【事件の表示】
　特願２００４−２２０９６４「デバイスレイアウトを用いるＮＡ−シグマ露光設定および散乱バーＯＰＣの同時最適化の方法、プログラム製品、および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２７日出願公開、特開２００５−　２６７０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
平成１６年　６月３０日：外国語特許出願
（優先日　平成１５年６月３０日　アメリカ合衆国）
平成２１年　４月　２日：拒絶理由
平成２１年　７月　６日：意見及び手続補正
平成２１年　９月１０日：拒絶査定
平成２２年　１月２７日：審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　投影ビームを供給する放射線システムと，
　放射線の投影ビームを受け取り，調整された放射線ビームをマスクの部分に投影する，プリセットシグマ−アウターおよびプリセットシグマ−インナーのパラメータを有する照明装置と，
　基板の目標部分にマスクの対応する照射部分を結像するための開口数（“ＮＡ”）を有する投影システムとから成り，
　ここで，ＮＡ，プリセットシグマ−アウター，プリセットシグマ−インナー，およびＯＰＣは，臨界フィーチャを含む，パターンにおける複数のフィーチャに対して相互に最適化されることを特徴とする，リソグラフィ装置設定を最適化し，かつ，基板の表面に形成されるパターンに対し光近接補正（ＯＰＣ）を最適化する装置。
　
第３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００３−１６２０４２号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，フォトリソグラフィに係わり，特にダイポール照明技術と共に使用されるマスクレイアウトの生成に関するものである。加えて，本発明は，投影放射ビームを得るための放射系と，投影ビームにパターン付けするのに役立つマスクを保持するマスクテーブルと，基板を保持する基板テーブルと，パターン付けされた投影ビームを基板のターゲット部分に投影するシステムとを含むリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造する方法に関するものである。」
　
記載事項イ　
「【０００７】ダイポール式照明が使用される場合，解像度は，極の配向軸に対し直角の配向を有する幾何的パターンに対してのみ強化される。例えば「水平」ダイポールは，サブ解像度の「垂直」線または間隙のパターン付けを可能にする。水平，垂直両方の臨界パターンを含むレイアウト用に，通常，ダイポールを適用するさいは，各露光に１つづつの２つの直交ダイポール光源による２つの露光が必要になる。したがって，一般化された電子設計レイアウトの臨界層のパターニング用にダイポール照明を採用するには，２つのマスクレイアウトの生成が必要であり，その場合，直交する形状特徴が適宜に区分される。しかし，この区分が種々の問題を生じさせる。より詳しく言えば，ウェーハ上に目標パターンを正確に転写するためには，「交差」区域または「相互結合」区域（例えば，垂直方向に位置する形状特徴が水平方向の形状特徴と交差する区域／箇所）を同定し，補償する必要がある。例えば，プリントされる所与のレイアウトのすべての垂直形状特徴が，「垂直マスク」に含まれ，かつプリントされるすべての水平形状特徴が，「水平マスク」に含まれている場合，垂直形状特徴と水平形状特徴との交差区域は，事実上２度プリントされ，このことにより，おそらく原設計レイアウトからの望ましくないずれが生じる結果になる。したがって，ウェーハ上に目標パターンを正確に転写するためには，直交形状特徴間の「交差」区域を補償するダイポール照明技術と共に利用できるマスクレイアウト生成方法が必要である。
