【手続補正書】
【提出日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理チャンバのチャンバ壁の内部のプラズマ発生領域において高周波（以下、ｒｆ）界分布を発生するアンテナ装置であって、
ｒｆ電源が接続されることでｒｆ電流を供給することによって前記プラズマ発生領域内に伸びる第１ｒｆ界を発生するｒｆ誘導性アンテナ、および
受動アンテナであって、
当該受動アンテナは誘導的に前記ｒｆ誘導性アンテナに結合され、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布が、当該受動アンテナがないときと比較して前記処理装置の処理均一性を増すように、前記第１ｒｆ界を変更する第２ｒｆ界を発生するよう構成される受動アンテナ
を備えるアンテナ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記第２ｒｆ界は、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布が前記受動アンテナがないときとは異なる対称性を有するように前記第１ｒｆ界を変更するアンテナ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布の方位角的対称性を変化させるアンテナ装置。
【請求項４】
請求項３に記載のアンテナ装置であって、
前記ｒｆ界分布の前記方位角的対称性は、前記受動アンテナがないときに比較して高められるアンテナ装置。
【請求項５】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
複数の受動アンテナを含み、それぞれのアンテナは誘導的に前記ｒｆ誘導性アンテナに結合され、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布が、前記受動アンテナがないときと比較して前記処理装置の前記処理均一性を高めるように、前記第１ｒｆ界をさらに変更するそれぞれのｒｆ界を発生するように構成されるアンテナ装置。
【請求項６】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、誘導された電流が流れることによって少なくとも前記第２ｒｆ界の一部を発生する、電気的に伝導性のパスを提供するアンテナ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記誘導性アンテナの長さの少なくとも一部に沿って伸びるアンテナ装置。
【請求項８】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記誘導性アンテナの一部の周囲に少なくとも部分的に伸びるチャネル形状を有するアンテナ装置。
【請求項９】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記誘導性アンテナの一部を囲むアンテナ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記誘導性アンテナを前記誘導性アンテナの長さの実質的に全てに沿って囲むアンテナ装置。
【請求項１１】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記第１ｒｆ界の対称性において不完全性がなければ前記第１ｒｆ界が前記受動アンテナの位置において持つであろう磁力線の形状と実質的に合う断面形状を有するアンテナ装置。
【請求項１２】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、エッジを持つ端部領域を有し、前記受動アンテナの前記端部領域の前記エッジは、前記受動アンテナがなければ前記受動アンテナの前記端部領域の前記エッジの位置において前記第１ｒｆ界が持つであろう磁力線の形状と実質的に合う断面形状を有するアンテナ装置。
【請求項１３】
請求項６に記載のアンテナ装置であって、
複数の受動アンテナ群をさらに備え、前記受動アンテナおよび複数の受動アンテナ群は、前記ｒｆ誘導性アンテナの周囲に角度を空けて配置されるアンテナ装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナおよび複数の受動アンテナ群は、前記ｒｆ誘導性アンテナの周囲に実質的に等角に配置されるアンテナ装置。
【請求項１５】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記第２ｒｆ界は、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布の半径方向分布を変更するアンテナ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のアンテナ装置であって、
前記第２ｒｆ界は、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布の方位角方向分布を変更するアンテナ装置。
【請求項１７】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナを保持する支持部をさらに備え、前記支持部は、前記ｒｆ誘導性アンテナに対する前記受動アンテナの位置が調節可能であるように移動可能であるアンテナ装置。
【請求項１８】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナを保持する支持部をさらに備え、前記支持部は、前記ｒｆ誘導性アンテナに対する前記受動アンテナの向きが調節可能であるように移動可能であるアンテナ装置。
【請求項１９】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記受動アンテナは、前記ｒｆ誘導性アンテナについて容量性シールドを提供するアンテナ装置。
