【事件の表示】
　特願２００１−２８９８８７「研磨用スラリー」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　４日出願公開、特開２００３−１００６７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本件発明
　本願は平成１３年９月２１日の出願であって、同２３年４月６日付拒絶理由通知に対して同２３年５月２５日に意見書が提出されたものの、同２３年６月２４日付で拒絶査定がなされたものである。本件審判は該査定の取消を求めて平成２３年１０月３日に請求されたものであり、当審による同２４年３月１日付拒絶理由通知に対して同２４年４月２５日に意見書と手続補正書が提出されている。
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２４年４月２５日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「非真球状コロイダルシリカと、研磨促進剤と、絶縁膜研磨抑制剤と、を含有するタングステン研磨用の研磨用スラリー。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．当審が通知した拒絶理由の概要
　当審が平成２４年３月１日付で通知した拒絶理由は、概略、本願の請求項１ないし５に係る発明が、本願の出願日前に頒布された以下の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　刊行物１：特開平１１−６０２３２号公報
　　刊行物２：特開平１１−２１４３３８号公報
　　刊行物３：国際公開第９９／６４５２７号明細書
　　刊行物４：特表２００１−５００１８８号公報
　　刊行物５：特表平８−５１０４３７号公報
　　刊行物６：特開２０００−１２９２４３号公報
　
３．刊行物に記載された発明または事項
　上記刊行物１，４には、以下の記載が認められる。
　
3.1　刊行物１
ａ．（特許請求の範囲、請求項１）
「【請求項１】　ケイ酸メチル又はケイ酸メチルとメタノ−ルとの混合物を水、メタノ−ル及びアンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩からなる混合溶媒中に攪拌下に１０〜４０分間で滴下し、ケイ酸メチルと水とを反応させて１０〜２００ｎｍの短径と１．４〜２．２の長径／短径比を有するコロイダルシリカを生成することを特徴とする繭型コロイダルシリカの製造方法。」
ｂ．（発明の詳細な説明、段落１，２）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、繭型コロイダルシリカの製造方法に関し、特に、半導体の製造工程で使用されるシリコンウエハ−の最終研磨工程、及び半導体集積回路の製造工程における金属膜の平坦化などの鏡面状に磨き上げるのに好適である研磨剤として有用な繭型コロイダルシリカの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造には、鏡面状に研磨されたウェハ−が用いられているが、このウェハ−製造の仕上げ工程である最終研磨に使用される研磨材料としては、コロイダルシリカにアンモニア、アルカリ金属等の研磨促進剤と界面活性効果のある湿潤剤を含有する水系組成物が使用されている。（以下省略）」
ｃ．（同、段落１６）
「【００１６】シリコンウェハ−または半導体素子の金属膜などの研磨では、研磨速度、研磨面の傷の有無とヘイズの善悪などの研磨特性があり、一般に粒子が大きいものは研磨速度が上がる反面傷とヘイズ特性が悪化し、粒子の小さいものはその逆の特性を示す。コロイダルシリカの場合では、シリコンウェハ−の最終研磨では１０〜６０ｎｍの短径の粒子が、また半導体素子の平坦化目的の研磨では２０〜２００ｎｍの短径粒子が使用されている。」
ｄ．（同、段落２４）
「【００２４】
【発明の効果】
　以上詳細に説明した通り、本発明の繭型コロイダルシリカの製造方法によれば、ケイ酸メチルと水との反応時間を規制することにより、短径が１０〜２００ｎｍで長径／短径比が１．４〜２．２の繭型コロイダルシリカを得ることができる。このようなコロイダルシリカは、研磨速度が著しく向上し、かつウエハ表面を汚染する心配がなく、研磨ダメージの少ない、シリコンウエハなどの研磨砥粒として他に類を見ない高性能を発揮することができる。」
　
