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　特願２００６−１００３２０「垂直磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１８日出願公開、特開２００７−２７３０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１８年３月３１日の出願であって、平成２１年８月２４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年１２月１日付けで手続補正がなされたが、平成２２年１月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２１年１２月１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
　基体上に軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、
　前記軟磁性層の上層としてＣｏＣｒＰｔ及び酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、
　前記磁気記録層を形成することにより得られた媒体を、保磁力の値を向上させるために恒温槽で１５０℃より高く２４０℃より低い温度に加熱する加熱工程と、
　前記加熱工程の後に前記磁気記録層の上層として垂直磁気異方性を有する連続層を形成する連続層形成工程と、
を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶理由において引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００５−４９４５号公報（以下、「引用例１」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「【請求項１】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を形成し、該軟磁性裏打ち層上に
中間層を形成し、該中間層上に非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造を持つ磁気記録層を形成し、該磁気記録層上に保護膜を成膜
する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　
前記磁気記録層を形成した後であって前記保護膜を成膜する前に、
２００〜２５０℃の雰囲気中で、
熱処理工程を実施することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
　
イ）
「【発明の効果】
【００１０】
　以上説明したように本発明に係る
垂直磁気記録媒体およびその製造方法によれば、非加熱成膜を必要とするグラニュラー媒体において、磁気記録層を形成した後であって保護膜を成膜する前
２５０℃以下
の比較的低温
な熱処理を行うことで、媒体の保磁力増大
が実現でき
　
ウ）
「【実施例１】
【００１６】
　
本実施例は、非磁性基体と、その上に順次設けられる軟磁性ＣｏＺｒＮｂ裏打ち層、軟磁性ＮｉＦｅＳｉ下地層、Ｒｕ中間層、磁気記録層、保護膜
とを有し、磁気記録層成膜直後に熱処理を施す垂直磁気記録媒体に関する。
　
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置（図示せず）内に導入し、８７ａｔ％Ｃｏ−５ａｔ％Ｚｒ−８ａｔ％Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次にパーマロイ系合金である８２ａｔ％Ｎｉ−１２ａｔ％Ｆｅ−６ａｔ％Ｓｉターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層を１１ｎｍ成膜した。
　
引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層を１０ｎｍ成膜した。引き続いて８８ｍｏｌ％（７９ａｔ％Ｃｏ−７ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ）−１２ｍｏｌ％（ＳｉＯ
２
）ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ
２
磁気記録層を１０ｎｍ成膜した。次にこれをヒーターチャンバ内に導入し、１．３×１０−４Ｐａの真空中において１４秒間に２４３℃まで昇温した。
【００１７】
　
最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置（図示せず）から取り出した。
また、加熱温度を変化させた場合の特性の違いを調べるため、ヒーター加熱時の到達温度を１６０℃、１８８℃、２１５℃、２７０℃、２９８℃とした媒体を作製した。
　
エ）
「【実施例２】
【００１８】
　ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層成膜後にＴａターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＴａシード層を３ｎｍ成膜したこと以外は実施例１と全く同様にした垂直磁気記録媒体を作製した。
（比較例１）
　磁気記録層成膜後にヒーター加熱を行うことなく直ちにカーボン保護膜を成膜したこと以外は実施例１と全く同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
