Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気泳動式ディスプレイであって、
（ａ）透明な最上層と、
（ｂ）電気泳動流体が充填され且つ電気泳動流体の比重より低比重のシーリング組成物で形成されたシーリング層によってシールされた複数のセルであって、一部または全てが凸形状の副次的な構造体を内部に有するものと、
（ｃ）最下層とを有する電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２】
上記凸形状の副次的な構造体が、不連続の構造体である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３】
上記不連続の構造体が、円柱形状、円筒形状、楔形状、または十字形状である請求項２の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項４】
上記凸形状の副次的な構造体が、連続の構造体である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項５】
上記連続な構造体が、壁状または格子状である請求項４の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項６】
上記凸形状の副次的な構造体の最上端と透明な最上層との間にギャップが存在する請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項７】
上記ギャップが、約３〜約５０ミクロンである請求項６の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項８】
上記ギャップが、約５〜約３０ミクロンである請求項７の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項９】
上記ギャップが、約１０〜約２０ミクロンである請求項８の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１０】
上記副次的な構造体が、円形、正方形、長方形、または楕円形の断面を有する請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１１】
上記凸形状の副次的な構造体が、約３〜約５０ミクロンの範囲の直径または幅を有する請求項３の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１２】
上記凸形状の副次的な構造体が、約５〜約３０ミクロンの範囲の直径または幅を有する請求項１１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１３】
上記凸形状の副次的な構造体が、約８〜約２０ミクロンの範囲の直径または幅を有する請求項１２の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１４】
上記ディスプレイが、セルあたり平均して少なくとも一つの凸形状の副次的な構造体を有する請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１５】
一部の上記セルが、内部に副次的な構造体を有していない請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１６】
上記副次的な構造体の最上面が、任意の形状であり、且つ上記構造体の最下面より大きくない請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１７】
凸形状の副次的な構造体と任意のセルの壁との間の最小の距離が、上記セルの高さの３倍より小さい請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１８】
凸形状の副次的な構造体と任意のセルの壁との間の最小の距離が、上記セルの高さの２倍より小さい請求項１７の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項１９】
複数のセルが、異なる大きさや形状のセルを含む請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２０】
セルが非球形である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２１】
セルが、約１×１０２〜約１×１０６μｍ２の範囲の開口面積を有するマイクロカップから形成されている請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２２】
セルが、約１×１０３〜約１×１０５μｍ２の範囲の開口面積を有するマイクロカップから形成されている請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２３】
セルが、円形、多角形、六角形、長方形、または正方形の開口を有するマイクロカップから形成されている請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２４】
セルが、約５〜約２００ミクロンの範囲の深さを有する請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２５】
セルが、約１０〜約１００ミクロンの範囲の深さを有する請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２６】
セルの全面積に対する開口比が約０．０５〜約０．９５である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２７】
セルの全面積に対する開口比が約０．４〜約０．９である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項２８】
上記最上層と最下層のそれぞれが電極プレートを構成し、上記ディスプレイが上下切替型である請求項１のディスプレイ。
【請求項２９】
上記透明な最上層が電極プレートを構成し、上記最下層が絶縁層を構成し、上記ディスプレイが面内切替型である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３０】
上記最上層と最下層のそれぞれが電極プレートを構成し、上記ディスプレイが二重切替型である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３１】
上記凸形状の副次的な構造体が着色されている請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３２】
上記シーリング組成物が、放射線で硬化する組成物である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３３】
上記シーリング組成物が、熱または水分で硬化する組成物である請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３４】
上記シーリング組成物が、熱可塑性弾性体を含む請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３５】
上記熱可塑性弾性体は、化学式ＡＢＡまたは（ＡＢ）ｎで示される二重または三重若しくは多重の共重合体であって、
Ａは、スチレン、α−メチルスチレン、エチレン、プロピレン、またはノルボネンであり、
