【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板を加工するための高圧加工チャンバであって、以下のものを備えたチャンバ。
ａ  超臨界流体を使用しながら前記複数の半導体基板を高圧加工するための高圧チャンバハウジング
ｂ  前記チャンバハウジングに対して取り外しができるように取り付けられており、高圧加工時に、取り外し自在に所定位置にスナップ留めするようされた固定用部材により複数の溝に前記複数の半導体基板を固定するようにした第１カセット
ｃ  前記チャンバハウジングに結合されたチャンバ閉鎖体であって、前記複数の半導体基板の高圧加工時に、前記第１カセットを収容する囲繞体を提供できるよう、前記チャンバハウジングにシールされている、チャンバ閉鎖体
【請求項２】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記囲繞体が、超臨界状態より低い高圧加工のための環境をサポートするように構成されていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項３】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
固定される前記複数の半導体基板のうち少なくとも１つが、半導体ウエハであることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項４】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
固定される前記複数の半導体基板のうち少なくとも１つが、半導体パックであることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項５】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記複数の半導体基板のうち少なくとも１つが、複数の半導体デバイスを固定するためのトレイ皿を備えており、
さらに前記チャンバハウジングと前記第１カセットが、トレイ皿を収容するようにしたことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項６】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットを、第２カセットに置き換え可能であることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項７】
請求項６に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットと前記第２カセットを前記囲繞体の中へ取り付け、かつ前記囲繞体から取り外すロボットを設置したことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項８】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットが、噴射ノズル配列体をさらに備えたことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項９】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットが、流体出口配列体をさらに備えたことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１０】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記噴射ノズル配列体および前記流体出口配列体をさらに備え、前記噴射ノズル配列体および前記流体出口配列体はいずれも前記囲繞体に結合されていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の高圧加工チャンバであって、
前記噴射ノズル配列体および前記流体出口配列体が、前記複数の半導体基板の近傍に前記超臨界流体の加工用流体の流れを発生させるように構成されていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記加工用流体の流れが、前記複数の各半導体基板の表面を横断する流れを備えていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高圧加工チャンバであって、
前記噴射ノズル配列体は、前記複数の各半導体基板の第１の側におけるガス噴射手段を備え、
前記流体出口配列体は、前記複数の各半導体基板の反対側におけるガス吸収手段を備えることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１４】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記チャンバハウジングは、第１と第２の端面を持った概略円筒形長尺体を備えることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１５】
請求項１４に記載の高圧加工チャンバであって、
前記チャンバハウジングは、前記概略円筒形長尺体の前記第１端面が、ドーム形天井面を備えていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１６】
請求項１４に記載の高圧加工チャンバであって、
前記チャンバ閉鎖体は、前記チャンバハウジングの前記概略円筒形長尺体の前記第２端面に対してシールするようにされていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１７】
請求項１４に記載の高圧加工チャンバであって、
前記チャンバ閉鎖体は、ドーム形天井面を備えていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項１８】
複数の半導体基板を加工するための高圧加工チャンバであって、以下のものを備えたチャンバ。
ａ  高圧流体を使用しながら前記複数の半導体基板を高圧加工するための高圧チャンバハウジング
ｂ  前記チャンバハウジングに対して取り外しができるように取り付けられており、高圧加工時に、取り外し自在に所定位置にスナップ留めするようされた固定用部材により複数の溝に前記複数の半導体基板を固定するようにした第１カセット
