における断面概略図が、図２（Ｃ）に相当する。
【００９９】
続いて、基板２１側から、光２０を照射する（図３（Ａ））。
【０１００】
光２０は、重合開始剤が反応する波長、及び強度の光を用いることができる。例えば、光２０は、波長１００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を用いることができる。波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの光を用いると、大気による吸収が抑制できるため好ましい。代表的には、波長２５４ｎｍの光や、波長３６５ｎｍの光、波長３８５ｎｍの光などがある。光２０は、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ等の光源を用いて生成することができる。また、ランプやＬＥＤの他に、エキシマレーザ等のレーザを、光源として用いてもよい。
【０１０１】
光２０は、基板２１の表面に対して垂直に入射されるように、出来るだけ平行光に近い光を用いることが好ましい。特に基板２１が大きい場合などで、複数の光源を用いる場合には、光が斜め方向から入射されてしまう恐れがある。その場合、光源と基板２１との間に、光源からの光を平行光に近づけるためのスリット等を設けることが好ましい。
【０１０２】
図３（Ａ）に示すように、導電層２３が設けられていない領域において、光２０は液晶層２４に照射される。一方、導電層２３が設けられる領域では、光２０は導電層２３により遮光され、液晶層２４に到達しない。また、光２０は、導電層２３だけでなく、導電層７１や導電層７４ａ、導電層７４ｂなどでも遮光される。
【０１０３】
なお、ここではトランジスタ７０として、ゲートとして機能する導電層７１が基板２１側に位置するボトムゲート構造のトランジスタを示している。したがって、光２０は導電層７１によって遮光され、半導体層７２に照射されないため、トランジスタ７０の電気特性の変動が生じてしまうことを防ぐことができる。なお、トランジスタ７０としてトップゲート構造のトランジスタを用いる場合では、半導体層７２の下に、光２０を遮光する部材を配置する、または半導体層７２の下に第２のゲートを配置することが好ましい。
【０１０４】
図３（Ｂ）には、図３（Ａ）中に一点鎖線で示す領域の拡大図を示す。図３（Ｂ）は、光２０の照射が開始され、モノマー１３の重合が進んでいく過程における概念図である。
【０１０５】
導電層２３等に遮光されず、光２０が照射される領域を照射領域３０とする。照射領域３０では、光２０が照射されることにより、液晶層２４中の重合開始剤がラジカルを生成し、これによりモノマー１３が重合を開始する。重合が進行することにより、図３（Ｂ）に示すようにポリマーを含む隔壁１１が成長する。
【０１０６】
ここで、モノマー１３の重合に伴い、照射領域３０近傍の液晶層２４に含まれるモノマー１３の濃度が低下し、照射領域３０から離れるほどモノマー１３の濃度が高くなるような濃度分布が生じる場合がある。モノマー１３は、当該濃度分布を均一にするように、濃度の高いほうから濃度の低い方に拡散する性質を有する場合がある。このとき、モノマー１３の一部は、図３（Ｂ）中の矢印で示すように照射領域３０に向かって拡散する。これにより、導電層２３と重なる領域の、液晶層２４中のモノマー１３の濃度は、光２０の照射前に比べて、照射後では当該濃度が低い状態となる。また、液晶層２４中に含まれるモノマー１３の濃度が十分に低い場合や、モノマー１３が液晶層２４中を拡散しやすい場合などでは、光２０を照射した後におけるモノマー１３の濃度が検出されない程度に低い状態となる場合もある。
【０１０７】
光２０を照射する前における、液晶層２４中のモノマー１３の最適な濃度は、光２０の照射領域３０の面積に応じて決定することができる。例えば、画素が配列している領域（表示領域ともいう）に対する、照射領域３０の面積比率をα％（α＞０）としたとき、液晶層２４中のモノマー１３の重量濃度を（α−ｘ）ｗｔ％以上、（α＋ｘ）ｗｔ％以下の範囲内に設定することが好ましい。または、液晶層２４中のモノマー１３の体積濃度を（α−ｘ）％以上、（α＋ｘ）％以下の範囲内に設定することが好ましい。ここで、ｘ＝０．５α、好ましくはｘ＝０．３α、より好ましくはｘ＝０．２αを満たす。これにより、光２０を照射した後における、液晶素子４０として機能する部分の液晶層２４中のモノマー１３の濃度を低減することができる。
【０１０８】
モノマー１３の重合が進行することで、照射領域３０内において、配向膜５３ａと配向膜５３ｂの両方と接する隔壁１１が形成される。隔壁１１は、配向膜５３ａ及び配向膜５３ｂを接着する機能を有する。
【０１０９】
なお、図３（Ｂ）では隔壁１１が配向膜５３ａ側から配向膜５３ｂ側に向かって成長する場合の例を示しているが、あくまでも概念図であり、隔壁１１の成長過程は様々な形態を取りうる。例えば、液晶層２４中に形成された無数の小さなポリマーが連結しながら成長する場合もある。または、光２０の強度が強く、光２０が配向膜５３ｂまで十分な強度で到達する場合や、遮光層５２によって光２０が反射され、液晶層２４に再度照射される場合などでは、配向膜５３ｂ側からもポリマーが成長し、配向膜５３ａ側から成長したポリマーと繋がって一体となることで隔壁１１が形成される場合もある。どのような成長過程を経て隔壁１１が形成されたかは、隔壁１１の断面形状等から推定することができる。
【０１１０】
以上の工程により、表示装置１０を作製することができる（図３（Ｃ））。図３（Ｃ）は、図１（Ｂ）と同じ図である。
【０１１１】
なお、上述した作製方法において、光２０の照射条件や、光２０が散乱することなどにより、導電層２３の輪郭より内側の領域と重なる領域にも、隔壁１１が形成される場合もある。同様に、導電層７４ａ、導電層７４ｂ、及び導電層７１等の、光２０を遮光する部材と重なる領域にも、隔壁１１の一部が重ねて配置されていてもよい。
【０１１２】
ここで、導電層２３と重なる領域において、モノマー１３は、隔壁１１に近いほど濃度が低く、隔壁１１から遠いほど濃度が高い濃度分布を有している場合がある。
【０１１３】
また、導電層２３と重なる領域において、未反応の重合開始剤が残存している場合もある。このとき、液晶層２４中にモノマー１３と重合開始剤の両方が残存している場合には、外光に含まれる紫外線などにより、モノマー１３の重合反応が生じてしまう恐れがある。しかしながら、表示装置１０では、液晶層２４よりも表示面側には着色層５１ａ等が設けられており、これにより外光に含まれる紫外線が液晶層２４に到達することを防ぐことができる。したがって、モノマー１３や重合開始剤が残存していたとしても、使用環境下で重合反応が生じてしまうようなことはなく、信頼性の高い表示装置を実現することができる。
【０１１４】
以上が、表示装置の作製方法例１−１についての説明である。
【０１１５】
〔画素のレイアウト例〕
図４に、表示面側から見たときの画素のレイアウトの一例を示す。ここでは、基板２１側に設けられる導電層等、及び隔壁１１のみを示している。また絶縁層等の一部の構成要素は明示していない。
【０１１６】
図４に示す画素は、トランジスタ７０と容量素子７５を有する。トランジスタ７０は、導電層７１ａ、半導体層７２、絶縁層７３（図示しない）、導電層７４ａ、導電層７４ｂ等を有する。また、容量素子７５は、導電層７４ｂと導電層７１ｂとが絶縁層７３（図示しない）を介して積層された構成を有する。また、画素は、導電層７４ｂと電気的に接続し、可視光を反射し、且つ紫外線を遮光する導電層２３を有する。
【０１１７】
ここで、導電層７１ａの一部は信号線として機能し、導電層７１ｂの一部は容量線として機能し、導電層７４ａの一部は走査線として機能する。
【０１１８】
図４では、隔壁１１が設けられる領域にハッチングパターンを付している。隔壁１１は、上述した各導電層が設けられていない部分に形成される。
【０１１９】
図４に示すように、隣接する２つの導電層２３の間には配線等が設けられているため、当該配線と重なる部分には隔壁１１は形成されない。したがって、隔壁１１は導電層２３を完全に囲うのではなく、導電層２３の輪郭の一部に沿った島状に形成される。なお、上述した作製方法において、光２０の照射条件や、光２０が散乱することなどにより、上記導電層２３の一部や、上記配線の一部に重ねて、隔壁１１が形成される場合もある。
【０１２０】
なお、図４で示した画素の構成は一例であり、様々な構成の画素に本発明の一態様の表示装置の作製方法を適用できる。ここでは画素が１つのトランジスタと１つの容量素子を有する簡単な構成を例示したが、画素の構成はこれに限られず、２以上のトランジスタや容量素子を有していてもよい。
【０１２１】
以上が画素のレイアウト例についての説明である。
【０１２２】
以下では、本発明の一態様の表示装置の他の構成例、及び作製方法例について説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。
【０１２３】
〔断面構成例１−２〕
図５（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図５（Ａ）に示す構成は主に、構造体１４を有する点で、図１（Ｂ）に示す構成と相違している。
【０１２４】
構造体１４は、導電層２５と配向膜５３ｂの間に設けられている。配向膜５３ｂは、構造体１４を覆って設けられている。また構造体１４は、隣接する２つの導電層２３の間に位置する。また構造体１４は、遮光層５２と重なる部分を有する。また、隔壁１１は、構造体１４を取り囲むように設けられている。
【０１２５】
構造体１４は、基板２１と基板３１を貼り合せる際に、これらが必要以上に近づくことを抑制し、液晶素子４０のセルギャップを調整するための、スペーサとして機能する。
【０１２６】
〔作製方法例１−２〕
以下では、断面構成例１−２で例示した表示装置の作製方法の例について説明する。
【０１２７】
まず、作製方法例１−１と同様に、基板２１上に導電層７１から配向膜５３ａまで順に形成する。
【０１２８】
また、基板３１上に、遮光層５２から導電層２５まで順に形成する。
【０１２９】
続いて、導電層２５上に構造体１４を形成する。構造体１４は、絶縁層８１等と同様の方法により形成することができる。その後、構造体１４及び導電層２５を覆って配向膜５３ｂを形成する（図６（Ａ））。
【０１３０】
続いて、作製方法例１−１と同様に基板２１と基板３１を貼り合せる。
【０１３１】
続いて、基板２１側から光２０を照射する（図６（Ｂ））。
【０１３２】
光２０は、導電層２３等に遮蔽されない領域に照射される。ここで構造体１４が導電層２３と重ならない位置に設けられているため、光２０は構造体１４の側面を含む領域に照射される。そのため、構造体１４を取り囲むように、隔壁１１が形成される。
【０１３３】
モノマー１３が重合してポリマーを生成する際、モノマー１３が分散された液晶層２４と接する面からポリマーが成長することがある。ここでは構造体１４が配向膜５３ｂと導電層２５の間に設けられているため、光２０が照射される領域における、配向膜５３ｂと液晶層２４との接触面積は、構造体１４を有さない場合と比較して大きくなる。その結果、構造体１４を有さない場合に比べて、ポリマーが形成されやすいため、形成される隔壁１１はより高密度で強度の高いポリマーとなりやすい。
【０１３４】
以上の工程により、表示装置を作製することができる（図６（Ｃ））。図６（Ｃ）は、図５（Ａ）と同じ図である。
【０１３５】
図６（Ｃ）等に示す構成では、隔壁１１と、隔壁１１の内側に位置する構造体１４により、基板２１と基板３１の距離を保持することができる。したがって、より外力に対する物理的強度が高められたことに加え、外力によるセルギャップの変化が抑制された表示装置である。
【０１３６】
以上が作製方法例１−２についての説明である。
【０１３７】
〔断面構成例１−３〕
図５（Ｂ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図５（Ｂ）に示す構成は、主に、基板３１に代えて基板４１ｂ、接着層４２ｂ、及び絶縁層６２を有する点で、図１（Ｂ）に示す構成と相違している。
【０１３８】
絶縁層６２は、遮光層５２や着色層５１ａ、着色層５１ｂ等の被形成面を成す絶縁層である。基板４１ｂは、接着層４２ｂにより絶縁層６２の一方の面に貼り付けられている。絶縁層６２の他方の面側には、着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６１、導電層２５、及び配向膜５３ｂ等が設けられている。
【０１３９】
基板４１ｂとしては、基板２１よりも薄く、軽い材料を用いることができる。好適には、基板４１ｂとして可撓性を有する材料を用いることができる。
【０１４０】
例えば、基板４１ｂとして、厚さが１μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下の薄いシート状の材料を用いることができる。
【０１４１】
〔作製方法例１−３〕
以下では、断面構成例１−３で例示した表示装置の作製方法の例について説明する。
【０１４２】
まず、作製方法例１−１と同様に、基板２１上に導電層７１から配向膜５３ａまで順に形成する。
【０１４３】
続いて、支持基板４４ｂ上に剥離層４３ｂ及び絶縁層６２を順に形成する。
【０１４４】
支持基板４４ｂとしては、装置内または装置間における搬送が容易な程度に剛性を有する基板を用いることができる。また、作製工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板を用いる。例えば、厚さ０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下のガラス基板を用いることができる。
【０１４５】
剥離層４３ｂ及び絶縁層６２に用いる材料としては、剥離層４３ｂと絶縁層６２の界面、または剥離層４３ｂ中で剥離が生じるような材料を選択することができる。
【０１４６】
例えば、剥離層４３ｂとしてタングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、絶縁層６２として、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料の層を積層して用いることができる。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。剥離層４３ｂに高融点金属材料を用いると、その後の工程において、高い温度での処理が可能となるため、材料や形成方法の選択の自由度が高まるため好ましい。
【０１４７】
剥離層４３ｂとして、タングステンと酸化タングステンの積層構造を用いた場合では、タングステンと酸化タングステンの界面、酸化タングステン中、または酸化タングステンと絶縁層６２の界面で剥離することができる。
【０１４８】
なお、剥離層４３ｂやその上の被剥離層の構成については、これに限られず様々な材料を選択できる。
【０１４９】
続いて、絶縁層６２上に遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ、絶縁層６１、導電層２５、並びに配向膜５３ｂを、上記と同様の方法により形成する。
【０１５０】
この段階における断面概略図が、図７（Ａ）に相当する。
【０１５１】
続いて、基板２１と支持基板４４ｂを貼り合せる。貼り合せは、上記と同様の方法により行うことができる。
【０１５２】
続いて、基板２１側から光２０（図示しない）を照射し、隔壁１１を形成する（図７（Ｂ））。
【０１５３】
続いて、絶縁層６２と剥離層４３ｂとの間で剥離することにより、支持基板４４ｂ及び剥離層４３ｂを除去する（図７（Ｃ））。
【０１５４】
このように、剥離を行うよりも前に、隔壁１１を形成することが好ましい。ここで、基板２１と絶縁層６２を接合する隔壁１１は、隣接画素間に複数配置されているため、基板２１と絶縁層６２との接着強度が高められている。したがって、剥離を行う工程において、液晶層２４の内部で剥離されてしまうことが抑制され、より高い歩留りで支持基板４４ｂを剥離することができる。
【０１５５】
絶縁層６２と支持基板４４ｂとを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または液体を滴下する、または液体に支持基板４４ｂを含浸させるなどし、剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張率の違いを利用し、支持基板４４ｂを加熱または冷却することにより剥離を行ってもよい。
【０１５６】
また、剥離を行う前に、剥離界面の一部を露出させる処理を行ってもよい。例えばレーザや鋭利な部材などにより、剥離層４３ｂ上の絶縁層６２の一部を除去する。これにより、絶縁層６２が除去された部分を出発点（起点）として、剥離を進行させることができる。
【０１５７】
剥離を終えた後、絶縁層６２の表面に剥離層４３ｂの一部が残存している場合がある。その場合、残存した剥離層４３ｂを洗浄やエッチング、拭き取りなどを行うことにより除去してもよい。また、残存した剥離層４３ｂが可視光に対する透過性が高く、視認性に影響ない場合には、除去しなくてもよい。その場合には、絶縁層６２と後述する接着層４２ｂとの間に、剥離層４３ｂに含まれる元素を含む層が残存する。
【０１５８】
続いて、絶縁層６２と基板４１ｂとを接着層４２ｂによって接着する。接着層４２ｂとしては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。
【０１５９】
以上の工程により、図５（Ｂ）に示す表示装置を作製することができる。
【０１６０】
本発明の一態様の表示装置の作製方法において、着色層５１ａや遮光層５２等の作製時には、比較的厚い支持基板４４ｂを用いるため、搬送が容易であり、高い歩留りで作製することができる。また支持基板４４ｂを用いることにより、着色層５１ａや遮光層５２等の形成時に高い温度をかけることができるため、不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置とすることができる。また薄い基板４１ｂ上に直接、着色層５１ａや遮光層５２等を形成する方法に比べて、熱による支持基板４４ｂの膨張、収縮の影響を抑制できる。また基板２１と支持基板４４ｂの貼り合せの際、支持基板４４ｂが剛性を有しているため、高い位置精度で貼り合せを行うことができる。そのため液晶素子４０と着色層５１ａ等の位置ずれを防ぐことができ、極めて高精細な表示装置を実現できる。
【０１６１】
また、支持基板４４ｂを剥離し、少なくとも支持基板４４ｂよりも厚さの薄い基板４１ｂを貼り付けることで、厚さが薄く、軽量な表示装置を実現できる。また、着色層５１ａや遮光層５２等を形成した後に、薄い基板４１ｂを貼り付けることができるため、基板４１ｂとして耐熱性に乏しい材料を用いることができ、材料の選択の幅が広がり、様々な材料を基板４１ｂに用いることができる。また、表示面側の基板４１ｂの厚さが薄いため、例えば比較的厚い（例えば０．３ｍｍよりも厚い）ガラス基板等を用いた場合に比べて、表示のコントラスト、色再現性、視野角依存性などの光学特性に優れた表示装置を実現できる。
【０１６２】
以上が作製方法例１−３についての説明である。
【０１６３】
〔断面構成例１−４〕
