【事件の表示】
　特願２００４−２１６６９８「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　９日出願公開、特開２００６−　３９０６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年７月２６日の出願であって、平成２１年４月１５日付けで手続補正がなされ、同年１２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年３月８日に拒絶査定不服審判請求がされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年２月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年６月１６日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「　少なくとも一方が透明な一対の基板と、
　前記一対の基板間に配置された液晶層と、
　前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、
　前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、
　前記液晶層に接する面上に形成された配向制御膜とを有する液晶表示装置であって、
　前記電極群は共通電極と画素電極とを有し、
　一画素の領域において前記共通電極は平板状、前記画素電極は櫛歯状に形成されており、
　前記共通電極と前記画素電極との間には絶縁膜が配置され、
　前記画素電極及び前記絶縁膜の上に配向制御膜が配置され、
　前記配向制御膜は４４ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚であり、
　前記画素電極の端部のテーパー角度が４５度より大きく９０度未満であり、
　前記配向制御膜がほぼ直線に偏光した光照射により配向制御機能を付与可能な材料からなり、
　前記画素電極の端部のテーパー角度θ、前記配向制御膜の膜厚ｙ（ｎｍ）とすると、ｙ＞１００／（１−１／ｃｏｓ２θ）が成り立つことを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−４９０４９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係り、特に、横電界方式の液晶表示装置に関する。」
　
　イ　「【００４８】・・・
（実施例１）図１から図１０を用いて本発明の第一の実施例について説明する。
【００４９】図１から図１０において、ＳＵＢ１は薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板を、ＴＦＴは画素のスイッチング素子である薄膜トランジスタを、CLAはＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜と高融点金属膜，高融点金属の合金膜、もしくは高融点金属のシリサイド膜の積層構成からなる共通信号配線を、ＣＥＡはアモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜からなる共通信号電極を、ＧＥＡはＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜と高融点金属膜，高融点金属の合金膜、もしくは高融点金属のシリサイド膜の積層構成からなる走査信号電極を、ＧＬＡはＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜と高融点金属膜，高融点金属の合金膜、もしくは高融点金属のシリサイド膜の積層構成からなる走査信号配線を、ＳＩは半導体層を、ＳＤは薄膜トランジスタのソースドレイン電極となる映像信号電極を、ＤＬＣはＣｒもしくはＣｒ合金からなる映像信号配線を、ＰＸＡはアモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜からなる画素電極を、ＧＩは該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜を、ＰＡＳは薄膜トランジスタの表面保護膜を、ＮＳＩは薄膜トランジスタのソースドレイン電極と半導体層のコンタクトを保証するためにリン等の不純物をドープしたシリコン膜からなる電極を、ＴＨはスルーホールを、ＢＭは遮光パターンを、ＣＦはカラーフィルタを、ＯＣはオーバーコート膜を、ＳＵＢ２はカラーフィルタ側の透明絶縁基板を示す。