【事件の表示】
　特願２００４−５５６０２０「内燃機関のためのピストンリングを被覆するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１７日国際公開、ＷＯ２００４／０５０９３７、平成１８年　３月　９日国内公表、特表２００６−５０８３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００３年１１月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１１月３０日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年３月２４日に拒絶査定不服審判の請求と明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正が同時になされたものである。
　
第２　本願発明について
　
１．本願発明の内容
　
　本件出願の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明８」という。）は、平成２３年３月２４日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるもので、その補正の目的は、誤記の訂正と認められ、そのうち、本願発明１は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　鋼または鋳鉄から成る、内燃機関のためのピストンリング（１０）を被覆するための方法であって、該ピストンリングでは、少なくともピストンリングの摺動面（０７）に摩耗または腐食保護層（１２）が所定の被覆プロセスによって設けられている形式のものにおいて、
　ａ）被覆パラメータを調整し、
　ｂ）被覆していないピストンリング（１０）の外周面に、ほぼ組み込み状態に相応する引張予荷重
を
　ｃ）ステップａ）の被覆パラメータでイオン被覆プロセスを実行し、
　ｄ）状態ｂ）において摩耗または腐食保護層（１２）に生じた層内部応力を測定し、
　ｅ）新たな被覆されていないピストンリング（１０）に、測定した層内部応力に応じて引張予荷重または圧縮予荷重をかけ、摩耗または腐食保護層（１２）に所定の圧縮内部応力がある場合、ピストンリング（１０）をリング周面において圧縮予荷重で負荷し、摩耗または腐食保護層（１２）に所定の引張内部応力がある場合、ピストンリング（１０）をリング周面において引張予荷重で負荷し、
　ｆ）該ピストンリング（１０）を、ステップａ）の被覆パラメータによって被覆することを特徴とする、内燃機関のためのピストンリングを被覆するための方法。」（なお、下線は、請求人が付した平成２３年３月２４日付けの手続補正の補正箇所を示す。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物及びその記載事項は、次のとおりである。
　
　引用例１：特開平３−９５４号公報
　引用例２：特開２０００−２９７３７４号公報
　引用例３：特開平７−２９２４５８号公報
　
（１）引用例１（特開平３−９５４号公報）には、「ピストンリングの製造方法」に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
ア「（１）自由合い口すきまを合い口すきまになるまで外径を縮径した使用状態に維持した金属製リング本体の外周部に、スパッタリング等の薄膜形成法によってセラミック層を接合したことを特徴とするピストンリングの製造方法。」（第１頁左下欄第５〜９行）
　
イ「この発明の目的は、上記の課題を解決することであり、セラミック材料の特性である圧縮強度が引張強度よりも大きいこと、金属材料がセラミック材料よりも強度上強いこと、セラミック材料が金属材料に比較して摺動特性及び耐摩耗性に関して優れていることに着眼し、ピストンリングをセラミック製リング部分でシリンダに対する摺動面を提供し且つ該セラミック製リング部分に使用時に掛かる応力を無くして強度上の問題を解決し、更に、金属製リング部分でピストンのリング溝に対して面圧を受け持つ上下面を提供すると共にシリンダに対するピストンリング摺動面を押圧状態に設定する作用を持たせて、ピストンリングの強度と摺動特性及び耐摩耗性を向上させると共に、ピストンリングの気密保持、潤滑油調整、熱伝達等の特性を向上させるピストンリングの製造方法を提供することである。」（第２頁右下欄第４〜２０行）
　
ウ「〔実施例〕
　以下、図面を参照して、この発明によるピストンリングの製造方法の実施例を詳述する。
…（一部省略）…。