図５（Ｃ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図５（Ｃ）に示す構成は、基板２１に代えて基板４１ａ、接着層４２ａ、絶縁層８２を有する点で、図５（Ｂ）に示す構成と相違している。
【０１６４】
絶縁層８２は、トランジスタ７０等の被形成面を成す絶縁層である。基板４１ａは、接着層４２ａにより絶縁層８２の一方の面に貼り付けられている。絶縁層８２の他方の面上には、トランジスタ７０や、導電層２３等が設けられている。
【０１６５】
図５（Ｃ）に示す構成は、基板４１ｂ及び基板４１ａの両方に、上述したような薄いシート状の材料を用いることで、図５（Ｂ）に示す構成と比較してより厚さが薄く、且つ軽量な表示装置を実現することができる。さらに、基板４１ｂと基板４１ａの両方に可撓性を有する材料を用いることにより、曲げることのできる表示装置を実現することができる。
【０１６６】
基板４１ａとしては、上述した基板４１ｂと同様の材料を用いることができる。また接着層４２ａは、上述した接着層４２ｂと同様の材料を用いることができる。
【０１６７】
〔作製方法例１−４〕
以下では、図５（Ｃ）で例示した表示装置の作製方法の例について説明する。
【０１６８】
まず、支持基板４４ａ上に剥離層４３ａと絶縁層８２を順に形成する。剥離層４３ａは、上記剥離層４３ｂと同様の方法により形成することができる。また絶縁層８２は、上記絶縁層６２と同様の方法により形成することができる。
【０１６９】
続いて、絶縁層８２上に、作製方法例１−１と同様に、導電層７１から配向膜５３ａまで順に形成する。
【０１７０】
この段階における断面概略図が、図８（Ａ）に相当する。
【０１７１】
続いて、作製方法例１−３と同様に支持基板４４ｂ上に、剥離層４３ｂ及び絶縁層６２を順に形成する。その後、絶縁層６２上に遮光層５２、着色層５１ａ及び着色層５１ｂ、絶縁層６１、導電層２５、並びに配向膜５３ｂを、上記と同様の方法により形成する。
【０１７２】
続いて、支持基板４４ａと支持基板４４ｂとを貼り合せる。貼り合せは、上記と同様の方法により行うことができる。
【０１７３】
続いて、支持基板４４ａ側から光２０（図示しない）を照射し、隔壁１１を形成する（図８（Ｂ））。
【０１７４】
ここで、光２０の照射は、剥離層４３ａを介して液晶層２４に光２０が到達するように行う必要がある。例えば剥離層４３ａとして、金属を含む材料を用いた場合には、光２０が遮光され、液晶層２４にまで十分に光２０が到達しない場合もある。そのため、剥離層４３ａに金属を含む材料を用いた場合には、剥離層４３ａとして、光２０が透過する程度に薄い膜を用いること、また剥離層４３ａによる反射や吸収を考慮して、光２０の照射条件を適切なものとすること、が重要である。
【０１７５】
例えば剥離層４３ａとして、タングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた場合、タングステン膜の厚さを１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さとすることで、特別な照射装置を用いることなく、隔壁１１を形成することができる。
【０１７６】
また、照射装置の出力、及び照射時間を調整し、液晶層２４に到達する光のエネルギーが０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下、好ましくは１Ｊ／ｃｍ２以上５０Ｊ／ｃｍ２以下となるような条件で、光２０を照射することが好ましい。
【０１７７】
続いて、また、絶縁層６２と剥離層４３ｂとの間で剥離することにより、支持基板４４ｂと剥離層４３ｂを除去する（図８（Ｃ））。その後、絶縁層６２と基板４１ｂとを接着層４２ｂにより貼り合せる。
【０１７８】
続いて、絶縁層８２と剥離層４３ａとの間で剥離することにより、支持基板４４ａ及び剥離層４３ａを除去する（図９（Ａ））。その後、絶縁層８２と基板４１ａとを接着層４２ａにより貼り合せる。
【０１７９】
以上の工程により、表示装置を作製することができる（図９（Ｂ））。図９（Ｂ）は、図５（Ｃ）と同じ図である。
【０１８０】
なお、ここでは支持基板４４ｂと剥離層４３ｂを除去し、基板４１ｂを貼り合せる工程を先に行うこととしたが、反対に支持基板４４ａと剥離層４３ａを除去し、基板４１ａを貼り合せる工程を先に行ってもよい。またこれらを同時に行ってもよい。
【０１８１】
本発明の一態様の表示装置の作製方法では、作製方法例１−３で説明した効果に加えて、次のような効果がある。トランジスタ７０や導電層２３の作製時には、比較的厚い支持基板４４ａを用いるため、搬送が容易であり、高い歩留りで作製することができる。また、薄い基板４１ａ上に直接、トランジスタ７０等を形成する方法に比べて、トランジスタ７０やその周囲の絶縁層を形成する際に、高温の処理を行うことができるため、トランジスタ７０内、及びその近傍の不純物が低減され、極めて信頼性の高いトランジスタ７０を実現できる。
【０１８２】
以上が、作製方法例１−４についての説明である。
【０１８３】
［構成例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置（表示パネル）の例を説明する。このような表示パネルを、ＴＲ−ｈｙｂｒｉｄ  ｄｉｓｐｌａｙ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ  ＯＬＥＤ  ａｎｄ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ＬＣ  Ｈｙｂｒｉｄ  ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
【０１８４】
このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、透過モードでは当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することができる。また、平面視において、液晶素子と発光素子を並べて配置した場合と比べて、これらを積層して配置することで、液晶素子と発光素子の両方を有する画素の大きさを小さくすることができるため、より高精細な表示装置を実現できる。
【０１８５】
さらに、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとが、同一平面上に配置されていることが好ましい。また、発光素子と液晶素子とは、絶縁層を介して積層されていることが好ましい。
【０１８６】
このような表示パネルは、屋外など外光の明るい場所では反射モードで表示することにより、極めて電力消費が低い駆動を行うことができる。また夜間や室内など外光が暗い場所では、透過モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができる。さらに、透過モードと反射モードの両方のモードで表示することにより、極めて外光が明るい場所であっても従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、且つコントラストの高い表示を行うことができる。
【０１８７】
〔断面構成例２−１〕
図１０（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１０（Ａ）に示す構成は、液晶素子４０と、発光素子９０が絶縁層８３を介して重ねて配置されている。図１０（Ａ）に示す構成では、基板３１側が表示面側に相当する。
【０１８８】
表示装置は、絶縁層８３の一方の面上に形成された、トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂを有する。トランジスタ７０ａは、液晶素子４０と電気的に接続し、トランジスタ７０ｂは、発光素子９０と電気的に接続する。
【０１８９】
トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂを覆う絶縁層８１の基板２１側には、導電層９１が設けられ、導電層９１の端部を覆って絶縁層８４が設けられている。導電層９１とトランジスタ７０ｂのソース又はドレインの一方とは、絶縁層８１に設けられた開口を介して電気的に接続されている。絶縁層８４は、平坦化層として機能する。絶縁層８４の基板２１側には、ＥＬ層９２、導電層９３ａ、及び導電層９３ｂが設けられている。導電層９１、ＥＬ層９２、導電層９３ａ、及び導電層９３ｂにより、発光素子９０が構成されている。
【０１９０】
導電層９１及び導電層９３ａは、可視光を透過する機能を有する。導電層９３ｂは、可視光を反射する機能を有する。したがって、発光素子９０は、導電層９１側に光を射出する、ボトムエミッション型の発光素子である。
【０１９１】
また、絶縁層８３の基板３１側には、導電層２３ａと導電層２３ｂが積層して設けられている。また導電層２３ａと液晶層２４の間に、配向膜５３ａが設けられている。液晶層２４、及び液晶層２４と基板３１の間の構成は、構成例１を援用できるため、説明を省略する。
【０１９２】
また表示装置は、絶縁層８３の両面に設けられる導電層同士を電気的に接続する接続部８０を有する。図１０（Ａ）では、端子部が絶縁層８３に設けられた開口と、当該開口に位置し、トランジスタ７０ａ等のゲートと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、を有する構成を示している。トランジスタ７０ａのソース又はドレインの一方と導電層２３ｂは、接続部８０を介して電気的に接続されている。
【０１９３】
導電層２３ａは、可視光を透過する機能を有する。また導電層２３ｂは、可視光を反射する機能を有する。したがって液晶素子４０は、反射型の液晶素子として機能する。
【０１９４】
また、可視光を反射する導電層２３ｂには、発光素子９０と重なる領域において、開口が設けられている。発光素子９０から射出された光は、当該開口を介して、基板３１側に射出される。
【０１９５】
図１０（Ａ）に示す表示装置は、液晶素子４０と電気的に接続するトランジスタ７０ａと、発光素子９０と電気的に接続するトランジスタ７０ｂを有するため、液晶素子４０と発光素子９０をそれぞれ独立に制御することが可能である。また、トランジスタ７０ａとトランジスタ７０ｂは、同一面上に同一工程を経て形成することが可能であるため、工程が簡略化され、高い歩留りで作製することができる。
【０１９６】
また、図１０（Ａ）に示すように、可視光を反射する導電層９３ｂには、隔壁１１と重なる領域に開口が設けられている。また、導電層９３ａは、紫外線を透過する機能を有する。隔壁１１を形成するための光の照射を行う際は、当該開口を介して液晶層２４に光を照射することができる。
【０１９７】
〔作製方法例２−１〕
以下では、図１０（Ａ）に示した表示装置の作製方法の例について説明する。
【０１９８】
まず、支持基板４４ｃ上に、剥離層４３ｃを形成する。支持基板４４ｃは、上記支持基板４４ａ及び支持基板４４ｂと同様の基板を用いることができる。また剥離層４３ｃは、上記剥離層４３ａ及び剥離層４３ｂと同様の方法により形成することができる。
【０１９９】
続いて、剥離層４３ｃ上に、導電層２３ａを形成する。導電層２３ａとしては、酸化物導電性材料を用いることが好ましい。導電層２３ａとして酸化物導電性材料を用いることで、導電層２３ａと剥離層４３ｃの界面で好適に剥離を行うことができる。導電層２３ａとしては、例えば金属酸化物や、低抵抗化された酸化物半導体材料を用いることができる。
【０２００】
導電層２３ａに酸化物半導体材料を用いる場合には、プラズマ処理や熱処理等により、酸化物半導体材料中に酸素欠損を生じさせることによりキャリア密度を高めてもよい。また酸化物半導体材料中に、水素や窒素の他、アルゴンなどの希ガス等の不純物を導入することによりキャリア密度を高めてもよい。また導電層２３ａ上に形成する導電層２３ｂとして、酸素が拡散しやすい材料を用いることで、酸化物半導体中の酸素を低減させてもよい。なお、上述した方法を二以上適用してもよい。
【０２０１】
続いて、導電層２３ａ上に導電層２３ｂを形成する。導電層２３ｂとしては、金属、または合金材料を含む単層構造、または積層構造を用いることができる。導電層２３ｂとして積層構造を用いる場合には、導電層２３ａと接する層に反射率の高い材料を用いることが好ましい。
【０２０２】
このとき、導電層２３ｂは剥離層４３ｃと接しないように、導電層２３ａのパターンよりも内側に配置されるように加工することが好ましい。導電層２３ｂと剥離層４３ｃとが接すると、その部分で剥離の不良が発生する場合がある。
【０２０３】
続いて、剥離層４３ｃ、導電層２３ａ及び導電層２３ｂを覆って絶縁層８３を形成する。このとき、絶縁層８３の一部に、導電層２３ｂに達する開口を形成する。
【０２０４】
この段階における断面概略図が、図１１（Ａ）に相当する。
【０２０５】
続いて、絶縁層８３上にトランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを形成する。これらは、構成例１と同様の方法により、形成することができる。
【０２０６】
このとき、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂのゲートを形成する工程において、導電膜を成膜した後に加工するときに、絶縁層８３に設けられた開口を介して導電層２３ｂと電気的に接続する導電層を同時に形成する。これにより、接続部８０を形成することができる。
【０２０７】
また、トランジスタ７０ａのソース又はドレインの一方が、接続部８０と電気的に接続するように、トランジスタ７０ａ等のゲート絶縁層として機能する絶縁層に、開口を形成する。
【０２０８】
続いて、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを覆う絶縁層８１を形成する。このとき、絶縁層８１は、トランジスタ７０ｂのソース又はドレインの一方に達する開口を形成する。その後、絶縁層８１上に、導電層９１を形成する。
【０２０９】
この段階における断面概略図が、図１１（Ｂ）に相当する。
【０２１０】
続いて、導電層９１の端部を覆い、且つ導電層９１と重なる部分に開口を有する絶縁層８４を形成する。絶縁層８４は、導電層９１の端部を被覆すると共に、平坦化層としての機能を有する。絶縁層８４としては、有機樹脂を用いることが好ましい。また絶縁層８４は、端部がテーパ形状を有することが好ましい。
【０２１１】
続いて、導電層９１及び絶縁層８４上に、ＥＬ層９２、導電層９３ａを順に形成する。その後、導電層９３ａ上に導電層９３ｂを形成する。
【０２１２】
導電層９３ｂは、光２０を透過させるための開口を有するように形成することが好ましい。たとえば、メタルマスクなどのシャドウマスクを用い、蒸着法やスパッタリング法などの成膜方法を用いることにより、開口を有する導電層９３ｂを形成することができる。
【０２１３】
ここでは、導電層９３ｂを導電層９３ａの後に形成する例を説明したが、導電層９３ａを導電層９３ｂの後に形成してもよい。
【０２１４】
また、ここでは示さないが、導電層９３ａ及び導電層９３ｂを覆って、バリア膜として機能する絶縁層を形成してもよい。当該絶縁層は、スパッタリング法やＡＬＤ法などの、形成温度を低くしても緻密な膜を形成できる成膜方法を用いることが好ましい。また、無機絶縁材料を含む膜と、有機絶縁材料を含む膜の積層構造としてもよい。
【０２１５】
続いて導電層９３ａ及び導電層９３ｂと、基板２１とを接着層８９を介して貼り合せる。
【０２１６】
この段階における断面概略図が、図１１（Ｃ）に相当する。
【０２１７】
続いて、剥離層４３ｃと絶縁層８３との間、及び剥離層４３ｃと導電層２３ａとの間で剥離し、支持基板４４ｃ及び剥離層４３ｃを除去する（図１１（Ｄ））。
【０２１８】
ここで、剥離を終えた後、導電層２３ａの表面、及び絶縁層８３の表面に、剥離層４３ｃの一部が残存し、薄膜が形成されてしまう場合がある。例えば当該残存した膜が導電性を有する場合には、隣接画素間における２つの導電層２３ａ同士や、導電層２３ａと同一の導電膜を加工して形成した端子同士などが、電気的にショートしてしまう恐れがある。また、当該薄膜が絶縁性を有していると、導電層２３ａや上記端子等の表面が露出せず、これらの電極や端子としての機能が失われてしまう場合がある。そのため、剥離を終えた後に、洗浄やエッチング、拭き取りなどを行うことが好ましい。エッチングとしては、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができる。
【０２１９】
その後、導電層２３ａ及び絶縁層８３上に、配向膜５３ａを形成する。
【０２２０】
続いて、あらかじめ基板３１上に着色層５１ａ、着色層５１ｂ、遮光層５２、絶縁層６１、導電層２５、及び配向膜５３ｂを形成した基板を準備する。そして、基板３１と基板２１とを、液晶層２４を挟んで貼り合せる（図１２（Ａ））。
【０２２１】
このとき、導電層９３ｂが有する開口が、隣接する２つの導電層２３ｂの間の領域と重なるように配置することができる。また導電層９３ｂが有する開口は、遮光層５２と重なることが好ましい。
【０２２２】
その後、基板２１側から、光２０を照射する（図１２（Ｂ））。このとき、光２０は、液晶層２４の導電層９３ｂの開口と重なる部分に自己整合的に照射することができる。また、発光素子９０は、基板２１側に導電層９３ｂが設けられているため、基板２１側から光２０を照射しても、発光素子９０中のＥＬ層９２等に光２０が照射されることが抑制され、発光素子９０が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０２２３】
また、ここでは示さないが、導電層２３ｂや配線等が、導電層９３ｂの開口と重なる領域に配置された場合には、光２０の一部は、当該導電層２３ｂや配線によって遮光される。すなわち、隔壁１１は、導電層２３ｂ、導電層９３ｂ、及び配線等と重ならない領域に形成される。
【０２２４】
以上の工程により、図１０（Ａ）に示す表示装置を作製することができる。
【０２２５】
〔変形例１〕
図１０（Ｂ）には、図１０（Ａ）と一部の構成が異なる例を示している。具体的には、基板３１に代えて、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂを有し、また基板２１に代えて基板４１ａを有する。
【０２２６】
このような構成とすることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
【０２２７】
図１０（Ｂ）に示す表示装置を作製する方法の例について説明する。例えば、上記作製方法例２−１中の、基板２１を接着層８９により貼り合せる工程において、基板２１に代えて基板４１ａを貼り合せればよい。また、基板３１に代えて、支持基板上に剥離層、絶縁層６２を積層して形成した基板を用い、隔壁１１を形成した後に、当該支持基板と剥離層を除去し、絶縁層６２と、基板４１ｂとを接着層４２ｂにより貼り合せればよい。
【０２２８】
なお、図１０（Ａ）において、基板２１はそのまま用い、基板３１側のみを、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂの積層構造に代えた構成としてもよい。
【０２２９】
以上が変形例１についての説明である。
【０２３０】
〔断面構成例２−２〕
