Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
無線通信システムにおいて、各送信ソース（例えば、端末）はシステム内の他の送信ソースに対して潜在的な干渉として動作する。端末と基地局により経験される干渉に対抗し、必要なレベルの性能を維持するために、一般的なＴＤＭＡシステムおよびＦＤＭＡシステムは、再使用技術の手段を取る。それにより、すべての周波数帯域またはタイムスロットは各セルにおいて使用されない。例えば、ＴＤＭＡシステムは７セル再使用パターンを採用することができる。この場合、合計動作帯域幅、Ｗは７つの等価な動作周波数帯域（すなわち、Ｂ＝Ｗ／７）に分割され、７セルクラスター内の各セルはその周波数帯域の１つに割当てられる。従って、このシステムにおいて、すべての７つのセルは、同じ周波数帯域を再使用する。再使用を用いると、各セルにおいて、経験される同一チャネル干渉レベルは、すべてのセルが同じ周波数帯域に割当てられる場合の同一チャネル干渉に対して低減される。しかしながら、（いくつかの一般的なＴＤＭＡシステムにおいて使用される７セル再使用パターンのような）１つ以上の再使用パターンは、各セルが合計システムリソース（例えば、動作帯域幅）の一部に割当てられ、その一部のみしか利用することができないので、利用可能なリソースの非能率的な使用を表す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
セルにおける負荷は、システムの全体の性能（例えば、スループット）に影響する。低負荷において、利用可能なシステムリソースは、「直交」チャネルのセットに分割してもよく、次に再使用クラスターにおいて、１セルにつき１チャネルセットの割合で、分割されたチャネルセットをセルに割当てても良い。各セット内のチャネルは、他のセット内のチャネルに対して直交しているので、これらの直交チャネル上の干渉は低く、高いＣ／Ｉ値を得ることができる。負荷が増えるにつれ、各セット内の直交チャネルの数は要求を満足するには不十分かもしれない。したがって、セルは直交チャネルのみの使用から逸脱してもよい。非直交チャネルを介した送信は、使用されるチャネルにおいて観察される平均干渉レベルを増加させる。しかしながら、非直交チャネルを介して送信レベルを適切に制御することにより、干渉量を制御することができ、より高い負荷においても高い性能を得ることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
バックオフを有するチャネル構造は、システム内のすべての端末により観察される実行マージンの増加を生じることができる。表４に示すバックオフ因子は、最初に、図５に示すＣ／Ｉ  ＣＤＦに基づいて示される。図５に示すＣ／Ｉ  ＣＤＦは、他のセル内の端末は全出力で送信されているという仮定のもとに発生される。しかしながら、表４に示すように、ずれた再使用チャネルスキームと共にバックオフ因子が適用されると、他のセル内の端末からの干渉は適用されたバックオフ因子により低減されるので、各セル内の端末により得られる実際のＣ／Ｉ値は、表３の列２において与えられる最小Ｃ／Ｉ値より大きいかもしれない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３０】
【数１１】
2005505954.tif 000001
但し、ｃｋは端末ｋに対して選択された符号化および変調スキームにより達成される理論上の容量の一部分を反映する正の定数である。データレートｒｋ（ｉ）は現在のスケジューリング期間に割当てられる実際のデータレートであってもよいし、その他の定量化できるデータレートであってもよい。実現可能なデータレートを使用することにより、チャネル割当てプロセス期間に「シャフリング」(shuffling)効果がもたらされ、以下に記載するように、不利な立場に置かれた端末の性能を改良することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同期通信ネットワーク上の伝送のためにデータ信号を同期させる方法であって、
前記データ信号のデータ・レート(ｆ１)と前記同期通信ネットワークの基準周波数(ｆ２)との間の関係を示すタイミング推定値(Ｆ)を計算するステップと、
前記タイミング推定値（Ｆ）に従って、前記同期通信ネットワークの同期信号にスタッフ・ビットを挿入しつつ、前記基準周波数（ｆ２）に従って、該同期信号に、前記データ信号のデータをマッピングするステップと、
前記同期通信ネットワークを介して、前記タイミング推定値（Ｆ）を通信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記タイミング推定値（Ｆ）は、
前記データ・レート(ｆ１)と前記基準周波数(ｆ２)との間の比、
前記データ・レート(ｆ１)と前記基準周波数(ｆ２)との間の差、および、
前記データ・レート(ｆ１)に関連付けられた、回復されたデータ・クロック信号と、前記基準周波数(ｆ２)に関連付けられた基準クロック信号との間の位相差、
のいずれか１つまたは複数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データ・レート(ｆ１)は、前記データ信号のビット・レートに実質的に等しい周波数において生成される順次のマルチビット・ワードを含むデータ・マルチビット・クロック信号によって表され、
該マルチビット・ワードのそれぞれの値は、前記同期通信ネットワーク上を伝送される前記データ信号のビットの割合を表す、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記タイミング推定値(Ｆ)を計算するステップは、さらに、
前記データ・マルチビット・クロックに基づいて、データ位相値を計算するステップと、
前記基準周波数(ｆ２)に基づいて、同期位相値を計算するステップと、
所定のサンプル・レートで、前記データ位相値および前記同期位相値を比較し、該比較の結果を示す誤差値を生成するステップと、
前記誤差値の時間平均として、前記タイミング推定値(Ｆ)を計算するステップと、
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記データ位相値を計算するステップは、
前記データ・マルチビット・クロックの連続したワードを所定の数だけ加算するステップを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記同期位相値を計算するステップは、
前記基準周波数(ｆ２)に実質的に等しい周波数において生成される順次のマルチビット・ワードを含む第２のマルチビット・クロック信号を生成するステップであって、該マルチビット・ワードのそれぞれの値は、前記データ信号のビットを搬送するために使用可能な前記同期信号のビットの割合を表す、ステップと、
前記第２のマルチビット・クロックの連続したワードを加算するステップと、
前記加算の結果を積分するステップと、
