【事件の表示】
　特願２０００−　４７７２７「電力増幅器を有する電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月１４日出願公開、特開２０００−２５２７６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月２４日（パリ条約による優先権主張１９９９年２月２６日、フランス）の出願であって、平成２１年４月９日付けで拒絶理由通知がなされ、同年７月１６日付けで手続補正がなされたが、平成２２年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２２年５月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の請求項１に係る発明
　平成２２年５月１４日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）は、当該補正前の平成２１年７月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１を、以下のように、補正後の特許請求の範囲の請求項１に変更する補正を含むものである。
　
＜補正前の請求項１の記載＞
「非線形増幅特性を有する高周波増幅出力段階と、
　前記高周波増幅出力段階の非線形増幅特性を補償する補正組立体と、を備える電力増幅器を有する電子装置において、
　前記電力増幅器は、
　前記高周波増幅出力段階と同じ非線形増幅特性を有する低電力前置増幅器と、
　前記非線形増幅特性を打ち消すために、入力信号を前記低電力前置増幅器の出力信号と結合する結合装置と、を備えると共に、
　前記結合装置は、
　前記非線形増幅特性を表す歪信号を生成する歪抽出装置と、
　増幅されるべき信号と前記歪信号とを結合した歪補正信号を、前記高周波増幅出力段階へ供給する前置補正装置と、を備える
　ことを特徴とする電力増幅器を有する電子装置。」
　
＜補正後の請求項１の記載＞
「非線形増幅特性を有する高周波増幅出力段
（２１）
　前記高周波増幅出力段
（２１）
（２０）
し
　前記電力増幅器
（２０）
　前記高周波増幅出力段
（２１）
（４６）
　前記非線形増幅特性を打ち消すために、入力信号を前記低電力前置増幅器
（４６）
（６０）
　前記結合装置
（６０）
　前記非線形増幅特性を表す歪信号を生成する歪抽出装置
（５０）
　増幅されるべき信号と前記歪信号とを結合した歪補正信号を、前記高周波増幅出力段へ供給する前置補正装置
（５１）
電子装置において、
　
前記歪抽出装置（５０）は、信号Ｖ
２５
を入力して信号Ｖ
５０
を出力し、
　
前記前置補正装置（５１）は、信号Ｖ
５０
を入力して信号Ｖ
５１
を出力し、
　
前記高周波増幅出力段（２１）は、信号Ｖ
５１
を入力して信号Ｖ
２８
を出力し、
　
前記信号Ｖ
２５
、Ｖ
５０
、Ｖ
５１
、Ｖ
２８
は、以下の式、
　　　　
Ｖ
５０
＝Ａ・Ｖ
２５
−（Ａ・Ｖ
２５
−αＶ
２５
２
）＝＋α・Ｖ
２５
２
，
　　　　
Ｖ
５１
＝Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
，
　　　　
Ｖ
２８
＝ｋ（Ａ・Ｖ
５１
−αＶ
５１
２
）の関係を有し、詳細に示すと、
　
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）− α（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）
２
　
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ
２
・Ｖ
２５
＋α・Ａ（１−Ａ）・Ｖ
２５
２
−２・Ａ・α
２
・Ｖ
２５
３
−α
３
・Ｖ
２５
４
の関係となり、
　
ただし、各式において、Ａは前記低電力前置増幅器（４６）の利得であり、ｋＡは前記高周波増幅出力段（２１）の利得であり、αは前記低電力前置増幅器（４６）および前記高周波増幅出力段（２１）の飽和を表すものである
（２０）
　
　なお、平成２２年５月１４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１においては、
「
前記高周波出力段（２１）は、信号Ｖ
５１
を入力して信号Ｖ
２８
を出力し、
と記載されているが、同請求項１に、「高周波増幅出力段
