【事件の表示】
　特願２００９−２９２３５８「光学リソグラフィー用ボルテックス位相シフトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月　６日出願公開、特開２０１０−１０２３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判に係る出願（以下「本願」という）は、平成１５年７月１日に出願された特願２００３−２７０２０５号の一部を新たな特許出願として平成２１年１２月２４日に適法に出願された、いわゆる分割出願であって、平成２２年４月５日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１３日付けで手続補正がなされたが、同年１２月６日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２３年４月１３日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、当該請求と同時に手続補正がなされた。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために、平成２３年１０月１２日付けで審尋がなされ、平成２４年１月１６日付けで当該審尋に対する回答書が提出された。
　
　
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年４月１３日付け手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
１．本願補正発明
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載を以下のとおり補正することを含むものである。
　
「　多数の位相シフト領域を有し、前記多数の位相シフト領域の少なくとも一部が、少なくとも１つの位相境界を有している位相シフトマスク（ＰＳＭ）基板を有する装置において、
　前記ＰＳＭ基板上の１番目の点を囲むように、共にはめ込まれている３個の位相シフト領域の３個の位相境界によって特徴部分が形成されており、
　前記３つの位相シフト領域の位相シフトは前記１番目の点の周りを一方向へ数えて約０°、１２０°、および２４０°であり、
　前記３つの位相シフト領域は前記１番目の点に関してらせん階段の形を形成しており、
　前記位相シフト領域は、六角形に形成されており、
　前記３個の位相シフト領域は共に協働して、３個の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度Ｉ０の光に対して光強度のパターンを生成し、
　光強度のパターンは、ＰＳＭ上の前記点に対応する光強度において深い最小Ｉｍｉｎを有し、かつ、前記表面と相互作用した後の光強度は、前記１番目の点を取り囲む環状領域において、Ｉｍｉｎとの強度差が、ホールパターンの形成に必要な強度差となるような大きな強度を有し、
　各々の前記３個の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する、装置。」
　
　上記の請求項１に係る補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するための事項である「位相シフト領域」について「六角形に形成されており」と限定して減縮するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明（以下「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
　
２．引用例等
２−１．刊行物の記載事項
２−１−１．引用例
　本願のそ及出願日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開２０００−３０５２４７号公報（以下「引用例」という）には、以下の技術事項が記載されている（後述の「２−２．引用発明の認定」において引用した記載に下線を付した）。
　
「【請求項１】  
露光波長λ、開口数ＮＡの光学系を有する投影露光装置で用いられるフォトマスクであって、該フォトマスク上のパターンは縦横方向に周期ｄを有する二次元格子状の４個の領域を有し、当該４個の領域はこれらを透過する光束が、時計回り、或いは反時計回りの方向において、０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を有するように構成してあり
【数１】
の関係を満足することを特徴とするフォトマスク。」
　
「【請求項３】  
前記パターンは透明な基板上に形成され、該基板の厚さ分布を制御することにより、前記０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を発生させる
　
「【請求項４】  
前記複数の領域の各々の全面は、開口部である
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
投影露光装置を用いて周期的なホールパターンを形成する
