【事件の表示】
　特願２００３−５７６３６３「金属−セラミック基板、好ましくは銅−セラミック基板を製造するプロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２５日国際公開、ＷＯ０３／７８３５３、平成１７年　７月　７日国内公表、特表２００５−５２０３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、２００３年３月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年３月１３日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成１６年８月２３日付けで特許法第１８４条の５第１項に規定する国内書面が提出され、平成１６年１０月７日付けで特許法第１８４条の４第１項に規定する翻訳文が提出され、平成１９年１２月５日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年６月４日付けで意見書及び手続補正書並びに物件提出書が提出され、平成２０年９月１６日付けで再度の拒絶理由が通知され、平成２１年１月３０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１０月１６日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に、同日付けで明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、平成２１年１２月１１日付けで請求の理由を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２２年１１月１２日付けで書面による審尋がなされ、これに対して平成２３年５月９日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年１０月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年１０月１６日付けの手続補正を却下する。 
　  
［理由］  
１　本件補正について  
（１）平成２１年１０月１６日付けの手続補正書による手続補正（以下、単に「本件補正」という。）は、特許請求の範囲に関して、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２１年１月３０日付けの手続補正書によって補正された）特許請求の範囲の以下の（ａ）に示す請求項１ないし１５を、（ｂ）に示す請求項１ないし１３に補正するものである。
　 
　（ａ）本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】
金属−セラミック基板を形成するプロセスであって、
該基板は、
セラミック層と、
前記セラミック層の表面側に適用され、導電性トラック、接触面などを有する構造化金属層を形成するように構造化される、少なくとも１つの金属層、および
前記構造化金属層へ塗布されるブレージングレジストのコーティング（５）
とを備え；
該プロセスは、
（ａ）前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属箔（３’、４’）を、６５０℃を超える温度にて実施させる高温結合プロセスを用いて適用して金属層を形成し；
（ｂ）前記セラミック層（２）の前記少なくとも１つの表面側の前記金属層を、マスクエッチングプロセスにより、導電性トラック、接触面などを形成するために、パターン化し；
（ｃ）前記金属層の形成直後若しくは前記パターン化の直後に、少なくとも１つの金属層の金属表面に少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）を塗布し；
（ｄ）前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域の前記パターン化された金属層から、更なるエッチングプロセスにより金属を少なくとも除去する
ステップからなることを特徴とする、金属−セラミック基板を形成するプロセス。
　　【請求項２】
前記パターン化された金属層からの金属の除去が０．１〜２０ミクロンの厚さで行なわれる、請求項１に記載のプロセス。
　　【請求項３】
高温結合が直接結合（ＤＣＢ）プロセスである、請求項１または２に記載のプロセス。
　　【請求項４】
高温結合が活性ろう付けプロセスである、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項５】
金属箔が銅箔であり、それらが前記ＤＣＢプロセスまたは前記活性ろう付けプロセスによってセラミック基板（２）上に供給される、請求項４または５に記載のプロセス。
　　【請求項６】
ろう付け用レジストの少なくとも１つのコーティング（５）がパターン化の直後に塗布される、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項７】
除去が過酸化水素、過硫酸ナトリウム、塩化銅または塩化鉄を用いたエッチングによって行われる、請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項８】
