【事件の表示】
　特願２００６−　８４２２６「絶縁分離構造の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月　４日出願公開、特開２００７−２５３３０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本件出願は、平成１８年３月２４日の特許出願であって、平成２３年６月３日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月１２日に意見書が提出されたが、同年９月６日付けで拒絶をすべき旨の査定がされた。  
　これに対し、平成２３年１２月６日に本件審判の請求がされるとともに特許請求の範囲について手続補正書が提出され、その後、当審の平成２４年３月２日付け審尋に対して同年４月２５日に回答書が提出されたものである。　　  
第２．平成２３年１２月６日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］  
　平成２３年１２月６日付けの手続補正を却下する。  
　　  
［理由］  
１．補正の内容の概要  
　平成２３年１２月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１に関する以下の補正を含んでいる。なお、下線部は補正箇所を示す。  
　　　  
（１）＜補正前の請求項１＞  
「【請求項１】
　支持層と活性層により絶縁層を挟持することにより形成されたＳＯＩ基板の活性層を少なくとも２つの領域に絶縁分離する絶縁分離構造の形成方法であって、
　前記活性層
に
に
　酸化工程によって直線状の孔構造間に存在する活性層を酸化する工程と、
　エッチング処理によって孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去する工程と
　を有することを特徴とする絶縁分離構造の形成方法。」  
　  
（２）＜補正後の請求項１＞  
「【請求項１】
　支持層と活性層により絶縁層を挟持することにより形成されたＳＯＩ基板の活性層を少なくとも２つの領域に絶縁分離する絶縁分離構造の形成方法であって、
　前記活性層
の表面から
まで
　酸化工程によって直線状の孔構造間に存在する活性層を酸化する工程と、
　エッチング処理によって孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去する
ことにより、前記孔構造を貫通させる
　を有することを特徴とする絶縁分離構造の形成方法。」  
　  
２．補正の適否　　　  
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１の（活性層に形成する）「絶縁層に達する孔」ついて、「活性層の表面から絶縁層まで達する孔」と限定的に減縮し、また、「エッチング処理によって孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去する工程」について、「エッチング処理によって孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去することにより、前記孔構造を貫通させる工程」と限定的に減縮するものである。 
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。 　  
　 
（１）補正発明  
　補正発明は、明細書及び図面の記載からみて、上記１．（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「絶縁分離構造の形成方法」であると認める。  
　  
（２）刊行物  
　これに対して、本件出願前に頒布された下記刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
刊行物１：Harald Schenk, Peter Durr, Thomas Haase, Detlef Kunze, Udo Sobe, Hubert Lakner, and Heinz Kuck，Large Deflection Micromechanical Scanning Mirrors for Linear Scans and Pattern Generation，IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics，２０００年１０月，Vol. 6, No. 5，第７１５ページ〜第７２２ページ（原審の引用文献１）
刊行物２：特許第２７１５５８１号公報（原審の引用文献２）
　　　  
（２−１）刊行物１ 
ア．刊行物１記載の事項  
　刊行物１は、「Micromechanical Scanning Mirrors」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。（なお、括弧内の日本語は、当審による英日仮訳である。）  
　  
（ア）第７１９ページ左欄下から４行〜右欄下から１１行 
「The MSMs are fabricated in a CMOS-compatible process. The base materials are SOI-wafers with a top layer thickness of 20 and 30μm, respectively. This layer is highly doped to make it conductible. The fabrication sequence for the 2-D scanner is detailed in Fig. 12 for a cross section along (c)-(d), as shown in Fig. 11.」  