フォトマスク
　
「【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、図１を用いて説明する。図１は、ウェハ上にホールパターンを形成するために用いられるフォトマスクであり、遮光部１の中に５×５＝
２５個の矩形開口部が形成されている
【００２８】ここで本発明のフォトマスクの特徴を説明する。図１に示すように、２５個の開口部は、そこを透過した光束に対して４種類の位相変化を与える。まず、２で示す開口からの透過光を位相０として、他の部分の位相を表現する上での基準とする。そうすると、３で示す開口からの透過光は、開口２の透過光に比べて９０度位相が進んでいる。同様に、４で示す開口からの透過光は１８０度、５で示す開口からの透過光は２７０度位相が進んでいる。使用する光の波長をλとすれば、９０度の位相差はλ／４、１８０度の位相差はλ／２、２７０度の位相差は３λ／４に対応する。更にフォトマスクの特徴として、縦２、横２の隣接する４つの開口部に着目した場合、何れの位置においても、透過光の位相が０→９０→１８０→２７０→０、或いは、０→２７０→１８０→９０→０と規則的に変化していることが挙げられる。本発明のフォトマスクは、透過光の位相を制御しているという意味で一種の位相シフトマスクということもできるが、その構成が図１４に示した従来の位相シフトマスクとは全く異なることは明らかである。
【００２９】次に、本発明のフォトマスクを用いて実現される解像度の向上について、シミュレーションの結果を参照しながら説明する。ここでシミュレーションの条件としては、ＫｒＦエキシマステッパの使用を想定して、波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．６、コヒーレンスパラメータσ＝０．２、そしてパターンの大きさとして、ｄ／２＝１２０ｎｍとする。この条件では、式（２）によれば、従来の位相シフトマスクを用いても像が得られないことになる。そこで比較のため、まず図１４に示した従来の位相シフトマスクに対して、上記の条件でシミュレーションを行った結果を図２に示す。周辺部のみ、かろうじてパターンらしきものが形成されているが、所望のホールパターンは得られていない。次に、
図１に示したフォトマスクに対して同様のシミュレーションを行った結果を図３に示す。図は光強度の分布を表しており、白い部分では光強度が強く、黒い部分では光強度が弱くなっている。図から明らかなように、明確に明暗の光強度パターンが形成されている。
　
「【００４０】
図５は、図１に示したフォトマスクから開口部の間に存在した遮光部を除いたものであり、パターンの外側にのみ遮光部１０を有している。
　
「【００４３】次に、本発明のフォトマスクを実際に作製する方法を説明する。図５に示した４レベルの位相シフトパターンを作製する方法を例に説明を行う。
透明な基板の表面を階段形状に加工する
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２−１−２．周知例
　原査定の時に示された、本願のそ及出願日前に頒布された刊行物である特開２００１−１６６４５１号公報（以下「周知例」という）には、以下の記載がある（下線は当審で付した）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク、特に光の回折や散乱により未露光エッジ領域においてコーナーが丸みを帯びる問題、いわゆるコーナーラウンド問題(corner round problem)を解消するための３つの異なる位相シフト領域を有する位相シフトマスクに関するものである。」
　
「【０００９】本発明の３つの異なる位相シフト領域を有する位相シフトマスクは、転写されたパターンのコーナーに丸みが生じる問題、いわゆるコーナーラウンド効果(corner rounding effect)のような変形を排除することができる。これは、
フォトマスク上のパターンのコーナーで、入射光が上記３つの位相シフト領域を透過する際に３つの光ビームに分割されるからである。これらの３つの位相シフト領域は、１２０°の位相シフトで互いから異なるので、分割された３つの光ビームの合計はゼロになる
さらに、フォトマスクの他の部分においては、２つの位相シフト領域間に位相エッジが形成される。これら２つの位相シフト領域は、１２０°の位相シフトによって互いとは異なっている。したがって、位相エッジにおいては光が完全に打ち消し合わない。その結果、ウエハ上に好ましくない暗領域を形成する心配はない。
　
「【００１３】図３(ａ)において、フォトマスク２００は、コーナー２１５を有するマスクパターン２１０を含む。マスクパターン２１０は、入射光を遮るクロムのような材料で作成される。すなわち、マスクパターン２１０は不透明マスク領域であり、フォトマスク２００の残りの領域は入射光に対して透明であって、例えばガラスや石英(quartz)で作成される。
コーナー２１５周囲の近接領域は、３つの位相シフト領域２２０，２３０，２４０によって均等に分割される。
