【事件の表示】
　特願２００４−５６８２０７「シリコンウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月２６日国際公開、ＷＯ２００４／０７３０５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯  
　本願は、平成１５年１２月１９日（優先権主張　平成１５年２月１４日，日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年２月１８日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年４月１５日付けで意見書が提出されたが、同年１０月２８日付けで拒絶査定がされたところ、これに対して、平成２２年１月２６日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正され、その後、当審において平成２３年８月１６日付けで審尋がされ、それに対する回答はなされなかったものである。
　
第２ 補正の却下の決定  
［補正の却下の決定の結論］  
　平成２２年１月２６日付けの手続補正を却下する。  
　  
［理由］  
１ 本件補正の内容  
　平成２２年１月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１，７，１１，１５を，補正後の特許請求の範囲の請求項１，７，１１，１５と補正するものであって，補正前後の請求項１，７，１１，１５は，以下のとおりである。 
　  
　（補正前）  
「【請求項１】
　シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するシリコンウェーハの製造方法において、
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすシリコンウェーハの製造方法。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項７】
　活性層側シリコンウェーハに酸化性雰囲気で熱処理を施すことにより埋め込み酸化膜を形成し、この後その埋め込み酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法において、
　上記酸化熱処理が、活性層側シリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）としたとき、上記熱処理温度Ｔと活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすＳＯＩウェーハの製造方法。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項１１】
　活性層側シリコンウェーハを埋め込み酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせた後に酸化性雰囲気で貼り合わせ強化熱処理を施して貼り合わせＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法であって、
　上記貼り合わせ強化熱処理が、酸化性雰囲気で貼り合わせ強化熱処理する温度をＴ（℃）とし、活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすＳＯＩウェーハの製造方法。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項１５】
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）としたとき、熱処理温度Ｔとウェーハの格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たす酸化熱処理を施した後、酸化膜を除去し鏡面研磨を行って活性層側シリコンウェーハを作製し、
　この活性層側シリコンウェーハに酸化膜を形成して、この酸化膜を介してイオン注入することにより、この活性層側シリコンウェーハにイオン注入層を形成し、
　次いで、この活性層側シリコンウェーハを上記酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、
　この後、この貼り合わせウェーハを所定温度に保持して熱処理することにより、上記イオン注入層を境界として活性層側シリコンウェーハの一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　  
　（補正後）  
「【請求項１】
　シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するシリコンウェーハの製造方法において、
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすシリコンウェーハの製造方法。ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項７】
　活性層側シリコンウェーハに酸化性雰囲気で熱処理を施すことにより埋め込み酸化膜を形成し、この後その埋め込み酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせて貼り合わせＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法において、
　上記酸化熱処理が、活性層側シリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）としたとき、上記熱処理温度Ｔと活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすＳＯＩウェーハの製造方法。ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項１１】
　活性層側シリコンウェーハを埋め込み酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせた後に酸化性雰囲気で貼り合わせ強化熱処理を施して貼り合わせＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法であって、
　上記貼り合わせ強化熱処理が、酸化性雰囲気で貼り合わせ強化熱処理する温度をＴ（℃）とし、活性層側シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすＳＯＩウェーハの製造方法。ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
　
「【請求項１５】
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）としたとき、熱処理温度Ｔとウェーハの格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たす酸化熱処理を施した後、酸化膜を除去し鏡面研磨を行って活性層側シリコンウェーハを作製し、
　この活性層側シリコンウェーハに酸化膜を形成して、この酸化膜を介してイオン注入することにより、この活性層側シリコンウェーハにイオン注入層を形成し、
　次いで、この活性層側シリコンウェーハを上記酸化膜を介して支持側ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、