　
（ＭＳＭｓはＣＭＯＳ互換のプロセスで製造される。基材は、それぞれ厚さ２０及び３０μｍの最上層を備えたＳＯＩウエハである。該層は導電性を付与するために高度にドープされる。２次元スキャナの製作手順は、図１１の（ｃ）−（ｄ）線に沿った断面図として、図１２に詳細に示される。）
　
（イ）第７１９ページ右欄下から１０行〜下から３行
「The process starts with the fabrication of the filled trenches for the electrical isolation in the mechanical active areas. For that, 1μm-wide trenches with almost vertical sidewalls are etched into the top layer using the ASE process [17]. Due to the selectivity of this process, etching stops at the buried oxide layer [Fig. 12(a)]. For the generation of the electrical isolation the sidewalls of the trenches are wet-oxidized at a temperature of 960℃, resulting in a 90-nm-thick oxide layer.」
　
（そのプロセスは、機械的可動部分を電気的に絶縁するための充填されたトレンチの製造から始まる。そのため、略垂直の側壁を備えた１μｍ幅のトレンチがＡＳＥプロセス［１７］により、最上層にエッチングされる。このプロセスの選択性により、エッチングは埋め込まれた酸化物層で停止する［図１２（ａ）］。電気的絶縁の生成のため、トレンチの側壁は９６０℃の温度で湿気酸化され、その結果９０ｎｍの酸化被膜が形成される。）
　　  
（ウ）第７１９ページ右欄下から２行〜第７２０ページ左欄第６行
「After that, the trenches are filled with LPCVD-polysilicon. The filling is necessary to maintain the mechanical connection between the electrical isolated areas and the movable frame. The polysilicon layer on the wafer surface is removed by chemical mechanical polishing. The 90-nm oxide on the wafer surface is etched back in a HF-solution [Fig. 12(b)]. As a consequence of this sequence, the polysilicon filling is 90 nm embossed on the wafer surface (not shown in Fig. 12).」  
　
（その後、トレンチはＬＰＣＶＤによりポリシリコンで充填される。この充填は電気的に絶縁されたエリアと可動部分との機械的な接続を維持するのに必要である。ウエハ表面上のポリシリコン層は化学機械的研磨によって除去される。ウエハ表面上の９０ｎｍの酸化皮膜は、ＨＦ−溶解［図１２（ｂ）］によりエッチング除去される。この手順の結果、ポリシリコン充填物は、ウエハ表面に９０ｎｍ張り出すこととなる(図１２には示されていない）。)
　
（エ）第７２０ページ左欄第１４行〜第１９行
「The next steps are to define and release the mechanical structure.
For that, first the substrate underneath the mechanical elements is removed in a TMAH-solution [Fig. 12(d)]. After that, the buried oxide is etched in an HF-solution. Finally, the mechanical elements, the electrode comb, and the anchors of the movable frame are defined by a deep silicon etch (ASE process).」
　
（次のステップは、機械的構造を画定し、切り離すことである。そのため、最初に、機械的可動部分の真下の基板はＴＭＡＨ−溶解により取り除かれる［図１２（ｄ）]。その後、埋め込まれた酸化物層が、ＨＦ−溶解でエッチングされる。最後に、機械的可動部分、電極櫛歯、可動フレームのアンカーが、深いシリコンエッチング(ＡＳＥプロセス)によって画定される。）
　
イ．刊行物１に記載の発明 
