【事件の表示】
　特願２００３−５４４２３６「真空スパッタリング装置とその蒸着方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２２日国際公開、ＷＯ０３／４２４２３、平成１７年　４月１４日国内公表、特表２００５−５０９７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、２００２年１１月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１１月１３日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年８月２６日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し願書に添付した明細書及び特許請求の範囲について平成２１年２月２７日付けの手続補正がなされたが、同年６月１９日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、平成２２年２月５日付けで拒絶査定がなされたものである。
　そして、本件審判は、この査定を不服として、同年６月８日に請求がなされたものである。
　
　
２．本願発明の認定
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年２月２７日付けの手続補正がなされた特許請求の範囲において、請求項１に記載された次の事項により特定されるものと認められる。
　
【請求項１】
　基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置であって、当該装置は、
（ａ）ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー、
（ｂ）回転可能に構成された基板支持テーブルで、当該基板支持テーブルは当該基板支持テーブルの平面に直角な少なくとも一つの軸を中心として回転出来る様に構成されており、
（ｃ）当該少なくとも一つの軸を中心に当該基板支持テーブルを回転させるための手段、
（ｄ）当該真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲットで、かつそれぞれのターゲットはそれぞれが関係する電極手段を有するものであり、及び
（ｅ）当該複数個のターゲットの一つに対して当該基板支持テーブルの位置を変更するための手段であって、当該変更手段は、使用に際して、当該基板支持テーブル上に置かれた基板は、当該複数個のターゲットの少なくとも一つからスパッタリングされた原子がその上に蒸着された膜を有していても良く、その後、当該基板支持テーブルの位置の変化の後に、当該基板は、その上に、少なくとも当該複数個のターゲットの少なくとも一つからスパッタリングされた原子の露光により蒸着された少なくとも別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、
とから構成されており、且つ、当該それぞれのターゲット及び当該ターゲットの関連する電極手段の配列には、他の電極からの干渉による蒸着（line of sight deposition ）を防止するために個別のシャッター手段が各別に設けられている事を特徴とする真空スパッタリング装置。
　
　
３．原査定の理由
　
　これに対し、原審の拒絶査定の理由は、要するに、
「本願発明は、その優先権主張の基礎とされた先の出願前に日本国内において頒布された刊行物に記載された発明に基いて、その優先権主張の基礎とされた先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
というものであり、刊行物として、
　特開２００１−２０７２５７号公報（以下、「引用例１」という。）
　特開平１１−２５９９２２号公報　（以下、「引用例２」という。）
が引用されている。
　
　
４．引用例の記載
　
　引用例１
　
○摘記1-1（段落０００１）
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタ法により強磁性材料、反強磁性材料、非磁性導電材料よりなる多層膜を成膜する薄膜製造装置であり、磁気記録媒体に記録された信号を記録再生するための磁気ヘッドに使用されるＧＭＲ膜の製造装置及びその製造方法に関する
　
○摘記1-2（段落００２５〜００２８）
【００２５】本発明のにかかわるスパッタ装置の全体構成を図２に示す。なお、本発明においてはＧＭＲ膜の薄膜層の種類によってターゲットと基板の対向位置関係を適切に配置する必要があるが、図２には示していない。密閉された函体１３内にＡｒ等の低圧不活性ガスが封入されており、ターゲットホルダー３０上にターゲットＡ３１が配設され、ターゲットホルダー３０の背後には永久磁石８が置かれ、また、ターゲットＡ３１の前面付近に高周波コイル４が配され、高周波コイル４には高周波電源５が繋がれている。ターゲットＡ３１に対向する位置には基板ホルダー３９が置かれ、基板ホルダー３９上に基板３４が配設される。
【００２６】ターゲット３１と基板３４の間は直流電源１０により、ターゲット側がマイナスになるよう電圧がかけられている。このような配置の元に、第１図で説明した原理でスパッタが行われる。
【００２７】なお、函体内には隔壁３６で仕切られた複数のスパッタ室４０が円周状に設けられ、その内部には上記ターゲットＡと同様な構成でターゲトＢ３２，ターゲトＣ３３が配設されている。円周状に配設された異なる材料よりなる複数のターゲットＡ３１，ターゲットＢ３２，．．．のほぼ中心付近に基板ホルダー３９が配され、前記基板ホルダー３９上に基板３４が保持されている。
