Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子商取引のためのシステムであって、
ネットワークに接続されたサーバを具備し、該サーバは、プロセッサと記憶部とを備え、該記憶部は、製品識別情報（ＰＩＤ）を使用して製品を登録するカスタムカタログを有し、該ＰＩＤには、受取人情報が埋め込まれている、システム。
【請求項２】
前記サーバはレジストリを実施し、該レジストリは、データベース構造と、複数の関係者の該データベースへのおよび互いへの制御されたアクセスを可能にする命令を含む、前記レジストリを前記プロセッサが管理するための命令と、を備えている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記製品識別情報（ＰＩＤ）がさらに、レジストリを特定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記サーバが、
カタログテンプレートを選択する手段と、
前記カタログに含める製品を選択する手段と、
前記カタログに個人的内容を合体させる手段と、
をさらに備えている、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ネットワークに接続された関係者コンピュータに前記カスタムカタログを提示する手段をさらに具備する、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記ネットワークがインターネットである、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
ネットワーク化されたコンピューティングシステムで実施される電子商取引方法であって、
カスタムカタログに含める製品を選択するステップと、
前記選択された製品のそれぞれに対し、一意の製品識別情報を割り当てるステップであって、該製品識別情報（ＰＩＤ）は、該製品と、該製品が購入される対象である受取人に関連するレジストリと、を特定する、ステップと、
前記選択された製品とそれらのＰＩＤとを登録するカスタムカタログを製作するステップと、
前記カスタムカタログを配布するステップと、
ギフト贈り主が前記受取人のために前記製品を購入する手段を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記カスタムカタログが、受取人固有情報を含むカスタム内容を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ギフトクレジットを追跡するために前記受取人に対しレジストリアカウントを維持するステップをさらに含む、請求項７に記載の引方法。
【請求項１０】
コンピュータのための製品であって、
コンピュータ記憶部と、
前記コンピュータ記憶部に格納されたプログラムであって、実行時に前記コンピュータに対し、
販売されている品目に対し、該品目が購入される対象である受取人をもまた特定する製品識別情報（ＰＩＤ）を割り当てさせ、
前記ＰＩＤを有する前記品目を登録するカスタムカタログを製作させ、
前記カスタムカタログを配布させ、
ギフト贈り主が前記受取人のために前記品目を購入する手段を提供させる、
プログラムと、
を具備する、製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電子増倍管；および
複数の光電子増倍管に接続され、複数のコーナー端を規定するシンチレーション結晶アレイ
を備える装置であって、
複数のコーナー端の第1のコーナー端が、複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管の第1の中心に整列され、複数のコーナー端の第2のコーナー端が複数の光電子増倍管の第2の光電子増倍管の第2の中心に整列されていない装置。
【請求項２】
複数のコーナー端の第3のコーナー端が、複数の光電子増倍管の第3番目の第3の中心に整列されていない、請求項1記載の装置。
【請求項３】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、ケイ酸ゲルマニウムおよびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn×mの結晶を含み、nがシンチレーション結晶アレイの幅であり、mがシンチレーション結晶アレイの長さである、請求項1記載の装置。
【請求項４】
複数のコーナー端の第4のコーナー端が、光電子増倍管の第4番目の第4の中心に整列されていない、請求項1記載の装置。
【請求項５】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、ケイ酸ゲルマニウムおよびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn2の結晶を含み、nがシンチレーション結晶アレイの基盤サイズである、請求項4記載の装置。
【請求項６】
複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管に接続した別のシンチレーション結晶アレイをさらに備え、別のシンチレーション結晶アレイが、複数の光電子増倍管の第1番間の第1の中心に配列されている別のコーナー端を規定する、請求項1記載の装置。
【請求項７】
複数の光電子増倍管とシンチレーション結晶アレイの間に接続された光線ガイドをさらに備える、請求項1記載の装置。
【請求項８】
シンチレーション結晶アレイが、シンチレーション結晶アレイの平面方向に先細りにされている、請求項1記載の装置。
【請求項９】
シンチレーション結晶アレイが、以下の式：
T = W / cos2(180°/N) - 2D tan (180°/N)
(式中、Tがシンチレーション結晶アレイが先細りにされている量であり、Wがシンチレーション結晶アレイの幅であり、Nがシンチレーション結晶アレイのリングを形成するのに必要なシンチレーション結晶アレイの数である)
により先細りにされている、請求項8記載の装置。
【請求項１０】
請求項1記載の装置を含む陽電子放射型断層撮影カメラ。
【請求項１１】
複数のコーナー端を規定するシンチレーション結晶アレイに複数の光電子増倍管を接続する段階
を含み、
複数のコーナー端の第1のコーナー端が複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管の第1の中心に整列されており、複数のコーナー端の第2のコーナー端が複数の光電子増倍管の第2の光電子増倍管の第2の中心に整列されていない方法。
【請求項１２】
複数のコーナー端の第3のコーナー端が複数の光電子増倍管の第3番目の第3の中心に整列されていない、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、ケイ酸ゲルマニウムおよびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn×mの結晶を含む、請求項11記載の方法。
【請求項１４】
複数のコーナー端の第4のコーナー端が光電子増倍管の第4番目の第4の中心に整列されていない、請求項11記載の方法。
【請求項１５】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、ケイ酸ゲルマニウムおよびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn2の結晶を含む、請求項14記載の方法。
【請求項１６】
