【事件の表示】
　特許第６３２１５２２号発明「加熱装置」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３２１５２２号の請求項１及び７に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６３２１５２２号の請求項１〜７に係る特許についての出願は，平成２６年１１月５日に出願され，平成３０年４月１３日にその特許権の設定登録がされ，平成３０年５月９日に特許掲載公報が発行された。その後，その特許に対し，平成３０年１１月８日に特許異議申立人一條淳（以下，「特許異議申立人」という。）は，特許異議の申し立てを行った。
２　本件発明
　特許第６３２１５２２号の請求項１及び７の特許に係る発明は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１及び７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　表面及び裏面を有するベース部材と，
　該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材と，
　該支持部材に設けられ，前記被処理物を加熱するヒータと，
　充填材を含有する第１樹脂層と，
　充填材を含有しない第２樹脂層と，を備え，
　前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む接合層が配置され，
　該接合層は，前記第１樹脂層を少なくとも１層含む接合本体部と，前記ベース部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２樹脂層と，を含み，
　前記接合層は，さらに，前記支持部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２樹脂層を含むことを特徴とする加熱装置。」
「【請求項７】
　表面及び裏面を有するベース部材と，
　該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材と，
　該支持部材に設けられ，前記被処理物を加熱するヒータと，
　充填材を含有する第１樹脂層と，
　充填材を含有しない第２樹脂層と，を備え，
　前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む接合層が配置され，
　該接合層は，前記ベース部材側に配置された前記第１樹脂層と，前記支持部材側に配置された前記第１樹脂層と，これら２つの前記第１樹脂層の間に配置された前記第２樹脂層と，を含むことを特徴とする加熱装置。」
３　申立理由の概要
　特許異議申立人は，主たる証拠として甲第１号証（特開昭６３−２８３０３７号公報，以下「甲１」という。）及び従たる証拠として甲第３号証（特開２０１４−７２３５６号公報，以下「甲３」という。）を提出し，請求項１に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，また，主たる証拠として甲第２号証（特開２００３−１４２５６７号公報，以下「甲２」という。）及び従たる証拠として甲３を提出し，請求項７に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから，請求項１及び７に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
４　文献の記載
（１）甲１について
　甲１には図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下同じ。）。
「〔産業上の利用分野〕
　本発明はドライエッチング，化学気相成長，スパッタ，電子ビーム露光等の半導体装置のウエーハプロセス処理に基板固持手段として用いられる静電吸着装置の改良に関する。
　ＬＳＩ等の半導体装置のウエーハプロセスに用いられるインライン方式の製造装置においては，ウエーハ固持手段として固持機構が簡単なことから静電吸着装置が多く用いられる。
　静電吸着装置においては，該静電吸着装置が固定される冷却（加熱）手段を備えた電極等と該静電吸着装置上に吸着固持されるウエーハとの間の熱伝導率を高めて，ウエーハの温度を均一且つ安定に保持する機能も，一つの重要な機能として要望される。」（第１ページ右下欄第７行目乃至第２ページ左上欄第２行目）
「〔問題点を解決するための手段〕
　
上記問題点は，導電体よりなるベース板（１）と，該ベース板（１）の全面上に被着された弾性体絶縁膜（３）と，該弾性体絶縁膜上に被着された膜状の第１，第２の電極（５Ａ）（５Ｂ）と，該第１，第２の電極（５Ａ）（５Ｂ）を有する弾性体絶縁膜（３）の全面上に被着され被吸着基板（１１）との接触面を構成するセラミック膜（６）とを有し，該第１，第２の電極（５Ａ）（５Ｂ）間に直流電圧（９）が印加される本発明による静電吸着装置によって解決される
