【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱光学同調可能屈折率を有する１つ以上の層を備えた動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２】
前記１つ以上の熱光学層が半導体材料である請求項１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項３】
前記半導体材料が直接成膜された材料である請求項２に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項４】
前記直接成膜半導体材料がエピタキシャル成長単結晶層である請求項３に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項５】
前記直接成膜材料が非結晶質半導体である請求項３に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項６】
前記非結晶質半導体がアモルファス状態である請求項５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項７】
前記アモルファス半導体が、アモルファス・シリコンまたはアモルファス・シリコン・ゲルマニウムである請求項６に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項８】
前記アモルファス・シリコンまたはアモルファス・シリコン・ゲルマニウムがプラズマ増速化学気相成長によって成膜された請求項７に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項９】
前記非結晶質半導体が微結晶材料である請求項５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１０】
前記非結晶質半導体が多結晶材料である請求項５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１１】
前記多結晶半導体材料が、アモルファス材料または微結晶材料として直接成膜され、次に、多結晶状態に再結晶化される請求項１０に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１２】
加熱部品が同調可能薄膜と共に統合された請求項１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１３】
前記加熱部品が１つ以上の光吸収層を備え、光信号によって加熱が達成される、請求項１２に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１４】
前記加熱部品が抵抗電気ヒータである請求項１２に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１５】
前記加熱部品が、層として光学薄膜構造内に統合された請求項１４に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１６】
前記加熱部品が、結晶質半導体基板中のドープ領域である請求項１５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１７】
前記加熱部品が直接成膜された透明金属酸化物である請求項１５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１８】
前記加熱部品が直接成膜されたドープ薄膜半導体である請求項１５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項１９】
前記加熱部品がバルク再結晶ドープ多結晶半導体である請求項１５に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２０】
このコーティングが、光パワー透過、反射または吸収を光波長の関数として動的に変化させるために使用される請求項１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２１】
このコーティングが、動的波長可変光帯域通過フィルタとして使用される請求項２０に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２２】
このコーティングが、透過波長ファブリ−ペロ・フィルタを決定する単一熱光学同調可能光空胴を備えた請求項２１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２３】
このコーティングが、透過波長を決定する多重熱光学同調可能光空胴を備えた請求項２１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２４】
このコーティングが、波長同調可能光検出器の一部として使用される請求項２１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２５】
このコーティングが走査光分光計中で使用される請求項２４に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２６】
このコーティングが、光通信のための波長可変アッド−ドロップ・フィルタとして使用される請求項２１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２７】
このコーティングが、ある波長域に亘って、波長毎に相対透過または相対反射を変化させるために使用される請求項２０に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２８】
このコーティングが、ある全波長域に亘って同調可能なスペクトル等化器部分またはスペクトル・フィルタ部分として使用される請求項２７に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項２９】
