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　特願２００３−４０５２５９「炭化珪素半導体素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６７０３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１５年１２月３日の出願であって，平成２１年８月１４日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１１月２５日に審判請求がされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明のうち，請求項１に係る発明は，明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
炭素（カーボン）と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする第１の導電型の炭化珪素半導体の結晶の（０００−１）カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板，及び
　前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つのドリフト層，
　　を有するバイポーラ半導体素子。」
　
３．刊行物に記載された発明
（１）特開２０００−１３９８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１３９８号公報（以下「引用例」という。）には，図１，２とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
半導体素子を形成する炭化けい素基板の製造方法に関する
　
イ　従来技術
「【０００２】
【従来技術】高周波，大電力の制御を目的として，シリコン（以下Ｓｉと記す）を用いた電力用半導体素子（以下パワーデバイスと称する）では，各種の工夫により高性能化が進められている。しかし，パワーデバイスは高温や放射線等の存在下で使用されることもあり，そのような条件下ではＳｉのパワーデバイスは使用できないことがある。
【０００３】また，Ｓｉのパワーデバイスより更に高性能のものを求める声に対して，新しい材料の適用が検討されている。
本発明でとりあげる炭化けい素（以下ＳｉＣと記す）は広い禁制帯幅（４Ｈ−ＳｉＣで３．２６ｅＶ，６Ｈ−ＳｉＣで３．０２ｅＶ）をもつため，高温での電気伝導度の制御性や耐放射線性に優れ，またＳｉより約１桁高い絶縁破壊電圧をもつため，高耐圧素子への適用が可能である。さらに，ＳｉＣはＳｉの約２倍の電子飽和ドリフト速度をもつので，高周波大電力制御にも適する
【０００４】しかし，
ＳｉＣの優れた物性をパワーデバイスに応用するためには，Ｓｉのプロセス技術並みに洗練された要素技術が必要となる。すなわち，ＳｉＣ基板の表面を鏡面に仕上げた後，ＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長させ，或いはドナーやアクセプターをドーピングしたり，金属膜や酸化膜を形成する等の工程条件の最適化が必要である
　
ウ　発明が解決しようとする課題
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
優れた特性のＳｉＣ半導体素子とするためには，ＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長においても，一層良質のエピタキシャル層すなわち，意図したキャリア密度をもち，かつ結晶欠陥密度が低く結晶性のよい薄膜を得ることが課題である
　
エ　課題を解決するための手段（塩化水素の添加量について）
「【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者はエピタキシャル成長時に塩化水素を添加する実験をおこなった結果，塩化水素添加が有効であることを見いだした。
上記課題解決のため本発明は，炭化けい素基板上に炭化けい素エピタキシャル層を成長させる炭化けい素半導体基板の製造方法において，塩化水素を添加した雰囲気中でエピタキシャル層を成長するものとする
【０００９】
そのようにすれば，基板表面の清浄化がおこなわれ，結晶欠陥であるエッチピット密度が減少し，例えば，キャリア移動度などエピタキシャル層の膜質が向上する
　
オ　課題を解決するための手段（炭化けい素サブストレートについて）
「【００１０】０．２〜０．６％の濃度範囲においては，一層効果が顕著になる。
炭化けい素サブストレートが，４Ｈ−ＳｉＣまたは６Ｈ−ＳｉＣであるものとする。４Ｈ−ＳｉＣまたは６Ｈ−ＳｉＣは，広い禁制帯幅を有する高温用半導体素子等に適する結晶であり，実施例に示したように塩化水素ガスの添加により，結晶性の改善が見られた
【００１１】
炭化けい素サブストレートの表面は（０００１）Ｓｉ面，（０００−１）炭素面またはそれらの面から数度のオフセット角を持つ面であるものとする。そのような結晶面は，平滑な面が得られ，エピタキシャル成長に適する面である
　
カ　発明の実施の形態
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明のためにおこなった実験および実施例について説明する。
［実験１］
