【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
最初に前記ランプへの減少された出力電圧に対応する高周波数で前記発振器をスタートさせ、その後、前記出力電圧を増加させるよう前記発振器周波数を減少させることにより、起動時に前記ランプに過度の電流を避けるように前記発振器を制御するソフト・スタート回路と、
を備えた制御回路。
【請求項２】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
最大出力負荷の下で出力電圧を増加させ、最小出力負荷の下で出力電圧を減少させることにより、負荷における変動を補償するように前記発振器を制御する電圧補償回路と、
を備えた制御回路。
【請求項３】
フィラメント・ランプに電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
過負荷及び短絡回路状態の双方を含む欠陥状態に応答して前記発振器をシャットダウンさせるためのシャットダウン回路と、
を備えた制御回路。
【請求項４】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
前記電力半導体デバイスの冷却作動を提供するように前記発振器を制御する適応性デッド・タイム回路と、
を備え、前記電力半導体デバイスは、高側スイッチ及び低側スイッチから形成されてその中央点に出力端子を有する半導体ハーフブリッジを備え、
前記制御回路は、前記出力端子における出力電圧がほぼゼロにそれる（slews）ときを検出し、次に、前記低側スイッチをターン・オンするようにした制御回路。
【請求項５】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
前記ランプを調光するように前記発振器を制御する調光回路と、
を備え、前記調光回路は、入力電流を出力するように前記制御回路の供給電圧入力に配列された抵抗及びコンデンサを備え、前記供給電圧入力に供給される供給電圧の前縁における高いｄｖ／ｄｔに応答して前記制御回路を急速にターン・オンするようにした制御回路。
【請求項６】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
該発振器のための制御回路素子と、
を備え、前記制御回路素子は、
最初に前記ランプへの減少された出力電圧に対応する高周波数で前記発振器をスタートさせ、その後、前記出力電圧を増加させるよう前記発振器周波数を減少させることにより、起動時に前記ランプに過度の電流を避けるように前記発振器を制御するソフト・スタート回路、
最大出力負荷の下で出力電圧を増加させ、最小出力負荷の下で出力電圧を減少させることにより、負荷における変動を補償するように前記発振器を制御する電圧補償回路、
過負荷及び短絡回路状態の双方を含む欠陥状態に応答して前記発振器をシャットダウンさせるためのシャットダウン回路、及び
前記電力半導体デバイスの冷却作動を提供するように前記発振器を制御する適応性デッド・タイム回路、
を備え、
前記電力半導体デバイスは、高側スイッチ及び低側スイッチから形成されてその中央点に出力端子を有する半導体ハーフブリッジを備え、
前記制御回路は、前記出力端子における出力電圧がほぼゼロにそれる（slews）ときを検出し、次に、前記低側スイッチをターン・オンするようにし
前記調光回路は、入力電流を出力するように前記制御回路の供給電圧入力に配列された抵抗及びコンデンサを備え、前記供給電圧入力に供給される供給電圧の前縁における高いｄｖ／ｄｔに応答して前記制御回路を急速にターン・オンするようにした制御回路。
【請求項７】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
該発振器のための制御回路素子と、
を備え、前記制御回路素子は、
最大出力負荷の下で出力電圧を増加させ、最小出力負荷の下で出力電圧を減少させることにより、負荷における変動を補償するように前記発振器を制御する電圧補償回路、及び
過負荷及び短絡回路状態の双方を含む欠陥状態に応答して前記発振器をシャットダウンさせるためのシャットダウン回路、
を備え、
前記集積回路は、単一電流感知（ＣＳ）ピンを有し、該単一電流感知ピンは、前記フィードバック信号を受信し、かつ前記電圧補償回路及び前記シャットダウン回路の双方に制御ロジックにより選択的に接続されるようにした制御回路。
【請求項８】
フィラメント・ランプに出力電力を供給する電力半導体デバイスに制御信号を与えるための集積回路で履行される制御回路であって、
前記制御信号を発生するための発振器と、
前記ランプを調光するように前記発振器を制御する調光回路と、
を備え、前記調光回路は、前記集積回路における後縁位相カット自己調光を提供するために前記制御回路への入力供給電圧の波形を変更するようにした制御回路。
【請求項９】
前記発振周波数は、所定のソフト・スタート時間に亘って減少される請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
前記ソフト・スタート時間は、電流源が所定の電圧までコンデンサＣＳＤを充電するための時間によって決定される請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
前記コンデンサＣＳＤは、前記集積回路の単一のＣＳＤピンに接続される請求項１０に記載の回路。
【請求項１２】
前記高周波数は１００ｋＨｚ以上であり、前記減少された周波数は約３０ｋＨｚである請求項１に記載の回路。
【請求項１３】
前記高周波数は約２５０ｋＨｚである請求項１２に記載の回路。
【請求項１４】
