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　特願２００３−３３８１６９「固体撮像素子及びその駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日出願公開，特開２００５−１０９０２１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１５年９月２９日の出願であって，平成２１年６月１日付けで拒絶理由が通知され，同年７月２７日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１０月８日付けで再度拒絶理由が通知され，同年１２月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２２年３月２５日付けで拒絶査定がなされ，それに対して，同年６月２９日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。　
　
２．本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２１年１２月１４日付け手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　受光センサ部と垂直転送レジスタとが形成され，前記受光センサ部と前記垂直転送レジスタとの間に，読み出しゲート部が形成されて撮像領域が構成され，
　前記撮像領域において，前記受光センサ部を除く領域が遮光膜で覆われ，
　前記遮光膜が，前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を，前記垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね，
　前記読み出しゲート部がＮ型の半導体領域から形成され，
　前記信号電荷の読み出し時以外は，前記遮光膜に，前記読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような負電圧が印加され，
　前記信号電荷の読み出し時は，前記遮光膜に，前記反転層が消去されるような正電圧が印加される
　固体撮像素子。」
　
３．引用例の記載と引用発明 
（１）特開平４−２４５６７９号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−２４５６７９号公報（以下「引用例１」という。）には，「固体撮像装置」（発明の名称）について，図１ないし図８とともに，次の記載がある。 
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関するものである。」
・「【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の平面図を図５に示す。
この固体撮像装置は，アレイ状に配列された画素１と，フィールドシフトゲート部２と，垂直ＣＣＤレジスタ３と，水平ＣＣＤレジスタ４と出力回路５とを備えている。フィールドシフトゲート部２は画素１に蓄積された信号電荷の，垂直ＣＣＤシフトレジスタ３への移送を制御する
【０００３】図５に示す切断線Ａ−Ａ′で切断した固体撮像装置の断面を図６に示す。図６において，上記固体撮像装置は，Ｎ型半導体基板６上にｐウェル領域７が形成され，このｐウェル領域７の表面付近に，表面がｐ＋　領域によって電気的にシールドされたｎ＋　領域のフォトダイオード８，及びｎ−　領域９が形成されている。このｎ−　領域９は垂直ＣＣＤレジスタ３の埋込み型の転送チャネルである。なお，素子分離はｐ＋　不純物層のチャネルストップ領域１０によって行う。
フォトダイオード８と転送チャネル９との間のシフトチャネル１２が図５のフィールドシフトゲート部２に対応している
【０００４】又，転送電極１１上には，絶縁膜を介して例えばＭｏＳｉ２からなる光遮へい膜１３が設けられている。この光遮へい膜１３は転送電極１１を覆っているばかりでなく，転送チャネル９への光の漏れ込みによるスミア成分を抑制するために，フォトダイオード８の端部近傍まで延びて，この端部近傍も覆っている。この光遮へい膜１３上にはＳｉＯ２からなる絶縁膜１５を介して金属，例えばＡｌからなる光遮へい膜１４が設けられている。なお，光遮へい膜１３を形成しないで光遮へい膜１４のみを形成する場合もあるが，この場合はスミアの低減は困難である。
