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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】  前記バフ研磨ステーションが、前記バフ研磨エレメントを毎分あたり略１２２０ないし３６６０センチ（略４０ないし１２０フィート）で回転させるウエハ位置決めアセンブリを備えている請求項７記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  請求項１記載のシステムであって、
前記バフ研磨ステーションは、前記バフ研磨エレメントを毎分あたり略１２２０ないし３６６０センチ（略４０ないし１２０フィート）で回転させながら、前記バフ研磨エレメントの少なくとも１つを、略０．１ないし４ｐｓｉの範囲の圧力でウエハ表面に押しつけるステーションであるシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  前記研磨工程において、前記バフ研磨エレメントを押しつけながら、毎分あたり略１２２０ないし３６６０センチ（略４０ないし１２０フィート）の範囲内の速度でバフ研磨エレメントを回転させる請求項１４記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、標準のスクラブと比較して高いエネルギー（高圧で高速）で操作可能なブラシ／パッドアセンブリを提供する。本発明のシステムでは、先行技術のスクラバで通常用いられるよりも高い圧力で実施できる。本発明において、バフ研磨の際に、本発明システムは、６８９．５ないし２７５８００Ｐａ（０．１ないし４ｐｓｉ（約０．２ないし２０ポンド））のダウン圧力、又はダウンフォースおよび毎分約１２２０ないし３６６０センチ（約４０ないし１２０フィートの相対速度で操作する。対称的に、標準のスクラバでは、約６８９．５ないし３４４８Ｐａ（約０．１ないし０．５ｐｓｉ（０．２ないし１ポンド））の圧力と毎分１５２．５ないし６１０センチ（毎分５ないし２０フィート）の相対速度で操作する。典型的な先行技術でのポリシング装置では、１３７９０ないし２７５８０Ｐａ（２ないし４ＰＳＩ（１００ポンド））のダウン圧力と毎分４８８０ないし７６２５センチ（毎分１６０ないし２５０フィート）の相対速度でバフ研磨作業を行っている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ブラシコア３０１をウエハに適用するブラシ位置決め装置を制御して、各種圧力でブラシコア３０１をウエハに適用することもできる。言い換えれば、ブラシを物理的に連結するので、先行技術の運動に基づく荷重とは違って、ブラシは物理的に動かされる（押し下げられる）。ステッパモータからの大きな力で回転アーム３３１と３０２とを押し上げることにより、ブラシコア３０１を、増大した圧力でウエハに適用する。圧力が増大するのは、機械的な比率によるものである。図５は、先行技術のシステムでブラシコアを位置決めする時と本発明のシステムでブラシコアを位置決めする時との、ステッパモータを使用して２０３ミリ（８インチ）ウエハにブラシコアを適用する圧力を示すグラフである。本発明のきめ細かな工程により、先行技術よりも大きなブラシ運動を生み出すことができる。図示されているように、加えられる圧力量は、先行技術に比べて４倍から５倍も大きい。本発明により加えられる増大した圧力により、スクラブ中に埋没した粒子を除去することができる。圧力が増大することに加えて、ＨＦベースの処理を用いることにより、全体的により良好な洗浄処理ができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
モータが駆動軸３１０に供給する回転運動を、一組のギアを介してブラシコア３０１に供給する。（上部ブラシアセンブリ３００と下部ブラシアセンブリの両方に対する軸フィードスルーにより、駆動軸の駆動モータの作動に応じて、駆動軸３１０および３６０を自由に回転させることに留意されたい。）遊び歯車３１２を、駆動軸３１０に連結する。駆動ギア３１１をブッシュコア０１に連結する。遊び歯車３１２と駆動ギア３１１は、それらの歯を介して互いに接触している。駆動軸３１０を回転する時に、遊び歯車３１２が回転する。次に、遊び歯車３１２の回転運動は、本技術で周知の方法で駆動ギア３１１に移送される。ギアのサイズは、デザイン選択であることに留意されたい。一実施例においては、遊び歯車３１２と駆動ギア３１１は各々、歯が６６個、ピッチが２４、直径が６９．８５ミリ（２．７５インチ）である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受信された信号の異なるバージョンをダイバーシチ組み合わせし、干渉抑制を使用して干渉信号を取り除く移動局であって、
第１の信号と第２の信号とを受信する少なくとも２つのアンテナ要素と、
前記第１の信号と第２の信号とを処理する複数の受信信号処理分岐であって、各分岐が、分岐へ入力された信号の遅延したバージョンを生成する遅延ユニットと、前記信号の遅延したバージョンを逆拡散する逆拡散ユニットと、重み付け係数を使用して前記逆拡散ユニットの出力を重み付けする重み付けユニットとを含む複数の受信信号処理分岐と、
対応する遅延を有する処理分岐内の重み付けユニットからの出力を組み合わせる複数の第１の結合器と、
前記複数の第１の結合器からの出力を組み合わせる第２の結合器とを備え、
前記重み付け係数が前記干渉信号を取り除くように選択されていることを特徴とする移動局。
【請求項２】  前記重み付け係数が、干渉除去ベクトルと最大比組合せベクトルとの組合せを使用して計算されることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項３】  前記重み付け係数が望ましくない信号の共分散を使用して計算されることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項４】  前記重み付け係数がすべての受信された信号の共分散を使用して計算されることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項５】  前記重み付け係数が各遅延について個別に計算されることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項６】  前記重み付け係数がスタッキング動作内のすべての遅延について同時に計算されることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項７】  所望のＣＤＭＡ信号を移動局に送信するための少なくとも１つの基地局と、少なくとも１つの干渉ＣＤＭＡ信号を前記移動局に送信するための少なくとも１つの基地局とを有するＣＤＭＡ無線通信システムであって、
前記少なくとも１つの移動局は、
前記所望のＣＤＭＡ信号のうち少なくとも２つのバージョンを受信するアンテナ手段と、
前記所望のＣＤＭＡ信号の前記少なくとも２つのバージョン内に含まれる情報の組合せを使用して、受信器に向けられた情報を検出する受信信号処理手段であって、干渉除去ベクトルと最大比組合せベクトルとの組合せを使用して計算される重み付け係数を使用して、前記少なくとも１つの干渉ＣＤＭＡ信号を取り除く手段を含む受信信号処理手段とを備えることを特徴とするＣＤＭＡ無線通信システム。
