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　特願２００４−３１１７９５「蒸着工程装置用サセプタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年５月２６日出願公開、特開２００５−１３３２１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１６年１０月２７日(パリ条約による優先権主張２００３年１０月３１日、韓国)の出願であって、平成２１年１０月１９日付けで拒絶査定がされ、この査定を不服として、平成２２年２月２２日に審判請求がされるとともに手続補正がされ、当審において、平成２３年１月２４日付けで前置報告書に基づく審尋をしたところ、同年５月２６日付けで回答書が提出された。
　その後、同年８月１７日付けで補正の却下の決定がされるとともに、拒絶理由が通知され、これに対して、同年１２月２２日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされている。
　
第２　本願発明
　
　本件出願の発明は、平成２３年１２月２２日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
　「反応チャンバー及びチャンバー蓋と、
　前記反応チャンバー及びチャンバー蓋により形成される反応空間と、
　ターゲット基板を加熱するヒーター、シャフト、及び基板を具備するサセプタであって、前記シャフトにより上下移送を可能として、前記基板上に蒸着が遂行される前記ターゲット基板が配置される電気的に接地されたサセプタとを具備する蒸着装置において、
　前記ヒーターは、外部に露出されたリードライン、前記リードラインに接続されたヒーティングワイヤー、前記ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシース、前記シース内部に充填されたＭｇＯベースのセラミック材料からなる絶縁材料、及び前記シースの端部に形成された遮断層を含み、
　前記ヒーターは前記シャフトと前記基板によって形成される空間に存在し、前記基板の中心領域の下部では、前記シャフト内部に具備されて前記基板と垂直に配置され、前記基板の中心領域から周辺端部までは、前記基板と前記シャフトとの間に前記基板と平行に配置され、
　前記ヒーターは複数個具備されて重ならないように配置され、前記基板を全体的に均一に加熱するように前記基板下面の全面に形成され、
　前記遮断層は、外部環境に露出された端部から前記シースの内部に配置された端部まで５〜１５ｍｍの厚さを有することを特徴とする蒸着装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
第３　当審拒絶理由の概要 
　
　当審で通知した拒絶理由における理由２の概要は、本願発明は、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平１１−８７２４５号公報
　刊行物２：国際公開第０３／０１７７２６号
　刊行物３：特開平１１−２０４２３９号公報
　刊行物４：特開２００２−２７０３４６号公報
　刊行物５：特開平１０−２５１８５４号公報
　
第４　当審の判断
　
１　刊行物の記載事項 
（１）刊行物１
１Ａ；「【請求項１】　排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲットを有するカソードと、カソードに電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板を配置するための基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
　前記基板ホルダーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックを含む同種又は異種の金属からなる複数のブロックを有し、当該複数のブロックは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とするスパッタリング装置。」
　
