【事件の表示】
　特願２００３−４２５３５４「光近接効果補正のために集積回路を分類する方法及びシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日出願公開、特開２００４−２２６９６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願（以下「本願」という）は、平成１５年１２月２２日（パリ条約による優先権主張　２００２年１２月２０日　米国）の出願であって、平成２２年１月８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１３日付けで手続補正がなされたが、同年７月６日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２２年１１月８日に請求された拒絶査定不服審判事件であり、当該請求と同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２３年５月２７日付けで審尋がなされ、同年８月３０日付けで当該審尋に対する回答書が提出された。
　
　
　
２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成２２年１１月８日付け手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
　
２−１．本願補正発明
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載を以下のとおり補正することを含むものである（下線は補正箇所を示す）。
　
「集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法であって、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップであって、前記局所タスク領域の各々が、前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍のサイズを有するように、分割するステップと、
（ｂ）
前記局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域を特定するステップと、
（
ｃ
　　それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトルを生成するステップと、
　　
前記特性ベクトルのそれぞれを正規化するステップであって、各特性ベクトルを形状インデックスによってソートしかつ前記拡張された領域を操作して、第１の特徴インスタンスが所定のノーマル位置にあるようにする、正規化ステップと、
　　
前記正規化された
からなる識別ステップと、
（
ｄ
（
ｅ
を含むことを特徴とする方法。」
　
　上記の請求項１に係る補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明において、発明を特定するための事項である「正規化するステップ」について、「各特性ベクトルを形状インデックスによってソートしかつ前記拡張された領域を操作して、第１の特徴インスタンスが所定のノーマル位置にあるようにする」ものであると限定することを含むものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明（以下「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
　
２−２．引用発明
２−２−１．刊行物の記載事項
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開２００１−０１３６６９号公報（以下「引用例」という）には、以下の技術事項が記載されている（後述の「２−２−２．引用発明の認定」において引用した記載に下線を付した）。
　
「【請求項１】  
リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法
【請求項２】  請求項１において、マスク描画データ作成方法はさらに、パターンマッチングされたパターンを補正する工程、マッチングされたパターンに対する補正を入力データ全体に反映させる工程とを含むことを特徴とするマスク描画データ作成方法。
【請求項３】  請求項２のパターンの補正は、マスク描画、マスクのレジスト現像、マスクパターン形成のためのエッチング、ウエハ露光、ウエハのレジスト現像、ウエハパターンのエッチングのうちのいずれか１つ以上の工程において生じる
近接効果を補償するようにパターンを変形する
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】実施例
（第一の実施例）以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。図１は請求項１、２、３の実施形態に関わるマスク描画データ作成方法を説明するためのフローチャートである。図２（ａ）に示す入力データを具体例に説明する。
入力データグリッドＧ
０
はこの例では、１ｎｍで
【００１５】まず、
補正対象の点又は領域を抽出する
０．２μｍ□の矩形を補正対象とする
補正対象領域ごとに以下の処理を行う