Ｂは、ブタジエン、イソプレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ジメトイルシロキサン、またはプロピレン硫化物であり、
ｎは、１以上である請求項３４の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３６】
上記熱可塑性弾性体は、ポリ（スチレン−ｂ−ブタジエン）、ポリ（スチレン−ｂ−ブタジエン−ｂ−スチレン）、ポリ（スチレン−ｂ−イソプレン−ｂ−スチレン）、ポリ（スチレン−ｂ−エチレン/ブチレン−ｂ−スチレン）、ポリ（スチレン−ｂ−ジメチルシロキサン−ｂ−スチレン）、ポリ（α−メチルスチレン−ｂ−イソプレン）、ポリ（α−メチルスチレン−ｂ−イソプレン−ｂ−α−メチルスチレン）、ポリ（α−メチルスチレン−ｂ−プロピレン硫化物−ｂ−α−メチルスチレン）、ポリ（α−メチルスチレン−ｂ−ジメチルシロキサン−ｂ−α−メチルスチレン）を含む群から選択されたものである請求項３４の電気泳動式ディスプレイ。
【請求項３７】
上記電気泳動流体は、誘電性溶媒内に分散された混合色の帯電された顔料粒子を含む請求項１の電気泳動式ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射する半導体光源と、光学素子を有する光学系とを備え、光学系は、半導体光源からの放射光を受け取る入力部を備え、光学系は、光学素子からの光を受け取る出力部を備え、光学系及び半導体光源は、全体として、照明経路を提供する、光を提供する固体光源。
【請求項２】
出力部は、内視鏡によって受け取られるように構成される、請求項１に記載の固体光源。
【請求項３】
光学素子は、半導体光源からの放射光を受け取る入力部と半導体光源から受け取った光を放射する出力部とを有する光ファイバ素子を備え、半導体光源及び光ファイバ素子は、全体として、照明経路を提供する、請求項１又は２に記載の固体光源。
【請求項４】
光ファイバ素子は、半導体光源から光ガイドの界面へ延びる光ファイバを備え、光ガイドは、出力部へ延びる、請求項１から３の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項５】
光ファイバ素子は、複数の光ファイバ線の形態であり、複数の光ファイバ線のそれぞれは、半導体光源からの放射光を受け取る、請求項１から４の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項６】
複数の光ファイバ線は、束の形態である、請求項５に記載の固体光源。
【請求項７】
半導体光源は、第１の面及び第２の面を備え、第１の面及び第２の面から反対方向に光を放射するように構成される、請求項１から６の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項８】
半導体光源の第１の面は、第１の光ファイバ線に光を放射し、半導体光源の第２の面は、第２の光ファイバ線に光を放射する、請求項７に記載の固体光源。
【請求項９】
半導体光源は、第１の面に実質的に垂直である第３の面及び第４の面を備え、半導体光源は、第３の面及び第４の面から反対方向に光を放射するように構成され、半導体光源の第３の面は、第３の光ファイバ線に光を放射するように構成され、半導体光源の第４の面は、第４の光ファイバ線に光を放射するように構成される、請求項７又は８に記載の固体光源。
【請求項１０】
複数の半導体光源をさらに備える、請求項１から９の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１１】
光ファイバ素子は、光ファイバ線のアレイであり、各光ファイバ線は、複数の半導体光源のうちの対応するものに位置合わせされる、請求項３から１０の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１２】
半導体光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える、請求項１から１１の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１３】
半導体光源は、青色光を放射するように構成される、請求項１から１２の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１４】
半導体光源は、紫外光を放射するように構成される、請求項１から１２の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１５】
蛍光体層をさらに備え、蛍光体層は、照明経路に沿って配置される、請求項１から１４の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１６】
各半導体光源は、蛍光体層に接触している、請求項１５に記載の固体光源。
【請求項１７】
蛍光体層は、光ファイバ素子の遠位端に配置される、請求項１５又は１６に記載の固体光源。
【請求項１８】
半導体光源に配置された光集中器をさらに備え、光集中器は、半導体光源の少なくとも１面からの光を反射する、請求項１から１７の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項１９】
半導体光源は、青色光を放射するように構成された第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、赤色光を放射するように構成された第２のＬＥＤと、緑色光を放射するように構成された第３のＬＥＤとを備え、各ＬＥＤからの重なり光が白色光を生成する、請求項１から１８の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項２０】
第１のＬＥＤ、第２のＬＥＤ及び第３のＬＥＤからの光を受け取るように配置され、かつその重なり光を光ファイバ素子に送るように配置された混合器をさらに備える、請求項１９に記載の固体光源。
【請求項２１】
半導体光源は、黄色光を放射するように構成された第４のＬＥＤを備え、混合器は、第４のＬＥＤからの光を受け取る、請求項２０に記載の固体光源。
【請求項２２】
半導体光源は、レーザーダイオードを備える、請求項１から２１の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項２３】
半導体光源は、垂直共振器型面発光レーザーを備える、請求項１から２２の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項２４】
半導体光源の上に配置された開口を有する枠をさらに備え、ゲルが枠の内部に配置され、光ファイバ素子は、開口及びゲルを通って挿入される、請求項１から２３の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項２５】
半導体光源の上面に配置されたオーム性コンタクトをさらに備え、光ファイバ束は、オーム性コンタクトを受け入れるスプライス端を備える、請求項２４に記載の固体光源。
【請求項２６】
半導体光源からの光を受け取るレンズをさらに備える、請求項１から２５の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項２７】
半導体光源は、レンズと光学的に位置合わせされ、レンズは、光ファイバ素子と光学的に位置合わせされる、請求項２６に記載の固体光源。
【請求項２８】
半導体光源は、レンズからの第１の光学的共役面に配置され、光ファイバ素子は、レンズからの第２の光学的共役面に配置される、請求項２６又は２７に記載の固体光源。
【請求項２９】
