【事件の表示】
　特願２０００−５５６４９６「赤外フィルタなしピクセル構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月２９日国際公開、ＷＯ９９／６７９４４、平成１４年７月２日国内公表、特表２００２−５１９８５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、１９９９年６月２３日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理１９９８年６月２４日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１８年６月１２日に手続補正書が提出され、その後、平成２１年２月１３日付けの拒絶理由通知に対して同年５月２１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年２月１９日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年６月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１０月２０日付けで審尋がなされ、平成２４年３月１６日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年６月１６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年６月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３を補正して、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３とするものであり、補正前後の請求項１〜３は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム？酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメントと、そして
　上記一組の光選択性エレメントと結合された制御回路と
を具備した撮像システムのピクセル構造体。
　【請求項２】　入力光と制御信号に応答してセンサ信号を供給するピクセル構造体と、
　上記ピクセル構造体の上に設けたフィルタ素子配列と、
　上記制御信号を発生しイメージセンサを制御する制御回路と、そして
　上記センサ信号に応答してイメージ・データを発生する信号処理回路と
から構成され、
　上記ピクセル構造体は、赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム？酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメントを有する、
ことを特徴とするイメージ・センサ装置。
　【請求項３】　赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム？酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを形成するステップであって、上記ダイオードと上記導電層は制御回路と結合される、ステップを備えることを特徴とする光選択性エレメントの製作方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　入力光およびリセット信号に応答してセンサ信号を供給するためのＣＭＯＳ制御回路（５８０）上のイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造を備える装置であって、
　前記ピクセル構造が、
　水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメントと、
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）と
を備え、
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有し、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている、
ことを特徴とする装置。
　【請求項２】
　入力光とリセット信号に応答してセンサ信号を供給するピクセル構造体であって、水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメントと、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）とを備え、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有し、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている、ピクセル構造体と、
　上記ピクセル構造体の上に設けたフィルタ素子配列と、
　上記制御信号を発生しイメージ・センサ（４０５）を制御する制御回路（４１８）と、
そして
　上記センサ信号に応答してイメージ・データを発生する信号処理回路（４１４）と
を備えることを特徴とするイメージ・センサ・システム。
　【請求項３】
　水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメントと、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）とを形成するステップであって、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有し、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている、ステップを備える方法。」
　
　なお、ここにおいて、補正前の請求項１〜３の「インジュウム？酸化物（ＩＴＯ）」は、「インジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）」の誤記であることが明らかであるから、以下においては、そのように読み換える。
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１を補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２を補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項３を補正して、補正後の請求項３とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
（１−１）新規事項の追加の有無
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面を「当初明細書等」という。）の００１７段落〜００２２段落及び００３２段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項という。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（１−２）補正の目的の適否
