【事件の表示】
　特願２００３−５８２７７２「高密度ＭＲＡＭ用途用の合成フェリ磁性体センス層」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１６日国際公開，ＷＯ０３／８５６７４，平成１７年　７月２１日国内公表，特表２００５−５２２０４４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　
  本願は，２００３年３月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年４月３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年８月１１日付けの拒絶理由通知に対して，同年１１月１８日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２１年１１月１１日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２２年３月１７日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され，その後当審において，平成２３年９月２０日付けで審尋がされ，同年１２月２７日に回答書が提出されたものである。
　
２　補正について
　
（１）本件補正の内容
　平成２２年３月１７日に提出された手続補正書による特許請求の範囲についての補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜７２を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５１とするものであり，次の補正事項からなる。
　
・補正事項１
　補正前の請求項１９〜２０，３０〜３８，５８〜６７を削除し，請求項の項番号及び引用する請求項の項番号を補正すること。
　
・補正事項２
　補正前の請求項２１における「前記層の各々」を，補正後の請求項１９における「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々」と補正すること。
　
・補正事項３
　補正前の請求項３９，６８における「前記センス層が，前記第１強磁性層と前記第２強磁性層との間に漂遊磁界結合及び反強磁性交換結合を生じさせる特性を有する」を，補正後の請求項２８，４７における「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々が，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層とが互いに逆平行な磁気モーメントを有するのに十分な材料で十分な厚さに形成され，
　前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々が，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で反強磁性交換結合が行われ，これにより，加えられた磁界の存在下で，前記第１磁化可能層及び前記第２磁化可能層の磁気モーメントがほぼ同時に自由に回転して，それぞれ前記第１方向の逆方向及び前記第２方向の逆方向に配向することができるのに十分な材料で十分な厚さに形成されている」と，それぞれ補正すること。
　
（２）補正の検討
　上記補正事項１〜３について，新規事項の追加の有無及び補正目的の適否を検討する。
　
・補正事項１は，請求項の削除を目的とするものである。また，新規事項を追加するものでないことは明らかである。
　
・補正事項２は，補正前の「前記層の各々」との事項を一層明確にするものであるから，「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものに該当する。また，補正事項２は，本願の願書に最初に最初に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）の請求項１及び【００１８】，【００２６】〜【００２７】に基づくものである。
　
・補正事項３は，補正前の「前記第１強磁性層と前記第２強磁性層との間に漂遊磁界結合及び反強磁性交換結合を生じさせる特性を有する」との事項を一層明確にするものであるから，特許法１７条の２第４項４号の「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものに該当する。また，補正事項３は，当初明細書等の請求項１及び【００１８】，【００２６】〜【００２７】に基づくものである。
　
　したがって，上記補正事項１〜３は，特許法１７条の２第３項の規定に適合し，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号及び４号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　本願発明の容易想到性について
　
（１）　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２２年３月１７日に提出された手続補正書における特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものである。
