【事件の表示】
　特願２００３−５１３０３４「イオン打ち込みによってサイドウォールの密度を局所的に高くする方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月２３日国際公開、ＷＯ０３／０７３６７、平成１６年　７月２９日国内公表、特表２００４−５２３１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００２年６月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年７月１０日、米国）を国際出願とする出願であって、平成１６年３月９日に特許協力条約第３４条補正の翻訳文が提出され、平成１７年１１月２４日に手続補正書が提出され、平成２０年１１月１７日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年５月２５日に手続補正書及び意見書が提出され、同年７月３０日付けの拒絶理由通知に対して、平成２２年２月１２日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年３月１２日付けで、平成２１年７月３０日付けの拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定がされ、これに対し、同年７月３０日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、平成２３年１１月１４日付けの審尋に対して回答書の提出がなされなかったものである。
　
　
第２　平成２２年７月３０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）について
　
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１の「打ち込む」を、補正後の請求項１の「イオン注入する」と補正する。
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項５の「処理を含む」を、補正後の請求項５の「処理とを含む」と補正する。
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項１０に２箇所ある「処理」を、いずれも、補正後の請求項１０の「処理と」と補正し、補正前の請求項１０の「打ち込む」を、補正後の請求項１０の「イオン注入する」と補正する。
〈補正事項ｄ〉
　補正前の請求項１９の「打ち込む」を、補正後の請求項１９の「イオン注入する」と補正する。
〈補正事項ｅ〉
　補正前の請求項２８の「打ち込む」を、補正後の請求項２８の「イオン注入する」と補正する。
〈補正事項ｆ〉
　補正前の請求項３７の「注入する」を、補正後の請求項３７の「イオン注入する」と補正する。
〈補正事項ｇ〉
　補正前の請求項４１に２箇所ある「注入する」を、それぞれ、補正後の請求項４１の「イオン注入する」と補正する。
　
　前記補正事項ａ〜ｇの補正は、特許法第１８４条の６第２項の規定により本願の願書に添付して提出した特許請求の範囲、明細書及び図面とみなされる、翻訳文及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項ａ、ｄ、ｅについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「打ち込む」を、補正後の請求項１の「イオン注入する」とする補正であり、補正前の請求項１の「打ち込む」を明りょうにする補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　また、補正事項ｄ、ｅについての補正についても、同様に、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（２）補正事項ｂについて
　　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項５の「処理を含む」を、補正後の請求項５の「処理とを含む」とする補正であり、補正前の請求項５の「処理を含む」を明りょうにする補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃについての補正は、補正前の請求項１０に２箇所ある「処理」を、いずれも、補正後の請求項１０の「処理と」とし、補正前の請求項１０の「打ち込む」を、補正後の請求項１０の「イオン注入する」とする補正であり、補正前の請求項１０の「処理」と「打ち込む」を明りょうにする補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（４）補正事項ｆ、ｇについて
　補正事項ｆについての補正は、補正前の請求項３７の「注入する」を、補正後の請求項３７の「イオン注入する」とする補正であり、補正前の請求項３７の「注入する」を明りょうにする補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　また、補正事項ｇについての補正についても、同様に、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に規定する要件を満たす。
　
　
第３　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１ないし請求項４５に係る発明は、平成２２年７月３０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４５に記載されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「第１導電構造体を形成する処理と、
　前記第１導電構造体の上に、誘電率が最大で４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料からなる第１絶縁層を形成する処理と、
　前記第１絶縁層において、前記第１導電構造体の少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第１開口部を形成する処理と、
　シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部にイオン注入することによって前記側壁部を高密度化する処理とを含む方法。」
　
２　引用例等の表示
　　引用例１：米国特許第６２２５２０４号明細書
　　引用例２：特開平０９−０６９５６２号公報
　
３　引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
