【事件の表示】
　特願２００８−　８３０６４「制御信号部及びその製造方法とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月１４日出願公開、特開２００８−１８６０２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１３年１０月３１日（パリ条約による優先権主張　２０００年１０月３１日　大韓民国）に出願した特願２００１−３３４５７６号（以下「原出願」という。）の一部を、平成２０年３月２７日に特許法第４４条第１項の規定に基づき新たな特許出願としたものであって、平成２１年１２月１７日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年３月１９日付けで手続補正がなされ、同年８月１０日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１１月１６日付けで手続補正がなされ、平成２３年２月１６日付けで前記平成２２年１１月１６日付けの手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされ、これと同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２３年６月２２日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２２年３月１９日付けの手続補正後のもの。）の
「基板と、
　前記基板上に形成されるゲート電極及びゲート線を含むゲート配線及び複数の信号配線と、
　前記ゲート配線及び複数の前記信号配線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタ用半導体パターンと、
　前記ゲート線に絶縁されて交差するデータ線、前記データ線から延長されて前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレーン電極を含むデータ配線と、
　前記データ配線及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記ドレーン電極を露出させる第１接触孔と、
　前記信号配線各々を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第２接触孔と、
　前記ドレーン電極に連結される画素電極及び前記信号配線に連結される複数の信号配線補助パッドと、
を含む液晶表示装置。」
を
「基板と、
　前記基板上に形成されるゲート電極及びゲート線を含むゲート配線及び複数の信号配線と、
　前記ゲート配線及び複数の前記信号配線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタ用半導体パターンと、
　前記ゲート線に絶縁されて交差するデータ線、前記データ線から延長されて前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレーン電極を含むデータ配線と、
　前記データ配線及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記ドレーン電極を露出させる第１接触孔と、
　前記信号配線各々を露出させ、側辺の長さが幅より大きく、前記側辺は前記信号線を横切り、前記側辺を除いた残りの辺は前記信号配線を外れた位置に置かれるように形成される複数の第２接触孔と、
　前記ドレーン電極に連結される画素電極及び前記信号配線に連結される複数の信号配線補助パッドと、
を含む液晶表示装置。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項１の「複数の第２接触孔」に関して、「前記側辺は前記信号線を横切り、前記側辺を除いた残りの辺は前記信号配線を外れた位置に置かれるように」形成されるとの限定を付加するものであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法第１条による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認められるところ、同発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
ア　刊行物の記載事項
（ア）引用刊行物１及び引用発明１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１９７４３３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は当審にて付した。）。
　
ａ　「【００３２】前記目的を達成するために本発明による液晶表示装置の他の製造方法は薄膜トランジスタ部及びパッド部を有する液晶表示装置の製造方法において、基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後、１次写真蝕刻して薄膜トランジスタ部及びパッド部の基板の上にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する段階と、ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜及び半導体膜を順番に形成する段階と、前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成する段階と、半導体膜パターンの形成された基板の全面に第３金属膜を形成する段階と、前記第３金属膜を３次写真蝕刻して薄膜トランジスタ部にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極の形成された基板の全面に保護膜を形成する段階と、前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して
