Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉内において用いられるオーバファイアエア（ＯＦＡ）ポートであって、
（ａ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの内筒であって、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な内側通路を画成する内筒と、
（ｂ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの外筒であって、前記内筒の少なくとも一部を包囲し、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な外側通路を画成する外筒と、
（ｃ）前記外筒に取付けられ、かつ前記出口端の付近で前記内筒および前記外筒の間に配置され、前記外筒の前記出口端から流出する空気の流れを妨げる少なくとも１つのバッフルと、
を備えているＯＦＡポート。
【請求項２】
前記バッフルは、前記外筒の前記入口端よりも前記出口端に近接して配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のＯＦＡポート。
【請求項３】
前記少なくとも１つのバッフルは、複数のバッフルを備えていることを特徴とする、請求項１に記載のＯＦＡポート。
【請求項４】
前記外筒の前記入口端は、前記外筒の前記出口端とは異なった幾何学的形状を有していることを特徴とする、請求項１に記載のＯＦＡポート。
【請求項５】
前記外筒の前記出口端は楕円形状を有していることを特徴とする、請求項４に記載のＯＦＡポート。
【請求項６】
前記外筒の前記入口端の幾何学的形状は円形状であることを特徴とする、請求項５に記載のＯＦＡポート。
【請求項７】
前記内筒の入口端は、前記内筒の出口端と異なる幾何学的形状を有していることを特徴とする、請求項１に記載のＯＦＡポート。
【請求項８】
前記内筒の前記出口端の幾何学的形状は楕円形状であることを特徴とする、請求項７に記載のＯＦＡポート。
【請求項９】
前記内筒の前記入口端の幾何学的形状は円形状であることを特徴とする、請求項７に記載のＯＦＡポート。
【請求項１０】
前記内筒の前記入口端は前記内筒の前記出口端と異なる幾何学的形状を有し、前記外筒の前記入口端は前記外筒の前記出口端と異なる幾何学的形状を有していることを特徴とする、請求項１に記載のＯＦＡポート。
【請求項１１】
前記内筒および前記外筒の出口端は楕円形状を有していることを特徴とする、請求項１０に記載のＯＦＡポート。
【請求項１２】
炉内において用いられるＯＦＡポートであって、
（ａ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの内筒であって、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な内側通路を画成し、さらに内側入口部、内側遷移部および幾何学的部を備える内筒と、
（ｂ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの外筒であって、前記内筒の少なくとも一部を包囲し、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な外側通路を画成し、さらに外側入口部および外側遷移部を備える外筒と、
（ｃ）前記外筒に取付けられ、かつ前記出口端の付近で前記内筒および前記外筒の間に配置され、前記外筒の前記出口端から流出する空気の流れを妨げる少なくとも１つのバッフルと、
を備えているＯＦＡポート。
【請求項１３】
前記外筒の前記外側遷移部は、遷移入口と遷移出口をさらに備え、各々は寸法を有し、前記遷移入口の前記寸法は前記遷移出口の前記寸法よりも小さいことを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１４】
前記外側入口部と前記外側遷移部とは同じ長さを有していることを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１５】
前記外筒の前記出口端から流出する空気の流れを妨げる少なくとも２つのバッフルが、前記内筒および前記外筒の間に配置されていることを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１６】
前記外筒の前記入口端は、前記外筒の前記出口端とは異なった幾何学的形状を有していることを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１７】
前記外筒の前記出口端は楕円形状を有していることを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１８】
前記内筒の前記入口端は円形状を有していることを特徴とする、請求項１２に記載のＯＦＡポート。
【請求項１９】
（ａ）燃焼ゾーンを画成する少なくとも１つのバーナと、
（ｂ）少なくとも１つのオーバファイアエア（ＯＦＡ）ポートと、
を備える炉であって、前記ＯＦＡポートは
（ｉ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの内筒であって、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気流が流通可能な内側通路を画成する内筒と、
（ｉｉ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの外筒であって、前記内筒の少なくとも一部を包囲し、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な外側通路を画成する外筒と、
（ｉｉｉ）前記外筒に取付けられ、かつ前記出口端の付近で前記内筒および前記外筒の間に配置され、前記外筒の前記出口端から流出する空気の流れを妨げる少なくとも１つのバッフルと、
を備えていることを特徴とする炉。
【請求項２０】
前記外筒の前記入口端に配置され、前記少なくとも１つのＯＦＡポート内を流れるＯＦＡの量を調節するスリーブダンパをさらに備えていることを特徴とする、請求項１９に記載の炉。
【請求項２１】
炉内において用いられるオーバファイアエア（ＯＦＡ）ポートであって、
（ａ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの内筒であって、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な内側通路を画成する内筒と、
（ｂ）入口端および出口端を有する前記ＯＦＡポートの外筒であって、前記内筒の少なくとも一部を包囲し、前記入口端および前記出口端の間に延在する空気が流通可能な外側通路を画成する外筒と、
ここで前記内筒の前記入口端は前記内筒の前記出口端とは異なった幾何学的形状を有し、前記外筒の前記入口端は前記外筒の前記出口端とは異なった幾何学的形状を有し、前記内筒および前記外筒の前記出口端は楕円形状を有しており、
