【事件の表示】
　特願２０００−２５０８７３「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２８日出願公開，特開２００２−　６４１４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１２年８月２２日の出願であって，平成２１年１月２２日付けの拒絶の理由の通知に対して，同年３月３０日に意見書と手続補正書が提出されたが，同年４月２０日付けで拒絶査定され，その後，同年７月２７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は，平成２１年３月３０日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりのものである。
「配線層の上面下部の当該配線層の導体以外の領域に，配線材の拡散を防止する絶縁膜からなる第１のバリア膜を配置し，
　当該配線層の上面上部に，前記第１のバリア膜とは異なる組成からなる，配線材の拡散を防止する第２のバリア膜を配置した構造を有することを特徴とする半導体装置。」
　
第３　本願発明１の進歩性（特許法第２９条第２項）について
１　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に頒布された刊行物である，特開平９−３１２２９１号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
　引用例１：特開平９−３１２２９１号公報
（１ａ）「【請求項１】半導体基板上に複数層の電極配線層が形成され，対応する各電極配線層が互いにコンタクトホールを介して接続された構造を有する半導体装置において，
　前記
各電極配線層は，基板に略垂直な側面部と基板に略平行な側面部とが互いに異なる材質の拡散障壁層に接している
半導体装置
　
（１ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は，基板表面に複数層の電極配線層が埋込み形成される半導体装置及びその製造方法に係り，特に，
各電極配線層の相互間に拡散障壁層を介在させず，低抵抗化を実現し得る半導体装置
　
（１ｃ）「次に，このような半導体装置の製造方法を
図２乃至図４
シリコン窒化膜（ＳｉＮ）は，基板に略平行な拡散障壁層２９
　いま，図２（ａ）に示すように，（００１）面を主面とするｎ型シリコン基板３１上にＣＶＤ法により層間絶縁膜として約１μｍ厚のＳｉＯ2 膜３２が堆積された後，全面に約１００ｎｍ厚のシリコン窒化膜３３が堆積される。さらに，ＣＶＤ法により，シリコン窒化膜３３上に
ＳｉＯ
2
 膜３４及びシリコン窒化膜３５が順次堆積
　次に，周知の写真触刻法と反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により，図２（ｂ）に示すように，
ＳｉＯ
2
 膜３４及びシリコン窒化膜３５の配線形成領域に溝３６が形成
　ここで，ＳｉＯ2 膜３４が完全にエッチングされた時点において，エッチングレートの低いシリコン窒化膜３３が露出されるため，オーバーエッチングを行なっても溝３６が過度に掘られることがなく，溝３６の形状を均一に加工することができる。
　次に，図２（ｃ）に示すように，ＣＶＤ法により，全面にＷＳｉＮ膜３７が均一に堆積される。しかる後，塩素ガスを用いたＲＩＥにより，基板全面が異方性エッチングされる。この結果，図２（ｄ）に示すように，溝３６内部の側壁部にのみＷＳｉＮ膜３７ａが形成される。この場合も前述同様に，溝３６の底部のＷＳｉＮ膜３７がエッチング除去されると底部にシリコン窒化膜３３が露出され，エッチングの進行が阻止されるため，オーバーエッチングを行なっても溝の形状が劣化することなく，基板全面にわたって均一な加工形状が得られる。その後，ＣＶＤ法により，全面に
銅（Ｃｕ）膜が堆積されて溝３６が埋込まれる
　溝３６の埋込みの後，図３（ｅ）に示すように，化学的機械研磨（ＣＭＰ）法により上面部の銅層が除去され，
下層の電極配線層３８が形成
　次に，図３（ｆ）に示すように，ＣＶＤ法により，
全面にシリコン窒化膜３９
堆積される
これらＳｉＯ
2
 膜４０，４２及びシリコン窒化膜３９，４１，４３の多層膜には，写真触刻法及びＲＩＥにより，上層の溝配線領域及び下層とのコンタクトホールが形成される
　次に，図４（ｈ）に示すように，塩素ガスを用いたＲＩＥにより，基板全面が異方性エッチングされ，溝４５及びコンタクトホール４６の内部の側壁部にのみＷＳｉＮ膜４４ａが形成される。
