【事件の表示】
　特願２００７−２４２９３６「有機電界発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２８日出願公開、特開２００８−　４７５４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１９年　９月１９日  
　　（特願２００４−３４４９４５号を原出願とした分割出願）  
　　（原出願の出願日　　：平成１６年１１月２９日）
　　（パリ条約に基づく優先権主張の日：平成１５年１１月２９日、韓国）
　　拒絶理由通知（最初）：平成２２年　３月１９日（起案日）  
　　意見書　　　　　　　：平成２２年　６月３０日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　６月３０日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　７月２１日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年１１月２６日  
　  　
第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年６月３０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
　　  
「【請求項１】
　ソース／ドレイン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、
　前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つに接続される下部電極と、
　前記下部電極の一部を露出させる第１開口部を備える第２絶縁膜と、
　前記第２絶縁膜上に、前記下部電極の一部を露出させる第２開口部を備えて形成された第３絶縁膜と、
　前記第３絶縁膜と第２開口部の下部電極上に形成された有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、
　前記第２開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有し、
　前記有機薄膜層がレーザ熱転写法で形成された発光層を含み、
　前記下部電極の上面から前記第３絶縁膜の上面までの間の段差が３０００Å以下の段差を有し、
　前記第３絶縁膜の第２開口部により露出される下部電極の部分が前記第２絶縁膜の第１開口部によって露出される部分よりも小さいことを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　　　　　　　  
第３　引用例  
１　引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１６８５６９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　  
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフルカラー有機電界発光表示素子の構造及び製造方法に係り、さらに具体的にレーザー転写法で有機薄膜層をパターニングする時に絶縁膜と透明電極間の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する発明である。」 
　　　 
（１ｂ）「【００１３】一方、レーザー転写法を利用したフルカラーＯＬＥＤの製造方法は、韓国特許登録番号１０−０１９５１７５及び韓国特許出願番号２０００−４９２８７そしてＵＳ５，９９８，０８５に開示されている。レーザー転写法を利用したＯＬＥＤ製造方法は薄膜トランジスタが形成された基板に転写フィルムを密着させた次に光源から出た光で転写フィルムをスキャニングすれば光が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに転換されて、転換された熱エネルギーによって転写フィルムのイメージ形成物質が基板に転写されてＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層のパターンを形成する。
【００１４】従来には寄生キャパシタンスを考慮して、絶縁膜を５００ｎｍないし１０００ｎｍ或いはそれ以上に厚く形成した。これによってレーザー熱転写法を利用して有機薄膜層をパターニングする場合、図９に示したように、有機薄膜層のエッジで不良が発生することが分かる。
【００１５】すなわち、絶縁膜のエッジ部分でカラーパターンがきちんと転写されないで取れたり、複数のピクセルにかけてカラーパターンが取れたりまたは正常的にカラーパターンが転写された場合にも転写境界がきれいでないなどの不良が発生するようになる。
【００１６】このような不良は、有機ＥＬ層の下部に形成された下部膜の特性に影響を受けるが、下部膜が均一に形成されていなかったり、絶縁膜のエッジ部分で発光物質が蒸着されないで穴で残っている部分があったり、または下部膜が他の薄膜層との接着力が悪くて下部膜の形成特性が良くないことなどが影響を及ぼすようになる。特に、下部薄膜層との吸着力が良い発光物質の場合にはレーザー転写時に既に蒸着された下部薄膜層と一緒にカラーパターンが取れるようになる。」
　　　　　　
