【事件の表示】
　特願２００６−１１００３３「圧電素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月　１日出願公開，特開２００７−２８７７４５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１８年４月１２日の出願であって，平成２０年３月３１日付けの拒絶理由通知に対して，同年６月１０日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１１月７日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月８日に拒絶査定不服審判が請求され，その後，当審において平成２３年６月３０日付けで拒絶理由が通知され，同年９月１日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由の要旨
　当審において平成２３年６月３０日付けで通知された拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の要旨は，本願の請求項１〜４に係る発明は，引用例１又は引用例２に記載された発明及び引用例３〜５に記載された周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。（なお，当審拒絶理由中の「引用例１〜３に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから」との記載において，「引用例１〜３」は「引用例１〜５」の誤記である。）
　
３　本願発明の内容
　平成２３年９月１日に提出された手続補正書によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「基体と，
　前記基体の上方に形成された下部電極と，
　前記下部電極の上方に形成された圧電体層と，
　前記圧電体層の上方に形成された上部電極と，を含み，
　前記圧電体層は，下記一般式（１）で表される圧電材料からなり，
　前記圧電材料は，擬立方晶の表示で（１１０）に配向しており，
　前記圧電材料の分極方向は，擬立方晶の表示で［１１１］方向であり，
　前記圧電体層の膜厚は，２００ｎｍ〜１．５μｍである，圧電素子。
　(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３　　　・・・（１）
　但し，０．０５≦ｘ≦０．５０である。」
　
４　本願発明の容易想到性について
４−１　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由において引用例１として引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２９３６２８号公報（以下「引用文献１」という。）には，図１とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
 ア「【０００２】
【従来の技術】現在，圧電磁器を用いた圧電共振子は，フィルタ，レゾネータあるいはセンサなどに幅広く用いられている。特に，チタン酸鉛（ＰＴ）あるいはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの圧電材料は水晶などに代表される単結晶の圧電材料に比べて安価であり，ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memory ）あるいはＤＶＤ（Digital Video Disc）などの記録媒体の再生装置等において基準信号（クロック）を発生させるレゾネータとして広く用いられている。
しかし，これらの圧電材料は鉛（Ｐｂ）を含有しているので，最近では環境への配慮から鉛を含有しない圧電材料の開発が望まれている
【０００３】鉛を含有しない圧電材料としては，例えば，タンタル酸化合物あるいはニオブ酸化合物などのペロブスカイト構造を有する化合物およびその固溶体（特開平７−８２０２４号公報），イルメナイト構造を有する化合物およびその固溶体，ビスマス（Ｂｉ）を含む層状構造化合物またはタングステンブロンズ構造を有する化合物などが知られている。また，最近では，タングステンブロンズ構造を有する化合物とニオブ酸ナトリウムとの複合体について比較的高い機械的品質係数Ｑm が得られたとの報告もあり（特開平９−１６５２６２号公報），注目されている。」
　
イ「【００１９】図１は本実施の形態に係る圧電磁器を用いた圧電共振子の構造を表すものである。
この圧電共振子は，本実施の形態の圧電磁器よりなる圧電基板１と，この圧電基板１の一対の対向面１ａ，１ｂにそれぞれ設けられた一対の電極２，３とを備えている
【００２０】電極２，３は，例えば，銀（Ａｇ）などの金属によりそれぞれ構成されており，圧電基板１を介してその一部が互いに重なり合うように設けられている。これら電極２，３には，例えば，図示しないワイヤなどを介して図示しない外部電源が電気的に接続される。」
　
ウ「【００４６】更に，上記実施の形態および実施例では，
圧電素子として圧電共振子を例に挙げて説明したが
　
エ　図１から，「電極３」の上方に形成された「圧電基体１」と，その上方に形成された「電極２」とを備える圧電共振子が見て取れる。
　
（２）引用文献１に記載された発明
　引用文献１の【０００２】（（１）アを参照。）には，「環境への配慮から鉛を含有しない圧電材料の開発が望まれている。」ことが記載されているから，引用文献１には，引用発明における「圧電基体１」の材料として，鉛を含まない圧電材料を用いているといえる。
　そうすると，引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「電極３と，
　電極３の上方に形成された鉛を含有しない圧電材料からなる圧電基体１と，
　圧電基体１の上方に形成された電極２とを備える圧電共振子。」
　
（３）引用文献２の記載
　当審拒絶理由において引用例４として引用された，本願の出願前に外国において頒布された刊行物である，K.Ueda et al, Coexistence of ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3-BaTiO3 thin films at room temperature Applied Physics Letters, 米国, １９９９年７月２６日, vol.75, no.4, pp.555-557（以下「引用文献２」という。）には，図１とともに，次の記載がある。（訳文は当審による。以下同じ。）
　
ア　In this study, (001) oriented (Bi0.7Ba0.3) (Fe0.7Ti0.3)O3 films were formed on Nb doped SrTiO3 (100) substrates by the pulsed-laser deposition technique and their physical properties were examined. Materials with crystalline phase such as oriented films are desirable to clarify the origin of ferromagnetic and ferroelectric properties. The film thickness dependence of dielectric and magnetic properties (size effect) was also studied.
