【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度測定方法であって、
ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップと、
ｂ）前記の現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、前記第１の表面の現在の温度を識別するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１の表面が照射されている間、識別することは、前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む、前記方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記第１の表面が前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュにさらされている間に、識別することは、前記第１の表面の前記の現在の温度を識別することを含む、前記方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であってさらに、前記の先の時間において、前記第１の表面の前記少なくとも１つの先の熱特性を識別することを含み、前記少なくとも１つの先の熱特性は、前記第１の表面の先の温度を含む、前記方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記第１の表面の前記の先の温度を識別することは、前記第１の表面の前記の先の温度とは異なる前記ワークピースの第２の表面の先の温度に応答して、前記の先の温度を識別することを含む、前記方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記第１の表面の前記の先の温度を識別することは、前記第２の表面の前記の先の温度および前記ワークピースの温度履歴に応答して、前記第１の表面の前記の先の温度を識別することを含む、前記方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記第１の表面の前記の先の温度を識別することは、前記第２の表面の前記の先の温度および前記温度履歴を使用して参照用テーブル・レコードをアドレス指定することを含む、前記方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であってさらに、前記の先の時間において、前記第２の表面の半球反射率に応答して、前記第２の表面の前記の先の温度を識別することを含む、前記方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であってさらに、前記半球反射率を測定することを含む、前記方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記半球反射率を測定することは、前記ワークピースが置かれているシステムの他の装置の視野から前記第２の表面を遮るのを避けるために、前記第２の表面から十分に離れて置かれた検出器において、前記第２の表面によって反射された放射を受け取ることを含む、前記方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記半球反射率を測定することは、前記第２の表面の方向反射率を測定することを含む、前記方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記半球反射率を測定することはさらに、前記方向反射率に散乱補正を適用して前記半球反射率を得ることを含む、前記方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であってさらに、連続する各時間における前記第２の表面の前記の先の温度の連続する値を繰り返し識別し記憶し、前記ワークピースの前記温度履歴を生成することを含む、前記方法。
【請求項１４】
請求項１から３のいずれかに記載の方法であってさらに、前記第１の表面によって熱的に放射される放射の前記現在の強度の連続する各値に応答して、前記第１の表面の前記現在の温度の連続する値を繰り返し識別することを含む、前記方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、測定することは、前記第１の表面上の照射スペクトル投射が無視してよい強度を有する波長帯域における前記現在の強度を測定することを含む、前記方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であってさらに、前記第１の表面上の前記照射スペクトル投射から前記波長帯域を除去することを含む、前記方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法において、前記方向反射率を測定することは、前記第２の表面上の加熱照射スペクトル投射が無視してよい強度を有する照明波長帯域における、反射された強度を測定することを含む、前記方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であってさらに、前記加熱照射スペクトルから前記照明波長帯域を除去することを含む、前記方法。
【請求項１９】
ワークピースの熱処理方法であって、該方法は請求項１に記載の前記方法を含み、さらに、前記第１の表面の前記現在の温度に応答して、前記ワークピースの前記第１の表面上の照射フラッシュ投射の電力を制御することを含む、前記方法。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれかに記載の方法において、前記ワークピースは半導体ウェハを含み、前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む、前記方法。
【請求項２１】
温度測定システムであって、
ａ）ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するよう構成された測定装置と、
ｂ）前記測定装置と通信している少なくとも１つのプロセッサ回路、前記現在の強度および各先の時間における前記第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、前記第１の表面の現在の温度を識別するように構成されている前記少なくとも１つのプロセッサ回路と、
