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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法であって、
ａ）前記アナログ光学サウンド・トラックの画像を形成するステップと、
ｂ）前記画像を記憶するステップと、
ｃ）前記記憶された画像の一部を空間的画像として表すステップと、
ｄ）前記空間的画像を侵食濾波するステップと、
ｅ）前記濾波された空間的画像を、前記サウンド・トラックを表す信号に変換するステップと、
を含む、前記アナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項２】
前記ステップｃ）、ｄ）、ｅ）を繰り返して、前記アナログ光学サウンド・トラックの前記記憶された画像を濾波するステップを含む、請求項１に記載のアナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項３】
前記変換するステップが、
前記繰り返される各ステップから形成された前記サウンド・トラックを表す前記信号の音声品質を検査するステップと、
前記空間的画像に対して、それ以上侵食濾波しないことと、異なる量の侵食濾波を施すことのうちの一方を選択するステップと、
を含む、請求項２に記載のアナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項４】
前記検査するステップが、前記繰り返される各ステップから形成された前記サウンド・トラック中のシビランス歪みを評価するステップを含む、請求項３に記載のアナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項５】
前記検査するステップが、前記繰り返される各ステップから形成された前記サウンド・トラック中の混変調歪みを評価するステップを含む、請求項３に記載のアナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項６】
前記サウンド・トラックを表す前記信号を処理して、ディジタル音声サウンド・ファイル信号を出力信号として形成するステップを含む、請求項１に記載のアナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法。
【請求項７】
アナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法であって、
ａ）像拡散を含む前記アナログ光学サウンド・トラックの画像を形成するステップと、
ｂ）前記画像を記憶するステップと、
ｃ）前記記憶された画像を量子化して、前記アナログ光学サウンド・トラック上にある音声変調を表す第１のディジタル値と、前記音声変調のない前記アナログ光学サウンド・トラックを表す第２のディジタル値とを有するようにするステップと、
ｄ）前記量子化された記憶済み画像の一部を空間的画像として表すステップと、
ｅ）空間的画像として表された前記量子化された記憶済み画像の特定ピクセルについて、前記第１のディジタル値を選択的に前記第２のディジタル値に変更するステップと、
ｆ）前記選択的に変更されたピクセル値を含む前記空間的画像を、前記サウンド・トラック上にある前記音声変調を表す信号に変換するステップと、
を含む、前記アナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項８】
前記空間的画像の全てのピクセルが選択的に変更されるまで、前記量子化された記憶済み画像の別の特定ピクセルについて、前記ステップｅ）およびｆ）が繰り返される、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項９】
前記空間的画像として表された前記量子化された記憶済み画像の全てのピクセルが選択的に変更されるまで、前記ステップｄ）、ｅ）、ｆ）が繰り返される、請求項８に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１０】
前記選択的に変更するステップが、
前記特定ピクセルがエッジ・ピクセルかどうかを決定するためのアルゴリズムを実行するステップを含む、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１１】
前記選択的に変更するステップが、エッジに位置する前記特定ピクセルを前記第１のディジタル値から前記第２のディジタル値に変更するための論理関数を実施するステップを含む、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１２】
前記表すステップが、前記空間的画像の上で構造化要素を進め、前記構造化要素により突き止められた個々のピクセルにおいて、前記第１のディジタル値を前記第２のディジタル値に変更することを決定するためのアルゴリズムを実行するステップを含む、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１３】
前記進めるステップの前記構造化要素が、前記アルゴリズム中で使用される空間的画像要素を決定する係数を含む、請求項１２に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１４】
前記表すステップが、前記空間的画像の上で構造化要素を進め、前記構造化要素により決定された前記空間的画像中の位置において、第１のピクセルおよび隣接ピクセルを前記第１のディジタル値から前記第２のディジタル値に変更することを決定するためのアルゴリズムを実行するステップを含む、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【請求項１５】
前記サウンド・トラック上にある前記音声変調を表す前記信号中にある歪みを評価し、前記第１のピクセルおよび隣接するピクセルにおいて、別の構造化要素を選択して前記第１のディジタル値から前記第２のディジタル値への変更を実施し、前記ステップｄ）、ｅ）、ｆ）を繰り返すステップを含む、請求項７に記載のアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アナログ光学サウンド・トラック再生中のサウンド・トラック・シビランス歪みを低減する方法、およびアナログ光学サウンド・トラック中の像拡散から生じる音声歪みを低減する方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法であって、
オーディオ・データ・ファイルが、オーディオ・データ・ファイルの内容を示す内容情報を有し、少なくとも１つのデータ記憶装置に記憶されたオーディオ・データ・ファイルの位置を見つけるステップと、
前記オーディオ・データ・ファイルの前記内容情報を読み取るステップと、
前記オーディオ・データ・ファイルの位置を示すファイル・ポインタ・フィールドを決定するステップと、
前記内容情報の少なくとも一部により前記ファイル・ポインタ・フィールドを分類するステップと、