表面金属層（１０）が少なくとも１つの金属層の少なくとも１つの表面区域（８）に適用され、その表面区域で、前記金属層のいくらかの金属が前記更なるエッチングによって除去され、および前記表面区域は少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）に接する、請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項９】
表面金属層（１０）によって形成された表面が少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の表面と水平またはほぼ水平であるか、あるいは少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の下の未処理表面と水平またはほぼ水平であるように、表面金属層（１０）が適用される、請求項８に記載のプロセス。
　　【請求項１０】
表面金属層（１０）によって形成された表面が少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の表面レベル上に、または少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の下の未処理表面の表面レベル上に突出するように、表面金属層（１０）が適用される、請求項８に記載のプロセス。
　　【請求項１１】
表面金属層（１０）によって形成された表面が少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の、または少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）の下の未処理表面の表面レベルよりやや低くなるように、表面金属層（１０）が適用される、請求項９に記載のプロセス。
　　【請求項１２】
ろう付け用レジストコーティングにエポキシドベースレジストが使用され、ろう付け用レジストコーティング（５）が熱によって硬化する、請求項１から１１のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項１３】
少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）が０．５〜１００ミクロンの厚さを持つ、請求項１から１２のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項１４】
少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）が、光学読取式コードを形成するために、区域（５'）で構成される、請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセス。
　　【請求項１５】
前記金属箔（３´、４´）は銅箔である、請求項１から１４のいずれか一項に記載のプロセス。」
　  
　（ｂ）本件補正後の特許請求の範囲  
「【請求項１】
金属−セラミック基板を形成するプロセスであって、
該基板は、
セラミック層と、
前記セラミック層の表面側に適用され、導電性トラック、接触面などを有する
パターン
コーティング（３、４）
パターン
コーティング
前記
パターン
コーティング（３、４）
ろう付け用
とを備え；
該プロセスは、
（ａ）前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属箔（３’、４’）を、
１０２５℃〜１０８３℃の範囲内の
直接結合（ＤＣＢ）
コーティング
（ｂ）前記セラミック層（２）の前記少なくとも１つの表面側の前記金属
コーティング
（ｃ）前記金属
コーティング
前記パターン化
コーティング（３、４）
の一部区域（５’）
て前記区域（５’）をパターン化し
（ｄ）前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域の前記パターン化された金属
コーティング（３、４）
前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域の
ステップからなることを特徴とする、金属−セラミック基板を形成するプロセス。
　　【請求項２】
金属−セラミック基板を形成するプロセスであって、
該基板は、
セラミック層と、
前記セラミック層の表面側に適用され、導電性トラック、接触面などを有する
パターン
コーティング（３、４）
パターン
前記
パターン
コーティング（３、４）
ろう付け用
とを備え；
該プロセスは、
（ａ）前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属箔（３’、４’）を、
８００℃〜１０００℃の範囲内の
活性ろう付け
コーティング
（ｂ）前記セラミック層（２）の前記少なくとも１つの表面側の前記金属
コーティング
（ｃ）前記金属
コーティング
前記パターン化
コーティング
（３、４）
の一部区域（５’）
て前記区域（５’）をパターン化し
（ｄ）前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域の前記パターン化された金属
コーティング（３、４）
前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域
ステップからなることを特徴とする、金属−セラミック基板を形成するプロセス。
