【事件の表示】
　特願２００４−５６９３５３「有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２３日国際公開、ＷＯ２００４／０８２３３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年３月１３日に国際出願された特願２００４−５６９３５３号であって、平成２０年２月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２８日付けで手続補正がなされ、平成２１年２月９日付けで拒絶査定がなされたところ、同年３月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年３月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年７月２１日付けで審尋を行い、同年９月２７日付けで回答書が提出されている。
　
　
第２　補正の却下の決定
［結論］
　平成２１年３月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書全文を補正するものであって、以下の補正事項を含むものである。
（１）補正事項１
　補正前（平成２０年４月２８日付けの手続補正書を参照）の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である、「第１のキャリア輸送層と第２のキャリア輸送層」について、「第１の電子輸送層と第２の電子輸送層」と限定するとともに、「各々５ｎｍ以上の膜厚を有」すると限定する補正。
　
（２）補正事項２
　補正前の明細書（願書に最初に添付した明細書を参照）の第９ページ１３〜２０行の、
「  第１電子輸送層３６Ａ及び第２電子輸送層３６Ｂの膜厚は、第１電子輸送層３６Ａ及び第２電子輸送層３６Ｂの繰り返し数に応じて適宜選択されるが、２ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍ）の範囲に設定される。５０ｎｍより厚くなると有機ＥＬ素子全体の厚さが過度となり、適切な印加電圧が過度に大となり、陽極又は陰極とこれらに接する正孔注入層または陰極側電子輸送層との界面において電気化学反応が生じやすくなり、有機ＥＬ素子の寿命に悪影響を及ぼす。また２ｎｍより薄いと連続膜が形成されにくくなり、井戸型ポテンシャルの周期性が乱れてしまう。」
との記載を、
「【００２６】
　第１電子輸送層３６Ａ及び第２電子輸送層３６Ｂの膜厚は、第１電子輸送層３６Ａ及び第２電子輸送層３６Ｂの繰り返し数に応じて適宜選択されるが、
５ｎｍ以上であり、好ましくは、５ｎｍ
更に、
５ｎｍ
とする補正。（当審注：補正箇所に下線を付した。）
　
　
２　補正の適否について
　第１の電子輸送層と第２の電子輸送層の膜厚の下限値については、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、上記補正事項２で補正された箇所に記載があったのみであり、すなわち当初明細書等において、第１の電子輸送層と第２の電子輸送層の膜厚の下限値は２ｎｍであり、これを「５ｎｍ」とする点については、当初明細書等には「２ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍ）」と記載されているのみであった。
　そして、「連続膜が形成されにくくなり、井戸型ポテンシャルの周期性が乱れてしまう」ことのない膜厚の下限値が５ｎｍであることは、当初明細書等には記載も示唆もされていない。
　そうすると、上記補正事項１〜２により下限値がすべて５ｎｍ以上となったことによって、２ｎｍ以上５ｎｍ未満の数値範囲においても、「連続膜が形成されにくくなり、井戸型ポテンシャルの周期性が乱れてしまう」という事項が追加されたこととなり、そして、当該追加された事項は、当初明細書等に接した当業者に自明な事項とはいえないものである。
　したがって、上記補正事項１〜２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであるから、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
　
３　本件補正についてのむすび
　よって、上記補正事項１〜２を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、補正の却下の決定の結論のとおり、決定する。
