【事件の表示】
　特願２００１−５１７４０７「プラズマリアクターにおけるダイヤモンドがコーティングされたパーツ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２２日国際公開、ＷＯ０１／１３４０４、平成１５年　４月　８日国内公表、特表２００３−５１３４３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２０００年８月１５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理１９９９年８月１６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年８月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１１月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２３年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、同年５月２０日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、手続補正書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年５月２０日付け手続補正についての補正の却下の決定
＜結論＞
　平成２３年５月２０日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
＜理由＞
１．補正の内容、目的について
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１２−１５、１７を削除して、請求項１６、１８−２１を請求項１２−１６とするとともに、請求項１において真空チャンバが「ハロゲンベースの化学作用を得るための」ものであること、請求項８においてエッチングが「ハロゲンベースの化学作用で」行われること、請求項１２においてエッチングガスが「ハロゲンを含む」ことをそれぞれ限定するものであり、請求項の削除、および特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２．独立特許要件について
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを検討する。
（１）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「基板をエッチングするためのプラズマリアクターであって、
　真空チャンバ内に形成されたプラズマでエッチングするために、基板が挿入される、ハロゲンベースの化学作用を得るための真空チャンバ、および
　誘電体バルクベース、および前記真空チャンバの内部で前記プラズマに面する前記バルクベースの側にダイヤモンドコーティングを有する前記チャンバの真空壁、
を有し、
前記ベースは、アルミナ、シリコンカーバイド、およびシリコンナイトライドからなる群から選ばれる材料を含むことを特徴とするプラズマリアクター。」（以下、「本願補正発明」という。）　
　
（２）引用刊行物の記載事項
　本願の優先権主張日前に頒布された、刊行物１（特開平１０−９６０８２号公報：原査定の拒絶の理由に引用）、刊行物２（特開平１０−２５１８７１号公報：原審の拒絶理由通知に引用）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
・刊行物１（特開平１０−９６０８２号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板を処理するための基板処理装置であって、
処理チャンバを画成し、少なくとも一部が炭素ベース被膜で覆われている内面を有するハウジングと、
前記ハウジング内に配置された、処理中に前記基板を保持する基板ホルダと、を備える基板処理装置。
【請求項２】前記炭素ベース被膜はダイヤモンド被膜を備える請求項１に記載の基板処理装置。
……」（第２頁第１欄第１行−第９行）
　
（１ｂ）「【０００２】
【従来の技術】基板処理では、周囲環境中の化学種からの汚染や、微粒子が原因となる欠陥を避けるために、環境を十分に制御することが求められている。従って、基板処理工程は処理チャンバの制御された環境下で行われる。これらの工程には、堆積、エッチング、スパッタリング、拡散等の過程が含まれている。……
【０００３】基板処理中に用いられるガスの中には、特に侵食性があり、処理チャンバの内面から材料をエッチングしやすいものがある。よって、反応物質にさらされる構成部材がエッチング対象になるということが、基板処理システムのユーザが直面する問題の一つとなる。これらの構成部材の腐食ないしは化学的な分解はエッチング及びクリーニング工程中に特に激しくなる。」（第３頁第４欄第１１行−第２８行）
　
