【事件の表示】
　特願２００７−２７９２５９「有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月２１日出願公開、特開２００９−１１０７１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１９年１０月２６日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　９月　８日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１０月２６日  
　　意見書　　　　　　　：平成２１年１０月２６日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２１年１２月　９日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　３月　９日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２３年　４月２６日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２３年　７月　６日
　　意見書　　　　　　　：平成２３年　７月　６日 
　　　　　
第２　本願発明について  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年７月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
 　　  
「【請求項１】
　有機物よりなる部材（１３、１４）、ガスバリア層（２０）、および有機ＥＬ構造体（３０）が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイにおいて、
　前記ガスバリア層（２０）は、ＡｌｘＴｉｙＯｚからなる薄膜であり、
　このＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌの原子数比率ｘおよびＴｉの原子数比率ｙを用いて｛ｙ／（ｘ＋ｙ）×１００｝にて表される比率をＴｉの原子数比率（単位：ａｔｏｍ％）としたとき、
　前記ガスバリア層（２０）は、
　　前記有機物よりなる部材（１３、１４）との界面に位置し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％であるＡｌ２Ｏ３からなる第１の層（２１）と、
　　前記有機ＥＬ構造体（３０）との界面に位置し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第２の層（２２）と、
　　前記第１の層（２１）と前記第２の層（２２）との間に介在し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％よりも大きく１０ａｔｏｍ％未満でありＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第３の層（２３）とが、積層されてなるものであり、
　前記第１の層（２１）は、前記有機物よりなる部材（１３、１４）との界面から前記ガスバリア層（２０）の内部に向かって厚さ方向に２０ｎｍ以上設けられていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。」  
 　　 　 
第３　引用例 
１　引用例1
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開２００６−２５３１０６号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。  
　　　　　　　　　　
（１ａ）「【背景技術】 
【０００２】 
　この種のカラー有機ＥＬディスプレイは、一般に、基板上にカラーフィルタ層、ガスバリア層、および有機ＥＬ構造体が順次積層されてなる構成を備えている。 
【０００３】 
　より具体的には、白色発光する有機ＥＬ構造体とカラーフィルタとを組み合わせる場合、透明な基板上にカラーフィルタ層、オーバーコート層、ガスバリア層、そして白色発光を行う有機ＥＬ構造体素子を順次積層する構造が知られている。 
【０００４】 
　ここで、
ガスバリア層は、樹脂からなるカラーフィルタ層やオーバーコート層から揮発する水分等に起因する白色発光有機ＥＬ構造体のダークスポットや発光効率の低下等の不具合を防止するために設けられる
【０００５】 
　そのため、ガスバリア層は、ピンホールレスであること、そのステップカバレージが良いことが要求される。さらに、これ以外にも、透明性や、表面の平坦性等の性能が要求される。 
【０００６】 
　従来では、ガスバリア層の例としては、酸化ケイ素を含有し、スパッタ成膜法で形成することを特徴としたもの（たとえば、特許文献１参照）や、色変換素子（ＣＣＭ）のガスバリア層として絶縁性無機酸化物層を配設したもの（たとえば、特許文献２参照）などがある。 
【０００７】 
　しかし、これらはガスバリア性の点でピンホールが考慮されていないため、画素にダークスポットが発生しやすく、所望の有機ＥＬ素子の発光特性を維持できない画素が生じてしまう。 
【０００８】 
　このようなガスバリア層におけるピンホールを対策したものとしては、ガスバリア層を複数層として各層の成膜工程の間に洗浄工程を行うようにしたもの（たとえば、特許文献３参照）や、ガスバリア層を複数層としつつ各層に樹脂層を分散させた構造（たとえば、特許文献４参照）が提案されている。
【０００９】 
　また、ピンホール対策としては、一般的なガスバリア層の成膜方法であるスパッタ法よりも緻密な膜形成が可能なプラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ）によりガスバリア層を形成したものが提案されている（たとえば、特許文献５参照）。 
【特許文献１】特開平１１−２６０５６２号公報 
【特許文献２】特開平８−２７９３９４号公報 
【特許文献３】特開２００３−２２９２７１号公報 
【特許文献４】特開２００３−２８２２３９号公報 
【特許文献５】特開２００４−３９４６８号公報 
【発明の開示】 
【発明が解決しようとする課題】 
【００１０】 
　しかしながら、上記した特許文献３や特許文献４に記載されているようなピンホール対策では、ガスバリア層の構造およびプロセスが複雑であり、生産性やコストの面で課題が残る。 
【００１１】 
　また、上記特許文献５に記載されているようなＰ−ＣＶＤを用いたガスバリア層では、Ｐ−ＣＶＤにてガスバリア層を成膜するときに、下地のカラーフィルタ層やオーバーコート層の耐熱性を考慮して比較的低温で成膜を行うことになるが、その場合、膜の緻密性が劣るため、ガスバリア性が悪くなる。そのため、他の積層構造にするか、厚膜化が必要になり、やはり、生産性に課題が残り、コストアップにつながる。 
