【事件の表示】
　平成１１年特許願第２６６９８２号「貼り合せＳＯＩウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　６日出願公開、特開２００１−　９３７８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　  
　本願は、平成１１年９月２１日の出願であって、平成２２年６月１６日に意見書及び手続補正書が提出され、同年６月２９日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年９月１６日に審判が請求された。その後、平成２３年１１月１４日付けで当審により拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して、同年１２月１６日に意見書が提出されたものである。
　  
　  
第２　本願発明  
　請求項１に係る発明は、平成２２年６月１６日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。  
　  
「【請求項１】　ベースウェーハの表面と活性ウェーハの表面にそれぞれ酸化膜を形成し、該酸化膜を介して前記ベースウェーハと活性ウェーハを重ねて接着するとともに接着されたベースウェーハと活性ウェーハの表面を熱酸化する貼り合せＳＯＩの製造方法において、前記ベースウェーハと活性ウェーハとの接着部に介設される中間酸化膜厚を３μｍ以上にし、前記接着するベースウェーハと活性ウェーハの各表面に形成する酸化膜の厚みの差を２μｍ以下とすることによって熱酸化後のベースウェーハと活性ウェーハの断面にベースウェーハと活性ウェーハを構成している原子のスリップ現象が発生することを抑制する貼り合せＳＯＩウェーハの製造方法。」 　  
　
　 
第３　引用例の記載と引用発明  
１　引用例１とその記載内容  
　当審拒絶理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−４５８８２号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体基板及びその製造方法」（発明の名称）について、図１、２及び５、表１とともに、次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。 
　  
（１）発明の属する技術分野等  
「【０００１】　
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板及びその製造方法に係り、特にＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの製造方法に関する。」
「【０００５】従来のＳＯＩウェーハの製造方法には、支持基台側ウェーハと活性層側ウェーハとのうちいずれか一方に酸化絶縁膜を形成した後これらを接合する方法と、支持基台側ウェーハ及び活性層側ウェーハの両方に同一の膜厚の酸化絶縁膜を形成した後これらを接合する方法とがある。以下、図面を参照しながら前述のＳＯＩウェーハの製造方法について、図面を参照しながら説明する。」
「【００１１】第２の製造方法においては、支持基台側ウェーハ１及び活性層側ウェーハ２の両方に、約１１００℃の温度条件の下で酸素／水素の燃焼酸化により酸化シリコン絶縁膜１３、１４を形成する（図５（ａ））。両方のウェーハに酸化シリコン絶縁膜１３、１４を形成する場合の酸化シリコン絶縁膜１３、１４は、それぞれ最終的に完成するＳＯＩウェーハに必要な厚さの半分の厚さに形成する。したがって、酸化シリコン絶縁膜１３、１４は、それぞれ０．５〜１．５μｍの範囲の所定の厚さに形成されており、かつ、酸化シリコン絶縁膜１３、１４は同一の厚さである。
【００１２】次に、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜１３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜１４とを直接接着法により接合し、支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間に酸化シリコン絶縁膜１５を形成する。（図５（ｂ））。
【００１３】最後に、酸化シリコン絶縁膜１４及び活性層側ウェーハ２を研摩加工し、厚さ約１０μｍの活性層１６を形成して、ＳＯＩウェーハが完成する（図５（ｃ））。」
「【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
