【事件の表示】
　特願２００３−１６６７４２「半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日出願公開、特開２００４−　２３１０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１５年　６月１１日（パリ条約による優先権主張；２００２年　６月１２日、大韓民国、２００３年　５月２７日、大韓民国）の出願であって、平成１９年１１月２９日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２０年　３月　４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年　３月２１日付けで拒絶査定され、これを不服として、平成２０年　６月２３日付けで拒絶査定不服の審判が請求されると共に、平成２０年　７月２３日付けで手続補正がなされたところ、当審において平成２２年１０月　４日付けで平成２０年　７月２３日付け補正書の補正の却下の決定及び平成２０年　３月　４日付け手続補正書に対する最初の拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して平成２３年　１月　５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
　　
第２　当審拒絶理由について
　当審拒絶理由の概要は、次のとおりである。
　
「理由１・・・・
　理由２　特許法第３６条第４項、第６項第１号及び第６項第２号に関して 
 （１）請求項１について 
 　ア．請求項１に記載の「一つ以上の特定波を所定の値でわって規格化し」なる記載において、規格化の方法が不明りょうであり、発明の詳細な説明に記載された発明ではなく、また、発明の詳細な説明にこれを実施しうる程度に記載されてもいない。 
 　・・・・・・
　さらに、上記【００１６】の「基準値」の設定によれば、「基準値は特定波Ｗ１、Ｗ２の波長中で最大ピーク値であるか、またはそれより少ない値で成り立つ」旨説明されているものの、上記「第２　２．（１）請求項１の補正について」の検討事項で検討しているように、「最大ピーク値」および「最大ピーク値より小さい値」の特定の仕方が不明であるから、やはり、「基準値」の定義・特定方法が不明であり、上記規格化の方法が不明である。 
 　 
 　イ．・・・図６を参照するに、Ｗ６、Ｗ５のどの部分がエッチング終了点であるのか不明であり、また、「１次の微分係数が０である変曲点」がグラフ上の何処なのか上記のように不明でありどの様にしてエッチング終了点を特定するのか不明である。 
 　 
 　ウ．そもそも、カウンティングされた変曲点の数とエッチング終了点との関係も具体的に説明が無く、一体、いくつカウントしたらエッチング終了点となるのか不明であるから、変曲点の特定が仮に明確になったとしても、請求項１に記載された発明では、エッチング終了点を特定することができず、請求項１に記載された発明を実施化すべき具体的な説明も明細書には記載されていない。 
 　・・・前もってどのようにして、エッチング終了点を特定する「「満足される変曲点」である所定の変曲点の個数」を、求めておくのか、エッチング終了点と個数との対応関係を特定する技術的な根拠・説明がなされておらず、自明でもないから不明であり、カウンティングされた変曲点の個数に基づきエッチング終了点をチェックする方法が不明である。 
・・・ 　 
 （４）請求項１０について 
　ア．「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波がすべて現れたら、エッチング終了点とする」の意味が不明りょうであり、また、発明の詳細な説明にも当業者がこれを実施しうる程度に記載されていない。 
 ・・・
　（ア）指針線Ａを何に基づいてどの様に設定するのか明細書には具体的に説明されておらず、図７を参酌しても、指針線Ａがどの様に設定されているのか不明あり、 
　（イ）また、図７においては、食刻時間２６秒近傍から５６秒近傍にかけて、７つの特定波が全て強さ０以上となっており、指針線ＡとＰ１〜Ｐ７は、同一の食刻時間において、全て指針線Ａと交差していることから「図７の指針線Ａ上に一つ以上の特定波の交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れたら、」とは、何を行おうとしているのか不明である。 
 　指針線Ａを設定したエッチング時間においては、グラフ上全て特定波長が交差しているのであるから、指針線Ａを設定すること自体が、エッチング終了点を予め設定してしまうことになり、その他の条件によって、エッチング終了点を検出することではなくなってしまう。 
 　即ち、時間の経過を単に見ているだけにすぎず指針線Ａの位置である食刻時間を設定すれば、その時間さえ来れば、エッチング終了点であるとされてしまうことになり、交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れることとエッチング終了点との関係が不明である。 
　したがって、明細書の説明及び図を参酌しても、「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波がすべて現れたら、エッチング終了点とする」ことの技術的意味及びエッチング終了点の検出方法が不明である。・・・ 
