【事件の表示】
　特願２００４−１０８８４８「シリコンウェハのプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１６日出願公開、特開２００４−２６０１９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年４月５日に出願した特願２００１−１０６７５６号（以下「原出願」という。）の一部を平成１６年４月１日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年１月５日付けの拒絶理由の通知がなされ、同年３月２日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年４月２５日付けで拒絶査定がなされ、同年７月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けの手続補正書の提出がなされたものである。
　
　
第２　平成２３年７月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年７月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理　由］
１　本件補正の内容、目的
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、特許請求の範囲については、補正前（平成２３年３月２日付け手続補正書）の 
　
「　　【請求項１】
　保護テープが貼着されたシリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に前記保護テープを接触させた姿勢でシリコンウェハを載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で高周波電圧を印加して下部電極と上部電極間の空間にプラズマ放電を発生させてフッ素ラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルとシリコンウェハの成分であるＳｉを反応させて処理対象面をエッチング処理する際に、シリコンウェハの温度を前記反応によって生成された反応生成物の前記処理対象面からの離脱を促進する４０℃以上の温度条件とすると共に、前記保護テープの温度は当該保護テープの耐熱温度を超えない温度となるように前記載置部の温度を制御することを特徴とするシリコンウェハのプラズマ処理方法。」
　
を、
　補正後（平成２３年７月２２日付け手続補正書）の
「　　【請求項１】
　保護テープが貼着されたシリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の
吸着孔が設けられた
且つ前記吸着孔から真空吸引することによりシリコンウェハを前記載置部に真空吸着により保持し、
　
と補正するものである。
 　  
　本件補正は、請求項１において、補正前の「前記下部電極の載置部に前記保護テープを接触させた姿勢でシリコンウェハを載置し」を、補正後の「前記下部電極の
吸着孔が設けられた
且つ前記吸着孔から真空吸引することによりシリコンウェハを前記載置部に真空吸着により保持し
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　
２　引用刊行物
　原査定で引用された原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１７３９９５号公報及び特開２０００−１３３６３９号公報には、図面とともに以下のとおりの事項が記載されている。
　
（１）特開２０００−１７３９９５号公報（以下「引用例１」という。）
（１ａ）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項５】処理室内に対向して配置された平行平板電極の一方の電極上に被処理基板を載置してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法であって、前記処理室内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給し、・・・この平行平板電極間でプラズマ放電を行わせることを特徴とするプラズマエッチング方法。
・・・
【請求項１０】前記平行平板電極の一方の電極に前記被処理基板を真空吸着によって保持するとともに、この基板を冷却手段によって冷却することを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチング方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【００１７】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１のプラズマエッチング装置の断面図、図２は同プラズマエッチング装置のエッチングレートを示すグラフ、図３は同プラズマエッチング条件を示すグラフ、図４は同半導体装置の製造方法の工程説明図である。
