【事件の表示】
　特願２００４−５６４５３４「化学的機械研磨用スラリー組成物、これを利用した半導体素子の表面平坦化方法及びスラリー組成物の選択比制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２２日国際公開、ＷＯ２００４／０６１９２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本件出願は、平成１５年１２月２５日（パリ条約による優先権主張２００２年１２月３１日　韓国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年５月２１日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月２３日に意見書とともに特許請求の範囲について手続補正書が提出されたが、同年１１月５日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。これに対し、平成２３年３月７日に本件審判の請求がなされたものである。  
　　  
第２．本願発明  
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２２年８月２３日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１の記載は以下のとおりである。  
　  
「【請求項１】
　窒化物層に対して酸化物層を選択的に研磨して除去するための化学的機械研磨用スラリー組成物であって、
　セリア研磨粒子、分散剤及び陰イオン性添加剤を含み、
　前記セリア研磨粒子は、一次粒子が多面体形状でかつ粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、粒界が１００ｎｍ以上の多結晶粒子からなり、
　前記窒化物層に対する前記酸化物層の研磨速度の選択比が４０：１以上となるように、前記陰イオン性添加剤の濃度が全体スラリー組成物に対して０．１乃至０．６重量％の範囲で制御されて添加されたことを特徴とする化学的機械研磨用スラリー組成物。」（以下請求項１に係る発明を「本願発明」という。）  
　
　なお、原審の拒絶査定の備考欄には、「請求項１等の「粒界が１００ｎｍ以上の多結晶粒子」は、明細書の記載から明らかに「その大きさが１００ｎｍ以上の多結晶粒子」の誤記であるので、そのように読みかえることとする。」と記載されているが、「粒界が１００ｎｍ以上の多結晶粒子」なる記載は特段不明確ではなく、誤記とは認められないから、上記のように特許請求の範囲に記載のとおりに認定した。
　　  
第３．引用刊行物記載の発明  
　これに対して、原審の平成２２年５月２１日付け拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の発明、あるいは事項が記載されていると認められる。  
　 
刊行物１：国際公開第９９／４３７６１号（原審の引用文献２）
　  
１．刊行物１記載の事項  
　刊行物１には、「半導体装置研磨用研磨材組成物」に関して、図面とともに、以下の事項が記載されている。  
　
ア．第１ページ第５行〜第８行
「本発明は、半導体装置をポリシングするための研磨材組成物、特に半導体装置の素子分離をシャロートレンチアイソレーション法で行う際に用いられる研磨材組成物・・・（中略）・・・に関する。」
　 
イ．第２ページ第４行〜第７行
「また、ストッパー膜である窒化ケイ素膜に対する酸化膜、多くの場合は二酸化ケイ素膜がどれだけ研磨され易いかを表わし、酸化膜の研磨速度を窒化ケイ素膜のそれで除した値である「選択比」が、前述の従来技術ではまだ不十分であり、更に高くする必要がある。」
　 
ウ．第４ページ第１０行〜第２１行
「酸化セリウム微粉末の平均粒子径は、０．０１〜１．０μｍが好ましく、０．１〜０．５μｍがより好ましい。０．０１μｍ未満では、酸化膜、多くの場合二酸化ケイ素膜の研磨速度が小さくなってしまうためである。一方、１．０μｍを越えると、研磨表面に微小なキズが入り易くなるため好ましくない。
　酸化セリウムの一次粒子径は、好ましくは０．００５〜０．５μｍ、より好ましくは０．０２〜０．２μｍである。０．００５μｍ未満では酸化膜の研磨速度が著しく小さくなり、大きな選択比が得られず、また０．５μｍを越えると研磨表面に微小な傷が入り易く好ましくない。
　本発明の研磨材組成物における酸化セリウム（微粉末）の濃度は、研磨時の加工圧力等の研磨条件に依存するものであるが、０．１〜１０ｗｔ．％が好ましく、０．３〜５ｗｔ．％がより好ましい。」
　
エ．第４ページ下から３行〜第５ページ第９行
「次に本発明の研磨材組成物に使用する水溶性有機化合物について説明する。
　これは、−ＣＯＯＨ基、ＣＯＯＭX 基（ＭX はＨ原子と置換して塩を形成し得る原子もしくは官能基）・・・（中略）・・・の少なくとも１つを有する水溶性有機化合物である。・・・（中略）・・・
　具体例として好ましいものは、ポリアクリル酸（当審注：この括弧内にポリアクリル酸の分子式が記載されている）、分子量５００〜１００００）、」
　
オ．第６ページ第７行〜第１７行