前記制御回路は、負荷電流を感知し該負荷電流をフィードバックして、前記発振周波数を減少しもしくは増加させ、それにより、前記出力電圧を増加もしくは減少させる請求項２に記載の回路。
【請求項１５】
前記制御回路は、ピーク負荷電流を感知する請求項１４に記載の回路。
【請求項１６】
前記制御回路は、前記ピーク電流に従ってコンデンサＣＳＤを充電し、充電されたコンデンサＣＳＤ上の電圧に従って前記発振周波数を制御する請求項１５に記載の回路。
【請求項１７】
前記コンデンサＣＳＤは、前記集積回路の単一ＣＳＤピンに接続される請求項１６に記載の回路。
【請求項１８】
前記制御回路は、前記ピーク電流に従って前記コンデンサＣＳＤを充電し、前記制御回路の走行モード中に電圧補償のためのコンデンサＣＳＤ電圧を感知する請求項１６に記載の回路。
【請求項１９】
前記制御回路は、前記負荷電流に従ってコンデンサＣＳＤを充電することにより電圧補償を提供し、そしてコンデンサＣＳＤ上の電圧に応答して前記発振器周波数を制御する走行モードを有する請求項１４に記載の回路。
【請求項２０】
前記負荷電流は、前記電力半導体デバイスに接続された感知抵抗上のフィードバック電圧として感知される請求項１４に記載の回路。
【請求項２１】
前記感知抵抗は、前記電力半導体デバイスと直列である請求項２０に記載の回路。
【請求項２２】
前記フィードバック電圧は、前記集積回路の単一のＣＳピンにフィードバックされる請求項２０に記載の回路。
【請求項２３】
前記フィードバック電圧は、前記集積回路の単一のＣＳＤピンに接続されるコンデンサＣＳＤによって平滑化される請求項２２に記載の回路。
【請求項２４】
前記シャットダウン回路は、シャットダウン時間が経過した後、前記発振器が自動的に再スタートするのを許容する請求項３に記載の回路。
【請求項２５】
前記自動再スタートは、過負荷状態下で前記ランプのフラッシングに帰結する請求項２４に記載の回路。
【請求項２６】
前記シャットダウン回路は、前記欠陥状態の検出に応答してコンデンサＣＳＤを充電し、前記発振器をシャットダウンする請求項２４に記載の回路。
【請求項２７】
前記コンデンサＣＳＤは、比較的高い負荷電流に応答して急速に充電され、比較的低い負荷電流に応答して一層ゆっくりと充電される請求項２６に記載の回路。
【請求項２８】
前記コンデンサＣＳＤは、負荷電流の停止に応答して放電され、所定のレベルまで放電されたとき、前記発振器が再スタートするのを許容する請求項２６に記載の回路。
【請求項２９】
前記シャットダウン回路は、欠陥状態の検出に応答してコンデンサＣＳＤを充電し、シャットダウン時間の期間を制御するために発振器をシャットダウンする請求項３に記載の回路。
【請求項３０】
前記制御回路は、前記電力半導体デバイスに接続される抵抗上のフィードバック電圧として負荷電流を感知し、そして短絡回路及び過負荷状態の双方を検出するために前記電圧をフィードバックする請求項３に記載の回路。
【請求項３１】
前記フィードバック電圧は、前記集積回路の単一のＣＳピンにフィードバックされる請求項３０に記載の回路。
【請求項３２】
前記制御回路は、前記フィードバック電圧が第１の閾値を超えたか否かを決定することにより短絡回路を検出し、そして前記フィードバック電圧が第２の閾値を超えたか否かを決定することにより過負荷を検出し、前記第１の閾値は、前記第２の閾値よりも高い請求項３０に記載の回路。
【請求項３３】
前記制御回路は、フィードバック電圧が第１の時間の間に第１の閾値を超えるかもしくは第２の時間の間に第２の閾値を超えた場合に、前記発振器をシャットダウンし、前記第１の時間は、前記第２の時間よりも短い請求項３２に記載の回路。
【請求項３４】
前記制御回路は、デッドタイムとしてゼロにそらすための前記出力電圧に対する時間を記憶し、次に、前記低側スイッチをターン・オフした後に前記高側スイッチをターン・オンしたとき、前記同じデッドタイムを適用する請求項４に記載の回路。
【請求項３５】
前記制御回路は、前記高から低へのデッドタイム中に第１のコンデンサ上の第１の充電を記憶する請求項３４に記載の回路。
【請求項３６】
前期制御回路は、第２のコンデンサを充電することにより前記高から低へのデッドタイムを重複することによって低から高へのデッドタイムを限定し、第２のコンデンサが前記第１のコンデンサと同じ電圧に達する時間を前記低から高へのデッドタイムとして限定する請求項３５に記載の回路。
【請求項３７】
前記抵抗及びコンデンサは、直列に接続される請求項５に記載の回路。
【請求項３８】
前記入力電流は、前記制御回路をターン・オンするように起動コンデンサを急速に充電する請求項５に記載の回路。
【請求項３９】
前記制御回路は、ランプの起動時に低入力電圧に応答するソフトスタート・モードを有し、前記調光制御回路は、低入力電圧閾値を提供し、前記入力電圧が前記低入力電圧閾値以下にならない限り前記ソフトスタート・モードでの動作を阻止する請求項５に記載の回路。
【請求項４０】
前記集積回路は、わずか８ピンを有するのみである請求項６に記載の回路。
【請求項４１】
前記集積回路は、わずか８ピンを有するのみである請求項７に記載の回路。
【請求項４２】
前記制御回路は、さらに、
最初に前記ランプへの減少された出力電圧に対応する高周波数で前記発振器をスタートさせ、その後、前記出力電圧を増加させるよう前記発振器周波数を減少させることにより、起動時に前記ランプに過度の電流を避けるように前記発振器を制御するソフト・スタート回路と、
コンデンサＣＳＤに接続されるための単一のＣＳＤピンであって、制御ロジックにより、前記ソフトスタート回路、前記電圧補償回路、及び前記シャットダウン回路に選択的に接続される前記ＣＳＤピンと、
を備える請求項７に記載の回路。
【請求項４３】
前記集積回路はわずか８ピンを有するのみである請求項４２に記載の回路。