を含む、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記データ位相値および前記同期位相値を比較するステップは、該データ位相値から該同期位相値を減算するステップを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記データ位相値および前記同期位相値を比較するステップは、該データ位相値から基準値Ｒを減算するステップを含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記所定のサンプル・レートは、前記データ位相値が再計算されるレートに対応する、
請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記タイミング推定値(Ｆ)を通信するステップは、
該タイミング推定値(Ｆ)が前記同期通信ネットワーク上を伝送されるように、該タイミング推定値を前記同期信号に挿入するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記データ信号のデータを前記同期信号にマッピングするステップは、
前記データ・レート(ｆ１)を持つデータ・クロックに従って、緩衝型記憶機構に前記データをバッファ記憶するステップと、
前記基準周波数(ｆ２)を持つ読み取りクロックに従って、前記緩衝型記憶機構から該データを読み取るステップと、
該読み取ったデータを、前記同期信号の同期ペイロード・エンベロープ(ＳＰＥ)に挿入するステップと、
前記タイミング推定値(Ｆ)に従って、前記同期ペイロード・エンベロープに、スタッフ・ビットを挿入するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記スタッフ・ビットは、前記同期ペイロード・エンベロープのバーチャル・トリビュタリの中で実質的に均等に分散される、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
同期通信ネットワーク経由で伝送されたデータ信号を同期解除する方法であって、
前記同期通信ネットワークの同期ペイロード・エンベロープ(ＳＰＥ)を受け取るステップであって、該同期ペイロード・エンベロープは、前記データ信号のデータ・レート（ｆ１）と前記同期通信ネットワークの基準周波数（ｆ２）との間の関係を示すタイミング推定値（Ｆ）を含む、ステップと、
前記タイミング推定値（Ｆ）に従って、前記同期信号からスタッフ・ビットを抽出しつつ、前記基準周波数（ｆ２）に従って、前記同期ペイロード・エンベロープから前記データ信号のデータを逆マッピングするステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記タイミング推定値(Ｆ)は、
前記データ・レート(ｆ１)と前記基準周波数(ｆ２)との間の比、
前記データ・レート(ｆ１)と前記基準周波数(ｆ２)との間の差、および、
前記データ・レート(ｆ１)に関連付けられた、回復されたデータ・クロック信号と、前記基準周波数(ｆ２)に関連付けられた基準クロック信号との間の位相差、
のいずれか１つまたは複数である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記同期ペイロード・エンベロープから前記データ信号のデータを逆マッピングするステップは、
前記同期通信ネットワークの前記基準周波数(ｆ２)に対応する周波数を有するＲｘローカル・クロックを導出するステップと、
前記Ｒｘローカル・クロックおよび前記タイミング推定値(Ｆ)に従って、緩衝型記憶機構に、前記データをバッファ記憶するステップと、
前記Ｒｘローカル・クロックおよび前記タイミング推定値(Ｆ)を使用して、前記データ・レート(ｆ１)に対応する周波数を持つ回復されたデータ・クロックを導出するステップと、
前記回復されたデータ・クロックに従って、前記緩衝型記憶機構から前記データを読み取るステップと、
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記緩衝型記憶機構に前記データをバッファ記憶するステップは、
前記Ｒｘローカル・クロックおよび前記タイミング推定値を使用して、ギャップ付与された書き込みクロックを導出するステップと、
前記データ信号のデータ・ビットが前記緩衝型記憶機構に書き込まれ、スタッフ・ビットが削除されるように、前記ギャップ付与されたＲｘローカル・クロックを使用して、前記同期ペイロード・エンベロープのビットを前記緩衝型記憶機構に書き込むステップと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記回復されたデータ・クロックを導出するステップは、
前記Ｒｘローカル・クロックを、同期解除器の位相ロックループ(ＰＬＬ)に供給するステップと、
前記タイミング推定値(Ｆ)を示すマルチビット値を使用して、前記同期解除器の位相ロックループを制御するステップと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら揮発性有機溶剤と関連する問題を回避するためには水性ベースの接着物質を利用することが望ましい。更に使用される接着物質は天然の物質（例えばロジン）から誘導されるので、該物質のバリエーションの厳重な制御を確保することを困難とするバッチ毎の変化に関連する不一致がある。バッチ毎の変化は、非セラミックまたはセラミック担体または研磨性ヘッドへの半導体ウェーハの接着問題をもたらし、ウェーハに欠陥をもたらし得る。それ故にバッチ毎の変化から発生する問題を回避するために、合成成分または−物質を含む接着剤組成物を使用することも望ましい。本発明は水性ベースの接着剤組成物を提供しそして合成成分を利用する上述の問題を回避することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明のノボラック樹脂はどの様にも制限されていない。有利なノボラック樹脂にはオルト- およびパラクレゾールから造られたものを包含し、一つの実施態様においては優れた水性塩基可溶性を付与するために、ノボラック樹脂は好ましくはポリヒドロキシベースのフェノール樹脂である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【表４】
2005505943.tif 000001
以下の表５は、ポリ（酢酸エチル−コ−メタクリル酸−コ−3-（１−イソシアネート−１−メチルエチル）α−メチルスチレンが付加したエトキシル化ノニルフェノールの付加生成物を含有する数種の調製物を具体的に示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表５】
2005505943.tif 000002
＊: ２．４５％の Aquanol P-1 (水性のビニルアルコール−酢酸ビニル−コポリマー) および０．２２％の水性ＮＨ4 ＯＨも含有する。
１:   Clariant Corporationの酢酸ビニル−ビニルアルコール−コポリマー; 
