【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に在りかつ上面を有する第１のハードマスク層と、
前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記第１のハードマスク層上のビア・レベル・キャップ層と、
前記ビア・レベル・キャップ層上に形成されたポリマー熱硬化性材料からなる第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有する第２のハードマスク層と、
前記ビア・レベル・キャップ層、前記第２の誘電体層、および前記第２のハードマスク層に埋設され、かつ前記第２のハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している、少なくとも１つの導体ラインと
を備える、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項２】
前記第１の誘電体層が５０ｐｐｍ/℃未満の熱膨張率を有する、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項３】
前記第１および第２の誘電体層のそれぞれが、１．８から３．５の誘電率を有する、請求項１または２に記載の相互接続構造。
【請求項４】
前記第１のハードマスク層がＳｉＣＨまたはＳｉＮＣＨからなる、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の相互接続構造。
【請求項５】
前記ビア・レベルのキャップ層がＳｉＮＣＨ、ＳｉＮ、ＳｉＣＨ、またはＳｉＯＮからなる、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の相互接続構造。
【請求項６】
前記第２のハードマスク層が、ＳｉＣＯＨまたはＳｉＣＨからなりかつ３．５未満の誘電率を有する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の相互接続構造。
【請求項７】
前記ビア・レベルのキャップ層と前記第２の誘電体層との間に配置された接着促進剤層をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の相互接続構造。
【請求項８】
前記第２のハードマスク層および前記導体ライン上にキャップ層をさらに含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の相互接続構造。
【請求項９】
基板上に形成された、ＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上のエッチング・ストッパ層と、
前記エッチング・ストッパ層上の接着促進剤層と、
前記接着促進剤層上の第２の誘電体層であって、ポリマー熱硬化性材料からなる第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有するハードマスク層と、
前記第１の誘電体層および前記エッチング・ストッパ層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記接着促進剤層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に埋設され、かつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有する少なくとも１つの導体ラインと
を備える、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項１０】
基板上に第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層上に第１のハードマスク層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ビア開口に導体材料を充填するステップであって、それによって前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に埋設された少なくとも１個の導体ビアを形成するステップと、
前記第１のハードマスク層上にビア・レベルのキャップ層を堆積するステップと、
前記ビア・レベルのキャップ層上に第２の誘電体層を堆積するステップであって、前記第２の誘電体層が前記第１の誘電体層とは異なる材料で形成されたものであるステップと、
前記第２の誘電体層上に、上面を有する第２のハードマスク層を堆積するステップと、
前記ビア・レベルのキャップ層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記第１の導体ビア上に重なるものであるステップと、
前記トレンチ開口に導体材料を充填するステップであって、それによって、前記ビア・レベルのキャップ層、前記第２の誘電体層、および前記第２のハードマスク層に埋設された少なくとも１つの導体ラインを形成し、前記導体ラインが、前記第２のハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有するものであるステップと
を備える、基板上に相互接続構造を形成する方法。
【請求項１１】
前記第１の誘電体層をＳｉＣＯＨで形成し、前記第２の誘電体層をポリマー熱硬化性材料で形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の誘電体層が５０ｐｐｍ/℃未満の熱膨張率を有する、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のハードマスク層が７未満の誘電率を有する、請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のハードマスク層をＳｉＣＨまたはＳｉＮＣＨで形成する、請求項１０ないし１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ビア・レベルのキャップ層をＳｉＣＮＨで形成する、請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ビア・レベルのキャップ層が５未満の誘電率を有する、請求項１０ないし１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のハードマスク層および前記導体ライン上にキャップ層を堆積するステップをさらに含む、請求項１０ないし１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の誘電体層を堆積する前に、前記ビア・レベルのキャップ層上に接着促進剤層を堆積するステップをさらに含む、請求項１０ないし１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
基板上に第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層上にエッチング・ストッパ層を堆積するステップと、
前記エッチング・ストッパ層上に接着促進剤層を堆積するステップと、
前記接着促進剤層上に第２の誘電体層を堆積するステップであって、前記第２の誘電体層が前記第１の誘電体層とは異なる材料で形成されるものであるステップと、
前記第２の誘電体層上に、上面を有するハードマスク層を堆積するステップと、
前記ハードマスク層、前記第２の誘電体層、前記接着促進剤層、前記第１の誘電体層、および前記エッチング・ストッパ層に、少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ハードマスク層、前記第２の誘電体層、および前記接着促進剤層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記ビア開口上に重なるものであるステップと、
前記ビアおよびトレンチ開口に導体材料を充填するステップであって、それによって、前記第１の誘電体層、前記エッチング・ストッパ層、前記接着促進剤層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に埋設された少なくとも１つのビア伝導体および少なくとも１個のライン伝導体を形成し、前記ライン伝導体が、前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有するものであるステップとを含む、基板上に相互接続構造を形成する方法。
【請求項２０】
基板上に形成されたＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に形成されたポリマー熱硬化性材料からなる第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有するハードマスク層と、
前記第１の誘電体層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に埋設され、かつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している、少なくとも１つの導体ラインと