【００１２】 
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ構造体とカラーフィルタとの間にガスバリア層を介在させてなるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、ガスバリア性に優れた安価なガスバリア層を実現することを目的とする。」 
 　　　　　 
（１ｂ）「【００１４】 
　有機ＥＬ構造体とカラーフィルタとを組み合わせたカラー有機ＥＬディスプレイにおけるダークスポットの発生や耐久試験中の劣化は、カラーフィルタおよびオーバーコート中に含まれる水分等のガスが、ガスバリア層を透過して有機ＥＬ構造体まで到達するためである。 
【００１５】 
　このことから、第１に、カラーフィルタおよびオーバーコートなどのガスバリア層の下地部分の中に含まれるガス量を低減すること、第２に、下地から発生するガス成分を単純なプロセスで実現しピンホールの無いガスバリア層で遮断することが必要であると考えられる。 
【００１６】 
　本発明は、このような考えに基づいて検討を行った結果、創出されたものである。 
【００１７】 
　すなわち、請求項１に記載の発明では、
基板（１１）上にカラーフィルタ層（１３）、ガスバリア層（２０）、および有機ＥＬ構造体（３０）が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて
ガスバリア層（２０）は、カラーフィルタ層（１３）の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成
 　　　 
（１ｃ）「【００３９】 
　また、請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の
カラー有機ＥＬディスプレイにおいて、ガスバリア層（２０）は、Ａｌ
2
Ｏ
3
とＴｉＯ
2
との２層以上の積層膜にて構成されたものである
【００４０】 
　ここで、
Ａｌ
2
Ｏ
3
とＴｉＯ
2
との２層以上の積層膜とは、各々が原子層成長法によって成膜されたＡｌ
2
Ｏ
3
とＴｉＯ
2
との２層積層膜でもよい
 　　　　　　 
（１ｄ）「【００６４】 
　また、請求項２９に記載の発明では、請求項２１〜請求項２７に記載の
カラー有機ＥＬディスプレイの製造方法において、ガスバリア層（２０）として、Ａｌ
2
Ｏ
3
とＴｉＯ
2
との２層以上の積層膜にて構成されたものを用いる
【００６５】 
　それによれば、上記請求項７に記載のカラー有機ＥＬディスプレイを適切に製造することができる。なお、本製造方法におけるＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層以上の積層膜とは、上記請求項７に記載のものと同様である。」 
 　　　　　 
（１ｅ）「【００７２】 
　上記した各手段では、ガスバリア層（２０）の成膜は真空蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ法と比較して
被成膜部材の被覆性に優れ、かつピンホールが極力低減された膜を実現できる低温原子層成長法を用いており
【００７３】 
　しかしながら、検討の結果、
ガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程、たとえば基板洗浄や、電極形成、絶縁層形成、有機ＥＬ膜形成などの工程では、各種の薬品が使用されるため、ガスバリア層（２０）の材質によっては、当該薬品によってガスバリア層（２０）がダメージを受けてしまう可能性がある
【００７４】 
　たとえば、上記各手段のようにカラーフィルタ層（１３）の分解開始温度以下の温度という低温で行う低温原子層成長法にてガスバリア層（２０）を形成する場合、コストや成膜安定性などの観点から、ガスバリア層（２０）としては、非晶質アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜が一般的であり、この非晶質アルミナ膜は、下地からのガスを遮断するというガスバリア性の点では問題がない。 
【００７５】 
　しかし、本発明者らの検討によれば、非晶質アルミナ膜は、カラーフィルタ層（１３）、オーバコート層（１４）が形成されたガラス基板（１１）上に低温原子層成長法によって形成されるが、その後の基板洗浄や、電極形成、絶縁層形成、有機ＥＬ膜形成などの工程にて行われる薬品処理に対して、水酸基（−ＯＨ）と結合する結果、Ａｌ2（ＯＨ）3などの安定な水酸化物を作ってしまう場合がある。 
【００７６】 
　そのような場合、ガスバリア層（２０）としての非晶質アルミナ膜が変質したり、当該アルミナ膜が分解して膜厚が減少したりしてしまい、ガスバリア性が失われる問題が発生した。 
【００７７】 
　これは、非晶質アルミナ膜は、アルカリや酸に対して極めて溶解しやすく、特に５０℃以上の温水やアルカリ性洗剤やアルカリ処理液に対して、ダメージが生じやすいことがわかった。 
【００７８】 
　ここで、温水においてダメージが生じやすいのは、水が室温ならば空気中の炭酸ガスが溶解して中性になるが、温水にすると炭酸ガスが溶解せずアルカリ性になりやすいためである。 
【００７９】 
　また、本発明者らの検討によれば、カラー有機ＥＬディスプレイにおいて、基板（１１）としてソーダガラス基板を用い、このソーダガラス基板に低温原子層成長法でガスバリア層（２０）を形成した場合、その後の基板洗浄や熱処理、電極形成を行うと、ガスバリア層（２０）とガラス基板（１１）の間で、下地からのガスの発泡による発泡剥離現象が発生することがわかった。 
【００８０】 
　そこで、本発明者らは、このようなガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品に対するガスバリア層（２０）の薬品によるダメージや、ソーダガラス基板におけるガスバリア層（２０）の剥離を防止するために、鋭意検討を行い、上記各手段に対して改良を加え、以下のような手段を創出した。 
【００８１】 
　すなわち、請求項１２に記載の発明では、請求項１〜請求項１１に記載の
カラー有機ＥＬディスプレイにおいて、ガスバリア層（２０）は、その下地から発生するガスを遮断する第１の膜（２１）と、ガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品に対する耐性を有する第２の膜（２２）とが順次積層されてなるものである
【００８２】 
　それによれば、
