(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板２００は、絶縁層２２０、２４０と、絶縁層の一面に、絶縁層の内部に埋め込まれるように形成された回路層２１０、２３０、２５０と、絶縁層の一面に形成され、回路層の一部を外部に露出させる貫通形状のキャビティ２７１が形成されたソルダーレジスト層２７０と、絶縁層の一面に、ソルダーレジスト層の内部に埋め込まれるように形成され、一面がソルダーレジスト層により外部に露出するように形成された金属ポスト２６０と、を含み、金属ポストは、絶縁層の一面に形成された第２ポスト金属層１５０、第２ポスト金属層の一面に形成されたポストバリアー層１４０、及びポストバリアー層の一面に形成された第１ポスト金属層１３０を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の一面に、前記絶縁層の内部に埋め込まれるように形成された回路層と、
前記絶縁層の一面に形成され、前記回路層の一部を外部に露出させる貫通形状のキャビティが形成されたソルダーレジスト層と、
前記絶縁層の一面に、前記ソルダーレジスト層の内部に埋め込まれるように形成され、一面が前記ソルダーレジスト層により外部に露出するように形成された金属ポストと、を含み、
前記金属ポストは、
前記絶縁層の一面に形成された第２ポスト金属層、前記第２ポスト金属層の一面に形成されたポストバリアー層及び前記ポストバリアー層の一面に形成された第１ポスト金属層を含む、プリント回路基板。
【請求項２】
前記ポストバリアー層は、前記第１ポスト金属層及び前記第２ポスト金属層とは異なる材質で形成された請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記ポストバリアー層と、前記第１ポスト金属層及び第２ポスト金属層とは、反応するエッチング液が互いに異なる材質で形成された請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記回路層は、回路金属層及び前記回路金属層の一面に形成された回路バリアー層を含む２層構造である請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記回路層のうち前記キャビティにより外部に露出する回路層は、回路金属層で形成される単層構造である請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記キャビティにより外部に露出する回路層は、前記絶縁層とは段差を有するように内部に形成され、前記段差の深みは、前記回路バリアー層の厚さである請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記第１ポスト金属層及び前記第２ポスト金属層は、一面と他面とが同一の直径を有するか、または一面が他面よりも小さい直径を有するように形成された請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記ソルダーレジスト層は、前記絶縁層の他面に形成され、前記回路層を覆うように形成された請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
キャリア内部層、前記キャリア内部層の一面に形成された接着層、前記接着層の一面に形成された第１ポスト金属層、前記第１ポスト金属層の一面に形成されたポストバリアー層、及び前記ポストバリアー層の一面に形成された第２ポスト金属層を含むキャリア基板を準備するステップと、
前記第２ポスト金属層の一面に回路バリアー層を形成するステップと、
前記ポストバリアー層の一面に回路層及び絶縁層を含むビルドアップ層を形成するステップと、
前記キャリア内部層及び前記接着層を除去するステップと、
前記第１ポスト金属層、前記ポストバリアー層、及び前記第２ポスト金属層をパターニングして金属ポストを形成するステップと、
前記絶縁層の一面に、前記金属ポストの側面を覆うソルダーレジスト層を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記キャリア基板を準備するステップにおいて、
前記ポストバリアー層は、前記第１ポスト金属層及び前記第２ポスト金属層とは異なる材質で形成される請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ポストバリアー層は、前記第１ポスト金属層及び前記第２ポスト金属層とは反応するエッチング液が異なる材質で形成される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記回路バリアー層を形成するステップにおいて、
前記回路バリアー層は、前記回路層及び前記第２ポスト金属層とは異なる材質で形成される請求項９から１１のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記回路バリアー層は、前記回路層及び前記第２ポスト金属層と反応するエッチング液が異なる材質で形成される請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記金属ポストを形成するステップは、
前記第１ポスト金属層の他面に、前記金属ポストに含まれる部分の上部を覆うようにエッチングレジストを形成するステップと、
外部に露出した前記第１ポスト金属層を第１エッチング液を用いてエッチングするステップと、
前記第１ポスト金属層のエッチングにより外部に露出した前記ポストバリアー層を第２エッチング液を用いてエッチングするステップと、
前記ポストバリアー層のエッチングにより外部に露出した前記第２ポスト金属層を前記第１エッチング液を用いてエッチングするステップと、
前記エッチングレジストを除去するステップと、を含み、
前記第１ポスト金属層と前記第２ポスト金属層とは、前記第２エッチング液に反応しなく、前記ポストバリアー層は前記第１エッチング液に反応しない請求項９から１３のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ソルダーレジストを形成するステップにおいて、
前記ソルダーレジスト層には、貫通形状のキャビティが形成される請求項９から１４のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ソルダーレジスト層を形成するステップの後に、
前記ソルダーレジストのキャビティにより外部に露出した回路バリアー層を除去するステップをさらに含む請求項１５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を始めとするＩＴ分野の電子機器に対して多機能が要求され、さらに軽薄短小化されることにより、これに関する技術的要求に応えるために、ＩＣ、半導体チップまたは能動素子や受動素子などの電子部品を基板内に挿入する技術が求められており、近年には多様な方式で基板内に部品を内蔵する技術が開発されている。
【０００３】
一般的に電子部品を内蔵するプリント回路基板においては、通常的に基板の絶縁層にキャビティを形成し、キャビティ内に各種素子やＩＣ及び半導体チップなどの電子部品を挿入する。また、薄板化のために、プリント回路基板は、コア基板を使用せずに製造されることがある。コア基板を使用しないプリント回路基板の場合は、製造工程中に支持体の機能を果たすキャリア基板の使用が要求されている。
【０００４】
一般的にキャリア部材は、完全硬化状態のキャリア絶縁材上に、第１金属板及び第２金属板が積層された構造を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第２００９−００２９５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、一定の厚さを有する多数の金属ポストを含むプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によれば、絶縁層と、絶縁層の一面に、絶縁層の内部に埋め込まれるように形成された回路層と、絶縁層の一面に形成され、回路層の一部を外部に露出させる貫通形状のキャビティが形成されたソルダーレジスト層と、絶縁層の一面のソルダーレジスト層の内部に埋め込まれるように形成され、一面がソルダーレジスト層により外部に露出するように形成された金属ポストと、を含み、金属ポストは、絶縁層の一面に形成された第２ポスト金属層と、第２ポスト金属層の一面に形成されたポストバリアー層と、ポストバリアー層の一面に形成された第１ポスト金属層と、を含むプリント回路基板が提供される。
