Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
妊娠４週から１０週に対応する分化期のヒト腎臓組織の移植片を被験体に移植し、それにより被験体の腎臓疾患を治療する工程を含む、被験体の腎臓疾患の治療方法。
【請求項２】
ＣＤ４０、ＣＤ４０Ｌ、またはＣＤ４０とＣＤ４０Ｌの両方の発現を実質的に示さない移植片を選択する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＲＴ−ＰＣＲ分析を介して前記選択を行う請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ヒト１４週齢胎児の腎臓組織よりも少なくとも１つの分子の発現が低い移植片を選択する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＲＴ−ＰＣＲ分析を介して前記選択を行う請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記の少なくとも１つの分子は免疫応答を刺激または増強することができる請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記の少なくとも１つの分子がリンパ球コレセプターまたはリンパ球コレセプターリガンドである請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記の少なくとも１つの分子がＢ７−１、ＣＤ４０、またはＣＤ４０Ｌである請求項４に記載の方法。
【請求項９】
被験体がヒトである請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ヒト腎臓組織の移植片を、被験体の腎被膜、腎臓、精巣脂肪、皮下組織、網、または腹腔内に移植する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
免疫抑制処方計画を使用して被験体を治療し、それにより被験体におけるヒト腎臓組織の移植片の生着を促進する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
被験体へのヒト腎臓組織の移植片の前記移植の前、前記移植と同時、または前記移植の後に免疫抑制処方計画を使用して被験体の前記治療を行う請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
免疫抑制薬の投与および／または免疫寛容誘導細胞集団の投与によって免疫抑制処方計画を使用した被験体の前記治療を行う請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記分化期が妊娠５週から９週に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記分化期が妊娠６週から９週に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記分化期が妊娠７週から８週に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記分化期が妊娠７週に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記分化期が妊娠８週に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
妊娠３週から６週に対応する分化期のブタ腎臓組織の移植片を被験体に移植し、それにより被験体の腎臓疾患を治療する工程を含む、被験体の腎臓疾患の治療方法。
【請求項２０】
ＣＤ４０、ＣＤ４０Ｌ、またはＣＤ４０とＣＤ４０Ｌの両方の発現を実質的に示さない移植片を選択する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ＲＴ−ＰＣＲ分析を介して前記選択を行う請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ヒト１４週齢の胎児の腎臓組織の発達期と等価な発達期のブタ胎児の腎臓組織よりも少なくとも１分子の発現が低い移植片を選択する請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
ＲＴ−ＰＣＲ分析を介して前記選択を行う請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記の少なくとも１つの分子は免疫応答を刺激または増強することができる請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記の少なくとも１つの分子がリンパ球コレセプターまたはリンパ球コレセプターリガンドである請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記の少なくとも１つの分子がＢ７−１、ＣＤ４０、またはＣＤ４０Ｌである請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
被験体がヒトである請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
ブタ腎臓組織の移植片を、被験体の腎被膜、腎臓、精巣脂肪、皮下組織、網、または腹腔内に移植する請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
免疫抑制処方計画を使用して被験体を治療し、それにより被験体におけるブタ腎臓組織の移植片の生着を促進する工程をさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
被験体へのブタ腎臓組織の移植片の前記移植の前、前記移植と同時、または前記移植の後に免疫抑制処方計画を使用して被験体の前記治療を行う請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
免疫抑制薬の投与および／または免疫寛容誘導細胞集団の投与によって免疫抑制処方計画を使用した被験体の前記治療を行う請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記分化期が妊娠４週から５週に対応する請求項１９に記載の方法。
【請求項３３】
前記分化期が妊娠４週に対応する請求項１９に記載の方法。
【請求項３４】
前記分化期が妊娠５週に対応する請求項１９に記載の方法。
【請求項３５】
少なくとも１つの分子の発現について組織外植片の細胞または細胞培養物の細胞を試験し、それにより組織外植片または細胞培養物の移植適合性を評価する工程を含む、組織外植片または細胞培養物の移植適合性を評価する方法。
【請求項３６】
ＲＴ−ＰＣＲ分析を介して前記試験を行う請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記の少なくとも１つの分子は免疫応答を刺激または増強することができる請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記の少なくとも１つの分子がリンパ球コレセプターまたはリンパ球コレセプターリガンドである請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
