【事件の表示】
　特願２００８−　８２７０９「マルチビーム半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月１５日出願公開、特開２００９−２３８９８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成２０年３月２７日の出願であって、平成２２年１月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年３月１７日付けで手続補正がなされ、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年３月４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされたものである。 
 　 
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年３月１７日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。 
 　 
　「並置されたＮ個（但し、Ｎ≧３）のストライプ状の発光部を有し、
　各発光部は、
　（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
　（Ｂ）第１化合物半導体層上に形成された活性層、
　（Ｃ）活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
　（Ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
　（Ｅ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
から成り、そして、
　（Ｆ）第２電極から延在する第２電極延在部、
を備えており、
　Ｎ個の発光部における第１電極は、Ｎ個の発光部において共通とされており、
　発光部と発光部との間には、発光部を相互に電気的に分離する分離溝が形成されており、
　第１番目の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第１の凹部が形成されており、
　第Ｎ番目の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第２の凹部が形成されており、
　第１番目の発光部における第２電極延在部は、第１の凹部における一の連続部を介して第１番目の発光部の外側の第１の領域へと延びており、
　第Ｎ番目の発光部における第２電極延在部は、第２の凹部における一の連続部を介して第Ｎ番目の発光部の外側の第２の領域へと延びており、
　第ｎ番目の発光部（但し、２≦ｎ≦（Ｎ−１）である）における第２電極延在部は、不連続の分離溝の間に位置する連続部、及び、第１の凹部又は第２の凹部における他の連続部を介して、第１番目又は第Ｎ番目の発光部の外側の第１の領域又は第２の領域へと延びている端面発光型のマルチビーム半導体レーザ。」（以下「本願発明」という。） 
 　
 　
２　引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−７０３３６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。 
　
　
（１）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザアレイに関し、特に、複数のレーザ発信領域を電気的および熱的に分離するエッチ溝を有する半導体レーザアレイに関する。」 
　
（２）「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザアレイを図面を参照しつつ説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体レーザアレイを示し、半導体レーザは、それぞれ有機金属気相エピタキシ装置を用いてＧａＡｓ基板結晶１上に積層されたｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２と、ＧａＡｓで構成される井戸幅１０ｎｍの活性層３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４と、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層キャップ層５と、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４をエッチングして形成されるストライプ形成用の埋め込みリッジ９、１０と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の表面にＴｉ／Ｐｉ／Ａｕの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陽極７と、ＧａＡｓ基板結晶１の結晶成長面と反対の面にＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陰極８と、順方向電流に基づいてレーザ発振を生じるレーザ発振領域１１，１２を電気的あるいは熱的に分離するエッチ溝１５，１７を有し、エッチ溝１７は、表面に陽極７と電極パッド１８、１９と接続される連結部１６を有している。
