【事件の表示】
　平成１１年特許願第５４９０７６号「薄膜トランジスタを有する電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月　７日国際公開、ＷＯ９９／５０９１１、平成１４年　１月　８日国内公表、特表２００２−５００８２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９９年２月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年３月２８日、イギリス）を国際出願日とする出願であって、平成２２年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において、平成２３年１２月６日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２４年３月８日に手続補正がなされるとともに、同日に意見書が提出されたものである。
　
２．当審における拒絶の理由
　当審において、平成２３年１２月６日付けで通知した拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
　
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、その優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−１６９９７４号公報、特開平７−１１１３３３号公報、特開平７−１３１０３０号公報及び特開平６−３３８６１５号公報に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２４年３月８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板上に、薄膜スイッチングトランジスタのスイッチングマトリクスと、該マトリクスの前記薄膜スイッチングトランジスタに結合された薄膜回路トランジスタを有する周辺駆動回路とを有する電子装置において、
　前記薄膜回路トランジスタは結晶質半導体膜内に形成された或る導電型の第１のソース領域と第１のドレイン領域と、これらの第１のソース領域と第１のドレイン領域の間の前記或る導電型の第１の導電チャンネル及びこの第１の導電チャンネルを制御するための、前記結晶質半導体膜の上方に設けられた第１の絶縁ゲートを有し、
　前記薄膜スイッチングトランジスタは前記結晶質半導体膜に前記或る導電型の第２のソース領域と第２のドレイン領域と、これらの第２のソース領域と第２のドレイン領域の間の前記或る導電型の第２の導電チャンネル及びこの第２の導電チャンネルを制御するための、前記結晶質半導体膜の上方に設けられた第２の絶縁ゲートを有し、
　前記薄膜回路トランジスタでは、前記或る導電型で、前記第１のドレイン領域よりも低いドーピング濃度を有するただ一つの第１の電界解放領域が前記第１の導電チャンネルと前記第１のドレイン領域との間に設けられ、および前記薄膜スイッチングトランジスタでは、前記或る導電型で、前記第２のドレイン領域よりも低いドーピング濃度を有するただ一つの第２の電界解放領域が前記第２の導電チャンネルと前記第２のドレイン領域との間に設けられ、
　前記薄膜回路トランジスタの少なくとも幾つかにおいては、前記第１のゲートの両端部直下に前記第１のソースおよび前記第１のドレインが存在し、第１の電界解放領域全体が前記第１のゲートと重なり合って、該第１の電界解放領域における直列抵抗を前記ゲートとの導電率変調により減少させ、
　前記薄膜スイッチングトランジスタにおいては、前記第２のゲートの両端部の直下に前記第２のソースおよび前記第２の電界解放領域が存在し、前記第２のドレインは前記第２のゲートとの重なりからオフセットされて、前記第１のゲートと前記第１の電界解放領域との重なりを有する前記薄膜回路トランジスタよりも少ない漏れ電流を有するようにしたことを特徴とする電子装置。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）当審における拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１６９９７４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし６とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与したものである。以下同様。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ガラス等の絶縁材料、あるいは珪素ウェハー上に酸化珪素等の絶縁被膜を形成した材料等の絶縁表面上に形成される絶縁ゲイト型トランジスタ（ＴＦＴ）およびその作製方法に関する。