　補正事項１により、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「アモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメント」が、「水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメント」とする補正されている。
　しかしながら、そのような補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「アモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメント」について、「インジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える」という技術的限定を削除するするものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に係る特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、そのような補正が特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項１は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（２）補正事項２について
（２−１）新規事項の追加の有無
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００１７段落〜００２２段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（２−２）補正の目的の適否
　補正事項２により、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメント」が、「水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメント」と補正されている。
　しかしながら、そのような補正は、上記（１−２）において検討したとおりの理由で、特許法第１７条の２第４項のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項２は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）補正事項３について
（３−１）新規事項の追加の有無
　補正事項３により補正された部分は、当初明細書の００１７段落〜００２２段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３−２）補正の目的の適否
　補正事項３により、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを形成するステップであって、上記ダイオードと上記導電層は制御回路と結合される、ステップ」について、「上記ダイオードと上記導電層は制御回路と結合される」という技術的限定を削除する補正がなされているが、そのような補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に係る特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、そのような補正が特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項３は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正事項１〜３は、いずれも特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしてない。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）はじめに
　上記３．において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　しかしながら、仮に、本件補正の目的が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件補正が同法同条同項に規定する要件を満たすものであった場合において、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについても、一応検討する。
　
（２）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．に補正後の請求項１として記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　入力光およびリセット信号に応答してセンサ信号を供給するためのＣＭＯＳ制御回路（５８０）上のイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造を備える装置であって、
　前記ピクセル構造が、
　水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する一組の光選択性エレメントと、
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）と
を備え、
　前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有し、前記水素化アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている、
ことを特徴とする装置。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
（３−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−１２４８８３号公報（「以下「引用例」という。）には、第１図〜第３図と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「〔産業上の利用分野〕
　
この発明は、アモルファスＳｉ製の光電変換薄膜を有するカラーセンサに適した光電変換装置に関する
　
ｂ．「〔従来の技術〕
　
従来、カラーセンサとして、単結晶Ｓｉ中に光電変換用領域を形成し、表面に赤外カットフィルターおよび色フィルターを配したセンサがある。しかし、このセンサは、構造・製造工程が複雑であるため、非常にコストが高い
　
一方、近年、アモルファスＳｉ（以下、適宜「ａ−Ｓｉ」と言う）製の光電変換薄膜を、太陽電池の他に光センサ−、あるいは、イメージセンサーに応用する試みがなされている
　第３図に図示したａ−Ｓｉ製光電変換薄膜５１応用力ラーセンサはコストダウンが期待できる。
ａ−Ｓｉ製光電変換薄膜５１の場合、製造工程が簡単であるし、対波長感度特性が人間の目のそれに近くて赤外域の感度が低く赤外カットフィルタの省略が可能であり、