前記ドレイン電極の表面と、ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールがゲートパッドより大きくオープンされるように形成する
【００３７】図６を参照すると、
横方向に複数のゲートライン１が形成されており、各ゲートライン１の一端には複数のゲートパッド２が設けられている。前記ゲートライン１に薄膜トランジスタ５と画素電極６とが連結されている。かつ、縦方向には複数のデータライン３が形成されており、
【００３８】図７は本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための概略平面図であり、パッド部を示す。参照符号Ｐ１はパッド電極を形成するためのマスクパターンを、Ｐ２は絶縁膜及び保護膜を蝕刻して画素電極とパッド電極とを連結するコンタクトホールを形成するためのマスクパターンを、Ｐ３は画素電極をパターニングするためのマスクパターンをそれぞれ示す。」
　
ｂ　「【００５０】図１２は本発明の第３実施例による
液晶表示装置
【００５１】保護膜及び絶縁膜がゲートパッドパターンより大きくオープンされるようにレイアウトされており、ＩＴＯ膜は前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部分より大きく形成されるようにレイアウトされている。従って、ゲートパッドパターン以外の部分の基板は最小限に蝕刻される一方、Ｃ部位のみのアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を露出させる。
【００５２】図１３Ａ乃至図１５は本発明の第３実施例による
液晶表示装置の製造方法
【００５３】図１３Ａを参照すると、まず
透明な基板９０上に
耐火金属を蒸着して第１金属膜９２を形成した後、前記第１金属膜９２上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して第２金属膜９４を形成
次いで、前記第２金属膜及び第１金属膜を１次写真蝕刻してＴＦＴ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドを形成する
【００５４】図１３Ｂを参照すると、
ゲート電極が形成された前記基板の全面に、例えば窒化膜を蒸着して絶縁膜９６を形成
次いで、窒化膜が形成された基板の全面に非晶質シリコン膜９８と不純物のドーピングされた非晶質シリコン膜１００から構成された半導体膜を形成
次に、前記半導体膜を２次写真蝕刻してＴＦＴ部に活性領域として用いられる半導体膜パターンを形成する
【００５５】図１４Ｃを参照すると、
半導体膜パターンの形成された基板の全面に
金属を蒸着して第３金属膜を形成した後、前記第３金属膜を３次写真蝕刻してＴＦＴ部にソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂを形成する
【００５６】図１４Ｄを参照すると、
前記ソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂの形成された基板の全面に窒化膜を蒸着して保護膜を形成した後、４次写真蝕刻して保護膜パターン１０４を形成
この際、ＴＦＴ部のドレイン電極１０２ｂ上の保護膜が一部蝕刻されてドレイン電極１０２ｂの一部が露出され、パッド部に位置したゲートパッド、即ち第２金属膜９４の絶縁膜が蝕刻されてゲートパッドの表面が露出される
【００５７】図１５を参照すると、
画素電極とゲートパッド間のコンタクト抵抗を減らすためにパッド部に位置する前記保護膜パターン１０４によりオープンされた第２金属膜９４を蝕刻
次いで、第２金属膜９４の一部が蝕刻された結果物の全面に透明導電膜のＩＴＯ膜を形成した後、前記ＩＴＯ膜を５次写真蝕刻して画素電極１０６を形成
従って、ＴＦＴ部にはドレイン電極１０２ｂと画素電極１０６が連結され、パッド部には第１金属膜９２及び第２金属膜９４から構成されたゲートパッドと画素電極１０６が連結される
【００５８】前述した本発明の第３実施例によると、５枚のマスクのみを以って液晶表示装置を製造することができる。かつ、耐火金属膜とその上部に積層されるアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜の二重膜構造からゲート電極を形成することにより、アルミニウム膜のヒールロック成長を抑制することができる。なお、パッド部に画素電極を形成する前にゲートパッドを構成するアルミニウム膜を蝕刻することにより後続工程で形成される画素電極とアルミニウム膜間の接触抵抗を減らすことができる。更に、保護膜及び絶縁膜を各ゲートパッドパターンより大きくオープンさせることによりゲートパッドのパターニング時に基板の蝕刻が最少化され、前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部位より大きく画素電極を形成することによりオープン部位のゲートパッドが保護される。」
　
ｃ 「【００５９】図１６は本発明の第４実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための概略平面図である。ゲートパッドの一側を図示されたように複数の配線から形成することにより、保護膜及び絶縁膜がオープンされてアルミニウムと画素電極が接触される部分を最少化することができ、その上に冗長配線として活用できる。」
　
ｄ　上記ａ及び図７に照らせば、図１２において、参照符号Ｐ１はパッド電極を形成するためのマスクパターンを、Ｐ２は絶縁膜及び保護膜を蝕刻して画素電極とパッド電極とを連結するゲートパッド部のコンタクトホールを形成するためのマスクパターンを、Ｐ３は画素電極をパターニングするためのマスクパターンをそれぞれ示すものであると認められる。