【０００５】次に図６に示す従来の固体撮像装置の動作を図７及び図８を参照して説明する。なお，半導体基板６とｐウェル７との間に逆バイアス電圧ＶＯＦＤ　が印加されている。転送電極１１に印加電圧ＶＧ　が印加された時に，転送チャネル９及びシフトチャネル１２に形成される電位井戸の特性を図７のグラフｇ１　及びｇ２　に各々示す。転送チャネル９は印加電圧ＶＧ　が零Ｖでも値Ｖ５　の電位井戸が形成されるが，負電圧を大きくしていくとやがてピンニング状態になり，電位井戸が変調されなくなる（グラフｇ１　参照）。又，シフトチャネル１２は表面チャネルタイプのため，転送電極１１の印加電圧ＶＧ　が負電圧になると電位井戸の値は零Ｖになるが，ショートチャネル効果が出ると印加電圧ＶＧ　が零Ｖでも電位井戸の値は零とならない（グラフｇ２　参照）。
【０００６】このような特性を有する固体撮像装置において，図６に示す切断線Ｂ−Ｂ′に沿った電位井戸のプロファイルを図８に示す。図７及び図８において，符号Ｂ１　は半導体基板領域６を，符号Ｂ２　はｐウェル領域７を，符号Ｂ３　はフォトダイオード領域８を，符号Ｂ４　はシフトチャネル領域１２を，符号Ｂ５　は転送チャネル領域９を示している。ｐウェル７は図６から分かるように零電位に設定されるが，ｐウェル７と半導体基板６間及びｐウェル７とフォトダイオード８間は各々逆バイアスされているためＢ２　領域ではパンチスルー状態になり，電位井戸Ｖβが形成された状態になっている。
転送電極１１にシフトパルスＶ
ＦＳ
（＞０，図７参照）が印加されるとシフトチャネル１２の電位井戸が開き，即ちその値がＶ
４　
になって，フォトダイオード部８において発生した信号電荷が垂直ＣＣＤレジスタ３の転送チャネル９に移送される
・「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の固体撮像装置において，
スミアを低減する
・「【００１３】
【実施例】本発明による固体撮像装置の一実施例の断面を図１に示す。
この実施例の固体撮像装置は，図６に示す従来の固体撮像装置において，フィールドシフトゲート部（移送部）のシフトチャネル１２のシフトゲートを転送電極１１と分離し，この転送電極１１への光の漏れ込みを防止する光遮へい膜１３がシフトゲートを兼ねるように形成したものである。
スミアを防止することが可能
【００１４】この実施例の固体撮像装置の転送チャネル９及びシフトチャネル１２に形成される電位井戸の特性を図２のグラフｈ１　及びｈ２　に各々示す。この特性グラフは従来の装置の特性グラフと同様であるが，本実施例においては，シフトゲート１３と転送電極１１が分離されているので，従来と異なり
シフトゲート１３に印加されるシフトパルスのロウレベルＶ
ＦＳ
Ｌ　
を負電位にとることができる
シフトパルスのハイレベルＶ
ＦＳ
Ｈ　
及び転送パルスのロウレベルＶ
Ｌ　
は従来と同様の値とする
信号電荷が転送チャネル領域を転送されているときはシフトゲート１３にはシフトパルスのロウレベルＶ
ＦＳ
Ｌ　
（＜０）が印加され，シフトチャネル１２の電位井戸の開き（図８のＶ
１　
に相当する部分）は零となる。
【００１５】以上述べたように本実施例においては，
信号電荷がフォトダイオード部８からシフトチャネル１２を介して転送チャネル８に移送される期間，すなわちシフト期間以外はシフトゲートに負電位Ｖ
ＦＳ
Ｌ
（＜０）が印加される
【００１６】又，フィールドシフトゲート長Ｌ１　を短くしても，シフトチャネル１２の電位井戸の開きが発生しないため，ダイオード８下のｐウェル電位はブルーミング電位マージンＶβだけ開けておけば良い。これによりフォトダイオード８に蓄積できる電荷量を決める電位差Ｖα−Ｖβを大きくとることが可能となり，飽和出力電圧が大きくとれて微細化に有利となる。更に，
シフトチャネル１２に負電圧Ｖ
ＦＳ
Ｌ　
が印加されている時はシフトチャネル１２は蓄積状態になり
　
（２）引用発明
