【事件の表示】
　特願２００６−　９１７２６「マイクロストリップ伝送線路」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６７２２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年３月２９日の出願であって、平成２０年１２月１１日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年２月１３日付けで手続補正がされたが、平成２２年４月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月８日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。 
 　 
第２　補正却下の決定 
 ［補正却下の決定の結論］ 
 　　平成２２年７月８日付けの手続補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
 １．本願発明と補正後の発明 
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は補正前の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された 
　 
　「接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、
　この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、
　この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及び前記基板の上に設けられた金属導電体層と、を有し、
　前記抵抗体層と前記金属導電体層は前記接続される部分においてのみ重ねられた構造を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路。」 
 　 
という発明（以下、「本願発明」という。）を、 
　 
　「接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、
　この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、
　この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及びこの部分と一体に同一金属で一度に前記基板の上に設けられた金属導電体層と、を有し、
　前記抵抗体層と前記金属導電体層は前記接続される部分においてのみ重ねられた構造を有することを特徴とするマイクロストリップ伝送線路。」 
　
 という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。 
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について 
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された、「基板の上に設けられた金属導電体層」に関し、「この部分と一体に同一金属で一度に」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び特許法第１７条の２第４項第２号（補正の目的）の規定に適合している。 
　
３．独立特許要件について 
　本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。 
　
（１）補正後の発明 
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で補正後の発明として認定したとおりである。 
　
（２）引用発明 
　原審の拒絶理由に引用された特開平９−２７５００１号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜抵抗を内蔵した高周波機器用の薄膜回路基板に関する。」（２頁１欄） 
　
ロ．「【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１を参照して説明する。符号１１は、セラミックやガラスなどで形成された誘電体基板である。そして、誘電体板基板１１表面に抵抗Ｒが一部に接続された伝送線路が形成される。このとき、例えば、抵抗Ｒを構成するＮｉＣｒ、Ｔａ2 Ｎ等の導電率の低い材料の膜が、誘電体板基板１１の表面全体に蒸着などの方法によって単層あるいは多層に形成され、抵抗層が形成される。そして、エッチング技術で不要な抵抗層を除去し、抵抗Ｒが接続される部分の薄膜抵抗層１２が残される。その後、抵抗Ｒ部分に薄膜抵抗層１２が残された誘電体板基板１１表面に、Ｔｉのような誘電体基板１１との接着性のよい材料の膜を、蒸着などの方法で単層あるいは多層に形成し、導電層を形成する。そして、誘電体板基板１１表面の導電層をエッチング技術でパターン化し、下層薄膜導電層１３を構成する。このとき、下層薄膜導電層１３が一部で切断され、その切断部分に薄膜抵抗層１２が接続されるようにする。
【００１８】その後、さらに、薄膜抵抗層１２や下層薄膜導電層１３が形成された誘電体基板１１表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の下層薄膜導電層１３より導電率が高い材料の膜を、蒸着などの方法で単層あるいは多層に導電層を形成する。そして、薄膜抵抗層１２の端部や下層薄膜導電層１３以外の導電層をエッチング技術でパターン化し、上層薄膜導電層１４を構成する。このとき、下層薄膜導電層１３と上層薄膜導電層１４の２層構造の伝送線路が構成される。なお、上層薄膜導電層１４は、薄膜抵抗層１２上で切断された形になり、この部分に、薄膜抵抗層１２即ち抵抗Ｒが接続される。
