【事件の表示】
　特願２００４−５１４１４８「飽和変換材料を有するエミッタパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月２４日国際公開、ＷＯ０３／１０７４４１、平成１７年１０月　６日国内公表、特表２００５−５３０３４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１５年６月１２日（パリ条約による優先権主張２００２年６月１３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年６月１４日付けで手続補正がなされたが、同年９月２日付けで補正却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年１月７日付けで拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、当審において、同年１２月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年５月１０日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年５月１０日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
　 
　「【請求項１】
　各々がバイアスに応答して発光する１つ又は複数の半導体エミッタと、
　該半導体エミッタがその底面に配置される金属カップと、
　前記半導体エミッタに結合し、前記半導体エミッタにバイアスを印加するための複数の導体と、
　前記半導体エミッタからの光が通過するように配置され、前記半導体エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出するような変換材料を含む変換材料層とを備え、
　前記変換材料の量は、前記変換材料層の厚みの調整、又は、前記変換材料の濃度の調整、又は、前記変換材料層の厚み及び前記変換材料の濃度の両方の調整により、前記変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整されていること
　を特徴とするエミッタパッケージ。」
 　 
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対し、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２０００−５１５６８９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。 
 　 
（ア）「（発明の背景） 
　この発明はＵＶ／青色発光ダイオード（ＬＥＤ）およびＵＶ／青色励起可能な可視発光蛍光体を具えた発光デバイスに関するものである。かかる発光デバイスは本願人になる特開平５−１５２，６０９号およびＷＯ９７／第４８，１３８号に開示されている。
　ＧａＮを基板としたエピタキシャル構造体のＵＶおよび青色発光ダイオード（ＬＥＤ）の出現は、ＬＥＤの頂部に光放射蛍光体材料を適用することによりＬＥＤから白色光を発生する可能性を初めて許容した。この時前記蛍光体材料はＵＶまたは青色光を部分的により長い波長、例えば青色吸収および黄色放射のＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体の場合におけるごとき黄色光に変換し、このことはニチアケミカル コンパニー(Nichia Chemical Company)により説明されている。
　本明細書に使用されているごとく“ＵＶ／青色ＬＥＤ”という言葉は電磁波スペクトルのＵＶ領域、または青色領域、またはＵＶと青色の両領域で発光するＬＥＤを意味するものである。
　かかるデバイスの好ましい動作は勿論ＵＶ／青色光を所望波長の可視光への有効な変換およびそれに続くデバイスから発生した可視光の有効な抽出に左右される。
　しかしながら、かかるデバイスでは、蛍光体はＬＥＤからの光を部分的にのみ吸収する。吸収されない光は蛍光体粒子によってＬＥＤの方へ一部戻り反射され、一部は蛍光体層を介して透過され、両者とも可視光出力を削減する。
　加うるに、蛍光体により放射された可視光は、デバイス構造体内の種々の位置における内部反射および／または吸収に起因してこのデバイスから放射されることができない。 
（発明の目的と要約） 
　従って、本発明の目的は、ＵＶ／青色ＬＥＤ−蛍光体デバイスからの光のこの変換および抽出の効果を増強するにある。」（第４頁第３行〜末行） 
 　 
（イ）「（好適な実施例の説明） 
　図１は、基板１２、接触層／ヒートシンク１４、ミラー１５、ＵＶ／青色放射ＬＥＤ１６、ＬＥＤの頂部表面のＳＷＰフィルタ３０、およびＳＷＰ層３０の頂部のＵＶ／青色励起可能な可視発光蛍光体層３２を含む本発明にかかる発光アセンブリ１０の第１の実施例の略図を示す。プラスチックレンズ３４がこのアセンブリを完成している。
