【事件の表示】
　特願２００６−３３６６３３「有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２８日出願公開、特開２００７−１６５３１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　　特許出願　　　　　　：平成１８年１２月１４日  
　（パリ条約に基づく優先権主張の日：平成１７年１２月１４日、韓国）
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　７月１５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１０月２０日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　７月２７日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年１１月　４日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年１１月　４日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　５月３０日（起案日）
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　８月１９日  
　　　　　  
第２　平成２２年１１月４日付け手続補正についての補正の却下の決定  
〔補正の却下の決定の結論〕  
　平成２２年１１月４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
 　  　　
〔理由〕  
１　本件補正の目的 
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、その補正は、平成２１年１０月２０日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　基板と；
　前記基板上に位置し、かつ金属を含むアノードと；
　前記アノード上に位置する金属フッ化膜と；
　前記金属フッ化膜上に位置し、かつ少なくとも有機発光層を含む有機膜層と；
　前記有機膜層上に位置するカソードと；
　を含み、
　前記アノードは反射電極であり、
　前記金属フッ化膜は、１〜１．５ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする、有機電界発光素子。」
　を引用する請求項４の、
「【請求項４】
　前記金属は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＳｎよりなる群から選ばれた１つを使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。」 
　なる記載を、 
　本件補正後の請求項１の、 
「【請求項１】
　基板と；
　前記基板上に位置し、かつ金属を含むアノードと；
　前記アノード上に位置する金属フッ化膜と；
　前記金属フッ化膜上に位置し、かつ少なくとも有機発光層を含む有機膜層と；
　前記有機膜層上に位置するカソードと；
　を含み、
　前記アノードは反射電極であり、５００〜２０００Åの厚さで形成され、
　前記金属フッ化膜は、１〜１．５ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする、有機電界発光素子。」
　を引用する請求項４の、
「【請求項４】
　前記金属は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＳｎよりなる群から選ばれた１つを使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。」
　という記載にすることを含むものである。 
 　 
　本件補正後の請求項１を引用する請求項４に係る補正は、平成２１年１０月２０日付け手続補正により補正された請求項１を引用する請求項４について、「アノード」の厚みを「５００〜２０００Åの厚さで形成され」るものと限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。  
 　  
　そこで、本件補正後の請求項１を引用する請求項４に係る発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
 　　　　　 
２　本件補正発明  
　本件補正発明は、上記「１　本件補正の目的」で検討した、本件補正後の請求項１を引用する請求項４に記載のとおりのものである。  
 　 　　 
３　引用例  
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−７７６８１号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
（１ａ）「【００１４】［第１の実施の形態］図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構造を表すものである。この有機電界発光素子１０は、極薄型の有機ＥＬディスプレイ装置などに用いられるものであり、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、陽極１２、正孔注入用薄膜層１３、絶縁層１４，有機層１５、および陰極１６がこの順に積層された構造とされている。なお、陰極１５の上には、図示しないパッシベーション膜が形成され、さらに全体が図示しない封止基板により封止されている。
