【事件の表示】
　特願２００６−２９０３８３「固体撮像装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月　８日出願公開，特開２００８−１０８９１７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成１８年１０月２５日の出願であって，平成２１年２月２５日付けで拒絶理由通知がされ，同年５月７日に意見書及び手続補正書が提出され，同年８月５日付けで最後の拒絶理由通知がされ，同年９月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年１２月９日付けで，上記平成２１年９月２８日付け手続補正書でした補正が却下されるとともに，同日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２２年３月１５日に審判請求がされ，同日に手続補正書が提出されたものである。
　その後，当審において，平成２３年９月２０日付けで審尋がなされ，請求人から同年１１月２２日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２２年３月１５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］ 
１　本件補正 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであって，本件補正前後の特許請求の範囲は，次のとおりである。
　
　ア　補正前の特許請求の範囲（平成２１年５月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲）
「　　【請求項１】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に形成される前記層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長辺よりも短い
　ことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項２】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に形成される前記層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短い
　ことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項３】
　前記周辺配線部が，前記光電変換部で生じた電荷を変換伝達する増幅回路部を含む
　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
　　【請求項４】
　前記周辺配線部が，前記光電変換部と，隣接画素の光電変換部との間に設けられる
　ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項５】
　前記周辺配線部が，前記光電変換部の周囲の複数箇所に設けられる
　ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項６】
　前記周辺配線部に，複数の前記層間連結材が設けられる
　ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項７】
　前記層間連結材が，前記２次元平面内において直線状に設けられる
　ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体撮像装置。
　　【請求項８】
　固体撮像装置を備える電子機器であって，
　前記固体撮像装置は，光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長辺よりも短い　ことを特徴とする電子機器。
　　【請求項９】
固体撮像装置を備える電子機器であって，
　前記固体撮像装置は，光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短い
　ことを特徴とする電子機器。」
　　イ　補正後の特許請求の範囲（下線は補正箇所を示す。） 
「　　【請求項１】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が
画素毎に
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に
直線状に配置される一組の
短く，
　
前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する
　　【請求項２】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が
画素毎に