【００２８】先ず基板３４と対向した位置にあるターゲットＡ３１からスパッタ法によりターゲットＡの材料成分である微粒子３８を基板３４の表面に薄膜層として形成する。この時遮蔽板３５と隔壁３６により、ターゲットＡからの微粒子３８が他のターゲット表面に付着することが防止されている。続いて前記基板ホルダー３９と遮蔽板３５が矢印Ｆの方向に回転し、ターゲットＢ３２と対向する位置に基板３４が配置される。Ｇは回転の中心を示す．前記と同様な方法でターゲットＢの物質を基板３４上に成膜する。同様に基板３４及び遮蔽板３５を順次回転させながらターゲットＣ３３以下の材料をスパッタすることにより、異なる材料組成よりなる多層膜を基板３４上に形成する。　
　
○摘記1-3（図２）
【図２】
　
○摘記1-4（段落００３０〜００３１）
【００３０】このような構成よりなるスパッタ装置において、膜厚分布、磁気特性の均一化等、ＧＭＲとして要求される特性を満たす成膜方法の具体例について図４から図７を用いて述べる。
【００３１】本発明ではＧＭＲ膜の成膜において非磁性スペーサ層、磁化固定層等の膜厚の均一性が要求される薄膜層を形成する場合に、図４に示すようにターゲット１と基板２の夫々の中心線１４、１５を距離Ｄだけずらし、且つ基板２を回転させながらスパッタすることにより、ターゲット１からの微粒子７を基板２の表面に薄膜層として成膜するものである。このような構成にすることで、ターゲット１から飛来する微粒子７のうち微粒子Ａの量は多く微粒子Ｂの量は少なくなるが、基板２が回転しているため膜厚の均一化が図れるものである。
　
○摘記1-5（図４）
【図４】
　
　
　引用例２
　
○摘記2-1（段落０００６）
【０００６】ところで、上記したＬＩＭＤＯＷ記録方式やＭＳＲ再生方式の光磁気ディスクを製造するに当たって、磁性体からなる複数の機能膜は、スパッタリング法を用いて順次基板上に形成される。このとき、１つの機能膜の形成は一般に、１つのプロセスで行われている。　・・・（後略）・・・
　
○摘記2-2（段落００２３）
【００２３】また、請求項６に記載した光ディスクの製造装置は、光ディスクの基板を保持する基板ホルダ、および複数のスパッタリング用のターゲットを個別に保持する複数のターゲットホルダが、内部で対向して配置された成膜室と、成膜室内を排気する排気手段と、成膜室内にスパッタリングガスを供給するガス供給手段と、複数のターゲットホルダに保持された各ターゲットに電力を印加する電力印加手段と、複数のターゲットホルダ各々と基板ホルダとの間に個別に設置された複数のシャッターと、複数のシャッターを個別に開放または閉鎖するシャッター開閉駆動手段と、基板上に情報の記録再生に寄与する複数の機能膜を順次形成するに当たって、シャッター開閉駆動手段に対し、複数の機能膜の各々の形成を開始するタイミングごとに、ターゲットを放電させた状態のまま、当該機能膜の形成に必要なターゲットのシャッターを開放させると共に、当該機能膜の形成に不要なターゲットのシャッターを閉鎖させる制御信号を出力する制御手段とを備えたものである。
　
　
５．引用発明の認定
　
　引用例１には、スパッタ法により磁性材料よりなる多層膜を成膜する薄膜製造装置であるＧＭＲ膜の製造装置（摘記1-1参照）について、密閉函体内にＡｒ等の低圧不活性ガスが封入され、函体内には、隔壁で仕切られ、異なる材料よりなるターゲットが配設された複数のスパッタ室が円周状に設けられ、その中心付近に、基板を保持した基板ホルダーが配設され、ターゲット側がマイナスになるよう電圧をかけ、先ず基板と対向した位置にあるターゲットからスパッタ法により微粒子を基板表面に薄膜層として形成し、この時、遮蔽板と隔壁により、ターゲットからの微粒子が他のターゲット表面に付着することが防止され、続いて、基板ホルダーと遮蔽板が回転し、次のターゲットと対向する位置に基板が配置されて、次のターゲットの物質を基板上に成膜することにより、異なる材料組成よりなる多層膜を基板上に形成すること（摘記1-2,1-3参照）が記載されている。　
　そして、このようなスパッタ装置において、ターゲットと基板の夫々の中心線をずらし、且つ基板を回転させながらスパッタすることにより、膜厚の均一化が図れること（摘記1-4,1-5参照）も記載されている。
　さらに、このようなスパッタ装置において、密閉函体が、不活性ガスの導入手段及び排気手段を有すること、基板ホルダーが、基板をその中心線の回りで回転させるため、その平面に直角な少なくとも一つの軸を中心に回転出来る様に構成され、当該回転をさせるための手段を有すること、ターゲットが、それぞれにマイナスの電圧をかけるための電極手段を有することは、装置構成上自明なことである。
　
　してみると、引用例１には、
「スパッタ法により磁性材料よりなる多層膜を成膜する薄膜製造装置であって、
（１）不活性ガスの導入手段及び排気手段を有し、Ａｒ等の低圧不活性ガスが封入される密閉函体、
（２）函体中心付近に配設され、基板をその中心線の回りで回転させるため、その平面に直角な少なくとも一つの軸を中心に回転出来る様に構成された基板ホルダーと、
（３）当該回転をさせるための手段、
（４）函体内に円周状に設けられ、隔壁で仕切られた複数のスパッタ室に配設された、異なる材料よりなるターゲットとこれにマイナスの電圧をかけるための電極手段を有し、
（５）先ず基板と対向した位置にあるターゲットからスパッタ法により微粒子を基板表面に薄膜層として形成し、この時、遮蔽板と隔壁により、ターゲットからの微粒子が他のターゲット表面に付着することを防止し、続いて、次のターゲットと対向する位置に基板を配置するため、基板ホルダーと遮蔽板を回転し、次のターゲットの物質を基板上に成膜するＧＭＲ膜の製造装置。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　