従来の製造方法に係るＳＯＩウェーハにおいては、反りの発生という問題点があり、その原因はシリコンと酸化シリコン絶縁膜の熱膨張率のちがいにより支持基台側ウェーハ１０及び活性層２０に作用する引っ張り応力と、酸化シリコン絶縁膜３０に作用する圧縮応力との不均衡に起因すると考えられる。」
「【００２０】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、反りの発生を低減することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することである。
　
（２）発明の実施の形態 
「【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体基板及びその製造方法につき、図面及び表を参照しながら説明する。
【００２９】図１は、本発明に係る半導体基板の製造方法の説明図であり、主な製造工程におけるシリコンウェーハ等の略断面図から構成されている。使用するシリコンウェーハは、従来例の場合と同様に、支持基台側ウェーハ１及び活性層側ウェーハ２として、６インチ、Ｐ型、面方位（１００）、比抵抗５Ω・ｃｍ、厚さ６２５μｍのシリコンウェーハを用いる。
【００３０】
本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法においては、
支持基台側ウェーハ１には酸化シリコン絶縁膜３を、活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４を、それぞれ形成する（図１（ａ））。
酸化シリコン絶縁膜３および４の膜厚の合計が、支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２とを絶縁分離する絶縁膜の所定の厚さとなるようにする。
【００３１】
次に、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜４とを直接接着法により接合し、支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間に酸化シリコン絶縁膜５を形成する。
【００３２】最後に、酸化シリコン絶縁膜４及び活性層側ウェーハ２を研摩加工し、厚さ約１０μｍの活性層６を形成して、ＳＯＩウェーハが完成する。（図１（ｃ））。
【００３３】図２及び表１は、本発明に係る半導体基板の製造方法と、従来の製造方法とによりそれぞれ製造したＳＯＩウェーハに発生した反りの量の測定結果である。
図２のグラフＬ１及び表１右欄は、本発明に係る半導体基板の製造方法により作製したＳＯＩウェーハ
を示している。表１の左欄及び右欄の第１列の「ＳＯＩウェーハのＳｉＯ
2 
膜厚（μｍ）」は完成したＳＯＩウェーハの酸化シリコン絶縁膜の厚さ、第２列の「活性層ウェーハのＳｉＯ
2 
膜厚（μｍ）」は、活性層側ウェーハに形成した酸化シリコン絶縁膜の厚さ、第３列の「基台ウェーハのＳｉＯ
2 
膜厚（μｍ）」は支持基台側ウェーハに形成した酸化シリコン絶縁膜の厚さ、第４列の「反り（μｍ）」は、完成したＳＯＩウェーハに発生した反りの測定結果をそれぞれ示している。
「【００３４】
この測定結果から、反りは約４０〜７０μｍも低減されており、したがって、約３０〜４５％と大幅な反りの低減が実現されていることがわかる。
　
（３）表１について
　表１右欄は、本発明に係る半導体基板の製造方法により製造したＳＯＩウェーハに発生した反りの量の測定結果を示している。
　そして、「酸化シリコン絶縁膜５の膜厚」に対応する該右欄の第１列の「ＳＯＩウェーハのＳｉＯ2 膜厚（μｍ）」は「３．０」、「酸化シリコン絶縁膜４の膜厚」に対応する該右欄の第２列の「活性層ウェーハのＳｉＯ2 膜厚（μｍ）」は「２．０」、そして、「酸化シリコン絶縁膜３の膜厚」対応する該右欄の第３列の「基台ウェーハのＳｉＯ2 膜厚（μｍ）」は「１．０」と、それぞれ記載されている。
　
２　引用発明  
　上記（１）〜（３）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「引用発明」という。）。  
　 
「支持基台側ウェーハ１には酸化シリコン絶縁膜３を、活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４を、それぞれ形成し、
　次に、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜４とを直接接着法により接合し、支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間に酸化シリコン絶縁膜５を形成する、ＳＯＩウェーハの製造方法において、
