Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】伝導路のトルクトランスデューサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固定ハウジングによって少なくとも一部包囲され、このハウジングに対し固定された回転軸線を有する回転軸を具え、この回転軸は捩じりに対して柔軟な継手によって連結された第１、及び第２のほぼ剛強なトルク入力部材を具え、前記継手は前記軸のトルクの大きさの関数として前記第２のトルク入力部材に対する前記第１のトルク入力部材の角度変形が可能であり、更に、１個、又はそれ以上の数の電磁放射源と、電磁放射検知検出器の１個、又はそれ以上の数のアレーと、前記第１のトルク入力部材に取り付けられた第１の格子素子と、前記第２のトルク入力部材に取り付けられた第２の格子素子とを具え、電磁放射に対して高透過性、及び低透過性の交互の領域から成る格子帯域をそれぞれ前記第１、及び第２の格子素子が有するトルクトランスデューサにおいて、いずれかの電磁放射源からいずれかのアレーまで電磁放射を通す伝導路内に１個の格子素子の唯１個の格子帯域が存在し、アレーまでの１個、又はそれ以上の数の伝導路内にある１個、又はそれ以上の数の格子帯域の高透過率、及び低透過率の交互の領域に起因し、１個、又はそれ以上の数の各アレー上に、入射電磁放射によってパターンを生じ、前記１個、又はそれ以上の数のアレー上の単数、又は複数個の前記パターンをプロセッサによって処理して、前記第１、及び第２のトルク入力部材の相対角度変形値を得て、前記軸のトルクの大きさの測定値を得ることを特徴とするトルクトランスデューサ。
【請求項２】  前記格子素子の少なくとも１個は電磁放射に対し実質的に透明な媒体を更に具え、いずれかの電磁放射源からいずれかのアレーまでの電磁放射を通す伝導路はそれぞれの電磁放射源で始まり、前記媒体の第１境界を通り、前記媒体に光学的に通り、次にこの媒体の第２境界を出て、それぞれの前記アレーで終わる通路から成り、前記格子帯域は前記第１、及び第２の境界のいずれかとインタフェイス関係にある請求項１に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項３】  前記トランスデューサは２個の伝導路を具え、各伝導路は別個の電磁放射源で始まり、それぞれの格子帯域を通って、共通のアレーで終わるものである請求項１に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項４】  前記第１境界が前記軸の前記回転軸線に対しほぼ半径方向に配置されており、それぞれの前記電磁放射源によって放出される電磁放射は前記軸の前記回転軸線に平行なほぼ軸線方向に放出されている請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項５】  前記第１境界が前記軸の前記回転軸線に同軸の中心軸線を有するほぼ円筒形をなし、それぞれの前記電磁放射源によって放出される電磁放射は前記軸の前記回転軸線に垂直なほぼ半径方向に放出されている請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項６】  少なくとも１個の格子帯域は高透過率、又は低透過率の特徴、即ち付加的領域を有し、その生じたパターンも処理して、それぞれの格子素子を取り付けた前記トルク入力部材の絶対角度位置を得るようにした請求項１に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項７】  前記アレーは１次元、又は２次元のアレーと、電荷結合素子、超大規模集積回路視覚チップ、又は側方効果フォトダイオードを具える請求項１に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項８】  前記透明な媒体がポリマー、又はガラスから成る請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項９】  前記格子帯域が前記第１境界、又は第２境界上の金属コーティングを具える請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項１０】  前記格子帯域が前記第１境界、又は第２境界上に写真平板プロセスにより被着されたコーティングを具える請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【請求項１１】  前記格子帯域が前記媒体の物理的、又は化学的変更部を具える請求項２に記載のトルクトランスデューサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】組換えＤＮＡ技術を使用して調製される組合せポリペプチドであって、配列番号５７、配列番号５３、配列番号５５および配列番号３５のペプチドを含む、組合せポリペプチド。
【請求項２】前記組合せポリペプチドが、ペプチド間にＧｌｙ−Ｃｙｓ−Ｇｌｙ結合をさらに含む、請求項１に記載の組合せポリペプチド。
【請求項３】生物学的サンプル中のＴ．ｃｒｕｚｉ感染を検出するための方法であって、以下：
（ａ）該生物学的サンプルを、請求項１または２に記載の組合せポリペプチド、あるいは保存的置換および／または改変のみが異なる該ポリペプチドの改変体と接触させる工程；ならびに
（ｂ）該生物学的サンプル中の、請求項１または２に記載の組合せポリペプチドに結合する抗体の存在を検出し、そこから該生物学的サンプル中のＴ．ｃｒｕｚｉ感染を検出する工程、
を包含する、方法。
【請求項４】前記生物学的サンプルが、血液、血清、血漿、唾液、脳脊髄液、および尿からなる群より選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】前記組合せポリペプチドが固体支持体に結合される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】前記固体支持体が、ニトロセルロース、ラテックス、およびプラスチック材料からなる群より選択される材料を含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月8日(2006.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの信頼できる当事者ＣＡおよび少なくとも１つの加入者エンティティＡを有する保護されたディジタル通信システムで公開鍵を生成する方法であって、
（ａ）各加入者エンティティＡについて、前記信頼できる当事者ＣＡが、前記加入者エンティティＡを区別する一意のアイデンティティＩＡを選択するステップと、
（ｂ）前記信頼できる当事者ＣＡが、前記信頼できる当事者ＣＡと前記加入者エンティティＡとのそれぞれの私的な値（private value）から得られた公開値を数学的に組み合わせて加入者エンティティＡの公開鍵再構成公開データγＡを生成し、前記加入者エンティティＡの内在的証明書（implicit certificate）として働く対（ＩＡ、γＡ）を得るステップと、
