【事件の表示】
　特願２００６−２６０６８４「ＭＩＳ型ＦＥＴ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月１０日出願公開，特開２００８−　８４９４２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は，平成１８年９月２６日の出願であって，平成２２年１月１４日付けで拒絶理由が通知され，同年３月２９日に手続補正がされ，同年１０月２１日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２３年２月２日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされたものである。
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年２月２日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書の段落【００１０】及び【００１１】を補正するものであって，特許請求の範囲については，本件補正の前後で以下のとおりである。
　
《補正前》
「　【請求項１】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極
を具えることを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　前記ＡｌＮ絶縁層の厚みが２ｎｍであり，
　前記Ｓｉ３Ｎ４層の厚みが２．５ｎｍである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項３】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉＯ２層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極
を具えることを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項４】
　請求項３に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　前記ＡｌＮ絶縁層の厚みが２ｎｍであり，
　前記ＳｉＯ２層の厚みが２．５ｎｍである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１項に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　当該ＭＩＳ型ＦＥＴがＭＩＳ型のＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。」
　
《補正後》
「　【請求項１】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極を具え，
　前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，
　前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　前記ＡｌＮ絶縁層の厚みが２ｎｍであり，
　前記Ｓｉ３Ｎ４層の厚みが２．５ｎｍである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項３】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉＯ２層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極を具え，
　前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，
　前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項４】
　請求項３に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　前記ＡｌＮ絶縁層の厚みが２ｎｍであり，
　前記ＳｉＯ２層の厚みが２．５ｎｍである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。
　　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１項に記載のＭＩＳ型ＦＥＴであって，
　当該ＭＩＳ型ＦＥＴがＭＩＳ型のＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴである
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。」
　
２．補正事項の整理
　上記の，本件補正後の特許請求の範囲についての補正を整理すると次のとおりとなる。
〈補正事項〉
　補正前の請求項１及び３について，「オーミック電極を具えることを特徴とする」を，補正後の請求項１及び３の「オーミック電極を具え，
　前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，
　前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されていることを特徴とする」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記補正事項のうち，「前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，」を加入する点は，補正前の請求項１及び３に係る発明の発明特定事項である「半導体層」について，「ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており」として，より限定するものである。そして，「半導体層」が「ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されて」いる点は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の，段落【００２０】に記載されている。
　また，上記補正事項のうち，「前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている」を加入する点は，補正前の請求項１及び３に係る発明の発明特定事項である「２次元電子ガス層」について，「前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている」として，より限定するものである。そして，「２次元電子ガス層」について，「前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている」点は，当初明細書等の段落【００２０】に記載されている。
　よって，上記補正事項は特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，上記補正事項に係る事項は当初明細書等に記載されている。よって，上記補正事項は，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「　【請求項１】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極を具え，
