Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明において有用な高分子鉱物表面活性剤としては、高分子電解質、例えば縮合ホスホリル化ポリマー；ポリホスホネート；ホスフェート-又はホスホネート-含有モノマー又はポリマーと、他のモノマー、例えばエチレン性不飽和モノマー及びアミノ酸との、又は他のポリマー、例えば蛋白質、ポリペプチド、ポリサッカリド、ポリ（アクリレート）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（メタクリルアミド）、ポリ（エタクリレート）、ポリ（ヒドロキシアルキルメタクリレート）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（無水マレイン酸）、ポリ（マレエート）、ポリ（アミド）、ポリ（エチレンアミン）、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）、ポリ（酢酸ビニル）及びポリ（ビニルベンジルクロリド）とのコポリマー；カルボキシ−置換ポリマー；およびそれらの混合物がある。適当な高分子表面活性剤は、DegenhardtらのUS5,292,501;5,213,789；5,093,170；及び4,939,284に記載のカルボキシ-置換アルコールポリマー、及びBenedictらのUS5,011,913に記載のジホスホネートから誘導されたポリマーを包含する。適当な構造はアクリル酸又はメタクリル酸とホスホネートとのコポリマーを包含する。好ましいポリマーはジホスホネート変性ポリアクリル酸である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンチセンス分子の転移性腫瘍細胞の処置用製薬組成物の調製のための使用であって、該アンチセンス分子が、プロテアーゼ活性化受容体（ＰＡＲ）タンパク質のＲＮＡ配列に相補的であるヌクレオチド配列を含むものである、上記使用。
【請求項２】  ＰＡＲタンパク質がトロンビン受容体である、請求項１記載の使用。
【請求項３】  ＰＡＲタンパク質が、ＰＡＲ−２、ＰＡＲ−３およびＰＡＲ−４からなる群から選ばれる、請求項１記載の使用。
【請求項４】  腫瘍細胞が上皮組織起源の細胞である、請求項１記載の使用。
【請求項５】  上皮組織が、乳房、食道、腎臓、前立腺、卵巣、メラノーマおよび膀胱からなる群から選ばれる、請求項４記載の使用。
【請求項６】  アンチセンス分子が図２に示される配列をもつ、請求項１記載の使用。
【請求項７】  抗体分子の転移性腫瘍細胞の処置用製薬組成物を調製するための使用であって、該抗体分子が、プロテアーゼ活性化受容体（ＰＡＲ）タンパク質に結合することができるものである、上記使用。
【請求項８】  抗体が、該ＰＡＲタンパク質の細胞外エピトープに結合する、請求項７記載の使用。
【請求項９】  プロテアーゼ活性化受容体（ＰＡＲ）タンパク質のＲＮＡ配列に相補的であるヌクレオチド配列を含んでなる、アンチセンス分子。
【請求項１０】  活性因子および製薬学的に許容しうるキャリヤーを含有する製薬組成物であって、該活性因子が、プロテアーゼ活性化受容体（ＰＡＲ）タンパク質のＲＮＡ配列に相補的であるヌクレオチド配列を含むアンチセンス分子である、組成物。
【請求項１１】  転移性腫瘍細胞の処置のための、請求項１０記載の製薬組成物。
【請求項１２】  ＰＡＲタンパク質がトロンビン受容体である、請求項１１記載の製薬組成物。
【請求項１３】  ＰＡＲタンパク質が、ＰＡＲ−２、ＰＡＲ−３およびＰＡＲ−４からなる群から選ばれる、請求項１１記載の製薬組成物。
【請求項１４】  腫瘍細胞が上皮組織起源の細胞である、請求項１１記載の製薬組成物。
【請求項１５】  上皮組織が、乳房、食道、腎臓、前立腺、卵巣、メラノーマおよび膀胱からなる群から選ばれる、請求項１４記載の製薬組成物。
【請求項１６】  アンチセンス分子が図２に示される配列をもつ、請求項１０記載の製薬組成物。
【請求項１７】  アンチセンス分子の女性患者における胎盤の着床を伴う障害の処置用製薬組成物の調製のための使用であって、該アンチセンス分子が、プロテアーゼ活性化受容体（ＰＡＲ）タンパク質のＲＮＡ配列に相補的であるヌクレオチド配列を含むものである、上記使用。
【請求項１８】  アンチセンス分子が栄養芽層細胞に投与される、請求項１８記載の使用。
【請求項１９】  女性患者における胎盤の着床を伴う障害の治療のための、請求項１０記載の製薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(A)多数キャリアを供給するための少なくとも１つのソースおよびその多数キャリアを捕集するための少なくとも１つのドレインを有する選択された導電型の半導体本体を備え、
(B)前記半導体本体の相対する面に前記ソースおよびドレインが間隔をおいて垂直に配置され、
(C)前記ソースからの前記キャリアの流れを制御するために前記半導体本体に相対的に配置された少なくとも２つのゲートを備え、
(D)前記半導体本体が、前記ゲートが前記ソースから前記ドレインへの前記キャリアの流れを制御する前記ソースおよびゲートに隣接した第１の領域と、前記第１の領域から前記ドレインへ延びる第２の領域を有し、
(E)前記第１および第２の領域は、添加されたドーパントである所定の不純物原子を有し、前記第１の領域が約１〜２×１０16ｃｍ-3の平均ドーピング濃度を有し、前記第２の領域が約１〜５×１０15ｃｍ-3の平均ドーピング濃度を有する静電誘導トランジスタ構造。
【請求項２】
(A)前記第１の領域のドーピング濃度が前記第２の領域のそれの少なくとも２倍である請求項１記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項３】
(A)前記第１の領域のドーピング濃度が前記第２の領域のそれよりも一桁大きい請求項２記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項４】
(A)前記半導体本体がシリコンカーバイドからなる請求項１記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項５】
