【事件の表示】
　特願２００７−２４４８１７「磁気ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２８日出願公開、特開２００８−　４７２８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２４日に出願した特願２００４−２７８４９４号の一部を平成１９年９月２１日に新たな出願としたものであって、平成２１年７月１０日付で通知した拒絶の理由に対し、同年１０月２１日付で手続補正されたが、平成２２年４月８日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年８月２０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明について
　（１）本願発明
　本願の請求項１乃至８に係る発明は，平成２１年１０月２１日付で手続補正された特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「　基板上に磁性層と保護層と潤滑剤層を備える、ロードアンロード方式であって、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下である負圧スライダーを備えた磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであって、
　前記潤滑剤層を構成する潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル主鎖の末端に水酸基を含む官能基を備える化合物を含み、
　前記潤滑剤層は前記保護層上に塗布成膜されるものであって、前記保護層は、炭素、水素及び窒素を含有する炭素系保護層であり、
　前記潤滑剤層の磁気ヘッドに対向する側の表面における、前記主鎖に対する前記官能基の比率（官能基／主鎖）は、Ｃ２Ｆ４Ｏのフラグメントをパーフルオロポリエーテル主鎖とし、該主鎖の末端のＣ３Ｈ７Ｏ２またはＣ２Ｆ２Ｈ３Ｏを官能基として、飛行時間型二次イオン質量分析法により測定される検出比において、８１％以下であることを特徴とする磁気ディスク。」　
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２０００−１５５９３２号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
(a)
「【請求項１】  
非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層をこの順に設けてなり、かつ潤滑層が以下の一般式（Ｉ）で示される水酸基変成パーフルオロポリエーテルを含有する磁気記録媒体であって、潤滑層からの飛行時間型質量分析により検出される二次イオン強度が以下の（ａ）および（ｂ）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
【化１】
  ＨＯＣＨ
２
ＣＦ
２
Ｏ−（Ａ−Ｏ−Ａ′−Ｏ）
ｘ
−ＣＦ
２
ＣＨ
２
ＯＨ  （Ｉ）（但し、Ａ、Ａ′はＣＦ
２
またはＣ
２
Ｆ
４
を示し、ＣＦ
２
とＣ
２
Ｆ
４
の数の比が２：１〜１：２であり、ｘは１０〜５００を示す。）
（ａ）：ｘ軸がＣＦ
３
＋
（６９ａｍｕ）とＣ
２
Ｆ
５
＋
（１１９ａｍｕ）との強度比（ＣＦ
３
＋
 ／Ｃ
２
Ｆ
５
＋
）、ｙ軸がＣ
２
ＯＦ
４
＋
 （１１６ａｍｕ）とＣ
２
Ｆ
４
＋
 （１００ａｍｕ）との強度比（Ｃ
２
ＯＦ
４
＋
 ／Ｃ
２
Ｆ
４
＋
 ）であるグラフにおいてｙ≦−０．１６ｘ＋０．１７。
（ｂ）：ｘ軸がＣＦ
３
＋
（６９ａｍｕ）とＣ
２
Ｆ
５
＋
（１１９ａｍｕ）との強度比（ＣＦ
３
＋
／Ｃ
２
Ｆ
５
＋
）、ｙ軸がＣ
２
Ｈ
３
ＯＦ
２
＋
 （８１ａｍｕ）とＣ
２
Ｆ
４
＋
 （１００ａｍｕ）との強度比（Ｃ
２
Ｈ
３
ＯＦ
２
＋
 ／Ｃ
２
Ｆ
４
＋
 ）であるグラフにおいてｙ≦０．１。
(b)
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】平滑なディスク上、高速回転下においてヘッドを長時間ディスク上を飛行させた後に、回転を止め再び、回転を開始した場合、ヘッドがディスクに吸着する、いわゆるフライスティクションという現象が知られている。この現象が生じた場合、ヘッドがディスクに張り付いたまま動作不能となることがある。これは以下のような原因と考えられる。
ヘッドがディスク上を飛行中、飛行高度が５０ｎｍ以下と非常に低いため、ディスク表面上の潤滑剤がヘッド表面に転写してしまう。