　そして、上記ｂ（【００５０】〜【００５１】）を踏まえて図１２を見ると、液晶表示装置のパッド部において、保護膜及び絶縁膜がオープンされるようにレイアウトされるゲートパッド部のコンタクトホールを形成するためのマスクパターン（Ｐ２）は、図面上、左右に長い長方形であって、その上、下、左の３辺は、ゲートパッドパターン（Ｐ１）の対応する辺より外側にあって、保護膜及び絶縁膜がゲートパッドパターンより大きくオープンされるようにレイアウトされており、その右辺（「Ｃ部位」）において、アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を露出させること、そして、ＩＴＯ膜（画素電極）は、保護膜及び絶縁膜がオープンされる部分（Ｐ２）より大きく形成されるようにレイアウト（Ｐ３）されていること、が見てとれる。
　
　以上の摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明な基板上に耐火金属を蒸着して第１金属膜を形成した後、前記第１金属膜上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して第２金属膜を形成し、次いで、前記第２金属膜及び第１金属膜を１次写真蝕刻してＴＦＴ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドを形成するものであって、
　ゲート電極が形成された前記基板の全面に、例えば窒化膜を蒸着して絶縁膜を形成し、次いで、窒化膜が形成された基板の全面に非晶質シリコン膜と不純物のドーピングされた非晶質シリコン膜から構成された半導体膜を形成し、次に、前記半導体膜を２次写真蝕刻してＴＦＴ部に活性領域として用いられる半導体膜パターンを形成する段階と、
　半導体膜パターンの形成された基板の全面に金属を蒸着して第３金属膜を形成した後、前記第３金属膜を３次写真蝕刻してＴＦＴ部にソース電極とドレイン電極を形成する段階と、
　前記ソース電極とドレイン電極の形成された基板の全面に窒化膜を蒸着して保護膜を形成した後、４次写真蝕刻して保護膜パターンを形成し、この際、ＴＦＴ部のドレイン電極上の保護膜が一部蝕刻されてドレイン電極の一部が露出され、パッド部に位置したゲートパッド、即ち第２金属膜の絶縁膜が蝕刻されてゲートパッドの表面が露出されることにより、前記ドレイン電極の表面と、ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールがゲートパッドより大きくオープンされるように形成する段階と、
　画素電極とゲートパッド間のコンタクト抵抗を減らすためにパッド部に位置する前記保護膜パターンによりオープンされた第２金属膜を蝕刻し、次いで、第２金属膜の一部が蝕刻された結果物の全面に透明導電膜のＩＴＯ膜を形成した後、前記ＩＴＯ膜を５次写真蝕刻して画素電極を形成し、従って、ＴＦＴ部にはドレイン電極と画素電極が連結され、パッド部には第１金属膜及び第２金属膜から構成されたゲートパッドと画素電極が連結される段階とからなり、
　横方向に複数のゲートラインが形成されており、各ゲートラインの一端には複数のゲートパッドが設けられ、前記ゲートラインに薄膜トランジスタと画素電極とが連結されて、かつ、縦方向には複数のデータラインが形成されている、
　液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置。」
　
（イ）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２５８６２７号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ　「【請求項１】  基板と、
前記基板上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の配線と、
前記絶縁膜に形成されて前記第１の配線の端部と前記第２の配線とを電気的に接続するコンタクトホールとを有し、
前記コンタクトホールは、前記第１の配線の先端側が楔形であることを特徴とする薄膜デバイス。・・・
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜デバイス。
【請求項４】  前記第１の配線は金属からなり、前記第２の配線はＩＴＯ（インジウム酸化スズ）からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜デバイス。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル等の薄膜デバイスに関し、特に外部の駆動回路に接続される接続端子を有する薄膜デバイスに関する。」
　
ｃ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示パネルでは、上述の如く、駆動回路接続用端子３５，３６がＩＴＯにより形成されている。これは、ＩＴＯの硬度が高いために製造工程及び検査工程等で端子３５，３６が傷付くことを防止できること、ＩＴＯは導電性を有する酸化物であるので、金属のように酸化によって導電率が変動することがないこと、ＩＴＯは耐薬品性が優れており、製造工程及び検査工程等における品質の変動が極めて少ない等の利点があるためである。
【０００８】しかし、ＩＴＯは、ゲートバスライン３１及びドレインバスライン３２の材料である金属（Ｃｒ又はＡｌ等）に比べて抵抗率が高い。このため、液晶表示パネルの製造工程や試験工程で発生する静電気により、ＩＴＯからなる端子と金属からなる配線（ゲートバスライン及びドレインバスライン）との間に急激な大電流が流れると、コンタクトホール４４ｂ（４４ｃ）の縁部の引出配線３５ａ，３６ａ（図８，図９に矢印Ｄで示す部分）が焼失することがある。
