【事件の表示】
　特願２００６−１２９６３７「電界効果トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月２２日出願公開、特開２００７−３０５６３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年５月８日の出願であって、平成２３年１月３１日に手続補正がなされ、同年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年５月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２４年２月１６日付けで審尋がなされ、同年４月２３日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年５月２０日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２３年５月２０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６に補正するとともに、明細書を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、前記基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層上に形成された絶縁膜と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を有し、
　前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である
　電界効果トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントのドーピング濃度の比は、略２：１である
　請求項１記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項３】
　前記ｐ型のドーパントのドーピング濃度は、２×１０１６ｃｍ−３以上、２×１０１９ｃｍ−３以下である
　請求項１又は請求項２記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は、Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ、ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ＜１）からなる
　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項５】
　前記ｐ型のドーパントは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇのうち一種類以上であり、
　前記ｎ型のドーパントは、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏのうち一種類以上である
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項６】
　前記絶縁膜は、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＭｇＯ，Ｓｃ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３の酸化物からなる層、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＳｉＯＮ，ＡｌＯＮの窒化物からなる層のうち一種類以上の層により構成される
　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項７】
　基板の上に、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントを濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下となるように同時にドーピングしながら前記基板と格子定数が異なる異種の材料であるｐ型の窒化物系化合物半導体層を形成するステップと、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層の上に絶縁膜を形成するステップと、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続するようにソース電極及びドレイン電極とを形成するステップと、
　前記絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと、
　を有する電界効果トランジスタの製造方法。
　　【請求項８】
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層にドーピングされたドーパントを活性化する熱処理を行うステップをさらに有する
　請求項７記載の電界効果トランジスタの製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板と、
　前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層上に形成された絶縁膜と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を有し、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さを有し、
　前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度の比が略２：１であり、
　前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である
　電界効果トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＧａＩｎＮ，ＡｌＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮの何れか一つの材料からなる
　請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項３】
　前記ｐ型のドーパントは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇのうち一種類以上であり、
　前記ｎ型のドーパントは、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏのうち一種類以上である