【０００８】
ポストバリアー層と第１ポスト金属層及び第２ポスト金属層とは、反応するエッチング液が互いに異なる材質で形成される。
【０００９】
本発明の他の実施例によれば、キャリア内部層と、キャリア内部層の一面に形成された接着層と、接着層の一面に形成された第１ポスト金属層と、第１ポスト金属層の一面に形成されたポストバリアー層と、ポストバリアー層の一面に形成された第２ポスト金属層と、を含むキャリア基板を準備するステップと、第２ポスト金属層の一面に回路バリアー層を形成するステップと、ポストバリアー層の一面に回路層及び絶縁層を含むビルドアップ層を形成するステップと、キャリア内部層及び接着層を除去するステップと、第１ポスト金属層、ポストバリアー層及び第２ポスト金属層をパターニングして金属ポストを形成するステップと、絶縁層の一面に金属ポストの側面を覆うソルダーレジスト層を形成するステップと、を含むプリント回路基板の製造方法が提供される。
【００１０】
ポストバリアー層は、第１ポスト金属層及び第２ポスト金属層と反応するエッチング液が異なる材質で形成される。
【００１１】
回路バリアー層は、回路層及び第２ポスト金属層と反応するエッチング液が異なる材質で形成される。
【００１２】
本発明の特徴及び利点は、添付の図面に基づいた以下の詳細な説明により、より一層明らかになるであろう。
【００１３】
これに先だち、本明細書及び特許請求の範囲に使用された用語や単語は、通常的でかつ辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適宜定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味及び概念に解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係るキャリア基板を示す例示図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す例示図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法の一工程を示す図である。
【図５】図４に示した工程の次の工程を示す図である。
【図６】図５に示した工程の次の工程を示す図である。
【図７】図６に示した工程の次の工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程の次の工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１０】図９に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１１】図１０に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１２】図１１の上下が反転された状態を示す図である。
【図１３】図１２に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１６】図１５に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１７】図１６に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１８】図１７に示した工程の次の工程を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２０】本発明の第１実施例に係る金属ポストを形成する方法の一工程を示す図である。
【図２１】図２０に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２２】図２１に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２４】本発明の第２実施例に係る金属ポストを形成する方法の一工程を示す図である。
【図２５】図２４に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２６】図２５に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２７】図２６に示した工程の次の工程を示す図である。
【図２８】本発明の第３実施例に係る金属ポストを形成する方法の一工程を示す図である。
【図２９】図２８に示した工程の次の工程を示す図である。
【図３０】図２９に示した工程の次の工程を示す図である。
【図３１】図３０に示した工程の次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付の図面及び関連する以下の詳細な説明、好ましい実施例からより明らかになるであろう。本明細書で各図面の構成要素に参照番号を付するにあたり、同一の構成要素は、たとえ他の図面上に表示されていても、できるだけ同一の符号を有するようにしていることに留意しなければならない。また、「第１」、「第２」、「一面」、「他面」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるものであり、構成要素が上記用語により限定されることはない。
【００１６】
以下に本発明を説明するにあたり、本発明の要旨をかえって不明にすると判断される関連した公知技術に関する詳細な説明は省略する。
【００１７】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１８】
本発明の実施例に関する説明において、一面及び他面は、一方向の面とその反対の方向の面を示す用語である。すなわち、一面及び他面が上面及び下面に方向性を限定するものではない。
【００１９】
図１は、本発明の実施例に係るキャリア基板を示す例示図である。
【００２０】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るキャリア基板１００は、キャリア内部層１１０、接着層１２０、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０で構成される。
【００２１】
本発明の実施例によれば、キャリア内部層１１０は、キャリア絶縁層１１１及び内部金属層１１２で形成される。
【００２２】
本発明の実施例によれば、キャリア絶縁層１１１は、絶縁材で形成される。例えば、キャリア絶縁層１１１は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、またはポリイミドのような熱可塑性樹脂で形成可能である。また、キャリア絶縁層１１１は、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）のような絶縁材にガラス繊維、無機フィラーなどの補強材が含浸されたものであってもよい。
【００２３】
本発明の実施例によれば、内部金属層１１２は、キャリア絶縁層１１１の少なくとも一面に形成される。図１においては、内部金属層１１２がキャリア絶縁層１１１の一面及び他面の両方に形成されたものを例にして説明する。
【００２４】
本発明の実施例によれば、内部金属層１１２は、伝導性金属で形成される。例えば、内部金属層１１２は、銅（Ｃｕ）で形成される。
【００２５】
本発明の実施例によれば、接着層１２０は、キャリア内部層１１０の一面及び他面に形成される。すなわち、接着層１２０は、キャリア絶縁層１１１の一面に形成された内部金属層１１２の一面に形成される。また、接着層１２０は、キャリア絶縁層１１１の他面に形成された内部金属層１１２の他面に形成される。本発明の実施例によれば、接着層１２０は、キャリア内部層１１０と第１ポスト金属層１３０との間の接着のために形成される。本発明の実施例によれば、接着層１２０は、回路基板分野において接着剤として使用されるものであればいずれを用いて形成してもよい。
