Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも一つの陽イオン活性官能基を有する一種以上の成分と、一つ以上の遊離基活性官能基を有する一種以上の成分と、遊離基重合とカチオン重合を開始することのできる一種以上の重合開始剤とを含む硬質組織を処理するための重合可能な組成物であって、前記組成物の１グラム当たりの前記陽イオン活性官能基のモル数が０．００７５以下であり、前記硬質組織の処理が下記の工程、（ａ）前記組成物を硬質組織に適用する工程と、（ｂ）前記組成物を重合条件に晒して前記硬質組織に結合した接着剤を形成する工程とを含む、重合可能な組成物。
【請求項２】  少なくとも一つの陽イオン活性官能基と一つ以上の遊離基活性官能基を有する一種以上の成分と、遊離基重合とカチオン重合を開始することのできる一種以上の重合開始剤とを含む硬質組織を処理するための重合可能な組成物であって、前記組成物の１グラム当たりの前記陽イオン活性官能基のモル数が０．００７５以下であり、前記硬質組織の処理が下記の工程、（ａ）前記組成物を硬質組織に適用する工程と、（ｂ）前記組成物を重合条件に晒して前記硬質組織に結合した接着剤を形成する工程とを含む、重合可能な組成物。
【請求項３】  （ａ）請求項１又は２に記載の硬質組織を処理するための重合可能な組成物と（ｂ）前記重合可能な組成物を重合することにより形成される接着剤に結合可能な歯科材料とを含むキット。
【請求項４】  硬質組織を処理するための成分である、（ａ）第１の重合可能な組成物と（ｂ）第２の重合可能な組成物とを含むキットであり、
（１）前記第１の重合可能な組成物が、一つ以上の遊離基活性官能基を有する一種以上の成分と、遊離基重合とカチオン重合を開始することのできる一種以上の重合開始剤とを含み、その第１の重合可能な組成物は、少なくとも一つの陽イオン活性官能基を有する重合可能な成分を含まず、重合条件に晒されると歯に結合した接着剤を形成する重合可能な組成物であり、又、
（２）前記第２の重合可能な組成物が、少なくとも一つの陽イオン活性官能基を有する一種以上の成分と、カチオン重合を開始することのできる一種以上の重合開始剤とを含み、その第１の重合可能な組成物は、重合条件に晒されると歯に結合した接着剤を形成する重合可能な組成物である、
キット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
遊離基活性官能基を有する材料は、１個以上のエチレン性不飽和基を有するモノマー、オリゴマーおよびポリマーを含む。好適な材料は、少なくとも１つのエチレン性不飽和結合を有し、付加重合可能である。かかる遊離基重合可能な材料としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ステアリルアクリレート、アリルアクリレート、グリセロールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリメタクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、ビス［１−（２−アクリルオキシ）］−ｐ−エトキシフェニルジメチルメタン、ビス［１−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシ）］−ｐ−プロポキシフェニルジメチルメタンおよびトリスヒドロキシエチル−イソシアヌレートトリメタクリレートのようなモノ−、ジ−またはポリ−アクリレートおよびメタクリレート；分子量２００〜５００のポリエチレングリコール、米国特許第4,652,274号に記載されているようなアクリレート化モノマーの共重合可能な混合物、米国特許第4,642,126号に記載されているようなアクリレート化オリゴマーのビス−アクリレートおよびビス−メタクリレート；およびスチレン、ジアリルフタレート、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートおよびジビニルフタレートのようなビニル化合物が挙げられる。２種類以上のこれらの遊離基重合可能な材料の混合物も所望であれば用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
陽イオン活性官能基を有する材料としては、陽イオン重合可能なエポキシ樹脂が挙げられる。かかる材料は、例えば、オキシラン環、例えば、下式の開環重合される基を有する有機化合物である。
【化１】
2002500172.tif 000001
これらの材料は、モノマーエポキシ化合物およびポリマータイプのエポキシドを含み、脂肪族、環状脂肪族、芳香族またはヘテロ環式とすることができる。これらの材料は、通常、平均で、１分子当たり少なくとも１個、好ましくは少なくとも約１．５個、より好ましくは１分子当たり少なくとも約２個の重合可能なエポキシ基を有する。ポリマーエポキシドとしては、末端エポキシ基を有する鎖状ポリマー（例えば、ポリオキシアルキレングリコールのジグリシジルエーテル）、骨格オキシラン単位を有するポリマー（例えば、ポリブタジエンポリエポキシド）および懸垂エポキシ基を有するポリマー（例えば、グリシジルメタクリレートポリマーまたはコポリマー）が挙げられる。エポキシドは、純粋な化合物であっても、１分子当たり１個、２個またはそれ以上のエポキシ基を含有する化合物の混合物であってもよい。１分子当たりのエポキシ基の平均数は、エポキシ含有材料中のエポキシ基の総数を、存在するエポキシ含有分子の総数で割ることにより求められる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１０％が、脱墨廃物、リサイクル紙廃物、及びメカニカルパルプ化廃物に由来する一次スラッジ、及び二次スラッジから選択されるスラッジを脱水する方法であって、凝集系を該スラッジに混合することによって該スラッジを凝集させること、及び該凝集させたスラッジから水を分離することを含み、該凝集系がフェノール性の物質及びポリアルキレンオキシド凝集剤を含む方法。
【請求項２】  製紙工場、パルプ工場、又は脱墨プラントからの排出物を清澄化し、沈殿させて一次スラッジを形成すること、場合によっては二次スラッジを該一次スラッジに混合した後、該凝集系を該一次スラッジに混合すること、該スラッジを脱水して、少なくとも２０重量％（乾ベース）の固形分を有するケーキを提供することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】  スラッジが少なくとも３重量％の固形分を有する、請求項２記載の方法。
【請求項４】  脱水を、ベルトプレス、遠心脱水、及びフィルタプレスから選択される方法によって実施する、請求項２記載の方法。
【請求項５】  脱水をフィルタプレスによって実施する、請求項２記載の方法。
