【事件の表示】
　特願２００３−３５１７８８「スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年４月２８日出願公開、特開２００５−１１６９２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月１０日の特許出願であって、平成２１年８月２５日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年７月２７日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１１月２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月８日付けで審尋がなされ、平成２４年２月９日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成２２年１１月２日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．本件補正の内容
　平成２２年１１月２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１６を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１６とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　【請求項１】
　「自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜と、上記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線とを備えた磁気メモリセルにおいて、
　上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され、
　上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、ｎ型半導体、およびｐ型半導体から構成されているＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と電気的に接続し、
当該ＭＯＳＦＥＴは膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、上記ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置され、上記ワード線が上記ｎ型半導体のうちスピントルク磁化反転層とは遠隔位置に配置されたｎ型半導体に隣接し且つ電気的に接続され、上記ビット線が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接し且つ電気的に接続され、
さらに、上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、
書き込み時において、上記ワード線と上記ビット線との間に流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させることを特徴とする不揮発性磁気メモリセル。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜と、上記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線とを備えた磁気メモリセルにおいて、
　上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され、
　上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、ｎ型半導体、およびｐ型半導体から構成されているＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と電気的に接続し、
　当該ＭＯＳＦＥＴは膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、上記ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置され、上記ワード線が上記ｎ型半導体のうちスピントルク磁化反転層とは遠隔位置に配置されたｎ型半導体に隣接し且つ電気的に接続され、上記ビット線が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接し且つ電気的に接続され、
　さらに、上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、
　上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は上記固定層から上記自由層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層から上記固定層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層と上記自由層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され、
　書き込み時において、上記ワード線と上記ビット線との間に流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させることを特徴とする不揮発性磁気メモリセル。」
　
２．補正事項の整理
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「さらに、上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、」の後に、「上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は上記固定層から上記自由層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層から上記固定層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層と上記自由層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され、」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１５の「さらに、上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、」の後に、「上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は固定層である上記第二の強磁性層から自由層である上記第三の強磁性層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層である上記第三の強磁性層から上記固定層である上記第二の強磁性層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層である上記第二の強磁性層と上記自由層である上記第三の強磁性層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され、」を追加して、補正後の請求項１５とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正目的の適否の検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により追加された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した図面を「当初図面」といい、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００１８段落並びに当初図面の図３及び４等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「固定層」、「自由層」、「ソース電極」、及び「ドレイン電極」について、その配置を限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により追加された部分は、当初明細書の００１８段落並びに当初図面の図３及び４等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２は、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「第二の強磁性層」、「第三の強磁性層」、「ソース電極」及び「ドレイン電極」について、その配置を限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正後の請求項１〜１６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記１．の「補正後」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜と、上記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線とを備えた磁気メモリセルにおいて、
　上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され、
　上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、ｎ型半導体、およびｐ型半導体から構成されているＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と電気的に接続し、
　当該ＭＯＳＦＥＴは膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、上記ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置され、上記ワード線が上記ｎ型半導体のうちスピントルク磁化反転層とは遠隔位置に配置されたｎ型半導体に隣接し且つ電気的に接続され、上記ビット線が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接し且つ電気的に接続され、
　さらに、上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、
　上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は上記固定層から上記自由層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層から上記固定層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層と上記自由層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され、
　書き込み時において、上記ワード線と上記ビット線との間に流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させることを特徴とする不揮発性磁気メモリセル。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の出願前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である国際公開０３／０２５９４２号（以下「引用例」という。）には、「非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法」（発明の名称の訳文）に関して、図２とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「技術分野
　
本発明は磁気メモリの分野に関し、特に、電子システムへのデータの格納及び電子システムからのデータの読み出しが可能な不揮発性のランダムアクセス磁気メモリに関する。より詳しくは、本発明は、磁気トンネル接合によって構成されるＭＲＡＭと称される磁気ランダムアクセスメモリに関する
　
ｂ．「
最も簡潔な形態としての保磁力が異なる二つの磁性層を薄い絶縁層で離隔してなる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の各メモリポイントへの使用が最も将来性が有望な構造である。
　
ｃ．「
この構成に対する代替案が既に提案されている。それは、書き込みを行なうためのメモリポイントのアドレス指定のためにはもはや外部の磁界ではなく、スピン偏極電流を使用する。実際、スピン偏極電流が、偏極キャリアとシステムの磁気モーメントとの間の角スピンモーメントの伝達によって歳差運動を引き起こしたり、または磁化の反転さえ引き起こしたりできることが、ジャーナル  オブ  マグネティズム  マグネティック  マテリアルズ（Journal of Magnetism and Magnetic Materials） 、第１５９巻（１９９６年）、Ｌ１頁において予測されていた。より最近では、この効果はより小さいサイズ（＜１００ｎｍ）の全金属構造においても、サイエンス（Science） 、第２８５巻（１９９９年）、８６７頁に記載のように実験的に確認されている。最後に、この技術を利用した磁気メモリが、米国特許第５６９５８６４号明細書に記載されている。この構成では、図２から理解されるように、メモリポイント３０はＭＴＪ接合３１及びＣＭＯＳトランジスタ３２を備えるが、二つの配線層３３及び３４しか存在せず、配線３３が読み出し及び書き込みのための電流導線に対応し、配線３４が各メモリポイント３０を個別にアドレス指定することが可能なトランジスタ制御に対応する。トランジスタ３２はスイッチとして使用される
　
ＭＴＪ３１は、前述した従来技術と同様に、いわゆる自由磁性層４０と、薄い絶縁層４１と、いわゆる固定磁性層４２とを備え、更に、層４２の磁化を固定された方向に固定するための反強磁性層４３を備える。付加的な書き込み電流偏極磁性層４４を、磁性層４０の側に低抵抗の非磁性層４５により磁性層４０から離隔して追加して設けることが有利である
　読み出しモードにおいては、システムは従来技術と同様に動作し、アドレス指定されるべきメモリポイント３０に対応するトランジスタ３２が、ベースに制御線３４を経由して電流パルスを送ることによって飽和、即ちオンモードにされる。ここで、小さい強度の測定電流が配線３３へ送られ、トランジスタ３２がオン状態にある１個のメモリポイントのみを横切って流れる。この電流により、選択されたメモリポイント３０の接合３１の抵抗が測定される。測定した抵抗を、ここでは説明していない参照用のメモリポイントと比較することにより、メモリポイント３０の対応する状態（１又は０）が判定される。