【００２６】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０は、キャリア内部層１１０の一面に形成された接着層１２０の一面に形成される。また、第１ポスト金属層１３０は、キャリア内部層１１０の他面に形成された接着層１２０の他面に形成される。
【００２７】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０は、回路用伝導性金属のうち、ポストバリアー層１４０とは異なる金属で形成される。より具体的には、第１ポスト金属層１３０は、ポストバリアー層１４０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、第１ポスト金属層１３０は、銅で形成される。
【００２８】
本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、接着層１２０の一面に形成された第１ポスト金属層１３０の一面に形成される。また、ポストバリアー層１４０は、接着層１２０の他面に形成された第１ポスト金属層１３０の他面に形成される。
【００２９】
本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、回路用伝導性金属のうち、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０とは異なる金属で形成される。より具体的には、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、ポストバリアー層１４０は、ニッケル（Ｎｉ）で形成される。
【００３０】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０は、第１ポスト金属層１３０の一面に形成されたポストバリアー層１４０の一面に形成される。また、第２ポスト金属層１５０は、第１ポスト金属層１３０の他面に形成されたポストバリアー層１４０の他面に形成される。
【００３１】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０は、回路用伝導性金属のうち、ポストバリアー層１４０とは異なる金属で形成される。より具体的には、第２ポスト金属層１５０は、ポストバリアー層１４０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、第２ポスト金属層１５０は、銅で形成される。
【００３２】
本発明の実施例によれば、キャリア基板１００は、以後プリント回路基板が形成される際に、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０が金属ポスト（図示せず）となる。すなわち、キャリア基板１００の第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０が順次にエッチング工程によりパターニングされて多数の金属ポスト（図示せず）が形成される。このように形成された金属ポスト（図示せず）は、エッチング工程により形成されるので、メッキ工程により金属ポスト（図示せず）を形成する場合に比べて、多数の金属ポスト（図示せず）の厚さの偏差を低減することができる。
【００３３】
図２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す例示図である。
【００３４】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板２００は、絶縁層、回路層、ソルダーレジスト層２７０及び金属ポスト２６０を含む。
【００３５】
本発明の実施例によれば、絶縁層は、第１絶縁層２２０と第２絶縁層２４０とを含む。本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０は、第２絶縁層２４０の一面に形成される。
【００３６】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０は、通常的に層間絶縁素材として使用される複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層２２０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。
【００３７】
本発明の実施例によれば、回路層は、第１回路層２１０、第２回路層２３０及び第３回路層２５０を含む。
【００３８】
本発明の実施例によれば、第１回路層２１０は、第１絶縁層２２０の一面に形成され、第１絶縁層２２０の内部に埋め込まれるように形成される。本発明の実施例によれば、第１回路層２１０は、回路金属層２１２と回路バリアー層２１１とを含む２層構造に形成される。ここで、回路バリアー層２１１は、回路金属層２１２の一面に形成される。
【００３９】
本発明の実施例によれば、第１回路層２１０は、接続パッド２１５を含む。ここで、接続パッド２１５は、第１回路層２１０のうち電子素子（図示せず）に電気的に接続する部分である。本発明の実施例によれば、接続パッド２１５は、回路金属層２１２で形成された単層構造として形成される。このため、接続パッド２１５は、第１絶縁層２２０の一面とは、回路バリアー層２１１の厚さだけ段差を有するように形成される。
【００４０】
本発明の実施例によれば、第１回路層２１０を形成する回路金属層２１２及び回路バリアー層２１１は、回路基板分野で使用される伝導性金属で形成される。しかし、回路金属層２１２と回路バリアー層２１１とは互いに異なる材質で形成される。
【００４１】
本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１は、金属ポスト２６０の第２ポスト金属層１５０及び回路金属層２１２とは異なる材質で形成される。より詳細には、回路バリアー層２１１は、第２ポスト金属層１５０及び回路金属層２１２と反応するエッチング液には反応しない材質で形成される。例えば、第２ポスト金属層１５０及び回路金属層２１２が銅で形成される場合、回路バリアー層２１１はニッケルで形成される。
【００４２】
本発明の実施例によれば、第２回路層２３０は、第１絶縁層２２０の他面に形成され、第２絶縁層２４０の内部に埋め込まれるように形成される。本発明の実施例によれば、第２回路層２３０は、第１絶縁層２２０の内部に形成された第１ビア２３１を介して第１回路層２１０に電気的に接続する。
【００４３】
本発明の実施例によれば、第３回路層２５０は、第２絶縁層２４０の他面に形成され、第２絶縁層２４０の外部に突出するように形成される。本発明の実施例によれば、第３回路層２５０は、第２絶縁層２４０の内部に形成された第２ビア２５１を介して第２回路層２３０に電気的に接続する。
【００４４】
本発明の実施例によれば、第２回路層２３０及び第３回路層２５０は、回路基板分野で使用される伝導性金属で形成される。例えば、第２回路層２３０及び第３回路層２５０は、銅で形成される。
【００４５】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、第１絶縁層２２０の一面に形成される。第１絶縁層２２０の一面に形成されたソルダーレジスト層２７０は、金属ポスト２６０を埋め込むように形成される。このとき、ソルダーレジスト層２７０は、金属ポスト２６０の一面の一部または全部を外部に露出させるようにパターニングされた構造を有する。ソルダーレジスト層２７０により外部に露出する金属ポスト２６０の上面は、以後外部部品に電気的に接続することができる。
【００４６】
また、本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０の一面に形成されたソルダーレジスト層２７０には、貫通形状のキャビティ２７１が形成される。キャビティ２７１は、第１回路層２１０の接続パッド２１５の一面が外部に露出するように形成される。図２には図示されていないが、ソルダーレジスト層２７０は、第１回路層２１０のうち接続パッド２１５を除いた第１回路層２１０を覆うことにより外部から保護するように形成される。
【００４７】