【００１５】陽極１２は、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が例えば２００ｎｍであり、銀または銀を含む合金により構成されている。銀は金属の中で最も反射率が高く、陽極１２における光の吸収損失を小さくすることができるからである。なお、陽極１２を銀により構成するようにすれば反射率を最も高くすることができるので好ましいが、銀と他の金属との合金により構成するようにすれば、化学的安定性および加工精度を高めることができると共に、基板１１および正孔注入用薄膜層１３との密着性も向上させることができるので好ましい。銀は非常に反応性が高く、加工精度および密着性も低いなど、極めて取り扱いが難しいからである。
【００１６】合金における銀の含有量は５０質量％以上とすることが好ましい。反射率を十分に高くすることができるからである。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）とを含む合金が好ましく挙げられる。この合金におけるパラジウムおよび銅の含有量は、それぞれ例えば０．３質量％〜１質量％の範囲内であることが好ましい。このような範囲内において、反射率を十分に高くしつつ、加工精度，化学的安定性および密着性を高くすることができるからである。
【００１７】正孔注入用薄膜層１３は、有機層１５への正孔注入効率を高めるためのものであり、陽極１２よりも仕事関数の高い材料により構成されている。また、正孔注入用薄膜層１３は、陽極１２を構成する銀あるいは銀を含む合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、陽極１２を形成した後の製造工程においても陽極１２がダメージを受けることを緩和するという保護膜としての機能も有している。正孔注入用薄膜層１３を構成する材料としては、例えば、クロム，ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），モリブデン（Ｍｏ），白金（Ｐｔ）あるいはシリコン（Ｓｉ）などの金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金、またはこれら金属あるいは合金の酸化物あるいは窒化物、またはＩＴＯなどの透明導電性材料が挙げられる。正孔注入用薄膜層１３の厚みは、構成材料の光の透過率と導電率とに応じて決定することが好ましい。例えば、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3） などの導電率のあまり高くない酸化物や窒化物により構成する場合は薄い方が好ましく、例えば５ｎｍ程度とされることが好ましい。また、導電率が高く透過率が低い金属により構成する場合にも薄い方が好ましく、例えば数ｎｍとされることが好ましい。一方、導電率、透過率ともに高いＩＴＯにより構成する場合には数ｎｍ〜数十ｎｍ程度まで厚くすることが可能である。
・・・（中略）・・・
【００１９】有機層１５は、有機材料よりそれぞれなる正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂおよび発光層１５Ｃが陽極１２の側からこの順に積層された構造を有している。正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂは発光層１５Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは電流の注入により光を発生するもので、絶縁層１４の開口部１４Ａに対応した領域で発光するようになっている。」
（１ｂ）図１
　　　　　　
〔引用例に記載された発明〕　  
　これらの記載事項からして、引用例１には、  
「基板１１と、
　基板１１の上に設けられた、銀又は銀を含む合金により構成されている陽極１２と、
　陽極１２の上に設けられた、有機層１５への正孔注入効率を高めるために、陽極１２よりも仕事関数の高い材料により構成されている正孔注入用薄膜層１３と、
　正孔注入用薄膜層１３の上に設けられた、発光層１５Ｃを含む有機層１５と、
　有機層１５の上に設けられた、陰極１６とを有し、
　陽極１２は、反射率が高い銀又は銀を含む合金で構成されているため、光の吸収損失が小さくなっており、積層方向の厚みが２００ｎｍである有機電界発光素子１０」 
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　　　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２０００−１５０１７２号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
