【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ヨーロッパ特許出願公開第５４２, ００８号明細書に記載されている反射防止用組成物は、高芳香族性のポリマー、例えばノボラック、ポリビニルフェノール類、ポリビニルフェノールとスチレンまたはα−メチル−スチレン等のコポリマーをベースとしている。更にこの反射防止膜は光像形成性ではなく、乾式エッチングしなければならない。吸収性成分を場合によっては含有していてもよいプレナ化 (planarizing)膜は公知であり、地勢的構造をプレナ化しそして反射を防止するのに使用されてきた。プレナ化層は相当に厚く、１または２ミクロンのオーダーである。かゝる層は英国特許第２, １３５, ７９３号明細書、同第４, ５５７, ７９７号明細書および米国特許第４, ５２１, ２７４号明細書に説明されている。しかしながらこれらの層は乾式エッチングかまたは有機溶剤、例えばメチルイソブチルケトンで除去しなければならない。半導体工業において水溶液でコーティング層を除去することは有機溶剤よりも非常に有利である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
米国特許第５，８８２，９９６号明細書には、現像剤溶解性反射防止膜格子間層が使用されるデュアル・ダマッシェ(dual damaschene) 連結部(interconnections)のパターン化法が開示されている。反射防止膜は2 つのフォトレジスト層の間に形成されそして３００〜７００Åの有利な厚さ、１．４- ２．０の屈折率を有しそして水溶性である。この反射防止膜は光像形成性を有しておらず、この反射防止膜の化学的性質について説明がない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
特に有利な一つの実施態様においては反射防止膜のポリマーはアルカリ可溶性である少なくとも一つの構成単位および吸収性発色団を有する一つの構成単位を含有している。吸収性発色団の例には、各環に３〜１０個の炭素原子が存在する１〜４個の別々のまたは融合した環を持つを炭化水素芳香族部分およびヘテロ環芳香族部分がある。酸不安定基を含有するモノマーと重合し得る吸収性発色団を持つモノマーの例には、置換されたおよび非置換のフェニル、置換されたおよび非置換のアントラシル、置換されたおよび非置換のフェナントリル、置換されたおよび非置換のナフチル、酸素、窒素、硫黄またはそれらの組合せの様なヘテロ原子を含有する置換されたおよび非置換のヘテロ環、例えばピロリジニル、ピラニル、ピペリジニル、アクリジニル、キノリニルを有するビニル化合物である。他の発色団は米国特許第６，１１４，０８５号明細書、同第５，６２５，２９７号明細書、同第５，９８１，１４５号明細書、同第５，９３９，２３６号明細書、同５，９３５，７６０号明細書および同第６，１８７，５０６号明細書に記載されており、これらも使用することができ、ここに全て記載したこととする。有利な発色団は置換されたおよび非置換のフェニル、置換されたおよび非置換のアントラシルおよび置換されたおよび非置換のナフチルのビニル化合物であり、特に有利なモノマーはスチレン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、安息香酸ビニル、ビニル４−第三ブチルベンゾエート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、フェノキシプロピルアクリレート、２−（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル−アクリレート、フェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、９−アントラセニルメチル−メタクリレート、９−ビニルアントラセン、２−ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ）フェニル−メタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ニトロフェニルアゾ）フェニル−メタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−エトキシカルボニルフェニルアゾ）フェニル−メタクリルアミド、Ｎ−（２，４−ジニトロフェニルアミノフェニル）マレイミド、３−（４−アセトアミノフェニル）アゾ−４−ヒドロキシスチレン、３−（４−エトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ヒドロキシフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ニトロフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−メトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレートがある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
