【事件の表示】
　特願２００７−　２３７６４「リソグラフィシステム、センサ、および基板のプロパティを測定する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月２０日出願公開、特開２００７−２４３１６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）２月２日（パリ条約による優先権主張　２００６年２月９日　米国）に出願された特願２００７−２３７６４号であって、平成２２年６月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年１０月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、当該請求と同時に手続補正がなされた。
　その後、当審において、平成２３年１１月４日付けで拒絶の理由の通知をしたところ、これに対して平成２４年２月６日付けで手続補正がなされた。
　
第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年２月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「基板のプロパティを測定するためのセンサシステムであって、
前記基板上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタと、
前記基板から反射された前記放射を検出するように構成されたディテクタと
を備えており、
前記放射プロジェクタが、第１の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、前記放射プロジェクタで、前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第２の部分と、
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させるように構成された第１のアクチュエータと、
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタを前記基板に対して移動するように構成された第２のアクチュエータとを有し、
前記第２のアクチュエータが、前記放射プロジェクタの前記放射が投影される前記基板の表面の表面に対して平行な２つの直交する方向に、前記基板に対する前記ディテクタの位置を独立に制御するように構成され、
前記第１のアクチュエータが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して９０°の倍数だけ回転させるように構成され、
前記第２のアクチュエータが、前記ディテクタの移動範囲を、前記基板の単一の象限だけをカバーするように構成され、その結果、前記ディテクタが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させないで、前記基板の前記単一の象限内の任意の点から放射を検出することができる、センサシステム。」
　
第３　引用例
１　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１４４３８号公報（以下「引用例１」という。）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶表示素子の製造工程において、半導体ウエハや液晶基板の検査に用いられる基板検査装置および基板検査方法に関する。」
　
「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１４】(第１実施形態)本発明の第１実施形態は、請求項１,請求項２,請求項４に対応する。第１実施形態の
基板検査装置１０は、図１に示すように、被検物体である半導体ウエハ１１(円盤状の基板)を真空吸着によって水平状態に保持するウエハホルダ１２と、ウエハホルダ１２を駆動するホルダ駆動部(１４〜１６)と、半導体ウエハ１１の表面の検査を行うウエハ検査部(１７〜２９)とで構成される。
【００１５】この基板検査装置１０について具体的に説明する前に、ウエハホルダ１２に保持される半導体ウエハ１１の説明を行う。半導体ウエハ１１の表面(被検査面)には、図２に示すように、矩形状のショット領域１１ａがウエハ面内での座標軸であるｘ方向およびｙ方向に沿って２次元的に複数配列されている。ｘ方向,ｙ方向は互いに直交する。また、各々のショット領域１１ａには、回路パターン１１ｂ,１１ｃが形成されている。通常、回路パターン１１ｂ,１１ｃの直線方向は、ｘ方向またはｙ方向に平行である。
