(57)【要約】【課題】本実施形態の課題は高信頼性な半導体装置を提供することである。【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、第一方向と、前記第一方向と交差する第二方向にその表面が平行に配置され、前記表面の二辺のうちの一辺が前記第一方向に伸びると共に他の一辺が前記第二方向に伸びる方形である基板と、前記基板の上方に、前記基板の外周部に沿って配置される導電層と、を有し、前記導電層は、前記第一方向に対して、左右に交互にジグザグに屈折しつつ、全体として前記第一方向に延伸して配置される。【選択図】図２
2017208506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一方向と、前記第一方向と交差する第二方向にその表面が平行に配置され、前記表面の二辺のうちの一辺が前記第一方向に伸びると共に他の一辺が前記第二方向に伸びる方形である基板と、
前記基板の上方に、前記基板の外周部に沿って配置される導電層と、を有し、
前記導電層は、前記第一方向に対して、左右に交互にジグザグに屈折しつつ、全体として前記第一方向に延伸して配置される、
半導体装置。
【請求項２】
前記導電層は、第一導電層と第二導電層とを有し、前記第一導電層と前記第二導電層とは、前記第二方向に並んで配置される、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一導電層は前記第一方向と前記第二方向と交差する第一部分と、前記第一部分と交差する第二部分とを有する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一導電層は、前記第一部分と、前記第二部分との間に曲線部を有する、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二導電層は前記第一方向と前記第二方向と交差する第三部分と、前記第三部分と交差する第四部分とを有し、
前記第一部分の延伸方向は、前記第四部分と交差し、
前記第二部分の延伸方向は、前記第三部分と交差する
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板の上部に配置された絶縁層と、をさらに有し、
前記絶縁層は、前記第一方向に対して、左右に交互にジグザグに屈折しながら延伸して配置される
請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、第一の絶縁層と第二の絶縁層とを有し、前記第一の絶縁層と前記第二の絶縁層とは、前記第二方向に離れて配置される、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第一の絶縁層は前記第一方向と前記第二方向と交差する第一部分と、前記第一部分の延伸方向と交差する第二部分とを有する、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第一の絶縁層は、前記第一部分と、前記第二部分との間に曲線部を有する、
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第二の絶縁層は前記第一方向と前記第二方向と交差する第三部分と、前記第三部分と交差する第四部分とを有し、
前記第一部分の延伸方向は、前記第四部分と交差し、
前記第二部分の延伸方向は、前記第三部分と交差する
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記基板は、シリコン単結晶を有しており、前記シリコン単結晶の１００方向又は０１０方向と、前記第一方向とは交差する請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の周囲にはクラックストッパーが配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８―２８１３９号公報
【特許文献２】特開昭６２―１０５４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の課題は高信頼性な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態に係る半導体装置は、第一方向と、前記第一方向と交差する第二方向にその表面が平行に配置され、前記表面の二辺のうちの一辺が前記第一方向に伸びると共に他の一辺が前記第二方向に伸びる方形である基板と、前記基板の上方に、前記基板の外周部に沿って配置される導電層と、を有し、前記導電層は、前記第一方向に対して、左右に交互にジグザグに屈折しつつ、全体として前記第一方向に延伸して配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（Ａ）第一実施形態に係る半導体ウェハの模式的な平面図と、（Ｂ）その拡大図。