３−１　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である、米国特許第６２２５２０４号明細書（Ｂ１）（以下「引用例１」という。）には、「ポイズンドビアとトレンチを防止するための方法」（発明の名称「METHOD FOR PREVENING POISONED VIAS AND TRENCHES」の翻訳文）に関して、図２とともに、次の記載がある（審決注：下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア　発明の背景等
・「１．発明の技術分野
　
この発明は
ポイズンドビアとトレンチの発生を防止するための方法に関する
 This invention relates to a method for fabricating multilevel interconnects, and more particularly, to a method for preventing the occurrence of poisoned vias and trenches.」の翻訳文）
　
　　イ　実施の形態
・「本発明は、図２Ａ〜２Ｅに示されるように、ポイズンドトレンチとビアの発生を効果的に防止するためのデュアルダマシン構造の新しい製造方法を提供することである。
　図２Ａを参照すると、エッチングストップ層２０４と
誘電体層２０６が、前もって形成された導電層２０２を含んでいるところの供給された基板２００の上に形成される
 Referring to FIG. 2A, an etching stop 204 and a dielectric layer 206 are formed on a provided substrate 200, wherein the substrate 200 contains a preformed conducting layer 202.」の翻訳文）
　
・「平坦化された誘電体層２０６の上に、もう一つのエッチングストップ層２０８と誘電体層２１０が、順次堆積される。」（引用例１の第２欄第６４〜６６行の「On the top of the planarized dielectric layer 206, another etching stop 208 and dielectric layer 210 are deposited in sequence.」の翻訳文）
　
・「
誘電体層２０６
は、
フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）
メチルシロキサン化合物
ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、
を含む
　
・「次に図２Ｂを参照して、誘電体層２１０は、直下の金属層２０２の位置に関連した開口２１２の位置に、その開口２１２を形成するためにパターン化される。」（引用例１の第３欄第１４〜１７行の「Referring next to FIG. 2B, the dielectric layer 210 is patterned to form openings 212, wherein the positions of the openings 212 correspond to the positions of the metal layer 202 underneath.」の翻訳文）
　
・「次に図２Ｃを参照して、開口２１２に露出されたエッチングストップ層２０８の一部は、エッチングストップ層２０８の上の転写パターンとして除去される。もう一つのパターン化されたフォトレジスト層（図示されていない）とパターン化されたエッチングストップ層２０８をマスクとして用いることにより、
開口２１２の下の誘電体層２０６の一部と開口２１２のまわりの誘電体層２１０の一部が、ビアホール２１６とトレンチ２１４を形成するために除去される
　
・「トレンチ２１４とビアホール２１６は、デュアルダマシン構造の開口２１８を構成する。」（引用例１の第３欄第３５〜３７行の「The trenches 214 and via holes 216 compose the openings 218 of a dual damascene structure.」の翻訳文）
　
・「次に図２Ｄを参照して、
ドーパントが、基板の表面に垂直な法線から注入角θ２２０である注入機により、開口２１８の近傍と開口２１８の中の誘電体層２０６と２１０の表面に注入される。注入角θは、約０°から１０°である。できれば、リン、ボロン、或いはヒ素のようなドーパントは、約５０ＫｅＶから５００ＫｅＶのエネルギー量で注入される
密度を高められた表面２０６ａと２１０ａは、続いて行うメタライゼーション工程の間に、ポイズンドトレンチとビアの発生を防止することが可能である
　
・「図２Ｅを参照すると、開口２１８は、バリア／接着層２２２と金属層２２４のような、導電材料で満たされる。」（引用例１の第３欄第５６〜５８行の「As shown in FIG. 2E, the opening 218 is filled with a conductive material, such as a barrier/glue layer 222 and a metal layer 224.」の翻訳文）
　
・「化学機械研磨工程のような平坦化工程を実行するために、誘電体層２１０の上に位置する不要なバリア／接着層２２２と金属層２２４が、デュアルダマシン構造２２６を構成するために除去される。」（引用例１の第３欄第６６行〜第４欄第３行の「By performing a planarization process, such as a chemical mechanical polishing process, the unwanted barrier/glue layer 222 and the metal layer 224 located on the top of the dielectric layer 210 are removed to form a dual damascene structure 226.」の翻訳文）
　
・「
ドーパントは、一定速度で回転しているウエハに基板の表面に垂直な法線から角θでもって注入されるので、あらかじめ決められた表面が、一様に高密度化される。したがって、デュアルダマシン工程におけるポイズンドトレンチとビアの発生は、効果的に防止される
　それゆえ、低誘電率の誘電体を利用してデバイスの性能を改善することにより、半導体デバイスの寄生容量を抑制することが、本発明の特徴である。
　
低誘電率の誘電体のあらかじめ決められた表面の密度を高めるための注入工程を実行することにより、
低誘電率の誘電体におけるポイズンドトレンチとビアの発生を防止することが、本発明の特徴である
 Therefore, it is a specificity of the invention to suppress the parasitic capacitance of a semiconductor device for improving the performance of the device by utilizing low-permittivity dielectrics.