前記の少なくとも１つの分子がＣＤ４０、ＣＤ４０Ｌ、またはＢ７−１である請求項３５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者を治療するための医薬の製造における、貯蔵された赤血球およびヘモグロビン溶液の使用であって、ここで、貯蔵された赤血球は少なくとも４８時間貯蔵されたものであり、ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンが、患者に投与される全ヘモグロビンの約５０重量％以下を構成し、ヘモグロビン溶液を貯蔵された赤血球よりも前に投与する場合、貯蔵された赤血球は約36時間以内に投与される、使用。
【請求項２】
ヘモグロビン溶液が、貯蔵された赤血球を投与する前に投与される請求項１記載の使用。
【請求項３】
貯蔵された赤血球が、ヘモグロビン溶液の投与の約24時間以内に投与される請求項１記載の使用。
【請求項４】
貯蔵された赤血球が、ヘモグロビン溶液の投与の約8時間以内に投与される請求項３記載の使用。
【請求項５】
貯蔵された赤血球が、ヘモグロビン溶液の投与と同時に、またはその前に投与される請求項１記載の使用。
【請求項６】
ヘモグロビン溶液が、貯蔵された赤血球の投与の約8時間以内に投与される請求項５記載の使用。
【請求項７】
ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンが、患者に投与される全ヘモグロビンの１０％以下を構成する請求項１記載の使用。
【請求項８】
貯蔵された赤血球が約７日より多く、約35日より多く、または約42日より多く貯蔵されたものである請求項１記載の使用。＿
【請求項９】
貯蔵された赤血球のヘモグロビンが約15mmHg未満、約20mmHg未満、または約25mmHg未満のP50を有する請求項１記載の使用。＿
【請求項１０】
ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンが重合されている請求項１記載の使用。
【請求項１１】
ヘモグロビンがグルタルアルデヒドと重合されている請求項１０記載の使用。
【請求項１２】
重合ヘモグロビン溶液が、
ａ）約15重量％未満のメトヘモグロビン含量、
ｂ）１ミリリットル当たり約0.5エンドトキシン単位未満のエンドトキシン濃度、
ｃ）約500,000ダルトンより大きい分子量を有する重合ヘモグロビン約15重量％以下、および
ｄ）約65,000ダルトン以下の分子量を有する重合ヘモグロビン約10重量％以下
を有する請求項４記載の使用。
【請求項１３】
患者を治療するための医薬の製造における、貯蔵された赤血球およびヘモグロビン溶液の使用であって、ここで貯蔵された赤血球が少なくとも約４８時間貯蔵されたものであり、ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンが、患者に投与される全ヘモグロビンの約５０重量％以下を構成し、貯蔵された赤血球がヘモグロビン溶液の投与の約36時間以内に投与され、ヘモグロビン溶液が重合ヘモグロビンを含有する、使用。
【請求項１４】
ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンが少なくとも約25mmHgのP50を有する請求項１３記載の使用。
【請求項１５】
ヘモグロビン溶液由来のヘモグロビンがグルタルアルデヒドと重合されている請求項１３記載の使用。
【請求項１６】
患者を治療するための医薬の製造における、貯蔵された赤血球およびヘモグロビン溶液の使用であって、ここでヘモグロビン溶液が重合ヘモグロビンを含有する、使用。
【請求項１７】
ヘモグロビン溶液が、貯蔵された赤血球の投与の約8時間以内に患者に投与される請求項１６記載の使用。
【請求項１８】
貯蔵された赤血球が少なくとも約48時間貯蔵されたものである請求項１６記載の使用。
【請求項１９】
ヘモグロビンが少なくとも約25mmHgのP50を有する請求項１６記載の使用。
【請求項２０】
ヘモグロビンがグルタルアルデヒドと重合されている請求項１６記載の使用。
【請求項２１】
貯蔵された赤血球が約7日またはそれより長く貯蔵されたものである請求項１３記載の使用。
【請求項２２】
ヘモグロビン溶液および貯蔵された赤血球を含有してなり、ここでヘモグロビン溶液が重合ヘモグロビンを含有し、貯蔵された赤血球が約7日より多く貯蔵されたものである、組成物。
【請求項２３】
ヘモグロビンがグルタルアルデヒドと重合されている請求項２２記載の組成物。
【請求項２４】
貯蔵された赤血球が約35日より多く、または約42日より多く貯蔵されたものである請求項２２記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物の過剰体重の防止または治療における使用のための医薬の製造のためのオキシントモジュリンの使用。
【請求項２】
前記過剰体重は、肥満であることを特徴とする、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記オキシントモジュリンは、ヒトオキシントモジュリンであることを特徴とする、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記オキシントモジュリンは、その類似体であり、この類似体は、１位にあるヒスチジン残基が、維持されているか、あるいは、正電荷を有する芳香族部分によってまたはヒスチジン誘導体によって置換されており、さらにこの類似体は、
（ｉ）  いずれか１つまたは２２個までの複数の他のα−アミノ酸残基が、任意の他のα−アミノ酸残基、アミノ酸の修飾または異性形態、あるいは、その側鎖を介して結合された対応するまたは異なるアミノ酸、によって独立して置換されること、
（ｉｉ）  １、２、３、４、または５個のアミノ酸残基が、ＯＸＭ配列から除去されること、および
（ｉｉｉ）  ＯＸＭ配列のＣ末端が、さらなるアミノ酸残基または他の部分の付加により修飾されること、
のうちの少なくとも１つが行われていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の使用。
【請求項５】
前記オキシントモジュリンは、塩の形態であるか、１つまたは複数の群に複合化されているか、化学的に修飾されているか、あるいは、金属の存在下に提供されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載の使用。
【請求項６】
前記医薬は、経口、非経口、粘膜、直腸、皮下、または経皮投与に適した形態であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の使用。
【請求項７】
前記医薬は、吸入による投与、あるいは、口腔、舌下、または鼻腔投与に適した形態であることを特徴とする、請求項６記載の使用。
【請求項８】
前記哺乳動物は、ヒトであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の使用。
【請求項９】
オキシントモジュリンを含む組成物を哺乳動物に投与することを含むことを特徴とする、哺乳動物の美容用体重減少のための方法。
【請求項１０】
前記オキシントモジュリンは、請求項３〜５のいずれか１つに記載されていることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記組成物は、請求項６または７に記載されていることを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記哺乳動物は、ヒトであることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記体重減少は、減少された食物摂取の結果であることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
哺乳動物の過剰体重の防止または治療における使用のためのオキシントモジュリン。
