【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層コーティングを基板の上にインラインでデポジットするツールであって、
前記基板を受け取るように構成される近位端と、
前記近位端と反対側の遠位端と、
実質的に前記近位端と前記遠位端との間に配置される少なくとも１つのハウジングとを備え、前記ハウジングが、その中に共通の真空及び実質的に線形のデポジション経路を定め、前記共通の真空は真空源に結合されるように構成され、前記実質的に線形のデポジション経路は、前記ハウジングを通しての前記基板の輸送を容易にするように構成され、前記ハウジングが、
前記多層コーティングの少なくとも１つの有機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションと、
前記有機層デポジション・ステーションによってデポジットされた有機層を硬化させるように構成される少なくとも１つの硬化ステーションと、
前記多層コーティングの少なくとも１つの無機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションと、
前記有機層を作成する材料が、前記材料の源である前記有機層デポジション・ステーションから移動するのを制御する少なくとも１つの熱制御汚染低減デバイスと
を備える、
ツール。
【請求項２】
請求項１に記載のツールであって、前記ハウジングに配されるマスク・ステーションを更に備え、前記マスク・ステーションが、少なくとも１つのマスクを前記基板に配するように構成される、ツール。
【請求項３】
請求項２に記載のツールであって、前記マスク・ステーションが、有機マスク配置デバイス及び無機マスク配置デバイスを備える、ツール。
【請求項４】
請求項１に記載のツールであって、前記近位端及び前記遠位端の少なくとも一方がアキュムレータを定め、前記アキュムレータは、前記基板の上に前記多層コーティングをデポジットするステップの少なくとも前、後、又は間に、前記基板のバッチをその内に含むように構成される、ツール。
【請求項５】
請求項４に記載のツールであって、前記近位端及び前記遠位端の両方がアキュムレータを定める、ツール。
【請求項６】
請求項４に記載のツールであって、複数の有機デポジション・ステーション及び複数の無機デポジション・ステーションを備えるツール。
【請求項７】
請求項４に記載のツールであって、基板の複数のバッチを同時に処理するように構成されるツール。
【請求項８】
請求項７に記載のツールであって、前記アキュムレータが、前記多層コーティングの複数の層をデポジットすることが可能なように、前記実質的に線形のデポジション経路に沿って前記基板を反対向きにさせるように更に構成される、ツール。
【請求項９】
請求項４に記載のツールであって、前記アキュムレータの少なくとも１つが、前記アキュムレータ内の温度を低減するように構成されるデバイスを更に備える、ツール。
【請求項１０】
請求項４に記載のツールであって、前記アキュムレータが環境隔離バルブを備える、ツール。
【請求項１１】
請求項４に記載のツールであって、前記多層コーティングの個々の層が前記基板又は隣接する層に付着する能力を向上するように構成される少なくとも１つの表面処理チャンバを更に備えるツール。
【請求項１２】
請求項１１に記載のツールであって、前記表面処理チャンバが前記アキュムレータに配される、ツール。
【請求項１３】
請求項１２に記載のツールであって、前記表面処理チャンバがプラズマ・エネルギ源を備える、ツール。
【請求項１４】
請求項１２に記載のツールであって、前記表面処理チャンバが熱蒸着デバイスを備える、ツール。
【請求項１５】
請求項１２に記載のツールであって、前記熱蒸着デバイスが非酸化物材料をデポジットするように構成される、ツール。
【請求項１６】
請求項１５に記載のツールであって、前記非酸化物材料がフッ化リチウム又はフッ化マグネシウムの少なくとも一つを備える、ツール。
【請求項１７】
請求項１に記載のツールであって、前記無機層デポジション・ステーションが、前記基板の上に、前記有機層デポジション・ステーションから有機層が配される前に、無機層を配するように構成される、ツール。
【請求項１８】
請求項１に記載のツールであって、前記少なくとも１つの熱制御汚染低減デバイスが、前記実質的に線形のデポジション経路に沿った前記有機層デポジション・ステーションの少なくとも一側に隣接して配される、ツール。