図１３（Ａ）に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図１３（Ａ）に示す構成は、図１０（Ａ）で例示した構成と比較し、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂが、絶縁層８３よりも基板３１側に設けられている点で主に相違している。
【０２３１】
トランジスタ７０ａは、ソース又はドレインの一方が絶縁層８１に設けられた開口を介して、絶縁層８１上に設けられた導電層２３と電気的に接続されている。また導電層２３上には配向膜５３ａが設けられている。
【０２３２】
トランジスタ７０ｂは、接続部８０を介して導電層９１と電気的に接続されている。導電層９１を覆って、ＥＬ層９２、導電層９３ｂ、及び導電層９３ａが積層して設けられている。
【０２３３】
ここで、導電層９１の基板２１側の表面と、絶縁層８３の基板２１側の表面は、概略一致しており、これらの境界における段差は極めて小さい。そのため、図１０（Ａ）等で例示した、導電層９１の端部を覆う絶縁層（絶縁層８４）を設けない構成とすることができる。なお、絶縁層８４を設けてもよい。
【０２３４】
また、ここでは可視光を透過する導電層９３ａが、可視光を反射する導電層９３ｂよりも基板２１側に設けられている例を示している。例えば金属酸化物を含む導電層９３ａにより、金属または合金を含む導電層９３ｂの表面を覆って設けることで、導電層９３ｂの酸化を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。
【０２３５】
また、図１３（Ａ）に示すように、隔壁１１が、遮光層５２等と重なる領域だけでなく、発光素子９０と重なる領域にも設けられていてもよい。このとき、発光素子９０からの光は、導電層２３に設けられた開口、隔壁１１、及び着色層５１ａ等を介して、基板３１側から外部に射出される。
【０２３６】
〔作製方法例２−２〕
以下では、図１３（Ａ）に示した表示装置の作製方法の例について説明する。
【０２３７】
まず、支持基板４４ｃ上に、剥離層４３ｃを形成し、剥離層４３ｃ上に導電層９１を形成する。導電層９１は、上記導電層２３ａと同様の材料を用い、同様の方法により形成することができる。
【０２３８】
続いて、導電層９１及び剥離層４３ｃを覆って絶縁層８３を形成する。その後、絶縁層８３に導電層９１に達する開口を形成する。
【０２３９】
続いて、絶縁層８３上にトランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂを形成する。このとき、トランジスタ７０ａ及びトランジスタ７０ｂのゲートを形成する工程において、導電層９１と電気的に接続する導電層を同時に形成し、接続部８０を形成する。
【０２４０】
続いて、絶縁層８１を形成した後、絶縁層８１上に導電層２３を形成する。その後、導電層２３及び絶縁層８１を覆って配向膜５３ａを形成する。
【０２４１】
この段階における断面概略図が、図１４（Ａ）に相当する。
【０２４２】
続いて、上記と同様の方法により、支持基板４４ｃと基板３１を、液晶層２４を挟んで貼り合せる（図１４（Ｂ））。
【０２４３】
その後、支持基板４４ｃ側から、光２０を照射し、液晶層２４中に隔壁１１を形成する（図１４（Ｃ））。
【０２４４】
このとき、導電層２３の開口と重なる領域において、支持基板４４ｃと液晶層２４との間に、光２０を遮る部材が無いため、図１４（Ｃ）に示すように、当該領域と重なる液晶層２４の一部にも、光２０が照射される。その結果、導電層２３の開口と重なる隔壁１１が形成される。
【０２４５】
続いて、剥離層４３ｃと絶縁層８３との間、及び剥離層４３ｃと導電層９１との間で剥離し、支持基板４４ｃ及び剥離層４３ｃを除去する（図１５（Ａ））。この直後、剥離した表面に対して洗浄などの処理を行ってもよい。
【０２４６】
続いて、導電層９１及び絶縁層８３を覆って、ＥＬ層９２、導電層９３ｂ、及び導電層９３ａを形成する（図１５（Ｂ））。
【０２４７】
このとき、導電層９３ａよりも導電層９３ｂを後に形成してもよい。また導電層９３ａ及び導電層９３ｂを形成した後に、バリア膜として機能する絶縁層を形成してもよい。
【０２４８】
続いて、導電層９３ａと基板２１とを、接着層８９を用いて貼り合せる。
【０２４９】
以上の工程により、図１３（Ａ）に示す表示装置を作製することができる。
【０２５０】
〔変形例２〕
図１３（Ｂ）には、図１３（Ａ）と一部の構成が異なる例を示している。具体的には、基板３１に代えて、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂを有し、また基板２１に代えて基板４１ａを有する。
【０２５１】
このような構成とすることで、曲げることのできる表示装置を実現できる。
【０２５２】
図１３（Ｂ）に示す表示装置を作製する方法の例について説明する。例えば、上記作製方法例２−２中の、基板２１を接着層８９により貼り合せる工程において、基板２１に代えて基板４１ａを貼り合せればよい。また、基板３１に代えて、支持基板上に剥離層、絶縁層６２を積層して形成した基板を用い、隔壁１１を形成した後に、当該支持基板と剥離層を除去し、絶縁層６２と、基板４１ｂとを接着層４２ｂにより貼り合せればよい。
【０２５３】
なお、図１３（Ａ）において、基板２１はそのまま用い、基板３１側のみを、絶縁層６２、接着層４２ｂ、及び基板４１ｂの積層構造に代えた構成としてもよい。
【０２５４】
以上が変形例２についての説明である。
【０２５５】
［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
【０２５６】
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０２５７】
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現できる。
【０２５８】
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０２５９】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用いることができる。
【０２６０】
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
【０２６１】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
【０２６２】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０２６３】
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
【０２６４】
可撓性を有する基板に、表示装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
【０２６５】
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０２６６】
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
【０２６７】
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０２６８】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０２６９】
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウム等）、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
【０２７０】
特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０２７１】
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が確認できない酸化物半導体を用いることが好ましい。
【０２７２】
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示装置などに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。
【０２７３】
また半導体層としてこのような結晶性を有する酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０２７４】
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【０２７５】
半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
【０２７６】
スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、またはジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
【０２７７】
半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０２７８】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０２７９】
また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。
【０２８０】
半導体層を構成する酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０２８１】
半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【０２８２】
半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
【０２８３】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
【０２８４】
半導体層を構成する酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０２８５】
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０２８６】
また、半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが好ましい。
【０２８７】
また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、または、Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ａｎｄ  Ａ−Ｂ−ｐｌａｎｅ  Ａｎｃｈｏｒｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。
【０２８８】
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。
【０２８９】
なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。
【０２９０】
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また極めて高精細な表示部とする場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０２９１】
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
【０２９２】
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０２９３】
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
【０２９４】
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０２９５】
また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０２９６】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０２９７】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０２９８】
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
【０２９９】
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
【０３００】
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０３０１】
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
【０３０２】
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
【０３０３】
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶素子などを用いることができる。
【０３０４】
本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。
【０３０５】
透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板を設ける。また一方の偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。ＬＥＤを備える直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
【０３０６】
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
【０３０７】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０３０８】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０３０９】
本発明の一態様では、特にボトムエミッション型の発光素子を用いることができる。
【０３１０】
ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０３１１】
ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０３１２】
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０３１３】
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
【０３１４】
ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。
【０３１５】
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
【０３１６】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０３１７】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。
【０３１８】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。
【０３１９】
なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
【０３２０】
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、または１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
【０３２１】
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【０３２２】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
【０３２３】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０３２４】
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０３２５】
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
【０３２６】
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
【０３２７】
以上が各構成要素についての説明である。
【０３２８】
［作製方法例］
ここでは、可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法の例について説明する。
【０３２９】
ここでは、表示素子、回路、配線、電極、着色層や遮光層などの光学部材、及び絶縁層等が含まれる各層をまとめて素子層と呼ぶこととする。例えば、素子層は表示素子を含み、表示素子の他に表示素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていてもよい。
【０３３０】
また、ここでは、表示素子が完成した（作製工程が終了した）段階において、素子層を支持し、可撓性を有する部材のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、厚さが１０ｎｍ以上３００μｍ以下の、極めて薄いフィルム等も含まれる。
【０３３１】
可撓性を有し、絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には以下に挙げる２つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥離し、素子層を基板に転置する方法である。なお、ここでは詳細に説明しないが、上記２つの方法に加え、可撓性を有さない基板上に素子層を形成し、当該基板を研磨等により薄くすることで可撓性を持たせる方法もある。
【０３３２】
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容易になるため好ましい。
【０３３３】
また、素子層を支持基板上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基板と素子層の間で剥離し、素子層を基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と絶縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため、好ましい。
【０３３４】
例えば剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
【０３３５】
素子層と支持基板とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる。または、剥離界面を形成する２層の熱膨張率の違いを利用し、支持基板を加熱または冷却することにより剥離を行ってもよい。