　次に，図４（ｉ）に示すように，下層の電極配線層３８の場合と同様に，ＣＶＤ法により，銅膜が全面に堆積され，溝４５及びコンタクトホール４６が銅膜にて埋込まれた後，ＣＭＰ法により，上面部の銅膜が除去されて上層の電極配線層４７が形成される。このとき，同時に上層の電極配線層４７と下層の電極配線層３８との電気的な接続が完了される。
　以下，同様の方法を繰り返すことにより，２層以上の埋込み配線構造を容易に実現させることができる。上述したように第１の実施の形態によれば，コンタクトホール４６の内部が，電極配線層３８と同種の導電性材質で埋込まれ，この埋め込まれた導電性材質と電極配線層３８との界面に拡散障壁層が存在しないので，導電性材質と下層の電極配線層３８とが直接接続されることにより，コンタクト抵抗を上昇させず，素子抵抗を低下させないから，ＬＳＩ素子の所望の高速動作を実現させることができる。
　さらに，拡散障壁層３３，３５，３７ａ，３９，４１，４３，４４ａは，基板に略垂直な層３７ａ，４４ａと基板に略平行な層３３，３５，３９，４１，４３とが互いに異なる材質にて形成されているので，拡散障壁層の不要な部分をエッチング除去する場合（略垂直な層３７ａ，４４ａの形成のとき）にエッチングの選択比を十分得ることが容易であり，例えば８インチ以上の大口径の半導体基板を用いて素子を形成する場合でも均一性の良好な加工を行なうことができる。
　また，
拡散障壁層の存在により，前述した埋込み配線構造の形成後に基板全面が７００℃以上の高温熱工程にさらされても，銅配線がＳｉＯ
2
 膜３２，３４，４０，４２中に拡散せず，良好な素子性能を得ることができる
　
（１ｄ）「次に，本発明の
第２の実施の形態に係る半導体装置
　すなわち，本実施の形態装置は，第１の実施の形態の変形例であり，具体的には，第１の配線電極層２２に接して基板２１と略平行な拡散障壁層２９ａがイオン注入により形成され，拡散障壁層の層数が低減された埋込み配線構造となっている。
　次に，このような半導体装置の製造方法を図６乃至図８の工程断面図を用いて説明する。なお，以下の説明中，
アルミナ（Ａｌ
2
 Ｏ
3
 ）膜は，下層の電極配線層に関しては基板と略平行な拡散障壁層に相当
シリコン窒化膜
基板と略平行な拡散障壁層に相当
　いま，図６（ａ）に示すように，トランジスタ構造の形成された半導体基板５１上にＳｉＯ2 膜５２が堆積され，周知の写真触刻技術及びＲＩＥ法により，ＳｉＯ2 膜５２上に配線形成用の溝が形成される。しかる後，全面にアルミニウム（Ａｌ）イオン５３が注入され，
ＳｉＯ
2
 膜５２の表面がアルミナ膜５４に変換
　次に，図６（ｂ）に示すように，全面にシリコン窒化膜５５が堆積され，ＲＩＥ法により，全面が異方性エッチングされる。この結果，図６（ｃ）に示すように，溝の側壁部にのみシリコン窒化膜５５ａが形成される。
　次に，図７（ｄ）に示すように，ＣＶＤ法により，全面に
銅膜５６が堆積されて溝が完全に埋込まれ
下層の電極配線層５７が形成
　しかる後，図７（ｆ）に示すように，基板全面にニオブ（Ｎｂ）イオン５８が注入され，銅配線の表面に拡散障壁層５８ａが形成される。続いて，図７（ｇ）に示すように，ＳｉＯ2 膜５９，
シリコン窒化膜６０
順次堆積される
　次に，図８（ｉ）に示すように，ＣＶＤ法により，全面にアルミナ膜６５が堆積された後，図８（ｊ）に示すように，ＲＩＥ法により，全面が異方性エッチングされて溝配線領域６３及びコンタクトホール６４の側壁部にのみアルミナ膜６５ａが残される。
　しかる後，図７（ｄ）（ｅ）と同様に，ＣＶＤ法により，基板全面に銅膜が堆積され，図８（ｋ）に示すように，ＣＭＰ法により，上部の銅膜が除去されることにより，上層の電極配線層６６及び埋め込み接続口６７が形成される。」（【００４３】−【００５１】）
　
（１ｅ）「また，各電極配線層を囲む
拡散障壁層は
適宜材質を変更して使用しても，本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる
　また，
拡散障壁層は十分な拡散障壁性を有すると共に，基板に略垂直な層と略平行な層との材質の組合せにおいて，ＲＩＥの際のエッチングの選択比が十分確保できる組合せであれば本発明に有効であり，少なくとも選択比が２以上の組合せが有効である。その他，本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる
　
