【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子であって、
核酸テンプレートと、
互いに異なる材料で被覆された、テンプレートの2つ以上の領域とを含む回路素子。
【請求項２】
互いに異なる材料はそれぞれ、少なくとも部分的に導電性である、請求項1記載の回路素子。
【請求項３】
互いに異なる材料はそれぞれ、他の材料と異なる比抵抗を有する、請求項2記載の回路素子。
【請求項４】
互いに異なる材料はそれぞれ、ドープされた半導体材料である、請求項2記載の回路素子。
【請求項５】
ドープされた半導体材料は、n型半導体材料またはp型半導体材料である、請求項4記載の回路素子。
【請求項６】
核酸テンプレートはDNAである、請求項1記載の回路素子。
【請求項７】
核酸テンプレートはRNAである、請求項1記載の回路素子。
【請求項８】
第2の材料によって分離された第1の材料を有するレジスタであって、第2の材料は、第1の材料と異なる比抵抗を有し、第1および第2の材料は、共通の核酸テンプレート・コアを有するレジスタ。
【請求項９】
第1の材料は金属を含み、第2の材料は少なくとも部分的に導電性の材料を含む、請求項8記載のレジスタ。
【請求項１０】
核酸テンプレートはDNAである、請求項8記載のレジスタ。
【請求項１１】
核酸テンプレートはRNAである、請求項8記載のレジスタ。
【請求項１２】
レジスタであって、
少なくとも1つの抵抗材料と、
各々が抵抗材料に結合された一対の少なくとも部分的に導電性のリード線とを含み、
抵抗材料およびリード線対は核酸テンプレート・コアを有するレジスタ。
【請求項１３】
リード対の各リードは、核酸テンプレート・コアのある領域を被覆する少なくとも1つの金属材料で作られている、請求項12記載のレジスタ。
【請求項１４】
核酸テンプレートはDNAである、請求項12記載のレジスタ。
【請求項１５】
核酸テンプレートはRNAである、請求項12記載のレジスタ。
【請求項１６】
第2の種類の半導体材料に隣接する第1の種類の半導体材料を含むダイオードであって、第1および第2の種類の半導体材料は共通の核酸テンプレート・コアを有するダイオード。
【請求項１７】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項16記載のダイオード。
【請求項１８】
各リード線が第1の種類の半導体材料と第2の種類の半導体材料の一方に結合され、共通の核酸テンプレート・コアを有する、一対の少なくとも部分的に導電性のリード線をさらに含む、請求項16記載のダイオード。
【請求項１９】
核酸テンプレートはDNAである、請求項16記載のダイオード。
【請求項２０】
核酸テンプレートはRNAである、請求項16記載のダイオード。
【請求項２１】
第１の種類の半導体材料と、
第1の種類の半導体材料に隣接する第2の種類の半導体材料と、
各リード線が第1の種類の半導体材料と第2の種類の半導体材料の一方に結合された、一対の少なくとも部分的に導電性のリード線とを含み、
第1および第2の種類の半導体材料ならびにリード線対は核酸テンプレート・コアを有するダイオード。
【請求項２２】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項21記載のダイオード。
【請求項２３】
核酸テンプレートはDNAである、請求項21記載のダイオード。
【請求項２４】
核酸テンプレートはRNAである、請求項21記載のダイオード。
【請求項２５】
誘電体によって分離された一対の少なくとも部分的に導電性のプレートを含むキャパシタであって、各プレートは核酸テンプレート・コアを有するキャパシタ。
【請求項２６】
各リード線が1枚のプレートに結合され、共通の核酸テンプレート・コアを有する、一対の少なくとも部分的に導電性のリード線をさらに含む、請求項25記載のキャパシタ。
【請求項２７】
核酸テンプレートはDNAである、請求項25記載のキャパシタ。
【請求項２８】
核酸テンプレートはRNAである、請求項25記載のキャパシタ。
【請求項２９】
核酸テンプレート・コアを有する誘電体によって分離された一対の少なくとも部分的に導電性のプレートを有するキャパシタ。
【請求項３０】
誘電体は空気である、請求項29記載のキャパシタ。
【請求項３１】
核酸テンプレートはDNAである、請求項29記載のキャパシタ。
【請求項３２】
核酸テンプレートはRNAである、請求項29記載のキャパシタ。
【請求項３３】
第2の材料によって分離された第1の材料を含むトランジスタであって、第1および第2の種類の半導体材料は、共通の核酸テンプレートを有するトランジスタ。
【請求項３４】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項33記載のトランジスタ。
【請求項３５】
核酸テンプレート・コアは、共通の交差点を有する3つの枝を含み、第2の種類の半導体材料は共通の交差点の少なくとも一部を被覆し、第1の種類の半導体材料は、少なくとも、3つの枝のうちの2つの、交差点に隣接する部分を被覆する、請求項33記載のトランジスタ。
【請求項３６】
各リード線が、3つの枝のうちの1つに沿って第1の種類の半導体材料と第2の種類の半導体材料の一方に結合され、共通の核酸テンプレート・コアを有する、複数の少なくとも部分的に導電性のリード線をさらに含む、請求項33記載のトランジスタ。
【請求項３７】
核酸テンプレートはDNAである、請求項33記載のトランジスタ。
【請求項３８】
核酸テンプレートはRNAである、請求項33記載のトランジスタ。
【請求項３９】
第1の種類の半導体材料と、
第1の種類の半導体材料を分離する第2の種類の半導体材料と、
各リード線が第1の種類の半導体材料と第2の種類の半導体材料の一方に結合された、複数の少なくとも部分的に導電性のリード線とを含み、