複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管に別のシンチレーション結晶アレイを接続する段階をさらに含み、別のシンチレーション結晶アレイが、複数の光電子増倍管の第1番目の第1の中心に整列されている別のコーナー端を規定する、請求項11記載の方法。
【請求項１７】
複数の光電子増倍管とシンチレーション結晶アレイの間に光線ガイドを接続する段階をさらに含む、請求項11記載の方法。
【請求項１８】
シンチレーション結晶アレイがシンチレーション結晶アレイの平面方向に先細りにされている、請求項11記載の方法。
【請求項１９】
シンチレーション結晶アレイが、以下の式：
T = W / cos2(180°/N) - 2D tan (180°/N)
(式中、Tがシンチレーション結晶アレイが先細りにされている量であり、Wがシンチレーション結晶アレイの幅であり、Nがシンチレーション結晶アレイのリングを形成するのに必要なシンチレーション結晶アレイの数である)
により先細りにされている、請求項18記載の方法。
【請求項２０】
複数の光電子増倍管に接続されており、複数のコーナー端を規定するシンチレーション結晶アレイで放射線を検出する段階を含み、複数のコーナー端の第1のコーナー端が複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管の第1の中心に整列されており、複数のコーナー端の第2のコーナー端が複数の光電子増倍管の第2の光電子増倍管の第2の中心に整列されていない方法。
【請求項２１】
複数のコーナー端の第3のコーナー端が複数の光電子増倍管の第3番目の第3の中心に整列されていない、請求項20記載の方法。
【請求項２２】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、ケイ酸ゲルマニウム、およびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn×mの結晶を含む、請求項20記載の方法。
【請求項２３】
複数のコーナー端の第4のコーナー端が光電子増倍管の第4番目の第4の中心に整列されていない、請求項20記載の方法。
【請求項２４】
シンチレーション結晶アレイが、ビスマス酸化ゲルマニウム、およびオキシオルトケイ酸ルテニウムからなる群より選択されるn2の結晶を含む、請求項23記載の方法。
【請求項２５】
複数の光電子増倍管の第1の光電子増倍管に別のシンチレーション結晶アレイを接続する段階をさらに含み、別のシンチレーション結晶アレイが、複数の光電子増倍管の第1番目の第1のコーナーに整列されている別のコーナー端を規定する、請求項20記載の方法。
【請求項２６】
光線ガイドを介してシンチレーション結晶アレイから複数の光電子増倍管の少なくとも1つに光子を誘導する段階をさらに含む、請求項20記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加速度計の補償係数を決定するように構成されるシステム（１０）であって、該システムは、
プロセッサおよびメモリを備えるコンピュータ（２２）と、
室（１６）を備えるレートテーブル（１４）と、
前記コンピュータに接続され、かつ、前記レートテーブル上で、前記コンピュータの前記メモリに記憶される加速度負荷プロファイルを実行するように構成されるレートテーブル制御装置（２０）と、
前記コンピュータに接続され、かつ、前記室において、前記コンピュータの前記メモリに記憶される温度プロファイルを実行するように構成される温度制御装置（１８）と、
前記加速度計の出力を測定するように構成される装置（２４）と、
を備え、
前記コンピュータは、前記装置（２４）から出力データを受信して記憶するように構成され、前記コンピュータは、測定加速度計出力からバイアス累積を推定（４２）し、訂正加速度計出力を決定（４４）し、かつ前記訂正加速度計出力を使用して補償係数を決定（４６）するように構成される、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムで（１０）あって、前記コンピュータ（２２）は、加速度計の高加速度試験休止サイクルを約５秒に限定するように構成され、高加速度は、１ｇより大きい、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、高加速度試験休止サイクルの間において少なくとも５分間、−１ｇと＋１ｇとの間の負荷において前記加速度計を動作するように構成される、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、
高加速度が１ｇより大きい高加速度負荷間隔の中心時間点において加速度計出力（４０２）を測定し、
前記高加速度負荷間隔の前記中心時間点における前記バイアス累積を決定するように構成される、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、
前記高加速度負荷間隔の開始前の時間において、加速度計出力（４０２）を測定し、
前記高加速度負荷間隔の終了後の時間において、加速度計出力を測定し、
前記高加速度間隔の前記終了後の前記時間における測定加速度計出力から、前記高加速度間隔の前記開始前の前記時間における測定加速度計出力を減算し、
加速度計測定出力の差に２分の１を乗算し、
前記高加速度負荷間隔の前記中心時間点における前記測定加速度計出力から前記乗算差を減算するように構成される、システム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、測定加速度計出力（４０２）の２次導関数（４０４）を使用して、前記高加速度間隔の前記開始前の前記時間および前記高加速度間隔の前記終了後の前記時間を決定するように構成される、システム。
【請求項７】
請求項４に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、
【数１】
2005516222.tif 000001
に従って、高加速度負荷間隔の中心時間点ａｃにおけるバイアス累積を推定するように構成され、ａ（ｔ１）が、前記高加速度負荷間隔の開始前の時間における測定加速度計出力（４０２）であり、ａ（ｔ２）が、前記高加速度負荷間隔の終了後の時間における測定加速度計出力であり、高加速度が、１ｇより大きい、システム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、
前記中心時間点において加速度計出力（４０２）を測定し、
【数２】
2005516222.tif 000002
に従って加速度計出力を訂正するように構成され、ａ（ｔｃ）が、前記中心時間点における測定加速度計出力である、システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステム（１０）であって、前記コンピュータ（２２）は、
【数３】
2005516222.tif 000003
に従って加速度計試験に基づいて較正係数を計算するように構成され、ｄνｌｏａｄが、加えられた負荷および近似的半径アームｒｐ／ｎに対する速度変化であり、ａｃが、訂正加速度計出力であり、Ｔが、温度であり、ｄｒｅｒｒｏｒが、試験結果を使用して決定される加速度計感知要素の半径誤差であり、ｗｉが、各試験の特有のｄνｌｏａｄ、ａｃ、およびＴを使用する試験結果を使用して決定される較正係数である、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端電極パターンをタッチスクリーンに適用する方法であって、
デカル細長片の第１面に、端電極パターンの形態の導電性材料を堆積する工程と、