前記内容情報の少なくとも一部により関連づけられるプレイリスト・レコードの位置および数の少なくとも１つを示す索引情報フィールドを決定するステップと、
前記ファイル・ポインタ・フィールドと前記索引情報フィールドとを前記プレイリスト・レコードに記憶するステップと、
を含む、前記オーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【請求項２】
前記内容情報の少なくとも一部を、前記プレイリスト・レコードに記憶するステップを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【請求項３】
前記オーディオ・データ・ファイル・プレイリストが、Ｍ３Ｕフォーマットを含み、前記内容情報および前記索引情報フィールドが、Ｍ３Ｕ注釈フィールド・フォーマットで前記プレイリストに書き込まれる、請求項２に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【請求項４】
複数のオーディオ・データ・ファイル・プレイリストを作成し、前記オーディオ・データ・ファイル・プレイリストがそれぞれ、前記内容情報の異なる一部に従って分類されるステップを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【請求項５】
前記データ記憶装置に記憶された前記オーディオ・データ・ファイルの変化を検出するステップと、前記変化を検出したことに応じて少なくとも１つのプレイリストを書き直すステップとを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の別の利点は、メモリおよび処理能力の要件を緩和し、それによりオーディオ・データ・プレーヤーの製造コストを低減するために、内容情報および索引情報を含むプレイリスト・ファイルをオーディオ・データ・プレーヤー内で作成することである。本発明の更に別の利点は、オーディオ・プレイリスト・ファイルが標準的なＭ３Ｕプレイリストとの互換性を維持し、従って、その他のＰＣおよび非ＰＣベースの応用分野で使用することができることである。
特許請求の範囲と実施例との対応関係を実施例で使われている参照符号を用いて示すと以下の通りである。
（請求項１）
オーディオ・データ・プレーヤー（１０）にプレイリスト（９０）を供給する方法であって、オーディオ・データ・ファイルが、オーディオ・データ・ファイルの内容を示す内容情報を有し、少なくとも１つのデータ記憶装置（３２、８０）に記憶されたオーディオ・データ・ファイルの位置を見つけるステップと、前記オーディオ・データ・ファイルの前記内容情報を読み取るステップと、前記オーディオ・データ・ファイルの位置を示すファイル・ポインタ・フィールド（９４）を決定するステップと、前記内容情報の少なくとも一部により前記ファイル・ポインタ・フィールド（９４）を分類するステップと、前記内容情報の少なくとも一部により関連づけられるプレイリスト・レコード（９２）の位置および数の少なくとも１つを示す索引情報フィールド（９３Ｂ）を決定するステップと、前記ファイル・ポインタ・フィールド（９４）と前記索引情報フィールドとを前記プレイリスト・レコード（９２）に記憶するステップと、を含む、前記オーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
（請求項２）
前記内容情報の少なくとも一部を、前記プレイリスト・レコードに記憶するステップを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
（請求項３）
前記オーディオ・データ・ファイル・プレイリストが、Ｍ３Ｕフォーマットを含み、前記内容情報および前記索引情報フィールドが、Ｍ３Ｕ注釈フィールド・フォーマットで前記プレイリストに書き込まれる、請求項２に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
（請求項４）
複数のオーディオ・データ・ファイル・プレイリストを作成し、前記オーディオ・データ・ファイル・プレイリストがそれぞれ、前記内容情報の異なる一部に従って分類されるステップを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
（請求項５）
前記データ記憶装置に記憶された前記オーディオ・データ・ファイルの変化を検出するステップと、前記変化を検出したことに応じて少なくとも１つのプレイリストを書き直すステップとを含む、請求項１に記載のオーディオ・データ・プレーヤーにプレイリストを供給する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ノード３  ３３０はキャッシュ内に２つのデータ項目バージョンを含む。これらデータ項目バージョンは、各々それらに関連付けられたクローン時間を有し、これらはベクトル３００に反映され、ノード３  ３３０に関連付けられる。クローン時間−ノード−ベクトルの関連付け３１５は、クローン時間１６を含み、クローン時間−ノード−ベクトルの関連付け３１６はクローン時間２０を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
上述の仮定の下では、照会４５０はＤＬＭ４４０からデータ項目を要求する。ＤＬＭ４４０はベクトルをチェックし、ノード１  ３１０が、ノード１に関連付けられたデータ項目バージョンに対して最も新しい取込時間１１を有することを発見する（図３を参照、クローン時間−ノード−ベクトル３１３は１１である）。この最も最近の取込時間は、すべての最も最近の取込時間の中で照会の見るべき最後のタイムスタンプに最も近いため、ＤＬＭ４４０は照会の要求をノード１  ３１０に送る。ノード１  ３１０での処理は、キャッシュ４１１を走査して、照会の要求に最も好適なデータ項目バージョンを探す。このプロセスは、最も最近の取込時間１１を備えたデータ項目バージョン（図３を参照、クローン時間−ノード−ベクトル３１３）が最良の選択だと仮定しない。なぜなら、照会４５０の要求がノード１  ３１０に到着するまでに、よりよいデータ項目バージョンが利用可能となり得るからである。図示の例では、正にこれが当てはまる。具体的には、ノード１  ３１０はクローン時間１０を備えたデータ項目バージョンを含み、これは照会の見るべき最後のタイムスタンプ９に最も近い。計算のセクションで概要を述べたように計算が行なわれ、照会の値がデータ項目バージョンの値と比較される。これら計算に基づいて、一旦ロールアウトが行なわれると、データ項目バージョン４６０は照会４５０の要求を満足させると判定される。最後の変更のシーケンス番号が７１よりも大きい変更はロールアウトされ、ロールアウトの数は変更のシーケンス番号に依存する。データ項目バージョン４６０は、照会４５０の要求を満たすのに使用できるため、データ項目バージョン４６０はノード２  ３２０に送られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ＋ＧａＮ層（４２）と、
前記ｎ＋ＧａＮ層（４２）上のｎ−ＧａＮ層（４４）と、
