【事件の表示】
　特願２００８−２５０７７７「多層プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月１９日出願公開、特開２００９−　３８３９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本件発明
　本件出願は、平成１０年２月２６日に出願した特願平１０−４５３９８号の一部を平成１４年１０月２８日に新たな特許出願とした特願２００２−３１２６３２号の一部をさらに平成２０年９月２９日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年１２月２４日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年３月８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１８日に拒絶査定に対する審判が請求されると同時に、同日付けで手続補正書が提出されて明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年４月２６日付けで書面による審尋がなされ、これに対し、同年７月８日付けで回答書が提出され、同年９月２７日付けで前記平成２２年８月１８日付けの手続補正書による手続補正を却下する補正の却下の決定がなされ、同年１０月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものであって、その請求項１ないし７に係る発明は、平成２３年１２月２８日付けの手続補正書により補正された明細書及び特許請求の範囲並びに出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積層され、下層の導体回路と上層の導体回路とが充填バイアホールを介して接続されている多層プリント配線板を製造するに当たり、その製造工程の中に少なくとも下記（１）〜（７）の工程すなわち、
（１）基板上に下層の導体回路を形成する工程と、
（２）前記下層の導体回路を被覆する層間樹脂絶縁層を形成し、その層間樹脂絶縁層に前記下層の導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
（３）前記開口部を含む前記層間樹脂絶縁層の表面に無電解めっき膜を形成する工程と、
（４）前記無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する工程と、
（５）前記めっきレジストの非形成部分に電解めっきを施して、導体層を形成する工程と、
（６）前記めっきレジストを除去するとともに、そのめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜を除去することにより、各々無電解めっき膜とその上に形成された電解めっき膜とからなる上層の導体回路および充填バイアホールを形成する工程と、
（７）前記充填バイアホールを被覆して他の層間樹脂絶縁層を形成し、その層間樹脂絶縁層に前記充填バイアホールに到達する開口部を形成し、その開口部内に前記（３）〜（６）の工程の繰返しにより、前記充填バイアホールの直上に位置してその充填バイアホールに接続される他の充填バイアホールを積層形成する工程と、を含み、
　前記上層の導体回路の厚さは、前記充填バイアホールの直径の１／２未満でかつ２５μｍ未満であるように形成されることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。」
　
　
２．引用文献記載の発明
（１）当審の拒絶理由に引用された刊行物である特開平７−１４７４８３号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付したものである。
　
　（ア）「【請求項３】樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体パターンとを基板上に交互に積層形成するプリント配線板の製造方法において、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程を含んで成ることを特徴とするプリント配線板の製造方法；（ａ）前記基板上に感光性樹脂を塗布した後に露光・現像を行い層間接続用の凹部を形成する工程、（ｂ）前記層間絶縁層上に銅めっき層用の密着向上層を形成する工程、（ｃ）前記密着向上層の所定部分に銅めっき層を形成する工程、（ｄ）前記銅めっき層上に、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、タングステンから選ばれる少なくとも一種の金属からなる密着層を形成する工程。
【請求項４】前記密着向上層はニッケル、クロム、モリブデン、チタン、タングステンから選ばれる少なくとも一種の金属をスパッタリングして形成し、かつ、前記密着層はニッケルめっきであることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項３】及び【請求項４】）
　
　（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関し、特には、導体パターンとその導体パターンを被覆して形成される層間絶縁層との密着性に優れたプリント配線板及びその製造方法に関するものである。
」（段落【０００１】）
　