【図２】（Ａ）図１（Ｂ）の領域Ａ１を拡大した模式的な平面図。（B）図２（A）の領域B1を拡大し、パターンXのレイアウトを示した模式的な平面図。
【図３】図２（A）のＡ−Ａ'線に沿った断面を示した模式的な断面図。
【図４】比較例に係る半導体ウェハのダイシング時の状態を説明する模式的な平面図。
【図５】第一実施形態に係る半導体ウェハのダイシング時の状態を説明する模式的な平面図。
【図６】（Ａ）第一実施形態に係る半導体装置を示す模式的な平面図と、（Ｂ）図６（Ａ）の領域C1を拡大した模式的な平面図。
【図７】（Ａ）第一実施形態に係る半導体装置の変形例を説明する模式的な平面図と、（Ｂ）図７（Ａ）の領域D1を拡大し、パターンXのレイアウトを示した模式的な平面図。
【図８】第一実施形態に係る半導体装置の変形例を説明する模式的な平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体装置および半導体装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
【０００８】
なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それらの重複する説明は省略する場合がある。なお、図面は模式的なものであり、各構成要素の数、厚み、幅、比率などは、現実のものと異なることがある。
【０００９】
なお、本明細書中に記載される、角度や直交等の表現は、製造上の誤差を当然含む。つまり、８５度〜９５度は、本明細書では「直交」に含まれる。また、４０度〜５０度は、「４５度」に含まれる。
【００１０】
（第一実施形態）
図１（Ａ）は、第一実施形態に係る半導体ウェハ１０を模式的に示す平面図である。半導体ウェハ１０は、複数の半導体装置２０をその表面に備える。半導体装置２０は、その周囲にカーフ領域３０を有する。複数のカーフ領域３０は、半導体ウェハ１０上で格子上に配置される。
【００１１】
ここで、カーフ領域３０の一方の延伸方向をＸ方向、もう一方の延伸方向をＹ方向とする。Ｘ方向とＹ方向は、例えば直交する。また、Ｘ方向とＹ方向に直交する方向、つまり、半導体ウェハ１０の表面に直交する方向をＺ方向となる。
【００１２】
半導体ウェハ１０は、シリコンの単結晶を含む。半導体ウェハに含まれる単結晶のＺ軸方向の結晶方位は、例えば [００１]である。つまり、半導体ウェハの表面は、例えば（００１）面に平行である。
【００１３】
また、単結晶の結晶方位 [１００]、[０１０]は、Ｘ方向とＹ方向に対して交差する方向である。例えば、結晶方位[１００]、[０１０]は、Ｘ方向とＹ方向に対して、それぞれ約４５度傾いた角度に配置される。言い換えれば、カーフ部はその延伸方向が、結晶方位[１００]、[００１]に対して、４５度傾いて配置されている。さらに、言い換えれば、単結晶の結晶面（１００）、（０１０）は、それぞれＸ方向とＹ方向とに約４５度傾いている。
【００１４】
図１（Ａ）には、結晶面（１００）と（０１０）とが、結晶面２００として区別されずに図示される。結晶面２００は肉眼で目視することは困難であるため、図１（Ａ）に示された結晶面２００は便宜のため示された線である。以下の図面において、結晶面２００は、説明に必要な場合のみ図示する。
【００１５】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）上の半導体装置２０を説明する拡大図である。具体的には、図１（Ｂ）は、４つの半導体装置２０を拡大した平面図である。
【００１６】
半導体装置２０は、それぞれカーフ領域３０とデバイス領域４０とを有する。カーフ領域３０は、半導体装置２０の外周部である。カーフ領域３０については、その詳細は後述する。デバイス領域４０は、カーフ領域３０以外であって、カーフ領域３０の内側に配置される領域である。
【００１７】
図２（Ａ）は、図１（Ｂ）の領域Ａ１を模式的に示す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の領域Ｂ１を模式的に示す平面図である。なお、説明の便宜のため、図２（Ａ）において、パターンＸ１は点線で図示し、図２（Ｂ）において、パターンＸ１は実線で図示される。