　上記において、「１．４〜２．２の長径／短径比を有するコロイダルシリカ」が、「非真球状コロイダルシリカ」であることは自明である。また、摘記事項ｂからは、コロイダルシリカが水系組成物、すなわちスラリーに含有されることが理解される。
　そこで、技術常識を勘案しつつ上記摘記事項を整理すると、刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。
「非真球状コロイダルシリカからなる研磨剤と、研磨促進剤とを含有する、半導体集積回路の金属膜の平坦化に用いる研磨用スラリー。」「以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　
3.2　刊行物４
ａ．（要約）
「チタニウム含有基板のケミカル−メカニカル−ポリッシングに有用な水性スラリーを提供する。この水性スラリーは、水、サブミクロン研磨粒子、酸化剤、および、モノ−、ジ−、またはトリ−置換フェノールであってその置換作用基の少なくとも一つが極性を有するものから成る。合成物には、シリカの除去速度を抑制する化合物を適宜含むものとすることができる。このスラリーは、さらにタングステン、アルミニウムまたは銅を含有する基板に有用である。」
ｂ．（公報第５ページ第２４行〜第６ページ第６行）
「金属とチタニウムを含む複合物のケミカル−メカニカル−ポリッシングに使用される研磨スラリーに、モノ−、ジ−、またはトリ−置換フェノール化合物であってその置換作用基の少なくとも一つが極性を有するものを添加すると、その複合物におけるチタニウム及びその他の金属に対する高い除去速度が得られることが見出された。このような複合物に一般に見られる他の金属は、タングステン、アルミニウムまたは銅である。この発明はこれら金属のいずれを含む複合物にも応用することができる。
　本願発明の合成物中のサブミクロン研磨粒子は、アルミナ、シリカ、セリア及びジルコニア等のケミカル−メカニカル−ポリッシングに使用される酸化物のいずれかから成るものとしてもよい。」
ｃ．（同第７ページ第６〜９行）
「複合物におけるチタニウムおよび他の金属に対し高い除去速度を示すモノ−、ジ−、またはトリ−置換フェノール化合物は、米国特許第5,391,258号及び米国特許第5,476,606号で記載されているシリカの除去速度を抑制する化合物であってもよい。」
　
　摘記事項ｂからは、「モノ−、ジ−、またはトリ−置換フェノールであってその置換作用基の少なくとも一つが極性を有するもの」が「研磨促進剤」であることが理解される。また、基板の「シリカ」が「絶縁膜」をなすものであることは当業者間の常識である。
　そこで、上記摘記事項を整理すると、刊行物４には次の事項が記載されていると認められる。
「シリカからなるサブミクロン研磨粒子と、研磨促進剤と、絶縁膜研磨抑制化合物と、を含有するタングステン研磨用の研磨用スラリー。」（以下、「刊行物４記載の事項」という。）
　
　なお、請求人は平成２４年４月２５日付意見書において、「刊行物４には、チタニウム含有基板のＣＭＰ用のスラリーが記載されております。また、スラリーが、サブミクロン研磨粒子と、酸化剤としてのヨウ素酸カリウムとを含むことが記載されています。また、好ましいサブミクロン研磨粒子として、アルミナが挙げられています。」、「刊行物４および５には、確かに、研磨粒子として、アルミナの他、シリカ等のケミカル−メカニカル−ポリッシングに使用される酸化物のいずれかを使用してもよい、と明細書中には記載されています。しかしながら、実施例において実際にタングステンの研磨にはアルミナ砥粒（サブミクロンアルミナ）を使用することが記載されています。」と主張しているが、刊行物４にはチタニウムを研磨対象物とし、アルミナを砥粒とする組合せが好ましい例として挙げられているものの、研磨対象物にはタングステンも含まれ、砥粒にはシリカも含まれることから、タングステンを研磨対象物とし、シリカを砥粒とする組合せも記載されているというべきであるため、上記のとおり認定した。
　
４．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は以下の点で一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「非真球状コロイダルシリカと、研磨促進剤と、を含有する研磨用スラリー。」である点。
＜相違点１＞
　研磨用スラリーが、前者では絶縁膜研磨抑制剤を含有するのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点２＞