レンズのアレイをさらに備える、請求項１から２８の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項３０】
各レンズに対応する光ファイバ線のアレイをさらに備える、請求項２９に記載の固体光源。
【請求項３１】
各レンズに対応する半導体光源のアレイをさらに備える、請求項２９又は３０に記載の固体光源。
【請求項３２】
レンズのアレイは、対応する半導体光源のアレイからの光を平行にするように構成され、集光レンズは、レンズのアレイからの平行光を集束させるように構成される、請求項２９から３１の何れか１つに記載の固体光源。
【請求項３３】
集光レンズは、平行光を光ガイドに集束させる、請求項３３に記載の固体光源。
【請求項３４】
請求項１から３３の何れか１つに記載の固体光源を備える内視鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの端壁に取り付けられた弱化ブリッジを含むフラグ部材を有する未使用の容器を用意する段階と、
上記未使用の容器がアナライザ上へ設置されたときに上記弱化ブリッジの変位を信号で知らせるようにしてあるセンサ・プローブで弱化ブリッジを変位させる段階と、
信号値が未使用の容器のためにあらかじめ決定された信号値範囲の外にあるかどうかを決定するために、該信号を分析する段階と
を含む、少なくとも１つの端壁を有する試薬容器がアナライザ上へ設置されたときに、該試薬容器が使用済みであることを決定する方法。
【請求項２】
信号値が未使用の容器のためにあらかじめ決定された信号値範囲の外にあるときにはいつでも、アナライザに容器を自動的に排出させることをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
信号値が未使用の容器のためにあらかじめ決定された信号値範囲の外にあるときにはいつでも、アナライザに自動的に警告を発生させることをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項４】
信号値が未使用の容器のためにあらかじめ決定された信号値範囲の外にあるときにはいつでも、アナライザに自動的に待機作動モードに入らせることをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項５】
弱化ブリッジが少なくとも１つの該端壁に取り付けれられた２つのパイロン間に装着されている、請求項１の方法。
【請求項６】
センサ・プローブが、それを弱化ブリッジと接触させたときにプローブが受けた変位量を示す電子信号を発生するようにしてある変位読み取りトランスデューサを含む、請求項５の方法。
【請求項７】
該ブリッジが、センサ・プローブに抗して容器を移動させることによって、パイロン間の未使用位置からパイロン間の使用済み位置に再配置される、請求項６の方法。
【請求項８】
２つの側壁間の第１の端壁から第２の端壁までほぼ細長いくさび状に全体的に先細りとなっている容器ストリップの形態をした多区画式試薬容器であり、少なくとも１つの端壁に取り付けられる弱化ブリッジを有するフラグ部材を含む容器。
【請求項９】
該弱化ブリッジが少なくとも１つの該端壁に取り付けられた２つのパイロンの間で装着され、ブリッジおよびパイロンが端壁に近接した開放領域を確定する、請求項８の容器。
【請求項１０】
弱化ブリッジが、開放領域に隣接するブリッジの中央付近に形成された切欠きを含む、請求項９の容器。
【請求項１１】
弱化ブリッジが、さらに、パイロンと結合するブリッジの端部に形成された一対の尖点を含む、請求項１０の容器。
【請求項１２】
尖点が、ブリッジの切欠きとは反対側に形成される、請求項１１の容器。
【請求項１３】
弱化ブリッジが、開放領域に隣接するブリッジの中央付近に形成された切欠きを含む、請求項５の方法。
【請求項１４】
弱化ブリッジが、さらに、パイロンと結合するブリッジの端部に形成された一対の尖点を含む、請求項５の方法。
【請求項１５】
尖点が、ブリッジの切欠きとは反対の側に形成される、請求項１４の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  細管であって、前記細管に沿って少なくとも部分的に延びる複数のルーメンと、向かい合う部分が互いに接触するまで圧縮可能であるように充分な可撓性を有する材料から少なくとも部分的に構成された壁面とを有する細管と；
その長さに沿って複数の区分を規定する、少なくとも１つの前記細胞又はルーメンと；
少なくとも２つの区分を接続すると共に、前記少なくとも２つの部分の間での選択的流体流を可能とする少なくとも１つの圧力ゲートと；
を含む、試料容器。
【請求項２】  前記圧力ゲートが不可逆的な圧力ゲートである、請求項１に記載の試料容器。
【請求項３】  少なくとも１つの区分が試薬を含有する、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項４】  前記試薬が、抗凝固剤、細胞溶解試薬、ヌクレオチド、酵素、DNAポリメラーゼ、テンプレートDNA、オリゴヌクレオチド、プライマ、抗原、抗体、受容体、リガンド、タンパク質、染料、マーカ、分子プローブ、緩衝剤、及び検出材料のうちの少なくとも１つである、請求項３に記載の試料容器。
【請求項５】  前記壁面が、前記細管の一部分の圧縮を可能にするために充分な可撓性を有する少なくとも第一の壁面部分と、前記細管の圧縮中に前記細管内の流れチャンネルを支持するために充分な剛性を有する少なくとも第二の壁面部分とを含む、複数の区分を有する、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項６】  前記第二の壁面部分が、その内側壁面表面上に埋設されたマイクロアレイ装置を含み、前記マイクロアレイが、複数の分析物を同時に分析するための複数の試薬含有域を有する、請求項５に記載の試料容器。
【請求項７】  前記細管が複数の層を含み、但し第一層が第一透過性を有し、前記第一層に対して外側の第二層が前記第一透過性よりも小さい第二透過性を有する、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項８】  前記細管の少なくとも１つのルーメンと流体連絡する界面を更に含み、前記界面が、前記細管の少なくとも１つのルーメンへの、又は、前記細管の少なくとも１つのルーメンからの、試料材料又は試薬の送達を容易にする、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項９】  前記細管の壁面内に形成された少なくとも１つの窪みであって、微小流体チャンネル、固定容量微小カップ、又はこれらの組合せのうちの少なくとも１つを形成する、少なくとも１つの窪みを更に含む、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項１０】  少なくとも１つの更なる圧力ゲートを、これら圧力ゲートが少なくとも２つの対の隣り合う区分を接続するように含み、これら圧力ゲートが、少なくとも２つの区分間の選択的流体流を可能とする、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【請求項１１】  前記細管の壁面の少なくとも一部分が透明な材料から構成される、上記請求項のいずれかに記載の試料容器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、該基板に接触している電解質および該基板近傍にあって該電解質に接触している電極を設け、少なくとも１つの第１電極の電位を、該第１電極近傍の基板を修正する活性レドックス生成物を生じさせるように変え、該第１電極近傍の第２電極により第２レドックス生成物を生成することを含み、該電解質が、第２レドックス生成物によって該活性レドックス生成物が消滅可能（quenchable）となるようなものであること、および修正される基板が第１電極も第２電極もいずれも形成せず、かつ該第１および第２電極から分離していることを特徴とする方法。