【００１６】さらに、半導体ウエハ１１の周囲には、ノッチ１１ｄまたはオリエンテーションフラット(不図示)などの指標が設けられている。ノッチ１１ｄなどの指標は、半導体ウエハ１１をウエハホルダ１２に載置させる際、半導体ウエハ１１の方位（ｘｙ座標系の向き）を示す外形基準として用いられる。また、このような半導体ウエハ１１をウエハホルダ１２に載置させるに当たっては、半導体ウエハ１１の表面の中心１１ｅがウエハホルダ１２の中心軸１２ａ（図１）上に位置するように、不図示のプリアライメント系で調整される。この中心軸１２ａは、ウエハホルダ１２の中心を通って鉛直方向（ｚ方向）と平行な軸である。
【００１７】さて次に、基板検査装置１０の構成説明を行う。ここでは、ウエハ検査部(１７〜２９)、ホルダ駆動部(１４〜１６)、焦点合わせ部(３０〜４１)の順に、構成を説明する。半導体ウエハ１１の表面の検査を行う
ウエハ検査部(１７〜２９)は、軸１０ａに沿って配置された光源１７,コレクタレンズ１８,フィルター１９,リレーレンズ２０,開口絞り２１,リレーレンズ２２,視野絞り２３,コンデンサレンズ２４,ハーフミラー２５と、軸１０ｂに沿って配置された対物レンズ２６,結像レンズ２７,２次元撮像素子２８と、２次元撮像素子２８に接続された画像処理部２９とで構成される。
【００１８】また、ハーフミラー２５は、軸１０ｂ上（対物レンズ２６と結像レンズ２７との間のアフォーカル系）に配置される。画像処理部２９は、後述するホルダ駆動部(１４〜１６)にも接続される。なお、軸１０ｂ上には、後述する焦点合わせ部(３０〜４１)のダイクロイックミラー３５も配置されている。上記したウエハ検査部(１７〜２９)において、光源１７からの光は、コレクタレンズ１８で集光され、フィルター１９,リレーレンズ２０,開口絞り２１,リレーレンズ２２,視野絞り２３,コンデンサレンズ２４を介してハーフミラー２５に入射する。そして、ハーフミラー２５で反射され、ダイクロイックミラー３５,対物レンズ２６を介して、半導体ウエハ１１の表面に照射される。
【００１９】このとき、半導体ウエハ１１の表面に対する照明光は、所定の入射角度範囲で所定の視野範囲（一部領域）のみに照射される。照明光の入射角度範囲は、対物レンズ２６の瞳２６ａに共役な面に配置された開口絞り２１の絞り径によって決まる。照明光の視野範囲は、半導体ウエハ１１の表面に共役な面に配置された視野絞り２３の絞り径によって決まる。
【００２０】そして、半導体ウエハ１１の表面に形成された回路パターン１１ｂ,１１ｃ(図２参照）で反射,回折,散乱した光は、対物レンズ２６で集光され、ダイクロイックミラー３５,ハーフミラー２５を透過して結像レンズ２７に導かれ、２次元撮像素子２８の撮像面に結像される。このとき、２次元撮像素子２８の撮像面には、半導体ウエハ１１の表面にある回路パターン１１ｂ,１１ｃの拡大像（以下「パターン像」という）が形成される。以下、２次元撮像素子２８の撮像面に対応する半導体ウエハ１１の表面の領域を「撮像領域」という。
【００２１】２次元撮像素子２８では、撮像面に形成されたパターン像が各画素ごとに光電変換され、パターン像の光強度(明るさ)に応じた撮像信号が外部に出力される。２次元撮像素子２８からの撮像信号は、デジタル信号に変換され、パターン画像として画像処理部２９に取り込まれる。パターン画像は、半導体ウエハ１１の表面のうち、上記の撮像領域内に位置決めされた部分の画像である。
【００２２】ここで、２次元撮像素子２８の複数の画素は、第１実施形態において、ほぼ正方格子状に配列されているとする。また、２次元撮像素子２８の各画素の配列方向のうち、横方向をＵ方向、縦方向をＶ方向とする。
Ｕ方向,Ｖ方向は互いに直交する。また、ステージ上の撮像領域での座標ｕ,ｖを各画素の配列方向Ｕ,Ｖに相当する方向にとる
【００２３】次に、ウエハホルダ１２を駆動するホルダ駆動部(１４〜１６)について説明する。
ホルダ駆動部(１４〜１６)は、ウエハホルダ１２を水平面(ｕｖ面)内において平行移動させるｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５と、ウエハホルダ１２を中心軸１２ａの周りに回転させる回転駆動部１６と、ウエハホルダ１２を鉛直方向(ｚ方向)に移動させる不図示のｚ駆動部とで構成される。
【００２４】このホルダ駆動部(１４〜１６)により、ウエハホルダ１２に保持された半導体ウエハ１１は、水平状態を保ったまま回転または移動することになる。上記のように、半導体ウエハ１１の表面の中心１１ｅはウエハホルダ１２の中心軸１２ａ上に位置するため、半導体ウエハ１１の回転は、半導体ウエハ１１の中心１１ｅの周りに行われることになる。
【００２５】また、
ｕ駆動部１４は、ウエハホルダ１２をｕ方向に移動させるものである。
【００２６】同様に、
ｖ駆動部１５は、ウエハホルダ１２をｖ方向に移動させるものである。