　
書き込みモードにおいては、動作は前述した従来技術とは根本的に異なる。選択されたトランジスタ３２が、制御線３４へ電流パルスを送ることにより飽和、即ちオンモードにされる。ここで、強い強度の書き込み電流が配線３３へ送られ、選択されたメモリポイント３０のみを横切る。書き込み電流は磁性層４２（又は４４）を通過する際に電流の方向に応じて偏極され、磁性層４０を貫通する電子のスピンは大部分が層４２（又は４４）の磁化方向に向けられる。この強くスピン偏極された電流の大きさが充分である場合は磁性層４０の磁化が反転される。飽和、即ち「オン」モードであるトランジスタを有するメモリポイントのみが書き込み電流を伝導するので、スピン偏極された電流による書き込みは、本質的に１つのメモリポイントに限られ、アドレス指定の誤りは本質的にありえない。従って、この書き込みモードは、従来技術に開示されている方法に比して、再生可能性が極めて高い。この技術の更に他の長所は、現在有効である理論モデルによれば、メモリポイントの磁化反転に必要とされる電流密度が、材料に固有の特性ではなく、従って形状及び欠陥の存在可能性に依存するスイッチング磁場（Ｈ
C
 ）に左右されるのではなく、材料固有の特性であってより容易な方法で演繹的に制御可能な磁気異方性（Ｈ
K
 ）であるという点である。
　
ｄ．図２からは、「配線３３」と、「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」の「自由磁性層４０」と、「薄い絶縁層４１」と、「固定磁性層４２」との配置関係において、「配線３３」から近い順に「固定磁性層４２」、「薄い絶縁層４１」、「自由磁性層４０」が配置されており、「配線３３」と「自由磁性層４０」との間が、一番遠いことが、見て取れる。
　
（２−２）以上を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「自由磁性層４０と、薄い絶縁層４１と、固定磁性層４２とを備える磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、配線３３と配線３４とを備えた磁気メモリにおいて、
　書き込み電流偏極磁性層４４を、前記自由磁性層４０の側に低抵抗の非磁性層４５により前記自由磁性層４０から離隔して設け、
　前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は前記書き込み電流偏極磁性層４４を介してＭＯＳトランジスタ３２と電気的に接続し、
　前記ＭＯＳトランジスタ３２の一端は、接地されており、
　前記配線３３から近い順に前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の固定磁性層４２、薄い絶縁層４１、自由磁性層４０が配置されており、
　書き込み電流は前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４を通過する際に電流の方向に応じて偏極され、前記自由磁性層４０を貫通する電子のスピンは大部分が前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４の磁化方向に向けられて、この強くスピン偏極された電流の大きさが充分である場合は前記自由磁性層４０の磁化が反転されることを特徴とする不揮発性磁気メモリ。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「自由磁性層４０と、薄い絶縁層４１と、固定磁性層４２とを備える磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」において、引用発明の「自由磁性層４０」、「薄い絶縁層４１」、「固定磁性層４２」、「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」は、各々補正発明の「自由層」、「絶縁障壁層」、「固定層」、「トンネル型磁気抵抗効果膜」に相当するので、引用発明の「自由磁性層４０と、薄い絶縁層４１と、固定磁性層４２とを備える磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」は、補正発明の「自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「磁気メモリ」、「不揮発性磁気メモリ」は、各々補正発明の「磁気メモリセル」、「不揮発性磁気メモリセル」に相当する。
　また、引用発明の「書き込み電流偏極磁性層４４」は、補正発明の「スピントルク磁化反転層」に対応するから、引用発明の「書き込み電流偏極磁性層４４を、前記自由磁性層４０の側に低抵抗の非磁性層４５により前記自由磁性層４０から離隔して設け」ることは、補正発明の「上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され」ることに相当する。
　
（３−３）引用発明の「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は前記書き込み電流偏極磁性層４４を介してＭＯＳトランジスタ３２と電気的に接続」することは、補正発明の「上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、」「ＭＯＳＦＥＴ」「と電気的に接続」することに相当する。
　また、引用発明の「書き込み電流は前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４を通過する際に電流の方向に応じて偏極され、前記自由磁性層４０を貫通する電子のスピンは大部分が前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４の磁化方向に向けられて、この強くスピン偏極された電流の大きさが充分である場合は前記自由磁性層４０の磁化が反転される」ことは、補正発明の「書き込み時において、」「流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させる」ことに相当する。
　
（３−４）したがって、補正発明と引用発明とは、
　
　「自由層と絶縁障壁層と固定層とを備えるトンネル型磁気抵抗効果膜を備えた磁気メモリセルにおいて、
　上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させるためのスピントルク磁化反転層が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接して形成され、
　上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ＭＯＳＦＥＴと電気的に接続し、
