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【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析しようとするガス混合物を、純粋なガスに対して向流で、イオン移動度分析（ＩＭＳ）装置（１０）に導入すること、
前記ＩＭＳ装置（１０）のイオン検知器（１４）によって検知されるイオンの数に比例し、且つ経時的に変化する信号（１９）を得ること、
前記ガス混合物中に存在するＨ３Ｏ＋及び（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのＩＭＳ装置（１０）におけるドリフト時間に対応する２つの期間（Ａ、Ｂ）を決定すること、
前記決定された２つの期間（Ａ、Ｂ）における前記信号（１９）のピークを得ること、並びに
前記信号（１９）で得られる２つのピークの強度の間の比に従って、前記ガス混合物中の水の濃度を計算すること、
を含む、イオン移動度分析によって、アルゴン、水素、窒素及びヘリウム中の水の濃度を測定する方法。
【請求項２】
前記分析しようとするガス中の水の濃度を、下記の式によって計算することを特徴とする、請求項１に記載の方法：
ｐｐｂＨ２Ｏ＝Ｋｌｎ（（ＨＢ−ＨＡ）／ＨＡ）
（ｐｐｂＨ２Ｏは、水の濃度（ｐｐｂ）、
Ｋは、正の定数、
ＨＡは、前記期間（Ａ）における信号（１９）のピークの強度であり、ＩＭＳ装置（１０）におけるＨ３Ｏ＋イオンのドリフト時間に対応している、及び
ＨＢは、前記期間（Ｂ）における信号（１９）のピークの強度であり、ＩＭＳ装置（１０）における（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのドリフト時間に対応している）。
【請求項３】
ＩＭＳ装置（１０）におけるＨ３Ｏ＋及び（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのドリフト時間に対応する２つの期間（Ａ、Ｂ）を、実際の分析において使用するのと等しい操作パラメータの値で行う予備基準試験で決定することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この目的は、本発明の方法によって達成できる。本発明の方法は下記の実施形態を含む：
（実施形態１）
分析しようとするガス混合物を、純粋なガスに対して向流で、イオン移動度分析（ＩＭＳ）装置（１０）に導入すること、
前記ＩＭＳ装置（１０）のイオン検知器（１４）によって検知されるイオンの数に比例し、且つ経時的に変化する信号（１９）を得ること、
前記ガス混合物中に存在するＨ３Ｏ＋及び（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのＩＭＳ装置（１０）におけるドリフト時間に対応する２つの期間（Ａ、Ｂ）を決定すること、
前記決定された２つの期間（Ａ、Ｂ）における前記信号（１９）のピークを得ること、並びに
前記信号（１９）で得られる２つのピークの強度の間の比に従って、前記ガス混合物中の水の濃度を計算すること、
を含む、イオン移動度分析によって、アルゴン、水素、窒素及びヘリウム中の水の濃度を測定する方法。
（実施形態２）
前記分析しようとするガス中の水の濃度を、下記の式によって計算することを特徴とする、実施形態１に記載の方法：
ｐｐｂＨ２Ｏ＝Ｋｌｎ（（ＨＢ−ＨＡ）／ＨＡ）
（ｐｐｂＨ２Ｏは、水の濃度（ｐｐｂ）、
Ｋは、正の定数、
ＨＡは、前記期間（Ａ）における信号（１９）のピークの強度であり、ＩＭＳ装置（１０）におけるＨ３Ｏ＋イオンのドリフト時間に対応している、及び
ＨＢは、前記期間（Ｂ）における信号（１９）のピークの強度であり、ＩＭＳ装置（１０）における（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのドリフト時間に対応している）。
（実施形態３）
前記ピークの面積を、前記ピーク強度の測定値として使用する、実施形態２に記載の方法。
（実施形態４）
前記ピークの高さを、前記ピーク強度の測定値として使用する、実施形態２に記載の方法。
（実施形態５）
ＩＭＳ装置（１０）におけるＨ３Ｏ＋及び（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのドリフト時間に対応する２つの期間（Ａ、Ｂ）を、実際の分析において使用するのと等しい操作パラメータの値で行う予備基準試験で決定することを特徴とする、実施形態１〜４のいずれかに記載の方法。
（実施形態６）
前記操作パラメータが、分析しようとするガス混合物の温度を少なくとも含んでいる、実施形態５に記載の方法。
（実施形態７）
前記操作パラメータが、ＩＭＳ装置（１０）の分離領域（１２）における電界も含む、実施形態６に記載の方法。
（実施形態８）
前記分析を、１１０℃のガス温度で行い、分離領域（１２）における電界が１２８Ｖ／ｃｍであり、且つＩＭＳ装置（１０）におけるＨ３Ｏ＋及び（Ｈ２Ｏ）２＋イオンのドリフト時間に対応する２つの期間（Ａ、Ｂ）が、１５．５〜１７ｍｓ（Ａ）及び１７〜１９ｍｓ（Ｂ）であることを特徴とする、実施形態５〜７のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極の間にあるスペーサーと、
前記第１の電極を前記第２の電極に連結する生体巨大分子と
を備える分子検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーの少なくとも８５％は（i）１５１５ｎｍから１５４５ｎｍまでの平均波長範囲にあり、（ii）前記１５１５ｎｍから１５４５ｎｍまでの平均波長範囲にある平均波長のあたりに実質的に集中するように成形された光出力を発生する光源を含む、装置。
【請求項２】
前記光源は、少なくとも９９％のパワーが約１５３２ｎｍの平均波長に実質的に集中するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
干渉式光ジャイロスコープが設けられ、前記光源の光出力は上記干渉式光ジャイロスコープに導かれる、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
回旋状スリーブは、これらの長尺状基体を包囲して、熱、冷気、摩擦、振動および衝撃による損傷から保護し、また、音の減衰を提供し、または導線をＲＦＩ／ＥＭＩから遮蔽するために使用される。これらのスリーブは、山部および谷部を交互に備えるように形成されているために、卓越した径方向における剛性と曲げ可撓性を備える。径方向における剛性は、スリーブが曲げられた際に、スリーブの捩れ、および潰れを防止し、曲げ可撓性は、殆ど全ての湾曲形状にスリーブを追従させるため、スリーブは、その装着を困難にする曲げ剛性を追加されることなく、長尺状基体の形状と容易に一致する。
