【事件の表示】
　特願２００４−３００５１０「レーザ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２７日出願公開、特開２００６−１１０５９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１６年１０月１４日の特許出願であって、平成２２年２月９日付けで拒絶の理由が通知され、同年４月９日に手続補正がなされ、同年１２月２８日付けで拒絶査定がされた。
　これに対し、平成２３年４月１１日に本件審判の請求とともに手続補正がなされ、当審において平成２４年２月１０日付けで平成２３年４月１１日の手続補正を却下するとともに拒絶理由が通知され、平成２４年４月３日に手続補正がなされ、同年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１３日に意見書が提出されたものである。 
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年４月３日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりと認められる。
　
「パルスレーザ光を部材表面に照射して上記部材表面の被照射部を除去することによって、上記部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法であって、
　前記パルスレーザ光を照射する光源に連結されたアッテネーターにより前記パルスレーザ光のパワー設定を行い、ＳｉＯ２基板上のＡｌまたはＭｏまたはＴｉのうち少なくともいずれか一つを有する配線部材を上記部材として、上記パルスレーザ光のパルス幅を２ピコ秒以上１０ピコ秒以下、かつ上記パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下とする
　レーザ加工方法。」
　
３．刊行物記載の発明
　これに対し、本願出願前に頒布された刊行物であって、当審で通知した拒絶理由に引用された特開２０００−３４７３８７号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００２
「【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程に使用いるフォトマスクは、その製造工程において使用されるフォトレジスト膜のピンホール又は空気中の塵等により、生成後のフォトマスクには欠損欠陥である白欠陥又は残留欠陥である黒欠陥が発生する。このような欠陥の生じたフォトマスクを半導体装置に使用すると製品の歩留まりが低下するため、欠陥部を修正する必要があり、その修正にはレーザ光が使用されている。」
　
イ．段落０００７
「【０００７】
　・・・。また、フォトマスクは透明媒質の基板上にクロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）等の金属薄膜で形成されており、特にクロム薄膜の上に腐食防止のためにクロム酸化物が成膜されているものが一般的に使用されている。」
　
ウ．段落０００９〜００１２
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォトマスクの修正に上述のような固定したパターンの転写法を使用した場合、加工した部分の基板上に金属が残ることがあるという問題がある。
【００１０】つまり、パルス幅数ピコ秒以上のレーザ光を使用して基板上の金属薄膜を加工する場合、パルスエネルギを大きくし、１乃至２発のパルス数で加工する場合は、加工部の金属をいっきに飛ばすため加工部の底部に残留物が残りにくいが、周辺部に熱変質が生じてしまい加工精度が悪くなる。これに対し、レーザ光のパルスエネルギを小さくし、多パルス照射により金属薄膜の除去をすると加工部周辺部への熱の伝導による変質を減らすことができ、加工部の周辺部をシャープにすることができる。特に１００ピコ秒乃至数ピコ秒のパルス幅のレーザ光を使用した場合にこの効果は大きい。しかし、この方法では、金属薄膜を上部から徐々に剥離させるため、ビーム内の強度むら、干渉又は金属薄膜表面の汚れ等により生じた加工むらにより最後に基板上に金属が残る場合がある。特に広い面積を加工した場合に加工むらが多く、また、多くの金属が残留しやすい。更に、残った金属は表面張力によってまとまり、加工部の底部の数箇所に固まって残るという問題点がある。
【００１１】一方、パルス幅が数ピコ秒以下の超短パルスレーザを使用して金属薄膜を加工する場合、パルス幅の時間がレーザ光を吸収した材料の熱伝導時間よりも短いためレーザのエネルギを照射部周辺に伝播することがなく、照射部分の材料を瞬間的に蒸発させることができるため、熱変質を抑制した加工が可能となる。しかし、パルス幅が熱伝導伝達時間よりも短いため干渉等で生じるレーザビームの強度分布を熱伝導により均一にすることができず、蒸発されない部分に直径数十乃至数百ｎｍ、高さ１００ｎｍ程度の大きさの円錐状の加工残渣が堆積するという問題点もある。これは、金属の加工残渣が山状になるとそのテーパ部分の入射レーザに対する角度が大きくなるためレーザ光が反射して加工されなくなり、この円錐状になった加工残渣に蒸発した金属が堆積して、その加工残渣が上方向に伸びるためである。
