【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  トランスフォーマー・カップルド・プラズマを発生するための装置であって、
プラズマ反応チャンバ内への電磁界経路を形成する窓、および当該チャンバ内へプロセス・ガスを導入するように構成されたプロセス・ガス供給部を有する当該プラズマ反応チャンバと、
前記チャンバの窓の外側表面に近接して配置された少なくとも２つのアンテナ・セグメントを備える高周波アンテナと、
前記アンテナに結合され、前記アンテナ・セグメント中で高周波電流を共振させるように構成され、該高周波電流によって誘導される電磁界がプロセス・ガスを励起してイオン化し、それにより前記チャンバ内部にプラズマを発生させる高周波源と、
前記アンテナ・セグメントのうちの第１、第２のアンテナ・セグメントを相互接続し、第１のアンテナ・セグメントにおける高周波電流の瞬間方向が第２のアンテナ・セグメントにおける高周波電流の瞬間方向と実質的に同じになるように前記アンテナ中に高周波電流を分配するように構成された移相器とを備える装置。
【請求項２】  生成されたプラズマの密度が、前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが及ぶ領域内部で実質的に均一である請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記移相器がコンデンサを含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記移相器がインダクタを含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記移相器が、接地へ高周波電流をシャントするように構成された請求項１に記載の装置。
【請求項６】  前記移相器が、高周波電流と直列であるように構成された請求項１に記載の装置。
【請求項７】  前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが同一平面にある請求項１に記載の装置。
【請求項８】  前記第１、第２アンテナ・セグメントが、直線であり、かつ隣接して互いに平行な位置関係になるように構成され、前記位相器を介して直列に相互接続されている請求項１に記載の装置。
【請求項９】  前記第１、第２アンテナ・セグメントが、互いに平行な位置関係になるように構成され、滑らかな湾曲表面にあり、前記位相器を介して直列に接続されている請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  前記湾曲表面がドームである請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  前記湾曲表面が半球体である請求項９に記載の装置。
【請求項１２】  前記湾曲表面が半円筒形である請求項９に記載の装置。
【請求項１３】  前記アンテナが、前記反応チャンバの断面領域に適合するように形状が決定されている請求項１に記載の装置。
【請求項１４】  前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが、単一の導電要素のセクションである請求項１に記載の装置。
【請求項１５】  前記アンテナが３つ以上のアンテナ・セグメントを含み、各アンテナ・セグメントが、移相器を介して少なくとも１つの他のアンテナ・セグメントに接続され、該移相器が、各アンテナ・セグメント中の高周波電流の瞬間方向が実質的に同じになるように前記アンテナ中に高周波電流を分配する請求項１に記載の装置。
【請求項１６】  前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが、単一の高周波電源によって電力供給される請求項１に記載の装置。
【請求項１７】  前記アンテナが複数のアンテナ・セグメントを備え、該アンテナ・セグメントの少なくとも２つが、別々の高周波電源によって電力供給される請求項１に記載の装置。
【請求項１８】  ２つの隣接するアンテナ・セグメントが、該２つの隣接するアンテナ・セグメントのうちの一方の第１端部が、該２つの隣接するアンテナ・セグメントのうちの他方の最も近い端部に結合するように相互接続された請求項１に記載の装置。
【請求項１９】  ２つの隣接するアンテナ・セグメントが、該２つの隣接するアンテナ・セグメントのうちの一方の第１端部が、２つの隣接するアンテナ・セグメントのうちの他方の反対側の端部に結合するように相互接続された請求項１に記載の装置。
【請求項２０】  前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが、高周波電流が連続する各アンテナ・セグメントを順次通過するように、直列に給電される請求項１に記載の装置。
【請求項２１】  前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが少なくとも部分的に並列に給電され、それにより高周波電流がアンテナ・セグメントの少なくとも１つの対称的な対に同時に印加される請求項１に記載の装置。
【請求項２２】  各アンテナ・セグメントが、中心コンダクタと、電気的に分離された外側導電シェルとからなり、
第２の高周波源が、各導電シールドに結合され、前記アンテナに高周波電圧を供給するように構成され、
高周波電圧が、プラズマに独立して容量結合する請求項１に記載の装置。
【請求項２３】  各アンテナ・セグメントのサイズ或いは各アンテナ・セグメントの特性インピーダンスが、前記アンテナ全体にわたって不均衡を補償し、それにより該アンテナ全体にわたって高周波電圧および電流を等化するように調整された請求項１に記載の装置。
【請求項２４】  さらに、前記アンテナに近接して配置された接地面を備え、前記接地面が、該接地面の第１の部分が該接地面の第２の部分よりも前記アンテナに近接するように位置決めされ、該接地面の位置決めが、前記アンテナ全体にわたって不均衡を補償し、それにより前記アンテナ全体にわたって高周波電圧および電流を等化する請求項１に記載の装置。
【請求項２５】  トランスフォーマー・カップルド・プラズマを発生するための方法であって、
プラズマ反応チャンバ内にプロセス・ガスを導入するステップと、
少なくとも２つのアンテナ・セグメントを備えるアンテナに高周波電流を印加するステップとを含み、
第１および第２のアンテナ・セグメントが、チャンバの窓の外側表面に近接して配置され、移相器を介して相互接続され、
前記移相器は、前記第１のアンテナ・セグメント中の高周波電流の瞬間方向が前記第２のアンテナ・セグメント中の高周波電流の瞬間方向と実質的に同じになるように前記アンテナ中に高周波電流を分配し、
アンテナ中の前記高周波電流は、プロセス・ガスを励起してイオン化し、それによってチャンバ内部にプラズマを発生する方法。
【請求項２６】  生成されたプラズマの密度が、前記少なくとも２つのアンテナ・セグメントが及ぶ領域内部で実質的に均一である請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記移相器がコンデンサを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】  前記移相器がインダクタを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】  前記移相器が、接地に高周波電流をシャントするように構成された請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】  前記移相器が、高周波電流と直列であるように構成された請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】  プラズマが、基板の露出した表面をエッチングする、または基板上に膜を堆積することによって半導体基板を処理する請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】  半導体基板が、３００ｍｍ半導体ウェハおよびフラット・パネル・ディスプレイのうちの１つを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】  前記アンテナが複数のアンテナ・セグメントを備え、前記方法が別々の高周波電源を使用して少なくとも２つの前記アンテナ・セグメントに電力供給するステップを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項３４】  各アンテナ・セグメントが、導電シールドによって取り囲まれ、前記方法が、導電シールドに高周波電力を印加し、それによりプラズマに独立して容量結合するステップを備える請求項２５に記載の方法。