【００２７】なお、ウエハホルダ１２上の半導体ウエハ１１の方位（ｘｙ座標系の向き）は、半導体ウエハ１１のノッチ１１ｄなどを用いて調整され、図２の状態となるように、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるｕｖ座標系と一致するように位置決めされ、ウエハホルダ１２に載置される。したがって、半導体ウエハ１１の各ショット領域１１ａに形成された回路パターン１１ｂ,１１ｃ（図２）の直線方向は、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるｕｖ座標系のｕ方向またはｖ方向に平行となる。
【００２８】一方、
回転駆動部１６は、ウエハホルダ１２を９０度間隔で回転させるものである。
【００２９】そして、これら４通りの状態（図２〜図５）において、半導体ウエハ１１に形成された回路パターン１１ｂ,１１ｃの直線方向は、常に、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるｕｖ座標系のｕ方向またはｖ方向に平行となる。例えば、図２でｕ方向に平行な回路パターン１１ｂは、９０度回転する(図３)とｖ方向に平行となり、さらに９０度回転する(図４)と再びｕ方向に平行となり、さらに９０度回転する(図５)と再びｖ方向に平行となる。
【００３０】また、上記４通りの状態（図２〜図５）において、２次元撮像素子２８の撮像面に形成されるパターン像の直線方向も、常に、複数の画素の配列方向、つまり、横方向(ｕ方向)または縦方向(ｖ方向)に平行となる。第１実施形態の基板検査装置１０では、回転駆動部１６による回転を停止させているときにｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による平行移動を行うため、半導体ウエハ１１の回転状態が上記４通り（図２〜図５）の何れであっても、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による平行移動時には、ｕｖ座標系に対する半導体ウエハ１１の方位（ｘｙ座標系の向き）が一定に保たれる。
【００３１】さらに、第１実施形態の
基板検査装置１０において、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるウエハホルダ１２の可動範囲Δｕ,Δｖ（ステージストローク）は、
半導体ウエハ１１の半径ｒと同程度に設定されている。このため、回転駆動部１６による回転を停止させているときに、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による平行移動を上記の範囲Δｕ,Δｖ内で行った場合、半導体ウエハ１１の表面における１つの象限
の中で任意の部分を上記した撮像領域内に位置決めすることができ、パターン画像を取り込むことができる。
【００３２】ここで、半導体ウエハ１１の方位（ｘｙ座標系の向き）がｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるｕｖ座標系と一致している状態（図２）を基準として、半導体ウエハ１１の４つの象限を図７に示すように「第１象限５１」,「第２象限５２」,「第３象限５３」,「第４象限５４」と呼ぶことにする。第１象限５１は(＋ｘ,＋ｙ)方向の象限であり、第２象限５２は(−ｘ,＋ｙ)方向の象限であり、第３象限５３は(−ｘ,−ｙ)方向の象限であり、第４象限５４は(＋ｘ,−ｙ)方向の象限である。
【００３３】第１実施形態の基板検査装置１０では、半導体ウエハ１１を図２の回転状態で停止させたときに、上記の範囲Δｕ,Δｖ（図６）内で平行移動させると、半導体ウエハ１１の第１象限５１の任意の部分を撮像領域内に位置決めして、パターン画像を取り込むことができる。」
　
「【００５１】ステップＳ８におけるパターン画像の再構成は、回転駆動部１６による半導体ウエハ１１の回転方位（象限）の情報、および、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による半導体ウエハ１１の水平位置(ｕ,ｖ)の情報に基づいて行われる。その結果、半導体ウエハ１１の全体のｘｙ座標系でのパターン画像を得ることができる。以上説明したように、第１実施形態の基板検査装置１０によれば、半導体ウエハ１１を中心１１ｅの周りに９０度間隔で回転させるとともに、この回転を停止させたときにｕｖ方向に平行移動させるため、水平面(ｕｖ面)内での可動範囲Δｕ,Δｖ(図６)を半導体ウエハ１１の半径ｒと同程度に設定することができる。