（２ａ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明は、陽極と陰極の間に、有機発光体を含有する有機発光層が設けられている有機ＥＬ表示素子において、前記陽極の表面部中に、窒素（Ｎ）、イオウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、リン（Ｐ）及びハロゲン元素より選ばれた少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。
【０００８】前記陽極の材料は、高仕事関数を有する、金属、導電性酸化物、半導性又は絶縁性の酸化物を使用するのが好ましい。高仕事関数を有する材料とすることにより、素子の印加電圧を低くでき、また耐久性が向上する。例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属、ＳｎＯ2：Ｓｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｉｎ2Ｏ3-ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3Ｓｎ、Ｇａ2Ｏ3：Ｓｎ等の導電性酸化物、ＶＯx（１≦Ｘ≦２）、ＲｕＯx（１≦Ｘ≦3/2）、ＳｉＯx（１≦Ｘ≦２）、ＴｉＯx（１≦Ｘ≦２）等の酸化物を挙げることができる。特に、非晶質酸化物は、その表面粗さ（中心線平均粗さＲａ）を0.1〜20nmとすることができるので好ましい
【０００９】その他の好ましい具体例は、非晶質炭素、ダイヤモンドライク・カーボン（ＤＬＣ）、ｐ型ダイヤモンド、等である。前記ハロゲン元素の具体例は、フッ素（Ｆ）、塩素（Cl）、臭素（Ｂr）、ヨウ素（Ｉ）である。」
（２ｂ）「【００１１】本発明の第３発明に係る有機ＥＬ表示素子は、第１又は第２発明において前記陽極の表面部の厚さが0.1〜10.0nmであることを特徴とする。前記陽極の表面部の厚さが0.1nm未満では、フッ素、窒素等の添加効果が不充分となる。逆に、表面部の厚さが10.0nmを超えると、フッ素、窒素等が添加された部分の膜厚が厚いため、この添加部分が絶縁化していることもあり、電荷の注入が阻害される。また、添加部分が10.0nmを超えた場合、高エネルギーのプラズマなどで添加処理することになるので、添加部分の膜の凹凸により素子が短絡する虞れがある。」
（２ｃ）「【００１５】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示素子を、その製造方法と共に説明する。先ず、図１に示すように、透明基板11上に陽極12を形成する。この陽極12は、高仕事関数を有する、金属、導電性酸化物、半導性又は絶縁性酸化物よりなる。次に、この陽極12が形成された基板11をプラズマ処理装置（図示せず）内にセットし、窒素、イオウ、セレン、テルル、リン及びハロゲン元素より選ばれた少なくとも１種の元素をプラズマ化して前記陽極12の表面を処理する。この処理によって、窒素、イオウ、セレン、テルル、リン及びハロゲン元素より選ばれた少なくとも１種の元素が含まれた陽極12の表面部13が形成される。
【００１６】次に、図２に示すように、この陽極12上に有機発光体を含有する有機発光層14を形成した後、この有機発光層14上に陰極15を形成する。なお、本実施形態では、フッ素、窒素等の元素をプラズマ化して陽極表面を処理したが、プラズマ化の代わりに、イオン化又はラジカル化して陽極表面を処理してもよい。
【００１７】
【実施例】〔実施例１〕Ｉｎ、Ｓｎの酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｓｎ：８mol％）をガラス基板上に製膜し、これを陽極付きの基板とした。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏは導電性酸化物である。次に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ膜を有する基板をプラズマ処理装置にセットし、ＣＦ4ガスをプラズマ源として出力70Ｗ（１W/cm2）でプラズマ化し、この基板を20秒間処理した。この基板をＸ線光電子分光装置（ＸＰＳ）で分析した結果、表面深さ1nmの範囲にフッ素が1018cm3の濃度で含まれていることが判明した。また、この基板を光電子分光装置〔理研精器（株）製ＡＣ−１型〕にセットし、大気圧下でイオン化エネルギーを計測した結果、5.58ｅＶと高仕事関数であった。」
 　　　　  
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１２３９８９号公報（以下「引用例３」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
（３ａ）「【００１７】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、図１に示すように、基板７に、陽極６、ホール輸送層４、有機発光層３、電子輸送層２、陰極１をこの順に積層して設けた構造に形成されるものである。そして、陽極６に正電圧を、陰極１に負電圧を印加すると、電子輸送層２を介して有機発光層３に注入された電子と、ホール輸送層４を介して有機発光層３に注入されたホールとが、有機発光層３内にて再結合して発光が起こるものである。
【００１８】ここで本発明では、陽極６の表面をハロゲンで処理することによって、陽極６の表面にハロゲンで処理された層５を形成し、陽極６の仕事関数を大きくするようにしたものであり、陽極６からのホール注入効率を高めて、素子駆動電圧の低電圧化を達成することができるものである。
