【事件の表示】
　特許第６０３４７９６号発明「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物、及びその利用」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０３４７９６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１１〕、〔１２−１６〕、１７について訂正することを認める。
　特許第６０３４７９６号の請求項１、２、５、７ないし１６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０３４７９６号の請求項１ないし１７に係る特許についての出願は、２０１２年（平成２４年）９月２０日（優先権主張　２０１１年（平成２３年）１０月３１日、日本国（ＪＰ））を国際出願日とする出願であり、平成２８年１１月４日にその特許権の設定登録がされ、同月３０日に特許掲載公報が発行され、その後、請求項１、２、５、７ないし１６に係る特許について、平成２９年５月３０日特許異議申立人袖岡恭子（以下、「異議申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。
　その後の手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　７月３１日　取消理由通知
　　　　同年１０月　２日　訂正請求・意見書提出（特許権者）
　　　　同年１０月１７日　訂正拒絶理由通知
　　　　同年１１月２２日　手続補正書・意見書（特許権者）
　平成３０年　１月１２日　意見書（異議申立人）
　　　　同年　３月１４日　取消理由通知
　　　　同年　５月　８日　訂正請求・意見書提出（特許権者）
　　　　同年　５月２３日　訂正拒絶理由通知
　　　　同年　６月２２日　意見書提出（特許権者）なお、同意見書の日付は平成２８年６月２２日とされているが、平成３０年の誤りであることは明らかであるので、平成３０年６月２２日に提出されたものとする。
　　　　同年　７月１３日　取消理由通知（決定の予告）
　　　　同年　９月１８日　訂正請求・意見書提出（特許権者）
　　　　同年１０月３１日　意見書（異議申立人）
第２　訂正の適否
１　訂正事項
　上記平成３０年９月１８日提出の訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）は、本件特許請求の範囲を、上記訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、請求項〔１−１１〕、〔１２−１７〕について訂正することを求めるものであって、その具体的訂正事項は次のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含んでおり、
　上記エラストマーが・・・からなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つであることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物（・・・）。」とあるのを「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーが・・・からなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つであ
る接着剤組成物であって、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　
上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含んでおり、
　上記エラストマーが・・・からなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つであることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物（・・・）。」とあるのを「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーが・・・からなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つであ
る接着剤組成物であって、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　
上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項８に「上記ウエハは、上記支持体と接着した後に１５０℃以上の環境下に曝されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。」とあるのを「上記ウエハは、上記支持体と接着した後に１５０℃以上の環境下に曝されることを特徴とする請求項
３、４、及び６
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項９に「さらに、熱重合禁止剤を含んでいることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の接着剤組成物。」とあるのを「さらに、熱重合禁止剤を含んでいることを特徴とする請求項
３、４、６、及び
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１２に「ウエハと、
・・・であるエラストマーを含んでいる接着剤組成物によって形成された接着層と、
　支持体と、をこの順に接着してなる積層体を１５０℃以上の温度で加熱するステップと、
　上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を溶剤を用いて除去するステップとを含むことを特徴とする方法。」とあるのを「ウエハと、
 ・・・であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤と
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下である
　支持体と、をこの順に接着してなる積層体を
２２０
　上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を
、溶剤として非極性の炭化水素系溶剤
半導体装置の製造に用いられる
であって、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行い、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１７に「上記支持体には貫通した穴が設けられている、請求項１６に記載の方法。」とあるのを「
ウエハと、
　
主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含む接着剤組成物によって形成された接着層と、
　
支持体と、をこの順に接着してなる積層体を１５０℃以上の温度で加熱するステップと、
　
上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を、溶剤を用いて除去するステップとを含み、
　上記支持体には貫通した穴が設けられて
おり、
　
上記溶剤によって、上記接着層を溶解して上記ウエハと上記支持体とを分離することを特徴とする方法。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１、２
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項１、２は、接着剤組成物が、「熱重合禁止剤とを含み、上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であ」ること（以下、訂正事項（ア）という。）を限定し、「ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す」こと（以下、訂正事項（イ）という。）を限定するものであり、また、接着剤組成物が、「ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる」ものであること（以下、訂正事項（ウ）という。）を限定するものである。
　そうすると、訂正事項１、２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であるといえる。
イ　新規事項の追加の有無
　訂正事項１、２の訂正事項（ア）は、本件明細書の段落【００３６】の「（熱重合禁止剤）本発明において、接着剤組成物は熱重合禁止剤を含有していてもよい。」との記載、及び同段落【００３９】の「熱重合禁止剤の含有量は、エラストマーの種類、並びに接着剤組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、エラストマーの量を１００重量部としたとき、０．１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましい。」との記載に基づくものである。
　また、訂正事項（イ）の「接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す」ことは、同段落【０１４０】【表１】の、例えば、「実施例４」及び「実施例５」における結果が、それぞれ「ｐ−メンタンに対する２３℃での溶解速度が９０ｎｍ／sec」及び（９０ｎｍ／sec以上である）「１２０ｎｍ／sec」であることに基づくものであり、その実験条件に関する訂正事項（イ）の「ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった」は、同段落【０１３６】の「〔積層体の薄化・高温処理〕
　ウエハと支持体との積層体を用いて、ウエハの薄化、フォトリソグラフィー、２２０℃でのプラズマＣＶＤ、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を行なった。これにより耐熱性及び耐薬品性を評価した。」との記載、及び、同段落【０１３７】の上記プラズマＣＶＤ及び２２０℃での加熱処理に関する、「上記プラズマＣＶＤを１時間行なった」及び「上述のＮ２環境下における２２０℃での加熱処理でも耐熱性を評価した。この加熱処理を３時間行ない」との記載に基づくものであり、さらに、同段落【０１３９】にある、ｐ−メンタンによる接着層の除去に関する、「〔接着層の洗浄〕
　５３２ｎｍレーザを照射してウエハと支持体とを分離した。支持体を取り除いたウエハを、２３℃において、ｐ−メンタンによってスプレー洗浄し、接着層を除去した。接着層の除去速度（浸漬試験において１秒あたりに溶解した接着層の厚さ（ｎｍ／sec））を算出した。」との記載、そして、この段落【０１３９】の記載におけるウエハと支持体との積層体は、実施例で使用する積層体について、熱処理等の条件が唯一記載されている上述の段落【０１３６】に記載される積層体を用いていることが明らかであるといえることに基づくものである。
　そうすると、上記訂正事項１、２は、新規事項を追加するものではない。
ウ　特許請求の範囲の実質的拡張又は変更の有無
　訂正事項１、２は、上記アで述べたように、訂正前の「接着剤組成物」をさらに限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項３、４について
　上記訂正事項３及び４は、それぞれ、請求項８が引用する請求項を、「請求項１〜７のいずれか１項」から「請求項３、４、及び６のいずれか１項」とするものであり、請求項９が引用する請求項を、「請求項１〜８のいずれか１項」から「請求項３、４、６、及び８のいずれか１項」とするものであり、請求項８又は請求項９がそれぞれ引用する請求項数を減少させるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると共に、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことは明らかである。
（３）訂正事項５について
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項５は、接着剤組成物が、「熱重合禁止剤とを含み、上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下である」こと（以下、訂正事項（エ）という。）を限定し、積層体を加熱するステップの温度範囲を「１５０℃以上の温度」から「２２０℃以上の温度」に限定し、接着層を溶剤を用いて除去するステップの溶剤を、「溶剤として非極性の炭化水素系溶剤」に限定し、「方法」が、「半導体装置の製造に用いられる」方法であることを限定し、また、接着剤組成物が、「ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す」こと（以下、訂正事項（オ）という。）を限定するものである。
　そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であるといえる。
イ　新規事項の追加の有無
　訂正事項５の訂正事項（エ）及び（オ）は、上記（１）アで述べた訂正事項（ア）及び（ウ）とそれぞれ同じ内容であるから、上記（１）イで述べたように、新規事項を追加するものではない。