　
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年４月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１、３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　陽極と、陽極上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたキャリア輸送積層体と、該キャリア輸送積層体上に形成された陰極とを有し、
　前記キャリア輸送積層体は、第１のキャリア輸送層と第２のキャリア輸送層とが繰り返し数が２〜１０の範囲で交互に積層されてなり、
　前記第１のキャリア輸送層と前記第２のキャリア輸送層は互いに電子親和力が異なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項３】
　前記第１のキャリア輸送層及び前記第２のキャリア輸送層のうちいずれか一方が発光層と同一材料よりなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。」
　
　
第４　引用例
１　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−３６８７７号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（ａ）「【００１５】本発明の有機ＥＬ素子を実現するためには、素子を構成する各有機膜における電子および正孔の移動度を制御する必要がある。その制御の仕方に応じて、以下に示すように種々の素子構造が考えられる。
【００１６】……（中略）……（Ｃ）発光層が連続した井戸型ポテンシャル構造のバンドを持つ素子構造。」
　
（ｂ）「【００２２】（Ｃ）の構造を有する有機ＥＬ素子についてより詳細に説明する。この有機ＥＬ素子では、図５に図示した有機ＥＬ素子における発光層（第ｍ層）が、２種の有機膜ｍ１、ｍ２の交互積層体で構成されている。２種の有機膜に関して、各々のバンドギャップをＥgm1 、Ｅgm2 とし、各々の価電子帯、伝導帯の真空準位からのエネルギー差をＥVm1 、ＥCm1 、ＥVm2 、ＥCm2 としたとき、これらの２種の有機膜としては、
Ｅgm1 ＜Ｅgm2　
ＥCm1 ＞ＥCm2　
ＥVm1 ＜ＥVm2　
という関係が成立するものが選択される。なお、
ＥCm1 −ＥCm2 ≦０．４ｅＶ
ＥVm2 −ＥVm1 ≦０．４ｅＶ
であることが好ましい。
【００２３】図７にこの有機ＥＬ素子の発光層の接合状態を示す。２種の有機膜ｍ１、ｍ２が交互に積層されることによって、価電子帯および伝導帯は、浅い井戸型ポテンシャルが連続したバンド構造となる。図５と同様に、第１の電極（図示せず）から第１〜第ｍ−１の有機膜（図示せず）を通して有機膜ｍ１に電子が注入されると、隣接する有機膜ｍ２との間の低い電子注入障壁の存在のため、電子は障壁の直前である程度の密度で蓄積する。蓄積密度が上昇し障壁を乗り越えることができる電界が印加されると、電子は有機膜ｍ２に注入される。有機膜ｍ２に注入された電子は隣接する有機膜ｍ１との間に障壁がないため、そのまま次の有機膜ｍ１に注入され、再び電子の蓄積が起こる。このように連続的に形成された障壁で次々に蓄積が起き、全体としては電子の空間電荷層が形成される。一方、第２の電極（図示せず）から第ｎ〜第ｍ＋１の有機膜（図示せず）を通して有機膜ｍ１に正孔が注入されると、隣接する有機膜ｍ１との間の低い正孔注入障壁の存在のため、正孔は障壁の直前である程度の密度で蓄積する。蓄積密度が上昇し障壁を乗り越えることができる電界が印加されると、正孔は有機膜ｍ２に注入される。有機膜ｍ２に注入された正孔は隣接する有機膜ｍ１ との間に障壁がないため、そのまま次の有機膜ｍ１ に注入され、再び正孔の蓄積が起こる。このように連続的に形成された障壁で次々に蓄積が起き、全体としては正孔の空間電荷層が形成される。そして、有機膜ｍ１ では電子と正孔との空間電荷層が重なっており、再結合発光が起こる。このときの発光波長はＥgm1 に対応する。」
　
（ｃ）「（実施例２）
　　【００３１】