また、本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、第２絶縁層２４０の他面に形成され、第３回路層２５０を覆って保護するように形成される。このとき、ソルダーレジスト層２７０は、第３回路層２５０のうち外部部品（図示せず）に電気的に接続する部分を外部に露出するように形成される。
【００４８】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、ソルダリング（Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）工程が行われる際に、回路層がソルダーにより損なわれることを防止できる。また、ソルダーレジスト層２７０は、回路層が酸化することを防止できる。
【００４９】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、耐熱性被覆材料で形成される。
【００５０】
本発明の実施例によれば、金属ポスト２６０は、第１絶縁層２２０の一面に形成され、ソルダーレジスト層２７０に埋め込まれるように形成される。このとき、金属ポスト２６０の一面の一部または全部は、ソルダーレジスト層２７０により外部に露出される。また、金属ポスト２６０の他面は、第１回路層２１０の一面に電気的に接続する。
【００５１】
本発明の実施例によれば、金属ポスト２６０は、第１ポスト金属層１３０、第２ポスト金属層１５０及びポストバリアー層１４０で構成される。
【００５２】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０の一面にポストバリアー層１４０が形成され、ポストバリアー層１４０の一面に第１ポスト金属層１３０が形成される。このため、第１ポスト金属層１３０の一面がソルダーレジスト層２７０により外部に露出され、第２ポスト金属層１５０の他面が第１回路層２１０と接合する。
【００５３】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０は、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。すなわち、図２には、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０の一面が他面よりも小さい直径を有するように図示されている。しかし、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０の構造がこれに限定されることはない。すなわち、図２には示されていないが、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０は、一面と他面とが同一の直径を有するように形成されてもよい。
【００５４】
本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０とは異なる金属で形成される。より詳細には、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０と反応するエッチング液には反応しない材質で形成される。また、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０は、ポストバリアー層１４０と反応するエッチング液には反応しない材質で形成される。例えば、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０が銅で形成される場合、ポストバリアー層１４０は、ニッケルで形成される。
【００５５】
図３は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００５６】
図４から図１９は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。
【００５７】
図３のフローチャートについては、図４から図１９の例示図を参照しながら説明する。
【００５８】
図４を参照すると、 Ｓ１１０のように、キャリア基板１００を準備する 。
【００５９】
本発明の実施例によれば、キャリア基板１００は、キャリア内部層１１０、接着層１２０、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０を含む。
【００６０】
本発明の実施例によれば、キャリア内部層１１０は、キャリア絶縁層１１１と、キャリア絶縁層１１１の一面に形成された内部金属層１１２とで形成される。
【００６１】
本発明の実施例によれば、キャリア絶縁層１１１は、エポキシ樹脂、ポリイミド及びプリプレグのような絶縁材で形成される。また、内部金属層１１２は、銅のような伝導性金属で形成される。
【００６２】
本発明の実施例によれば、接着層１２０は、内部金属層１１２の一面に形成される。接着層１２０は、回路基板分野において接着剤として使用されるものであればいずれを用いて形成してもよい。
【００６３】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０は、接着層１２０の一面に形成される。本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０は、ポストバリアー層とは異なる材質で形成される。より具体的には、第１ポスト金属層１３０は、ポストバリアー層１４０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、第１ポスト金属層１３０は銅で形成される。
【００６４】
本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０の一面に形成される。本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、回路用伝導性金属のうち、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０とは異なる金属で形成される。より具体的には、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、ポストバリアー層１４０はニッケルで形成される。
【００６５】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０は、ポストバリアー層１４０の一面に形成される。本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０は、ポストバリアー層とは異なる材質で形成される。より具体的には、第２ポスト金属層１５０は、ポストバリアー層１４０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、第２ポスト金属層１５０は銅で形成される。
【００６６】
図４におけるキャリア基板１００は、内部金属層１１２、接着層１２０、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０が、キャリア絶縁層１１１の一面に形成されるように示されている。しかし、これは説明の便宜のために、キャリア基板１００の一面のみに示したものである。すなわち、キャリア基板１００は、図１に示されているように、キャリア絶縁層１１１の他面にも内部金属層１１２、接着層１２０、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０が形成されることが可能である。また、後述する製造工程は、キャリア基板１００の一面を例にして説明するが、キャリア基板１００の他面にも同様な製造工程が行われることが可能である。
【００６７】
図５を参照すると、Ｓ１２０のように、キャリア基板１００の一面に回路バリアー層２１１が形成される。
【００６８】
本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１は、キャリア基板１００の第２ポスト金属層１５０の一面に形成される。
【００６９】
本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１は、メッキ方式で形成される。本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１は、キャリア基板１００の第２ポスト金属層１５０とは異なる金属で形成される。より具体的には、回路バリアー層２１１は、第２ポスト金属層１５０と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、回路バリアー層２１１はニッケルで形成される。
