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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５６】
前記の嵌合しているホルダーと蓋が、約1.6〜5.6mmの範囲の最大長、２〜８mmの範囲の最大幅、および約0.5〜2.5mmの範囲の最大高さを有する、請求項54に記載のセンサーシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７７】
収容構造体の中の環境条件を検知するための方法であって、
収容構造体を提供するステップ；
センサーシステムを提供するステップであって、前記センサーシステムがセンサー要素、質問装置、受信装置、および処理装置を備え、前記センサー要素が少なくとも１つの環境条件に応答性でありかつ第１の共振周波数を有する、前記ステップ；
少なくとも第１の交流磁気パルスを前記収容構造体に与えるステップであって、前記収容構造体が前記第１の交流磁気パルスに応答して基準シグナルを発生する、前記ステップ；
複数の第２の交流磁気パルスを前記センサー要素に与えるステップであって、前記センサー要素が前記第２の交流磁気パルスに応答して複数の第１の共振周波数シグナルを発生する、前記ステップ；
前記基準シグナルから基準シグナル値を決定するステップ；
前記第１の共振周波数シグナルの各々に対する第１の共振周波数値を決定するステップ；
前記第１の共振周波数値について予め相関をとることにより、第２の共振周波数値を決定するステップ；
前記第２の共振周波数値から前記基準シグナル値を除算することにより、第３の共振周波数値を決定するステップ；
前記第３の共振周波数値を用いてフーリエ変換を実行することにより第４の共振周波数値を決定するステップ；ならびに
前記第４の共振周波数値から少なくとも１つの環境条件値を決定するステップ
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービス店舗のドライブスルーレーンの効率を解析する方法であって、該方法は以下を備える、
サービス店舗のドライブスルーレーンにおける自動車のサービスに対して効率計量値に関するデータを収集するステップであって、データを収集する前記ステップが、前記ドライブスルーレーンにおける前記自動車に応対している間にレストランの従業員が無線ネットワークを介して話す回数を測定するステップを備えるステップと、
前記サービス店舗から離れて設置されたコンピュータに前記効率データを伝送するステップと、
前記コンピュータから前記効率データの解析結果を受信するステップであって、前記解析結果が前記サービス店舗の前記効率データと他の店舗からの効率データとの比較を含むステップ。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、データを収集する前記ステップが、グループの中から選択された１つのステップから構成され、そのグループは以下からなる、
前記自動車が前記ドライブスルーレーン沿いにあるメニュー表示板の前に停車している間に、レストランの従業員が前記ドライブスルーレーンにおける前記自動車の乗員と話す回数を測定するステップ、
前記ドライブスルーレーンにおける前記自動車に応対している間に、レストランの従業員が無線ネットワークを介して互いに話す回数を測定するステップ、及び、
前記ドライブスルーレーン沿いにあるメニュー表示板への前記自動車の到着から前記自動車内の乗員に交わされる挨拶までの時間を測定するステップ。
【請求項３】
請求項１に記載の方法ステップを実行するための、迅速サービスレストラン用の効率計量値データ収集システムであって、以下を備える、
迅速サービスレストランのドライブスルーレーンに沿って配設されたメニュー表示板であって、ドライブスルー顧客が注文をすることができるマイク及びスピーカーを含むメニュー表示板と、
前記ドライブスルー顧客が前記表示板に到着した時点及び前記ドライブスルー顧客が前記表示板から出発した時点を判定するメニュー表示板計時装置と、
前記ドライブスルー顧客の注文品を受渡すことができる受取り窓口と、
前記ドライブスルー顧客が前記受取り窓口に到着した時点及び前記ドライブスルー顧客が前記受取り窓口から出発した時点を判定する受取り窓口計時装置と、
前記メニュー表示板の前記マイク及び受信機と通信し、前記メニュー表示板計時装置と通信し、前記受取り窓口計時装置と通信し、前記迅速サービスレストランの従業員が着用する双方向無線装置と通信する中継器装置であって、ある期間にわたって顧客１人当たりの会話又は呼出し作業の平均回数を表す値を計算するのに十分なデータを収集するように構成される中継器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリカードと、前記カードをリーダに対し所定の位置に置くとき前記カードを読取る能力のあるリーダと、を備えるカードに基づくトランザクションシステムにおけるデータ変更のための処理手順であって、前記カードは第１ＲＡＭメモリと不揮発性の消去可能かつ書換可能な第２メモリとを備え、後者は前記カードを用いておこなうトランザクション関連のデータ記録を格納するロケーションを有し、トランザクション毎に少なくも１つの前記データロケーションの変更又は新規レコードの追加が発生する処理手順において、次のステップを特徴とする処理手順。
ａ．変更すべきデータレコード又は追加すべきレコードのため、前記第２メモリの空きロケーションのアドレスを、前記第２メモリの第１確定ロケーションに置かれる前回チェックレジスタ内から読取るステップ（１７）と、
ｂ．新規に変更又は追加するレコードを前記空きロケーションに書込むステップ（１８）と、
ｃ．変更又は追加すべき新規レコード毎に、ステップａ）とｂ）とを繰り返すステップと、
ｄ．次のトランザクションにおいて使用すべき前記第２メモリの空きロケーションのアドレスを格納する新規チェックレジスタを、前記前回チェックレジスターにより与えられるアドレスが格納された前記第２メモリの第２確定ロケーションに書込むステップ（２２）と、
ｅ. トランザクションが終了して、前記新規チェックレジスタにおいて前記第１確定ロケーションが空であることを示したときに、前記第２メモリーの前記第１確定ロケーションにおいて前記前回チェックレジスタを消去するステップ。
【請求項２】
ステップａ）の前に実行される次のステップも含む、請求項１に記載の処理手順。
ｉ） 変更又は追加すべきレコードが置かれるロケーションの番号を前記第１ＲＡＭに書込むステップ（１６）。
【請求項３】
実行すべき操作が追加すべきレコードに関するとき、前記第１ＲＡＭに書込む前記ロケーション番号が仮想番号である、請求項２に記載の処理手順。
【請求項４】
トランザクションを初期化するとき、０に設定されてレコードの変更又は追加操作の度に１つだけ増加する第１変数（ＮｂＵｐｄａｔｅｓ）と、０に設定されてトランザクションが進行中のとき０から１に変化する第２変数（ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎＬｅｖｅｌ）との、２つの変数をメモリに記録するステップを含む、請求項１、２又は３に記載の処理手順。
【請求項５】
