【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内の、複数の造形を含んでいるパターンを定義する、フォトリソグラフィ・マスクに関するコンピューター読み取り可能な定義を製作する方法において、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階と、  前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、更に、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階と、
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記切断エリアを識別する段階は、
ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階と、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階と、
前記切断エリアを、前記一式の造形内の２つの造形の間、又は一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階と、を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記割り当てる段階は、費用関数を適用して、前記切断エリアの中の選択されたエリアを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記割り当てる段階は、前記パターンの特性に基づいて前記切断エリアを格付けする段階と、前記格付けに基づいて前記切断エリアの中の選択されたエリアを決定する段階とを含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンがＬ字型造形を含んでいることであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンがＴ字型造形を含んでいることであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記切断エリアを識別する段階に用いられる前記パターンの特性は、前記パターンが特定の寸法より大きい多角形を含んでいることであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記切断エリアを識別する段階は、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる造形にフラグを立てる傾向にあるシミュレーション基準に基づいて、シミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記切断エリアを識別する段階は、ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる造形にフラグを立てる傾向にある過剰露光状態のシミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記切断エリアを識別する段階は、クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる前記パターン内の造形の間のフィールドにフラグを立てる傾向にあるシミュレーション基準に基づいて、シミュレーションを使って前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記切断エリアを識別する段階は、クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる前記パターン内の造形の間のフィールドにフラグを立てる傾向にある露光不足状態のシミュレーションを使って、前記識別を行うためのパラメーターを決定する段階を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記位相シフト値を割り当てる段階は、θ度の位相シフトを誘起する第１セットの位相シフトウインドウと、φ度の位相シフトを誘起する第２セットの位相シフトウインドウとを画定する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記φは、略θ＋１８０度に等しいことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
データ処理システムにおいて、
プロセッサと、
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクをレイアウトするためのステップを定義する、前記プロセッサが実行可能な指令を記憶している、前記プロセッサに連結された機械読み取り可能データ記憶媒体と、を備えており、前記ステップは、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階と、  前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、更に、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階と、
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階と、から成ることを特徴とするデータ処理システム。
【請求項１５】
前記切断エリアを識別する段階は、
ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階と、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階と、
前記切断エリアを、前記一式の造形内の２つの造形の間、又は一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階と、を含んでいることを特徴とする、請求項１４に記載のデータ処理システム。
【請求項１６】
製造物品において、
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクをレイアウトするためのステップを定義する、データ処理システムが実行可能な指令を記憶している、機械読み取り可能データ記憶媒体を備えており、前記ステップは、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階と、  前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、更に、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階と、
前記レイアウトと前記割り当ての結果を、コンピューター読み取り可能媒体内に記憶する段階と、から成ることを特徴とする物品。
【請求項１７】
前記切断エリアを識別する段階は、
ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階と、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階と、
前記切断エリアを、前記一式の造形内の２つの造形の間、又は一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階と、から成ることを特徴とする、請求項１６に記載の物品。
【請求項１８】
