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　特願２００７−５３４６８１「低１ｃらせん転位の３インチ炭化珪素ウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２０日国際公開、ＷＯ２００６／０４１６５９、平成２０年　５月１５日国内公表、特表２００８−５１５７４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００５年９月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１０月４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１０月３１日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年２月４日付けで意見書と特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出され、同年３月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２９日付けで意見書が提出され、同年９月１日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年３月４日付けで意見書が提出され、同年同月２６日付で拒絶査定され、同年７月３０日に拒絶査定不服審判が請求され、同年９月１０日に審判請求書に係る手続補正書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜９に係る発明（以下、「本願発明１〜９」という。）は、平成２１年２月４日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　種結晶を用いた昇華システムにおいて炭化珪素の高品質バルク単結晶を製造する方法であって、
　ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップと、
　前記研磨したＳｉＣウェーハをるつぼに導入するステップと、
　炭化珪素ソース材料を前記るつぼに供給するステップと、
　前記炭化珪素ソース材料を昇華させ、前記炭化珪素ソース材料とＳｉＣウェーハとの間に熱勾配を形成するようにるつぼを加熱して、前記ソース材料の前記研磨したＳｉＣウェーハへの気相移動、ならびに、前記ソース材料の前記ＳｉＣウェーハの前記研磨成長表面における凝縮を促進させることで、少なくとも３インチの直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産する方法。
　　【請求項２】
　前記加熱するステップにおいてＳｉＣの単結晶を形成するステップが、２０００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記加熱するステップにおいてＳｉＣの単結晶を形成するステップが、１５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記加熱するステップにおいてＳｉＣの単結晶を形成するステップが、１２００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記ウェーハを研磨するステップが、化学機械研磨を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　さらに、前記研磨するステップに先立ち、
　ＳｉＣブールを成長するステップと、
　前記ＳｉＣブールからＳｉＣウェーハをスライスするステップとを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　さらに、前記導入するステップに先立ち、ＳｉＣ種結晶ホルダをアニールする段階と、前記研磨したＳｉＣウェーハをアニールされた種結晶ホルダに取り付けるステップとを含み、
　前記導入するステップが、前記アニールされた種結晶ホルダを配置するステップと、研磨したＳｉＣウェーハをるつぼ内に取り付けるステップとを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　３インチ以上の直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有するＳｉＣの単結晶が、３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ，１５Ｒから選択される単一のポリタイプを有する請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】
　さらに、３インチ以上の直径を有し２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する前記ＳｉＣの単結晶から２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有するウェーハをスライスするステップを含む請求項１に記載の方法。
　
２．原査定の拒絶の理由及び平成２２年３月４日付け意見書に対する原審の判断
　原査定の拒絶の理由は、平成２１年９月１日付け拒絶理由通知書の理由Ａ、Ｂによって拒絶すべきものとすることを含み、同拒絶理由通知書の理由Ａ、Ｂは、 請求項１〜９に係る発明に関して、発明の詳細な説明には、２５００ｃｍ−２未満、２０００ｃｍ−２未満、１５００ｃｍ−２未満、あるいは、１２００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産する方法について、具体的に記載されておらず、発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜９に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものといえないし、また、請求項１〜９に係る発明が、発明の詳細な説明に記載したものといえないから、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないし、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない、
