【事件の表示】
　特願２０００−５５８３８２「パターン化されたウエハ上の欠陥を検出するためのピクセルに基づいた方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１月１３日国際公開、ＷＯ００／０２０３７、平成１４年７月２日国内公表、特表２００２−５１９６９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成１１年６月２２日（パリ条約による優先権主張　外国受理官庁　平成１０年７月７日、米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願（２０００年特許願第５５８３８２号。以下「本件出願」という。）につき、拒絶査定が平成２１年１１月２７日にされた（発送日：同年１２月３日）ところ、これに対して、拒絶査定不服審判が平成２２年４月５日に請求されるとともに同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　　　
第２　平成２２年４月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
　１　補正却下の決定の結論
　平成２２年４月５日付けの手続補正を却下する。
　　
　２　補正却下の決定の理由
　（１）平成２２年４月５日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、本件出願の明細書の特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり補正することを含むものである。
　　　　　　　　
　ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（平成２１年５月１５日付け手続補正書によるもの）
「【請求項１】　表面を解析する、特に半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法であって、制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査し、走査ビーム光に対しピクセルが応答する態様により定義される各ピクセルの識別特性を収集して疑いの有るピクセルを検出し、そして前記識別特性が欠陥の無い識別特性を有するか又は欠陥のもしくは欠陥の疑いの有るピクセルの識別特性を有するかを決定する、ことを含む方法。」
　　
　イ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】　表面を解析する、特に半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法であって、制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査し、
前記ピクセルのそれぞれは前記表面のデカルト座標へ変換される関連極座標を有し、
（なお、下線部は補正箇所を示す。）　
　　　　　　　
　（２）　本件補正の適否について
　本件補正について、本件補正前の請求項１に係る発明に、「前記ピクセルのそれぞれは前記表面のデカルト座標へ変換される関連極座標を有し」という構成を付加することにより、本件補正前の請求項１に係る発明の「半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法」において、半導体ウエハが回転して、半導体ウエハの各ピクセルが検査されることを特定するものであり、特許請求の範囲を減縮するものである。
　そうすると、本件補正は減縮する補正を含む補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前（以下、単に「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　 　
　（３）　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（ア）引用刊行物記載の発明
（３Ａ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願の優先権主張日前に頒布された特開平６−３６０１６号公報（以下、「引用刊行物Ａ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与したものである。）
　　　
（３Ａ−１）「【０００１】