また、ＯＲＩ１，２は配向膜を、ＬＣは液晶層を、ＰＯＬ１，２は偏光板を、ＧＴＭは走査信号配線用端子を、ＤＴＭは映像信号配線用端子を、ＣＴＭは共通信号配線用端子を、ＣＢは共通信号配線のバス配線を、ＳＬはシール材を、ＴＣＡはアモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜からなる走査信号配線，共通信号配線、および映像信号配線用端子のパッド電極それぞれ示す。
【００５０】図１は、本発明の第一の実施例を示すアクティブマトリックス型液晶表示装置の断面図で、後述する図２に示したＡ−Ａ′で示した線に沿う断面図である。図２は本発明の第一の実施例を示すアクティブマトリックス型液晶表示装置の、単位画素の薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板ＳＵＢ１の表面図を、図３は図２に示した、Ｂ−Ｂ′で示した線に沿う薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板ＳＵＢ１の断面図を示す。
【００５１】薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板ＳＵＢ１はＴＦＴ基板と称され、このＴＦＴ基板と液晶ＬＣを介して対向配置される対向側の透明絶縁基板ＳＵＢ２はＣＦ基板と称される。
【００５２】図１に示すようにＣＦ基板はその液晶層ＬＣ側の面に、まず各画素領域を画するようにして遮光パターンＢＭが形成され、この遮光パターンＢＭの実質的な画素領域を決定する開口部にはカラーフィルタＣＦが形成されている。そして、遮光パターンＢＭ、およびカラーフィルタＣＦを覆って、例えば樹脂膜からなるオーバーコート膜ＯＣが形成され、このオーバーコート膜ＯＣの表面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。ＴＦＴ基板，ＣＦ基板それぞれの外側の面（液晶層ＬＣ側とは反対の面）には偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２が形成されている。
【００５３】一方、ＴＦＴ基板側には第一の透明電極からなる共通信号電極ＣＥＡ，第二の透明電極からなる画素電極ＰＸＡが配置されており、その二層の透明電極間の層間絶縁膜は、ゲート絶縁膜ＧＩ，薄膜トランジスタの表面保護膜ＰＡＳで構成されている。
・・・
【００５５】本実施例では図２に示すように、走査信号配線ＧＬＡ、および映像信号配線ＤＬにより分けられた領域に薄膜トランジスタＴＦＴ，画素電極ＰＸＡ，共通信号電極ＣＥＡがそれぞれ１つずつ形成され、画素を構成している。画素電極ＰＸＡはスルーホールＴＨを介して薄膜トランジスタＴＦＴのソースドレイン電極となる映像信号電極ＳＤの一方に接続されており、映像信号電極ＳＤの他方は映像信号配線ＤＬに接続されている。また、共通信号電極ＣＥＡは少なくとも画素領域の周辺を除く単位画素領域の全領域に形成されている。Ｘ方向に併設される共通信号電極ＣＥＡは走査信号配線ＧＬＡ，走査信号電極ＧＥＡと同一工程，同一材料で形成された共通信号配線ＣＬＡに接続されている。また、画素電極ＰＸＡの少なくとも一部が画素内で櫛歯状に複数に分割、またはスリット状に加工されている。
【００５６】本実施例においては、スリット状に加工された画素電極ＰＸＡの電極幅、及び電極間幅は、例えばそれぞれ３μｍ幅とした。」
　
　ウ　図１から、「画素電極ＰＸＡ」及び「表面保護膜ＰＡＳ」を覆って「配向膜ＯＲＩ１」が形成されていることが見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板ＳＵＢ１（ＴＦＴ基板）と、このＴＦＴ基板と液晶ＬＣを介して対向配置される対向側の透明絶縁基板ＳＵＢ２（ＣＦ基板）とを有するアクティブマトリックス型液晶表示装置であって、
　ＴＦＴ基板側には第一の透明電極からなる共通信号電極ＣＥＡ、第二の透明電極からなる画素電極ＰＸＡが配置されており、その二層の透明電極間の層間絶縁膜は、ゲート絶縁膜ＧＩ、薄膜トランジスタの表面保護膜ＰＡＳで構成されており、