【００１６】最初に補正対象領域周囲に設けた
パターンマッチング領域のパターンレイアウトを抽出する
パターンマッチング領域の大きさは０．２μｍの矩形の外側０．５μｍの領域としている
パターンマッチング領域のグリッドをＧ
０
より大きいＧ
１
に変換する
グリッドＧ
０
の段階では、パターンマッチング領域はＡ，Ｂ，Ｃで異なるが、グリッドＧ
１
に変換後、ＡとＣのパターンマッチング領域は、ｙ軸中心にミラー反転すれば一致するので、Ａ，Ｂ，Ｃのパターンマッチング領域は、パターン１とパターン２の２種類に分類することが出来る
【００１７】
全ての補正対象領域についてパターンマッチングを行った後、分類されたパターンマッチング領域を補正する
補正の形状や補正量は
近接効果を生じせしめる現象のうち、どの現象を補正するかによって決まる
【００１８】特にマスク描画を荷電粒子ビームで行う場合は、後方散乱電子に起因する近接効果を補正する必要があり、近接効果を補正する方法として、パターンを変形させずに、パターン照射のドーズ量を調整する場合もある。この場合は、パターンマッチング領域を補正した結果、図形が変形されるのではなく、補正対象領域にドーズ量の情報を与えることになる。
【００１９】各パターンマッチング領域を補正した結果を入力レイアウト全体に反映させた結果（図１  ＳＴＥＰ５）  、図３（ｃ）に示す補正後のレイアウトが得られる。
（第二の実施例）図４は請求項４の実施形態に関わるマスク描画データ作成方法を説明するための図である。図４（ａ）はパターンＡのパターンマッチング領域を図示したもので、この領域にはパターンＢ，Ｃ，Ｄが含まれる。グリッドは１ｎｍで定義されている。図４の座標はμｍ単位の表示である。本実施例では、パターンマッチング領域をパターンＡを中心とした１．８μｍ□の領域と、その外側３．２μｍ□までの領域とに分け、前者の領域内では、グリッドを５ｎｍに変換し、後者の領域では１０ｎｍに変換した。通常パターン相互の近接効果は距離が遠いほど影響が小さくなるため、注目パターンから遠い領域ほど大きいグリッドに丸めても丸めによる影響は小さい。
【００２０】図４（ａ）のパターンマッチングについてグリッドを変換した結果を図４（ｂ）に示す。パターンＢは幅が元々５ｎｍしか無かったため、グリッドを変換した結果パターンが消滅してしまった。
【００２１】本実施例では、領域を矩形状に分割したが、注目パターンを中心に同心円状に分割しても構わない。
【００２２】また、領域分割の別の方法として、パターンマッチング領域の中心に配置された補正対象のパターンを定義するグリッドをＧｆとし、それ以外のパターンを定義するグリッドをＧｃ（  Ｇｆ＜  Ｇｃの関係がある）としても良い。
（第三の実施例）図５は請求項５の実施形態に関わるマスク描画データ作成方法を説明するためのフローチャートである。レイアウト設計が終了した後（ＳＴＥＰ０）、レイアウトデータはグリッドＧ０で定義されている。  Ｇ０より大きいグリッドＧ１に変換する処理（ＳＴＥＰ１）を行う。  Ｇ１を設定する際には、グリッドを大きくすることによるデータ量の削減効果とグリッド丸めによる精度の劣化のバランスを考慮する。さらに、マスク描画装置のデータグリッド、マスク検査装置のデータグリッドとも整合が取れている方が好ましい。Ｇ１で定義されたパターンデータ０に対し、Ｂｏｏｌｅａｎ演算を始めとするパターンデータ処理１（ＳＴＥＰ２）、光近接効果補正（ＳＴＥＰ３）、マスクプロセスを考慮したパターンデータ処理２（ＳＴＥＰ４）、描画データへのフォーマット（ＳＴＥＰ５）を順次行う。ＳＴＥＰ１のグリッド変換はレイアウト設計後からマスク描画データが生成される前までの間のどこで行ってもよいが、なるべく上流で行った方が以降の処理における処理データ量を減らすことが出来るため好ましい。表１にグリッドの大きさとデータ量／処理時間の関係を示す。グリッドを大きくすることにより、データ量が大幅に削減し、さらに処理時間も短縮することが出来る。
（第四の実施例）図６は請求項６の実施形態に関わるマスク描画データ作成装置の構成図である。本装置は、例えば磁気ディスク等の記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって実現される。
【００２３】本装置は大きく分けて、制御部２０、表示部３０、入力部４０、パターンデータ格納部５０、パターンマッチングテーブル６０から構成されている。
【００２４】制御部２０では、まずパターンレイアウト抽出手段２１を用い、入力データの一部のパターンレイアウトを抽出する。ここで入力データのグリッドはＧ０とする。続いて、グリッド変換手段２２を用い、抽出された領域のパターンレイアウトをＧ０より大きいＧ１に変換する。さらに
パターンマッチング手段２３を用い、Ｇ
１
で定義されたパターンレイアウトをパターンマッチングテーブル６０を参照しながら分類する
マッチングパターン補正手段２４では、パターンマッチングテーブルに含まれるパターンレイアウトについて、それぞれ補正を行う
【００２５】最後にレイアウト全体に補正を反映する手段２５を用いて、パターンマッチング領域の補正結果をレイアウト全体に反映する。補正されたレイアウトはパターンデータ格納部５０に格納する。」
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２−２−２．引用発明の認定
