【事件の表示】
　特願２００４−５０６０７１「アクティブマトリクスディスプレイ装置およびその製造」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２７日国際公開、ＷＯ０３／９８６７１、平成１７年　９月　２日国内公表、特表２００５−５２６３９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００３年５月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年５月２２日、２００２年１０月２日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年３月１３日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月１５日付けで手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２２年１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２７日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２３年９月１６日付けで当審より審尋がなされ、同年１２月２０日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　平成２２年５月２７日付けで提出された手続補正書によりなされた手続補正は、審判請求人が審判請求書の「（ｂ）　補正の根拠の明示」の項において 「審判請求時にした補正は請求項１の表現を物の発明らしく表現すべく軽微な語句の補正を行ったもので、明瞭でない記載の釈明に相当し、適法なものである。」と主張するとおり、特許請求の範囲の明りょうでない記載の釈明を目的としていると認められる。
　
　したがって、本願の請求項５に係る発明は、前記平成２２年５月２７日付けでなされた手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項５に記載された、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「画素領域と、隣接する駆動回路領域とを有するマトリクスディスプレイ装置を製造する方法であって、
　（ａ）基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積するステップと、
　（ｂ）前記画素領域および前記駆動回路領域に、アモルファスシリコンの結晶化を加速させる金属要素を添加するステップと、
　（ｃ）前記基板を加熱して、前記アモルファスシリコン膜のアモルファスシリコンを結晶化させて、ＭＩＣ多結晶シリコンを形成するステップと、
　（ｄ）前記駆動回路領域に含まれるデジタル回路領域とアナログ回路領域のうち、前記デジタル回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射するステップとを具備する方法。」
　
２．引用文献の表示
　　引用文献１：特開平０７−１８３５３６号公報
　　引用文献２：特開平０９−０７３１０２号公報
　
３．各引用文献の記載事項と引用発明
３−１．引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の最先の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０７−１８３５３６号公報（以下「引用文献１」という。）には、「半導体装置およびその作製方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審で付加したものである。以下、他の刊行物においても同じ。）。
　
　ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成に関する。」
　
　イ．「【０００２】
【従来の技術】画素電極に
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
【０００３】このような画素領域と周辺回路領域とが一体化されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、それぞれの領域において必要とするＴＦＴの特性は異ならせる必要がある。
【０００４】各画素に配置されるＴＦＴは、画素電極に電荷を保持させる機能が必要とされる。従って大きな移動度は要求されないが、ＯＦＦ電流が小さいことが必要とされる。
【０００５】一方、周辺回路領域に配置されるＴＦＴは、画素領域に配置されたＴＦＴをドライブするためのものとなるので、大きなＯＮ電流を流すことができ、高移動度を有することが必要とされる。」
　
　ウ．「【００１０】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例は、
アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域に結晶性珪素膜を用いたＴＦＴを配置した構成
周辺回路領域に形成された結晶性珪素膜はレーザー光または強光の照射によって結晶化がさらに助長されており、より大きなＯＮ電流を探すことができ、またより大きな移動度を有する
【００１１】図２および図３に本実施例の作製工程を示す。図２に示すのは周辺回路用にＴＦＴの作製工程図であり、図３に示すのは
画素領域に形成されるＴＦＴ
周辺領域用のＴＦＴ
【００１２】まず、
基板２０１
【００１３】そして、
プラズマＣＶＤ法によって、厚さ５００〜１５００Å、例えば１０００Åの真性（Ｉ型）の非晶質珪素膜２０３を成膜する
【００１４】ここでは
触媒元素を含有した溶液を塗布することにより、非晶質珪素膜にその結晶化を助長する触媒元素であるニッケルを導入したが、プラズマ処理や蒸着法やスパッタ法やＣＶＤ法によってニッケル膜またはニッケルを含有する膜を形成するこによって、ニッケルを導入するのでもよい
【００１５】この後、
窒素雰囲気下で５００〜６２０℃、例えば５５０℃、４時間の加熱アニールを行い、珪素膜２０３の結晶化を行う。この際、ニッケルと珪素膜が接触した部分ニッケルが拡散していき、結晶化が起こる。
【００１６】
上記加熱処理による結晶化工程の後にさらにレーザー光２１６の照射により珪素膜２０３の結晶性を高める。この工程は、図２（Ｂ）に示すように周辺回路領域のＴＦＴを構成する珪素膜のみに対して行なう。
【００１７】この工程は、強光の照射によるものでもよい。例えば波長１．２μｍの赤外光を照射することによって行なうことができる。赤外光の照射は、数分間で高温加熱処理したものと同等の効果を得ることができる。
【００１８】結晶化が終了した状態において、珪素膜中にニッケル濃度は約１０18／ｃｍ3であった。そして、珪素膜２０３をパターニング後、ドライエッチングして、島状の活性層領域２０８を形成する。」
　
　エ．「【００２２】次に、イオンドーピング法（プラズマドーピング法とも言う）によって、活性層領域（ソース／ドレイン、チャネルを構成する）にゲイト電極部、すなわちゲイト電極２１０とその周囲の酸化層２１１をマスクとして、自己整合的にＮ導電型を付与する不純物（ここでは燐）を添加する。ドーピングガスとして、フォスフィン（ＰＨ3 ）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例えば８０ｋＶとする。ドーズ量は１×１０15〜８×１０15ｃｍ-2、例えば、４×１０15ｃｍ-2とする。この結果、Ｎ型の不純物領域２１２と２１３を形成することができる。図からも明らかなように不純物領域とゲイト電極とは距離ｘだけ放れたオフセット状態となる。このようなオフセット状態は、特にゲイト電極に逆電圧（ＮチャネルＴＦＴの場合はマイナス）を印加した際のリーク電流（オフ電流ともいう）を低減する上で有効である。特に、本実施例のようにアクティブマトリクスの画素を制御するＴＦＴにおいては良好な画像を得るために画素電極に蓄積された電荷が逃げないようにリーク電流が低いことが望まれるので、オフセットを設けることは有効である。
【００２３】その後、レーザー光の照射によってアニールを行う。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いるが、他のレーザーであってもよい。レーザー光の照射条件は、エネルギー密度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、例えば２５０ｍＪ／ｃｍ2 とし、一か所につき２〜１０ショット、例えば２ショット照射した。このレーザー光の照射時に基板を２００〜４５０℃程度に加熱することによって、効果を増大せしめてもよい。（図２（Ｅ）、図３（Ｅ））
【００２４】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜２１４を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成する。さらに、スピンコーティング法によって透明なポリイミド膜２１５を形成し、表面を平坦化する。
【００２５】そして、図３（Ｆ）に示すように画素領域に形成されるＴＦＴの出力の一端に連結されるＩＴＯ電極３００を形成する。このＩＴＯ電極３００は画素電極として機能する。
【００２６】次に層間絶縁物２１４、２１５にコンタクトホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタンとアルミニウムの多層膜によってＴＦＴの電極・配線２１７、２１８を形成する。この時図３（Ｆ）に示す如く画素領域に形成されるＴＦＴの一方の電極２１８を画素電極であるＩＴＯ電極３００に接続させる。
【００２７】最後に、１気圧の水素雰囲気で３５０℃、３０分のアニールを行い、アクティブマトリクスの画素回路と該画素回路を駆動する周辺駆動回路を同時に形成させる。（図２（Ｆ）、図３（Ｆ））」