　上記摘記事項（ア）において、「基材は」「最上層を備えたＳＯＩウエハである」とあるところ、上記摘記事項（イ）に「埋め込まれた酸化物層」との記載があることから、一般的なＳＯＩの構造及び図１２の記載を踏まえれば、該「基材」とは、支持層と最上層により酸化物層を挟持することにより形成されたＳＯＩウエハである、ということができる。
　
　そこで、上記摘記事項（ア）ないし（エ）を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえて補正発明に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。  
「支持層と最上層により酸化物層を挟持することにより形成されたＳＯＩウエハの最上層を少なくとも２つのエリアに電気的に絶縁する絶縁分離構造の形成方法であって、
　前記最上層の表面から酸化物層まで達するトレンチを形成する工程と、
　湿気酸化によってトレンチの側壁を酸化する工程と、
　エッチング処理によってトレンチを含む機械的可動部分の真下に存在する支持層と酸化物層を除去する工程と
　を有する絶縁分離構造の形成方法。」（以下「刊行物１発明」という。）  　
（２−２）刊行物２ 
　刊行物２は、「半導体装置及びその製造方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
（ア）特許請求の範囲の請求項２ 
「【請求項２】半導体基板上の素子分離領域に円柱形の溝部を一定の間隔をおいて隣接して形成する工程と、前記溝部の内壁を酸化する工程と、前記溝部内に半導体膜、あるいは絶縁膜を埋め込む工程とを有し、隣接する前記溝部の間を完全に酸化膜に変えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」　 
（イ）第２ページ左欄第２２行〜第２５行 
「産業上の利用分野
　本発明は高速・高集積、かつ高歩留まりの半導体装置及びその製造方法、特に半導体装置の素子分離領域の構造及びその形成方法に関するものである。」
　
（ウ）第２ページ右欄下から３行〜第３ページ左欄第２４行 
「半導体基板１上に酸化膜２を600nm形成し、半導体素子を形成する活性領域３の周囲の分離領域４に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、一辺の長さが1.5μｍの正方形の溝部を0.5μｍの間隔をおいて形成する。その後、ドライエッチ等の異方性エッチング技術を用いて、半導体基板１上に溝部５を形成する（第１図（ａ），（ｂ））。
　次に、溝部５の底部に酸化膜２をマスクとして高濃度のボロンのイオン注入を行ってから、酸化膜２をウエットエッチによって除去する。その後、溝部５及び半導体基板１の表面を酸化して、厚さ300nmの酸化膜６を形成する。この時、溝部５の間にある半導体の部分は、溝部５の両側から酸化が進行するので、完全に酸化膜に変えることができ、活性領域３の周囲に分離領域４が形成される。また、酸化工程と同時に溝部５の底部にチャネルストッパ領域７が形成される（第１図（ｃ），（ｄ））。
　その後、多結晶シリコン膜を２μｍ堆積させ、溝部以外をエッチバック等の方法によって除去し、溝部のみに多結晶シリコン膜８を残す。この時、溝部は四方の壁から多結晶シリコン膜８で埋め込まれるので窪みの発生が少なくなり、また、各溝部の所では、同じように埋め込まれるので、コーナー部などで段差の発生することがなく、均一な埋め込み形状の分離領域が形成される（第１図（ｅ），（ｆ））。
　最後に、表面絶縁膜９を形成することで素子分離領域を完成する（第１図（ｇ），（ｈ））。」 
　
（エ）第３ページ左欄下から１行〜右欄第２８行 
「（実施例３）
　第３図は本発明の第３の実施例における素子分離領域の製造方法を示す工程図である。第３図（ｂ），（ｄ）はそれぞれ第１図（ａ），（ｃ）に示す平面図のＡ−Ａ′線における断面図である。また第３図（ｅ）は第３図（ｄ）のＢ−Ｂ′線における断面図である。以下、第３図を用いて素子分離領域の製造方法を説明する。
　半導体基板１上の半導体素子を形成する活性領域３の周囲の分離領域４に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチ技術を用いて直径が1.5μｍの円柱形の溝部12を0.5μｍの間隔をおいて形成する（第３図（ａ），（ｂ））。
　次に、チャネルストッパ領域７形成のための不純物イオンの注入を行い、円柱形の溝部12及び、半導体基板１の表面を酸化して、厚さ300nmの酸化膜６を形成する。この時、円柱形の溝部12の間にある半導体の部分では、両側から酸化が進行するので、中央部付近は完全に酸化膜に変えることができ、活性領域３の周囲に分離領域４が形成される。
　この時、溝部が四角い場合には、コーナー部分にストレス集中が起こり、活性領域３に結晶欠陥が誘起され、半導体装置の特性にリーク電流の増加などの悪影響を与える場合があるが、円柱形の溝部12を形成することで、酸化によって起こる活性領域のコーナー部13でのストレス集中を緩和することができる。このストレスによる悪影響は、半導体装置が微細になるにつれてより顕著に素子特性に現れるようになるが、この手段を用いることで、ストレスの影響を少なくできる（第３図（ｃ），（ｄ），（ｅ））。」 
　
　上記摘記事項（ウ）及び（エ）並びに第１図及び第３図を合理的に解釈すれば、「円柱形の溝部１２」は「半導体基板」の表面から内部まで達する、ということができる。
　また、上記摘記事項（エ）における「０．５μｍの間隔」で形成された「円柱形の溝部１２」は、第３図（ａ）に示された配置を勘案すると、直線状の孔構造、ということができる。
