【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、
（ａ）下記を備えた構造体を用意し：
ＩＩＩ−Ｖ族基板；
基板上のチャネル層；
チャネル層上のドープ障壁層；
障壁層上に配置した保護層；
保護層上に配置したエッチング停止層；ならびに
エッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層；
（ｂ）構造体の表面にマスクを付与して、コンタクト層の表面の一部を露出させ；
（ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；
（ｄ）エッチング停止層の露出表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；そして
（ｅ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
【請求項２】  電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、
（ａ）下記を備えた構造体を用意し：
ガリウムヒ素基板；
基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層；
チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層；
障壁層上に配置したガリウムヒ素保護層；
保護層上に配置したインジウムガリウムリン−エッチング停止層；ならびに
エッチング停止層上に配置したガリウムヒ素−ソースおよびドレインコンタクト層；
（ｂ）構造体の表面にマスクを付与して、コンタクト層の表面の一部を露出させ；
（ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；
（ｄ）エッチング停止層の露出表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；そして
（ｅ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して、保護層の露出部分上にまで、それとショットキー接触したゲート金属を蒸着し、このゲート金属がゲート電極となる。
【請求項３】  １回目のエッチング工程が、コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させることを含み、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  ２回目のエッチング工程が、エッチング停止層を保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、  （ａ）下記を備えた構造体を用意し：
ＩＩＩ−Ｖ族基板；
基板上のチャネル層；
チャネル層上のドープ障壁層；
障壁層上に配置した保護層；
保護層上に配置したエッチング停止層；ならびに
エッチング停止層上に配置したソースおよびドレインコンタクト層；
（ｂ）構造体の表面にマスクを付与し、そのマスクはコンタクト層の表面の一部を露出させる開口をもち；
（ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；
（ｄ）マスクの開口を拡張し；
（ｅ）拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；そして
（ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して保護層の露出部分上にまで、金属を蒸着する。
【請求項６】  電界効果トランジスターのゲートを形成する方法であって、
（ａ）下記を備えた構造体を用意し：
ガリウムヒ素基板；
基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層；
チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層；
障壁層上に配置したガリウムヒ素保護層；
保護層上に配置したインジウムガリウムリン−エッチング停止層；ならびに
エッチング停止層上に配置したガリウムヒ素−ソースおよびドレインコンタクト層；
（ｂ）構造体の表面にマスクを付与し、そのマスクはコンタクト層の表面の一部を露出させる開口をもち；
（ｃ）コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させ、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；
（ｄ）マスクの開口を拡張し；
（ｅ）拡張した開口により露出したエッチング停止層の表面部分に２回目のエッチングを施し、エッチング停止層を貫通してエッチングして、下層の保護層の表面の一部を露出させ、この２回目のエッチングによりエッチング停止層は、保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より大きなエッチング速度でエッチングされ；そして
（ｆ）マスク上に、エッチング停止層のエッチングされた部分を通して、保護層の露出部分上にまで、それとショットキー接触したゲート金属を蒸着し、このゲート金属がゲート電極となる。
【請求項７】  １回目のエッチング工程が、コンタクト層の露出表面部分に１回目のエッチングを施し、コンタクト層を貫通してエッチングして、下層のエッチング停止層の表面の一部を露出させることを含み、この１回目のエッチングによりコンタクト層は、エッチング停止層に対するこのエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングされる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  ２回目のエッチング工程が、エッチング停止層を保護層に対するこの２回目のエッチングのエッチング速度より少なくとも２桁大きなエッチング速度でエッチングすることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】  下記を含む電界効果トランジスター：
（ａ）ＩＩＩ−Ｖ族基板；
（ｂ）基板上のチャネル層；
（ｃ）チャネル層上のドープ障壁層；
（ｄ）障壁層上に配置された保護層；
（ｅ）保護層上に配置された付加層であって、開口をもつ付加層；
（ｆ）横方向に間隔をおいた付加層領域上に配置されたソースおよびドレインコンタクト層：開口は横方向に間隔をおいた付加層領域の間に配置される；
（ｇ）側面部分がこの開口内に配置されたゲート電極：開口の壁はゲート電極のこの側面部分と接触し、ゲートの底部分は保護層とショットキー接触している。
【請求項１０】  基板がガリウムヒ素である、請求項９に記載のトランジスター。
【請求項１１】  チャネル層がインジウムガリウムヒ素である、請求項１０に記載のトランジスター。
【請求項１２】  保護層が付加層と異なる材料である、請求項９に記載のトランジスター。
【請求項１３】  保護層がソースおよびドレインコンタクト層と同一材料である、請求項１２に記載のトランジスター。
【請求項１４】  保護層が１０〜２０Å程度の厚さをもつ、請求項１３に記載のトランジスター。
【請求項１５】  保護層がＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１４に記載のトランジスター。
【請求項１６】  保護層がガリウムヒ素である、請求項１５に記載のトランジスター。
【請求項１７】  付加層がインジウムガリウムリンである、請求項１６に記載のトランジスター。
【請求項１８】  下記を含む電界効果トランジスター：
（ａ）ガリウムヒ素基板；
（ｂ）基板上のインジウムガリウムヒ素チャネル層；
（ｃ）チャネル層上のドープアルミニウムガリウムヒ素障壁層；
（ｄ）障壁層上に配置された保護層；
（ｅ）保護層上に配置されたインジウムガリウムリン層であって、開口をもつインジウムガリウムリン層；
（ｆ）横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域上に配置されたソースおよびドレインコンタクト層：開口は横方向に間隔をおいたインジウムガリウムリン層領域の間に配置される；
（ｇ）側面部分がインジウムガリウムリン層の開口内に配置されたゲート電極：インジウムガリウムリン層の開口の壁はゲート電極のこの側面部分と接触し、ゲートの底部分はガリウムヒ素層とショットキー接触している。
【請求項１９】  保護層がＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１８に記載のトランジスター。
【請求項２０】  保護層がガリウムヒ素である、請求項１９に記載のトランジスター。
【請求項２１】  金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２３】  金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項２４】  金属蒸着がコンタクト層の側壁への金属蒸着を含み、かつ蒸着金属をコンタクト層の側壁から分離する工程を含む、請求項６に記載の方法。