【事件の表示】
　特願２００８−２２５７２１「発光装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１８日出願公開、特開２０１０−　６１９５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成２０年９月３日の出願であって、平成２２年１０月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年１月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２３年８月２５日付けで審尋がなされたが、当該審尋に対する回答書は提出されなかった。
　
第２　本願発明
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
　基板の上の前記第一電極に連通する開口部を有する隔壁を形成する隔壁形成工程と、
　前記隔壁及び前記第一電極の表面を洗浄し、前記隔壁形成工程において生じたアルカリ性発光阻害要因を除去する表面洗浄工程と、
　前記表面洗浄工程後に、前記第一電極及び前記隔壁を直接覆うように酸化モリブデンを含む前記キャリア輸送層を形成するキャリア輸送層形成工程と、
　を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。」
　
２．刊行物に記載された発明
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００２−９１３４３号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】基板上に形成された第一電極とそれに対向して設けられた第二電極とを有する表示装置に関する。」
（１ｂ）「【００８８】実施例１
　厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス表面にスパッタリング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極膜が形成されたガラス基板を１２０×１００ｍｍの大きさに切断した。ＩＴＯ基板上にフォトレジストを塗布して、通常のフォトリソグラフィ法による露光・現像によってパターニングした。ＩＴＯの不要部分をエッチングして除去した後、フォトレジストを除去することで、ＩＴＯ膜を長さ９０ｍｍ、幅８０μｍのストライプ形状にパターニングした。このストライプ状第一電極は１００μｍピッチで８１６本配置されている。
【００８９】次に、ポジ型感光性ポリイミド前駆体（東レ（株）製、ＰＷ−１０００）の濃度調整を行い、スピンコート法により第一電極を形成した基板上に塗布し、ホットプレート上で１２０℃で２分間プリベークした。この膜にフォトマスクを介してＵＶ露光した後、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で露光部分のみを溶解させることで現像し、純水でリンスした。得られたポリイミド前駆体パターンをクリーンオーブン中の窒素雰囲下で１７０℃、３０分、さらに、３２０℃で６０分加熱してキュアした。このようにして、幅７０μｍ、長さ２５０μｍの開口部が幅方向にピッチ１００μｍで８１６個、長さ方向にピッチ３００μｍで２００個配置され、それぞれの開口部が図１に示したように第一電極の中央部を露出せしめ、しかも、第一電極のエッジ部分を覆うような形状の感光性ポリイミドからなる絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは約１μｍであり、体積抵抗率は少なくとも５×１０710Ωｃｍあることを確認した。絶縁層の境界部分の断面は図３に示したような順テーパー形状であり、テーパー角度θは約４５°であった。また、絶縁層の赤外吸収スペクトルを反射配置で測定したところ、１７８０ｃｍ-1付近、１３７７ｃｍ-1付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された（図１０）。
【００９０】次に、絶縁層を形成した基板を用いて有機電界発光装置の作製を行った。発光層を含む薄膜層は、抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成した。なお、蒸着時の真空度は２×１０-4Ｐａ以下であり、蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、銅フタロシアニンを１５ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカルバゾール）を６０ｎｍ、基板有効エリア全面に蒸着して正孔輸送層を形成した。」
（１ｃ）「【００９１】発光層パターニング用として、図８に模式的に示すように、マスク部分と補強線とが同一平面内に形成されたシャドーマスクを用いた。シャドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍであり、長さ６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部がピッチ３００μｍで２７２本配置されている。各ストライプ状開口部３２には、開口部と直交する幅２０μｍ、厚さ２５μｍの補強線３３が１．８ｍｍ間隔に形成されている。シャドーマスクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム３４に固定されている。
