【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体の製造方法であって、
半導体基板または基板アセンブリを用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化１】
2003526009.tif 000001
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、該半導体基板または基板アセンブリの表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項２】
前記基板または基板アセンブリが、約１０-3ｔｏｒｒ〜約１気圧の圧力を有する反応チャンバ内に保持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板または基板アセンブリが、約０．１ｔｏｒｒ〜約１０ｔｏｒｒの圧力を有する反応チャンバ内に保持される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板または基板アセンブリが、約０．１ｔｏｒｒ〜約１０ｔｏｒｒの圧力を有する反応チャンバ内に保持される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液体前駆物質を蒸発させる前記工程が、フラッシュ蒸発、バブリング、微小滴形成、およびそれらの組合せからなる群より選択される技術を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体基板または基板アセンブリが、シリコンウェハーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記前駆物質組成物を、少なくとも１つの不活性ガスの存在下において蒸発させる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化ガスが、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ2、Ｈ2Ｏ、およびそれらの組合せの群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化ガスが、Ｎ2Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、およびそれらの組合せの群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化ガスが、Ｎ2Ｏである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記液体前駆物質組成物が、有機溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
半導体構造体の製造方法であって、
約１３０℃〜約３００℃の温度で、約１０-3ｔｏｒｒ〜約１気圧の圧力を有する反応チャンバ内に保持される、半導体基板または基板アセンブリを用意し、
約２０℃〜約５０℃の温度の液体前駆物質組成物であって、下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化２】
2003526009.tif 000002
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、該半導体基板または基板アセンブリの表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１３】
半導体構造体の製造方法であって、
半導体基板または基板アセンブリを用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化３】
2003526009.tif 000003
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、該半導体基板または基板アセンブリの表面にルテニウム金属膜を形成し、
そして、該ルテニウム金属膜をアニールすること
を含む方法。
【請求項１４】
前記アニーリング工程が、約３００℃〜約１０００℃の温度で行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
半導体構造体の製造方法であって、
１つまたはそれ以上の小さな高アスペクト比の形体を有する表面を含む半導体基板または基板アセンブリを用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化４】
2003526009.tif 000004
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質
組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、１つまたはそれ以上の高アスペクト比の形体を有する該半導体基板または基板アセンブリの該表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１６】
基板上にルテニウム金属膜を形成する方法であって、
基板を用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化５】
2003526009.tif 000005
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該基板へと誘導して、該基板の表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１７】
半導体構造体の製造方法であって、
約１５０℃〜約３５０℃の温度で、１つまたはそれ以上の小さな高アスペクト比の形体を有する表面を含む半導体基板または基板アセンブリであって、約１０-3ｔｏｒｒ〜約１気圧の圧力を有する反応チャンバ内に保持される、該半導体基板または基板アセンブリを用意し、
約２０℃〜約５０℃の温度の液体前駆物質組成物であって、下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化６】
2003526009.tif 000006
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、Ｏ2よりも低度に酸化する少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、１つまたはそれ以上の小さな高アスペクト比の形体を有する該半導体基板または基板アセンブリの該表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１８】
半導体構造体の製造方法であって、
半導体基板または基板アセンブリを用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化７】
2003526009.tif 000007
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、該半導体基板または基板アセンブリの表面にルテニウ
ム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１９】
基板上にルテニウム金属膜を形成する方法であって、
基板を用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化８】
2003526009.tif 000008
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該基板へと誘導して、該基板の表面にルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項２０】
半導体構造体の製造方法であって、
半導体基板または基板アセンブリを用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化９】
2003526009.tif 000009
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該半導体基板または基板アセンブリへと誘導して、該半導体基板または基板アセンブリの表面に少なくとも約９５原子％の純度のルテニウム金属膜を形成すること
を含む方法。
【請求項２１】
基板上にルテニウム金属膜を形成する方法であって、
基板を用意し、
下記式（式Ｉ）を有する１つまたはそれ以上の化合物を含む液体前駆物質組成物を用意し、
【化１０】
2003526009.tif 000010
（式中、「ジエン」は、直鎖、分岐状または環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮもしくはＯのようなヘテロ原子をさらに含有するそれらの誘導体、またはそれらの組合せを指す）
該液体前駆物質組成物を蒸発させて、蒸発前駆物質組成物を形成し、
そして、少なくとも１つの酸化ガスとともに該蒸発前駆物質組成物を、該基板へと誘導して、該基板の表面に少なくとも約９５原子％の純度のルテニウム金属膜を形成することを含む方法。