【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化バリウムを含む膜を基板の表面に提供する工程と、
前記膜に第１反応混合ガスを噴射する工程と、
前記膜に前記第１反応ガスを噴射しながら前記基板を第１の温度まで加熱して前記基板の前記表面に超電導材料を形成する工程と、を有する方法であって、
前記基板の前記表面に対して約５°以上の角度で前記第１反応ガスを前記膜に噴射し、前記第1反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去される方法。
【請求項２】
前記角度が前記基板の前記表面に対して約１０°以上である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基板の前記表面に前記第１反応ガスを噴射する工程の前に、前記膜が酸化銅及び酸化イットリウムをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１反応混合ガスが水を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１の温度が約６７５℃以上である請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記基板が前記第１の温度である間に、前記基板の前記表面に第２の反応混合ガスを向ける工程をさらに有する請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第１反応混合ガスは前記第２の反応混合ガスとは異なる請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第２の反応混合ガスを前記基板の前記表面に向けている間、前記超電導材料の温度が前記第１の温度とほぼ同じである請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記第１の温度が約６７５℃以上である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の反応ガスは、前記基板の前記表面に対して約５°以上の角度で前記基板の前記表面に向けられる請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は合金を含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記基板は、前記合金の上に配置される少なくとも１つのバッファ材料層をさらに有する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の前記表面に前駆体溶液を塗布する工程と、
前記前駆体溶液を処理して前記フッ化バリウムを含む膜を前記基板の前記表面に形成する工程と、をさらに有する請求項１記載の方法。
【請求項１４】
超電導材料の形成方法であって、
フッ化バリウムを含む膜を基板の表面に提供して第１の構造体を形成する工程と、
前記第１の構造体を反応装置の第１領域内で第１のガス雰囲気に晒しながら前記第１の構造体を加熱して前記基板の前記表面に超電導材料を形成することによって、前記基板の前記表面に前記超電導体を有する第２の構造体を形成する工程と、
前記第２の構造体を前記反応装置の第２領域に移動させる工程と、
前記反応装置の前記第２領域内で前記第２の構造体を第２のガス雰囲気に晒して前記膜に含まれていた実質的に全ての前記フッ化バリウムを前記超電導材料に変化させる工程と
を有し、前記第１のガス雰囲気は、前記基板の前記表面に対して約５°以上の角度で前記膜に噴射される第１反応ガスを含み、第1反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去され、あるいは、前記第２のガス雰囲気は、前記基板の前記表面に対して約５°以上の角度で前記基板の前記表面に向けられる第２反応ガスを含み、第２反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記第１領域にて前記第１の構造体が約６７５℃以上の温度まで加熱される請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記第１領域における前記第１の構造体の温度が前記第２領域における前記第２の構造体の温度とほぼ同じである請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は合金を含む請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
前記基板は、前記合金の上に配置される少なくとも１つのバッファ材料層をさらに有する請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記反応装置はチューブ炉を備える請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
前記基板の前記表面に前駆体溶液を塗布する工程と、
前記前駆体溶液を加熱して前記基板の前記表面に前記膜を形成する工程と、をさらに有する請求項１４記載の方法。
【請求項２１】
フッ化バリウムを含む膜の表面に反応ガスを噴射して超電導材料を形成する工程を有する超電導材料の作製方法であって、
前記超電導材料が基板の表面により支持され、前記超電導材料のｃ軸成長速度は、前記基板の前記表面に実質的に垂直な方向において約０．１ナノメートル（約１オングストローム）／秒以上であり、反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去される方法。
【請求項２２】
前記超電導材料のｃ軸成長速度は、前記基板の前記表面に実質的に垂直な方向において約０．２ナノメートル（約２オングストローム）／秒以上である請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記超電導材料のｃ軸成長速度は、前記基板の前記表面に実質的に垂直な方向において約０．３ナノメートル（約３オングストローム）／秒以上である請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
フッ化バリウムを含む膜を基板の表面に提供する工程と、
前記膜の表面に反応ガスを噴射して前記基板の前記表面に超電導材料を形成する工程と、を有する超電導材料の作製方法であって、
前記超電導材料の表面の第１地点に存在する前記超電導材料の部分が、前記基板の前記表面に実質的に垂直な方向に第１のｃ軸成長速度を有し、前記超電導材料の前記表面の第２地点に存在する前記超電導材料の部分が、前記基板に実質的に垂直な前記方向に第２のｃ軸成長速度を有し、前記基板に実質的に垂直な前記方向の前記第１のｃ軸成長速度が、前記基板に実質的に垂直な前記方向の前記第２のｃ軸成長速度と実質的に同じであり、前記超電導材料の前記表面の前記第１地点と前記第２地点とは約５センチメートル以上離間されており、反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去される、方法。
【請求項２５】
前記超電導材料の前記表面の前記第１地点と前記第２地点とは約１０センチメートル以上離間されている請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記超電導材料の前記表面の前記第１地点と前記第２地点とは約１５センチメートル以上離間されている請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
超電導材料の作製方法であって、
フッ化バリウムを含む膜を基板の表面に提供する工程と、
反応ガスを前記膜の表面に接触させる前に該ガスを加熱する工程と、
前記加熱された反応ガスを前記膜の前記表面に噴射して前記超電導体を形成する工程と、を有し、反応ガスが前記表面に噴射されるときにその表面からフッ化水素が除去される方法。
【請求項２８】
前記膜の前記表面は、前記加熱された反応ガスと接触する前に実質的に予備加熱されない請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記反応ガスは、前記膜に接触する前に約１００℃以上の温度に加熱される請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
前記基板の前記表面に実質的に平行な角度で前記基板の前記膜から少なくとも１種類のガスを除去する工程をさらに有する請求項１記載の方法。
【請求項３１】
前記基板の前記表面に実質的に平行な角度で前記基板の前記膜から少なくとも１種類のガスを除去する工程をさらに有する請求項１４記載の方法。
【請求項３２】
前記基板の前記表面に実質的に平行な角度で前記膜の前記表面から少なくとも１種類のガスを除去する工程をさらに有する請求項２１記載の方法。
【請求項３３】
前記基板の前記表面に実質的に平行な角度で前記膜の前記表面から少なくとも１種類のガスを除去する工程をさらに有する請求項２４記載の方法。
【請求項３４】
前記基板の前記表面に実質的に平行な角度で前記膜の前記表面から少なくとも１種類のガスを除去する工程をさらに有する請求項２７記載の方法。
【請求項３５】
前記膜の表面に前記第１反応ガスを噴射する前に、その膜は酸化銅及び希土類酸化物を含んでいる請求項１に記載の方法。