【事件の表示】
　特願２００３−５０４１６５「位相シフトフォトリソグラフィックマスクの露光制御」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１９日国際公開、ＷＯ０２／１０１４６６、平成１７年　６月　９日国内公表、特表２００５−５１７２８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願（以下「本願」と記す。）は、２００２年６月７日（優先権主張２００１年６月８日、米国、２００１年７月１０日、米国、２００１年１０月５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年４月６日付けで手続補正がなされ、その後平成２０年６月１０日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年１２月１６日付けで手続補正がなされ、その後平成２１年５月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２２年１１月４日付けで審尋がなされ、平成２３年３月８日に回答書が提出された。
　
２．平成２１年１２月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２１年１２月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
〔理由〕
（２−１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、その補正内容は、特許請求の範囲の請求項５について、
「【請求項５】
　少なくとも２つのマスクパターンを用いている前記ICにおいて材料の少なくとも１つの層を画定することを含んでいる集積回路（IC）製品を製造する方法であって、
　前記材料の層がパターンを含み、
　前記第1のマスクパターンが位相シフトパターンを含み、前記第2のマスクパターンがトリムパターンを含み、
　前記第1のパターンが前記材料の層の全てのパターンを実質的に画定し、
　前記第2のパターンが前記パターンを保護し、位相シフトアーティファクト（artifact）をクリアする方法であって、
　前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンに対する露光特性を制御する1又は複数の光学的パラメータのセットの設定を有する光リソグラフィ露光システムにおいて、材料の層を露光することを含んでいる方法において、
　前記第1及び第2のマスクパターンを露光している間、前記設定が実質的に同様であり、
　前記光学的パラメータのセットが、前記開口数（N.A）、放射線の波長（λ）、部分的コヒーレンス（σ）、照明の配置、及びデフォーカス(defocus)から成る方法。」
とする補正を含むものである。
　
（２−２）本件補正の目的
　請求項５に係る上記補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２０年１２月１６日付け手続補正書に記載された特許請求の範囲）の請求項５に、請求項１８に記載された「前記光学的パラメータのセットが、前記開口数（N.A）、放射線の波長（λ）、部分的コヒーレンス（σ）、照明の配置、及びデフォーカス(defocus)から成る」という発明特定事項を付加して限定する補正であって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−３）独立特許要件について
　本件補正後の上記請求項５に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について以下に検討する。
　
（２−３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成５年１０月２２日に頒布された「特開平５−２７５３０３号公報」（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクを用いた露光技術に関し、特に、クロムレス型の位相シフトマスクを用いた露光に適用して有効な技術に関する。」
　
（ｂ）「【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるクロムレス型の位相シフトマスク１の要部を示す平面図である。
【００１５】この位相シフトマスク１は、半導体ウエハに所定の集積回路パターンを転写するための、例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成されたレチクルであり、屈折率が1.４７程度の合成石英からなる透明なガラス基板２上の有効露光領域内には、第一のパターンＡと第二のパターンＢとが所定の間隔（ｐ）で形成されている。
【００１６】上記第一のパターンＡは、ガラス基板２上に形成した、例えば矩形のパターンを有する位相シフタ３のみによって構成されている。位相シフタ３は、ガラス基板２の全面に被着したスピンオングラス膜を周知のリソグラフィ技術を使ってパターニングすることにより作製される。この作製過程でスピンオングラス膜中に気泡などが取り込まれたりすると、これが位相シフタ３の一部に欠陥４として残る。
【００１７】一方、第二のパターンＢは、上記第一のパターンＡを構成する位相シフタ３のエッジパターンの一部（例えば一対の長辺部分）と同一の遮光パターン５によって構成されている。遮光パターン５は、クロムまたは酸化クロムなどの遮光膜からなり、通常のフォトマスクの製造方法によって作製される。遮光パターン５は、位相シフタ３のパターンをブローデン処理することにより容易に発生させることができる。
【００１８】図２は、上記位相シフトマスク１を用いて露光される半導体ウエハ６であり、その主面には、露光領域７がマトリクス状に配列されている。この半導体ウエハ６の表面には、例えば１μｍ程度の膜厚を有するｉ線用のポジ型フォトレジストがスピン塗布されている。
【００１９】位相シフトマスク１に形成されたパターンを上記フォトレジストに転写するには、まず、図２（ａ）に示すように、露光開始点となる右隅最上部の露光領域７ａに第一のパターンＡのみが転写されるように位相シフトマスク１を位置決めして第一の露光を行う。このとき、第二のパターンＢは、露光領域７以外の捨て領域に露光される。