（ｃ）前記内筒および前記外筒の間に配置され、前記外筒の前記出口端から流出する空気の流れを妨げる少なくとも１つのバッフルと、
を備えているＯＦＡポート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月26日(2006.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉と、
キャリアガスおよび少なくとも一種の固体燃料が不均質に含まれている少なくとも１つの不均質流れを送るための少なくとも１つの供給パイプと、
前記少なくとも１つの供給パイプに連結され、少なくとも１つの前記不均質流れを受け入れ、前記不均質流れを実質的に等しい量の少なくとも一種の固体燃料を有するような複数の流出流れにそれぞれ分配するタワー型ディストリビュータと、
前記炉に連結され、前記炉において燃焼させるための複数の流出流れをそれぞれ受ける複数のバーナと
を備える炉システムにおいて、
前記タワー型ディストリビュータは
前記キャリアガスおよび前記少なくとも一種の固体燃料が不均質に含まれている少なくとも１つの不均質流れを受け入れる入口部と、
前記入口部に連結され、乱流を生じさせて前記少なくとも１つの不均質流れを混合し、単一の混合流れを生成する混合手段を含む混合部と、
前記混合部の下流側に配置され、前記単一の混合された不均質流れを受ける回復部であって、前記単一の混合された不均質流れが前記回復部に沿って移動する間に前記乱流状態が実質的に消失して層流状態の前記単一の混合された不均質流れ生じるような長さを有する回復部と、
前記層流状態の前記単一の混合された不均質流れを受け入れ、前記単一の混合された不均質流れを、実質的に等しい量の少なくとも１種の固体燃料を有するような複数の流出流れにそれぞれ分流する出口と
を備えることを特徴とする炉システム。
【請求項２】
前記回復部の長さがその直径の寸法の少なくとも半分に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【請求項３】
前記混合手段が撹拌器を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【請求項４】
前記混合手段が羽根車を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【請求項５】
前記回復部の長さが前記混合部の長さよりも長く形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【請求項６】
前記タワー型ディストリビュータが前記入口部において前記少なくとも１つの供給パイプと連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【請求項７】
前記入口部が前記少なくとも１つのパイプの幾何学的形状に適合するように形成されている遷移部を備えていることを特徴とする、請求項６に記載の炉システム。
【請求項８】
前記回復部の長さが前記混合部の長さよりも長くなっていることを特徴とする、請求項７に記載の炉システム。
【請求項９】
前記入口部は入口直径と出口直径を有し、前記入口直径は前記出口直径よりも大きいことを特徴とする、請求項６に記載の炉システム。
【請求項１０】
前記出口部は入口直径と出口直径を有し、前記入口直径は前記出口直径よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の炉システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出器素子（４ａ）のアレイ（４）と、
非遮蔽状態における前記検出器アレイ（４）からの画像を記憶するためのメモリ（６）と、
前記検出器素子からの実画像を前記記憶された画像と周期的に比較して、前記実画像が前記記憶された画像と有意に異なる場合に警報（１０）を発生する処理手段（８）と、
を備えるセンサであって、
前記プロセッサが前記記憶された画像と前記実画像とにおける高空間周波数構造の量を比較するように適合されていることを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記記憶された画像は、前記画像における高空間周波数細部の領域マップ（４２）であり、前記プロセッサ（８）は、前記実画像を解析して前記高空間周波数細部の領域が存在するかどうかを判定することを特徴とする請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記実画像（３０）を高域フィルタ処理する（３２）ように適合されていることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のセンサ。
【請求項４】
前記プロセッサは、動的ノイズを除去するために幾つかのフレームにわたって前記実画像（３０）を時間的に平均する（３４）ように適合されていることを特徴とする請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記時間平均された高域フィルタ処理済み画像が、ある範囲の方向でラインセグメントのカーネルを用いて畳み込みを行い（３６）、高空間周波数細部の領域を求めるように適合されていることを特徴とする請求項４に記載のセンサ。
【請求項６】
前記検出器アレイは、熱検出器アレイを含むことを特徴とする先行請求項の何れかに記載のセンサ。
【請求項７】
前記検出器アレイは、マイクロ・ボロメータアレイであることを特徴とする請求項６に記載のセンサ。
【請求項８】
前記検出器アレイは、６４×６４アレイであることを特徴とする先行請求項の何れかに記載のセンサ。
【請求項９】
検出器素子のアレイを備えるセンサの正規視野が隠蔽されているかどうかを判定する方法であって、
前記センサ（４）から現在の画像（３０）を取得する段階と、
前記取得された画像を以前に取得された前記正規視野の画像（４２）と比較する段階（４０）と、
前記２つの画像間に何らかの有意な差異が存在するかどうかを判定する段階と、
有意な差異が存在する場合に警報（１０）を起動する段階（４６）と、
を含み、
