【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７４８８１８号発明「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７４８８１８号（以下「本件特許」という。平成５年５月３１日出願、平成１０年２月２０日登録、請求項の数は３である。）の請求項３に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
　本件審判の経緯は、以下のとおりである。
　
平成２３年　９月１４日　審判請求
平成２３年１２月１２日　審判事件答弁書提出（被請求人）
平成２４年　３月１９日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　３月１９日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　４月　２日　口頭審理
平成２４年　４月１６日　上申書提出（被請求人）
平成２４年　５月１８日　上申書提出（請求人）
　
第３　本件発明
　本件特許の請求項３に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
「基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され、ｐ電極とｎ電極とが同一面側に形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記ｐ電極は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とからなり、
前記ｎ電極は、ほぼ矩形をなすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層において、前記台座電極と対角をなす位置で、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された、ワイヤーボンディング用の電極からなり、  前記透光性電極が、対角の位置にある台座電極とｎ電極との間で、かつ発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほぼ全面にあり、台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法 
　１　無効理由１
　本件発明は、甲第１号証（特開平３−２１８６２５号公報）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明についての特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　２　無効理由２
　本件発明は、甲第２号証（特開平３−１８３１７３公報）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明についての特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　 　  
　３　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
　
甲第１号証　特開平３−２１８６２５号公報
甲第２号証　特開平３−１８３１７３公報
甲第３号証　特開平５−１３８１２号公報
甲第４号証　特開昭６３−３１１７７７号公報
甲第５号証　特開昭６２−１０１０８９号公報
甲第６号証　特開平５−１２９６５８号公報
甲第７号証　特開昭６２−２８７６７５号公報
甲第８号証　特開昭６２−２６７５号公報
甲第９号証　実願昭６１−１５５３７５号（実開昭６３−６１１６１号）のマイクロフィルム
甲第１０号証　実開平２−８８２３６号公報
甲第１１号証　Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）ｐｐ．Ｌ９−Ｌ１１　Ｐａｒｔ２．Ｎｏ．１Ａ／Ｂ、１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１９９３　「Ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮ　Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｂｌｕｅ−Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ」
甲第１２号証　特開平４−２０９５７７公報
甲第１３号証　平成４年電気学会電子・情報・システム部門第２回大会講演論文集４月８日「ＧａＮ青色ＬＥＤ」
（以上、審判請求書に添付して提出。）
甲第１４号証　特開平３−２１０８４号公報
甲第１５号証　特開平３−２３４０６９号公報
甲第１６号証　特開昭６３−２４９３８４号公報
甲第１７号証　特開平３−２４５５７９号公報
甲第１８号証　特開平２−２５７６７９号公報
甲第１９号証　応用物理　第６０巻第２号（１９９１年２月１０日発行）１６３〜１６６頁　「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」
甲第２０号証　ＥＸＴＥＮＤＥＤ　ＡＢＳＴＡＣＴＳ（ＥＡ−２１）　「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，Ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｌａｙｅｒｅｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」　１６５頁〜１６８頁　「ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ　ＡＮＤ　ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ　ＯＦ　ＧａＮ　Ｐ−Ｎ　ＪＵＮＣＴＩＯＮ　ＬＥＤ」
甲第２１号証　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．２８　Ｎｏ．１２　ｐｐ．Ｌ２１１２−Ｌ２１１４　「Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｔｒｅａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｌｏｗ−Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ（ＬＥＥＢＩ）」
甲第２２号証　固体物理　１９９０　Ｖｏｌ．２５　Ｎｏ．６　３５頁〜４１頁　「ＧａＮ青色光・紫外線発光素子」
