【事件の表示】
　特願２００３−３８０７９６「走査電子顕微鏡」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１４９７３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１５年１１月１１日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２０年　６月　５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２０年　８月２５日  
　　意見書　　　　　　　：平成２０年　８月２５日 
　　拒絶理由通知（最後）：平成２０年１２月２４日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　３月１６日  
　　意見書　　　　　　　：平成２１年　３月１６日 
　　補正の却下の決定　　：平成２１年１２月１４日（起案日） 
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年１２月１４日（起案日） 
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　４月２０日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　４月２０日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　３月１６日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　６月　３日  
　  
第２　平成２２年４月２０日付け手続補正についての補正の却下の決定  
〔補正の却下の決定の結論〕  
　平成２２年４月２０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　  　
〔理由〕  
１　本件補正の目的  
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、その補正は、平成２０年８月２５日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
電子ビーム源と、電子ビーム源から放出された電子ビームを制御して試料に照射するための電子光学系と、試料を載置するための試料ステージとを備える走査電子顕微鏡において、電子光学系を構成する接地電位とされた対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置するとともに、電子ビーム通過孔を有する第１の２次電子検出素子を対物レンズにおける電子ビーム通過空間内に配置し、電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための−５００Ｖ〜−３ｋＶの間に設定される負電圧を、試料ステージを介して試料に印加することのできる電圧印加手段が設けられていることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
　を引用する請求項２の、　　 
「【請求項２】
前記第１の２次電子検出素子は、対物レンズの電子ビーム通過空間内における磁場の拘束がなくなる位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の走査電子顕微鏡。」  
　なる記載を、本件補正後の請求項１の、  
「【請求項１】
電子ビーム源と、電子ビーム源から放出された電子ビームを制御して試料に照射するための電子光学系と、試料を載置するための試料ステージとを備える走査電子顕微鏡において、電子光学系を構成する接地電位とされた対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置し、電子ビーム通過孔を有するとともに対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するための第１の２次電子検出素子が、対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置に配置され、電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための−５００Ｖ〜−３ｋＶの間に設定される負電圧を、試料ステージを介して試料に印加することのできる電圧印加手段が設けられていることを特徴とする走査電子顕微鏡。」  
　という記載にすることを含むものである。 
　　 
　本件補正後の請求項１に係る当該補正は、平成２０年８月２５日付け手続補正により補正された請求項１を引用する請求項２について、「第１の２次電子検出素子」を「対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するため」のものと限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。  
　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
　  
２　本件補正発明  
　本件補正発明は、上記「１」に記載したとおりのものである。  
　  
３　引用例  
（１）引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開２００２−７５２６４号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　　 