前記取得された画像と前記記憶された画像とを比較する段階は、前記取得された画像内に前記高空間周波数細部の領域を位置付ける段階と、これを前記記憶された画像の高空間周波数細部の位置付けと比較する段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記方法は、前記取得された画像に高域フィルタ（３２）を適用する段階を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、一連のフレームを時間的に平均して前記取得された画像を形成する段階（３４）を含む請求項９又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記取得された画像は熱画像である請求項９から１１の何れかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１は本発明の設計システム１００に関する一例を示すブロック図である。システム１００は使用者Ｉ/Ｏデバイス１０２、不揮発性メモリ１０４、中央演算処理装置１０６、通信装置１０８、及び使用メモリ１１０を含むものとし、これらは全て内部バス１１１（例えばPCIバス）を介して相互に通信する。使用者Ｉ/Ｏデバイス１０２（キーボード、マウス、モニタ等）は使用者および設計者がシステム１００にアクセスできることを可能とする。不揮発性メモリ１０４（ROM、PROM、EPROM等）は、システム１００を起動させるのに必須な基本コードを格納し、システム１００の電源が切れたときでも起動コードを格納保存する。不揮発性メモリ１０４はさらに利用者のデータ、アプリケーション・プログラム、ＯＳ等の為、大容量（例えば、ローカル・ハード・ディスク、リムーバブルディスク等）の格納を可能とする。このデータおよびコードはシステム１００の電源が切れたときにも格納保存される。中央演算処理装置１０６は不揮発性メモリ１０４及び／又は使用メモリ１１０に格納されたコードを実行することによりシステム１００に機能性を与える。通信装置１０８（モデム、ネットワーク・アダプタ等）はシステム１００と他のシステム（例えばネットワーク・クライアント、管曲げ装置等）との間における情報通信を実行可能とするインタフェースを提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
一度、多重セグメント・ライン２０８が挿入されると、また初期シグナル（例えば最終ポイント２１８でのダブル・マウス・クリック）は、使用者によってもたらされ、オブジェクト・マネージャー１１６は、選択された曲り管オブジェクト２０６と対応するオブジェクト・データ・ファイル１２２から選択されたパイプ・サイズと対応するデータを検索する。オブジェクト・マネージャーは次に、カスタム・曲り管オブジェクト２０４を生成するために、検索されたデータと多重セグメント・ラインの幾何学的なパラメータ（例えばセグメントの長さ、角度等）を使用する。それゆえ、曲り管オブジェクト２０４は、曲り管の製造のために、曲り管のイメージ２１９を生成するために必要なグラフ・データと、抽出ルーティン１２６によって引用されチューブ・ベンダ２２０を操作するために使用されるベンダ・ドライバ・データの両方を含む。多種のチューブ・ベンダが利用可能であるため、抽出ルーティン１２６は、例えば単純なマッピング・ルーティンによって、一の種類のベンダに対するドライバ・データから他の種類のベンダに対するドライバ・データへベンダ・ドライバ・データを変換することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
データ構造５００は、「＄pnum」フィールド５０２、「＄unit」フィールド５０４、「＄clra」フィールド５０６、曲げ構造に関連する複数のフィールド５０８、「＄pvar」フィールド５１０、複数のプロセス変数５１２、「＄mvar」フィールド５１４、複数の機械変数５１６を含む。
＄pnumフィールド５０２は、一般的には電子ファイル名で曲げられた部分を識別する値を含む。＄unitフィールド５０４は、どのタイプのベンダがコードを実行するのかを表す値を含む。
＄clraフィールド５０６は、幾何学的（長さ、回転及び角度）データ・フィールド５０８の開始をマークし、機械の移動値を表す値を含む。幾何学的データ・フィールド５０８は、形成される曲り管の実際の長さ、角度及び回転値を含む。＄pvarフィールド５１０は、プロセス変数５１２の開始を示し、後に続くプロセスの変数の量を示す値を含む。
プロセス変数５１２は、上記参照の図３Ａ及び図３Ｂの同名の変数と一致する。＄mvarフィールド５１４は、機械変数５１６の開始を示し、後に続く機械変数の量を示す変数を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態をホスティングする汎用コンピュータのブロック図を示す。
【図２】図１に示される様々な構成要素間の機能的関係を図示するブロック図を示す。
【図３Ａ】曲り管オブジェクト・ファイルのデータ構造のうち第１の半部分の一例を示す。
【図３Ｂ】  図３Ａに示す曲り管オブジェクト・ファイルのデータ構造のうち第２の半部分の一例を示す。
【図４】カスタムの曲り管オブジェクトのデータ構造の一例を示す。
【図５】本発明の１つの実施形態に従って生成し、抽出されたベンダ・ドライバ・データのためのデータ構造の一例を示す。
【図６】形成された２つの曲がり部を有する曲り管の一例を示す。
【図７】管を曲げるために曲り管オブジェクトを用いる方法の一例を要約するフローチャートを示す。
【図８】図７の方法において、第１ステップ（製図用ファイルの曲り管オブジェクトの入力）を実行する方法の一例を要約するフローチャートを示す。
【図９】図７の方法において、第２ステップ（ベンダ・データを生成する曲り管オブジェクトの使用）を実行する方法の一例を要約するフローチャートを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
表示のためにコンテンツをフォーマットするサーバであって、
表示装置を備えるクライアントからの前記コンテンツを求める要求の受信に応じて該コンテンツを取り出す手段と、
前記クライアントから受け取った前記表示装置のための前記コンテンツのフォーマットの仕方についての命令を用いて前記文書を処理する処理手段と、
前記表示装置における表示のために、処理された前記コンテンツを前記クライアントに送信する手段とを有するコンテンツをフォーマットするサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
試料を検査する顕微鏡検査装置であって、
前記試料の近傍に配置された高倍率および第１端を有する対物レンズ、
前記顕微鏡検査装置の視野内に実質的に配置された１つより多い検出器アレイ
を備える顕微鏡検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３０）と、
前記基板（３０）上にあるゲート電極（３２）と、
前記基板（３０）上にある酸化物ライナー（３４）であって、１００Å未満の厚みを有するものと、
前記酸化物ライナー（３４）上にある窒化物サイドウォール・スペーサ（４０）と、
前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）と、を含み、
前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）中へのドーパントの外方拡散を抑制するように、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）の双方が前記酸化物ライナー（３４）により被覆される、
半導体デバイス。