　また、積層体を加熱するステップの温度範囲を「２２０℃以上の温度」とすることは、本件明細書の段落【００５５】の「また、本発明に係る接着剤組成物は、優れた耐熱性を有しているので、支持体と接着した後に１５０℃以上の環境下に曝されるウエハと当該支持体との接着に好適に用いられる。具体的には１８０℃以上、さらには２２０℃以上の環境下にも好適に用いることができる。」等の記載に基づくものであり、接着層を溶剤を用いて除去するステップの溶剤を、「溶剤として非極性の炭化水素系溶剤」とすることは、同段落【００５８】の記載によれば、「接着剤層を除去する場合、上述の溶剤を用いれば容易に溶解して除去できる。」とされ、上述の溶剤とは、同段落【００２７】の記載によれば、本発明に係る接着剤組成物に含まれる溶剤として記載される「例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等」であるといえることに基づくものであり、「方法」を「半導体装置の製造に用いられる」方法に限定することは、同段落【０１４４】の「本発明に係る接着剤組成物、接着フィルム及び積層体は、例えば、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。」との記載に基づくものである。
　そうすると、訂正事項５は、新規事項を追加するものではない。
ウ　特許請求の範囲の実質的拡張又は変更の有無
　訂正事項５は、上記アで述べたように、訂正前の接着剤組成物、積層体を加熱するステップの温度範囲、接着層を溶剤を用いて除去するステップの溶剤をさらに限定し、これらの特定事項を有する「方法」をさらに限定すると共に、「方法」を「半導体装置の製造に用いられる」ものに限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項６について
　訂正事項６は、訂正前の請求項１２を引用する請求項１６をさらに引用する請求項１７を、請求項間の引用関係を解消し、他の請求項を引用しない独立形式請求項へ改めるための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、この訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことは明らかである。
３　小括
　上記「２」のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第４項及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１ないし１１〕、〔１２ないし１７〕について訂正することを求めるものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　そして、特許権者から、訂正事項６が認められた場合、訂正後の請求項１７は、請求項１２ないし１６とは別の請求単位として扱われることの求めがあり、これを認めるから、訂正後の請求項〔１ないし１１〕、〔１２ないし１６〕、１７について訂正することを認める。
第３　本件発明
　上記第２のとおり、本件訂正は認容し得るものであるから、本件特許の特許異議申立ての対象となる請求項１、２、５、７ないし１６に係る発明（以下、請求項１に係る発明を項番に対応して「本件発明１」、「本件発明１」に対応する特許を「本件特許１」などといい、併せて「本件発明」、「本件特許」ということがある。）の記載は、次のとおりである。なお、請求項３、４、６に係る発明は、特許異議申立ての対象となっていないが、これらの発明を引用する特許異議申立ての対象となる請求項に係る発明があるため、共に記載する。また、下線は、訂正箇所を表す。
「【請求項１】
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、
　上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマー、置換基を有しているエラストマー、及び、反応架橋型のエラストマーからなる群から選択される少なくとも１つであって、
　上記反応架橋型のエラストマーは、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンエチレンプロピレン−スチレンブロックコポリマー、及び、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンブチレン−スチレンブロックコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つである接着剤組成物であって
、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　
上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
【請求項２】 
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、
　上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマー、置換基を有しているエラストマー、及び、反応架橋型のエラストマーからなる群から選択される少なくとも１つであって、
　上記反応架橋型のエラストマーは、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンエチレンプロピレン−スチレンブロックコポリマー、及び、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンブチレン−スチレンブロックコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される少なくとも１つである、接着剤組成物であって
、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　
上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
【請求項３】
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーと、
　溶剤と、を含んでおり、
　上記溶剤は、縮合多環式炭化水素を含んでいることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
【請求項４】
　上記エラストマーが水添物であることを特徴とする請求項３に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
【請求項５】
　上記エラストマーの両端がスチレンのブロック重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
【請求項６】
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることを特徴とする請求項４に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
【請求項７】
　上記ウエハは、上記支持体と接着した後に薄化工程に供されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
【請求項８】
　上記ウエハは、上記支持体と接着した後に１５０℃以上の環境下に曝されることを特徴とする請求項
３、４及び６
【請求項９】 
　さらに、熱重合禁止剤を含んでいることを特徴とする請求項
３、４、６及び８
【請求項１０】
　フィルム上に、請求項１〜９のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。
【請求項１１】
　請求項１〜９のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物を用いてウエハと支持体とを接着する積層体の製造方法。
【請求項１２】
　ウエハと、
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤と
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下である
　支持体と、をこの順に接着してなる積層体を
２２０
　上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を
、溶剤として非極性の炭化水素系溶剤
半導体装置の製造に用いられる
であって、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ
２
環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す
【請求項１３】
　上記接着層と上記支持体との間に、光を吸収することにより変質する分離層をさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
　上記積層体のウエハを薄化するステップを含む請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
　上記分離層に光を照射して上記支持体を分離した後に、上記接着層を上記溶剤で除去する請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
　上記溶剤によって、上記接着層を溶解して上記ウエハと上記支持体とを分離する、請求項１２に記載の方法。」
第４　取消理由（決定の予告）の概要
　請求項１、２、５、７ないし１６（当審注：平成３０年５月８日提出の訂正請求書は、認められず、平成２９年１１月２２日提出の手続補正書で補正された同年１０月２日提出の訂正請求書は、平成３０年５月８日提出の訂正請求書の提出により取り下げられたものと見なされるので、特許査定時の特許請求の範囲に記載された請求項。以下、「第３」と区別して、単に「請求項に係る発明」という。）に対して平成３０年７月１３日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。
１　請求項１、２、５、７ないし１６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、請求項１、２、５、７ないし１６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。（以下、「取消理由１」という。）
２　請求項１、２、５、７、１０、１１に係る発明は、いずれも下記刊行物１に記載された発明であり、請求項１、２、５、７、１０、１１に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。（以下、「取消理由２」という。上記理由は、特許法第２９条第１項第３号による、平成２９年７月３１日付け取消理由、及び異議申立て理由と同趣旨である。）
３　請求項１、２、５、７ないし１６に係る発明は、いずれも下記刊行物１又は６に記載された発明、参考としての下記刊行物２ないし５に記載の事項、下記刊行物１、６ないし８に記載された事項、及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、請求項１、２、５、７ないし１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。（以下、「取消理由３」という。上記理由は、特許法第２９条第２項による、平成２９年７月３１日付け取消理由と同趣旨であり、請求項１、２、５、７、１０ないし１６に係る発明（平成２９年１１月２２日提出の手続補正で補正された同年１０月２日提出の訂正請求書に添付された特許請求の範囲に記載されたもの）は、いずれも下記刊行物１又は６に記載された発明、参考としての下記刊行物２ないし５に記載の事項、下記刊行物１、６ないし８に記載された事項、及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとする特許法第２９条第２項による平成３０年３月１４日付け取消理由を含むものであり、請求項１、２、５、７、１０、１１に係る発明は、いずれも下記刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、請求項１、２、５、７ないし９、１１ないし１６に係る発明は、いずれも下記刊行物６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとする特許法第２９条第２項の規定による異議申立て理由を含むものである。）
　なお、特許法第２９条第１項第３号及び同法同条第２項の規定による、上記異議申立て理由では、下記刊行物１ないし７以外に下記刊行物９ないし１２が提出されているが、本件発明の新規性及び進歩性を判断する上で必要となる記載の範囲において、下記刊行物９（甲第２号証）は、下記刊行物２と同じ内容が記載されるものであり、下記刊行物１０（甲第７号証）及び下記刊行物１１（甲第８号証）は、下記刊行物３ないし５と同じ内容が記載されるものであり、下記刊行物１２（甲第１０号証）は、下記刊行物１以外の内容が記載されているものではないから、引用していない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特表平１１−５０８９２４号公報（甲第１号証）
　刊行物２：特開２０１０−１８０３２５号公報（甲第３号証）
　刊行物３：特開平１１−１９９８３９号公報（甲第４号証）
　刊行物４：特開平６−３２９８１５号公報（甲第５号証）
　刊行物５：特開２０１０−２５４８０９号公報（甲第６号証）
　刊行物６：特表２０１０−５０６４０６号公報（甲第９号証）
　刊行物７：特開２００４−６４０４０号公報（甲第１１号証）
　刊行物８：特開２０１０−１０９３２４号公報（平成３０年１月１２日提出の意見書に添付の参考資料１）
　刊行物９：特開２０１２−１２１２２３号公報（甲第２号証）
　刊行物１０：特開平９−２６３６７８号公報（甲第７号証）
　刊行物１１：特開２０００−３５１８５０号公報（甲第８号証）
　刊行物１２：特開２０１０−９０３５２号公報（甲第１０号証）
第５　取消理由に関する当審の判断 
１　取消理由１（特許法第３６条第６項第１号）について
　取消理由１の概要は以下のとおりである。
