【事件の表示】
　特願２００９−　６９８２６「リソグラフィ装置及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　２日出願公開、特開２００９−１４７３７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月１９日に出願した特願２００５−３６４２６５号（パリ条約による優先権主張２００４年１２月２０日、米国）の一部を平成２１年３月２３日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年４月２２日付けで手続補正がなされたが、同年７月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２３年６月２日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年９月５日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２２年１１月１８日付けの手続補正の補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２２年１１月１８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２２年１１月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「所望のパターンを投影ビームに付与するパターン形成装置と、
　基板を保持する第１のテーブルと、
　投影システムと、
　投影システムと基板との間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
　前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第１の位置決めシステムと、
　前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置から移動させる際に第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第２の位置決めシステムに接続され、かつ基板を保持するように構成されていない第２のテーブルと、
　基板を保持する第３のテーブルと、
　前記第１及び第３のテーブルのいずれか一方によって運ばれた基板を露光することのできる露光ステーションと、
　前記第１及び第３のテーブルのいずれか一方によって運ばれた基板を測定することのできる測定ステーションと、を備え、
　前記第１の位置決めシステムは２つのＨ型駆動装置を有し、Ｈ型駆動装置のそれぞれが第１及び第３のテーブルの一方を前記測定ステーション及び前記露光ステーションの一方の範囲内に位置決めし、
　第１及び第３のテーブルが露光処理の終わりに前記測定ステーションと前記露光ステーションとの境界に位置決めされ前記第１の位置決めシステムから切り離され、Ｈ型駆動装置のそれぞれが他方のＨ型駆動装置によって解放されたテーブルを取り上げることで、前記第１の位置決めシステムが前記測定ステーションと前記露光ステーションとの間で前記第１及び第３のテーブルを交換するように構成され、
　テーブル交換のために前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置から移動させる際に、前記第２の位置決めシステムは前記第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させ、前記第２のテーブルは、前記投影システムを清浄する清浄装置が取り付けられており、前記清浄装置は、投影システムを清浄するためにガス又はレーザーを用いることを特徴とするリソグラフィ装置。」
　
　そこで、本願の補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　
引用文献１：国際公開第２００４／１０５１０７号
引用文献２：特表２０００−５０５９５８号公報
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（１ａ）頁番号１、４〜５行
「本発明は、投影光学系と液体とを介して基板にパターンを露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。」
（１ｂ）頁番号６、８〜２５行
「図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
　本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板Ｐ上に液体１を供給する液体供給機構１０と、基板Ｐ上の液体１を回収する液体回収機構（第１液体回収機構）３０とを備えている。本実施形態において、液体１には純水が用いられる。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体１により投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の少なくとも一部に液浸領域ＡＲ２を形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２と基板Ｐの表面（露光面）との間に液体１を満たし、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体１及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影し、基板Ｐを露光する。」