(A)前記半導体本体が、シリコン、ヒ化ガリウム、窒化ガリウムおよびリン化インジウムからなる群より選択される請求項１記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項６】
(A)前記トランジスタ構造が埋め込みショットキーゲート型静電誘導トランジスタである請求項１記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項７】
(A)前記第１および第２の領域が１つの導電型を有し、
(B)前記ゲートが、前記半導体本体に画定され、かつ前記第１および第２の領域の導電型よりも逆の導電型である請求項１記載の静電誘導トランジスタ構造。
【請求項８】
チャネル領域およびドリフト領域を有する静電誘導トランジスタにおいて、
(A)前記チャネル領域が第１の所定のドーピング濃度を有し、
(B)前記ドリフト領域が第２の所定のドーピング濃度を有し、
(C)前記第１の所定のドーピング濃度が約１〜２×１０16ｃｍ-3であり、前記第２の所定のドーピング濃度が約１〜５×１０15ｃｍ-3である、チャネル領域およびドリフト領域を有する静電誘導トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハイブリッドの半導体イメージング・デバイスであって、
第１の面上にバイアス接点を備え、第２の面上に複数の検出器セル接点を備えている検出器基板と、
複数の読出し回路および対応している複数の読出し回路接点を含んでいて、それぞれの検出器セル接点に対して前記読出し回路接点が電気的に接続されている、前記検出器基板に対して接続されている複数の読出し基板とを含み、
少なくとも一つの読出し回路接点が前記それぞれの検出器セル接点に関してオフセットされていることを特徴とするイメージング・デバイス。
【請求項２】  請求項１に記載のデバイスにおいて、
前記複数の読出し基板が前記検出器基板に対してバンプ・ボンディングされていることを特徴とするデバイス。
【請求項３】  請求項１に記載のデバイスにおいて、
導電性トラックが前記それぞれの検出器セル接点から、前記少なくとも一つの読出し回路接点と整列しているトランスファー・セル接点位置まで延びていることを特徴とするデバイス。
【請求項４】  請求項３に記載のデバイスにおいて、
前記導電性トラックが前記検出器基板の前記第２の面上に形成され、中間の絶縁層によってそこから電気的に絶縁されていることを特徴とするデバイス。
【請求項５】  請求項３に記載のデバイスにおいて、
前記導電性トラックが中間基板上に形成されていることを特徴とするデバイス。
【請求項６】  請求項１乃至５の何れかに記載のデバイスにおいて、
前記読出し基板に対して付加されて電気的に接続されている支持用基板を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項７】  請求項６に記載のデバイスにおいて、
前記読出し基板が前記読出し基板の第１の面において前記検出器基板に対して接続されており、前記読出し基板が前記読出し基板の第２の面において前記支持用基板に対して付加されて電気的に接続されていることを特徴とするデバイス。
【請求項８】  請求項６または７に記載のデバイスにおいて、
前記読出し基板が前記支持用基板に対してバンプ・ボンディングされていることを特徴とするデバイス。
【請求項９】  請求項６に記載のデバイスにおいて、
前記読出し用基板が前記支持用基板に対してワイヤ・ボンドによって電気的に接続されていることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】  請求項１乃至９の何れかに記載のデバイスを含むことを特徴とするイメージング装置。
【請求項１１】  ハイブリッドの半導体イメージング・デバイスを製造する方法であって、
第１の面上にバイアス接点を備え、第２の面上に複数の検出器セル接点を備えている検出器基板を形成するステップと、
複数の読出し回路を含んでいる複数の読出し基板をそれぞれの読出し回路接点によってシーケンシャンルに接続するステップとを含み、
前記複数の読出し基板が前記検出器基板に対して前記読出し回路接点によってそれぞれの検出器セル接点に対して電気的に接続され、少なくとも一つの前記読出し回路接点が前記それぞれの検出器セル接点に関してオフセットされていることを特徴とする方法。
【請求項１２】  請求項１１に記載の方法において、
支持用基板を前記読出し基板に対して機械的および電気的に接続するステップを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＰチャネルＣＭＯＳトランジスタと、
ＮチャネルＣＭＯＳトランジスタと、
前記ＰチャネルＣＭＯＳトランジスタに隣接する第１のフィールド酸化物領域と、
前記ＮチャネルＣＭＯＳトランジスタに隣接する第２のフィールド酸化物領域と、
前記Ｐチャネルトランジスタ、前記第１のフィールド酸化物領域、前記第２のフィールド酸化物領域および前記ＮチャネルＣＭＯＳトランジスタの下に位置する電気的絶縁層と、
前記電気的絶縁層の上に位置し、かつ前記第１のフィールド酸化物領域の下に延在するＮ型半導体領域と、
前記電気的絶縁層の上に位置し、かつ前記第２のフィールド酸化物領域の下に延在するＰ型半導体領域と、
前記電気的絶縁層の直下で、前記ＮチャネルＣＭＯＳトランジスタと前記第２のフィールド酸化物領域との下に位置し、かつ前記電気的絶縁層の上に位置する前記Ｐ型半導体領域と実質的に整列される、バルク半導体基板のＰ型半導体領域と、
前記電気的絶縁層の直下で、前記ＰチャネルＣＭＯＳトランジスタと前記第１のフィールド酸化物領域との下に位置し、かつ前記電気的絶縁層の上に位置する前記Ｎ型半導体領域と実質的に整列される、前記バルク半導体基板のＮ型半導体領域とを含む、ＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項２】  前記電気的絶縁層の上に位置する前記Ｎ型半導体領域は前記第１のフィールド酸化物領域を前記電気的絶縁層から完全に分離し、
前記Ｎ型半導体領域はＮウェルであり、前記Ｐ型半導体領域はＰウェルであり、
