【事件の表示】
　特願２００５−　８６２２０「垂直磁気記録ディスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月　５日出願公開、特開２００６−２６８９７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１７年３月２４日に出願したものであって，平成２２年２月２４日付で通知した拒絶の理由に対し，同年５月６日付で手続補正されたが，同年６月８日付で拒絶査定がなされ，これに対し，同年９月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付で手続補正がなされたものである。
　その後，平成２３年８月３１日付で，審査官の作成した前置報告書を利用した審尋を行ったところそれに対し，同年１２月２日付で回答書が提出されたものである。
　
２．平成２２年９月１５日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２２年９月１５日付の手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）補正後の本願発明
　平成２２年９月１５日付の手続補正（以下，「本件補正」という。）により，特許請求の範囲の請求項１は，
　
　「垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
　基体と、
　上層の結晶方向を制御するための下地層であって、前記基体上に形成された下地層と、
　前記下地層上に形成されたグラニュラー構造の非磁性グラニュラー層と、
　前記非磁性グラニュラー層上に形成されたグラニュラー構造の強磁性層を有する磁気記録層と
を備え、
　前記非磁性グラニュラー層は、
　酸化珪素を含むマトリックスと、
　前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックス中に分散する金属結晶粒子であって、前記下地層の結晶方位に応じた所定の方位に結晶方位が向く非磁性の金属結晶粒子と
を有し、
　前記強磁性層は、
　酸化珪素を含むマトリックスと、
　前記非磁性グラニュラー層における前記金属結晶粒子と接するように前記強磁性層の前記マトリックス中に分散しており、前記金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子と
を有し、
　
前記下地層において、前記非磁性グラニュラ層と接する界面は、Ｒｕ結晶粒子により形成されており、
　
前記非磁性グラニュラー層は、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ
２
層であり、
　前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、
　前記非磁性グラニュラー層の前記金属結晶粒子は、少なくともコバルトとクロムとを含有する結晶粒子であり、
　
前記強磁性層は、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ
２
層であり
　前記強磁性層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、
　前記強磁性層の前記磁性結晶粒子は、少なくともコバルトを含有する結晶粒子であり、
　前記非磁性グラニュラー層中の珪素の含有量をＡ原子％、前記強磁性層中の珪素の含有量をＢ原子％とした場合、ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である
ことを特徴とする磁気ディスク。」
　
と補正された。
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「下地層」について「前記非磁性グラニュラ層と接する界面は、Ｒｕ結晶粒子により形成されており」との限定を付加するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し，
　同じく，「非磁性グラニュラー層」について「非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層であり」との限定を付加するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し，
　同じく，「強磁性層」について「グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２層であり」との限定を付加するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願の出願前に頒布された刊行物である，特開２００４−３１０９１０号公報（以下，「第１引用例」という。）の第３８頁乃至７６頁には，図面とともに以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付した。
　
(a)
「【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられた磁気記録媒体において、
前記垂直磁性層は、２層以上の磁性層からなり、少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層であり、他の少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＣｒを含み、酸化物を含まない層からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記酸化物を含んだ磁性層は、その層中に磁性を有した結晶粒子が分散しており、
【請求項３】前記酸化物が、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉの中から選ばれる１種類以上の非磁性金属の酸化物であることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物が、
ＳｉＯ
２
からなる
【請求項５】前記酸化物を含んだ磁性層における酸化物の含有量が、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記酸化物を含む磁性層は、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ含有量が０ａｔ％以上１６ａｔ％以下、Ｐｔ含有量が１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非磁性基板上に少なくとも、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられた磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
