【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  薄くドープされたドレイントランジスタの有効なチャネル長さを減じる方法であって、
半導体基板上にゲート電極およびゲート酸化物を形成するステップと、
基板の、ドレインが形成される領域に、大きいティルト角度の注入により注入を行なうステップとを含み、これは、ゲート酸化物の下方の場所に格子間原子を供給し、さらに、
基板の、ドレインが形成される領域に、薄くドープされたドレイン拡張領域を形成するステップと、
ドレインが形成される領域内にドレインを、および基板のソース領域内にソースを形成するステップと、
基板を熱処理するステップとを含み、格子間原子は、拡張領域の垂直方向の拡散に大きな影響を与えることなく、ゲート酸化物の下方で横方向の拡散を強化し、それにより、ドレインおよびドレイン拡張領域の接合深さを増すことなく有効なチャネル長さを減じる、方法。
【請求項２】  ティルト角は約３０〜６０°の範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  ドレインが形成される領域に大きいティルト角の注入により注入を行なうステップは、薄くドープされたドレイン拡張領域を形成するステップの前に行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  ドレインが形成される領域に大きいティルト角の注入により注入を行なうステップは、シリコン、ゲルマニウムまたはインジウムのうち１つを注入するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  薄くドープされたドレイントランジスタの有効なチャネル長さを減じる方法であって、
半導体基板上にゲート電極およびゲート酸化物を形成するステップと、
基板の、ドレインが形成される領域に、大きいティルト角度の注入により注入を行なうステップとを含み、これは、ゲート酸化物の下方の場所に格子間原子を供給し、ドレインが形成される領域に大きいティルト角の注入により注入を行なうステップは、ドレイン領域にサブアモルファスのドーズ量を注入するステップを含み、さらに、
基板の、ドレインが形成される領域に、薄くドープされたドレイン拡張領域を形成するステップと、
ドレインが形成される領域内にドレインを、および基板のソース領域内にソースを形成するステップと、
基板を熱処理するステップとを含み、格子間原子は、拡張領域の垂直方向の拡散に大きな影響を与えることなく、ゲート酸化物の下方で横方向の拡散を強化し、それにより、ドレインおよびドレイン拡張領域の接合深さを増すことなく有効なチャネル長さを減じる、方法。
【請求項６】  薄くドープされたドレイントランジスタの有効なチャネル長さを減じる方法であって、
半導体基板上にゲート電極およびゲート酸化物を形成するステップと、
基板の、ドレインが形成される領域に、大きいティルト角度の注入により注入を行なうステップとを含み、これは、ゲート酸化物の下方の場所に格子間原子を供給し、大きいティルト角の注入におけるドーズ量は、アモルファス化のためのドーズ量の約１０〜３０％であり、さらに、
基板の、ドレインが形成される領域に、薄くドープされたドレイン拡張領域を形成するステップと、
ドレインが形成される領域内にドレインを、および基板のソース領域内にソースを形成するステップと、
基板を熱処理するステップとを含み、格子間原子は、拡張領域の垂直方向の拡散に大きな影響を与えることなく、ゲート酸化物の下方で横方向の拡散を強化し、それにより、ドレインおよびドレイン拡張領域の接合深さを増すことなく有効なチャネル長さを減じる、方法。
【請求項７】  基板を熱処理するステップは、短時間アニールを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  ゲート酸化物の下方における複合ドーピングプロフィールおよび格子間原子プロフィールは、ドレイン拡張領域の横方向の縁部に沿って大きい濃度の傾斜を含み、かつ、ドレイン拡張領域の底部分に沿って実質的により低い濃度傾斜を含み、それにより、ゲート酸化物の下方で強化された横方向の拡散が得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  薄くドープされたドレイントランジスタの有効なチャネル長さを減じる方法であって、
半導体基板上にゲート電極およびゲート酸化物を形成するステップと、
基板の、ドレインが形成される領域に、大きいティルト角度の注入により注入を行なうステップとを含み、これは、ゲート酸化物の下方の場所に格子間原子を供給し、さらに、
基板の、ドレインが形成される領域に、薄くドープされたドレイン拡張領域を形成するステップと、
ドレインが形成される領域内にドレインを、および基板のソース領域内にソースを形成するステップと、
基板を熱処理するステップとを含み、格子間原子は、拡張領域の垂直方向の拡散に大きな影響を与えることなく、ゲート酸化物の下方で横方向の拡散を強化し、それにより、ドレインおよびドレイン拡張領域の接合深さを増すことなく有効なチャネル長さを減じ、さらに、
ドレインが形成される領域に大きいティルト角度の注入により注入を行なうステップに先立って、ゲートおよびゲート酸化物のドレイン側に第１の側壁スペーサを形成するステップをさらに含み、第１の側壁スペーサの厚さは、ゲート酸化物の下方のドーパントの場所を制御し、それにより、トランジスタのチャネル長さの低減をカスタマイズすることが可能である、方法。
【請求項１０】  ドレイン領域を形成するステップに先立って、第１の側壁スペーサに隣接して第２の側壁スペーサを形成するステップをさらに含み、ドレイン領域およびドレイン拡張領域は一部が重なり合い、第２の側壁スペーサはドレイン領域およびドレイン拡張領域を横方向にずらす、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  基板のソース領域に大きいティルト角の注入により注入を行なうステップをさらに含み、それにより、ソース領域の、ゲート酸化物の下方の場所に、格子間原子を供給する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  ドレイン領域に大きいティルト角の注入により注入を行なうステップは、クアッドインプラントを行なうステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  薄くドープされたドレイン拡張領域が形成されるのと同時に、基板のソース領域に薄くドープされたソース拡張領域を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  トランジスタを形成する方法であって、
半導体基板上にゲート電極およびゲート酸化物を形成するステップと、
基板の、ドレインが形成される領域と、基板の、ソースが形成される領域とのうち少なくとも一方に、格子間原子を供給するステップと、
ドレインが形成される領域とソースが形成される領域とのうち少なくとも一方に、拡張領域を形成するステップと、
ドレインが形成される領域内にドレインを、およびソースが形成される領域内にソースを形成するステップと、
基板を熱処理するステップとを含み、格子間原子は、拡張領域の垂直方向の拡散に大きな影響を与えることなく、ゲート酸化物の下方で横方向の拡散を強化し、それにより、拡張領域の接合深さを増すことなく有効なチャネル長さを減じる、方法。
【請求項１５】  格子間原子を供給するステップは、ドレインが形成される領域とソースが形成される領域とのうち少なくとも一方に、大きなティルト角の注入により注入を行なうステップを含み、それにより、ゲート酸化物の下方の場所に格子間原子を供給する、請求項１４に記載の方法。