２：ポリエチレングリコール: (200、300 、10,000) と記載した通りの分子量; ３：  Angus Chemical Co の殺生物剤；４，４−ジメチルオキサゾリジン、３，  ４，４−  トリメチルオキサゾリジン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパ  ノールを含有する；
４：ペルフルオロアルキル基を含む弗素系界面活性剤；大  日本インターナショ  ナル株式会社；
５：信越株式会社からのシリコーンポリエトキシレート; 
６：Union Carbide のノニルフェノール- ポリエトキシレート; ( 場合によって    は、“Surfynol 440”； Union Carbideの直鎖状エトキシレートが使用でき    る) 。
７：スチレン−アクリル酸−コポリマーの水溶液および水酸化アンモニウム溶液  ：S.C. Johnson Polymerの製品; 
８：ペルフルオロアルキル基を含有するフッ素系界面活性剤：３Ｍの製品
９：エトキシル化ノニルフェノールにポリ（酢酸エチル−コ−メタクリル酸−コ  −３−（１−イソシアネート−１−メチルエチル）−α−メチルスチレン）が  付加した付加生成物；Aldrich の製品（触媒Ｎｏ．４５，８１５−５）。
【実施例２】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低い電気伝導度が必要な冷却用装置における冷却剤濃厚組成物としてカルボン酸又はそれらの塩の一種類又は混合物を使用する方法。
【請求項２】
カルボン酸がＣ５〜Ｃ１８モノ−又はジ−カルボン酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸が、ヘキサン酸、ヘプタン酸、イソヘプタン酸、オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、ネオデカン酸及びシクロヘキシル酪酸、又はそれら異性体を含む群の酸の一種類以上からなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
酸が、式Ｉ：
【化１】
2005505908.tif 000001
（式中、ＲはＣ１〜Ｃ８アルキル基である。）
のアルキル安息香酸である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
スベリン酸、アレゼイック酸、セバシン酸、ウンデカンジオイックアシッド、ドデカンジオイックアシッド、ジシクロペンタジエンの二酸、又はテレフタル酸、又はそれらの異性体を含む群の酸の一種類以上からなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
酸が、アルカリ金属水酸化物の塩として存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
塩が水酸化ナトリウムの塩である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
塩がアンモニウム又はアミン塩である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
塩が、エタノールアミン、モルホリン、及びｎ−オクチルアミン塩を含む群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
カルボン酸又はその塩を、水溶性液体アルコール凝固点降下剤中に溶解する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
水溶性液体アルコール凝固点降下剤がグリコールである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
グリコールが、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、及び、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール及びジプロピレングリコールのメチル、エチル、プロピル及びブチルエーテルを含む群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
水溶性液体アルコール凝固点降下剤が、モノエチレングリコールである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
カルボン酸又はその塩の０．００１〜１０重量％を、液体アルコール凝固点降下剤の９０〜９９重量％中に溶解する、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ヒドロカルビルトリアゾール、ヒドロカルビルチアゾール、又はそれらの組合せを、濃厚組成物中に添加する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
トリアゾール及び（又は）チアゾールを、濃厚組成物の全重量に基づき、０．００１〜０．５重量％の濃度まで添加する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
濃厚組成物が、更にアルカリ金属水酸化物、アンモニウム又はアミン塩である安息香酸塩、珪酸塩、硝酸塩、モリブデン酸塩、及びそれらの混合物から選択された一種類以上の腐食抑制剤を含有する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
腐食抑制剤を、濃厚組成物の全重量に基づき、０．００１〜５．０重量％濃度まで添加する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
濃厚組成物を、水の１０〜９０体積％で希釈する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
濃厚組成物を、水の３０〜７０体積％で希釈する、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
冷却用装置が、燃料電池の一つ又は複数と共に用いられる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１つの実施形態では、コイル１４は周知の導電性材料から製造され、コア片割れ１６、１８の表面の上に延びるいくつかの巻線を含み、例えば、コイル／コア組立体１０の選択された最終用途にとって望ましいインダクタンス値といった、望ましい効果を達成する。例示実施形態では、コイル１４は周知の技術による導電性ワイヤから形成され、コイル１４の両側の端部の第１のリード線２２と第２のリード線２４とを含む。当業者が認識するように、インダクタ用コア／コイル組立体１０のインダクタンス値は、部分的に、ワイヤの種類と、コイル中のワイヤの巻線数と、ワイヤの直径とに依存する。従って、インダクタ１０のインダクタンス定格は、様々な用途に応じてかなり変化しうる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
