【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置の構成要素であって、
陽極酸化された表面を有するアルミニウム材料のアルミニウム下地と、
溶射被膜とを備え、前記溶射被膜は、前記溶射被膜と前記下地の前記陽極酸化された表面との間に他の材料の中間層が存在することなく前記陽極酸化された表面の上に配置された本質的にイットリアからなるものであり、前記溶射被膜は、前記構成要素の最も外側の面を形成することを特徴とする半導体処理装置の構成要素。
【請求項２】
チャンバライナー、ガス分配板、ガス・リング、基台、静電チャックおよびプラズマフォーカスリングからなる群から選択される少なくとも１つの構成要素であることを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項３】
前記被膜は約０．００１インチから約０．１インチの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項４】
前記被膜は、被膜上のポリマー堆積物の付着性を促進するのに効果的な算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有することを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項５】
前記被膜は、約１２０ミクロインチから約２５０ミクロインチの算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有することを特徴とする請求項４に記載の構成要素。
【請求項６】
半導体処理装置のチャンバ壁であって、
陽極酸化された表面を有するアルミニウム材料の、陽極化成されたアルミニウム下地と、
前記陽極酸化された表面上に直接配置された本質的にイットリアからなる溶射被膜とを備え、
前記溶射被膜は、当該チャンバ壁の最も外側の面を形成することを特徴とする半導体処理装置のチャンバ壁。
【請求項７】
前記被膜は、ポリマー堆積物の付着性を促進する算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有することを特徴とする請求項６に記載のチャンバ壁。
【請求項８】
プラズマ・エッチング反応器であって、
少なくとも１つの構成要素を備え、前記構成要素は、
陽極酸化された表面を有するアルミニウム材料のアルミニウム下地と、
溶射皮膜とを備え、前記溶射被膜は、前記溶射被膜と前記下地の前記陽極酸化された表面との間に他の材料の中間層が存在することなく前記陽極酸化された表面の上に直接配置された本質的にイットリアからなるものであり、前記溶射皮膜は、構成要素の最も外側の面を形成することを特徴とするプラズマ・エッチング反応器。
【請求項９】
前記構成要素はチャンバ壁であり、前記プラズマ・エッチング反応器は、高周波エネルギーを誘導によって前記反応器内に結合するプラズマ発生源を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ・エッチング反応器。
【請求項１０】
前記被膜は、前記被膜上のポリマー堆積物の付着性を促進するのに効果的な算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ・エッチング反応器。
【請求項１１】
半導体処理装置の構成要素の製造方法であって、
本質的にイットリアからなる被膜を溶射によってアルミニウム材料のアルミニウム下地の陽極化成された表面上に施すことを含み、前記被膜が前記構成要素の最も外側の面を形成することを含む半導体処理装置の構成要素の製造方法。
【請求項１２】
前記被膜は、ポリマー堆積物の付着性を促進するのに効果的な算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有するように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体基板のエッチング方法であって、
陽極酸化された表面を有するアルミニウム材料のアルミニウム下地と、前記陽極酸化された表面上に直接配置された本質的にイットリアからなる溶射被膜とを含む少なくとも１つの構成要素であって前記溶射皮膜が当該構成要素の最も外側の面を形成するものを備えるプラズマ・エッチング反応器のチャンバ内に半導体基板を置くことと、
前記チャンバ内に処理用ガスを導入することと、
前記処理用ガスからプラズマを発生することと、
前記半導体基板を前記プラズマでエッチングすることとを含み、
前記被膜がエッチング時に前記プラズマにさらされることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。
【請求項１４】
前記プラズマは、高周波エネルギーを誘導によって前記チャンバ内に結合することによって発生されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、窒化珪素、酸窒化珪素、ケイ化物、二酸化珪素、低ｋ材料および高ｋ材料からなる群から選択される少なくとも１つのシリコン含有材料を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体基板は、
アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、タンタル、タンタル合金、白金、白金合金、ルテニウム、ルテニウム合金、クロム、クロム合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、モリブデン、モリブデン合金、および、
チタン、タングステン、クロム、コバルトおよび／またはモリブデンのケイ化物、および、
強誘電体材料、および、
ＧＭＲ材料、
からなる群から選択される少なくとも１つの金属含有材料を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記被膜は、エッチング時に被膜上のポリマー堆積物の付着性を促進する算術平均表面粗さ（Ｒａ）を有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
プラズマ・エッチング反応器内で半導体ウェーハをエッチングする際に前記プラズマ・エッチング反応器のチャンバ内の構成要素の浸食による半導体ウェーハの汚染を低減する方法であって、
陽極酸化された表面を有するアルミニウム材料のアルミニウム下地と、前記陽極酸化された表面上に直接配置された本質的にイットリアからなる溶射被膜とを含む少なくとも１つの構成要素であって前記溶射皮膜が当該構成要素の最も外側の面を形成するものを備えるプラズマ・エッチング反応器のチャンバ内に半導体ウェーハを置くことと、
アルミニウムに対して浸食性がある処理用ガスを前記チャンバ内に導入することと、
前記処理用ガスからプラズマを発生することと、
前記被膜を前記プラズマにさらしながら前記半導体ウェーハを前記プラズマでエッチングすることとを含み、
前記被膜は、エッチング時のアルミニウムおよびイットリアによる前記半導体ウェーハの汚染を最小限に抑えることを特徴とする方法。
【請求項１９】
イットリアによる半導体ウェーハの汚染レベルが１０１０原子／ｃｍ２未満であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体ウェーハは少なくとも１つのシリコン含有材料を含み、前記処理用ガスはフッ素を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記シリコン含有材料は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、窒化珪素、酸窒化珪素、珪素化合物、二酸化珪素、低ｋ材料および高ｋ材料からなる群から選択されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記半導体ウェーハは少なくとも１つの金属含有材料を含み、前記処理用ガスはＢＣｌ３を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記金属含有材料は、
アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、タンタル、タンタル合金、白金、白金合金、ルテニウム、ルテニウム合金、クロム、クロム合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、モリブデン、モリブデン合金、および、
チタン、タングステン、クロム、コバルトおよび／またはモリブデンのケイ化物、および、
強誘電体材料、および、
ＧＭＲ材料
からなる群から選択されることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記半導体ウェーハは珪素を含み、前記処理用ガスは臭素を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
前記処理用ガスはＢＣｌ３を含み、前記被膜はエッチング時にプラズマによって浸食されないことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記アルミニウム下地および前記溶射被膜からなることを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項２７】
前記陽極化成された表面は封止されていることを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項２８】
前記陽極化成された表面は、粒子ブラスティングによって粗面化されていないことを特徴とする請求項１に記載の構成要素。
【請求項２９】
前記アルミニウム下地および前記溶射被膜からなることを特徴とする請求項６に記載のチャンバ壁。
【請求項３０】
前記陽極化成された表面は封止されていることを特徴とする請求項６に記載のチャンバ壁。
【請求項３１】
前記陽極化成された表面は、粒子ブラスティングによって粗面化されていないことを特徴とする請求項６に記載のチャンバ壁。
【請求項３２】
前記アルミニウム下地および前記溶射被膜からなることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ・エッチング反応器。
【請求項３３】
前記陽極化成された表面は封止されていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ・エッチング反応器。
【請求項３４】
前記陽極化成された表面は、粒子ブラスティングによって粗面化されていないことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ・エッチング反応器。