　支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間の酸化シリコン絶縁膜５の膜厚が３．０μｍ、活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４の膜厚が２．０μｍ、そして、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３の膜厚が１．０μｍである、ＳＯＩウェーハの製造方法。」
　
３　引用例２とその記載内容
　当審拒絶理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−８１２４号公報（以下「引用例２」という。）には、「絶縁分離基板及びその製造方法」（発明の名称）について、図６とともに、次の記載がある。
  　
ア　産業上の利用分野　
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明はウェハ貼り合わせ法で作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関し、より詳細には基板の反りを容易に制御可能なウェハ貼り合わせ法で作製する絶縁分離基板及びその製造方法に関するものである。
　
イ　実施例
「【００４２】図６は、第３の実施例として、埋込み酸化膜の膜厚２．０μｍ、ＳＯＩ層の厚み１０μｍの絶縁分離基板について、反り量をＳＯＩ層側に凹の状態で２０μｍに制御する場合について示したものである。
【００４３】反り量をＳＯＩ層側に凹の状態で２０μｍ、すなわち反り量を−２０μｍにするためには、上記関係式（１）から、膜厚差は−０．３４μｍとしなければならない。
【００４４】したがって、図６（ａ）に示されるように、例えば第１シリコン基板６５に膜厚０．２μｍの酸化膜６７、６８を、第２シリコン基板６６に膜厚１．８μｍの酸化膜６９、７０を、酸化性雰囲気中で熱処理を施すことによって形成する。 　
【００４５】
次いで、図６（ｂ）に示されるように、第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を密着させる。次に、この状態で、上記第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を直接接合をさせるための熱処理を行う。この熱処理を酸化性雰囲気中で行うことで、第２シリコン基板６６の他方の面（絶縁分離基板の裏面）の酸化膜７０の酸化膜厚を増大させて、１．８μｍから２．３４μｍとする。
【００４６】
この後、図６（ｃ）に示されるように、第１シリコン基板６５の他方の面（酸化膜６７′側）を研削する。次いで、この研削した面を研磨することにより、１０μｍのＳＯＩ層７１を得る。
【００４７】
これにより、埋込み酸化膜７２の膜厚２μｍ、裏面の酸化膜７０′の膜厚２．３４μｍ、膜厚差−０．３４μｍとなって、絶縁分離基板７３の反りはＳＯＩ層７１側に凹状で２０μｍとなる。
　
ウ　上記イの段落【００４５】の「熱処理を酸化雰囲気中で行う」との記載から、熱酸化していることが分かるから、引用例２には、以下の方法が記載されているといえる。　
　
　ウェハ貼り合わせ法で作製する絶縁分離基板の製造方法であって、第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６に、それぞれ酸化膜を形成し、次いで、第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を密着させ、この状態で、上記第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を直接接合をさせるための熱処理を酸化性雰囲気中で行うことで、第１のシリコン基板６５と第２のシリコン基板６６の表面を熱酸化する方法。
　
　　
第４　対比  
１　本願発明と引用発明とを対比すると、  
ア　引用発明の「支持基台側ウェーハ１」、「活性層側ウェーハ２」は、それぞれ、本願発明の「ベースウェーハ」、「活性ウェーハ」に相当し、引用発明の「酸化シリコン絶縁膜３」及び「酸化シリコン絶縁膜４」は、共に本願発明の「酸化膜」に相当するから、引用発明の「支持基台側ウェーハ１には酸化シリコン絶縁膜３を、活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４を、それぞれ形成」することは、本願発明の「ベースウェーハの表面と活性ウェーハの表面にそれぞれ酸化膜を形成」することに相当する。　
　
イ　引用発明の「支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜４とを直接接着法により接合し、支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間に酸化シリコン絶縁膜５を形成」することは、本願発明の「該酸化膜を介して前記ベースウェーハと活性ウェーハを重ねて接着する」ことに相当する。