仕事関数を有する前記ｎ−ＧａＮ層（４４）上のショットキー金属層（４８）であって、前記ｎ−ＧａＮ層（４４）は前記ショットキー金属（４８）と共に接合を形成し、前記接合は、障壁ポテンシャルのエネルギー準位（３３）を有するショットキー金属層（４８）と、
前記ｎ−ＧａＮ層（４４）の表面上のトレンチ構造（４５）であって、前記ダイオードは逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、逆漏れ電流の量を低減するトレンチ構造（４５）と
を備えたことを特徴とするＩＩＩ族窒化物ベースのダイオード。
【請求項２】
前記障壁ポテンシャル（３３）は、前記ショットキー金属の仕事関数に依存することを特徴とする請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記ｎ−ＧａＮ層（４４）は電子親和力を有し、前記障壁ポテンシャル（３３）は前記ショットキー金属仕事関数から前記電子親和力を引いた差にほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
前記ショットキー金属層（４８）は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｗ、およびＴａを含む金属グループのうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載のダイオード。
【請求項５】
前記トレンチ構造（４５）は、隣接するトレンチ（４６）間にメサ領域（４９）を有する複数のトレンチ（４６）を含み、前記トレンチ（４６）は、絶縁材料（４７）で被覆された側壁（４６ａ）および底面（４６ｂ）を有し、前記ショットキー金属層（４８）は、前記トレンチ（４６）およびメサ領域（４９）を覆い、前記絶縁材料（４７）は、前記ショットキー金属層（４８）と前記側壁（４６ａ）および底面（４６ｂ）との間に挟まれることを特徴とする請求項１に記載のダイオード。
【請求項６】
前記絶縁材料（４７）はＳｉＮであることを特徴とする請求項５に記載のダイオード。
【請求項７】
高濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料（４２）の層と、
前記高濃度に不純物を添加された半導体材料（４２）に隣接する、ピン止めを緩められた表面ポテンシャルを有する、より低濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料（４４）の層と、
前記より低濃度に不純物を添加された半導体材料（４２）上のショットキー金属層（４８）であって、前記より低濃度に不純物を添加された半導体材料（４２）は、ショットキー金属（４８）の種類に依存する障壁ポテンシャルエネルギー（３３）準位を有するショットキー金属（４８）と共に接合を形成し、前記障壁ポテンシャルは、前記ダイオードが低順電圧ダイオードとして動作可能な大きさであり、前記ダイオードは逆バイアス下で逆漏れ電流を受けるショットキー金属層（４８）と、
前記逆漏れ電流の量を低減する手段と
を備えたことを特徴とするダイオード。
【請求項８】
ｎ＋に不純物を添加された層（５２）と、
前記ｎ＋に不純物を添加された層（５２）に隣接するｎ−に不純物を添加された層（５３）と、
前記ｎ＋に不純物を添加された層（５２）と反対側の、前記ｎ−に不純物を添加された層（５３）に隣接する障壁層（５４）と、
前記ｎ−に不純物を添加された層（５３）の反対側の、前記障壁層（５４）上の金属層（５６）であって、前記ｎ−に不純物を添加された層（５３）は、前記障壁層（５４）と共に障壁ポテンシャル（８１）を有する接合を形成し、前記障壁ポテンシャル（８１）により、順バイアス下で前記障壁ポテンシャル（８１）を通過する電子トンネル効果の結果としてダイオードのオン状態電圧が低くなる金属層（５６）と
を備えたことを特徴とするトンネルダイオード。
【請求項９】
前記障壁層（５４）は、電子トンネル効果を高めることによって前記ダイオードのオン状態電圧を低下させる圧電双極子を有することを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【請求項１０】
前記圧電双極子の数は、前記障壁層の厚さが増大するにつれて増加し、一方なおトンネル効果電流が可能であることを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【請求項１１】
前記ｎ＋に不純物を添加された層（５２）、ｎ−に不純物を添加された層（５３）、および障壁層（５４）は、極性材料を含むことを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【請求項１２】
前記ｎ＋に不純物を添加された層（５２）、ｎ−に不純物を添加された層（５３）、および障壁層（５４）は、極性材料または非極性材料、あるいはそれらの組合せから形成されることを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【請求項１３】
前記ｎ＋に不純物を添加された層（５２）、ｎ−に不純物を添加された層（５３）、および障壁層（５４）は、酸化亜鉛などの二元極性酸化物から形成されることを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【請求項１４】
前記障壁およびｎ−に不純物を添加された層（１２３、１２４）内にトレンチ（１２１）構造をさらに備え、逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、前記トレンチ構造（１２１）は、前記逆漏れ電流の量を低減することを特徴とする請求項８に記載のダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレン表面に導電性回路を貼り付ける方法であって、
ａ．  ３０乃至５５重量％の導電性金属フレークと４５乃至７０重量％の炭化水素ワックス及び高密度ポリエチレン粉末からなる群から選択される部材との混合物によって規定された導電性回路を含む被覆物をしなやかなシート担体上に印刷することによって転写物を形成し、
ｂ．  被覆物をシート担体からポリエチレン表面へ転写し、そして表面をポリエチレン表面の融解温度まで加熱して被覆物をポリエチレン表面中に融合し且つ恒久的に組み込むことからなるポリオレフィン表面に導電性回路を貼り付ける方法。
【請求項２】
導電性金属フレークが約１ミクロンの厚さを有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
４０ミクロン未満の範囲の寸法の高密度ポリエチレン粉末を備えた前記混合物を形成し、転写物をその表面に対して押し付け担体シートを印刷された被覆物から分離することによって前記転写物の担体シートからポリエチレン表面上に印刷された被覆物を転写し、そしてポリエチレン粉末の融解温度まで前記ポリエチレンを加熱し被覆物を前記表面上に融合するステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
