【事件の表示】
　特願２００３−２８１８０１「炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月２４日出願公開、特開２００５−　４７７５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２９日の出願であって、平成２１年４月１０日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同年４月１５日）、同年６月１０日付けで意見書及び特許請求の範囲に係る手続補正書が提出され、同年６月２２日付けで拒絶査定がなされ（発送日は同年７月１日）、同年９月２９日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで特許請求の範囲及び明細書に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２３年９月２１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され（発送日は同年９月２８日）、同年１１月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年９月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年９月２９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　平成２１年９月２９日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、平成２１年６月１０日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の【請求項１】
　「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む炭化珪素製品であって、前記炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むことを特徴とする炭化珪素製品。」は次のとおりに補正された。
「酸洗浄によって得られた１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む炭化珪素製品であって、前記炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むことを特徴とする炭化珪素製品。」　
　上記補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面」を「酸洗浄によって得られた１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか、以下に検討する。
　
（１）刊行物に記載された事項
　平成２３年９月２１日付けの特許法第１６４条第３項に基づく報告に引用された、特開２０００−１６９２３３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】　炭化ケイ素焼結体を、準水系有機溶剤に浸漬する工程、無機酸水溶液に浸漬する工程、及び純水に浸漬する工程、で順次処理することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法。
・・・
【請求項７】  無機酸水溶液が、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸、過酸化水素水、オゾン水、又はこれらの混合酸水溶液であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体各種部材及び電子部品用途向け炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法に関する。詳しくは、高純度が要求されるダミーウエハ、ターゲット、発熱体等に関する半導体製造用途炭化ケイ素焼結体の有機物汚染、金属元素汚染、及ぴパーティクル汚染の除去方法に関する。」（段落【０００１】）
（ウ）「前記無機酸水溶液としては、フッ化水素酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸水溶液、過酸化水素水、オゾン水及びこれらの混合酸水溶液が挙げられる。前記混合酸水溶液としては、フッ硝酸水溶液、フッ硝酸と硫酸との混合酸水溶液、フッ酸と塩酸との混合酸水溶液等が挙げられる。
　前記無機酸水溶液の濃度としては、０．３〜６８重量％が好ましく、１〜４０重量％がより好ましく、５〜１０重量％がさらに好ましい。この濃度が０．３重量％未満であると、金属不純物除去効果が不十分となることがあり、６８重量％を超えると、被洗浄物表面の粗度を低下させることがある。」（段落【００２９】〜【００３０】）
（エ）「〔実施例１〕被洗浄体を、準水系有機溶剤（石油系炭化水素、有機酸エステル及びノニオン系界面活性剤の混合溶剤）の原液に、５０℃で超音波（１００Ｖ−２６±２ｋＨｚ）を照射しながら１５分浸漬し、水濯ぎを行い、次にフッ硝酸水溶液（３８％フッ酸：６８％硝酸：水＝１：１：２０）に３０分浸漬し、さらに純水に浸漬した後、表面清浄度の測定を行った。被洗浄体の表面清浄度は、８×１０９ 〜１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ であり、詳しくは表１に示す。また、上記各処理は、準水系有機溶剤に浸漬する処理以外は、水溶液の温度を、常温にして行った。