【００１８】まず図１を参照してプラズマエッチング装置について説明する。図１においてベース部材１には開口部１ａが設けられており、開口部１ａに嵌入して下方より下部電極３が絶縁部材２を介して装着されている。ベース部材１には、上方より蓋部材４が気密に当接する。蓋部材４、下部電極３およびベース部材１により閉囲される空間は、下部電極３上に載置される被処理基板７をプラズマエッチング処理する処理室５となっている。図示しない上下動手段によって蓋部材４を上下動させることにより、処理室５は開閉され基板７の搬入・搬出を行うことができる。基板７はシリコンもしくは酸化珪素などのシリコン化合物を主な材質としている。
【００１９】蓋部材４の上部には、上部電極６の支持部６ａが気密に挿通しており、上部電極６の下面と、下部電極３の上面は略平板状で対向した配置となっている。すなわち、上部電極６と下部電極３は平行平板電極となっている。なお上部電極６の下面および下部電極３の上面は完全な平板状である必要はなく、多少の凹凸を有する形状であっても良い。また、蓋部材４を上部電極として兼用する構造でも良い。
・・・
【００２１】・・・ガス供給部１０は、ガス供給手段であり５〜２０％の体積比率の酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ6）や４フッ化炭素（ＣＦ4）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給する。
・・・
【００２４】・・・下部電極３の上面には多数の吸着孔３ｂが設けられており、吸着孔３ｂは下部電極３の内部に設けられた吸引孔３ａに連通している。吸引孔３ａは基板吸着用真空ポンプ１３とバルブ１２を介して接続されている。下部電極３上に基板７が載置された状態で、基板吸着用真空ポンプ１３を駆動して吸着孔３ｂから処理室５内の真空度より高い真空度、すなわち処理室５内の圧力より低い圧力で吸引することにより、基板７は下部電極３に真空吸着により保持される。したがって吸着孔３ｂおよび基板吸着用真空ポンプ１３は、基板７を真空吸引によって保持する保持手段となっている。
【００２５】下部電極３の内部には、冷却用の管路３ｃが設けられている。管路３ｃは冷却手段である冷却装置１４と接続されており、冷却装置１４と管路３ｃ内を水などの冷却媒体を循環させることにより、プラズマエッチング処理時に発生する熱を冷却媒体に吸収させて、処理対象基板７を冷却することができる。これにより、すでに片面に回路が形成された基板に対しても過熱による回路に対するダメージを生じることなくエッチング処理を行うことができる。
【００２６】下部電極３は同調回路部を備えた高周波電源部１５と電気的に接続されている。高周波電源部１５を駆動することにより、下部電極３には高周波電圧が印加される。処理室５内を真空排気した後にガス供給部１０によって前述の混合ガスを処理室５内に供給し、処理室内を所定の圧力に保った状態で、下部電極３に高周波電圧を印加することにより、下部電極３と上部電極６の間にはプラズマ放電が発生する。
【００２７】制御部２０は、真空計１８の検出結果を受け、基板吸着用真空ポンプ１３，冷却装置１４，高周波電源部１５，排気用真空ポンプ２０の各部、およびバルブ１１，１２，１７を制御することにより、プラズマエッチング装置全体の動作制御を行う。これにより、下部電極３上に載置された基板７を対象としてプラズマエッチング処理が行われる。このプラズマエッチング処理について（化１）に示す反応式に基づいて説明する。
【００２８】
【化１】
【００２９】（化１）の（１）式に示すように、ＣＦ4を含む混合ガスにプラズマ放電が行われることにより、ＣＦ4はガス状のフッ素ラジカルＦ*（ｇ）と同じくガス状の３フッ化炭素ラジカルＣＦ3*（ｇ）に変化する。このＦ*（ｇ）が処理対象基板７の成分であるＳｉに作用することにより、（２）式に示すようにＳｉはガス状のＳｉＦ4となって基板７の表面から蒸散して除去される。そして（１）式の反応より発生したＣＦ3*は（３）式に示すようにＣと３Ｆ*に分離し、ここで発生したＣにＦ*が作用することにより（４）式に示すようにＣＦｎが発生する。
【００３０】そしてこのＣＦｎに混合ガス中の酸素ガスがプラズマによってラジカル化したＯ2*が作用することにより、（５）式に示すようにＣＯ2（ｇ）とＦ*が発生する。このＦ*は（２）式の反応に寄与してＳｉを除去する。このように、酸素とフッ素系ガスの混合ガスのプラズマ中にＳｉを成分とする基板７を載置することにより、基板表面のＳｉを除去するエッチング処理を行うことができる。なお、ＣＦ4の替りにＳＦ6を使用しても同様のエッチング効果を得ることができる。」（【００１７】〜【００３０】）
　
（１ｃ）「【００３７】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の工程説明図である。本実施の形態２は、シリコン基板の表面に回路を形成した後に、このシリコン基板の回路形成面の裏面を研磨して薄化する工程において、実施の形態１に示すプラズマエッチングを行うものである。