（５５５頁左欄３０行〜右欄３行）
（訳文）
”本研究では，（００１）配向の（Ｂｉ0.7Ｂａ0.3）（Ｆｅ0.7Ｔｉ0.3）Ｏ3薄膜をＮｂドープされたＳｒＴｉＯ3（１００）基板上にパルスレーザー堆積法により形成し，その物性を調査した。配向性薄膜のような結晶相にある材料は強磁性及び強誘電性の起源を確かめるのに好ましい。誘電特性及び磁性の膜厚依存性（サイズ効果）についても調べた。”
　
イ　Nb-doped SrTiO3 (100) substrates are used as bottom electrode and the upper Ag electrode was formed by vacuum evaporation. Ferroelectric hysteresis loops were observed using the Sawyer-Tower circuit.
（５５５頁右欄２１行〜右欄２４行）
(訳文）
”ＮｂドープされたＳｒＴｉＯ3（１００）基板は下部電極として用いられ，上部Ａｇ電極は真空蒸着された。強誘電性ヒステリシスループはソーヤ−タワー回路を用いて測定された。”
　
ウ　
Figure 3(a) shows the dielectric hysteresis loop of (Bi
0.7
Ba
0.3
) (Fe
0.7
Ti
0.3
)O
3
 film (3000 Å) at room temperature. Clear hysteresis behavior indicates ferroelectric character of the film
BiFeO
3
 films also show clear hysteresis
（５５５頁右欄３８行〜５５６頁左欄１５行）
（訳文）
”
図３（ａ）は（Ｂｉ
0.7
Ｂａ
0.3
）（Ｆｅ
0.7
Ｔｉ
0.3
）Ｏ
3
薄膜（３０００Å）の室温における誘電ヒステリシスループを示す。明確なヒステリシス特性は薄膜の強誘電性を示唆している。
ＢｉＦｅＯ
3
も明確なヒステリシスを示し
　
エ　
Thickness dependence of the ferroelectric and ferromagnetic properties (size effect) was also measured in the (Bi
0.7
Ba
0.3
) (Fe
0.7
Ti
0.3
)O
3
 films. The thickness of the film is varied from 250 to 3000 Å
The ε
r
 decreases remarkably with reducing the thickness when the film thickness becomes thinner than 1000Å [Fig. 4(a)]
（５５６頁右欄２０行〜３３行））
”
（Ｂｉ
0.7
Ｂａ
0.3
）（Ｆｅ
0.7
Ｔｉ
0.3
）Ｏ
3
薄膜における強誘電性及び強磁性の膜厚依存性（サイズ効果）も測定された。薄膜の厚さは２５０から３０００Åまで変化させている
薄膜の厚さが１０００Åより薄くなると，厚さの減少に伴いε
r
が著しく低下する［図４（ａ）］
　
（４）周知例１の記載
　本願出願前に国内において頒布された刊行物である，特開２００６−８０５００号公報(以下「周知例１」という。）には，図１〜２とともに，次の記載がある。
　
ア「【００１２】
  本発明の圧電体素子について説明する。本発明は，Ｓｉ基板の（１００）表面上に少なくとも，
（１１０）優先配向の３層以上の機能層を有する圧電体素子に関する。また，上記機能層とは，バッファー層，電極層，圧電体層とすることができる圧電体素子であり，この３層の機能層は，少なくとも圧電体層及び一対の電極層のうち一方の層（上部電極層又は下部電極層）として機能する
【００１３】
  本発明で「優先配向」とは，基板面にほぼ平行に（１１０）面を優先的に配向する，面内はランダムな一軸配向，あるいは面内も配向するエピタキシャル配向を意味する。なお，配向はＸ線回折法によって測定する。
【００１４】
  また，本発明の圧電体素子は，Ｓｉ基板の（１００）表面上に，
少なくとも（１１０）優先配向の蛍石型酸化物層，（１１０）優先配向の電極層，（１１０）優先配向の圧電体層を有する圧電体素子であることが好ましい
　
イ「【００１７】
  圧電体層はＡＢＯ3型ペロブスカイト酸化物を含むことが好ましい。本発明の圧電体層とは，圧電体膜及び／又は電歪膜を意味する。圧電体膜に用いられる材料としては，ペロブスカイト型化合物が挙げられる。例えば，チタン酸ジルコン酸鉛ＰＺＴ  ［Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3］や
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ
3
などの圧電材料
　
ウ「【００１９】
  圧電体膜は単一組成であっても良いし，２種類以上の組み合わせでも良い。又，上記主成分に微量の元素をドーピングした組成物であっても良い。本発明の圧電・電歪膜は，
