【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体技術を用いて作成される少なくとも１つのデバイスを有するフィルム（１，３，６，７，８，９）であって、前記デバイスが複数の層を含み、該複数の層が電気的機能層を含んでいるフィルム（１，３，６，７，８，９）において、
前記デバイスの１つまたはそれより多くの層に熱転写またはＵＶ転写により空間構造が設けられており、前記機能層が前記空間構造の領域において部分的に完全に切除されていることを特徴とするフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項２】
前記フィルムが型押フィルムまたは積層フィルムであることを特徴とする請求項１に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項３】
前記型押フィルムまたは積層フィルムが、キャリアフィルム（１１，６１，７１，８１）、有機半導体材料を含む少なくとも１つの層（１６，６７，７６，８８）、電気絶縁材料を含む少なくとも１つの層（１５，６５，７５，８７）及び、領域状にパターン形状に整形され、導電材料を含む、２つまたはそれより多くの層（１４，１７，１９，６４，６６，７４，７７，８６，８９）を有することを特徴とする請求項２に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項４】
前記導電層（１４，１７，１９，６４，６６，７４，７７，８６，８９）が有機導電材料を含むことを特徴とする請求項３に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項５】
前記電気絶縁層（１５，６５，７５，８７）が有機絶縁材料を含むことを特徴とする請求項３または４に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項６】
前記フィルムが、キャリアフィルム（１１）と、該キャリアフィルム（１１）に剥離可能に設けられた転移層部分（２）とを有する型押フィルムであることを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項７】
前記型押フィルムが剥離層（１２，６２，７２，８２）及び接着層（２０，６９，７９，９７）を有することを特徴とする請求項６に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項８】
前記型押フィルムまたは積層フィルムが機能性高分子材層に隣接する１つまたはそれより多くのラッカー層（１３，１８，６３，６８，７３，７８，８４，９０）を有することを特徴とする請求項２から７のいずれかに記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項９】
前記導電層、半導体材料を含む前記層及び電気絶縁材料を含む前記層が透明であることを特徴とする請求項３に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）。
【請求項１０】
前記フィルムが、有機半導体材料を含む層（１６）、電気絶縁材料を含む層（１５）及び、導電材料を含む、領域状にパターン形状に整形された、２つまたはそれより多くの層（１４，１７，１９）を有するフィルム素子（２）であることを特徴とする請求項１に記載のフィルム（２）。
【請求項１１】
前記フィルム（２）が、型押フィルムまたは積層フィルム（１）を用いて基板に着けられたフィルム素子であることを特徴とする請求項１０に記載のフィルム。
【請求項１２】
電気機能性が光学特徴と組み合せられていることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のフィルム（８）。
【請求項１３】
前記フィルムが、前記フィルムの層間で整形され、一方で、有機半導体技術を用いて作成される前記電子デバイスの層（４６）をパターン形状に構造化し、他方で、光学特徴として光回折効果を生じさせる、空間構造（４７）を有することを特徴とする請求項１２に記載のフィルム（８）。
【請求項１４】
前記空間構造（４７）が巨構造及び微構造の重畳によって形成され、前記巨構造が有機半導体技術を用いて作成される前記電子デバイスの層（４６）のパターン付構造化に役立ち、前記微構造が前記光学特徴の生成に役立つことを特徴とする請求項１３に記載のフィルム。
【請求項１５】
前記フィルムがホログラフィ光学層または回折層（８３，８４，９０，９１）を有することを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のフィルム（８）。
【請求項１６】
前記フィルムが順次薄膜層系（９４，９５）を有することを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載のフィルム（８）。
【請求項１７】
前記フィルムが装飾層を有することを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載のフィルム。
【請求項１８】
前記フィルム（８）が光学的セキュリティ標章をつくる２つまたはそれより多くの相互に重畳される層（８３，８４，９０，９１，９４，９５）を有し、有機半導体技術を用いて作成される前記電子デバイスの１つまたはそれより多くの機能層（８６，８７，８８，８９）がそのような光学活性層の間に配置されていることを特徴とする請求項１から１７のいずれかに記載のフィルム（８）。
【請求項１９】
前記フィルムがセキュリティ素子として用いられることを特徴とする請求項１から１８のいずれかに記載のフィルム。
【請求項２０】
請求項１に記載のフィルム（１，３，６，７，８，９）の作成のためのプロセスにおいて、有機半導体技術を用いて作成される少なくとも１つのデバイスの１つまたはそれより多くの層（４３，４９，５０）の構造化が熱転写またはＵＶ転写によって実施されることを特徴とするプロセス。
【請求項２１】
構造深さが転写されるべき層（４２）の厚さ以上の空間構造が前記転写されるべき層（４２）に転写され、よって、前記転写されるべき層が部分的に前記転写操作により完全に切除され、前記空間構造にしたがうパターン形状に構造化された電気的機能層（４３）が形成されることを特徴とする請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
前記空間構造が導電材料を含む電極層に転写され、次いで非導電材料または半導体材料を含む電気的機能層が前記電極層に被着されることを特徴とする請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
構造深さが転写されるべき層（４２）の厚さより小さい空間構造が前記転写されるべき層（４２）に転写されることを特徴とする請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２４】
硬化時にあらかじめ定められた体積減少を受ける材料の電気的機能層（４９）が前記転写層（４６）に被着され、前記材料は、前記転写構造にしたがうパターン形状に構造化された機能層が硬化時に前記体積収縮によって残る被着量で、前記転写層（４６）に被着されることを特徴とする請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２５】
前記機能層がＵＶ硬化性材料を含むことを特徴とする請求項２４に記載のプロセス。
【請求項２６】
電気的機能層（５０）が前記転写層（４６）に被着され、次いで前記転写構造にしたがうパターン形状に構造化された機能層（５０）が残るような深さまで前記電気的機能層が、特にエッチングによって、除去されることを特徴とする請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２７】
前記空間構造が非導電材料または半導体材料を含む電気的機能層に転写され、次いで導電材料を含む電極層が前記電気的機能層に被着されることを特徴とする請求項２３から２６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項２８】
請求項１に記載のフィルムの作成のためのプロセスにおいて、有機半導体技術を用いて作成される少なくとも１つのデバイスの機能に必要な全てのあるいは１つまたはそれより多くの電極層、絶縁層及び半導体層が印刷プロセスによって全表面積または表面積の一部にわたってフィルム構造に導入されることを特徴とするプロセス。
【請求項２９】
電気的機能性及び光学的機能性が、転写操作によってつくられることを特徴とする請求項２０から２８のいずれかに記載のプロセス。