　（ウ）「【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業の進歩に伴い、電子機器の小型化や高速化が求められ、この要求に答えるためにプリント配線板に複数個のＩＣやＬＳＩ等を直接実装する技術（所謂ＭＣＭ技術）が注目されてきている。従って、この様なプリント配線板に対して、導体パターンのファイン化等といった高密度化が要求されている。プリント配線板を製造するときのファインな導体パターンの形成方法の一つとしては、例えば以下に述べるようなセミアディティブ法が知られている。このプロセスでは、まずスパッタリング等によって、層間絶縁層上に下地層としての極薄い導体層が形成される。次いでこの下地層上にはめっきレジストが形成される。次いでこのめっきレジストによってマスキングされていない部分には銅めっきが施される。この後、めっきレジストの剥離及び下地層のエッチングを経ることによって、所望のファインな導体パターンが形成されるのである。」（段落【０００２】）
　
　（エ）「【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、導体パターンを構成している銅めっき層の上面と層間絶縁層の下面との間の密着性に優れたプリント配線板を提供することにある。また、本発明のもう一つの目的は、導体パターンを構成している銅めっき層の上面と層間絶縁層の下面との間の密着性を向上させると共に、高速信号処理のために充分な性能をもった、外観に優れたプリント配線板の製造方法を提供することにある。」（段落【０００７】）
　
　（オ）「【００１６】銅めっき層の下地層を形成する方法は、上記の薄膜法に限るものではなく、第１層目の層間絶縁層表面に無電解めっき用接着剤を形成し、その表面を酸によって粗化するか、或いは層間絶縁層表面を化学的手段や機械的手段によって粗化し、次いで無電解めっき触媒（パラジウムなど）を付加した後に、無電解めっき処理を施す方法であってもかまわないが、無電解めっきの密着性や緻密性を考慮するとスパッタリングが好ましい。」（段落【００１６】）
　
　（カ）「【００２０】
【実施例】
〔実施例１〕まず、実施例１のプリント配線板を製造方法を図１（ａ）〜図１（ｆ）に基づき詳細に説明する。
工程（１）：本実施例では、図１（ａ）に示されるように、第１層目の導体パターンＣ１（厚さ１８μｍ）が形成された厚さ１．０mmの銅張ガラスエポキシ基板１を出発材料とした。そして、スピンコータを用いることによって、層間絶縁層Ｉ１ となる感光性エポキシ樹脂（イビデン株式会社製）を基板１に厚さが２６μｍになるように塗布した。
工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂を７５℃で３０分間プリベークした後、露光・現像を行い、更に１５０℃で６０分間の硬化処理を行った。以上の処理によって、図１（ｂ）に示されるように、層間接続用の凹部である
直径３０μｍのバイアホール形成用穴２
【００２１】工程（３）：真空スパッタ装置（徳田製作所製：ＣＦＳ−８ＥＰ）を用い、層間絶縁層Ｉ１ に対するＣｒ，Ｃｕのスパッタリングを行った。このスパッタリングにより、図１（ｃ）に示されるように、
第１層目の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ
１
と、第２層目の金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ
２
とからなる下地層ＵＬ
【００２２】工程（４）：スピンコータによってＣｕ薄層Ｌ２上にネガ型の液状フォトレジスト（東京応化株式会社製：ＯＭＲ８３）を塗布した後、その乾燥を行った。この後、プリベーク、露光・現像及びポストベークを行うことによって、図１（ｄ）に示されるように、チャンネル状のめっきレジスト（厚さ４μｍ，Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ）３を形成した。
工程（５）：光学顕微鏡下でめっきレジスト３の検査を行った後、基板１を１０％硫酸水溶液に２分間浸漬することによって、Ｃｕ薄層Ｌ２の表面を活性化させた。
【００２３】工程（６）：基板１を水洗した後、下記の硫酸銅電解めっき浴による電解銅めっきを実施した。そして、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ薄層Ｌ２上に、図１（ｅ）に示されるような
厚さ３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ
３
硫酸：１６０g/l 〜２００g/l ，　硫酸銅：５０g/l 〜７０g/l ，塩素イオン：３０mg/l〜６０mg/l，　光沢剤：４ml/l〜１０ml/l，カソード電流密度：２．０A/dm２，　浴温：２４℃〜２６℃，めっき時間：６分間，  空気攪拌．
【００２４】工程（７）：基板１を水洗した後、下記の硫酸ニッケル電解めっき浴による電解ニッケルめっきを実施した。そして、Ｃｕめっき層Ｌ３上に、
密着層としての厚さ１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ
４
硫酸ニッケル：１３０g/l 〜１５０g/l ，　ほう酸：３０g/l ，塩化ニッケル２５g/l 〜４０g/l ，　ｐＨ＝４．０〜４．５/l，カソード電流密度：２．０A/dm２，　浴温：３５℃〜４０℃，めっき時間：２．５分間，　空気攪拌．
【００２５】工程（８）：専用のレジスト剥離液（東京応化株式会社製）を用いて、基板１からめっきレジスト３を剥離した。この後、Ｃｕを溶解し得るエッチャントとしてＮＨ３（４．５Ｎ）＋ＣｕＣｌ２（１５０ｇ／ｌ）を用いて、Ｃｕ薄層Ｌ２をエッチングした。処理時における温度は２５℃とし、時間は１５秒とした。更に、Ｃｒを溶解し得るエッチャントとして５０％のＨＣｌ水溶液を用いて、Ｃｒ薄層Ｌ１をエッチングした。処理時における温度は２５℃とし、時間は２５秒とした。その結果、図１（ｆ）に示されるように、Ｃｒ薄層Ｌ１，Ｃｕ薄層Ｌ２，Ｃｕめっき層Ｌ３及Ｎｉめっき層Ｌ４の合計４層からなる導体パターンＣ２を得た。