　研磨用スラリーが、前者ではタングステン研磨用であるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
　
５．当審の判断
　次いで、上記相違点について検討する。
　
5.1　＜相違点１＞について
　刊行物４には、3.2で述べたように「シリカからなるサブミクロン研磨粒子と、研磨促進剤と、絶縁膜研磨抑制化合物と、を含有するタングステン研磨用の研磨用スラリー。」が記載されている。
　刊行物４記載の事項は刊行物１記載の発明と同様に半導体素子研磨用のスラリーに関し、導体、バリア層、絶縁膜の三者が同一平面に研磨されるようにそれぞれの研磨レートを調整するという課題も共通するから、刊行物４記載の事項を刊行物１記載の発明に適用し、非真球状コロイダルシリカと研磨促進剤に加えて、絶縁膜研磨抑制剤を含有する研磨用スラリーとすることは、当業者が容易に想到し得る。
　
5.2　＜相違点２＞について
　刊行物４には、研磨粒子と研磨促進剤と絶縁膜研磨抑制剤とを含有する研磨用スラリーをタングステンの研磨に使用することも記載されているから、刊行物１記載の発明に刊行物４記載の事項を適用した研磨用スラリーをタングステン研磨用とすることも、当業者が容易に想到し得るものである。
　
　なお、請求人は平成２４年４月２５日付意見書において、タングステンの研磨においては、砥粒としてはアルミナ系砥粒を用いられることが一般的であります。」、「このことは刊行物４乃至６の記載からも裏付けられます。」、「このように、タングステン研磨にはアルミナ系砥粒が適していることは当業者にとっては技術常識でありますが、タングステン研磨用スラリー用の砥粒として、わざわざアルミナ系砥粒に代えてコロイダルシリカを用いることについて、各刊行物中にはなんら示唆となる記載はありません。」、「つまり、刊行物１および２には、非真球状コロイダルシリカをシリコンの研磨に用いることが記載されています。」、「かかる刊行物１および２を見た当業者が、シリコンよりも硬いテングステンの研磨レートを向上させようとした場合に、わざわざ、やわらかいシリコンの研磨に適しているコロイダルシリカを、タングステン研磨スラリーに採用するとは通常考え付かないことであります。」、「以上より、各刊行物の記載から、前記のような相違点を採用することについては到底動機付けられません。」と主張している。しかしながら、3.2なお書きで述べたように刊行物４にはタングステンをシリカ砥粒で研磨することも記載されているというべきであり、この記載に接した当業者はタングステンを研磨対象物とし、シリカを砥粒とする組合せによる研磨を試行するであろうことが予測されるから、該主張を採用することはできない。
　
5.3　本件発明の作用効果について
　請求人は平成２４年４月２５日付意見書において、「また、本願発明からは、各引用発明からみて予測できない顕著な効果が生じます。」、「本願発明は、コロイダルシリカを用いたタングステン研磨用の研磨用スラリーにおいて、研磨面の傷やヘイズを抑制しつつ、高い研磨レートが得られます。」、「かかる本願発明の効果は、硬度の高いタングステンの研磨レートが４５００オングストローム／ｍｉｎという極めて高い研磨レートが得られ、且つ、研磨表面に傷がないという実施例の結果として、本願明細書中に記載されております（明細書段落番号（００３８））。」、「一方、タングステンの研磨レートが記載されている刊行物４および５においては、研磨レートのみ示されているだけであって、研磨表面の傷の有無についてはなんら示されておりません。」と主張している。
　しかしながら、刊行物１には摘記事項ｄに示されるように、非真球状コロイダルシリカを研磨剤とすることによって、高い研磨速度を得つつ、研磨ダメージを少なく抑えられることが記載されているから、請求人が主張する、ヘイズを抑制しつつ高い研磨レートが得られるという効果は、刊行物１記載の発明からも予測し得る程度のものであって、格別のものということはできない。
　したがって、本件発明は刊行物１記載の発明、及び刊行物４記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１にかかる発明は刊行物１記載の発明、及び刊行物４記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、請求項２ないし５にかかる発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
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