【事件の表示】
　特願２００３−４０３６１６「プラズマ発生器及びプラズマエッチング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６６９５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
 　本願は、平成１５年１２月２日の出願であって、平成２１年７月８日付けで拒絶理由通知がなされ、同年９月９日付けで手続補正書及び意見書が提出され、同年１０月６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月２日付けで意見書が提出されたが、平成２２年１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において平成２３年７月２９日付けで拒絶理由通知がなされ、同年９月９日付けで意見書が提出され、同年１１月２日付けで上申書が提出されたものである。
　
２　本願発明
 　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２１年９月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１及び請求項５に係る各発明（以下、それぞれを「本願発明１」、「本願発明５」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】
　筒体と、該筒体の周面に巻回されたコイルとを有し、前記筒体内にプロセスガスを導入すると共に、前記コイルに交流電流を流して、前記筒体内に前記プロセスガスのプラズマを発生するプラズマ発生器において、
　前記筒体の周面に巻回される前記コイルのピッチは、隣り合うコイル間で放電が生じない距離以上であり、
　前記コイルと前記筒体の周面との距離が前記筒体の周方向全域にわたって等しく、
　前記コイルの１巻回にあって、その巻回方向と前記筒体の軸に垂直な面とのなす角度が少なくとも２種以上存在し、前記角度が所定範囲内である第１巻回領域と、該第１巻回領域での最大角度よりも前記角度が大きい第２巻回領域とを有することを特徴とするプラズマ発生器。」
　
「【請求項５】
　試料に対して、プラズマによるエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
　筒体と、該筒体の周面に巻回されたコイルとを有し、前記筒体内にプロセスガスを導入すると共に、前記コイルに交流電流を流して、前記筒体内に前記プロセスガスのプラズマを発生するプラズマ発生器を備えており、
　前記筒体の周面に巻回される前記コイルのピッチは、隣り合うコイル間で放電が生じない距離以上であり、
　前記コイルと前記筒体の周面との距離が前記筒体の周方向全域にわたって等しく、
　前記コイルの１巻回にあって、前記コイルと前記試料との間の距離が前記試料の周方向で等しい第１巻回領域と、前記コイルと前記試料との間の距離が前記試料の周方向で異なっている第２巻回領域とを有しており、
　前記プラズマ発生器で発生されたプロセスガスのプラズマを使用するようにしたことを特徴とするプラズマエッチング装置。」
　
３　引用刊行物の記載
　当審において通知した平成２３年７月２９日付け拒絶理由で引用した、本件出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２８４３３３号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下（１）〜（５）の事項（以下「摘記事項１〜５」という。）が記載されている。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナに高周波電界を供給して電界を発生させ、その電界によりプラズマを発生し、そのプラズマにより基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うプラズマ処理装置に係わり、特に被処理物として半導体デバイスを対象とする半導体処理装置に関する。」（３頁３欄９行〜１５行）
　