　上述のようにして得られた垂直磁気記録媒体について、磁気カー効果（Magnetic Kerr Effect）により保磁力Ｈｃを測定した。実施例１，２および比較例１に係る媒体のＨｃを図２に示す。　
　図２からわかるように、磁気記録層成膜後に熱処理を行うことにより（実施例１）、成膜後に加熱を行わない場合（比較例１）と比較してＨｃが最大で２割程度向上した。
但し、磁性層成膜後の加熱温度が２４３℃を超えた場合には、Ｈｃが低下する傾向にあることから、加熱温度が高すぎる場合には却って特性の低下を招くことがわかる。
　
　前掲ア）ないしエ）の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
「非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を形成し、該軟磁性裏打ち層上に中間層を形成し、該中間層上に非磁性酸化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造を持つ磁気記録層を形成し、該磁気記録層上に保護膜を成膜する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記磁気記録層を形成した後であって前記保護膜を成膜する前に、ヒーターチャンバ内に導入し、２００〜２５０℃の雰囲気中で、熱処理工程を実施する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記グラニュラー構造を持つ磁気記録層は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層である垂直磁気記録媒体の製造方法。」
　
　
　また、同じく原査定の拒絶理由において引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／００３９２２号（国際公開日２００６年１月１２日。以下、「引用例２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
オ）【０００９】
「本発明は、上記課題を解決するため、以下の構成を有するものである。
（構成１）
垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、基板と、基板上に形成されたグラニュラ−構造を有する、
珪素（Ｓｉ）の酸化物を含む強磁性層と、該強磁性層上にコバルト（Ｃｏ）またはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層とを有することを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
　
カ）【００１２】
「また、CoPt系又は
CoPtCr系磁性材料に
Ｓｉの酸化物を添加すると結晶粒径を微細化することができる。ところが、
Ｓｉの酸化物の添加量が多いと結晶粒子が小さくなりすぎて熱揺らぎが大きくなるという問題が発生するため、従来では例えばＳｉの酸化物の添加量を５原子％以下に抑えていた。そのため、高記録密度化にも自ずと限界があった。これに対し、本発明では、
Ｓｉの酸化物の添加量を多くしても、
珪素（Ｓｉ）の酸化物を含む強磁性層と、該強磁性層上にＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とＰｄまたはＰｔを含む第２層との積層により熱安定性の劣化を防止することができるので、熱安定性の劣化を起こさずに高記録密度化に資することが出来る。
　
キ）【００２９】
「次に、
SiO
2
を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、15nmのhcp結晶構造からなる強磁性層５を形成した。
さらに、CoBとPdとの交互積層膜からなる積層７を形成した。
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　
（１）本願発明と引用発明１とは、ともに「垂直磁気記録媒体の製造方法」である点で共通している。
　
（２）引用発明１の「非磁性基板」、非磁性基板上に形成された「軟磁性裏打ち層」は、それぞれ本願発明の「基体」、基体上に形成される「軟磁性層」に相当するから、引用発明１も本願発明の「基体上に軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程」を備えているといえる。
　
（３）引用発明１の「非磁性酸化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造を持つ磁気記録層」は「ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層」であって、強磁性層であることは明らかであるから、本願発明の「ＣｏＣｒＰｔ及び酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層」に相当する。
　そして、引用発明１では、前記「非磁性酸化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散してなるグラニュラー構造を持つ磁気記録層」を軟磁性裏打ち層上に中間層を介して形成するものであるから、軟磁性裏打ち層の「上層として」形成していることにほかならず、引用発明１も本願発明の「軟磁性層の上層としてＣｏＣｒＰｔ及び酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程」を備えているといえる。
　
