【事件の表示】
　特願２００５−２８７７７５号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１９日出願公開、特開２００７−１０３４２３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願請求項１の発明
　本願は平成１７年９月３０日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成２３年４月１日付けの手続補正に係る特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められ、そのうちの請求項１に係る発明は次のとおりである。
　「【請求項１】　主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する配線基板と、
　主面に形成され、かつ前記主面の一辺に沿って配置された複数の電極パッドを有し、前記配線基板の前記主面に搭載された半導体チップと、
　前記配線基板の前記主面に形成され、かつ前記半導体チップの前記一辺に沿って配置された複数の第１の接続部と、
　前記配線基板の前記主面に形成され、かつ前記半導体チップの前記一辺から前記複数の第１の接続部よりも離れた位置に前記半導体チップの前記一辺に沿って配置された複数の第２の接続部と、
　前記配線基板の前記主面に形成され、かつ前記複数の第１の接続部に夫々繋がる複数の第１の配線と、
　前記配線基板の前記主面に形成され、かつ前記複数の第２の接続部に夫々繋がる複数の第２の配線と、
　前記配線基板の前記裏面に形成された複数の第１電極パッドと、
　前記複数の電極パッドと、前記複数の第１及び第２の接続部とを夫々接続する複数のボンディングワイヤと、
　前記半導体チップ、及び前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体と、を含み、
　前記複数の第１の配線は、前記複数の第１の接続部の夫々から前記半導体チップの前記一辺に向かって延在し、
　前記複数の第２の配線は、前記複数の第２の接続部の夫々から前記半導体チップの前記一辺と反対側に向かって延在し、
　前記配線基板は、表層及び内層の配線層を有する多層配線構造になっており、
　前記複数の第１の配線は、前記内層の配線層を介して前記複数の第１の接続部の夫々から前記配線基板の周縁部に向かって引き回し、
　前記複数の第２の配線は、前記表層の配線層を介して前記複数の第２の接続部の夫々から前記配線基板の前記周縁部に向かって引き回していることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
　２．引用例の記載事項と引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に出願され、本願の出願後に出願公開された特願２００５−２３５０６３号（以下「先願」という。）の、願書に最初に添付された明細書及び特許請求の範囲に記載された事項並びに図面の内容を掲載した特開２００７−５３１２１号公報（以下「引用例」という。）には、次のア〜エの記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、半導体装置、積層型半導体装置、及び配線基板に関するものであり、より詳しくは高密度実装に適した半導体装置、積層型半導体装置、及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
  近年の電子機器の小型化の傾向に添うものとして、また組立工程の自動化に適合するものとしてＱＦＰ(Quad Flat Package) 型やＢＧＡ(Ball Grid Allay) 型のＣＳＰ(Chip Size Package/Chip Scale Package)構造を有する半導体装置が広く用いられている。
【０００３】
  これら半導体装置の中に入っている半導体素子の信号処理が高速化・高機能化するのに伴って、より多くの外部端子が必要になってきている。このような場合、外部接続端子が半導体装置の底面に２次元的に配置されているＢＧＡ型のパッケージが多く採用されている。このＢＧＡ型パッケージの一つとして、半導体チップの回路形成面を上にして、ワイヤボンド方式にて配線基板に結線し配線パターンを経由して外部接続端子と導通させているものがある。
【０００４】