「磁気メモリー素子のセンス層であって，該センス層が，
　第１方向に配向した磁気モーメントを有する第１磁化可能層と；
　前記第１方向とは逆の第２方向に配向した磁気モーメントを有する第２磁化可能層と；
　前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間に形成したスペーサ層とを具え，
　前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層とが互いに逆平行な磁気モーメントを有するのに十分な材料で十分な厚さに形成し，
　前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で反強磁性交換結合が行われ，これにより，加えられた磁界の存在下で，前記第１磁化可能層及び前記第２磁化可能層の磁気モーメントがほぼ同時に自由に回転して，それぞれ前記第１方向の逆方向及び前記第２方向の逆方向に配向することができるのに十分な材料で十分な厚さに形成した
ことを特徴とする磁気メモリー素子用のセンス層。」
　
（２）　引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２３７４７２号公報（以下「引用例」という。）には，図１，図８とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
「【０１１５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１に本発明の実施の形態１における磁気抵抗効果記憶素子１０００の断面図を示す。
【０１１６】磁気抵抗効果記憶素子１０００は，硬質磁性膜を用いたスピンバルブ型（以下ではＨＭスピンバルブ型と呼ぶ）磁気抵抗効果記憶素子である。
【０１１７】
磁気抵抗効果記憶素子１０００においては，硬質磁性膜１１０（第２の強磁性膜）と，非磁性絶縁膜１２０と，軟磁性膜１３０（第１の強磁性膜）とによりＭＲ素子部１００が形成される。軟磁性膜１３０は硬質磁性膜１１０よりも外部磁界に対して磁化回転し易い
　
「【０１８２】（実施の形態５）本発明の実施の形態５として，実施の形態１で示したＭＲ素子部１００（図１）についてより詳細に述べる。図８（ａ）〜図８（ｇ）は，本発明の実施の形態５におけるＭＲ素子部１００の断面図および斜視図である。
・・・（中略）・・・
【０１８７】図８（ｂ）に，
軟質磁性膜１３０（自由層）として，交換結合型フェリ磁性膜を用いた場合のＭＲ素子部１００を示す。軟質磁性膜１３０に含まれる２つの強磁性膜２３０および２５０は，非磁性膜２４０を介して磁気的に交換結合している。このとき，非磁性膜２４０の膜厚を適当な値（例えば，Ｒｕを用いた場合，膜厚は０．６ｎｍ以上０．８ｎｍ以下）とすることにより，この交換結合を反強磁性的とすることが可能である
非磁性膜２４０（例えばＲｕ）を介して反強磁性的に交換結合した強磁性膜２３０および２５０の膜厚を互いに異なるようにする，あるいは飽和磁化の大きさを互いに異なるようにすることが特徴である
【０１８８】また，図８（ｂ）に示される
交換結合型フェリ磁性膜構造の軟質磁性膜１３０の非磁性膜２４０としては，磁性膜間の交換結合を生じやすい非磁性金属膜が望ましく，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕが用いられる。また，界面の熱的安定性を考慮すると，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ等のほうがより望ましく，特にＲｕが優れている
【０１８９】強磁性体の飽和磁化の大きさは，磁化を決定する材料固有の磁気モーメントの大きさに，その強磁性体の体積（強磁性体内に含まれる磁気モーメントの数に相当）を掛け合わせて決定される。図８（ｂ）に示される構成の場合には，交換結合型フェリ磁性膜に含まれる２つの強磁性膜２３０および２５０の平面方向のサイズは同程度である。従って，２つの強磁性膜２３０および２５０のそれぞれの平面方向の飽和磁化の大きさは，互いの材料固有の磁気モーメントの強さと，膜厚によって決定される。このような交換結合型フェリ磁性膜で構成される自由層（軟質磁性膜１３０）においては，その自由層としての役割を果たす磁性的な実効の膜厚が，実質的に２つの強磁性膜２３０および２５０の膜厚（磁化）の差となる。磁性的な実効の膜厚を薄くすることは，デバイスの高感度化に効果がある。
【０１９０】図８（ｂ）に示されるようなＭＲ素子部１００の構成での実施において，強磁性膜の厚みによって磁化の大きさに差を付ける場合には特に，２つの強磁性膜２３０および２５０の膜厚の差異は２ｎｍ以下が好ましい。このとき，上記のような意味では，磁性的な実効の厚みが２ｎｍ以下である自由層を有する磁気抵抗素子を実現することができる。
【０１９１】２つの強磁性膜の厚みの差異が２ｎｍ以上の自由層にて磁化反転動作を行う場合には，反磁界成分の上昇に伴い，より強い外部磁界が必要となる。ＭＲＡＭを構成する場合，外部磁界はワード線（あるいはセンス線）を用いて発生させ，ＭＲ素子部に印加される。このワード線に低抵抗の銅（Ｃｕ）を用いた場合においても，ワード線に最大５０ＭＡ／ｃｍ2程度までしか電流を流すことができないとすると，デバイスの安定動作を鑑みて動作マージンを考慮した場合，発生し得る外部磁界から見積もられる強磁性膜の厚みの差異は，数ｎｍオーダー以下が好ましい。図８（ｂ）に示されるような本発明の構成の実施によれば，強磁性膜２３０および２５０の厚みの差異は２ｎｍ以下が最も好ましいことが分かった。また，自由層としての実効的な厚みが０．２ｎｍ以下では，自由層としてのソフト性が劣化するため，実効的な厚みは０．２ｎｍ以上が好ましい。
