(57)【要約】      （修正有）【課題】３軸方向における感度のばらつきの少ないセンサ素子を提供する。【解決手段】センサ素子１００は、重錘体２０と、上面視して重錘体２０を囲むように位置する枠体１０と、第１端が重錘体２０に、第２端が枠体１０にそれぞれ連結された可撓性を有する梁部３０と、梁部３０に設けられた、梁部３０の変形を電気信号として検出する検出部を有するセンサ素子１００であって、梁部３０は、その側面に凹部を有している。【選択図】図１
2017058353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重錘体と、上面視して該重錘体を囲むように位置する枠体と、第１端が前記重錘体に、第２端が前記枠体にそれぞれ連結された可撓性を有する梁部と、該梁部に設けられた、該梁部の変形を電気信号として検出する検出部とを有するセンサ素子であって、
前記梁部は、その側面に凹部を有しているセンサ素子。
【請求項２】
前記凹部は前記梁部の長手方向に沿って延びる細長形状である、請求項１に記載のセンサ素子。
【請求項３】
前記凹部は前記梁部の厚み方向の中央部に位置している、請求項１または２に記載のセンサ素子。
【請求項４】
前記凹部は前記第１端および前記第２端の少なくとも一方に位置している、請求項１乃至３のいずれかに記載のセンサ素子。
【請求項５】
前記凹部は内側面と底面との間が曲面となっている、請求項１乃至４のいずれかに記載のセンサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、動きを検出することが可能なセンサ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車の走行状態、あるいはロボットの運動状態等を測定するために、振動型のセンサ素子を用いたセンサが使用されている。
【０００３】
図１２は従来のセンサ素子を示す図であり、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＶ−Ｖ線における断面図である。
【０００４】
同図に示すセンサ素子は、重り部５０１と、重り部５０１を囲繞する枠状の固定部５０２と、重り部５０１を固定部５０２に連結する梁部５０３と、梁部５０３に形成されたピエゾ抵抗素子５０４とを有している。
【０００５】
重り部５０１、固定部５０２および梁部５０３はシリコン基板を加工することによって一体的に形成されている。
【０００６】
またピエゾ抵抗素子５０４は、シリコン基板の表面にボロンを打ち込むことにより形成される。
【０００７】
このようなセンサ素子において、梁部５０３を振動させた状態で梁部５０３の長手方向に平行な回転軸回りの角速度が生じると、重り部５０１が動き、それに伴って梁部５０３が変形し、ピエゾ抵抗素子５０４も変形する。
【０００８】
このピエゾ抵抗素子５０４の変形による抵抗値の変化に基づいて角速度が検出されることとなる。
【０００９】
したがって角速度の検出感度を向上させるには、梁部５０３が変形しやすくなるようにすればよく、重り部５０１の体積を大きくするといった工夫が従来からなされている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このようなセンサ素子は、梁部５０３に配置されたピエゾ抵抗素子５０４およびそれに接続された配線によって、ＸＹＺの３軸方向における角速度を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１７２７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
センサ素子には、検出感度のさらなる向上が要求されている。検出感度を向上させるには、３軸方向における感度のばらつきを小さくすることが有効である。
【００１３】
本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、３軸方向における感度のばらつきの少ないセンサ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一実施形態にかかるセンサ素子は、重錘体と、上面視して該重錘体を囲むように位置する枠体と、第１端が前記重錘体に、第２端が前記枠体にそれぞれ連結された可撓性を有する梁部と、該梁部に設けられた、該梁部の変形を電気信号として検出する検出部とを有するセンサ素子であって、前記梁部は、その側面に凹部を有している。
【発明の効果】
【００１５】