（１ｃ）「【００１７】一方、透明電極と絶縁層の境界で有機薄膜層の不良を防止するための絶縁層の形成方法と関連した技術が米国特許５，６８４，３６５号に提示された。前記特許に提示されたＡＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造が図１に図示された。
【００１８】図１を参照すると、絶縁基板１００上にソース／ドレイン領域１２４、１２５を備えたポリシリコンからなったアイランド状の半導体層１２０が形成されて、半導体層１２０を含んだ基板上にゲート絶縁膜１３０が形成されて、ゲート絶縁膜１３０上にゲート１３５が形成される。前記ゲート１３５を含んだゲート絶縁膜１３０上に前記ソース／ドレイン領域１２４、１２５を露出させるコンタクトホール１４４、１４５を備えた層間絶縁膜１４０が形成される。
【００１９】前記層間絶縁膜１４０上には、前記コンタクトホール１４４を通して前記ソース領域１２４に連結されるソース電極１５４と、前記コンタクトホール１４５を通して前記ドレイン領域１２５に連結される画素電極１７０が形成される。
【００２０】そして、前記画素電極１７０が露出されるように開口部１８５を備えた保護膜１８０が前記層間絶縁膜１４０に形成されて、開口部１８５に有機薄膜層１９０が形成されて、有機薄膜層１９０を含んだ保護膜１８０上に陰極１９５が形成された構造を有する。
【００２１】このとき、前記保護膜１８０は、前記画素電極１７０を露出させる開口部１８５のエッジ、すなわち画素電極１７０上部の保護膜１８０が１０ないし３０゜のテーパエッジ(ｔａｐｅｒｅｄ  ｅｄｇｅ)を有するように形成する。このような保護膜１８０のテーパエッジは後続工程で形成される有機薄膜層１９０の接着力(ａｄhｅｓｉｏｎ)を向上させて不良発生を防止するためのものである。
【００２２】レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製造する場合には前記のように、テーパ角を有するように絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上である場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生する問題点があった。」
　　　
（１ｄ）「【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２４】本発明の他の目的は画素電極上の絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さを有するように形成して画素電極の開口部のエッジ部分における有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。」 
　　　　　 
（１ｅ）「【００２６】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的を達成するために本発明は基板上に形成された下部膜と；前記下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子を提供する。
【００２７】本発明はまた基板上に形成されて、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタのソースドレイン電極中の一つと連結される下部電極と；前記下部電極を露出するように前記基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部電極上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２８】本発明はまた基板上に下部電極を形成する段階と；前記下部電極を露出させるように前記基板上に絶縁膜を形成する段階と；前記露出された下部電極上に有機薄膜層を形成する段階を含んで、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子の製造方法を提供する。
【００２９】前記表示素子の製造方法は、前記下部膜を形成する段階前に、前記基板上にソース／ドレイン電極を有した薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含む。前記下部膜は下部電極であって、前記下部電極は前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極中の一つと電気的に連結される。前記有機薄膜層はレーザー転写法を利用して形成される。
【００３０】前記絶縁膜の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３１】前記絶縁膜は、前記下部膜のエッジ部分を覆うように形成される。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは２００ｎｍ以下である。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３２】前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は２００ｎｍ以下である。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１０ないし５００ｎｍである。前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は１００ｎｍないし２００ｎｍである。」 
　　　　  