【請求項１５】
前記オキシントモジュリンは、請求項３〜５のいずれか１つに記載されていることを特徴とする、請求項１４記載のオキシントモジュリン。
【請求項１６】
前記組成物は、請求項６または７に記載されていることを特徴とする、請求項１４または１５に記載のオキシントモジュリン。
【請求項１７】
前記哺乳動物は、ヒトであることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１つに記載のオキシントモジュリン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】過剰体重を防止または治療するためのオキシントモジュリン
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ＯＸＭ配列は、当業技術内でよく知られており、記録が残されている。本発明は、以下のＯＸＭヒト(human)配列（ラットおよびハムスターＯＸＭ配列と同じである）：
His Ser Gln Gly Thr Phe Thr Ser Asp Tyr 
Ser Lys Tyr Leu Asp Ser Arg Arg Ala Gln 
Asp Phe Val Gln Trp Leu Met Asn Thr Lys 
Arg Asn Arg Asn Asn Ile Ala、
以下のＯＸＭアンコウ(angler fish)配列：
His Ser Glu Gly Thr Phe Ser Asn Asp Tyr 
Ser Lys Tyr Leu Glu Asp Arg Lys Ala Gln 
Glu Phe Val Arg Trp Leu Met Asn Asn Lys 
Arg Ser Gly Val Ala Glu、
および、以下のウナギ(eel)ＯＸＭ配列：
His Ser Gln Gly Thr Phe Thr Asn Asp Tyr 
Ser Lys Tyr Leu Glu Thr Arg Arg Ala Gln 
Asp Phe Val Gln Trp Leu Met Asn Ser Lys 
Arg Ser Gly Gly Pro Thr、
を特に含む、ここに列挙される全てのシーケンスに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2005511503000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上にサブミクロンのシリコンピラーのアレーを規定したシリコン基板を含む、電池用シリコン電極。
【請求項２】
前記基板がｎ型シリコンを含む、請求項１に記載の電極を含む、シリコンアノード。
【請求項３】
ウエハ貼り合せシリコンオンインシュレータ基板上に作られた請求項２に記載のシリコンアノード。
【請求項４】
シリコンピラーが、基板のフラクショナル被覆率０．５を超えない請求項２または３に記載のシリコンアノード。
【請求項５】
（ａ）可溶性固体のフィルムを親水性シリコン基板上に堆積させ、
（ｂ）前記フィルムを、前記フィルムが前記基板上で分離した半球状の島のアレーに再組織化されるように、溶媒蒸気に曝し、
（ｃ）露出したシリコンがエッチング除去されて前記島に対応するピラーを残すように、レジストして機能する前記可溶性固体の島をマスクとして、前記シリコン基板を反応性イオンエッチングする
工程を含む、先行する請求項のいずれか１項に記載のシリコン電極の形成方法。
【請求項６】
ピラーが、直径が０．１〜１．０ミクロンで、高さが１〜１０ミクロンである先行する請求項のいずれか１項に記載のシリコンアノード。
【請求項７】
ピラーが、直径が約０．３ミクロンで、高さが６ミクロンである先行する請求項のいずれか１項に記載のシリコンアノード。
【請求項８】
先行する請求項のいずれか１項に記載のアノードを含むリチウム電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月8日(2006.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶空間と、
前記記憶空間を制御するために前記記憶空間に結合される制御器と、
を含み、
前記制御器は、ユーザからの要求に応答して前記記憶空間を複数の別個の分割部に分割し、ある量の空間を各別個の分割部に自動的に割当て、入力信号を、該入力信号のソースのタイプに応じて記録するよう別個の分割部を選択するビデオ記録システム。
【請求項２】
前記ソースのタイプがテレビジョンである場合、前記制御器は、それぞれ異なるユーザに割当てられる別個の分割部のリストを表示し、前記ユーザからの前記リストにおける別個の分割部の選択を受信し、前記入力信号を前記ユーザによって選択された前記別個の分割部に記録する請求項１記載のビデオ記録システム。
【請求項３】
前記ソースのタイプがテレビジョンではない場合、前記制御器は、前記入力信号を該ソースのタイプに割当てられた別個の分割部に記録する請求項１記載のビデオ記録システム。
【請求項４】
前記制御器は、各分割部の使用をモニタリングし、適宜に各分割部への割当てを調節する請求項１記載のビデオ記録システム。
【請求項５】
記憶空間を含むビデオ記録システムによってビデオを記録する方法であって、
ユーザからの要求に応答して、前記ビデオ記録システムによって、前記記憶空間を複数の別個の分割部に分割する段階と、
前記ビデオ記録システムによって、ある量の空間を各別個の分割部に自動的に割当てる段階と、
前記ビデオ記録システムによって、入力信号を、該入力信号のソースのタイプに応じて記録するよう選択する段階と、
を含む方法。
【請求項６】
前記ソースのタイプがテレビジョンである場合、前記選択段階は、
前記ビデオ記録システムによって、それぞれ異なるユーザに割当てられる別個の分割部のリストを表示する段階と、
前記ビデオ記録システムによって、前記ユーザからの前記リストにおける別個の分割部の選択を受信する段階と、
前記入力信号を前記ユーザによって選択された前記別個の分割部に記録する段階と、
を含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ソースのタイプがテレビジョンではない場合、前記選択段階は、
該ソースのタイプに割り当てられた分割部を選択する段階と、
前記入力信号を前記選択された分割部に記録する段階と、
を含む請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記ビデオ記録システムによって、各分割部の使用をモニタリングし、また、適宜に各分割部への割当てを調節する段階を更に含む請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンクロージャ部分とドアとを有し、エンクロージャ部分はポリカーボネートプラスチックからほぼ形成されていて、少なくとも上部と、底部と、一対の対向する側部と、背部と、ドアを受け入れるためのドアフレームを形成する開口した前部と、複数のウェハーサポートと、エンクロージャ部分の底部のキネマティックカップリングとを有し、前記ウェハーサポートは複数のスロットを提供し、各スロットは半導体ウェハーを受け入れるのに適合しており、前記ドアは、
前記開口した前部をシール状態で閉じるためにドアフレーム内に受容可能であって、外面と内面と周部とを有し、また、前記ドアは、
前記ドアがドアフレーム内に受容されたときにエンクロージャ部分を外部からロボット操作可能な少なくとも一つのラッチ機構と、
ドアの内面のウェハークッション部とを有し、該ウェハークッション部はドアがドアフレームに受容されたときに半導体ウェハーに係合してクッションを与えるように適合されており、