とし、詳しくは、
発明の詳細な説明の段落【００２３】、段落【００２６】、段落【００２８】、段落【００４７】、段落【００４８】、及び段落【００４９】には、特定値の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハが記載されているのみであり、これらウエハがどのような方法によって形成されたかについて具体的に記載されていないし、
また、段落【００２９】、段落【００３０】、段落【００３７】の記載をみても、改良方法が具体的にどのような方法であるか記載されていないし、また、種結晶を研磨すること、あるいは、表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度を有する単結晶ＳｉＣ種結晶を用いることによって、成長したＳｉＣ単結晶の１ｃらせん転位密度がどのような値になるかについて具体的に記載されていないから、段落【００３０】や段落【００３７】に記載された手段によって、２５００ｃｍ−２未満、２０００ｃｍ−２未満、１５００ｃｍ−２未満、あるいは、１２００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶が生産できるか不明である、と指摘し、
拒絶査定において、平成２２年３月４日付けの意見書の主張に対して、
（ア）この主張は、種結晶を用いれば、種結晶が研磨されているかいないかによらず、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となることを主張しているのか、研磨された種結晶を用いることによって、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となることを主張しているのか理解できないし、
（イ）また、後者を主張しているとしても、段落【００３０】の「昇華成長は、典型的に、エッチングされていない研磨された種結晶上に実行される」旨の記載が、特定値の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハが、エッチングされていない研磨された種結晶を用いた昇華成長により実施されているとする根拠といえないから、当該主張も採用できない、と判断している。
　
３．当審の判断
（１）本願発明１は、「ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップと、
　前記研磨したＳｉＣウェーハをるつぼに導入するステップと
・・・・・・
前記ソース材料の前記研磨したＳｉＣウェーハへの気相移動、ならびに、前記ソース材料の前記ＳｉＣウェーハの前記研磨成長表面における凝縮を促進させることで、少なくとも３インチの直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産する方法」という発明特定事項を有する発明であるから、「研磨したＳｉＣウェーハ」すなわち、「研磨された種結晶」を用いて、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」していることが明らかである。
　よって、平成２２年３月４日付け意見書に対する原審の判断（ア）で、「種結晶を用いれば、種結晶が研磨されているかいないかによらず、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となることを主張しているのか、研磨された種結晶を用いることによって、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となることを主張しているのか理解できない」としているが、上述のとおり本願発明１において種結晶は研磨されているから、「種結晶を用いれば、種結晶が研磨されているかいないかによらず、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となる」ということはなく、「研磨された種結晶を用いることによって、１ｃらせん転位密度の達成値が約２５００ｃｍ−２未満となる」といえ、この部分は支持することはできない。
　そこで、平成２２年３月４日付け意見書に対する原審の判断（イ）で「段落【００３０】の「昇華成長は、典型的に、エッチングされていない研磨された種結晶上に実行される」旨の記載が、特定値の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハが、エッチングされていない研磨された種結晶を用いた昇華成長により実施されているとする根拠といえない」、すなわち、「段落【００３０】の記載をみても、研磨した種結晶を単に用いることだけで２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産することができるとはいえない」と、判断していることを踏まえて原査定の拒絶の理由が妥当であるかを検討する。
（２）まず、段落【００３０】の「昇華成長は、典型的に、エッチングされていない研磨された種結晶上に実行される」との記載をみると、研磨された種結晶を用いることは「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産する」ために少なくとも必要な事項ととれる。
