Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザデータを記憶するように構成されたハードディスクと、マスタリストが前記ユーザデータのファイルに関する少なくとも１つのデータブロックの物理的場所を特定するように構成可能であることと、
前記ハードディスクに関する前記マスタリストを記憶するように構成された不揮発性集積回路ベースメモリと、
前記不揮発性集積回路ベースメモリは磁気抵抗式ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）からなることとを備えるハードディスクシステム。
【請求項２】
ハードディスクシステムを実施するための方法であって、
ユーザデータを記憶するためのハードディスクであって、前記ユーザデータの少なくとも１つのブロックが、マスタリストによって特定される前記ハードディスク内の物理的場所に記憶されるハードディスクを構成するステップと、
前記ハードディスクシステムの不揮発性集積回路ベースメモリに前記ハードディスクに関する前記マスタリストを記憶させるステップとを備え、
前記不揮発性メモリ（ＮＶＭ）は５. ５ボルト以下の大きさのプログラミング電圧を必要とする方法。
【請求項３】
プロセッサと、
プログラムデータとユーザデータを不揮発的に記憶するための、前記プロセッサに動作可能に接続されたメモリアレイであって、前記プログラムデータとユーザデータを５. ５ボルト以下の大きさのプログラム電圧でプログラムすることができるメモリアレイと、
前記メモリアレイは磁気抵抗式ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）からなることとを備えるシステム。
【請求項４】
情報源からユーザデータを受け取るように構成された入力と、
ユーザデータを記憶するように構成された集積されていない回路からなる記憶媒体と、
集積回路からなる不揮発性メモリ（ＮＶＭ）であって、ユーザデータをも記憶するように構成された不揮発性メモリとを備え、
上記集積回路ベース不揮発性メモリ（ＮＶＭ）をプログラムするのに５. ５ボルト以下の大きさのプログラミング電圧を必要とし、及び
前記集積回路からなる媒体には磁気抵抗式ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）が含まれる、データ記憶システム。
【請求項５】
着脱自在媒体記憶システムであって、
着脱自在媒体が前記着脱自在媒体記憶システムに接続されたときに、前記着脱自在媒体からユーザデータを読み取るためのアクセス回路部品と、
前記着脱自在媒体記憶システムに接続された着脱自在媒体に関する動作データを記憶するように構成された集積回路からなる不揮発性メモリとを備え、
前記不揮発性集積回路からなるメモリには磁気抵抗式ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）が含まれる、着脱自在媒体記憶システム。
【請求項６】
着脱自在媒体記憶システムに情報を記憶させるための方法であって、
着脱自在媒体が前記着脱自在媒体記憶システムに接続されたときに、前記着脱自在媒体からユーザデータを読み取るステップと、
前記着脱自在媒体記憶システムの集積回路からなる不揮発性メモリに、前記着脱自在媒体に関する動作データを記憶させるステップとを備え、
前記不揮発性集積回路からなるメモリには磁気抵抗式ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）が含まれる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ結晶を形成する方法（３０）であって、
基板（１２）を提供すること（３２）；
基板の上に誘電体（１８）を形成すること；
化学気相成長室に基板を配置すること（３４）；
第１の前駆物質ガスを第１相の間化学気相成長室内に流し（２６）、化学気相成長室内に存在する第１の所定条件で第１の期間誘電体上にナノ結晶（２０）を核化すること；
化学気相成長室への第１の前駆物質ガスの流入を終了すること；および
第１の前駆物質ガスとは異なる第２の前駆物質ガスを第２相の間化学気相成長室内に流し（３８）、化学気相成長室内に存在する第２の所定条件で第２の期間ナノ結晶を成長させること；から成る方法（３０）。
【請求項２】
第１の前駆物質ガスとは異なる第２の前駆物質ガスを流入させた後に続き、不活性雰囲気でナノ結晶をアニールすること（４０）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ナノ結晶を形成する方法（３０）であって、
基板（１２）を提供すること（３２）；
基板の上に誘電体（１８）を形成すること；
化学気相成長室に基板を配置すること（３４）；
第１の前駆物質ガスを第１相の間化学気相成長室内に流し（３６）、化学気相成長室内に存在する第１の所定処理条件で第１の期間誘電体上にナノ結晶を核化すること；および
第２の前駆物質ガスを第２相の間化学気相成長室内に流し（３８）、化学気相成長室内に存在する第２の所定処理条件で第２の期間ナノ結晶を成長させること；から成る方法（３０）。
【請求項４】
ナノ結晶（２０）を形成する方法（３０）であって、
半導体基板（１２）を提供すること（３２）；
半導体基板の上に誘電体層（１８）を形成すること；
誘電体層上で材料の急速加熱化学気相成長を実行するために化学気相成長室に半導体基板を配置すること（３４）；
ジシランガスを第１相の間化学気相成長室内に第１の期間流し（３６）、化学気相成長室内に存在する４００〜５３０℃の基板温度範囲と１０〜１００ミリトル（約１３３０〜１３３００Ｐａ）のジシラン分圧で第１の所定条件で誘電体上に複数のナノ結晶を形成すること；および
第１相の後に続く第２相の間シランガスを前記第１の期間よりも長い第２の期間流し（３８）、第１の期間と少なくとも同じ程度の温度と分圧を有する化学気相成長室内に存在する処理条件でナノ結晶を成長させること；から成る方法（３０）。
【請求項５】
ナノ結晶（２０）を形成する方法（３０）であって、
基板（１２）を提供すること（３２）；
基板の上に誘電体（１８）を形成すること；
化学気相成長室に基板を配置すること（３４）；
誘電体の表面に対する第１の付着係数を有する第１の前駆物質ガスを第１相の間化学気相成長室内に流し（３６）、化学気相成長室内に存在する第１の所定条件で第１の期間誘電体上にナノ結晶を核化すること；
第２の前駆物質ガスを第２相の間化学気相成長室内に流し（３８）、化学気相成長室内に存在する第２の所定条件で第２の期間ナノ結晶を成長させることであって、第２の前駆物質ガスは誘電体の表面に対して第１の付着係数よりも小さい第２の付着係数を有すると共に、ナノ結晶の表面に対して第２の付着係数よりも大きい第３の付着係数を有すること；から成る方法（３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光半導体と、
前記発光半導体を覆い、かつ、それから間隔を空けて配置された透明レンズと、
前記レンズの内面又は外面の上又はこれを被覆するよう設けられた蛍光体層と、
を含み、
前記レンズの前記内面は、前記発光半導体の露出表面積の少なくとも１０倍の表面積を有する、
ことを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項２】