工程（９）：前記工程（２）から工程（８）を繰り返し行い、最終的に図２に示されるような、基板１上に６層の導体パターンＣ１〜Ｃ６と５層の層間絶縁層Ｉ１〜Ｉ５とを持つ多層構造のプリント配線板４を得た。」（段落【００２０】ないし【００２５】）
　
（２）ここで、上記（１）の（ア）ないし（カ）並びに図面の記載からみて、次のことがわかる。
　
　（キ）上記（１）の（ア）及び（カ）並びに図１及び２からみて、多層構造のプリント配線板４及びその製造方法は、導体パターンＣ１〜Ｃ６と層間絶縁層Ｉ１〜Ｉ５とが交互に積層され、下層の導体パターンＣ１と上層の導体パターンＣ２とが充填バイアホールとしての「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」を介して接続されているようにするものといえる。
　
　（ク）上記（１）の（ア）及び（カ）並びに図１（ａ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、基板１上に下層の導体パターンＣ１を形成する工程があることがわかる。
　
　（ケ）上記（１）の（ア）及び（カ）並びに図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、下層の導体パターンＣ１を被覆する層間絶縁層Ｉ１を形成し、その層間絶縁層Ｉ１に前記下層の導体パターンＣ１に到達するバイアホール形成用穴２を形成する工程があることがわかる。
　
　（コ）上記（１）の（ア）、（オ）及び（カ）並びに図１（ｃ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、バイアホール形成用穴２を含む層間絶縁層Ｉ１の表面にスパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬを形成する工程があることがわかる。
　
　（サ）上記（１）の（ア）、（カ）及び上記（コ）並びに図１（ｄ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ上にめっきレジスト３を形成する工程があることがわかる。
　
　（シ）上記（１）の（ア）、（カ）及び上記（サ）並びに図１（ｅ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、めっきレジスト３の非形成部分に電解めっきを施して、導体パターンＣ２を形成する工程があることがわかる。
　
　（ス）上記（１）の（ア）、（カ）、上記（サ）及び（シ）並びに図１（ｄ）、図１（ｅ）、図１（ｆ）及び図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、めっきレジスト３を除去するとともに、そのめっきレジスト３下にある「スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ」を除去することにより、各々「スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ」とその上に形成された「電解めっきによるＣｕめっき層Ｌ３及びＮｉめっき層Ｌ４」とからなる上層の導体パターンＣ２および「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」を形成する工程があることがわかる。
　
　（セ）上記（１）の（ア）、（カ）、上記（サ）及び（シ）並びに図２からみて、多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」を被覆して他の層間絶縁層Ｉ２を形成し、他の層間絶縁層Ｉ２に前記「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」に一体となっている他の導体パターンＣ２部分に到達するバイアホール形成用穴２を形成し、そのバイアホール形成用穴２内に上記（コ）ないし（ス）の工程の繰返しにより、前記「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」に一体となっている他の導体パターンＣ２部分の直上に位置してその「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」に接続される他の上層の「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ３部分」を積層形成する工程があるといえる。
　
　（ソ）上記（１）の（ア）、（カ）、上記（サ）及び（シ）並びに図１及び図２からみて、バイアホール形成用穴２の直径は、３０μｍであり（上記（１）の（カ）の段落【００２０】参照。）、０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ１（上記（１）の（カ）の段落【００２１】参照。）、０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ２（上記（１）の（カ）の段落【００２１】参照。）、３．０μｍのＣｕめっき層Ｌ３（上記（１）の（カ）の段落【００２３】参照。）及び１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ４（上記（１）の（カ）の段落【００２４】参照。）の合計４層からなる上層の導体パターンＣ２は、各層の厚さを合計すると４．３μmとなり、当該上層の導体パターンＣ２の厚さとバイアホール径との比率は０．１４３となるから、当該上層の導体パターンＣ２の厚さは、バイアホール径の１／２未満でかつ２５μｍ未満となることがわかる。
