【事件の表示】
　特願２００３−１２０８０７「信頼性向上のためのケイ化銅パッシベーション」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月５日出願公開、特開２００３−３４７３０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年４月２５日（パリ条約に基づく優先権主張　２００２年４月２６日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成１８年４月１０日に手続補正書が提出され、その後、平成２１年４月３０日付けの拒絶理由通知に対して同年１１月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年２月１２日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年６月１７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１０月２０日付けで審尋がなされ、平成２４年４月２４日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年６月１７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年６月１７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１を補正して、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　半導体製品を形成するための方法において、
　基板の上にＣｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含むことと、
　前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、
　前記Ｃｕ相互接続構造を形成する工程が、上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成し、前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層を形成し、及び、前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出し、
　前記転化する工程が、前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程を含む方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体製品を形成するための方法において、
　基板の上にＣｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含むことと、
　前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、
　前記Ｃｕ相互接続構造を形成する工程が、上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成し、前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層を形成し、及び、前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出し、
　前記転化する工程が、前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程を含む方法。」
　
２．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
　本件補正により、補正前の請求項１の「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、」が、「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、」と補正されている。
　そして、補正後の「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書における発明の詳細な説明の００１６段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、本件補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程」に対して技術的限定を加えるものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
３．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜９に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体製品を形成するための方法において、
　基板の上にＣｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含むことと、
　前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程を含み、
　前記Ｃｕ相互接続構造を形成する工程が、上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成し、前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層を形成し、及び、前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出し、
