【事件の表示】
　特願２００６−　　　５８８「エッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１９日出願公開、特開２００７−１８４３５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年１月５日の出願であって、平成２２年８月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年１０月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年７月１９日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、前置審査において平成２３年１０月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２３年１２月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、当審において平成２４年２月２３日付けで審尋がなされたが、これに対する応答がなかったものである。
　
第２　平成２３年１２月２０日付け手続補正について 
　１．本件補正の内容 
　平成２３年１２月２０日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書についての補正であり、特許請求の範囲についての補正は、本件補正前の（平成２３年７月１９日付けの手続補正書によって補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の請求項１〜８を、下記（２）に示す特許請求の範囲の請求項１〜７に補正するものである（下線は、補正箇所を示すために当審で付した。）。また、明細書についての補正は、段落【０００６】において、本件補正後の特許請求の範囲の記載と整合させたものである。
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８
「【請求項１】
　Ｃｌ２及びＯ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含むエッチング方法。
　　【請求項２】
　Ｃｌ２及びＨＢｒを含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含むエッチング方法。
　　【請求項３】
　Ｃｌ２、ＨＢｒ及びＯ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含むエッチング方法。
　　【請求項４】
　前記第２のエッチング工程で使用する前記第２のエッチングガスは、水素及び酸素のいずれも含まない請求項１乃至３のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項５】
　前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲である請求項１乃至４のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項６】
　前記第１のエッチング工程の前に、前記シリコン系半導体領域上に選択的に酸化物からなるエッチングマスクを形成する工程を更に含む請求項１乃至５のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項７】
　前記第１のエッチング工程の後、前記第１のエッチングガスをエッチングチャンバ内から排出し、その後、前記第２のエッチングガスを前記エッチングチャンバ内に供給し、前記第２のエッチング工程を開始する請求項１乃至６のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項８】
　前記第２のエッチング工程は、選択的異方性エッチングと同時にＣｌ２と、ＳＦ６及びＣＦ４との置換反応を引き起こすことでクリーニング処理を行う請求項１乃至７のいずれかに記載のエッチング方法。」 
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜７ 
「【請求項１】
　Ｃｌ２及びＯ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含
み、
　
前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲である
　　【請求項２】
　Ｃｌ２及びＨＢｒを含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも
含み、
　
前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲である
　　【請求項３】
　Ｃｌ２、ＨＢｒ及びＯ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含
み、
　
前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲である
　　【請求項４】
　前記第２のエッチング工程で使用する前記第２のエッチングガスは、水素及び酸素のいずれも含まない請求項１乃至３のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項５】