【００５２】したがって、ホルダ駆動部(１４〜１６)の底面寸法を半導体ウエハ１１の直径の１.５倍程度に小さくすることができる。その結果、基板検査装置１０の小型化が図られる。また、半導体ウエハ１１の直径をΔφだけ大きくした場合には、ホルダ駆動部(１４〜１６)の底面寸法を大きくしなければならないが、第１実施形態の基板検査装置１０では、ホルダ駆動部(１４〜１６)の底面積の増分を「(１.５)２・((φ＋Δφ)２−φ２)＝４.５φ・Δφ＋２.２５Δφ２」程度に、従来通りストロークを大きくした場合の増分「８φ・Δφ＋４Δφ２」に比べて、小さく抑えることができる。例えば、φ＝２００ｍｍ,Δφ＝１００ｍｍのとき、第１実施形態の基板検査装置１０による増分は１１２５００ｍｍ２であり、従来における増分は２０００００ｍｍ２である。」
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明
　上記記載（図面の記載も含む）から、引用例１には、
「被検物体である半導体ウエハ１１(円盤状の基板)を真空吸着によって水平状態に保持するウエハホルダ１２と、ウエハホルダ１２を駆動するホルダ駆動部(１４〜１６)と、半導体ウエハ１１の表面の検査を行うウエハ検査部(１７〜２９)とで構成される基板検査装置１０であって、
　ウエハ検査部(１７〜２９)は、軸１０ａに沿って配置された光源１７,コレクタレンズ１８,フィルター１９,リレーレンズ２０,開口絞り２１,リレーレンズ２２,視野絞り２３,コンデンサレンズ２４,ハーフミラー２５と、軸１０ｂに沿って配置された対物レンズ２６,結像レンズ２７,２次元撮像素子２８と、２次元撮像素子２８に接続された画像処理部２９とで構成され、
　ホルダ駆動部(１４〜１６)は、ウエハホルダ１２を水平面(ｕｖ面)内において平行移動させるｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５と、ウエハホルダ１２を中心軸１２ａの周りに回転させる回転駆動部１６と、ウエハホルダ１２を鉛直方向(ｚ方向)に移動させるｚ駆動部とで構成され、
　ｕ駆動部１４は、ウエハホルダ１２をｕ方向に移動させるものであり、
　ｖ駆動部１５は、ウエハホルダ１２を、ｕ方向と直交するｖ方向に移動させるものであり、
　回転駆動部１６は、ウエハホルダ１２を９０度間隔で回転させるものであり、
　基板検査装置１０において、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるウエハホルダ１２の可動範囲Δｕ,Δｖ（ステージストローク）は、半導体ウエハ１１の半径ｒと同程度に設定されているため、回転駆動部１６による回転を停止させているときに、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による平行移動を上記の範囲Δｕ,Δｖ内で行った場合、半導体ウエハ１１の表面における１つの象限の中で任意の部分を上記した撮像領域内に位置決めすることができ、パターン画像を取り込むことができる基板検査装置１０。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平８−５５６９号公報（以下「引用例２」という。）には次の事項が記載されている。
　
「０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパーティクル検査装置および検査方法に関するものである。」
　
「【０００２】
【従来の技術】近年、ＵＬＳＩデバイスの超微細化に伴い、プロセスのクリーン化の必要性が高まっている。中でも、半導体デバイスの歩留り対策および装置管理の面からも、パーティクル検査は重要な技術である。
【０００３】従来のパーティクル検査では、図６に示すような検査装置を用いていた。すなわち、単一波長のレーザー光を発振する光源１を持ち、ベアシリコンウェハ２（以下ウェハという）に垂直にレーザー３を照射する。そのレーザー散乱光４を受光部５で受け、それをコンピュータ６を用いて処理を行うことによってパーティクル測定を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の構成では、ウェハ２上のパーティクル７の大きさが微小なものから極大なものまで広範囲にわたっている場合には、単一波長の垂直レーザー光照射による測定のみでは十分な感度を得ることができず、十分なパーティクル測定を行うことができなかった。」
　
「【００１２】以下このように構成された装置を用いてパーティクル測定を行う場合の動作について説明する。
【００１３】波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光と波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を、水平に置かれたウェハ１３上の同一領域に垂直に照射する。このウェハ１３上で反射された光は、偏光ビームスプリッタ１４に入り、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離される。分離されたＰ偏光成分はＰ偏光成分の受光部１５で電気信号として変換される。また、分離されたＳ偏光成分はＳ偏光成分の受光部１６で電気信号として変換される。そして、これらの信号出力がコンピュータ１７に送られる。そして、ここで計算処理によってパーティクル１８の有無を検知し、粒径別に計算する。
