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　特願２００１−５７９３７４「発光半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　１日国際公開、ＷＯ０１／８２３８４、平成１５年１０月２８日国内公表、特表２００３−５３２２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯
　本願は、平成１３年（２００１年）３月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年４月２６日、２０００年５月２６日、２０００年１０月１７日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１０月２１日に手続補正がなされたが、平成２２年６月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２３年９月１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１日に手続補正がなされたものである。
　
　２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１２月１日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１及び２は、次のとおりであって、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されたとおりのものである。
　
「【請求項１】　発光半導体素子の製造方法であって、
　該発光半導体素子の半導体基体は、種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の積層体によって形成されており、該半導体素子は第１の主面（３）及び第２の主面（４）を有し、
　生成される放射（５）の少なくとも一部は前記第１の主面（３）を通過して出力結合され、前記第２の主面（４）はリフレクタ（６）を有する形式の発光半導体素子の製造方法において、
　−基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着し、接合基板を形成するステップと、
　−前記中間層（９）上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）を被着するステップと、
　−該中間層（９）も含めた前記基板基体（８）を剥がすステップと、
　−前記半導体基体の前記第２の主面（４）上に前記リフレクタ（６）を被着するステップ、とを有し、
　前記基板基体（８）の熱膨張係数は、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数に類似するか、または、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数よりも大きく、
　前記中間層（９）の厚さは、前記接合基板の熱膨張係数が前記基板基体（８）によって決定されているように薄いことを特徴とする、発光半導体素子の製造方法。
【請求項２】　前記中間層（９）としてＳｉＣ中間層を被着させ、前記基板基体（８）としてＳｉ基板を使用する、請求項１記載の方法。」
　
　３　刊行物の記載
（１）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願優先日の前に頒布された刊行物である特開平１１−１７２２３号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
　ア　「【請求項４】閃亜鉛鉱構造の窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、
第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え、
前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、外部に取り出すことができるように構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。」
　
　イ　「【００５２】次に、本発明による第６の発光素子について説明する。
【００５３】図６は、本発明による第６の発光素子を表す概略断面図である。同図に表した発光素子１０Ｆも、前述した発光素子と同様にいわゆるダブル・ヘテロ型の構造を有する。さらに、各層の結晶構造は、閃亜鉛鉱構造として構成されている。また、その他の部分については、同一の部分には同一の符合を付して説明を省略する。
【００５４】反射鏡５０Ｆは、クラッド層２２’とコンタクト層２４’の間に設けられている。この反射鏡５０Ｆは、前述したものと同様に、例えば、窒化アルミニウム層とガリウム砒素層とを組み合わせたブラッグ反射鏡とすることができる。ガリウム砒素の屈折率は、３．６５であり、窒化アルミニウムと組み合わせることにより、極めて高い反射率を得ることができる。
【００５５】ここで、
発光素子１０Ｆにおいては、結晶成長時の基板が除去されている。すなわち、発光素子１０Ｆは、結晶成長時においては、ガリウム砒素や３Ｃ−ＳｉＣ、シリコンなどを基板として窒化ガリウム系半導体からなる各層１４’〜２４’が成長される。そして、結晶成長終了後に、この基板が研磨あるいはエッチングにより除去されている
これらの基板材料は、いずれも、紫外線〜青色領域の波長帯における光透過率が低く
　
（２）同じく特開平１０−３４１０３６号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００９０】図１０に示すように、第４の実施形態に係る発光ダイオードは、