　第３図のカラーセンサの場合、光入射側に赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）用の３つの色フィルタ５２ａ、５２ｂ、５２ｃがガラス基板５３表面に並べて設けられ、同基板５３裏面の透明電極５４を透過してａ−Ｓｉ製光電変換薄膜５１に光が達すると、透明電極５４および裏面電極５５ａ、５５ｂ、５５ｃの間にＲＧＢ信号が発生する。
　
しかしながら、このカラーセンサは、色フィルタを光入射側に設ける必要があるため、十分な低コスト化を図ることは無理であり、ＲＧＢ３つ分を合わせた広い基板面積を必要とし各色毎にそれぞれフィルタを必要とする構造は、高集積化が図り難く、カラーイメージセンサに用いることは難しい
　
〔発明が解決しようとする課題〕
　
この発明は、上記事情に鑑み、色フィルタを必要とせず、高集積化が図り易くてカラーセンサに通した光電変換装置を提供することを課題とする
　
ｃ．「以下、この発明をより具体的に説明する。
　光入射側にある第１光電変換薄膜は青色検出用であり、中間の第２光電変換薄膜は緑色検出用であり、光入射側と反対の側の第３光電変換薄膜は赤色検出用である。
　
一般に、ａ−Ｓｉ製薄膜の場合、短波長光に対して吸収係数が大きく、波長が長くなるに従い吸収係数が小さくなる性質がある
光の色
波長
吸収係数
膜深さ
　　　　
（ｎｍ）
（ｃｍ
−１
）
（μｍ）
　
青
４８０
１×１０
５
　
０．２３
　
緑
５５０
５×１０
４
　
０．４９
　
赤
６５０
５×１０
２
　
２．３
　
つまり、ａ−Ｓｉ光電変換薄膜が光入射側から順に０．２３μｍ、０．２６μｍ、１．８１μｍであれば、青色光は第１光電変換薄膜で殆ど吸収され、緑色光は第２光電変換薄膜までで殆ど吸収され、第３光電変換薄膜では赤色光のみが吸収されるということになる
　
ｄ．「
この発明における光電変換薄膜では、光電変換に直接与からないｐ型ａ−Ｓｉ層とｎ型ａ−Ｓｉ層は極く薄く（数１００Å以下、通常１００〜３００Å）でイントリンシックアモルファスＳｉ（以下、適宜「ｉ型ａ−Ｓｉ」と言う）層の厚みに比べ非常に小さい。そのため、光電変換薄膜厚みは、事実上、ｉ型ａ−Ｓｉ層に支配される。
　光入射側の光電変換薄膜（第１光電変換薄膜）のイントリンシックアモルファスＳｉ層：０．２〜０．５μｍ
　中間の光電変換薄膜（第２光電変換薄膜）のイントリンシックアモルファスＳｉ層：０．３〜１．８μｍ
　光入射側とは逆の側の光電変換薄膜（第３光電変換薄膜）のイントリンシックアモルファスＳｉ層：０．１〜２．０μｍ
　赤色光入射の場合、第１、２光電変換薄膜の出力にも赤色光吸収分が出るし、緑色光入射の場合は、第１光電変換薄膜の出力にも緑色光吸収分が出る。また、青、緑、赤の色の光のうち２以上が同時に入射する場合、第１、２光電変換薄膜の出力には他の色の光吸収分が含まれる。しかし、信号処理の段階で他の出力を使い他色の混入光吸収分を除く補正を行うようにして、ＲＧＢ信号を得ることができるので問題ない。例えば、青色光と赤色光が同時に入射した場合、第１光電変換薄膜には青色光吸収分の他、赤色光吸収分も含まれるが、信号処理の段階で、第３光電変換薄膜の出力を使い、第１光電変換薄膜に出力から赤色光吸収分を差し引く補正を行えば、この補正出力がＢ信号になるのである。」（２ページ左下欄１０行〜３ページ左上欄４行）
　
ｅ．「　　−実施例２−
　
以下のようにして、第１図と第２図に示す構成の光電変換装置を得た
　
表面に酸化膜が形成されたＳｉウェハを用い、同ウェハ上に厚み０．２μｍのＣｒ薄膜を形成し、パターン化して所定形状の電極を設けた
　
ついで、プラズマＣＶＤ法により、厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の第３光電変換薄膜を設けた
　
第３光電変換薄膜の上に、厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜をＥＢ蒸着により形成し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の透明な電極を設けた
　
電極形成に続いて、プラズマＣＶＤ法により、厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の第２光電変換薄膜を設けた。その後、厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜をＥＢ蒸着により形成し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の透明な電極を設けた
　
この後、再び、プラズルＣＶＤ法（審決注：「プラズマＣＶＤ法」の誤記）により、厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の第１光電変換薄膜を設けた。最後に、厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いパターン化し、所定形状の透明な電極を設け、光電変換装置を完成した
　
そして、この光電変換装置に、基板側とは反対の側から青、緑、赤の各色の光を入射し、光電変換特性を調べた
　
波長４８０ｎｍの青色光の場合、第１光電変換薄膜に約０．７Ｖの電圧が発生した。第２、３光電変換薄膜には電圧が殆ど発生しなかった
　
波長５５０ｎｍの緑色光の場合、第２光電変換薄膜に約０．７Ｖの電圧が発生した。第３光電変換薄膜には電圧が殆ど発生しなかった。なお、第２光電変換薄膜では緑色光の約４０％が吸収される
　
波長６５０ｎｍの赤色光の場合、第３光電変換薄膜に約０．７Ｖの電圧が発生した。なお、第３光電変換薄膜では赤色光の約２５％が吸収される
　また、光の強度を変えると強度に応じた出力電流が得られることも確認できた。」（４ページ右上欄９行〜右下欄１４行）
　
（３−２）ここにおいて、摘記事項ｅ．に記載された「実施例２」に係る光電変換装置（以下「引用例の光電変換装置」という。）に注目すると、摘記事項ｅ．の記載並びに第１図及び第２図の記載から、引用例の光電変換装置は、表面に酸化膜が形成されたＳｉウェハ上に厚み０．２μｍのＣｒ薄膜電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第３光電変換薄膜を設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第２光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第１光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられたものであることが明らかである。
　また、摘記事項ｅ．の「そして、この光電変換装置に、基板側とは反対の側から青、緑、赤の各色の光を入射し、光電変換特性を調べた。」という記載における「基板側」とは、「Ｓｉウェハ」の側であることが明らかである。
　
（３−３）したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「光電変換装置において、