【請求項２】
電解質が溶媒を含み、前記活性レドックス生成物も第２レドックス生成物もいずれも当該溶媒から形成されない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電解質が有機溶媒を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
溶媒が、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノール、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、またはアセトニトリルから選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
消滅反応が前記電解質を再生させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
活性レドックス生成物がプロトンである請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第２レドックス生成物が有機ラジカルアニオンである請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
電解質がヒドロキノンおよびベンゾキノン、またはそれらの誘導体の溶液である請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
電解質が
【化１】
2005502032.tif 000001
｛式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は：
水素、ハロ、ヒドロキシル、チオ、ニトロ、アミノ、任意に置換されたＣ1〜Ｃ15ヒ
ドロカルビル（ここで３個までのＣ原子は任意にＮ、Ｏおよび／またはＳ原子で置換させることができる）から独立して選ばれるか；または
Ｒ3およびＲ4ならびに／またはＲ5およびＲ6は一体となって任意に置換されたＣ1〜Ｃ15シクロヒドロカルビレン（ここで３個までのＣ原子は任意にＮ、Ｏおよび／またはＳ原子で置換させることができる）を形成する｝の溶液である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
電解質がヒドロキノンおよびベンゾキノンのアセトニトリル溶液である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
電解質がさらに伝導率向上剤を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
伝導率向上剤がテトラ（Ｃ1-8アルキル）アンモニウム塩である、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
伝導率向上剤がテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
幾つかの処理を順次行うために、列の電極を、該列の１つ以上の電極の選択された組の電位を変えることによって各処理を行うように接続する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
基板が表面に結合された物質の列を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記表面が酸化シリコンウエハーの表面である請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
処理される物質が酸不安定性保護基を含む請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記表面上の物質から酸不安定性保護基を除去する電位で、列の少なくとも１つの電極をアノードとして接続することによって各処理を行う、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
オリゴマーの段階的化学合成中に前記または各処理を行う、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）保護基を有する物質の列、基板に接触している電解質および基板近傍にあって該電解質に接触している電極の列を結合させた基板を設け；
（ｂ）（i）選択された物質から該保護基を除去する活性レドックス生成物及び第２レドックス生成物を生じさせるように１つ以上の該電極の電位を選択的に変え；
（ｃ）保護されたモノマーと工程（ｂ）で生じさせた脱保護された物質をカップリングさせ；そして
（ｄ）１組のオリゴマーを合成するように、工程（ｂ）で選ばれた１つ以上の電極を変えながら、工程（ｂ）及び（ｃ）を繰り返す
工程を含み、該活性レドックス生成物が第２レドックス生成物によって消滅可能となるように該電解質を選ぶことを特徴とし、修正される基板が電極を形成せず、かつ当該電極の列から離れている、１組のオリゴマーの合成法。
【請求項２１】
電解質が溶媒を含み、活性レドックス生成物も第２レドックス生成物もいずれも該溶媒から形成されない、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
電解質が有機溶媒を含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
溶媒が、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノール、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはアセトニトリルから選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
消滅反応が電解質を再生させる、請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
物質の列を表面に結合させ、前記表面上に該オリゴマーを合成させる、請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
オリゴマーがオリゴヌクレオチドである、請求項２０〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
活性レドックス生成物がプロトンであり、そして保護基が酸不安定性保護基である、請求項２０〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
電解質が請求項８〜１２に定義された通りである、請求項２０〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
表面を有する絶縁物質のブロックおよび該表面上の列中に離間しているイリジウムの析出物を含み、各析出物がその電位を変えるために電気接続手段を備えている、請求項１〜２８のいずれか１項に記載の方法に用いるのに適する電極の列。
【請求項３０】
絶縁物質のブロックが酸化シリコンウエハーでる請求項２９記載の列。
【請求項３１】
イリジウム析出物が離間した平行線状をなしている、請求項２９または３０に記載の列。
【請求項３２】
（ｉ）その表面上に二酸化シリコン層を有するシリコンウエハーを設け；
（ｉｉ）離間した列をなしたイリジウムを該二酸化シリコン面に析出させ；そして
