【手続補正書】
【提出日】平成18年10月30日(2006.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
組成が傾斜している傾斜層を含む基板上に歪み半導体層を形成し、該歪み半導体層が少なくとも１つのＩＶ族元素を含んでおり、
該歪み半導体層の最上面の少なくとも一部分上にスクリーン層を堆積し、
スクリーン層を介して半導体構造内にドーパントを導入し、
前記半導体構造を処理して、その上に少なくとも部分的にＣＭＯＳデバイスを形成し、前記ＣＭＯＳデバイスが、前記歪み半導体層を通るするチャネルを有している、方法。
【請求項２】
前記基板が、シリコンおよびゲルマニウムのうち少なくとも１つからなっている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記歪み半導体層が引張り歪みを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記歪み半導体層が、引張り歪みシリコンまたは引張り歪みシリコン-ゲルマニウム合金からなる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記歪み半導体層が圧縮歪みを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記歪み半導体層が、圧縮歪みゲルマニウムまたは圧縮歪みシリコン-ゲルマニウム合金からなる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記歪み層が、約５ｎｍから約１００ｎｍ（約５０Åから約１０００Å）の範囲の厚みを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記歪み層の厚みが約３０ｎｍ（約３００Å）を超えない、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記歪み層の厚みが約２０ｎｍ（約２００Å）を超えない、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記スクリーン層の堆積により、前記歪み半導体の厚みが実質的に変化しない、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、前記歪み半導体層の下に設けられている緩和半導体層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記組成が傾斜している傾斜層が、前記緩和半導体層の下に設けられている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記傾斜層が、ＩＩ族、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族およびＶＩ族の元素のうち少なくとも１つからなる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記傾斜層が、シリコンおよびゲルマニウムのうち少なくとも１つからなる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記傾斜層の組成が、約１０％より高いゲルマニウム濃度まで傾斜している、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記傾斜層の厚みが約０．５μｍから約１０．０μｍの範囲にある、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記スクリーン層を堆積するステップが化学蒸着を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記スクリーン層が酸化物層からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記スクリーン層が、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウムおよび酸化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記スクリーン層が、約２ｎｍから約３０ｎｍ（約２０Åから約３００Å）の範囲の厚みを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記スクリーン層が、ドーパントを散乱させることおよびドーパントのエネルギーを低減させることのうち少なくとも１つによって、前記構造の少なくとも一部分へのドーパントの導入に影響を与える、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記構造に熱アニールを施すステップであって、前記スクリーン層が、前記構造の少なくとも一部からドーパントが外へ拡散することを防止するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記スクリーン層の堆積前に、前記歪み半導体層の最上面の一部分上に酸化物層を成長させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記酸化物層を急速熱酸化によって成長させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記酸化物層の厚みが約０．５ｎｍから約３ｎｍ（約５Åから約３０Å）の範囲にある、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
構造を形成する方法であって、
基板上に歪み半導体層を形成し、
前記歪み半導体層の最上面の少なくとも一部上に酸化物層を成長させ、
前記酸化物層上にパッド酸化物層を堆積し、
前記パッド酸化物層上にマスク層を形成することを含み、
前記パッド酸化物層が、応力によって導入された歪み半導体層中の欠陥の生成を実質的に防止する、方法。
【請求項２７】
前記マスク層が窒化シリコンからなる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記酸化物層を急速熱酸化によって成長させる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
酸化物層の厚みが約０．５ｎｍから約３ｎｍ（約５Åから約３０Å）の範囲にある、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板がシリコンおよびゲルマニウムのうち少なくとも１つからなっている、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記歪み半導体層が引張り歪みを有している、請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