【００１９】このように陽極６をハロゲンで処理して陽極６の仕事関数を大きくするにあたって、本発明では、陽極６の表面の仕事関数が処理前の仕事関数よりも０．５ｅＶ以上大きくなるようにするのが好ましい。陽極６の仕事関数が０．５ｅＶ以上大きくなっていないと、陽極６の仕事関数を大きくすることによってホールの注入効率を高める効果が不充分になり、素子駆動電圧の低電圧化の目的を十分に達成することができない。陽極６の仕事関数は大きいほど望ましいので、仕事関数を大きくすることの上限は特に設定されないが、ハロゲンによる処理によって陽極６の仕事関数を大きくすることには限界があるので、仕事関数を大きくすることの実質的な上限は１．３ｅＶ程度である。
【００２０】陽極６の処理に用いるハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができ、これらは一種を単独で用いる他に、二種以上を混合して用いることもできる。また陽極６をハロゲンで処理する方法としては、ハロゲンを含有する溶液に陽極６を所定時間浸漬したり、その蒸気に所定時間さらしたりする方法、液状のハロゲンに陽極６を所定時間浸漬した後に乾燥する方法、ハロゲンガスに陽極６を所定時間曝す方法、ハロゲンガスの存在下で陽極６をプラズマ処理する方法などを採用することができる。ハロゲンによる処理時間は、使用するハロゲンの種類、処理方法などによって異なるが、通常、１秒から１時間程度である。
【００２１】陽極６の仕事関数を大きくするために酸処理を行なう場合は既述のように、陽極６の表面がエッチングされて陽極６の表面形状が乱れるおそれがあり、有機エレクトロルミネッセンス素子の特性や寿命に悪影響を与えることがあるが、本発明のようなハロゲンによる処理では、陽極６の表面形状に殆ど影響を与えることがなく、酸でエッチングされ易い材料、例えばＩＺＯなどを陽極６に用いた場合にも、所望の性能を発揮させることが容易になるものである。また、陽極６をハロゲンで処理して陽極６の表面にハロゲンで処理された層５を設けた状態で、この上に有機発光層３等を形成することができるものであり、陽極６をハロゲンで処理した後に水や有機溶剤によって洗浄を行なう必要はない。従って、陽極６をハロゲンで処理した後、水や有機溶剤による洗浄を行なわずに、この上に有機発光層３等を形成する加工を行なって有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することによって、陽極６の表面に有機溶剤などによる残留炭素等の汚れが残ることを極小化することができ、陽極６の仕事関数を大きくする効果を高く得ることができるものである。」
（３ｂ）「【００２４】まず、陽極６は上記のように素子中にホールを注入するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が４ｅＶ以上のものを用いるのがよい。このような陽極６の材料として具体的には、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＺＯ等の導電性透明材料を挙げることができる。陽極６は、これらの電極材料を、ガラスや透明樹脂等などの透明材料で形成される基板７の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により薄膜に形成することによって作製することができるものである。また、有機発光層３における発光を陽極６を透過させて外部に照射する場合には、陽極６の光透過率を１０％以上の透明電極に形成することが好ましい。さらに、陽極６のシート抵抗は数百Ω／□以下とすることが好ましく、特に好ましくは１００Ω／□以下とするものである。ここで、陽極６の膜厚は、陽極６の光透過率、シート抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、５００ｎｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲に設定するのがよい。」
　　　　　　
４　本件補正発明と引用発明との対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
 　 　　　 
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「基板１１」、「銀又は銀を含む合金により構成されている陽極１２」、「発光層１５Ｃ」、「有機層１５」、「陰極１６」及び「有機電界発光素子１０」はそれぞれ、本件補正発明の「基板」、「金属を含むアノード」、「有機発光層」、「有機膜層」、「カソード」及び「有機電界発光素子」に相当する。  
 　 　　　 
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「陽極１２は、反射率が高い銀又は銀を含む合金で構成されているため、光の吸収損失が小さくなっており、積層方向の厚みが２００ｎｍである」ことは、本件補正発明の「アノードは反射電極であり、５００〜２０００Åの厚さで形成され」ることに相当する。  
　　　　
＜対応関係Ｃ＞
　本願明細書の段落【００４３】〜【００４４】の記載、
「【００４３】