【００１８】
カーフ領域３０は、他の半導体装置２０のカーフ領域３０と接する。カーフ領域３０は、ガードリング領域５０、クラックストッパー領域６０、ダイシングライン領域７０を有する。各領域は、カーフ領域３０と同じ方向に延伸する。すなわち、各カーフ領域３０は、半導体装置２０の外周部に沿って、延伸して配置される。別の言い方をすれば、各カーフ領域３０は、半導体装置２０の端面の延伸方向（図２ではＹ方向）に、延伸して配置される。なお、図２では各領域の境界が明確に記載されているが、必ずしもそれらの境界が明確である必要はない。
【００１９】
ガードリング領域５０は、例えば、半導体装置２０の外周に沿って配置される図示されない導電層を有する。
【００２０】
ダイシングライン領域７０は、複数の半導体装置２０にまたがって配置される。すなわち、複数の半導体装置２０のカーフ領域３０にまたがって配置される。
【００２１】
ダイシングライン領域７０は、ダイシング時に分断される領域である。ダイシングとは、半導体ウェハ１０上に形成された半導体装置２０が個片化される処理である。ダイシングライン領域７０は、例えば、ダイシングブレードを用いた切削によって、分断される。または、ダイシングライン領域７０は、例えば劈開により分断される。なお、劈開の前に予めレーザーを用いて、ダイシングライン領域７０は加熱されていてもよい。
【００２２】
クラックストッパー領域６０は、ダイシングライン領域７０がダイシングされる際に、チッピング等がデバイス領域４０に達するのを低減させる領域である。チッピングは、分断時に生ずる衝撃などで、半導体装置２０の端部に切削時に生ずる欠けや亀裂（クラック）である。
【００２３】
クラックストッパー領域６０は、パターンＸ１を有する。
【００２４】
パターンＸ１の材料や立体構造等については、図３の説明にて後述する。パターンＸ１は、基板内絶縁層１１０、第一導電層１２０、第二導電層１３０、第三導電層１４０、第四導電層１５０、第五導電層１６０、第六導電層１７０、第七導電層１８０の何れか、またはそのうちの複数である。
【００２５】
パターンＸ１は、図２において、クラックストッパー領域６０に対して、例えば２つ配置される．パターンＸ１が、例えば全体としてY方向に延伸して配置される場合、二つのパターンＸ1は、Ｙ方向に直交するＸ方向に離隔して配置される。同様に、パターンＸ１が、例えば全体としてＸ方向に延伸して配置される場合、二つのパターンＸ１は、Ｘ方向に直交するＹ方向に離隔して配置される。
【００２６】
パターンＸ１の詳細について、図２（Ｂ）を用いて説明する。２つのパターンＸ１を、それぞれパターンＸ１１及びＸ１２と称する。
【００２７】
パターンＸ１１は、例えば、そのクラックストッパー領域６０の延伸方向（Ｙ方向）に対して、ジグザグに配置される。つまり、パターンＸ１１は、Ｙ方向に対して、左右に斜めに交互に延伸しながら、全体としては、Ｙ方向に延伸して配置される。
【００２８】
パターンＸ１１は、Ｘ方向又はＹ方向に対して、交差する部分Ｘ１Ａ及びＸ１Ｂを有する。
【００２９】
部分Ｘ１Ａ及び部分Ｘ１Ｂは、それぞれＸ方向とＹ方向に交差（例えば、約４５度）する方向に略直進する。また、部分Ｘ１Ａと部分Ｘ１Ｂとは、その延伸方向が互いに交差（例えば、直交）する。
【００３０】
別の言い方をすれば、パターンX11は、X方向及びY方向と交差する第一方向と、X方向、Y方向及び第一方向と交差する第二方向と、に延伸しつつ、全体としてY方向に延伸する。パターンX11のうち、第一方向に延伸する部分が部分X1Aであり、第二方向に延伸する部分が部分X1Bである。
【００３１】
パターンＸ１１は、例えばパターンＸ１ＡとパターンＸ１Ｂとが交互に配置されて形成される。
【００３２】
同様にパターンＸ１２は、例えば部分Ｘ１Ａ'と部分Ｘ１Ｂ'とを有する。ここで、部分Ｘ１Ａと部分Ｘ１Ａ'は略平行であり、部分Ｘ１Ｂと部分Ｘ１Ｂ'とは略平行である。
【００３３】
ここで、二つのパターンＸ１１とＸ１２とは、次のように配置される。部分Ｘ１Ｂの延伸方向は部分Ｘ１Ａ'の略中心部分と交差する。同様に、部分Ｘ１Ａの延伸方向は部分Ｘ１Ｂ'の略中心部分と交差する。
【００３４】
なお、パターンＸ１は、１つでも３つ以上でも構わないが、２つ以上の方が望ましい。
【００３５】
図３は、図２のＡ−Ａ'線に沿った模式的な断面図である。
【００３６】