　（ウ）さらに、「指針線Ａ上交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４」を有する各特定波が４層膜からなり、第４膜から順次、第３膜、第２膜、第１膜とエッチングされる被エッチング物であり、各特定波が、各層の膜によってもたらされるものであるとすれば、各膜毎にそれぞれ重なる部分があったとしても、図７のようにほとんど全ての特定波がほぼ同一の食刻時間帯において現れ、同一の食刻時間（４８秒）において、指針線Ａと特定波のすべてが交差していることの技術的意味が不明である。 
 　 
 　イ．・・・
 　 
 （５）請求項１１〜請求項１３について、 
　ア．・・・
　
　イ．各請求項１１〜１３自体に記載されているエッチング検出方法が不明りょうであり、発明の詳細な説明、図７，８，９〜１２を参酌しても、上記請求項１０に関する各指摘事項と同様に不明りょうである。 
　
　ウ．請求項１１に記載の「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの選択した一つの特定波が現れたら、エッチング終了点とする」について、当該事項の説明である、図８の指針線Ｂ、指針線Ｂ’の設定方法が不明であり、どのような理由で「所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ上に特定波の交差する点Ｐ９，Ｐ１０がすべて現れ、以後は他の所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ′上に一つの特定波Ｗ８の交差する点Ｐ８が現れた時をエッチング終了点」とすることができるのかが不明であるから、上記請求項１１の記載は不明りょうである。 
 　 
　エ．請求項１２に記載の「一の所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの一つの特定波を除いた残りの特定波が現れた後、除いた残りの特定波が他の所定のドライエッチング時間経過時に現れたら、エッチング終了点とする」について、上記ウ．と同様に、指針線Ｂ、指針線Ｂ’の意義が不明であり、どのような理由で「所定のドライエッチング時間経過時に一つ以上の特定波Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１０のうちの一つの特定波Ｗ８を除いた残りの特定波が現れた後、除いた残りの特定波Ｗ９，Ｗ１０が他の所定のドライエッチング時間経過時に現れたら、エッチング終了点とする」とすることができるのかが不明であるから、請求項１２の上記記載は不明りょうである。 
 　 
 （６）【００２２】の記載によれば、工程チェンバーの雰囲気が変更された後に、図９の所定の乾式エッチング時間に表示された指針線Ｃ上に、二つの特定波の交差する点Ｐ１１、Ｐ１２の中で、選択された一つが現れた時がエッチング終了点であることを使用者に対して認識させる場合と、工程チェンバー１０雰囲気が安定された後に、図１０の所定の乾式エッチング時間に表示された指針線Ｄ上に、二つの特定波の交差する点Ｐ１３、Ｐ１４の中で、選択された一つが現れた時を使用者に対しエッチング終了点であることを認識させる場合とがある旨説明されているが、いずれの場合も、どのような理由で選択された点の一つが現れた時がエッチング終了点になるのか不明である。 」
 　 
　
第３　当審の判断　
１．平成２３年　１月　５日付け手続補正書について
　ア．平成２３年　１月　５日付け手続補正書により、特許請求の範囲、明細書の【００１３】、【００１６】、【００１７】、【００２０】、【００２１】、【００２２】及び図面の図７〜図１０が補正された。
　イ．補正された特許請求の範囲のうち、請求項１及び請求項９〜１２（補正前の請求項１０〜１３）は、下記の通り。（なお、下線は補正箇所を示している。）
　「【請求項１】
　工程チェンバー及び検出器を含む半導体ドライエッチング装置を使用して半導体ドライエッチング工程を進行する方法において、
　前記工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、　　前記半導体ドライエッチング装置を使用して前記工程チェンバーから投射されたプラズマ光を捕獲し、
　前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、
　　一つ以上の特定波の
それぞれにおける強さの値を該一つ以上の特定波のそれぞれのピーク値である基準
　　前記規格化された一つ以上の特定波を微分し、
　　前記規格化以後、微分された一つ以上の特定波、各々に１次の微分係数が０である
点
　　前記カウンティングされた
１次の微分係数が０である点
　「【請求項９】
　
工程チェンバー及び検出器を含む半導体ドライエッチング装置を使用して半導体ドライエッチング工程を進行する方法において、　前記工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、　　前記半導体ドライエッチング装置を使用して前記工程チェンバーから投射されたプラズマ光を捕獲し、　前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、　前記一つ以上の特定波を規格化し、　前記規格化された一つ以上の特定波を微分し、　所