前記Ｎウェルおよび前記Ｐウェルは、ドープされていない基板、Ｐ型基板およびＮ型基板から本質的になる基板の群から選択される前記バルク半導体基板に形成される、請求項１に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項３】  前記第１のフィールド酸化物領域と、前記電気的絶縁層の上に位置する前記Ｎ型半導体領域と、前記電気的絶縁層とを通って、前記電気的絶縁層の直下に位置する前記Ｎ型半導体領域まで延在するコンタクトプラグをさらに含む、請求項２に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項４】  前記第１のフィールド酸化物領域と、前記電気的絶縁層の上に位置する前記Ｎ型半導体領域と、前記電気的絶縁層とを通って、前記電気的絶縁層の直下に位置
する前記Ｎ型半導体領域まで延在するコンタクトプラグをさらに含み、
前記Ｎ型半導体領域はＮウェルであり、前記Ｐ型半導体領域はＰウェルであり、
前記Ｎウェルおよび前記Ｐウェルは、ドープされていない基板、Ｐ型基板およびＮ型基板から本質的になる基板の群から選択される前記バルク半導体基板に形成される、請求項１に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項５】  ＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置であって、
第１のゲートと、
前記第１のゲートの下に位置し、チャネル領域を有する第１のボディ領域とを含み、前記第１のボディ領域は第１の極性を有するようにドープされ、前記装置は、さらに、
前記第１のボディ領域に隣接して位置し、前記第１の極性とは反対の第２の極性を有するようにドープされる第１のソース領域と、
前記第１のボディ領域に隣接して位置し、前記第２の極性を有するようにドープされる第１のドレイン領域とを含み、前記第１のゲート、前記第１のボディ領域、前記第１のドレイン領域および前記第１のソース領域は第１のトランジスタを形成し、前記装置は、さらに、
前記第１のトランジスタに隣接する第１のフィールド酸化物領域と、
前記第１のドレイン領域、前記第１のソース領域、前記第１のフィールド酸化物領域および前記第１のボディ領域の下に電気的絶縁層と、
前記第１のフィールド酸化物領域の下および前記電気的絶縁層の上に延在する、前記第１の極性を有するようにドープされる第１のボディ延長部と、
前記電気的絶縁層、前記第１のドレイン領域、前記第１のボディ延長部、前記第１のフィールド酸化物領域、前記第１のソース領域および前記第１のボディ領域の直下に位置し、かつ前記第１のボディ延長部と実質的に整列される、バルク半導体基板の第１の半導体領域とを含み、前記第１の半導体領域は前記第１の極性を有するようにドープされる、ＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項６】  前記装置は、
第２のゲートと、
前記第２のゲートの下に位置し、第２のチャネル領域を有する第２のボディ領域とをさらに含み、前記第２のボディ領域は前記第２の極性を有するようにドープされ、前記装置は、さらに、
前記第２のボディ領域に隣接して位置し、前記第１の極性を有するようにドープされる第２のソース領域と、
前記第２のボディ領域に隣接して位置し、前記第１の極性を有するようにドープされる第２のドレイン領域とを含み、前記第２のゲート、前記第２のボディ領域、前記第２のドレイン領域および前記第２のソース領域は第２のトランジスタを形成し、前記装置は、さらに、
前記第２のトランジスタに隣接する第２のフィールド酸化物領域を含み、前記電気的絶縁層は前記第２のドレイン領域、前記第２のソース領域、前記第２のフィールド酸化物領域および前記第２のボディ領域の下にあり、前記装置は、さらに、
前記第２のフィールド酸化物領域の下および前記電気的絶縁層の上に延在する、前記第２の極性を有するようにドープされる第２のボディ延長部と、
前記電気的絶縁層、前記第２のドレイン領域、前記第２のボディ延長部、前記第２のフィールド酸化物領域、前記第２のソース領域および前記第２のボディ領域の直下に位置し、かつ前記第２のボディ延長部と実質的に整列される、バルク半導体基板の第２の半導体領域とをさらに含み、前記第２の半導体領域は前記第２の極性を有するようにドープされる、請求項５に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項７】  前記第１のボディ延長部は前記第１のフィールド酸化物領域を前記電気的絶縁層から完全に分離し、
前記第１の半導体領域はＮウェルであり、前記第２の半導体領域はＰウェルであり、
前記Ｎウェルおよび前記Ｐウェルは、ドープされていない基板、Ｐ型基板およびＮ型基
板から本質的になる基板の群から選択される前記バルク半導体基板に形成される、請求項６に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項８】  前記第１のフィールド酸化物領域と、前記第１のボディ延長部と、前記電気的絶縁層とを通って、前記第１の半導体領域まで延在するコンタクトプラグをさらに含む、請求項７に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【請求項９】  前記第１のフィールド酸化物領域と、前記第１のボディ延長部と、前記電気的絶縁層とを通って、前記第１の半導体領域まで延在するコンタクトプラグをさらに含み、
前記第１の半導体領域はＮウェルであり、前記第２の半導体領域はＰウェルであり、
前記Ｎウェルおよび前記Ｐウェルは、ドープされていない基板、Ｐ型基板およびＮ型基板から本質的になる基板の群から選択される前記バルク半導体基板に形成される、請求項６に記載のＳＯＩ  ＣＭＯＳ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  空気と燃料との混合気を燃焼室に供給するための燃料噴射器であって、
燃焼用空気流導管（２．８、３．１）と、
燃料入口（２．４）と、
空気と、燃料噴射器（２．６）の通路の燃料とを混合する手段と、