　本発明の発光デバイスに使用されるＵＶ／青色ＬＥＤは従来技術の典型的にはＧａＡｓおよびその合金を基板とした可視発光ＬＥＤのそれと同一の構造体である。しかしながら、本発明のＵＶ／青色ＬＥＤは、ＧａＡｓおよびその合金の代わりにＧａＮおよびその合金を基板としている。
　かかるデバイスは最小限、低部のｎ形ＧａＮ基板１８、低部のｎ形広いバンドギャップの制限層１９、活性層２０、頂部のｐ形広いバンドギャップの制限層２２、広いバンドギャップの注入／窓層２４、および低部および頂部のオーミック接触部（その１つが接触部２６として図示されている）を含む多層エピタキシャル構造体である。
　かかるＬＥＤは案内層およびバッファ層のような１つまたは複数の付加層を含んでいてもよい。加うるに注入／窓層それ自体勾配バンドギャップを有する多層構造体であることができる。
　かかるＧａＮを基板としたＬＥＤのより詳細な説明はＷＯ９７／第４８，１３８号を参照されたい。
　接触／ヒートシンク層１４とＬＥＤ１６との間にミラー１５があり、その機能は活性領域２０からのＵＶ／青色光をＬＥＤの頂部表面２５の方へ戻り反射させる。好適にはこのミラーは角度的に光を頂部表面に再分配できる形のもの、一例としてコルゲートミラー(corrugated mirror)であることができる。
　ＬＥＤの頂部表面２５上にはＳＷＰフィルタ３０の層があって、その頂部には蛍光体層３２がある。ＬＥＤ１６の活性層２２から放射された短波長光（ＵＶおよび／または青色光）は、図１で矢印で示され、フィルタ層３０を介して蛍光体層３２へ通過する。
　蛍光体粒子密度と粒子の大きさの積は、ＬＥＤからのＵＶおよび／または青色光の大部分が蛍光体により確実に可視光に変換されるよう充分に高くなければならない。蛍光体層３２から逆方向に放射された可視光はフィルタ層３０により正方向に、デバイスから放出されるよう、まっすぐな矢印で示されるごとく反射される。」（第６頁第２０行〜第７頁第２３行） 
 　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
　「ＵＶ／青色発光ダイオード（ＬＥＤ）およびＵＶ／青色励起可能な可視発光蛍光体を具えた発光デバイスに関し、ＬＥＤの頂部表面２５上にはＳＷＰフィルタ３０の層があって、その頂部には蛍光体層３２があり、ＬＥＤ１６の活性層２２から放射された短波長光（ＵＶおよび／または青色光）は、フィルタ層３０を介して蛍光体層３２へ通過し、 蛍光体粒子密度と粒子の大きさの積は、ＬＥＤからのＵＶおよび／または青色光の大部分が蛍光体により確実に可視光に変換されるよう充分に高い、ＵＶ／青色ＬＥＤ−蛍光体デバイス。」 
 　 
（２）引用刊行物２ 
　同じく、特開平１１−３４０５１８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。 
 　 
　「【００３０】 
【発明の実施の形態】 
本発明においては、リードフレームの材料として、従来用いられていた銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。このような材料としては、例えば、鉄を主成分とした鉄系の材料を挙げることができる。このようにすることにより実装半田付けの際の封止体の加熱を抑制し、ワイアの断線などの不具合を防止することができる。さらに、本発明においては、第１の封止体と第２の封止体との界面の位置を調節することにより、ワイアの断線を顕著に低減することができる。 
【００３１】 
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の窒化ガリウム系半導体発光装置の概略構成を表す断面図である。すなわち、同図（ａ）は全体断面図であり、同図（ｂ）はその要部断面図である。 
【００３２】 
本発明の半導体発光装置においては、従来の銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料で形成されたリードフレーム１２を用いる。リードフレーム１２の材料としては、鉄の他に、例えば、いわゆる「４２アロイ」などの鉄系の合金材料を挙げることができる。リードフレーム１２のカップ部には、窒化ガリウム系半導体発光素子１４がマウントされている。発光素子１４のマウントは、例えば、接着剤１６を用いて行うことができる。接着剤１６の材料としては、ワイアボンディング工程における加熱に耐えられるような耐熱性を有する無機系材料を用いることが望ましい。また、接着剤１６に所定の蛍光体を混入しても良い。 
【００３３】
発光素子１４の上部には、図示しない電極が設けられ、それぞれワイア１８，１８によってリードフレーム１２に接続されている。ワイアの材料としては、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。ワイア径は、応力に対する機械的強度を確保するため直径３０μｍ以上のものが望ましい。また、リードフレームのカップ部には、発光素子１４を覆うように第１の封止体２０が充填されている。ここで、第１の封止体２０に蛍光体や散乱剤を混入し、窒化ガリウム系半導体発光素子１４からの短波長の光を波長変換して所定の波長の光を取り出すこともできる。」 
 　 
（３）引用刊行物３ 