（３）次に、研磨された単結晶に関する発明の詳細な説明の記載をみてみると、研磨する手段、研磨の程度（どのような研磨表面を得るのか）等について記載がなく、また、これらの指針を与える、研磨された種結晶上に昇華成長を行うと「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」を行うことができることに関する理論的な説明についても記載がない。
（４）種結晶に関して、発明の詳細な説明の段落【００３７】には、「種結晶２２は、少なくとも約７５ｍｍの直径を有し、表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度を有する単結晶ＳｉＣ種結晶であることが好ましい。」と記載されているが、研磨について言及はなく、しかも、マイクロパイプは厚さ方向に存在する欠陥であるから研磨の程度によってその密度が変化するとは直ちにいえないから、「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」なる記載事項をもって研磨の手段、研磨の程度等を導出する指針とすることもできない。
（５）仮に、種結晶を単に研磨することだけで「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」となり、この「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」の種結晶を用いると「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産する」ことができるとして、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３４】〜【００３６】及び図面第４図に示される製造法に関する技術常識をみてみる。
　原査定の拒絶の理由において引用文献２として引用された特開２００３−１８３０９７号公報の段落【０００４】には、
「マイクロパイプ密度が極めて小さい種結晶として、供試可能な結晶としては、レーリー法によって製造されるレーリー結晶と称される結晶片の存在が知られているが、この結晶片はその大きさが直径にして、せいぜい１０〜１５ｍｍ程度にしか及ばず、工業的に希求されている２〜４インチ（約５０〜１００ｍｍ）径にははるかに及ばない。このため、基本的に上記レーリー結晶から出発し、安定結晶成長を繰り返して、マイクロパイプを新たに発生させないように慎重に口径拡大を重ね、所望の２〜４インチ（約５０〜１００ｍｍ）径にすることが、大口径高品質インゴットを製造する基本的な指針となっている。しかしながら、この方法によって口径拡大に成功したとしても、安定成長を繰り返している途上において、成長条件の突発的変移等々の偶発的な要因によって起こる成長不安定性等の原因により、成長インゴット中に新たにマイクロパイプが多数発生する確率が無視できず、このような場合には、上記のように、マイクロパイプ密度が元のレベルに低減するまで、再び安定結晶成長を多数回繰り返す必要があり、効率的な工業生産が阻まれてしまう。」
との記載がある（同様の事項は、平成２０年１０月３１日付けの拒絶理由で引用された特開２００３−１７６２００号公報の段落【０００５】にも記載されている。）。
　また、特開２０００−３４１９８号公報には、
「この種のＳｉＣ単結晶の成長（製造）方法として、従来、黒鉛るつぼ内で原料のＳｉＣ粉末を昇華させ、その昇華ガスを閉鎖空間内で拡散輸送させてるつぼ内の低温部に配置した種結晶上に再結晶させる改良型昇華再結晶法（改良レーリー法）・・・・・・等が知られている。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、・・・・・・改良レーリー法にあっては、結晶成長速度の進展および大型単結晶成長が可能になってきているものの、マイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直径数ミクロンのピンホールが１００〜１０００／ｃｍ2 程度成長結晶中に残存しやすくて、半導体デバイスとしての要求を満たすに足りる品質を持つ単結晶ＳｉＣが得られていない。・・・・・・」（段落【０００３】〜【０００４】）と記載されている（同様の記載は、例えば、特開２００４−３１４７０号公報の段落【０００４】等にもなされている。）。
　ここで、改良レーリー法とは、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３４】〜【００３６】、【００４２】及び図面第４図等に示されるものであることは技術常識に照らし明らかである。
　これら公報の記載によれば、「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」の種結晶を用いて単結晶を堆積したとしても、改良レーリー法では「成長条件の突発的変移等々の偶発的な要因によって起こる成長不安定性等の原因により、成長インゴット中に新たにマイクロパイプが多数発生する確率が無視でき」ないから、種結晶上にあって成長面となる単結晶の表面上のマイクロパイプ密度は必ずしも約２５ｃｍ−２未満とはならず、「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」を維持して単結晶を成長させることは、本願発明１の特定事項と当業者が出願時の技術常識を考慮しても直ちにできることとは認められず、「表面上に約２５ｃｍ−２未満のマイクロパイプ密度」の種結晶を用いて成長結晶を堆積することのみをもって、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」し得ることになるとは直ちにいえない。
（６）そうすると、段落【００３０】に「昇華成長は、典型的に、エッチングされていない研磨された種結晶上に実行される」との記載がされていても、この記載からだけでは出願時の技術常識を考慮しても明細書の発明の詳細な説明の記載から、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」ための種結晶に研磨を行う指針が導き出されるとはいえず、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないし、