「【００１５】図１は本発明の基本的な工程を示している。まず、
基板１０１上に下地絶縁膜１０２を形成し、さらに活性層１０３を結晶性半導体（本発明では単結晶、多結晶、セミアモルファス等、結晶が少しでも混在している半導体を結晶性半導体という）によって形成する。そして、これを覆って酸化珪素等の材料によって絶縁膜１０４を形成し、さらに陽極酸化可能な材料によって被膜を形成する。
【００１６】
さらにその被膜を覆って、陽極酸化においてマスクとなる膜を形成し、この両者を同時にパターニング、エッチングして、ゲイト電極１０５とその上のマスク膜１０６を形成する。
【００１７】次に、ゲイト電極１０５に電解溶液中で電流を印加することによってゲイト電極の側面に多孔質の陽極酸化物１０７を形成する。この陽極酸化工程は、３〜２０％のクエン酸もしくはシュウ酸、燐酸、クロム酸、硫酸等の酸性の水溶液を用いておこなう。溶液の水素イオン濃度ｐＨは２未満であることが望ましい。最適なｐＨは電解溶液の種類に依存するが、シュウ酸の場合には０．９〜１．０である。この場合には、１０〜３０Ｖ程度の低電圧で０．５μｍ以上の厚い陽極酸化物を形成することができる。（図１（Ｂ））
【００１８】そして、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等によって絶縁膜１０４をエッチングする。このエッチング深さは任意であり、下に存在する活性層が露出するまでエッチングをおこなっても、その途中でとめてもよい。しかし、量産性・歩留り・均一性の観点からは、活性層に至るまでエッチングすることが望ましい。この際には陽極酸化物１０７およびゲイト電極１０５に覆われた領域の下側の絶縁膜（ゲイト絶縁膜）にはもとの厚さの絶縁膜が残される。なお、ゲイト電極がアルミニウム、タンタル、、チタンを主成分とし、一方、絶縁膜１０４が酸化珪素を主成分とする場合において、ドライエッチング法を用いる場合には、フッ素系（例えばＮＦ3 、ＳＦ6 ）のエッチングガスを用いて、ドライエッチングをおこなえば、酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンのエッチングレートは十分に小さいので絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。
【００１９】また、ウェットエッチングにおいては、１／１００フッ酸等のフッ酸系のエッチャントを用いればよい。この場合にも酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンのエッチングレートは十分に小さいので絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。（図１（Ｃ））
【００２０】その後、陽極酸化物１０７を除去する。エッチャントとしては、燐酸系の溶液、例えば、燐酸、酢酸、硝酸の混酸等が好ましい。しかし、単に、例えばゲイト電極がアルミニウムの場合には燐酸系のエッチャントを用いると、同時にゲイト電極もエッチングされてしまう。そこで、本発明においては、その前の工程でゲイト電極に３〜１０％の酒石液、硼酸、硝酸が含まれたエチレングルコール溶液中で、電流を印加することによって、ゲイト電極の側面および上面にバリヤ型の陽極酸化物１０８を設けておくと良い。この陽極酸化工程においては、電解溶液のｐＨは２以上、好ましくは３以上、さらに好ましくは６．９〜７．１とするとよい。このような溶液を得るにはアンモニア等のアルカリ溶液を用いて中和させると良い。このようにして得られる陽極酸化物の厚さはゲイト電極１０５と対向の電極との間に印加される電圧の大きさによって決定される。