（ｉｉｉ）２００−５００℃の範囲の温度の空気中で該イリジウムをアニールする
工程を含む方法によって前記列を作る、請求項２９〜３１のいずれか１項に記載の列。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気センサであって、
半導体基板と、
半導体基板の上方に形成される磁気応答性の材料と、
導電性ストラップであって、導電性ストラップの少なくとも一部が磁気応答性の材料と前記基板との間に位置するように、磁気応答性の材料のまわりにコイルとして巻かれた導電性ストラップと、を含むことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記導電性ストラップはコイルを形成する複数のセグメントを含むことを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項３】
前記セグメントは水平及び垂直のセグメントから成ることを特徴とする請求項２の磁気センサ。
【請求項４】
前記導電性ストラップは非磁気伝導材料を含むことを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項５】
前記導電性ストラップは銅を含むことを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項６】
前記導電性ストラップはアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項７】
前記導電性ストラップは銅合金又はアルミニウム合金を含むことを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項８】
更に絶縁体を含み、前記磁気応答性の材料は該絶縁体内に埋設されることを特徴とする請求項１の磁気センサ。
【請求項９】
前記導電性ストラップは、前記コイルを形成する複数の垂直及び水平のセグメントを含むことを特徴とする請求項８の磁気センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光散乱粒子標識分析用装置であって、
分析用試料を示す基板を保持するように適合された基板ホルダと、
前記基板ホルダおよびそこに示される試料に向けられた光源を含む照明システムと、
前記基板ホルダおよび照明システムと協働して試料内の粒子から散乱する光を検出する光検出器を含む散乱光検出システムとを含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレート（１）と、
カバープレート（２）と、
第１主要端子（３１）と、前記ベースプレート（１）と導電接続した第２主要端子（３２）とを有する少なくとも１つの半導体デバイス（３）と、
前記第１主要端子（３１）と前記カバープレート（２）との間に配置される少なくとも１つのバネ要素（４）と、
を備える圧力接触が可能なパワー半導体モジュールであって、
前記第１主要端子（３１）と前記カバープレート（２）との間の導電接続が、接触スタンプ（５）を備えて、前記バネ要素（４）の内側区域を通って導かれ、前記バネ要素（４）が、前記カバープレート（２）と前記接触スタンプ（５）との間に力を伝達する役割を果たすことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
前記接触スタンプ（５）が、前記カバープレート（２）に面する端面（５１）上に、前記カバープレート（２）と導電接続する変形可能な接続部材（６）を有することを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
前記接続部材（６）が、固定式の一体接続部（５６）を用いて前記接触スタンプ（５）の端面（５１）上に取り付けられることを特徴とする請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
前記バネ要素（４）によって前記接触スタンプ（５）と前記接続部材（６）との間に力を伝達することができることを特徴とする請求項２又は３に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
前記接触スタンプ（５）と前記接続部材（６）との間に前記力を伝達するために、前記接触スタンプ（５）と前記接続部材（６）との間に圧力作用部材（７）が設けられることを特徴とする請求項４に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
前記圧力作用部材（７）が、実質的にカップ状に形成され、前記接触スタンプ（５）のスタンプネック部（５２）が、前記圧力作用部材（７）の底部の開口（７１）を通って導かれることを特徴とする請求項５に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
前記圧力作用部材（７）が、電気絶縁材料からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
前記バネ要素（４）が、皿バネのスタックによって形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項９】
前記バネ要素（４）が、平行して配置された多数の個別バネ（４２）を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１０】
前記第１主電極（３１）と前記接触スタンプ（５）との間に、少なくとも１つの導電層があることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１１】
前記第２主電極（３２）と前記ベースプレート（１）との間に、少なくとも１つの導電層があることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電レーザの出力からレーザ光を利用する製造ライン機構の入力へレーザビームを届けるためのビームデリバリーユニットであって、
レーザビーム経路を与える囲み筐体と、
前記ビーム経路におけるビームをモニターするとともに、フィードバック信号を与えるビーム分析モジュールと、
前記ビーム伝達経路に沿うよう配置され、前記フィードバック信号に応答して先端傾斜補正を行うビームポインティングミラーと、
を有することを特徴とするビームデリバリーユニット。
【請求項２】
前記ビームポインティングミラーは誘電体被覆ミラーである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項３】
前記ビーム分析モジュールは、パルスごとに波長をモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項４】
前記ビーム分析モジュールは、パルスごとにパルスエネルギーをモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項５】
前記ビーム分析モジュールは、パルスごとにバンド幅をモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項６】
前記ビーム分析モジュールは、偏光をモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項７】
前記ビーム分析モジュールは、ビームのプロファイルをモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項８】
前記ビーム分析モジュールは、ビーム寸法をモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項９】
