【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネートの製造方法であって、当該方法が、溶剤とオリゴマー状ポリカーボネートを含有する溶液をエステル交換触媒の存在下１００℃〜４００℃の温度範囲の１以上の温度で押出す工程を含んでおり、該押出工程を溶剤除去に適した１以上のベントを備えた押出機で行い、上記オリゴマー状ポリカーボネートが１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物から誘導されたポリカーボネート繰返し単位を含んでいるとともに、以下の構造式Ｉで表されるエステル置換フェノキシ末端基を含んでいる、方法。
【化１】
2005529995.tif 000001
式中、Ｒ1はＣ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4−Ｃ20アリール基を示し、Ｒ2は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4−Ｃ20アリール基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20アリールチオ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルフィニル基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルホニル基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシカルボニル基、Ｃ2−Ｃ60アルキルアミノ基、Ｃ6−Ｃ60シクロアルキルアミノ基、Ｃ5−Ｃ60アリールアミノ基、Ｃ1−Ｃ40アルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40アリールアミノカルボニル基又はＣ1−Ｃ20アシルアミノ基を示し、ｂは０〜４の整数である。
【請求項２】
前記エステル置換フェノキシ末端基が構造式ＩＩを有する、請求項１記載の方法。
【化２】
2005529995.tif 000002
【請求項３】
前記１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物から誘導されたポリカーボネート繰返し単位が構造式ＩＩＩで表される繰返し単位を含む、請求項１記載の方法。
【化３】
2005529995.tif 000003
式中、Ｒ3〜Ｒ10は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6−Ｃ20アリール基を示し、Ｗは結合、酸素原子、硫黄原子、ＳＯ2基、Ｃ1−Ｃ20脂肪族基、Ｃ6−Ｃ20芳香族基、Ｃ6−Ｃ20脂環式基又は次式の基を示し、
【化４】
2005529995.tif 000004
Ｒ11及びＲ12は各々独立に水素原子、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4−Ｃ20アリール基を示すか、Ｒ11及びＲ12は互いに結合して、１以上のＣ1−Ｃ20アルキル、Ｃ6−Ｃ20アリール、Ｃ5−Ｃ21アラルキル、Ｃ5−Ｃ20シクロアルキル基又はこれらの組合せで置換されていてもよいＣ4−Ｃ20脂環式環を形成する。
【請求項４】
前記１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物から誘導されたポリカーボネート繰返し単位が、ビスフェノールＡから誘導された構造式ＩＶで表される繰返し単位と適宜構造式Ｖで表される繰返し単位を含む、請求項１記載の方法。
【化５】
2005529995.tif 000005
【化６】
2005529995.tif 000006
【請求項５】
前記溶剤が前記溶液の１０〜９９重量％を占める、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記溶剤が構造式ＶＩで表される１種以上のエステル置換フェノールを含有する、請求項１記載の方法。
【化７】
2005529995.tif 000007
式中、Ｒ1はＣ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4−Ｃ20アリール基を示し、Ｒ2は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4−Ｃ20アリール基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20アリールチオ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルフィニル基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルホニル基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシカルボニル基、Ｃ2−Ｃ60アルキルアミノ基、Ｃ6−Ｃ60シクロアルキルアミノ基、Ｃ5−Ｃ60アリールアミノ基、Ｃ1−Ｃ40アルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40アリールアミノカルボニル基又はＣ1−Ｃ20アシルアミノ基を示し、ｂは０〜４の整数である。
【請求項７】
前記溶剤がさらに、ハロゲン化芳香族溶剤、ハロゲン化脂肪族溶剤、非ハロゲン化芳香族溶剤、非ハロゲン化脂肪族溶剤又はこれらの混合物を含有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ポリカーボネートの製造方法であって、
（Ｉ）１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物、エステル置換ジアリールカーボネート及びエステル交換触媒を含有する混合物を１００℃〜３００℃の範囲の温度に加熱して、エステル置換フェノール溶剤に溶解したオリゴマー状ポリカーボネートの溶液を形成する加熱工程と、
（ＩＩ）前記エステル置換フェノール溶剤に溶解したオリゴマー状ポリカーボネートの溶液を１００℃〜４００℃の範囲の１以上の温度及び５０ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの範囲の１以上のスクリュー速度で押出す工程であって、該押出を溶剤除去に適した１以上のベントを有する押出機で行う、押出工程
とを含む方法。
【請求項９】
ポリカーボネートの製造方法であって、
（Ｉ）ビスフェノールＡ、ビス（メチルサリチル）カーボネート及びエステル交換触媒を含有する混合物を０．１〜１０気圧の圧力下、１００℃〜３００℃の範囲の温度に加熱してビスフェノールＡオリゴマー状ポリカーボネートのサリチル酸メチル溶液を形成する加熱工程であって、ビス（メチルサリチル）カーボネートがビスフェノールＡ１モル当たり０．９５〜１．０５モルのビス（メチルサリチル）カーボネートに相当する量で存在し、エステル交換触媒がビスフェノールＡ１モル当たり１×１０-8〜１×１０-3モルのエステル交換触媒に相当する量で存在し、オリゴマー状ポリカーボネートがメトキシカルボニルフェノキシ末端基を有する、加熱工程と、
（ＩＩ）前記ビスフェノールＡオリゴマー状ポリカーボネートのサリチル酸メチル溶液を１００℃〜４００℃の範囲の１以上の温度及び５０ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの範囲の１以上のスクリュー速度で押出す工程
とを含む方法。
【請求項１０】
ポリカーボネートの製造方法であって、当該方法が、溶剤とポリカーボネートを含有する溶液をエステル交換触媒の存在下１００℃〜４００℃の温度範囲の１以上の温度で押出す工程を含んでおり、該押出工程を溶剤除去に適した１以上のベントを備えた押出機で行い、上記ポリカーボネートが１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物から誘導されたポリカーボネート繰返し単位を含んでいるとともに、以下の構造式Ｉで表されるエステル置換フェノキシ末端基を含んでいる、方法。
【化８】
2005529995.tif 000008
式中、Ｒ1はＣ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4−Ｃ20アリール基を示し、Ｒ2は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4−Ｃ20アリール基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシ基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルチオ基、Ｃ4−Ｃ20アリールチオ基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルフィニル基、Ｃ1−Ｃ20アルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルキルスルホニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールスルホニル基、Ｃ1−Ｃ20アルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ4−Ｃ20アリールオキシカルボニル基、Ｃ2−Ｃ60アルキルアミノ基、Ｃ6−Ｃ60シクロアルキルアミノ基、Ｃ5−Ｃ60アリールアミノ基、Ｃ1−Ｃ40アルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ4−Ｃ40アリールアミノカルボニル基又はＣ1−Ｃ20アシルアミノ基を示し、ｂは０〜４の整数である。