　前記転化する工程が、前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程を含む方法。」
　
（２）先願明細書等に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前である平成１３年８月１日の特許出願であって、本願の優先権主張の日後である平成１５年２月１４日に出願公開（特開２００３−４５９６０号）がされた特願２００１−２３３１７１号特許出願（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書（以下、先願の願書に最初に添付された明細書及び図面を、各々「先願明細書」及び「先願図面」といい、これらをまとめて「先願明細書等」という。）には、先願図面の図１〜７を参照して次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅配線を有する半導体装置及びその製造方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴い、配線の幅及び間隔が縮小され、その結果、配線自身の抵抗又は配線間の容量が増大している。これらの抵抗又は容量が増大すると、電気信号が配線を伝達する速度が低下し、ひいては半導体装置の動作速度が制約されてしまう。この現象を防ぐために、近年、銅（Ｃｕ）膜を使用して低抵抗の配線を形成する方法が盛んに検討されている。」
　
ｂ．「【００６２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照しながら説明する
【００６３】図１〜図７は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である
【００６４】
第１の実施形態に係る半導体装置においては、図７に示すように、半導体基板１０１の表面に銅（Ｃｕ）膜よりなる下層配線１０２が形成されていると共に、半導体基板１０１及び下層配線１０２のそれぞれの上に、第１の二酸化ケイ素（ＳｉＯ
２
）膜１０３が成膜されている。また、第１のＳｉＯ
２
膜１０３の上には、四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３
Ｎ
４
）膜１０４及び第２のＳｉＯ
２
膜１０５が順次成膜されている。第１のＳｉＯ
２
膜１０３及びＳｉ
３
Ｎ
４
膜１０４には、下層配線１０２に達するビアホール１０６が形成されていると共に、第２のＳｉＯ
２
膜１０５には、ビアホール１０６と接続する配線溝１０７が形成されている。また、下層配線１０２におけるビアホール１０６と接続する部分にケイ化銅（ＣｕＳｉｘ（ｘ＞０））層１０９が形成されている
【００６５】ビアホール１０６の壁面となる第１のＳｉＯ２膜１０３の表面及びＳｉ３Ｎ４膜１０４の表面、配線溝１０７の底面となるＳｉ３Ｎ４膜１０４の表面、並びに、配線溝１０７の壁面となる第２のＳｉＯ２膜１０５の表面はそれぞれシリコン（Ｓｉ）層１１０及びケイ化窒化チタン（ＴｉＳｉＮ）層１１１によって覆われている。また、Ｓｉ層１１０及びＴｉＳｉＮ層１１１が設けられたビアホール１０６及び配線溝１０７にはバリアメタル膜となる窒化チタン（ＴｉＮ）膜１１２が形成されていると共に、ＴｉＮ膜１１２の上にはビアホール１０６及び配線溝１０７が埋まるように第１のＣｕ膜１１３及び第２のＣｕ膜１１４が順次成膜されている。ここで、ビアホール１０６及び配線溝１０７の内部に形成されたＳｉ層１１０、ＴｉＳｉＮ層１１１、ＴｉＮ膜１１２、第１のＣｕ膜１１３及び第２のＣｕ膜１１４は上層配線１１５を構成している。」
　
ｃ．「【００６６】以下、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１〜図７を参照しながら説明する。
【００６７】
まず、図１に示すように、Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２が設けられた半導体基板１０１の上に、プラズマ励起方式の化学的気相成長法により第１のＳｉＯ
２
膜１０３、Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜１０４及び第２のＳｉＯ
２
膜１０５を順次成膜する
【００６８】
次に、図２に示すように、リソグラフィー法及びドライエッチング法を２回ずつ交互に用いることによって、第１のＳｉＯ
２
膜１０３及びＳｉ
３
Ｎ
４
膜１０４に下層配線１０２に達するビアホール１０６を形成すると共に第２のＳｉＯ
２
膜１０５にビアホール１０６と接続する配線溝１０７を形成する。このとき、ビアホール１０６の底部には下層配線１０２を構成するＣｕ膜が露出する一方、通常、このＣｕ膜の表面は大気中の酸素（Ｏ
２
）によって直ちに酸化されてしまう。これにより、下層配線１０２におけるビアホール１０６に露出する部分には酸化銅（ＣｕＯｘ（ｘ＞０））層１０８が生成される
【００６９】
次に、半導体基板１０１を真空チャンバ（図示省略）内に導入して、減圧下において４００℃程度に加熱した状態で１５秒間程度保持する。これにより、図３に示すように、ビアホール１０６の底部に生成されたＣｕＯｘ層１０８が自発的に分解し、それによって清浄なＣｕ膜の表面が露出する
【００７０】
次に、半導体基板１０１の加熱温度を４００℃程度に保ったまま、真空チャンバ内にシラン（ＳｉＨ
４
）を５ｓｃｃｍ、水素（Ｈ
２
）を１０００ｓｃｃｍ導入すると共に、真空チャンバ内の圧力を１３３Ｐａ程度に制御する。このとき、真空チャンバ内のＳｉＨ
４
分圧は約０．６６５Ｐａとなる。そして、半導体基板１０１をこの状態で２０秒間保持すると、図４に示すように、下層配線１０２におけるビアホール１０６に露出する部分（つまりＣｕ膜表面）においてＣｕ原子とＳｉＨ
４
とが反応して、厚さ５ｎｍ程度のＣｕＳｉｘ層１０９が生成される。