別の態様では、コア１２と一体的に形成されたコイル終端２６、２８によって、周知の表面実装技術（ＳＭＴ）組立設備（図示せず）による処理の際、コイルリード線２２、２４を保護する保護部品を終端の上に設置することなく組立体１０の表面実装を容易にする。従来、比較的小型のインダクタ及び変圧器をＳＭＴ設備の真空ピックアップと調和させることは困難であった。しかし、円筒形プラグ４０（図２に点線で図示する）をトロイド型コア１２の内部開口４２（図１に図示する）に挿入することによって、ＳＭＴ装着機の真空ピックアップによる収容が容易な平坦な表面４４が提供される。１つの実施形態では、プラグ４０は、コア１２またはコイル１４を損傷せずに開口４２から挿入及び取出しできる周知の、弾性で、柔軟で、曲げやすい材料から製造される。別の実施形態では、液体または粘性状態のプラグ４０を開口４２に貼付した後しかるべく硬化または固化し、平坦な表面４４を有するプラグ４０を形成する。認識されるように、この実施形態では、プラグ４０は開口４２から取出すことを意図しておらずこのプラグの平坦な表面４４は巻かれたコイルの表面とほぼ面一に延び、部品サイズの縮小というさらなる利益を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約５００℃より低い基板温度にて基板上へ誘電材料を堆積させること；及び
誘電材料の堆積の間、基板への窒素の供給量を変化させること
を包含する、その厚みを通る窒素濃度の制御された変化を有する誘電層の形成方法：
ここで、窒素の供給量を変化させることは、インターフェイスにて２つの異なる窒素ピーク（その間のバルク材料中でより低い窒素濃度を有する）を生成する。
【請求項２】
変化させることが、窒素供給の第一レベルから、窒素供給の第二中間レベルへ、窒素供給の第三レベルへと（ここで、第二レベルは、第一レベル及び第三レベルの各々よりも低い）窒素の供給量を変えることを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第三レベルが第一レベルより高い、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
誘電材料が約７よりも大きい比誘電率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
誘電材料が約１０よりも大きい比誘電率を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
堆積の間、基板温度が約４００℃より下に保たれる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
約５００℃より低い基板温度にて基板上へ誘電材料を堆積させること；及び
誘電材料の堆積の間、基板への窒素の供給量を変化させること
を包含する、その厚みを通る窒素濃度の制御された変化を有する誘電層の形成方法：
ここで、堆積させることは、複数の原子層堆積サイクルを包含し、各サイクルは：
金属ソースガスの金属パルスを供給すること；
過剰な金属ソースガス及び金属パルスからの副産物を取り除くこと；
酸素ソースガスのオキシダントパルスを供給すること；及び
過剰な酸素ソースガス及びオキシダントパルスからの副産物を除去すること、
を包含する。
【請求項８】
更に、オキシダントパルスの間、変化する量の窒素ソースガスを供給することを包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
窒素ソースガスが、遠隔プラズマ発生器を通して供給される窒素励起種を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数のサイクルのうち選ばれた数が、更に、窒素ソースガスの窒素パルスを供給すること（ここで、窒素の供給量を変化させることは、誘電層を形成する間、窒素パルスの頻度を変化させることを包含する）を包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
窒素ソースガスが、遠隔プラズマ発生器を通して供給される窒素励起種を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
約５００℃より低い基板温度にて基板上へ誘電材料を堆積させること；及び
誘電材料の堆積の間、基板への窒素の供給量を変化させること
を包含する、その厚みを通る窒素濃度の制御された変化を有する誘電層の形成方法：
ここで、誘電材料を堆積させることは、
基板へオキシダントソースを供給するのと同時に、金属ソースを供給すること；及び
遠隔プラズマ発生器を通して変化する量の窒素励起種を供給すること、
を包含する。
【請求項１３】
金属ソースが金属−有機ソースを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
変化する量の窒素励起種を供給することが、遠隔プラズマ発生器を通して窒素ソースガスのフローレートを変化させることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
変化する量の窒素励起種を供給することが、遠隔プラズマ発生器へ供給される電力の量を変化させることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
変化する量の窒素励起種を供給することが、窒素ソースガスのフローを一定に保ちながら、遠隔プラズマ発生器を通して供給されるキャリアガスの量を変化させることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
第一窒素濃度を有する下部インターフェイス、第一窒素濃度よりも低い第二窒素濃度を有するバルク部分、及び第二窒素濃度よりも高い第三窒素濃度を有する上部インターフェイスを含み、誘電層の厚み全体に金属酸化物（該金属酸化物は、約７よりも大きい比誘電率(dielectric constant)を有する）を含む集積回路における誘電層。
【請求項１８】
第一窒素が、第三窒素濃度よりも低い、請求項１７に記載の誘電層。
【請求項１９】
第一窒素濃度が約０．１原子％及び１０原子％よりも高く、第二窒素濃度が約０．１原子％よりも低く、且つ第三窒素濃度が約１原子％〜１０原子％である、請求項１８に記載の誘電層。
【請求項２０】
第一窒素濃度が約０．１原子％〜１原子％であり、且つ第三窒素濃度が約０．０１原子％よりも低い、請求項１９に記載の誘電層。
【請求項２１】
金属酸化物が、４族金属の酸化物を含む、請求項１７に記載の誘電層。
【請求項２２】
金属酸化物が、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2からなる群より選択される、請求項２１に記載の誘電層。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に周波数合成装置用のデュアル・モジュラス・プレスケーラ回路であって、