　ア　引用例１の図１に示される固体撮像装置について，「この実施例の固体撮像装置は，図６に示す従来の固体撮像装置において，フィールドシフトゲート部（移送部）のシフトチャネル１２のシフトゲートを転送電極１１と分離し，この転送電極１１への光の漏れ込みを防止する光遮へい膜１３がシフトゲートを兼ねるように形成したものである。」（【００１３】段落）と記載され，図５及び図６に記載の従来の固体撮像装置について，「アレイ状に配列された画素１と，フィールドシフトゲート部２と，垂直ＣＣＤレジスタ３と，水平ＣＣＤレジスタ４と出力回路５とを備えている。」（段落【０００２】），「ｐウェル領域７の表面付近に，表面がｐ＋　領域によって電気的にシールドされたｎ＋　領域のフォトダイオード８，及びｎ−　領域９が形成されている。このｎ−　領域９は垂直ＣＣＤレジスタ３の埋込み型の転送チャネルである。・・・フォトダイオード８と転送チャネル９との間のシフトチャネル１２が図５のフィールドシフトゲート部２に対応している。」（段落【０００３】）と記載されているから，引用例１の図１に示される固体撮像装置は，アレイ状に配列された画素１（フォトダイオード８）と，垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）と，画素１（フォトダイオード８）と垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）との間のフィールドシフトゲート部２（シフトチャネル１２）を備えている。
　イ　引用例１において「シフトパルスのハイレベルＶＦＳＨ　及び転送パルスのロウレベルＶＬ　は従来と同様の値とする。」（段落【００１４】）と記載され，従来技術の説明において「転送電極１１にシフトパルスＶＦＳ（＞０，図７参照）が印加されるとシフトチャネル１２の電位井戸が開き，即ちその値がＶ４　になって，フォトダイオード部８において発生した信号電荷が垂直ＣＣＤレジスタ３の転送チャネル９に移送される（図８参照）。」（段落【０００６】）と記載されているので，従来のシフトパルスＶＦＳ（＞０）が，図１記載の固体撮像装置のシフトパルスのハイレベルＶＦＳＨ　に相当し，そのハイレベルＶＦＳＨ　は，正（即ち，＞０）の値である。
　ウ　よって，上記記載事項及び図示の内容を総合すれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「アレイ状に配列された画素１（フォトダイオード８）と，垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）と，画素１と垂直ＣＣＤレジスタ３との間のフィールドシフトゲート部２（シフトチャネル１２）を備え，
　転送電極１１を覆っている光遮へい膜１３がシフトゲートを兼ね，
　信号電荷が転送チャネル領域を転送されているときはシフトゲート１３にはシフトパルスのロウレベルＶＦＳＬ　（＜０）が印加され，
　シフトチャネル１２に負電圧ＶＦＳＬ　が印加されている時はシフトチャネル１２は蓄積状態になり，
　信号電荷がフォトダイオード部８からシフトチャネル１２を介して転送チャネル８に移送される期間は，シフトゲート１３にシフトパルスのハイレベルＶＦＳＨ（＞０）が印加される
　固体撮像装置。」
　
（３）特開２００３−２３４４６３号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−２３４４６３号公報（以下「引用例２」という。）には，「電荷結合デバイス」（発明の名称）について，図１とともに，次の記載がある。 
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
ｎ形半導体基板上に形成した電荷結合デバイス
・「【０００９】図１に模式的断面図で構造を示した本発明の第１の実施の形態にかかる電荷結合デバイス（ＣＣＤ）１０は，
固体撮像素子として使用される
ｎ形半導体基板１２上に形成されている。ｎ形半導体基板１２には，ｐ形拡散層から成る第１ｐウェル１４が形成されており，この第１ｐウェル１４の上に，低ドープｎ形半導体層１６が形成されている。
低ドープｎ形半導体層１６には，ｎ形拡散領域から成る複数の光電変換領域１８がアレイを成すように形成されており
【００１１】低ドープｎ形半導体層１６には更に，ｎ形拡散領域から成る複数の電荷転送路２２が形成されていると共に，各々にそれら電荷転送路２２に付随する複数のチャネルストップ部２４及び第２ｐウェル部２５が形成されている。１つの電荷転送路２２に付随するチャネルストップ部２４は，その電荷転送路２２の一側に接して形成された高ドープｐ形拡散領域で構成されており，第２ｐウェル部２５はその電荷転送路２２の底部に接して形成された高ドープｐ形拡散領域で構成されている。そして，低ドープｎ形半導体層１６の厚さを，チャネルストップ部２４及び第２ｐウェル部２５の深さと比べて十分に大きくすることで，第１ｐウェル１４とチャネルストップ部２４及び第２ｐウェル部２５とを電気的に完全に分離している。
【００１２】更に，