　表面に酸化膜が形成されたＳｉウェハ上に厚み０．２μｍのＣｒ薄膜電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第３光電変換薄膜を設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第２光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第１光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、
　前記Ｓｉウェハの側とは反対の側から青、緑、赤の色の光を入射するものである光電変換装置。」
　
（４）補正発明と引用発明との対比
（４−１）引用発明の「光電変換装置」と補正発明の「イメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造」とは、共に光電変換を実現する構造である点で一致する。
　また、引用発明の「光電変換装置」が入力光に反応するものであり、光の検出信号、すなわちセンサ信号を供給するという機能を有していることは当業者にとって自明である。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「『入力光』『に応答してセンサ信号を供給するための』光電変換を実現する構造『を備える装置』」である点で一致する。
　
（４−２）引用発明の「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第３光電変換薄膜」、「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第２光電変換薄膜」及び「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第１光電変換薄膜」が、各々ダイオードとして機能すること、及び特定の波長の光に反応して電圧を発生する性質、すなわち光選択性を備えていることは明らかであり、引用発明の「ａ−Ｓｉ」がアモルファス・シリコンを意味することは当業者の技術常識である。
　したがって、引用発明の「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第３光電変換薄膜」、「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第２光電変換薄膜」及び「厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第１光電変換薄膜」の各々は、補正発明の「『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する』『光選択性エレメント』」に相当する。
　
（４−３）引用発明の「第３光電変換薄膜」の「Ｓｉウェハ」の側に設けられた０．２μｍのＣｒ薄膜電極、並びに、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」の各々の「Ｓｉウェハの側」に設けられた「０．２μｍのＩＴＯ薄膜」は、各々補正発明の「『前記』『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）』」に相当する。
　また、引用発明の「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」の各々の「Ｓｉウェハ」の側とは反対の側に設けられた「０．２μｍのＩＴＯ薄膜」は、各々補正発明の「『前記』『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）』」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「『前記』光電変換を実現する構造が、『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する』『光選択性エレメントと、　前記』『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして　前記』『アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）とを備え』」ている点で一致する。
　
（４−４）引用発明の「ｉ型ａ−Ｓｉ層」、「ｐ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ型ａ−Ｓｉ層」が、各々補正発明の「真性型層」、「ｐ型層」及び「ｎ型層」に相当することは、当業者にとって自明である。
　そして、引用発明の「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」における「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さは、各々「０．６μｍ」、「０．６μｍ」及び「０．４μｍ」であって、いずれも「０．１μｍから１μｍの範囲の厚さ」であり、引用発明の「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」における「ｐ型ａ−Ｓｉ層」の厚さは、すべて「０．０１μｍ」であって、いずれも「５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さ」であり、引用発明の「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」における「ｎ型ａ−Ｓｉ層」の厚さは、すべて「０．０１μｍ」であって、いずれも「５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さ」である。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「前記アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有し」ている点で一致する。
　
（４−５）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　
　「入力光に応答してセンサ信号を供給するための光電変換を実現する構造を備える装置であって、
　前記光電変換を実現する構造が、
　アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）を有する光選択性エレメントと、
　前記アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの非入力光側に配置された導電層（５６０）と、そして
　前記アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの入力光側に配置されたインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層（５５０）と
を備え、
　前記アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し、そのｐ型層は５ｎｍから２０ｎｍの範囲の厚さを有し、そのｎ型層は５ｎｍから４０ｎｍの範囲の厚さを有している、