前記規格化以後、微分された一つ以上の特定波
【請求項１０】
　
工程チェンバー及び検出器を含む半導体ドライエッチング装置を使用して半導体ドライエッチング工程を進行する方法において、　前記工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、　　前記半導体ドライエッチング装置を使用して前記工程チェンバーから投射されたプラズマ光を捕獲し、　前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、
【請求項１１】
　
工程チェンバー及び検出器を含む半導体ドライエッチング装置を使用して半導体ドライエッチング工程を進行する方法において、　前記工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、　　前記半導体ドライエッチング装置を使用して前記工程チェンバーから投射されたプラズマ光を捕獲し、　前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、　所
除かれた前記一つ
【請求項１２】
　
工程チェンバー及び検出器を含む半導体ドライエッチング装置を使用して半導体ドライエッチング工程を進行する方法において、　前記工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、　　前記半導体ドライエッチング装置を使用して前記工程チェンバーから投射されたプラズマ光を捕獲し、　前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、　前
　前記工程チェンバー内の雰囲気の変更後及びその後前記工程チェンバー内の雰囲気の安定化後のうちのいずれかに対応して現れた前記一つ以上の特定波を前記検出器を使用して格納し、
　ドライエッチング時間内に、特定波の強度の経時変化を示すグラフにおいて、前記グラフ上のドライエッチング時間の前に表示された一つの指針線上に二つの特定波の中で選択された一つの特定波が現れた時をエッチング終了点とすることを特徴とする半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法。」
　
２．判断
（１）当審拒絶理由の上記「理由２（１）ア．」について
　本願の請求項１に係る発明に対する当審拒絶理由の上記「理由２（１）ア．」における「規格化の方法が不明りょうであり、発明の詳細な説明に記載された発明ではなく、また、発明の詳細な説明にこれを実施しうる程度に記載されてもいない。」との点について検討する。
　
　ア．審判請求人は、請求項１の 補正前の「一つ以上の特定波を所定の値でわって規格化し」を、「一つ以上の特定波の
それぞれにおける強さの値を該一つ以上の特定波のそれぞれのピーク値である基準
　また、補正前の【００１３】の「前記一つ以上の特定波
の中
波長で残り波長を
それぞれにおける強さの値を該一つ以上の特定波のそれぞれの
強さのピーク値で
「【００１３】
　・・・また、前記一つ以上の特定波の
それぞれにおける強さの値を該一つ以上の特定波のそれぞれの
強さのピーク値で
　補正前の「特定波Ｗ１、Ｗ
２中
Ｗ１の波長
に、選
波長
それぞれの
強さのピーク値
該特定波Ｗ１、Ｗ２それぞれの中で
強さのピーク値
それぞれにおける強さの値
「【００１６】
　・・・まず特定波Ｗ１、Ｗ２
それぞれの
強さのピーク値
該特定波Ｗ１、Ｗ２それぞれの中で
強さのピーク値
それぞれにおける強さの値
下線部分のように補正をするものの、上記補正と同日付で提出された意見書には、上記補正によって当審拒絶理由の上記「理由２（１）ア．」を解消したことについて特段の説明はなされていない。
　
　イ．上記請求項１の補正においては、補正前の「一つ以上の特定波を所定の値でわって規格化し」の「所定の値」を「
該一つ以上の特定波のそれぞれのピーク値
  ここで、上記の「前記選択された波長」における「波長」は、その前段の補正により「波長」を選択せず、「ピーク値」を選択することとなったから、その前段の補正内容を踏まえれば、「前記選択された波長」の「波長」は、「ピーク値」を意味するとの解釈もあり得るが、そのように解釈したとしても、補正された請求項１に記載された「
該一つ以上の特定波のそれぞれのピーク値
　また、補正された請求項１の「一つ以上の特定波の
それぞれにおける強さの値を該一つ以上の特定波のそれぞれのピーク値である基準
それぞれの
強さのピーク値
該特定波Ｗ１、Ｗ２それぞれの中で
強さのピーク値
それぞれにおける強さの値
 　 
 　（ア）「ピーク値」がそれぞれの特定波毎の「最大ピーク値」である場合、特定波の「最大ピーク値」を特定する方法が不明である。
　　例えば、本願の図４，図７〜図１０等に図示されている各特定波のように、その「強さ」は、複雑に経時変化しており、必ずしも最初に出現したピーク値が、全経過時間において、その強さが「最大」となるピーク値であるとは限らず、「最大ピーク値」を特定することは、単純ではないことは明らかである。 
　ところで、補正された請求項１及び本願の明細書中には、例えば、
「【請求項１】・・・半導体基板上に