（１ａ）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明に基づく低真空走査電子顕微鏡の一例を示したもので、２０は走査電子顕微鏡の鏡筒である。鏡筒２０の上部には電子銃室２１が配置されている。電子銃室２１内には、熱電子銃や電界放射型電子銃などの電子銃が設けられている。
【００１４】電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ２２と対物レンズ２３によって試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束される。対物レンズ２３としては、内側磁極２６と外側磁極２７とを備えたセミインレンズ型の対物レンズが用いられている。対物レンズ２３の上部には、一次電子ビームＥＢを偏向するための走査コイル２８が設けられている。走査コイル２８には、図示していない走査信号発生回路から、試料２５の所定領域を一次電子ビームで走査するための走査信号が供給される。
【００１５】対物レンズ２３の内側磁極２６の底部には、微小開口を有したオリフィス２９が設けられている。このオリフィス２９により、電子銃室２１から対物レンズ２３内部の各空間と、試料室２４内とは差動排気される。すなわち、電子銃室２１や対物レンズ２３上部の空間は、排気管３０を介して拡散ポンプ等により高真空に排気されている。
【００１６】試料室２４には、３つのバルブ３１，３２，３３が設けられているが、バルブ３１は排気管３０との接続のために設けられており、走査電子顕微鏡を低真空で使用する際にはこのバルブは閉じられている。バルブ３２はロータリーポンプ（図示せず）に接続され、バルブ３３はバリアブルリークバルブに接続されている。このバルブ３２，３３の開閉により、試料室２４内は所望の低真空に維持される。
【００１７】対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口部分には、２次電子検出器３５が設けられている。２次電子検出器３５は、コロナリング３６とシンチレータ３７、および光電子増倍管３８より構成されている。」
　　　
（１ｂ）「【００１８】図３はオリフィス２９部分の詳細図である。オリフィス２９は、オリフィス固定用ガイド４０を介して対物レンズ２３の内側磁極２６の先端部に取り付けられている。オリフィス２９の中心部分には、一次電子ビームを通すための微小開口４１が穿たれている。オリフィス２９の底部には、絶縁層４２を介して加速電極４３が取り付けられている。この加速電極４３には、図示していない電源から１０Ｖ程度の電圧が印加される。対物レンズ２３内の開口３４部分の上部には、減速電極４４が配置されているが、この減速電極４４には例えば、−１０Ｖの電圧が印加される。このような構成の動作を次に説明する。
【００１９】まず、低真空下における試料２５の像観察について説明する。最初に電子銃室２１から対物レンズ２３内の電子ビーム通過領域を排気管３０を介して、例えば、拡散ポンプで真空排気し、それらの領域の真空度を１×１０-1Ｐａ程度とする。また、試料室２４内部をバルブ３２と３３をオープンにし、バルブ３２を介してロータリーポンプで試料室内を排気すると共に、バルブ３３を介して大気あるいは窒素ガス等を試料室２４内に導入し、この試料室内の真空度を１０〜３００Ｐａ程度の低真空に維持する。
【００２０】鏡筒２０と試料室２４内部を所望の真空度にした後、電子銃室２１内の電子銃から一次電子ビームを発生し加速させる。一次電子ビームＥＢはコンデンサレンズ２２と対物レンズ２３により試料２５に細く集束される。更に一次電子ビームＥＢは、走査コイル２８によって２次元的に走査される。一次電子ビームＥＢによって試料２５からは２次電子seが発生する。」
　　　
（１ｃ）「【００２１】図４は試料から発生した２次電子seの振る舞いを説明するための図であり、試料２５からの２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられ、光軸上に集められる。光軸上に集められた２次電子は、加速電極４３による電界Ｅ1により上方に導かれる。従って、試料２５から発生した２次電子は、効率よく集められ、オリフィス２９の開口を通ってオリフィスの上部に導かれる。
【００２２】対物レンズ２３内に入った２次電子は、減速電極４４によって形成される電界Ｅ2によって対物レンズ２３の上部への進行が防止される。対物レンズ２３内の２次電子は、２次電子検出器のコロナリング３６によって形成される電界Ｅ3によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ、加速されて２次電子検出器３５のシンチレータ３７に衝突する。
【００２３】このように、試料２５から発生した２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３による磁界、加速電極４３による電界、減速電極４による電界、２次電子検出器３５からの電界により、効率よく検出器３５に導かれ、検出される。なお、ワーキングディスタンスが３mm、オリフィス絞りが１５０μm、加速電極電圧が＋１０Ｖ、減速電極電圧が−１０Ｖ、試料から発生する２次電子のエネルギーが３eVの場合、一次電子ビームの加速電圧が１ｋＶでは、試料から発生する２次電子の１００％を対物レンズ内部に配置した２次電子検出器で捕獲することができた。また、一次電子ビームの加速電圧が５ｋＶでは、試料から角度ー６０から＋６０°の範囲に放出される２次電子の捕獲が可能であることが確かめられた。」
　　　