（１ｆ）「【００４２】図４は、本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものである。
【００４３】図４を参照すると、第３実施例による有機電界発光表示素子は絶縁基板４００上にバッファ層４１０が形成されて、前記バッファ層４１０上にトップゲート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トランジスタはバッファ層４１０上に形成された、ソース／ドレイン領域４２４、４２５を備えた半導体層４２０と、ゲート絶縁膜４３０上に形成されたゲート電極４３５と、コンタクトホール４４４、４４５を通して前記ソース／ドレイン領域４２４、４２５と電気的に連結される、層間絶縁膜４４０上に形成されたソース／ドレイン電極４５４、４５５を備える。
【００４４】そして、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極４５４中の一つ、例えばドレイン電極４５５と電気的に連結される画素電極４７０が陽極として前記層間絶縁膜４４０上に形成される。前記画素電極４７０を露出させる開口部４８５を備えた絶縁膜４８０が、前記画素電極４７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜４４０上に形成されるが、前記絶縁膜４８０は保護膜または平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部４８５の画素電極４７０上に有機薄膜層４９０が形成されて、有機薄膜層４９０を含んだ絶縁膜４８０上に上部電極４９５として陰極が形成される。
【００４５】前記絶縁膜４８０は５００ｎｍ以下の厚さで形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜４８０は画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が５００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望ましくは、前記絶縁膜４８０は前記画素電極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が１００ないし２００ｎｍになるように形成される。
【００４６】前記のような厚さを有する絶縁膜４８０上にレーザー転写法で有機薄膜層４９０を形成すれば図１０のように開口部４８５のエッジ部分すなわち、画素電極４７０と絶縁膜４８０間の境界で有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層４９０は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。」
　　　
（１ｇ）「【００５９】図７Ａないし図７Ｄは、本発明の一実施例によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したものである。本発明の一実施例による製造方法は図３に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製造方法に関して説明するものである。
【００６０】図７Ａを参照すると、ＡＭ  ＯＬＥＤ用絶縁基板３００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基板３００上にバッファ層３１０としてＳｉＯ２を形成して、前記バッファ層３１０上にポリシリコン膜からなった半導体層３２０を形成する。前記半導体層３２０の形成方法は例えば、前記バッファ層３１０上に非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層３２０を形成する。
【００６１】続いて、前記半導体層３２０を含んだバッファ層３１０上にＳｉＯ２のようなゲート絶縁膜３３０を形成して、前記半導体層３２０に対応する前記ゲート絶縁膜３３０上にゲート電極３３５を形成する。前記ゲート電極３３５をマスクとして前記半導体層３２０に所定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注入してソース／ドレイン領域３２４、３２５を形成する。
【００６２】次に、基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜３４０を形成して、前記層間絶縁膜３４０とゲート絶縁膜３３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５を各々露出させるコンタクトホール３４４、３４５を形成する。層間絶縁膜３４０上にソース／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース／ドレイン領域３２４、３２５と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極３５４、３５５を形成する。
【００６３】図７Ｂを参照すると、前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５を含んだ層間絶縁膜３４０上にＳｉＯ２のような保護膜３６０を形成して、前記保護膜３６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極３５４、３５５中の一つ、例えばドレイン電極３５５を露出させるビアホール３６５を形成する。