　
　オ．「【００２８】
【発明の効果】本発明の如くアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域と周辺回路領域とに形成さえるＴＦＴを結晶化を助長する触媒元素の導入によって結晶化させ、さらに周辺回路領域に形成されるＴＦＴを構成する結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光を照射することによって、周辺回路領域に適したＴＦＴを選択的に構成することができる。」
　
　カ．アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概要を示す図１には、周辺回路領域は、画素領域に隣接して、前記画素領域を取り囲んで形成されることが示されている。
　
３−２．引用発明
　前記ア〜カから、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されている。
「画素領域と、これに隣接する周辺回路領域とに、結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタを配置した構成を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置を製造する方法であって、
　（ａ）基板上にプラズマＣＶＤ法によって非晶質珪素膜を成膜するステップと、
　（ｂ）前記非晶質珪素膜に、その結晶化を助長する触媒元素であるニッケルを導入するステップと、
　（ｃ）窒素雰囲気下で加熱アニールを行い、前記ニッケルを拡散させて前記非晶質珪素膜の結晶化を行うステップと、
　（ｄ）前記結晶化の後に、前記周辺回路領域の薄膜トランジスタを構成する前記結晶化された珪素膜のみに対して行なうレーザー光の照射により、当該珪素膜の結晶性を高めるステップと、
を具備することを特徴とする方法。」
　
３−３．引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の最先の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０９−０７３１０２号公報（以下「引用文献２」という。）には、「薄膜トランジスタ回路および画像表示装置」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　
　キ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の画像表示装置における駆動回路に好適な薄膜トランジスタ回路およびその薄膜トランジスタ回路を用いたアクティブマトリクス駆動方式の画像表示装置に関するものである。」
　
　ク．「【００１７】これに対して、近年、画像表示装置の小型化、信頼性向上、コスト低減等を実現するために、
走査信号線駆動回路１０２やデータ信号線駆動回路１０３を画素アレイ１０１と同一の基板上にモノリシックに構成する
【００１８】この場合、能動素子としては、単結晶、多結晶または非晶質のいずれかのシリコン薄膜からなる電界効果トランジスタが用いられる。実際には、透明なガラス基板上に大面積に形成できること、および走査信号線駆動回路１０２やデータ信号線駆動回路１０３に要求される高い駆動力が得られることから、
多結晶シリコン薄膜トランジスタが用いられる
　
　ケ．「【００４３】
薄膜トランジスタ回路がアナログ回路およびデジタル回路により構成されている
高精度のアナログ信号レベルが要求されるアナログ回路では、リーク電流を抑えるために薄膜トランジスタの閾値電圧が比較的高い値に設定される。一方、高速動作が要求されるデジタル回路では閾値電圧が比較的低い値に設定される
　
　コ．「【００６６】一方、
本発明の画像表示装置は
映像信号付与手段（データ信号線駆動回路）と
書込制御手段（走査信号線駆動回路）
が上記の各薄膜トランジスタ回路を有している
　
　サ．「【０１３３】上記の２つの構成は、
サンプリング回路２３のようにアナログデータを扱うために低いリーク電流が要求されるアナログ回路を構成するトランジスタと、シフトレジスタ１…等のようにデジタルデータを扱うために高速動作が要求されるデジタル回路を構成するトランジスタとにおいて、それぞれ要求される閾値電圧
　
　キ〜サから、引用文献２には、
　画素アレイと、アナログ回路およびデジタル回路により構成されている駆動回路を備える薄膜トランジスタ回路とを同一基板上に有するにアクティブマトリクス駆動方式の画像表示装置においては、低いリーク電流が要求される前記アナログ回路を構成する薄膜トランジスタは比較的高い値の閾値電圧が、高速動作が要求される前記デジタル回路を構成する薄膜トランジスタは比較的低い値の閾値電圧が、それぞれ、求められる、
ことが記載されている。
　