（ｃ）数学関数Ｆ（γＡ、ＩＡ）に従って前記内在的証明書情報（ＩＡ、γＡ）を組み合わせてエンティティ情報ｆを導出するステップと、
（ｄ）前記エンティティ情報ｆを前記信頼できる当事者ＣＡの私的な値（private value）でバインドすることによって値ｋＡを生成し、前記値ｋＡを前記加入者エンティティＡに送信し、前記加入者エンティティＡが、前記値ｋＡ、前記加入者エンティティＡの私的な値、および前記内在的証明書から秘密鍵を生成することを可能にするステップと
を備え、
これによって、前記加入者エンティティＡの公開鍵が、公開情報、前記公開鍵再構成公開データγＡ、および前記アイデンティティＩＡから再構成されることできることを特徴とする公開鍵の生成する方法。
【請求項２】  前記数学関数Ｆは、安全なハッシュ関数であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記加入者エンティティＡの前記私的な値は、前記加入者エンティティＡで利用可能に形成され、前記私的な値から得られたその対応する公開値は、前記信頼できる当事者ＣＡで利用可能にされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記ステップ（ｂ）で数学的に組み合わせることは、乗算することであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記信頼できる当事者ＣＡの私的な値は、秘密鍵と整数値を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ステップ（ｂ）で使用される前記公開値の１つは、前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵に対応することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記値ｋＡは、前記エンティティ情報ｆに前記整数を乗算すること、およびその結果に前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵を加算することによって、計算されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記値ｋＡは、前記エンティティ情報ｆに前記整数を乗算すること、およびその結果に前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵を加算することによって、計算されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】  保護されたディジタル通信システムで、加入者エンティティＡの公開鍵の生成を許可するために、信頼できる当事者ＣＡによって生成される証明書であって、
前記証明書は、前記加入者エンティティＡを区別する一意のアイデンティティＩＡ、および前記信頼できる当事者ＣＡと前記加入者エンティティＡとのそれぞれの私的な値から得られた公開値を数学的に組み合わせることによって生成された、前記加入者エンティティＡの公開鍵再構成公開データγＡを備え、
前記公開鍵は、公開情報と前記証明書内の情報とから生成され、
前記公開鍵は、前記加入者エンティティＡによって、値ｋＡ、前記加入者エンティティＡの私的な値、および証明書情報から生成される秘密鍵に対応し、
前記値ｋＡは、エンティティ情報ｆを前記信頼できる当事者ＣＡの私的な値でバインドすることによって、前記信頼できる当事者ＣＡによって生成され、
前記エンティティ情報ｆは、前記証明書情報内の情報を数学的関数にしたがって結合することによって取り出される
ことを特徴とする証明書。
【請求項１０】  前記数学関数は、安全なハッシュ関数であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記加入者エンティティＡの私的な値は、前記加入者エンティティＡで利用可能に形成され、前記私的な値から得られたその対応する公開値は、前記信頼できる当事者ＣＡで利用可能にされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記信頼できる当事者ＣＡと前記加入者エンティティＡのそれぞれの私的な値から得られた公開鍵を数学的に組み合わせることは、乗算することであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  前記信頼できる当事者ＣＡの私的な値は、秘密鍵と整数値を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  前記信頼できる当事者ＣＡと前記加入者エンティティＡとのそれぞれの私的な値から得られた前記公開値の１つは、前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵に対応することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記値ｋＡは、前記エンティティ情報ｆに前記整数を乗算すること、およびその結果に前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵を加算することによって、計算されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】  前記値ｋＡは、前記エンティティ情報ｆに前記整数を乗算すること、およびその結果に前記信頼できる当事者ＣＡの前記秘密鍵を加算することによって、計算されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  放電ランプとして使用するための積層構造ガラス容器であって、一体化されて、実質的にいかなる封止材料もない、単一ガラス容器体を形成する前面及び背面を有し、１.０ｇ/ｃｍ２以下の重量対面積比を示す積層構造ガラス容器において、
該積層構造ガラス容器内に封じられたガス放電チャンネル、および
前記ガス放電チャンネル内で放電を駆動するための、該ガス放電チャンネルと連絡しかつその各端に位置する２つの外部電極、
を備え、
前記外部電極の各々が、前記容器体と一体成形され、導電性媒体でコーティングされた電極面を含むことを特徴とする積層構造ガラス容器。
【請求項２】  前記外部電極が、１００ｋＨｚから１０００ｋＨｚの動作周波数で効率的な結合を可能にする電極面積及び電極ガラス厚さを含むことを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項３】  前記電極面積が６.５４ｃｍ２から２５.８１ｃｍ２の範囲にあることを特徴とする請求項２記載の積層構造ガラス容器。
【請求項４】  前記電極ガラス厚さが０.５ないし１.５ｍｍであることを特徴とする請求項２記載の積層構造ガラス容器。
