【事件の表示】
　特願２００８−　７２０２９「窒化物半導体レーザ素子および外部共振器型半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月　８日出願公開、特開２００９−２３１３６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２０年３月１９日の出願であって、平成２２年３月１７日付けで手続補正がなされたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月６日付けに拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年９月６日付け、及び、同年１２月２１日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
第２　本願発明について
　
１　本願発明
 本願の請求項に係る発明は、平成２２年１０月６日付で補正された明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「光出射部が窒化物半導体からなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記光出射部に酸窒化シリコンからなるコート膜が形成されており、
　前記光出射部と前記コート膜との間に酸窒化アルミニウムからなる中間膜が形成されており、
　前記光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対する前記コート膜の反射率が０．５％以下であって、
　前記コート膜に含有される窒素含有量が３原子％以上２０原子％以下であり、
　前記中間膜に含有される酸素含有量が５原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物の記載
（１）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された特開２００７−２７３９５１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下のアないしウの記載がある（下線は当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】
  
光出射部にコート膜が形成されており、前記コート膜は
アルミニウムの酸窒化物結晶を含
【請求項２】
  前記アルミニウムの窒化物結晶または
前記アルミニウムの酸窒化物結晶は、前記光出射部を構成する窒化物半導体結晶と結晶軸が揃ってい
窒化物半導体発光素子
【請求項４】
  
前記コート膜上に、
酸窒化物
からなる膜が形成されてい
【請求項６】
  
前記コート膜上の酸窒化物からなる膜が、
シリコンの酸窒化物膜であ
【請求項９】
  
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記コート膜は前記窒化物半導体レーザ素子の光出射側の端面に形成されている
窒化物半導体発光素子。
　
イ　「【００３７】
  また、本発明において、アルミニウムの酸窒化物結晶からなるコート膜の酸素の含有量がコート膜を構成する原子全体の３５原子％よりも多い場合には、コート膜がアルミナの特性に近づき、アルミニウムの酸窒化物結晶の結晶性が崩れてしまい、酸素などがコート膜中を透過するのを十分に抑制することができていない傾向にある。したがって、本発明において、
アルミニウムの酸窒化物結晶からなるコート膜中の酸素の含有量は３５原子％以下であ
　
ウ　「【０１３４】
  また、上記の実施の形態１〜３においては、
反射率を制御するために、コート膜１１４上に
シリコンの酸窒化物膜などの酸窒化物膜
形成されていて
【０１３６】
  また、本発明において、窒化物半導体発光素子が窒化物半導体ダイオード素子である場合には、アルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含むコート膜は窒化物半導体ダイオード素子の発光面（光取り出し面）に形成される。ここで、発光面とは、窒化物半導体ダイオード素子から光が取り出される面を指し、窒化物半導体ダイオード素子の上面、下面または側面のいずれであってもよい。」
　 