（１ｃ）頁番号９、１３行〜頁番号１０、１６行
「基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基板ホルダを介して保持するＺステージ５２と、Ｚステージ５２を支持するＸＹステージ５３と、ＸＹステージ５３を支持するベース５４とを備えている。基板ステージＰＳＴはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは、制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、ＺステージとＸＹステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。基板ステージＰＳＴのＸＹステージ５３を駆動することにより、基板ＰのＸＹ方向における位置（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。
　基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５２）上には、基板ステージＰＳＴとともに投影光学系ＰＬに対して移動する移動鏡５５が設けられている。また、移動鏡５５に対向する位置にはレーザ干渉計５６が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５６によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５６の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを介してＸＹステージ５３を駆動することで、基板ステージＰＳＴに支持されている基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。
　また、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを介して基板ステージＰＳＴのＺステージ５２を駆動することにより、Ｚステージ５２に保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置の制御を行う。即ち、Ｚステージ５２は、フォーカス検出系４の検出結果に基づく制御装置ＣＯＮＴからの指令に基づいて動作し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面（露光面）を投影光学系ＰＬ及び液体１を介して形成される像面に合わせ込む。
　基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５２）上には、基板Ｐを囲むように、表面が平坦な補助プレート５７が設けられている。補助プレート５７は、その表面が基板ホルダに保持された基板Ｐの表面と略同じ高さとなるように設置されている。ここで、基板Ｐのエッジと補助プレート５７との間には０．１〜２ｍｍ程度の隙間があるが、液体１の表面張力によりその隙間に液体１が流れ込むことはほとんどなく、また、基板Ｐの周縁近傍を露光する場合にも、補助プレート５７により投影光学系ＰＬの下に液体１を保持することができる。」
（１ｄ）頁番号１１、５〜１７行
「液体供給機構１０は、液浸領域ＡＲ２を形成するために基板Ｐ上に所定の液体１を供給するものであって、液体１を送出可能な第１液体供給部１１及び第２液体供給部１２と、第１液体供給部１１に流路を有する供給管１１Ａを介して接続され、この第１液体供給部１１から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口を有する第１供給ノズル１３と、第２液体供給部１２に流路を有する供給管１２Ａを介して接続され、この第２液体供給部１２から送出された液体１を基板Ｐ上に供給する供給口を有する第２供給ノズル１４とを備えている。第１及び第２供給ノズル１３、１４は液浸露光中において液浸領域ＡＲ２の液体１に接触する。第１及び第２供給ノズル１３、１４は基板Ｐの表面に近接して配置されており、基板Ｐの面方向において互いに異なる位置に設けられている。具体的には、液体供給機構１０の第１供給ノズル１３は投影領域ＡＲ１に対して走査方向の一方の側（−Ｘ側）に設けられ、第２供給ノズル１４は第１供給ノズル１３に対向するように、走査方向の他方側（＋Ｘ側）に設けられている。」
（１ｅ）頁番号１４、１８〜２２行
「そして、Ｚステージ５２上において基準部材７の近傍には、基準部材７に残留した液体１を除去する第１液体除去装置４０の一部を構成する液体吸収部材４２が設けられている。更に、Ｚステージ５２の別のコーナー近傍には、投影光学系ＰＬの先端の光学素子２や先端付近の鏡筒ＰＫに残留した液体１を除去する第２液体除去装置６０が設けられている。」
（１ｆ）頁番号２３、１〜１９行
