【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行すること；
内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出すること；及び
内挿オフセットからパラメータの推定値を導出すること、
を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する方法。
【請求項２】
関数は、相関関数である、請求項１の方法。
【請求項３】
相関関数は、受信された信号から導出される、請求項２の方法。
【請求項４】
第２の導出するステップは、これらの２つの変数の間に存在する既存の関係を使用して内挿オフセットからパラメータ・バイアスを導出すること、及びその後パラメータ・バイアスからパラメータの推定値を導出することを具備する、請求項２の方法。
【請求項５】
内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項４の方法。
【請求項６】
パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項５の方法。
【請求項７】
推定されたパラメータは、コード位相次元に沿ったピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、コード位相バイアスから導出される、請求項６の方法。
【請求項８】
内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項４の方法。
【請求項９】
パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項８の方法。
【請求項１０】
推定されたパラメータは、ドップラー周波数次元に沿った関数のピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、ドップラー周波数バイアスから導出される、請求項９の方法。
【請求項１１】
パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項４の方法。
【請求項１２】
推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項１１の方法。
【請求項１３】
内挿オフセットとパラメータ・バイアスとの間の既存の関係は、ルックアップ・テーブルとして具体化される、請求項４の方法。
【請求項１４】
第２の導出するステップは、ルックアップ・テーブルへのアクセスを通して内挿オフセットからパラメータの推定値を直接導出することを具備する、請求項１３の方法。
【請求項１５】
ルックアップ・テーブルは、内挿オフセットとパラメータ・バイアス若しくはパラメータ推定値との間の既存の関係を与え、及び内挿オフセットは、関数の内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する、ルックアップ・テーブルを実体的に具体化するメモリ。
【請求項１６】
関数は、相関関数である、請求項１５のメモリ。
【請求項１７】
相関関数は、受信された信号から導出される、請求項１６のメモリ。
【請求項１８】
ルックアップ・テーブルへのアクセスは、パラメータ・バイアスをもたらす、請求項１６のメモリ。
【請求項１９】
ルックアップ・テーブルへのアクセスは、パラメータ推定値をもたらす、請求項１６のメモリ。
【請求項２０】
内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項１８のメモリ。
【請求項２１】
パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項２０のメモリ。
【請求項２２】
パラメータ推定値は、コード位相次元に沿ったピークの位置の推定値である、請求項２１のメモリ。
【請求項２３】
パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項１５のメモリ。
【請求項２４】
パラメータ推定値は、ピーク・エネルギーの推定値である、請求項２３のメモリ。
【請求項２５】
パラメータ推定値は、内挿されたピーク・エネルギーとピーク・エネルギー・バイアスとの和を具備する、請求項２３のメモリ。
【請求項２６】
パラメータ推定値は、サンプリングされたピーク・エネルギーとピーク・エネルギー・バイアスとの和を具備する、請求項２３のメモリ。
【請求項２７】
内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項１５のメモリ。
【請求項２８】
パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項２７のメモリ。
【請求項２９】
パラメータ推定値は、ドップラー周波数次元に沿ったピークの位置の推定値である、請求項２８のメモリ。
【請求項３０】
パラメータ推定値は、内挿オフセットとドップラー周波数バイアスとの和を具備する、請求項２８のメモリ。
【請求項３１】
プロセッサと組み合せられた請求項１５のメモリ、ここにおいて、プロセッサは、ルックアップ・テーブルをアクセスするように設定される。
【請求項３２】
内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行すること；
内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出すること；及び
内挿オフセットからパラメータの推定値を導出すること、
を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する方法を実行するためのソフトウェア命令のシーケンスを実体的に具体化するメモリ。
【請求項３３】
関数は、相関関数である、請求項３２のメモリ。
【請求項３４】
相関関数は、受信された信号から導出される、請求項３３のメモリ。
【請求項３５】
内挿オフセットからパラメータの推定値を導出することは、これらの２つの変数の間に存在する既存の関係を使用して内挿オフセットからパラメータ・バイアスを導出すること、及びパラメータ・バイアスからパラメータの推定値を導出することを具備する、請求項３３のメモリ。
【請求項３６】
内挿オフセットは、コード位相次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項３５のメモリ。
【請求項３７】
パラメータ・バイアスは、コード位相バイアスである、請求項３６のメモリ。
【請求項３８】
パラメータは、コード位相次元に沿ったピークの位置であり、このパラメータの推定値は、コード位相バイアスから導出される、請求項３７のメモリ。
【請求項３９】
内挿オフセットは、ドップラー周波数次元に沿った内挿されたピークの位置とサンプリングされたピークの位置との間の差を具備する、請求項３５のメモリ。
【請求項４０】
パラメータ・バイアスは、ドップラー周波数バイアスである、請求項３９のメモリ。
【請求項４１】
推定されたパラメータは、ドップラー周波数次元に沿った関数のピークの位置であり、及びこのパラメータの推定値は、ドップラー周波数バイアスから導出される、請求項４０のメモリ。
【請求項４２】
パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項３５のメモリ。
【請求項４３】
推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項４２のメモリ。
【請求項４４】
パラメータ・バイアスは、ピーク・エネルギー・バイアスである、請求項３９のメモリ。
【請求項４５】
推定されたパラメータは、ピーク・エネルギーであり、及びこのパラメータの推定値は、ピーク・エネルギー・バイアスから導出される、請求項４４のメモリ。
【請求項４６】
内挿オフセットとパラメータ・バイアスとの間の既存の関係は、ルックアップ・テーブルとして具体化される、請求項３５のメモリ。
【請求項４７】
プロセッサと組み合せられた請求項３２のメモリ、ここにおいて、プロセッサは、メモリによって実体的に具体化されたソフトウェア命令をアクセスしそして実行するように設定される。
【請求項４８】
内挿された局所極大又は極小を結果として生ずる、局所極大又は極小での若しくは近傍の関数のサンプルに内挿を実行するための手段；
内挿された局所極大又は極小の位置とサンプリングされた局所極大又は極小の位置との間の差を具備する内挿オフセットを導出するための手段；及び
内挿オフセットからパラメータの推定値を導出するための手段、
を具備する、関数の局所極大又は極小のパラメータを推定する装置。