（２）「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明は、プラズマ生成部に電界を発生するアンテナと、該アンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、真空雰囲気を形成するためにプラズマ生成部を取り囲む真空容器と、該真空容器の周りに設けられたファラデーシールドと、該真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、被処理物を置くための試料台と、該試料台に高周波電界を印加するための高周波電源を備え、該アンテナが発生する電界により電子を加速して該ガスを衝突電離することによりプラズマを発生させ該被処理物を処理するプラズマ処理装置において、該アンテナのアース部に負荷を設け、プラズマ着火時には着火が向上するように該アンテナの平均的な電位を大きくなるようにし、プラズマ生成後は該真空容器の壁の削り量が小さくなるようにアンテナの平均的な電位をアースの電位に近くなるように該負荷を調整したプラズマ処理装置に特徴がある。・・・図２は一般的な誘導型のプラズマ発生装置を示しており、この装置を用いてファラデーシールドのアースの取り方と、アンテナのアースの取り方を変化させ、プラズマ生成部を取り囲む真空容器壁がプラズマによって削られる量を減少させ、プラズマの着火性を向上する方法を調べた。
【０００８】この装置では、ガス供給装置４よりアルミナ製の真空容器２中に塩素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガスを供給し、そのガスを真空容器２の周りに巻かれた２ターンのコイル状のアンテナ１により発生する電界で電離してプラズマ６を生成している。」（３頁４欄２５行〜４頁５欄６行）
　
（３）「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明する。図１に、本発明を用いた半導体処理装置の第１の実施例を示す。本装置では、ガス供給装置４より真空容器中に半導体の処理に用いる酸素，塩素，三塩化ホウ素等の原料ガスを供給し、そのガスをコイル状のアンテナ１により発生する電界で電離してプラズマ６を生成する。ガスはプラズマ生成した後に、排気装置７により真空容器外に排気される。１３.５６ＭＨｚ，２７.１２ＭＨｚ，４０.６８ＭＨｚ等の高周波電源１０が発生した高周波電力をアンテナ１に供給することによりプラズマ生成用の電界を得ているが、電力の反射を押さえるためにインピーダンス整合器３を用いてアンテナ１のインピーダンスを高周波電源１０の出力インピーダンスと一致させている。インピーダンス整合器として逆Ｌ型と呼ばれるものを示しているが、周波数やアンテナの構造に応じて整合が取り易いものを用いる必要がある。アンテナ１のもう一端は電気容量が可変のコンデンサー９を挟んでアースに接地される。また、真空容器２がプラズマ６により削られるのを防止するためのファラデーシールド８をアンテナ１と真空容器２の間に設置しているが、ファラデーシールドは電気的にアースされていない状態とする。また、ファラデーシールド８には図３に示したように、コイル状アンテナの巻かれる方向と直交するようにスリットが設けられている。処理される半導体ウエハ１３は、電極５上に置く。プラズマ中に存在するイオンをウエハ１３上に引き込むため、電極５には高周波電源１２により振動電圧を印加する。可変コンデンサー９の電気容量は、課題を解決するための手段のところで説明したように、壁の削れ量が最小となる電気容量値を取れるようにすることが重要である。図１の２９は、恒温槽を示し、真空容器２の温度を制御する。具体的には、ファンやヒータを備えることで温度を制御する。」（５頁８欄４８行〜６頁９欄３０行）
　「【００２３】本発明の第２の実施例を図８に従って説明する。本実施例の基本的な装置構成は第１の実施例と同じであるが、本実施例と第１の実施例の違いは、アンテナ１のアース側に設置されるコンデンサーの構造である。」（５頁９欄４５行〜４９行）
　「【００２５】本発明の第３の実施例を図９に従って説明する。本実施例の基本的な装置構成は第２の実施例と同じであるが、本実施例と第２の実施例の違いは、図８におけるコンデンサー９ｂの替わりにインダクター１９を用いていることである。」（６頁１０欄１５行〜１９行）
　「【００３１】本発明の第６の実施例を図１２に従って説明する。本実施例の基本的な装置構成は第１，第２，第３の実施例と同じであるが、本実施例と他の実施例の違いは、ファラデーシールド８を抵抗１８を用いてアースに接地していることである。」（７頁１１欄３４行〜３８行）
　
（４）「【００３３】本発明の第７の実施例を図１３に従って説明する。本実施例の基本的な装置構成は第６の実施例と同じであるが、本実施例と第６の実施例の違いは、真空容器２を導電性材料で作ることでファラデーシールドの効果を持たせたことによる。
【００３４】ファラデーシールド兼用の真空容器には、図３で説明したように誘導的な電界を遮断させるためのスリットを設けることができないため、導電性の真空容器の壁の厚さを調整することで誘導的な電界を通過できるようにする必要が有る。ここで、真空容器は絶縁フランジ２４により電気的にアースから浮かせた構造である。                         
