【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属被膜（４）を有する結晶性半導体プレート（３）を含み、基板（５）上に配置されている、高強度高エネルギー粒子ビーム（２）の検出用の以下の特徴を有する検出器；
−該半導体プレート（３）が、両面が金属構造（７，８）でコーティングされたダイヤモンドプレート（６）であり、
−該金属構造（７，８）が、アルミニウム及び／又はアルミニウム合金を含み、
−該金属構造（７，８）が基板（５）上の導体トラック（１０）を介して種々の電位に接続されるように配置された電極（９）を含み、
−該基板（５）が、ダイヤモンドプレート（６）によって覆われた中央オリフィス（２４）を有するセラミックプレート（１１）を含む。
【請求項２】
ダイヤモンドプレート（６）の上面の金属構造（７）と下面の金属構造（８）が、二つの非構造化連続金属層（１２，１３）を形成し、下面（３３）の金属層（１３）が、大地電位を有し、上面（３２）の金属層（１２）は、ダイヤモンドプレート（６）がマイクロメートル当たり0.5ボルトから5ボルトの範囲の電界強度を有する電位で提供されていることを特徴とする、請求項１の検出器。
【請求項３】
ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）と下面（３３）の金属構造（７，８）が非金属化周辺領域（５３）を有することを特徴とする、請求項２の検出器。
【請求項４】
ダイヤモンドプレート（６）が、その上面（３２）とその裏面（３３）に、少なくともダイヤモンドプレート（６）の厚みに相当する幅の非金属化周辺領域を有することを特徴とする、請求項１又は請求項２の検出器。
【請求項５】
ダイヤモンドプレート（６）の下面（３３）の金属構造（８）が、連続金属層（１３）を有し、ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）の金属構造（７）が、多数の顕微鏡的に小さい接触表面（１４）または金属ストリップ（２０）を有し、該接触表面（１４）または金属ストリップ（２０）が、セラミックプレート（１１）上のボンディングワイヤ（１５）及び／又は導体トラック（１６）を介して、検出器（１００，２００，３００）の外部接続部に接続されていることを特徴する、前記請求項１〜４のいずれか１項の検出器。
【請求項６】
金属構造（７，８）が金属ストリップ（２０，２１）のグリッドネットワーク（１９）を備え、ダイヤモンドプレート（６）の下面（３３）の金属ストリップ（２１）が、ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）の金属ストリップ（２０）に直角に配置されることを特徴とする、前記請求項１〜５のいずれか１項の検出器
【請求項７】
セラミックプレート（１１）は、接触接続表面（２２）を有し、該接触接続表面（２２）が同軸ケーブル（４１）を介して検出器（１００，２００，３００）の外部接続部に接続されていることを特徴とする、前記請求項１〜６のいずれか１項の検出器。
【請求項８】
検出器（１００）がキャリアフレーム（２３）を有し、該キャリアフレームの上にその検出器構成部品が固定されていることを特徴とする、前記請求項１〜７のいずれか１項の検出器。
【請求項９】
検出器（１００，２００，３００）が、大地電位におかれている検出器筐体（４３）内に配置され、セラミックプレート（１１）の金属化裏面が、導電性ゴムの弾性導電性バッファ（４８）を介して検出器筐体（４３）に電気的に接続されていることを特徴とする、前記請求項１〜８のいずれか１項の検出器。
【請求項１０】
セラミックプレート（１１）内のオリフィス（２４）が、円形またはほぼ四角形であることを特徴とする、前記請求項１から９のいずれか１項の検出器。
【請求項１１】
ダイヤモンドプレート（６）が、化学気相蒸着によって形成され、10μmから1000μmの範囲の厚み（ｄ）又は100μmから200μmの範囲の厚み（ｄ）を有する自立型多結晶ダイヤモンドプレート（６）であることを特徴とする、前記請求項１から１０のいずれか１項の検出器。
【請求項１２】
ダイヤモンドプレート（６）が、10μmから1000μmの範囲の厚み（ｄ）又は50μmから500μmの範囲の厚み（ｄ）又は100μmから200μmの範囲の厚み（ｄ）を有する自立型単結晶ダイヤモンドプレート（６）であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項の検出器。
【請求項１３】
セラミックプレート（１１）が、中間配線ラインまたは導体トラック（１０）としての印刷薄膜導体または印刷厚膜導体と、薄膜技術または厚膜技術での受動構成部品とを有することを特徴とする、前記請求項１〜１２のいずれか１項の検出器。
【請求項１４】
パルスパケット当たり105から1013個の粒子又はパルスパケット当たり107から1013個の粒子を有する高強度粒子ビームのためのビーム装置であって、請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載の検出器（１００，２００，３００）を有するビーム装置。
【請求項１５】
以下のステップを含む、金属被膜（４）を有する結晶性半導体プレート（３）を含み、基板（５）上に配置される、高強度高エネルギー粒子ビーム検出用の検出器（１）の製造方法：
−  基板プレート（２７）を用意する、
−  基板プレート（２７）上に炭素のダイヤモンド層（２８）を化学気相蒸着する、
−  ダイヤモンド層（２８）から基板プレート（２７）を除去して、自立型ダイヤモンドプレート（６）を形成する、
−  ダイヤモンドプレート（６）の上面と裏面を金属構造（７，８）でコーティングする、
−  中央オリフィス（２４）を有すると共に、接触接続表面（２２）及び／又は受動構成部品の設けられた、中間配線ラインまたは導体トラックを有するセラミックプレート（１１）を作成する、