プラズマエッチング工程を進行し
半導体ドライエッチング工程での
「【従来の技術】・・・【０００３】
・・・半導体基板上に多層膜が蒸着された半導体素子を
乾式エッチングする間に、
エッチング終了点を使用者が探す
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的課題は、半導体基板上に覆っている多層膜で
乾式エッチングする間に、
エッチング終了点を正確に、かつ容易に検出する
半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点検出
【００１３】
　前記検出方法は、・・・プラズマ及び前記半導体基板１６上の膜間の反応で工程チェンバー１０内に光が発生され、・・・前記検出された光は、検出器３４から
乾式エッチング間に実時間でスペクトル（Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）化
所定の初期乾式エッチング時間を経過させた後、前記カウンティングが進行される
所定のエッチング時間を定めて前記時間以後
所定乾式エッチング時間でのエッチング終了点
【００１７】
　・・・前記規格化以後、微分された特定波は、区別することが難しい特化された部分を
乾式エッチング時間中に容易に区別することを可能にする。
工程チェンバー１０状況及び半導体基板１６上のエッチング状況を素早くチェックするようにしてくれる。
【００２８】【発明の効果】
　・・・これにより、前記半導体乾式エッチング装置は
半導体基板上の選択された膜の上で、容易にエッチング工程を終了する
と記載されていることから、少なくとも本願の請求項１に係る発明は、プラズマエッチング工程中で終了点を検出するものと認められる。
　
　上記のように、本願の請求項１に係る発明は、エッチング終了点の検出は、エッチングが進行しているその最中に、行うものであるから、請求項１に記載された方法によれば、逐次検出されている特定波の検出途中において、「強さ」の最大ピーク値を特定し、これを基準値として規格化することになるが、そもそも何をもって、「最大」とするのか不明であるから、選択された特定の波長の強度が経時変化する中で、どの時点での「強さ」を「最大ピーク値」と判断するのか、その特定方法が不明である。
　 単純に、最大の「強さ」を「最大ピーク値」とするならば、波長強度の測定が終了した時点以後、例えば、検出強度がゼロになった場合であって、特定波の検出が、再出現しないことが明らかな場合おいて、初めて、「強さ」の変化の全体形状を知り得ることになり、その「強さ」の変化の全体形状を知ることで、最大ピーク値を特定しうるものであるが、測定が終了してしまっては、どの時点で、エッチング終了点となっているのか特定できないことになる。 
　したがって、特定波における「強さ」の変化のパターン等が予め知られており、その特定のパターンに応じて「最大ピーク値」の個別の設定方法を特定しない限り、プラズマ光の検出途中において、特定波の「強さ」の「最大ピーク値」を特定することはできないにもかかわらず、そのような構成が，請求項１には特定されておらず、発明の詳細な説明にもそのような特定方法が説明されていない。 
 　よって、「最大ピーク値」とは、どの様なものであるか不明であり、その特定をどの様に行うのか不明であるから、「最大ピーク値」により規格化する方法も不明であり、発明の詳細な説明に当業者が実施しうる程度の記載がなされていない。
　 
　（イ）「最大ピーク値より小さい値」を「ピーク値」として特定する場合においても、その具体的な特定方法が請求項１には特定されておらず、また、発明の詳細な説明においても、どの値をもって、「最大ピーク値より小さい値」であるのか説明されておらず、また図示もされていない。 
 　 
　（ウ）補正された【００１６】では、図４および図５の説明をしているが、当該図を参照しても、Ｗ１、Ｗ２のどの様な点をピーク値として特定し、Ｗ１及びＷ２をどのように規格化して、Ｗ３、Ｗ４を得ているのか、具体的な説明はなく、明らかな事項でもない。
　例えば、図５のＷ３において、割られる値と割る値とが一致する「強さ」である「強さ」が１の食刻時間は、ほぼ４０〜６４．６辺りであるが、規格化前の図４のＷ１における食刻時間がほぼ４０〜６４．６においてピークらしき値を見ることはできないし、図４におけるＷ１の最大ピークに相当する食刻時間９．９１辺り図５の食刻時間の「強さ」は１よりも大きな値となっており、さらに食刻時間が４０辺りまでの「強さ」が１を越えた状態が続いていることから最大ピークを基準値としていないことも明らかであるから、Ｗ１におけるどの食刻時間の「強さ」の値をピーク値として選定し、これを基準値として規格化しているのか不明である。
　また、Ｗ２とＷ４との関係においてもピーク値たる基準値を特定できない。
　