【０００８】【発明が解決しようとする課題】前記必要を解決する努力において，本発明の１つの目的は，互いに接触する形状特徴により生じる「交差」区域を明らかにし補償するダイポール照明技術と共に利用できるマスクレイアウト生成方法を得ることである。」
　
記載事項ウ　
「【００１２】
【発明の実施の形態】周知のように，従来技術による電子設計レイアウトは，種々の相対配向（例えば水平，垂直，４５度，３０度，その他）で配置された数億から数十億の多角形形状特徴で造られている。実際のダイポールの具体例では，２組の直交ダイポール光源が使用されており，したがって，臨界形状特徴のパターニングは，対応する相補的な配向に制限される。例えば，２組の水平−垂直のダイポールが使用される場合，垂直−水平（それぞれの）臨界パターンのみが実際に転写され，プリントされる。既述のように，図３の（ａ）〜（ｈ）には通常のダイポール光源が示されている。ダイポール照明光源は，次の４つのパラメータを利用することで完全に特徴づけられる：
１）  極の配向：  水平／垂直
２）  内径：  σin　
３）  外径：  σout　
４）  極の角度：  θ（または全体の形状に対する極の延び）。
【００１３】本発明によれば，マスクレイアウトの生成処理の第１段階は，目標設計レイアウトの多角形パターンを，次の３群の１つに分類することである：
（ａ）  水平臨界（ＨＣ）
（ｂ）  垂直臨界（ＶＣ）
（ｃ）  非水平，非垂直臨界（ＮＣ）」
　
記載事項エ　
「【００１８】したがって，本発明の方法により，ダイポール式照明と関連して用いられる設計レイアウトのＨ−Ｖ分離が可能になる。より詳しくは以下で説明するが，この方法により，単一の原設計レイアウトから出発して，相補的な２個のマスク（ＶマスクとＨマスク）から成る１組のマスクが生成される。各マスクは，所定配向での臨界形状特徴と，相補的配向に対する適当な遮蔽と，ＶＣとＨＣの形状特徴の交差部（つまり相互結合部）での形状特徴の特定の幾何的形状補正とを含む。また，ＶマスクとＨマスクは，他の種類の光学的近接効果補正（ＯＰＣ）技術および／または解像度増強技術，例えば，散乱バー（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｂａｒｓ），セリフ，ハンマヘッド，位相シフトその他（これらに限定はされないが）を含むことが許される。」
　
記載事項オ　
「【００２３】既述のように，エッジ変更計画は，ＶマスクとＨマスク双方のＩＴＣ区域を調整することで，ウェーハ上にプリントされる最終パターンが，原レイアウトの正確な再現となるようにする機能を有しており，該計画の基礎となるのが，所与の実施例の場合，主パラメータ（ＰＰik）と呼ばれる１組の１２の値である。該パラメータは，水平と垂直の形状特徴間の交差区域でのエッジ部分を制御するものである。言い換えると，該主パラメータは，形状特徴の所与のエッジをどのように変更すべきか（例えば左右上下への移動）の詳細を示すものである。以下で説明するように，１２の主パラメータの値は，所与の形状特徴の特定の近接条件に応じて，また所与のリソグラフィ処理条件の変動に応じて変更される。形状特徴の幾何的形状変更のための１２の主パラメータは次のとおりである：
Ｈマスクの変更：
ＷLH：Ｈマスクに対する左側拡張
ＤLH：Ｈマスクに対する左側低減
ＷRH：Ｈマスクに対する右側拡張
ＤRH：Ｈマスクに対する右側低減
ＳLH：Ｈマスクに対する左側遮蔽
ＳRH：Ｈマスクに対する右側遮蔽
Ｖマスクの変更：
ＷLV：Ｖマスクに対する左側拡張
ＤLV：Ｖマスクに対する左側低減
ＷRV：Ｖマスクに対する右側拡張
ＤRV：Ｖマスクに対する右側低減
ＳLV：Ｖマスクに対する左側遮蔽
ＳRV：Ｖマスクに対する右側遮蔽
