【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマアークトーチのための電極であって：
高い熱伝導率の材料から形成され、その底部の端に配置された穴を持った細長い電極本体；及び、
前記穴に配置された、ハフニウムまたはジルコニウムから成る高い熱電子放射率の材料を備える環状のインサート、
を備える電極。
【請求項２】  前記穴が環状である、請求項１に記載の電極。
【請求項３】  前記穴がＵ字型である、請求項１に記載の電極。
【請求項４】  前記インサートがさらに露出した放射面を画定する、閉じた端を備える、請求項１に記載の電極。
【請求項５】  前記インサートが高い熱電子放射率の材料から形成される第１の環状部分、及び前記第１の環状部分に配置された、高い熱伝導率の材料から形成される第２の円筒形部分を備える、請求項１に記載の電極。
【請求項６】  前記インサートが高い熱伝導率の材料から形成される第２部分の環状の穴に配置される高い熱電子放射率の材料を備える第１の環状部分を備える、請求項１に記載の電極。
【請求項７】  第２インサートが銅、銀、金、またはプラチナから成る、請求項５または６に記載の電極。
【請求項８】  前記インサートが高い熱伝導率の材料を備える第１の層と高い熱電子放射率の材料を備える第２の層との、隣接した層の丸められた組を備える、請求項１に記載の電極。
【請求項９】  前記インサートがさらに高い熱伝導率の材料を備える、請求項１に記載の電極。
【請求項１０】  プラズマアークトーチのための電極であって：
高い熱伝導率の材料から形成され、その底部の端に配置された穴を持った細長い電極本体；及び、
前記穴に配置され、ハフニウムまたはジルコニウムから成る高い熱電子放射率の材料、及び高い熱伝導率の材料を備える合成物の構造を備えるインサート、
を備える電極。
【請求項１１】  前記電極本体がＵ字型の穴を持ち、インサートが環状である、請求項１０に記載の電極。
【請求項１２】  前記高い熱伝導率の材料が銅、銀、金、またはプラチナから成る、請求項１０に記載の電極。
【請求項１３】  前記インサートが高い熱伝導率の材料を備える第１の層と高い熱電子放射率の材料を備える第２の層との、隣接した層の丸められた組を備える、請求項１０に記載の電極。
【請求項１４】  第１の層がハフニウムのめっき、または表面被覆を備え、第２の層が銅箔を備える、請求項１３に記載の電極。
【請求項１５】  前記電極本体が環状の穴を持ち、前記インサートが環状である、請求項１０に記載の電極。
【請求項１６】  前記インサートがさらに露出した放射面を画定する、閉じた端を備える、請求項１５に記載の電極。
【請求項１７】  前記インサートが：
間隔を開けて配置された、複数の平行な穴を持った、円筒形の高い熱伝導率の材料；及び、
各々が前記複数の穴の１つに配置された、高い熱電子放射率の材料を備える複数の部分、
を備える、請求項１０に記載の電極。
【請求項１８】  プラズマアークトーチのための電極の製造方法であって：
ａ）  高い熱伝導率の材料から形成される、細長い電極本体を備えること；
ｂ）  前記電極本体を通る中心軸を基準にして、前記細長い電極本体の下部の端に穴を形成すること；及び、
ｃ）  ハフニウムまたはジルコニウムから成る高い熱電子放射率の材料を備える、環状のインサートを前記穴に挿入すること、
を含む製造方法。
【請求項１９】  手順ｂ）が：
ｂ１）  環状の穴を形成すること、
を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】  手順ｃ）が：
ｃ１）  露出した放射面を確定する、一方の閉じた端を持ったインサートを穴に挿入すること；
を含む、請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】  手順ｂ）が：
ｂ１）  円筒形の穴を形成すること、
を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２２】  手順ｂ）が：
ｂ１）  高い熱電子放射率の材料を備える第１の環状部分、及び、環状の第１インサートに配置された高い熱伝導率の材料を備える第２の円筒形部分から前記インサートを形成すること、
を含む、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】  手順ｂ）が：
ｂ１）  前記第１部分が外側の穴に適合し、前記第２部分が内側の穴に適合するように、前記内側の穴及び、それより深めの外側の穴を持った円筒形の穴を形成すること、
を含む、請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】  手順ｂ）が：
ｂ１）  前記第１部分が外側の穴に適合し、前記第２部分が内側の穴に適合するように、前記外側の穴及び、それより深めの内側の穴を持った円筒形の穴を形成すること、