（１ｆ）「【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明によれば，各電極配線層としては，基板に略垂直な側面部と基板に略平行な側面部とが互いに異なる材質の拡散障壁層に接しているので，例えば異方性エッチングを用いることにより，コンタクト抵抗を上昇させずに低抵抗の配線材料による埋め込み配線構造を形成でき，もって，高速動作を実現できる半導体装置を提供できる。」（【００６５】）
　
（１ｇ）図４（ｉ）は，引用例１に記載された発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図であって，上記摘記（１ｃ）の記載を参照すれば，同図から，下層の電極配線層３８とＳｉＯ２膜３４を含む層の上面下部の当該層の前記下層の電極配線層３８以外の領域に，拡散障壁層に相当するシリコン窒化膜３５を配置し，当該層の上面上部に，拡散障壁層に相当するシリコン窒化膜３９を配置した半導体装置の構造を読み取ることができる。
　
（１ｈ）図８（ｋ）は，引用例１に記載された発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図であって，上記摘記（１ｄ）の記載を参照すれば，同図から，ＳｉＯ２膜５２の上面に，拡散障壁層に相当するアルミナ膜５４を配置し，ＳｉＯ２膜５９の上面に，拡散障壁層に相当するシリコン窒化膜６０を配置した半導体装置の構造を読み取ることができる。
　
　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｃ），（１ｅ）−（１ｇ）を総合勘案すれば，引用例１には，
「ｎ型シリコン基板３１上にＳｉＯ2 膜３２を堆積した後，全面にシリコン窒化膜３３を堆積し，さらに，
ＳｉＯ
2
 膜３４及びシリコン窒化膜３５を順次堆積し，
ＳｉＯ
2
 膜３４及びシリコン窒化膜３５の配線形成領域に溝３６を形成し，
銅（Ｃｕ）膜を堆積して溝３６を埋込み下層の電極配線層３８を形成し，
シリコン窒化膜３９
を順次堆積し，
写真触刻法及びＲＩＥにより上層の溝配線領域及び下層とのコンタクトホールを形成
拡散障壁層
３５
３９
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　　
２　対比
（１）引用例１の上記摘記（１ｃ）の「
拡散障壁層の存在により
銅配線がＳｉＯ
2
 膜３２，３４，４０，４２中に拡散せず
膜
層
　
（２）また，引用発明の「下層の電極配線層３８とＳｉＯ２膜３４を含む層」，「下層の電極配線層３８」は，それぞれ，本願発明１の「配線層」，「導体」に相当する。
　
（３）そうすると，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「配線層の上面下部の当該配線層の導体以外の領域に，配線材の拡散を防止する絶縁膜からなる第１のバリア膜を配置し，
　当該配線層の上面上部に，配線材の拡散を防止する第２のバリア膜を配置した構造を有する半導体装置。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明１の「第２のバリア膜」が，「第１のバリア膜」とは「異なる組成からなる」のに対して，引用発明はこのような構成が示されていない点。
　
３　相違点についての判断
（１）相違点１について 
ア　引用例１の上記摘記（１ｅ）の「電極配線層を囲む
拡散障壁層は
適宜材質を変更して使用しても，本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる
拡散障壁層は十分な拡散障壁性を有すると共に，基板に略垂直な層と略平行な層との材質の組合せにおいて，ＲＩＥの際のエッチングの選択比が十分確保できる組合せであれば本発明に有効であり，少なくとも選択比が２以上の組合せが有効である。その他，本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる
　また，引用例１の上記摘記（１ｄ），（１ｈ）の「拡散障壁層に相当するアルミナ膜５４」と「拡散障壁層に相当するシリコン窒化膜６０」は，いずれも，本願発明１の配線層の上面の配置されるバリア膜に相当する部材であるといえることから，引用例１には，一の半導体装置を構成する配線層の上面の配置する複数のバリア膜を，各バリア膜毎に，異なる組成からなるもので構成する技術思想が開示されていることが理解できる。
　してみれば，引用発明の拡散障壁層３５及び３９の組成は，それぞれ適宜選択し得た設計事項であると認められる。
　