【００２４】既述のように前記各パラメータの値は，近接クラスタの各変化や，選択したリソグラフィ処理条件の変動に応じて，変更される。更に，本発明は，前記１２パラメータの部分組を利用して実施できる。言い換えると，１２パラメータの内のいくつかを所与の変更計画に対しゼロの値を有するようにすることができる。所与の近接クラスタに対する主パラメータ値を決定する詳細な方法と，１組の一般的なリソグラフィ処理条件とを以下に示す。一般法則は：
ＰＰik＝ｆik（λ，ＮＡ，照明，ＣＤ，ピッチ等）［ｋ−１．．１２］［ｉ∈｛１組の近接クラスタ｝］
である。この式において，ｆｉｋは（一般の場合）独立関数，λは光源の波長（例えば２４８ｎｍ，１９３ｎｍ，１５７ｎｍ等），ＮＡは投影レンズの開口数であり，照明は，ダイポール光源のσin，σout，θ（または他の等価の照明パラメータ）に依存し，ＣＤは，ターゲットとされる臨界寸法等であり，ピッチは，対応形状特徴間の距離に対応する。
【００２５】図１０の（ａ）〜（ｃ）には，「Ｔ」字形のレイアウト形状特徴と，「Ｔ」字形レイアウト形状特徴を本発明の方法によりＶマスクとＨマスクとに分解した場合とが示されている。」
　
記載事項カ　
「【００２７】既述の主パラメータによるＨマスクとＶマスクとの変更の結果，交差区域を含む原レイアウトは，標準ダイポール処理によるＨマスクおよびＶマスク露光時に正確に再現される。ＨマスクおよびＶマスクの最適変更（すなわち幅拡張，深さ拡張，遮蔽の各値）を定義する主パラメータの値を決定するには，多くの方法がある。その１つの手法は，正規化面積誤差（ＮＡＥ）と呼ばれる係数の決定に関係する。概して，所与の設計のパターンに対する正確さは，サブ−波長による処理が製作に使用される場合，臨界的となる。ＮＡＥは，事実上，臨界寸法（１次元での計測）のみを測定する従来の手法から２次元領域までの範囲である。
【００２８】ＮＡＥは，所与の設計面積にわたって「仕様を外れた面積」と定義できる。仕様を外れた面積と考えられるのは，占める範囲の不足をあらわす面積と，占める範囲の過剰をあらわす面積との双方である。異なる形状特徴３５，３６，３７，３８を示す図１１は，「仕様を外れた面積」の意味を理解するのに役立つだろう。例えば，形状特徴３５では，２つのコーナーのところに，占める範囲の過剰部分が見られる。ウェーハ上にプリントされたレイアウトは，原レイアウト設計からはみ出しているからである。形状特徴３８には，占める範囲の不足による，仕様を外れた面積が見られる。ＮＡＥの計算時には，占める範囲の不足と過剰の双方が含まれる。既述のように，
ＮＡＥ＝（仕様を外れた全面積）／（全設計面積）
である。
【００２９】各組の処理条件がＮＡＥの単一の値を有している。ＮＡＥ計算は，また所与の設計内部の特定区域をターゲットにすることもできる。設計の特定区域へターゲットをしぼったＮＡＥ計算は，本発明によるＶマスクとＨマスクとの変更に使用される主パラメータの計算時に利用される。より詳しく言えば，本発明の一実施例によれば，交差区域を含む臨界垂直および水平形状特徴の２*α内の区域のみが見本とされ，該区域のＮＡＥが計算される。この場合，αは解像度に対応し，次の標準等式によって定義される：
α＝（ｋ1λ）／ＮＡ
この式において，ｋ1は処理固有の定数，λは光源の波長であり，ＮＡは投影レンズの開口数に等しい。
【００３０】ＮＡＥ値に関する計算データは，ＣＤデータをいわゆるボッスング・プロット（Ｂｏｓｓｕｎｇ  Ｐｌｏｔｓ）で描かれるのと同様の仕方で，集束露光マトリクス上に配置できる。集束露光マトリクスから導出される情報は，何らかの分解または高度のマスク処理（多重露光，交番位相シフトマスク，減衰位相シフトマスク，ダイポール分解，ピッチ分解）を要する所与のパターン設計のための最適リソグラフィパラメータ組を同定するのに利用される。図１２は，所与の設計にとって最適の処理条件組と考えられる区域を例示し，かつ最適の線量値および集束値から外れた場合，どのように結像が悪化するかを示したものである。パターンひずみマップである図１２を見ると，最も濃い区域４０が最適の処理条件組を定義する一方，外側区域４１は，事実上結像を生じない処理条件を定義している。区域４０と区域４１との間の区域４２，４３，４４は，区域４０から離れるにつれて次第に悪化する処理条件を定義している。」