(b)
「【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）
(c)
「【００６４】
配向制御層３は、直上に設けられた垂直磁性層４の配向性や粒径を制御するものである。
【００６５】
この材料としては、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金が特に好ましい。」
「【００７５】
図２は垂直磁性層の構成を示す縦断面図である。垂直磁性層４は、その磁化容易軸が非磁性基板に対して垂直方向に向いたものであり、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、酸化物４１を含んだ磁性層４ａと、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＣｒを含み、酸化物を含まない磁性層４ｂとからなる。
【００７６】
磁性層４ａは、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物４１を含んだ材料からなり、この酸化物４１としては、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇの酸化物であることが好ましい。特にＣｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２が好適である。また、この実施形態の磁性層４ａはＰｔを含んでいる。」
(d)
「【００７７】
磁性層４ａは、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）４２が分散していることが好ましい。この磁性粒子４２は、図２に示すように、磁性層４ａを上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。
【００７８】
このような構造を得るためには、含有させる酸化物４１の量が重要となる。
【００７９】
酸化物４１の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。
(e)
「【００８０】
磁性層４ａ中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子４２の孤立化、微細化をすることができるためである（図２）。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには図３に示すように、磁性粒子４２の上下に酸化物４１が析出し、結果として磁性粒子４２が磁性層４ａを上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。」
「【００８７】
磁性層４ａに適した材料としては、例えば、（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）１０｛Ｃｒ含有量１４ａｔ％、Ｐｔ含有量１８ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）９２−（ＳｉＯ２）８｛Ｃｒ含有量１０ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が８ｍｏｌ％｝、（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６｛Ｃｒ含有量８ａｔ％、Ｐｔ含有量１４ａｔ％、
Ｎｂ含有量４ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９４ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３からなる酸化物組成が６ｍｏｌ％｝、の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ２Ｏ５）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｅ）−（ＳｉＯ２）などをあげることができる。」
(f)
「【０１１７】
本発明における他の形態として、図１１に示すように配向制御層３と垂直磁性層４との間に、垂直磁性層４の結晶性、配向性を向上させるため、中間層８を設けることもできる。
【０１１８】
中間層８は、ｈｃｐ構造を有する材料が好ましい。中間層８には、ＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂから選ばれる１種または２種以上）を用いるのが好適である。
【０１１９】
中間層８のＣｏ含有量は３０〜７０ａｔ％であることが好ましい。この範囲であれば、非磁性だからである。
【０１２０】
また、中間層８には、上記合金の金属粒子が酸化物、金属窒化物、金属炭化物中に分散し構造としても良い。さらに該金属粒子が中間層８を上下に貫いた柱状構造を有していればより好適である。
【０１２１】
中間層８中の酸化物、金属窒化物、金属炭化物の含有量としては、合金に対して、４ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。該中間層８中の酸化物、金属窒化物、金属炭化物の含有量が上記範囲を超える場合、金属粒子中に酸化物、金属窒化物、金属炭化物が残留し、金属粒子の結晶性、配向性を損ねるほか、金属粒子の上下にも酸化物、金属窒化物、金属炭化物が析出してしまい、金属粒子が該中間層８を上下に貫く柱状構造となりにくくなり、該中間層８の上に形成された磁性層の結晶性、配向性を損ねるおそれがあるため好ましくない。
(g)
「【０２０９】
（実施例６１）  洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外形２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板上にＣｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ｛Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％、残部Ｃｏ｝のターゲットを
用いて１００℃以下の基板温度で１００ｎｍの軟磁性下地層２をスパッタリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が１２０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。
【０２１０】
上記軟磁性下地層２の上にＲｕターゲットを用いて、２０ｎｍの厚さで成膜し、配向制御層３とした。
【０２１１】
配向制御層３の上に、中間層８としてＣｏ３５Ｃｒ｛Ｃｒ含有量３５ａｔ％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、２ｎｍの厚さを形成した。
【０２１２】
