【事件の表示】
　特願２００７−１１１４１９「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月２６日出願公開、特開２００７−１８９２６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１２年８月２８日（優先権主張　平成１１年１１月１７日）に出願した特願２０００−２５７４３６号（以下「原出願」という。）の一部を、平成１９年４月２０日に特許法第４４条第１項の規定に基づき新たな特許出願としたものであって、平成２２年９月１０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月９日付けで手続補正がなされたが、平成２３年８月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２５日に拒絶査定不服審判が請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１０月２５日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「ＧａＡｓ基板と、
　該ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦０．３）活性層と、
　該活性層の一方の面に積層された第１ガイド層と、
　該第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に電流狭窄部が形成された第１クラッド層と、
　該活性層の他方の面に順次積層された第２ガイド層及び第２クラッド層と、
　これらを挟むように配置された１対の電極と、
　を含む半導体レーザであって、
　該第１ガイド層と該第１クラッド層とで決まる第１の正規化周波数を、該第２ガイド層と該第２クラッド層とで決まる第２の正規化周波数よりも大きくすると共に、
　該第２クラッド層の層厚が、該第１クラッド層の層厚より大きいことを特徴とする半導体レーサ（審決注：「レーザ」の誤記と認められる。）。」
　
３　本願発明の技術的意義
（１）本願発明の技術的意義に関し、本願明細書には以下の記載がある。
ア　「【００１５】また、本発明は、上記第２クラッド層が、上記基板と上記活性層の間に配置され、かつ該第２クラッド層の層厚が、上記第１クラッド層の層厚より大きいことを特徴とする半導体レーザでもある。
　かかる構造では、基板中への光の分布を少なくして、電極間で生じる共振現象を抑制できる。この結果、発光効率（ｄＰ／ｄＩ）の変動を小さくして、安定した光出力を得ることができる。」
イ　「【００２３】上記第２クラッド層の層厚は、上記第１クラッド層の層厚より大きいことが好ましい。
　かかる構造を用いることにより、ＩｎＧａＡｓ活性層とＧａＡｓ基板との距離が大きくなり、ＧａＡｓ基板内への光強度分布を、更に、抑えることができるからである。」
ウ　「【００４６】図７（ａ）に示す半導体レーザ２１０では、低屈折率層９を、第２ガイド層８と第１クラッド層１０との間にのみ設けた。また、第１クラッド層２の層厚を、１．３μｍから１．８μｍに大きくした。他の構造は、半導体レーザ２００と同様である。
【００４７】このように、第１クラッド層２（ｎ−Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ）のＡｌ組成比を、第１クラッド層１０（ｐ−Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ）より小さくし、第１クラッド層２の屈折率を、第１クラッド層１０の屈折率を高くすることにより、発光光の強度分布を基板１側に広げることができる。この結果、上記半導体レーザ２００と同様に、光強度分布のＸ軸方向の遠視野像が狭くなり、レーザ光のアスペクト比を低減できる。
　また、低屈折率層９を、活性層６よりリッジ１１側のみに挿入することによっても、活性層６内での光の閉じ込め率が増大し、高温でのしきい値電流の増加及び発光効率の低下等を防止できる。
　また、第１クラッド層２の層厚を厚くして、発光光のピーク位置からｎ−ＧａＡｓ基板１までの距離を大きくすることにより、基板１中への光の分布を小さくすることができる。これにより、後述するように、電極１４、１５間での光の共振を抑えることができる。」
エ　「【００５８】半導体レーザ３２０は、上記半導体レーザ３１０の第１クラッド層２（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）の層厚を、０．８μｍから３．０μｍに厚くしたものである。
　このように、発光光のピーク位置からｎ−ＧａＡｓ基板１までの距離を大きくすることにより、基板１中への光の分布を小さくすることができる。
　この結果、P. G. Eliseev and A. E. Drakinらが指摘した、電極１４、１５間での光の共振を抑えることができる（Analysis of the mode internal coupling in InGaAs/GaAs laser diodes, Laser Physics, Vol. 4, No.3, pp. 485-492, 1994）。」
オ　「【００６３】半導体レーザ３４０は、半導体レーザ３００に対して、更に、活性層６よりリッジ１１側に、厚さ１．８μｍの低屈折率層９（ｎ−Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ）を挿入し、かつ第１クラッド層２（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）の層厚を、０．８μｍから３．０μｍに厚くしたものである。