トランザクションを終了するとき、変更済み又は追加済みのレコードを格納するロケーションを消去するステップ（２６）を含む、請求項１、２、３又は４に記載の処理手順。
【請求項６】
トランザクションを終了するとき、変更済み又は追加済みレコードを含む前記ロケーションの番号を、前記第１ＲＡＭから前記新規レジスタに書込むステップを含む、請求項５に記載の処理手順。
【請求項７】
トランザクションを終了するとき、前記第１ＲＡＭの前記変数を０にリセットするステップ（２８）を含む、請求項６に記載の処理手順。
【請求項８】
前記新規チェックレジスタのフィールド（ＦｌａｇＣｌｏｓｅ）を、前記前回チェックレジスタの前に０にリセットし、変更済み又は追加済みの前記レコードを、これら操作の実行後、消去して別の値（Ａ５）に設定するステップを含む、請求項７に記載の処理手順。
【請求項９】
請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の処理手順のステップを実行するために適応された手段を備えるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による方法は、以下のステップを含む；
ａ）変更すべきデータレコード又は追加すべきレコードのため、前記第２メモリの空きロケーションのアドレスを、前記第２メモリの第１確定ロケーションに置かれる前回チェックレジスタ内から読取るステップ、
ｂ）新規に変更又は追加するレコードを前記空きロケーションに書込むステップ、
ｃ）変更又は追加すべき新規レコード毎に、ステップａ）とｂ）とを繰り返すステップ、
ｄ）次のトランザクションにおいて使用すべき前記第２メモリの空きロケーションのアドレスを格納する新規チェックレジスタを、前記前回チェックレジスターにより与えられるアドレスが格納された前記第２メモリの第２確定ロケーションに書込むステップ、
e）トランザクションが終了して、前記新規チェックレジスタにおいて前記第１確定ロケーションが空であることを示したときに、前記第２メモリーの前記第１確定ロケーションにおいて前記前回チェックレジスタを消去するステップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュランプと、
第１の電圧を受け入れてその電荷を蓄積する電荷リザーバと、
前記電荷リザーバおよび複数の放電コンデンサに接続されて前記複数の放電コンデンサに前記第１の電圧より高い第２の電圧を供給する共振器を備えるとともに、
放電エネルギが、少なくとも一つの放電コンデンサからいかなる誘導素子をも通過することなく放電バンクを介して前記フラッシュランプに通るフラッシュランプ回路。
【請求項２】
前記放電コンデンサのうち少なくとも一つとグラウンドとの間に配置されたスイッチを備え、
該スイッチに対する入力に基づいて少なくとも一つの放電コンデンサを選択的に充電する請求項１記載のフラッシュランプ回路。
【請求項３】
前記放電バンクが複数の絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる請求項１記載のフラッシュランプ回路。
【請求項４】
前記複数の放電コンデンサが、一対の放電コンデンサであり、該放電コンデンサの一つが、所望の放電エネルギに基づいて選択的充電のために前記スイッチに接続されている請求項１記載のフラッシュランプ回路。
【請求項５】
フラッシュランプと、
第１の電圧を受け入れてその電荷を蓄積する電荷リザーバと、
前記電荷リザーバおよび複数の放電コンデンサに接続されて前記複数の放電コンデンサに前記第１の電圧より高い第２の電圧を供給する共振器と、
前記放電コンデンサのうち少なくとも一つおよびグラウンド間に配置されたスイッチであって、該スイッチに対する入力に基づいて少なくとも一つの放電コンデンサを選択的に充電するためのスイッチとを備え、
少なくとも一つの放電コンデンサからいかなる誘導素子をも通過することなく放電バンクを介してフラッシュランプに放電エネルギが通されるフラッシュランプ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のポリカーボネートを含む光情報記憶デバイスの成形におけるピット複製を高める方法であって、１以上のポリカーボネートを次式の構造Ｉを有する末端基で封鎖することを含んでなる方法。
【化１】
2005524923.tif 000001
式中、Ｒ1はＣ14〜Ｃ30アルキル基であり、Ｒ2はＣ1〜Ｃ30アルキル基であり、ｎは１〜５の整数であり、ｍは０〜４の整数である。
【請求項２】
１以上のポリカーボネートが次式の繰返し単位IIを含む、請求項１記載の方法。
【化２】
2005524923.tif 000002
式中、Ｒ3〜Ｒ10は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6〜Ｃ20アリール基であり、Ｗは結合、酸素原子、イオウ原子、ＳＯ2基、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族基、Ｃ6〜Ｃ20芳香族基、Ｃ6〜Ｃ20脂環式環基又は次式の基である。
【化３】
2005524923.tif 000003
式中、Ｒ11及びＲ12は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基、或いはＲ11とＲ12が一緒にＣ4〜Ｃ20脂環式環環を形成するもので、該Ｃ4〜Ｃ20脂環式環は適宜１以上のＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ5〜Ｃ21アラルキル基、Ｃ5〜Ｃ20シクロアルキル基又はこれらの組合せで置換されていてもよい。
【請求項３】
１以上のポリカーボネートが次式の構造IVを有する繰返し単位を含む、請求項１記載の方法。
【化４】
2005524923.tif 000004
【請求項４】
封鎖を界面重合工程又は溶融重合工程で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
溶融重合工程が、１以上のジヒドロキシ芳香族化合物、１以上のジアリールカーボネート、１以上の溶融重合触媒及び１以上の次式の構造Ｖを有するアルキルフェノールを約１００〜３５０℃の範囲の温度に加熱することを含む、請求項４記載の方法。
【化５】
2005524923.tif 000005
式中、Ｒ1はＣ14〜Ｃ30アルキル基であり、Ｒ2はＣ1〜Ｃ30アルキル基であり、ｎは１〜５の整数であり、ｍは０〜４の整数である。
【請求項６】
アルキルフェノールがｍ−ペンタデシルフェノールである、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ジアリールカーボネートが、ジフェニルカーボネート、ビス（２−クロロフェニル）カーボネート、ビス（エチルサリチル）カーボネート、ビス（プロピルサリチル）カーボネート、ビス（フェニルサリチル）カーボネート、ビス（ベンジルサリチル）カーボネート、及びビス（メチルサリチル）カーボネートからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項８】