【請求項６】  スラッジが一次及び二次混合スラッジであり、一次スラッジ：二次スラッジ（乾燥重量比）が５０：１〜１：１０である、請求項１記載の方法。
【請求項７】  スラッジの少なくとも５０重量％が、製紙工場、パルプ工場又は脱墨プラントに由来するものである、請求項１記載の方法。
【請求項８】  フェノール性の物質をスラッジに混合した後、ポリアルキレンオキシドを該スラッジに混合することにより、該凝集系をスラッジに混合する、請求項１記載の方法。
【請求項９】  フェノール性の物質を、製紙工場、又はパルプ工場、又は脱墨プラント、又は洗炭プラントから回収したフェノール性の廃液としてスラッジに加える、請求項１記載の方法。
【請求項１０】  フェノール性の物質を、リグニンを含有する廃液としてスラッジに加える、請求項１記載の方法。
【請求項１１】  合成又は抽出したフェノール樹脂を廃液とともに加える、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  フェノール性の物質が合成又は抽出したフェノール樹脂を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】  フェノール性の物質が、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、フェノールスルホン樹脂、及びスルホン酸基を含有するフェノール樹脂から選択されるフェノール樹脂である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】  ポリアルキレンオキシドがポリエチレンオキシドである、請求項１記載の方法。
【請求項１５】  フェノール性の物質：ポリアルキレンオキシド（乾燥重量比）が１５：１〜１：３である、請求項１記載の方法。
【請求項１６】  スラッジに混合されるポリアルキレンオキシド凝集剤の量が、０．０５〜１０kg/t−スラッジ（乾燥重量）、好ましくは０．２〜１．５kg/t−スラッジ（乾燥重量）である、請求項１記載の方法。
【請求項１７】  フェノール性の物質及びポリアルキレンオキシド凝集剤の前に、カチオン性の凝固剤をスラッジと混合し、該カチオン性の凝固剤が、多価金属化合物、及び３dl/g（３００cm3/g）未満の固有粘度及び少なくとも４meq/gのカチオン電荷密度を有する水溶性合成カチオン性ポリマーから選択される、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  実質的に純粋で、ウィルスを含まない免疫グロブリン製剤を製造する方法であって、
（ａ）ヒト血漿から単離された免疫グロブリン画分を、非イオン性界面活性剤を含む高イオン強度緩衝液と混合し；
（ｂ）混合物に対してナノフィルトレーションを行い；そして
（ｃ）ナノフィルトレーションのパーミエートを回収し、当該パーミエートは実質的に純粋で、ウィルスを含まない免疫グロブリンであり、当該免疫グロブリンが約180キロダルトンまたはそれ以下の分子量を有する；
工程を含む上記方法。
【請求項２】  高イオン強度緩衝液が150 mM NaCl-グリシン緩衝液である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】  非イオン性界面活性剤が非イオン性ポリオキシエチレン界面活性剤である、請求項2に記載の方法。
【請求項４】  非イオン性ポリオキシエチレン界面活性剤がポリソルベート-80である、請求項3に記載の方法。
【請求項５】  ナノフィルトレーションが、約30 nm未満のカットオフ等級を有する第一ナノフィルターの使用を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】  カットオフ等級が約12 nmである、請求項5に記載の方法。
【請求項７】  ナノフィルトレーションが、約10,000 K〜約60,000 Kのカットオフ等級を有する第二ナノフィルターの使用を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項８】  カットオフ等級が約50,000 Kである、請求項7に記載の方法。
【請求項９】  免疫グロブリンが抗D免疫グロブリンである、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】  抗D免疫グロブリンがRhoGAM（登録商標）またはMICRhoGAM（登録商標）である、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】  請求項9に記載の方法によって製造されるRhoGAM（登録商標）またはMICRhoGAM（登録商標）。
【請求項１２】  実質的に純粋で、ウィルスを含まない、抗D抗体を含む免疫グロブリンの製造方法であって、
（ａ）ヒト血漿から単離された抗D抗体を含む免疫グロブリン画分を非イオン性界面活性剤を含む高イオン強度緩衝液と混合し；
（ｂ）免疫グロブリンに対してナノフィルトレーションを行い；そして
（ｃ）ナノフィルトレーションのパーミエートを回収し、当該パーミエートは実質的に純粋で、ウィルスを含まない、抗D抗体を含む免疫グロブリンである；
工程を含む上記方法。
【請求項１３】  高イオン強度緩衝液が150 mM NaCl-グリシン緩衝液を含み、非イオン性界面活性剤がポリソルベート-80を含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】  ナノフィルトレーションが、約30 nm未満のカットオフ等級を有する第一ナノフィルターの使用を含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】  カットオフ等級が約12 nmである、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】  ナノフィルトレーションが、約10,000 K〜約60,000 Kのカットオフ等級を有する第二ナノフィルターの使用を含む、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】  カットオフ等級が約50,000 Kである、請求項16に記載の方法。
【請求項１８】  約50,000 Kのカットオフ等級を有するナノフィルターを用いて免疫グロブリン濃度を濃縮し且つ非イオン性界面活性剤を含む高イオン強度緩衝液を低イオン強度緩衝液と交換する工程（ｄ）を更に含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１９】  低イオン強度緩衝液が50 mM NaCl-グリシン緩衝液である、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】  請求項12に記載の方法によって製造された抗D免疫グロブリン。