【００１２】本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであって、ＬＳＩ及び液晶等のパターンニングに使用するフォトマスクの黒欠陥をレーザ光線により、フォトマスク上に金属の残渣を残すことなく金属薄膜だけを除去し、フォトマスクを形成する基板の透過率を高くすることができるフォトマスク修正方法及びフォトマスク修正装置を提供することを目的とする。」
　
エ．段落００２２
「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るフォトマスク修正方法及びフォトマスク修正装置について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例に係る加工試料を示す断面図である。図１に示すように、厚さ２ｍｍの石英基板１上に厚さ１００ｎｍのクロム膜２を製膜し、更に厚さ２０μｍの酸化クロム膜３を製膜した標準的なフォトマスクを使用する。図２は、加工に使用するレーザフォトマスク修正装置の構成を示す模式図である。図２に示すように、本実施例に使用するフォトマスク修正装置は、レーザ光源４と、そのレーザ光源４から照射されたレーザ光５のビーム径を調整するためのレンズ６と、ビーム径が調整されたレーザ光４のスタート時点の強度を調節するためのアッテネータ７と、アッテネータで減衰されたレーザ光の照射幅を調節するためにスリット幅が可変である可変スリット８と、可変スリット８により制限を受けたビーム光を反射して光路を曲げるミラー１４と、ミラー１４により反射されたビーム光をフォトマスクに照射するための対物レンズ９とから構成される光路を有する。本実施例で使用するレーザ光源４は、Ｎｄ:ＹＬＦ結晶をレーザ媒質としたオシレータアンプ、波長変換装置を保持しており、波長３５１ｎｍ、パルス幅２０ピコ秒、繰り返し３０Ｈｚで５０μＪ/パルスのパルスエネルギを出力させることができる。」
　
オ．段落００２６
「【００２６】この本実施例の装置を使用して、転写像の大きさを１辺が１μｍ、他辺が１０μｍの長方形とし、照射エネルギ密度を０．８Ｊ/ｃｍ２に調整し、クロムフォトマスク１０をのせたＸＹＺ軸ステージ１１を転写像の長方形の短軸方向に水平に２μｍ/秒で９μｍ移動することにより、１辺が１０μｍの正方形のパターンを加工した。このフォトマスク修正方法及び修正装置を使用してパターン加工したフォトマスクの断面図を図３に示す。なお、図３は、図１のフォトマスク１０を加工して得られたものであり、図１と同様の構成部分には同様の符号を付してその説明を省略する。この図に示すように、石英基板１上には、クロム膜２及び酸化クロム膜３の加工残渣は無く、加工エッジもシャープなパターンが得られた。」
　
　これらを、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理する。
　刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
「パルスレーザ光５をフォトマスク１０表面に照射して上記フォトマスク１０表面のクロム膜２及び酸化クロム膜３を除去することによって、上記フォトマスク１０表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法であって、
　アッテネータ７により前記パルスレーザ光５のスタート時点の強度を調節し、石英基板１上のクロム膜２及び酸化クロム膜３を有するフォトマスク１０を上記部材として、上記パルスレーザ光５のパルス幅を２０ピコ秒、かつ上記パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．８Ｊ／ｃｍ２とする
　レーザ加工方法。」
　
４．対比・判断 
　刊行物１発明の「フォトマスク１０」と、本願発明の「（配線）部材」とは、「部材」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明の「クロム膜２及び酸化クロム膜３」は本願発明の「被照射部」に相当し、同様に、「スタート時点の強度を調節し」は「パワー設定を行い」に、「石英基板１」は「ＳｉＯ２基板」に、「アッテネータ７」は「アッテネーター」に、それぞれ相当する。
　刊行物１発明の「クロム膜２及び酸化クロム膜３」と、本願発明の「ＡｌまたはＭｏまたはＴｉのうち少なくともいずれか一つ」とは、「除去部」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明の「２０ピコ秒」、「０．８Ｊ／ｃｍ２」と、本願発明の「２ピコ秒以上１０ピコ秒以下」、「０．１Ｊ／ｃｍ２以下」とは、「所定ピコ秒」、「所定Ｊ／ｃｍ２」である限りにおいて一致する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。 
「パルスレーザ光を部材表面に照射して上記部材表面の被照射部を除去することによって、上記部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法であって、
　アッテネーターにより前記パルスレーザ光のパワー設定を行い、ＳｉＯ２基板上の除去部を有する部材を上記部材として、上記パルスレーザ光のパルス幅を所定ピコ秒、かつ上記パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり所定Ｊ／ｃｍ２とする
　レーザ加工方法。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：部材について、本願発明では「配線部材」であるが、刊行物１発明では「フォトマスク１０」である点。