  図６に、従来の、ＢＧＡ(Ball Grid Allay) 型の樹脂封止型半導体装置の構造図を示す。この構造は、現在、ＢＧＡ型の半導体パッケージの主流となっている。図６に示すように、半導体装置１００は、半導体チップ１１、Ａｕワイヤ１７、配線基板１８、半田ボール１９、及び樹脂１１０を備えている。半導体銅箔により配線した絶縁基板上に半導体チップ１１が搭載されている。半導体チップ１１と配線基板１８とはＡｕワイヤ１７により接続されている。そして、半導体チップ１１及びＡｕワイヤ１７は、樹脂１１０により封止されている。また、配線基板１８における半導体チップ１１が搭載されている側と反対側の面には、半導体チップ１１とリフロー接続する外部接続用端子としての半田ボール１９が設けられている。」（引用例第３頁第２１〜４６行）
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
  近年、電子機器の高機能化に伴い、半導体装置に搭載する半導体チップのピン数が増加する傾向がある。半導体チップのピン数が増加した場合には、従来の半導体装置では、以下の(i) ，(ii)のような構成になる。
(i) 実装基板側に設けられた半田ボール数が増加するため、ワイヤボンド端子のピッチが狭くなった構成になる。
(ii)従来では、搭載された半導体チップに設けられた複数の接続端子に対向して、ワイヤボンド端子が一列に配列された構成であった。しかしながら、ワイヤボンド端子の数が増加することにより、樹脂封止領域内にワイヤボンド端子を配置できなくなる。それゆえ、ワイヤボンド端子が一列に配列された構成から、千鳥状に配置された構成（以下、千鳥配置と記す）になる。
【００１２】
  以下、ワイヤボンド端子が千鳥状に配置された構成（千鳥配置）について、図３に基づいて説明する。図３は、ワイヤボンド端子が、半導体チップに対向して、２列に千鳥配置された構成を示す平面図であり、図３（ａ）は、配線基板の配線パターンを示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した配線パターンと半導体チップとがワイヤボンディングされた状態を示す。
【００１３】
  図３（ａ）に示すように、配線パターン１１２は、第１ワイヤボンド端子１３と第２ワイヤボンド端子１５とを有している。図３（ｂ）に示すように、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１５は、半導体チップ１１のパッド１２と対向するように、列をなして配置されている。また、第１ワイヤボンド端子１３の列は、第２ワイヤボンド端子１５の列よりも、半導体チップ側に配置されている。そして、第１ワイヤボンド端子１３と第２ワイヤボンド端子１５とは、互いに千鳥状に配置されている。また、半導体チップ１１に設けられたパッド１２は、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１４とボンディングワイヤ１７で電気的に接続している。
【００１４】
  また、配線パターン１１２では、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１５それぞれから、引き出し配線１６・１６’が引き出されている。ワイヤボンド端子からの引き出し配線のうち、パッケージ中央側に配置された第１ワイヤボンド端子１３からの引き出し配線１６は、パッケージ中央方向へ引き出されるようになっている。一方、パッケージ外側に配置された第２ワイヤボンド端子１５からの引き出し配線１６’は、パッケージ外側方向へ引き出されるようになっている。
【００１５】
  通常、電解メッキをかける基板であれば、給電のための電解メッキラインが必要になる。配線パターン１１２において、引き出し配線１６はパッケージ中央側へ引き出されている。ワイヤボンド端子が形成された面側では、第１ワイヤボンド端子１３より引き出し配線１６を引き出すエリアがない。このため、引き出し配線１６は、一旦ＶＩＡホールなどを経由して、ボールランド面（半田ボールが形成された面）側に引き回した後、ボールランド面側で引き回されることになる。
【００１６】
  しかしながら、多ピンの半導体チップを有する半導体装置パッケージである場合、ボールランド間のピッチが狭くなる傾向になる。このため、ボールランド間に配線可能な配線本数に制約がでてくる。それゆえ、半導体チップのピン数が増加した場合、パッケージ外周部への電解メッキ用引き出し配線を配線することができなくなる。」（引用例第４頁第３４行〜第５頁第２９行）
ウ　「【００２６】
  より具体的に、半導体チップのパッドピッチが６０μｍであり、基板側のライン＆スペースが２０μｍ／２０μｍまで配線可能な配線基板を用いた場合について説明する。この半導体チップに対し、ワイヤボンド端子を前後２列の千鳥状に配置すると、各列のワイヤボンド端子ピッチが１２０μｍであり、かつワイヤボンド端子幅は１００μｍとなる。これらワイヤボンド端子ピッチ及びワイヤボンド端子幅は、現状のワイヤボンドすることが可能なレベルになる。
