【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】表面に複数の略平行な量子稜線を有する基板を有し、前記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチをもち6 から51Åの幅および4 から30,000Åの深さをもつ溝によって分離され、上記量子稜線は、＜１１０＞の方向に整列し、上記量子稜線の各々は真っ直ぐである量子稜線生成物。
【請求項２】上記少なくとも１つの溝は、4 から3000Åの深さをもつものである請求項１に記載の生成物。
【請求項３】上記基板は、半導体材料からなるものである請求項１に記載の生成物。
【請求項４】上記基板は、シリコンを有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項５】上記基板は、第III族−第Ｖ族半導体を有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項６】上記基板は、ＧａＡｓを有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項７】上記基板は、(1 1 4) 面を有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項８】上記基板は、(5 5 12)面を有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項９】上記溝の少なくとも１つには、有機分子が設けられているものである請求項１に記載の生成物。
【請求項１０】上記溝の少なくとも１つには、フラーレン・チューブを有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項１１】上記溝の少なくとも１には少なくとも部分的に充填された少なくとも１のフラーレン・ボールを有するものである請求項１に記載の生成物。
【請求項１２】上記少なくとも１の量子稜線が、ある基板のあるくぼみに設けられたものである請求項１に記載の生成物。
【請求項１３】上記少なくとも１つの量子稜線が、ある基板の凸面領域内に設けられたものである請求項１に記載の生成物。
【請求項１４】上記少なくとも１の量子稜線が、ＶＬＳ法によって付着した請求項１に記載の生成物。
【請求項１５】表面に複数の略平行な量子稜線を有する基板を有し、上記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチをもち6 から51Åの幅および4から30,000Åの深さをもつ溝によって分離され、上記少なくとも１つの量子稜線の頂点で支持された量子細線をもち、上記量子稜線の長手方向に沿った方向に延び、上記量子細線は導電性材料を有し、前記量子稜線は、＜１１０＞方向に整列し、上記量子稜線の各々は真っ直ぐである量子稜線生成物。
【請求項１６】上記量子細線は約6 Åから30,000Åの厚さを有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項１７】上記溝の少なくとも１は、4 Åから3000Åの深さをもつものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項１８】支持された量子細線をもつ上記少なくとも１つの量子稜線は、少なくとも２つの量子稜線を有するとともに、上記量子稜線の各々は、その頂点に支持されかつその長手方向に沿った方向に延びる各量子細線をもつものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項１９】上記基板は、半導体材料を有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２０】上記基板はシリコンを有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２１】上記基板は、第III族−第Ｖ族半導体を有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２２】上記基板はＧａＡｓを有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２３】上記量子細線は金属を有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２４】上記量子細線の少なくとも一部を被覆するより大きなバンド・ギャップ物質を有し、上記より大きなバンド・ギャップ物質は、上記量子細線よりも大きなバンドギャップを有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２５】上記より大きなバンド・ギャップを有する物質は、二酸化珪素である請求項２４に記載の生成物。
【請求項２６】上記より大きなバンド・ギャップ材料は、窒化珪素である請求項２４に記載の生成物。
【請求項２７】上記より大きなバンド・ギャップ材料は、ダイヤモンド状炭素である請求項２４に記載の生成物。
【請求項２８】上記基板は、(1 1 4) 面構造を有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項２９】上記基板は、(5 5 12)面構造を有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項３０】上記複数の量子稜線は、基板のくぼみに設けられたものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項３１】上記複数の量子稜線は、基板の凸部領域内に設けられたものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項３２】上記複数の量子稜線の少なくとも１の量子稜線は、ＶＬＳ法によって上記少なくとも１の量子稜線に付着した物質を含有するものである請求項１５に記載の生成物。
【請求項３３】表面に複数の量子頂上を有する基板を有するとともに、上記複数の量子頂上の各々は、第１の方向に9.4から54Åのピッチを有し、隣接する量子頂上から溝によって分離され、上記溝の各々は、第１の方向に沿って6 から51Åの幅および4 から30,000Åの深さをもち、上記量子頂上は、＜１１０＞の方向に沿った直線状に整列された列状に配列されたものである量子頂上生成物。