　同じく、特開２００２−１１８２９２号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。 
 　 
　「【００２０】 
（ｃ）更に、第２の従来技術の第３の問題点は、蛍光体の励起光である紫外線が半導体発光装置の外部に漏出しやすい点である。一般に紫外線は高いエネルギーを持っているため、樹脂等を劣化させるだけでなく生体細胞をも傷付け破壊するので、その強い照射を受けるのは人体にとっても良くない。例えば、周知のごとく太陽光線にも紫外線が含まれているが、その中の特に波長の短い紫外線によって「雪眼」と呼ばれる目の炎症から皮膚ガンの発生に至るまで、我々の身体に様々な障害が起こる。第２の従来技術で使用されている紫外線発光素子２ＵＶは、３８０ｎｍ程度の比較的エネルギーの小さい近紫外線ではあるが、前述したように樹脂を劣化させる事実があり、例えば、その光を長時間見続けた場合に眼球等に障害を与えない保証はない。しかも人間の視感度域下限の波長であるためほとんど眼に見えず強い照射を受けても感知することが出来ないから、その危険性はかなり高いと言わざるを得ない。第２の従来技術において紫外線発光素子２ＵＶの紫外線が外部に漏出する原因は、蛍光体の粒子が蛍光コーティング部材２０全体に充満しているのではなく、蛍光体粒子間に間隙が存在するためそこを通って外に出て行く紫外線が存在するためである。したがって、これを防ぐには蛍光コーティング部材２０に多量の蛍光体を配合し、蛍光コーティング部材２０中の蛍光体濃度を極力高くすれば良いと考えられる。また、この様にすることによって、蛍光体で波長変換される光が増加し、半導体発光装置の可視光成分も増加するのではないかと考えられる。しかしながら、実際にこの様な配合にすると確かに漏出する紫外線は減少するものの、可視光成分もまた減少する。その要因は、蛍光体による光散乱が増加し蛍光コーティング部材２０の光透過性が低下するためである。一般に蛍光体はその発光波長域で必ずしも光透過性が高いものばかりであるとは言えない。加えて屈折率が比較的高いものが多いため、屈折率の低い蛍光コーティング部材２０との界面において乱反射を起こしやすい。したがって、蛍光コーティング部材２０中の蛍光体濃度が比較的低い状態では、濃度を高くして行くと確かに可視光成分は増加して行くが、ある蛍光体濃度を頂点としてそれ以上濃度を上げると可視光成分は反対に減少して行く。即ち、可視光成分の量に着目すると、蛍光体濃度の最適値がある。加えて、蛍光コーティング部材２０中に多量に蛍光体を混合すると、蛍光コーティング部材２０の流動性が極端に低下し、半導体発光素子の周囲に注入すること自体が不可能になる。したがって、第２の従来技術では、明るさを優先すると紫外線の漏出が発生し、紫外線の漏出を押さえると明るさが低下するという互いに相反する関係があるため、安全で明るい半導体発光装置を得ることが出来ない。なお、紫外線の漏出を押さえる別法として、封止体８中に紫外線吸収剤を添加する方法も考えられるが、余分な材料と工程が増え製造費が増大する他、耐湿性など封止体８の特性にも良い影響を与えず、また本来可視光成分の生成に寄与すべき紫外線成分をわざと捨ててしまうことから、実用上優れた解決策ではないことは言うまでもない。」 
 　 
４　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
 　 
ア　引用発明は「ＵＶ／青色発光ダイオード（ＬＥＤ）およびＵＶ／青色励起可能な可視発光蛍光体を具えた発光デバイス」に関するものであるから、引用発明の「発光デバイス」は、本願発明の「（半導体エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出するような変換材料を含む変換材料層とを備えた）エミッタパッケージ」に相当するとともに、引用発明の「ＵＶ／青色発光ダイオード（ＬＥＤ）」は、本願発明の「半導体エミッタ」に相当する。 
 　 
イ　引用発明の「ＬＥＤ１６の活性層２２から放射された短波長光（ＵＶおよび／または青色光）は、フィルタ層３０を介して蛍光体層３２へ通過」するとの事項は、本願発明の「変換材料層」を「半導体エミッタからの光が通過するように配置」するとの事項に相当し、引用発明の「ＬＥＤからのＵＶおよび／または青色光の大部分が蛍光体により確実に可視光に変換される」との事項は、本願発明の「半導体エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出」するとの事項に相当し、引用発明の「蛍光体層３２」は、本願発明の「変換材料層」に相当する。 
 　 
　よって、本願発明と引用発明とは、 
　「各々がバイアスに応答して発光する１つ又は複数の半導体エミッタと、 前記半導体エミッタからの光が通過するように配置され、前記半導体エミッタからの光を吸収するとともに、 
 １つ又は複数の異なる波長の光を再放出するような変換材料を含む変換材料層とを備えた 
 エミッタパッケージ。」 
 である点で一致し、次の点で相違する。　  
  
相違点 