【００１３】ストライプ形成用の埋め込みリッジ９、１０は、エッチ溝１５，１７によって分離される結晶成長層の幅方向の中央に位置するように配置され、間隔が１５μｍ、リッジ下端における幅が４μｍ、高さが０．５μｍで形成されている。これらの数値は半導体レーザアレイの横モード制御性、ビーム広がり角、および画像形成装置の仕様に応じて決定される。本実施の形態では、光学系の横倍率を約４倍、ドット密度を６００ｄｐｉとする画像形成装置を対象としている。
【００１４】エッチ溝１５，１７は、結晶成長層にＣＨ2 ＣＬ2 ガスを用いたドライエッチングによって、深さ２．５μｍ、幅３μｍの溝を形成した後、この溝の内壁に膜厚０．１μｍのＳｉ窒化膜１３をプラズマＣＶＤ法によって被着し、更に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によるＳｉＯ2 保護膜１４を形成して平坦化処理を行っている。
【００１５】図２は、エッチ溝１７の連結部１６を形成する過程を示し、図２（ａ）に示すように、ＳＯＧによって形成されたＳｉＯ2 保護膜１４’をＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングによってｐ型ＧａＡｓキャップ層６を露出させた後、図２（ｂ）に示すように、Ｔｉ／Ｐｉ／Ａｕの金属多層膜で構成される連結部１６を電子ビーム蒸着によってＳｉＯ2 保護膜１４の表面に被着する。
【００１６】このようにして形成された半導体レーザアレイの縦面および横面をへき開して、レーザ発振に垂直な方向の端面に多層反射膜を被着することにより反射面を形成する。レーザビームが出射される反射面の反射率は、他方の反射面の反射率より低く形成されている。また、レーザ発振方向の長さは５００μｍで形成されている。
【００１７】上記の構成によると、エッチ溝１５、１７によって分離された結晶成長層の幅方向の中央に埋め込みリッジ９、１０を配置することによって、活性層３付近の電流分布が対称な形状となり、レーザ発振領域１１、１２が埋め込みリッジ９、１０の直下に位置するようになる。また、このレーザ発振領域１１，１２がレーザ発振方向に平行に設けられるエッチ溝１５、１７にガイドされることによってビーム出射方向の変動が抑制される。
【００１８】また、エッチ溝１７の表面を平坦化処理して連結部１６を設けることにより、電極パッド１８、１９の面積が拡大されるので、半導体レーザアレイの配線時の接続抵抗を低減させることができる。
【００１９】本実施の形態では、結晶成長を行うにあたって有機金属気相エピタキシ装置を用いた場合について説明したが、分子線エピタキシ装置を用いて結晶成長を行うこともできる。また、活性層３にＧａＡｓで構成される量子井戸を用いているが、２〜４層の多重量子井戸であっても良く、活性層幅約１００ｎｍ程度のダブルヘテロ（ＤＨ）型であっても良い。活性層３の材質は、レーザビームの発振波長に応じて決定され、Ａｌx Ｇａ1-X ＡｓやＩｎx Ｇａ1-X Ｐ等であっても良い。」 
　
（３）「【００２０】
図３は、本発明の第２の実施の形態における半導体レーザアレイを示し、図３（ａ）に示すように、レーザ発振領域（図示せず）の内側に位置するエッチ溝２２に対してレーザ発振領域（図示せず）の外側のエッチ溝２３のレーザ発振方向の長さが短い構成を有し、エッチ溝２２の長さを５００μｍ、エッチ溝２３の長さを４００μｍで形成している。また、エッチ溝２３の長さ方向の両端部には電極材料による接続部２０、２１が設けられている。
【００２１】図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’切断面を示し、エッチ溝２２，２３の内壁にはプラズマＣＶＤ法によって被着された膜厚０．１μｍのＳｉ窒化膜１３を有している。図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’切断面を示し、エッチ溝２２の両側には、陽極７と接続部（図示せず）によって接続された幅１００μｍの電極パッド１８、１９を有している。その他のＧａＡｓ基板結晶１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４，ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層キャップ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、陽極７、陰極８、埋め込みリッジ９および１０、レーザ発振領域１１、１２の構成、電極形成方法、へき開方法、および多層反射膜形成方法等については第１の実施の形態と同一であるので重複する説明を省略する。
【００２２】上記の構成によると、エッチ溝２３の周囲に接続部２０，２１を設けて陽極７に接続することにより電極パッド１８、１９の面積が拡大され、このことによって半導体レーザアレイの配線時の接続抵抗を低減することができる。また、ＳＯＧによるＳｉＯ2 保護膜の形成工程を省略できることから製造コストを低減することができる。
【００２３】本実施の形態では、エッチ溝２３の長さがエッチ溝２２のレーザ発振長の８０％の長さを有しているので、接続部２０、２１の直下のレーザ発振領域１１、１２における電流密度の変化がビーム間隔およびビーム照射方向に与える影響は無視することができる。」
  