前記ビーム分析モジュールは、ビームポインティングをモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項１０】
前記ビーム分析モジュールは、パルスごとに波長、パルスエネルギー及びバンド幅をモニターするものである、請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項１１】
前記ビームポインティングミラーは第一のビームポインティングミラーであり、前記ビームデリバリーユニットは、前記フィードバック信号に応答して先端傾斜補正を行うよう制御される第二のビームポインティングミラーをビーム伝達経路に沿った位置に含んでいる請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項１２】
前記ビームは偏光されており、前記ビームポインティングミラーは当該ビームの偏光方向に対応するＳ偏光の方向に配向されている請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項１３】
さらに、前記囲み筐体を窒素でパージするパージ手段を備えている請求項１に記載のビームデリバリーユニット。
【請求項１４】
ガス放電レーザと、
前記ガス放電レーザからレーザ光を利用する製造ライン機構の入力へレーザビームを届けるためのビームデリバリーユニットとを有し、
前記ビームデリバリーユニットは、レーザビーム経路を与える囲み筐体、レーザビーム経路においてビームをモニタしフィードバック信号を与えるビーム分析モジュール、ビーム伝達経路に沿って配置され前記フィードバック信号に応答して先端傾斜補正を行うよう制御されるビームポインティングミラーを含んでいることを特徴とするレーザシステム。
【請求項１５】
さらに、レーザパルスの持続時間を伸ばすパルス伸長器を含んでいる、請求項１４に記載のレーザシステム。
【請求項１６】
さらに、ビームプロファイル反転コヒーレンス・スクランブラーを含んでいる、請求項１４に記載のレーザシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて、
データシンボルの共通のストリームを載せた複数の信号を、共通の源から受信することと、
重み係数にしたがって局所の平均平方誤差と大域の平均平方誤差とを合成して、合成された平均平方誤差を生成することと、
前記受信信号について、合成された局所および大域の平均平方誤差を最小化することとを含む方法。
【請求項２】
前記重み係数が、ゼロと１との間の値をもつ請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記受信信号のための局所の平均平方誤差を判断することと、
前記受信信号のための大域の平均平方誤差を判断することとをさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記重み係数に基づいて、前記合成された大域および局所の平均平方誤差のために、時間および空間係数を判断することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、時間係数のステップサイズにしたがって、前記時間係数を調節することをさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、前記時間係数のステップサイズを調節することをさらに含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、空間係数のステップサイズにしたがって、前記空間係数を調節することをさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、前記空間係数のステップサイズを調節することをさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記重み係数を調節して、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化における処理速度および誤差の大きさの少なくとも一方の対応する効果を実現することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記受信信号について、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化の後で、合成信号を生成することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記合成信号を復号して、前記データシンボルの共通のストリームを回復することをさらに含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記合成された局所および大域の平均平方誤差が、αを重み係数として、
【数１】
2005502263.tif 000001
にしたがう請求項１記載の方法。
【請求項１３】
データシンボルの共通のストリームを載せた複数の信号を、共通の源から受信する受信機と、
重み係数にしたがって局所の平均平方誤差と大域の平均平方誤差とを合成して、合成された局所および大域の平均平方誤差を生成するのに適応したプロセッサと、
合成された局所および大域の平均平方誤差を最小化するのに適応した等化器とを含む通信装置。
【請求項１４】
前記重み係数が、ゼロと１との間の値をもつ請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
プロセッサが、
前記受信信号のための局所の平均平方誤差を判断することと、
前記受信信号のための大域の平均平方誤差を判断することとにも適応している請求項１３記載の装置。
【請求項１６】
前記プロセッサが、前記重み係数に基づいて、前記合成された大域および局所の平均平方誤差のために、時間および空間係数を判断するように構成されている請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記プロセッサが、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、時間係数のステップサイズにしたがって、前記時間係数を調節するように構成されている請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記プロセッサが、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、前記時間係数のステップサイズを調節するように構成されている請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記プロセッサが、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、空間係数のステップサイズにしたがって、前記空間係数を調節するように構成されている請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
前記プロセッサが、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化のために、前記空間係数のステップサイズを調節するように構成されている請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
前記プロセッサが、前記重み係数を調節して、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化における処理速度および誤差の大きさの少なくとも一方の対応する効果を実現するように構成されている請求項１４記載の装置。