印刷混合物が４５乃至５５重量％のニッケル金属フレーク及び５５乃至４５重量％の高密度ポリエチレン粉末からなる請求項３記載の方法。
【請求項５】
ニッケルフレークが約１ミクロンの厚さを有する請求項４記載の方法。
【請求項６】
回転モールドがポリエチレン成形樹脂で充填され、閉じられそしてモールドの内表面に対して樹脂をモールドして前記ポリエチレン表面を有する中空部品を形成するのに十分な時間その大小の軸についてモールドを回転させる間に成形温度まで加熱され、次に離型温度まで冷却されそして開かれそして部品が取り出される回転成形サイクルに対して、前記混合物を備えた転写物を形成し、印刷された被覆物を担体シートから回転モールドの内表面に離型温度にて転写した後に前記モールドをポリエチレン成形樹脂で充填するステップを含む、回転成形サイクルに適用された請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記混合物を微結晶炭化水素ワックスで形成するステップを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
印刷混合物が４５乃至５５重量％のニッケル金属フレーク及び４５乃至５５重量％のワックスからなる請求項７記載の方法。
【請求項９】
ニッケルフレークが約１ミクロンの厚さを有する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
印刷混合物が４５乃至５５重量％のニッケル金属フレーク及び４５乃至５５重量％のワックスからなる請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの微細孔ポリマー層及び少なくとも１つの繊維質層を備える電池セパレータであって、前記微細孔ポリマー層は、平均孔径１μｍ未満の微細孔及び前記繊維質層の孔の平均直径より直径が大きい多数の穴を有することを特徴とする電池セパレータ。
【請求項２】
少なくとも２つの微細孔ポリマー層を備える電池セパレータであって、前記少なくとも１つの繊維質層は、前記少なくとも２つの微細孔ポリマー層の間に挟まれることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項３】
前記繊維質層の平均孔径は３μｍ〜１５μｍであることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項４】
前記微細孔ポリマー層の前記穴の大きさは１５μｍより大きく３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項５】
前記微細孔層の前記穴は前記微細孔層表面の１％〜６０％の範囲を占めていることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項６】
前記穴は０．５ｍｍ〜１０ｍｍ間隔でおかれていることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項７】
前記微細孔ポリマー層はポリオレフィン層であることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項８】
前記ポリオレフィンは、分子量が少なくとも６００，０００、標準負荷メルトインデックスが実質０、及び粘度数が６００ｍｌ／ｇ以上であることを特徴とする請求項７記載の電池セパレータ。
【請求項９】
前記ポリオレフィンはポリエチレンであることを特徴とする請求項７記載の電池セパレータ。
【請求項１０】
前記微細孔ポリマー層の５０％より多くの微細孔は、直径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項１１】
前記微細孔ポリマー層の厚さは０．０２ｍｍ〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電池セパレータ。
【請求項１２】
前記繊維質層は本質的にガラス繊維からなることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項１３】
前記繊維質層は、平均直径１μｍ未満のガラスマイクロ繊維を２０質量％〜４０質量％及び平均直径約３μｍの粗ガラス繊維を６０質量％〜８０質量％有することを特徴とする請求項１２記載の電池セパレータ。
【請求項１４】
前記繊維質層は本質的にポリマー繊維からなることを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項１５】
前記繊維質層は直径０．１μｍ〜１０μｍのポリマー繊維を有し、
前記繊維質層の少なくとも１０質量％のポリマー繊維の直径は１μｍ未満であり、少なくとも６０質量％のポリマー繊維の直径は５μｍ未満であること、を特徴とする請求項１４記載の電池セパレータ。
【請求項１６】
少なくとも１５質量％のポリマー繊維の直径は１μｍ未満であることを特徴とする請求項１５記載の電池セパレータ。
【請求項１７】
前記繊維質層は、平均直径１μｍ未満のポリマーマイクロ繊維を２０質量％〜４０質量％有することを特徴とする請求項１６記載の電池セパレータ。
【請求項１８】
前記繊維質層はガラス繊維とポリマー繊維の混合物を有することを特徴とする請求項１記載の電池セパレータ。
【請求項１９】
前記繊維質層は直径０．１μｍ〜１０μｍのガラス繊維を有することを特徴とする請求項１８記載の電池セパレータ。
【請求項２０】
前記ガラス繊維の直径は０．１μｍ〜５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１９記載の電池セパレータ。
【請求項２１】
前記繊維質層は直径０．１μｍ〜１０μｍのポリマー繊維を有することを特徴とする請求項１４又は１８に記載の電池セパレータ。
【請求項２２】
前記ポリマー繊維の直径は０．１μｍ〜５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項２１記載の電池セパレータ。
【請求項２３】
前記ポリマー繊維はポリオレフィン繊維であることを特徴とする請求項１４乃至２２のいずれか一に記載の電池セパレータ。
【請求項２４】
前記ポリオレフィンはポリエチレン及び／又はポリプロピレンであることを特徴とする請求項２３記載の電池セパレータ。
【請求項２５】
前記繊維質層の厚さは０．２ｍｍ〜３．６ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電池セパレータ。
【請求項２６】
上部を開放し、底部とサイドを閉じたポケット形状であることを特徴とする請求項１乃至２５のいずれか一に記載の電池セパレータ。
【請求項２７】
密閉容器内にある対極性に荷電した少なくとも２つの電極、電解質体及び前記（複数の）電極のうち隣接する電極間にあるセパレータを備える電池であって、前記セパレータは請求項１乃至２６のいずれか一に記載のセパレータであることを特徴とするバルブ調節鉛蓄電池。
【請求項２８】
微細孔ポリマー材料から作製されたポケットに少なくとも１つの第一電極板を入れる工程、
前記ポケットに入れられた電極板を繊維質層で包む工程、