　　【産業上の利用分野】　本発明は、
物体の表面を光学的に検査して、欠陥を検出する方法
半導体ウエハを光学的に検査する
　
（３Ａ−２）「【０００２】
【従来の技術と問題点】パターンに作成されていない半導体ウエハを検査して、その表面上に存在する粒子を検出することは比較的簡単であり、そして容易に自動化することができる。１つの周知の形式のこのような装置では、ウエハはレーザ光ビームで走査され、そしてこの粒子によって散乱された光を光検出器が集めることによって、粒子の存在を検出する。けれども、パターンに作成された半導体ウエハを検査して、そのパターンの中の欠陥を検出することは、非常に困難である。それは、パターンによって散乱される光が、粒子または欠陥によって散乱される光よりも圧倒的に大きいからであり、したがって、多くの偽警報を生ずるであろう。
【０００３】パターンに作成されたウエハを検査するために現在用いられている検査装置は、全体的にいえば、画素毎を基本として、ＣＣＤ（電荷結合装置）のような光電気変換器を用いて、パターンに作成されたウエハの高分解能２次元画像を解析することに基づいている。けれども、関与している画素の数が極めて大きいので、このような装置の処理速度は極めて遅い。このために、パターンに作成されたウエハの検査は、現在は、ほぼ統計的なサンプリングの目的でのみ用いられる。その結果、多数個のこのようなウエハが製造され、これらの欠陥による問題点が顕在化し始めるまで、パターンに作成された半導体ウエハの中の微細欠陥は大部分は検出されないままである。したがって、このような欠陥が後で発見されることは、損失を大きくし、歩留まりを低下させ、および製造の休止時間を大きくすることになるであろう。」
　
（３Ａ−３）「【００１４】
【実施例】
装置全体　　
図面に示された
装置は
同じようなパターンに作成された複数個の同様な集積回路ダイを有する、パターンに作成された半導体ウエハを自動的に検査するために
【００１５】検査は２つの段階で行われる。第１段階では、ウエハの全表面が比較的高速で検査され、ウエハ上で高い確率で欠陥があると疑われる位置を示す情報が出力される。これらの位置は記憶装置の中に記憶される。第２段階では、記憶装置の中に記憶されたこれらの疑わしい位置だけが、比較的高い空間分解能で検査される。そして、欠陥が存在するかまたは存在しないのかの判定が行われる。このことにより、欠陥を生じた処理工程の識別と訂正を容易に行うことができる。
【００１６】図１−図３に示された検査装置は、検査されるウエハＷを取り付ける台２を有する。
ウエハの第１段階の検査は、レーザ３によって行われる。レーザ３はレーザ光ビームを放射し、そしてこのレーザ光ビームはウエハＷの全表面を走査する
この散乱された光を複数個の検出器５に送る
検出器５の出力は、段階Ｉ前置処理装置６を通して、段階Ｉ画像処理装置７に送られる
段階Ｉ画像処理装置７は検出器５の出力を処理し、そしてウエハ上で欠陥を高い確率で有する疑わしい位置を示す情報を生ずる
【００１７】高い確率で欠陥を有する疑わしい位置だけが、段階ＩＩの検査装置で検査される。この装置は、光電気変換器の上にこの疑わしい位置の画像を作るための光学装置を有する。この光電気変換器は、例えば、ＣＣＤのマトリックス９であることができ、そしてその上の画像を電気信号に変換する。これらの信号は、
段階ＩＩ前置処理装置１０
段階ＩＩ画像処理装置１１に送られる
【００１８】図２のブロック線図において、ウエハ取扱い装置に含まれる台２（図１）と付随素子がブロック１２で全体的に示されている。台２はブロック１３で示された
移動制御装置によって制御され
エハＷの走査を実行する
【００１９】図１の光検出器５は、図２のブロック５１で示された段階Ｉ画像取得センサの中に備えられる。図１の光電気変換器９は、図２のブロック５２で示された段階ＩＩ画像取得センサの中に備えられる。
【００２０】図２はまた、段階Ｉ処理装置７からの情報を処理する後置処理装置１４と、データを管理かつ同期しおよび流れを制御する主制御装置８と、オペレータが主制御装置８に情報を入力することができるキーボード１５およびジョイスティックと、オペレータが情報の処理を監視することができる監視装置１６とを有する。
【００２１】両方の段階に対するウエハ取扱いおよび画像取得部分装置の素子が、図２のＡで全体的に示された点線のブロックの中に備えられる。両方の段階に対する画像処理部分装置の素子が、Ｂで示された点線のブロックの中に備えられる。オペーレータ制御卓部分装置の素子が、Ｃで示された点線のブロックの中に備えられる。このオペレータ制御卓部分装置は、主制御装置８と、キーボード１５と、監視装置１６とを有するだけでなく、また図１の１７で示されたグラフ端末装置を有する。」