【００２７】
  しかしながら、上記の構成では、ワイヤボンド端子からの引き出し配線は、ワイヤボンド端子間を配線することができない。このため、図３に示された千鳥配置の構成では、半導体チップ１１に近い側の列にあるワイヤボンド端子（第１ワイヤボンド端子１３）から、半導体チップ１１側（パッケージ中央側）に引き出し配線１６を引き出す一方、半導体チップ１１から遠い側の列にあるワイヤボンド端子（第２ワイヤボンド端子１５）から、パッケージ外周へ引き出し配線１６’を引き出すようになる。仮にワイヤボンド端子間に引き出し配線が通過するように設計した場合、ワイヤボンド端子幅は６０μｍまで細くなる。しかしながら、ワイヤボンド端子幅を６０μｍまで細くした場合、半導体チップのパッドとワイヤボンド端子とをワイヤボンドをすることが困難になる。このため、パッケージを作成することができなくなる。従って、図３（ａ）に示すように、ワイヤボンド端子からの引き出し配線は、パッケージ内側に配置された第１ワイヤボンド端子１３では、半導体チップ１１側へ引き出される一方、パッケージ外側に端子は外側へ引き出すことになる。それぞれのワイヤボンド端子から引き出された配線は外部端子ランドへ接続される。
【００２８】
  このとき、半導体チップ１１側（パッケージ中心側）に配置された第１ワイヤボンド端子１３から引き出された引き出し配線１６は、パッケージ中央付近に配置された外部接続用ランドに接続することになる。しかしながら、この引き出し配線１６に電解メッキをつけるために、そこからパッケージ外周部まで引き出していく必要がある。外部端子数が多い場合は外部端子ピッチを小さくする必要が出てくる。このため、外部端子ピッチが小さいパッケージでは外部端子接続用のランド間に配線できる配線数が限られてくるため、すべてのワイヤボンド端子からの引き出し配線をパッケージ外周部まで引き出すことができない。
【００２９】
  このような場合、メッキ品質の安定した電解メッキをやめ、不安定要素の高い無電解メッキにしてメッキ用引き出し配線をなくすか、基板の配線層数増やして引き出し配線をつける部分を確保するかもしくは電解メッキラインを部分的にショートさせメッキ実施後ショートした部分をエッチングで取り去るエッチバック方式などを採用することになる。しかしながら、これらの方法は、コストアップにつながる方法であり、安価で基板およびパッケージを作るためには不適である。」（引用例第６頁第２８行〜第７頁第１４行）
エ　引用例の図３（ｂ）には、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１４とボンディングワイヤ１７で電気的に接続される半導体チップ１１に設けられたパッド１２は、半導体チップの一辺に沿って設けられていることが示されている。
　
［引用例に記載されている発明］  
　上記のアないしエの記載を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「配線基板上に半導体チップが搭載されて、半導体チップと配線基板とはＡｕワイヤにより接続され、半導体チップ及びＡｕワイヤは樹脂により封止されており、また、配線基板における半導体チップが搭載されている側と反対側の面には、半導体チップとリフロー接続する外部接続用端子としての半田ボールが設けられる半導体装置であって、
　配線基板の配線パターンは、第１ワイヤボンド端子１３と第２ワイヤボンド端子１５とを有していて、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１５は、半導体チップ１１のパッド１２と対向するように、列をなして配置されており、第１ワイヤボンド端子１３の列は、第２ワイヤボンド端子１５の列よりも、半導体チップ側に配置されて、半導体チップ１１の一辺に沿って設けられたパッド１２は、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１４とボンディングワイヤ１７で電気的に接続しており、
　ワイヤボンド端子からの引き出し配線は、半導体チップ１１に近い側の列にある第１ワイヤボンド端子１３からは、引き出し配線１６を半導体チップ１１側へ引き出す一方、半導体チップ１１から遠い側の列にある第２ワイヤボンド端子１５からは、パッケージ外周へ引き出し配線１６’を引き出し、それぞれのワイヤボンド端子から引き出された配線は外部端子ランドへ接続され、