　
ウ　引用発明の「支持基台側ウェーハ１と活性層側ウェーハ２との間の酸化シリコン絶縁膜５の膜厚が３．０μｍ」であることは、本願発明の「前記ベースウェーハと活性ウェーハとの接着部に介設される中間酸化膜厚を３μｍ以上」であることに相当する。　
　
エ　引用発明において、「活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４の膜厚が２．０μｍ、そして、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３の膜厚が１．０μｍである」から、「直接接着法により接合」する、「活性層側ウェーハ２」と「支持基台側ウェーハ１」の各表面に形成する「酸化シリコン絶縁膜４」と「酸化シリコン絶縁膜３」の厚みの差は、（２．０μｍ−１．０μｍ＝）１．０μｍとなる。
　そうすると、引用発明の「活性層側ウェーハ２には酸化シリコン絶縁膜４の膜厚が２．０μｍ、そして、支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３の膜厚が１．０μｍである」ことは、本願発明の「前記接着するベースウェーハと活性ウェーハの各表面に形成する酸化膜の厚みの差を２μｍ以下」とすることに相当することが分かる。
　
２　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。 
  
〈一致点〉  
「ベースウェーハの表面と活性ウェーハの表面にそれぞれ酸化膜を形成し、該酸化膜を介して前記ベースウェーハと活性ウェーハを重ねて接着する貼り合せＳＯＩの製造方法において、前記ベースウェーハと活性ウェーハとの接着部に介設される中間酸化膜厚を３μｍ以上にし、前記接着するベースウェーハと活性ウェーハの各表面に形成する酸化膜の厚みの差を２μｍ以下とする貼り合せＳＯＩウェーハの製造方法。」 
　　
〈相違点〉 
相違点１ 
　本願発明は、「該酸化膜を介して前記ベースウェーハと活性ウェーハを重ねて接着するとともに接着されたベースウェーハと活性ウェーハの表面を熱酸化する」のに対し、引用発明では、「支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜４とを直接接着法により接合」するものの、接合された「支持基台側ウェーハ１」と「活性層側ウェーハ２」の表面を熱酸化する構成がない点。  　
　 
相違点２
　本願発明は、「ベースウェーハと活性ウェーハの断面にベースウェーハと活性ウェーハを構成している原子のスリップ現象が発生することを抑制する」のに対し、引用発明では、「支持基台側ウェーハ１」と「活性層側ウェーハ２」の断面に「支持基台側ウェーハ１」と「活性層側ウェーハ２」を構成している原子のスリップ現象が発生することを抑制することについての特定がない点。
　
　 
第５　相違点についての検討  
（１）相違点１について　
ア　まず、引用発明は、「支持基台側ウェーハ１上の酸化シリコン絶縁膜３と、活性層側ウェーハ２上の酸化シリコン絶縁膜４とを直接接着法により接合」する「ＳＯＩウェーハの製造方法」である。　
　
イ　そして、上記第３の３により、引用例２には、「ウェハ貼り合わせ法で作製する絶縁分離基板の製造方法であって、第１シリコン基板６５に酸化膜を、第２シリコン基板６６に酸化膜を、形成し、次いで、第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を密着させ、この状態で、上記第１シリコン基板６５と第２シリコン基板６６を直接接合をさせるための熱処理を酸化性雰囲気中で行うことで、第１のシリコン基板６５と第２のシリコン基板６６の表面を熱酸化する方法」が記載されている。
　
ウ　引用発明と引用例２に記載の方法は、共に、貼り合せＳＯＩウェーハの製造方法という点で共通する。
　
エ　ここで、貼り合せＳＯＩウェーハの製造方法である「直接接着法」において、貼り合せた後、熱処理を行うことは、例えば、以下の周知例１に記載されているように、本願の出願日前の周知技術として知られていたものである。　
　
（周知例１：特開平９−２２３６６７号公報） 
　上記周知例１には、次の記載がある。 
　
「【０００２】
【従来の技術】図１に示したように、支持基板１、この支持基板１上に形成された絶縁膜２、およびこの絶縁膜２によって上記支持基板１から分離された薄い単結晶の半導体層３から構成された積層基板は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩと略称される）基板として周知である。