第1および第2の種類の半導体材料ならびにリード線は核酸テンプレート・コアを有するトランジスタ。
【請求項４０】
核酸テンプレート・コアは、共通の交差点を有する3つの枝を含み、第2の種類の半導体材料は共通の交差点の少なくとも一部を被覆し、第1の種類の半導体材料は、少なくとも、3つの枝のうちの2つの、交差点に隣接する部分を被覆する、請求項39記載のトランジスタ。
【請求項４１】
各リード線は、3つの枝のうちの1つに沿って第1の種類の半導体材料と第2の種類の半導体材料の一方に結合されている、請求項40記載のトランジスタ。
【請求項４２】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項39記載のトランジスタ。
【請求項４３】
核酸テンプレートはDNAである、請求項39記載のトランジスタ。
【請求項４４】
核酸テンプレートはRNAである、請求項39記載のトランジスタ。
【請求項４５】
少なくとも部分的に導電性の材料のコイルを含むインデューサであって、少なくとも部分的に導電性の材料のコイルは核酸テンプレート・コアを有するインデューサ。
【請求項４６】
少なくとも部分的に導電性の材料のコイルが周りの少なくとも一部を覆っているコアを有する、請求項45記載のインデューサ。
【請求項４７】
コアはヒストン様タンパク質を含む、請求項46記載のインデューサ。
【請求項４８】
核酸テンプレートはDNAである、請求項45記載のインデューサ。
【請求項４９】
核酸テンプレートはRNAである、請求項45記載のインデューサ。
【請求項５０】
レジスタを製造する方法であって、
核酸結合分子を用いて核酸分子テンプレートの少なくとも1つの領域を保護する段階と、
核酸分子テンプレートの保護されていない領域を第1の導電材料で被覆する段階と、
保護されている領域から核酸結合分子を除去する段階と、
保護されている領域を、第1の導電材料と異なる比抵抗を有する第2の導電材料で被覆する段階とを含む方法。
【請求項５１】
核酸テンプレートはDNAである、請求項50記載の方法。
【請求項５２】
核酸テンプレートはRNAである、請求項50記載の方法。
【請求項５３】
ダイオードを製造する方法であって、
2つ以上の核酸結合分子を用いて核酸分子テンプレートの少なくとも1つの領域を保護する段階と、
核酸分子テンプレートの保護されていない領域を導電材料で被覆する段階と、
保護されている領域の一部から少なくとも1つの核酸結合分子を除去する段階と、
保護されている領域の一部を、第1の種類の導電材料で被覆する段階と、
保護されている領域の任意の残りの部分から任意の残りの核酸結合分子を除去する段階と、
保護されている領域の残りの部分を第2の種類の半導体材料で被覆する段階とを含む方法。
【請求項５４】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項53記載の方法。
【請求項５５】
核酸テンプレートはDNAである、請求項53記載の方法。
【請求項５６】
核酸テンプレートはRNAである、請求項53記載の方法。
【請求項５７】
キャパシタを製造する方法であって、核酸分子テンプレートの互いに平行な領域を導電材料で被覆する段階を含み、被覆される互いに平行な領域はそれぞれリード線に結合される方法。
【請求項５８】
少なくとも1つの核酸結合分子を用いて核酸分子テンプレートの少なくとも1つのスペーサ領域を保護する段階と、
互いに平行な領域を被覆した後、保護されているスペーサ領域から核酸結合分子を除去する段階と、
核酸分子テンプレートのスペーサ領域を除去する段階とをさらに含む、請求項57記載の方法。
【請求項５９】
核酸テンプレートはDNAである、請求項57記載の方法。
【請求項６０】
核酸テンプレートはRNAである、請求項57記載の方法。
【請求項６１】
キャパシタを製造する他の方法であって、
核酸分子テンプレートの互いに平行な領域間の核酸分子テンプレートの誘電領域を少なくとも1つの核酸結合分子によって保護する段階と、
誘電領域の周りの核酸分子テンプレートの保護されていない互いに平行な領域を導電材料で被覆する段階と、
誘電領域から核酸結合分子を除去する段階と、
誘電領域を誘電体材料で被覆する段階とを含む方法。
【請求項６２】
核酸テンプレートはDNAである、請求項61記載の方法。
【請求項６３】
核酸テンプレートはRNAである、請求項61記載の方法。
【請求項６４】
トランジスタを製造する方法であって、
中央領域、および核酸分子テンプレートの3つの互いに隣接する枝領域のうちの2つを核酸結合分子によって保護する段階と、
核酸分子テンプレートの保護されていない領域を導電材料で被覆する段階と、
核酸分子テンプレートの中央領域を保護する1つまたは複数の核酸結合分子を除去する段階と、
中央領域を第1の種類の半導体材料で被覆する段階と、
保護されている枝領域から核酸結合分子を除去する段階と、
枝領域を第2の種類の半導体材料で被覆する段階とを含む方法。
【請求項６５】
第1および第2の種類の半導体材料はそれぞれ、N型およびP型の半導体材料である、請求項64記載の方法。
【請求項６６】
核酸テンプレートはDNAである、請求項64記載の方法。
【請求項６７】
核酸テンプレートはRNAである、請求項65記載の方法。
【請求項６８】
インデューサを製造する方法であって、
少なくとも1つのタンパク質の周りを核酸分子テンプレートで覆う段階と、
核酸分子テンプレートを第1の導電材料で被覆する段階とを含む方法。
【請求項６９】
タンパク質はヒストン様タンパク質を含む、請求項68記載の方法。
【請求項７０】
核酸テンプレートはDNAである、請求項68記載の方法。
【請求項７１】
核酸テンプレートはRNAである、請求項68記載の方法。