　前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，
　前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されている
ことを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。」
　
（２）刊行物に記載された発明
・特表２００５−５２７１０２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表２００５−５２７１０２号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜５，７とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様）
　
ア　技術分野
「【０００１】
　
本発明は，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ；High Electron Mobility Transistor）及びその製造方法に関し，より詳細には，窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの高電子移動度トランジスタ及びその製造方法に関する
　
イ　発明が解決しようとする課題
「【０００８】
　しかしながら，これらの進歩にもかかわらず，ＡｌＧａＮ／ＧａＮベースのＦＥＴおよびＨＥＭＴは，高い効率および高い利得と一緒にマイクロウェーブの全電力量を顕著に大きくすることはできなかった。それらはＤＣゲート駆動では大きな電力利得を示したが，ミリヘルツの低さから数キロヘルツへ周波数を上げると，それらの増幅度は大きく低下した。
【０００９】
　ＡＣとＤＣの増幅度の違いは，主としてデバイスのチャンネルの表面トラップによるものと信じられている。呼び方はいくらか変わるが，１つの種類のキャリアが捕捉された後に次の最も可能性の高い事象が再励起である場合，通常不純物または欠陥中心はトラッピング中心（trappig center）（あるいは単にトラップ）と呼ばれる。
【００１０】
　平衡状態では，トラップはＨＥＭＴ中の二次元電子ガス層（２次元ＤＥＧ；twodimensional electron gas）へ電子を与える。また，バンドギャップの底部に位置するトラッピングレベルも，バレンスバンド（Valence band）の伝導近くに位置する他のレベルより，トラップしたキャリアを放出するのが遅い。これは，トラップした電子をバンドギャップの中間近くの中心から伝導バンドへ再励起するために必要なエネルギー増加が，伝導バンドに近いレベルから電子を再励起するのに必要なエネルギーに比べて大きいことによる。
【００１１】
　ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＝０〜１）は，活性化エネルギーが０．７から１．８ｅＶの範囲（ｘに依存する）の低いドナー状態のトラップを有するトランジスタのチャンネル電荷と比肩し得る表面トラップ密度を有する。ＨＥＭＴの動作中，トラップはチャンネルの電子を捕捉する。遅いトラッピングと脱トラッピングのプロセスはトランジスタのスピードを低下させ，マイクロウェーブ周波数での電力性能を大きく低下させる。
【００１２】
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮベースのＨＥＭＴのトラップ密度は，ＡｌＧａＮ層の表面と容積に依存すると考えられている。ＡｌＧａＮ層の厚さを薄くするとトラッピング容積の総計が減少し，それによって高周波動作中のトラッピング効率が低下する。しかし，ＡｌＧａＮ層の厚さを薄くするとゲート漏洩の増大という望ましくない影響を受ける。通常の動作の間，ソースとドレインコンタクトの間にバイアスがかけられ，主として２ＤＥＧを通って電流がコンタクト間を流れる。しかし，より薄いＡｌＧａＮ層を有するＨＥＭＴでは，電流は代りにゲートへ洩れ，ソースからゲートへの望ましくない電流を発生させる。また，より薄いＡｌＧａＮ層は，ＨＥＭＴの可能な最大駆動電流の減少を招くという問題がある。
【００１３】
　本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，トラッピングを少なくするためにＡｌＧａＮ層を薄くし，またゲート漏洩を減少させるために層を追加して最大駆動電流を増加させるようにした改善されたＡｌＧａＮ／ＧａＮの高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。」
　
ウ　課題を解決するための手段
・「【００１４】
　このような目的を達成するためになされたもので，本発明の高電子移動度トランジスタは，高比抵抗半導体層（２０）と，該高比抵抗半導体層（２０）上に設けられ，該高比抵抗半導体層（２０）よりも広いバンドギャップを有するバリア半導体層（１８）と，該バリア半導体層（１８）と前記高比抵抗半導体層（２０）間に設けられた二次元電子ガス層（２２）と，前記バリア半導体層（１８）にそれぞれ接触しているとともに，該バリア半導体層（１８）の表面部を被覆していないソース及びドレインコンタクト（１３，１４）と，前記バリア半導体層（１８）の被覆されていない表面上に設けられた絶縁層（２４）と，ゲート漏洩電流のバリアを形成して最大電流駆動を増加させるように，前記絶縁層（２４）上に設けられたゲートコンタクト（１６）とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
　また，
高比抵抗を有し，非伝導性であるＧａＮ半導体層（２０）と，該ＧａＮ半導体層（２０）上に設けられ，該ＧａＮ半導体層（２０）よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）と，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）と前記ＧａＮ半導体層（２０）間に設けられた２次元電子ガス層（２２）と，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）に接触するとともに，該ＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）の表面を被覆していないソース及びドレインコンタクト（１３，１４）と，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）と電気的に接触するゲートコンタクト（１６）と，最大電流駆動も増加させるように，前記ゲートコンタクト（１６）と前記ＡｌＧａＮバリア半導体層（１８）間のゲート漏洩のバリアを形成する手段とを備えたことを特徴とする
【００１６】
　このように，