イ　一方，半導体基板上に第１の開口を有する第１の絶縁層を形成する工程と，前記第１の開口内に第１の配線層を形成する工程と，前記第１の絶縁層と前記第１の配線層との上に第２の絶縁層を形成する工程と，前記第２の絶縁層の所定領域をエッチングすることによって第２の開口を形成する工程と，前記第２の開口内に前記第１の配線層と電気的に接続するように第２の配線層を形成する工程とを備えた周知の半導体装置の製造プロセスにおいて，「第２の開口を形成する際，パターンの位置合わせずれが発生すると，第１の絶縁層の上面がエッチングによって削られるという不都合が生じる」という課題があること，及び，前記課題を解決するための「第１の絶縁層の上面にエッチングレートが遅い膜を形成する」という手段が存在することは，いずれも，下記の周知例１−２にも記載されているように本願の出願時において周知の事項であったといえる。
　
ウ　他方，引用発明は，ｎ型シリコン基板３１上にＳｉＯ2 膜３４及び
シリコン窒化膜３５を順次堆積し
次に，全面にシリコン窒化膜３９
堆積し
シリコン窒化膜３９
に
写真触刻法及びＲＩＥにより
コンタクトホールを形成し
　
エ　ところで，前記イで検討した周知事項に照らすと，引用発明の，「ＳｉＯ2 膜４０，４２及びシリコン窒化膜３９，４１，４３の多層膜に，
写真触刻法及びＲＩＥにより
コンタクトホールを形成
写真触刻法
ＲＩＥ
　また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　したがって，引用発明において，相違点１に係る本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
・周知例１：特開平６−１３４７０号公報
（周１ａ）「【請求項２】多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって，
　半導体基板上に第１の開口を有する第１の絶縁層を形成する工程と，
　前記第１の絶縁層上にエッチング防止膜を形成する工程と，
　前記第１の開口内に第１の配線層を形成する工程と，
　前記エッチング防止膜上と前記第１の配線層との上に第２の絶縁層を形成する工程と，
　前記第２の絶縁層の所定領域をエッチングすることによって第２の開口を形成する工程と，
　前記第２の開口内に前記第１の配線層と電気的に接続するように第２の配線層を形成する工程とを備えた，半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（周１ｂ）「図１９〜図２６は，図１８に示した
従来の多層配線構造を有する半導体装置の製造プロセス
　まず，図１９に示すように，
シリコン半導体基板１０１上に第１の層間絶縁膜１０２を形成
　次に，図２０に示すように，写真製版技術およびエッチング技術を用いて，
第１の層間絶縁膜１０２に第１の配線層１０３（図１８参照）用の溝ａを形成
　次に，図２１に示すように，全面に第１の配線層１０３を形成した後，第１の層間絶縁膜１０２の表面が露出するまで第１の配線層１０３をエッチングする。これにより，図２２に示すような形状を有する
第１の配線層１０３が形成
　次に，図２３に示すように，全面に
第２の層間絶縁膜１０４を形成
　次に，図２４に示すように，写真製版技術とエッチング技術とを用いて
ビアホールコンタクト用の溝ｂを形成
　次に，図２５に示すように，第２の配線層１０５（図１８参照）用の溝ｃを写真製版技術とエッチング技術を用いて形成する。
　次に，図２６に示すように，全面に第２の配線層１０５を形成した後，第２の層間絶縁膜１０４の上表面が露出するまでエッチングする。これにより，図１８に示した形状を有する
第２の配線層１０５が形成
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の多層配線構造を有する半導体装置には，以下のような問題点があった
ビアホールコンタクト用の溝ｂおよび第２の配線層１０５用の溝ｃを形成する際，パターンの位置合わせずれが発生すると，第１の層間絶縁膜１０２の上面がエッチングによって削られるという不都合があった
　
（周１ｃ）「【課題を解決するための手段】請求項１における半導体装置は，多層配線構造を有する半導体装置であって，半導体基板上に形成された第１の開口を有する第１の絶縁層と，第１の絶縁層上に形成されたエッチング防止膜と，第１の開口内に形成された第１の配線層と，エッチング防止膜と第１の配線層との上に形成された第２の開口を有する第２の絶縁層と，第２の開口内に第１の配線層に電気的に接続するように形成された第２の配線層とを備えている。」（【００１３】）