発光半導体と、
前記発光半導体を覆い、該発光半導体から該発光半導体の最長辺の長さの少なくとも２倍の距離を離して配置された透明レンズと、
前記レンズの内面又は外面の上又は又はこれを被覆するよう設けられた蛍光体層と、
を含むことを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項３】
均一の蛍光体コーティングを備えたレンズを有するＬＥＤ装置を形成する方法であって、
支持体にＬＥＤを設ける段階と、
前記支持体の上又はその回りに適合する大きさの透明レンズを設ける段階と、
均一厚みの蛍光体コーティングを前記レンズの表面に配置する段階と、
前記ＬＥＤ、マウント、及びレンズを組み付けてＬＥＤ装置を形成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
反射性電気的相互接続基板上に装着した複数の発光半導体と、
前記半導体を覆い、該半導体から間隔を空けて配置された透明レンズと、
前記レンズの内面又は外面の上又はこれを被覆するよう設けられた蛍光体層と、
を含むことを特徴とするＬＥＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８３乾燥重量％以上で９９乾燥重量％以下の量の水酸化カルシウム；全重量に関し５重量％以上で２５重量％以下の量の水；および０．０５乾燥重量％以上で５．０乾燥重量％以下の量のレオロジー特性変性剤を含んで成ることを特徴とする二酸化炭素吸収剤。
【請求項２】
該吸収剤は平均の長さが１ｍｍ以上で１０ｍｍ以下であり、平均の幅が０．５ｍｍ以上で５．０ｍｍ以下である粒子の形をしていることを特徴とする請求項１記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項３】
０．１乾燥重量％以上で６．０乾燥重量％以下の量の塩化カルシウム、およびジエチルバイオレットおよびチアゾール・イエローＧから成る群から選ばれる変色指示薬染料をさらに含んで成り、該変色指示薬染料は０．０１乾燥重量％以上で０．５乾燥重量％以下の量で存在することを特徴とする請求項１記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項４】
該塩化カルシウムは０．２５乾燥重量％以上の量で存在することを特徴とする請求項３記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項５】
該変色指示薬請求項はジエチルバイオレットであり、それは０．０２〜０．２乾燥重量％の量で存在することを特徴とする請求項４記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項６】
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、またはそれらの混合物をさらに含んで成り、それらは０．０１乾燥重量％以上で６．０乾燥重量％以下の量で存在することを特徴とする請求項４記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項７】
該レオロジー特性変性剤はフォスフォン酸またはその塩であり、該レオロジー特性変性剤は０．０５乾燥重量％以上で５．０乾燥重量％以下の量で存在することを特徴とする請求項１記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項８】
該フォスフォン酸または塩は
アミノトリ（メチレンフォスフォン酸）（これはフォスフォン酸、ニトリロティス（メチレン）トリと同義語）、
アミノトリ（メチレンフォスフォン酸）、五ナトリウム塩（これはフォスフォン酸、ニトリロティス（メチレン）トリ、五ナトリウム塩と同義語）、
１−ヒドロキシエチレン−１，１−ジフォスフォン酸（これは（ヒドロキシエチリデン）ジフォスフォン酸と同義語）、
１−ヒドロキシエチレン−１，１−ジフォスフォン酸、四ナトリウム塩（これは（ヒドロキシエチリデン）ジフォスフォン酸、四ナトリウム塩と同義語）
ジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフォン酸）（これはフォスフォン酸、［（フオスフォノメチル）イミノ］ビス［２，１−エタンジイルニトリロビス（メチレン）］］テトラキスと同義語）、
ジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフォン酸五ナトリウム塩）（これはフォスフォン酸、［（フオスフォノメチル）イミノ］ビス［２，１−エタンジイルニトリロビス（メチレン）］］テトラキス、五ナトリウム塩と同義語）
２−フォスフォノブタン−１，２，４−トリカルボン酸
から成る群から選ばれることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項９】
該フォスフォン酸またはその塩は
フォスフォン酸，ニトリロティス（メチレン）トリ、
フォスフォン酸，ニトリロティス（メチレン）トリ、五ナトリウム塩、
ヒドロキシエチリデンジフォスフォン酸、
ヒドロキシエチリデンジフォスフォン酸、四ナトリウム塩、
フォスフォン酸，［（フオスフォノメチル）イミノ］ビス［２，１−エタンジイルニトリロビス（メチレン）］］テトラキス、
フォスフォン酸，［（フオスフォノメチル）イミノ］ビス［２，１−エタンジイルニトリロビス（メチレン）］］テトラキス、五ナトリウム塩、
２−フォスフォノブタン−１，２，４−トリカルボン酸
から成る群から選ばれることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１０】
該フォスフォン酸またはその塩はジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフォン酸）またはその塩であることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１１】
該レオロジー特性変性剤はジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフォン酸）またはその塩であることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１２】
該レオロジー特性変性剤は０．１乾燥重量％以上で１．５乾燥重量％以下の量で存在していることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１３】
該レオロジー特性変性剤は０．６乾燥重量％以下の量で存在していることを特徴とする請求項１２記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１４】
水は全重量に関し１２重量％以上で１９重量％以下の量で存在していることを特徴とする請求項７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１５】
該粒子は２０〜６０乾燥重量％の多孔度をもっていることを特徴とする請求項１記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１６】