ことを特徴とする装置。」
　
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「ＣＭＯＳ制御回路（５８０）上のイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造を備える装置」であって、「センサ信号」の供給が「リセット信号に応答して」なされるものであるのに対して、引用発明は、「光電変換装置」そのものであって、「センサ信号」の供給が「リセット信号に応答して」なされる構成ともなっていない点。
　
（相違点２）
　「アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）」を構成する「アモルファス・シリコン」が、補正発明では「水素化」されたものであるのに対して、引用発明ではそのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備えているのに対して、引用発明は、「光電変換装置」が「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」という３組の「光選択性エレメント」を備えている点。
　
（相違点４）
　補正発明は、「アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている」のに対して、引用発明はそのようなことが特定されていない点。
　
（５）相違点についての当審の判断
（５−１）相違点１について
（５−１−１）一般に、光電変換装置をイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造に適用することは、当業者における周知技術であって、引用例の従来技術についての「一方、近年、アモルファスＳｉ（以下、適宜「ａ−Ｓｉ」と言う）製の光電変換薄膜を、太陽電池の他に光センサ−、あるいは、イメージセンサーに応用する試みがなされている。」（１ページ右下欄１０行〜１３行）という記載から、引用例においても、引用発明をイメージセンサーに応用すること、すなわち、イメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造に適用することが想定されていることは明らかである。
　そして、一般に、光電変換装置をイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造に適用するに当たり、光電変換装置をＭＯＳトランジスタを用いた制御回路の上部に形成する構造とすることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１にも記載されているように、当業者における周知技術であり、さらに、一般に、ＭＯＳトランジスタを用いて回路を構成する場合において、ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ又はＣＭＯＳのうちのどのトランジスタを採用するかは、速度や消費電力、更には製造装置等を考慮して当業者が適宜選択し得る設計的事項であって、いずれのトランジスタも広く採用されてきているところ、イメージセンサの制御回路をＣＭＯＳトランジスタで実現することも、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例２にも記載されているように、当業者において従来から行われてきていることである。
　さらに、光電変換装置をＭＯＳトランジスタを用いた制御回路の上部に形成する構造とした場合には、下記周知例１にも記載されているように、光電変換装置がリセットトランジスタに応答して出力信号を供給する構成となることは当業者の技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開平１０−９３０６６号公報
　上記周知例１には、図１、１２及び１３と共に次の記載がある。
　「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の実施の形態を説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態に於ける固体撮像装置の構成を示した図である。
【００１７
】図１に於いて、単位セルは、フォトダイオード２１、読出しトランジスタ２２、増幅トランジスタ２３、リセットトランジスタ２４から成っており、ソース線２５に接続された読出しトランジスタ２６は、信号線２７を通じて増幅トランジスタ２３とソースフォロワ回路を構成している
　「【００５６】
次に、この発明の第４の実施の形態について説明する。図１２及び図１３は、光電変換部を積層した構造の増幅型固体撮像素子について示したもので、図１２は増幅型固体撮像素子の１画素分についての信号線とドレイン線の配置構成を示した図、図１３は図１２の増幅型固体撮像素子の配線配置についての半面配置を示した図である
【００５７】上述した第３の実施の形態と同様に、先ず素子部分から形成される。尚、このとき、第３の実施の形態の光電変換部となる部分でも一部電荷を蓄積することができる。
【００５８】そして、信号電荷を蓄積部７３に運ぶために、絶縁層７４にＲＩＥ等を用いて公が形成され、タングステンＣＶＤ等により金属の柱（プラグ）７５が形成される。この後、スパッタリング法等により、Ａｌ（アルミニウム）膜が、例えば４００ｎｍ堆積されて、レジストのパターニング、ＲＩＥ等によって所望の形状に形成される。これにより、ドレイン線７６と金属キャップ７７が同時に形成される。
【００５９】この後、シリコン酸化膜７４が堆積され、再度、レジストのパターニング、ＲＩＥ、金属膜の堆積等が繰返されて、金属プラグ７８上に信号線７９及び金属キャップ８０が形成される。このとき、信号線７９と同層で金属キャップ８０が形成されるので、信号線７９と金属キャップ８０が電気的に接触しないようにしなければならない。このため、信号線７９と金属キャップ８０の間には、０．６μｍ以上の間隔を保って電気的に接触する危険性を避けるようにする。
【００６０】このため、図１２からも分かるように、信号線７９は、ドレイン線７６の上に重ならないように配線することはできない。つまり、信号線７９とドレイン線７６は、重ねられた構造にしなくてはならない。
【００６１】信号線まで形成された後は、再度シリコン酸化膜７４が堆積され、ＲＩＥによる加工、金属膜の堆積加工が行われて金属プラグ８１が形成される。この後、例えば、Ｔｉ等の金属が堆積され、ＲＩＥ等による形状加工が行われて画素電極８２が形成される。
【００６２】
最後に、光電変換層８３として、例えばアモルファスＳｉ膜が堆積され、光電変換層８３上、すなわち最上部に、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極８４が堆積される
　
　上記記載、及び図１、１２及び１３の記載から、上記周知例１には、イメージセンサーである固体撮像素子において、光電変換層８３を、読出しトランジスタ２２、増幅トランジスタ２３、リセットトランジスタ２４、読出しトランジスタ２６等のＭＯＳトランジスタを含む制御回路の上に形成する構造が記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開平６−１１７９２４号公報