【００３８】図５（ａ）において、４０はＳｉウェハであり、Ｓｉウェハ４０の表面には図５（ｂ）に示すように回路４１が形成される。次いで図５（ｃ）に示すように、回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。この後Ｓｉウェハ４０は研磨工程に送られ、ここでＳｉウェハ４０は回路形成面の裏面が研磨加工され、薄化処理される。この研磨加工において、研磨加工面の表層には加工歪層４３が残留する。加工歪層４３は研磨加工時の機械的外力によりシリコン表面に発生した応力や微細なクラックが残留したものであり、半導体装置完成後の強度を損なうため除去する必要がある。
【００３９】この加工歪層除去は、実施の形態１に示すプラズマエッチングにより行われる。Ｓｉウェハ４０は図１に示すプラズマエッチング装置の処理室５内に載置され、実施の形態１と同様のプラズマエッチング条件、すなわち放電電圧Ｐと電極間距離Ｌの積ＰＬの値が２．５〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となるように条件設定が行われる。これにより図５（ｅ）に示すように加工歪層４３が除去されると同時に、除去後のＳｉウェハ４０の下面はより平滑に仕上げられ、応力集中による形状的な強度低下のないＳｉウェハ４０を得ることができる。このとき、図１に示すように下部電極３は冷却装置１４によって冷却されているため、既にＳｉウェハ４０に形成された回路４１が過熱されて損傷することがない。
【００４０】この後、図５（ｆ）に示すようにＳｉウェハ４０の表面の保護膜４２が除去され、次いで図５（ｇ）に示すようにダイシング工程に送られて個片の半導体装置４４にカットされて半導体装置の製造工程を完了する。」（【００３７】〜【００４０】）
　
（１ｄ）図５（ｄ）には、Ｓｉウェハ４０において、保護膜４２が貼付けられた回路４１が形成された面の反対の面に生じた加工歪層４３がある様態、図５（ｅ）には、前記加工歪層４３が除去された態様が示されている。
　
　
（２）特開２０００−１３３６３９号公報（以下「引用例２」という。）
（２ａ）「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＬＳＩの高密度集積化に伴い、発生する熱は多くなりデバイスは高温になってくる傾向にある。発熱したデバイスを効果的に冷却し温度上昇を防ぐため、デバイス裏面のＳｉ層をできるだけ薄くし熱伝導を向上させることで放熱効率を高めることが必要である。
【０００４】しかしながら従来の研磨あるいは研削では、基板に圧縮応力やせん断応力を加えながら加工するため薄くなるにつれてウェーハが破損しやすくなる。この破損率は後述する加工くず等の異物がある場合にはより顕著になる。
【０００５】このため歩留りを低下させない、すなわち破損率を上げないために、強度を高めに維持するためウェーハをあまり薄くしないことが重要で、これは逆に放熱効果を損なう事になる。
【０００６】また機械加工後には必ず加工面にある深さまで加工変質層が形成され、この加工変質層を除去するため後工程で薬液による化学エッチングを行うことが必須である。
【０００７】さらに、研磨・研削では研磨液、砥粒、研磨材のくず、または加工により除去されたＳｉの屑などの異物が加工中に発生しこれら異物が加工面にその大きさに応じた微小な凹凸を形成する場合がある。この凹凸はチップが貼り付けられるヒートシンク等の放熱部材との接触面積を減じることになり効果的な放熱を妨げてしまう。上記問題に加えて、ウェーハ全面を研磨液等で汚染するため、後工程にかなり長時間の洗浄が不可欠となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決するために本発明では、高周波の交流電磁場の特にマイクロ波によりプラズマ室でイオンやラジカルを発生させ、ラジカルの活性種ガスを供給管で導いてシリコン等のウェーハ構成材料と気相化学反応によってエッチングする方法を提案している。特に、本発明では、ラジカルだけの活性化ガスをＳｉ等ウェーハ表面に対し局部的にあてて気相化学反応をおこない、ウェーハを移動させてエッチングする装置の構成を特徴としている。この方法により、半導体ウェーハは応力を与えず非接触で加工されるために、従来不可能であった薄さまで加工でき、放熱効果を飛躍的に向上させることができる。また加工変質層も形成されないため後工程の薬液による化学エッチングは不要である。」（【０００３】〜【０００８】）
　
（２ｂ）「【００１２】実施例１