本発明によるＨＥＭＴの一種は，高抵抗の半導体層を，その上にバリア半導体層を備えている。バリア半導体層は，高抵抗半導体層よりも広いバンドギャップを有し，バリアと高抵抗層の間に二次元電子ガス層が形成される。コンタクトで被覆されていないバリア半導体層の表面部でバリア層に接触するソースおよびドレインコンタクトが含まれる。絶縁層はバリア半導体層の被覆されていない表面上に含まれる。ゲート漏洩電流へのバリアを形成し，またＨＥＭＴの最大電流駆動を増加させる絶縁層の上に，ゲートコンタクトが堆積されている
　
エ　実施例１
・「【００２２】
　図１は，本発明の高電子移動度トランジスタの実施例１を説明するための構成図で，本発明によって製造されたＡｌＧａＮ／ＧａＮベースの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１０を示している。
【００２３】
　本実施例１の高電子移動度トランジスタは，高比抵抗半導体層（２０）と，該高比抵抗半導体層（２０）上に設けられ，該高比抵抗半導体層（２０）よりも広いバンドギャップを有するバリア半導体層（１８）と，該バリア半導体層（１８）と前記高比抵抗半導体層（２０）間に設けられた二次元電子ガス層（２２）と，前記バリア半導体層（１８）にそれぞれ接触しているとともに，該バリア半導体層（１８）の表面部を被覆していないソース及びドレインコンタクト（１３，１４）と，前記バリア半導体層（１８）の被覆されていない表面上に設けられた絶縁層（２４）と，ゲート漏洩電流のバリアを形成して最大電流駆動を増加させるように，前記絶縁層（２４）上に設けられたゲートコンタクト（１６）とを備えている。」
・「【００２７】
　また，ＨＥＭＴ１０は，高比抵抗層２０の表面上に存在するソースおよびドレインコンタクト１３，１４を備えている。バリア半導体層１８は，ソースおよびドレインコンタクト１３と１４の間に配設され，各々バリア半導体層１８の端部に接触している。絶縁層２４は，ソースおよびドレインコンタクト１３と１４の間のバリア半導体層１８上に設けられている。
本実施例１では，絶縁層２４は，バリア半導体層１８の全体を被覆するが，他の実施例（後述する）では，バリア半導体層１８の全ては被覆されない。絶縁層２４は，窒化ケイ素（ＳｉＮ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2
），またはその多層を込みこんだ組合せを含む多くの異なる材料から作ることができるが，制限はされない
・「【００２９】
　
Ａｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎバリア半導体層１８は，ＧａＮ層２０よりも広いバンドギャップを有し，このエネルギーバンドギャプの不連続性は広いバンドギャプから低いバンドギャプ材料への自由電荷移動をもたらす。電荷は２つの間の界面に蓄積し，２次元電子ガス（２ＤＥＧ；two dimensional electron gas）層２２を作って，ソースおよびドレインコンタクト１３，１４の間に電流が流れるようになる
【００３０】
　
ソースおよびドレインコンタクト１３と１４は，チタン合金，アルミニウム，ニッケル，金から形成されることが好ましく
【００３１】
　動作の間，ドレインコンタクト１４は，特定の電位（ｎチャンネルデバイスでは正のドレン電位）でバイアスされ，ソースは接地される。これによって電流がドレンからソースコンタクト１３，１４へチャンネルと２ＤＥＧ層を通って流れる。電流の流れは，ゲート１６に加えられたバイアスと周波数電位によって制御され，チャンネル電流を調整し利得を得る。」
・「【００３３】
　ゲート１６とバリア半導体層１８の間に絶縁層２４を有することによって，ＨＥＭＴ１０のゲート漏洩は減少する。ゲート漏洩は，ＨＥＭＴ１０の劣化の一要因であるので，これはデバイスの長期間の信頼性向上に直接大きな影響を与える。ＨＥＭＴ１０の始動電圧は，絶縁層２４に使用された材料に依存するもので，始動電圧は３〜４ボルト程度の高さにすることができる。次いで，ＨＥＭＴ１０は，蓄積モードにおいてより高い電流レベルとより高い入力駆動レベルで作動することができる。また，絶縁層２４は，ＨＥＭＴ１０の本来の不動態物として働くことができ，その信頼性を向上する。」
　
オ　実施例４
「【００４４】
　
ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化なしに通常の成長速度で絶縁層の成長を行うために，単一絶縁層の代りに二重絶縁層の構成を用いることができる
【００４５】
　
図４は，本発明の高電子移動度トランジスタの実施例４を説明するための構成図で，図１〜図３に示したＨＥＭＴ１０，３０，４０に類似したＨＥＭＴ５０を示している
【００４６】
　
本実施例４のＨＥＭＴ５０は，類似の基板１１と緩衝層１２とＧａＮ層２０と２ＤＥＧ層２２とＡｌ
x
Ｇａ
1-x
Ｎバリア半導体層１８とを有している。また，ＨＥＭＴ３０は，類似のソース，ゲート，ドレインコンタクト１３，１４，１６を有する。しかし，ＨＥＭＴ５０は，単一絶縁層の代りに用いられる二重絶縁層の構成を有する。二重層は，ソースとドレン１３，１４の間にバリア半導体層１８上のＡｌＮスペーサー層５２を備えている。ＳｉＮ絶縁層５４は，このＳｉＮ絶縁層５４の上に構成されたゲートコンタクト１６を備えてＡｌＮスペーサー層５２上に設けられている
【００４７】
　ＡｌＮスペーサー層５２は，ＳｉＮ絶縁層５４と活性ＡｌＧａＮバリア半導体層１８の間でスペーサーまたはバリアとして働く。このスペーサー層５２は，通常の成長条件でのＳｉＮ絶縁層５４の成長中にバリア半導体層１８のドーピング／劣化を防止する。
【００４８】
　他の材料は，ＳｉＮ絶縁層５４の通常の成長速度での堆積の間に，材料がＡｌＧａＮバリア半導体層１８のドーピングまたは劣化を防止する限り，スペーサー層５２用に使用することができる。また，ドーピングと劣化が防止できるならば，ＳｉＮ絶縁層５４を直接ＡｌＧａＮバリア半導体層１８上にスペーサー層５２なしで堆積する方法も使用することができる。本発明のこれらの特徴の重要な態様はＨＥＭＴの低い降伏電圧が防止されることである。
【実施例５】
【００４９】
　図５は，本発明の高電子移動度トランジスタの実施例５を説明するための構成図で，図４に示したＨＥＭＴ５０に類似した本発明によるＨＥＭＴ６０を示している。
【００５０】
　類似の基板１１と緩衝層１２とＧａＮ層２０と２ＤＥＧ層２２とＡｌxＧａ1-xＮバリア半導体層１８とＡｌＮスペーサー層５２とＳｉＮ絶縁層５４とを有している。ＨＥＭＴ６０は，また，類似のソース，ゲート，ドレインコンタクト１３，１４，１６を有する。また，ＨＥＭＴ６０は，コンタクト１３，１４，１６間のＳｉＮ絶縁層５４の露出した表面上に，図２に示したＨＥＭＴ３０の誘電体層３２に類似した誘電体層６２を備えている。ＨＥＭＴ３０の誘電体層３２のように，誘電体層５４は，望ましくない不動態化，不純物および取り扱い中に生じる損傷からＨＥＭＴ６０を保護するのに役立つ。
誘電体層５４は，多くの異なる材料または材料の組合せから作ることができ，適切な材料はＳｉ
x
Ｎ
y
である
　
カ　製造方法
「【００５５】
　次に，本発明の高電子移動度トランジスタの製造方法について説明する。
【００５６】