（１ｄ）「【００２５】以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、減速電極を設けたが、この減速電極は本発明にとって必須の構成要素ではなく、この電極を設けなくともよい。また、２次電子検出器の位置は対物レンズの中間部分であったが、対物レンズの上部に２次電子検出器を配置してもよい。更に、図２においてバルブ３１をオープンとし、バルブ３２と３３をクローズにすれば、高真空走査電子顕微鏡として使用することができる。」
　　　 
（１ｅ）図２
（１ｆ）図３
（１ｇ）図４
（１ｈ）図５
〔引用例１に記載された発明〕　  
　これらの記載事項及び認定事項からして、引用例１には、  
「電子銃室２１内に電子銃が設けられており、
　電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ２２と対物レンズ２３によって試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束され、対物レンズ２３としては、内側磁極２６と外側磁極２７とを備えたセミインレンズ型の対物レンズが用いられており、
　対物レンズ２３の上部には、一次電子ビームＥＢを偏向するための走査コイル２８が設けられており、
　対物レンズ２３の内側磁極２６の底部には、微小開口を有したオリフィス２９が設けられ、オリフィス２９は、オリフィス固定用ガイド４０を介して対物レンズ２３の内側磁極２６の先端部に取り付けられており、
　オリフィス２９の底部には、絶縁層４２を介して加速電極４３が取り付けられていて、この加速電極４３には、電源から１０Ｖ程度の電圧が印加されており、
　対物レンズ２３の一部に開口３４が設けられ、その開口部分に２次電子検出器３５が設けられており、
　試料２５からの２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられて光軸上に集められ、光軸上に集められた２次電子は、加速電極４３による電界Ｅ1により上方に導かれ、オリフィス２９の開口を通ってオリフィスの上部に導かれる低真空走査電子顕微鏡。」 
　という発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　  
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開平１１−２５８９５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　 
（２ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低加速電圧領域でも高分解能観察が可能な電子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の飛躍的な高集積化に伴い、走査電子顕微鏡でチャージアップや電子線損傷の少ない１ｋＶ前後の低加速電圧で高分解能観察したいという要望が高まっている。
【０００３】今までこの要望に対して、特開平１−１３６５５７（図４）  に示されているように主に電磁レンズの磁界を試料側に発生させてレンズ主面をできるだけ試料に近づけることや、特開昭６２−２５６３５２（図５）に示されているように電界と磁界を重畳させることや図６のようにアースされた磁極と試料の間に正のバイアス電圧をかけて一種のアインツェルレンズを形成して電界と磁界を重畳させたものや高いエネルギーで走ってきた一次電子線を試料に負のバイアスをかけて試料の直前で減速することで収差係数を低減して対応してきた。試料を傾斜しない場合には、上記の構造で高分解能が得られているが、試料を大角度傾斜するときには図４のような試料側に磁界を発生させるタイプでは収差係数の悪くなる長いワーキングディスタンスでしか使用できないので高分解能が得られない。図６のような電界磁界重畳形や試料に負のバイアスをかけて減速電界を利用するものでは傾斜により非対称電界が発生して非点収差増大し良質な像が得られなかったり、傾斜を考慮した形状にすると図５や図６の電界磁界重畳形では静電レンズ主面が試料から遠ざかり悪い収差係数で使用することを余儀なくされ高分解能観察ができないという問題があった。」
　　　
（２ｂ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】
１）  図１に示すように電磁レンズと試料の間に傾斜可能な形状の電極を配置し、試料と電極を同電位で使用すれば、電磁レンズの磁界と電極と磁極の間の電位差により形成された電界により電磁レンズ単体よりも収差係数、特に低加速電圧で支配的となる色収差係数を低減することができ、その上試料と電極の電位が同じなので傾斜しても非点収差増大の原因となる非対称電界は生じない。
【０００８】２）  図１の電極を試料傾斜しないときには磁極と同電位に切り替えてやれば静電レンズの主面を試料に近づけることになり、Ｘ線による元素分析ができる長いワーキングディスタンスでも短いワーキングディスタンスに匹敵する高分解能観察が可能になる。
　・・・（中略）・・・
【００１０】［作用］図１の場合、数ｋＶ程度の比較的高い電圧で加速された電子は電磁レンズの磁界の凸レンズ効果により集束され、磁極のアース電位と電極と試料に印加した負のバイアス電圧によって形成される減速電界の凸レンズと凹レンズを組み合わせた効果により１ｋＶ程度に減速・集束され試料上に照射される。磁界と減速電界の複合により、一種の色消し効果が生じて収差係数は低減する。電子線の照射により生じた二次電子は電磁レンズの上部に設置された二次電子検出器で検出され、二次電子像を形成する。電極が試料傾斜可能な形状であり、試料と電極が同電位であるので傾斜しても非対称電界が発生して非点収差を生ずることはない。」
　　　