「次に、図８を参照しながら、投影光学系ＰＬの先端の光学素子２や先端付近の鏡筒ＰＫに残留した液体１等を除去する第２液体除去装置６０について説明する。図８において、第２液体除去装置６０は、投影光学系ＰＬの先端の部品を構成する光学素子２やその近傍の鏡筒ＰＫに対して気体を吹き付ける吹き付け装置６１と、投影光学系ＰＬの先端に残留し、吹き付け装置６１による気体吹き付けにより吹き飛ばされて落下した液体を回収する回収装置（吸引装置）６２とを備えている。吹き付け装置６１は、気体供給部６３と、気体供給部６３に接続され、Ｚステージ５２の凹部６４Ｂに設けられているノズル部６４とを備えており、ノズル部６４の吹き出し口６４Ａは上方に向けられて投影光学系ＰＬの先端近傍に配置可能となっている。一方、回収装置６２はＺステージ５２に設けられた回収口（溝部）６５と、回収口６５に配置された多孔性材料からなる液体吸収部材６６と、Ｚステージ５２内部に形成され、溝部６６に連通する流路６７と、Ｚステージ５２外部に設けられ、その一端部を流路６７に接続した管路６８と、管路６８の他端部に接続され、Ｚステージ５２外部に設けられたタンク６９と、このタンク６９にバルブ７０を介して接続された吸引装置であるポンプ７１とを備えている。回収装置６２は、ポンプ７１を駆動して、液体吸収部材６６で回収し液体１を吸引して、タンク６９に集める。タンク６９には排出流路６９Ａが設けられており、タンク６９に液体１が所定量溜まると、タンク６９内の液体１が排出流路６９Ａを介して外部に排出される。」
（１ｇ）頁番号２４、１７〜２５行
「以上説明したように、露光中の液浸領域ＡＲ２の液体１に接触する投影光学系ＰＬの先端、供給ノズル１３、１４、及び回収ノズル３１、３２に残留した液体１を除去することにより、図９の模式図に示すように、基板ステージＰＳＴが投影光学系ＰＬの下（露光処理位置Ａ）から、基板Ｐをロード・アンロードする位置（ロード・アンロード位置Ｂ）まで移動しても、前記投影光学系ＰＬの先端等に残留していた液体１が落下して周辺装置に影響を与えたり環境変化をもたらしたりするといった不都合の発生を抑えることができる。特に、投影光学系ＰＬの先端の光学素子２に液体１を残存させないことにより付着跡（ウォーターマーク）の発生を抑制できる。」
（１ｈ）頁番号２６、１６〜２０行
「また、図８〜図１２の実施形態においては、第２液体除去装置６０は基板ステージＰＳＴ上に配置されているが、基板ステージＰＳＴ上とは異なる部材または部位に第２液体除去装置６０を配置しても良い。例えば、基板ステージＰＳＴとは独立して、投影光学系ＰＬの像面側を移動可能なステージをさらに搭載しておき、そのステージに第２液体除去装置６０を配置するようにしてもよい。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「マスク（Ｍ）を支持するマスクステージ（ＭＳＴ）と、基板（Ｐ）を支持する基板ステージ（ＰＳＴ）と、マスクステージに支持されているマスクを露光光（ＥＬ）で照明する照明光学系（ＩＬ）と、露光光で照明されたマスクのパターンの像を基板ステージに支持されている基板に投影露光する投影光学系（ＰＬ）と、露光装置（ＥＸ）全体の動作を統括制御する制御装置（ＣＯＮＴ）とを備えた露光装置であって、
　基板ステージが投影光学系の下（露光処理位置Ａ）から、基板をロード・アンロードする位置（ロード・アンロード位置Ｂ）まで移動可能であり、
　基板上に液体（１）を供給する液体供給機構（１０）を備え、
　液体供給機構から供給した液体により投影光学系の投影領域（ＡＲ１）を含む基板上の少なくとも一部に液浸領域（ＡＲ２）を形成するように投影光学系の先端部の光学素子（２）と基板の表面（露光面）との間に液体を満たし、
　投影光学系の先端の光学素子や先端付近の鏡筒（ＰＫ）に残留した液体を除去する第２液体除去装置（６０）が設けられ、
　第２液体除去装置は、投影光学系の先端の部品を構成する光学素子やその近傍の鏡筒に対して気体を吹き付ける吹き付け装置（６１）と、投影光学系の先端に残留し、吹き付け装置による気体吹き付けにより吹き飛ばされて落下した液体を回収する回収装置（吸引装置）（６２）とを備え、
　基板ステージとは独立して、投影光学系の像面側を移動可能なステージをさらに搭載しておき、そのステージに第２液体除去装置を配置した、
露光装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献２には、リソグラフ装置に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２ａ）第１８頁１３行〜第２０頁下から６行
「 図１に線図的に示す本発明リソグラフ装置は、光学リソグラフ法により、及びいわゆる「ステップアンドレピート」の原理に従うイメージング法によって集積半導体回路の製作に使用される。図１に線図的に示すように、このリソグラフ装置はフレーム１を具え、垂直Ｚ方向に平行に示すように、本発明位置決め装置３、集束ユニット５、マスクホルダ７、及び放射源９の順序でフレーム１に支持する。位置決め装置３は第１基材ホルダ１１と、同一の第２基材ホルダ１３とを具える。図１に示すリソグラフ装置は光学リソグラフ装置であり、その放射源９は光源１５を有する。基材ホルダ１１は、それぞれＺ方向に垂直に延在する支持面１７を有し、この支持面上に第１半導体基材１９を設置することができると共に、基材ホルダ１３は、Ｚ方向に垂直に延在する支持面２１を有し、この支持面上に第２半導体基材２３を設置することができる。