【事件の表示】
　特願２００３−２７８８３３「シード層を有する共振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６４７８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２４日（パリ条約による優先権主張２００２年７月３０日、米国）の出願であって、平成２１年１月１６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年６月２２日付けで手続補正がなされたが、同年７月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２１年６月２２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「基板上に製造された共振器であって、
　シード層の部分と、
　前記シード層上の底部電極と、
　前記底部電極上の圧電部分と、
　前記圧電部分上の頂部電極と、
　前記頂部電極を覆う不活性材料からなる保護層と、
を備える共振器。」
　
３．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−７６８２４号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は圧電薄膜共振子、フィルタおよび電子機器に関し、特にたとえば携帯電話や通信機器などの高周波用の電子機器に用いられるフィルタや共振器に用いられるダイヤフラム型の圧電薄膜共振子などに関する。」
　
Ｂ．「【００１１】
【発明の実施の形態】
【実施例１】図１はこの発明にかかる圧電薄膜共振子の一例を示す断面図解図である。図１に示す圧電薄膜共振子１０はＳｉ基板１２を含む。
【００１２】Ｓｉ基板１２の上には、薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１４、下層電極１６ａ、圧電薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１８および上層電極１６ｂが、その順番に形成される。この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１４は、Ｓｉ基板１２の上面全面に形成される。下層電極１６ａは、ＡｌＮ圧電薄膜１４の上面において中央部を含む部分に形成される。ＡｌＮ圧電薄膜１８は、ＡｌＮ圧電薄膜１４の中央部を含む部分に対応して、ＡｌＮ圧電薄膜１４および下層電極１６ａの上面に形成される。上層電極１６ｂは、ＡｌＮ圧電薄膜１４の中央部を含む部分に対応して、ＡｌＮ圧電薄膜１８の上面に形成される。また、この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１４および１８は、スパッタリングやＣＶＤなどの成膜法で形成される。下層電極１６ａおよび上層電極１６ｂは、スパッタリングや蒸着などの成膜法で形成される。
【００１３】Ｓｉ基板１２には、ＡｌＮ圧電薄膜１４の中央部に対応する部分を裏面から異方性エッチングやＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの手段で除去することによって、空洞２０が形成される。
【００１４】図１に示す圧電薄膜共振子１０では、図４に示す従来の圧電薄膜共振子６と比べて、ＳｉＯ2 薄膜７がＡｌＮ圧電薄膜１４に置き換えられているので、音速の異なる材料の境界での反射がほとんどなくなり、良好な共振特性が得られる。また、図１示す圧電薄膜共振子１０では、図４に示す従来の圧電薄膜共振子６と比べて、ヤング率の温度係数がＡｌＮと同符号でＡｌＮより大きい値を持つＳｉＯ2 薄膜７がＡｌＮ圧電薄膜１４に置き換えられているので、良好な共振周波数の温度特性が得られる。さらに、図１に示す圧電薄膜共振子１０では、図４に示す従来の圧電薄膜共振子６と比べて、ＳｉＯ2 中よりＡｌＮ中のほうが音速が大きいため、同一周波数を得る場合に、ＳｉＯ2 薄膜７より膜厚の厚いＡｌＮ圧電薄膜１４を用いることができ、機械的強度を増すことができ、素子の割れなどによる不良を低減することができる。
【００１５】
【実施例２】実施例２では、実施例１と比べて、たとえばＡｒと窒素との混合ガスを用いるスパッタリング法によって、ＡｌＮ圧電薄膜１４および１８が、内部応力が零応力程度の薄膜に形成される。この場合、たとえば０．５Ｐａ未満の低ガス圧領域でＡｌＮ圧電薄膜を形成すると圧縮性の強い応力が発生するが、０．５Ｐａ〜１．２Ｐａの高ガス圧領域でＡｌＮ圧電薄膜を形成すると零応力程度の薄膜が得られる。
【００１６】実施例２では、実施例１の作用効果を奏するとともに、内部応力の強いＳｉＯ2 薄膜を有することで生じていたＳｉ基板の反りから発生する素子の割れなどによる不良を低減することができる。