直列に接続された複数の非同期２分周器（１０、１２）であって、前記分周器の１つ（１０）が、位相反対の２つの入力信号（Ｆｓ、Ｆｓｂ）を受け取り、かつ互いに９０°だけ位相がシフトした４つの信号（Ｆ２Ｉ、Ｆ２Ｉｂ、Ｆ２Ｑ、Ｆ２Ｑｂ）を供給するマスタスレーブ型である複数の非同期２分周器（１０、１２）と、
前記マスタスレーブ型の第１の分周器から前記４つの位相シフト信号を受け取り、かつ前記４つの位相シフト信号のうちの選択された１つを第２の分周器に供給するために、２つの前記２分周器（１０、１２）の間に挿入された位相選択器ユニット（１１）であって、制御信号（Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２）が選択器ユニットに供給され、その結果、選択された分周モードに応じて決定される分周周期で前記４つの位相シフト信号のうちの選択された１つ（Ｆ２）を出力から供給する選択器ユニット（１１）と、
前記制御信号を前記選択器ユニットに供給するための制御ユニット（１３）であって、前記制御ユニットの動作をクロック動作させるための前記２分周器の１つの出力信号（Ｆｄｉｖ）と前記モードを選択するための信号を受け取る制御ユニット（１３）とを備え、
２つのモードのうちの選択された１つにおいて、前記制御ユニット（１３）は、制御信号（Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２）を前記選択器ユニットに供給するように構成され、その結果、前記選択器ユニットが、各分周周期で、各ブランチで選択された正弦波である２つの位相シフト信号の間の位相切換えを行い、前記第２の位相シフト信号が前記第１の位相シフト信号に対して９０°位相が進んでいることを特徴とするデュアル・モジュラス・プレスケーラ回路。
【請求項２】
前記選択器ユニットが、２つの第１の位相シフト信号（Ｆ２Ｉ、Ｆ２Ｉｂ）を受け取る第１の選択器ブランチ（２１）、２つの第２の位相シフト信号（Ｆ２Ｑ、Ｆ２Ｑｂ）を受け取る第２の選択器ブランチ（２２）、および各ブランチに接続された選択要素（２３）を備え、前記制御信号（Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２）が前記第１および第２のブランチと前記選択要素に供給されることを特徴とする請求項１に記載のプレスケーラ回路。
【請求項３】
各ブランチが、前記受け取られた位相シフト信号を増幅するための差動増幅器（２１、２２）を備え、各増幅器が、前記それぞれの制御信号（Ｓ１、Ｓ２）のうちの１つで制御されて、それの出力から前記２つの位相シフト信号のうちの１つを供給し、かつ前記第１のブランチが、位相反対の２つの位相シフト信号（Ｆ２Ｉ、Ｆ２Ｉｂ）を受け取り、前記第２のブランチが、位相反対の２つの他の位相シフト信号（Ｆ２Ｑ、Ｆ２Ｑｂ）を受け取り、さらに、前記制御信号が、前記選択器ユニットの前記選択要素における第１と第２の選択された位相シフト信号間の位相切換え時に、前記選択要素における位相切換えの前の周期で、前記それぞれのブランチの１つで前記第２の位相シフト信号の選択が行われることを特徴とする請求項２に記載のプレスケーラ回路。
【請求項４】
前記位相選択器ユニットが、前記第１と第２の２分周器の間にあり、前記マスタスレーブ型の第１の２分周器（１０）から前記４つの信号を受け取ることを特徴とする請求項１に記載のプレスケーラ回路。
【請求項５】
６個の非同期２分周器（１０、１２）を備え、第１のモードで、６４に等しい因子の周波数分周を得、そのモードでは前記制御信号（Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２）が各特定の分周周期で状態を変えず、前記４つの位相シフト信号のうちの１つだけが前記選択器ユニットで選択されるようになっており、かつ、第２のモードで、６３．５に等しい因子の周波数分周を得、そのモードでは、各特定の分周周期で第１の位相シフト信号と前記第１の位相シフト信号に対して９０°位相が進んだ第２の位相シフト信号の間の位相切換えを行うようにある特定の制御信号が状態を変え、その結果、前記選択器ユニットが各分周周期の終りにそれの出力から前記４つの位相シフト信号のうちの異なる１つを供給することを特徴とする、先行する請求項のいずれかに記載のプレスケーラ回路。
【請求項６】
前記制御ユニットが、最後の２分周器の出力信号（Ｆｄｉｖ）によって同期的にクロック動作させられる２個のＤ型フリップ・フロップ（３１、３４）と、制御信号を前記選択器ユニットに供給する論理ゲート（３２、３３、３５）の配列とを備え、さらに、第１のインバータ（３２）が第１のフリップ・フロップ（３１）の非反転出力と入力の間に配置され、前記第１のフリップ・フロップの出力信号が前記選択要素（２３）の制御信号（Ｓ０）を供給し、ＸＯＲ論理ゲート（３３）がその入力で前記第１のフリップ・フロップの出力信号と第２のフリップ・フロップ（３４）の非反転出力信号を受け取って、前記第１のブランチ（２１）の制御信号（Ｓ１）に対応する前記第２のフリップ・フロップの入力信号を供給し、かつ前記第２のブランチ（２２）の制御信号（Ｓ２）を供給するために第２のインバータ（３５）が前記第２のフリップ・フロップの非反転出力に接続されることを特徴とする請求項１に記載のプレスケーラ回路。
【請求項７】
前記制御ユニットが、各２進ワードが各特定の分周周期の前記制御信号の状態を表すものである複数の２進ワードを特定の記憶場所に格納するための不揮発性メモリ、例えば読取専用メモリと、最後の２分周器の出力信号によってクロック動作する計数器とを含んで、第２の選択されたモードで計数器遷移ごとに連続した記憶場所を送るか、または第１の選択されたモードで特定の記憶場所を保持することを特徴とする請求項１に記載のプレスケーラ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
場合によっては既に１つ以上の遮断層で被覆され、この遮断層の表面上には、光を用いて記録されうる情報層と場合によっては１つ以上の遮断層と放射線硬化される樹脂を含有する被覆層とが施こされている有利に透明な支持体を含み、情報層上に記録することができ、被覆層を通過するピント調節された青色光、有利に３６０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長を有するレーザー光を用いて情報層から読み取ることができ、情報層が光吸収性化合物を含有する光学データ媒体において、少なくとも１つの染料が光吸収性化合物として使用されており、被覆層が１０μｍ〜１７７μｍの全厚を有し、設けられたピント調節する対物レンズの開口数ＮＡが０．８以上であることを特徴とする、有利に透明な支持体を含む光学データ媒体。
【請求項２】