〔作用〕
　即ち本発明の静電吸着装置においては，高熱伝導性を有する金属ベース板上に弾性絶縁体膜を介して例えば裏面に対の吸着電極が接着配設されてなるセラミック薄板が，電極配設面を接して接着固着されてなり，セラミック薄板の摩擦，圧接等にたいする強い表面強度によってウエーハ吸着面の機械的破損を防止し，且つ弾性絶縁体膜の弾力性によってセラミック薄板と金属ベース板との間に生ずる熱膨張による応力を吸収してセラミック薄板の熱的破壊を防止し，これらによって耐久性の向上が図られる。」（第２ページ左下欄第１２行目乃至右下欄第１４行目）
「
本発明に係る静電吸着装置は例えば第１図及び第２図に示すように，例えばアルミニウム等高熱伝導性を有する金属からなり，中央に貫通孔２を有する厚さ１０ｍｍ程度の平坦な円板状の金属ベース板１上に，炭化珪素，或いはアルミナ等のフィラーを混入して熱伝導性を高めたシリコン・ゴム，或いは弗素ゴム等よりなり，中央部に開孔を有する厚さ０．２〜０．３ｍｍ程度の平板状の弾性絶縁体膜３が，例えばゴム系の接着剤４で接着固定され，裏面に例えば厚さ５μｍ程度の銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）膜からなる図示のような形状の対の静電吸着用電極５Ａ及び５Ｂが蒸着法等により被着配設されてなる厚さ０．２ｍｍ程度の焼結アルミナ等よりなる高熱伝導性を有するセラミック薄板６が，電極５Ａ，５Ｂ配設面を接して上記弾性絶縁体膜３上に例えばコム系の接着材７等によって接着固定されてなり
　
なお第１図は上記静電吸着装置１０がドライエッチング装置に用いられた状態を模式的に示しており
　したがって，甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「アルミニウム等高熱伝導性を有する金属からなり，中央に貫通孔を有する平坦な円板状の金属ベース板と，
　金属ベース板上にゴム系の接着剤等で接着固定された，炭化珪素，或いはアルミナ等のフィラーを混入して熱伝導性を高めたシリコン・ゴム，或いは弗素ゴム等よりなり，中央部に開孔を有する平板状の弾性絶縁体膜と，
　弾性絶縁体膜上にゴム系の接着剤等で接着固定された，裏面に銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）膜からなる静電吸着用電極が蒸着法等により被着配設されてなる焼結アルミナ等よりなる高熱伝導性を有するセラミック薄板，
　ここで，セラミック薄板は被吸着基板との接触面を構成すること，
を有した静電吸着装置であって，ドライエッチング装置に用いられること。」
　なお，特許異議申立人は，特許異議申立書において，甲１発明の「接着剤」について，「充填剤を含有しない」と特定したが，甲１には，「接着剤」が「充填剤」を含有するか否かについて，明示の記載が存在しないので，甲１発明を上記のように認定した。
（２）甲２について
　甲２には図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＣＶＤ，ＰＶＤ，スパッタリング等の成膜装置やエッチング装置などの加工装置において，半導体ウエハ等の被吸着体を保持するウエハ載置ステージに関するものである。」
「【００１５】図１は本発明のウエハ載置ステージを備える半導体製造装置を示す概略断面図である。
【００１６】
この半導体製造装置は，真空処理室２０内にＯリング２２を介してウエハ載置ステージ１を気密に設置したもので，ウエハ載置ステージ１は，静電チャック部５と，導電性ベース部材１０とからなる
【００１７】
静電チャック５部は，セラミック板状体２の上面を，半導体ウエハ等のウエハＷを載せる載置面３とするとともに，上記セラミック板状体２の下面に導体層よりなる一対の静電吸着用電極４を形成したものである
【００１８】
また，導電性ベース部材１０は，アルミニウムや超鋼，あるいはこれらの金属とセラミック材料との複合材からなり，その内部には冷却通路１１を有するとともに，静電吸着用電極４に接続されるリード線９を取り出すための貫通孔１２を形成してある
【００１９】
そして，静電チャック部５の下面側には一対の静電吸着用電極４を覆うように，第一の有機系接着剤層６を介して絶縁性フィルム７を接着するとともに，この絶縁性フィルム７と導電性ベース部材１０を第二の有機系接着剤８を介して接着することによりウエハ載置ステージ１を構成してあり，上記絶縁性フィルム７によって静電吸着用電極４と導電性ベース部材１０との間の絶縁性を保つようになっている
