【事件の表示】
　特願２００５−１５４６１４「液晶表示装置のパッド構造及び液晶表示装置のパッド製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１９日出願公開、特開２００６−　１８２３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年５月２６日（パリ条約による優先権主張２００４年６月３０日、大韓民国）の出願であって、平成２０年８月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１９日付けで手続補正がなされ、平成２１年６月１９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月２４日付けで手続補正がなされ、平成２２年２月８日付けで前記平成２１年９月２４日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２２年６月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年６月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２２年６月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２０年１１月１９日付け手続補正後）の、請求項１を引用する請求項５を、以下のように補正することを含むものと解される。
　
「アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、
　前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、
　前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極と
　が含まれて構成され、
　前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記アルミニウム合金層は、２０００Åの厚さに形成されて、前記モリブデン層は、５００Å〜１０００Åの厚さに形成され、前記コンタクトホールのスロープを減らすために、前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する
　ことを特徴とする液晶表示装置のパッド構造。」
　
２　目的外補正
　本件補正は、補正前の請求項１の「前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する」との記載を、「前記コンタクトホールのスロープを減らすために、前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する」とするものである。しかしながら、この「前記コンタクトホールのスロープを減らすために、前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する」との記載は、その意味するところが不明であって、本件補正は、本件補正前の上記記載について、特許請求の範囲の減縮を目的として行ったものとはいえないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正の目的は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号、第４号の、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願について
１　本願発明
　平成２２年６月１６日付けの手続補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年１１月１９日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、
　前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、
　前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極と
　が含まれて構成され、
　前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成され、
　前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する
　ことを特徴とする液晶表示装置のパッド構造。」（以下「本願発明」という。）
　
２　拒絶の理由
　平成２１年６月１９日付けで通知された拒絶の理由は、次に抜粋して示すとおりのものである。
　
「１．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号又は第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　・・・
　・・・技術常識に鑑みれば、オーバーエッチングによってモリブデン層全体がエッチングされるか否かは、モリブデン層の絶対的な膜厚に依存するものと考えられるところ、本願明細書にはアルミニウム合金層の厚さとの相対関係において規定することの技術的な根拠が記載されていないため、請求項１、９に係る発明についての理論的又は実験的な裏付けがなされていない。また、モリブデン層厚をアルミニウム合金層の厚さとの相対関係において規定することの技術的意義が不明である。
　・・・
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１−１２に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではない（審決注：以下、この拒絶の理由を「理由ａ」という。）。
　
２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない（審決注：以下、この拒絶の理由を「理由ｂ」という。）。。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１−１２
・引用文献１−２
備考：
　・・・引用文献１−２に記載された発明に基いて、本願請求項１−１２に係る発明のような構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００２−３５７８４４号公報