　上記アないしウによれば、引用文献１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「光出射部にコート膜が形成されており、前記コート膜はアルミニウムの酸窒化物結晶を含み、前記アルミニウムの酸窒化物結晶は、前記光出射部を構成する窒化物半導体結晶と結晶軸が揃っている窒化物半導体発光素子であって、アルミニウムの酸窒化物結晶からなるコート膜中の酸素の含有量は３５原子％以下であり、反射率を制御するために、前記コート膜上に、酸窒化物からなる膜が形成されていて、前記コート膜上の酸窒化物からなる膜が、シリコンの酸窒化物膜であり、前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記コート膜は前記窒化物半導体レーザ素子の光出射側の端面に形成されている窒化物半導体発光素子。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された特開２００５−１６７００８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下のアないしウの記載がある。
ア　「【背景技術】
【０００２】
  近年、半導体レーザは、小型でかつ低消費電力である等の理由から、情報機器に多く使われるようになってきた。こうした半導体レーザのなかには、
外部から所定の波長の光を入射することによって半導体レーザの発振光の波長を安定化する外部共振器型半導体レーザ
【０００３】
  ここで、代表的なＬｉｔｔｒｏｗ型の半導体レーザについて、図９を参照して説明する。例えば、
レーザ・ダイオード１００のような半導体レーザ素子から出射された縦多モードのレーザ光（発振光）がレンズ（コリメートレンズ）１０１によって平行に集められ、グレーティング（回折格子）１０２に入射され
グレーティング１０２は、その配置角度に応じて、入射した光のうち、特定の波長を有する光を１次回折光１０３として出力する。この１次回折光１０３は、レンズ１０１を介してレーザ・ダイオード１００に逆注入される
レーザ・ダイオード１００が、注入された１次回折光に共振して単一モードの光を出射する
　
イ　「【００４９】
  ［４．レーザ・ダイオード発光端面の反射率の適正化−１次回折光の効率的な受光］
  図１に示すような
レーザ・ダイオード１の発光部の
表面にコーティングを施すことにより
【００５０】
  実験では、
０％ないし１０％の反射率の発光面を用いることによってレーザ光の単一モードが実現され
総合的に考慮すると、レーザ・ダイオード１の発光面の反射率は３％以下が望ましい
　
ウ　「【００４５】
  そのために、レーザ・ダイオード３０のチップ構造を図８に示すように構成する。この構成は、「100mWキンクフリー、低アスペクト比青紫色半導体レーザ」、水野  崇  他、Proceedings of the 11th Sony Research Forum (2001)で提案されているものである。
【００４６】
  この構成では、サファイア基板３１上に、ＥＬＯにより低欠陥密度領域を有するｎ−ＧａＮ層３３を作製した後、Ｎクラッド層３４、ガイド層３５、活性層３６、中間層３７、電子障壁層３８、Ｐクラッド層３９、コンタクト層４１を連続的に結晶成長する。ここで、例えば、Ｎクラッド層３４は、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、ガイド層３５は、ｎ−ＧａＮガイド層、
活性層３６は、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層、
を採用している
　
　上記アないしウによれば、引用文献２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「活性層にＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層を採用している、レーザ・ダイオードのような半導体レーザ素子から出射された縦多モードのレーザ光（発振光）がレンズ（コリメートレンズ）によって平行に集められ、グレーティング（回折格子）に入射され、前記グレーティングは、その配置角度に応じて、入射した光のうち、特定の波長を有する光を１次回折光として出力し、この１次回折光は、前記レンズを介して前記レーザ・ダイオードに逆注入されることにより、前記レーザ・ダイオードが、注入された１次回折光に共振して単一モードの光を出射する、外部から所定の波長の光を入射することによって半導体レーザの発振光の波長を安定化する外部共振器型半導体レーザにおいて、レーザ・ダイオードの発光部の表面にコーティングを施し、０％ないし１０％の反射率の発光面を用いることによってレーザ光の単一モードが実現され、総合的に考慮すると、レーザ・ダイオードの発光面の反射率は３％以下が望ましい外部共振器型半導体レーザ。」（以下「引用発明２」という。）
　
（３）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された特開２００３−５０４１３号公報（以下「参考文献１」という。）には、以下の記載がある。
「【００１３】図１に示す
レーザー発生装置
半導体レーザー１と
外部共振器１０を備えている
【００１４】
半導体レーザー１は、窒化ガリウムを含む半導体レーザーであ