【請求項５】  前記電極面が１つの細長いレセプタクルとして形成されることを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項６】  前記電極面が複数の隣接する円形レセプタクルとして形成されることを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項７】  前記積層構造容器がホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、ホウ酸−アルミノ珪酸ガラス及びソーダ−ライム珪酸ガラスからなる群から選ばれるガラスからつくられることを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項８】  前記ガス放電チャネルが排気され、ネオン、キセノン、クリプトン、アルゴン、ヘリウム、及びこれらのガスの水銀との混合気からなる群から選ばれるイオン化可能なガスで再充填されることを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項９】  前記イオン化可能なガスが５〜６Ｔｏｒｒ（約６６６.６〜７９９.９Ｐａ）の圧力にあるネオンであることを特徴とする請求項８記載の積層構造ガラス容器。
【請求項１０】  前記導電性媒体が、導電テープ、導電インク、導電コーティング、導電性フィラーを含有するフリット、及び導電性エポキシからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項１１】  前記導電性コーティングが酸化インジウム−スズであることを特徴とする請求項１０記載の積層構造ガラス容器。
【請求項１２】  前記酸化インジウム−スズが前記電極表面に、スパッタリング、蒸着、化学的成長及びイオン注入からなる群から選ばれる工程により施されることを特徴とする請求項１１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項１３】  前記積層構造ガラス容器が複数のガス放電チャンネルを含むことを特徴とする請求項１記載の積層構造ガラス容器。
【請求項１４】  放電ランプとして使用するための積層構造ガラス容器であって、一体化されて、実質的にいかなる封止材料もない、単一ガラス容器体を形成する前面及び背面を有し、１.０ｇ/ｃｍ２以下の重量対面積比を示す積層構造ガラス容器において、
前記積層構造ガラス容器内に封じられた、蛇行形状を有するガス放電チャンネル、および
前記ガス放電チャンネル内で放電を並行に駆動するための、蛇行した前記ガス放電チャンネルと連絡しかつその平行な区画に位置する複数の外部電極、
を備え、
前記外部電極の各々が、前記容器体と一体成形され、導電性媒体でコーティングされた電極面を含むことを特徴とする積層構造ガラス容器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）以下の式
【化１】
2002508576.tif 000001
（式中、ＸはＳＯ2またはＣ（Ｏ）であり、Ｒfは、弗素原子、パーフルオロアルキル基がカテナリーヘテロ原子によって割り込まれているか、あるいは割り込まれていない炭素原子数１〜１２の直鎖または分岐非環式パーフルオロアルキル基または炭素原子数３〜１２の環式パーフルオロアルキル基であり、Ｒ’fは、環式部分を含むことが可能であると共に、カテナリーヘテロ原子によって割り込まれているか、あるいは割り込まれていない炭素原子数１〜１２の直鎖または分岐パーフルオロアルキレン基であり、Ｒhは、カテナリーヘテロ原子によって割り込まれている炭素原子数２〜１８の直鎖または分岐脂肪族基、炭素原子数４〜１８の直鎖または分岐脂肪族または脂環式基、置換または非置換芳香族基および反応性基から成る群から選択され、Ｒ’hは二価有機基であり、Ｍn+は原子価ｎのカチオンである）
のイミド塩と
（ｂ）マトリックス材料と
を含む電池電解質。
【請求項２】  Ｒfが
【化２】
2002508576.tif 000002
である、請求項１に記載の電解質。
【請求項３】  Ｒf’が
【化３】
2002508576.tif 000003
である、請求項１に記載の電解質。
【請求項４】  Ｒhが窒素、酸素および硫黄から成る群から選択されるヘテロ原子によって割り込まれている炭素原子数２〜８の直鎖または分岐脂肪族基である、請求項１に記載の電解質。
【請求項５】  Ｒhが
【化４】
2002508576.tif 000004
である、請求項１に記載の電解質。
【請求項６】  Ｒhが重合性基である反応性基である、請求項１に記載の電解質。
【請求項７】  Ｒhが、アルコール、アミン、イソシアネート、あるいはジ−またはトリ−アルコキシシリル基である反応性基である、請求項１に記載の電解質。
【請求項８】  Ｒ’hが、アルキレン、シクロアルキルアルキレン、アリーレンまたはアラルキレン基である、請求項１に記載の電解質。
【請求項９】  Ｒ’hが
【化５】
2002508576.tif 000005
である、請求項１に記載の電解質。
【請求項１０】  以下の式
【化６】
2002508576.tif 000006
（式中、ｘは反復単位を示し、Ｑは、−Ｃ6Ｈ4ＳＯ2−または−Ｃ（Ｏ）−であり、Ｒは、水素、メチル、エチル、プロピルまたはブチル基である）
の高分子塩を含む、請求項１に記載の電解質。
【請求項１１】  以下の式
【化７】
2002508576.tif 000007
（式中、Ｑは、−Ｃ6Ｈ4ＳＯ2−または−Ｃ（Ｏ）−であり、Ｒは、水素、メチル、エチル、プロピルまたはブチル基である）
の塩を含む、請求項１に記載の電解質。
【請求項１２】  （ａ）以下の式
【化８】
2002508576.tif 000008
（式中、ＸはＳＯ2またはＣ（Ｏ）であり、Ｒfは、弗素原子、パーフルオロアルキル基がカテナリーヘテロ原子によって割り込まれているか、あるいは割り込まれていない炭素原子数１〜１２の直鎖または分岐非環式パーフルオロアルキル基または炭素原子数３〜１２の環式パーフルオロアルキル基であり、Ｒh’’は同じかまたは異なると共に、炭素原子数１〜１８の直鎖または分岐脂肪族基、脂肪族または脂環式基の炭素鎖がカテナリーヘテロ原子によって割り込まれているか、あるいは割り込まれていない炭素原子数３〜１２の脂環式基、アルキルが１〜４個の炭素原子を有する置換または非置換芳香族または芳香族アルキル基、または反応性基であるか、あるいは共に結合するとＲh’’は、炭素原子数２または３のアルキレン基、あるいはフェニレン基の１，２位または１，３位においてＸ基に結合されたフェニレン基であり、Ｍn+は原子価ｎのカチオンである）
のメチド塩と
（ｂ）マトリックス材料と
を含む電池電解質。
【請求項１３】  Ｍが金属カチオン、アンモニウムカチオンまたはプロトンである、請求項１又は１２に記載の電解質。
【請求項１４】  Ｒfは、パーフルオロアルキル基が窒素、酸素および硫黄から選択されるカテナリーヘテロ原子によって割り込まれているか、あるいは割り込まれていない炭素原子数１〜８の直鎖または分岐非環式パーフルオロアルキルである、請求項１又は１２に記載の電解質。