　
記載事項キ　
「【００３１】測定基準（例えば正規化面積誤差ＮＡＥまたは臨界寸法測定ＣＤ）が決まれば，所与の設計分解のための主パラメータ（すなわち拡張，深化，遮蔽）の最適の組み合わせを決定することが問題となる。図１３は，別々の組の瞳孔形状と分解値では，図２（当審注：「図２」は「図１２」の誤記である。）のパターンひずみマップが，どのように変化して分解のロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）さを示すかを示したものである。簡単に点検することで，または図１３に示したマップから最大オーバーラップ処理ウインドーを計算することで，拡張，深化，遮蔽の各値の最良の組を推定できる。図１３を見ると，照明条件（例えば瞳孔形状，線量，集束等）が変化する間に，より「ロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）な分解」によって，濃い区域が維持されている点が注目される。図１３の分解４は，そのようなロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）な分解を示している。これに対し，図１３の分解１は，特定の狭い範囲の条件下では許容できるが，広い範囲の条件下では，最適ではない。したがって，ロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）な分解とは，処理条件が目標／最適値から外れた場合，最小変化量を導入する分解である。
【００３２】最も「ロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）な分解」を決定するためには，各分解の濃い区域の面積が計算され，どの分解が濃い区域の最大面積を含んでいるかが決定される。この実施例では，濃い区域は，０〜０．１の範囲でのＮＡＥに対応する面積と定義される。所与の分解の濃い区域が大きければ大きいほど，ＮＡＥは小さい。理想は，ＮＡＥをゼロに等しくすることだろう。しかし，それは，処理上の制限のため不可能である。加えて，ＮＡＥは，各集束，露光，瞳孔形状の条件ごとに計算される。この実施例では，各マップがほぼ２００ＮＡＥ計算で作成される。また，前記手法は，シミュレーションまたは実験に基づいており，その結果は，光学近接環境と実際の処理条件（膜の積層状態，レンズ収差，エッチング処理等）に応じて変化する点が注目される。以上に述べた方法論に従えば，図１４に示したような表を作成することができる。該表は，ＶマスクとＨマスク双方のＶＣ，ＨＣ，ＩＴＣ各形状特徴の調整に利用される１組の最適近接パラメータを示している。近接パラメータのこれら出発値では，分解内に補助形状特徴がないことが仮定されている。
【００３３】図１４を見ると，そこに設定されている出発値は，ノッチ型の区切り用に計算されているものである。加えて，調整値は，形状特徴が密，準密，準隔離，隔離いずれかの環境に位置しているか否か，また相互結合部が，２つの臨界形状特徴（Ｃ−Ｃ）間，臨界形状特徴／非臨界形状特徴（Ｃ−ｎＣ）間，２つの非臨界形状特徴（ｎＣ−ｎＣ）間のいずれかにあるかに依存する。更に，図１４の値ＰS，ＰW，ＰDは，所与の形状特徴の遮蔽，拡張，低減を表している。通常，生産に値する分解を有するためには，更に，ＯＰＣおよびレチクル増強技術を用いて，処理の最終収量を最大化する必要がある。しかし，前記方法を用いることにより可能になる１つのことは，最適値とあまり変わらない，したがってパターン転写の正確さとロバスト（ｒｏｂｕｓｔ）さを保証する初期パターン分解パラメータが導出されることである。」
　
記載事項ク　