  したがって、本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光素子では、反射特性があるアノードの仕事関数を高めるために、アノードの上部に表面処理を行う。ここで、アノード３８０の表面処理は、例えば、フッ素を含むＣＦ３またはＳＦ６を用いてプラズマ法で表面処理を行うことが好ましい。
【００４４】
  例えば、アノード３８０にフッ素を含むＣＦ３またはＳＦ６を用いてプラズマ法で表面処理を行う場合には、アノード３８０の表面に金属フッ化膜３８５が形成される。・・・（後略）」
　によれば、本件補正発明の「金属フッ化膜」は、アノードの仕事関数を高めるための薄膜である。
　そうすると、引用発明の「陽極１２よりも仕事関数の高い材料により構成されている正孔注入用薄膜層１３」と、本件補正発明の「金属フッ化膜」とは、アノードの「仕事関数を高めるための薄膜」である点で共通する。
　　　　　　　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「陽極１１は、反射率が高い銀又は銀を含む合金で構成されている」ことは、本件補正発明の「金属は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＳｎよりなる群から選ばれた１つを使用すること」に相当する。
　　　　　　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、  
「基板と；
　前記基板上に位置し、かつ金属を含むアノードと；
　前記アノード上に位置する仕事関数を高めるための薄膜と；
　前記仕事関数を高めるための薄膜上に位置し、かつ少なくとも有機発光層を含む有機膜層と；
　前記有機膜層上に位置するカソードと；
　を含み、
　前記アノードは反射電極であり、５００〜２０００Åの厚さで形成され、
　前記金属は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＳｎよりなる群から選ばれた１つを使用する、有機電界発光素子。」
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
 　　  
（相違点） 
　「アノード上に位置する仕事関数を高めるための薄膜」に関して、本件補正発明は「１〜１．５ｎｍの厚さで形成される」「金属フッ化膜」であるのに対して、引用発明はそのような限定を有さない点。 
　　　　　
５　検討・判断  
（１）相違点の容易想到性について
　上記相違点について検討する。  
　上記摘記事項（２ａ）〜（３ｂ）によると、引用例２，３には、有機電界発光素子において、金属からなるアノード（陽極）の表面をフッ素で処理することにより、表面部にフッ素を含む薄い膜（層）を形成しアノードの仕事関数を高めて正孔（ホール）の注入効率を高める技術が記載されている。また、上記摘記事項（２ｂ）〜（２ｃ）によると、引用例２には、フッ素を添加する表面部の厚さが０．１〜１０．０ｎｍ程度が好ましいこと、（処理対象は金属酸化物であるが）実際に、表面深さ１ｎｍの範囲にフッ素を添加することで仕事関数を高くすることが可能であったことが教示されている。
　ここで、引用発明と引用例２，３に記載された技術とは共に、有機電界発光素子の技術分野に属し、かつ、金属からなるアノードの上にアノードの仕事関数を高めるための薄い膜（層）を設けるという共通の技術思想を有するものであるから、引用発明の「陽極１２よりも仕事関数の高い材料により構成されている正孔注入用薄膜層１３」を設けるために、引用例２，３に記載された技術を採用（置換）することは、当業者であれば容易に想到することである（上記摘記事項（３ｂ）で「陽極６は・・・仕事関数が４ｅＶ以上のものを用いるのがよい」とされているのに対して、引用発明の「銀」は仕事関数が４以上のものである（４．２６ｅＶ程度。例えば、国際公開２００４／０５４３２６号（明細書第１４頁第２９行等）を参照されたい。）から、引用発明の材質に引用例２，３に記載の技術を適用することに阻害要因も存在しない。）。
　また、その際に、引用例２の上記教示に基づいて、フッ素を添加する表面部の厚さとして１ｎｍ程度を選択することは格別のことではない。仮に、金属酸化物における厚さ１ｎｍを金属の場合にそのまま適用しないとしても、０．１〜１０．０ｎｍの範囲内から、実験等で好ましい範囲を見出すことは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。
　そうすると、引用発明に引用例２，３に記載された技術を採用することで上記相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　　　　
（２）本件補正発明の作用効果について
　本願明細書の段落【００４５】に、
「【００４５】
  ここで、金属フッ化膜３８５の厚さは、例えば、１〜１．５ｎｍの厚さで形成することが好ましい。金属フッ化膜３８５の厚さが１ｎｍ以下の場合、注入された電荷がトンネリングをすることができない。また、１．５ｎｍ以上の場合、注入された電荷がトンネリングをすることはできるが、駆動電圧が上昇してしまうという問題点が発生する。」