（４）「【００２４】
図４は、本発明の第３の実施の形態における半導体レーザアレイを示し、レーザ発振領域（図示せず）の内側に位置するエッチ溝２２に対して、レーザ発振領域（図示せず）の外側のエッチ溝２３を中央部で分離して接続部２４、２５を形成している。接続部２４のエッチ溝方向の長さは１００μｍである。
【００２５】上記したように、エッチ溝２３を中央部で分離して接続部２４、２５を形成する構成としても電極パッド１８、１９の面積を拡大することができる。このことによって半導体レーザアレイの配線時の接続抵抗を低減できる。また、ＳＯＧによるＳｉＯ2 保護膜の形成工程を省略できることから製造コストを低減することができる。」 
 　 
（５）「【００２７】
上記した実施の形態では、２つのレーザ発振領域をエッチ溝によって分離した半導体レーザアレイについて説明したが、これに限定されず、２つ以上の複数のレーザ発振領域を有する半導体レーザアレイに適用することができる。」
　
（６）図１、図３及び図５から、陰極８は、２つの発光部において共通であることが理解できる。
　
（７）図４から、エッチ溝２２からみて左側にある電極パッド１８は、左側のエッチ溝２３とエッチ溝２３の間にある接続部２４を介して外側の領域へと延びており、エッチ溝２２からみて右側にある電極パッド１９は、右側のエッチ溝２３とエッチ溝２３の間にある接続部２５を介して外側の領域へと延びていることがみて取れる。
　
　
３　引用発明
（１）上記２（１）、（２）及び（６）によれば、引用刊行物には第１の実施の形態として次の発明が記載されているものと認められる。
 　
　「有機金属気相エピタキシ装置を用いてＧａＡｓ基板結晶上に積層されたｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層と、ＧａＡｓで構成される井戸幅１０ｎｍの活性層と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層と、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層キャップ層と、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層をエッチングして形成されるストライプ形成用の埋め込みリッジと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の表面にＴｉ／Ｐｉ／Ａｕの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陽極と、ＧａＡｓ基板結晶１の結晶成長面と反対の面にＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陰極と、順方向電流に基づいてレーザ発振を生じるレーザ発振領域を電気的あるいは熱的に分離するエッチ溝を有し、エッチ溝は、表面に陽極と電極パッドと接続される連結部を有しており、陰極は２つのレーザ発振領域において共通である、端面発光型の半導体レーザアレイ。」 
 　
（２）上記２（３）によれば、第２の実施の形態における半導体レーザアレイはＧａＡｓ基板結晶１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４，ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層キャップ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、陽極７、陰極８、埋め込みリッジ９および１０、レーザ発振領域１１、１２の構成、電極形成方法、へき開方法、および多層反射膜形成方法等が第１の実施の形態と同一であると認められる。
　
（３）上記２（４）によれば、第３の実施の形態における半導体レーザアレイは、第２の実施の形態における半導体レーザアレイにおいて、レーザ発振領域の外側のエッチ溝２３を中央部で分離して接続部２４，２５を形成したものと認められる。また上記２（７）によれば、第３の実施の形態における半導体レーザアレイは、エッチ溝２２からみて左側にある電極パッド１８は、左側のエッチ溝２３とエッチ溝２３の間にある接続部２４を介して外側の領域へと延びており、右側にある電極パッド１９は、右側のエッチ溝２３とエッチ溝２３の間にある接続部２５を介して外側の領域へと延びているものと認められる。
　
（４）以上を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「それぞれ有機金属気相エピタキシ装置を用いてＧａＡｓ基板結晶上に積層されたｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層と、ＧａＡｓで構成される井戸幅１０ｎｍの活性層と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層と、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層キャップ層と、およびｐ型ＧａＡｓキャップ層と、前記ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層をエッチングして形成されるストライプ形成用の埋め込みリッジと、ｐ型ＧａＡｓキャップ層の表面にＴｉ／Ｐｉ／Ａｕの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陽極と、ＧａＡｓ基板結晶の結晶成長面と反対の面にＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される陰極と、順方向電流に基づいてレーザ発振を生じるレーザ発振領域を電気的あるいは熱的に分離するエッチ溝を有しており、陰極は２つのレーザ発振領域において共通である端面発光型の半導体レーザアレイであって、