【００１４】図２に本発明のステージの走査系の構成を示す。装置内のステージ１９はウェハのサイズとほぼ同等でここにウェハ１３を載せる。ステージ１９はウェハ１３を載せたまま、装置内を約２０μｍのステップで＋ｘ方向に移動させる。これによって、装置内のウェハ１３を載せたステージ１９の移動にともなって、２種類のＨｅ−Ｎｅレーザー光が２０μｍのステップ間隔でウェハ１３上を走査する。レーザー光がウェハ１３の一方の端から他端まで走査し終わったら、次にステージ１９はウェハ１３を載せたまま、＋ｙ方向に２０μｍ移動し、つづけて、−ｘ方向に約２０μｍのステップ間隔で移動する。この動作を繰り返すことによって、ウェハ１３全面をレーザー光が走査できる。このようにしてウェハ１３全面のパーティクル測定を行うことができる。
【００１５】図３には、Ｓ偏光レーザー（波長６３３ｎｍ）、Ｐ偏光レーザー（波長５９４ｎｍ）の２種類について、パーティクル粒子の粒径に対する散乱光強度を示す。ここで、散乱光強度は散乱断面積（μｍ２）という単位で表示している。
【００１６】０.１〜０.３μｍの大きさのパーティクル粒子を測定した場合は、各粒径に対する散乱光強度は、Ｓ偏光の散乱光の方がＰ偏光の散乱光より約一桁大きな強度が得られる。よって、０.１〜０.３μｍのパーティクル粒子を測定する場合には、Ｓ偏光を用いた方がＰ偏向に比べて高感度な測定が行える。
【００１７】しかし、Ｓ偏光では、図３に示すように０.３μｍを越えたあたりから、急に 感度が落ち込む。これに対して、Ｐ偏光では、０.３５μｍ付近から急に感度が上昇して、感度が落ち込むＳ偏光よりも強い散乱光強度が得られる。よって、０.３５μｍよりも大きなパーティクル粒子を測定する場合には、Ｐ偏光を用いた 方がＳ偏向よりも高感度な測定を行える。
【００１８】このようにＳ偏光とＰ偏光の２種類のレーザーを用いて測定を行うことにより、最も感度の高いパーティクル測定が行える。」
　
４　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−６１２４２号公報（以下「引用例３」という。）には次の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば微細なデバイスパターンが形成された液晶表示パネル(ＬＣＤ：Liquid Crystal Display)等の検査に用いられる検査装置に関する。」
　
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した検査装置１００では、被検査物となる液晶表示パネル１０１が大きくなると、検査範囲も広がることから、液晶表示パネル１０１を操作するＸステージ１０４及びＹステージ１０５の移動量も大きくしなければならない。このため、検査装置１００では、液晶表示パネル１０１等の大型化が進む被検査物に対しては、それに対応してＸステージ１０４及びＹステージ１０５を大きくしなければならず、装置本体を小型化することが非常に困難であるといった問題があった。」
　
「【００２０】検査装置１は、図１及び図２に示すように、このようにクリーン度が高められたクリーンボックス３の内部に、液晶表示パネル２の検査を行うための装置本体６を備えている。
【００２１】この装置本体６は、液晶表示パネル２が載置される検査用ステージ７と、検査用ステージ７の上方に位置して、液晶表示パネル２の拡大された像を撮像する光学ユニット８とを備え、これらが支持台９上に支持された構造となっている。なお、支持台９は、クリーンボックス３とは独立に床板上に支持されている。
【００２２】検査用ステージ７は、被検査物である液晶表示パネル２が載置されると共に、この液晶表示パネル２を所定の検査対象位置へと移動させるものであり、支持台９上に除振台１０を介して支持されている。
【００２３】除振台１０は、床からの振動や、検査用ステージ７を移動操作した際に生じる振動等を抑制するためのものであり、検査用ステージ７が設置される石定盤１０ａと、この石定盤１０ａの四方を支える複数の可動脚部１０ｂとを有している。そして、この除振台１０は、振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部１０ｂを駆動し、石定盤１０ａ及び検査用ステージ７の振動を速やかに打ち消すようにしている。