　（エ）Ｗ１，Ｗ２からＷ３，Ｗ４への規格化における特定波Ｗ１，Ｗ２について【００１６】では、「特定波Ｗ１，Ｗ２の中で一つＷ１は、累積枚数が９９枚であるときに１００番目の、前記半導体基板１６上に乾式エッチング工程が進行されて得られたデータであり、残りＷ２は累積枚数が９９９枚であるときに１、０００番目の、前記半導体基板１６上に乾式エッチング工程が進行されて得られたデータである。」と説明しており、Ｗ１，Ｗ２は、異なるエッチングの進行過程における、それぞれの特定波であるところ、請求項１に記載された発明は、プラズマエッチング工程を進行し、プラズマ光を捕獲し、プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出するものであるから、同一のエッチング工程において、発生されたプラズマ光からの検出光であることは明らかであり、一つ以上の特定波それぞれにおける規格化、即ち、同一のエッチング工程における２つ以上の特定波の規格化を含むものであるが、そのような場合についての具体的な説明はなされていない。
　
　（２）当審拒絶理由の上記「理由２（１）イ．及びウ．」について
　本願の請求項１に係る発明に対する当審拒絶理由の上記「理由２（１）イ．及びウ．」における、
「イ．図６を参照するに、Ｗ６、Ｗ５のどの部分がエッチング終了点であるのか不明であり、・・・どの様にしてエッチング終了点を特定するのか不明である。 
　ウ．・・・カウンティングされた変曲点の個数に基づきエッチング終了点をチェックする方法が不明である。」
との点について検討する。 
　
　ア．審判請求人は、請求項１及び関連する明細書中の記載について、補正前の「各々に１次の微分係数が０である変曲点」を、「各々に１次の微分係数が０である
点
１次の微分係数が０である点
「（２−２−２）理由２のイー２について：
　「１次の微分係数が０である点」は、図６において右側の軸の「傾き」の値が“０”である点であることが明らかです。また、段落[００１３]から１次の微分係数が０である点を１ないし１，０００の範囲内でカウンティングして、エッチング終了点を特定することは明らかであると思料致します。
（２−３）理由２のウについて：
　１次の微分係数が０である点は、エッチング装置の工程環境に基づいて可変的に設定することができます。工程環境は、エッチングチャンバの体積のサイズ、エッチングチャンバに注入される工程ガスの種類、エッチングチャンバ内においてエッチングされる膜の種類に依存します。「１次の微分係数が０である点の個数」はエッチング装置の使用者の経験によって決定されます。本願の明細書中には、「１次の微分係数が０である点の個数」を介したエッチングエンドポイントのチェックが可能な方法が開示されています。また、例えば、段落[００１３]から１次の微分係数が０である点を１ないし１，０００の範囲内でカウンティングして、エッチング終了点を特定することが記載されています。」
　
　イ．しかしながら、「１次の微分係数が０である点の個数」によりエッチング終了点を特定する際の「個数」を経験則により決定するとしているが、図４，図６のデータ等において、何回カウントした時点でエッチング終了点としたのか具体的な説明・データが無く、エッチング終了点が毎回、同数のカウント数により特定しうることの根拠となる具体的なデータも示されていない。
　また、経験則によるとしても、装置のどの様なパラメータが、「１次の微分係数が０である点」を変化させる、どの様な状態設定の場合においてエッチング終点を一律的に判断しうるカウント数を特定し得るのか、装置パラメータが極めて多岐にわたるものの、本願明細書には具体的な説明はなく、何らの指標も提示されていないことから、意見書に言う経験則のみでエッチング終点を判断しうるカウント数を特定できるとは認められない。
　したがって、本願の請求項１に係る「前記カウンティングされた
１次の微分係数が０である点
　
　（３）当審拒絶理由の上記「理由２（４）〜（６）」について
　ア．審判請求人は、請求項９〜１１（補正前の請求項１０〜１３）をそれぞれ請求項１に従属しない独立請求項とし、発明の詳細な説明及び図７〜図１０の補正をすると共に下記の主張をしている。
「（２−８）理由２のカ、ケ、コ、サ及びシについて：
　図７〜図１０を適切に修正しました。図８においては、図３の４つの膜に対応すべく、特定波Ｗ８−２が追加されました。また、これらの図面の修正に整合させて明細書中の記載を修正しました。修正した図７〜図１０を用いてこれらの図の意義等を説明しますと、以下の通りです。　 
　本願発明によれば複数の膜のそれぞれに対応する複数の特定波をモニターすることができます。複数の特定波をモニターすることは、単一の特定波をモニターする場合と比べて、工程チャンバー内の工程環境を確実に把握することができます。そのため、図７はエッチング終了点として線Ａと複数の特定波が交差する時間を示しており、複数の膜の最下膜へのエッチング損傷を更に低減させるのに用いられます。図８はエッチング終了点として線Ｂ’と複数の特定波のうち選択された一特定波との交差の時間を示しており、複数の膜の間の一つの特定膜の厚さの均一性の欠如と、複数の膜の間の他の特定膜のエッチング工程の均一性の欠如との処理に用いられることができます。
　工程チャンバー内の半導体基板上の絶縁膜を貫通するコンタクト穴を形成する間に、例えば、エッチング装置の使用者は、エッチング装置における検出器における２つの特定波を格納することができます。特定波の一つは絶縁膜から生成されることができます。残りの特定波は半導体基板に位置するn+拡散領域から生成されることができます。特定波は不安定な工程チャンバーの雰囲気の一つのケース、又は工程チャンバーの工程環境が変った後に、安定な工程チャンバーの雰囲気の他のケースに対応することができます。その特定波は、それぞれのケースに対応する図９又は図１０に示されています。使用者は、工程チャンバーの工程環境と工程装置に関連する自分の経験を通じてケースから選択された一つの対応する特定波との関係を知っているので、使用者はエッチング終了点として図９及び図１０の線Ｃ又はＤと交差する一つの選択された波を用いることができます。」