『本件明細書の段落【０００８】の記載によれば、「従来技術に係る接着剤では、ウエハと当該ウエハの支持体とを接着させたものを薄化工程等の所定の工程に供した後に当該ウエハと当該支持体を分離する場合、又は、別の方法で分離したとしても残存する接着剤を除去する場合、接着剤を溶解させるための溶剤に溶解し難いという問題」があり、ここで、接着剤が、接着剤を溶解させるための溶剤に溶解し難くなるのは、同段落【００３７】、【００５６】等の記載によれば、半導体製造工程において、サポートプレート（支持体）が接着されたウエハが、高温プロセスに曝されることによるといえるところ、請求項１に係る発明は、「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着させた後に、当該ウエハと当該支持体を分離する際又は分離後に、より速やかに溶剤に溶解して除去できる接着剤組成物を提供すること」を発明の課題としているといえる。
　そして、この発明の課題に対して、本件明細書の段落【０１４０】【表１】、【０１４１】【表２】に記載の実施例１〜実施例９は、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった（同段落【０１３６】、【０１３７】）ウエハと支持体との積層体において、ウエハと支持体に分離し、ウエハをｐ−メンタンで洗浄した際の溶解速度が大きく、上記発明の課題を解決しているといえる。
　しかしながら、請求項１に係る発明の特定では、以下の（１）及び（２）の点で、請求項１に係る発明は、上記の発明の課題を解決するものではないから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
（１）請求項１に係る発明の「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着する」ことについて
　請求項１に係る発明は、「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物」であることは特定されているものの、この接着剤組成物が、本件明細書の段落【００３７】に記載されるような半導体製造工程の中で、所定の高温プロセスを経るものであることが特定されていないから、本件発明の接着剤組成物は、所定の高温プロセスを経ることのない半導体製造工程で使用される場合も含まれることになる。
　しかしながら、この様な場合は、接着剤を溶解させるための溶剤に溶解し難くなることがなく、上述の本件発明の課題がそもそも存在するのか明らかでないから、本件発明１は、上述の本件発明の課題を解決するものであるとすることはできない。
（２）発明の課題の「溶剤に溶解」することについて
　請求項１に係る発明の「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着する」ことについて、半導体製造工程の中で用いられる溶剤に関する事項が特定されていないから、上述の本件発明の課題がそもそも存在するのか明らかでなく、本件発明１は、上述の本件発明の課題を解決するものであるとすることはできない。
　また、半導体製造工程の中で用いられる溶剤に関する事項が特定されていない請求項１に係る発明の接着剤組成物は、特に限定されることなく溶剤に溶解することを意図しているとも解され得るが、この接着剤組成物が、任意の溶剤に溶解するとの記載は、本件明細書には無く、実施例等の具体性をもって記載されているのは、実施例で用いられているｐ−メンタン等の炭化水素系の溶剤に溶解することだけである。そうすると、本件明細書に記載される本件発明１の接着剤組成物がｐ−メンタン等の炭化水素系の溶剤に溶解するという事項を、どの様な溶剤に溶解するものであるのか特定されていない本件発明１の範囲にまで拡張乃至一般化することができるとはいえない。
　請求項１に係る発明と同様の特定がなされている請求項２に係る発明、請求項１、２に係る発明を直接又は間接的に引用する請求項５、７ないし１１に係る発明、及び半導体装置の製造方法に用いられる、請求項１、２に係る発明の接着剤組成物に対して、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法の関係にある請求項１２に係る発明、請求項１２に係る発明を直接又は間接的に引用する請求項１３ないし１６に係る発明についても、同様である。』
　これに対し、本件訂正により、本件発明１、２、及び本件発明１、２を引用する本件発明５、７、１０、１１（本件発明８、９は、本件訂正により、本件発明１、２を引用しないものとなった。）の接着剤組成物は、「ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる」ものであることが特定されたことで、半導体製造工程の中で、高温プロセスを経るものであること、及び半導体製造工程の中で用いられる非極性の炭化水素系の溶剤に溶解するものであることが明らかになった。
　そうすると、本件発明１、２、５、７、１０、１１は、上記（１）及び（２）の点で、上記の発明の課題を解決するものではないとすることはできない。
　また、本件発明１２ないし１６の方法は、「ウエハと、・・・接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体と、をこの順に接着してなる積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を、溶剤として非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとを含む」「半導体装置の製造に用いられる方法」であることが特定されたことで、本件発明１２ないし１６の方法に用いる接着剤組成物は、半導体製造工程の中で、高温プロセスを経るものであること、及び半導体製造工程の中で用いられる非極性の炭化水素系の溶剤に溶解するものであることが明らかになった。
　そうすると、本件発明１２ないし１６は、上記（１）及び（２）の点で、上記の発明の課題を解決するものではないとすることはできない。
　よって、本件発明１、２、５、７、１０ないし１６は、発明の詳細な説明に記載されたものではないとはいえないから、本件特許１、２、５、７、１０ないし１６を、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとすることはできない。
　異議申立人は、平成３０年１０月３１日提出の意見書で、以下のとおり主張している。
　『本件発明１、２及び１２に追加された「当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す」との特定について、溶解速度は、測定方法や条件によって異なる結果が得られるものであるところ、上記特定には測定方法や条件の記載がないため、溶解速度が特定されたものとは言えないから、上記発明の課題を解決することを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。』
　『また、実施例には、溶解速度の測定方法について以下のように記載されている。
「【０１３９】
・・・」
　接着層の除去速度は、浸漬試験によって測定したことが記載されているが、浸漬試験の条件は記載されていない。すなわち、溶剤に接着層を浸漬させ、どのようにして１秒あたりに溶解した接着層の厚さを測定したのか記載がない。・・・
　すなわち、どのような方法によって浸漬試験を行ったか特定がなされていない場合、用いた材料や試験方法によっては当然に異なる結果が得られるものである。
　加えて、溶解速度を測定するためには膜厚を測定する必要があるが、膜厚の測定方法も複数の原理が存在するものであるから、測定原理によって得られる結果は当然に異なるものである。
　また・・・５３２ｎｍレーザーによって剥離処理を施した後に溶剤除去試験を行っているが、この点、請求項には５３２ｎｍレーザ剥離の工程の記載がなく、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行った後、どのような方法で剥離しても（又は剥離しなくても）同じ溶解速度試験の結果が得られるのか不明である。
　つまり、発明の詳細な説明の記載と出願時の技術常識とに基づいたとしても、訂正請求項１、２及び１２に係る発明を実施しようとした場合、当業者といえどもどのように実施するかを理解することはできない。』
　「よって、本件訂正後の請求項１、２及び１２に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号及び特許法第３６条第４項第１号に記載された要件を満たすものではない。」
　しかしながら、申立人は、上記の主張で、「溶解速度は、測定方法や条件によって異なる結果が得られるものである」、「どのような方法によって浸漬試験を行ったか特定がなされていない場合、用いた材料や試験方法によっては当然に異なる（溶解速度の）結果が得られる」、「膜厚の測定方法も複数の原理が存在するものであるから、測定原理によって得られる結果は当然に異なる」、及び「どのような方法で剥離しても（又は剥離しなくても）同じ溶解速度試験の結果が得られるのか不明」としているが、これらの主張は、本件発明１等の接着剤層の溶解速度や膜厚を測定する際、通常用いられる方法が複数あり、実際、これらの測定方法の間で測定値に無視できない違いが出ることを、客観的に説明するものではないし、溶解速度を測定する際の条件（浸漬試験、剥離処理の条件等）、用いる材料によって、実際、測定値に無視できない違いが出ることを、客観的に説明するものではないから、上記の主張では、本件発明１等の接着層の溶解速度の試験結果が、実際に、測定方法や条件によって異なるものとなるとすることはできない。
　また、溶解速度の測定方法及びその条件は、本件明細書の記載や技術常識をもって理解できれば良く、本件発明１等において、それらを特定しなければならないということはないから、本件発明１等は、発明の課題を解決することを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであるとすることはできない。
　さらに、接着剤層を含め、材料によって形成される膜の溶解速度の測定方法、膜厚の測定方法は、特に目新しいものではなく、当業者であれば技術常識によって、本件発明１の接着層の溶解速度の測定方法やその条件、膜厚の測定方法等を選択することができるといえる。そうすると、それらの方法及び条件を逐一本件明細書に記載しなくとも、当業者は、本件発明１等の接着層の溶解速度の測定、膜厚の測定を十分な信頼性をもって実施することができるといえるから、本件発明１等を実施しようとした場合、当業者といえどもどのように実施するかを理解することができないとはいえない。
　よって、上記意見書での異議申立人の主張を採用することはできない。
２　取消理由２（特許法第２９条第１項第３号）及び取消理由３（同条同項第２項）について
（１）刊行物に記載された事項
ア　刊行物１（特表平１１−５０８９２４号公報）の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。 
（ア１）「１．不変支持体と、前記不変支持体に載置する熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る非感圧接着剤層とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。
・・・
３．前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る、請求項１に記載の半導体ウェーハ処理テープ。」（【特許請求の範囲】）
（ア２）「半導体ウェーハ研削工程にはなおいっそう役に立つ接着テープへの要望が依然としてある。そのようなテープは、幾つかの所望の性質を有することが望ましい。例えば、テープは、半導体ウェーハが後処理工程に容易に耐えられるように、シリコン、ポリイミド、シリコンオキシナイトライド、およびホトレジスト塗膜等の面に対して十分な初期接着力を迅速に提供しなければならず、その上必要な時には簡単に除去できるものでなければならない。」（第１０頁第３〜８行）
（ア３）「本発明はまた、半導体ウェーハの処理方法にも関する。この方法は、（ａ）半導体ウェーハを提供する工程と、（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導体ウェーハを接着剤で合着する工程と、（ｃ）ウェーハ背面を研削、またはウェーハをダイシングして集積回路半導体チップにすることによって、半導体ウェーハを処理する工程を含んで成る。」（第１５頁第８〜１３行）
（ア４）「好適な実施態様では、接触時間にわたる接着力ビルドが最小を示しており、そのため、工業規格によって許容される枚数を超えて破損または毀損することなく、半導体ウェーハおよび／または半導体ＩＣチップを本発明のウェーハ処理テープから容易に除去することができ、且つ（肉眼で）見える程度の量の接着剤残留物を残留させることがない。本発明のかなり好適な実施態様では、上記に挙げた基材の一部、最も好適にはそれらの基材全ての表面に対して、これらの特性を発現する。また本発明のかなり好適な実施態様では、半導体ウェーハおよび／または半導体ＩＣチップを汚損せずに除去することも可能である。」（第１５頁第２８行〜第１６頁第４行）
（ア５）「本発明のウェーハ処理テープにおいて有用である不変支持体は、単一層フィルムまたは多層フィルムとして提供できる。支持体の厚さは、得られたテープがウェーハ研削およびウェーハダイシング装置で容易に取り扱える限りにおいて広範に変えてもよい。」（第１６頁第２６行〜第１７頁第１行）
（ア６）「最も好適なスチレンブロック共重合体において、ゴム状セグメントは、１，４および１，２異性体の混合物を含んで成る中央ブロックを有するスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体のような不飽和前駆物質の水素化によって飽和させてもよい。後述の水素化の時、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレンブロック共重合体が得られる。同様に、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体前駆物質を水素化してスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブロック共重合体を生成してもよい。ポリイソプレン、ポリブタジエン、およびスチレン−ブタジエンゴムのようなゴム状物質はまた、ゴム状エラストマーセグメントを形成するために使用されてもよい。・・・