【００２４】このように、検査装置１では、支持台９上に除振台１０を介して検査用ステージ７が支持されることによって、検査用ステージ７に僅かな振動が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消し、振動の影響を受けることなく、後述する紫外光を用いた高分解能での検査を行うことが可能となっている。なお、除振台１０上に検査用ステージ７を安定的に設置させるには、除振台１０の重心がある程度低い位置にあることが望ましい。また、検査用ステージ７を移動操作した際に生じる振動等は、事前にある程度予測することが可能である。したがって、この検査装置１では、検査用ステージ７を移動操作した際に生じる振動等を事前に予測して除振台１０を動作させることで、検査用ステージ７に生じる振動を未然に防止することが可能となっている。
【００２５】検査用ステージ７は、石定盤１０ａ上に設置されたθステージ１１と、このθステージ１１上に設置されたＹステージ１２と、このＹステージ１２上に設置されたＺステージ１３とを有し、このＺステージ１３上に液晶表示パネル２が載置される載置面７ａが設けられている。
【００２６】θステージ１１は、液晶表示パネル２を載置面７ａと平行な面内において３６０゜の角度範囲で回転させる回転ステージであり、検査時に、液晶表示パネル２を回転させることによって、液晶表示パネル２の向きを切り換える。
【００２７】Ｙステージ１２は、液晶表示パネル２を載置面７ａに対して水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に微小移動させる水平ステージであり、補正手段として検査時に、液晶表示パネル２をＹ軸方向に微小移動させることで、θステージ１１の回転により生じた液晶表示パネル２の位置決め誤差を補正する。なお、Ｙステージ１２の移動量は、０．１ｍｍ程度である。
【００２８】Ｚステージ１３は、液晶表示パネル２を載置面７ａに対して鉛直なＺ軸方向に移動させる鉛直ステージであり、検査時に、光学ユニット８に対して液晶表示パネル２の検査面が適切な高さとなるように、この検査用ステージ７の高さを調整する。なお、Ｚステージ１３の移動量は、±２．５ｍｍ程度である。
【００２９】したがって、この検査用ステージ７では、載置面７ａ上に載置された液晶表示パネル２を所定の位置、向き及び高さとなるように、移動操作することが可能となっている。なお、検査用ステージ７では、上記Ｙステージ１２を後述するコラム１５上に設置することによって、光学ユニット８を載置面７ａに対して水平方向（Ｙ軸方向）に微小移動させる構成としてもよい。
【００３０】光学ユニット８は、Ｘステージ１４上に設置されており、このＸステージ１４は、除振台１０にコラム１５を介して支持されている。
【００３１】Ｘステージ１４は、液晶表示パネル２を検査用ステージ７の載置面７ａに対して水平且つ上記Ｙステージ１２の移動方向と直交するＸ軸方向に移動させる水平ステージであり、移動手段として検査時に、光学ユニット８をＸ軸方向に移動させることで、液晶表示パネル２を所定の検査対象位置へと導く。
【００３２】コラム１５は、Ｘステージ１４が設置される支持盤１５ａと、この支持盤１５ａの四方を支える複数の固定脚部１５ｂとを有し、複数の固定脚部１５ｂにより支持された支持盤１５ａの下方には、検査用ステージ７が配置されている。」
　
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
第４　対比・判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「半導体ウエハ１１の表面の検査を行うウエハ検査部(１７〜２９)」を備えた「基板検査装置１０」が、本願発明の「基板のプロパティを測定するためのセンサシステム」に相当する。
　
　引用発明の「ウエハ検査部(１７〜２９)」の「軸１０ａに沿って配置された光源１７,コレクタレンズ１８,フィルター１９,リレーレンズ２０,開口絞り２１,リレーレンズ２２,視野絞り２３,コンデンサレンズ２４,ハーフミラー２５と、軸１０ｂに沿って配置された対物レンズ２６,結像レンズ２７」が、本願発明の「前記基板上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタ」に相当する。
　
　引用発明の「ウエハ検査部(１７〜２９)」の「２次元撮像素子２８と、２次元撮像素子２８に接続された画像処理部２９」が、本願発明の「前記基板から反射された前記放射を検出するように構成されたディテクタ」に相当する。
　
　引用発明の「ウエハホルダ１２を中心軸１２ａの周りに回転させる回転駆動部１６」が、本願発明の「前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させるように構成された第１のアクチュエータ」に相当する。
　