アルカリ可溶性基と吸収性発色団との両方を含有しそして本発明に適するポリマーの例には、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−アルキノールマレイミド、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルアルコール、無水マレイン酸、マレイン酸、マレイミド、Ｎ−ヒドロキシメチル−アクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、３−（４−スルホフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレートおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシカルボニルフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレートおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミドおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩の少なくとも１種類とスチレン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、ビニルベンゾエート、ビニル４−第三ブチルベンゾエート、エチルグリコールフェニルエーテルアクリレート、フェノキシプロピルアクリレート、２−（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、フェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、９−アントセニルメチル−メタクリレート、９−ビニルアントラセン、２−ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ）フェニル−メタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ニトロフェニルアゾ）フェニル−メタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−エトキシカルボニルフェニルアゾ）フェニル−メタクリアミド、Ｎ−（２，４−ジニトロフェニルアミノフェニル）マレイミド、３−（４−アセトアミノフェニル）アゾ−４−ヒドロキシスチレン、３−（４−エトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ヒドロキシフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ニトロフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−メトキシカルボニルフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレートの少なくとも１種類とのコポリマーがある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
有利なのはトリフェニルフェノール、２−ヒドロキシフルオレン、９−アントラセンメタノール、２−メチルフェナントレン、２−ナフタレンエタノール、２−ナフチル−β−ｄ−ガラクトピラノサイド−ヒドリド、マレイン酸のベンジルメバロン酸ラクトンエステル、３−（４−スルホフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレートおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシカルボニルフェニル）アゾアセトアセトキシ−エチルメタクリレートおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシカルボニルフェニルアゾ）フェニル−メタクリルアミドおよびそれのテトラヒドロアンモニウム塩、スチレン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、ビニルベンゾエート、ビニル４−第三ブチルベンゾエート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、フェノキシプロピルアクリレート、２−（４−ベンゾイル−３−ヒドロキシフェノキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、フェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、９−アントラセニルメチル−メタクリレート、９−ビニルアントラセン、２−ビニルナフタレン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−ニトロフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（３−ヒドロキシ−４−エトキシカルボニルフェニルアゾ）フェニルメタクリルアミド、Ｎ−（２，４−ジニトロフェニルアミノフェニル）マレイミド、３−（４−アセトアミノフェニル）アゾ−４−ヒドロキシスチレン、３−（４−エトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ヒドロキシフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−ニトロフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレート、３−（４−メトキシカルボニルフェニル）アゾ−アセトアセトキシ−エチルメタクリレートのモノマーまたはホモポリマーまたはコポリマーである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
