【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応チャンバ用の多部品電極であって、
電極上板と、
前記上板に接続された電極とを備え、前記電極が中央シリコン部材および前記中央シリコン部材を取り囲む複数のシリコンセグメントを含み、前記シリコンセグメントが前記電極の下面の上にステップを形成し、前記中央シリコン部材が前記シリコンセグメントと無関係に前記上板から取り外し可能であり、前記中央シリコン部材が前記シリコンセグメントの最大厚さよりも小さい最大厚さを有することを特徴とする多部品電極。
【請求項２】
前記中央シリコン部材および前記シリコンセグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３】
エラストマ接合で前記中央シリコン部材に接続されたバッキングプレートを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項４】
前記エラストマ接合が、熱伝導性かつ導電性のエラストマで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電極。
【請求項５】
前記電極が、プロセスガスを前記プラズマ反応チャンバ内に分布させるように配列された複数のガス出口を有するシャワーヘッド電極を備えることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項６】
前記中央シリコン部材が、約１３インチ以下の直径を有することを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項７】
前記ステップが、前記中央シリコン部材と前記複数のシリコンセグメントとの間の実質的に界面にあることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項８】
前記中央シリコン電極と前記シリコンセグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを備えることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項９】
前記中央シリコン部材が、ステップのない実質的に平面の下面を有することを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項１０】
プラズマ処理システムであって、
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持体と、
ＲＦエネルギー源と、
下部電極と、
電極上板と、前記上板に固定された中央電極部材と、前記上板に固定され前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを備える上部電極と、
を備え、前記電極セグメントと前記中央電極との間の接続部が、前記電極の侵食が高消耗から低消耗に落ちるところに配置されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項１１】
前記電極セグメントが、前記中央電極部材と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記中央電極部材が、前記接続部で前記電極セグメントの側面に隣接する側面を有することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記電極接続部が、前記下部電極の外側エッジの上方に実質的に位置合わせされていることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電極接続部が、ウェーハが前記下部電極上に配置されたときに、前記ウェーハの外側エッジの上方に実質的に位置合わせされることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記下部電極が約１２インチの直径を有し、前記上部電極が１２インチよりも大きな直径を有することを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記中央電極部材が、前記電極セグメントを取り換えることなしに取換え可能であることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
前記中央電極部材および前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記中央電極部材が平面の下面を有し、前記中央電極部材が前記電極セグメントの内側で引っ込むように前記電極セグメント各々が前記接続部に近接して形成されたステップを有することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１９】
前記中央電極部材と前記電極セグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを更に備えることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項２０】
プラズマ反応チャンバ用の多部品電極であって、
電極上板と、
前記上板に接続された電極と、
を備え、前記電極は、約１３インチ以下の直径を有する中央電極部材と、全体で少なくとも１６インチの電極直径をつくるように前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを含み、前記中央電極部材は、前記電極セグメントと無関係に前記上板から取り外すことができることを特徴とする多部品電極。
【請求項２１】
前記中央電極部材と前記電極セグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを備えることを特徴とする請求項２０に記載の電極。
【請求項２２】
前記中央電極部材が、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の電極。
【請求項２３】
前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項２２に記載の電極。
【請求項２４】
前記中央電極部材が平面の下面を有し、前記中央電極部材が前記電極セグメントの内側で引っ込むように前記電極セグメント各々が前記中央電極と前記電極セグメントとの間の接続部に近接して形成されたステップを有することを特徴とする請求項２０に記載の電極。
【請求項２５】
プラズマ反応チャンバの電極の一部を取り換える方法であって、
プラズマ処理チャンバ内に上部電極を設けるステップであって、前記上部電極が中央電極部材と前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを備え、前記中央電極および前記電極セグメントが独立して前記電極の上板に固定されるステップと、
前記中央電極が侵食されたときに、前記中央電極を前記上板から取り外すステップと、
前記中央電極を新しい中央電極に取り換えるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
前記中央電極および前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記中央電極と前記電極セグメントとの間の接続部が、前記電極の侵食が高消耗から低消耗に落ちるところに配置されていることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記中央電極が定期的に取り換えられ、前記電極セグメントが、前記中央電極の２回目または３回目の取換えごとに取り換えられることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記中央電極が実質的に平面の下面を有し、前記電極セグメントがステップを有する下面を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
取り換え可能な電極であって、
リング状のバッキングプレートと、
リング状の電極を形成する複数の電極セグメントと、
前記複数の電極セグメントを前記リング状のバッキングプレートに固定する導電性のエラストマと、
を備え、前記複数の電極セグメントは、内径が約１２インチのリングと、傾斜した面を有する内側エッジとを形成することを特徴とする電極。
【請求項３１】
複数のねじ込みねじを受けてプラズマ反応チャンバ内の上板の上に前記電極を固定するために、前記リング状のバッキングプレート内に孔を更に備えることを特徴とする請求項３０に記載の電極。
【請求項３２】
前記複数の電極セグメントは、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項３０に記載の電極。
【請求項３３】
前記バッキングプレートは、グラファイトまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項３０に記載の電極。
【請求項３４】
前記シリコンセグメントは、単一のリングを形成することを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３５】
前記電極セグメントは、単一のリングを形成することを特徴とする請求項２０に記載の電極。