　まず、金属製リング本体即ち内周リング部分２に対して、第５図に示すように、自由合い口すきまＬを使用状態の合い口すきまＣになるまで外径Ｄ２を縮径した使用状態を作るため、例えば、第６図に示すような、金属製リング本体の縮径工具を用いる。該縮径工具における上下の挟持部材１１，１２によってピストンリングの金属製リング本体である内周リング部分２の上下面８，９を緩く挟持し、次いで、適当な工具によって内周リング部分２の自由合い口すきまＬが使用状態の合い口すきまＣになるまで外径Ｄ２を縮径して使用状態の時のサイズを作る。ここで、ピストンリングの使用状態とは、該ピストンリングをピストンのピストンリング溝に嵌入し、該ピストンリングを嵌入したピストンをシリンダ内に挿入装填した状態をいうものであり、この使用状態でのピストンリングは、第３図に示すように、呼び径Ｄ１、合い口すきまＣとなる。内周リング部分２を使用状態にまで縮径した状態で、該内周リング部分２の上下面８，９を上下の挟持部材１１，１２によって不動の状態になるまで、例えば、第６図に示すように、ボルト１４及びナット１３によって強固に緊締する。上記のように、内周リング部分２の使用状態を再現した状態で、該内周リング部分２の外周部１０に、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法によってセラミック材料の薄膜を形成するために、使用状態に保持した状態の該内周リング部分２をスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等のセラミック材料の薄膜形成炉に収容する。該薄膜形成炉において、反応性ガスを用いて内周リング部分２の外周部１０に対してスパッタリング等を行い、内周リング部分２の外周部１０に、例えば、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミック層即ち外周リング部分ｌを密着状態に接合して形成する。この状態では、内周リング部分２と外周リング部分１とから成るピストンリングは、第３図に示すように、使用状態と同一サイズに形成され、呼び径はＤ１及び合い口すきまはＣに形成されている。次いで、薄膜形成炉から取り出し、縮径工具におけるボルト１４、ナット１３による上下の挾持部材１１，１２の緊締状態を緩めて、縮径工具からピストンリングを取り外して製造行程を終了する。この状態でのピストンリングは、第４図に示すように、自由状態であり、呼び径はＤ及び自由合い口すきまはＬに形成されている。上記のように、ピストンリングを内周リング部分２と外周リング部分１とから製作したので、ピストンリングに掛かる応力については、自由状態では、第８図に示すように、外周リング部分１のセラミック層に大きく付与されているが、これに対して、ピストンリングがシリンダ内で過酷な往復運動を行う使用状態では、第７図に示すように、外周リング部分１のセラミック層には応力が付与されていないので、セラミック層が原因で使用中にピストンリングが折損等を引き起こすことがなく、強度上の問題が解決される。」（第３頁右上欄第１８行〜第４頁右上欄第８行）
　
エ「この発明により製作したピストンリングは、該ピストンリングを構成するセラミック製の外周リング部分１が、上記のような使用状態で応力を殆ど受けていない状態に構成されるので、ピストンリングの破壊、折損等の強度上の問題は発生しない。」（第５頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第１行）
　
　これらの記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「金属製の、内燃機関のためのピストンリングに薄膜を形成する方法であって、該ピストンリングでは、ピストンリングの外周部にセラミック材料の薄膜がスパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法によって設けられている形式のものにおいて、
　Ａ）金属製リング本体である内周リング部分２の上下面８，９をゆるく挟持し、次いで、適当な工具によって内周リング部分２の自由合い口すきまＬが使用状態の合い口すきまＣになるまで外径Ｄ２を縮径して使用状態のサイズを作り、使用状態で、該内周リング部分２の上下面８，９を上下の挟持部材１１，１２によって強固に緊締し、
　Ｂ）該内周リング部分２の外周部１０に、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法によって、セラミック層即ち外周リング部分１を形成する、
内燃機関のためのピストンリングに薄膜を形成する方法。」
　
（２）引用例２（特開２０００−２９７３７４号公報）には、「基板およびＰＥＴフィルム」に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