ポケットに入れられ、繊維質層で包まれた電極板を少なくとも１つの第二電極板と組み合わせる工程、
適当な容器内に前記組み合わせた電極板を入れる工程、
前記容器に適量の電解質を入れる工程、及び
前記容器を閉じる工程を有する方法であって、
前記微細孔ポリマー材料は、平均孔径１μｍ未満の微細孔及び繊維質層包みの孔の平均直径より直径が大きい多数の穴を有すること、及び
前記少なくとも１つの第一電極板及び前記少なくとも１つの第二電極板は、前記繊維質層及び微細孔ポリマー層が請求項１記載の少なくとも１つのセパレータを形成するように配置されること
を特徴とする鉛蓄電池の製造方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの第二電極は、前記少なくとも１つの第一電極と前記少なくとも１つの第二電極を組み合わせる前に、平均孔径１μｍ未満の微細孔及び繊維質層包みの孔の平均直径より直径が大きい多数の穴を有する微細孔ポリマー材料から作製されたポケットに入れられることを特徴とする請求項２８記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する装置であって、
パスに沿って放射ビームを発生するとともにデブリを発生するＥＵＶ源と、
ガス流を前記放射パスを横切って超音速で噴射してデブリを前記放射パスの方向から異なる方向へ偏向させるガスカーテン手段とを具えることを特徴とする極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する装置。
【請求項２】
前記ＥＵＶ放電源は環状領域を進行する放射を放出し、前記ガスカーテン手段は、前記ガス流を前記環状領域に、デブリ粒子をガス内に連れ込むのに十分な速度で噴射するガス出口を有するガス源を備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ガスカーテン手段は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材を具えることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記ＥＵＶ放電源は、
（ａ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
（ｂ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
（ｃ）前記キャピラリボアの近端から放出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有する第２電極と、
（ｄ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
を具えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
放出された放射の大部分は環状領域を進行し、前記ガスカーテン手段は、ガスを前記環状領域内に、デブリ粒子をガス内に連れ込むのに十分な速度で噴射するガス出口を有するガス源を備えることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
当該装置は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材を具えることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記ガス捕集部材は第２電極に隣接して位置し、前記ガス出口は第２電極に対向して位置してガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流が放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記ガス捕集部材は第２電極に対向して配置された通路を形成するガスディフューザを備え、前記ガス出口は第２電極に隣接して位置してガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流が放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項９】
第２電極は接地することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項１０】
極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法であって、
（ｉ）パスに沿って放射ビームを発生するとともにデブリを発生するＥＵＶ源を設けるステップと、
（ｉｉ）ガス流を前記放射パスを横切って超音速で噴射してデブリを前記放射パスの方向から異なる方向へ偏向させるステップとを具えることを特徴とする極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法。
【請求項１１】
前記ＥＵＶ放電源は環状領域を進行する放射を放出し、前記ステップ（ｉ）は、前記ガス流を前記環状領域に、デブリ粒子を前記ガス流に連れ込むのに十分な速度で噴射することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
当該方法は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを捕集するステップを具えることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ＥＵＶ放電源は、
（ａ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
（ｂ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
（ｃ）前記キャピラリボアの近端から放出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有する第２電極と、
（ｄ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
を具えることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
放出された放射の大部分は環状領域を進行し、前記ステップ（ｉ）は、ガスを前記環状領域に、デブリ粒子を前記ガス流内に連れ込むのに十分な速度で噴射することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
当該方法は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するステップを具えることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
第２電極は接地することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法であって、
（ａ）放電プラズマ源であって、
（ｉ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
