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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水への溶解度が低いかまたは水不溶性の１種類以上の治療薬と、
ビタミンＥと、
プロピレングリコールおよびエタノールから選択される１種類の補助溶媒と、
１種類以上の胆汁酸塩と、
ＴＰＧＳと、
チロキサポールおよびポリオキシル水素化ヒマシ油から選択されるもう一つの界面活性剤と
を含んでなる、自己微小乳化型薬物送達システムの形態の医薬組成物。
【請求項２】
胆汁酸塩がデオキシコール酸ナトリウムである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
デオキシコール酸ナトリウムが最終組成物の１〜４０％（ｗ／ｗ）である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ビタミンＥが最終組成物の２〜６％（ｗ／ｗ）である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
治療薬が化学療法薬である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
化学療法薬がタキソイドである、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
タキソイドが、パクリタキセル、ドセタキセル、それらの誘導体、類似体およびプロドラッグから選択される、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
タキソイドがパクリタキセルである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項９】
パクリタキセルの相対比が０．５〜４％（ｗ／ｗ）である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
パクリタキセルの相対比が３％（ｗ／ｗ）である、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種類の治療薬を含んでなり、ビタミンＥ、ＴＰＧＳおよびポリオキシル水素化ヒマシ油の相対比がそれぞれ、全油相の１０〜６０、４０〜９０および１０〜８０％（ｗ／ｗ）である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ビタミンＥ、ＴＰＧＳおよびポリオキシル水素化ヒマシ油の相対比がそれぞれ、全油相の１０〜４５、１０〜６５および１０〜６０％（ｗ／ｗ）である、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
ビタミンＥ、ＴＰＧＳ、デオキシコール酸ナトリウムおよびチロキサポールの相対比がそれぞれ、全油相の２〜６、５〜６０、１〜４０および５〜７０％（ｗ／ｗ）である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
ビタミンＥ、ＴＰＧＳ、デオキシコール酸ナトリウムおよびチロキサポールの相対比がそれぞれ、全油相の３〜５、２０〜３５、２〜２０および２０〜４０％（ｗ／ｗ）である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
プロピレングリコールの相対比が最終処方物の０〜５０％（ｗ／ｗ）の範囲であり、好ましくは２０％（ｗ／ｗ）であり、かつ、エタノールの相対比が最終処方物の５〜５０％（ｗ／ｗ）の範囲であり、好ましくは３０％（ｗ／ｗ）である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の自己乳化型組成物と、医薬賦形剤とを含んでなる、医薬投与形態。
【請求項１７】
経口投与に適する、請求項１６に記載の医薬投与形態。
【請求項１８】
組成物が軟質または硬質のゼラチンカプセルにカプセル化されてなる、請求項１７に記載の経口用医薬投与形態。
【請求項１９】
組成物が液状の油性製剤である、請求項１８に記載の経口用医薬投与形態。
【請求項２０】
タキソイド感受性疾患の治療に有用な医薬品を製造するための、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の自己微小乳化型組成物の使用。
【請求項２１】
バイオアベイラビリティー増進薬および／または別の抗癌薬と同時にまたはそれらの前に受け取る患者に投与するための、請求項２０に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
難水溶性の治療物質の若干の例は下記のようなものである：  パルミトイルリゾキシン、ペンクロメジン、ビタミンＡおよびその誘導体（レチン酸、イソトレチノインなど）、タモキシフェン、エトポシド、カンプトテシン(Camptothecine)、ナベルビン、バルプロ酸、タクロリムス、シロリムス（ラパマイシン）、サイクロスポリンＡ、クラリトロマイシン(Clarithromicin)、テストステロン、エストラジオール、プロゲステロン、シプロフロキサシン、フェノフィブレート、ベンザフィブレート、アジトロマイシン、イトラコナゾール、ミコナゾール、プロポフォール、ブリモニジン、ラタノプロスト、およびパクリタキセル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
２．  結果
２．１  静脈内投与
静脈内投与後に得たパクリタキセルの血漿中濃度を、非画分および二画分モデルによって分析した。図２（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、タキソール（商標）およびパクリタキセルＳＥＤＤＳをそれぞれ２、５および１０ｍｇ／ｋｇの用量で静脈内投与した後の薬剤対数濃度−時間曲線を示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
２ｍｇ／ｋｇのパクリタキセルＳＥＤＤＳを４０ｍｇ／ｋｇのＣｓＡと共に経口投与した後のパクリタキセル血漿濃度−時間曲線を図３（Ｄ）に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
タキソール（商標）と比較して、パクリタキセルＳＥＤＤＳのＡＵＣ０−２４はすべての示した用量で若干増加した。０〜２４時間のパクリタキセルＳＥＤＤＳのｆｒは１．５〜１０％の範囲で増加し、且つこの増加は用量の増加に逆比例した。０〜２４時間のパクリタキセルＳＥＤＤＳのｆａは２ｍｇ／ｋｇの用量では２８．１％程度であり、次いで５ｍｇ／ｋｇの用量では８．３％に減少し、１０ｍｇ／ｋｇの用量では１．１％に減少した。しかしながら、パクリタキセルＳＥＤＤＳのバイオアベイラビリティーの評価のために標準処方物としてタキソール（商標）を採用すると、パクリタキセルＳＥＤＤＳの相対的バイオアベイラビリティー（Ｆｒ）は２ｍｇ／ｋｇの用量では１．５％だけ増加したが、これはそれぞれ５および１０ｍｇ／ｋｇの用量では４３．８％および１４．４％だけ増加した。絶対的バイオアベイラビリティー（Ｆａ）は、それぞれ２、５および１０ｍｇ／ｋｇの用量では４２．７、２２．２および１．０％であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