４．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　ア．引用発明の「画素領域」、「周辺回路領域」及び「結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタを配置した構成を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「画素領域」、「駆動回路領域」及び「マトリクスディスプレイ装置」に相当する。
　
　イ．引用発明の「基板上にプラズマＣＶＤ法によって非晶質珪素膜を成膜するステップ」は、本願発明の「基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積するステップ」に相当する。
　
　ウ．引用発明においては、「前記非晶質珪素膜に、その結晶化を助長する触媒元素であるニッケルを導入するステップ」を有する。しかしながら、前記「３−１．引用文献１の記載事項」の項のエに記載されるように、引用文献１においては、前記「結晶化を助長する触媒元素であるニッケル」の作用により「結晶化」された「非晶質珪素膜」に、引用発明の「画素領域」及び「周辺回路領域」が形成される。してみれば、前記「ステップ」は、「画素領域」及び「周辺回路領域」を含む「非晶質珪素膜に、その結晶化を助長する触媒元素であるニッケルを導入するステップ」であると云えるものである。
　そして、前記「その結晶化を助長する触媒元素であるニッケル」は、本願発明の「アモルファスシリコンの結晶化を加速させる金属要素」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記非晶質珪素膜に、その結晶化を助長する触媒元素であるニッケルを導入するステップ」は、本願発明の「前記画素領域および前記駆動回路領域に、アモルファスシリコンの結晶化を加速させる金属要素を添加するステップ」に相当する。
　
　エ．引用発明の「窒素雰囲気下で加熱アニールを行い、前記ニッケルを拡散させて前記非晶質珪素膜の結晶化を行うステップ」により、「ニッケル」が「拡散」された、すなわち、導入された、「結晶化された珪素膜」が得られる。
　したがって、引用発明の「窒素雰囲気下で加熱アニールを行い、前記ニッケルを拡散させて前記非晶質珪素膜の結晶化を行うステップ」は、本願発明の「前記基板を加熱して、前記アモルファスシリコン膜のアモルファスシリコンを結晶化させて、ＭＩＣ多結晶シリコンを形成するステップ」に相当する。
　
　オ．引用発明の「前記結晶化の後に、前記周辺回路領域の薄膜トランジスタを構成する前記結晶化された珪素膜のみに対して行なうレーザー光の照射により、当該珪素膜の結晶性を高めるステップ」と、本願発明の「前記駆動回路領域に含まれるデジタル回路領域とアナログ回路領域のうち、前記デジタル回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射するステップ」とは、いずれも、前記駆動回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射するステップである点で共通する。
　
（２）一致点及び相違点
そうすると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「画素領域と、隣接する駆動回路領域とを有するマトリクスディスプレイ装置を製造する方法であって、
　（ａ）基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積するステップと、
　（ｂ）前記画素領域および前記駆動回路領域に、アモルファスシリコンの結晶化を加速させる金属要素を添加するステップと、
　（ｃ）前記基板を加熱して、前記アモルファスシリコン膜のアモルファスシリコンを結晶化させて、ＭＩＣ多結晶シリコンを形成するステップと、
　（ｄ）前記駆動回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射するステップとを具備する方法。」
　
《相違点》
　前記駆動回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射するステップにおいて、本願発明では、「前記駆動回路領域に含まれるデジタル回路領域とアナログ回路領域のうち、前記デジタル回路領域において使用されるＭＩＣ多結晶シリコンにのみエネルギービームを照射する」のに対して、引用発明では、「前記周辺回路領域の薄膜トランジスタを構成する前記結晶化された珪素膜のみに対して行なうレーザー光の照射」をする点。
　
５．当審の判断
　ア．引用文献１には、前記「３−１．引用文献１の記載事項」の項のイで挙げたように、「各画素に配置されるＴＦＴは、画素電極に電荷を保持させる機能が必要とされる。従って大きな移動度は要求されないが、ＯＦＦ電流が小さいことが必要とされる」こと、「一方、周辺回路領域に配置されるＴＦＴは、画素領域に配置されたＴＦＴをドライブするためのものとなるので、大きなＯＮ電流を流すことができ、高移動度を有することが必要とされる」ことが記載されている。