【００１４】フォトマスク２００の透明領域をエッチングすることにより、エッチング領域の厚さに応じて入射光の位相を変えることができる。本実施例においては、まず、位相シフト領域２２０および２４０に対応する領域に第１エッチング処理を施すことにより、１２０°、すなわち２／３πの位相を有する位相領域を形成する。次に、位相シフト領域２３０と２４０に対応する領域に第２エッチング処理を施すことにより、２４０°、すなわち４／３πの位相を有する位相シフト領域を形成する。その結果、第１と第２のエッチング処理の両方が施された領域２４０は、０°(＝３６０°)、すなわち２πの位相を有する位相シフト領域となる。このようにして得られた３つの位相シフト領域２２０，２３０，２４０は互いから２／３πの位相差を有する。
【００１５】
図３(ｂ)には、入射光がこれらの領域を通過することによって得られる３つの光ビームのベクトルが示されている。また、図３(ｃ)には、光ビームの振幅の時間変化が示されている。これらの図から明らかなように、３つの光ビームは打ち消し合う。したがって、コーナー２１５においては、入射光ビームが分割され、相殺されることになる。これは、露光中、コーナー２１５は実質的に光によって照らされないことを意味する。
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
２−２．引用発明の認定
　引用例における上記段落【００２７】、【００４０】及び図５の記載内容から、引用例の図５に示される形態のフォトマスクは、二次元格子状の４個の矩形開口部により囲まれることにより、それらの境界線の交点が形成されていることが分かる。また、請求項４、段落【００２７】、【００４０】及び図５の記載内容から、引用例の図５に示される形態のフォトマスクにおいては、相対位相を有するように構成される各領域は、矩形開口部からなるものであるといえる。
　また、上記段落【００２９】、図３及び図５の記載内容から、フォトマスクを通過した光強度のパターンが、前記交点において光強度が弱く、それを取り囲む環状領域において光強度が強くなることにより、ホールパターンを形成していることが分かる。
　
　上記事項及び引用例の記載内容並びに当業者の技術常識から、引用例には、
　
「　投影露光装置を用いて周期的なホールパターンを形成するフォトマスクであって、
　前記フォトマスクが、
　露光波長λ、開口数ＮＡの光学系を有する投影露光装置で用いられるフォトマスクであって、該フォトマスク上のパターンは縦横方向に周期ｄを有する二次元格子状の４個の矩形開口部を有し、当該４個の矩形開口部はこれらを透過する光束が、時計回り、或いは反時計回りの方向において、０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を有するように構成してあるフォトマスクであり、
　前記パターンは透明な基板上に形成され、該基板の厚さ分布を制御して階段形状に加工することにより、前記０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を発生させるものであり、
　二次元格子状の４個の矩形開口部により囲まれることにより、それらの境界線の交点が形成され、
　２５個の矩形開口部が形成されており、
　フォトマスクを通過した光強度のパターンが、前記交点において光強度が弱く、それを取り囲む環状領域において光強度が強くなることにより、ホールパターンを形成している、
　フォトマスク。」
（以下「引用発明」という）が記載されていると認められる。
　
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明の「４個の矩形開口部」は、「これらを通過する光束が」「０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を有」していることから、本願補正発明の「位相シフト領域」に相当する。また、これらの「矩形開口部」が「位相境界」を有していることは明らかである。　引用発明の「フォトマスク」は、上記のように位相シフト領域に相当する領域を有しているのであり、また、「基板上に形成され」るものであるから、本願補正発明の「位相シフトマスク（ＰＳＭ）基板」に相当する。
　さらに、引用発明の「フォトマスク」が用いられるところの「投影露光装置」は、本願補正発明の「位相シフトマスク（ＰＳＭ）基板を有する装置」に相当する。
　また、引用発明において、「矩形開口部」が２５個形成されていることは、本願補正発明の「多数の位相シフト領域を有し」ていることに相当する。
　
（イ）引用発明の「二次元格子状の４個の矩形開口部により囲まれることにより、それらの境界線の交点が形成され」ていることと、本願補正発明の「前記ＰＳＭ基板上の１番目の点を囲むように、共にはめ込まれている３個の位相シフト領域の３個の位相境界によって特徴部分が形成されて」いることとは、「前記ＰＳＭ基板上の１番目の点を囲むように、共にはめ込まれている複数の位相シフト領域の複数の位相境界によって特徴部分が形成されて」いることである点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「当該４個の矩形開口部はこれらを透過する光束が、時計回り、或いは反時計回りの方向において、０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を有する」ことと、本願補正発明の「前記３つの位相シフト領域の位相シフトは前記１番目の点の周りを一方向へ数えて約０°、１２０°、および２４０°であ」ることとは、「前記複数の位相シフト領域の位相シフトは前記１番目の点の周りを一方向に数えて等間隔であ」る点で一致する。