「【００３７】これまでは，本発明の方法を，種々の単独の形状特徴を区切ることで説明して来たが，本発明の方法は，また所与の仕方で所与のピッチ比で交差する線や空間にも適用できる。例えば，図２０の（ａ）〜（ｃ）および図２１の（ａ）〜（ｃ）は，それぞれ７本の線の櫛形パターンのノッチ型とトレンチ型の区切りを示している。本発明の使用の結果であるパターニングの性能／改善を評価するために，シミュレーション作業も行われた。図２２の（ａ）〜（ｄ）は，非最適近接パラメータを利用して結像面積シミュレーションを示したものである。図示のように，高解像度のパターニングが達せられても，著しいパターンのひずみ６６が生じる。これに対し，個別の主パラメータ組（すなわち拡張，低減，遮蔽）の最適化により，図２３の（ａ），（ｂ）に示すように，「Ｔ」字形形状特徴や十字形形状特徴の場合に，プリント性やパターン精度が改善される。また，線端の補正や付加的ＯＰＣの技術，例えばバーの散乱（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｂａｒｓ）が利用でき，かつ該技術は，図２４に示すように，完全に製作可能な解決策を提供するものである。事実，主パラメータの選択は，またＯＰＣを行うのにも利用できる。
【００３８】本発明のダイポール区切り方法は，キャリバＣＡＤ器具（メンター・グラフィクス社製）を使用して実施できる点が注目される。本発明の方法は，性能程度の異なる（計算速度やデータファイルサイズの観点から）他のどのＣＡＤ器具ででも実施することができる。キャリバ（Ｃａｌｉｂｒｅ）の選択は，完全なプログラミング環境（ＳＶＲＦスクリプト言語），ＧＤＳＩＩ設計レイアウトデータ用の極高速階層データベース管理，リソグラフィのシミュレーション等々の利用可能性，標準設計検証機能と統合されたＯＰＣおよびＯＲＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｒｕｌｅ  Ｃｈｅｃｋｉｎｇ）の技術によって動機づけられる。現在のところ，キャリバ環境は，総合的な，ダイポール式照明による結像解決策の一部として製造に使用されるダイポールソフトウエアの開発に適している。」
　
記載事項ケ　
「【００３９】図２５は，本発明の目的に沿って設計されたマスクと共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置の略示図である。該投影装置は，放射投影ビームＰＢを供給する放射系Ｅｘ，ＩＬを含んでいる。この特定の事例では，放射系は放射線源ＬＡを含んでいる。前記投影装置は，また，第１対象テーブル（マスクテーブル）ＭＴと，第２対象テーブル（基板テーブル）ＷＴと，投影系（レンズ）ＰＬとを含み，前記第１対象テーブルＭＴが，マスクＭＡを保持するマスクホールダを備え，かつアイテムＰＬに対しマスクを精密位置決めするための第１位置決め装置に接続されており，前記第２対象テーブルＷＴが，基板Ｗ（例えばレジスト塗布シリコンウェーハ）を保持する基板ホールダを備え，かつアイテムＰＬに対し基板を精密位置決めする第２位置決め装置に接続されており，前記投影系ＰＬ（例えば屈折，反射，反射屈折の各光学系）が，基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１個以上のダイを含む）へ，マスクＭＡの照射部分を結像させる。
【００４０】図示のように，この投影装置は，透過型である（すなわち透過性マスクを有している）。しかし，概して，投影装置は，例えば反射型（反射性マスクを有する）であってもよい。あるいはまた，投影装置は，別種のパターニング装置をマスクの代わりに採用することもできる。それには，例えばプログラミング可能なミラー配列またはＬＣＤマトリクスが含まれる。放射線源ＬＡ（例えば水銀灯，エキシマレーザ，プラズマ放電の各線源）は，放射ビームを発生させる。このビームは，直接に，もしくは例えばビームエキスパンダＥｘ等の状態調節装置を通過した後に，照明系（照明器）ＩＬに供給される。照明器ＩＬは，ビームの強度分配の半径方向外方および／または内方の範囲（普通，それぞれσ外方およびσ内方と呼ぶ）を設定する調節装置ＡＭを含んでいる。加えて，照明器は，概して，種々の他の構成部品，例えばインテグレータＩＮや集光器ＣＯを含んでいる。このようにして，マスクＭＡに入射するビームＰＢの横断面には，一様な目標強度分布が与えられる。