【請求項２１】  請求項19に記載の方法によって製造された抗D免疫グロブリン。
【請求項２２】  実質的に純粋なタンパク質の製造方法であって、
（ａ）血漿からタンパク質を単離し；
（ｂ）該単離されたタンパク質を非イオン性界面活性剤を含む高イオン強度緩衝液と混合し；
（ｃ）混合物に対してナノフィルトレーションを行い；そして
（ｄ）ナノフィルトレーションからパーミエートを回収し、当該パーミエートは実質的に純粋なタンパク質である；
工程を含む上記方法。
【請求項２３】  実質的に純粋なタンパク質が免疫グロブリンである、請求項22に記載の方法。
【請求項２４】  単離工程（ａ）が、バッチ若しくはイオン交換クロマトグラフィー、アフィニティークロマトグラフィーまたはCohn法から成る群より選択される、請求項22に記載の方法。
【請求項２５】  免疫グロブリンが0.1〜1％の濃度で混合されて存在する、請求項1に記載の方法。
【請求項２６】  非イオン性界面活性剤が0.015 g/L〜約0.024 g/Lの濃度である、請求項1に記載の方法。
【請求項２７】  非イオン性界面活性剤が約80〜200 ppmの濃度である、請求項1に記載の方法。
【請求項２８】  バッチクロマトグラフィー、イオン交換クロマトグラフィー、またはアフィニティークロマトグラフィーにより、免疫グロブリン画分をヒト血漿から単離する、請求項1に記載の方法。
【請求項２９】  アルコール分別法により免疫グロブリン画分をヒト血漿から単離する、請求項1に記載の方法。
【請求項３０】  アルコールがメタノールであるアルコール分別法により、免疫グロブリン画分をヒト血漿から単離する、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用する医薬の製造における薬剤の使用であって、ここで；
該薬剤は、ガングリオシド関連活性を調節し得；
該薬剤は、抗原に結合せず；
該ガングリオシド関連活性の調節が、アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し；そして
該調節は、以下：
（ｉ）抗原特異的ＩｇＥレベル；ならびに／または
（ｉｉ）抗原特異的Ｔ細胞反応性；ならびに／または
（ｉｉｉ）ＩｇＧおよび／もしくはＩｇＡレベル
における変化により特徴付けられる、使用。
【請求項２】  アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用する医薬の製造における薬剤の使用であって、ここで；
該薬剤は、ＧＭ１関連活性を調節し得；
該薬剤は、抗原に結合せず；そして
該ＧＭ１関連活性の調節は、アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用する、使用。
【請求項３】  前記薬剤が、ＩｇＥ媒介応答をブロックし得る、請求項１または請求項２に記載の薬剤の使用。
【請求項４】  アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得る請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬剤を同定するためのアッセイ方法であって；
ここで該アッセイ方法は、以下の工程：
（ａ）薬剤をガングリオシドレセプターと接触させる工程；
（ｂ）（ｉ）抗原特異的ＩｇＥレベル；ならびに／または
（ｉｉ）抗原特異的Ｔ細胞反応性；ならびに／または
（ｉｉｉ）ＩｇＧおよび／もしくはＩｇＡレベル、
における変化を測定することによって、該薬剤がガングリオシド関連活性を調節するか否かを決定する工程であって、
その結果、該ガングリオシド関連活性の調節が、該薬剤がアレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得ることの指標となる工程、を包含し；そして
ここで該薬剤は抗原に結合されない、方法。
【請求項５】  請求項４に記載のアッセイ方法であって、前記アッセイが、アレルギー性状態および／または過敏症状態の予防および／または処置において有用な薬剤についてスクリーニングする、方法。
【請求項６】  以下の工程：
（ａ）請求項４または請求項５に記載のアッセイを実施する工程；
（ｂ）ガングリオシド関連活性を調節し得る１つ以上の薬剤を同定する工程；および
（ｃ）ある量の該１つ以上の薬剤を調製する工程、
を包含する、方法。
【請求項７】  以下の工程：
（ａ）請求項４または請求項５に記載のアッセイを実施する工程；
（ｂ）ガングリオシド関連活性を調節し得る１つ以上の薬剤を同定する工程；および
（ｃ）該１つ以上の同定された薬剤を含有する薬学的組成物を調製する工程、
を包含する、方法。
【請求項８】  以下の工程：
（ａ）請求項４または請求項５に記載のアッセイを実施する工程；
（ｂ）ガングリオシド関連活性を調節し得る１つ以上の薬剤を同定する工程；
（ｃ）ガングリオシド関連活性を調節する１つ以上の同定された薬剤を改変する工程；および
（ｄ）該１つ以上の改変された薬剤を含有する薬学的組成物を調製する工程、
を包含する、方法。
【請求項９】  請求項６または請求項７または請求項８の方法によって同定される、薬剤。
【請求項１０】  前記薬剤がＧＭ１結合剤である、請求項９に記載の薬剤。
【請求項１１】  前記薬剤がＥｔｘＢであり、ここで該薬剤はガングリオシド関連活性の調節を通してアレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得る、請求項１０に記載の薬剤。
【請求項１２】  前記薬剤が、以下：（ｉ）抗原特異的ＩｇＥレベル；ならびに／または（ｉｉ）抗原特異的Ｔ細胞反応性；ならびに／または（ｉｉｉ）ＩｇＧおよび／もしくはＩｇＡレベル；における変化によって特徴付けられるガングリオシド関連活性の調節を通して、アレルギー性状態および／また過敏症状態に作用することが以前に公知ではなかった、請求項９に記載の薬剤。
【請求項１３】  前記ガングリオシドがＧＭ１ガングリオシドである、請求項１、４、６、７または８のいずれか１項に規定されるガングリオシド。
【請求項１４】  １つ以上の薬剤を含有する、アレルギー性状態または過敏症状態に作用するための組成物であって；
ここで該薬剤はインビトロアッセイ方法においてガングリオシド関連活性を調節し得；そして
ここで該インビトロアッセイ方法は、請求項４または請求項５に規定されるアッセイ方法である、
組成物。
【請求項１５】  アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用する医薬の製造における、請求項４〜１２または請求項１４のいずれか１項に規定される薬剤の使用。