エピタキシャル成長前のサブストレート（以下基板と呼ぶ）としては鏡面研磨された４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００１）Ｓｉ面から〈１，１，−２，０〉方向に８度傾けて研磨した面を使用した
【００１３】・・・
【００１４】続いてＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長する。水素（Ｈ2 ），モノシラン（ＳｉＨ4 ），プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ），塩化水素（ＨＣｌ）をそれぞれ毎分３Ｌ，０．３ｍＬ，０．２５ｍＬ，３〜３０ｍＬの流量比率で混合したものを反応管内に導入した。
この状態で１５００℃で２時間加熱した。すると基板上に４Ｈ型のＳｉＣ薄膜がエピタキシャル成長する。薄膜のキャリア密度は５×１０
15
ｃｍ
-3
であった
【００１５】成長した膜の転位密度を評価するために，水酸化カリウム（ＫＯＨ）によるエッチングをおこなった。このエッチングは，ニッケル（Ｎｉ）坩堝内で４００℃に加熱した水酸化カリウムに試料を３０秒間浸漬する方法を用いた。欠陥密度の計数はＳＥＭ観察によった。
図１は，エピタキシャル成長時の塩化水素濃度［ＨＣｌ／（Ｈ
2
 ＋ＳｉＨ
4
 ＋Ｃ
3
 Ｈ
8
 ＋ＨＣｌ）］とＳｉＣ薄膜中のエッチピット密度との関係を示す特性図である。この図から塩化水素濃度が０．１から０．８％でエッチピット密度が減少し，特に０．２から０．６％のとき，顕著に減少し塩化水素を添加しない場合より約一桁低減できることがわかる
【００１６】
エッチピットは，エピタキシャル層中の線状欠陥である転位の位置にできるのであり，結晶性の良否を反映するともに，電気的にはキャリアのトラップになるとされている
エッチピット密度が多いほど，移動度が急速に低下している。これから，エッチピット密度を一桁減らせば，移動度をほぼ２倍にできることがわかる
　
キ　他の実験について
「【００１８】上記実施例では１５００℃のエッチング条件における結果のみを記したが，１４５０から１５５０℃の範囲において同様の実験をおこない，１４５０℃では塩化水素濃度を０．５〜１％，１５５０℃では濃度を０．１〜０．３％とするとよいことがわかった。
また成長面についても４Ｈ−ＳｉＣの（０００１）Ｓｉ面だけでなく，４Ｈ−ＳｉＣの（０００−１）Ｃ面や６Ｈ−ＳｉＣのＳｉ，Ｃ面，またはそれらの面から微小角度で傾斜した面にも適用できる
　
ク　発明の効果
「【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，ＳｉＣ半導体基板のエピタキシャル成長時に，体積比で０．１〜１．０％の塩化水素を添加し，１４５０〜１５５０℃で成長することによって，
成長するエピタキシャル層の結晶性を改善し，ＳｉＣ半導体素子の特性を向上させることができる
　
　ここで，上記イ，ウの記載から，上記エ〜キに記載された「炭化けい素サブストレート」及びその上にエピタキシャル成長されたＳｉＣ薄膜をＳｉＣ半導体素子を形成するために用いることは明らかである。
　また，上記カの「実験１」においては，「エピタキシャル成長前のサブストレート（以下基板と呼ぶ）としては鏡面研磨された４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００１）Ｓｉ面から〈１，１，−２，０〉方向に８度傾けて研磨した面」を使用しているが，上記オ，キにおいて，炭化けい素サブストレートとして「４Ｈ−ＳｉＣの（０００−１）Ｃ面や６Ｈ−ＳｉＣのＳｉ，Ｃ面，またはそれらの面から微小角度で傾斜した面にも適用できる」ことも記載されているから，「エピタキシャル成長前のサブストレート」として「４Ｈ−ＳｉＣの（０００−１）Ｃ面」「から微小角度で傾斜した面」を用いうることは明らかである。
　また，上記カにおいては，エピタキシャル成長させたＳｉＣ薄膜の膜厚の明記はないが，「エッチピット密度とキャリアの移動度」を測定しているから，これらの測定ができる程度の一定の膜厚を有することは明らかである。さらに，当該一定の膜厚のＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長させる時間として，「この状態で１５００℃で２時間加熱した。」と記載されていることから，当該ＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長がある程度の成長速度でなされていることも明らかである。
　また，上記カにおいては，エピタキシャル成長させたＳｉＣ薄膜について「薄膜のキャリア密度は５×１０15ｃｍ-3であった。」と記載されていることから，当該ＳｉＣ薄膜が，ｎ型あるいはｐ型の導電型を有することは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「炭化けい素基板上に炭化けい素エピタキシャル層を成長させた炭化けい素半導体基板を用いたＳｉＣ半導体素子であって，
　前記炭化けい素エピタキシャル層は，ｎ型又はｐ型であって，前記炭化けい素基板として４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００−１）Ｃ面から微小角度で傾斜した面を使用し，当該面上において，塩化水素を添加した雰囲気中で，ある程度の成長速度をもってエピタキシャル成長し，エッチピット密度を減少させてキャリア移動度を増加させ，膜質が向上したものである，
