【事件の表示】
　平成　９年特許願第３６７１８９号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　９日出願公開，特開平１１−１８６５２４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年１２月２４日の出願であって，平成２１年５月２６日付けの拒絶理由通知に対して，同年８月３日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２２年３月２４日に拒絶査定がされ，これに対し，同年６月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年６月２４日付けの手続補正書による補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年６月２４日付けの手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２２年６月２４日付けの手続補正書による補正のうち，特許請求の範囲に対する補正（以下「本件補正」という）は，補正前の特許請求の範囲１〜１６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１６とするものであり，次の補正内容からなる。
　
（１）補正事項１
　請求項９を補正するものであり，本件補正前後の請求項９の記載は次のとおりである。
　
ア　補正前の請求項９
「主表面を有する半導体基板と，
　前記半導体基板の主表面に設けられた電界効果トランジスタと，
　前記電界効果トランジスタを覆うよう前記半導体基板の主表面の上に設けられた第１の絶縁層と，
　前記第１の絶縁層内に設けられ，前記電界効果トランジスタのソースまたはドレイン領域と電気的に接続された導電体と，
　シリコンを含み，前記第１の絶縁層の上に設けられた窒化膜と，
　シリコンを含み，前記窒化膜の上面に接するように設けられた第１の酸化膜と，
　シリコンを含み，前記第１の酸化膜の上面に接するように設けられ，前記第１の酸化膜とはエッチングレートの異なる第２の酸化膜と，
　前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられた開口部の内側表面に沿って設けられ，前記導電体と電気的に接続されるキャパシタの下部電極と，
　誘電体膜を介して前記下部電極と対向して配置されたキャパシタの上部電極とを備え，
　前記開口部は，その開口幅が前記第１の酸化膜で規定される第１の部分と，前記第２の酸化膜で規定される第２の部分とを含み，前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い，半導体装置。」
　
イ　補正後の請求項９
「主表面を有する半導体基板と，
　前記半導体基板の主表面に設けられた電界効果トランジスタと，
　前記電界効果トランジスタを覆うよう前記半導体基板の主表面の上に設けられた第１の絶縁層と，
　前記第１の絶縁層内に設けられ，前記電界効果トランジスタのソースまたはドレイン領域と電気的に接続された導電体と，
　シリコンを含み，前記第１の絶縁層の上に設けられた窒化膜と，
　シリコンを含み，前記窒化膜の上面に接するように設けられた第１の酸化膜と，
　シリコンを含み，前記第１の酸化膜の上面に接するように設けられ，前記第１の酸化膜とはエッチングレートの異なる第２の酸化膜と，
　前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられた開口部の内側表面に沿って設けられ，前記導電体と電気的に接続されるキャパシタの下部電極と，
　誘電体膜を介して前記下部電極と対向して配置されたキャパシタの上部電極とを備え，
　前記開口部は，その開口幅が前記第１の酸化膜で規定される第１の部分と，前記第２の酸化膜で規定される第２の部分とを含み，前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い，半導体装置。」
　
ウ　上記ア，イから，補正事項１は，本件補正前の請求項９の「前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い」との事項を，本件補正後の請求項９の「前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い」との事項に補正するものであるといえる。
　
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記第５の工程の後，前記第１の酸化膜のエッチングレートが前記第２の酸化膜及び前記窒化膜より高くなるエッチング条件で前記開口部の内部にエッチング処理を施す第６の工程」との事項を，本件補正後の請求項１の「前記第５の工程の後，前記窒化膜の上面に接する前記第１の酸化膜のエッチングレートが前記第２の酸化膜及び前記窒化膜より高くなるエッチング条件で前記開口部の内部にエッチング処理を施す第６の工程」と補正する。