前記デカル細長片の前記第１面をタッチスクリーンの一端に配置する工程と、
前記端電極パターンが前記デカル細長片の前記第１面から前記タッチスクリーンへ転写されるまで、前記デカル細長片の反対面に熱および圧力を加える工程と、
前記デカル細長片を除去する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
ワイヤトレースパターンを前記デカル細長片の前記第１面に堆積する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワイヤトレースパターンおよび前記端電極パターンが前記タッチスクリーンへ転写された後に、前記ワイヤトレースパターンを前記端電極パターンから絶縁する工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ワイヤトレースパターンを前記デカル細長片に堆積する工程と、絶縁層を前記ワイヤトレースパターンと前記端電極パターンとの間に堆積する工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁層は鉛ホウケイ酸ガラス組成物を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
端電極パターンとワイヤトレースパターンをタッチスクリーンに転写するためのデカルであって、
デカル紙と、
前記デカル紙の一面上に、端電極パターンの形態に印刷された導電性材料と、前記端電極パターンに隣接しかつ、それから電気的に絶縁された一つ以上のワイヤトレースとを
備えるデカル。
【請求項７】
ａ）前記端電極および前記ワイヤトレースと、ｂ）前記デカル紙との間に保護層、ならびに各ワイヤトレースの上に絶縁層をさらに含む、請求項６に記載のデカル。
【請求項８】
ワイヤトレースと前記デカル紙との間に保護層、および各ワイヤトレース上に絶縁層をさらに含み、前記端電極パターンが前記絶縁層上に位置される、請求項６に記載のデカル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に従って、端電極パターンおよびワイヤトレースパターンをタッチスクリーンへ転写するためのデカルが、デカル紙、ならびにデカル紙の一面上の、端電極パターンの形に印刷された導電性材料、および端電極パターンに隣接し、かつそれから電気的に絶縁される、１つ以上のワイヤトレースを特徴とする。ａ）端電極およびワイヤトレースとｂ）デカル紙との間に保護層、ならびに各ワイヤトレースの上に絶縁層がさらに含まれる。あるいは、保護層はワイヤトレースとデカル紙との間に配置され、絶縁層は各ワイヤトレースの上に配置され、端電極パターンは絶縁層上に配置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【図１】先行技術によるタッチスクリーンの略図である。
【図２】本発明に従って製造されるタッチスクリーンの略平面図である。
【図３】端電極パターンを図２に示すタッチスクリーンに適用するために使用される、先行技術によるウォータースライドデカルの略断面図である。
【図４】本発明に従って端電極パターンをタッチスクリーンに適用するために使用される、１つのデカルの断面図である。
【図５】本発明の一方法に従って、図４に示すデカルを用いて、端電極パターンをタッチスクリーンに適用する場合の、タッチスクリーンパネルの一部の断面図である。
【図６】本発明に従って、抵抗層が、ワイヤトレースと端電極を電気的に絶縁するために、それらの間で除去された後の、図５に示すタッチスクリーンパネルの一部の略図である。
【図７】本発明に従って、端電極パターンをタッチスクリーンに適用するために使用される、デカルの別の実施形態の断面図である。
【図８】図７に示すデカルを用いて、端電極パターンおよびワイヤトレースをタッチスクリーンに適用した後の、タッチスクリーンの一部の断面図である。
【図９】本発明のデカルのためのさらに別の実施形態の略断面図である。
【図１０】図９に示すデカルを用いて、端電極パターンおよびワイヤトレースをタッチスクリーンへ転写した後の、タッチスクリーンの一部の略断面図である。
【図１１】本発明による実際のデカルの平面図である。
【図１２】本発明に従って、端電極パターンをタッチスクリーンへ転写する方法に従って有用である、ホットスタンプ機と関連する主要な構成要素の正面略図である。
【図１３】端電極およびワイヤトレースをタッチスクリーンパネルの上端に適用するために使用される、１つのデカルの平面図である。
【図１４】タッチスクリーンの抵抗性被覆に適用される、図１３に示すデカルのコーナー電極部分の断面図である。
【図１５】タッチスクリーンの抵抗性被覆に適用される、図１３に示すデカルの残部の断面図である。
【図１６】本発明に従って、端電極パターンをタッチスクリーンパネルの下端に形成するために使用される、１つのデカルの平面図である。
【図１７】タッチスクリーンの抵抗性被覆に適用される、図１６に示すデカルの断面図である。
【図１８】本発明に従って、どのようにして側デカルが図１３に示す上端デカルにかぶせられるかを示す平面図である。
【図１９】本発明に従って、どのようにして同じ側端デカルが図１６の下端デカルにかぶせられるかを示す平面図である。
【図２０】本発明の一方法で使用される、４つのデカル細長片を示す略平面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多色光を生成する照射系と、
前記照射系から前記多色光を受光し、前記多色光を個別の原色成分光路に沿って指向される光の原色成分に分解するように配置された色分解系と、
２つ以上の前記個別の原色成分光路に沿って配置された２つ以上の色修正開口絞りであって、該色修正開口絞りの少なくとも１つが、前記光成分の間のバランスを図るために、光の別の原色成分に対する光の少なくとも１色の原色成分を選択的に遮断するように他と異なるサイズである色修正開口絞りと、
画像情報を光の原色成分のそれぞれに与える１つ以上の電子光弁と、を具備していることを特徴とする電子投影装置。
【請求項２】
２つ以上の色修正開口絞りが２つ以上の前記個別の原色成分光路に沿って配置され、少なくとも１つの色修正開口絞りが他と異なる形状であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記装置において３つのテレセントリック領域を確立する第１の組および第２の組のリレー光学素子をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
多色光を生成する照射系と、
前記照射系から前記多色光を受光し、前記多色光を個別の原色成分光路に沿って指向される光の原色成分に分解するように配置された色分解系と、
前記光成分の間のバランスを図るために、光の別の原色成分に対する光の少なくとも１色の原色成分を選択的に遮断する少なくとも１つの色修正開口絞りであって、前記光の少なくとも１色の原色成分に対応する環状色フィルタを備えたアポダイジング開口絞りを具備する色修正開口絞りと、
画像情報を光の原色成分のそれぞれに与える１つ以上の電子光弁と、を具備していることを特徴とする電子投影装置。
【請求項５】
前記アポダイジング開口絞りが、円形の環状色フィルタを具備することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアポダイジング開口絞りが、十字形の環状色フィルタを具備することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項７】