　レーザ発振領域の内側に位置するエッチ溝に対して、レーザ発振領域の外側のエッチ溝を中央部で分離して接続部を形成し、左側にある電極パッドは、左側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延びており、右側にある電極パッドは、右側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延びている、端面発光型の半導体レーザアレイ。」
　
　
４　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
 　
ア　引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層」、「活性層」、「ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層」、及び「電極パッド」は、それぞれ、本願発明の「（第１導電型を有する）第１化合物半導体層」、「（第１化合物半導体層上に形成された）活性層」、「（活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する）第２化合物半導体層」、及び「（第２電極から延在する）第２電極延在部」に相当する。
イ　引用発明の「（ＧａＡｓ基板結晶の結晶成長面と反対の面にＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される）陰極」は「ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層」に電気的に接続されているものであることが明らかであるから、引用発明の「陰極」は、本願発明の「（第１化合物半導体層に電気的に接続された）第１電極」に相当する。
ウ　引用発明の「（ｐ型ＧａＡｓキャップ層の表面にＴｉ／Ｐｉ／Ａｕの金属多層膜を電子ビーム蒸着し、４００℃のアロイ化熱処理を施して形成される）陽極」は「ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層」より上に形成されているものであるから、引用発明の「陽極」は、本願発明の「（第２化合物半導体層上に形成された）第２電極」に相当する。
エ　引用発明の「陰極は２つのレーザ発振領域において共通である」との事項と本願発明の「Ｎ個の発光部における第１電極は、Ｎ個の発光部において共通とされて」との事項とは、「複数個の発光部における電極が複数個の発光部において共通している」との点で一致する。
オ　引用発明は、「レーザ発振領域を電気的あるいは熱的に分離するエッチ溝を有して」いるから、引用発明の「（レーザ発振領域の内側に位置する）エッチ溝」は本願発明の「分離溝」に相当し、引用発明は、本願発明の「発光部と発光部との間には、発光部を相互に電気的に分離する分離溝が形成されており」との事項を備える。
カ　引用発明は、「レーザ発振領域の内側に位置するエッチ溝に対して、レーザ発振領域の外側のエッチ溝を中央部で分離して接続部を形成し、左側にある電極パッドは、左側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延びており、右側にある電極パッドは、右側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延びている」ものであるから、
（ア）引用発明の「『レーザ発振領域』の左外側の『エッチ溝』を中央部で分離して接続部を形成し」との事項と、本願発明の「第１番目の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第１の凹部が形成されており」との事項は、「左側の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第１の凹部が形成されており」との点で一致し、
（イ）引用発明の「『レーザ発振領域』の右外側の『エッチ溝』を中央部で分離して接続部を形成し」との事項と、本願発明の「第Ｎ番目の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第２の凹部が形成されており」との事項は、「右側の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第２の凹部が形成されており」との点で一致し、
（ウ）引用発明の「左側にある電極パッドは、左側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延び」との事項と、本願発明の「第１番目の発光部における第２電極延在部は、第１の凹部における一の連続部を介して第１番目の発光部の外側の第１の領域へと延びており」との事項は、「左側の発光部における第２電極延在部は、第１の凹部における一の連続部を介して左側の発光部の外側の第１の領域へと延びており」との点で一致し、