　とあるが、金属フッ化膜の性質は、表面処理によって導入されるフッ素濃度、膜の物理的状態（表面処理で生じた膜の凹凸等）及びベースとなる金属種別等に依存するものであるから、単に膜厚を「１〜１．５ｎｍ」とするだけで、上記記載の作用効果が必ず奏される訳ではないから、当該作用効果が本件補正発明の奏する格別の作用効果であるとは認められない（なお、導入されるフッ素濃度によっては絶縁膜とはならないので、当然、本件補正発明には、電荷がトンネリングによらずに伝導可能なものも包含されている。）。
　さらに、本願明細書を参照しても、「１〜１．５ｎｍ」の範囲について実験的に臨界的な技術的意義が確認されている訳でもなく、格別の作用効果を奏するものとは認められない。厚さが増加すると駆動電圧が上昇してしまうとされているが、例えば、１．５ｎｍと１．６ｎｍとで顕著な差が現れるとは考えられないし、仮に、１．５ｎｍと１０ｎｍとであっても、上昇する電圧幅が極端に大きくなければ十分に実用可能であるから、作用効果に格別の相違は認められない。
　よって、本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明及び引用例２，３に記載された技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　　　
（３）まとめ 
　よって、本件補正発明は、当業者が、引用発明及び引用例２，３に記載された技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
 　  　
６　本件補正の却下の決定についてのむすび  
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　　　　 
〔平成２３年８月１９日付け回答書における主張について〕
　請求人は回答書において、特許法第１５９条第２項の規定に基づく補正の機会を求める旨の主張をしている。
　しかし、上述の補正の却下の決定の理由は、審査官が平成２１年７月１５日付け拒絶理由通知の「理由３」「＜請求項４＞」で示した引用文献１，２，５に基づく拒絶の理由と同趣旨のものであり、かつ、平成２２年７月２７日付け拒絶査定の備考欄において、（請求項１以外の）「他の請求項については、上記拒絶理由通知書で示した理由を参照されたい。」とされているから、当該拒絶の理由が撤回されたという事実もない。
　そうすると、上記補正の却下の決定の理由は、原審の査定の理由と異ならないから、請求人の上記主張を採用することはできない。
　　　　　
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成２２年１１月４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１０月２０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の、
「【請求項１】
　基板と；
　前記基板上に位置し、かつ金属を含むアノードと；
　前記アノード上に位置する金属フッ化膜と；
　前記金属フッ化膜上に位置し、かつ少なくとも有機発光層を含む有機膜層と；
　前記有機膜層上に位置するカソードと；
　を含み、
　前記アノードは反射電極であり、
　前記金属フッ化膜は、１〜１．５ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする、有機電界発光素子。」
　を引用する請求項４の、
「【請求項４】
　前記金属は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＳｎよりなる群から選ばれた１つを使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。」 
　で特定されるとおりのものと認める。 
 　　　　 
２　引用例  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「３　引用例」に記載したとおりである。  
 　  
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断  
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」「１　本件補正の目的」で検討した本件補正発明の発明特定事項から、「アノード」の厚みを「５００〜２０００Åの厚さで形成され」ると限定する事項を省いたものに相当するから、本願発明と引用発明とは、上記「第２」「〔理由〕」「４　本件補正発明と引用発明との対比」で述べた本件補正発明と引用発明との一致点（「アノード」の厚みを「５００〜２０００Åの厚さで形成され」るとする点を除く。）で一致し、上記「相違点」で相違する。 
　そして、上記「第２」「〔理由〕」「５　検討・判断」に記載したとおり、引用発明に引用例２，３に記載された技術を採用することにより、上記「相違点」に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。  
　してみると、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２，３に記載された技術に基いて容易に発明をすることができたものである。　  
 　　　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
よって、結論のとおり審決する。