【００７０】
図６から図１１を参照すると、Ｓ１３０のように、ビルドアップ層が形成される。
【００７１】
図６を参照すると、回路バリアー層２１１の一面に回路金属層２１２が形成される。
【００７２】
本発明の実施例によれば、回路金属層２１２は、回路用伝導性金属のうち、回路バリアー層２１１とは異なる金属で形成される。より具体的には、回路金属層２１２は、回路バリアー層２１１と反応するエッチング液には反応しない金属で形成される。例えば、回路金属層２１２は銅で形成される。
【００７３】
本発明の実施例によれば、回路金属層２１２は、回路基板分野で公知の回路層形成方法のいずれの方法を用いて形成してもよい。
【００７４】
図７を参照すると、外部に露出した回路バリアー層２１１が除去される。
【００７５】
本発明の実施例によれば、回路金属層２１２により外部に露出した回路バリアー層２１１が除去される。本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１は、第１エッチング液により除去される。このとき、使用される第１エッチング液は、回路バリアー層２１１とは反応するが、回路金属層２１２とは反応しないため、回路金属層２１２は除去されない。
【００７６】
本発明の実施例によれば、外部に露出した回路バリアー層２１１が除去されると、残っている回路金属層２１２と回路バリアー層２１１とで構成された第１回路層２１０が形成される。すなわち、第１回路層２１０は、回路金属層２１２と回路バリアー層２１１とで構成された２層構造を有する。
【００７７】
図８を参照すると、キャリア基板１００の一面に第１絶縁層２２０が形成される。
【００７８】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０は、キャリア基板１００の一面に形成され、第１回路層２１０を埋め込むように形成される。
【００７９】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０は、通常的に層間絶縁素材として使用される複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層２２０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。
【００８０】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０は、基板またはフィルムの形態でキャリア基板１００の一面に積層する方法で形成される。
【００８１】
しかし、本発明の実施例の第１絶縁層２２０を形成する材質及び方法は、これに限定されることはない。第１絶縁層２２０の材質と形成方法は、回路基板分野で公知の絶縁層の材質と形成方法のいずれを適用してもよい。
【００８２】
図９を参照すると、第１絶縁層２２０の一面に第２回路層２３０が形成される。
【００８３】
本発明の実施例によれば、第２回路層２３０は、回路基板分野で公知の回路層を形成する方法であればいずれも適用可能である。例えば、第２回路層２３０は、テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｙ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成可能である。
【００８４】
本発明の実施例によれば、第２回路層２３０は、回路基板分野で公知の伝導性金属で形成される。例えば、第２回路層２３０は銅で形成される。
【００８５】
本発明の実施例によれば、第２回路層２３０を形成する際に、第１ビア２３１も形成可能である。
【００８６】
本発明の実施例によれば、第１ビア２３１は、第１絶縁層２２０を貫通して第１回路層２１０と第２回路層２３０とを電気的に接続するように形成される。例えば、第１ビア２３１は、第１絶縁層２２０を貫通するビアホール（図示せず）を形成し、その後、第２回路層２３０と同時に形成することも可能である。
【００８７】
本発明の実施例によれば、第１ビア２３１は、回路基板分野で公知の伝導性金属で形成される。
【００８８】
図１０を参照すると、第１絶縁層２２０の一面に第２絶縁層２４０が形成される。
【００８９】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層２４０は、第１絶縁層２２０の一面に形成され、第２回路層２３０を埋め込むように形成される。
【００９０】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層２４０は、通常的に層間絶縁素材として使用される複合高分子樹脂で形成される。例えば、第２絶縁層２４０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。
【００９１】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層２４０は、基板またはフィルムの形態で第１絶縁層２２０の一面に積層する方法で形成される。
【００９２】
しかし、本発明の実施例の第２絶縁層２４０を形成する材質及び方法は、これに限定されることはない。第２絶縁層２４０の材質及び形成方法は、回路基板分野で公知の絶縁層の材質及び形成方法のいずれも適用可能である。
【００９３】
図１１を参照すると、第２絶縁層２４０の一面に第３回路層２５０が形成される。
【００９４】
本発明の実施例によれば、第３回路層２５０は、回路基板分野で公知の回路層を形成する方法のいずれの方法も適用可能である。例えば、第３回路層２５０は、テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｙ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成可能である。
【００９５】
本発明の実施例によれば、第３回路層２５０は、回路基板分野で公知の伝導性金属で形成される。例えば、第３回路層２５０は銅で形成される。
【００９６】
本発明の実施例によれば、第３回路層２５０を形成する際に、第２ビア２５１も形成可能である。
【００９７】
本発明の実施例によれば、第２ビア２５１は、第２絶縁層２４０を貫通して第２回路層２３０と第３回路層２５０とを電気的に接続するように形成される。例えば、第２ビア２５１は、第２絶縁層２４０を貫通するビアホール（図示せず）を形成し、その後、第３回路層２５０と同時に形成することも可能である。
【００９８】
本発明の実施例によれば、第２ビア２５１は、回路基板分野で公知の伝導性金属で形成される。
【００９９】
このように図６から図１１に示すように、第１絶縁層２２０、第２絶縁層２４０、第１回路層２１０から第３回路層２５０を含むビルドアップ層が形成される。
【０１００】
本発明の実施例によれば、ビルドアップ層は、２層の絶縁層と３層の回路層とを含む。しかし、ビルドアップ層の構造は、これに限定されることはない。ビルドアップ層は、当業者の選択により、図６から図１１のうち、所望するステップを繰り返したり、省略したりすることで多様な層数を有するように形成可能である。
【０１０１】
図１２を参照すると、Ｓ１４０のように、キャリア基板（図１１の１００）が分離及び除去される。
【０１０２】
本発明の実施例によれば、キャリア内部層（図１１の１１０参照）及び接着層（図１１の１２０参照）が第１ポスト金属層１３０から分離及び除去される。
【０１０３】
図１２は、図１１の上下が反転された状態を示す図である。
【０１０４】
図１２からは、第１ポスト金属層１３０の一面は、ポストバリアー層１４０が形成されている面であり、他面は、外部に露出された面として説明する。これにより、以後ステップにおける一面及び他面は、第１ポスト金属層１３０の一面と他面の方向を基準にして製造方法を説明する。
【０１０５】
図１３から図１７を参照すると、Ｓ１５０のように、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０をパターニングして金属ポスト２６０を形成する。