　
（３Ａ−４）「【００３５】図９に示されているように、検査されるウエハＷは、同じパターンを有する複数個の集積回路ダイＤ１ −Ｄｎ で作成される。段階Ｉ検査において、ウエハの全表面がレーザ光ビーム３で走査され、そして欠陥を検出するために、または欠陥を有する確率が高い少なくとも疑わしい領域、したがって、段階ＩＩ検査の期間中さらに注意深く検査されるべき疑わしい領域を検査するために、この走査による散乱光が前記集光器４２によって集められる。前記でまた示されたように、段階Ｉ検査（およびまた段階ＩＩ検査）の期間中、検査されるパターンの役割を果たす１つのダイＤのパターンが、基準パターンの役割を果たす少なくとも１つの他のダイのパターンと比較され、そして検査されるパターンに欠陥が存在する可能性が判定される。
【００３６】図９−図１１は、段階Ｉ検査で、ウエハの走査を実行する方法を示す。
【００３７】図９に示されるように、レーザ光ビームは、図１１の５０で示された走査線を形成するように、
音響電気偏向器３４（図４）によってｘ方向に偏向される
【００３８】したがって、走査ステージ２１は、図９に示されているように、ｙ方向に点ａと点ｂとの間でウエハを走査する。その結果、約１ｍｍの幅ｗと、点ａと点ｂとの間の距離に等しい長さとを有する領域が範囲に入る。
【００３９】次に、ウエハは、走査ステージ２２（図３）によって点ｂから点ｃへｘ方向に移動し、それから、点ｃと点ｄとの間の領域が走査され、そしてこれらのことが次々に行われる。
【００４０】レーザ光ビーム５２によって走査される隣接する帯状体の間に重なり（ｔ、図１０）があるように、走査が行われる。図面に示された例では、この重なりｔは０．２ｍｍである。
【００４１】このように、同じウエハ上の異なるダイが持続的に走査され、それで生じた散乱光が集光器４２（または４２′、図７ａ，図７ｂ，図８ｂ）によって集められ、検査されるダイと呼ばれるこのようなダイと、基準ダイと呼ばれるダイとのダイ毎の比較が行われ、検査されるダイの中の欠陥の存在の可能性の指示が得られる。」
　　
（３Ａ−５）「【００４３】段階Ｉ画像処理装置
段階Ｉ検査は、（イ）検査されるパターンの異なる画像の画素を表すデータの第１の流れのＮ個のストリーム（Ｎは集光器４２または４２′の数）を生ずる段階と、（ロ）基準パターンの異なる画像の画素を表すデータの第２の流れのＮ個のストリームを生ずる段階と、（ハ）欠陥を高い確率で有する検査されるパターンの疑わしい位置の比較による指示を得るために、第１の流れのデータと第２の流れのデータとを比較する段階と、によって行われる。この比較は、２つの流れのデータの間のすべての不整合を訂正することと、第１の流れの各ストリームのデータと第２の流れの対応するストリームのデータとを比較して、ストリームの中の疑わしい画素の存在の重要性を指示する差値または警報値を得ることと、データのＮ個のストリームに対応するＮ個の差値または警報値により画素位置に欠陥を検出することと、によって行われる。
【００４４】図１２は、段階Ｉ画像処理装置の機能ブロック線図である。段階Ｉ画像処理装置は、８個のセンサ４６ａ−４６ｂ（おのおのは図６ｂの光検出器センサ４６に対応する）からそれらのそれぞれの前置処理装置６ａ−６ｇへの入力を有する。これらのセンサは、光信号をアナログ電気信号に変換し、そして前置処理装置はこれらのアナログ電気信号を画素間隔でサンプルし、そしてそれらをディジタル・データに変換する。したがって、前置処理装置の出力は画素値のストリームの形式であり、ディジタル形式の画像を構成する。
【００４５】図１３に示されているように、各チヤンネルの中の前置処理装置は前置増幅器５６を有する。前置増幅器５６は、それぞれのセンサ４６から受け取られた電流を電圧に変換し、そしてＡ／Ｄ変換器５７への入力として適切な大きさまでそれを増幅する。検査されるウエハから受信される信号の特性に従って、増幅のパラメータを制御することができる。Ａ／Ｄ変換器５７はアナログ電圧をサンプルし、そしてそれをディジタル値に変換する。この画像のサンプリングは持続的に行われて、物体の２次元画像が得られる。
【００４６】このように、データの８個のストリームの２個の流れが生ずる。１つの流れは、一時記憶装置の中に以前に記憶された基準パターンの８個の異なる画像の画素を表し、他の１つの流れは、検査されるパターンの中の欠陥の存在の指示を得るために、基準パターンの画像と比較されるべき検査されるパターンの異なる画像の画素を表す。欠陥の検出は、８個のストリームのおのおのに対する欠陥検出器回路６０ａ−６０ｈで行われる。」