　
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項１３の「前記第５の工程は，前記第１及び第２の酸化膜を貫通する孔を形成した後に，前記第１の酸化膜における前記孔の幅を前記第２の酸化膜における孔の幅よりも広げる工程を有する」との事項を，本件補正後の請求項１３の「前記第５の工程は，前記第１及び第２の酸化膜を貫通する孔を形成した後に，前記窒化膜の上面に接する前記第１の酸化膜における前記孔の幅を前記第２の酸化膜における孔の幅よりも広げる工程を有する」と補正する。
　
２　新規事項の追加の有無及び補正目的の適否について
　本件補正事項が，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合するか否か，及び，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）各号に掲げる事項を目的とするものであるか否かについて，以下で検討する。
　
（１）補正事項１における，補正後の「前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い」との事項は，本願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）の【０１３７】〜【０１３９】及び図４３〜４６に基づくものであるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，「前記第１の部分の開口幅」を「前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅」と限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項１は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２における，補正後の請求項１の「前記第５の工程の後，・・・前記開口部の内部にエッチング処理を施す第６の工程」との事項は，当初明細書等の【０１３７】〜【０１３９】及び図４３〜４６に基づくものであるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，補正前の「前記第１の酸化膜」の位置を補正後の「前記窒化膜の上面に接する前記第１の酸化膜」と限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項２は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項３における，補正後の請求項１３の「前記第５の工程は，・・・前記第２の酸化膜における孔の幅よりも広げる工程を有する」との事項は，当初明細書等の【０１３７】〜【０１３９】及び図４３〜４６に基づくものであるから，補正事項３は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３は，補正前の「前記第１の酸化膜における前記孔の幅」を「前記窒化膜の上面に接する前記第１の酸化膜における」孔の幅に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項３は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（４）したがって，補正事項１〜３は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，請求項９に係る補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項９に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
　
３−１　本件補正後の請求項９に係る発明
　本件補正後の請求項９に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１（１）イ）。
　
３−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，国際公開第９７／１９４６８号公報（以下「引用例」という。）には，第１図，第３〜１６図とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　「本発明は半導体記憶装置およびその製造方法に関し，詳しくは，
微細化の可能な半導体記憶装置
　
イ　「従来，半導体記憶装置の高集積化は，素子寸法を小さくすることによって達成されてきたが，
微細化にともなってキャパシタの面積が減少するため，情報としてキャパシタに蓄積することのできる電荷量が減少する