カ「【請求項１】気相法により薄膜が形成された基板であって、
前記薄膜は、前記薄膜に残留する内部応力を打ち消す方向に湾曲された前記基板上に形成されることを特徴とする基板。」
　
キ「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、残留応力が小さく、基板との密着性に優れた薄膜の作製装置、及びその作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、薄膜形成方法としては、ＰＶＤ分野ではスパッタ法、イオン化蒸着法等が、ＣＶＤ分野ではプラズマＣＶＤ法がその代表的なものとして知られている。
【０００３】図１に示すのは、容量結合型の高周波グロー放電を利用したＣＶＤ装置であり、高周波電源系(5)、高周波給電電極(1)、対向接地電極(2)、被形成面を有する基板(3)、平行に配置されたフラットな電極(1),(2)間において発生するプラズマ領域(4)が示されている。この方式は高周波給電電極(1)側に配置された基板(3)側に働く自己バイアスを利用して成膜を行う装置である。
【０００４】また図２に示すのは、誘導結合型のＣＶＤ装置であって、高周波励起用コイル(6)から誘導エネルギーを加えることによってプラズマ領域(4)を形成し、プラズマ領域で活性化された原料のイオンを外部バイアス印加用補助電極からの電界によってフィルム状の基板(3)に導き、フレキシブルな基板(3)上に薄膜形成を行う方式である。またこの方式は、円筒ローラとガイドローラによってフィルム状の基板が連続的に移動し、基板(3)上に連続的に薄膜形成を行うものである。」
　
ク「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１に示すＣＶＤ装置を用いてダイヤモンド状炭素薄膜に代表される大きな圧縮性残留応力を有する薄膜を形成した場合、ダイヤモンド状炭素薄膜は1010dyne/cm2台の大きな圧縮応力を有しているので、成膜面を上に凸状に膜が反り返る様な力が働いている薄膜になってしまう。
【０００６】この状態を図５を用いて説明する。図５(A)は、基板(3)上に圧縮性残留内部応力を有する薄膜(13)を形成した状態が示されている。薄膜(13)に圧縮性残留内部応力が働いている時、薄膜(13)は図に示すように反り返ろうとする。この場合当然基板(3)との間に応力が発生し、薄膜(13)と基板(3)との密着性の低下、剥離やクラックの発生、といった問題が生じる。
【０００７】特に基板として、フレキシブルなフィルム状の基板を用いた場合、薄膜が外側、基板が内側となるようにカールしてしまう。
【０００８】また図２に示すＣＶＤ装置を用いた場合には、基板(3)が移動する長手方向の圧縮性残留応力は基板が巻き取られることによってキャンセルされ、あまり大きな問題とはならないが、基板(3)の幅方向の圧縮性残留内部応力によってやはり成膜後に基板がカール（丸まる）してしまう。
【０００９】この基板(3)の幅方向の圧縮残留性応力は、後に矯正処理を行っても容易に元には戻らず、たとえ復元したとしても今度は薄膜と基板との界面にストレスを内在させてしまい、クラック、剥離等を誘発するものであり、長期的な視点から見ても信頼性に欠けるものである。
【００１０】また以上の問題は、ＣＶＤ法（気相反応法）で成膜した薄膜には程度の差はあれ存在している問題である。」
　
ケ「【００１２】
【課題を解決するための手段】〔第１の発明〕第１の発明は、気相法で基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、成膜後に薄膜に残留する内部応力を打ち消す方向に基板を湾曲させる機能を有する成膜装置、を要旨とする。
【００１３】上記第１の発明において、気相法というのは、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法をいう。また薄膜の種類としては、ダイヤモンド状炭素薄膜、半導体薄膜、絶縁体薄膜、導体薄膜等の一般に公知の薄膜全般を挙げることができる。内部応力を打ち消す方向に基板を湾曲させるというのは、薄膜の内部に残留する応力によって基板自体が反る方向とは逆の方向に基板を予め反らしておくことをいう。こうしておくことで、薄膜の残留内部応力によって基板が反った場合、予め施しておいた反りと薄膜の反りとが互いに打ち消し合い、結果として反りのない薄膜と基板との一体物を得ることができる。
【００１４】基板を湾曲させる機能というのは、基板を強制的に湾曲させる基板保持手段また基板搬送手段、基板を湾曲した部材に沿わせることにより基板を湾曲させる手段、のことである。本発明は、圧縮性残留内部応力あるいは引張性残留内部応力を有する薄膜全てに応用できるものである。