　前記第１のエッチング工程の前に、前記シリコン系半導体領域上に選択的に酸化物からなるエッチングマスクを形成する工程を更に含む請求項１乃至４のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項６】
　前記第１のエッチング工程の後、前記第１のエッチングガスをエッチングチャンバ内から排出し、その後、前記第２のエッチングガスを前記エッチングチャンバ内に供給し、前記第２のエッチング工程を開始する請求項１乃至５のいずれかに記載のエッチング方法。
　　【請求項７】
　前記第２のエッチング工程は、選択的異方性エッチングと同時にＣｌ２と、ＳＦ６及びＣＦ４との置換反応を引き起こすことでクリーニング処理を行う請求項１乃至６のいずれかに記載のエッチング方法。」
　
　２．本件補正の目的 
　本件補正によって請求項１〜３に追加された、「前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲である」との事項は、本件補正前の請求項５の発明特定事項である。また、本件補正前の請求項５は、本件補正前の「請求項１乃至４のいずれか」を引用するものである。
　そうすると、本件補正後の請求項１〜４は、本件補正前の請求項５と実質的な内容が同一であり、さらに、本件補正後の請求項５〜７は、それぞれ本件補正前の請求項６〜８と同一であるから、特許請求の範囲についての本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８のうち、請求項１〜４を削除するものである。
　したがって、特許請求の範囲についての本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定される請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
　３．本件補正の適否
　本件補正の目的については上記「２．」のとおりであり、また、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。 
　よって、本件補正は、適法な補正である。 
　
　以下、上記「１．（２）」において示した、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明を、「本願発明」という。
　
第３　刊行物等から認定される技術事項
　１．引用刊行物の記載事項
　前置審査における拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００５−２６８７６５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（刊ａ）「【請求項１】
半導体基板上に絶縁層を介して形成されたパッド電極を被覆するように前記半導体基板の表面に支持体を接着する工程と、前記半導体基板の裏面から前記パッド電極の表面に到達するようにビアホールを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
　前記半導体基板に対して少なくともＳＦ６とＯ２を含むエッチングガスを用いて前記絶縁層が露出しない位置まで第１の開口を形成する工程と、前記半導体基板に対して少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含むエッチングガスを用いて前記絶縁層が露出する位置まで第２の開口を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（刊ｂ）「【００２６】
　最初に、図１に示すように、例えばＳｉウエハから成る半導体基板１上の表面に、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等から成る絶縁層２を介してアルミニウム層もしくはアルミニウム合金層から成るパッド電極３を形成する。尚、前記パッド電極３を含む半導体基板１上は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等から成るパッシベーション膜（図示せず）で被覆されている。そして、パッド電極３を含む半導体基板１上にエポキシ樹脂層から成る接着剤４を介して、例えばガラス板から成る支持体５を接着する。尚、前記支持体５は、ガラスに限定されるものではなく、例えばテープ形状のものでも良い。
【００２７】
　次に、パッド電極３に対応する半導体基板１の裏面に開口部を有したレジスト層６を形成し、これをマスクにしてドライエッチングを半導体基板１に対して行い、半導体基板１の裏面からパッド電極３に到達するビアホール９を形成する。」（段落【００２６】及び【００２７】）
　
（刊ｃ）「【００２８】
　先ず第１に、図２に示すように開口の所定深さ位置まで第１のエッチング方法により高速なエッチングを行う。本工程では、少なくともＳＦ６とＯ２ガス等を含むエッチングガスを用いて、例えば全体で深さ１３０μｍの開口を形成する場合において、この第１のエッチングにより１２０μｍの深さの第１の開口７を形成する。この工程でのエッチングレートは、例えば１０μｍ／分程度である。尚、図２では第１の開口７が、いわゆる樽状に横に広がるように形成されているが、ストレート形状をしていても構わない。
【００２９】