【請求項１９】
請求項１８に記載のツールであって、前記熱制御汚染低減デバイスが、前記実質的に線形のデポジション経路に沿った前記有機層デポジション・ステーションの上流側及び下流側に隣接して配される、ツール。
【請求項２０】
請求項１８に記載のツールであって、前記熱制御汚染低減デバイスがチラーである、ツール。
【請求項２１】
請求項１に記載のツールであって、前記熱制御汚染低減デバイスが、前記有機層デポジション・ステーションの少なくとも一側に隣接する前記実質的に線形のデポジション経路に沿って配される少なくとも１つのバフルを更に備える、ツール。
【請求項２２】
請求項１に記載のツールであって、前記ハウジングを通じて延びるコンベヤを更に備え、前記コンベヤが、前記ツールの少なくとも一部を通して前記基板を輸送するように構成される、ツール。
【請求項２３】
請求項２２に記載のツールであって、前記コンベヤが、前記近位端と前記遠位端との間で両方向に動くように構成される、ツール。
【請求項２４】
請求項１に記載のツールであって、前記ツールに動作可能に結合される試験チャンバを更に備え、前記試験チャンバが浸透耐性を試験するように構成される、ツール。
【請求項２５】
請求項２４に記載のツールであって、前記試験チャンバが、酸素又は湿度の少なくとも一つの環境攻撃をシミュレーションするように構成される、ツール。
【請求項２６】
請求項１に記載のツールであって、前記ハウジング内の処理条件を決定するように構成される制御システムを更に備える、ツール。
【請求項２７】
請求項１に記載のツールであって、前記真空源が、前記有機層のデポジション中とは異なる真空レベルを前記無機層のデポジション中に提供するように構成される、ツール。
【請求項２８】
請求項２７に記載のツールであって、前記無機層のデポジション中の前記真空レベルが約３ミリトルである、ツール。
【請求項２９】
請求項２７に記載のツールであって、前記有機層のデポジション中の前記真空レベルが約１０ミリトルである、ツール。
【請求項３０】
請求項１に記載のツールであって、前記無機層デポジション・ステーションが回転スパッタリング源を備える、ツール。
【請求項３１】
請求項３０に記載のツールであって、前記回転スパッタリング源が少なくとも１つの回転可能カソードを備える、ツール。
【請求項３２】
多層コーティングと柔軟性基板との間に物体をカプセル化するツールであって、
共通の真空及び実質的に線形のデポジション経路を内部に実質的に定める少なくとも１つのハウジングを備え、前記実質的に線形のデポジション経路が、前記ハウジングを通しての前記基板の輸送を容易にするように構成され、前記ハウジングが、
前記多層コーティングの少なくとも１つの有機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションと、
前記有機層デポジション・ステーションによってデポジットされた有機層を硬化させるように構成される少なくとも１つの硬化ステーションと、
前記多層コーティングの少なくとも１つの無機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションと、
有機マスク及び無機マスクを前記基板の上に配するように構成されるマスク・ステーションと、
前記有機層を作成する材料が、前記材料の源である前記有機層デポジション・ステーションから移動するのを制御する少なくとも１つの熱制御汚染低減デバイスと
を備え、前記ツールが更に、
前記真空チャンバに結合された真空ポンプと、
前記ハウジングの上流に配される第１アキュムレータであって、前記基板が前記実質的に線形のデポジション経路に配されると、外部周囲環境からの前記基板の少なくとも部分的な環境隔離を提供するように構成される第１アキュムレータと、
前記ハウジングの下流に配置される第２アキュムレータであって、外部周囲環境からの前記基板の少なくとも部分的な環境隔離を提供するように、および、前記多層コーティングの複数の層を前記基板の上にデポジットすることを可能とするように、前記実質的に線形のデポジション経路に沿って前記基板を反転させるように構成される第２アキュムレータと
を備えるツール。
【請求項３３】
請求項３２に記載のツールであって、前記第１アキュムレータの上流に配され、前記基板をそこから受け取るようにするための固定デバイスを更に備える、ツール。