第１基材ホルダ１１は、Ｚ方向に垂直なＸ方向に平行に、Ｘ方向、及びＺ方向に垂直なＹ方向にも平行に、位置決め装置３の第１移動ユニット２５によって、フレーム１に対し相対的に移動することができると共に、第２基材ホルダ１３は、Ｘ方向、及びＹ方向に平行に、位置決め装置３の第２移動ユニット２７によってフレーム１に対し相対的に移動することができる。集束ユニット５は撮像システム、又は投影システムであって、Ｚ方向に平行に指向する主光学軸線３１を有する光学レンズ系２９を具え、例えば４、又は５のような光学縮小率を有する。マスクホルダ７はＺ方向に垂直に延在する支持面３３を具え、この上にマスク３５を設置することができる。マスク３５は集積半導体回路のパターン、又はサブパターンを有する。作動中、光源１５から発生する光線ビームはマスク３５を通じて案内され、レンズ系２９によって第１半導体基材１９上に集束し、即ち焦点合せし、マスク３５上にあるパターンを縮小した寸法で、第１半導体基材１９上に結像させる。第１半導体基材１９は非常に多くの個々のフィールドを有し、このフィールド上に同一の半導体回路を設ける。この目的のため、第１半導体基材１９のフィールドはマスク３５を介して順次、露光される。第１半導体基材１９の個々のフィールドを露光中、第１半導体基材１９、及びマスク３５は集束ユニット５に対して一定位置にあるが、１個のフィールドを露光した後は、次のフィールドを集束ユニット５に対する位置にもたらし、その度に、第１移動ユニット２５によって第１基材ホルダ１１をＸ方向に平行に、及び／又はＹ方向に平行に移動させる。このプロセスを多数回繰り返し、その度に異なるマスクを介するから、層構造の複雑な集積半導体回路が製造される。リソグラフ装置によって製造される集積半導体回路はミクロンより小さい範囲内にある微細な寸法の構造を有する。第１半導体基材１９は多数の異なるマスクを通じて順次露出されるから、これ等マスク上にあるパターンはミクロンより小さい範囲の精度で、又はナノメータの範囲内にすらある精度で、半導体基材１９上に結像する必要がある。従って、半導体基材１９は２個の順次の露出工程間に匹敵する精度で、集束ユニット５に対し位置決めさせなければならず、位置決め装置３の位置決め精度には非常に高い要求が課される。
　製造加工される一団の半導体基材は図１に示すリソグラフ装置においてマスク３５を介して順次、露光され、そこで上記一団の半導体基材は次のマスクを介して、順次、露光される。このプロセスをその度に他のマスクを介して、多数回繰り返される。露出すべき半導体基材はマガジン内にあり、このマガジンから半導体基材は移送機構によって、位置決め装置３の測定位置に順次、移送される。共に通常の既知のものである上記マガジン、及び上記移送機構は簡明のため図１には図示しない。図１に示すリソグラフ装置の状態では、第１基材ホルダ１１が作動位置にあり、第１基材ホルダ１１上に設置された第１半導体基材１９が集束ユニット５を通じて放射源９によって照射される。第２基材ホルダ１３は位置決め装置３の上記測定位置にあり、第２基材ホルダ１３上に設置された第２半導体基材２３の第２基材ホルダ１３に対する位置は、図１に線図的に示すリソグラフ装置の光学位置測定ユニット３７によって、Ｘ方向に平行な方向に、及びＹ方向に平行な方向に測定される。このリソグラフ装置内では上記移送機構によって第２半導体基材２３を所定の精度で、第２基材ホルダ１３に対し位置決めされる。図１に示すように、光学位置測定ユニット３７もフレーム１に固定されている。第１半導体基材１９の露光が完了した後、以下に説明するように、第１基材ホルダ１１を位置決め装置３によって、作動位置から測定位置に動かし、この位置から第１半導体基材１９を上記移送機構によってマガジンに復帰させる。同様に、以下に説明するように、第２半導体基材２３は測定位置から作動位置に位置決め装置３によって移動する。第２基材ホルダ１３に対する第２半導体基材２３の位置は測定位置において、既に測定されており、第２半導体基材２３は第２基材ホルダ１３に対して希望する精度で位置決めされているから、作動位置においては、フレーム１、及び集束ユニット５に対する第２基材ホルダ１３の位置の比較的簡単な測定で十分である。基材ホルダに対する半導体基材の測定、及び位置決めには比較的多くの時間を要する。従って、基材ホルダに対する半導体基材の配列が作動位置で行われる１個の基材ホルダのみを有するリソグラフ装置に比較し、２個の移動ユニット２５、２７を有する本発明位置決め装置３の使用によって、生産高を著しく増大することができる。」
（２ｂ）第２５頁下から４行〜第２９頁８行