請求項１記載の光学データ媒体の製造法において、場合によっては既に遮断層で被覆された、有利に透明な支持体に、染料を、場合によっては適当な結合剤および添加剤ならびに場合によっては適当な溶剤と組み合わせて塗布し、次に場合によっては遮断層を備えさせ、さらに中間層およびその後に放射線で硬化される放射線硬化可能な樹脂を含有する被覆層を備えさせることを特徴とする、請求項１記載の光学データ媒体の製造法。
【請求項３】
青色光、好ましくはレーザー光、殊に３６０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長を有するレーザー光を用いて請求項１記載の光学データ媒体上に記録することによって得ることができる、記録可能型の情報層を有する光学データ媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
我々の同時係属親出願、米国特許出願番号０９／４１９９４０において、電気化学的電池のための電解質の新形式が開示された。この電解質の一般式はＭ′＋ｍ（ＺＲｎＸｑ−ｎ）ｍであり、ここでＭ′はマグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる群から選ばれ；Ｚはアルミニウム、ホウ素、リン、アンチモン及びヒ素からなる群から選ばれ；Ｒは次の群：アルキル、アルケニル、アリール、フェニル、ベンジル、及びアミドから選ばれたラジカルを表し；Ｘはハロゲン（Ｉ，Ｂｒ，Ｃｌ，Ｆ）であり；ｍ＝１−３；そしてＺ＝リン、アンチモン及びヒ素の場合ｎ＝０−５かつｑ＝６であり、Ｚ＝アルミニウム及びホウ素の場合ｎ＝０−３かつｑ＝４である。上述の同時係属出願は１．５ボルトを越える公称電圧を持つ実行可能な、再充電可能なマグネシウムバッテリーの製造のための基礎を提供するためのこのＭｇを持つ電解質形式と式
ＣｕｘＭｇｙＭｏ６Ｓ８
のマグネシウム−シェブレルインターカレーション陰極の適合性を開示している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントウェブブラウザからのリクエストを受信する段階と、
ウェブエミュレータを用いて前記リクエストを処理する段階と、
利用できるデータから前記リクエストを提供する段階と、を備えているウェブアプリケーションを動作させる方法。
【請求項２】
前記利用できるデータが、ネットワークを介して利用できることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記利用できるデータが、ネットワークに対するアクセスなしにローカルに利用できることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ネットワークを介して利用できるデータに対するアクセスを試行する段階をさらに備えている請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワークを介して成功したアクセスにおいて、前記リクエストを提供する段階が、前記ネットワークから利用できるデータを利用することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ネットワークを介して失敗したアクセスにおいて、前記リクエストを提供する段階が、前記ローカルデータからの利用できるデータを利用することを備えている請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ネットワークを介して利用できるデータに対するアクセスを試行する段階を備え、
前記リクエストを提供する段階が、成功したアクセスにおいて前記ネットワークからの利用できるデータを利用し、失敗したアクセスにおいてローカルデータからの利用できるデータを利用することをさらに備えている請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ウェブエミュレータがウェブサーバに対するプラグインであり、前記プラグインが前記リクエストをウェブエンジンに通過させ、前記ウェブエンジンがデータマネージャに関連して前記リクエストを提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記利用できるデータがネットワークを介して利用できることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記利用できるデータがネットワークに対するアクセスなしにローカルに利用できることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記データマネージャが、ネットワークを介して利用できるデータに対するアクセスを試行することを備え、前記データマネージャが、成功したアクセスにおいて前記ネットワークからの利用できるデータを利用し、前記リクエストを提供するのに失敗したアクセスにおいてローカルデータから利用できるデータを利用することをさらに特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記リクエストがクライアントから前記ネットワークにデータを送信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記リクエストが前記ネットワークからのデータを受信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記リクエストがデータを送受信する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
クライアントウェブブラウザからのリクエストを受信する手段と、
前記リクエストを処理する手段と、
利用できるデータからの前記リクエストを提供する手段と、を備えているウェブアプリケーションを動作させる装置。
【請求項１６】
プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサが、
クライアントウェブブラウザからのリクエストを受信する段階と、
ウェブエミュレータを用いて前記リクエストを処理する段階と、
利用できるデータから前記リクエストを提供する段階と、を備えている方法を実現できる、命令を組み入れているマシン読み取り可能な媒体。
【請求項１７】
前記プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサが、前記利用できるデータがネットワークを介して利用できる前記方法を実現できる、命令をさらに組み入れている請求項１６に記載のマシン読み取り可能な媒体。
【請求項１８】
前記プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサが、前記利用できるデータがネットワークに対するアクセスなしにローカルに利用できる前記方法を実現できる、命令をさらに組み入れている請求項１６に記載のマシン読み取り可能な媒体。
【請求項１９】
前記プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサが、
ネットワークを介して利用できるデータに対するアクセスを試行する段階を備える前記方法であって、