　図９に本実施例の有機ＥＬ素子を示す。この素子は、上から見てＡｌからなる第１の電極Ｍ1 １、電子注入層２として下記化学式（２）の有機化合物からなる第１の有機膜Ｏ1 、発光層３として下記化学式（３）の有機化合物からなる第２の有機膜Ｏ2 、正孔注入層４として下記化学式（４）の有機化合物からなる第３の有機膜Ｏ3 、ＩＴＯ膜からなる第２の電極Ｍ2 ５およびガラス基板６で構成されている。
……（中略）……
　　【００３５】
　この素子は以下のようにして作製された。アルカリ成分を含まないガラス基板６上にスパッタ法によりＩＴＯ膜を２００ｎｍの厚さに形成した。次いで、このＩＴＯ膜の形成された基板を高真空蒸着装置にセットし、１０-8ｔｏｒｒまで真空引きし、基板温度２５℃で式（４）の有機化合物を０．０１ｎｍ／ｓｅｃの速度で５０ｎｍの厚さに成膜する。次に式（３）の有機化合物を３０ｎｍの厚さに成膜する。さらに式（２）の有機化合物を５０ｎｍの厚さに成膜する。これらの最後に、真空蒸着法によりＡｌ膜を１００ｎｍの厚さに形成する。
……（中略）……
（実施例３）
　　【００３９】
　実施例２の第１の有機膜Ｏ1 と第３の有機膜Ｏ3 とを結晶化させた有機ＥＬ素子を作製した。具体的には、第１の有機膜Ｏ1 および第３の有機膜Ｏ3 の成膜時に、基板温度を５０℃に上昇させて膜成長速度を０．００２ｎｍ／ｓｅｃに減少させ、ゆっくりと成長させた。……（略）……」
　
（ｄ）「（実施例４）
【００４１】図１２に本実施例の有機ＥＬ素子を示す。この素子は、上から見てＡｌからなる第１の電極Ｍ1 １、電子注入層２として前記化学式（２）の有機化合物からなる第１の有機膜Ｏ1 、下記化学式（５）の有機化合物からなる有機膜Ｏ21３1 と下記化学式（６）の有機化合物からなる有機膜Ｏ22３2 とが交互に積層された発光層３、正孔注入層４として前記化学式（４）の有機化合物からなる第３の有機膜Ｏ3 、ＩＴＯ膜からなる第２の電極Ｍ2 ５およびガラス基板６で構成されている。
……（中略）……
【００４４】この素子は、発光層３以外は実施例３と同様にして作製された。発光層３は以下のようにして作製された。０．０１ｎｍ／ｓｅｃの膜成長速度で、有機膜Ｏ21３−１を３ｎｍの厚さに形成し、次に有機膜Ｏ22３−２を３ｎｍの厚さに形成する。これらの工程を５回繰り返し、さらに有機膜Ｏ21３−１を３ｎｍの厚さに形成する。このようにして作製された発光層３は結晶構造を有する。なお、発光層３を構成する２種の有機膜Ｏ21３−１、Ｏ22３−２に関してはいずれも、電子および正孔の移動度がともに１０-2ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃ程度である。
【００４５】図１３に本実施例の素子の接合状態を示す。発光層を構成する２種の有機膜Ｏ21、Ｏ22に関して、各々のバンドギャップをＥg21 、Ｅg22 とし、各々の価電子帯、伝導帯の真空準位からのエネルギー差をＥV21 、ＥC21 、ＥV22 、ＥC22 とする。本実施例の素子では、Ｅg21 ＝２．１ｅＶ、Ｅg22 ＝２．５ｅＶ、ＥV21＝５．８ｅＶ、ＥC21 ＝３．７ｅＶ、ＥV22 ＝６．０ｅＶ、ＥC22 ＝３．５ｅＶとなっている。すなわち、発光層のバンドは連続した浅い井戸型ポテンシャル構造を形成している。また、予めＴＯＦ法によりこのような連続した井戸型ポテンシャル構造を持つ発光層のキャリア（電子および正孔）の移動度を測定したところ、電子移動度、正孔移動度ともに１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃであった。図１４に示すように、この素子においても前述した原理にしたがって発光が起こる。この素子に５Ｖの電圧を印加すると、５０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、波長５５０ｎｍの緑色の発光が３０００ｃｄ／ｃｍ2 の輝度で得られた。」
　
（ｅ）図７「
」
　
（ｆ）図８「
」
　
（ｇ）図１２「
」
　
　（ｈ）図１３「
」
　
（ｉ）図１４「
」
　
２　引用発明の認定
　上記記載事項（ｃ）〜（ｄ）に記載の有機ＥＬ素子の作製方法から、実施例４の有機ＥＬ素子は、ガラス基板６上にＩＴＯ膜を形成し、その上に発光層３を成膜していることは明らかである。
　よって、上記記載事項及び図面から、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「上から見て、Ａｌからなる第１の電極Ｍ1 １、電子注入層２としての第１の有機膜Ｏ1 、有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 とが交互に積層された発光層３、正孔注入層４としての第３の有機膜Ｏ3 、ＩＴＯ膜からなる第２の電極Ｍ2 ５及びガラス基板６で構成され、