甲第２３号証　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，ＳＰＩＥ−Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２８　Ｏｃｔｏｂｅｒ　「Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｃｏｎｃｅｐｔｓ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｆｏｒ　Ｎｏｖｅｌ　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｉ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ」　１３８頁〜１４９頁　「Ｈｉｇｈ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ＵＶ　ａｎｄ　ｂｌｕｅ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ＭＯＶＰＥ　ａｎｄ　ｌｏｗ　ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ」
甲第２４号証　Ｉｎｓｔ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｎｆ．Ｓｅｒ．Ｎｏ．１０６：Ｃｈａｐｔｅｒ　１０　７２５頁〜７３０頁　「ＵＶ　ａｎｄ　ｂｌｕｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｆｒｏｍ　Ａｌ／ＧａＮ：Ｍｇ／Ｇａｎ　ＬＥＤ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｌｏｗ−ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ（ＬＥＥＢＩ）」
甲第２５号証　特開平３−１７１６７９号公報
甲第２６号証　特開昭５６−８１９８６号公報
甲第２７号証　特開昭６１−５５８５号公報
甲第２８号証　特開昭６１−６８８０号公報
（以上、口頭審理陳述要領書に添付して提出。）
甲第２９号証　特開平６−３３８６３２号公報
甲第３０号証　登録実用新案第３０２７６７６号公報
（以上、上申書に添付して提出。）
　
第５　被請求人の主張の概要
　１　無効理由１に対して
　本件発明は、甲第１号証の発明に、甲第２号証ないし甲第６号証に記載の透光性電極と、甲第７号証ないし甲第１０号証に記載の対角配置された２つの電極とを適用することにより容易に得られるものではない。
　
　２　無効理由２に対して
　本件発明は、甲第２号証に記載された発明に、甲第１号証及び甲第１１号証ないし甲第１３号証に記載されたｐ型層を除去してｎ型層の一部を露出させること、甲第７号証ないし甲第１０号証に記載の対角配置された２つの電極を適用することにより容易に得られるものではない。
　
　３　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、次のものである。
　
乙第１号証　特開平４−１９９７５２号公報
　
第６　無効理由についての当審の判断
　１　無効理由１について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平３−２１８６２５号公報）には、以下の記載がある。
　
（ア）「本発明によれば、量産性および膜厚制御性に優れる有機金属化合物気相成長法を用いているためｐ−ｎ接合による発光素子の作製は容易である。第１図に示すように、サファイア基板１上に、故意に不純物を添加しない（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮの単結晶層（ｎ形、０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１））２を形成し、次いでアクセプタ、本例ではＭｇを添加した（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３を形成する。しかるのちそのＭｇ添加層３を本発明により低速電子線照射した後、その一部を反応性イオンエッチングなどの方法により除去し、
ｎ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層を表出させる。次に表出した単結晶層２および３のそれぞれに金属電極４Ａ，４Ｂを形成し、それら各々にリード線５Ａ，５Ｂを接続して、発光ダイオードを形成する。」（４頁左下欄３行〜下から２行）
　
（イ）「第１図は、本発明を利用したｐ−ｎ接合形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）発光ダイオードの概略構成図、
・・・
１・・・サファイア基板
２・・・故意に不純物を添加していないｎ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層
３・・・Ｍｇ添加した低速電子線照射処理された（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層
４Ａ，４Ｂ・・・電極
５Ａ，５Ｂ・・・リード線」（４頁右下欄下から２行〜５頁左上欄末行）
　ここで、第１図は次のものである。
　
　イ　甲第２号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開平３−１８３１７３公報）には、以下の記載がある。
　
（ア）「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子１００は、下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている。」（２頁左上欄１３行〜右上欄３行）
　
（イ）「本発明において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）等が挙げられる。」（２頁左下欄７行〜１２行）
　
（ウ）「本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられる。」（３頁左上欄２行〜９行）
　
（エ）「本発明において使用される第二導電層は、基体１０１側に光を放出する場合には透光性であっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」（４頁右下欄下から２行〜５頁左上欄３行）
　
（オ）「本発明において使用されるコンタクト電極は、リード線と、第一または第二導電層との間の電気的導通性をよくする材料が望ましい。その様な材料として、Ａｇ，Ｐｔ，Ａｌ等が挙げられる。コンタクト電極は、第一または第二の導電層上にマスクを置いてこれらの金属を蒸着させることによって形成することが可能である。」（５頁左上欄４行〜１０行）
　ここで、第１図は次のものである。
　
　ウ　甲第３号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開平５−１３８１２号公報）には、次の記載がある。
　
「【請求項１】ｎ型炭化珪素基板の上にｎ型炭化珪素層及びｐ型炭化珪素層がこの順に形成され、該炭化珪素基板側から該ｐ型炭化珪素層へ向かって発光し、かつ、ｐ型炭化珪素層に対して形成したオーム性電極が光透過性のある金属膜からなる発光ダイオード。」、
「【請求項４】前記金属膜の上に、該金属膜より面積の小さい第２の金属膜が形成された請求項１、請求項２又は請求項３のいずれか１つに記載の発光ダイオード。」、
「【００１２】
【作用】本発明にあっては、炭化珪素基板側から該ｐ型炭化珪素層へ向かって発光するように構成している。よって、基板側をマウントさせることができる。