ｎ型ＳｉＣ層よりなり５μｍの膜厚を有する基部３０ａと、該基部３０ａの下面の周縁部に一体化されたｎ型Ｓｉ板よりなり２５０μｍの高さを有する枠部３０ｂとからなる複合基板３０を備えている
【００９１】
複合基板３０の基部３０ａの上面には、ｎ型ＧａＮよりなり３０ｎｍの膜厚を有するバッファ層３１及びｎ型ＧａＮよりなり１００μｍの膜厚を有する化合物半導体結晶層３２が形成されており
【００９２】化合物半導体結晶層３２の上には、ｎ型ＧａＮよりなり２μｍの膜厚を有する第１のクラッド層３３、アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなり３ｎｍの膜厚を有する活性層３４及びｐ型ＧａＮよりなり１μｍの膜厚を有する第２のクラッド層３５が順次形成されており、第１のクラッド層３３、活性層３４及び第２のクラッド層３５によって発光ダイオードの素子構造Ｂが構成されている。第２のクラッド層３５の上にはｐ型電極３６が形成されていると共に、凹状部３８の底面及び側面を含む複合基板３０の下面にはｎ型電極３７が形成されている。」
　
（３）同じく特開平４−２２３３３０号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００１１】珪素基板上への（Ｇａ１−　Ａｌ　）　１−　Ｉｎ　Ｎ　の成長における最も大きな問題点は、例えばＧａＮとＳｉを比較した場合、１７％ものきわめて大きな格子定数差が存在することであった。実際ＧａＮを直接珪素基板上に成長させても、多結晶化するか、或いは単結晶であっても六角柱状の島状に成長し、平坦性のよい高品質単結晶の作製は困難であった。また逆極性領域（Ａｎｔｉ　Ｐｈａｓｅ　Ｂｏｕｎｄａｒｙ：ＡＰＢ）の存在も問題であった。そこで、本発明者らはなんらかの緩衝層が必要であると考え、種々の結晶を検討した結果、３Ｃ−ＳｉＣが最もよいことを確認した。・・・
【００１４】本発明のように、
３Ｃ−ＳｉＣを緩衝層として珪素基板上に（Ｇａ
１−
　Ａｌ　）　
１−
　Ｉｎ　Ｎ　を成長させる
「【００１８】更に、本発明の方法を使用して発光素子を作製した。本発明によれば、量産性及び膜厚制御性に優れる有機金属化合物気相成長法を用いており、特に発光素子の作製は容易である。図１に示すように、低抵抗ｎ型単結晶珪素（１１１）面基板１上に、３Ｃ−
ＳｉＣ薄層２
　
　また、同刊行物における図１は、次のものである。
　
（４）同じく特開平４−２１２４７９号公報（以下「刊行物４」という。）には、以下の記載がある。
　
「【００８３】また、第１導電型半導体基板３１としてｎ−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓを用いた場合、実施例にも詳述したように
発光波長に対し基板は光吸収体として働く
基板３１及び発光波長に対し吸収体となるバッファ層３２等を除去することが有効である
【００８４】この場合、ペレットの機械的強度を保持するために、透明バッファ層３４，電流拡散層３８の厚さを厚く設定し、基板除去後のウェハ厚さを５０μｍ程度以上に設定することが重要である。このとき、
下部電極４２は透明バッファ層３４に形成される。下部電極４２或いはアセンブリの際にこの下に形成する反射板によって、下部へ出射された光は吸収を受けずに外部に取り出せる
　
　また、同刊行物における図２２は、次のものである。
　
　４　引用発明
（１）上記３（１）イにおける「結晶成長時の基板が除去されている」（【００５５】を参照。）などの記載を踏まえると、同イに記載された第６の発光素子は、同アの「窒化ガリウム系半導体発光素子」に相当するものと認められる。そして、同イによれば、刊行物１には、結晶成長時においては、ガリウム砒素や３Ｃ−ＳｉＣ、シリコンなどを基板として窒化ガリウム系半導体からなる各層１４’〜２４’が成長され、結晶成長終了後に、この基板が研磨あるいはエッチングにより除去される発光素子１０Ｆの製造方法が記載されているものと認められる。
　
（２）以上によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「閃亜鉛鉱構造の窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え、前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、外部に取り出すことができるように構成されている窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、結晶成長時においては、ガリウム砒素や３Ｃ−ＳｉＣ、シリコンなどを基板として窒化ガリウム系半導体からなる各層が成長され、結晶成長終了後に、この基板が研磨あるいはエッチングにより除去される窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
　５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「窒化ガリウム系半導体発光素子」は、本願発明の「発光半導体素子」に相当する。
　
（２）引用発明の「『ガリウム砒素や３Ｃ−ＳｉＣ、シリコンなどを基板として』『成長され』た『窒化ガリウム系半導体からなる各層』」は、本願発明の「発光半導体素子」に相当し、引用発明は、本願発明の「該発光半導体素子の半導体基体は、種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており」との構成を備える。
　
（３）引用発明は、「前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、外部に取り出すことができるように構成されて」おり、引用発明が「『前記発光層から放出された光』を『外部に取り出すことができる』面」を有することは明らかであるところ、この面は、本願発明の「第１の主面（３）」に相当し、引用発明は、本願発明の「生成される放射の少なくとも一部は前記第１の主面を通過して出力結合され」との構成を備える。