　
（エ）引用発明の「前記パターンは透明な基板上に形成され、該基板の厚さ分布を制御して階段形状に加工することにより、前記０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を発生させるものであ」ることと、本願補正発明の「前記３つの位相シフト領域は前記１番目の点に関してらせん階段の形を形成して」いることとは、「前記複数の位相シフト領域は前記１番目の点に関してらせん階段の形状をして」いる点で一致する。
　
（オ）引用発明が、所定の強度の（露光）光を使用するものであることは明らかであるから、引用発明の「フォトマスク」が、「露光波長λ」において用いられる「投影露光装置」において、「フォトマスクを通過した光強度のパターンが、前記交点において光強度が弱く、それを取り囲む環状領域において光強度が強くなることにより、ホールパターンを形成している」ことと、本願補正発明の「前記３個の位相シフト領域は共に協働して、３個の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度Ｉ０の光に対して光強度のパターンを生成し」ていることとは、「前記複数の位相シフト領域は共に協働して、複数の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度Ｉ０の光に対して光強度のパターンを生成し」ている点で一致する。
　
（カ）引用発明の「フォトマスクを通過した光強度のパターンが、前記交点において光強度が弱く、それを取り囲む環状領域において光強度が強くなることにより、ホールパターンを形成している」ことは、本願補正発明の「光強度のパターンは、ＰＳＭ上の前記点に対応する光強度において深い最小Ｉｍｉｎを有し、かつ、前記表面と相互作用した後の光強度は、前記１番目の点を取り囲む環状領域において、Ｉｍｉｎとの強度差が、ホールパターンの形成に必要な強度差となるような大きな強度を有し」ていることに相当する。
　
（キ）引用発明の「前記パターンは透明な基板上に形成され、該基板の厚さ分布を制御して階段形状に加工することにより、前記０、π／２、π、３π／２［ラジアン］の相対位相を発生させるものであ」ることと、本願補正発明の「各々の前記３個の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する」こととは、「各々の前記複数の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する」点で一致する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「　多数の位相シフト領域を有し、前記多数の位相シフト領域の少なくとも一部が、少なくとも１つの位相境界を有している位相シフトマスク（ＰＳＭ）基板を有する装置において、
　前記ＰＳＭ基板上の１番目の点を囲むように、共にはめ込まれている複数の位相シフト領域の複数の位相境界によって特徴部分が形成されており、
　前記複数の位相シフト領域の位相シフトは前記１番目の点の周りを一方向へ数えて等間隔であり、
　前記複数の位相シフト領域は前記１番目の点に関してらせん階段の形を形成しており、
　前記複数の位相シフト領域は共に協働して、複数の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度Ｉ０の光に対して光強度のパターンを生成し、
　光強度のパターンは、ＰＳＭ上の前記点に対応する光強度において深い最小Ｉｍｉｎを有し、かつ、前記表面と相互作用した後の光強度は、前記１番目の点を取り囲む環状領域において、Ｉｍｉｎとの強度差が、ホールパターンの形成に必要な強度差となるような大きな強度を有し、
　各々の前記複数の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する、装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　１つの点を囲む位相シフト領域が、本願補正発明では３個であり、それぞれの位相シフトが約０°、１２０°、２４０°であるのに対し、引用発明では４個であり、それぞれの位相シフトが０、π／２、π、３π／２［ラジアン］である点。
　また、それに付随して、共に協働して光強度のパターンを形成するのが、本願補正発明では３個の位相シフト領域であるのに対し、引用発明では４個の領域である点。
　
（相違点２）
　位相シフト領域が、本願補正発明では六角形であるのに対し、引用発明では矩形（四角形）である点。