タキソール（商標）と比較して、パクリタキセルＳＥＤＤＳの相対的バイオアベイラビリティーは５ｍｇ／ｋｇの用量では４３．８％だけ増加し、それぞれ２．５および０．５％  ｗ／ｗのパクリタキセルを含むＳＥＤＤＳ処方物について１０ｍｇ／ｋｇの用量では１４．１および２５．１％だけ増加した。処方物中の賦形剤が同一濃度については、５ｍｇ／ｋｇのパクリタキセルの用量が最高のバイオアベイラビリティーを達成し、ＳＥＤＤＳ中の１．２５％  ｗ／ｗパクリタキセルが最適濃度であることを示していた。用量の増加と比較して平均ＣｍａｘおよびＡＵＣ０−∞の値の不釣り合いな減少は、経口パクリタキセルの吸収には飽和過程があることを示唆していた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本明細書において使用されるように、薬物は、特に
−  抗血管形成薬、たとえばＶＥＧＦ−インヒビター、ＰＫＣ−インヒビターなど、たとえばＮ−ベンゾイルスタウロスポリン、１−（３−クロロアニリノ）−４−（４−ピリジルメチル）フタラジン、
−  抗炎症薬、たとえばステロイド、たとえばデキサメタゾン、フルオロメトロン、ヒドロコルチゾン、プレドニゾロン；またはいわゆる非ステロイド性抗炎症薬（ＮＳＡＩＤ）、たとえばＣＯＸ−インヒビター、たとえばジクロフェナク、バルデコキシブ、ルミラコキシブ、ケトロラック、またはインドメタシン；
−  抗アレルギー薬、たとえばＦＫ５０６、３３−エピ−クロロ−３３−デスオキシ−アスコマイシン、クロモリン、エマジン（emadine）、ケトチフェン、レボカルバスチン、ロドキサミド、ノルケトチフェン、オロパタジン、およびリザベンから選択されるもの；
−  緑内障処置薬（特に眼内圧処置）、たとえばラタノプロスト、１５−ケト−ラタノプロスト、イソプロピルウノプロストン、ベタキソロール、クロニジン、レボブノロールおよびチモロールから選択されるもの；
−  抗感染症薬、たとえばシプロフロキサシン、クロラムフェニコール、クロルテトラサイクリン、ゲンタマイシン、ロメフロキサシン、ネオマイシン、オフロキサシン、ポリミキシンＢおよびトブラマイシンから選択されるもの；
−  抗真菌薬、たとえばアムホテリシンＢ、フルコナゾールおよびナタマイシンから選択されるもの；
−  抗ウイルス薬、たとえばアシクロビル、ホミビルセン、ガンシクロビル、およびトリフルリジン；
−  麻酔薬、たとえば塩酸コカイン、リドカイン、オキシブプロカインおよび塩酸テトラカインから選択されるもの；
−  近視予防／阻害薬、たとえばピレンゼピン、アトロピンなど；
−  縮瞳薬、たとえばカルバコール、ピロカルピンおよびフィゾスチグミンから選択されるもの；
−  炭酸脱水酵素インヒビター、たとえばアセタゾラミドおよびドルゾラミドから選択されるもの；
−  アルファブロック剤、たとえばアプラクロニジンおよびブリモニジンから選択されるもの；ならびに
−  抗酸化剤および／またはビタミン、たとえばアスコルビン酸、α−トコフェロール、α−トコフェロールアセテート、レチノール、レチノールアセテート、およびレチノールパルミテート
からなる群から選択される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
角膜透過のアッセイ：
屠殺場からの受け取り後、目を、角膜を上にして解剖台にのせた。角膜の完全性をチェックした後、強膜を、解剖用メスで角膜縁から約１〜２ｍｍ切開し、そして前部を摘出した。虹彩および水晶体を、角膜構造を傷つけることなくピンセットで注意深く除去した。次いで、角膜を、ピンチクランプを用いて透過システムの２つのセルの間にのせた。直ちに、３ｍｌの予め温めそしてガス供給されたＧＢＲバッファーを個々のセルに添加し、セル内にトラップされたすべての気泡を注意深く除去した。当該システムにガスを供給し、そして３５℃にて約３０分間撹拌した。平衡化後、ドナー側を空にし、そして同量の予め温めた製剤の活性物質をｔ＝０にて添加した。３００μｌの「ＧＢＲ房水」のアリコートを、アクセプターセルからｔ＝０にて採取し、そして喪失容積を同量の新たなバッファーで置換した。その後、この手順を、アクセプターセルにおいて予め決めた時点で繰り返し、そしてアリコートを活性に関してＨＰＬＣにより分析した。両方のコンパートメントを、小型のマグネットで一定の撹拌下に維持した。通常の実験時間は１８０分であり、これは、製剤と角膜との接触時間でもあった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブブラウザを与える機器であって、
前記ウェブブラウザを起動させるユーザ入力を受信する手段と、
前記ユーザ入力に応答して前記ウェブブラウザの表示を可能にする処理手段と、
を含み、
前記ウェブブラウザが表示されるとき、静的アイコンは表示されず、また、静的アイコンに対応するユーザ機能は、ポップアップメニュを介して与えられる機器。
【請求項２】
ウェブブラウザを与える方法であって、
前記ウェブブラウザを起動させるユーザ入力を受信する段階と、
前記ユーザ入力に応答して前記ウェブブラウザの表示を可能にする段階と、
を含み、
前記ウェブブラウザが表示されるとき、静的アイコンは表示されず、また、静的アイコンに対応するユーザ機能は、ポップアップメニュを介して与えられる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペレーティングシステムを用いて実行される複数のアプリケーションにユーザ信号を渡す方法であって、
各アプリケーションから、該アプリケーションによって要求されるユーザ信号に関する情報を受信する段階と、
各アプリケーションに関連付けられる前記要求されるユーザ信号を、メモリ内に保存する段階と、
ユーザインタフェース装置からユーザ信号を受信する段階と、
前記受信したユーザ信号を要求するアプリケーションを、前記メモリから取出しする段階と、
前記受信したユーザ信号を前記取出ししたアプリケーションのそれぞれに送る段階と、
を含む方法。
【請求項２】
メモリと、
ユーザ信号によって制御される複数のアプリケーションを実行するよう適応されるオペレーティングシステムと、
各アプリケーションによって要求される前記ユーザ信号を登録する手段と、
ユーザ信号を受信する手段と、
前記信号を要求するよう登録される前記アプリケーションに各受信したユーザ信号を送る手段と、
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
システムに、蒸気流を冷却するための能動冷却機構がない、請求項２４に記載のハンダ付け装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のｐ型熱電半導体材料と、