【００３５】本実施例によれば、ファラデーシールドを真空容器の周りに設ける作業が不要のため、作業性が良くなる。本実施例でアンテナ１の平均的な電位をアース近辺およびアースより絶対値として大きくするように調整する回路は、第６の実施例と同じである。
【００３６】図１４は本実施例において真空容器に流れる渦電流の様子を示した斜視図である。図３で説明した誘導的な電界１５ａを真空容器２中に伝わるのを打ち消すための渦電流は矢印２５のように円筒形の真空容器２の周方向にながれる。この渦電流の流路における抵抗をＲ、インダクターンスをＬ、高周波電源１０が出力する高周波の角振動数をωとすると、Ｒ＞ωＬの関係が成り立つようにすれば抵抗による渦電流減衰が大きくなり、真空容器中に誘導的な電界が伝わるようになる。」（７頁１２欄８行〜３３行）
　
（５）図１、図２、図１３、図１４には、次の装置構成が記載されている。
　
　
　
　
　
　
４　引用例１に記載された発明
（１）摘記事項１によると、アンテナに高周波電力（【０００１】の「高周波電界」は誤記である。）を供給して電界を発生させ、その電界によりプラズマを発生し、そのプラズマにより基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うプラズマ処理装置について記載されている。
　摘記事項２によると、ガス供給装置４より真空容器２中に塩素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガスを供給し、そのガスを真空容器２の周りに巻かれた２ターンのコイル状のアンテナ１により発生する電界で電離してプラズマ６を生成することが記載されている。
　摘記事項３によると、ガス供給装置４より真空容器中に半導体の処理に用いる酸素，塩素，三塩化ホウ素等の原料ガスを供給し、そのガスをコイル状のアンテナ１により発生する電界で電離してプラズマ６を生成すること、電極５上に半導体ウエハ１３が置かれ、プラズマ中に存在するイオンがウエハ１３上に引き込まれること（【００２０】）が記載されている。
　摘記事項４によると、引用例１に記載された「第７の実施例」（以下、この表記を「第７実施例」などという。）の装置構成は、第６実施例と基本的に同じものであり（【００３３】）、当該第６実施例の装置構成は、摘記事項３によると、第１実施例と基本的に同じものである（【００３１】）。そうすると、摘記事項３における第１実施例の装置構成に関する記載及び摘記事項５の各図を参照すれば、第７実施例に係る図１３及び図１４には、ウエハ１３を処理するプラズマ処理装置において、アンテナ１を円筒形の真空容器２の周りにほぼ水平状態に巻いて２ターン（２巻回）のコイル状にするとともに、アンテナ１の一部分を傾斜させて、２巻回のコイル間を相互に接続してなるプラズマ発生手段を備えたプラズマ処理装置が示されている。
　
（２）よって、引用例１には、プラズマ発生手段及びそれを備えたプラズマ処理装置に関して、次の発明が記載されていると認める。
　
　ア　「真空容器２と、該真空容器２の周面に巻回されたコイル状アンテナ１とを有し、前記真空容器２内に原料ガスを導入すると共に、前記コイルに高周波電力を供給して、前記真空容器２内に前記原料ガスのプラズマを発生するプラズマ発生手段において、
　前記コイルは、２巻回されていて、ほぼ水平状態に巻回された部分と、当該水平部分を接続する傾斜部分とを有しているプラズマ発生手段。」（以下「引用発明１」という。）
　
　イ　「半導体ウエハ１３に対して、プラズマによるプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
　真空容器２と、該真空容器２の周面に巻回されたコイル状アンテナ１とを有し、前記真空容器２内に原料ガスを導入すると共に、前記コイルに高周波電力を供給して、前記真空容器２内に前記原料ガスのプラズマを発生するプラズマ発生手段を備えており、
　前記コイルは、２巻回されていて、ほぼ水平状態に巻回された部分と、当該水平部分を接続する傾斜部分とを有しており、
　前記プラズマ発生手段で発生された原料ガスのプラズマを使用するようにしたプラズマ処理装置。」（以下「引用発明２」という。）
　
５　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「真空容器２」、「コイル状アンテナ１」、「原料ガス」、「高周波電力」、「プラズマ発生手段」は、それぞれ本願発明１の「筒体」、「コイル」、「プロセスガス」、「交流電流」、「プラズマ発生器」に相当する。