【請求項１６】  アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得る薬学的組成物としての使用のための、請求項９もしくは請求項１０もしくは請求項１１もしくは請求項１２に記載の薬剤、または請求項６もしくは請求項７もしくは８に記載の方法によって調製される薬剤。
【請求項１７】  請求項９もしくは請求項１０もしくは請求項１１もしくは請求項１２のいずれか１項に記載の薬剤、または請求項６もしくは請求項７もしくは請求項８に記載の方法によって調製される薬剤、を含有するかあるいは該薬剤から調製される薬学的組成物であって、該組成物はアレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得る、薬学的組成物。
【請求項１８】  アレルギー性状態および／または過敏症状態の処置のための、請求項７または請求項８または請求項１６または請求項１７に規定される薬学的組成物の調製における、薬剤の使用。
【請求項１９】  添付の図面を参照して本明細書中に実質的に記載されるガングリオシド関連活性の調節を通して、アレルギー性状態および／または過敏症状態に作用し得る、薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  圧力測定セルの構成を示す断面図である。
【図２】  本発明による容量式の真空測定セルを示す模式的な断面図である。
【図３】  図２に示す測定セルの部分拡大図である。
【図４】  ダイヤフラムの焼結工程を表す温度と時間のグラフである。
【図５】  ダイヤフラムの平坦化工程を表す温度と時間のグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  圧力測定セルの構成を示す断面図である。
【図２】  本発明による容量式の真空測定セルを示す模式的な断面図である。
【図３】  図２に示す測定セルの部分拡大図である。
【図４】  ゲッター構造部を示す詳細な断面図である。
【図５】  ゲッター構造の別のバリエーションを示す断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源と、
前記光源に対しての第１ポートコネクタと、第２ポート及び第３ポートとを有するカプラと、
前記カプラの前記第２のポートに接続される第１ポートと、第２ポート及び第３ポートとを有する分割器と、
前記分割器の前記第２ポートに接続される第１端部と、前記分割器の前記第３ポートに接続される第２端部とを有する光ファイバコイルと、
前記カプラの前記第３ポートに接続される光ポートと、電気出力とを有する検出器と、
出力を有するバイアス変調源と、
前記検出器の前記出力に接続される第１入力と、前記バイアス変調源の前記出力に接続される第２入力と、出力とを有する利得制御増幅器と、
前記検出器の出力に接続される第１入力と、前記利得制御増幅器の前記出力に接続される第２入力とを有する復調器と、
を備える光ファイバジャイロスコープのための振動整流誤差低減装置。
【請求項２】  光源と、
前記光源に対する第１のポートコネクタと、第２ポート及び第３ポートとを有するカプラと、
前記カプラの前記第２ポートに接続される第１ポートと、第２ポート及び第３ポートとを有する分割器と、
前記分割器の前記第２ポートに接続される第１端部と、前記分割器の前記第３ポートと接続される第２端部とを有する光ファイバコイルと、
前記カプラの前記第３ポートに接続される光ポートと、電気出力とを有する検出器と、
出力を有するバイアス変調源と、
前記検出器の前記出力に接続される第１の入力を有し、前記バイアス変調源の前記出力からのバイアス変調信号の周波数を有する信号の基本波及び高調波の両方又は何れかを検出する復調器と
を備え、
前記基本波及び前記高調波の両方又は何れかは、前記光ファイバコイル内を伝播する光の非可逆位相シフトを示すものであり、前記復調器の利得は変化させられて、前記非可逆位相シフトを引き起こす振幅変化を補償する、
光ファイバジャイロスコープの振動整流誤差低減装置。
【請求項３】  光源と、
前記光源の出力に接続される第１のポートを有する第１分割器と、
前記第１分割器の第２ポートに接続される第１ポートを有する第２分割器と、
前記第２分割器の第２ポートに接続される第１端部と、前記第２分割器の第３ポートに接続される第２端部とを有する光ファイバコイルと、
前記第１分割器の第３ポートに接続される光入力を有する検出器と、
前記検出器の出力に接続される、可変利得を有するアナログ／ディジタルコンバータと
を備え、
前記可変利得は、前記検出器の前記出力からの信号の振幅変化に応じて変化する、
光ファイバジャイロスコープの振動整流誤差低減装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  円柱屈折率を含む１種以上の矯正屈折率を提供する体積ホログラフィック光学素子（１０、２２、５２、６４、７０、７２、７４）を含む眼用レンズ（４０、５０、６０）であって、
前記体積ホログラフィック光学素子（１０、２２、５２、６４、７０、７２、７４）が、ホログラフィック光学素子の少なくとも二つの層（７２、７４）を含む組み合わせ透過ホログラフィック光学素子であり、
前記二つの層（７２、７４）の各々が、ホログラフィック光学素子（１０、２２、５２、６４、７０、７２、７４）の長手方向に傾斜する体積回折格子構造（１２、２６）を含み、
前記第一の層及び第二の層（７２、７４）の各々が活性化角（α、β）を有して、前記第一の層（７２）の前記活性化角（α）の中で前記第一の層（７２）に進入する光が、前記第一の層（７２）を回折させて前記光を射出角（β）で前記第一の層（７２）から出し、前記第一の層（７２）の前記射出角（β）が前記第二の層（７４）の活性化角（β）と一致する
ことを特徴とする眼用レンズ。
【請求項２】  該ホログラフィック素子（１０、２２、６４）が、生物学的に適合し得る光学的材料から作製される、請求項１記載の眼用レンズ。
【請求項３】  該レンズが、複合レンズ（５０、６０）である、請求項１又は２記載の眼用レンズ。
【請求項４】  該レンズが、球面矯正屈折率を更に提供する、請求項１記載の眼用レンズ。
【請求項５】  該球面矯正屈折率が、該体積回折格子構造によって提供される、請求項４記載の眼用レンズ。
【請求項６】  該球面矯正屈折率が、該眼用レンズの輪郭によって提供される屈折率である、請求項４記載の眼用レンズ。
【請求項７】  該球面矯正屈折率が、負の屈折率である、請求項４〜６のいずれか１項記載の眼用レンズ。
【請求項８】  該球面矯正屈折率が、正の屈折率である、請求項４〜６のいずれか１項記載の眼用レンズ。
【請求項９】  該レンズが、眼内レンズである、請求項１〜８のいずれか１項記載の眼用レンズ。
【請求項１０】  該レンズが、コンタクトレンズである、請求項１〜９のいずれか１項記載の眼用レンズ。