前記ドアの外面が、ポリイミドと、ポリエーテルイミドと、ポリアミドイミドと、ポリケトンと、ポリエーテルケトンと、ポリエーテルエーテルケトンと、ポリエーテルケトンケトンと、ポリエーテルスルフォンと、ポリテトラフルオロエチレンとから成るプラスチック材料のグループから選択されたプラスチック材料からほぼ形成された層を有し、前記層が、9.0(m/s 1/2)(kW/m)-2/3以下の火災伝搬指数を有し、前記外面部分が火災の垂直方向の伝搬に対して比較的遅延性を有している、半導体ウェハーをほぼ水平方向に保持するためのシール可能なウェハーキャリア。
【請求項２】
前記ドアの前記外面の前記層がポリエーテルイミドプラスチックから形成されている請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項３】
前記ドアの前記外面の前記層がポリエーテルエーテルケトンプラスチックから形成されている請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項４】
前記ドアの前記内面がポリカーボネートプラスチックから成っている請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項５】
前記ウェハーキャリヤの前記ドアは防火プラスチック層をポリカーボネートプラスチックの前記層の上に成形することを含むプロセスによってつくられていて、前記防火プラスチック層が前記ドアの外面を形成する請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項６】
前記ウェハーキャリヤの前記ドアは、防火プラスチックからつくられたシールドパネルを前記ドアに接着剤で取り付けるプロセスによってつくられていて、前記シールドパネルが前記ドアの外面を形成する請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項７】
前記ウェハーキャリヤの前記ドアは、シールドパネルを前記ドアに複数のファスナで取り付けるプロセスによってつくられていて、前記シールドパネルが前記ドアの外面を形成する請求項１記載のウェハーキャリア。
【請求項８】
各々がポリカーボネートプラスチックからほぼつくられたエンクロージャ部分とドアとを有し、エンクロージャ部分は、少なくとも上部と、底部と、一対の対向する側部と、背部と、ドアを受け入れるためのドアフレームを形成する開口した前部と、エンクロージャ部分内の複数のウェハーサポートと、エンクロージャ部分の底部のキネマティックカップリングとを有し、前記ウェハーサポートは複数のスロットを提供し、各スロットは半導体ウェハーを受け入れるのに適合しており、
前記ドアは、前記開口した前部をシール状態で閉じるためにドアフレーム内に受容可能であって、外面と内面と周部とを有し、また、前記ドアは、
前記ドアがドアフレーム内に受容されたときにエンクロージャ部分を外部からロボット操作可能な少なくとも一つのラッチ機構と、
ドアの内面のウェハークッション部とを有し、該ウェハークッション部はドアがドアフレームに受容されたときに半導体ウェハーに係合してクッションを与えるように適合されている、
半導体ウェハーをほぼ水平方向で保持するためのキャリアの防火性を改善する方法であって、前記ドアの外面の少なくとも一部に、9.0(m/s 1/2)(kW/m)-2/3以下の火炎伝搬指数を有するプラスチック材料の層を重ねて、前記プラスチック材料の層がドアの外面の少なくとも一部を形成するようにする方法。
【請求項９】
前記プラスチック材料が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルスルフォン、及びポリテトラフルオロエチレンから成るグループから選択される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記プラスチック材料の層を別のシールドパネルとして成形し、このシールドパネルを前記ドアへ取り付ける段階を有する請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄層の製造方法であって、基板（１）に化学種を注入することにより脆性の埋込み領域を生成後、前記脆性領域に沿って前記基板（１）の破壊を開始して、基板から前記薄層（６）を分離できるものであって、前記方法は、
ａ）「主要」化学種（４）を基板（１）内の「主要」深さ（５）に注入する「主要」注入工程と、
ｂ）基板（１）の脆化において、主要化学種（４）より低効率の少なくとも１つの「副次」化学種（２）を、基板（１）内の前記主要深さ（５）と異なる「副次」深さ（３）に主要化学種（４）濃度より高濃度で注入する少なくとも１つの「副次」注入工程と、を含み、
前記工程ａ）とｂ）はいずれの順番で実行してもよく、さらに、
ｃ）前記副次化学種（２）の少なくとも一部分を主要深さ（５）の近傍まで移動させる工程と、
ｄ）主要深さ（５）に沿って前記破壊を開始する工程と、をさらに含むことを特徴とする、薄層製造方法。
【請求項２】
前記副次深さ（３）が前記主要深さ（５）よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記副次深さ（３）が前記主要深さ（５）よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの副次注入が前記主要注入の前に行われることを特徴とする、請求項２または３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記工程ｃ）が適切な熱処理によって促進されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程ｄ）が適切な熱処理を用いて行われることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
工程ｃ）およびｄ）が同じ熱処理中に行われることを特徴とする、請求項５および６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理が、工程ｂ）およびｃ）がない場合に前記破壊を開始するのに必要とされるよりも少ない熱量以内で実行されることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
所定の熱量が、必要に応じて、前記所定の熱量よりも多い熱量で前記破壊を開始できるようにするために必要とされるよりも多量の副次化学種（２）を注入することによって、適合されることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理は加熱炉での加熱および／または局所加熱および／またはレーザ加熱からなることを特徴とする、請求項５から９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記工程ｄ）は機械応力を加えることを含むことを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記機械応力は、流体ジェットの使用、および／またはブレードの注入領域への挿入、および／または引張り、剪断または曲げ応力の基板（１）への印加、および／または音波の利用からなることを特徴とする、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
工程ｄ）の前または最中に、厚みをつける物を基板（１）に加えることにより、基板（１）から薄層（６）を分離した後に前記薄層（６）に対する支持体として利用することを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