　また、「ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨する」、すなわち、種結晶を研磨すると特定するだけでは「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」できるとは直ちにいえず、本願発明１及び本願発明１の発明特定事項を含む本願発明２〜９の範囲まで発明の詳細な説明を拡張することはできないから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
４．審判請求書における請求人の主張と補正案について
（１）請求人は、原査定の拒絶の理由である「理由Ａ（実施可能要件）及び理由Ｂ（サポート要件）に対して」、「本発明は、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハを形成するためには、単に昇華成長に用いる種結晶を研磨すればよいのではなく、
　「ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップと、
　前記研磨したＳｉＣウェーハをるつぼに導入するステップと、
　炭化珪素ソース材料を前記るつぼに供給するステップと、
　前記炭化珪素ソース材料を昇華させ、前記炭化珪素ソース材料とＳｉＣウェーハとの間に熱勾配を形成するようにるつぼを加熱して、前記ソース材料の前記研磨したＳｉＣウェーハへの気相移動、ならびに、前記ソース材料の前記ＳｉＣウェーハの前記研磨成長表面における凝縮を促進させることで、炭化珪素の単結晶を生産する方法」によって製造されますので、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハがどのような方法で形成されるか明らかです。
　また、このような方法によって、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度である高品質の炭化珪素ウエハ」が製造されることは、出願当初の段落［００１７］の「種結晶を用いた昇華成長システムにおいて少なくとも７６．２ｍｍ（約３インチ）の直径を有し-、約２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有するＳｉＣの高品質単結晶ウェハ」の記載がサポートしています。」と主張している。
　しかし、「昇華成長に用いる種結晶を研磨」、すなわち、「ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップ」以外の上記「炭化珪素の単結晶を生産する方法」としてあげられているステップは、上記３．（５）で述べたように周知の「改良レーリー法」ステップであって、これを単に適用したとしても、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」し得ることになるとは直ちにいえないから、請求人の主張を採用することはできない。
（２）審判請求人は、請求項１〜８について補正案を示し、そのうちの請求項１に係る補正案は、補正前の請求項７を削除し、請求項１に請求項７の発明特定事項を付け加える次のとおりのものである。
「　　［請求項１］
　種結晶を用いた昇華システムにおいて炭化珪素の高品質バルク単結晶を製造する方法で
あって、
　ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップと、
　前記研磨したＳｉＣウェーハをるつぼに導入するステップと、
　炭化珪素ソース材料を前記るつぼに供給するステップと、
　前記炭化珪素ソース材料を昇華させ、前記炭化珪素ソース材料とＳｉＣウェーハとの間に熱勾配を形成するようにるつぼを加熱するステップであって、前記ソース材料の前記研磨したＳｉＣウェーハへの気相移動、ならびに、前記ソース材料の前記ＳｉＣウェーハの前記研磨成長表面における凝縮を促進させることで、少なくとも３インチの直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産するステップと、
を含み、
　さらに、前記導入するステップに先立ち、ＳｉＣ種結晶ホルダをアニールするステップと、前記研磨したＳｉＣウェーハをアニールされた種結晶ホルダに取り付けるステップとを含み、
　前記導入するステップが、前記アニールされた種結晶ホルダを配置するステップと、研磨したＳｉＣウェーハをるつぼ内に取り付けるステップとを含む方法。」
　この請求項１に係る補正案についてみてみると、確かに、補正前の請求項７に記載の発明特定事項が付け加えられている。
　そこで、付け加えられた発明特定事項について、発明の詳細な説明の記載をみてみると、段落【００４０】には、「いくつかの実施形態において、種結晶２２を取り付ける前に、種結晶ホルダ２４をアニールすることが望ましい場合もある。」と記載されており、種結晶ホルダをアニールすることなしに、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」し得るといえるから、この付け加えられた発明特定事項によって、「２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を生産」し得ることがもたらされるとはいえない。
　さらに、請求項１を引用する請求項２〜８においても同様である。
　よって、補正案を採用することもできない。
　
４．むすび
　したがって、本願は、特許法第３６条第４項第１号、同法同条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。