【請求項１５】  Ｒfが
【化９】
2002508576.tif 000009
である、請求項１２に記載の電解質。
【請求項１６】  Ｒh’’がＣ4Ｈ9−，Ｃ6Ｈ13−またはＣ8Ｈ17−である、請求項１２に記載の電解質。
【請求項１７】  Ｒh’’がＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2−，ＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−または（ＣＨ3）2ＮＣＨ2ＣＨ2−である、請求項１又は１２に記載の電解質。
【請求項１８】  Ｒh’’がフェニルであり、ＸがＳＯ2である、請求項１２に記載の電解質。
【請求項１９】  前記イミド塩が以下の式
【化１０】
2002508576.tif 000010
のアニオンを有する、請求項１に記載の電解質。
【請求項２０】  前記イミド塩が以下の式
【化１１】
2002508576.tif 000011
のアニオンを有する、請求項１に記載の電解質。
【請求項２１】  従来の導電性塩をさらに含む、請求項１２に記載の電解質。
【請求項２２】  前記マトリックス材料中の全塩濃度が約０．１Ｍ〜約２．０Ｍである、請求項１２に記載の電解質。
【請求項２３】  少なくとも一つの陽極と、少なくとも一つの陰極と、請求項１に記載の電解質とを含む電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明のために特に適するイミド塩の例には、
【化２０】
2002508576.tif 000012
2002508576.tif 000013
2002508576.tif 000014
2002508576.tif 000015
2002508576.tif 000016
が挙げられるが、それらに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準のスロットを有するホストシステムのスロットに収納され、前記ホストシステムを情報伝送システムに接続するデバイスであって、
長手方向の側面と横手方向の前端部および後部とを有するハウジングであって、少なくとも前記ハウジングの前記後部がＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準に実質的に合致している厚さを有する、ハウジングと、
前記ハウジング内に格納され、回路構成要素を担持し、前記ハウジングの前記後部に後縁部を有する基板と、
前記ハウジングの前記前端部に位置し、前記基板上の回路構成要素に接続し、前記ホストシステムのスロット内の対応のコネクタとかみ合うように構成されているコネクタと、
前記基板の前記後縁部に取り付けられた接点ブロックであって、その全体の高さが前記ハウジングの前記後部の厚さの範囲内であり、横に並べて設けられた複数の接点ワイヤ部を有し、その各々が、複数の接点ワイヤを担持するように構成されている、接点ブロックと、
前記ハウジングの前記後部によって形成され前方に延伸し、複数の接点子を有する標準のＲＪタイプモジュラプラグを収納するようなサイズと構造を有するレセプタクルと、
を備え、
前記レセプタクルが前記接点ブロックの前記接点ワイヤ部のうちの１つと長手方向に整列し、少なくとも前記１つの接点ワイヤ部が複数の接点ワイヤを担持し、前記接点ワイヤの各々が、前記基板上の回路構成要素に接続する第一部分と、前記レセプタクル内に延伸する第二部分とを有し、
各接点ワイヤの前記第二部分が、前記ＲＪタイプモジュラプラグ上の対応の接点子とかみ合うよう成形および配置され、前記ＲＪタイプモジュラプラグ上の接点子は、ＲＪタイプモジュラプラグが前記レセプタクルの中に挿入されると前記レセプタクル内の接点ワイヤの第二部分とかみ合うように構成されており、当該デバイスが、前記ＲＪタイプモジュラプラグを用いて前記情報伝送システムに対して直接に接続可能に構成されている、ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】  ホストシステムにおけるＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準のスロットに収納されるように構成されたデバイスに用いる格納ケースであって、
上壁と、その上壁から垂下する縦方向の平行側壁とを有し、電子部品を担持する基板を収納する内部空洞が前記縦方向の側壁と前記上壁とによって画成される成形プラスチックハウジングであって、さらに前端部、後部、および後端面とを有し、前記後部が、前記後端面から前方に延伸し前記ＲＪタイプモジュラプラグを密接状態で収納するようなサイズおよび構造を有する少なくとも一つのレセプタクルを構成し、前記ハウジングの少なくとも前記後部がＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩの厚さ標準に実質的に合致する、ハウジングと、
前記空洞を囲む下部金属カバーパネルであって、上方に延伸し前記ハウジングの前記側壁内に収まるよう構成された平行サイドフランジを含む下部カバーパネルと、
を備え、
前記ハウジングの長手方向の側壁および前記下部カバーパネルの上方に延伸するサイドフランジが、これらの間に前記基板を収納し保持するように構成されている、ことを特徴とする格納ケース。
【請求項３】  ホストシステムにおけるＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準のスロットに収納されるように構成されたデバイスの基板に取り付けられる接点ブロックであって、
前記デバイスが、前記接点ブロックとの電気的接続のためにＲＪタイプモジュラプラグを収納するように構成された少なくとも一つのレセプタクルを含み、
前記接点ブロックが、
ベースと、
前記ベース上に取り付けられる壁であって、基板にかみ合う表面と、間隔をあけて平行に設けられる複数のスロットと、前記基板にかみ合う表面から延伸する凹部とを有し、各スロットが接点ワイヤ保持間隙を通じて前記凹部に連結している、壁と、
前記接点ブロックに担持される複数の接点ワイヤであって、その各接点ワイヤが、前記保持間隙の一つに担持され、前記凹部内に延伸し前記基板に接続するよう構成される第一端子部分と、前記接点ブロックの前記壁の前記スロットの一つから延伸し前記ＲＪタイプ標準コネクタプラグ上の対応の接点子とかみ合うよう構成される第二端子部分とを有する、接点ワイヤと、
を備え、
前記接点ブロックは、その全体の高さが、前記ＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準の厚さ寸法よりも小さい、ことを特徴とする接点ブロック。
【請求項４】  ＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準のスロットを有するホストシステムのスロットに収納され、前記ホストシステムを情報伝送システムに接続するデバイスであって、