水酸化カルシウム、水、水酸化ナトリウムおよび／またはカリウム、塩化カルシウム、ｐＨに敏感な変色指示薬染料、およびフォスフォン酸またはその塩を含んで成ることを特徴とする二酸化炭素吸収剤。
【請求項１７】
該変色指示薬染料はジエチルバイオレット、およびチアゾール・イエローＧから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１６記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１８】
該粒子は３０〜４５乾燥重量％の多孔度をもっていることを特徴とする請求項１７記載の二酸化炭素吸収剤。
【請求項１９】
二酸化炭素吸収剤の製造法において、該方法は水酸化カルシウム、水、およびフォスフォン酸またはその塩を一緒にしてペーストをつくり；該ペーストを成形して粒子にし；該粒子を自然にまたは何らかの方法により硬化させることを特徴とする方法。
【請求項２０】
該成形工程において該ペーストを押出すか、型成形するか、あるいはペレット化することを特徴とする請求項１９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類のポリオール成分と少なくとも１種類のイソシアネート成分と必要に応じて加えられる添加剤とを攪拌混合機（１０）で連続的に混合してポリウレタン反応混合物を調製する方法であって、
該攪拌混合機（１０）は、
円筒形状の混合チャンバー（１）、
該混合チャンバー（１）内で回転し、回転速度を調整できるスターラー（２）であって、スターラー・シャフト（７）、および該スターラー・シャフト（７）に１またはそれ以上のレベルで配置されたパドルまたはブレード（８）を含むスターラー（２）、
ポリオール成分、イソシアネート成分および必要に応じて加えられる添加剤のための供給開口部（３ａ，３ｂ，３ｃ）、ならびに
ポリウレタン反応混合物のための出口開口部（４）
を含んでおり、
ポリオール成分、イソシアネート成分および必要に応じて加えられる添加剤を、計量して供給開口部（３ａ,３ｂ,３ｃ）から混合チャンバー（１）内に供給し、そして、混合チャンバー（１）内で混合してポリウレタン反応混合物を調製し、その後
ポリウレタン反応混合物を、出口開口部（４）を通して混合チャンバー（１）から排出し、また
ポリウレタン反応混合物の圧力を、調節可能なスロットル（６）において減じる
方法であって、
各レベルにおいて、３〜６個のパドルまたはブレード（８）がスターラー・シャフト（７）に取り付けられており、
パドルまたはブレード（８）が、スターラー・シャフト（７）の回転軸に対して１０°〜８０°の角度αを成して回転し、また
混合チャンバー（１）内の圧力を、スターラー（２）の回転速度とスロットル（６）の絞り効果とを相互に適合させて設定することによって調整することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ブレード８が傾斜した態様で調整されているので、回転速度を上げると、混合チャンバー１内の圧力を容易に下げることができる。従って、回転速度が減少すると、混合チャンバー１内の圧力が増加することになる。しかしながら、スロットル６をより強く（もしくはきつく）絞ることによって、混合チャンバー１内の圧力を達成することができる。このようにして、スターラー２の回転速度とスロットル６の開きとを適合するように調整することによって、混合チャンバー圧力と混合の程度とを相互に独立に変更することができる。
上述のような本発明は、次の態様を包含する：
第１の態様：  少なくとも１種類のポリオール成分と少なくとも１種類のイソシアネート成分と必要に応じて加えられる添加剤とを攪拌混合機（１０）で連続的に混合してポリウレタン反応混合物を調製する方法であって、
該攪拌混合機（１０）は、
円筒形状の混合チャンバー（１）、
該混合チャンバー（１）内で回転し、回転速度を調整できるスターラー（２）であって、スターラー・シャフト（７）、および該スターラー・シャフト（７）に１またはそれ以上のレベルで配置されたパドルまたはブレード（８）を含むスターラー（２）、
ポリオール成分、イソシアネート成分および必要に応じて加えられる添加剤のための供給開口部（３ａ，３ｂ，３ｃ）、ならびに
ポリウレタン反応混合物のための出口開口部（４）
を含んでおり、
ポリオール成分、イソシアネート成分および必要に応じて加えられる添加剤を、計量して供給開口部（３ａ,３ｂ,３ｃ）から混合チャンバー（１）内に供給し、そして、混合チャンバー（１）内で混合してポリウレタン反応混合物を調製し、その後
ポリウレタン反応混合物を、出口開口部（４）を通して混合チャンバー（１）から排出し、また
ポリウレタン反応混合物の圧力を、調節可能なスロットル（６）において減じる
方法であって、
各レベルにおいて、３〜６個のパドルまたはブレード（８）がスターラー・シャフト（７）に取り付けられており、
パドルまたはブレード（８）が、スターラー・シャフト（７）の回転軸に対して１０°〜８０°の角度αを成して回転し、また
混合チャンバー（１）内の圧力を、スターラー（２）の回転速度とスロットル（６）の絞り効果とを相互に適合させて設定することによって調整することを特徴とする方法。
第２の態様：上記第１の態様において、スターラー（２）の回転速度とスロットル（６）の絞り効果とを相互に適合させて設定することによって、混合チャンバー（１）内の圧力を調整する方法。
第３の態様：上記第１の態様において、スロットルを設定することによって、一定の攪拌速度で混合チャンバー内の圧力を細かく調整する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾルを発生させる方法であって、
出口を有する流路に液体を供給する工程と、
前記出口を通過する揮発した液体を形成するために前記流路中の液体を加熱する工程と、
エアロゾルを形成するために前記流路の出口に配置されたエアロゾル制限スリーブ中で前記揮発した液体を空気と混合する工程と、
前記エアロゾル制限スリーブの外側でかつマウスピースの内部の位置で前記エアロゾルを引込み空気と混合する混合工程と、
を有し、
前記マウスピースは前記引込み空気が前記マウスピースに入ってくる少なくとも１つの空気入口を有することを特徴とするエアロゾルを発生させる方法。
【請求項２】
前記エアロゾルは、約０．２から０．５μｍあるいは約１から２μｍのＭＭＡＤ（質量中央空気力学的径）を有する凝縮エアロゾルであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エアロゾル制限スリーブは、約０．２から０．５μｍあるいは約１から２μｍのＭＭＡＤ（質量中央空気力学的径）を有するエアロゾルを形成するために効果的な長さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エアロゾル制限スリーブは、約６ｍｍから１００ｍｍあるいは約３から５０ｍｍの長さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エアロゾル制限スリーブは、約０．２から０．５μｍあるいは約１から２μｍのＭＭＡＤ（質量中央空気力学的径）を有するエアロゾルを形成するために前記エアロゾル制限スリーブの内部に効果的な断面寸法を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記エアロゾル制限スリーブは、前記流路の幅よりも約３倍から５０倍大きい内部直径を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記エアロゾル制限スリーブは、前記エアロゾル制限スリーブの内部に約６ｍｍから５０ｍｍまたは約３ｍｍから１２ｍｍの断面寸法を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エアロゾル制限スリーブは、円筒管を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用済み苛性廃液を水中燃焼ガス蒸発器に供給することと、