【請求項２０】
請求項１に記載のアンテナ装置であって、
前記プラズマチャンバ内にＤＣ磁界を発生する電磁石構成を備えるアンテナ装置。
【請求項２１】
プラズマ処理デバイスのプラズマ処理チャンバ内にプラズマを維持するためのプラズマ領域においてｒｆ界分布を発生するアンテナ装置であって、
ｒｆ誘導性アンテナ、
受動アンテナであって、
前記ｒｆ誘導性アンテナに誘導的に結合され、前記プラズマ領域における前記ｒｆ界分布の半径方向分布を変更するｒｆ界を発生するよう構成される受動アンテナ、および
前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布の前記半径方向の分布を調整するために前記受動アンテナを移動するデバイス
を備えるアンテナ装置。
【請求項２２】
チャンバ壁およびｒｆ界分布を前記処理チャンバ内のプラズマ発生領域において発生するアンテナ装置を持つ処理チャンバを有するプラズマ処理デバイスにおいて、前記アンテナ装置は、ｒｆ電流を供給することによって前記プラズマ発生領域内に第１ｒｆ界を発生するようｒｆ電源に接続されたｒｆ誘導性アンテナ、および第２ｒｆ界を発生するよう構成された受動アンテナを備え、プラズマ処理均一性を改善する方法であって、
前記受動アンテナおよび前記ｒｆ誘導性アンテナを誘導的に結合すること、および
前記第２ｒｆ界が前記第１ｒｆ界を変化させることによって、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布が前記受動アンテナがないときに比較して前記処理装置の処理均一性を増すように前記受動アンテナを位置付けること
を含む方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
ＤＣ磁界を印加するステップをさらに含む方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、
前記ＤＣ磁界は、電磁石によって印加され、前記ＤＣ磁界は、プラズマ処理均一性に影響を与える効果を持つ半径方向の変化を有する方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法であって、
前記ＤＣ磁界は、永久磁石による磁性バケットによって印加される方法。
【請求項２６】
プラズマ処理デバイスで用いられるｒｆアンテナのｒｆ界分布を調整する方法であって、
（ａ）前記ｒｆアンテナの前記ｒｆ界分布を決定すること、
（ｂ）誘導的に前記ｒｆアンテナに結合された少なくとも１つの受動アンテナを設けること、および
（ｃ）前記受動アンテナの前記ｒｆ界分布に対する効果を決定すること
を含む方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、
前記ステップ（ｂ）および（ｃ）を反復するステップを含む方法。
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法であって、
前記方法は計算によって実行される方法。
【請求項２９】
請求項２６に記載の方法であって、
前記ステップ（ａ）および（ｃ）は、ｒｆ磁界に感応するデバイスを用いてｒｆアンテナの界分布を計測することによって実行される方法。
【請求項３０】
請求項２６に記載の方法であって、
前記ステップ（ａ）および（ｃ）は、ワークピースのプラズマ処理に対するｒｆ界分布の効果を決定することによって実行される方法。
【請求項３１】
請求項２６に記載の方法であって、
前記ｒｆアンテナに対する前記受動アンテナの位置を固定するステップをさらに含む方法。
【請求項３２】
請求項２７に記載の方法であって、
前記ステップ（ｂ）を反復することは、さらなる受動アンテナを追加することを含む方法。
【請求項３３】
請求項２７に記載の方法であって、
前記ステップ（ｂ）を反復することは、前記受動アンテナを再構成することを含む方法。
【請求項３４】
請求項３２に記載の方法であって、
前記受動アンテナを再構成することは、前記受動アンテナの位置を変えること、前記受動アンテナの向きを変えること、前記受動アンテナのサイズを変えること、前記受動アンテナの形状を変えること、および前記受動アンテナの材料を変えることからなるグループから選択される再構成ステップを含む方法。
【請求項３５】
プラズマ処理装置であって、
プラズマ処理が行なわれる処理チャンバと、
高周波（以下、ｒｆ）電源が接続されることでｒｆ電流を供給することによって前記処理チャンバ内のプラズマ発生領域内に伸びる第１ｒｆ界を発生するｒｆ誘導性アンテナと、
受動アンテナであって、当該受動アンテナは誘導的に前記ｒｆ誘導性アンテナに結合され、前記プラズマ発生領域における前記ｒｆ界分布が、当該受動アンテナがないときに比較して前記処理装置の処理均一性を増すように、前記第１ｒｆ界を変更する第２ｒｆ界を発生するよう構成される受動アンテナと、
を備え、
前記ｒｆ誘導性アンテナと前記受動アンテナから成るアンテナ装置は、前記処理チャンバのチャンバ壁の内部のプラズマ発生領域において高周波界分布を発生するプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理の均一性を改善する方法、プラズマ処理装置ならびにこれに用いるアンテナ装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＩＣ製造に用いられる半導体基板、またはフラットパネルディスプレイの応用例に用いられるガラスパネルを含む基板を処理する方法に関する。より具体的には、本発明は、基板表面にわたって高い処理均一性で基板を処理できる改良されたプラズマ処理システムとこれに用いるアンテナ装置に関する。