前記歪み半導体層が、引張り歪みシリコンまたは引張り歪みシリコン-ゲルマニウム合金からなっている、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記歪み半導体層が圧縮歪みを有している、請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】
前記歪み半導体層が、圧縮歪みゲルマニウムまたは圧縮歪みシリコン-ゲルマニウム合金からなっている、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記歪み層が約５ｎｍから約１００ｎｍ（約５０Åから約１０００Å）の範囲の厚みを有している、請求項２６に記載の方法。
【請求項３６】
前記歪み層の厚みが約３０ｎｍ（約３００Å）を超えない、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記歪み層の厚みが約２０ｎｍ（約２００Å）を超えない、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
パッド酸化物層の堆積により、前記歪み半導体の厚みが実質的に変化しない、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
前記基板が、前記歪み半導体層の下に設けられている絶縁層を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項４０】
前記基板が、前記歪み半導体層の下に設けられている緩和半導体層を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項４１】
前記基板が、前記緩和半導体層の下に設けられている組成が傾斜している傾斜層をさらに含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記傾斜層が、ＩＩ族、ＩＩＩ族、ＩＶ族、Ｖ族およびＶＩ族の元素のうち少なくとも１つからなる、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記傾斜層が、シリコンおよびゲルマニウムのうち少なくとも１つからなる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記傾斜層の組成が、約１０％より高いゲルマニウム濃度まで傾斜している、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記傾斜層の厚みが約０．５μｍから約１０．０μｍの範囲にある、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記パッド酸化物層を堆積させるステップが、化学蒸着を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項４７】
前記パッド酸化物層が、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウムおよび酸化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項２６に記載の方法。
【請求項４８】
前記パッド酸化物層が、約５ｎｍから約５０ｎｍ（約５０Åから約５００Å）の範囲の厚みを有している、請求項２６に記載の方法。
【請求項４９】
半導体構造を形成する方法であって、
基板上に、少なくとも１つのＩＶ族元素を含む歪み半導体層を形成し、
前記歪み半導体層上に、酸化物を含むスクリーン層を堆積し、
前記スクリーン層を通して、前記半導体構造中にｎ型またはｐ型ドーパントを導入し、該スクリーン層が、ドーパントを散乱させることおよびドーパントのエネルギーを低減させることのうち少なくとも１つによって、前記構造の少なくとも一部内へのドーパントの導入に作用する、方法であって、
前記基板が、歪み半導体層の下に設けられた緩和半導体層、および該緩和半導体層の下に設けられた組成傾斜層を含む、方法。
【請求項５０】
前記基板が、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記歪み層が、約５〜１００ｎｍ（約５０〜１０００Å）の範囲の厚みを有する、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
前記歪み層の厚みが約３０ｎｍ（約３００Å）を超えない、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記歪み半導体の厚みが、スクリーン層の堆積後、実質的に変化していない、請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】
前記傾斜層が、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５５】
前記傾斜層が、ゲルマニウム約１０％の濃度まで傾斜している、請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記スクリーン層を堆積するステップが、化学蒸着を含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５７】
前記スクリーン層が、二酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウム、酸化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項４９に記載の方法。
【請求項５８】
前記スクリーン層が、約２〜３０ｎｍ（約２０〜３００Å）の範囲の厚みを有する、請求項４９に記載の方法。
【請求項５９】
前記構造に熱アニールを施すことをさらに含み、前記スクリーン層が、前記ドーパントが基板の少なくとも一部から外へ拡散することを防止する、請求項４９に記載の方法。
【請求項６０】
前記スクリーン層の堆積前に、前記歪み半導体層の最上面の一部上に、酸化物層を成長させることをさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項６１】
前記酸化物層を、急速熱酸化によって成長させる、請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
前記酸化物層が、約０．５〜３ｎｍ（約５〜３０Å）の範囲の厚みを有する、請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