 It is also a specificity of the invention to prevent the occurrence of poisoned trenches and vias in the low-permittivity dielectrics to improve the reliability of a semiconductor device by performing an implantation process to densify a predetermined surface of the low-permittivity dielectric.」の翻訳文）
　
　　ウ　図面の記載
・「ＦＩＧ．２Ｃ」を参照すると、導電層２０２が、ビアホール２１６により露出されており、ビアホール２１６が、導電層２０２の上に形成されていることが、示されている。
・「ＦＩＧ．２Ｃ」と「ＦＩＧ．２Ｄ」を参照すると、所定の注入角θ２２０で注入されるドーパントは、誘電体層２０６に形成されたビアホール２１６の側壁部に注入されていることが、示されている。
　
３−２　引用発明
　上記ア〜ウによれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「基板２００に導電層２０２を形成する工程と、
　前記導電層２０２の上に、シリコン酸化物、フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）、芳香族環ポリマーやゲルやメチルシロキサン化合物やハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、或いは、他の低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成する工程と、
　前記誘電体層２０６の一部が、前記導電層２０２の上にビアホール２１６を形成するために除去される工程と、
　リン、ボロン、或いは、ヒ素からなるドーパントが、前記基板２００の表面に垂直な法線から注入角θで前記誘電体層２０６の表面に注入されて密度が高められた表面２０６ａを形成する工程と、
を含むことを特徴とするポイズンドビアとトレンチを防止するための方法。」
　
３−３　引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０９−０６９５６２号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置の製造方法および半導体装置」（発明の名称）に関して、図１、図２、図１２、図１９、図４３とともに、次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方法および半導体装置に係り、詳しくは、ＳＯＧ（Spin On Glass ）膜の製造方法および当該ＳＯＧ膜を用いた層間絶縁膜に関するものである。」
　
・「【０００６】一方、有機ＳＯＧ膜は、分子構造上、アルキル基またはアリール基で結合が閉じている部分があるため、熱処理時におけるクラックの発生が抑制され、膜厚を0.5 〜１μm 程度にすることができる。従って、有機ＳＯＧ膜を用いれば、膜厚の大きな層間絶縁膜を得ることができ、基板上の大きな段差に対しても十分な平坦化が可能になる。
【０００７】しかし、有機ＳＯＧ膜には有機成分が含まれているため、ビアホールを開口する際のエッチングにおいて、四フッ化炭素と水素との混合ガス系（ＣＦ４ ＋ Ｈ２）を用いるとエッチングレートが遅くなる。そのため、有機ＳＯＧ膜にビアホールを開口する際のエッチングでは、四フッ化炭素と酸素の混合ガス系を用いる必要がある。一般に、層間絶縁膜にビアホールを開口する際のエッチングでは、エッチングマスクとしてフォトレジストが用いられる。しかし、四フッ化炭素と酸素の混合ガス系をエッチングガスとして用いると、フォトレジストまでもエッチングされてしまう。その結果、フォトレジストでマスクされている有機ＳＯＧ膜までもエッチングされてしまい、微細なビアホールを正確に形成することができなくなる。」
　
・「【００１６】ＳＯＧ膜に含まれる水分および水酸基が増大するとポイズンドビアなどの不良が起こる。ポイズンドビアとは、配線に金属を用いた場合、ビアホール部に露出しているＳＯＧ膜に含まれる水分により、ビアホール部の配線が腐食される現象である。また、ビアホール部に露出しているＳＯＧ膜に含まれる水分とビアホール部の配線とが反応し、コンタクト抵抗が高くなるという問題もある。ちなみに、これらの問題については、〔C. Chiang, N. V. Lam, J. K. Chu, N. Cox, D.Fraser, J. Bozarth, B. Mumford, Proc. of IEEE VMIC, p.404 (1987). 〕に詳しい。」
　
・「【００２７】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
１）ＳＯＧ膜に含まれる水分および水酸基を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【００２８】２）ＳＯＧ膜に含まれる有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分および水酸基を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