１Ｂ；「【００１０】図２に示すスパッタチャンバー２は、内部を排気する排気系２１と、スパッタチャンバー２内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲット２２１を有するカソード２２と、カソード２２に電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源２２２と、カソード２２を臨むスパッタチャンバー２内の放電空間に所定のガスを導入するガス導入手段２３と、スパッタリングされたターゲット２２１の材料が到達するスパッタチャンバー２内の所定位置に基板Ｓを配置するための基板ホルダー２４と、基板ホルダー２４内に設けられた不図示ヒータ２５と、基板ホルダー２４に高周波電圧を印加して基板Ｓに自己バイアス電圧を誘起させる不図示高周波電源２６と、カソード２２と基板ホルダー２４との間のスパッタリング粒子飛行空間を取り囲むようにして設けられた筒状の防着シールド２７とを備えている。」
　
１Ｃ；「【００１５】加熱ブロック２４３は、導熱ブロック２４２と同じ径の例えば円盤状であり、材質的にはステンレス製である。そして、この導熱ブロック２４２の下端面には、ヒータ２５が埋設されている。ヒータ２５は、本実施形態ではシースヒータが採用されている。即ち、内部に抵抗発熱電線を埋め込んだ棒状の発熱体をほぼ円環状に形成したヒータ２５が採用されている。ヒータ２５が設けられる部分には、ヒータ２５の形状に合わせて加熱ブロック２４３の下面に溝が形成されている。そして、ヒータ２５はこの溝の内部に填め込まれて設けられている。また、ヒータ２５と溝の壁面との間は熱伝導性の良いニッケル等の材料でロー付けされている。そして、発熱ブロックの下側には、蓋板２５０が設けられており、ヒータ２５が設けられた発熱ブロックの下端面を塞いでいる。このため、ヒータ２５は真空雰囲気に露出することはなくなっている。
【００１６】また、図４に示す通り、上記ほぼ円環状のヒータ２５は、基板ホルダー２４の中心軸に対して同軸円周状に複数設けられている。この複数のヒータ２５は、中心軸よりに位置して直列につながれている第一の群のヒータ２５Ａと、中心軸から遠い位置に位置して直列につながれている第二の群のヒータ２５Ｂに分けられている。そして、第一の群のヒータ２５Ａにつながれた第一のヒータ電源２５１Ａと、第二の群のヒータ２５Ｂにつながれた第二のヒータ電源２５１Ｂとは、独立して制御されることが可能となっている。
【００１７】具体的に説明すると、成膜中の基板Ｓの温度は、基板Ｓの中央部分において高くなり易く、基板Ｓの周辺部分で低くなり易い。このため、第二の群のヒータ２５Ｂへの供給電力を第一の群のヒータ２５Ａに比べて高くし、基板Ｓの面内温度分布がより均一になるように制御する。」
　
１Ｄ；「【００３０】さらに、図２に示すような、本実施形態の装置では、基板ホルダー２４を上下動させる移動機構２８が設けられている。移動機構２８の構成について、再び図２を使用して説明する。まず、スパッタチャンバー２の底板部分２０１には、基板ホルダー２４の支柱部分２４８を挿通させた開口が設けられている。基板ホルダー２４の支柱部分２４８は開口を通して下方に延び、その下端部分が移動機構２８によって保持されている。」
　
１Ｅ；図２
　
１Ｆ；図４
　
（２）刊行物２
２Ａ；「第１図において、シーズヒータ１は、螺旋状等の線状のクロムおよびアルミニウムを含有する金属製の発熱体２、この発熱体２を覆うニッケルおよびクロムを含有するシース用の金属製のパイプ３、発熱体２とパイプ３との間を電気的に絶縁する電気絶縁材料４、発熱体２の逗子左端に接続された第１のリード線７、発熱体２の図示右端に接続された第２のリード線８、パイプ３の図示左端部分を封止する第１の鉛ガラス５およびパイプ３の図示右端部分を封止する第２の鉛ガラス６を備えている。なお、パイプ３と第１および第２の鉛ガラス５，６とが、カバーを構成する。」（第４頁第８〜１５行）
　
２Ｂ；「つぎに、酸化膜を形成した発熱体２を酸化膜を形成したパイプ３内に入れ、パイプ３と発熱体２との間隙に電気絶縁材料４としてのマグネシア粉末を充填する。
・・略・・
　このシーズヒータ１の未完成品を８５０℃の大気中で４時間加熱処理して電気絶縁材料４中の水分を少なくした後に、パイプ３の両端部分を第１および第２の鉛ガラス５，６で完全に封口し、第１および第２のリード線７、８がそれぞれ第１の鉛ガラス５、第２の鉛ガラス６を貫通するようにする。」（第５頁第２１行〜第６頁第３行）
　
２Ｃ；「本発明に係るヒータは、・・・ヒータの寿命を延ばすことに役立つものである。
　このため、本発明に係るヒータは、・・略・・、半導体ウェーハ製造工程・・略・・に使用できる。」（第１０頁第２０〜２６行）
　
２　刊行物１に記載された発明
　刊行物１には、摘記１Ａ及び１Ｂによれば、「処理チャンバー（スパッタチャンバー）２と、処理チャンバー２内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲット２２１と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板Ｓを配置するための基板ホルダー２４とを備えたスパッタリング装置であって、