【００２１】注目すべきは、バリヤ型の陽極酸化が後の工程であるにもかかわらず、多孔質の陽極酸化物の外側にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、バリヤ型の陽極酸化物１０８は多孔質陽極酸化物１０７とゲイト電極１０５の間に形成されることである。上記の燐酸系のエッチャントにおいては、多孔質陽極酸化物のエッチングレートはバリヤ型陽極酸化物のエッチングレートの１０倍以上である。したがって、バリヤ型の陽極酸化物１０８は、燐酸系のエッチャントでは実質的にエッチングされないので、内側のゲイト電極を守ることができる。（図１（Ｄ）、（Ｅ））
【００２２】
以上の工程によって、ゲイト電極の下側に選択的に絶縁膜１０４の一部（以下、これをゲイト絶縁膜と称することにする）が残存した構造を得ることができる。
活性層１０３におけるゲイト電極下のチャネル形成領域の外側にはゲイト絶縁膜１０４’の存在する領域と、存在しない領域とが自己整合的に形成されるのである。
【００２３】
この構造で加速したＮ型もしくはＰ型の不純物のイオンを活性層に注入すると、絶縁膜１０４が存在しない（もしくは薄い）領域には多くのイオンが注入され、（相対的に）高濃度の不純物領域（低抵抗不純物領域）１１０、１１３が形成される。一方、ゲイト絶縁膜１０４’が存在する領域では、このゲイト絶縁膜中にイオンが注入され、それを透過したイオンのみが半導体に注入されるため、そのイオン注入量は相対的に減少して、低濃度の不純物領域（高抵抗不純物領域）１１１、１１２が形成される。
「【００２６】また、
本発明においては図１の陽極酸化物１０８の厚さを適切に利用することによって、ゲイト電極の端部と不純物領域の位置関係を任意に変更できる。
【００２７】したがって、
図４（Ａ）に示すように、
ほとんどゲイト電極４０１の端部４０５と高抵抗不純物領域４０７の端部４０６が重なりもせず、離れもしない一致状態となる。図４（Ｂ）のように
ゲイト電極の端部４０５と高抵抗不純物領域の端部４０６が離れたオフセット状態となる。
図４（Ｃ）のように陽極酸化物４０２の厚さが小さくなれば、ゲイト電極と高抵抗不純物領域が重なりあうオーバーラップの状態となる。このオーバーラップは、図４（Ｄ）のようにゲイト電極４０１の周囲に陽極酸化物が存在しない状態で最大となる。
【００２８】
一般にオフセット状態では、逆方向リーク電流が低下し、オン／オフ比が向上するという特徴を有し、例えば、アクティブマトリクス液晶ディスプレーの画素の制御に用いられるＴＦＴ（画素ＴＦＴ）のように、リーク電流の少ないことが必要とされる用途に適している。
【００２９】
オーバーラップ状態のものでは上記のようなホットキャリヤのトラップによる劣化は減少し、また、オン電流が増加するが、リーク電流が増加するという欠点がある。このため、大きな電流駆動能力の要求される用途、例えば、モノリシック型アクティブマトリクスの周辺回路にもちいられるＴＦＴ（ドライバーＴＦＴ）に適している。
「【００３９】
図１に示した手法を用いて、１枚の基板上に複数のＴＦＴを形成した例を図５（Ａ）に示す。この例ではＴＦＴはＴＦＴ１〜３の３つを形成した。ＴＦＴ１および２はドライバーＴＦＴとして用いられるもので、図１の陽極酸化物１０８に相当する酸化物５０１、５０２の厚さを２００〜１０００Å、例えば５００Åの薄いものとし、若干、ゲイト電極と高抵抗領域（ＨＲＤ）がオーバーラップとなるようにした。
【００４０】一方、
ＴＦＴ３は画素ＴＦＴとして用いられるものであり、陽極酸化物５０３を２０００Åと厚くして、オフセット状態（図４（Ｂ）に対応）とし、リーク電流を抑制した。
「【図面の簡単な説明】
【図１】　実施例１によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図２】　実施例２によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図３】　実施例３によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図４】　本発明におけるオフセット、オーバーラップの関係について示す。
【図５】　実施例１および２によって得られたＴＦＴの集積回路の例を示す。
【図６】　従来法によるＴＦＴの作製方法を示す。」
　