　　【請求項３】
前記パターン化された金属
コーティング
または２
　　【請求項４】
金属箔が銅箔である、請求項
１から３のいずれか一
　　【請求項５】
ろう付け用レジストの少なくとも１つのコーティング（５）がパターン化の直後に塗布される、請求項１から
４
　　【請求項６】
除去が過酸化水素、過硫酸ナトリウム、塩化銅または塩化鉄を用いたエッチングによって行われる、請求項１から
５
　　【請求項７】
表面金属
コーティング
コーティング
コーティング
且つ
６
　　【請求項８】
表面金属
コーティング
同じレベルまたはほぼ同じレベル
除去されていない金属コーティングの元の
同じレベルまたはほぼ同じレベル
コーティング
７
　　【請求項９】
表面金属
コーティング
除去されていない金属コーティングの元の
コーティング
　　【請求項１０】
表面金属
コーティング
除去されていない金属コーティングの元の
コーティング
８
　　【請求項１１】
ろう付け用レジストコーティングにエポキシドベースレジストが使用され、ろう付け用レジストコーティング（５）が熱によって硬化する、請求項１から
１０
　　【請求項１２】
少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）が０．５〜１００ミクロンの厚さを持つ、請求項１から
１１
　　【請求項１３】
少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）が、光学読取式コードを形成するため
の
パターン化
　
（２）本件補正の目的  
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項２についての本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項４を独立形式とするとともに、「構造化」を「パターン化」とし、「金属層」及び「金属箔」を「金属コーティング」とし、「ブレージングレジスト」を「ろう付け用レジスト」とし、「６５０℃を超える温度」を「８００℃〜１０００℃の範囲内の温度」と限定し、「高温結合プロセス」を「活性ろう付けプロセス」と限定し、「少なくとも１つの金属層の金属表面に少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）を塗布し」を「少なくとも１つの前記パターン化金属コーティング層（３、４）の金属表面の一部区域（５’）に少なくとも１つのろう付け用レジストコーティング（５）を塗布して前記区域（５’）をパターン化し」とし、「更なるエッチングプロセスにより金属を少なくとも除去する」を「更なるエッチングプロセスにより前記ろう付け用レジストコーティング（５）に接する表面区域の金属を少なくとも除去する」と限定するものである。
　したがって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項２についての本件補正は、全体としてみれば、平成１８年法律第５５号附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　本件補正の適否についての判断  
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項２についての本件補正は、前述したように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項２に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。 
　 
２−１　特開２００１−１８５６６４号公報（以下、「引用文献１」という。）  
（１）引用文献１の記載事項  
　原査定の拒絶理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献１には、例えば、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。）  
　
　（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
セラミックス基板上に金属回路板を接合し
セラミックス回路基板において
ハンダが塗布されない部位に、ソルダーレジスト層を設けた
【請求項２】  請求項１記載のセラミックス回路基板において、ソルダーレジスト層の厚さは、５〜１００μｍであることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項３】  請求項１または２記載のセラミックス回路基板において、ソルダーレジスト層は、ＵＶ硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または耐熱性樹脂からなることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項４】  請求項１から３までのいずれかに記載のセラミックス回路基板において、ソルダーレジスト層は、ハンダ塗布面を囲む配置で設けられていることを特徴とするセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項４】）
　
　（ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワートランジスタモジュール用基板等に好適な