　本発明は，単一または二重絶縁層を有する上述したＨＥＭＴを製造方法も開示している。絶縁層は，ＭＯＣＶＤ，プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ），熱フィラメントＣＶＤまたはスパッタを用いて，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ半導体材料の上に堆積することができる。
【実施例７】
【００５７】
　図７は，本発明の高電子移動度トランジスタを製造するための金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）反応器の構成図で，基板上にＡｌＧａＮ／ＧａＮ活性層を成長させ，絶縁層を堆積する新規な方法に使用されるＭＯＣＶＤ反応器８０を示している。
【００５８】
　反応器８０は，回転軸８６で支持された成長台座８４を有する反応チャンバー８６を備えている。大部分の用途において，サファイア（Ａｌ2Ｏ3）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）サファイアなどの基板８８は，成長台座８４の上に配設されるが，他の基板も使用することができる。
【００５９】
　成長の間，台座８４は，基板８８を予め定めた温度に維持するためにヒーター要素９０によって加熱される。温度は一般に摂氏４００〜１２００度（℃）であるが，必要とする成長の種類によってさらに高くすることも低くすることもできる。ヒーター要素９０は，種々の加熱装置であることができるが，通常無線周波数（ＲＦ）または抵抗コイルである。
【００６０】
　キャリアガス９２がガスライン９４に供給され，キャリアガス９２は，水素または窒素である。また，キャリアガス９２は，流量制御器９５ａ，９５ｂ，９５ｃを通してそれぞれバブラー（bubbler）９６ａ，９６ｂ，９６ｃにも供給される。バブラー９６ａは成長
化合物，例えば，トリメチルガリウム（ＴＭＧ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ），またはトリメチルインジウム（ＴＭＩ）など，一般にメチルまたはエチル基を有するアルキル化化合物を有する。バブラー９６ｂと９６ｃも類似の金属有機化合物を含むことができ，ＩＩＩ族化合物の合金を成長することができる。バブラー９６ａ，９６ｂ，９６ｃは，一般に定温槽９８ａ，９８ｂ，９８ｃで予め定めた温度に維持され，金属有機化合物がキャリアガス９２によって反応チャンバー８２に運ばれる前に一定の蒸気圧を確保する。
【００６１】
　バブラー９６ａ，９６ｂ，９６ｃを通過するキャリアガス９２は，必要なバルブ１００ａ，１００ｂ，１００ｃの組合せを開くことによって，ガスライン９４内を流れるキャリアガス９２と混合される。次いで，混合されたガスは，反応チャンバー８２の上端部に形成されたガス導入口１０２を通って反応チャンバー８２の中へ導入される。
【００６２】
　アンモニアなどの窒素含有ガス１０４は，流量制御器１０６を通してガスライン９４に供給される。窒素含有ガスの流れはバルブ１０８によって制御される。キャリアガス９２が窒素含有ガス１０４と混合され，またガスライン９４内のＴＭＧ蒸気が反応チャンバー８２の中に導入されるならば，ＴＭＧとアンモニアを含有するガス中の分子の熱分解によって，基板８８上に窒化ガリウムを成長する元素が存在することになる。
【００６３】
　基板８８上に窒化ガリウムの合金をドーピングするには，ＴＭＧ用に使用されていないバブラー９６ａ，９６ｂ，９６ｃの１つがドープ剤材料用に使用され，通常ドープ剤は，マグネシウム（Ｍｇ）またはケイ素（Ｓｉ）であるが，ベリリウム，カルシウム，亜鉛，または炭素などの他の材料であることもできる。バブラー９６ｂまたは９６ｃは，ホウ素，アルミニウム，インジウム，リン，ヒ素，または他の材料などの合金材料に使用される。ドープ剤と合金を選択し，適切なバルブ１００ａ，１００ｂ，１００ｃを開いてドープ剤をガリウムおよび窒素含有ガス１０４と一緒にガスライン９４に流すと，窒化ガリウムのドーピング層が基板８８の上に成長する。
【００６４】
　反応チャンバー８２内のガスは，油圧で運転可能なポンプ１１２に接続されたガスパージライン１１０を通して追い出すことができる。さらに，パージバルブ１１４はガスの圧力を高め，または反応チャンバー８２から逃がすことが可能である。
【００６５】
　成長プロセスは，一般にバルブ１００ａと１００ｂを閉じてガリウムとドープ剤源を遮断し，窒素含有ガスとキャリアガスの流れを保つことによって停止される。他の方法として，反応チャンバー８２は，流量制御器１１８とバルブ１２０によって制御できるガス１１６でパージすることができる。パージは，バルブ１１４を開き，ポンプ１１２で反応チャンバー８２の過剰の成長ガスを排出することによって促進される。典型的には，パージガス１１６は水素であるが，他のガスであることができる。ヒーター要素９０への電力を切断することによって基板８８は冷却される。
【００６６】
　本発明による一実施例では，絶縁層／複数の層の付着はＡｌＧａＮ／ＧａＮ半導体材料の成長の後，かつ反応チャンバー８２の冷却の前または間に行われる（インシトゥーと呼ばれる）。反応チャンバー８２中の半導体材料の成長に続いて，望ましくない成長ガスは適切なバルブ１００ａ，１００ｂ，１００ｃの組合せを閉じることによって遮断される。上述したように，望ましくないガスを除去するために反応器を短時間パージすることができる。次いで，ガスは反応器に流入して絶縁層を堆積するが，好ましい方法では，絶縁層用に使用されるガスは典型的なＭＯＣＶＤ源から提供される。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ半導体材料上へＳｉ3Ｎ4絶縁層を堆積するときに，ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）とアンモニア（ＮＨ6）が反応チャンバー８２の中にガスライン９４を通して導入される。ここで熱分解によって，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ材料上にＳｉ3Ｎ4を堆積する分子が存在することになる。
二重絶縁層を堆積するときに，適切なガスをチャンバー中に導入し，Ｓｉ
3
Ｎ
4
を堆積する前にＡｌＮ層を形成する
【００６７】
　誘電体層を有するＨＥＭＴのこれらの実施例において，誘電体層はインシトゥーで堆積することもできる。誘電体層に使用することのできる化合物の例には，Ｓｉ，Ｇｅ，ＭｇＯx，ＭｇＮx，ＺｎＯ，ＳｉＮx，ＳｉＯx，ＳｃＯx，ＧｄＯxおよびその合金がある。同様にＳｉＮx／Ｓｉ，ＭｇＮx／ＳｉＮx，またはＭｇＮx／ＭｇＯxなどの適切な材料の多重層および繰り返しスタック層もバリア層として使用することができる。異なるバリア半導体層を次の原料ガスから形成することができる。シランまたはジシランからＳｉ，ゲルマンからＧｅ，シクロペンタジエニルマグネシウムまたはメチル−シクロペンタジエニルマグネシウムとアンモニアからＭｇＮx，シクロペンタジエニルマグネシウムまたはメチル−シクロペンタジエニルマグネシウムと亜酸化窒素からＭｇＯ，ジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛と亜酸化窒素または水からＺｎＯ，シランまたはジシランとアンモニアまたは亜酸化窒素からＳｉＮx，シランまたはジシランと亜酸化窒素から形成されるＳｉＯxである。」