本発明のガスバリア層（２０）は、第１の膜（２１）によってガスバリア性を発揮するとともに、第２の膜（２２）によってガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品に対する耐性を有するため、ガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品によるガスバリア層（２０）のダメージを極力抑制することができる
【００８３】 
　ここで、請求項１３に記載の発明のように、請求項１２に記載のカラー有機ＥＬディスプレイにおいては、ガスバリア層（２０）における第１の膜（２１）は、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＧｅＯ2、ＨｆＯ2およびＺｎＯから選ばれる１種以上からなるものにできる。 
【００８４】 
　また、請求項１４に記載の発明では、請求項１２または請求項１３に記載のカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、ガスバリア層（２０）における第２の膜（２２）は、水酸基と結合して安定な水酸化物を作りにくい材料からなることを特徴としている。 
【００８５】 
　それによれば、ガスバリア層（２０）における第２の膜（２２）は、アルカリや酸に対して難溶なものとなり、耐薬品性が適切に発揮される。 
【００８６】 
　ここで、請求項１５に記載の発明のように、請求項１４に記載のカラー有機ＥＬディスプレイにおいては、ガスバリア層（２０）における第２の膜（２２）は、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、Ｔａ2Ｏ5から選ばれる１種以上からなるものにできる。 
【００８７】 
　また、請求項１６に記載の発明のように、請求項１２〜請求項１５に記載のカラー有機ＥＬディスプレイにおいては、ガスバリア層（２０）における第２の膜（２２）の膜厚は、５ｎｍ以上であれば、本発明者らの検討によれば、第２の膜（２２）による耐薬品性を適切に発揮できることがわかった。」
 　　　　 
（１ｆ）「【００９７】 
　また、請求項３２に記載の発明では、請求項２１〜請求項３１に記載の
カラー有機ＥＬディスプレイの製造方法において、ガスバリア層（２０）として、その下地から発生するガスを遮断する第１の膜（２１）と、ガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品に対する耐性を有する第２の膜（２２）とを順次積層して形成する
【００９８】 
　それによれば、上記請求項１２に記載のカラー有機ＥＬディスプレイを適切に製造することができる。 
【００９９】 
　つまり、本製造方法によれば、ガスバリア層（２０）は、第１の膜（２１）によってガスバリア性を発揮するとともに、第２の膜（２２）によってガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品に対する耐性を有するため、ガスバリア層（２０）の形成工程以降の工程に使用される薬品によるガスバリア層（２０）のダメージを極力抑制することができる。」
 　　　 
（１ｇ）「【０１０６】 
　（第１実施形態） 
　図１は、本発明の第１実施形態に係るカラー有機ＥＬディスプレイ１００の概略断面構成を示す図である。また、図２は、図１中のＡ−Ａ一点鎖線に沿った概略断面構成を示す図である。 
【０１０７】 
　［構成等］ 
　基板１１は、ガラス基板、
樹脂製の基板（樹脂基板）
【０１０８】 
　
この基板１１の一面上には、光の３原色である赤、青、緑のカラーフィルタ層１３が設けられている
【０１０９】 
　
この上部に、必要に応じて平坦化層として、透明のオーバーコート層１４が形成されている
これらカラーフィルタ層１３とオーバーコート層１４は主にアクリル系の樹脂で形成されている
オーバーコート層１４の上には、このオーバーコート層１４を被覆するようにガスバリア層２０が形成されている
【０１１０】 
　ここで、ガスバリア層２０の下地部分すなわち本例では基板１０、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４は、脱ガス処理を施されたものである。具体的には、オーバーコート層１４まで形成された基板１１を、恒温槽または真空チャンバーに入れ、脱ガス、脱水処理をする。 
【０１１１】 
　この脱ガス処理温度は、当該脱ガス処理工程以降の工程にて基板１１にかかる温度以上の温度であって且つカラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度であることが好ましく、たとえば本例では、２００℃〜２３０℃の温度とすることができる。 
【０１１２】 
　
ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。この原子層成長法は、アトミックレイヤーエピタキシー法（ＡＬＥ法）またはアトミックレイヤーデポジション（ＡＬＤ法）、と呼ばれる
【０１１３】 
　ここで、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度は、２３０℃程度である。また、ガスバリア層２０は、具体的に、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＧｅＯ2、ＨｆＯ2およびＺｎＯから選ばれる１種以上からなる無機膜とすることができる。 
【０１１４】 
　また、ガスバリア層２０の膜厚は、１００ｎｍ以下好ましくは６０ｎｍ以下とすることができる。本例では、ガスバリア層２０は、約６０ｎｍの厚さで形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜である。 
【０１１５】 
　
ここで使用した原子層成長法においては、カラーフィルタ層１３、オーバーコート層１４にダメージを与えない比較的低温で形成できるように、つまり、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて形成できるように、原料を有機金属であるトリメチルアルミニウムを使用した
【０１１６】 
　ここにおいて、ガスバリア層２０の成膜温度は１００〜２５０℃程度にできる。
この成膜温度は、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度とする
【０１１７】 
　そして、基板１１の一面上すなわちガスバリア層２０の上には、有機電子デバイスとしての有機ＥＬ構造体３０が形成されている。つまり、本実施形態においては、基板１１における有機ＥＬ構造体３０の形成される一面が、ガスバリア層２０により被覆されており、この基板１１とガスバリア層２０の上に、有機ＥＬ構造体３０が形成された形となっている。 
【０１１８】 
　この有機ＥＬ構造体３０は、互いに対向する一対の電極３１、３３間に有機発光材料を含む有機層３２を配置してなる構造体である。この有機ＥＬ構造体３０は、通常の有機ＥＬ構造体に用いられる材料や膜構成を採用することができるが、具体的構成の一例について述べる。」 