セラミックス回路基板
セラミックス基板上に金属回路板を接合して構成される回路基板
　
　（ｃ）「【０００２】
【従来の技術】近年、パワートランジスターモジュール用基板などの回路基板として、
セラミックス基板上に銅板
等の金属板を接合させたもの
【０００３】このようなセラミックス基板の製造には種々の方法が知られており、例えば
ＤＢＣ法（ダイレクト・ボンディング・カッパー法）
活性金属法
【０００４】また、ＤＢＡ法は、アルミニウム板をＤＢＣ法と同様に加熱し、接合界面にＡｌ−Ｓｉ共晶液層を生成させ、この液層によりセラミックス基板を濡らし、次いで冷却固化させて、セラミックス基板とアルミニウム板とを直接接合させ、あるいはアルミニウム溶湯をセラミックス基板と接触させ、凝固させて直接接合させる方法である。
【０００５】さらに
活性金属法は、例えば銅回路基板とセラミックス基板とをロー材であるＣｕ，Ａｇおよび活性な金属であるＴｉ，Ｈｆ，Ｚｒの寄与により接合させる方法である
【０００６】なお、
セラミックス基板の材質としては、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等が適用される
【０００７】図２は、このようにして構成される
セラミックス回路基板の構成
【０００８】この図２の例では、セ
ラミックス基板１の両面に前記の方法を用いて金属回路板２ａ，２ｂが接合されており
【０００９】このようなセラミックス回路基板は、セラミックス基板１と金属回路基板２ａ，２ｂとの接合が強固であり、かつ単純な構造となるため小型、高実装化が可能であり、また作業工程も短縮できる等の利点が得られている。」（段落【０００２】ないし【０００９】）
　
　（ｄ）「【００１９】図２は、本実施形態による
セラミックス回路基板の構成を示す図
【００２０】
このセラミックス回路基板は、セラミックス基板１の両面に金属回路板２ａ，２ｂを接合した構成とされている
セラミックス基板１としては、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、ジルコニア等が適用されている
金属回路板２ａ，２ｂとしては、銅、アルミニウム、クラッド材等が適用されている
これらは、上述したＤＢＣ法、ＤＢＡ法、活性金属法等によって接合されている
【００２１】そして、一方の金属回路板２ａには例えばＳｉペレット等の半導体ペレット３がハンダ４により接合されている。また、他方の金属回路板２ｂには例えば銅等からなるヒートシンク５がハンダ６により接合されている。
【００２２】
このようなセラミックス回路基板において、本実施形態では、一方の金属回路板２ａの半導体ペレット搭載面のうちハンダ６が塗布されない部位に、ソルダーレジスト層７がハンダ塗布面を囲む配置で設けられている
【００２３】このソルダーレジスト層７は、例えばＵＶ硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または耐熱性樹脂により枠状に構成されており、耐熱性は２５０℃程度のものとされている。また、ソルダーレジスト層７の厚さは、５〜１００μｍの範囲に設定され、ソルダーレジスト層７の幅は０．１ｍｍ〜２ｍｍとされている。
【００２４】このような構成によると、半導体接合のためのハンダ４が金属回路板２ａ上に塗布された場合、そのハンダ４が金属回路板２ａの表面の一定範囲内に常時保持された。したがって、図１に示すように、半導体ペレット３は定位置に安定して保持され、位置ずれが生じることがなく、また図２に示したようなハンダブリッジが生じることもなかった。
【００２５】なお、
ソルダーレジスト層７の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば下記のような方法がある。金属回路板の所定の位置にレジストインク（レジスト含有溶液）を塗布できるようマスク材を配置しスクリーン印刷等の方法により印刷する
　
　（ｅ）「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミックス基板の実施形態を示す構成図。
【図２】従来例を示す構成図。
【符号の説明】
１  セラミックス基板
２ａ，２ｂ  金属回路板
３  半導体ペレット
４，６  ハンダ
５  ヒートシンク
７  ハンダレジスト層」（【図面の簡単な説明】及び【符号の説明】）
　
（２）上記（１）（ａ）ないし（ｅ）及び図面の記載から分かること
　  
　（ア）上記（１）（ａ）ないし（ｅ）及び図面の記載から、引用文献１には、セラミックス基板１と、セラミックス基板１の表面側に適用される金属回路板２ａ，２ｂ及び前記金属回路板２ａ，２ｂへ塗布されるソルダーレジスト層７とを備えるセラミックス回路基板が記載されていることが分かる。
　
　（イ）上記（１）（ａ）ないし（ｅ）及び図面の記載から、引用文献１に記載されたセラミックス回路基板を形成するプロセスにおいて、セラミックス基板１の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属回路板が、ＤＢＣ法、ＤＢＡ法、活性金属法等の方法により接合されることが分かる。
　
　（ウ）上記（１）（ａ）ないし（ｅ）及び図面の記載から、引用文献１に記載されたセラミックス回路基板を形成するプロセスにおいて、接合された金属回路板の表面の一部の部位に、レジストインクを塗布してソルダーレジスト層を形成することが分かる。
