【事件の表示】
　特願２００３−　　５６０１「エピタキシャル基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４３２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１月１４日（優先権主張平成１４年５月１６日）の出願であって、平成２０年５月８日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２２日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月７日付けで拒絶査定された。
　これに対し、同年１２月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされ、平成２１年１月１３日に明細書に係る手続補正書が提出され、同年２月２０日に審判請求の理由に係る手続補正書が提出され、平成２３年６月２７日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、これに対する回答書が同年９月１日に提出された。
　その後、同年１２月７日付けで当審より拒絶理由が通知され、平成２４年２月１３日に意見書及び手続補正書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２４年２月１３日付けで提出された手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
　
「【請求項１】
　所定の単結晶基材と、この単結晶基材上に形成された、ＡｌＮからなるIII族窒化物下地膜とを具え、前記III族窒化物下地膜の表面に酸素濃度が５〜１０原子％であり、厚さが１０〜４０Åの層を含むと共に、
　前記III族窒化物下地膜の、表面から０．２μｍの深さにおける酸素濃度が、１０１８／ｃｍ３以下であり、
　前記層は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置し、前記反応管内の露点を−９０℃以下の条件の下で形成する、
ことを特徴とする、エピタキシャル基板。」
　
第３　当審の拒絶理由
　当審において、平成２３年１２月７日付けで通知した拒絶の理由のうち、「４．特許法第２９条第１項第３号について」の概要は、次のとおりである。
　
　本願発明１〜６は、国内優先権は認められず、その現実の出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、というものを含むものである。
　
第４　当審の判断
４−１．国内優先権について
　本願発明の発明特定事項である「III族窒化物下地膜の、表面から０．２μｍの深さにおける酸素濃度が、１０１８／ｃｍ３以下」である点は、先の特許出願（特願２００２−１４１３４０号）には開示されておらず、国内優先権は認められないから、新規性の判断は、本願出願日である平成１５年１月１４日を基準日として行うものとする。
　
４−２．引用文献の記載事項
　当審の拒絶理由に引用された、引用文献２（特開２００２−２７４９９６号公報には、次の事項が記載されている。
（２−ア）「単結晶材料からなる基板上と、この基板上に形成された、少なくともＡｌを含み、らせん転位密度が１×１０８／ｃｍ２以下のIII族窒化物膜とを具える・・・エピタキシャル下地基板。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（当審注：「単結晶材料からなる基板上」は、「単結晶材料からなる基板」の誤記と認める。）
（２−イ）「前記III族窒化物膜は、Ａｌを５０原子％以上含有する・・・請求項１に記載のエピタキシャル下地基板。」（特許請求の範囲【請求項２】）
（２−ウ）「前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されている・・・請求項２に記載のエピタキシャル下地基板。」（特許請求の範囲【請求項３】）
（２−エ）「本発明は、エピタキシャル下地基板及びエピタキシャル基板に関し、詳しくは複数のIII族窒化物膜から構成される半導体発光素子などの基板として好適に用いることのできる、エピタキシャル基板及びこのエピタキシャル基板を形成する際の下地基材として用いることのできる、エピタキシャル下地基板に関する。」（段落【０００１】）
（２−オ）「図１に示すエピタキシャル基板１０は、単結晶材料からなる基板１と、この基板１上に形成されたＡｌを含むIII族窒化物緩衝膜２と、このIII族窒化物緩衝膜２上に形成されたIII族窒化物下地膜３とを具えている。なお、基板１及びIII族窒化物緩衝膜２によって、エピタキシャル下地基板が構成される。
　基板１は、サファイア単結晶、・・・などの公知の基板材料から構成することができる。」（段落【００１８】〜【００１９】）
（２−カ）「また、III族窒化物緩衝膜２は、好ましくはＡｌを５０原子％以上含み、さらにはＡｌＮから構成されていることが好ましい。・・・」（段落【００２２】）