　
（３Ａ−６）「【００５４】したがって、それぞれのストリームの中の前置処理装置（６ａ−６ｈ）からのディジタル像は、閾値処理装置７０に送られ、そしてまた遅延バッファ７１に送られる。閾値処理装置７０および遅延バッファ７１の出力は、画素特性化器７２および７４に送られる。画素特性化器７２は登録器回路６４ａ（図１２）の中にある。登録器回路６４ａは、整合制御回路６２（図１２）を（前記のように３つの他のストリームと共に）制御するスコア計算器７３（図１４）に信号を出力する。画素特性化器７４は比較に用いられる。画素特性化器７４は基準ダイ記憶装置７５に接続される。基準ダイ記憶装置７５はまた、遅延バッファ７１から信号を受け取る。基準ダイ記憶装置７５は、スコア計算器７３に信号を出力し、および画素整合器７６に信号を出力する。画素整合器７６は比較器７７に信号を出力する。
【００５５】各チヤンネルに対する欠陥検出器６０の中に備えられる比較器７７は、現在の画素の近傍の検査される像と、対応する画素の近傍の基準像との比較を実行する。この比較は、基準像と検査される像との中の、現在の画素の画素種類に依存する閾値レベルに関して、実行される。
【００５６】したがって、比較器７７は４個の入力、すなわち、（１）
基準画像の中の画素の強度
検査される画像の中の画素の強度
【００５７】閾値処理装置７０は、画素が走査される時、画素の分類のための閾値を計算する。この計算は、特性パラメータのヒストグラムに基づいている。各パラメータに対する３個の閾値、すなわち、（ａ）登録点に関する判断に対する閾値、（ｂ）基準画像の中の画素の分類に対する閾値、（ｃ）検査される画像の中の画素の分類に対する閾値、がある。
【００５８】閾値処理装置７０は、その前置処理装置（例えば、６ａ（図１２））を通して、走査される物体からの画素ストリームを受け取り、そしてその閾値レベルを画素特性化器７２および７４に、１つは登録のためにおよび１つは比較のために、出力する。」
　　
（３Ａ−７）「【００６９】段階ＩＩ装置全体
前記で簡単に説明したように、段階ＩＩ検査は、ウエハが台２の上になおある間、段階Ｉ検査の完了後自動的に実行されるが、段階Ｉ検査の間に欠陥の確率が高いとして示されたウエハＷ上の位置だけに関して実行される。したがって、段階Ｉ検査は比較的大きな速度で実行されるが、段階Ｉ検査の期間中に欠陥を有すると思われる位置に実際に欠陥があるかどうかを示すために、段階ＩＩ検査は非常にゆっくりした速度でおよび高い分解能で実行される。
【００７０】簡単にいえば、段階ＩＩ検査は次のように実行される。すなわち、例えばＣＣＤのような変換器９（図１および図１６（当審注：「図２６」は「図１６」の誤記）の上に、
検査されるパターンの疑わしい位置のおのおのと基準パターンの対応する位置との画像を作り、検査されるパターンと基準パターンとのそれぞれの画素に対応する２組の電気信号を出力する段階と、および検査されるパターンの画素と基準パターンの対応する画素とを比較して、予め定められた大きさの不整合がそれぞれの位置に存在することが見出された時にはいつでも欠陥を指示する
【００７１】段階ＩＩ光学装置
段階ＩＩ光学装置
ウエハＷは、フラッシュ・ランプ装置１０２により
照明される
【００７２】ビーム・スプリッタ１０４は、ウエハから自動焦点装置１０６への光の赤外線部分を反射し、一方、ビーム・スプリッタ１０５はフラッシュ光を反射して、選定された対物レンズ１００を通して、真空チヤック２４の上のウエハＷに光を進める。ビーム・スプリッタ１０５はまた、
ウエハＷによって反射された光を
光を画像変換器９に進める
【００７３】段階ＩＩ画像処理装置
図１６は、
段階ＩＩ画像前置処理装置１０
【００７４】
画像変換器９によって検出された情報は
前置処理装置１０
送られ
【００７５】図１６はさらに、特に登録動作および比較動作を加速するためのハードウエア加速器１２９を、段階ＩＩ画像処理装置１１が有するとして示している。
【００７６】前記動作は、図１７−図２０を参照しての下記説明で特に詳細に説明される。
【００７７】前記で説明したように、段階ＩＩ画像処理装置に対する入力は、検査されるパターンおよび基準パターンのそれぞれから取られた、２組の画像を有する。これらの組のおのおのは、ウエハまたはパターンの厚さの変化に適応するために、または多重層パターンに適応するために、異なる深さに焦点を合わせて取られた５個の画像を有する。