【請求項８】  前記少なくとも１つの干渉信号を取り除く手段が、前記少なくとも１つの干渉する基地局からの信号の共分散を使用して前記重み付け係数を計算することを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡ無線通信システム。
【請求項９】  前記少なくとも１つの干渉信号を取り除く手段が、すべての受信された信号の共分散を使用して前記重み付け係数を計算することを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡ無線通信システム。
【請求項１０】  前記重み付け係数が、複数の遅延のそれぞれについて個別に計算されることを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡ無線通信システム。
【請求項１１】  前記重み付け係数が、スタッキング動作内で使用する複数の遅延のそれぞれについて同時に計算されることを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡ無線通信システム。
【請求項１２】  各アンテナ要素が移動局に向けられた信号及び少なくとも１つの干渉信号を受信する少なくとも２つのアンテナ要素と、
前記少なくとも２つのアンテナ要素のそれぞれ上で受信された所期信号を、前記少なくとも１つの干渉信号と関連した干渉共分散マトリックスを使用して、前記少なくとも１つの干渉信号を抑制する方法で組み合わせる手段とを備えることを特徴とする移動局。
【請求項１３】  第１のユーザに関連する機器へ制限されたアクセスをする家庭基地局であって、第２のユーザに関連した機器に関して干渉信号を送信する家庭基地局と、
所望の信号を前記第２のユーザに送信するためのセルラー基地局と、
前記第２のユーザに関連する移動局とを備え、
前記移動局が、
前記所望の信号の第１のバージョンと第２のバージョンをそれぞれ受信し、前記家庭基地局から送信された前記干渉信号を受信するための２つのアンテナ要素と、
前記干渉信号に関連する共分散マトリックスと、前記所望の信号と前記干渉信号との両方に関連する共分散マトリックスのうち１つを使用して、前記干渉信号を抑制する方法で前記所望の信号の前記第１のバージョンと第２のバージョンとを組み合わせる信号処理ユニットとを含むことを特徴とする無線通信システム。
【請求項１４】  移動局によって受信された合成ＣＤＭＡ信号を処理するための方法であって、
複数の拡散化符号を前記移動局に割り当てるステップと、
前記複数の拡散化符号のそれぞれを使用して、前記合成ＣＤＭＡ信号を逆拡散して複数の逆拡散信号を生成するステップと、
前記複数の逆拡散信号のうちの１つについて共分散マトリックスを計算して、前記合成ＣＤＭＡ信号内で受信された望ましくない信号に関連する干渉を取り除くステップと、
前記共分散マトリックスを前記複数の逆拡散信号の他のそれぞれに適用して、前記合成ＣＤＭＡ信号内で受信された望ましくない信号に関連する干渉を取り除くステップとを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力データを同時に暗号化し、圧縮する方法であって：
暗号化キーを識別するステップ；
前記暗号化キーを使用して圧縮アルゴリズムのセットから１つの圧縮アルゴリズムを識別するステップ；および、
前記入力データの第１のデータを前記１つの圧縮アルゴリズムに従って圧縮するステップ；
を包含することを特徴とする方法。
【請求項２】  入力データを同時に暗号化し、圧縮する装置であって：
複数の圧縮アルゴリズムを含む圧縮器セット；および、
暗号化キーの少なくとも一部に基づいて前記複数の圧縮アルゴリズムから１つの圧縮アルゴリズムを識別し、その１つの圧縮アルゴリズムに従って前記入力データの第１のデータを圧縮するコンクリプタ；
を備えることを特徴とする装置。
【請求項３】  プロセッサによって実行されるべく設計された複数のインストラクションであって、
暗号化キーを識別する機能；
前記暗号化キーを使用して圧縮アルゴリズムのセットから１つの圧縮アルゴリズムを識別する機能；および、
第１のデータを前記１つの圧縮アルゴリズムに従って圧縮する機能；
を含む機能を具体化するためのインストラクションがストアされたマシン可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  赤外線を反射可能な室内の表面と電話回線を持つ閉じたインドア空間で使用するためのワイヤレス通信リンクであって、
前記電話回線に接続されており、該電話回線から電気信号を受信し、該受信電気信号に応じて変調された拡散赤外線放射を全方位に送信し、前記閉じたインドア空間の室内の表面から変調された赤外線放射の反射を受信し、該受信赤外線放射に応じて該電話回線上に電気信号を送信するベースユニットと、
視聴覚装置に接続されており、前記ベースユニットにより送信された変調された赤外線放射を前記閉じたインドア空間の室内の表面から受信し、且つ、前記ベースユニットに前記閉じたインドア空間の室内の表面からの反射のために変調された拡散赤外線放射を全方位に送信することにより前記装置を前記電話回線に結合する、少なくとも１つの遠隔ユニットと、
を備えるワイヤレス通信リンク。
【請求項２】  前記少なくとも１つの遠隔ユニットは複数の遠隔ユニットを備える、請求項１記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項３】  前記ベースユニット及び前記複数の遠隔ユニットは時分割多元接続方式を用いて通信をする、請求項２記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項４】  前記複数の遠隔ユニットの１つに周辺装置が接続されている、請求項２記載のリンク。
【請求項５】  前記周辺装置はユーザインターフェース装置を備えている、請求項４記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項６】  前記周辺装置はディジタルカメラを備えている、請求項４記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項７】  前記視聴覚装置はウェブ可能なテレビを備えている、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項８】  前記視聴覚装置はパソコンを備えている、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項９】  前記視聴覚装置は携帯情報端末を備えている、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１０】  前記ワイヤード線は前記ベースユニットを電話ネットワークに結合する、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１１】  前記ワイヤード線は前記ベースユニットをインターネットに結合する、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１２】  前記ベースユニット及び前記少なくとも１つの遠隔ユニットは１Ｍｂｐｓ以上の速度でデータを送受信する、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１３】  前記ベースユニット及び前記少なくとも１つの遠隔ユニットは半二重モードでデータを送受信する、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１４】  前記ベースユニット及び前記少なくとも１つの遠隔ユニットは全二重モードでデータを送受信する、請求項１から６のいずれか１項に記載のワイヤレス通信リンク。