複数のｎ型熱電半導体材料と、
良好な電気及び熱伝導材料で構成され、第１、第２及び第３の一体型の熱伝達構造と、
前記第１の熱伝達構造を前記複数のｐ型半導体材料に直接接触させ且つ電気的に接続する第１の手段と、
前記複数のｐ型半導体材料を前記第２の熱伝達構造に直接接触指させ且つ電気的に接続する第２の手段と、
前記複数のｎ型半導体材料を前記第２の熱伝達構造に直接接触させ且つ電気的に接続する第３の手段と、
前記複数のｎ型半導体材料を前記第３の熱伝達構造に直接接触させ且つ電気的に接続する第４の手段と、
それぞれの前記熱伝達構造を受容し且つ前記熱電半導体材料と近接するよう位置決めするための開口を有する非導電性プレート手段と、
を具備する熱電対。
【請求項２】
第１プレート手段が前記第１及び第３の熱伝達構造に受容され、
第２プレート手段が前記第２の熱伝達構造に受容され、
前記第１プレート手段及び前記第２プレート手段が前記ｐ型熱電半導体材料と前記ｎ型熱電半導体材料とを含む空間によって分離される、
請求項１に記載の熱電対。
【請求項３】
前記第１プレート手段及び前記第２プレート手段の外縁部間に、前記外縁部の間の空間を周囲流体の流入及び流出に対して密閉する手段が設けられる、請求項２に記載の熱電対。
【請求項４】
前記のプレート手段が、重合体、ガラスファイバ及びリンネルのリストから選択される材料で構成される、請求項１に記載の熱電対。
【請求項５】
前記のプレート手段が、前記熱伝達構造のまわりの適所で押し出し成形された合成プラスチック材料で構成される、請求項１に記載の熱電対。
【請求項６】
単一のプレート手段が、前記熱電半導体材料の第１の側のみから延びる熱伝達構造に受容され、
前記プレート手段と前記熱電半導体材料の他の側との間の空間を密閉する手段が設けられる、
請求項１に記載の熱電対。
【請求項７】
曲線状に配列された個別熱伝達手段と直列に相互接続された複数の相補的な熱電半導体ペレットと、
離間され且つ整列された対向する主表面を有する一対の円板と、
前記円板の前記対向する表面のそれぞれに設けられた複数の支持部であって、前記の相互接続されたペレットと熱伝達手段が一体に取り付けられる複数の支持部と、
前記の円板及び取り付けられたペレットと熱伝達手段を回転させて、周囲流体流を前記ペレットと熱伝達手段を通過させる手段と、
を備える熱電対機構。
【請求項８】
隣接する熱伝達手段が互いに離れて配置され、組み立ての際、隣接する熱伝達手段の間に支持部が嵌め込まれる、請求項７に記載の熱電対機構。
【請求項９】
前記ペレットが前記曲線に沿って離間した関係で配列され、
絶縁発泡材が、隣接するペレットの間の空間にあって剛性を提供し、隣接するペレット間の周囲空気流を防止する、
請求項８に記載の熱電対機構。
【請求項１０】
第１の吸気及び排気導管が、周囲空気を調整するよう前記ペレットの部分及び熱伝達手段間に周囲空気を誘導するために設けられ、
第２の吸気及び排気導管が、廃熱を処理する前記ペレットの部分及び熱伝達手段間に周囲空気を誘導するために設けられる、
請求項７に記載の熱電対機構。
【請求項１１】
直線状に配列された個々の熱伝達手段と直列に相互接続された複数の熱電半導体ペレットと、
離間され整列された主表面を有する一対のベース手段と、
前記ベース手段の対向する主平面に、前記ペレットと一致する直線状構成で且つ離間した関係で取り付けられる複数のスペーサと、
隣接するスペーサ間で前記ベース手段に形成されたスロット開口であって、前記熱伝達手段を受容する大きさに作られ、前記ペレットが前記一対のベース手段の間にあるスロット開口と、
周囲に対して前記のベース手段、ペレット、熱伝達手段及びスペーサを移動させる手段と、
を備える熱電対機構。
【請求項１２】
各スペーサが、スペーサの対向する縁部分上に第１及び第２のスロット・エッジ壁を備え、熱伝達手段を前記第１及び第２のスロット・エッジ壁に受容する、請求項１１に記載の熱電対機構。
【請求項１３】
前記スペーサ及びベース手段が一体に成形される、請求項１２に記載の熱電対機構。
【請求項１４】
前記ペレット及び熱伝達手段が曲線路に配列される、請求項１１に記載の熱電対機構。
【請求項１５】
前記ベース手段が、共通軸を中心に回転するために取り付けられた第１及び第２の円板を備える、請求項１１に記載の熱電対機構。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１は、１ステップアッシングプロセスの概略的な断面の描写を示す。従来の構造１００からフォトレジストを除去する１ステップアッシングプロセスの間、フルオロカーボンポリマーはチャンバ壁から放出／エッチングされ（一般的にメモリー効果と言われる）、下層の誘電層１０４及びキャップ層１０２（例えばＳｉＮ，ＳｉＣ）をアタックすることとなり、それは誘電層のファセッティング（平らに削り取り）１０８及びキャップ層のロス（損失）１０９の方に導き、時々、キャップ層１０２を通す穿孔をし、そして下層の導電層（例えば銅）をアタックすることさえある。この効果は、チャンバ壁に近いところでの高いフルオロカーボンポリマー濃度の為、ウェハの端部で非常に高くなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第１の例で、図３はアッシングプロセスの間の、キャップ層のロスを概略的に示す。アッシングプロセスに続いて、キャップ層のロス１１９は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージにおいてキャップ層１０２の薄膜化として測定される。所望のアッシングを可能とするプロセス条件は、キャップ層ロス１１９を最小にする間、直接の実験及び／又は実験計画法によって決定され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第２の例で、図４は、誘電体の側壁ロスを概略的に示す。例えば、図４の誘電体の側壁ロスは、ＨＦソリューションに露出後、誘電層１０４のトップ１３２と中間１２９との誘電体の除去として測定され得る。図４の構造は、さらにＳｉＮ層１０６とＳｉＣ層１０２とを含むことが出来る。側壁ロスを測定するため、プラズマアッシングされた基板は、０．５％ＨＦソリューションに、ほぼ５秒から３０秒の時間、さらされ得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005523585.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005523585.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005523585.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月13日(2006.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であって、少なくとも、