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に
直線状に配置される一組の
短く，
　
前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する
　　【請求項３】
　前記周辺配線部が，前記光電変換部の周囲の複数箇所に設けられることを特徴とする請求項１〜
２
　　【請求項４】
　前記周辺配線部に，複数の前記層間連結材が設けられることを特徴とする請求項１〜
３
　　【請求項５】
　前記層間連結材が，前記２次元平面内において直線状に設けられることを特徴とする請求項１〜
４
　　【請求項６】
　固体撮像装置を備える電子機器であって，
　前記固体撮像装置は，光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が
画素毎に
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に
直線状に配置される一組の
短く，
　
前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する
　　【請求項７】
　固体撮像装置を備える電子機器であって，
　前記固体撮像装置は，光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が
画素毎に
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に
直線状に配置される一組の
短く，
　
前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する
（２）補正内容のまとめ 
　ア　補正前の請求項３，４を削除し，請求項５〜９を繰り上げて補正後の請求項３〜７とする。また，これに伴い，各請求項が引用する請求項の番号を補正する。 
　イ　補正前の請求項１，２，８，９について，「遮光性の層間連結材が設けられ」を「遮光性の層間連結材が画素毎に設けられ，」と限定し， 「前記画素毎に形成される前記層間連結材」を「前記画素毎に直線状に配置される一組の層間連結材」と限定し，さらに，「短い　ことを特徴とする」を「短く，　前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有することを特徴とする」と限定し，補正後の請求項１，２，６，７とする。
 　 
２　補正目的の適否 
　以上によれば，特許請求の範囲についての補正は，請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。 
 　 
３　独立特許要件についての検討 
　以上のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，補正後の各請求項に係る発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立要件を満たすかどうか）について，以下，検討する。 
　
（１）本件補正発明 
　補正後の請求項２に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は，次のとおりである。（再掲） 
「　【請求項２】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が画素毎に設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に直線状に配置される一組の層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短く，　
　前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有することを特徴とする固体撮像装置。」
　
（２）引用例とその記載内容 
（２−１）引用例の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である，特開２００３−２８２８５０号公報（以下「引用例」という。）には，「固体撮像素子」（発明の名称）に関し，図１ないし図５とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ）。 
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，入射光の水平方向の進行を阻止し，他の画素への光の侵入を防止するようにした固体撮像素子に関する。」
・「【０００２】
【従来の技術】従来，固体撮像装置においては，撮像デバイスとしてＭＯＳ型固体撮像素子が採用されることがある。ＭＯＳ型イメージセンサは，ランダム雑音特性や固定雑音特性の点で性能が不十分である。