３軸方向における感度のばらつきを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るセンサ素子の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のセンサ素子のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図３】図１のセンサ素子の要部平面図である。
【図４】図３のセンサ素子のII−II線における断面図である。
【図５】図３のセンサ素子のIII−III線における断面図である。
【図６】センサ素子の変形例における梁部の断面図である。
【図７】センサ素子の変形例における梁部の断面図である。
【図８】センサ素子の変形例の要部平面図である。
【図９】図８のセンサ素子のIV−IV線における断面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ製造途中の状態を示すセンサ素子の断面図であり、（ｃ）は製造途中の状態を示すセンサ素子の平面図である。
【図１１】（ａ）は製造途中の状態を示すセンサ素子における梁部の断面図であり、（ｂ）は製造途中の状態を示すセンサ素子の断面図である。
【図１２】（ａ）は従来のセンサ素子の平面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明のセンサ素子の各種実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、一実施形態に係るセンサ素子１００の平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ線における断面図である。また、図３は、図１のセンサ素子１００における梁部３０の近傍の要部平面図である。また、図４は、図３のセンサ素子のII−II線における断面図であり、図５は、図３のセンサ素子のIII−III線における断面図である。
【００１９】
センサ素子１００は、枠体１０と、枠体１０の内側に位置する重錘体２０と、枠体１０に重錘体２０を接続する梁部３０と、梁部３０に配置され、梁部３０の変形に応じた電気信号を検出する検出部Ｒとを有する。
【００２０】
センサ素子１００は、重錘体２０をＸＹ平面内で回旋運動させることで角速度を検出するセンサとして用いることができる。重錘体２０を回旋運動させるためには、例えば、互いに向き合う重錘体２０の外壁と枠体１０の内壁とに電極を設けて静電引力によって実現してもよいし、センサ素子１００の外側に磁力を発生させて実現してもよい。また、複数ある梁部３０に駆動用の圧電素子を配置し、この圧電素子に順次電気信号を入力して、梁部３０を順次変形させることで回旋運動させてもよい。センサ素子１００に角速度が加わると、コリオリの力が重錘体２０に作用し、重錘体２０が動くことで梁部３０が捻じれるように変形する。そして、梁部３０の変形量に応じた電気信号を検出部Ｒにより検出し、不図示の電気配線によってその電気信号を取り出して演算することにより、角速度を検出することができる。なお、センサ素子１００を角速度を検出するセンサとして用いる場合、角速度の検出のために重錘体２０を回旋運動させる場合に限らず、梁部３０のみを周期的に振動させるようにしてもよい。
【００２１】
センサ素子１００は、加速度を検出するセンサとして用いることもできる。その場合、
センサ素子１００に加速度が加わると、加速度に応じた力が重錘体２０に作用し、重錘体２０が動くことで梁部３０が撓むようになっている。そして、梁部３０の撓み量に応じた電気信号を検出部Ｒにより検出し、不図示の電気配線によってその電気信号を取り出して演算することにより、加速度を検出することができる。
【００２２】
以下、各部位について詳述する。重錘体２０は、平面形状が例えば略正方形である。この例に示す重錘体２０は、後述の梁部３０に接続される部位と、梁部３０の下方に位置する部位とで平面形状が異なる。重錘体２０の梁部３０に接続される部位と下方に位置する部位とは、互いに中心が重なるように配置されている。なお、図１において、下方に位置する部位の平面形状を破線で示している。
【００２３】
重錘体２０の梁部３０に接続される部位の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば０．２５ｍｍ〜０．５ｍｍに設定される。また、この部位の厚みは、例えば５μｍ〜２０μｍに設定される。下方に位置する部位の大きさは、略正方形の一辺の長さが例えば０．４ｍｍ〜０．６５ｍｍに設定される。また、その厚みは、例えば０．２ｍｍ〜０．６２５ｍｍに設定される。
【００２４】
