【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１個の末端ヒドロキシル基を有する少なくとも１種のゴム化合物および少なくとも１種の熱伝導性フィラー材料を含む、少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントおよび、前記熱的インターフェースコンポーネントに結合された少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントを含む層状熱的コンポーネント。
【請求項２】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、架橋性材料を含む請求項１に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項３】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種の架橋剤部分、少なくとも１種の架橋化合物または少なくとも１種の架橋樹脂をさらに含む請求項２に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項４】
少なくとも１種の架橋剤部分、少なくとも１種の架橋化合物または少なくとも１種の架橋樹脂が、アミン樹脂またはアミンベース化合物を含む請求項３に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項５】
少なくとも１種のゴム化合物が、少なくとも１個の第二級、第三級または他の内部ヒドロキシル基を含む請求項１に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項６】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種のはんだ材料を含む請求項１に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項７】
少なくとも１種のはんだ材料が、ペーストを含む請求項６に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項８】
少なくとも１種のはんだ材料が、以下の、すなわち、インジウム、銅、銀、アルミニウム、ガリウム、錫またはビスマスの少なくとも１種を含む請求項６に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項９】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種の樹脂コンポーネントをさらに含む請求項６に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１０】
少なくとも１種の樹脂コンポーネントが、シリコーン化合物を含む請求項９に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１１】
シリコーン化合物が、ビニルＱレジンまたはビニルシリコーンを含む請求項１０に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１２】
少なくとも１種のはんだ材料が、以下の、すなわち、インジウム、錫、銀、ビスマスまたはアルミニウムの少なくとも１種を含む請求項９に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１３】
架橋添加剤をさらに含む請求項９に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１４】
架橋添加剤が、シロキサン化合物を含む請求項１３に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１５】
シロキサン化合物が、水素化物官能性シロキサン化合物を含む請求項１４に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１６】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料を含む請求項１に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１７】
少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料が、ニッケル、アルミニウムまたは銅を含む請求項１６に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１８】
少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料が、ＡｌＳｉＣを含む請求項１７に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項１９】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、約０．２５ｍｍから約６ｍｍの厚さを有する請求項１に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項２０】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、約１ｍｍから約５ｍｍの厚さを有する請求項１９に記載の層状熱的コンポーネント。
【請求項２１】
熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１個の末端ヒドロキシル基を有する少なくとも１種のゴム化合物および少なくとも１種の熱伝導性フィラー材料を含む、少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントを提供すること、
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントを提供すること、および
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントを、少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントに結合すること
を含む層状熱的コンポーネントを形成する方法。
【請求項２２】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、架橋性材料を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種の架橋剤部分、少なくとも１種の架橋化合物または少なくとも１種の架橋樹脂をさらに含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１種の架橋剤部分、少なくとも１種の架橋化合物または少なくとも１種の架橋樹脂が、アミン樹脂またはアミンベース化合物を含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１種のゴム化合物が、少なくとも１個の第二級、第三級または他の内部ヒドロキシル基を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種のはんだ材料を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種のはんだ材料が、ペーストを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１種のはんだ材料が、以下の、すなわち、インジウム、銅、銀、アルミニウム、ガリウム、錫またはビスマスの少なくとも１種を含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
少なくとも１種の熱的インターフェースコンポーネントが、少なくとも１種の樹脂コンポーネントをさらに含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
少なくとも１種の樹脂コンポーネントが、シリコーン化合物を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
シリコーン化合物が、ビニルＱレジンまたはビニルシリコーンを含む請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
少なくとも１種のはんだ材料が、以下の、すなわち、インジウム、錫、銀、ビスマスまたはアルミニウムの少なくとも１種を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
架橋添加剤をさらに含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
架橋添加剤が、シロキサン化合物を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
シロキサン化合物が、水素化物官能性シロキサン化合物を含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項３７】
少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料が、ニッケル、アルミニウムまたは銅を含む請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
少なくとも１種の金属または金属ベースの基板材料が、ＡｌＳｉＣを含む請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、約０．２５ｍｍから約６ｍｍの厚さを有する請求項２１に記載の方法。
【請求項４０】
少なくとも１種のヒートスプレッダコンポーネントが、約１ｍｍから約５ｍｍの厚さを有する請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
請求項１に記載の層状熱的コンポーネントを含む電子コンポーネント。
【請求項４２】
請求項１に記載の層状熱的コンポーネントを含む半導体コンポーネント。
【請求項４３】
請求項２１に記載の層状熱的コンポーネントを含む電子コンポーネント。
【請求項４４】
請求項２１に記載の層状熱的コンポーネントを含む半導体コンポーネント。
【請求項４５】
少なくとも１種の飽和ゴム化合物を提供すること、
少なくとも１種のアミン樹脂を提供すること、
少なくとも１種の飽和ゴム化合物および少なくとも１種のアミン樹脂を架橋させて架橋したゴム−樹脂混合物を形成すること、
少なくとも１種の熱伝導性フィラーを前記架橋したゴム−樹脂混合物に添加すること、および
湿潤剤を前記架橋したゴム−樹脂混合物に添加すること
を含む、請求項１または請求項２１に記載の熱的インターフェースコンポーネントを形成する方法。
【請求項４６】
少なくとも１種の相変化材料を熱的インターフェース材料に添加することをさらに含む請求項４５に記載の方法。