光電変換領域１８，表面ホール蓄積層２０，電荷転送路２２，チャネルストップ部２４，及び第２ｐウェル部２５を形成した低ドープｎ形半導体層１６の上面を，絶縁層２６で覆い，この絶縁層２６上に，複数の光電変換領域１８の各々に対応させて複数のゲート電極２８を形成してある
【００１３】表面ホール蓄積層２０，チャネルストップ部２４，及び第２ｐウェル部２５は接地してあり，それによって，それらにグラウンド電位を与えている。また，ｎ形半導体基板１２には第１正電位Ｅ１を印加し，第１ｐウェル１４には第２正電位Ｅ２を印加している。
【００１４】特に，図１の実施の形態では，第１ｐウェル１４をｎ形半導体基板１２の端面に露出させ，その露出部を介して第１ｐウェル１４に第２正電位Ｅ２を与えるようにしている。
【００１５】
ｎ形半導体基板１２に印加する第１正電位Ｅ１は固定電圧としており，一方，第１ｐウェルに印加する第２正電位Ｅ２は調節可能な可変電圧としているが，ただし第２正電位Ｅ２は，それを最も高く設定したときでも，第１正電位Ｅ１より低い電位にとどまるようにしてあり，それによって，ｎ形半導体基板１２と第１ｐウェル１４との間のｐｎ接合に逆方向バイアスがかかるようにして，縦型オーバーフロードレイン構造（ＶＯＤ）を構成している。
・「【００２１】図１と図３の実施の形態のいずれにおいても，低ドープｎ形半導体層１６の厚さは１０μｍ以上にすることが好ましく，そうすることによって，一般的なｐＳＵＢ−ＣＣＤと同等の優れた近赤外感度を達成することができる。また，図１と図３の実施の形態のいずれも，
その基本構造はｎＳＵＢ−ＣＣＤであるため，一般的なｎＳＵＢ−ＣＣＤの特徴である，低スミア，無残像，高解像度等の長所を全て備えており
　
　引用例２の固体撮像素子において，段落【００１２】に「光電変換領域１８，表面ホール蓄積層２０，電荷転送路２２，チャネルストップ部２４，及び第２ｐウェル部２５を形成した低ドープｎ形半導体層１６の上面を，絶縁層２６で覆い，この絶縁層２６上に，複数の光電変換領域１８の各々に対応させて複数のゲート電極２８を形成」することが記載されおり，このゲート電極下の光電変換領域と電荷転送路との間の低ドープｎ形半導体層が，読み出しゲートに相当することは明らかである。
　よって，引用例２には以下の技術が開示されている。 
・読み出しゲート部が低ドープｎ形半導体層から形成されていること。
・固体撮像素子の基本構造はｎＳＵＢ−ＣＣＤであるため，一般的なｎＳＵＢ−ＣＣＤの特徴である，低スミア，無残像等の長所を全て備えていること。
　
（４）特開２００２−２８９５３４号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２８９５３４号公報（以下「引用例３」という。）には，「半導体装置の製造方法および固体撮像装置の選別方法」（発明の名称）について，図２とともに，以下の記載がある。
・「【００２１】垂直転送レジスタ６の
ｎ型の転送チャネル領域１５と受光部４のｎ
+ 
型の不純物領域１８との間に位置するｎ
--
型不純物領域が，読出ゲート領域となる
【００２２】これらの各種不純物領域が形成されたｎ--型の第２エピタキシャル層１３上は誘電体膜１４により被覆されている。誘電体膜１４は，図２では単層に描かれているが，実際は，垂直レジスタ６，読み出しゲート部５およびチャネルストップ領域上で，上下の酸化膜（たとえば，二酸化珪素膜）と，その間に挟まれ電荷蓄積能力を有した窒化膜（たとえば，窒化珪素膜）とからなる三層構造の誘電体膜となっている。これは，主に読み出しゲート部のしきい値電圧を変化させて，アンチブルーミング特性の調整を可能にするためである。この三層の誘電体膜１４が形成された，読出ゲート部５，垂直転送レジスタ６およびチャネルスットップ領域にかけては，たとえばポリシリコンからなる垂直転送電極２０が形成されている。この垂直転送電極２０は，とくに図示しないが，他のポリシリコン層からなる垂直転送電極と一部重なりながら垂直転送方向に繰り返して配置されている。また，垂直転送電極２０は，読出ゲート部５の制御用電極としても機能する。」
　
　よって，引用例３には，読み出しゲート部がｎ型（低濃度のｎ--型）の半導体領域から形成された固体撮像装置の記載がある。
　
４．対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係 
　ア　引用発明の，「画素１（フォトダイオード８）」，「垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）」，「フィールドシフトゲート部２（シフトチャネル１２）」及び「固体撮像装置」は，それぞれ，本願発明の，「受光センサ部」，「垂直転送レジスタ」，「読み出しゲート部」及び「固体撮像素子」に相当する。
