【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１型のドーパント材料でドーピングされるバルク基板と、埋め込み絶縁層と、活性層とを含んで構成されるシリコン・オン・インシュレータ基板上に形成されるトランジスタと、
前記バルク基板に形成され、前記第１型のドーパント材料とは反対の型の第２型のドーパント材料でドーピングされる第１ウェルと、
前記バルク基板の前記第１ウェル内に形成され、前記第１型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料でドーピングされる第２ウェルと、
前記第１ウェルのための電気コンタクトと、
前記第２ウェルのための電気コンタクトとを備え、
前記トランジスタは前記第２ウェル上の前記活性層に形成される、デバイス。
【請求項２】
前記バルク基板の前記第１ウェル内に形成されたコンタクトウェルをさらに含み、前記コンタクトウェルは前記第２型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料を含んで構成され、前記第１ウェル内のコンタクトウェルは前記第１ウェルの前記第２型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも高い前記第２型のドーパント材料の濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記バルク基板の前記第２ウェル内に形成されたコンタクトウェルをさらに含み、前記コンタクトウェルは前記第１型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料を含んで構成され、前記第２ウェル内のコンタクトウェルは前記第２ウェルの前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも高い前記第１型のドーパント材料の濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
前記トランジスタは複数のソース／ドレイン領域をさらに含み、前記デバイスは前記バルク基板の前記ソース／ドレイン領域のそれぞれの下の前記第２ウェル内に形成されたソース／ドレインウェルをさらに備え、前記ソース／ドレインウェルは前記第１型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料を含んで構成され、前記第２ウェル中の前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも低い前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項５】
前記バルク基板はシリコンを含んで構成され、前記埋め込み絶縁層は二酸化シリコンを含んで構成され、前記活性化層はシリコンを含んで構成される、請求項１記載のデバイス。
【請求項６】
前記バルクシリコン基板はおよそ１０１２-１０１６イオン／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１ウェルはおよそ１０１６-１０１９イオン／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項８】
前記第２ウェルはおよそ１０１７-１０２０イオン／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度レベルを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１ウェル内の前記コンタクトウェルはおよそ２ｅ２０イオン／ｃｍ３のドーパント濃度レベルを有する、請求項２記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２ウェル内の前記コンタクトウェルはおよそ２ｅ２０イオン／ｃｍ３のドーパント濃度レベルを有する、請求項２記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ソース／ドレインウェルはおよそ１０１４-１０１７イオン／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度レベルを有する、請求項４記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１ウェルはおよそ５０-１５０ｎｍの範囲の深さを持つ、請求項１記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２ウェルはおよそ４０-１００ｎｍの範囲の深さを持つ、請求項１記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ソース／ドレインウェルはおよそ１０-９０ｎｍの範囲の深さを持つ、請求項４記載のデバイス。
【請求項１５】
第１型のドーパント材料でドーピングされるバルク基板と、埋め込み絶縁層と、活性層とを含むシリコン・オン・インシュレータ基板上にトランジスタを形成する方法であって、
前記バルク基板に第１ウェル領域を形成するために、前記第１型のドーパント材料とは反対の型のドーパント材料を用いて第１イオン注入処理を実行するステップと、
前記バルク基板の前記第１ウェル内に第２ウェル領域を形成するために、前記第１型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料を用いて第２イオン注入処理を実行するステップと、
前記第１ウェルのための電気コンタクトを形成するステップと、
前記第２ウェルのための電気コンタクトを形成するステップとを含み、
前記トランジスタは前記第２ウェル上の前記活性層に形成される方法。
【請求項１６】
前記埋め込み絶縁層は酸化物を含んで構成される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記トランジスタは複数のソース／ドレイン領域をさらに含み、前記方法は、前記バルク基板の前記ソース／ドレイン領域のそれぞれの下にソース／ドレインウェルを形成する、前記第１型のドーパント材料とは反対の型のドーパント材料を用いた第３イオン注入処理を実行するステップをさらに含み、前記ソース／ドレインウェルは前記第２ウェル中の前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも低い前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項１８】