信頼性を維持するためには，十分な蓄積電荷量を確保することが不可欠であり，半導体記憶装置の最大の課題である
　
ウ　「第１図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。第１図に示したように，半導体基板１上には，メモリセルのスイッチ用トランジスタであるＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)につながる，ワード線４（ＭＯＳＦＥＴのゲート電極）および電荷を供給したり引き出したりするためのビット線７が形成され，さらに
複数の絶縁膜６，８，１０，１２，１４，１６，１８が積層して形成されて，表面が平坦化されている
  
上記絶縁膜１４，１６，１８を貫通してトレンチが形成され，このトレンチの内部に下部電極１９，キャパシタ絶縁膜２０およびプレート電極２１から構成されるキャパシタが形成されている
　
エ　「
キャパシタは，実質的に上記トレンチの内側のみに形成される
キャパシタの下部電極１９は，不純物を高濃度で含む多結晶シリコン膜からなり，この下部電極１９は，接続用の多結晶シリコン１３を介して上記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５に接続されている
　
オ　「しかし，
本発明では，第１図に示したように，トレンチは１枚の厚い絶縁膜ではなく，積層された複数の絶縁膜１４，１６，１８を貫通して形成されている
　
カ　「なお，第１図において，
１は半導体基板
３はＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜，４はＭＯＳＦＥＴのゲート電極（メモリセルではワード線），５，５’はＭＯＳＦＥＴの拡散層
６は層間絶縁膜
８，１０，１２，１６，１８，２２は層間絶縁膜
　
キ　「実施例１
  まず，第３図に示したように，半導体基板１の表面に，ＭＯＳＦＥＴを分離するための素子間分離酸化膜２を形成した。・・・（省略）・・・
  次に，上記
半導体基板１の表面を洗浄した後に，膜厚７ｎｍのゲート酸化膜３を周知の熱酸化法を用い，酸化温度８００℃にて形成した
多結晶シリコン膜４を周知のＣＶＤ法を用いて形成
る厚さ１００ｎｍの金属膜４’をその上に積層して形成
ドライエッチ法を用いて所定の形状として，ワード線やゲート電極４を形成
ゲート電極４をマスクとして用い，基板１とは導電型が逆の不純物イオンとして，砒素を５×１０
14
／ｃｍ
2
程度イオン打ち込み
拡散層５，５’を形成
　
ク　「次に，
第７図に示したように，ワード線４，ビット線７，第１，第２埋込配線９，１１には接触しない深さ約１．５μｍのコンタクト孔を形成し，このコンタクト孔を多結晶シリコン１３で埋めた
キャパシタの下部電極と拡散層５の接続に用いられる
  
ケ　「次に，
第１２図に示したように，層間酸化膜１４，１６，１８を貫通し，上記多結晶シリコン１３の上端部を露出させるトレンチを形成した
  このトレンチのアスペクト比は７程度であるので，従来のドライエッチング法によって容易に形成できる。
なお，層間酸化膜１４の下に，窒化膜をエッチングストッパ膜として形成しておくと，トレンチ加工の制御性が向上する
　
コ　「第１３図に示したように，
キャパシタの下部電極となる膜厚５０ｎｍの多結晶シリコン膜１９を全面に形成した。この多結晶シリコン膜１９は上記多結晶シリコン１３を介して，上記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続されている
　
サ　「 次に，第１４図に示したように，上記多結晶シリコン膜１９のうち，上記トレンチ内に形成された部分を残し，他の部分はＣＭＰ法を用いて除去して，キャパシタ下部電極１９を各メモリセル毎に分離して形成した。
  第１５図に示したように，
上記キャパシタ下部電極１９の上に，キャパシタ絶縁膜２０およびプレート電極２１を積層して形成した
　
シ　「次に，第１６図に示したように，層間酸化膜２２を全面に形成した後，この層間酸化膜２２にコンタクト孔を形成して，上記プレート電極２１およびタングステンのプラグ１７の上端部を露出さた。このコンタクト孔内を金属で埋めてプラグ２３を形成した後，最上層の配線２４を周知の方法を用いて形成して，
本実施例の半導体記憶装置
　
ス　「実施例５
  本実施例は，本発明をＤＲＡＭに適用した例であり，第２４図〜第３８図を用いて説明する。
  本実施例のメモリセルの平面図を第２４図に，第２４図におけるＸ-Ｘ’断面構造および周辺回路のＭＩＳＦＥＴ部の断面構造を，第２５図の同一図面上に示した。メモリセルのレイアウトは従来と同様であり，ワード線５８がＹ方向に，データ線６０がＸ方向に設けられており，トレンチ型のキャパシタが，これらワード線とデータ線の上部に形成されている。
上記
トレンチ型のキャパシタ