　発光層を構成する２種の有機膜Ｏ21、Ｏ22に関して、各々の価電子帯、伝導帯の真空準位からのエネルギー差をＥV21 、ＥC21 、ＥV22 、ＥC22 とすると、ＥV21＝５．８ｅＶ、ＥC21 ＝３．７ｅＶ、ＥV22 ＝６．０ｅＶ、ＥC22 ＝３．５ｅＶであり、
　ガラス基板６上にＩＴＯ膜を形成し、その上に発光層３を成膜し、
　前記発光層３は、有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成し、次に有機膜Ｏ22を３ｎｍの厚さに形成し、これらの工程を５回繰り返し、さらに有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成したものである有機ＥＬ素子。」
　
　
第５　対比
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用例の図１３〜１４のエネルギーバンド図から、引用発明の「ＩＴＯ膜からなる第２の電極Ｍ2 ５」及び「Ａｌからなる第１の電極Ｍ1 １」が、それぞれ本願発明の「陽極」及び「陰極」に相当することは明らかである。
　また、本願発明の「発光層と、該発光層上に形成されたキャリア輸送積層体」とからなる構造体は、発光層とキャリア輸送積層体の両方を含んだ一つの積層体として認識することもできるから、引用発明の「有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 とが交互に積層された発光層３」と、本願発明の「陽極上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたキャリア輸送積層体」とは、「発光層を含む積層体」である点で一致する。
　
２　一致点・相違点
　よって、本願発明と引用発明とは、以下の発明である点で一致する。
［一致点］
「陽極と、陽極上に形成された発光層を含む積層体と、該積層体上に形成された陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子。」
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、一応、次の点で相違する。
［相違点］
　本願発明は「陽極上に形成された発光層」と「発光層上に形成されたキャリア輸送積層体」とを有し、前記キャリア輸送積層体が、「第１のキャリア輸送層と第２のキャリア輸送層とが繰り返し数が２〜１０の範囲で交互に積層されてなり、前記第１のキャリア輸送層と前記第２のキャリア輸送層は互いに電子親和力が異なる」、「前記第１のキャリア輸送層及び前記第２のキャリア輸送層のうちいずれか一方が発光層と同一材料よりなる」ものであるのに対し、
　引用発明は、ＩＴＯ膜の上に成膜する「発光層３」が、「有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成し、次に有機膜Ｏ22を３ｎｍの厚さに形成し、これらの工程を５回繰り返し、さらに有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成したもの」である点。
　
　
　
第６　当審の判断
１　上記の相違点について検討する。
　本願発明は、「発光層上に形成されたキャリア輸送積層体」が「第１のキャリア輸送層と第２のキャリア輸送層とが繰り返し数が２〜１０の範囲で交互に積層されてなり」、「前記第１のキャリア輸送層及び前記第２のキャリア輸送層のうちいずれか一方が発光層と同一材料よりなる」のであるから、本願発明が、
　陽極／発光層／［第１のキャリア輸送層／発光層と同一材料よりなる第２のキャリア輸送層］ｎ（ｎは、ｎ＝２〜１０の繰り返し数）の積層体
を含むものであることは明らかである。
　
　一方、引用発明の「伝導帯の真空準位からのエネルギー差」が本願発明の「電子親和力」に相当することは、当業者に自明な事項であるから、引用発明の、有機膜Ｏ21 の電子親和力はＥC21 ＝３．７ｅＶ、有機膜Ｏ22 の電子親和力はＥC22 ＝３．５ｅＶであり、両膜は互いに電子親和力が異なるものである。
