【事件の表示】
　特願２００６−２２６５１７「光電変換素子及び撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月　５日出願公開、特開２００７−　８８４４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１８年８月２３日（優先日：平成１７年８月２３日、出願番号：特願２００５−２４０９６３号）の出願であって、平成２３年２月２１日に手続補正がなされたが、平成２３年３月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 
 　 
第２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年６月２７日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
 　 
　「基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、
　前記光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであって、その膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜が、前記光電変換膜上にスパッタ法により形成されたものであって、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換素子。」 
 　 
第３　平成２２年１２月１０日付けで通知された拒絶理由の概要 
１　記載不備（特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号）
　平成２２年１２月１０日付けで通知された記載不備の拒絶理由は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載に接する当業者が、透明導電性薄膜の膜厚を光電変換膜厚みとの関係で規定した光電変換素子の意義を理解することが困難であり、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえないとの理由と、特許請求の範囲の記載が本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえないとの理由によるものである。
　
２　新規性・進歩性（特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項）
　平成２２年１２月１０日付けで通知された他の拒絶理由は、本願発明が、本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された、特開２００３−１５８２５４号公報（以下「引用刊行物」という。）に記載されたものであるとの理由と、引用刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとの理由によるものである。
　
第４　当審判断
１　記載不備（特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号）  　 
（１）　本願明細書の記載 
　本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 
 　 
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光電変換層の上部に透明電極を有する固体撮像素子に関するものであり、高感度でノイズが少なく、かつ歩留まりが高い固体撮像素子を提供する。
【背景技術】
【０００２】
　光電変換部の上に透明電極を形成した光電変換素子においては、光電変換部内に入射する光の絶対量を増加させ、光電変換後のキャリア読み出しの効率を上げるために、これまで該透明電極の透過率はより高いものが求められてきた。そのような高透過率と低抵抗値を考えた場合、一般に、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）薄膜が好ましいと考えられる。ＴＣＯ透明電極の形成は、一般にスパッタ法などにより行われるが、その場合、Al電極などに比較して、短絡部の増加が原因と思われるリーク電流の増大が生じやすく、S/Nの悪化、性能のばらつき、場合によっては完全にDCショートが生じて素子が駆動しない、などの問題が生じる。
  通常、透明導電性酸化物薄膜をスパッタ等で有機膜上に成膜する場合、有機膜へのダメージを低減するために、金属層、あるいは特定の有機物層を保護層として有機膜上に薄く積層させる方法が知られている。これにより、リーク電流の増大を減じさせる事ができる場合があるが、このような保護層の導入は、そのデバイスの他の性能を劣化させる要因となる場合があった。
　特開平５−２９９６８２号公報は光起電力素子に関するものであるが、透明電極の好ましい厚みが１〜１０００ｎｍであるとの記載があるのみで透明導電性薄膜の膜厚と光電変換薄膜厚との比率に付いては一切記載がない。又特開２００３−３３２５５１号公報は積層型固体撮像素子に関するものであり、基体上の光電変換膜の上に形成された光入射側の電極としてはＡｇ電極８０nmの例が記載されているが、この場合、膜自体の光透過率は低く透明電極とは言えず、開口部を設ける事で光入射を行っており、光電変換膜とその上部に積層された光入射可能な透明導電性膜の厚み、比率についての記述はない。」
　
 イ　「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　上部透明電極を有する固体撮像素子について、暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　本発明は下記の手段により、解決された。
（１）　基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性薄膜の膜厚が該光電変換膜厚みの１／５以下であることを特徴とする光電変換素子。
（２）　前記透明導電性薄膜の膜厚が光電変換膜厚みの１／１０以下であることを特徴とする（１）に記載の光電変換素子。
（３）　基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性薄膜の膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換素子。
（４）　前記光電変換膜の膜厚が３５０ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の光電変換素子。