　続いて、図３に示すように、前記開口の残りの深さ位置まで第２のエッチング方法を行う。本工程では、少なくともＳＦ６とＣＦ（フッ化炭素）系ガス（例えば、Ｃ２Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３等）を含むエッチングガスを用いて第１の開口７下に残り１０μｍの深さで開口された第２の開口８を形成する。この工程でのエッチングレートは、例えば５μｍ／分程度、場合によっては２〜１μｍ／分である。尚、第１、第２のエッチングガスとも、例えばＡｒ等の希釈ガス等が含まれていても良い。」（段落【００２８】及び【００２９】）
　
（刊ｄ）「【００３０】
　従って、本実施形態では、全体で１３０μｍの深さを有する開口をＳｉウエハに形成するために２つの工程を有し、エッチングレートの高いエッチング条件で第１のエッチングを行って第１の開口７を形成し、続いてエッチングレートの低いエッチング条件で第２のエッチングを行って第２の開口８を形成することで、極端に作業時間が長くなるといった問題が抑止される。尚、本実施形態では同一チャンバー内に供給するエッチングガスを切り替えることで、上記開口を形成しているが、本発明はこれに限定されることなく、例えば複数のチャンバーを備えた同一装置内で行われても良く、またエッチング工程毎に、別の装置に切り替えるものであっても構わない。」（段落【００３０】）
　
　２．周知文献の記載事項
　本願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平４−２４２９２７号公報（以下、「周知文献１」という。）、特開２００３−６８７０９号公報（以下、「周知文献２」という。）、特開平９−７９９６号公報（以下、「周知文献３」という。）、及び特開平５−１６６７６１号公報（以下、「周知文献４」という。）には、それぞれ、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）周知文献１（特開平４−２４２９２７号公報）
・「【請求項１】　　ウエハの下地の膜（２）上に形成された多結晶シリコン膜（３）をドライエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、塩素ガスまたは塩素ガスと酸素ガスを含む混合ガスのプラズマによって反応室（19）内をクリーニングしながら多結晶シリコン膜（３）またはポリサイド膜をドライエッチングする工程と、臭化水素ガスを含むガスのプラズマによって該多結晶シリコン膜（３）またはポリサイド構造をなす多結晶シリコン膜をドライエッチングする工程とを具備し、各々の工程が該ウエハに対して少なくとも１回ずつ行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
・「【００１８】具体的にはまず、被エッチング物であるポリシリコン膜を下地のＳｉＯ２膜上に有するウエハをステージに設置して、Ｃｌ２ガスまたはＣｌ２ガスとＯ２ガスの混合ガスのプラズマを用いて反応室内をクリーニングしながらポリシリコン膜を部分的にドライエッチングする処理を所定時間行う。反応室内の付着物は臭化物等であり、塩素を用いることにより揮発性の高い塩化物に変えて除去することができる。また、Ｃｌ２ガスにＯ２ガスを更に添加することによって反応室内をクリーニングしている際にエッチングされるポリシリコン膜のエッチングレートを速くすることができる（図１参照）。」（段落【００１８】）
　
（２）周知文献２（特開２００３−６８７０９号公報）
・「【請求項１】　シリコン酸化膜層の上に形成されたシリコン含有導電膜層を、当該シリコン含有導電膜層の上に形成された所定のパターン形状のマスク層を介して、少なくともＨＢｒガスを含むエッチングガスにより、エッチングするドライエッチング方法であって、
１３Ｐａ未満の第１の圧力でプラズマエッチングするメインエッチング工程と、
前記メインエッチング工程の後、前記メインエッチング工程より高い１３Ｐａ以上、２７Ｐａ以下の第２の圧力でプラズマエッチングするオーバーエッチング工程とを具備したことを特徴とするドライエッチング方法。
・・・（略）・・・
【請求項６】　請求項１〜５いずれか１項記載のドライエッチング方法において、
前記メインエッチング工程のエッチングガスは、ＨＢｒとＣｌ2 、又はＨＢｒとＣｌ2 とＯ2 、又はＣｌ2 とＯ2 、又はＨＢｒとＯ2 の混合ガス、又はＨＢｒガスからなることを特徴とするドライエッチング方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（３）周知文献３（特開平９−７９９６号公報）
・「【請求項１】　シリコン基板をドライエッチングする方法において、
塩素又は塩素を含有するガスと、
酸素を含有するガスとから成るエッチングガスでエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】　請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記エッチングガスは、さらに、フッ素を含有するガスを含むことを特徴とする。
・・・（略）・・・
【請求項５】　請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記フッ素を含有するガスはSF6 又はNF3 であることを特徴とする。」（【特許請求の範囲】）
　
・「【０００７】
【作用及び発明の効果】塩素又は塩素を含むガスは高速エッチングに寄与し、酸素を含有したガスはマスクに対する選択比の向上に寄与している。又、フッ素を含有したガス又は臭素を含有したガスは、形状制御、即ち、ほぼ垂直な深溝や深孔形成に寄与する。」（段落【０００７】）