　
（３）上記（１）及び上記（２）並びに図面の記載を総合すると、引用文献には、次の発明（以下、「引用文献記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「導体パターンＣ１〜Ｃ６と層間絶縁層Ｉ１〜Ｉ５とが交互に積層され、下層の導体パターンＣ１と上層の導体パターンＣ２とがバイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分を介して接続されている多層構造のプリント配線板４を製造するに当たり、その製造工程の中に少なくとも下記（１）〜（７）の工程すなわち、
（１）基板１上に下層の導体パターンＣ１を形成する工程と、
（２）前記下層の導体パターンＣ１を被覆する層間絶縁層Ｉ１を形成し、その層間絶縁層Ｉ１に前記下層の導体パターンＣ１に到達するバイアホール形成用穴２を形成する工程と、
（３）前記バイアホール形成用穴２を含む前記層間絶縁層Ｉ１の表面にスパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬを形成する工程と、
（４）前記スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ上にめっきレジスト３を形成する工程と、
（５）前記めっきレジスト３の非形成部分に電解めっきを施して、導体パターンＣ２を形成する工程と、
（６）前記めっきレジスト３を除去するとともに、そのめっきレジスト３下にある前記スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬを除去することにより、各々スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬとその上に形成された電解めっきによるＣｕめっき層Ｌ３及びＮｉめっき層Ｌ４とからなる上層の導体パターンＣ２およびバイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分を形成する工程と、
（７）前記バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分を被覆して他の層間絶縁層Ｉ２を形成し、他の層間絶縁層Ｉ２に前記バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分に一体となっている他の導体パターンＣ２部分に到達するバイアホール形成用穴２を形成し、そのバイアホール形成用穴２内に前記（３）〜（６）の工程の繰返しにより、前記バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分に一体となっている他の導体パターンＣ２部分の直上に位置してそのバイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分に接続される他の上層のバイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ３部分を積層形成する工程と、を含み、
　前記上層の導体パターンＣ２の厚さは、前記バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分の直径の０．１４３でかつ４．３μｍであるように形成される多層構造のプリント配線板４の製造方法。」
　
　
３．対比
　本件発明と引用文献記載の発明とを対比すると、引用文献記載の発明における「導体パターンＣ１〜Ｃ６」は、その機能、構造又は技術的意義からみて、本件発明における「導体回路」に相当し、以下同様に、「層間絶縁層Ｉ１〜Ｉ５」は「層間樹脂絶縁層」に、「下層の導体パターンＣ１」は「下層の導体回路」に、「上層の導体パターンＣ２」は「上層の導体回路」に、「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分」は「充填バイアホール」に、「多層構造のプリント配線板４」は「多層プリント配線板」に、「基板１」は「基板」に、「下層の導体パターンＣ１を被覆する層間絶縁層Ｉ１」は「下層の導体回路を被覆する層間樹脂絶縁層」に、「バイアホール形成用穴２」は「開口部」に、「めっきレジスト３」は「めっきレジスト」に、「電解めっき」は「電解めっき」に、「導体パターンＣ２」は「導体層」に、「電解めっきによるＣｕめっき層Ｌ３及びＮｉめっき層Ｌ４」は「電解めっき膜」に、「他の層間絶縁層Ｉ２」は「他の層間樹脂絶縁層」及び「その層間樹脂絶縁層」のそれぞれに、「他の上層のバイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ３部分」は「他の充填バイアホール」に、それぞれ相当する。
　また、引用文献記載の発明における「０．１４３」は、本件発明における「１／２未満」に包含され、同様に、「４．３μｍ」は「２５μｍ未満」に包含される。
　さらに、引用文献記載の発明における「スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ」は、「金属膜」という限りにおいて、本件発明における「無電解めっき膜」に相当し、以下同様に、「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分に一体となっている他の導体パターンＣ２部分に到達する」は「充填バイアホール又は当該充填バイアホールと一体となっている上層の導体回路に到達する」という限りにおいて「充填バイアホールに到達する」に、「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分に一体となっている他の導体パターンＣ２部分の直上」は「充填バイアホール又は当該充填バイアホールと一体となっている上層の導体回路の直上」という限りにおいて「充填バイアホールの直上」に、それぞれ相当する。