　
キ　ここで，上記ウ，オの記載から，実施例４に係る高電子移動度トランジスタであるＨＥＭＴ５０は，基板１１，緩衝層１２，ＧａＮ層２０，２ＤＥＧ層２２，ＡｌxＧａ1-xＮバリア半導体層１８，及びソース，ゲート，ドレインコンタクト１３，１４，１６については，上記エに記載された実施例１に係るＨＥＭＴ１０と類似のものを備えることは明らかである。
　
ク　上記ウの記載から，実施例４に係る高電子移動度トランジスタであるＨＥＭＴ５０における，ＡｌＮスペーサー層５２と，該ＡｌＮスペーサー層５２上に設けられているＳｉＮ絶縁層５４からなる二重絶縁層（二重層）は，ゲート漏洩電流へのバリアを形成するものであることは明らかである。
　
ケ　上記オの段落【００５０】における「誘電体層５４は，多くの異なる材料または材料の組合せから作ることができ，適切な材料はＳｉxＮyである。」との記載，及び上記カの段落【００６６】における「二重絶縁層を堆積するときに，適切なガスをチャンバー中に導入し，Ｓｉ3Ｎ4を堆積する前にＡｌＮ層を形成する。」との記載から，引用例には，ＳｉＮ絶縁層５４としてＳｉ3Ｎ4からなる層を用いることも記載されているといえる。
　
コ　上記エの段落【００２９】の記載から，２次元電子ガス層２２は，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８からＧａＮ半導体層２０への自由電荷移動により，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０の界面に形成されたものであることは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「高比抵抗を有し，非伝導性であるＧａＮ半導体層２０と，
　ＧａＮ半導体層２０上に設けられ，ＧａＮ半導体層２０よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層１８と，
　ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０間に設けられた２次元電子ガス層２２と，
　ＡｌＧａＮバリア半導体層１８に接触するとともに，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８の表面を被覆していないソース及びドレインコンタクト１３，１４と，
　ＡｌＧａＮバリア半導体層１８と電気的に接触するゲートコンタクト１６と，
　最大電流駆動を増加させるように，ゲートコンタクト１６とＡｌＧａＮバリア半導体層１８間のゲート漏洩のバリアを形成する手段であって，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８上のＡｌＮスペーサー層５２と，ＡｌＮスペーサー層５２上に設けられているＳｉ3Ｎ4絶縁層５４からなる二重絶縁層の構成を有する手段を備え，ゲートコンタクト１６は，Ｓｉ3Ｎ4絶縁層５４の上に構成されており，
　２次元電子ガス層２２は，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８からＧａＮ半導体層２０への自由電荷移動により，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０の界面に形成されたものである，
ＨＥＭＴ５０。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「高比抵抗を有し，非伝導性であるＧａＮ半導体層２０」は，本願補正発明の「ｉ−ＧａＮチャネル層」に相当する。引用発明の「ＧａＮ半導体層２０上に設けられ，ＧａＮ半導体層２０よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層１８」と，本願補正発明の「該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層」とは，「該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたＡｌＧａＮ障壁層」である点で共通する。
　そして，引用発明においては，「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８上」に「ＡｌＮスペーサー層５２」が設けられているところ，当該「ＡｌＮスペーサー層５２」は「二重絶縁層」を構成するものであるから，半導体層としては「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８」が最上層といえる。それゆえ，引用発明における「ＧａＮ半導体層２０」及び「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８」とを併せたものと，本願補正発明の「半導体層」であって，「ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成され」たものとは，「半導体層」であって，「ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成され」たものである点で共通する。
　
イ　引用発明に係るＨＥＭＴ５０においては，「２次元電子ガス層２２は，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８からＧａＮ半導体層２０への自由電荷移動により，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０の界面に形成されたものである」ところ，「２次元電子ガス層２２」は前記「ＧａＮ半導体層２０」へと移動した「自由電荷」により形成されるものであって，これにより「２次元電子ガス層２２」が「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０の界面」から見て「ＧａＮ半導体層２０」側，すなわち「ＧａＮ半導体層２０」内の「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８」側に「形成されたもの」であることは，ＨＥＭＴについての技術常識といえる。
　したがって，引用発明の「２次元電子ガス層２２は，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８からＧａＮ半導体層２０への自由電荷移動により，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８とＧａＮ半導体層２０の界面に形成され」ていることと，本願補正発明の「２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されていること」とは，「２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されていること」である点で共通する。
　