「図４、及び図５は図１にリソグラフ装置に使用するのに適する本発明位置決め装置９７の第２実施例を示す。リソグラフ装置３の構成部分に対応するリソグラフ装置９７の構成部分は図４、及び図５においても同一の符号にて示す。位置決め装置９７内の基材ホルダ１１、１３は静的気体軸受を設けたいわゆる空気静力学的に支持されたフット９９、１０１によって、案内面１０３上をＸ方向平行に、及びＹ方向に平行に移動可能にそれぞれ案内される。この案内面１０３は２個の基材ホルダ１１、１３に共通であり、Ｘ方向に平行に、及びＹ方向に平行に延在する。位置決め装置９７の移動ユニット２５、２７にはそれぞれ位置決め装置３におけると同様に、力アクチュエータとして構成されたＸアクチュエータ１０５、１０７、及び２個のＹアクチュエータ１０９、１１１、及び１１３、１１５を設ける。Ｘアクチュエータ１０５、１０７にはそれぞれＸ方向に平行に延在する第２部分１２１、１２３に対し移動可能に案内される第１部分１１７、１１９を設けると共に、Ｙアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５にはそれぞれＹ方向に平行に延在する第２部分１３３、１３５、１３７、１３９に対し移動可能に案内される第１部分１２５、１２７、１２９、１３１を設ける。図４に示すように、Ｘアクチュエータ１０５、１０７の第２部分１２１、１２３をそれぞれ関連する移動ユニット２５、２７の２個のＹアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第１部分１２５、１２７、及び１２９、１３１の両方に連結する。Ｘアクチュエータ１０５、１０７の第２部分１２１、１２３はＺ方向に平行な枢着軸線１４１、１４３、１４５、１４７の周りに、関連するＹアクチュエータ１０９、１１１、及び１１３、１１５の２個の第１部分１２５、１２７、及び１２９、１３１に対し回動する。Ｘアクチュエータの第１部分１１７、１１９は以下に更に説明するようにＸ方向に平行に、及びＹ方向に平行に設けられた関連する移動ユニット２５、２７の基材ホルダ１１、１３にそれぞれ連結される。Ｙアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第２部分１３３、１３５、１３７、１３９はそれぞれ２個の移動ユニット２５、２７に共通のバランスユニット１４９に固定されている。このバランスユニット１４９は位置決め装置３のバランスユニット６９に相当しており、このバランスユニット１４９は図面に示されていない静的気体軸受によって案内面７９上をＸ方向に平行に、Ｙ方向に平行に移動可能に案内される。案内面７９はＸ方向に平行に、Ｙ方向に平行に延在し、フレーム１に固定された位置決め装置９７のベース８１に属している。バランスユニット１４９は同時に、２個の基材ホルダ１１、１３のための共通支持体であり、基材ホルダ１１、１３の共通案内面１０３はバランスユニット１４９の上面である。位置決め装置３のバランスユニット６９と同様、位置決め装置９７のバランスユニット１４９にはドリフト防止手段８９、９１、９３、９５を設ける。基材ホルダ１１、１３はそれぞれＸアクチュエータ１０５、１０７によって、相互に独立してＸ方向に平行に移動可能であり、更に２個のＹアクチュエータ１０９、１１１、及び２個のＹアクチュエータ１１３、１１５の等しい移動量によって、相互に独立してＹ方向に平行に基材ホルダ１１、１３は移動可能である。作動中、Ｘアクチュエータ１０５、１０７の第２部分１２１、１２３、Ｙアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第１部分１２５、１２７、１２９、１３１、及びＹアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第２部分１３３、１３５、１３７、１３９を介して、Ｘアクチュエータ１０５、１０７の反力はバランスユニット１４９に伝達されると共に、Ｙアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の反力はＹアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第２部分１３３、１３５、１３７、１３９を介してバランスユニット１４９に直接伝達される。
　以下に一層詳細に説明する継手部材１５１、１５３を基材ホルダ１１、１３にそれぞれ設け、これ等継手部材によって、基材ホルダ１１、１３を第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７と、第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９とに、交互にＸ方向に平行に、及びＹ方向に平行に連結することができる。この目的のため、第１基材ホルダ１１の継手部材１５１には第１部分１５５、及び第２部分１５７を設け、第１部分１５５によって第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７に第１基材ホルダ１１を連結し得るようにすると共に、第２部分１５７によって第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９に第１基材ホルダ１１を連結し得るようにする。同様に、第２基材ホルダ１３の継手部材１５３には第１部分１５９、及び第２部分１６１を設け、第１部分１５９によって第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７に第２基材ホルダ１３を連結し得るようにすると共に、第２部分１６１によって第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９に第２基材ホルダ１３を連結し得るようにする。図１、及び図４に示す状態、即ち第１基材ホルダ１１が作動位置にあって、第２基材ホルダ１３が測定位置にある状態では、継手部材１５１の第１部分１５５を介して、第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７に第１基材ホルダ１１を連結すると共に、継手部材１５３の第２部分１６１を介して、第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９に第２基材ホルダ１３を連結する。