【００７８】図１７にさらに詳細に示されているように、
基準画像と検査される画像に対し
不整合が各深さで検出される
画素を用いて
濃度画像を比較する
疑わしい欠陥
を指示する
　　　　
（３Ａ−８）図９には、レーザ光ビームで、円形状の半導体ウエアＷの複数個の集積回路ダイＤ１ −Ｄｎ を順次走査することが描かれている。
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−１）〜（３Ａ−８）の記載を参照すると、上記引用刊行物Ａには、
「半導体ウエハＷの表面を光学的に検査して、欠陥を検出する方法であって、
　半導体ウエハＷにおける、複数個の同様な集積回路ダイのパターンを自動的に検査するために、
　第１段階で、レーザ光ビームを放射して半導体ウエハＷの全表面を走査して、半導体ウエハＷから散乱された光を複数個の検出器５で検出し、検出器５の段階Ｉ前置処理装置６を通した出力を、段階Ｉ画像処理装置７で、基準画像の中の画素の強度と検査される画像の中の画素の強度とを比較する処理をして、半導体ウエハＷ上で欠陥を高い確率で有する疑わしい位置を示す情報を生じ、
　第２段階で、フラッシュ・ランプ装置１０２により照明された半導体ウエハＷからの反射光を画像変換器９で検出し、画像変換器９の前置処理装置１０を通した情報を、段階ＩＩ画像処理装置１１で、検査されるパターンの疑わしい位置のおのおの画像の画素と基準パターンの対応する位置との画像の画素とを比較して、不整合が存在することが見出された時に欠陥を指示する方法。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
　（イ）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　（イ−１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
（i）引用発明の「欠陥を検出する方法」は、半導体ウエハＷの表面を光学的に検査して、欠陥を検出することから、半導体ウエハＷの表面を解析していることは明らかである。そうすると、引用発明の「半導体ウエハＷの表面を光学的に検査して、欠陥を検出する方法」が、本願補正発明の「表面を解析する、特に半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法」に相当する。
　
（ii）上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−８）には、「レーザ光ビームで、円形状の半導体ウエアＷの複数個の集積回路ダイＤ１ −Ｄｎ を順次走査する」ことが記載されていることから、引用発明の「方法」では、複数個の同様な集積回路ダイを個別に検査していることは明らかである。
　そして、半導体ウエハＷにおける、複数個の同様な集積回路ダイのパターンを自動的に検査していることから、制御手段により複数個の同様な集積回路ダイのパターンを自動的に検査していることも明らかである。
　そうすると、引用発明の「導体ウエハＷにおける、複数個の同様な集積回路ダイのパターンを自動的に検査する」と本願補正発明の「制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査」することとは、「制御下の表面の個別のピクセルを検査」する点で共通するものである。　
　　
（iii）引用発明の「方法」において、「第１段階で、レーザ光ビームを放射して半導体ウエハＷの全表面を走査して、半導体ウエハＷから散乱された光を複数個の検出器５で検出し、検出器５の段階Ｉ前置処理装置６を通した出力を、段階Ｉ画像処理装置７で、基準画像の中の画素の強度と検査される画像の中の画素の強度とを比較する処理」する際の「画像の中の画素の強度」は、集積回路ダイの識別特性であることは明らかある。
　そうすると、引用発明の「第１段階で、レーザ光ビームを放射して半導体ウエハＷの全表面を走査して、半導体ウエハＷから散乱された光を複数個の検出器５で検出し、検出器５の段階Ｉ前置処理装置６を通した出力を、段階Ｉ画像処理装置７で、基準画像の中の画素の強度と検査される画像の中の画素の強度とを比較する処理をして、半導体ウエハＷ上で欠陥を高い確率で有する疑わしい位置を示す情報を生じ」ることは、本願補正発明の「走査ビーム光に対しピクセルが応答する態様により定義される各ピクセルの識別特性を収集して疑いの有るピクセルを検出」することに相当する。