　ＳｉＣ半導体素子。」
　
４．対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
・引用発明における「炭化けい素」及び「ＳｉＣ」は，いずれも本願発明の「炭化珪素」に対応する。
・引用発明における「炭化けい素基板」は，「４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００−１）Ｃ面から微小角度で傾斜した面を使用し，当該面上において，塩化水素を添加した雰囲気中で，ある程度の成長速度をもってエピタキシャル成長」されるから，「４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００−１）Ｃ面から微小角度で傾斜した面」を有することは明らかである。よって，引用発明における「炭化けい素基板」であって，「４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００−１）Ｃ面から微小角度で傾斜した面」のものと，本願発明における「炭素（カーボン）と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする第１の導電型の炭化珪素半導体の結晶の（０００−１）カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板」とは，「炭素（カーボン）と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする炭化珪素半導体の結晶の（０００−１）カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板」である点で共通する。
　また，引用発明においては，「ｎ型又はｐ型であ」る「炭化けい素エピタキシャル層」と，本願発明における「第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体」により「形成」した「ドリフト層」とは，「第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体」により「形成」した「半導体層」である点で共通する。
　そうすると，引用発明の，「ｎ型又はｐ型であって，前記炭化けい素基板として４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を用い，（０００−１）Ｃ面から微小角度で傾斜した面を使用し，当該面上において，塩化水素を添加した雰囲気中で，ある程度の成長速度をもってエピタキシャル成長し，エッチピット密度を減少させてキャリア移動度を増加させ，膜質が向上したもの」である「前記炭化けい素エピタキシャル層」と，本願発明の「前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つのドリフト層」とは，「前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つの半導体層」である点で共通する。
・引用発明の「ＳｉＣ半導体素子」と，本願発明の「バイポーラ半導体素子」とは，「半導体素子」である点で共通する。
　
（２）一致点及び相違点
　上記（１）から，本願発明と引用発明とは，
「炭素（カーボン）と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする炭化珪素半導体の結晶の（０００−１）カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板，及び
　前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つの半導体層，
　　を有する半導体素子。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明においては，「基板」が「炭素（カーボン）と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする第１の導電型の炭化珪素半導体の結晶」であるのに対して，引用発明においては「第１の導電型」であることは特定されていない点。
《相違点２》
　本願発明においては，「前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つのドリフト層」を有するのに対して，引用発明においては，「前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として，前記成長面に第１又は第２の導電型の炭化珪素の半導体により，所定の形成速度で形成した少なくとも１つの半導体層」に対応する構成を有してはいるものの，「ドリフト層」とまでは特定されていない点。
《相違点３》
　本願発明は「バイポーラ半導体素子」に係るものであるのに対して，引用発明は「半導体素子」ではあるものの，「バイポーラ半導体素子」とまでは特定されていない点。
　
５．当審の判断
　上記各相違点について，まず《相違点３》から検討する。
（１）《相違点３》について
　炭化珪素，すなわちＳｉＣによりバイポーラトランジスタ，すなわちバイポーラ半導体素子を構成することは，以下の周知例１〜３にも示されているように，従来より周知の技術である。
・周知例１：　特開平８−１０７２２３号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１０７２２３号公報には，図１とともに次の記載がある。