　上記周知例２には、図６と共に次の記載がある。
　「【００２９】
図６に示す如く、信号処理回路２８は、フォトダイオードアレイ２６Ｘ，２６Ｙを構成している合計２００個のフォトダイオードＤ１〜Ｄ２００に、夫々、コンデンサＣ１〜Ｃ２００を並列接続すると共に、このコンデンサＣ１〜Ｃ２００の端子電圧を外部に取り出すためのＣＭＯＳ型のトランジスタＴＲ１〜ＴＲ２００と、各コンデンサＣ１〜Ｃ２００を充電するためのＣＭＯＳ型のトランジスタＴＲ０とを各画素毎に設けることにより、フォトダイオードアレイ２６Ｘ，２６Ｙの各画素毎に検出回路Ｋ１〜Ｋ２００を形成し、各検出回路Ｋ１〜Ｋ２００毎に、順次、コンデンサＣ１〜Ｃ２００を基準電圧Ｖ１で充電した後所定時間経過する間にフォトダイオードＤ１〜Ｄ２００を介して放電される電荷量を検出し、これを各フォトダイオードＤ１〜Ｄ２００が受光した光量を表す検出信号ＳＯＵＴとして出力する、ＣＭＯＳ型のイメージセンサとして構成されている
　
　上記記載から、上記周知例２には、イメージセンサの制御回路である信号処理回路２８をＣＭＯＳ型のトランジスタを用いて構成することが記載されているものと認められる。
　
（５−１−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明の「光電変換装置」を、ＣＭＯＳ制御回路の上に形成してイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造とし、リセット信号に応答して光検出信号を供給する構成とすること、すなわち、補正発明のように、「ＣＭＯＳ制御回路（５８０）上のイメージ・センサ・デバイス用ピクセル構造を備える装置」であって、「センサ信号」の供給が「リセット信号に応答して」なされる構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
（５−２−１）一般に、受光素子等にアモルファスシリコンを用いる場合において、そのままではダングリングボンドが多く実用に供し難いため、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例３にも記載されているように、ダングリングボンドを水素で終端させた水素化アモルファスシリコンを用いることが通常行われている。
　
ａ．周知例３：特開平６−１８１３００号公報
　上記周知例３には、図１及び２と共に次の記載がある。
　「【００１８】
【実施例】
次に、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を図面に基づいて詳しく説明する
【００１９】半導体装置として半導体素子であるフォトダイオード及びブロッキングダイオードと、マトリックス配線とを有する原稿読み取り装置を例にして説明する。
図２（ｃ）に示すように、本発明方法により製造される原稿読み取り装置１０は絶縁基板１２上に下部電極１４と半導体部１６と上部電極１８とから成る１対の半導体素子２０（フォトダイオード），２２（ブロッキングダイオード）が複数配列させられて構成されている。このような構造の原稿読み取り装置１０は概略次のようにして製造される
【００２０】
図１（ａ）に示すように、先ずガラスなどから成る絶縁基板１２上に第１の下部電極層２４と第２の下部電極層２５から成る下部電極層と、半導体層２６及び上部電極層２８をこの順にそれぞれ成膜して積層する
（途中略）
【００２３】
次に、半導体層２６はたとえば水素化アモルファスシリコンａ−Ｓｉ：Ｈを用いてｐｉｎ構造のフォトダイオードの構造に堆積されたものが用いられる。すなわち、先ずホウ素Ｂあるいは周期律表第３族の元素をドープしたｐ形ａ−Ｓｉ：Ｈ、ノンドープのｉ形ａ−Ｓｉ：Ｈ、リンＰあるいは周期律表第５族の元素をドープしたｎ形ａ−Ｓｉ：Ｈを順に堆積して形成され、これらｐ層，ｉ層，ｎ層は真空を保持しつつ連続して成膜するのが好ましい。
　
　上記記載から、上記周知例３には、フォトダイオードに水素化アモルファスシリコンａ−Ｓｉ：Ｈを用いることが記載されているものと認められる。
　
（５−２−２）したがって、引用発明において用いられている「ａ−Ｓｉ」も、実際には水素化されたもの、すなわち補正発明のように「水素化アモルファス・シリコン」であると解されるから、相違点２は実質的なものではない。
　また、仮に、引用発明において用いられている「ａ−Ｓｉ」が水素化されたものであるとまではいえず、相違点２が実質的なものであったとしても、上に述べた技術常識に鑑み、相違点２は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）相違点３について
（５−３−１）相違点３は、補正発明が、カラーフィルタを用いることを前提とし、入射光に応じて１つの電気信号を出力する構造となっているのに対して、引用発明は、カラーフィルタを用いないことを前提とし、入射光に応じて３つの電気信号を出力する構造（いわゆるタンデム構造）となっていることに起因するものと認められる。
　そして、引用発明においてそのような構造を採用している理由は、引用例の「しかしながら、このカラーセンサは、色フィルタを光入射側に設ける必要があるため、十分な低コスト化を図ることは無理であり、ＲＧＢ３つ分を合わせた広い基板面積を必要とし各色毎にそれぞれフィルタを必要とする構造は、高集積化が図り難く、カラーイメージセンサに用いることは難しい。・・・この発明は、上記事情に鑑み、色フィルタを必要とせず、高集積化が図り易くてカラーセンサに通した光電変換装置を提供することを課題とする。」（２ページ左上欄９行〜２０行）という記載から明らかなように、カラーフィルタを必要とせず、高集積化を実現するためであることが明らかである。
　すなわち、引用発明は、カラーフィルタを必要とせず、高集積化を実現するために、補正発明のような入射光に応じて１つの電気信号を出力する構造に対して改良を加えたものであることが明らかであるから、引用発明において、タンデム構造に換えて、補正発明のような入射光に応じて１つの電気信号を出力する構造としても（引用発明において、「光電変換装置」が「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」という３組の「光選択性エレメント」を備えている構造に換えて、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備えている構造としても）、カラーフィルタを必要とし、高集積化が困難であるという点で引用発明には劣るものの、光電変換装置として問題なく機能するということは、当業者であれば直ちに察知し得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３−２）相違点３については以上のとおりであるが、引用発明において、タンデム構造に換えて、補正発明のような入射光に応じて１つの電気信号を出力する構造とした場合には、変更後の構造において光電変換が問題なく行えるよう、光電変換特性を「『事実上』『支配』」（引用例２ページ左下欄１６行）する「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さについて設計し直すことが当然必要となるものと認められる。