　
ｄ．「【００７１】次に、半導体基板１０１の加熱温度を４００℃程度に保ったまま、真空チャンバ内にヘリウム（Ｈｅ）で希釈したテトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を導入する。このとき、真空チャンバ内のＴＤＭＡＴ分圧が約０．６６５Ｐａになるように、ＴＤＭＡＴを導入する条件又は真空チャンバ内の圧力等を調整する。
そして、半導体基板１０１をこの状態で２０秒間保持すると、図５に示すように、ＣｕＳｉｘ層１０９の上に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉＮ膜１１２が成膜される。一方、Ｓｉ層１１０の表面においては、第１段階として、Ｓｉ層１１０中のＳｉ原子とＴＤＭＡＴとが反応して厚さ２ｎｍ程度のＴｉＳｉＮ層１１１が生成されると共に、Ｓｉ層１１０の厚さが２ｎｍ程度から１ｎｍ程度に減少する。続いて、第２段階として、ＴｉＳｉＮ層１１１の上に前述のＴｉＮ膜１１２が厚さ８ｎｍ程度で成膜される
【００７２】
次に、図６に示すように、ＴｉＮ膜１１２の上に、例えば物理的気相成長法により第１のＣｕ膜１１３を成膜した後、第１のＣｕ膜１１３の上に、例えばメッキ法により第２のＣｕ膜１１４を成膜し、それによってビアホール１０６及び配線溝１０７を埋め込む
【００７３】
最後に、図７に示すように、Ｓｉ層１１０、ＴｉＳｉＮ層１１１、ＴｉＮ膜１１２、第１のＣｕ膜１１３及び第２のＣｕ膜１１４のそれぞれにおける配線溝１０７の外側の部分を化学機械研磨法（ＣＭＰ法）により除去する。これにより、ビアホール１０６及び配線溝１０７に埋め込まれたＳｉ層１１０、ＴｉＳｉＮ層１１１、ＴｉＮ膜１１２、第１のＣｕ膜１１３及び第２のＣｕ膜１１４から構成される上層配線１１５が形成される
　
ｅ．「【０１２９】
また、第１〜第４の実施形態においては、半導体基板の表面をシリコン化合物に暴露する方法を用いてＣｕＳｉｘ層の生成又はＳｉ層の堆積を行なっているが、これに代えて、半導体基板の表面にＳｉ原子を効率よく供給する他の方法、例えば半導体基板の表面を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露する方法を用いてもよい
　
（２−２）ここにおいて、０１２９段落の記載から、先願明細書等には、００６６段落以降に記載された「第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法」において、「ＣｕＳｉｘ層１０９」を生成する方法として、００７０段落に記載された方法に代えて、「半導体基板１０１」の表面を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露する方法を採用することが記載されていることは明らかである。
　
（２−３）したがって、先願明細書等には、次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「銅配線を有する半導体装置の製造方法において、
　Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２が設けられた半導体基板１０１の上に、第１のＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４及び第２のＳｉＯ２膜１０５を順次成膜する工程、
　前記第１のＳｉＯ２膜１０３及び前記Ｓｉ３Ｎ４膜１０４に前記下層配線１０２に達するビアホール１０６を形成するとともに前記第２のＳｉＯ２膜１０５に前記ビアホール１０６と接続する配線溝１０７を形成し、次に、前記ビアホール１０６の底部に生成されたＣｕＯｘ層１０８を分解して清浄なＣｕ膜の表面を露出させる工程、
　前記半導体基板１０１の表面を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、前記下層配線１０２における前記ビアホール１０６に露出するＣｕ膜表面にＣｕＳｉｘ層１０９を生成する工程を含む半導体装置の製造方法。」
　
（３）補正発明と先願発明との対比
（３−１）先願発明の「銅配線を有する半導体装置の製造方法」は、補正発明の「半導体製品を形成するための方法」に相当する。
　また、先願発明の「半導体基板１０１」、「下層配線１０２」は、各々補正発明の「基板」、「Ｃｕ相互接続構造」に相当する。
　そして、先願発明においては、「Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２が設けられた半導体基板１０１の上に、第１のＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４及び第２のＳｉＯ２膜１０５を順次成膜する工程」及び「前記第１のＳｉＯ２膜１０３及び前記Ｓｉ３Ｎ４膜１０４に前記下層配線１０２に達するビアホール１０６を形成するとともに前記第２のＳｉＯ２膜１０５に前記ビアホール１０６と接続する配線溝１０７を形成し、次に、前記ビアホール１０６の底部に生成されたＣｕＯｘ層１０８を分解して清浄なＣｕ膜の表面を露出させる工程」により、「下層配線１０２」における「ビアホール１０６の底部」に露出した「Ｃｕ膜の表面」を含むものとなることが明らかである。
　したがって、補正発明と先願発明とは、「『基板』の上部に『Ｃｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含む』」点で一致する。
　