基板上にゲート電極および前記ゲート電極と前記基板の間にゲート酸化膜を形成する処理と、
前記基板にドーパントをインプラントして、前記基板中の前記ゲート電極の近傍にソース／ドレイン領域を形成する処理と、
レーザー・サーマル・アニーリングによって前記ソース／ドレイン領域を活性化する処理と、
前記ソース／ドレイン領域上に配置されるニッケルシリサイド層を形成する処理とを実行する方法。
【請求項２】
前記ニッケルシリサイド層を形成する処理は、前記ソース／ドレイン領域上にニッケルをデポジションする処理を含む、請求項１記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項３】
前記ニッケルシリサイド層を形成する処理は、前記ソース／ドレイン領域上にニッケルをおよそ８から２０ナノメーターの厚さにデポジションする処理を含む、請求項１記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項４】
前記ニッケルシリサイド層を形成する処理は、前記ソース／ドレイン領域内のドーパントの非活性化が起こる温度以下の温度でアニールを行う処理を含む、請求項１記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項５】
前記ニッケルシリサイド層を形成する処理の温度は摂氏約３５０度から５００度である、請求項４記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項６】
前記基板中に前記ゲート電極に近接してソース／ドレイン拡張部を形成する処理と、前記ゲート電極に近接してサイドウォールスペーサを形成する処理とをさらに実行する、請求項１記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項７】
前記ソース／ドレイン拡張部はおよそ５から３０ナノメーターの深さを持つ、請求項６記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項８】
前記ソース／ドレイン領域はおよそ４０から１００ナノメーターの深さを持つ、請求項１乃至７記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項９】
前記ソース／ドレイン領域を形成する処理は前記基板のある領域を非晶質化する、請求項１乃至８記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項１０】
前記レーザー・サーマル・アニーリングで前記ソース／ドレイン領域を活性化する処理は前記非晶質化された領域を溶かすが、結晶質のシリコンは溶かさない、請求項９記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項１１】
前記半導体装置はＭＯＳＦＥＴデバイスである、請求項１乃至１０いずれか１項に記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項１２】
ＭＯＳＦＥＴ半導体装置を製造する方法であって、少なくとも、
基板上にゲート電極および前記ゲート電極と前記基板の間にゲート酸化膜を形成する処理と、
前記基板中に前記ゲート電極に近接して、深さおよそ５から３０ナノメーターのソース／ドレイン拡張部を形成する処理と、
前記ゲート電極に近接して第１および第２サイドウォールスペーサを形成する処理と、
前記基板にドーパントをインプラントして、前記基板中に、前記サイドウォールスペーサに近接して、深さおよそ４０から１００ナノメーターのソース／ドレイン領域を形成する処理と、
レーザー・サーマル・アニーリングによって前記ソース／ドレイン領域を活性化する処理と、
前記ソース／ドレイン領域上にニッケル層をデポジションする処理と、
摂氏約３５０度から５００度の温度においてアニールを行って、前記ソース／ドレイン領域上に配置されるニッケルシリサイド層を形成する処理とを実行する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月27日(2006.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記防御ゾーンが、ファイル・ステージ領域とプロキシ・サーバとを含むことを特徴とする請求項１１に記載の遠隔診断システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記認証サービスおよび前記認可サービスが、ポリシー管理者ツールとＬＤＡＰに基づくユーザ・リポジトリ・ディレクトリとを組合せることによって提供されることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記リアルタイムの協働が、リアルタイムチャットであることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記決定ロジックが、要求したユーザの同一性および要求されたサービスのタイプに基いて、サービスの要求の妥当性を評価することを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガルバーニ電池の積層構成に対する適切な拡散の用途において、層は製造方法だけで塗付され、異なる機能特性を有し、特別に有利な製造方法はジェット法、印刷方法（例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、タンポン印刷、インクジェット印刷、ステンシル印刷）、スクリーン法、ＣＶＤ−方法、リトグラフィー法または転写法であり、層の機能特性は単一または任意の組合せにでき、イオン伝導性、電子伝導性、疎水性特性、親水性特性、接触特性を含み、並びに良好な付着、引っ張り強さ、適合した熱膨張のような機械的特性を含み、層は多孔質または密に構成される前記用途。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
限定再生型光情報記憶媒体であって、
第一の光学的に透明な基板、
反射層、
上記基板と反射層の間に配置されたデータ層、
１種以上のポリヒドロキシ化合物と１種以上のキャリアと１種以上の反射性物質とを含む反応性層、及び
第二の基板
を備える、限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項２】
前記基板がプラスチックである、請求項１記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項３】