　走査信号配線ＧＬＡ、および映像信号配線ＤＬにより分けられた領域に薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸＡ、共通信号電極ＣＥＡがそれぞれ１つずつ形成され、画素を構成しており、
　共通信号電極ＣＥＡは少なくとも画素領域の周辺を除く単位画素領域の全領域に形成されており、画素電極ＰＸＡの少なくとも一部が画素内で櫛歯状に複数に分割、またはスリット状に加工されており、
　前記画素電極ＰＸＡ及び表面保護膜ＰＡＳを覆って配向膜ＯＲＩ１が形成されている、アクティブマトリックス型液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開２０００−３５６７７６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、所謂光配向処理した配向膜を用いた液晶表示装置とその配向膜の配向処理方法に関する。」
　
　イ　「【００１９】図１０は配向膜材料に偏光を有する光を照射して配向処理する際の不具合を説明する模式図である。なお、ここでは、金属配線として図９における映像信号電極３を例として説明するが、側縁にテーパーを有する他の金属配線についても同様である。
【００２０】下基板７ａに形成された映像信号電極３の側縁はテーパー面３ａを有している。・・・
【００２１】配向膜５ａとなる配向膜材料（以下、これを単に配向膜とも言う）は、このようなテーパー面３ａを有した金属配線の上層に形成されている。・・・
【００２２】図１０の（ａ）は下配向膜５ａを配向処理するための偏光を有する光ＰＺＬの当該偏光軸ＰＺが紙面と平行な方向にある場合であり、また同図（ｂ）は当該偏光軸ＰＺが紙面と直角な方向にある場合である。
【００２３】図１０の（ａ）（ｂ）において、下配向膜５ａを透過した配向処理のために照射される光ＰＺＬは、映像信号電極３のテーパー面３ａで反射し、当該テーパー面３ａの法線ＰＰＲに関して対称な方向に反射する。この反射光は下基板７ａで反射し、再び下配向膜５ａに入射する。
【００２４】一般に、テーパー面３ａおよび下基板７ａの表面は斉一な面とは限らないため、下配向膜５ａを再照射する光の偏光方向ＰＺは最初に下配向膜５ａを照明する光の偏光方向とは異なったものとなってしまう。なお、実際には、配向膜の下層に他の電極等が存在した場合は、この電極等のテーパー面あるいは表面での反射光が上記と同様に偏光方向の異なった光として配向膜を再照射する。
【００２５】予め設定された方向と異なる偏光を有する光が照射された配向膜材料は、その部分において配向性が乱れることになり、配向欠陥を引き起こす原因となる。
【００２６】上記のような反射による影響は、配向膜を最初に照射する光（入射光）ＰＺＬの強度と、反射により再照射する光の強度の比に依存する。再照射する光の強度は、入射光に対してｒ（λ）×１０の（α（λ）ｄ）階乗倍に減衰したものである。ここで、ｒ（λ）は光の波長λのときの電極の光反射率、α（λ）は配向膜の吸光係数、ｄは配向膜の膜厚である。
【００２７】反射により再照射する光の強度が、入射光に対して０．１倍以下であれば問題のないことが実験により確認されている。」
　
　ウ　「【００６０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき、横電界方式の液晶表示装置に適用した実施例により詳細に説明する。
・・・
【００７０】上記薄膜トランジスタＴＦＴのオン／オフで液晶分子の配向方向が変化する液晶層は、図９で説明した下上の基板７ａ，７ｂに成膜された下配向膜５ａ、および上配向膜５ｂの配向状態（配向制御能）で初期の配向方向が設定される。
【００７１】本実施例では、この配向膜の材料としてポリイミドを採用し、厚さ０．１μｍの表面に配向制御能を付与するために、当該ポリイミド膜の表面に偏光ＵＶを照射した。この偏光ＵＶの光源にはエキシマレーザー（波長２５４ｎｍ付近）を用い、照射エネルギーを４００ｍＪ／ｃｍ２照射した。配向膜を成膜する下基板７ａは一定の速度で送り、照射面が偏光ＵＶで均一に照射されるように上記送りの速度を設定した。」
　