【０３３６】
また、支持基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
【０３３７】
例えば、支持基板としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用いることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、または鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、または貫通すること等により剥離の起点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０３３８】
または、支持基板と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱することにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加することにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば発熱層としては、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
【０３３９】
なお、上述した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は、剥離後に基板として用いることができる。
【０３４０】
以上が可撓性を有する表示装置を作製する方法についての説明である。
【０３４１】
［構成例３］
以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
【０３４２】
〔断面構成例３−１〕
図１６は、以下で例示する表示装置の断面概略図である。図１（Ａ）におけるＦＰＣ４２を含む領域、回路３４を含む領域、表示部３２を含む領域などの断面の一例を示している。
【０３４３】
基板２１と基板３１とは、接着層１４１によって貼り合わされている。また基板２１、基板３１、及び接着層１４１に囲まれた領域に、液晶１１２が封止されている。また、基板３１の外側の面には、偏光板１３０を有する。
【０３４４】
図１６では、液晶素子４０が導電層１１１と、導電層１１３の一部と、これらの間に挟持された液晶１１２により構成されている。また液晶１１２と導電層１１１の間に配向膜１３３ａが設けられ、液晶１１２と導電層１１３の間に配向膜１３３ｂが設けられている。
【０３４５】
また、基板２１と基板３１の間には、液晶１１２中にモノマー１３が分散されている。また基板２１と基板３１の間には、隔壁１１が設けられている。
【０３４６】
また、図示しないが、偏光板１３０よりも外側に、フロントライトを設けることができる。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。ＬＥＤを備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。
【０３４７】
基板３１には、着色層１３１、遮光層１３２、絶縁層１２１、及び液晶素子４０の共通電極として機能する導電層１１３、配向膜１３３ｂ等が設けられている。
【０３４８】
基板２１には、液晶素子４０の画素電極として機能する導電層１１１、配向膜１３３ａ、トランジスタ２０１、トランジスタ２０２、容量素子２０３、接続部２０４、配線３５等が設けられている。トランジスタ２０１は、例えば上述したトランジスタ７０と対応する。
【０３４９】
基板２１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能し、また他の一部は、容量素子２０３の誘電体として機能する。絶縁層２１２、絶縁層２１３、及び絶縁層２１４は、各トランジスタや容量素子２０３を覆って設けられている。絶縁層２１４は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ等を覆う絶縁層として、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４の３層を有する場合について示しているが、これに限られず４層以上であってもよいし、単層、または２層であってもよい。また平坦化層として機能する絶縁層２１４は、不要であれば設けなくてもよい。
【０３５０】
また、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０２は、一部がゲートとして機能する導電層２２１、一部がソース又はドレインとして機能する導電層２２２、半導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。
【０３５１】
ここで、トランジスタ２０２の一対の導電層２２２のうち、導電層１１１と電気的に接続されていない方の導電層２２２は、信号線の一部として機能してもよい。また、トランジスタ２０２のゲートとして機能する導電層２２１は、走査線の一部として機能してもよい。
【０３５２】
図１６では、表示部３２の例として、２つの画素（副画素）の断面を示している。例えば１つの副画素は、トランジスタ２０２と、容量素子２０３と、液晶素子４０と、着色層１３１と、を有する。例えば着色層１３１を選択的に形成して赤色を呈する副画素、緑色を呈する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことができる。
【０３５３】
図１６では、回路３４の例としてトランジスタ２０１が設けられている例を示している。
【０３５４】
図１６では、トランジスタ２０１及びトランジスタ２０２の例として、１つのゲートを設ける構成を示したが、チャネルが形成される半導体層２３１を２つのゲートで挟持する構成を適用してもよい。このような構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。このとき、２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
【０３５５】
なお、回路３４が有するトランジスタと、表示部３２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよい。また回路３４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部３２が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。
【０３５６】
各トランジスタを覆う絶縁層２１２、絶縁層２１３のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層２１２または絶縁層２１３はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を実現できる。
【０３５７】
絶縁層２１４上には、導電層１１１が設けられている。導電層１１１は、絶縁層２１４、絶縁層２１３、絶縁層２１２等に形成された開口を介して、トランジスタ２０２のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また導電層１１１は、容量素子２０３の一方の電極と電気的に接続されている。
【０３５８】
基板３１側において、着色層１３１、遮光層１３２を覆って絶縁層１２１が設けられている。絶縁層１２１は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層１２１により、導電層１１３の表面を概略平坦にできるため、液晶１１２の配向状態を均一にできる。
【０３５９】
また、図１６において、隔壁１１は２つの隣接する導電層１１１の間と重なる領域に位置する。また隔壁１１は、配向膜１３３ａ、配向膜１３３ｂ、導電層１１３等と重ねて配置されている。また隔壁１１は、導電層２２１や導電層２２２と重ならないように配置されている。
【０３６０】
液晶素子４０において、導電層１１１は可視光を反射する機能を有し、導電層１１３は可視光を透過する機能を有する。基板３１側から入射した光は、偏光板１３０により偏光され、導電層１１３及び液晶１１２を透過し、導電層１１１で反射する。そして液晶１１２及び導電層１１３を再度透過して、偏光板１３０に達する。このとき、導電層１１１と導電層１１３の間に与える電圧によって液晶１１２の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板１３０を介して射出される光の強度を制御することができる。また光は着色層１３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
【０３６１】
ここで、偏光板１３０として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板１３０の種類に応じて、液晶素子４０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
【０３６２】
導電層１１３は、基板３１の端部に近い部分において、基板２１側に設けられた導電層と接続体２４３により電気的に接続されている。これにより、基板２１側に配置されるＦＰＣやＩＣ等から導電層１１３に電位や信号を供給することができる。
【０３６３】
接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体２４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体２４３は、図１６に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
【０３６４】
接続体２４３は、接着層１４１に覆われるように配置することが好ましい。例えば接着層１４１となるペースト等を塗布した後に、接続体２４３を配置すればよい。
【０３６５】
基板２１の端部に近い領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４は、接続層２４２を介してＦＰＣ４２と電気的に接続されている。図１６に示す構成では、配線３５の一部と、導電層１１１と同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで接続部２０４を構成している例を示している。
【０３６６】
以上が断面構成例３−１についての説明である。
【０３６７】
〔断面構成例３−２〕
以下では、断面構成例３−１とは異なるモードの液晶素子が適用された表示装置の断面構成例について説明する。ここでは、横電界方式で駆動することができる液晶素子を適用した例について説明する。例えば、初期配向を垂直配向として形成し、横電界をかけることにより配向が変化する液晶素子を用いることができる。
【０３６８】
図１７には、液晶素子４０にＦＦＳモードが適用された液晶素子を用いた場合の例を示している。液晶素子４０は、基板２１側に形成された導電層１１１及び導電層１１３を有する。
【０３６９】
導電層１１１及び絶縁層２１４を覆って、絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５上に導電層１１３が設けられている。
【０３７０】
導電層１１３は、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状を有する。また導電層１１３は、導電層１１１と重ねて配置されている。また、着色層１３１と重なる領域において、導電層１１１上に導電層１１３が配置されない部分を有する。
【０３７１】
図１７では、櫛歯状又はスリットが設けられた上面形状を有する導電層１１３が、絶縁層２１５よりも上層に設けられ、導電層１１１が絶縁層２１５よりも下層に設けられている例を示している。なお、絶縁層２１５よりも上層に導電層１１１を、下層に導電層１１３を形成してもよい。このとき、絶縁層２１５よりも上層に位置する導電層１１１が櫛歯状またはスリットが設けられた上面形状を有するとよい。またこのとき、導電層１１１は、絶縁層２１５及び絶縁層２１４等に設けられた開口を介してトランジスタ２０２のソース又はドレインの一方と電気的に接続すればよい。
【０３７２】
また図１７に示すように、導電層１１１と導電層１１３が絶縁層２１５を介して積層され、ここに容量素子が形成される。したがって図１６で示した容量素子２０３を設けない構成とすることができる。
【０３７３】
図１７において、導電層１１１として、可視光を反射する導電性材料を用いる。また導電層１１１よりも表示面側に位置する導電層１１３は、可視光を反射する導電性材料、または可視光を透過する導電性材料を用いることができる。なお上述のように、導電層１１１と導電層１１３の位置を入れ替える場合には、下層に位置する導電層に可視光を反射する導電性材料を用いることで、開口率を高めることができる。
【０３７４】
以上が断面構成例３−２についての説明である。
【０３７５】
〔断面構成例３−３〕
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、タッチセンサを備えるタッチパネルの構成例について説明する。
【０３７６】
図１８は、以下で例示する表示装置の断面概略図である。
【０３７７】
基板３１の基板２１側の面に、絶縁層１６１、絶縁層１６２、絶縁層１６３が順に積層されている。絶縁層１６１と絶縁層１６２の間に導電層１５１及び導電層１５２が設けられ、絶縁層１６２と絶縁層１６３の間に導電層１５３が設けられている。また絶縁層１６３の基板２１側には、遮光層１３２、着色層１３１等が設けられている。
【０３７８】
導電層１５１と導電層１５２はそれぞれ静電容量方式のタッチセンサを構成する配線として機能する。
【０３７９】
図１８では、導電層１５１と導電層１５２の交差部を明示している。導電層１５３は、絶縁層１６２に設けられた開口を介して、導電層１５２を挟む２つの導電層１５１と電気的に接続されている。
【０３８０】
導電層１５１と導電層１５２は、表示部において、遮光層１３２と重なる位置に設けられている。また図１８では、導電層１５１が液晶素子４０と重ならないように配置されている例を示している。言い換えると、導電層１５１は液晶素子４０と重なる開口を有するメッシュ形状を有する。このような構成により、外部から入射し、液晶素子４０により反射されて再度外部に射出される光の経路上に、導電層１５１が配置されないため、導電層１５１を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高く、且つ消費電力が低減された表示装置を実現できる。なお、導電層１５２や導電層１５３も同様の構成とすることができる。
【０３８１】
また、導電層１５１、導電層１５２、導電層１５３が液晶素子４０と重ならないため、これらに比較的低抵抗な金属材料を用いることができる。そのためこれらに透光性の導電性材料を用いた場合に比べて、タッチセンサの感度を向上させることができる。
【０３８２】
また、図１８では、導電層１５１と導電層１５２（及び導電層１５３）よりも基板３１側に、これらと重ねて遮光層１３５が設けられている例を示している。遮光層１３５により、導電層１５１等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できるため、より視認性の高いタッチパネルを実現できる。なお、ここでは遮光層１３２と遮光層１３５の２つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成としてもよい。
【０３８３】
また、基板３１上の偏光板１３０を設けず、基板３１を指またはスタイラスなどの被検知体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板３１上に保護層（セラミックコート等）を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用いることができる。また、基板３１に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン交換法や風冷強化法等により物理的、または化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側の面を例えば電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体の厚さを低減することができる。
【０３８４】
図１８に示すように、液晶素子４０、複数のトランジスタ、及びタッチセンサを構成する導電層等を、基板２１と基板３１の間に配置することで、部品点数が削減されたタッチパネルを実現することができる。このような構成を、インセル型のタッチパネルと呼ぶことができる。
【０３８５】
なお、タッチパネルとして機能する表示装置の構成はこれに限られず、例えばタッチセンサを構成する導電層等が設けられた基板を、例えば図１６等に示す表示装置と重ねてタッチパネルを構成してもよい。
【０３８６】
以上が断面構成例３−３についての説明である。
【０３８７】
〔断面構成例３−４〕
図１９に、タッチセンサを構成する導電層１５１、導電層１５２等を、基板３１の基板２１側とは反対側に形成した例を示している。このような構成を、オンセル型のタッチパネルと呼ぶことができる。
【０３８８】
基板３１上には、導電層１５１、導電層１５２等が形成され、これらを覆って絶縁層１６３が設けられている。また、絶縁層１６３上に導電層１５３が設けられている。
【０３８９】
基板１７０は、タッチ面として機能する基板であり、例えば表示装置を電子機器に組み込んだ際の筐体の一部、または保護ガラスなどとして機能する。基板１７０と基板３１とは、接着層１６５によって貼り合わされている。
【０３９０】
ここで、図１９では、導電層１５１が遮光層１３２と重なる領域だけでなく、液晶素子４０、着色層１３１等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、導電層１５１には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば金属酸化物を含む膜や、グラフェンを含む膜、または金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜などを、導電層１５１に用いることができる。なお、導電層１５２についても同様である。また、導電層１５３も同様の可視光を透過する材料を用いてもよいが、導電層１５３が遮光層１３２と重ねて配置される場合や、導電層１５３の面積が極めて小さい場合には、金属や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
【０３９１】
以上が断面構成例３−４についての説明である。
【０３９２】
［構成例４］
以下では、構成例２で例示した、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置のより具体的な断面構成例について説明する。
【０３９３】
〔断面構成例４−１〕
図２０に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図２０に示す表示装置は、図１０（Ａ）で例示した表示装置に対応する。