【０１０６】
図１３を参照すると、第１ポスト金属層１３０の一面にエッチングレジスト５００が形成される。
【０１０７】
本発明の実施例によれば、エッチングレジスト５００は、以後に金属ポスト（図示せず）が形成される領域に形成される。これにより、金属ポスト（図示せず）が形成される領域を除いた部分は、エッチングレジスト５００により外部に露出される。
【０１０８】
本発明の実施例によれば、エッチングレジスト５００は、ドライフィルム（Ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）で形成される。
【０１０９】
図１４を参照すると、第１ポスト金属層１３０がエッチングされる。
【０１１０】
本発明の実施例によれば、第２エッチング液を用いて、エッチングレジスト５００により外部に露出している第１ポスト金属層１３０を除去する。ここで、第２エッチング液は、第１ポスト金属層１３０とは反応するが、ポストバリアー層１４０とは反応しない。このため、図１４に示すように、外部に露出している第１ポスト金属層１３０のみが除去され、ポストバリアー層１４０は除去されない。
【０１１１】
本発明の実施例によれば、エッチング工程によりパターニングされた第１ポスト金属層１３０は、一面が他面よりも小さい直径を有する。これは、第２ポスト金属層１５０が液体であるエッチング液により除去されるとき、等方性エッチングが行われるからである。このように等方性エッチングされた構造は、第１ポスト金属層１３０の厚さが厚いほど、より明瞭になる。しかし、エッチング工程が行われても、第１ポスト金属層１３０の構造が必ずしもこれに限定されることはない。すなわち、第１ポスト金属層１３０は、一面と他面とが同一の構造に形成されることも可能である。ここで、第１ポスト金属層１３０の一面はエッチングレジスト５００が形成された面であり、他面はポストバリアー層１４０が形成された面である。
【０１１２】
図１５を参照すると、ポストバリアー層１４０がエッチングされる。
【０１１３】
本発明の実施例によれば、第３エッチング液を用いてエッチングレジスト５００と第１ポスト金属層１３０とにより外部に露出しているポストバリアー層１４０が除去される。ここで、第３エッチング液は、ポストバリアー層１４０とは反応するが、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０とは反応しない。これにより、図１５に示すように、外部に露出したポストバリアー層１４０のみが除去される。
【０１１４】
本発明の実施例によれば、ポストバリアー層１４０は、第１ポスト金属層１３０に比べて薄く形成されるので、第１ポスト金属層１３０に比べて等方性エッチングの構造が小さくなる。
【０１１５】
図１６を参照すると、第２ポスト金属層１５０がエッチングされる。
【０１１６】
本発明の実施例によれば、第４エッチング液を用いてエッチングレジスト５００、第１ポスト金属層１３０、及び回路バリアー層２１１により外部に露出している第２ポスト金属層１５０が除去される。ここで、第４エッチング液は、第２ポスト金属層１５０とは反応するが、ポストバリアー層１４０とは反応しない。このため、図１６に示すように、外部に露出している第２ポスト金属層１５０のみが除去される。
【０１１７】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５０と第１回路層２１０との間には、回路バリアー層２１１が形成される。これにより、第２ポスト金属層１５０がエッチングされる際、回路バリアー層２１１のために、第１回路層２１０が第４エッチング液により損なわれることを防止できる。
【０１１８】
本発明の実施例によれば、エッチング工程でパターニングされた第２ポスト金属層１５０は、一面が他面よりも小さい直径を有する。これは、第２ポスト金属層１５０が、液体であるエッチング液により除去されるときに等方性エッチングが行われるからである。このように等方性エッチングされた構造は、第２ポスト金属層１５０の厚さが厚いほど、より明瞭になる。しかし、エッチング工程が行われても、第２ポスト金属層１５０の構造が必ずしもこれに限定されることはない。すなわち、第２ポスト金属層１５０は、一面と他面とが同一の構造を有するように形成されてもよい。ここで、第２ポスト金属層１５０の一面はポストバリアー層１４０が形成された面であり、他面は第１絶縁層２２０及び第１回路層２１０が形成された面である。
【０１１９】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０と第２ポスト金属層１５０とが同一の材質で形成される。また、第２ポスト金属層１５０がエッチングされる際、第１ポスト金属層１３０の側面が第４エッチング液に露出される。このため、第２ポスト金属層１５０が除去されるとき、外部に露出している第１ポスト金属層１３０の側面もエッチングされて、一側面と他側面との間の直径が減少することになる。
【０１２０】
本発明の実施例によれば、回路バリアー層２１１、第１ポスト金属層１３０、第２ポスト金属層１５０及びポストバリアー層１４０をエッチングするために、第１エッチング液から第４エッチング液が使用される。しかし、第１エッチング液から第４エッチング液は互いに異なるエッチング液ではない。回路バリアー層２１１及びポストバリアー層１４０のエッチングのためには、同一のエッチング液を使用できる。また、第１ポスト金属層１３０及び第２ポスト金属層１５０のエッチングのためには、同一のエッチング液を使用できる。
【０１２１】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３０、ポストバリアー層１４０及び第２ポスト金属層１５０が順次にパターニングされて、金属ポスト２６０になる。
【０１２２】
本発明の実施例によれば、金属ポスト２６０は、多数形成される。このようにエッチング工程で形成された多数の金属ポスト２６０は、エッチング工程で形成されるので、メッキ工程で形成される場合に比べて一定の厚さを有するように形成される。このため、本発明の実施例によれば、厚さ偏差の低減により一定の厚さを有する多数の金属ポスト２６０を形成できる。
【０１２３】
本発明の実施例によれば、金属ポスト２６０の構造は、一面が他面よりも小さい直径を有する第１ポスト金属層１３０と第２ポスト金属層１５０とを含む構造として図示及び説明したが、金属ポスト２６０の構造がこれに限定されることはない。金属ポスト２６０の構造は、図１６には示されていないが、一面と他面とが同一の直径を有する第１ポスト金属層１３０と第２ポスト金属層１５０とを含む構造にすることも可能である。
【０１２４】
図１７を参照すると、エッチングレジスト（図１６の５００参照）が除去される。
【０１２５】
図１８を参照すると、Ｓ１６０のように、第２絶縁層２４０の一面にソルダーレジスト層２７０が形成される。
【０１２６】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、第１絶縁層２２０の一面に形成され、金属ポスト２６０の側面を覆うように形成される。このとき、ソルダーレジスト層２７０は、金属ポスト２６０の上面の一部は外部に露出するようにパターニングされる。ソルダーレジスト層２７０により外部に露出される金属ポスト２６０の上面は、以後外部部品に電気的に接続することができる。
【０１２７】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層２２０の一面に形成されたソルダーレジスト層２７０は、貫通形態のキャビティ２７１を有するように形成される。ソルダーレジスト層２７０のキャビティ２７１は、一部領域の第１絶縁層２２０と第１回路層２１０とが外部に露出するように形成される。これにより、ソルダーレジスト層２７０のキャビティ２７１により第１回路層２１０の回路バリアー層２１１が外部に露出する。このように形成されたキャビティ２７１には、以後電子素子（図示せず）が配置され得る。
【０１２８】
また、本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、第２絶縁層２４０の他面に形成され、第３回路層２５０を覆って保護するように形成される。このとき、ソルダーレジスト層２７０は、第３回路層２５０のうちの外部部品（図示せず）に電気的に接続する部分が外部に露出するように形成される。
