【事件の表示】
　特願２００８−　８０５５５「低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月　２日出願公開、特開２００８−２３５９１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月１９日に出願した特願平１１−２３３２３０号（以下、「原出願」という。）の一部を平成１８年１月２３日に新たな特許出願（特願２００６−１４４１３号）とし、さらにその一部を平成２０年３月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年３月２６日付けで上申書が提出され、平成２２年３月１７日付けの拒絶理由通知に対し、平成２２年５月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、平成２３年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされると同時に、同日付けで明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年９月１２日付けで書面による審尋がなされ、平成２３年１１月８日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年１月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１月５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正
（１）本件補正の内容
　平成２３年１月５日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲に関して、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２２年５月３１日付けの手続補正書により補正された）特許請求の範囲の下記（ア）を、下記（イ）と補正するものである。
　
（ア）本件補正前の特許請求の範囲
「　　【請求項１】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板において、
　前記低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に形成されためっき被膜とを備えたワイヤボンディングパッドを有していること、
　を特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項２】
　前記低温焼成セラミック基板の最外層に、さらに、Ａｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面に形成された厚膜抵抗体を備えていること、
　を特徴とする請求項１に記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項３】
　前記ワイヤボンディングパッドは、金線用のワイヤボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボンディングパッドとが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項４】
　前記低温焼成セラミック基板の最外層に前記Ａｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を備え、該厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面には、めっき被膜を形成せずに厚膜抵抗体を直接接続することを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項５】
　前記めっき被膜が、Ｎｉ／Ａｕ被膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項６】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて低温焼成セラミック回路基板を製造する方法において、
　最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体を有する焼成前の低温焼成セラミック基板を、前記Ａｇ系導体と同時焼成し、
　焼成後、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面にめっき被膜を形成してワイヤボンディングパッドを形成すること、
　を特徴とする低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
　　【請求項７】
　前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体と同時焼成される前記焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層に、Ａｇ系導体ペーストを印刷して厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を形成する工程をさらに備えており、かつ、
　焼成後に、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面に、厚膜抵抗体を形成する工程をさらに備えていること、
　を特徴とする請求項６に記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
　　【請求項８】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、及び厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷して、これらのＡｇ系導体を前記低温焼成セラミック基板と同時焼成し、
　焼成後、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、前記アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に、それぞれめっき被膜を形成して、金線用及びアルミ線用の各ワイヤボンディングパッドを形成すること、
　を特徴とする請求項６または７に記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
　　【請求項９】
　前記めっき被膜が、Ｎｉ／Ａｕ被膜であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。」
　
（イ）本件補正後の特許請求の範囲
「　　【請求項１】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板において、
　前記低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に形成された
Ｎｉ／Ａｕ
　を特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項２】
　前記低温焼成セラミック基板の最外層に、さらに、Ａｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面に形成された厚膜抵抗体を備えていること、
　を特徴とする請求項１に記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項３】
　前記ワイヤボンディングパッドは、金線用のワイヤボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボンディングパッドとが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項４】