【請求項１５】  ワイヤード接続なしに、視聴覚装置を、赤外線を反射可能な室内の表面を持つ閉じたインドア空間の電話回線に接続する方法であって、
前記電話回線上の電気信号を受信し、
前記閉じた空間の室内の表面からの反射のために、該受信電気信号に応じて変調された拡散赤外線放射を前記視聴覚装置に全方位に送信し、
前記視聴覚装置により送信された、前記閉じた空間の室内の表面からの変調された赤外線放射を受信し、そして
前記受信した赤外線放射に応答して前記電話回線上に電気信号を送信する、
というステップを備える、視聴覚装置を電話回線に接続する方法。
【請求項１６】  拡散放射の送受信は、前記視聴覚装置と前記電話回線との間の視線が存在しない場合の放射の送受信を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記拡散放射の送信は、前記電気信号を符号化して赤外線パルスを生成することを含み、前記電気信号の受信は前記赤外線パルスをデコードして電気信号を生成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  前記拡散赤外線放射の送受信は、複数の装置に放射を送信し複数の装置から放射を受信することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】  前記放射の受信は周辺装置から送信された放射を受信することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記周辺装置はディジタルカメラを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記放射の受信はユーザインターフェース装置からの放射を受信することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】  前記放射の送受信は、搬送波に基づく変調方式を用いて所定タイムスロットの間に放射の送受信をすることを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】  前記放射の送受信は、時分割多元接続方式を用いて放射を送受信することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】  前記放射の送受信は、半二重モードで送受信することを含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】  前記放射の送受信は、全二重モードで送受信することを含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】  前記電気信号の送受信は、電話ネットワークに信号を送信し、電話ネットワークから信号を受信することを含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】  前記電気信号の送受信は、インターネットに信号を送信し、インターネットから信号を受信することを含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】  前記視聴覚装置はテレビを備えている、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】  前記視聴覚装置はパソコンを備えている、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】  前記視聴覚装置は携帯情報端末を備えている、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】  前記赤外線放射の送受信は、１Ｍｂｐｓ以上の速度でデータを送受信することを含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】  前記赤外線放射の送受信は、前記ワイヤード通信線の差し込み口と前記視聴覚装置との間で、その間の中継送信機を使用することなしに、放射の送受信をすること含む、請求項１５から２３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電磁放射ビームの発散を変化させるための装置（１０）であって、ビームのための電磁気的開口（２８）および磁気手段（２０）を含む本体（１２）を有し、磁気手段（２０）が本体（１２）を横切る磁気勾配を発生してビームが本体を通過する時に作用するように配されているものにおいて、電磁気的開口（２８）の中心領域から周辺領域に電磁気的開口（２８）上にわたって差動的な位相遅延が存在するように磁気手段（２０）が電磁気的開口（２８）に作用することを特徴とする装置（１０）。
【請求項２】  中心領域の位相遅延の大きさが周辺領域の位相遅延の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の装置（１０）。
【請求項３】  中心領域の位相遅延の大きさが周辺領域の位相遅延の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の装置（１０）。
【請求項４】  開口（２８）が磁気手段（２０）の活動により誘導された副開口を少なくとも１つ有することを特徴とする前記請求項のいずれか記載の装置（１０）。
【請求項５】  副開口が磁気手段（２０）により画定される境界を有することを特徴とする請求項４記載の装置（１０）。
【請求項６】  電磁放射ビームの発散を変化させるための装置（１０）であって、ビームのための電磁気的開口（２８）および磁気手段（２０）を含む本体（１２）を有し、磁気手段（２０）が本体（１２）を横切る磁気勾配を発生してビームが本体を通過する時に作用するように配されているものにおいて、磁気手段（２０）が少なくとも１つのエレメントを有し、副開口が各エレメントに付随しそして各エレメントがその付随した副開口の境界を画定し、電磁気的開口（２８）の中心領域から周辺領域に電磁気的開口（２８）上にわたって差動的な位相遅延が存在するように磁気手段（２０）が電磁気的開口（２８）に作用することを特徴とする装置（１０）。
【請求項７】  磁気手段（２０）が、開口（２８）を横断し磁化の大きさに変動を誘導するように配されていることを特徴とする装置（１０）。
【請求項８】  磁気手段（２０）が各副開口を横断して存在する磁化の値に変化を誘導するように配されていることを特徴とする請求項６または請求項７記載の装置（１０）。
【請求項９】  磁気手段（２０）が１または複数の磁場の長い源を有することを特徴とする請求項６ないしは請求項８のいずれか記載の装置（１０）。
【請求項１０】  長い源が互いに平行に配されていることを特徴とする請求項９記載の装置（１０）。
【請求項１１】  磁気手段（２０）が電流を運ぶための１または複数の通路であることを特徴とする請求項６ないし請求項１０のいずれか記載の装置（１０）。