　
　そこで、上記摘記事項（ア）ないし（エ）を、図面（特に第１図と第３図）を参照しつつ、技術常識を踏まえて補正発明に照らして整理すると刊行物２には以下の事項が記載されていると認める。  
「半導体基板を活性領域とそれ以外の部分に分離する素子分離領域の形成方法であって、
　前記半導体基板の表面から内部まで達する円柱形の溝部１２を所定間隔毎に形成することにより直線状の孔構造を形成する工程と、
　酸化工程によって直線状の孔構造間にある半導体の部分を両側から酸化し中央部付近を完全に酸化膜に換える工程と、
　多結晶シリコンを堆積させた後、溝部１２のみに多結晶シリコン膜８を残す工程と
　を有する素子分離領域の形成方法。」（以下「刊行物２事項」という。）　　
（３）対比  
　補正発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。  
　刊行物１発明の「最上層」は、補正発明の「活性層」に相当することは、（ＳＯＩ分野の）技術常識に照らして明らかであり、以下同様に「酸化物層」は「絶縁層」に、「ＳＯＩウエハ」は「ＳＯＩ基板」に、「エリア」は「領域」に、「電気的に絶縁する」は「絶縁分離する」に、「湿気酸化」は「酸化工程」に相当することも明らかである。 
　そして、刊行物１発明の「トレンチ」と、補正発明の「所定間隔毎に形成」された「孔」とは、凹部である限りにおいて共通する。
　また、刊行物１発明の「トレンチを含む機械的可動部分の真下に存在する支持層と酸化物層を除去する」ことと、補正発明の「孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去する」こととは、絶縁分離するための構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去すること、である限りにおいて共通する。
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。  
＜一致点＞  
「支持層と活性層により絶縁層を挟持することにより形成されたＳＯＩ基板の活性層を少なくとも２つの領域に絶縁分離する絶縁分離構造の形成方法であって、
　前記活性層の表面から絶縁層まで達する凹部を形成する工程と、
　酸化工程と、
　エッチング処理によって絶縁分離するための構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去する工程と
　を有する絶縁分離構造の形成方法。」  
　  
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の３点で相違している。 
＜相違点１＞  
　活性層の表面から絶縁層まで達する凹部の形成に関し、補正発明は、孔を所定間隔毎に形成することにより直線状の孔構造を形成しているのに対し、刊行物１発明は、トレンチを形成している点。
＜相違点２＞  
　酸化工程に関し、補正発明は、直線状の孔構造間に存在する活性層を酸化するのに対し、刊行物１発明は、トレンチの側壁を酸化する点。
＜相違点３＞ 
　エッチング処理に関し、補正発明は、孔構造の下部に存在する支持層と絶縁層を除去することにより孔構造を貫通させるのに対し、刊行物１発明は、トレンチを含む機械的可動部分の真下に存在する支持層と酸化物層を除去するものの、凹部たるトレンチを貫通させるものではない点。
 　　  
（４）相違点の検討  
ア．＜相違点１＞及び＜相違点２＞について 
　上記（２）の（２−２）にて指摘してように　刊行物２事項は、  
「半導体基板を活性領域とそれ以外の部分に分離する素子分離領域の形成方法であって、
　前記半導体基板の表面から内部まで達する円柱形の溝部１２を所定間隔毎に形成することにより直線状の孔構造を形成する工程と、
　酸化工程によって直線状の孔構造の間にある半導体の部分を両側から酸化し中央部付近を完全に酸化膜に換える工程と、
　多結晶シリコンを堆積させた後、孔のみに多結晶シリコン膜８を残す工程と
　を有する素子分離領域の形成方法。」であるところ、これを補正発明の用語に倣って表現すれば、刊行物２事項の「活性領域とそれ以外の部分に分離する」は補正発明の「少なくとも２つの領域に絶縁分離する」に相当し、同様に「素子分離領域」は「絶縁分離構造」に、「円柱形の溝部１２」は「孔」に、「間にある半導体の部分を両側から酸化し中央部付近を完全に酸化膜に換える工程」は「間に存在する活性層を酸化する工程」に相当するといえる。
　したがって、刊行物２事項は、 
　半導体基板を少なくとも２つの領域に絶縁分離する絶縁分離構造の形成方法であって、
　前記半導体基板の表面から内部まで達する孔を所定間隔毎に形成することにより直線状の孔構造を形成する工程と、
　酸化工程によって直線状の孔構造間に存在する活性層を酸化する工程と、
　多結晶シリコンを堆積させた後、溝部１２のみに多結晶シリコン膜８を残す工程と
　を有する絶縁分離構造の形成方法、と言い換えることができる。 
　
　次に、補正発明のような半導体（ＳＯＩ）の形成方法においては、絶縁分離構造の形成過程のような一つのプロセスを他の代替手段で置き換えることは、広く行われることである。そして、刊行物２発明のような、所定間隔毎に孔構造を形成し、酸化工程によって孔構造間を酸化して２つの領域に絶縁分離する形成手段は、刊行物２に限らず、原審において引用文献３として示した特開２００４−３３５５６８号公報にも示されるように、従来周知の技術ともいえるものである。したがって、刊行物１発明の絶縁分離構造の形成に、刊行物２事項を適用することは当業者が容易に試み得るところである。