ビスフェノールが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、及び１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項９】
封鎖を重合工程後に実施する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
次式の構造Ｉを有する末端基を含むポリカーボネートを含んでなる成形追記型デジタルバーサタイルディスク。
【化６】
2005524923.tif 000006
式中、Ｒ1はＣ14〜Ｃ30アルキル基であり、Ｒ2はＣ1〜Ｃ30アルキル基であり、ｎは１〜５の整数であり、ｍは０〜４の整数である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
データ記憶密度が増大するにつれて、光ディスクの表面構造が圧迫される。すなわち、データ記憶密度が増大するにつれて、ディスクの単位面積当たりの増大した数のトラックや溝のような表面構造を収容するためにディスクのこれらの表面構造はその大きさが小さくならなければならない。ディスクの一つの表面構造である（例えばトラックの）大きさが小さくなるにつれて、この表面構造の制御された再生（一般にピット複製といわれる）がますます難しくなってくる。例えば、ＤＶＤ−Ｒディスクの場合、情報は、ポリカーボネート基板中に成形されたトラックの底にある記録可能な染料に暗号化される。ＤＶＤ−Ｒディスクのレーザーによる読み出し又は書き込みで、トラックの欠陥部分（すなわち、トラックの規格トラック寸法に合致しない部分）に遭遇すると、トラックの適正な寸法の部分にスキップし（読み飛ばし）、そのためディスクのデータ記憶容量が低下する。この「レーザースキップ」のために「ブロックエラー」が起こり、それに対応して「ブロックエラー率」が生じる。ディスクのトラックのような成形された表面構造の「％複製」とブロックエラー率の間には直接的な関係がある。％複製値が高くなると（すなわち、ピット複製値が１００％に近くなると）ブロックエラー率はそれだけ低くなる。従って、ＤＶＤ−Ｒディスクのような光情報記憶デバイス中に規格寸法のディスクトラックのような表面構造を再現性よく成形する可能性が、光情報記憶デバイスの工業的製造業者によって熱心に追求されている。
【特許文献１】米国特許第６０２２９４２号明細書
【特許文献２】欧州特許出願公開第０２４９８８２号明細書
【特許文献３】欧州特許出願公開第０３２７９５１号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０９６９０３１号明細書
【特許文献５】国際公開第０１／０５８６６号パンフレット
【特許文献６】国際公開第０１／０５８６７号パンフレット
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極成分を配合するための方法であって、前記電極成分が、
活物質と、
導電性材料と、
イオン伝導性ポリマーと、
電解質塩と、
を含み、溶媒が添加されず、
前記方法が、多軸押出機を使用して、前記電極成分を処理することを含む、方法。
【請求項２】
前記配合された電極成分が合計０．５質量パーセント未満の溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活物質がバナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、クロム、アルミニウム、タングステン、モリブデン、チタン、それらのリチウム化されたもの、およびその混合物の酸化物よりなる群から選択される金属酸化物を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記イオン伝導性ポリマーが酸素含有モノマーまたは窒素含有モノマーを含むモノマーの誘導体を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記イオン伝導性ポリマーがポリアルキレンオキシドポリマーまたはコポリマーを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電解質塩がフッ化リチウム塩を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記電解質塩がヘキサフルオロ砒酸リチウム、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、トリフルオロホウ酸リチウム、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、リチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、リチウムビス（ペルフルオロエタンスルホニル）イミド、リチウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド、およびその混合物よりなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記電極成分が、
約５０質量パーセントを超える活物質と、
カーボンブラック、黒鉛、またはその組合せを含む約１〜約１０質量パーセントの導電性材料と、
約１０〜約４０質量パーセントのイオン伝導性ポリマーと、
約３〜約１５質量パーセントのリチウム塩と、
約０．５質量パーセント未満の溶媒と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記押出機が複数の供給入口と下流押出端部とを含み、
前記イオン塩が第１の供給位置で前記押出機に供給され、
前記イオン伝導性ポリマー、前記活物質、および前記導電性材料がそれぞれ前記イオン塩供給位置より下流の１以上の供給位置で前記押出機に供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオン伝導性ポリマーが溶媒を含有しない固体として前記押出機に供給される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記イオン伝導性ポリマーが前記第１の供給位置より下流の第２の位置で前記押出機に供給され、活物質および導電性材料を含む混合物が前記第２の供給位置より下流の第３の供給位置で供給される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
イオン伝導性ポリマー、活物質、および導電性材料が配合され、１つの混合物として第２の供給位置で前記押出機に供給される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
活物質、導電性材料、およびイオン伝導性ポリマーを含む混合物が第２の供給位置で供給され、活物質および導電性材料を含む混合物が前記第２の供給位置より下流の第３の供給位置で供給される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記押出機が二軸押出機である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記二軸押出機が同方向回転二軸押出機である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記二軸押出機が完全かみ合い型同方向回転二軸押出機である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１対の主要な表面を有するプレートと、