【００６４】続いて、前記ビアホール３６５を含んだ保護膜３６０上に透明導電膜、例えばＩＴＯを２００ｎｍの厚さでスパッタリングして蒸着して、乾式エッチングして陽極として画素電極３７０を形成する。
【００６５】続いて、前記層間絶縁膜３６０上に前記画素電極３７０のエッジ部分を覆うように平坦化用絶縁膜３８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニングして開口部３８５を限定して続いて２２０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分に形成された部分が所定の厚さｄ３、例えば２５０ｎｍの厚さを有し、開口部３８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を有する絶縁膜３８０を形成する。
【００６６】図７Ｃ及び図７Ｄは、レーザー転写法を利用して開口部３８５内の画素電極３７０上に有機薄膜層３９０を形成する工程であって、まずＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層３９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム３０に対して説明する。
【００６７】光吸収層３２が形成されたベースフィルム３１上に発光層形成物質であるＲカラーを各々１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン(ｘｙｌｅｎｅ)溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有するＲカラーのための転写層３３を形成して転写フィルム３０を製造する。
【００６８】転写フィルム３０を正孔輸送層３９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後、赤外線(ＩＲ、ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ)レーザー３５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層３９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層３９０ａとＲ発光層３９０ｂを備えた有機薄膜層３９０が形成される。
【００６９】前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層３９０が形成されて、前記有機薄膜層３９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。
【００７０】最終的に、有機薄膜層３９０をレーザー転写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極３９５を形成する。以後、封止方法によって封止してＡＭ  ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良を防止するようになる。」 
　 　　
（１ｈ）図４
（１ｉ）図７Ｂ
（１ｊ）図７Ｃ
（１ｋ）図７Ｄ
〔引用例に記載された発明〕　  
　これらの記載事項からして、引用例１には、  
「ソース／ドレイン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレイン領域を各々露出させるコンタクトホールを備えた層間絶縁膜、前記コンタクトホールを通して前記ソース／ドレイン領域と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極を備えるトップゲート薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、
　前記層間絶縁膜上に形成され、ソース／ドレイン電極中の１つと電気的に連結される画素電極と、
　前記画素電極を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
　前記絶縁膜と開口部の画素電極上に形成された有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを有し、
　前記開口部のエッジ部分は、１０ないし３０゜のテーパエッジを有するように形成され、
　前記有機薄膜層はレーザー転写法で形成された有機発光層を含み、
　前記絶縁膜は、画素電極のエッジ部分に形成された部分の厚さが１００ないし２００ｎｍになるように形成されている有機電界発光表示素子」 
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　  
２　引用例２ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−２０８４９１号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　 
（２ａ）「【０００５】図７はこの種の従来の有機自己発光型表示装置を構成するアレイ基板の概略断面図を示す。陽極１０９及び陰極１１５間に有機発光層１１３を含む有機薄膜層が保持され、この有機発光層１１３に電子及び正孔を注入して再結合させることにより、励起子を生成し、これが失活する際の光の放出を利用して発光する。