　前記基板ホルダー２４は、基板Ｓを加熱するヒータ２５を内蔵した加熱ブロックを有するスパッタリング装置。」が記載されている。また、摘記１Ｃ及び１Ｆの図４によれば、ヒータ２５として、内部に抵抗発熱電線を埋め込んだ棒状の発熱体をほぼ円環状に形成したシースヒータを採用すること、及び、複数のヒータ２５を重ならないように配置し、基板Ｓの面内温度分布がより均一になるようにヒータを制御すること、並びに、加熱ブロックの下側には、蓋板２５０を設けることが記載されている。そして、摘記１Ｄ及び１Ｅの図２によれば、基板ホルダー２４の支柱部分２４８が基板Ｓに対して垂直に配置されており、処理チャンバー２の底板部分２０１の開口を通して下方に延び、その下端部分が基板ホルダー２４を上下動させる移動機構２８によって保持することが記載されている。また、１Ｅの図２から、ターゲット２２１が処理チャンバー２の開口部の蓋となってスパッタ処理空間を形成していることが明らかである。
　
　そうすると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「処理チャンバー２及びターゲット２２１と、
　前記処理チャンバー２及びターゲット２２１により形成されるスパッタ処理空間と、
　基板Ｓを加熱するヒータ２５及び支柱部分２４８及び蓋板２５０を具備する基板ホルダー２４であって、前記支柱部分２４８により上下動させることが可能で、前記基板Ｓ上にスパッタリングがなされる基板Ｓが配置される基板ホルダー２４を具備するスパッタリング装置において、
　前記ヒータ２５は、内部に抵抗発熱電線を埋め込んだ棒状の発熱体であるシースヒータであり、
　前記ヒータ２５は、基板Ｓを配置する基板ホルダー２４の面と蓋板２５０の間に存在し、
　複数のヒータ２５を重ならないように配置し、基板Ｓの面内温度分布がより均一になるようにヒータを制御しているスパッタリング装置」
　
３　対比 
　引用発明の「処理チャンバー２」、「ターゲット２２１」、「基板Ｓ」、「ヒータ２５」、「基板ホルダー２４」、「抵抗発熱電線」及び「スパッタリング装置」は、それぞれ、本願発明の「チャンバー」、「チャンバー蓋」、「ターゲット基板」、「ヒーター」、「サセプタ」、「ヒーティングワイヤー」及び「蒸着装置」に相当する。また、本願明細書【００３９】には、「シャフト２０２は基板２５０の中心領域から周辺端部に沿って折り曲げられている」と記載されていることから、引用発明の「蓋板２５０」及び「支柱部分２４８」は、本願発明の「シャフト」に含まれる部位に相当するものである。さらに、引用発明の「基板ホルダー２４」において、「蓋板２５０」及び「支柱部分２４８」を設けていない側である「ヒータ２５」の上側部分は、本願発明の「基板」に相当するものといえる。そして、引用発明のヒータ２５は、基板ホルダー２４の上側部分の面又は蓋板２５０に対して平行に配置されており、本願発明同様、シース状のものである。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「チャンバー及びチャンバー蓋と、
　前記チャンバー及びチャンバー蓋により形成される処理空間と、
　ターゲット基板を加熱するヒーター、シャフト、及び基板を具備するサセプタであって、前記シャフトにより上下移送を可能として、前記基板上に蒸着が遂行される前記ターゲット基板が配置されるサセプタとを具備する蒸着装置において、
　前記ヒーターは、ヒーティングワイヤーを含むシース状のものであって、
　前記ヒーターは前記シャフトと前記基板によって形成される空間に存在し、前記基板の中心領域から周辺端部までは、前記基板と前記シャフトとの間に前記基板と平行に配置され、
　前記ヒーターは複数個具備されて重ならないように配置され、前記基板を全体的に均一に加熱するように前記基板下面に形成されている蒸着装置。」
の点で一致し、以下の相違点１〜４で相違しているものと認められる。 
　
＜相違点１＞
　本願発明は、サセプタが電気的に接地されており、反応空間を有する蒸着装置であるのに対して、引用発明は、サセプタが電気的に接地されているのか不明であり、処理空間が反応を伴う蒸着装置であるのか不明である点
　
＜相違点２＞
　本願発明は、ヒーターが、外部に露出されたリードライン、前記リードラインに接続されたヒーティングワイヤー、前記ヒーティングワイヤーを囲むように形成されたシース、前記シース内部に充填されたＭｇＯベースのセラミック材料からなる絶縁材料、及び前記シースの端部に形成された遮断層を含み、前記遮断層が外部環境に露出された端部から前記シースの内部に配置された端部まで５〜１５ｍｍの厚さを有するのに対して、引用発明は、ヒーターが、内部にヒーティングワイヤーを埋め込んだ棒状の発熱体であるシースヒータであるものの、リードラインの有無、絶縁材料、及び遮断層の厚さが不明である点