【００２０】そして，一対の静電吸着用電極４をそれぞれ直流電源２４に接続し，電圧を印加するとウエハＷと静電吸着用電極４の間に電位差が生じ，ウエハＷを載置面３に吸着固定することができるようになっている。
【００２１】なお，１３はウェハ載置ステージ１に形成されたリフトピン挿入穴であり，載置面３上にウエハＷを載せたり，持ち上げるためのリフトピン２６が突出可能に配置されている。
【００２２】また，ウェハ載置ステージ１の外周部には，有機系接着剤層６，８の露出面を包囲するように保護リング２５を設置してあり，有機系接着剤層６，８の露出面がフッ素ガスや塩素ガス等の腐食性ガスやプラズマによって直接侵されるのを防止してある。
【００２３】
さらに，真空処理室２０の内部上方には導電性ベース部材１０と対向する対向電極２１を設置してあり，高周波電源２３より両者の間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を印加することで真空処理室２０内にプラズマを発生させることができ
【００２４】また，図２に本発明のウエハ載置ステージ１の要部を説明するための断面図を示すように，載置面３にウエハＷを吸着させるには，一対の静電吸着用電極４間に１００〜３ｋＶの電圧を印加する。このため導電性ベース部材１０と静電吸着用電極４とは効率良く絶縁されていなければならない。ただし，静電吸着用電極４と導電性ベース部材１０の間に絶縁体を塗布する方法では，塗布された絶縁体中に気泡などの欠陥が生じ易く，気泡を基点として絶縁破壊を起こすために信頼性の点で問題がある。その為，予めフィルム状に加工された絶縁耐力の大きな絶縁性フィルム７を用いることが重要である。
【００２５】
絶縁性フィルム７の材質としては，ポリイミド，ポリカーボネート，ポリエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレート，ポリアミドイミド，ポリエーテルスルフォンなど１００℃以上の耐熱性を有し，絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ
2
以上あって，機械的強度及び剛性が大きいものが良く
「【００３３】ところで，
上述した特性を有する第一の有機系接着剤層６としては，エポキシ接着剤等を用いることができる
「【００３７】ところで，
上述した特性を有する第二の有機系接着剤層８としては，シリコン接着剤，ゴム系接着剤等を用いることができる
「【００３９】
なお，本発明のウエハ載置ステージ１では，第一及び第二の有機系接着剤層６，８間の熱伝導性を高めるため，第一又は第二の有機系接着剤層６，８中に，炭化珪素，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを添加したり，第一及び第二の有機系接着剤層６，８の粘性や耐熱性を改善するために，炭酸ルシウム，シリカ，カーボン等のフィラーを添加しても良い
「【００５４】次いで，粘度５０Ｐａ・ｓで，硬化後のヤング率が１２ＧＰａで，かつ伸び率６％のエポキシ接着剤を容器に入れ，２７００Ｐａ以下の減圧下で１５分以上保持することにより接着剤の脱泡をした。その後，この接着剤を，セラミックス板状体２の下面中央に一文字に垂らし，厚みを表１のように異ならせたポリイミド製の絶縁性フィルム７を載せた後，ゴム製ローラーで絶縁性フィルム７の中央から外周へ接着剤を掃き出すように押さえ付けて密着させた後，厚み２０ｍｍ，平面度１０μｍのアルミナ製定盤を絶縁フィルム７上に載せ，さらに重しを載せた状態で，温度１００℃のオーブンで３０分加熱し，接着剤を半硬化させた後，さらに温度１００℃のオーブンで１２時間加熱して接着剤を硬化させ，厚みが５〜５０μｍの第一の有機系接着剤層６を介して絶縁フィルム７を接着した。」
　したがって，甲２には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「真空処理室内にＯリングを介してウエハ載置ステージを気密に設置し，高周波電源により高周波を印加することで真空処理室内にプラズマを発生することができる半導体製造装置であって，
　ウエハ載置ステージは，静電チャック部と，導電性ベース部材とからなり，
　導電性ベース部材は，アルミニウムや超鋼，あるいはこれらの金属とセラミック材料との複合材からなり，その内部には冷却通路を有するとともに，静電吸着用電極に接続されるリード線を取り出すための貫通孔を形成してあり，
　静電チャック部は，セラミック板状体の上面を，半導体ウエハ等のウエハを載せる載置面とするとともに，上記セラミック板状体の下面に導体層よりなる一対の静電吸着用電極を形成したものであり，
　静電チャック部の下面側には一対の静電吸着用電極を覆うように，第一の有機系接着剤層を介して絶縁性フィルムを接着するとともに，この絶縁性フィルムと導電性ベース部材を第二の有機系接着剤を介して接着することによりウエハ載置ステージを構成してあり，上記絶縁性フィルムによって静電吸着用電極と導電性ベース部材との間の絶縁性を保つようになっており，