【００１９】なお、誘電体板基板１１の裏面は、Ｔｉのような誘電体基板１１との接着性のよい材料の導電層１５がまず全面に形成され、その後、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導電率のより高い材料の導電層１６が、下層の導電層１５上に形成される。」（３頁３〜４欄）
　
　上記引用例の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記摘記事項イ．、ロ．の【００１７】の記載、及び図１によれば、薄膜回路基板は、誘電体基板（１１）を有している。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１９】の記載、及び図１によれば、前述の誘電体基板（１１）の裏面に金属から成る導電層（１５）及び導電層（１６）が設けられている。ここで、金属から成る導電層（１５）及び導電層（１６）は、接地されることは自明である。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１７】における「抵抗Ｒを構成するＮｉＣｒ、Ｔａ2 Ｎ等の導電率の低い材料の膜が、誘電体板基板１１の表面全体に蒸着などの方法によって単層あるいは多層に形成され、抵抗層が形成される。そして、エッチング技術で不要な抵抗層を除去し、抵抗Ｒが接続される部分の薄膜抵抗層１２が残される。」との記載によれば、薄膜回路基板は、誘電体基板（１１）の表面の抵抗を必要とする部分に設けられた薄膜抵抗層（１２）を有している。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１７】における「抵抗Ｒ部分に薄膜抵抗層１２が残された誘電体板基板１１表面に、Ｔｉのような誘電体基板１１との接着性のよい材料の膜を、蒸着などの方法で単層あるいは多層に形成し、導電層を形成する。そして、誘電体板基板１１表面の導電層をエッチング技術でパターン化し、下層薄膜導電層１３を構成する。」との記載、及び図１によれば、薄膜回路基板は、誘電体基板（１１）の表面に設けられた金属から成る下層薄膜導電層（１３）を有している。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１８】における「薄膜抵抗層１２や下層薄膜導電層１３が形成された誘電体基板１１表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の下層薄膜導電層１３より導電率が高い材料の膜を、蒸着などの方法で単層あるいは多層に導電層を形成する。そして、薄膜抵抗層１２の端部や下層薄膜導電層１３以外の導電層をエッチング技術でパターン化し、上層薄膜導電層１４を構成する。このとき、下層薄膜導電層１３と上層薄膜導電層１４の２層構造の伝送線路が構成される。なお、上層薄膜導電層１４は、薄膜抵抗層１２上で切断された形になり、この部分に、薄膜抵抗層１２即ち抵抗Ｒが接続される。」との記載、及び図１によれば、金属から成る上層薄膜導電層（１４）は、薄膜抵抗層（１２）上で切断された形になり、この部分に、薄膜抵抗層（１２）（抵抗体）が接続される。すなわち、薄膜回路基板は、薄膜抵抗層（１２）の抵抗体として機能する部分以外の薄膜抵抗層（１２）に接続される部分に設けられた金属から成る上層薄膜導電層（１４）を有している。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１８】における「下層薄膜導電層１３と上層薄膜導電層１４の２層構造の伝送線路が構成される。」との記載、及び図１によれば、前述の金属から成る下層薄膜導電層（１３）及び前述の金属から成る上層薄膜導電層（１４）は、全体として、２層構造の伝送線路である。
　また、図１によれば、薄膜回路基板は、薄膜抵抗層（１２）と前述の２層構造の伝送線路の上層薄膜導電層（１４）が前述の接続される部分において重ねられた構造を有していることが見て取れる。
　
　したがって、上記引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
　「接地される金属から成る導電層（１５）及び導電層（１６）が裏面に設けられた誘電体基板（１１）と、
　この誘電体基板（１１）の表面の抵抗を必要とする部分に設けられた薄膜抵抗層（１２）と、
　この薄膜抵抗層（１２）の抵抗体として機能する部分以外の前記薄膜抵抗層（１２）に接続される部分に設けられた金属から成る上層薄膜導電層（１４）及び前記誘電体基板（１１）の表面に設けられた金属から成る下層薄膜導電層（１３）で構成された２層構造の伝送線路と、を有し、
　前記薄膜抵抗層（１２）と前記２層構造の伝送線路の上層薄膜導電層（１４）は前記接続される部分において重ねられた構造を有する薄膜回路基板。」
　
（３）対比・判断 
　補正後の発明と引用発明とを対比する。 
ａ．引用発明の「金属から成る導電層（１５）及び導電層（１６）」、「誘電体基板（１１）」及び「薄膜抵抗層（１２）」は、補正後の発明の「金属層」、「絶縁体又は誘電体の基板」及び「抵抗体層」にそれぞれ対応する構成であり実質的な差異はない。
ｂ．引用発明の「表面」は、「上」と同義である。