［相違点１］　本願発明は、「半導体エミッタがその底面に配置される金属カップ」や「半導体エミッタに結合し、半導体エミッタにバイアスを印加するための複数の導体」を有するのに対し、引用発明は、そのような「金属カップ」や「複数の導体」を有するか不明である点（以下「相違点１」という。）。 
［相違点２］　本願発明は、「変換材料の量は、変換材料層の厚みの調整、又は、変換材料の濃度の調整、又は、変換材料層の厚み及び変換材料の濃度の両方の調整により、変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整されている」のに対し、引用発明は、そのような「調整」が「変換材料」になされているかが不明である点（以下「相違点２」という。）。　 
　 
５　判断 
　上記相違点につき検討する。 
［相違点１］について　 
　半導体発光装置において、「半導体エミッタがその底面に配置される金属カップ」を用いるものは本願の優先日時点で周知であり（必要なら、引用刊行物２の「リードフレーム１２のカップ部には、窒化ガリウム系半導体発光素子１４がマウントされている。・・・本発明においては、リードフレームの材料として、従来用いられていた銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。このような材料としては、例えば、鉄を主成分とした鉄系の材料を挙げることができる。」の記載を参照。）、「半導体エミッタに結合し、半導体エミッタにバイアスを印加するための複数の導体」を設けることも周知である（必要なら、引用刊行物２の「発光素子１４の上部には、図示しない電極が設けられ、それぞれワイア１８，１８によってリードフレーム１２に接続されている。ワイアの材料としては、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。」の記載を参照。）から、引用発明において上記周知技術を適用して上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。 
［相違点２］について　 
　引用発明においても、変換材料（蛍光体材料）を具体的にどのように含有させるか、設計上定められるべきところ、変換材料の量を決定するに際して、変換材料層の厚みを調整したり、変換材料の濃度の調整を行うことは、当業者が設計上適宜採り得る構成であり、例えば引用刊行物３においても、「蛍光コーティング部材２０に多量の蛍光体を配合し、蛍光コーティング部材２０中の蛍光体濃度を極力高くすれば良い」と記載されている（上記２（３）参照。）ところである。
　そして、引用刊行物３には、「また、この様にすることによって、蛍光体で波長変換される光が増加し、半導体発光装置の可視光成分も増加するのではないかと考えられる。しかしながら、実際にこの様な配合にすると確かに漏出する紫外線は減少するものの、可視光成分もまた減少する。その要因は、蛍光体による光散乱が増加し蛍光コーティング部材２０の光透過性が低下するためである。一般に蛍光体はその発光波長域で必ずしも光透過性が高いものばかりであるとは言えない。加えて屈折率が比較的高いものが多いため、屈折率の低い蛍光コーティング部材２０との界面において乱反射を起こしやすい。したがって、蛍光コーティング部材２０中の蛍光体濃度が比較的低い状態では、濃度を高くして行くと確かに可視光成分は増加して行くが、ある蛍光体濃度を頂点としてそれ以上濃度を上げると可視光成分は反対に減少して行く。即ち、可視光成分の量に着目すると、蛍光体濃度の最適値がある。」と記載されており（上記２（３）参照。）、上記「蛍光体による光散乱が増加し蛍光コーティング部材２０の光透過性が低下」するとの事項は「変換材料によって遮断される再放出光の遮断」に相当するものと認められるから、引用刊行物３の「可視光成分の量に着目すると、蛍光体濃度の最適値がある」との事項は「変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整」することを示唆するものというべきである。
　してみれば、引用発明において、「（ＬＥＤからのＵＶおよび／または青色光の大部分が蛍光体により確実に可視光に変換される）蛍光体」を、「変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整され」たものとなすことに格別の困難があるとは認められない。 
　したがって、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
 　 
　そして、本願発明の効果は、引用刊行物１に記載された発明、周知技術及び引用刊行物３の記載事項から予測し得る程度のものである。 
　
　以上の検討によれば、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、周知技術及び引用刊行物３の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
６　むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、周知技術及び引用刊行物３の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。