【事件の表示】
　特願２０００−１８９２１０「パワーＭＯＳＦＥＴダイと、小型感知ＭＯＳＦＥＴを備えた制御および保護回路ダイとを有するハイブリッドパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１９日出願公開、特開２００１−　１５６５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は，平成１２年６月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年６月２５日，米国）の出願であって，平成２２年１１月１７日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２３年３月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に明細書を対象とする手続補正がなされたものである。その後，平成２３年７月２５日付けで，前置報告書の内容を通知する審尋を行い，期間を指定して回答書を提出する機会を与えたが，請求人から何ら応答がなかったものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，平成２２年５月１４日付けの拒絶理由通知書及び平成２２年１１月１７日付けの拒絶査定の記載内容からみて，以下のとおりのものと認める。
　「この出願は，特許請求の範囲の記載が下記（ａ）の点で，特許法第３６条第６項第１，２号に規定する要件を満たしていない。
（ａ）請求項１には，第１の熱センサと第２の熱センサが記載されているが，それらが何を測定し，それらの測定値がどのように利用されるのかが明確に記載されておらず，デバイス全体が正確に把握できない。独立請求項である請求項１５についても同様。」
　「本願請求項１，１５に係る半導体デバイスは，その目的からみて，少なくとも第１の半導体ダイの温度を決定し，これを制御するために不可欠な手段を具備するものでなければならないが，当該請求項には，上記温度決定のために，各センサがどこに配置され，何の温度を測定しているのかが明記されておらず，さらに，該センサの測定値を用いて，第１の半導体ダイの温度を決定し，制御する手段も記載されていない。してみると，当該請求項に係る半導体デバイスは，その全体像が明確でなく，明確性要件を満足しないとともに，発明の課題を解決するための手段を反映したものともなっていないから，サポート要件を満足しない。」
　
第３．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は，平成２３年３月２４日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，次のとおりのものである。
　「主パッド領域および絶縁樹脂封入物を有する導電性リードフレームを含むパッケージに収納された半導体デバイスであって，
　対向する表面および第１の半導体デバイスを備え，当該対向する表面の各々が電極を有する第１の半導体ダイと，
　対向する表面を備え，当該対向する表面の少なくとも１つの表面が少なくとも１つの電極を有する第２の半導体ダイであって，当該第２の半導体ダイは，その一部に第２の半導体デバイスを備え，当該第２の半導体デバイスは前記第１の半導体デバイスの熱応答に対応する熱応答を有する第２の半導体ダイと，
　前記第２の半導体ダイ上において，前記第２の半導体デバイスに隣接した位置に配置された第１の熱センサと，
　前記第２の半導体ダイ上において，前記第１の熱センサよりも前記第２の半導体デバイスから離れた位置に配置された第２の熱センサと
　を備え，
　前記第１および第２の半導体ダイの各々の前記対向する表面の１つの表面が，前記主パッド領域上に配置され，前記主パッド領域と熱的に接触し，互いから横方向に間隔を空けて配置され，少なくとも前記第１の半導体ダイの前記対向する表面の１つの表面が前記主パッド領域と電気的に接触し，
　前記第１および第２の半導体デバイスが並列に接続されるように，前記第１および第２の半導体ダイの各々の前記対向する表面の反対側の表面が互いに電気的に接続されたことを特徴とする半導体デバイス。」
　なお，平成２３年３月２４日付けでなされた特許請求の範囲の補正は，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
第４．当審の判断
　明細書の段落【０００５】及び【０００６】の記載によれば，本願は，パワー半導体デバイスを，制御および保護機能を含む分離したダイと同包し，パワー半導体デバイスの温度を正確に決定することを課題とするものといえる。
　
　そして，本願は，パワー半導体デバイスの温度を決定するにあたり，制御および保護機能を含む分離したダイに含まれる二つの温度センサ（熱センサ）によって測定された温度を用いて所定の演算を行うものであり，測定される温度及びパワー半導体デバイスの温度の決定方法に関して，発明の詳細な説明には，以下の事項ａ〜ｃが記載されている。
　ａ）「【００１４】
ＴFET＝（Ｋ＋０．２）（ＴSENSE−ＴTAB）−ＴTAB
ここで，Ｋ＝技術係数（２つの異なった技術のＲDSON×面積の比）。加算された係数の０．２は，論理ダイの横方向の温度差について調整する。この例において，与えられたＫは２．０である。
ＴSENSE＝論理ダイの小さなＭＯＳＦＥＴによって発生された温度であり，論理ダイの温度を発生する。
ＴTAB＝２つのダイの共通の支持部の温度。」
　ｂ）「【００３０】本発明のさらなる特徴によれば，ＩＣ３３の位置におけるダイ３０上の測定温度（以下，温度ＴSENSE）は，銅製パッド１４における温度（以下，ＴTAB）が，以下の関係によって主ＭＯＳＦＥＴ２５の頂部の温度（以下，ＴFET）に関連するように調整される。
【００３１】ＴFET＝２．２（ＴSENSE−ＴTAB）＋ＴTAB
「２．２」は，主ダイに比べて８０％という測定された論理ダイでの減少を調整するために，上記に導かれた比２から増加された技術係数である。この差は，２つのダイの横方向の温度勾配における差によると考えられる。」