を含む、前記システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載のシステムであってさらに、前記ワークピースの前記第１の表面を照射するように動作可能な照射システムを含み、前記測定装置および前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記現在の強度を測定し、前記第１の表面が前記照射システムによって照射されている間に前記第１の表面の前記現在の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムにおいて、前記照射システムは、前記ワークピースの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュに前記第１の表面をさらすように動作可能であり、前記測定装置および前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記現在の強度を測定し、前記照射フラッシュの間に前記現在の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２４】
請求項２１に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記の先の時間において、前記第１の表面の前記少なくとも１つの先の熱特性を識別するように構成され、前記少なくとも１つの先の熱特性は、前記第１の表面の先の温度を含む、前記システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第１の表面の前記の先の温度とは異なる前記ワークピースの第２の表面の先の温度に応答して、前記第１の表面の前記の先の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第２の表面の前記の先の温度および前記ワークピースの温度履歴に応答して、前記第１の表面の前記の先の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２７】
請求項２６に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第２の表面の前記の先の温度および前記温度履歴を使用して参照用テーブル・レコードをアドレス指定し、前記第１の表面の前記の先の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２８】
請求項２６に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記の先の時間において、前記第２の表面の半球反射率に応答して、前記第２の表面の前記の先の温度を識別するように構成されている、前記システム。
【請求項２９】
請求項２８に記載のシステムであってさらに、前記少なくとも１つのプロセッサ回路と通信する第２の測定装置とを含み、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第２の測定装置と共に動作して前記第２の表面の前記半球反射率を測定するように構成されている、前記システム。
【請求項３０】
請求項２９に記載のシステムにおいて、前記第２の測定装置は、前記第２の表面によって反射された放射を受け取るように構成された放射検出器を含み、前記検出器は、前記システムの他の装置の視野から前記第２の表面を遮るのを避けるため、前記第２の表面から十分に離れて置かれている、前記システム。
【請求項３１】
請求項２９に記載のシステムにおいて、前記第２の測定装置は、前記第２の表面の方向反射率を測定するように構成された検出器を含む、前記システム。
【請求項３２】
請求項３１に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記方向反射率に散乱補正を適用して前記半球反射率を得るように構成されている、前記システム。
【請求項３３】
請求項２８に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、連続する各時間における前記第２の表面の前記の先の温度の連続する値を繰り返し識別し記憶し、前記ワークピースの前記温度履歴を生成するように構成されている、前記システム。
【請求項３４】
請求項２１から２３のいずれかに記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第１の表面によって熱的に放射される放射の前記現在の強度の連続する各値に応答して、前記第１の表面の前記現在の温度の連続する値を繰り返し識別するように構成されている、前記システム。
【請求項３５】
請求項２１に記載のシステムにおいて、前記測定装置は、前記第１の表面上の照射スペクトル投射が無視してよい強度を有する波長帯域における前記現在の強度を測定するように構成されている、前記システム。
【請求項３６】
請求項３５に記載のシステムであってさらに、前記第１の表面上の前記照射スペクトル投射から前記波長帯域を除去するように構成されているフィルタリング装置を含む、前記システム。
【請求項３７】
請求項３１に記載のシステムにおいて、前記第２の測定装置は、前記第２の表面上の加熱照射スペクトル投射が無視してよい強度を有する照明波長帯域における、前記方向反射率を測定するように構成されている、前記システム。
【請求項３８】
請求項３７に記載のシステムであってさらに、前記加熱照射スペクトルから前記照明波長帯域を除去するように構成されたフィルタリング装置を含む、前記システム。
【請求項３９】
ワークピースの熱処理のためのシステムであって、該システムは請求項２１に記載の前記システムを含み、さらに、前記ワークピースの前記第１の表面をその上の照射フラッシュ投射にさらすように動作可能な照射システムを含み、前記少なくとも１つのプロセッサ回路は、前記第１の表面の前記現在の温度に応答して、前記照射フラッシュの電力を制御するように構成されている、前記システム。
【請求項４０】
請求項２１から３９のいずれかに記載のシステムにおいて、前記ワークピースは半導体ウェハを含み、前記第１の表面は前記ウェハの装置側を含む、前記システム。
【請求項４１】
請求項２１から４０のいずれかに記載のシステムにおいて、前記測定装置はラジオメータを含む、前記システム。
【請求項４２】
請求項４１に記載のシステムにおいて、前記ラジオメータは、高速ＩｎＧａＡｓ（インジウムヒ化ガリウム）フォトダイオードを含む、前記システム。