　種々広範の市販の熱可塑性エラストマーを、(単独または組み合わせて)本発明において使用することができ、これには、SOLPRENE系(フィリップス・ペトローリアム社(Philips Petroleum Co.)製)、FINAPRENE系(フィナ(Fina)製)、TUFPRENEおよびASAPRENE系(アサヒ(Asahi)製)、STEREON系(ファイアーストーン・シンセティック・ラバー・アンド・ラテックス社（Firestone Synthetic Rubber  Latex Co.）製)、EUROPRENE SOL T系(エニケム(Enichem)製)、VECTOR系(デキシコポリマーズ(Dexco Polymers)製)、およびCARIFLEX TR系（シェル・ケミカル社(Shell Chemical Co.)製）がある。また、SEPTON 2002、2005、2007、2023、2043、および2063のようなSEPON系の物質（クラレ社(Kuraray Co．Ltd.)製）も有用である。更にまた、D-1101、D-1102、D-1107P、D-1111、D-1112、D-1114PX、D-1116、D-1117P、D-1118X、D-1119、D-1122X、D-1124、D-1125PX、D-1184、D-1300X、D-1320X、4141、4158、4433、RP-6408、RP-6409、RP-6614、RP-6906、RP-6912、G-1650、G-1651、G-1652、G-1654X、G-1657、G-1701X、G-1702X、G-1726X、G-1750X、G-1765X、FG-1901X、FG-1921X、FG-1924、およびTKG-101のようなKRATON系の物質（シェル・ケミカル社製）も有用である。一般に、水素化熱可塑性エラストマーのKRATON系が好適である。」（第２０頁第１行〜第２１頁第１５行）
（ア７）「また、種々の添加剤を最小量、接着剤成分中に含ませることもできる。そのような添加剤には、顔料、染料、可塑剤、充填剤、安定剤、紫外線吸収剤、老化防止剤、プロセス油などがある。使用する添加剤の量は、所望する最終特性に依存して変更できる。」（第２５頁第１７〜２０行）
（ア８）「実施例１乃至１１
　本発明によるウェーハ処理テープのシリーズを製作した。各実施例のウェーハ処理テープで使用される接着剤成分は、熱可塑性エラストマー３０グラム（ｇ）とトルエン７０ｇをワンクォートガラスジャー内で合わせて、このジャーを、非溶存熱可塑性エラストマーが見えなくなるまで、ローラーミル上に設置することで、調製する。合計混合時間は、８時間未満であった。次に、乾燥接着剤被膜の厚さを確実に約７６μｍにできるコーティングギャップを備えて形成されたブルノーズナイフを有するナイフボックスを使用して、接着剤成分溶液を、５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布する。一回塗布して、ウェーハ処理テープを室温で約１０分乾燥してから、８２℃で１０分乾燥した。
　以下の表１は、熱可塑性エラストマーの種類とその熱可塑性エラストマーの中のスチレンの割合（％スチレン）の記載と共に、各実施例で使用される熱可塑性エラストマーの商品名を示す。表１（以降の表でも同様）において、ＳＩＳは、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体を指しており、ＳＢＳはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体を、ＳＢはスチレン−ブタジエンブロック共重合体を、ＳＥＢＳはスチレン−エチレン／ブチレン−スチレンブロック共重合体を、ＳＥＰＳはスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブロック共重合体を、更にＳＥＰＳＥＰはスチレン−エチレン／プロピレン−スチレン−エチレン／プロピレンブロック共重合体を指す。なおKRATONは、シェル・ケミカル社から市販されているものである。
　また、表１には、剥離接着強さ試験（方法Ａ）の結果も示してあり、この場合、基材は平滑なポリイミドで、ドエル時間（dwell time）は１日であって、更にウェーハ処理テープの可剥性についての所見も記載してある。
＊：剥離接着力が強すぎてテープを除去できなかった。
・・・
　実施例１２乃至１９ 
　本発明によるウェーハ処理テープのシリーズは、以下の表２で示す熱可塑性エラストマーを使用した他は、実施例１乃至１１で説明した手順に従って製作された。ＳＥＢ（Ｉ）Ｓは、イソプレンアームを有するＳＥＢＳブロック共重合体を指す。なお、SEPTONは、クラレ社から市販されている。複数基材で、テープの可剥性に関する所見と共に表２に明記したドエル時間を用いて、剥離接着強さに関してウェーハ処理テープを評価した（試験方法Ａを使用）。これらの実施例では、ポリイミド基材を、前述のとおりＩＣポリイミドパッシベーション層とした。
なお、実施例５、６、７、１０、および１１を、表２中で再び繰り返している。
」（第３１頁第２２行〜第３４頁表２）
イ　刊行物２（特開２０１０−１８０３２５号公報）の記載事項
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「【００２８】
　以下に本発明を更に具体的に説明するための実施例を記載する。
１．　使用原料の詳細
〔水添ブロック共重合体〕
・・・
　ＳＥＢＳ：クレイトンＧ１６５０（商品名、クレイトンポリマージャパン（株）製）、スチレン含有量：２９％、重量平均分子量（Ｍｗ）：約１０．９万、数平均分子量（Ｍｎ）：１０．３万、１，２−ビニル結合量：３７質量％」
ウ　刊行物３（特開平１１−１９９８３９号公報）の記載事項
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
「【００２７】粘着剤層
・・・
ＳＥＰＳ：スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物（クラレ社製，商品名「セプトン２００２」，スチレン含有量＝３０重量％，ＭＦＲ＝７０ｇ／１０分・２３０℃，重量平均分子量＝約５６０００）」
エ　刊行物４（特開平６−３２９８１５号公報）の記載事項
　刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「【００３５】実施例２
・・・マトリックス樹脂としてスチレン含量が２０重量％で重量平均分子量が２００，０００である水素添加（水添率９９％）スチレン−イソプレントリブロック共重合体（商品名：セプトン２００５、クラレ製）１５重量部を加えてペースト状混合物を得た。」
オ　刊行物５（特開２０１０−２５４８０９号公報）の記載事項
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「【００３２】
・・・
＊３：「セプトン２００７」、ＳＥＰＳ、重量平均分子量８万、ポリスチレンブロック含有率３０％、株式会社クラレ製」
カ　刊行物６（特表２０１０−５０６４０６号公報）の記載事項
　刊行物６には、以下の事項が記載されている。 
（カ１）【請求項１】
　溶媒系に溶解または分散されたポリマーを含有する接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、第１の基板と第２の基板とを含むスタックを提供し、
　前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ、
　前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に力を印加すると同時に、前記第１の基板および前記第２の基板の他方を、前記力に耐えられるようにすることを含み、前記力は、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離するに足る十分な量で印加されるウェーハの接合方法。
・・・ 
【請求項４】
　更に、前記スタックを少なくとも約１９０℃の温度に曝す前に、前記基板の一方を薄化することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】 
　更に、前記スタックを少なくとも約１９０℃の温度に曝す前に、前記スタックに、裏面研削、金属被覆、パターニングおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される処理を施すことを含む請求項１に記載の方法。
・・・
【請求項３７】
　粘着付与剤と、
　ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物とを含有する、流動性を有する接合用組成物であって、
　前記粘着付与剤および化合物は、溶媒系に分散または溶解され、前記組成物は、該組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系を含有する、流動性を有する接合用組成物。」
（カ２）「【００１１】
　新規な組成物、およびアクティブウェーハをキャリア基板に接着する方法であって、高い処理温度に耐えることができ、かつ、プロセスの適切な段階で、上記ウェーハと基板とを即座に分離することを可能にする、組成物および方法が求められる。」
（カ３）「【００２４】
　別の実施形態では、上記組成物は、界面活性剤、接着促進剤、粘着付与剤、可塑剤および酸化防止剤を含むいくつかの任意成分を含みうる。
・・・
【００２８】
　酸化防止剤を用いる場合、該酸化防止剤は、上記組成物中の固体の総重量を１００重量％として、上記組成物中に、約０．０１重量％〜約３重量％存在するのが好ましく、約０．０１重量％〜約１．５重量％存在するのがより好ましく、約０．０１重量％〜約０．１重量％存在するのが更に好ましい。適する酸化防止剤の例として、フェノール系酸化防止剤（例えば、Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）　１０１０の名称で、チバ（Ｃｉｂａ）から市販されているペンタエリスリトールテトラキス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）およびホスファイト系酸化防止剤（例えば、Ｉｒｇａｆｏｓ（Ｒ）　１６８の名称で、チバ（Ｃｉｂａ）から市販されているトリス（２，４−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト）からなる群から選択される酸化防止剤が含まれる。」
（カ４）「【００３３】
　上記組成物は、キャリア基板かアクティブウェーハのいずれか一方に最初に塗布されうるが、アクティブウェーハに最初に塗布されることが好ましい。好ましい塗布方法として、上記組成物を、約３００〜３，５００ｒｐｍ（より好ましくは約５００〜１，５００ｒｐｍ）の回転速度で、約５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒の加速度で、約３０〜３００秒の回転時間、スピンコーティングすることが含まれる。上記塗布工程は、特定の厚さが得られるように変更されうることが好ましいだろう。
【００３４】
　コーティングの後、上記基板を（例えば、ホットプレート上で）ベークして、溶媒を蒸発させることができる。典型的なベーキングでは、温度が、約１５０〜２７５℃、好ましくは約１５０〜２２５℃であり、時間が、約２〜１５分、より好ましくは約３〜１０分であるだろう。ベークした後の膜厚（凹凸の最上部）は、典型的には、少なくとも約５μｍ、より好ましくは約５〜５０μｍであるだろう。
【００３５】 
　ベーキングの後、所望のキャリアウェーハを、本発明の組成物の層に接触させ、その層に対して押し付ける。上記キャリアウェーハは、約１５０〜２５０℃、好ましくは約１８０〜２２０℃の温度で加熱することにより本発明の上記組成物に接合される。この加熱は、好ましくは、真空下で、約１〜１０分間、約１〜約１５キロニュートンの接合力で行われる。
【００３６】
　図１（ａ）は、アクティブウェーハ１２と、キャリアウェーハまたは基板１４とを含む例示的なスタック１０を示す。アクティブウェーハ１２は、裏面１６と活性面１８とを含む。活性面１８は、１つ以上の活性部位（図示せず）、および例えば２０ａ〜ｄとして表わされている形状のような複数の凹凸形状（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃａｌ　ｆｅａｔｕｒｅｓ）（隆起形状または隆起線およびホール、トレンチ、または空間）を含みうる。形状２０ｄは、活性面１８上で「最も高さのある」形状を表す。即ち、端部または面２１は、ウェーハ１２上の他のいかなる凹凸形状の各端部よりも、ウェーハ１２の裏面１６から離れている。
・・・
【００４０】
　接合層２４は、スピンコーティングにより活性面１８に設けられるので、上記接合用組成物は、様々な凹凸形状に流れ込み、かつ、それらの形状を超えて流れることが好ましい。更に、接合層２４は、活性面１８の凹凸上に均一層を形成する。この点を図示すると、図１は、破線２６で表わされる、端部２１における平面を示し、この平面は、裏面１６に実質的に平行である。この平面から接合面２２までの距離は、厚さ「Ｔ」によって表わされる。上記厚さＴは、厚さの総変化量であり、平面２６および基板１４の全長にわたって約８％未満、好ましくは約５％未満、より好ましくは約２％未満、更に好ましくは約１％未満、変化する。
【００４１】 