第１基材ホルダ１１が作動位置から測定位置に移動し、第２基材ホルダ１３が測定位置から作動位置に移動する際、基材ホルダ１１、１３は共通案内面１０３上を相互に通過することが必要である。これを達成するため、第１移動ユニット２５によって第１基材ホルダ１１を作動位置から、作動位置と測定位置との間の図５に示す第１中間位置Ｍ’に移動させ、同時に、第２移動ユニット２７によって第２基材ホルダ１３を測定位置から、作動位置と測定位置との間に位置し第１中間位置Ｍ’の隣にある図５に示す第２中間位置Ｍ”移動させる。上記の中間位置Ｍ’、Ｍ”においては、基材ホルダ１１、１３はそれぞれ第１移動ユニット２５、及び第２移動ユニット２７に連結されていない。従って、第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７は第１中間位置Ｍ’から第２中間位置Ｍ”に動き、この第２中間位置Ｍ”で、第２基材ホルダ１３の継手部材１５３の第１部分１５９に連結される。同様に、第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９は第２中間位置Ｍ”から第１中間位置Ｍ”に動き、この第１中間位置で第１基材ホルダ１１の継手部材１５１の第２部分１５７に連結される。このようにして図５に示す状態になり、第１中間位置Ｍ’にある第１基材ホルダ１１は第２移動ユニット２７のＸアクチュエータ１０７の第１部分１１９に連結されていると共に、第２中間位置Ｍ″にある第２基材ホルダ１３は第１移動ユニット２５のＸアクチュエータ１０５の第１部分１１７に連結されている。最後に、第１基材ホルダ１１は第２移動ユニット２７によって、第１中間位置Ｍ’から測定位置に動かされると共に、同時に第２基材ホルダ１３は第１移動ユニット２５によって、第２中間位置Ｍ”から作動位置に動かされる。Ｙアクチュエータ１０９、１１１、１１３、１１５の第１部分１２５、１２７、１２９、１３１が第２部分１３３、１３５、１３７、１３９に対して、移動しなければならない距離は継手部材１５１、１５３を使用することによって減少するから、移動ユニット２５、２７の寸法を減少させる。更に、Ｘアクチュエータ１０５、１０７の第２部分１２１、１２３がＹ方向に平行に相互に通過しなくともよいようになっているため移動ユニット２５、２７は簡単な構造に維持される。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献２全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献２には、以下の発明が記載されている。
「その支持面（１７）上に第１半導体基材（１９）を設置することができる第１基材ホルダ（１１）と、その支持面（２１）上に第２半導体基材（２３）を設置することができる第２基材ホルダ（１３）を有し、
　作動位置にある第１半導体基材の露光が完了した後、第１基材ホルダを位置決め装置（９７）によって、作動位置から測定位置に動かし、この位置から第１半導体基材を移送機構によってマガジンに復帰させ、光学位置測定ユニット（３７）によって測定された第２半導体基材は測定位置から作動位置に位置決め装置によって移動し、
　位置決め装置は、それぞれ２個のＹアクチュエータと１個のＸアクチュエータからなる第１移動ユニット（２５）及び第２移動ユニット（２７）を備え、
　それぞれの移動ユニットは、前記第１基材ホルダ及び第２基材ホルダと連結可能であり、
　第１基材ホルダが作動位置にあって、第２基材ホルダが測定位置にある状態では、第１移動ユニットに第１基材ホルダを連結すると共に第２移動ユニットに第２基材ホルダを連結し、第１基材ホルダが作動位置から測定位置に移動し、第２基材ホルダが測定位置から作動位置に移動する際、第１移動ユニットによって第１基材ホルダを作動位置から、作動位置と測定位置との間の第１中間位置（Ｍ’）に移動させ、同時に、第２移動ユニットによって第２基材ホルダを測定位置から、作動位置と測定位置との間に位置し第１中間位置の隣にある第２中間位置（Ｍ”）に移動させ、第１中間位置及び第２中間位置において、それぞれ、第１基材ホルダと第１移動ユニットの連結、及び第２基板ホルダと第２移動ユニットの連結を解除し、次に、第１移動ユニットを第１中間位置から第２中間位置へ移動し、この第２中間位置で、第２基材ホルダに連結し、同様に、第２移動ユニットを第２中間位置から第１中間位置へ移動し、この第１中間位置で第１基材ホルダに連結することにより、第１中間位置にある第１基材ホルダは第２移動ユニットに連結されていると共に、第２中間位置にある第２基材ホルダは第１移動ユニットに連結されている状態とし、最後に、第１基材ホルダを第２移動ユニットによって、第１中間位置から測定位置に移動すると共に、同時に第２基材ホルダを第１移動ユニットによって、第２中間位置から作動位置に移動するリソグラフ装置。」（以下「引用第２発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「照明光学系」からの「露光光で照明する」「マスク」は、補正発明の「所望のパターンを投影ビームに付与するパターン形成装置」に相当する。