【請求項３４】
請求項３３に記載のツールであって、前記アキュムレータの少なくとも一つが熱制御デバイスを備える、ツール。
【請求項３５】
請求項３２に記載のツールであって、前記第１アキュムレータが、基板を入れる経路及び基板を出す経路を備え、前記基板を出す経路が前記基板を入れる経路から間隔をおいて配される、ツール。
【請求項３６】
基板の上に配された物体を保護するために基板に多層コーティングをインラインでデポジットするカプセル化ツールであって、
共通の真空及び実質的に線形のデポジション経路を内部に実質的に定める少なくとも１つのハウジングであって、前記実質的に線形のデポジション経路が、前記ハウジングを通しての前記基板の輸送を容易にするように構成される、ハウジングと、
前記物体が前記少なくとも１つのハウジングにある間に、前記物体の上に第１材料をデポジットする手段と、
前記物体が前記少なくとも１つのハウジングにある間に、前記第１材料を硬化させる手段と、
前記物体が前記少なくとも１つのハウジングにある間に、前記物体の上に第２材料をデポジットする手段と、
前記第１材料をデポジットする手段、前記第２材料をデポジットする手段、及び前記第１材料を硬化させる手段が互いに真空で接続されるように、前記少なくとも１つのハウジングにおいて真空を提供する手段と、
前記第１材料をデポジットする手段からの前記第１材料の移動を熱的に制御する手段と
を備えるカプセル化ツール。
【請求項３７】
請求項３６に記載のカプセル化ツールであって、前記第１材料又は前記第２材料を前記基板に隣接するように最初に加えることができるように前記カプセル化ツールが構成される、カプセル化ツール。
【請求項３８】
請求項３６に記載のカプセル化ツールであって、前記少なくとも１つのハウジングが、順に結合された複数のハウジングであり、前記共通の真空が、前記複数のハウジングのそれぞれに共通である、カプセル化ツール。
【請求項３９】
請求項３８に記載のカプセル化ツールであって、前記基板を外部周囲環境から少なくとも部分的に隔離するように構成される少なくとも１つのアキュムレータを更に備える、カプセル化ツール。
【請求項４０】
請求項３９に記載のカプセル化ツールであって、前記アキュムレータが、前記ハウジングと選択的に真空で接続される、カプセル化ツール。
【請求項４１】
請求項４０に記載のカプセル化ツールであって、前記アキュムレータが、前記アキュムレータ内の温度を低減するように構成されるデバイスを備える、カプセル化ツール。
【請求項４２】
多層コーティングを基板の上にデポジットする方法であって、
カプセル化ツールを構成するステップであって、
前記基板を受けるように構成される近位端と、
前記近位端と反対側の遠位端と、
実質的に前記近位端と前記遠位端との間に配される少なくとも１つのハウジングであって、共通の真空及び実質的に線形のデポジション経路を内部に定めるものであり、前記共通の真空が真空源に結合されるように構成されるものであり、前記実質的に線形のデポジション経路が、前記ハウジングを通しての前記基板の輸送を容易にするように構成されるものであり、
前記多層コーティングの少なくとも１つの有機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションと、
前記有機層デポジション・ステーションによってデポジットされた有機層を硬化させるように構成される少なくとも１つの硬化ステーションと、
前記多層コーティングの少なくとも１つの無機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションと、
前記有機層を作成する材料が、前記材料の源である前記有機層デポジション・ステーションから移動するのを制御する少なくとも１つの熱制御汚染低減デバイスと
を備えるハウジングと
を前記カプセル化ツールが備えるように、前記カプセル化ツールを構成するステップと、
前記基板を前記ハウジングへ入れるステップと、
前記ハウジング内に少なくとも部分的な真空を提供するステップと、
無機材料を前記無機層デポジション・ステーションへ導き入れるステップと、
前記無機材料の少なくとも一部を前記多層コーティングの構成要素として前記基板の上にデポジットするステップと、
有機材料を前記有機層デポジション・ステーションへ導き入れるステップと、
前記有機材料の少なくとも一部を前記多層コーティングの構成要素として前記基板の上にデポジットするステップと、