前記プラスチックが、１００℃以上のガラス転移温度を有する１種以上の熱可塑性樹脂を含む、請求項２記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂が、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、ポリ酢酸ビニル、液晶ポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、並びにこれらの熱可塑性樹脂のうちの１種類以上を含む混合物、コポリマー、反応生成物及び複合材料からなる群から選択される、請求項３記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項５】
前記反応性物質が、酸素感受性ロイコメチレンブルー、還元型メチレンブルー、ブリリアントクレジルブルー、ベーシックブルー３、トルイジン０及びこれらの反応性物質の１種以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項６】
前記反応性層が、ポリメチルメタクリレート／ロイコメチレンブルーをさらに含む、請求項５記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項７】
前記反応性物質が、前記反応性層の全重量を基準にして３〜１０重量％の範囲内で存在する、請求項１記載の限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項８】
限定再生型光情報記憶媒体であって、
光学的に透明な基板、
反射層、
上記基板と反射層の間に配置されたデータ層、
３９０〜６３０ｎｍの範囲内の１以上の波長での光透過率が９０％未満である光吸収層、及び
１種以上のキャリアと１種以上の反応性物質を含む反応性層であって、反射層と光吸収層の間に位置する反応性層、
を備える、限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項９】
限定再生型光情報記憶媒体であって、
光学的に透明なポリカーボネート、
反射層、
上記基板と反射層の間に配置されたデータ層、
５５０〜６２０ｎｍの範囲内の１以上の波長で１％未満の光を透過する光吸収層、
４，４’−ビフェノールと０．２００ｃｍ3ｇ-1未満の固有粘度を有するポリ（メチルメタクリレート／メタクリル酸）とポリメチルメタクリレート／ロイコメチレンブルーを含む反応性層であって、反射層と光吸収層の間に配置された反応性層、及び
接着層であって、反射層及び反応性層が基板と光吸収層の間に配置されるように光吸収層を該接着層を介して基板に接着する接着層
を備える、限定再生型光情報記憶媒体。
【請求項１０】
限定再生型光情報記憶媒体であって、
光学的に透明なポリカーボネート、
反射層、
上記基板と反射層の間に配置されたデータ層、
３９０〜４３５ｎｍの範囲内の１以上の波長で１０％未満の光を透過する光吸収層、
４，４’−ビフェノールと０．２００ｃｍ3ｇ-1未満の固有粘度を有するポリ（メチルメタクリレート／メタクリル酸）とポリメチルメタクリレート／ロイコメチレンブルーを含む反応性層であって、反射層と光吸収層の間に配置された反応性層、及び
接着層であって、反射層及び反応性層が基板と光吸収層の間に配置されるように光吸収層を該接着層を介して基板に接着する接着層
を備える、限定再生型光情報記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
映画スタジオ側には、知的財産を保護する強い要望がある。簡単に無効化されて無制限に使用できる情報記憶媒体となりかねない限定再生型情報記憶媒体を商品化すれば、知的財産の損失という容認できないリスクを生じるであろう。
【特許文献１】米国特許第３７６８９７６号明細書
【特許文献２】米国特許第３８８０８６９号明細書
【特許文献３】米国特許第４２２０７０７号明細書
【特許文献４】米国特許第４３３２８８０号明細書
【特許文献５】米国特許第４５２３２０８号明細書
【特許文献６】米国特許第４８９１８００号明細書
【特許文献７】米国特許第５３６８９８８号明細書
【特許文献８】米国特許第５５３００８３号明細書
【特許文献９】米国特許第５５５８８０８号明細書
【特許文献１０】米国特許第５７５３４１３号明細書
【特許文献１１】米国特許第５６２０８３９号明細書
【特許文献１２】米国特許第５８８２３５８号明細書
【特許文献１３】米国特許第６１１７２８４号明細書
【特許文献１４】米国特許第６１３６３４７号明細書
【特許文献１５】米国特許第６１６８８４４号明細書
【特許文献１６】米国特許第６２２８４４０号明細書
【特許文献１７】欧州特許出願公開第０４５５５８５号明細書
【特許文献１８】欧州特許出願公開第０６５８８０４号明細書
【特許文献１９】欧州特許出願公開第０６５８８０４号明細書
【特許文献２０】欧州特許出願公開第０８３１４７３号明細書
【特許文献２１】特開平０５−２７３６９１号公報
【特許文献２２】特開昭５５−０３０６０５号公報
【特許文献２３】特開昭６０−０９３９８３号公報
【特許文献２４】特開昭６０−２１３９３８号公報
【特許文献２５】特開平０６−０６０４２２号公報
【特許文献２６】国際公開第９８／１１５３９号パンフレット
【特許文献２７】国際公開第０２／２９８０１号パンフレット
【特許文献２８】国際公開第９８／４１９７９号パンフレット
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のビデオ処理機能を実行できるように構成され、第１形式ユーザコマンドによって制御されうるビデオ処理装置であって、
前記第１形式ユーザコマンド及び異なる種類のビデオ処理装置を制御するために適用される第２形式ユーザコマンドを受信するユーザコマンド入力、及び
前記ビデオ処理機能のうちの１つに対応する前記第２形式ユーザコマンドを受信することによって前記ビデオ処理機能にうちの１つを実行する手段を有することを特徴とするビデオ処理装置。
【請求項２】
レコーダを制御する方法であって、
第２形式レコーダコマンドを受信し、
前記第２形式レコーダコマンドを対応する第１形式レコーダ機能にマッピングし、
前記対応する第１形式レコーダ機能を実行する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
第２形式レコーダコマンドを受信し、対応する第１形式レコーダコマンドを出力する解釈装置であって、
前記第２形式ビデオレコーダコマンドを受信する受信部、
前記第２形式ビデオレコーダコマンドを対応する第１形式ビデオレコーダコマンドにマッピングする手段、及び
前記対応する第１形式ビデオレコーダコマンドを出力する手段から構成されることを特徴とする解釈装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）第１透光性基板、
ｂ）反射層、
ｃ）前記第１基板と反射層の間に配置されたデータ層、
ｄ）第２基板、及び
ｅ）キャリヤ及び反応性材料を含有する反応層を備え、
前記反応層及び反射層が前記第１基板と前記第２基板との間に配置された、
限定再生型光データ記憶媒体。
【請求項２】
前記反応層がサンドイッチ配置にないとした場合の反射率を第２反射率とした場合に、前記反応層が第２反射率より高い第１反射率を有する、請求項１記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項３】