２．特開平９−１４８５８６号公報」
　
３　記載不備（特許法第３６条第４項第１号）について
（１）本願明細書の記載
　平成２１年６月１９日付けの拒絶の理由（上記２（１）参照。）において指摘された１．（理由ａ）に関連する記載として、本願明細書（平成２０年１１月１９日付けのもの）には、以下のア〜カがある。
　
　ア　「【０００１】
　本発明は、液晶表示装置に係り、特に液晶表示装置のゲート／データパッド構造及びその製造方法に関する。」
　
　イ　「【０００５】
　図１は、一般的な液晶表示装置の下部基板であるアレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
・・・
　【０００７】
　前記下部基板１０は、アレイ基板とも言い、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス状に配置され、このような複数の薄膜トランジスタを交差して通り過ぎるゲート配線２５とデータ配線２７が形成される。
・・・
　【０００９】
　前記ゲート配線２５とデータ配線２７の一端には、外部からの信号入力を受けるゲートパッド２９とデータパッド３１が構成される。
・・・
　【００１３】
　一方、前記基板１０上にゲート配線２５とゲート配線２５の一端に所定面積でゲートパッド２９が形成される。前記ゲートパッド２９は、ゲートパッド下部電極２８が形成された基板１０の上部にゲート絶縁膜３０が形成されて、前記下部電極２８が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜３０及び保護層７０をエッチングして前記下部電極２８を露出するゲートパッドコンタクトホール５９が形成されており、前記コンタクトホールに前記下部電極２８と連結されたゲートパッド端子電極６５が形成されることによってゲートパッドを構成する。
　【００１４】
　また、前記ゲート絶縁膜３０上に、前記ソース電極６０と垂直に延びたデータ配線２７と、データ配線の一端に所定面積のデータパッド３１とが形成されている。
　【００１５】
　前記データパッド３１もデータパッド下部電極３２が形成された領域上部に具備された保護層７０をエッチングして前記下部電極３２を露出するデータパッドコンタクトホール６１が形成されており、前記下部電極３２と連結されたデータパッド端子電極６７が形成されている。
・・・
　【００１７】
　一方、前記ゲート／データ配線２５、２７の一端に所定面積で形成されているゲート／データパッド下部電極２８、３２上には、ゲートパッド端子電極（ＩＴＯ６５またはＩＺＯ６７）がパターニングされている。
　【００１８】
　前記ゲート／データ配線２５、２７の材料でアルミニウムやアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を用いる場合、ゲート／データパッド下部電極２８、３２とゲート／データパッド端子電極６５、６７との接触時に酸化膜が形成される。
　【００１９】
　したがって、酸化膜は、アルミニウム金属とゲート／データパッド端子電極６５、６７との直接の接触を妨害しているので、アルミニウム金属と端子電極６５、６７間にモリブデン（Ｍｏ）による緩衝層が形成される。
　【００２０】
　すなわち、前記ゲート／データ配線２５、２７をアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成することによって、前記ゲート／データ配線がゲート／データパッド端子電極６５、６７と接触する時に発生する酸化膜を除去することができる。」
　
　ウ　「【００２１】
　図３は、従来のゲートパッドの構造をさらに詳細に示す断面図であって、これは、ゲートパッドをその例にしているが、データパッドにも同様に適用できる。
　【００２２】
　図３に示したように、従来の場合、ゲートパッド下部電極３１０を形成するアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）３１２及びモリブデン（Ｍｏ）３１４の二重層構造において、前記モリブデン層３１４は約５００Å、アルミニウム合金層３１２は２０００Åの厚さを有するように形成される。
　【００２３】
　また、前記ゲートパッド下部電極３１０上部に形成されるゲート絶縁膜３２０／保護層３３０は、４０００／２０００Åの厚さを有する。
　【００２４】
　ここで、前記ゲートパッド下部電極３１０にゲートパッド端子電極３５０を接触させるようにコンタクトホール３４０を形成するが、従来の場合、前記コンタクトホール３４０を形成するためにエッチング工程を遂行する。
・・・
　【００２５】
　しかし、従来の場合、前記エッチング工程進行中にオーバーエッチングになる場合が頻繁に発生してエッチングによるコンタクトホール形成時に、前記ゲート絶縁膜３２０／保護層３３０が除去されるだけでなく、前記下部電極３１０のモリブデン３１４が全部除去される場合が発生する問題がある。
　【００２６】
　すなわち、図３に示したように、オーバーエッチングにより前記モリブデン層３１４がエッチングされた場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成されたゲートパッド端子電極３５０と下部電極３１０のアルミニウム合金層３１２が直接接触するようになって、それによってその界面において腐蝕が発生する。」
　
　エ　「【００３０】
　本発明は液晶表示装置のパッド構造において、前記パッドを構成するアルミニウム合金／モリブデンの二重層構造で、前記モリブデンの厚さを少なくともアルミニウム合金厚さの１／４より厚く形成することにより、また、前記パッドを露出させるコンタクトホールの形成時に遂行されるエッチング工程を調節して、前記コンタクトホールのスロープ、すなわち、傾斜度を緩やかに形成することにより、パッドの腐蝕を防止する液晶表示装置のパッド構造及びその製造方法を提供することにその目的がある。」
　
　オ　「【００３１】
　前記目的を達成するために、本発明による液晶表示装置のパッド構造は、アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極とが含まれて構成され、前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成され、前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触することを特徴とする。