前記使用済み苛性廃液中の水及び揮発性成分を蒸発させて前記使用済み苛性廃液の成分を濃縮できる程度の温度及び量で、燃焼ガスを前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することと、
を含む、使用済み苛性廃液を処理する方法。
【請求項２】
前記使用済み苛性廃液から除去された蒸発成分を熱酸化することによって、大気中に放出されるガス成分から臭気材料及びその他の揮発性材料を取り除くことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記使用済み苛性廃液が水性の苛性液及び油を含み、不混和液分離器において水性成分から油の少なくとも一部を分離することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不混和液分離器が、重力沈降タンク、傾斜平板分離器、及び遠心分離器のうちの少なくとも１つから成る、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記水中燃焼ガス蒸発器に供給される前記燃焼ガスが二酸化炭素を含み、該二酸化炭素を前記使用済み苛性廃液の苛性成分と反応させて、該苛性成分を炭酸塩に変換することにより、前記燃焼ガスからの前記二酸化炭素を封鎖することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記水中燃焼ガス蒸発器に供給される前記使用済み苛性廃液中の苛性材料含有物が、１重量％〜５０重量％の範囲内である当量の水酸化ナトリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記水中燃焼ガス蒸発器内の前記使用済み苛性廃液を、前記燃焼ガスが前記水中燃焼ガス蒸発器内に注入されるレベルよりも５インチ〜１００インチ上のレベルに維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記水中燃焼ガス蒸発器内の作業圧力を、水柱が−５０インチ〜＋１００インチとなる範囲内に維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
水柱が５インチ〜２００インチの範囲となる圧力下で燃料と空気との混合物をバーナーへ供給することによって、前記燃焼ガスを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
別の燃焼処理から得られる煙道ガスを、水柱が−６０インチ〜＋１００インチの範囲となる圧力下で前記水中燃焼ガス蒸発器へ供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記水中燃焼ガス蒸発器内の作業温度を、華氏１００度〜２５０度の範囲内に維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記使用済み苛性廃液が油を含み、前記使用済み苛性廃液から該油の少なくとも一部を除去してから、前記使用済み苛性廃液を前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
硫化物系の使用済み苛性廃液を前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することを含む、請求項
１に記載の方法。
【請求項１４】
クレゾール系の使用済み苛性廃液を前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ナフテン系の使用済み苛性廃液を前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
硫化物系、クレゾール系、及びナフテン系の使用済み苛性廃液のあらゆる組み合わせを前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記使用済み苛性廃液の成分を水酸化物から炭酸塩へ変換することにより、前記燃焼ガスからの二酸化炭素の少なくとも一部を封鎖することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
空気ストリッパにおいて前記使用済み苛性廃液から揮発性化合物の少なくとも一部を除去してから、前記使用済み苛性廃液を前記水中燃焼ガス蒸発器に供給すると共に、前記揮発性化合物を含む前記空気ストリッパからの空気を、前記燃焼ガスを生成するのに用いられるバーナーに供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
水酸化ナトリウム当量が１％〜５０％である苛性溶液を水中燃焼ガス蒸発器に供給することと、二酸化炭素を含む燃焼ガスを前記水中燃焼ガス蒸発器に供給することとを含み、前記二酸化炭素が廃液と反応して、該廃液の水酸化物成分が炭酸塩に変換されることにより、前記燃焼ガスからの前記二酸化炭素が封鎖される、苛性材料を処理する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ヤング(Young)らの米国特許第４，０１６，０２８号には、産業廃流の成分を濃縮する方法における第１段階として、水中燃焼蒸発器が開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月20日(2006.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するバッキング、および
該主面の少なくとも一部分に固定された研磨層であって、バインダーと、該バインダー全体に拡散された研磨粒子と、樹脂制御添加剤を含みそして該バインダー中に分散された無機非研磨粒子を本質的に含まない粒子と、を含み、かつ、実質的に一様な厚さを有する研磨層
を含む研磨物品。
【請求項２】
前記樹脂制御添加剤がステアリン酸リチウム、ステアリン酸カルシウムもしくはステアリン酸ナトリウムを含む、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項３】
請求項１または２に記載の研磨物品を提供する工程であって、
該研磨物品をワークピースの研磨面と接触させる工程と、
該ワークピースと該研磨物品とを相対的に移動させる工程と、
を含むワークピースの研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付構造と、
前記取付構造に取り付けられ、ワークに形成される第１の溝に対応する第１のダイヤモンドチップを規定する第１の工具シャンクと、
前記取付構造に取り付けられ、前記ワークに形成される第２の溝に対応する第２のダイヤモンドチップを規定する第２の工具シャンクと、を具備する切削工具組立体であって、