【請求項２】
前記酸化物ライナー（３４）の厚みが、４５Åである、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
基板（３０）上に、ゲート電極（３２）を形成するステップと、
前記基板（３０）および前記ゲート電極（３２）上に、１００Å未満の厚みの酸化物ライナー（３４）を形成するステップと、
前記酸化物ライナー（３４）上に窒化物層（３８）をたい積するステップと、
窒化物スペーサ（４０）を形成するように、前記窒化物層（３８）をエッチングするステップであって、前記エッチングは、前記酸化物ライナー（３４）上で停止するステップと、を含む、
半導体デバイスの形成方法。
【請求項４】
前記窒化物層（３８）をエッチングするステップは、
非常に高い窒化物対酸化物の選択性を備えるエッチング剤で、前記窒化物層（３８）をドライ・エッチングするステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
基板（３０）の領域（３６，４２）に、ドーパントをインプラントするステップと、
前記基板（３０）上に、１００Å未満の厚みの酸化物ライナー（３４）を形成するステップと、
前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）を形成するステップと、
前記ドーパントのインプラントより前に、ゲート電極（３２）を形成するステップと、
前記ゲート電極（３２）および前記酸化物ライナー（３４）上に、サイドウォール・スペーサ（４０）を形成するステップと、を有しており、
前記酸化物ライナー（３４）を形成するステップおよび前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）を形成するステップは、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）中へのドーパントの外方拡散を抑制するように、前記酸化物ライナー（３４）が、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）の双方を被覆するようになっている、
半導体デバイスのインプラントされた領域から被覆層に対する、ドーパントの外方拡散を抑制する方法。
【請求項６】
前記サイドウォール・スペーサ（４０）を形成するステップは、
前記酸化物ライナー（３４）および前記ゲート電極（３２）上に、窒化物層（３８）をたい積するステップと、
窒化物から酸化物への高い選択性を有するエッチング・レシピで、前記窒化物層（３８）を異方性ドライエッチングするステップと、
を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング・レシピは、CF4/HBr/HeO2またはCl2/HBr/HeO2の少なくとも一つを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記エッチング・レシピは、CF4剤を含む、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光システムを提供する方法であって、
実質的に線形の回路基板を提供すること、
該回路基板に沿って複数の光源を配置すること、
前記回路基板および前記光源を実質的に線形のハウジング内に配置すること、
該ハウジング用に光透過型カバーを提供すること、および
前記発光システムの第１のユニットを、前記発光システムの第２のユニットにハウジング間のギャップなしに端と端を付けて接続することを可能にする、前記ハウジングの接続機構を提供することを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記ポリマーがメタクリレート、スチレンおよびそれらのハロゲン化誘導体のモノマーまたはプレポリマーの重合により形成されている、請求項２０に記載の光ファイバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ＰＯＦはＧＯＦの利点を数多く、即ち、ツイストペア銅ケーブルと比較して非常に高いデータ速度およびＲＦ混信に対する耐性を支持することを提供するが、ＧＯＦに伴う高い連結コストを要しない。ＰＯＦは一般的には、ＧＯＦの直径よりも非常に大きい直径（約１ｍｍ）を有する。このより大きな直径は、光学的な結合効率の損失を無くしてより低いコネクタ公差を許容し、ＧＯＦを終端処理するのに必要な高価な研磨工程を必要としない。ＰＯＦは、ホットプレートを用いて、訓練されていない作業者によって終端処理することができる。加えて、ＰＯＦのリンクは、低コストの５００〜８００ｎｍのＬＥＤを採用しうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の形態は、異なる屈折率を有する少なくとも３つの紡糸材料（各材料は少なくとも１つのポリマーと少なくとも１つのドーパントから成る）を調製する工程、および屈折率が外縁に向かって減少するように紡糸材料を同心のノズルに供給し、それにより紡糸材料をノズルを経由させて押し出し、１または複数のドーパントをノズル内にて、またはノズルからの押し出しの後で、あるいはノズル内およびノズルからの押し出しの後で、ファイバの隣接する層と層との間で拡散させる工程を含む、本発明のＧＩ型のＰＯＦを製造する方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
任意の２つの隣接する層の界面にて屈折率を合わせるために、隣接する層同士は隣接する層と層との間でドーパントが拡散することを許容するのに十分な時間のインターバルで、押出プロセスの間、互いに接触させられる。これは、押出機の同心の円形ノズルにおいて又は拡散チューブがある場合にはノズルの後で生じうる。本発明のために、拡散チューブは押し出された複数層のファイバがチューブを通過するときにドーパントが隣接する層間で拡散しうるような温度に維持される、押出後の円筒形チャンバーである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（実施例２）
実施例２は、各層がブロモベンゼンでドープされたＰＭＭＡのホモポリマーから成る別の５層のＧＩ型のＰＯＦおよびそれを製造する方法を開示する。下記に示すことを除いては実施例１に説明されている方法と同じ方法が、実施例２のファイバを製造するために用いられる。実施例２の紡糸材料は下記のとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
IL-6受容体と相互作用して受容体により媒介される活性を調節する化合物を選択するかまたは設計する方法であって、以下の段階を含む方法：
(a) (i) 別表Iに示される原子座標に位置するIL-6受容体のアミノ酸1〜299、もしくは該アミノ酸の骨格原子からの2乗平均平方根偏差が1.5Å以下である構造座標に位置するIL-6受容体のアミノ酸1〜299；または