長手方向の側面と、横手方向の前端部および後部とを有するハウジングであって、少なくとも前記ハウジングの前記後部がＰＣＭＣＩＡタイプＩＩＩ標準に実質的に合致している厚さを有する、ハウジングと、
前記ハウジング内に格納され、回路構成要素を担持する基板と、
前記ハウジングの前記前端部に位置し、前記基板上の前記回路構成要素に接続し、前記ホストシステムのスロット内の対応のコネクタとかみ合うように構成されているコネクタと、
前記ハウジングの前記後部の中に配設された、横方向に延伸する接点ブロックであって、その全体の高さが前記ハウジングの前記後部の厚さの範囲内であり、横に並べて設けられた複数の接点ワイヤ部を有し、前記接点ワイヤ部のうちの少なくとも１つが、複数の接点ワイヤを担持し、前記接点ワイヤの各々が、前記基板上の回路構成要素に接続する第一部分を有する、接点ブロックと、
前記ハウジングの前記後部によって形成され前方に延伸し、複数の接点子を有するＲＪタイプモジュラプラグを収納するようなサイズと構造を有するレセプタクルと、
を備え、
前記レセプタクルが前記接点ブロックの前記少なくとも１つの接点ワイヤ部と長手方向に整列し、前記少なくとも１つの接点ワイヤ部の前記複数の接点ワイヤの各々が、前記レセプタクル内に延伸する第二部分を有し、
各接点ワイヤの前記第二部分が、前記ＲＪタイプモジュラプラグ上の対応の接点子とかみ合うよう成形および配置され、前記ＲＪタイプモジュラプラグ上の接点子は、ＲＪタイプモジュラプラグが前記レセプタクルの中に挿入されると前記レセプタクル内の接点ワイヤの第二部分とかみ合うように構成されており、当該デバイスが、前記ＲＪタイプモジュラプラグを用いて前記情報伝送システムに対して直接に接続可能に構成されている、ことを特徴とするデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）サイクルにかける前に金属間化合物または元素の金属の形状である電気化学的に活性の金属元素及び（ｂ）電気化学的に不活性の金属元素を含む電極組成物であって、リチウム電池中に組入れられて全充電−放電の１サイクルをかけられたときに、約５００オングストローム以下である少なくとも１つの寸法を有しかつ少なくとも合計１０サイクルの後に実質的に増大しない結晶域を含む電極組成物。
【請求項２】  （ａ）サイクルにかける前に金属間化合物または元素の金属の形状である電気化学的に活性の金属元素及び（ｂ）電気化学的に不活性の金属元素を含む電極組成物であって、
（ａ）リチウム電池中に組入れられて全充電−放電の１サイクル全体にかけられるときに、結晶域を含み、
（ｂ）リチウム電池中に組入れられてサイクルにかけられて約１００ｍＡｈ／ｇを達成するとき、１００回の全放電サイクルの後に少なくとも約９９．０％のクーロン効率を示す電極組成物。
【請求項３】  リチウム電池であって、
（ａ）（ｉ）サイクルにかける前に金属間化合物または元素の金属の形状である電気化学的に活性の金属元素及び（ｉｉ）電気化学的に不活性の金属元素を含む第１の電極であって、前記電池が全充電−放電の１サイクルをかけられた後、約５００オングストローム以下である少なくとも１つの寸法を有しかつ少なくとも合計１０サイクルの後に実質的に増大しない結晶域を含む第１の電極、
（ｂ）対向電極、及び
（ｃ）前記電極と前記対向電極とを隔てている電解質、を含むリチウム電池。
【請求項４】  リチウム電池であって、
（Ａ）（ｉ）サイクルにかける前に金属間化合物または元素の金属の形状である電気化学的に活性の金属元素及び（ｉｉ）電気化学的に不活性の金属元素を含む第１の電極であって、
（ａ）前記電池が全充電−放電の１サイクルをかけられた後に、結晶域を含み、
（ｂ）前記電池がサイクルにかけられて前記組成物の約１００ｍＡｈ／ｇを達成した後に、１００回の全放電サイクルの後に少なくとも約９９．０％のクーロン効率を示す第１の電極、
（Ｂ）対向電極、及び
（Ｃ）前記電極と前記対向電極とを隔てている電解質、を含むリチウム電池。
【請求項５】  （ａ）電気化学的に活性の金属元素を含む供給源及び（ｂ）電気化学的に不活性の金属元素を含む供給源を組み合わせて電極組成物を作成する電極組成物の調製方法であって、
（ｉ）サイクルにかける前に前記電気化学的に活性の金属元素が金属間化合物または元素の金属の形であり、
（ｉｉ）リチウム電池中に組入れられて全充電−放電の１サイクルにかけられるときに、前記電極組成物が結晶域を含み、
（ｉｉｉ）リチウム電池中に組入れられてサイクルにかけられて前記組成物の約１００ｍＡｈ／ｇを達成するとき、１００回の全放電サイクルの後に少なくとも約９９．０％のクーロン効率を示すことを特徴とする、電極組成物の調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プログラムの命令を実行するための実行パイプラインであって、その命令のうちの少なくとも一部が推論実行される実行パイプラインと、
前記命令の少なくとも一部を保持するために前記実行パイプラインの外部に設けられ、推論実行された命令の少くとも一部と命令の少くとも一部の結果とを含むトレース・バッファとを具備し、
上記トレース・バッファに保持された命令の少くとも一部は推論エラーと協力すると共にプログラムの実行の一部として上記トレース・バッファから実行パイプライン内で再実施されることを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】  命令を実行するための実行パイプラインであって、その命令のうちの少なくとも一部が推論実行される実行パイプラインと、
前記命令の少くとも一部を保持するために前記実行パイプラインの外部に設けられ、推論実行された命令の少くとも一部と命令の少くとも一部の実行結果とを含むトレース・バッファを具備し、
前記命令のうちの少なくとも一部は前記パイプライン内での実行後に初期リタイヤされるが、最終リタイヤまで前記トレース・バッファ内に存続することを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】  プロブラムの命令を実行するための実行パイプラインであって、その命令のうちの少なくとも一部が推論実行される実行パイプラインと、
前記命令を保持するために前記実行パイプラインの外部にあるトレース・バッファとを具備し、
検出された推論エラーに応答して前記トレース・バッファから前記命令を再実行することができ、且つプログラムの一部として前記命令が正しく実行されたか或はされてないかを確認するまで前記命令が前記トレース・バッファ内に存続することを特徴とするプロセッサ。
【請求項４】  異なるスレッドの少くとも一部を同時に実行する実行パイプラインと、
それぞれが上記スレッドの１つの命令を保持するために上記実行パイブラインの外部に設けたトレース・バッファを具備し、
上記トレース・バッファのそれぞれが、関係する１つのスレッドのレジスタ・コンテンツを保持する出力レジスタと、