 　　　　 
（１ｈ）「【０１３２】 
　［製造方法等］ 
　次に、本カラー有機ＥＬディスプレイ１００の製造方法について、多少、上記したことと重複するところもあるが、述べる。 
【０１３３】 
　まず、基板１０の一面に、スピンコート法やホトリソグラフ法により、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４を順次形成する。ここまでの工程により、ガスバリア層２０の下地部分ができあがる。また、本例では、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解温度は２３０℃である。 
【０１３４】 
　次に、ガスバリア層２０の下地部分に、脱ガス処理を施す。この脱ガス処理温度は、当該脱ガス処理工程以降の工程にて基板１１にかかる温度以上の温度であって且つカラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度であることが好ましい。たとえば本例では、２００℃〜２３０℃の温度とする。 
【０１３５】 
　また、脱ガス処理工程は乾燥雰囲気中で行うことが好ましい。具体的には、オーバーコート層１４まで形成された基板１１を、真空やドライ窒素ガス雰囲気中等の乾燥雰囲気中で焼成を行うために恒温槽または真空チャンバーに入れ、脱ガス、脱水処理をする。 
【０１３６】 
　次に、ガスバリア層２０の形成を行うが、ここにおいて、脱ガス処理工程の後、ガスバリア層２０の形成工程までの間、基板１１を一貫して乾燥雰囲気中にて保持することが好ましい。 
【０１３７】 
　具体的には、ガスバリア層２０の成膜を行う装置中で、基板１１をセットした後、真空加熱を十分に行って水分等の脱水処理を行った後、ガスバリア層２０を原子層成長法で形成する。 
【０１３８】 
　または、脱水工程用のチャンバーを設けたマルチチャンバー装置にて、真空または窒素雰囲気等のドライ雰囲気中で十分な基板加熱を行った後、原子層成長にてガスバリア層２０を行うためのチャンバーへ基板１１を移動し、そこでガスバリア層２０を形成すれば良い。 
【０１３９】 
　そして、ガスバリア層２０の形成工程では、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて減圧下で原料ガスを交互に供給して薄膜を形成する原子層成長法を行うことにより、ガスバリア層２０を形成する。 
【０１４０】 
　ここで、本実施形態では、カラーフィルタ層１３とガスバリア層２０との間には、有機材料からなるオーバーコート層１４が介在しており、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて、ガスバリア層２０を形成する。 
【０１４１】 
　また、このガスバリア層２０を形成する原子層成長法の成膜温度は、ガスバリア層２０の形成工程以降の工程、すなわち有機ＥＬ構造体３０の形成工程にて基板１１にかかる温度以上であることが好ましい。 
【０１４２】 
　このようなガスバリア層２０の成膜温度は１００〜２５０℃程度にできる。本例では、当該成膜温度を、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度とすること、および、ガスバリア層２０の形成工程以降の工程にて基板１１にかかる温度以上とすること、を考慮して、好ましくは、２００℃〜２３０℃程度の成膜温度とする。 
【０１４３】 
　本例では、ガスバリア層２０は、原子層成長法によるアルミナからなるものであり、そのようなガスバリア層２０の形成は、脱ガス、脱水処理した基板１０を反応炉に入れ、その反応炉を真空雰囲気にし、気化したＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）と気化したＨ２Ｏとを、Ｎ２ガス等のキャリアガスにより、反応炉へ交互に導入することで行われる。その詳細については、従来より行われている一般的な原子層成長法の成膜方法を採用することができるため省略する。」 
 　　　 
（１ｉ）「【０１５１】 
　［効果等］ 
　ところで、本実施形態によれば、基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものであることを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイ１００が提供される。 
【０１５２】 
　それによれば、ガスバリア層２０の下地部分を、脱ガス処理を施されたものとしているため、基板１１やカラーフィルタ層１３などの下地部分から出てくるガス量を極力小さいものにできる。 
【０１５３】 
　また、本実施形態では、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものとしているため、カラーフィルタ層１３が劣化することなく、適切にガスバリア層２０を形成することができる。 
【０１５４】 
　そして、ガスバリア層２０の成膜は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ法と比較して被成膜部材の被覆性に優れ、かつピンホールが極力低減された膜を実現できる原子層成長法を用いているため、従来に比べてステップカバレージが良く、ピンホールの少ないガスバリア層２０が実現できる。
【０１５５】 
　それによれば、ガスバリア層２０は、被覆性に優れ且つピンホールがほとんど無いため、カラーフィルタ層１３やオーバーコート層１４に微量に含まれる水分などのガスをガスバリア層２０にてブロックすることができ、有機ＥＬ構造体３０側へガスが侵入することはない。そのため、当該ガスによる有機ＥＬ構造体３０の劣化を適切に防止することができる。」 
 　　　　　 
（１ｊ）「【０２００】 
　図５は、ガスバリア層であるＡｌ2Ｏ3薄膜（単膜）およびＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜について、全応力と膜厚との関係を示す図である。 
【０２０１】 
　ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜は、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層以上の積層膜にて構成されたガスバリア層である。そして、図５において、たとえばＡｌ2Ｏ3＝３０とは、Ａｌ2Ｏ3単膜の膜厚が３０ｎｍであることを意味し、ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3＝９／３０とは、ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜のうちＡｌ2Ｏ3の部分の総膜厚ｘが３０ｎｍであり、ＴｉＯ2の部分の総膜厚ｙが９ｎｍであることを意味する。 