【０００３】これ欠点に対し，近年，マイクロレンズ技術の進歩により光電変換部を局所化し，且つ微細化技術により
画素毎に２〜３トランジスタからなる増幅回路を集積
【０００４】このような点から，ＣＭＯＳ技術による微細な
トランジスタ増幅回路を受光デバイスの画素内に形成
【０００５】即ち，このようなＣＭＯＳイメージセンサは，２次元アレイ状に配列された画素毎に受光部が分離形成される。各画素は，夫々，受光ダイオードと光信号検出用ＭＯＳトランジスタとによって構成される。
受光部を構成する受光ダイオード上には受光窓が形成され，受光窓以外の部分は，受光部以外の部分に構成された素子に対する遮光のために，遮光膜が形成されている
・「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る
固体撮像素子は，基板上に２次元アレイ状に配列された複数の受光領域を有する複数の光電変換素子と，前記基板及び前記複数の受光領域上に形成される層間絶縁膜と，前記層間絶縁膜上に形成されて前記複数の受光領域以外の部分への光の入射を阻止するための遮光膜と，前記層間絶縁膜内において前記受光領域上方の空間を囲み前記層間絶縁膜の下端から上端まで形成された遮光壁とを具備し
【００１０】このような構成によれば，受光領域は基板上に２次元アレイ状に配列され，光電変換素子はマトリクス状に配置される。基板及び複数の受光領域上には層間絶縁膜が形成され，層間絶縁膜上には各受光領域以外の部分への光の入射を阻止するための遮光膜が形成される。入射光は遮光膜を介して層間絶縁膜内に入射され，受光領域に到達して光電変換される。層間絶縁膜に入射した光の一部は層間絶縁膜内を乱反射して進行する。しかし，層間絶縁膜内においては受光領域上方の空間を囲み層間絶縁膜の下端から上端まで延びた遮光壁が形成されており，この遮光壁によって，層間絶縁膜内に入射された光の水平方向の進行が阻止される。これにより，遮光膜を介して所定の画素に入射された光が他の画素に侵入することはなく，画像が不鮮明になることを防止すると共に，色の再現性が劣化することを防止することができる。」
・「【００２９】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像素子を示す説明図である。
図１（ａ）は所定の２画素の光電変換素子の横断面を示しており，図１（ｂ）は図１（ａ）の位置における平面形状を隣接する所定の２画素について示している
・「【００３２】受光ダイオード２には，図示しない光信号検出用の素子が隣接して形成されている。
受光ダイオード２及び光信号検出用の素子によって１画素が構成される
【００３３】図２は光信号検出用の素子としてＭＯＳトランジスタを使用して画素を構成したイメージセンサを示している。
【００３４】図２において，
イメージセンサ２１は，マトリクス状に配置された複数の画素によって構成される画素領域２２を有している
受光ダイオード２とＭＯＳトランジスタ２３によって構成された各画素は，複数本の走査線Ｔと複数本のデータ線Ｄとの各交点に配置される
・「【００３９】図１は例えば図２に示す隣接した２画素の断面を示している。光信号検出用の素子としてＭＯＳトランジスタを用いた場合には，例えば，受光ダイオード２を構成する受光領域３をＭＯＳトランジスタのソース領域と共用し，シリコン基板１上に形成したドレイン領域とソース領域との間のチャネルをシリコン基板１上に絶縁膜を介して形成したゲートによって制御することにより，光電変換して得た光信号の読出しが可能である。」
・「【００４２】本実施の形態においては，層間絶縁膜６のフィールド絶縁膜５上には開孔が形成され，この開孔には金属材料が埋め込まれて，遮光壁１１が形成されるようになっている。遮光壁１１は，受光領域３の周囲において，層間絶縁膜６の下端から上端まで形成されており，その上端は遮光膜７に達している。図１（ｂ）に示すように，遮光壁１１は，層間絶縁膜６内において受光領域３の縁辺の全てを囲むようにして受光領域３上方の空間を区画し，各受光領域３相互間の光の入出射を阻止するようになっている。」
・「【００４４】ところで，
遮光膜７として，配線膜を兼用することがある
遮光壁１１を
グランド配線等の実配線とのコンタクトとして用いてもよい
・「【００５１】図３は本発明の第２の実施の形態を示す説明図である。図３は固体撮像素子を構成する
光電変換素子の横断面
【００５２】本実施の形態はメタル３層構造の素子に適用したものである。
【００５３】
層間絶縁膜６及び遮光膜７上には層間絶縁膜３１が形成され，層間絶縁膜３１上には，遮光膜７に対応する位置に遮光膜７と同様の平面形状の遮光膜３２が形成される。更に，層間絶縁膜３１及び遮光膜３２上には層間絶縁膜３４が形成され，層間絶縁膜３４上には，遮光膜７に対応する位置に遮光膜７と同様の平面形状の遮光膜３５が形成される
【００５４】即ち，受光窓１５と受光領域３との間には層間絶縁膜３４，３１，６が形成され，受光窓１５以外の部分は，いずれの層においても，遮光膜３５，３２，７によって遮光される。