優れた圧電性を発現するために，結晶制御されたものが良く，Ｘ線回折で結晶構造の（１１０）方位が５０％以上あるものが好ましく，さらには，９０％以上のものがより好ましい
　
エ「【００３０】
  本発明は，上記圧電体素子を有する事を特徴とするインクジェットヘッドに関する。本発明のインクジェットヘッドは，上記圧電体素子を有するので耐久性が良く，性能の安定したヘッドを得る事が出来る。本発明のインクジェットヘッドを図１，２を用いて説明する。図１はインクジェットヘッドの模式図であり，１は吐出口，２は個別液室３と吐出口１をつなぐ連通孔，４は共通液室，５は振動板，６は下部電極，７は圧電体層，８は上部電極である。７の圧電体膜は，図示されているように矩形の形をしている。この形状は矩形以外に楕円形，円形，平行四辺形等でも良い。本発明の圧電体膜７を更に詳細に図２で説明する。図２は，図１の圧電体膜の幅方向での断面図である
。図中１１は基板であり，５は（１００）表面を有するＳｉ層である。６は，（１１０）優先配向したバッファー層である。９は（１１０）優先配向の下部電極層であり，７は（１１０）優先配向の圧電体層，８は上部電極層を示す
　
（５）周知例２の記載
　本願の出願前に国内において頒布された刊行物である，特開２００１−８０９９５号公報(以下「周知例２」という。）には，図３とともに，次の記載がある。
ア「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体素子を構成する強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか，又は疑似立方晶系，菱面体晶系或いは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり，且つ前記下部電極に平行な結晶面が（１１０）面方位に優先配向していることを特徴とする。
【００１１】強誘電体素子をかかる構成とすることで，ドメインの回転を伴わずに強誘電体素子を駆動させることができる。例えば，強誘電体膜が正方晶の場合，強誘電体素子の優先配向面を（１１０）面に選ぶと，６つの分極軸のうち２つは（１１０）面に対して平行であるから，強誘電体素子に印加した電圧によって上記２つの分極軸は変位しない。また，残りの４つの分極軸のうち２つは（１１０）面に対して上向きに４５°の角度を成し，２つは（１１０）面に対して下向きに４５°の角度を成しているため，分極処理により後者の２つの分極軸を１８０°反転させることで両者は（１１０）面の法線に対して対称となるため，強誘電体素子に電圧を印加してもドメインの回転を伴わない。
【００１２】また同様に
強誘電体膜が菱面体晶の場合，強誘電体素子の優先配向面を（１１０）面に選ぶと，８つの分極軸のうち４つは（１１０）面に対して平行であるから，強誘電体素子に印加した電圧によって上記２つの分極軸は変位しない。また，残りの４つの分極軸のうち２つは（１１０）面に対して上向きに約３５°の角度を成し，２つは（１１０）面に対して下向きに約３５°の角度を成しているため，分極処理により後者の２つの分極軸を１８０°反転させることで両者は（１１０）面の法線に対して対称となるため，強誘電体素子に電圧を印加してもドメインの回転を伴わない。従って，上記の構成により高速駆動可能な強誘電体素子を提供することができる
　
イ「【００２４】図３（Ｆ）はインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
加圧室基板１
当該下地層５上には圧電体素子９が形成されている。圧電体素子９は本発明の強誘電体素子の一例である
圧電体素子９は下部電極６，圧電体膜７及び上部電極８を備えて構成されている
　
ウ「【００３０】その他，
圧電体膜７の具体例として
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
３
）
　
（６）周知例３の記載
　当審拒絶理由において引用例３として引用された，本願の出願前に外国において頒布された刊行物であるM. Mahesh Kumar et al, Structure property relations in BiFeO3/BaTiO3 solid solutions Journal of Applied Physics, 米国, ２０００年１月１５日, vol.87, no.2, pp.855-862（以下「周知例３」という。）には，次の記載がある。
　
ア　BiFeO3 , when forming a solid solution with BaTiO3 , shows structural transformations over the entire compositional range. Above 70 mole% of BiFeO3 the structure is rhombohedral and below 4 mole %, it is tetragonal. In between the structure is cubic. The ferroelectric TC decreases with increasing composition of BaTiO3 and a relatively small relaxation is observed.