　
（iv）本件出願の明細書の段落【００８９】には「 好ましい実施の形態による装置において、疑いの有る位置は極座標、すなわち（ｒj、θi）の対で与えられる。従って、疑いの有る位置の座標は最初にウエハのデカルト座標、すなわち（ｘj、ｙi）の対に変換され、その後に対応するダイのデカルト座標、すなわち（ｘkj、ｙkj）対に変換される（ｋはダイを表し、ｊはダイ内の座標を表す）。一旦、ウエハ内の全ての疑いの有る位置の（ｘkj、ｙkj）対が得られると、ダイは「積み重ね」られて、複数のダイ内に疑いの有る位置（ｘkj、ｙkj）が現れるかを検査する。ここで、疑いの有る位置について多くの情報を得ることができる。例えば、もし特定の（ｘkj、ｙkj）対が全てのダイに現れるとすると、それはダイ構造の特徴で、欠陥では無い可能性がある。」と記載されていることから、本願補正発明の「そして前記識別特性が欠陥の無い識別特性を有するか又は欠陥のもしくは欠陥の疑いの有るピクセルの識別特性を有するかを決定する」ことは、各ピクセルの識別特性を収集して疑いの有るピクセルを検出し、その後、検出された疑いの有るピクセルについて、さらに調べて、本当に欠陥もしくは欠陥の疑いがある識別特性を有するか又は欠陥の無い識別特性を有するかを決定することを含むものと認められる。
　他方、引用発明では、第１段階で、基準画像の中の画素の強度と検査される画像の中の画素の強度とを比較する処理をして、半導体ウエハＷ上で欠陥を高い確率で有する疑わしい位置を示す情報を生じ、第２段階で、段階ＩＩ画像処理装置１１で、検査されるパターンの疑わしい位置のおのおの画像の画素と基準パターンの対応する位置との画像の画素との画像濃度を比較して、不整合が存在することが見出された時に欠陥を指示することから、引用発明の「第２段階で、フラッシュ・ランプ装置１０２により照明された半導体ウエハＷからの反射光を画像変換器９で検出し、画像変換器９の前置処理装置１０を通した情報を、段階ＩＩ画像処理装置１１で、検査されるパターンの疑わしい位置のおのおの画像の画素と基準パターンの対応する位置との画像の画素との画像濃度を比較して、不整合が存在することが見出された時に欠陥を指示する」ことは、本願補正発明の「そして前記識別特性が欠陥の無い識別特性を有するか又は欠陥の有るピクセルの識別特性を有するかを決定する」ことに相当する。
　　
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
「表面を解析する、特に半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法であって、
　制御下の表面の個別のピクセルを検査し、
　走査ビーム光に対しピクセルが応答する態様により定義される各ピクセルの識別特性を収集して疑いの有るピクセルを検出し、
そして前記識別特性が欠陥の無い識別特性を有するか又は欠陥の有るピクセルの識別特性を有するかを決定する、
ことを含む方法。」
　である点で一致し、次の相違点（あ）及び相違点（い）で相違する。
　　
・相違点（あ）
　制御下の表面の個別のピクセルを検査する際に、本願補正発明では「制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査し」ているのに対して、引用発明では、複数個の同様な集積回路ダイを個別に検査している点。
　
・相違点（い）
　本願補正発明では、「前記ピクセルのそれぞれは前記表面のデカルト座標へ変換される関連極座標を有」するのに対して、引用発明では、そのような構成を備えていない点。
　
　（イ−２）当審の判断
　そこで、上記相違点（あ）及び相違点（い）について判断する。
・相違点（あ）について、
　半導体ウエハの検査をする際に、検査時間を短くするために、複数のレーザ光と複数の検出器とを複数の領域に対応させて配置し、複数の領域を同時に検出しながら走査することは周知である。
　例えば、特開平３−１７９２４２号公報には、「本発明は、表面検査技術さらには顕微鏡による同一パターンの複数の被検査物の自動表面検査に適用して特に有効な技術に関し、例えば
半導体
ウェーハ
の表面の異物及びパターン欠陥の検査に利用して有効な技術
ウェーハ表面の異物やパターン欠陥の検査に要する時間の短縮を図る
発光部２０ｄ、２０ｅの光軸は
２チップｌ１ｄ、１１ｅの表面の相互に対応している検査点を照射するように調整されている