（ｉｉ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
（ｉｉｉ）前記キャピラリボアの近端から射出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有し、放出された放射の大部分が環状領域を進行する第２電極と、
（ｉｖ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
（ｖ）不活性ガスを前記環状領域に、放電プラズマ源により発生されたデブリ粒子を前記不活性ガスに連れ込むのに十分な超音速で噴射するガス出口を有する第２ガス源と、
（ｖｉ）連れ込まれたデブリ粒子を含む前記不活性ガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材と、
を備える放電プラズマ源を設けるステップと、
（ｂ）前記第２ガス源からの第２ガスを第１電極の通路及びキャピラリボア内に導入するステップと、
（ｃ）キャピラリボア内にプラズマを生成するに十分な放電を生じさせて選択された波長の放射を発生させるステップと、
を備えることを特徴とする極紫外線及び軟Ｘ線放射を発生する方法。
【請求項１８】
前記ガス捕集材は第２電極に隣接して位置し、前記ガス出口は第２電極に対向して位置して不活性ガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流は放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記ガス捕集部材は第２電極に対向して配置された通路を有するガスディフューザを備え、前記ガス出口は第２電極に隣接して位置して不活性ガス流を射出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流は射出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
ステップ（ｃ）における真空チャンバ内の圧力は約１×１０−１ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
ステップ（ｃ）は２０−５０ｅＶプラズマを生成することを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
ステップ（ｃ）はパルス放電を０．５〜４マイクロ秒の間生じさせることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２３】
前記不活性ガス流は１０００ｍ/ｓ〜２０００ｍ/ｓの速度であることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記不活性ガス流の速度は４以上のマッハ数であることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）ａ）入口および出口をもつ少なくとも１つの流路、およびｂ）少なくとも１つのランド部域を含む活動部域を含んで成る流れ場を有する流れ場装置と、
２）前記活動部域と標的部域との間に配置された流体輸送層と、を含んで成る流体分配アセンブリにおいて、
前記入口内への流体の少なくとも１つのゼロでない流量および流体輸送層内の流体の活性成分の少なくとも１つの使用率について、前記活性成分の側方流束が、前記流体輸送層の全ランド上部分の少なくとも９０％にわたって３５％以下しか変動しない、流体分配アセンブリ。
【請求項２】
少なくとも１つの流路および少なくとも１つのランド部域を含む流れ場を有する流れ場装置において、
前記ランド部域が、前記流路の第１の主要セグメントと前記流路の第２の主要セグメントとを分離しており、
前記第１の主要セグメント上の任意の第１の点について、前記第１の点に最も近い前記第２の主要セグメント上に第２の点が存在し、
前記第１の点と前記第２の点との間の最短距離が、前記流路に沿った距離として測定されたときの前記第１の点と前記第２の点との間の距離の増加に従って単調に増加する、流れ場装置。
【請求項３】
互いに類似する部分を含む複数の主要セグメントを含む少なくとも１つの流路を含んで成る流れ場を有する流れ場装置において、連続した主要セグメントの互いに類似する部分の間の距離が、前記流路に沿って測定されたときの入口からの距離の増加に従って単調に減少する、流れ場装置。
【請求項４】
ランド部域によって分離された主要セグメントを含む少なくとも１つの流路を含んで成る流れ場を有する流れ場装置において、前記ランド部域のサイズが、前記流路に沿って測定されたときの入口からの距離の増加に従って単調に減少する、流れ場装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
図２を参照すると、サーチャー１２０のブロック図２００は種々の実施の形態に従って示される。各パイロット信号は、ＣＤＭＡ標準に従って送信ソース（図示せず）において拡散される。そういうものとして、受信されたパイロット信号は逆拡散器２０１のＰＮ逆拡散動作を通過する。受信器１００は異なる送信ソースにより使用されるＰＮ符号についての情報を通常有する。この情報は逆拡散動作において使用することができる。さらに、各パイロット信号はまた、あらかじめ定義されたウオルシュ関数に従って、送信ソースにおいて、ウオルシュカバー(Walsh covered)される。それゆえ、逆拡散器２０１は逆拡散された信号をウオルシュデカバーエレメント２０２に渡す。ウオルシュデカバーされた結果はフィルタ２０３を通過する。フィルタ２０３はアキュムレータ２０４として動作することができる。蓄積プロセスは有限の蓄積ウインドウを持つことができる。フィルタ２０３の出力において蓄積されたエネルギーは比較器２０４を通過する。蓄積されたエネルギーはしきい値と比較される。このしきい値はパイロット信号サーチウインドウしきい値であり得る。蓄積されたエネルギーがパイロット信号サーチウインドウしきい値を満足するなら、コントローラ１２１は同じソースから受信した信号を復調するために、指１１０Ａ−Ｎの少なくとも１つの指を割当てる。蓄積されたエネルギーがパイロット信号サーチウインドウしきい値を失敗するなら、サーチャー１２０は、他のパイロット信号をサーチし続ける。サーチャー１２０は複数のパイロット信号をサーチすることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ＣＤＭＡ標準に従って、受信器１００のような受信器は、それらの利用可能性および受信器１００における適切な信号を供給する成功に従って優先順位がつけられる基地局のセットのリストを保持する。基地局のセットは、一般にアクティブセット、候補セット、および隣接セットと呼ばれる。各セットは、通信システム内の移動局と通信するための基地局のセットを識別する。アクティブセットは移動局と通信するために割当てられた基地局のセットを識別する。候補セットは、移動局と通信するために適した移動局において、十分なパイロット信号強度を有する基地局のセットを識別する。アクティブセットには候補セットが除外される。隣接セットは、移動局と通信が可能な基地局のセットを識別する。隣接セットには、アクティブセットおよび候補セットが除外される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置と、