【請求項２２】
前記等化器が、前記受信信号について、前記合成された局所および大域の平均平方誤差の前記最小化の後で、合成信号を生成するように構成されている請求項１４記載の装置。
【請求項２３】
前記合成信号を復号して、前記データシンボルの共通のストリームを回復するための復号器をさらに含む請求項２２記載の装置。
【請求項２４】
前記複数の信号を対応して受信するための前記受信機に接続された複数のアンテナをさらに含む請求項１３記載の装置。
【請求項２５】
通信システムにおいて、
データシンボルの共通のストリームを載せた複数の信号を、共通の源から受信する手段と、
重み係数にしたがって局所の平均平方誤差と大域の平均平方誤差とを合成して、合成された局所および大域の平均平方誤差の最小化を生成するプロセッサ手段と、
合成された局所および大域の平均平方誤差を最小化する信号等化器手段とを含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記を具備する方法：
チャネルサーチハードウエアを用いて、スペクトラム拡散信号のためのピークエネルギーレベルとその両脇の少なくとも１つのエネルギーレベルを識別する；
前記ピークエネルギーレベルを受信し、動作モードがイネーブルのとき、前記チャネルサーチハードウエアから前記少なくとも１つの両脇のエネルギーレベルを受信する；
および
前記動作モードがイネーブルのとき、前記ピークエネルギーレベルと前記少なくとも１つの両脇のエネルギーレベルの関数として復調器を構成し、前記動作モードがディスエーブルのとき、前記少なくとも１つの両脇のエネルギーレベルなしで、前記復調器を構成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
下記を具備する、受信したＣＤＭＡ信号を復号するために使用される拡散符号を識別する方法：
擬似乱数雑音(ＰＮ）系列内のオフセットのセットを具備する探索窓を定義する；
各オフセットに対して、対応する拡散符号を前記受信したＣＤＭＡ信号に適用し、信号エネルギーレベルを得る；
前記得られた信号エネルギーレベルが最も大きい少なくとも１つのピークオフセットを報告する；
両脇モードをイネーブルにするかどうかを決定する；
および
前記両脇モードがイネーブルであるとき、前記ピークオフセットに先行するオフセットに対応する第１両脇エネルギーレベルと、前記ピークオフセットに続くオフセットに対応する第２両脇エネルギーレベルを報告し、前記両脇モードがイネーブルでないとき、前記第１の両脇エネルギーレベルを報告することをやめる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
補間技術および外挿技術の少なくとも１つを用いて、前記ピークオフセットに対応する信号エネルギーレベルの関数としてオフセットを計算し、オフセットは、前記ピークエネルギーレベル、および前記第１および第２の両脇エネルギーレベルに対応する、請求項７の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
チャネルサーチハードウエアを用いて、スペクトラム拡散信号のためのピークエネルギーレベルおよび少なくとも１つの両脇エネルギーレベルを識別する；
前記ピークエネルギーレベルを受信し、動作モードがイネーブルのとき、前記チャネルサーチハードウエアからの前記少なくとも１つの両脇エネルギーレベルを受信する；
および
前記動作モードがイネーブルのとき、前記ピークエネルギーレベルと少なくとも１つの両脇エネルギーレベルの関数として復調器を構成し、前記動作モードがディスエーブルのとき、前記少なくとも１つの両脇エネルギーレベル無しで前記復調器を構成する；
ためのプロセッサ実行可能な命令を含むプロセッサ読み出し可能媒体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
擬似乱数雑音(ＰＮ）シーケンス内のオフセットのセットを具備する探索窓を定義する；
各オフセットに対し、受信したＣＤＭＡ信号に対応する拡散符号を適用して信号エネルギーレベルを得る；
前記得られた信号エネルギーレベルが最大になる少なくとも１つのピークオフセットを識別する；
両脇モードをイネーブルにするかどうかを決定する；
および
前記両脇モードがイネーブルのとき、前記ピークオフセットに対応する第１の両脇エネルギーレベルおよび前記ピークオフセットに続くオフセットに対応する第２の両脇エネルギーレベルを報告し、前記両脇モードがイネーブルでないとき、前記第１の両脇エネルギーレベルを報告することをやめる；
ためのプロセッサ実行可能な命令を含むプロセッサ読み出し可能媒体。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
下記を具備する装置：
ＣＤＭＡ信号を復調するためのモデム；
および
前記モデムに接続され、ＣＤＭＡ信号のためのピークエネルギーレベルおよび少なくとも１つ両脇エネルギーレベルを識別し、両脇モードがディスエーブルのとき前記ピークエネルギーレベルの関数としてオフセットを計算し、前記両脇モードがイネーブルのとき前記ピークエネルギーレベルに対応するオフセットおよび少なくとも１つの両脇エネルギーレベルを計算し、前記計算されたオフセットの関数として前記モデムを構成するように構成されチャネルサーチモジュール。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
下記を具備する装置：
ＣＤＭＡ信号を復調するためのモデム；および
前記モデムに接続され、擬似乱数雑音(ＰＮ）シーケンス内のオフセットのセットを具備する探索窓を定義し、
各オフセットに対し、前記ＣＤＭＡ信号に対応する拡散符号を適用して信号エネルギーレベルを取得し、
前記取得された信号エネルギーレベルが最大である少なくとも１つのピークオフセットを識別し、
両脇モードをイネーブルにするかどうかを決定し、
および
前記両脇モードがイネーブルであるとき、前記ピークオフセットに先行するオフセットに対応する第１の両脇エネルギーレベル、および前記ピークオフセットに続くオフセットに対応する第２の両脇エネルギーレベルを報告し、前記両脇モードがイネーブルでないとき、前記第１の両脇エネルギーレベルを報告するのをやめるように構成されるチャネルサーチモジュール。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一実施形態において、この発明は、スペクトラム拡散システムにおいて実施されるチャネルサーチ方法に向けられている。スペクトラム拡散信号に対するピークエネルギーレベルおよび少なくとも１つの両脇エネルギーレベルはチャネル探索ハードウエアを用いて識別される。ピークエネルギーレベルは、チャネル探索ハードウエアから受信される。一動作モードにおいて、少なくとも１つの両脇エネルギーレベルもチャネル探索ハードウエアから受信される。復調器は、ピークエネルギーレベルおよび少なくとも１つの両脇エネルギーレベルの関数として構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルバスと
プロセッサを含み、該デジタルバスに接続され、クロック信号及び第一のデータ信号を出力し、該デジタルバスを通して第二のデータ信号を受けるための制御装置と、
ダウンコンバータに接続される雑音耐性のない装置とデータ記憶装置とを有するチューナモジュールを含むフロントエンド装置と、
該デジタルバスと該チューナモジュールとの間に接続される双方向性バッファとを備え、