　
（３）引用発明１
　上記（１）及び（２）並びに図面の記載から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
「セラミックス回路基板を形成するプロセスであって、
該セラミックス回路基板は、
セラミックス基板１と、
前記セラミックス基板１の表面側に適用される金属回路板２ａ，２ｂ、及び
前記金属回路板２ａ，２ｂへ塗布されるレジストインクからなるソルダーレジスト層７
とを備え；
該プロセスは、
前記セラミックス基板１の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属回路板２ａ，２ｂを、活性金属法を用いて金属回路板層を形成し、
少なくとも１つの前記金属回路板層の一部の部位に少なくとも１つのレジストインクを塗布して前記部位にソルダーレジスト層を設ける、
ステップからなる、セラミックス回路基板を形成するプロセス。」
　
２−２　特開２００１−２８４７８２号公報（以下、「引用文献２」という。）  
（１）引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献２には、例えば、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付した。）  
　
　（ａ）「【００３１】図６〜１０はこの発明のはんだ接合構造における接合層の製造工程を示す断面図であり、
プリント配線板９側の接合層の製造工程
１１はパターニング前のプリント配線板９表面上に形成されている薄膜銅層、１２は薄膜銅層１１をパターンニングするためのエッチングレジスト、１３は後述するソフトエッチングによって薄膜銅層１１の周囲に形成されたソルダレジスト８ａの下方部分がエッチングされることによって生じるソルダレジスト８ａのオーバハング（エッチングレジスト）
【００３２】次に概要について説明する。
先ず、プリント配線板９に形成されたベタの薄膜銅層１１をパターンニングするために、図６に示すように薄膜銅層１１上にエッチングレジスト１２を塗布する。このとき、例えばはんだボール接合部のランドや配線パターンなどを形成する領域をマスクする
【００３３】
次に、銅に対する通常のエッチング処理を施して図７に示すようにはんだボール接合部のランドや配線パターンなどを形成する
【００３４】
パターン形成されたプリント配線板９のエッチングレジスト１２を剥離し、図８に示すようにソルダレジスト８ａを塗布して、はんだと接合する箇所のみを開口して薄膜銅層１１を露出させておく（マスク工程）
【００３５】
次に、図９に示すように、薄膜銅層１１の露出箇所に対してソフトエッチングを施し、薄膜銅層１１の露出部分を軽くエッチングする
具体的には、例えば、通常の銅をエッチングするのに使用する過硫酸ソーダなどのエッチング液に浸漬させ、時間及び温度を適切に制御することで、薄膜銅層１１の表面を深さ５〜２０μｍ程度エッチングする
これにより、薄膜銅層１１の露出箇所、及び、この露出箇所周囲に形成されたソルダレジスト８ａの下方における薄膜銅層１１がエッチングされて、薄膜銅層１１のアンダーカットをソルダレジスト８ａがマスクするオーバハング１３が形成される（アンダーカット形成工程）
　
（２）上記（１）（ａ）及び図面の記載から分かること
　（ア）上記（１）（ａ）及び図面の記載から、引用文献２には、プリント配線板９表面上に形成されている薄膜銅層１１上にエッチングレジスト１２を塗布し、銅に対する通常のエッチング処理を施してランドや配線パターンなどを形成し、パターン形成されたプリント配線板９のエッチングレジスト１２を剥離し、ソルダレジスト８ａを塗布し、薄膜銅層１１の露出箇所に対してソフトエッチングを施し、薄膜銅層１１の表面の露出箇所を深さ５〜２０μｍ程度エッチングする技術が記載されていることが分かる。
　
　（イ）引用文献２に記載されたものにおいて、ソルダレジスト８ａを塗布する際には、露出箇所を残していることから、ソルダレジスト８ａは、パターン形成されたプリント配線板９の表面の一部に塗布されていることが分かる。また、このようにパターン形成されたプリント配線板９の表面の一部にソルダレジスト８ａが塗布されている状態は、パターン化されているといえる。
　
（３）引用文献２記載の技術
　上記（１）（ａ）、（２）（ア）及び（イ）並びに図面の記載から、引用文献２には次の技術（以下、「引用文献２記載の技術」という。）が記載されているといえる。
　
　「プリント配線板９表面上に形成されている薄膜銅層１１上にエッチングレジスト１２を塗布し、銅に対する通常のエッチング処理を施してランドや配線パターンなどを形成し、パターン形成されたプリント配線板９のエッチングレジスト１２を剥離し、パターン形成されたプリント配線板９の金属表面の一部区域にソルダレジスト８ａを塗布して一部区域をパターン化し、薄膜銅層１１の表面の露出箇所に対してソフトエッチングを施し、薄膜銅層１１の表面の露出箇所を深さ５〜２０μｍ程度エッチングする技術。」
　
２−３　本願補正発明と引用発明１との対比  
　本願補正発明と引用発明１とを対比するに、引用発明１における「セラミックス回路基板」及び「該基板」は、その構造及び機能又は技術的意義からみて、本願補正発明における「金属−セラミック基板」に相当し、以下同様に、「セラミックス基板１」は「セラミック層」に、「活性金属法」は「活性ろう付けプロセス」に、それぞれ相当する。 