（２−キ）「上述した高結晶性のIII族窒化物緩衝膜２は、Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）又はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）などを用い、窒素供給原料としてアンモニアなどを用いて、ＭＯＣＶＤ法により基板１上に形成する。・・・」（段落【００２４】）
（２−ク）「【実施例】（実施例）基板としてｃ面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。Ａｌ供給原料としてＴＭＡを用い、Ｎ供給原料としてアンモニアガスを用いた。そして、アンモニアガスからなるＶ族供給原料と、ＴＭＡからなるIII族供給原料との比（Ｖ／III比）が４５０、圧力が１５Ｔｏｒｒとなるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記基板上に供給した。このとき前記基板を１２００℃まで加熱し、緩衝膜としてのＡｌＮ膜を厚さ１μｍに形成した。
　なお、（０００２）面のＸ線ロッキングカーブの測定を行なったところ半値幅は６０秒であり、極めて結晶性に優れることが判明した。また、表面平坦性（Ｒａ）を評価したところ２Åであり、表面平坦性にも優れる膜であることが判明した。・・・」（段落【００３７】〜【００３８】）
　
４−３．引用発明
（ａ）引用文献２には、記載事項（２−ア）に、「単結晶材料からなる基板と、この基板上に形成された、少なくともＡｌを含み、らせん転位密度が１×１０８／ｃｍ２以下のIII族窒化物膜とを具えるエピタキシャル下地基板。」が記載されている。
（ｂ）上記「少なくともＡｌを含み、らせん転位密度が１×１０８／ｃｍ２以下のIII族窒化物膜」について、記載事項（２−ウ）には、「前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されている」と記載され、記載事項（２−カ）には、「また、III族窒化物緩衝膜２は、好ましくはＡｌを５０原子％以上含み、さらにはＡｌＮから構成されていることが好ましい。」と記載されていることからみて、前記「らせん転位密度が１×１０８／ｃｍ２以下のIII族窒化物膜」は、「ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜」であるといえる。
（ｃ）上記「ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜」の形成について、記載事項（２−ク）には、「基板としてｃ面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、・・・緩衝膜としてのＡｌＮ膜を厚さ１μｍに形成した」と記載されている。この「ｃ面サファイア基板」は、記載事項（２−オ）に、「単結晶材料からなる基板１と、・・・基板１は、サファイア単結晶、・・・などの公知の基板材料」と記載されていることからみて、「単結晶材料からなる基板」であることは明らかであるから、上記「ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜」は、「反応管内に設置されたサセプタ上に単結晶材料からなる基板を載置して」形成されるといえる。
　
（ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）の検討を踏まえ、上記記載事項（２−ア）、（２−ウ）、（２−オ）、（２−カ）、（２−ク）の事項を本願発明の記載ぶりに即して整理すると、引用文献２には、
「単結晶材料からなる基板と、この基板上に形成された、ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜とを具え、前記ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜は、反応管内に設置されたサセプタ上に単結晶材料からなる基板を載置して形成されるエピタキシャル下地基板。」なる発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
４−４．対比・判断
（ａ）引用発明の「単結晶材料からなる基板」は、本願発明の「所定の単結晶基材」に相当する。
（ｂ）引用発明の「ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜」は、本願発明の「ＡｌＮからなるIII族窒化物下地膜」と、「ＡｌＮからなるIII族窒化物膜」である点で一致する。