「上記の水溶性有機化合物の添加量は、該化合物の種類、本発明の組成物中の酸化セリウム微粉末の濃度、組成物のｐＨ値、研磨時の加工圧力等の研磨条件に依存するが、酸化セリウムに対し、０．００１〜２０重量比であることが好ましく０．００５〜１０重量比であることがより好ましく０．００５〜５重量比であることが更に好ましい。０．１重量比未満であると、研磨加工時に作用する砥粒に対して窒化ケイ素膜表面に吸着する該水溶性有機化合物の量が少なく、吸着層が貧弱であるため、酸化セリウム微粉末が窒化ケイ素膜と直接接触するのを抑制する効果が弱く、窒化ケイ素膜の研磨速度を低減できなくなり、一方、２０重量比を越えると、増量による効果のアップが少なくなり、経済的でないため好ましくない。」
　
カ．第７ページ第２行〜第８行
「更に、本発明の研磨材組成物に、酸化セリウム以外の研磨材や、広く一般的に研磨材組成物に添加される、粘度調整剤、緩衝剤、界面活性剤、キレート剤等の添加剤を混合してもよい。
　本発明の研磨材組成物は、酸化ケイ素と窒化ケイ素の研磨速度の選択性が高いことを特徴とするものであり、少なくとも１０、より好ましくは３０以上、さらには５０以上であることが可能である。しかも、研磨面に対する傷が激減する特徴を有する。」 
　 
キ．第８ページ下から４行〜第９ページ第５行
「実施例１
　高純度酸化セリウムスラリー（昭和電工（株）社製、ＧＰＬ−Ｃ１０１０、ｄ50＝０．５μｍ、一次粒子径０．１μｍ、純度９９．９ｗｔ．％以上の酸化セリウムの濃度１０ｗｔ．％）１００ｇに対し、ポリアクリル酸アンモニウム１０ｇを水で溶解した液１００ｇとを混合し、更に水を加えて総量１０００ｇのスラリー状の研磨材組成物を造った。この組成物のｐＨ値は７．２であり、酸化セリウムの濃度、ポリアクリル酸アンモニウム濃度は、ともに１ｗｔ．％で、酸化セリウムに対する水溶性有機化合物の添加量の重量比は、この場合１．０である。」
　
ク．第１７ページの請求の範囲の１．  
「シャロートレンチアイソレーションにて使用する半導体装置研磨材組成物であって、主成分が水、酸化セリウム微粉末、並びに、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭX 基（ＭX はＨ原子と置換して塩を形成し得る原子もしくは官能基）、−ＳＯ3 Ｈ基および−ＳＯ3 ＭY 基（ＭY はＨ原子と置換して塩を形成し得る原子もしくは官能基）の少なくとも１つを有する水溶性有機化合物を１種または２種以上含有する半導体装置研磨用研磨材組成物。」
 　
ケ．第１２ページの表１
　実施例番号３にポリアクリル酸アンモニウム濃度が０．５ｗｔ．％、選択比６４の実施例が、
　実施例番号６にポリアクリル酸アンモニウム濃度が０．５ｗｔ．％、選択比５１の実施例が、それぞれ記載されている。
　
２．刊行物１記載の発明  
　まず、摘記事項ウ．に「酸化セリウム微粉末の平均粒子径は、・・・０．１〜０．５μｍがより好ましい。」とあることから、酸化セリウム微粉末は、平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍである粒子からなる、ということができる。
　また、摘記事項ウ．に「酸化セリウムの一次粒子径は、・・・より好ましくは０．０２〜０．２μｍである。」とあることから、酸化セリウムの一次粒子径は２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲である、ということができる。　　
　
　次に、摘記事項オ．に「水溶性有機化合物の添加量は、・・・０．１重量比未満であると、研磨加工時に・・・酸化セリウム微粉末が窒化ケイ素膜と直接接触するのを抑制する効果が弱く、窒化ケイ素膜の研磨速度を低減できなくなり」とあることから、該「水溶性有機化合物」は、窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する水溶性有機化合物、ということができる。
　
　上記摘記事項エ．に、（窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する）水溶性有機化合物としてポリアクリル酸が例示されている。一方、摘記事項第ケ．に各実施例が記載されているところ、実施例番号３（選択比は５０以上）について、添加されるポリアクリル酸アンモニウムのうち、窒化物層の研磨速度を低減させるための水溶性有機化合物たるポリアクリル酸の全体スラリー組成物に対する濃度を計算すると以下のとおりである。
　　ポリアクリル酸アンモニウムに占めるポリアクリル酸の重量比
＝　約（ポリアクリル酸の分子量）／（ポリアクリル酸アンモニウムの分子　　量）
＝　約（Ｃ３Ｈ４Ｏ２の分子量）／（Ｃ３Ｈ７ＮＯ２の分子量）
＝　約　７２／８９　　
＝　約　０．８１
　したがって、実施例番号３（ポリアクリル酸アンモニウム濃度が０．５ｗｔ．％）には、窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する水溶性有機化合物たるポリアクリル酸濃度が約０．４１重量％の実施例が示されているものと認められる。同様に、実施例番号６（選択比は５０以上）にも、ポリアクリル酸濃度が約０．４１重量％の実施例が示される。
　
　そこで、上記摘記事項ア．ないしケ．を、図面を参照しつつ技術常識を踏まえて本願発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。  
「窒化ケイ素膜に対して酸化ケイ素膜を選択的に研磨して除去するための半導体装置研磨用研磨材組成物であって、