デポジットされた前記有機材料を硬化させるステップと、
前記汚染低減デバイスを用いて、前記有機層デポジション・ステーションから余分な前記有機材料が移動するのを制御するステップと
を備える方法。
【請求項４３】
請求項４２に記載の方法であって、前記基板の少なくとも１つの表面に前記多層コーティングの第１層を形成する前に、前記基板と形成される前記第１層との間の付着性を向上させるために、前記基板の少なくとも１つの表面を処理するステップを更に備える、方法。
【請求項４４】
請求項４２に記載の方法であって、
前記無機材料をデポジットする前記ステップの前に、無機マスクを前記基板の上に配するステップと、
前記有機材料をデポジットする前記ステップの前に、有機マスクを前記基板の上に配するステップと
を更に含む方法。
【請求項４５】
請求項４４に記載の方法であって、アンダーカット・マスクを作成するために複数のマスクを積み重ねるステップを更に備える方法。
【請求項４６】
請求項４４に記載の方法であって、前記硬化させるステップの前に、前記有機マスクを除去する追加のステップを備える方法。
【請求項４７】
請求項４２に記載の方法であって、余分な有機材料が移動するのを制御する前記ステップが、前記有機層デポジション・ステーション内の空間の少なくとも一部を冷却するステップを備え、それにより、前記有機層デポジション・ステーションに気相で残存する余分な有機材料を低減させる、方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法であって、前記の冷却を実施するために、チラーが、前記有機層デポジション・ステーションによって定められる前記空間と熱伝達するように配される、方法。
【請求項４９】
請求項４２に記載の方法であって、
第１アキュムレータを前記ハウジングの上流に配するステップと、
第２アキュムレータを前記ハウジングの下流に配するステップと、
前記基板上の温度を低減するように構成されるデバイスを組み込むステップと
を更に備える方法。
【請求項５０】
基板の上に配された物体をカプセル化する方法であって、
カプセル化ツールを構成するステップであって、
前記基板を受けるように構成される近位端と、
前記近位端と反対側の遠位端と、
実質的に前記近位端と前記遠位端との間に配される少なくとも１つのハウジングであって、共通の真空及び実質的に線形のデポジション経路を内部に定めるものであり、前記共通の真空が真空源に結合されるように構成されるものであり、前記実質的に線形のデポジション経路が、前記ハウジングを通しての前記基板の輸送を容易にするように構成されるものであり、
前記多層コーティングの少なくとも１つの有機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションと、
前記有機層デポジション・ステーションによってデポジットされた有機層を硬化させるように構成される少なくとも１つの硬化ステーションと、
前記多層コーティングの少なくとも１つの無機層を前記基板の上にデポジットするように構成される少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションと、
前記有機層を作成する材料が、前記材料の源である前記有機層デポジション・ステーションから移動するのを制御する少なくとも１つの熱制御汚染低減デバイスと
を備えるハウジングと
を前記カプセル化ツールが備えるように、前記カプセル化ツールを構成するステップと、
前記基板を前記ハウジングへ入れるステップと、
前記物体が配されている前記基板を前記ハウジングへ入れるステップと、
前記ハウジング内に少なくとも部分的な真空を提供するステップと、
無機材料を前記無機層デポジション・ステーションへ導き入れるステップと、
前記基板が前記無機層デポジション・ステーションにある間に、前記無機材料の少なくとも一部を前記基板の上にデポジットするステップと、
有機材料を前記有機層デポジション・ステーションへ導き入れるステップと、
前記基板が前記有機層デポジション・ステーションにある間に、前記有機材料の少なくとも一部を前記基板の上にデポジットするステップと、
有機材料汚染の低減を行うために、余分な前記有機材料を隔離するステップと、
デポジットされた前記有機材料を硬化させるステップと
を備える方法。
【請求項５１】