　
　したがって、本件発明と引用文献記載の発明は、次の一致点及び相違点を有するものである。
　
　＜一致点＞
　「導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積層され、下層の導体回路と上層の導体回路とが充填バイアホールを介して接続されている多層プリント配線板を製造するに当たり、その製造工程の中に少なくとも下記（１）〜（７）の工程すなわち、
（１）基板上に下層の導体回路を形成する工程と、
（２）前記下層の導体回路を被覆する層間樹脂絶縁層を形成し、その層間樹脂絶縁層に前記下層の導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
（３）前記開口部を含む前記層間樹脂絶縁層の表面に金属膜を形成する工程と、
（４）前記金属膜上にめっきレジストを形成する工程と、
（５）前記めっきレジストの非形成部分に電解めっきを施して、導体層を形成する工程と、
（６）前記めっきレジストを除去するとともに、そのめっきレジスト下にある前記金属膜を除去することにより、各々金属膜とその上に形成された電解めっき膜とからなる上層の導体回路および充填バイアホールを形成する工程と、
（７）前記充填バイアホールを被覆して他の層間樹脂絶縁層を形成し、その層間樹脂絶縁層に前記充填バイアホール又は当該充填バイアホールと一体となっている上層の導体回路に到達する開口部を形成し、その開口部内に前記（３）〜（６）の工程の繰返しにより、前記充填バイアホール又は当該充填バイアホールと一体となっている上層の導体回路の直上に位置してその充填バイアホールに接続される他の充填バイアホールを積層形成する工程と、を含み、
　前記上層の導体回路の厚さは、前記充填バイアホールの直径の１／２未満でかつ２５μｍ未満であるように形成される多層プリント配線板の製造方法。」
　
　＜相違点＞
　なお、〈　〉内に、本件発明において相当する発明特定事項を示す。
（１）相違点１
　開口部を含む層間樹脂絶縁層の表面に形成する金属膜に関し、 
　本件発明においては、「無電解めっき膜」であるのに対し、引用文献記載の発明においては、「スパッタリングによるＣｒ薄層Ｌ１及びＣｕ薄層Ｌ２から成る下地層ＵＬ」である点（以下、「相違点１」という。）。 
　
（２）相違点２
　充填バイアホールと他の充填バイアホールとの配置に関し、 
　本件発明においては、他の充填バイアホールの開口部が「充填バイアホールに到達」して、他の充填バイアホールが「充填バイアホールの直上に位置」するのに対し、引用文献記載の発明においては、他の充填バイアホールの開口部が「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分〈充填バイアホール〉に一体となっている他の導体パターンＣ２部分に到達」して、他の充填バイアホールが「バイアホール形成用穴２内に充填された導体パターンＣ２部分〈充填バイアホール〉に一体となっている他の導体パターンＣ２部分の直上に位置」するが、他の充填バイアホールの開口部が「充填バイアホールに到達」して他の充填バイアホールが「充填バイアホールの直上に位置」するものであるのか不明である点（以下、「相違点２」という。）。 
　
４．当審の判断
　上記各相違点について以下に検討する。
（１）相違点１について
　前記２．（１）（オ）で摘記したように、引用文献の段落【００１６】には、「銅めっき層の下地層を形成する方法は、上記の薄膜法に限るものではなく、第１層目の層間絶縁層表面に無電解めっき用接着剤を形成し、その表面を酸によって粗化するか、或いは層間絶縁層表面を化学的手段や機械的手段によって粗化し、次いで無電解めっき触媒（パラジウムなど）を付加した後に、無電解めっき処理を施す方法であってもかまわない」と記載されている。
　そうすると、引用文献記載の発明において、金属膜として無電解めっき膜を採用し、当該相違点１に係る本件発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点２について
　多層プリント配線板の製造方法において、電解めっきにより充填された充填バイアホールの上層のものと下層のものとの配置に際し、上層の他の充填バイアホールの開口部が下層の充填バイアホールに到達して、上層の他の充填バイアホールが下層の充填バイアホールの直上に位置させることは、従来周知の技術（以下、「周知技術」という。例えば、特開平５−２１８６４５号公報の特に、段落【０００７】及び【０００８】並びに図１及び２、特開平７−７９０７８号公報の特に、段落【００１１】ないし【００１３】及び図１参照。）である。
　そうすると、引用文献記載の発明において、電解めっきにより充填された充填バイアホールの上層のものと下層のものとの配置に際し、上記周知技術を採用し、当該相違点２に係る本件発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本件発明を全体として検討しても、本件発明の奏する効果は引用文献記載の発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用文献記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。