(ii) 全体での並進および/もしくは回転によって、別表Iに示される座標に関連する1つまたは複数の該アミノ酸の部分集合
を含む受容体の局所領域と、化合物との間の立体化学的な相補性を評価する段階；
(b) 受容体の局所領域に対して立体化学的な相補性を有する化合物を得る段階；ならびに
(c) 化合物を、受容体と関連する活性を調節するその能力に対して試験する段階。
【請求項２】
IL-6受容体の局所領域が残基106〜110、133〜138、160〜168、190〜193、227〜233、250〜256または276〜281およびその組み合わせにより定義されるリガンド結合表面である、請求項1記載の方法。
【請求項３】
IL-6受容体の局所領域が残基1〜5、19〜23、65〜69、93〜99、118、119、132〜141、166〜172、179〜196、241〜250、261、262、272〜276または282〜290およびその組み合わせにより定義されるホモ二量体の結合界面の領域にある、請求項1記載の方法。
【請求項４】
IL-6受容体の局所領域が残基11、45、46、55、62〜66、69〜72、75、81、88、90〜93、122〜124および178により定義される、請求項1記載の方法。
【請求項５】
IL-6受容体の局所領域が残基233〜239、244〜248および270〜290により定義される、請求項1記載の方法。
【請求項６】
以下の段階を含む、IL-6受容体に対する潜在的な調節化合物を同定するための方法：
(a) 別表Iに示される原子座標、または前記アミノ酸の骨格原子からの2乗平均平方根偏差が1.5Å以下である原子座標、または1つもしくは複数の前記アミノ酸の部分集合、または全体での並進および/もしくは回転によって、別表Iに示される座標に関連する1つまたは複数の前記アミノ酸の部分集合により定義されるIL-6受容体のアミノ酸1〜299の3次元構造を提供する段階；
(b) 候補化合物の3次元構造を提供する段階；ならびに
(c) 段階(b)の3次元構造と段階(a)の3次元構造の局所領域との間の立体化学的な相補性を評価する段階。
【請求項７】
以下の段階をさらに含む、請求項6記載の方法：
(d) 段階(c)で評価された候補化合物を、段階(a)の3次元構造の局所領域との立体化学的な相補性を有するように、合成するかまたは得る段階；ならびに
(e) IL-6受容体と相互作用するおよび/またはIL-6受容体の活性を調節する候補化合物の能力を決定する段階。
【請求項８】
IL-6受容体の局所領域が残基106〜110、133〜138、160〜168、190〜193、227〜233、250〜256または276〜281およびその組み合わせにより定義されるリガンド結合表面である、請求項6または請求項7記載の方法。
【請求項９】
IL-6受容体の局所領域が残基1〜5、19〜23、65〜69、93〜99、118、119、132〜141、166〜172、179〜196、241〜250、261、262、272〜276または282〜290およびその組み合わせにより定義されるホモ二量体の結合界面の領域にある、請求項6または請求項7記載の方法。
【請求項１０】
IL-6受容体の局所領域が残基11、45、46、55、62〜66、69〜72、75、81、88、90〜93、122〜124および178により定義される、請求項6または請求項7記載の方法。
【請求項１１】
IL-6受容体の局所領域が残基233〜239、244〜248および270〜290により定義される、請求項6または請求項7記載の方法。
【請求項１２】
IL-6受容体の結晶を含む結晶組成物。
【請求項１３】
結晶が別表Iに示される原子座標により定義される構造を有する、請求項12記載の組成物。
【請求項１４】
請求項12記載の結晶組成物を化合物と接触させる段階およびIL-6受容体の結晶との化合物の結合レベルを測定する段階を含む、化合物とIL-6受容体との間の相互作用を評価する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）コンピュータに関連するユーザインタフェースを用いて品物の少なくとも２つのカテゴリを選択するステップと、
（ｂ）少なくとも１つのＲＦＩＤタグ付き品物のリストを取得するステップと、
（ｃ）問い合わせられたＲＦＩＤタグに対応付けられる前記少なくとも１つの品物に関連した情報を、前記カテゴリのうち少なくとも１つに分類するステップと、を含む、対象の品物に対応付けられるＲＦＩＤタグに問い合わせる方法。
【請求項２】
（ｄ）分類された前記情報をデータベースに保存するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
各ＲＦＩＤタグ付き品物を分類するのに必要な情報を、前記ＲＦＩＤ読取り装置のメモリに記憶されたデータベースから取得することができ、前記データベースは、取外し可能データ記憶装置上に記憶される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
（ａ）ＲＦＩＤタグに関連した情報のリストを取得するステップであって、前記リストは、前記ＲＦＩＤタグがＲＦＩＤ読取り装置により問い合わせられた順序で編成されているステップと、
（ｂ）前記タグが前記ＲＦＩＤ読取り装置により問い合わせられた順序以外の順序で、前記情報を編成するステップと、
を含む、ＲＦＩＤタグに対応付けられる品物に関連した情報を使用する方法。
【請求項５】
（ｃ）ステップ（ｂ）からの前記編成された情報を所定の順序付きリストと比較するステップであって、前記所定の順序付きリストは、格納領域における位置の期待順序での品物のリストであるステップを更に含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
（ｃ）ステップ（ｂ）からの前記編成された情報を所定の順序付きリストと比較するステップを更に含み、前記方法は、
（ｄ）前記所定の順序付きリスト上にあるが、ステップ（ｂ）からの前記順序付きリストの中にはない品物のリストを作成するステップを更に含む、請求項４記載の方法。
【請求項７】
（ａ）複数の品物に関連した情報を既存のデータベースから取得するステップと、
（ｂ）所望の方法で前記情報を書式変更して、ＲＦＩＤタグ変換装置による前記情報の使用を容易にするステップと、
（ｃ）データ記憶装置上に記憶されたデータベースに前記情報をエクスポートするステップと、
（ｄ）ＲＦＩＤタグ変換装置で前記データ記憶装置上の前記情報を使用して、情報をＲＦＩＤタグに書込むステップと、
を含む、情報転送使用方法。
【請求項８】