　図１（ｂ）に示すように、上記のウェーハパッケージ（ｗａｆｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）に、引き続き、基板の薄化（または他の処理）を施すことができ、１２’は、薄化後のウェーハ１２を示す。上記基板は、約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満、より好ましくは約２５μｍ未満の厚さに薄化されうることが好ましい。薄化後、フォトリソグラフィー、ビアエッチングおよび金属被覆を含む典型的な裏面処理を行ってもよい。」
（カ５）「【００４５】
　所望の処理が行われた後、アクティブウェーハまたは基板は、少なくとも約１９０℃、好ましくは少なくとも約２００℃、より好ましくは少なくとも約２２０℃、更に好ましくは少なくとも約２４０℃の温度に加熱することによって、キャリア基板から分離されうる。これらの温度範囲は、上記接合用組成物層の好ましい軟化点を示す。この加熱により、上記接合用組成物層が、軟化して、図１（ｃ）に示すように、軟化した接合用組成物層２４’を形成し、その時点で、上記の２つの基板を、離すようにスライドさせることによって分離することができる。また、図１（ｃ）は、ウェーハ１２および基板１４の両方を通る軸２８を示しており、スライディング力は、概して、軸２８に対して横方向に印加されるだろう。または、スライドさせることを必要としなくてもよく、代わりに、ウェーハ１２または基板１４を上方に（即ち、概して、ウェーハ１２または基板１４の他方から離れる方向に）持ち上げて、ウェーハ１２を基板１４から分離することができる。
【００４６】 
　分離は、単に、ウェーハ１２または基板１４の一方を、スライドさせる、および／または持ち上げると同時に、その他方を、上記スライディング力またはリフティング力（持ち上げ力）（ｌｉｆｔｉｎｇ　ｆｏｒｃｅ）に耐えられるように、実質的に固定された位置に保つことによって（例えば、ウェーハ１２および基板１４に、拮抗するスライディング力を同時に印加することによって）達成されることが好ましい。このことは、全て、慣用の機器により達成されうる。
【００４７】 
　デバイス領域に残存する、いかなる接合用組成物も、乾燥前に上記組成物の一部であった最初の溶媒、または、キシレン、ベンゼン、リモネン等の溶媒を用いて、容易に除去することができる。残存するいかなる組成物も、５〜１５分間、溶媒に接触させると完全に溶解するだろう（少なくとも約９８％、好ましくは少なくとも約９９％、より好ましくは約１００％）。また、残存するいかなる接合用組成物も、プラズマエッチングを、単独で、または溶媒除去プロセスと組み合わせて用いることによって除去してもよい。この工程の後、接合用組成物を含まないクリーンなウェーハ１２’およびキャリア基板１４（クリーンな状態で図示せず）が残るだろう。」
（カ６）「【図１】
 」
キ　刊行物７（特開２００４−６４０４０号公報）の記載事項
　刊行物７には、以下の事項が記載されている。
（キ１）「【請求項１】
　被研削基材と、
　前記被研削基材と接している接合層と、
　光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、
　光透過性支持体と、
を含み、
但し、前記光熱変換層は、前記接合層とは反対側の前記被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギーが照射されたときに分解して、研削後の基材と前記光透過性支持体とを分離するものである、積層体。
【請求項２】
前記被研削基材は脆性材料である、請求項１記載の積層体。
【請求項３】
前記被研削基材はシリコンウェハである、請求項１記載の積層体。
【請求項４】 
前記光吸収剤はカーボンブラックを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の積層体。」
（キ２）「【００１６】
光熱変換層 
光熱変換層は光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む。光熱変換層にレーザー光などの形態で照射された放射エネルギーは、光吸収剤によって吸収され、熱エネルギーに変換される。発生した熱エネルギーは光熱変換層の温度を急激に上昇させ、やがてその温度は光熱変換層中の熱分解性樹脂（有機成分）の熱分解温度に達し、樹脂が熱分解する。熱分解によって発生したガスは光熱変換層内でボイド層（空隙）となり、光熱変換層を２つに分離し、支持体と基材は分離される。」
ク　刊行物８（特開２０１０−１０９３２４号公報）の記載事項
　刊行物８には、以下の事項が記載されている。
（ク１）「【請求項１】
　第１接着剤層と、第１接着剤層よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層、若しくは、第１接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層とを介して支持板が貼着されている基板から、当該支持板を剥離する剥離方法であって、
　上記支持板側に位置する第２接着剤層を溶解して上記支持板を上記基板から剥離する剥離工程を包含することを特徴とする剥離方法。」
（ク２）「【０００４】
　そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハサポートシステムが開発されている。ウエハサポートシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。」
（ク３）「【００１０】
　サポートプレートを薄板化したウエハから剥離するとき、薄板化したウエハが破損しないように注意する必要がある。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、加熱および熱膨張性粒子の熱膨張による押圧力によって、ウエハが破損する可能性が高い。また、離型剤によるウエハの汚染や、熱膨張性粒子の含有による接着性の低下の問題も生じる。そのため、ウエハを破損および汚染することなく、より短時間で容易にウエハをサポートプレートから剥離することができる剥離方法および接着剤の開発が求められている。」
（ク４）「【００６７】
　（熱重合禁止剤）
　本発明において、第１接着剤材料または第２接着剤材料として使用する接着剤組成物は、熱重合禁止剤を含有してもよい。熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効な物質である。熱重合禁止剤は、ラジカルに対して高い反応性を示し、モノマーよりも優先的に反応するため、重合が禁止される。そのため、熱重合禁止剤を含む接着剤組成物は、高温環境下（特に２５０℃〜３５０℃）における接着剤組成物の重合反応が抑制される。これにより、２５０℃で１時間加熱する高温プロセスを経ても、接着剤組成物を容易に溶解できる。したがって、接着剤組成物により形成された接着剤層を、高温プロセス後においても容易に剥離することができ、また残渣の発生も抑えることができる。」
（ク５）「【００８２】
　〔実施例４〜２４〕
　接着剤組成物１を６インチシリコンウエハ２に塗布し、１１０℃で３分間、１５０℃で６分間乾燥させて層厚３０μｍの第１層接着剤層４を形成した。次に、表２〜４に記載のポリマー単独、オリゴマー単独、またはそれらを所定の比率で混合したものを含むｐ−メンタン溶液（３０質量％）をそれぞれ用意し、接着剤組成物２として第１接着層４上に塗布し、１２０℃で３分間乾燥させて、層厚７μｍの第２接着剤層５を形成した。そして第２接着剤層５上に孔あきサポートプレートを接着させた。
・・・
【０１０７】
　〔実施例２５〜２６〕
　実施例４の接着剤組成物２に熱重合禁止剤（ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（チバスペシャリティケミカルズ社製））を、接着剤組成物２の樹脂全体に対して１％または５％添加したものを、それぞれ実施例２５および２６とした。実施例３で形成した第１層接着剤層４上に、実施例４、実施例２５および２６の接着剤組成物２を用いて、第２接着剤層５を形成した。そして、第２接着剤層５上に孔あきサポートプレートを接着させて積層体１を形成した。
【０１０８】
　各積層体１を２５０℃で、１時間加熱した後に、ｐ−メンタンに浸漬した。ｐ−メンタンへの浸漬後、第２接着剤層５の溶解速度（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。結果を表５に示す。」
２　刊行物に記載された発明
（１）刊行物１に記載された発明
ア　刊行物１Ａ発明
　刊行物１の上記（ア１）の特許請求の範囲１を引用する特許請求の範囲３には、
「不変支持体と、前記不変支持体に載置する１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る非感圧接着剤層とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。」が記載されている。
　そして、刊行物１の上記（ア６）の「最も好適なスチレンブロック共重合体において、ゴム状セグメントは、１，４および１，２異性体の混合物を含んで成る中央ブロックを有するスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体のような不飽和前駆物質の水素化によって飽和させてもよい。後述の水素化の時、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレンブロック共重合体が得られる。同様に、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体前駆物質を水素化してスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブロック共重合体を生成してもよい。ポリイソプレン、ポリブタジエン、およびスチレン−ブタジエンゴムのようなゴム状物質はまた、ゴム状エラストマーセグメントを形成するために使用されてもよい。最も好適なのは、ブタジエンとイソプレンである。」との記載によれば、「１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体」は、「スチレンと、ブタジエンやイソプレンとのブロック共重合体を水素化した１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体」であるといえる。
　また、上記（ア３）の記載によれば、上記「半導体ウェーハ処理」とは、（ａ）半導体ウェーハを提供する工程と、（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導体ウェーハを接着剤で合着する工程と、（ｃ）ウェーハ背面を研削、またはウェーハをダイシングして集積回路半導体チップにすることによって、半導体ウェーハを処理する工程を含むものであるといえ、上記（ア１）の記載からは、上記「半導体ウェーハ処理テープ」について、上記の（ａ）〜（ｃ）の工程を含む半導体ウェーハ処理に用いられる非感圧接着剤に関する発明も把握することができるといえる。
　そうすると、刊行物１には、
「スチレンと、ブタジエンやイソプレンとのブロック共重合体を水素化した１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る、非感圧接着剤であって、（ａ）半導体ウェーハを提供する工程と、（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導体ウェーハを接着剤で合着する工程と、（ｃ）ウェーハ背面を研削、またはウェーハをダイシングして集積回路半導体チップにすることによって、半導体ウェーハを処理する工程を含む半導体ウェーハ処理に用いられる非感圧接着剤。」（以下、「刊行物１Ａ発明」という。）が記載されているといえる。
イ　刊行物１Ｂ発明
　上記刊行物１Ａ発明を、半導体ウェーハ処理に関する発明としてとらえれば、以下の
 「（ａ）半導体ウェーハを提供する工程と、（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置する、スチレンと、ブタジエンやイソプレンとのブロック共重合体を水素化した１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る、非感圧接着剤からなる非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導体ウェーハを接着剤で合着する工程と、（ｃ）ウェーハ背面を研削、またはウェーハをダイシングして集積回路半導体チップにすることによって、半導体ウェーハを処理する工程を含む半導体ウェーハ処理。」（以下、「刊行物１Ｂ発明」という。）も把握できるといえる。
（２）刊行物６に記載された発明
ア　刊行物６Ａ発明
　刊行物６の上記（カ１）の【請求項３７】には、
「粘着付与剤と、
　ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物とを含有する、流動性を有する接合用組成物であって、
　前記粘着付与剤および化合物は、溶媒系に分散または溶解され、前記組成物は、該組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系を含有する、流動性を有する接合用組成物。」が記載されている。
　また、刊行物６の上記（カ１）の【請求項１】を引用する【請求項５】には、
「溶媒系に溶解または分散されたポリマーを含有する接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、第１の基板と第２の基板とを含むスタックを提供し、
　前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ、