　
＜相違点３＞
　本願発明は、基板の中心領域にあるシャフトの内部に基板と垂直にヒーターが配置されているのに対して、引用発明は、基板の中心領域にあるシャフト内部にヒーターがない点
　
＜相違点４＞
　本願発明は、ヒータを基板下面の全面に形成しているのに対して、引用発明は、ヒータを重ならないように配置し、ターゲット基板の面内温度分布がより均一になるようにヒータを制御しているものの、基板下面の全面に形成していない点
　
４　判断
ア）相違点１について
　反応を伴う蒸着にスパッタリング装置を用いることは、周知慣用の使用形態であり（必要であれば、特開平６−２６４２３９号公報、特開平５−２５５８４８号公報を参照されたい。）、また、スパッタリング装置のサセプタを接地することも従来周知である（必要であれば、刊行物３の従来例として示されている図３を参照されたい。）。そして、スパッタリング装置の使用形態やサセプタの接地の有無によっても、サセプタ上の基板を均一加熱する要請に変更はなく、そのためのヒータの構成に直接影響を及ぼすものではないから、引用発明において、反応を伴う系を適用したり、サセプタを接地することは、当業者が必要に応じて適宜決めうる設計的事項の変更に過ぎない。
　
イ）相違点２について
　刊行物１には、シースヒータについて具体的な記載がないが、刊行物２には、具体的なシースヒータ（シーズヒータ１）として、摘記２Ａ及び２Ｂに、「螺旋状等の線状の金属製の発熱体２、この発熱体２を覆うニッケルおよびクロムを含有するシース用の金属製のパイプ３、発熱体２とパイプ３との間を電気的に絶縁する電気絶縁材料であるマグネシア粉末を８５０℃の大気中で４時間加熱処理して水分を少なくしたもの、発熱体２の左端に接続された第１のリード線７、発熱体２の右端に接続された第２のリード線８、パイプ３の両端部分を封止する第１および第２の鉛ガラス５、６を備えている」ものが記載されている。
　そして、このシースヒータにおける「発熱体２」、「金属製のパイプ３」、「電気的に絶縁する電気絶縁材料であるマグネシア粉末を８５０℃の大気中で４時間加熱処理したもの」、「第１および第２のリード線７、８」は、それぞれ、「ヒーティングワイヤー」、「シース」、「ＭｇＯベースのセラミック材料からなる絶縁材料」、「リードライン」といえるものであって、「第１および第２の鉛ガラス５、６」は、電気絶縁材料４中の水分を少なくした後に、パイプ３の両端部分を封口するのであるから、水分を含む外気の遮断を目的とする「遮断層」であるといえる。
　そして、摘記２Ｃには、当該シーズヒータ１が、長寿命であり、半導体ウェーハ製造工程に用いることが記載されており、ヒータ加熱を要する半導体ウェーハ製造工程にスパッタ蒸着等が含まれることは、当業者の技術常識である。
　そうすると、引用発明のスパッタリング装置のシースヒータとして、長寿命である刊行物２に記載の公知のものを採用することは、当業者が容易に想到することといえるし、その際、遮断層の厚さを、鉛ガラスの封口能に応じて適宜設定し、５〜１５ｍｍ程度にすることは、単なる設計的事項であるにすぎない。
　
ウ）相違点３について
　刊行物３の図１（ａ）又は刊行物４の図２に示されているように、サセプタにおける基板の中心領域であるシャフトの内部に、基板と垂直にヒーターを配置させ、温度を均一に保つことは、本願出願前における周知事項であるから、引用発明において、加熱状態を均一にするために、当該周知事項を採用することは、当業者が容易に想到することである。
　
エ）相違点４について
　刊行物３の図１（ｂ）又は刊行物５の図２に示されているように、ヒーターを基板下面の全面に形成することは、加熱状態を均一にするための一手段に過ぎないから、引用発明において、ヒーターを基板下面の全面に形成することは、当業者が適宜決めうる設計的事項の変更に過ぎない。
　
オ）相違点１〜４のまとめ
　以上のとおり、上記相違点はいずれも当業者が容易になし得るものであって、しかも、それらを組み合わせることにより予期し得ない格別な効果を奏しているとも認められない。
　
５　小活
　したがって、本願発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　むすび
　
　以上のとおりであるから、当審拒絶理由は妥当なものと認められる。
　したがって、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。