中間層８の上に（Ｃｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ
２
）１０｛Ｃｒ含有量１２ａｔ％、Ｐｔ含有量２０ａｔ％、残部Ｃｏの合金組成を９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ
２
からなる酸化物を１０ｍｏｌ％｝からなるターゲットを用い、スパッタ圧力を０．７Ｐａとして磁性層４ａを１０ｎｍの厚さで形成した。
【０２１３】
次に、Ｃｏ２０Ｃｒ１３Ｐｔ３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０ａｔ％、Ｐｔ含有量１３ａｔ％、Ｂ含有量３ａｔ％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を３Ｐａとして磁性層４ｂを１０ｎｍの厚さ形成した。
【０２１４】
ついでＣＶＤ法により膜厚５ｎｍの保護層５を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層６を形成し、磁気記録媒体を得た。この実施例６１の磁気記録媒体の評価結果を表１０に示した。」
(h)
「【０２１５】
（実施例６２〜６６）  中間層８を表１０に示した材料に変えた他は、実施例６１に準じて磁気記録媒体を作製した。この実施例６２〜６６の磁気記録媒体の評価結果を表１０に示した。
「【０２３２】
表１０からは、配向制御層３として、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄのｈｃｐ構造をとる金属材料の他に、酸化物、金属窒化物、金属炭化物を含んだ材料も使うことができることが解る。」
　
　上記記載事項，図面，および，特に実施例６３（上記，(h）を参照。）の記載に着目しつつ総合勘案すると，上記第１引用例には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「非磁性基板上に少なくとも、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられた磁気記録媒体において、
　前記垂直磁性層は、２層以上の磁性層からなり、少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層であり、他の少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＣｒを含み、酸化物を含まない層からなり、
　前記配向制御層と前記垂直磁性層との間に中間層を有し、
　前記配向制御層がＲｕからなり、
　前記中間層は、（Ｃｏ３０Ｃｒ５Ｐｔ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６からなり、
　前記Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層が、（Ｃｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）１０からなり、
　前記Ｃｏを主成分とするとともにＣｒを含み、酸化物を含まない層が、Ｃｏ２０Ｃｒ１３Ｐｔ３Ｂからなる垂直磁気記録媒体。」
　
　（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
(a)
　引用発明における「垂直磁気記録媒体」は，「ハードディスク装置（ＨＤＤ）」に使用するものである（上記，（２）(b）を参照。）ことから，本願補正発明における「垂直磁気記録に用いる磁気ディスク」を満足するといえる。
(b)
　引用発明における「非磁性基板」は，本願補正発明における「基体」に相当する。
(c)
　引用発明における「直上の層の配向性を制御する配向制御層」，「前記配向制御層がＲｕからなり」は，Ｒｕがｈｃｐ構造を有する結晶性の材料であることから配向制御層がＲｕ結晶粒子により形成されていることが明らかであることを勘案すると，本願補正発明における「上層の結晶方向を制御するための下地層であって、前記基体上に形成された下地層」「前記下地層において、前記非磁性グラニュラ層と接する界面は、Ｒｕ結晶粒子により形成されており」を満足するといえる。
(d)
　引用発明の「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」と本願補正発明における「グラニュラー構造の強磁性層」とを対比すると，引用発明の「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」は，「（Ｃｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）１０からな」る層であるところ，この層は，第１引用例の段落【００７７】乃至【００７９】の記載（上記，（２）(d）を参照。）を勘案すると，Ｃｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔからなる磁性を有した結晶粒子がＳｉＯ２中に分散した構造（グラニュラー構造）を有しているとともに，該磁性を有した結晶粒子が「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」を上下に貫く柱状構造を有しているといえる。
　したがって，引用発明の「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」は，本願補正発明の「グラニュラー構造の強磁性層」を満足する。
(e)
　引用発明の「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」「前記Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層が、（Ｃｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）１０からなり」は，明らかに，本願補正発明における「グラニュラー構造の強磁性層」「前記強磁性層は、酸化珪素を含むマトリックスと」「磁性結晶粒子とを有し」「前記強磁性層は、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２層であり、前記強磁性層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、前記強磁性層の前記磁性結晶粒子は、少なくともコバルトを含有する結晶粒子であり」を満足する。
(f)
　引用発明の「垂直磁性層」と本願補正発明の「磁気記録層」とを対比する。
　本願補正発明の「磁気記録層」は，「垂直磁気記録に用いる」ものであることを勘案すると，当然に磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向しているものであり，また，「グラニュラー構造の強磁性層を有する」ものであることから，「グラニュラー構造の強磁性層」に加えて「グラニュラー構造の強磁性層」以外の層を有してもよい層である。