【０３９４】
表示装置は、基板２１と基板３１の間に、絶縁層２２０を有する。また基板２１と絶縁層２２０の間に、発光素子６０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着色層１３４等を有する。また絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子４０、着色層１３１、隔壁１１等を有する。また基板３１と絶縁層２２０は接着層１４１を介して接着され、基板２１と絶縁層２２０は接着層１４２を介して接着されている。
【０３９５】
液晶素子４０は反射型の液晶素子である。液晶素子４０は、導電層１１１ａ、液晶１１２、導電層１１３が積層された積層構造を有する。また導電層１１１ａの基板２１側に接して、可視光を反射する導電層１１１ｂが設けられている。導電層１１１ｂは開口２５１を有する。また導電層１１１ａ及び導電層１１３は可視光を透過する材料を含む。
【０３９６】
発光素子６０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子６０は、絶縁層２２０側から導電層１９１、ＥＬ層１９２、及び導電層１９３ｂの順に積層された積層構造を有する。また導電層１９３ｂを覆って導電層１９３ａが設けられている。導電層１９３ｂは可視光を反射する材料を含み、導電層１９１及び導電層１９３ａは可視光を透過する材料を含む。発光素子６０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口２５１、導電層１１３等を介して、基板３１側に射出される。
【０３９７】
また導電層１９１の端部を覆う絶縁層２１６上には、絶縁層２１７が設けられている。絶縁層２１７は、絶縁層２２０と基板２１が必要以上に接近することを抑制するスペーサとしての機能を有する。またＥＬ層１９２や導電層１９３ａを遮蔽マスク（メタルマスク）を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制する機能を有していてもよい。なお、絶縁層２１７は不要であれば設けなくてもよい。
【０３９８】
トランジスタ２０５のソース又はドレインの一方は、導電層２２４を介して発光素子６０の導電層１９１と電気的に接続されている。
【０３９９】
トランジスタ２０６のソース又はドレインの一方は、接続部２０７を介して導電層１１１ｂと電気的に接続されている。導電層１１１ｂと導電層１１１ａは接して設けられ、これらは電気的に接続されている。ここで、接続部２０７は、絶縁層２２０に設けられた開口を介して、絶縁層２２０の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。
【０４００】
基板２１の基板３１と重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４は接続部２０７と同様の構成を有している。接続部２０４の上面は、導電層１１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
【０４０１】
接着層１４１が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接続部２５２において、導電層１１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層１１３の一部が、接続体２４３により電気的に接続されている。したがって、基板３１側に形成された導電層１１３に、基板２１側に接続されたＦＰＣ４２から入力される信号または電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
【０４０２】
以上が断面構成例４−１についての説明である。
【０４０３】
〔断面構成例４−２〕
図２１に、以下で例示する表示装置の断面概略図を示す。図２１に示す表示装置は、図１３（Ａ）で例示した表示装置に対応する。
【０４０４】
表示装置は、基板２１と基板３１の間に、絶縁層２２０を有する。また基板２１と絶縁層２２０の間に、発光素子６０を有する。また絶縁層２２０と基板３１の間に、液晶素子４０、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、着色層１３４、着色層１３１、遮光層１３２、隔壁１１等を有する。
【０４０５】
図２１では、液晶素子４０が、トランジスタ２０６と導電層２２４を介して電気的に接続する導電層１１１ｂと、当該導電層１１１ｂを覆う導電層１１１ａを有する場合の例を示している。
【０４０６】
またここでは、隔壁１１が、発光素子６０と重ねて配置されている例を示している。隔壁１１は、着色層１３４、着色層１３１、導電層１９１等と重ねて配置されている。発光素子６０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口２５１、隔壁１１、導電層１１３等を介して、基板３１側に射出される。
【０４０７】
以上が、断面構成例４−２についての説明である。
【０４０８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４０９】
（実施の形態２）
以下では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な入力装置（タッチセンサ）、及び本発明の一態様の表示装置の例として、入出力装置（タッチパネル）等の構成例について説明する。
【０４１０】
ここで、本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
【０４１１】
また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
【０４１２】
また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどを検出する機能を有するものである。またその位置情報を検知する機能を有していてもよい。したがってタッチセンサは入力装置の一態様である。
【０４１３】
また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、または単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセンサモジュール、センサモジュール、または単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。
【０４１４】
なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどを検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。
【０４１５】
タッチパネルは、例えばタッチセンサ付き表示パネル（または表示装置）、タッチセンサ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。
【０４１６】
タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの内部にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。
【０４１７】
また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰなどのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
【０４１８】
〔タッチセンサの構成例〕
以下では、入力装置（タッチセンサ）の構成例について、図面を参照して説明する。
【０４１９】
図２２（Ａ）に、入力装置１５０の上面概略図を示す。入力装置１５０は、基板１６０上に複数の導電層１５１、複数の導電層１５２、複数の配線１５５、複数の配線１５６を有する。また基板１６０には、複数の導電層１５１及び複数の導電層１５２の各々と電気的に接続するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１５７が設けられている。また、図２２（Ａ）では、ＦＰＣ１５７にＩＣ１５８が設けられている例を示している。
【０４２０】
図２２（Ｂ）に、図２２（Ａ）中の一点鎖線で囲った領域の拡大図を示す。導電層１５１は、複数の菱形の電極パターンが、紙面横方向に連なった形状を有している。一列に並んだ菱形の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また導電層１５２も同様に、複数の菱形の電極パターンが、紙面縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の電極パターンはそれぞれ電気的に接続されている。また、導電層１５１と、導電層１５２とはこれらの一部が重畳し、互いに交差している。この交差部分では導電層１５１と導電層１５２とが電気的に短絡（ショート）しないように、絶縁体が挟持されている。
【０４２１】
また図２２（Ｃ）に示すように、菱形の形状を有する複数の導電層１５２が、導電層１５３によって接続された構成としてもよい。島状の導電層１５２は、縦方向に並べて配置され、導電層１５３により隣接する２つの導電層１５２が電気的に接続されている。このような構成とすることで、導電層１５１と、導電層１５２を同一の導電膜を加工することで同時に形成することができる。そのためこれらの膜厚のばらつきを抑制することができ、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる。なお、ここでは導電層１５２が導電層１５３を有する構成としたが、導電層１５１がこのような構成であってもよい。
【０４２２】
また、図２２（Ｄ）に示すように、図２２（Ｂ）で示した導電層１５１及び導電層１５２の菱形の電極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。このとき、導電層１５１及び導電層１５２の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合には、後述するように導電層１５１及び導電層１５２に金属や合金などの遮光性の材料を用いてもよい。また、図２２（Ｄ）に示す導電層１５１または導電層１５２が、上記導電層１５３を有する構成としてもよい。
【０４２３】
１つの導電層１５１は、１つの配線１５５と電気的に接続している。また１つの導電層１５２は、１つの配線１５６と電気的に接続している。ここで、導電層１５１と導電層１５２のいずれか一方が、行配線に相当し、いずれか他方が列配線に相当する。
【０４２４】
ＩＣ１５８は、タッチセンサを駆動する機能を有する。ＩＣ１５８から出力された信号は配線１５５または配線１５６を介して、導電層１５１または導電層１５２のいずれかに供給される。また導電層１５１または導電層１５２のいずれかに流れる電流（または電位）が、配線１５５または配線１５６を介してＩＣ１５８に入力される。
【０４２５】
ここで、入力装置１５０を表示パネルの表示面に重ねて、タッチパネルを構成する場合には、導電層１５１及び導電層１５２に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。また、導電層１５１及び導電層１５２に透光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を導電層１５１または導電層１５２を介して取り出す場合には、導電層１５１と導電層１５２との間に、同一の導電性材料を含む導電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい。このように、導電層１５１と導電層１５２との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋めることにより、光透過率のばらつきを低減できる。その結果、入力装置１５０を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０４２６】
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０４２７】
または、透光性を有する程度に薄い金属または合金を用いることができる。例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる。または、該金属または合金の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。また、上述した材料を含む導電膜のうち、２以上を積層した積層膜を用いてもよい。
【０４２８】
また、導電層１５１及び導電層１５２には、使用者から視認されない程度に細く加工された導電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状（メッシュ状）に加工することで、高い導電性と表示装置の高い視認性を得ることができる。このとき、導電膜は３０ｎｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２０μｍ以下の幅である部分を有することが好ましい。特に、１０μｍ以下のパターン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
【０４２９】
一例として、図２３（Ａ）乃至（Ｄ）に、導電層１５１または導電層１５２の一部を拡大した概略図を示している。図２３（Ａ）は、格子状の導電膜１４６を用いた場合の例を示している。このとき、導電膜１４６を、表示装置が有する表示素子と重ならないように配置することで、表示素子からの光を遮光することがないため好ましい。その場合、格子の向きを表示素子の配列と同じ向きとし、また格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍とすることが好ましい。
【０４３０】
また、図２３（Ｂ）には、三角形の開口が形成されるように加工された格子状の導電膜１４７の例を示している。このような構成とすることで、図２３（Ａ）に示した場合に比べて抵抗をより低くすることが可能となる。
【０４３１】
また、図２３（Ｃ）に示すように、周期性を有さないパターン形状を有する導電膜１４８としてもよい。このような構成とすることで、表示装置の表示部と重ねたときにモアレが生じることを抑制できる。
【０４３２】
また、導電層１５１及び導電層１５２に、導電性のナノワイヤを用いてもよい。図２３（Ｄ）には、ナノワイヤ１４９を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ１４９同士が接触するように、適当な密度で分散することにより、２次元的なネットワークが形成され、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば直径の平均値が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ１４９としては、Ａｇナノワイヤや、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、または、カーボンナノチューブなどを用いることができる。例えばＡｇナノワイヤの場合、光透過率は８９％以上、シート抵抗値は４０Ω／□以上１００Ω／□以下を実現することができる。
【０４３３】
以上がタッチセンサの構成例についての説明である。
【０４３４】
〔タッチパネルの構成例〕
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、タッチパネルの構成例について、図面を参照して説明する。
【０４３５】
図２４（Ａ）は、タッチパネル１００の斜視概略図である。また図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。また図２４（Ｂ）では、基板３１を破線で輪郭のみ明示している。
【０４３６】
タッチパネル１００は、入力装置１５０が設けられた基板３１と基板２１を有し、これらが重ねて設けられている。基板２１側の構成については、上記実施の形態１等を援用することができる。
【０４３７】
入力装置１５０の構成は、上記タッチセンサの構成例を援用できる。図２４（Ａ）（Ｂ）では、入力装置１５０が複数の導電層１５１、複数の導電層１５２、複数の配線１５５、複数の配線１５６を有する場合を示している。
【０４３８】
入力装置１５０としては、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について説明する。
【０４３９】
なお、これに限られず、指やスタイラスなどの被検知体が近づくこと、接触すること、または押圧すること等を検出することのできる様々なセンサを入力装置１５０に適用することもできる。
【０４４０】
図２４（Ａ）（Ｂ）に示すタッチパネル１００は、基板３１に入力装置１５０が設けられている。また入力装置１５０の配線１５５及び配線１５６等は、接続部１６９を介して基板２１側に接続されたＦＰＣ４２と電気的に接続する。
【０４４１】
このような構成とすることで、タッチパネル１００に接続するＦＰＣを１つの基板側（ここでは基板２１側）にのみ配置することができる。また、タッチパネル１００に２以上のＦＰＣを取り付ける構成としてもよいが、図２４（Ａ）（Ｂ）に示すように、タッチパネル１００には１つのＦＰＣ４２を設け、当該ＦＰＣ４２が、基板２１側と基板３１側の両方に信号を供給する構成とすると、より部品点数を削減でき、構成を簡略化できるため好ましい。
【０４４２】
接続部１６９には、例えば異方性の導電性を有する接続体が設けられている構成とすることができる。
【０４４３】
また、図２４（Ａ）（Ｂ）では、図１（Ａ）と異なり、ＩＣ１６８をＦＰＣ４２に実装した場合の例を示している。このとき、ＩＣ１６８は入力装置１５０を駆動する機能を有していてもよいし、入力装置１５０を駆動するＩＣを基板２１、基板３１、またはＦＰＣ４２等に、別途設けてもよい。
【０４４４】
〔タッチセンサの駆動方法例〕
以下では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な入力装置（タッチセンサ）の駆動方法の例について説明する。
【０４４５】
図２５（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２５（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検知回路６０２を示している。なお図２５（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそれぞれ配線Ｘ１−Ｘ６、配線Ｙ１−Ｙ６の６本の配線として示している。なお、電極の数は、これに限られない。また図２５（Ａ）は、電極６２１および電極６２２が重畳すること、または電極６２１および電極６２２が近接して配置されることで形成される容量６０３を図示している。なお、電極６２１と電極６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
【０４４６】