【００６４】このように、低屈折率層９を挿入することにより、活性層６内へに光閉じ込め率を増大させて、高温でのしきい値電流の増加及び発光効率の低下等を防止することができる。
　また、発光光のピーク位置からｎ−ＧａＡｓ基板１までの距離を大きくすることにより、基板１中への光の分布を小さくして、電極１４、１５間での光の共振を抑えることができる。」
カ　「【００７２】半導体レーザ４２０は、上記半導体レーザ４１０に対して、第１クラッド層２（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）の層厚を、０．８μｍから３．０μｍに厚くしたものである。
　このように、発光光のピーク位置からｎ−ＧａＡｓ基板１までの距離を大きくすることにより、基板１中への光の分布を小さくすることができる。これにより、電極１４、１５間での光の共振を抑えることができる。」
キ　「【００７４】半導体レーザ４３０では、半導体レーザ４００に対して、更に、活性層６より基板１側に、厚さ０．５μｍの低屈折率層３（ｎ−Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ）を挿入し、かつ第１クラッド層２（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）の層厚を、０．８μｍから３．０μｍに厚くしたものである。
【００７５】このように、低屈折率層３を挿入することにより、活性層６内への光閉じ込め率を増大させて、高温でのしきい値電流の増加及び発光効率の低下等を防止することができる。
　また、発光光のピーク位置からｎ−ＧａＡｓ基板１までの距離を大きくすることにより、基板１中への光の分布を小さくして、電極１４、１５間での光の共振を抑えることができる。」
ク　「【００９８】また、ＧａＡｓ基板１側のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０２の層厚を、リッジ側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０８の層厚より大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓ活性層１０５とＧａＡｓ基板１０１との距離を大きくし、ＧａＡｓ基板１０１に分布する光強度を、更に、抑えることもできる。」
ケ　「【０１１０】また、ＧａＡｓコンタクト層１４０側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３８の層厚を、基板側のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３２の層厚より大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓ活性層１０５とＧａＡｓコンタクト層１４０との距離を大きくし、ＧａＡｓコンタクト層１４０内に分布する光強度を、更に、抑えることも可能となる。」
コ　「【０１１５】更に、ＧａＡｓコンタクト層１４０側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３８の層厚を、基板側のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３２の層厚より大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓ活性層１０５とＧａＡｓコンタクト層１４０との距離を大きくし、ＧａＡｓコンタクト層１４０内に分布する光強度を、更に、抑えることも可能となる。」
　
（２）上記（１）によれば、本願明細書には、本願発明の技術的意義に関して、概略、以下の事項が記載されていることが認められる。
　半導体レーザにおいて、第２クラッド層の層厚が、第１クラッド層の層厚より大きい構造を用いて、ＩｎＧａＡｓ活性層の発光光のピーク位置からＧａＡｓ基板までの距離を大きくして、ＧａＡｓ基板中への光の光強度分布を小さく抑えることで、電極間で生じる共振現象を抑え、発光効率（ｄＰ／ｄＩ）の変動を小さくして、安定した光出力を得ること。
　
４　刊行物の記載
（１）平成２２年９月１０日付けの拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２３３８８３号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（なお、下線は当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】  第１導電型半導体基板と、
該第１導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する第１半導体層と、
該第１半導体層上に配置された活性層と、
該活性層上に配置されており、屈折率が上記活性層から離れるにつれて減少する、その上部がリッジ形状を有する第２半導体層とを備え、
上記半導体基板の高さ方向において、光強度分布が上記活性層を中心として基板側にシフトするように、上記活性層から見たリッジ形状側と基板側との屈折率分布を非対称となるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。」（特許請求の範囲）
イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来のリッジ型半導体レーザは、屈折率分布が厚さ方向において活性層７から見て対称形を成すような構造を有しているため、導波される光は厚さ方向において活性層７から見てほぼ対称に分布していた。しかしながら、上クラッド層４がリッジ形状を有していることにより幅方向において屈折率差が生じているため、上記のように導波される光が活性層７を中心としてほぼ対称に分布すると、導波される光がリッジ部で受ける幅方向の屈折率の影響が大きくなり、高次モードが許容されている。この結果、モード競合によって生じるキンクが低出力動作時に生じ、実用上の高出力化が図れないという問題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、高次モードの発生をより高出力側へシフトすることができるリッジ構造を備えた半導体レーザを提供することを課題とする。」
ウ　「【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る半導体レーザの構造を示す断面図（図１(a)），及びその厚さ方向の屈折率分布を示す図（図１(b)）であり、図において、
ｎ−ＧａＡｓ基板１２
アンドープＩｎＧａＡｓの活性層７ａ
ｐ側電極１
ｎ側電極１３
エ　「【００２３】以下に基板側の各ガイド層厚を厚くすることによる効果をシミュレーションの結果に基づいて説明する。図３は本発明の実施の形態２に係る半導体レーザのシミュレーション結果を示す図であり、縦軸はリッジ脇部分の上クラッド層４ｂの厚さｔを示し、横軸はリッジ幅Ｗを示している。また、実線及び破線は、この厚さｔとリッジ幅Ｗとから、透過屈折率法を用いて計算した基本モードのみが許される領域と１次モードも許容される領域との境界線をそれぞれ示しており、この境界線よりも下側が基本モードのみが許される領域で、その上側が一次モードも許容される領域となっている。このシミュレーションにおいては、上クラッド層４ｂは，Ａｌ組成比０．３とし、リッジ部の層厚はｔ＋１．４μｍ，リッジ側第２ガイド層５ａはＡｌ組成比０．２とし、
活性層７ａは厚さ２０ｎｍのＧａＡｓ層をＩｎ組成比が０．１５で厚さが８ｎｍである２層のＩｎＧａＡｓで挟んだ量子井戸構造とし
オ　「【００４２】実施の形態５．図６は，本発明の実施の形態５に係る半導体レーザの構造を示す断面図（図６(a)），及びその厚さ方向の屈折率分布を示す図（図６(b)）であり、この実施の形態５に係る半導体レーザは、上記実施の形態１に係る半導体レーザにおいて、活性層と基板との間に単層の下クラッド層である
第１半導体層
基板側から順次積層された屈折率ｎ
Lc
であるｎ−ＡｌＧａＡｓの下クラッド層１０ｃ、基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層９ｄ、及び厚さｇ
L1
，屈折率ｎ
Lg1
の基板側アンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層８ｄで構成される第１複合半導体層
第２半導体層
活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ、基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ、その上部にリッジ部を備えた屈折率ｎ
Uc
のｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層４ｃで構成される第２複合半導体層
下クラッド層１０ｃと上クラッド層４ｃとのＡｌ組成比を異なるようにして、下クラッド層１０ｃの屈折率ｎ
Lc
は、上クラッド層４ｃの屈折率ｎ
Uc
より大きくし
カ　図６は、次のものである。
　
　
キ　上記ウ及びオを踏まえて図６をみると、図６の半導体レーザは、「ｎ−ＧａＡｓ基板１２」、「基板側から順次積層された屈折率ｎLcであるｎ−ＡｌＧａＡｓの下クラッド層１０ｃ、基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層９ｄ、及び、厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層８ｄで構成される第１複合半導体層」、「アンドープＩｎＧａＡｓの活性層７ａ」、「活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ、基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ、及び、その上部にリッジ部を備えた屈折率ｎUcのｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層４ｃで構成される第２複合半導体層」を設け、これらを挟むように配置された一対のｐ側電極１及びｎ側電極１３を含む半導体レーザであることが理解できる。