（３−２）補正発明の「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程」において、「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分」が、先願発明のように「Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露」されていることは明らかであるから、先願発明の「前記半導体基板１０１の表面を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、前記下層配線１０２における前記ビアホール１０６に露出するＣｕ膜表面にＣｕＳｉｘ層１０９を生成する工程」と補正発明の「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下でケイ化銅に転化する工程」とは、「『前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を』、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、『ケイ化銅に転化する工程』」である点で一致する。
　
（３−３）先願発明において、「Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２が設けられた半導体基板１０１」を得るためには、補正発明のように、「上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成」することが必要であることは自明である。
　また、先願発明の「第１のＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４及び第２のＳｉＯ２膜１０５」は、補正発明の「誘電体層」に相当する。
　また、先願発明の「Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２が設けられた半導体基板１０１の上に、第１のＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４及び第２のＳｉＯ２膜１０５を順次成膜する工程」において、「第１のＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４及び第２のＳｉＯ２膜１０５」が「Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２」の表面上に形成されること、すなわち、補正発明のように、「前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層」が「形成」されることは明らかである。
　さらに、先願発明の「前記第１のＳｉＯ２膜１０３及び前記Ｓｉ３Ｎ４膜１０４に前記下層配線１０２に達するビアホール１０６を形成するとともに前記第２のＳｉＯ２膜１０５に前記ビアホール１０６と接続する配線溝１０７を形成し、次に、前記ビアホール１０６の底部に生成されたＣｕＯｘ層１０８を分解して清浄なＣｕ膜の表面を露出させる工程」は、補正発明の「前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出」する工程に相当する。
　したがって、補正発明と先願発明とは、「前記Ｃｕ相互接続構造を形成する工程が、上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成し、前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層を形成し、及び、前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出」するものである点で一致する。
　
（３−４）先願発明の「露出するＣｕ膜表面にＣｕＳｉｘ層１０９を生成する工程」は、補正発明の「前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程」に相当する。
　したがって、補正発明と先願発明とは、「前記転化する工程が、前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程を含む」点で一致する。
　
（３−５）以上を総合すると、補正発明と先願発明とは、
　
　「半導体製品を形成するための方法において、
　基板の上部にＣｕ相互接続構造を形成し、前記Ｃｕ相互接続構造が露出したＣｕ表面を含むことと、
　前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、ケイ化銅に転化する工程を含み、
　前記Ｃｕ相互接続構造を形成する工程が、上部Ｃｕ表面を有するＣｕ相互接続構造を形成し、前記上部Ｃｕ表面上に誘電体層を形成し、及び、前記誘電体層に開口を形成して前記露出したＣｕ表面である前記上部Ｃｕ表面の少なくとも一部を露出し、
　前記転化する工程が、前記露出したＣｕ表面を前記ケイ化銅へ転化する工程を含む方法。」
　
　である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点１）
　「Ｃｕ相互接続構造」が形成される箇所が、補正発明は「基板の
上
上
　
（相違点２）
　「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、ケイ化銅に転化する工程」が、先願発明では、「１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下で」行われているのに対して、補正発明では、そのようなことが特定されていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）一般に、半導体の技術分野において、「半導体基板」（あるいは単に「基板」）という語は、板状の半導体そのものを指す場合もあれば、板状の半導体のみならず、当該半導体の表面に形成された絶縁膜等の付随物までをも含めた物を指す場合もあることは、当業者の技術常識である。