　〔実施例２〕被洗浄体を、グリコールエーテルに２０分浸漬し、４級アンモニウム塩水溶液に３０分浸漬し、フッ硝酸水溶液（３８％フッ酸：６８％硝酸：水＝１：１：２０）に３０分浸漬し、さらに純水に浸漬した後、表面清浄度の測定を行った。被洗浄体の表面清浄度は、８×１０９ 〜９×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ であり、詳しくは表１に示す。また、上記各処理は、溶剤、水溶液の温度を、常温にして行った。
　〔実施例３〕実施例１において、各処理で超音波（１００Ｖ−２６±２ｋＨｚ）を照射する以外は、実施例１同様に処理した後、表面清浄度の測定を行った。被洗浄体の表面清浄度は、８×１０９ 〜９×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であり、詳しくは表１に示す。
　〔実施例４〕実施例１において、各処理で溶剤、水溶液の温度を、７０℃にした以外は、実施例１同様に処理した後、表面清浄度の測定を行った。被洗浄体の表面清浄度は、８×１０９ 〜１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であり、詳しくは表１に示す。
　〔実施例５〕被洗浄体を、準水系有機溶剤（石油系炭化水素、有機酸エステル及びノニオン系界面活性剤の混合溶剤）の原液に、５０℃で超音波（１００Ｖ−２６±２ｋＨｚ）を照射しながら１５分浸漬し、４級アンモニウム塩水溶液に３０分浸漬し、フッ酸／硝酸／硫酸水溶液（３８％フッ酸：６８％硝酸：９８％硫酸：水＝１：１：１：２０）に３０分浸漬し、さらに純水に浸漬した後、表面清浄度の測定を行った。被洗浄体の表面清浄度は、４×１０９ 〜９×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であり、ここで得られたＺｎ及びＣｒの分析値はＴＸＲＦの検出下限値である。詳しくは表１に示す。また、上記各処理は、準水系有機溶剤に浸漬する処理以外は、水溶液の温度を、常温にして行った。」（段落【００５２】〜【００５６】）
（カ）「
」（段落【００５９】）
（キ）「表１より、本発明の炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄処理を行ったものは、半導体各種部材及び電子部材に応用可能な、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満のレベルの表面洗浄度であることがわかる。・・・」（段落【００６０】）
　
（２）対比、判断
　刊行物１の記載事項（ア）の請求項１を引用する請求項７を独立形式で書き直すと「炭化ケイ素焼結体を、準水系有機溶剤に浸漬する工程、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸、過酸化水素水、オゾン水、又はこれらの混合酸水溶液である無機酸水溶液に浸漬する工程、及び純水に浸漬する工程、で順次処理することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法。」と記載することができる。そして、同（イ）に「半導体各種部材及び電子部品用途向け炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法に関する。詳しくは、高純度が要求されるダミーウエハ、ターゲット、発熱体等に関する」として、焼結体の具体例が記載されている。さらに、同（カ）には、不純物がＦｅ、Ｎｉ及びＣｕを含むものであって、それぞれ実施例では１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ のオーダーであることが示され、同（キ）には、「本発明の炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄処理を行ったものは、半導体各種部材及び電子部材に応用可能な、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満のレベルの表面洗浄度であること」が記載されている。
　これら記載事項を、本願補正発明の記載振りに則って整理し、炭化ケイ素焼結体の発明とすると、「高純度が要求されるダミーウエハ、ターゲット、発熱体等の炭化ケイ素焼結体を、準水系有機溶剤に浸漬する工程、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸、過酸化水素水、オゾン水、又はこれらの混合酸水溶液である無機酸水溶液に浸漬する工程、及び純水に浸漬する工程、で順次処理することでＦｅ、Ｎｉ及びＣｕを含む不純物が半導体各種部材及び電子部材に応用可能な、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満のレベルの表面洗浄度である炭化ケイ素焼結体。」