【００１５】本発明を実施する手順の例を以下に説明する。・薄膜の残留内部応力をあらかじめ計測しておくか、もしくは薄膜を形成することでどの程度カールするか、その度合いを定量的に把握しておく。・上記薄膜の残留内部応力による変形量に見合った曲率を基板に与えて成膜を行う。以上の工程を採ることによって、フラットな状態の薄膜が形成された基板を得ることができる。
【００１６】本発明を利用することによって得られる薄膜の状態を図５(B)に簡単に示す。圧縮性残留内部応力を有する薄膜(13)をフレキシブルなフィルム状基板(3)の表面に成膜すると、圧縮性の応力のため基板(3)は図５(A)に示すように反ろうとする。そこで本発明に示すように、成膜時において基板を図５(A)に示す状態と逆の方向に反らしておくことによって、基板の反ることによる応力と薄膜が有する圧縮性残留内部応力とを打ち消し合わせ、図５(B)に示すような状態を実現することができる。なお、成膜時に予め基板に付与する曲率はフィルムにシワ、キズ等を誘発することがない曲率半径であることが重要である。」
　
（３）引用例３（特開平７−２９２４５８号公報）には、「摺動部材及びその製造方法」に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
サ「【請求項１】下地面の粗さが２μm〜８μmの鋳鉄または鋼からなる摺動部材の少なくとも摺動する面にイオンプレーティングによるクロムと窒素を主成分とする皮膜を被覆せしめ、該皮膜の表面粗さを0.８μm以下、膜厚を１０μm以上とした摺動部材。」
　
シ「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐摩耗性、耐焼き付き性に優れ、且つ密着性に優れた高硬度のイオンプレーティング皮膜を有する摺動部材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関におけるピストンリングや圧縮機のベーンのような摺動部材の摺動表面は高い摺動性能が要求され、硬質クロムめっきが優れた性能を有することから、従来から用いられてきた。しかし、近年内燃機関の高出力化や排気ガス対策、軽量化などから、また、従来タイプのフロンガスの使用規制等からこれら摺動部材表面の受ける負荷は増大してきており、イオンプレーティングによるTiN膜、TiC膜、CrN膜が用いられるように成ってきている。
【０００３】ＰＶＤ法によるTiN膜などは非常に硬く、脆いうえ、皮膜の残留応力が高いので密着性が悪く、厚膜で使用すると、使用時膜が剥離したり、皮膜表面粗さが粗いと相手材を摩耗させるという問題を生じる。…（以下省略）…。」
　
ス「【０００７】一般的に、耐摩耗性皮膜を有する摺動部材の摺動面の形成方法としては、皮膜厚さを研摩代分厚くコーティングし、表面を研摩仕上げにより表面粗さを細かくすることが考えられるが、イオンプレーティング膜は膜の内部応力が電気めっき皮膜に比べ高く、また皮膜硬度も高いので、剥がれやすいうえ、内部応力の大きさは膜厚さと共に増大するので、上記方法では一層研摩時に皮膜の剥離が発生するということと、また、TiN膜やTiC膜はTiの蒸発速度が遅いためイオンプレーティングでの膜形成速度は遅いので、研摩代分厚くコーティングすることは工業的には得策ではないということにより行われていなかった。」
　
３．対比
　
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比すると、その機能又は構成からみて、後者の「ピストンリング」は前者の「ピストンリング（１０）」に相当し、以下同様に、「内燃機関のためのピストンリングに薄膜を形成する方法」は「内燃機関のためのピストンリング（１０）を被覆するための方法」に、「ピストンリングの外周部」は「少なくともピストンリングの摺動面（０７）」に、「セラミック材料の薄膜」は「摩耗または腐食保護層（１２」に、「スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法」は「所定の被覆プロセス」に、「Ａ）金属製リング本体である内周リング部分２の上下面８，９をゆるく挟持し、次いで、適当な工具によって内周リング部分２の自由合い口すきまＬが使用状態の合い口すきまＣになるまで外径Ｄ２を縮径して使用状態のサイズを作り、使用状態で、該内周リング部分２の上下面８，９を上下の挟持部材１１，１２によって強固に緊締し、」は「ｂ）被覆していないピストンリング（１０）の外周面に、ほぼ組み込み状態に相応する引張予荷重をかけて、該ピストンリング（１０）が所定のピストンリング直径（０６）もしくは合口幅（０１）となるように負荷し、」に、それぞれ相当する。