　絶縁性フィルムの材質としては，ポリイミド，ポリカーボネート，ポリエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレート，ポリアミドイミド，ポリエーテルスルフォンなど１００℃以上の耐熱性を有し，絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ2以上あって，機械的強度及び剛性が大きいものが良く，
　第一の有機系接着剤層としては，エポキシ接着剤等を用いることができ，
　第二の有機系接着剤層としては，シリコン接着剤，ゴム系接着剤等を用いることができ，
　第一及び第二の有機系接着剤層間の熱伝導性を高めるため，第一又は第二の有機系接着剤層中に，炭化珪素，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを添加しても良いウエハ載置ステージを備える半導体製造装置。」
　なお，特許異議申立人は，特許異議申立書において，甲２発明の「絶縁性フィルム」について，「充填剤を含有しない」と特定したが，甲２には，「絶縁性フィルム」が「充填剤」を含有するか否かについて，明示の記載が存在しないので，甲２発明を上記のように認定した。
（３）甲３について
　甲３には図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，例えば，半導体ウェハの固定，半導体ウェハの平面度の矯正，半導体ウェハの搬送などに用いられる静電チャックに関するものである。」
「【００２５】
　
また，セラミック絶縁板の内部の構成としては，セラミック絶縁板を加熱するヒータや，（被吸着物を冷却する）冷却用ガスが流れる冷却用ガス流路を設けることが好ましい
　・セラミック絶縁板（複数のセラミック層からなる場合には，各セラミック層）を構成する材料としては，アルミナ，イットリア（酸化イットリウム），窒化アルミニウム，窒化ホウ素，炭化珪素，窒化珪素などといった高温焼成セラミックを主成分とする焼結体などが挙げられる。また，用途に応じて，ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよいし，チタン酸バリウム，チタン酸鉛，チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよい。」
「【実施例１】
【００３２】
　ここでは，例えば
半導体ウェハを吸着保持できる静電チャック
　ａ）まず，本実施例の静電チャックの構造について説明する。
　
図１に示す様に，本実施例の静電チャック１は，図１の上側にて半導体ウェハ３を吸着する装置であり，第１主面（吸着面）５及び第２主面７を有する（例えば直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの）円盤状のセラミック絶縁板９と，（例えば直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの）円盤状の金属ベース（クーリングプレート）１１とを，例えばシリコーン樹脂からなる接着剤層１３を介して接合したものである
【００３３】
　特に，本実施例では，接着剤層１３の厚み方向と垂直の平面方向において，その接着剤層１３より外側（外周側）に，セラミック絶縁板９と金属ベース１１とに挟まれた外周空間１５を備えるとともに，セラミック絶縁板９には，外周空間１５に対して静電チャック１の周囲の空間のガスの圧力より高圧の作動ガスを供給するガス供給路１７を備えている。
【００３４】
　以下，各構成について説明する。
　前記セラミック絶縁板９は，後述する複数のセラミック層が積層されたものであり，アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。このセラミック絶縁板９の内部には，半導体ウェハ３を冷却するヘリウム等の冷却用ガスを供給するトンネルである冷却用ガス供給路２１が設けられ，その吸着面５には，冷却用ガス供給路２１が開口する複数の冷却用開口部２３や，冷却用開口部２３から供給された冷却用ガスが吸着面５全体に広がるように設けられた環状の冷却用溝２５が設けられている。
【００３５】
　一方，前記金属ベース１１は，例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製であり，その内部には，セラミック絶縁板９を冷却する冷却用液体（例えば水）が充填される冷却用空間２７が設けられている。
【００３６】