ク　上記ア、ウ、オないしキによれば、上記アにおける「第１導電型半導体基板」、「第１半導体層」、「活性層」及び「第２半導体層」は、それぞれ上記キにおける「ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型半導体基板」、「基板側から順次積層された屈折率ｎLcであるｎ−ＡｌＧａＡｓの下クラッド層１０ｃ、基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層９ｄ、及び、厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層８ｄで構成される第１複合半導体層」、「アンドープＩｎＧａＡｓからなる活性層」及び「活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ、基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ、及び、その上部にリッジ部を備えた屈折率ｎUcのｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層４ｃで構成される第２複合半導体層」に対応するものと認められる。
　
（２）引用発明
　上記（１）アないしクによれば、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型半導体基板と、
　該第１導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する第１複合半導体層である第１半導体層と、
　該第１半導体層上に配置されたアンドープＩｎＧａＡｓからなる活性層と、
　該活性層上に配置されており、屈折率が上記活性層から離れるにつれて減少する、その上部がリッジ形状を有する第２複合半導体層である第２半導体層とを備え、
　上記第１半導体層は、基板側から順次積層された屈折率ｎLcであるｎ−ＡｌＧａＡｓの下クラッド層１０ｃ、基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層９ｄ、及び、厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層８ｄで構成される第１複合半導体層からなり、
　上記第２半導体層は、活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ、基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ、及び、その上部にリッジ部を備えた屈折率ｎUcのｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層４ｃで構成される第２複合半導体層からなり、
　これらを挟むように配置された一対のｐ側電極及びｎ側電極を含む半導体レーザであって、
　下クラッド層１０ｃと上クラッド層４ｃとのＡｌ組成比を異なるようにして、下クラッド層１０ｃの屈折率ｎLcは、上クラッド層４ｃの屈折率ｎUcより大きくし、
　上記半導体基板の高さ方向において、光強度分布が上記活性層を中心として基板側にシフトするように、上記活性層から見たリッジ形状側と基板側との屈折率分布を非対称となるようにした半導体レーザ。」
　
５　対比・判断
ア　対比
（ア）本願発明と引用発明を比較すると、
　引用発明の「半導体レーザ」は、
「ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型半導体基板」と、
「該第１導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する、基板側から順次積層された屈折率ｎLcであるｎ−ＡｌＧａＡｓの下クラッド層１０ｃ、基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層９ｄ、及び、厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層８ｄで構成される第１複合半導体層である第１半導体層」と、
「該第１半導体層上に配置されたアンドープＩｎＧａＡｓからなる活性層」と、
「該活性層上に配置されており、屈折率が上記活性層から離れるにつれて減少する、その上部がリッジ形状を有する、活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ、基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ、及び、その上部にリッジ部を備えた屈折率ｎUcのｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層４ｃで構成される第２複合半導体層である第２半導体層」とを備え、
「これらを挟むように配置された一対のｐ側電極及びｎ側電極を含む半導体レーザ」であるから、
　引用発明の「ｎ−ＧａＡｓからなる第１導電型半導体基板」、「（該第１導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する、基板側から順次積層された屈折率ｎLcであるｎ−ＡｌＧａＡｓの）下クラッド層１０ｃ」、「（基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる）第２ガイド層９ｄ、及び、（厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる）第１ガイド層８ｄ」、「該第１半導体層上に配置されたアンドープＩｎＧａＡｓからなる活性層」、「（活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる）第１ガイド層６ｄ、及び、（基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる）第２ガイド層５ｄ」、「（上部にリッジ部を備えた屈折率ｎUcのｐ−ＡｌＧａＡｓの）上クラッド層４ｃ」、「（これらを挟むように配置された）一対のｐ側電極及びｎ側電極」及び「半導体レーザ」は、