複数の原色成分を有する光を生成する照射系を有する電子投影装置において、
他の原色成分に対して少なくとも１色の原色成分の強度を低減する色修正開口絞りであって、アポダイジング開口絞りであり、１つの方向において細長い開口を具備する色修正開口絞りを含むことを特徴とする電子投影装置。
【請求項８】
前記色修正開口絞りが、楕円開口を具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記色修正開口絞りが、端を切り取った円形開口を具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記色修正開口絞りが、十字形の開口を具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記アポダイジング開口絞りが、少なくとも１色の原色成分の強度を優先的に低減する環状色フィルタを具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記アポダイジング開口絞りが、１つの方向において細長い開口を具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１３】
すべての原色成分が、前記アポダイジング開口絞りによって指向されることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１４】
原色成分が個別の光路に沿って指向され、前記色修正開口絞りが環状色フィルタを具備することを特徴とする請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークによって接続された管理コンピュータＡおよびクライアントコンピュータＣを有する複数のコンピュータを含むコンピュータシステムを動作させる方法であって、
不揮発性メモリと、揮発性メモリと、バッジによって利用される信号を送受信する送受信機と、該バッジが前記個人から取外されたことを検出する取付センサとを有するデータ処理システムを含むバッジを、許可された個人に提供するステップを含み、前記取付センサは、前記取外しを検出した場合に、前記揮発性メモリに格納された情報を読取不可能にするよう構成されており、
前記管理コンピュータＡに、前記バッジのうちの１つと通信する送受信機および該個人のアイデンティティを認証するアイデンティティ確認システムを提供するステップと、
前記管理コンピュータＡに、前記個人を認証する前記アイデンティティ確認システムに応答して、該個人に取付けられた前記バッジの前記揮発性メモリに情報をロードさせるステップを含み、該情報は、前記許可された個人が権利を与えられている前記コンピュータシステムに対するアクセスのレベルを特定する、前記方法。
【請求項２】
前記管理コンピュータＡに対し情報をロードさせるステップは、
管理コンピュータＡと該バッジとの前記送受信機によって送受信される信号を暗号化することによって、管理コンピュータＡと前記バッジとの間のセキュア通信チャネルを確立するステップと、
前記情報を前記セキュア通信チャネルで送信するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アイデンティティ確認システムは、前記個人の網膜を、該個人の網膜に対する先の測定から導出されたデータと比較する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アイデンティティ確認システムは、前記個人の指紋を、該個人の指紋に対する前の測定から導出されたデータと比較する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アイデンティティ確認システムは、前記個人の声を、該個人の声に対する前の測定から導出されたデータと比較する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アイデンティティ確認システムは、前記個人に対してポストされた問合せに対する回答を、該個人によって先に提供されたデータと比較する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
クライアントコンピュータＣに対し、前記個人に取付けられた前記バッジと通信する送受信機を提供するステップと、
前記バッジの前記揮発性メモリに管理コンピュータＡによって格納されたデータから導出されるデータを受信することにより、該バッジの信頼性を、クライアントコンピュータＣに確認させるステップと、
前記個人に前記ネットワークへのアクセスを、クライアントコンピュータＣに提供させるステップを含み、該アクセスは、前記バッジに格納された前記データに依存する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
クライアントコンピュータＣは、前記バッジとの間で信号を送受信することにより、前記個人の存在を周期的に確認する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
クライアントコンピュータＣは、前記確認ステップ中に第１のセキュアコードを利用して前記バッジとデータを交換する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
クライアントコンピュータＣは、第２のセキュアコードを利用して前記個人の存在を確認し、該第２のセキュアコードは、前記第１のセキュアコードより必要な計算資源が少ない、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のセキュアコードは、前記第１のセキュアコードによって決まり、クライアントコンピュータＣが前記個人の存在を確認する度に変化する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
管理コンピュータＡによって前記バッジにロードされた前記情報には、周期的に変更されるコードが含まれる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械力の作用を検出するセンサを製造するためのコア／シェル粒子の使用において、前記コア／シェル粒子のシェルがマトリックスを形成し、そのコアが本質的に個体であるとともに、本質的に単分散寸法分布を有し、コア材料およびシェル材料の屈折率間に差がある、前記コア／シェル粒子の使用。
【請求項２】
少なくとも１種のコントラスト材料が、マトリックスに含められていることを特徴とする、請求項１に記載のコア／シェル粒子の使用。
【請求項３】
構成要素上に作用する機械力を検出するための表面コーティング材料としてのフィルムの使用において、前記フィルムが、本質的にコア／シェル粒子からなり、そのシェルがマトリックスを形成し、そのコアが本質的に個体であるとともに、本質的に単分散寸法分布を有し、コア材料およびシェル材料の屈折率間に差がある、前記フィルムの使用。
【請求項４】
少なくとも１種のコントラスト材料が、マトリックス中に含められていることを特徴とする、請求項３に記載のフィルムの使用。
【請求項５】
機械力の作用を検出するためのセンサであって、該センサは、本質的にコア／シェル粒子からなり、そのシェルはマトリックスを形成し、そのコアが本質的に個体であるとともに、本質的に単分散寸法分布を有し、コア材料およびシェル材料の屈折率間に差があり、かつ少なくとも１種のコントラスト材料がマトリックスに含められている、前記センサ
【請求項６】