「【０００７】
【実施例】以下，図を引用して本発明の実施例について述べる。図１（ａ）ないし（ｅ）は，本発明の製造方法にかかるＳｉＣ半導体素子の工程順に示した断面図であり，例としてｎｐｎトランジスタを取り上げる。６Ｈ−ＳｉＣのｎ型サブストレート１上に，ｎ型エピタキシャル層２，ｐ型エピタキシャル層３をエピタキシャル成長したＳｉＣエピタキシャルウェハ４を使用する〔図１（ａ）〕。ｎ型エピタキシャル層２は，ノンドープで厚さ５μｍ，ｐ型エピタキシャル層３は，不純物濃度が９．０×１０16ｃｍ-3で厚さ１．２μｍのものを用いた。このＳｉＣエピタキシャルウェハ４に，フォトレジスト５を塗布し，露光・現像を行い，イオン注入用の窓を開け，窒素イオン６を注入する〔同図（ｂ）〕。
　・・・
また，この熱処理時にイオン注入された窒素がイオン化し（活性化率数％），ドナーとなってｎエミッタ領域８が形成される。この後，フッ化水素酸（ＨＦ）をＨＦ：水＝１：１の割合で混合した希釈フッ化水素酸溶液を用い，窒化けい素膜７を除去する〔同図（ｅ）〕。この後，ｎエミッタ領域８上にエミッタ電極，ｐ型エピタキシャル層３の表面上にベース電極，ｎ型サブストレート１の裏面にコレクタ電極を設ければ，ｎｐｎトランジスタが完成する。」
　
・周知例２：　特開平１１−３１２６８６号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−３１２６８６号公報には，図２とともに次の記載がある。
「【００４５】（第２の実施形態）次に，ＳｉＣとＳｉＧｅＣとのヘテロ接合部を利用したヘテロバイポーラトランジスタに関する第２の実施形態について，図２（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４６】図２（ａ）は本実施形態に係るヘテロバイポーラトランジスタの構造を示す断面図であり，図２（ｂ）はこのヘテロバイポーラトランジスタのエミッタ，ベース，コレクタに動作電圧を印加したときの伝導帯及び価電子帯の状態を示すバンド図である。
【００４７】図２（ａ）に示すように，本実施形態のヘテロバイポーラトランジスタは，ｎ型の６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１と，６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１内の表面付近の領域に設けられたＳｉＣサブコレクタ層２０７と，６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１内におけるＳｉＣサブコレクタ層２０７上の領域に設けられたＳｉＣコレクタ層２０４と，６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１内におけるＳｉＣコレクタ層２０４上の領域に設けられたＳｉＧｅＣベース層２０３と，６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１内におけるＳｉＧｅＣベース層２０３上の領域に設けられたＳｉＣエミッタ層２０２と，各層を分離するためのＳｉＯ2 膜からなる絶縁膜２０６と，各層２０２，２０３，２０７にそれぞれコンタクトする電極２０５ａ，２０５ｂ，２０５ｃとを備えている。」
　
・周知例３：　特開２００２−３５９３７８号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−３５９３７８号公報には，図２２とともに次の記載がある。
「【０１０６】更に，第５の実施の形態に係る発明は，図２２に示すバイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）にも適用出来る。本発明の第５の実施の形態の変形例（第２の変形例）に係るＢＪＴは，ＳｉＣ基板からなる第１主電極領域（コレクタ領域）８１，この第１主電極領域８１の上部に設けられた広禁制帯幅材料からなる第１導電型のドリフト領域（ｎ型エピタキシャル成長層）２１，このドリフト領域２１の内部に設けられた複数個の第２導電型の深部膨張形拡散領域８２ａ，８２ｂ，・・・・・，複数個の深部膨張形拡散領域８２ａ，８２ｂ，・・・・・に挟まれたｐ型ベース領域８３，ｐ型ベース領域８３の内部に設けられた第１導電型の第２主電極領域（エミッタ領域）８４とから構成されている。」
　
　また，引用発明は，「炭化けい素エピタキシャル層」における「エッチピット密度を減少させてキャリア移動度を増加させ，膜質が向上したものである」ところ，バイポーラトランジスタの高速動作にとって，キャリア移動度が高いことが好ましいことは，以下の周知例４，５にも示されているように従来より周知の技術事項である。
・周知例４：　特開平３−１７１７７２号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−１７１７７２号公報には次の記載がある。
「このようにＳｉＣを主構成要素とする各種のトランジスタはＳｉやＧａＡｓを用いたものに比べて禁制帯幅が広く，耐環境性に優れてはいるものの，
６Ｈ−ＳｉＣを用いたバイポーラトランジスタの場合，６Ｈ−ＳｉＣの電子移動度が３３０ｃｍ
２
／Ｖ・Ｓ程度と低く，高速動作には不適である
「（ホ）作用
　
４Ｈ−ＳｉＣの電子移動度は７００ｃｍ
２
／Ｖ・Ｓ程度で，６Ｈ−ＳｉＣのそれの２倍以上であるので高速動作が可能となり