　本願発明の「ＧａＡｓ基板」、「第２クラッド層」、「（該活性層の他方の面に順次積層された）第２ガイド層」、「（該ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ）活性層」、「（該活性層の一方の面に積層された）第１ガイド層」、「（該第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に）電流狭窄部が形成された第１クラッド層」、「（これらを挟むように配置された）１対の電極」及び「半導体レーザ」にそれぞれ相当する。
（イ）ａ　本願明細書の段落【００１７】には、
「正規化周波数Ｖは、以下の式１により定義される。
　　　Ｖ＝ｋ0・（√（ｎ12−ｎ22））・Ｔ            （式１）
　　　　ここで、ｋ0：自由空間の波数（２π／λ）
　　　　　ｎ1：ガイド層の屈折率
　　　　　ｎ2：クラッド層の屈折率
　　　　　Ｔ：ガイド層の層厚」
と記載されている。
ｂ　引用発明の「（基板側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる）第２ガイド層９ｄ、及び、（厚さｇL1，屈折率ｎLg1の基板側アンドープＧａＡｓからなる）第１ガイド層８ｄ」及び「（活性層７ａ上に順次積層された、基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＧａＡｓからなる）第１ガイド層６ｄ、及び、（基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じであるリッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる）第２ガイド層５ｄ」は、上記（ア）に照らして本願発明の「第２ガイド層」及び「第１ガイド層」にそれぞれ相当する。ここで、引用発明の「リッジ側のアンドープＧａＡｓからなる第１ガイド層６ｄ」は「基板側第１ガイド層８ｄと厚さ及び屈折率が同じであ」り、「リッジ側のアンドープＡｌＧａＡｓからなる第２ガイド層５ｄ」も「基板側第２ガイド層９ｄと厚さ及び屈折率が同じである」ところ、
「第２ガイド層９ｄ、及び、第１ガイド層８ｄ」（第２ガイド層）の層厚及び「第１ガイド層６ｄ、及び、第２ガイド層５ｄ」（第１ガイド層）の層厚を「Ｔ１」とし、「第２ガイド層９ｄ、及び、第１ガイド層８ｄ」（第２ガイド層）の屈折率及び「第１ガイド層６ｄ、及び、第２ガイド層５ｄ」（第１ガイド層）の屈折率をｎ０１とすると、下クラッド層（第２クラッド層）の屈折率がｎLcであるのに対し、上クラッド層（第１クラッド層）の屈折率はｎUcであるから、
（ａ）「第１ガイド層６ｄ、及び、第２ガイド層５ｄ」（第１ガイド層）及び上クラッド層（第１クラッド層）とで決まる第１の正規化周波数をＶ1とすると、上記ａの（式１）より、
第１の正規化周波数Ｖ1＝ｋ0・（√（ｎ０１2−ｎUc2））・Ｔ１（式２）
となり、
（ｂ）「第２ガイド層９ｄ、及び、第１ガイド層８ｄ」（第２ガイド層）及び下クラッド層（第２クラッド層）とで決まる第２の正規化周波数をＶ2とすると、上記ａの（式１）より、
第２の正規化周波数Ｖ2＝ｋ0・（√（ｎ０１2−ｎLc2））・Ｔ１（式３）
となる。
ｃ　しかるところ、引用発明は、「下クラッド層１０ｃの屈折率ｎLcを上クラッド層４ｃの屈折率ｎUcよりも大きく」するものであるから、上記（式２）及び（式３）に照らして、引用発明は、
　Ｖ1＞Ｖ2となることが理解できる。
ｄ　したがって、引用発明は、第１の正規化周波数Ｖ1は第２の正規化周波数Ｖ2より大きいものと理解でき、引用発明は、本願発明の「該第１ガイド層と該第１クラッド層とで決まる第１の正規化周波数を、該第２ガイド層と該第２クラッド層とで決まる第２の正規化周波数よりも大きくする」との構成を備えると認められる。
　
　以上（ア）ないし（イ）によれば両者は、
「ＧａＡｓ基板と、
　該ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ活性層と、
　該活性層の一方の面に積層された第１ガイド層と、
　該第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に電流狭窄部が形成された第１クラッド層と、
　該活性層の他方の面に順次積層された第２ガイド層及び第２クラッド層と、
　これらを挟むように配置された１対の電極と、
　を含む半導体レーザであって、
　該第１ガイド層と該第１クラッド層とで決まる第１の正規化周波数を、該第２ガイド層と該第２クラッド層とで決まる第２の正規化周波数よりも大きくする半導体レーザ。」
である点で一致し、
（ａ）本願発明は、活性層のＩｎの組成比がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦０．３）であるのに対して、引用発明の活性層はＩｎＧａＡｓであって、Ｉｎの具体的な組成比が明らかではない点（以下「相違点１」という）、及び、
（ｂ）本願発明は、「第２クラッド層の層厚が、第１クラッド層の層厚より大きい」ものであるのに対して、引用発明は、「上クラッド層（第１クラッド層）」と「下クラッド層（第２クラッド層）」の大小関係が明らかではない点（以下「相違点２」という）、