絶縁膜４９およびその上に積層して形成された絶縁膜５１を貫通して形成された深いトレンチ
「第３０図に示したように，厚さ０．５〜１μｍ程度のシリコン酸化膜５１を，周知のＴＥＯＳガスを用いたＣＶＤ法によって４００℃程度の温度で形成し，周知のＣＭＰ法を用いて表面を平坦化した。次に，周知のホトリソグラフィとドライエッチングを用いて，
上記シリコン酸化膜４９，５１に，シリコンプラグ４８に達するトレンチ（開口部）６２を形成した
窒化シリコン膜のように，シリコン酸化膜よりエッチング速度が小さい絶縁膜を，エッチングストッパとしてシリコン酸化膜４９の下に形成しておけば，上記トレンチ６２の形成は極めて容易である
　
セ　第１図から，半導体基板１の表面に，ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜３，ＭＯＳＦＥＴのゲート電極４，ＭＯＳＦＥＴの拡散層５，５’が設けられ，それらの上に，絶縁膜６，８，１０，１２，１４，１６，１８が積層して形成されていることが見て取れる。また，
多結晶シリコン１３が，絶縁膜６，８，１０，１２内に設けられていることが見て取れる。
  
（２）以上を整理すると，引用例には次の事項が記載されている。
・上記（１）ア，シから，引用例には「半導体記憶装置」の発明が記載されているといえる。
　
・上記（１）ウ，カ，キ，セから，引用例には，半導体基板の表面に形成されたＭＯＳＦＥＴと，前記ＭＯＳＦＥＴを覆うように設けられた層間絶縁膜６，８，１０，１２が記載されている。
　
・上記（１）エ，カから，「多結晶シリコン１３」が「ＭＯＳＦＥＴの拡散層５，５’」と電気的に接続されていることが，また，上記（１）ク，セから，「多結晶シリコン１３」が「層間絶縁膜６，８，１０，１２」内に設けられていることが理解できる。
　
・上記（１）ウの「複数の絶縁膜６，８，１０，１２，１４，１６，１８が積層して形成されて」との記載，「上記絶縁膜１４，１６，１８を貫通してトレンチが形成され」との記載，及び，上記（１）ケの「層間酸化膜１４の下に，窒化膜をエッチングストッパ膜として形成しておく」との記載から，引用例には，層間絶縁膜１２の上にエッチングストッパ膜として窒化膜を形成することが記載されている。そうすると，引用例における層間絶縁膜１４は，前記窒化膜の上面に接するように設けられているといえる。
　
・上記（１）ウ，オ，カ，セから，引用例には，層間絶縁膜１４の上面に形成された層間絶縁膜１６と，層間酸化膜１６の上面に形成された層間酸化膜１８とが記載されている。
　
・上記（１）ケの「第１２図に示したように，層間酸化膜１４，１６，１８を貫通し，上記多結晶シリコン１３の上端部を露出させるトレンチを形成した」，及び，「なお，層間酸化膜１４の下に，窒化膜をエッチングストッパ膜として形成しておくと，トレンチ加工の制御性が向上する。」との記載，さらに，上記（１）ウ，エから，引用例における「トレンチ」が内部にキャパシタを形成するためのものであり，特に，「多結晶シリコン１３」と接続される「キャパシタ下部電極１９」が内部に形成されるものであると理解できることからみて，引用例の「トレンチ」が「層間酸化膜１４，１６，１８」及び「窒化膜」を貫通するものであるといえる。
　
・上記（１）ケ，スは，層間酸化膜にトレンチキャパシタを形成するプロセスについての説明である点で共通するから，上記（１）ケにおけるエッチングストッパとしての「窒化膜」は，上記（１）スの記載に照らし「窒化シリコン膜」であると理解できる。
　
・上記（１）ウ，エから，キャパシタ下部電極１９が，トレンチ内部に形成されることが，上記（１）エ，コから，キャパシタ下部電極１９が，多結晶シリコン１３を介してＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続されることが記載されている。
　
・上記（１）サから，キャパシタ下部電極の上に積層して形成された，キャパシタ絶縁膜２０及びプレート電極２１が記載されている。
　
・なお，引用例において，上記（１）ウでは「絶縁膜６，８，１０，１２，１４，１６，１８」「上記絶縁膜１４，１６，１８」，上記（１）オでは「積層された複数の絶縁膜１４，１６，１８」，上記（１）カでは「６は層間絶縁膜」「８，１０，１２，１６，１８，２２は層間絶縁膜」「１４は絶縁膜」上記（１）ケでは「層間酸化膜１４，１６，１８」と表記されているところ，これらのうち，同一図番号の構成，例えば「絶縁膜１６」「層間絶縁膜１６」「層間酸化膜１６」が同一物を指すことは明らかであるから，以下では統一して「層間絶縁膜１６」等という。
　
（３）上記（２）によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体基板１と，
前記半導体基板１の表面に形成されたＭＯＳＦＥＴと，
前記ＭＯＳＦＥＴを覆うように設けられた層間絶縁膜６，８，１０，１２と，