　ｃ）「【００３４】「温度ミラー」の形態で動作する温度センサ回路は，２つの温度発生源，すなわち，パッド１４の温度であるＴTAB７０，および，ＭＯＳＦＥＴダイ３０の頂部の温度であるＴSENSE７１を有する。この温度は，図６に示すポリシリコンダイオードなどによって測定することができる。これらの２つの温度信号は，前述された以下の関係から，ＴFET（ＭＯＳＦＥＴ２５の）の計算を行う集積回路７３内に印加される。
【００３５】ＴFET＝２．２（ＴSENSE−ＴTAB）＋ＴTAB
次いで，この測定された値は，与えられたトリガー温度，例えば，１５０ＥＣと比較され，その状態の論理回路６１へ出力を発生し，したがって，ＭＯＳＦＥＴ２５および３０をともにターンオフする。」
　なお，記載事項ａの数式中，最終項「ＴTAB」の直前の符号「−」は，「＋」の誤りと思われる。
　
　発明の詳細な説明には，また，測定される温度に関して，上記のほかに，以下の事項ｄ〜ｇも記載されている。
　ｄ）「この小さい方のデバイスの温度，ならびに主および小さい方のダイの両方を搭載する基板の温度を測定するために，温度センサはこの小さい方のダイに含まれ，この小さい方のダイの論理回路に信号を供給する。」（段落【０００７】）
　ｅ）「第１の熱センサは，感知ＭＯＳＦＥＴの温度を決定するために，感知ＭＯＳＦＥＴ内またはその近い周辺のどちらに配置される。第２の温度センサは，リードフレームの温度が測定できるように，温度感知ＭＯＳＦＥＴセルに対して遠い位置の制御および温度感知ダイ上に配置される。」（段落【０００９】）
　ｆ）「図５では，ダイオード８２および８４は，パッド１４上に，ＭＯＳＦＥＴ３０から離れて，または，遠くに配置されたポリシリコンダイオードである。」（段落【００３６】）
　ｇ）「ダイオード８６，８８，および９０は，同様に，ＭＯＳＦＥＴ３０の領域４１の表面頂部のポリシリコンダイオードであり，」（段落【００３７】）
　
　記載事項ａ〜ｃによれば，主ダイのパワー半導体デバイスの温度を決定するためには，二つの温度センサ（熱センサ）によって測定される温度，すなわち，「ＴSENSE」及び「ＴTAB」が重要な要素となっていること，したがって，「ＴSENSE」及び「ＴTAB」がどこの温度を測定した値であるかが重要であることが明らかである。そして，記載事項ａ〜ｇによれば，「ＴSENSE」は，論理ダイの温度，または，論理ダイの頂部の温度であり，「ＴTAB」は，２つのダイの共通の支持部の温度，パッドの温度，または，リードフレームの温度である。発明の詳細な説明には，測定される温度の具体的な箇所及び主ダイのパワー半導体デバイスの温度の具体的な決定方法に関して，上記以外の事項は記載されていない。
　
　以上のことを踏まえて，特許請求の範囲の請求項１の記載を検討する。
　請求項１の「第２の半導体ダイ」は，発明の詳細な説明における「論理ダイ」に相当するといえる。その理由は，前記のとおり，発明の詳細な説明によれば，温度センサの一つは，論理ダイの温度，または，論理ダイの頂部の温度を測定するものであるところ，請求項１における「第１の熱センサ」と「第２の熱センサ」は，いずれも「第２の半導体ダイ上において」「配置された」ものであり，そのいずれか一方が，上記温度センサに対応すると解されるからである。また，このことから，請求項１の「第１の半導体ダイ」は，発明の詳細な説明における「主ダイ」に相当するといえる。
　さて，請求項１には，温度センサ（熱センサ）に関して，「第１の熱センサ」が「第２の半導体ダイ上において，第２の半導体デバイスに隣接した位置に配置された」ものであること，「第２の熱センサ」が「第２の半導体ダイ上において，第１の熱センサよりも第２の半導体デバイスから離れた位置に配置された」ものであることは記載されているが，温度センサ（熱センサ）の配置や測定される温度に関して，それ以上の限定を付す記載はない。
　請求項１の「第１の熱センサ」と「第２の熱センサ」の一方が，発明の詳細な説明における「ＴSENSE」を測定する温度センサに相当し，他方が，発明の詳細な説明における「ＴTAB」を測定する温度センサに相当すると解するよりないが，前記のとおり，「ＴTAB」については，２つのダイの共通の支持部の温度，パッドの温度，または，リードフレームの温度とすることしか，発明の詳細な説明に開示されていない。これに対して，請求項１の「第１の熱センサ」が「ＴTAB」を測定するセンサに対応するとした場合，該熱センサは，発明の詳細な説明における「論理ダイ」に相当する「第２の半導体ダイ」上のいかなる部位に配置されるものであってもよいことになり，請求項１の「第２の熱センサ」が「ＴTAB」を測定するセンサに対応するとした場合も，該熱センサは，「第１の熱センサよりも第２の半導体デバイスから離れた位置」との制約は受けるものの，第１の熱センサが「論理ダイ」に相当する「第２の半導体ダイ」上のいかなる部位に配置されるものであってもよいのであるから，第１の熱センサと同様に，「第２の半導体ダイ」上のいかなる部位にも配置され得るものである。
　そうしてみると，請求項１に係る発明は，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものというべきである。
　また，請求項１の「第１の熱センサ」及び「第２の熱センサ」は，発明の詳細な説明における「ＴSENSE」，「ＴTAB」を測定する各温度センサに対応するとはいえず，「第１の熱センサ」及び「第２の熱センサ」の技術的意味は不明というべきであるから，請求項１に係る発明は明確でない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　
第５．むすび 
　以上のとおり，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないから，本願は拒絶されるべきものである。 
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。