ウ　引用発明の「最大電流駆動を増加させるように，ゲートコンタクト１６とＡｌＧａＮバリア半導体層１８間のゲート漏洩のバリアを形成する手段であって，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８上のＡｌＮスペーサー層５２と，ＡｌＮスペーサー層５２上に設けられているＳｉ3Ｎ4絶縁層５４からなる二重絶縁層の構成を有」するものと，本願補正発明の「半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層」とは，「半導体層上に設けられた絶縁層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層」である点で共通する。
　
エ　引用発明の「ＡｌＧａＮバリア半導体層１８に接触するとともに，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８の表面を被覆していないソース及びドレインコンタクト１３，１４」「を備え」ることと，本願補正発明の「２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極を具え」ることとは，「オーミック電極を具え」ることで共通する。
　
オ　引用発明に係るＨＥＭＴ５０においては，前記第２，４．（２）エに摘示した段落【００３１】に記載されているように，「これによって電流がドレンからソースコンタクト１３，１４へチャンネルと２ＤＥＧ層を通って流れる。電流の流れは，ゲート１６に加えられたバイアスと周波数電位によって制御され，チャンネル電流を調整し利得を得る」ものであるところ，ゲート１６は「ＡｌＮスペーサー層５２上に設けられているＳｉ3Ｎ4絶縁層５４からなる二重絶縁層」上に設けられたものである。よって，引用発明に係る「ＨＥＭＴ５０」は，本願補正発明に係る「ＭＩＳ型ＦＥＴ」に相当するといえる。
　
カ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「半導体層上に設けられた絶縁層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層，
　及びオーミック電極を具え，
　前記半導体層は，ｉ−ＧａＮチャネル層，及び該ｉ−ＧａＮチャネル層上に設けられたＡｌＧａＮ障壁層を含んでおり，該ＡｌＧａＮ障壁層を最上層として構成されており，
　前記２次元電子ガス層は，前記ｉ−ＧａＮチャネル層内の前記ＡｌＧａＮ障壁層側に形成されていることを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。」
である点で一致する。
　
キ　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明は，「絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層」を有するものであるのに対して，引用発明は「二重絶縁層」を構成する「絶縁層」である「ＡｌＮスペーサー層５２」を有するものの，「エピタキシャル層」であることは明らかでない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は，「２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極」を具えるのに対して，引用発明は「オーミック電極」を具えるものの，「２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成された」ものではない点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は，「半導体層」として「ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層」を含んでいるのに対して，引用発明は，「半導体層」として「ＡｌＧａＮ障壁層」を含んでいるものの，当該「ＡｌＧａＮ障壁層」が「ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層」，すなわち「ｉ」型であることは明らかでない点。
　
（４）当審の判断
《相違点１について》
　一般に，ゲート電極を半導体層から絶縁するためにＡｌＮからなる層を設けるにあたり，当該ＡｌＮ層を，その下地の半導体層上にエピタキシャル層として形成することは，以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
　・周知例１：　特開２０００−２５２４５８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２５２４５８号公報には，図１とともに次の記載がある。
・「【００１３】（第１の実施の形態）図１は，本発明の第１の実施の形態に係る半導体素子であるＦＥＴの断面構成を表すものである。このＦＥＴは，例えば，基板１１の一面に，バッファ層１２を介して下地層１３，電子供給層１４およびチャネル層としての電子走行層１５が順次積層された構成を有している。
　・・・
【００１５】
　・・・
電子走行層１５は，例えば，厚さが１５ｎｍであり，Ｓｉなどのｎ型不純物が添加されたｎ型ＧａＮの結晶により構成されている。この電子走行層１５の不純物濃度は，例えば，２×１０19／ｃｍ3 程度となっている。」
・「【００１７】電子走行層１５の基板１１と反対側には，例えば，絶縁膜１６を介して制御電極としてのゲート電極１７が形成されている。この絶縁膜１６は電子走行層１５とゲート電極１７との間において積層された多層膜により構成されており，例えば，電子走行層１５の側に設けられた第１の絶縁膜１６ａと，第１の絶縁膜１６ａとゲート電極１７との間に設けられた第２の絶縁膜１６ｂとを含んでいる。
【００１８】第１の絶縁膜１６ａは，例えば，厚さが６ｎｍであり，ＩＩＩ族元素としてアルミニウム（Ａｌ）を少なくとも含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。具体的には，例えば，不純物を添加しないundope−ＡｌＮまたはundope−ＡｌＧａＮなどにより構成されている。なお，
第１の絶縁膜１６ａを構成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体におけるアルミニウムの組成比は高い方が好ましい。アルミニウムの組成比が高いほど絶縁障壁が大きくなると共に，格子不整合が緩和していない場合にはピエゾ効果による界面の二次電子生成量が多くなるからである。従って，第１の絶縁膜１６ａはＡｌＮにより構成される方がより好ましい
【００１９】第２の絶縁膜１６ｂは，例えば，厚さが１０ｎｍであり，アルミニウムを少なくとも含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の絶縁体により構成されている。具体的には，二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ），窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）または酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）などにより構成されている。このように，アルミニウム含有窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる第１の絶縁膜１６ａに加えて，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 またはＡｌ2 Ｏ3 などよりなる第２の絶縁膜１６ｂを設けているのは，第２の絶縁膜１６ｂにより絶縁膜１６を通過するリーク電流を抑制するためである。