（２１）
前記高周波出力段（２１）
前記高周波増幅出力段（２１）
　また、同じく平成２２年５月１４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１においては、
「
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）− α（Ａ・Ｖ
２５
−αＶ
２５
２
）
２
と記載されているが、同請求項１に、「
Ｖ
２８
＝ｋ（Ａ・Ｖ
５１
−αＶ
５１
２
）
Ｖ
５１
＝Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）− α（Ａ・Ｖ
２５
−αＶ
２５
２
）
２
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）− α（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）
２
　
　そして、請求項１に係る上記補正は、次の内容を含むものである。
（ア）「高周波増幅出力段階」を「高周波増幅出力段
（２１）
（イ）「電力増幅器」を「電力増幅器
（２０）
（ウ）「低電力前置増幅器」を「低電力前置増幅器
（４６）
（エ）「結合装置」を「結合装置
（６０）
（オ）「歪抽出装置」を「歪抽出装置
（５０）
（カ）「前置補正装置」を「前置補正装置
（５１）
（キ）「電力増幅器を有する電子装置において、・・・ことを特徴とする電力増幅器を有する電子装置。」を「電力増幅器
（２０）
し
電子装置において、
　
前記歪抽出装置（５０）は、信号Ｖ
２５
を入力して信号Ｖ
５０
を出力し、
　
前記前置補正装置（５１）は、信号Ｖ
５０
を入力して信号Ｖ
５１
を出力し、
　
前記高周波増幅出力段（２１）は、信号Ｖ
５１
を入力して信号Ｖ
２８
を出力し、
　
前記信号Ｖ
２５
、Ｖ
５０
、Ｖ
５１
、Ｖ
２８
は、以下の式、
　　　　
Ｖ
５０
＝Ａ・Ｖ
２５
−（Ａ・Ｖ
２５
−αＶ
２５
２
）＝＋α・Ｖ
２５
２
，
　　　　
Ｖ
５１
＝Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
，
　　　　
Ｖ
２８
＝ｋ（Ａ・Ｖ
５１
−αＶ
５１
２
）の関係を有し、詳細に示すと、
　
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）− α（Ａ・Ｖ
２５
＋αＶ
２５
２
）
２
　
Ｖ
２８
／ｋ＝Ａ
２
・Ｖ
２５
＋α・Ａ（１−Ａ）・Ｖ
２５
２
−２・Ａ・α
２
・Ｖ
２５
３
−α
３
・Ｖ
２５
４
の関係となり、
　
ただし、各式において、Ａは前記低電力前置増幅器（４６）の利得であり、ｋＡは前記高周波増幅出力段（２１）の利得であり、αは前記低電力前置増幅器（４６）および前記高周波増幅出力段（２１）の飽和を表すものである
（２０）
　
　上記補正のうち、（ア）〜（カ）については、補正前後で実質的に内容の変化はない。
　（キ）については、実質的に、補正前の「歪抽出装置」、「前置補正装置」、「高周波増幅出力段階」のそれぞれについて、入出力信号の関係を式にて限定するものである。
　
　してみれば、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件手続補正後の上記請求項１の記載における発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−２５３１０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例）
Ａ．「（ａ）　発明の技術分野
　本発明はＦＥＴ電力増幅装置に係り、特に単側波帯（ＳＳＢと省略）多重無線装置に使用する電界効果トランジスタ（ＦＥＴと省略）を用いた直線電力増幅装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１６行〜同欄第２０行）
　
Ｂ．「（ｂ）　従来技術と問題点
　従来のＳＳＢ多重無線装置用直線電力増幅装置としてＦＥＴは小電力しか得られないので使用されず、進行波管が専ら用いられた。この為装置が大型になり消費電力も大きく且つ価格も高いと云う問題があった。」（第１頁右上欄第１行〜同欄第６行）
　
Ｃ．「（ｃ）　発明の目的