　この後、この貼り合わせウェーハを所定温度に保持して熱処理することにより、上記イオン注入層を境界として活性層側シリコンウェーハの一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを製造するＳＯＩウェーハの製造方法。ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」
 
　　  
２ 補正事項の整理  
　本件補正による特許請求の範囲の補正事項を整理すると，以下のとおりである。  
　  
・補正前の請求項１，７，１１，１５において，酸化熱処理条件として，熱処理温度Ｔ，シリコンウェーハの格子間酸素濃度［Ｏｉ］としたとき，「ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。」という条件を加入して，補正後の請求項１，７，１１，１５と補正すること。  
　  
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について  
（１）新規事項の追加の有無について　  
　補正後の請求項１，７，１１，１５の「格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く」ことは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものではないから，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであり，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。　　 
　  
（２）補正の目的の適否について  
　この補正は，補正前の請求項１，７，１１，１５における，酸化熱処理条件の内「格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く」すなわち格子間酸素濃度が６×１０１７ｃｍ−３で温度１２００℃の組み合わせを削除するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　  
（３）小括  
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。  
　  
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下に検討する。  
　  
４　独立特許要件について  
（１）補正発明  
　本件補正による補正後の請求項１〜１９に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，補正後の請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりのものである。  
　  
「【請求項１】
　シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するシリコンウェーハの製造方法において、
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすシリコンウェーハの製造方法。ただし、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」  
　 
（２）刊行物に記載された発明  
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された発明協会公開技報公技番号９８−４７７号（以下「引用例」という。）には以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。  
　  
　ア　「ＣＺ法は大きい直径の結晶を作り易いので、高集積度半導体素子の基板としては、
ＣＺ法で製造したシリコン単結晶から切り出したウェーハ
　
　イ　「一般に、半導体素子基板として用いられるウェーハは、
ボイドが形成される条件で成長させた単結晶から切り出したもの
　
　ウ　「本技術は、
シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が不飽和となる温度において、酸素を含む雰囲気中で熱処理を施されてたウェーハであり、その製造方法としては、シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が不飽和となる温度において、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うシリコンウェーハの製造方法
　
　エ　「一方、
シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が不飽和になる温度において酸素を含む雰囲気で熱処理を行った場合
欠陥そのものが消滅する
　例えば、
ＣＺ法で育成したシリコン単結晶から切り出した格子間酸素濃度６×１０
１７
cm
−３
 （ＦＴ−ＩＲ法、old ＡＳＴＭ）のウェーハに対して、酸素又は窒素雰囲気中で１０００℃又は１２００℃で４時間の熱処理を行った。
本技術でのボイド低減効果は明らかである。
[効果]
　半導体素子の酸化膜耐圧特性を劣化させるボイドを安全性の高い方法で低減することが可能となった。　　　　
」 （１ページ右欄３２行〜２ページ最下行）
　 
　以上を総合すると，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。  
　「シリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハを酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うシリコンウェーハの製造方法において，格子間酸素濃度６×１０１７cm−３（ＦＴ−ＩＲ法、old ＡＳＴＭ）のウェーハに対して、酸素雰囲気中で１２００℃で熱処理を行い，欠陥を消滅させる方法。」
　 
（３）対比  
　以下，補正発明と引用発明とを対比する。  
　引用発明の「シリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ」及び「酸素を含む雰囲気中で熱処理」することは，それぞれ補正発明の「シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハ」及び「酸化性雰囲気で熱処理する」ことに相当する。
　  
（一致点）  
　したがって，補正発明と引用発明とは，  
　「シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するシリコンウェーハの製造方法。」  
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点）  
　補正発明は，熱処理を行う条件が「酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たす。」「ただし，格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除く。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」であるのに対して，引用発明は熱処理を「格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせ」で行っている点。  
　  
（４）判断  
（４−１）相違点について  
