【事件の表示】
　特願２００６−　２７９２６「窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２７日出願公開、特開２００６−１９３４２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年５月２５日（優先権主張平成１０年５月２８日）に出願した特願平１１−１４４１５１号の一部を平成１８年２月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１２月２２日付けの拒絶理由が通知され、平成２１年１月１９日に意見書とともに特許請求の範囲に係る手続補正書が提出され、同年７月３０日付けで拒絶査定されたものである。
　これに対し、同年１０月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに特許請求の範囲に係る手続補正書が提出され、平成２２年１月４日付けの拒絶理由が通知され、同年３月８日に意見書とともに特許請求の範囲に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２３年９月２１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、これに対する回答書が平成２３年１１月１２日に提出されている。
　
第２　平成２２年３月８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年３月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２１年１０月１９日付け手続補正書により補正されたもの）を、以下のように補正するものである。
（補正前）
「　【請求項１】
　厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板であって、酸素が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３だけ含まれ、ｎ型の電子伝導を示し、キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３であることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。」を、
（補正後）
「　【請求項１】
　
原料ガスに水又は酸素を添加したＨＶＰＥ法で作られ炭素濃度が１×１０
１７
ｃｍ
−３
以下であり
り、キャリヤ濃度の酸素濃度に対する比が０．８〜１であ
（当審注：アンダーラインが補正箇所）
　
２．新規事項の追加
　本件補正後の請求項１には、「キャリヤ濃度の酸素濃度に対する比が０．８〜１である」と記載されている。この「キャリヤ濃度の酸素濃度に対する比が０．８〜１である」ことは、願書に最初に添付された特許請求の範囲、明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでないとはいえない。
（補正の根拠とする、当初明細書の段落【００６９】の「図６に実施例１〜実施例５についての３８の試料についての酸素濃度／キャリア濃度の測定結果を示す。・・・・・・Ｏ＝ｎ直線の上にも２つの点がある。下には４点がある。Ｏ＝ｎ直線の上には３２の点がある。測定点が大体Ｏ＝ｎ直線に平行に並ぶということは、つまり酸素がｎ型ドーパントであるということを意味する。さらに大体にＯ＝ｎであるから、酸素ドーパントは殆ど全部が電子を放出し活性率が１００％であることを意味する。それだけでなく、Ｏ＜ｎの測定点の方が多いので酸素活性率は見かけ上１００％を越える。」なる記載、及び【図６】の３８のプロットからは、上記「キャリヤ濃度の酸素濃度に対する比が０．８〜１である」ことが記載や示唆がされているとはいえず、仮に記載や示唆がなされているとしても、「０．８」、「１．０」の技術的意義を見いだすことはできない。）
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２２年３月８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年１０月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
　厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板であって、酸素が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３だけ含まれ、ｎ型の電子伝導を示し、キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３であることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。」
　
２．分割の適否
　分割の基礎となる、特願平１１−１４４１５１号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、本願発明の「厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板」、「酸素が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３だけ含まれ」、「ｎ型の電子伝導を示し」、「キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３である」点がいずれも記載されている。
　
　よって、分割は適法なものである。
　
３．引用文献の記載事項
　平成２２年１月４日付け拒絶理由に引用された、R.NIEBUHR et al.，
Electrical and Optical Properties of Oxygen Doped GaN Grown by MOCVD Using N2O，Journal of Electronic Materials，1997年，Vol.26, No.10，p.1127-1130（以下、「引用文献１」という。）、特開平１０−１１４６００号公報（以下、「引用文献２」という。）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
（１）引用文献１
（１−ア）「Oxygen doped GaN has been grown by metalorganic chemical vapor deposition using N2O as oxygen dopant source. The layers were deposited on 2 sapphire substrates from trimethylgallium and