図１は本発明によるプラズマエッチング装置の一実施例である。ガス供給装置１４でＳＦ６と水素ガスを混合し、バルブ１９を通して混合ガスを径３８ｍｍφの反応ガス供給管３に注入する。マイクロ波発振器１で発生したマイクロ波が導波管２を通り上記反応ガス供給管中の混合ガスを活性化させる。プラズマ発生領域６で発生したプラズマが先端径２４ｍｍφのノズルによって絞り込まれて密度が高い局部ビームとなって半導体ウェーハ５に供給されるためにエッチングレートが速くなる構造である。・・・図８は水素添加量に対するエッチング面のエッチング後粗さ／エッチング前粗さの関係である。水素添加量５％以下でエッチング面の粗さが良好な結果となる。また図９は水素添加量に対するエッチングレートの変化率である。図９に示したように水素量が多いとエッチング速度も低下する。実際、エッチングを行なったところ約５００Ｗのマイクロ波電力に対してエッチングレートが１００μｍ／ｍｉｎという高い値を得る事が出来た。またエッチングされたシリコン表面が粗れることなく鏡面であった。ＳＦ６の代わりにＮＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，ＨＣｌ，ＣｌＦ３，ＢＦ３でもよい。これによってＳｉの裏面エッチングは従来より工程工数が簡略化でき、低コストで供給できるようになった。」（【００１２】）
　
（２ｃ）「【００１４】実施例３
本発明によるプラズマエッチング装置の別の実施例を図３、４、５、６で説明する。本発明によるエッチングでは半導体の温度によってエッチングレートは大きく影響されないが、エッチング後の表面粗さが変化する。表１に温度と表面観察状態の結果を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】この結果から、８０℃から３００℃の間が最適である。本発明では、基板温度をこの範囲で保持する機構を具備していることが特徴である。プラズマを発生させて局部に集めて作用させると反応部分の温度が上昇する傾向がある。これを効果的に冷却するため、図３は活性種の噴出しノズル４のまわりからＨｅなどの不活性ガスを吹き付けて冷却し、ウェーハに沿った排気管１０の排気口から排気する構造を有する。これは、ウェーハと活性種ガスの反応物を除去する意味でも有効な構造である。不活性ガスはＨｅ以外にもＡｒ、Ｎ２などでも良い。図４は、同心円状に、冷却用ガス管１８と排気管１０とを配した構造である。図５は、冷却用ステージ２１の上にウェーハ保持部２０があり、冷却用穴２２が複数個開いていて、活性種ガス供給管１１と、冷却用ガス管１８が対向して配置されている。半導体ウェーハは冷却用ステージ上に置かれ冷却用ガス管１８からの不活性ガスは、冷却用穴２２を通して、ウェーハの表面（おもてめん）に吹き付けられウェーハを冷却する。この冷却ステージに、ヒーターを入れて、温度が上がらない場合は、加熱する機構を具備することもできる。」（【００１４】〜【００１６】）
　
　上記（１ａ）〜（２ｃ）の記載を、以下それぞれ「摘記事項１ａ」〜「摘記事項２ｃ」という。
　
　
３　引用例１に記載された発明
（１）摘記事項１ｃの「（実施の形態２）・・・本実施の形態２は、シリコン基板の表面に回路を形成した後に、このシリコン基板の回路形成面の裏面を研磨して薄化する工程において、実施の形態１に示すプラズマエッチングを行うものである。」（【００３７】）に記載されるように、引用例１には、シリコン基板の回路形成面の裏面を研磨して薄化する工程において、プラズマエッチングを行うものが記載されている。
　上記の「実施の形態１」で使用されるプラズマエッチング装置は、摘記事項１ｂの「下部電極３の上面には多数の吸着孔３ｂが設けられており」、「基板７は下部電極３に真空吸着により保持される。」（【００２４】）のとおり、下部電極に基板を真空吸着により保持する手段を備えたものである。
　また、摘記事項１ｂの「ガス供給部１０は、ガス供給手段であり・・・酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ6）や４フッ化炭素（ＣＦ4）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給する。」（【００２１】）、「ガス供給部１０によって前述の混合ガスを処理室５内に供給し、・・・下部電極３に高周波電圧を印加することにより、下部電極３と上部電極６の間にはプラズマ放電が発生する。」（【００２６】）、「ＣＦ4を含む混合ガスにプラズマ放電が行われることにより、ＣＦ4はガス状のフッ素ラジカルＦ*（ｇ）と同じくガス状の３フッ化炭素ラジカルＣＦ3*（ｇ）に変化する。このＦ*（ｇ）が処理対象基板７の成分であるＳｉに作用することにより、・・・Ｓｉはガス状のＳｉＦ4となって基板７の表面から蒸散して除去される。」（【００２９】）、「このように、酸素とフッ素系ガスの混合ガスのプラズマ中にＳｉを成分とする基板７を載置することにより、基板表面のＳｉを除去するエッチング処理を行うことができる。」（【００３０】）のとおり、上記プラズマエッチング装置は、処理室内に酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ6）や４フッ化炭素（ＣＦ4）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給した状態で高周波電圧を印加して下部電極と上部電極間の空間にプラズマ放電を発生させてフッ素ラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルと処理対象基板の成分であるＳｉを反応させて処理対象面をエッチング処理するものである。