の発明（以下、「刊行１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　本願補正発明と刊行１発明とを対比すると、刊行１発明の「高純度が要求されるダミーウエハ、ターゲット、発熱体等の炭化ケイ素焼結体」が本願補正発明の「炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むこと」の内の「半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物」に相当することは明らかである。また、刊行１発明の「半導体各種部材及び電子部材に応用可能な・・・炭化ケイ素焼結体」は、本願補正発明の「炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むこと」の内の「炭化珪素半導体装置」に相当することも明らかである。さらに、刊行１発明の「準水系有機溶剤に浸漬する工程、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸、過酸化水素水、オゾン水、又はこれらの混合酸水溶液である無機酸水溶液に浸漬する工程、及び純水に浸漬する工程、で順次処理すること」は、本願補正発明の「酸洗浄」であり、刊行１発明の「Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｕを含む不純物が半導体各種部材及び電子部材に応用可能な、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ 未満のレベルの表面洗浄度である」ことは、本願補正発明の「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む」ことに相当するものであるということができる。
　
　してみると、両者は、
「酸洗浄によって得られた１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む炭化珪素製品であって、前記炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むことを特徴とする炭化珪素製品。」
で一致し、異なるところがない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（４）回答書の補正案について
　請求人は、回答書において特許請求の範囲の補正案を提示して「引用文献１（審決注：刊行物２（特開２０００−１６９２３３号公報））は、半導体各種部材及び電子部品用と向け炭化珪素焼結体の湿式洗浄方法に関するものであります。
 　これに対しまして、本願発明では、実施例である明細書段落［００２３］の炭化珪素ウエハーとあるのは、昇華法等の結晶成長法によって得られた単結晶炭化珪素もしくはＣＶＤ法によって得られた多結晶炭化珪素より製作されたものであります。
 　本願発明と引用文献１の発明とは、その洗浄対象物が異なります。」と主張する。
　しかしながら、本願の当初明細書において「本発明は炭化珪素製品に関し、特に、半導体装置並びに半導体装置製造用部材等の構造物に使用される炭化珪素及びその製造方法に関する。
【背景技術】
　一般に、炭化珪素は優れた耐熱性を有していることから炉芯管、均熱管、搬送用トレイ、ウェハボート等、半導体装置製造用部材として使用されている。更に、炭化珪素はその半導体的な性質を利用して、半導体装置自体を構成することも知られている。」（段落【０００１】〜【０００２】）と記載されており、「半導体装置製造用部材等の構造物」が「昇華法等の結晶成長法によって得られた単結晶炭化珪素もしくはＣＶＤ法によって得られた多結晶炭化珪素」からなるものとは考えづらく、しかも、引用文献１のように焼結体でも補正案の発明のように単結晶炭化珪素もしくはＣＶＤ法によって得られた多結晶炭化珪素であっても酸洗の効果は洗浄対象物によって異なるものとする根拠はないので、請求人の主張は根拠がない。
　また、請求人は「次に、引用文献１には、複数種の酸、フッ化水素酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸水溶液、過酸化水素水、オゾン水、及びこれらの混合酸水溶液をあげています。しかし、実施例１〜４では，３８％フッ酸：６８％硝酸：水＝１：１：２０の混合液を用い、実施例３〜４では、更に、洗浄時に超音波照射を行っております。
 　本願発明では、引用文献１の酸混合液とは異なる単一の酸で、且つ異なる濃度に特定することで、４５％を超える濃度の弗酸であるか、又は３５％以上の濃度を有する塩酸である酸の洗浄によって、表２に示しますように、引用文献１の表１の（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ）と同等の１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下という清浄表面を得ております。 
 　従いまして、本願発明は引用文献１とは、その酸の種類が異なりますので、本願発明は引用文献１から教えられるものではありません。」と主張する。
　この請求人の主張については、刊行物２の実施例の記載のみによるものであって、刊行物２に記載された「【請求項７】  無機酸水溶液が、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸、過酸化水素水、オゾン水、又はこれらの混合酸水溶液であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法。」や「【００３０】前記無機酸水溶液の濃度としては、０．３〜６８重量％が好ましく、１〜４０重量％がより好ましく、５〜１０重量％がさらに好ましい。」に基づくものでないので、当を得たものとすることができない。