（ｂ）第１流体が流れるための前記プレート表面の第１流れ場とを有する燃料電池プレートであって、
第１流れ場は、第１流れ場の入口端から出口端へ伸びる複数のチャンネルを含み、前記チャンネルの少なくとも１個は、該チャンネルに沿って入口端から出口端へ連続的に面積が減少する断面を有し、前記チャンネルは、第１流れ場が入口端が出口端より広いほぼ台形形状を有するように前記プレート表面に配置される、燃料電池プレート。
【請求項２】
前記チャンネルの少なくとも１個の幅が該チャンネルに沿って入口端から出口端へ狭くなる、請求項１に記載の燃料電池プレート。
【請求項３】
前記チャンネルはほぼ一定の幅を有するリブによって側面が隔てられる、請求項２に記載の燃料電池プレート。
【請求項４】
前記プレートの平面は第１流れ場の形状に合わせたほぼ台形形状を有する、請求項３に記載の燃料電池プレート。
【請求項５】
前記プレートを貫通して伸び、前記チャンネルの少なくとも１個と該チャンネルの入口端で流体連通する入口孔と、前記プレートを貫通して前記チャンネルの少なくとも１個と該チャンネルの出口端で流体連通する出口孔とを含む、請求項３に記載の燃料電池プレート。
【請求項６】
第１流れ場は陰極で、第１流体は空気である、請求項１に記載の燃料電池プレート。
【請求項７】
第２流体が流れるための第１流れ場に相対する前記プレートの表面の第２流れ場を含み、第２流れ場は、第２流れ場の入口端から出口端へシヌソイド状に伸びるチャンネルを含み、該チャンネルは、第２流れ場がほぼ台形形状を有するように前記プレート表面に配置される、請求項１に記載の燃料電池プレート。
【請求項８】
第２流れ場は陽極で、第２流体は燃料ガスである、請求項７に記載の燃料電池プレート。
【請求項９】
イオン交換膜を挟む第１および第２の燃料電池プレートを含む燃料電池基本ユニットであって、
第１の燃料電池プレートは、１対の主要な表面を有するプレートと、第１流体が流れるための前記膜に面する第１の燃料電池プレートの表面の第１流れ場とを有し、
第２の燃料電池プレートは、１対の主要な表面を有するプレートと、第２流体が流れるための前記膜に面する第２の燃料電池プレートの表面の第２流れ場とを有し、
第１流れ場は、第１流れ場の入口端から出口端へ伸びる複数のチャンネルを含み、該チャンネルの少なくとも１個は、該チャンネルに沿って入口端から出口端へ面積が連続的に減少する断面を有し、前記チャンネルは、第１流れ場が入口端が出口端より広いほぼ台形形状を有するように前記プレート表面に配置され、
第２流れ場は、第２流れ場の入口端から出口端へシヌソイド状に伸びるチャンネルを含み、該チャンネルは、第２流れ場がほぼ台形形状を有するように前記プレート表面に配置され、
第１の燃料電池プレートの第１流れ場と接する前記膜の表面の部分が、第１流れ場に沿って前記入口端から出口端へ連続的に面積が減少する反応活性領域を画定する、燃料電池基本ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮遊ゲートと制御ゲートの結合比を有する不揮発性浮遊ゲート半導体メモリ装置であって、
平坦な表面を有する基板と、
前記基板上に浮遊ゲートと制御ゲートとを備え、前記平坦な表面に対してほぼ垂直に延びる二つの対向する壁を有するスタックと、
前記スタックの各対向壁と関わる導電スペーサと、
前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層と、
各導電スペーサと前記制御ゲートとの間にガルバニック・コンタクトとを備え,
前記制御ゲートは前記絶縁層により少なくとも部分的に前記導電スペーサから絶縁されている半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記スタックはさらに誘電体層を備える請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記絶縁層は前記誘電体層と同じオーダの電気的な厚みを有する請求項２に記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記絶縁層はブランケット層又はスペーサを用いて形成される請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記ガルバニック・コンタクトは各導電スペーサと前記制御ゲートとの間の直接接触により形成される請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記複数導電スペーサと前記制御ゲートとの間の前記ガルバニック・コンタクトは、少なくとも前記導電スペーサの一部と少なくとも前記制御ゲートの一部との上部の導電層を用いて形成される請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記導電層はシリサイド層である請求項６に記載の半導体メモリ装置。
【請求項８】
前記複数導電スペーサに沿って複数絶縁スペーサをさらに備える請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項９】
平坦な表面を有する基板上に、浮遊ゲートと制御ゲートの結合比を有する不揮発性浮遊ゲート半導体メモリ装置を製造する方法であって、
浮遊ゲートと制御ゲートとを前記基板上に備え、前記平坦な表面に対してほぼ垂直に延びる二つの対向する壁を有するスタックを形成する工程と、
前記スタックの各対向壁と関わる導電スペーサを形成する工程と、
前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層を形成する工程と、
各導電スペーサと前記制御ゲートとの間にガルバニック・コンタクトを形成する工程とを備え、
前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層を形成する工程は前記制御ゲートが絶縁層により少なくとも部分的に前記導電スペーサから絶縁されるように前記絶縁層を形成することを備える方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８記載の半導体装置を含む不揮発性メモリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明は、浮遊ゲートと制御ゲートの結合比が向上（増加）された不揮発性浮遊ゲート半導体メモリ装置であって、平坦な表面を有する基板と、前記基板上に浮遊ゲートと制御ゲートとを備え、前記平坦な表面に対してほぼ垂直に延びる二つの対向する壁を有するスタックと、前記スタックの各対向壁と関わる導電スペーサと、前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層と、各導電スペーサと前記制御ゲートとの間にガルバニック・コンタクトとを備え,前記制御ゲートは前記絶縁層により少なくとも部分的に前記導電スペーサから絶縁されている半導体メモリ装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明は、さらに、平坦な表面を有する基板上に、浮遊ゲートと制御ゲートの結合比が向上（増加）された不揮発性浮遊ゲート半導体メモリ装置を製造する方法を提供する。この方法は、浮遊ゲートと制御ゲートとを前記基板上に備え、前記平坦な表面に対してほぼ垂直に延びる二つの対向する壁を有するスタックを形成する工程と、前記スタックの各対向壁と関わる導電スペーサを形成する工程と、前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層を形成する工程と、各導電スペーサと前記制御ゲートとの間にガルバニック・コンタクトを形成する工程とを備え、前記スタックの各対向壁と前記関わる導電スペーサとの間に絶縁層を形成する工程は前記制御ゲートが絶縁層により少なくとも部分的に前記導電スペーサから絶縁されるように前記絶縁層を形成することを備える方法を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の厚さを有する相互接続を形成する方法であって、