　以下同様に、
「基板を支持する基板ステージ」は「基板を保持する第１のテーブル」に、
「露光光で照明されたマスクのパターンの像を基板ステージに支持されている基板に投影露光する投影光学系」は「投影システム」に、
「基板上に液体を供給する液体供給機構」であって「供給した液体により投影光学系の投影領域を含む基板上の少なくとも一部に液浸領域を形成するように、投影光学系の先端部の光学素子と基板の表面（露光面）との間に液体を満たす」「液体供給機構」は「投影システムと基板との間の空間に液体を供給する液体供給システム」に、
「露光装置」は「リソグラフィ装置」に、
それぞれ相当する。
　また、引用発明の「第２液体除去装置」は、補正発明の「投影システムを清浄する清浄装置」に相当し、第２液体除去装置が気体を吹き付ける吹き付け装置を備えていることから、第２液体除去装置は、投影システムを清浄するためにガスを用いることは明らかである。
　さらに、引用発明の「基板ステージとは独立して、投影光学系の像面側を移動可能なステージをさらに搭載しておき、そのステージに第２液体除去装置を配置した」構成は、補正発明の「基板を保持するように構成されて」おらず「投影システムを清浄する清浄装置が取り付けられて」いる「第２のテーブル」に相当する。そして、引用発明の「第２液体除去装置を配置したステージ」（本願発明の「第２のテーブル」に相当）は、投影光学系の先端の光学素子や先端付近の鏡筒に残留した液体を除去するために、補正発明の「第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第２の位置決めシステム」に相当する構成を有することは明らかである。
　
　してみると両者は、 
　「所望のパターンを投影ビームに付与するパターン形成装置と、
　基板を保持する第１のテーブルと、
　投影システムと、
　投影システムと基板との間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
　前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第１の位置決めシステムと、
　第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第２の位置決めシステムに接続され、かつ基板を保持するように構成されていない第２のテーブルと、
　前記第２の位置決めシステムは前記第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させ、前記第２のテーブルは、前記投影システムを清浄する清浄装置が取り付けられており、前記清浄装置は、投影システムを清浄するためにガスを用いるリソグラフィ装置。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　補正発明が「基板を保持する第３のテーブルと、
　前記第１及び第３のテーブルのいずれか一方によって運ばれた基板を露光することのできる露光ステーションと、
　前記第１及び第３のテーブルのいずれか一方によって運ばれた基板を測定することのできる測定ステーションと、を備え、
　前記第１の位置決めシステムは２つのＨ型駆動装置を有し、Ｈ型駆動装置のそれぞれが第１及び第３のテーブルの一方を前記測定ステーション及び前記露光ステーションの一方の範囲内に位置決めし、
　第１及び第３のテーブルが露光処理の終わりに前記測定ステーションと前記露光ステーションとの境界に位置決めされ前記第１の位置決めシステムから切り離され、Ｈ型駆動装置のそれぞれが他方のＨ型駆動装置によって解放されたテーブルを取り上げることで、前記第１の位置決めシステムが前記測定ステーションと前記露光ステーションとの間で前記第１及び第３のテーブルを交換するように構成され」ているのに対して、引用発明はそのような構成を有していない点。
（相違点２）
　第２の位置決めシステムに関して、補正発明では「第１のテーブルを前記投影システム下方の位置から移動させる際に第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させ」「テーブル交換のために前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置から移動させる際に、第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させ」るのに対して、引用発明では、その移動の態様が不明な点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　補正発明の上記相違点１に係る構成と引用第２発明を対比する。
　引用第２発明の「半導体基材」、「第１基材ホルダ」、「第２基材ホルダ」、「作動位置」、「測定位置」、「それぞれ２個のＹアクチュエータと１個のＸアクチュエータからなる第１移動ユニット及び第２移動ユニット」及び「リソグラフ装置」は、それぞれ、補正発明の「基板」、「第１のテーブル」、「第２のテーブル」、「露光ステーション」、「測定ステーション」、「２つのＨ型駆動装置」及び「リソグラフィ装置」に相当する。