　ここで、前記「ＯＦＦ電流が小さい」とは、「画素電極に電荷を保持させる機能」のためであるから、「ＯＦＦ」時のリーク「電流」が「小さい」ことを意味することは、明らかである。
　引用発明は、上記の要求を満たすために、特に、「結晶化の後」に「レーザー光の照射」を「前記周辺回路領域の薄膜トランジスタを構成する前記結晶化された珪素膜のみに対して行なう」ものである。なお、引用文献１には、前記「３−１．引用文献１の記載事項」の項に挙げたように、前記「結晶化された珪素膜のみに対して行なう」レーザー光の照射の他に、「画素領域」ないし「これに隣接する周辺回路領域」に対して、その「領域」特有の製造上の処理を施すことは記載されていない。
　
　イ．一方、引用文献２には、前記「３−３．引用文献２の記載事項」の項で述べたように、
　画素アレイと、アナログ回路およびデジタル回路により構成されている駆動回路を備える薄膜トランジスタ回路とを同一基板上に有するにアクティブマトリクス駆動方式の画像表示装置においては、低いリーク電流が要求される前記アナログ回路を構成する薄膜トランジスタは高い値の閾値電圧が、高速動作が要求される前記デジタル回路を構成する薄膜トランジスタは低い値の閾値電圧が、それぞれ、求められる
ことが記載されている。
　
　ウ．さて、引用発明の「アクティブマトリクス型の液晶表示装置」は「周辺回路領域」を有しているが、前記「周辺回路領域」の「周辺回路」を、アナログ回路およびデジタル回路により構成することは当業者であれば当然になしたことである。したがって、前記「周辺回路領域」に、前記アナログ回路を構成する薄膜トランジスタと前記デジタル回路を構成する薄膜トランジスタとを配置することは、自明である。
　そして、前記アに記載された「画素領域に配置されたＴＦＴをドライブするためのものとなるので、大きなＯＮ電流を流すことができ、高移動度を有することが必要とされる」という要請は、「画素領域に配置されたＴＦＴ」の「ドライブ」回路というデジタル回路に対する要請であると認められる。
　そうすると、前記ア及びイから、引用発明が有する前記「周辺回路領域」の「周辺回路」を構成することとなる前記アナログ回路に配置される薄膜トランジスタに対して、小さいリーク電流を要求するとともに、引用発明が有する前記「周辺回路領域」の「周辺回路」を構成することとなる前記デジタル回路に配置される薄膜トランジスタに対しては、高移動度と高速動作（すなわち、低い値の閾値電圧）とを要求することは、当業者であれば当然である。
　
　エ．ところで、レーザ光、赤外線、マイクロ波等の電磁波または電子ビームというエネルギービームをアモルファス層に照射して当該アモルファス層を結晶化させることによって、前記結晶化させた層から形成される薄膜トランジスタの移動度を高くするとともに閾値電圧を低下させることは、以下のオ及びカに記載するように、周知の技術にすぎない。
　したがって、引用発明及び引用文献２に接した当業者であれば、引用発明において、「周辺回路領域の薄膜トランジスタを構成する前記結晶化された珪素膜のみに対して行なうレーザー光の照射」を行うことに代えて、設けられる薄膜トランジスタが特に低い値の閾値電圧を有することが要求される前記デジタル回路が配置される領域の「結晶化された珪素膜」に対してのみ、「レーザー光の照射」を行うことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　オ．本願の最先の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−０３３８７１号公報には、
「
本発明の電界効果型薄膜トランジスタ
光あるいはマイクロ波等の電磁波または電子線等の放射線を照射するかまたは熱を加えることにより、バンドギャップの狭い方の第１の固体層を多結晶化せしめ
移動度を飛躍的に改善することができ、またトランジスタのしきい値電圧を下げることができる
と記載されている。
　
　カ．本願の最先の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６４−０３１４６６号公報には、
「不活性ガスに１〜50モル＆程度の水素ガスを混合した雰囲気で
スパッタリングにより堆積したシリコン薄膜に、レーザ光、電子ビームもしくは赤外線を照射する短時間のアニール処理を施すことにより移動度及び閾値電圧ともに良く制御したシリコン薄膜トランジスタが得られる。
と記載されている。
　
６．小括
　以上のとおりであるから、相違点は格別のものではなく、そして、本願発明の効果も、引用発明、引用文献２に記載された技術及び周知の技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術及び周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。