　請求項１または２に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項４】
　前記絶縁膜は、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＭｇＯ，Ｓｃ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３の酸化物からなる層、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＳｉＯＮ，ＡｌＯＮの窒化物からなる層のうち一種類以上の層により構成される
　請求項１から３のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
　　【請求項５】
　Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板の上に、ｐ型のドーパントとｎ型のドーパントとを、濃度比が略２：１で、濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下となるように同時にドーピングしながら、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層を０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さに形成するステップと、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層の上に絶縁膜を形成するステップと、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続するようにソース電極及びドレイン電極とを形成するステップと、
　前記絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと、
　を有する電界効果トランジスタの製造方法。
　　【請求項６】
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層にドーピングされたドーパントを活性化する熱処理を行うステップをさらに有する
　請求項５に記載の電界効果トランジスタの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）
　補正前の請求項１の「基板と、」を、補正後の請求項１の「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板と、」と補正したこと。
　
（補正事項ａ−２）
　補正前の請求項１の「前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、前記基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、」を、補正後の請求項１の「前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、」と補正したこと。
　
（補正事項ａ−３）
　補正前の請求項１の「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、」を、補正後の請求項１の「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、」と補正したこと。
　
（補正事項ａ−４）
　補正前の請求項１の「前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、」を、補正後の請求項１の「前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さを有し、」と補正したこと。
　
（補正事項ａ−５）
　補正前の請求項１の「前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」を、補正後の請求項１の「前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度の比が略２：１であり、前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」と補正したこと。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項２及び３を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正したこと。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項４の「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は、Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ、ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ＜１）からなる」を、補正後の請求項２の「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層は、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＧａＩｎＮ，ＡｌＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮの何れか一つの材料からなる」と補正したこと。
　
（補正事項ｄ）
（補正事項ｄ−１）
補正前の請求項７の「基板の上に、」を、補正後の請求項５の「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板の上に、」と補正したこと。
　
（補正事項ｄ−２）
　補正前の請求項７の「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントを濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下となるように同時にドーピングしながら」を、補正後の請求項５の「ｐ型のドーパントとｎ型のドーパントとを、濃度比が略２：１で、濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下となるように同時にドーピングしながら、」と補正したこと。
　
（補正事項ｄ−３）