（２ｃ）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図に基づいて説明する。図１において、電子源から放出された一次電子線１は３ｋＶに加速され、軸対称二次電子検出器２に設けられた孔を通過後、単極タイプの電磁レンズ３の磁界により集束される。さらに試料傾斜の障害ならないようにコニカル状にした電極４の２ｋＶ程度の負のバイアス電圧と磁極のアース電位で作られる減速電界によって１ｋＶ程度に減速されると同時に集束されてウェーハ５上に照射される。集束された電子ビームは図１には示していない偏向コイルによって、ウェーハ面上を走査され、発生した二次電子６は単極レンズの磁場と磁極と電極の間の電界の重畳作用により上方に設置された二次電子検出器に効率よく導かれて二次電子像を形成する。二次電子検出器２はシンチレーターまたはマイクロチャンネルプレートによって構成されている。ウェーハ５と電極４は同電位であるので、傾斜によって非対称電界が生ずることも、傾斜角により非対称性が変化することなく、傾斜しても非点収差の増大を生じない高分解能な観察を可能とする。
【００１４】試料を傾斜しないときは電極４もアース電位にすれば、上記の減速電界がウェーハ５の近くで形成されるので、電界・磁界重畳効果がより効率よく働き更に高分解能な観察を可能にする。」
　　　　
（２ｄ）図１
４　本件補正発明と引用発明との対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「電子銃」、「一次電子ビームＥＢ」、「試料２５」、「低真空走査電子顕微鏡」、「対物レンズ２３」、「オリフィス２９」、「磁界Ｍ」、「２次電子検出器３５」及び「電源」は、それぞれ本件補正発明の「電子ビーム源」、「電子ビーム」、「試料」、「走査電子顕微鏡」、「対物レンズ」、「オリフィス」、「磁場」、「２次電子検出素子」及び「電圧印加手段」に相当する。  
　 　　　 
＜対応関係Ｂ＞
　引用発明の「電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢ」を「試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束」する「コンデンサレンズ２２と対物レンズ２３」は、本件補正発明の「電子ビーム源から放出された電子ビームを制御して試料に照射するための電子光学系」に相当する。
　　　　　
＜対応関係Ｃ＞  
　技術常識を踏まえると、走査型電子顕微鏡における試料は何らかの台に載置されて観察されるものであるから、引用発明の「試料２５」を「配置」する「試料室２４」は、本件補正発明の「資料を載置するための試料ステージ」に相当する部材を含むものである。  
　　　 
＜対応関係Ｄ＞  
　引用発明の「対物レンズ２３の内側磁極２６の底部には、微小開口を有したオリフィス２９が設けられ、オリフィス２９は、オリフィス固定用ガイド４０を介して対物レンズ２３の内側磁極２６の先端部に取り付けられて」いることと、本件補正発明の「電子光学系を構成する接地電位とされた対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置」することとは、「電子光学系を構成する対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置」する点で共通する。  
　　 　 
＜対応関係Ｅ＞
　引用発明の「セミインレンズタイプの対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられて光軸上に集められ」、「加速電極４３による電界Ｅ1により上方に導かれ」る「２次電子」を検出する「２次電子検出器３５」と、本件補正発明の「電子ビーム通過孔を有するとともに対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するための第１の２次電子検出素子」とは、「対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するための第１の２次電子検出素子」の点で共通する。
　　　　
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明の「オリフィス２９の底部には、絶縁層４２を介して加速電極４３が取り付けられていて、この加速電極４３には、電源から１０Ｖ程度の電圧が印加されており」、「光軸上に集められた２次電子は、加速電極４３による電界Ｅ1により上方に導かれ」ることと、本件補正発明の「電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための−５００Ｖ〜−３ｋＶの間に設定される負電圧を、試料ステージを介して試料に印加することのできる電圧印加手段が設けられている」こととは、「電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための電位差を試料と対物レンズとの間に生じさせる電圧印加手段が設けられている」点で共通する。
　　　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、  
「電子ビーム源と、電子ビーム源から放出された電子ビームを制御して試料に照射するための電子光学系と、試料を載置するための試料ステージとを備える走査電子顕微鏡において、電子光学系を構成する対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置し、対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するための第１の２次電子検出素子が配置され、電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための電位差を試料と対物レンズとの間に生じさせる電圧印加手段が設けられている走査電子顕微鏡。」  