前記燃料噴射器の通路の空気にスワールを与える手段（２．１、２．２、２．３、４．６、５．４、６．２、６．４、７．１、７．２、７．４、８．１、８．２、８．３）と、
少なくとも１つの制御ポート（３．４〜３．７、４．５）を備えた流体制御手段（２．７、３、４．１）とを有し、前記制御ポートを通る制御用空気の流れを変化させることにより、前記燃料噴射器の通路の燃焼用空気が受けるスワール及び流れ抵抗の度合いを変化させることができる、
燃料噴射器。
【請求項２】  断面が実質的に円形であり、燃焼用空気入口（５．２）及び出口ポート（５．３）を備えた室（５．１）を有し、前記制御ポートは、前記室に実質的に接線方向に連結された制御導管（５．４）に連結され、前記制御ポートを流れる制御用空気が前記燃焼用空気入口からの燃焼用空気流にスワールを与える、請求項１記載の燃料噴射器。
【請求項３】  前記燃焼用空気流導管（２．８、３．１）は、第１の副導管（２．２、３．２、４．２）と第２の副導管（２．３、３．３、４．３）に分岐し、前記ポート（３．４〜３．７、４．５）が、形成された合流部に隣接して設けられ、前記制御ポートに過剰圧又は負圧を選択的に及ぼして前記制御ポートを通る制御流を生じさせ、これにより主流を前記第１の副導管（２．２、３．２、４．２）又は第２の副導管（２．３、３．３、４．３）の何れかに選択的に差し向け、前記各副導管は、燃焼用空気に種々の度合いの流れ抵抗を及ぼす、請求項１記載の燃料噴射器。
【請求項４】  前記副導管は燃焼用空気流導管（２．８）と実質的に同じ軸線に差し向けられている、請求項３記載の燃料噴射器。
【請求項５】  前記副導管のうち少なくとも１つは、スワラ又はリストリクタを有する、請求項３又は４記載の燃料噴射器。
【請求項６】  前記燃焼用空気流導管及び副導管（４．２、４．３）が環状である、請求項３〜５のうち何れか一に記載の燃料噴射器。
【請求項７】  前記副導管が連結された、実質的に円形断面の室を有し、前記第１の副導管は、前記第２の副導管の場合よりも接線方向配向度が小さな状態で前記室に結合され、前記第２の副導管を通る選択的な流れにより、前記第１の副導管を通る選択的な流れから生じるよりも、大きな度合いの空気流のスワールが前記室内に生じ、これにより燃焼用空気に種々の度合いの流れ抵抗を選択的に及ぼす、請求項３〜６のいずれか一項に記載の燃料噴射器。
【請求項８】  前記燃焼用空気流導管は、前記合流部の上流側で更に分岐して第２の合流部を形成し、そのうちの一方の第１の分岐導管は第１の前記合流部に連結し、他方の第２の分岐導管は前記室に通じ、前記第１の副導管又は第２の副導管への流れの前記選択的差し向けにより、前記第２の分岐導管から前記室内への燃焼用空気流に与えられるスワールの度合いを選択できる、請求項７記載の燃料噴射器。
【請求項９】  前記第２の分岐導管がスワラを有する、請求項８記載の燃料噴射器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがって、燃焼領域に入る燃料及び空気の量、かくして空燃比の制御性を向上させ、それにより、火炎が弱くて消炎するという問題、窒素酸化物及び未燃焼燃料の放出の問題を解決すると共にあらゆる動作条件において良好な効率及び性能を維持することが必要である。したがって、燃焼器のパイロット領域中への空気流を変化させることができる燃料噴射器を提供することが公知の要件である。出力が高い場合、パイロット領域への空気流は少ないことが必要であり、空燃比は出力が高い場合には燃料濃厚領域及び放出量を無くすよう設定されるべきである。一次領域の空燃比及び液滴サイズの良好な制御により、消えにくい最大火炎速度が達成でき、その結果、安定性が向上することになろう。燃焼器の一次領域内での空気流は、制御可能であることが必要であり、出力設定値に応じて変化させることができなければならない。燃料噴射器を通る空気流の受ける制流度を制御して、上流側設定圧力の場合に燃料噴射器を通る空気（及び燃料）流の量を変化させることができるようになっていることは知られている。加うるに、これは、燃焼器の他の入口ポートを通って流れる空気の流量比率に影響を及ぼす。燃料噴射器を通って一次領域に流入する空気流を変化させることにより、微粒化の質にも影響が生じることになろう。アイドリング時、空気ブラスト式微粒化装置型型燃料噴射器の場合、空気流が低い結果として燃料噴射器を通る空気速度が低くなる。燃料の微粒化プロセスは、高い出力条件の場合、高速の空気が液体燃料の膜を横切って流れることを利用しており、燃料噴射器を通る空気流の速度が高いと、良好な微粒化が促進されて液滴が細かくなると共に放出量が減る。かくして、燃料噴射器を通る空気流を調節することにより（最新式の燃焼システムでは、一次領域中への空気流に対する貢献度が最も大きい）、安定性が向上すると共に高出力時における放出物が減少する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、空気と燃料との混合気を燃焼室に供給するための燃料噴射器であって、燃焼用空気流導管（２．８、３．１）と、燃料入口（２．４）と、空気と、燃料噴射器（２．６）の通路の燃料とを混合する手段と、前記燃料噴射器の通路の空気にスワールを与える手段（２．１、２．２、２．３、４．６、５．４、６．２、６．４、７．１、７．２、７．４、８．１、８．２、８．３）と、少なくとも１つの制御ポート（３．４〜３．７、４．５）を備えた流体制御手段（２．７、３、４．１）とを有し、前記制御ポートを通る制御用空気の流れを変化させることにより、前記燃料噴射器の通路の燃焼用空気が受けるスワール及び流れ抵抗の度合いを変化させることができる、燃料噴射器が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
代表的な最新式燃料噴射器は、多数のスワラを有している。燃料噴射器からのスワールは、空気力学的な再循環を形成するのに必要である。スワールを変化させることにより、燃焼器内における再循環領域の強度が変化することになり、かくして流れ抵抗が変化する。流体制御手段は、達成すべきスワールの度合いを変化させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001527201.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  分光測定装置は、反射型、半透過型又は透過型装置の１つである請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ナノ粒子により紫外線から保護されていることを特徴とするエレクトロクロミック装置。