（１ｃ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、基板処理システムで用いられる反応物質と接触する処理チャンバ構成部材の寿命を延ばすことが望ましく、かつ、重要である。よって、基板処理システムで使われるエッチャント（エッチング剤）への耐性を有することが望ましい。残留物の蓄積も、微粒子の放出と同様に、実行可能な程度に減らす必要がある。最終的には、処理チャンバの構成部材からの不純物の放出を最小限に抑えなくてはならない。」（第４頁第５欄第１２行−第２１行）
　
（１ｄ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板処理装置ないしはシステムにおいて用いられる反応物質にさらされる構成部材を炭素ベース材料で被覆することによって、上記要請に応えるものである。このような炭素ベース材料には、例えばダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）等が含まれる。炭素被膜は基板処理システムで用いられる反応物質への耐性があり、よって処理チャンバの構成部材の寿命を延ばす。」（第４頁第５欄第２２行−第３０行）
　
（１ｅ）「【００１４】［ＩＩ．ＨＤＰ−ＣＶＤシステムの例］本発明は、例えばエッチングシステム、ＣＶＤシステム、スパッタリングシステム、拡散システム等を含むあらゆる基板処理システムに実質的に適用可能である。このような基板処理システムの一つが、図１に示されており、それが以下で説明するＨＤＰ−ＣＶＤシステムである。……」（第４頁第６欄第３６行−
第４１行）
　
（１ｆ）「【００５１】炭素ベース材料を被覆した構成部材の耐久性を測定するための実験も行った。本発明の（審決注：「に」の誤記）よるダイヤモンド被膜を有する構成部材はイオン化したガス種による侵食を含めた薬品侵食への耐性があることがわかった。約６００℃未満では、…活性化エッチングガスや基板処理で一般的に用いられているその他のプロセスガス等による侵食に影響を受けなかった。」（第１０頁第１７欄第９行−第１６行）
　
・刊行物２（特開平１０−２５１８７１号公報）
（２ａ）「【０００４】
　……次いで、プラズマエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、これを励起してプラズマ状態とする。塩素をベースとする化学系がアルミニウムのエッチングに有効であることは、以前から知られている。」（第３頁第４欄第２２行−第２６行）
　
（２ｂ）「【００２４】プラズマエッチングリアクタにおけるチャンバの腐食は、古くからの問題であり、改良材料や新規材料に対して多くの開発努力がなされてきた。しかし、従来技術で用いることができる材料では、高密度のＢＣｌ３とＣｌ２のプラズマの環境においては、許容できない高い腐食速度がみられる。……
【００２７】本発明では、プラズマリアクタ内の壁面その他の部品は少なくとも、ボロンカーバイド（好ましくはＢ４Ｃ）で構成される、プラズマに面する表面部を有している。ここで、ボロンカーバイドは、バルク材料であってもよく、あるいは裸の部材にコーティングした表面層であってもよい。」
（第６頁第９欄第２０行−第１０欄第９行）　
　
　上記摘記事項（１ｂ）、（１ｄ）、（１ｆ）によれば、ＣＶＤ、エッチング等の基板処理装置において、活性化エッチングガス、すなわちプラズマ化したエッチングガスを用いる場合、チャンバ内面が侵食され、粒子汚染が発生する課題があること、そして、同（１ａ）、（１ｃ）−（１ｅ）によれば、その課題解決のために、チャンバのハウジング内面の少なくとも一部をダイヤモンド被膜でコーティングすることにより、反応物質、すなわちプラズマ化したエッチングガスへの耐性を向上させることが記載されている。
　また、プラズマエッチングは、真空下で行うのが通常である。
　
　したがって、引用刊行物１には、            
「基板をエッチングするためのプラズマ装置であって、
真空チャンバ内に形成されたプラズマでエッチングするために、基板が挿入される真空チャンバ、および
　ベース、および前記真空チャンバの内部で前記プラズマに面する前記ベースの側にダイヤモンドコーティングを有する前記チャンバの真空ハウジング、を有するプラズマ装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「プラズマ装置」、「ハウジング」は、それぞれ、本願補正発明における「プラズマリアクター」、「壁」に相当する。
　
　よって、両者は、
「基板をエッチングするためのプラズマリアクターであって、
真空チャンバ内に形成されたプラズマでエッチングするために、基板が挿入される真空チャンバ、および
　ベース、および前記真空チャンバの内部で前記プラズマに面する前記ベースの側にダイヤモンドコーティングを有する前記チャンバの真空壁、
を有するプラズマリアクター。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
  真空チャンバが、本願補正発明では、「ハロゲンベースの化学作用を得るための」ものであるのに対し、引用発明では、その点が明らかではない点。
　
（相違点２）