基板を有する半導体構造を設ける工程と、
第１誘電体層を前記基板を覆うように形成する工程と、
連続開口を、前記第１誘電体層に形成する工程であって、前記第１誘電体層は前記連続開口の所定地点における所望の所定抵抗値および所定容量値に関連する複数の異なる厚さを有し、前記連続開口はほぼ平坦かつ水平な下面を有する第１部分、ほぼ平坦かつ水平な下面を有する第２部分、及びほぼ平坦かつ水平な下面を有する第３部分を有し、前記第１部分は前記第２部分よりも浅く、かつ前記第２部分は前記第３部分よりも浅い工程と、
導電体層を前記連続開口に形成することにより、第１の電流搬送層を前記第１部分に形成し、第２の電流搬送層を前記第１の電流搬送層に隣接して前記第２部分に形成し、ビアを前記第３部分に形成する工程とを備え、前記第１の電流搬送層、第２の電流搬送層、およびビアは、物理的に連続することにより電気的に接続される、方法。
【請求項２】
前記第１誘電体層は上部を有し、この上部は、前記上部の直下に在る下部とは異なるエッチング特性を有し、前記連続開口を形成する工程は、
所望位置の前記連続開口を覆う前記上部を第１のエッチャントによりエッチングする工程と、
前記所望位置の前記連続開口の前記下部を前記第１のエッチャントとは異なる第２のエッチャントによりエッチングする工程とを備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電流搬送層、第２の電流搬送層、およびビアを、互いに異なる幅で形成する工程をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１部分と第２部分とを、第３部分によって隔てる工程をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
基板を有する半導体構造と、
前記基板を覆う第１誘電体層と、
前記第１誘電体層内に位置する連続開口であって、前記第１誘電体層は前記連続開口の所定地点における所望の所定抵抗値および所定容量値に関連する複数の異なる厚さを有し
、前記連続開口はほぼ平坦かつ水平な下面を有する第１部分、ほぼ平坦かつ水平な下面を有する第２部分、及びほぼ平坦かつ水平な下面を有する第３部分を有し、前記第１部分は前記第２部分よりも浅く、かつ前記第２部分は前記第３部分よりも浅い、連続開口と、
前記連続開口の第１部分に位置する第１電流搬送層と、
第１電流搬送層の側方において前記連続開口の第２部分に位置する第１電流搬送層と、
前記連続開口の第３部分に位置するビアとを備え、前記第１の電流搬送層、第２の電流搬送層、およびビアは、物理的に連続することにより電気的に接続される、半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記遮蔽体の縁は、前記遮蔽体を含む前記平面の方向に平行な方向に沿って、前記コンデンサの端の突出部から少なくとも２ミクロンに位置している、請求項３に記載の回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記遮蔽体（１２）の縁は、前記遮蔽体を含む平面内で、前記基板の表面に垂直な方向（Ｄ）に沿って、前記半導体素子（１０）の縁の突出部の外側に少なくとも一部分が位置している、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記遮蔽体の縁は、前記遮蔽体を含む前記平面の方向に平行な方向に沿って、前記半導体素子の縁の突出部から少なくとも２ミクロンに位置している、請求項５に記載の回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子回路を設計する方法であって、
ａ）基板と、それぞれ定められた種類の測定コンデンサまたは測定半導体素子とをそれぞれが有する複数の試作品であって、前記測定コンデンサまたは前記測定半導体は前記基板の表面によって支持され、各試作品は、前記基板の表面に平行な実質的に平面の遮蔽体板をさらに含み、前記遮蔽板は金属材料で作られ、かつ前記基板の表面に垂直な方向に沿って前記測定コンデンサまたは前記測定半導体素子と並んで位置する試作品を製造するステップと、
ｂ）前記試作品内の前記測定コンデンサの、または前記測定半導体素子のそれぞれの電気的特性を測定するステップと、
ｃ）前記電子回路の動作のシミュレーションを、電子回路用の少なくとも１つの計算機支援設計ソフトウェアパッケージによって、前記測定コンデンサまたは前記半導体素子の測定された電気的特性のいくつかを使用して実行するステップと、
ｄ）前記シミュレーションの結果にしたがってコンデンサの種類または半導体素子の種類を選択するステップと、
ｅ）選択された種類のコンデンサ（１１）または半導体素子（１０）を有する前記電子回路を製造するステップと、
を有する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電子回路を設計する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドヘルド装置が、管理者により管理され且つサーバとネットワークを有するシステム内に含まれ、ネットワークはハンドヘルド装置とサーバを同期させる、前記ハンドヘルド装置用のパスワード・マネージャであって、
ハンドヘルド装置のユーザがハンドヘルド装置について設定されたパスワードを忘れたことを知らせる、ユーザからの入力を受信する入力装置と、
ユーザからの入力に応答し、忘れたパスワードについての通知を管理者に自動的に送信する通知モジュールと、から成る、前記パスワード・マネージャ。
【請求項２】
ハンドヘルド装置をサーバと同期させる試みが行われるまで、前記通知モジュールが通知の自動的送信を遅らせる、請求項１記載のパスワード・マネージャ。
【請求項３】
ユーザから供給される、設定されたパスワードが正確であるか否かに基づいて、ハンドヘルド装置へのアクセスを許可または制限するための、且つユーザからの入力に応答してハンドヘルド装置へのアクセスを許可する非常用パスワードに自動的にデフォルトするための、アクセス制御モジュールを含む、請求項１記載のパスワード・マネージャ。
【請求項４】
