【事件の表示】
　特願２００１−２６８１１１「金属配線の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７９２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１３年９月４日を出願日とする特許出願であって、平成２２年３月２９日付けの拒絶理由通知書に対して同年５月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月２日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月９日付けで審尋がなされ、平成２４年２月８日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２２年１０月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年１０月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４を、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体基板上に有機系の絶縁膜である第１絶縁膜を形成する第１形成ステップと、
　前記第１絶縁膜上に無機系の絶縁膜である第２絶縁膜を形成する第２形成ステップと、
　前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第３形成ステップと、
　前記配線溝を満たし、かつ前記第２絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第４形成ステップと、
　前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜をＣＭＰにより除去する第１除去ステップと、
　を具備する金属配線の形成方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板上に有機系の絶縁膜である第１絶縁膜を形成する第１形成ステップと、
　前記第１絶縁膜上に無機系の絶縁膜である第２絶縁膜を形成する第２形成ステップと、
　前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第３形成ステップと、
　前記配線溝を満たし、かつ前記第２絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第４形成ステップと、
　前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する第１除去ステップと、
　を具備する金属配線の形成方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜をＣＭＰにより除去する第１除去ステップと、」を、「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する第１除去ステップと、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項４の「第２スラリー」を、「前記第２スラリー」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１３の「請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の金属配線の形成方法。」を、「請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。」と補正して、補正後の請求項１３とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１４の「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜をＣＭＰにより除去する第１除去ステップと、」を、「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する第１除去ステップと、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１及び４について
　補正事項１及び４は、各々補正前の請求項１及び１４に係る発明の発明特定事項である「第１除去ステップ」に対して技術的限定を加えるものであるから、いずれも特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１及び４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１及び４により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面を「当初明細書等」という。）の、００５３段落〜００５５段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１及び４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１及び４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正事項１に伴って、指示関係を明りょうにする補正であるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により、補正前の請求項１３に係る発明である「金属配線の形成方法」が、「半導体装置の製造方法」に変更されている。
　したがって、補正事項３は、発明の産業上の利用分野を変更するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、補正事項３が特許法第１７条の２第４号のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものでもないことは明らかである。