　補正前の請求項７の「前記基板と格子定数が異なる異種の材料であるｐ型の窒化物系化合物半導体層を形成する」を、補正後の請求項５の「チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層を０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さに形成する」と補正したこと。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（補正事項ａ−１）
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基板」について、「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００４２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、補正事項ａ−１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項第２号」という。）に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（補正事項ａ−２）
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項１の発明特定事項である「ｐ型の窒化物系化合物半導体層」について、「前記基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなる」という事項を削除するとともに、「チャネル層となる」と限定する事項を付加する補正であるところ、前記「前記基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなる」という事項を削除する補正部分は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、補正事項ａ−２が、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ａ−２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　なお、補正事項ａ−２のうち、「チャネル層となる」と限定する事項を付加する補正部分は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとともに、当初明細書の【００３１】段落の記載に基づく補正であるから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（補正事項ａ−３）
　補正事項ａ−３は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極」について、「前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために」という事項を削除する補正であり、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、補正事項ａ−２が、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ａ−３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（補正事項ａ−４）
　補正事項ａ−４は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ｐ型の窒化物系化合物半導体層」について、「０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さを有し」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００４３】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、同法同条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（補正事項ａ−５）
　補正事項ａ−５は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ｐ型のドーパント」と「ｎ型のドーパント」の「濃度」について、「濃度の比が略２：１であり」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００２２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−５は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、同法同条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３−２）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項である「ｐ型の窒化物系化合物半導体層」の具体的な組成「Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ、ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ＜１）」を、「ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＡｌＧａＩｎＮ，ＡｌＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮの何れか一つの材料」と書き換えるものであり、実質的な補正ではない。
　
（３−３）補正事項ｄについて
（補正事項ｄ−１）
　補正事項ｄ−１は、補正前の請求項７の発明特定事項である「基板」について、「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００４２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｄ−１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（補正事項ｄ−２）
　補正事項ｄ−２は、補正前の請求項７の発明特定事項である「「ｐ型のドーパント」と「ｎ型のドーパント」を「同時にドーピング」することについて、「濃度比が略２：１で」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００２２】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｄ−２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（補正事項ｄ−３）