【００３２】
　また、本発明による液晶表示装置のパッド製造方法は、アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積でアルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造からなるパッド下部電極を形成する段階と、前記パッド下部電極の上部に絶縁層が形成する段階と、前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させるようにコンタクトホールを形成する段階と、前記露出したパッド下部電極と接触するように前記コンタクトホール上にパッド端子電極を形成する段階とが含まれ、前記パッド下部電極を形成する段階は、前記二重層構造からなるパッド下部電極を形成する際に、前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きくなるようにして前記パッド下部電極を形成し、前記パッド端子電極を形成する段階は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触するように前記パッド端子電極を形成することを特徴とする。
【００３３】
　このような本発明によれば、パッドを構成するアルミニウム合金／モリブデンの二重層構造で、前記モリブデンの厚さを少なくともアルミニウム合金厚さの１／４より厚く形成することにより、前記アルミニウム合金が腐蝕されることを防止する効果がある。」
　
　カ　「【００３６】
　図４は、本発明による液晶表示装置のパッド構造を示す断面図である。
・・・
　【００３９】
　本発明によるゲートパッドは、液晶表示装置のアレイ基板に複数形成されたゲート配線の一端に所定面積で形成されている。
　【００４０】
　前記ゲートパッドは、ゲートパッド下部電極４１０が形成された基板４００の上部に、ゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０が形成されて、前記下部電極４１０が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０をエッチングして、前記下部電極４１０を露出するゲートパッドコンタクトホール４４０が形成されている。
　【００４１】
　そして、前記コンタクトホール４４０に前記下部電極４１０と連結されたゲートパッド端子電極４５０が形成されることによってゲートパッドを構成する。
　【００４２】
　また、前記ゲートパッド下部電極４１０は、前記ゲートパッド端子電極４５０との接触による酸化膜形成を防止するために、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２／モリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層で構成される。
　【００４３】
　ここで、本発明は、前記コンタクトホール４４０を形成するためのエッチング工程進行時に、オーバーエッチングになることにより前記モリブデン層４１４までエッチングされて発生する問題点を克服するために、前記モリブデン層４１４の形成厚さを既存より厚く形成することをその特徴とする。
　【００４４】
　すなわち、従来の場合、前記アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２及びモリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層構造において前記モリブデン層は約５００Å、アルミニウム合金層は２０００Åの厚さを有するように形成されたが、本発明においては、前記モリブデン層４１４が５００Å〜１０００Åの厚さに形成される。
　【００４５】
　言い換えれば、本発明の場合、前記モリブデン層４１４の厚さは、少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４より大きく形成することをその特徴とする。ただし、前記モリブデン層４１４は、前記アルミニウム合金層４１２の厚さの１／２よりは小さく形成することが望ましい。
　【００４６】
　図４に示したように、前記モリブデン層４１４をアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４よりも厚く形成することによって、前記コンタクトホール４４０形成時にオーバーエッチングが発生しても、モリブデン層４１４全体がエッチングされる場合が発生せず、従来の腐蝕問題を克服できるようにした。」
　
　キ　「【００５１】
　図５Ａないし図５Ｃは、本発明による液晶表示装置のパッドの製造工程を説明する工程断面図である。
・・・
　【００５４】
　図５Ａに示したように、先にゲートパッド下部電極４１０がアレイ基板４００上で各ゲート配線の一端に所定の面積で形成されて、その上部にゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０が形成される。
　【００５５】
　ここで、前記ゲートパッド下部電極４１０を構成する金属は、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２及びモリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層構造であって、本発明は、前記モリブデン４１４層の厚さが少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４より大きく形成して、アルミニウム合金層４１２の厚さの１／２よりは小さく形成することをその特徴とする。
　【００５６】
　一例として、前記アルミニウム合金４１２層は、２０００Åの厚さを有して、前記モリブデン層４１４が５００Å〜１０００Åの厚さで形成することが望ましい。
　【００５７】
　これは、以後、コンタクトホール４４０を形成するためのエッチング工程進行時にオーバーエッチングになる場合、前記モリブデン４１４層までエッチングされて前記アルミニウム合金４１２が露出される問題点を克服するためである。
・・・
　【００５９】