　
（周１ｄ）「このように，第１実施例および第２実施例では，
層間絶縁膜上にエッチングレートが層間絶縁膜の主材料より遅いエッチング防止膜を形成することによって，ビアホールコンタクト用の溝や上層配線を埋込むための溝を形成する際にパターンずれが生じたとしても，それらの溝の形成のためのエッチングによって下層の層間絶縁膜にリセス部が形成されるのを有効に防止することができる
　
・周知例２：特開平８−２４１９２４号公報
（周２ａ）「【請求項１】下層配線との接続をとる接続孔を有する半導体装置において，
　
下層配線の上部外縁には該下層配線と同じ高さ位置のストッパー膜が形成されている
　
（周２ｂ）「【従来の技術及びその問題点】半導体装置の分野では，集積度向上や信頼性の更なる向上が求められており，下層配線層と接続をとる接続孔（コンタクトホール）を有する構造についても，かかる要請が強い。
　
接続孔により下層配線との接続をとる構造を形成する場合，下層配線上の絶縁膜に接続孔を開口するときに，接続孔の開口位置が下層配線からずれると，下部にエッチング等の加工時の悪影響が及ぼされることがある
　
（周２ｃ）「【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記従来技術の問題点を解決して，スループットの低下や重なり部分の余裕の欠落の問題などをもたらさずに，下層配線との接続をとる接続孔の形成技術を改良して，この
接続孔の形成によっても悪影響の生じない，信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供
」（【０００５】）
　
（周２ｄ）「【作用】本発明によれば，下層配線との接続をとる接続孔を有する半導体装置について，下層配線と同じ高さ位置の
ストッパー膜が形成され，これがその上部層の接続孔形成の際の加工の際のストッパー（エッチング等による影響遮断ストッパー）となる
　
オ　なお，出願人は，平成２１年３月３０日に提出した補正書と同時に提出した意見書において，本願発明と引用例１とを比較した上で，「本願と引用文献１とを比較すると，本願では，段落００２２〜００４７，図１〜９から明らかなように，配線層の上面に対して，上部・下部で異なる膜を用いており，これにより，下層となる配線層の配線と接続する孔（ビア）との位置ズレが生じても，孔の加工時に選択比を得ることができ，下層配線層の導体側部がえぐれたりすることによる埋設不良などを抑制することができます。すなわち，本願の図１に示すように，（下層配線部の配線材１と，上部の配線材７とを直接接続しようとした際に），バリア膜４を加工して接続を形成するときに位置ズレがあると上部の配線材７の下部にバリア膜９を残存させる必要があることから，バリア膜４と異なる組成のバリア膜９を用いることでこれを実現しております。一方，引用文献１では，図１から明らかなように，配線層の上面に対して，上部・下部ともに同じ膜（拡散障壁層２９）を用いる構造が使用されております。このように，引用文献１には，配線層の上面に対して，上部・下部で異なる膜を用いることについての記載はなく，構成及び目的の異なる引用文献１に基づいて本願発明に想到できるはずがありません。」として，本願発明が容易に想到できるはずがない旨を主張する。
　しかしながら，本願の請求項１に記載された事項によって特定される本願発明１は，一の配線層と，該配線層の上面下部と上面上部に配置された第１のバリア膜と第２のバリア膜を発明特定事項として規定するだけであって，多層配線であることも，また，「下層となる配線層の配線と接続する孔（ビア）」を有することも本願発明１は発明特定事項として有していないから，審判請求人の「本願では・・・下層となる配線層の配線と接続する孔（ビア）との位置ズレが生じても，孔の加工時に選択比を得ることができ，下層配線層の導体側部がえぐれたりすることによる埋設不良などを抑制することができます」等の前記主張は，請求項の記載に基づかない主張であり採用することはできない。
　さらに，本願発明１は，「第１のバリア膜」と「第２のバリア膜」の組成が異なることを規定しているだけであるから，本願発明１は，「第１のバリア膜」が「第２のバリア膜」よりもエッチング速度が大きい組成である場合をも含むものと解される。
　しかしながら，「第１のバリア膜」が「第２のバリア膜」よりもエッチング速度が大きい場合には，「第１のバリア膜」と「第２のバリア膜」が同じ組成である場合よりも，下層配線層の導体側部がえぐれたりすることによる埋設不良などが増えることは明らかであるから，この点においても，審判請求人の前記主張は請求項の記載に基づかない主張であり採用することはできない。