　　　　　　
　そうしてみると、刊行物１発明に刊行物２事項を適用して、（ｉ）活性層の表面から絶縁層まで達する凹部としてトレンチに換え、孔を所定間隔毎に形成することにより直線状の孔構造とし、それに加え、（ｉｉ）酸化工程を、トレンチの側壁を酸化するのに換えて、直線状の孔構造間に存在する活性層を酸化する工程として、相違点１及び２に係る発明特定事項を補正発明のものとすることは、当業者が通常の創作能力の発揮によりなし得るとものいうのが相当である。　  
　
イ．＜相違点３＞について
　上記ア．で指摘したように、刊行物１発明に刊行物２事項を適用することは、当業者が容易に試み得るものであるところ、刊行物２事項は、孔に多結晶シリコン膜８を堆積させて残すものであるから、補正発明に刊行物２事項を適用しても、依然として相違点３の如く、凹部は貫通したものとはならない。
　これにつき検討するに、まず、刊行物２事項が孔に多結晶シリコン膜８を堆積させて残すのは、素子分離領域としての絶縁効果を向上・安定させる等のためと認められる（例えば、特開２００３−１００８６２号公報の段落【０００２】、特開２００５−９４０００号公報の段落【００２１】にポリシリコンを充填して絶縁体として用いることが示され、特開２００４−１７２１９５号公報の段落【００２６】にポリシリコンの充填により電界を安定させることが示される。）。
　この点、一般に半導体の製造工程において、コスト削減等の目的で必須でない工程を省略することはごく一般的に行われることである。また、半導体の製造工程において、 絶縁のための凹部（トレンチ）を絶縁体で完全に埋め込まず凹部を覆う程度とすることは、例えば、特開２０００−２６１０４２号公報（第４ページ左欄第１５行〜第２０行）に示されるように従来周知の技術的事項である。
　そうすると、刊行物１発明に刊行物２事項を適用するに際し、必須でない工程を省略する一環として、上記従来周知の技術を踏まえ、凹部に多結晶シリコン膜を堆積・充填することなく貫通したままとしておき、相違点３に係る発明特定事項を補正発明のものとすることも、当業者が容易に想到し得るものといえる。
　 
（５）＜補正発明の効果＞について  
　上記相違点１ないし相違点３を総合勘案しても、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の事項から予測できない格別な効果が生じるとは考えられない。  
　
（６）したがって、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。   
　
（７）回答書における補正案について
　請求人は、平成２４年４月２５日提出の回答書において、補正発明１における「孔構造」における各「孔」をさらに「中空の」「孔」と限定する補正案を提示しているところ、補正案に法的根拠はないが、念のため検討する。
　上記（４）イ．「＜相違点３＞について」にて検討したように、「孔構造」における各「孔」を「貫通」したものとすることは当業者が容易に想到し得るものであるところ、「貫通」していれば当然中空構造となるから、かかる補正案の限定は格別なものはない。
　よって、補正案のように補正したとしても、特許性を認めることはできず、結論に変わりはない。
　  
３．むすび  
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　  
第３．本件出願の発明について  
１．本件出願の発明  
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の特許請求の範囲の請求項に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「絶縁分離構造の形成方法」である。  
　  
２．引用例  
　これに対して、原査定の本件出願の発明に対する拒絶の理由に引用された刊行物は、上記第２．２．（２）に示した刊行物１及び刊行物２、及び上記第２．２．（４）ア．にて、刊行物２と同様のものとして例示した特開２００４−３３５５６８号公報であり、その刊行物１及び刊行物２の記載事項は上記第２．２．（２−１）及び（２−２）のとおりである。  
　  
３．対比・検討  
　本件出願の発明は、上記第２．２．で検討した補正発明から、実質的に、「活性層の表面から」（絶縁層まで達する孔）という限定と「孔構造を貫通させる」（工程）という限定を削除したものである。  
　そうすると、本件出願の発明と刊行物１発明とは、上記第２．２．（３）で示した一致点を有し、同様に、上記第２．２．（３）で示した相違点１及び相違点２において相違する。そして、相違点１及び相違点２については、それぞれ上記第２．２．（４）ア．で検討したとおりである。
　したがって、本件出願の発明は、刊行物１発明及び刊行物２事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということになる。
　  
４．むすび  
　以上により、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、本件出願の請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。