前記データ記憶装置上の前記データベースで一次情報フィールドに提供されるべき情報及び二次情報フィールドに提供されるべき情報を前記既存のデータベース内の各レコードから選択することにより、前記情報が書式変更される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記情報フィールドのうち少なくとも１つが、レコードに含まれる情報の一部のみを表す、前記既存のデータベース内のレコードからの情報を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ユーザによる調査用の前記ＲＦＩＤタグ変換装置上に前記一次情報フィールドから取得された情報及び前記二次情報フィールドから取得された情報を表示するステップを更に含む、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂、
前記樹脂中に分散される第１のフィラーであって、シラン処理された表面を有し、重金属を実質的に含まない、多孔質の非熱分解法シリカを含む第１のフィラー、および
前記樹脂中に分散される第２のフィラーであって、シラン処理された表面を有し、平均直径が最大で２００ナノメートルである非凝集一次シリカ粒子を含む第２のフィラー、
を含む歯科ペーストであって、前記ペーストが、前記第１および第２のフィラーを合計で少なくとも５５重量％含む、歯科ペースト。
【請求項２】
前記第１のフィラーと第２のフィラーの重量比が、少なくとも１：４であり、最大で４：１である、請求項１に記載の歯科ペースト。
【請求項３】
前記多孔質の非熱分解法シリカが、５ナノメートル〜１２０ナノメートルの平均粒子サイズを有する一次シリカ粒子の凝集体を含む、請求項１に記載の歯科ペースト。
【請求項４】
前記ペーストは、硬化時に、最大で５０のコントラスト比、最大で約０．４のマクベス値、最大で約４％の体積収縮、少なくとも１５ＭＰａの直径引張り強さ、少なくとも３５ＭＰａの圧縮強さ、および艶保持試験で５００回ブラッシングした後に最大で３０％の艶の損失、からなる群より選択される１つ以上の特性を有する、請求項１に記載の歯科ペースト。
【請求項５】
歯科ペーストの調製法であって、
シラン処理された表面を有し、重金属を実質的に含まない多孔質の非熱分解法シリカを含む第１のフィラーを、硬化性樹脂中に分散させる段階、および
シラン処理された表面を有し、平均粒子サイズが最大で２００ナノメートルである非凝集一次シリカ粒子を含む第２のフィラーを、前記硬化性樹脂中に分散させる段階、
を含み、前記ペーストは、前記第１および第２のフィラーを合計で少なくとも５５重量％含む、方法。
【請求項６】
硬化性樹脂、および
前記樹脂中に分散されるフィラーであって、平均粒子サイズが２０ナノメートル〜１２０ナノメートルである一次シリカ粒子の凝集体を含む多孔質の非熱分解法シリカを含むフィラーであり、前記フィラーは、かさ密度が少なくとも０．４ｇ／ｃｍ3、表面積が最大で１５０ｍ2／ｇであり、前記フィラー中の凝集シリカの平均サイズが約３１マイクロメートルであるフィラー、
を含む、歯科ペースト。
【請求項７】
乾燥粉末の形態のフィラーの調製法であって、
揮発性液体中に分散されている、平均粒子サイズが２０ナノメートル〜１２０ナノメートルの一次シリカ粒子を含むシリカゾルを乾燥させて、一次シリカ粒子の凝集体を含む多孔質の非熱分解法シリカを形成する段階であって、前記凝集シリカの平均凝集体サイズが、１マイクロメートル〜２０マイクロメートルであり、前記シリカが重金属を実質的に含まない段階、
前記凝集シリカを揮発性液体中に分散させ、多孔質の非熱分解法シリカの揮発性液体分散体を形成する段階、
前記揮発性液体中に分散されている多孔質の非熱分解法シリカの表面をシランで処理し、シラン処理された表面を有する多孔質の非熱分解法シリカの揮発性液体分散体を形成する段階、および
前記揮発性液体分散体を乾燥させて、前記フィラーを形成する段階、
を含む、方法。
【請求項８】
歯科ペーストの調製法であって、
揮発性液体中に分散されている、平均粒子サイズが２０ナノメートル〜１２０ナノメートルの一次シリカ粒子を含むシリカゾルを乾燥させて、一次シリカ粒子の凝集体を含む多孔質の非熱分解法シリカを形成する段階であって、前記凝集シリカの平均凝集体サイズが、１マイクロメートル〜２０マイクロメートルであり、前記シリカが重金属を実質的に含まない段階、
前記凝集シリカを揮発性液体中に分散させ、多孔質の非熱分解法シリカの揮発性液体分散体を形成する段階、
前記揮発性液体中に分散されている多孔質の非熱分解法シリカの表面をシランで処理し、シラン処理された表面を有する、多孔質の非熱分解法シリカの揮発性液体分散体を形成する段階、
前記揮発性液体分散体を乾燥させて、フィラーを形成する段階、および
前記フィラーを硬化性樹脂中に分散させ、歯科ペーストを形成する段階、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸、塩基及び溶媒残留物を含む、塩化物含有廃水の精製方法であって、酸性化、その後の抽出、アルカリ性化及びストリッピングにより廃水を処理することを特徴とする方法。
【請求項２】
廃水はポリカーボネートまたはジフェニルカーボネートを製造する界面重縮合法から生じることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルカリ水溶液を用いて有機抽出剤を再抽出し、水性の再抽出物をその後に中和することにより、フェノール化合物を回収することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
好ましい方法は、水酸化ナトリウム水溶液を用いて二段階で再抽出を行うことにある。水酸化ナトリウムの濃度を１〜３０％、好ましくは５〜２０％に回復するための余分の水酸化ナトリウムを添加した、第二抽出工程から取り出した部分ストリームから生ずる水酸化ナトリウム／フェノラート水溶液を用いて、第一抽出工程において上述のように抽出を行う。この段階で生じる部分ストリームをフェノールの回収に直接供給し、第二段階からの水酸化ナトリウム水溶液の対応する量を新たなアルカリ溶液として供給し、余分の水酸化ナトリウムの添加で水酸化ナトリウム濃度を１〜３０％、好ましくは５〜２０％に回復する。第二抽出工程において、１〜３０％、好ましくは５〜２０％の濃度のＮａＯＨを用いて上述のように抽出を行い、取り出される部分ストリームは新たなアルカリ液で置き換えられ、部分ストリームは余分の水酸化ナトリウムの添加で水酸化ナトリウム濃度を１〜３０％、好ましくは５〜２０％に回復し、この（置き換わった）部分ストリームを新たな抽出剤として第一段階に供給する。第一段階から抜き出した部分ストリームとして、濃縮されたフェノラートのアルカリ水溶液を得、これからＨＣｌを用いる簡単な中和により二相を形成し、簡易な分離容器で分離することができる。このような方法で、フェノールを約９０％含む上相を得、これは、合成（例えばジフェニルカーボネート）に再度使用することができるか、ないしは別法では処分することができる。もう一つの相は食塩水溶液から成り、フェノールをわずかに含み、反応廃水にフィードバックされて処理される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
特に断らない限り、本発明の方法における全ての工程を、各場合で使用する溶媒の中で最も低い沸点よりも低い温度で、かつ、常圧下で行う。しかしながら、必要ならば、これらの温度よりも高い温度で、それに応じて調整した圧力で工程を行うこともできる。