　本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、環境変化に対して安定で且つ飽和出力の近く迄使用出来るＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置を提供する事を目的とする。」（第１頁右上欄第７行〜同欄第１１行）
　
Ｄ．「（ｅ）　発明の実施例
　第２図は本発明の一実施例のブロック接続図である。
　図中、ＨＹＢ−１〜ＨＹＢ−５はハィブリッド回路を、ＡＴＴ−１，ＡＴＴ−３は減衰器を、ＡＴＴ−２，ＡＴＴ−４は可変減衰器を、ＰＳ−１は移相器を、ＰＳ−２は可変移相器を、Ａ−１，Ａ−２はＦＥＴ増幅器を、ＤＥＴ−１，ＤＥＴ−２は検波器を、ＤＬは遅延回路を、ＣＯＭは差動増幅器を、ＤＡ−１〜ＤＡ−３は直流増幅器を、Ｃ−１は方向性結合器を、ＩＮ及びＯＵＴは入力端子及び出力端子をそれぞれ示す。
　これらの各ブロックは次の様に接続されている。ハイブリッド回路ＨＹＢ−１の入力端子（１）は入力端子ＩＮに、出力端子（２）はハイブリッド回路ＨＹＢ−２の入力端子（１）と、出力端子（３）は検波器ＤＥＴ−１，差動増幅器ＣＯＭ及び直流増幅器ＤＡ−１を介して可変減衰器ＡＴＴ−４の入力端子（２）と、ハイブリッド回路ＨＹＢ−２の出力端子（２）は遅延回路ＤＬ，減衰器ＡＴＴ−３及びハイブリッド回路ＨＹＢ−５を介して前記可変減衰器ＡＴＴ−４の入力端子（１）と、ハイブリッド回路ＨＹＢ−２の出力端子（３）は点線で示した歪信号発生回路ＤＧ，可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を介してハイブリッド回路ＨＹＢ−５の入力端子（３）にそれぞれ接続される。
　又、可変減衰器ＡＴＴ−４の出力端子（３）はＦＥＴ増幅器Ａ−２及び方向性結合器Ｃ−１を介して出力端子ＯＵＴに、方向性結合器Ｃ−１の出力端子（３）は検波器ＤＥＴ−２を介して差動増幅器ＣＯＭの入力端子（２）に、そして前記差動増幅器ＣＯＭの出力端子は直流増幅器ＤＡ−１の第１の出力端子を介して可変減衰器ＡＴＴ−４の入力端子（２）に、前記直流増幅器ＤＡ−１の第２及び第３の出力端子は直流増幅器ＤＡ−２を介して可変減衰器の入力端子（２）及び直流増幅器ＤＡ−３を介して可変移相器ＰＳ−２の入力端子（２）にそれぞれ接続される。尚、一点鎖線の部分が本発明を実施する為に付加された部分である。
　この様に接続された一実施例の動作は次の様である。
　入力端子ＩＮに加えられた入力信号はハイブリッド回路ＨＹＢ−１で２つに分配され、一つは検波器ＤＥＴ−１で検波され直流電圧が得られ、この電圧は差動増幅器ＣＯＭの入力端子（１）に加えられる。他はハイブリッド回路ＨＹＢ−２に依り更に２つに分配され、それぞれ主信号線路ＭＬと歪信号発生回路ＤＧとに加えられる。
　後者は歪信号だけを取り出す為の回路で、信号を更にハイブリッド回路ＨＹＢ−３で２つに分配し、一つはＦＥＴ増幅器Ａ−１で歪を発生させ、他は移相器ＰＳ−１を通し、ハイブリッド回路ＨＹＢ−４で逆相で合成する。このとき減衰器ＡＴＴ−１と移相器ＰＳ−１はＦＥＴ増幅器Ａ−１に加えられた入力信号を打ち消す様に設定すると、増幅器Ａ−１で発生した歪成分だけをハイブリッド回路ＨＹＢ−４の出力端子（１）に取り出す事が出来る。
　この歪成分は可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を通してハイブリッド回路ＨＹＢ−５の入力端子（３）に入力するが、入力信号に無関係に可変減衰器ＡＴＴ−１及び可変移相器ＰＳ−１に依り振幅と位相を変える事が出来る。
　一方、ハイブリッド回路ＨＹＢ−５の入力端子（２）には主信号線路ＭＬを通った信号が遅延回路ＤＬ及び減衰器ＡＴＴ−３を経由して加えられるので、この回路ＨＹＢ−５の出力端子（１）に前記２つの信号が重畳される。
　そこで、この重畳された信号をＦＥＴ増幅器Ａ−２に加え、ここで発生する歪成分と振幅が同じで移相が逆相になる様に可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を設定すれば、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の出力波に含まれる歪成分は打ち消され歪量を改善する事が出来る。
　次に、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の出力端子（１）と出力端子ＯＵＴとの間に方向性結合器Ｃ−１を設け、この方向性結合器Ｃ−１の結合量を検波器ＤＥＴ−１とＤＥＴ−２の検波器に加えられる高周波電圧が等しくなる様に設定して置けば、両方の検波器で等しい直流電圧が得られ、入力信号レベルが変化しても同じだけ出力信号レベルが変化するので差動増幅器ＣＯＭの出力は一定となる。