このような重錘体２０のうち梁部３０に接続される部位と下方に位置する部位とは、別部材によって接合されていてもよい。例えば、重錘体２０のうち梁部３０に接続される部位と下方に位置する部位と両者を接合する接合部位とは、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板等のようなに異なる部材の積層体を加工することによって一体的に形成されていてもよい。この場合には、接合部位をシリコン（Ｓｉ）層間に位置する酸化シリコン（ＳｉＯ２）層で構成すれば、Ｓｉ層とＳｉＯ２層との加工性の違いを利用して３次元方向への加工が容易となる。この接合部位は、平面形状が梁部３０に接続される部位と略同一となっている。そして接合部位はその平面形状が、下方に位置する部位に比べて小さくなっている。これにより、梁部３０と重錘体２０のうち梁部３０の下方に位置する部位とを分離することができ、重錘体２０の可動性を確保することができるものとなる（図１１（ｂ）参照。図１１（ｂ）において上記接合部位は符号２０ａで示している部位のことである。）。
【００２５】
そして、このような重錘体２０を囲繞するように枠状の枠体１０が設けられている。枠体１０は、平面形状が例えば略正方形であり、中央部に重錘体２０よりも若干大きい略正方形の開口部を有している。枠体１０は、その一辺の長さが例えば１．４ｍｍ〜３．０ｍｍに設定され、枠体１０を構成するアームの幅（アームの長手方向と直交する方向の幅）は例えば０．３ｍｍ〜１．８ｍｍに設定される。また枠体１０の厚みは、例えば０．２ｍｍ〜０．６２５ｍｍに設定される。
【００２６】
このような枠体１０と重錘体２０との間には、図１〜図４に示すように、梁部３０が設けられている。梁部３０は、一方端である第１端３５が重錘体２０の各辺の上面側中央部に連結され、他方端である第２端３６が枠体１０の内周における各辺の上面側中央部に連結されている。本実施形態におけるセンサ素子１００では、４本の梁部３０が設けられており、４本の梁部３０のうち２本はＸ軸方向に伸びて重錘体２０を間に挟んだ状態で同一直線状に配され、他の２本はＹ軸方向に伸びて重錘体２０を間に挟んだ状態で同一直線状に配されている。なお、以下では、梁部３０の第１端３５と第２端３６とを結ぶ方向を長手方向という。つまり、図１において、４本の梁部３０のうち、２本は重錘体２０の＋Ｙ側および−Ｙ側に位置する２本の長手方向はＹ軸方向であり、重錘体２０の＋Ｘ側および−Ｘ側に位置する２本の長手方向はＸ軸方向である。
【００２７】
梁部３０は可撓性を有し、センサ素子１００に角速度が加わると、コリオリの力によって重錘体２０が動き、重錘体２０の動きに伴って梁部３０に捻じれが生じるようになって
いる。梁部３０の主部３３は、例えば長手方向の長さが０．３ｍｍ〜０．８ｍｍに設定され、幅（長手方向と直交する方向の長さ）が０．０４ｍｍ〜０．２ｍｍに設定され、厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている。このように梁部３０を細長く、かつ薄く形成することによって、変形可能となり可撓性が発現する。
【００２８】
また、梁部３０が上述のとおり可撓性を有することから、センサ素子１００に加速度が加わると重錘体２０が動き、重錘体２０の動きに伴って梁部３０が撓むようになっている。
【００２９】
梁部３０は、直方体状等の棒状部材であり、一対の側面を有している。なお、梁部３０の側面とは、第１端と第２端との間において上側表面（＋Ｚ側表面）と下側表面（−Ｚ側表面）とをつなぐ表面である。また、梁部３０の側面は平面でなく曲面であってもよい。そして、この側面に凹部３１を有している。つまり、梁部３０の厚み方向の一部において、梁部３０の幅（長手方向と直交する方向の長さ）を短くしている。
【００３０】
このような構成によって、３軸方向における感度のばらつきを少なくすることができ、検出感度がさらに向上する。これは以下の理由による。梁部３０が凹部３１のない構成（以下では、凹部３１のない梁部３０の構成を仮想部材という）では、ＸＹ平面方向における断面二次モーメント（変形し難さ）に比べ、厚み方向（Ｚ軸方向）の断面二次モーメントの方が小さくなりやすい。つまり、３軸のうちＺ方向の延伸長が最も小さいという形状から、ＸＹ方向に比べてＺ方向に大きく変形する構成となっている。これに対し、梁部３０の側面に凹部３１を設けることによって、上記仮想部材を基準としたときに、梁部３０のＸＹ平面方向における断面二次モーメントの上記基準からの減少量を、梁部３０の厚み方向における断面二次モーメントの上記基準からの減少量よりも大きくすることができる。その結果、梁部３０の厚み方向と平面方向の断面二次モーメントを近づけることが可能となり、感度のばらつきを少なくすることができる。
【００３１】