【００２０】ゲート電極１７は，例えば，絶縁膜１６の側からニッケル（Ｎｉ）層および金（Ａｕ）層を順次積層した構成を有しており，絶縁膜１６とは非オーミック接触状態となっている。」
・「【００２８】このＦＥＴでは，デプレッションモードなので，ゲート電極１７に負の電圧を印加すると電子走行層１５内に空乏層が形成され，ソース電極１８とドレイン電極１９との間に流れるドレイン電流が減る。ここでは，アルミニウム含有窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる第１の絶縁膜１６ａとゲート電極１７との間にアルミニウム含有窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の絶縁体よりなる第２の絶縁膜１６ｂが設けられているので，絶縁膜１６を通過するリーク電流が抑制される。」
　
　ここで，上記摘示箇所のうち段落【００１８】には，「第１の絶縁膜１６ａはＡｌＮにより構成される方がより好ましい」と記載されているとともに，当該ＡｌＮにより構成される第１の絶縁膜１６ａを「格子不整合が緩和していない」ものとして形成することが示されているところ，「格子不整合が緩和していない」とは，第１の絶縁膜１６ａが，その下地となる電子走行層１５の半導体層に対して結晶格子が継続する状態で形成されていること，すなわちエピタキシャル成長がされていることといえる。
　
　・周知例２：　特開平１０−２２３９０１号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２２３９０１号公報には，図１とともに次の記載がある。
・「【００１５】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態に係る電界効果型トランジスタの構成を表すものである。この電界効果型トランジスタは，サファイアよりなる基板（例えばｃ面）１の上にバッファ層２を介してチャネル層３とゲート絶縁膜４が順次積層されている。このゲート絶縁膜４の上には，ゲート絶縁膜４の開口４ａを介してチャネル層３と電気的に接続されたソース電極５と，ゲート絶縁膜４の開口４ｂを介してチャネル層３と電気的に接続されたドレイン電極６とが配設されている。ゲート絶縁膜４の上には，また，ソース電極５とドレイン電極６との間にゲート電極７が配設されている。ソース電極５，ドレイン電極６およびゲート電極７は，例えば基板１の側からチタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）および金（Ａｕ）を順次積層して構成されている。
【００１６】バッファ層２は例えば高抵抗の真性ＧａＮにより構成されてており，その厚さは例えば２μｍとなっている。チャネル層３は例えばｎ型不純物としてＳｉを添加したｎ型ＧａＮにより構成されており，その厚さは例えば０．１μｍとなっている。その不純物濃度は，例えば１×１０18ｃｍ-3である。なお，チャネル層３の不純物濃度と厚さをそれぞれ制御することにより，ゲート閾値電圧を適宜に調節することができる。すなわち，不純物濃度を高くすればノルマルオン（デプレッションモード；depletion mode）となり，不純物濃度を低くすればノルマルオフ（エンハンスメントモード；enhancement mode）となる。
【００１７】例えば，チャネル層３の厚さが０．１μｍの場合，不純物濃度が５×１０15ｃｍ-3以下においてエンハンスメントモードとなる。よって，上記の不純物濃度１×１０18ｃｍ-3においてはデプレッションモードとなる。また，不純物濃度が５×１０14ｃｍ-3以下においては，ゲート電極７に正の電圧を加えていくと，チャネル層３の中ではなく，ゲート絶縁膜４とチャネル層３との界面のチャネル層３側に電子が誘起されるいわゆるＭＯＳ動作のエンハンスメントモードとなる。
【００１８】ゲート絶縁膜４は例えばアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）により構成されており，その厚さは例えば３ｎｍとなっている。・・・」
・「【００３３】更に，
ゲート絶縁膜４をＭＯＣＶＤ法により成長させた（すなわちエピタキシャル成長させた）ＡｌＮにより構成するようにした
　
　また，一般に，ゲート絶縁膜としては，膜質がより良好なものが要求されるところ，エピタキシャル成長された膜は一般的に良好な膜質であるといえるから，引用発明おいて上記周知技術を適用して，「二重絶縁層」を構成する「絶縁層」である「ＡｌＮスペーサー層５２」をエピタキシャル層として形成し，「絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層」とすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　一般に，ＨＥＭＴなどの，２次元電子ガス層を流れるキャリアを制御するトランジスタにおいて，ソース・ドレイン電極を当該２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成することは，以下の周知例３，４にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
　・周知例３：　特開２００６−３２９１１号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−３２９１１号公報には，図１，４〜６とともに次の記載がある。
・「【００４１】
　
図１は，本実施の形態に係る半導体積層構造１を用いて形成されたＨＥＭＴ素子２の構成を示す
・「【００５３】
　なお，
第１半導体層５の上面近傍には，第３半導体層７からキャリアとなる電子が供給されることにより，高濃度の２次元電子ガスが生成する２次元電子ガス領域５ａが形成される
・「【００６７】
　　＜変形例＞
　ＨＥＭＴ素子の構造は，上述の実施の形態に限定されるものではなく，種々の構造をとることが可能である。
図４〜図６は，本実施の形態に係る半導体積層構造１を用いて作製される
【００６８】
　図４は，
半導体積層構造１の一部を例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にてエッチングして，第１半導体層５の一部分を露出させたうえで，ソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄを形成してなる
　
　ここで，図１及び図４を参照すると，図４においては，ソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄが，第１半導体層５の上面近傍に形成された２次元電子ガス領域を示す点線部分（図１においては５ａで指示される部分）よりも深い位置まで形成されていることが見て取れる。
　