【特許文献１】米国特許第６，７１１，９２０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性物質（３）で充填されている、または充填されることができる保管タンク（５）を有し、該保管タンク（５）の第１の端部領域（９）に起爆装置によって点火可能な火工品装填部（６；３９）を有し、該活性物質（３）を押し出すために点火された該装填部（６；３９）の推進ガスによって動かすことができるカートリッジ・ケース・ベース（１３）を有し、押し出される該活性物質（３）を噴霧するためのユニット（７）と、を有する装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）であって、該噴霧するためのユニット（７）が、空間領域（１４）を該活性物質（３）の霧で充填するためのパイプ・ケーシングにおいての複数の排出ノズル（１５）を有するアトマイザ・パイプ（７）として形成され、該アトマイザ・パイプ（７）の端部の一方（１８）が保管タンク（５）の第２の端部領域（１９）に配置され、該カートリッジ・ケース・ベース（１３）によって移動させることができる活性物質が、該アトマイザ・パイプ（７）内に移送され、該活性物質は該アトマイザ・パイプの管路によって偏向され、該排出ノズルの対応する配列によって噴霧のための空間領域の選択が可能となるように、該第２の端部領域（１９）は該保管タンク（５）の第１の端部領域から対向していることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記アトマイザ・パイプ（７）が、前記保管タンク（５）の前記第２の端部領域（１９）から延びており、前記活性物質が前記保管タンク長手方向軸（１７）の延長部に射出しないように前記排出ノズル（１５）が形成されており、好ましくは、該排出ノズル（１５）が該保管タンクの該第２の端部（１９）のごく近傍に配置されていないことを特徴とする、請求項１の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項３】
並列かつ／または直列作動のため、装填部とカートリッジ・ケース・ベース専用の複数の保管タンクを保有することを特徴とする、請求項１または２の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項４】
起爆装置（３５ａ）が複数の装填部（６）に作用することにより、並列作動が可能であるように複数の装置（１ａ〜１ｄ）を配置するようにした要素のキットとして、装填部（６；３９）、保管タンク（５）およびアトマイザ・パイプ（７）が、形成されており、また、直列作動が可能であるように複数の装置（１ｅ〜１ｈ）をカスケード列として配置することができ、前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）の電気的接点は該カスケードの一端だけであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項５】
それぞれの保管タンク（５）は前記第２の端部領域（１９）にタンク閉鎖蓋（２９）を持ち、該タンク閉鎖蓋（２９）は、更なる保管タンク（５）の前記第１の端部領域（９）を結合する結合部片（３７）により形成され、該結合部片（３７）には、前記装置（１ｅ，１ｆ，１ｇ）の前記カートリッジ・ベース・ケース（１３）の衝撃によって発火可能な前記火工品装填部（３９）が配置されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項６】
前記装填部（６）の火工品ガス発生装置（１０）、特に電気火工品ガス発生装置（１０）と、更なる保管タンク（５）の前記第１のタンク端部領域（９）を結合するための結合部片（３７）との両方のための保持キャップ（１２）が可能であるような結合構成、好ましくはねじ山（３１、３２）を保管タンク（５）の前記第１および第２のタンク端部領域（９、１９）の両方が有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項７】
前記保管タンク（５）が、細長く、特に円筒形の断面を有するように構成され、前記アトマイザ・パイプ（７）が、前記保管タンク・ケーシングに沿って延在するように配置されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項８】
前記保管タンク（５）が、前記第２の端部領域（１９）内にフランジ（２３ｂ）を有し、前記アトマイザ・パイプ（７）が、弓のように曲がっており、その一つのパイプの端部に前記第１のフランジ（２３ｂ）と対合する第２のフランジ（２５ａ）を有し、分割手段（２７）が該アトマイザ・パイプ（７）及び該保管タンク（５）の該第２の端部領域（１９）に配置された前記フランジ（２３ｂ、２５ａ）の間に好適に配置されており、該分割手段は、前記装填部（６；３９）の未点火の状態では、前記活性物質（３）が該アトマイザ・パイプ（７）内へ入り込むのを妨げ、該装填部（６；３９）が点火されたとき、該活性物質（３）内の圧力の増大の結果として破壊され、該活性物質（３）が該アトマイザ・パイプ（７）内へ入り該アトマイザ・パイプの前記ノズル（１５）を通って放出されることを可能にすることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）。
【請求項９】
前記装置は直列かつ／または並列に配列・接続されている、２以上の請求項１の装置と装填部（６；３９）を含むシステム。
【請求項１０】
起爆装置（３５ａ）が複数の装填部（６）に作用することにより、並列作動が可能であるように複数の装置（１ａ〜１ｄ）を配置するようにした要素のキットとして、装填部（６；３９）、保管タンク（５）およびアトマイザ・パイプ（７）が、形成されており、また、直列作動が可能であるように複数の装置（１ｅ〜１ｈ）をカスケード列として配置することができ、前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）の電気的接点は該カスケードの一端だけであることを特徴とする、請求項９のシステム。
【請求項１１】
許可されていない人物を保護されるべき物体に近付けず、物体から遠ざけるために、前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）が、破壊、振動および／または接触センサとして形成される、物体の保護としての、請求項９または１０のシステム。
【請求項１２】