　補正事項ｄ−３は、補正前の請求項７の発明特定事項である「ｐ型の窒化物系化合物半導体層」について、「前記基板と格子定数が異なる異種の材料である」という事項を削除するとともに、「チャネル層となる」及び「０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さ」と限定する事項を付加する補正であるところ、前記「前記基板と格子定数が異なる異種の材料である」という事項を削除する補正部分は、補正前の請求項７に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、補正事項ｄ−３が、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｄ−３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　なお、補正事項ｄ−３のうち、「チャネル層となる」及び「０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さ」と限定する事項を付加する補正部分は、各々当初明細書の【００３１】及び【００４３】段落の記載に基づく補正であるから、これらの補正部分は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとともに、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３号に規定する要件を満たす。
　しかしながら、本件補正のうちの補正事項ａ−２、補正事項ａ−３及び補正事項ｄ−３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、補正事項ａ−２、補正事項ａ−３及び補正事項ｄ−３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に、この補正が当該要件を満たすものであるとした場合、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前である平成１６年６月１０日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−１６５３８７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし５とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである。（以下同様。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＧａＮ系電界効果トランジスタに関するものである。
「【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、本発明に係る電界効果トランジスタの一実施形態の断面図である。すなわち、半絶縁性シリコン基板１上に、例えばＧａＮから成るバッファ層２、電界効果トランジスタのチャネル層３となるアンドープＧａＮ層が形成されている。アンドープＧａＮ層（チャネル層３）の上にはアンドープＡｌＧａＮ層（電子供給層４）、ゲート電極Ｇが形成されている。そして、ソース、ドレインに相当する部分のアンドープＧａＮ層（チャネル層３）がエッチングされ、エッチングされた部分に、ｎ型不純物であるＳｉが高濃度でドーピングされてなるｎ−ＩｎＧａＮのコンタクト層６が埋め込まれ、コンタクト層６の表面にソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄが形成されている。
【００１６】
ここで、チャネルの長さＬに相当するアンドープＧａＮ層（チャネル層３）の表面にはアンドープＡｌＧａＮ層（電子供給層４）がヘテロ接合しているため、接合している部分の界面には２次元電子ガス９が発生する。そのため、２次元電子ガス9がキャリアとなってチャネル層３は導電性を示すようになる。なお、キャリアたる二次元電子ガス９の分布の範囲は、コンタクト層６が埋め込まれたエッチング部分の深さよりも浅い。また、コンタクト層６を構成する材料がＩｎＧａＮであるため、チャネル層３を構成するＧａＮよりもバンドギャップが小さく、また、コンタクト層６の導電型はｎ型であるため、２次元電子ガス９の電子と同一の導電性を示す。
【００１７】上記電界効果トランジスタは以下のようにして作成することが可能である。即ち、
１）成長室とパターニング室を有する超高真空装置を用いて、分子線エピタキシャル成長法で以下のようなエピタキシャルウェハを作製した。半絶縁性シリコン基板１上に、ジメチルヒドラジン（５×１０-5Ｔｏｒｒ）とＧａ（５×１０-7Ｔｏｒｒ）を用いて、成長温度６４０℃で５ｎｍの厚さのＧａＮバッファ層２を積層する。次いで、ＧａＮバッファ層２の上に、アンモニア（５×１０-5Ｔｏｒｒ）、Ｇａ（５×１０-7Ｔｏｒｒ）を用いて、成長温度７８０℃で
５００nmの厚さのアンドープＧａＮ層（チャネル層３）を積層する。
２）次いで、プラズマＣＶＤ装置を用いて、上記エピタキシャルウェハ上にＳｉＯ2 層５を堆積させた後、フォトリソグラフィと化学エッチングを用いてゲート部をマスクし、ソース、ドレインとなる部分に開口部を開ける（図３）。なお、エッチングの深さは、７０ｎｍとした。
【００１８】
３）次に、ソース、ドレインとなる開口部にＳｉドープのｎ−ＩｎＧａＮコンタクト層６を埋め込む（図４）。装置は、ＭＯＣＶＤ装置を用い、１×１０19〜５×１０20ｃｍ-3のドーピング濃度とし、厚さが１００ｎｍ程度となるようにした。コンタクト層６を埋め込み後、アンドープＡｌＧａＮ層（電子供給層４）上のＳｉＯ2膜５をフッ酸で除去した後、再び、全面に再び全体の表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2膜を形成した。
【００１９】
４）そしてまず、パターニングを行って、ゲート電極を形成すべき箇所のＳｉＯ2膜をマスクにして、ソース電極とドレイン電極を形成すべき箇所を開口してｎ−ＩｎＧａＮ層６の表面を表出させ、そこに、Ａｌを蒸着してソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを形成した。次いで、前記マスクを除去し、逆に、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄの上を覆い、ゲートとなる部分に開口部を設けたＳｉＯ2  マスクを形成し、Ａｕを蒸着してゲート電極Ｇを形成し、図１に示した電界効果トランジスタを製作した。