【０００６】有機自己発光型表示装置は、図７に示すように、多結晶シリコン層１０３、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極１０５及びソース・ドレイン電極１０７でなる駆動ＴＦＴに接続された陽極１０９上を開口するパッシベーション膜１１０及び隔壁絶縁膜１１１が形成されている。」
　　　　
（２ｂ）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態を示す有機自己発光型表示装置の概略平面図、図２はその概略断面図を示す。この自己発光型表示装置の表示領域は、図３（ａ）に拡大図を示すようにマトリクス状に配置された複数の表示画素１より構成されており、図３（ｂ）は１表示画素分の概略平面図であり、また、図４（ａ）は１表示画素分の概略断面図、図４（ｂ）はその特徴部分の拡大断面図である。
【００１４】有機自己発光型表示装置は、表示画素が構成されたアレイ基板と、アレイ基板に対向配置される対向基板とが、窒素雰囲気中で封止されて構成される。本実施形態において、表示面はアレイ基板側で、光は陽極を介して外部に取り出される。
【００１５】アレイ基板は、図１に示すように、表示画素がマトリクス状に形成される表示領域１２０と、基板の２辺に配置されるＸ方向駆動回路１２１、Ｙ方向駆動回路１２３を備えた周辺領域とから構成され、各表示画素は、図５に示すように、ソースが信号線４１に接続され、ゲートがゲート線４３に接続されて表示画素を選択する画素スイッチである画素ＴＦＴ４４と、画素ＴＦＴ４４のドレインにゲートが接続され、ソースが電流供給線４２に接続された駆動素子である駆動ＴＦＴ４５から供給された電流により発光する表示素子４６とを備えて構成される。
【００１６】図４（ａ）には各表示画素の一部概略断面図を示す。ここで図示されるＴＦＴは、駆動ＴＦＴであり、表示画素部の一部略縦断面図である。図４（ａ）において、光透過性を有する基板１０１にアンダーコート層１０２が積層され、このアンダーコート層１０２上に島状に形成された多結晶シリコン層１０３はソース領域１０３a、チャネル領域１０３ｂ、ドレイン領域１０３ｃに区画されている。この多結晶シリコン層１０３を含めたアンダーコート層１０２の全面にゲート絶縁膜１０４が成膜され、多結晶シリコン層１０３のチャネル領域１０３ｂに対応する位置にゲート絶縁膜１０４を介してゲート電極１０５が形成されている。また、多結晶シリコン層のソース領域１０３a、ドレイン領域１０３ｂにそれぞれ接続されるソース電極及びドレイン電極は、層間絶縁膜１０６によりゲート電極と電気的に絶縁されている。この層間絶縁膜１０６上の所定の画素領域に透明部材、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）でなる陽極１０９が島状に形成され、ドレイン電極と電気的に接続されている。
【００１７】そして、この陽極上を開口した無機材料でなるパッシベーション膜１１０、有機材料からなる隔壁絶縁膜１１１が形成され、少なくとも有機発光層１１３を備えた有機薄膜層が陽極上に積層され、この有機薄膜層を介して陽極と対向して陰極１１５が複数の画素に亘って、連続して形成されている。有機薄膜層は、例えば、陽極バッファ層１１２、有機発光層１１３及び陰極バッファ層１１４で構成され、陽極バッファ層１１２及び陰極バッファ層１１４は、無機材料又は有機材料の積層膜で構成される。
【００１８】隔壁絶縁膜１１１は、図３（ｂ）、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、隣接表示画素間に開口を有する。つまり、各表示画素の縁端よりも内側の全周に亘って隔壁絶縁膜１１１の開口（斜線領域）３１が形成され、この開口３１は隔壁絶縁膜の陽極１０９側の壁面を基板に対して鋭角（θ＜９０°）に、好ましくは４５度以上に傾斜して形成される。これによって、横方向に進む光すなわち図４中の光成分Ｐ2，Ｐ3を、金属膜でなる陰極１１５で屈折させて表示面方向に進ませるため、表示パネルの発光強度が高められる。
【００１９】以下、本実施形態に係る有機自己発光型表示装置の製造方法について説明する。
【００２０】最初に、ガラス基板１０１を用意し、このガラス基板１０１の一主面に、例えば、膜厚が５０ｎｍのＳｉＮｘと膜厚が１００ｎｍのＳｉＯｘとを積層してなるアンダーコート層１０２を形成し、続いて、アンダーコート層１０２上に、例えば、膜厚５０ｎｍの多結晶シリコン層１０３を形成し、これをパターニングすることによって薄膜トランジスタの島領域を形成する。
【００２１】次に、多結晶シリコン層１０３を含めたアンダーコート層１０２の全面に、例えば、膜厚が１４０ｎｍのＳｉＯｘでなるゲート絶縁膜１０４を成膜し、さらに、ゲート絶縁膜１０４上に、膜厚が３００ｎｍのＭｏＷを堆積すると共に、これをパターニングすることによってゲート電極１０５を形成する。
【００２２】次に、ゲート絶縁膜１０４上からゲート電極１０５をマスクとしてイオン注入を行うことによって、多結晶シリコン層１０３のゲート電極の下部に位置する領域をチャネル領域としてその両側にソース領域及びドレイン領域を形成する。
【００２３】次に、ゲート電極１０５を含めたゲート絶縁膜１０４の全面に、例えば、膜厚が６６０ｎｍのＳｉＯｘでなる層間絶縁膜１０６を成膜し、続いて、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を成膜し、このＩＴＯをパターニングすることによって、所定の領域に広がった島状の第1電極として陽極１０９を形成する。