（４−２）以上の記載から、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「１枚の基板上に、モノリシック型アクティブマトリクスの周辺回路に用いられるＴＦＴ（ドライバーＴＦＴ）とアクティブマトリクス液晶ディスプレーの画素の制御に用いられるＴＦＴ（画素ＴＦＴ）を形成した集積回路において、
前記ドライバーＴＦＴと前記画素ＴＦＴは、結晶性半導体によって形成された活性層１０３上に形成されたゲイト電極１０５と、前記ゲイト電極１０５の下及び前記ゲイト電極１０５の下のチャネル形成領域の外側に存在するゲイト絶縁膜１０４’と、前記活性層に形成され、前記ゲイト絶縁膜１０４’が存在しない領域に形成された低抵抗不純物領域１１０、１１３と前記ゲイト絶縁膜１０４’が存在する領域に形成された高抵抗不純物領域１１１、１１２とからなり、
前記ドライバーＴＦＴでは、若干、前記ゲイト電極１０５と前記高抵抗不純物領域１１０、１１３が重なりあうオーバーラップの状態となるようにし、
前記画素ＴＦＴでは、ゲイト電極１０５の端部と前記高抵抗不純物領域１１０、１１３の端部が離れたオフセット状態とした、集積回路。」
　
５．対比
（５−１）刊行物発明の「モノリシック型アクティブマトリクス」、「画素ＴＦＴ」、「周辺回路」、「ドライバーＴＦＴ」及び「集積回路」は、各々本願発明の「スイッチングマトリクス」、「薄膜スイッチングトランジスタ」、「周辺駆動回路」、「薄膜回路トランジスタ」及び「電子装置」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「結晶性半導体によって形成された活性層１０３」は、本願発明の「結晶質半導体膜」に相当する。
　
（５−３）刊行物発明の「ドライバーＴＦＴ」を構成する「ゲイト電極１０５」、「低抵抗不純物領域１１０、１１３」、「チャネル形成領域」は、各々本願発明の「第１の絶縁ゲート」、「第１のソース領域と第１のドレイン領域」及び「第１の導電チャンネル」に相当する。
　
（５−４）刊行物発明の「画素ＴＦＴ」を構成する「ゲイト電極１０５」、「低抵抗不純物領域１１０、１１３」及び「チャネル形成領域」は、各々本願発明の「第２の絶縁ゲート」、「第２のソース領域と第２のドレイン領域」及び「第２の導電チャンネル」に相当する。
　
（５−５）刊行物発明の「ドライバーＴＦＴ」を構成する「高抵抗不純物領域１１１、１１２」のうち、ドレインとなる「低抵抗不純物領域」と「チャネル形成領域」の間に形成された「高抵抗不純物領域」は、本願発明の「第１の電界解放領域」に相当する。
　そして、引用刊行物の「【００２９】オーバーラップ状態のものでは上記のようなホットキャリヤのトラップによる劣化は減少し、また、オン電流が増加するが、リーク電流が増加するという欠点がある。このため、大きな電流駆動能力の要求される用途、例えば、モノリシック型アクティブマトリクスの周辺回路にもちいられるＴＦＴ（ドライバーＴＦＴ）に適している。実際に使用するＴＦＴを図４（Ａ）〜（Ｄ）のいずれのものとするかは、ＴＦＴの用途によって決定されればよい。」という記載から、刊行物発明の「ドライバーＴＦＴ」において、「若干、」「ゲイト電極１０５と」「高抵抗不純物領域」「が重なりあうオーバーラップの状態とな」っている部分において、「高抵抗不純物領域」における直列抵抗が「ゲイト電極１０５」との導電変調により減少しているものと認められる。
　
（５−６）刊行物発明の「画素ＴＦＴ」を構成する「高抵抗不純物領域１１１、１１２」のうち、ドレインとなる「低抵抗不純物領域」と「チャネル形成領域」の間に形成された「高抵抗不純物領域」は、本願発明の「第２の電界解放領域」に相当する。
　そして、「引用刊行物の「【００２８】一般にオフセット状態では、逆方向リーク電流が低下し、オン／オフ比が向上するという特徴を有し、例えば、アクティブマトリクス液晶ディスプレーの画素の制御に用いられるＴＦＴ（画素ＴＦＴ）のように、リーク電流の少ないことが必要とされる用途に適している。しかしながら、ＨＲＤの端部で発生したホットキャリヤが陽極酸化物にトラップされることによって、劣化するという欠点も合わせ持つ。」という記載から、「ゲイト電極１０５の端部と」「高抵抗不純物領域」「の端部が離れたオフセット状態と」なっている刊行物発明の「画素ＴＦＴ」は、「ドライバーＴＦＴ」よりも少ない漏れ電流を有するものと認められる。
