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　特願２００６−３０１２０６「サージ吸収素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月３１日出願公開，特開２００７−１３４７０９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１８年１１月７日（優先権主張２００５年１１月８日，台湾）の出願であって，平成２１年８月１０日付けで拒絶理由が通知され，同年１２月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２２年５月２７日付けで拒絶査定がなされ，それに対して，同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。なお，その後，平成２３年１月６日に上申書が提出されている。
　
２　本願発明の認定
　平成２１年１２月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲は請求項１ないし９からなるが，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
 「【請求項１】
　３個のセラミック層，６個の電極及び複数本のリードからなり，
　該３個のセラミック層は平行に配置して，順番に第一サージ吸収素子，第二サージ吸収素子及び第三サージ吸収素子とし，
　該６個の電極はそれぞれ該第一サージ吸収素子の両面に設置する第一電極及び第二電極，それぞれ該第二サージ吸収素子の両面に設置する第三電極及び第四電極，それぞれ該第三サージ吸収素子の両面に設置する第五電極及び第六電極とし，
　これら３個のセラミック層からなる第１乃至第３サージ吸収素子が
　一体に接合された連続層を構成し
　該複数本のリードをこれらの該各電極に接続してそれぞれ保護回路を構成することにより，三相或いは単相のサージ吸収素子を構成することを特徴とするサージ吸収素子。」
　
３　引用例の記載と引用発明
（１）特開平６−１２０００９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−１２０００９号公報（以下「引用例」という。）には，「容量性バリスタ」（発明の名称）について，図１ないし図３とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下，同様。）
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，
コンデンサ機能とバリスタ機能とを有する容量性バリスタ
・「【０００２】
【従来の技術】一般に，
ＳｒＴｉＯ
3 
を主成分とする半導体セラミックからなる容量性バリスタは，サージやノイズを吸収するバリスタとしての機能とともに，コンデンサとしての機能を有しており，電子機器の分野で広く利用されている
半導体セラミックの粒界数を制御し，これによりバリスタ電圧，静電容量をコントロールしている
・「【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は，半導体基板の両主面に電極が形成された複数のバリスタ素子を積層し，入出力端子の接続部を上記各バリスタ素子が電気的に並列になるように上記各電極に接続し，上記バリスタ素子を外装樹脂で覆うとともに，該外装樹脂の外表面に上記入出力端子の導出部を露出したことを特徴とする容量性バリスタである。」
・「【０００７】
【実施例】以下，本発明の実施例を図について説明する。図１及び図２は本発明の一実施例による容量性バリスタを説明するための図である。図において，１は本実施例の容量性バリスタであり，これは２つのバリスタ素子２，２を重ね合わせて構成されている。この
各バリスタ素子２は円板状の半導体基板３の表面，裏面にそれぞれ電極４ａ，４ｂを形成して構成されており，この上，下のバリスタ素子２，２の電極４ｂ，４ａが互いに対向している
【０００８】上記バリスタ素子２にはストレートに延びる板状の入出力端子５，及び二股状に折り曲げ形成された入出力端子６が接続されている。この両入出力端子５，６はフープ材を金型で打ち抜いて形成してなるもので，この各端子５，６は互いに対峙している。上記一方の入出力端子６はこれの中央部を上方に段状に折り曲げるとともに，両端部を下方に同じく段状に折り曲げてなり，これにより二股状の接続部６ａ，６ｂが形成されている。
【０００９】
上記他方の入出力端子５の接続部５ａは上記両バリスタ素子２の対向する電極４ｂ，４ａ間に挟み込まれており，この両電極４ｂ，４ａに半田付け接続されている。また，上記一方の入出力端子６の上側接続部６ａは上段のバリスタ素子２の表面電極４ａに半田付け接続されており，下側接続部６ｂは下段のバリスタ素子２の裏面電極４ｂに半田付け接続されている。これにより上記各バリスタ素子２は電気的に並列に接続されている