請求項５０に記載の方法であって、前記有機材料をデポジットする前記ステップ及び前記無機材料をデポジットする前記ステップが少なくとも１回繰り返される、方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の方法であって、前記有機材料をデポジットする前記ステップ及び前記無機材料をデポジットする前記ステップを任意の順序で実施することができる、方法。
【請求項５３】
請求項５０に記載の方法であって、前記有機材料が蒸気の形態で前記有機層デポジション・ステーションへ導き入れられる、方法。
【請求項５４】
請求項５３に記載の方法であって、余分な有機材料を隔離する前記ステップが、前記蒸気の形態にある前記余分な有機材料の少なくとも一部が凝縮するように、前記有機層デポジション・ステーションの少なくとも一部を冷却するステップを備える、方法。
【請求項５５】
請求項５３に記載の方法であって、前記有機材料がフラッシュ蒸着によりデポジットされる、方法
【請求項５６】
請求項５０に記載の方法であって、前記有機材料がポリマー先駆物質である、方法。
【請求項５７】
請求項５０に記載の方法であって、前記無機材料がセラミックである、方法。
【請求項５８】
環境に対して敏感なデバイスのための多層コーティングであって、
前記デバイス上に配されるプラズマ保護層と、
前記プラズマ保護層の上に配されるスタックと
を備え、前記スタックは、少なくとも１つの有機層および少なくとも１つの無機層を備え、前記プラズマ保護層は、その上に前記スタックがデポジットされたときに、前記スタックのデポジットに用いられたプラズマに起因する前記デバイスの損傷が、前記プラズマ保護層なしで前記スタックによりコーティングされたデバイスと比較して、大幅に低減されるように構成される、
コーティング。
【請求項５９】
請求項５８に記載のコーティングであって、前記プラズマ保護層はハロゲン化金属を含む、コーティング。
【請求項６０】
請求項５８に記載のコーティングであって、前記ハロゲン化金属のプラズマ保護層はフッ化リチウムを含む、コーティング。
【請求項６１】
請求項５８に記載のコーティングであって、前記プラズマ保護層は、非プラズマ・ベースのプロセスから選択されたプロセスを用いてデポジットされる、コーティング。
【請求項６２】
請求項６１に記載のコーティングであって、前記非プラズマ・ベースのプロセスは蒸着プロセスである、コーティング。
【請求項６３】
請求項５８に記載のコーティングであって、前記プラズマ保護層は、前記コーティングにおける最初にデポジットされる層である、コーティング。
【請求項６４】
請求項５８に記載のコーティングであって、前記スタックの前記無機層は、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、およびこれらのものの組み合わせからなるグループから選択される、コーティング。
【請求項６５】
カプセル化された、プラズマに対して敏感なデバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配される、プラズマに対して敏感なデバイスと、
前記デバイスをプラズマに対して露出することに起因する損傷を低減するために前記デバイスの上に配されるプラズマ保護層と、
前記プラズマ保護層の上に配される多層コーティングであって、少なくとも１つの有機層および少なくとも１つの無機層を含み、前記多層コーティングと前記基板との間に前記デバイスが配されるようにする、多層コーティングと
を備えるデバイス。
【請求項６６】
請求項６５に記載のデバイスであって、前記プラズマ保護層はハロゲン化金属を含む、デバイス。
【請求項６７】
請求項６６に記載のデバイスであって、前記ハロゲン化金属のプラズマ保護層はフッ化リチウムを含む、デバイス。
【請求項６８】
請求項６５に記載のデバイスであって、前記プラズマに対して敏感なデバイスの上に配された前記プラズマ保護層は、前記デバイスと接触して配される、デバイス。
【請求項６９】
請求項６５に記載のデバイスであって、前記プラズマ保護層は非プラズマ・ベースのプロセスを用いてデポジットされる、デバイス。
【請求項７０】
請求項６９に記載のデバイスであって、前記非プラズマ・ベースのプロセスは、熱蒸着、電子ビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、触媒ＣＶＤ、イオン・アシスト高密度化が後に続く蒸着、およびこれらのものの組み合わせからなるグループから選択される、デバイス。