　したがって、上に述べた構造の変更により、上記（４）（４−４）における対比において補正発明と引用発明とで相違しないと判断した、補正発明の「アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さを有し」という構成について、改めて検討することが必要となるが、これについては、後記（５−４）において相違点４とまとめて検討する。
　
（５−４）相違点４について
（５−４−１）上記（５−３）において検討したとおり、引用発明において、「光電変換装置」が「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」という３組の「光選択性エレメント」を備えている構造に換えて、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備えている構造とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　ところで、引用発明はａ−Ｓｉ薄膜を光電変換薄膜として使用しているが、引用例には、「従来の技術」についての説明において、「ａ−Ｓｉ製光電変換薄膜５１の場合、製造工程が簡単であるし、対波長感度特性が人間の目のそれに近くて赤外域の感度が低く赤外カットフィルタの省略が可能であり、」（１ページ右下欄１６行〜１９行）と記載されており、当該ａ−Ｓｉ薄膜を光電変換薄膜として使用する場合の利点として、対波長感度特性が人間の目のそれに近い、すなわち可視光を吸収するとともに、赤外域での感度が低い、すなわち赤外光線を吸収しないことが明示されている。
　一方、引用例の
　「一般に、ａ−Ｓｉ製薄膜の場合、短波長光に対して吸収係数が大きく、波長が長くなるに従い吸収係数が小さくなる性質がある。ａ−Ｓｉ光電変換薄膜に、青、緑、赤の各光が入射した場合、それぞれの光を９０％吸収するのに必要な膜深さは、下記の通りである。
光の色　　波長　　　吸収係数　　　　膜深さ　
　　　　（ｎｍ）　　（ｃｍ−１）　　　（μｍ）　
　青　　　４８０　　１×１０５　　　０．２３　
　緑　　　５５０　　５×１０４　　　０．４９　
　赤　　　６５０　　５×１０２　　　２．３　」
という記載からも明らかなように、ａ−Ｓｉ光電変換薄膜は、厚いほど波長の長い光を吸収することが当業者の技術常識である。
　
（５−４−２）したがって、引用発明において、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備える構造とした場合において、「ｐ型ａ−Ｓｉ層」、「ｎ型ａ−Ｓｉ層」、「ＩＴＯ薄膜」の厚さが、各々「０．０１μｍ」、「０．０１μｍ」及び「０．２μｍ」という条件下で、「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さを、わざわざ赤外光線を吸収するような厚いものとはせず、可視光は吸収するが赤外光線を吸収しないような薄いものとすること、すなわち、補正発明にように、「アモルファス・シリコンｐｉｎダイオード（５１０）と前記ＩＴＯ導電層（５５０）の厚さは可視光の波長のみを吸収し赤外光線の吸収をＩＲフィルタを使用しないで阻止するように予め定められている」構造とすることは、当業者であれば当然になし得たことである。
　よって、相違点４は、当業者が当然になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−４−３）最後に、引用発明において、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備える構造とした場合における「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さの数値範囲について検討する。
　上記（５−４−２）において検討したとおり、引用発明において、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備える構造とした場合においても、「ｐ型ａ−Ｓｉ層」、「ｎ型ａ−Ｓｉ層」、「ＩＴＯ薄膜」の厚さが、各々「０．０１μｍ」、「０．０１μｍ」及び「０．２μｍ」という条件下で、「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さを、わざわざ赤外光線を吸収するような厚いものとはせず、可視光は吸収するが赤外光線を吸収しないような薄いものとすることは、当業者が当然になし得たことである。
　そして、ｐｉｎダイオード構造を有し、青、緑、赤のような可視光用の光電変換装置において、波長感度が特にｉ層の厚さに依存することは当業者の技術常識であり、かつ、引用例の２ページ左下欄１行〜３行には、例えば青色光を吸収する場合には、「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さを「０．２３μｍ」とすることが記載されているから、当業者にとって、引用発明において、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備える構造とした場合において、「ｉ型ａ−Ｓｉ層」の厚さを補正発明のように「０．１μｍから１μｍの範囲」とすること自体に何らの困難性もないことは明らかである。
　そして、補正発明において「アモルファス・シリコンｐｉｎダイオードの真性型層（５３０）は０．１μｍから１μｍの範囲の厚さ」とすることの効果は、「可視光（青、緑および赤）の内の望ましい波長を吸収するが、赤外領域の光の波長はカットする。」（本願の明細書の００２２段落）というものであることが明らかであるが、そのような効果は、引用例の「ａ−Ｓｉ製光電変換薄膜５１の場合、製造工程が簡単であるし、対波長感度特性が人間の目のそれに近くて赤外域の感度が低く赤外カットフィルタの省略が可能であり、」（１ページ右下欄１６行〜１９行）という記載から当業者が予測できるものにすぎない。
　したがって、引用発明において、補正発明のように、「前記ピクセル構造」が「一組の光選択性エレメント」を備える構造とした場合において、「ｐ型ａ−Ｓｉ層」の厚さを補正発明のように「０．１μｍから１μｍの範囲」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（５−５）相違点についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、また、仮に当該要件を満たすものであったとしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明についての検討
１．本願発明
　平成２２年６月１６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２１年５月２１日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．に補正前の請求項１として記載した次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメントと、そして