（ｃ）本願発明の「前記層は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置し、前記反応管内の露点を−９０℃以下の条件の下で形成する」ことについて、本願明細書の段落【００３０】に、「単結晶基材としてＣ面サファイア基材を用い、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した。次いで、圧力を１５Ｔｏｒｒに設定して、水素キャリアガスを流速３ｍ／ｓｅｃとなるように供給した後、ヒータにより、前記基材を１２００℃まで加熱した。」と記載され、段落【００３１】に、「Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いるとともに、窒素供給原料としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用い、これら原料ガスを水素キャリアガスとともに、ＴＭＡとＮＨ３とのモル比が１：４５０となるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記基材上に供給した。そして、１２０分間エピタキシャル成長させることによって、下地膜としてのＡｌＮ膜を厚さ２μｍに形成し、エピタキシャル基板を作製した。」と記載されている。
　一方、引用発明の「前記ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜は、反応管内に設置されたサセプタ上に単結晶材料からなる基板を載置して形成される」ことについて、記載事項（２−ク）に、「基板としてｃ面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。Ａｌ供給原料としてＴＭＡを用い、Ｎ供給原料としてアンモニアガスを用いた。そして、アンモニアガスからなるＶ族供給原料と、ＴＭＡからなるIII族供給原料との比（Ｖ／III比）が４５０、圧力が１５Ｔｏｒｒとなるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記基板上に供給した。このとき前記基板を１２００℃まで加熱し、緩衝膜としてのＡｌＮ膜を厚さ１μｍに形成した。」と記載されており、キャリアガスとＡｌＮの膜厚以外の条件が共通する。
　上記（ｂ）の検討と併せみると、引用発明の「前記ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜は、反応管内に設置されたサセプタ上に単結晶材料からなる基板を載置して形成される」ことは、本願発明の「前記層は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置し、前記反応管内の露点を−９０℃以下の条件の下で形成する」ことと、「前記ＡｌＮからなるIII族窒化物膜は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置して形成する」点で共通する。
（ｄ）本願発明の「エピタキシャル基板」は、「所定の単結晶基材と、この単結晶基材上に形成された、ＡｌＮからなるIII族窒化物下地膜とを具え」たものである。
　一方、引用発明の「エピタキシャル下地基板」は、「単結晶材料からなる基板と、この基板上に形成された、ＡｌＮから構成されるIII族窒化物緩衝膜とを具え」たものであり、上記（ａ）〜（ｃ）の検討と併せみると、引用発明の「エピタキシャル下地基板」は、本願発明の「エピタキシャル基板」と、「エピタキシャル基板」である点で一致する。
　
（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）を踏まえると、両者は、
「所定の単結晶基材と、この単結晶基材上に形成された、ＡｌＮからなるIII族窒化物膜とを具え、
　前記ＡｌＮからなるIII族窒化物膜は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置して形成する、
エピタキシャル基板。」
である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
・相違点Ａ
　本願発明の「III族窒化物下地膜」は、「表面に酸素濃度が５〜１０原子％であり、厚さが１０〜４０Åの層を含む」と共に、「表面から０．２μｍの深さにおける酸素濃度が、１０１８／ｃｍ３以下」であるのに対し、引用発明の「III族窒化物緩衝膜」は、かかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｂ
　本願発明の「III族窒化物下地膜」の「厚さが１０〜４０Åの層」は、「反応管内の露点を−９０℃以下の条件の下で形成する」のに対し、引用発明の「III族窒化物緩衝膜」は、かかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｃ
　本願発明の「エピタキシャル基板」は、「III族窒化物下地膜」を具えているのに対し、引用発明の「エピタキシャル下地基板」は、「III族窒化物緩衝膜」を具えている点。
　
　上記相違点Ａ〜Ｃについて検討する。
・相違点Ａについて
