【事件の表示】
　特願２００３−３０４０１９「薄層電界効果トランジスターの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１７日出願公開、特開２００５−　７２５２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１５年８月２８日の特許出願であって、平成２１年７月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年６月２３日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年９月１７日に審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月２日付けで審尋がされ、平成２４年１月１７日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２２年９月１７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである（下線を付した部分は、補正箇所である。）。
　
ア　補正前の請求項１、２及び３を削除すること。　
　
イ　補正前の請求項４について、同項中に「重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物を上記絶縁層を溶解させない有機溶剤に溶解させた溶液を絶縁層上に塗布、乾燥して半導体層を形成すること」とあるのを、「重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物を
クロロホルム、トルエン、ヘキサン、アルコール類から選ばれる
　
ウ　補正前の請求項５，６，７をそれぞれ補正後の請求項２，３，４に、繰り上げるとともに、引用する請求項を補正前の「請求項１」から補正後の「請求項１」へと変更し限定すること。
　
２　新規事項の有無及び補正の目的の適否
（１）上記補正イ、ウは、いずれも、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願の出願当初の明細書等」という。）の段落【００１４】の記載から、本願の出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内において行われたものであることは明らかである。　
　したがって、上記補正イ、ウは、いずれも、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。　
　
（２）そして、上記補正イ、ウは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定する補正を含むものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、「特許法第１７条の２第４項」という。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記補正アは、同法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、同法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。　
　　　
３　独立特許要件（容易想到性）についての検討　
　上記２で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。　
　
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜４に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　　
「【請求項１】
　金属層からなるゲート電極上に重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下のシアノ基を有する絶縁性高分子化合物をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、及びγ−ブチルラクトンから選ばれる有機溶剤に溶解した高分子溶液を塗着、乾燥させて絶縁層を形成後、重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物をクロロホルム、トルエン、ヘキサン、アルコール類から選ばれる上記絶縁層を溶解させない有機溶剤に溶解させた溶液を絶縁層上に塗布、乾燥して半導体層を形成することを特徴とする薄層電界効果トランジスターの製造方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−１１９２５５号公報（以下「引用例」という。）には、「導電性有機化合物及び電子素子」（発明の名称）について、図１とともに、次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　
ア　特許請求の範囲
「【請求項１】  π共役系電気伝導性を示す主鎖部分に、屈折率異方性及びσ共役系電気伝導性を同時に示す側鎖部分が結合していることを特徴とする導電性有機化合物。」
「【請求項８】  請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性有機化合物から形成された構成要素をその構造中に含んでなることを特徴とする電子素子。　
【請求項９】  