　また、引用発明１における「レジストインク」は、ハンダ４，６を塗布するためのソルダーレジスト層７を形成するために塗布されるものであるから、本願補正発明における「ろう付け用レジストのコーティング」及び「ろう付け用レジストコーティング」に相当し、その結果形成された「ソルダーレジスト層７」は、本願補正発明における塗布後の「ろう付け用レジストコーティング」に相当する。 
　また、引用発明１における「金属回路板２ａ，２ｂ」は、「金属板」である限りにおいて、本願補正発明における「金属コーティング」及び「パターン化金属コーティング」に相当する。
　また、引用発明１における「（金属表面の）一部の部位」は、「（金属表面の）一部の区域」でもあるから、本願補正発明における「（金属表面の）一部区域」に相当する。
　
　してみると、本願補正発明と引用発明１は、
「金属−セラミック基板を形成するプロセスであって、
該基板は、
セラミック層と、
前記セラミック層の表面側に適用される、少なくとも１つの金属板、および
前記金属回路板へ塗布されるろう付け用レジストのコーティング
とを備え；
該プロセスは、
前記セラミック層の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属板を、活性ろう付けプロセスを用いて適用して金属板層を形成し；
少なくとも１つの前記金属板の金属表面の一部区域に少なくとも１つのろう付け用レジストコーティングを塗布して前記部位をパターン化する
ステップからなる、金属−セラミック基板を形成するプロセス。」
　である点で一致し、次の（１）ないし（４）の点で相違又は一応相違する。 
　 
＜相違点＞  
　（１）「セラミック層の表面側に適用される金属板」に関して、本願補正発明においては、「セラミック層の表面側に適用され、導電性トラック、接触面などを有するパターン化金属コーティングを形成するようにパターン化される、少なくとも１つの金属コーティング」であるのに対し、引用発明１においては、「セラミックス基板１の表面側に適用される金属回路板」であるが、「導電性トラック、接触面などを有するパターン化金属コーティングを形成するようにパターン化される」ものであるかどうか明らかでない点（以下、「相違点１」という。）。 
　（２）「活性ろう付けプロセス」に関して、本願補正発明においては、「前記セラミック層の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属箔を、８００℃〜１０００℃の範囲内の温度にて実施させる活性ろう付けプロセス」であるのに対し、引用発明１においては、「セラミックス基板１の少なくとも１つの表面側に、少なくとも１つの金属回路板を、活性金属法を用いて金属回路板層を形成する活性金属法」であり、「活性ろう付けプロセス」を実施する温度範囲が明らかでない点（以下、「相違点２」という。）。
　（３）「マスクエッチングプロセス」に関して、本願補正発明においては、「セラミック層の少なくとも１つの表面側の金属コーティングを、マスクエッチングプロセスにより、導電性トラック、接触面などを形成するために、パターン化」するのに対し、引用発明１においては、どのようにしてパターン化するのか明らかでない点（以下、「相違点３」という。）。
　（４）「ろう付け用レジストコーティング」に関して、本願補正発明においては、「金属コーティングの形成直後若しくはパターン化の直後に、少なくとも１つの前記パターン化金属コーティング層の金属表面の一部区域に少なくとも１つのろう付け用レジストコーティングを塗布して前記区域をパターン化し；前記ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の前記パターン化された金属コーティングから、更なるエッチングプロセスにより前記ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属を少なくとも除去する」のに対し、引用発明１においては、「少なくとも１つの前記金属回路板層の一部の部位に少なくとも１つのレジストインクを塗布して前記部位にソルダーレジスト層を設ける」ものの、「金属コーティングの形成直後若しくはパターン化の直後に」パターン化するかどうか、また、「前記ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の前記パターン化された金属コーティングから、更なるエッチングプロセスにより前記ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属を少なくとも除去する」かどうか明らかでない点（以下、「相違点４」という。）。
　
２−４　相違点についての検討及び判断
（１）相違点１について  
　「セラミックス基板１の表面側に適用される金属回路板」が、「導電性トラック、接触面などを有するパターン化金属コーティングを形成するようにパターン化される」ことは、周知技術（以下、「周知技術１」という。例えば、特開平１０−１５２３８４号公報の段落【００２４】、特開２００１−１２７２２４号公報の段落【００３８】及び【００４６】、特開２００１−２８４７９６号公報の段落【００３４】、特開平４−３２２４９１号公報の段落【００２９】及び【００３３】、特開平４−３４３２８７号公報の段落【００２３】、特開平５−１０２６２０号公報の段落【００２１】等の記載を参照。）にすぎない。