【０１９２】また，
軟磁性膜１３０の磁化回転応答は，２つの強磁性膜２３０および２５０が外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま，２つの強磁性膜の磁化の差によって生じる実効的な磁化の回転として行われるようにすることが好ましい
図８（ｄ）に示すように外部磁界に対して，２つの強磁性膜２３０および２５０の磁化ベクトルが互いに反平行を保ったまま磁化回転するようにすれば，磁気抵抗効果素子の低磁界動作に効果的である
【０１９３】図８（ｄ）は，外部磁界Ｈ1からＨ2に磁界印加方向が変わった際の強磁性膜２３０および２５０の磁化方向の変化の様子を示している。図８（ｅ）〜（ｇ）は，図８（ｄ）において，外部磁界Ｈ1からＨ2に磁界印加方向が変わった際の強磁性膜２３０および２５０の磁化方向の変化の様子を斜視図として模式的に示している。なお，図８（ｅ）〜（ｇ）においては，強磁性膜２３０および２５０以外の構成要素は，説明を容易にするために省略されている。外部磁界Ｈ1からＨ2に磁界印加方向が変わったとき，強磁性膜２３０および２５０の磁化方向は，図８（ｅ）から図８（ｇ）に示されるように変化する。図８（ｆ）は，強磁性膜２３０および２５０の磁化方向の変化の途中の様子を示している。
軟質磁性膜１３０の磁化回転応答は，強磁性膜２３０および２５０の２つの磁化方向が反平行の関係を保った状態で２つの磁化の差によって生じた実効的な磁化の回転として行われる
【０１９４】また，ＭＲＡＭデバイスのように，磁気抵抗効果素子を用いるＲＡＭにおいては，サブミクロンオーダーでの微細化に伴って，加工精度の低下や，加工素子自体が磁性膜内の一つ一つの粒の影響を受けやすい状態となり，素子の磁性層の単磁区化はより困難となってくる。本発明のように，自由層を上記のような交換結合型フェリ磁性構造にて構成することは，自由層の単磁区化にも効果がある。
【０１９５】更に，
単磁区化が図られるという利点と，反強磁性的交換結合エネルギーにより２つの強磁性層が磁気的に結合しているという特性が合わされることにより，本発明の磁気抵抗効果素子は熱安定性にも優れた特性となる
　
（２−２）記載事項の整理
　上記を整理すると，引用例には次の事項が記載されているといえる。
　
ア　【０１１７】から，引用例には「磁気抵抗効果記憶素子の軟磁性膜１３０」が記載されている。
　
イ　【０１８７】から，引用例には「軟質磁性膜１３０（自由層）として，交換結合型フェリ磁性膜を用いた」ものが記載され，このとき，「軟質磁性膜１３０」は，「２つの強磁性膜２３０および２５０」と「非磁性膜２４０」を含むことが記載されている。
　
ウ　【０１８７】から，引用例には「２つの強磁性膜２３０および２５０は，非磁性膜２４０を介して磁気的に交換結合している」こと，「この交換結合を反強磁性的とすることが可能である」こと，「非磁性膜２４０（例えばＲｕ）を介して反強磁性的に交換結合した強磁性膜２３０および２５０」の膜厚等を調整することが記載されている。したがって，引用例には，「２つの強磁性膜２３０および２５０は，非磁性膜２４０を介して反強磁性的に交換結合している」ものが記載されているといえる。
　
エ　【０１９２】及び【０１９３】から，引用例には「軟磁性膜１３０」の「２つの強磁性膜２３０および２５０」は，「外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する」ことが記載されている。
　
　なお，【０１８７】には「軟質磁性膜（自由層）１３０」，【０１８９】には「自由層（軟質磁性膜１３０）」，【０１９２】には「軟磁性膜１３０」と記載されているところ，これらがいずれも同一の対象物を指すことは明らかであるから，以下ではこれらを統一して「自由層」という。
　
（２−３）引用例に記載された発明
　上記（２−２）ア〜エによれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「磁気抵抗効果記憶素子の自由層であって，該自由層が
２つの強磁性膜２３０及び２５０と非磁性膜２４０とを含み，
２つの強磁性膜２３０及び２５０は，非磁性膜２４０を介して反強磁性的に交換結合し，
２つの強磁性膜２３０および２５０は，外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する
磁気抵抗効果記憶素子の自由層。」
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　
・引用発明における「磁気抵抗効果記憶素子」は，本願発明における「磁気メモリー素子」に相当する。また，引用発明における「自由層」は，本願発明における「センス層」に相当する。
　