【００１３】また、ｐ型炭化珪素層の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜からなっているので、このオーム性電極の面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができ、また、これにより従来必要であった厚肉の低抵抗ｐ型炭化珪素層を不要にできる。」、
「【００１５】図１は本実施例の発光ダイオードの構造を示す断面図である。
　この発光ダイオードは、ｐｎ接合型の青色発光タイプであり、禁制帯幅が約３．０１Ｖである６Ｈ型の単結晶からなるｎ型炭化珪素基板１上に、単結晶のｎ型炭化珪素層２および単結晶のｐ型炭化珪素層３がこの順に形成されている。上記ｎ型炭化珪素基板１の表面（図の下面）には、例えばＮｉからなる狭幅のｎ側オーム性電極６が４条平行に設けられている。オーム性電極６の形成箇所は、基板１の下面の対向する２端縁部と、その内側の２箇所である。
【００１６】一方、ｐ型炭化珪素層３の上面には、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜７がほぼ全面に形成され、この金属膜７の上の中央部にはアルミニウム電極８が設けられている。」、
「【００２４】次いで、ｐｎ接合部の形成された基板１を反応管２１から取り出し、ｐ型炭化珪素層３上に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ｔｉ）膜を３０ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）膜を５０ｎｍ堆積して金属膜７を形成した。この金属膜７はｐ側オーム性電極であり、ｐ型炭化珪素層３との良好なオーム性を得るために、形成後に１０００゜Ｃのアルゴン雰囲気中で５分の熱処理を行った。」、
「【００２６】したがって、このような構成の発光ダイオードにおいては次のような効果がある。上記アルミニウム電極８とオーム性電極６との間に順方法の電流を通電すると、炭化珪素基板１側からｐ型炭化珪素層３側へ向かって発光する。このため、基板１側をマウントさせることができ、マウントの際に問題となる漏れ電流の発生を防止して歩留りの向上を図れる。なお、この実施例では金属膜７の上に、それよりも面積の小さいアルミニウム電極８を形成したが、このアルミニウム電極８は必ずしも必要ではなく、形成を省略してもよい。但し、形成した場合には、金属膜７における電流の流れを、アルミニウム電極８を中心とした放射状とすることができ、チップ全体へより広げることが可能となる利点がある。
【００２７】また、ｐ型炭化珪素層３の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜７からなっているので、このオーム性電極の形成面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができる。」
　ここで、図１は次のものである。
　
　エ　甲第４号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第４号証（特開昭６３−３１１７７７号公報）には、以下の記載がある。
　
「発光面側に透明電極が設けられている半導体発光素子」（１頁左下欄、特許請求の範囲）、
「第１図（ａ）は本発明の一実施例に係るＬＥＤ素子の側面図、同図（ｂ）は平面図である。第１図（ａ）、（ｂ）において、内部にＰＮ接合が形成されているＬＥＤ素子１の発光面側には、ＳｎＯ２の透明電極膜２がほぼ全面に形成され、電極２の一つの角の部分に、ワイヤボンディング用のＡｌ電極３が形成されている。」（２頁左上欄下から４行〜右上欄３行）、
「上述のとおり、本発明では、具備する発光素子の透明電極膜は、ＬＥＤ素子に光を励起させるに十分の電子をＬＥＤ全面に効率よく運ぶため、発光量を十分確保できる。又、発光した光が透明電極を透過するため、発光効率も改善される効果がある。」（２頁右上欄下から４行〜左下欄２行）
　ここで、第１図は次のものである。
　
　オ　甲第５号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５号証（特開昭６２−１０１０８９号公報）には、次の記載がある（表記の都合上、丸数字は、○１のように示した。）。
　
「本発明はＺｎＳｅを活性層に用いた青色発光素子に関する。」（１頁右下欄１０行〜１１行）、
「第２図は本発明の実施例に於けるＭＩＳ型構造の青色発光素子の断面構造図である。第２図は第１図の素子本体に相当する部分のみを示した。Ｓｉ基板面上に、グレーデイングをつけたＺｎＳｘＳｅ１−ｘ層○１５及びｎ−ＺｎＳｅ○１６をエピタキシヤル成長させ、そのｎ−ＺｎＳｅ○１６上に絶縁層○１７を形成する。ｎ−ＺｎＳｅ○１６と絶縁層○１７の一部を、絶縁層○１７の全部とｎ−ＺｎＳｅ○１６の一部を含むようエッチングで除き表面に出たｎ−ＺｎＳｅ○１６の部分にＩｎを蒸着、アニールし、ｎ型オーミック電極○１８を形成する。そして絶縁層○１７上に金電極○１９を発光が取り出せる程度の厚さの部分と電極の取り出しが可能な程度の厚さの部分とができるように形成する。」（２頁右下欄１０行〜３頁左上欄３行）
　ここで、第２図は次のものである。
　
　カ　甲第６号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第６号証（特開平５−１２９６５８号公報）には、次の記載がある。
　
「【００１１】
【作用】半絶縁性のｉ層に対して透明導電膜から成る第１の電極を形成している。この第１の電極を介して光が放射される。この第１の電極の面積が発光面積を規定している。又、第１の電極は導電性を有するので、第１の電極に対してスポットで電流を注入させても、第１の電極全体を均一の電位とし、第１の電極の下方の全面から発光する。
【００１２】
【発明の効果】上述のように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、第１の電極（発光電極）として透明導電膜を用いており、透明導電膜が可視光に対して透明であることを利用しているので、発光電極側からの光の取り出しが可能である。このため以下に例示する種々の作用効果を奏する。
【００１３】１．電極を上面にして実装できるため、ハンダを用いずに通常のワイヤボンディングによって接続でき、第１の電極に対してスポット的にリード線を接続しても、第１の電極の導電性により、平面方向にも電流が拡散するので、第１の電極全体を均一電位とすることができる。よって、第１の電極に対するワイヤボンディングパットは狭くできる。従って、第１の電極（発光電極）と第２の電極（ｎ層電極）は、フォトリソグラフやエッチング、リフトオフなど、素子作製のプロセスにおいて短絡を防ぐために必要とされる間隔があれば良い。即ち、従来のフリップチップ方式では、２つの電極間距離は、２つの電極に対するハンダ間の短絡を防止することから、フォトリソグラフやエッチング技術の限界からくる距離よりも遙に長い距離を必要とするので、第１の電極の面積を広くできない。本発明では、この点、チップ面積に対する第１の電極面積の占有率を向上させることができるので、発光効率を向上させることができる。また、二つの電極間距離は、従来のフリップ方式よりもかなり小さくでき、素子の電気的な抵抗成分を減少させることができる。」、