近年、記録密度を高めるためにヘッドの低浮上化とディスク回転の高速化が求められており、媒体基板はより平滑になる方向にある。一方でディスクの平滑化、ヘッドの低浮上化、ディスク回転の高速化により、フライスティクションが悪化する傾向にあるので、早急な改善が求められている。
「【００１２】（ｂ）：ｘ軸がＣＦ３＋（６９ａｍｕ）とＣ２Ｆ５＋（１１９ａｍｕ）との強度比ＣＦ３＋／Ｃ２Ｆ５＋、ｙ軸がＣ２Ｈ３ＯＦ２＋ （８１ａｍｕ）とＣ２Ｆ４＋ （１００ａｍｕ）との強度比Ｃ２Ｈ３ＯＦ２＋ Ｃ２Ｆ４＋ であるグラフにおいてｙ≦０．１。
これらのｘ軸は、ほぼ潤滑層の膜厚と相関しており、大きい程潤滑層の膜厚が薄くなる。（ａ）式のｙ軸は潤滑層における潤滑剤の分子量と相関し、大きい程、分子量が小さくなる傾向にある。（ａ）で示される式を超えると、潤滑層中に多くの低分子量の潤滑剤が含まれるので、高速回転下において潤滑剤がヘッドに転写しやすく、フライスティクションが悪化する。また（ｂ）式におけるｙ軸は潤滑層におけるＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される潤滑剤末端基の層中での存在深さと相関し、この値が高いと潤滑層の下にある保護層の表面に吸着していない潤滑剤が多く存在し、フライスティクションが悪化する。（ｂ）式においてｙは０．１以下、好ましくは０．０５以下である。ｙの範囲は一般的には０．１〜０．００１であり、好ましくは０．１〜０．０１、さらに好ましくは０．０５〜０．０１である。」
「【００１５】潤滑層の膜厚としては、通常０．１〜５ｎｍ、中でも０．５〜３ｎｍ、特に１〜３ｎｍが好ましい。
潤滑層は一般的に、基板上に少なくとも磁性層、ついで保護層を設けた後に潤滑剤を塗布して、
設ける。
「【００１６】
また、潤滑剤と保護膜の親和力を高めるため、潤滑剤塗布後に４０〜２００℃程度の熱処理等を施すことが好ましい。
「【００１９】
磁性層の表面には保護層が設けられる。保護層としては、炭素膜、水素化カーボン膜
などが挙げられ
る。保護層としては、水素化カーボン膜等のアモルファスカーボンを用いることが特に好ましい。
「【００２０】上述の磁気記録媒体において、ディスク形状をしたものの場合には、少なくともこのディスクと、それを回転稼働させるための回転手段、及び情報記録／再生の為のフライングヘッドを有する磁気記録装置とすることでフライスティクション特性に優れたものを提供することができる。この磁気記録装置においては、高速回転下、特に１００００［ｒｐｍ］以上である場合、その効果は顕著である。
また、フライングヘッドの飛行高度が５０ｎｍ以下、特に３０ｎｍ以下とすることで効果が顕著となり、高記録密度のディスクを有する磁気記録装置に好適である。
「【００２２】実施例１〜２、比較例１〜２
表面の平均粗さが１ｎｍの直径３．５インチのアルミニウム合金製ディスク基板上に、
ＣＳＳゾーン
コバルト合金磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成し、次に保護層としてカーボン膜を１５ｎｍの厚さに形成した。このカーボン膜上に、表１に示す数平均分子量、及び分子量３０００以下のものの重量分率をもつ潤滑剤（Ｉ）（ＣＦ
２
／Ｃ
２
Ｆ
４
＝１．０）をＨＦＥ−７２００（３Ｍ製）溶液として用い、浸漬法により膜を形成し、１００℃で焼成処理を行い、
潤滑層を形成した。
【００２３】
【表１】」
　
　
　上記記載事項とともに、【表１】には「ＴＯＦ−ＳＩＭＳピーク強度」（「ＴＯＦ−ＳＩＭＳ」は、本願発明の「飛行時間型二次イオン質量分析法」に相当する。）のうち「Ｃ２ＯＦ４＋ ／Ｃ２Ｆ４＋ 」および「Ｃ２Ｈ３ＯＦ２＋ ／Ｃ２Ｆ４＋ 」の値が実施例１においてそれぞれ０．１０５０、０．０４３２であることが記載されており、後者を前者で割ることにより、実施例１のＣ２Ｈ３ＯＦ２＋ ／Ｃ２ＯＦ４＋ の値が０．４１１４（４１．１４％）であることも示されていることを勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層をこの順に設けてなり、かつ潤滑層が以下の一般式（Ｉ）で示される水酸基変成パーフルオロポリエーテルを含有する磁気記録媒体であって、
　潤滑層からの飛行時間型質量分析により検出される二次イオン強度（Ｃ２Ｈ３ＯＦ２＋ ／Ｃ２ＯＦ４＋ ）の値が０．４１１４（４１．１４％）であり、
　前記磁気記録媒体は、ＣＳＳ方式であり、フライングヘッドの飛行高度が３０ｎｍ以下である磁気ディスク装置に搭載されるものであり、
　前記潤滑層は、前記保護層上に潤滑剤を塗布して設けたものである
　磁気記録媒体。
【化１】
  ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（Ａ−Ｏ−Ａ′−Ｏ）ｘ−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ  （Ｉ）
（但し、Ａ、Ａ′はＣＦ２またはＣ２Ｆ４を示し、ＣＦ２とＣ２Ｆ４の数の比が２：１〜１：２であり、ｘは１０〜５００を示す。）」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２４６９３８号公報（平成１６年９月２日公開。以下、「第２引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
(c)
「【０００３】
近年の高記録密度化の要請の中で、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ
２
以上の情報記録密度を達成するために様々なアプローチが為されている。その一つとして、スペーシングロスを改善してＳ／Ｎ比を向上させるために、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙（磁気的スペーシング）を２０ｎｍ以下にまで狭めることが求められている。この磁気的スペーシングを達成する観点から、磁気ディスクの保護層膜厚は６ｎｍ以下の薄膜化が求められている。また、磁気ヘッドの浮上量は１２ｎｍ以下に低浮上量化することが求められている。さらに、磁気ディスク装置の起動停止機構として、従来のＣＳＳ方式に替わって高記録容量化の可能なＬＵＬ（Ｌｏａｄ  Ｕｎｌｏａｄ、ランプロード）方式とすることが求められている。
　　　　　　　以下、略。」
「【００１７】
本発明の磁気ディスクは、前記保護層上に潤滑層を備えてもよい。潤滑層の素材は特に限定されないが、炭素系保護層との密着性が良好なものが好ましく、具体的には、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物が好適である。パーフルオロポリエーテル化合物は、直鎖構造を備え、磁気ディスク用に適度な潤滑性能を発揮するとともに、末端基に水酸基（ＯＨ）を有することで、炭素系保護層に対して高い密着性能を発揮することができる。特に、前記保護層表面に窒素を含有する場合にあっては、該保護層表面のＮ＋と潤滑層のＯＨ−とが高い親和性を示すので、高い潤滑層密着率を得ることができる。
「【００２８】
〔ＬＵＬ耐久性試験〕
ＬＵＬ耐久性試験は、磁気記録装置に、上記磁気ディスクと、巨大磁気抵抗効果型再生素子（ＧＭＲ素子）を備えた磁気ヘッドとを装着して行った。
磁気ヘッドのスライダーはＮＰＡＢ（負圧型）スライダーを用い、磁気ヘッド浮上時の浮上量を１２ｎｍとし、
磁気ヘッドのロード・アンロード動作を連続繰り返し行った。
本実施例の磁気ディスクでは、ＬＵＬ回数は故障なく１００万回を超えることができた。通常、ＬＵＬ耐久性試験では、ＬＵＬ回数が故障なく連続して４０万回を超えることが必要とされる。通常のＨＤＤの使用環境では、ＬＵＬ回数が４０万回を超えるには１０年程度の使用が必要であると言われている。
なお、本実施例の磁気ディスクについての以上各種性能試験結果は纏めて後記表１にも示した。」　
　
　
　（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「非磁性基板」、「磁性層」、「保護層」、「潤滑層」は、それぞれ本願発明の「基板」、「磁性層」、「保護層」、「潤滑剤層」に相当する。
　引用発明の「潤滑層が以下の一般式（Ｉ）で示される水酸基変成パーフルオロポリエーテルを含有する」「【化１】  ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（Ａ−Ｏ−Ａ′−Ｏ）ｘ−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ  （Ｉ）（但し、Ａ、Ａ′はＣＦ２またはＣ２Ｆ４を示し、ＣＦ２とＣ２Ｆ４の数の比が２：１〜１：２であり、ｘは１０〜５００を示す。）」は、本願発明の「前記潤滑剤層を構成する潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル主鎖の末端に水酸基を含む官能基を備える化合物を含み」を満足する。
　引用発明における「潤滑層からの飛行時間型質量分析により検出される二次イオン強度（Ｃ２Ｈ３ＯＦ２＋ ／Ｃ２ＯＦ４＋ ）の値が０．４１１４（４１．１４％）であり」は、本願発明の「前記潤滑剤層の磁気ヘッドに対向する側の表面における、前記主鎖に対する前記官能基の比率（官能基／主鎖）は、Ｃ２Ｆ４Ｏのフラグメントをパーフルオロポリエーテル主鎖とし、該主鎖の末端のＣ３Ｈ７Ｏ２またはＣ２Ｆ２Ｈ３Ｏを官能基として、飛行時間型二次イオン質量分析法により測定される検出比において、８１％以下であること」を満足する。