【００２４】次に、層間絶縁膜１０６及びゲート絶縁膜１０４を貫きソース領域、ドレイン領域に達する孔を開け、この孔に金属膜、例えば、膜厚５０ｎｍのＭｏと膜厚４５０ｎｍのＡｌと膜厚１００ｎｍのＭｏの積層膜を埋め込むことにより、ソース・ドレイン電極１０７を形成する。これによって、陽極１０９が駆動ＴＦＴのドレインに接続される。
【００２５】次に、陽極１０９の表面を含む層間絶縁膜１０６上に、例えば、膜厚４５０ｎｍのＳｉＮｘでなるパッシベーション膜１１０を成膜し、陽極１０９の表面が露呈する開口を設ける。さらに、陽極１０９の露呈面及びパッシベーション膜１１０上に、絶縁性の隔壁絶縁膜１１１を設け、矢印Ｍで示した部位、すなわち、陽極１０９の表面を露呈させる第１の開口を設けると共に、矢印Ｓで示した部位、すなわち、表示画素の縁端の内側に第２の開口を形成する。この隔壁絶縁膜１１１の開口は陽極１０９の端部を覆うように設けられ、後述する陰極との短絡を防止する。また、矢印Ｓで示した部位の開口は、図４（ｂ）に示したように、隔壁絶縁膜１１１の陽極１０９側の壁面１１１Ｆが基板に対して鋭角に、例えば、θ＝４５°に傾斜させている。
【００２６】次に、陽極１０９表面を含む隔壁絶縁膜１１１上に、正孔輸送層、正孔注入層等を膜厚１１０nmに積層してなる陽極バッファ層１１２を堆積した後、膜厚３０nmの有機発光層１１３を積層し、さらに、電子注入層等よりなる膜厚３０nmの陰極バッファ層１１４を堆積した後、全面に陰極１１５を形成する。
【００２７】この結果、有機発光層１１３から放射される光成分Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3のうち、光成分Ｐ1は直接表示面方向に進み、光成分Ｐ2，Ｐ3は隔壁絶縁膜１１１を通して横方向に進み、矢印Ｓで示した隔壁絶縁膜１１１の開口の陽極１０９側の壁面における陰極１１５によって表示面方向に屈折せしめられ、表示パネルの発光強度を高めることになる。」 
　　　
（２ｃ）「【００３１】図６はこの点に着目してなされた本発明に係る有機自己発光型表示装置の第２の実施形態の表示画素の縦断面図である。図６中、図４と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。これは第１の実施形態と同様に、隔壁絶縁膜１１１に開口を形成する際に、矢印Ｓで示した部位にも陽極１０９側の壁面１１１Ｆが例えば略４５度をなすような第２の開口を形成する。ここに示した表示画素１１Ａは、前述の第１の開口、つまり、陽極１０９上の隔壁絶縁膜で囲まれる領域に、陽極バッファ層１１２、有機発光層１１３、陰極バッファ層１１４が形成され、これらを覆う全面に陰極１１５が形成されている。従って、矢印Ｓで示した部位で略４５度に傾斜する隔壁絶縁膜１１１の壁面１１１Ｆには陰極１１５が直接被着される。
【００３２】このように、構成することによって、有機発光層１１３から横方向に進む光成分Ｐ3（及びＰ2）は隔壁絶縁膜１１１の傾斜面で陰極１１５により直接反射されるため、前述した陽極バッファ層１１２によって減衰されることがなくなり、図２に示した実施形態よりも表示パネルの発光強度を高めることができる。」
　　　 
（２ｄ）図４ 
（２ｅ）図６ 
（２ｆ）図７
　　
第４　本願発明と引用発明との対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「ソース／ドレイン領域を各々露出させるコンタクトホールを備えた層間絶縁膜」、「コンタクトホールを通してソース／ドレイン領域と各々コンタクトされるソース／ドレイン電極を備えるトップゲート薄膜トランジスタを含む絶縁基板」、「画素電極」、「画素電極を露出させる開口部を備えた絶縁膜」、「レーザー転写法」及び「有機発光層」は、本願発明の「ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜」、「コンタクトホールを介してソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板」、「下部電極」、「下部電極の一部を露出させる第２開口部を備えて形成された第３絶縁膜」、「レーザ熱転写法」及び「発光層」に相当する。  
　  
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「絶縁膜」の「開口部のエッジ部分は、１０ないし３０゜のテーパエッジを有するように形成され」ることは、本願発明の「第２開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有」することに相当する。  
　　  
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「絶縁膜は、画素電極のエッジ部分に形成された部分の厚さが１００ないし２００ｎｍになるように形成されている」ことは、本願発明の「下部電極の上面から前記第３絶縁膜の上面までの間の段差が３０００Å以下の段差を有」することに相当する。  
　　　　　 
　以上の対応関係からして、本願発明と引用発明とは、  
「ソース／ドレイン領域を備えた半導体層、前記ソース／ドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜、前記コンタクトホールを介して前記ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、