・引用発明における「２つの強磁性膜２３０及び２５０」は，「反強磁性的に交換結合し」「外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する」ものであるから，互いに反平行に配向した磁気モーメントを有する層であることは明らかである。したがって，引用発明における「２つの強磁性膜２３０及び２５０」は，本願発明における「第１方向に配向した磁気モーメントを有する第１磁化可能層」及び「前記第１方向とは逆の第２方向に配向した磁気モーメントを有する第２磁化可能層」に相当する。
　
・引用発明においては「２つの強磁性膜２３０及び２５０は，非磁性膜２４０を介して反強磁性的に交換結合」していることから，引用発明における「非磁性膜２４０」は本願発明における「前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間に形成したスペーサ層」に相当する。
　
・引用発明における「２つの強磁性膜２３０及び２５０は，非磁性膜２４０を介して反強磁性的に交換結合し，２つの強磁性膜２３０および２５０は，外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する」ことは，本願発明における「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で反強磁性交換結合が行われ，これにより，加えられた磁界の存在下で，前記第１磁化可能層及び前記第２磁化可能層の磁気モーメントがほぼ同時に自由に回転してそれぞれ前記第１方向の逆方向及び前記第２方向の逆方向に配向することができる」ことに相当する。
　
・引用発明の「２つの強磁性膜２３０及び２５０と非磁性膜２４０」は，「２つの強磁性膜２３０及び２５０は，非磁性膜２４０を介して反強磁性的に交換結合し，２つの強磁性膜２３０および２５０は，外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する」ものであるから，そのような特性を生じるような材料及び厚さに形成したものであることは明らかである。そうすると，本願発明と引用発明とは，「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，・・・それぞれ前記第１方向の逆方向及び前記第２方向の逆方向に配向することができるのに十分な材料で十分な厚さに形成した」点で一致する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
＜一致点＞
「磁気メモリー素子のセンス層であって，該センス層が，
　第１方向に配向した磁気モーメントを有する第１磁化可能層と；
　前記第１方向とは逆の第２方向に配向した磁気モーメントを有する第２磁化可能層と；
　前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間に形成したスペーサ層とを具え，
　前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で反強磁性交換結合が行われ，これにより，加えられた磁界の存在下で，前記第１磁化可能層及び前記第２磁化可能層の磁気モーメントがほぼ同時に自由に回転して，それぞれ前記第１方向の逆方向及び前記第２方向の逆方向に配向することができるのに十分な材料で十分な厚さに形成したことを特徴とする磁気メモリー素子用のセンス層。」
である点。
  
＜相違点＞
　本願発明では，「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層とが互いに逆平行な磁気モーメントを有するのに十分な材料で十分な厚さに形成し」ているのに対し，引用発明では，「２つの強磁性膜２３０及び２５０と非磁性膜２４０」をそのように形成していることにつき教示がない点。
　
（４）相違点についての検討
ア　非磁性層を介した２つの強磁性層があるとき，当該２つの強磁性層の磁化方向が静磁結合等によって反平行に配向して安定することは，例えば以下の刊行物１〜３にも記載されているように，普通に生じることである。また，非磁性層を介した２つの強磁性層の磁化が反平行に配向しているとき，（例えば以下の刊行物２の図１，３に図示されているような）閉じた磁束が存在することは明らかであるから，そのような２つの強磁性層が静磁結合すなわち「漂遊磁界結合」していることも，技術的に明らかなことである。
　
イ　一方，引用発明の「２つの強磁性膜２３０及び２５０」は，「外部磁界の印加に対して互いの磁化方向を反平行に保ったまま回転する」ものであるから，「２つの強磁性膜２３０及び２５０」が，静止状態において反平行に配向した磁化すなわち「互いに逆平行な磁気モーメント」を有していることは明らかである。したがって，引用発明は「非磁性層２４０」を介して「２つの強磁性膜２３０及び２５０」が形成されたものであって，当該「２つの強磁性膜２３０及び２５０」の磁化が反平行に配向したものであるといえる。
　
ウ　そうすると，上記アの技術常識に照らせば，引用発明も「非磁性膜２４０」を介した「２つの強磁性膜２３０及び２５０」との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，「２つの強磁性膜２３０及び２５０」とが「互いに逆平行な磁気モーメント」を有しているものであり，当然，そのような磁気モーメントを有するのに「十分な材料で十分な厚さに形成」したものであると理解できる。すなわち，引用発明も本願発明と同様に「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層とが互いに逆平行な磁気モーメントを有するのに十分な材料で十分な厚さに形成し」たものであると認められる。