　そこで、先願発明における「半導体基板１０１」について検討すると、例えば、先願図面の図１には「Ｃｕ膜よりなる下層配線１０２」が「半導体基板１０１」に埋め込まれたような態様で記載されているが、銅配線を半導体に埋め込むと、両者が電気的に短絡してうまく動作しないことは明白であるから、先願発明における「半導体基板１０１」とは、板状の半導体そのものではなく、表面に絶縁膜が形成された板状の半導体を意味するものと解される。
　したがって、先願発明の「下層配線１０２」は、板状の半導体の表面に形成された絶縁膜の内部に、換言すれば、板状の半導体の上に形成されているものと認められる。
　一方、補正発明の「基板」は、本願の明細書の００１３段落、及び図１等の記載から、板状の半導体そのものを意味するものであることが明らかである。
　してみると、補正発明における「基板」の定義に従えば、先願発明も、補正発明のように「基板の上にＣｕ相互接続構造を形成」していることは明らかであるから、相違点１は表現上のものにすぎず、実際には存在しない。
　
（４−１−２）また、仮に、先願発明が、補正発明のように「基板の上にＣｕ相互接続構造を形成」しているとまではいえず、相違点１が存在するとしても、一般に、半導体装置において、配線を基板の上に形成することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１にも記載されているように、当業者において慣用的に行われていることである。
　
ａ．周知例１：特開平１１−１９１５５６号公報　
　上記周知例１には、図１８〜２１とともに次の記載がある。
　「【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化や高速化により、その内部配線の微細化、多層化が進んでおり、これに伴って配線形成時の平坦化技術や微細配線の加工、および配線の信頼性確保が重要な課題となっている。これらの問題点の解決手段のひとつとして、銅（Ｃｕ）を用いた埋め込み配線技術が検討されている。
【０００３】ここで、このＣｕを用いた埋め込み配線技術の一例を図１８〜図２１に示す。すなわち、まず、
図１８に示すように、あらかじめトランジスタなどの素子や素子分離領域（図示せず）が形成された半導体基板１０１上にＳｉＯ
２
膜などの層間絶縁膜１０２を形成し、この層間絶縁膜１０２に配線パターンの配線溝１０３を形成する。
次に、図１９に示すように、高真空中においてスパッタリング法により全面にＴｉ膜とＴｉＮ膜とを順次形成することにより、下地バリアメタルとしてのＴｉＮ／Ｔｉ膜１０４を形成し、引き続いて、高真空中においてスパッタリング法により、全面にＣｕ膜１０５を形成する。次に、図２０に示すように、半導体基板１０１を加熱することによって、Ｃｕ膜１０５をリフローさせ、配線溝１０３の内部にＣｕを埋め込んだ後、図２１に示すように、配線溝１０３の内部以外の部分のＣｕ膜１０５およびＴｉＮ／Ｔｉ膜１０４をエッチバック法や化学的機械研磨（ＣＭＰ）法などによって除去することにより、配線溝１０３の部分にＴｉＮ／Ｔｉ膜１０４を下地バリアメタルとした溝配線１０６を形成する
　
　したがって、上記周知例１には、「溝配線１０６」を「半導体基板１０１」の上に形成することが記載されているものと認められる。
　
（４−１−３）したがって、たとえ相違点１が存在したとしても、当該相違点１は、課題解決のための具体的手段における設計上の微差にすぎず、実質的なものではない。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、半導体の製造プロセスにおいて、ラジカルやイオンを得るためにプラズマ反応を利用することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例２及び３にも記載されているように、当業者において常とう的に行われていることである。
　
ａ．周知例２：特開２０００−１９５８２０号公報
　上記周知例２には、次の記載がある。
　「【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩ(Ultra Large Scale Integrated Circuits) 等の半導体装置のデザインルールがサブクォータミクロンのレベルへと微細化し、かつ多層配線構造が多用されつつある。
この高集積化とともに、例えばロジック部とＤＲＡＭ (Dynamic Random Access Memory) 部を混載したシステムＬＳＩデバイスが注目されている
　「【００２０】〔作用〕
Ｈ
２
およびＳｉＨ
４
を含む混合ガスを放電解離してプラズマ化すると、これらのガスはプラズマ中の電子と衝突して、プラズマ中にＨラジカル、およびＳｉラジカル、ＳｉＨラジカル、ＳｉＨ
２
ラジカル、ＳｉＨ
３
ラジカル等のＳｉ活性種が生成する。
【００２１】Ｃｌが脱離したＴｉ金属部分は、Ｓｉラジカル、ＳｉＨラジカル、ＳｉＨ２ラジカル、ＳｉＨ３ラジカル等のＳｉ活性種と結合し、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ系の金属窒化物薄膜となる。」
　
　したがって、上記周知例２には、システムＬＳＩデバイスの製造プロセスにおいて、Ｓｉを含むラジカルを得るためにプラズマ反応を用いることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例３：特開平６−１３６５４２号公報
　上記周知例３には、図６とともに次の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば半導体デバイスに使用されるアモルファスシリコン半導体膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等の製造装置であるプラズマＣＶＤ装置に関する