【請求項７１】
請求項６５に記載のデバイスであって、電子回路を含むデバイス。
【請求項７２】
請求項７１に記載のデバイスであって、有機発光ダイオードを含むデバイス。
【請求項７３】
プラズマ・ベースのデポジション・プロセスを用いての材料のデポジットに起因する、プラズマに敏感な電子デバイスの損傷を低減する方法であって、
前記デバイスを基板の上に配するステップと、
非プラズマ・ベースのプロセスを用いて前記デバイスの上にプラズマ保護層をデポジットするステップと、
前記プラズマ保護層の上に多層コーティングをデポジットするステップであって、前記多層コーティングは少なくとも１つの有機層および少なくとも１つの無機層を含み、前記基板と前記プラズマ保護層と前記多層コーティングとの間に前記デバイスがカプセル化されるようにする、ステップと、
を備える方法。
【請求項７４】
請求項７３に記載の方法であって、前記非プラズマ・ベースのプロセスは真空で行われる、方法。
【請求項７５】
請求項７３に記載の方法であって、前記非プラズマ・ベースのプロセスは、熱蒸着、電子ビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、触媒ＣＶＤ、イオン・アシスト高密度化が後に続く蒸着、およびこれらのものの組み合わせからなるグループから選択される、方法。
【請求項７６】
請求項７３に記載の方法であって、前記プラズマ保護層はハロゲン化金属を含む、方法。
【請求項７７】
請求項７６に記載の方法であって、前記ハロゲン化金属のプラズマ保護層はフッ化リチウムを含む、方法。
【請求項７８】
請求項７３に記載の方法であって、前記プラズマ保護層は、前記多層コーティングを構成する前記無機層の１つではない、方法。
【請求項７９】
請求項７３に記載の方法であって、前記多層コーティングの少なくとも１つの層は、前記プラズマ・ベースのデポジション・プロセスを用いてデポジットされる、方法。
【請求項８０】
請求項７３に記載の方法であって、前記プラズマ保護層は、前記デバイスと接触するように前記デバイスの上にデポジットされる、方法。
【請求項８１】
請求項７３に記載の方法により生成される、カプセル化されたプラズマに敏感なデバイス。
【請求項８２】
基板上に配された対象物をカプセル化する方法であって、
前記基板の上に前記対象物を配するステップと、
カプセル化ツールを形成するステップであって、
少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションと、
少なくとも１つの有機層硬化ステーションと、
少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションと
を含むカプセル化ツールを形成するステップと、
前記少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションを用いて前記基板の上にプラズマ保護層をデポジットするステップと、
前記少なくとも１つの有機層デポジション・ステーションを用いて前記プラズマ保護層の上に多層コーティングの少なくとも１つの有機層をデポジットするステップと、
前記少なくとも１つの無機層デポジション・ステーションを用いて前記プラズマ保護層の上に前記多層コーティングの少なくとも１つの無機層をデポジットするステップと、
を備える方法。
【請求項８３】
請求項８２に記載の方法であって、前記少なくとも１つの有機層を硬化させるステップを更に備える方法。
【請求項８４】
請求項８２に記載の方法であって、前記カプセル化ツール内において少なくとも部分的に真空するステップを更に含む方法。
【請求項８５】
請求項８２に記載の方法であって、前記プラズマ保護層はハロゲン化金属を含む方法。
【請求項８６】
請求項８２に記載の方法であって、前記ハロゲン化金属のプラズマ保護層はフッ化リチウムを含む方法。
【請求項８７】
請求項８２に記載の方法であって、前記多層コーティングの前記少なくとも１つの無機層は、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、およびこれらのものの組み合わせからなるグループから選択される、方法。
【請求項８８】
請求項８２に記載の方法であって、前記プラズマ保護層は、前記デバイスと前記多層コーティングとの間に配される、方法。