前記第１の工具シャンクおよび前記第２の工具シャンクは、前記第１のダイヤモンドチップの切削位置が前記第２のダイヤモンドチップの切削位置から、切削工具組立体を組み立てる前に規定されている規定距離であって、該切削工具組立体を組み立てた後には約１０ミクロン未満の許容誤差の精度を有する規定距離にあるように、前記取付構造に位置決めされていること、
を特徴とする切削工具組立体。
【請求項２】
前記規定距離がピッチ間隔の整数倍に相当し、該ピッチ間隔のそれぞれが、前記ワークに形成される２つの隣接する特徴部の間の距離を規定する、請求項１に記載の切削工具組立体。
【請求項３】
前記ピッチ間隔が約１０ミクロン未満である、請求項２に記載の切削工具組立体。
【請求項４】
前記第１のダイヤモンドチップの切削幅に対する該第１のダイヤモンドチップの切削高さのアスペクト比が、約２：１より大きい、請求項１に記載の切削工具組立体。
【請求項５】
前記切削工具組立体が、前記ダイヤモンドチップの切削方向に直交する軸線を中心に回転される構成を有するフライカッティング組立体であり、前記第１の工具シャンクおよび前記第２の工具シャンクが、前記取付構造の互いに反対側で該取付構造に取り付けられる、請求項１に記載の切削工具組立体。
【請求項６】
前記規定距離が、前記第１の工具シャンクおよび前記第２の工具シャンクのいずれかに関連する幅よりも小さい、請求項５に記載の切削工具組立体。
【請求項７】
前記第１のダイヤモンドチップの形状が、前記第２のダイヤモンドチップの形状とは実質的に異なり、該第１のダイヤモンドチップが、前記ワークによって前記光学フィルムに形成される第１の光学特性を規定し、該第２のダイヤモンドチップが、前記ワークによって前記光学フィルムに形成される第２の光学特性を規定する、請求項１に記載の切削工具組立体。
【請求項８】
前記規定距離が、約１ミクロン未満の許容誤差内の精度を有する、請求項１に記載の切削工具組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の教示内容によれば、上述のように導き出され提示された目的は、ストリップ区分の平均ストリップ厚さが、１つ以上のストリップ長測定値と、巻取りコイラーの所定の回転の測定値とから検出され、ロールスタンドの調節要素が、少なくともストリップ区分の検出された平均ストリップ厚さに応じて制御される方法に従って解決される。この場合、巻取りコイラー上のストリップの平均層スペースは、測定されたストリップ長と巻取りコイラーの回転とに関連しており、これらの値から、充填率によって平均ストリップ長を検出できるという事実が利用される。ストリップ長及び巻取りコイラー回転の所要の測定は、この場合、放射測定による厚さ測定の変数とはほぼ無関係なので、ストリップ区分の平均ストリップ厚さの測定値は、ロールスタンドの周囲条件とは無関係に提供される。短いストリップ長の後でも、平均ストリップ厚さの十分に正確な値を検出することができる。少なくとも、ストリップ区分の検出された平均厚さに応じて、調節エレメントを制御することにより、圧延ストリップの厚さ誤差を低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１に示すように、ストリップ長Ｌｎ又はＬｍを測定するために、原理的には偏向ロール３を使用することもできるが、しかしＬＤＶシステム５を使用した非接触型且つ非スリップ型の測定が好ましい。それというのも、ストリップ長が極めてより正確に測定されるからである。巻取りコイラー７の軸上に配置された高解像度増分センサ６が、巻取りコイラー４の所定の回転の数ｎ又はｍをもたらす。これらの測定値は先ず、上記式を使用して平均層スペースｈを計算するのに使用される。次いで、充填率を用いてｈからストリップ区分の平均ストリップ厚さを計算することができる。コンピュータ１０を使用して、調節可能なストリップの後で平均ストリップ厚さが計算される。コンピュータは、一方では、測定された平均ストリップ厚さをディスプレイ１１を介して表示し、他方では、動的厚さ補正に対応する値を第１のコンパレーター１２に送る。コンパレーター１２において、平均ストリップ厚さ値は、ストリップ１の所期厚さ１３と比較され、その差は動的厚さ変化量として次のコンパレーター１４に送られる。コンパレータ１４におけるエミッタ８及び検出器９を使用して検出された放射測定ストリップ厚さ１５に、動的厚さ変化量値が加えられ、その値が動的に補正された実際の厚さ１６としてさらなるコンパレーター１７に送られる。前記コンパレーターは、所期厚さ１３に対する動的に補正された実際の厚さ１６の偏差から、調節要素１８を制御するための制御変数を検出する。動的厚さ補正値は、短いストリップ長の後、例えば巻取り長さ約５０ｍの後の圧延プロセス中に十分に正確に検出することができる。このことは、圧延プロセス開始時には当てはまらない。それというのも、この場合、巻取りプロセスの結果としてのばらつきがまだ余りにも大きいからである。しかし、圧延プロセスがさらに経過すると、放射測定によるストリップ厚さ測定の変数とは無関係に、放射測定により検出されたストリップ厚さ１５を補正することができる。これらの変数を除外することにより、ロールスタンドの調節要素１８を極めてより正確に制御することができ、その結果、ストリップ厚さトレランスが有意に低減される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
従って、所期厚さ３３に対する平均ストリップ厚さ３７の偏差が、所期厚さの１％未満である場合、又はストリップ長３２の実際値がストリップ長３５の出発値よりも大きい場合、ＡＮＤゲート１９の入力２５に信号が印加される。ＡＮＤゲート１９の入力２０〜２５が作動されると、論理回路の出力４１は、設定要素４０によって、ＡＮＤゲート１９の出力２６を介して「自動補正スイッチ・オン」に設定される。同時に、ＰＩＤ要素４３の入力４２には信号が印加される。ＰＩＤ要素４３は次いで、制御偏差から、放射測定されたストリップ実際厚さの動的厚さ補正値４４を検出する。この制御偏差は、所期厚さ３３と、ＬＤＶ法を用いて検出された平均ストリップ厚さ３７との間の差３９の形で印加される。しかし、制御偏差３９が例えば所期厚さ３３の１％未満である場合には、ＰＩＤ要素４３に接続された比較要素４６は、ＰＩＤ要素４３の調節を阻止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
さらに、スイッチ５０を使用して、調節要素の制御システムを実際厚さ４５に手動で切換えることも可能である。このことは、スイッチ５０の出力５１をスイッチ５０の入力５２に接続することにより行われる。或る特定の環境下では、実際厚さ４５を使用した制御への自動切換えを行うことができる。すなわち、このことは、出力４１がリセット要素５４のＯＲゲート５３を介してリセットされる場合に当てはまる。このことは、ＯＲゲート５３の入力５５が信号を運ぶ場合に当てはまる。この出力５５は、最小値を下回るストリップ速度を監視するＯＲゲート５３の出力又は入力５６に設けられたエミッタの作動状態を検証する。この手段により、例えば、エミッタ８がストリップ１の出口でスイッチオフされているのにもかかわらず自動厚さ補正が行われるのを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005537932.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の化合物、並びにその塩、溶媒和物、水和物、及びＮ−オキシド