　
（２）摘記事項１ｃの「Ｓｉウェハ４０の表面には・・・回路４１が形成される。次いで・・・、回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。この後・・・Ｓｉウェハ４０は回路形成面の裏面が研磨加工され、薄化処理される。この研磨加工において、研磨加工面の表層には加工歪層４３が残留する。」（【００３８】）、「この加工歪層除去は、実施の形態１に示すプラズマエッチングにより行われる。」（【００３９】）、「この後、・・・・Ｓｉウェハ４０の表面の保護膜４２が除去され」（【００４０】）の記載によると、次の事項が記載されている。
　ア　Ｓｉウェハ４０の回路形成面に保護膜４２が形成される。
　イ　その後、Ｓｉウェハ４０の回路形成面の裏面を研磨加工し、次に、回路形成面の裏面をプラズマエッチングする。
　ウ　その後、Ｓｉウェハ４０の表面の保護膜４２が除去される。
　上記ア〜ウのとおり、プラズマエッチングは、保護膜４２がＳｉウェハ表面に貼付けられたまま行われ、プラズマエッチングによる処理対象面は保護膜が貼付けられた反対面であること、及び、上記（１）のとおり、下部電極に基板を真空吸着により保持するものであることから、「実施の形態２」は、プラズマエッチング時に、下部電極に保護膜４２を接触させた姿勢でＳｉウェハを載置しているものである。
　
　
（３）したがって、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。 
 「保護膜が貼付けられたＳｉウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の吸着孔が設けられた前記下部電極上に前記保護膜を接触させた姿勢でＳｉウェハを載置し、且つ前記吸着孔から真空吸引することによりＳｉウェハを前記下部電極上に真空吸着により保持し、この処理室内に酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ6）や４フッ化炭素（ＣＦ4）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給した状態で高周波電圧を印加して下部電極と上部電極間の空間にプラズマ放電を発生させてフッ素ラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルとＳｉウェハの成分であるＳｉを反応させて処理対象面をエッチング処理する際に、Ｓｉウェハに形成された回路が過熱されて損傷しないように下部電極を冷却するＳｉウェハのプラズマ処理方法。」
  
　
４　対比・判断
（１）対比
　次に、引用発明１と本願補正発明を対比する。
　ア　引用発明１における「保護膜が貼付けられたＳｉウェハ」、「保護膜」、「Ｓｉウェハ」及び「酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ6）や４フッ化炭素（ＣＦ4）などのフッ素系ガスを含む混合ガス」は、本願補正発明における「保護テープが貼着されたシリコンウェハ」、「保護テープ」、「シリコンウェハ」及び「フッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガス」にそれぞれ相当する。
　
　イ　引用発明１における、Ｓｉウェハが保持される下部電極上の部分は、Ｓｉウェハが載置される部分であるから、本願補正発明における載置部に相当する。
　
　ウ　そうすると、両者は、
「保護テープが貼着されたシリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の吸着孔が設けられた載置部に前記保護テープを接触させた姿勢でシリコンウェハを載置し、且つ前記吸着孔から真空吸引することによりシリコンウェハを前記載置部に真空吸着により保持し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で高周波電圧を印加して下部電極と上部電極間の空間にプラズマ放電を発生させてフッ素ラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルとシリコンウェハの成分であるＳｉを反応させて処理対象面をエッチング処理する際に、前記載置部の温度を制御するシリコンウェハのプラズマ処理方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点
　前記載置部の温度を制御する事項につき、本願補正発明は、「シリコンウェハの温度を前記反応によって生成された反応生成物の前記処理対象面からの離脱を促進する４０℃以上の温度条件とすると共に、前記保護テープの温度は当該保護テープの耐熱温度を超えない温度となるように前記載置部の温度を制御する」のに対し、引用発明１は、Ｓｉウェハに形成された回路が過熱されて損傷しないように下部電極を冷却する点。
　
（２）判断 