【０００９】本発明は、静電気等に起因する大電流によってコンタクトホールの縁部の配線が焼失してしまうことを回避できて、信頼性が高い薄膜デバイスを提供することを目的とする。」
　
ｄ　「【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、基板と、前記基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第２の配線と、前記絶縁膜に形成されて前記第１の配線の端部と前記第２の配線とを電気的に接続するコンタクトホールとを有し、前記コンタクトホールは、前記第１の配線の先端側が楔形であることを特徴とする本願第１発明の薄膜デバイスにより解決する。・・・
【００１２】以下、本発明の作用について説明する。本願第１発明においては、第１の配線の端部と第２の配線とを電気的に接続するコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールは、前記第１の配線の先端側が楔形に形成されている。第２の配線がＩＴＯ等のように比較的抵抗率が高い材料により形成され、第１の配線が金属等の比較的抵抗率が低い材料により形成されている場合、電流パスはコンタクトホールの一方の縁部に集中する。従って、コンタクトホールの縁部の長さが短いと、コンタクトホールの縁部が抵抗発熱して高温になり、第２の配線が焼失する。しかし、本願第１発明において、コンタクトホールは、その第１の配線の先端側の縁が楔状に形成されているので、コンタクトホールの縁部の長さが長くなり、電流パスが分散される。これにより、コンタクトホールの縁部における発熱が抑制され、第２の配線の焼失が回避される。」
　
ｅ　「【００１６】基板１０上のゲートバスライン１１及びドレインバスライン１２により区画された各領域には、ＴＦＴ１３とＩＴＯからなる透明の画素電極１４とが配置されている。ＴＦＴ１３のゲート電極１３ａはゲートバスライン１１に接続され、ドレイン電極１３ｂはドレインバスライン１２に接続され、ソース電極１３ｃはコンタクトホール２４ａを介して画素電極１４に接続されている。これらの画素電極１４上には配向膜（図示せず）が形成されている。」
　
ｆ　上記ｅを踏まえて図１をみると、ＴＦＴ１３のゲート電極１３ａはゲートバスライン１１から延長された部分に接続され、ドレイン電極１３ｂはドレインバスライン１２から延長された部分に接続されていることが見て取れる。
　
イ　対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「透明な基板上に」「耐火金属を蒸着して第１金属膜を形成した後、前記第１金属膜上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して第２金属膜を形成し、次いで、前記第２金属膜及び第１金属膜を１次写真蝕刻してＴＦＴ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドを形成する」ものであって、「横方向に複数のゲートラインが形成されており、各ゲートラインの一端には複数のゲートパッドが設けられ」ていることに照らして、ゲート電極、ゲートライン及びゲートパッドは同時に形成されるものであるということができるから、「透明な基板」及び「透明な基板上に耐火金属を蒸着して第１金属膜を形成した後、前記第１金属膜上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して第２金属膜を形成してなるゲート電極、ゲートライン及びゲートラインの一端に複数設けられているゲートパッド」を備える。
　そして、引用発明１の「基板」、「ゲート電極」、「ゲートライン」及び「ゲートパッド」は本願補正発明の「基板」、「ゲート電極」、「ゲート線を含むゲート配線」及び「信号配線」にそれぞれ対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「基板」及び「前記基板上に形成されるゲート電極及びゲート線を含むゲート配線及び複数の信号配線」の構成を備える。
　
（イ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「ゲート電極が形成された前記基板の全面に、例えば窒化膜を蒸着して絶縁膜を形成」するものであって「ゲート電極及びゲートパッドを形成」し、「横方向に複数のゲートラインが形成されており、各ゲートラインの一端には複数のゲートパッドが設けられ」ているから、「ゲート電極及びゲートパッドが形成され、複数のゲートパッドを一端に設けた横方向に複数のゲートラインが形成された前記基板の全面に、窒化膜を蒸着して形成した絶縁膜」を備える。
　そして、引用発明１の「絶縁膜」は本願補正発明の「ゲート絶縁膜」に対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「前記ゲート配線及び複数の前記信号配線を覆うゲート絶縁膜」の構成を備える。
　
（ウ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「窒化膜が形成された基板の全面に非晶質シリコン膜と不純物のドーピングされた非晶質シリコン膜から構成された半導体膜を形成し、次に、前記半導体膜を２次写真蝕刻してＴＦＴ部に活性領域として用いられる半導体膜パターンを形成する」から、「窒化膜が形成された基板の全面に非晶質シリコン膜と不純物のドーピングされた非晶質シリコン膜から構成された、ＴＦＴ部に活性領域として用いられる半導体膜パターン」を備える。
　そして、引用発明１の「ＴＦＴ部」及び「（ＴＦＴ部に活性領域として用いられる）半導体膜パターン」は本願補正発明の「薄膜トランジスタ」及び「（薄膜トランジスタ用）半導体パターン」にそれぞれ対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「前記ゲート絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタ用半導体パターン」の構成を備える。