前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）が、火災検知器として知られているものとして形成され、前記活性物質（３）が消火剤である、消防剤ラインとの接続のない消火システムとしての、請求項９または１０のシステム。
【請求項１３】
許可されていない人物を保護されるべき物体に近付けず、物体から遠ざけるために、前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）が、破壊、振動および／または接触センサとして形成される、物体の保護としての請求項１乃至８のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）の使用。
【請求項１４】
前記起爆装置（３５ａ、３５ｂ）が、火災検知器として形成され、前記活性物質（３）が消火剤である、消火剤ラインとの接続のない消火システムとしての請求項１乃至８のいずれか１項の装置（１；１ａ〜１ｄ；１ｅ〜１ｈ）の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体によって搬送される流体および／または粒子の流体力学に影響を与える流線形体であって、前記流線形体の外面が航空機の翼の輪郭の上面側を前記輪郭の翼弦の周りで回転させることによって形成される流線形体。
【請求項２】
衝撃表面として使用するための請求項１に記載された流線形体。
【請求項３】
層流を発生させるための請求項１または２に記載された流線形体（１）の使用。
【請求項４】
前記流線形体が、流れ方向において吸引作用を発生させるために、主要軸線を流れの自由断面において流れ方向において位置される請求項１から請求項３までの何れか１項に記載された流線形体。
【請求項５】
温度勾配のある流れに熱伝導性の流線形体を位置させることによる熱交換器として使用するための請求項１から４までのいずれか１項に記載された流線形体。
【請求項６】
混合および反応室内を流れる燃料混合物が燃焼する燃焼過程において使用するための流線形体であって、前記流線形体が流れ方向における前記室の内側に主要軸線を備えて配置されている、請求項１から５までのいずれか１項に記載された流線形体。
【請求項７】
前記流線形体の後部澱み点が下流側に配置されている請求項６に記載された流線形体。
【請求項８】
流入している燃料混合物のための衝撃面として使用するための請求項６または７に記載された流線形体。
【請求項９】
燃料混合物を偏向し、燃料混合物に存在している液状および（または）固形の成分の分離、燃料混合物に存在している液状の成分の噴霧、および（または）燃料混合物に存在している固形の成分の破砕のための請求項７に記載された流線形体。
【請求項１０】
燃料混合物の成分を遅速させること、これらの成分の滞留時間を増すこと、およびこれらの成分を更に完全に混合することのための請求項８または９に記載された流線形体。
【請求項１１】
混合および反応室の出口開口に向かう前記室における燃料混合物および燃焼生成物の流れを加速させるための請求項６から１０までのいずれか１項に記載された流線形体。
【請求項１２】
燃料混合物を予熱させるため請求項５または６に記載された流線形体。
【請求項１３】
前記混合および反応室における流れ調整器として使用するための請求項６から１２までのいずれか１項に記載された流線形体。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載された混合および反応室と、流線形体を使用して、燃料混合物を燃焼する装置であって、流れ方向において前記室の内側に主要軸線をおいて配置される、燃料混合物を燃焼させる装置。
【請求項１５】
前記混合および反応室が円筒形の下側部分を有し、該下側部分に円錐形にテーパがつけられた部分が接合されており、前記テーパ部分に隣接して出口開口で終り、断面が広くされた双曲線状の形状の頭部があることを特徴とする請求項１４に記載された装置。
【請求項１６】
前記流線形体がその主要軸線を前記混合および反応室の主要軸線上に位置されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載された装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び第２の主面を含む基板と、
前記基板の前記第１の主面の第１の部分に形成される第１のフレネルパターンに対応する第１の群のファセットと、
前記基板の前記第１の主面の第２の部分に形成される第２のフレネルパターンに対応する第２の群のファセットと、を備える光学フィルムであって、
前記第１のフレネルパターンが前記基板の前記第１の主面の選択領域において前記第２のフレネルパターンと重なり、さらに前記第１のフレネルパターンおよび前記第２のフレネルパターンが前記選択領域において互いを妨害し、
前記光学フィルムはさらに、前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方の上に接着剤の層を有することができ、
前記第１のフレネルパターン及び前記第２のフレネルパターンの少なくとも一方は、直線状のフレネルパターン、環状のフレネルパターン、放射状のフレネルパターン、フレネルプリズム、フレネルレンズ、及びそれらの組み合わせを含むグループから選定可能である、光学フィルム。
【請求項２】
第１の主面及び第２の主面を含む基板と、
前記基板の前記第１の主面の第１の部分に形成される第１の長手軸を有する直線状のフレネルパターンを含む第１のフレネルパターンに対応する第１の群のファセットと、
前記第１の主面の第２の部分に形成される第２の長手軸を有する直線状のフレネルパターンを含む第２のフレネルパターンに対応する第２の群のファセットと、を備える光学フィルムであって、
前記第１のフレネルパターンが前記基板の前記第１の主面の選択領域において前記第２のフレネルパターンと重なり、前記第１の長手軸が前記第２の長手軸とある角度を形成し、さらに前記第１のフレネルパターンおよび前記第２のフレネルパターンが前記選択領域において互いを妨害し、
前記光学フィルムはさらに、前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方の上に接着剤の層を有することができる、光学フィルム。
【請求項３】
窓、鏡、光学ディスプレイパネル又はそれらの組み合わせを含むことができるベース基板と、
前記ベース基板に取り付けられる請求項１又は２に記載の光学フィルムと、を有する光学アセンブリであって、
前記光学アセンブリはさらに、前記ベース基板と、前記第１の主面又は前記第２の主面との間に配置される接着剤の層を有することができる、光学アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺光のみを用いた反射モードおよび光源を用いた透過モードにおいて、情報を表示することができるディスプレイ装置であって、