【０１２９】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は、ソルダリング（Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）工程が行われる際に、回路層がソルダーにより損なわれることを防止することができる。また、ソルダーレジスト層２７０は、回路層が酸化することを防止することができる。
【０１３０】
本発明の実施例によれば、ソルダーレジスト層２７０は耐熱性被覆材料で形成される。
【０１３１】
図１９を参照すると、接続パッド２１５が形成される。
【０１３２】
本発明の実施例によれば、接続パッド２１５は、ソルダーレジスト層２７０のキャビティ２７１により外部に露出している回路バリアー層（図１８の２１１参照）をエッチング液で除去することにより形成される。このため、接続パッド２１５は、回路バリアー層（図１８の２１１参照）が除去された回路金属層（図１８の２１２参照）のみで形成される。
【０１３３】
このように形成された接続パッド２１５は、キャビティ２７１に電子素子（図示せず）が配置された場合、電子素子（図示せず）に電気的に接続することができる。
【０１３４】
また、本発明の実施例によれば、回路バリアー層（図１８の２１１参照）の除去により、接続パッド２１５の一面と第１絶縁層２２０の一面とが互いに異なる高さを有する。すなわち、接続パッド２１５と第１絶縁層２２０との間には段差が形成される。本発明の実施例によれば、接続パッド２１５は、第１絶縁層２２０の内部に形成され、除去された回路バリアー層（図１８の２１１参照）の厚さだけの段差を有する。この段差により、接続パッド２１５の周辺にソルダリングのためのソルダーレジスト層を形成する工程が省略可能である。
【０１３５】
本発明の実施例によれば、第１回路層２１０のうち、ソルダーレジスト層２７０と第１絶縁層２２０とにより埋め込まれる第１回路層２１０は、２層構造を有するように形成される。また、第１回路層２１０のうち、ソルダーレジスト層２７０のキャビティ２７１により外部に露出する第１回路層２１０は単層構造を有するように形成される。
【０１３６】
図２０から図３１は、第１実施例から第３実施例に係る金属ポストを形成する方法を示す例示図である。
【０１３７】
ここで、第１実施例から第３実施例に係る金属ポスト２６１、２６２、２６３は、第１金属ポスト１３１、１３２、１３３及び第２金属ポスト１５１、１５２、１５３の一面が他面よりも小さい直径を有する構造の実施例である。
【０１３８】
図２０から図２３は、本発明の第１実施例に係る金属ポストを形成する方法を示す例示図である。
【０１３９】
図２０を参照すると、金属ポスト（図示せず）の形成のために、第１ポスト金属層１３１、第２ポスト金属層１５１及びポストバリアー層１４０が形成されている。ポストバリアー層１４０の一面には、第１ポスト金属層１３１が形成されており、他面には第２ポスト金属層１５１が形成されている。
【０１４０】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５１の厚さと第１ポスト金属層１３１の厚さとは、同一に形成される。ここで、同一とは、製造過程で発生する誤差及び偏差を勘案した実質的な同一を意味する。また、第１ポスト金属層１３１の一面には、エッチングレジスト５００が形成される。
【０１４１】
図２１を参照すると、第１ポスト金属層１３１がエッチングされる。本発明の実施例に係る第１ポスト金属層１３１をエッチングする方法は、図１４での第２ポスト金属層（図１４の１５０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１４２】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３１は、等方性エッチングされ、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第１ポスト金属層１３１の他面はエッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１４３】
図２２を参照すると、ポストバリアー層１４０がエッチングされる。本発明の実施例に係るポストバリアー層１４０をエッチングする方法は、図１５でのポストバリアー層（図１５の１４０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１４４】
本発明の実施例によれば、パターニングされたポストバリアー層１４０は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１４５】
図２３を参照すると、第２ポスト金属層１５１がエッチングされる。本発明の例に係る第２ポスト金属層１５１をエッチングする方法は、図１６での第１ポスト金属層（図１６の１３０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１４６】
本発明の実施例によれば、パターニングされた第２ポスト金属層１５１は、等方性エッチングされ、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第２ポスト金属層１５１の一面は、ポストバリアー層１４０よりも小さい直径を有するように形成されて、ポストバリアー層１４０の他面が外部に露出する。また、第２ポスト金属層１５１の他面は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１４７】
また、第２ポスト金属層１５１がエッチングされるとき、外部に露出している第１ポスト金属層１３１にもエッチングが行われる。すなわち、第２ポスト金属層１５１がエッチングされる間に第１ポスト金属層１３１にもエッチングが行われる。
【０１４８】
本発明の第１実施例によれば、第２ポスト金属層１５１と第１ポスト金属層１３１との厚さが同一であるので、第２ポスト金属層１５１は、第１ポスト金属層１３１と同一のエッチング時間を有する。
【０１４９】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３１もエッチングされるので、第１ポスト金属層１３１の直径が減少し、ポストバリアー層１４０の一面が外部に露出する。
【０１５０】
このように、図２０から図２３のステップにより、第１実施例に係る金属ポスト２６１が形成される。
【０１５１】
図２４から図２７は、本発明の第２実施例に係る金属ポストを形成する方法を示す例示図である。
【０１５２】
図２４を参照すると、金属ポスト（図示せず）を形成するために、第１ポスト金属層１３２、第２ポスト金属層１５２及びポストバリアー層１４０が形成されている。ポストバリアー層１４０の一面には、第１ポスト金属層１３２が形成されており、他面には第２ポスト金属層１５２が形成されている。
【０１５３】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５２は、第１ポスト金属層１３２よりも薄い厚さを有するように形成される。
【０１５４】
また、第１ポスト金属層１３２の一面には、エッチングレジスト５００が形成される。
【０１５５】
図２５を参照すると、第１ポスト金属層１３２がエッチングされる。本発明の実施例に係る第１ポスト金属層１３２をエッチングする方法は、図１４での第２ポスト金属層（図１４の１５０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１５６】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３２は、等方性エッチングされて、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第１ポスト金属層１３２の他面は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。ここで、同一とは、製造過程で発生する誤差及び偏差を勘案した実質的な同一を意味する。
【０１５７】