　したがって、補正事項３は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　なお、補正事項３により補正された部分は、当初明細書の特許請求の範囲の請求項１４等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）新規事項追加の有無及び補正の目的についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものの、同法同条第４項に規定する要件を満たさない。
　本件補正については以上のとおりであるが、補正後の請求項１３の「半導体装置の製造方法」が「金属配線の形成方法」誤記であり、補正事項３が存在しないと仮定した場合には、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たし、同条同法同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについても一応検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜１４に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板上に有機系の絶縁膜である第１絶縁膜を形成する第１形成ステップと、
　前記第１絶縁膜上に無機系の絶縁膜である第２絶縁膜を形成する第２形成ステップと、
　前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第３形成ステップと、
　前記配線溝を満たし、かつ前記第２絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第４形成ステップと、
　前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する第１除去ステップと、
　を具備する金属配線の形成方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−１２５４６号公報（以下「引用例」という。）には、図２と共に次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、加工寸法の微細化に拍車がかかっている。しかし、配線では寸法が縮小すると配線の断面積が減少し配線抵抗は増加する。高性能が要求されるＬｏｇｉｃＬＳＩなどでは、配線抵抗を低くすることが要求されている。
従来、配線ではＡｌを主とした材料が使用されていたが、最近では、低抵抗のＣｕ配線の検討が行われ始めている。
　
ｂ．「【００３５】〔第２の実施の形態〕以下、本発明の第２の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図２において、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３６】
まず、トランジスタを形成した半導体基板１上に、下層から順に、Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 膜からなる第１エッチングストッパ膜２、ＳｉＯ
２
 膜からなる第１絶縁膜３、Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 膜からなる第２エッチングストッパ膜４、ＳｉＯ
２
 膜からなる第２絶縁膜５、ＳｉＯ
x
 Ｎ
y
 膜からなる無機反射防止膜６を成膜する。
【００３７】つぎに、ホールパターンを形成したレジスト７をエッチングマスクにして、ドライエッチングにて無機反射防止膜６、第２絶縁膜５、第２エッチングストッパ膜４、第１絶縁膜３の順にエッチングを行い、半導体基板１上に所望のコンタクトホール１１を形成する（図２（ｂ））。つぎに、エッチングマスクとして使用したホールパターンを形成したレジスト７を除去した後、
無機反射防止膜６上に、フォトリソグラフィによりレジスト８を用いて溝パターンを形成する（図２（ｃ））。
【００３８】以上の図２（ａ）〜（ｃ）の工程は、第１の実施の形態における図１（ａ）〜（ｃ）の工程と全く同じである。つぎに、この第２の実施の形態では、
溝パターンを形成したレジスト８をエッチングマスクにして、ドライエッチングにて無機反射防止膜６及び第２絶縁膜５を順にエッチングして溝１２を形成する（図２（ｄ））。
【００３９】
その後、溝パターンを形成したレジスト８を除去し（図２（ｅ））、コンタクトホール１１及び溝１２に埋め込むように配線材料９ａとしてＣｕを成膜し（図２（ｆ））、第２絶縁膜５をストッパ膜としてコンタクトホール１１及び溝１２に埋め込んだ以外の不要な配線材料９ａと無機反射防止膜６とをＣＭＰにて削り取り、所望の配線９を得る（図２（ｇ））。
【００４０】以上のように、本実施の形態によれば、ホールパターンも溝パターンも無機反射防止膜６上のレジスト７，８に形成するため、ホールパターン形成時も溝パターン形成時も下地基板の反射の影響を受けず、レジストパターンの寸法制御性を向上でき、所望形状の配線９が得られる。このようにレジストパターン形成のためフォトリソグラフィに短波長光を用いる微細な配線構造も寸法制御性よく形成でき、製造歩留りを向上できる。また、ホールパターン形成用に使用した無機反射防止膜６を溝パターン形成時にも使用することができる上、最終的に不要な無機反射防止膜６は不要な配線材料９ａをＣＭＰで削り取るときに同時に除去されるため、工程数の増加を抑えることができる。」
　
（２−２）したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「トランジスタを形成した半導体基板１上に、下層から順に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第１エッチングストッパ膜２、ＳｉＯ２ 膜からなる第１絶縁膜３、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第２エッチングストッパ膜４、ＳｉＯ２ 膜からなる第２絶縁膜５、ＳｉＯx Ｎy 膜からなる無機反射防止膜６を成膜するステップと、