３）平坦性に優れ、ポイズンドビアなどの不良を回避することが可能な層間絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。」
　
　　イ　発明の実施の形態
・「【００３５】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）以下、本発明を具体化した第１実施形態の製造方法を図１および図２に従って説明する。
【００３６】まず、図１（ａ）に示すように、（１００）ｐ型（またはｎ型）単結晶シリコン基板１の上にゲート絶縁膜２（膜厚；100 Å）およびゲート電極３（膜厚；2000Å）が形成される。そして、ゲート絶縁膜２およびゲート電極３をマスクとするイオン注入法を用いて基板１にｎ型（またはｐ型）不純物がドープされ、ソース・ドレイン領域４が自己整合的に形成されてＭＯＳトランジスタが完成される。
【００３７】次に、図１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、デバイスの全面にシリコン酸化膜５（膜厚；1500Å）が形成される。
　……（中略）……
【００３８】続いて、図１（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜５の上に有機ＳＯＧ膜６が形成される。有機ＳＯＧ膜６の組成は〔ＣＨ３Ｓｉ（ＯＨ）３〕で、その膜厚は4000Åである。
　……（中略）……
【００３９】そして、イオン注入法を用いて後記するグループから選択された一つのイオンを有機ＳＯＧ膜６にドープすることで、有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分および水酸基を減少させる。その結果、有機ＳＯＧ膜６は、有機成分が含まれず、水分および水酸基が僅かしか含まれないＳＯＧ膜（以下、改質ＳＯＧ膜という）７に変えられる。
【００４０】次に、図２（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、改質ＳＯＧ膜７の上にシリコン酸化膜８（膜厚；200 Å）が形成される。シリコン酸化膜８の形成条件はシリコン酸化膜５と同じである。
【００４１】続いて、図２（ｂ）に示すように、四フッ化炭素と水素の混合ガス系をエッチングガスとして用いる異方性エッチングが行われ、ソース・ドレイン領域４の上の各膜５〜８にビアホール９が形成される。
【００４２】その後、図２（ｃ）に示すように、スパッタ法を用いてビアホール９内を含むデバイスの全面にアルミニウム膜が堆積され、そのアルミニウム膜が所望のパターンになるように異方性エッチングが行われてソース・ドレイン電極（ソース・ドレイン配線）１０が形成される。」
　
・「【００７４】
　……（中略）……
〔Ｂ．改質ＳＯＧ膜７の安定性〕
＜Ｂ−１．耐熱性＞耐熱性の指標として、まず、改質ＳＯＧ膜７の膜厚減少に着目して評価した。図１２に、
有機ＳＯＧ膜６にアルゴンイオンを注入して形成した改質ＳＯＧ膜７
【００７５】有機ＳＯＧ膜６に熱処理を施した場合、熱処理温度が高くなるに従って膜厚が減少する。この膜厚減少は、熱処理温度が高くなるにしたがって膜が緻密になることが原因であると考えられる。一方、改質ＳＯＧ膜７は800 ℃で熱処理しても膜厚が減少しない。また、改質ＳＯＧ膜７の膜厚は有機ＳＯＧ膜６を800 ℃で熱処理した場合の膜厚と同程度になっている。これから、
改質ＳＯＧ膜７では、有機ＳＯＧ膜６を800℃で熱処理した場合と同程度まで膜が緻密化している
　
・「【００９１】以上の結果から、イオンを注入することで水分の透過性を抑制する層を形成できたと考えられる。
〔Ｃ．電気的特性（誘電率）〕図１９に、ＭＯＳキャパシタの蓄積容量値と断面SEM法による観察から得られた膜厚を用いて、比誘電率を算出した結果を示す。
有機ＳＯＧ膜６の比誘電率は3.1 であり、イオンを注入しないで酸素プラズマ処理を施した有機ＳＯＧ膜６は、高誘電率化（比誘電率が6.9 ）していた。
どのイオン（Ｂ
+
 ，Ｎ
+
 ，Ｆ
+
 ，Ｐ
+
 ，Ａｒ
+
 ）を注入して改質した改質ＳＯＧ膜７も、比誘電率は3.5 前後になる
　
・「【０１２２】図４３に、有機ＳＯＧ膜６を300 ℃で熱処理した後に
アルゴンイオンを注入して改質ＳＯＧ膜７を形成した
【０１２３】以上詳述したように、
改質ＳＯＧ膜７を作製するために有機ＳＯＧ膜６に注入するイオン
１○（審決注：「１○」は、引用例２の原文においては、丸付き数字として表記されていた。以下、同様である。）上記の各イオン（フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオン、アルゴンイオン、リンイオン、シリコンイオン、ボロンイオン、フッ素イオン、窒素イオン）のうち、フッ素イオン単体を除く各イオンについては、アルミを腐食させる性質、ゲート絶縁膜２を低誘電率化させる性質、ソース・ドレイン領域４におけるリンまたはボロンの不純物拡散を抑制させる性質、のいずれも有していない。従って、これらのイオン（フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオン、アルゴンイオン、シリコンイオン、ボロンイオン、窒素イオン）を有機ＳＯＧ膜６に注入すれば、前記したフッ素イオンに関する問題点を回避することができる。その結果、配線にアルミが用いられた場合でも、その配線が腐食されることはない。また、ゲート絶縁膜２が低誘電率化されることはない。そして、ソース・ドレイン領域４がリンまたはボロンの不純物拡散によって形成されている場合でも、その不純物拡散が抑制されることはない。従って、ＭＯＳトランジスタの素子特性を設計値通りにすることができる。