【請求項１２】  各通路により運ばれる電流が、磁気手段（２０）により発生される磁場の大きさを変化させよって本体（１２）内に誘導される磁化の大きさを変化させるために、変化されることを特徴とする請求項１１記載の装置（１０）。
【請求項１３】  磁気手段（２０）が、１または複数の磁場の長い源の第１組および１または複数の磁場の長い源の第２組とを有し、第１組が第２組に対して０度以上の角度に向けられた格子形状であることを特徴とする請求項６ないし請求項１２のいずれか記載の装置（１０）。
【請求項１４】  ビームを方位角方向および仰角方向に独立に広げるため、第１組と第２組の磁場の源の磁場の大きさが独立に制御可能であることを特徴とする請求項１３記載の装置（１０）。
【請求項１５】  磁気手段（４４、４６）が開口（５６）の１または複数の側方の近くの位置に設けられていることを特徴とする請求項６ないし請求項１４のいずれか記載の装置（４０）。
【請求項１６】  ２つの磁気手段（４４、４６）が存在することを特徴とする請求項１５記載の装置（４０）。
【請求項１７】  磁気手段（４４、４６）が開口（５６）の反対側方に１または複数の対として設けられていることを特徴とする請求項１５または請求項１６記載の装置（４０）。
【請求項１８】  放射ビームはマイクロ波放射である請求項６ないし請求項１７のいずれか記載の装置（１０）。
【請求項１９】  放射ビームはミリメータ波長放射である請求項１８に記載の装置（１０）。
【請求項２０】  前記請求項のいずれかに記載の装置（１０）を含むレーダーシステムを有する制御システム。
【請求項２１】  請求項２０に記載の制御システムを含む乗物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と；
前記基板に形成されたソース領域と；
前記基板に形成されたウェル領域と；
前記ウェル領域に少なくともその一部が形成され、第１の末端領域と第２の末端領域とを含み、前記第１の末端領域と前記第２の末端領域との間に抵抗領域を含むドレイン領域と；
前記ドレイン領域の前記第１の末端領域上で形成されたドレイン電極と；さらに
前記ソース領域と前記ドレイン領域の前記第２の末端領域との間で、前記基板上に形成されるゲート構造とを有し、そのゲート構造が前記ソース領域を前記ドレイン領域に結合するチャネル領域を定めている；
ＥＳＤ保護構造を備えた低静電容量トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置を製造する方法であって、
基板上に第１の誘電層を形成するステップと、
前記第１の誘電層の上に、中に空隙を有し第１の導電フィーチャを含む第１のパターニングされた導電層を形成するステップと、
前記空隙を充填する水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）の層であるＨＳＱ空隙充填層を堆積させるステップと、
前記第１のパターニングされた導電層および前記ＨＳＱ空隙充填層の上に第２の誘電層を堆積させるステップと、
前記第２の誘電層の上面を平坦化するステップと、
前記第２の誘電層に、前記第１の導電フィーチャの上面の一部および側面の少なくとも一部を露出させ、かつ前記ＨＳＱ空隙充填層の一部を貫通し露出させる貫通孔を形成するステップと、
不活性雰囲気内で熱処理を行なうステップと、
前記貫通孔を導電材料で充填してボーダレスビアを形成するステップとを逐次的に含む、半導体装置を製造する方法。
【請求項２】  導電層は金属層を含み、前記第１の導電フィーチャは第１の金属フィーチャを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記金属層は複合金属層であり、
下部高融点金属層と、
アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む中間一次導電層と、
上部反射防止コーティングとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  パターニングされた金属層は約０．２５ミクロン以下の大きさの複数の金属線を含み、前記空隙は配線間スペースを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記第２の誘電層の上にフォトレジストマスクを形成するステップと、
反応性イオンエッチングを行なって前記貫通孔を形成するステップと、
前記フォトレジストマスクを除去するステップと、
前記貫通孔に対し湿式溶媒洗浄を行なうステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】  炭化フッ素エッチャントで反応性イオンエッチングを行なうステップと、
酸素含有プラズマを用いて前記フォトレジストマスクを除去するステップと、
湿式溶媒洗浄を行なって反応性イオンエッチング中に生じたポリマを除去するステップとを含み、前記ＨＳＱ空隙充填層は湿式溶媒洗浄中に水を吸収し、さらに、
熱処理を行なって湿式溶媒洗浄中に吸収された水を除去するステップとを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  湿式溶媒洗浄の後かつ熱処理の前にプラズマ除去を行なうステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  熱処理を約３００℃から約４００℃の温度で行なうステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】  熱処理を約０．５から約４５分間行なうステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  熱処理を約３５０℃の温度で約３０分間行なうステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  熱処理を、窒素、アルゴンおよび／または窒素と１０容量％までの水素とを含有する成形ガスを含む不活性雰囲気内で行なうステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  熱処理は、
前記基板を約３００℃の温度に保たれた炉の中に入れるステップと、
前記炉の温度を約３５０℃から約４００℃の範囲まで上昇させるステップと、
熱処理を約０．５から約４５分間行なうステップと、
前記炉の温度を約３００℃まで下降させるステップと、