【請求項１１】  該レンズが、眼の上でレンズの位置を安定化させるための安定化機構を有する、請求項１０記載の眼用レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）への太陽ローディングを減少させる装置であって、
内表面と外表面とを有する第１の透明プレートと、
内表面と外表面とを有する第２の透明プレートであって、その内表面は第１の透明プレートの内表面に対向するように配置され、第１の透明プレートと第２の透明プレートは互いに離間して、第１の透明プレートと第２の透明プレートの間に内部に液晶材料を含んでいる液晶セルを形成する第２の透明プレートと、
第１の透明プレートの外表面に隣接し、内表面と外表面とを有する前部偏光子と、
前部偏光子とエネルギー源の間に挿入され、可視放射エネルギーの反射を最少にするために非反射材料と結合した非可視赤外放射エネルギーを反射するための反射材料の組合せからなる被覆と、
から成ることを特徴とする装置。
【請求項２】  内表面と外表面とを有し、その内表面が前部偏光子の外表面に隣接する透明基板をさらに含む請求項１に記載のＬＣＤデバイス。
【請求項３】  液晶ディスプレイへの太陽ローディングを減少させる装置であって、
内表面と外表面とを有し、外表面は放射エネルギー源に対向し、内表面は複数のディスプレイ・デバイス構成要素に対向する吸収材料と、
吸収材料の外表面とエネルギー源の間に挿入され、可視放射エネルギーの反射をおこなうため非反射材料と結合した非可視赤外線放射エネルギーを反射するための反射材料の組合せからなる被覆と、
から成ることを特徴とした装置。
【請求項４】  ディスプレイ・デバイス上でのエネルギー源から放射エネルギーを受け取るディスプレイ・デバイスの吸収材料に起因する赤外エネルギー・ローディングを低減する方法であって、この方法は、
可視放射エネルギーの反射を最小にするための非反射材料と組合わせた非可視赤外放射エネルギーを反射する反射材料からなる適切な被覆を選択するステップと、
吸収材料とエネルギー源の間に上記被覆を設けるステップと
を含む方法。
【請求項５】  第１の透明プレートと第２の透明プレートの間に形成された液晶セルを有し、第１の透明プレートは、エネルギー源に対向する外表面と、液晶に対向する内表面とを有する液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）上でのエネルギー源から放射エネルギーを受け取るディスプレイデバイスに起因する赤外ローディングを低減する方法であって、
可視放射エネルギーの反射を最小にするための非反射材料と組合せた放射エネルギーの予定した波長範囲を反射する反射材料からなる適切な被覆を選択するステップと、
液晶セルとエネルギー源とに上記被覆を設けるステップと、
からなることを特徴とする方法。
【請求項６】  放射エネルギーの所定の波長範囲が、赤外または近赤外エネルギーを表す波長範囲である請求項５に記載の方法。
【請求項７】  請求項５に記載の方法によって製造したＬＣＤデバイス
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月24日(2006.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マルチウェイバルブであって、
当該バルブはチャンバーを有し、該チャンバーは少なくとも２つの実質的な平行平面により境界を定められており、該チャンバー内には、少なくとも３つの、供給または排出ダクトが開口しており、該ダクトの開口状態または閉鎖状態は、ある部材の位置決めに影響され、該部材は、前記平行平面に対して平行に広がる平面において２次元で移動可能であるように、該チャンバー内に収容されており、該部材は、２つの側が平坦になっており、該部材の該平坦な側が、面接触によって、該平行平面とシーリングする態様にて相互作用しており、かつ、該部材は、１つ以上のダクト開口とシーリングする態様にて相互作用するようにされ得るものであり、
かつ、当該バルブは、該部材をハウジング内で移動させるための制御手段を有し、
その特徴は、
該部材が、永久磁石を有し、かつ、
該制御手段が、複数のマグネット作動アセンブリーを有し、それらアセンブリーはチャンバーの周りに固定して配置され、かつ、該制御手段が、軟鉄コアを持った電磁石を有し、それらアセンブリーは、該部材を引きつけるかまたは押し戻す磁界を発生するように設計されていることである、
前記マルチウェイバルブ。
【請求項２】  少なくとも１つのマグネット作動アセンブリーが、その２つの磁極片の中心軸がチャンバーの中央長手方向平面（Ｍ）に対して直角に位置するように配置され、２つの磁極片のそれぞれと該中央長手方向平面（Ｍ）との距離が等しいことを特徴とする、請求項１記載のマルチウェイバルブ。
【請求項３】  マグネット作動アセンブリーの２つの磁極片の中心軸がチャンバー内に延びており、そこから該チャンバーの最も近い横断壁までの距離が、最大でも、部材の磁気中心から該横断壁までの最短距離と等しいことを特徴とする、請求項２に記載のマルチウェイバルブ。
【請求項４】  永久磁石の磁力線が部材の移動平面に対して実質的に半径方向に走り、マグネット作動アセンブリーが、該移動平面に対して実質的に平行に走る磁力線の磁界を発生するように設計されていることを特徴とする、請求項１または２記載のマルチウェイバルブ。
【請求項５】  永久磁石の磁力線が、部材の移動平面に対して実質的に軸方向に走り、マグネット作動アセンブリーが、該移動平面に対して実質的に横切る方向の磁力線の磁界を発生するように設計されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマルチウェイバルブ。
【請求項６】  部材が、ハウジングの少なくとも１つの壁部により境界を定められるキャビティーを含み、少なくとも１つの中央ダクトが該壁部内に開口し、該ダクトの開口が、チャンバー内での該部材の位置に関わらず、該部材キャビティーと連絡していることを特徴とする、上記請求項のいずれかに記載のマルチウェイバルブ。
【請求項７】  部材が、チャンバーの壁部の少なくとも１つとシーリングするように相互作用する連続的なリングセクションを含み、部材キャビティーが、該リングセクションの内周により、半径方向に境界を定められていることを特徴とする、請求項６記載のマルチウェイバルブ。
【請求項８】  部材キャビティーが、チャンバーの２つの壁部により境界を定められ、該壁部が移動平面の両側に位置していることを特徴とする、請求項６または７記載のマルチウェイバルブ。
【請求項９】  中央ダクトが、チャンバー内に開口している他のダクトの少なくとも１つと、部材キャビティーを通して連絡して配置され得ることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載のマルチウェイバルブ。