　次に、図５Ｂに示したように、前記ゲートパッド下部電極４１０が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０をエッチングして、前記下部電極４１０を露出するゲートパッドコンタクトホール４４０が形成される。
・・・
　【００６１】
　最後に、図５Ｃに示したように、前記コンタクトホール４４０が形成されると、その上部にＩＴＯまたはＩＺＯ等のような透明電極でなったゲートパッド端子電極４５０を形成し、これによりゲートパッドが完成される。」
　
（２）理由ａについての当審の判断
　ア　上記１によれば、本願発明は、「前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成され」との特定事項を備えるものである。
　
　イ　一方、上記（１）イ、ウ及びカ（【００３６】〜【００４４】）によれば、本願明細書には、「（アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造からなる）（ゲート）パッド下部電極」の上部に形成された「ゲート絶縁膜」及び「保護膜」をエッチングして「（ゲートパッド）コンタクトホール」を形成し、前記「（ゲート）パッド下部電極」を露出させた際に、オーバーエッチングにより当該「（ゲート）パッド下部電極」の「モリブデン層」が全部除去される場合が発生する、との問題を克服するために、従来の場合、「アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）」及び「モリブデン（Ｍｏ）」の二重層構造において、前記「モリブデン層」は約５００Å、「アルミニウム合金層」は２０００Åの厚さを有するように形成されたが、前記「モリブデン層」を５００Å〜１０００Åの厚さに形成すること、が記載されているものと認められる。
　
　ウ　しかしながら、オーバーエッチングにより「モリブデン層」が全部除去されるという上記問題が、本願発明の上記アの特定事項（前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成され）と、何故、また、どのように関係するのかという点、さらにいえば、その下部に配置される「アルミニウム合金層」の厚さに何故、また、どのように関係するのかという点については、本願明細書（上記（１）ア〜キ参照。）を見ても何ら具体的に説明されてはいない。そして、当業者といえども、本願発明において、オーバーエッチングにより「モリブデン層」が全部除去されるという問題を解決するために、該「モリブデン層」の厚さを「アルミニウム合金層」の厚さとの相対関係において規定することの技術的意義を理解することはできない（なお、上記イのとおり、本願明細書には、「従来の場合、・・・『モリブデン層』は約５００Å、『アルミニウム合金層』は２０００Åの厚さを有するように形成されたが、前記『モリブデン層』を５００Å〜１０００Åの厚さに形成する」ことにより、「オーバーエッチングにより・・・『モリブデン層』が全部除去される場合が発生する、との問題を克服」すると説明されているが、「５００Å〜１０００Åの厚さに形成する」とは、５００Åあるいは５００Åをわずかに超える程度の厚さに形成するものであってもよいものと解されるところ、「モリブデン層」の厚さが５００Åである場合に生じていた問題が、単に「５００Å〜１０００Åの厚さに形成する」ことによりなぜ克服されるのかが理解できないから、その厚さを５００Å〜１０００Åとすることの技術上の意義も理解することができない。）。
　
　エ　以上のとおり、「前記コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、前記モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成され」との特定事項を備える本願発明は、「モリブデン層」の厚さを「アルミニウム合金層」の厚さとの相対関係において規定することの技術的意義を理解することができないものであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできない。
　
（３）小括
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるということはできない。
　
４　進歩性（特許法第２９条第２項）（理由ｂ）について
（１）本願発明
　本願発明は、上記１のとおりである。
　
（２）刊行物記載の発明
　平成２１年６月１９日付けで通知された拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３５７８４４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に反射電極を有する反射型液晶表示装置もしくは反射、透過型（以下半透過型と呼ぶ）液晶表示装置及びその製造方法に関する。」
　　
　イ　「【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。・・・
【００２２】図１、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０には、透明絶縁性基板１０ａ上に複数の走査線１１と複数の信号線１２がほぼ直交して配設され、その交点近傍にこれらに接続されてスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４が設けられ、これらがマトリクス状に配置されている。・・・
【００２３】また、走査線１１の端部にはアドレス信号を入力する走査線端子１５が、信号線１２の端部にはデータ信号を入力する信号線端子１６がそれぞれ設けられている。
・・・
【００３２】次に、上記構成のＴＦＴ基板の製造方法について説明する。・・・
【００３３】まず、厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板１０ａ上に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、ゲート電極４１、走査線１１（図示せず）、共通配線１３（図示せず）、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１を形成する。なお、配線材料としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡｌもしくはＡｌ合金上にＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜のように、抵抗が低く、薄膜形成及びフォトリソグラフィー技術によるパターンニングが容易な材料であればよい。（図５（ａ）、図８（ａ））