ｃ．引用発明の「この薄膜抵抗層（１２）の抵抗体として機能する部分以外の前記薄膜抵抗層（１２）に接続される部分に設けられた金属から成る上層薄膜導電層（１４）及び前記誘電体基板（１１）の表面に設けられた金属から成る下層薄膜導電層（１３）で構成された２層構造の伝送線路」と、補正後の発明の「この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及びこの部分と一体に同一金属で一度に前記基板の上に設けられた金属導電体層」とは、上記ａ．及びｂ．の対比を考慮すれば、いずれも、「この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及び前記基板の上に設けられた特定の金属導電体層」という点で一致する。
ｄ．引用発明の「前記薄膜抵抗層（１２）と前記２層構造の導電線路の上層薄膜導電層（１４）は前記接続される部分において」と、補正後の発明の「前記抵抗体層と前記金属導電体層は前記接続される部分において」とは、上記ａ．及びｃ．の対比を考慮すれば、いずれも、「前記抵抗体層と前記特定の金属導電体層の一部は前記接続される部分において」という点で一致する。
ｅ．引用発明の「薄膜回路基板」は、「マイクロストリップ伝送線路」の一種である。
　
 　したがって、補正後の発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
 　 
（一致点） 
　「接地される金属層が裏面に設けられた絶縁体又は誘電体の基板と、
　この基板の上の抵抗を必要とする部分に設けられた抵抗体層と、
　この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及び前記基板の上に設けられた特定の金属導電体層と、を有し、
　前記抵抗体層と前記特定の金属導電体層の一部は前記接続される部分において重ねられた構造を有するマイクロストリップ伝送線路。」 
　
（相違点１）
　「特定の金属導電体層」に関し、
　補正後の発明は、「この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及び『この部分と一体に同一金属で一度に』前記基板の上に設けられた金属導電体層」であるのに対し、
　引用発明は、「この薄膜抵抗層（１２）の抵抗体として機能する部分以外の前記薄膜抵抗層（１２）に接続される部分に設けられた金属から成る上層薄膜導電層（１４）及び前記誘電体基板（１１）の表面に設けられた金属から成る下層薄膜導電層（１３）で構成された２層構造の伝送線路」である点。
　
（相違点２）
　「前記抵抗体層と前記特定の金属導電体層の一部は前記接続される部分において重ねられた構造」に関し、 
　補正後の発明は、「前記抵抗体層と前記金属導電体層は前記接続される部分においてのみ重ねられた構造」であるのに対し、
　引用発明は、「前記薄膜抵抗層（１２）と前記２層構造の伝送線路の上層薄膜導電層（１４）は前記接続される部分において重ねられた構造」である点。
　
　そこで、まず、上記相違点１について検討する。 
　回路基板の伝送路の技術分野において、金属導電体層を一体に同一金属で一度に基板の上に設け１層構造とすることは、例えば、特開平１−２３５２９１号公報（４頁右上欄１８行〜左下欄４行、４頁右下欄１７行〜５頁左上欄６行、第５図）、特開平８−２５０３０２号公報（段落３、３５、図４（ｂ））、特開平１−１７９３５３号公報（１頁左下欄１７行〜右下欄４行、第４図）に開示されるように周知であり、引用発明に周知技術を採用することに特段の阻害要因は見あたらないから、補正後の発明のように「この抵抗体層の抵抗体として機能する部分以外の前記抵抗体層に接続される部分及び『この部分と一体に同一金属で一度に』前記基板の上に設けられた金属導電体層」とすること（相違点１）は当業者が容易に成し得ることである。また、その際、補正後の発明のように「前記抵抗体層と前記金属導電体層は前記接続される部分においてのみ重ねられた構造」となること（相違点２）は当然のことである。
　
　そして、補正後の発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 
 　 
　以上のとおり、補正後の発明は引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
４．結語 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　 
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成２２年７月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は、上記「第２　補正却下の決定　１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。 
　 
２．引用発明 
　引用発明は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項中の「（２）引用発明」の項で認定したとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明は上記補正後の発明から当該本件補正に係る限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成に当該本件補正に係る限定を付加した補正後の発明が、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項で検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、本願発明も同様の理由により、容易に発明できたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。