　引用発明の「III族窒化物緩衝膜」について、記載事項（２−ク）には、「基板としてｃ面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。Ａｌ供給原料としてＴＭＡを用い、Ｎ供給原料としてアンモニアガスを用いた。そして、アンモニアガスからなるＶ族供給原料と、ＴＭＡからなるIII族供給原料との比（Ｖ／III比）が４５０、圧力が１５Ｔｏｒｒとなるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記基板上に供給した。このとき前記基板を１２００℃まで加熱し、緩衝膜としてのＡｌＮ膜を厚さ１μｍに形成した。
　なお、（０００２）面のＸ線ロッキングカーブの測定を行なったところ半値幅は６０秒であり、極めて結晶性に優れることが判明した。」と記載されている。
　一方、本願明細書には、段落【００３０】に、「単結晶基材としてＣ面サファイア基材を用い、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した。次いで、圧力を１５Ｔｏｒｒに設定して、水素キャリアガスを流速３ｍ／ｓｅｃとなるように供給した後、ヒータにより、前記基材を１２００℃まで加熱した。」と記載され、段落【００３１】に、「Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いるとともに、窒素供給原料としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用い、これら原料ガスを水素キャリアガスとともに、ＴＭＡとＮＨ３とのモル比が１：４５０となるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記基材上に供給した。そして、１２０分間エピタキシャル成長させることによって、下地膜としてのＡｌＮ膜を厚さ２μｍに形成し、エピタキシャル基板を作製した。」と記載され、段落【００３３】に、「ＡｌＮ膜の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅は６０秒であった。」と記載されていることからみて、本願発明の「III族窒化物下地膜」と引用発明の「III族窒化物緩衝膜」は、同じ原料ガスを用いて、同じ製膜条件により製膜され、同じＸ線ロッキングカーブ半値幅を示していることから、引用発明の「III族窒化物緩衝膜」も、本願発明の「III族窒化物下地膜」と同様に、「表面に酸素濃度が５〜１０原子％であり、厚さが１０〜４０Åの層を含む」と共に、「表面から０．２μｍの深さにおける酸素濃度が、１０１８／ｃｍ３以下」であるといえる。
　してみると、上記相違点Ａは実質的な相違点とはならない。
　
・相違点Ｂについて
　基板上に膜をエピタキシャル成長させる際に、反応管内の露点を−９０℃以下とすることは、例えば、特開２００２−１２４４７２号公報（段落【００１５】、同【００２３】、同【００３２】を参照）、特開平２−１５３８９４号公報（第３頁左上欄第５〜８行を参照）、特開昭６３−５１９１８号公報（第５頁左上欄第８〜９行を参照）、特開平７−３０２７６２号公報（段落【００２８】を参照）に記載されているとおり、本願出願前当然に採用される周知技術であり、上記相違点Ａの検討で述べたとおり、引用発明の「III族窒化物緩衝膜」も、本願発明の「III族窒化物下地膜」と同程度の膜が形成されていることからみて、引用発明の反応管内の露点も、本願発明と同様に、「−９０℃以下」であるといえる。
　してみると、上記相違点Ｂは実質的な相違点とはならない。
　
・相違点Ｃについて
　上記相違点Ａの検討で述べたとおり、引用発明の「III族窒化物緩衝膜」も、本願発明の「III族窒化物下地膜」と同程度の膜が形成されていることからみて、引用発明の「エピタキシャル下地基板」も、本願発明の「エピタキシャル基板」と同程度の「III族窒化物下地膜」を具えているといえる。
　してみると、上記相違点Ｃは実質的な相違点とはならない。
　
　よって、本願発明は引用文献２に記載された発明である。
　
第５　意見書における主張について
　請求人は、平成２４年２月１３日付けの意見書の２−４．において、「しかしながら、引用文献１および２には、本願の新請求項１において規定された、「前記層は、所定の反応管内に前記単結晶基材を設置し、前記反応管内の露点を−９０℃以下の条件の下で形成する」ことについて記載されておりません。」と主張しているので、以下に検討する。
　
　反応管内の雰囲気を特定することは、平成２３年１２月７日付け拒絶理由の「３−１．（２）」にて指摘した事項であり、サポート要件及び実施可能要件としては重要であるが、上記４−４．の相違点Ｂの検討で述べたとおり、反応管内の露点を−９０℃以下とすることは、引用文献２に記載された発明も本願と同程度の膜が形成できていることからみて、本願出願前に当然採用される周知技術であり、新規性の判断に影響を及ぼすものではない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　そして、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。