変換された第１のディジタル信号と第２のディジタル信号とを加算して、基準化されたディジタル信号を生成する加算器と、
基準化されたディジタル信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置とを含む装置であって、
装置がディジタル電圧利得増幅器であり、第２のディジタル信号が利得信号であり、
対数領域が、利得と同じ分解能のデシベル単位をもつ装置。
【請求項２】
第１のディジタル信号がベースバンド信号である請求項１記載の装置。
【請求項３】
第１のディジタル信号が第１のベースバンド信号であり、第２のディジタル信号が第２のベースバンド信号である請求項１記載の装置。
【請求項４】
対数変換装置が対数ルックアップテーブルを含む請求項１記載の装置。
【請求項５】
対数変換装置が、対数領域の第１のディジタル信号を打ち切る打ち切り装置を含む請求項２記載の装置。
【請求項６】
基準化されたディジタル信号が、第１のディジタル信号よりも小さい値をもつ減衰信号である請求項１記載の装置。
【請求項７】
基準化されたディジタル信号が、第１のディジタル信号よりも大きい値をもつ増幅信号である請求項１記載の装置。
【請求項８】
第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置と、
変換された第１のディジタル信号と第２のディジタル信号とを加算して、基準化されたディジタル信号を生成する加算器と、
基準化されたディジタル信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置とを含み、
指数変換装置が指数ルックアップテーブルを含み、
指数ルックアップテーブル内のエントリが、基準化されたディジタル信号を効果的に打ち切る出力ビット幅をもち、加算器が第１の加算器であり、指数変換装置が、第２の加算器と乗算器とをさらに含み、指数ルックアップテーブルが、第１の入力を第２の加算器および乗算器へ与え、第２の加算器が、第２の入力を乗算器へ与え、乗算器が、サインに基づいて第１または第２の入力を選択し、選択された入力が、線形領域の基準化されたディジタル信号である装置。
【請求項９】
第１の入力が正の入力であり、第２の入力が負の入力である請求項８記載の装置。
【請求項１０】
対数ルックアップテーブルが、対数関数の非一様なサンプリングを含むエントリを含む請求項８記載の装置。
【請求項１１】
第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置と、
変換された第１のディジタル信号と第２のディジタル信号とを加算して、基準化されたディジタル信号を生成する加算器と、
基準化されたディジタル信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置とを含む装置であって、
指数変換装置が、乗算器に接続された第１および第２の指数ルックアップテーブルを含む装置。
【請求項１２】
第１の指数ルックアップテーブルが正の数を変換し、第２の指数ルックアップテーブルが負の数を変換する請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置と、
変換された第１のディジタル信号と第２のディジタル信号とを加算して、基準化されたディジタル信号を生成する加算器と、
基準化されたディジタル信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置とを含む装置であって、
指数変換装置が、指数ルックアップテーブルを含み、指数変換装置が、指数ルックアップテーブルに接続された１の補数装置と、１の補数装置と指数ルックアップテーブルとに接続された乗算器とを含み、乗算器が、サインに基づいて入力を選択する装置。
【請求項１４】
第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置と、
変換された第１のディジタル信号と第２のディジタル信号とを加算して、基準化されたディジタル信号を生成する加算器と、
基準化されたディジタル信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置とを含む装置であって、
対数変換装置が、指数ルックアップテーブルから第１の数値を選択し、補間することによって第２の数値を生成し、補間に基づいて仮数ルックアップテーブルからエントリを選択し、第１の数値を第２の数値へ加算することによって、第１のディジタル信号を線形領域から対数領域へ変換する装置。
【請求項１５】
ベースバンド信号を線形領域から対数領域へ変換する対数変換装置であって、対数ルックアップテーブルを含む対数変換装置と、
変換されたベースバンド信号と利得信号とを加算して、基準化されたベースバンド信号を生成する加算器と、
基準化されベースバンド信号を対数領域から線形領域へ変換する指数変換装置であって、指数ルックアップテーブルを含む指数変換装置とを含むディジタル電圧利得増幅器であって、
対数ルックアップテーブルが、対数関数の非一様なサンプリングを含むエントリを含むディジタル電圧利得増幅器。
【請求項１６】
対数変換装置が、指数ルックアップテーブルと、仮数ルックアップテーブルとを含む請求項１５記載の増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)口腔的に許容される義歯接着剤、および
(b)下記の構造
【化１】
2005503322.tif 000001
(式中、nは1〜10である)
を有するアスコルビル-2-ホスフェート化合物またはそのナトリウム塩もしくはカリウム塩を含む、口腔ケア組成物。
【請求項２】
nが2である、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
nが3である、請求項1記載の組成物。
【請求項４】
nが1〜5である、請求項1記載の組成物。
【請求項５】
カルシウムイオン源をさらに含む、請求項1記載の組成物。
【請求項６】
アスコルビルホスフェートが、アスコルビル-2-モノホスフェート、アスコルビル-2-ジホスフェート、アスコルビル-2-トリホスフェート、アスコルビル-2-ポリホスフェート、またはその組合せである、請求項1記載の組成物。
【請求項７】
抗う蝕剤、歯石抑制剤、抗菌剤、および脱感作剤の一つまたは複数を任意選択的に含む、請求項1記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸アンモニウムマグネシウムの一水化物の形を作る方法において、
リン酸アンモニウムマグネシウムの六水化物の形を含むスラリーを加圧下で六水化物リン酸アンモニウムマグネシウムをその一水化物の形に転化するのに十分な時間の間加熱することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