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜５３を成膜し、引き続きプラズマＣＶＤによりゲート絶縁膜５３上に厚さ１５０ｎｍ〜３００ｎｍのドーピングされていないアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と厚さ３０ｎｍ〜５０ｎｍのｎ＋型にドーピングされたアモルファスシリコン（ｎ＋型ａ−Ｓｉ）を成膜し、フォトリソ工程を通してパターンニングし、ａ−Ｓｉ層４４ａとｎ＋型ａ−Ｓｉ層４４ｂからなる半導体層４４を形成する。・・・
次に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし、ドレイン電極４２、ソース電極４３、信号線１２を形成する。その後、ドレイン電極４２、ソース電極４３をマスクにしてドライエッチングを行い、ドレイン電極４２とソース電極４３の間のｎ＋型ａ−Ｓｉ層４４ｂを除去する。・・・
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍの窒化シリコンを成膜してパッシベーション膜５４を形成し（図８（ｃ））、ソース電極４３上のパッシペーション膜５４と、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上のパッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして、それぞれコンタクトホール５５および端子部コンタクトホール６２を開口する。・・・次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし、走査線端子１５、信号線端子１６、共通配線端子１８の端子部金属膜６１上に接続電極６３と、共通配線１３の端部上に共通配線結束線１７（図示せず）と、信号線端子１６の端子部金属膜６１と信号線１２とを接続するための接続電極（図示せず）とを形成する。・・・」
　
　ウ　上記イから、「走査線端子１５」は、「（液晶表示装置の透明絶縁性基板１０ａ上に配設される複数の）走査線１１の端部に」「設けられ」、「アドレス信号を入力する」ものであって、「厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板１０ａ上に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて」「端子部金属膜６１を形成」し、「なお、配線材料としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡｌもしくはＡｌ合金上にＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜」であってもよく、「次に、プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜５３を成膜し」、「次に、プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍの窒化シリコンを成膜してパッシベーション膜５４を形成し」、「端子部金属膜６１上のパッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして」「端子部コンタクトホール６２を開口」し、「次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし」、「端子部金属膜６１上に接続電極６３」「を形成」して製造されるものである、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「液晶表示装置の透明絶縁性基板１０ａ上に配設される複数の走査線１１の端部に設けられ、アドレス信号を入力する走査線端子１５であって、
　厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板１０ａ上に、スパッタにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのＣｒ等の金属膜を成膜し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて端子部金属膜６１を形成し、なお、配線材料としては、Ｃｒに限らず、ＭｏやＡｌもしくはＡｌ合金上にＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜であってもよく、次に、プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜５３を成膜し、次に、プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍの窒化シリコンを成膜してパッシベーション膜５４を形成し、端子部金属膜６１上のパッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして端子部コンタクトホール６２を開口し、次に、スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし、端子部金属膜６１上に接続電極６３を形成して製造される、走査線端子１５。」
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　ア　引用発明の「端子部金属膜６１」は、「複数の走査線１１の端部に設けられ」たものであるといえるから、引用発明の「透明絶縁性基板１０ａ」、「複数の走査線１１」及び「（複数の走査線１１の端部に設けられた）端子部金属膜６１」は、それぞれ、本願発明の「アレイ基板」、「複数形成された信号配線」及び「（複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成された）パッド下部電極」に相当する。
　
