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　特願２００３−５５３６３８「有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２６日国際公開，ＷＯ０３／５２８４１，平成１７年　５月１２日国内公表，特表２００５−５１３７８８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は，平成１４年１１月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１２月１９日，同年１２月２０日及び２００２年９月３日，イギリス国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年６月３０日付けの拒絶理由通知に対して，平成２２年１月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２３年１月１３日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年５月１６日に審判請求がされたものである。 
　  
２．本願発明
　本願の請求項１〜２６に係る発明は，平成２２年１月４日の手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その請求項１〜２６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載されている以下のとおりのものである。　 
「【請求項１】
有機電界効果デバイスを製造する方法であって，
ａ）溶液から有機半導体層を堆積させ；そして
ｂ）溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて，前記低誘電率絶縁材料が前記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する
工程を含み，ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．１から３．０未満までであり，但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（BCB）ではない，上記の方法。」 
　 
３．先願発明 
（１）原審における平成２１年６月３０日付けの拒絶の理由で引用された他の特許出願であって，本願の優先日前の平成１３年１０月１６日の優先日を有し，本願の優先日後である平成１５年５月８日に国際公開された特願２００３−５４１０７５号特許出願（以下「先願」という。国際公開第２００３／３８９２１号参照。）の国際出願日における国際出願の明細書，請求の範囲又は図面（以下国際出願日における国際出願の明細書を「先願明細書」といい，国際出願日における国際出願の明細書，請求の範囲又は図面をまとめて「先願明細書等」という。）には，以下の記載がある。 なお，先願の優先基礎出願の明細書にも以下と同様な記載がある。
（下線は，当合議体にて付加したものである。以下同じ。） 
　
　ア　「【０００１】
本発明は，有機電子デバイス用の，特に
有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）
　
　イ　「【０００３】
比較的新しい刊行物中では，市販されているフォトレジスト（SC100, Olin Hunt）を絶縁体として使用している（G. H. Gelinck et al.著, Appl. Phys. Lett. 77,2000, p. 1487）。この方法の根本的な欠点は，フォトレジストの構造化によりその下にある層が著しく攻撃されるか又は破壊されてしまうことである。従って，既に存在している
半導体層，例えばポリアルキルチオフェン
ＯＦＥＴの製造
　
　ウ　「【０００８】
実施態様によると，この
絶縁体は
ポリイソブチレン
 