　
４　むすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　サポート要件（特許法第３６条第６項第１号）について
１　原査定の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は，次のとおりである。
「この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
＜請求項１〜３７について＞
　請求項１〜３７においては，配線材の導体の材料が規定されていないからその材料は任意であるが，発明の詳細な説明にはＣｕ配線を用いることしか記載がないのは明らかである。
　したがって，請求項１〜３７に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものとはいえない。」
　
２　当審の判断
　請求項に係る発明は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであってはならない。発明の詳細な説明に記載していない発明について特許請求の範囲に記載することになれば，公開していない発明について権利を請求することになるからである。特許法第３６条第６項第１号の規定は，これを防止するためのものである。
　そして，特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に適合するかの判断は，請求項に係る発明と，発明の詳細な説明に発明として記載したものとを対比・検討することによって行い，請求項に係る発明が，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであるか否かによって定まるものと解される。
　
　そこで，最初に，発明の課題について検討する。
　本願の明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
（本１）「【従来の技術】従来，集積回路の配線にはアルミニウム（Ａｌ）もしくはＡｌ合金が，配線間および配線層間にはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が広く用いられてきた。しかし，微細化の進行に伴い，配線における信号伝送の遅延を抑制低減するにあたり，配線抵抗の低減のために配線材には銅（Ｃｕ）が，配線間容量の低減のために配線間および配線層間における絶縁膜には有機物や空孔を含んだ，シリコン酸化膜より誘電率の低い膜が使用されるようになってきた。
　
Ｃｕを主成分とする配線においては，シリコン（Ｓｉ）やＳｉＯ
2
をはじめとする絶縁膜中におけるＣｕの拡散がＡｌよりも速いため，トランジスタをはじめとするシリコンデバイス部への侵入，配線間の絶縁耐圧劣化等を防いで信頼性を確保するために，Ｃｕの周囲に拡散を防止するバリア膜を設ける必要がある
　
（本２）「【発明が解決しようとする課題】これらの従来提案されているバリア膜をエッチバックする手法は，図１７に示されるような，下層の配線材１が接続される上層の配線材７より十分に大きい場合には有効であるが，上層と下層とを同一の面積，形状で接続するボーダーレス配線をはじめとする微細な配線構造形成においては，多層配線のパターン形成における層間の位置ずれが考慮されておらず，高い信頼性を確保することが困難であった。
　以下に，この位置ずれの影響について図１８を用いて説明する。図１８は，図１６と同様の，バリア膜６のエッチバックを用いずに配線材７の下面および側面をＣｕの拡散防止（バリア）層となる導体膜で覆う手法において，上層と下層の位置ずれが生じた場合の配線構造を示したものである。なお，下層の配線材１と全く接しない，もしくは下層の目的とする配線部以外の隣接する配線部に接触する，といった極端な位置ずれは本質的な不良となるため，ここでは対象としない。図１８（ｉ）は，パターニングの形状と位置を除き，図１６と全て同じ工程を経て得られる最終的な構造である。
　上層の配線材７は，上面を絶縁膜のバリア膜８で，下面および側面を導体であるバリア膜６で覆われている。すなわち，