　上記段落【００１４】乃至【００１６】及び図２を参酌すると、パターンマッチング領域の入力データは、当該パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を用いて表現されたものであるといえる。
　上記段落【００１５】乃至【００１９】、図２及び図３、並びに、当業者の技術常識を参酌すると、パターンマッチング領域とは、補正対象領域に関して（光）近接効果に影響を及ぼす範囲であると認められる。
　上記段落【００１６】及び【００２４】の記載内容を参酌すると、引用例のパターンマッチング手段は、ミラー反転すれば一致するものも含め、複数のパターンマッチング領域を、パターンレイアウトが一致するもの毎に分類するものであるといえる。また、当該一致するもの毎に分類する際、一致するパターンマッチング領域を識別していることは明らかである。
　上記段落【００１５】乃至【００１７】及び図３（ｂ）の記載内容を参酌すると、引用例の補正（光近接効果補正）は、パターンレイアウトにおける補正対象の領域に対して行われていることがわかる。
　
　
　上記事項及び引用例の全記載から、引用例には、
　
「　近接効果を補償するようにパターンを変形することを含む、リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法であって、
　入力データグリッドＧ０１ｎｍにおいて０．２μｍ□の矩形の複数の補正対象領域を抽出し、
　補正対象領域毎に、補正対象領域に関して近接効果に影響を及ぼす範囲であるパターンマッチング領域のパターンレイアウトを抽出し、パターンマッチング領域の大きさは０．２μｍの矩形の外側０．５μｍの領域とし、
　各パターンマッチング領域のパターンレイアウトの入力データは、当該パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を用いて表現されたものであり、
　パターンマッチング領域のグリッドをＧ０より大きいＧ１に変換した後、パターンマッチング手段により、一致するパターンマッチング領域を識別し、ミラー反転すれば一致するものも含め、複数のパターンマッチング領域を、パターンレイアウトが一致するもの毎に分類し、
　マッチングパターン補正手段により、パターンマッチングテーブルに含まれるパターンマッチング領域のパターンレイアウトにおける補正対象の領域に対して、近接効果を生じせしめる現象のうちどの現象を補正するかによって決まる補正の形状や補正量に基づいた補正をそれぞれ行う、
　方法。」
（以下「引用発明」という）が記載されていると認められる。
　
　
２−３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【０００５】乃至【００１０】の記載を参酌すると、本願補正発明において、光近接効果補正を行う対象は、集積回路（ＩＣ）チップを作成する際に用いられるレチクル（マスク）の設計データであると認められる。
　よって、引用発明の「近接効果を補償するようにパターンを変形することを含む、リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法」は、本願補正発明の「集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法」に相当する。
　
　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【００２３】を参酌すると、本願補正発明の「レイアウト・グリッド・サイズ」とは、レチクル（マスク）の設計データにおける最小単位を表すものと認められる。
　一方、引用発明の「入力データグリッド」とは、段落【００１４】及び図２の記載並びに当業者の技術常識から、マスクの描画データにおける最小単位であることは明らかである。
　よって、引用発明の「入力データグリッド」は、本願補正発明の「レイアウト・グリッド・サイズ」に相当し、前記のように該入力データグリッドはマスクの描画データにおける最小単位であるから、マスクの描画データにおける各領域のサイズがその整数倍となっていることは明らかである（例えば、引用発明の「補正対象領域」は「０．２μｍ□の矩形」であり、そのサイズは「入力データグリッドＧ０１ｎｍ」の２００倍であることが分かる）。
　してみれば、引用発明の「入力データグリッドＧ０１ｎｍ」における「０．２μｍ□の矩形の複数の補正対象領域」は、本願補正発明の「ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍のサイズを有する」「局所タスク領域」に相当する。
　また、引用発明において、「複数の補正対象領域を抽出し」ていることは、本願補正発明において、「ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「入力データグリッドＧ０１ｎｍにおいて０．２μｍ□の矩形の複数の補正対象領域を抽出」することは、本願補正発明の「前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップであって、前記局所タスク領域の各々が、前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍のサイズを有するように、分割するステップ」に相当する。