【０００２】
【従来の技術】図６に、グロー放電プラズマを用いた従来の平行平板型プラズマＣＶＤ装置の反応容器断面構造を示す。図６に基づいて、従来のプラズマＣＶＤ装置の構造を説明する。
（途中略）
【０００５】以上のような構造を有するプラズマＣＶＤ装置の動作を説明する。
【０００６】先ず、反応容器１０１の外部で、膜を形成させる基板１０８を下方電極１０３に装着し、図示されていない搬送レール及び搬送駆動システムによって下方電極１０３ごと搬送し、上方電極１０２と対向するヒータ１０７上に設置する。下方電極１０３上で基板１０８はヒータ１０７によって１００〜４００℃の所望の温度に加熱され保持される。
【０００７】
次に、反応ガスが上方電極１０２の表面に形成された反応ガス導入孔１０５から導入され、放電領域１０４でグロー放電によりプラズマとなり、基板１０８上に付着し、膜が形成される
【０００８】
放電領域１０４に導入された反応ガスは排気配管１１０を通って真空ポンプ１１２より反応容器１０１の外部へ排気される。反応容器１０１内の圧力は圧力センサ１０９及び排気配管１１０の途中に形成された圧力調整バルブ１１１によって０．１〜数Ｔｏｒｒ内の所望の値に制御できる
【０００９】
基板１０８の表面にアモルファスシリコン半導体膜を形成する場合は、反応ガスとしてモノシランガス及び水素ガス用いる。放電領域１０４に導入された反応ガスは、所定の条件下でグロー放電によりプラズマになり、分解されたシリコンラジカルによって、基板１０８表面にアモルファスシリコン半導体膜が形成される
　
　したがって、上記周知例３には、半導体薄膜の製造プロセスにおいて、シリコンラジカルを得るために、プラズマ反応を利用することが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）そして、プラズマ反応を利用してＳｉを含むラジカル又はイオンを得るためには、Ｓｉを含む気体材料が必要であることは当業者にとって自明であり、また、「１〜１０トルの範囲内の圧力」も、例えば、先願明細書の００７０段落に「真空チャンバ内の圧力を１３３Ｐａ（審決注：約１トルに相当）程度に制御する」ことが記載されており、上記周知例３に「反応容器１０１内の圧力は圧力センサ１０９及び排気配管１１０の途中に形成された圧力調整バルブ１１１によって０．１〜数Ｔｏｒｒ内の所望の値に制御できる。」と記載されていることからも分かるように、当業者において通常用いられている範囲の圧力である。
　
（４−２−３）一方、本願の明細書及び図面全体を精査しても、反応温度や反応時間はもちろん、どのような具体的材料を用いるかさえ特定されていない補正発明において、「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、」「ケイ化銅に転化する工程」を、「１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下で」行うことにより、格別の効果を奏することを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　
（４−２−４）したがって、「前記露出したＣｕ表面の少なくとも一部分を、Ｓｉを含むラジカル又はイオンに暴露することにより、ケイ化銅に転化する工程」を実現するに当たり、「１〜１０トルの範囲内の圧力の使用を含みＳｉを含む気体材料を有するプラズマ反応条件下で」行うことは、当業者が適宜なし得る程度のことであり、相違点２は、課題解決のための具体的手段における設計上の微差にすぎず、実質的なものではない。
　
（４−３）相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおり、補正発明と先願発明との各相違点は、存在しないか、あるいは存在するとしても実質的なものではないから、補正発明と先願発明とは実質的に同一である。
　したがって、補正発明は、先願明細書等に記載された発明である。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、補正発明は、先願明細書等に記載された発明である。
　そして、補正発明の発明者は先願発明の発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時点において、その出願人が先願の出願人と同一でもないから、補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
４．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年６月１７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２１年１１月５日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前の特許出願であって、本願の優先権主張の日後に出願公開（特開２００３−４５９６０号）がされた特願２００１−２３３１７１号特許出願（先願）の願書に最初に添付された明細書及び図面（先願明細書等）には、上記第２．３．（２）に記載したとおりの事項及び発明（先願発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．３．において検討したとおり、先願明細書等に記載された発明（先願発明）であるから、本願発明も当然に、先願明細書等に記載された発明（先願発明）である。
　そして、本願発明の発明者は先願発明の発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時点において、その出願人が先願の出願人と同一でもないから、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。