　
　なお、図８の補正において、指針線Ｂ上において交点Ｐ７を有する新規な特定波Ｗ８−２が付加されたが、このような変化をする特定波Ｗ８−２を付加しうる根拠は不明であるものの、下記のように、当審拒絶理由の上記「理由２（４）〜（６）」は、依然として解消していない。
　
　イ．当審拒絶理由の上記「理由２（４）」について
　補正された請求項９（補正前の請求項１０）は、引用していた請求項１を引用せず独立項として補正されたものであるが、補正された
「
前記検出器を使用して前記プラズマ光から発生された一つ以上の特定波を検出し、　前記一つ以上の特定波を規格化し、　前記規格化された一つ以上の特定波を微分し、」
　
　（ア）補正された請求項９（補正前の請求項１０）についての当審拒絶理由の上記「理由２（４）」　の「ア．「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波がすべて現れたら、エッチング終了点とする」の意味が不明りょうであり、また、発明の詳細な説明にも当業者がこれを実施しうる程度に記載されていない。」との点について検討すると、上記指摘の構成に関して補正された「
所
前記規格化以後、微分された一つ以上の特定波
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項の規定を満たしていない。
　
　ａ．指針線Ａを何に基づいてどの様に設定するのか明細書には具体的に説明されておらず、図７を参酌しても、指針線Ａがどの様に設定されているのか不明である。
　 
　ｂ．図７においては、食刻時間が３秒以後は、常に４つの特定波が全て強さ０以上となっており、指針線Ａと特定波Ｗ７−１〜Ｗ７−４は、同一の食刻時間において、Ｐ１〜Ｐ４点のように全て指針線Ａと交差していることから「図７の指針線Ａ上に一つ以上の特定波の交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れたら、」とは、何を行おうとしているのか不明である。 　上記の状態は、指針線Ａを設定したエッチング時間においては、グラフ上の全て特定波が交差しているのであるから、指針線Ａを設定すること自体が、エッチング終了点を予め設定してしまうことになり、その他の条件によって、エッチング終了点を検出することにはならない。 
 　即ち、グラフでは、時間の経過を単に見ているだけにすぎず、指針線Ａの位置である食刻時間を設定すれば、その時間さえ来れば、エッチング終了点であるとされてしまうことになり、交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れることとエッチング終了点との関係が不明である。 
　したがって、明細書の発明の詳細な説明及び図を参酌しても、「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波がすべて現れたら、エッチング終了点とする」ことの技術的意味及びエッチング終了点の検出方法が不明である。
　
　ｃ．さらに、「指針線Ａ上交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４」を有する各特定波が４層膜からなり、第４膜から順次、第３膜、第２膜、第１膜とエッチングされる被エッチング物であり、各特定波が、各層の膜のエッチング時に得られるものであるとすれば、各膜毎にそれぞれ重なる部分があったとしても、図７のようにほとんど全ての特定波がほぼ同一の食刻時間帯において現れ、同一の食刻時間（４８秒）において、指針線Ａと特定波のすべてが交差していることはありえないから、この点でも、指針線Ａの特定とそれに基づくエッチング終了点との関係が不明瞭であり、当業者が実施しうる程度の説明はなされていない。 
　この点に関連した審判請求人の意見書における
　「・・・本願発明によれば複数の膜のそれぞれに対応する複数の特定波をモニターすることができます。・・・そのため、図７はエッチング終了点として線Ａと複数の特定波が交差する時間を示しており、複数の膜の最下膜へのエッチング損傷を更に低減させるのに用いられます。・・・
　工程チャンバー内の半導体基板上の絶縁膜を貫通するコンタクト穴を形成する間に、例えば、エッチング装置の使用者は、エッチング装置における検出器における２つの特定波を格納することができます。特定波の一つは絶縁膜から生成されることができます。残りの特定波は半導体基板に位置するn+拡散領域から生成されることができます。」
との説明及び補正された【００２０】の前段の説明
　「【００２０】・・・第１ないし第４膜１８，２０，２２，２４を順に乾式エッチングして・・・この時に工程チェンバー内プラズマ及び第１ないし第４膜１８，２０，２２，２４を持つ半導体基板間の反応で発生された光を利用して乾式エッチング工程間にエッチング終了点を求める検出方法を提示するものとする。まず、前記第１ないし第４膜１８，２０，２２，２４を乾式エッチングする間に発生された光は、図１の検出器３４で、一つ以上の特定波に変更される。」