スラリーを乾燥することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
加熱段階に続いてリン酸アンモニウムマグネシウムの一水化物の形を含むスラリーが製紙工程中の製紙原料と混合されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
製紙工程が紙巻きたばこ製造工程であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１の方法により製造され得る製造物。
【請求項６】
請求項２の方法により製造され得る製造物。
【請求項７】
請求項４の方法により製造さ得る製造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
発明の概要
本発明によれば、リン酸アンモニウムマグネシウムの一水化物の形を作る方法において、
リン酸アンモニウムマグネシウムの六水化物の形を含むスラリーを加圧下で六水化物リン酸アンモニウムマグネシウムをその一水化物の形に転化するのに十分な時間の間加熱することを含むことを特徴とする方法が提供される。
好ましい方法では、スラリーが０．７ＭＰａゲージ（１００ｐｓｉｇ）までの加圧下で１５０℃までの温度に加熱される。さらに好ましくは、スラリーが０．７ＭＰａゲージから０．１ＭＰａ（約１０から１５ｐｓｉｇ）の圧力下で１００℃から１１０℃の温度に加熱される。
好ましくは、加熱段階に続いてスラリーを５５℃以上の温度に冷却することを更に含む。
好ましくは、スラリーが加熱段階に先立って２０から４０重量％の固体含量を含む。
好ましくは、スラリーが加熱段階中密封容器内に含まれている。
好ましくは、スラリーが加熱段階中撹拌させられる。
加熱が少なくとも５分間より好ましくは、１０分間、さらに好ましくは、１５分間実施される。
好ましくは、加熱段階に先立ってスラリーが４から７μｍの平均粒度を持ち、かつ／またはスラリーが少なくとも７のｐＨを持つ。
本発明はより容易に合成されかつ貯蔵されるＡＭＰ六水化物を高純度の一水化物に転化するための方法を提供する。得られた一水化物（ディットマライト）は次いでそれを安定化するために乾燥されるか、または充填剤または炭酸カルシウムと一緒に充填剤成分として製紙のような紙巻きたばこ製造で直接に使用されるかのいずれかである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特に、本発明の好適実施例はＡＭＰ六水化物を加圧下で加熱してそれを一水化物の形に転化する方法を提供する。好適な方法ではＡＭＰ六水化物の水性スラリーが加圧容器（例えばオートクレーブ）中で７ＫＰａから０．１ＭＰａ（１ｐｓｉｇから１５ｐｓｉｇ）の加圧下で撹拌しながら１００℃から１１０℃に加熱される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープヘッドであって、
ｉ）基部と、
ｉｉ）該基部に取付けられたテープロールホルダと、
ｉｉｉ）該基部に取付けられ、テープを表面に貼付するテープ貼付ローラであり、当該テープヘッドが該テープロールホルダから該テープ貼付ローラまでのテープ経路を含むものである、テープ貼付ローラと、
ｉｖ）該テープロールホルダと該テープ貼付ローラとの間の該テープ経路に沿って該基部に取付けられ、テープを切断してテープの除去可能部分を形成するカッタと、
ｖ）該カッタと該テープ貼付ローラとの間の該テープ経路に沿って該基部に取付けられ、該テープの該除去可能部分を取り除くリムーバと、
を具備するテープヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載のテープヘッドを含むテープアプリケータであって、
該テープヘッドに動作可能に連結され、該テープヘッドをｘ軸方向に移動させるｘ軸アクチュエータと、
該テープヘッドに動作可能に連結され、該テープヘッドをｙ軸方向に移動させるｙ軸アクチュエータと、
をさらに具備するテープアプリケータ。
【請求項３】
表面にテープを貼付する方法であって、
ａ）テープ裏材と該テープ裏材上の接着剤とを含み、ライナが取付けられているテープを用意するステップと、
ｂ）該テープを切断して、第１テープ部分と、第２テープ部分と、該第１テープ部分と該第２テープ部分との間に位置する該テープの除去可能部分とを提供するステップと、
ｃ）該ライナから該テープの該除去可能部分を取り除くステップと、
ｄ）該ライナから該第１テープ部分を分離するステップと、
ｅ）表面に該第１テープ部分を貼付するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2005503393.tif 000001
（式中、Ｒ1は、非置換または置換されているＣ1〜Ｃ8アルキルであり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は、互いに独立して、水素、非置換もしくは置換されているＣ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、フェノキシもしくはベンジルオキシ、またはハロゲンであり、
Ｙ1およびＹ2は、互いに独立して、水素もしくは保護基であるか、またはＹ1およびＹ2は、一緒に保護架橋を形成し、そして
Ｘ1は、水素、有機基、またはカチオンである）
の化合物の製造方法であって、式：
【化２】
2005503393.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は、上記定義されたとおりであり、そして
Ｚ1は、離脱基である）
の化合物を、触媒有効量のパラジウム触媒の存在下で、式：
【化３】
2005503393.tif 000003
（式中、Ｒ6は、水素、臭素、塩素、ヨウ素、−ＯＳＯ2ＣＦ3、−ＣＯＣｌ、−Ｂ（ＯＨ）2、または−Ｂ（ＯＨ）2から誘導されたモノ−もしくはジ−エステルであり、
Ｙ3およびＹ4は、それぞれ保護基であるか、またはＹ3およびＹ4は、一緒に保護架橋を形成し、そして
Ｘ1は、上記定義されたとおりである）
の化合物と反応させて、式：
【化４】
2005503393.tif 000004
の化合物を形成し、そして所望であれば、基Ｙ3およびＹ4を、基Ｙ1およびＹ2（ここで、Ｙ1およびＹ2は、水素である）に変換する方法。
【請求項２】
式：
【化１１】
2005503393.tif 000005
（式中、２個のＲ′基は、同じまたは異なった意味を有し、そして水素、非置換もしくはフェニル置換されているＣ1〜Ｃ8アルキル、または非置換もしくは置換されているフェニルであるか、あるいは２個のＲ′基は、一緒にＣ1〜Ｃ8アルキレン基を形成する）
の化合物。
【請求項３】
式：
【化１２】
2005503393.tif 000006
（式中、Ｒ7およびＲ8は、互いに独立して、水素、非置換もしくはフェニル置換されているＣ1〜Ｃ8アルキル、またはフェニルであり、そして
Ｘ1は、非置換またはフェニル置換されているＣ1〜Ｃ8アルキルである）
の化合物。