「【００１７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を適用した発光ダイオードの構成を示す断面図である。発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上には 500ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、膜厚約 2.5μm のｎ型ＧaＮから成るｎ層４が形成されている。さらに、ｎ層４の上に膜厚約 0.2μm の半絶縁性ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そしてｉ層５の表面からｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部２１が形成されている。この凹部２１を覆うようにｎ層４に接続する金属製のｎ層４のための第２の電極８が形成されている。この第２の電極８と離間してｉ層５上に錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略す）から成る透明導電膜のｉ層５のための第１の電極７が形成されている。第１の電極７の隅の一部分には取出電極９が形成されている。その取出電極９はＮi 層９ｂとＡu 層９ｃとの２層で構成されている。又、第２の電極８はｎ層４に接合するＡl 層８ａとＮi 層８ｂとＡu 層８ｃとの３層で構成されている。この構造の発光ダイオード１０のサファイア基板１の裏面にはＡl の反射膜１３が蒸着されている。
【００１８】次に、この構造の発光ダイオード１０は基板４０に接合されており、基板４０に立設されたリードピン４１、４２と電気的に接続されている。即ち、第１の電極７に接合した取出電極９のＡu 層９ｃとリードピン４１とがＡu 線４３により接続されており、第２の電極８のＡu 層８ｃとリードピン４２とがＡu 線４４により接続されている。」
　ここで、図１は次のものである。
　
（２）甲第１号証に記載された発明
　ア　前記（１）ア（ア）によれば、甲第１号証には、
「ｐ−ｎ接合による発光素子であって、サファイア基板１上に、故意に不純物を添加しない（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮの単結晶層（ｎ形、０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１））２を形成し、次いで、Ｍｇを添加したアクセプタである（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３を形成したのちそのＭｇ添加層３を低速電子線照射した後、その一部を反応性イオンエッチングなどの方法により除去し、ｎ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層を表出させ、表出した単結晶層２及び３のそれぞれに金属電極４Ａ，４Ｂを形成し、それら各々にリード線５Ａ，５Ｂを接続して形成した、発光ダイオード。」（以下「甲１発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
　イ　請求人は、甲第１号証の第１図においては、ｐ側の金属電極４Ａが、ｐ側のワイヤーボンディング位置とｎ側の金属電極４Ｂとの間で、かつ、発光観測面となるｐ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）のほぼ全面にある一部にリード線５Ａがワイヤーボンディングされていることが開示されている旨、また、ワイヤーボンディングされていることから、当業者であれば、通常は、サファイア基板側ではなく、ｐ層側が発光面であることも極めて容易に理解できる旨主張する（審判請求書１２頁）。
　しかし、甲第１号証の第１図からは、ｐ側の金属電極４Ａは、Ｍｇを添加した（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３すなわちｐ形の層の相当程度の部分を覆うものであることが推測されるものの、ｐ側のワイヤーボンディング位置とｎ側の金属電極４Ｂとの間で、かつ、上記単結晶層３のほぼ全面にあるとは認められない。また、該金属電極４Ａは透光性のものとは認められないのであるが、上記のとおり、ｐ側の金属電極４Ａ、すなわち透光性でない金属電極４Ａが上記単結晶層３の相当程度の部分を覆うものと推測されることに照らせば、甲１発明において、ｐ層側が発光面であるとは直ちには認めがたいところである。なお、請求人が主張するように、金属電極４Ａが単結晶層３のほぼ全面にあるとすれば、ｐ層側が発光面であるとは到底認められない。
　よって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
（３）本件発明と甲１発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明と甲１発明とを対比する。
　
（ア）甲１発明における「サファイア基板」、「ｎ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層２」、「Ｍｇ添加した低速電子線照射処理された（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３」、「金属電極４Ａ」及び「金属電極４Ｂ」は、それぞれ、本件発明の「基板」、「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」、「ｐ電極」及び「ｎ電極」に相当し、甲１発明の「発光ダイオード」は、本件発明の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
　
（イ）甲１発明は、「『ｐ−ｎ接合による発光素子』である『発光ダイオード』」であるところ、発光素子は通常矩形であって、甲１発明がこれと異なるものと解さなければならない特段の事情も認められない。そうすると、甲１発明における「サファイア基板１」及びこの上に順次形成された「（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮの単結晶層（ｎ形、０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１））２」、「Ｍｇを添加したアクセプタである（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３」のいずれも矩形のものと解される。
　そして、甲１発明は、「Ｍｇを添加したアクセプタである（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）の単結晶層３を形成したのちそのＭｇ添加層３を低速電子線照射した後、その一部を反応性イオンエッチングなどの方法により除去し、ｎ形（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層を表出させ、表出した単結晶層２及び３のそれぞれに金属電極４Ａ，４Ｂを形成」するものであるから、「ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され、ｐ電極とｎ電極とが同一面側に形成されてなる」ものといえ、この点において本件発明と一致する。
　