　前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つに接続される下部電極と、
前記下部電極の一部を露出させる第２開口部を備えて形成された第３絶縁膜と、
　前記第３絶縁膜と第２開口部の下部電極上に形成された有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、
　前記第２開口部のエッジで第３絶縁膜は４０°以下のテーパ角を有し、
　前記有機薄膜層がレーザ熱転写法で形成された発光層を含み、
　前記下部電極の上面から前記第３絶縁膜の上面までの間の段差が３０００Å以下の段差を有する有機電界発光表示装置。」
 
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
（相違点）  
　本願発明は、「第１絶縁膜」と「第３絶縁膜」との間に「下部電極の一部を露出させる第１開口部を備える第２絶縁膜」を有し、「第３絶縁膜の第２開口部により露出される下部電極の部分が第２絶縁膜の第１開口部によって露出される部分よりも小さい」と限定しているのに対して、引用発明は「層間絶縁膜」と「開口部」を有する「絶縁膜」との間に絶縁膜を備えていない点。
　　  
第５　検討・判断  
１　相違点について
　上記相違点について検討する。  
　引用例２には、層間絶縁膜と画素を分離する開口部を有する隔壁絶縁膜との間にパッシベーション膜を形成する技術が記載されており、パッシベーション膜の開口部のエッジを隔壁絶縁膜で覆う構造が示されているから、当該技術では、隔壁絶縁膜の開口部がパッシベーション膜の開口部よりも小さい関係を有するものといえる。そして、当該技術は、上記摘記事項（２ａ）に明示されているように、従来技術に過ぎず、周知のものである。
　そうすると、引用発明において、引用例２に記載の周知の構造を採用し、「層間絶縁膜」と画素を分離する開口部を有する「絶縁膜」との間にパッシベーション膜（本願発明の「第２絶縁膜」に相当）を形成した構造とすることで、上記相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易に想到することである。
　この点に関して、請求人は請求の理由において、
「ここで、本願発明および引用文献１に記載の有機薄膜層はレーザー転写法によって形成されるものであるのに対して、引用文献２に記載の有機薄膜層はインクジェット法によって形成されものである。従って、引用文献１に記載の発明と引用文献２に記載の発明との組合せは不可能である。レーザー転写法による場合、エッジ不良を防止することが非常に重要な課題であり、このために画素分離膜のエッジ形状を調節することが非常に重要な技術的特徴であるが、この技術的特徴は、インクジェット法に係る引用文献２からは決して導出できない。従って、引用文献１および２の組み合わせにより本願を容易に想到し得るとの認定は不当である。」
　と主張しているが、パッシベーション膜は一般的に層間の分離目的で採用されるものであるから、有機薄膜層の形成方法とは直接関係があるものではなく、引用例２の構造はインクジェット法に特有のものではない。上記摘記事項（２ａ）でも、従来技術として、製造方法とは無関係にパッシベーション膜を設ける構造が示されており、引用発明において、引用例２に記載の技術を採用することに格別の困難性は認められない。
　さらに、請求人は請求の理由において、
「また、引用文献１にも、ソース／ドレイン電極上に保護膜３６０を形成してその上に平坦化用絶縁膜３８０を形成する構成は記載されている。したがって、単に素子を保護する目的のために、解決しようとする課題が全く相違し、テーパ角及び絶縁層の厚さも全く異なる引用文献２に記載の発明におけるパッシベーション膜１１０を引用文献１に記載の発明に適用して本願発明を想到することは、たとえ当業者であったとしても容易になしえたものではないと思料する。」
　と主張しているが、複数の機能を有する絶縁膜について、単層の絶縁膜ではなく複数の層からなる絶縁膜に機能的に分離した構造とすることは慣用的な技術手段に過ぎない。そして、引用例２に記載された技術は、画素を分離する開口部を有する絶縁膜について、画素を分離する隔壁機能を有する隔壁絶縁膜とパッシベーション機能を有するパッシベーション膜とに機能的に分けて構成するものといえるから、引用発明の「絶縁膜」について同様の機能分離を行うことは当業者であれば容易に想到することである。
　よって、引用発明において、引用例２に記載された技術を採用することにより、上記相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
２　本願発明の作用効果  
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明及び引用例２に記載された技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　　　　  
３　まとめ  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　  
第６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　　　　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。