【００５５】本実施の形態においては，層間絶縁膜３１の遮光膜７上には開孔が形成され，この開孔には金属材料が埋め込まれて，遮光壁３３が形成されるようになっている。また同様に，層間絶縁膜３４の遮光膜３２上には開孔が形成され，この開孔には金属材料が埋め込まれて，遮光壁３６が形成されるようになっている。
【００５６】遮光壁３３は，遮光壁１１と同様に，受光領域３の周囲において，層間絶縁膜３１の下端から上端まで形成されており，その上端は遮光膜３６（３２の誤記と認定した。）に達している。また，遮光壁３６は，遮光壁１１と同様に，受光領域３の周囲において，層間絶縁膜３２の下端から上端まで形成されており，その上端は遮光膜３５に達している。そして，遮光壁３３，３６は，夫々層間絶縁膜３１，３４内において，各層の受光領域３に対応する領域上の空間の全てを囲むようにしてその領域を区画し，他の画素への光の入出射を阻止するようになっている。
【００５７】
図３も遮光膜と配線膜とを兼用した例を示している。層間絶縁膜３１上に形成された配線層３８は，接続孔に形成した遮光壁３７を介して配線層１３に接続されており，層間絶縁膜３４上に形成された配線層４０は，接続孔に形成した遮光壁３９を介して配線層３８に接続されている
【００５８】これらの遮光壁３７，３９についても，各層間絶縁膜３１，３４内において，受光領域３に対応する領域上の空間の全てを囲むようにしてその領域を区画し，他の画素への光の入出射を阻止することができるようになっている。
【００５９】このように構成された実施の形態においても，入射光は，マイクロレンズ１０によって集光され，フィルタ９を介して各画素に入射する。フィルタ９からの入射光は，各画素の受光窓１５から内部に入射し，層間絶縁膜３４，３１，６を介して受光領域３に取込まれる。こうして，受光領域３において，光量に応じた電気信号が発生する。
【００６０】マイクロレンズ１０及びフィルタ９を介して入射する光の一部は，受光窓１５を介して内部に入射した後，各層の遮光膜３２，７及び配線層３８，１３等において乱反射し，上下方向だけでなく，水平方向にも進行する。この場合でも，各遮光膜３２，７及び配線層３８，１３に立設された遮光壁３３，３６，３７，３９によって水平方向の進行は阻止され，他の画素に光が侵入することはない。
【００６１】このように，本実施の形態においても，受光窓１５を介して入射した光が遮光膜や基板等によって乱反射して進行する場合でも，遮光壁及び遮光膜等によって，光が他の画素に侵入することを確実に防止することができる。
【００６２】なお，本実施の形態においては，３層の全ての層において画素を区画するように遮光壁を形成した例について説明したが，
１つ以上の層において遮光壁を形成すれば，その層については光が他の画素に侵入することを阻止することができる
・「【００６４】図１の第１の実施の形態においては，遮光壁１１によって受光領域３の周辺の全域を囲った。しかし，例えば，遮光壁を実配線に接続する場合等において，
受光領域３の周辺を囲む連続した１つの遮光壁を形成することが困難である
細長い遮光壁を複数配列することで，受光領域３の周辺を囲むことにより，入射した光が他の画素に侵入することを防止するようにしたもの
・「【００７０】図５は本発明の第４の実施の形態を示す説明図である。図５において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】図４の第３の実施の形態においては，不連続な遮光壁４５によって受光領域３の周辺の全域を囲った。しかし，細長い遮光壁４５を形成することは比較的困難であることが考えられる。そこで，本実施の形態は，
柱状の遮光壁を複数配列することで，受光領域３の周辺を囲むことにより，入射した光が他の画素に侵入することを防止するようにした
【００７２】図５は図１（ｂ）の平面と平行な面であって，図１（ａ）の遮光膜７を含む位置の平面形状を示す説明図である。
【００７３】層間絶縁膜６（図１参照）にはフィールド絶縁膜５及びＰ＋層１２上に，複数の開孔が形成され，各開孔内に金属材料が埋め込まれて遮光壁４６が形成されている。遮光壁４６は，受光領域３の周囲において，層間絶縁膜６の下端から上端まで形成されており，その上端は遮光膜７又は配線層１３に達している。各遮光壁４６は，柱形状に構成され，相互独立して層間絶縁膜６内に立設されているが，隣接する遮光壁４６同士の配置を適宜設定することにより，水平方向からみると受光領域３の縁辺の全てを囲むように構成される。
【００７４】各遮光壁４６と遮光膜７又は配線層１３とは，一体形成可能であり，これらの遮光壁４６，遮光膜７及び配線層１３によって，所定の画素の受光窓１５を介して入射した光は，他の画素の受光領域３に入射することが確実に阻止されるようになっている。