　したがって，引用発明の「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」は，本願補正発明の「グラニュラー構造の強磁性層」を満足すること（上記，(d)を参照。）を勘案すると，引用発明の「磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層」「前記垂直磁性層は、２層以上の磁性層からなり、少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層であり、他の少なくとも１層がＣｏを主成分とするとともにＣｒを含み、酸化物を含まない層からなり」「前記Ｃｏを主成分とするとともにＣｒを含み、酸化物を含まない層が、Ｃｏ２０Ｃｒ１３Ｐｔ３Ｂからなる」は，本願補正発明の「グラニュラー構造の強磁性層を有する磁気記録層」を満足する。
(g)
　引用発明の「中間層」と本願補正発明の「グラニュラー構造の非磁性グラニュラー層」とを対比する。
　引用発明の「中間層」は，「前記配向制御層と前記垂直磁性層との間に」位置する点で，本願補正発明の「グラニュラー構造の非磁性グラニュラー層」が「前記下地層上に形成され」るとともに「前記非磁性グラニュラー層上に」「磁気記録層」が形成される点と一致する。
　したがって，引用発明の「前記配向制御層と前記垂直磁性層との間に中間層」は，その積層順序に関し，本願補正発明の「前記下地層上に形成されたグラニュラー構造の非磁性グラニュラー層」「前記非磁性グラニュラー層上に形成された」「磁気記録層」を満足する。
(h)
　引用発明の「中間層」は，「（Ｃｏ３０Ｃｒ５Ｐｔ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６からな」るので，非磁性である。また，第１引用例の段落【０１２０】、【０１２１】の記載（上記，（２）(f)を参照。）を勘案するとＣｏ３０Ｃｒ５Ｐｔからなる金属粒子がＣｒ２Ｏ３中に分散した構造（グラニュラー構造）となっているといえる。
　したがって，引用発明の「中間層」は，本願補正発明の「グラニュラー構造の非磁性グラニュラー層」とグラニュラー構造を有する非磁性の層である点で一致している。
(j)
　引用発明の「中間層」は，Ｃｒ２Ｏ３の含有量が６ｍｏｌ％であることから，第１引用例の段落【０１２０】、【０１２１】の記載（上記，（２）(f)を参照。）を勘案するとＣｏ３０Ｃｒ５Ｐｔからなる金属粒子が該中間層を上下に貫く柱状構造となっているといえるところ，「中間層」は，「直上の層の配向性を制御する配向制御層」の上に設けられているので該金属粒子は，配向制御層と接しており，したがって，該金属粒子は，配向制御層の結晶方位に応じた所定の方位に結晶方位が向いているといえる。
　したがって，引用発明の「中間層」は，本願補正発明の「前記非磁性グラニュラー層は」「前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックス中に分散する金属結晶粒子であって、前記下地層の結晶方位に応じた所定の方位に結晶方位が向く非磁性の金属結晶粒子とを有し」を満足するといえる。
(k)
　引用発明の「中間層」において該中間層を上下に貫く柱状構造を有するとともにＣｏ３０Ｃｒ５Ｐｔからなる金属粒子（上記，(j)を参照。）の含有量は，９４ｍｏｌ％であり，「Ｃｏを主成分とするとともにＰｔを含み、酸化物を含んだ層」を上下に貫く柱状構造を有するとともにＣｏ１２Ｃｒ２０Ｐｔからなる磁性を有した結晶粒子（上記，(d)を参照。）の含有量は，９０ｍｏｌ％であるから，該金属粒子と該磁性を有した結晶粒子とが接していることは明らかである。
　したがって，該金属粒子結晶方位に応じた所定の方位に該磁性を有した結晶粒子の結晶方位が向いているといえるところ，磁性を有した結晶粒子において磁化容易軸は，結晶方位に応じて決まるから，結局，引用発明は，本願補正発明の「前記非磁性グラニュラー層における前記金属結晶粒子と接するように前記強磁性層の前記マトリックス中に分散しており、前記金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子」を満足する。
(l)
　引用発明の「前記中間層は、（Ｃｏ３０Ｃｒ５Ｐｔ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６からなり」は，明らかに，本願補正発明の「前記非磁性グラニュラー層の前記金属結晶粒子は、少なくともコバルトとクロムとを含有する結晶粒子であり」を満足する。
　
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
　基体と、
　上層の結晶方向を制御するための下地層であって、前記基体上に形成された下地層と、
　前記下地層上に形成されたグラニュラー構造の非磁性グラニュラー層と、
　前記非磁性グラニュラー層上に形成されたグラニュラー構造の強磁性層を有する磁気記録層と保護層
を備え、
　前記非磁性グラニュラー層は、
　前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックス中に分散する金属結晶粒子であって、前記下地層の結晶方位に応じた所定の方位に結晶方位が向く非磁性の金属結晶粒子と
を有し、
　前記強磁性層は、
　酸化珪素を含むマトリックスと、
　前記非磁性グラニュラー層における前記金属結晶粒子と接するように前記強磁性層の前記マトリックス中に分散しており、前記金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子と
を有し、
　前記下地層において、前記非磁性グラニュラ層と接する界面は、Ｒｕ結晶粒子により形成されており、　
　前記非磁性グラニュラー層の前記金属結晶粒子は、少なくともコバルトとクロムとを含有する結晶粒子であり、
　前記強磁性層は、グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２層であり、　
　前記強磁性層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、
　前記強磁性層の前記磁性結晶粒子は、少なくともコバルトを含有する結晶粒子である磁気ディスク。」
　
　
　一方，次の点で相違する。
　
　相違点
［相違点１］
　引用発明の「中間層」は，「（Ｃｏ３０Ｃｒ５Ｐｔ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６からな」るものであるのに対し、本願補正発明における「非磁性グラニュラー層」は，「酸化珪素を含むマトリックス」「を有し」「前記非磁性グラニュラー層は、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層であり、前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有」する点。