（要約１行〜４行）
（訳文）
”ＢｉＦｅＯ3は，ＢａＴｉＯ3と固溶体を形成するとき，全組成域にわたり構造転移を示す。７０モル％を超えるＢｉＦｅＯ3で，結晶構造は菱面体晶であり，４モル％未満では正方晶である。その間の結晶構造は立方晶である。強誘電転移温度ＴｃはＢａＴｉＯ3組成が増加するにつれて低下し，比較的小さい緩和が見られる。”
　
イ　BiFeO3 , which had long been considered an antiferroelectric1 because of its superstructure and low values of dielectric constant,2 was ultimately classified as ferroelectric and ferroelastic3 with a TC around 850℃.
（８５５頁左欄１行〜４行）
（訳文）
”ＢｉＦｅＯ3は，長い間その超構造と低い誘電率のため反強誘電体であるとみなされてきたが，最終的にはＴｃが約８５０℃の強誘電及び強弾性体に分類された。”
　
ウ　The samples under study are x.BiFeO3-(1-x)BaTiO3, where x=0.9, 0.8, 0.75, 0.7, 0.6, 0.5, and 0.04.
（８５６頁左欄１行〜２行）
（訳文）
”調査した試料は，ｘＢｉＦｅＯ3−（１−ｘ）ＢａＴｉＯ3，ｘ＝０．９，０．８，０．７５，０．６，０．５及び０．０４である。”
　
エ　Figure 4 shows the variation of dielectric constant with temperature for samples in the rhombohedral and cubic phases. The transitions were observed at 504, 472, and 372 °C for x=0.9, 0.8 and 0.7, respectively, at 100 kHz.14 No dielectric anomaly was observed for the composition x=0.6, except for a hump around 314 °C. The dielectric constant increases with increasing temperature, like a normal nonpolar dielectric. If the sample were polar, it is expected to show a TC lower than that of x=0.7 (372 °C).
（８５７頁右欄４行〜１２行）
（訳文）
”図４は菱面体晶及び立方晶の試料について，温度に対する誘電率の変動を示す。１００ｋＨｚにおいて，ｘ＝０．９，０．８及び０．７についてそれぞれ５０４，４７２及び３７２℃で転移が見られた。組成がｘ＝０．６の場合については，３１４℃付近でこぶが見られた他は，誘電異常は見られなかった。誘電率は温度上昇とともに増加しており，これは通常の非分極誘電体と同様である。もし試料が分極していたなら，ｘ＝０．７（３７２℃）のものよりも低いＴｃが見られるものと思われる。”
　
４−２　本願発明と引用発明の対比
　本願発明と引用発明とを対比すると，引用発明における「電極３」，「圧電基体１」及び「電極２」が，本願発明における「下部電極」，「圧電体層」及び「上部電極」にそれぞれ相当する。また，４−１（１）ウの摘記から明らかなように，引用発明における「圧電振動子」は圧電素子の一種であるから，本願発明における「圧電素子」に相当する。
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
＜一致点＞
「下部電極と，
　前記下部電極の上方に形成された圧電体層と，
　前記圧電体層の上方に形成された上部電極と，を含む圧電素子」
である点。
　
＜相違点１＞
　本願発明では，「下部電極と，前記下部電極の上方に形成された圧電体層と，前記圧電体層の上方に形成された上部電極」が「基体」の上方に形成されているのに対し，引用発明では「基体」の上方に形成されていない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明は，圧電体層が
「下記一般式（１）で表される圧電材料からなり，
　前記圧電材料は，擬立方晶の表示で（１１０）に配向しており，
　前記圧電材料の分極方向は，擬立方晶の表示で［１１１］方向であり，
　前記圧電体層の膜厚は，２００ｎｍ〜１．５μｍ」であり，
「(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３　　　・・・（１）
　但し，０．０５≦ｘ≦０．５０である。」
のに対し，引用発明では，圧電体層が上記のようなものではない点。
　
４−３　相違点についての判断
（１）相違点１について