【００７５】このように構成された実施の形態においても，所定画素の受光窓１５を介して入射した光は，他の画素に侵入することはない。これにより，本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７６】また，
本実施の形態を多層構造の素子に適用することができることは明らかである
　
・図１（ａ）及び図３は，隣接する２画素の光電変換素子の横断面を示しており，図１（ｂ）において遮光壁１１が，また，図５において複数の遮光壁４６が，各受光領域３を囲んでいることが見て取れる。
　また，図１（ｂ）及び図５において，各受光領域及び各画素の平面形状が，長方形となっている構成が図示されている。
　
（２−２）引用発明 
　以上によれば，引用例（特に，図３及び図５を参照。）には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　
 「基板上に２次元アレイ状に配列された複数の受光領域（３）を有する複数の光電変換素子と，前記基板及び前記複数の受光領域上に形成される多層構造の層間絶縁膜（６，３１，３４）と，前記層間絶縁膜上に形成されて前記複数の受光領域以外の部分への光の入射を阻止するための多層構造の遮光膜（７，３２，３５）と，前記層間絶縁膜内において前記受光領域上方の空間を囲み前記層間絶縁膜の下端から上端まで形成された遮光壁（１１，３３，３６）とを具備し，
　遮光膜と配線膜とを兼用し，層間絶縁膜上に形成された各配線層（１３，３８，４０）は，接続孔に形成した遮光壁（１４，３７，３９）を介して接続され，グランド配線等の実配線とのコンタクトとして遮光壁を用い，
　光電変換素子としての受光ダイオードと光信号検出用の素子によって１画素を構成し，各画素は長方形状に設けられると共に，マトリクス状に配置され，
　柱状の遮光壁（４６）を複数配列することで，受光領域（３）の周辺を囲むことにより，入射した光が他の画素に侵入することを防止するようにした固体撮像素子。」
　
（３）本件補正発明と引用発明との対比 
（３−１）本件補正発明と引用発明の対応関係 
　ア　引用発明の「受光領域（３）を有する」「光電変換素子」，及び「固体撮像素子」は，それぞれ，本件補正発明の「光電変換部」，及び「固体撮像装置」に相当する。そして，引用発明において，各画素は前記「光電変換素子」を有しているから，引用発明の「基板上に２次元アレイ状に配列された複数の受光領域（３）を有する複数の光電変換素子」を具備する「固体撮像素子」は，本件補正発明の「光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置」に相当する。
　イ　引用発明において，遮光膜と配線膜とが兼用されているから，受光領域の周囲に設けられた「層間絶縁膜上に形成された各配線層（１３，３８，４０）」及び「層間絶縁膜上に形成されて前記複数の受光領域以外の部分への光の入射を阻止するための多層構造の遮光膜（７，３２，３５）」は，等価なものであって，これらは，本件補正発明の「多層構造による周辺配線部」に相当する。
　ウ　引用発明の「遮光壁」は，本件補正発明の「遮光性の層間連結材」に相当する。そして，引用発明において，「層間絶縁膜上に形成された各配線層（１３，３８，４０）は，接続孔に形成した遮光壁（１４，３７，３９）を介して接続され」ており，また，各遮光膜は，「前記層間絶縁膜内において前記受光領域上方の空間を囲み前記層間絶縁膜の下端から上端まで形成された遮光壁（１１，３３，３６）」を介して接続されているから，これは，本件補正発明の「前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が画素毎に設けられ」ていることに相当する。さらに，引用発明は，遮光壁を「グランド配線等の実配線とのコンタクト」として用いているから，この構成は，本件補正発明の「前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され」ている構成に相当している。
　エ　引用例の図２において，各画素は，複数本の走査線Ｔと複数本のデータ線Ｄとの各交点にマトリクス状に配置されることが示され，また，引用例の図１（ｂ）及び図５において，各受光領域及び各画素の平面形状が，長方形となっている構成が図示されているから，引用発明の各画素は長方形状に設けられていると認定できる。そして，長方形は多角形であるので，引用発明の画素は「多角形状」であるといえる。
　
（３−２）一致点と相違点 
　前記（３−１）の対応関係により，本件補正発明と引用発明の一致点，相違点は次のとおりである。 
〔一致点〕 
「光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が画素毎に設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられた固体撮像装置」
　
〔相違点１〕 