　前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に力を印加すると同時に、前記第１の基板および前記第２の基板の他方を、前記力に耐えられるようにすることを含み、前記力は、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離するに足る十分な量で印加され、
　前記スタックを少なくとも約１９０℃の温度に曝す前に、前記スタックに、裏面研削、金属被覆、パターニングおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される処理を施す、方法。」が記載されているといえる。
　そして、【請求項３７】に記載される上記「接合用組成物」は、【請求項１】を引用する【請求項５】として記載される方法に用いられるものであり、刊行物６の上記（カ４）の段落【００３３】〜【００３６】、及び上記（カ６）図１（ａ）の記載によれば、上記スタックの第１の基板と第２の基板は、アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板であるといえ、さらに、上記（カ４）の段落【００４１】、及び上記（カ６）図１（ｂ）の記載によれば、薄化（研削）されるのは、アクティブウェーハであるといえる。
　さらに、上記（カ５）の記載によれば、アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板を分離後、ウェーハ１２’（アクティブウェーハ）に残存する接合用組成物を溶媒を用いて除去しているといえる。
　そうすると、刊行物６には、
「粘着付与剤と、
　ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物とを含有する、流動性を有する接合用組成物であり、
　前記粘着付与剤および化合物は、溶媒系に分散または溶解され、前記組成物は、該組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系を含有する、流動性を有する接合用組成物であって、
　該接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板とを含むスタックを提供し、
　前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ、
　前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板、の少なくとも一方に力を印加すると同時に、前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板、の他方を、前記力に耐えられるようにすることを含み、前記力は、前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板とを分離するに足る十分な量で印加され、
　前記スタックを少なくとも約１９０℃の温度に曝す前に、前記アクティブウェーハに、裏面研削、金属被覆、パターニングおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される処理を施し、
　前記アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板を分離後、前記アクティブウェーハに残存する接合用組成物を溶媒を用いて除去する方法に用いられる接合用組成物。」（以下、「刊行物６Ａ発明」という。）が記載されているといえる。
イ　刊行物６Ｂ発明
　上記刊行物６Ａ発明を、ウェーハ処理に関する発明としてとらえれば、以下の
 「粘着付与剤と、ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物とを含有する、流動性を有する接合用組成物であって、前記粘着付与剤および化合物は、溶媒系に分散または溶解され、前記組成物は、該組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系を含有する、流動性を有する接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板とを含むスタックを提供し、
　前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ、
　前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板、の少なくとも一方に力を印加すると同時に、前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板、の他方を、前記力に耐えられるようにすることを含み、前記力は、前記アクティブウェーハ、および前記キャリアウェーハまたは基板とを分離するに足る十分な量で印加され、
　前記スタックを少なくとも約１９０℃の温度に曝す前に、前記アクティブウェーハに、裏面研削、金属被覆、パターニングおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される処理を施し、
　前記アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板を分離後、前記アクティブウェーハに残存する接合用組成物を溶媒を用いて除去する方法。」（以下、「刊行物６Ｂ発明」という。）も把握できるといえる。
３　対比・検討
（１）刊行物１を主引用例として
ア　本件発明１について
（ア）本件発明１と刊行物１Ａ発明を対比すると、刊行物１Ａ発明の「ブタジエンやイソプレン」、「ブロック共重合体」、「水素化」、「（ブロック共重合体を水素化した）熱可塑性エラストマーブロック共重合体」、「不変支持体」、「半導体ウェーハ」及び「非感圧接着剤」は、それぞれ、本件発明１の「共役ジエン」、「ブロックコポリマー」、「水添」、「（ブロックコポリマーの水添物である）エラストマー」、「ウエハの支持体」、「ウエハ」及び「接着剤組成物」に相当する。
（イ）刊行物１Ａ発明の熱可塑性エラストマーブロック共重合体に含まれるスチレン（単位）の含有量は、本件発明１の範囲内に含まれているから、刊行物１Ａ発明の「スチレンと、ブタジエンやイソプレンとのブロック共重合体を水素化した１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体」は、本件発明１の「『主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であ』る『エラストマー』」、「『スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であ』る上記エラストマー」、及び「置換基を有していない上記エラストマー」に相当する。
（ウ）刊行物１Ａ発明の「（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導体ウェーハを接着剤で合着する工程」において、半導体ウェーハ処理テープに半導体ウェーハが合着されたものは、半導体ウェーハと非感圧接着剤層と不変支持体が接着されたもので、「積層体」であるといえるから、前記（ｂ）の工程は、本件発明１の「ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップ」に相当する。
（エ）刊行物１Ａ発明の非感圧接着剤は、（ｂ）の工程によれば、半導体ウェーハと当該半導体ウェーハの不変支持体とを接着するためのものであるといえ、（ｃ）の工程で製造される集積回路半導体チップは、本件発明１の「半導体装置」に相当するから、刊行物１Ａ発明の「（ａ）・・・工程を含む半導体ウェーハ処理に用いられる非感圧接着剤」は、本件発明１の「上記接着剤組成物は・・・半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物と、「上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップを有する半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物」の点で共通する。
　そうすると、本件発明１と刊行物１Ａ発明は、「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であるエラストマーを含み、
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、
　上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマーである接着剤組成物であって、
　上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップを有する半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。
＜相違点１＞
　エラストマーの重量平均分子量が、本件発明１では、１０，０００以上、２００，０００以下であるのに対し、刊行物１Ａ発明は、熱可塑性エラストマーブロック共重合体の重量平均分子量が明らかでない点。
＜相違点２＞
　接着剤組成物について、本件発明１の接着剤組成物は、熱重合禁止剤を含み、上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であるのに対し、刊行物１Ａ発明の非感圧接着剤は、熱重合禁止剤を含むのか明らかでない点。
＜相違点３＞
　接着剤組成物について、本件発明１の接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果（以下、単に、「ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果」という。）を示すのに対し、刊行物１Ａ発明の非感圧接着剤は、この様な試験結果を示すのか明らかでない点。
＜相違点４＞
　接着剤組成物について、本件発明１の接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップに加えて、「当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法」に用いられるものであるのに対し、刊行物１Ａ発明の非感圧接着剤は、これらのステップをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられるものであるのか明らかでない点。
＜相違点５＞
　接着剤組成物に関し、本件発明１は、架橋剤、及び架橋促進剤を含んでいないのに対し、刊行物１Ａ発明には、その様な特定がない点。
＜相違点２＞及び＜相違点３＞について
　事案に鑑み、上記相違点２及び３を最初にまとめて検討することとし、まず、本件発明１の接着剤組成物が、熱重合禁止剤を含むこと、及びｐ−メンタンに対する２３℃での接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことの技術的意義について検討する。
　本件発明１は、「当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップ」を有する半導体装置の製造方法に用いられる接着剤組成物であるが、本件明細書の段落【００３７】の記載によれば、支持体（サポートプレート）が接着されたウエハが、この様な高温プロセスを経た場合、高温により接着剤組成物の重合が起こると、高温プロセス後にウエハからサポートプレートを剥離する剥離液への溶解性が低下し、ウエハからサポートプレートを良好に剥離することができなくなるが、熱重合禁止剤を含有している本件発明１の接着剤組成物では熱による酸化及びそれに伴う重合反応が抑制されるため、高温プロセスを経たとしても支持体（サポートプレート）を容易に剥離することができ、残渣の発生を抑えることができる。また、同段落【００３９】の記載によれば、熱重合禁止剤の含有量を、エラストマーの量を１００重量部としたとき、本件発明１で特定されている０．１重量部以上、１０重量部以下の範囲内とすることにより、熱による重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後において、接着剤組成物の剥離液に対する溶解性の低下をさらに抑えることができるとされている。
　そして、本件発明１の接着剤組成物は、所定のエラストマーと、所定量の熱重合禁止剤を含有することにより、段落【０１４０】【表１】【０１４１】【表２】の実施例１〜９に示されているとおり、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという上記相違点３に係る試験結果を示すことができる。
　一方、刊行物１の上記（ア７）の記載によれば、刊行物１には、刊行物１Ａ発明に、安定剤等の添加剤を添加することの示唆がなされているといえるものの、刊行物１Ａ発明に、エラストマーの量を１００重量部としたとき、０．１重量部以上、１０重量部以下の範囲内の「熱重合禁止剤」を添加することは、記載も示唆もされていないし、「熱重合禁止剤」を添加する動機付けとなる記載もない。