　次に、上記相違点について、検討する 
　ア　シリコンウェハの温度条件について
　引用発明１の方法は、摘記事項１ｃ（【００３８】〜【００３９】）の記載のとおり、Ｓｉウェハ４０の回路形成面の裏面に対してプラズマエッチング処理を施すことによって、当該裏面において「加工歪層が除去される」とともに、当該裏面が「より平滑に仕上げられ、応力集中による形状的な強度低下のないＳｉウェハ４０を得ることができる」（【００３９】）ものである。
　引用例２には、シリコンウェーハを薄くするための研磨あるいは研削で生じた加工変質層を除去するため、ＳＦ６を含む混合ガスを用いたプラズマエッチング処理を行う方法（摘記事項２ａ）が記載されており、引用例２の実施例１には、当該ガスのプラズマをノズルによって絞り込んで半導体ウェーハ５に供給する手段が記載されている（摘記事項２ｂ）。他方、引用例２の実施例３には、「別の実施例」として、半導体ウェーハ裏面をプラズマエッチングする際、基板温度によってエッチング後の表面粗さが変化する結果を示した表１（摘記事項２ｃ）が記載されている。この表１によると、基板温度及び目視評価の結果が記載され、基板温度が室温では評価Ｃ（白濁部面積が１０％以上）、基板温度が８０℃、１２０℃、２００℃、３００℃では評価Ａ（全面に渡り白濁無し）、基板温度が５０℃及び４００℃では評価Ｂ（白濁部面積が全体の１０％未満）と表記されている（【００１５】）。表１の記載を踏まえて、「この結果から、８０℃から３００℃の間が最適である。本発明では、基板温度をこの範囲で保持する機構を具備していることが特徴である。」、「半導体ウェーハは冷却ステージ上に置かれ・・・ウェーハを冷却する」、「この冷却ステージに、ヒータを入れて、温度が上がらない場合は、加熱する機構を具備することもできる」（【００１６】）とされている。ここで、上記の目視評価における「白濁」とは、基板の表面粗さの程度を表していることは明らかであるから、引用例２には、プラズマエッチング時に基板温度を室温よりも高い「８０℃〜３００℃」の範囲に保持することによって、裏面に白濁のない半導体ウェーハが得られることが示されている。
　そして、引用例２記載のプラズマエッチング処理は、引用発明１と同様に、機械研磨によって薄化加工されたシリコンウェハの回路形成面の裏側を処理対象面とするものであり、上述したように基板温度を最適範囲に保持するために加熱や冷却が行われるものである。
　そうすると、引用発明１における基板温度条件として、シリコンウェハに白濁のない良好な表面性状を得るために、回路の過熱損傷が生じない程度で、シリコンウェハの温度を室温より高い温度範囲に設定することは、引用例２の記載に基づいて当業者が容易に想到できた事項である。そして、引用例２の上記評価によると、室温（評価Ｃ）と比べて５０℃（評価Ｂ）では評価が向上しているから、その温度範囲の下限を４０℃とすることは、必要とされるウェーハ表面性状の程度に応じて適宜になし得た設計的事項である。
　
　イ　なお、この点に関して、プラズマエッチング処理時に基板温度を高くすると、シリコンとフッ素ラジカルによる反応生成物が蒸発しやすくなり、処理対象面からの離脱を促進することは、下記周知文献１に記載されるように知られた技術的事項である。引用例２の表１における目視評価Ａの「全面に渡り白濁無し」という表面性状は、反応生成物の付着が生じていないという意味において、反応生成物の離脱が促進されている状態に相当するといえる。
　
周知文献１：特開平７−９９１８６号公報（下線は、審決において付した。）
（周１−１）「【００１１】 
【実施例】図１に本実施例で使用した陽極結合方式の平行平板型ドライエッチング装置の概略図を示す。」（【００１１】）
　
（周１−２）「【００１９】４）基板設定温度
前記図１において、基板６を支持する電極７の温度を制御することによって、基板６温度を変化させ、その時のエッチング速度と表面粗れの変化を図７に示した。エッチング条件は、全ガス流量１００sccm、反応ガス組成比ＳＦ6 ：０2 ＝７０：３０、ガス圧０．３Torr、電源投入パワー５００Ｗ、電極間距離１５mmとした。図５からわかるように、基板温度が上昇するに従ってエッチング速度は増加し（図中白丸）、また表面粗れは減少する（図中黒丸）。これは、
基板温度が高くなることでシリコンとフッ素ラジカルによる反応生成物が蒸発しやすくなるためである。また反応生成物がプラズマ中で分解されたり、マスク材がスパッタされて生じるクロム化合物のエッチング面付着物も基板温度が上昇することで蒸発しやすくなり、ミクロマスクとなって表面粗れを発生することを抑制する。具体的には、エッチング速度が高く、表面粗れの少ないエッチングを行なうには、基板温度を４０℃以上に設定するのがよい。
　
　
　ウ　保護テープの温度について
　引用発明１における「Ｓｉウェハ」は、摘記事項１ｃの「図１に示すように下部電極３は冷却装置１４によって冷却されているため、既にＳｉウェハ４０に形成された回路４１が過熱されて損傷することがない。」（【００３９】）の記載によると、プラズマエッチング処理中に加熱を受ける状態にあるから、Ｓｉウェハに貼付けられた保護膜についても同様に加熱されることは明らかである。