コア／シェル粒子の平均粒子直径が、約５ｎｍ〜約２０００ｎｍの範囲、好ましくは約５〜２０ｎｍまたは４０〜５００ｎｍの範囲であることを特徴とする、請求項５に記載のセンサ。
【請求項７】
コア材料およびシェル材料の屈折率間の差が、少なくとも０．００１、好ましくは少なくとも０．０１、特に好ましくは少なくとも０．１であることを特徴とする、請求項５または６に記載のセンサ。
【請求項８】
少なくとも１つのコントラスト材料が、顔料、好ましくは吸収顔料、特に好ましくは黒色顔料であることを特徴とする、請求項５〜７のいずれかに記載のセンサ。
【請求項９】
少なくとも１つのコントラスト材料の粒子寸法が、コア材料の粒子寸法の少なくとも２倍の大きさであり、好ましくは、少なくとも１つのコントラスト材料の粒子寸法が、コア材料の粒子寸法の少なくとも４倍の大きさであることを特徴とする、請求項５〜８のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１０】
センサが、該センサの重量を基準として、少なくとも０．０５重量％のコントラスト材料を含み、特に好ましくは、前記センサが、少なくとも０．２重量％，特に好ましくは少なくとも１重量％のコントラスト材料を含むことを特徴とする、請求項５〜９のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１１】
センサが、同時に圧力制御バルブであるか、または前記センサが圧力制御バルブに取り付けられていることを特徴とする、請求項５〜１０のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１２】
センサが、表面のコーティングに好適なフィルムの形態であることを特徴とする、請求項５〜１１のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１３】
センサが、計測ストリップの形態であることを特徴とする、請求項５〜１２のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１４】
機械力の作用を検出するセンサの製造方法であって、第１のステップにおいて、コア／シェル粒子であって、そのシェルがマトリックスを形成し、そのコアが本質的に個体であるとともに、本質的に単分散の寸法分布を有し、コア材料およびシェル材料の屈折率間の差がある前記コア／シェル粒子に、少なくとも１種のコントラスト材料を混合することを特徴とする、前記方法。
【請求項１５】
シェルが流動性を有する温度において、混合物に機械力をかけることを特徴とする、請求項１４に記載のセンサの製造方法。
【請求項１６】
後続のステップにおいて、機械力の作用下で、シェルの流動性がなくなる温度まで、混合物を冷却することを特徴とする、請求項１５に記載のセンサの製造方法。
【請求項１７】
混合物に機械力をかける温度が、シェルのガラス遷移温度より、少なくとも４０℃、好ましくは少なくとも６０℃高いことを特徴とする、請求項１５および１６のいずれかに記載のセンサの製造方法。
【請求項１８】
機械力の作用が、一軸プレスによって発生することを特徴とする、請求項１５〜１７のいずれかに記載のセンサの製造方法。
【請求項１９】
機械力の作用が、射出成型動作中に発生することを特徴とする、請求項１５〜１７のいずれかに記載のセンサの製造方法。
【請求項２０】
機械力の作用が、押出し成形中に発生することを特徴とする、請求項１５〜１７のいずれかに記載のセンサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）最初の名目上の波長で照明源をセットするステップと、
ｂ）干渉パターンを生成するために照明源で対象物に光を当てるステップと、
ｃ）干渉パターンの位相角で３６０度シフトが起こる期間を超えて、照明源の波長が名目上の波長からドリフト波長へとドリフトするのを許容するステップと、
ｄ）期間中に干渉パターンを複数回サンプリングするステップと、
ｅ）サンプリングされた情報に基づいて対象物の画像を作成するステップと
からなることを特徴とする対象物の画像作成方法。
【請求項２】
照明源を第二の名目上の波長にセットするステップと、上記ステップｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返すステップとをさらに含む請求項１に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項３】
最初の名目上の波長と第二の名目上の波長との差は、１ナノメーターである請求項２に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項４】
照明源は、波長可変レーザーである請求項１に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項５】
名目上の波長及びドリフト波長間のドリフトは、１ナノメーターよりも小さい請求項１に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項６】
名目上の波長及びドリフト波長間のドリフトは、１ピコメーターである請求項５に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項７】
上記ステップｄ）は、期間中に干渉パターンを約１８回サンプリングすることを含む請求項１に記載の対象物の画像作成方法。
【請求項８】
上記ステップｅ）は、合成開口レーダー技術を使用することを含む請求項１に記載の対象物の画像作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録フィールドエントリーを受け取るためのユーザ双方向記録フィールドと、
ワールドワイドウェブアプリケーションが上記記録フィールドから出るためのユーザ要求を受け取るのに応答して、データベース中の記録のための別個のシステムに上記記録フィールドエントリーを送信するモジュールであって、上記ユーザリクエストは上記別個のシステムの上記ユーザ双方向記録フィールドのデータの送信を無条件に要求しないようなモジュールと、を含むワールドワイドウェブアプリケーションを備えた計算システム。
【請求項２】
請求項１に記載の計算システムにおいて、上記ユーザ要求は、ワールドワイドウェブブラウザビュー変更に応答したコンテクスト変更要求を含む計算システム。
【請求項３】
請求項１に記載の計算システムにおいて、上記ユーザ要求は、アクティブなアプレット変更に応答したコンテクスト変更要求を含む記載の計算システム。
【請求項４】
請求項１に記載の計算システムにおいて、上記ユーザ要求は、編集のために選択された記録フィールドの変更に応答したコンテクスト変更要求を含む計算システム。
【請求項５】
請求項１に記載の計算システムにおいて、上記記録フィールドエントリーを記憶するためのクライアントキャッシュを更に備えた計算システム。
【請求項６】
請求項５に記載の計算システムにおいて、上記アプリケーションは、上記記録フィールドエントリーが上記別個のシステムへ送信されるまで上記キャッシュに上記記録フィールドエントリーを維持する計算システム。
【請求項７】
請求項１に記載の計算システムにおいて、上記アプリケーションは、上記別個のシステムとの全クライアント通信を制御し、上記アプリケーションは、上記ユーザ双方向記録フィールドと一緒に表示される記録フィールドを更に含み、上記ユーザ要求は、上記ユーザ双方向フィールドから上記更なる記録フィールド中に選び出す要求である計算システム。
【請求項８】
複数の命令が記憶されたコンピュータ読取可能な媒体であって、当該命令は、実行されたときに、