　ここで、安定剤に、酸化防止剤が含まれることは、技術的な常識であり（要すれば、高分子学会高分子辞典編集委員会編、「新版高分子辞典」、１９９１年８月１０日、第３刷、株式会社朝倉書店、第１３頁、「安定剤」に関する「高分子化合物はその加工工程中，または保管，使用中に，熱，光，酸素，オゾンなどによって劣化が起こり，機械的，光学的，電気的諸性質が低下する．このような劣化に対する樹脂の抵抗力をつけさせるための配合剤を一般に安定剤という．熱安定剤[heat stabilzer]，光安定剤[light stabilzer]，紫外線吸収剤[UV absorber]，抗酸化剤[antioxidant，酸化防止剤]などがある．」等の記載参照）、シリコンウェハを支持体に接合する接合層（粘着層）に、Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１０１０等の酸化防止剤を添加することは、刊行物６の上記（カ３）に記載されるように既に知られている事項であり、ウエハをサポートプレートに接着する接着剤層にＩＲＧＡＮＯＸ１０１０等の熱重合禁止剤を添加することは、刊行物８の上記（ク１）ないし（ク５）に記載されているように既に知られている事項である。しかしながら、刊行物１Ａ発明には、支持体（サポートプレート）が接着されたウエハが、高温プロセスを経た場合、高温により接着剤組成物の重合が起こり、剥離液への溶解性が低下し、ウエハからサポートプレートを良好に剥離することができなくなるという認識がないのであるから、本件発明１で特定されているように、「当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップ」を有する半導体装置の製造方法に用いられる「特定の」接着剤組成物に「安定剤」を添加し、「熱重合禁止剤」として、機能させること、さらに、「熱による重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後において、接着剤組成物の剥離液に対する溶解性の低下をさらに抑える」（本件明細書の段落【００３９】）ために、その含有量をエラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下とすることは、技術常識、及び刊行物２ないし８の記載事項を考慮したとしても、導き出すことができるとはいえない。
　そうすると、刊行物１Ａ発明において、０．１重量部以上、１０重量部以下の範囲内の「熱重合禁止剤」を添加することは、当業者が容易に想到し得るものではないし、上述のようにそれによりもたらされるｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果も、刊行物１Ａ発明の非感圧接着剤は、示すことができるとはいえないし、また、そのような結果を示す非感圧接着剤とすることが当業者にとり、容易に想到し得るとはいえない。
＜本件発明１の効果＞について
　本件発明１の効果は、本件明細書の段落【００１２】の記載によれば、「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着させた後に、当該ウエハと当該支持体を分離する際又は分離後に、より速やかに溶剤に溶解して除去できる」というものであり、「より速やかに溶剤に溶解」の程度は、本件発明１で上記相違点３に係る事項で特定されているとおりである。
　そして、この点が、刊行物１ないし８に記載の事項を考慮しても導き出すことができないのであるから、本件発明１の効果は、刊行物１ないし８に記載の事項から予測することができない格別のものであるといえる。
　よって、少なくとも、上記相違点２及び３は、実質的な相違点であると共に、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、上記相違点１、４及び５を検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
イ　本件発明２について
　置換基を有しているエラストマーの置換基が、本件発明１が、「アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つである」のに対し、本件発明２は、「アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される少なくとも１つである」点で、本件発明２は、本件発明１と相違するが、置換基を有しているエラストマーは、本件発明１と刊行物１Ａ発明との対比で、一致点となる「置換基を有していないエラストマー」と択一的な関係にあるものであるから、本件発明２の本件発明１との相違は、本件発明１と刊行物１Ａ発明との対比にさらに相違点を付加するものではない。
　そうすると、本件発明２と刊行物１Ａ発明を対比すると、その相違は、本件発明１と刊行物１Ａ発明との＜相違点１＞ないし＜相違点５＞と同じものとなり、その判断も、上記アで述べたとおりである。
　よって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ウ　本件発明１又は２を直接又は間接的に引用する本件発明５、７、１０、１１について
　本件発明５、７、１０、１１は、本件発明１又は２の発明特定事項をさらに限定したものであるか、または、本件発明１又は２にさらに他の発明特定事項を付加したものであるから、本件発明１又は２と同様に、本件発明１又は２を直接又は間接的に引用する本件発明５、７、１０、１１は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
エ　本件発明３を直接又は間接的に引用する本件発明５、７ないし１１について
　本件発明５、７ないし１１が直接又は間接的に引用する本件発明３は、異議申立ての対象となっていない請求項であり、本件発明１又は２にはない本件発明３の、接着剤組成物が「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーと、溶剤と、を含んでおり、上記溶剤は、縮合多環式炭化水素を含んでいる」点については、これを記載ないし示唆する何らの証拠も提出されていないし、何らの主張もされていない。
　そうすると、上記の点を少なくとも含む、本件発明３を直接又は間接的に引用する本件発明５、７ないし１１は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
オ　本件発明１２について
　本件発明１２と刊行物１Ｂ発明を対比すると、本件発明１２の「方法」に用いられる「主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーと、
　熱重合禁止剤とを含み、
　上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下である接着剤組成物・・・当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示す」接着剤組成物と、刊行物１Ｂ発明の「処理」に用いられる「スチレンと、ブタジエンやイソプレンとのブロック共重合体を水素化した１５〜２５重量％のスチレンを含んで成る熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る、非感圧接着剤」は、上記アでの検討を踏まえると、少なくとも、上記アで述べた相違点２及び３で相違することは明らかである。
　そして、上記相違点２及び３が、実質的な相違点であると共に、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、上記相違点２及び３に係る特定事項を含む本件発明１２は、本件発明１と同様に、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
カ　本件発明１３ないし１６について
　本件発明１３ないし１６は、本件発明１２の発明特定事項をさらに限定したものであるか、または、本件発明１２にさらに他の発明特定事項を付加したものであるから、本件発明１２と同様に、本件発明１２を直接又は間接的に引用する本件発明１３ないし１６は、刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物６ないし８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）刊行物６を主引用例として
ア　本件発明１について
（ア）本件発明１と刊行物６Ａ発明を対比すると、刊行物６Ａ発明の「接合用組成物」、「アクティブウェーハ」、「キャリアウェーハまたは基板」、「スタック」、「接合層」及び「溶媒」は、それぞれ、本件発明１の「接着剤組成物」、「ウエハ」、「ウエハの支持体」、「積層体」、「接着層」及び「溶剤」に相当する。
（イ）刊行物６Ａ発明の「ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物」は、本件発明１の「エラストマー」に対応し、刊行物６Ａ発明の「接合用組成物」は、「エラストマー」を含む点で、本件発明１の「接着剤組成物」と共通している。
（ウ）刊行物６Ａ発明の「該接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板とを含むスタックを提供」することは、本件発明１の「ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップ」に相当する。
（エ）刊行物６Ａ発明の「前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ」ることは、本件発明１の「当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップ」と、「当該積層体を１９０℃以上の温度で加熱するステップ」の点で共通する。
（オ）刊行物６Ａ発明の「前記アクティブウェーハと、キャリアウェーハまたは基板を分離後、前記アクティブウェーハに残存する接合用組成物を溶媒を用いて除去する」ことは、本件発明１の「上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップ」と、「上記ウエハ上の当該接着層を溶剤を用いて除去するステップ」の点で共通すると共に、刊行物６Ａ発明の接合用組成物、及び本件発明１の接着剤組成物は、共に、（ウ）ないし（オ）の各ステップを「この順で有する半導体装置の製造方法に用いられる」ものであり、「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物」であることは明らかである。
　そうすると、本件発明１と刊行物６Ａ発明は、「エラストマーを含む、接着剤組成物であって、
　上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を１９０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。
＜相違点６＞
　接着剤組成物に含まれるエラストマーが、本件発明１では、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含んでおり、上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマー、置換基を有しているエラストマー、及び、反応架橋型のエラストマーからなる群から選択される少なくとも１つであって、上記反応架橋型のエラストマーは、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンエチレンプロピレン−スチレンブロックコポリマー、及び、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンブチレン−スチレンブロックコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つであり、上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つであるのに対し、刊行物６Ａ発明では、ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物である点。
＜相違点７＞
　接着剤組成物について、本件発明１の接着剤組成物は、熱重合禁止剤を含み、上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であるのに対し、刊行物６Ａ発明の接合用組成物は、熱重合禁止剤を含むのか明らかでない点。
＜相違点８＞
　接着剤組成物について、本件発明１の接着剤組成物は、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すのに対し、刊行物６Ａ発明の非感圧接着剤は、この様な試験結果を示すのか明らかでない点。
＜相違点９＞
　接着剤組成物が用いられる半導体装置の製造方法について、積層体を加熱するステップの温度が、本件発明１では、２２０℃以上であるのに対し、刊行物６Ａ発明では、少なくとも約１９０℃の温度であり、ウエハ上の接着層を除去するのに用いる溶剤が、本件発明１では、非極性の炭化水素系溶剤であるのに対し、刊行物６Ａ発明では、溶媒との特定に留まる点。
＜相違点１０＞
　接着剤組成物に関し、本件発明１は、架橋剤、及び架橋促進剤を含んでいないのに対し、刊行物６Ａ発明には、その様な特定がない点。 
＜相違点７＞及び＜相違点８＞について
　事案に鑑み、上記相違点７及び８を最初にまとめて検討する。ここで、本件発明１の接着剤組成物が、熱重合禁止剤を含むこと、及びｐ−メンタンに対する、２３℃での接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すことの技術的意義は、上記（１）アで述べたとおりである。
　一方、刊行物６の上記（カ３）の段落【００２４】の「別の実施形態では、上記組成物は、界面活性剤、接着促進剤、粘着付与剤、可塑剤および酸化防止剤を含むいくつかの任意成分を含みうる。」との記載によれば、刊行物６Ａ発明には、接合用組成物に酸化防止剤を含む態様も含まれ、その酸化防止剤としては、同段落【００２８】には、例えば、Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１０１０等が記載されている。