【請求項３４】 上記溝の各々は、6 から51Åの幅と、4 Åから3,000 Åの深さをもつものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項３５】上記溝の各々は、略平行な溝の第１の対によって第１の方向に沿って上記隣接する量子頂上の２つの第１の組から分離され、略平行な溝の第２の対によって第２の方向に沿って上記隣接する量子頂上の２つの第２の組から分離されており、上記第１および上記第２の方向は相互に垂直である請求項３３に記載の生成物。
【請求項３６】 上記複数の量子頂上の各上記隣接する対は、上記第１および第２の方向に沿って、9.4Åから54Åのピッチをもつものである請求項３５に記載の生成物。
【請求項３７】上記基板は、半導体材料を有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項３８】上記基板はシリコンを有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項３９】上記基板は第III族−第Ｖ族の半導体を有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４０】上記基板はＧａＡｓを有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４１】上記基板は(1 1 4) 面構造を有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４２】上記基板は(5 5 12)面構造を有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４３】上記溝の少なくとも１つには、さらに、フラーレン・チューブが設けられたものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４４】上記溝の少なくとも１つには、さらに、複数のフラーレン・ボールが、少なくとも部分的に充填されたものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４５】上記複数の量子頂上は、基板のくぼみに設けられたものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４６】上記複数の量子頂上は、基板の凸面領域に設けられたものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４７】上記複数の量子頂上の少なくとも１の量子頂上は、ＶＬＳ法によって上記少なくとも１の量子頂上に付着した物質を含有するものである請求項３３に記載の生成物。
【請求項４８】表面に複数の量子頂上をもつ基板を有するとともに、上記複数の量子頂上の各々は、第１の方向に沿った9.4から54Åのピッチを有し、溝によって隣接する量子頂上から分離され、上記溝の各々は、6 Åから51Åの幅および4から30,000Åの深さをもち、上記量子頂上は、＜１１０＞方向に沿った直線状に整列された列状に配列され、上記量子頂上の少なくとも１つは、上記少なくとも１つの量子頂上の頂点に支持された量子ドットをもち、上記量子ドットは3 Åから47Åの幅をもつ導電性物質を有するものである量子頂上生成物。
【請求項４９】上記量子ドットは約6 Åから30,000Åの厚さをもつものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５０】上記溝の各々は、4 Åから3000Åの深さをもつものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５１】上記量子頂上の各々は、略平行の溝の第１の対によって第１の方向に沿って上記隣接する量子頂上の２つの第１の組から分離され、略平行な溝の第２の対によって、第２の方向に沿って上記隣接する量子頂上の２つの第２の組から分離され、上記第１および上記第２の方向は相互に垂直である請求項４８に記載の生成物。
【請求項５２】上記複数の量子頂上の各上記隣接する対は、第１および第２の方向に沿って9.4 Åから54 Åのピッチをもつものである請求項５１に記載の生成物。
【請求項５３】 上記基板は、半導体材料を有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５４】上記基板は、シリコンを有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５５】上記基板は、第III族−第Ｖ族の半導体を有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５６】上記基板は、ＧａＡｓを有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５７】上記量子ドットは金属を有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５８】上記量子ドットの少なくとも一部を被覆するより大きなバンド・ギャップをもつ材料を有し、上記より大きなバンド・ギャップをもつ材料は、上記量子ドットよりも大きなバンド・ギャップをもつものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項５９】上記より大きなバンド・ギャップの材料は、二酸化珪素を有するものである請求項５８に記載の生成物。
【請求項６０】上記より大きなバンド・ギャップの材料は、窒化珪素を有するものである請求項５８に記載の生成物。
【請求項６１】上記より大きなバンド・ギャップの材料は、ダイヤモンド状炭素を有するものである請求項５８に記載の生成物。
【請求項６２】上記基板は、(1 1 4) 面構造をもつものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項６３】上記基板は、(5 5 12)面構造をもつものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項６４】上記複数の量子頂上は、基板のくぼみ内に設けられたものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項６５】上記複数の量子頂上は、基板の凸面領域内に設けられたものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項６６】上記複数の量子頂上の内の少なくとも１の量子頂上は、ＶＬＳ法によって上記少なくとも１の量子頂上に付着した物質を含有するものである請求項４８に記載の生成物。