前記層間絶縁膜６，８，１０，１２内に設けられ，前記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続された多結晶シリコン１３と，
前記層間絶縁膜６，８，１０，１２の上に設けられたシリコン窒化膜と，
前記窒化膜の上面に形成された層間絶縁膜１４と，
前記層間絶縁膜１４の上面に形成された層間絶縁膜１６と，
前記層間絶縁膜１６の上面に形成された層間絶縁膜１８と，
前記窒化膜と前記層間絶縁膜１４，１６，１８を貫通するトレンチの内側に形成され，前記多結晶シリコン１３を介して前記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続されるキャパシタ下部電極１９と，
前記キャパシタ下部電極１９の上に積層して形成された，キャパシタ絶縁膜２０及びプレート電極２１とを備えた，
半導体記憶装置」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「半導体記憶装置」は，補正発明における「半導体装置」に相当し，以下同様に，「半導体基板１」は「半導体基板」に，「ＭＯＳＦＥＴ」は「電界効果トランジスタ」に，「層間絶縁膜６，８，１０，１２」は「第１の絶縁層」に，「ＭＯＳＦＥＴの拡散層５」は「電界効果トランジスタのソース又はドレイン領域」に，「多結晶シリコン１３」は，「導電体」に，それぞれ相当する。
　
（２）引用発明の「前記層間絶縁膜６，８，１０，１２内に設けられ，前記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続された多結晶シリコン１３」は，補正発明の「前記第１の絶縁層内に設けられ，前記電界効果トランジスタのソースまたはドレイン領域と電気的に接続された導電体」に相当する。
　
（３）引用発明における「前記層間絶縁膜６，８，１０，１２の上に設けられたシリコン窒化膜」は，補正発明における「シリコンを含み，前記第１の絶縁層の上に設けられた窒化膜」に相当する。
　
（４）引用発明における「前記窒化膜の上面に形成された層間絶縁膜１４と，前記層間絶縁膜１４の上面に形成された層間絶縁膜１６と，前記層間絶縁膜１６の上面に形成された層間絶縁膜１８」と，補正発明における「シリコンを含み，前記窒化膜の上面に接するように設けられた第１の酸化膜と，シリコンを含み，前記第１の酸化膜の上面に接するように設けられ，前記第１の酸化膜とはエッチングレートの異なる第２の酸化膜」とは，「シリコンを含み，前記窒化膜の上に設けられた複数の絶縁膜」である点で共通する。
　
（５）引用発明における「前記窒化膜と前記層間絶縁膜１４，１６，１８を貫通するトレンチ」と，補正発明における「前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられた開口部」とは，「前記窒化膜及び前記複数の絶縁膜に設けられた開口部」である点で共通する。
　
（６）引用発明における「多結晶シリコン１３を介して前記ＭＯＳＦＥＴの拡散層５と電気的に接続されるキャパシタ下部電極１９」は，補正発明における「導電体と電気的に接続されるキャパシタの下部電極」に相当する。
　
（７）上記（５）から，引用発明における，「キャパシタ下部電極１９」が「前記窒化膜と前記層間絶縁膜１４，１６，１８を貫通するトレンチの内側に形成され」ていることと，補正発明における，「キャパシタの下部電極」が「前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられた開口部の内側表面に沿って設けられ」ていることとは，「キャパシタの下部電極」が「前記窒化膜及び前記複数の絶縁膜に設けられた開口部の内側表面に沿って設けられ」ている点で共通する。
　
（８）引用発明における「キャパシタ絶縁膜２０」「プレート電極２１」が，補正発明における「誘電体膜」「キャパシタの上部電極」にそれぞれ相当する。そうすると，引用発明における「キャパシタ下部電極１９の上に積層して形成された，キャパシタ絶縁膜２０及びプレート電極２１」を備えることは，補正発明における「誘電体膜を介して前記下部電極と対向して配置されたキャパシタの上部電極とを備え」ることに相当する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「主表面を有する半導体基板と，
前記半導体基板の主表面に設けられた電界効果トランジスタと，
前記電界効果トランジスタを覆うよう前記半導体基板の主表面の上に設けられた第１の絶縁層と，
前記第１の絶縁層内に設けられ，前記電界効果トランジスタのソースまたはドレイン領域と電気的に接続された導電体と，
シリコンを含み，前記第１の絶縁層の上に設けられた窒化膜と，
シリコンを含み，前記窒化膜の上に設けられた複数の絶縁膜と，
前記窒化膜及び前記複数の絶縁膜に設けられた開口部の内側表面に沿って設けられ，前記導電体と電気的に接続されるキャパシタの下部電極と，