【００２０】
このＧａＮ系電界効果トランジスタの電流−電圧特性を調べたところ、ソースドレイン間の耐圧は６５０Ｖであった。ゲートバイアス電圧が＋５Ｖの時点でソースドレイン間の電流（Ｉds）は２０Ａに達した。このとき、ソース−ドレイン間に加えた電圧は０．２Ｖである。また、このＧａＮ系電界効果トランジスタのオン抵抗は耐圧６００Ｖにおいて５mΩ・cm2と非常に小さい値であった。（チップ面積は４×５ｍｍ2である。）
【００２１】
上述した本発明の実施の形態では、チャネル層３として、アンドープＧａＮ層（チャネル層３）とアンドープＡｌＧａＮ層（電子供給層４）をヘテロ接合させたものを用い、接合界面に２次元電子ガス９を発生させて導電性を示すようにしていた。しかしながら、チャネル層３はこれに限定されるものではなく、導電性を示す半導体層であれば何でも良い。
【００２２】
例えば、図５のようＭｇをドープしたキャリア濃度１×１０
16
〜１×１０
20 
 ｃｍ
-3
 のｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層をチャネル層３に用いても良い。なお、Ｍｇに代えてＢｅ、Ｃ，Ｚｎを用いても良い。この場合、ゲート電極ＧとＧａＮ半導体層（チャネル層３）の間に絶縁膜７を成膜する。絶縁膜７として例えば、ＳｉＯ
2
を用い、スパッタ法などで成膜する。絶縁膜７を成膜することにより、ゲートＧに電圧を加えたときにチャネル層３に反転層が生じ、ソース−ドレイン間を流れる電流を制御することができる。
　
　そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半絶縁性シリコン基板１上に、ＧａＮから成るバッファ層２、Ｍｇをドープしたキャリア濃度１×１０16〜１×１０20  ｃｍ-3 のｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）が形成され、ゲート電極ＧとＧａＮ半導体層（チャネル層３）の間に絶縁膜７が成膜され、ソース、ドレインに相当する部分のアンドープＧａＮ層（チャネル層３）がエッチングされ、エッチングされた部分に、ｎ型不純物であるＳｉが高濃度でドーピングされてなるｎ−ＩｎＧａＮのコンタクト層６が埋め込まれ、コンタクト層６の表面にソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄが形成されている、ＧａＮ系電界効果トランジスタ。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「半絶縁性シリコン基板１」は、補正後の発明の「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板」に相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「Ｍｇをドープした」「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」と補正後の発明の「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層」とは、「ｐ型のドーパント」「がドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層」という点で共通する。そして、刊行物発明の「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」は、「半絶縁性シリコン基板１」の上に形成されている。
　
（４−４−３）刊行物発明の「絶縁膜７」及び「ゲート電極Ｇ」は、各々補正後の発明の「絶縁膜」及び「ゲート電極」に相当する。
　
（４−４−４）刊行物発明の「ソース電極Ｓ」及び「ドレイン電極Ｄ」は、各々補正後の発明の「ソース電極」及び「ドレイン電極」に相当する。そして、補正後の発明の「ソース電極Ｓ」及び「ドレイン電極Ｄ」は、「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」に電気的に接続されていることは明らかである。
　
（４−４−５）刊行物発明の「ＧａＮ系電界効果トランジスタ」は、補正後の発明の「電界効果トランジスタ」に相当する。
　
（４−４−６）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「Ｓｉ，サファイア，ＳｉＣ，ＺｎＯの何れか一つの材料からなる基板と、
　前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントがドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層上に形成された絶縁膜と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を有する、
　電界効果トランジスタ。」である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明の「チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層」には、「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ」ているのに対し、
刊行物発明の「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」には、ｐ型のドーパントである「Ｍｇ」しかドーピングされていない点。
　
（相違点２）補正後の発明の「ｐ型の窒化物系化合物半導体層は０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さを有」するのに対し、刊行物発明では、「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」の厚みについて、特定されていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「ｐ型のドーパントと」「ｎ型のドーパントとの濃度の比が略２：１であ」るのに対し、刊行物発明では、そのような特定はなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明では、「ｐ型のドーパントと」「ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」のに対し、刊行物発明では、そのような特定はなされていない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１、３及び４について