【００９２】発光層用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、ストライプ状第一電極がシャドーマスクのストライプ状開口部の中心に位置し、補強線が絶縁層上に位置し、かつ補強線と絶縁層が接触するように配置される。シャドーマスクは膜厚の厚い絶縁層と接触して、先に形成した有機層とは接触しないので、マスク傷が防止される。この状態で０．３重量％の１，３，５，７，８−ペンタメチル−４，４−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（ＰＭ５４６）をドーピングした８−ヒドロキシキノリン−アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を２１ｎｍ蒸着し、緑色発光層をパターニングした。
【００９３】次に、シャドーマスクを１ピッチ分ずらした位置の第一電極パターンに位置合わせして、１重量％の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュロリジルスチリル）ピラン（ＤＣＪＴ）をドーピングしたＡｌｑ３を１５ｎｍ蒸着して、赤色発光層をパターニングした。
【００９４】さらにシャドーマスクを１ピッチ分ずらした位置の第一電極パターンに位置合わせして、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２０ｎｍ蒸着して、青色発光層をパターニングした。緑色、赤色、青色それぞれの発光層は、ストライプ状第一電極の３本ごとに配置され、第一電極の露出部分を完全に覆っている。」
（１ｄ）「【００９５】次に、ＤＰＶＢｉを３５ｎｍ、Ａｌｑ３を１０ｎｍ、基板有効エリア全面に蒸着した。この後、薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング（膜厚換算量０．５ｎｍ）した。
【００９６】第二電極パターニング用として、図９に模式的に示すように、マスク部分の一方の面と補強線との間に隙間が存在する構造のシャドーマスクを用いた。シャドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは１００μｍであり、長さ１００ｍｍ、幅２５０μｍのストライプ状開口部３２がピッチ３００μｍで２００本配置されている。マスク部分の上には、幅４０μｍ、厚さ３５μｍ、対向する二辺の間隔が２００μｍの正六角形構造からなるメッシュ状の補強線３３が形成されている。隙間の高さはマスク部分の厚さと等しく１００μｍである。シャドーマスクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム３４に固定されている。
【００９７】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成した。なお、蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ以下であり、蒸着中は２つの蒸着源に対して基板を回転させた。発光層のパターニングと同様に、第二電極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着させ、基板後方には磁石を配置した。この際、絶縁層がマスク部分の位置と一致するように両者を配置する。この状態でアルミニウムを２４０ｎｍの厚さに蒸着して、第二電極をパターニングした。第二電極は、間隔をあけて配置された複数のストライプ状第一電極と直交する配置で、間隔をあけて配置されたストライプ状にパターニングされている。
【００９８】本基板を蒸着機から取り出し、ロータリーポンプによる減圧雰囲気下で２０分間保持した後、露点−９０℃以下のアルゴン雰囲気下に移した。この低湿雰囲気下にて、基板と封止用ガラス板とを硬化性エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。
【００９９】このようにして幅８０μｍ、ピッチ１００μｍ、本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一電極上に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅２５０μｍ、ピッチ３００μｍのストライプ状第二電極が２００本配置された単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。赤、緑、青の３つの発光領域が１画素を形成するので、本発光装置は３００μｍピッチで２７２×２００画素を有する。絶縁層が第一電極を露出せしめる部分のみが発光するので、１つの発光領域は幅７０μｍ、長さ２５０μｍの長方形である。」
　