工程ｄ）の前または最中に、「ハンドル」支持体が基板（１）に加えられ、その後薄層（６）が最終支持体上に移設されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
主要化学種（４）は水素イオンまたは原子であることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１６】
副次化学種（２）が少なくとも１種の希ガスのイオンまたは原子であることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されていることを特徴とする、薄層（６）。
【請求項１８】
軟質または硬質支持体上に移設されていることを特徴とする、請求項１７に記載の薄層（６）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に、複数の側面および上面を含むフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造上にゲート材料をたい積するステップと、
このたい積したゲート材料をプレーナ化するステップと、
前記プレーナ化したゲート材料上に反射防止膜をたい積するステップと、
前記反射防止膜を使用して、前記プレーナ化したゲート材料からゲート構造を形成するステップと、を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記フィン構造を形成するステップは、シリコン層上に絶縁層をたい積するステップと、シリコン部分および絶縁性のキャップで前記フィン構造を定義するように、前記絶縁層および前記シリコン層をエッチングするステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン部分の側面上に酸化層を成長させるステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ゲート材料をたい積するステップは、前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記プレーナ化するステップは、化学的機械的プロセスによって、前記たい積したゲート材料の上面を研磨するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記プレーナ化するステップは、前記フィンに隣接する前記たい積したゲート材料をプレーナ化するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ゲート構造を形成するステップは、前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、前記ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターン化するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ゲート構造を形成するステップは、前記ゲート構造を形成するように、前記フォトレジスト層および前記ゲート材料を選択的にエッチングするステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記ゲート構造の最小寸法は、約５０ｎｍ以下である、請求項１記載の方法。 
【請求項１０】
前記フィン構造の端部にソースおよびドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ソースおよびドレイン領域中に不純物を注入するステップと、
前記ソースおよびドレイン領域を活性化するように、半導体デバイスをアニーリングするステップと、をさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
絶縁体上にフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップと、
平らな上面を得るように、前記ポリシリコンを研磨するステップと、
前記ポリシリコンの前記平らな上面上に反射防止膜をたい積するステップと、
前記反射防止膜を使用して、前記ポリシリコンからゲート構造を形成するステップと、を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記研磨するステップは、前記ポリシリコンを化学的機械的研磨するステップを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記ゲート構造を形成するステップは、前記ゲート構造を定義するステップと、前記定義されたゲート構造の周りから前記ポリシリコンを除去するステップと、を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記ゲート構造を定義するステップは、前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、前記ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターニングするステップと、を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記フィン構造の端部にソースおよびドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記ゲート構造の最小寸法は、約２０ｎｍから約５０ｎｍである、請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
絶縁体上にフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップと、
平らな上面を得るように、前記ポリシリコンを研磨するステップと、
前記ポリシリコンの前記平らな上面上に反射防止膜をたい積するステップと、
前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、
ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターン化するステップと、
前記定義されたゲート構造の周りから前記ポリシリコンをエッチングするステップと、を含む、
半導体デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記フィン構造は、シリコンチャネルと、境界となる絶縁材料とを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記定義されたゲート構造の最小寸法は、約２０ｎｍから約５０ｎｍである、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記フィン構造は、約３００Åから１５００Åの範囲にある厚みを有しており、
前記ポリシリコン上の前記反射防止膜は、約１００Åから約５００Åの範囲にある厚みを有している、請求項１ないし２０のいずれかの項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、複数の側面および上面を含むフィンと、
前記フィンの複数の側面のうちの１つに隣接する前記絶縁層上に形成される第１ゲートと、