【０００３】このＳＯＩ基板を形成する方法としては、（ａ）支持基板１の内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、高温熱処理を行って絶縁膜２を形成し、この絶縁膜２の表面上に薄い単結晶半導体層３を形成する方法、および（ｂ）
単結晶半導体基板３の表面上に絶縁膜２をあらかじめ形成しておき、上記支持基板１と絶縁膜３を互いに対向させて直接接着法によって張合わせた後、接着強度を大きくするための熱処理を行い、次に単結晶半導体基板３の裏面側から研削、研磨、およびプラズマエッチング等を順次行って、単結晶半導体基板３を薄くし、半導体層３とする方法、
　
オ　そうすると、上記ウの周知技術を勘案すれば、引用発明において、直接接着法により貼り合わせた後、熱処理を行うことは当業者であれば、普通に想起し得るものであり、その熱処理する手段として、引用例２に記載された、熱処理を酸化性雰囲気中で行い熱酸化する方法を採用することは、当業者が容易になし得たものである。
　
（３）相違点２について
ア　ＳＯＩの製造方法において、熱処理時の熱膨張係数の違いにより、応力が発生し、反りやスリップが生じることは、例えば、以下の周知例２に記載されているように、本願の出願日前に周知の課題として知られていたものである。
　
（周知例２：特開平７−２３５６５１号公報） 
　上記周知例２には、次の記載がある。 
　　
・従来の技術
「【０００６】また
貼り合わせＳＯＩにおいてもう１つの重要な問題がある。それは絶縁体基板とシリコン基板の熱膨張係数の違いである。支持体となる基板側にシリコン基板を用いる場合（即ちシリコン基板同志の貼り合わせ）にはこの熱膨張係数の違いは殆ど問題にならない。しかし、熱膨張係数の大きく違う基板同志を貼り合わせて、温度変化が起こった場合、両基板の熱膨張係数の違いに起因する応力が発生する。
　
・実施態様例
「【００４３】（図１ｂ）  以上のようにして形成した多孔質層１０１上に、非多孔質の単結晶シリコン層１０２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長は一般的な熱ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、分子線エピタキシー、スパッタ法等で行う。成長する膜厚はＳＯＩ層の設計値と同じくすれば良いが、好ましくは２μｍ以下の膜厚が良い。
これは２μｍ以上の膜厚の単結晶シリコン膜がＳｉＯ
2
を主成分とする絶縁体基板と密着している場合、これをデバイスプロセスで熱処理すると両材料の熱膨張係数の違いから貼り合わせ界面に大きな応力が発生し、シリコン膜の破壊、基板の反り、または界面での剥離等が起こってしまうからである。膜厚が２μｍ以下であれば応力は比較的小さいので、膜の破壊、剥離、反り等は起こりにくい。より好ましくは、０．５μｍ以下である。これは０．５μｍ以上の膜厚であると、後のアニールの際に剥離、破壊等が起こらなくても、微小な領域において結晶にスリップラインが生じやすくなるからである。
　　
イ　そして、引用発明においては、引用例１の段落【００１５】の「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の製造方法に係るＳＯＩウェーハにおいては、反りの発生という問題点があり、その原因はシリコンと酸化シリコン絶縁膜の熱膨張率のちがいにより支持基台側ウェーハ１０及び活性層２０に作用する引っ張り応力と、酸化シリコン絶縁膜３０に作用する圧縮応力との不均衡に起因すると考えられる。」と、段落【００２０】の「本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、反りの発生を低減することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することである。」との記載から、熱膨張率のちがいにより作用する応力についての課題を有するとともに、反りの発生を低減していることが分かる。
　
ウ　そうすると、上記アの周知の課題からも明らかなように、ＳＯＩの製造方法において、応力が発生すると、「反り」だけでなく「スリップ」も生じ得ることに鑑みれば、応力についての課題を有する引用発明において、「反りの発生の低減」を実現するとともに、「スリップ」の抑制も同様に実現しようとすることは、当業者が当然に考慮することといえる。　
　
エ　したがって、相違点２は、当業者が適宜なし得たものである。　
　　
（４）以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　  
　  
　 
第６　結言 　  
　以上のとおりであるから、本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。