ｃ  前記チャンバハウジングに結合されたチャンバ閉鎖体であって、運転中に、複数の半導体基板の高圧加工のための囲繞体を提供できるよう、チャンバ閉鎖体が、チャンバハウジングとともにシールされている、チャンバ閉鎖体
ｄ  前記チャンバハウジングの内部で結合され、かつ、前記複数の各半導体基板の表面を横断する加工用流体の流れを同時に発生させるように構成されている噴射ノズル配列体および流体出口配列体
【請求項１９】
複数の半導体基板を加工するための高圧加工チャンバであって、以下のものを備えたチャンバ。
ａ  高圧流体を使用しながら前記複数の半導体基板を高圧加工するための高圧チャンバハウジング
ｂ  前記チャンバハウジングに対して取り外しができるように取り付けられており、高圧加工時に、取り外し自在に所定位置にスナップ留めするようされた固定用部材により複数の溝に前記複数の半導体基板を固定するようにした第１カセット
ｃ  前記チャンバハウジングに結合されたチャンバ閉鎖体であって、前記複数の半導体基板の高圧加工用の囲繞体を提供できるよう、前記チャンバハウジングにシールされている、チャンバ閉鎖体
ｄ  チャンバハウジングに結合されたロボットであって、高圧加工の前に、第１カセットをチャンバハウジングの内部に取り付け、高圧加工後に、第１カセットを取り外し移動するようにされているロボット
【請求項２０】
複数の半導体基板を加工するための高圧加工チャンバであって、以下のものを備えたチャンバ。
ａ  高圧流体を使用しながら前記複数の半導体基板を高圧加工するための高圧チャンバハウジング
ｂ  前記チャンバハウジングに対して取り外しができるように取り付けられており、高圧加工時に、取り外し自在に所定位置にスナップ留めするようされた固定用部材により複数の溝に前記複数の半導体基板を固定するようにした第１カセット
ｃ  前記チャンバハウジングに結合されたチャンバ閉鎖体であって、前記複数の半導体基板の高圧加工用の囲繞体を提供できるよう、前記チャンバハウジングにシールされている、チャンバ閉鎖体
ｄ  いずれもチャンバハウジング内に結合され、かつ、複数の各半導体基板の表面を横断して加工用流体の流れを同時に発生させるように構成されている、類似サイズノズルの噴射ノズル配列体および類似サイズ出口の流体出口配列体
ｅ  チャンバハウジングに結合されたロボットであって、高圧加工の前に、第１カセットをチャンバハウジングの内部に取り付け、高圧加工後に、第１カセットを取り外し移動するようにされているロボット
【請求項２１】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットが複数組の固定用溝と１つの保持用部分とを備え、前記各固定用溝が、前記複数の半導体基板の１つの端と係合するように構成されており、前記固定用溝の各組が、前記保持用部分に対向する第２固定用溝および第３固定用溝と対向する第１固定用溝を含み、高圧加工時に前記複数の各半導体基板が動かないように固定されることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２２】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記複数の固定用溝が、垂直方向に配列されていることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２３】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットが、半導体基板保持部にヒンジを使って固定する方式で結合されている半導体基板保持部を備えることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２４】
請求項１１に記載の高圧加工チャンバであって、
さらに、前記噴射ノズル配列体に結合された超臨界状態発生器を備えることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２５】
請求項２４に記載の高圧加工チャンバであって、前記超臨界状態発生器が以下のものを備えた高圧加工チャンバ。
ａ  流体供給容器
ｂ  前記流体供給容器に結合された流体ポンプ
ｃ  前記流体ポンプと前記噴射ノズル配列体との間に設置された第１ヒータ
ｄ  前記チャンバハウジングに結合された第２ヒータ
【請求項２６】
請求項２５に記載の高圧加工チャンバであって、
前記流体供給容器が、炭酸ガスを含むことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２７】
請求項１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記第１カセットが、自動昇降装置に係合されるようにされた持ち上げ用造作部を備えたことを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項２８】
複数の基板を高圧加工する方法であって、以下のステップを備えた高圧加工方法。
ａ  カセット内に複数の基板を固定するステップ
ｂ  カセットを高圧加工チャンバ内へ取り付けるステップ
ｃ  前記高圧加工チャンバ内で複数の基板を加工するステップ
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、
前記複数の基板を固定するステップが、前記複数の基板のそれぞれの端を固定するステップを備えることを特徴とする、方法。
【請求項３０】
請求項２８に記載の方法であって、
前記加工するステップが、超臨界環境の中で加工するステップを備えることを特徴とする、方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法であって、
前記超臨界環境が、超臨界ＣＯ２から成ることを特徴とする、方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、
前記加工するステップが、前記複数の基板を横断する加工流体流れを発生させるステップを備えることを特徴とする、方法。
【請求項３３】
請求項２１に記載の高圧加工チャンバであって、
前記保持用部分が、保持用バーから成ることを特徴とする、高圧加工チャンバ。
【請求項３４】
請求項１３に記載の高圧加工チャンバであって、
前記ガス噴射手段が、複数組のノズルを備え、
前記ガス吸収手段が、対応する複数組の出口を備え、
さらに１組のノズルの各ノズルおよび対応する１組の出口の１つの出口が、実質上、単一平面内に位置付けられ、
該単一平面が、前記複数の半導体基板の１つの前記第１の側を越える流体流れを画定していることを特徴とする、高圧加工チャンバ。