　引用発明の「前記磁気記録媒体は」「磁気ディスク装置に搭載されるものであり」は、本願発明の「磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスク」に相当する。
　引用発明の「前記潤滑層は、前記保護層上に潤滑剤を塗布して設けたものである」は、本願発明の「前記潤滑剤層は前記保護層上に塗布成膜されるものであって」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「基板上に磁性層と保護層と潤滑剤層を備える、
　磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであって、
　前記潤滑剤層を構成する潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル主鎖の末端に水酸基を含む官能基を備える化合物を含み、　
　前記潤滑剤層は前記保護層上に塗布成膜されるものであって、
　前記潤滑剤層の磁気ヘッドに対向する側の表面における、前記主鎖に対する前記官能基の比率（官能基／主鎖）は、Ｃ２Ｆ４Ｏのフラグメントをパーフルオロポリエーテル主鎖とし、該主鎖の末端のＣ３Ｈ７Ｏ２またはＣ２Ｆ２Ｈ３Ｏを官能基として、飛行時間型二次イオン質量分析法により測定される検出比において、８１％以下である磁気ディスク。」
　
　一方、次の点で相違する。
　
　相違点
[相違点１]
　本願発明は、「磁気ディスク装置」が「ロードアンロード方式であって、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下である負圧スライダーを備えた」ものに限定されているのに対し、引用発明は、「ＣＳＳ方式であり、浮上するスライダーに磁気ヘッドを備えた」ものである点。
[相違点２]
　本願発明は、「保護層」が「炭素、水素及び窒素を含有する炭素系保護層」に限定されているのに対し、引用発明は、そのような限定を有さない点。
　
　（４）判断
[相違点１]について
　高記録密度化は、磁気ディスクの技術分野における周知の課題であるところ第２引用例には「４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度を達成するために」「磁気ヘッドの浮上量は１２ｎｍ以下に低浮上量化することが求められて」おり、「磁気ディスク装置の起動停止機構として、従来のＣＳＳ方式に替わって高記録容量化の可能なＬＵＬ（Ｌｏａｄ  Ｕｎｌｏａｄ、ランプロード）方式とすることが求められている」ことが記載されている（段落【０００３】）。「負圧スライダー」や「磁気ヘッドの浮上量」として「１０ｎｍ」が周知であること（必要であればそれぞれ、上記第２引用例の段落【００２８】）、および、特開２００４−２５３１１０号公報（平成１６年９月９日公開。）の段落【００７０】を参照。）を勘案すると、引用発明において、磁気ディスク装置の起動停止機構をＬＵＬ方式とし、「負圧スライダー」を使用し、磁気ヘッドの浮上を１０ｎｍ以下とするという程度のことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
[相違点２]について
　第２引用例には、「末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、炭素系保護層に対して高い密着性能を発揮すること、特に、前記保護層表面に窒素を含有する場合にあっては、該保護層表面のＮ＋と潤滑層のＯＨ−とが高い親和性を示すため、高い潤滑層密着率を得ることができること」（段落【００１７】）が記載されている。
　引用発明は、潤滑層の下にある保護層の表面に吸着していない潤滑剤が多く存在するとディスク表面上の潤滑剤がヘッド表面に転写してしまうのであるから、引用発明において保護膜の材料を「炭素、水素及び窒素を含有する炭素系保護層」とする程度のことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
　したがって，本願発明は，第１引用例および第２引用例に記載された発明，並びに周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，第１引用例および第２引用例に記載された発明，並びに周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。