【００１０】上記各バリスタ素子２の外表面部分には外装樹脂７が被覆形成されており，上記入出力端子５，６の導出部５ｂ，６ｃは外方に突出している。上記樹脂７は樹脂浴に浸漬した後，硬化させて形成されたものである。そして上記各導出部５ｂ，６ｃは上記外装樹脂７の側面７ａに沿って折り曲げられており，これにより該導出部５ｂ，６ｃは上記外装樹脂７の側面７ａに露出している。」
・「【００１４】また，上記実施例では，バリスタ素子２を２つ重ねた場合を例にとって説明したが，本発明は勿論これに限られるものではなく，３つ以上のバリスタ素子を積層してもよい。
図３は，３つのバリスタ素子２を積層して容量性バリスタ１０を構成した例である。この例では，各入出力端子５，６を二股状に形成し，これの各導出部を上記各バリスタ素子２，２，２が電気的並列となるように接続することにより，上記実施例よりさらに大きなバリスタ電圧，静電容量が得られる
　
　図３には，３つのバリスタ素子２が，電極が互いに対向するよう，実質的に平行に配置されている構成が，見て取れる。
　
（２）引用発明
　引用例の図３において，入出力端子５の上側の接続部は，上段と中段のバリスタ素子２の間に挟まれるから，図２における入出力端子５の接続部５ａと同様の構成を有しており，また，入出力端子５の下側の接続部は，積層された下段のバリスタ素子の裏面に接続するから，図２における入出力端子６の下側接続部６ｂと同様の構成を有しているものと認められる。同様に，図３の入出力端子６の上側の接続部は，積層された上段のバリスタ素子の表面に接続するから，図２における入出力端子６の上側接続部６ａと同様の構成を有しており，また，入出力端子６の下側の接続部は中段と下段のバリスタ素子２の間に挟まれるから，図２における入出力端子５の接続部５ａと同様の構成を有しているものと認められる。
　よって，上記（１）の記載事項及び図示（特に，図３）の内容を総合すれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「３つのバリスタ素子２を積層してなる容量性バリスタ１０であって，
　各バリスタ素子２は，半導体セラミックからなる円板状の半導体基板３の表面，裏面にそれぞれ電極４ａ，４ｂを形成して構成されており，
  ３つのバリスタ素子２が，電極４ａ，４ｂが互いに対向するよう，実質的に平行に配置され，
　入出力端子５の上側の接続部は，上段と中段のバリスタ素子２の対向する電極４ｂ，４ａ間に挟み込まれており，この両電極４ｂ，４ａに半田付け接続され，入出力端子５の下側の接続部は，下段のバリスタ素子２の裏面電極４ｂに半田付け接続され，また，入出力端子６の上側の接続部は，上段のバリスタ素子２の表面電極４ａに半田付け接続され，入出力端子６の下側の接続部は，中段と下段のバリスタ素子２の対向する電極４ｂ，４ａ間に挟み込まれており，この両電極４ｂ，４ａに半田付け接続され，これにより上記各バリスタ素子２は電気的に並列に接続されて，大きなバリスタ電圧が得られる容量性バリスタ。」
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明との対応関係
　ア　引用発明の「容量性バリスタ１０」は，大きなバリスタ電圧が得られるものであって，サージやノイズを吸収するバリスタとしての機能を有しているから，本願発明の「サージ吸収素子」に相当する。そして，引用発明の積層された「下段」の「バリスタ素子２」，「中段」の「バリスタ素子２」及び「上段」の「バリスタ素子２」は，それぞれ，本願発明の「第一サージ吸収素子」，「第二サージ吸収素子」及び「第三サージ吸収素子」に相当する。
　イ　引用発明の「半導体セラミックからなる円板状の半導体基板３」は，本願発明の「セラミック層」に相当し，引用発明の「電極４ａ，４ｂ」，「入出力端子」は，それぞれ，本願発明の「電極」，「リード」に相当する。
　ウ　引用発明の下段，中段，上段の各バリスタ素子２は，半導体セラミックからなる円板状の半導体基板３の表面，裏面にそれぞれ電極４ａ，４ｂを形成してなるから，引用発明の「下段」の「バリスタ素子２」の「電極４ａ，４ｂ」，「中段」の「バリスタ素子２」の「電極４ａ，４ｂ」，「上段」の「バリスタ素子２」の「電極４ａ，４ｂ」は，それぞれ，本願発明の「第一サージ吸収素子の両面に設置する第一電極及び第二電極」，「第二サージ吸収素子の両面に設置する第三電極及び第四電極」，「第三サージ吸収素子の両面に設置する第五電極及び第六電極」に相当する。
　エ　引用発明は，「入出力端子５の上側の接続部は，上段と中段のバリスタ素子２の対向する電極４ｂ，４ａ間に挟み込まれており，この両電極４ｂ，４ａに半田付け接続され」ており，かつ，「入出力端子６の下側の接続部は，中段と下段のバリスタ素子２の対向する電極４ｂ，４ａ間に挟み込まれており，この両電極４ｂ，４ａに半田付け接続され」ているから，上段，中段，下段のバリスタ素子２は，対向する電極４ｂ，４ａが入出力端子の接続部を介して半田付け接続されているといえる。したがって，引用発明の「３つのバリスタ素子２を積層してなる容量性バリスタ１０」の構成は，本願発明の「これら３個のセラミック層からなる第１乃至第３サージ吸収素子が　一体に接合された連続層を構成」することに相当する。