　引用発明１の「水平状態に巻回された部分」、「傾斜部分」は、本願発明１の「前記角度が所定範囲内である第１巻回領域」、「該第１巻回領域での最大角度よりも前記角度が大きい第２巻回領域」に相当する。
　よって、両者の発明は、次の点で一致する。
　
　「筒体と、該筒体の周面に巻回されたコイルとを有し、前記筒体内にプロセスガスを導入すると共に、前記コイルに交流電流を流して、前記筒体内に前記プロセスガスのプラズマを発生するプラズマ発生器において、
　前記コイルの１巻回にあって、その巻回方向と前記筒体の軸に垂直な面とのなす角度が少なくとも２種以上存在し、前記角度が所定範囲内である第１巻回領域と、該第１巻回領域での最大角度よりも前記角度が大きい第２巻回領域とを有するプラズマ発生器。」
　
　そして、次の点で一応の相違がある。
（相違点１）
　本願発明１は、「前記筒体の周面に巻回される前記コイルのピッチは、隣り合うコイル間で放電が生じない距離以上であり」とされているのに対し、引用発明１は、そのようなピッチであるのか明らかでない点
　
（相違点２）
　本願発明１は、「前記コイルと前記筒体の周面との距離が前記筒体の周方向全域にわたって等しく」とされているのに対し、引用発明１は、そのような距離であるのか明らかでない点
　
（２）相違点についての判断
　上記の相違点１、２について検討する。
　
　ア　相違点１について
　引用例１の図１３、図１４等によると、引用発明１のプラズマ発生手段におけるコイル状アンテナ１は、隣り合うコイル間隔が相当に空いた装置構成が記載されている。
　通電コイルの間隔（ピッチ）については、コイルの絶縁程度にもよるが、コイル間隔が小さいと放電のおそれがあるから、そのような場合に放電の生じない程度にコイル間隔を空けることは、通常考慮される設計事項であり、プラズマ発生用コイルを備えたプラズマ処理装置においても同様に考慮される事項である。
　そうすると、引用発明１のプラズマ発生手段は、通常のプラズマ発生を行うものであるから、引用発明１におけるアンテナ１のコイルピッチは、隣り合うコイル間で放電が生じない距離以上にあると認められる。
　
　イ　相違点２について
　引用例１の図１３及び図１４によると、コイル状のアンテナ１と真空容器２との距離がほぼ均一になっている構造が示されている。
　均一なプラズマを発生させるために、コイルとプラズマ発生室（筒体）の周面との距離が筒体の周方向全域にわたって等しくする構成は、プラズマ発生器において通常使用されるものであって、かかる構成が本願出願時における周知事項である。この点は、審判請求書「【本願発明が特許されるべき理由】（１）（１−４）においても同様の説明がある。
　そうすると、引用発明におけるアンテナ１と真空容器２との距離は、真空容器２の周方向全域にわたって等しいものと認められる。
　
　ウ　したがって、相違点１、２に係る本願発明の特定事項は、引用例１記載の事項から本願出願時における技術常識を参照することにより導き出せるものである。
　よって、上記の特定事項は、引用例１に記載されているに等しい事項であるから、本願発明１は、引用発明１と実質的に相違するものではない。
　
（３）以上のことから、本願発明１は、引用例１に記載された発明である。
　
６　本願発明５について
（１）対比
　本願発明５と引用発明２とを対比する。
　引用発明２は、引用発明１のプラズマ発生手段を備えたプラズマ処理装置であって、摘記事項１の「そのプラズマにより基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うプラズマ処理装置に係わり」（【０００１】）によると、エッチング処理をその適用範囲としたものであるから、プラズマエッチング装置の点で本願発明５と一致する。
　引用発明２の「半導体ウエハ１３」は、本願発明５の「試料」に相当する。
　引用発明２の「真空容器２」、「コイル状アンテナ１」、「原料ガス」、「高周波電力」、「プラズマ発生手段」は、それぞれ本願発明５の「筒体」、「コイル」、「プロセスガス」、「交流電流」、「プラズマ発生器」に相当することは、上記５（１）と同様である。
　
　よって、両者は、次の点で一致する。
　
　「試料に対して、プラズマによるエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
　筒体と、該筒体の周面に巻回されたコイルとを有し、前記筒体内にプロセスガスを導入すると共に、前記コイルに交流電流を流して、前記筒体内に前記プロセスガスのプラズマを発生するプラズマ発生器を備えており、
　前記コイルの１巻回にあって、第１巻回領域と、第２巻回領域とを有しており、
　前記プラズマ発生器で発生されたプロセスガスのプラズマを使用するようにしたプラズマエッチング装置。」