前記第１ゲートと分離されており、前記フィンの複数の側面のうち他の１つに隣接する絶縁層上に形成される第２ゲートと、を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２ゲートは、前記第１ゲートからみて前記フィンの反対側において形成される、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１ゲート、前記第２ゲートはそれぞれ第１ゲートコンタクト、第２ゲートコンタクトを含む、請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
それぞれ前記フィンの前記複数の側面に沿って形成される、複数の絶縁層をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１ゲートおよび第２ゲートは、前記複数の絶縁層のうちの異なる絶縁層にそれぞれ隣接する、請求項４記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記フィンは、シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも一方を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記絶縁層は、埋込酸化膜を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記絶縁層上であって、それぞれ前記フィンの第１端部および第２端部に隣接して形成される、ソースおよびドレイン領域をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記フィンの上面上に形成される、窒化物および酸化物のうちの少なくとも一方を含む絶縁層をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記絶縁層の上面、前記第１ゲートの上面、および前記第２ゲートの上面は、実質的に共に同じ面上（coplanar）にある、請求項９記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記フィンは、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有する導電性のフィンであり、
前記第１ゲートは、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有しており、
前記第２ゲートは、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有している、請求項１ないし１０のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導電性のフィンと、
前記導電性のフィンの側面上に形成される複数のゲート絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記複数のゲート絶縁層のうちの１つに隣接する前記導電性のフィンの第１側面上に配置される第１ゲートと、
前記絶縁層上に形成され、前記複数のゲート絶縁層のうちの他の１つに隣接する前記導電性のフィンの逆側に配置されると共に、前記第１ゲート電極から離間される、第２ゲート電極と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１３】
前記導電性のフィンの上面上に形成される絶縁性のキャップをさらに有する、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極のどちらも前記絶縁性のキャップ上に広がっていない、請求項１３記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第１ゲート、前記第２ゲートおよび前記絶縁性のキャップの上面は、実質的に同一の面上（coplanar）にある、請求項１３記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極は、前記導電性のフィンの両側に配置されており、互いに電気的に接続されていない、請求項１２記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記導電性のフィンは、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有している、請求項１２ないし１６のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記絶縁性のキャップは、約１５０Åから約６００Åの範囲の厚みを有している、請求項１２ないし１７のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
基板上に絶縁層を提供するステップと、
前記絶縁層上に、第１側面、第２側面、および上面を含むフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造の端部にソースおよびドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン構造上に、前記上面と前記第１側面および第２側面とを取り囲むゲート材料をたい積するステップと、
前記フィンの両側に第１ゲート電極および第２ゲート電極を形成するように、前記ゲート材料をエッチングするステップと、
前記フィンに隣接する前記たい積されたゲート材料をプレーナ化するステップと、を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２０】
前記フィン構造の前記上面上に絶縁層を形成するステップをさらに含み、
前記プレーナ化するステップは、前記絶縁層上にゲート材料が残らないように、前記ゲート材料を研磨するステップを含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記フィン構造は、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有しており、前記ゲート材料は、約３００Åから約１５００Åの範囲の厚みを有する、請求項１９または２０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路の入力面の一部を照明するように配置された光源を備える、場を照明するための構造光生成器であって、
前記光導波路が、実質的な反射側面を持ち、前記光源の別々の映像のアレイを前記場に向けて投影するように投影光学系とともに配置されるチューブを備える
ことを特徴とする構造光生成器。
【請求項２】
前記光導波路が一定の断面を持つチューブを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の構造光生成器。
【請求項３】
前記光導波路の断面積が、1mm2から50mm2、又は2mm2から25mm2の範囲である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の構造光生成器。
【請求項４】
前記光導波路が、反射内部表面を持つ中空チューブを備える
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項５】
前記光導波路が、チューブの材料と周囲の材料との間のインターフェースにおけるかなりの量の入射光が全内部反射されるようにされた固形材料のチューブ、を備える
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項６】
前記光導波路は10mmから70mmの間の長さである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項７】
前記投影光学系が投影レンズを備える
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項８】