符号３０ｄ、３０ｅは光学検出部であり、ウェーハｌ０の上方で、発光部２０ｄ、２０ｅから出射されたレーザ光がチップｌ１ｄ、ｌ１ｅの表面において散乱されて生じた散乱光を検出するように設置されている
２つのチップを同時に検査し、また異物又はパターン欠陥の有無を同時に判定することができるため、表面検査に費やされる時間がウエーハ１枚当たり１／２以下になる
　さらに、特開平６−２４２０１５号公報には、「【請求項１】 
複数の検出光を被検査物体の検査面に照射するとともに
散乱光を受光して検出する散乱光検出光学系
上記被検査物体と上記散乱光検出光学系とを相対変位させて上記検出光を上記検査面に走査する走査機構部
半導体ウエハ等
微粒子検出装置に関する
本発明の目的とするところは、極微小な粒子の検出を短時間で行うことが可能な微粒子検出装置を提供する
各区画１９…の中央に半導体レ−ザ１６…が形成されてい
フォトダイオ−ド１７…は各区画１９…毎に形成されてい
　また、特開昭６２−２６６４４４号公報には、「本発明は、
半導体ウェハ
の欠陥を検査する表面検査装置に関する
一対の照射部からレーザ光を各別に照射してターンテーブルを回転させることにより上記レーザ光にて被検置物を同心円状に走査するとともに、被検査物の１回転ごとすなわち１回の走査ごとに上記ターンテーブルを半径方向に所定量ずつ動かし
走査中に積分球で集光された散乱光を光電変換して得られた少なくとも一対の電気信号の差をとり、この差を示す電気信号をアナログ−ディジタル変換して得られた散乱光データをデータメモリ部のレーザ光照射位置に対応する所定のアドレスに格納し格納されたデータ
照射部（１３ａ）は、被検査物（８）の中央領域（１８ａ）を走査し、他方、照射部（１３ｂ）は、被検査物（８）の周辺領域（１８ｂ）を走査するように設定されており、これらの走査は同時に行われる
被検査物（８）の走査を一対の照射部（１３ａ）、　（１３ｂ）により行っている
１個の照射部により走査する場合にくらべて、走査時間が半減する結果、検査能率が向上する。
ことが記載されている。
　そうすると、引用発明も上記周知のものも、ともにレーザを用いて半導体ウエハを走査して半導体ウエハの欠陥を検出する点で共通することから、引用発明において、検査時間を短くするために、複数のレーザ光と複数の検出器とを複数の領域に対応させて配置し、複数の領域を同時に検出しながら走査する上記周知例の構成を採用して、複数のレーザ光と複数の検出器を複数の集積回路ダイに対応させて配置し、複数の集積回路ダイを同時に検出しながら走査することにより、本願補正発明のごとく、制御下の表面の個別のピクセルを検査する際には「制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査」するように構成することは当業者が容易になし得るものである。
　
・相違点（い）について
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）には「【００３７】図９に示されるように、レーザ光ビームは、図１１の５０で示された走査線を形成するように、音響電気偏向器３４（図４）によってｘ方向に偏向される。同時に、ウエハＷを保持する台２の走査ステージ２１は、ウエハをｙ方向に持続した一定の速さでウエハ・スポットの下で移動し、それにより、図１１の５１で示されたラスタ走査が得られる。・・・」と記載されていることから、引用発明発明では、レーザ光ビームが半導体ウエアＷ上をラスタ走査することになる。
　ところで、半導体ウエハの試料をレーザ光で走査して、半導体ウエハ表面の欠陥や異物や検出する際に、半導体ウエハの表面を回転方向に走査するとともに半径方向にも走査して極座標のデータを得るとともに、得られた極座標系のデータを直交座標系のデータに変換することは周知である。
　例えば、特開昭６２−２６６４４４号公報には、「本発明は、
半導体ウェハ
の欠陥を検査する表面検査装置に関する
レーザ光にて被検置物を同心円状に走査するとともに、被検査物の１回転ごとすなわち１回の走査ごとに上記ターンテーブルを半径方向に所定量ずつ動かし
得られた散乱光データをデータメモリ部のレーザ光照射位置に対応する所定のアドレスに格納し格納されたデータ
得られた欠陥データを極座標系から直交座標系に変換し
　また、特開昭６３−１８５０３７号公報には「本発明は
半導体
ウェーハ表面に付着し
異物判定方法
　第２図は本発明の一実施例を示す図である。
　ウェーハのオリエンテーションフラット（以後ＯＦと称す）アライナー４６によりウェーハの異物検査開始時のウェーハ回転角の初期設定（θ＝０℃にＯＦを合わせる）を行ない、従来の異物検査装置４０′により異物の