前記基板を前記炉から取出すステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】  前記貫通孔を複合導電プラグで充填するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１４】  第２の導電層に対し接着促進剤の役割をする第１の導電バリア層を堆積させるステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記第１の導電層は、チタン、チタン−窒化物、チタン−タングステンまたはチタン−窒化チタンを含み、前記第２の導電層はタングステンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  熱処理のステップと、前記貫通孔を導電材料で充填して前記ボーダレスビアを形成するステップとの間に湿式または熱処理を行なわない、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】  不活性雰囲気内での熱処理のステップと、前記貫通孔を導電材料で充填して前記ボーダレスビアを形成するステップとの間に介在する処理ステップを行なわない、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記第２の誘電層を化学機械研磨により平坦化するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１９】  前記第２の誘電層は酸化物を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項２０】  前記酸化物は、プラズマ化学気相成長によりテトラエチルオルトケイ酸塩またはシランから得た酸化シリコンである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記第２の誘電層を堆積させる前に中間酸化物を前記ＨＳＱ空隙充填層上に堆積させるステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  前記中間酸化物の層を平坦化するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  熱処理を約３００℃から約４００℃の温度で行なうステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項２４】  熱処理を約０．５から約４５分間行なうステップを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  熱処理を約３５０℃の温度で約３０分間行なうステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】  熱処理を、窒素、アルゴンおよび／または窒素と１０容量％までの水素とを含有する成形ガスを含む不活性雰囲気内で行なうステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】  熱処理は、
前記基板を約３００℃の温度に保たれた炉に入れるステップと、
前記炉の温度を約３５０℃から約４００℃の範囲に上昇させるステップと、
熱処理を約０．５から約４５分間行なうステップと、
前記炉の温度を約３００℃まで下降させるステップと、
前記基板を前記炉から取出すステップとを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】  第２のパターニングされた金属層を前記第２の誘電層の上に形成するステップを含み、前記第２のパターニングされた金属層は前記ボーダレスビアにより前記第１の金属フィーチャに電気的に接続された第２の金属フィーチャを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項２９】  熱処理を、先行する処理中に前記ＨＳＱ空隙充填層が吸収した水を除去するのに十分な条件下で行なうステップを含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置であって、
少なくとも第１のシリコン酸化物絶縁体（ＳＯＩ）トランジスタおよび第２のＳＯＩトランジスタを含み、少なくとも第１のＳＯＩトランジスタは半導体本体領域を有し、前記装置はさらに、
第１のＳＯＩトランジスタと第２のＳＯＩトランジスタとの間に半導体遷移領域を含み、遷移領域は第１の導電型を有して電力供給電圧源と通じ、第１の導電型および電圧源は第１のＳＯＩトランジスタを第２のトランジスタから選択的に分離して第１のＳＯＩトランジスタの本体領域がフローティング効果を現すように選択され、または本体領域がフローティング効果を現さないように本体領域を連結するように選択される、装置。
【請求項２】  遷移領域を電圧源に接続するオーミックコネクタをさらに含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  遷移領域が比較的重度にドープされた領域および比較的軽度にドープされた領域を含み、オーミックコネクタが比較的重度にドープされた領域に接触する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  第１のトランジスタが第１の導電型を有するソースおよびドレイン領域を含み、遷移領域が第１のＳＯＩトランジスタを第２のＳＯＩトランジスタから分離し、第１のＳＯＩトランジスタの本体がフローティング効果を現す、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】  第１のトランジスタが第１の導電型とは逆の第２の導電型を有するソースおよびドレイン領域を含み、遷移領域が、第１のＳＯＩトランジスタの本体が実質上フローティング効果を現さないように、第１のＳＯＩトランジスタの本体領域を電圧源と連結する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】  第１のＳＯＩトランジスタがソースおよびドレイン領域を含み、ソースおよびドレイン領域はＮ型ドーパントでドープされ、電圧源はトランジスタドレイン電圧源である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】  第１のＳＯＩトランジスタがソースおよびドレイン領域を含み、ソースおよびドレイン領域はＰ型ドーパントでドープされ、電圧源はトランジスタソース電圧源である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】  比較的重度にドープされた領域が１立方センチメートルあたり約１０19原子から１立方センチメートルあたり約１０21原子の値になるようにドープされ、比較
的軽度にドープされた領域が１立方センチメートルあたり約１０14原子から１立方センチメートルあたり約１０18原子の値になるようにドープされる、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】  第１のＳＯＩトランジスタがゲートを含み、ゲートと遷移領域とを相互接続して、ダイナミックスレッショルド金属酸化物シリコン（ＤＴＭＯＳ）装置を確立するコンダクタをさらに含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】  電力供給電圧源が、バイアスされた金属酸化物シリコン（ＭＯＳ）装置を確立するための可変の電圧を出力する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】  シリコン酸化物絶縁体（ＳＯＩ）装置であって、
少なくとも１つのＳＯＩ層と、
ＳＯＩ層を支持する少なくとも１つのシリコン基板と、
ＳＯＩ層上の少なくとも１つの本体領域とを含み、本体領域は第１の導電型によって特徴付けられ、前記装置はさらに、
本体領域と並置された少なくともソースおよびドレイン領域を含み、ソースおよびドレイン領域は第２の導電型によって特徴付けられ、前記装置はさらに、
ＳＯＩ層上方の本体領域の近傍に配置された少なくとも１つの遷移領域を含み、遷移領域は遷移導電型によって特徴づけられ、遷移導電型は、本体領域におけるフローティング本体効果を抑制するためには第１の導電型に確立され、遷移導電型は、本体領域を分離するためには第２の導電型に確立される、装置。