　
第３　本願発明について
（１）本願発明 
　平成２１年９月２９日付けの手続補正は前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２１年６月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む炭化珪素製品であって、前記炭化珪素製品は、炭化珪素半導体装置、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むことを特徴とする炭化珪素製品。」
　
（２）引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された、「Y. CHINONE et al.，Applications of high purity SiC prepared by　chemical vapor deposition，Springer Proceedings in Physics, Amorphous　and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials II，Edited by M.  M. RAHMAN et al., Heidelberg, Springer-Verlag，1989, Vol.43，pp.198- 206」（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「
」（１９８頁下から１４行〜１９９頁下から８行）
（当審訳：２．ＳｉＣ自立膜の準備と特性
　所望の形状に黒鉛基材を加工後に、ＳｉＣは、化学的に様々な厚さに堆積される。用いられる黒鉛は、熱的係数が等方で高度に純粋である（灰分量が２０ｐｐｍ以下である。）。我々は、１２５０−１３５０℃でメチルトリクロロシラン／水素系を用いた。堆積速度は、約０．０８から０．１ｍｍ／時だった。ＣＶＤ−ＳｉＣの堆積厚さは、図１に示されるように溝内でさえ非常に均一である。堆積後黒鉛基材は、高温で燃やしつくされ堆積ＳｉＣ層が残る。
　かくして、自立膜は得られる。ＳｉＣ成長層は、透明で色調は黄色である。図２にＸ線回折図が示される。堆積ＳｉＣの構造は正方晶であり、高度に配向したＳｉＣ（１１１）フィルムが生成したので、結晶性は非常に高度であると考える。
　図３に示されたラマン散乱の結果もまたこの３Ｃ−ＳｉＣが良い結晶性であることを表す。Ｘ線回折とラマンスペクトルはＳｉＣ層中に遊離Ｃや遊離Ｓｉが存在しないことを示す。堆積ＳｉＣ中の不純物は中性子放射化分析によって検査された。結果は表１に表示されている。これは、堆積ＳｉＣが非常に純粋であることを示す。）
（イ）「
」（１９９頁）（当審訳：表１　不純物濃度
　元素　　　　　　　　　濃度（ｐｐｍ）
・・・
　Ｆｅ　　　　　　　　　　０．０３５
・・・
　Ｃｕ　　　　　　　　　　＜０．１）
（ウ）「
」（２００頁１〜１８行）（当審訳：３．応用
３−１　高純度ＳｉＣウェーハ
　黒鉛薄円板上にＳｉＣを堆積した後、部分的に周辺が黒鉛表面をさらすように機械的に除去される。次に、黒鉛基材はさらされた部分を通じてＳｉＣ自立膜を残して燃やし尽くされる。最後にＳｉＣウェーハをフッ硝酸でエッチングし、非常に薄い酸化膜を除去する。そして、薄い酸化膜は、基材の高温での燃焼により形成されたものである。これらのＳｉＣウェーハは、多結晶だけれども透明で色調において黄色で、かなり高純度を示す。
　これらのウェーハは、シリコンエピタキシャル成長後のシリコン堆積除去時のＳｉＣ被覆サセプターのウェーハポケットのマスクに好適に使用される。これらのウェーハは、ダミーウェーハと呼ばれる。我々のＣＶＤ−ＳｉＣウェーハは、６’’寸法まで得られる。これらウェーハは、非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）でシリコンウェーハと似た重さと厚みを有しているから、真空チャック容易に扱うことができる。図４は、５’’ＳｉＣウェーハの外観を表す。これらのダミーウェーハは、大抵表面研磨を施されることなく用いられる。）
　
（３）対比・判断
　刊行物２の記載事項（ア）には、「堆積ＳｉＣ中の不純物は中性子放射化分析によって検査された。結果は表１に表示されている。これは、堆積ＳｉＣが非常に純粋であることを示す」が記載され、同（ウ）には、応用として「ダミーウェーハと呼ばれる・・・ＣＶＤ−ＳｉＣウェーハは、・・・非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）で」あることが記載され、表１である同（イ）には、「Ｆｅが０．０３５ｐｐｍで、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下である」ことが記載されている。