（５）　前記透明導電性薄膜が透明導電性酸化物からなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６）　前記透明導電性薄膜の光透過率が光波長４００〜７００ｎｍの範囲で７５％以上であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の光電変換素子。（７）　前記透明導電性薄膜のシート抵抗が１００Ω/□以上１００００Ω/□以下であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（８）　前記透明導電性薄膜がプラズマフリーな方法で成膜されることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の光電変換素子。
（９）　前記光電変換膜に、顔料系材料層が含まれることを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）　前記顔料系材料層の膜厚が７５ｎｍ以上であることを特徴とする（９）に記載の光電変換素子。
（１１）　前記顔料系材料層の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする（９）または（１０）に記載の光電変換素子。
（１２）　半導体基板内に無機光電変換膜を有し、該無機光電変換膜の上方に（１）〜（１１）のいずれかに記載の光電変換膜を積層してなる光電変換素子。
（１３）　（１）〜（１２）のいずれかに記載の光電変換素子を有する撮像素子。」
　 
ウ　「【発明の効果】
【０００５】
　本発明により、光電変換素子を高感度、低ノイズにし、さらに素子の歩留まりを上げる事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
　基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、透明導電性薄膜の厚みが、光電変換膜厚みの１／５以下、好ましくは１／１０以下であるような光電変換素子が本発明の特徴である。
　本発明では光電変換膜とはｎ型半導体、ｐ型半導体のような半導体からなる層、及び電荷輸送層を含む、対向電極（好ましくは透明導電性薄膜）と画素電極（好ましくは導電性薄膜）に挟まれた膜を意味する。本発明の光電変換膜の膜厚は３５０ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましい。
【０００７】
　透明導電性酸化物（ＴＣＯ）などの透明導電性薄膜を光電変換膜上に積層した場合に生じる、リーク電流増大の原因の一つは、光電変換膜に導入される微細なクラックがＴＣＯなどの緻密な膜によってカバレッジされ、反対側の導電性薄膜との間の導通が増すためと考えられる。そのため、Ａｌなど膜質が比較して劣る電極の場合、リーク電流の増大は生じにくい。本発明では、上記の現象、考察を踏まえて、透明導電性薄膜の膜厚を、光電変換膜の膜厚（すなわち、クラックの深さ）に対して制御する事により、リーク電流の増大を大きく抑制できる事を見出した。透明導電性薄膜の厚みは、光電変換膜厚みの１／５以下、好ましくは１／１０以下（好ましくは、１／１００以上）であるようにする事が望ましい。
【０００８】
　通常、導電性薄膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本発明の光電変換素子においては、シート抵抗は、好ましくは１００Ω/□以上１００００Ω/□以下でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、透明導電性薄膜は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、非常に好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、透過率の増加を考慮すると、透明導電性薄膜の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である事が望ましい。
　前記透明導電性薄膜の光透過率が光波長４００〜７００ｎｍの範囲で７５％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、さらに好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。
　本発明の効果は、より緻密な膜を透明導電性薄膜として適用した場合に顕著に表れる。透明導電性薄膜としては、高透過率、低抵抗率であることから、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が好ましく考えられるが、一般に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）膜はAlなどの金属薄膜に対し緻密な膜が形成されるため、本発明の効果が顕著に表れる。
【０００９】
　本発明の効果は、クラックが入りやすいような、結晶性の膜（即ち粒界を有する層を含む膜）が含まれる光電変換膜に対して特に顕著である。光電変換膜として有機薄膜を適用する場合、顔料系材料が光電変換膜中に含まれると、本発明の効果は大きい。また、膜の不均一性が増すため、顔料系材料による膜厚が増すと、本発明の効果はさらに大きくなる。光吸収や十分な光電変換性能を有せさせるためには、ある範囲で顔料系材料の膜厚は厚い方が良く、好ましくは７５ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上（好ましくは１０００ｎｍ以下）である。粒界は電子顕微鏡等で確かめられる。
　顔料系材料としては、通常の顔料、即ち有機顔料、及び無機顔料が上げられ、水、有機溶媒にほとんど不溶の物質を言い、本発明では、上記のような結晶性の膜を形成する材料を意味する。また、水、有機溶媒に溶解する物質でも、固体状態で用いて結晶性の膜を形成する材料も含まれることとする。顔料系材料としては有機顔料が好ましく、有機顔料としては後記の色素、即ち、ｐ型有機色素、又はｎ型有機色素のうちの顔料が好ましく用いられる。
【００１０】
　光電変換膜として有機膜を想定した場合、該透明導電性薄膜を通常のスパッタ法などで成膜すると、プラズマによるダメージにより、光電変換層の性能が劣化する場合がある。このため、透明導電性薄膜の成膜は、プラズマフリーな方法で成されることが好ましい。ここで、プラズマフリーとは、透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しないか、またはプラズマ発生源から基体までの距離が２ｃｍ以上、好ましくは１０ｃｍ以上、更に好ましくは２０ｃｍ以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。