【０１２４】２○リンイオンおよびリンの化合物イオンについては、有機ＳＯＧ膜６中の水分とリンとが反応してリン酸（Ｈ３ ＰＯ４ ）が生成されることがあり、そのリン酸によってアルミが腐食される恐れがある。また、シリコンイオンおよびシリコンの化合物イオンについては、改質ＳＯＧ膜７の導電性が高くなる恐れがある。従って、リンイオン，リンの化合物イオン，シリコンイオン，シリコンの化合物イオンについては、フッ素イオン単体ほどではないにしても、有機ＳＯＧ膜６へ注入するイオンとしてはあまり望ましくないといえる。
【０１２５】３○シリコンおよびシリコンの化合物イオンについては、改質ＳＯＧ膜７の導電性が高くなり、層間絶縁膜としての性能が劣化する。
４○フッ素の化合物イオンは、フッ素イオン単体に比べて分子量が大きく拡散し難いため、フッ素イオン単体に比べて前記各性質が弱くなる。従って、フッ素の化合物イオンについても、前記したフッ素イオンに関する問題点を回避することができる。
【０１２６】５○上記１○〜４○をまとめると、
有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとしては、フッ素の化合物イオン（フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオンなど）、アルゴンイオン、ボロンイオン、窒素イオンが適している
【０１２７】ところで、
有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとして、上記５○の各イオン以外に以下に示す各イオンがあげられる
[1] アルゴン以外の不活性ガスイオン（ヘリウムイオン、ネオンイオン、クリプトンイオン、キセノンイオン、ラドンイオン）。不活性ガスイオンは有機ＳＯＧ膜６と反応しないため、イオン注入によって悪影響が生じる恐れが全くない。
【０１２８】[2] ボロンおよび窒素以外のIII ｂ，
IVｂ
ゲルマニウム
【０１２９】[3] IVａ族，Ｖａ族の元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。特に、チタン、バナジウム、ニオブ、ハフニウム、タンタルの元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。IVａ，Ｖａ族の元素の酸化物は誘電率が高いため、改質ＳＯＧ膜７の誘電率を高くすることができる。」
　
４　対比
４−１　本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「導電層２０２を形成する」ことは、本願発明の「第１導電構造体を形成する」ことに対応するから、引用発明の「基板２００に導電層２０２を形成する工程」は、本願発明の「第１導電構造体を形成する処理」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「シリコン酸化物、フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）、芳香族環ポリマーやゲルやメチルシロキサン化合物やハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、或いは、他の低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成する」ことは、本願発明の「第１絶縁層を形成する」ことに対応する。そして、引用発明の「低誘電率の誘電体層２０６」が、「低誘電率」の「誘電体」材料からなることは、自明である。
　したがって、引用発明の「前記導電層２０２の上に、シリコン酸化物、フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）、芳香族環ポリマーやゲルやメチルシロキサン化合物やハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、或いは、他の低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成する工程」と、本願発明の「前記第１導電構造体の上に、誘電率が最大で４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料からなる第１絶縁層を形成する処理」とは、「前記第１導電構造体の上」に「低誘電率（Low-K）の誘電体材料からなる第１絶縁層を形成する処理」である点で共通する。
　