前記投影光学系が投影レンズを備え、
前記固形材料のチューブが、前記投影レンズを形成するように、出力面において形作られる
ことを特徴とする請求項５に記載の構造光生成器。
【請求項９】
前記投影光学系が、好ましくは、第一の距離において実質的に焦点の合った映像、及び第二の距離において実質的に焦点の合っていない映像を提供するようにされ、前記第一及び第二の距離が、前記機構の動作の予想される範囲内である
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１０】
前記光源が非円形形状を有する
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１１】
前記光源が、前記光導波路の反射軸について対称でない形状を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の構造光生成器。
【請求項１２】
各々が前記光導波路の前記入力面の一部を照明するように配置された一以上の光源を備える
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１３】
少なくとも1つの光源が、他の光源とは異なる波長で光を発する
ことを特徴とする請求項１２に記載の構造光生成器。
【請求項１４】
少なくとも1つの光源が、他の光源とは異なるように形作られる
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の構造光生成器。
【請求項１５】
少なくとも1つの光源が、光導波路内で、他の光源とは異なる深さに置かれる
ことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１６】
前記構造光生成器がラインのアレイで前記場を照明するように、前記光源が、前記入力面の一方の側から他方の側まで及ぶように配置された
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１７】
前記光源が、前記場を交差するラインで照明するように、前記導波路に対して配置された
ことを特徴とする請求項１６に記載の構造光生成器。
【請求項１８】
前記光源が、マスクを通して前記光導波路の前記入力面を照明するように配置された
ことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項１９】
前記マスクが複数の伝播部分を有し、前記伝播部分の少なくとも幾つかが異なる形状を有する
ことを特徴とする請求項１８に記載の構造光生成器。
【請求項２０】
前記マスクが複数の伝播部分を有し、少なくとも幾つかの伝播部分は、異なる波長で伝播することができる
ことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の構造光生成器。
【請求項２１】
前記マスクが、該マスクの少なくとも一部の伝播特性を変えることができるようにされた変調器を備える
ことを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項２２】
前記生成器が、50°から100°までの間の角度にわたって、映像のアレイを投影する
ことを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【請求項２３】
前記生成器が、100mmから無限大までのフィールドの深さを有する
ことを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の構造光生成器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月24日(2006.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム電池用カソードであって、
（ａ）アルミニウム箔を含有する集電体と、
（ｂ）（i）二酸化マンガンと、
（ii）導電性材料と、
（iii）スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン重合体、メラミン樹脂によって架橋された直鎖トリブロック重合体、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体、水素化ニトリルゴム、熱可塑性ポリウレタン、熱可塑性オレフィンの群から選ばれる結合剤と、を含有する活性カソード材料と、
を備えたことを特徴とするカソード。
【請求項２】
結合剤は、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン重合体からなることを特徴とする請求項１記載のカソード。
【請求項３】
結合剤は、メラニン樹脂によって架橋された直鎖トリブロック重合体からなることを特徴とする請求項１記載のカソード。
【請求項４】
結合剤は、メラニン樹脂によって架橋されたスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンからなることを特徴とする請求項３記載のカソード。
【請求項５】
集電体の一方の面は、活性カソード材料によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカソード。
【請求項６】
集電体の両面は、活性カソード材料によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のカソード。
【請求項７】
集電体は、主にアルミニウムからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のカソード。
【請求項８】
リチウム電池用カソードを製造する方法であって、
（ａ）活性カソード材料と、導電性材料と、溶媒と、結合剤とを混合し、混合物を製造する工程と、
（ｂ）混合物を散布し、溶媒の重量の２５％から４０％を含有するスラリーを形成する工程と、
（ｃ）溶液噴射工程を使用して基板にスラリーを散布し、コーティングされた基板を形成する工程と、
（ｄ）コーティングされた基板を乾燥する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項９】
（ｄ）工程の後にカレンダーする工程を更に含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
基板は、アルミニウム箔からなることを特徴とする請求項８または９記載の方法。
【請求項１１】
前記箔は、（ｃ）工程の前にフレーム処理されることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記箔は、（ｃ）工程の前にプライマでコーティングされることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
溶媒は、炭化水素溶媒であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
溶媒は、パラフィン溶媒からなることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
溶媒は、芳香族炭化水素溶媒からなることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第二データ・パケットと前記第三データ・パケットが、前記第一コンテナと前記第二コンテナを形成する、第一プロトコル・レイヤのサービス・データ・ユニットであり、
前記第一データ・パケット、前記第二データ・パケット、および前記第三データ・パケットが、前記伝送器内の複数の第五データ・パケットから分割化され、