　書き込み時において、流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させることを特徴とする不揮発性磁気メモリセル。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「上記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線」とを有するのに対して、引用発明は、「配線３３と配線３４」とを有するものの、ワード線とビット線については特定されていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、ｎ型半導体、およびｐ型半導体から構成されているＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と電気的に接続し、　当該ＭＯＳＦＥＴは膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、上記ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置され」ているのに対して、引用発明は、補正発明の「上記トンネル型磁気抵抗効果膜」に相当する「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」が、補正発明の「上記スピントルク磁化反転層」に相当する「前記書き込み電流偏極磁性層４４」を介して「ＭＯＳトランジスタ３２と電気的に接続」するものの、「ＭＯＳトランジスタ３２」の具体的な構成について特定されていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「上記ワード線が上記ｎ型半導体のうちスピントルク磁化反転層とは遠隔位置に配置されたｎ型半導体に隣接し且つ電気的に接続され、上記ビット線が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接し且つ電気的に接続され」ているのに対して、引用発明は、このような構成が特定されていない点。
　
（相違点４）
　補正発明は、「上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段を備え、」「書き込み時において、上記ワード線と上記ビット線との間に流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させる」ものであるのに対して、引用発明は、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点５）
　補正発明は、「上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は上記固定層から上記自由層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層から上記固定層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層と上記自由層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され」るのに対して、引用発明は、そのような構成が特定されていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　引用発明には、ワード線とビット線について明記されていないが、引用発明は、不揮発性磁気メモリであるから、必ずワード線及びビット線が存在していることは、当業者にとって自明である。
　ところで、本願の明細書の発明の詳細な説明、及び、図面の記載を参照すると、補正発明の「ワード線」は、図１〜４の記載において、すべて、ＭＯＳＦＥＴ１１のソース側の接地部分に設けられていることが見て取れる。
　また、引用例の図２の記載を参照すると、補正発明の「ワード線」に対応する箇所は、ＭＯＳトランジスタ３２の接地部分であると認められる。
　そして、一般に、メモリセルに縦横に接続されるどの線をワードラインとし、どの線をビットラインとするかは当業者が適宜選択できる設計的事項であるから、引用発明において、「配線３３」をビット線とし、引用発明の「前記ＭＯＳトランジスタ３２の一端は、接地されて」いる部分をワード線とすること、すなわち、補正発明のように、「上記自由層の磁化情報の書き込みと読み出しを行うためのワード線とビット線」とを有する構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、相違点１は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、いわゆるＭＲＡＭのセルに接続するＭＯＳトランジスタを、膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタで実現することは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１及び２にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開２００２−３２９８４６号公報
　上記周知例１には、図２とともに次の記載がある。
　
　「【００３６】［第１の実施の形態］図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明に係る第１の実施の形態に基づき形成される垂直構造のトランジスタを有するマグネチックラムを示す断面図、回路図及び平面図である。
【００３７】
前記図２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る、ソース接合領域とドレイン接合領域とが半導体基板に対して垂直に並んで配置され、その側方にゲート電極が配置されてなる垂直構造のトランジスタを有するマグネチックラムの断面図である。前記マグネチックラムは、円柱を有する半導体基板１１１の表面、即ち円柱の下側の半導体基板に備えられるソース接合領域１１３と、前記ソース接合領域１１３の中央部に位置する円柱の上部に備えられるドレイン接合領域１１７と、前記円柱を含む半導体基板１１１の表面に形成されるゲート酸化膜１１９と、前記円柱の側壁に備えられるゲート電極１２１で構成されている垂直構造のトランジスタ、前記トランジスタのドレイン接合領域１１７に接続されるコンタクトライン１２５、ＭＴＪセル２００の積層構造、前記ＭＴＪセル２００に接続されるビットライン１３７、前記ビットライン１３７上部のＭＴＪセル２００の上側に備えられる第２ワードラインであるライトライン１４１で構成されている
【００３８】なお、前記ＭＴＪセル２００は前記円柱の側壁に形成されるゲート電極１２１を塗布する大きさの島パターンに形成されたものである。さらに、前記ＭＴＪセル２００は線幅の増減に伴う前記ビットライン１３７、又は第２ワードラインであるライトライン１４１が重合する大きさに形成されたものである。
【００３９】前記図２（ａ）のＭＲＡＭを形成する方法を説明すると、次の通りである。
図２（ａ）に示されているように、垂直構造のトランジスタを形成するため、半導体基板１１１を一定厚さにエッチングして円柱が備えられる半導体基板１１１を形成する。その次に、前記円柱が備えられる半導体基板１１１の表面にゲート酸化膜１１９を成長させる。なお、前記半導体基板１１１の表面に高濃度のＮ型不純物をイオン注入してソース／ドレイン接合領域１１３、１１７を形成する。ここで、“１１５”は半導体基板１１１の一部が円柱形に形成された部分を指す
　
　ここにおいて、半導体基板１１１の一部が円柱形に形成された部分である１１５がＰ型であることは当業者にとって明らかであるから、上記周知例１には、ＭＲＡＭのセルに接続するＭＯＳトランジスタであって、膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開２００２−２０８６８２号公報
　上記周知例２には、図２０とともに、次の記載がある。
　
　「【０００５】
（途中略）
実施例２