当該光源
縦単一モード（あるいは単一縦モード）での発振が望ましく
ＤＦＢ（分布帰還型）又はＤＢＲ（分布反射型）等の周期的構造
半導体レーザー素子自体には
マルチモードのレーザー
出力光の一部が
分光され、又は回折されて帰還する外部制御型
のほぼ縦単一モード化されたレーザーであ
複合共振器の形成に起因する不安定性を回避するために、半導体レーザーの出射端面において、０．１％以下
の反射率を実現するために減反射コーティングを施
波長選択により安定した縦単一モード動作が得られる
　
　上記によれば、参考文献１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「半導体レーザーと外部共振器を備えているレーザー発生装置であって、半導体レーザーは、窒化ガリウムを含む半導体レーザーであり、当該光源は、縦単一モード（あるいは単一縦モード）での発振が望ましく、半導体レーザー素子自体にはＤＦＢ（分布帰還型）又はＤＢＲ（分布反射型）等の周期的構造を有さないマルチモードのレーザーの出力光の一部が分光され、又は回折されて帰還する外部制御型とすることでほぼ縦単一モード化されたレーザーであり、複合共振器の形成に起因する不安定性を回避するために、半導体レーザーの出射端面において、０．１％以下の反射率を実現するために減反射コーティングを施した、波長選択により安定した縦単一モード動作が得られるレーザー発生装置。」（以下「参考発明１」という。）
　
（４）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された特開２００８−４９５８号公報（以下「参考文献２」という。）には、以下のアないしエの記載がある。
ア　「【００１６】
  また本発明は、上記の発光素子、および該
発光素子の光の出射方向に外部共振器を有する
発光素子モジュール
外部共振器が、発光素子の光の出射方向に特定の波長を選択的に反射するグレーティングファイバーであ
【発明の効果】
【００１７】
  本発明の発光素子は、基板が発光波長に対して透明である場合に確認される
基板由来の導波モードが関わる発振波長に対する強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示
広い温度範囲と広い出力範囲で安定して動作する
　
イ　「【００２０】
  以下において、本発明の発光素子の好ましい構成例およびその製造法について具体的に説明する。
  本発明の
発光素子
半導体レーザ
　
ウ　「【００２８】
  活性層構造（５）は、波長選択、デバイス特性等の観点から適宜選択されるが、その発振波長は基板に対して透明でなければならない。
  活性層そのものの材料選択の観点では基板（１）としてＧａＡｓが使用されている場合には
活性層として
が用いられる
ＩｎＧａＮを含む系
　
エ　「【００３９】
  本発明では、露出した半導体端面上に、誘電体、または誘電体および半導体の組合せからなるコーティング層（１５）および（１６）を形成するのが好ましい（図２）。コーティング層は、主に半導体レーザからの光の取り出し効率を上げる目的と、端面の保護するという２つの目的のために形成する。また、後述の
外部共振器との結合を高めるために、
波長安定化のために使用される外部共振器から戻ってくる光を積極的にレーザ内部に取り込み、波長の安定化を促進する
前端面の反射率は５％、より望ましくは２．５％以下である
　
　上記アないしエによれば、参考文献２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「活性層としてＩｎＧａＮを含む系が用いられる半導体レーザである発光素子、および該発光素子の光の出射方向に外部共振器を有する発光素子モジュールであって、外部共振器が、発光素子の光の出射方向に特定の波長を選択的に反射するグレーティングファイバーであり、基板由来の導波モードが関わる発振波長に対する強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示し、広い温度範囲と広い出力範囲で安定して動作するものであって、外部共振器との結合を高めるために、波長安定化のために使用される外部共振器から戻ってくる光を積極的にレーザ内部に取り込み、波長の安定化を促進するために前端面の反射率は５％、より望ましくは２．５％以下である発光素子モジュール。」（以下「参考発明２」という。）
　
（５）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された、M. SERENYI 他，Refractive index of sputtered silicon oxynitride layers for antireflection coating，Vacuum，２００１年５月１４日，Vol. 61, No. 2/4，p245-249（以下「参考文献３」という。）には、以下のア及びイの記載がある（なお、和訳をかっこ書きで付した。）
