【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー要素を電子処理回路に接続するためのセンサー入力部（２４）を有する電子処理回路を、それぞれが含む複数の画素を有し、電力、Ｉ／Ｏ及び制御接続の多画素のそれぞれの電子処理回路に外部接続するための複数のターミナル・ノードを有するセンサー・アレーを作るための方法において、
ウエーハ（２０）の第一面上に電子処理回路（２５、２６）を組込んで、センサー入力部及びウエーハの第一面からアクセス可能なターミナル・ノードを備えた少なくとも１個のアレーの電子処理回路を有する集積回路を形成すること、
各画素に関連して、それぞれのセンサー入力部（２４）から、第一面と反対のウエーハ（２０）の第二面（２８）に延びているウエーハ（２０）を介する導電性通路（３１）を提供すること、及び
ウエーハの第二面上にアモルファス又は多結晶のセンサー材料を成長させて、センサー要素のアレーを形成し、その非露出面が、導電性通路（３１）の対応する１つと各々整合し且つオーム接触する第１の極性の多電極を形成して、センサー材料の露出面が、第１の極性と反対の極性を有する共通電極を形成すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ターミナツノードのそれぞれ１つにオーム接触しているメタライズされたターミナル・パッドをウエーハの第二面上に形成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
センサーアレイが、多数のピクセルアレイを含む集積回路の一部として、ウエーハ上に形成され、該センサーアレイを形成するために、集積回路を分離センサーアレイに分割することを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
集積回路が、スクライブラインによって分離された電子処理回路（２５、２６）の多数のアレイを含み、集積回路を分離センサーアレイに分割する工程が、個々のセンサーチップ（４０）を生成するように、スクライブラインに沿って記載することを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
センサーエレメントを形成する前に、ウエーハのバルクを除去するように、反対側（２８）からウエハー（２９）をチニングダウンすることを含む請求項１〜４のいずれか１に記載の方法。
【請求項６】
ウエーハ（２０）が、ウエーハ（２０）を介して電気伝導通路を提供する前に、チイングされる請求項１〜４のいずれか１に記載の方法。
【請求項７】
ウエーハ（２０）を介して電気的導電通路（３１）を提供すること、
通路が形成されるべき露出領域から離間したフォトマスクでウエーハ（２０）の第１面を被覆すること、
フォトマスクが不浸透である材料でウエーハを差込み、該材料が露出領域のみを通して、ウエーハの第二面への導電性を局所的に増大せしめて、導電性通路（３１）のマトリックスを形成する請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項８】
第二面のウエーハの該領域を覆い、第一面に配置されたフォトマスク（３０）と正確に整合している相補的フォトマスクを生成することを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ウエーハがシリコンをベースにしており、該材料がｐ型不純物である請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
ウエーハ（２０）を介して電気的導電通路（３１）を提供すること、
通路が形成されるウエーハの第１表面上の領域と直接整合しているウエーハを露出するように、ウエーハの第二面のみにフォトマスクを提供すること、
部分的な孔を形成するように、第二面からウエーハを介する穴をエッチングで部分的に開けること、
導電性材料で穴を充填すること
を含む請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１１】
ウエーハ（２０）を介して電気的導電通路（３１）を提供すること、
部分的な孔を形成するように、第二面から第一面へのウエーハを介する穴をエッチングで部分的に開けること、
フォトマスクが不浸透である材料で第一面からウエーハを差込み、該材料が、ウエーハを通路が形成される領域の各々に直接的に対接せしめ、
部分的な孔を、ウエーハに対接しウエーハの第２表面にオーム接触する導電性材料で充填すること
を含む請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１２】
導電性通路（３１）が、処理回路を形成する前に、ウエーハ（２０）に形成されること、
各通路の意図する場所の周りの領域をホトエッチングし、該領域を露出したままに残すために、フォトマスク（３１）でウエーハ（２０）の第１面を被覆すること、