第１の偏光層と第２の偏光層との間に光変調層を備える光変調システムと、
反射体と、
前記反射体と前記光変調システムとの間に配置されており、そして光源を備える光キャビティと、
ここで、前記光キャビティは該光キャビティを透過する光の偏光状態を実質的に維持し、前記光キャビティは光を前記光変調層に選択的に提供するようになっており、前記反射体は入射光の第１の程度の脱偏光を伴って入射光を反射し、前記反射体は周辺光を前記光変調層に反射して、前記反射モードにおいて周辺光のみを用いて前記ディスプレイを照明するように構成される、
前記光変調層と前記光キャビティとの間に配置され、第１の偏光を有する入射光の成分を透過し、第２の偏光を有する入射光の成分を反射するようになっている第１の反射偏光子であって、前記第１の偏光の光を提供するために前記第１の程度の脱偏光より大きい第２の程度の脱偏光を伴った前記第２の偏光の光を反射する前記第１の反射偏光子と、を具備するディスプレイ装置。
【請求項２】
前記反射偏光子が拡散反射偏光子である請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記ディスプレイ装置が、部分的に透過し、部分的に反射する金属半透過層を具備していない請求項１に記載のディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような半透過型ディスプレイは、部分的またはパターン形成された金属ミラー、または適切な反射粒子を装着した透明ポリマーであってもよい半透過層を具備している。この半透過層は、反射モードでディスプレイを形成する際に用いるための周辺光を反射し、透過モードでディスプレイを形成する際に用いるためのバックライトからの光を透過するように設計される。半透過層は、２つの動作モード間の強度バランスを図っている。半透過体の透過特性がバックライト中または透過作動中の照明を改善するために増大する場合には、半透過層によって反射される周辺光が少ないため、反射モードまたは周辺光モード動作中にディスプレイの明るさが減少している。逆に言えば、半透過体の反射率を改善することにより、周辺光の明るさを増大させるが、バックライティング動作中の明るさを犠牲にする。
ＷＯ９５／１７６９２は反射モードおよび透過モードにおいて情報を表示することができる、反射偏光子を含むディスプレイ装置を記載している。この反射偏光子はある光を光学キャビティへ反射し、光はランダム化され、そして補正偏光をもって最終的に出てきてディスプレイから透過されることができる。ＷＯ９７／３２２２６は輝度向上膜に関し、図１４〜１７に、光源を用いた透過モードで情報を表示することができるディスプレイ装置中の前記膜を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２は、微細構造フィルム２０４を備えているデュアルモードディスプレイ２００を示しており、該ディスプレイに光線２１０が入っている。デュアルモードディスプレイ２００はまた、第１の偏光子２０１と、光変調層２０２と、第２の偏光子２０３と、を具備している。補償または位相遅延フィルム２０８が、複屈折率の補正または光変調層に関する他の表示特性の改善のために具備されてもよい。光キャビティ２０５および底部反射体２０６もまた、ディスプレイ２００に設けられる。反射体２０６は、周辺モードまたは反射モードの両方でディスプレイを形成するために、光変調層２０２に光を向けるために用いられる。したがって、ディスプレイ２００は半透過層を必要とせず、ディスプレイ２００に半透過層を具備しないことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１４において、微細構造フィルム１４０４および反射偏光子１４０８が、反射偏光子の上部に微細構造フィルム１４０４を備え、互いから離隔するように配置されている。尚、微細構造フィルム１４０４の鋸歯構成１４０７は光変調層１４０２に面している。微細構造フィルムおよび反射偏光子は、ディスプレイ装置内部で多くの異なる態様に配置され、ピクセルのシャドーイングの低減および光の再循環を依然として実現することができる。微細構造フィルムおよび反射偏光子に関する他の構成の例が数例、図１５〜図１８に示されている。図１５〜図１８の構成は、微細構造フィルム１４０４および反射偏光子１４０８の代わりに、図１４のディスプレイ装置１４００内部に用いることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動式の放熱器用支持体において、
前記支持体は前記放熱器に結合するための結合手段及び床上に前記放熱器を支持するための格納式の支持手段を有するフレームを備え、
前記支持手段は前記フレームの本体の外側に位置付けられる作動状態、あるいは前記放熱器の本体の内側に位置付けられる低障害状態をとるのに適していることを特徴とする放熱器用支持体。
【請求項２】
前記支持手段は、車輪が回転可能に結合された一又は二以上の基部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の放熱器用支持体。
【請求項３】
前記支持手段は、前記フレームを前記基部のそれぞれに対し結合するための少なくとも一つのヒンジを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放熱器用支持体。
【請求項４】
前記少なくとも一つのヒンジは、床に対しほぼ平行に設けられている軸を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項５】
前記フレーム及び前記一又は二以上の基部は、前記基部が作動状態をとる場合に互いに接合される接合部を接合し、前記接合部は前記ヒンジに伝わる応力を抑えるために応力を伝達するのに適するようになされていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項６】
前記フレームから伸びている前記接合部が前記車輪に対して反対側から突出していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項７】
前記フレームから伸びている前記接合部はほぼＬ字型の要素を備えており、そして、同様に、前記一又は二以上の基部の接合部は前記Ｌ字型要素を受容するのに適している中空体を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項８】
前記フレームから伸びている前記接合部は前記フレームの支持板の上に形成される深絞り部を備え、同様に、前記基部の接合部は前記深絞り部を受容するのに適している部分を備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項９】
