【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を製造する方法であって、
半導体基板または基板アセンブリを提供すること、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供すること、および、
蒸着法を用いて前記半導体基板または基板アセンブリの１つ以上の表面上に金属含有層を形成するように前記前駆体化合物を接触させることを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、半導体構造を製造する方法。
【請求項２】
前記半導体基板または基板アセンブリはシリコンウエハーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属含有層は、金属ケイ酸塩、金属酸化物、ケイ素酸化物、およびそれらの組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属含有層は、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム−ハフニウム、またはそれらの組合せを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有層は、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびケイ素酸化物を含む固溶体を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記金属含有層は厚さが約３０Åから約８０Åである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
半導体構造を製造する方法であって、
堆積チャンバ内に半導体基板または基板アセンブリを提供すること、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供すること、
気化した前記前駆体化合物を形成するように前記前駆体化合物を気化すること、および、
前記半導体基板または基板アセンブリの１つ以上の表面上に金属含有誘電体層を形成す
るように前記気化した前駆体化合物を前記半導体基板または基板アセンブリに送ることを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、半導体構造を製造する方法。
【請求項８】
前記前駆体化合物は不活性のキャリアガスの存在下で気化する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属含有誘電体層は、金属ケイ酸塩、金属酸化物、ケイ素酸化物、およびそれらの組合せを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属含有誘電体層は、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム−ハフニウム、またはそれらの組合せを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属含有誘電体層は、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびケイ素酸化物を含む固溶体を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは化学蒸着法を用いて達成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体基板または基板アセンブリの温度は約１００℃から約６００℃である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体基板または基板アセンブリは、圧力が約０．１トールから約１０トールである堆積チャンバ内に配置されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法を用いて達成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
それぞれの堆積サイクルの間に前記前駆体化合物を交互に導入することによって、前記原子層堆積法の間に前記金属含有層が形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体基板または基板アセンブリの温度は約２５℃から約４００℃である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体基板または基板アセンブリは、圧力が約１０-4トールから約１トールである堆積チャンバ内に配置されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記形成した金属含有層を約４００℃から約７５０℃の温度でアニールする工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
基板上に金属含有層を形成する方法であって、
基板を提供すること、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供すること、および、
蒸着法を用いて前記基板上に金属含有層を形成するように前記前駆体化合物を接触させることを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、基板上に金属含有層を形成する方法。
【請求項２１】
前記金属含有層は、金属ケイ酸塩、金属酸化物、ケイ素酸化物、およびそれらの組合せを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して（Ｃ１〜Ｃ８）アルキル部分である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
Ｒはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、およびブチルからなる群から選択され、Ｒ’およびＲ”はそれぞれ互いに独立してメチルおよびエチルからなる群から選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ケイ素前駆体化合物はテトライソプロポキシシランまたはテトラエトキシシランである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
基板上に金属含有層を形成する方法であって、
基板を提供すること、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供すること、
気化した前駆体化合物を形成するように前記前駆体化合物を気化すること、および、
前記基板上に金属含有層を形成するように前記気化した前駆体化合物を前記基板に送ることを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、基板上に金属含有層を形成する方法。
【請求項２６】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは化学蒸着法を用いて達成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法を用いて達成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
メモリデバイス構造を製造する方法であって、
基板であってその上に第１の電極を有する基板を提供すること、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供すること、
気化した前駆体化合物を形成するように前記前駆体化合物を気化すること、
前記基板の前記第１の電極上に誘電体層を形成するように前記気化した前駆体化合物を前記基板に送ること、および、
前記誘電体層上に第２の電極を形成することを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、メモリデバイス構造を製造する方法。
【請求項２９】
前記誘電体はキャパシタ層を形成する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記誘電体はゲートを形成する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記前駆体化合物は、式Ｈｆ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの化合物と式Ｚｒ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの化合物とを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは化学蒸着法を用いて達成される、請
求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記前駆体化合物を気化することおよび送ることは、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法を用いて達成される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
内部に基板を配置した蒸着チャンバと、
式Ｓｉ（ＯＲ）4を有する１つ以上のケイ素前駆体化合物を含む１つ以上の容器と、
式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される１つ以上の前駆体化合物を含む１つ以上の容器とを含む蒸着装置であって、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、蒸着装置。
【請求項３５】
前記基板はシリコンウエハーである、請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記前駆体を前記蒸着チャンバへと移動させる不活性のキャリアガスの１つ以上の源をさらに備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３７】
基板と、前記基板の上にゲート誘電体層と、前記ゲート誘電体層の上に窒化チタンゲートとを含むデバイスであって、前記ゲート誘電体層はケイ酸ハフニウムを含むことを特徴とするデバイス。
【請求項３８】
前記ゲート誘電体層は厚さが約３０Åから約８０Åである、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記ゲート誘電体層と窒化チタンゲートとの間にゲートポリシリコン膜をさらに含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記ゲート誘電体層と窒化チタンゲートとの間にバリアー層をさらに含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４１】
前記バリアー層は、窒素をドープしたポリシリコンを含む、請求項４０に記載のデバイス。
【請求項４２】
前記ゲート誘電体層の上に絶縁キャップをさらに含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４３】
前記絶縁キャップは二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含む、請求項４２に記載のデバイス。
【請求項４４】
前記基板が半導体基板または基板アセンブリである、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４５】
前記半導体基板または基板アセンブリがシリコンウエハーである、請求項４３に記載のデバイス。
【請求項４６】
前記半導体基板は導電性を有するようドープしたポリシリコンを含む、請求項４４に記載のデバイス。
【請求項４７】
前記ゲート誘電体層は蒸着法により堆積したものである、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４８】
前記蒸着法は、式Ｓｉ（ＯＲ）4で表わされる少なくとも１つのケイ素前駆体化合物と
、式Ｍ（ＮＲ’Ｒ”）4で表される少なくとも１つの前駆体化合物とを提供することを含み、
Ｒ、Ｒ’、およびＲ”はそれぞれ互いに独立して有機基であり、Ｍはジルコニウムまたはハフニウムであることを特徴とする、請求項４７に記載のデバイス。
【請求項４９】
前記蒸着法は化学蒸着法である、請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５０】
前記蒸着法は複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法である、請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５１】
電界効果トランジスタデバイスの少なくとも一部を形成することを特徴する、請求項３７に記載のデバイス。