　溝パターンを形成したレジスト８をエッチングマスクにして、無機反射防止膜６及び第２絶縁膜５を順にエッチングして溝１２を形成するステップと、
　溝１２に埋め込むように配線材料９ａとしてＣｕを成膜するステップと、
　第２絶縁膜５をストッパ膜として溝１２に埋め込んだ以外の不要な配線材料９ａと無機反射防止膜６とをＣＭＰにて削り取り、所望の配線９を得るステップとを具備するＣｕ配線の形成方法。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）本願の００３３段落の「半導体基板としての基板１は、半導体素子、配線などを形成するための基板である。シリコンのような半導体基板や、二酸化シリコンや窒化シリコンのような無機系の絶縁膜を形成された半導体基板でも良い。」という記載を参酌すると、引用発明の「トランジスタを形成した半導体基板１上に、下層から順に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第１エッチングストッパ膜２、ＳｉＯ２ 膜からなる第１絶縁膜３、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第２エッチングストッパ膜４」を成膜してなるものが、補正発明の「半導体基板」に相当し、引用発明の「第２絶縁膜５」が補正発明の「第１絶縁膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「トランジスタを形成した半導体基板１上に、下層から順に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第１エッチングストッパ膜２、ＳｉＯ２ 膜からなる第１絶縁膜３、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなる第２エッチングストッパ膜４、ＳｉＯ２ 膜からなる第２絶縁膜５」「を成膜するステップ」と、補正発明の「半導体基板上に有機系の絶縁膜である第１絶縁膜を形成する第１形成ステップ」とは、「半導体基板上に第１絶縁膜を形成する第１形成ステップ」である点で共通する。
　
（３−２）引用発明の「ＳｉＯx Ｎy 膜」が無機系の絶縁膜であることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「ＳｉＯx Ｎy 膜からなる無機反射防止膜６」は、補正発明の「無機系の絶縁膜である第２絶縁膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「ＳｉＯx Ｎy 膜からなる無機反射防止膜６を成膜するステップ」は、補正発明の「前記第１絶縁膜上に無機系の絶縁膜である第２絶縁膜を形成する第２形成ステップ」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「溝パターンを形成したレジスト８をエッチングマスクにして、無機反射防止膜６及び第２絶縁膜５を順にエッチングして」形成された「溝１２」が「無機反射防止膜６」を貫通して「第２絶縁膜５」内に延びる「溝１２」であることは当業者にとって明らかである。また、引用発明の「溝１２」は、「配線材料９ａ」を埋め込んで「配線９」を得るためのものであるから、補正発明の「配線溝」に相当する。
　したがって、引用発明の「無機反射防止膜６及び第２絶縁膜５を順にエッチングして溝１２を形成するステップ」は、補正発明の「前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第３形成ステップ」に相当する。
　
（３−４）引用発明の「配線材料９ａとして」の「Ｃｕ」は、補正発明の「導電膜」に相当する。また、引用発明の「溝１２に埋め込むように配線材料９ａとしてＣｕを成膜するステップ」において、「配線材料９ａ」が「無機反射防止膜６」を覆うように形成されることは、引用例の図２（ｆ）の記載からも、当業者における技術常識からも明らかである。
　したがって、引用発明の「溝１２に埋め込むように配線材料９ａとしてＣｕを成膜するステップ」は、補正発明の「前記配線溝を満たし、かつ前記第２絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第４形成ステップ」に相当する。
　
（３−５）引用発明の「ＣＭＰ」は、補正発明の「ＣＭＰ研磨」に相当する。
　したがって、引用発明の「第２絶縁膜５をストッパ膜として溝１２に埋め込んだ以外の不要な配線材料９ａと無機反射防止膜６とをＣＭＰにて削り取り、所望の配線９を得るステップ」と、補正発明の「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する第１除去ステップ」とは、「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を行い、配線を形成する第１除去ステップ」である点で共通する。
　
（３−６）引用発明の「Ｃｕ」は、補正発明の「金属」に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｃｕ配線の形成方法」は、補正発明の「金属配線の形成方法」に相当する。
　
（３−７）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「半導体基板上に第１絶縁膜を形成する第１形成ステップと、
　前記第１絶縁膜上に無機系の絶縁膜である第２絶縁膜を形成する第２形成ステップと、
　前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第３形成ステップと、
　前記配線溝を満たし、かつ前記第２絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第４形成ステップと、
　前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を行い、配線を形成する第１除去ステップと、
　を具備する金属配線の形成方法」
　
　である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明では「第１絶縁膜」が「有機系の絶縁膜」であるのに対して、引用発明では「ＳｉＯ２ 膜」である点。