　オ　引用発明の「入出力端子５」及び「入出力端子６」は，本願発明の「複数本のリード」に相当するから，引用発明の入出力端子と電極が接続されて「これにより上記各バリスタ素子２は電気的に並列に接続」された構成は，本願発明の「該複数本のリードをこれらの該各電極に接続してそれぞれ保護回路を構成すること」に相当する。
　
（２）一致点及び相違点
　したがって，上記（１）の対応関係に基づいて，本願発明と引用発明とを対比すると，両者は，
「３個のセラミック層，６個の電極及び複数本のリードからなり，
　該３個のセラミック層は平行に配置して，順番に第一サージ吸収素子，第二サージ吸収素子及び第三サージ吸収素子とし，
　該６個の電極はそれぞれ該第一サージ吸収素子の両面に設置する第一電極及び第二電極，それぞれ該第二サージ吸収素子の両面に設置する第三電極及び第四電極，それぞれ該第三サージ吸収素子の両面に設置する第五電極及び第六電極とし，
　これら３個のセラミック層からなる第１乃至第３サージ吸収素子が
　一体に接合された連続層を構成し
　該複数本のリードをこれらの該各電極に接続してそれぞれ保護回路を構成するサージ吸収素子。」
であることにおいて一致しており，以下の点で相違している。
〈相違点〉
　本願発明は，「三相或いは単相のサージ吸収素子を構成する」のに対して，引用発明では，この構成が明記されていない点。
　
５　判断
（１）相違点について
　ア　引用発明は，２つの「入出力端子」（５，６）を有し，その間に各バリスタ素子２が電気的に並列に接続された，２端子素子であることは明らかである。
　イ　引用例には，容量性バリスタ１０の具体的な使用について明記されていないが，容量性バリスタ１０は，少なくとも「サージやノイズを吸収するバリスタとしての機能」（段落【０００２】）を有するものであるから，引用発明は，サージが生じる可能性のある２本の線間に接続されて，バリスタとして機能するものであることは明らかであり，「単相のサージ吸収素子を構成する」ものであるといえる。
　ウ　そして，相違点に示された本願発明の構成は，「三相」と「単相」が択一的に記載されているものであって，引用発明は，少なくとも一方の構成である「単相のサージ吸収素子を構成する」と一致するから，本願発明の上記相違点の構成を満たすものであるといえる。
　エ　したがって，上記相違点は実質的なものではなく，本願発明と引用発明には，実質的な相違点は存在しない。
　
（２）まとめ
　したがって，本願発明と引用発明に実質的な相違点は無いから，本願発明は，引用例に記載された発明である。
　
６　請求人の主張に関して
（１）審判請求書及び上申書の主張について
　ア　請求人は，審判請求書の【請求の理由】において，「本願発明の特徴は，特許請求の範囲に記載されたとおり，サージ吸収素子の構成において『これら３個のセラミック層からなる第１乃至第３サージ吸収素子が一体に接合された連続層を構成し』，また，これら『３個のサージ吸収素子のそれぞれの面，すなわち６つの面にそれぞれ電極を設置して，これらに接続する複数本のリードを設けた』ことにあり，これ等の構成により第１実施例〔図５〕及び第２実施例（図６）に示すとおりＬ，Ｎ，Ｇの三線間のそれぞれのサージ保護と３つのサージ吸収素子すべてを２線間で保護効果を発揮させることができる。」（平成２２年１１月１０日提出の手続補正書第１ページ３．（ａ））と主張し，また，平成２３年１月６日提出の上申書において，「１．添付した表において，左端側２例は本件発明にかかる図５および図６を示す。また，中央より右に引用文献１，２，３を列挙したものです。　ここで，引用文献１は，本願発明が３つのサージ吸収素子からなることに対して半導体基板３は２つからなり，且つ，入力端子５，６の構造のためにこれらを適用した等価回路の構成は限られてしまい，この３つの半導体３しかない構造と引用文献２および２記載の３つの素子を有する構成と組み合わせても，は本願発明に示した図５，６の構成とすることができません。」と主張している。
　イ　請求人の主張は，本願発明により「Ｌ，Ｎ，Ｇの三線間のそれぞれのサージ保護と３つのサージ吸収素子すべてを２線間で保護効果を発揮させること」，すなわち，３線間の保護（図５）と２線間の保護（図６）が切替え可能であることを前提とした主張と解されるが，本願発明（請求項１）には，「複数本のリード」が４本であることも，導電通路の付加により，「三相」と「単層」の切替えを行うことも特定されていないから，上記主張は請求項１の記載に基づくものではなく，採用することはできない。
　
（２）三相のサージ吸収素子について