　透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、例えば、電子線蒸着装置（ＥＢ蒸着装置）やパルスレーザー蒸着装置がある。ＥＢ蒸着装置またはパルスレーザー蒸着装置については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」（シーエムシー刊、１９９９年）、沢田豊監修「透明導電膜の新展開ＩＩ」（シーエムシー刊、２００２年）、日本学術振興会著「透明導電膜の技術」（オーム社、１９９９年）、及びそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。以下では、ＥＢ蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をＥＢ蒸着法と言い、パルスレーザー蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をパルスレーザー蒸着法と言う。」
　 
エ　「【００４８】
［実施例］
　下記に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、勿論この例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４９】
　前記好ましい光電変換素子構造において、本発明及び比較例の透明画素電極１１４はＩＴＯを使用し、その膜厚は１００ｎｍであった。本発明及び比較例の透明電極１０５はＩＴＯを使用し、その膜厚は本発明が１０ｎｍ、比較例が５０ｎｍであった。透明画素電極の成膜方法はｒｆマグネトロンスパッタ法（ＴＳ間距離１０ｃｍ）を用いて、導入Ｏ２量は０％で、成膜時の温度は２５℃とした。本発明の透明電極はｒｆマグネトロン法（ＴＳ間距離１０ｃｍ）を用いて、導入Ｏ２量は０％で、成膜時の温度は２５℃、成膜時間４分５０秒により成膜した。一方、比較例の透明電極はｒｆマグネトロンスパッタ法（ＴＳ間距離１０ｃｍ）を用いて、導入Ｏ２量は０％で、成膜時の温度は２５℃として成膜時間２３分３０秒により成膜した。好ましい光電変換素子の有機層１０７〜１１０の代わりに、基板側から、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ）、２−９−ジメチルキナクリドンをそれぞれ５０、１００ｎｍ加熱蒸着により成膜した。透明電極１０５側に-電圧を１Ｖ印加した時、比較例の暗電流値を１とすると、本発明では０．００１に減少した。
　本発明により、Ｓ／Ｎ比が良い素子を作成する事ができた。」 
 　 
（２）　検討 
ア　前記第２のとおり、本願発明は、光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであって、その膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜が、前記光電変換膜上にスパッタ法により形成されたものであって、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるものと認められる。
　
イ　また、上記（１）イ及びウ（【０００３】、【０００６】及び【０００７】を参照。）によれば、本件出願は、上部透明電極を有する固体撮像素子について、暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善することを目的とするものと認められ、透明導電性薄膜の厚みが、光電変換膜厚みの１／５以下、好ましくは１／１０以下であるような光電変換素子を特徴とし、光電変換膜の膜厚は３５０ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましいことが記載され、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）などの透明導電性薄膜を光電変換膜上に積層した場合に生じる、リーク電流増大の原因の一つは、光電変換膜に導入される微細なクラックがＴＣＯなどの緻密な膜によってカバレッジされ、反対側の導電性薄膜との間の導通が増すためと考えられることから、透明導電性薄膜の膜厚を、光電変換膜の膜厚（すなわち、クラックの深さ）に対して制御する事により、リーク電流の増大を大きく抑制できる事を見出した旨説明されていることが認められる。
　  　 
ウ　さらに、上記（１）ウ（【０００８】及び【０００９】を参照。）によれば、導電性薄膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本願発明の光電変換素子においては、シート抵抗は、好ましくは１００Ω/□以上１００００Ω/□以下でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きく、また、透明導電性薄膜は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増加し、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させ、薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、透過率の増加を考慮すると、透明導電性薄膜の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である事が望ましいことなどが紹介されていることが認められる。 
 　 
エ　しかるに、本願明細書には、従来、光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成され、その膜厚が１５０ｎｍ以上であり、透明導電性酸化物薄膜が、光電変換膜上にスパッタ法により形成されたものであって、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるものが知られていたか否かといった、本願発明の前提となる従来例との比較等の開示がない。
　
オ　そして、本願明細書には、リーク電流増大の原因の一つが光電変換膜に導入される微細なクラックであることは示されているが、透明導電性薄膜の膜厚を光電変換膜厚みとの関係で規定することと光電変換膜に導入される微細なクラックとの関係が示されておらず、透明導電性薄膜の膜厚を光電変換膜厚みとの関係で規定することで、いかなる問題を解決したのかが不明である。
　
