【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク基板、埋込み絶縁層、および活性層を含むＳＯＩ基板上に、その上に形成される保護層を有するゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の形成後、前記バルク基板中に、前記ゲート電極に関してセルフアラインされ、その比誘電率は前記バルク基板の比誘電率よりも低い、複数の絶縁領域を形成するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記ゲート電極の形成後、前記バルク基板中に、前記ゲート電極に関してセルフアラインされ、その比誘電率は前記バルク基板の比誘電率よりも低い、複数の絶縁領域を形成するステップは、
前記バルク基板に酸素原子を導入し、これにより前記バルク基板中に酸素がドープされた複数の領域を形成すべく、前記ゲート電極および前記保護層が形成された後に少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップと、
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ゲート電極を形成するステップは、ポリシリコンと金属の少なくともいずれか一方を含むゲート電極を形成するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ＳＯＩ基板上にゲート電極を形成するステップは、
ゲート電極材料の層を形成するステップと、
前記ゲート電極材料の層上に保護材料の層を形成するステップと、
その上に前記保護層が形成された前記ゲート電極を形成すべく、前記ゲート電極材料の層および前記保護材料の層について少なくとも１度のエッチングプロセスを実行するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記保護層は、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化物、ポリイミド、および有機的反射防止コーティングのうち少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップは、約１ｅ１７から５ｅ１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素インプラント薬量で、約１０から１００ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて実行される、請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１１００から１４００℃の範囲の温度で実行される、請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１から６時間の間実行される、請求項２記載の方法。
【請求項９】
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップにおいて、前記絶縁領域は、約１０から２００ｎｍの範囲の深さを有する、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
バルク基板、埋込み絶縁層、および活性層を含むＳＯＩ基板上に、その上に形成される保護層を有する、ポリシリコンおよび金属の少なくとも一方を含んだゲート電極を形成するステップと、
前記バルク基板に酸素原子を導入し、これにより前記バルク基板中に酸素がドープされた複数の領域を形成すべく、前記ゲート電極および前記保護層が形成された後に少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップと、
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップと、を含む、方法。
【請求項１１】
前記ＳＯＩ基板上にゲート電極を形成するステップは、
ポリシリコンおよび金属の少なくとも一方を含んだゲート電極材料の層を形成するステップと、
前記ゲート電極材料の層上に保護材料の層を形成するステップと、
その上に前記保護層が形成された前記ゲート電極を形成すべく、前記ゲート電極材料の層および前記保護材料の層について少なくとも１度のエッチングプロセスを実行するステップと、を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記保護層は、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化物、ポリイミド、および有機的反射防止コーティングのうち少なくとも１つを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップは、約１ｅ１７から５ｅ１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素インプラント薬量で、約１０から１００ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて実行される、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１１００から１４００℃の範囲の温度で実行される、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１から６時間の間実行される、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップにおいて、前記絶縁領域は、約１０から２００ｎｍの範囲の深さを有する、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップにおいて、前記絶縁領域は、前記ゲート電極に関してセルフアラインされている、請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
バルク基板、埋込み絶縁層、および活性層を含むＳＯＩ基板上に、その上に形成される保護層を有する、ポリシリコンを含むゲート電極を形成するステップと、
前記バルク基板に酸素原子を導入し、これにより前記バルク基板中に酸素がドープされた複数の領域を形成すべく、前記ゲート電極および前記保護層が形成された後に少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップと、
前記酸素がドープされた領域を、前記バルク基板中の二酸化ケイ素を含んだ絶縁領域であって、前記ゲート電極に関してセルフアラインされており、前記バルク基板の表面の下方およそ１０から２００ｎｍの範囲の深さを有する絶縁領域に変換すべく、少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップと、を含む、方法。
【請求項１９】
前記ＳＯＩ基板上にゲート電極を形成するステップは、
ポリシリコンの層を形成するステップと、
前記ポリシリコンの層上に保護材料の層を形成するステップと、
その上に前記保護層が形成された前記ゲート電極を形成すべく、前記ポリシリコンの層および前記保護材料の層について少なくとも１度のエッチングプロセスを実行するステップと、を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記保護層は、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化物、ポリイミド、および有機的反射防止コーティングのうち少なくとも１つを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１度の酸素インプラントプロセスを実行するステップは、約１ｅ１７から５ｅ１８イオン／ｃｍ２の範囲の酸素インプラント薬量で、約１０から１００ｋｅＶの範囲のエネルギーレベルにおいて実行される、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１１００から１４００℃の範囲の温度で実行される、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１度のアニールプロセスを実行するステップは、約１から６時間の間実行される、請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
バルク基板、埋込み絶縁層、および活性層を含むＳＯＩ基板の上に形成されたゲート電極と、
前記バルク基板中に形成され、前記ゲート電極に関してセルフアラインされており、その比誘電率は前記バルク基板の比誘電率よりも低い、複数の絶縁領域と、を含む、半導体デバイス。
【請求項２５】
前記複数の絶縁領域は、二酸化ケイ素を含む、請求項２４記載のデバイス。
【請求項２６】
前記複数の絶縁領域は、前記バルク基板の表面の下方およそ１０から２００ｎｍの範囲の深さを有する、請求項２４記載のデバイス。
【請求項２７】
前記ゲート電極の上に位置する保護層であって、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、酸化物、ポリイミド、および有機的反射防止コーティングのうち少なくとも１つを含む保護層をさらに含む、請求項２４記載のデバイス。