　また、引用発明の「光反射層」は、本願発明の「リフレクタ（６）」に相当し、引用発明は、「生成される放射の少なくとも一部は前記第１の主面を通過して出力結合され、リフレクタを有する形式の発光半導体素子の製造方法」である点において、本願発明と一致する。
　
（４）本願発明は、「基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着」して形成した「接合基板」の「中間層（９）上」に「種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）を被着する」ステップ及び「該中間層（９）も含めた前記基板基体（８）を剥がすステップ」を有するものであるから、「接合基板上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）を被着するステップ」及び「該接合基板を剥がすステップ」を有するものといえる。
　そして、引用発明における「基板」は、「結晶成長時」においては「窒化ガリウム系半導体からなる各層が成長」され、「結晶成長終了後」に「除去される」ものであるから、その上に「種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着」した後に「剥がす」「基板」である点において、本願発明の「接合基板」と共通し、本願発明と引用発明とは、「基板上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着するステップ」及び「該基板を剥がすステップ」を有する点において一致する。
　
（５）よって、両者は、
「発光半導体素子の製造方法であって、
　該発光半導体素子の半導体基体は、種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、該半導体素子は第１の主面を有し、
　生成される放射の少なくとも一部は前記第１の主面を通過して出力結合され、リフレクタを有する形式の発光半導体素子の製造方法において、
　−基板上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着するステップと、
　−前記基板を剥がすステップ、
とを有する、発光半導体素子の製造方法。」
である点で一致し、以下のア及びイの点で相違するものと認められる。
　
　ア　本願発明では、「基板」が「『基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着』して形成した『接合基板』」であって、本願発明は、「基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着し、接合基板を形成するステップ」を有し、「基板上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着するステップ」が「基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着」して形成した「接合基板」の「中間層（９）上」に「種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）を被着する」ステップであり、「前記基板を剥がすステップ」が「該中間層（９）も含めた前記基板基体（８）を剥がすステップ」であるとともに、「前記基板基体（８）の熱膨張係数は、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数に類似するか、または、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数よりも大きく、前記中間層（９）の厚さは、前記接合基板の熱膨張係数が前記基板基体（８）によって決定されているように薄い」ものであるのに対して、引用発明では、「基板」が、基板基体上に中間層を被着して形成した接合基板ではない点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　本願発明における「半導体素子」は、「『第２の主面（４）』が『リフレクタ（６）を有する』」ものであり、本願発明は、「前記半導体基体の前記第２の主面（４）上に前記リフレクタ（６）を被着するステップ」を有するのに対して、引用発明はそのように特定されるものではない点（以下「相違点２」という。）。
　
　６　判断
（１）相違点１について
　ア　前記２のとおり、本願の特許請求の範囲の請求項２に「前記中間層（９）としてＳｉＣ中間層を被着させ、前記基板基体（８）としてＳｉ基板を使用する、請求項１記載の方法」と記載されていることを踏まえると、本願発明における「接合基板」は、基板基体としてＳｉ基板を使用し中間層としてＳｉＣ中間層を被着して形成したものであってよいものと認められる。したがって、このようにしたものは、本願発明における「前記基板基体（８）の熱膨張係数は、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数に類似するか、または、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数よりも大きく」との要件を備えるものと認められる。
　