　
・「【００１０】
第１実施例
上記RIE 装置において、実施例として用いたエッチングガスは、Cl2 ガス、SF6 ガス、Heガスを含むO2ガス( 以下、「He-O2 ガス」という) である。」（段落【００１０】）
　
（４）周知文献４（特開平５−１６６７６１号公報）
・「【００１０】
【従来の技術】上記のようなアンチフューズ方式のマスタースライス型ＩＣを形成する工程においては、図４(d) に示したように、層間絶縁膜54に形成されたコンタクト窓55A 内の W埋込み層56A 及び層間絶縁膜54上の非晶質Si膜57を選択的に除去する必要がある。
【００１１】その際従来は、絶縁膜上の多結晶若しくは非晶質のシリコン(Si)膜のドライ方式の選択エッチングに用いられる、６弗化硫黄(SF6) と４弗化炭素(CF4) の混合ガスによる (SF6/CF4)系、４塩化珪素(SiCl4) と塩素(Cl2) の混合ガスによる (SiCl4/Cl2)系、４塩化炭素(CCl4)ガス単体による(CCl4)系等の異方性ドライエッチング手段、例えばリアクティブイオンエッチング手段が用いられていた。」（段落【００１０】及び【００１１】）
　
　３．引用刊行物に記載された発明
　上記「１．」の記載事項（刊ａ）（以下、「摘記刊ａ」という。（刊ｂ）〜（刊ｄ）についても同様。）からは、少なくともＳＦ６とＯ２を含むエッチングガスを用いて、半導体基板に対して第１の開口を形成する工程と、少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含むエッチングガスを用いて、半導体基板に対して第２の開口を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法が理解される。
　摘記刊ｃによると、上記の「第１の開口を形成する工程」及び「第２の開口を形成する工程」は、それぞれ「第１のエッチング」工程及び「第２のエッチング」工程であり、これらの工程による製造方法が「エッチング方法」であることは明らかである。また、各々の工程における「エッチングガス」及び「エッチングレート」は、それぞれ「第１のエッチングガス」及び「第１のエッチングレート」、並びに「第２のエッチングガス」及び「第２のエッチングレート」と表すことができる。
　摘記刊ｃによると、第１のエッチング工程におけるエッチングの深さは１２０μｍであり、第２のエッチング工程におけるエッチングの深さは１０μｍである。
　摘記刊ｂ及び摘記刊ｄによると、エッチングされる「半導体基板」は、「Ｓｉウエハ」である。
　摘記刊ｃ及び摘記刊ｄによると、第２のエッチングレートは、第１のエッチングレートよりも低い。
　
　これらの事項に基づいて整理すると、引用刊行物には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
「少なくともＳＦ６とＯ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでＳｉウエハをエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記Ｓｉウエハをエッチングする第２のエッチング工程と、
　を具備し、　
　第１のエッチング工程におけるエッチングの深さは１２０μｍであり、第２のエッチング工程におけるエッチングの深さは１０μｍである、エッチング方法。」
　　
　第４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　１．引用発明の「Ｓｉウエハ」は、その組成がＳｉすなわちシリコンであり、また、半導体基板として用いられるものであるから、本願発明の「シリコン系半導体領域」に相当する。
　
　２．引用発明の「少なくともＳＦ６とＯ２を含む第１のエッチングガス」は、「Ｏ２を含む第１のエッチングガス」である限りにおいて、本願発明の「Ｃｌ２及びＯ２を含む第１のエッチングガス」と共通する。
　
　３．「ＣＦ４」はＣＦ系ガスの一種であるから、引用発明の「少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含む第２のエッチングガス」は、「（ＳＦ６＋ＣＦ系ガス）を含む第２のエッチングガス」である限りにおいて、本願発明の「（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む第２のエッチングガス」と共通する。
　
　４．引用発明の第１及び第２のエッチング工程におけるエッチングは、樽状もしくはストレート形状の開口を形成することでビアホールを形成するものであるから（摘記刊ｂ及び摘記刊ｃ）、等方性エッチングではなく、異方性エッチングである。
　したがって、引用発明における「第１のエッチング工程におけるエッチングの深さ」及び「第２のエッチング工程におけるエッチングの深さ」は、それぞれ本願発明の「第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量」及び「第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量」に相当する。
　そして、引用発明において、「第１のエッチング工程におけるエッチングの深さ」（１２０μｍ）と、「第２のエッチング工程におけるエッチングの深さ」（１０μｍ）との和は、１３０μｍとなり、この和に対する、「第２のエッチング工程におけるエッチングの深さ」（１０μｍ）の比率は、「（１０÷１３０）×１００」の計算式から求めると、約７．７％となる。この値は、本願発明における、「第１のエッチング量と・・・（略）・・・第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率」の「２０％乃至３％の範囲」に含まれる値である。