ワールドワイドウェブアプリケーションのユーザ双方向記録フィールドが記録フィールドエントリーを受け取るステップと、
上記アプリケーションが上記記録フィールドから出るためのユーザ要求を受け取るのに応答して、データベース中の記録のための別個のシステムに上記記録フィールドエントリーを送信するステップであって、上記ユーザリクエストは上記別個のシステムの上記ユーザ双方向記録フィールドのデータの送信を無条件に要求しないようなステップと、を含む方法を実行する、コンピュータ読取可能な媒体。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータ読取可能な媒体において、上記ユーザ要求は、ワールドワイドウェブブラウザビュー変更に応答したコンテクスト変更要求を含むコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１０】
請求項８に記載のコンピュータ読取可能な媒体において、上記ユーザ要求は、アクティブなアプレット変更に応答したコンテクスト変更要求を含むコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１１】
請求項８に記載のコンピュータ読取可能な媒体において、上記ユーザ要求は、編集のために選択された記録フィールドの変更に応答したコンテクスト変更要求を含むコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータ読取可能な媒体において、上記方法は、
上記アプリケーションが上記記録フィールドエントリーが上記別個のシステムへ送信されるまで上記キャッシュに上記記録フィールドエントリーを維持するステップと、
上記記録フィールドエントリーが上記別個のシステムへ送信されたときに上記キャッシュを消去するステップと、を更に有するコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１３】
請求項８に記載のコンピュータ読取可能な媒体において、上記アプリケーションは、上記サーバーとの全直接通信を制御し、上記アプリケーションは、上記ユーザ双方向記録フィールドと一緒に表示される記録フィールドを更に含み、上記ユーザ要求は、上記ユーザ双方向フィールドから上記更なる記録フィールド中に選び出す要求である請求項１５に記載の媒体。
【請求項１４】
ワールドワイドウェブアプリケーションのユーザ双方向記録フィールドが記録フィールドエントリーを受け取るステップと、
上記アプリケーションが上記記録フィールドから出るためのユーザ要求を受け取るのに応答して、データベース中の記録のための別個のシステムに上記記録フィールドエントリーを送信するステップであって、上記ユーザリクエストは上記別個のシステムの上記ユーザ双方向記録フィールドのデータの送信を無条件に要求しないようなステップと、を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、上記ユーザ要求は、ワールドワイドウェブブラウザビュー変更に応答したコンテクスト変更要求を含む方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法において、上記ユーザ要求は、アクティブなアプレット変更に応答したコンテクスト変更要求を含む方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法において、上記ユーザ要求は、編集のために選択された記録フィールドの変更に応答したコンテクスト変更要求を含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、上記方法は、
上記アプリケーションが上記記録フィールドエントリーが上記別個のシステムへ送信されるまで上記キャッシュに上記記録フィールドエントリーを維持するステップと、
上記記録フィールドエントリーが上記別個のシステムへ送信されたときに上記キャッシュを消去するステップと、を更に有する方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法において、上記アプリケーションは、上記サーバーとの全直接通信を制御し、上記アプリケーションは、上記ユーザ双方向記録フィールドと一緒に表示される記録フィールドを更に含み、上記ユーザ要求は、上記ユーザ双方向フィールドから上記更なる記録フィールド中に選び出す要求である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2005516967.tif 000001
［式中、Ｘはハロゲンまたはこれと生物学的に等価な部分を示し、特に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、メチルまたはＣＦ３であり、好ましくはＣｌであり、
Ｒ１はそれぞれ独立して、ハロゲン、ヒドロキシ、シアノ、トリフルオロメチル、ニトロ、炭素原子１〜４個を含有する炭化水素基、特にＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ２〜Ｃ４アルケニルまたはＣ２〜Ｃ４アルキニルであり、この場合、これらは置換されていてもよく、たとえばヒドロキシアルキル、ハロアルキル、シアノアルキル、カルボキシアルキル、アシルアルキル、オキシアルキル、スルホニルアルキル、スルホニルアミドアルキル、アミドアルキル、カルボニルアルキル、ウレイルアルキル等を示すか、あるいは、これらと生物学的に等価の部分を示し、かつｎは０〜２であり、
Ｒ３はそれぞれ独立して、Ｒ１から選択されたか、あるいは、Ｒ１からの部分０〜４個によって置換されたアリールまたはヘテロ環部分であるか、あるいは
【化２】
2005516967.tif 000002
から選択された基であり、かつ、
Ｒ４はハロゲン、シアノ、トリフルオロメチル、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ２〜Ｃ４アルケニルまたはＣ２〜Ｃ４アルキニルであり、この場合、これらは置換されていてもよく、たとえば、ヒドロキシアルキル、ハロアルキル、シアノアルキル、カルボキシアルキル、アシルアルキル、オキシアルキル、スルホニルアルキル、スルホニルアミドアルキル、アミドアルキル、カルボニルアルキル、ウレイルアルキル等であるか、あるいはこれと生物学的に等価な部分であり、かつ、
ｍは０〜４である］のβ−セクレターゼインヒビター。
【請求項２】
式
【化３】
2005516967.tif 000003
を有する請求項１に記載のβ−セクレターゼインヒビター。
【請求項３】
式
【化４】
2005516967.tif 000004
【化５】
2005516967.tif 000005
を有するβ−セレクターゼインヒビター。
【請求項４】
ＩＣ５０≦２００μＭを有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビター。
【請求項５】
細胞中で活性である、請求項１から４までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビター。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビターを、場合により１個またはそれ以上の製薬学的に認容性のキャリア、希釈剤および／または賦形剤との混合物の形で含有する、医薬組成物。
【請求項７】
β−セクレターゼによって介在される症状を治療または予防するための、薬剤を製造するための、請求項１から５までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビターの使用。