前記支持手段は、前記作動状態において前記基部の第１のスナップ状又はフリクション状の固定手段を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項１０】
前記支持手段は、前記低障害状態において前記基部の第２のスナップ状又はフリクション状の固定手段を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項１１】
前記結合手段は、末端部が前記フレームに結合され、中央部が放熱器のハブを受容するのに適している、少なくとも一つの金具を備えていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項１２】
前記ヒンジは、前記床に対しほぼ平行に設けられている軸を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項１３】
少なくとも一つの前記基部は、スライドし得るように前記フレームに結合されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の放熱器用支持体。
【請求項１４】
可動式の放熱器用の支持手段を使用できる状態あるいは梱包輸送に適した状態に、それぞれなすための放熱器用支持体の着脱方法において、該方法は、回転し得るように結合されている車輪を支持し、フレームに関して、前記フレームの本体の外側にある作動位置或いは前記放熱器のフレーム内に位置する低障害位置に配置する基部の移動工程を含むことを特徴とする放熱器用支持体の着脱方法。
【請求項１５】
前記基部が移動された後、スナップ状又はフリクション状固定手段が前記基部を所定位置に固定することを特徴とする請求項１４に記載の放熱器用支持体の着脱方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放熱器用支持体及び放熱器用支持体の着脱方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の最後の重要な目的は、放熱器に取り付けられた支持体により放熱器を運搬できるようにするが、低障害状態にして、放熱器を収納するための包装のサイズを抑えた放熱器用支持体及び放熱器用支持体の着脱方法を実現することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
包装した放熱器は、低障害状態においては、前記第二の固定手段を通じて固定されている基部５を備えた支持体を有している。このように、前記放熱器は、基部５の一部１３を基礎に置いており、基部５がフレーム２及び／又は放熱器の本体から突出しないことから、非常に障害が少ない配置をとる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波形のセグメントを測定する方法であり、
波形を受信し、
波形をゲート処理し、これにより、第１の時間ポイントの以前では実質的に静止し、第１の時間ポイントと第２の時間ポイントとの間では前記波形に実質的に等しく、そして、第２の時間ポイント移行で実質的に静止している、ゲート処理された波形を生成し、そして、
ゲート処理された波形を多数の周波数情報抽出器に提供することを含み、
各周波数情報抽出器は、各周波数情報抽出器における固有の周波数に対し、ゲート処理された波形の振幅または位相内容の少なくとも一つに関する情報を生成し、その結果、そのゲート処理された波形が、多数の周波数情報抽出器から生成された情報で表される、方法。
【請求項２】
第１の時間ポイントは、実質的に波形異常の開始に同期して起き、そして、第２の時間ポイントは、実質的に波形異常の終わりに同期して起きる請求項１記載の方法。
【請求項３】
多数の周波数情報抽出器の各周波数は、第１および第２の時間ポイントの間の時間長に基づき決定される請求項１記載の方法。
【請求項４】
波形をゲート処理することにより波形に導入された歪を識別するための方法であり、
第１の周波数で搬送された波形を受信し、
第２の周波数を有する基準信号を発生し、
受信した波形および基準波形を周波数空間で多重化し、
多重化信号をゲート処理し、それにより、第１の時間ポイント以前で実質的に静止し、第１の時間ポイントと第２の時間ポイントとの間では前記多重化信号に実質的に等しく、そして、第２の時間ポイント以降では実質的に静止しているゲート処理された多重化波形を生じ、
ゲート処理された多重化波形を復調し、それにより、第１の周波数で搬送されるゲート処理された波形およびゲート処理された基準波形を生成し、そして
第１の周波数で搬送されるゲート処理された波形に導入されたゲート処理による歪を、ゲート処理された基準波形に基づき決定することを備える方法。
【請求項５】
第１の周波数上のゲート処理された波形に導入されたゲート処理による歪を修正することを更に備える請求項４記載の方法。
【請求項６】
第１の周波数で搬送されるゲート処理された波形を多数の周波数情報抽出器へ供給することを更に含み、各周波数抽出器は、各周波数情報抽出器における固有の周波数に対し、第１の周波数で搬送されるゲート処理された波形の振幅および位相内容に関する情報を生成し、それにより、第１の周波数で搬送されるゲート処理された波形は、多数の周波数情報抽出器から生成した情報により表される請求項５記載の方法。
【請求項７】
波形のセグメントを測定するためのシステムであり、
波形をゲート処理し、それにより、第１の時間ポイント以前で実質的に静止し、第１の時間ポイントと第２の時間ポイントとの間では前記波形に実質的に等しく、そして第２の時間ポイント以降で静止しているゲート処理された波形を生じるゲート処理回路と、
前記ゲート処理回路に結合される多数の周波数情報抽出器であり、それぞれがゲート処理された波形を入力として受信し、それぞれが、それぞれに対する固有の周波数に対し、ゲート処理された波形の振幅および位相内容に関する情報を生成し、ゲート処理された波形はその結果、多数の周波数情報抽出器から生成された情報によって表される、多数の周波数情報抽出器とを備えるシステム。
【請求項８】
多数の周波数情報抽出器の各周波数は、第１および第２の時間ポイント間の時間長に基づき決定される請求項７記載のシステム。
【請求項９】
多数の周波数情報抽出器の各周波数は、第１および第２の時間ポイント間の時間長の逆数以下の高調波の周波数である請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
波形異常を測定するためのシステムであり、
波形を受信し、そしてその波形を第１の経路および第２の経路に導くスプリッタと、