　
（５−７）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「基板上に、薄膜スイッチングトランジスタのスイッチングマトリクスと、該マトリクスの前記薄膜スイッチングトランジスタに結合された薄膜回路トランジスタを有する周辺駆動回路とを有する電子装置において、
　前記薄膜回路トランジスタは結晶質半導体膜内に形成された或る導電型の第１のソース領域と第１のドレイン領域と、これらの第１のソース領域と第１のドレイン領域の間の前記或る導電型の第１の導電チャンネル及びこの第１の導電チャンネルを制御するための、前記結晶質半導体膜の上方に設けられた第１の絶縁ゲートを有し、
　前記薄膜スイッチングトランジスタは前記結晶質半導体膜に前記或る導電型の第２のソース領域と第２のドレイン領域と、これらの第２のソース領域と第２のドレイン領域の間の前記或る導電型の第２の導電チャンネル及びこの第２の導電チャンネルを制御するための、前記結晶質半導体膜の上方に設けられた第２の絶縁ゲートを有し、
　前記薄膜回路トランジスタでは、前記或る導電型で、前記第１のドレイン領域よりも低いドーピング濃度を有する第１の電界解放領域が前記第１の導電チャンネルと前記第１のドレイン領域との間に設けられ、および前記薄膜スイッチングトランジスタでは、前記或る導電型で、前記第２のドレイン領域よりも低いドーピング濃度を有する第２の電界解放領域が前記第２の導電チャンネルと前記第２のドレイン領域との間に設けられ、
　前記薄膜回路トランジスタの少なくとも幾つかにおいては、第１の電界解放領域が前記第１のゲートと重なり合って、該第１の電界解放領域における直列抵抗を前記ゲートとの導電率変調により減少させ、
　前記薄膜スイッチングトランジスタにおいては、前記第２のドレインは前記第２のゲートとの重なりからオフセットされて、前記第１のゲートと前記第１の電界解放領域との重なりを有する前記薄膜回路トランジスタよりも少ない漏れ電流を有するようにしたことを特徴とする電子装置。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「薄膜回路トランジスタの少なくとも幾つかにおいては、」「第１のゲートの両端部直下に」「第１のソースおよび」「第１のドレインが存在し、第１の電界解放領域全体が」「第１のゲートと重なり合って」いるのに対して、刊行物発明では、「ドライバーＴＦＴでは、若干、」「ゲイト電極１０５と」「高抵抗不純物領域」「が重なりあうオーバーラップの状態とな」っており、「ゲイト電極１０５」の直下に「低抵抗不純物領域１１０、１１３」は存在していない点。
　
（相違点２）本願発明では、「薄膜スイッチングトランジスタにおいては、」「第２のゲートの両端部の直下に」「第２のソースおよび」「第２の電界解放領域が存在し」ているのに対して、刊行物発明では、「ゲイト電極１０５」の直下に、ソース領域となる「低抵抗不純物領域」、「高抵抗不純物領域」が存在していない点。
　
（相違点３）「薄膜回路トランジスタでは、」「ただ一つの第１の電界解放領域が」「第１の導電チャンネルと」「第１のドレイン領域との間に設けられ、」「薄膜スイッチングトランジスタでは、」「ただ一つの第２の電界解放領域が」「第２の導電チャンネルと」「第２のドレイン領域との間に設けられ」ているのに対し、刊行物発明では、ソース領域及びドレイン領域に相当する「低抵抗不純物領域１１０、１１３」と「チャネル形成領域」の間の双方に、「高抵抗不純物領域１１１、１１２」を有する点。
　
６．判断
（６−１）相違点１について
　一般に、ＭＯＳトランジスタにおいて、ソース及びドレインの不純物領域をゲートにオーバーラップさせるほど抵抗が小さくなるが、ソース電流が増加することは、当業者の技術常識である点、及び引用刊行物の【００２６】及び【００２９】には、ゲイト電極と高抵抗不純物領域をオーバーラップさせることにより、リーク電流は増加するが、オン電流が増加すること、そして、どの程度オーバーラップさせるかということは、当業者がＴＦＴの用途に応じて適宜設定し得ることが記載されている点を勘案すると、刊行物発明においても、ゲイト電極と高抵抗不純物領域のオーバーラップ部分が大きいほど、リーク電流は増加するが、オン電流が増加することは、当業者であれば当然に予想し得ることである。