　一般に、ｐ型窒化物半導体を形成する際に、ｐ型ドーパントと同時にｎ型ドーパントをドーピングすることにより、ｐ型ドーパントを単独でドーピングしたときよりも、キャリア濃度を増加させ、低抵抗なｐ型窒化物半導体が得られるようにすることは、以下の周知例１ないし４に記載されているように、従来から周知の技術思想である。その際、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントの濃度の比を、２：１にすることも、以下の周知例１ないし３に記載されているように、従来から周知である。
　
（周知例１）特開２００２−５０７９６号公報には、図２及び３とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＧａＮ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系化合物半導体などの、発光ダイオードやレーザダイオード、太陽電池などに用いられ得るIII-Ｖ族化合物半導体装置に関する。
「【０００６】本発明はこのよな問題を解決するためになされたもので、
ｐｎ接合を形成したデバイスにしてもｎ型層およびｐ型層のキャリア濃度を高く維持し、また、活性層に接するｎ型層やｐ型層のキャリア濃度を下げなくても、活性層への不純物の拡散を抑制することができ、低抵抗で高効率の動作をするｐｎ接合を有するIII-Ｖ族化合物半導体装置を提供することを目的とする。
「【００２０】
ｐ型層５は、ｎ型層３とは逆に、ＧａＮなどのIII-Ｖ族化合物にｐ型ドーパントのＭｇを多く、ｎ型ドーパントのＳｉを少なくドーピングすることにより形成されている。
このｐ型ドーパントの入り方も、前述のｎ型の場合と同様に、図３に示されるモデルで、ドナーとアダプタとが逆になるだけで、Ｍｇ：Ｓｉ＝（１.３〜３）：１になるようにドーピングされることが好ましい。
【００２１】このＭｇとＳｉの両方をドーピングしたｐ型層５を成長するにも、ＭＯＣＶＤ法の場合、前述のｎ型層３の場合と同様のガスを導入しながら、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）をシラン（ＳｉＨ4）より２倍以上の割合で導入することにより得られる。すなわち、ＭｇはＳｉより蒸発しやすいため、Ｍｇ：Ｓｉの割合を２：１程度にドーピングするには、ＭｇのドーパントガスをＳｉのドーパントガスの２倍より多く導入する必要がある。そして、最終的にドーピングされるＭｇとＳｉの割合は、前述のように、Ｍｇ：Ｓｉ＝（１.３〜３）：１にすることが、Ｍｇの熱拡散を防止する点および深いアクセプタが形成されるのを防止する点から好ましい。この場合は、とくにＭｇが蒸発しやすいため、アニール処理の温度を９００℃以上に上げないように注意する必要がある。」
「【００２４】
本発明によれば、ｎ型層３およびｐ型層５をそれぞれｎ型ドーパント（ドナー）またはｐ型ドーパント（アクセプタ）の単独のドーパントをドーピングするだけでなく、本来の導電型のドーパントを主としながらも反対導電型のドーパントも、主たるドーパントの半分程度同時にドーピングされている。そのため、化合物半導体中で、ドナーとアクセプタの相互の強い引力により結合して、熱や電場に対して移動し難い非常に安定した状態を維持し、ドナーまたはアクセプタとして作用する。その結果、半導体層を成長中の温度または成長後のアニール処理などによる温度上昇に対しても、相互拡散をすることなく、高い濃度のドナーおよびアクセプタを維持することができ、低抵抗の半導体層を実現することができる。
ｐ型層に関しても、従来１０
18
ｃｍ
-3
程度が限界であったのが、２〜３×１０
20
ｃｍ
-3
程度のキャリア濃度が得られた。
　
（周知例２）特開平１０−１０１４９６号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、青色レーザ，青色発光素子等の材料として有用な低抵抗のｐ型ＧａＮ結晶を製造する方法に関する。
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法では、ＧａＮの結晶成長中にＭｇ単独をドーピングしているため、１０
18
ｃｍ
-3
程度しかドーピングできなかった。更にＭｇをドーピングしようとしても、補償機構によってキャリア濃度をこれ以上増やすことはできなかった。
本発明は、このような問題を解消すべく案出されたものであり、ｎ型ドーパントであるＳｉやＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又はＢｅを同時にドーピングすることにより、１０
19
〜１０
20
ｃｍ
-3
の高濃度にドーピングした低抵抗のＧａＮ単結晶作製を目的とする。
「【０００５】
【作用】
ｎ型ドーパントであるＳｉ又はＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又はＢｅを１：２の割合で同時にドーピングするとき、Ｇａ位置を置換したＳｉ又はＮ位置を置換したＯに起因するドナー（Ｓｉ
-
Ga
 又はＯ
-
N
）とＧａ位置を置換したＭｇ又はＢｅに起因するアクセプター（Ｍｇ
+
Ga
 又はＢｅ
+
Ga
 ）が対を作り、静電エネルギー（＋ｅと−ｅの対）による安定化が発生する。この静電エネルギーにより、更に付け加えてドープしたＭｇ又はＢｅがより安定化する。その結果、Ｍｇ又はＢｅ単独では１０
18
ｃｍ
-3
程度しかドーピングできないＧａＮに対し、１０
19
〜１０
20
ｃｍ
-3
の高濃度にｐ型キャリア（正孔）をドーピングすることができる。
　
（周知例３）特開１０−１５４８２９号公報には、図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＥＤ、ＬＤ等の発光デバイス、太陽電池、光センサー等の受光デバイスに応用される窒化物半導体素子を構成するｐ型窒化物半導体（Ｉｎ
X
Ａｌ
Y
Ｇａ
1-X-Y
Ｎ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の成長方法とその方法を用いた窒化物半導体素子に関する。
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、
アニーリングによりｐ型層が得られたといっても、そのキャリア濃度は１×１０
18
／cm
3
以下にしか過ぎず、さらにキャリア濃度の高いｐ型層が求められている。