【０２０２】 
　ここで、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層以上の積層膜とは、各々が原子層成長法によって成膜されたＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層積層膜でもよいし、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2とが交互に繰り返し多数積層された交互積層膜でもよい。 
【０２０３】 
　そして、このＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜について、上述したＡｌ2Ｏ3単膜、ＴｉＯ2単膜の膜応力応力と膜厚構成比から推測される全応力の値は、図５に示される測定した全応力とおおむね一致することがわかった。 
【０２０４】 
　次に、この図５に示されるＡｌ2Ｏ3薄膜（単膜）およびＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜の各ガスバリア層について、成膜後におけるクラックの発生状況を調査した。その結果は、次の表３に示される。 
【０２０５】 
【表３】 
　本発明者らの検討によれば、Ａｌ2Ｏ3を主原料としたガスバリア層は、膜厚１２０ｎｍ以上でクラックが発生する。この知見から、Ａｌ2Ｏ3単膜からなるガスバリア層は、その膜厚が１００ｎｍ以下であることが望ましく、このときの全応力は約３７Ｎ／ｍであり、これを満たせば、クラックが発生しないと考えられる。 
【０２０６】 
　また、ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜においても、図５に示されるそれぞれの応力値から当該積層膜にかかる全応力を計算し、約３７Ｎ／ｍを超えないように設計することにより、クラックの発生を抑制することができる。 
【０２０７】 
　すなわち、ガスバリア層２０をＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層以上の積層膜とした場合、ガスバリア層２０のうちＡｌ2Ｏ3の部分の総膜厚ｘ（単位：ｍ）、ＴｉＯ2の部分の総膜厚ｙ（単位：ｍ）とすると、不等式：３７≧３×１０8×ｘ＋１．４×１０9×ｙを満足することが好ましい。 
【０２０８】 
　Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との積層膜におけるそれぞれの膜厚ｘ、ｙについて、上記不等式の関係を満足するものとすることにより、当該積層膜にて構成されるガスバリア層２０の全応力を、クラック限界応力よりも小さくすることができ、ガスバリア層２０におけるクラックの発生を防止しやすくなる。 
【０２０９】 
　そして、このようなガスバリア層２０として、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＯ2との２層以上の積層膜にて構成されたものを用いる本実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法において、上記不等式の関係を満足させるためには、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2のそれぞれの膜厚ｘ（ｍ）、ｙ（ｍ）を、３７≧３×１０8×ｘ＋１．４×１０9×ｙ、の関係を満足するようにガスバリア層２０を形成することを特徴とするディスプレイ１００の製造方法が提供される。」 
 　　　 
（１ｋ）「【０２２６】 
　（第３実施形態） 
　図７は、本発明の第３実施形態に係る有機電子デバイス素子としてのカラー有機ＥＬディスプレイ３００の概略断面構成を示す図である。主として、上記第１実施形態との相違点を述べる。 
【０２２７】 
　本実施形態においても、
基板１１は、ガラス基板、樹脂製の基板（樹脂基板）等からなる
【０２２８】 
　この基板１１の一面上には、上記実施形態と同様に、シャドウマスク（ブラックマトリックス）１２、カラーフィルタ１３が形成され、この上部に平坦化層として透明のオーバーコート層１４が形成されている。 
【０２２９】 
　そして、オーバーコート層１４の上には、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより、このオーバーコート層１４を被覆するようにガスバリア層２０が形成されている。 
【０２３０】 
　ここで、本実施形態においても、ガスバリア層２０の下地部分すなわち本例では基板１０、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４は、上記実施形態と同様に脱ガス処理を施されている。 
【０２３１】 
　そして、好ましい脱ガス処理温度は、当該脱ガス処理工程以降の工程にて基板１１にかかる温度以上の温度であって且つカラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度であり、たとえば、２００℃〜２３０℃の温度とできることは、上記した第１実施形態と同様である。 
【０２３２】 
　ここにおいて、本実施形態では、
ガスバリア層２０は、その下地から発生するガスを遮断するガス遮断層としての第１の膜２１と、ガスバリア層２０の形成工程以降の工程に使用される薬品に対する耐性を有する工程耐性層としての第２の膜２２とが順次積層されてなる
【０２３３】 
　ここで、
ガスバリア層２０におけるガス遮断層としての第１の膜２１は、具体的に、Ａｌ
2
Ｏ
3
【０２３４】 
　また、この第１の膜２１の膜厚は、１００ｎｍ以下好ましくは６０ｎｍ以下とすることができる。本例では、第１の膜２１は、約６０ｎｍの厚さで形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜である。 
【０２３５】 
　ここで、この第１の膜２１を形成する原子層成長法においては、カラーフィルタ層１３、オーバーコート層１４にダメージを与えない比較的低温で形成できるように、つまり、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて形成できるように、当該第１の膜２１の原料として有機金属であるトリメチルアルミニウムを使用した。 
【０２３６】 
　ここにおいて、第１の膜２１の成膜温度は１００〜２５０℃程度にできる。この成膜温度は、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度とすること、および、ガスバリア層２０の形成工程以降の工程にて基板１１にかかる温度以上であること、を考慮したものであり、好ましくは、本例では２００℃〜２３０℃であることが望ましい。 