【請求項１２】  遷移領域と電気接触しているオーミックコネクタをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】  遷移領域が比較的重度にドープされた領域および比較的軽度にドープされた領域を含み、オーミックコネクタが比較的重度にドープされた領域に接触する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  オーミックコネクタに接続された電圧源をさらに含み、電圧源は、ソースおよびドレイン領域がＮ型ドーパントでドープされるときトランジスタドレイン電圧源として確立され、電圧源は、ソースおよびドレイン領域がＰ型ドーパントでドープされるときトランジスタソース電圧源として確立される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】  比較的重度にドープされた領域が１立方センチメートルあたり約１０19原子から１立方センチメートルあたり約１０21原子の値になるようにドープされ、比較的軽度にドープされた領域が１立方センチメートルあたり約１０14原子から１立方センチメートルあたり約１０18原子の値になるようにドープされる、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】  ゲートと、
ゲートと遷移領域とを相互接続してダイナミックスレッショルド金属酸化物シリコン（ＤＴＭＯＳ）装置を確立するコンダクタとをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】  電圧源が、バイアスされた金属酸化物シリコン（ＭＯＳ）装置を確立するための可変の電圧を出力する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】  遷移領域が比較的重度にドープされた領域および比較的軽度にドープされた領域を含み、オーミックコネクタが比較的重度にドープされた領域に接触する、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１９】  遷移領域が比較的重度にドープされた領域および比較的軽度にドープされた領域を含み、オーミックコネクタが比較的重度にドープされた領域に接触する、請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  約0.05〜約10ミクロンの直径を有する、水−不溶性又は貧溶性の薬剤の粒子（該薬剤は、該薬剤粒子の表面を被覆する燐脂質を有しており、該薬剤粒子は、帯電した表面改質剤及びブロックコポリマーで安定化されている）を含む薬剤組成物であって、
該帯電した表面改質剤は、静電的安定化を与え、
該ブロックコポリマーは、オストワルト熟成及び粒子集合に対して立体的安定性を与え、小粒子形成を与える、
ことを特徴とする薬剤組成物。
【請求項２】  約0.05〜約10ミクロンの直径を有する、水−不溶性又は貧溶性の薬剤の粒子（該粒子は、0.01重量％〜50重量％の天然に産する燐脂質、0.01重量％〜5.0重量％の帯電した表面改質剤及び0.01重量％〜20重量％のブロックコポリマーの混合物で被覆されている）を含む薬剤組成物であって、
該帯電した表面改質剤は、静電的安定化を与え、
該ブロックコポリマーは、オストワルト熟成及び粒子集合に対して立体的安定性を与え、小粒子形成を与える、
ことを特徴とする薬剤組成物。
【請求項３】  ブロックコポリマーがエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドから誘導されるか、又はエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドのエチレンジアミンに対する連続付加から誘導された四官能性ブロックコポリマーであるか、又はこれらの組み合わせである、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】  燐脂質が、卵又は植物由来の又は半合成又は合成の部分的又は完全に水素化された形の又は脱塩された又は塩の形にされた燐脂質である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項５】  天然に産する燐脂質が0.05重量％〜20重量％の量で存在する請求項２に記載の組成物。
【請求項６】  帯電した表面改質剤が、帯電した燐脂質、フォスファチジルコリン、ジミリストイルフォスファチジルグリセロールナトリウム塩、フォスファチジルエタノールアミン、フォスファチジルセリン、フォスファチジン酸、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項１又は２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  テトラサイクリン化合物を含む、生物系における膜型マトリックスメタロプロテイナーゼ活性の阻害剤。
【請求項２】  該テトラサイクリン化合物が
4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-1)、
テトラサイクリノニトリル(CMT-2)、
6-デメチル-6-デオキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-3)、
4-デ(ジメチルアミノ)-7-クロロテトラサイクリン(CMT-4)、
テトラサイクリンピラゾール(CMT-5)、
4-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-6)、
4-デ(ジメチルアミノ)-12α-デオキシテトラサイクリン(CMT-7)、
6-α-デオキシ-5-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-8)、
4-デ(ジメチルアミノ)-12α-デオキシアンヒドロテトラサイクリン(CMT-9)、及び
4-デ(ジメチルアミノ)ミノサイクリン(CMT-10)
からなる群より選ばれる、請求項１記載の阻害剤。
【請求項３】  該テトラサイクリン化合物が
6-デメチル-6-デオキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-3)、又は
6-α-デオキシ-5-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-8)
である、請求項１記載の阻害剤。
【請求項４】  該生物系が、培養した哺乳動物細胞を含む、請求項１記載の阻害剤。
【請求項５】  該哺乳動物細胞が腫瘍細胞、破骨細胞、又は線維芽細胞を含む、請求項４記載の阻害剤。
【請求項６】  該生物系が哺乳動物である、請求項１記載の阻害剤。
【請求項７】  該哺乳動物が過度のMT-MMP活性を特徴とする症状をもつ、請求項６記載の阻害剤。
【請求項８】  該哺乳動物ががんに罹っている、請求項６記載の阻害剤。
【請求項９】  該がんががん腫、線維肉腫、又は骨肉腫である、請求項８記載の阻害剤。
【請求項１０】  該哺乳動物が過度の破骨細胞活性を特徴とする症状をもつ、請求項６記載の阻害剤。
【請求項１１】  テトラサイクリン化合物を含む、哺乳動物におけるMT-MMP活性の阻害剤。
【請求項１２】  該テトラサイクリン化合物が