　上記一組の光選択性エレメントと結合された制御回路と
を具備した撮像システムのピクセル構造体。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−１２４８８３号公報（引用例）には、上記第２．４．（３）に記載した事項及び次のとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　
　「光電変換装置において、
　表面に酸化膜が形成されたＳｉウェハ上に厚み０．２μｍのＣｒ薄膜電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第３光電変換薄膜を設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．６μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第２光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、その上に厚み０．０１μｍのｐ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．４μｍのｉ型ａ−Ｓｉ層、厚み０．０１μｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を積層してなる第１光電変換薄膜が設けられ、その上に厚み０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明な電極が設けられ、
　前記Ｓｉウェハの側とは反対の側から青、緑、赤の色の光を入射するものである光電変換装置。」
　
３．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「ａ−Ｓｉ」がアモルファス・シリコンを意味することは当業者の技術常識であり、また、引用発明の「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」を構成する「ｐ型ａ−Ｓｉ層」、「ｉ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ型ａ−Ｓｉ層」の積層構造が、各々ダイオードを形成していることは当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明の「光電変換装置」と本願発明の「赤外光線の吸収を阻止するために予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える一組の光選択性エレメント」とは、「『予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える』『光選択性エレメント』」である点で一致する。
　また、引用発明の「光電変換装置」と本願発明の「撮像システムのピクセル構造体」とは、共に光電変換を実現する構造体である点で一致する。
　
（２）したがって、本願発明と引用発明とは、
　「予め定めた厚みを有するアモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層とを備える光選択性エレメント
　を具備した光電変換を実現する構造体。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点５）
　「光選択性エレメント」が、本願発明は、「一組の光選択性エレメント」であるのに対して、引用発明は、「第３光電変換薄膜」、「第２光電変換薄膜」及び「第１光電変換薄膜」、並びに各「光電変換薄膜」に対応する「ＩＴＯ薄膜」からなる３組の「光選択性エレメント」である点。
　
（相違点６）
　本願発明は、「アモルファス・シリコン・ダイオードとインジュウム錫酸化物（ＩＴＯ）の導電層」の「予め定めた厚み」が、「赤外光線の吸収を阻止するため」のものであるのに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
（相違点７）
　本願発明は、「光選択性エレメントと結合された制御回路とを具備した撮像システムのピクセル構造体」であるのに対して、引用発明は、「光電変換装置」そのものである点。
　
４．相違点についての当審の判断
（１）相違点５について
　相違点５は、相違点３と同様に、本願発明が、カラーフィルタを用いることを前提とし、入射光に応じて１つの電気信号を出力する構造となっているのに対して、引用発明は、カラーフィルタを用いないことを前提とし、入射光に応じて３つの電気信号を出力する構造（いわゆるタンデム構造）となっていることに起因するものと認められるから、相違点３と同様に、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点６について
　相違点６は、技術的にみて相違点４と実質的に同じでものあると認められるから、相違点４と同様に、当業者が当然になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）相違点７について
　一般に、光電変換装置を撮像システムのピクセル構造体に適用することは、当業者における周知技術であって、引用例の従来技術についての「一方、近年、アモルファスＳｉ（以下、適宜「ａ−Ｓｉ」と言う）製の光電変換薄膜を、太陽電池の他に光センサ−、あるいは、イメージセンサーに応用する試みがなされている。」（１ページ右下欄１０行〜１３行）という記載から、引用例においても、引用発明をイメージセンサーに応用すること、すなわち、撮像システムのピクセル構造体に適用することが想定されていることは明らかである。
　そして、一般に、光電変換装置を撮像システムのピクセル構造体に適用するに当たり、光電変換装置を、当該光電変換装置と結合された制御回路の上部に形成する構造とすることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１（特開平１０−９３０６６号公報）にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明の「光電変換装置」を、当該光電変換装置と結合された制御回路の上部に形成して、撮像システムのピクセル構造体とすること、すなわち、本願発明のように、「光選択性エレメントと結合された制御回路とを具備した撮像システムのピクセル構造体」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点７は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４）相違点についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．本願発明についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。