前記トランジスタはゲート電極をさらに含み、前記第３イオン注入処理は前記ゲート電極が形成された後に実行される、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記トランジスタはゲート電極およびサイドウォールスペーサをさらに含み、前記第３イオン注入処理は前記サイドウォールスペーサが形成された後に実行される、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記第１イオン注入処理を実行するステップは、おおよそ５ｅ１０-１．５ｅ１４イオン／ｃｍ２のドーパント濃度ドーズで前記第１イオン注入処理を実行するステップを含む、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２１】
前記第２イオン注入処理を実行するステップは、おおよそ４ｅ１１-１ｅ１５イオン／ｃｍ２のドーパント濃度ドーズで前記第２イオン注入処理を実行するステップを含む、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２２】
前記第３イオン注入処理を実行するステップは、おおよそ４ｅ１１-１ｅ１５イオン／ｃｍ２のドーパント濃度ドーズで前記第３イオン注入処理を実行するステップを含む、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２３】
前記バルク基板の前記第１ウェル内にコンタクトウェルを形成するために追加のイオン注入処理を実行するステップをさらに含み、前記追加のイオン注入処理は前記第１型のドーパント材料とは反対の型の第２型のドーパント材料を用いて実行され、前記コンタクトウェルは前記第１ウェルの前記第２型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも高い前記第２型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２４】
前記追加のイオン注入処理を実行するステップは、おおよそ２ｅ１５-５ｅ１５イオン／ｃｍ２のドーパント濃度ドーズで前記追加のイオン注入処理を実行するステップを含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記バルク基板の前記第２ウェル内にコンタクトウェルを形成するために追加のイオン注入処理を実行するステップをさらに含み、前記追加のイオン注入処理は前記第１型のドーパント材料と同じ型のドーパント材料を用いて実行され、前記コンタクトウェルは前記第２ウェルの前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも高い前記第１型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２６】
前記追加のイオン注入処理を実行するステップは、おおよそ２ｅ１５-５ｅ１５イオン／ｃｍ２のドーパント濃度ドーズで前記追加のイオン注入処理を実行するステップを含む、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記第１型のドーパント材料とは反対の型のドーパント材料を用いて第１イオン注入処理を実行するステップは、前記第１型のドーパント材料とは反対の第２型のドーパント材料を用いて、前記バルク基板に前記第１ウェル領域を形成するために、第１イオン注入を実行するステップを含み、前記第１ウェルはおよそ１０１６-１０１９イオン／ｃｍ３の範囲の前記第２型ドーパント濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２８】
前記第２ウェルはおよそ１０１７-１０２０イオン／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項２９】
前記ソース／ドレインウェルはおよそ１０１４-１０１７イオン／ｃｍ３の範囲の前記第１型ドーパント材料の濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項３０】
前記第１ウェル内の前記コンタクトウェルはおよそ２ｅ２０イオン／ｃｍ３の前記第２型ドーパント材料の濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項３１】
前記第２ウェル内の前記コンタクトウェルはおよそ２ｅ２０イオン／ｃｍ３の前記第１型ドーパント材料の濃度レベルを有する、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項３２】
Ｐ型のドーパント材料でドーピングされるバルク基板と、埋め込み酸化物層と、活性層とを含むシリコン・オン・インシュレータ基板上に、ゲート電極と、複数のソース／ドレイン領域とを含むトランジスタを形成する方法であって、
前記バルク基板に第１ウェル領域を形成するために、Ｎ型のドーパント材料を用いて第１イオン注入処理を実行するステップと、
前記バルク基板の前記第１ウェル内に第２ウェル領域を形成するために、Ｐ型のドーパント材料を用いて第２イオン注入処理を実行するステップと、
前記ゲート電極が形成された後に、前記バルク基板の前記ソース／ドレイン領域のそれぞれの下にソース／ドレインウェルを形成する、Ｎ型のドーパント材料を用いた第３イオン注入処理を実行するステップと、
前記第１ウェルのための電気コンタクトを形成するステップと、
前記第２ウェルのための電気コンタクトを形成するステップとを含み、
前記トランジスタは前記第２ウェル上の前記活性層に形成され、前記ソース／ドレインウェルは前記第２ウェル中の前記Ｐ型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも低い前記Ｐ型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、方法。
【請求項３３】
Ｎ型のドーパント材料でドーピングされるバルク基板と、埋め込み酸化物層と、活性層とを含むシリコン・オン・インシュレータ基板上に、ゲート電極と、複数のソース／ドレイン領域とを含むトランジスタを形成する方法であって、
前記バルク基板に第１ウェル領域を形成するために、Ｐ型のドーパント材料を用いて第１イオン注入処理を実行するステップと、
前記バルク基板の前記第１ウェル内に第２ウェル領域を形成するために、Ｎ型のドーパント材料を用いて第２イオン注入処理を実行するステップと、
前記ゲート電極が形成された後に、前記バルク基板の前記ソース／ドレイン領域のそれぞれの下にソース／ドレインウェルを形成する、Ｐ型のドーパント材料を用いた第３イオン注入処理を実行するステップと、
前記第１ウェルのための電気コンタクトを形成するステップと、
前記第２ウェルのための電気コンタクトを形成するステップとを含み、
前記トランジスタは前記第２ウェル上の前記活性層に形成され、前記ソース／ドレインウェルは前記第２ウェル中の前記Ｐ型のドーパント材料のドーパント濃度レベルよりも低い前記Ｎ型のドーパント材料のドーパント濃度レベルを有する、方法。