　酸化セリウム微粉末、界面活性剤、窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する水溶性有機化合物を含み、
　前記酸化セリウム微粉末は、一次粒子径が２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であり、平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍである粒子からなり、
　前記窒化ケイ素膜に対する前記酸化ケイ素膜の研磨速度の選択比が５０：１以上となるように、前記窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する水溶性有機化合物の濃度が全体研磨材組成物に対して０．４１重量％添加された半導体装置研磨用研磨材組成物。」（以下「刊行物１発明」という。）   
　  
第４．対比  
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。  
　まず、刊行物１発明の「窒化ケイ素膜」は本願発明の「窒化物層」に相当することは、技術常識に照らして明らかであり、同様に、「酸化ケイ素膜」は「酸化物層」に、「半導体装置研磨用研磨材組成物」は「化学的機械研磨用スラリー組成物」に、「酸化セリウム」は「セリア」に、「全体研磨材組成物」は「全体スラリー組成物」に、「添加され」は「制御されて添加され」に相当することも明らかである。
　また、刊行物１発明の「酸化セリウム微粉末」は、「セリア微粉末」とも表現できるところ、研磨材組成物のための微粉末であり、また「平均粒子径」が規定される「粒子」からなることから、本願発明の「セリア研磨粒子」に相当するものといえる。
　
　次に、刊行物１発明においては、酸化セリウム微粉末（セリア研磨粒子）は、一次粒子径が２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であり平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍである粒子からなり、一方、本願発明においては、セリア研磨粒子は、一次粒子が多面体形状でかつ粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、粒界が１００ｎｍ以上の多結晶粒子からなるものであるところ、両者は、セリア研磨粒子はその一次粒子径が規定されたものである、限りにおいて共通する。
　
　そして、本願明細書に「セリアスラリーにおいて陰イオン性添加剤を一定の制御された範囲内で添加することにより、窒化物層に対する酸化物層の研磨速度選択比を向上させることができ」（明細書第２ページ下から１３〜１１行）とあることから、本願発明の「陰イオン性添加剤」は、窒化物層の研磨速度を低減させるための添加剤といえる。そうすると、刊行物１発明の「窒化ケイ素膜の研磨速度を低減する水溶性有機化合物」と、本願発明の「陰イオン性添加剤」とは、窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物、である限りにおいて共通する。
　また、上記窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物の濃度については、刊行物１発明においては０．４１重量％であり、本願発明においては０．１乃至０．６重量％の範囲であるから、両者は当該濃度が０．４１重量％である点において共通している。
　
　さらに、刊行物１発明は、研磨速度の選択比が５０：１以上であり、一方、本願発明は、研磨速度の選択比が４０：１以上であるところ、両者は、研磨速度の選択比が４０：１以上である点において一致する。　
　
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。  
＜一致点＞  
「窒化物層に対して酸化物層を選択的に研磨して除去するための化学的機械研磨用スラリー組成物であって、
　セリア研磨粒子、窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物を含み、
　前記セリア研磨粒子は、その一次粒子径が規定され、
　前記窒化物層に対する前記酸化物層の研磨速度の選択比が４０：１以上となるように、前記窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物の濃度が全体スラリー組成物に対して０．４１重量％で制御されて添加された化学的機械研磨用スラリー組成物。」  
　  
　そして、本願発明と刊行物１発明とは、以下の３点で相違している。  
１．＜相違点１＞
　本願発明の半導体装置研磨用研磨材組成物は、分散剤を含むことを特定しているのに対し、刊行物１発明は、界面活性剤を含むものである点。
２．＜相違点２＞  
　窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物について、本願発明においては、陰イオン性添加剤であるのに対し、刊行物１発明においては、水溶性有機化合物である点。
３．＜相違点３＞  