　イ　引用発明は，「アレイ状に配列された画素１（フォトダイオード８）」を備えており，さらに，「垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）」及び「フィールドシフトゲート部２（シフトチャネル１２）」が設けられているので，それらをまとめた領域が，本願発明の「撮像領域」に相当する。
　したがって，引用発明の「アレイ状に配列された画素１（フォトダイオード８）と，垂直ＣＣＤレジスタ３（転送チャネル９）と，画素１と垂直ＣＣＤレジスタ３との間のフィールドシフトゲート部２（シフトチャネル１２）を備え」ることは，本願発明の「受光センサ部と垂直転送レジスタとが形成され，前記受光センサ部と前記垂直転送レジスタとの間に，読み出しゲート部が形成されて撮像領域が構成され」ることに相当する。
　ウ　引用発明の「光遮へい膜１３」は，転送電極１１を覆って光の漏れ込みを防止するものであるから，本願発明の「遮光膜」に相当し，技術常識及び図１からみて，撮像領域において「受光センサ部を除く領域」を覆うものであると認められる。
　また，引用発明の「光遮へい膜１３」はシフトゲートを兼ねており，しかも，引用発明では，フィールドシフトゲート部２は画素１に蓄積された信号電荷の，垂直ＣＣＤシフトレジスタ３への移送を制御するのであるから，本願発明と引用発明とは，「前記遮光膜が，前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を，前記垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね」ている点で，一致する。
　エ　引用発明の「信号電荷が転送チャネル領域を転送されているときはシフトゲート１３にはシフトパルスのロウレベルＶＦＳＬ　（＜０）が印加され」ることは，本願発明の「前記信号電荷の読み出し時以外は，前記遮光膜に」，「負電圧が印加され」ることに対応する。
　また，引用発明の「信号電荷がフォトダイオード部８からシフトチャネル１２を介して転送チャネル８に移送される期間は，シフトゲート１３にシフトパルスのハイレベルＶＦＳＨ（＞０）が印加される」ことは，本願発明の「前記信号電荷の読み出し時は，前記遮光膜に」，「正電圧が印加される」ことに対応する。
　
（２）一致点及び相違点 
　上記対応関係によれば，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。 
〈一致点〉
「受光センサ部と垂直転送レジスタとが形成され，前記受光センサ部と前記垂直転送レジスタとの間に，読み出しゲート部が形成されて撮像領域が構成され，
　前記撮像領域において，前記受光センサ部を除く領域が遮光膜で覆われ，
　前記遮光膜が，前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を，前記垂直転送レジスタに読み出すための読み出し電極を兼ね，
　前記信号電荷の読み出し時以外は，前記遮光膜に，負電圧が印加され，
　前記信号電荷の読み出し時は，前記遮光膜に，正電圧が印加される
　固体撮像素子。」
　
〈相違点〉
　本願発明は，「前記読み出しゲート部がＮ型の半導体領域から形成され，前記信号電荷の読み出し時以外は，前記遮光膜に，前記読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような負電圧が印加され，前記信号電荷の読み出し時は，前記遮光膜に，前記反転層が消去されるような正電圧が印加される」のに対し，引用発明は，シフトチャネル（読み出しゲート部）がＮ型とされておらず，反転層との関係で電圧が特定されていない点。
　
５．相違点についての判断 
（１）読み出しゲート部について 
　ア　まず，読み出しゲート部について検討すると，引用発明の実施例においては，シフトチャネル１２（読み出しゲート部）がＰウェル領域とされているが，これは，Ｎ型の半導体領域からなるフォトダイオード８及び転送チャネル９に対して，これらの領域の間のシフトチャネル１２をＰ型として，ＰＮ接合により各領域を分離するとともに，信号電荷の読み出し時は，シフトゲートである光遮へい膜１３に正電圧を印加し，フォトダイオード８と転送チャネル９との間のシフトチャネル１２の電位井戸を開いて信号電荷を移送しているものと認められる。