　また、引用発明１の保護膜４２のようなウェハに貼付ける保護膜には、処理温度に適合した耐熱性を有する材料を使用することが周知である（下記周知文献２ないし４参照）。
　そうすると、上記アで述べたところの引用発明１におけるウエハを室温より高い温度範囲に保持する場合、その保持温度として、保護膜の耐熱温度を超えないように設定することは、当然に考慮される設計的事項である。
　
　
周知文献２：特開昭６３−１２６２１３号公報（下線は、審決において付した。）
（周２−１）「半導体ウエハの一方の表面を加工する表面加工法において、該
半導体ウエハの加工面と反対側の表面にポリイミド樹脂による高耐熱、高抗張力の保護膜を設けて実施する
　
（周２−２）「半導体ウエハを薄くするために一表面を切削するさいや、一表面の凹凸を除去するために該表面を研磨するさいや、能動領域設置側表面に金属導体層を設けるさいなどに、該半導体ウエハの表面に衝撃、荷重が加わる機会が多い。・・・この発明は上記の問題を解消するためになされたもので、半導体ウエハが破損しない半導体ウエハの表面加工法を提供することを目的とする。」（１頁左下欄１７行〜右下欄１５行）
　
周知文献３：特開昭６３−２９６２２２号公報（下線は、審決において付した。）
（周３−１）「本発明は、半導体ウエハの研摩用保護シートおよびこれを用いたウエハの研摩方法に関し、さらに詳しくは、エッチングなどにより表面にパターンが形成された半導体ウエハの裏面を研摩する際に特に好ましく用いられるウエハ研摩用保護シートおよびこれを用いなウエハの研摩方法に関する。」（２頁左上欄７行〜１２行）
　
（周３−２）「本発明に係るウエハ研摩用保護シートは、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。
基材２としては、耐水性および耐熱性に優れているものが適し、特に合成樹脂フィルムが適する。
　
周知文献４：特開平５−５５２７８号公報（下線は、審決において付した。）
（周４）「この
半導体ウエハ１の裏面の研削は、裏面研削前に半導体ウエハ１の表面に樹脂膜３を形成させることにより、樹脂膜３を保護強化板として機能させ
この樹脂膜３を形成する樹脂材料には、例えば低応力、高耐熱性を有するポリイミド樹脂を用いており
　
　エ　したがって、引用発明１において、Ｓｉウェハの温度を４０℃以上の温度条件とすると共に、保護膜の耐熱温度を超えない温度となるように載置部の温度を制御することは、引用例２に記載された事項及び周知事項に基づいて当業者が容易に想到する事項であり、また、そのことによる作用効果も当業者が予測する程度のものである。
　
　
５　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることはできない。 
 　 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　請求人の主張について
　１　請求人は審判請求書の「４．本願発明と引用文献との対比」において、次の主張をしている。なお、この主張における「本願発明」は、「本願補正発明」を指している。
（１）「また引用文献２には、基板温度を８０℃から３００℃の範囲に保持すること、及び基板温度が過度に上昇した場合には、効果的に冷却するために、Ｈｅなどの不活性ガスを吹き付けることが記載されているが、上記知見に基づく本願発明が有する特徴的構成についてはまったく記載がない。・・・確かに、偶々、本願発明の温度条件と引用文献２の温度条件が一部重なっているが、両者の温度条件の趣旨はまったく相違する以上、本願発明は引用文献２の発明から容易に想到できたものではない。」（以下「主張１」という。）
（２）「しかも引用文献２の装置は、各図等の記載から明らかなように、平行平板電極型のプラズマ処理装置とは構造がまったく相違しているため、引用文献２に記載の温度条件を形式の異なる平行平板電極型の装置にそのまま適用しても所望の効果が得られるものではない。」（以下「主張２」という。）
　
　２　主張１について
　引用例２における「実施例３」は、上記「第２　４（２）ア」で述べたとおり、基板温度と基板表面の粗さに着目し、基板温度を「８０℃から３００℃」の最適範囲で保持するものである。その温度制御に関しては、請求人の主張する「効果的に冷却するために、Ｈｅなどの不活性ガスを吹き付けること」は、プラズマの集中作用による温度上昇を抑制するためであり、上記の最適温度範囲でいうと、３００℃を超えないようにするための手段である。そして、摘記事項２ｃの「この冷却ステージに、ヒーターを入れて、温度が上がらない場合は、加熱する機構を具備することもできる。」（【００１６】）の記載によると、最適温度範囲を下回る場合には加熱することができるとされている。そうすると、引用例２における「実施例３」には、基板温度を８０℃以上という室温より高い温度範囲にすることによって、基板の基板表面の白濁をなくす方法が開示されていることは明らかである。