前記第１基板がプラスチックである、請求項１記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項４】
前記第２基板がプラスチックである、請求項１記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項５】
前記プラスチックがガラス転移温度１００℃以上である熱可塑性樹脂１種以上を含有する、請求項３又は請求項４記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂が、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、ポリ酢酸ビニル、液晶ポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、並びにこれら熱可塑性樹脂の１種以上を含む混合物、コポリマー、反応生成物及び複合材料からなる群から選択される、請求項５記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂がポリカーボネートを含有する、請求項６記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項８】
前記反応性材料が、酸素感応性ロイコメチレンブルー、還元形態のメチレンブルー、ブリリアントクレジルブルー、ベーシックブルー３、トルイジン０、及びこれら反応性材料の１種以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項９】
前記反応層がさらにポリメチルメタクリレート／ロイコメチレンブルーを含有する、請求項８記載の限定再生型光記憶媒体。
【請求項１０】
ａ）第１透光性ポリカーボネート、
ｂ）反射層、
ｃ）前記第１ポリカーボネートと反射層の間に配置されたデータ層、
ｄ）ポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸）及びポリメチルメタクリレート／ロイコメチレンブルーを含有する反応層、及び
ｅ）第２透光性ポリカーボネートを備え、
前記反応層は前記第１ポリカーボネートと第２透光性ポリカーボネートの間に配置され、
前記第２ポリカーボネートは、前記反射層、データ層及び反応層が前記第１透光性ポリカーボネートと第２透光性ポリカーボネートの間に配置されるように、アクリル層を介して接着された、
限定再生型光データ記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
映画スタジオの側には自社の知的財産を保護したいという強い願望がある。簡単にうち破ることができ使用無制限のデータ記憶媒体となってしまう限定再生型データ記憶媒体を商業化したら、知的財産を失うという受け入れがたいリスクを負うことになる。
【特許文献１】米国特許第３４５２３３１号明細書
【特許文献２】米国特許第５５２９８６４号明細書
【特許文献３】米国特許第５５９２４６１号明細書
【特許文献４】米国特許第５７０３８６８号明細書
【特許文献５】米国特許第５８１５４８４号明細書
【特許文献６】米国特許第６０１１７７２号明細書
【特許文献７】米国特許第６１６９７２１号明細書
【特許文献８】米国特許第６３０９４９６号明細書
【特許文献９】国際公開第９８／４１９７９号パンフレット
【特許文献１０】国際公開第９９／４１７３８号パンフレット
【特許文献１１】特開平０２−１８３４４３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
国際公開WO98/11728は更に、カラー空間変換と、それに続くウェーブレット変換、量子化、及びエントロピー減少によるカラー画像の圧縮を開示している。この場合も、上記公開米国特許出願2001/0024529 A1のように、全ての画像データが同一の手法で圧縮されるので、不要画像データと同一の技法での圧縮が要保持画像データを損なわせる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記の分離手段（１６，１７）による前記符号化されたデータ（１１２，２１３）の分離の前に、該符号化されたデータに応答して、該符号化されたデータをインタリーブするための手段（１４，１５）をさらに特徴とし、前記符号化されたデータの第１および第２のグループ（１１６1，２１７1，２１７2）（１１６2，２１７3，２１７4）は、前記のインタリーブ（３１４）に従って分離されるようにした請求項５に記載の送信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記送信機（１，５）が、前記分離手段（１６，１７）による前記符号化されたデータ（１１２，２１３）の分離の前に、該符号化されたデータに応答して、該符号化されたデータをインタリーブするための手段（１４，１５）をさらに備え、前記符号化されたデータの第１および第２のグループ（１１６1，２１７1，２１７2）（１１６2，２１７3，２１７4）は、前記のインタリーブ（３１４）に従って分離されるようにしたことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
互いに直交するサブストリームシンボルのペア（２１３1，２１３2）を前記符号化されたデータ（２１３）が含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム（１，３）において、
前記データサブストリーム（２１７1，…，２１７n）が少なくとも、前記サブストリームシンボルペア（２１３1，２１３2）の第１のペアのサブストリーム（２１７1，２１７2）および第２のペアのサブストリーム（２１７3，２１７4）を含み、前記符号化されたデータの第１のグループが、該第１のペアのサブストリーム（２１７1，２１７2）を含み、前記符号化されたデータの第２のグループが、該第２のペアのサブストリーム（２１７3，２１７4）を含むようにしたことをさらに特徴とするシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（２のレゾリューションによる直交化空間多重化（ＯＳＭ−２））