　
　よって、両者は、次の点で一致する。
＜一致点＞ 
　Ｏ２を含む第１のエッチングガスを使用して、第１のエッチングレートでシリコン系半導体領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
　前記第１のエッチング工程の後、（ＳＦ６＋ＣＦ系ガス）を含む第２のエッチングガスを使用して、前記第１のエッチングレートより低い第２のエッチングレートで前記シリコン系半導体領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
　を少なくとも含み、　
　前記第１のエッチング工程における異方性エッチングによる第１のエッチング量と前記第２のエッチング工程における異方性エッチングによる第２のエッチング量との和に対する、前記第２のエッチング量の比率は、２０％乃至３％の範囲であるエッチング方法。
　
　そして、両者は、次の２点（相違点１及び相違点２）で相違する。
＜相違点１＞ 
　「Ｏ２を含む第１のエッチングガス」について、本願発明では、「Ｃｌ２及びＯ２を含む」ものであるのに対して、引用発明では、「少なくともＳＦ６とＯ２を含む」ものである点。
＜相違点２＞
　「（ＳＦ６＋ＣＦ系ガス）を含む第２のエッチングガス」について、本願発明では、「（ＳＦ６＋ＣＦ４）を含む」ものであるのに対して、引用発明では、「少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含む」ものである点。
　
第５　判断
　１．相違点１について
（１）シリコン系半導体をドライエッチングする際のエッチングガスとして、「ＳＦ６」、「Ｏ２」、及び「Ｃｌ２」は、いずれも普通に用いられるものであり、特に「Ｏ２」及び「Ｃｌ２」が、いずれもエッチングレートを早める作用を持つものであることは、周知の事項である。また、エッチングガスとして「Ｏ２」及び「Ｃｌ２」を共に含むガスを用いることは、周知文献１〜３に記載されるように、周知の技術である。
　すなわち、周知文献１には、Ｃｌ２ガスまたはＣｌ２ガスとＯ２ガスを含む混合ガスのプラズマによって多結晶シリコン膜をドライエッチングすること、並びに、Ｃｌ２ガスにＯ２ガスを添加することによってエッチングレートを速くすることが示されている。
　また、周知文献２には、Ｃｌ2 とＯ2 をエッチングガスとして用いてシリコン含有導電膜層をドライエッチングすることが示されている。
　さらに、周知文献３には、Ｃｌ2 ガス、ＳＦ６ガス、Ｈｅガスを含むＯ2 ガスの混合ガスをエッチングガスとしてシリコン基板をドライエッチングすること、並びに、塩素（Ｃｌ2）又は塩素を含むガスは高速エッチングに寄与することが示されている。
　
（２）シリコン系半導体のドライエッチングに用いられるエッチングガスの種類は、エッチングレート、異方性、及びマスクや下地層に対する選択性等の各観点を考慮して、当業者が適宜選択すべき事項である。
　そして、引用発明において、第１のエッチングは「高速なエッチングを行う」（摘記刊ｃ）ものであるところ、「少なくともＳＦ６とＯ２を含む」第１のエッチングガスについて、「Ｏ２」と同様にエッチングレートを早める作用を持つ「Ｃｌ２」を、上記の周知の技術のように「Ｏ２」とともに用いるようにすること、すなわち、第１のエッチングガスが「Ｃｌ２及びＯ２を含む」という、相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
　２．相違点２について
　シリコン系半導体をドライエッチングする際のエッチングガスとして、６弗化硫黄（ＳＦ６）と４弗化炭素（ＣＦ４）の混合ガスを用いることは、周知文献４に記載されるように、周知の技術である。
　引用発明における第２のエッチングガスは、「少なくともＳＦ６とＣＦ系ガスを含む」ものであるところ、当該「ＣＦ系ガス」として、上記のとおり６弗化硫黄（ＳＦ６）と共に用いるエッチングガスとしての周知の「ＣＦ４」を用いるようにすること、すなわち相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
　３．効果について
　本願発明を全体としてみても、本願発明により奏されるとされる効果は、引用発明からみて格別なものとはいえない。特に、本願明細書に記載された「結果得られるエッチングされた面は、ブラックシリコン即ちシリコン針状残渣が無く滑らかである。」（段落【０００７】）との効果の根拠は、本願明細書に「エッチングガスに含まれる炭素が、第１のエッチング工程で使用される酸素及び水素の少なくとも一方と化学結合するため、酸素及び水素がエッチング表面に付着してブラックシリコン即ちシリコン針状残渣の発生させることを抑制することが可能となる。」（段落【０００７】）と記載されるように、第１のエッチング工程で酸素及び水素の少なくとも一方が使用され、かつ第２のエッチング工程で炭素が使用されることにあるから、当該効果は、第１のエッチングガスが酸素（Ｏ２）を含み、かつ第２のエッチングガスが炭素（Ｃ）を含む構成を備える引用発明からみて、格別なものとはいえない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。