 especially dried ammonia using nitrogen (N2) as carrier gas.・・・・・・The doped layers were n-type with carrier concentrations in
 the range of 4 × 1016 cm-3 to 4 × 1018 cm-3 as measured by Hall
 effect.・・・・・・」（第１１２７頁要約第１行〜１１行）
（当審仮訳：「酸素源として亜酸化窒素を用いて有機金属化学気相成長法により酸素ドープ窒化ガリウムを成長させた。この層は、トリメチルガリウムと特別に乾燥させたアンモニア、キャリアガスとして窒素（Ｎ２）を用いて２インチのサファイア基板上に積層させた。・・・・・・ドープされた層は、ホール測定によるキャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型であった。」）
　
（１−イ）「The GaN layers have been grown on 2 (c-plane) sapphire substrates using trimethylgallium (TMG) and ammonia (NH3) in high
 purity nitrogen (N2) carrier gas.・・・・・・After annealing the
 nucleation layer at 1135 ℃ for 1 min, the GaN films were deposited at 1085 ℃. The growth rate amounted to about 1 μm/h which
 resulted in final layer thickness of about 1 μm.」（第１１２８頁右欄第１８行〜第１１２９頁左欄第第３行）
（当審仮訳：「ＧａＮ層を、トリメチルガリウム、アンモニア、キャリアガスとして高純度窒素を用いて直径２インチのサファイア基板上に成長させた。・・・・・・１１３５℃で１分間核形成層をアニールした後、ＧａＮ層を１０８５℃で成長させた。約１μｍ／ｈで成長させ、最終的に厚さ１μｍの膜が得られた。」）
　
（１−ウ）「For the most heavily doped sample, the observed oxygen
 content amounted to 8 × 1018 cm-3, which is twice as large as the
 observed carrier concentration.」（第１１２９頁左欄第５７〜６０行）
（当審仮訳：「最も高濃度にドープしたサンプルでは、酸素濃度は８×１０１８ｃｍ−３であり、それはキャリア濃度の２倍の濃度であった。」）
　
（２）引用文献２
（２−ア）「【課題を解決するための手段】この発明の一の局面による発光素子用ウエハの製造方法では、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に窒化ガリウム化合物を形成する。・・・・・・
　上記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とを含み、上記ＧａＡｓ基板のすべてが除去されるようにしてもよい。この場合、上記ＧａＮバッファ層と上記ＧａＮエピタキシャル層との合計の膜厚は７０μｍ以上４００μｍ以下にするのが好ましく、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とはＧａＮ基板を構成する。」（段落【０００７】〜【０００８】）
　
（２−イ）「なお、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とからなるＧａＮ基板は、７０μｍ以上４００μｍ以下の厚みを有するように形成するのが好ましい。・・・・・・」（段落【００５９】）
　
４．引用発明
（ａ）引用文献１には、記載事項（１−ア）に、「酸素源として亜酸化窒素を用いて有機金属化学気相成長法により酸素ドープ窒化ガリウムを成長させた。この層は、トリメチルガリウムと特別に乾燥させたアンモニア、キャリアガスとして窒素（Ｎ２）を用いて２インチのサファイア基板上に積層された。」と記載されており、当該記載から、引用文献１には、「サファイア基板上に積層された酸素ドープ窒化ガリウム層」が記載されているといえる。
　
（ｂ）上記「酸素ドープ窒化ガリウム層」について、上記記載事項（１−ア）には、「ドープされた層は、ホール測定によるキャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型であった。」と記載されており、上記「酸素ドープ窒化ガリウム層」は、「キャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型」であるといえる。
　
（ｃ）また、記載事項（１−イ）には、「ＧａＮ層を、トリメチルガリウム、アンモニア、キャリアガスとして高純度窒素を用いて直径２インチのサファイア基板上に成長させた。・・・・・・１１３５℃で１分間核形成層をアニールした後、ＧａＮ層を１０８５℃で成長させた。約１μｍ／ｈで成長させ、最終的に厚さ１μｍの膜が得られた。」と記載されており、上記（ａ）、（ｂ）の検討と併せると、上記「サファイア基板上に積層された酸素ドープ窒化ガリウム層」は、「サファイア基板上に成長された厚さ１μｍで、キャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型である、酸素ドープ窒化ガリウム層」であるといえる。
　
（ｄ）そして、記載事項（１−ウ）には、「最も高濃度にドープしたサンプルでは、酸素濃度は８×１０１８ｃｍ−３であり、それはキャリア濃度の２倍の濃度であった。」と記載されており、当該記載から、最も高濃度に酸素をドープした窒化ガリウム層の「酸素濃度が８×１０１８ｃｍ−３」であるといえる。
　
（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の検討を踏まえ、記載事項（１−ア）〜（１−ウ）の事項を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「サファイア基板上に成長された厚さ１μｍで、キャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型であり、最も高濃度に酸素をドープした層の酸素濃度が８×１０１８ｃｍ−３である、酸素ドープ窒化ガリウム層。」なる発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