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及びチャネル層を含む有機薄膜トランジスタの形態をとり、前記チャネル層が前記導電性有機化合物から形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子素子。
　
イ　発明の属する技術分野　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は導電性有機化合物に関し、さらに詳しく述べると、トランジスタなどの電子素子に用いることのできる有機半導体、特に電子ペーパなどのフレキシブルな電子素子に適用可能な有機半導体に関する。本発明はまた、かかる有機半導体を使用した電子素子に関する。
　
ウ　発明の実施の形態
「【００３４】以上に説明したように、本発明の導電性有機化合物は、上述のような要件を満足させる範囲において広範囲の有機化合物を包含することができる。本発明の範囲を制限するつもりはないが、
このような導電性有機化合物は、通常、約１，０００〜１００，０００の分子量(重量平均分子量)を有していることが好ましい。
「【００４０】
本発明の導電性有機化合物は、好ましくは、溶媒に溶解した形で用いられる。適当な溶媒は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、トルエン、キシレン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、エタノールなどである。本発明の導電性有機化合物は、したがって、これらの溶媒に所定の濃度で溶解して塗液となした後、キャスト法、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法や、スクリーン印刷法などの印刷法で基板等の上に塗布し、硬化させることができる。
「【００７０】さらに具体的に説明すると、
図１は、本発明による電子素子の一例として有機薄膜トランジスタ１０を模式的に示したものである。
【００７１】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのフレキシブルなプラスチック材料製の
基板１の上に、金などのスパッタリングやエッチングなどの適当な手法によってゲート電極４を形成する。その後、ゲート電極４を含む基板１の表面にポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチル化プルランなどの高誘電率有機物を塗布し、硬化させてゲート絶縁膜２を形成する。必要ならば、
ゲート絶縁膜２の上にさらに配向膜（図示せず）を成膜することも可能である。
次に、このゲート絶縁膜２の上に、ソース電極５及びドレイン電極６を配置し、トランジスタ基板とする。
【００７２】
上記のようにしてトランジスタ基板を作製した後、本発明による導電性有機化合物をトルエンなどの適当な溶媒に溶解し、得られた塗液をキャスト法、ディップコート法、スピンコート法などによってトランジスタ基板上に塗布し、硬化させる。図示のように、チャネル層３が形成される。
【００７３】
以上のような一連の製造工程を経て製造した有機薄膜トランジスタ１０において、ソース−ドレイン電極間に流れる電流量をゲート電圧によって変調可能
プラスチック基板上に作製した電界効果トランジス
　
エ　実施例
「【０２０７】
【実施例】次いで、本発明をその実施例を参照してさらに説明する。なお、本発明は下記の実施例によって限定されるものではないことを理解されたい。
実施例１
ポリエーテルスルホンからなる
プラスチックシートを基板として用意し、ゲート電極を金のスパッタリングにより形成した後、アセトンに溶解させたシアノエチル化プルランを塗布し、溶媒を乾燥させて膜厚150nmの絶縁層を成膜した。さらに、この絶縁層の上にポリイミド前駆体の溶液を塗布し、140℃で１時間にわたって熱処理を行った後、ラビング処理を施すことによって、ポリイミド配向膜を形成した。次いで、このポリイミド配向膜の上に、電極間距離すなわちチャネル長が５μmのソース電極及びドレイン電極を膜厚50nmで形成した。このようにして電極などを作り込んだプラスチック基板上に、ポリチオフェン主鎖にポリシラン基を導入した重量平均分子量約30,000のポリチオフェン誘導体（下式参照）
【０２０８】
【化１１】
（略）
【０２０９】
をトルエンに溶解加熱し、スピンコートによって塗布した後、溶媒を徐々に乾燥させ、膜厚100nmのチャネル層を得た。
【０２１０】引き続いて、
上記のようにして作製した有機薄膜トランジスタ
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜エによれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
「プラスチックシートを基板として用意し、ゲート電極を金のスパッタリングにより形成した後、アセトンに溶解させたシアノエチル化プルランを塗布し、溶媒を乾燥させて絶縁層を成膜し、ポリイミド配向膜を形成し、次いで、ポリチオフェン主鎖にポリシラン基を導入した重量平均分子量約30,000のポリチオフェン誘導体をトルエンに溶解加熱し、スピンコートによって塗布した後、溶媒を徐々に乾燥させ、チャネル層を得た有機薄膜トランジスタの製造方法。」　
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明は、「ゲート電極を金のスパッタリングにより形成」していることから、ゲート電極は金属層からなることは明らかである。
　