【請求項８】
アミロイド前駆タンパク質（ＡＰＰ）からのβ−アミロイドペプチドの形成を抑制するための薬剤を製造するための、請求項１から５までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビターの使用。
【請求項９】
アルツハイマー氏病またはβ−アミロイドペプチドの病理学的蓄積によって引き起こされる任意の疾病の治療または予防のための薬剤を製造するための、請求項７または８に記載の使用。
【請求項１０】
アルツハイマー氏病、ダウン症候群、脳性アミロイド血管症、Dutch型アミロイドーシスを伴う遺伝性脳性出血（ＨＣＨＷＡ−Ｄ）およびβ−アミロイド蓄積によって特徴付けられる他の変性痴呆症を治療または予防するための薬剤の製造における、請求項１から５までのいずれか１項に記載のβ−セクレターゼインヒビターの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化銅(II)と、以下の式(A)を有する少なくとも１種の他の第二銅塩との混合物。
3Cu(OH)2・X(Y)n          （A）
式中、
（Xは、銅(II)又はカルシウム(II)イオンを示し、
Yは、クロライド又はサルフェートイオンの意味を有し、
nは、１又は２の値を有し得る整数である。）
【請求項２】
水酸化銅(II)と、酸塩化第二銅(3Cu(OH)2・CuCl2)、カルシウム第二銅酸塩化物(3Cu(OH)2・CaCl2)、三塩基性硫酸銅(3Cu(OH)2・CuSO4)、ボルドー液(3Cu(OH)2・CaSO4)から選択される少なくとも１種の他の第二銅塩とを含む、請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
水酸化銅(II)と式(Ａ)を有する第二銅塩との質量比が１：２０〜２０：１である、請求項１に記載の混合物。
【請求項４】
水酸化銅(II)と式(Ａ)を有する第二銅塩との質量比が１：１０〜１０：１である、請求項１に記載の混合物。
【請求項５】
水酸化銅(II)と式(Ａ)を有する第二銅塩との質量比が１：２〜２：１である、請求項１に記載の混合物。
【請求項６】
水酸化銅(II)及び前記式(A)を有する１種以上の第二銅塩の機械混合を含む、又は、特定の組成物の形態に製剤された単塩を混合することによる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の混合物の調製方法。
【請求項７】
塩化第二銅、硫酸銅又は酸塩化第二銅から選択される式(A)を有する第二銅塩の懸濁液の、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム又は水酸化カルシウムのような水酸化アルカリでの部分的置換を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の混合物の調製方法。
【請求項８】
水酸化銅(II)と式(A)を有する少なくとも１種の他の第二銅塩との混合物の、植物病原性真菌の調節のための使用。
3Cu(OH)2・X(Y)n          （A）
式中、
（Xは、銅(II)又はカルシウム(II)イオンを示し、
Yは、クロライド又はサルフェートイオンの意味を有し、
nは、１又は２の値を有し得る整数である。）
【請求項９】
水酸化銅(II)と、酸塩化第二銅(3Cu(OH)2・CuCl2)、カルシウム第二銅酸塩化物(3Cu(OH)2・CaCl2)、三塩基性硫酸銅(3Cu(OH)2・CuSO4)、ボルドー液(3Cu(OH)2・CaSO4)から選択される少なくとも１種の他の第二銅塩とを含む混合物の請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
植物病原性真菌が、プラシモパラ  ビチコラ、フィトフィソラ  インフェスタンス、ブレミア  ラクチュカエ、ベンチュリア  イナエクアリスである、請求項８又は９に記載の使用。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の混合物を適用することによって、作物中の植物病原性真菌を調節する方法。
【請求項１２】
適用が、植物の全ての部分の葉、茎、枝及び根に、又は植物が成長する土壌に実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の混合物と、他の活性源とを含み、前記活性源が他の殺真菌剤からなる場合、該他の殺真菌剤が、フォセチル、ベナラキシル、ベナラキシル-M(ベナラキシルのR異性体)、メタラキシル、オキサジキシル、オフレイス、マンコゼブ、マネブ、ジネブ、フェナミドン、ファモキサドン、プロシミドン、クロゾリネート、ビンクロゾリナ、イプロバリカルブ、ジメトモルフ、プロパモカルブ、プロチオカルブ、ヒメナキソール、ペンシキュロン、エトリジアゾール、ストロビルリンの類似の合成物質、キャプタン、フォルペット、ジノキャップ、硫黄、サイラム、トルクロフォスメチル、クロロタロニル、エルゴステロールの生合成のアゾール抑制剤、微生物、BAS512、IKF916、IR5885、エタボキサム、ゾキサミド、フルアジナムから選択される、殺真菌組成物。
【請求項１４】
第二銅塩に基づく混合物のパーセント含有量が、１％〜９５％で変化する、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
第二銅塩に基づく混合物のパーセント含有量が、５％〜７０％で変化する、請求項１４に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＧＦ−βスーパーファミリーのポリペプチド；および
約２．５ｋＤから約２０ｋＤの分子量を有するビニルピロリドン重合体と、水および水性緩衝溶液より成る群から選択される溶媒とを含む担体；を含有する増殖因子組成物。
【請求項２】
前記ビニルピロリドン重合体がＮ−ビニル−２−ピロリドンの重合体であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記ビニルピロリドン重合体がポビドンであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．１ｗ／ｖ％から約７０ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項５】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．１ｗ／ｖ％から約５０ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．５ｗ／ｖ％から約２．５ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項７】
前記ＴＧＦ−βスーパーファミリーのポリペプチドが骨形成タンパク質を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリペプチドが骨由来のものであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項９】
前記ポリペプチドが骨由来ポリペプチドの混合物中に含まれることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
注射用に製剤化された液体であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