例えば、上記導電層１５１は電極６２１及び電極６２２の一方に対応し、導電層１５２が電極６２１及び電極６２２の他方に対応する。
【０４４７】
パルス電圧出力回路６０１は、例えば配線Ｘ１−Ｘ６に順にパルス電圧を入力するための回路である。電流検知回路６０２は、例えば配線Ｙ１−Ｙ６のそれぞれに流れる電流を検知するための回路である。
【０４４８】
配線Ｘ１−Ｘ６のうち１つにパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形成する電極６２１および電極６２２の間には電界が生じ、電極６２２に電流が流れる。この電極間に生じる電界の一部は、指やペンなど被検知体が近接または接触することにより遮蔽され、電極間に生じる電界の強さが変化する。その結果、電極６２２に流れる電流の大きさが変化する。
【０４４９】
例えば、被検知体の近接、または接触がない場合、配線Ｙ１−Ｙ６に流れる電流の大きさは容量６０３の大きさに応じた値となる。一方、被検知体の近接、または接触により電界の一部が遮蔽された場合には、配線Ｙ１−Ｙ６に流れる電流の大きさが減少する変化を検知する。このことを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
【０４５０】
なお電流検知回路６０２は、１本の配線に流れる電流の（時間的な）積分値を検知してもよい。その場合には、例えば積分回路等を用いて検知を行えばよい。または、電流のピーク値を検知してもよい。その場合には、例えば電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検知してもよい。
【０４５１】
図２５（Ｂ）には、図２５（Ａ）に示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートの例を示す。図２５（Ｂ）では、１センシング期間で各行列の検知を行うものとする。また図２５（Ｂ）では、被検知体の接触または近接を検出しない場合（非タッチ時）と、被検知体の接触または近接を検出した場合（タッチ時）の２つの場合を並べて示している。ここで、配線Ｙ１−Ｙ６については、検知される電流の大きさに対応する電圧の波形を示している。
【０４５２】
図２５（Ｂ）に示すように、配線Ｘ１−Ｘ６には順次パルス電圧が与えられる。これに応じて、配線Ｙ１−Ｙ６に電流が流れる。非タッチ時では、配線Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じて、配線Ｙ１−Ｙ６には同様の電流が流れるため、配線Ｙ１−Ｙ６のそれぞれの出力波形は同様な波形となる。一方、タッチ時では、配線Ｙ１−Ｙ６のうち、被検知体が接触、または近接する箇所に位置する配線に流れる電流が減少するため、図２５（Ｂ）に示すように、出力波形が変化する。
【０４５３】
図２５（Ｂ）では、配線Ｘ３と配線Ｙ３とが交差する箇所またはその近傍に、被検知体が接触または近接した場合の例を示している。
【０４５４】
このように、相互容量方式では一対の電極間に生じる電界が遮蔽されることに起因する電流の変化を検知することにより、被検知体の位置情報を取得することができる。なお、検出感度が高い場合には、被検知体が検知面（例えばタッチパネルの表面）から離れていても、その座標を検出することもできる。
【０４５５】
また、タッチパネルにおいては、表示部の表示期間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらした駆動方法を用いることにより、タッチセンサの検出感度を高めることができる。例えば、表示の１フレーム期間の間に、表示期間と、センシング期間を分けて行えばよい。またこのとき、１フレーム期間中に２以上のセンシング期間を設けることが好ましい。センシングの頻度を増やすことで、検出感度をより高めることができる。
【０４５６】
またパルス電圧出力回路６０１及び電流検知回路６０２は、例えば１個のＩＣチップの中に形成されていることが好ましい。当該ＩＣチップは、例えばタッチパネルに実装されること、若しくは電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また可撓性を有するタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大きくなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。例えばシグナル−ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。
【０４５７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４５８】
（実施の形態３）
以下では、本発明の一態様の表示装置の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置（表示パネル）の例を説明する。
【０４５９】
〔構成例〕
図２６（Ａ）は、表示装置２００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置２００は、表示部３２にマトリクス状に配列した複数の画素２１０を有する。また表示装置２００は、回路ＧＤと、回路ＳＤを有する。また方向Ｒに配列した複数の画素２１０、及び回路ＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｃに配列した複数の画素２１０、及び回路ＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。
【０４６０】
画素２１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素２１０において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
【０４６１】
図２６（Ｂ１）は、画素２１０が有する導電層１１１ｂの構成例を示す。導電層１１１ｂは、画素２１０における液晶素子の反射電極として機能する。また導電層１１１ｂには、開口２５１が設けられている。
【０４６２】
図２６（Ｂ１）には、導電層１１１ｂと重なる領域に位置する発光素子６０を破線で示している。発光素子６０は、導電層１１１ｂが有する開口２５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子６０が発する光は、開口２５１を介して表示面側に射出される。
【０４６３】
図２６（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素２１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図２６（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに配列する複数の画素において、複数の開口２５１が一直線上に配列されないように、それぞれ導電層１１１ｂの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つの発光素子６０を離すことが可能で、発光素子６０が発する光が隣接する画素２１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子６０を離して配置することができるため、発光素子６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
【０４６４】
また、図２６（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。
【０４６５】
非開口部の総面積に対する開口２５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口２５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子６０を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４６６】
また、反射電極として機能する導電層１１１ｂに設ける開口２５１の面積が小さすぎると、発光素子６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【０４６７】
開口２５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口２５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口２５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
【０４６８】
〔回路構成例〕
図２７は、画素２１０の構成例を示す回路図である。図２７では、隣接する２つの画素２１０を示している。
【０４６９】
画素２１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子６０等を有する。また、画素２１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図２７では、液晶素子４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び発光素子６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
【０４７０】
図２７では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。
【０４７１】
スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【０４７２】
またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース又はドレインの他方が発光素子６０の一方の電極と接続されている。発光素子６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
【０４７３】
図２７では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
【０４７４】
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
【０４７５】
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
【０４７６】
図２７に示す画素２１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
【０４７７】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０４７８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることのできるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
【０４７９】
本発明の一態様の表示装置は、ボトムゲート型のトランジスタや、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することができる。よって、既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ構造を容易に置き換えることができる。
【０４８０】
〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図２８（Ａ１）は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタ８１０の断面図である。図２８（Ａ１）において、トランジスタ８１０は基板７７１上に形成されている。また、トランジスタ８１０は、基板７７１上に絶縁層７７２を介して電極７４６を有する。また、電極７４６上に絶縁層７２６を介して半導体層７４２を有する。電極７４６はゲート電極として機能できる。絶縁層７２６はゲート絶縁層として機能できる。
【０４８１】
また、半導体層７４２のチャネル形成領域上に絶縁層７４１を有する。また、半導体層７４２の一部と接して、絶縁層７２６上に電極７４４ａおよび電極７４４ｂを有する。電極７４４ａは、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能できる。電極７４４ｂは、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能できる。電極７４４ａの一部、および電極７４４ｂの一部は、絶縁層７４１上に形成される。
【０４８２】
絶縁層７４１は、チャネル保護層として機能できる。チャネル形成領域上に絶縁層７４１を設けることで、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの形成時に生じる半導体層７４２の露出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの形成時に、半導体層７４２のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
【０４８３】
また、トランジスタ８１０は、電極７４４ａ、電極７４４ｂおよび絶縁層７４１上に絶縁層７２８を有し、絶縁層７２８の上に絶縁層７２９を有する。
【０４８４】
例えば、絶縁層７７２は、絶縁層７２２や絶縁層７０５と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７７２は複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、半導体層７４２は、半導体層７０８と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、半導体層７４２は複数の半導体層の積層であってもよい。また、例えば、電極７４６は、電極７０６と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、電極７４６は複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７２６は、絶縁層７０７と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７２６は複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、電極７４４ａおよび電極７４４ｂは、電極７１４または電極７１５と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、電極７４４ａおよび電極７４４ｂは複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７４１は、絶縁層７２６と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７４１は複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７２８は、絶縁層７１０と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７２８は複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層７２９は、絶縁層７１１と同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層７２９は複数の絶縁層の積層であってもよい。
【０４８５】
本実施の形態で開示するトランジスタを構成する電極、半導体層、絶縁層などは、他の実施の形態に開示した材料および方法を用いて形成することができる。
【０４８６】
半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの、少なくとも半導体層７４２と接する部分に、半導体層７４２の一部から酸素を奪い、酸素欠損を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層７４２中の酸素欠損が生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はｎ型化し、ｎ型領域（ｎ＋層）となる。したがって、当該領域はソース領域またはドレイン領域として機能することができる。半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、半導体層７４２から酸素を奪い、酸素欠損を生じさせることが可能な材料の一例として、タングステン、チタン等を挙げることができる。
【０４８７】
半導体層７４２にソース領域およびドレイン領域が形成されることにより、電極７４４ａおよび電極７４４ｂと半導体層７４２の接触抵抗を低減することができる。よって、電界効果移動度や、しきい値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることができる。
【０４８８】
半導体層７４２にシリコンなどの半導体を用いる場合は、半導体層７４２と電極７４４ａの間、および半導体層７４２と電極７４４ｂの間に、ｎ型半導体またはｐ型半導体として機能する層を設けることが好ましい。ｎ型半導体またはｐ型半導体として機能する層は、トランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能することができる。
【０４８９】
絶縁層７２９は、外部からのトランジスタへの不純物の拡散を防ぐ、または低減する機能を有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて絶縁層７２９を省略することもできる。
【０４９０】
なお、半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層７２９の形成前または形成後、もしくは絶縁層７２９の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、絶縁層７２９や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層７４２中に拡散させ、半導体層７４２中の酸素欠損を補填することができる。または、絶縁層７２９を加熱しながら成膜することで、半導体層７４２中の酸素欠損を補填することができる。
【０４９１】
なお、一般に、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法などに分類できる。
【０４９２】
また、一般に、蒸着法は、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などに分類できる。
【０４９３】
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、ＭＯＣＶＤ法や蒸着法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じにくく、また、欠陥の少ない膜が得られる。
【０４９４】