　　ウ　引用発明の「ビアホール２１６を形成する」ことは、本願発明の「第１開口部を形成する」ことに対応し、また、引用発明の「ビアホール２１６」が、本願発明の「側壁部」に対応するものを持っていることは、明らかであるから、引用発明の「前記誘電体層２０６の一部が、前記導電層２０２の上にビアホール２１６を形成するために除去される工程」は、本願発明の「前記第１絶縁層において、前記第１導電構造体の少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第１開口部を形成する処理」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「ドーパント」が「注入され」ることは、本願発明の「イオン注入する」ことに対応し、引用発明の「密度を高められた表面２０６ａを形成する」ことは、本願発明の「側壁部を高密度化する」ことに対応し、また、引用発明の「ドーパントが」「注入角θで」「注入され」る「前記誘電体層２０６の表面」は、図２Ｄの記載を参照すると、本願発明の「前記側壁部」に対応する「表面２０６ａ」であることは、明らかである。
　したがって、引用発明の「リン、ボロン、或いは、ヒ素からなるドーパントが、前記基板２００の表面に垂直な法線から注入角θで前記誘電体層２０６の表面に注入されて密度が高められた表面２０６ａを形成する工程」と、本願発明の「シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部にイオン注入することによって前記側壁部を高密度化する処理」とは、「前記側壁部にイオン注入することによって前記側壁部を高密度化する処理」である点で共通する。
　
　　オ　そして、引用発明の「ポイズンドビアとトレンチを防止するための方法」は、本願発明の「方法」に相当する。
　
４−２　一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「第１導電構造体を形成する処理と、
　前記第１導電構造体の上に、低誘電率（Low-K）の誘電体材料からなる第１絶縁層を形成する処理と、
　前記第１絶縁層において、前記第１導電構造体の少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第１開口部を形成する処理と、
　前記側壁部にイオン注入することによって前記側壁部を高密度化する処理とを含む方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明は、第１絶縁層を形成する低誘電率（Low-K）の誘電体材料の「誘電率が最大で４である」のに対して、引用発明は「シリコン酸化物、フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）、芳香族環ポリマーやゲルやメチルシロキサン化合物やハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、或いは、他の低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成する」ものであり、前記誘電体層２０６を形成する低誘電率の誘電体材料の「誘電率が最大で４である」かどうか不明である点。
　
《相違点２》
　本願発明は、「シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つ」をイオン注入するのに対して、引用発明は、前記「シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウム」とは異なる「リン、ボロン、或いは、ヒ素からなるドーパント」が注入される点。
　
５　相違点１、２についての判断
５−１　相違点１について
　　ア　引用発明の「低誘電率の誘電体層２０６を形成する」誘電体材料のうち、「メチルシロキサン化合物」の比誘電率は、一般に、２．５〜３．８程度であると認められる。
　
　　イ　この点、必要であれば、たとえば、特開２０００−０５８６４２号公報の段落【００１３】、特開平２０００−１０５４６９号公報の段落【０００２】、及び、国際公開第００／６１８３４号の明細書の第１８頁第１３行〜第１９頁第９行の各記載を参照のこと。
　
　　ウ　また、引用発明の前記誘電体材料は、「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）」または「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」を含むが、半導体デバイスに用いる前記「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）」または「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」として、誘電率が約３．０〜４．０であるものは、周知である。
　そして、無機ＳＯＧ（Spin on Glass）膜の「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」の誘電率は２．９〜３．２であることも、広く知られている。
　
　　エ　この点、必要であれば、たとえば、宇佐見達矢、“新しい薄膜・プロセス技術　Ｌｏｗ−ｋ膜の開発状況と今後の進め方”、Challenge of Intelligence for Future BREAK THROUGH、株式会社リアライズ社、2000年10月10日発行、 2000年10月号、No.171、p.3〜6における、第３ページの表１、第４ページ左欄第３３行〜同ページ右欄第１９行の記載を参照のこと。
　