　「下部電極と，前記下部電極の上方に形成された圧電体層と，前記圧電体層の上方に形成された上部電極」とを「基体」の上方に形成した構造は，周知例１（４−１（４）エを参照。）及び周知例２（４−１（５）イを参照。）にも記載されているように，圧電素子における周知の素子構造であるから，引用発明において当該周知の素子構造を採用することにより上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（２）相違点２について
　上記４−１（２）で認定したとおり，引用発明は「圧電基体１」の材料として「鉛を含まない圧電材料」を用いるものである。
　一方，上記４−１（３）ウに摘記したように，引用文献２には，膜厚３０００Å（３００ｎｍ）の「(Ｂｉ0.7Ｂａ0.3)（Ｆｅ0.7Ｔｉ0.3）Ｏ３」強誘電体薄膜材料が記載されている。ここで，強誘電体材料が圧電性を有することは当業者の技術常識である。
　そうすると，引用発明において，環境への配慮から，鉛を含まない圧電材料として引用文献２に記載された上記の材料を採用することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　また，引用文献２に記載された公知の材料を具体的に適用するに当たり，分極方向，配向性，組成比及び膜厚は，次のア〜エに示すとおり当業者が適宜設定し得たことである。
　
ア　「(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３」がｘ≦０．３で菱面体晶であることは，周知例３（４−１（６）アを参照。）に記載されているように，当業者に知られた事項であるから，分極方向を擬立方晶の表示で［１１１］方向とすることも，引用文献２の材料を適用することにより当業者が自然に到達し得たことである。
　
イ　「(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３」は，ＢｉＦｅＯ3−ＢａＴｉＯ3の固溶体であるところ，周知の圧電材料であるＢａＴｉＯ3を（１１０）配向させて圧電素子を形成することは，周知例１（４−１（４）ア〜ウを参照。）及び周知例２（４−１（５）ア，ウを参照。）に記載されているように，当業者にとって周知の技術であるから，引用文献２の材料を適用するに当たり，ＢｉＦｅＯ3−ＢａＴｉＯ3の固溶体である「(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３」の配向を，ＢａＴｉＯ3の場合と同様の（１１０）配向とすることは，当業者が普通になし得たことである。
　
ウ　引用文献２には「(Ｂｉ0.7Ｂａ0.3)（Ｆｅ0.7Ｔｉ0.3）Ｏ３」強誘電体薄膜材料（(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３でｘ＝０．３としたもの）が記載されている。
　一方，「(Ｂｉ１−ｘＢａｘ)（Ｆｅ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３」は，ｘ＝０．１，０，２及び０．３において強誘電転移温度Ｔｃが５０４，４７２，３７２℃であることが周知例３（４−１（６）ウ，エを参照。）に記載され，ｘ＝０（ＢｉＦｅＯ3）において強誘電性を有することが引用文献２（４−１（３）ウを参照。）や周知例３（４−１（６）イを参照。）に記載されていることから，当該材料がｘ≦０．３で強誘電性であることは，当業者に周知の事項である。また，当該材料において，周知の圧電材料であるＢａＴｉＯ3成分をより多くした組成領域（ｘ＞０．３）においても，ある程度の圧電性を期待することは自然なことであるといえる。
　そうすると，引用文献２に記載されたｘ＝０．３を含む範囲として，下限を例えばｘ＝０．０５，上限を例えばｘ＝０．５と設定すること，すなわち０．０５≦ｘ≦０．５と設定することは，当業者が適宜なし得たことである。
　なお，本願の０．０５≦ｘ≦０．５との数値範囲は，本願の明細書（【００５９】〜【００６９】を参照。）によれば，あくまでも（１００）配向の場合についてのみ具体的効果が確認されているものであるから，（１１０）配向をとる本願発明において上記数値範囲とすることによる格別の効果は認められない。
　
エ　引用文献２（上記４−１（３）ウ，エを参照）によれば，「(Ｂｉ0.7Ｂａ0.3)（Ｆｅ0.7Ｔｉ0.3）Ｏ３」強誘電体薄膜は，膜厚３０００Å（３００ｎｍ）において従来周知の強誘電体膜であるＢａＴｉＯ3よりも大きな誘電率が得られ，膜厚が１０００Å（１００ｎｍ）より薄くなると誘電率が著しく低下することが開示されていることから，引用文献２の 「(Ｂｉ0.7Ｂａ0.3)（Ｆｅ0.7Ｔｉ0.3）Ｏ３」強誘電体薄膜を適用する際に，膜厚の範囲を２００ｎｍ〜１．５μｍとすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって，引用発明において引用文献２に開示された材料を適用することにより，相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載の公知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。