ア　「The silicon oxynitride layers were sputtered reactively from a high-purity silicon target・・・」（第２４６頁左欄第１２〜１３行）
（酸窒化シリコン層は高純度シリコンターゲットから反応的にスパッターされた・・・）
　
イ　「In Fig.1, the results for refractive index are given as a function of oxygen partial pressure ratio in nitrogen. The refractive index decreases continuously with increasing oxygen patial presure. 」（第２４６頁右欄第１７〜２０行）
（図１は、屈折率に対する結果が窒素中の酸素分圧比の関数として与えられている。屈折率は、増加する酸素分圧比とともに連続的に減少する。）
　
（６）当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された特開２００２−２６４４２号公報（以下「参考文献４」という。）には、以下の記載アがある。
ア　「【００１８】反射膜４３は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）または酸化窒化ケイ素（ＳｉＯx Ｎy ）のうちの少なくとも１種を含んで構成されている。この反射膜４３は、レーザ光の発振波長（例えば４００ｎｍ）において屈折率が基板１１の屈折率と実効屈折率との間の値となっている。なお、実効屈折率というのは、レーザ光の発振領域における平均的な屈折率を言う。また、レーザの発振領域というのは主として活性層２５であるが、その近傍の領域、例えばｎ型ガイド層２４およびｐ型ガイド層２６、更にはｎ型クラッド層２３の一部およびｐ型クラッド層２７の一部なども含まれる。
【００１９】本実施の形態では、例えば、波長４００ｎｍにおける基板１１の屈折率が１．７７であり、実効屈折率が２．５であるので、反射膜４３の屈折率は、基板１１の屈折率よりも大きく、実効屈折率よりも小さい値を有している。なお、上述した材料の波長４００ｎｍにおける屈折率は、窒化アルミニウムが２．１３、酸化ジルコニウムが２．０７であり、酸化窒化ケイ素は酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比に応じて１．５〜２．０７の間で任意の値を有する。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「コート膜」、「アルミニウムの酸窒化物結晶」、「窒化物半導体結晶」、「コート膜上の酸窒化物からなる膜」、「シリコンの酸窒化物膜」及び「窒化物半導体発光素子」は、本願発明の「中間膜」、「酸窒化アルミニウム」、「窒化物半導体」、「コート膜」、「酸窒化シリコン」及び「窒化物半導体レーザ素子」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明１は、「アルミニウムの酸窒化物結晶からなるコート膜中の酸素の含有量は３５原子％以下」ものであるから、本願発明の「前記中間膜に含有される酸素含有量が５原子％以上３５原子％以下」との事項を備える。
　よって、両者は
「光出射部が窒化物半導体からなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記光出射部に酸窒化シリコンからなるコート膜が形成されており、
　前記光出射部と前記コート膜との間に酸窒化アルミニウムからなる中間膜が形成されており、
　前記中間膜に含有される酸素含有量が５原子％以上３５原子％以下である窒化物半導体レーザ素子。」
である点で一致し、
　本願発明は、「光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対する前記コート膜の反射率が０．５％以下であって、前記コート膜に含有される窒素含有量が３原子％以上２０原子％以下」であるのに対して、引用発明１は「コート膜上の酸窒化物からなる膜」の反射率及び窒素含有量が明らかではない点（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
４　判断
（１）上記相違点について検討する。