（ウ）甲１発明の「『表出した単結晶層２』に形成した『金属電極４Ａ』」は、「リード線５Ａ」を接続するものであるから、「ほぼ矩形をなすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層において、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された、ワイヤーボンディング用の電極からな」る点において、本件発明の「ｎ電極」と共通するものといえる。
　
（エ）以上によれば、本件発明と甲１発明とは、
「基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され、ｐ電極とｎ電極とが同一面側に形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ電極は、ほぼ矩形をなすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層において、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された、ワイヤーボンディング用の電極からなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
である点において一致し、次の点で相違するものと認められる。
　
「本件発明では、前記ｐ電極が、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とからなり、ｎ電極が、前記台座電極と対角をなす位置で形成され、前記透光性電極が、対角の位置にある台座電極とｎ電極との間で、かつ発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほぼ全面にあり、台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有するのに対して、甲１発明では、前記ｐ電極及びｎ電極が、リード線５Ｂを接続する金属電極４Ｂ及びリード線５Ａを接続する金属電極４Ａであり、これらがどのような位置関係にあるのか特定されるものではなく、これら電極の通電によりｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有するものではない点。」（以下「相違点１」という。）
　
（オ）請求人は、台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有するという記載については、かかる記載はほぼ全面に形成された透光性電極によってもたらされる効果にすぎず、進歩性判断において対比する必要はない旨主張するが、台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有するとの事項が、ほぼ全面に形成された透光性電極によってもたらされる効果であるか否かにかかわらず、本件発明を特定する事項である以上、甲１発明との対比において検討されるべき事項であることは明らかであり、進歩性判断において対比する必要がないとする理由は認められないから、請求人の上記主張は、採用できない。
　
　イ　判断
（ア）相違点１に係る本件発明の構成のうち、「『ｐ電極』が、『前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つ』の『一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極』と、『その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極』とからな」る構成について、甲１発明においてかかる構成を備えるものとすることが当業者にとって想到容易であったといえるか、まず検討する（なお、相違点１に係る本件発明のその余の構成は、上記構成を前提とするものと認められる。）。
　
（イ）甲１発明における金属電極４Ａは、リード線５Ａを接続するものであるから、ワイヤーボンディング用の機能を果たす点において、本件発明の「ワイヤーボンディング用の台座電極」に相当するものといえる。
　そして、本件発明のｐ電極は、台座電極の下に電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極が形成されたものと認められるから、甲１発明を出発点として本件発明が想到容易といえるためには、甲１発明における金属電極４Ａの下に電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極を設けることの想到容易性について検討する必要があるものと考えられる。
　
（ウ）しかるところ、前記（２）イのとおり、甲１発明において、ｐ層側が発光面であるとは直ちには認めがたいから、台座電極の下に形成する電極を透光性とすることについて、当業者が容易になし得たこととはいいがたいし、そもそも、甲第１号証の第１図からは、金属電極４Ａがｐ形の層である単結晶層３の相当程度の部分を覆うものと推測されることに照らせば、甲１発明における金属電極４Ａの下に電流拡散用、かつオーミック用の電極を設ける必要性に乏しいものというべきである。
　
（エ）してみれば、甲１発明において、金属電極４Ａの下に電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極を設けるべき理由を見いだしがたく、このようにすることが、当業者にとって容易に想到し得たものということはできない。
　すなわち、甲１発明において、相違点１に係る本件発明の「『ｐ電極』が、『前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つ』の『一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極』と、『その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極』とからな」る構成を備えるものとすることが当業者にとって想到容易であったとはいえない。
　そして、相違点１に係る本件発明のその余の構成は、上記構成を前提とするものであるから、結局、甲１発明において、相違点１に係る本件発明の構成を備えるものとすることが当業者にとって想到容易であったとはいえない。
　
（オ）請求人は、甲第２号証ないし甲第６号証を挙げ、本件特許出願当時、半導体発光素子の分野において、発光面側の電極を金属の透光性電極とし、当該透光性電極にワイヤーボンデイング用の台座電極を形成することは周知慣用技術であったから、甲第１号証に記載された発明に当該周知慣用技術を適用して、同発明のｐ側の金属電極４Ａを、ワイヤーボンデイング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とすることは容易である旨主張する（審判請求書１６頁〜２３頁）。
　しかし、上記（イ）のとおり、甲１発明を出発点として本件発明が想到容易といえるためには、甲１発明における金属電極４Ａの下に電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極を設けることの想到容易性について検討する必要があるものと考えられるところであり、そのようにすることが当業者にとって想到容易であったといえないことは、上記で検討したとおりである。