との記載からは、第１ないし第４膜を順次エッチングし、順次特定波Ｗ７−１〜Ｗ７−４が検出されるはずであるところ、図７及び【００２０】の後段の「・・・この時に前記検出方法は、図７の指針線Ａ上に一つ以上の特定波Ｗ７−１〜Ｗ７−４の交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れたら、これを半導体基板１６上を露出する満足された所定乾式エッチング時間でのエッチング終了点であるという・・・」との説明では、同一の食刻時間において同時に４つの特定波Ｗ７−１〜Ｗ７−４が表示されており、同一の指針線Ａと交差する点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がすべて現れた時点をエッチング終了点としているものであるから、審判請求人の主張及び【００２０】前段の説明と図７及び【００２０】後段の説明とに整合がとれておらず、不明瞭な説明がなされている。
　そして、特定波Ｗ７−１〜Ｗ７−４が順次現れるものであった場合であっても、図７における指針線Ａ以前の食刻時間が０から１１以前において全ての特定波が現れており、指針線Ａを用いた説明は、明細書全体を参酌しても、請求項９の「
所
前記規格化以後、微分された一つ以上の特定波
　
　ウ．当審拒絶理由の上記「理由２（５）ウ．、エ．」について
　（ア）請求項１０（補正前の請求項１１）に係る当審拒絶理由の上記「理由２（５）ウ．」の「ウ．請求項１１に記載の「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの選択した一つの特定波が現れたら、エッチング終了点とする」について、当該事項の説明である、図８の指針線Ｂ、指針線Ｂ’の設定方法が不明であり、どのような理由で「所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ上に特定波の交差する点Ｐ９，Ｐ１０がすべて現れ、以後は他の所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ′上に一つの特定波Ｗ８の交差する点Ｐ８が現れた時をエッチング終了点」とすることができるのかが不明である・・・」との点について検討する。
　
　ａ．審判請求人は、補正前の請求項１１において引用していた請求項１を引用せず独立項である請求項１０とする補正を行ったが、上記指摘の箇所についての補正はなされていない。
　
　ｂ．ところで、図７〜図１０何れの図において、各特定波は、食刻時間初期において多少のバラツキはあるものの、ほぼ同時に現れている。
　しかしながら、食刻時間初期に、直ぐにエッチング終了点となることは、一般技術常識外のことであり、発明の詳細な説明において、食刻時間初期において「所定のドライエッチング時間経過時」に、それまで「現れていなかった特定波が現れ」、その時点がエッチング終了点であるとの具体的な説明が、発明の詳細な説明の何れにも記載されていない。
　
　ｃ．また、「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの選択した一つの特定波が現れたら、エッチング終了点とする」について、当該事項の説明であろうと考えられる、図８及び【００２１】の説明を検討してみると、補正された【００２１】の「【００２１】・・・図３の第１ないし第４膜１８，２０，２２，２４を乾式エッチングする間に、図８に現れた一つ以上の特定波Ｗ８−１〜Ｗ８−４の中で一つの特定波Ｗ８−１を除いた残りの特定波Ｗ８−２〜Ｗ８−４をまずモニターする。続いて、図８に示したように所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ上に前記特定波Ｗ８−２〜Ｗ８−４の交差する点Ｐ７，Ｐ９，Ｐ１０がすべて現れ、以後は他の所定の乾式エッチング時間を持つ指針線Ｂ′上に前記一つの特定波Ｗ８−１の交差する点Ｐ８が現れた時をエッチング終了点であることを示す信号を使用者または前記半導体乾式エッチング装置に送る。すなわち、前記検出方法は、例えば第２ないし第４膜２０，２２，２４が第１膜１８上からすべて除去される必要条件を満たした後に前記第１膜１８を乾式エッチングする手順を踏むアルゴリズムを備える。・・・」
との説明からは、
　（ａ）指針線Ｂ，Ｂ’を何に基づいてどの様に設定するのか明細書には具体的に説明されておらず、図８を参酌しても、指針線Ｂ，Ｂ’がどの様に設定されているのか不明である。
　（ｂ）図８においては、食刻時間２５秒近傍から、４つの特定波が全て強さ０以上となっており、指針線Ｂと特定波Ｗ８−２〜Ｗ８−４は、同一の食刻時間において、Ｐ７、Ｐ９、Ｐ１０点のように指針線Ｂと交差するように図示されており、また、指針線Ｂは、補正により下方まで引き延ばされなくなったが、指針線Ｂの食刻時間である１６５秒において、指針線Ｂと交差しているように図示されていない残りの特定波Ｗ−１も既に現れている。
　これは、指針線Ｂを設定したエッチング時間においては、グラフ上の全て特定波が交差しているのであり、また同様に、指針線Ｂ’の食刻時間においても、実質的にＷ８−１〜Ｗ８−４は現れていることから、指針線Ｂ，Ｂ’を設定すること自体が、エッチング終了点を予め設定してしまうことになり、その他の条件によって、エッチング終了点を検出することにはならない。 