　また、引用第２発明において「第１基材ホルダが作動位置にあって、第２基材ホルダが測定位置にある状態では、第１移動ユニットに第１基材ホルダを連結すると共に第２移動ユニットに第２基材ホルダを連結し、第１基材ホルダが作動位置から測定位置に移動し、第２基材ホルダが測定位置から作動位置に移動する際、第１移動ユニットによって第１基材ホルダを作動位置から、作動位置と測定位置との間の第１中間位置に移動させ、同時に、第２移動ユニットによって第２基材ホルダを測定位置から、作動位置と測定位置との間に位置し第１中間位置の隣にある第２中間位置に移動させ、両基材ホルダと、第１移動ユニット及び第２移動ユニットの連結を解除し、次に、第１移動ユニットを第１中間位置から第２中間位置へ移動し、この第２中間位置で、第２基材ホルダに連結し、同様に、第２移動ユニットを第２中間位置から第１中間位置へ移動し、この第１中間位置で第１基材ホルダに連結することにより、第１中間位置にある第１基材ホルダは第２移動ユニットに連結されていると共に、第２中間位置にある第２基材ホルダは第１移動ユニットに連結されている状態とし、最後に、第１基材ホルダを第２移動ユニットによって、第１中間位置から測定位置に移動すると共に、同時に第２基材ホルダを第１移動ユニットによって、第２中間位置から作動位置に移動する」ことは、補正発明において「Ｈ型駆動装置のそれぞれが第１及び第３のテーブルの一方を前記測定ステーション及び前記露光ステーションの一方の範囲内に位置決めし、第１及び第３のテーブルが露光処理の終わりに前記測定ステーションと前記露光ステーションとの境界に位置決めされ前記第１の位置決めシステムから切り離され、Ｈ型駆動装置のそれぞれが他方のＨ型駆動装置によって解放されたテーブルを取り上げることで、前記第１の位置決めシステムが前記測定ステーションと前記露光ステーションとの間で前記第１及び第３のテーブルを交換する」ことに相当する。
　してみると、上記相違点１に係る構成は、引用第２発明が備えている。
　ところで、リソグラフィ装置において、基板の位置合わせ等のために、露光に先立って測定を行うことはごく普通に行われている周知技術であり、しかも、作業効率等を考慮して露光と測定を別個のステージで行うことも、ごく普通に行われている。
　そして、そのような状況の下で、引用発明に引用第２発明の上記相違点１に係る構成を採用することに、格別の阻害要因も困難性もない。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは、引用発明及び引用第２発明に基づいて当業者が容易になし得る事項である。
（相違点２について）
　引用発明において、第１のテーブルの移動と第２のテーブルの移動を時間的に前後して行う格別の必要性は見当たらない。そして、リソグラフィ装置を含む素子の製造装置において、作業時間の短縮を図る等の目的で、平行する複数の工程を同時に行うことは、ごく普通に行われていることであるから、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは、その必要に応じて当業者が適宜なし得る事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明、引用第２発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明、引用第２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人が上記回答書に添付した補正案（上記「第１　手続の経緯」参照）の内容を参酌しても、上記判断に変わりはない。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２２年１１月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２２年４月２２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「所望のパターンを投影ビームに付与するパターン形成装置と、
　基板を保持する第１のテーブルと、
　投影システムと、
　投影システムと基板との間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
　前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第１の位置決めシステムと、
　前記第１のテーブルを前記投影システム下方の位置から移動させる際に第２のテーブルを前記投影システム下方の位置に移動させる第２の位置決めシステムに接続され、かつ基板を保持するように構成されていない第２のテーブルと、を備え、
　前記第２のテーブルは、前記投影システムを清浄する清浄装置が取り付けられており、
前記清浄装置は、投影システムを清浄するためにガス、電気粒子、又はレーザーを用いることを特徴とするリソグラフィ装置。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　本願発明と引用発明は、前記「第２」の「３．」に記載した一致点で一致し、相違点２で相違する。
　そして、相違点２に対する判断は、上記「第２」の「３．」の（相違点２について）に記載したとおりである。
　そうすると、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。