−  両面が金属化されたダイヤモンドプレート（６）をセラミックプレート（１１）上に
取り付けて、中央オリフィス（２４）を覆う、
−  ダイヤモンドプレート（６）の金属構造（７，８）を、セラミックプレート（１１）上の導体トラック（１０）または金属層（１７）に接続する、
−  検出器構成部品をキャリアフレーム（２３）上に固定する。
【請求項１６】
基板プレート（２７）上に炭素のダイヤモンド層（２８）を化学気相蒸着するために、ガス状有機性炭素物質を使用することを特徴とする、請求項１５の方法。
【請求項１７】
ガス状物質が、水素と、体積で0.2%から2%のメタンとからなることを特徴とする、請求項１５又は請求項１６の方法。
【請求項１８】
自立型ダイヤモンド層（２８）から基板プレート（２７）を除去するためにプラズマエッチング法を使用することを特徴とする、請求項１５から請求項１７のいずれか１項の方法。
【請求項１９】
自立型ダイヤモンド層（２８）から基板プレート（２７）を除去するために化学ウェットエッチング法を使用することを特徴とする、請求項１５から請求項１８のいずれか１項の方法。
【請求項２０】
ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）と裏面（３３）を金属層（１２，１３）でコーティングするために、スパッタリング法、蒸着法、または焼結法を用いることを特徴とする、請求項１５から請求項１９のいずれか１項の方法。
【請求項２１】
ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）及び／又は裏面（３３）を金属構造（７，８）でコーティングするために、マスクを使用するスパッタリング法かマスクを使用する蒸着法を用いることを特徴とする、請求項１５から請求項２０のいずれか１項の方法。
【請求項２２】
ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）と裏面（３３）を金属構造（７，８）でコーティングするために、最初に金属層（１２，１３）を施し、それに続いて該金属層をフォトリソグラフィによって構造化することを特徴とする、請求項１５から請求項２１のいずれか１項の方法。
【請求項２３】
ダイヤモンドプレート（６）の上面（３２）と裏面（３３）を金属ストリップパターン（２０，２１）でコーティングするために、最初に金属層（１２，１３）を施し、それに続いて該金属層（１２，１３）に絶縁チャンネルまたは縦溝をフォトリソグラフィック手段によって導入することを特徴とする、請求項１５から請求項２２のいずれか１項の方法。
【請求項２４】
セラミックプレート（１１）上に、中間配線ラインまたは導体トラック（１０）、接触接続表面（２２）、及び／又は受動構成部品を被着するために、薄膜法か厚膜法を用いることを特徴とする、請求項１５から請求項２３のいずれか１項の方法。
【請求項２５】
ダイヤモンドプレート（６）の金属構造（７，８）をセラミックプレート（１１）の上の中間配線ラインまたは導体トラック（１０）に接続するためにボンディング法を用いることを特徴とする、請求項１５から請求項２４のいずれか１項の方法。
【請求項２６】
検出器構成部品をキャリアフレーム（２３）上に固定するために金属製保持フレーム（３４）を設け、同時に、該保持フレームをセラミックプレート（１１）上の導体トラックを介して大地電位に接続することを特徴とする、請求項１５から請求項２５のいずれか１項の方法。
【請求項２７】
パルスパケット当たり105から1013粒子のビーム強度、又はパルスパケット当たり107から1013粒子のビーム強度を有するビーム装置の高強度粒子ビームの検出における請求項１から請求項１４のいずれか１項の検出器の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の更なる実施形態において、ダイヤモンドプレートは、化学気相蒸着によって形成され、10μmから1000μmの範囲、好ましくは10μmから500μmの範囲、さらに好ましくは50μmから200μmの範囲、より好ましくは100μmから200μmの範囲の厚みを有する自立型多結晶ダイヤモンドプレートである。ダイヤモンドは極めて強く硬い材料であるので、10μmの厚みのプレートレットまたはプレートでさえも確実に自立型となるように製造することができるため、10μmから500μmの厚みの範囲が達成可能である。金属被膜または金属構造を加えるために、そのようなダイヤモンドプレートの両面を磨くことができるので、完全に平らな表面が作られ、その場合、確実に上面と下面の平面が互いに平行となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
しかしながら、この実施形態におけるダイヤモンドプレートの多結晶質性は、ダイヤモンドプレートの中に発生する結晶粒界の故に、信号の均質性を制限する。従って、本発明の更なる実施形態においては、10μmから1000μmの範囲、好ましくは50μmから500μmの範囲、さらに好ましくは50μmから200μmの範囲、より好ましくは100μmから200μmの範囲の厚みを有する自立型単結晶ダイヤモンドプレートが使用される。ダイヤモンドプレートの各面上に適切に構造化された電極を有する検出器の場合、ビーム強度及び／又はビームプロフィールを測定できるのみならず、粒子ビームの衝突場所とは関係なく時間にわたってのビーム分布の測定を行うことが可能である。また、そのような種類のダイヤモンドプレートの場合、前述のcm2当たり25600測定点の測定分解能を有利に達成できる。そのため、単結晶ダイヤモンドプレートは、数センチメートルの周辺長さ、好ましくは、約5×5mm2から約15×15mm2までの面積に対応する2cmから6cmまでの周辺長さを有することができる。