図１および２に関連して検討されたように、ＯＳＭ−１方式は、ＯＳＭ−２へ一般化できる。図３に示されるように、情報データストリーム１１０は最初に空間−時間符号（ＳＴＣ）符号器１３により２つの送信アンテナについて符号化され、この符号器は、複合変調サブストリームシンボルのペア２１３1，２１３2を生成する。ＳＴＣは、空間−時間トレリス符号（ＳＴＴＣ）か空間−時間ターボ符号化変調（ＳＴＴｕＣＭ）か空間−時間ブロック符号（ＳＴＢＣ）のいずれかとすることができる。次にサブストリームシンボル２１３1，２１３2は、２つのインタリーバ１５1，１５2によってシンボルレベルでペアにインタリーブされ、ペアの直並列変換器１７によってサブストリームのｎ／２のペア（２１７1，２１７2），（２１７3，２１７4），…，（２１７n-1，２１７n）に変換される。次にサブストリームの各ペアは、サブストリーム特定の意図的な数チップの遅延オフセットＤｊを有するユーザ特定の拡散符号１８０を用いてミクサを介して拡散される。拡散符号の遅延されたバージョンは１８０0，１８０1，…，により表され、１８０jは、遅延オフセットＤjにより遅延された拡散符号であり、ミクサ１８２2j+1を介してサブストリーム２１７2j+1をそしてミクサ１８２2j+2を介してサブストリーム２１７2j+2を拡散するために用いられる。拡散後、種々のサブストリームペアからの信号ペア（２１８1，２１８2），…（２１８n-1，２１８n）が変調器２０1，…，２０nにより変調される。変調された信号２２０1，…，２２０nは、ｎ個の送信アンテナ２２1，…，２２nにより同時に送信される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等化器の収束を判断するための装置であって：
最近接成分判定器であって、等化器出力信号を受信し、符号値のシーケンスを表す判定器出力信号を生成する前記最近接成分判定器；及び
監視回路であって、前記判定器出力信号を受信し、等化器収束を判断するために前記符号値のシーケンスからの複数の符号にテスト基準を適用する前記監視回路；
から構成される装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、前記等化器は、無限インパルス応答フィルタを含む、ところの装置。
【請求項３】
請求項１記載の装置であって、前記最近接成分判定器はスライサーである、ところの装置。
【請求項４】
請求項１記載の装置であって、前記監視回路は、所定の期間に前記判定器出力信号を受信する、ところの装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置であって、さらにメモリを有し、前記メモリは、前記監視回路に結合され、前記複数の符号及びテスト基準を記憶するように適応している、ところの装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置であって、等化器収束を判断するための前記テスト基準は、前記複数の符号にある送信符号値の望ましいサンプルを特定することを含む、ところの装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置であって、前記送信符号値の望ましいサンプルは、可能符号値全てのうち少なくとも一つを含む、ところの装置。
【請求項８】
請求項１記載の装置であって、前記監視回路は、前記等化器に結合され、前記監視回路は、前記等化器が分岐する場合に前記等化器をリセットする、ところの装置。
【請求項９】
請求項１記載の装置であって、前記監視回路は、前記等化器に結合され、前記監視回路は、前記等化器が無効状態を達成する場合に前記等化器をリセットする、ところの装置。
【請求項１０】
請求項１記載の装置であって、前記等化器出力信号は、データパケットを含むイメージ表示データストリームを表す、ところの装置。
【請求項１１】
請求項１記載の装置であって、前記監視回路は、マイクロプロセッサである、ところの装置。
【請求項１２】
デジタル通信システムに使用するための等化器状態監視装置であって：
適応通信路等化器；
スライサー；及び
監視回路；
から構成され、
前記デジタル通信システムは、多重レベル符号集合によって表される高精彩ビデオ情報を含む残留側波帯変調信号を受信し、前記データは、データフレームの連続を有するデータフレームフォーマットを有し、前記適応通信路等化器は、前記スライサーに入力される第一出力信号を生成し、前記スライサーは、前記監視回路に入力される複数の符号を表す第二出力信号を生成し、前記監視回路は、前記適応通信路等化器の収束を判断するために前記第二出力信号にテスト基準を適用する、ところの装置。
【請求項１３】
請求項１２記載のシステムであって、前記監視回路は、前記適応通信路等化器に結合され、前記適応通信路等化器が分岐する場合に前記適応通信路等化器をリセットする、ところのシステム。
【請求項１４】
請求項１２記載のシステムであって、前記監視回路は、前記適応通信路等化器に結合され、前記適応通信路等化器が無効状態をとる場合に前記適応通信路等化器をリセットする、ところのシステム。
【請求項１５】
請求項１２記載のシステムであって、収束を判断するための前記テスト基準は、少なくとも前記第二出力信号にあるいくつかの送信符号値を特定することを必要とする、ところのシステム。
【請求項１６】
請求項１２記載のシステムであって、前記適応通信路等化器は、無限インパルス応答フィルタを有する、ところのシステム。
【請求項１７】
請求項１２記載のシステムであって、収束を判断するための前記テスト基準は、前記第二出力信号にある各可能送信符号値を少なくとも一つ特定することを必要とする、ところのシステム。
【請求項１８】
請求項１２記載のシステムであって、前記監視回路は、マイクロプロセッサである、ところのシステム。
【請求項１９】
等化フィルタの状態を監視する方法であって：
スライサーからの出力信号を監視回路に結合する段階、前記出力信号は、符号のシーケンスを表すものである；及び
前記等化器が収束状態か分岐状態かを判断するために、前記監視回路にテストプロトコルを前記シーケンスの複数の符号に所定期間適用させる段階；
から構成される方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法であって、前記監視回路に前記テストプロトコルの適用が前記等化フィルタが無効状態を達成したことを検知した場合に前記等化フィルタをリセットさせる段階をさらに有する、ところの方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法であって、前記等化フィルタが収束状態を達成したことを判断するために前記テストプロトコルは前記複数の符号にある各可能送信符号値の検知を必要とする、ところの方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の方法であって、前記監視回路は、マイクロプロセッサである、ところの方法。
【請求項２３】
等化器収束の判断のために使用される方法であって：
符号のシーケンスを提供するために等化器出力信号をスライスする段階、各符号は、符号の集合から得られたものである；及び
前記等化器が収束されたか否かを判断するために少なくとも前記シーケンスの複数の符号をテストする段階；
から構成される方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法であって、N＞１である場合に前記符号の集合は、N個の符号のアルファベットを有し、M＞１である場合に前記複数の符号に前記N個の符号のアルファベットのうち少なくともM個が前記複数の符号に表される、ところの方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の方法であって、MはNに等しい、ところの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月15日(2005.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