例えば、センサ素子を、角速度を検知するためのセンサとして用いる場合、検知振動の周波数と駆動振動の周波数とが近い程、検出感度が高くなることが知られている。しかし、従来のセンサ素子においては、Ｚ軸方向の感度はＸ軸方向およびＹ軸方向の感度とは異なってしまう。そして、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に最適な周波数を選択するとＺ軸方向の感度が低下してしまい、逆にＺ軸方向に最適な周波数を選択するとＸ軸方向およびＹ軸方向の感度が低下してしまう虞があった。そこで、上記センサ素子１００のように、梁部３０に凹部３１を設けて梁部３０の厚み方向と平面方向の断面二次モーメントを近づけることによって、角速度を検知するために駆動させる振動（駆動振動）のＺ軸方向における共振周波数をＸ方向およびＹ方向における共振周波数に近付けることができ、ＸＹＺの３軸における検出感度のばらつきの小さいセンサ素子を得ることができる。
【００３２】
凹部３１は、図３〜図５に示す例では、梁部３０の第１端３５から第２端３６にわたって設けられている。つまり、梁部３０は、その幅（長手方向に直交する方向の長さ）が厚み方向において異なっている。梁部３０を平面透視した場合（Ｚ軸方向に見た場合）、凹部３１が設けられている部位の梁部３０の幅Ｄ２（梁部３０の凹部３１によって細くなっている部位の幅）は、凹部３１が設けられていない部位の梁部３０の幅Ｄ１の、例えば０．５〜０．９倍程度である。
【００３３】
凹部３１は、梁部３０の第１端３５から第２端３６にわたって設けられているものに限らず、梁部３０の長手方向の長さよりも短いものであってもよい。その場合、梁部３０の強度を高くすることができる。なお、梁部３０の厚み方向と平面方向の断面二次モーメントをより近づけやすくするという観点から言えば、凹部３１は、梁部３０の第１端および第２端の少なくとも一方に位置していてもよい。
【００３４】
また、凹部３１は、梁部３０の長手方向に沿って延びる細長形状である場合、梁部３０の厚み方向とＸＹ平面方向の断面二次モーメントをより有効に近づけることができる。
【００３５】
また、凹部３１は、図４および図５に示すように、梁部３０の厚み方向の中央部に位置している場合、梁部３０の上部および下部の強度をバランスよく保持することができ、梁部３０の耐久性を高く維持することができる。なお、凹部３１はこれに限らず、梁部３０の側面と上面との境界部あるいは側面と下面との境界部に位置していてもよい（すなわち、凹部３１は、梁部３０の側面と上面との間あるいは側面と下面との間を切欠いた部位であってもよい）。
【００３６】
ここで、梁部３０は、例えばＳｉ層とＳｉＯ２層とが積層された基板を加工することで形成されてもよい。すなわち、梁部３０は、２つのＳｉ層間にＳｉＯ２層を有する積層体から成り、凹部３１は、ＳｉＯ２層の表面が２つのＳｉ層の表面に対して窪んだ位置になるように加工されることによって形成されている（図１１（ａ）参照）。
【００３７】
梁部３０の上面には、図１に示すように、抵抗素子である検出部Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が形成されている（ここでは、これらの抵抗素子をまとめて称するときは適宜、符号Ｒで表す）。検出部Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４は、３軸方向（図１に示した３次元直交座標系におけるＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）の加速度または３軸回りの角速度を検出できるように、梁部３０の所定の位置に形成された上で、ブリッジ回路を構成するように結線されている。
【００３８】
このような検出部Ｒは、例えば、上面部がＳｉから成る梁部３０の上面にボロンを打ち込むことによって抵抗体膜を形成した後、抵抗体膜をエッチングなどによって所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ピエゾ抵抗素子からなる検出部Ｒを形成することができる。
【００３９】
ピエゾ抵抗素子からなる検出部Ｒを用いた場合には、梁部３０の撓みや捻じれに起因する変形に応じて抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づく出力電圧の変化を電気信号として取り出して、これを外部のＩＣで演算処理する。このような工程を経ることによって、印加された加速度の方向および大きさ、または角速度の方向および大きさを検知することができる。
【００４０】