【００２０】図３に示すように、上記第一の露光により、露光領域７ａのフォトレジスト８には、位相シフタ３のエッジパターンの潜像３ａと欠陥４の潜像４ａとが同時に形成される。
【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハ６をパターンＡ、Ｂの間隔（ｐ）と等しい距離だけ横方向に平行移動させ、露光領域７ａに隣接した露光領域７ｂに第一のパターンＡを転写する。このとき、露光領域７ａには、第二のパターンＢが転写される。
【００２２】図４に示すように、上記第二の露光により、露光領域７ａのフォトレジスト８には、遮光パターン５の潜像５ａが形成される。このとき、前記第一の露光によって形成された位相シフタ３のエッジパターンの潜像３ａと欠陥４の潜像４ａは、位相シフタ３の潜像３ａと遮光パターン５の潜像５ａとが重なる領域のみが残り、他の領域は第二の露光によって消滅する。
【００２３】以下、上記の操作を繰り返すことにより、全ての露光領域７上のフォトレジスト８に第一のパターンＡの潜像と第二のパターンＢの潜像とを形成した後、フォトレジスト８を現像する。」
　
　上記引用刊行物の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「半導体ウエハ６に所定の集積回路パターンを転写するための、例えば実寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成されたレチクルであるクロムレス型の位相シフトマスク１を用いて、半導体ウエハ６を露光することを含む方法であって、
　この位相シフトマスク１は、屈折率が1.４７程度の合成石英からなる透明なガラス基板２上の有効露光領域内に、第一のパターンＡと第二のパターンＢとが所定の間隔（ｐ）で形成されており、
　上記第一のパターンＡは、ガラス基板２上に形成した、例えば矩形のパターンを有する位相シフタ３のみによって構成され、
　一方、第二のパターンＢは、上記第一のパターンＡを構成する位相シフタ３のエッジパターンの一部（例えば一対の長辺部分）と同一の遮光パターン５によって構成され、
　上記遮光パターン５は、クロムまたは酸化クロムなどの遮光膜からなり、通常のフォトマスクの製造方法によって作製され、
　半導体ウエハ６の表面には、例えば１μｍ程度の膜厚を有するｉ線用のポジ型フォトレジスト８がスピン塗布されており、その主面には、露光領域７がマトリクス状に配列されており、
　まず、露光開始点となる右隅最上部の露光領域７ａに第一のパターンＡのみが転写されるように位相シフトマスク１を位置決めして第一の露光を行い、このとき、第二のパターンＢは、露光領域７以外の捨て領域に露光され、
　次に、半導体ウエハ６をパターンＡ、Ｂの間隔（ｐ）と等しい距離だけ横方向に平行移動させ、露光領域７ａに隣接した露光領域７ｂに第一のパターンＡを転写されるように位相シフトマスク１を位置決めして第二の露光を行い、このとき、露光領域７ａには、第二のパターンＢが転写され、
　以下、上記の操作を繰り返すことにより、全ての露光領域７上のフォトレジスト８に第一のパターンＡの潜像と第二のパターンＢの潜像とを形成した後、フォトレジスト８を現像する、
方法。」
　
（２−３−２）対比
　本願補正発明と、引用発明とを対比する。
　引用発明における「半導体ウエハ６に所定の集積回路パターンを転写するための、」「集積回路パターンの原画が形成されたレチクルである」「クロムレス型の位相シフトマスク１を用いて、半導体ウエハ６を露光することを含む方法」は、「クロムレス型の位相シフトマスク１」が「第一のパターンＡ」と「第二のパターンＢ」を備えていることから、２つのパターンＡ及びＢを用いて半導体ウエハ６を露光することを含む方法であるので、本願補正発明における「少なくとも２つのマスクパターンを用いている前記ICにおいて材料の少なくとも１つの層を画定することを含んでいる集積回路（IC）製品を製造する方法であって」、「パターンを含んだ」「材料の層を露光することを含んでいる方法」に相当する。
　引用発明における「位相シフトマスク１」の「第一のパターンＡ」は、「ガラス基板２上に形成した」「矩形のパターンを有する位相シフタ３のみによって構成され」ているので、本願補正発明における「位相シフトパターンを含」んだ「第１のマスクパターン」に相当する。
　引用発明における「位相シフトマスク１」の「第二のパターンＢ」は、「ガラス基板２上」に「形成され」「上記第一のパターンＡを構成する位相シフタ３のエッジパターンの一部」「と同一の遮光パターン５によって構成され」ているので、本願補正発明における「トリムパターンを含」む「第２のマスクパターン」に相当する。
　引用発明における「全ての露光領域７上のフォトレジスト８に第一のパターンＡの潜像と第二のパターンＢの潜像とを形成」することは、本願補正発明における「前記第1のパターンが前記材料の層の全てのパターンを実質的に画定し、前記第2のパターンが前記パターンを保護し、位相シフトアーティファクト（artifact）をクリアする」ことに相当する。
　引用発明における「第一のパターンＡと第二のパターンＢとが所定の間隔（ｐ）で形成されて」いる「クロムレス型の位相シフトマスク１を用いて、半導体ウエハ６を露光する」際には、露光特性を制御するために少なくとも１つの光学的パラメータの設定を行うことは、当業者にとって常識的事項であるから、引用発明においても、本願補正発明における「前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンに対する露光特性を制御する1又は複数の光学的パラメータのセットの設定を有する光リソグラフィ露光システムにおいて、材料の層を露光する」ことと同様の露光制御を行っていると認められる。
　
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「少なくとも２つのマスクパターンを用いている前記ICにおいて材料の少なくとも１つの層を画定することを含んでいる集積回路（IC）製品を製造する方法であって、
　前記材料の層がパターンを含み、
　前記第1のマスクパターンが位相シフトパターンを含み、前記第2のマスクパターンがトリムパターンを含み、
　前記第1のパターンが前記材料の層の全てのパターンを実質的に画定し、
　前記第2のパターンが前記パターンを保護し、位相シフトアーティファクト（artifact）をクリアする方法であって、