前記リクエストを提供する段階が、成功したアクセスにおいて前記ネットワークから利用できるデータを利用し、失敗したアクセスにおいてローカルデータから利用できるデータを利用することをさらに備える前記方法を実現できる、命令をさらに組み入れている請求項１６に記載のマシン読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）２つの以上のタッチ入力により発生した信号を測定する工程と、
（ｂ）前記タッチ入力に対して位置データを測定する工程と、
（ｃ）前記信号のいずれかが単一タッチ入力の最小閾値を超えているかどうかを判定する工程と、
（ｄ）前記信号のいずれかが単一タッチ入力の最大閾値を超えているかどうかを判定する工程と、
（ｅ）前記最小閾値を超えるが前記最大閾値を超えない前記信号のいずれかに対応する位置データを用いて、タッチ場所を算出してタッチスクリーンシステムに報告する工程と、
を含むタッチスクリーンシステムにおいて２つ以上の時間的に重複するタッチ入力を区別する方法。
【請求項２】
１つ以上のタッチ入力により発生した信号を繰返し測定する工程と、
前記信号の変化率を監視する工程と、
前記信号の変化率をタッチダウン、ホールド、およびリフトオフイベントに相互に関係付けて前記イベントのシーケンスを決定する工程と、
前記決定された前記イベントのシーケンスを用いて前記１つ以上のタッチの時間的順序を決定する工程と、
前記決定シーケンスが与えられた、前記１つ以上のタッチのうちの少なくとも１つのタッチ場所を算出する工程と、
前記タッチ場所を報告する工程と、
を含む、タッチスクリーンシステムにおいて時間的に重複するタッチ入力を区別する方法。
【請求項３】
一連の測定タッチ信号から全信号を決定する工程と、
前記全信号が最小閾値を超える場合に前記一連の測定タッチ信号からタッチ位置を算出する工程と、
（ａ）前記算出タッチ位置がどこに位置するかに基づいて全信号の大きさの変化率に対するテストパラメータを設定し、前記全信号の大きさを他の新しく測定された全信号の大きさと比較して、全信号の大きさの変化率に対するテストパラメータが満たされているかどうかを判定する工程、
（ｂ）前記算出タッチ位置がどこに位置するかに基づいて位置の変化率に対するテストパラメータを設定し、前記タッチ位置を他の新しく測定された位置と比較して、位置の変化率に対するテストパラメータが満たされているかどうかを判定する工程、
の一方又は両方を行う工程と、
前記適用可能なテストパラメータまたは両テストパラメータが満たされている場合、前記全信号が最大閾値を超えない場合に前記タッチ位置を報告する工程と、
を含む、タッチスクリーンシステムにおいて時間的に重複するタッチ入力の中で有効タッチ入力を区別する方法。
【請求項４】
タッチによるユーザ入力信号を測定するためのタッチパネルと、
前記タッチパネルを通して見るために配置された情報表示装置と、
信号の大きさを１つ以上の所定の閾値と比較するとともに、信号の大きさの変化率の監視、算出タッチ位置の変化率の監視、１つ以上の指定活動区域へのタッチ位置の近接性の監視、または二重タッチの可能性の高い１つ以上の指定区域へのタッチ位置の近接性の監視のうちの１つ以上を行うことにより、前記タッチによるユーザ入力信号を識別してどの信号が時間的に重複する個々のタッチ入力に対応するかを判定するための処理装置と、
を含むタッチスクリーンシステム。
【請求項５】
前記最大閾値を超える前記信号のいずれかに対応する位置データから前記工程（ｅ）で用いた位置データを引いて工程（ｅ）により報告されなかったタッチ場所を算出する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｅ）において算出された前記タッチ場所が、有効タッチ区域として指定された前記タッチスクリーンの区域内に含まれている場合にのみ工程（ｅ）において前記タッチ場所が報告される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記タッチ場所が、前回算出されたタッチ場所から、所定距離を超えて移動をした場合には算出タッチ場所に関する前記タッチ場所を報告する工程を行わない、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記最大閾値が前記タッチ位置の場所に基づいて設定される、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
二重タッチの各タッチのＸ座標位置を別々に測定する工程と、
前記二重タッチの各タッチのＹ座標位置を別々に測定する工程と、
各Ｘ座標位置および各Ｙ座標位置に対応する測定信号の大きさの変化率を判定する工程と、
同様な変化率に基づいてＸ座標位置をＹ座標位置と一致させる工程と、
前記一致したＸ、Ｙ座標を前記有効タッチ位置として報告する工程と、
を含む、タッチスクリーンシステムにおいて二重タッチイベント中に擬似タッチ位置を有効タッチ位置と区別する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗号化された形態でメモリにデータワードを記憶するためのシステムであって、前記データワードは各々の関連するアドレスによって特定され、前記システムは、
前記関連するアドレスの制御下でデータワードを暗号化するための暗号化器
を含み、前記暗号化器は、
ハッシュされたアドレスに前記関連するアドレスを変換するためのハッシュ関数部と、
前記ハッシュされたアドレスに前記データワードを結合させるための結合器と、
暗号化されたワードに前記結合されたワード／ハッシュされたアドレスを暗号化するためのブロック暗号部と、
前記関連するアドレスの制御下で前記メモリに前記暗号化されたワードを書き込むための書き込み器と、
前記ワードに関連するアドレスの制御下でメモリから暗号化されたワードを読み出すための読み出し器と、
前記関連するアドレスの制御下で前記読み出された暗号化されたワードを復号化するための復号化器と
を含み、前記復号化器は、
前記暗号化器によって使用されるものと同じである、ハッシュされたアドレスに前記関連するアドレスを変換するためのハッシュ関数部と、
前記暗号化器の前記ブロック暗号部の逆関数である、前記暗号化されたワードを復号化するためのブロック暗号部と、
前記ハッシュされたアドレスに前記復号化されている暗号化されたワードを結合させることによってデータワードを取り出すための分離器と
を含むシステム。
【請求項２】
前記復号化器において、前記ハッシュ関数部及び前記ブロック暗号部が並列に構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記暗号化器の前記ブロック暗号部及び前記ハッシュ関数部が、同じ所定のブロック暗号部のラウンドを使用する請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記所定のブロック暗号部が、既定数のｎラウンドを有し、前記ハッシュ関数部が、前記所定のブロック暗号部のｋラウンドを使用し、１<＝ｋ<ｎであり、前記暗号化器の前記ブロック暗号部は、前記所定のブロック暗号部のｎ−ｋラウンドを使用する請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