　上記各記載を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合的に勘案すると、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「無アルカリガラス表面にスパッタリング蒸着法によっＩＴＯ透明電極膜が形成されたＩＴＯ基板上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ法による露光・現像によってパターニングし、ＩＴＯの不要部分をエッチングして除去した後、フォトレジストを除去することで、ＩＴＯ膜をパターニングした第一電極を形成し、
　ポジ型感光性ポリイミド前駆体をスピンコート法により第一電極を形成した基板上に塗布し、プリベークし、この膜にフォトマスクを介してＵＶ露光した後、ＴＭＡＨ水溶液で露光部分のみを溶解させることで現像し、純水でリンスし、開口部が第一電極の中央部を露出せしめ、しかも、第一電極のエッジ部分を覆うような形状の感光性ポリイミドからなる絶縁層を形成し、
　次に、絶縁層を形成した基板に、銅フタロシアニンを１５ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカルバゾール）を６０ｎｍ、基板有効エリア全面に抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって蒸着して正孔輸送層を形成し、
　発光層を第一電極の露出部分を完全に覆うように蒸着し、
　第二電極を抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成する、
　有機電界発光装置の作製方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用例２
　同じく、特開２００５−３５２１３３号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
　
（２ａ）「【０００１】
　本発明はポリイミド系コーティング膜の製造方法及びポリイミド系コーティング膜に関するものである。
【背景技術】
　【０００２】
　従来、半導体などの各種電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜にはポリイミド系樹脂が用いられている。・・・
・・・ポジプロセスのパターニングの形成方法としては、（1）ポリイミド系コーティング膜組成物を塗布、プリベーク処理をする工程。（2）フォトレジストを塗布、フォトレジストのプリベーク、露光を行う工程。（3）アルカリ系水溶液またはアルカリ現像液で現像、パターン形成を行った後、水でリンス洗浄をする工程。（4）有機溶剤でフォトレジストをはく離する工程。（5）最後にイミド化を完了するために150〜400℃の高温でファイナルキュアを行う工程から構成されていることが知られている。」
（２ｂ）「【０００３】
　ところが、一般式（I）、(II)、(III)または(IV)で示されるジアミンを原料の少なくとも一部として用いて得られるポリイミド系コーティング膜組成物は、長鎖ジアミンの影響によって酸濃度が低くなるため、ウェットエッチングが困難であった。またウエットエッチングを行っても良好なパターン形成を得るためには長時間のアルカリ現像をする必要があった。この時水洗浄だけでは、アルカリ成分が充分に除去できず残存してしまうため、レジスト剥離性、機械的強度、基板との密着性に課題があった。ポジプロセスでは、ポリアミド酸のプリベーク膜をアルカリ系水溶液またはアルカリ現像液で現像、水洗浄をする工程が存在するが、アルカリが残存するとプリベーク膜中のアミド結合が加水分解により低分子量化されるため、大きく影響していると推定される。」
（２ｃ）「【０００４】
　本発明は次の発明に関する。
　<１>　樹脂組成物を基板上に塗布、加熱してなるコーティング膜に、フォトレジストを塗布、乾燥、露光、アルカリ現像してパターン形成した後、残存するアルカリ溶液の溶質を酸性水溶液で中和洗浄、水洗浄して除去することを特徴とするポリイミド系コーティング膜の製造方法。
・・・」
（２ｄ）「【００２３】
　実施例１
　前記合成例１から得たポリアミド酸ワニス（Ａ）をシリコン基板上にスピナー塗布し、ホットプレート上で115℃2分間プリベークを行った。プリベーク膜の膜厚は5μmであった。この後ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製“OFPR-5000”）をスピナー塗布し、ホットプレート上で90℃90秒間プリベークを行った。キャノン（株）製露光機PLA-601Fを用いてフォトマスクを介して露光した後、2．38％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）水溶液を用いて、ディップ法で23℃、5分間現像及びプリベーク膜のエッチングを行った後、イオン交換水で23℃、1分間洗浄した。その後プリベーク膜を2％酢酸水溶液を用いてディップ法で23℃、2分間中和洗浄、イオン交換水で23℃、4分間洗浄した。更にn-ブチルアセテートを用いてフォトレジストを剥離した。パターニングされたプリベーク膜にはクラックや膜はがれが入ることなく良好なパターニングが得られた。その後窒素雰囲気下で200℃30分間350℃60分間ファイナルキュアを行い、3μmのポリイミド膜を得た。フォトレジスト剥離後のプリベーク膜の表面状態及び得られたポリイミドファイナルキュア膜をプレッシャークッカーテストで121℃/2気圧下で1000時間密着性評価結果をまとめて表1に示す。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
