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　特願２００４−５３２９０２「ＬＥＤ平面型光源及びこれを備えた薄型ヘッドライト」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日国際公開、ＷＯ２００４／０２１４６０、平成１７年１２月　８日国内公表、特表２００５−５３７６６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、２００３年８月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年８月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年１１月１２日に提出された誤訳訂正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
「【請求項１】
　光源であって、
　発光半導体デバイスを有し、
　前記発光半導体デバイスを支持する略平らな反射面を備えた支持基体を有し、前記発光半導体デバイスは、支持基体を介して放熱し、
　凹状反射面を備えた湾曲レフレクタを有し、前記発光半導体デバイスは、前記略平らな反射面と前記凹状反射面との間に配置され、前記支持基体と前記湾曲レフレクタは協働して、前記発光半導体デバイスにより生じた光を通過させる光アパーチュアを構成していることを特徴とする光源。」
　　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用され、本願優先日前に頒布された特開平１０−１２５９５９号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。（下線は、当審で付したものである。）
　
「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るサイド発光型チップＬＥＤを図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に係るサイド発光型チップＬＥＤの斜視図、図２（ａ）はサイド発光型チップＬＥＤの縦断正面図、（ｂ）は同じくその底面図、（ｃ）は同じくその側面図、図３（ａ）は水平方向の指向特性を示す図、（ｂ）は垂直方向の指向特性を示す図である。
【００１９】本実施形態に係る
サイド発光型チップＬＥＤ
基台４０に搭載された発光素子４１と、発光素子４１を封止する透光体４２と、透光体４２の表面の一部を覆い発光素子４１からの光を反射して照射するための反射体４３を備え、全体的に箱形に形成されている
【００２０】
前記基台４０は、耐熱性を有する直方体状のガラスエポキシ基板等からなる。この基台４０には、発光素子４１を搭載するための素子搭載用電極４４と、結線用電極４５とがメッキ配線されている。これら電極４４，４５は、基台４０の上面から対向する側面に夫々形成された断面円弧状のスルーホール４６を介して下面である実装面Ｚまで立体的に引き回されて、実装面Ｚの両端部に配されている
【００２１】
前記発光素子４１は、発光ダイオードからなり、素子搭載用電極４４上に銀ペースト等の導電性接着剤によりダイボンドされている。そして、発光素子４１と結線用電極４５とが金線等のボンディングワイヤ４７を介して電気的に接続されている
【００２２】
前記透光体４２は、透光性および半田リフローの際の高温にも耐え得る耐熱性を有する熱硬化性樹脂を用いて、トランスファ成形により基台４０上に形成されている。この透光体４２の上面は、放物線の一部を描くように湾曲しており
【００２３】
前記反射体４３は、白色または乳白色で、半田リフローの際の高温にも耐え得る耐熱性を有する熱可塑性樹脂を用いて、透光体４２の上面のみを覆うように射出成形により形成されている。この反射体４３の下面は、透光体４２の上面と面接触して湾曲しており、上面および側面は平坦で、側面が透光体４２の側面と面一とされている
【００２４】これにより、
透光体４２の上面と反射体４３の下面とが合わさった部分、すなわち透光体４２と反射体４３との界面が反射体４３における反射面Ｒとなっている。この反射面Ｒで反射して照射する照射光は、水平方向に拡散され、垂直方向に絞られ、しかも下方に向かうように分布する
【００２５】つまり、発光素子４１に対して水平方向には遮るものがないので、
発光素子４１からの直接光および反射光は、水平方向に拡散され、垂直方向には基台４０および反射面Ｒによって規制されるので、垂直方向に絞られた指向特性となる
高輝度なサイド発光型チップＬＥＤ
　
　また、引用例の図１を参照すれば、基台４０の上面は平らに形成され、素子搭載用電極４４と結線用電極４５は、基台４０の上面を広く覆うように形成されていることが見てとれる。
　
　以上によれば、引用例には、
「基台４０に搭載された発光素子４１と、発光素子４１を封止する透光体４２と、透光体４２の表面の一部を覆い発光素子４１からの光を反射して照射するための反射体４３を備え、全体的に箱形に形成されているサイド発光型チップＬＥＤであって、
　前記基台４０は、耐熱性を有する直方体状のガラスエポキシ基板等からなり、この基台４０には、発光素子４１を搭載するための素子搭載用電極４４と、結線用電極４５とがメッキ配線されており、これら電極４４，４５は、基台４０の上面から対向する側面に夫々形成された断面円弧状のスルーホール４６を介して下面である実装面Ｚまで立体的に引き回されており、ここで、基台４０の上面は平らに形成され、素子搭載用電極４４と結線用電極４５は、基台４０の上面を広く覆うように形成されており、
　前記発光素子４１は、発光ダイオードからなり、素子搭載用電極４４上に銀ペースト等の導電性接着剤によりダイボンドされて、発光素子４１と結線用電極４５とが金線等のボンディングワイヤ４７を介して電気的に接続されており、
　前記透光体４２は、透光性および半田リフローの際の高温にも耐え得る耐熱性を有する熱硬化性樹脂を用いて、トランスファ成形により基台４０上に形成され、この透光体４２の上面は、放物線の一部を描くように湾曲しており、