【請求項２】  少なくとも１枚が透明である２枚の板またはフィルムから成り、その向き合った面には伝導性の層が取り付けられ、少なくとも一つの伝導性の層は透明であり、該２枚の板またはフィルムは密封用のリングによって接合され、該板またはフィルムおよび該密封用のリングは内部にエレクトロクロミック媒質を入れる容積を規定しているエレクトロクロミック装置において、該エレクトロクロミック装置はナノ粒子により紫外線から保護されていることを特徴とするエレクトロクロミック装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁性の流体で満たされた密閉容器（１２）、前記密閉容器に収容され、アーク放電を引き伸ばすために分離可能な少なくとも１つの対向する接点の組（１４、１６）、及び前記接点の一方を他方に対して軸方向に動かすためのアクチュエーター（２２）であって、動作中、前記アクチュエーターの軸方向の動きが、アーク放電の消滅を促進するためにアークが引き伸ばされる所から浄化用の流体を圧縮することを生じさせるための、前記アクチュエーターに取り付けられたピストン（２４）を有するアクチュエーターを備える電気回路ブレーカー（１０）であって、圧縮された浄化用の流体の流れを軸方向と半径方向の、分離した両方の方向からアークが引き伸ばされる前記接点間の領域に向けるための手段（２６、２８）を有することを特徴とする電気回路ブレーカー。
【請求項２】  前記接点間に引き伸ばされるアークを回転させるために磁場を発生するためのコイル（１８）が前記接点（１４、１６）に隣接して配置されることを特徴とする、請求項１に記載の電気回路ブレーカー。
【請求項３】  前記圧縮された浄化用の流体を前記接点（１４、１６）間の領域に軸方向に向けるための前記手段が少なくとも１つの接点（１６）を通して拡張する通路（２６）であることを特徴とする、請求項１または２に記載の電気回路ブレーカー。
【請求項４】  前記圧縮された浄化用の流体を前記接点間の領域に半径方向に向けるための前記手段が少なくとも１つの導管（２８）であることを特徴とする、請求項１、２または３に記載の電気回路ブレーカー。
【請求項５】  前記コイルがアーク電流によってショートすることを防ぐために前記コイル（１８）に隣接してシールド（２０）が備えられることを特徴とする、請求項１、２、３または４に記載の電気回路ブレーカー。
【請求項６】  浄化用の流体が六フッ化硫黄ガスであることを特徴とする、請求項１、２、３、４または５に記載の電気回路ブレーカー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にしたがうと、電気回路ブレーカーは絶縁性の流体で満たされた密閉容器、前記密閉容器に収容され、アーク放電を引き伸ばすために分離可能な少なくとも１つの対向する接点の組、及び前記接点の一方を他方に対して軸方向に動かすためのアクチュエーターであって、動作中、前記アクチュエーターの軸方向の動きが、アーク放電の消滅を促進するためにアークが引き伸ばされる所から浄化用の流体を圧縮することを生じさせるための、前記アクチュエーターに取り付けられたピストンを有するアクチュエーターを備え、さらに、圧縮された浄化用の流体の流れを軸方向と半径方向の、分離した両方の方向からアークが引き伸ばされる前記接点間の領域に向けるための手段（２６、２８）を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プロセス制御タスクを実行する一次プロセス・コントローラと、故障時に前記一次プロセス・コントローラに置き換わるよう動作するバックアップ・プロセス・コントローラとの間のデータの一貫性を維持するためのシステムであって、前記一次プロセス・コントローラが期間Ｔを有する基本制御サイクルの期間に前記プロセス制御タスクを周期的に実行するシステムにおいて、
前記一次プロセス・コントローラの主メモリにおける変更されたデータを検出するよう動作する追跡回路と、
前記変更されたデータを一次的に蓄積するためのデータ・バッファと、
前記一次プロセス・コントローラの各基本制御サイクルの期間に少なくとも一回、前記データ・バッファの前記変更されたデータを前記バックアップ・プロセス・コントローラのバックアップ・メモリへ、前記変更されたデータの転送が前記プロセス制御タスクの実行と干渉しないように転送するためのデータ転送回路と、
を具備するシステム。
【請求項２】  請求項１に記載のシステムであって、前記データ・バッファが、変更されたデータの前記転送が前記基本制御サイクル内に完了するよう充分小さい、システム。
【請求項３】  請求項１または２に記載のシステムであって、前記追跡回路が前記一次プロセス・コントローラの前記主メモリにおける書込み操作を検出する、システム。
【請求項４】  請求項１ないし３の何れかに記載のシステムであって、前記追跡回路が前記一次プロセス・コントローラにおける前記主メモリの選択された共有アドレス・スペースにおける書き込み操作を検出する、システム。
【請求項５】  請求項１ないし４の何れかに記載のシステムであって、前記データ・バッファが満杯のときは常に、前記データ転送回路が前記データ・バッファにおける前記変更されたデータを転送する、システム。
【請求項６】  請求項１ないし５の何れかに記載のシステムであって、前記主メモリの選択された共有アドレス・スペースの全部が前記バックアップ・メモリへ転送されてしまうまで、前記選択された共有アドレス・スペースの複数のサブエリアを前記主メモリから前記バックアップ・メモリへ転送することにより、前記データ転送回路が、前記主メモリの選択された共有アドレス・スペースと前記バックアップ・メモリとの間のデータの一貫性を動作の初期段階の期間に確立する、システム。