【化１】
2005537300.tif 000001
（式中、
ＡとＣ（Ｒａ）を結び付ける破線が存在して結合を表し、Ａは−Ｎ＝原子又は−Ｃ（Ｒｂ）＝基であり、或いは破線が存在せずにＡが−Ｎ（Ｒｂ）−又は−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｃ）−基であり；
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、又は任意選択で置換されたＣ１〜６アルキル、−ＣＮ、−ＣＯ２Ｈ、−ＣＯ２Ｒ１（但しＲ１は任意選択で置換されたアルキル基である）、−ＣＯＮＨ２、−ＣＯＮＨＲ１、又は−ＣＯＮＲ１Ｒ２基（但しＲ２は任意選択で置換されたアルキル基である）であり；
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、又は置換窒素原子、又は−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、又は−ＮＨ−基であり；
Ｙは、窒素又は置換炭素原子、又は−ＣＨ＝基であり；
ｎは０又は整数１であり；
Ａｌｋ１は、任意選択で置換された脂肪族又は複素脂肪族鎖であり；
Ｌ１は、共有結合、或いはリンカー原子又は基であり；
Ｃｙ１は、水素原子、或いは任意選択で置換された脂環式、多脂環式、複素脂環式、多複素脂環式、芳香族、又は複素芳香族基であり；
Ｌは、原子又は鎖−（ＣＨ２）ｐＨｅｔ（ＣＨ２）ｑ−であり、但しｐ及びｑは同じでも異なってもよく、それぞれ０又は整数１であり、Ｈｅｔは、−Ｏ−又は−Ｓ−原子、或いは−Ｃ（Ｒ３ａ）（Ｒ３ｂ）−（但しＲ３ａ及びＲ３ｂは同じでも異なってもよく、それぞれ水素原子又は−ＯＨ又は任意選択で置換されたＣ１〜６アルキル基である）、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｓ）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）Ｏ−（但しＲ３ｃは水素原子或いは直鎖状又は分枝鎖状アルキル基である）、−Ｎ（Ｒ３ｃ）ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）Ｃ（Ｒ３ａ）（Ｒ３ｂ）−、−ＣＯＮ（Ｒ３ｃ）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ３ｃ）−、−ＣＳＮ（Ｒ３ｃ）−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）ＣＳ−、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ３ｃ）−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ３ｃ）ＣＯＮ（Ｒ３ｄ）−（但しＲ３ｄはＲ３ｃに関して定義されたものと同様であり、同じでも異なってもよい）、−Ｎ（Ｒ３ｃ）ＣＳＮ（Ｒ３ｄ）−、又は−Ｎ（Ｒ３ｃ）Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ３ｄ）−基であり、ｐとｑの一方又は両方が整数１の場合、Ｈｅｔはさらに−Ｎ（Ｒ３ｃ）−基であり；
Ａｒは任意選択で置換された芳香族又は複素芳香族基である）。
【請求項２】
ＡとＣ（Ｒａ）を結び付ける前記破線が存在して結合を表し、Ａが−Ｃ（Ｒｂ）−基であり、Ｒａ及びＲｂが請求項１で定義されたものと同様である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒａ及びＲｂがどちらも水素である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘが−Ｓ−である、前記請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
Ｙが−Ｃ（Ｒ１０）＝であり、但しＲ１０が−ＣＮ、−ＣＯＮＨ２、又は−ＣＯ２Ａｌｋ６であり、Ａｌｋ６がＣ１〜４アルキルである、前記請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
Ｃｙ１がフェニル又はシクロプロピルである、前記請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
Ａｒがフェニル、ハロフェニル、ジハロフェニル、（Ｃ１〜６アルキル）フェニル、ピリジニル、又は（Ｃ１〜６アルキル）ピリジニルを表す、前記請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
本明細書の実施例のいずれか１つに特に開示される、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
請求項１で定義された式（１）の化合物、或いはその医薬品として許容される塩、溶媒和物、水和物、又はＮ−オキシドを、医薬品として許容される担体と共に含む医薬品組成物。
【請求項１０】
ｐ３８キナーゼの阻害剤が適応とされる障害を治療し且つ／又は予防する薬物を製造するための、請求項１で定義された式（１）の化合物、或いはその医薬品として許容される塩、溶媒和物、水和物、又はＮ−オキシドの使用。
【請求項１１】
ｐ３８キナーゼの阻害剤が適応とされる障害を治療し且つ／又は予防するための医薬組成物であって、活性成分として、請求項１で定義された式（１）の化合物、或いはその医薬品として許容される塩、溶媒和物、水和物、又はＮ−オキシドを含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式（Ｉ）
Ｒ１−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−ＯＲ２  （Ｉ）
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか又は少なくとも１個のハロゲン原子により置換されているＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか、又はＲ１はＣＦ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２を表し、かつＲ２はアリール、置換アリール、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか又は少なくとも１個のハロゲン原子により置換されているＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表す］で示されるアルケノンの製造方法において、式（ＩＩ）
Ｒ１−Ｃ（Ｏ）Ｘ  （ＩＩ）
［式中、ＸはＲ１−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−又はＦ、Ｃｌ、Ｂｒを表し、かつＲ１は前記の意味を表す］で示される酸無水物又は酸ハロゲン化物を、式（ＩＩＩ）
ＣＨ２＝Ｃ（Ｈ）−ＯＲ２  （ＩＩＩ）