カ　さらに、本願明細書には、光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上とし、透明導電性酸化物薄膜の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下としたことによるリーク電流抑制の効果を認めるに足る具体的な試験結果等の実施例の記載は見当たらず、当該数値範囲全体にわたる十分な実施例が示されていない事情のもとでは、どのような設計思想に基づけば、暗電流の増大や歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善できるのかが、当業者の予測の限りでなく、光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上とし、透明導電性酸化物薄膜の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする本願発明によって、改善された固体撮像素子を得ることができるものと認めるには至らず、本願明細書の発明の詳細な説明が、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。 
 　 
キ　そして、光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上とし、透明導電性酸化物薄膜の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが、リーク電流抑制とどのように関連しているのかが本願明細書の発明の詳細な説明に明らかにされておらず、本願発明は、当業者が出願時の技術常識に照らしても、上記リーク電流抑制なる効果を認識することができないから、本願発明は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえない。
　
（３）　小括
　以上のとおりであるから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、拒絶されるべきものである。
　
２　進歩性（特許法第２９条第２項）
（１）引用刊行物の記載事項・引用発明
　引用刊行物には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付した。）。
　
ア　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、光導電膜および光導電膜を有する固体撮像装置に関する。」
　
イ　「【００２５】
【発明の実施の形態】本発明に係る光導電膜および固体撮像装置の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、図を参照して、以下に説明する。
【００２６】まず、本実施の形態の第１の例に係る光導電膜について、図１を参照して説明する。
【００２７】本実施の形態の第１の例に係る光導電膜１０は、図１に示すように、
基板１２の上に電極層１４が設けられ、電極層１４の上に感光層１６として第１の有機層１８および第２の有機層２０が積層され、さらに第２の有機層２０の上に電極層２２が設けられた２層積層型の光導電膜である
【００２８】基板１２は、基板１２の側から光を照射して用いるときは、透明性の高い材料を用いることが好ましく、このような材料としては、例えば、ガラス、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン等を挙げることができる。一方、基板１２の側から光を照射しないときは、基板１２が透明性を有する必要はないため、基板１２の材料として、上記のガラス等の材料のほかに、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ等を用いることができる。
【００２９】第１の有機層１８および第２の有機層２０は、例えば第１の有機層１８がドナー性有機材料で形成され、第２の有機層２０がアクセプター性有機材料で形成される。但し、第１の有機層１８をアクセプター性有機材料で形成し、第２の有機層２０をドナー性有機材料で形成してもよい。
【００３０】ドナー性有機材料とは、主に正孔輸送性有機材料に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機材料をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機材料をいう。したがって、ドナー性有機材料は、電子供与性のある有機材料であればいずれの有機材料も使用可能であり、例えば、トリフェニルアミン類、ベンジジン類、ピラゾリン類、スチリルアミン類、ヒドラゾン類、トリフェニルメタン類、カルバゾール類、ポリシラン類、チオフェン類、フタロシアニン類、ポリアミン類等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、アクセプター性有機材料として用いた有機材料よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機材料であればドナー性有機材料として用いてよい。
【００３１】アクセプター性有機材料とは、主に電子輸送性有機材料に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機材料をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機材料をいう。したがって、アクセプター性有機材料は、電子受容性のある有機材料であればいずれの有機材料も使用可能であり、例えば、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン類、キノキサリン類、フェナンスロリン類、フラーレン類、アルミニウムキノリン類等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機材料として用いた有機材料よりも電子親和力の大きな有機材料であればアクセプター性有機材料として用いてよい。
【００３２】上記
第１の有機層および第２の有機層の厚みは、いずれも、好ましくは５ｎｍ〜１０μｍであり
【００３３】
電極層１４、２２は、電極層１４、２２の側から光を照射するときは、透明性の高い材料を用いて形成することが好ましく、このような材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、酸化スズ等を挙げることができる
【００３４】
電極層１４、２２の厚みは、光の透過性を確保する場合は２０〜１００ｎｍ程度の厚みの半透明性を有するものが好ましく
【００３５】ここで、上記のように構成した本実施の形態の第１の例に係る光導電膜１０の製造方法について説明する。