【請求項７】  請求項１ないし６の何れかに記載のシステムであって、前記追跡回路が、前記バックアップ・メモリへ以前に転送された前記選択された共有アドレス・スペースのサブエリアにおいてのみ、変更されたデータを前記動作の初期段階の期間に検出する、システム。
【請求項８】  請求項１ないし７の何れかに記載のシステムであって、選択されたプロセスを制御する少なくとも１つの冗長コントローラを備えたプロセス設備え、該冗長コントローラが、
期間Ｔを有する基本制御サイクルの期間にプロセス制御タスクを周期的に実行するよう動作する一次プロセス・コントローラと、
プロセス・データを蓄積するための、前記一次プロセス・コントローラに関連付けられた主メモリと、
故障時に前記一次プロセス・コントローラに置き換わるよう動作するバックアップ・プロセス・コントローラと、
プロセス・データを蓄積するための、前記バックアップ・プロセス・コントローラに関連付けられたバックアップ・メモリと、
前記主メモリにおけるプロセス・データと前記バックアップ・メモリにおけるプロセス・データとの間の一貫性を維持するためのメモリ・コヒーレンシ回路であって、（１）前記主メモリにおける変更されたデータを検出するよう動作する追跡回路と、（２）前記変更されたプロセス・データを一次的に蓄積するためのデータ・バッファと、（３）前記データ・バッファにおける前記変更されたプロセス・データを前記バックアップ・メモリへ、前記変更されたプロセス・データの転送が前記プロセス制御タスクの実行と干渉しないように、各基本制御サイクルの期間に少なくとも１回、転送するためのデータ転送回路とを備えるメモリ・コヒーレンシ回路と、
を具備する、
システム。
【請求項９】  プロセス制御タスクを実行する一次プロセス・コントローラと、故障時に前記一次プロセス・コントローラに置き換わるよう動作するバックアップ・プロセス・コントローラとの間のデータの一貫性を維持するための方法であって、前記一次プロセス・コントローラが期間Ｔを有する基本制御サイクルの期間に前記プロセス制御タスクを周期的に実行するものである方法において、
前記一次プロセス・コントローラの主メモリにおける変更されたデータを検出するステップと、
前記変更されたデータをデータ・バッファに一次的に蓄積するステップと、
前記一次プロセス・コントローラの各基本制御サイクルの期間に少なくとも一回、前記データ・バッファの前記変更されたデータを前記バックアップ・プロセス・コントローラのバックアップ・メモリへ、前記変更されたデータの転送が前記プロセス制御タスクの実行と干渉しないように転送するステップと、
を具備する方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の方法であって、前記データ・バッファが、変更されたデータの転送を前記基本制御サイクル内に完了するよう充分小さい、方法。
【請求項１１】  請求項９または１０に記載の方法であって、変更されたデータを検出する前記ステップが、前記一次プロセス・コントローラの前記主メモリにおける書込み操作を検出するサブステップを含む、方法。
【請求項１２】  請求項９ないし１１の何れかに記載の方法であって、変更されたデータを検出する前記ステップが、前記一次プロセス・コントローラの前記主メモリにおける選択された共有アドレス・スペースでの書込み操作を検出するサブステップを含む、方法。
【請求項１３】  請求項９ないし１２の何れかに記載の方法であって、変更されたデータを転送する前記ステップが、前記データ・バッファが満杯のときには常に実行される、方法。
【請求項１４】  請求項９ないし１３の何れかに記載の方法であって、前記主メモリの選択された共有アドレス・スペースの全部がバックアップ・メモリへ転送されてしまうまで、前記選択された共有アドレス・スペースの複数のサブエリアを前記主メモリから前記バックアップ・メモリへ転送することにより、前記主メモリの前記選択された共有アドレス・スペースと前記バックアップ・メモリとの間のデータの一貫性を動作の初期段階の期間に確立するステップを更に備える、方法。
【請求項１５】  請求項９ないし１３の何れかに記載の方法であって、前記バックアップ・メモリへ以前に転送された選択された共有アドレス・スペースのサブエリアのみにおいて、動作の初期段階の期間に、変更されたデータを検出するステップを更に備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  並列処理システム上で実行され、頂点のグラフとして表されるアプリケーションの処理能力を解析する方法であって、（ａ） 並列処理システム上で指定されたデータ・レコードを処理するための、頂点のグラフとして表わされるアプリケーションにアクセスするステップと、（ｂ）グラフ全体にわたるデータ・レコードのサイズの記述を生成するステップと、 （ｃ）グラフの各頂点の性能記述を生成するステップと、 （ｄ）グラフの各頂点ごとに実行時間を求めるステップと、 （ｅ）グラフの対応する頂点に割り当てられたデータ・レコード数を求めるステップと、 （ｆ）求められた実行時間およびデータ・レコード数に基づいて総実行時間および並列処理システムの性能の記述を出力するステップとを含むことを特徴とするアプリケーションの性能を解析する方法。
【請求項２】  （ａ）複数の入力データ・セットに基づいて総実行時間と並列処理システムの性能との複数の記述を生成するステップと、 （ｂ）複数の記述の比較を行うステップと、（ｃ）該比較を出力するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  並列処理システム上で実行され、入力された１組の値が与えられた場合に頂点およびリンクのグラフとして表されるアプリケーションの性能を解析する方法であって、（ａ）頂点とリンクとの間の接続、データ処理速度、およびデータの量を含む、グラフの頂点およびリンクの記述を生成するステップと、 （ｂ）総実行時間、リソース要件、およびアプリケーションの性能を含むアプリケーションの性能特性を、記述および入力された１組の値に基づいて生成するステップと、 （ｃ）入力された値を変更することのできる手段を設け、変更された値を生成するステップと、 （ｄ）変更された値に基づいてアプリケーションの性能特性を再生成するステップと、（ｅ）該性能特性を出力するステップとを含むことを特徴とするアプリケーションの性能を解析する方法。