なお、検出部Ｒから電気的に接続された配線（図示せず）およびこれらの配線を外部のＩＣ等へ取り出すためのパッド電極４０等が、枠体１０，重錘体２０または梁部３０の上面に設けられており、これらを介して電気信号の外部への取り出し等を行なっている。
【００４１】
これらの配線は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などからなり、これらの材料をスパッタリングなどによって成膜した後、所定の形状にパターニングすることにより、枠体１０，重錘体２０または梁部３０の上面に形成される。
【００４２】
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、以下に示すような変形例としてもよい。
【００４３】
＜センサ素子の変形例＞
上記センサ素子１００において、図５に示す梁部３０を図６に示す梁部２３０としてもよい。梁部２３０は、その側面に設けられた凹部２３１の幅（梁部２３０の長手方向に沿った凹部２３１の内側面２３１ａ間の距離）が凹部２３１の底部に近づくほど短くなって
いる点で梁部３０とは異なっている。このような構成であれば、梁部２３０の強度を高めて折れにくくすることができる。
【００４４】
また、他の変形例として、上記センサ１００において、図５に示す梁部３０を図７に示す梁部３３０としてもよい。梁部３３０は、その側面に設けられた凹部３３１の内側面３３１ａと底面３３１ｂとの間が曲面となっている点で梁部３０とは異なっている。このような構成であれば、梁部３３０の変形による応力を有効に緩和することができ、クラック等の発生の少ない、より信頼性の高いものとなる。
【００４５】
また、他の変形例として、上記センサ１００において、図３および図４に示す梁部３０を図８および図９に示す梁部４３０としてもよい。梁部４３０は、１つの側面において複数の凹部４３１が間隔をあけて並んでいる点で梁部３０とは異なっている。このような構成であれば、梁部３０の強度を高く維持して、破損をより低減することができる。
【００４６】
＜センサ素子の製造方法＞
次に、上述のセンサ素子１００の製造方法について、図１０および図１１を用いて説明する。なお、図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、図１のＩ−Ｉ線における断面に相当する断面図であり、センサ素子１００の製造途中の構成を示している。また、図１０（ｃ）は、製造途中のセンサ素子１００の平面図である。また、図１１（ａ）は、図５の断面に相当する断面図であり、製造途中のセンサ素子１００における梁部の構成を示している。図１１（ｂ）は、図１のＩ−Ｉ線における断面に相当する断面図であり、センサ素子１００の製造途中の構成を示している。
【００４７】
（検出部形成工程）
まず、Ｓｉ層とＳｉＯ２層とが積層された基板５０を用意する。ここではＳｉ層から成る第１層５０ａ、ＳｉＯ２層から成る第２層５０ｂ、Ｓｉ層から成る第３層５０ｃ、ＳｉＯ２層から成る第４層５０ｄ、およびＳｉ層から成る第５層５０ｅが積層された基板５０を用いる。そして、図１０（ａ）に示すように、基板５０の上面に抵抗体膜５１を形成する。抵抗体膜５１は、第１層５０ａの主面にイオン注入法によってボロンやヒ素などの打込みを行うことで形成することができる。抵抗体膜５１は、例えば、第１層５０ａの表面における不純物濃度が１×１０１８ａｔｍｓ／ｃｍ３であり、深さが約０．５μｍである。
【００４８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、抵抗体膜５１の一部を除去し、この抵抗体膜５１を、基板５０の上面の所望の位置に所望の形状で形成された検出部Ｒとする。この工程は、例えば、抵抗体膜５１上に検出部Ｒの形状に合わせたレジスト膜を形成した後、ＲＩＥエッチングなどのエッチングによってレジスト膜から露出する抵抗体膜５１を除去するものである。その後、レジスト膜を除去することで、基板５０の上面に検出部Ｒを形成することができる。
【００４９】
検出部Ｒを形成した後、検出部Ｒに連結する不図示の配線およびパッド電極等を形成する。配線およびパッド電極は、例えばアルミニウムなどの金属材料をスパッタリングによって成膜した後、ドライエッチングなどによって所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００５０】
（加工工程）
次に、検出部Ｒが形成された基板５０を加工することにより、重錘体２０、重錘体２０を囲む枠体１０および梁部３０を形成する。なお、基板５０の加工は、従来周知の半導体微細加工技術、例えばフォトリソグラフィ法やディープドライエッチング等によって実現することができる。
【００５１】