半導体装置２０は、ガードリング領域５０及びクラックストッパー領域６０に、例えば以下の構造を有する。
【００３７】
半導体装置２０は、半導体基板１００、基板内絶縁層１１０、第一導電層１２０、第二導電層１３０、第三導電層１４０、第四導電層１５０、第五導電層１６０、第六導電層１７０、第七導電層１８０、層間絶縁層１９０を有する。
【００３８】
半導体基板１００は、その上方に、不純物層１０５ａ〜１０５ｃを有する。不純物層１０５ａ〜１０５ｃは、特に区別を要さない場合は、単に不純物層１０５と称する。
【００３９】
不純物層１０５ａと１０５ｃとは、例えば同じ導電型の不純物層（例えばｐ型）である。不純物層１０５ｂは、不純物層１０５ａと１０５ｃと異なる導電型の不純物層（例えばｎ型）である。
【００４０】
基板内絶縁層１１０ａ〜１１０ｅは、半導体基板１００の上方の窪み部に配置される。基板内絶縁層１１０ａ〜１１０ｅは、特に区別を要さない場合は、単に基板内絶縁層１１０と称する。基板内絶縁層１１０の上部は、例えば半導体基板１００の上面よりもＺ側に突出して配置される。基板内絶縁層１１０は、例えば、シリコン酸化物である。
【００４１】
第一導電層１２０は、基板内絶縁層１１０上、または半導体基板１００上に配置される。第一導電層１２０は、少なくとも全体として、Ｙ方向に延伸して配置される。図３では、基板内絶縁層１１０直上のみに配置されているが、半導体基板１００の直上に配置されても構わない。第一導電層１２０は、例えばシリコン、金属を含む。金属は、例えば、タングステン、ニッケル、チタン、コバルト、等である。第一導電層１２０は、例えば、金属シリサイドを含んでもよい。
【００４２】
第一導電層１２０が、パターンX1である場合は、第一導電層１２０は、Y方向に向かって交差する第一方向と、その第一方向と交差する第二方向との、２方向に少なくとも延伸しながら、全体としてY方向に延伸する。
【００４３】
第二導電層１３０は、半導体基板１００上に配置される。第二導電層１３０は、少なくとも全体として、Ｙ方向に延伸して配置される。第二導電層１３０は、金属や高濃度に不純物が添加されたシリコンを含む。金属は、例えば、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、又はこれらの積層膜である。
【００４４】
第二導電層１３０が、パターンX1である場合は、第二導電層１３０は、Y方向に向かって交差する第一方向と、その第一方向と交差する第二方向との、２方向に少なくとも延伸しながら、全体としてY方向に延伸する。
【００４５】
第三導電層１４０は、第二導電層１３０上に配置される。第四導電層１５０は、第三導電層１４０上に配置される。第五導電層１６０は、第四導電層１５０上に配置される。第六導電層１７０は、第五導電層１６０上に配置される。第七導電層１８０は、第六導電層１７０上に配置される。
【００４６】
第三導電層１４０〜第六導電層１７０は、第二導電層１３０と同様に、少なくとも全体として、Ｙ方向に延伸して配置される。第三導電層１４０〜第六導電層１７０の何れかが、パターンX1である場合は、パターンX1に該当する導電層は、Ｙ方向に向かって交差する第一方向と、その第一方向と交差する第二方向との、２方向に少なくとも延伸しながら、全体としてＹ方向に延伸する。
【００４７】
第三導電層１４０〜第六導電層１７０は、第二導電層１３０と同様に、例えば、シリコン、金属を含む。
【００４８】
層間絶縁層１９０は、以上に挙げた各要素を包んで配置される。層間絶縁層１９０は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物等であるが、これに限られず絶縁層で有ればよい。
【００４９】
次に、図２で説明した、パターンＸ１と上記の各構成要素の関係について説明する。パターンＸ１は、基板内絶縁層１１０、第一導電層１２０、第二導電層１３０、第三導電層１４０、第四導電層１５０、第五導電層１６０、第六導電層１７０、第七導電層１８０の何れか、またはそのうちの複数である。
【００５０】
具体的に、パターンＸ１が基板内絶縁層１１０の場合を例にとって説明する。例えば、クラックストッパー領域６０に配置された基板内絶縁層１１０ｂ及び１１０ｃが前述したパターンＸ１である。すなわち、Ｙ方向に向かってジグザグに形成される。その他の基板内絶縁層１１０ａ、１１０ｄ、１１０ｅはＹ方向に向かって直線状に配置される。
【００５１】