　
（エ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「横方向に複数のゲートラインが形成されており、各ゲートラインの一端には複数のゲートパッドが設けられ、前記ゲートラインに薄膜トランジスタと画素電極とが連結されて、かつ、縦方向には複数のデータラインが形成されて」いて、上記（イ）のとおり「横方向に複数のゲートラインが形成された前記基板の全面に、窒化膜を蒸着して形成した絶縁膜」を備えるから、「横方向に複数のゲートラインが形成されており、窒化膜を蒸着して形成した絶縁膜を備え、縦方向には複数のデータラインが形成され」る構成を備える。
　したがって、引用発明１は「横方向に複数のゲートラインが形成されており」、「かつ、縦方向には複数のデータラインが形成されている」ものであるところ、「ゲートライン」と「データライン」が互いに絶縁されることは自明であり、また、引用発明１の「データライン」は本願補正発明の「データ線」に対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「前記ゲート線に絶縁されて交差するデータ線」の構成を備える。
　
（オ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「半導体膜パターンの形成された基板の全面に金属を蒸着して第３金属膜を形成した後、前記第３金属膜を３次写真蝕刻してＴＦＴ部にソース電極とドレイン電極を形成する」ものであることに照らして、ＴＦＴ部のソース電極とドレイン電極はＴＦＴ部である半導体膜パターンに接触するということができるから、「ＴＦＴ部に形成したソース電極とドレイン電極は、半導体膜パターンに接触する」構成を備える。
　しかるところ、引用発明１の「ソース電極」及び「ドレイン電極」は本願補正発明の「ソース電極」及び「ドレーン電極」にそれぞれ対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレーン電極を含むデータ配線」の構成を備える。
　
（カ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「前記ソース電極とドレイン電極の形成された基板の全面に窒化膜を蒸着して保護膜を形成」した後、「４次写真蝕刻して保護膜パターンを形成し、この際、ＴＦＴ部のドレイン電極上の保護膜が一部蝕刻されてドレイン電極の一部が露出され、パッド部に位置したゲートパッド、即ち第２金属膜の絶縁膜が蝕刻されてゲートパッドの表面が露出される」ことにより、「前記ドレイン電極の表面と、ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成」するものであるから、「ソース電極とドレイン電極の形成された基板の全面に窒化膜を蒸着して形成した保護膜」、「ＴＦＴ部のドレイン電極上の保護膜が一部蝕刻されてドレイン電極の表面を露出させるコンタクトホール」及び「パッド部に位置した第２金属膜の絶縁膜が蝕刻されてゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」を備える。
　しかるところ、引用発明１の「パッド部」に関して、引用刊行物１には、「保護膜及び絶縁膜がオープンされるようにレイアウトされるコンタクトホールを形成するためのマスクパターン（Ｐ２）は、左右に長い長方形であって、その上、下、左の３辺は、ゲートパッドパターン（Ｐ１）の対応する辺より外側にあって、保護膜及び絶縁膜がゲートパッドパターンより大きくオープンされるようにレイアウトされて」いるものが示されている（上記ア（ア）ｄ）ことに照らして、ゲートパッドの側辺は、少なくとも上下の２辺において露出し、左右の２辺はゲートラインを横切るものであって、引用発明１の「（ゲートパッドの表面を露出させる）コンタクトホール」は、「ゲートパッドを露出させ、左右の２辺はゲートラインを横切り、上下の２辺はゲートパッドを外れた位置に置かれるように形成される」といえる。
　そうすると、引用発明１では「ゲートパッド」は複数設けられ、引用発明１の「保護膜」、「（ドレイン電極の表面を露出させる）コンタクトホール」及び「（ゲートパッドの表面を露出させる）コンタクトホール」は、本願補正発明の「保護膜」、「（ドレーン電極を露出させる）第１接触孔」及び「（信号配線各々を露出させる）第２接触孔」にそれぞれ対応するから、引用発明１は、本願補正発明の「前記データ配線及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、前記ドレーン電極を露出させる第１接触孔と、前記信号配線各々を露出させ、前記側辺は前記信号線を横切り、前記側辺を除いた残りの辺は前記信号配線を外れた位置に置かれるように形成される複数の第２接触孔」の構成を備える。
　
（キ）引用発明１の「液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置」は、「画素電極とゲートパッド間のコンタクト抵抗を減らすためにパッド部に位置する前記保護膜パターンによりオープンされた第２金属膜を蝕刻し、次いで、第２金属膜の一部が蝕刻された結果物の全面に透明導電膜のＩＴＯ膜を形成した後、前記ＩＴＯ膜を５次写真蝕刻して画素電極を形成し、従って、ＴＦＴ部にはドレイン電極と画素電極が連結され、パッド部には第１金属膜及び第２金属膜から構成されたゲートパッドと画素電極が連結される」から、「ＴＦＴ部ではドレイン電極と画素電極を連結し、パッド部では第１金属膜及び第２金属膜から構成されたゲートパッドとを連結するＩＴＯ膜」を備える。