［式中、Ｒ２は前記の意味を表す］で示されるビニルエーテルと、カルボン酸のオニウム塩の存在で互いに反応させるか、又は１個もしくは２個のＣ１〜Ｃ３−アルキル基により置換され、塩素化されていてよいピリジンを使用するか、又は無機酸の“オニウム”−塩を使用することを特徴とする、アルケノンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
式（Ｉ）
Ｒ１−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−ＯＲ２  （Ｉ）
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか又は少なくとも1個のハロゲン原子により置換されているＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか、又はＲ１はＣＦ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２を表し、かつＲ２は、アリール、置換アリール、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル基を表すか又は少なくとも1個のハロゲン原子により置換されているＣ１〜Ｃ４−アルキル基を表す］で示されるアルケノンの本発明による製造方法は、式（ＩＩ）
Ｒ１−Ｃ（Ｏ）Ｘ  （ＩＩ）
［式中、Ｘは、Ｒ１−Ｃ（Ｏ）−Ｏ又はＦ、ＣｌもしくはＢｒを表し、かつＲ１は前記の意味を表す］で示される酸無水物又は酸ハロゲン化物を、式（ＩＩＩ）
ＣＨ２＝Ｃ（Ｈ）−ＯＲ２  （ＩＩＩ）
［式中、Ｒ２は前記の意味を表す］で示されるビニルエーテルと、カルボン酸の“オニウム”−塩の存在で互いに反応させるか、又は１個もしくは２個のＣ１〜Ｃ３−アルキル基により置換され、場合により塩素化されていてよいピリジンを使用するか、又は無機酸の“オニウム”−塩を使用することを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記Ａ群材料が、最終的なガラス組成物の酸化物基準のモル％で表して、各々が約５％未満の量で、通常のガラス溶融条件下でガスを発生しない材料および清澄剤をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記Ｂ群材料の出発材料としてシリカを使用し、シリカが、得られるガラス組成物のモルで、７５％以上を構成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
式(Ｉ)の化合物の塩は、遊離塩基またはその塩、エナンチオマー、もしくはラセミ体を、１当量以上の適切な酸と反応させることによって形成され得る。反応は、塩が不溶の溶媒もしくは媒体または塩が可溶である溶媒(例えば水、ジオキサン、エタノール、テトラヒドロフラン、またはジエチルエーテル)中で、または溶媒の混合物中で行い得、該溶媒は真空でもしくは凍結乾燥によって除去し得る。反応はまた、複分解プロセスであってもよく、またはイオン交換樹脂上で行ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約０．１〜１０ミクロンの直径を有する生分解性高分子マイクロスフェアを含む、肺吸引または胃食道逆流を検出するための診断用組成物。
【請求項２】
高分子マクロスフェアが、ポリエステル、ポリリン酸エステル、ポリホスファゼン、ポリオルトエステル、ポリ無水物、ポリカーボネートおよびポリアミドからなる群から選ばれる高分子材料から形成されている、請求項１に記載の診断用組成物。
【請求項３】
生分解性高分子マイクロスフェアが約１〜４ミクロンの直径を有する、請求項１に記載の診断用組成物。
【請求項４】
ポリエステルが、乳酸、グリコール酸、マンデル酸、カプロラクトン、α−ヒドロキシ酸、ラクチドおよびグリコリドの、ホモポリマーならびにコポリマーからなる群から選ばれる、請求項２に記載の診断用組成物。
【請求項５】
生分解性マイクロスフェアがポリ乳酸でできている、請求項１に記載の診断用組成物。
【請求項６】
肺吸引を検出するための診断用組成物と組み合わせた食品であって、該組成物が約０．１〜１０ミクロンの直径を有する生分解性高分子マイクロスフェアを含む、食品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管新生を抑制するのに十分な量のセファロタキシン、および医薬的に許容し得る担体または賦形剤を含有する、処置が必要な宿主における血管新生疾患を処置するための医薬組成物であって、ここで、該血管新生疾患は固形腫瘍ではない、該医薬組成物。
【請求項２】
血管新生疾患は、炎症性疾患、糖尿病性網膜症、および黄斑変性症からなる群から選ばれる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
炎症性疾患は、関節リウマチ、骨関節炎、喘息、および肺線維症からなる群から選ばれる、請求２記載の医薬組成物。
【請求項４】
セファロタキシンは、ホモハリングトニン（セファロタキシン、４−メチル−２−ヒドロキシ−２−(４−ヒドロキシ−４−メチルペンチル)ブタン二酸エステル）を含む、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
セファロタキシンはホモハリングトニンアナログを含む、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項６】
該組成物は、該宿主に、経口、静脈内、局所、血管内、腹腔内、筋肉内、皮内、皮下、または動脈内で投与する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
血管新生疾患の発症または進行を抑制するのに十分な量のセファロタキシン、および医薬的に許容し得る担体または賦形剤を含有する、処置が必要な宿主における血管新生疾患を予防学的に処置するための医薬組成物。
【請求項８】
血管疾患は癌である、請求項７記載の医薬組成物。
【請求項９】
癌は、微小腫瘍性または微小転移性の癌細胞であることを特徴とする、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
血管新生疾患は癌以外の血管新生疾患である、請求項７記載の医薬組成物。
【請求項１１】
血管新生疾患は、炎症性疾患、糖尿病性網膜症、および黄斑変性症からなる群から選ばれる、請求項７記載の医薬組成物。
【請求項１２】
炎症性疾患は、関節リウマチ、骨関節炎、喘息、および肺線維症からなる群から選ばれる、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
セファロタキシンは、ホモハリングトニン（セファロタキシン、４−メチル−２−ヒドロキシ−２−(４−ヒドロキシ−４−メチルペンチル)ブタン二酸エステル）を含む、請求項７記載の医薬組成物。
【請求項１４】
セファロタキシンはホモハリングトニンアナログを含む、請求項７記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
該ペプチドが、ヒトapoCI、又はアミノ酸配列MREWFSETFQKVKEKLKを少なくとも含むそれのフラグメントである、請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