前記第五データ・パケットが、前記第一プロトコル・レイヤの上のレベルにある第二プロトコル・レイヤのサービス・データ・ユニットであり、
第七データ・パケットが前記受信器で以前に受信済みとなっている第五データ・パケットに、前記第三データ・パケットが属するように、前記第三データ・パケットが選択される、
請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の診断器具または治療器具を支持されていない解剖学的構造体の中空の身体器官中に前進させるための装置であって、該装置が、以下：
ハンドル；
該ハンドルに結合したオーバーチューブであって、細長部分、遠位領域、遠位開口およびその間を延びる管腔を有し、第１の診断機器または治療機器の通過を可能にする、オーバーチューブ；ならびに
該遠位開口に隣接する該遠位領域上に配置される非外傷性先端を備え、
ここで、該非外傷性先端が、該遠位開口の近傍で該中空の身体器官を偏向し、該第１の診断器具または治療器具が該遠位開口を通って移動するとき、組織が捕捉されず、または挟まれない、装置。
【請求項２】
前記非外傷性先端が、膨張可能なドーナツ形バルーンを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記非外傷性先端が、エラストマーカバーを有するワイヤペタルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記非外傷性先端が、発泡体バンパーまたはソフトエラストマーバンパーを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記オーバーチューブが、屈曲形態で該オーバーチューブをロックするための手段を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記屈曲形態でオーバーチューブをロックするための手段が、以下：
複数の入れ子式要素；
入れ子式要素を一緒に突き通す複数の引張ワイヤ；および
複数の引張ワイヤに解放可能に結合され得、そしてクランピングロードを複数の入れ子式要素に選択的に適用する引張機構、を備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ハンドルが、作用軸を有し、前記オーバーチューブの前記管腔が、長手軸を有し、そして該管腔の該長手軸が、該ハンドルの該作用軸に対して角度をなす、請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記ハンドルが、再使用可能であり、そして前記オーバーチューブが、該ハンドルと取り外し可能に結合される、請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
Ｌ／Ｄ比（ｍｍ／ｍｍ）（但し、Ｄは請求項１で定義した中心円の直径である）が１〜２５の範囲、好ましくは２〜１０の範囲にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の長い造形粒子、或いは長さが０．５〜１５ｍｍの範囲、好ましくは１〜５ｍｍの範囲にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の長い造形粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮質骨に非連続部分を有する領域を備える骨を治療する方法であって、
拡張可能なコンテナを前記骨内部に挿入する段階と、
前記コンテナを骨充填材で充填する段階からなり、
前記コンテナは、貫通可能であるとともに前記充填材を前記コンテナ外部に放出可能とする少なくとも１つの第１の種類の領域と、前記第１の種類の領域よりも貫通されにくい少なくとも１つの第２の種類の領域を備え、
前記第２の種類の領域は前記皮質骨の前記非連続部分に配されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の種類の領域が、前記コンテナ外部への前記充填材の放出を防止することを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記充填する段階の後、前記骨充填材が前記骨内部で固化することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記骨が骨折骨であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記第２領域が骨折線に配されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記骨が椎骨であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記コンテナが、第２の種類の領域により分離される１より多い第1の種類の領域を備えることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記充填する段階において前記骨の少なくとも一部分が変位されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項９】
前記第1の種類の領域が穿孔領域であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１０】
前記充填材の圧力が該充填材を前記コンテナ外部に押し出して前記骨と接触させるのに十分な程度高いことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１１】
前記コンテナが前記骨折骨を固定することを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１２】
前記充填材がいつ前記コンテナ外部に放出されたかがわかるように前記充填材の圧力が監視されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１３】
前記コンテナが前記骨折部の一側から骨折領域を介して前記骨折部の他側まで挿入されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１４】
前記骨が脆弱であり、前記充填材が前記骨の病的骨折を防止する目的で挿入されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１５】
前記コンテナが少なくとも部分的に生体内で消失可能であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１６】
前記充填する段階において前記骨折骨の骨片が再整列されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１７】
前記コンテナが２つの椎骨を接続することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の種類の領域の少なくとも一部分が前記椎骨の間に配されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記充填材料が、治療用物質を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の種類の領域が環状の帯状部を形成することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２１】
前記充填材料が生体内で消失可能な材料であることを特徴とする請求項３記載の方法。