５．対比・判断
（ａ）引用発明の「サファイア基板上に成長された厚さ１μｍ」の「酸素ドープ窒化ガリウム層」は、本願発明の「厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板」と、「所定厚みの窒化ガリウム層」である点で共通する。
　
（ｂ）引用発明の「キャリア濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３のｎ型であり」は、本願発明の「ｎ型の電子伝導を示し、キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３である」ことと、「ｎ型の電子伝導を示し、キャリヤ濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３である」点で一致する。
　
（ｃ）引用発明の「最も高濃度に酸素をドープした層の酸素濃度が８×１０１８ｃｍ−３である」ことは、本願発明の「酸素が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３だけ含まれ」ることと、「酸素が８×１０１８ｃｍ−３だけ含まれ」る点で一致する。
　
（ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）を踏まえると、両者は、
「所定厚みの窒化ガリウム層であって、酸素が８×１０１８ｃｍ−３だけ含まれ、ｎ型の電子伝導を示し、キャリヤ濃度が４×１０１６ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３である、窒化ガリウム層。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・相違点
　本願発明は、「厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板」であるのに対し、引用発明は「サファイア基板上に成長された厚さ１μｍ」の「酸素ドープ窒化ガリウム層」である点。
　
　上記相違点について検討する。
　本願発明の「厚みが２００μｍ以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板」について、本願明細書の段落【００２７】には、「図４はＧａＮのエピタキシャル成長の過程を示す。図４（１）はＧａＡｓ基板にマスクを付けた窓を開けた状態である。・・・・・図４（３）はさらにＧａＮを堆積させ、厚みを増やしたものを表す。・・・・・・時間をかけてエピタキシャル成長し厚い結晶を作製する。その後、ＧａＡｓをエッチング除去する。マスクの部分は研磨によって除く。そうするとＧａＮの自立結晶ができる。充分な厚みがあるからＧａＮ基板となる。・・・・・・」と記載されており、ＧａＡｓ基板上にＧａＮを時間をかけてエピタキシャル成長させたのち、ＧａＡｓ基板を除去したものが「自立した窒化ガリウム単結晶基板」であるといえる。
　一方、引用文献１には、記載事項（１−イ）に、「ＧａＮ層を１０８５℃で成長させた。約１μｍ／ｈで成長させ、最終的に厚さ１μｍの膜が得られた。」と記載されており、上記のとおり「時間をかけ」れば「充分な厚み」の「窒化ガリウム層」が得られると認められるところ、引用文献２には、記載事項（２−ア）に、「ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に窒化ガリウム化合物を形成する。・・・・・・上記窒化ガリウム化合物は、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とを含み、上記ＧａＡｓ基板のすべてが除去されるようにしてもよい。この場合、上記ＧａＮバッファ層と上記ＧａＮエピタキシャル層との合計の膜厚は７０μｍ以上４００μｍ以下にするのが好ましく、ＧａＮバッファ層とＧａＮエピタキシャル層とはＧａＮ基板を構成する。」と記載されており、当該記載から、引用文献２には、ＧａＡｓ基板上にＧａＮ層を形成したのち、ＧａＡｓ基板を除去して厚さ７０〜４００μｍの自立したＧａＮ基板を得ているといえる。
　そうすると、引用発明においても、時間をかけて窒化ガリウム層を成長させれば、サファイア基板を除去しても差し支えない程度の十分な厚みの窒化ガリウム層が得られるといえるから、引用発明の「サファイア基板上に成長された厚さ１μｍ」の「酸素ドープ窒化ガリウム層」を、引用文献２のような、ＧａＡｓ基板上にＧａＮ層を形成したのち、ＧａＡｓ基板を除去して厚さ７０〜４００μｍの自立したＧａＮ基板とすることで、上記相違点に係る本願発明の特定事項をなすことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
　よって、本願発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　回答書における主張について
　請求人は回答書において、以下の点を主張しているので一応検討する。
　
「水または酸素を原料ガスに添加してドーピングガスを限定したのは、ニーブールが亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）をドーピングガスにしたものと区別するためです。ＨＶＰＥ法としたのは、ニーブールやＣｈｕｎｇがＭＯＣＶＤ法を使っており、その為に炭素のアクセプタレベルができために酸素のドナーが遮蔽されているが、そのようなことはないことを示すためにＨＶＰＥ法だと書いています。方法が違っても最終生成物は同じだと考えてはいけません、ＨＶＰＥ法で作ったものは炭素が混入しない。ＭＯＣＶＤ法で作ったものは炭素が入る。炭素は酸素の作用を妨害するので炭素は遮断しなければなりません。本発明はＨＶＰＥ法によって炭素の残留を防ぎます。」
　
　本願明細書には、段落【００３６】に炭素濃度の目標値が掲げられているものの、実施例における３８個の試料の炭素濃度については一切開示されておらず、ＨＶＰＥ法がＭＯＣＶＤ法に対して飛躍的に炭素混入量を低減させたことを示す定量的な比較検討も示されていないので、上記主張は根拠を欠くものであり、採用できない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、上記のとおり審決する。