誘電体膜を介して前記下部電極と対向して配置されたキャパシタの上部電極とを備える，
半導体装置。」である点。
　
＜相違点＞
　補正発明は，「窒化膜の上に設けられた複数の絶縁膜」が，「シリコンを含み，前記窒化膜の上面に接するように設けられた第１の酸化膜と，シリコンを含み，前記第１の酸化膜の上面に接するように設けられ，前記第１の酸化膜とはエッチングレートの異なる第２の酸化膜と」で構成し，「開口部」を「前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられ」，「その開口幅が前記第１の酸化膜で規定される第１の部分と，前記第２の酸化膜で規定される第２の部分とを含み，前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い」形状としているのに対し，引用発明は，「窒化膜の上に設けられた複数の絶縁膜」が，上記「第１の酸化膜」及び「第１の酸化膜とはエッチングレートの異なる第２の酸化膜」ではなく，トレンチの形状が「前記窒化膜，前記第１の酸化膜及び第２の酸化膜に設けられ」，「その開口幅が・・・前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広い」形状ではない点。
　
３−４　相違点についての判断
ア　一般に，キャパシタを用いた半導体記憶装置において，キャパシタ下部電極を埋め込む開口部が形成される層間絶縁膜をエッチングレートの異なる絶縁膜の積層構造とし，当該積層構造に形成される開口部の側壁にエッチングレート差を利用して凹部を設けることにより，容量を増大させたキャパシタを得る技術は，次の周知例１〜３にも記載された，周知の技術である。
　
・周知例１：特開平５−２５１６５８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には，図１とともに，次の記載がある。
「【００１２】
【実施例】図１に本発明の実施例の製造工程を断面図で示し，以下に説明する。
【００１３】まず，図１（ａ）に示すように，Ｐ型シリコン基板１上に従来同様，ＬＯＣＯＳ法により厚いフィールド酸化膜２を選択的に成長した後，ゲート酸化膜３ａ，ゲート電極３，ソース・ドレイン４によりトランジスタを形成する。
【００１４】次に
層間絶縁膜としてシリコン酸化膜５を５０００Åの厚さ（以下一々厚さと記さない）形成し，その上にさらに絶縁膜として窒化シリコン膜１１を５００Å程度成長させた後，ホトリソ，エッチングを行い，セルコンタクト孔５ａを形成する
【００１５】次に図１（ｂ）のように，前記窒化シリコン膜１１とゲート電極３，シリコン基板１をストッパーとして，
シリコン酸化膜５をフッ化水素溶液中等で等方的にエッチングする。そうすると同図に示すように，前記セルコンタクト孔５ａの側壁が凹状にえぐられた形となる。これは前記窒化シリコン膜１１が，前記条件ではエッチングされないからである
「【００１７】引き続いて図１（ｅ）のように，前記までに構成されたセルコンタクト孔５ａの面上を含め，必要部分にストレージ電極６，キャパシタ絶縁膜７，セルプレート電極８，層間絶縁膜９，アルミ１０を従来同様形成することにより，本実施例のメモリセル部ができ上る。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば，
セルコンタクト部の側壁を凹状にしたので，容易にストレージ電極ひいてはキャパシタ部の面積が大きくすることができ，Ｃｓ（キャパシタ容量）の増加ができ，特性の優れた半導体メモリ装置を提供できる
　
・周知例２：特開平３−１７４７６７号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，第１図とともに，次の記載がある。
「その後，基板１全面に，
Ｓｉ
3
Ｎ
4
膜の第１層間絶縁膜７を１０００Å厚程度形成する。更に，この第１層間絶縁膜７上に，ＰＳＧ膜の第２層間絶縁膜８を３０００Å厚形成する。更に，又，この第２層間絶縁膜８上に，Ｓｉ
3
Ｎ
4
膜の第３層間絶縁膜９を１０００Å厚形成する
　次いで，ホトリソグラフィー法により，ドレイン層６の部分上の第１，第２及び第３層間絶縁膜７，８，９を除去し，選択トランジスタとキャパシタとを接続するためのコンタクとホール１０を開孔する。その後，
５％のＨＦ溶液により，エッチングレート差を利用して第２層間絶縁膜８をコンタクトホール１０近傍より横方向に５０００Åエッチング除去し，コンタクトホール１０側壁に凹凸部１０ａを形成する
　その後，全面に，リン等の不純物を含む多結晶シリコン層を約１０００Å４被着形成した後，ホトリソグラフイー法によりコンタクトホール１０及びこのコンタクトホール１０近傍の第３層間絶縁膜９上の上記多結晶シリコン層を残し，電荷蓄積層１１を形成する（第１図ｄ）。
　更に，熱酸化法により，上記電荷蓄積層１１表面に，１００Å厚のキャパシタ絶縁膜１２を被着する（第１図ｅ）。