進行路に沿って空洞を動かす搬送部と、
離間されたポケットを外周に有する上流アプリケータホイールを含む、空洞を部分的に充填する第１の充填ステーションと、
前記ポケットに粒子材料を堆積する、前記上流アプリケータホイールに隣接する前記粒子材料の第１の供給部と、
前記ポケットから前記空洞内に前記粒子材料を移動する地点で、部分的に充填された前記空洞の下側に真空を加えることを含む、前記空洞を部分的に充填するために前記ポケットから前記粒子材料を移動させる第１の移動手段と、
離間されたポケットを外周に有する下流アプリケータホイールを含む、前記部分的に充填された空洞を完全に充填する第２の充填ステーションと、
前記ポケットに第２の供給部からの粒子材料を堆積する、前記下流アプリケータホイールに隣接する前記粒子材料の第２の供給部と、
前記下流アプリケータホイールの前記ポケットから前記空洞内に前記粒子材料を移動する地点で、前記完全に充填された空洞の上側に真空を加えることを含む、前記下流アプリケータホイールのポケットから前記空洞内に前記粒子材料を移動する第２の移動手段と、を有する離間された空洞を粒子材料で充填する装置。
【請求項２】
前記第１のおよび前記第２の移動手段は、前記移動地点のすぐ上流で前記空洞の下側に比較的低い真空を加えることを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
進行路に沿って離間された空洞を搬送する工程と、
充填中に各空洞の下側に真空を加えつつ、粒子材料で各空洞を部分的に充填する工程と、
充填中に各空洞の上側に真空を加えつつ、各空洞を粒子材料で完全に充填する工程と、を含む、離間された空洞を粒子材料で充填する方法。
【請求項４】
前記部分的に充填する工程と前記完全に充填する工程のすぐ上流で、前記空洞の下に真空を加える工程を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
製品における少なくとも１つの空洞を顆粒または粒子材料で充填する装置であって、
前記材料を含む充填室と、
少なくとも１つのポケットを外周面に有する回転ホイールであって、前記少なくとも１つのポケットが前記充填室の前記材料を受容し、前記外周面が前記充填室の側部の少なくとも一部を画成する回転ホイールと、
前記材料で充填されるべき少なくとも１つの空洞を有する少なくとも１つの製品を前記ホイールの下に位置付け、前記少なくとも１つのポケットから前記材料を受容するように適応される運搬デバイスと、を含む装置。
【請求項６】
前記運搬デバイスは、前記ホイールから前記少なくとも１つの空洞に前記材料を引き出す少なくとも１つの真空室を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記運搬デバイスは、比較的高い真空を有する少なくとも１つの室と比較的低い真空を有する少なくとも１つの室とを含み、前記少なくとも１つの高真空室は、前記ホイールの前記ポケットからの前記材料で充填されている空洞の下に位置付けられる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
製品の空洞を顆粒材料で充填する方法であって、
真空室を画成する固定ドラムの回りで回転可能なホイールを設ける工程であって、前記ホイールの外周には少なくとも１つのポケットが画成され、前記ホイールの前記外周の少なくとも一部分が充填室の一方の側部の少なくとも一部分を画成する工程と、
前記固定ドラムの回りで前記ホイールを回転させ、前記真空室で真空を形成する工程と、
前記充填室の中に前記材料を落とす工程と、
前記少なくとも１つのポケットが前記充填室の前記一方の側部に沿って位置付けられるときから、ある距離にわたって前記少なくとも１つのポケットに真空を伝達し、前記少なくとも１つのポケットの前記材料が製品の空洞に移動される地点で真空を中断する工程と、を含む方法。
【請求項９】
製品の少なくとも１つの空洞を顆粒または粒子材料で充填する装置であって、
前記顆粒または粒子材料が上開口部を通って中に落とされる充填室と、
固定真空室と、
前記固定真空室を通過し製品の対応する空洞とアライメントするように夫々取り付けられる複数の離間された受容部と、を含み、前記受容部は、前記充填室から前記受容部に前記顆粒または粒子が導入される第１の地点から、近傍で前記顆粒または粒子が前記対応する空洞内に挿入される第２の地点までにおいて、前記固定真空室で形成される真空と連通する装置。
【請求項１０】
製品の少なくとも１つの空洞を顆粒または粒子材料で充填するシステムであって、
前記顆粒または粒子材料が上開口部を通って中に落とされる充填室を含む少なくとも１つの挿入ステーションと、
固定真空室と、
前記固定真空室を通過し製品の対応する空洞とアライメントするよう夫々取り付けられる複数の離間された受容部と、を含み、前記受容部は、前記充填室から前記受容部に前記顆粒または粒子が導入される第１の地点から、近傍で前記顆粒または粒子が前記対応する空洞内に挿入される第２の地点までにおいて、前記固定真空室で形成される真空と連通する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定子コアおよび巻線から成る固定子を備えたモータ本体と、該固定子に対して取り付けられている回転子とを含む平坦なエレベータモータにおける固定子固定装置であって、前記固定子は前記モータ本体に取り付けられている実質的に樋状の取付部の中に取り付けられていて、該取付部と前記固定子との間のスペースは熱伝導性充填材料で充填されていて、該熱伝導性充填材料は熱を前記固定子から前記取付部に伝導する役割を果たす固定子固定装置において、前記固定子は前記充填材料によって前記取付部に取り付けられていることを特徴とする固定子固定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固定装置において、前記充填材料は鋳造可能な材料であり、好ましくは樹脂であることを特徴とする固定装置。
【請求項３】
請求項１に記載の固定装置であって、円盤状の本体と回転子とを有するエレベータモータにおける固定装置において、前記樋状の取付部は取付要素を用いて前記モータ本体の外側の縁に固定されていて、前記回転子に対して、前記固定子は前記モータ本体の反対側に取り付けられていることを特徴とする固定装置。
【請求項４】
請求項１に記載の固定装置において、前記取付部はアルミニウム製であることを特徴とする固定装置。
【請求項５】
請求項１に記載の固定装置において、前記取付部には冷却フィンが設置されていることを特徴とする固定装置。
【請求項６】
請求項１に記載の固定装置において、電動モータは円盤状のエレベータモータであることを特徴とする固定装置。