本実施例は、ＭＲＡＭのメモリセルにおける、書き込みトランジスタを縦型にしたものである。本実施例の大きな特長としては、セル面積を、通常のＤＲＡＭの約半分である、４Ｆ２に出来るということが挙げられる。本実施例で実現した構造は図２０に示すようなものである。即ち、縦型選択トランジスタ（４０１）の拡散層（１００３）とＴＭＲ素子（５０４）を接続し、更にＴＭＲ素子（５０４）とビット線（６０３）を接続する。その上方に、書き込みワード線（７０４）を形成したものである。」
　
　ここにおいて、図２０の１００２及び１００３で示された２つのｎ＋拡散層の間の部分がｐ型であることは当業者にとって明らかであるから、上記周知例２にも、ＭＲＡＭのメモリセルに接続するＭＯＳトランジスタであって、膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明の「ＭＯＳトランジスタ３２」を膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタとすることは、適宜なし得たことである。
　そして、一般にＭＯＳトランジスタを用いる際に、接地側をソース電極に選択することは、当業者において慣用的に行われていることであるから、「ＭＯＳトランジスタ３２」を膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタとするに当たり、引用例の図２を参照して、「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」と接続される側と反対側をソース電極とすること、すなわち、補正発明のように、「上記トンネル型磁気抵抗効果膜は上記スピントルク磁化反転層を介して、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極、ｎ型半導体、およびｐ型半導体から構成されているＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と電気的に接続し、　当該ＭＯＳＦＥＴは膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、上記ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置され」ている構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
　上記（４−１）において検討したとおり、引用発明において、「配線３３」をビット線とし、引用発明の「前記ＭＯＳトランジスタ３２の一端は、接地されて」いる部分をワード線とすること（以下「構成Ａ」という。）は当業者が適宜なし得たことである。
　また、上記（４−２）において検討したとおり、引用発明において、「ＭＯＳトランジスタ３２」を膜面垂直方向にｎ−ｐ−ｎ接合により構成され、ゲート電極がｐ型半導体の周りに配置されている垂直構造のＭＯＳトランジスタとするに当たり、「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）」と接続される側と反対側をソース電極とすること（以下「構成Ｂ」という。）は当業者が容易になし得たことである。
　そして、引用発明は、「前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は前記書き込み電流偏極磁性層４４を介してＭＯＳトランジスタ３２と電気的に接続」するものであるから、引用発明において、上記構成Ａ及びＢを採用した場合においては、補正発明のように、「上記ワード線が上記ｎ型半導体のうちスピントルク磁化反転層とは遠隔位置に配置されたｎ型半導体に隣接し且つ電気的に接続され、上記ビット線が上記トンネル型磁気抵抗効果膜に隣接し且つ電気的に接続され」る構成となることは当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明において相違点３に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）相違点４について
　引用発明は、「書き込み電流は前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４を通過する際に電流の方向に応じて偏極され、前記自由磁性層４０を貫通する電子のスピンは大部分が前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４の磁化方向に向けられて、この強くスピン偏極された電流の大きさが充分である場合は前記自由磁性層４０の磁化が反転される」ものであるが、「書き込み電流」を発生させるためには、「書き込み電流」を供給させる手段が必要であることは、当業者にとって自明である。
　また、上記（４−１）において検討したとおり、引用発明において、上記構成Ａを採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、引用発明において当該構成Ａを採用した場合においては、「書き込み電流」を供給させる手段が、補正発明のように、「上記ワード線と上記ビット線との間に電流を供給させる手段」となり、「書き込み時において、上記ワード線と上記ビット線との間に流れる電流によって上記自由層の磁化方向をスピントルクにより回転させる」ものとなることは、当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明において相違点４に係る構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことであるから、相違点４は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである
　
（４−５）相違点５について
　上記（４−１）において検討したとおり、上記構成Ａを採用することは当業者が適宜なし得たことであり、また、上記（４−２）において検討したとおり、上記構成Ｂを採用することは当業者が容易になし得たことである。
　また、引用発明は、「書き込み電流は前記固定磁性層４２又は前記書き込み電流偏極磁性層４４を通過する際に
電流の方向に応じて
　したがって、引用発明において、上記構成Ａ及びＢを採用した場合においては、補正発明のように、「上記ビット線から上記トンネル型磁気抵抗効果膜に流れ込む電流は上記固定層から上記自由層へ向かい上記ＭＯＳＦＥＴの上記ドレイン電極から上記ソース電極を介して上記ワード線へ流れるように、上記ワード線から上記ＭＯＳＦＥＴへ流れ込む電流は上記ソース電極から上記ドレイン電極を介して上記トンネル型磁気抵抗効果膜の上記自由層から上記固定層へ向かい上記ビット線へ流れるように上記固定層と上記自由層、上記ソース電極、上記ドレイン電極は配置され」る構成となることは、当業者にとって自明である。
　よって、引用発明において相違点５に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点５は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年１１月２日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成２１年１０月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である国際公開０３／０２５９４２号（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。