　したがって，上記相違点は実質的な差異ではない。
　
・刊行物１：欧州特許出願公開第１１８２７１３号明細書
　本願の優先権主張日前に外国において頒布された上記刊行物１（拒絶査定において提示）には，次の記載がある。（訳文は，特開２００２−２０４０１０号公報（上記刊行物１と優先権基礎出願が同一である特願２００１−２４９９３４号の公開公報）の対応箇所による。）
　According to a first aspect of the present invention, a vertical current-type magneto-resistive element includes an intermediate layer and a pair of magnetic layers sandwiching the intermediate layer, wherein one of the magnetic layers is a free magnetic layer in which magnetization rotation with respect to an external magnetic field is easier than in the other magnetic layer, 
wherein the free magnetic layer is a multilayer film including at least one non-magnetic layer and magnetic layers sandwiching the non-magnetic laye
（２頁４７行〜５３行）
（訳文）「本発明の１つの側面は，中間層と，前記中間層を挟持する一対の磁性層とを含み，前記磁性層の一方が，他方の磁性層よりも外部磁界に対して磁化回転しやすい自由磁性層であり，
前記自由磁性層が，少なくとも１層の非磁性体層と，前記非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜を有し
　
　It is preferable that the magneto-resistive element includes a non-magnetic layer with a thickness d in the range of 0.3nm  d  2.6nm. The magnetization rotation of the free magnetic layer becomes easier when thethickness of the non-magnetic layer is in that range. 
This seems to be because the demagnetizing field energy is reduced by antiferromagnetic coupling between the magnetic layers adjacent to the non-magnetic layer
When 
d
 is 2.6nm or more, the magnetostatic coupling becomes dominant
（３頁５６行〜４頁４行）
（訳文）「上記素子では厚みｄが，０．３ｎｍ＜ｄ＜２．６ｎｍの範囲の非磁性体を含むことが好ましい。非磁性体層の厚みが，このような範囲にあることで，自由層の磁化回転が容易になる。
これは非磁性体層に隣り合う磁性体層間が，反強磁性結合を行うことで，反磁界エネルギーを減少させるためであると思われる
またｄが２．６ｎｍ以上では静磁結合が支配的となる
　
　In the above-described element, it is also possible that the free magnetic layer includes a first magnetic layer, a non-magnetic layer and a second magnetic layer, layered in that order from the intermediate layer, and when an average film thickness of the first magnetic layer is d1, its average saturation magnetization is M1, an average film thickness of the second magnetic layer is d2, and its average saturation magnetization is M2, then M2×d2M1×d1, and a magneto-resistive element can be devised in which the magnetic resistance displays at least one maximum or minimum in response to a change of the external magnetic field. 