【請求項４】  （ａ）数組の値を入力するステップと、 （ｂ）入力された各組の値ごとにアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｃ）入力された数組の値にトレンド式を適用することによって数組の推定値を算出するステップと、 （ｄ）推定値に基づいてアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｅ）入力された各組の値および推定値に基づいて性能特性を出力するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項３記載のアプリケーションの性能を解析する方法。
【請求項５】  並列処理システム上で実行され、入力された１組の値が与えられた場合に頂点およびリンクのグラフとして表されるアプリケーションの性能を解析する方法であって、 （ａ）頂点とリンクとの間の接続、データ処理速度、およびデータ量を含む、グラフの頂点およびリンクの記述を生成するステップと、 （ｂ）総実行時間、リソース要件、およびアプリケーションの性能を含むシステムの性能特性を算出する性能式を記述に基づいて生成するステップと、 （ｃ）入力された値に性能式を適用するステップと、 （ｄ）入力された値を変更できる手段を設け、変更された値を生成するステップと、 （ｅ）変更された値に性能式を適用するステップと、（ｆ）該性能式の適用の結果を出力するステップとを含むことを特徴とするアプリケーションの性能を解析する方法。
【請求項６】  （ａ）数組の値を入力するステップと、 （ｂ）入力された各組の値ごとに性能式を適用するステップと、 （ｃ）入力された数組の値に基づいてトレンド式を生成するステップと、 （ｄ）入力された数組の値にトレンド式を適用することによって数組の推定値を算出するステップと、 （ｅ）推定値に性能式を適用するステップと、 （ｆ）入力された値、推定値、および記憶されている値を出力する手段を設けるステップとをさらに含むことを特徴とする請求項５記載のアプリケーションの性能を解析する方法。
【請求項７】  並列処理システム上で実行され、入力された１組の値が与えられた場合に頂点およびリンクのグラフとして表されるアプリケーションの性能を解析するコンピュータ・プログラムであって、前記コンピュータ・プログラムが、コンピュータ・システムによって読み取り可能な媒体上に記憶され、コンピュータ・システムによって読み取られ実行されたときに、 （ａ）頂点とリンクとの間の接続、データ処理速度、およびデータ量を含む、グラフの頂点およびリンクの記述を生成する機能と、 （ｂ）総実行時間、リソース要件、およびアプリケーションの性能を含むアプリケーションの性能特性を、記述および入力された１組の値に基づいて生成する機能と、 （ｃ）入力された値を変更できる手段を設け、変更された値を生成する機能と、 （ｄ）変更された値に基づいてアプリケーションの性能特性を再生成する機能と、（ｅ）該性能特性を出力する機能とを実行するようにコンピュータ・システムを構成することを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【請求項８】  （ａ）数組の値を入力するステップと、 （ｂ）入力された各組の値ごとにアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｃ）入力された数組の値にトレンド式を適用することによって数組の推定値を算出するステップと、 （ｄ）推定値に基づいてアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｅ）入力された各組の値および推定値に基づいて性能特性を出力するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項７記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】  並列処理システム上で実行され、入力された１組の値が与えられた場合に頂点およびリンクのグラフとして表されるアプリケーションの性能を解析するコンピュータ・プログラムと共に構成されたコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、このように構成された記憶媒体によって、コンピュータが、 （ａ）頂点とリンクとの間の接続、データ処理速度、およびデータ量を含む、グラフの頂点およびリンクの記述を生成する機能と、 （ｂ）総実行時間、リソース要件、およびアプリケーションの性能を含むアプリケーションの性能特性を、記述および入力された１組の値に基づいて生成する機能と、 （ｃ）入力された値を変更できるような手段を設け、変更された値を生成する機能と、 （ｄ）変更された値に基づいてアプリケーションの性能特性を再生成する機能と、（ｅ）該性能特性を出力する機能とを実行するように特定のあらかじめ定められたように動作することを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】  （ａ）複数組の値を入力するステップと、 （ｂ）入力された各組の値ごとにアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｃ）入力された数組の値にトレンド式を適用することによって複数組の推定値を算出するステップと、 （ｄ）推定値に基づいてアプリケーションの性能特性を生成するステップと、 （ｅ）入力された各組の値および推定値に基づいて性能特性を出力するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項９記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リンクされたレコードのリストを含むデータ構造内の記号のシーケンスを管理する方法であって、前記記号のシーケンスをレコードの二重集合に１記号ずつ挿入し、前記二重集合は、
・  記号（例えば、０−９）毎に１つの要素を持つポインタの配列レコードであるリンクされたレコード（Ａレコード）のリストである第１の集合と、