具体的には、まず、図１０（ｃ）に示すように、基板５０の第１層５０ａ側から、第１層５０ａを所望の形状にパターニングする。すなわち、枠状の第１領域Ａ１，第１領域Ａ１の内側に位置する第２領域Ａ２，第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とをつなぐ梁状の第３領域Ａ３を確定し、第１領域〜第３領域Ａ１、Ａ２、Ａ３を除く領域を取り除く。ここで、第３領域Ａ３には検出部Ｒが配置されている。
【００５２】
次に、第２層５０ｂを所望の形状にパターニングする。このとき、Ｓｉから成る第１層５０ａは溶解せず、ＳｉＯ２から成る第２層５０ｂを溶解可能なエッチング液を用いて、第２層５０ｂのパターニングを行なう。このような工程によって、第３領域Ａ３における第２層５０ｂの幅を第１層５０ａの幅よりも短くする。
【００５３】
次に、第３層５０ｃを所望の形状にパターニングする。このとき、第３領域Ａ３における第３層５０ｃの幅を第２層５０ｂの幅よりも長くする。このような工程によって、図１１（ａ）に示すように、梁部３０となる第３領域Ａ３の側面において、第１層５０ａと第３層５０ｃとの間に窪んだ状態の第２層５０ｂを形成することができ、これが梁部３０における凹部３１となる。
【００５４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板５０の第５層５０ｅ側から、第１領域Ａ１の内側に平面視で閉空間を形成する環状の溝５２を形成する。この溝５２は第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に設けられ、該当部位の第５層５０ｅを除去して、第４層５０ｄの下面を露出するように形成される。
【００５５】
さらに、基板５０の第５層５０ｅ側から、平面視で、第１領域Ａ１の内側から第２領域Ａ２に到達する領域において、第４層５０ｄを除去し、第３層５０ｃと第５層５０ｅとの間に空隙５３を形成する。この空隙５３により、第３領域Ａ３の第３層５０ｃが厚み方向で他の部位と分離され、梁状の梁部３０となる。
【００５６】
また、以上の加工を行なうことにより、平面視で空隙５３よりも内側に位置する第１層〜第４層５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄと、平面視で溝５２よりも内側に位置する第５層５０ｅとからなる重錘体２０が形成される。ここで、平面視で空隙５３よりも内側に位置する第４層５０ｄは、重錘体２０のうち梁部３０に接続される部位（重錘体２０のうち、第１層〜第３層５０ａ、５０ｂ、５０ｃで構成されている部位）と、重錘体２０のうち下方に位置する部位（重錘体２０のうち第５層５０ｅで構成されている部位）とを接合する接合部位２０ａとして機能する。
【００５７】
以上の工程によって、第１領域Ａ１が枠体１０となり、第２領域Ａ２が重錘体２０となり、第３領域Ａ３が梁部３０となり、図１〜図５に示すセンサ素子１００が完成する。
【００５８】
このような工程を経ることにより、センサ素子１００は、もともと一体の基板５０を加工することによって一体的に形成されたものとなる。これにより、枠体１０および重錘体２０と梁部３０との接続強度を確保することができるため、信頼性を高めることができる。
【００５９】
さらに、上述のとおり、センサ素子１００は、もともと一体の基板５０を加工することによって形成される。これにより、重錘体２０の重心位置を精度高く所望の位置に設定することができるので、精度が安定したセンサ素子１００を生産性高く提供することができるものとなる。
【００６０】
（センサ素子１００の製造方法の変形例）
上述の例では、抵抗体膜５１を形成した後に、抵抗体膜５１を所望の形状の検出部Ｒとなるように加工した例を用いて説明したが、予め第１層５０ａの上面にレジスト膜を形成し、検出部Ｒを形成する領域のレジスト膜を除去して、所望の位置（レジスト膜開口部）のみに不純物を拡散させることにより、検出部Ｒを形成してもよい。この場合には、検出部Ｒが基板５０の上面と同一面となり、段差がなくなるので、検出部Ｒに接続する配線の電気的接続が容易となる。
【符号の説明】
【００６１】
１０：枠体
２０：重錘体
３０：梁部
３１：凹部
３５：第１端
３６：第２端
Ｒ：検出部
１００：センサ素子
【図１】
2017058353.tif 000003
【図２】
2017058353.tif 000004
【図３】
2017058353.tif 000005
【図４】
2017058353.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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