　併し、ＦＥＴ電力増幅器Ａ−２の利得が変化した時は検波器ＤＥＴ−１，ＤＥＴ−２の検波電圧に差が生じ差動増幅器ＣＯＭの出力が変化する。
　この変化した出力を直流増幅器ＤＡ−１で増幅しＦＥＴ増幅器Ａ−２の前段に接続された可変減衰器ＡＴＴ−４を制御すれば、ＦＥＴ直流電力増幅装置の利得の安定化を図る事が出来る。
　一方、この電圧を直流増幅器ＤＡ−２及びＤＡ−３を通して可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を制御すればＦＥＴ増幅器Ａ−２の利得変化に伴う歪量の変化も補償する事が出来る。」（第２頁左上欄第４行〜第３頁左上欄第１２行）
　
Ｅ．「（ｆ）　発明の効果
　以上説明した様に、本発明に依ればＦＥＴ直線電力増幅器で発生する歪成分の変化の傾向と、ＦＥＴを用いた歪信号発生回路で得られた歪補償成分の変化の傾向が類似している事を利用して、前記ＦＥＴ直線電力増幅装置の利得の安定化に使用する制御電圧を、歪補償用出力波を制御することにも使用する事に依り、利得が一定で歪の少ないＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置が得られる。」（第３頁左上欄第１３行〜同頁右上欄第１行）
　
　ここで、
（ア）上記Ｄ．の「第２図は本発明の一実施例のブロック接続図である。」という記載は、図面には第１図のみ記載されていることから、「第１図は本発明の一実施例のブロック接続図である。」の誤記であると認められる。
（イ）上記Ｄ．の「そこで、この重畳された信号をＦＥＴ増幅器Ａ−２に加え、ここで発生する歪成分と振幅が同じで移相が逆相になる様に可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を設定すれば、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の出力波に含まれる歪成分は打ち消され歪量を改善する事が出来る。」という記載及び第１図より、ハイブリッド回路ＨＹＢ−２からハイブリッド回路ＨＹＢ−５までの部分は、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の歪成分を打ち消す補正組立体ということができると解される。
（ウ）上記Ｅ．の「ＦＥＴ直線電力増幅器で発生する歪成分の変化の傾向と、ＦＥＴを用いた歪信号発生回路で得られた歪補償成分の変化の傾向が類似している」という記載より、ＦＥＴ増幅器Ａ−２で発生する歪成分の変化の傾向と、歪信号発生回路ＤＧに含まれる唯一の増幅器であるＦＥＴ増幅器Ａ−１で発生する歪成分の変化の傾向とが類似していると解される。
（エ）上記Ｄ．の「一方、ハイブリッド回路ＨＹＢ−５の入力端子（２）には主信号線路ＭＬを通った信号が遅延回路ＤＬ及び減衰器ＡＴＴ−３を経由して加えられるので、この回路ＨＹＢ−５の出力端子（１）に前記２つの信号が重畳される。
　そこで、この重畳された信号をＦＥＴ増幅器Ａ−２に加え、ここで発生する歪成分と振幅が同じで移相が逆相になる様に可変減衰器ＡＴＴ−２及び可変移相器ＰＳ−２を設定すれば、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の出力波に含まれる歪成分は打ち消され歪量を改善する事が出来る。」という記載より、引用例のものは、歪成分を打ち消すために、入力信号をＦＥＴ増幅器Ａ−１の出力信号と結合する結合装置があると解される。
　
　よって、上記Ａ．〜Ｅ．の記載及び関連する図面を参照すると、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例記載の発明」という。）
「歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−２と、
　前記ＦＥＴ増幅器Ａ−２の歪成分を打ち消す補正組立体と、を備えるＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置を有し、
　前記ＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置は、