なお、基板内絶縁層１１０ｂ及び１１０ｃがジグザグに配置された例を説明したが、これに限られない。例えば、基板内絶縁層１１０ａ〜１１０ｄの全てがジグザグに配置されても構わない。すなわち、クラックストッパー領域６０に配置された基板内絶縁層１１０の一部、又はその全てがパターンＸ１状に配置されればよい。
【００５２】
また、図３では、第一導電層１２０〜第七導電層１８０まで７つの導電層が積層された例が示されているが、これに限られない。つまり、６以下の導電層が積層されていてもよいし、８以上の導電層が積層されていても構わない。そして、これらの導電層の何れがパターンX1状に配置されていても構わない。
【００５３】
つまり、クラックストッパー領域６０に配置された基板内絶縁層１１０、第一導電層１２０、第二導電層１３０、第三導電層１４０、第四導電層１５０、第五導電層１６０、第六導電層１７０、第七導電層１８０の一部、又はその全てが、前述のパターンＸ１状に配置される。
【００５４】
なお、上記の実施形態の説明では、図１（Ｂ）において、領域Ａ１、すなわちクラックストッパー領域６０がＹ方向に延伸している領域を例に説明した。
【００５５】
これは、クラックストッパー領域６０がＸ方向に延伸している領域でも同様である。すなわち、図１（Ｂ）における領域Ａ２の領域でも同様である。
【００５６】
この場合は、パターンＸ１は、例えば、そのクラックストッパー領域６０の延伸方向（Ｘ方向）に対して、ジグザグに配置される。つまり、パターンＸ１は、Ｘ方向に対して、斜めに左右に交互に屈折しながら、全体としては、Ｘ方向に延伸して配置される。
【００５７】
別の言い方をすれば、パターンX１は、X方向及びY方向と交差する第一方向と、X方向、Y方向及び第一方向と交差する第二方向と、に延伸しつつ、全体としてX方向に延伸する。
【００５８】
（本実施形態の効果）
図４、図５を用いて、本実施形態の効果について説明する。
【００５９】
図４は、比較例の場合のダイシング時の状態を示した模式的な平面図である。比較例では、パターンＸ２に示されるように、クラックストッパー領域６０中の各導電層及び基板内絶縁層１１０は、クラックストッパー領域６０の延伸方向（図ではＹ方向）に、略直線状に配置される。
【００６０】
ここで、図４に示されるようにダイシングライン領域７０がダイシングブレード２２０で切削される場合を検討する。ダイシングブレード２２０が切削される際、その衝撃等により、微小な亀裂２１０が生ずる場合がある。この亀裂２１０は半導体ウェハ１０の結晶面２００に沿って、延伸しやすい。つまり、亀裂２１０はその結晶面２００に沿って、Ｙ方向に角度（約４５度）をもって、延伸する。
【００６１】
比較例において、クラックストッパー領域６０内のパターンＸ２,すなわち各導電層及び基板内絶縁層は、亀裂２１０の伸長方向に４５度程度の角度をもって配置されている。亀裂２１０の伸長方向と、クラックストッパー領域６０の各要素とが９０度より遥かに小さい角度しか有していない場合、亀裂２１０の伸長をクラックストッパー領域６０が十分に防ぐことが難しい場合がある。つまり、亀裂２１０がクラックストッパー領域６０を貫通し、ガードリング領域５０及びデバイス領域４０（不図示）に及ぶ場合がある。つまり、チッピング等により、半導体装置２０が傷つく場合がある。
【００６２】
亀裂２１０が半導体装置２０のデバイス領域４０に及ぶと特性上の不具合や信頼性への悪影響が生ずる可能性がある。
【００６３】
図５は、本実施形態の場合のダイシング時の状態を示した模式的な平面図である。図５によれば、亀裂２１０の伸長方向と略直交する方向に配置される部分をパターンＸ２は有する。このように亀裂２１０の伸長方向と、クラックストッパー領域６０の各要素とが略直交する場合、亀裂２１０の伸長をクラックストッパー領域６０がより防ぐことが可能である。
【００６４】
つまり、本実施形態によれば、クラックストッパー領域６０は亀裂２１０による半導体装置２０が傷つく可能性を低減させることができる。
【００６５】
以上を踏まえて、本実施形態のより具体的な一態様は、基板内絶縁層１１０及び、第二導電層１３０、第三導電層１４０、第四導電層１５０、第六導電層１７０がパターンＸ１状に形成され、それらの要素が相互に接続している場合が考えられる。この場合、基板の高さ方向に形成される各構成要素が一様にパターンＸ１状に形成されるため、上述の効果をより得ることができる。
【００６６】
さらに、本実施形態のより具体的な一態様は、図２及び図３に示されるように、上方から見て、パターンＸ１は二つ以上配置される。二つ以上パターンＸ１が離れて配置されることで、１つのパターンX1が亀裂２１０の伸長が止められなくても、２つ目のパターンX1が亀裂２１０を止めることが可能であるため、上述の効果をより得ることが可能である。