該双方向性バッファは、第一の動作モードで、該チューナモジュールを該プロセッサから分離し、第二の動作モードで、該プロセッサからの該クロック信号及び該第一のデータ信号を該チューナモジュールに通過させ、該チューナモジュールからの該第二のデータ信号を該プロセッサに通過させる、
テレビ信号処理装置。
【請求項２】
該双方向性バッファは、
該デジタルバスからの該クロック信号を該チューナモジュールに選択的に通過させる第一のトランジスタと、
該デジタルバスからの該第一のデータ信号を該雑音耐性のない装置に選択的に通過させ、該チューナモジュールからの該第二のデータ信号を該デジタルバスに通過させる第二のトランジスタと、
を備える請求項１記載のテレビ信号処理装置。
【請求項３】
該双方向性バッファは、選局イベントを生じさせるチャネル変更命令に応答して、該第二の動作モードで動作する、
請求項１記載のテレビ信号処理装置。
【請求項４】
該双方向性バッファは、該第二の動作モードで、該チャネル変更命令の受信に応じて所定の時間動作し、その後、該第一の動作に自動的に戻る、
請求項３記載のテレビ信号処理装置。
【請求項５】
テレビ信号受信機における雑音源からチューナモジュールを分離する方法であって、
プロセッサからのクロック信号及び第一のデータ信号をデジタルバスに送出するステップと、
該デジタルバスを介して、該クロック信号及び該第一のデータ信号を該チューナモジュールで受けるステップと、
該チューナモジュールからの第二のデータ信号を、該チューナモジュールを該デジタルバスに選択的に接続する双方向性のバッファに送出するステップと、
該デジタルバス及び該双方向性バッファを介して、該第二のデータ信号を該プロセッサで受けるステップとを備え、
該双方向性バッファは、第一の動作モードで、該チューナモジュールを該プロセッサから分離し、第二の動作モードで、該デジタルバスからの該クロック信号及び該第一のデータ信号を雑音耐性のない装置に通過させ、該チューナモジュールからの該第二のデータ信号を該デジタルバスに通過させる、
方法。
【請求項６】
該クロック信号を受ける前記ステップは、第一のトランジスタを介して、該デジタルバスからの該クロック信号を該チューナモジュールに選択的に通過させるステップを備え、
該第二のデータ信号を受ける前記ステップは、第二のトランジスタを介して、該デジタルバスからの該第一のデータ信号を該チューナモジュールに選択的に通過させ、該チューナモジュールからの該第二のデータ信号を該デジタルバスに通過させるステップを備える、
請求項５記載の方法。
【請求項７】
選局イベントを始動するチャネル変更命令を受信するステップをさらに備え、
該双方向性バッファは、該第二の動作モードで、該プロセッサが該選局イベントに応答して該チューナモジュールに選局命令を送出することを可能にするために動作する、
請求項５記載の方法。
【請求項８】
該チャネル変更命令を受信する前記ステップは、
該双方向性バッファが、該選局イベントが始動された後であって所定の時間が経過した後に該第一の動作モードに戻り、該チューナモジュールを該プロセッサから分離するステップを備える、
請求項７記載の方法。
【請求項９】
該クロック信号、該第一のデータ信号及び該第二のデータ信号は、アイ・スクウェア・シーバスを介して転送される、
請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
条件付きアクセスシステムを実行するための方法であって：
ソース機器において、ソース機器からシンク機器に送信されるコンテンツにシーケンスカウンタ値を付ける段階；
シンク機器においてシーケンスカウンタ値を記憶する段階；
シンク機器においてシーケンスカウンタ値を記憶された基準シーケンスカウンタ値と比較する段階；並びに
シーケンスカウンタ値がシンク機器において記憶された基準シーケンスカウンタ値に等しいかまたはその値より大きい場合、シンク機器において視聴できる出力信号を提供する段階；
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、コンテンツはシンク機器においてシーケンスカウンタ値と共に記憶される、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって：
シーケンスカウンタ値がシンク機器において記憶された基準シーケンスカウンタ値より小さい場合、シンク機器において視聴できない出力信号を提供する段階；
からさらに構成される、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、シンク機器においてコンテンツと共にシーケンスカウンタ値を記憶する段階は、記録機器においてコンテンツとシーケンスカウンタ値とを記憶する手順から構成される、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
第１ソース機器；並びに
第１ソース機器に結合される第１シンク機器；
から構成され、
ソース機器は、シーケンスカウンタ値を生成するためにおよびソース機器からシンク機器に送信されるコンテンツにシーケンスカウンタ値を付けるために第１モジュールを含み；
シンク機器は、シンク機器においてシーケンスカウンタ値を記憶するために第２モジュールを含む；
ことを特徴とする条件付きアクセスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
４９． シーングラフ要素
［付記１］に特定されるオーディオ、ビジュアル及びグラフィックのノードを除く、オーディオビジュアルシーン（オーディオビジュアル目的の空間的な一時的位置、及び目的とユーザの相互作用から生じる挙動）の構造のみに関連するＢＩＦＳツールの要素である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機および受信機をもつ無線通信装置において送信電力を制御するシステムであって、受信機が、受信信号の強度を判断することができる較正受信機信号路をもち、
増幅器入力、増幅器出力、および可変利得制御入力をもつ可変利得無線周波数（radio frequency, RF）送信機増幅器であって、可変利得制御入力が、希望送信電力レベルを示す制御信号を最初に受信する可変利得無線周波数送信機増幅器と、
増幅器出力に接続され、かつ受信機の動作周波数に対応する発振器周波数をもつ発振器信号を受信するミキサーであって、増幅器出力の信号に対応する、受信機の動作周波数の信号を生成するミキサーと、
ミキサーによって生成された信号を受信機信号路へ接続して、較正受信機信号路を使用して、信号の電力測定を可能にする接続回路であって、単極単投接点（single-pole-single-throw, SPST）タイプのスイッチを含み、ミキサーによって生成された信号を、受信機信号路へ接続する接続回路とを含み、
受信機が、受信機信号路内に第１の受信機可変利得増幅器を含み、システムが、第２の受信機可変利得増幅器も含み、第２の受信機可変利得増幅器が、ＳＰＳＴタイプのスイッチに接続された入力と、受信機信号路に接続された出力とをもち、ミキサーによって生成された信号を受信機信号路へ接続するシステム。
【請求項２】
第１および第２の受信機可変利得増幅器が、共通の集積回路上に構成されている整合回路である請求項１記載のシステム。
【請求項３】
第１の受信機可変利得増幅器が出力をもち、システムがサマーも含み、サマーが、第１および第２のサマー入力と、サマー出力とをもち、第１および第２の受信機可変利得増幅器の出力が、第１および第２のサマー入力にそれぞれ接続され、サマー出力が、受信機信号路の一部分である請求項１記載のシステム。