　前記ＦＥＴ増幅器Ａ−２と類似している歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−１と、
　前記歪成分を打ち消すために、入力信号を前記ＦＥＴ増幅器Ａ−１の出力信号と結合する結合装置と、を備えると共に、
　前記結合装置は、
　歪補償成分を取り出すハイブリッド回路ＨＹＢ−４と、
　主信号線路ＭＬを通った信号と前記歪補償成分とを重畳した信号を、前記ＦＥＴ増幅器Ａ−２へ供給するハイブリッド回路ＨＹＢ−５と、を備えるＳＳＢ多重無線装置。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）上記（２）Ｃ．に、「本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、環境変化に対して安定で且つ飽和出力の近く迄使用出来るＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置を提供する事を目的とする。」と記載されていることより、引用例記載の発明は、飽和出力の近くまで使用されるものであり、一般的に増幅器は飽和出力の近くでは非線形増幅特性を有するから、引用例記載の発明における歪成分は、ＦＥＴ増幅器Ａ−２が飽和出力の近くにおいて非線形増幅特性を有することにより生じるものと解される。また、引用例記載の発明は、ＳＳＢ多重無線装置用のものであるから、ＦＥＴ増幅器Ａ−２は高周波信号を扱うものであると解される。
　したがって、引用例記載の発明における「歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−２」は、本願補正発明における「非線形増幅特性を有する高周波増幅出力段（２１）」に相当する。
　
（い）上記（あ）で検討した事項を踏まえて、引用例記載の発明におけるＦＥＴ増幅器Ａ−２の「歪成分を打ち消す」ことは、本願補正発明における高周波増幅出力段（２１）の「非線形増幅特性を補償する」ことに相当する。
　
（う）引用例記載の発明における「ＳＳＢ多重無線装置用ＦＥＴ直線電力増幅装置」は、本願補正発明における「電力増幅器（２０）」に相当する。
　
（え）引用例記載の発明における「ＦＥＴ増幅器Ａ−１」と、本願補正発明における「低電力前置増幅器（４６）」とは、「前置増幅器」である点において、共通するものである。
　
（お）上記（あ）で検討した事項を踏まえると、増幅器が歪成分を発生することは、増幅器が非線形増幅特性を有するためであるから、上記（え）で検討した事項も踏まえて、引用例記載の発明におけるＦＥＴ増幅器Ａ−２及びＦＥＴ増幅器Ａ−１が「歪成分を発生する」ことは、本願補正発明における高周波増幅出力段（２１）及び低電力前置増幅器（４６）が「非線形増幅特性を有する」ことに相当する。
　
（か）上記（え），（お）で検討した事項を踏まえて、引用例記載の発明における「ＦＥＴ増幅器Ａ−２と類似している歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−１」と、本願補正発明における「高周波増幅出力段（２１）と同じ非線形増幅特性を有する低電力前置増幅器（４６）」とは、「高周波増幅出力段と相関のある非線形増幅特性を有する前置増幅器」である点において、共通するものである。
　
（き）上記（い）で検討した事項を踏まえて、引用例記載の発明における「歪成分を打ち消す」ことは、本願補正発明における「非線形増幅特性を打ち消す」ことに相当する。
　
（く）引用例記載の発明における「歪補償成分を取り出すハイブリッド回路ＨＹＢ−４」は、本願補正発明における「非線形増幅特性を表す歪信号を生成する歪抽出装置（５０）」に相当する。
　
（け）引用例記載の発明における「主信号線路ＭＬを通った信号と前記歪補償成分とを重畳した信号を、前記ＦＥＴ増幅器Ａ−２へ供給するハイブリッド回路ＨＹＢ−５」は、本願補正発明における「増幅されるべき信号と前記歪信号とを結合した歪補正信号を、前記高周波増幅出力段へ供給する前置補正装置（５１）」に相当する。
　
（こ）引用例記載の発明における「ＳＳＢ多重無線装置」は、本願補正発明における「電子装置」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用例記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願補正発明と引用例記載の発明とは、ともに、