ユーザからの入力に応答して新しいパスワードを管理者から受け取る受信装置を含む、請求項１記載のパスワード・マネージャ。
【請求項５】
管理者が、人間、ソフトウェア・プログラム、ハードウェア装置、およびそれらの組合せのうちの１つである、請求項１記載のパスワード・マネージャ。
【請求項６】
ハンドヘルド装置がｅタブレットである、請求項１記載のパスワード・マネージャ。
【請求項７】
管理者により管理され且つハンドヘルド装置、サーバ、およびハンドヘルド装置をサーバに接続するネットワークを含む、パスワードで保護されるシステムにおいて、パスワードを管理する方法であって、ハンドヘルド装置について設定されたパスワードをハンドヘルド装置のユーザが忘れたことを知らせる、ユーザからの通知を受信するステップと、ユーザからの入力に応答して、忘れたパスワードについての通知を管理者に自動的に送信するステップと、から成る、前記方法。
【請求項８】
ハンドヘルド装置をサーバと同期させる試みが行われるまで、前記送信するステップが遅延される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
ハンドヘルド装置のユーザからの入力に応答して、ユーザがハンドヘルド装置にアクセスできるようにする非常用パスワードに自動的にデフォルトするステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
ユーザからの入力に応答して、新しいパスワードを管理者から受信するステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
管理者が、人間、ソフトウェア・プログラム、ハードウェア装置、およびそれらの任意の組合せのうちの１つである、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
ハンドヘルド装置がｅタブレットである、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
その後、ユーザが設定されたパスワードを思い出した場合、前記通知を取り消すステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
通知を取り消す前記ステップが、前記送信するステップを取り消すステップから成る、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
通知を取り消す前記ステップにおいて、設定されたパスワードをユーザがその後思い出したという知らせを管理者に送信する、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
ハンドヘルド装置が、管理者により管理され且つサーバとネットワークを有するシステム内に含まれ、ネットワークはハンドヘルド装置とサーバを同期させる、前記ハンドヘルド装置用のパスワード・マネージャであって、前記パスワード・マネージャは、ハンドヘルド装置について設定されたパスワードをハンドヘルド装置のユーザが忘れたことを知らせるユーザからの入力を受信する入力装置と、ユーザからの入力に応答し、忘れたパスワードについての通知を管理者に自動的に送信する通知モジュールと、から成り、ハンドヘルド装置をサーバと同期させる試みが行われると、通知が自動的に送信される、前記パスワード・マネージャ。
【請求項１７】
ユーザから供給される、設定されたパスワードが正確であるか否かに基づいて、ハンドヘルド装置へのアクセスを許可または制限するための、且つユーザからの入力に応答してハンドヘルド装置へのアクセスを許可する非常用パスワードに自動的にデフォルトするための、アクセス制御モジュールを含む、請求項１６記載のパスワード・マネージャ。
【請求項１８】
ユーザからの入力に応答して、新しいパスワードを管理者から受け取る受信装置を含む、請求項１６記載のパスワード・マネージャ。
【請求項１９】
管理者が、人間、ソフトウェア・プログラム、ハードウェア装置、およびそれらの任意の組合せのうちの１つである、請求項１６記載のパスワード・マネージャ。
【請求項２０】
ハンドヘルド装置がｅタブレットである、請求項１６記載のパスワード・マネージャ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パスワード・マネージャ並びにパスワードを管理する方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記アプリケーション（２）の前記署名は、次に前記アプリケーション（２）を前もって定義された属性証明書（１４）に結合するルート証明書（１３）に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ルート証明書（１３）に対して前記アプリケーション（２）は認証されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハプテンにペンダント結合された戦略的修飾されたヘパドナウイルスヌクレオキャプシドタンパク質を含む戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲートであって、戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質が約10〜約140の番号を付されたアミノ酸残基を含み、更に約50〜約100の番号を付されたアミノ酸残基に相当する領域にインサートを有する配列番号２のＢ型肝炎コアタンパク質アミノ酸配列に相当するアミノ酸配列を含み、前記インサートが(i)長さ１〜約40アミノ酸残基であり、かつ(ii)化学反応性アミノ酸残基を含み、前記ハプテンが前記化学反応性アミノ酸残基にペンダント結合されていることを特徴とする戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項２】  インサートが約70〜約90の番号を付されたアミノ酸残基に相当する領域にある請求の範囲第１項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項３】  インサートが78〜82の番号を付されたアミノ酸残基に相当する領域にある請求の範囲第１項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項４】  ハプテンがポリペプチドハプテン、化学ハプテン又は炭水化物ハプテンである請求の範囲第１項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項５】  ハプテンが病原体関連ハプテンである請求の範囲第１項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項６】  戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質が更に前記Ｂ型肝炎アミノ酸配列のカルボキシ末端に機能し得る形で連結されたＴ細胞刺激アミノ酸残基配列を含む請求の範囲第５項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項７】  前記Ｔ細胞刺激アミノ酸残基配列がペンダント結合された病原体関連ハプテンと同じ病原体に関連している請求の範囲第６項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲート。