第１の経路に結合された遅延エレメントと、
第２の経路に接続され、異常を含む信号が検出されると、測定イネーブル信号を出力する波形異常検出器と、
遅延要素に結合された波形測定デバイスとを備え、
波形測定デバイスは、波形異常検出器で発生された測定イネーブル信号が能動化させ、その結果、遅延エレメントから導かれた波形内に存在する異常の到達と実質的に同時に、測定イネーブル信号が波形測定デバイスに到達するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
細胞検定のために請求項１６に記載の光バイオディスクを用いる方法であって、
全血サンプルを前記注入ポートを通して前記混合チャンバにロードし、
前記バイオディスクを光読み取り装置にロードし、
前記サンプルを、該サンプル中の赤血球が捕捉される前記ＲＢＣ捕捉領域を通して、前記サンプル中の不要な細胞が捕捉される前記精製領域を通して、そして特定の細胞が前記捕捉領域で捕捉される前記分析チャンバを通して移動させるのに十分な速度で十分な時間の間、前記バイオディスクを回転させ、
電磁放射入射ビームを前記捕捉領域に照射し、
前記捕捉領域において前記ディスクと相互作用した後に形成される電磁放射ビームを検出し、
前記検出されたビームを出力信号に変換し、そして
前記出力信号を分析し、それにより、前記捕捉領域において捕捉された細胞の数に関する情報を前記出力信号から抽出する、ステップ
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
サンプルを収容する光ディスクおよびドライブシステムであって、
該システムは、
基板、
該基板、混合チャンバ、精製チャンバ、および前記混合チャンバと前記精製チャンバの間に画定され、捕捉領域を有する分析チャンバに平行な、キャップ、および
前記捕捉領域において前記基板上に重ねられた捕捉層であって、第１の捕捉領域が第１の細胞捕捉剤を有し、第２の捕捉領域が第２の細胞捕捉剤を有する、捕捉層、
を備えるバイオディスクと、
前記ディスクの前記捕捉領域に光を送る光源、
前記捕捉領域において前記ディスクから反射した光または該ディスクを透過した光を検出して、信号を供給する検出器、および
前記信号を用いて捕捉分子に結合した前記サンプル中のアイテムを計数するプロセッサ、
を備える光ディスクドライブ、
を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に開口部を形成するステップと、
開口部を充てんするように、銅（Cu）またはCu合金をたい積するステップと、
前記たい積したCuまたはCu合金をリフローすべく、アンモニア（NH3）中で、たい積したCuまたはCu合金をレーザ熱アニーリングするステップとを含む、
半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
約０．２８〜約０．３４ジュール／cm2の放射フルエンスで、前記たい積したCuまたはCu合金上にパルス・レーザ光線を照射することによって、レーザ熱アニーリングするステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記たい積したCuまたはCu合金を約９８３℃〜約１１８３℃の温度まで熱し、これによりたい積したCuまたはCu合金をリフローするようにレーザ熱アニーリングするステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ熱アニーリングするステップは、約２００〜２０００sccnの流量のNH3を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記CuまたはCu合金をたい積するステップの前に、前記開口部の内側を覆うバリア層をたい積するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記バリア層は、前記絶縁層上の窒化タンタル層と、この窒化タンタル層上のアルファ・タンタル（α-Ta）層を含む合成物である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記バリア層上にシード層をたい積するステップを有する、請求項５記載の方法。
【請求項８】
無電解にめっきを施すか、電気めっきを施すことにより、CuまたはCu合金をたい積するステップを有する、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記たい積したCuまたはCu合金の上表面が前記絶縁層の上表面と基本的に同一平面上にあるようにすべく、機械化学研磨（ＣＭＰ）処理するステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記CuまたはCu合金の前記上表面から酸化銅を除去するように、NH3を含むプラズマ中で、前記CuまたはCu合金の前記上表面を化学的に処理するステップと、
プラズマ強化化学気相蒸着法によって、プラズマ処理された表面上に二酸化ケイ素のキャップ層をたい積するステップとを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記たい積したCuまたはCu合金の上表面が前記絶縁層の上表面と基本的に同一平面上にあるようにすべく、機械化学研磨（ＣＭＰ）処理するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記CuまたはCu合金の前記上表面から酸化銅を除去するように、NH3を含むプラズマ中で、前記CuまたはCu合金の前記上表面を化学的に処理するステップと、
プラズマ強化化学気相蒸着法によって、プラズマ処理された表面上に二酸化ケイ素のキャップ層をたい積するステップとを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記開口部は、上部のトレンチ部分と通ずる下部のビアホール部分を含むデュアルダマシンの開口部であり、
前記方法は、その下にあるビアと通ずる上部配線を形成すべく、前記開口部を充てんするように前記CuまたはCu合金をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記絶縁層は、酸化物を含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化物は、フッ素ドープされたテトラエトキシシランから生成される、フッ素を含むシリコン酸化膜である、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート誘電体と有機半導体層との間に挟まれた、約４００Åより小さい厚さを有する実質的に非フッ素化されたポリマー層を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）であって、前記ポリマー層が、式：