　　オ　引用発明の「前記導電層２０２の上に、シリコン酸化物、フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）、芳香族環ポリマーやゲルやメチルシロキサン化合物やハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）のような低誘電率スピンオンポリマー（ＳＯＰ）、或いは、他の低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成する工程」において、「低誘電率の誘電体層２０６」は、「シリコン酸化物」、「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）」、「リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）」、「芳香族環ポリマー」、「ゲル」、「メチルシロキサン化合物」、「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」或いは「他の低誘電率物質」の、少なくとも、いずれか一つを含んでいると解される。
　ここで、引用発明の「低誘電率の誘電体層２０６」を形成する誘電体材料のうち、前記「メチルシロキサン化合物」、「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）」または「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」は、ア〜エから、その誘電率が一般に４以下であるか、少なくとも、その誘電率が４以下であるものを含む、「低誘電率（Low-K）」の誘電体材料であると認められる。
　
　　カ　一方、本願発明の「低誘電率（Low-K）の誘電体材料」の「誘電率が最大で４である」ことに関して、本願明細書の発明の詳細な説明には、「背景技術」の問題点として「銅配線間のキャパシタンスが大きくなるという問題点に対する従来の解決方法のひとつは、K（誘電率）がおおよそ４よりも小さい「低誘電率」または「Low-K」誘電体材料を層間絶縁膜（ＩＬＤ）として用いることであり、層間絶縁膜中に銅配線がダマシン技術によって形成される。しかしながら、Low-K誘電材料はダマシン技術との組み合わせで使用するのが困難な材料である。」（段落【０００５】）という記載はある。
　しかし、前記の問題点を解決するための具体的な説明として、前記「誘電体材料」の「誘電率」については、「第１絶縁層１２０および第２絶縁層１３０は、様々な「低誘電率」または「Low-K」（Ｋがおおよそ４以下）誘電体材料によって形成可能である。」（段落【００１３】）、「第１絶縁層１１０５、第２絶縁層１１２０および第３絶縁層１１３０は、様々な「低誘電率」または「Low-K」（Ｋがおおよそ４以下）誘電体材料によって形成可能である。」（段落【００２９】）と記載されているだけである。
　したがって、本願発明の「低誘電率（Low-K）の誘電体材料」の「誘電率」が、特に「最大で４である」ことに、臨界的な意義があるとは、認められない。
　
　　キ　そして、引用発明は「低誘電率物質を含む低誘電率の誘電体層２０６を形成」しようとするものであるから、引用発明の「低誘電率の誘電体層２０６を形成」する誘電体材料のなかから、前記誘電率が４以下である「メチルシロキサン化合物」、「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）」または「ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）」という「低誘電率（Low-K）」の誘電体材料を選択して、この選択した「低誘電率（Low-K）」の「低誘電率物質」から「低誘電率の誘電体層２０６を形成」することは、当業者が必要により適宜なし得たことと認められる。
　
５−２　相違点２について
　　ア　引用例２には、「図１２に、有機ＳＯＧ膜６にアルゴンイオンを注入して形成した改質ＳＯＧ膜７を窒素雰囲気中で30分間の熱処理を施したときの膜厚変化について示す。」（段落【００７４】）、「改質ＳＯＧ膜７は800 ℃で熱処理しても膜厚が減少しない。また、改質ＳＯＧ膜７の膜厚は有機ＳＯＧ膜６を800 ℃で熱処理した場合の膜厚と同程度になっている。これから、改質ＳＯＧ膜７では、有機ＳＯＧ膜６を800 ℃で熱処理した場合と同程度まで膜が緻密化していることがわかる。」（段落【００７５】）、「〔Ｃ．電気的特性（誘電率）〕図１９に、ＭＯＳキャパシタの蓄積容量値と断面SEM 法による観察から得られた膜厚を用いて、比誘電率を算出した結果を示す。有機ＳＯＧ膜６の比誘電率は3.1 であり、」、「どのイオン（Ｂ+ ，Ｎ+ ，Ｆ+ ，Ｐ+ ，Ａｒ+ ）を注入して改質した改質ＳＯＧ膜７も、比誘電率は3.5 前後になることが分かった。」（段落【００９１】）、「図４３に、有機ＳＯＧ膜６を300 ℃で熱処理した後にアルゴンイオンを注入して改質ＳＯＧ膜７を形成した場合の密度の変化を示す。改質ＳＯＧ膜７の密度は、密度が高い膜として知られているＰＥ−ＴＥＯＳ膜と比べてもさらに高くなっていることが分かる。」（段落【０１２２】）、「５○上記１○〜４○をまとめると、有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとしては、フッ素の化合物イオン（フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオンなど）、アルゴンイオン、ボロンイオン、窒素イオンが適している。」