【００４１】図２５に関して留意すべき点は，線源ＬＡはリソグラフィ投影装置のハウジング内に配置できるが（線源ＬＡが，例えば水銀灯の場合に，よくあることだが），リソグラフィ投影装置から離れたところに配置して，線源から発せられる放射ビームを装置内へ導入するようにすることもできる（例えば適当な指向ミラーによって）点である。この後者の場合は，線源ＬＡがエキシマレーザ（例えばＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ2による）の場合が多い。本発明は，これらの双方の場合を含んでいる。ビームＰＢは，マスクテーブルＭＴ上に配置されたマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを通過したビームＰＢは，基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＰＢを集束させるレンズＰＬを通過する。第２位置決め装置（および干渉測定装置ＩＦ）により，基板テーブルＷＴが精密に移動せしめられ，例えばそれによりビームＰＢの光路内の異なるターゲット部分Ｃに位置決めされる。同じように，第１位置決め装置は，例えば，マスクライブラリからマスクＭＡを機械式に取出した後またはスキャン中に，ビームＰＢの光路に対しマスクＭＡを精密に位置決めするのに使用できる。概して，対象テーブルＭＴ，ＷＴの移動は，長行程モジュール（粗位置決め）と，短行程モジュール（精密位置決め）とにより実現される。該モジュールは，図２５には明示されていない。しかし，ウェーハステッパの場合（ステップ・アンド・スキャン装置とは異なり），マスクテーブルＭＴは，短行程アクチュエータに接続されるか，または固定される。
【００４２】図示の装置は次の２つの異なるモードで使用できる：ステップモード：  このモードでは，マスクテーブルＭＴは，事実上固定的に維持され，１つのターゲット部分Ｃへ全マスク像が一括投影される（すなわち単一「フラッシュ」で）。次いで，基板テーブルＷＴが，ｘ方向および／またはｙ方向へ移動させられ，異なるターゲット部分ＣがビームＰＢで照射される。スキャンモード：  このモードでも，実質的には同じシナリオが適用されるが，異なる点は，所与のターゲット部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されない点である。その代わり，マスクテーブルＭＴが所定方向（いわゆる「スキャン方向」，例えばｙ方向）に速度νで移動可能であり，それによって，投影ビームＰＢがマスク像にわたりスキャンせしめられる。同時に，基板テーブルＷＴは，速度Ｖ＝Ｍνで等方向または逆方向に移動する。該式において，ＭはレンズＰＬの倍率（通常，Ｍ＝１／４または１／５）である。このように，比較的大きいターゲット部分Ｃが，解像度の関して妥協なしに露光される。」
　
記載事項コ　