　上記（２）エによれば，引用例には，シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が不飽和になる温度において酸素を含む雰囲気で熱処理を行った場合に欠陥が消滅すること，及び格子間酸素濃度が６×１０１７ｃｍ−３のシリコンウェーハに対して酸素雰囲気中で熱処理温度１０００℃では欠陥が残り，１２００℃では欠陥が検出されなくなることが記載されている。そうすると，格子間酸素濃度が６×１０１７ｃｍ−３のシリコンウェーハに対して１０００℃から１２００℃に温度を上げることにより，シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が不飽和になっていることが分かる。
　そして，同じ格子間酸素濃度の６×１０１７cm−３のシリコンウェーハに対して，１２００℃より高い熱処理温度とすることにより，効率良く欠陥を除去することも当業者ならば容易に予測し得たことである。
　また，同じ酸素雰囲気中であれば，熱処理の温度を上げることにより，シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度が過飽和から不飽和になることが分かり，この熱処理温度を上げれば格子間酸素濃度が過飽和から不飽和となるという関係が，他の格子間酸素濃度においても成り立つことは当業者にとって明らかな事項である。
　また，引用発明は，格子間酸素濃度６×１０１７cm−３のシリコンウェーハを酸素雰囲気中で１２００℃で熱処理して欠陥を消滅させているが，この格子間酸素濃度，熱処理温度が式［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））を満たしていることは，本願明細書中の【表１】に［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）が６．００５Ｅ＋１７，温度Ｔ（℃）が１２００のデータがあることからも明らかである。
　そうすると，例えば格子間酸素濃度の６×１０１７cm−３で，１２００℃より高い温度での熱処理など，格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせとは異なるが，［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））を満たす範囲の熱処理条件でウェーハの欠陥密度を消滅させることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　よって，補正発明のごとく，上式を満たす格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除いた範囲の発明は，当業者が容易になし得たものである。
　
（４−２）審判請求人の主張について
　なお，審判請求人は，審判請求書において「引用文献には、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が６×１０１７ｃｍ−３でかつ温度Ｔが１２００℃の組み合わせを除いたときの、酸化熱処理の温度と、活性層側のシリコンウェーハの格子間酸素濃度との関係について何ら記載されていません。本願発明は、酸化熱処理の温度と、活性層側のシリコンウェーハの格子間酸素濃度との関係を規定することにより、（１）表面からシリコンウェーハ内部の深い位置（例えば深さ３００μｍ）までＣＯＰが消滅する、（２）比抵抗の均一性が高い、（３）エピタキシャルウェーハ特有の積層欠陥や転位を含んでいない、（４）酸素濃度が低いのでデバイス製造プロセスでの熱処理において、酸素析出物やサーマルドナーなどの比抵抗を変動させる酸素複合体の生成の可能性は極めて低いという特徴を有するシリコンウェーハを得ることができます。このため、酸化熱処理の温度と、活性層側のシリコンウェーハの格子間酸素濃度との関係が何ら開示、示唆されていないこれらの引用文献に記載の発明と本願発明とは発明の構成が全く異なります。」と主張している。
　しかしながら，引用例の記載に基づいて，６×１０１７ｃｍ−３以外の任意の格子間酸素濃度［Ｏｉ］についても格子間酸素濃度が過飽和から不飽和になり，欠陥が無くなる熱処理温度を実験により調べ，酸化熱処理の温度と、シリコンウェーハの格子間酸素濃度との関係について本願発明の式［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））の範囲を求めることは，当業者の通常の創作能力の発揮であり，またその範囲に限定した効果も予測の範囲内である。
　よって，引用発明の格子間酸素濃度，熱処理温度以外の点において，シリコンウェーハの欠陥を消滅させる上式の条件を求めることは当業者が容易になし得たことである。
　
（４−３）判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，補正発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。  
　  
（５）独立特許要件についてのまとめ  
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。  
　  
５　補正却下の決定についてのむすび  
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
　  
第３　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１９に係る発明は，願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜１９に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。  
「【請求項１】
　シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するシリコンウェーハの製造方法において、
　酸化性雰囲気で熱処理する温度をＴ（℃）とし、シリコンウェーハの格子間酸素濃度を［Ｏｉ］（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とし、温度Ｔと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが次式を満たすシリコンウェーハの製造方法。
［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））
　ここで、格子間酸素濃度［Ｏｉ］は、ＦＴ−ＩＲ法で測定した値（ＡＳＴＭ　Ｆ−１２１，１９７９年）、ｋはボルツマン定数８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ）である。」  
　  
第４　引用例に記載された発明  
　引用例には，「シリコン単結晶から切り出した格子間酸素濃度６×１０１７cm−３（ＦＴ−ＩＲ法、old ＡＳＴＭ）のウェーハに対して、」「酸素」「雰囲気中で」「１２００℃で４時間の熱処理」するシリコンウェーハの製造方法が記載されている。
　  
第５　判断  
　本願発明は，熱処理する温度をＴと格子間酸素濃度［Ｏｉ］との組み合わせが式［Ｏｉ］≦２．１２３×１０２１ｅｘｐ（−１．０３５／ｋ（Ｔ＋２７３））を満たすシリコンウェーハの製造方法であり，引用発明の「格子間酸素濃度６×１０１７cm−３」と温度「１２００℃」の組み合わせを含むものであるから，本願発明は，引用例に記載された発明である。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。  
　  
第６　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。