図２６を参照すると、ポストバリアー層１４０がエッチングされる。本発明の実施例に係るポストバリアー層１４０をエッチングする方法は、図１５でのポストバリアー層（図１５の１４０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１５８】
本発明の実施例によれば、パターニングされたポストバリアー層１４０は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１５９】
図２７を参照すると、第２ポスト金属層１５２がエッチングされる。本発明の例に係る第２ポスト金属層１５２をエッチングする方法は、図１６での第１ポスト金属層（図１６の１３０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１６０】
本発明の実施例によれば、パターニングされた第２ポスト金属層１５２は、等方性エッチングされて、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第２ポスト金属層１５２の一面はポストバリアー層１４０よりも小さい直径を有するように形成されて、ポストバリアー層１４０の他面が外部に露出する。また、第２ポスト金属層１５２の他面は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１６１】
また、第２ポスト金属層１５２がエッチングされる際に、外部に露出している第１ポスト金属層１３２にもエッチングが行われる。すなわち、第２ポスト金属層１５２がエッチングされる間に第１ポスト金属層１３２にもエッチングが行われる。
【０１６２】
本発明の第２実施例によれば、第２ポスト金属層１５２の厚さが第１ポスト金属層１３２よりも薄いので、第２ポスト金属層１５２のエッチング時間は第１ポスト金属層１３２のエッチング時間よりも短い。このため、第２実施例の第１ポスト金属層１３２は、第１実施例の第１ポスト金属層１３２に比べてエッチング量が少ない。
【０１６３】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３２もエッチングされるので、第１ポスト金属層１３２の直径が減少し、ポストバリアー層１４０の一面が外部に露出する。
【０１６４】
このように、図２４から図２７のステップにより、第２実施例に係る金属ポスト２６２が形成される。
【０１６５】
図２８から図３１は、本発明の第３実施例に係る金属ポストを形成する方法を示す例示図である。
【０１６６】
図２８を参照すると、金属ポスト（図示せず）を形成するために、第１ポスト金属層１３３、第２ポスト金属層１５３及びポストバリアー層１４０が形成されている。ポストバリアー層１４０の一面には、第１ポスト金属層１３３が形成されており、他面には第２ポスト金属層１５３が形成されている。
【０１６７】
本発明の実施例によれば、第２ポスト金属層１５３が第１ポスト金属層１３３よりも厚い厚さを有するように形成される。
【０１６８】
また、第１ポスト金属層１３３の一面にはエッチングレジスト５００が形成される。
【０１６９】
図２９を参照すると、第１ポスト金属層１３３がエッチングされる。本発明の実施例に係る第１ポスト金属層１３３をエッチングする方法は、図１４での第２ポスト金属層（図１４の１５０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１７０】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３３は等方性エッチングされて、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第１ポスト金属層１３３の他面はエッチングレジスト５００と同一の直径を有する。ここで、同一とは、製造過程で発生する誤差及び偏差を勘案した実質的な同一を意味する。
【０１７１】
図３０を参照すると、ポストバリアー層１４０がエッチングされる。本発明の実施例に係るポストバリアー層１４０をエッチングする方法は、図１５でのポストバリアー層（図１５の１４０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１７２】
本発明の実施例によれば、パターニングされたポストバリアー層１４０は、エッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１７３】
図３１を参照すると、第２ポスト金属層１５３がエッチングされる。本発明の例に係る第２ポスト金属層１５３をエッチングする方法は、図１６での第１ポスト金属層（図１６の１３０参照）をエッチングする方法を参照することにする。
【０１７４】
本発明の実施例によれば、パターニングされた第２ポスト金属層１５３は、等方性エッチングされて、一面が他面よりも小さい直径を有するように形成される。このとき、第２ポスト金属層１５３の一面は、ポストバリアー層１４０よりも小さい直径を有するように形成され、ポストバリアー層１４０の他面が外部に露出する。また、第２ポスト金属層１５３の他面はエッチングレジスト５００と同一の直径を有する。
【０１７５】
また、第２ポスト金属層１５３がエッチングされる際に、外部に露出している第１ポスト金属層１３３にもエッチングが行われる。すなわち、第２ポスト金属層１５３がエッチングされる間に第１ポスト金属層１３３にもエッチングが行われる。
【０１７６】
本発明の第３実施例によれば、第２ポスト金属層１５３の厚さが第１ポスト金属層１３３よりも厚いので、第２ポスト金属層１５３のエッチング時間は、第１ポスト金属層１３３のエッチング時間よりも長い。このため、第３実施例の第１ポスト金属層１３３は、第１実施例の第１ポスト金属層１３３に比べてエッチング量が多い。
【０１７７】
本発明の実施例によれば、第１ポスト金属層１３３もエッチングされるので、第１ポスト金属層１３３の直径が減少し、ポストバリアー層１４０の一面が外部に露出する。
【０１７８】
本発明の第１実施例及び第３実施例に係る金属ポストを形成する方法によれば、多様な構造の金属ポスト（図２の２６０参照）を形成することが可能である。すなわち、キャビティ基板（図１の１００参照）の第１ポスト金属層（図１の１３０参照）と第２ポスト金属層（図１の１５０参照）との厚さを調整し、2回のエッチング工程を行うことにより、多様な構造の金属ポスト（図２の２６０参照）を形成することが可能である。
【０１７９】
このように、図２８から図３１のステップにより第３実施例に係る金属ポスト２６３が形成される。
【０１８０】
以上では、本発明を具体的な実施例を参照して詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであって、本発明がこれに限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能であることは明らかである。
【０１８１】
本発明の単純な変形ないし変更はすべて本発明の範囲に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付された特許請求範囲により明確になるであろう。
【符号の説明】
【０１８２】
１００      キャリア基板
１１０      キャリア内部層
１１１      キャリア絶縁層
１１２      内部金属層
１２０      接着層
１３０、１３１、１３２、１３３      第１ポスト金属層
１４０      ポストバリアー層
１５０、１５１、１５２、１５３      第２ポスト金属層
２００      プリント回路基板
２１０      第１回路層
２１１      回路バリアー層
２１２      回路金属層
２１５      接続パッド
２２０      第１絶縁層
２３０      第２回路層
２３１      第１ビア
２４０      第２絶縁層
２５０      第３回路層
２５１      第２ビア
２６０、２６１、２６２、２６３      金属ポスト
２７０      ソルダーレジスト層
２７１      キャビティ
５００      エッチングレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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