　また、上記記載事項（ｂ）及び図７〜８の発光原理、並びに有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 のエネルギー準位及び図１３〜１４を参照すれば、引用発明の発光層３において、有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 はともに電子及び正孔（すなわち、キャリア）を輸送する機能を有することは明らかであるから、当該有機膜Ｏ21 及び有機膜Ｏ22 はともに「キャリア輸送層」であるといえ、さらに、有機膜Ｏ21 が、引用例の図７〜８における有機膜ｍ１ に相当する、電子と正孔との空間電荷層が重なって再結合発光が生じる膜であることも、当業者にとって明らかである。
　そして、引用発明のＩＴＯ膜上の発光層３は、「有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成し、次に有機膜Ｏ22を３ｎｍの厚さに形成し、これらの工程を５回繰り返し、さらに有機膜Ｏ21を３ｎｍの厚さに形成したもの」であるから、引用発明は、
　ＩＴＯ膜（陽極に相当）／［再結合発光する有機膜Ｏ21／有機膜Ｏ22］ｎ／再結合発光する有機膜Ｏ21（ｎは、ｎ＝５である繰り返し数）の積層体、
言い換えれば、
　陽極／再結合発光する有機膜Ｏ21／［有機膜Ｏ22／再結合発光する有機膜Ｏ21］ｎ（ｎは、ｎ＝５である繰り返し数）の積層体、
を含むものである。
　
　そうすると、引用発明の再結合発光する「有機膜Ｏ21」のうち、一番ＩＴＯ膜（陽極）側に位置する有機膜Ｏ21は、本願発明の「発光層」に相当し、引用発明のその他の５層の「有機膜Ｏ21」は、本願発明の「発光層と同一材料よりなる」「第１のキャリア輸送層及び第２のキャリア輸送層のうち」の「いずれか一方」に相当し、引用発明の５層の「有機膜Ｏ22」は、本願発明の「第１のキャリア輸送層及び第２のキャリア輸送層のうち」の他方に相当する。
　そして、引用発明の有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 とは繰り返し数５で交互に積層されているから、本願発明の「繰り返し数が２〜１０の範囲」に包含されることも明らかであり、有機膜Ｏ21 と有機膜Ｏ22 の電子親和力が互いに異なるものであることは上述のとおりであるから、上記相違点に係る本願発明の技術的事項は引用発明も備えている事項である。
　よって、上記相違点は実質的な相違点ではなく、本願発明と引用発明とは、相違しない。
　
　
２　請求人の主張について
　請求人は、平成２１年３月２５日付け手続補正（審判請求書の請求の理由を補正する手続補正）において、
「引用文献１が開示しているのは、発光層を２つの有機層の接合を複数繰り返した構造であります。それに対して、本願は、発光層ではなく、
電子輸送層
「以上説明したように、引用文献１〜６が開示しているのは、発光層を細分化した積層構造であって、それにより発光層内の正孔と電子の再結合の効率を高めることによる発光効率の向上、薄層に分割された発光層間のキャリアのトンネル効果などによりモノレーヤーとは異なる特異な発光を得ることを目的としたものであります。
　それに対して、本願は電子輸送層を特定の構成の積層体構造にすることにより、陰極から発光層への電子供給を制御することにより発光効率の向上と駆動耐久性の向上を課題とするものであります。
　従って、本願発明は、引用文献１〜６とは全く課題が異なり、且つ、その構成も全く異なり、得られる効果も異なるものであります。」
と主張している。
  
　しかしながら、本願の明細書または図面を参照しても、有機ＥＬ素子の積層体のうち、どの層が発光しているのかを特定し得る技術的根拠となる記載はなく、第１〜３実施例においても、緑色発光が観測されたことが記載されているのみであるから、発光しているのが発光層のＴＹＧ２０１だけであって電子輸送積層体中のＴＹＧ２０１は発光していない、と認めることはできない。
　また、上記「該電子輸送層構成により発光層に注入される電子電流量が増加し」、「陰極から発光層への電子供給を制御する」との主張からも、発光層のみが発光しているとはいえない。
　すなわち、「第１のキャリア輸送層及び前記第２のキャリア輸送層のうちいずれか一方が発光層と同一材料よりなる」本願発明において、発光層と同一材料のキャリア輸送層と、発光層との間に、差異は認められない。
　よって、上記請求人の主張は採用できない。
　
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。