　
（相違点２）
　補正発明では「前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を、シリカを含む材料の第２スラリーで行い、平坦な配線表面を形成する」のに対して、引用発明では「前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨」でのスラリーの特定がなされておらず、「配線表面」の状態の特定もなされていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　一般に、多層配線を有する半導体装置において、層間絶縁膜の低誘電率化を図る必要があること、及び低誘電率の層間絶縁膜材料として有機系の材料があることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１に記載されているように当業者において周知であるから、引用発明において、層間絶縁膜の低誘電率化を図るために、「第１絶縁膜」の材料として「ＳｉＯ２ 膜」に代えて、より低誘電率の有機系の材料を用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ａ．周知例１：特開２０００−２２３４９０号公報
　上記周知例１には、図１ないし３と共に次の記載がある。
　「【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の微細化に伴い、半導体装置の構成に微細な多層配線が必須になる。また、半導体装置の動作の低電圧化、高速化などに伴い、層間絶縁膜の低誘電率化が必要になる。
　「【００３５】次に、
酸化シリコン膜２上に例えばフッ素化アモルファスカーボンからなる有機系の絶縁膜である低誘電率絶縁膜３を成膜する。
　「【００６５】
以上の実施の形態においては、有機系の低誘電率絶縁膜としてフッ素化アモルファスカーボンを用いる場合について説明した。この他、このような低誘電率絶縁膜として、比誘電率が２．６程度の有機ポリシラザン、比誘電率が２．７程度のＢＣＢ、比誘電率が２．６程度のパリレンＦ（登録商標）、フッ素化ポリイミド、プラズマＣＦポリマー、プラズマＣＨポリマー、フッ素化ポリアリルエーテルを使用してもよい。
　
　したがって、上記周知例１には、層間絶縁膜の低誘電率化を図る必要があること、及び、層間絶縁膜に低誘電率の有機系の材料を用いることが記載されているものと認められる。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）導電膜と絶縁膜とを同時にＣＭＰ法で研磨するにあたり、シリカを含むスラリーを用いることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例２ないし４に記載されているように、当業者において周知である。
　
ａ．周知例２：特開２００１−１５４６４号公報
　上記周知例２には、図１ないし３と共に次の記載がある。
　「【００２１】この方法を詳細に説明する前に、図３を参照して本発明の目的を説明する。図３は、表面からライナを除去する前後の半導体基板上面を示す拡大断面図である。図２と同様に、破線は除去前の表面を示す。本発明の実施に当たり、周囲の絶縁体酸化物１０の部分を除去することにより、絶縁体上面からわずかに突出する付着した銅の上面を残して、絶縁体１０を覆うライナ２０をすべて除去することが望ましい。すなわち、基板の最終形状は平坦ではなく、背景の酸化物層から銅がわずかに突出している。このことは、上述のように細い線について特にそうである。
【００２２】
ライナを銅および下層の酸化物まで除去するのに成功するために、最初の銅除去工程後にライナ上に残ったいかなる残留銅も除去することを先ず考えなければならなかった。
そこで、Ｔａ／ＴａＮなどのＴａを主成分とするライナに研磨材料を供給する他に、どのような残留銅にも酸化剤を供給しなければならない。ライナ用のスラリは、酸化物を被覆した基板に、所望の線やバイアを形成する露出した銅のエッチングを防止する抑制剤も含む必要がある。
【００２３】
上記の工程をすべて達成するため、ライナ２２と絶縁体１０の研磨速度を、銅の研磨速度より大きくするように制御できることが必要である。したがって、二酸化シリコンで不動態化した半導体基板からＴａ／ＴａＮなどのＴａを主成分とするライナを除去するための条件を最適にするための、下記の基本処方を見いだした。脱イオン水１リットルに２ないし３０重量％の固形分を含有するコロイド・シリカ（キャボットＳＣ−Ｅ）１リットル、酸化剤として、０ないし１０ｍｌ／ｌの３０％過酸化水素水溶液、１．５ないし６．０ｍｌ／ｌのデュポノール界面活性剤、および０．４ないし４．０ｇ／ｌのＢＴＡ。ｐＨを２．０ないし７．５に調整する。
　
　したがって、上記周知例２には、Ｔａ／ＴａＮなどのＴａを主成分とするライナと絶縁体酸化物とを同時に研磨する際に、シリカを含むスラリーを用いることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例３：特開２００１−４４１５６号公報
　上記周知例３には、図１と共に次の記載がある。
　「【００２６】
続いて、オーバ研磨の段階に入り、Ｃｕ膜１５の腐食の進行を抑制し、ＳｉＯ２膜１２とＣｕ膜１５とを同時に研磨するためにスラリーと研磨速度とを切り替える。スラリーは、上記Ｃｕ膜研磨用スラリーと、ＳｉＯ２膜研磨用としてＲｏｄｅｌ社製Ｋｌｅｂｏｓｏｌ（シリカスラリー）とを３：１の割合で混合したスラリーを用いる。
　
　したがって、上記周知例３には、ＳｉＯ２膜とＣｕ膜とを同時に研磨する際に、シリカを含むスラリーを用いることが記載されているものと認められる。
　
ｃ．周知例４：特開２００１−１１５１４６号公報
　上記周知例４には、表１及び５と共に次の記載がある。
　「【０００６】また、上記研磨方法は、高い研磨性能を実現するため、機械的な研磨とそれを促進するような化学反応とを併用する方法が採られる。
この方法は、化学機械研磨（以下、ＣＭＰと略記する）法と呼ばれ、金属膜、絶縁膜、バリア膜等の研磨対象に応じて使用する研磨剤の組成が種々提案されている。上記研磨剤の一般的な組成は、研磨砥粒と薬剤とよりなる。