　セリア研磨粒子について、本願発明においては、一次粒子が多面体形状でかつ粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、粒界が１００ｎｍ以上の多結晶粒子からなるのに対し、刊行物１発明においては、一次粒子径が２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であり、平均粒子径が１００ｎｍ〜５００ｎｍである粒子からなる点。
　  
第５．相違点の検討  
１．＜相違点１＞について  
　研磨用スラリー組成物の技術分野において、界面活性剤が分散剤として機能することは技術常識であるから、刊行物１発明も分散剤を含むといえ、相違点１は実質的な差異ではない。
　なお、仮に分散剤と界面活性剤とに差異があるとしても、研磨用スラリー組成物に分散剤を含有させることは、原審で引用した国際公開第００／３９８４３号（第５ページ第１１行〜第１５行等参照）に示されるように従来周知の技術であり、かかる従来周知の技術を刊行物１発明に適用することは、格別困難ではない。 
　　  
２．＜相違点２＞について  
　本願発明の窒化物層の研磨速度を低減させるための化合物たる「陰イオン性添加剤」については、本願明細書に「本発明では、水溶性ポリアクリル酸を含んだ多様な種類の陰イオン性有機添加剤を使用することができる」と記載されている（明細書第４ページ第３３〜第３４行）。一方、刊行物１の上記摘記事項第３．１．エ．に「水溶性有機化合物である。・・・（中略）・・・　具体例として好ましいものは、ポリアクリル酸」と記載され、また上記摘記事項第３．１．ケ．にて指摘したように、ポリアクリル酸の化合物たるポリアクリル酸アンモニウムが例示されていることから、相違点２に関しては、両者に実質的な差異はないといえる。
　
３．＜相違点３＞について  
　まず、セリア研磨粒子の一次粒子径については、本願発明においては２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、刊行物１発明においては、２０ｎｍ〜２００ｎｍであり、両者の下限値は一致し、刊行物１発明の上限は本願発明の上限を含み、さらに本願発明における５０ｎｍという上限に格別臨界的意義は認められない。よって、一次粒子径については両者の差異は実質的なものではない、といえる。
　また、本願発明のセリア一次粒子が多面体形状である点については、一般にセリア一次粒子が立方晶等の多面体形状をしていることは当業者によく知られていることであるから（例えば、特開２０００−２６８４０号公報の段落【００１９】〜【００２１】、国際公開００／７３２１１号の第４ページ第２１行〜第２３行等参照）、刊行物１発明の酸化セリウム微粉末の一次粒子を多面体形状として形成することは容易である。
　
　次に、本願発明の相違点３に係る特定事項が、セリア研磨粒子を粒界を有する多結晶粒子としている点について検討する。
　まず、刊行物１発明の酸化セリウム微粉末は、「一次粒子」を規定した上で「平均粒子径」を定めているものであるから、かかる「平均粒子径」は、一次粒子が複数個集合した粒子の平均径と解するのが妥当である。
　ところで一般に、酸化セリウム粉末を粒界を有する多結晶粒子として形成することは、例えば、国際公開００／７３２１１号の第５ページ第１７行〜第２２行に「粉砕された酸化セリウム粒子には、結晶子サイズの小さい単結晶粒子と結晶子サイズまで粉砕されていない粉砕粒子が含まれ、この粉砕粒子は単結晶粒子が再凝集した凝集体とは異なっており、２つ以上の結晶子から構成され、結晶粒界を有している。この結晶粒界を有する粉砕粒子を含む研磨剤で研磨を行うと、研磨時の応力により破壊され、継続的に活性面を成生すると推定され、ＳｉＯ２絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することができる。」と示されるように従来周知の事項である。
　そして、このような粒界を有する多結晶粒子からなるセリア研磨粒子は、粉砕することによって自然に形成されるものであることからすれば、刊行物１発明の、一次粒子が複数個集合した粒子たる、セリア研磨粒子に上記従来周知の技術を適用して粒界を有する多結晶粒子とすることは、当業者が容易に想到し得たことというのが相当である。
　
　さらに、本願発明の「粒界が１００ｎｍ」以上であることを上記周知技術等を踏まえて合理的に解釈すれば、これは一次粒子が集合した全体の粒子径と解されるところ、刊行物１発明の（一次粒子が集合した）酸化セリウム微粉末の平均粒子径は１００ｎｍ〜５００ｎｍであるから、この点においては両者に実質的な差異はない。
　
　以上により、相違点３に係る本願発明の特定事項は、刊行物１発明に従来周知の技術を適用することにより当業者が容易に想到し得たもの、といえる。
　
４．本願発明の効果について  
　本願発明によってもたらされる選択比を向上させることができるという効果も、刊行物１発明と同程度のものであって格別なものではない。  
　  
５．したがって、本願発明は、刊行物１発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　  
　
第６．むすび  
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の事
項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって本願はその余の請求項２ないし１０に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。