　前記反射体４３は、白色または乳白色で、半田リフローの際の高温にも耐え得る耐熱性を有する熱可塑性樹脂を用いて、透光体４２の上面のみを覆うように射出成形により形成されており、この反射体４３の下面は、透光体４２の上面と面接触して湾曲しており、上面および側面は平坦で、側面が透光体４２の側面と面一とされ、透光体４２の上面と反射体４３の下面とが合わさった部分、すなわち透光体４２と反射体４３との界面が反射体４３における反射面Ｒとなっており、この反射面Ｒで反射して照射する照射光は、水平方向に拡散され、垂直方向に絞られ、しかも下方に向かうように分布し、発光素子４１からの直接光および反射光は、水平方向に拡散され、垂直方向には基台４０および反射面Ｒによって規制されるので、垂直方向に絞られた指向特性となる高輝度なサイド発光型チップＬＥＤ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「発光素子４１」は、「発光ダイオード」からなるから、本願発明の「発光半導体デバイス」に相当する。
　引用発明の「基台４０」は、その「上面は平らに形成され」ており、「発光素子４１を搭載」するから、「前記発光半導体デバイスを支持する略平らな面を備えた支持基体」であるといえる。
　引用発明の「反射体４３」は、その下面が透光体４２の上面と面接触して湾曲しており、透光体４２と反射体４３との界面が反射体４３における反射面Ｒとなっていることから、本願発明の「凹状反射面を備えた湾曲レフレクタ」に相当する。
　引用発明において、「発光素子４１」が基台４０の平らに形成されている上面と反射体４３の反射面Ｒとの間に配置されていることは明らかであるから、引用発明は、「前記発光半導体デバイスは、前記略平らな面と前記凹状反射面との間に配置され」の点で本願発明と一致する。
　また、引用発明において、「発光素子４１からの直接光および反射光は、水平方向に拡散され、垂直方向には基台４０および反射面Ｒによって規制される」から、基台４０と反射体４３が発光素子４１により生じた光を通過させる光アパーチュアを構成していることは明らかであり、引用発明は、「前記支持基体と前記湾曲レフレクタは協働して、前記発光半導体デバイスにより生じた光を通過させる光アパーチュアを構成している」点で本願発明と一致する。
　また、引用発明の「サイド発光型チップＬＥＤ」が「光源」であることは明らかである。
　
　以上のことから、両者は、
「光源であって、
　発光半導体デバイスを有し、
　前記発光半導体デバイスを支持する略平らな面を備えた支持基体を有し、
　凹状反射面を備えた湾曲レフレクタを有し、前記発光半導体デバイスは、前記略平らな面と前記凹状反射面との間に配置され、前記支持基体と前記湾曲レフレクタは協働して、前記発光半導体デバイスにより生じた光を通過させる光アパーチュアを構成している光源。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
ａ．本願発明は、前記支持体が平らな反射面を備えるのに対し、引用発明の基台４０の上面が平らな反射面を有するか不明な点。
ｂ．本願発明では、「前記発光半導体デバイスは、支持基体を介して放熱し、」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　相違点ａについて検討するに、引用発明において、基台４０の上面は平らに形成され、素子搭載用電極４４と結線用電極４５は基台４０の上面を広く覆うように形成されているから、素子搭載用電極４４と結線用電極４５が光を反射するものであれば、これが本願発明でいう「平らな反射面」を形成することになり、引用発明は、本願発明と同様に「前記発光半導体デバイスを支持する略平らな反射面を備えた支持基体を有し」、また、「前記発光半導体デバイスは、前記略平らな反射面と前記凹状反射面との間に配置され」たものとなる。
　そこで、引用発明の素子搭載用電極４４と結線用電極４５が光を反射するものであるかについて検討するに、これらの電極はメッキ配線されているものである。
　ここで、メッキ配線はメッキにより金属膜が表面に形成されるものであり、金属膜は通常光反射性であるところ、引用発明においてこのメッキ配線を光反射性でないものとしなければならない格別の理由はないから、引用発明のメッキ配線を光反射性のものとすることに困難性は認められない。
　したがって、引用発明の素子搭載用電極４４と結線用電極４５を光反射性のものとして、上記相違点ａに係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　相違点ｂについて検討する。
　引用発明のサイド発光型チップＬＥＤは、「高輝度な」サイド発光型チップＬＥＤであるから、その発光素子４１が発熱することは明らかであり、また、その熱は、箱形に形成されているサイド発光型チップＬＥＤの外部に放熱されねばならないことも当業者に明らかである。（仮に発光素子４１が発した熱が周囲に放熱されないならば、箱形に形成されているサイド発光型チップＬＥＤ内部に熱がこもって高温になり、構成する部材が損傷することになる。）
　ここで、引用発明の発光素子４１は、その側面及び上面が発光素子４１を封止する透光体４２によって覆われているところ、この透光体４２は樹脂で形成されており、また、発光素子４１と透光体４２の外面との間にはかなりな距離があることに鑑みれば、発光体４１が発した熱をこの透光体４２を介して外部に放熱することには無理があると考えられるところであり、この熱の放出は、もっぱら、発光素子４１を搭載するガラスエポキシ基板等からなる基台４０を介して行われることが当業者に明らかである。
　してみると、引用発明の「発光素子４１」は「基台４０」を介して放熱することとなるから、引用発明は、本願発明の「前記発光半導体デバイスは、支持基体を介して放熱し、」との発明特定事項を備えるものであり、上記相違点ｂは、実質的な相違点とはいえない。
　なお、仮に、引用発明の「基台４０」の放熱効果が不明であるとしても、発光半導体デバイスが発生する熱を支持基体を介して放熱することは、例えば、特開２００２−２１６５２５号公報の絶縁金属基板６、特開２００２−９３２０６号公報の基板３と絶縁性熱伝導シート５、特開２００１−２９１４０６号公報の放熱板４が設けられたＬＥＤ基板２、特開２００１−２８４８５９公報の高熱部６がＬＥＤである場合（【０００７】の記載参照。）の熱伝導性シート１にみられるように本願優先日時点において周知の事項であるから、引用発明において、基台４０を発光素子４１が発生する熱を放熱できるものとして、上記相違点ｂに係る本願発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に基づいて当該技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。