【化１】
2005509299.tif 000001
によって表わされる共重合単位を有するポリマーを含み、
式中、各Ｒが、独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族、Ｃ4〜Ｃ20脂環式、アリールアルキル、またはアリール、及びそれらの組合せ、１個以上のヘテロ原子及び／または１個以上の官能基を含有してもよい、から選択される基を含む、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）。
【請求項２】
前記ポリマー層が、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリ（ジメチルシロキサン−ｃｏ−ジフェニルシロキサン）、ポリ（メチルフェニルシロキサン−ｃｏ−ジフェニルシロキサン）、またはポリ（ジメチルシロキサン−ｃｏ−メチルフェニルシロキサン）を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ポリマー層が、エチレン性不飽和モノマーから誘導された共重合単位のブロックを更に含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
Ｒが、メチル、ビニル、５−ヘキセニル、フェニル、２−フェニルエチル、３−（メタ）アクリルオキシプロピル、３−メルカプトプロピル、３−グリシドキシプロピル、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル、３−アミノプロピル、３−アセトキシプロピル、３−クロロプロピル、３−カルボキシプロピル、３−シアノプロピル、及び２−（ジエチルホスホノ）エチルから選択される基を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
ａ）約−２５〜２５ボルトの閾値電圧、
ｂ）約１０ボルト／ｄｅｃより小さいサブ閾値傾斜（絶対値）、
ｃ）少なくとも約１０4のオン・オフ比、
ｄ）前記半導体層がｐ型半導体を含むとき、少なくとも約１０-2ｃｍ2／Ｖｓの電荷キャリア移動度、
ｅ）前記半導体層がｎ型半導体を含むとき、少なくとも約１０-4ｃｍ2／Ｖｓの電荷キャリア移動度、
ｆ）前記ポリマー層を有さない比較用ＯＴＦＴより少なくとも約５０％大きい電荷キャリア移動度、
ｇ）前記ポリマー層を有さない比較用ＯＴＦＴより少なくとも約０．０２ｃｍ2／Ｖｓ大きい電荷キャリア移動度、
ｈ）前記ポリマー層を有さない比較用ＯＴＦＴより少なくとも約０．１０ｃｍ2／Ｖｓ大きい電荷キャリア移動度、及び
ｉ）前記ポリマー層を有さない比較用ＯＴＦＴより少なくとも約１．０ｃｍ2／Ｖｓ大きい電荷キャリア移動度、から選択される少なくとも１つの特性を有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
ストロンチエート、タンタレート、チタネート、ジルコネート、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、窒化シリコン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、及びそれらの合金、それらの組合せ及びそれらの多層、から選択される無機電気絶縁材料を含むゲート誘電体を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
ゲート、ソース、及びドレイン電極を含み、各々、独立して、ドープされたシリコン、金属、導電性ポリマー、及びそれらの組合せから選択される材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記有機半導体層が、アセン、ペリレン、フラーレン、フタロシアニン、及びオリゴチオフェンから選択される材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記有機半導体層が、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、銅（ＩＩ）ヘキサデカフルオロフタロシアニン、またはセキシチオフェンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
ａ）基板を設ける工程と、
ｂ）ゲート電極材料を前記基板上に堆積させる工程と、
ｃ）ゲート誘電体を前記ゲート電極材料上に堆積させる工程と、
ｄ）ゲート誘電体と有機半導体層との間に挟まれた、約４００Åより小さい厚さを有する実質的に非フッ素化されたシロキサンポリマー層を適用する工程であって、前記ポリマー層が、式：
【化２】
2005509299.tif 000002
によって表わされる共重合単位を有するポリマーを含み、
式中、各Ｒが、独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族、Ｃ4〜Ｃ20脂環式、アリールアルキル、またはアリール、及びそれらの組合せ、１個以上のヘテロ原子及び／または１個以上の官能基を含有してもよい、から選択される基を含む、工程と、
ｅ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して堆積させる工程と、
ｆ）ソース電極及びドレイン電極を前記有機半導体層に接触して設ける工程と、を含む方法。
【請求項１１】
工程（ｄ）の層状材料を、場合により前記材料をエネルギー源に暴露する前か後に、洗浄する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ポリマー層を設ける前記工程が、噴霧、スピン、浸漬、ナイフ、グラビア、マイクロコンタクトプリンティング、インクジェットプリンティング、スタンピング、転写プリンティング、及び気相堆積法から選択されるコーティング方法を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ソース及びドレイン電極が、ポリマー層を前記ゲート誘電体上に設ける前記工程の前に前記ゲート誘電体に隣接して設けられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記シロキサンポリマー層を誘電材料以外の何れの表面からも洗浄する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板が可撓性である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図４のａは本発明の１実施形態による別のバランを示しており、それは差信号をシングルエンド信号に、或いはその反対に変換する能力を有している。