　本件補正発明では，「前記画素毎に直線状に配置される一組の層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短」いのに対して，引用発明では，この点が不明である点。
〔相違点２〕
　本件補正発明では，「前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する」のに対し，引用発明では，この点の記載のない点。
 　 
（４）判断 
（４−１）相違点１について 
　ア　引用例の段落【００７３】には，「各遮光壁４６は，柱形状に構成され，相互独立して層間絶縁膜６内に立設されているが，隣接する遮光壁４６同士の配置を適宜設定することにより，水平方向からみると受光領域３の縁辺の全てを囲むように構成される」ことが記載されており，図５を参照すると，複数の柱形状の遮光壁４６が全体として各受光領域３の縁辺を囲む構成が見て取れる。なお，図５は図１（ｂ）に対応するものであり，２画素の平面形状を示すものと認められる。
　イ　引用例の図面においては各画素の境界は明確ではないが，図５においては，２つの受光領域３の間の中央（図５を２等分する線）で２画素が区分されると解されるから，各画素において，複数の（一組みの）柱形状の遮光壁４６が直線状に配置されて，受光領域３の一辺に対応して設けられているといえ，引用例の図５は，各画素毎に，４つの組の直線状に配置される柱形状の遮光壁４６が，受光領域３を囲む構成を開示しているといえる。
　ウ　そうすると，引用発明において，「受光領域上方の空間」を囲む遮光壁は各画素毎に設けられているといえ，各画素に設けられた柱形状の遮光壁４６は，各画素の領域内に形成されるから，仮に各画素の最外側に遮光壁が設けられていたとしても，その遮光壁の長さ，すなわち，直線状に配置される複数の（一組みの）柱形状の遮光壁４６の長さは，各画素の領域である多角形状（長方形状）の最長辺の長さ以下となることは明らかである。
　エ　そして，各画素の領域である多角形状（長方形状）の最長対角線は，多角形状（長方形状）の任意の辺の長さよりも長いことは自明のことであるから，引用発明においても，直線状に配置される複数の柱形状の遮光壁４６の長さ（本件補正発明の「前記画素毎に直線状に配置される一組の層間連結材の前記２次元平面内における長さ」に相当）は，各画素の領域である多角形状の最長対角線よりも短いといえる。
　したがって，相違点１は，実質的な相違ではない。
　オ　仮に，相違点１が実質的な相違点であるとしても，引用例には，多角形状の各画素毎に遮光壁を設け，直線状に配置される複数の柱形状の遮光壁４６により「受光領域上方の空間」を囲むことが開示されているから，本件補正発明のごとく，「前記画素毎に直線状に配置される一組の層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短く」することは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４−２）相違点２について
　ア　引用例の段落【０００３】に「画素毎に２〜３トランジスタからなる増幅回路を集積する」と記載され，段落【０００４】に「ＣＭＯＳ技術による微細なトランジスタ増幅回路を受光デバイスの画素内に形成した，いわゆるアクティブＣＭＯＳイメージセンサが注目されている。」と記載されるように，各画素内に増幅回路部を具備する固体撮像装置は，引用発明の前提となる従来技術にすぎない。
　イ　そして，引用例の段落【０００５】に「受光部を構成する受光ダイオード上には受光窓が形成され，受光窓以外の部分は，受光部以外の部分に構成された素子に対する遮光のために，遮光膜が形成されている。」との記載と，前記段落【０００３】【０００４】の記載を併せ考慮すれば，画素毎にトランジスタからなる増幅回路を集積し，受光窓以外の部分を遮光することは従来から行われていることであるといえる。
　ウ　さらに，以下の周知例１，２に記載されているように，受光部（感光素子［括弧内は周知例２において対応する構成，以下同様。］）と複数のトランジスタで構成された画素セルがマトリックス状に配置された固体撮像装置において，上記受光部（感光素子）をフェンス状に囲む溝状の埋め込み金属層（遮光体）を形成し，トランジスタ部（他の回路）を埋め込み金属層（遮光体）の外側に配置し，トランジスタ部（他の回路）への入射光を完全に防ぐこと，すなわち，本件補正発明の「前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有すること」も，固体撮像装置の技術分野において，周知の技術であるといえる。
　
・周知例１：特開２００１−２６７５４４号公報