　前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンに対する露光特性を制御する1又は複数の光学的パラメータのセットの設定を有する光リソグラフィ露光システムにおいて、材料の層を露光することを含んでいる方法。」
　
　一方で、両者は、次の各点で相違する。
＜相違点１＞
　本願補正発明では、「前記第1及び第2のマスクパターンを露光している間、前記設定が実質的に同様であ」るのに対し、引用発明では、「第一のパターンＡ」と「第二のパターンＢ」が同時に露光されるが、露光特性を制御する1又は複数の光学的パラメータのセットの設定が実質的に同様かどうか明示がない点。
＜相違点２＞
　本願補正発明では、「前記光学的パラメータのセットが、前記開口数（N.A）、放射線の波長（λ）、部分的コヒーレンス（σ）、照明の配置、及びデフォーカス(defocus)から成る」のに対し、引用発明では、上記発明特定事項がない点。
　
（２−３−３）判断
　前記各相違点について判断する。
＜相違点１について＞
　引用発明における
「まず、露光開始点となる右隅最上部の露光領域７ａに第一のパターンＡのみが転写されるように位相シフトマスク１を位置決めして第一の露光を行い、このとき、第二のパターンＢは、露光領域７以外の捨て領域に露光され、
　次に、半導体ウエハ６をパターンＡ、Ｂの間隔（ｐ）と等しい距離だけ横方向に平行移動させ、露光領域７ａに隣接した露光領域７ｂに第一のパターンＡを転写されるように位相シフトマスク１を位置決めして第二の露光を行い、このとき、露光領域７ａには、第二のパターンＢが転写され、」
という繰り返し露光では、第一の露光でも、第二の露光でも、第一のパターンＡと第二のパターンＢが半導体ウエハ６上に同時に露光されていることは明らかであるものの、上記同時露光における第一のパターンＡと第二のパターンＢのそれぞれに対する露光条件については明示がされていない。しかしながら、半導体装置の作成における回路パターンの露光プロセスにおいて、ステッパーのような一括露光型の投影露光装置を使用して１つのレチクル上にある２つのパターンに同時露光を行う場合は、同様の光学条件で露光される場合もあり、また特別な光学構成を用いて異なる光学条件で露光される場合もある、ということは、当業者において周知の技術常識である（必要ならば、特開平１１−１１１６０１号公報の段落【００４６】参照。）。よって、引用発明において、位相シフトマスク１上にある「第一のパターンＡ」と「第二のパターンＢ」の同時露光での露光条件を実質的に同様なものとすることは、当業者にとって格別の困難無く行い得たことである。
＜相違点２について＞
　半導体装置の作成における回路パターンの露光プロセスにおいて、露光条件を決める光学的パラメータとして、光源の波長、投影レンズのＮＡ、照明の配置、部分的コヒーレンを示す値σ、及びデフォーカスを用いることは、本願出願前に周知である（必要ならば特開２０００−１５６３４４号公報の段落【００７５】−【００７７】参照。）。よって、引用発明において、露光条件の光学的パラメータとして、開口数（N.A）、放射線の波長（λ）、部分的コヒーレンス（σ）、照明の配置、及びデフォーカス(defocus)を採用することは、当業者にとって格別の困難性無く行い得たことである。
　
　また、本願補正発明における作用効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測しうる程度のものに過ぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２−４）むすび
　以上のとおり、本件補正のうち請求項５に係る補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、上記請求項５に係る補正を含む本件補正は同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２１年１２月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至５０に係る発明は、平成２０年１２月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至５０に記載されたとおりのものであるところ、請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項５】
　少なくとも２つのマスクパターンを用いている前記ICにおいて材料の少なくとも１つの層を画定することを含んでいる集積回路（IC）製品を製造する方法であって、
　前記材料の層がパターンを含み、
　前記第1のマスクパターンが位相シフトパターンを含み、前記第2のマスクパターンがトリムパターンを含み、
　前記第1のパターンが前記材料の層の全てのパターンを実質的に画定し、
　前記第2のパターンが前記パターンを保護し、位相シフトアーティファクト（artifact）をクリアする方法であって、
　前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンに対する露光特性を制御する1又は複数の光学的パラメータのセットの設定を有する光リソグラフィ露光システムにおいて、材料の層を露光することを含んでいる方法において、
　前記第1及び第2のマスクパターンを露光している間、前記設定が実質的に同様である方法。」
　
４．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物並びにその記載事項は、前記「２．」の「（２−３−１）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記「２．」の「（２−３）」で検討した本願補正発明から、「前記光学的パラメータのセットが、前記開口数（N.A）、放射線の波長（λ）、部分的コヒーレンス（σ）、照明の配置、及びデフォーカス(defocus)から成る」という事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．」の「（２−３）」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項５に係る発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。