一方、引用刊行物の【００２７】には、「このオーバーラップは、図４（Ｄ）のようにゲイト電極４０１の周囲に陽極酸化物が存在しない状態で最大となる。」と記載されているように、オーバーラップを最大にさせたとしても、「ゲイト電極１０５の下のチャネル形成領域の外側に存在するゲイト絶縁膜１０４’が存在する領域に」「高抵抗不純物領域１１１、１１２」が残ってしまう。しかしながら、オン電流を大きくするという観点からは、ゲイト電極とオーバーラップしない部分はできるだけ小さいことが好ましいことは、当業者であれば容易に理解し得ることであり、このような高抵抗不純物領域を形成する方法は、引用刊行物に記載された方法に限らないから、刊行物発明の「ドライバーＴＦＴ」において、「高抵抗不純物領域１１１、１１２」をすべて「ゲート電極１０５」の下に形成することも、当業者が、必要に応じて、適宜なし得る程度のことにすぎない。
　そうすると、刊行物発明において、適当な製造方法を採用することにより、本願発明のように、「薄膜回路トランジスタの少なくとも幾つかにおいては、」「第１のゲートの両端部直下に」「第１のソースおよび」「第１のドレインが存在し、第１の電界解放領域全体が」「第１のゲートと重なり合って」いる構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−２）相違点２について
　刊行物発明において、ゲイト電極と高抵抗不純物領域とのオーバーラップの程度が大きくなればなるほど、オン電流が増加するとともに逆方向リーク電流が増大することは、上記（６−１）において検討したとおり、当業者であれば当然に予想し得ることである。そして、画素ＴＦＴはドライバーＴＦＴと比較して、相対的にリーク電流が小さいことが求められるところ、どの程度小さくする必要があるかは、それらが適用される装置により変わることはいうまでもないことであるから、画素ＴＦＴとして、引用刊行物の図４（Ｂ）に示されたような「ゲイト電極４０１の端部４０５と高抵抗不純物領域の端部４０６が離れたオフセット状態」（【００２７】）のものに換えて、図４（Ｃ）に記載されたような「ゲイト電極と高抵抗不純物領域が重なりあうオーバーラップの状態」（【００２７】）のものであって、ドライバーＴＦＴよりもゲイト電極と高抵抗不純物領域とのオーバーラップ状態が小さいものを採用することは、当業者が、必要に応じて適宜選択し得る程度のことと認められる。
　そうすると、上記（６−１）で述べたような、刊行物発明の「ドライバーＴＦＴ」の「高抵抗不純物領域１１１、１１２」をすべて「ゲート電極１０５」の下に形成した場合に、「画素ＴＦＴ」では、「ゲイト電極１０５」の直下に、ソース領域となる「低抵抗不純物領域」、「高抵抗不純物領域」を形成することにより、本願発明のように、 「薄膜スイッチングトランジスタにおいては、」「第２のゲートの両端部の直下に」「第２のソースおよび」「第２の電界解放領域が存在し」ている構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−３）相違点３について
　ＭＯＳＦＥＴにおいて、チャネル領域とドレイン領域の間にのみ高抵抗領域を形成することが望ましいことは、以下の周知例１ないし３に記載されているように、従来から周知である。
　
（ア）周知例１
　特開平７−１９３２４８号公報には、図９とともに、以下の記載がなされている。
「【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩＭＯＳＦＥＴは短チャネル効果の抑制に有利であることを、大村が１９９２年アイ・イー・ディ・エム・テクニカルダイジェスト（１９９２　ＩＥＤＭＴｅｃｈ．Ｄｉｇ．）、６７５ページに述べている。しかし、ＳＯＩＭＯＳＦＥＴは半導体下部に絶縁膜を持つために、ドレイン端で衝突電離によって発生したキャリア（ｎチャネルトランジスタの場合は正孔）が、支持基板に流入することができず、そのためＳＯＩ基板中の正孔濃度が上昇し、動作異常をひき起こす。この問題を解決するためには、ゲートオーバーラップＬＤＤ構造を用いてドレイン端の電界強度を低下させ正孔の発生を抑制することが有効であると、山口らは１９９０アイ・イー・ディー・エム・テクニカル・ダイジェスト（Ｙａｍａｇｕｃｈｉ　１９９０　ＩＥＤＭ　Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．）