（４）引用発明１の「磁気記録層を形成した後であって保護膜を成膜する前に」実施する「熱処理工程」は、磁気記録層を形成することにより得られた媒体を加熱する工程にほかならないから、本願発明の「磁気記録層を形成することにより得られた媒体を」「加熱する加熱工程」に相当する。
　また、引用発明１では、前掲イ）に示されるように、前記熱処理工程によって媒体の保磁力増大が実現できるとしていることから、引用発明１の熱処理工程は本願発明の加熱工程と同様に「保磁力の値を向上させるために」実施しているといえる。
　さらに、引用発明１では、加熱工程の温度範囲を２００〜２５０℃としており２００℃以上の温度であることは明らかであるから、本願発明の加熱工程の温度範囲「１５０℃より高く２４０℃より低い温度」と引用発明１の熱処理工程の温度範囲「２００〜２５０℃」とは、「２００℃以上の温度」において共通しているといえる。
　よって、本願発明と引用発明１とは「前記磁気記録層を形成することにより得られた媒体を、保磁力の値を向上させるために２００℃以上の温度に加熱する加熱工程」を備えている点で共通しているといえる。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明１とは、
　
＜一致点＞
「基体上に軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、
　前記軟磁性層の上層としてＣｏＣｒＰｔ及び酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、
　前記磁気記録層を形成することにより得られた媒体を、保磁力の値を向上させるために２００℃以上の温度に加熱する加熱工程と、
　を備える垂直磁気記録媒体の製造方法。」
　
　である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明は「加熱工程の後に磁気記録層の上層として垂直磁気異方性を有する連続層を形成する連続層形成工程」を有しているのに対して、引用発明１ではかかる連続層形成工程を有していない点。
　
＜相違点２＞
　加熱工程の実施手段に関して、本願発明では「恒温槽」を用いているのに対して、引用発明１では「ヒーターチャンバ」を用いている点。
　
＜相違点３＞
　加熱工程の上限温度に関して、本願発明では「２４０℃より低い温度」としているのに対して、引用発明１では「〜２５０℃」としている点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用例２には、ＣｏＣｒＰｔ及びＳｉ酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、Ｓｉ酸化物の添加により熱揺らぎが大きくなるという問題を解決するため、前記強磁性層の上層としてCoBとPdとの交互積層膜からなる積層を形成する発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　引用発明２の、垂直磁気記録媒体における強磁性層の上層として形成される「CoBとPdとの交互積層膜からなる積層」は、垂直磁気異方性を有するのは明らかであり、本願発明の「磁気記録層の上層として垂直磁気異方性を有する連続層」に相当する。
　引用発明１と引用発明２とは、ともにＣｏＣｒＰｔ及びＳｉ酸化物を含むグラニュラー構造の強磁性層を有する垂直磁気記録媒体という同一の技術分野に属するものであり、この技術分野において、熱揺らぎを少なくすることは自明な共通の課題であるから、引用発明１において、ＣｏＣｒＰｔ及びＳｉ酸化物を含むグラニュラー構造の磁気記録層に熱処理工程を実施した後、引用発明２の「CoBとPdとの交互積層膜からなる積層」を形成する工程を付加すること、すなわち、「加熱工程の後に磁気記録層の上層として垂直磁気異方性を有する連続層を形成する連続層形成工程」を付加することは、当業者であれば容易に想到するものである。
　
＜相違点２＞について
　磁気記録媒体の製造における加熱工程を「恒温槽」を用いて行うことは、特開２００３−１６８２０６号公報（特に、第８欄第１１行−同欄第１５行参照。）、特開昭６３−２１３１１６号公報（特に、第２頁左下欄第１１行−同頁右下欄第５行参照。）に示されるように周知技術である。
　引用発明１において、加熱工程を「ヒーターチャンバ」に代えて周知技術の「恒温槽」を用いて実施することは、熱処理手段の単なる置き換えに過ぎず、当業者であれば適宜実施しうる程度の事項である。
　
＜相違点３＞について
　引用発明１では、前掲ウ）の【実施例１】に示されるように、加熱温度を変化させた場合の特性の違いを調べるため、加熱温度を２４３℃とした場合のほか、１６９℃、１８８℃、２１５℃、２７０℃、２９８℃と変化させて媒体を作成しており、その結果、 前掲エ）に示されるように、「但し、磁性層成膜後の加熱温度が２４３℃を超えた場合には、Ｈｃが低下する傾向にある」ことを見出している。これは加熱温度は２４３℃を超えないことが望ましいことを示唆するものである。
　すると、引用発明１において、加熱温度は２４３℃を超えないことが望ましいという前記示唆に基づいて、また、温度制御には若干の誤差が生じうるという技術常識も勘案して、加熱工程の上限温度を「２４０℃より低い温度」とすることは、当業者であれば容易に為しうるものであり、この点に格別の創意は認められない。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用発明１、２及び周知技術から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。