　そうすると、刊行物６Ａ発明には、酸化防止剤であるＩｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１０１０等を含有する態様が含まれ得るといえる。また、ウエハをサポートプレートに接着する接着剤層にＩＲＧＡＮＯＸ１０１０等の熱重合禁止剤を添加することは、刊行物８の上記（ク１）ないし（ク５）に記載されているように既に知られている事項である。しかしながら、刊行物６Ａ発明には、支持体（サポートプレート）が接着されたウエハが、高温プロセスを経た場合、高温により接着剤組成物の重合が起こり、剥離液への溶解性が低下し、ウエハからサポートプレートを良好に剥離することができなくなるという認識がないのであるから、本件発明１で特定されているように、「当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップ」を有する半導体装置の製造方法に用いられる「特定の」接着剤組成物に「酸化防止剤」を添加し、「熱重合禁止剤」として、機能させること、さらに、「熱による重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後において、接着剤組成物の剥離液に対する溶解性の低下をさらに抑える」（本件明細書の段落【００３９】）ために、その含有量をエラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下とすることは、技術常識、及び刊行物２ないし８の記載事項を考慮したとしても、導き出すことができるとはいえない。
　さらには、刊行物６Ａ発明に、「熱重合禁止剤」を添加することを導き出せるとはいえないのであるから、刊行物６Ａ発明の接合用組成物は、ｐ−メンタンに対する、２３℃での接着層の溶解速度が９０ｎｍ／sec以上であるという試験結果を示すものであるとはいえないし、また、そのような結果を示す接合用組成物とすることが当業者にとり、容易に想到し得るとはいえない。
＜本件発明１の効果＞について
　本件発明１の効果は、本件明細書の段落【００１２】の記載によれば、「ウエハと当該ウエハの支持体とを接着させた後に、当該ウエハと当該支持体を分離する際又は分離後に、より速やかに溶剤に溶解して除去できる」というものであり、「より速やかに溶剤に溶解」の程度は、本件発明１で上記相違点８に係る事項で特定されているとおりである。
　そして、この点が、刊行物６、１ないし５、７、８に記載の事項を考慮しても導き出すことができないのであるから、本件発明１の効果は、刊行物６、１ないし５、７、８に記載の事項から予測することができない格別のものであるといえる。
　よって、少なくとも、上記相違点７及び８は、実質的な相違点であると共に、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、上記相違点６、９及び１０を検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
イ　本件発明２について
　上記（１）イで述べたのと同様に、本件発明２の本件発明１との相違は、本件発明１と刊行物６Ａ発明との対比にさらに相違点を付加するものではない。
　そうすると、本件発明２と刊行物６Ａ発明を対比すると、その相違は、本件発明１と刊行物６Ａ発明との＜相違点６＞ないし＜相違点１０＞と同じものとなり、その判断も、上記アで述べたとおりである。
　よって、本件発明２は、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ウ　本件発明１又は２を直接又は間接的に引用する本件発明５、７、１０、１１について
　本件発明５、７、１０、１１は、本件発明１又は２の発明特定事項をさらに限定したものであるか、または、本件発明１又は２にさらに他の発明特定事項を付加したものであるから、本件発明１又は２と同様に、本件発明１又は２を直接又は間接的に引用する本件発明５、７、１０、１１は、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
エ　本件発明３を直接又は間接的に引用する本件発明５、７ないし１１について
　上記（１）エで述べたのと同様の理由により、本件発明３を直接又は間接的に引用する本件発明５、７ないし１１は、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
オ　本件発明１２について
　本件発明１２と刊行物６Ｂ発明を対比すると、本件発明１２の「方法」に用いられる接着剤組成物と、刊行物６Ｂ発明の「方法」に用いられる「粘着付与剤と、ゴム類、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン、ハロゲン化ブチルゴムおよびそれらの混合物からなる群から選択される化合物とを含有する、流動性を有する接合用組成物であって、前記粘着付与剤および化合物は、溶媒系に分散または溶解され、前記組成物は、該組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系を含有する、流動性を有する接合用組成物」は、上記アでの検討を踏まえると、少なくとも、上記アで述べた相違点７及び８で相違することは明らかである。
　そして、上記相違点７及び８が、実質的な相違点であると共に、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、上記相違点７及び８に係る特定事項を含む本件発明１２は、本件発明１と同様に、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
カ　本件発明１３ないし１６について
　本件発明１３ないし１６は、本件発明１２の発明特定事項をさらに限定したものであるか、または、本件発明１２にさらに他の発明特定事項を付加したものであるから、本件発明１２と同様に、本件発明１２を直接又は間接的に引用する本件発明１３ないし１６は、刊行物６に記載された発明ではないし、また、刊行物６に記載された発明、参考としての刊行物２ないし５に記載の事項、刊行物１、７、８に記載の事項及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　むすび
　上記第５で検討したとおり、本件特許１、２、５、７ないし１６は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできないし、同法第２９条第１項第３号及び同法同条第２項の規定に違反してされたものであるということはできず、同法第１１３条第２号又は第４号に該当するものではないから、異議申立ての理由を含む上記取消理由１ないし３によっては、本件特許１、２、５、７ないし１６を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許１、２、５、７ないし１６を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１２月１９日（２０１８．１２．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、
　上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマー、置換基を有しているエラストマー、及び、反応架橋型のエラストマーからなる群から選択される少なくとも１つであって、
　上記反応架橋型のエラストマーは、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンエチレンプロピレン−スチレンブロックコポリマー、及び、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンブチレン−スチレンブロックコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される１つである接着剤組成物であって
、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／ｓｅｃ以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　
上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
　【請求項２】
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤とを含み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下であり、
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であり、
　上記エラストマーは、置換基を有していないエラストマー、置換基を有しているエラストマー、及び、反応架橋型のエラストマーからなる群から選択される少なくとも１つであって、
　上記反応架橋型のエラストマーは、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンエチレンプロピレン−スチレンブロックコポリマー、及び、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレンブチレン−スチレンブロックコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つであり、
　上記置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アセトキシ基、アミノ基、及び水酸基からなる群から選択される少なくとも１つである、接着剤組成物
であって、
　当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／ｓｅｃ以上であるという試験結果を示すことを特徴とし、
　上記接着剤組成物は、ウエハと当該接着剤組成物によって形成された接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を得るステップと、当該積層体を２２０℃以上の温度で加熱するステップと、上記ウエハ上の当該接着層を非極性の炭化水素系溶剤を用いて除去するステップとをこの順で有する半導体装置の製造方法に用いられる
　【請求項３】
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーと、
　溶剤と、を含んでおり、
　上記溶剤は、縮合多環式炭化水素を含んでいることを特徴とするウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
　【請求項４】
　上記エラストマーが水添物であることを特徴とする請求項３に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
　【請求項５】
　上記エラストマーの両端がスチレンのブロック重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
　【請求項６】
　上記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることを特徴とする請求項４に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
　【請求項７】
　上記ウエハは、上記支持体と接着した後に薄化工程に供されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物。
　【請求項８】
　上記ウエハは、上記支持体と接着した後に１５０℃以上の環境下に曝されることを特徴とする請求項
３、４及び６
　【請求項９】
　さらに、熱重合禁止剤を含んでいることを特徴とする請求項
３、４、６及び
　【請求項１０】
　フィルム上に、請求項１〜９のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。
　【請求項１１】
　請求項１〜９のいずれか１項に記載のウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物を用いてウエハと支持体とを接着する積層体の製造方法。
　【請求項１２】
　ウエハと、
　主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマー
と、
　
熱重合禁止剤と
み、
　
上記熱重合禁止剤の含有量は、上記エラストマー１００重量部に対して０．１重量部以上、１０重量部以下である
　支持体と、をこの順に接着してなる積層体を
２２０
　上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を
、溶剤として非極性の炭化水素系
半導体装置の製造に用いられる
であって、
　
当該接着剤組成物は、ウエハと、上記接着剤組成物により形成される接着層と、支持体とをこの順に接着してなる積層体を作製し、ウエハの薄化を行ない、フォトリソグラフィーを行ない、２２０℃でのプラズマＣＶＤを１時間行ない、Ｎ２環境下における２２０℃での加熱処理を３時間行なった後における、ｐ−メンタンに対する２３℃での当該接着層の溶解速度が９０ｎｍ／ｓｅｃ以上であるという試験結果を示す
　【請求項１３】
　上記接着層と上記支持体との間に、光を吸収することにより変質する分離層をさらに備える、請求項１２に記載の方法。
　【請求項１４】
　上記積層体のウエハを薄化するステップを含む請求項１２又は１３に記載の方法。
　【請求項１５】
　上記分離層に光を照射して上記支持体を分離した後に、上記接着層を上記溶剤で除去する請求項１３に記載の方法。
　【請求項１６】
　上記溶剤によって、上記接着層を溶解して上記ウエハと上記支持体とを分離する、請求項１２に記載の方法。
　【請求項１７】
　
ウエハと、
　
主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含む接着剤組成物によって形成された接着層と、
　
支持体と、をこの順に接着してなる積層体を１５０℃以上の温度で加熱するステップと、
　
上記ステップの後に、上記ウエハ上の上記接着層を、溶剤を用いて除去するステップとを含
　上記支持体には貫通した穴が設けられて
おり、
　
上記溶剤によって、上記接着層を溶解して上記ウエハと上記支持体とを分離することを特徴とする方法。