このコーティングが、ある全波長域に亘って総合透過または総合反射を変化させるために使用される請求項２０に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項３０】
このコーティングが、ある全波長域に亘って損失の同調が可能な可変光減衰器部分として使用される請求項２９に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項３１】
このコーティングが、反射または透過における波長の関数として光位相を動的に変化させるために使用される請求項１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項３２】
このコーティングが、光通信システムにおける色分散を動的に制御するために使用される請求項３１に記載の動的同調可能薄膜干渉コーティング。
【請求項３３】
光学フィルタが熱的同調可能なバンドパスフィルタとして機能するのに十分に大きな熱−光学係数を有する半導体材料から作製された少なくとも１層を含む、多層薄膜の干渉フィルタからなる光学フィルタ。
【請求項３４】
前記の半導体材料で作製された少なくとも１層を加熱するためのヒータ部品を更に備える請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項３５】
前記ヒータ部品が、薄膜の干渉フィルタ内の薄膜層である請求項３４に記載の光学フィルタ。
【請求項３６】
前記ヒータ部品が電気伝導層からなり、該電気伝導層を通る電流に応答して加熱される請求項３４に記載の光学フィルタ。
【請求項３７】
前記電気伝導層がZｎOからなる請求項３６に記載の光学フィルタ。
【請求項３８】
前記ヒータ部品が光吸収層であって、使用中に光学信号によって加熱される請求項３４に記載の光学フィルタ。
【請求項３９】
前記干渉フィルタは薄膜層の積層からなり、各層の屈折率が交互に入れ替わり、かつ、前記少なくとも１つの半導体層は該積層された薄膜層の間にある請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４０】
前記半導体材料はアモルファスシリコンである請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４１】
前記アモルファスシリコンは水素注入されている請求項４０に記載の光学フィルタ。
【請求項４２】
前記干渉フィルタはシリコン薄膜層と窒化珪素薄膜層との交互層からなる請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４３】
前記多層、薄膜干渉フィルタの層はPECVDによって形成される請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４４】
前記半導体材料の熱−光学係数は少なくとも３.６×１０−４／℃である請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４５】
前記の多層薄膜干渉フィルタである第１のミラーと、
別の多層薄膜干渉フィルタである第１のミラーと、
第１のミラーと第２のミラーとを分離するスペーサ層と、
からなる、ファブリ−ペロ空洞構造である請求項３３に記載の光学フィルタ。
【請求項４６】
半導体材料で作製された少なくとも１層を加熱するために配置された加熱部品から更になる請求項４５に記載の光学フィルタ。
【請求項４７】
ファブリ−ペロ空洞構造からなる光学フィルタであって、該ファブリ−ペロー空洞構造は、
第１のミラーを形成する第１の多層薄膜干渉フィルタと、
第２のミラーを形成する第２の多層薄膜干渉フィルタと、
該第１のミラーと第２のミラーとを分離するためのスペーサ層と、
からなり、かつ、該ファブリ−ペロ空洞構造は、
光学フィルタが熱的同調可能なバンドパスフィルタとして機能するのに十分に大きな熱−光学係数を有する半導体材料で作製された少なくとも１層を含み、少なくとも１つのスペーサ層および第１と第２のミラーのうちの少なくとも１つは、光学フィルタが熱的同調可能なバンドパスフィルタとして機能するのに十分に大きな熱−光学係数を有する半導体材料で作製された少なくとも１層を含む、光学フィルタ。
【請求項４８】
前記スペーサ層は前記半導体材料で作製される請求項４７に記載の光学フィルタ。
【請求項４９】
前記第１のミラーは前記半導体材料の少なくとも１層を含む請求項４７に記載の光学フィルタ。
【請求項５０】
前記光学フィルタのフィルタ特性を制御可能な方法で変化させられるように、前記半導体材料で作製された少なくとも１層を加熱すべく配置された加熱部品を更に含む請求項４７に記載の光学フィルタ。
【請求項５１】
多層薄膜干渉フィルタからなり、ＳｉＯ２の熱−光学係数よりも大きな熱−光学係数を有する材料で作製された少なくとも１つの光透過性層を含む、光学フィルタ。
【請求項５２】
多層薄膜干渉フィルタからなり、光学フィルタが加熱されたときに、１５２８ｎｍ〜１５６１ｎｍの波長域で光学フィルタが同調可能になるような熱−光学係数を有する材料で作製された少なくとも１層を含む、光学フィルタ。
【請求項５３】
多層薄膜干渉フィルタからなり、少なくとも１.８×１０−４／Ｋの熱−光学係数を有する材料で作製された少なくとも１つの光透過性層を含む、光学フィルタ。
【請求項５４】
光学フィルタが熱的同調可能なバンドパスフィルタとして機能するのに十分に大きな熱−光学係数を有する半導体材料で作製された少なくとも１層を基板上に成膜する、多層薄膜干渉フィルタを作製する方法。
【請求項５５】
半導体材料で作製された少なくとも１層を加熱するための加熱部品を配置する請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
薄膜干渉フィルタ内に、加熱部品になるような薄膜層を配置する請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
使用の際、光学信号によって加熱されて加熱部品になる、光吸収層を配置する請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
前記半導体材料の熱−光学係数が少なくとも３.６×１０−４／℃である請求項５４に記載の方法。