【請求項６７】(1 1 X) 面構造を有しかつ複数の略平行の量子稜線および溝をその表面に有し、その溝は、6 Åから51Åの幅および4から30,000Åの深さをもちかつ隣接する量子稜線を分離する第１の基板を供給する工程と、
その第１の基板を、量子稜線の少なくとも１つに少なくとも１つの量子細線を形成するために金属で被覆する工程とを有し、前記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチを有し、上記量子稜線の各々は、真っ直ぐで、＜１１０＞方向に整列された量子構造生成物製造方法。
【請求項６８】上記基板は、表面から酸化物を除去するために(1 1 X) 面構造をもつプレ基板を加熱する工程と、
第１の基板を形成するために約-20 °C から900 °C にそのプレ基板を冷却する工程と
によって形成される請求項６７に記載の方法。
【請求項６９】上記加熱工程は、ビーム拡張レーザを用いて上記プレ基板を加熱する工程を有する請求項６８に記載の方法。
【請求項７０】上記第１の基板は、表面酸化物を除去するために１０-10 トルの圧力で、約1150°C で(1 1 X) 面構造をもつＳｉを有するプレ基板を加熱する工程と、
第１の基板を形成するために約1 °K から253 °K にそのプレ基板を冷却する工程と
によって形成される請求項６７に記載の方法。
【請求項７１】その量子細線は導電性材料を有するものである請求項６７に記載の方法。
【請求項７２】より大きいバンド・ギャップの物質で量子細線を少なくとも一部被覆し、そのより大きなバンド・ギャップの物質は、上記量子細線よりも大きいバンド・ギャップをもつものである請求項６７に記載の方法。
【請求項７３】上記より大きいバンド・ギャップの物質は二酸化珪素を有するものである請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】上記より大きいバンド・ギャップの物質は窒化珪素を有するものである請求項７２に記載の方法。
【請求項７５】上記より大きいバンド・ギャップの物質はダイヤモンド状炭素を有するものである請求項７２に記載の方法。
【請求項７６】 少なくとも１つの量子細線が、第１の基板上に、1 °から30°の角度で量子細線物質の斜め蒸着によって、少なくとも1 つの量子稜線上に付着されているものである請求項６７に記載の方法。
【請求項７７】その量子細線は、耐エッチング用溶液物質を有し、上記方法はさらに、4 Åから3,000 Åの深さをもつ溝を形成するために第１の基板上に溝をエッチングする工程を有するものである請求項６７に記載の方法。
【請求項７８】量子細線を除去する工程を有するものである請求項６７に記載の方法。
【請求項７９】量子ドットを形成するために、少なくとも１つの量子細線の部分を不活性化する工程を有するものである請求項６７に記載の方法。
【請求項８０】その量子ドットを、より大きなバンド・ギャップをもつ物質で少なくとも部分的に被覆する工程をさらに有し、そのより大きなバンド・ギャップをもつ物質は、上記量子細線よりも大きなバンド・ギャップを有するものである請求項７９に記載の方法。
【請求項８１】上記より大きなバンド・ギャップをもつ物質は、二酸化珪素を有するものである請求項８０に記載の方法。
【請求項８２】上記より大きなバンド・ギャップをもつ物質は、窒化珪素を有するものである請求項８０に記載の方法。
【請求項８３】上記より大きなバンド・ギャップをもつ物質は、ダイヤモンド状炭素を有するものである請求項８０に記載の方法。
【請求項８４】少なくとも１つの量子細線の一部が、第１の基板に対して、その基板上にある複数の略平行の量子稜線をもつ第２の基板を圧することによって、除去されるものである請求項６７に記載の方法。
【請求項８５】その第２の基板は、第２の基板上にある量子稜線が、その第２の基板に対し直角に向くように、第１の基板に対し圧するものである請求項８４に記載の方法。
【請求項８６】量子ドットを形成するために少なくとも１つの量子細線の部分を不活性化する工程を有するものである請求項６７に記載の方法。
【請求項８７】少なくとも１つの量子細線の部分は、第１の基板に対して基板上に略平行な複数の量子稜線を有する第２の基板を圧することによって、除去されるものである請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】その第２の基板は、第２の基板上にある量子稜線が、第２の基板上にある量子稜線に対して直角に向くように、第１の基板に対して圧せられるものである請求項８７に記載の方法。
【請求項８９】少なくとも１つの量子細線は導電性材料を有するものである請求項８６に記載の方法。
【請求項９０】少なくとも部分的に量子ドットをより大きなバンド・ギャップで被覆する工程をさらに有し、そのより大きいバンド・ギャップ材料は、上記量子ドットよりも大きなバンド・ギャップを有するものである請求項８６に記載の方法。
【請求項９１】上記より大きいバンド・ギャップ材料は、二酸化珪素を有するものである請求項９０に記載の生成物。
【請求項９２】上記より大きいバンド・ギャップ材料は、窒化珪素を有するものである請求項９１に記載の生成物。
【請求項９３】上記より大きいバンド・ギャップ材料は、ダイヤモンド状炭素を有するものである請求項９１に記載の生成物。
【請求項９４】相互に結合した２つの量子稜線基板を有し、上記基板の各々は、複数の略平行な量子稜線を表面に有し、上記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチを有しかつ6 Åから51Åの幅および4 Åから30,000Åの深さを有する溝によって分離されており、上記量子稜線は、＜１１０＞方向に整列され、上記量子稜線の各々は真っ直ぐであり、上記量子稜線基板は各基板の量子稜線表面で相互に結合した量子稜線生成物。
【請求項９５】上記生成物は、少なくとも１つの上記基板の上記稜線上で支持された量子ドットを有するものである請求項９４に記載の量子稜線生成物。