　また、後者の「金属製」と前者の「鋼または鋳鉄から成る」とは、「金属からなる」限りにおいて一致し、本願発明１のａ）の「被覆パラメータ」に相当するものは、引用発明においても、Ｂ）の薄膜形成法実行前に予め調整して決定しているものであるから、後者の「Ｂ）該内周リング部分２の外周部１０に、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法によって、セラミック層即ち外周リング部分１を形成する」と前者の「ａ）被覆パラメータを調整し、」及び「ｃ）ステップａ）の被覆パラメータでイオン被覆プロセスを実行し」とは、「ａ）被覆パラメータを調整し、」「ステップａ）の被覆パラメータで被覆プロセスを実行し」ている限りにおいて一致するから、本願発明１の用語を用いて表現すると、両者は、
「金属から成る、内燃機関のためのピストンリングを被覆するための方法であって、該ピストンリングでは、少なくともピストンリングの摺動面に摩耗または腐食保護層が所定の被覆プロセスによって設けられている形式のものにおいて、
　ａ）被覆パラメータを調整し、
　ｂ）被覆していないピストンリングの外周面に、ほぼ組み込み状態に相応する引張予荷重をかけて、該ピストンリングが所定のピストンリング直径もしくは合口幅となるように負荷し、
　ｃ）ステップａ）の被覆パラメータで被覆プロセスを実行した、
内燃機関のためのピストンリングを被覆するための方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点１
　本願発明１のピストンリングは、「鋼または鋳鉄から成る」のに対して、引用発明のピストンリングは、金属製であるものの、その金属が何か不明である点。
　
・相違点２
　本願発明１の所定の被覆プロセスは、「イオン被覆プロセス」であるのに対して、引用発明のものは、「スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成法」である点。
　
・相違点３
　本願発明１は、ｃ）に引き続いて、
「ｄ）状態ｂ）において摩耗または腐食保護層（１２）に生じた層内部応力を測定し、
　ｅ）新たな被覆されていないピストンリング（１０）に、測定した層内部応力に応じて引張予荷重または圧縮予荷重をかけ、摩耗または腐食保護層（１２）に所定の圧縮内部応力がある場合、ピストンリング（１０）をリング周面において圧縮予荷重で負荷し、摩耗または腐食保護層（１２）に所定の引張内部応力がある場合、ピストンリング（１０）をリング周面において引張予荷重で負荷し、
　ｆ）該ピストンリング（１０）を、ステップａ）の被覆パラメータによって被覆する」工程を備えているのに対して、引用発明は、そのような工程を備えていない点。
　
４．判断
　
（１）上記相違点１の検討
　外周面にセラミック材料の薄膜が所定の被覆プロセスによって設けられるピストンリングの材質として、鋼、鋳鉄は、周知の材質（例えば、引用例３の上記「２．引用刊行物記載の発明」の摘記サ及びシ、特開平１１−６０５１号公報の段落【０００８】を参照）である。
　そして、引用発明のピストンリングの金属として、その使用環境を考慮して、ピストンリングの材質として周知の材質である鋼或いは鋳鉄を選択することは、当業者が容易になしたものである。
　
（２）上記相違点２の検討
　ピストンリングの外周面に形成されるセラミック材料の薄膜を形成する薄膜形成法として、イオン被覆プロセスは、周知の技術（例えば、引用例３の上記「２．引用刊行物記載の発明」の摘記サ及びシの「イオンプレーティング」、特開平１１−６０５１号公報の段落【０００８】の「アークイオンプレーティング」及び特開平５−１７６９号公報の請求項９，１０の「プラズマ化学蒸着」を参照）である。
　そして、引用発明のセラミック材料の薄膜を形成する薄膜形成法として、周知のイオン被覆プロセスを採用することは、成膜する材質及び当該薄膜の使用条件に応じて当業者が適宜選択し得たものである。
　
（３）上記相違点３の検討
　引用例２には、上記「２．引用刊行物記載の発明」の摘記クの段落【０００９】に、薄膜（１３）の残留性応力は、後に矯正処理を行っても容易に戻らず、たとえ復元したとしても今度は薄膜と基板との界面にストレスを内在させてしまい、クラック、剥離等を誘発するものであること、及び、以上の問題は、ＣＶＤ法（気相反応法）で製膜した薄膜には程度の差はあれ存在している問題であることが記載され、それを解決するために、段落【００１５】には、実施の手順として、薄膜の残留内部応力をあらかじめ計測しておき、上記薄膜の残留内部応力による変形量に見合った曲率を基板に与えて製膜を行う方法が記載又は示唆されている。
　