５９１ページに報告している。その構造を図９に示す。この構造はチャネル領域１９とソース電極４６もしくはドレイン電極４７の間にｎ−領域であるＬＤＤ領域４８があることが特徴である。これはドレイン側にｎ−領域によるＬＤＤ４８領域があることによって、ドレイン電界を緩和し、衝突電離を抑制し、正孔の発生を抑制するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図９の従来例では、ドレイン側の構造は正孔濃度の抑制に有効であるが、ソース側の構造は正孔濃度の抑制に寄与しない。ソース側の構造は、電圧の方向が反転した場合にそれをドレインとして機能させるためにあるに過ぎず、ソース電極として働くときに、正孔濃度の抑制に寄与するものではない。
【０００４】一方、論理ＬＳＩの基本回路、メモリＬＳＩの周辺回路に使用されるＣＭＯＳ構成においては、一部の伝達ゲートを除き、電圧の加わる方向は一定であり、反転することはない。従って、このような素子に用いるトランジスタではソース、ドレインそれぞれの構造を最適化することが可能となる。そこで、ソース構造も正孔濃度の抑制に有利なように改良し、正孔濃度を抑制する効果を高めることができる。
【０００５】
しかし、ソース側では衝突電離がないため、ドレイン側のような衝突電離の抑制を目的とした電界の緩和は有効ではなく、異なった視点に基づいた構造が要求される。
　
（イ）周知例２
　特開平７−２２６５１９号公報には、以下の記載がなされている。
　「【０００６】以上の様に優れた性質を持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタであるが、オフ電流が高く、また、ゲイト電圧を逆バイアス側（Ｎ型ＴＦＴであればマイナス側、Ｐ型ＴＦＴであればプラス側）に印加した場合に電流が増大するという現象を示すなどまだまだ改善すべき点は多い。
【０００７】
この逆バイアス側での電流増大はドレイン電極側にオフセット構造やＬＤＤ構造を形成することで回避できることが知られている。
結果としてソース電極側にもオフセットや高抵抗部ができ、この部分がＴＦＴに対して直列の抵抗になってしまうためにオン電流が減少するという不都合が生じる。ソース側のオフセットおよび高抵抗部をなくすためにはフォトリソグラフィーの回数を２回、イオン注入を２回増やすことで可能であるが、この工程増加は明らかにコスト増加と歩留まり低下をもたらす。
　
（ウ）周知例３
　特開平７−２２６５１８号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００９】
【本発明が解決しようとする課題】以上述べたように、オフ電流や逆バイアスのゲイト電圧を印加した時にドレイン・ソース電極間に流れる電流が小さく、かつ、十分大きいオン電流が得られ、さらにドレイン電流の急激な増大が起こらない信頼性も高いＴＦＴが求められていた。
【００１０】
このようなＴＦＴを得るためには、オフセット構造或はＬＤＤ構造をドレイン側にのみに作製することが望ましいが、従来の方法では、大幅な工程数の増加なしには製造できなかったため、歩留まりやコストの面で非常に不利であった。
　
　そうすると、刊行物発明において、このような周知の技術思想を勘案することにより、本願発明のように、「薄膜回路トランジスタでは、」「ただ一つの第１の電界解放領域が」「第１の導電チャンネルと」「第１のドレイン領域との間に設けられ、」「薄膜スイッチングトランジスタでは、」「ただ一つの第２の電界解放領域が」「第２の導電チャンネルと」「第２のドレイン領域との間に設けられ」た構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点３は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−４）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、周知の技術思想を勘案することにより、容易に想到し得たものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。