プログラム命令内の直前のスレッドのレジスタ・コンテンツを受ける入力レジスタ・ファイルとを有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項５】  実行パイプラインの外部に設けられ、命令を保持するトレース・バッファと、
少くとも或る命令を実行する実行パイプラインと、
実行パイプラインへの実行源から隔離しているトレース・バッファと、を具備し、
上記の実行された命令の少くとも一部は推論実行されたものであり、更にトレース・バッファに保持されている命令の少くとも一部は推論エラーと協力して、トレース・バッファからの実行パイブラインで再実行されることを特徴とするプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数スレッドの少なくとも一部分を同時に実行するための実行パイプラインと、
誤って推論された命令から生じたスレッドの実行におけるスレッド依存を含む推論エラーを検出する検出回路と、
上記パイプラインの外部に設けられ、誤って推論された命令を含むスレッド群の命令を保持するトレース・バッファと、
誤って推論された命令の少くとも１つに依存しているのであれば、命令の少くとも幾つかを指定し、且つ誤って推論された命令と、もしあれば、指定された依存命令の少くとも幾つかの命令についての再実施のトリガを行なうトリガ・ロジックとを有するプロセッサ。
【請求項２】  スレッド管理ロジックと、
前記スレッド管理ロジックの制御下でプログラム命令から得られる複数のスレッドを作成するためのプログラム・カウンタと、
前記複数のスレッドの少なくとも一部分を同時に実行する実行パイプラインと、
誤って推論された命令で生じたスレッドの実行におけるスレッド依存を含む推論エラーを検出する検出回路と、
上記パイプラインの外部に設けられ、誤って推論された命令とこの命令の幾つかの結果とを含むスレッドの命令を保持するトレース・バッファと、
誤って推論された命令に依存しているのであれば、命令の少くとも幾つかを指定し、且つ誤って推論された命令と、もしあれば、指定された依存命令の少くとも幾つかの命令について再実施のトリガを行なうトリガ・ロジックとを有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】  複数スレッドの少なくとも一部分を同時に実行するための実行パイプラインと、
誤って推論された命令から生じたスレッドの実行におけるスレッド依存を含む推論エラーを検出する検出回路と、
上記パイプラインの外部に設けられ、誤って推論された命令を含むスレッド群の命令を保持するトレース・バッファと、
誤って推論された命令の少くとも１つに依存しているのであれば、命令の少くとも幾つかを指定し、且つ誤って推論された命令と、
もしあれば、指定された依存命令の少くとも幾つかの命令についての再実施のトリガを行なうトリガ・ロジックとを有するプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一群のスレッドのうち１つのスレッドの多数のロード命令をそれぞれが保持する複数のロード・バッファと、前記スレッドのうち１つのスレッドの多数のストア命令をそれぞれが保持する複数のストア・バッファとを含むメモリ・オーダ・バッファ（ＭＯＢ）を備え、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係があり、前記ロード・バッファそれぞれの中にロード命令がプログラム順序で保持され、前記ストア・バッファそれぞれの中にストア命令がプログラム順序で保持され、前記スレッド内の前記ロード命令とストア命令とのデータの一貫性を維持するように前記ＭＯＢが前記ロード命令およびストア命令を順序付け、前記ＭＯＢが一致判定ロジックおよび再実施トリガ・ロジックを含み；
前記一致判定ロジックが、前記ロード命令およびストア命令のうち一部の命令のアドレスの中に一致するものがあるかどうか判定し；
選択された条件下で、前記ロード命令およびストア命令の前記アドレスの中に一致するものがある場合、前記再実施判定ロジックが、前記ロード命令およびストア命令のうち選択された命令の再実行を制御するが、前記再実行されるロード命令およびストア命令を含むスレッド全体は再実行されないことを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】  ロード命令およびストア命令を順序付けるメモリ・オーダ・バッファを含み、スレッドの少なくとも一部分を同時に実行し、前記メモリ・オーダ・バッファがロード・バッファおよびストア・バッファを含み、前記ロード・バッファの相異なるバッファが、前記スレッドの相異なるスレッドからのロード命令を保持し、前記ストア・バッファの相異なるバッファが、前記スレッドの相異なるスレッドからのストア命令を保持し、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係があり、前記ロード・バッファ内にロード命令がプログラム順序で保持され、前記ストア・バッファ内にストア命令がプログラム順序で保持される実行パイプラインと；
前記スレッドの依存関係およびロード・バッファ内のロード命令の少なくともいくつかに関連づけられた推論エラーを検出するための検出回路と；
前記ロード命令のうち少なくともいくつかを、前記推論エラーの少なくとも１つに依存するものとして識別し、前記識別されたロード命令の少なくともいくつかの再実行をトリガするためのトリガ・ロジックとを備えることを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】  前記ロード命令がプログラム順序でその中に保持される、一群のスレッドのうち１つのスレッドのロード命令をそれぞれが保持するためのロード・バッファと；
前記ストア命令がプログラム順序でその中に保持され、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係がある、前記スレッドのうち１つのスレッドのストア命令をそれぞれが保持するためのストア・バッファと；
実行されるべき前記ロード命令のうち１つの命令のアドレスを、前記ストア・バッファ内の前記ストア命令のうち少なくとも１つの命令のアドレスと比較するための比較回路と；
前記ロード命令が、データをメモリから読み取るか、それとも前記ストア・バッファの１つから読み取るか判定するためのデータ経路制御ロジックとを含むメモリ・オーダ・バッファを備えることを特徴とするプロセッサ。
【請求項４】  前記ロード命令がプログラム順序でその中に保持される、一群のスレッドのうち１つのスレッドのロード命令をそれぞれが保持するためのロード・バッファと；
前記ストア命令がプログラム順序でその中に保持され、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係がある、前記スレッドのうち１つのスレッドのストア命令をそれぞれが保持するためのストア・バッファと；