変成器400 はインダクタ408, 410, 414 を含んでいる。図４のｂ１に示されるように、インダクタ408 および410 はインターリーブされてそれらの間に良好な磁気結合を与えている。１実施形態では、それらはインダクタが互いに交差している区域420a-1と420a-2とを除いては同じ層に配置されている。１実施形態では、図４のｂ２のａおよびｂに示されているように、インダクタ408 はインダクタ410 と同じ平面に金属層408'として配置されており、交差を容易にするためにこのインダクタ410 は金属層408'の上または下に配置されて貫通孔（バイアホール）422 によって電気的に接続されたの別の金属層410'を使用してインダクタ408 と交差させている。図４のｂ２のａおよびｂに示された実施形態では、インダクタ408 は交差区域420a-1において金属層408'に２つの直角の屈曲部を形成しており、インダクタ410 は図４のｂ２のｂに示され貫通孔422 間の金属層410'において２つの直角の屈曲部を形成している。図４のｂ２のａおよびｂには示されていないが、インダクタ408 と410 は交差区域420a-2でも同様にそれぞれ２つの直角の屈曲部を形成している。図４のｂ３に示されている実施形態では、インダクタ410 はインダクタ408 と例えば４５度等の別の角度で交差している。さらに図４のｃに示されるように、インダクタ414 は金属層408'および410'の１つに近接して配置された別の金属層414'上に積層されて、インダクタ414 がインダクタ408, 410のそれぞれと結合することを可能にしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005509300.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート誘電体と有機半導体層との間に挟まれた、約４００Åより小さい厚さを有する実質的に非フッ素化されたポリマー層を含む、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）であって、
前記ポリマー層が、
ａ）芳香族官能性セグメントを含むモノマー前駆物質、モノマー、及びオリゴマーから誘導されたポリマー層と、
ｂ）開環重合から誘導されたポリマー層と、
ｃ）式：
【化１】
2005509298.tif 000001
によって表わされる共重合単位、約５０〜１００％の量と、式：
【化２】
2005509298.tif 000002
によって表わされる共重合単位、０〜約５０％と、を有するポリマーを含むポリマー層であり、
式中、各Ｒ1及びＲ2が、独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族、クロロ、ブロモ、カルボキシ、アシロキシ、ニトリル、アミド、アルコキシ、カルボアルコキシ、アリーロキシ、塩素化脂肪族、臭素化脂肪族、Ｃ6〜Ｃ20アリール、Ｃ7〜Ｃ20アリールアルキル、異なったＲ1とＸ基とが含有される場合にはヒドロキシ、及びそれらの組合せ、１個以上のヘテロ原子及び／または１個以上の官能基を含有してもよい、から選択される群を含み、
各Ｘが、独立して、ゲート誘電体と結合することができる官能基を含み、
少なくとも２個のＲ1、Ｒ2、及び／またはＸ基の任意の組合せが一緒になって、環状または多環式脂肪族、芳香族、または多環式芳香族基を形成してもよい、ポリマー層と、
ｄ）それらの組合せと、から選択される材料を含む、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）。
【請求項２】
前記ポリマー層がポリアリーレンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ポリマー層がパリレンまたはポリフルオレンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ポリマーが、何れも１個以上のＣ1〜Ｃ20直鎖または分枝脂肪族基またはアリールアルキル基で置換されてもよく且つ１個以上のヘテロ原子及び／または１個以上の官能基を含有してもよい、ノルボルネン、Ｃ4〜Ｃ10環状アルケンまたは環状非共役ジエン、から誘導された材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ポリマー層が、ポリスチレン、ポリ（１−ヘキセン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（アセナフチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ブタジエン）、及びポリ（ビニルアセテート）から選択される材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ポリマー層が、ホスホン酸末端基、ホスホネート末端基、ホスフェート末端基、またはシリル含有末端基を有するポリマーまたはコポリマーを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
スチレン共重合単位を有するポリマーを含むポリマー層、を含む請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記有機半導体層が、アセン、ペリレン、フラーレン、フタロシアニン、及びオリゴチオフェンから選択される材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記有機半導体層が、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、銅（ＩＩ）ヘキサデカフルオロフタロシアニンまたはセキシチオフェンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のトランジスタを多数含む、集積回路。
【請求項１１】
ａ）基板を設ける工程と、
ｂ）ゲート電極材料を前記基板上に堆積させる工程と、
ｃ）ゲート誘電体を前記ゲート電極材料上に堆積させる工程と、
ｄ）ゲート誘電体と有機半導体層との間に挟まれた、約４００Åより小さい厚さを有する実質的に非フッ素化された請求項１に記載のポリマー層を適用する工程と、
ｅ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して堆積させる工程と、
ｆ）ソース電極及びドレイン電極を前記有機半導体層に接触して設ける工程と、を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。