　なお、請求人の上記主張に沿って、甲１発明において、金属電極４Ａを、金属の透光性電極にワイヤーボンデイング用の台座電極を形成したものに置き換えることを想定してみても、前記（１）イないし（カ）の甲第２号証ないし甲第６号証の記載から、そのような置き換えを行うべき理由を見いだすことはできず、このようにすることが、当業者にとって想到容易であったとはいえない。
　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
（カ）請求人は、ＧａＡｓ系化合物半導体発光素子の比抵抗と厚さについて甲第１４号証ないし甲第１７号証を、ＧａＮ系化合物半導体発光素子の比抵抗と厚さについて甲第１号証及び甲第１８号証ないし甲第２４号証を挙げ、本件特許出願当時、ＧａＮ系化合物半導体発光素子において、電流が横方向に十分に拡散しないという技術的課題は周知である旨主張するとともに、発光素子の電流拡散に関する公知例として甲第１４号証ないし甲第１７号証及び甲第２５号証ないし甲第２８号証を挙げ、上記技術的課題を解決するための手段としては、
ａ　ｐ型層上に透光性電極を設ける、
ｂ　例えば、線状の如き所定のパターンの電極を設ける
という２つの解決手段が存在し、このうち１つの解決手段であるａを選択することは当業者であれば容易に推考できた旨主張する（口頭審理陳述要領書５頁〜１９頁）。
　しかし、発光素子の比抵抗と厚さについて請求人が挙げる各甲号証には、ＧａＮ系化合物半導体発光素子において、電流が横方向に十分に拡散しないという知見は全く開示されていないし、これら甲号証の記載から、当業者にとってかかる知見を容易に得ることができるものとも認められない。
　加えて、上記（ウ）で検討したとおり、甲１発明は、そもそも、金属電極４Ａの下に電流拡散用、かつオーミック用の電極を設ける必要性に乏しいものというべきであるから、請求人の上記主張は、上記（エ）の判断を左右するものではない。
　
（キ） 請求人は、甲第７号証ないし甲第１０号証を挙げ、半導体発光素子（半導体素子）の分野において、同一面側に存在するワイヤーボンディング用の２つの電極を対角をなす位置に配置することは周知慣用技術であったから、甲第１号証に記載された発明に当該周知慣用技術を適用して、甲第１号証発明のｎ側の金属電極４Ｂを、ワイヤーボンディング用の台座電極と、対角をなす位置に配置することは容易である旨主張する（審判請求書２３頁〜２５頁）。
　しかし、相違点１に係る本件発明の「ｎ電極が、前記台座電極と対角をなす位置で形成され」との構成は、「前記ｐ電極が、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とからなり」との構成を前提とするものと認められるところ、甲１発明において、同構成を備えるものとすることが当業者にとって想到容易であったといえず、結局、甲１発明において、相違点１に係る本件発明の構成を備えるものとすることが当業者にとって想到容易であったといえないことは、上記（エ）のとおりである。
　そして、請求人の上記主張は、上記判断を左右するものではない。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本件発明が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものということはできない。
　
　２　無効理由２について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第２号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開平３−１８３１７３公報）には、前記１（１）イの記載があり、以下に再掲する。
　
（ア）「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子１００は、下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている。」（２頁左上欄１３行〜右上欄３行）
　
（イ）「本発明において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）等が挙げられる。」（２頁左下欄７行〜１２行）
　
（ウ）「本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられる。」（３頁左上欄２行〜９行）
　
（エ）「本発明において使用される第二導電層は、基体１０１側に光を放出する場合には透光性であっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」（４頁右下欄下から２行〜５頁左上欄３行）
　
（オ）「本発明において使用されるコンタクト電極は、リード線と、第一または第二導電層との間の電気的導通性をよくする材料が望ましい。その様な材料として、Ａｇ，Ｐｔ，Ａｌ等が挙げられる。コンタクト電極は、第一または第二の導電層上にマスクを置いてこれらの金属を蒸着させることによって形成することが可能である。」（５頁左上欄４行〜１０行）
　ここで、第１図は次のものである。
　
　イ　甲第１１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１１号証（「Ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮ　Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｂｌｕｅ−Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ」）には、以下の記載がある。
　
「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＬＥＤ　ｃｈｉｐｓ　ｗａｓ　ａｃｃｏｍｐｌｉｓｈｅｄ　ａｓ　ｆｏｌｌｏｗｓ：　ｔｈｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ　ｗａｓ　ｐａｒｔｉａｌｌｙ　ｅｔｃｈｅｄ　ｕｎｔｉｌ　ｔｈｅ　ｎ−ｔｙｐｅ　ｌａｙｅｒ　ｗａｓ　ｅｘｐｏｓｅｄ　（ｓｅｅ　Ｆｉｇ．１）．　Ｎｅｘｔ，ａｎ　Ａｕ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｗａｓ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｏｎｔｏ　ｔｈｅ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ　ａｎｄ　ａｎ　Ａｌ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｏｎｔｏ　ｔｈｅ　ｎ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ．　Ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ　ｗａｓ　ｃｕｔ　ｉｎｔｏ　ａ　ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ　ｓｈａｐｅ　（０．６ｍｍ×０．５ｍｍ）．」（Ｌ９頁左欄１７行〜２３行）
（和訳：「ＬＥＤの作製は次のとおり実施された：ｐ型ＧａＮ層の表面は、ｎ型層が露出するまで、部分的にエッチングされた。次に、Ａｕコンタクトがｐ型ＧａＮ層上に蒸着され、Ａ１コンタクトもｎ型ＧａＮ上に蒸着された。ウエハは矩形にカットされた（０．６ｍｍ×０．５ｍｍ）。」）、
 
「Ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ａｎ　ＩｎＧａＮ／ＧａＮ　ＤＨ　ＬＥＤ　ｉｓ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ１．」（Ｌ９頁左欄２８行〜２９行）
（和訳：「ＩｎＧａＮ／ＧａＮ　ＤＨ　ＬＥＤの構造が図１に示される。」）
　
　ウ　甲第１２号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１２号証（特開平４−２０９５７７公報）には、次の記載がある。
　
「【０００１０】（実施例２）図３は本発明の第二の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子はＭｇＯ（１１１）基板１０の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＩｎＧａＮバッファ層１１、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１２、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層１３、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１４、ｐ型クラッド層のオーミック電極１５、ｎ型クラッド層のオーミック電極１６からなる。・・・
【００１１】（実施例３）図４は本発明の第三の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子は低抵抗ＺｎＯ（１１１）基板１７の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＡｌＮバッファ層１８、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１９、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層２０、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層２１、ｐ型クラッド層のオーミック電極２２、ｎ型クラッド層のオーミック電極２３からなる。・・・
　ここで、図３及び図４は、次のものである。
　
　エ　甲第１３号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１３号証（「ＧａＮ青色ＬＥＤ」）には、以下の記載がある。
　
「まず、サファイア基板上に５００℃でＧａＮバッファ一層を成長し、次に１０３０℃でＳｉドープＮ型ＧａＮを４μｍ成長し、次にＭｇドープＰ型ＧａＮ層を０．８μｍ成長した。成長後、低抵抗Ｐ型層を得るため表面から電子線照射を行った。その後Ｐ型層にＡｕ電極を付け、Ｎ型層にＡ１電極を付けた。その後、チップにカットしリードフレームにセットし、モールドした。素子の構造を図５に示す。」（４１頁１８〜２６行）
　ここで、図５は、次のものである。
　
（２）甲第２号証に記載された発明
　ア　前記（１）ア（ア）によれば、甲第２号証には、「下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている発光素子１００」が記載されているものと認められる。
　
　イ　同（イ）ないし（エ）によれば、上記発光素子１００において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）等が挙げられ、第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましいこと、第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられることが認められる。
　
　ウ　同（オ）及び第１図によれば、第一導電層１０２の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成され、第二導電層１０６の上面の一部にコンタクト電極１０７が形成されていることが認められる。
　
　エ　以上によれば、甲第２号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている発光素子１００であって、第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）等が挙げられ、第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましく、第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられ、第一導電層１０２の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成され、第二導電層１０６の上面の一部にコンタクト電極１０７が形成されている発光素子１００。」（以下「甲２発明」という。）
　
（３）本件発明と甲２発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明と甲２発明とを対比する。
　
（ア）甲２発明の「基体１０１」は、本件発明の「基板」に相当する。
　
（イ）甲２発明の「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３」及び「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５」は、発光素子が「基板上」に有する「窒化ガリウム系化合物半導体層」である点において、本件発明の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」及び「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」と一致し、本件発明と甲２発明とは、「基板上に二つの窒化ガリウム系化合物半導体層を有する」点において一致する。
　
（ウ）甲２発明は、「第一導電層１０２の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成され、第二導電層１０６の上面の一部にコンタクト電極１０７が形成されている」ものであるから、二つの電極が同一面側に形成されてなるものといえる。そして、本件発明も、「ｐ電極とｎ電極とが同一面側に形成されてなる」ものであるから、二つの電極が同一面側に形成されてなるものといえ、この点において、両者は一致する。
　
（エ）甲２発明の「コンタクト電極１０７」及び「コンタクト電極１０９」は、「ワイヤーボンディング用の電極」と認められ、該「コンタクト電極１０９」は、「ワイヤーボンディング用の電極からなる電極」であるといえ、この点で、本件発明の「ｎ電極」と一致する。
　そして、甲２発明は、「第二導電層１０６の上面の一部にコンタクト電極１０７が形成されている」ものであって、「第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望まし」いものであるから、「第二導電層１０６」は、「ワイヤーボンディング用の台座電極の下に形成された台座電極よりも大面積を有する透光性電極」といえる。