　これら記載事項を、本願発明１の記載振りに則って整理すると、「非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）で、Ｆｅが０．０３５ｐｐｍで、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下であるダミーウェーハと呼ばれるＣＶＤ−ＳｉＣウェーハ。」の発明（以下、「刊行２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　本願発明１と刊行２発明とを対比すると、刊行２発明の「ダミーウェーハ」は、「シリコンエピタキシャル成長後のシリコン堆積除去時のＳｉＣ被覆サセプターのウェーハポケットのマスクに好適に使用される」から、半導体装置製造用であり、ウェーハのダミー（替え玉）として装置に装着されるから構造物でもあるということができ、本願発明１の「炭化珪素製品は、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含む」に相当することは明らかである。そして、刊行２発明の「非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）で、Ｆｅが０．０３５ｐｐｍで、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下である」ことは、本願発明１の「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え、前記不純物は、鉄、Ｎｉ、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む」と「非常に低い不純物濃度を有し、不純物は、鉄、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む」であることで共通するものであるということができる。
　
　してみると、両者は、
「非常に低い不純物濃度を有し、不純物は、鉄、及び、Ｃｕの少なくとも１種を含む炭化珪素製品であって、前記炭化珪素製品は、半導体装置製造用炭化珪素部材、及び炭化珪素構造物のいずれか一種を含むことを特徴とする炭化珪素製品。」
で一致し、次の点で相違する。
　
相違点ａ：本願発明１の炭化珪素製品は、「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備え」るのに対し、刊行２発明においては、「非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）、Ｆｅが０．０３５ｐｐｍで、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下である」ものの表面の不純物濃度が特定されていない点
　
　そこで、相違点ａについて検討する。
　本願発明１における「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下の金属不純物濃度を有する表面を備える」ことの技術的意義は、当初明細書段落【００１０】に「本発明者等の実験によれば、洗浄しても炭化珪素表面には主に鉄（Ｆｅ）及び鉄合金が不純物として残留し、これら不純物濃度が１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下であれば、理論値に極めて近い特性を有する好適な半導体装置が得られることが判明した。」とあるだけで半導体装置の特性の好適不適から判断した基準値にすぎず、この値を境にピークを示すような特性を発揮するようなものではないからこの数値限定が臨界的意義を有するものとすることはできない。そして、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−８２１６号公報（以下、「刊行物３」という。）の図４及び図５には、「【請求項１】  少なくとも表面部が炭化珪素質材料もしくは窒化珪素質材料により構成された半導体製造用部材を高温酸素雰囲気中で熱処理し、該部材の表面に酸化珪素膜を形成したのち、前記酸化珪素膜を酸により溶解除去することを特徴とする半導体製造用部材の洗浄方法。」の「図４に実施例１として示されたように、本発明による洗浄結果によると、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの単位体積当たりの原子数は、いずれも比較例１および比較例２に対して遥かに減少していることが理解できる。」（段落【００１４】）及び「図５から理解されるように、前記乃至の洗浄工程を２回繰り返すことで、特にＦｅおよびＮｉの単位面積当たりの原子数は１回の清浄工程の場合に比較して顕著に減少する。また前記洗浄工程を５回繰り返すことで、Ｃｕの原子数も相当減少されることが判明した。」（段落【００１７】）の記載からみて、不純物汚染の濃度の基準を「１×１０１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下」とすることは、当業者において広く知られているところである。そうであれば、非常に低い不純物濃度（表１に示されるｐｐｂレベル）、Ｆｅが０．０３５ｐｐｍで、Ｃｕが０．１ｐｐｍ以下である刊行２発明において係る基準を採用することは当業者であれば容易というべきである。
　そして、本願発明１において相違点ａに係る特定事項を採用することにより格別な効果を奏するものとは認められない。
　
　そして、本願発明１により当業者が予測し得ない格別顕著な相乗的な効果が奏されたものと判断することはできない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。