「【００４３】ダイポール照明技術と共に使用するＶマスクやＨマスクを最適化する場合について，本発明の種々の実施例を詳説したが，そのほかの変化形も可能であることは言うまでもない。例えば，主パラメータの最適値を得るためには，多くの異なる方法が可能である。したがって，本発明の範囲は，既述の実施例に限定されるものではない。既述のように，ダイポール照明技術と共に使用する相補的マスクを本発明により生成する方法は，従来技術に比して著しい利点を有している。最も重要な点は，本発明が，直交する形状特徴間の「交差」区域を自動的に補償するダイポール照明技術と共に使用する相補的マスクレイアウトを生成する簡単な方法を提供し，それにより，ウェーハ上に目標パターンを精密に再現し得る点である。更に，本発明は，ＯＰＣを実施する付加的な手段をマスク設計者に提供する。本発明の特定実施例が開示されたが，本発明は，本発明の精神または本質的な特徴を逸脱することなしに，別の形式で実施することも可能である。既述の実施例は，したがって，あらゆる点で説明目的のもので，限定目的のものではない。本発明の範囲は，特許請求の範囲の請求項に記載されており，したがって，該請求項と等価の意味および範囲内のすべての変更は，前記範囲に含まれるものとする。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　放射線源（ＬＡ）は，放射ビームを発生させ，
Ｂ　該放射ビームは，直接に，もしくは例えばビームエキスパンダ（Ｅｘ）等の状態調節装置を通過した後に，
Ｃ　照明器（ＩＬ）に供給され，
Ｄ　照明器（ＩＬ）は，ビームの強度分配の半径方向外方および／または内方の範囲（普通，それぞれσ外方およびσ内方と呼ぶ）を設定する調節装置（ＡＭ）を含んでいて，
Ｅ　加えて，照明器（ＩＬ）は，概して，種々の他の構成部品，例えばインテグレータ（ＩＮ）や集光器（ＣＯ）を含んでいて，このようにして，マスク（ＭＡ）に入射するビーム（ＰＢ）の横断面には，一様な目標強度分布が与えられ，
Ｆ　ビーム（ＰＢ）は，マスクテーブル（ＭＴ）上に配置されたマスク（ＭＡ）と交差し，
Ｇ　マスク（ＭＡ）を通過したビーム（ＰＢ）は，基板（Ｗ）のターゲット部分（Ｃ）上にビーム（ＰＢ）を集束させるレンズ（ＰＬ）を通過する，
Ｈ　リソグラフィ投影装置において，
Ｉ　ダイポール照明技術と共に使用されるマスクレイアウトの生成は，
Ｊ　単一の原設計レイアウトから出発して，相補的な２個のマスク，すなわちＶマスク及びＨマスクから成る１組のマスクが生成され，
Ｋ　Ｖマスク及びＨマスクは，所定配向での臨界形状特徴と，相補的配向に対する適当な遮蔽と，垂直臨界（ＶＣ）と水平臨界（ＨＣ）の形状特徴の交差部（ＩＴＣ）での形状特徴の特定の幾何的形状補正とを含み，
Ｌ　主パラメータは，形状特徴の所与のエッジをどのように変更すべきかの詳細を示し，主パラメータの値は，所与の形状特徴の特定の近接条件に応じて，また所与のリソグラフィ処理条件の変動に応じて変更され，
Ｍ　Ｖマスク及びＨマスクの最適変更（すなわち幅拡張，深さ拡張，遮蔽の各値）を定義する主パラメータの値を決定するには，多くの方法があり，その１つの手法は，正規化面積誤差（ＮＡＥ）と呼ばれる係数の決定に関係し，
Ｎ　正規化面積誤差（ＮＡＥ）値に関する計算データは，集束露光マトリクス上に配置でき，集束露光マトリクスから導出される情報は，何らかの分解または高度のマスク処理（多重露光，交番位相シフトマスク，減衰位相シフトマスク，ダイポール分解，ピッチ分解）を要する所与のパターン設計のための最適リソグラフィパラメータ組を同定するのに利用され，
Ｏ　別々の組の瞳孔形状と分解値では，パターンひずみマップが，どのように変化して分解のロバストさを示すかを図示（図１３）でき，
Ｐ　ＶマスクとＨマスク双方の垂直臨界（ＶＣ），水平臨界（ＨＣ），交差部（ＩＴＣ）の各形状特徴の調整に利用される１組の最適近接パラメータを示す表（図１４）を作成することができ，
Ｑ　また，ＶマスクとＨマスクは，他の種類の光学的近接効果補正（ＯＰＣ）技術および／または解像度増強技術，例えば，散乱バー（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｂａｒｓ），セリフ，ハンマヘッド，位相シフトその他（これらに限定はされないが）を含むことが許される，
Ｒ　装置。
　
第４　対比及び判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