（エ）引用発明の「右側にある電極パッドは、右側のエッチ溝とエッチ溝の間にある接続部を介して外側の領域へと延び」との事項と、本願発明の「第Ｎ番目の発光部における第２電極延在部は、第２の凹部における一の連続部を介して第Ｎ番目の発光部の外側の第２の領域へと延びており」との事項は、「右側の発光部における第２電極延在部は、第２の凹部における一の連続部を介して右側の発光部の外側の第２の領域へと延びており」との点で一致する。
キ　引用発明は、「２つのレーザ発振領域」を有する「半導体レーザアレイ」であるから、引用発明の「『２つのレーザ発振領域』を有する」との事項と、本願発明の「並置されたＮ個（但し、Ｎ≧３）のストライプ状の発光部を有し」との事項とは、「並置された複数個のストライプ状の発光部を有し」との点で一致する。
ク　引用発明の「端面発光型の半導体レーザアレイ」は、本願発明の「端面発光型のマルチビーム半導体レーザ」に相当する。
　
　したがって、両者は、 
　
　「並置された複数個のストライプ状の発光部を有し、
　各発光部は、
　（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
　（Ｂ）第１化合物半導体層上に形成された活性層、
　（Ｃ）活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
　（Ｄ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
　（Ｅ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
から成り、そして、
　（Ｆ）第２電極から延在する第２電極延在部、
を備えており、
　複数個の発光部における第１電極は、複数個の発光部において共通とされており、
　発光部と発光部との間には、発光部を相互に電気的に分離する分離溝が形成されており、
　左側の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第１の凹部が形成されており、
　右側の発光部の外側には、複数の凹部、及び、凹部と凹部の間に位置する連続部から構成された第２の凹部が形成されており、
　左側の発光部における第２電極延在部は、第１の凹部における一の連続部を介して左側の発光部の外側の第１の領域へと延びており、
　右側の発光部における第２電極延在部は、第２の凹部における一の連続部を介して右側の発光部の外側の第２の領域へと延びている、
端面発光型のマルチビーム半導体レーザ。」
　
である点で一致し、次の点で相違する。　  
　
相違点
　本願発明は、並置されたストライプ状の発光部がＮ個（但し、Ｎ≧３）あり、Ｎ個の発光部における第１電極は、Ｎ個の発光部において共通とされており、第１番目の発光部の外側に第１の凹部が形成され、第Ｎ番目の発光部の外側に第２の凹部が形成され、第１番目の発光部における第２電極延在部が第１番目の発光部の外側の第１の領域へと延びており、第Ｎ番目の発光部における第２電極延在部が第Ｎ番目の発光部の外側の第２の領域へと延びており、第ｎ番目の発光部（但し、２≦ｎ≦（Ｎ−１）である）における第２電極延在部は、不連続の分離溝の間に位置する連続部、及び、第１の凹部又は第２の凹部における他の連続部を介して、第１番目又は第Ｎ番目の発光部の外側の第１の領域又は第２の領域へと延びているのに対し、引用発明は、並置されたストライプ状の発光部が２つである点。
　
　
５　判断 
（１）上記２（５）によれば、引用刊行物には、（エッチ溝によって分離した）レーザ発振領域を２つ以上とすることが記載されているところ、引用発明において、レーザ発振領域の数を３以上とするべく、２つのレーザ発振領域の間に、エッチ溝によって分離したさらに別のレーザ発振領域を設けるとともに、当該別のレーザ発振領域における電極パッド（第２電極延在部）を左又は右のレーザ発振領域の外側の領域へ延びるように形成することは、当業者が設計上適宜採り得る構成である（例えば特開２０００−２６９６０１号公報の図１にみられるとおりである。）。
　
（２）そして、引用発明が、レーザ発振領域の外側のエッチ溝を分離して接続部を形成し、かかる接続部を介して電極パッドが外側の領域へ延びているものであることに照らせば、上記（１）のエッチ溝についても同様にその一部を分離して接続部を形成し、かかる接続部を介して電極パッドが外側の領域へ延びるようにすることは、当業者が設計上適宜採り得る構成というべきである。
　
（３）ここで、上記（２）のようにエッチ溝の一部を分離して接続部を形成することは、本願発明の「不連続の分離溝の間に位置する連続部」を形成することに相当するものと認められる。
　
（４）してみれば、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることというべきである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び引用刊行物の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び引用刊行物の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。