　この点につき、本願明細書には、【０００８】の「本発明によれば、シリコン系基板の表面をプラズマによってエッチング処理する際に、シリコン系基板の温度を４０℃以上の温度に保持することにより、フッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行うことができる。」、【００２７】〜【００２８】の「図６は、シリコンウェハ７表面の処理温度Ｔｔを変化させた場合の、エッチング面の目視評価結果を示している。これによれば処理温度Ｔｔが４０℃に満たない条件の場合には、いずれもエッチング面が白濁状の外観を呈し、目視品質上不良の評価がなされるのに対し、処理温度Ｔｔが４０℃以上の場合には、いずれも良好な評価がなされる。
　このとき、さらに高温の５０℃、６０℃の場合には、４０℃場合と比較して白濁の度合いが温度上昇に伴ってさらに低下し、より鏡面に近い外観となる。」の各記載がある。
　これらの記載によると、本願補正発明は、プラズマエッチング処理する際に、シリコン系基板の温度を４０℃以上の温度に保持することにより、エッチング面が白濁状の外観を呈しないようにするものであり、引用例２における上記の基板表面の白濁が無い状態にする方法と格別の差異はない。そうすると、請求人の主張する「本願補正発明の温度条件と引用文献２の温度条件が一部重なっているが、両者の温度条件の趣旨はまったく相違する」とする根拠はないというべきである。
　よって、「本願補正発明は引用文献２の発明から容易に想到できたものではない」という請求人の主張１を採用することができない。
　
　３　主張２について
　引用発明１は、上記「第２　４（２）　ア」で述べたとおり、プラズマエッチングによって、Ｓｉウエハの回路形成面の裏面を平滑なものにすることを目的としたものである。また、引用例２には、摘記事項２ｃのように、プラズマエッチング処理を施すに際して、基板表面の白濁が生じないように、基板温度を室温より高い温度範囲に設定することが示唆されている。
　そうすると、基板温度を高くすることにより、表面粗さを小さくなることは、特定のプラズマ装置に限定されるものではなく、プラズマエッチング処理を行う場合に得られる作用効果であるといえる。
　この点に関しては、平行平板型ドライエッチング装置を用いた上記周知文献１においても、引用例２と同様に、基板温度を高くすることにより、表面粗さを小さくするプラズマエッチング処理が記載されている。
　よって、請求人の主張２を採用することはできない。　
　
　
第４　本願発明について
　１　本願発明
　平成２３年７月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年３月２日付けの手続補正書により補正された請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
 「　　【請求項１】
　保護テープが貼着されたシリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に前記保護テープを接触させた姿勢でシリコンウェハを載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で高周波電圧を印加して下部電極と上部電極間の空間にプラズマ放電を発生させてフッ素ラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルとシリコンウェハの成分であるＳｉを反応させて処理対象面をエッチング処理する際に、シリコンウェハの温度を前記反応によって生成された反応生成物の前記処理対象面からの離脱を促進する４０℃以上の温度条件とすると共に、前記保護テープの温度は当該保護テープの耐熱温度を超えない温度となるように前記載置部の温度を制御することを特徴とするシリコンウェハのプラズマ処理方法。」
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由で引用された刊行物及びその記載事項は前記「第２　［理由］２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本願補正発明から、プラズマ処理において、下部電極の載置部に「吸着孔が設け」、「前記吸着孔から真空吸引することによりシリコンウェハを前記載置部に真空吸着により保持」するとの限定を削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含む本願補正発明が前記「第２　［理由］３」及び「第２　［理由］４」に記載したとおり、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知事項に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第５　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであるから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。