　したがって、引用発明１において、周知技術１を適用することにより、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到できたことである。
（２）相違点２について
　「活性ろう付けプロセス」を、「少なくとも１つの金属箔を、８００℃〜１０００℃の範囲内の温度にて実施させる」ことは、周知技術（以下、「周知技術２」という。例えば、特開平１０−１５２３８４号公報の段落【０００４】及び【０００５】、特開２００１−１２７２２４号公報の段落【００３８】、特開平４−３２２４９１号公報の段落【００３２】、特開平４−３４３２８７号公報の段落【００２２】等の記載を参照。）にすぎない。
　したがって、引用発明１において、周知技術２を適用することにより、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到できたことである。
（３）相違点３について
　「マスクエッチングプロセス」に関して、「セラミック層の少なくとも１つの表面側の金属コーティングを、マスクエッチングプロセスにより、導電性トラック、接触面などを形成するために、パターン化」することは、周知技術（以下、「周知技術３」という。例えば、特開平１０−１５２３８４号公報の段落【００２４】、特開２００１−１２７２２４号公報の段落【００３８】及び【００４６】、特開２００１−２８４７９６号公報の段落【００３４】、特開平４−３２２４９１号公報の段落【００２９】及び【００３３】、特開平４−３４３２８７号公報の段落【００２３】、特開平５−１０２６２０号公報の段落【００２１】等の記載を参照。）にすぎない。
　したがって、引用発明１において、周知技術３を適用することにより、相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到できたことである。
（４）相違点４について
　引用文献２記載の技術は、「プリント配線板９表面上に形成されている薄膜銅層１１上にエッチングレジスト１２を塗布し、銅に対する通常のエッチング処理を施してランドや配線パターンなどを形成し、パターン形成されたプリント配線板９のエッチングレジスト１２を剥離し、パターン形成されたプリント配線板９の金属表面の一部区域にソルダレジスト８ａを塗布して一部区域をパターン化し、薄膜銅層１１の表面の露出箇所に対してソフトエッチングを施し、薄膜銅層１１の表面の露出箇所を深さ５〜２０μｍ程度エッチングする技術。」というものである。
　ここで、引用文献２記載の技術における「薄膜銅層１１」は、その構造及び機能又は技術的意義からみて、本願補正発明における「金属コーティング」に相当し、以下同様に、「エッチングレジスト１２を塗布し、銅に対する通常のエッチング処理を施してランドや配線パターンなどを形成し、パターン形成されたプリント配線板９のエッチングレジスト１２を剥離し」は「マスクエッチングプロセス」に、「ランドや配線パターンなどを形成し」は「導電性トラック、接触面などを形成するためにパターン化し」に、「パターン形成されたプリント配線板９」は「パターン化の直後に、パターン化金属コーティング」に、「ソルダレジスト８ａ」は「ろう付け用レジストコーティング」に、「ソフトエッチング」は「更なるエッチングプロセス」に、「薄膜銅層１１の表面の露出箇所」は「ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域のパターン化された金属コーティング」に、「薄膜銅層１１の表面の露出箇所を深さ５〜２０μｍ程度エッチングする」は、「ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属を除去する」に、それぞれ、相当する。
　また、引用文献２記載の技術における「プリント配線板９」は、「プリント配線板」である限りにおいて本願補正発明における「セラミック層」に相当する。
　してみると、引用文献２記載の技術は、本願補正発明の用語を用いて、
「プリント配線板表面上に形成されている金属コーティングを、マスクエッチングプロセスにより、導電性トラック、接触面などを形成するためにパターン化し、パターン化の直後に、パターン化金属コーティングの金属表面の一部区域にろう付け用レジストコーティングを塗布して一部区域をパターン化し、ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属コーティングから、更なるエッチングプロセスにより、ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属を除去する技術。」と言い換えることができる。
　また、「パターン化の直後に、パターン化金属コーティング層の金属表面の一部区域にろう付け用レジストコーティングを塗布し、更なるエッチングプロセスにより前記ろう付け用レジストコーティングに接する表面区域の金属を除去する技術」は、周知技術（以下、「周知技術４」という。例えば、特開２０００−３２３６１２号公報の段落【０００８】ないし【００１１】並びに【００１５】及び【００１６】、特開平８−８８４５９号公報の段落【００２０】ないし【００２６】、特開２００１−１６８１４７号公報の段落【００５７】ないし【００５９】、特開２００１−３２９３７８号公報の段落【０００２】等の記載を参照。）である。