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するためのフォトリソグラフィ・マスクであって、前記層は前記パターンの外側にフィールドを含んでいるフォトリソグラフィ・マスクにおいて、
基板と、
前記基板上のマスク材料の層と、を備えており、
前記マスク層は、位相シフト領域及びフィールドと、前記位相シフト領域内の複数の位相シフトウインドウとを含んでおり、前記複数の位相シフトウインドウは、前記位相シフトウインドウの間に位相遷移を作り出して前記パターンを形成する位相シフト値を特徴としており、前記位相シフトウインドウの境界は、前記パターンの特性に基づいて画定される切断エリア内にあることを特徴とするマスク。
【請求項１９】
前記複数の造形内の一式の造形はノンクリティカル処理寛容度を特徴とし、前記複数の造形内の造形の間の一式のクリティカルフィールドはクリティカル処理寛容度を特徴とし、
前記切断エリアは、前記一式の造形内の２つの造形の間か、又は、前記一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールド内のフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアを含んでいることを特徴とする、請求項１８に記載のマスク。
【請求項２０】
フォトリソグラフィ・マスクを使って形成される層内に複数の造形を含むパターンを画定するフォトリソグラフィ・マスクを製作するための方法において、
前記パターンの特性に基づいて位相シフト領域に関して切断エリアを識別する段階と、  前記位相シフト領域内の位相シフトウインドウに位相値を割り当てる段階であって、更に、前記切断エリアの中の選択されたエリア内の前記位相シフト領域を切断して、前記位相シフトウインドウを画定する段階を含んでいる位相値を割り当てる段階と、
前記レイアウトと前記割り当ての結果を適用して、マスク層を基板上へ形成する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記切断エリアを識別する段階は、
ノンクリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形を識別して、一式の造形を画定する段階と、
クリティカル処理寛容度によって特徴付けられる複数の造形内の造形の間のフィールドを識別して、一式のクリティカルフィールドを画定する段階と、
前記切断エリアを、前記一式の造形内の２つの造形の間、又は前記一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアとして画定する段階と、を含んでいることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
集積回路内に複数の造形を含むパターンを有する材料の層を製作するための方法において、
フォトリソグラフィ・マスクを使用して前記材料の層を画定する段階から成り、
前記マスクは、基板と、前記基板上のマスク材料の層とを備えており、前記マスク層は、位相シフト領域及びフィールドと、前記位相シフト領域内の複数の位相シフトウインドウとを含んでおり、前記複数の位相シフトウインドウは、前記位相シフトウインドウの間に位相遷移を作り出して前記パターンを形成する位相シフト値を特徴としており、前記位相シフトウインドウの境界は、前記パターンの特性に基づいて画定される切断エリア内にあることを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記複数の造形内の一式の造形はノンクリティカル処理寛容度を特徴とし、前記複数の造形内の造形の間の一式のクリティカルフィールドはクリティカル処理寛容度を特徴とし、
前記切断エリアは、前記一式の造形内の２つの造形の間か、又は、前記一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールド内のフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアを含んでいることを特徴とする、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
フォトリソグラフィ・マスクを使用して、集積回路上に材料の層を画定する段階から成るプロセスによって製作される集積回路において、
前記マスクは、基板と、前記基板上のマスク材料の層とを備えており、前記マスク層は、位相シフト領域及びフィールドと、前記位相シフト領域内の複数の位相シフトウインドウとを含んでおり、前記複数の位相シフトウインドウは、前記位相シフトウインドウの間に位相遷移を作り出して前記パターンを形成する位相シフト値を特徴としており、前記位相シフトウインドウの境界は、前記パターンの特性に従って位相シフト値を割り当てる前に画定される切断エリア内にあることを特徴とする集積回路。
【請求項２５】
前記複数の造形内の一式の造形はノンクリティカル処理寛容度を特徴とし、前記複数の造形内の造形の間の一式のクリティカルフィールドはクリティカル処理寛容度を特徴とし、
前記切断エリアは、前記一式の造形内の２つの造形の間か、又は、前記一式の造形内の１つの造形と前記位相シフト領域の外側の１つのフィールドとの間に、前記一式のクリティカルフィールド内のフィールドと交差することなく延在する前記位相シフト領域内のエリアを含んでいることを特徴とする、請求項２４に記載の集積回路。
【請求項２６】
高密度な小寸法造形のセットによって特徴付けられるパターン化された材料の層を有する集積回路において、前記小寸法造形は、交互位相シフトマスキングを使って画定され、他の小寸法造形と密に近接して配置されることを特徴とする集積回路。
【請求項２７】
集積回路の層の位相シフト表示を作成する方法において、
位相シフト表示を使って画定するために、集積回路の第１層表示の複数の構造を選択する段階と、
前記複数の構造を画定するのに使用するために、前記位相シフト表示の複数の位相シフト領域を画定する段階と、
前記複数の位相シフト領域内の１つの位相シフト領域が位相シフトウインドウに分割できる位置を示している、前記複数の位相シフト領域内の複数の切断エリアを識別する段階と、
前記複数の切断エリアを格付けする段階と、
位相競合を解決するために、前記複数の切断エリアと前記格付けを選択的に利用することにより、前記位相シフト表示内の位相シフトウインドウを識別して位相値を割り当てる段階と、
前記位相シフト領域と組み合わせて使用するために、前記第１層表示の第２表示を作成する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【請求項２８】
集積回路の層の位相シフト表示内の複数の位相シフト領域に位相を割り当てるためのコンピュータープログラムを備えている、搬送波上に具現化されている電磁波形において、  前記コンピュータープログラムは、更に、
前記複数の位相シフト領域内の１つの位相シフト領域を位相シフトウインドウに分割できる位置を特定している、前記位相シフト表示内の複数の切断エリアを識別するための第１の一式の指令と、
前記複数の切断エリアを格付けするための第２の一式の指令と、
位相競合を解決するために、前記複数の切断エリア内の切断エリアと、前記複数の切断エリアの格付けとを選択的に利用することにより、前記位相シフト表示内の位相シフトウインドウのそれぞれを識別して位相値を割り当てるための第３の一式の指令と、を備えていることを特徴とする電磁波形。