「【００１７】
図２はＯとＭｇをドープして、アニーリングにより低抵抗なｐ型としたｐ型窒化物半導体層のＯ濃度と正孔キャリア濃度との関係を示す図である。
【００１８】
図２に示すように、ｐ型ＧａＮは、Ｍｇを１×１０
20
／cm
3
もドープしているにもかかわらず、キャリア濃度は３×１０
17
／cm
3
しか過ぎない。これは正常なアクセプターとして作用しているｐ型不純物が如何に少ないかを示している。しかしながら、Ｏを１×１０
17
／cm
3
付近（Ｍｇに対して０．１％）以上ドープすることにより、キャリア濃度が２桁も上がり、５×１０
18
／cm
3
〜８×１０
19
／cm
3
付近でほぼ一定となる。
ｐ型不純物に対するＯの好ましいドープ量は、０．１％以上で、ｐ不純物量を超えない範囲が望ましく、さらに好ましくは０．５％以上、最も好ましくは５％以上、８０％以下である。
「【００３３】
【発明の効果】
本発明ではｐ型不純物に加えて、酸素をドープしていることにより、本質的に活性層に注入される正孔の数が増え、発光効率が向上することはもちろんのこと、ｐ層のキャリア濃度が増加するので、ｐ層と好ましいオーミックが得られる。
　
（周知例４）特開２０００−２２３７４１号公報には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体を用いた青色／紫外発光素子に関し、特に高濃度ホール濃度を得ることにより、優れた発光特性並びに電気的特性を有する発光素子に関する。
「【００１６】窒化ガリウム系化合物半導体では、結晶成長時の窒素平衝蒸気圧が高いため、窒素空格子が形成され易い。その量は凡そ１×１０17／ｃｍ3〜１×１０20／ｃｍ3と言われ、特定の不純物を添加しなければ一般的にｎ型伝導を呈する。この窒素空格子の生成数を極力低減するには、窒素源とするＮＨ4の蒸気圧を制御して平衝蒸気圧とすることが必要であり、通常この手段が採られている。このような性質を有する成長層の伝導型をｐ型に変換するには、アクセプタとなる不純物を添加してドナーを補償すればよいが、結晶成長雰囲気から成長層中にドープされるアクセプタ用原子はその周囲に存在するＨ+と結合して、ドーパントの活性化を阻害する。またアクセプタ（Ａ+）が電気的に単独で存在すると、静電エネルギーは不安定であり、アクセプタは変位や複合物の形成により自由エネルギーの最小化に向かい、補償効果が現れてくる。これによりアクセプタ濃度が増大することが妨げられる。しかし
、本発明ではｐ型Ｇａ
1-z
Ａｌ
z
Ｎ層６、Ｐ型ＧａＮ層７へのドーピングにおいて、ＴＭＧとＴＭＡとアンモニアあるいはＴＭＧとアンモニアとの原料ガスにドーパントガスとして、例えば、Ｃｐ
2
Ｍｇ（シクロペンタジェニルマグネシュウム）とＳｉＨ
4
（シラン）とを流量比で凡そ３：１の割合で供給することによって、ｐ型伝導層のキャリヤー濃度を６×１０
20
／ｃｍ
3
まで制御することが容易となった。
ｐ型導電層の導電率を高める効果をもった。
　
　したがって、刊行物発明において、「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」を形成する際に、このような周知の技術思想を適用することにより、補正後の発明のように、「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、チャネル層となるｐ型の窒化物系化合物半導体層」という構成とし、さらに、「前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度の比が略２：１であ」る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　ところで、不純物がドーピングされた半導体材料の電気的特性は、キャリア濃度によって決まるものであり、このキャリア濃度は、ドーピングされたドーパントの濃度（ｐ型にドーパントとｎ型のドーパントが同時にドーピングされた場合は、それらの差）と各ドーパントの活性率、熱処理温度などの活性化条件によって決まることは、当業者にとって技術常識ともいえることである。しかしながら、補正後の発明には、「ｐ型のドーパントと」「ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」としか記載されておらず、このような限定のみでは、本願明細書の【００４１】段落に記載された、「電界効果トランジスタ１がオンするためのしきい値電圧Ｖthを低く設定できるようになる。」、「界面準位の低減により余分なしきい値電圧のシフトを抑制できる。」という効果が得られるとはいえない。また仮に、不純物がドーピングされた半導体材料の電気的特性が、ドーピングされたドーパントの濃度（ｐ型にドーパントとｎ型のドーパントが同時にドーピングされた場合は、それらの差）によって決定づけられるものであったとしても、本願明細書の【発明を実施するための最良の形態】には、
「【００４１】
　窒化物系化合物半導体層３にドーピングされたｐ型のドーパントとｎ型のドーパントのドーピング濃度の差は、１×１０１５ｃｍ-3〜１×１０１７ｃｍ-3であることが望ましい。このような範囲に設定することにより、電界効果トランジスタ１がオンするためのしきい値電圧Ｖthを低く設定できるようになる。また、界面準位の低減により余分なしきい値電圧のシフトを抑制できる。」と記載されているのみで、このような数値範囲を採用することにより、従来と比べてどの程度「しきい値電圧Ｖthを低く設定でき」、「界面準位の低減により余分なしきい値電圧のシフトを抑制でき」たのかを裏付ける具体的な実験結果が記載されておらず、上記数値範囲に臨界的意義を認めることはできず、どの程度の数値範囲にするかということは、当業者が適宜設定し得る、単なる設計的事項にすぎない。そして、「ｐ型のドーパントと」「ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下」という数値範囲も、半導体デバイスにおいて、通常行われるドーピング量からすれば、通常とりうる数値範囲にすぎない。
　そうすると、刊行物発明においても、補正後の発明のように「前記ｐ型のドーパントと前記ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点１、３及び４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２について
　本願明細書の【発明を実施するための最良の形態】には、
「【００４３】