【００３６】基板１２は、一般的な方法により形成したものを適宜用いることができる。
【００３７】
感光層１６を構成する第１の有機膜１８および第２の有機膜２０は、いずれも以下の成膜方法によって形成する
【００３８】成膜方法として、スピンコート法、バーコート法、キャスト法、ディップ法等の湿式法を用いることができ、また、
真空蒸着法、多元有機分子線蒸着法、レーザアブレーション法、スパッタ法等の乾式法を用いることもできる
　
　上記ア及びイの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「基板１２の上に電極層１４が設けられ、電極層１４の上に感光層１６として第１の有機層１８および第２の有機層２０が積層され、さらに第２の有機層２０の上に電極層２２が設けられた２層積層型の光導電膜であって、第１の有機層および第２の有機層の厚みは、いずれも、５ｎｍ〜１０μｍであり、電極層１４、２２は、電極層１４、２２の側から光を照射するときは、透明性の高い材料を用いて形成することが好ましく、このような材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、酸化スズ等を挙げることができ、電極層１４、２２の厚みは、光の透過性を確保する場合は２０〜１００ｎｍ程度の厚みの半透明性を有するものが好ましく、感光層１６を構成する第１の有機膜１８および第２の有機膜２０は、蒸着法等によって形成する、光導電膜。」
　
（２）対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「基板１２」、「電極層１４」、「（第１の有機層１８および第２の有機層２０が積層された）感光層１６」、「（インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、酸化スズ等の透明性の高い材料を用いて形成された）電極２２」及び「光導電膜」は、本願発明の「基体」、「導電性薄膜」、「光電変換膜」、「透明導電性酸化物薄膜」及び「光電変換素子」に相当し、
　
イ　引用発明の「感光層１６を構成する第１の有機膜１８および第２の有機膜２０は、蒸着法等によって形成する」との事項は、本願発明の「光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであって」との事項に一致する。
　
　上記ア乃びイに照らせば、本願発明と引用発明とは、
　
　「基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、前記光電変換膜が、有機材料を蒸着することで形成されたものであって、前記透明導電性酸化物薄膜が、前記光電変換膜上に形成されたものである光電変換素子。」
　
である点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点
［相違点１］　透明導電性酸化物薄膜が、本願発明は、「光電変換膜上にスパッタ法により形成されたものであ」るのに対し、引用発明は、具体的な成膜方法が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　
［相違点２］　光電変換膜及び透明導電性酸化物薄膜の膜厚が、本願発明は、「光電変換膜は、その膜厚が１５０ｎｍ以上であ」って、「透明導電性酸化物薄膜が、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である」のに対し、引用発明は、「第１の有機層および第２の有機層の厚みは、いずれも、５ｎｍ〜１０μｍであ」って、「（感光層１６の第２の有機層２０の上に設けられた）電極層２２の厚みは、光の透過性を確保する場合は２０〜１００ｎｍ程度の厚みの半透明性を有する」点（以下「相違点２」という。）。
　
　上記相違点につき検討する。
　
［相違点１］について
　上記（１）イ【００３８】に、「成膜方法として、スピンコート法、バーコート法、キャスト法、ディップ法等の湿式法を用いることができ、また、真空蒸着法、多元有機分子線蒸着法、レーザアブレーション法、スパッタ法等の乾式法を用いることもできる。」と記載されるように、成膜方法の一つであるスパッタ法は本願の優先日時点で周知慣用技術である。
　してみれば、透明導電性酸化物薄膜を形成するに際して具体的な成膜方法を採用すべきところ、上記周知慣用技術を選択することは、当業者が適宜なし得ることである。
　そして、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことに当業者において格別の困難があるとは認められない。
　
［相違点２］について
　引用発明が「第１の有機層および第２の有機層の厚みは、いずれも、５ｎｍ〜１０μｍであ」って、「（感光層１６の第２の有機層２０の上に設けられた）電極層２２の厚みは、光の透過性を確保する場合は２０〜１００ｎｍ程度の厚みの半透明性を有する」ものであることに照らせば、引用発明において「（第１の有機層１８および第２の有機層２０が積層された）感光層１６」、すなわち光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上のものにするとともに、「電極層２２」、すなわち透明導電性酸化物薄膜の厚みを２０ｎｍ以上３０ｎｍ程度のものにし、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、前記１（２）カ及びキのとおり、光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上とし、透明導電性酸化物薄膜の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが、リーク電流抑制とどのように関連しているのかが本願明細書の発明の詳細な説明に十分に示されておらず、上記数値範囲における臨界的意義の根拠や有利な効果の顕著性が不明であることを踏まえると、光電変換膜の膜厚を１５０ｎｍ以上とし、透明導電性酸化物薄膜の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることにより、引用発明から予測できない程の顕著な効果が奏されるとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。
　
（３）　小括
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　 
第４ 　 
　以上のとおりであるから、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。