ア　「窒化ガリウムを含む半導体レーザー」において、「半導体レーザー素子自体」がマルチモードである場合に、「縦単一モード（あるいは単一縦モード）」で発振させるために、「半導体レーザー」に「外部共振器」を備えて外部制御型の光源としたもの（参考発明１）、あるいは、「活性層としてＩｎＧａＮを含む系が用いられる半導体レーザである発光素子」を有する発光素子モジュールにおいて、「基板由来の導波モードが関わる発振波長に対する強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示し、広い温度範囲と広い出力範囲で安定して動作する」ために、「発光素子の光の出射方向」に「（発光素子の光の出射方向に特定の波長を選択的に反射するグレーティングファイバーである）外部共振器」を備えるようにしたもの（参考発明２）にみられるように、窒化物半導体レーザ素子を「縦単一モード（あるいは単一縦モード）で発振」させ、あるいは、「特定の波長を選択的に反射」させ「安定して動作」させるとの要求を実現するために外部共振器を付加して当該窒化物半導体レーザ素子を外部共振型とすることは、従来周知のことであったものと認められる。
　
イ　してみれば、引用発明１に係る「窒化物半導体素子」にあっても、これを「縦単一モード（あるいは単一縦モード）で発振」させ、あるいは、「特定の波長を選択的に反射」させ「安定して動作する」させるために、外部共振器を付加して外部共振型とすることは、当業者が必要に応じて適宜になし得る程度のことというべきである。
　
ウ　また、窒化物半導体レーザ素子に外部共振器を付加して外部共振型とすることで、「縦単一モード（あるいは単一縦モード）で発振」させ、あるいは、「特定の波長を選択的に反射」し「安定して動作」させるに際して、「複合共振器の形成に起因する不安定性を回避するために、半導体レーザーの出射端面において、０．１％以下の反射率を実現するために減反射コーティングを施」し（参考発明１）、あるいは、「外部共振器との結合を高めるために、波長安定化のために使用される外部共振器から戻ってくる光を積極的にレーザ内部に取り込み、波長の安定化を促進するために前端面の反射率は５％、より望ましくは２．５％以下」として（参考発明２）、反射コーティングを調整して反射率を低くすることも従来周知のことであったものと認められる。
 
エ　上記ウを踏まえると、引用発明１の「窒化物半導体発光素子」において、「縦単一モード（あるいは単一縦モード）で発振」させ、あるいは、「特定の波長を選択的に反射」させ「安定して動作する」させるために、「発振光の波長を安定化する」ために「外部共振器」を用いた引用発明２の「レーザ・ダイオードの発光部の表面にコーティングを施し、０％ないし１０％（３％以下が望ましい）の反射率の発光面を用いる」との構成を採用することは、当業者が容易に想到できたことであり、同反射率を「０．５％以下」とすることに格別の困難があるものとは認められない。
　
オ　また、「酸窒化シリコン層は・・・屈折率に対する結果が窒素中の酸素分圧比の関数として与えられ・・・屈折率は、増加する酸素分圧比とともに連続的に減少する」（参考文献３）、あるいは、「反射膜４３は・・・酸化窒化ケイ素（ＳｉＯx Ｎy ）・・・を含んで構成され・・・酸化窒化ケイ素は酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比に応じて１．５〜２．０７の間で任意の値を有する」（参考文献４）とあるように、酸窒化シリコンの酸素／窒素分圧比（ratio）ないし組成比に応じて屈折率が制御できることも従来周知のことであったものと認められる。
　ここで、「酸窒化シリコンの酸素／窒素分圧比（ratio）ないし組成比」を定めることは同時に「酸窒化物からなる膜」に含有される窒素含有量の値を定めることでもある。
　また、反射率は、スネルの法則、及び、フレネルの公式等の周知の法則・公式により、屈折率及びその他の光学的な条件から求めることができる。
　
カ　上記オに照らせば、上記エのように引用発明１の「窒化物半導体発光素子」に引用発明２の「レーザ・ダイオードの発光部の表面にコーティングを施し、０％ないし１０％（３％以下が望ましい）の反射率の発光面を用いる」との構成を採用するに際して、その「酸窒化シリコンの酸素／窒素分圧比（ratio）ないし組成比」（「酸窒化物からなる膜」に含有される窒素含有量の値）を定めることにより、光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対する「酸窒化物からなる膜」の反射率を所要のものとすることは、当業者が設計上適宜なし得ることというべきであり、コート膜に含有される窒素含有量を３原子％以上２０原子％以下とすることに格別の困難があるものとは認められない。
　
５　小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　  
第３　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、本願発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。