【０２３７】 
　また、
ガスバリア層２０における工程耐性層としての第２の膜２２は、水酸基（つまり、ＯＨ基）と結合して安定な水酸化物を作りにくい材料からなる。具体的に、第２の膜２２は、ＴｉＯ
2
【０２３８】 
　また、このガスバリア層２０における第２の膜２２の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましい。本例では、第２の膜２２は、約５ｎｍの厚さで形成されたチタニア（ＴｉＯ2）である。 
【０２３９】 
　ここで、この工程耐性層としての第２の膜を形成する原子層成長法においては、カラーフィルタ層１３、オーバーコート層１４にダメージを与えない比較的低温で形成できるように、つまり、カラーフィルタ層１３およびオーバーコート層１４の分解開始温度以下の温度にて形成できるように、当該第２の膜２２の原料として有機金属であるテトライソプロキシチタニュウムを使用した。 
【０２４０】 
　なお、第２の膜２２の原料としてはテトライソプロキシチタニュウム以外にも、４塩化チタンでもよい。この第２の膜２２の成膜温度は１００〜２５０℃程度であることが望ましい。 
　・・・(中略)・・・ 
【０２４４】 
　そして、本実施形態においても、基板１１の一面上すなわちガスバリア層２０の上には、有機電子デバイスとしての有機ＥＬ構造体３０が形成されている。つまり、本実施形態においては、基板１１における有機ＥＬ構造体３０の形成される一面が、ガスバリア層２０としての第１の膜２１、第２の膜２２、および絶縁層２３により被覆されており、この絶縁層２３の上に、有機ＥＬ構造体３０が形成された形となっている。 
【０２４５】 
　本実施形態においても、この有機電子デバイスとしての有機ＥＬ構造体３０は、互いに対向する一対の電極３１、３３間に有機発光材料を含む有機層３２を配置してなる構造体である。 
【０２４６】 
　そして、本実施形態でも、この有機ＥＬ構造体３０は、通常の有機ＥＬ素子に用いられる材料や膜構成を採用することができ、その具体的な構成についても、上記第１実施形態と同様のものにできる。」 
 　　　 
（１ｌ）「【０２５０】 
　このような本実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイ３００は、基本的には上記第１実施形態のものと同様にして製造することができる。 
【０２５１】 
　ここで、本実施形態では、第１の膜２１および第２の膜２２からなるガスバリア層２０、絶縁層２３により、カラーフィルタ層１３、オーバーコート層１４の一面全域が被覆されている。そこで、上記実施形態と同様にしてガスバリア層２０の下地部分に脱ガス処理を施した後、これら第１の膜２１、第２の膜２２、絶縁層２３を形成する。 
【０２５２】 
　たとえば、アルミナからなる第１の膜２１の原子層成長法による形成は、脱ガス、脱水処理した基板１１を反応炉に入れ、その反応炉を真空雰囲気にし、気化したＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）と気化したＨ2Ｏとを、Ｎ2ガス等のキャリアガスにより、反応炉へ交互に導入することで行われる。
【０２５３】 
　また、チタニアからなる第２の膜２２の原子層成長法による形成は、原料としてテトライソプロキシチタニュウムと純水を用いることのほかは、第１の膜２１と同様の方法により行うことができる。」 
 　　　 
（１ｍ）「【０２６７】 
　また、上述したが、ガスバリア層２０において非晶質アルミナ膜に代表される第１の膜２１は、アルカリや酸に対して極めて溶解しやすく、特に５０℃以上の温水やアルカリ性洗剤やアルカリ処理液に対して、ダメージが生じやすい。 
【０２６８】 
　その点、本実施形態では、具体的に、ガスバリア層２０における第２の膜２２を、水酸基と結合して安定な水酸化物を作りにくい材料からなるもの、たとえばＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、Ｔａ2Ｏ5から選ばれる１種以上からなるものとすることで、アルカリや酸に対して難溶なものとし、耐薬品性を適切に発揮するようにしていることも特徴のひとつである。 
【０２６９】 
　また、本実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイ３００においては、ガスバリア層２０における第２の膜（２２）の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましいが、これは本発明者らの検討により実験的に確認されたもので、５ｎｍ以上であれば、第２の膜２２による耐薬品性を適切に発揮できる。」 
 　　　 　　 
〔引用例1に記載された発明〕
　上記記載事項（１ａ）〜（１ｍ）から、引用例１には、  
「カラーフィルタ層１３、オーバーコート層１４、ガスバリア層２０及び有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイにおいて、 
　カラーフィルタ層１３及びオーバーコート層１４は樹脂からなり、 
　ガスバリア層２０は、ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜であり、 
　ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３及びオーバーコート層１４との界面にＡｌ2Ｏ3膜を有し、有機ＥＬ構造体３０との界面にＴｉＯ2膜を有し、 
　ガスバリア層２０中のＡｌ2Ｏ3膜はカラーフィルタ層１３及びオーバーコート層１４との界面から３０ｎｍの厚さで設けられている有機ＥＬディスプレイ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である、国際公開第２００５／９７４８４号（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した。）。  
　　　　　　　　　
（２ａ）「[0086] 
　次に、屈折率が連続的に変化する態様のガスバリア層を製膜する場合を説明する。 
[0087] 
　
ガスバリア層の屈折率が連続的に変化し、支持体と透明導電層の間の屈折率を連続的につないだ場合、光学的には透明導電層とガスバリア層の界面がないため、光源から発光した光が界面で反射・導波して透明導電性フィルム端部より出射する光を更に低減することができる。したがって有機ＥＬ素子等の光取りだし効率を高めることができ、高い発光輝度を示す有機ＥＬ素子を得ることが出来、ひいては同じ光量の光を発する場合でも低電力ですむため、省電力化された有機ＥＬ素子の作製が出来る
 　　　 
（２ｂ）「[0228] 
　・・・（中略）・・・ 
