【事件の表示】
　特願２００４−　９６８５０「半導体研磨用組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８６０４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　この出願は、平成１６年３月２９日の特許出願であって、同２２年６月１５日付けで拒絶の理由が通知され、同２２年８月１０日に意見書が提出されたが、同２２年１１月４日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２３年２月８日に本件審判の請求と同時に明細書に対する手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
２．本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
2.1　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は、以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体研磨用組成物であって、ヒュームドシリカのかさ密度が５０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満であることを特徴とする半導体研磨用組成物。」
(２)　補正後の請求項１
「砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体研磨用組成物であって、ヒュームドシリカのかさ密度が５０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満であり、アルカリ水溶液に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合することにより調整されることを特徴とする半導体研磨用組成物。」
　
2.2　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、半導体研磨用組成物が、アルカリ水溶液に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合することにより調整されるものである旨の限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
2.2.1　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記2.1(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
2.2.2　刊行物記載事項
　この出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２６７７１号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開２００３−２６８３５４号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
2.2.2.1　刊行物１
(ア)　１欄２−２３行
「【請求項１】　予めｐＨを２〜４に調整した水中に、高剪断力を与えつつ、濃度が４０〜６０ｗｔ％になるまでフュームドシリカを添加・混合し、次いで水を加えて粘度が２〜１００００ｃｐｓになるように調整し、これを低剪断状態で少なくとも５分間撹拌し、フュームドシリカの濃度が１０〜３８ｗｔ％になるまで水を加え、さらに強撹拌下でｐＨが９〜１２になるまで塩基性物質を加えることを特徴とする研磨用組成物の製造方法。
【請求項２】　半導体デバイスの平坦化工程に用いられる研磨用組成物を製造することを特徴とする請求項１記載の研磨用組成物の製造方法。
【請求項３】　ｐＨを２〜４に調整する酸性物質として、塩酸を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨用組成物の製造方法。
【請求項４】　比表面積が７０〜１１０ｍ２／ｇで、かつ、嵩密度が７０ｇ／Ｌ以上のフュームドシリカを水中に分散させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の研磨用組成物の製造方法。
【請求項５】　前記塩基性物質として、水酸化カリウムまたは水酸化アンモニウムのいずれかを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の研磨用組成物の製造方法。」
(イ)　１欄４１−４４行
「【発明の属する技術分野】本発明は、研磨用組成物の製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体デバイスの製造における平坦化工程、特に層間絶縁膜の平坦化に好適な研磨用組成物の製造方法に関するものである。」
(ウ)　２欄２０−末行
「【０００５】このＣＭＰは、一般的には水中に砥粒およびある種のケミカル成分を含んだ懸濁物（研磨用組成物、一般にはスラリーという）を用いて実施され、砥粒としては、アルミナ、セリア、シリカ、などが一般的に用いられている。その中で、アルミナおよびセリアは、その比重が大きいので、研磨用組成物中で沈澱しやすく分散性に問題があった。また、研磨用組成物中に凝集物が発生しやすいため、被研磨物表面に多数の研磨傷（以下スクラッチという）を発生させやすいという欠点がある。
【０００６】シリカは、その製造方法により、コロイダルシリカ、フュームドシリカ（発煙シリカともいう）およびその他のものがある。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウムをイオン交換して得られた超微粒子コロイダルシリカを粒子成長させるか、アルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解することにより製造されるのが一般的である。このような湿式法により製造されるコロイダルシリカは、通常、一次粒子または二次粒子の状態で水中に分散したスラリーとして得られる。このためコロイダルシリカは、研磨用組成物中における砥粒の分散性は優れているが、得られる機械的研磨速度には限界がある。一方、フュームドシリカは、四塩化ケイ素、水素および酸素を燃焼させることにより製造されるものである。気相法により製造されるこのフュームドシリカは、一次粒子が三次元的に数個〜数十個集まった鎖構造の二次粒子を形成しており、金属不純物の含有量が比較的少ないという特徴を有する。そして、研磨用組成物の製造工程において、このフュームドシリカを水中に分散させたとしても、一次粒子が完全に単分散した状態にはならず、その結果、優れた機械的研磨速度を得ることができる。」
　
　上記摘記事項より、刊行物１には、次の事項が記載されていると認める。
「砥粒としてフュームドシリカを含む半導体デバイスの平坦化工程に用いられる研磨用組成物であって、フュームドシリカの嵩密度が７０ｇ／Ｌ以上であり、ｐＨ２〜４の水とフュームドシリカとを混合し、さらに水を加えた混合物に、強撹拌下で塩基性物質を加えて混合することにより調製される半導体デバイスの平坦化工程に用いられる研磨用組成物。」（以下「刊行物１記載の発明」という。）。
　
2.2.2.2　刊行物２
(ア)　１欄２−８行
「【請求項１】　ｐＨが約２〜１１の液中に剪断力をかけながらヒュームドシリカを添加して前記シリカ濃度が約２０〜６０重量％の中間水性分散液を形成し、前記中間水性分散液を塩基性液中へと添加していくことにより、得られたシリカ濃度が約１〜５０重量％で且つｐＨが約８〜１２となるように調整したことを特徴とするヒュームドシリカ水性分散液の製造方法。」
(イ)　１欄３４−３８行
「【０００３】前記ヒュームドシリカは不純物が極めて少ない高純度な原料であってその用途は多岐にわたっており、例えば半導体業界向けの研磨剤たる水性分散液（半導体ウエハの研磨スラリー）の砥粒としても用いられる。」
(ウ)　２欄５−２９行
「この発明のヒュームドシリカ水性分散液の製造方法は、ｐＨが約２〜１１の液中に剪断力をかけながらヒュームドシリカを添加して前記シリカ濃度が約２０〜６０重量％の中間水性分散液を形成し、前記中間水性分散液を塩基性液中へと添加していくことにより、得られたシリカ濃度が約１〜５０重量％で且つｐＨが約８〜１２となるように調整したことを特徴とする。
【０００８】この製造方法では、ヒュームドシリカの中間水性分散液を塩基性液中へと添加していくようにしたので、シリカ分散液を添加していく過程でヒュームドシリカは塩基性液中へと少量づつ拡散していき、塩基性液（「受け入れ母体」となる）中のシリカ濃度はゼロから徐々に高まっていくので、添加する中間水性分散液中のシリカ粒子はゼータ電位が高く分散状態が安定となるアルカリ性領域へ素早く移行することができ、分散液の凝集に対する安定性を高めることができる。またこの方法によると、中間水性分散液の添加の際には緩やかな攪拌を行う程度でも凝集は起こり難い。