　ア　請求人は，各引用文献から，本願発明の図５の構成とすることはできない旨主張するので，上記相違点における，本願発明の「三相」「のサージ吸収素子を構成する」点について，さらに検討する。
　イ　引用例には，容量性バリスタ１０を「三相のサージ吸収素子」として使用することは開示されていない。しかしながら，引用例には上記３（２）のとおりの引用発明が記載されており，この引用発明は，上記４で検討したとおり，実質的に
「３個のセラミック層，６個の電極及び複数本のリードからなり，
　該３個のセラミック層は平行に配置して，順番に第一サージ吸収素子，第二サージ吸収素子及び第三サージ吸収素子とし，
　該６個の電極はそれぞれ該第一サージ吸収素子の両面に設置する第一電極及び第二電極，それぞれ該第二サージ吸収素子の両面に設置する第三電極及び第四電極，それぞれ該第三サージ吸収素子の両面に設置する第五電極及び第六電極とし，
　これら３個のセラミック層からなる第１乃至第３サージ吸収素子が
　一体に接合された連続層を構成し
　該複数本のリードをこれらの該各電極に接続してそれぞれ保護回路を構成するサージ吸収素子。」
であるといえる。
　ウ　そして，引用例の図３を参照すると，３つのバリスタ素子２を積層し，上段のバリスタ素子２の表面（上面）から一つの導線が引き出され，上段のバリスタ素子２の裏面と中段のバリスタ素子２の表面の間から一つの導線が引き出され，中段のバリスタ素子２の裏面と下段のバリスタ素子２の表面の間から一つの導線が引き出され，さらに下段のバリスタ素子２の裏面（下面）から一つの導線が引き出されることが，見て取れる。
　エ　他方，３個の電圧依存性抵抗体（バリスタ）を重ね合わせて，三本の導線（リード端子）間にそれぞれ電圧依存性抵抗体が接続された，３端子の一体化構造のサージ吸収器を構成することは，以下の周知例１，２に記載されるように，当業者において周知の技術的事項である。
　そして，このような一体化構造のサージ吸収器において，３個の重ねた電圧依存性抵抗体（バリスタ）の両最外側電極を接続して一つの導線（リード端子）とし，また，接触する２個の電圧依存性抵抗体（バリスタ）の間にそれぞれ一つの導線（リード端子）を設けて，３つの端子とすることは，通常採用される構造にすぎない。
　
　周知例１：実願昭５６−３７７９１号（実開昭５７−１５０９０６号）のマイクロフィルム（注：原審の拒絶理由における文献２）
・「酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなる三ヶの電圧依存性抵抗体を重ね合わせ，二ヶの電圧依存性抵抗体の間に金属板をそれぞれはさみ込み，電圧依存性抵抗体間を電気的に接続し，三ヶの電圧依存性抵抗体の両端の二つの電圧依存性抵抗体を金属板で電気的に接続し，この三枚の金属板にそれぞれ導線を接続し，三ヶの電圧依存性抵抗体，三ヶの金属板，三ヶ所の金属板と導線の接続部を絶縁物で覆い，その外側に絶縁体ケースを有する構造のサージ吸収器。」（実用新案登録請求の範囲）
　
　周知例２：実公昭５５−４４３３０号公報
・「通信回線または配線等の２線間および上記２線と接地間に接続する３個の異常電圧吸収器を並列に列べた非直線性抵抗素子３個と，その各素子間に挿入して各素子の電極面に広く接触させると共にその延長を引出端子を兼ねさせた２枚の金属板と，上記並列３素子の両最外側電極面にのみそれぞれ広く接触すると共にそのばね力にて圧着し上記並列３素子と上記２金属板を一体化する断面コの字状の一端が延長されて引出端子を形成する１枚の弾性金属板とによって圧着一体化構造としたことを特徴とするサージ吸収器。」（実用新案登録請求の範囲）
　
　オ　そうすると，引用例の図３には，３つの積層されたバリスタ素子２から引き出された４つの導線を，各バリスタ素子が並列接続となるよう接続して２端子素子とした回路図が記載されているが，上記周知の技術的事項を理解する当業者においては，引用例記載のサージ吸収素子の入出力端子の構造を改変して，３つの積層されたバリスタ素子２から引き出された４つの導線のうち，両最外側電極から引き出された導線を接続し，三本の導線（リード端子）間にそれぞれ電圧依存性抵抗体が接続された，三端子の一体化構造のサージ吸収器，すなわち，「三相のサージ吸収素子」とすることは，何の困難もなくなし得ることである。
　カ　したがって，本願発明の「三相のサージ吸収素子」を構成することも，引用発明及び周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易になし得ることである。
　
７　結言
　以上検討したとおり，本願発明（特に，「単相のサージ吸収素子を構成する」もの）は，引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　また，本願発明のうち，「三相」「のサージ吸収素子を構成する」ものについても，引用例に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。