　《透明導電性フィルム６（本発明）》 
　ＴｉＯ２原料ガスＣ：ＳｉＯ２原料ガスＣを１５：８５で混合したのち、この混合ガスを９０℃まで昇温してから、１気圧下でプラズマを発生させたプラズマ空間に１０ｓｌｍで導入し、クリアハードコート層を形成したジアセチルセルロース−シリカハイブリッドフィルム上にＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜を９５ｎｍ形成した。なお電圧印加時の出力は１００ＫＨｚが６Ｗ／ｃｍ２、１３．５６ＭＨｚが４Ｗ／ｃｍ２である。このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜の屈折率は１．５５でであり、この条件下での製膜速度は１１ｎｍ／秒だった。 
[0229] 
　次にＴｉＯ２原料ガスＣ：ＳｉＯ２原料ガスＣを３３：６７で混合した混合ガスを用い、同条件下でさらにＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜を９０ｎｍ積層した。このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜の屈折率は１．６５であった。製膜速度は６．５ｎｍ／秒だった。 
[0230] 
　次にＴｉＯ２原料ガスＣ：ＳｉＯ２原料ガスＣを５０：５０で混合した混合ガスを用いて同条件下さらにＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜を８５ｎｍ積層した。このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜の屈折率は１．７６であった。製膜速度は６．９ｎｍ／秒だった。 
[0231] 
　次にＴｉＯ２原料ガスＣ：ＳｉＯ２原料ガスＣを６７：３３で混合した混合ガスを用いて同条件下さらにＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜を８０ｎｍ積層した。このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜の屈折率は１．８５であった。製膜速度は７．２ｎｍ／秒だった。 
[0232] 
　次にＴｉＯ２原料ガスＣ：ＳｉＯ２原料ガスＣを１７：８３で混合した混合ガスを用いて同条件下さらにＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜を７５ｎｍ積層した。このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合膜の屈折率は１．９５であった。製膜速度は７．３ｎｍ／秒だった。 
[0233] 
　次にＴｉＯ２原料ガスＣを用いて同条件下でさらにＴｉＯ２膜を７０ｎｍ積層した。このＴｉＯ２膜の屈折率は２．０５であった。製膜速度は７．３ｎｍ／秒だった。 
　このＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合積層膜を形成したフィルムの水蒸気透過率は０．２２ｇ／ｍ２／ｄ、酸素透過率は０．２１ｍｌ／ｍ２／ｄであった。また最表面の表面平均粗さは０．８ｎｍであった。 
[0234] 
　さらに透明導電層をＴｉＯ２−ＳｉＯ２混合層上に製膜した。得られた透明導電性フィルム６（本発明）の層構成は下記の通りである。 
[0235] 
　支持体（１．４８）／ハードコート層（１．５４）／ＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合層１（１．５５）／ＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合層２（１．６５）／ＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合層３（１．７６）／ＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合層４（１．８５）／ＳｉＯ２−ＴｉＯ２混合層５（１．９５）／ＴｉＯ２層（２．０５）／ＩＴＯ層（２．０５） 
　この積層フィルムの全光透過率は９２％であった。」 
 　　　  
第４　本願発明と引用発明との対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　　　　　　　　　　　　
＜対応関係Ａ＞
　引用発明の「樹脂」からなる「カラーフィルタ層１３」及び「オーバーコート層１４」は、本願発明の「有機物よりなる部材」に相当する。
　　　
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明の「ガスバリア層」を構成する「ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜」は、本願発明の「ガスバリア層」を構成する「ＡｌｘＴｉｙＯｚからなる薄膜」（なお、本願明細書の段落【００３４】から「ｘおよびｙの一方が０の場合も含む」点に留意のこと。）に相当する。
　　
＜対応関係Ｃ＞
　引用発明の「カラーフィルタ層１３及びオーバーコート層１４との界面」に有する「Ａｌ2Ｏ3膜」は、本願発明の「有機物よりなる部材（１３、１４）との界面に位置し全領域にてＴｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％であるＡｌ2Ｏ3からなる第１の層（２１）」に相当する。 
　　　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「有機ＥＬ構造体３０との界面」に有する「ＴｉＯ2膜」は、本願発明の「有機ＥＬ構造体（３０）との界面に位置し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第２の層（２２）」に相当する。
　　　　
＜対応関係Ｅ＞
　引用発明の「ガスバリア層２０中のＡｌ2Ｏ3膜はカラーフィルタ層１３及びオーバーコート層１４との界面から３０ｎｍの厚さで設けられている」ことは、本願発明の「第１の層（２１）は、前記有機物よりなる部材（１３、１４）との界面から前記ガスバリア層（２０）の内部に向かって厚さ方向に２０ｎｍ以上設けられていること」に相当する。
　　　　
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、 
「有機物よりなる部材、ガスバリア層、および有機ＥＬ構造体が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイにおいて、
　前記ガスバリア層は、ＡｌｘＴｉｙＯｚからなる薄膜であり、
　このＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌの原子数比率ｘおよびＴｉの原子数比率ｙを用いて｛ｙ／（ｘ＋ｙ）×１００｝にて表される比率をＴｉの原子数比率（単位：ａｔｏｍ％）としたとき、