以下に、本発明の好ましい態様を記載する。
１．酸、塩基及び溶媒残留物を含む、塩化物含有廃水の精製方法であって、酸性化、その後の抽出、アルカリ性化及びストリッピングにより廃水を処理することを特徴とする方法。
２．廃水はポリカーボネートまたはジフェニルカーボネートを製造する界面重縮合法から生じることを特徴とする上記１に記載の方法。
３．酸性化及び脱気により、炭酸塩を初めに除去することを特徴とする上記１に記載の方法。
４．溶媒を用いる抽出により、フェノール化合物及び他の有機化合物を除去することを特徴とする上記１に記載の方法。
５．反応抽出で塩基を用いる抽出により、酸を除去することを特徴とする上記１に記載の方法。
６．抽出を塔で行うことを特徴とする上記１に記載の方法。
７．アルカリ水溶液を用いて有機抽出剤を再抽出し、水性の再抽出物をその後に中和することにより、フェノール化合物を回収することを特徴とする上記１に記載の方法。
８．再抽出をミキサー−セトラーで行うことを特徴とする上記７に記載の方法。
９．再抽出を向流の原理により行うことを特徴とする上記７に記載の方法。
１０．再抽出を二段階で行うことを特徴とする上記７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロカプセルの摂取時にカロチノイド類を放出する保護コーティングを含む、マイクロカプセルのカロチノイド含有量が約5%〜約20重量%である、一つ以上の結晶性形状のカロチノイド類のマイクロカプセル。
【請求項２】
コーティングが糖又は多価アルコール、デンプン又はデキストリン、及び場合により蛋白質を含む、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項３】
蛋白質がゼラチンを含む、請求項２に記載のマイクロカプセル。
【請求項４】
糖がグルコース、フルクトース、ガラクトース、スクロース、及びラクトースからなる群から選択され、デキストリンがマルトデキストリンであり、多価アルコールがソルビトール及びグリセロールからなる群から選択される、請求項２に記載のマイクロカプセル。
【請求項５】
カロチノイド類が、アクチニオエリスロール、アスタキサンチン、ビキシン、カンタキサンチン、カプサンチン、カプソルビン、β−８’−アポ−カロテナール（アポ−カロテナール）、β−１２’−アポ−カロテナール、α−カロチン、β−カロチン、”カロチン”（α−及びβ−カロチンの混合物）、γ−カロチン、β−クリプトキサンチン、ルテイン、リコピン、ビオレリトリン、ゼアキサンチン、及びそれらのうちヒドロキシル又はカルボキシルを含有するもののエステル類からなる群の一つ以上を含む、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項６】
カロチノイド類が大量の油を含まない結晶性形状のものを含んでなる、請求項５に記載のマイクロカプセル。
【請求項７】
以下のステップ：
(a) カロチノイドを含有する出発原料の循環流を生成するコーティング装置で、カロチノイドを含有する出発原料を循環させること；
(b) 糖、デンプン又はマルトデキストリン、及び場合によりコーティング蛋白質を含む液体コーティング材を調製すること；並びに
(c) 出発原料に保護コーティングを形成するため、循環するカロチノイドを含有する出発原料に液体コーティング材を噴霧すること
を含む、マイクロカプセルの摂取時にカロチノイド類を放出する保護コーティングを有する、一つ以上のカロチノイド類の結晶性形状のマイクロカプセルを形成する方法。
【請求項８】
マイクロカプセルに存在するカロチノイド類の量が、出発原料中のカロチノイド類の量の80%より大きい、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
糖がグルコース、フルクトース、ガラクトース、スクロース、ソルビトール、及びラクトースからなる群から選択され、デンプンがタピオカデンプン、コーンスターチ、じゃがいもデンプン、及びアロールートデンプンからなる群から選択され、蛋白質が牛、豚、及び魚のゼラチンからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スラリー相型フィッシャー−トロプシュ反応器の始動方法であって、
ラインアウト反応器温度よりは低いが、フィッシャー−トロプシュ反応は十分に起こる初期反応器温度のスラリー相型フィッシャー−トロプシュ反応器内に、溶融ろうの初期装填を確立し、前記反応器が、そのラインアウト触媒インベントリーよりも少量の部分触媒インベントリーを、前記溶融ろうと接触した状態で含み、
ラインアウト合成ガス流速よりも低い初期流量の合成ガスを前記反応器に供給し、
最初に、合成ガスＨ２：ＣＯモル比を２：１よりも高い値に維持し、
その後に、前記合成ガスＨ２：ＣＯモル比を１：１から２：１であるそのラインアウト値まで低下させ、そして、
前記合成ガス流速及び前記反応器温度をそれらのラインアウト値まで増大させること、
を含む上記方法。
【請求項２】
前記合成ガスが、前記フィッシャー−トロプシュ反応器の前段の改質段で天然ガスを改質することによって得られた合成ガスであり、前記合成ガスのＨ２：ＣＯモル比の低下が、二酸化炭素を含むガスを前記改質段に再循環させることによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記改質段に再循環される二酸化炭素を含む前記ガスが前記フィッシャー−トロプシュ反応器からの排ガスであり、したがって、方法が外部再循環系を含み、前記反応器に供給される前記合成ガスが、改質された天然ガスと改質された外部再循環ガスとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フィッシャー−トロプシュ触媒が担持型コバルト触媒である、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記初期反応器温度が１８０℃乃至２００℃であり、前記ラインアウト反応器温度が２２０℃乃至２６０℃である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記初期合成ガス流速がそのラインアウト値の３０％ないし７０％である、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記部分触媒インベントリーが前記ラインアウト触媒インベントリーの５％乃至５０％を含んでなり、前記合成ガスのＨ２：ＣＯモル比がそのラインアウト値と同じか、又は少なくともそれに近くなると、前記反応器に触媒をさらに加えて、前記ラインアウト触媒インベントリーを達成することを含む、請求項４から６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
最初に、前記反応器内に、触媒粒子を実質的に含まない清浄な溶融ろうの装填を確立し、