　その後，全面に，リン等の不純物を含む多結晶シリコン層を約１０００Å厚堆積し，ホトリソグラフィー法により，上記キャパシタ絶縁膜１２上を含む上記多結晶シリコン層の所定部分を残し，プレート電極１３を形成する（第１図ｆ）。」（第３頁右上欄第４行〜左下欄第１２行）
「又，他実施例として，
第１，第２及び第３層間絶縁膜７，８，９に，例えばＰ
2
Ｏ
5
濃度の異なるＰＳＧ膜を用い，これらＰＳＧ膜のエツチングレート差により凹凸部１０ａを形成しても良い
「以上説明したように本発明によれば，
層間絶縁膜を異なるエツチングレートの複数の絶縁層により形成し，これら絶縁層のエツチングレート差を利用して層間絶縁膜の側壁に凹凸又はアンダーカット部を形成した後，この凹凸又はアンダーカット部表面にキャパシタ層を被着するので，該キャパシタの表面積が大きくなり，仮りに同じデザインルールに対しても容量の著しく大きなキャパシタが得られる効果がある
　
・周知例３：特開平６−１９６６５０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３には，次の記載がある。
「【００１１】本出願の請求項３記載の発明は，
積層膜がウェットエッチングのエッチングレートが異なる絶縁膜を交互に堆積
エッチングレートの大きい絶縁膜はその小さい絶縁膜より，コンタクト孔の側方へ深くエッチングされるため凹部となり
コンタクト孔内面に沿って形成される，キャパシタ電極膜，キャパシタ誘電体膜，キャパシタ電極膜の三層で成る容量の有効面積は大きくなり，大容量のキャパシタを有する半導体装置が得られる
　
イ　また，キャパシタを用いた記憶装置において，安定性保持と高集積化のためにキャパシタ容量を増大させることは，上記周知例１〜３に記載された周知の課題であり，同時に，上記３−２（１）ア，イで摘記したとおり，引用例においても「半導体記憶装置の最大の課題」として記載された課題である。
　
ウ　そうすると，上記周知の課題を解決するために上記周知技術を引用発明に適用することにより，引用発明において，「トレンチ」を形成する絶縁膜をエッチングレートの異なる絶縁膜の積層構造とし，当該「トレンチ」の側壁を凹部が設けられた側壁とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　また，上記周知技術における，積層する各絶縁膜の材料，積層順序及び積層数等は，異なるエッチングレートをとる絶縁膜の組み合わせのうち側壁に凹部が形成可能なものの中から，当業者が適宜選択する設計事項であり，一方，シリコン窒化膜とシリコン酸化膜や，不純物濃度の異なるシリコン酸化膜が，異なるエッチングレートをとり得ることは当業者の技術常識であるから，上記周知技術の具体的な適用形態として，シリコン窒化膜，第１のシリコン酸化膜，第１のシリコン酸化膜とエッチングレートの異なる第２のシリコン酸化膜の３層を積層し，その中間の層である「第１の酸化膜」がトレンチ側壁の凹部となるような形態は，当業者が適宜選択し得た適用形態である。このとき，当該適用形態におけるトレンチの形状が，「その開口幅が前記第１の酸化膜で規定される第１の部分と，前記第２の酸化膜で規定される第２の部分とを含み，前記半導体基板の裏面に対し垂直な一断面から見て前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅が前記第２の部分の開口幅よりも広」くなることは，明らかである。
　したがって，引用発明において上記相違点に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
エ　よって，補正発明は，上記周知技術に照らして，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項９に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年６月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１６に係る発明は，平成２１年８月３日付けの手続補正により補正された願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項９として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２（１）で検討したように，補正発明は，実質的に，本件補正前の請求項９の「前記第１の部分の開口幅」を「前記窒化膜の上面に接する前記第１の部分の開口幅」と限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，上記第２，３において検討したとおり，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。