フォトマスクが不浸透である材料でウエーハを差込み、該材料が該領域のみを通して、ウエーハの第二面への導電性を局所的に増大せしめて、導電性通路（３１）のマトリックスを形成する請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１３】
導電性通路（３１）が、処理回路を形成する前に、ウエーハ（２０）に形成されること、
各通路の意図する場所の周りの領域をホトエッチングし、該領域を露出したままに残すために、フォトマスク（３０）でウエーハ（２０）の第１面を被覆すること、
フォトマスクが不浸透である材料でウエーハを差込み、該材料が該領域のみを通して、ウエーハの第二面へウエーハを介して導電性を局所的に増大せしめて、導電性通路（３１）のマトリックスを形成する請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１４】
導電性通路（３１）が、処理回路を形成する前にウエーハ（２０）によって形成されること、
意図する通路のウエーハの第１表面上のそれぞれの領域と直接整合しているフエーハを露出するように、ウエーハの第二面のみにフォトマスクを提供すること、
孔を形成するように、ウエーハを介して全てがエッチングではなく、第二面から第一面へのウエーハを介する穴をエッチングで開けること、
導電性材料で穴を充填すること
を含む請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１５】
導電性通路（３１）が、処理回路を形成する前にウエーハ（２０）によって形成されること、
部分的な孔を形成するように、第二面からウエーハを介して穴を部分的にエッチングで形成すること、
フォトマスクが不浸透である材料で第一面からウエーハを差込み、該材料は意図した通路のみを通して、露出した領域においてウエーハに導電性をのこし、
部分的な穴を、ウエーハに対接しウエーハの第２表面にオーム接触する導電性材料で満たすこと
を含む請求項１〜６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１６】
処理回路（２５、２６）を形成する前に、センサー材料及び端子連結部をウエーハ（２０）上に形成することを含む請求項１２〜１５のいずれか１に記載の方法。
【請求項１７】
高エネルギーのフォトンの画像処理用検出器のためのセンサーアレイの作成に用いる場合の請求項１〜１６のいずれか１に記載の方法。
【請求項１８】
ウエーハの外面にメタライズしたターミナル・パッド（４３）をバンプ・ボンド（４５）を介してセラミック基板（４６）に接続し、そのセラミック基板が表面取付のピン又は穴に通じるバンプ接続部（４７）を提供すること、
モジュールを形成するように、カプセルに封入されることを含む請求項１〜１７のいずれか１に記載の方法。
【請求項１９】
単一モジュールよりも大きな表面積の二次元センサー（５０）を形成するために前記モジュール（４８）のいくつかをエッジ同士を隣接して取付けることを含む請求項１８に記載の方法で、幾つかのモジュールが形成される二次元センサー（５０）を形成する方法。
【請求項２０】
電子処理回路（２５、２６）の少なくとも１個のアレーを有する集積回路を形成するために、それぞれが画素と関連している多数の電子処理回路（２５、２６）が第一面に形成されているウエーハであって、各電子処理回路が、ウエーハの第一面上にそれぞれのセンサー入力部（２４）を有するウエーハ、
電力、Ｉ／Ｏ及び制御接続の、多画素のそれぞれの電子処理回路への外部接続のための、ウエーハの第一面上の複数のターミナル・ノード、
各画素に関連して、各センサー入力部（２４）から、第一面と反対側のウエーハの第二面（２８）に延びている、ウエーハ（２０）を介する導電性通路（３１）、及び
センサー要素のアレーを形成するように、ウエーハの第二面上に成長せしめられたアモルハス又は多結晶センサー材料の層であって、その非露出面が、第１の極性を有する多数の電極を形成し、その各々が、導電性通路（３１）の対応する１つに整合しており且つオーム接触しており、その露出面が第１の極性とは反対の極性を有する共通電極を形成するアモルハス又は多結晶センサー材料の層
を具備することを特徴とする多画素センサー・アレー。
【請求項２１】
高エネルギーのフォトンの画像処理用検出器に使用するために形成された請求項２０に記載のセンサーアレイ。
【請求項２２】
表面付きのピン又は穴に通じるバンプ接続部（４７）を供給するセラミック基板（４６）にバンプ・ボンド（４５）を介してウエーハの外面においてメタライズされたターミナルパッド（４６）を含む、
請求項２０又は２１に記載のカプセルに入れられたセンサー・アレーを具備するセンサー・モジユール（４８）。
【請求項２３】
単一モジユールよりも大きな表面積の二次元センサー（５０）を形成するようにエッジ同士を隣接して設置された請求項２２に記載の複数のセンサー・モジユールを具備する多モジユールセンサー・アセンブリー。