・  挿入される記号のシーケンス全体を含むストリング（Ｂレコード）である第２の集合と、
を含み、
最初に第１のＡレコードを定義し、また前記Ａレコード内の全ての要素を最初にヌル・ポインタにし、次に記号のシーケンスを次のステップで挿入する、すなわち、
(i) 第１のレコードであるか、または現在のポインタが指し示し最初は前記第１のＡレコードを指しているレコードである、現在のレコードを選択し、最初はゼロにセットされている深さカウンタを１だけ増やし、
(ii)  最初は「第１の」記号であり後には「現在の」記号である、挿入する記号のシーケンスの次の記号を選択し、
(iii) 前記現在の記号の値を前記現在のレコードへの指標として用いて、前記レコード内の対応する位置にある現在のポインタを発見し、このポインタが他のＡレコードを指し示している場合はステップ(i) に戻り、
(iv)  前記現在のポインタがヌルの場合はＢレコードを作成して記号の全シーケンスをその中に記憶し、新しいＢレコードを指し示すように前記現在のポインタを更新して前記挿入を終了し、そうでない場合は次に進み、
(v) 挿入する記号のシーケンスと同じ記号のシーケンスを前記現在のＢレコードが含むかどうかチェックし、含む場合は前記挿入手順を終了し、そうでない場合は次に進み、
(vi)  新しいＡレコードを作成してリンクさせ、前記深さカウンタを１だけ増やし、挿入する記号のシーケンスの中の次の記号を「現在の」記号にし、
(vii) 前記現在のＢレコード内で、前記深さカウンタに対応する記号を選択し、この記号と挿入する記号のシーケンスの中の前記現在の記号とを比較し、２つの記号が等しい場合はステップ(vi) に戻り、そうでない場合は次に進み、
(viii)  新しいＢレコードを作成し、新しい記号のシーケンス全体をそこに挿入し、前記現在の記号に対応する前のＡレコード内の指標位置に前記Ｂレコードへのポインタを挿入する、
ことを特徴とする、データ構造内の記号のシーケンスを管理する方法。
【請求項２】  リンクされたレコードのリストを含むデータ構造内の記号のシーケンスを管理する方法であって、前記記号のシーケンスをレコードの二重集合に１記号ずつ挿入し、前記二重集合は、
・  記号（例えば、０−９）毎に１つの要素を持つポインタの配列レコードであるリンクされたレコード（Ａレコード）のリストの第１の集合と、
・  挿入される記号のシーケンス全体を含むストリング（Ｂレコード）である第２の集合と、
を含み、
記号のシーケンスを次のステップで削除する、すなわち、
(i) 第１のレコードであるかまたは前記現在のポインタが指し示すレコードである現在のレコードを選択し、最初はゼロにセットされている深さカウンタを１だけ増やし、
(ii)  最初は「第１の」記号であり後には「現在の」記号である、削除する記号のシーケンスの次の記号を選択し、
(iii) 前記現在の記号の値を前記現在のレコードへの指標として用いて、前記レコード内の対応する位置にある新しい現在のポインタを発見し、一時的配列内の前記現在のポインタの値を前記深さカウンタに対応する指標値のところに記憶し、このポインタが他のＡレコードを指し示している場合はステップ(i) に戻り、そうでない場合は次に進み、
(iv)  前記現在のポインタがヌル値を含むかどうかチェックし、そうであれば削除手順を終了し、
(v) そうではなく、現在のポインタがＢレコードを指し示している場合は、そのＢレコードに含まれる記号のシーケンスが削除する記号のシーケンスと同じかどうかチェックし、そうであればそのレコードを削除し、そうでなければ削除手順を終了し、
(vi)  Ａレコード内の前記現在のＢポインタをヌルにセットし、
(vii) 前記現在のＡレコード内に２つ以上のＢポインタがあるかまたはＡポインタがある場合は、削除手順を終了し、
(viii)  そうではなく、現在のＡレコード内に残っているＢポインタが１つだけの場合は、そのＡレコードを削除し、前記Ｂポインタを前のＡレコードに移動し、これを前記現在のレコードとして、前記削除するレコードへのＡポインタを前記Ｂポインタに置き換えて、ステップ(vii) に戻る、
ことを特徴とする、データ構造内の記号のシーケンスを管理する方法。
【請求項３】  リンクされたレコードのリストを含むデータ構造内の記号のシーケンスを管理する方法であって、前記記号のシーケンスをレコードの二重集合に１記号ずつ挿入し、前記二重集合は、
・  記号（例えば、０−９）毎に１つの要素を持つポインタの配列レコードであるリンクされたレコード（Ａレコード）のリストの第１の集合と、
・  挿入される記号のシーケンス全体を含むストリング（Ｂレコード）である第２の集合と、
を含み、
記号のシーケンスを次のステップで発見する、すなわち、
(i) 第１のレコードであるかまたは前記現在のポインタが指し示すレコードである現在のレコードを選択し、最初はゼロにセットされている深さカウンタを１だけ増やし、
(ii)  最初は第１の記号であり後には「現在の」記号である、発見する記号のシーケンスの次の記号を選択し、
(iii) 前記現在の記号の値を前記現在のレコードへの指標として用いて、前記レコード内の対応する位置にある新しい現在のポインタを発見し、このポインタが他のＡレコードを指し示している場合はステップ(i) に戻り、そうでない場合は次に進み、
(iv)  前記現在のポインタがヌル値を含むかどうかチェックし、そうであれば探索手順を終了して「発見せず」を示し、
(v) そうではなく、前記現在のポインタが型Ｂのレコードを指し示している場合は、そのレコードを候補の記号のシーケンスとして検索し、
(vi)  前記候補の番号を１記号ずつ走査し、発見する記号のシーケンスの中の対応する記号と比較し、対応する位置の記号が一致しない場合または記号のシーケンス長さが異なる場合は、終了して「発見せず」を示し、両方の記号のシーケンスの全ての記号を比較して等しいことが分かった場合は、探索を終了して「発見した」を示す、
ことを特徴とする、データ構造内の記号のシーケンスを管理する方法。
【請求項４】  前記記号は数字を意味し、前記記号のシーケンスは電話番号を意味することを特徴とする、請求項１−請求項３のいずれかに記載のデータ構造内の記号のシーケンスを管理する方法。