この構造においてＣｕは全面をバリア膜で覆われており，位置ずれによってもＣｕ配線部から外部へのＣｕ拡散の影響は抑制されることが保証されている。この位置ずれに関する保証が，現在この手法が広く用いられている大きな要因である。しかし，図１９に示されるように，図１７と同様の工程において位置ずれが生じた場合の最終的に得られる構造（図１９（ｉ））では上層Ｃｕの下面の一部にバリア膜で覆われない領域ができる。したがって，配線材７からＣｕ拡散の抑制が保証されず，高い信頼性を得るための障害となっていた
　
（本３）「
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたもの
その主たる目的は，多層配線間の接続抵抗を低く保ち，ＥＭに対する高い耐性を持ちつつ，異層間のパターニングにおける位置ずれが生じても配線部から外部への配線材の拡散を抑制することができる多層配線構造の半導体装置及びその製造方法を提供すること
　
　そうすると，上記摘記（本１）−（本３）の記載に照らして，発明の課題は「多層配線間の接続抵抗を低く保ち，ＥＭに対する高い耐性を持ちつつ，異層間のパターニングにおける位置ずれが生じても配線部から外部への配線材のＣｕ拡散を抑制することができる多層配線構造の半導体装置及びその製造方法を提供すること」であると認められる。
　
　一方，本願の請求項１の記載は「配線層の上面下部の当該配線層の導体以外の領域に，配線材の拡散を防止する絶縁膜からなる第１のバリア膜を配置し，当該配線層の上面上部に，前記第１のバリア膜とは異なる組成からなる，配線材の拡散を防止する第２のバリア膜を配置した構造を有することを特徴とする半導体装置」であるから，請求項１においては，配線材の導体の材料が規定されていない。
　そうすると，配線材の組成がＣｕであることが規定されていない請求項１に記載された発明によっては，配線部から外部への配線材のＣｕ拡散を抑制するという課題を解決することはできないから，請求項１の記載は，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているものと認められる。
　また，請求項１の記載は，多層配線を有する構造であること，配線材上のバリア膜及び層間絶縁膜に対して接続孔が設けられること，上層の配線材と下層の配線材がＣｕのみで接合されること，及び，バリア膜と配線材とが接触する構造を有することも規定していない。そうすると，請求項１の発明は，これらの点においても，「多層配線間の接続抵抗を低く保ち，ＥＭに対する高い耐性を持ちつつ，異層間のパターニングにおける位置ずれが生じても配線部から外部への配線材のＣｕ拡散を抑制することができる多層配線構造の半導体装置及びその製造方法を提供することにある」という課題を解決することができないから，請求項１の記載は，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているものと認められる。
　
　すなわち，本願の請求項１の記載は，発明の詳細な説明に記載された発明の課題を解決するための手段を反映していないから，本願の請求項１の記載は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。
　
　したがって，本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」を要件とする特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
　なお，出願人は，平成２１年３月３０日に提出した補正書と同時に提出した意見書において，前記の拒絶の理由に対して，「上記ご指摘に対して，段落００６５〜００９３，図１２〜１５の記載に基づいて，「Ｃｕ又はＣｕを主体とする合金を配線材とする」ことを規定する従属項３，６を追加いたしました。」として，特許法第３６条第６項第１号に係る拒絶の理由は解消した旨を主張する。
　しかしながら，補正後の請求項１については，依然として「Ｃｕ又はＣｕを主体とする合金を配線材とする」ことは規定されていないから，拒絶の理由が解消したとは認められない。よって，審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
３　むすび
　したがって，本願は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。また，本願発明１は，発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められない。よって，本願は，特許法第２９条第２項，及び，特許法第３６条第６項第１号の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。