位置座標（ｒ、θ）を検出し
位置座標を直交座標変換（ｒ，θ→ｘ，ｙ）し
　そうすると、引用発明では、半導体ウエハＷの表面を光学的に検査して、欠陥を検出するする際、半導体ウエハＷのように円形状の試料をレーザでラスタ走査をしているが、上記のように導体ウエハの試料をレーザ光で走査して、半導体ウエハ表面の欠陥や異物や検出する際に、半導体ウエハの表面を回転方向に走査しするとともに半径方向にも走査して極座標のデータを得るとともに、得られた極座標系のデータを直交座標系のデータに変換することは周知であり、引用発明も上記周知のものも、ともに円形状の半導体ウエハの表面をレーザ光で走査し、半導体ウエアの表面の状態を検査する点で共通するものであるから、引用発明において、上記周知例の構成を採用して、本願補正発明のごとく、「前記ピクセルのそれぞれは前記表面のデカルト座標へ変換される関連極座標を有」するように構成することは当業者が容易になし得るものである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術事項から予測される範囲内のものであって、格別のものではない。
　　
　なお、審判請求人は、当審による審尋に対する回答書で、補正案を提示しているが、上記引用発明においても「基準画像の中の画素の強度と検査される画像の中の画素の強度とを比較」していることから、本願補正発明の「走査ビーム光に対しピクセルが応答する態様」を「固定方向にピクセルにより散乱された走査ビームからの光の強度に対応する識別特性成分の配列」と限定しても、本願補正発明が進歩性を有するものではない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（４）　補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下しなければならないものである。　
　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
　１．本願発明
　平成２２年４月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成２１年５月１５日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　２　（１）」の「ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１」に記載したように、以下のとおりのものである。
　　　　　　　　　
「【請求項１】　表面を解析する、特に半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法であって、制御下の表面の２つ以上の個別のピクセルを同時に検査し、走査ビーム光に対しピクセルが応答する態様により定義される各ピクセルの識別特性を収集して疑いの有るピクセルを検出し、そして前記識別特性が欠陥の無い識別特性を有するか又は欠陥のもしくは欠陥の疑いの有るピクセルの識別特性を有するかを決定する、ことを含む方法。」
　　　　　　
　２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物の記載事項は上記「第２　２　（３）」の（ア）に記載したとおりである。
　　　　　　　　　
　３．本願発明と引用発明との対比・判断
　上記「第２　２　（３）」の（イ）で検討した本願補正発明は、上記本願発明に「前記ピクセルのそれぞれは前記表面のデカルト座標へ変換される関連極座標を有し」という構成を付加することにより、本願発明の半導体ウエハが回転して、半導体ウエハの各ピクセルが検査されることに伴い、極座標からデカルト座標へ変換されことを特定して特許請求の範囲を減縮するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに減縮したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　２　（３）」の（イ）において検討したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４．むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件出願は、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。