　半導体チップ１１側（パッケージ中心側）に配置された第１ワイヤボンド端子１３から引き出された引き出し配線１６に接続するパッケージ外周部への電解メッキ用引き出し配線を付ける部分を基板の配線層数を増やすことにより確保した半導体装置。」
　
３．発明の対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明でいう配線基板の「半導体チップが搭載されている側」、「反対側の面」は、本願発明でいう配線基板の「主面」、「前記主面とは反対側の裏面」に相当する。そして、引用発明の「パッド１２」は、本願発明の「電極パッド」に相当し、以下同様に、「半導体チップ１１に近い側の列にある第１ワイヤボンド端子１３」は「半導体チップの前記一辺に沿って配置された複数の第１の接続部」に、「半導体チップ１１から遠い側の列にある第２ワイヤボンド端子１５」は「前記半導体チップの前記一辺から前記複数の第１の接続部よりも離れた位置に前記半導体チップの前記一辺に沿って配置された複数の第２の接続部」に、「（第１ワイヤボンド端子１３から引き出された）引き出し配線１６」は「前記複数の第１の接続部に夫々繋がる複数の第１の配線」に、「（第２ワイヤボンド端子１５から引き出された）引き出し配線１６’」は「記複数の第２の接続部に夫々繋がる複数の第２の配線」に、「Ａｕワイヤ又はボンディングワイヤ１７」は「ボンディングワイヤ」に、「半導体チップ１１の一辺に沿って設けられたパッド１２は、第１ワイヤボンド端子１３及び第２ワイヤボンド端子１４とボンディングワイヤ１７で電気的に接続して」は「前記複数の電極パッドと、前記複数の第１及び第２の接続部とを夫々接続する」に、「（半導体チップ及びＡｕワイヤを封止する）樹脂」は「前記半導体チップ、及び前記複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明でいう「外部端子ランド」は、配線基板における半導体チップが搭載されている側と反対側の面に設けられる半田ボールが接続される部分（【００１６】でいう「ボールランド」）であって、本願発明でいう「前記配線基板の前記裏面に形成された複数の第１電極パッド」に相当し、引用発明で「引き出し配線１６を半導体チップ１１側へ引き出す」としているのは、本願発明で「前記複数の第１の配線は、前記複数の第１の接続部の夫々から前記半導体チップの前記一辺に向かって延在し」としていることに相当するし、同様に「第２ワイヤボンド端子１５からは、パッケージ外周へ引き出し配線１６’を引き出し」は「前記複数の第２の配線は、前記複数の第２の接続部の夫々から前記半導体チップの前記一辺と反対側に向かって延在し」に相当する。
　更に、引用発明で「基板の配線層数を増やす」としているのは、配線基板の表面（主面）側の表層配線層はもとより、引用例の記載事項イでいう「ボールランド面側」（配線基板の裏面側）の表層配線層でも、引き出し配線１６から「パッケージ外周部への電解メッキ用引き出し配線を配線することができなくなる」（【００１５】〜【００１６】参照）ことに対処するためであるから、引用発明の上記「増や」された配線層が内層を形成し、この内層に「第１ワイヤボンド端子１３から引き出された引き出し配線１６に接続するパッケージ外周部への電解メッキ用引き出し配線」を設けているとみるのが引用発明の自然かつ合理的な解釈といえる。したがって、本願発明でいう「前記複数の第１の配線は、前記内層の配線層を介して前記複数の第１の接続部の夫々から前記配線基板の周縁部に向かって引き回し」とする構成は、引用発明も同様に備えているとみるのが相当である。また、引用発明では、「第２ワイヤボンド端子１５からは、パッケージ外周へ引き出し配線１６’を引き出し」としており、本願発明で「前記複数の第２の配線は、前記表層の配線層を介して前記複数の第２の接続部の夫々から前記配線基板の前記周縁部に向かって引き回し」としていることについても引用発明と変わるところがない。
　
４．当審の判断
　上記の対比から明らかなように、本願発明と引用発明との間に実質的に相違するところが認められず、本願発明は、先願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明といえる。
　しかも、本願発明の発明者は、上記先願に係る明細書又は図面に記載された発明（引用発明）の発明者と同一ではなく、本件特許出願の時において、本件特許出願の出願人と先願の出願人とが同一の者でもない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明（本願請求項１に係る発明）については、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。