　
　
６．発明の対比
　
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の
「スパッタ法」「多層膜を成膜」「低圧不活性ガスが封入される密閉函体」
「函体内に円周状に設けられ、隔壁で仕切られた複数のスパッタ室に配設された、異なる材料よりなるターゲット」
「基板ホルダー」「微粒子」
「ターゲットからの微粒子が他のターゲット表面に付着することを防止」
「次のターゲットと対向する位置に基板を配置するため、基板ホルダーと遮蔽板を回転」
「次のターゲットの物質を基板上に成膜」は、
それぞれ本願発明の
「スパッタリング」「複数の薄膜層を蒸着」「真空チャンバー」
「壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲット」
「基板支持テーブル」「原子」
「他の電極からの干渉による蒸着（line of sight deposition ）を防止する（手段）」
「複数個のターゲットの一つに対して当該基板支持テーブルの位置を変更（するための手段）」
「当該基板は、その上に、少なくとも当該複数個のターゲットの少なくとも一つからスパッタリングされた原子の露光により蒸着された少なくとも別の一つの膜を有する」
に相当する。
　
　してみると、本願発明のうち、
「基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置であって、当該装置は、
（ａ）ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー、
（ｂ）回転可能に構成された基板支持テーブルで、当該基板支持テーブルは当該基板支持テーブルの平面に直角な少なくとも一つの軸を中心として回転出来る様に構成されており、
（ｃ）当該少なくとも一つの軸を中心に当該基板支持テーブルを回転させるための手段、
（ｄ）当該真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲットで、かつそれぞれのターゲットはそれぞれが関係する電極手段を有するものであり、及び
（ｅ）当該複数個のターゲットの一つに対して当該基板支持テーブルの位置を変更するための手段であって、当該変更手段は、使用に際して、当該基板支持テーブル上に置かれた基板は、当該複数個のターゲットの少なくとも一つからスパッタリングされた原子がその上に蒸着された膜を有していても良く、その後、当該基板支持テーブルの位置の変化の後に、当該基板は、その上に、少なくとも当該複数個のターゲットの少なくとも一つからスパッタリングされた原子の露光により蒸着された少なくとも別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、
とから構成されており、且つ、他の電極からの干渉による蒸着（line of sight deposition ）を防止する手段が設けられている真空スパッタリング装置。」
の点は、引用発明と一致し、次の点で両者は相違する。
　
相違点：他の電極からの干渉による蒸着（line of sight deposition ）を防止する手段が、本願発明では、「それぞれのターゲット及び当該ターゲットの関連する電極手段の配列に各別に設けられている個別のシャッター」であるのに対し、引用発明では、基板ホルダと共に回転する遮蔽板とそれぞれのターゲット間を仕切る隔壁である点。
　
　
７．容易性の判断
　
　上記相違点について検討するに、引用例２には、スパッタリングターゲットを個別に保持する複数のターゲットホルダ各々と基板ホルダとの間に、個別に複数のシャッターを設置し、複数の機能膜を順次、放電を停止することなく連続的に形成する光ディスクの製造装置（摘記2-2参照）が記載されており、この装置は、磁性体からなる複数の膜をスパッタリング法により順次基板上に形成するもの（摘記2-1参照）であるから、引用発明のＧＭＲ膜の製造装置（摘記1-1参照）と同一の機能を有するといえる。
　してみると、不要なターゲットを閉鎖する（摘記2-2参照）という引用例２記載のシャッターの機能を、引用発明では、基板ホルダと共に回転する遮蔽板が担っていることは明らか（摘記1-3参照）であるから、引用発明において、当該遮蔽板に換え、ターゲットに個別のシャッターを設けること、すなわち、上記相違点を解消することは、引用例１，２の記載から当業者が容易になし得た置換である。また、本願発明において、引用例１，２の記載から当業者が予測し得ない効果を見出すことはできない。
　
　なお、請求人は審判請求書で、引用例２記載の装置は、ターゲットをチャンバーの壁に配置するものでなく、シャッターもターゲット間を隔離するものでないから、引用発明と結合しようとする動機づけを欠く旨主張している。
　しかしながら、上述したように、引用例２記載の装置と引用発明の装置は、その機能において共通性があり、上記置換に格別の困難性はない。また、置換にあたり、ターゲットの配置の差異は、阻害要因にならないし、置換によって、シャッターが、遮蔽板と同様に、ターゲット間を隔離する機能も有することは予測可能である。
　したがって、上記主張は採用できない。
　
　
８．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、その優先権主張の基礎とされた先の出願前に日本国内において頒布された引用例１，２に記載された発明に基いて、その優先権主張の基礎とされた先の出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、原査定の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。