【００１７】
【実施例３】実施例３では、実施例２と比べて、たとえばＡｒと窒素との混合ガスを用いるスパッタリング法によって、ＡｌＮ圧電薄膜１４が、内部応力が零応力程度でかつＳｉ基板１２の厚み方向にＣ軸配向した薄膜に形成される。この場合、たとえば窒素ガスの流量比を２０％〜３０％程度にすることによって、零応力程度でＣ軸配向した薄膜を形成することができる。また、下層電極１６ａは、たとえばＡｕやＡｌなどＳｉ基板１２の厚み方向に（１１１）優先配向しやすい面心立方構造を有する金属材料でたとえば蒸着法などの方法で形成される。
【００１８】実施例３では、実施例２の作用効果を奏するとともに、次の作用効果も奏する。ＡｌＮ圧電薄膜１８のＣ軸配向性は、下層電極１６ａの配向性に大きく影響される。実施例３では、ＡｌＮ圧電薄膜１４をＣ軸配向した薄膜とし、下層電極１６ａに（１１１）優先配向しやすくＡｌＮのＣ面とマッチングのよい金属材料を用いることによって、良好な（１１１）配向性を示す下層電極１６ａが得られ、下層電極１６ａ上に形成されるＡｌＮ圧電薄膜１８のＣ軸配向性も向上するため、良好な圧電性が生じ、さらに良好な共振特性が得られる。」
　
　ここで、段落【００１７】，段落【００１８】及び図１に記載されたＡｌＮ圧電薄膜１４は、配向させた薄膜として形成され、それによって、良好な配向性を有する下層電極１６ａが得られ、さらにＡｌＮ圧電薄膜１８の配向性も向上させるという効果が得られるものであるから、当該ＡｌＮ圧電薄膜１４は、一般的に言うところの「シード層」に相当するものであると認められる。
　
　よって、上記Ａ，Ｂの記載及び関連する図面を参照すると、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例記載の発明」という。）
「基板上に製造された共振子であって、
　シード層の部分と、
　前記シード層上の下層電極と、
　前記下層電極上の圧電薄膜と、
　前記圧電薄膜上の上層電極と、
を備える共振子。」
　
４．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明における「共振子」，「下層電極」，「圧電薄膜」，「上層電極」は、それぞれ、本願発明における「共振器」，「底部電極」，「圧電部分」，「頂部電極」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用例記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願発明と引用例記載の発明とは、ともに、
「基板上に製造された共振器であって、
　シード層の部分と、
　前記シード層上の底部電極と、
　前記底部電極上の圧電部分と、
　前記圧電部分上の頂部電極と、
を備える共振器。」
である点。
　
（相違点）
　本願発明は、「頂部電極を覆う不活性材料からなる保護層」を備えるものであるのに対し、引用例記載の発明は、そのようなものではない点。
　
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
（相違点について）
　頂部電極を覆う不活性材料からなる保護層を備える共振器は、例えば、特開平１−１５７１０８号公報の第１図及びその説明や、特開昭６３−１８７７１４号公報の第１図及びその説明等に見られるように、周知技術にすぎない。
　したがって、引用例記載の発明を、頂部電極を覆う不活性材料からなる保護層を備えるものとすることは、当業者が適宜実施できたことである。
　
　なお、請求人は、平成２２年４月７日付けの手続補正書にて、引用例記載のＡｌＮ圧電薄膜１４は、この引用例の段落【００１４】における「図１に示す圧電薄膜共振子１０では、図４に示す従来の圧電薄膜共振子６と比べて、ＳｉＯ2 中よりＡｌＮ中のほうが音速が大きいため、同一周波数を得る場合に、ＳｉＯ2 薄膜７より膜厚の厚いＡｌＮ圧電薄膜１４を用いることができ、機械的強度を増すことができ、素子の割れなどによる不良を低減することができる。」という記載事項から明らかなように、機械的強度を増すことを目的とするものであるから、本願発明のシード層には該当しないものと解される旨を主張している。しかし、ＡｌＮ圧電薄膜１４に機械的強度を増す作用があることは、当該ＡｌＮ圧電薄膜１４がシード層に相当するか否かを考える材料にはならないし、引用例記載の発明におけるＡｌＮ圧電薄膜１４は、その上に形成される薄膜の配向性を制御するものでもあり、このようなものを一般的にシード層と言うから、この主張は採用されない。
　
（本願発明の作用効果について）
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。