実行されるべき前記ストア命令のうち１つの命令のアドレスおよび少なくとも１つの状況ビットを、前記ロード命令のうち少なくとも１つの命令のアドレスおよび少なくとも１つの状況ビットと比較するための比較回路と；
前記比較に基づいて、前記ロード命令の１つまたは複数を再実行するかどうか判定するための検出ロジックとを含むメモリ・オーダ・バッファを備えることを特徴とするプロセッサ。
【請求項５】  一群のスレッドのうち１つのスレッドのストア命令をそれぞれが保持し、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係がある、ロード・バッファおよびストア・バッファを含むメモリ・オーダ・バッファ（ＭＯＢ）を備え、前記ロード・バッファ内にロード命令がプログラム順序で保持されるとともに前記ストア・バッファ内にストア命令がプログラム順序で保持され、前記スレッドの間のデータの一貫性を維持するように、前記ＭＯＢが前記ロード命令およびストア命令を順序付け、前記ＭＯＢが、実行されるべき前記ロード命令のうち少なくともいくつかの命令のアドレスを、前記ストア命令のうち少なくともいくつかの命令のアドレスと比較して、最至近一致ストア命令が存在する場合、前記ストア命令のどれが前記最至近一致ストア命令であるか判定するための一致判定ロジックを含むことを特徴とするチップ。
【請求項６】  一群のスレッドのうち１つのスレッドのロード命令をそれぞれが保持するロード・バッファと、前記スレッドのうち１つのスレッドのストア命令をそれぞれが保持するストア・バッファとを含むメモリ・オーダ・バッファ（ＭＯＢ）を備え、時には前記スレッドの少なくともいくつかの間に依存関係があり、前記スレッドの間のデータの一貫性を維持するように、前記ＭＯＢが前記ロード命令およびストア命令を順序付け、前記ＭＯＢが、前記ストア命令のうち少なくともいくつかの命令のアドレスをロード命令のアドレスと比較して、前記比較したストア命令と同じアドレスを有する命令が存在する場合、プログラム順序が後である前記ロード命令のうち少なくともいくつかのどれが、前記同じアドレスを有するか判定するための一致判定ロジックを含むことを特徴とするチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）再帰反射性微粒（５０）を形成するように、再帰反射性構造体に孔をあける（１０４）工程であって、この再帰反射構造体がポリマーフィルム（１２）に取り付けられた再帰反射性キューブコーナー素子（１６）のアレイ（１４）を有する、孔をあける工程と、
ｂ）前記再帰反射性微粒を接着コーティングされた基板（１１０）に施す（１０５，１１４）工程とを備えた再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項２】  請求項１において、金属皮膜反射層（２６）をプリズム素子のアレイに施して、前記再帰反射性キューブコーナー素子のアレイを再帰反射性にする、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項３】  請求項２において、前記金属皮膜反射層は、アルミニウム、銀および金からなる一群から選ばれた金属から形成されている、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項４】  請求項２において、支持層（２８）が前記金属皮膜反射層に取り付けられている、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項５】  請求項４において、前記取り付けられた支持層は布地を含む、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項６】  請求項１において、前記再帰反射性構造体は、前記再帰反射性構造体の全表面積の約２５から７５％の面積を占める開口のアレイを形成することを含む、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項７】  請求項６において、前記開口は円形状に形成されている、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項８】  請求項７において、前記開口の直径が約６．０から１８ｍｍ（０．２５から０．７５インチ）の範囲で形成されている、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項９】  請求項１において、前記キューブコーナープリズムが、約０．１２５から０．５１ｍｍ（０．００４９から０．０２インチ）の範囲の側面寸法を有して形成されている、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１０】  請求項１において、さらに、
ｄ）前記再帰反射性素子のアレイおよび前記光透過性のポリマーフィルムに孔をあけることにより形成される再帰反射性微粒（５０）を収集する（１０５）工程を備えた、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１１】  請求項１０において、さらに、前記再帰反射性微粒を接着コーティングされた基板に、微粒供給装置（１１４）を用いて貼り付ける工程を備えた、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１２】  請求項１において、さらに、前記再帰反射性微粒上の表面フィルム（１２２）を前記接着コーティング基板に貼合わせる（１２６）工程を備えた、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１３】  請求項１において、インクまたはペイント（１５４）を前記光透過性のポリマーフィルムに施す、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１４】  請求項１３において、前記インクがプラスチックインクを含む、再帰反射性微粒を有する構造体の製造方法。
【請求項１５】  ａ）光透過性のポリマー層（１２）と、
ｂ）前記ポリマー層に取り付けられた複数の再帰反射性キューブコーナー素子（１６）と、
ｃ）前記再帰反射性素子上に形成された金属皮膜反射層（２６）とを備えた再帰反射性微粒。
【請求項１６】  請求項１５において、円形状であって、約６から１８ｍｍの直径を有する再帰反射性微粒。
【請求項１７】  請求項１５において、前記複数の再帰反射性微粒が接着コーティングされた基板（１１０）に取り付けられた再帰反射性微粒。
【請求項１８】  請求項１７において、表面フィルム（１２２）が前記反射性微粒を覆って前記接着コーティング基板に貼合わされている再帰反射性微粒。
【請求項１９】  請求項１７において、前記再帰反射性微粒がゲルに混合されている再帰反射性微粒。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入口端部および出口端部と、