【請求項１０】  チャンバーが、部材の移動平面に対して実質的にそれを横切る方向に位置している少なくとも１つの横断壁を含み、該横断壁内に少なくとも１つの供給ダクトまたは排出ダクトが開口していることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載のマルチウェイバルブ。
【請求項１１】  少なくとも４つの、供給または排出ダクトが、チャンバー内に開口しており、該ダクトのうちの少なくとも３つのダクトの開口状態または閉鎖状態が、該部材の位置決めに影響されることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載のマルチウェイバルブ。
【請求項１２】  前記請求項のいずれかに記載のマルチウェイバルブを、１つ以上の磁界によって作動させる方法であって、
磁界の影響下で部材をチャンバー内のある位置に移動させるために、少なくとも１つのマグネット作動アセンブリーを用いて、部材の磁力線に対して平行に走る磁力線の磁界を発生させ、その結果、少なくとも１つのダクト開口を開口または閉鎖させることを特徴とする、
前記方法。
【請求項１３】  電磁石が、マグネット作動アセンブリーに収容されかつ該部材の永久磁石を引きつけるかまたは押し戻すように励磁され、該部材が、チャンバー内に開口しているダクトの少なくとも１つを閉鎖または開口することを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  励磁された電磁石によって部材が一旦引きつけられると、電磁石がスイッチオフされても、永久磁石とスイッチオフされたマグネットの一方または両方の磁極片との間での引きつけにより、部材はその結果生じるチャンバー内での位置を維持するように、該部材の永久磁石の磁気強度が選択されていることを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  マグネット作動アセンブリーが、逆転された極性で励磁され、その結果、部材がダクト開口の開口または閉鎖を逆転させることを特徴とする、請求項１３または１４記載の方法。
【請求項１６】  マルチウェイバルブの種々のマグネット作動アセンブリーが、１つのアセンブリーが部材を引きつけ、他のアセンブリーが該部材を押し戻すように、同時に励磁されることを特徴とする、請求項１２〜１５の１項以上に記載の方法。
【請求項１７】  複数の電磁石がマグネット作動アセンブリーに収容され、これらの電磁石が、該永久磁石を押し戻すように励磁され、該部材のポジショニングが、１つ以上のマグネット作動アセンブリーの磁界強度を変化させることにより影響されることを特徴とする、請求項１２〜１６の１項以上に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  入力軸（１０）と、その軸（１０）に共転可能に取り付けられた１つまたは複数の入力ディスク（１２，１４）と、出力ディスクアセンブリ（１６，１８）とを備え、入力ディスク（１２，１４）と出力ディスクアセンブリ（１６，１８）との間に１つまたは複数のトロイダル空間（２４，２６）を形成しており、さらに空間（２４，２６）内に配置された複数のローラ（２０，２２）と、ローラをそれぞれのディスク（１２，１４，１６，１８）と接触した状態に維持して駆動力を伝達するために端部荷重加圧手段とを備えたバリエータ変速装置であって、ディスク（１２，１４，１６，１８）の１つが中間相対的可撓性部材（３２）によって軸に取り付けられ、半径方向に移動せずに、軸方向移動と回転移動が可能となることを特徴とするバリエータ変速装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ベローズシールを備えたピボットジョイント
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  自動車用の、ベローズシールを備えたピボットジョイントであって、ジョイントを取り囲むベローズを有しており、
ベローズ（３）の第１の端部がジョイントケーシング（１）に堅固に、かつ気密に結合されており、
ベローズ（３）の第２の端部がピン（２）を環状に気密に取り囲んでおり、
第２のベローズ端部とピン（２）との間で相対運動が可能であって、
気密に働く第２のベローズ端部内で、半径方向外側に位置するリング状の狭窄部（５）が、端面側で自由に延びるリングフランジ（４）を構成しており、
前記狭窄部（５）内に、第２のベローズ端部の半径方向シールを補助するリング（６）が配置されており、
第２のベローズ端部が半径方向で、ほぼ円筒形のシール面を介してピン（２）に当接しており、この円筒形のシール面が、ラビリンス状に働く環状の、軸方向で交互に配置された隆起部（７）と凹部（８）とを備えており、
第２のベローズ端部のほぼ円筒形のシール面の隆起部（７）が、軸方向のそれぞれ最後の隆起部で終わっていて、この最後の隆起部が円筒形の内側面を有する環状つば（９）として構成されている形式のものにおいて、
前記ベローズシールがまだ組み込まれていない状態で、
前記リングフランジ（４）の端面が、内側及び外側の凹状の環状面（１０）若しくは（１１）に分割されていて、これらの環状面のうちの外側の環状面（１１）が、内側の環状面（１０）よりも強く凹状に構成されており、
ベローズ軸線に対する環状面（１１，１０）の傾斜角度が、外側の環状面（１１）のために約α＝７０゜に設計されていて、内側の環状面（１０）のために約β＝８０゜に設計されており、
外側の環状面（１１）の半径方向寸法が、第２のベローズ端部のリングフランジ（４）の外周環状面の曲率半径に関連して約１２％であって、
内側の環状面（１０）と、この内側の環状面（１０）に隣接する、第２のベローズの内側シール周壁に設けられた環状つば（９）との間に、環状の凹部（８）が設けられており、
第２のベローズ端部のリングフランジ（４）の側面が互いにほぼ平行に延びており、
外側の環状面（１１）の領域におけるリングフランジ（４）の高さが、一様にリングフランジ（４）の外径の約８％に設計されており、
前記リング（６）が、非弾性的な材料より成り閉じて構成されていて、半径方向外方に向かって、外側のシール面（１１）によって形成された環状領域内に突入していて、この環状領域内で軸方向でリングフランジ（４）に当接しており、
狭窄部（５）の軸方向高さが、リング（６）が狭窄部（５）を広げることなしにこの狭窄部（５）内に形状接続式に当接する寸法よりも小さく設計されていて、それによってこの狭窄部（５）が、リング（６）が狭窄部（５）内に挿入されたときに、この狭窄部（５）を形成するベローズ（３）の材料を弾性変形させることによって広げられるようになっている、