　前記ガスバリア層は、
　　前記有機物よりなる部材との界面に位置し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％であるＡｌ2Ｏ3からなる第１の層と、
　　前記有機ＥＬ構造体との界面に位置し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第２の層と、を有するものであり、
　前記第１の層は、前記有機物よりなる部材との界面から前記ガスバリア層の内部に向かって厚さ方向に２０ｎｍ以上設けられている有機ＥＬディスプレイ。」
　の発明である点で一致し、以下の点で相違する。 
　　
（相違点）
　「ガスバリア層」の構成に関して、本願発明は、「第１の層（２１）と前記第２の層（２２）との間に介在し全領域にて前記Ｔｉの原子数比率が０ａｔｏｍ％よりも大きく１０ａｔｏｍ％未満でありＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第３の層（２３）」を備えており、「ガスバリア層」が３層構成であるのに対して、引用発明は、「ＴｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3積層膜」である点。
　　　
第５　検討・判断　　　 
１　相違点に係る構成の容易想到性
　上記相違点について検討する。  
　上記記載事項（２ａ）〜（２ｂ）によれば、引用例２には、ガスバリア層の元素組成比が連続的に変化するようにすることで屈折率が連続的に変化するようにして、有機ＥＬ素子の光取りだし効率を高める技術が記載されている。 
　当該技術を引用発明に採用し、「Ａｌ2Ｏ3膜」と「ＴｉＯ2膜」との間に、屈折率が連続的に変化するように、それらの膜の中間的な元素組成比の層を設けることは、当業者であれば容易に想到することであり、その際、中間的な元素組成比の層を何層設けるかは当業者が適宜に決定し得る設計的事項に過ぎないから、当該中間的な元素組成比の層を最低限の１層設けてガスバリア層を３層構成とすることは格別の創意を要するものではない。 
　その際、中間的な元素組成比の層の組成比は、屈折率の調整層とガスバリア層としての二つの機能性を勘案して、当業者が適宜に設定し得るものである。
　また、上記記載事項（１ｋ）からして、「Ａｌ2Ｏ3膜」はガス遮断層としての機能を奏し、「ＴｉＯ2膜」は工程耐性層としての機能を奏するものであることは明らかであるから、ガスバリア機能を高めるために、中間的な元素組成比の層が「Ａｌ2Ｏ3膜」に近い性質となるようにする、すなわち、Ｔｉの組成比を低くすることは、当業者にとって特段の創意を必要とすることではないし、Ｔｉの組成比を数ａｔｏｍ％程度にするだけで従来技術から予測し得ない作用効果が奏される訳でもない（下記「２　作用効果について」参照。）から、Ｔｉ組成比を１０ａｔｏｍ％未満とすることも格別のことではない。
　そうすると、引用発明に引用例２に記載された技術を採用することで、相違点に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
　なお、請求人は、平成２３年７月６日付け意見書において、
「引用例２の技術思想によれば、元素組成比を連続的に変化させるため、第３の層は第１の層と第２の層の中間的な組成比になると考えられる。この場合、引用例１の第２の層はＴｉ＝１００ａｔｏｍ％であることから、引用例１及び引用例２を組み合わせたとしても、第３の層はＴｉ＝５０ａｔｏｍ％程度になると思われる。」
　と主張しているが、技術常識からして、屈折率の異なる２つの層の間に、中間的な屈折率の層が挿入されれば、挿入される層の屈折率が完全に中間に位置しなくても、光透過率を改善する効果は大なり小なり得られることは明らかであり、また、ガスバリア層に如何なる特性を求めるかによって異なる設計思想により、必要となるＴｉの組成比は５０％より高くも低くもなり得るし、それを排除する特段の事情もないから、引用発明に引用例２に記載された技術を適用する際に、中間層のＴｉの割合が５０ａｔｏｍ％程度に限定されるべき理由はない。挿入される層もガスバリア層の一部である以上、屈折率調整だけでなく、ガスバリア機能の観点から組成比を決定することは当業者であれば当然に考慮すべきことであるから、請求人の上記主張は採用できない。
　　　　
２　作用効果について  
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明及び引用例２に記載された技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　　　　  
　なお、請求人は、
「明細書に明記されていないが、第３の層（２３）はＴｉ原子数比率が０ａｔｏｍ％よりも大きく１０ａｔｏｍ％未満のＡｌｘＴｉｙＯｚにより構成されるため、本願［図７］と［００８１］段落から明らかなように、シート抵抗が１×１０１２Ω／□以上となって隣接した配線間でのリーク電流発生も抑制できるという効果も奏する。」
「本願［図７］と［００８１］段落から明らかなように、引用例１と引用例２の組み合わせの構成では、シート抵抗が１×１０１２Ω／□以上となって隣接した配線間でのリーク電流が発生する可能性が依然として残るのに対し、本願発明によれば、リーク電流発生も抑制できる。」
　と主張しているが、本願発明において、「第３の層」は「有機ＥＬ構造体」と直接に接するものではなく、「有機ＥＬ構造体との界面に位置し全領域にてＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなる第２の層」が存在しているので、リーク電流の発生の程度は「第３の層」よりも「第２の層」のシート抵抗に大きく依存することは明らかである。
　そして、上記「第２の層」はＴｉの原子数比率が大きなものを含んでいる（１００ａｔｏｍ％まで含まれる。）ので、本願発明は、本願図７と段落【００８１】の記載から明らかなように、ガスバリア層のシート抵抗が小さくリーク電流が発生する可能性のあるものを含んでいるから、請求人の上記主張は採用できない。
　　　　　
３　まとめ  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用例２に記載された技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　  
第６　本件補正についてのむすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　　　　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  　　　
　よって、結論のとおり審決する。