　前記ベースが、本願補正発明では、「誘電体バルクベース」であり、「アルミナ、シリコンカーバイド、およびシリコンナイトライドからなる群から選ばれる材料を含む」であるのに対し、引用発明では、ベースについての限定がない点。
　
　上記相違点について検討する。
・（相違点１）について
　上記引用刊行物２には、アルミニウムのプラズマエッチングをハロゲンガスを用いて行うことが以前から知られていること、また、プラズマ化ハロゲンガスによるプラズマリアクター壁面の腐食を防止すべく、壁面保護用のコーティングをすることも示されている。
　とすれば、同様にプラズマリアクターの壁面にプラズマ化エッチングガスに対する保護コーティングを有する引用発明において、ハロゲンエッチングガスを用い、真空チャンバを「ハロゲンベースの化学作用を得るためのもの」とすることは、エッチングする基板の材質に応じて適宜なしえた設計的事項にすぎない。
　
・（相違点２）について
　基板をエッチングするためのプラズマ装置において、チャンバの壁をバルクのアルミナ誘電体により形成することは、周知の事項である（下記周知例参照）。
　
　周知例１：特開平１１−６０７０号公報
「【００３６】……
…図５は、本発明の乾式処理装置が適用される誘導結合型のプラズマエッチング装置７０の構成図であって、……符号７２は処理チャンバであり、その側壁はアルミナを主成分とするセラミックス又は石英等の絶縁体により形成された誘電体窓となっている。」（第５頁第７欄第３６行−第４３行）　
　
　周知例２：特開昭６３−３１２６４２号公報
「２．特許請求の範囲
　エッチング室内に半導体ウエハを導入して該半導体ウエハのプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
　前記エッチング室の内壁の材料として高純度のアルミナを用いたことを特徴とするプラズマエッチング装置。」（第１頁左欄第４行−第１０行）
　
　とすれば、引用発明において、ベースとして、バルクのアルミナ誘電体を適用し、該相違点２に係る構成とすることは、所望とする壁材としての物理的、化学的性質に応じ、当業者が適宜なしえたことである。
　
　そして、本願補正発明が、引用刊行物１、２の記載および周知技術からは予想し得ない格別な効果を奏するものとも認められない。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２
第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　上記のとおり、平成２３年５月２０日付け手続補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年１１月１９日付け手続補正書により補正された請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「基板をエッチングするためのプラズマリアクターであって、
　真空チャンバ内に形成されたプラズマでエッチングするために、基板が挿入される真空チャンバ、および
　誘電体バルクベース、および前記真空チャンバの内部で前記プラズマに面する前記バルクベースの側にダイヤモンドコーティングを有する前記チャンバの真空壁、を有し、
前記ベースは、アルミナ、シリコンカーバイド、およびシリコンナイトライドからなる群から選ばれる材料を含むことを特徴とするプラズマリアクター。」（以下、「本願発明」という。）
　
第４．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物１（特開平１０−９６０８２号公報）には、上記「第２．２．（２）」に記載のとおりの事項が記載されている。
　また、上記「第２．２．（３）」の「・（相違点２）について」において引用した周知例１、２には、それぞれ、上記のとおりの事項が記載されている。
　
第５．対比・判断
　本願発明は、上記本願補正発明における「ハロゲンベースの化学作用を得るための」なる限定が除かれたものである。
　したがって、本願発明と引用刊行物１記載の発明（すなわち、上記「第２．２．（２）」における「引用発明」）とを対比すると、両者は、
「基板をエッチングするためのプラズマリアクターであって、
真空チャンバ内に形成されたプラズマでエッチングするために、基板が挿入される真空チャンバ、および
　ベース、および前記真空チャンバの内部で前記プラズマに面する前記ベースの側にダイヤモンドコーティングを有する前記チャンバの真空壁、
を有するプラズマリアクター。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　前記ベースが、本願発明では、「誘電体バルクベース」であり、「アルミナ、シリコンカーバイド、およびシリコンナイトライドからなる群から選ばれる材料を含む」であるのに対し、引用発明では、ベースについての限定がない点。
　
　そして、該相違点は、上記「第２．２．（３）」における「（相違点２）」に相当するから、該相違点についての判断は、上記「第２．２．（３）」における「・（相違点２）について」と同様である。
　したがって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。