　また、甲１発明は、「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層」されたものであるから、「第二導電層１０６」は一方の窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成したものといえる。
　したがって、甲２発明の「コンタクト電極１０７」及び「第二導電層１０６」は、「ワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下に一方の窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する透光性電極とからなる電極」であるといえ、この点で、本件発明の「ｐ電極」と一致する。
　してみると、甲２発明と本件発明とは、いずれも「一方の電極は、ワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下に一方の窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する透光性電極とからなり、他方の電極は、ワイヤーボンディング用の電極からなる」ものといえ，両者はこの点において一致する。
　
（オ）以上によれば、本件発明と甲２発明とは、
「基板上に二つの窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、二つの電極が同一面側に形成されてなる発光素子において、一方の電極は、ワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下に一方の窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する透光性電極とからなり、他方の電極は、ワイヤーボンディング用の電極からなる発光素子。」
である点において一致し、以下のａないしｃの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　本件発明は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であるのに対して、甲２発明は、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５などが順次積層された構造を有する発光素子である点（以下「相違点２」という。）
　
　ｂ　本件発明では、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され、前記ｐ電極は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成され、前記ｎ電極は、ほぼ矩形をなすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層において、前記台座電極と対角をなす位置で、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成されているのに対して、甲２発明では、第一導電層１０２の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成され、第二導電層１０６の上面の一部にコンタクト電極１０７が形成されており、二つの電極の各々がｐ電極あるいはｎ電極か不明である点（以下「相違点３」という。）
　
　ｃ　本件発明は、透光性電極が、電流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなるものであって、対角の位置にある台座電極とｎ電極との間で、かつ発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほぼ全面にあり、台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有するものであるのに対して、甲２発明は、そのように特定されるものではない点（以下「相違点４」という。）
　
　イ　判断
（ア）事案にかんがみ、相違点３についてまず検討するに、甲２発明の二つの電極の各々がｐ電極あるいはｎ電極であるかどうかはさておき、本件発明が、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され」るものであることに照らすと、甲２発明においてかかる構成を備えるには、少なくとも、「第一導電層１０２の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成される」構成を「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３の上面の一部が露出しており、この露出した部分の一部にコンタクト電極１０９が形成される」構成に置換することを要するものと認められる。
　しかし、そもそも、甲２発明においてかかる置換を行う、すなわち、第一導電層１０２の上面に形成するとされるコンタクト電極１０９を、第一電荷注入層１０３の上面の一部を露出させて、この露出した部分の一部に形成する理由を想定することはできず、そのようにすることについて、当業者が容易に想到し得たと認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができない。
　してみると、相違点３に係るその余の構成、更には、相違点２及び４について検討するまでもなく、本件発明が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
（イ）請求人は、甲第１号証（前記１（１）アを参照。）及び甲第１１号証ないし甲第１３号証を挙げ、本件特許出願当時、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の分野において、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去してｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を露出させることは周知慣用技術であったから、甲第２号証発明に当該周知慣用技術を適用して、甲第２号証発明において、マグネシウム原子（Ｍｇ）を導入してｐ型とした窒化ガリウムで構成される第二電荷注入層１０５の一部を除去し、ケイ素原子（Ｓｉ）を導入してｎ型とした窒化ガリウムで構成される第一電荷注入層１０３を露出させ、その表面にコンタクト電極１０９を形成することは極めて容易なことである旨主張する（審判請求書３５頁〜３８頁）が、そのようにする理由を想定できないことは、上記（ア）のとおりであるから、同主張は、採用できない。
　
　ウ　小括
　よって、本件発明が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本件発明が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　また、本件発明が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、請求人が主張する理由によって、本件発明についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。