 　即ち、グラフでは時間の経過を単に見ているだけにすぎず指針線Ｂ，Ｂ’の位置である食刻時間を設定すれば、その時間さえ基準にすれば、エッチング終了点であるとされてしまうことになり、交差する点Ｐ７〜Ｐ８が、すべて現れることと、「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの選択した一つの特定波が現れる」ことエッチング終了点との関係が不明である。
　（ｃ）さらに、特定波Ｗ８−１〜Ｗ８−４が【００２１】の説明のように、順次現れるものであった場合であっても、図８における指針線Ｂ、Ｂ’以前の食刻時間から全ての特定波が現れており、また、指針線Ａ、Ｂ’を用いた説明は、明細書全体を参酌しても、請求項１０の「所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの選択した一つの特定波が現れたら、エッチング終了点とする」との構成を、当業者が実施可能な程度に説明したものではない。
　
　（イ）請求項１１（補正前の請求項１２）に係る当審拒絶理由の上記「理由２（５）エ．」の 「エ．請求項１２に記載の「一の所定のドライエッチング時間経過時に前記一つ以上の特定波のうちの一つの特定波を除いた残りの特定波が現れた後、除いた残りの特定波が他の所定のドライエッチング時間経過時に現れたら、エッチング終了点とする」について、上記ウ．と同様に、指針線Ｂ、指針線Ｂ’の意義が不明であり、どのような理由で「所定のドライエッチング時間経過時に一つ以上の特定波Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１０のうちの一つの特定波Ｗ８を除いた残りの特定波が現れた後、除いた残りの特定波Ｗ９，Ｗ１０が他の所定のドライエッチング時間経過時に現れたら、エッチング終了点とする」とすることができるのかが不明である・・・」との点について検討する。 
　審判請求人は、補正前の請求項１２の上記指摘箇所に相当する記載を、
　「【請求項１１】・・・
　所
除かれた前記一つ
と補正しているが、請求項１０（補正前の請求項１１）に係る上記「（ア）ｂ、ｃ」の検討と同様に、発明の詳細な説明は、上記補正された構成を当業者が実施可能な程度に説明したものではない。
　　
　（ウ）請求項１１〜１３に係る当審拒絶理由の上記「理由２（５）イ．、理由２（６）」の 「イ．各請求項１１〜１３自体に記載されているエッチング検出方法が不明りょうであり、発明の詳細な説明、図７，８，９〜１２を参酌しても、上記請求項１０に関する各指摘事項と同様に不明りょうである。 」との点については、補正された請求項１０，１１（補正前の請求項１１，１２）については上記検討したとおりであるので、補正された請求項１２（補正前の請求項１３）及び当該請求項１２を説明している【００２２】及び図９，図１０について検討すると、以下の理由により依然としてエッチング終了点の検出方法が不明瞭であり、発明の詳細な説明は、補正された請求項１２を当業者が実施可能な程度に説明したものではない。
　
　ａ．補正された請求項１２は、引用していた請求項の内容を一部削除して独立形式とし、その他の構成については、補正は行っていない。
　また、請求項１２に係る発明を説明している【００２２】及び図９，１０は、特定波にＷ９−１〜Ｗ１０−２の名称を付した補正を行っているにすぎず、エッチング終了点に係る構成の説明について特段の補正が加えられたものではない。
　
　ｂ．補正された【００２２】の記載によれば、工程チェンバーの雰囲気が変更された後に、図９の所定の乾式エッチング時間に表示された指針線Ｃ上に、二つの特定波Ｗ９−１，Ｗ９−２が交差する点Ｐ１１、Ｐ１２の中で、選択された一つが現れた時がエッチング終了点であることを使用者に対して認識させる場合と、工程チェンバーの雰囲気が安定された後に、図１０の所定の乾式エッチング時間に表示された指針線Ｄ上に、二つの特定波Ｗ１０−１，Ｗ１０−２が交差する点Ｐ１３、Ｐ１４の中で、選択された一つが現れた時を使用者に対しエッチング終了点であることを認識させる場合とがある旨説明されているが、いずれの場合も、どのようにして指針線Ｃ，Ｄを特定するのか説明されておらず、発明の詳細な説明は、補正された請求項１２を当業者が実施可能な程度に説明したものではない。
　
　ｃ．また、請求項１２の「一つの指針線上に二つの特定波の中で選択された一つの特定波が現れた時をエッチング終了点」とする構成は、指針線と特定波との交差した時間をもってエッチング終了点とすることとなるが、図９及び図１０のグラフの何れも、指針線Ｃ，Ｄ以前の食刻時間において、特定波Ｗ９−１〜Ｗ１０−２は現れており、指針線Ｃ，Ｄにおいて特定波が現れるか否かにより判断すると言うよりも、指針線Ｃ，Ｄの時刻になったら単純にエッチングが終了したとしているにすぎず、特定波によってエッチング終了点を検出しているとは認められず、この点からも、請求項１２の構成を当業者が実施可能な程度に説明したものではない。
　
　
３．むすび
　したがって、上記補正によっても、上記「第３　２．（１）〜（３）」の判断のように、本願は、特許法第３６条第４項、第６項第２号に規定する要件を満たしていないから拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。