ｋ>＝３及びｎ−ｋ>＝３となる請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
ｎ＝ｋとなる請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記データワードが複数のコンポーネントを含み、前記システムは、
前記データワードに関連するアドレスの制御下でメモリから暗号化されたワードを読み出すために前記読み出し器を使用するステップと、
ハッシュされたアドレスに前記関連するアドレスを変換するために前記ハッシュ関数部を使用するステップと、
前記暗号化されたワードを復号化するために前記復号化器の前記ブロック暗号部を使用するステップと、
前記ハッシュされたアドレスの制御下で前記新たなコンポーネント値を前記復号化されている暗号化されたワードに結合させるためにコンポーネント更新器を使用し、更新されている結合されたワード／ハッシュされたアドレスを形成するステップと、
更新されている暗号化されたワードに、前記更新されている結合されたワード／ハッシュされたアドレスを暗号化するための前記暗号化器の前記ブロック暗号部を使用するステップと
によって新たなコンポーネント値に前記データワードのコンポーネントを更新するように動作する請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
請求項１に記載される、メモリに暗号化された形態でデータワードを記憶させるためのシステムにおける使用のための暗号化器であって、前記各々のデータワードは各々関連するアドレスによって特定され、前記暗号化器は、
データワードに関連するアドレスをハッシュされたアドレスに変換するためのハッシュ関数部と、
前記ハッシュされたアドレスに前記データワードを結合させるための結合器と、
暗号化されたワードに前記結合されたワード／ハッシュされたアドレスを暗号化するためのブロック暗号部と
を含む暗号化器。
【請求項９】
請求項１に記載される、メモリに暗号化された形態でデータワードが記憶されるシステムにおける使用のための復号化器であって、前記各々のデータワードは各々関連するアドレスによって特定され、前記復号化器は、
前記メモリにおけるデータワードに関連するアドレスをハッシュされたアドレスに変換するためのハッシュ関数部と、
前記関連するアドレスの制御下で前記メモリから読み出されている暗号化されたワードを復号化するためのブロック暗号部と、
前記ハッシュされたアドレスに前記復号化されている暗号化されたワードを結合させることによって平文データワードを取り出すための分離器と
を含む復号化器。
【請求項１０】
暗号化された形態でのメモリにおける記憶のためにデータワードを暗号化する方法であって、前記各々のデータワードは各々関連するアドレスによって特定され、前記方法は、
データワードに関連するアドレスをハッシュされたアドレスに変換するステップと、
前記ハッシュされたアドレスに前記データワードを結合させるステップと、
前記メモリにおける後続する記憶のために、暗号化されたワードに前記結合されたワード／ハッシュされたアドレスを暗号化するためにブロック暗号部を使用するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
暗号化された形態でメモリに記憶されるデータワードを復号化する方法であって、前記各々のデータワードは各々関連するアドレスによって特定され、前記方法は、
前記メモリにおいて記憶される暗号化されたデータワードに関連するアドレスをハッシュされたアドレスに変換するステップと、
前記関連するアドレスの制御下で前記メモリから読み出されている前記暗号化されたデータワードを中間形態に復号化するためにブロック暗号部を使用するステップと、
前記ハッシュされたアドレスに前記中間形態を結合させることによって平文データワードを取り出すステップと
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法をプロセッサに実行させるように動作するコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法をプロセッサに実行させるように動作するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月15日(2005.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカクラッドと、
前記クラッドに適用され、１２０ミクロン〜１５０ミクロンの直径、および４９．２×１０3ｋｇ／ｃｍ2〜６３．３×１０3ｋｇ／ｃｍ2の動的疲労測定値に対して少なくとも８５％の頻度分布、を有する被覆光ファイバーを提供するコーティングと、を含む被覆光ファイバー。
【請求項２】
前記頻度分布が少なくとも９０％である、請求項１に記載の被覆光ファイバー。
【請求項３】
前記直径が１２８ミクロン〜１３５ミクロンであり、前記頻度分布が少なくとも９５％である、請求項１に記載の被覆光ファイバー。
【請求項４】
前記コーティングがポリマーコーティングである、請求項１に記載の被覆光ファイバー。
【請求項５】
前記ポリマーコーティングが、ジアリールヨードニウムカチオンを有するカチオン光開始剤と、ヘキサフルオロアンチモネートおよび一般式（ＲfＳＯ2）3Ｃ-（式中、Ｒfは独立に高フッ素化または過フッ素化アルキルもしくはフッ素化アリール基からなる群から選択される。）を有するメチドアニオンからなる群から選択されたアニオンと、を含有するコーティング組成物を硬化することによって形成される、請求項４に記載の被覆光ファイバー。
【請求項６】
ＧＧＰ光ファイバーであって、
光ファイバーコアーと、
前記光ファイバーコアーの上の、シリカクラッドコアーを設けるシリカクラッドと、
光開始剤を含有する光硬化性組成物を化学線に露光することによって前記クラッドに適用された永久ポリマーコーティングと、を含み、１２０ミクロン〜１５０ミクロンの直径を有し、４９．２×１０3ｋｇ／ｃｍ2〜６３．３×１０3ｋｇ／ｃｍ2の動的疲労測定値に対して少なくとも８５％の頻度分布を更に有する、ＧＧＰ光ファイバー。
【請求項７】
前記永久ポリマーコーティングが１０ミクロン〜２５ミクロンの厚さを有する、請求項６に記載のＧＧＰ光ファイバー。
【請求項８】
前記光開始剤が、ジアリールヨードニウムカチオンを有するジアリールヨードニウム塩と、ヘキサフルオロアンチモネートおよび一般式（ＲfＳＯ2）3Ｃ-（式中、Ｒfは独立に高フッ素化または過フッ素化アルキルもしくはフッ素化アリール基からなる群から選択される。）を有するメチドアニオンから選択されたアニオンと、を含む、請求項６に記載のＧＧＰ光ファイバー。