筋肉注射用であることを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
約３ｃｐ未満の粘度を有する液体であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
約１．５ｃｐ未満の粘度を有する液体であることを特徴とする請求項１２記載の組成物。
【請求項１４】
ＢＭＰ−２、ＢＭＰ−３、ＢＭＰ−４、ＢＭＰ−５、ＢＭＰ−６、ＢＭＰ−７ＴＧＦ−β１、ＴＧＦ−β２、ＴＧＦ−β３およびＦＧＦ−１より成る群から選択される少なくとも２つの増殖因子を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
ＩＧＦ−１、ＥＧＦ、ＨＧＦ、ＴＧＦ−αおよびＰＤＧＦより成る群から選択される増殖因子を含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１６】
ＢＭＰ−２、ＢＭＰ−３、ＢＭＰ−７、ＴＧＦ−β１、ＴＧＦ−β２およびＦＧＦを含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
ＴＧＦ−βスーパーファミリーのタンパク質を含む増殖因子を、水および水性緩衝液より成る群から選択される溶媒を含む水性溶媒中に入れ；さらに
ビニルピロリドン重合体を前記水性溶媒に加えて、増殖因子組成物を作成する；工程を含む、増殖因子のバイオアベイラビリティを高める方法。
【請求項１８】
前記ビニルピロリドン重合体が約２．５ｋＤから約２０ｋＤの分子量を有することを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記ビニルピロリドン重合体がＮ−ビニル−２−ピロリドンの重合体であることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記ビニルピロリドン重合体がポビドンであることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．１ｗ／ｖ％から約７０ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．１ｗ／ｖ％から約５０ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２３】
前記ビニルピロリドン重合体が、約０．５ｗ／ｖ％から約２．５ｗ／ｖ％の濃度で提供されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記ＴＧＦ−βスーパーファミリーのポリペプチドが骨形成タンパク質を含むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２５】
前記ポリペプチドが骨由来のものであることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２６】
前記ポリペプチドが骨由来ポリペプチド混合物中に含まれることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２７】
前記組成物が、注射用に製剤化された液体であることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項２８】
前記組成物が筋肉注射用であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記組成物が約３ｃｐ未満の粘度を有する液体であることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項３０】
前記組成物が約１．５ｃｐ未満の粘度を有する液体であることを特徴とする請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記増殖因子が、ＢＭＰ−２、ＢＭＰ−３、ＢＭＰ−４、ＢＭＰ−５、ＢＭＰ−６、ＢＭＰ−７ＴＧＦ−β１、ＴＧＦ−β２、ＴＧＦ−β３およびＦＧＦ−１より成る群から選択される少なくとも２つの増殖因子を含むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項３２】
前記増殖因子が、ＩＧＦ−１、ＥＧＦ、ＨＧＦ、ＴＧＦ−αおよびＰＤＧＦより成る群から選択される増殖因子を含むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項３３】
前記増殖因子が、ＢＭＰ−２、ＢＭＰ−３、ＢＭＰ−７、ＴＧＦ−β１、ＴＧＦ−β２およびＦＧＦを含むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ヒト哺乳類におけるフラビウイルス感染を予防または治療するための医薬品の調製における、キメラフラビウイルスの使用。
【請求項２】
非ヒト哺乳類がウマである、請求項1記載の使用。
【請求項３】
非ヒト哺乳類がネコである、請求項1記載の使用。
【請求項４】
非ヒト哺乳類がイヌである、請求項1記載の使用。
【請求項５】
フラビウイルス感染が西ナイルウイルス感染である、請求項1記載の使用。
【請求項６】
キメラフラビウイルスが、第一のフラビウイルスのキャプシドおよび非構造タンパク質ならびに第二のフラビウイルスのprMおよびエンベロープタンパク質を含む、請求項1記載の使用。
【請求項７】
第一のフラビウイルスが黄熱病ウイルスである、請求項6記載の使用。
【請求項８】
黄熱病ウイルスが17D系統に由来する、請求項7記載の使用。
【請求項９】
第二のフラビウイルスが西ナイルウイルスである、請求項6記載の使用。
【請求項１０】
ウマにおける西ナイルウイルス感染を予防するための医薬品の調製における、黄熱病ウイルスのキャプシドおよび非構造タンパク質ならびに西ナイルウイルスのprMおよびエンベロープタンパク質を含む、キメラフラビウイルスの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経芽細胞腫の処置用医薬の製造のための式Ｉ
【化１】
2005516993.tif 000001
で示される４−（４−メチルピペラジン−１−イルメチル）−Ｎ−［４−メチル−３−（４−ピリジン−３−イル）ピリミジン−２−イル−アミノ）フェニル］−ベンズアミドまたは医薬上許容されるその塩の使用。
【請求項２】
神経芽細胞腫の処置における式Ｉの４−（４−メチルピペラジン−１−イルメチル）−Ｎ−［４−メチル−３−（４−ピリジン−３−イル）ピリミジン−２−イル−アミノ）フェニル］−ベンズアミドまたは医薬上許容されるその塩の使用。
【請求項３】
式Ｉの４−（４−メチルピペラジン−１−イルメチル）−Ｎ−［４−メチル−３−（４−ピリジン−３−イル）ピリミジン−２−イル−アミノ）フェニル］−ベンズアミドがそのモノメタンスルホン酸塩の形態である、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
（ａ）神経芽細胞腫に対して有効な量の式Ｉの４−（４−メチルピペラジン−１−イルメチル）−Ｎ−［４−メチル−３−（４−ピリジン−３−イル）ピリミジン−２−イル−アミノ）フェニル］−ベンズアミドまたは医薬上許容されるその塩、および
（ｂ）治療上有効量の第二の抗新生物剤
を含んでなる組合せ剤。
【請求項５】
第二の抗新生物薬（ｂ）が、ビンクリスチン、シスプラチン、ドキソルビシン、シクロホスファミド、フルオロウラシル、エトポシドおよびイホスファミドからなる群から選択される、請求項４に記載の組合せ剤。
【請求項６】
組合せパートナーが相乗的に有効な量で存在する、請求項４または５に記載の組合せ剤。