また、一般に、スパッタリング法は、ＤＣスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法などに分類できる。
【０４９５】
対向ターゲットスパッタリング法では、プラズマがターゲット間に閉じこめられるため、基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによっては、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を高めることができる。
【０４９６】
図２８（Ａ２）に示すトランジスタ８１１は、絶縁層７２９上にバックゲート電極として機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８１０と異なる。電極７２３は、電極７４６と同様の材料および方法で形成することができる。
【０４９７】
一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位としてもよいし、接地電位（ＧＮＤ電位）や、任意の電位としてもよい。また、バックゲート電極の電位をゲート電極と連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
【０４９８】
電極７４６および電極７２３は、どちらもゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層７２６、絶縁層７２８、および絶縁層７２９は、それぞれがゲート絶縁層として機能することができる。なお、電極７２３は、絶縁層７２８と絶縁層７２９の間に設けてもよい。
【０４９９】
なお、電極７４６または電極７２３の一方を、「ゲート電極」という場合、他方を「バックゲート電極」という。例えば、トランジスタ８１１において、電極７２３を「ゲート電極」と言う場合、電極７４６を「バックゲート電極」と言う。また、電極７２３を「ゲート電極」として用いる場合は、トランジスタ８１１をトップゲート型のトランジスタの一種と考えることができる。また、電極７４６および電極７２３のどちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合がある。
【０５００】
半導体層７４２を挟んで電極７４６および電極７２３を設けることで、更には、電極７４６および電極７２３を同電位とすることで、半導体層７４２においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、トランジスタ８１１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなる。
【０５０１】
したがって、トランジスタ８１１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ８１１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【０５０２】
また、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成されるため、トランジスタの外部で生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気などに対する電界遮蔽機能）を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よりも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めることができる。
【０５０３】
また、電極７４６および電極７２３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、絶縁層７７２側もしくは電極７２３上方に生じる荷電粒子等の電荷が半導体層７４２のチャネル形成領域に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の電荷を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が流れ始めるゲート電圧（立ち上がり電圧）が変化する現象を軽減することができる。なお、この効果は、電極７４６および電極７２３が、同電位、または異なる電位の場合において生じる。
【０５０４】
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（経年変化）を短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
【０５０５】
また、電極７４６および電極７２３を有し、且つ電極７４６および電極７２３を同電位とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
【０５０６】
また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電荷を印加する＋ＧＢＴストレス試験前後におけるしきい値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジスタより小さい。
【０５０７】
また、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を防ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
【０５０８】
本発明の一態様によれば、信頼性の良好なトランジスタを実現することができる。また、信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。
【０５０９】
図２８（Ｂ１）に、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネル保護型のトランジスタ８２０の断面図を示す。トランジスタ８２０は、トランジスタ８１０とほぼ同様の構造を有しているが、絶縁層７４１が半導体層７４２の端部を覆っている点が異なる。また、半導体層７４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した開口部において、半導体層７４２と電極７４４ａが電気的に接続している。また、半導体層７４２と重なる絶縁層７４１の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導体層７４２と電極７４４ｂが電気的に接続している。絶縁層７４１の、チャネル形成領域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
【０５１０】
図２８（Ｂ２）に示すトランジスタ８２１は、絶縁層７２９上にバックゲート電極として機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２０と異なる。
【０５１１】
絶縁層７４１を設けることで、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの形成時に生じる半導体層７４２の露出を防ぐことができる。よって、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの形成時に半導体層７４２の薄膜化を防ぐことができる。
【０５１２】
また、トランジスタ８２０およびトランジスタ８２１は、トランジスタ８１０およびトランジスタ８１１よりも、電極７４４ａと電極７４６の間の距離と、電極７４４ｂと電極７４６の間の距離が長くなる。よって、電極７４４ａと電極７４６の間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極７４４ｂと電極７４６の間に生じる寄生容量を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現できる。
【０５１３】
図２８（Ｃ１）に示すトランジスタ８２５は、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ８２５は、絶縁層７４１を用いずに電極７４４ａおよび電極７４４ｂを形成する。このため、電極７４４ａおよび電極７４４ｂの形成時に露出する半導体層７４２の一部がエッチングされる場合がある。一方、絶縁層７４１を設けないため、トランジスタの生産性を高めることができる。
【０５１４】
図２８（Ｃ２）に示すトランジスタ８２６は、絶縁層７２９上にバックゲート電極として機能できる電極７２３を有する点が、トランジスタ８２５と異なる。
【０５１５】
〔トップゲート型トランジスタ〕
図２９（Ａ１）に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ８３０の断面図を示す。トランジスタ８３０は、絶縁層７７２の上に半導体層７４２を有し、半導体層７４２および絶縁層７７２上に、半導体層７４２の一部に接する電極７４４ａ、および半導体層７４２の一部に接する電極７４４ｂを有し、半導体層７４２、電極７４４ａ、および電極７４４ｂ上に絶縁層７２６を有し、絶縁層７２６上に電極７４６を有する。
【０５１６】
トランジスタ８３０は、電極７４６および電極７４４ａ、並びに、電極７４６および電極７４４ｂが重ならないため、電極７４６および電極７４４ａの間に生じる寄生容量、並びに、電極７４６および電極７４４ｂの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極７４６を形成した後に、電極７４６をマスクとして用いて不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域を形成することができる（図２９（Ａ３）参照）。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
【０５１７】
なお、不純物７５５の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装置を用いて行うことができる。
【０５１８】
不純物７５５としては、例えば、第１３族元素または第１５族元素のうち、少なくとも一種類の元素を用いることができる。また、半導体層７４２に酸化物半導体を用いる場合は、不純物７５５として、希ガス、水素、および窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用いることも可能である。
【０５１９】
図２９（Ａ２）に示すトランジスタ８３１は、電極７２３および絶縁層７２７を有する点がトランジスタ８３０と異なる。トランジスタ８３１は、絶縁層７７２の上に形成された電極７２３を有し、電極７２３上に形成された絶縁層７２７を有する。電極７２３は、バックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層７２７は、ゲート絶縁層として機能することができる。絶縁層７２７は、絶縁層７２６と同様の材料および方法により形成することができる。
【０５２０】
トランジスタ８１１と同様に、トランジスタ８３１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ８３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【０５２１】
図２９（Ｂ１）に例示するトランジスタ８４０は、トップゲート型のトランジスタの１つである。トランジスタ８４０は、電極７４４ａおよび電極７４４ｂを形成した後に半導体層７４２を形成する点が、トランジスタ８３０と異なる。また、図２９（Ｂ２）に例示するトランジスタ８４１は、電極７２３および絶縁層７２７を有する点が、トランジスタ８４０と異なる。トランジスタ８４０およびトランジスタ８４１において、半導体層７４２の一部は電極７４４ａ上に形成され、半導体層７４２の他の一部は電極７４４ｂ上に形成される。
【０５２２】
トランジスタ８１１と同様に、トランジスタ８４１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ８４１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【０５２３】
図３０（Ａ１）に例示するトランジスタ８４２は、トップゲート型のトランジスタの１つである。トランジスタ８４２は、絶縁層７２９を形成した後に電極７４４ａおよび電極７４４ｂを形成する点がトランジスタ８３０やトランジスタ８４０と異なる。電極７４４ａおよび電極７４４ｂは、絶縁層７２８および絶縁層７２９に形成した開口部において半導体層７４２と電気的に接続する。
【０５２４】
また、電極７４６と重ならない絶縁層７２６の一部を除去し、電極７４６と残りの絶縁層７２６をマスクとして用いて不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導体層７４２中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域を形成することができる（図３０（Ａ３）参照）。トランジスタ８４２は、絶縁層７２６が電極７４６の端部を越えて延伸する領域を有する。不純物７５５を半導体層７４２に導入する際に、半導体層７４２の絶縁層７２６を介して不純物７５５が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層７２６を介さずに不純物７５５が導入された領域よりも小さくなる。よって、電極７４６に隣接する半導体層７４２の領域にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成される。
【０５２５】
図３０（Ａ２）に示すトランジスタ８４３は、電極７２３を有する点がトランジスタ８４２と異なる。トランジスタ８４３は、基板７７１の上に形成された電極７２３を有し、絶縁層７７２を介して半導体層７４２と重なる。電極７２３は、バックゲート電極として機能することができる。
【０５２６】
また、図３０（Ｂ１）に示すトランジスタ８４４および図３０（Ｂ２）に示すトランジスタ８４５のように、電極７４６と重ならない領域の絶縁層７２６を全て除去してもよい。また、図３０（Ｃ１）に示すトランジスタ８４６および図３０（Ｃ２）に示すトランジスタ８４７のように、絶縁層７２６を残してもよい。
【０５２７】
トランジスタ８４２乃至トランジスタ８４７も、電極７４６を形成した後に、電極７４６をマスクとして用いて不純物７５５を半導体層７４２に導入することで、半導体層７４２中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現することができる。
【０５２８】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０５２９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
【０５３０】
本発明の一態様の表示装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。本発明の一態様の表示装置を用いて、曲面を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の表示装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。
【０５３１】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０５３２】
本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
【０５３３】
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【０５３４】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【０５３５】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０５３６】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０５３７】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
【０５３８】
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０５３９】
図３１（Ａ）〜（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
【０５４０】
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【０５４１】
図３１（Ａ）、（Ｂ）に携帯電話機の一例を示す。図３１（Ａ）に示す携帯電話機７１００及び図３１（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、それぞれ、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。図３１（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、さらに、カメラ７１０７を有する。
【０５４２】
各携帯電話機は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０５４３】
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０５４４】
また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入力等により行うこともできる。
【０５４５】
図３１（Ｃ）、（Ｄ）に携帯情報端末の一例を示す。図３１（Ｃ）に示す携帯情報端末７２００及び図３１（Ｄ）に示す携帯情報端末７２１０は、それぞれ、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０５４６】
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０５４７】
携帯情報端末７２００及び携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図３１（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができる。図３１（Ｃ）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図３１（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよい。
【０５４８】
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
【０５４９】
例えば、携帯情報端末７２００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７２００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７２０３）を確認することができる。