　イ（ア）しかるところ、前記３（２）及び（３）の刊行物２及び刊行物３の記載に見られるとおり、Ｓｉ板（珪素基板）の上にＳｉＣ層を形成し、その上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させることは、本願の優先日当時において周知の技術であるから、引用発明において、「基板」を「Ｓｉ板の上にＳｉＣ層を形成したもの」とし、「Ｓｉ板上に、ＳｉＣ層を被着するステップ」、「ＳｉＣ層上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着するステップ」を有するものとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（イ）そして、これにより、相違点１に係る本願発明の構成のうち、「基板」が「『基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着』して形成した『接合基板』」であって、「基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着し、接合基板を形成するステップ」を有し、「基板上に種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を被着するステップ」が「基板基体（８）上に、ＳｉＣ、シリコン、サファイアまたはＭｇＯを含む中間層（９）を被着」して形成した「接合基板」の「中間層（９）上」に「種々の複数のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）を被着する」ステップである、との各構成を備えることになるものと認められる。
　
（ウ）また、上記アを踏まえると、上記（ア）のように、引用発明において、「基板」を「Ｓｉ板の上にＳｉＣ層を形成したもの」とすることにより、本願発明における「前記基板基体（８）の熱膨張係数は、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数に類似するか、または、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層（１）の熱膨張係数よりも大きく」との要件を備えるものと認められる。
　
　ウ（ア）刊行物２において、ＳｉＣ層よりなる基部３０ａの膜厚が５μｍ、Ｓｉ板よりなる枠部３０ｂの高さが２５０μｍ（この場合、Ｓｉ板の厚さはＳｉＣ層の厚さの５０倍となる。）と記載されるほか、刊行物３においては「ＳｉＣ
薄層
　
（イ）そして、本願明細書の「そのような接合基板では熱特性が特に基板基体によって決定され、一方この熱特性には十分に依存せずに、エピタキシャル表面、また殊にこの表面の格子定数は中間層によって確定されている。したがって有利には中間層を最適に、被着すべき層の格子定数に適合させることができる。同時に十分に高い熱膨張係数を有する基板基体を使用することによって、ＧａＮベースの層を被着した後に、これらの層が冷却段階において張引され、これにより層に亀裂が生じることが阻止される。したがって有利には中間層は、接合基板全体の熱膨張係数が実質的に基板基体の熱膨張係数に相応するように薄く形成される。
典型的には基板基体は中間層よりも少なくとも２０倍厚い
　
　エ　前記３（１）イによれば、刊行物１には、ＳｉＣ、シリコンなどの材料は紫外線ないし青色領域の波長帯（引用発明である「窒化ガリウム系半導体発光素子」の発光波長である。）における光透過率が低いとの知見が記載されているものと認められる。
　したがって、上記イ（ア）のように、「基板」を「Ｓｉ板の上にＳｉＣ層を形成したもの」とする際には、「Ｓｉ板」とともに「ＳｉＣ層」も光を吸収するものとして当業者に理解されるものというべきである。
　加えて、前記３（４）のとおり、刊行物４にも、発光波長に対し吸収体となる基板及びバッファ層などを除去することが有効であるとの知見が開示されるところである。
　してみれば、結晶成長終了後に基板が除去されるものである引用発明において、上記イ（ア）のように、「基板」を「Ｓｉ板の上にＳｉＣ層を形成したもの」とする際に、Ｓｉ板とともにＳｉＣ層を除去することは、当業者が当然考慮する程度の事項というべきである。
　そして、これにより、相違点１に係る本願発明の構成のうち、「前記基板を剥がすステップ」が「該中間層（９）も含めた前記基板基体（８）を剥がすステップ」であるとの構成を備えることになるものと認められる。
　
　オ　以上によれば、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことというべきである。
　
（２）相違点２について
　前記３（４）によれば、刊行物４には、発光波長に対して光吸収体として働く基板、バッファ層などを除去した後の面に下部電極や反射板を形成して出射された光を取り出す技術が記載されているものと認められる。
　してみると、「発光層から放出された光を光反射層により反射させて、外部に取り出すことができるように構成されている窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法」であって、結晶成長終了後に基板が除去されるものである引用発明において、基板を除去した後の面に光反射層を形成して、「半導体素子」が「『第２の主面（４）』が『リフレクタ（６）を有する』」ものとし、「前記半導体基体の前記第２の主面（４）上に前記リフレクタ（６）を被着するステップ」を有するとの、相違点２に係る本願発明の構成を備えることは、刊行物４に記載された技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
（３）本願発明において奏される効果についてみても、引用発明、刊行物４記載の技術及び周知の技術から予測し得る域を超える程の格別顕著なものとは認められない。
　
（４）請求人は、平成２３年１２月１日提出の意見書においてるる主張するが、上記（１）ないし（３）の判断を左右するものではない。
　
（５）以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、刊行物４記載の技術及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
　７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物４記載の技術及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。