　
　
４．判断
４−１．相違点１について
　「２−１−２．周知例」において摘記した記載内容（特に下線部）から、周知例には、非露光領域のエッジコーナー部が、非露光領域周囲の露光領域からの光の回折や散乱によって露光されてしまう問題を解消するため、前記エッジコーナー部に接する透過（露光）領域を、互いに１２０°の位相差を有する３つの位相シフト領域に分割することにより、前記エッジコーナー部において、前記３つの位相シフト領域からの光を相殺させて前記エッジコーナー部への光の影響を回避すること、すなわち、互いに１２０°の位相差を有する３つの位相シフト領域からの光を互いに相殺させることにより、それら３つの位相シフト領域の交差部に非露光部を形成することが記載されていると認められる。このように、３つの位相シフト領域により点状の非露光部を形成することは、本願のそ及出願日前において、当業者に周知の技術思想である。
　一方、引用発明は、互いにπ／２［ラジアン］（９０°）の位相差を有する４つの位相シフト領域からの光を互いに相殺させることにより、交点において暗領域を形成したものであるといえる。
　してみれば、引用発明において、位相シフト領域の数を３とし、それらの位相シフトを０°、１２０°、２４０°として、当該３個の位相シフト領域が共に協働して光強度のパターンを形成することにより、相違点１に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到できたものであり、位相シフト領域の数が４であっても３であっても同様に点状の非露光部（暗領域）が形成されることは既に述べたとおりであるから、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることによって特段顕著な作用効果が奏されるとも認められない。
　
４−２．相違点２について
　引用発明において、相違点１に係る本願補正発明の構成を採用した場合、すなわち、各交点の周りを３つの領域に分割した上で、当該構成を隙間無く多数有する構成とするには、当該領域の形状が六角形とする他ないことが幾何学的に分かる。よって、相違点２に係る本願補正発明の構成は、引用発明において、相違点１に係る本願補正発明の構成を採用することにより、当然に導かれる結果に過ぎない。
　
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成２２年１０月１３日付け手続補正により補正された以下のとおりのものである。
　
「　多数の位相シフト領域を有し、前記多数の位相シフト領域の少なくとも一部が、少なくとも１つの位相境界を有している位相シフトマスク（ＰＳＭ）基板を有する装置において、
　前記ＰＳＭ基板上の１番目の点を囲むように、共にはめ込まれている３個の位相シフト領域の３個の位相境界によって特徴部分が形成されており、
　前記３つの位相シフト領域の位相シフトは前記１番目の点の周りを一方向へ数えて約０°、１２０°、および２４０°であり、
　前記３つの位相シフト領域は前記１番目の点に関してらせん階段の形を形成しており、
　前記３個の位相シフト領域は共に協働して、３個の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度Ｉ０の光に対して光強度のパターンを生成し、
　光強度のパターンは、ＰＳＭ上の前記点に対応する光強度において深い最小Ｉｍｉｎを有し、かつ、前記表面と相互作用した後の光強度は、前記１番目の点を取り囲む環状領域において、Ｉｍｉｎとの強度差が、ホールパターンの形成に必要な強度差となるような大きな強度を有し、
　各々の前記３個の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する、装置。」
　
　
２．引用発明
　引用例及びその記載事項は、前記「第２　補正の却下の決定」の「２．引用例等」に記載したとおりである。
　
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明において、「前記位相シフト領域は、六角形に形成されており」と限定のあるところ、これを削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「第２　補正の却下の決定」の「３．対比」で述べた相違点１においてのみ相違するが、「第２　補正の却下の決定」の「４−１．相違点１について」で述べたように、当該相違点１は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に想到することができたものであるから、本願発明も本願補正発明と同様に、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．本願発明についてのむすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受ける事ができない。
　
　したがって、その余の請求項に係る発明に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。