　・周知例４：　特開２００６−８６３５４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−８６３５４号公報には，図１，４とともに次の記載がある。
・「【００４１】
　図４（ａ）〜（ｄ）は，図１に示す装置の別の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず，図４（ａ）に示すように，バリア層２上の全体に絶縁層１７を形成する。ここで，絶縁層１７は，例えば，多層配線や後述のフィールドプレート電極を配設する場合には，層間絶縁膜であり，そうでなければ，いわゆるパッシベーション膜自体とすることができる。次に，図４（ｂ）に示すように，フォトレジスト層３３をマスクとして，エッチングにより，絶縁層１７の表面からバリア層２を越えてチャネル層１内に至る深さにトレンチ３，４を形成する。
【００４２】
　次に，図４（ｃ）に示すように，フォトレジスト層３３を除去する。次に，トレンチ３，４内のバリア層及びチャネル層１の表面内にｎ型の不純物を熱拡散し，ｎ+ 型拡散層からなるコンタクト層５，６を形成する。次に，図４（ｄ）に示すように，トレンチ３，４内を埋め込むように，電極１５，１６を配設する。
【００４３】
　このような方法により形成された構造では，
トレンチ３，４の内側面の実質的全体に電極１５，１６の側面がオーミックコンタクトする。この場合，上述のように，チャネル層１及びバリア層２のヘテロ界面の二次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルに対応して，電極１５，１６がコンタクト層５，６にコンタクトするため，オン抵抗を低くすることができる
　
　そして，２次元電子ガス層に対するオーミック電極を確実に形成することは，ＨＥＭＴにおいて一般的に要求される事項であるから，引用発明において上記周知技術を適用して，「２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極」を具えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点３について》
　一般にＡｌＧａＮなどの窒化ガリウム系半導体材料を用いてＨＥＭＴを構成するに際して，バリア層を構成するＡｌＧａＮをｎ型にドープするか，あるいはノンドープとするかは，例えば次の周知例５にも示されているように，当業者が適宜に設定できたことである。
　
　周知例５：　特開２００５−９３８６４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−９３８６４号公報には，図６とともに次の記載がある。
・「【００４３】
　（第６の実施の形態）
　図６は，本発明の第６の実施の形態に係る窒化物系の電力用半導体装置（ＧａＮ系パワーＨＥＭＴ）を模式的に示す断面図である。
【００４４】
　図６に示すように，このパワーＨＥＭＴは，サファイア製の支持基板Ｓ３１の上に配設されたノンドープのチャネル層（第１半導体層）３１と，
チャネル層３１上に配設されたノンドープ若しくはｎ型のバリア層（第２半導体層）３２とを有する
　
チャネル層３１はＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（０≦Ｘ≦１），例えば，ＧａＮからなる。バリア層３２はＡｌ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎ（０≦Ｙ≦１，Ｘ＜Ｙ），例えば，Ａｌ
0.2 
Ｇａ
0.8 
Ｎからなる
【００４５】
　ソースコンタクト層３３と電気的にコンタクトするようにこの上にソース電極４４が配設される。ドレインコンタクト層３４と電気的にコンタクトするようにこの上にドレイン電極４５が配設される。ソース電極４４とドレイン電極４５との間でバリア層３２上にゲート電極４３が配設され，バリア層３２を介してチャネル層３１と対向する。
【００４６】
　ソース電極４４とドレイン電極４５との間でゲート電極４３及びバリア層３２は絶縁膜４６によって被覆される。絶縁膜４６上には第１フィールドプレート電極４７及び第２フィールドプレート電極４８が配設される。第１フィールドプレート電極４７はソース電極４４と一体的に形成され，従ってソース電極４４に電気的に接続される。第２フィールドプレート電極４８はドレイン電極４５と一体的に形成され，従ってドレイン電極４５に電気的に接続される。
【００４７】
　なお，ソース電極４４及びドレイン電極４５と，第１及び第２フィールドプレート電極
４７，４８とは，夫々別々に形成することもできる。この場合，第１フィールドプレート電極４７とソース電極４４とを外部配線で接続すると共に，第２フィールドプレート電極４８とドレイン電極４５とを外部配線で接続する。
【００４８】
　前述のように，装置材料に窒化物系の半導体を用いた場合，高い臨界電界となるため，高耐圧が期待できる。図６図示のパワーＨＥＭＴにおいては，これに加えて，耐圧を決めるゲート・ドレイン間に第１及び第２フィールドプレート電極４７，４８が配設される。このため，ゲート電極４３の端部Ａ４１とドレイン電極４１の端部Ａ４２の電界集中が緩和され，耐圧が向上する。
【００４９】
　また，ＧａＮ系パワーＨＥＭＴの場合，
ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ界面に移動度の高い二次元電子ガスが形成され
　
　したがって，引用発明に係るＨＥＭＴにおいては，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８の導電性やドーピングの有無について特定がなされていないところ，ＡｌＧａＮバリア半導体層１８をノンドープのものとして，相違点３に係る「ｉ−ＡｌＧａＮ障壁層」とすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，周知技術及び技術常識を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２３年２月２日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２２年３月２９日になされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「　【請求項１】
　半導体層上に設けられた絶縁エピタキシャル層であるＡｌＮ絶縁層と，該ＡｌＮ絶縁層上に設けられたＳｉ３Ｎ４層とを有するゲート絶縁層，
　及び２次元電子ガス層の下側に達する深さで形成されたオーミック電極を具えることを特徴とするＭＩＳ型ＦＥＴ。」
　
２．引用発明
　引用発明は，前記第２の４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について前記〈補正事項〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，周知技術及び技術常識を勘案して，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も当然に，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。