(1)　放射線システム
　構成要件Ａ及びＢからみて，引用発明の「放射線源（ＬＡ）」及び「ビームエクスパンダ（Ｅｘ）」を含む構成と本願発明の「放射線システム」は，「投影ビームを供給する放射線システム」の点で一致する。
　なお，本願明細書の【００１６】を参照すると，「放射線システム」は放射線源（ＬＡ）及びビームエキスパンダ（Ｅｘ）のみならず照明装置（ＩＬ）をも含むものであるが，特許請求の範囲の記載によれば「放射線システム」と「照明装置」は別の構成と考えられるので，このように対比する。
　
(2)　照明装置
　構成要件ＢないしＥ及び技術常識からみて，引用発明の「照明器（ＩＬ）」と本願発明の「照明装置」は，「放射線の投影ビームを受け取り，調整された放射線ビームをマスクの部分に投影する，プリセットシグマ−アウターおよびプリセットシグマ−インナーのパラメータを有する照明装置」の点で一致する。
　
(3)　投影システム
　構成要件Ｇからみて，引用発明の「レンズ（ＰＬ）」と本願発明の「投影システム」は，「基板の目標部分にマスクの対応する照射部分を結像するための開口数（“ＮＡ”）を有する投影システム」の点で一致する。
　
(4)　装置
　引用発明の構成要件Ｐの「装置」と本願発明の「装置」は，「装置」の点で一致する。
　
　そうしてみると，本願発明と引用発明は，
「　投影ビームを供給する放射線システムと，
　放射線の投影ビームを受け取り，調整された放射線ビームをマスクの部分に投影する，プリセットシグマ−アウターおよびプリセットシグマ−インナーのパラメータを有する照明装置と，
　基板の目標部分にマスクの対応する照射部分を結像するための開口数（“ＮＡ”）を有する投影システムとから成る，
装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明の装置は「ＮＡ，プリセットシグマ−アウター，プリセットシグマ−インナー，およびＯＰＣは，臨界フィーチャを含む，パターンにおける複数のフィーチャに対して相互に最適化されることを特徴とする，リソグラフィ装置設定を最適化し，かつ，基板の表面に形成されるパターンに対し光近接補正（ＯＰＣ）を最適化する」ものであるのに対して，引用発明の装置はこれが明らかではない点。
　
２　判断
　引用発明の構成要件ＬないしＰ，特に構成要件Ｏ（図１３）及びＰ（図１４）からは，引用発明におけるＮＡ，プリセットシグマ−アウター，プリセットシグマ−インナー，及び幾何的形状補正が，臨界形状特徴を含む複数の形状特徴に対して相互に最適化される関係にあることが理解できる。また，引用発明は，光学的近接効果補正（ＯＰＣ）を含むことが許される（構成要件Ｑ）（なお，説明不要と考えられるが，ＯＰＣを最適化することは周知技術であり（例：特表２００１−５１３２２１号公報），リソグラフィ装置設定とＯＰＣに相互に最適化されるべき関係があることも周知技術（例：特開２００３−１５２７３号公報，特開２００２−３３４８３６号公報），あるいは技術的にみて明らかである。）。
　そうしてみると，引用発明の装置を「ＮＡ，プリセットシグマ−アウター，プリセットシグマ−インナー，及び（幾何的形状補正に加えて）光学的近接効果補正（ＯＰＣ）は，臨界フィーチャを含む，パターンにおける複数のフィーチャに対して相互に最適化される」ように変更することは当業者が容易にできることであり，また，このようにしてなる装置は「リソグラフィ装置設定を最適化し，かつ，基板の表面に形成されるパターンに対し光近接補正（ＯＰＣ）を最適化する」ものである。
　また，本願発明の効果は，引用発明及び周知技術から予測できる範囲内のものである。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　総括
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。