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
（相違点１） 
　「対物レンズ」の電位に関して、本件補正発明は「接地電位」と限定しているのに対して、引用発明は電位を明示していない点。 
　　　 
（相違点２）  
　「第１の２次電子検出素子」の構造及び配置に関して、本件補正発明は「電子ビーム透過孔を有する」構造を有し、かつ、「対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置」に配置されるのに対して、引用発明はそのような構造及び配置を有さない点。  
　　  
（相違点３）
　「２次電子を対物レンズ側に加速するための電位差を試料と対物レンズとの間に生じさせる電圧印加手段」に関して、本件補正発明は「−５００Ｖ〜−３ｋＶの間に設定される負電圧を、試料ステージを介して試料に印加する」のに対して、引用発明は「オリフィス２９の底部には、絶縁層４２を介して加速電極４３が取り付けられていて、この加速電極４３には、電源から１０Ｖ程度の電圧が印加され」る点。
　　
５　検討・判断  
　上記相違点１〜３について検討する。  
　　　
（１）引用例２に記載された技術の採用の容易想到性
　上記摘記事項（２ａ）〜（２ｄ）からして、引用例２には、走査電子顕微鏡でチャージアップや電子線損傷の少ない１ｋＶ前後の低加速電圧で収差係数を低減しつつ高分解能観察するために、対物レンズ（電磁レンズ３）を接地電位（アース電位）にし、試料に２ｋＶ程度の負バイアス電圧を印加することにより減速電界を生じさせて、３ｋＶに加速された一次電子線を１ｋＶ程度に減速した状態で試料に照射し、試料からの２次電子を対物レンズの磁場と磁極と電極の間の電界の重畳作用により、対物レンズの一次電子線の通過する空間内に配置された一次電子線の通過する孔を有する軸対称二次電子検出器２に効率よく導く技術が記載されている（上記摘記事項（２ａ）の「高いエネルギーで走ってきた一次電子線を試料に負のバイアスをかけて試料の直前で減速することで収差係数を低減して対応してきた。試料を傾斜しない場合には、上記の構造で高分解能が得られている・・・」という記載、上記摘記事項（２ｃ）の「試料を傾斜しないときは電極４もアース電位にすれば、上記の減速電界がウェーハ５の近くで形成されるので、電界・磁界重畳効果がより効率よく働き更に高分解能な観察を可能にする。」等の記載からして、試料を傾斜しない場合は、電極４は特段設ける必要が無いことは、当業者にとって明らかである。）。
　引用発明において、収差係数を低減しつつ高分解能観察を可能にするために、引用例２に記載された技術を採用することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　そうすると、引用発明に引用例２に記載された技術を採用することで相違点１、３に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　同様に、相違点２に係る構成における「第１の２次電子検出素子」が「電子ビーム透過孔を有する」構造を得ることも、当業者であれば容易になし得ることである。同構成における「第１の２次電子検出素子」が「対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置」に配置される点については、下記（２）で検討する。
　　　　
　なお、上記引用例２に記載された技術と同様の技術（試料に負バイアス電圧を印加し、一次電子線の通過する孔を有する二次電子検出器で２次電子を検出する技術）は、走査電子顕微鏡の分野における周知の技術（例えば、特開平９−２１９１７０号公報、特開平１０−２１４５８６号公報、特開２００３−６８２４１号公報、特開２００１−１８５０６６号公報等を参照されたい。）に過ぎず、当該周知の技術を引用発明に採用することも格別のことではない。
　　　　　
（２）２次電子検出素子を配置する位置における磁場についての検討
（２−１）技術常識からして、走査電子顕微鏡の対物レンズの磁場は、試料側の磁極端部近傍に集中して発生するから、２次電子検出素子を当該試料側の磁極端部近傍と離れた位置に配置すれば、２次電子検出素子の配置される位置では磁極端部近傍に比べて磁場は弱まり、２次電子は磁場からの影響をあまり受けなくなる、すなわち、磁場の拘束が相対的になくなるといえる。
　そして、引用例２に記載された技術では、二次電子検出器２は電磁レンズ３の試料側の磁極端部近傍から離された位置（図１に示されるような、電磁レンズ３の上部の位置）に配置されるから、その位置では、磁場の拘束は極めて微弱になっているといえる。
　また、本願明細書の発明の詳細な説明を参照しても、「第１の２次電子検出素子が、対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置に配置され」ることに関して、特段の技術的意義の説明は無く、具体的な磁場の大きさも記載されておらず、対物レンズの磁場を２次電子検出素子の配置位置で完全にゼロとするような特別な技術的手段の記載も無いことからして、「磁場の拘束がなくなる位置」とは、上述したように、２次電子が磁場からの影響をあまり受けない位置や磁場が相対的に弱まる位置という程度の意味としか解釈できない。
　そうすると、引用発明に引用例２に記載された技術を採用すれば、「２次電子検出素子」を「対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置」に配置する構成となることは、当業者にとって自明のことに過ぎない。