イ　引用発明の「シアノエチル化プルラン」は、本願補正発明の「シアノ基を有する絶縁性高分子化合物」に相当し、引用発明の「アセトン」は、「有機溶剤」である点で、本願補正発明と共通する。
　そうすると、引用発明の「アセトンに溶解させたシアノエチル化プルランを塗布し、溶媒を乾燥させて絶縁層を成膜」することは、「シアノ基を有する絶縁性高分子化合物」を「有機溶剤に溶解した高分子溶液を塗着、乾燥させて絶縁層を形成」する点で本願補正発明と共通する。
　
ウ　引用発明の「ポリチオフェン誘導体」、「チャネル層」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体層形成用高分子化合物」、「半導体層」に相当する。　
　そうすると、引用発明の「基板上に、ポリチオフェン主鎖にポリシラン基を導入した重量平均分子量約30,000のポリチオフェン誘導体をトルエンに溶解加熱し、スピンコートによって塗布した後、溶媒を徐々に乾燥させ、チャネル層を得た」ことは、本願補正発明の「重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物をクロロホルム、トルエン、ヘキサン、アルコール類から選ばれる有機溶剤に溶解させた溶液を塗布、乾燥して半導体層を形成すること」に相当することは、当業者にとって明らかである。
　
エ　引用発明の「有機薄膜トランジスタ」は、引用例の段落【００７３】の「有機薄膜トランジスタ１０において、ソース−ドレイン電極間に流れる電流量をゲート電圧によって変調可能」との記載より、電界効果トランジスタであることは、当業者にとって明らかである。
　そうすると、引用発明の「有機薄膜トランジスタ」は、本願補正発明の「薄層電界効果トランジスター」に相当する。
　　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「金属層からなるゲート電極上にシアノ基を有する絶縁性高分子化合物を有機溶剤に溶解した高分子溶液を塗着、乾燥させて絶縁層を形成後、重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物をクロロホルム、トルエン、ヘキサン、アルコール類から選ばれる有機溶剤に溶解させた溶液を塗布、乾燥して半導体層を形成することを特徴とする薄層電界効果トランジスターの製造方法。」
　
〈相違点〉
相違点１　
　本願補正発明では、「重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下のシアノ基を有する絶縁性高分子化合物」であるのに対し、引用発明では、「シアノエチル化プルラン」の重量平均分子量が特定されていない点。
　
相違点２　
　絶縁層の形成において、本願補正発明では、「シアノ基を有する絶縁性高分子化合物をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、及びγ−ブチルラクトンから選ばれる有機溶剤」に溶解した高分子溶液を塗着、乾燥させているのに対し、引用発明では、「アセトンに溶解させたシアノエチル化プルラン」を塗布し、溶媒を乾燥させている点。　
　　　　
相違点３　
　本願補正発明では、「絶縁層上」に「半導体層」を形成するのに対し、引用発明では、「絶縁層を成膜し、ポリイミド配向膜を形成し、次いで」、「チャネル層を得た」ものである点。
　
相違点４　
　半導体層形成用高分子化合物を溶解させる有機溶剤について、本願補正発明では、「絶縁層を溶解させない有機溶剤」であるのに対し、引用発明では、「トルエン」が「シアノエチル化プルラン」から形成された「絶縁層」を溶解させないことは特定されていない点。　
　
（４）相違点についての検討
ア　相違点１について
（ア）分子量を２，０００を超え１，０００，０００以下の範囲とするシアノエチルプルランは、例えば以下の周知例１及び２に記載されているとおり、本願の出願前に周知である。
　
（周知例１：特開平５−３１５１８５号公報）
　上記周知例１には、以下の記載がある。
　
「【０００３】従来、コンデンサ用の
高誘電率誘電体としては、
シアノエチルプルラン
が知られている。
シアノエチルプルランは一般に分子量が10×10
4
 〜50×10
4 
程度
　　
（周知例２：特開平９−６０３２号公報）
　上記周知例２には、表１とともに、以下の記載がある。
　
「【０００５】
シアノエチルプルラン
は、適度な抵抗値を有し
「【００４８】（比較例１）プルラン（林原研究所製ＰＦ−２０）３０ｇを純水１２０ｇに溶解し、２５％水酸化ナトリウム水溶液３６ｇを添加後アセトン１２０ｇ、次いでアクリロニトリル１５０ｇを加え、室温下１４時間反応した。酢酸１３．５ｇを添加して中和後、純水中に攪拌しながら注ぎ込み反応物を晶出させた。得られた晶出物をアトン再溶解後、純水で再晶出させて精製した。この操作を３回繰り返した後、精製物を６０℃で減圧下で乾燥して、白色の精製
シアノエチル化プルラン５５ｇを得た。窒素分析の結果から、シアノエチル化度が８５％であった。このものの抵抗値、フィルム物性等を合成例１と同様の方法で求めた結果を表１に示す。
　
表１について、
　
表１の「シアノエチルプルラン」の「数平均分子量×１０
５
」の欄に、「２．３」と記載されている。
　
（イ）したがって、引用発明の「シアノエチル化プルラン」として、上記周知の分子量を勘案すれば、「分子量を２，０００を超え１，０００，０００以下」の範囲のものを選択することは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る程度のものである。　　
　　
イ　相違点２について