　
　本願補正発明において、「局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域」とは、局所タスク領域に関して光近接効果に影響を及ぼす領域を意味することは明らかであるので、引用発明において、「補正対象領域毎に、補正対象領域に関して近接効果に影響を及ぼす範囲であるパターンマッチング領域のパターンレイアウトを抽出し、パターンマッチング領域の大きさは０．２μｍの矩形の外側０．５μｍの領域とし」ていることは、本願補正発明の「前記局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域を特定するステップ」に相当する。
　
　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【００２１】、【００２２】及び図３を参酌すると、本願補正発明における「形状」とは、設計データ上の個々のパターンを意味するものと認められる。
　よって、引用発明の「個々のパターン」は、本願補正発明の「形状」に相当する。
　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【００２７】及び図５を参酌し、かつ、局所タスク領域に対する光近接効果補正が、その周辺領域（本願補正発明における「局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域」（本願の明細書の発明の詳細な説明における「拡張タスク領域」））のパターンの配置に影響されることも考慮すると、本願補正発明の「それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトルを生成する」ことは、それぞれの局所タスク領域に対して設定される光学的影響の拡張された領域内のパターン（形状）、該パターン（形状）の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトルを生成することであると認められる。
　したがって、引用発明において、「各パターンマッチング領域のパターンレイアウトの入力データは、当該パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を用いて表現されたものであり」、「一致するパターンマッチング領域を識別し」ていることと、本願補正発明において、
「一致する局所タスク領域を識別するステップ」
を有し、該ステップが、
「それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトルを生成するステップ」と、
「前記特性ベクトルを比較して、一致する局所タスク領域を決定するステップと
からなる識別ステップ」
とは、
「一致する局所タスク領域を識別するステップ」
を有し、該ステップが、
「それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域を記述するデータを生成するステップと、
　一致する局所タスク領域を決定するステップと、
からなる識別ステップ」
である点で一致する。
　
　前述のように、本願補正発明の「特性ベクトル」は局所タスク領域に対して設定される光学的影響の拡張された領域内のパターン（形状）について生成されるものであると認められ、本願補正発明では、当該特性ベクトルを比較して一致する局所タスク領域を決定しているのであるから、本願補正発明における「一致する局所タスク領域を対応するグループにグループ化する」ことは、局所タスク領域に対して設定される光学的影響の拡張された領域が一致する領域をグループとしてグループ化することであると認められる。
　したがって、引用発明の「パターンマッチング手段により」、「複数のパターンマッチング領域を、パターンレイアウトが一致するもの毎に分類」することは、本願補正発明の「一致する局所タスク領域を対応するグループにグループ化するステップ」に相当する。
　
　引用発明の「マッチングパターン補正手段により、パターンマッチングテーブルに含まれるパターンマッチング領域のパターンレイアウトにおける補正対象の領域に対して、近接効果を生じせしめる現象のうちどの現象を補正するかによって決まる補正の形状や補正量に基づいた補正をそれぞれ行う」ことは、本願補正発明の「一致する局所タスク領域のそれぞれのグループに単一のＯＰＣ工程を実行するステップ」に相当する。　
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
　
「集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法であって、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップであって、前記局所タスク領域の各々が、前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍のサイズを有するように、分割するステップと、
（ｂ）前記局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域を特定するステップと、