4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-1)、
テトラサイクリノニトリル(CMT-2)、
6-デメチル-6-デオキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-3)、
4-デ(ジメチルアミノ)-7-クロロテトラサイクリン(CMT-4)、
テトラサイクリンピラゾール(CMT-5)、
4-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-6)、
4-デ(ジメチルアミノ)-12α-デオキシテトラサイクリン(CMT-7)、
6-α-デオキシ-5-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-8)、
4-デ(ジメチルアミノ)-12α-デオキシアンヒドロテトラサイクリン(CMT-9)、及び
4-デ(ジメチルアミノ)ミノサイクリン(CMT-10)
からなる群より選ばれる、請求項１１記載の阻害剤。
【請求項１３】  該テトラサイクリン化合物が
6-デメチル-6-デオキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-3)、又は
6-α-デオキシ-5-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-8)
である、請求項１１記載の阻害剤。
【請求項１４】  該哺乳動物ががんに罹っている、請求項１１記載の阻害剤。
【請求項１５】  該がんががん腫、線維肉腫、又は骨肉腫である、請求項１４記載の阻害剤。
【請求項１６】  該哺乳動物が過度の破骨細胞活性を特徴とする症状をもつ、請求項１１記載の阻害剤。
【請求項１７】  テトラサイクリン化合物を含む、がん腫細胞、線維肉腫細胞、又は骨肉腫細胞の侵入可能性の阻害剤。
【請求項１８】  該テトラサイクリン化合物が
6-デメチル-6-デオキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-3)、又は
6-α-デオキシ-5-ヒドロキシ-4-デ(ジメチルアミノ)テトラサイクリン(CMT-8)
である、請求項１７記載の阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  癌がビタミンD薬剤による治療に反応し、ビタミンD薬剤を抗増殖用量で投与した場合にヒトが高カルシウム血症に罹りやすく、かつ、薬物が、治療的に有効なパルス用量のビタミンD薬剤を、抗癌作用を有するが重度の症候性高カルシウム血症を誘発しない量で、３日に１回を超えずにヒトへ投与するためのものである、ヒトにおける癌を治療する薬物の製造のためのビタミンD薬剤の使用。
【請求項２】  ビタミンD薬剤を抗増殖用量で投与した場合にヒトが重度の症候性高カルシウム血症に罹りやすい、請求項１記載の使用。
【請求項３】  ビタミンD受容体を発現する癌を有するヒトにビタミンD薬剤が投与される、請求項１記載の使用。
【請求項４】  癌が前立腺、乳房、結腸、肺、頭頚部、膵臓、子宮内膜、膀胱、子宮頚部、卵巣の癌、扁平細胞癌、腎細胞癌、骨髄およびリンパ性白血病、リンパ腫、髄質甲状腺癌、黒色種、多発性骨髄腫、網膜芽細胞腫、ならびに軟組織および骨の肉腫からなる群より選択される、請求項３記載の使用。
【請求項５】  癌が乳癌または前立腺癌である、請求項４記載の使用。
【請求項６】  癌が非小細胞肺癌である、請求項３記載の使用。
【請求項７】  ビタミンD薬剤が、カルシポトリオールより大きい、またはこれに等しいカルシウム血症指数を有する、請求項１記載の使用。
【請求項８】  ビタミンD薬剤が少なくとも1.0より大きいカルシウム血症指数を有する、請求項１記載の使用。
【請求項９】  ビタミンD薬剤の半減期が約１日を超えない、請求項７記載の使用。
【請求項１０】  ビタミンD薬剤の半減期が約６時間を超えない、請求項７記載の使用。
【請求項１１】  ビタミンD薬剤が、症候性高カルシウム血症を引き起こすことなく癌の分化または退縮を誘発するための期間、ビタミンD薬剤の血清濃度を超生理的レベルに上昇させる量で、ヒトに投与される、請求項９記載の使用。
【請求項１２】  ビタミンD薬剤がカルシトリオールである、請求項１記載の使用。
【請求項１３】  カルシトリオールが少なくとも0.12 mcg/kg/日の用量で５日に１回を超えずに経口投与される、請求項１２記載の使用。
【請求項１４】  カルシトリオールが週１回を超えずに投与される、請求項１３記載の使用。
【請求項１５】  カルシトリオールが少なくとも0.48 mcg/kg/日の用量で経口投与される、請求項１２記載の使用。
【請求項１６】  カルシトリオールが週１回を超えずに投与される、請求項１５記載の使用。
【請求項１７】  癌がビタミンD受容体を発現し、カルシトリオールが約0.5 mcg/kgの用量で投与される、請求項１２記載の使用。
【請求項１８】  カルシトリオールが週１回を超えずに投与される、請求項１７記載の使用。
【請求項１９】  ヒトが、食事からのカルシウム吸収を減少させるために、ビタミンD薬剤の投与前の期間、低カルシウム食を処方される、請求項１記載の使用。
【請求項２０】  ビタミンD薬剤が二燐酸塩破骨細胞阻害剤（bisphosphonate osteoclast inhibitor）と共に投与される、請求項１記載の使用。
【請求項２１】  治療的に有効な量で投与した場合にカルシトリオールの半減期が約１日を超えない、少なくとも5 mcgのカルシトリオールおよび少なくとも１種類の担体を含む、薬学的投与剤形。
【請求項２２】  経口投与剤形であり、かつ経口投与剤形の単位あたり少なくとも100 mcg／のカルシトリオールを含む、請求項２１記載の薬学的投与剤形。
【請求項２３】  5〜100 mcgのカルシトリオールを含む、請求項２１記載の薬学的投与剤形。
【請求項２４】  薬学的投与剤形が錠剤またはカプセル剤である、請求項２１〜２３のいずれか一項記載の薬学的投与剤形。
【請求項２５】  用量が、約0.5 nMの血清カルシトリオールレベルを生じる、請求項２１〜２３のいずれか一項記載の薬学的投与剤形。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  骨治癒及び骨折修復用の薬剤組成物であって、副甲状腺ホルモン関連ペプチド（ＰＴＨｒＰ）のポリペプチド類似体又はこれらの塩（ここで、該ＰＴＨｒＰ類似体のアミノ酸残基２２〜３１は、両親媒性αらせんを形成する）を含む組成物。
【請求項２】  副甲状腺ホルモン関連ペプチド（ＰＴＨｒＰ）のポリペプチド類似体又はこれらの塩（ここで、該ＰＴＨｒＰ類似体のアミノ酸残基２２〜３１は、両親媒性αらせんを形成する）を使用することを特徴とする、骨治癒及び骨折修復用の医薬の調製方法。
【請求項３】  鼻内送達により投与される、請求項１記載の薬剤組成物。
【請求項４】  第２の骨治癒剤の骨折への局所投与と合わせて投与される、請求項１記載の薬剤組成物。
【請求項５】  骨折が、膜性骨にある、請求項１記載の薬剤組成物。
【請求項６】  全身投与される、請求項１記載の薬剤組成物。
【請求項７】  両親媒性αらせんが、
Ｇｌｕ  Ｌｅｕ  Ｌｅｕ  Ｇｌｕ  Ｘａａ  Ｌｅｕ  Ｌｅｕ  Ｇｌｕ  Ｌｙｓ  Ｌｅｕ
〔式中、Ｘａａは、正に荷電したアミノ酸残基である〕である、請求項１又は３〜６のいずれか１項記載の薬剤組成物。