　更に，図２に詳細に示すように，前記セラミック絶縁板９においては，９層の第１〜第９セラミック層３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９が積層されている。詳しくは，セラミック絶縁板９の中心部分４１は，第１〜第８セラミック層３１〜３８が積層されているが，その中心部分４１の（第２主面７側の）外周部分４３，即ち中心部分４１よりも外側に環状に張り出している部分は，第６〜第８セラミック層３６〜３８からなり，更に，第８セラミック層３８の金属ベース１１側の外縁部には，環状の第９セラミック層３９が積層されている。
【００３７】
　
前記セラミック絶縁板９の中心部分４１の構成は，基本的に従来とほぼ同様であり，その内部において，吸着面５の（同図）下方には，例えば平面形状が半円状の一対の吸着用電極４５，４７（図１参照）が形成されている
【００３８】
　この吸着用電極４５，４７とは，静電チャック１を使用する場合には，両吸着用電極４５，４７の間に，直流高電圧を印加し，これにより，半導体ウェハ３を吸着する静電引力（吸着力）を発生させ，この吸着力を用いて半導体ウェハ３を吸着して固定するものである。
【００３９】
　
また，吸着用電極４５，４７の（同図）下方には，従来と同様に，例えば同一平面にて軸中心を回るように螺旋状に巻き回されたヒータ（発熱体）４９が形成されている
　したがって，甲３には次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックであって，
　第１主面（吸着面）及び第２主面を有する円盤状のセラミック絶縁板と，円盤状の金属ベース（クーリングプレート）とを，例えばシリコーン樹脂からなる接着剤層を介して接合したものであり，
　セラミック絶縁板の内部の構成としては，セラミック絶縁板を加熱するヒータや，（被吸着物を冷却する）冷却用ガスが流れる冷却用ガス流路を設けることが好ましく，
　セラミック絶縁板の吸着面の下方には，例えば平面形状が半円状の一対の吸着用電極が形成され，
　また，吸着用電極の下方には，従来と同様に，例えば同一平面にて軸中心を回るように螺旋状に巻き回されたヒータ（発熱体）が形成されている，
静電チャック。」
５　当審の判断
（１）請求項１に係る発明について
ア　対比
　請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）と甲１発明とを対比すると，
（ア）　甲１発明の「金属ベース板」は円板状であることから表面と裏面を有することは明らかであるので，甲１発明の「金属ベース板」は本件発明１の「表面及び裏面を有するベース部材」に相当する。
（イ）　甲１発明の「セラミック薄板」は金属ベース板の上側にあり，被吸着基板との接触面を構成するものであるので，甲１発明の「セラミック薄板」は本件発明１の「該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材」に相当する。
（ウ）　甲１発明の弾性絶縁体膜に混入される「フィラー」は本件発明１の「充填剤」に相当する。また，甲１発明の金属ベース板とセラミック薄板との間には弾性絶縁体膜を含み，当該弾性絶縁体膜の上下には接着剤を介してそれぞれ，金属ベース板とセラミック薄板とを接着しているものであるので，当該弾性絶縁体膜と金属ベース板又はセラミック薄板の間には層と呼ばれるものが形成されていることは明らかである。そして，接着剤の層と弾性絶縁体膜とは金属ベース板とセラミック薄板とを接着するための層であり，また，「弾性絶縁体膜」はシリコン・ゴム，或いは弗素ゴム等よりなり，「接着剤」の層はゴム系の接着剤である。してみれば，甲１発明の金属ベース板とセラミック薄板との間にある「接着剤」及び「弾性絶縁体膜」は，本件発明１の「充填剤を含有する第１の樹脂層」及び「充填剤を含有しない第２の樹脂層」と，それぞれ，「第２接着層」及び「充填剤を含有する第１接着層」である点で共通する。したがって，甲１発明の金属ベース板とセラミック薄板との間には弾性絶縁体膜を含み，当該弾性絶縁体膜の上下には接着剤によりそれぞれ層が形成されていることは，本件発明１と，「充填材を含有する第１接着層と，第２接着層と，を備え，前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１接着層及び前記第２接着層を含む接合層が配置され，該接合層は，前記第１接着層を少なくとも１層含む接合本体部と，前記ベース部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２接着層と，を含み，前記接合層は，さらに，前記支持部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２接着層を含む」点で共通する。