　しかるところ、引用発明１の「ＩＴＯ膜」は、「パッド部では第１金属膜及び第２金属膜から構成されたゲートパッドとを連結」するものであって、「ゲートパッド」は複数設けられるから、引用発明１は「（パッド部では第１金属膜及び第２金属膜から構成されたゲートパッドとを連結する）複数のＩＴＯ膜」を備える。
　そうすると、引用発明１の「ゲートパッド」は本願補正発明の「信号配線」に対応するから、引用発明１は本願補正発明の「前記ドレーン電極に連結される画素電極及び前記信号配線に連結される複数の信号配線補助パッド」の構成を備える。
　
（ク）以上によれば、両者は、
「基板と、
　前記基板上に形成されるゲート電極及びゲート線を含むゲート配線及び複数の信号配線と、
　前記ゲート配線及び複数の前記信号配線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタ用半導体パターンと、
　前記ゲート線に絶縁されて交差するデータ線、前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレーン電極を含むデータ配線と、
　前記データ配線及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、
　前記ドレーン電極を露出させる第１接触孔と、
　前記信号配線各々を露出させ、前記側辺は前記信号線を横切り、前記側辺を除いた残りの辺は前記信号配線を外れた位置に置かれるように形成される複数の第２接触孔と、
　前記ドレーン電極に連結される画素電極及び前記信号配線に連結される複数の信号配線補助パッドと、
を含む液晶表示装置」
である点で一致し、
　
ａ　「半導体パターンに接触するソース電極」が、本願補正発明では、データ線から延長されているのに対して、引用発明１では明らかでない点（以下「相違点１」という）、及び、
　
ｂ　「第２接触孔」が、本願補正発明では、側辺の長さが幅より大きいとの特定を有するのに対して、引用発明１の「ゲートパッド部のパッド部」では、そのような事項を有しているものか明らかではない点（以下「相違点２」という）、
で相違する。
　
（ケ）上記相違点１および２について検討する。
ａ　上記相違点１について検討する。
　液晶表示装置において、ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極のうち一方を画素電極に接続し、他方をデータラインから延長して形成することは慣用技術であるところ、引用発明１は「ドレイン電極と画素電極が連結され」ているものであるから引用発明１において、他方の電極である「ソース電極」をデータラインから延長して形成し、相違点１の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
ｂ　上記相違点２について検討する。
　引用刊行物２には、上記ア（イ）に示した事項が記載され、液晶表示パネル等の、基板上に形成された金属からなる第１の配線と、前記第１の配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたＩＴＯからなる第２の配線と、前記絶縁膜に形成されて前記第１の配線の端部と前記第２の配線とを電気的に接続するコンタクトホールとを有した薄膜デバイスにおいて、前記コンタクトホールは、その第１の配線の先端側の縁が楔状に形成されていることにより、コンタクトホールの縁部の長さが長くなり、電流パスが分散され、これにより、コンタクトホールの縁部における発熱が抑制できる技術が開示されている。 
　引用発明１と、引用刊行物２に記載された技術的事項は、いずれも、液晶表示装置の電極接続部（「ゲートパッド部」、「接続端子」）に関するものである点で共通するものであるから、引用発明１の「パッド部」において、引用刊行物２に記載された、第１の配線（引用発明１における「ゲートパッド」に相当。）の先端側の縁が楔状に形成されたコンタクトホールの形状を採用することは、当業者が容易になし得ることである。そして、上記のコンタクトホール形状を引用発明１に採用したものは、上記相違点に係る本願補正発明の特定事項である「側辺の長さが幅より大き」いものであると認められる。
 　したがって、引用発明１の「パッド部」において、引用刊行物２に記載の技術的事項を採用し、上記相違点２に係る本願補正発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（コ）小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明１および引用刊行物２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年３月１９日付で補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２２に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　
（１）引用刊行物３及び引用発明３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１８３９２４号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。 
ア　「【００１４】本発明において、基板上に配線を配設するに際しては、特に限定されることなく、適宜配設することが可能であるが、ガラス基板等を用いてアレイ基板を構成する際に、例えば、ゲート電極や信号線等の各種電極や配線等の形成と同時に、ＰＣＢ（printed circuit boad）間を接続するための配線を形成し、該配線の両端部を露出するように絶縁層を形成した後、さらに露出した両端部と接続する電極やアレイ基板とＴＣＰとを接続する電極パッド等の各種電極や配線等を形成すれば、配線を配設するための工程を新たに設ける必要がないので、工程数を抑制して経済性を向上させる観点からより好ましい。ここで、上記電極とは、例えば、Ｘ−ＰＣＢとＹ−ＰＣＢとを電気的に接続するためにアレイ基板上に設けられた電極であり、この電極にＴＣＰを介して各々のＰＣＢを接続する。また、電極パッドとは、アレイ基板に設けられたアレイ電極とＴＣＰとを接合するための電極を示している。」