【請求項８】  化学反応性アミノ酸側鎖を含むインサートを有する戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質サブユニットを含む戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子であって、前記インサートそれ自体が抗原決定基ではないことを特徴とする戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子。
【請求項９】  ハプテンにペンダント結合された多数の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質サブユニットを含むことを特徴とする戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子コンジュゲート。
【請求項１０】  戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質サブユニットの約0.1〜約0.5がハプテンにペンダント結合されている請求の範囲第９項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子コンジュゲート。
【請求項１１】  異なるハプテンにペンダント結合されている多数の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質サブユニットを有する請求の範囲第９項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子コンジュゲート。
【請求項１２】  戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質サブユニットが更に前記Ｂ型肝炎アミノ酸配列に相当するアミノ酸配列のカルボキシ末端残基にペプチド結合されたＴ細胞刺激アミノ酸残基配列を含む請求の範囲第９項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子コンジュゲート。
【請求項１３】  Ｔ細胞刺激アミノ酸残基がペンダント結合されたハプテンと同じ病原体からのものである請求の範囲第１２項記載の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質粒子コンジュゲート。
【請求項１４】  Ｎ末端からの三つのペプチド結合ドメインＩ、II及びIIIを含む戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質にペンダント結合されたポリペプチドハプテンを含む免疫原性融合タンパク質コンジュゲートであって、
(a)ドメインＩが配列番号２のＢ型肝炎コアタンパク質のアミノ酸配列の残基約10〜50に相当し、
(b)ドメインIIがドメインＩのカルボキシ末端残基に結合され、かつ化学反応性アミノ酸残基を含む長さ１〜約40アミノ酸残基の異種インサートを更に含むＢ型肝炎コアタンパク質の前記アミノ酸配列の残基50〜100に相当し、かつ
(c)ドメインIIIがドメインIIのカルボキシ末端残基に結合され、かつＢ型肝炎コアタンパク質のアミノ酸配列の残基100〜約140に相当することを特徴とする免疫原性融合タンパク質コンジュゲート。
【請求項１５】  戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質が更に第四ペプチド結合ドメイン、ドメインIVを含み、
(d)ドメインIVがドメインIIIのカルボキシ末端残基に結合され、かつＴ細胞エピトープを含む請求の範囲第１４項記載の免疫原性融合タンパク質コンジュゲート。
【請求項１６】  配列番号２のＢ型肝炎アミノ酸配列のアミノ酸残基約10〜アミノ酸残基約140に相当するアミノ酸配列を含み、かつＢ型肝炎の残基約50〜残基約100に相当する領域にアミノ酸配列インサートを有する戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質であって、そのインサートが化学反応性アミノ酸残基を含み、かつインサートそれ自体が抗原決定基ではないことを特徴とする戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質。
【請求項１７】  医薬上許される希釈剤中に溶解又は分散された免疫原量の戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲートを含む接種物であって、前記戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲートが戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質にペンダント結合されたハプテンを含み、戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質が約10〜約140の番号を付されたアミノ酸残基を含み、更に約50〜約100の番号を付されたアミノ酸残基に相当する領域にインサートを有する配列番号２のＢ型肝炎コアタンパク質アミノ酸配列に相当するアミノ酸配列を含み、前記インサートが(i)長さ１〜約40アミノ酸残基であり、かつ(ii)化学反応性アミノ酸残基を含み、前記ハプテンが前記化学反応性アミノ酸残基にペンダント結合されていることを特徴とする接種物。
【請求項１８】  前記戦略的修飾されたＢ型肝炎コアタンパク質コンジュゲートが粒子の形態で存在する請求の範囲第１７項記載の接種物。
【請求項１９】  前記ハプテンが病原体からのものであり、かつ哺乳類宿主中の前記接種物の使用が前記哺乳類宿主を前記病原体から保護する請求の範囲第１８項記載の接種物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  核酸の検出方法であって、
一方が、該核酸の一方の鎖の結合配列（Ａ）に結合することができ、かつもう一方が、Ａの３’方向に位置し、Ａと重複しない配列Ｃと本質的に相補的である結合配列Ｃ’に結合することができる、２つのプライマーの助けにより該核酸の一部の多数の増幅物を作製する工程、
配列Ａと配列Ｃとの間に位置する配列Ｂまたはその相補体に結合することができる結合配列Ｄを有するプローブと増幅物を接触させる工程、
増幅物とプローブのハイブリッドの形成を検出する工程、
を含み、
結合配列Ａと結合配列Ｃとの間に位置する配列が、プローブの結合配列Ｄおよびそれに結合する増幅物の配列から形成される配列領域Ｅに属さないヌクレオチドを含まないか、または含んでも３ヌクレオチド未満であり、かつ増幅物が１００ヌクレオチドより短いものである、核酸の検出方法。
【請求項２】  プローブの結合配列Ｄがプライマーの１つの又は両方の結合配列と重複するものである請求項１記載の方法。
【請求項３】  プライマーの少なくとも１つが、検出対象の核酸またはその相補体と直接ハイブリダイズしない伸長不可能な部分にヌクレオチドを有するものである、請求項１または２記載の方法。＿