前記入口端部に隣接して半径方向外方に、前記入口端部から半径方向外方で軸線方向に前記出口端部に進行するハブ部分(3)と、
前記入口端部に隣接して半径方向内方で軸線方向に、次いで、半径方向外方及び軸線方向に前記出口端部まで延びているシュラウド部分(5)と、
前記ハブ(3)から前記シュラウド部分(5)まで延びて、これと一体形成された複数のエーロフォイル形状のブレード(7)と、からなり、
前記ハブ(3)とシュラウド(5)は協働して、収束する環状開口部を形成し、前記ファンの前記入口端部に隣接する前記ブレードの縁が先端縁であり、前記シュラウド部分(5)に隣接する前記先端縁の一部が前記ファンの回転方向に傾斜し、ブレードに前方掃引を行なわせ、改善されたブレード荷重および空気音響性能とを有する混相流ファン(1)を形成するようになっている、内燃エンジンのためのラジエーター冷却ファン(1)。
【請求項２】  前記ハブ部分(3)は、前記入口端部に隣接して半径方向外方に延びている部分と、前記半径外方向に延びる部分(9)と半径方向軸線外方に延びる部分(17)との間に滑らかな遷移を形成する曲線部分(15)と、を有していることを特徴とする請求項１に記載のラジエーター冷却ファン(1)。
【請求項３】  前記シュラウド部分(5)は前記入口端部に隣接して半径方向内方に延び、半径方向内方および軸線方向に延びる一部を結合する部分(21)を有することを特徴とする請求項２に記載のラジエーター冷却ファン(1)。
【請求項４】  半径、内方および軸線方向に延びる前記シュラウド部分(5)はトランペットの端部のような形状であり、半径内方に延びる前記シュラウド(5)の一部と軸線及び半径方向外方に延びる部分との間に滑らかな遷移部分を形成し、半径外方及び軸線方向に延びる前記シュラウド及びハブ部分(3，5)は、前記ファン出口の方向に向って径が大きくなる切頭円錐台であることを特徴とする請求項３に記載のラジエーター冷却ファン(1)。
【請求項５】  前記ブレード(7)は、前記ハブ(3)から前記シュラウド(5)までほぼ同じであるピッチを有することを特徴とする請求項１に記載のラジエーター冷却ファン(1)。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガスを用いた融体微粒化によって好適には球形の微粉を製造する方法において、融体（５）が、実質的に矩形の出口横断面（８）を備えた融体ノズル（４）から薄膜（６）の形で流出し、引き続いて噴霧ガスと一緒に、実質的に矩形の横断面を備え線形ラバル管（３）の形をした最初細まり次に広がった層流通過ガスノズル（３）を通り、その際に層流の加速ガス流が、ラバル管（３）の細くなった部分で融体薄膜（６）を安定させかつ同時に伸張させてから、最狭横断面（９）の通過後に融体薄膜（６）が長さ全体にわたって均等に微粒化されることを特徴とする方法。
【請求項２】  ラバル管（３）下側の圧力（ｐ２）に対するラバル管（３）上側の圧力（ｐ１）の比（ｐ１／ｐ２）が、少なくとも使用噴霧ガスの臨界圧力比に設定され、その際に噴霧ガスは、ラバル管（３）の最狭横断面（９）で音速に達するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  圧力比（ｐ１／ｐ２）は、＞２の、好適には＞１０の値に設定されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  噴霧ガスは、予熱されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  融体ノズル（４）から流出する融体（５）は、放射によって加熱されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  融体ノズル（４）によって汚染融体（５）も噴霧されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  噴霧されるべき融体（５）として、金属、金属合金、塩、塩混合物又は溶融可能プラスチックが使用されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  噴霧ガスが使用され、該噴霧ガスとは噴霧されるべき融体（５）が反応せず、したがって噴霧ガスに対して不活性であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  噴霧ガスが使用され、該噴霧ガスとは噴霧されるべき融体が全体的に又は部分的に反応することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。  
【請求項１０】  融体ノズル（４）と、流れ方向で融体ノズルの出口下側に配置したガスノズル（３）とを備えた、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法を実行するための、ガスを用いた融体微粒化ノズルにおいて、融体ノズル（４）は、実質的に矩形の出口横
断面（８）を有することと、ガスノズル（３）は、同様に線形ラバル管の形をした実質的に矩形の横断面を有することと、ガスノズル（３）は、最初細まった層流加速ガス流を生成し、該ガス流が、ガスノズル（３）の細まった部分で融体薄膜を安定させかつ同時に伸張させてから、最狭横断面通過後にガスノズルの広がった部分で融体薄膜がその長さ全体にわたって均等に微粒化されることとを特徴とするノズル。
【請求項１１】  融体ノズル（４）及びラバル管（３）あるいは少なくともそのいずれか一方の出口横断面（８、９）は、ノズル横断面の矩形の両短辺が、短辺の長さ（ｂsd、ｂld）に相当する直径の半円弧によって置き換えられており、その結果、広範囲に矩形の横断面が得られていることを特徴とする請求項１０に記載のノズル。
【請求項１２】  融体ノズル（４）及びラバル管（３）あるいは少なくともそのいずれか一方の出口横断面（８、９）の矩形長辺（ａsd、ａld）と矩形短辺（ｂsd、ｂld）との比は、少なくとも＞１であり、好適には＞２、特に好適には＞１０であることを特徴とする請求項１１に記載のノズル。
【請求項１３】  線形ラバル管（３）の長さ（ａld）は、最狭横断面（９）で融体ノズル（４）の長さ（ａｓｄ）よりも大きいことを特徴とする、請求項１１又は１２に記載のノズル。
【請求項１４】  融体ノズル（４）の幅（ｂｓｄ）に対するラバル管（３）の幅（ｂld）の比（ｂld／ｂsd）は、＞１及び＜１００であり、好適には＜１０である（１＜ｂld／ｂsd＜１００、好適には＜１０）ことを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のノズル。
【請求項１５】  融体流量は、粉体の粒度が変化したりあるいは比ガス消費量が増加することなく、融体ノズル（４）の長辺（ａsd）の延長及びそれに応じた同じ量だけのラバル管（３）の長辺（ａld）の延長によって所望生産能力に適合されていることを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のノズル。