例えば外科的処置又は弱められた免疫系の結果として、進行する敗血症の増加された危険にある非ヒト哺乳動物を予防的に治療するための方法であって、非ヒト哺乳動物に対して、請求項１〜４のいずれか一項で定義されたペプチドの有効量が投与される方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
敗血症又は敗血症性ショックを病む非ヒト哺乳動物を治療するための方法であって、非ヒト哺乳動物に対して、請求項１〜４のいずれか一項で定義されたペプチドの有効量が投与される方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
しかしながら、本発明に従い最も好ましくは、該ペプチドが、ヒトapoCI、又はアミノ酸配列MREWFSETFQKVKEKLKを少なくとも含むそれのフラグメントであることである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【図１】図１は、敗血症患者の血漿中のapoCIレベルと、病院への入院後の時間の経過との間の関係を示す。該図は、敗血症の生存の機会のための、apoCIレベルの予測値を示す。
【図２】図２は、アガロース基体を通るapoCI及び／又はLPSの移動に対する電気泳動フィールドの影響を示す。該図は、LPS塊の細化、及びまた特異的抗体によるapoCIの減少された認識を生じる、apoCIとLPSとの間での物理的な相互作用を示す。
【図３】図３は、apoCIの濃度がそれによって決定されるELISAの間の、LPS:apoCIモル比と染色反応の阻害との間の関係を示す。該図は、特異的抗体のapoCIへの結合を防ぐことができる、apoCIとLPSとの間の強い相互作用を示す。
【図４】図４は、LPSの時間依存性脱塊に対するapoCI及びapoCIIIの影響を示す。該図は、apoCIによるLPSミセルの投与量依存的モノマー化を示し、一方、apoCIIIはほとんど有効でないことを示す。
【図５】図５は、LPSの時間依存性モノマー化に対するマウス血漿中のapoCI濃度の影響を示す。該図は、apoCIの不存在はLPSのモノマー化を強く阻害し、一方、ヒトapoCIの発現はLPSのモノマー化を用量依存的に増加させることを示す。
【図６】図６は、マウスにおける静脈注射後に放射能でラベル付けされたLPSの挙動に対するapoCI及びウシ血清アルブミンの影響を示す。該図は、apoCIが肝臓によるLPSの取り込みを強く減少することができ、一方、血液中のLPSの滞留時間が、LPSのHDLへのapoCI誘発された結合を通じてかなり増加することを示す。対照的に、ウシ血清アルブミンは有効でないとわかった。
【図７】図７は、LPS誘発された炎症性応答に対するapoCIの影響を示す。該図は、LPSのapoCIとの相互作用が、炎症性応答（すなわち、TNFα誘発)を強く増加させることを示す。
【図８】図８は、心肺バイパスを用いた心臓手術の間に、内毒素血症を進行する患者の血漿におけるapoCIレベルと手術前及び手術後のTNF-αレベルとの相関を示す。該図は、内毒素血症を進行する患者におけるapoCIレベルとTNFαレベルとの間の強く有意な正の関係があり、しかし、内毒素血症を進行しない患者において関係がないことを示す。そのような関係は、apoCIII又はapoEについては実証されえなかった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005537243.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３１】
上記方法の変法において、これらの機能をモニターするために、2つのリポータープラスミドを作製し、トランスフェクションによりA549ヒト肺上皮細胞中に別々に導入した。第1の細胞系は、TNFαで刺激された場合に転写因子NFκBの活性化に特異的に応答する合成プロモーターの制御下でホタルルシフェラーゼリポーター遺伝子を含む。第2の細胞系は、3コピーの共通糖質コルチコイド応答エレメントを含み、糖質コルチコイドによる直接的刺激に応答する合成プロモーターの制御下でシーパンジールシフェラーゼリポーター遺伝子を含む。トランス活性化およびトランス抑制の同時的測定を、96穴プレート中で1:1の比で2つの細胞系を混合し(ウェルあたり40,000個の細胞)、37℃にて一晩増殖させることにより行った。試験化合物をDMSOに溶解し、0.7％の最終DMSO濃度で細胞に添加した。1時間インキュベートした後、0.5 ng/mlのTNFα(R＆D Systems)を添加し、37℃にてさらに15時間後、ホタルおよびシーパンジーのルシフェラーゼのレベルを、Packard Fireliteキットを用いて、製造業者の説明書に従って測定した。用量応答曲線を構築し、そこからEC50値を決定した。
【表２】
2005537278.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
物質をヒトまたは動物の体に投与するためのフィルム成形製剤の製造方法であって、前
記製剤は、水性媒体中で崩壊可能であり、少なくとも１種の水溶性ポリマーを含み、水分
の作用により、または水性媒体の存在下で、または温度の変化の場合においてガスを発生
する１種または２種以上の成分を含み、１種の被覆化合物または２種の被覆化合物を支持
体上に塗布することによる製造方法であって、下記の工程を含む、前記方法
−実質的に水を含まない溶媒または懸濁剤中に、成分を溶解するかまたは懸濁させること
により、１種または２種以上のガス生成成分を含む製剤の成分を含む被覆化合物を製造す
る工程；
−この被覆化合物を、支持体上に塗布し、乾燥する工程
を含むか、または以下の工程
−第１のガス生成成分およびフィルム形成製剤の他の成分を含む第１の被覆化合物を、前
記成分を水性溶媒または懸濁剤に溶解または懸濁させることにより調製する工程；
−第２のガス生成成分およびフィルム成形製剤の他の成分を含む第２の被覆化合物を、前
記成分を水性溶媒または懸濁剤に溶解または懸濁させることにより調製し、前記第１のお
よび前記第２の成分が、ガス生成反応の反応パートナーとする工程；
−第１の被覆化合物を支持体上に塗布し、乾燥し、このようにして第１のフィルムを形成
する工程；
−第２の被覆化合物を支持体上に塗布し、乾燥し、このようにして第２のフィルムを形成
する工程；
−２つのフィルムを互いの上に積層する工程
を含むか、または以下の工程：
−１種または２種以上のガス生成成分を含む製剤の成分を含む被覆化合物を、前記成分を
溶媒または懸濁剤に溶解または懸濁することにより調製し、ガス生成成分の少なくとも１
種をマイクロカプセル封入された形態で存在せしめる工程；
−この被覆化合物を、支持体上に塗布し、乾燥する工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この目的は、さらに、請求項１〜５に記載の製造方法により達成される。前述の請求項
により、水性媒体中で崩壊可能である主要な請求項によるフィルム成形製剤の製造が可能
である。これらの方法の本質的な利点は、製剤の製造の間に、水または水分により活性化
することができるガス生成成分を、製剤を製造している間に早すぎるガス生成の発生を伴
わずに加えることが可能であることである。