　そして、引用発明１と引用文献２記載の技術及び周知技術４は、ともに、回路基板の銅箔部分に回路パターンを形成する技術であるから、引用発明１において、周知技術４を勘案しつつ引用文献２記載の技術を適用することにより、相違点４に係る本願補正発明の発明特定事項をなすことは、当業者が容易に想到できたことである。
　なお、請求人は、平成２３年５月９日付け回答書において、本願補正発明は、「（Ａ）パターン化金属層（３、４）の金属表面の一部区域（５’）をレジストコーティングを塗布しマスクし、（Ｂ）工程（ｂ）の「パターン化」に加えて工程（ｃ）において前記区域（パターン化されている金属コーティングの金属表面の一部区域）を更にパターン化する（パターン形状が元のパターン化金属コーティングのパターンを更に細かくパターン化する）こと、及び（Ｃ）「前記ろう付けレジストコーティング（５）は除去により形成された表面（８）に突出する突出部（９）に位置する」（すなわち「中間スペース６」が「突出部９」よりも低くなるように）除去することを必須の要件とする」（回答書第１２ページ第１３行ないし第２１行）旨主張している。
　しかしながら、上記引用文献２記載の技術及び周知技術４においても、パターン化金属層の金属表面の一部区域（金属表面の一部の区域）にレジストコーティングを塗布しマスクするものであるし、さらなるエッチング（ソフトエッチング）の結果、ろう付けレジストコーティングが、除去により形成された表面に突出する突出部に位置することは自明といえる。
　また、請求人は、上記回答書において、「本願発明に係る技術思想とは、（Ａ）レジストコーティングを塗布しマスクするのが、「パターン化金属層（３、４）の金属表面の一部区域（５’）」のみである」（回答書第８ページ第８行ないし第１０行）旨主張する。
　しかしながら、本願明細書の段落【００２４】によれば、「区域５’のパターン化はたとえば、レーザを用いて、構造またはコードをろう付け用レジストコーティング５内に焼き付けることによって、または構造用にコーティング５を部分的に焼き払うことによって行う。」と記載されているように、区域５’のパターン化はたとえば、レーザを用いてコーティング５を部分的に焼き払うことによって行うものであり、請求人が主張するように”（図５及び図６に示されるような）一部区域５’のみにレジストコーティングを塗布する”ようなものは願書に最初に添付した明細書には記載されておらず、また、発明の詳細な説明によってサポートされていない事項であるから、請求人の上記主張は採用できない。
　なお、レジストの塗布とエッチングにより、バーコードのようなパターンを形成することも周知技術（例、特開平４−１３９７８８号公報の特許請求の範囲及び第２ページ左下欄第１２行ないし右下欄第３行並びに図面、特開平６−２５９５８６号公報の特許請求の範囲の請求項１及び段落【０００８】ないし【００１０】並びに図面等の記載を参照。）にすぎない。
　
（５）小括  
　以上のように、本願補正発明は、引用発明１及び引用文献２記載の技術並びに周知技術１ないし４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−５　まとめ  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり決定する。  
　  
　  
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２１年１０月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２　の［理由］の１（１）（ａ）の請求項４に記載された事項により特定されるとおりのものである。 
　 
２　引用文献
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献１（特開２００１−１８５６６４号公報）の記載事項及び引用発明１は、前記第２の［理由］の２　２−１（１）ないし（３）に記載したとおりである。
　また、引用文献２（特開２００１−２８４７８２号公報）の記載事項及び引用文献２に記載された技術は、前記第２の［理由］の２　２−２（１）ないし（３）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断  
　本願発明は、前記第２の［理由］の１（２）で検討したように、実質的に、本願補正発明を上位概念化したものに相当する。 
　そうすると、本願発明を減縮して下位概念化したものである本願補正発明が、前記第２の［理由］の２　２−１ないし２−４に記載したとおり、引用発明１及び引用文献２記載の技術並びに周知技術１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１及び引用文献２記載の技術並びに周知技術１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
　また、本願発明は、全体としてみても、引用発明１及び引用文献２記載の技術並びに周知技術１ないし４から想定される以上の格別の作用効果を奏するものではない。 
　
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び引用文献２記載の技術並びに周知技術１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。