　エ　上記イを踏まえて図１０（ａ）及び（ｂ）をみると、「配向膜を最初に照射する光（入射光）ＰＺＬ」は「（映像信号電極３の）テーパー面３ａ」で「下基板７ａ」側に下向きに反射されているから、前記「テーパー面３ａ」のテーパー角θは、４５°＜θ＜９０°の範囲であるといえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「光配向処理した配向膜を用いた液晶表示装置であって、
　下基板７ａに形成された映像信号電極３の側縁はテーパー面３ａを有しており、
　配向膜５ａとなる配向膜材料は、このようなテーパー面３ａを有した金属配線の上層に形成されており、
　下配向膜５ａを透過した配向処理のために照射される光ＰＺＬは、映像信号電極３のテーパー面３ａで反射し、当該テーパー面３ａの法線ＰＰＲに関して対称な方向に反射し、この反射光は下基板７ａで反射し、再び下配向膜５ａに入射し、
　前記テーパー面３ａのテーパー角θは、４５°＜θ＜９０°の範囲であり、
　一般に、テーパー面３ａおよび下基板７ａの表面は斉一な面とは限らないため、下配向膜５ａを再照射する光の偏光方向ＰＺは最初に下配向膜５ａを照明する光の偏光方向とは異なったものとなってしまい、予め設定された方向と異なる偏光を有する光が照射された配向膜材料は、その部分において配向性が乱れることになり、配向欠陥を引き起こす原因となり、
　上記のような反射による影響は、配向膜を最初に照射する光（入射光）ＰＺＬの強度と、反射により再照射する光の強度の比に依存し、反射により再照射する光の強度が、入射光に対して０．１倍以下であれば問題がなく、
　金属配線としては、側縁にテーパーを有する他の金属配線についても同様であり、
　上記配向膜の材料としてポリイミドを採用し、厚さ０．１μｍの表面に配向制御能を付与するために、当該ポリイミド膜の表面に偏光ＵＶを照射する、液晶表示装置。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「アクティブマトリックス型液晶表示装置」は、「薄膜トランジスタが配置される側の透明絶縁基板ＳＵＢ１（ＴＦＴ基板）と、このＴＦＴ基板と液晶ＬＣを介して対向配置される対向側の透明絶縁基板ＳＵＢ２（ＣＦ基板）とを有する」ものであって、「ＴＦＴ基板側には・・・共通信号電極ＣＥＡ、・・・画素電極ＰＸＡが配置され」、「走査信号配線ＧＬＡ、および映像信号配線ＤＬにより分けられた領域に薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸＡ、共通信号電極ＣＥＡがそれぞれ１つずつ形成され」、「前記画素電極ＰＸＡ及び表面保護膜ＰＡＳを覆って配向膜ＯＲＩ１が形成され」ており、前記「薄膜トランジスタＴＦＴ」は「画素電極ＰＸＡ」に接続されているといえるから、
　ア　引用発明１の「『透明絶縁基板ＳＵＢ１（ＴＦＴ基板）』及び『透明絶縁基板ＳＵＢ２（ＣＦ基板）』」、「液晶ＬＣ」、「共通信号電極ＣＥＡ」、「画素電極ＰＸＡ」、「『共通信号電極ＣＥＡ』及び『画素電極ＰＸＡ』」、「（画素電極ＰＸＡに接続されている）薄膜トランジスタＴＦＴ」、「配向膜ＯＲＩ１」及び「アクティブマトリックス型液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「（少なくとも一方が透明な）一対の基板」、「（前記一対の基板間に配置された）液晶層」、「共通電極」、「画素電極」、「（前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加し、共通電極と画素電極とを有する）電極群」、「（前記電極群に接続された複数の）アクティブ素子」、「（前記液晶層に接する面上に形成された）配向制御膜」及び「液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、前記液晶層に接する面上に形成された配向制御膜とを有する液晶表示装置であって、前記電極群は共通電極と画素電極とを有し」との事項を備える。
　
（２）引用発明１は、「共通信号電極ＣＥＡ」が「・・・画素領域の周辺を除く単位画素領域の全領域に形成されており」、「画素電極ＰＸＡの少なくとも一部」が「画素内で櫛歯状に複数に分割、またはスリット状に加工されて」いるから、本願発明の「一画素の領域において前記共通電極は平板状、前記画素電極は櫛歯状に形成されており」との事項を備える。