　また、引用例１には、その発明の目的の一つとして、上記「２．引用刊行物記載の発明」の摘記イのとおり「セラミック製リング部分に使用時に掛かる応力を無くして強度上の問題を解決」することが挙げられ、その効果として、同摘記ウのとおり「ピストンリングがシリンダ内で過酷な往復運動を行う使用状態では、第７図に示すように、外周リング部分１のセラミック層には応力が付与されていないので、セラミック層が原因で使用中にピストンリングが折損等を引き起こすことがなく、強度上の問題が解決される」と記載されているが、同摘記エには、「上記のような使用状態で応力を殆ど受けていない状態に構成されるので、ピストンリングの破壊、折損等の強度上の問題は発生しない」とも記載されており、これは、引用例１に記載された製造方法でピストンリングを製造しても、使用状態でセラミック製リング部分の応力が殆どゼロであるが、完全にゼロではないことが示唆されているものである。
　
　そして、薄膜の形成過程で内部応力が発生し、当該内部応力が薄膜の剥離・亀裂等の不具合の原因となることは、周知の事項（例えば、引用例２の上記摘記クの段落【０００９】、引用例３の上記摘記シの段落【０００３】及び上記摘記スの段落【０００７】、特開２００２−３３２５６１号公報の段落【００１３】、特開昭５８−１８２８２２号公報の第１頁左下欄第１０〜１５行、特開平６−１４５９６７号公報の段落【０００５】を参照）であるから、引用発明により製作されたピストンリングは、使用状態で残っている、薄膜形成過程で発生する内部応力により、薄膜の剥離・亀裂等の不具合が生じうることは当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明によって製造しても使用状態で残る応力である、薄膜形成過程で発生する内部応力を打ち消すために、引用発明に、引用例２に記載又は示唆された、薄膜の残留内部応力をあらかじめ計測しておき、上記薄膜の残留内部応力による薄膜の変形量に見合った曲率を基板に与えて製膜を行う方法を付加して適用することにより、本願発明１の上記相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到しえたものである。
　
・本願発明１の作用効果の検討
　本願発明１の作用効果は、引用発明及び引用例２に記載された発明、並びに周知の事項に基づいて、当業者が予測し得た程度のものである。
　
　以上に関して、審判請求人は、審判請求の理由の「４．本願発明が特許されるべき理由」の「（３）本願発明と引用発明１〜３との対比」において、
「引用発明１と引用発明２とが共通の技術分野に属するという判断に承服しかねます。確かに、両引用発明１、２は、被覆層の内部応力に関するものでありますが、シート状の基板における被覆技術（引用発明２）を、ピストンリングの被覆（引用発明１）に適用するのは当業者により容易に行われるものではないと思料致します。ピストンリングの被覆は、摩擦技術的なシステムの部分（この場合、ピストンリング／シリンダ摺動面）で行われるものであります。このような被覆層は高い機械的熱的負荷にさらされます。このような前提条件は、基板のようなシート状の面に対する被覆層には該当しません。従って、ピストンリングのような摩擦技術的な被覆層の当業者は、シート状の基板に薄膜を被覆する引用発明２のような被覆法を考慮することはありません。」（審決注：審判請求書の「引用文献１」及び「引用文献２」は、本審決の「引用例１」及び「引用例２」と同じ。）と、主張している。
　しかし、ピストンリングの被覆層は高い機械的熱的負荷にさらされるものではあるが、本願発明１が減らそうとしている被覆層の内部応力は、「高い機械的熱的負荷にさらされ」た状態で発生するものではない。
　また、引用例２には、上記「２．引用刊行物記載の発明」の摘記ケの段落【００１４】に、第１の発明について、「本発明は、圧縮性残留内部応力あるいは引張性残留内部応力を有する薄膜全てに応用できるものである」と記載されており、基板はシート状に限定されていないものであり、内部応力を打ち消した状態で平板であるものに限定する記載もないものである。
　そして、引用発明と引用例２に記載されたものとは、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）等の薄膜形成方法により薄膜を形成する技術に係るものである点で技術分野が共通し、使用状態で、形成された薄膜の内部応力を無くし、薄膜の不具合を解消する点で目的も共通するから、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明及び引用例２に記載された発明、並びに上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものである以上、本願発明２ないし８について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。