（ｃ）一致する局所タスク領域を識別するステップであって、
　　それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域を記述するデータを生成するステップと、
　　一致する局所タスク領域を決定するステップと
からなる識別ステップと、
（ｄ）一致する局所タスク領域を対応するグループにグループ化するステップと、
（ｅ）一致する局所タスク領域のそれぞれのグループに単一のＯＰＣ工程を実行するステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
　
である点で一致し、以下の各点で一応相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では、「局所タスク領域を記述するデータ」が、「局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトル」であるのに対し、引用発明では、「パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を用いて表現されたものあ」る点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、「一致する局所タスク領域を識別するステップ」が、
「前記特性ベクトルのそれぞれを正規化するステップであって、各特性ベクトルを形状インデックスによってソートしかつ前記拡張された領域を操作して、第１の特徴インスタンスが所定のノーマル位置にあるようにする、正規化ステップ」
を有しているのに対し、引用発明では、上記正規化するステップが特定されていない点。
　
（相違点３）
　「一致する局所タスク領域を決定するステップ」が、本願補正発明では「正規化された」「特性ベクトルを比較して」行われているのに対し、引用発明では、一致するパターンマッチング領域を識別するための手法が特定されていない点。
　
　
２−４．判断
２−４−１．相違点１について
　引用発明において、パターンの各頂点の位置（座標）から、パターン（の形状）、パターンの相対的方向、パターンの位置を決定することができるので、引用発明の「入力データ」は、「パターンマッチング領域に含まれる個々のパターン」の形状、該形状の相対的方向及び位置を記述したものであるといえる。
　よって、引用発明において、「各パターンマッチング領域のパターンレイアウトは、当該パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を記述することにより表現したものであ」る「入力データ」は、パターンマッチング領域（本願補正発明の「光学的影響の拡張された領域」）内のパターンの形状、相対的方向及び位置を記述するものであり、本願補正発明の「それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトル」と実質的に変わりはない。
　よって相違点１は実質的な相違点ではない。
　
２−４−２．相違点２について
　まず、本願の明細書及び図面全体を参酌するに、本願補正発明における上記相違点２における「特徴インスタンス」は、本願補正発明における「形状」と同じものを指すと認められる。
　また、本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【００３３】、【００３４】及び図５、８を参酌すると、本願補正発明の「所定のノーマル位置にあるようにする」とは、反転や回転を行うことにより、予め決められた所定位置及び向きとすることであると認められる。
　これらの事項及び本願の明細書及び図面全体並びに当業者の技術常識を参酌すると、本願補正発明における「正規化ステップ」は、特性ベクトル同士を比較可能なように、所定の記述形式に統一するためのものであるといえる。
　
　一方、引用発明においては、「パターンマッチング手段により」、「ミラー反転すれば一致するものも含め、複数のパターンマッチング領域を、パターンレイアウトが一致するもの毎に分類し」ているのであるから、複数のパターンマッチング領域は、それら全てのパターンマッチング領域が相互に比較されるものであると認められる。
　上記のような比較が行われる場合、引用例の図２、３等からも明らかなように、各パターンマッチング領域には複数のパターンが存在する場合があるので、それらが一致するか否かを判断する際、当該パターンレイアウトの記述表現において、上記複数のパターンをどのような順序で記述するのかを統一、すなわち何らかのソートをしておく必要があることは明らかである。
　よって、引用発明のパターンレイアウトの記述表現において、複数のパターンの記述順序を統一するために、何らかのソートを行うものである蓋然性が高い。仮にそうでないとしても、同様の理由により、何らかのソートを行う構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得るものである。
　ここで、当該ソートは、比較対象の領域間で記述表現が統一されていれば足り、どのようなパラメータでソートを行うかに何ら技術的意味はなく、領域間で比較可能にするためのデータ処理手法の違いに過ぎない。