　引用発明の「ウエハホルダ１２を水平面(ｕｖ面)内において平行移動させるｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５」と、本願発明の「前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタを前記基板に対して移動するように構成された第２のアクチュエータ」とは、「基板を放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタと前記基板の一方を相手方に対して相対的に移動するように構成された第２のアクチュエータ」である点で一致する。
　
　引用発明の「ウエハホルダ１２を水平面(ｕｖ面)内において平行移動させるｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５」において、「ｕ駆動部１４は、ウエハホルダ１２をｕ方向に移動させるものであり、ｖ駆動部１５は、ウエハホルダ１２を、ｕ方向と直交するｖ方向に移動させるものであ」ることが、本願発明の「前記第２のアクチュエータが、前記放射プロジェクタの前記放射が投影される前記基板の表面の表面に対して平行な２つの直交する方向に、前記基板に対する前記ディテクタの位置を独立に制御するように構成される」ことに相当する。
　
　引用発明の「回転駆動部１６は、ウエハホルダ１２を９０度間隔で回転させるものであ」ることが、本願発明の「前記第１のアクチュエータが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して９０°の倍数だけ回転させるように構成され」ることに相当する。
　
　引用発明の「基板検査装置１０において、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５によるウエハホルダ１２の可動範囲Δｕ,Δｖ（ステージストローク）は、半導体ウエハ１１の半径ｒと同程度に設定されているため、回転駆動部１６による回転を停止させているときに、ｕ駆動部１４,ｖ駆動部１５による平行移動を上記の範囲Δｕ,Δｖ内で行った場合、半導体ウエハ１１の表面における１つの象限の中で任意の部分を上記した撮像領域内に位置決めすることができ、パターン画像を取り込むことができる」ことが、本願発明の「前記第２のアクチュエータが、前記ディテクタの移動範囲を、前記基板の単一の象限だけをカバーするように構成され、その結果、前記ディテクタが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させないで、前記基板の前記単一の象限内の任意の点から放射を検出することができる」ことに相当する。
　
　引用発明の「基板検査装置１０」が本願発明の「センサシステム」に相当する。
　
（２）一致点
　したがって、本願発明と引用発明は、
「基板のプロパティを測定するためのセンサシステムであって、
前記基板上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタと、
前記基板から反射された前記放射を検出するように構成されたディテクタと
を備えており、
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させるように構成された第１のアクチュエータと、
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタと前記基板の一方を相手方に対して相対的に移動するように構成された第２のアクチュエータとを有し、
前記第２のアクチュエータが、前記放射プロジェクタの前記放射が投影される前記基板の表面の表面に対して平行な２つの直交する方向に、前記基板に対する前記ディテクタの位置を独立に制御するように構成され、
前記第１のアクチュエータが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して９０°の倍数だけ回転させるように構成され、
前記第２のアクチュエータが、前記ディテクタの移動範囲を、前記基板の単一の象限だけをカバーするように構成され、その結果、前記ディテクタが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させないで、前記基板の前記単一の象限内の任意の点から放射を検出することができる、センサシステム。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
ア　相違点１；
　放射プロジェクタについて、本願発明は、「第１の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第１の部分」と、「前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第２の部分」とを備えるのに対して、引用発明においてはそのような特定がない点。
　
イ　相違点２；