を含む、請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２５】  手順ｃ）がさらに：
ｃ１）  高い熱伝導率の材料及び、高い熱電子放射率の材料を混合した合成物の粉末から前記インサートを形成すること、
を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２６】  前記混合した合成物の粉末が高い熱電子放射率の材料でコーティングした高い熱伝導率の材料の粒子を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】  手順ｃ）がさらに；
ｃ１）  円筒形の高い熱伝導率の材料内に間隔を開けて配置された複数の平行な穴を形成すること；及び、
ｃ２）  前記複数の穴のそれぞれに、高い熱電子放射率の材料を備える複数の部分の各々を配置すること、
によって前記インサートを形成することを含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２８】  手順ｃ）がさらに：
ｃ１）  高い熱伝導率の材料を備える第１の層を高い熱電子放射率の材料を備える第２の層に隣接して配置すること；及び、
ｃ２）  前記隣接した層を丸めること、
によって前記インサートを形成することを含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２９】  プラズマアーク切断トーチのための電極の製造方法であって：
ａ）  高い熱伝導率の材料から形成される細長い電極本体を備えること；
ｂ）  前記電極本体の縦軸方向に沿って拡張する中心軸を基準にして、前記細長い電極本体の下部の端に穴を形成すること；
ｃ）  ハフニウムまたはジルコニウムから成る、高い熱電子放射率の材料、及び高い熱伝導率の材料を備える合成物の構造を備えるインサートを形成すること；及び、
ｄ）  前記電極本体に前記インサート挿入すること、
を含む製造方法。
【請求項３０】  手順ｃ）が：
ｃ１）  高い熱電子放射率の材料の第２の層に隣接して配置された、高い熱伝導率の材料の第１の層を備えること；
ｃ２）  前記隣接する層を丸めること；
を含む、請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３１】  手順ｃ）が：
ｃ１）  高い熱伝導率の材料及び、高い熱電子放射率の材料を備える合成物の粉末を形成すること；及び、
ｃ２）  前記インサートを形成するために前記粉末を焼結すること、
を含む、請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３２】  手順ｃ１）が：
ｃ１１）  高い熱電子放射率の材料の粒子を高い熱伝導率の材料でコーティングすること、
を含む、請求項３１に記載の製造方法。
【請求項３３】  手順ｃ）が：
ｃ１）  高い熱伝導率の材料内に間隔を開けて配置された、複数の平行な穴を形成すること；及び、
ｃ２）  高い熱電子放射率の材料を備える複数の部分の各々を前記複数の穴のそれぞれの１つに配置すること、
を含む、請求項２８に記載の製造方法。
【請求項３４】  トーチ本体；
出口オリフィスを持ち、前記トーチ本体によって支持されるノズル；及び、
前記ノズルと位置関係を持って、前記トーチ本体によって支持される電極であって、高い熱伝導率の材料から形成される、細長い電極本体を備え、前記電極本体の下部の端に配置された穴及び、その穴に配置された高い熱電子放射率の材料を備える環状のインサートを持つ電極、
を備えるプラズマアークトーチ。
【請求項３５】  高い熱電子放射率の材料がハフニウムまたはジルコニウムから成る、請求項３４に記載のトーチ。
【請求項３６】  前記インサートが高い熱電子放射率の材料から形成される、第１の環状部分、及び、前記第１の環状部分に配置された、高い熱伝導率の材料を備える、第２の円筒形部分を備える、請求項３４に記載のトーチ。
【請求項３７】  前記インサートが高い熱伝導率の材料から形成される第２部分の、環状の穴に配置された、高い熱電子放射率の材料を備える第１環状部分を備える、請求項３４に記載のトーチ。
【請求項３８】  前記インサートがさらに、高い熱伝導率の材料を備える、請求項３４に記載のトーチ。
【請求項３９】  トーチ本体；
出口オリフィスを持ち、前記トーチ本体によって支持されるノズル；及び、
前記ノズルと位置関係を持って、前記トーチ本体によって支持される電極であって、高い熱伝導率の材料から形成される、細長い電極本体を備え、前記電極本体の下部の端に配置された穴及び、その穴に配置され、高い熱伝導率の材料内に分散された高い熱電子放射率の材料を備える合成物の構造を備えるインサートを持つ電極、
を備えるプラズマアークトーチ。
【請求項４０】  前記高い熱電子放射率の材料がハフニウムまたはジルコニウムから成る、請求項３９に記載のトーチ。