「非線形増幅特性を有する高周波増幅出力段と、
　前記高周波増幅出力段の非線形増幅特性を補償する補正組立体と、を備える電力増幅器を有し、
　前記電力増幅器は、
　前記高周波増幅出力段と相関のある非線形増幅特性を有する前置増幅器と、
　前記非線形増幅特性を打ち消すために、入力信号を前記前置増幅器の出力信号と結合する結合装置と、を備えると共に、
　前記結合装置は、
　前記非線形増幅特性を表す歪信号を生成する歪抽出装置と、
　増幅されるべき信号と前記歪信号とを結合した歪補正信号を、前記高周波増幅出力段へ供給する前置補正装置と、を備える電子装置。」
である点。
　
（相違点）
相違点１：「前置増幅器」が、本願補正発明においては、「低電力前置増幅器（４６）」であるのに対し、引用例記載の発明においては、「ＦＥＴ増幅器Ａ−１」であり、低電力のものであるとは特定されない点。
　
相違点２：「高周波増幅出力段と相関のある非線形増幅特性を有する前置増幅器」が、本願補正発明においては、「高周波増幅出力段（２１）と同じ非線形増幅特性を有する低電力前置増幅器（４６）」であるのに対し、引用例記載の発明においては、「ＦＥＴ増幅器Ａ−２と類似している歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−１」である点。
　
相違点３：本願補正発明においては、「前記歪抽出装置（５０）は、信号Ｖ２５を入力して信号Ｖ５０を出力し、
　前記前置補正装置（５１）は、信号Ｖ５０を入力して信号Ｖ５１を出力し、
　前記高周波増幅出力段（２１）は、信号Ｖ５１を入力して信号Ｖ２８を出力し、
　前記信号Ｖ２５、Ｖ５０、Ｖ５１、Ｖ２８は、以下の式、
　　　　Ｖ５０＝Ａ・Ｖ２５−（Ａ・Ｖ２５−αＶ２５２）＝＋α・Ｖ２５２，
　　　　Ｖ５１＝Ａ・Ｖ２５＋αＶ２５２，
　　　　Ｖ２８＝ｋ（Ａ・Ｖ５１−αＶ５１２）の関係を有し、詳細に示すと、
　Ｖ２８／ｋ＝Ａ（Ａ・Ｖ２５＋αＶ２５２）− α（Ａ・Ｖ２５＋αＶ２５２）２　
　Ｖ２８／ｋ＝Ａ２・Ｖ２５＋α・Ａ（１−Ａ）・Ｖ２５２−２・Ａ・α２・Ｖ２５３−α３・Ｖ２５４　
の関係となり、
　ただし、各式において、Ａは前記低電力前置増幅器（４６）の利得であり、ｋＡは前記高周波増幅出力段（２１）の利得であり、αは前記低電力前置増幅器（４６）および前記高周波増幅出力段（２１）の飽和を表すものである」のに対し、引用例記載の発明においては、ハイブリッド回路ＨＹＢ−４、ハイブリッド回路ＨＹＢ−５、ＦＥＴ増幅器Ａ−２の各入出力信号の関係がどのような式によって表されるかについては、特段に考慮されていない点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
　
（相違点１について）
　上記（２）Ｄ．に、「後者は歪信号だけを取り出す為の回路で、信号を更にハイブリッド回路ＨＹＢ−３で２つに分配し、一つはＦＥＴ増幅器Ａ−１で歪を発生させ、他は移相器ＰＳ−１を通し、ハイブリッド回路ＨＹＢ−４で逆相で合成する。このとき減衰器ＡＴＴ−１と移相器ＰＳ−１はＦＥＴ増幅器Ａ−１に加えられた入力信号を打ち消す様に設定すると、増幅器Ａ−１で発生した歪成分だけをハイブリッド回路ＨＹＢ−４の出力端子（１）に取り出す事が出来る。」と記載されていることより、引用例記載の発明は、入力信号を打ち消すためにはハイブリッド回路ＨＹＢ−４の２つ入力信号が同じ振幅であるべきであり、移相器ＰＳ−１を通る経路は利得がほぼ１であると考えられるから、ＦＥＴ増幅器Ａ−１及び減衰器ＡＴＴ−１を通る経路も全体として利得がほぼ１でなければならない。そして、一般的に増幅器の出力部に減衰器を含めたものを増幅部と捉えることもできるから、引用例記載の発明において、ＦＥＴ増幅器Ａ−１及び減衰器ＡＴＴ−１を増幅部と捉えることは単なる設計事項にすぎない。このとき、上述したように当該増幅部の利得はほぼ１となるから、当該増幅部は低電力のものであるといえる。
　
（相違点２について）
　上記「相違点１について」で検討した事項等を踏まえると、引用例記載の発明において、ＦＥＴ増幅器Ａ−２で発生する歪成分の変化の傾向と、ＦＥＴ増幅器Ａ−１及び減衰器ＡＴＴ−１からなる低電力の増幅部で発生する歪成分の変化の傾向が同じであれば一層効果的に歪成分を打ち消すことができることは明らかであるから、引用例記載の発明において、「ＦＥＴ増幅器Ａ−２と類似している歪成分を発生するＦＥＴ増幅器Ａ−１」及び減衰器ＡＴＴ−１からなる低電力の増幅部を、「高周波増幅出力段と同じ非線形増幅特性を有する低電力前置増幅器」とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