Here, the two magnetic layers constituting the free magnetic layer are coupled by antiferromagnetic coupling or magnetostatic coupling through the non-magnetic layer, such that it can be made sure that their magnetizations are antiparallel to one another
（５頁２８行〜３５行）
（訳文）「上記素子は自由磁性層が，中間層側より順に積層された，第１磁性体層，第１非磁性体層，第２磁性体層を含み，前記第１磁性体層の平均膜厚をｄ１，平均飽和磁化をＭ１，前記第２磁性体層の平均膜厚をｄ２，平均飽和磁化をＭ２とすると，Ｍ２×ｄ２＞Ｍ１×ｄ１であり，外部磁場の変化に対し，磁気抵抗値が少なくとも１つの極大値あるいは極小値を取りうる磁気抵抗素子としてもよい。ここで，
自由磁性層を構成する２つの磁性体層は，非磁性体層を通じて反強磁性的あるいは静磁結合的に，互いの磁化方向が反平行であることが安定となるようにカップリングしている
　
　On the other hand, in Sample 2, almost no increase of the coercivity with respect to the element width can be observed. 
This seems to be the result of suppressing the demagnetizing field by magnetostatic coupling of the magnetic fields leaking from the two NiFe layers of the same film thickness sandwiching the non-magnetic Ta layer
（訳文）「一方，サンプル２では，抗磁力の増大は，素子幅に対しほとんど見られない。これは，
非磁性体層であるＴａ層を挟んだ，同じ膜厚を持つ２層のＮｉＦｅからの漏れ磁界が静磁結合したことで反磁界が抑制された結果であると思われる
　
・刊行物２：特開２００１−１９６６５８号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記刊行物３には，図１，３〜４とともに次の記載がある。
「【００１０】第二に，トンネル接合を用いてメモリ層を微細化していった場合，絶縁層を介した
両強磁性層の漏洩磁界によって当該両強磁性層が静磁結合
【００１１】図３に模式図を示す。このように，絶縁層１０２を介して強磁性層１０１，１０３が積層された場合，
両強磁性層１０１，１０３同士が磁気的に結合してしまい
「【００２４】一般的に，
強磁性体／非磁性導電体／強磁性体の構造を持つ場合，非磁性導電体の厚みを適当に調節すると，上下の強磁性体同士が磁気的に結合することが知られている
「【００２６】本実施形態の場合，
自由層である強磁性膜２を構成する下部強磁性層１１の磁化は，非磁性導電層１２を介した上部強磁性層１３と磁性結合するため，固定層となる強磁性膜１とは磁性結合しない
下部強磁性層１１と上部強磁性層１３は反強磁性的に結合して安定状態
　図１には，「下部強磁性層１１」と「上部強磁性層１３」と「漏れ磁界」が示されており，【００２６】及び図３〜４を参酌すると，「下部強磁性層１１」と「上部強磁性層１３」とが「漏れ磁界」により「静磁結合」し，磁束が閉じていることが見て取れる。
　
・刊行物３：特開２００１−１５６３５７号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記刊行物３（拒絶査定において提示）には，次の記載がある。
「【００５４】なお，ＭＲＡＭの用途では，
フリー層に強磁性層／非磁性層／強磁性層の三層膜を使用し，非磁性層を介して強磁性層を反強磁性結合させてもよい。このような構成では，磁束が三層膜内で閉じている
記録層からの漏れ磁束を小さくできる
　
（５）小括
　したがって，本願発明は，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記引用例に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，同法２９条１項の規定により特許を受けることができない。
　
（６）相違点についての予備的検討
　上記（４）で検討したとおり，上記（３）で指摘した相違点は実質的な差異ではないが，仮に，実質的なものであるとして予備的に検討すると，非磁性層を介した２つの強磁性層があるとき，当該２つの強磁性層が静磁結合すなわち「漂遊磁界結合」し，この「漂遊磁界結合」により当該２つの強磁性層の磁化方向が反平行となるようにカップリングすることは当業者の技術常識であるから，引用発明において「前記第１磁化可能層，前記第２磁化可能層，及び前記スペーサ層の各々を，前記スペーサ層をはさんだ前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層との間で漂遊磁界結合が行われ，これにより，前記第１磁化可能層と前記第２磁化可能層とが互いに逆平行な磁気モーメントを有する」との作用が適切に働くように「十分な材料で十分な厚さに形成」することは，上記の技術常識から当業者が容易になし得たことである。
　したがって，仮に上記相違点が実質的な差異であるとしても，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法２９条１項又は２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。