（ア）有機半導体素子の絶縁層を高分子溶液の塗着により形成するに際し、「シアノエチル化プルラン」をジメチルホルムアルデヒド、アセトニトリルの溶媒に溶解することは、例えば以下の周知例３〜５に記載されているとおり、本願の出願日前における周知技術である。
　
（周知例３：特開平８−１９１１６２号公報）
　上記周知例３には、以下の記載がある。　
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果トランジスタに関し、特に有機半導体材料をチャネル層に用いた電界効果トランジスタに関するものである。」
「【０１６５】ここで、ゲート絶縁層の十分な絶縁を確保するために、ｎ型高濃度ドープのシリコン基板１８上の熱酸化膜（シリコン酸化膜：厚さ１０４．６ｎｍ）上に、２ｇ／１０ｍｌの
ジメチルホルムアミドとアセトニトリルとの等体積混合溶媒のＣＹＥＰＬ溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートし、ドライヤーでスピンコート膜を乾燥して絶縁層１３とした。
　　
（周知例４：特開平８−１８１２５号公報）
　上記周知例４には、以下の記載がある。　
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果型トランジスタ（以下ＦＥＴと略称する）、特に半導体層に有機化合物を用いたＦＥＴ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置に関するものである。」
「【０１１７】（実施例２）ガラス基板上にＣｒを真空蒸着法により作製し、ゲート電極とした。次に、
アセトニトリルージメチルホルムアミドの１：１混合溶媒にシアノエチルプルランを溶解した溶液からキャスト法を用いて８μｍのシアノエチルプルラン膜を作製して、ゲート絶縁膜とした。
　
（周知例５：特開２００２−９２９０号公報）
　上記周知例５には、以下の記載がある。　
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用いた、電界効果トランジスタとして利用可能な有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子に関するものである。」
「【００５１】（ｃ）絶縁性膜形成工程　
ポリプルラン  ＣＲＳ（商品名、信越化学社製、シアノ樹脂）の１５％（質量基準）アセトニトリル溶液を、図２（ｂ）に示す状態の有機半導体膜４上にスピンコートし、図２（ｃ）に示すように絶縁性膜５を形成した。
　
（イ）したがって、引用発明において、「シアノエチル化プルラン」を溶解する溶媒として、上記周知技術を勘案し、「アセトン」に代えて、ジメチルホルムアルデヒド、アセトニトリルを選択することは、当業者が容易になし得たものである。　　
　
ウ　相違点３について　
　引用発明では、「絶縁層の上」に「ポリイミド配向膜を形成」している。しかしながら、上記ウの発明の実施の形態において、段落【００７１】の「必要ならば、・・・ゲート絶縁膜２の上にさらに配向膜（図示せず）を成膜することも可能である。」と記載されていることから、引用発明において、配向膜の成膜は任意の事項であり、配向膜を形成しないことは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計的事項といえる。　
　
エ　相違点４について　
　「トルエン」が、「シアノエチル化プルラン」から形成された「絶縁層」を溶解させないことは、シアノエチル化プルランの材料自体が有する特性であって、当業者にとって明らかであり、相違点４は実質的なものではない。　　
（５）小括
　以上検討したとおり、本願補正発明と引用発明との相違点は、本願の出願日前の周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものであるから、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び  　
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年７月２４日の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項４に記載の次のとおりのものである。
　
「【請求項４】
　金属層からなるゲート電極上に重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下のシアノ基を有する絶縁性高分子化合物をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、及びγ−ブチルラクトンから選ばれる有機溶剤に溶解した高分子溶液を塗着、乾燥させて絶縁層を形成後、重量平均分子量２，０００を超え１，０００，０００以下の半導体層形成用高分子化合物を上記絶縁層を溶解させない有機溶剤に溶解させた溶液を絶縁層上に塗布、乾燥して半導体層を形成することを特徴とする薄層電界効果トランジスターの製造方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項４の規定をより技術的に限定するものである。逆に言えば、本願発明（補正前の請求項４に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
   そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができる。 
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。