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，図１２に示す１層目メタル２６と２層目メタル２９の双方を配線に用いる構造では，配線用金属膜を遮光用金属膜と兼用する構造であるため，所々で金属膜が開いていて，マイクロレンズ３６で集光していても，斜めからの入射光や乱反射光があった場合，受光部２３のドライブ用トランジスタに光が入射して，撮像画像にノイズ成分が現われるという問題がある。また，上面からみて完全に遮光されている図１１や図１３の構造においても，各メタル２６,２９間には500〜1000nmの層間絶縁膜２７が存在するため，斜め入射光や乱反射光のドライブ用トランジスタヘの入射は避けられず，その結果，撮像画像にノイズ成分が現われる。
【０００７】そこで，本発明の目的は，製造プロセスにおいて工程数を増加することなく，
トランジスタ部への入射光を完全に防ぐことができ，撮像画像のノイズを無くし
固体撮像装置
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため，請求項１の発明は，
一導電型の半導体基板上に，受光部と複数のトランジスタで構成された画素セルがマトリックス状に配置され，上記複数のトランジスタを駆動するための駆動回路を備えた固体撮像装置において，上記受光部をフェンス状に囲む少なくとも２層以上の溝状の埋め込み金属層が積層された構造を有する
「【００１１】つまり，請求項１の固体撮像装置によれば，
受光部以外のトランジスタ部に入射する光を完全に防いで，過剰な光や斜め入射光によるノイズの発生をなくす
　
・周知例２：特開２００６−２３７５７６号公報
「【００１６】
  下記に詳細に亘って検討するが，遮光体110は，通常は基板に形成される感光素子112の上にある一乃至複数の金属層に配置される。一つの実施例においては，
遮光体110は，一乃至複数の金属間誘電体層を貫通して形成されるビアから成る。別な実施例においては，遮光体110は，ビアにより相互接続される金属配線であってもよい
【００１７】
  好ましい実施例において，図１に示す
感光素子112は，単独の素子（例えば，フォト・ダイオード）を備えている。他の回路（スイッチング・トランジスタ，リセット・トランジスタなどのMOS回路）は，遮光体110の外側に配置され，この他の回路が光に曝されたり，光の影響を受けたるすることを防止する
　
　エ　そして，引用発明は，遮光壁で「受光領域上方の空間を囲」むものであるから，上記周知の技術である，受光部（感光素子）をフェンス状に囲む溝状の埋め込み金属層（遮光体）を形成し，トランジスタ部（他の回路）を埋め込み金属層（遮光体）の外側に配置することと，軌を一にするものであり，引用発明に上記周知の技術を適用することには何の困難性もない。
　オ　よって，引用発明において，本件補正発明のごとく「前記光電変換部と，前記画素毎に連結する前記周辺配線部に含まれる増幅回路部との間に前記遮光性の層間連結材を有する」ようにすることは，上記周知の技術を考慮することにより，当業者が容易になし得るものである。
　
　また，相違点１，２における本件補正発明の構成により奏する効果も，当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　
（５）小括 
　以上のとおりであるから，本件補正発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
４　補正の却下についてのまとめ
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
第３　本願発明について
１　本願発明
　以上のとおり本件補正は却下されたので，本願請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項２に記載された次のとおりのものである。（再掲）
「　【請求項２】
　光電変換部を有する画素が，多数配置された固体撮像装置であって，
　前記多数の各画素において，光電変換部の周囲の少なくとも一部に，多層構造による周辺配線部が設けられ，
　前記周辺配線部の少なくとも一部に，前記多層構造の各層を連結する，遮光性の層間連結材が設けられ，
　前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が，特定の電位に接地され，
　前記画素が配置される２次元平面内において，前記画素が多角形状に設けられ，
　前記画素毎に形成される前記層間連結材の前記２次元平面内における長さが，前記多角形状の最長対角線よりも短い
　ことを特徴とする固体撮像装置。」
　
２　本願発明の容易想到性について 
　前記第２，２で検討したように，本件補正後の請求項２の内容は，本件補正前の請求項２の記載事項を限定的に減縮したものである。 
　そうすると本願発明の構成要素をすべて含み，これをより限定した本件補正発明が，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
 　 
　よって，結論のとおり審決する。