【０００７】かかる研磨剤を使用した研磨方法として、最上層の金属膜を研磨除去する工程である第一段研磨を行った後、続いて、バリア膜を研磨除去して半導体基板全面を平坦にする工程である第二段研磨を実施する研磨方法が知られている。」
　「【００６９】実施例１及び比較例
比表面積が３０ｍ
2
／ｇの高純度コロイダルシリカ粒子と純水とアンモニア水を所定量混合し、シリカ粒子の濃度が５重量％、ｐＨが９．５の研磨剤を調製し、評価した。
【００７０】研磨試験の結果を表１に示した。尚、Ｎｏ．２は比較例である。
【００７１】シリカ系の研磨剤では、バリア膜であるＴａＮ膜の研磨速度が４３２オングストローム／ｍｉｎと比較的高く、Ｃｕ膜に対するＴａＮ膜の研磨速度の比（以下、ＴａＮ／Ｃｕの選択比と略記する）が２．１で、本発明の研磨剤はバリア膜を金属膜に対して同等以上の研磨速度で研磨できることがわかったまた、
Ｃｕ膜に対するＳｉＯ
2
膜の研磨速度比（以下、ＳｉＯ
2
／Ｃｕの選択比と略記する）が０．９３であり、金属膜と絶縁膜をほぼ等しい研磨速度で研磨でき、半導体基板表面の平坦化に好適であることもわかった。
【００７２】一方、アルミナ系の研磨剤では、研磨剤が弱く凝集し、数時間研磨剤を静置しておくと相分離を起こした。該研磨剤を良く攪拌しながら研磨試験を行ったところ、Ｃｕ膜については十分な研磨速度は出せるものの、ＴａＮ膜とＳｉＯ2膜はＣｕ膜よりも非常に低い研磨速度となり、そのため、ＴａＮ／Ｃｕの選択比は１よりも低く、また、ＳｉＯ2／Ｃｕの選択比は０．５よりも低くなった。
【００７３】また、研磨後のＣｕ膜付きウエハの表面を観察したところ、シリカ系研磨剤で研磨したウエハは顕微鏡でもスクラッチの発生は確認できなかったが、アルミナ系研磨剤の方は顕微鏡でスクラッチの発生が認められた。したがって、本発明の研磨剤の研磨砥粒としてはシリカ粒子が適していることがわかった。
【００７４】
【表１】」
　「【００８５】
【表４】
実施例５
ここではパターン付きウェハを用いて本発明のバリア膜用研磨剤の性能を調べた。
【００８６】まず、比表面積が７５ｍ2／ｇの高純度コロイダルシリカ粒子が７重量％と、炭酸アンモニウムが０．６重量％と、過酸化水素水が４重量％のアルカリ性（ｐＨ９．３）の第一の研磨剤を調製した。
また、実施例１のＮｏ．１を第二の研磨剤として使用した。
【００８７】シリコンウエハ表面に形成されたＳｉＯ2膜上に幅０．３５〜１００μｍの配線用溝が形成され、その上に厚さ約２００オングストロームのＴａＮ膜と厚さ約１．２μｍのＣｕ膜が順次積層されたＴＥＧウエハを用いて、そのシリコンウエハ表面をまず第一の研磨剤で約２００秒間研磨した。
【００８８】その結果、ＳｉＯ2膜の配線溝以外の部分の上にあるＣｕ膜が除去され、ＴａＮ膜と配線溝のＣｕ膜が露出した状態となった。
続いて、第二の研磨剤で１２０秒間研磨を行ったところ、配線溝以外のＳｉＯ
2
膜上のＴａＮ膜が完全に除去され、ＳｉＯ
2
膜と配線溝のＣｕ膜が露出した状態になった。研磨後のシリコンウエハ表面を電子顕微鏡で観察したところ、スクラッチやディッシングは全く見られず、配線溝以外の部分のＳｉＯ
2
膜と配線溝のＣｕ膜の表面にはほとんど段差は無く、平坦な表面が形成されていることが確認できた。
【００８９】
以上の結果より、第一の研磨剤で金属膜を研磨除去した後に、本発明のバリア膜用研磨剤を用いてバリア膜と金属膜を同時研磨し、更に絶縁膜と金属膜を同時研磨することによって、極めて平坦な半導体基板表面が形成できることがわかった。
【００９０】なお、参考のために、第一の研磨剤、第二の研磨剤のＣｕ膜、ＴａＮ膜、ＳｉＯ2膜に対するそれぞれの研磨速度を表５に示した。これからわかるように、ここで用いた第一の研磨剤はバリア膜に対して金属膜を選択的に研磨できることがわかる。
一方、第二の研磨剤はバリア膜を金属膜に対して同等以上の研磨速度で研磨でき、しかも金属膜と酸化膜をほぼ等しい研磨速度で研磨できることがわかる。
【００９１】
【表５】」
　
　したがって、上記周知例４には、絶縁膜と金属膜を同時研磨する際に、シリカを含む研磨剤を用いることが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）よって、引用発明における「前記第１絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第２絶縁膜のＣＭＰ研磨を行い、配線を形成する第１除去ステップ」において、周知のシリカを含むスラリーを用いて当該「導電膜」と「無機系の絶縁膜」である当該「第２絶縁膜」の「ＣＭＰ研磨」を行うことは、当業者が適宜なし得たことである。
　また、補正発明の「スラリー」は「シリカを含む」と特定されているだけであるから、「スラリー」の砥粒成分が「コロイダルシリカ」のみからなるものだけでなく、例えば砥粒成分が「ヒュームドシリカ」からなるものや「アルミナ」及び「シリカ」を含むものも含まれるし、補正発明は「スラリー」の薬液成分が特定されていないこと、「第１絶縁膜」が「有機系の絶縁膜」としか特定されていないこと、「第２絶縁膜」が「無機系の絶縁膜」としか特定されていないことを考慮すれば、補正発明の「ＣＭＰ研磨」後の「配線表面」の「平坦」性に、引用発明と比較して格別の差異がないことは明らかである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点については以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものではなく、また、仮に当該要件を満たすものであったとしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年１０月４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成２２年５月３１日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−１２５４６号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。