（相違点３について）
　一般的に、増幅器の入出力信号の非線形増幅特性を展開式にて表す式は、例えば、米国特許第３９２２６７４号明細書の第４欄第３行〜第１５行に示されている式や、特表平１１−５００２７６号公報の第４頁に示されている式（１）等のように、周知技術である。そして、これらの式の近似式として、本願明細書の段落【００１６】に記載されているとおり、非線形性を表す項として２次の項のみを考慮するのであれば、例えば、増幅器の利得をＡとし、飽和に関連する係数をα、増幅器の入力信号をＶｉｎ、増幅器の出力信号をＶｏｕｔとしたとき、Ｖｏｕｔ＝ＡＶｉｎ−αＶｉｎ２という式で表されるものを用いることは、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。
　したがって、引用例記載の発明において、ＦＥＴ増幅器Ａ−１及び減衰器ＡＴＴ−１からなる低電力の増幅部の入出力信号の非線形増幅特性を表す式を上記Ｖｏｕｔ＝ＡＶｉｎ−αＶｉｎ２という式にて表し、当該増幅部と同じ非線形増幅特性を有するＦＥＴ増幅器Ａ−２の入出力信号の非線形増幅特性を表す式を前記増幅部のｋ倍の利得を有するＶｏｕｔ＝k（ＡＶｉｎ−αＶｉｎ２）という式にて表すようにすることも、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎず、このとき、ハイブリッド回路ＨＹＢ−４（歪抽出装置（５０））、ハイブリッド回路ＨＹＢ−５（前置補正装置（５１））、ＦＥＴ増幅器Ａ−２（高周波増幅出力段（２１））の各入出力信号の関係が、相違点３に係る本願補正発明の式によって示されたような関係となることは明らかである。
　
（本願補正発明の作用効果について）
　そして、本願補正発明の構成によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び上記周知技術から、当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　よって、本件手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２２年５月１４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２１年７月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「非線形増幅特性を有する高周波増幅出力段階と、
　前記高周波増幅出力段階の非線形増幅特性を補償する補正組立体と、を備える電力増幅器を有する電子装置において、
　前記電力増幅器は、
　前記高周波増幅出力段階と同じ非線形増幅特性を有する低電力前置増幅器と、
　前記非線形増幅特性を打ち消すために、入力信号を前記低電力前置増幅器の出力信号と結合する結合装置と、を備えると共に、
　前記結合装置は、
　前記非線形増幅特性を表す歪信号を生成する歪抽出装置と、
　増幅されるべき信号と前記歪信号とを結合した歪補正信号を、前記高周波増幅出力段階へ供給する前置補正装置と、を備える
　ことを特徴とする電力増幅器を有する電子装置。」
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例とそれらの記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、実質的に、上記２．（１）で検討した本願補正発明における、「歪抽出装置（５０）」、「前置補正装置（５１）」、「高周波増幅出力段（２１）」のそれぞれについて、入出力信号の関係を式にて定めるという特定の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件に特定の限定を施したものに相当する本願補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用例記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記特定の限定を省いた本願発明は、上記特定の限定について引用した上記周知技術を参酌するまでもなく、引用例記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。