　イ　これに対して，光電変換領域と転送チャネル領域がＮ型の半導体領域であって，読み出しゲート部がＮ型の半導体領域（低濃度のＮ型半導体層）から形成されている固体撮像素子の構成は，引用例２，引用例３に記載されているように周知である。そして，このような読み出しゲート部がＮ型の半導体領域である固体撮像素子も，各領域に所定の電位を印加することにより，光電変換領域での電荷蓄積，信号電荷の読み出し，転送チャネル領域による信号電荷の転送という，引用発明と同様の動作をすることは，当業者にとって自明のことである。
　ウ　また，引用例２（段落【００２１】）には，低スミア，無残像等がｎＳＵＢ−ＣＣＤの特徴であり，引用例２に記載のものもその長所を備えている旨が記載されている。そして，スミアを防止することは，ＣＣＤ型の固体撮像素子において一般的な課題であり，引用発明においてもスミアを低減することを，解決しようとする課題の一つとしている（引用例１，段落【０００７】）。
　エ　そうすると，引用発明において，引用例２に記載のｎＳＵＢ−ＣＣＤ構造を採用し，読み出しゲート部がＮ型の半導体領域から形成される周知の構成とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）読み出し電極の電圧について
　ア　読み出し電極に印加する電圧を，信号電荷の読み出し時以外には，光電変換領域と転送チャネル領域が分離され，信号電荷の読み出し時には，両領域の間の電位井戸が開いて信号電荷が移送されるような電圧とすることは，固体撮像素子の技術常識といえる。
　イ　引用発明では，信号電荷の読み出し時以外は，シフトゲート１３，即ち，遮光膜に負電圧が印加されることが記載されている。読み出しゲート部（シフトチャネル）がＰ型の半導領域からなる場合は表面に正孔が集まり蓄積状態となるが，読み出しゲート部がＮ型の半導体領域とした場合には，負電圧が印加されると正孔により反転層が形成されることは当然予測されることである。
　また，引用発明では，信号電荷の読み出し時は，シフトゲート１３，即ち，遮光膜に正電圧が印加されることが記載されており，読み出しゲート部がＮ型の半導体領域とした場合に正電圧を印加すれば反転層が消去されることは，当然予測されることである。
　なお，読み出し電極に印加する負電圧をどの程度とするかは，基板の不純物濃度やＣＣＤの読み出しゲートとして求められるバリアの高さ等に基づいて決定すべき設計事項であり，Ｎ型領域に反転層が形成される程度の負電圧とすることは，当業者が適宜なし得るものである。
　ウ　したがって，引用発明において，読み出しゲート部がＮ型の半導体領域である周知の構造を勘案して，「前記信号電荷の読み出し時以外は，前記遮光膜に，前記読み出しゲート部の表面に反転層が形成されるような負電圧が印加され，前記信号電荷の読み出し時は，前記遮光膜に，前記反転層が消去されるような正電圧が印加される」ようにすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
（３）請求人の主張について
　ア　請求人は，審判請求書において，「本願発明の請求項１及び請求項３に係る発明及び本願の図１〜図５に示す実施の形態では，信号電荷の読み出し時以外において，負電圧の印加により，ｎ型の読み出しゲート部の表面が電荷のない反転状態となっており，読み出し時には反転状態を解消させるための比較的小さい正電圧で，信号電荷の読み出しを可能にします。　従いまして，引用例１の図１の構成と，本願発明の請求項１及び請求項３に係る発明及び本願の図１〜図５に示す実施の形態とでは，異なる作用効果が生じます。」（５ページ下から２行〜６ページ６行）と主張している。
　イ　しかしながら，このような電圧値の違いは，読み出しゲート部の半導体領域の不純物の導電型（Ｎ型かＰ型か）や不純物濃度に起因する，ＭＯＳゲート構造の閾値電圧の相違に基づくものであり，当業者にとって自明のことにすぎない。
　ウ　よって，請求人の主張する作用・効果は，当業者が予測し得る程度のものであり，格別のものではない。
　
６．小括 
　以上検討したとおり，相違点における本願発明の構成は，当業者が容易に想到し得たものであるから，本願発明は，引用発明及び引用例２，３の記載に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
 　 
７．結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２，３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。