ことを特徴とする、自動車用の、ベローズシールを備えたピボットジョイント。
【請求項２】  リングフランジ（４）が、粗さＲｚ≦４０を有する処理された表面又は、ｃ＝２５／ｔｐｉ８０の構造を有する鍛造された表面を備えた平らな対抗シール面に当接している、請求項１記載のピボットジョイント。
【請求項３】  ベローズシールが、滑り添加剤を備えたポリクロロプレン(CR)より成っている、請求項１又は２記載のピボットジョイント。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念に記載した特に自動車用の、ベローズシールを備えたピボットジョイントに関する。このベローズシールの第２のベローズ端部では、ピンに対するベローズのリングフランジの半径方向シールの他に、ベローズの外側でピンに堅固に結合された部分に軸方向で摩擦接続式(kraftschluessig;摩擦による束縛)及び形状接続式(formschluessig;形状による束縛)に当接させることによって、大気に対するベローズ内室のシールが強化されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
このような形式の、実際に、またドイツ連邦共和国特許公開第４４１３６６４号明細書により公知のピボットジョイントにおいて、本発明の課題は、ベローズシールの第２のベローズ端部におけるシール作用を改善することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明による課題は、請求項１の上位概念部に記載した、ベローズシールを有するピボットジョイントを、請求項１の特徴部に従って構成したことによって解決された。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に従って得られたシール性は、例えばドイツ連邦共和国実用新案登録第１８７５３１８号明細書、アメリカ合衆国特許第３３７８２８６号明細書並びにドイツ連邦共和国特許公開第４４１３６６４号明細書に記載した冒頭に述べた形式のベローズシールにおいては得られない。何故ならば、この公知のシールにおいては、本来のシール機能を実施するシール領域の形状及び構成が互いに最適に適合されていないからである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ処理チャンバ（３０２）内において、ウエハ積層体（２０）の酸化物層（４０）のうち選択された部分にセルフアライメントコンタクトホール（４４）を形成するためのエッチング方法であって、
前記ウエハ積層体（２０）は、基板（２２）と、前記基板（２２）の上に配置されたポリシリコン層（２８）と、前記ポリシリコン層（２８）の上に配置された窒化物層（３２）と、前記窒化物層（３２）の上に配置された酸化物層（４０）とを有し、
前記積層体（２０）の前記酸化物層（４０）をエッチングする主エッチング工程であって、主にＣ2ＨＦ5とＣＨ2Ｆ2とを含む主工程化学剤と、スパイクエッチを形成することなく前記酸化物層（４０）をエッチングし、前記窒化物層（３２）を実質的に損傷させることなく前記酸化物層（４０）を前記基板（２２）に至るまでエッチングするための主工程パラメータセットと、を使用するエッチングを行う主エッチング工程を含む方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法であって、
前記セルフアライメントコンタクトホール（４４）は、略１：１〜４：１のアスペクト比を有する方法。
【請求項３】  請求項１または２記載の方法であって、
前記セルフアライメントコンタクトホール（４４）は、略１ミクロン以下の深さを有する、方法。
【請求項４】  請求項３記載の方法であって、
前記セルフアライメントコンタクトホール（４４）は、略７，５００オングストローム以下の深さを有する、方法。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記窒化物層（３２）の上面は、前記基板（２２）から最大で略５，０００オングストローム上方までに配置されている、方法。
【請求項６】  請求項１ないし５記載の方法であって、
前記窒化物層（３２）の上面は、前記基板（２２）から最大で略２，５００オングストローム上方までに配置されている、方法。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバ（３０２）は、上部電極（３０３）の誘導結合作用によりプラズマを発生させるトランスフォーマ結合プラズマエッチングシステムである、方法。
【請求項８】  請求項７記載の方法であって、
前記上部電極（３０３）の温度は、前記上部電極（３０３）で冷却剤を循環させることにより制御される、方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバ（３０２）の内部は、陽極酸化されたアルミニウムで形成される、方法。
【請求項１０】  請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記ガス分布板はシリコン窒化物で形成される、方法。
【請求項１１】  請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、
前記主工程化学剤は、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、およびアルゴンのうちの少なくとも１つを含有する、方法。
【請求項１２】  請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法であって、
底部電極は、シリコン窒化物およびシリコン炭化物のうちのいずれか１つで形成されるフォーカスリングを含む、方法。
【請求項１３】  請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法であって、
前記基板（２２）は、静電クランプを使用して底部電極の上に固定される、方法。
【請求項１４】  請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記積層体（２０）の前記酸化物層（４０）を、主にＣＨＦ3とＣ2ＨＦ5とを含む前工程化学剤と、スパイクエッチングを形成することなく前記酸化物層（４０）をエッチングするための前工程パラメータセットとを使用して、部分的にエッチングする前エッチング工程であって、前記主エッチング工程の前に実行される前エッチング工程を備え、
前記前工程パラメータセットは、前記主工程パラメータセットとは異なる、方法。
【請求項１５】  請求項１４記載の方法であって、