　前記低温焼成セラミック基板の最外層に前記Ａｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を備え、該厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面には、めっき被膜を形成せずに厚膜抵抗体を直接接続することを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
　　【請求項５】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて低温焼成セラミック回路基板を製造する方法において、
　最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体を有する焼成前の低温焼成セラミック基板を、前記Ａｇ系導体と同時焼成し、
　焼成後、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に
Ｎｉ／Ａｕ
　を特徴とする低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
　　【請求項６】
　前記ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体と同時焼成される前記焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層に、Ａｇ系導体ペーストを印刷して厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を形成する工程をさらに備えており、かつ、
　焼成後に、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面に、厚膜抵抗体を形成する工程をさらに備えていること、
　を特徴とする請求項
５
　　【請求項７】
　焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、及び厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷して、これらのＡｇ系導体を前記低温焼成セラミック基板と同時焼成し、
　焼成後、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、前記アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に、それぞれ
Ｎｉ／Ａｕ
　を特徴とする請求項
５または６
　
（２）本件補正の目的
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、５及び７における「めっき被膜」に関し、「
Ｎｉ／Ａｕ
　
２．本件補正の適否についての判断
　本件補正における特許請求の範囲の補正は、前述したように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２．−１　引用文献
（１）引用文献の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−９２９７６号公報（以下、「引用文献」という。）には、例えば、次のような記載がある。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール、チップサイズパッケージ等に用いるためのガラスセラミック多層配線板、その製造方法およびこの方法に用いる導体ペーストに関する。」（段落【０００１】）
　
（イ）「【０００３】上記問題を解決するため、配線パターンを形成したガラスセラミックよりなるグリーンシート（「ガラスセラミックよりなるグリーンシート」を以下、「ガラスセラミックグリーンシート」という）を所望枚数積層した後、該ガラスセラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しないアルミナ、ジルコニア等の耐火物粉末よりなるグリーンシート（「ガラスセラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない耐火物粉末よりなるグリーンシート」を以下、「耐火物粉末グリーンシート」という）を該ガラスセラミック積層体の両面に積層し、加圧して一体化し、１０００℃以下の温度で焼成し、次いで該焼成を経た耐火物粉末よりなるシート（「焼成を経た耐火物粉末よりなるシート」を以下、「耐火物粉末シート」という）を除去することにより、平面方向の焼成収縮がゼロの寸法精度の高いガラスセラミック配線板を製造する方法が開発された。」（段落【０００３】）
　
（ウ）「【００１０】［耐火物粉末グリーンシート］次に、ガラスセラミックグリーンシートの両面に耐火物粉末グリーンシートを積層する。ガラスセラミック積層体の両面に積層する耐火物粉末グリーンシートを作製するために用いる耐火物粉末は、ガラスセラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しないものであることが必要である。‥‥（後略）‥‥」（段落【００１０】）
　
（エ）「【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
［実施例１］ガラスセラミック粉末として、表１に示す組成のガラス粉末（平均粒径２．２μｍ）とアルミナ粉末（平均粒径１．７μｍ）を１：１の重量比率で混合した。
【００１３】
【表１】
成分    ＰｂＯ  ＳｉＯ2   Ａｌ2Ｏ3     Ｂ2Ｏ3   ＣａＯ
重量％   30.7    　51.7       　8.4          7.3      1.9 
【００１４】上記混合粉末１００重量部に対して、ボリビニルブチラール９重量部、フタル酸ジイソブチル７重量部、オレイン酸１重量部、イソプロピルアルコール４０重量部、トリクロロエタン２０重量部を加えてボールミルで２４時間混合して、スラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法で厚さ約２００μｍのガラスセラミックグリーンシートに成形した。上記ガラスセラミックグリーンシートに１００μm の開孔を施し、導体ペーストを用いて孔埋めと配線形成をスクリーン印刷法によって行った。導体ペーストは、平均粒径０．８μｍの球状Ａｇ粉と、平均粒径４．５μｍのフレーク状Ａｇ粉とを重量にて１０：９０の配合比率で混合し、この混合Ａｇ粉末１００重量部をエチルセルロース６％のターピネオール溶液１８重量部とともにスリーロールミルで混合したものを用いた。
【００１５】次に、平均粒径１．７μｍのアルミナ粉末を用いて、上記ガラスセラミックグリーンシートと同様の方法により厚さ約２００μｍの耐火物粉末グリーンシートを作製した。前記配線形成済みのガラスセラミックグリーンシートを５枚積み重ね、さらにその両面に前記アルミナグリーンシートを重ね合わせ、１５０ｋｇ／ｃｍ2 、８５℃の条件で加圧成形した。平坦度（＝平面方向単位長さ当りの反り量）０．０５％で、気孔率７０％のアルミナ製板上に上記成形体を置き、５２０℃、３時間加熱して有機物を除去し、次いで９００℃、１時間加熱して焼成した。焼成後、水洗い、ブラシ洗いをして、ガラスセラミック積層体からアルミナシートを除去した。このガラスセラミック積層体の表面には、アルミナが付着しているため、超音波洗浄機で２０分処理したところ、このアルミナはきれいに取り除くことができた。‥‥（後略）‥‥」（段落【００１２】ないし【００１５】）
　
（２）引用文献の記載事項