【請求項８】  Ｘａａが、リシン又はヒスチジンである、請求項７記載の薬剤組成物。
【請求項９】  ＰＴＨｒＰ類似体が、
【表１】
2002509854.tif 000001
である、請求項８記載の薬剤組成物。
【請求項１０】  ＰＴＨｒＰ類似体が、相互にその側鎖を介して結合した少なくとも２個のアミノ酸残基を有する、請求項７記載の薬剤組成物。
【請求項１１】  結合したアミノ酸残基が、１３及び１７位又は２６及び３０位にある、請求項１０記載の薬剤組成物。
【請求項１２】  １７位のアミノ酸残基が、アスパラギン酸である、請求項１１記載の薬剤組成物。
【請求項１３】  ＰＴＨｒＰ類似体が、
【表２】
2002509854.tif 000002
である、請求項１２記載の薬剤組成物。
【請求項１４】  ＰＴＨｒＰ類似体が、場合により５、１３、１７、１９、２６、３０、３２及び／又は３４位で置換されている、３０〜５０個のアミノ酸残基のＮ末端切断型である、請求項１又は３〜６のいずれか１項記載の薬剤組成物。
【請求項１５】  ＰＴＨｒＰ類似体が、
【表３】
2002509854.tif 000003
である、請求項１４記載の薬剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号４（図７Ａ）に示されるヌクレオチド配列を含む核酸分子と、配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列をコードするヌクレオチド配列を含む核酸分子と、ナトリウム電流を引き起こし、かつストリンジェントな条件下、配列番号４（図７Ａ）に示される配列とハイブリダイズするタンパク質をコードする核酸分子とからなる群より選ばれる単離された核酸分子。
【請求項２】
前記核酸分子が電位依存性ナトリウムチャンネルをコードすることを特徴とする、請求項１に記載の単離された核酸分子。
【請求項３】
前記核酸分子がマウス電位依存性ナトリウムチャンネルをコードすることを特徴とする、請求項１に記載の単離された核酸分子。
【請求項４】
配列番号４（図７Ａ）に示されるヌクレオチド配列からなる単離された核酸分子。
【請求項５】
配列番号６（図８Ａ）に示されるヌクレオチド配列を含む単離された核酸分子。
【請求項６】
配列番号７（図８Ｂ）に示されるアミノ酸を有するタンパク質をコードするヌクレオチド配列を含む単離された核酸分子。
【請求項７】
前記核酸分子が１以上の発現制御要素と機能的に連結していることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離された核酸分子。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離された核酸を含むベクター。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の単離された核酸を含む、形質転換された宿主細胞。
【請求項１０】
請求項６に記載の単離された核酸によってコードされるタンパク質。
【請求項１１】
前記宿主細胞が原核宿主と真核宿主とからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項１０に記載の宿主細胞。
【請求項１２】
タンパク質が発現される条件下、請求項９に記載の宿主細胞を培養する工程を含む、タンパク質の生産方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法によって生産された単離されたポリペプチド。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の核酸分子がコードする単離されたポリペプチド。
【請求項１５】
配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドと、配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列の断片を含み、かつナトリウムイオンを細胞膜を横切るように輸送することができる単離されたポリペプチドと、１以上の同類アミノ酸置換を有する配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドと、１以上の自然変異を有する配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドとからなる群より選ばれる単離されたポリペプチド。
【請求項１６】
配列番号５（図７Ｂ）に示されるアミノ酸配列からなる単離されたポリペプチド。
【請求項１７】
配列番号７（図８Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドと、１以上の同類アミノ酸置換を有する配列番号７（図８Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドと、１以上の自然変異を有する配列番号７（図８Ｂ）に示されるアミノ酸配列を含む単離されたポリペプチドとからなる群より選ばれる単離されたポリペプチド。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載ポリペプチドをコードする核酸の発現を調節する薬剤を同定する方法であって、
（ａ）前記核酸を発現する細胞を前記薬剤に曝露する工程と、
（ｂ）前記薬剤が前記核酸の発現を調節するかどうかを決定する工程と
を含む方法。
【請求項１９】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のポリペプチドの少なくとも１の活性を調節する薬剤を同定する方法であって、
（ａ）前記ポリペプチドを発現する細胞を前記薬剤に曝露する工程と、
（ｂ）前記薬剤が前記ポリペプチドの発現を調節するかどうかを決定する工程と
を含む方法。
【請求項２０】
細胞膜を横切るナトリウムイオンを測定することによって活性を決定することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
細胞へのナトリウムイオン流入量を測定することによって活性を決定することを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
細胞内ナトリウム濃度を測定することによって活性を決定することを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ナトリウム流入量または前記ナトリウム濃度が２２Ｎａまたは８６Ｒｂを用いて測定することを特徴とする、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の核酸分子の発現を変化させる有効量の薬剤を投与することを含む、哺乳動物における痛みまたは感覚異常を治療する方法。
【請求項２５】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のポリペプチドの活性を変化させる有効量の薬剤を投与することを含む、哺乳動物における痛みまたは感覚異常を治療する方法。
【請求項２６】
前記活性がナトリウムイオンの流入であることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記哺乳動物がヒトであることを特徴とする、請求項２４または２５に記載の方法。