　
イ　「【００１８】図１および図３（ａ）に示したように、本実施の形態に係る液晶表示素子は、ＴＣＰ１ａ〜１ｃおよびＴＣＰ１ｄを通じてＸ−ＰＣＢ２およびＹ−ＰＣＢ３を接続するための配線群４をガラス基板５上に形成して絶縁層６にて被覆した後、ＴＣＰと接続するための電極７ａ〜７ｃを設けて配線群４と導通がとれるように構成されている。一方、ＴＣＰ１ａ〜１ｃおよびＴＣＰ１ｄとガラス基板（アレイ基板）５とを接続するための電極パッド８は、絶縁層６上に構成されている。ここで、上記液晶表示素子を製造工程について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００１９】ガラス基板５に、モリブデン等の金属を約０．３μｍスパッタリングにより成膜した後、フォトリソ法により所定の形状にパターン形成してゲート線９、ゲート電極１０、Ｃｓ電極１１および配線群４を同時に形成した。その上に、膜厚０．１５μｍの二酸化珪素あるいは窒化珪素からなるゲート絶縁膜１２および絶縁層６を同時に形成した後、半導体層（ａ−Ｓｉ）１３、半導体層（ｎ＋形ａ−Ｓｉ）１４およびチャネル保護膜１５を設け、膜厚０．３μｍのＡｌからなる信号線１６、ドレイン電極１７、ソース電極１８、電極７ａ〜７ｃおよび電極パッド８を同時に形成した。次に、膜厚０．１μｍのＩＴＯからなる画素電極１９をパタ−ニングにより形成し、これらの上にポリイミドからなる配向膜２０ａを形成してスイッチング素子および各種配線・電極を備えた基板を得た。」
　
ウ　上記ア、イを踏まえて、図１を見ると、図１においてＸ−ＰＣＢ側のＴＣＰ１ａ〜１ｃ及びＹ−ＰＣＢ側のＴＣＰ１ｄはガラス基板５を介して直交した位置に配置されていることが見てとれる。また、電極パッド８は、ＴＣＰ１ａ〜１ｃ及びＴＣＰ１ｄ（複数のＴＣＰ）とガラス基板（アレイ基板）５とを接続するためのものであるから、Ｘ−ＰＣＢ側のＴＣＰ１ａ〜１ｃの電極パッド８及びＹ−ＰＣＢ側のＴＣＰ１ｄの電極パッド８は、ガラス基板（アレイ基板）５上の絶縁層６上に直交した位置に配置されていることが見てとれる。
　
　以上の摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「ガラス基板に、ゲート線、ゲート電極、Ｃｓ電極及び配線群を同時に形成し、その上に、ゲート絶縁膜及び絶縁層を同時に形成した後、半導体層（ａ−Ｓｉ）、半導体層（ｎ＋形ａ−Ｓｉ）及びチャネル保護膜を設け、信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッドを同時に形成し、次に、ＩＴＯからなる画素電極をパタ−ニングにより形成し、これらの上にポリイミドからなる配向膜を形成してスイッチング素子及び各種配線・電極を備えた基板を備え、
　複数のＴＣＰを通じてＸ−ＰＣＢ及びＹ−ＰＣＢを接続するための配線群をガラス基板上に形成して絶縁層にて被覆した後、複数のＴＣＰと接続するための電極を設けて配線群と導通がとれるように構成され、
　Ｘ−ＰＣＢ側のＴＣＰの電極パッド及びＹ−ＰＣＢ側のＴＣＰ側の電極パッドは、ガラス基板（アレイ基板）上の絶縁層上に直交した位置に配置されている液晶表示素子。」
　
（２）引用刊行物１の記載事項については前記第２、２（３）ア（ア）のとおりである。
　
３　対比・判断
ア　本願発明と引用発明３とを対比する。
（ア）引用発明３の「ガラス基板」、「ゲート電極」、「ゲート線」、「Ｃｓ電極」、「絶縁層」、「半導体層（ａ−Ｓｉ）、半導体層（ｎ＋形ａ−Ｓｉ）」、「信号線」、「チャネル保護膜」、「画素電極」及び「液晶表示装置」は、本願発明の「基板」、「ゲート電極」、「ゲート線を含むゲート配線」、「信号配線」、「ゲート絶縁膜」、「薄膜トランジスタ用半導体パターン」、「データ線」、「保護膜」、「画素電極」及び「液晶表示装置」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明３は「ガラス基板」に、「ゲート線」及び「配線群」を「同時に形成」し、その上に、「ゲート絶縁膜及び絶縁層を同時に形成」した後、「信号線」（データ線）、「電極及び電極パッド」を「同時に形成し」たものであるから、本願発明の「ゲート線に絶縁」される「データ線」の構成を備える。
　
（ウ）以上によれば、両者は
「基板と、
　前記基板上に形成されるゲート電極及びゲート線を含むゲート配線及び複数の信号配線と、
　前記ゲート配線及び複数の前記信号配線を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタ用半導体パターンと、
　前記ゲート線に絶縁されるデータ線と、を含む液晶表示装置。」
である点で一致し、
　
ａ　本願発明では、「データ線」が「ゲート線」に「交差」し、「ソース電極」が「データ線から延長されて前記半導体パターンに接触」し、「ドレーン電極」が「ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触する」ものであって、「データ配線」が「データ線」、「ソース電極」及び「ドレーン電極」を含むのに対して、引用発明３は、「ソース電極」及び「ドレイン電極」がそのように構成されているか明らかでない点（以下「相違点３」という）、
　 
ｂ　本願発明は、「前記データ配線及び前記半導体パターンを覆う保護膜と、前記ドレーン電極を露出させる第１接触孔と、前記信号配線各々を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第２接触孔」を有しているのに対して、引用発明３は、そのような事項を有しているものか明らかではない点（以下「相違点４」という）、及び、