　
・周知例５：　特開平３−１０４１２３号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−１０４１２３号公報には次の記載がある。
「［従来の技術］
　近年，微細化と共にますます高速動作可能なトランジスタが求められている。シリコンのバイポーラトランジスタを微細化してベース層を薄くするとベース抵抗が高くなり，期待する高速動作が実現できない。ベース抵抗を低くするために
ベース層の不純物濃度を高くすると移動度が低下し高速動作のさまたげとなる
　そうすると，「ＳｉＣ半導体素子」に係る発明である引用発明に基づいてバイポーラトランジスタを構成し，引用発明に係る「キャリア移動度を増加させ，膜質が向上した」「炭化けい素エピタキシャル層」によって，より高速に動作するバイポーラトランジスタを得ることは，当業者が適宜になし得たことと言える。
　
　さらに，拒絶査定において提示された特開２０００−３２３４９１号公報には，次の記載がある。
「【０００３】ＨＢＴにおける信頼性の劣化は，高温通電試験中に電流増幅率の低下という現象で現れ，多くの場合ベース電流の増加が見られる。この原因として，ベース層中のｐ型ドーパントの拡散や，ベース表面の再結合電流の増加，さらにベース層中における欠陥形成等が，考えられる。そこで最近では，ベースドーパントを，拡散しやすいベリリウムBeから，拡散係数の小さいカーボンCに転換したり，エミッタ端を棚状にベース面に張り出し，ベース面の露出を小さくするような，ヘテロガードリングを設けるのが一般的である。
【０００４】このような対策により，ＨＢＴの信頼性はかなり改善したが，たとえばパワーデバイスで用いるような大電流を流した場合には，やはり素子の劣化が起きる。
【０００５】この主な原因は不純物の拡散ではなく，以下の文献に記載されているように，ベース層に高濃度に不純物がドーピングされているため，原子半径の違いからベース層中に歪が生じ，
転位のような欠陥が発生し，そこが再結合中心になっていると考えられる
　
　ここで，通常「転位」は，種類としては線欠陥に属するから，「転位のような欠陥」も同様に線欠陥に属するものと言える。それゆえ，上記文献には，線欠陥によりＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）の特性が劣化することが示されていると言える。また，引用例に記載されているとおり，「エッチピットは，エピタキシャル層中の線状欠陥である転位の位置にできる」から，エッチピット密度が少なければ，線状欠陥（すなわち，線欠陥）も少ないものと言える。そうすると，引用発明によって「エッチピット密度を減少させてキャリア移動度を増加させ，膜質が向上した」「炭化けい素エピタキシャル層」を，バイポーラトランジスタに用いて，上記文献に示された「信頼性の劣化」を抑えることは，当業者が適宜になし得たことと言える。
　
　以上のとおりであるから，引用発明に係る「ＳｉＣ半導体素子」として「バイポーラ半導体素子」を構成し，相違点３に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（２）《相違点１》について
　前記周知例１において「６Ｈ−ＳｉＣのｎ型サブストレート１」（段落【０００７】），周知例２において「ｎ型の６Ｈ−ＳｉＣ基板２０１」（段落【００４７】），及び周知例３の図２２における「ＳｉＣ基板からなる第１主電極領域（コレクタ領域）８１」に対応する部分に「n+」と記載されているように，炭化珪素基板としてｎ型のものは従来より慣用されるものであり，引用発明においても普通に用いられるものと言える。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得たことである。
　
（３）《相違点２》について
　本願明細書によれば，バイポーラトランジスタの実施例について「コレクタとなる基板５１はｎ型で，・・・。・・・。バッファ層５２とドリフト層５３がｎ型コレクタ層になる。」（段落【００２３】）と記載されていることから，基板５１からドリフト層５３にわたって，バイポーラトランジスタのコレクタとして作用することが明らかである。
　ところで，前記周知例１に「
６Ｈ−ＳｉＣのｎ型サブストレート１上に，ｎ型エピタキシャル層２，ｐ型エピタキシャル層３をエピタキシャル成長
ｐ型エピタキシャル層３の表面上にベース電極
ｎ型サブストレート１の裏面にコレクタ電極
　そして，前記「（１）《相違点３》について」において検討したとおり，引用発明に係る「ＳｉＣ半導体素子」として「バイポーラ半導体素子」を構成することは，当業者が容易になし得たことであるところ，この際，上記のバイポーラトランジスタとして周知の構成を採用して，引用発明の「炭化けい基板」とその上の「炭化けい素エピタキシャル層」とにより，バイポーラトランジスタのコレクタを構成することは当業者が適宜なし得たことと言える。ここで，前記本願明細書の記載に照らすと，「炭化けい素基板」上に形成され当該基板とともにコレクタとして作用する「炭化けい素エピタキシャル層」は，本願発明におけるドリフト層に相当するものと言うことができる。
　よって，相違点２は，当業者が適宜なし得たことである。
　
（４）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び従来周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。