前記前工程パラメータセットは、前記前エッチング工程で得られる酸化物対窒化物の選択性を、前記主工程パラメータを使用する前記主エッチング工程で達成できる酸化物対窒化物の選択性より低いものとするパラメータセットである、方法。
【請求項１６】  請求項１４または１５記載の方法であって、
前記前エッチング工程は、既定の位置に到達すると終了し、前記既定の位置は、前記窒化物層（３２）の上面で定義される面から約１，０００オングストローム上の位置から前記窒化物層（３２）の中間点に実質的に等しい位置までの範囲にある、方法。
【請求項１７】  請求項１６記載の方法であって、
前記前エッチング工程は、既定の位置に到達すると終了し、前記既定の位置は、前記窒化物層（３２）の上面で定義される面から約２５０オングストローム上の位置から前記窒化物層（３２）の中間点に実質的に等しい位置までの範囲にある、方法。
【請求項１８】  請求項１７記載の方法であって、
前記前エッチング工程は、前記窒化物層（３２）の上面で定義される面に実質的に到達すると終了する、方法。
【請求項１９】  請求項１４ないし１８のいずれかに記載の方法であって、
前記前工程パラメータセットは、前工程チャンバエッチング圧力を含み、前記主工程パラメータセットは、前記前工程チャンバエッチング圧力より小さい主工程チャンバエッチング圧力を含む、方法。
【請求項２０】  請求項１４記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバ（３０２）は、高密度プラズマエッチングシステム内のプラズマ処理チャンバ（３０２）である、方法。
【請求項２１】  請求項２０記載の方法であって、
前記高密度プラズマエッチングシステムはトランスフォーマ結合プラズマエッチングシステムである、方法。
【請求項２２】  請求項１４記載の方法であって、
前記セルフアライメントコンタクトホール（４４）は、約３：１以上のアスペクト比を有する、方法。
【請求項２３】  請求項１４記載の方法であって、
前記セルフアライメントコンタクトホール（４４）は、約０．７５ミクロンを超える深さを有する、方法。
【請求項２４】  請求項１ないし２３のいずれかに記載の方法であって、
前記主工程パラメータセットは、前記主工程化学剤を約３ｍＴｏｒｒ以下の圧力に保つことを表すパラメータを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属層の上にある有機ＡＲＣを除去するプロセスであって、
プラズマ発生装置の反応チャンバー中で、前記ＡＲＣをイオン化した状態の酸素フリーエッチング剤システムに曝す工程を有し、
前記エッチング剤システムは、１つ以上のフッ素含有成分、塩素、任意の不活性キャリアガスを有することを特徴とするプロセス。
【請求項２】  前記１つ以上のフッ素含有成分は、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、ＣＨ２Ｆ２、ＳＦ６またはＣｎＦｎ＋４からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】  前記ＡＲＣは、前記ＡＲＣを被覆するフォトレジスト中で前もってエッチングされた回路パターンを形成している溝によって露出していることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】  前記エッチング剤システムは、必須のＣＨＦ３、ＡｒおよびＣｌ２を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】  圧力が約１ミリtorrから１００ミリtorr、温度が約３０℃から約８０℃、Ｃｌ２流量が約５sccmから約６０sccm、Ａｒ流量が約５sccmから約８０sccm、ＣＨＦ３流量が約５sccmから約８０sccm、の範囲内になるように制御されていることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】  前記金属層の上にある前記ＡＲＣは、前記フォトエッチング処理中に、光化学作用をもつ光がフォトレジストを完全に通過して後方の前記金属層から反射されることを防ぐために使われることを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項７】  前記プラズマ発生装置は、前記エッチング剤によって前記ＡＲＣをエッチングする間、１００ミリtorr以下の圧力に排気されていることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】  前記プラズマ発生装置は、ＥＣＲ反応器と半導体基板上にある前記ＡＲＣとを有すことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】  前記ＡＲＣは、半導体ウェーハの上にあることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】  前記プラズマは、前記ＡＲＣを含む基板に隣接して発生され、前記プラズマ発生装置は、前記基板に面する絶縁性の窓と、前記反応チャンバーの外側のアンテナとを含み、前記アンテナは前記絶縁性の窓を通して前記反応チャンバー中に電磁結合のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）エネルギーによって前記プラズマを形成することを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】  ＩＣ（集積回路）の製造中の有機ＡＲＣの露光領域を除去する際にフォトレジストを実質的に維持する方法であって、
プラズマ発生装置の反応チャンバー中で、前記ＡＲＣをイオン化した状態のエッチング剤システム中に曝す工程を有し、
前記エッチング剤システムは、１つ以上のフッ素含有成分、不活性キャリアガス、塩素を有するエッチング剤システムを有することを特徴とする方法。
【請求項１２】  前記１つ以上のフッ素含有成分はトリフルオルメタンであり、不活性なキャリアガスはアルゴンであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  圧力が、約１ミリtorrから約１００ミリtorr、温度が、約３０℃から約８０℃、Ｃｌ２流量が、約５sccmから約６０sccm、Ａｒ流量が、約５sccmから約８０sccm、ＣＨＦ３流量が、約５sccmから約８０sccm、の範囲内になるように制御されていることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記有機ＡＲＣはポリイミドを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１５】  前記有機ＡＲＣはポリイミドを主成分とすることを特徴とする請求項１１に記載の方法。