【請求項４】  プライマーの少なくとも１つが固定可能に標識されるものであり、かつプローブが検出可能に標識されるものである、請求項１〜３いずれかに記載の方法。
【請求項５】  プライマーの少なくとも１つが検出可能に標識されるものであり、かつプローブが固定可能に標識されるかまたは固定化されるものである、請求項１〜４いずれかに記載の方法。＿
【請求項６】  増幅物が物理的方法および／または分光学的方法により検出される、請求項１〜５いずれかに記載の方法。＿
【請求項７】  増幅物を質量分析により検出する請求項１〜６いずれかに記載の方法。
【請求項８】  核酸の特異的検出方法であって、
少なくとも２つのプライマーの助けにより該核酸の一部の多数の増幅物を作製する工程、
増幅物に結合することができるプローブと増幅物を接触させる工程、ならびに
増幅物とプローブとのハイブリッドの形成を検出する工程、
を含み、プライマーの少なくとも１つが検出対象の生物に属する生物群に特異的でなく、かつ増幅物が１００ヌクレオチドより短いものである、核酸の特異的検出方法。＿
【請求項９】  核酸の一部の増幅物の同時作製方法であって、異なる配列を有するこれらの一部の増幅を可能にするプライマーを使用し、該プライマーが、形成される増幅物が長さで２０％を超えて異なることなく、かつ１００ヌクレオチドを超えない長さであるように選択される、核酸の一部の増幅物の同時作製方法。＿
【請求項１０】  その配列が、以下に示すＨＧＢＶ配列：
５’−ＧＴＡＣＴＧＣＣＴＧ  ＡＴＡＧＧＧＴＣＣＴ  ＴＧＣＧＡＧＧＧＧＡ  ＴＣＴＧＧＧＡＧＴＣ  ＴＣＧＴＡＧＡＣＣＧ  ＴＡＧＣＡＣＡＴＧ−３’
の連続塩基の配列、それに相補的な配列またはこれらの配列に８０％以上の同一性を有する配列に由来する、２つのプライマーおよび１つのプローブを使用する、ＨＣＶの検出方法。＿
【請求項１１】  複数の核酸の検出方法であって、
一方が、それぞれの場合に、該核酸の１方の鎖の結合配列（Ａ）に結合することができ、かつもう一方が、Ａの３’方向に位置し、Ａと重複しない配列Ｃと本質的に相補的である結合配列Ｃ’に結合することができる、２つのプライマーの対の助けによりこれらの核酸の一部の多数の増幅物を同時に作製する工程、ここで、前記プライマーは、形成される増幅物が長さで２０％を超えて異なることなく、かつ１００ヌクレオチドを超えない長さであるように選択されるものである、
配列Ａおよび配列Ｃの間に位置する配列Ｂまたはその相補体に結合することができる結合配列Ｄを有するプローブと個々の増幅物を各時点で接触させる工程、ならびに
増幅物とプローブのハイブリッドの形成を検出する工程、
を含み、
結合配列Ａと結合配列Ｃとの間に位置する配列が、プローブの結合配列Ｄおよびそれに結合する増幅物の配列から形成される配列領域Ｅに属さないヌクレオチドを含まないか、または含んでも３ヌクレオチド未満であり、かつ増幅物が１００ヌクレオチドより短いものである、複数の核酸の検出方法。＿
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配列番号２または配列番号３に相補的なオリゴヌクレオチド配列を含むアンチセンスオリゴヌクレオチドのアナログであって、該アナログは、少なくとも１つのリン酸ジエステル結合がホスホロチオエート結合で置換されたホスホロチオエートアンチセンスオリゴヌクレオチド、少なくとも１つのリン酸ジエステル結合がホスホロチオエート結合で置換され、および少なくとも１つのリン酸ジエステル結合が2'-O-メチルヌクレオシドリン酸ジエステル結合で置換された混合性骨格のアンチセンスオリゴヌクレオチド、少なくとも１つの末端が2'-O-メチルヌクレオチド部分、メチルホスホネート、ホスホラミダイト、ホスホロジチオエート、またはN3'→P5'-ホスホラミダイトを有する末端修飾化アナログであるアナログ。
【請求項２】  請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチドのアナログのいずれか１つまたはその混合物を、薬学的に受容されるキャリア中に含む治療用組成物。
【請求項３】  配列番号２または配列番号３に相補的な配列を含有するリボザイムをさらに含む請求項２に記載の治療用組成物。
【請求項４】  配列番号６、配列番号７、または配列番号１７の配列を含むアンチセンスオリゴヌクレオチドのアナログであって、該アナログは、少なくとも１つのリン酸ジエステル結合がホスホロチオエート結合で置換されるホスホロチオエートオリゴヌクレオチド、少なくとも１つのリン酸ジエステル結合がホスホロチオエート結合で置換され、および少なくとも１つのリン酸ジエステル結合が2'-O-メチルヌクレオシドリン酸ジエステル結合で置換される混合性骨格のオリゴヌクレオチド、少なくとも１つの末端が2'-O-メチルヌクレオチド部分、メチルホスホネート、ホスホラミダイト、ホスホロジチオエート、またはN3'→P5'-ホスホラミダイトを有する末端修飾化オリゴヌクレオチドであるアナログ。
【請求項５】  請求項４に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチドのアナログのいずれか１つまたはその混合物を、薬学的に受容されるキャリア中に含有する治療用組成物。
【請求項６】  配列番号４、配列番号５、または配列番号16のアンチセンスオリゴリボヌクレオチドのアナログであって、該アナログは、オリゴリボヌクレオチドホスホロチオエート、2'-O-アルキルオリゴリボヌクレオチドホスホロチオエート、または2'-O-メチルリボヌクレオチドメチルホスホネートであるアナログ。
【請求項７】  請求項６に記載のアンチセンスオリゴリボヌクレオチドアナログのいずれか１つまたはその混合物を、薬学的に受容されるキャリア中に含む治療用組成物。
【請求項８】  配列番号９に記載のオリゴヌクレオチド配列を含むアンチセンス治療用組成物。
【請求項９】  HPVによる生存細胞のトランスフォーメーションを防止するための、請求項８に記載のアンチセンス治療用組成物。
【請求項１０】  前記生存細胞がヒトケラチノサイトである請求項９に記載の治療用組成物。
【請求項１１】  前記生存細胞がヒト子宮頸細胞である請求項９に記載の治療用組成物。
【請求項１２】  HPVによる生存細胞のトランスフォーメーションを防止するための、請求項２に記載の治療用組成物。
【請求項１３】  前記生存細胞がヒトケラチノサイトである、請求項１２記載の治療用組成物。
【請求項１４】  前記生存細胞がヒト子宮頸細胞である、請求項１２記載の治療用組成物。
【請求項１５】  生存細胞においてHPV遺伝子E6の発現を阻害するための、請求項２に記載の治療用組成物。
【請求項１６】  前記生存細胞がヒトケラチノサイトである請求項１５に記載の治療用組成物。
【請求項１７】  前記生存細胞がヒト子宮頸細胞である請求項１５に記載の治療用組成物。
【請求項１８】  生存細胞においてHPV遺伝子E6の発現を阻害するための、請求項５に記載の治療用組成物。
【請求項１９】  生存細胞においてHPV遺伝子E6の発現を阻害するための、請求項７に記載の治療用組成物。
【請求項２０】  子宮頸腫瘍の増殖を阻害するための、請求項２に記載の治療用組成物。
【請求項２１】  子宮頸腫瘍の治療のための、請求項２に記載の治療用組成物。