　
［相違点２］
　本願補正発明は，「前記非磁性グラニュラー層中の珪素の含有量をＡ原子％、前記強磁性層中の珪素の含有量をＢ原子％とした場合、ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である」を発明を特定する事項として有しているのに対し，引用発明ではこの点に関して限定がない点。
　
　
　（４）判断
　［相違点１］について
　第１引用例には「中間層」の材料として種々の合金の金属粒子が酸化物等に分散している材料が使用できることに加え、その具体例として「ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２」が記載されている（上記，（２）(f)を参照）から，（Ｃｏ３０Ｃｒ５Ｐｔ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６に代えて非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層とする程度のことは適宜なし得ることである。
　
　［相違点２］について
　第１引用例には「中間層８中の酸化物、金属窒化物、金属炭化物の含有量としては、合金に対して、４ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。」（段落【０１２１】，上記（２）(f)を参照。）、「酸化物４１の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。」（段落【００７９】，上記（２）(d)を参照。）と記載されており，これに基づいて「比Ａ／Ｂ」を計算すると０．３３（＝４／１２）から４（＝１２／３），または，０．４（＝４／１０）から２．４（＝１２／５）の範囲となるから，当業者であれば単に所望に応じて０．３３から４，または，０．４から２．４の範囲を０．７〜１．５の範囲に限定するという程度のことは適宜なしえることである。
　
　そして，本願補正発明に関し「ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である」とする理由について発明の詳細な説明に何も記載されていないこと，実施例１に関し「微細化促進層２０」（「非磁性グラニュラー層」に相当する。本願の発明の詳細な説明の段落【００４４】，【００３０】の記載を参照。）中の珪素の含有量が記載されていないため，実施例１が「ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である」を満足すること（実施例であること）すら確認することができないことなどを総合すると，「ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である」とすることにより当業者が予測できない格別顕著な効果が奏されているといえる根拠も見いだせない。
　
　したがって，本願補正発明は，第１引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　（５）むすび
　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２２年９月１５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至１２に係る発明は，平成２２年５月６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
　基体と、
　上層の結晶方向を制御するための下地層であって、前記基体上に形成された下地層と、
　前記下地層上に形成されたグラニュラー構造の非磁性グラニュラー層と、
　前記非磁性グラニュラー層上に形成されたグラニュラー構造の強磁性層を有する磁気記録層と
を備え、
　前記非磁性グラニュラー層は、
　酸化珪素を含むマトリックスと、
　前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックス中に分散する金属結晶粒子であって、前記下地層の結晶方位に応じた所定の方位に結晶方位が向く非磁性の金属結晶粒子とを有し、
　前記強磁性層は、
　酸化珪素を含むマトリックスと、
　前記非磁性グラニュラー層における前記金属結晶粒子と接するように前記強磁性層の前記マトリックス中に分散しており、前記金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子と
を有し、
　前記下地層は、少なくともルテニウムを含有する層であり、
　前記非磁性グラニュラー層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、
　前記非磁性グラニュラー層の前記金属結晶粒子は、少なくともコバルトとクロムとを含有する結晶粒子であり、
　前記強磁性層の前記マトリックスは少なくとも酸化珪素を含有し、
　前記強磁性層の前記磁性結晶粒子は、少なくともコバルトを含有する結晶粒子であり、
　前記非磁性グラニュラー層中の珪素の含有量をＡ原子％、前記強磁性層中の珪素の含有量をＢ原子％とした場合、ＡとＢとの比Ａ／Ｂは０．７〜１．５の範囲である
ことを特徴とする磁気ディスク。」　
　
　（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例，及びその記載事項は，前記「２．（２）」に記載したとおりである。　
　
　（２）対比・判断
　本願発明は，前記２．で検討した本願補正発明から「下地層」の限定事項である「前記非磁性グラニュラ層と接する界面は、Ｒｕ結晶粒子により形成されており」との構成を省き，「非磁性グラニュラー層」の限定事項である「非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層であり」との構成を省き，「強磁性層」の限定事項である「グラニュラー構造のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２層であり」との構成を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記２．（４）に記載したとおり，第１引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，第１引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，第１引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その余の請求項について論及するまでもなく，本願は，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。