（エ）　甲１発明の「静電吸着装置」は，被吸着基板との接触面を構成しており，本件発明１の「加熱装置」との間で，被処理物を支持する点では共通するので，甲１発明の「静電吸着装置」は，本件発明１と被処理物を支持する「支持装置」であるという点で共通する。
　したがって，本件発明１と，甲１発明とは以下の点で一致し，相違する。
（一致点）
「表面及び裏面を有するベース部材と，
　該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材と，
　充填材を含有する第１接着層と，
　第２接着層と，を備え，
　前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１接着層及び前記第２接着層を含む接合層が配置され，
　該接合層は，前記第１接着層を少なくとも１層含む接合本体部と，前記ベース部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２接着層と，を含み，
　前記接合層は，さらに，前記支持部材と前記接合本体部との間に配置された前記第２接着層を含むことを特徴とする支持装置。」
（相違点）
（相違点１）本件発明１においては，「被処理物を加熱するヒータ」が「支持部材に設けられ」ているのに対して，甲１発明においては被処理物を加熱するヒータがセラミック薄板に設けられていない点。
（相違点２）第１接着層について，本件発明１においては，「充填材を含有する第１樹脂層」であるのに対して，甲１発明においては，フィラー（充填剤）が混入されるシリコン・ゴム，或いは弗素ゴム等よりなるものの，「樹脂層」とは記載されていない点。
（相違点３）第２接着層について，本件発明１においては，「充填材を含有しない第２樹脂層」であるのに対して，甲１発明においては，ゴム系の接着剤の層であるものの，「充填剤を含有しない」もので，「樹脂層」とは記載されていない点。
（相違点４）支持装置について，本件発明１においては「加熱装置」であるのに対して，甲１発明においては，被吸着基板を支持する静電吸着装置であるが，「加熱装置」であると特定されていない点。
イ　判断
　相違点１について検討する。
　甲３には，「セラミック絶縁板」の「吸着面」の下方に「吸着用電極」を形成し，その
「吸着用電極の下方」に，「ヒータ（発熱体）」を形成した
　そして，甲１発明は「セラミック薄板」の下方に吸着電極である「膜状の第１，第２の電極」を有するものであるので，甲１発明に甲３発明を適用した場合には，「膜状の第１，第２の電極」の下方に「ヒータ」を設けることになり，「膜状の第１，第２の電極」が被着配設された裏面と「セラミック薄板」の被吸着基板との接触面との間に位置する「セラミック薄板」に「ヒータ」を設けることは観念できない。
　また，仮に「セラミック薄板」に「ヒータ」を設けた場合には，静電吸着用電極と被吸着基板との間に，「ヒータ」が位置することとなり，被処理物の吸着を妨げることから，甲１発明に甲３発明を適用する阻害要因が存在するといえる。
　よって，その他の相違点を検討するまでもなく，本件発明１は，甲１発明及び甲３発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
　特許異議申立人は，本件発明１において，「被処理物を加熱するヒータ」が「支持部材に設けられ」る点について，「静電吸着装置において，半導体ウエハなどの被処理物を支持する部材にヒータを設けることは甲第３号証の記載事項２に記載されているように周知ともいえる事項である。したがって，被処理物を加熱するヒータが支持部材に設けることは当業者が容易になし得ることにすぎない。」と主張する。
　しかし，上記にて説示したように，「静電吸着装置において，半導体ウエハなどの被処理物を支持する部材にヒータを設けること」が周知であったとしても，甲１発明への適用には阻害要因があるので，上記主張には理由がない。
（２）請求項７に係る発明について
ア　対比
　請求項７に係る発明（以下「本件発明７」という。）と甲２発明とを対比すると，
（ア）　甲２発明の「導電性ベース部材」はその上側にセラミック板状体を含む静電チャック部があり，真空処理室内にＯリングを介してウエハ載置ステージを設置したものであるので，ウエハ載置ステージの下側である「導電性ベース部材」は，その下側をＯリングを介して真空処理室に設置するものであり，上面及び下面を持つことは自明であるので，甲２発明の「導電性ベース部材」は本件発明７の「表面及び裏面を有するベース部材」に相当する。
（イ）　甲２発明の「セラミック板状体」は，その上面を，「半導体ウエハ等のウエハを載せる載置面とするとともに」その下側に「導電性ベース部材」を有するものであるので，甲２発明の「セラミック板状体」は本件発明７の「該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材」に相当する。