新規の組成物の吸収パラメータ（ｋ）は楕円偏光法を用いて測定した時、約０．１〜約１．０、好ましくは約０．１５〜約０．７の範囲内である。反射防止膜の屈折率（ｎ）も最適化される。ｋおよびｎの最適範囲の正確な値は使用される露光波長および適用法に左右される。一般に１９３ｎｍではｋの有利な範囲は０．２〜０．７５であり、２４８ｎｍではｋの有利な範囲は０．２５〜０．８でありそして３６５ｎｍでは有利な範囲は０．２から０．８である。反射防止膜の厚さは表面層フォトレジストの厚さよりも薄い。反射防止膜の厚さは好ましくは（露光波長／屈折率）の値よりも小さく、更に好ましくは（露光波長／２倍の屈折率）の値よりも小さく、その際に屈折率は反射膜のそれでありそして楕円偏光測定器で測定することができる。反射防止膜の最適な膜厚は露光波長、基体、反射膜のおよびフォトレジストの屈折率、および表面層および底層の吸収特性によって決められる。底層反射膜は露光および現像段階によって除かなければならないので、最適な膜厚は、光の吸収が反射膜にない光学的節点またはスタンディング波(standing wave) を避けることによって測定される。１９３ｎｍでは５５ｎｍより薄い膜厚が有利であり、２４８ｎｍでは８０ｎｍより薄い膜厚さが有利でありそして３６５ｎｍでは１１０ｎｍよりも薄い膜厚が有利である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
反射防止膜用組成物は当業者に熟知された技術、例えば浸漬塗布法、回転塗布法または吹き付け塗布法を用いて基体にコーティングされる。有利な温度範囲は約４０〜約２４０℃、好ましくは約７０℃〜約１６０℃である。反射防止膜の膜厚は約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲内である。最適な膜厚は、ステンディング波がフォトレジスト中に観察されない場所で業界において熟知されている様に測定される。新規の組成物について非常に薄いコーティング膜が該膜の優れた吸収性および屈折率特性であることから予期せず使用できることが判った。更にコーティング膜はホットプレート上でまたは熱対流炉中で全ての残留溶剤を除去するのに十分な長さの期間加熱して、反射防止膜とフォトレジスト層との間の混ざり込みを避けるために不溶性化する。反射防止膜もこの段階ではアルカリ現像溶液には溶解する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
（式中、Ｒｆ1 およびＲｆ2 は互いに無関係に過弗素化されたまたは部分的に弗素化されたアルキル基であり、そして  ｎは１〜８である。）
で表される少なくとも１種類である。ネガ型フォトレジスト組成物はポリ［５−（２−トリフェニルメチル−１，１，１−トリフルオロ−２−ヒドロキシプロピル）−２−ノルボルネン］，テトラメトキシグリコールウリル、トリフェニルスルホニウム−トリフラートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが含まれる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
５ｇの上記のポリマーを１０ｇの４０％の水性Ｎ−メチルアミンおよび２０ｇのＮ−メチルピロリドンに添加する。この混合物を冷却器を備えた１００ｍＬの丸底フラスコ中で加熱しそして７０℃で３時間攪拌する。次いで反応混合物を攪拌下に５％濃度塩酸水６００ｍＬに添加する。スラリーを濾過しそして脱イオン水で良く洗浄する。ポリマーを減圧下に５０℃で乾燥する。このポリマーの重量平均分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーによって測定した時４８，２００であった。このポリマーの膜は１９３ｎｍでの屈折率および吸収度のｎおよびｋについてそれぞれ１．５９９および０．６４４が得られる（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  ＷＶＡＳＥ３２TM  楕円偏光測定器によって測定）。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
リソグラフィー例１：
配合例１の底層反射防止膜用溶液を、ＨＭＤＳを下塗りした６インチシリコンウェハにコーティングし、３００Åの均一な膜を得る。底層反射防止膜を９０℃で６０秒間ソフトベーク処理して乾燥ポリマー膜を得る。配合例５からのネガ型フォトレジストを底層反射防止膜を有するウェハの表面にコーティングして３，３００Åの厚さのフォトレジスト層を得、そして９０℃で６０秒間ソフトベーク処理する。次いでコーティングされたウェハを、石英二層マスク上からクロムを用いて１９３ｎｍのＩＳＩミニステパー（０．６のアペーチュア番号および０．７のコヒーレンス）で露光する。この二層マスクは線および空間のパターンを有する。露光後にウェハを１５０℃で６０秒間後露光ベーク処理する。後露光（ＰＥＢ）直後にウェハを水性現像剤のＡＺ  ３００  ＭＩＦ（Ｃｌａｒｉａｎｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ、Ｎ．Ｊ．）で６０秒間現像し、脱イオン水で１５秒すすぎそして噴霧乾燥する。得られる構造物を走査電子顕微鏡で測定し、そして明らかになった像は混ざり込みがなくそして０．４μｍの濃密な線がスタンディング波なしに解像される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
リソグラフィー例４：
ＨＭＤＳを下塗りした６インチのシリコンウェハに配合例３の底層反射防止膜をコーティングして６００Åの均一な膜を得る。この底層反射防止膜を９０℃で６０秒間のソフトベーク処理する。ネガ型ｉ−ラインフォトレジストＡＺ(R) ＮＬＯＦ５５１０（Ｃｌａｒｉａｎｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの製品）を、適用された反射防止膜の表面にコーティングして０．９８６μｍの厚さのフォトレジスト層を生成し、９０℃で６０秒ソフトベーク処理する。コーティングされたウェハを３６５ｎｍステップおよび複写露光手段を使用し線および空間のパターンマスクを用いて露光する。１１０℃／６０秒の後露光ベーク処理を使用する。後露光ベーク処理の直後にウェハをＡＺ３００ＭＩＦ現像剤で１２０秒現像し、脱イオン水で１５秒間すすぎ処理しそして噴霧乾燥する。得られる構造物は鮮明に形成されている。