　エ　「【００２７】
仕上がった
ＯＦＥＴの製造
 
　オ　「【００３１】
実施例１：
絶縁体としてのポリイソブチレン（ＰＩＢ）の使用−  ＰＩＢ（Aldrich）０．４ｇをヘキサン９．６ｇ中に室温で溶かす；−  この溶液を０．４５μｍのＰＴＦＥ−注射器型フィルタにより濾過する；−  この溶液を次ぎにスピンコーティング（４０００ｒｐｍ；２０ｓｅｃ）により，ソース／ドレイン−電極及び半導体を備えた基板上にコーティング
−  この試料を約３０分間室温で真空ポンプによる
真空中で乾燥させ
−  引き続き，フォトレジストの厚い層を絶縁体上に設置し，露光し，通常の条件下で現像する；
−  試料をヘキサン浴中に浸漬し，フォトレジストから露出した箇所に関して絶縁体を除去する
−  残りのフォトレジストを適当な溶剤により除去する。」
　
上記ア〜オによれば，先願明細書等には，次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されている。 
　 
「
有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）の製造する方法であって，ポリイソブチレン（ＰＩＢ）をヘキサンに溶かし，この溶液をスピンコーティング（４０００ｒｐｍ；２０ｓｅｃ）により，ソース／ドレイン−電極及び半導体を備えた基板上にコーティングし，真空中で乾燥させて絶縁体の層とした方法。
　 
４．対比 
　以下，本願発明と先願発明とを対比する。
（１）　先願発明の「有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）」は，３（１）イによれば，半導体層として有機化合物である「ポリアルキルチオフェン」を用いているので，本願発明の「有機電界効果デバイス」に相当する。
　
（２）　先願発明は絶縁材料として「ポリイソブチレン（ＰＩＢ）」を用いているが，「ポリイソブチレン（ＰＩＢ）」は，本願発明の実施例１５，１６でも用いているものであって，比誘電率が１．１〜３．０未満の低誘電率絶縁材料であることは明らかであり，またポリイソブチレンがベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）でないことも明らかである。　
　
（３）　先願発明は「ポリイソブチレン（ＰＩＢ）」を溶かした「溶液をスピンコーティング」することにより，「半導体を備えた基板上に」絶縁体を形成していることから，先願発明が基板上に有機半導体層を形成していること，及び「溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させ」，「低誘電率絶縁材料が」「有機半導体層と接触するように」絶縁体を形成していることは明らかである。また，有機電界効果型トランジスタの半導体上に形成した絶縁体層がゲート絶縁体であることは当業者にとって明らかである。
　
（４）以上から，本願発明と先願発明とは， 
「有機電界効果デバイスを製造する方法であって，
ａ）有機半導体層を形成し；そして
ｂ）溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて，前記低誘電率絶縁材料が前記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する
工程を含み，ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．１から３．０未満までであり，但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（BCB）ではない，上記の方法。」 
である点で一致し，次の点で一応相違する。 
　 
（相違点１） 
本願発明は，有機半導体層を「溶液から」堆積しているのに対して，先願発明はこの点が特定されていない点。 
　 
５．相違点についての判断 
（１）有機半導体の形成方法として，溶液を堆積して形成することは，以下の周知例１，２にあるように，有機半導体の分野において周知の技術であり，また，有機半導体を溶液からの堆積としたことにより，新たな効果を奏するものでもない。
　したがって，相違点１は有機電界効果デバイスを製造する為の具体化手段における設計上の微差であるので，実質的なものではない。
　
　ア　周知例１：国際公開第００／４２６６８号
  「The insulator layer 11 is then formed onto the gate 14. The material for the insulator layer 11 is preferred to have a dielectric constant of at least 3 and may be a polymer (for example, polyimides, poly(methylmethacrylate), polysulfene, etc.), an inorganic oxide (for example, GeO, CaO, SiO, MgO, SiO2, SnO, SnO2 ), an inorganic fluoride (for example, CsF, CaF2, MgF2, LiF), and an inorganic nitride (for example, Si3N4). The thickness of the insulator layer 11 is most preferably as thin as possible while maintaining electrical insulation between the gate 14 and the semiconductor layer 15 within the voltage rating of the embodiment 10.
The semiconductor layer 15 is then formed onto the insulating layer by, for example, standard solution processes. The semiconductor layer 15 comprises a polymer.
（当審訳：  次いで絶縁体層１１がゲート１４上に形成される。絶縁体層１１用の材料は誘電率が少なくとも３であることが好ましく，ポリマー（例えばポリイミド，ポリ（メチルメタクリレート），ポリスルフェン等），無機酸化物（例えばＧｅＯ，ＣａＯ，ＳｉＯ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2，ＳｎＯ，ＳｎＯ2），無機フッ化物（例えばＣｓＦ，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＬｉＦ），及び無機窒化物（例えばＳｉ3Ｎ4）であってよい。絶縁体層１１の厚さは，装置１０の電圧範囲内でゲート１４と半導体層１５の間に電気的絶縁を保つ限りできるだけ薄いことが最も好ましい。
  
半導体層１５は，例えば標準溶液法により絶縁層上に形成する。半導体層１５はポリマーを含む。
　
　イ　周知例２：国際公開第００／７９６１７号
　・「
The semiconducting polymer may suitably be deposited from solution. It is preferred that it is soluble in a non-polar organic solvent, but is insoluble in a polar solvent.
（当審訳：  
半導体ポリマーは，好ましくは溶液から被着させることができる。半導体ポリマーは，非極性有機溶媒に可溶性であるが，極性溶媒に不溶性であることが好ましい。
　・「As the next step 
the LC semiconducting polyfluorene polymer is deposited by spin-coating from a 1 weight % solution in mixed xylenes.
（当審訳： 次の工程として，
ＬＣ半導体ポリフルオレンポリマーを，混合キシレン中の１重量％溶液から，スピンコーティングによって被着する。
　 
（２）以上検討したとおり，本願発明の相違点１に係る構成は，先願発明との実質的な相違点とはいえないから，本願発明は先願発明と実質的に同一である。 
　そして，本願の発明者が先願発明に係る発明者と同一ではなく，また，本願の出願の時点において，その出願人が先願の出願人と同一でもないから，本願発明は，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
　 
６．結言 
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。