　イ　引用発明の「『（プラズマＣＶＤにより厚さ３００ｎｍ〜５００ｎｍに成膜された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる）ゲート絶縁膜５３』及び『（プラズマＣＶＤにより厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍに形成された窒化シリコンからなる）パッシベーション膜５４）』」は、本願発明の「前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「（端子部金属膜６１上のパッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして開口した）端子部コンタクトホール６２」は、該パターニングをエッチングにより行うことは明らかであるから、本願発明の「（前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成された）コンタクトホール」に相当する。
　
　エ　引用発明の「（スパッタにより厚さ４０ｎｍ〜１００ｎｍのＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし、端子部金属膜６１上に形成される）接続電極６３」は、本願発明の「（前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触する）パッド端子電極」に相当する。
　
　オ　引用発明の「端子部金属膜６１」は、「Ｃｒに限らず、・・・Ａｌ合金上に・・・Ｍｏ・・・のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜であってもよ」いから、引用発明は、本願発明の「前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって」との事項を備える。
　
　カ　引用発明の「接続電極６３」は、「（端子部金属膜６１の）Ｍｏ」と接触するといえるから、引用発明は、本願発明の「前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する」との事項を備える。
　
　キ　引用発明の「走査線端子１５」は、本願発明の「液晶表示装置のパッド構造」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
「アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、
　前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、
　前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極と
　が含まれて構成され、
　前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、
　前記パッド端子電極は、前記下部電極を構成する前記モリブデン層と接触する
　液晶表示装置のパッド構造。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
　本願発明は、コンタクトホールの形成時にオーバーエッチングが発生した場合にも、モリブデン層全体がエッチングされることを防止するために、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成されるアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成されるのに対し、引用発明は、モリブデン層の厚さをアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成するのか否か明らかでない点。
　
（４）判断  
　上記相違点につき検討する。
　引用発明の「走査線端子１５」は、「端子部金属膜６１」として、「Ａｌ合金上に・・・Ｍｏ・・・のバリアメタルを形成した積層構造の配線膜」を用い、「パッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして」「開口」した「端子部コンタクトホール６２」に「ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フォトリソ工程を通してパターンニングし、端子部金属膜６１上に接続電極６３を形成して製造される」ものであるところ、アルミニウム（合金）とＩＴＯとを直接接触させると高抵抗化しやすい等の問題があるため、アルミニウム（合金）層とＩＴＯ層との間にモリブデンの層を設けることは本願の優先日時点で広く知られていた技術であることを踏まえると（必要なら、特開昭６１−１３２２７号公報（第１頁右下欄第８行〜第２頁右上欄第１２行）、特開平３−２４６５２４号公報（第２頁左上欄第１〜４行、同頁左下欄第４〜８行）、特開２００１−１６６３３６号公報（【０００３】〜【０００６】）、特開２００３−８９８６４号公報（【０００６】）、特開２００３−６６４８９号公報（【０００５】）参照。）、引用発明の「Ｍｏのバリアメタル」は、Ａｌ合金とＩＴＯとが直接接触するのを防ぐために設けられたものであることは明らかである。しかるところ、「端子部金属膜６１上のパッシペーション膜５４及びゲート絶縁膜５３とをパターニングして端子部コンタクトホール６２を開口」する引用発明において、当該「端子部コンタクトホール６２」を開口する際に、オーバーエッチングにより「Ｍｏのバリアメタル」の層全体がエッチングされないようにすることは当業者が当然考慮すべき事項であるから、前記「Ｍｏのバリアメタル」の層全体がエッチングされることを防止するために当該「Ｍｏのバリアメタル」の層の厚さを「Ａｌ合金」の層の厚さより相対的に大きく形成し、その結果、「Ｍｏのバリアメタル」の層の厚さが、少なくとも前記「Ｍｏのバリアメタル」の下部に形成される「Ａｌ合金」層の厚さの１／４より大きくなるように形成して、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（５）小括
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上、３及び４のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるといえず、また、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。