　
　そして、両者は、次の点で一応相違する。
（相違点３）
　本願発明５は、「前記筒体の周面に巻回される前記コイルのピッチは、隣り合うコイル間で放電が生じない距離以上であり」とされているのに対し、引用発明２は、そのようなピッチであるのか明らかでない点
　
（相違点４）
　本願発明５は、「前記コイルと前記筒体の周面との距離が前記筒体の周方向全域にわたって等しく」とされているのに対し、引用発明２は、そのような距離であるのか明らかでない点
　
（相違点５）
　本願発明５は、「前記コイルの１巻回にあって、前記コイルと前記試料との間の距離が前記試料の周方向で等しい第１巻回領域と、前記コイルと前記試料との間の距離が前記試料の周方向で異なっている第２巻回領域とを有しており」とされているのに対し、引用発明２は、コイルと試料との距離がそのように特定されていない点
　
（２）相違点についての判断
　上記の相違点３〜５について検討する。
　
　ア　相違点３、相違点４について
　相違点３及び相違点４は、上記の相違点１及び相違点２に相当するから、上記５（２）で述べた理由と同様に、引用発明２のプラズマエッチング装置が実質的に具備する構成である。
　
　イ　相違点５について
　引用例１に記載されたコイル状アンテナ１は、上記５（１）で「前記コイルは、２巻回されていて、ほぼ水平状態に巻回された部分と、当該水平部分を接続する傾斜部分とを有しており」と説示したとおり、ほぼ水平状態の第１巻回領域と、該第１巻回領域よりも角度が大きい第２巻回領域とからなるものである。そして、引用発明２におけるコイル状のアンテナ１と真空容器２との距離が真空容器２の周方向全域にわたって等しく構成されていることは、上記の相違点４（相違点２）で述べたとおりである。
　そうすると、アンテナ１と半導体ウエハ１３との距離でみた場合、引用発明２におけるアンテナ１の水平部分では、アンテナ１とウエハ１３との間の距離がウエハ１３の周方向で等しく、また、当該アンテナ１の傾斜部分においては、アンテナ１とウエハ１３との間の距離がウエハ１３の周方向で異なることは、当然に実現されている事項であるから、相違点５に係る本願発明５の発明特定事項についても、引用発明２と実質的に差異がない。
　
　ウ　したがって、相違点３、４、５に係る本願発明５の特定事項は、引用例１記載の事項から本願出願時における技術常識を参照することにより導き出せるものである。
　よって、上記の特定事項は、引用例１に記載されているに等しい事項であるから、本願発明５は、引用発明２と実質的に相違するものではない。
　
（３）以上のことから、本願発明５は、引用例１に記載された発明である。
　
７　請求人の主張について
（１）請求人は、平成２３年９月９日付け意見書において、「図１３にはアンテナの断面しか示されておらず、図１４は一方向からの斜視図に過ぎないため、引用例１が上記請求項１の第３発明特定事項を開示しているかは断定できない。」と主張する。
　しかし、装置構成の図示において、図１３及び図１４のような断面図あるいは斜視図を用いることは、通常行われていることである。引用例１の図２に関して「真空容器２の周りに巻かれた２ターンのコイル状のアンテナ１」（摘記事項２、【０００８】）と記載され、図３に関して「コイル状アンテナの巻かれる方向」（摘記事項３、【００２０】）と記載されており、図１３及び図１４は、当該図２及び図３と基本構成を同じくする装置構成が記載されていることから、図１３及び図１４に基づいて引用発明のプラズマ処理装置が記載されているとした上記４の認定に誤りはない。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
（２）なお、請求人は、審判請求書及び平成２３年９月９日付け意見書において、本願発明の技術内容に関する説明を行うための面接を希望していたので、平成２３年１０月１２日にその趣旨で面接が行われた。その後、請求人は、平成２３年１１月２日に上申書を提出し、補正案による補正の機会を要望している。
　しかし、本件については、上記１のとおり、平成２３年７月２９日付けで当審の通知した拒絶理由に対して、請求人は、補正をすることなく、意見書を提出しただけである。このように、請求人には補正する機会があったから、再度、補正の機会を与える事情はない。また、上記の面接において当審合議体は、請求人の説明を理解したが、補正案等の対応を求めていない（面接記録参照）。
　よって、請求人による上記の上申内容を採用することはできない。
　
８　まとめ
　以上のとおり、本願発明１及び本願発明５は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。