で相違するものと認められる。
イ　判断
ａ　上記相違点１について検討する。
　引用発明の活性層は「ＩｎＧａＡｓ」からなるところ、その具体的な組成比は明らかではないが、上記４（１）エには、引用発明とは別の実施の形態のシミュレーションとして、「活性層７ａは厚さ２０ｎｍのＧａＡｓ層をＩｎ組成比が０．１５で厚さが８ｎｍである２層のＩｎＧａＡｓで挟んだ量子井戸構造」とすることが記載されていることに照らして、引用発明の活性層をＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦０．３）のものとすることに格別の困難はないものというべきである。
　また、本願発明において「０＜ｘ≦０．３」とした点に格別の技術的意義も認められないから、相違点１は、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計的事項の特定にとどまるものというべきである。
ｂ　上記相違点２について検討する。
　本願発明の技術的意義（上記３（１）及び（２））は、「半導体レーザにおいて、第２クラッド層の層厚が、第１クラッド層の層厚より大きい構造を用いて、ＩｎＧａＡｓ活性層の発光光のピーク位置からＧａＡｓ基板までの距離を大きくして、ＧａＡｓ基板中への光の光強度分布を小さく抑えることで、電極間で生じる共振現象を抑え、発光効率（ｄＰ／ｄＩ）の変動を小さくして、安定した光出力を得ること」にあるものと理解できるところ、本願発明の「『第２クラッド層の層厚』が、『第１クラッド層』の層厚より大きい」との特定事項は、第２クラッド層と第１クラッド層の厚さの相対的な関係を特定するにすぎないものであって、これにより「ＧａＡｓ基板中への光の光強度分布を小さく抑える」という効果を生じるものとはいえないから、本願発明における相違点２の構成に格別の技術的意義をみいだすことができない。
　すなわち、本願発明における相違点２に係る構成「第２クラッド層の層厚が、第１クラッド層の層厚より大きい」は単なる設計事項の範疇を超えるものということはできないから、この点は、当業者が必要に応じて適宜定め得る設計事項程度以上の格別なものとは認められない。
ウ　回答書における主張について
　なお、請求人は平成２４年６月２０日付けの回答書において「また、クラッド層中の光強度は距離に関して指数関数的に低下するから、クラッド層を厚くするとＧａＡｓ基板やＧａＡｓコンタクト層中での光強度を小さくすることができる。ＧａＡｓは、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦０．３）活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいので、活性層で生じるレーザ光は、ＧａＡｓ基板やＧａＡｓコンタクト層内で価電子帯の電子を伝導帯へ励起する、いわゆるバンド間吸収を起こさない。しかしながら、ＧａＡｓ基板やＧａＡｓコンタクト層は不純物をドーピングしているので、キャリア吸収は起きる。このように、クラッド層の層厚を厚くして指数関数的に光強度を低下させ、更にＧａＡｓ基板やＧａＡｓコンタクト層中でのキャリア吸収を受ければ、ＧａＡｓ基板側電極又はＧａＡｓコンタクト層側電極での光強度は低下し、電極間共振防止には有効である。
　以上のように、本発明では、光分布の対称性を崩すと共に、その反対側のクラッド層を厚くすることで、ＧａＡｓ基板側電極又はＧａＡｓコンタクト層側電極での光強度を低下させるものである。このように光強度分布の対称形を崩すことは、第１の正規化周波数を第２の正規化周波数よりも大きくするとの表現で、明確に規定されるものと考える。・・・
（２）特許法第２９条第１項第３号、同条第２項
　前置報告書では、引用文献１では、基板方向に光分布を逃がしているところ、基板までは光を到達させないようなクラッド層厚を採用すべきことは当業者に自明のことにすぎないため、本発明と本質的に相違しないものと認められる。・・・
　しかしながら、引用文献１は、基本モード以外の高次横モードが生じることによって発生するキンクを抑制するために、光分布を基板側に逃がしているのであって、電極間共振を防ぐものではない。本発明は、単にクラッド層厚を厚くするのではなく、第１正規化周波数を第２正規化周波数よりも大きくすることで光分布の対称性を崩し、光分布の少ない方のクラッド層を厚くするものであり、引用文献１にはこのような内容は記載も示唆もされていない。
　また、『光共振の観点から厚いクラッド層を設けることは導波路設計として当然行うべきこと』と指摘しているが、光分布の対称性を保ったままでは第１クラッド層及び第２クラッド層の両方を厚くする必要があり、結晶成長上、基板が反るとか欠陥が入りやすいとの問題がある上、活性層で発生した熱の放熱が悪くなることにより特性劣化を招く。
　一方、本発明は、光分布の対称性を崩すことで、一方のクラッド層のみを厚くするだけでよく、これら結晶成長上の問題が回避でき、かつ放熱悪化に伴う特性劣化を防ぐことができる。」（回答書２頁１３行〜４頁５行）と主張している。
　しかしながら、本願発明における相違点２の構成に格別の技術的意義をみいだせないことは、上記イで検討したとおりである。
　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用文献の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。