【００６７】
さらに、本実施形態のより具体的な一態様によれば、図２（Ｂ）におけるパターンＸ１１は、部分Ｘ１Ａと部分Ｘ１Ｂとを有する。部分Ｘ１Ａの延長方向は、他のパターンＸ１２の部分Ｘ１Ｂの略中央付近と交差する。同様に、部分Ｘ１Ｂの延長方向は他のパターンＸ１２の部分Ｘ１Ａの略中央付近と交差する。このように配置することで、仮にダイシングライン領域に近いパターンＸ１において、亀裂がＸ１ＡやＸ１Ｂに沿って伸長した場合でも、ダイシングライン領域に遠いパターンＸ１がその亀裂に対して直交に配置される。つまり、亀裂をより良く止めることが可能となる。
【００６８】
なお、この具体的な一態様の場合は、第七導電層１８０は、パターンＸ１状でもよいし、これらのパターンＸ１状に形成された要素を覆う（Ｚ方向から見て重なる）大きなパターンで形成されていてもよい。
【００６９】
（変形例等）
図６（Ａ）は、個片化された本実施形態の半導体装置２０を示す。図６（Ｂ９は、図６（Ａ）の領域Ｃ１を拡大した図である。
【００７０】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示されるように、半導体装置２０は、略方形である。つまり、半導体装置２０は、その二辺のうちの一辺が前記第一方向に伸びると共に他の一辺が前記第二方向に伸びる方形である。
【００７１】
半導体装置２０は、デバイス領域４０及びカーフ領域３０'を有する。カーフ領域３０'は、ガードリング領域５０、クラックストッパー領域６０、ダイシングライン領域７０'を有する。ダイシングライン領域７０'は、ダイシングライン領域７０が分断された後の領域である。
【００７２】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示されるように、本実施形態のクラックストッパー領域６０及びパターンＸ１は、個片化された半導体装置２０の外周部に配置される。
【００７３】
図７（Ａ）は、本実施形態の変形例を説明した平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の領域Ｄ１を拡大した図である。図７の変形例によれば、パターンＸ１は、特にその屈折部において、曲線で屈折する。すなわち、パターンＸ１は、部分Ｘ１Ａ，部分Ｘ１Ｂ、曲線部Ｘ１Ｃを有する。そして、部分Ｘ１Ａは、曲線部Ｘ１Ｃを介して、部分Ｘ１Ｂと接続する。
【００７４】
このようにすることで、パターンＸ１に対応する絶縁層又は導電層の形成が容易になるという利点がある。
【００７５】
図８は、本実施形態の具体的な一例を説明するための平面図である。
【００７６】
クラックストッパー領域６０は、パターンＸ１ａとパターンＸ１ｂとを有する。パターンＸ１ａは、基板内絶縁層１１０に対応している。パターンＸ１ｂは、第一導電層１２０〜第七導電層１８０に対応している。
【００７７】
つまり、本変形例では、パターンＸ１ａとパターンＸ１ｂとで異なる要素に対応している。
【００７８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、そのほかの様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とのその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７９】
１０…半導体ウェハ、２０…半導体装置、３０…カーフ領域、４０…デバイス領域、５０…ガードリング領域、６０…クラックストッパー領域、７０…ダイシングライン領域、１００…半導体基板、１０５…不純物層、１１０…基板内絶縁層、１２０…第一導電層、１３０…第二導電層、１４０…第三導電層、１５０…第四導電層、１６０…第五導電層、１７０…第六導電層、１８０…第七導電層、１９０…層間絶縁層、２００…結晶面、２１０…亀裂、２２０…ダイシングブレード
【図１】
2017208506.tif 000003
【図２】
2017208506.tif 000004
【図３】
2017208506.tif 000005
【図４】
2017208506.tif 000006
【図５】
2017208506.tif 000007
【図６】
2017208506.tif 000008
【図７】
2017208506.tif 000009
【図８】
2017208506.tif 000010