（ウ）　甲２発明の「第一の有機系接着剤層」は「エポキシ接着剤等を用いることができること」，甲２発明の「第二の有機系接着剤層」は「シリコン接着剤」「等を用いることができること」，甲２発明の「絶縁性フィルム」の材質は「ポリイミド」等であるから，甲２発明の「第一の有機系接着剤層」，「第二の有機系接着剤層」及び「絶縁性フィルム」は「樹脂」であると言える。また，甲２発明では「静電チャック部」と「導電性ベース部材」との間に，「第一の有機系接着剤層」，「第二の有機系接着剤層」及び「絶縁性フィルム」を含んで接着するものであり，また，甲２発明では「第一又は第二の有機系接着剤層中に，炭化珪素，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを添加しても良い」ものであり，ここで，甲２発明の「フィラー」は本件発明７の「充填剤」に相当するので，甲２発明の「静電チャック部の下面側には一対の静電吸着用電極を覆うように，第一の有機系接着剤層を介して絶縁性フィルムを接着するとともに，この絶縁性フィルムと導電性ベース部材を第二の有機系接着剤を介して接着することによりウエハ載置ステージを構成」することは，本件発明７と「第１樹脂層と，第２樹脂層と，を備え，前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む接合層が配置され，該接合層は，前記ベース部材側に配置された前記第１樹脂層と，前記支持部材側に配置された前記第１樹脂層と，これら２つの前記第１樹脂層の間に配置された前記第２樹脂層と，を含む」点で共通する。
（エ）　甲２発明の「ウエハ載置ステージ」は，ウエハを載せる載置面を有しており，本件発明７の「加熱装置」との間で，被処理物を支持する点では共通するので，甲２発明の「ウエハ載置ステージ」は，本件発明７と被処理物を支持する「支持装置」であるという点で共通する。
　したがって，本件発明７と，甲２発明とは以下の点で一致し，相違する。
（一致点）
「表面及び裏面を有するベース部材と，
　該ベース部材の前記表面側に配置され，被処理物を支持する支持面を有する支持部材と，
　第１樹脂層と，
　第２樹脂層と，を備え，
　前記ベース部材と前記支持部材との間には，前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む接合層が配置され，
　該接合層は，前記ベース部材側に配置された前記第１樹脂層と，前記支持部材側に配置された前記第１樹脂層と，これら２つの前記第１樹脂層の間に配置された前記第２樹脂層と，を含むことを特徴とする支持装置。」
（相違点）
（相違点５）本件発明７においては，「被処理物を加熱するヒータ」が「支持部材に設けられ」ているのに対して，甲２発明においてはヒータがセラミック板状体に設けられていない点。
（相違点６）第１樹脂層について，本件発明７においては，「充填材を含有する」のに対して，甲２発明においては，「第一及び第二の有機系接着剤層間の熱伝導性を高めるため，第一又は第二の有機系接着剤層中に，炭化珪素，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを添加しても良い」とはされているものの，充填剤を含有するとまでは特定されていない点。
（相違点７）第２樹脂層について，本件発明７においては，「充填材を含有しない」ものであるが，甲２発明においては，充填剤を含有しないとは特定されていない点。
（相違点８）支持装置について，本件発明７においては「加熱装置」であるのに対して，甲２発明においては，被処理物を支持するウエハ載置ステージであるが，「加熱装置」であると特定されていない点。
イ　判断
　相違点５について検討する。
　甲２発明は「静電チャック部は，セラミック板状体の上面を，半導体ウエハ等のウエハを載せる載置面とするとともに，
上記セラミック板状体の下面に導体層よりなる一対の静電吸着用電極を形成したもの
　よって，その他の相違点を検討するまでもなく，本件発明７は，甲２発明及び甲３発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
　特許異議申立人は，本件発明７について，本件発明１についてと同様の主張を行っているが，上記（１）イで検討したと同様に，その主張には理由がない。
６　むすび
　したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１及び７に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に請求項１及び７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３１年１月２４日（２０１９．１．２４）