　（１）（ア）ないし（エ）の記載より、以下の事項が分かる。
　
（オ）（１）（ア）ないし（エ）の記載より、ガラスセラミックグリーンシートを重ねて構成した焼成前のガラスセラミック積層体の両面に、ガラスセラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない耐火物粉末グリーンシートを圧着した状態で、平面方向の焼成収縮を抑制して、９００℃で焼成し、その後、ガラスセラミック積層体の両面から耐火物粉末グリーンシートの残存物をブラシ洗い等により除去して製造したガラスセラミック配線板であることが分かる。
　
（カ）（１）（ア）ないし（エ）の記載より、ガラスセラミック積層体を構成する各ガラスセラミックグリーンシートにＡｇ系導体ペーストで印刷されてガラスセラミック積層体と同時焼成された配線パターンを形成するＡｇ系導体を有するガラスセラミック配線板であることが分かる。
　
（３）引用発明
　上記（１）（ア）ないし（エ）並びに（２）（オ）及び（カ）から、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ガラスセラミックグリーンシートを重ねて構成した焼成前のガラスセラミック積層体の両面に、ガラスセラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない耐火物粉末グリーンシートを圧着した状態で、平面方向の焼成収縮を抑制して、９００℃で焼成し、その後、ガラスセラミック積層体の両面から耐火物粉末グリーンシートの残存物をブラシ洗い等により除去して製造したガラスセラミック配線板において、ガラスセラミック積層体を構成する各ガラスセラミックグリーンシートにＡｇ系導体ペーストで印刷されてガラスセラミック積層体と同時焼成されたＡｇ系導体を有するガラスセラミック配線板。」
　
２．−２　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「ガラスセラミック積層体」は、従来のアルミナを主成分としたセラミック多層基板の焼成温度よりも低い９００℃で焼成して「ガラスセラミック配線板」を製造するものであるから、本願補正発明における「低温焼成セラミック基板」に相当する。
　また、本願補正発明における「８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシート」の「８００〜１０００℃」という温度範囲は、「低温焼成セラミック基板」の焼成温度を意味するものと認められるところ、引用発明における「耐火物粉末グリーンシート」はガラスセラミックグリーンシートの焼成温度である９００℃では焼結しないものである。しかも引用発明における「耐火物粉末グリーンシート」は平面方向の焼成収縮を抑制するものであるから、引用発明における「耐火物粉末グリーンシート」は、本願補正発明における「８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシート」及び「拘束焼成用グリーンシート」に相当する。
　さらに、引用発明において「ガラスセラミック積層体を構成する各ガラスセラミックグリーンシートにＡｇ系導体ペーストで印刷され」るということは、「ガラスセラミック積層体」の最外層にもＡｇ系導体ペーストで印刷されることを意味するから、「低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたＡｇ系導体」という限りにおいて、引用発明における「ガラスセラミック積層体を構成する各ガラスセラミックグリーンシートにＡｇ系導体ペーストで印刷されてガラスセラミック積層体と同時焼成されたＡｇ系導体」は、本願補正発明における「前記低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板において、
　前記低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたＡｇ系導体を有する低温焼成セラミック回路基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点〉
　本願補正発明においては、拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成したワイヤボンディングパッドを有するのに対し、引用発明においては、耐火物粉末グリーンシートの残存物をブラシ洗い等により除去することによって荒れたＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成したワイヤボンディングパッドを有するか否かが不明である点（以下、「相違点」という。）。
　
２．−３　判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明の用途である「ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール、チップサイズパッケージ等」（上記第２．の［理由］２．−１（１）引用文献の記載（ア）参照）において、ワイヤボンディングパッドを形成することは慣用的に行われているところ、ワイヤボンディングパッドのワイヤボンディング性を向上するために、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成することは、原出願の出願当時、既に周知技術（以下、「周知技術」という。例えば、特開平８−３３５６０２号公報の段落【００１２】等参照。）であったものであるから、引用発明において耐火物粉末グリーンシートの残存物をブラシ洗い等により除去することによって荒れたＡｇ系導体の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成したワイヤボンディングパッドを形成することにより、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、引用発明及び上記周知技術から、当業者が格別の創意を要することなく想到できたことである。
　
　また、本願補正発明を全体として検討しても、引用発明及び周知技術から予測される以上の格別の効果を奏するとも認めることができない。
　
　以上により、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．−４　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　前記のとおり、平成２３年１月５日付けの手続補正は却下されたため、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年５月３１日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された上記（第２．の［理由］１．（１）（ア）【請求項１】）のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　
２．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である引用文献（特開平９−９２９７６号公報）記載の発明（引用発明）は、第２．の［理由］２．−１（３）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２．の［理由］１．（２）で検討したように、実質的に、本願補正発明における発明特定事項の一部の構成を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２．の［理由］２．−３に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。