　ｐ型の窒化物系化合物半導体層３の厚さは、０．１〜５μｍの範囲であることが望ましい。０．１μｍ以下の場合では、ｐ型のドーパントの濃度が１×１０１７ｃｍ-3以下の場合、表面および基板側から空間電荷層がのびてしまい、所望のキャリア濃度を得るのが困難である。また、０．１μｍ以下の場合では、基板２とｐ型の窒化物系化合物半導体層３の格子定数に差があることによる結晶欠陥の影響が出にくく、本発明の効果が現れにくい。５μｍ以上の場合では、基板２とｐ型の窒化物系化合物半導体層３の格子定数に差があることによる結晶欠陥の影響が顕著になり、本発明の効果がやはり現れにくい。」と記載されているのみで、このような数値範囲をはずれた場合との比較により、具体的にどの程度の効果があるのかを裏付ける実験結果が記載されておらず、上記数値範囲に臨界的意義を認めることはできず、どの程度の数値範囲にするかということは、当業者が適宜設定し得る、単なる設計的事項にすぎない。そして、引用刊行物の図１ないし４及び関連する記載には、ＨＥＭＴではあるが、チャネル層３となるアンドープＧａＮ層を、半絶縁シリコン基板１上に５００ｎｍ積層することが記載されており、図５に記載されたＭＯＳＦＥＴ（刊行物発明）のチャネル層３の厚さを、「０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さ」にすることも、通常取りうる数値範囲にすぎない。
　そうすると、刊行物発明においても、補正後の発明のように「ｐ型の窒化物系化合物半導体層は０．１μｍより大きく、５．０μｍより小さい厚さを有」する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも周知技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであり、また、仮に、そのような違反がなく、本件補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２３年５月２０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２３年１月３１日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３）に記載したとおりの事項及び発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
５．対比
（５−１）刊行物発明の「半絶縁性シリコン基板１」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「Ｍｇをドープした」「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」が、「半絶縁性シリコン基板１」と格子定数が異なり、「半絶縁性シリコン基板１」とは異種の材料であることは明らかである。したがって、刊行物発明の「Ｍｇをドープした」「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」と本願発明の「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ、」「基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなるｐ型の窒化物系化合物半導体層」とは、「ｐ型のドーパント」「がドーピングされ、」「基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなるｐ型の窒化物系化合物半導体層」という点で共通する。また、刊行物発明の「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」は、「半絶縁性シリコン基板１」の上に形成されているといえる。
　
（５−３）刊行物発明の「絶縁膜７」及び「ゲート電極Ｇ」は、各々本願発明の「絶縁膜」及び「ゲート電極」に相当する。
　
（５−４）刊行物発明の「ソース電極Ｓ」及び「ドレイン電極Ｄ」は、各々本願発明の「ソース電極」及び「ドレイン電極」に相当する。そして、刊行物発明の「ソース電極Ｓ」及び「ドレイン電極Ｄ」は、「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」をチャネル層とするために、「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」に電気的に接続されていることは明らかである。
　
（５−５）刊行物発明の「ＧａＮ系電界効果トランジスタ」は、本願発明の「電界効果トランジスタ」に相当する。
　
（５−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「基板と、
　前記基板の上に形成され、ｐ型のドーパントがドーピングされ、前記基板と格子定数が異なり前記基板と異種の材料からなるｐ型の窒化物系化合物半導体層と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層上に形成された絶縁膜と、
　前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層をチャネル層とするために前記ｐ型の窒化物系化合物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を有する、　
　電界効果トランジスタ。」である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点５）
本願発明の「ｐ型の窒化物系化合物半導体層」には、「ｐ型のドーパントとともにｎ型のドーパントがドーピングされ」ているのに対し、刊行物発明の「ｐ型の導電性を示すＧａＮ半導体層（チャネル層３）」には、ｐ型のドーパントである「Ｍｇ」しかドーピングされていない点。
　
（相違点６）本願発明では、「ｐ型のドーパントと」「ｎ型のドーパントとの濃度差が１×１０１５ｃｍ−３以上、１×１０１７ｃｍ−３以下である」のに対し、刊行物発明では、そのような特定はなされていない点。
　
６．判断
（６−１）相違点５および６について
　相違点５及び相違点６は、各々補正後の発明と刊行物発明との相違点である上記相違点１及び４と同じであるから、上記（４−５−１）において検討したとおり、相違点５及び６は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−２）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、周知技術等を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。