（あ）引用発明の「ＩＴＯ膜をパターニングした第一電極」、「正孔輸送層」、「絶縁層」及び「第二電極」は、それぞれ、本願発明の「第一電極」、「キャリア輸送層」、「隔壁」及び「第二電極」に相当する。また「有機電界発光装置の作製方法」は「発光装置の製造方法」に相当する。
（い）引用発明において「第一電極」、「正孔輸送層」、「発光層」及び「第二電極」が、この順に積層されることは明らかであり、これらの層から構成される「有機電界発光装置」は、本願発明の「第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光素子を備える発光装置」に相当する。
（う）引用発明の「開口部が第一電極の中央部を露出せしめ、しかも、第一電極のエッジ部分を覆うような形状の感光性ポリイミドからなる絶縁層を形成」する工程は、本願発明の「基板の上の前記第一電極に連通する開口部を有する隔壁を形成する隔壁形成工程」に相当する。
（え）引用発明の「正孔輸送層」は「基板有効エリア全面に抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって蒸着」されることから、「第一電極」及び「絶縁層」を直接覆うように形成されることは明らかである。したがって、引用発明の「絶縁層を形成した基板」を「純水でリンスし」た後に「正孔輸送層を形成」する工程は、本願発明と「隔壁及び第一電極の表面を洗浄し」、「表面洗浄工程後に、第一電極及び隔壁を直接覆うようにキャリア輸送層を形成するキャリア輸送層形成工程」である点で共通する。
　
　したがって両者は、
「第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
　基板の上の前記第一電極に連通する開口部を有する隔壁を形成する隔壁形成工程と、
　前記隔壁及び前記第一電極の表面を洗浄する表面洗浄工程と、
　前記表面洗浄工程後に、前記第一電極及び前記隔壁を直接覆うように前記キャリア輸送層を形成するキャリア輸送層形成工程と、
　を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
（相違点）
　本願発明は、キャリア輸送層が酸化モリブデンを含み、表面洗浄工程が隔壁形成工程において生じたアルカリ性発光阻害要因を除去するものであるのに対して、引用発明は、キャリア輸送層が酸化モリブデンを含まず、表面洗浄工程が隔壁形成工程において生じたアルカリ性発光阻害要因を除去するものではない点。
　
　上記相違点について検討する。
　本願発明や引用発明のように第一電極上に少なくとも一層以上のキャリア輸送層を有し、そのキャリア輸送層上に第二電極を有する発光素子を備える発光装置において、キャリア輸送層に酸化モリブデンを含むものを用いることは、ごく普通に行われている周知技術（特開２００７−３１１７５２号公報段落【００８３】〜【００８４】参照）である。引用発明の正孔輸送層としてそのようなキャリア輸送層を用いることに、格別の阻害要因も技術的困難性もない。
　また、酸化モリブデンのような遷移金属酸化物がアルカリ成分によって溶解ないし変性し易いことは、当業者間の技術常識である。そして、そのことが発光装置の発光の阻害要因となるであろうことは、当業者であれば、当然予測可能な事項である。
　一方、露光・現像を伴う素子の製造方法において、アルカリ性の現像液を用いた場合に、素子表面に残存したアルカリ成分が製造された素子の特性に悪影響を及ぼすことは、当業者によく知られた技術常識（上記引用例２の摘記事項（２ｂ）参照）である。
　そして、それを防止するために、表面洗浄工程においてアルカリ成分が残留しないように中和洗浄を行うことも、ごく普通に行われている周知技術（上記引用例２の摘記事項（２ｄ）参照）である。
　そうであるから、引用発明の正孔輸送層として酸化モリブデンを含むキャリア輸送層を用いる場合に、残留アルカリ成分を除去すべく表面洗浄工程において中和洗浄を行う等の方法により、表面洗浄工程が隔壁形成工程において生じたアルカリ性発光阻害要因を除去するものとすることは、当業者が適宜なし得る事項である。
　してみると、引用発明に上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　また、本願発明の作用・効果も引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび  
　以上のとおりであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願発明は特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。