を含む、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項２１】
基板上に形成されたＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上のＳｉＣＯＨからなる第２の誘電体層を備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり前記誘電体層の他方が多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有するハードマスク層と、
前記第１の誘電体層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に埋設され、かつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している、少なくとも１つの導体ラインと
を備える、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項２２】
基板上に形成されたＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に在りかつ上面を有する第１のハードマスク層と、
前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記第１のハードマスク層上のビア・レベル・キャップ層と、
前記ビア・レベル・キャップ層上のＳｉＣＯＨからなる第２の誘電体層とを備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり前記誘電体層の他方が多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有する第２のハードマスク層と、
前記ビア・レベル・キャップ層、前記第２の誘電体層、および前記第２のハードマスク層に埋設され、かつ前記第２のハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している、少なくとも１つの導体ラインと
を備える、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項２３】
基板上に形成されたＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上のエッチング・ストッパ層と、
前記エッチング・ストッパ層上の接着促進剤層と、
前記接着促進剤層上のＳｉＣＯＨからなる第２の誘電体層を備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり前記誘電体層の他方が多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に在りかつ上面を有するハードマスク層と、
前記第１の誘電体層および前記エッチング・ストッパ層に埋設された少なくとも１つの導体ビアと、
前記接着促進剤層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に埋設され、かつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している、少なくとも１つの導体ラインと
を備える、基板上に形成された相互接続構造。
【請求項２４】
基板上に、ＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層に少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ビア開口に導体材料を充填し、それによって、前記第１の誘電体層に埋設された少なくとも１つの導体ビアを形成するステップと、
前記第１の誘電体層および前記導体ビア上に、ポリマー熱硬化性材料からなる第２の誘電体層を堆積するステップと、
前記第２の誘電体層上に、上面を有するハードマスク層を堆積するステップと、
前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記導体ビア上に重なるものであるステップと、
前記トレンチ開口に導体材料を充填し、それによって、前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に埋設されかつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している少なくとも１つの導体ラインを形成するステップと
を備える、基板上に相互接続構造を形成する方法。
【請求項２５】
基板上に、ＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層に少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ビア開口に導体材料を充填し、それによって、前記第１の誘電体層に埋設された少なくとも１つの導体ビアを形成するステップと、
前記第１の誘電体層および前記導体ビア上に、ポリマー熱硬化性材料からなる第２の誘電体層を堆積するステップとを備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり、前記誘電体層の他方は多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に、上面を有するハードマスク層を堆積するステップと、
前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記導体ビア上に重なるものであるステップと、
前記トレンチ開口に導体材料を充填し、それによって、前記第２の誘電体層および前記ハードマスク層に埋設されかつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している少なくとも１つの導体ラインを形成するステップと
を備える、基板上に相互接続構造を形成する方法。
【請求項２６】
基板上に、ＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層上に第１のハードマスク層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ビア開口に導体材料を充填し、それによって、前記第１の誘電体層および前記第１のハードマスク層に埋設された少なくとも１つの導体ビアを形成するステップと、
前記第１のハードマスク層上にビア・レベル・キャップ層を堆積するステップと、
前記ビア・レベル・キャップ層上に、ＳｉＣＯＨからなる第２の誘電体層を堆積するステップとを備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり、前記誘電体層の他方は多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に、上面を有する第２のハードマスク層を堆積するステップと、
前記ビア・レベル・キャップ層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記第１の導体ビア上にあるステップと、
前記トレンチ開口に導体材料を充填し、それによって、前記ビア・レベル・キャップ層、前記第２の誘電体層、および前記第２のハードマスク層に埋設されかつ前記第２のハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している少なくとも１つの導体ラインを形成するステップと
を備える、基板上に相互接続構造を形成する方法。
【請求項２７】
基板上に、ＳｉＣＯＨからなる第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層上にエッチング・ストッパ層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層および前記第１のエッチング・ストッパ層に少なくとも１つのビア開口を形成するステップと、
前記ビア開口に導体材料を充填し、それによって、前記第１の誘電体層および前記第１のエッチング・ストッパ層に埋設された少なくとも１つの導体ビアを形成するステップと、
前記エッチング・ストッパ層および前記導体ビア上に接着促進剤層を堆積するステップと、
前記接着促進剤層上に、ＳｉＣＯＨからなる第２の誘電体層を堆積するステップとを備え、前記２つの誘電体層の一方が多孔質であり前記誘電体層の他方が多孔質ではなく、さらに、
前記第２の誘電体層上に、上面を有するハードマスク層を堆積するステップと、
前記接着促進剤層、第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に少なくとも１つのトレンチ開口を形成するステップであって、前記トレンチ開口が前記第１の導体ビア上にあるステップと、
前記トレンチ開口に導体材料を充填し、それによって、前記接着促進剤層、前記第２の誘電体層、および前記ハードマスク層に埋設されかつ前記ハードマスク層の上面と同一平面に在る上面を有している少なくとも１つの導体ラインを形成するステップと
を含む、基板上に相互接続構造を形成する方法。