　相違点２：アッテネーターについて、本願発明では「パルスレーザ光を照射する光源に連結された」ものであるが、刊行物１発明では明らかでない点。
　相違点３：「除去部」、「所定ピコ秒」、「所定Ｊ／ｃｍ２」について、本願発明では「ＡｌまたはＭｏまたはＴｉのうち少なくともいずれか一つ」、「２ピコ秒以上１０ピコ秒以下」、「０．１Ｊ／ｃｍ２以下」であるが、刊行物１発明では「クロム膜２及び酸化クロム膜３」、「２０ピコ秒」、「０．８Ｊ／ｃｍ２」である点。
　
　相違点１について検討する。
　配線部材そのものは、拒絶理由で周知例として引用した特開２００４−１４８３４４号公報の段落００１７にみられるごとく周知であり、加工対象の相違により、「加工方法」として異なるものではないから、この点は、単なる加工対象の差違にすぎない。
　
　相違点２について検討する。
　アッテネーターに関し、本願発明の明細書の段落００３０には、以下の記載がある。
「本発明によるレーザ加工方法によれば、例えば、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザ光を、パルスレーザ光源２に連結されたアッテネーター（図示せず）を調整することによるパワー設定を行って、短絡部６ａに複数回照射することによって選択的除去を行って凹部を形成することができる。」
　かかる記載によれば、アッテネーターとパルスレーザ光源との具体的連結構造については特定されていないから、アッテネーターは、パルスレーザ光のパワー設定を行いうるように設けられていれば良いと解される。
　刊行物１の段落００２２、図２によれば、パルスレーザ光のパワー設定を行いうるよう、アッテネーター７が設けられている。
　したがって、この点は実質的相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、アッテネーターをパルスレーザ光源に連結することは、設計的事項にすぎない。
　
　相違点３について検討する。
　刊行物１の段落０００７（上記３．ウ）には、「フォトマスクは透明媒質の基板上にクロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）等の金属薄膜で形成されており」なる記載があるから、刊行物１発明の加工対象は「クロム」に限られるものではない。
　ＳｉＯ２基板の配線材料として、「Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉのうち少なくともいずれか一つ」は、拒絶理由で周知例として引用した特開２００４−１４８３４４号公報の段落００１７にもみられるごとく周知であり、これら材料はパルスレーザ光による加工が可能なものである。 
　よって、刊行物１発明において、加工対象を配線材料として周知の「Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉのうち少なくともいずれか一つ」とすることは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　本願発明における、「２ピコ秒以上１０ピコ秒以下」、「０．１Ｊ／ｃｍ２以下」と特定した意義を検討する。
　本願明細書の段落００１２〜００１３、００２６〜００２７等の記載によると、加工部周縁の盛り上がりの低減、再付着の抑制のために、加工に適した数値範囲を選択したものと解され、格別の臨界的意義が存するとは認められない。
　刊行物１の段落００１０〜００１１（上記３．エ）にみられるごとく、パルスレーザ光による加工においては、周辺部をシャープに加工し、加工残渣が残らないように、パルス幅、エネルギ密度を考慮する必要がある。
　小パルス、小エネルギー密度のレーザは、例えば、特開２００３−２７９７５８号公報の段落０００８、特開２００１−２３９３７９号公報の段落０００２、特開２００１−２１２６８５号公報の段落００１５のごとく、一層小さい「フェムト秒レーザ」さえも周知である。
　刊行物１発明において、加工対象、材料を変更することにより、加工に適したパルス幅、エネルギ密度が変わることは、予想されることであるから、これらを適したものとすることは、当然のことである。
　よって、相違点３は格別なものではない。
　
　請求人は、意見書において、以下のとおり主張する。
「除去に大きいエネルギーが必要となり、従来はパルスレーザ光での微細加工が困難であった、Ａｌ，Ｍｏ，Ｔｉを有する配線部材に対しても、レーザ加工による微細加工を行うことが可能になり、加工部周縁の盛り上がりや気化ダストの再付着を抑制することができます。このような本願発明の構成及びその作用効果は、刊行物１〜刊行物４には記載も示唆もされていないものであります。」
　しかし、上記のとおり、刊行物１発明においても、本願発明と同様の課題に基づきパルス幅、エネルギ密度を考慮しており、加工対象が異なれば、適した加工条件は異なるから、これらを適したものとすることは、当然のことであるから、請求人の主張は根拠がない。
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別の技術的意義が生じるとは認められない。
　
５．むすび 
　本願発明は、刊行物１発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。