　よって、ソートを行うパラメータとして「形状インデックス」を採用することは、単なるデータ処理手法の１つを選択したに過ぎず、当業者が適宜設計する事項である。
　また、引用発明においても、ミラー反転したもの同士をパターンレイアウトが一致するものと判断していること、及び、相対回転したものも同様の光近接効果補正が行われることは当業者の技術常識であることから、当該一致するか否かの判断における比較を行う際、上記のようなパターンレイアウト同士が一致するものであると判断されるようにするために、パターンレイアウトの記述表現において所定のパターンが予め決められた位置及び向きとなるようにすることは、領域間のパターンレイアウトを比較可能とするためのデータ処理の手法に過ぎず、当業者が適宜成し得る事項であると認められる。
　
　したがって、上記相違点２の「前記特性ベクトルのそれぞれを正規化するステップであって、各特性ベクトルを形状インデックスによってソートしかつ前記拡張された領域を操作して、第１の特徴インスタンスが所定のノーマル位置にあるようにする、正規化ステップ」という事項は、領域間のパターンレイアウトを比較可能とするためのデータ処理の手法に過ぎず、引用発明に上記事項を採用することは、当業者が適宜成し得る事項であると認められるから、相違点２に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
２−４−３．相違点３について
　引用発明では、「パターンマッチング領域のパターンレイアウトの入力データ」を「パターンマッチング領域に含まれる個々のパターンの各頂点の位置（座標）を用いて表現」しているのであるから、一致するパターンマッチング領域を識別する際、入力データ（本願補正発明の「特性ベクトル」）を比較して行うことは、当業者が適宜なし得る事項である。また、“正規化”については、「２−４−２．相違点２について」で既に述べたように、当業者が適宜成し得る事項であると認められる。
　したがって、相違点３に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　
２−５．本願補正発明の効果について
　本願補正発明による効果は、引用発明に基いて、当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず、格別なものとはいえない。
　
　なお、審判請求人は回答書において、
「・・・引用文献１、３及び４に記載された発明をどのように引用文献２の発明と組み合わせても・・・本願発明の特徴的な構成によって達成される著しい効果も得られない」
と主張しているが、当該“著しい効果”がどのようなものであるのか何ら述べられておらず、何ら格別なものは見出せない。
　
　
２−６．補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成２２年４月１３日付け手続補正により補正された以下のとおりのものである。
　
「集積回路（ＩＣ）チップ・デザインに対して光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行する方法であって、
（ａ）前記ＩＣチップを複数の局所タスク領域に分割するステップであって、前記局所タスク領域の各々が、前記ＩＣチップのレイアウト・グリッド・サイズの整数倍のサイズを有するように、分割するステップと、
（ｂ）一致する局所タスク領域を識別するステップであって、
（ｂ１）それぞれの局所タスク領域に対して、該局所タスク領域内の形状及び該形状の相対的方向及び位置を記述する特性ベクトルを生成するステップと、
（ｂ２）前記特性ベクトルを比較して、一致する局所タスク領域を決定するステップとからなる識別ステップと、
（ｃ）一致する局所タスク領域を対応するグループにグループ化するステップと、
（ｄ）一致する局所タスク領域のそれぞれのグループに単一のＯＰＣ工程を実行するステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
　
　
３−２．引用例
　引用例及びその記載事項は、前記「２−２．引用例」に記載したとおりである。
　
　
３−３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明において、「前記局所タスク領域に関する光学的影響の拡張された領域を特定するステップ」を含み、かつ、「一致する局所タスク領域を識別するステップ」が「前記特性ベクトルのそれぞれを正規化するステップであって、各特性ベクトルを形状インデックスによってソートしかつ前記拡張された領域を操作して、第１の特徴インスタンスが所定のノーマル位置にあるようにする、正規化ステップ」からなると限定のあるところ、これを削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、前記「２−３．対比」で述べた相違点１及び３において相違するが、前記「２−４−１．相違点１について」及び「２−４−３．相違点３について」で述べたように、相違点１及び３は、引用発明に基いて当業者が容易に想到することができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受ける事ができない。
　
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。