（２−２）引用例２に記載された技術や上記周知の技術は、２次電子検出素子を配置する位置において、磁場を何ら利用するものではないから、２次電子検出素子の配置位置を磁場の弱い位置とすることは、当業者であれば容易に想到することである。
　そうすると、引用発明に引用例２に記載された技術または周知の技術を採用する際に、「対物レンズの電子ビーム通過空間内において当該磁場の拘束がなくなる位置」に「２次電子検出素子」を配置する構成とすることは、格別のことではない。
（２−３）小括
　以上（２−１）または（２−２）で述べたとおりであるから、引用発明に引用例２に記載された技術を採用することで相違点２に係る構成（２次電子検出素子の構造及び配置）を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　　　　　　
（３）相違点１〜３についての検討のまとめ
　以上（１）及び（２）で述べたとおり、引用発明に引用例２に記載された技術を採用することで相違点１〜３に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　　　 
（４）作用効果についての検討 
　本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明及び引用例２に記載された技術、または、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　 　　 
（５）まとめ 
　よって、本件補正発明は、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術、または、引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　 　　 
６　本件補正についてのむすび  
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 　　 
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２２年４月２０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年８月２５日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
電子ビーム源と、電子ビーム源から放出された電子ビームを制御して試料に照射するための電子光学系と、試料を載置するための試料ステージとを備える走査電子顕微鏡において、電子光学系を構成する接地電位とされた対物レンズにおける試料との対向部にオリフィスを配置するとともに、電子ビーム通過孔を有する第１の２次電子検出素子を対物レンズにおける電子ビーム通過空間内に配置し、電子ビームの照射時に試料から発生する２次電子を対物レンズ側に加速するための−５００Ｖ〜−３ｋＶの間に設定される負電圧を、試料ステージを介して試料に印加することのできる電圧印加手段が設けられていることを特徴とする走査電子顕微鏡。」 
　を引用する請求項２の、　　 
「【請求項２】
前記第１の２次電子検出素子は、対物レンズの電子ビーム通過空間内における磁場の拘束がなくなる位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の走査電子顕微鏡。」
　である。
　 　　 
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「３　引用例」に記載したとおりである。  
　 　　 
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」「２　本件補正発明」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、平成２２年４月２０日付け手続補正により請求項１に導入された、「第１の２次電子検出素子」を「対物レンズからの磁場により捕獲された試料からの２次電子を検出するため」のものと限定する発明特定事項を省いたものに相当する。  
　そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を追加したものに相当する本件補正発明は、上記「第２」「〔理由〕」「５　検討・判断」に記載したとおり、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術、または、引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　してみると、本願発明は同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。　  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術、または、引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。同様の理由により、本願の請求項１に係る発明も、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術、または、引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　　　　 
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１〜２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　 　　　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　 　　 
　よって、結論のとおり審決する。