　
（３）引用発明１は、「ＴＦＴ基板側には第一の透明電極からなる共通信号電極ＣＥＡ、第二の透明電極からなる画素電極ＰＸＡが配置されており、その二層の透明電極間の層間絶縁膜は、ゲート絶縁膜ＧＩ、薄膜トランジスタの表面保護膜ＰＡＳで構成されて」いるから、本願発明の「前記共通電極と前記画素電極との間には絶縁膜が配置され」との事項を備える。
　
（４）引用発明１は、「前記画素電極ＰＸＡ及び表面保護膜ＰＡＳを覆って配向膜ＯＲＩ１が形成されて」いるから、本願発明の「前記画素電極及び前記絶縁膜の上に配向制御膜が配置され」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「　少なくとも一方が透明な一対の基板と、
　前記一対の基板間に配置された液晶層と、
　前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、
　前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、
　前記液晶層に接する面上に形成された配向制御膜とを有する液晶表示装置であって、
　前記電極群は共通電極と画素電極とを有し、
　一画素の領域において前記共通電極は平板状、前記画素電極は櫛歯状に形成されており、
　前記共通電極と前記画素電極との間には絶縁膜が配置され、
　前記画素電極及び前記絶縁膜の上に配向制御膜が配置される液晶表示装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　本願発明は、配向制御膜が４４ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚であり、画素電極の端部のテーパー角度が４５度より大きく９０度未満であり、前記配向制御膜がほぼ直線に偏光した光照射により配向制御機能を付与可能な材料からなり、前記画素電極の端部のテーパー角度θ、前記配向制御膜の膜厚ｙ（ｎｍ）とすると、ｙ＞１００／（１−１／ｃｏｓ２θ）が成り立つのに対し、引用発明は、配向制御膜の膜厚が明らかではなく、画素電極の端部がテーパー状であるか否かが明らかではなく、前記配向制御膜がほぼ直線に偏光した光照射により配向制御機能を付与可能な材料からなるか否かが明らかではなく、前記配向制御膜の膜厚ｙが上記条件式を満たすか否かも明らかではない点（以下「相違点」という。）。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
　櫛歯状に形成された画素電極の端部をテーパー状とする液晶表示装置は、本願の出願時点で周知であるところ（必要なら、特開平９−９０４１０号公報（【００２３】、【００３７】〜【００３９】、図２）、特開平１０−３０７２９７号公報（【００１６】〜【００１８】、図４）、特開２０００−３４７２１６号公報（【００４５】、【００４６】、図２）参照。）、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、側縁にテーパー角θが４５°＜θ＜９０°の範囲のテーパー面を有する金属配線の上層に、偏光ＵＶ光を照射することによりその表面の配向処理を行う配向膜を形成した液晶表示装置において、該配向膜を透過した偏光ＵＶ光が前記金属配線のテーパー面及び下基板で反射して再び前記配向膜に入射すると、一般に該配向膜は予め設定された方向と異なる偏光を有する光が照射されて当該部分の配向性が乱れて配向欠陥を引き起こす原因となること、その際、反射により再照射する光の強度が入射光に対して０．１倍以下であれば問題がないことが示され、また、前記配向膜の厚さを０．１μｍ（＝１００ｎｍ）とすることが示されているから、引用発明１において、「画素電極ＰＸＡ」の端部をテーパー角θが４５°＜θ＜９０°の範囲のテーパー面となすとともに、該「画素電極ＰＸＡ」を覆う「配向膜ＯＲＩ１」を偏光ＵＶ光を照射することによりその表面の配向処理を行うものとなし、その際、該「配向膜ＯＲＩ１」の厚さを１００ｎｍ程度として、その結果、該「配向膜ＯＲＩ１」の膜厚ｙが上記相違点の条件式（ｙ＞１００／（１−１／ｃｏｓ２θ））を満たすものとなして、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。