　前記基板を回転させることなしに、前記ディテクタと前記基板の一方を相手方に対して相対的に移動する第２アクチュエータについて、本願発明は、第２アクチュエータが「前記ディテクタを前記基板に対して移動する」ものであるのに対して、引用発明においては、そのような特定がない点。
　
２　判断
（１）上記各相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用例２には、レーザー光をウエハ上に照射して走査し、ウエハ表面のパーティクルを測定（検査）する装置において、「Ｓ偏光とＰ偏光の２種類のレーザーを用いて測定を行う」（【００１８】）こと、詳細には、「波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光と波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を、水平に置かれたウェハ１３上の同一領域に垂直に照射」し、「このウェハ１３上で反射された光は、偏光ビームスプリッタ１４に入り、ここでＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離され」、「分離されたＰ偏光成分はＰ偏光成分の受光部１５で電気信号として変換され」、「分離されたＳ偏光成分はＳ偏光成分の受光部１６で電気信号として変換され」、「これらの信号出力がコンピュータ１７に送られ」、「ここで計算処理によってパーティクル１８の有無を検知し、粒径別に計算する」（【００１３】）ことが記載されている。Ｐ偏光とＳ偏光は、相互に直交する直線偏光であるから、引用例２には、レーザー光をウエハ上に照射して走査し、ウエハ表面のパーティクルを測定（検査）する装置において、「第１の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第１の部分」と、「前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第２の部分」とを備えることが記載されている。
　引用発明と引用例２に記載された発明は、被検査物を投影光で走査して検査する装置である点で技術分野が共通しており、また、引用例２に記載された発明は、「単一波長の垂直レーザー光照射による測定のみでは十分な感度を得ることができず、十分なパーティクル測定を行うことができなかった」（【０００４】）という技術課題を解決するために、上述のように「Ｓ偏光とＰ偏光の２種類のレーザーを用いて測定を行う」ものであり、そして、引用発明においても、感度の高い測定を行うという技術課題を有することは自明であることから、両者は共通の技術課題を有するということができるから、引用発明において、上記の引用例２に記載された発明を適用し、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得ることに格別の困難性は認められない。
　
イ　相違点２について
　引用例３には、被検査物を投影光で走査して検査する装置において、液晶表示パネル２（被検査物）を載置面と平行な面内において３６０゜の角度範囲で回転させる回転ステージと、光学ユニット８を相互に直交するＸ軸及びＹ軸方向に移動させるものが記載されている（【００２５】〜【００３１】）。すなわち、引用例３には、回転を伴う相対移動の為の駆動についてはステージ側が被検査物を回転駆動し、回転を伴わない相対移動のための駆動については光学ユニットを被検査物に対して移動させて、投影光の走査を行うものが記載されている。
　投影光の走査の機構として、ステージ（ウエハホルダ、基板支持体）側を駆動して走査するか、光学ユニット（ウエハ検査部、ディテクタ）側を駆動して走査するかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計的事項であるところ、上記のように、現に引用例３には、回転を伴う相対移動のための駆動についてはステージ側が被検査物を回転駆動し、回転を伴わない相対移動動のための駆動については光学ユニットを被検査物に対して移動させて、投影光の走査を行うことが記載されているのであるから、引用発明においても、回転を伴わない相対移動のための駆動機構（第２アクチュエータ）について、上記引用例３の「光学ユニットを被検査物に対して移動させる」構成、すなわち、ウエハ検査部（ディテクタ）をウエハ（基板）に対して移動させる構成を採用し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることに格別の困難性は認められない。
　
（２）そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
第５　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。