清浄な溶融ろうの前記装填を１５０℃超で１８０℃未満の温度に維持し、
装填容器の中に溶融ろうと触媒粒子とのスラリーを提供し、
溶融ろうと触媒粒子との前記スラリーを前記装填容器から前記反応器に移し、そこでそれを清浄な溶融ろうの前記装填と混合し、そして、
その後に、前記反応器の温度を前記初期反応器温度まで高めること
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反応器が清浄な溶融ろうの前記装填を含む間に、前記反応器を通過してきた合成ガスを、冷却及び圧縮した後に前記反応器に再循環させ、これによって前記再循環合成ガスが内部再循環を構成し、前記反応器温度が１８０℃未満であり、前記反応器が触媒を含まないために、前記再循環合成ガスが実質的に無反応の形態で前記反応器を通過し、外部合成ガスが前記反応器に入らないことを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記内部再循環内の前記合成ガスの流速が、前記フィッシャー−トロプシュ反応の開始前に前記反応器の前記スラリーの中の前記触媒を完全に流動化させるのに十分な流速である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記触媒粒子が最初は、ろうで被覆された触媒粒子の形態を有し、ろうで被覆された前記触媒粒子を前記装填容器に加え、その後に、前記装填容器を加熱して前記触媒粒子を被覆している前記ろうを溶融し、これによって溶融したろうと触媒粒子との前記スラリーを形成することで、前記スラリーが前記装填容器の中に提供される、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記スラリーが前記装填容器から前記フィッシャー−トロプシュ反応器へ圧力差によって移送されるように、前記装填容器を、前記フィッシャー−トロプシュ反応器の圧力よりも約２００ｋＰａ高い圧力まで加圧することを含む、請求項９から１１までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記装填容器を１５０℃を超える温度まで加熱してから、前記装填容器の圧力を一酸化炭素を含むガスを使用して１００ｋＰａ超まで高める、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記内部再循環によって合成ガスを前記反応器に再循環する間であって、前記反応器温度が１８０℃未満である間に、前記部分触媒インベントリーの全量を前記反応器に加える、請求項９から１３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記部分触媒インベントリーの全量に達するまで、前記触媒を前記反応器に一定量ずつ加える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記部分触媒インベントリーの全量を前記反応器に加えた後に、外部合成ガスの前記反応器への供給を開始する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2005517657.tif 000001
式中、
Ｒ１は、７個ないし１１個の環原子を有する１−アザビシクロ［ｍ.ｎ.ｐ］アルキル基であり、
ｍおよびｎは、相互に独立して、２または３であり、
ｐは、１、２または３であり、
ビシクロアルキル基は、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルにより置換されていることもあり、
Ｒ２は、８員ないし１０員のヘテロアリール、ナフチルまたはアズレニルであり、環は、水素、ハロゲン、ホルミル、カルバモイル、シアノ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、ニトロ、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）−アルコキシ、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルチオの群から選択される基により置換されていることもあり、そして、
Ｒ３は、水素または（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルである、
の化合物、およびそれらの塩、溶媒和物および塩の溶媒和物。
【請求項２】
式中、
Ｒ１が１−アザビシクロ［２.２.２］オクト−３−イルであり、
Ｒ２およびＲ３が請求項１で示す意味を有する、
請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式中、
Ｒ１が１−アザビシクロ［２.２.２］オクト−３−イルであり、
Ｒ２が、ベンゾトリアゾリル、ベンゾチオフェニル、キノリニル、ベンゾピラジニルまたはナフチルであり、環は、水素、ハロゲン、シアノ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、ニトロ、（Ｃ１−Ｃ４）−アルキル、（Ｃ１−Ｃ４）−アルコキシ、（Ｃ１−Ｃ４）−アルキルチオの群から選択される１個ないし３個の基により置換されていることもあり、そして、
Ｒ３が水素である、
請求項１または請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１に記載の一般式（Ｉ）の化合物の製造方法であって、一般式（ＩＩ）
Ｒ１−ＣＯ−Ｘ    （ＩＩ）
式中、Ｒ１は上述の意味を有し、そして、
Ｘはヒドロキシルまたは適する脱離基である、
の化合物を、一般式（ＩＩＩ）
ＨＮＲ１Ｒ２    （ＩＩＩ）
式中、Ｒ２およびＲ３は、上述の意味を有する、
の化合物と、不活性溶媒中で、適するならば縮合剤の存在下で、そして、適するならば塩基の存在下で反応させることを特徴とする、方法。
【請求項５】
疾患の処置および／または予防のための、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
少なくとも１の医薬的に許容し得る、本質的に非毒性の担体または賦形剤と混合された請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の少なくとも１の化合物を含む、医薬。
【請求項７】
知覚力、集中力、学習力および／または記憶力の改善用の組成物を製造するための、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の化合物の使用。
【請求項８】
知覚力、集中力、学習力および／または記憶力の障害の処置および／または予防用の薬剤を製造するための、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の化合物の使用。
【請求項９】
知覚力、集中力、学習力および／または記憶力の障害を処置および／または予防するための、請求項６に記載の薬剤。