【請求項９６】上記２つの基板の１つにある上記量子稜線は第２の上記２つの基板上の量子稜線に略平行なものである請求項９４に記載の量子稜線生成物。
【請求項９７】上記２つの基板の１つにある上記量子稜線は第２の上記２つの基板上の量子稜線に略垂直である請求項９４に記載の量子稜線生成物。
【請求項９８】表面に略平行な複数の量子稜線をもつ基板を有するとともに、上記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチをもちかつ6 Åから51Åの幅および4から30,000Åの深さをもつ溝によって分離されており、上記量子稜線の少なくとも１つは、上記少なくとも１つの量子稜線の頂点で支持された量子ドットを有し、上記量子ドットは、少なくとも１つの方向での3 Åから47Åの幅をもち、上記量子稜線は、＜１１０＞方向に沿って整列され、上記量子稜線は真っ直ぐである導電性物質を有する量子稜線生成物。
【請求項９９】上記量子ドットは、約6 Åから30,000Åの厚さをもつものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１００】支持された１つの量子ドットをもつ上記少なくとも１つの量子稜線は少なくとも２つの量子稜線を有し、上記量子稜線の各々は、その稜線に支持された各量子ドットをもつものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０１】上記基板は、半導体材料を有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０２】上記基板は、シリコンを有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０３】上記基板は、第III族−第Ｖ族半導体を有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０４】上記基板は、ＧａＡｓを有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０５】上記量子ドットは、金属を有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０６】上記量子ドットの少なくとも一部を被覆するより大きなバンド・ギャップをもつ材料を有し、上記より大きなバンド・ギャップをもつ材料は上記量子ドットよりもより大きなバンド・ギャップをもつものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１０７】上記より大きなバンド・ギャップをもつ材料は二酸化珪素を有するものである請求項１０６に記載の生成物。
【請求項１０８】上記より大きなバンド・ギャップをもつ材料は窒化珪素を有するものである請求項１０６に記載の生成物。
【請求項１０９】上記より大きなバンド・ギャップをもつ材料はダイヤモンド状炭素を有するものである請求項１０６に記載の生成物。
【請求項１１０】上記基板は、(1 1 4) 面構造をもつものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１１１】上記基板は、(5 5 12)面構造をもつものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１１２】上記複数の量子稜線は、基板のくぼみに設けられたものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１１３】上記複数の量子稜線は、基板の凸面に設けられたものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１１４】上記複数の量子稜線の少なくとも1の量子稜線は、ＶＬＳ法によって少なくとも１の量子稜線に付着した物質を含有するものである請求項９８に記載の生成物。
【請求項１１５】表面に複数の略平行な量子稜線をもつ基板を有し、上記複数の量子稜線の隣接する量子稜線の各対は、9.4から54Åのピッチを有し、6から51Åの幅をもつ溝によって分離されており、上記溝は、4から30,000Åの平均の深さをもち、上記量子稜線は、＜１１０＞方向に整列され、上記量子稜線の各々は真っ直ぐである量子稜線生成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
量子稜線が直角に量子細線と交差するように、そこに形成された本発明の量子細線をもつ第２の基板上に本発明の量子稜線で被覆された基板を押しつけることによって量子ドットが形成された場合に、ｘおよびｙ方向に沿って5.4 から54Åの量子ドット間のピッチをもつ第２の基板上に、量子ドットが形成されるだろう。ここで、ｘピッチは、ｙピッチと異なっても、また同じであっても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
Ｓｉの(5 5 12)ウェハの適当に適応させたサンプルが、通常の化学機構的研磨方法によって準備される。ウェハは、約１０−１０ トルの真空にまで汲みだされたＵＨＶ室に置かれる。Ｓｉはそれから、表面の酸化物を除去するために、短い期間（一瞬）1150°Ｃにまで加熱され、それから室温（約-20 °か900 °Ｃ）より下にまで冷却される。ウェハの加熱は、局所的に、ＭＢＥ装置で水晶窓を通して通過する収束しまたは膨張したレーザーを用いて局所的に達成できる。これは、上記表面を安定な状態、即ちやや上昇した稜線が16，22，16；16，22，16（Å単位）で間隔し、また加熱が起る領域で、かなりの距離に亘って54Åの連続した巾を持続し、而も、稜線がウエハの全体の長さを横切って広がっているような状態におくことになる。その稜線は、ウェハの表面の完全な平坦さから、少しの変形によるその長手方向に沿って、その中に偶発的な階段をもつが、その工程の後に、その稜線は再び、同一の＜1 1 0 ＞方向に落ち着く。加えて、16、22、16または54Åの単位セルの反復の規則性をもった(5 5 12)に偶発的な表面欠陥がある。この欠陥は欠けている16Å部分をもち、それゆえ、その欠陥については、54Åの列の代わりに、38Å部分のみを事実上もつ。一方、(1 1 4) の平面を形成する他の良質な稜線は、表面欠陥をもつことなく、非常に規則的な16.3Åの間隔を有する。