半導体構造を形成する方法であって、
基板上に、少なくとも１つのＩＶ族元素を含む歪み半導体層を形成し、
前記歪み半導体層の最上面の少なくとも一部上に、酸化物を含むスクリーン層を堆積し、
前記スクリーン層を通して、半導体構造内にｎ型およびｐ型ドーパントを導入し、該スクリーン層が、前記ドーパントを散乱させることおよびドーパントのエネルギーを低下させることのうち少なくとも１つによって、前記構造の少なくとも一部内へのドーパントの導入に作用する、方法であって、
前記基板が、前記歪み半導体層の下に設けられている絶縁層を含み、前記歪み半導体層の厚みが約１００ｎｍ（約１０００Å）を超えない、方法。
【請求項６４】
前記基板が、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
前記歪み層の厚みが、約５〜１００ｎｍ（約５０〜１０００Å）の範囲から選択される、請求項６３に記載の方法。
【請求項６６】
前記歪み層の厚みが約３０ｎｍ（約３００Å）を超えない、請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
前記歪み半導体の厚みが、前記スクリーン層の堆積後、実質的に変化しない、請求項６５に記載の方法。
【請求項６８】
前記スクリーン層を堆積するステップが、化学蒸着を含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項６９】
前記スクリーン層が、二酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウムおよび酸化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項６３に記載の方法。
【請求項７０】
前記スクリーン層が、約２〜３０ｎｍ（約２０〜３００Å）の範囲の厚みを有する、請求項６３に記載の方法。
【請求項７１】
前記構造に熱アニールを施すことをさらに含み、前記スクリーン層が、前記ドーパントが前記基板の少なくとも一部から外へ拡散することを防止する、請求項６３に記載の方法。
【請求項７２】
前記スクリーン層の堆積前に、前記歪み半導体層の最上面の一部上に酸化物層を成長させることをさらに含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項７３】
前記酸化物層を、急速熱酸化によって成長させる、請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
前記酸化物層の厚みが、約０．５〜３ｎｍ（約５〜３０Å）の範囲にある、請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
構造を形成する方法であって、
基板上に、歪み半導体層を形成し、
前記歪み半導体層の最上面の少なくとも一部上に、パッド酸化物層を堆積し、
前記パッド酸化物層上にマスク層を形成し、該パッド酸化物層が、前記歪み半導体層中の、応力によって導入された欠陥の形成を実質的に防止する、方法であって、
前記パッド酸化物層が、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウムまたは酸化ゲルマニウムの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項７６】
半導体構造を形成する方法であって、
絶縁層を含む基板を設け、
前記絶縁層上に、少なくとも１つのＩＶ族元素を含む歪み半導体層を形成し、
前記歪み半導体層の最上面の少なくとも一部上に、スクリーン層を堆積し、
前記スクリーン層を通して、前記半導体構造内にドーパントを導入し、
前記半導体構造を処理してその上に少なくとも部分的にＣＭＯＳデバイスを形成し、前記ＣＭＯＳデバイスが、前記歪み半導体層を通るチャネルを有している、方法。
【請求項７７】
前記基板が、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項７６に記載の方法。
【請求項７８】
前記歪み半導体層が、引張り歪みを有している、請求項７６に記載の方法。
【請求項７９】
前記歪み半導体層が、引張り歪みシリコンまたは引張り歪みシリコンゲルマニウムアロイを含む、請求項７８に記載の方法。
【請求項８０】
前記歪み半導体層が、圧縮歪みを有している、請求項７６に記載の方法。
【請求項８１】
前記歪み半導体層が、圧縮歪みシリコンまたは圧縮歪みシリコンゲルマニウムアロイを含む、請求項８０に記載の方法。
【請求項８２】
前記歪み層が、約５〜１００ｎｍ（約５０〜１０００Å）の範囲の厚みを有する、請求項７６に記載の方法。
【請求項８３】
前記歪み層の厚みが約３０ｎｍ（約３００Å）を超えない、請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
前記歪み層が  約２０ｎｍ（約２００Å）を超えない、請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
前記歪み半導体の厚みが、前記スクリーン層の堆積後、実質的に変化しない、請求項８２に記載の方法。
【請求項８６】
前記スクリーン層を堆積するステップが、化学蒸着を含む、請求項７６に記載の方法。
【請求項８７】
前記スクリーン層が、酸化物層を含む、請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】
前記スクリーン層が、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンゲルマニウムおよび酸化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項８６に記載の方法。
【請求項８９】
前記スクリーン層が、約２〜３０ｎｍ（約２０〜３００Å）の範囲の厚みを有する、請求項７６に記載の方法。
【請求項９０】
前記スクリーン層が、前記ドーパントを散乱させることおよび前記ドーパントのエネルギーを低下させることの少なくとも１つによって、前記構造の少なくとも一部内へのドーパントの導入に作用する、請求項７６に記載の方法。
【請求項９１】
前記構造に熱アニールを施すことをさらに含み、
前記スクリーン層が、前記基板の少なくとも一部から外側へのドーパントの拡散を防止する、請求項９０に記載の方法。
【請求項９２】
前記スクリーン層の堆積後、前記歪み半導体層の最上面の一部上に酸化物層を成長させることをさらに含む、請求項７６に記載の方法。
【請求項９３】
前記酸化物層を、急速熱酸化によって成長させる、請求項９２に記載の方法。
【請求項９４】
前記酸化物層の厚みが、約０．５〜３ｎｍ（約５〜３０Å）の範囲にある、請求項９３に記載の方法。