　
ｃ　本願発明では、「画素電極」が「ドレーン電極に連結され」、また、「複数の信号配線補助パッド」が「信号配線に連結される」のに対して、引用発明３は、「信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッドを同時に形成し」、「次に、ＩＴＯからなる画素電極をパタ−ニングにより形成し」ているものの、「パタ−ニングにより形成し」た「ＩＴＯからなる画素電極」が、「信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッド」とどのように連結されるのか明らかではない点（以下「相違点５」という）、
で相違する。
　
イ　上記相違点３ないし５について検討する。
（ア）上記相違点３について検討する。
　引用発明３は「ゲート線に絶縁されるデータ線」の構成を備え、「ゲート線」と「データ線」を交差させることは、液晶表示装置において慣用技術である。
　また、液晶表示装置において、「ドレイン電極」及び「ソース電極」が対応して設けられ、それぞれ半導体層に接触することは、本願優先日時点で周知技術であることを踏まえると、「信号線」、「ドレイン電極」、「ソース電極」、「電極」及び「電極パッド」を「同時に形成し」たものである引用発明３において、「ドレイン電極」及び「ソース電極」の一方は「信号線」（データ線）と接続され、「信号線」及び「信号線」に接続された「ドレイン電極」ないし「ソース電極」は、「信号線」の配線（データ配線）に含まれるといえるから、引用発明３は本願発明の「半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレーン電極を含むデータ配線」の構成を備える。
　また、液晶表示装置において「半導体層に接触するソース電極」を、データ線から延長して形成することは慣用技術である。
　したがって、引用発明３において、相違点３の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（イ）上記相違点４について検討する。
　引用発明３は「信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッドを同時に形成し」、「次に、ＩＴＯからなる画素電極をパタ−ニングにより形成し」ているところ、「信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッド」の上に直接「ＩＴＯからなる画素電極をパタ−ニングにより形成」しているか、あるいは、「信号線、ドレイン電極、ソース電極、電極及び電極パッド」の上に絶縁性の膜を形成し、その上に「ＩＴＯからなる画素電極をパタ−ニングにより形成」しているか明らかではない。
　しかるに、引用発明３は、「ＴＣＰを通じてＸ−ＰＣＢおよびＹ−ＰＣＢを接続するための配線群をガラス基板上に形成して絶縁層にて被覆した後、ＴＣＰと接続するための電極を設けて配線群と導通がとれるように構成されている」ものであって、「配線群」を「絶縁層」にて被覆した後、「電極」が「配線群」と「導通がとれるように構成され」るものであるところ、「基板の上にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成」し、「基板の全面に絶縁膜」を形成し、「ソース電極及びドレイン電極を形成」し、「基板の全面に保護膜を形成」し、「保護膜及び絶縁膜」に「コンタクトホールを形成し」、「透明導電膜」からなる「ドレイン電極及びゲートパッドと接続される画素電極を形成する」構成が引用刊行物１（第２、２（３）ア（ア）ａ）に記載されており、引用発明３及び引用刊行物１はいずれも、液晶表示装置等の電極接続部（「電極パッド」、「ゲートパッド部」）に関するものである点で共通するものであるから、引用発明３において、引用刊行物１に記載の上記構成を適用することは、当業者が容易になし得ることである。
　ここで、引用発明３において、上記のようにコンタクトホールを設ける際、コンタクトホールの側辺の長さと配線の幅をどうするかは設計的事項であるところ、側辺の長さが幅より大きいものが、引用刊行物１に示されている（第２、２（３）ア（ア）ｄ）ことに照らすと、引用発明３において、上記信号線の上に絶縁性の膜を形成し、接触が必要な箇所のみコンタクトホールを設けてからＩＴＯをパタ−ニングにより形成する引用刊行物１に記載の上記構成を適用するに際して、「側辺の長さが幅より大きく形成する」構成とすることに格別の困難はない。
　したがって、引用発明３において、相違点４の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（ウ）上記相違点５について検討する。
　液晶表示装置において、ＩＴＯからなる画素電極をドレイン電極ないしソース電極と連結することは慣用手段であって、引用発明３において「ＩＴＯからなる画素電極」をどちらと連結するかは設計的事項である。
　また、引用発明３は、「ＴＣＰを通じてＸ−ＰＣＢおよびＹ−ＰＣＢを接続するための配線群をガラス基板上に形成して絶縁層にて被覆した後、複数のＴＣＰと接続するための電極を設けて配線群と導通がとれるように構成されている」ものであるから、「複数のＴＣＰと接続するための電極」（複数の信号配線補助パッド）と「ＴＣＰを通じてＸ−ＰＣＢおよびＹ−ＰＣＢを接続するための配線群」（信号配線）を「導通」（連結）する構成とすることも当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、引用発明３において、相違点５の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明３及び引用刊行物１に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。