【０００９】なお、従来のように塩基性液をヒュームドシリカの中間水性分散液中へと添加していく方法では、ヒュームドシリカの中間水性分散液（「受け入れ母体」となる）のシリカ粒子は、ゼータ電位が低く分散状態が不安定な酸性領域から中性領域を経てアルカリ性領域に移行することとなり、塩基性液の添加の際に充分な剪断力を与えるような攪拌をしないと非常に凝集し易い。」
　
　上記摘記事項(ア)より、ヒュームドシリカの中間水性分散液は、ｐＨが約２〜１１の液とヒュームドシリカとを混合したものであり、塩基性液中へ添加していくことによりｐＨが約８〜１２となるものあるので、ヒュームドシリカの中間水性分散液は、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物である場合を含むものと解される。
　以上のとおりであるので、刊行物２には、次の事項が記載されていると認める。
「砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体ウエハの研磨スラリーの製造において、塩基性液中に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合することにより、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物に、塩基性液を添加して混合した場合の充分な剪断力を与えるような撹拌を必要とせず、緩やかな撹拌を行う程度でも凝集が起こり難くすること。」（以下「刊行物２記載の技術的事項」という。）。
 　
2.2.3　対比
　補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「フュームドシリカ」は、補正発明の「ヒュームドシリカ」に相当しており、以下同様に、「半導体デバイスの平坦化工程に用いられる研磨用組成物」は「半導体研磨用組成物」に、「調製」は「調整」にそれぞれ相当している。
　また、刊行物１記載の発明の「ｐＨ２〜４の水とフュームドシリカとを混合し、さらに水を加えた混合物」は、補正発明の「酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物」に相当しているので、刊行物１記載の発明の「ｐＨ２〜４の水とフュームドシリカとを混合し、さらに水を加えた混合物に、塩基性物質を加えて混合する」と補正発明の「アルカリ水溶液に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合する」とは、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物と、塩基性物質とを混合することに限り一致している。
　さらに、フュームドシリカのかさ密度について、刊行物１記載の発明では、「７０ｇ／Ｌ以上」であり、補正発明では、「５０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満」であるので、両者は、「７０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満」の数値範囲で重なっている。
　以上、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体研磨用組成物であって、ヒュームドシリカのかさ密度が７０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満であり、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物と、塩基性物質とを混合することにより調整される半導体研磨用組成物。」である点。
＜相違点＞
　酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物と、塩基性物質とを混合が、補正発明では、アルカリ水溶液に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合するのに対し、刊行物１記載の発明では、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物に塩基性物質を加えて混合する点。
　
2.2.4　判断
　上記刊行物２には、上記2.2.2.2のとおりの技術的事項が記載されており、砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体ウエハの研磨スラリー、すなわち砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体研磨用組成物に関する点で刊行物１記載の発明と技術分野が一致しており、また、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物と、塩基性液すなわちアルカリ液との混合に関して、アルカリ液を、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物中に添加して混合するよりも、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を、アルカリ液中へ添加して混合するほうが、緩やかな撹拌を行う程度でも凝集が起こり難いことが記載されている。
　したがって、刊行物１記載の発明の酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物と、塩基性物質との強撹拌下での混合に、緩やかな撹拌を行う程度でも凝集が起こり難い刊行物２記載の技術的事項を採用して、アルカリ水溶液に、酸性水溶液とヒュームドシリカとの混合物を添加して混合することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、補正発明が奏する作用効果は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の技術的事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　よって、補正発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
2.3　まとめ
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について 
3.1　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１ないし７に係る発明は、願書に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記2.1(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
3.2　刊行物記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に上記刊行物１が引用されており、その記載事項は、上記2.2.2.1に示したとおりである。
　
3.3　対比と判断
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、上記2.2.3と同様に、刊行物１記載の発明の「フュームドシリカ」、「半導体デバイスの平坦化工程に用いられる研磨用組成物」及び「調製」は、本願発明の「ヒュームドシリカ」、「半導体研磨用組成物」及び「調整」にそれぞれ相当しており、また、刊行物１記載の発明のフュームドシリカのかさ密度の「７０ｇ／Ｌ以上」は、「７０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満」の数値範囲で本願発明のフュームドシリカのかさ密度と重なっている。
　してがって、本願発明と刊行物１記載の発明とは、
「砥粒としてヒュームドシリカを含む半導体研磨用組成物であって、ヒュームドシリカのかさ密度が７０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満である半導体研磨用組成物。」
で一致し、本願発明と刊行物１記載の発明とは同一である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２ないし７に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　.