【０５５０】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７２００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７２００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０５５１】
図３１（Ｅ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３０１を支持した構成を示している。
【０５５２】
図３１（Ｅ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【０５５３】
なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０５５４】
図３１（Ｆ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示す。
【０５５５】
図３１（Ｆ）に示す照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。
【０５５６】
図３１（Ｆ）に示す照明装置７４００の備える発光部７４１１は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４００を中心に全方位を照らすことができる。
【０５５７】
また、照明装置７４００が備える発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０５５８】
照明装置７４００は、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部７４１１を有する。
【０５５９】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０５６０】
図３２（Ａ）〜（Ｉ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。
【０５６１】
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
【０５６２】
図３２（Ａ）、（Ｂ）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
【０５６３】
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。
【０５６４】
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０５６５】
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図３２（Ａ）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
【０５６６】
図３２（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３２（Ａ）の状態と表示部７００１を引き出した図３２（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３２（Ａ）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
【０５６７】
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０５６８】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
【０５６９】
図３２（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３２（Ｃ）では、展開した状態、図３２（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図３２（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
【０５７０】
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
【０５７１】
図３２（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３２（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３２（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。
【０５７２】
図３２（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。
【０５７３】
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
【０５７４】
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
【０５７５】
図３２（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。
【０５７６】
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
【０５７７】
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
【０５７８】
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０５７９】
また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。
【０５８０】
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。
【０５８１】
図３３（Ａ）に自動車７９００の外観を示す。図３３（Ｂ）に自動車７９００の運転席を示す。自動車７９００は、車体７９０１、車輪７９０２、フロントガラス７９０３、ライト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。
【０５８２】
本発明の一態様の表示装置は、自動車７９００の表示部などに用いることができる。例えば、図３３（Ｂ）に示す表示部７９１０乃至表示部７９１７に本発明の一態様の表示装置を設けることができる。
【０５８３】
表示部７９１０と表示部７９１１は、自動車のフロントガラスに設けられている。本発明の一態様では、表示装置が有する電極を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示装置であれば、自動車７９００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車７９００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置に、トランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、または酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。
【０５８４】
表示部７９１２はピラー部分に設けられている。表示部７９１３はダッシュボード部分に設けられている。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部７９１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。同様に、表示部７９１３では、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができ、表示部７９１４では、ドアで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０５８５】
また、表示部７９１７は、ハンドルに設けられている。表示部７９１５、表示部７９１６、または表示部７９１７はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部７９１０乃至表示部７９１４にも表示することができる。
【０５８６】
なお、表示部７９１０乃至表示部７９１７は照明装置として用いることも可能である。
【０５８７】
本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。
【０５８８】
図３３（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。デジタルサイネージは、筐体８０００、表示部８００１、及びスピーカ８００３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【０５８９】
図３３（Ｄ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
【０５９０】
表示部８００１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部８００１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【０５９１】
表示部８００１にタッチパネルを適用することで、表示部８００１に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
【０５９２】
図３３（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、表示部８１０４、マイクロフォン８１０５、スピーカ８１０６、操作キー８１０７、スタイラス８１０８等を有する。
【０５９３】
図３３（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部８１０３と表示部８１０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有していればよい。
【０５９４】
図３３（Ｆ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体８１１１、表示部８１１２、キーボード８１１３、ポインティングデバイス８１１４等を有する。
【０５９５】
表示部８１１２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【０５９６】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０５９７】
１０    表示装置
１１    隔壁
１２    液晶
１３    モノマー
１４    構造体
２０    光
２１    基板
２３    導電層
２３ａ    導電層
２３ｂ    導電層
２４    液晶層
２５    導電層
３０    照射領域
３１    基板
３２    表示部
３４    回路
３５    配線
４０    液晶素子
４１ａ    基板
４１ｂ    基板
４２    ＦＰＣ
４２ａ    接着層
４２ｂ    接着層
４３    ＩＣ
４３ａ    剥離層
４３ｂ    剥離層
４３ｃ    剥離層
４４ａ    支持基板
４４ｂ    支持基板
４４ｃ    支持基板
５１ａ    着色層
５１ｂ    着色層
５２    遮光層
５３ａ    配向膜
５３ｂ    配向膜
６０    発光素子
６１    絶縁層
６２    絶縁層
７０    トランジスタ
７０ａ    トランジスタ
７０ｂ    トランジスタ
７１    導電層
７１ａ    導電層
７１ｂ    導電層
７２    半導体層
７３    絶縁層
７４ａ    導電層
７４ｂ    導電層
７５    容量素子
８０    接続部
８１    絶縁層
８２    絶縁層
８３    絶縁層
８４    絶縁層
８９    接着層
９０    発光素子
９１    導電層
９２    ＥＬ層
９３ａ    導電層
９３ｂ    導電層
１００    タッチパネル
１１１    導電層
１１１ａ    導電層
１１１ｂ    導電層
１１２    液晶
１１３    導電層
１２１    絶縁層
１３０    偏光板
１３１    着色層
１３２    遮光層
１３３ａ    配向膜
１３３ｂ    配向膜
１３４    着色層
１３５    遮光層
１４１    接着層
１４２    接着層
１４６    導電膜
１４７    導電膜
１４８    導電膜
１４９    ナノワイヤ
１５０    入力装置
１５１    導電層
１５２    導電層
１５３    導電層
１５５    配線
１５６    配線
１５７    ＦＰＣ
１５８    ＩＣ
１６０    基板
１６１    絶縁層
１６２    絶縁層
１６３    絶縁層
１６５    接着層
１６８    ＩＣ
１６９    接続部
１７０    基板
１９１    導電層
１９２    ＥＬ層
１９３ａ    導電層
１９３ｂ    導電層
２００    表示装置
２０１    トランジスタ
２０２    トランジスタ
２０３    容量素子
２０４    接続部
２０５    トランジスタ
２０６    トランジスタ
２０７    接続部
２１０    画素
２１１    絶縁層
２１２    絶縁層
２１３    絶縁層
２１４    絶縁層
２１５    絶縁層
２１６    絶縁層
２１７    絶縁層
２２０    絶縁層
２２１    導電層
２２２    導電層
２２４    導電層
２３１    半導体層
２４２    接続層
２４３    接続体
２５１    開口
２５２    接続部
６０１    パルス電圧出力回路
６０２    電流検知回路
６０３    容量
６２１    電極
６２２    電極
７０５    絶縁層
７０６    電極
７０７    絶縁層
７０８    半導体層
７１０    絶縁層
７１１    絶縁層
７１４    電極
７１５    電極
７２２    絶縁層
７２３    電極
７２６    絶縁層
７２７    絶縁層
７２８    絶縁層
７２９    絶縁層
７４１    絶縁層
７４２    半導体層
７４４ａ    電極
７４４ｂ    電極
７４６    電極
７５５    不純物
７７１    基板
７７２    絶縁層
８１０    トランジスタ
８１１    トランジスタ
８２０    トランジスタ
８２１    トランジスタ
８２５    トランジスタ
８２６    トランジスタ
８３０    トランジスタ
８３１    トランジスタ
８４０    トランジスタ
８４１    トランジスタ
８４２    トランジスタ
８４３    トランジスタ
８４４    トランジスタ
８４５    トランジスタ
８４６    トランジスタ
８４７    トランジスタ
７０００    表示部
７００１    表示部
７１００    携帯電話機
７１０１    筐体
７１０３    操作ボタン
７１０４    外部接続ポート
７１０５    スピーカ
７１０６    マイク
７１０７    カメラ
７１１０    携帯電話機
７２００    携帯情報端末
７２０１    筐体
７２０２    操作ボタン
７２０３    情報
７２１０    携帯情報端末
７３００    テレビジョン装置
７３０１    筐体
７３０３    スタンド
７３１１    リモコン操作機
７４００    照明装置
７４０１    台部
７４０３    操作スイッチ
７４１１    発光部
７５００    携帯情報端末
７５０１    筐体
７５０２    部材
７５０３    操作ボタン
７６００    携帯情報端末
７６０１    筐体
７６０２    ヒンジ
７６５０    携帯情報端末
７６５１    非表示部
７７００    携帯情報端末
７７０１    筐体
７７０３ａ    ボタン
７７０３ｂ    ボタン
７７０４ａ    スピーカ
７７０４ｂ    スピーカ
７７０５    外部接続ポート
７７０６    マイク
７７０９    バッテリ
７８００    携帯情報端末
７８０１    バンド
７８０２    入出力端子
７８０３    操作ボタン
７８０４    アイコン
７８０５    バッテリ
７９００    自動車
７９０１    車体
７９０２    車輪
７９０３    フロントガラス
７９０４    ライト
７９０５    フォグランプ
７９１０    表示部
７９１１    表示部
７９１２    表示部
７９１３    表示部
７９１４    表示部
７９１５    表示部
７９１６    表示部
７９１７    表示部
８０００    筐体
８００１    表示部
８００３    スピーカ
８１０１    筐体
８１０２    筐体
８１０３    表示部
８１０４    表示部
８１０５    マイクロフォン
８１０６    スピーカ
８１０７    操作キー
８１０８    スタイラス
８１１１    筐体
８１１２    表示部
８１１３    キーボード
８１１４    ポインティングデバイス
【図１】
2017058678.tif 000003
【図２】
2017058678.tif 000004
【図３】
2017058678.tif 000005
【図４】
2017058678.tif 000006
【図５】
2017058678.tif 000007
【図６】
2017058678.tif 000008
【図７】
2017058678.tif 000009
【図８】
2017058678.tif 000010
【図９】
2017058678.tif 000011
【図１０】
2017058678.tif 000012
【図１１】
2017058678.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2017058678.tif 000015
【図１４】
2017058678.tif 000016
【図１５】
2017058678.tif 000017
【図１６】
2017058678.tif 000018
【図１７】
2017058678.tif 000019
【図１８】
2017058678.tif 000020
【図１９】
2017058678.tif 000021
【図２０】
2017058678.tif 000022
【図２１】
2017058678.tif 000023
【図２２】
2017058678.tif 000024
【図２３】
2017058678.tif 000025
【図２４】
2017058678.tif 000026
【図２５】
2017058678.tif 000027
【図２６】
2017058678.tif 000028
【図２７】
2017058678.tif 000029
【図２８】
2017058678.tif 000030
【図２９】
2017058678.tif 000031
【図３０】
2017058678.tif 000032
【図３１】
2017058678.tif 000033
【図３２】
2017058678.tif 000034
【図３３】
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