（段落【０１２６】）、「ところで、有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとして、上記の各イオン以外に以下に示す各イオンがあげられる。」（段落【０１２７】）、「[2] ボロンおよび窒素以外のIII ｂ，IVｂ，Ｖｂ，VIｂ，VII ｂの各族の元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。特に、酸素、アルミ、イオウ、塩素、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、臭素、アンチモン、ヨウ素、インジウム、スズ、テルル、鉛、ビスマスの元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。この中で、金属元素イオンについては、改質ＳＯＧ膜７の誘電率が低下する可能性がある。しかし、その誘電率の低下はごく僅かであるため、特に高い誘電率の層間絶縁膜が要求される場合以外には実用上問題ない。」（段落【０１２８】）ことが、記載されている。
　
　　イ　引用例２に記載の「有機ＳＯＧ膜６の比誘電率は3.1 であ」る（段落【００９１】）ことは、本願発明の「誘電率が最大で４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料」に対応する。
　
　　ウ　引用例２に記載の、「有機ＳＯＧ膜６にアルゴンイオンを注入」した「改質ＳＯＧ膜７」は「膜が緻密化して」（段落【００７４】、【００７５】）おり、「改質ＳＯＧ膜７の密度は、」「高くなっている」（段落【０１２２】）ことは、本願発明の「高密度化する」ことに対応する。
　
　　エ　引用例２の「有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとしては、フッ素の化合物イオン（フッ化シリコンイオン、フッ化ボロンイオンなど）、アルゴンイオン、ボロンイオン、窒素イオンが適している。」（段落【０１２６】）、「ところで、有機ＳＯＧ膜６に注入するイオンとして、上記の各イオン以外に以下に示す各イオンがあげられる。」（段落【０１２７】）、「[2] ボロンおよび窒素以外のIII ｂ，IVｂ，Ｖｂ，VIｂ，VII ｂの各族の元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。特に、酸素、アルミ、イオウ、塩素、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、臭素、アンチモン、ヨウ素、インジウム、スズ、テルル、鉛、ビスマスの元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン。」（段落【０１２８】）の記載によると、上記ウに記載の「緻密化」した「改質ＳＯＧ膜７」を得るために注入するイオンとして、「III ｂ，IVｂ，Ｖｂ，VIｂ，VII ｂの各族の元素単体イオンおよびそれらの化合物イオン」（段落【０１２８】）を用いることが、示されており、IVｂ族の元素には、シリコンとゲルマニウムが含まれており、また、III ｂの元素には、ボロン、Ｖｂの元素には、リンとヒ素が含まれている。
　
　　オ　引用例２では、上記ウ、エに記載のように、「緻密化」した「改質ＳＯＧ膜７」を得るために注入するイオンとして、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、リン、ヒ素等を用いることが、可能である。
　
　　カ　そして、引用発明の「メチルシロキサン化合物」は、「有機ＳＯＧ膜」に対応するものであることは、技術常識である。
　この点、必要であれば、「５−１　相違点１について」の項にイで例示した、特開２０００−０５８６４２号公報の段落【００１３】、及び、国際公開第００／６１８３４号の明細書の第１８頁第１３〜３１行の各記載を参照のこと。
　
　　キ　すると、引用発明の「フッ素ドープシリコン酸化物（ＦＳＧ）、メチルシロキサン化合物、又はハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）からなる誘電体層２０６」にドーパントを注入して、「誘電体層２０６の表面に注入されて密度を高められた表面２０６ａを形成する」際に、注入するイオンとして、リン、ボロン、或いはヒ素に代えて、引用例２において、リン、ボロン、ヒ素とともに示されているシリコン、又はゲルマニウムを適用して、「シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部にイオン注入する」ようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
６　小括
　以上のとおり、上記相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　そして、本願発明の効果も、引用例１、２に記載された発明から、当業者が予期し得たものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。