【事件の表示】
　特願２００５−２０１０３２「基板のエッジリンス方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日出願公開、特開２００７−　１９３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１７年　７月１１日の出願であって、平成２２年１１月１８日付けで拒絶査定がなされ（平成２２年１１月２２日発送）、これに対し、平成２３年　２月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その審判請求と同時に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成２３年　２月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年　２月２２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項４は、
「ベークされたレジスト膜をその表面に有する多角形形状を有する基板のリンス装置であって、リンス液を吐出するリンス液ノズル、基板を連続回転させつつ基板のエッジ位置を検出する手段、および検出された基板のエッジ位置に基づいてリンス液ノズルの位置を移動する手段を備えるリンス装置。」と補正された。
　　　
　上記補正は、請求項４に記載した発明を特定する事項である「基板」について「ベークされたレジスト膜をその表面に有する」との限定を付加するものであって、補正前の請求項４に記載された発明と補正後の請求項４に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項４に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法法第１２６条第５項に適合するか）について、以下に検討する。
　　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１１５０６０号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　　
ア「【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハあるいはＬＣＤ基板等の被処理体の表面にレジスト液等の処理液を塗布する処理装置及び処理方法に関し、特に、被処理体の周縁部に形成された不要な塗布膜を除去する機能を備えた処理装置及び処理方法に関するものである。」（段落【０００１】）
　　　
イ「この発明は、上記従来技術の欠点を解消すべく創案されたものであり、その第１の目的は、洗浄液供給系を単純化でき、少ない洗浄液使用量で不要な塗布膜を除去できる機能を備えた処理装置を提供することにあり、その第２の目的は更に、円形以外の被処理体であってもその周縁部の塗布膜を有効に除去できる機能を備えた処理装置を提供することにある。」（段落【０００８】）
　　
ウ「搬送路１１の一方の側には、ウエハＷとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエハＷに塗布されたレジスト液中に残存する溶剤を加熱蒸発させるためのプリベーク機構１５と、プリベーク機構１５によって加熱処理されたウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配置されている。・・・（中略）・・・そして、各処理機構１４〜１８にて処理された処理後のウエハＷを、メインアーム１３によってアライメントステージ６に搬送し、アーム４でアライメントステージ６の処理済みのウエハＷを第２のウエハキャリア３内の定められた位置に収納し、ウエハＷの搬送工程を終了する。」（段落【００３１】〜【００３３】）
　　　
エ「また、スピンチャック２４によるウエハ保持位置の近傍には、図６に示すようにウエハＷの周縁位置を検出するセンサ５９が設けられており、センサ５９の検出信号がコントローラ６０に入力されるようになっている。
　このコントローラ６０は、センサ５９の検出信号に基づき、上記シリンダ５５を駆動してアーム３９の先端部材３９ｂを進退動させて洗浄ノズル４１及び排出管４３をウエハＷに対して適切に位置決めした後、上記シリンダ５５を駆動し揺動リンク４６を回転させて排出管４３の角度を適切に調節すると共に、洗浄液供給装置５７による洗浄液Ｌの供給流量及びエジェクタ５８による排出管４３の吸引力を適切に調節するように予めプログラムされている。このプログラムは、ウエハＷの周縁部の塗布膜６４の除去幅ｄが所定の寸法、好ましくは５ｍｍ以下、更に好ましくは３ｍｍ以下になるように、使用する洗浄液Ｌの粘性及びウエハＷの回転数などを考慮して作成されたものである。洗浄ノズル４１へ洗浄液を供給する配管４４の途中には洗浄液Ｌの流量を検出してその検出信号をコントローラ６０へ送る流量センサ６３が設けられている。また、エジェクタ５８の吐出側配管には気液分離器６１が設けられており、排出管４３から送られてくる気液混合状態の流体６２を気体と液体とに分離してそれぞれ回収できるように構成されている。
・・・
　そして、ウエハＷに対する塗布処理の終了後に処理カップ２６を下降させ、次いでアーム３９を回動させて図５に示すようにアーム３９の先端部材３９ｂをウエハＷの近傍に移動させる。そして、アーム３９の先端部材３９ｂの移動後直ちに上記センサ５９によってウエハＷの周縁位置が検出されてコントローラ６０の制御によりシリンダ４８及び５５が駆動され、アーム３９の先端部材３９ｂが移動すると共に揺動リンク４６が回動して、洗浄ノズル４１及び排出管４３が適切に位置決めされると共に、排出管４３の角度が適切に調節される。」（段落【００４５】〜【００４８】）
　　
オ「次に、塗布膜除去機構２３で被処理体を処理する作用を図１５及び図１６を参照しながら説明する。図１５は、塗布膜除去機構２３で被処理体を処理する作用を示す概略斜視図であり、また図１６は、塗布膜除去機構２３で被処理体を処理する作用を示す概略平面図である。
　ウエハＷは、スピンチャック２４のウエハ保持部２４ａに保持され、スピンチャック２４の回転駆動に伴って回転する。ちなみにウエハＷには、フラットなオリフラ部Ｗｏを有しており、図１６（ａ），（ｂ）に示すように塗布膜除去機構２３による塗布膜除去工程が例えばオリフラ部Ｗｏの一端部Ｗａからスタートした場合、アーム３９はウエハＷに対して所定位置を維持し、除去処理するために、ウエハＷの回転に伴いＸ１方向にアーム３９は移動する。次にオリフラ部Ｗｏの中央位置Ｗｂまで除去処理が進むと、図１６（ｃ）に示すようにアーム３９はウエハＷに対して所定位置を維持し、除去処理するために、ウエハＷの回転に伴いＸ１方向と逆方向のＸ２方向にアーム３９は移動する。次に、図１６（ｄ）に示すようにオリフラ部Ｗｏの終点位置Ｗｃまで除去処理した後、アーム３９は、処理位置が再度オリフラ部Ｗｏの一端部Ｗａ位置まで来るまで所定位置を維持したままウエハＷの周縁部を処理し、ウエハＷの周縁部に沿った除去処理を終了する。なお、ウエハＷのオリフラ部Ｗｏの位置、ウエハＷとアーム３９との位置は、図６にも示すようにセンサー５９で位置検出しながら行っている。」（段落【００６９】〜【００７０ 】）
　　
カ「次に、上述の被処理体（ウエハＷ）を処理する一連の作用の流れを図１８を参照しながら説明する。
　始めにＡ工程に示すようにウエハＷをスピンチャック２４のウエハ保持部２４ａに載置する。次に、Ｂ工程に示すようにスピンチャック２４を回転駆動し、ウエハＷを回転させる。このときウエハＷの回転速度は、６インチウエハの場合、３５００〜５０００ｒｐｍの範囲の所定速度、８インチウエハの場合、１５００〜３５００ｒｐｍの範囲の所定速度に設定する。次に、Ｃ工程に示すようにウエハＷ上の中心位置からレジスト液を滴下する。そうするとレジスト液は、ウエハＷの回転に伴ってウエハＷ全面に広がり、この後、ウエハＷの周縁部のレジスト液を振り切って、ウエハＷ上に均一にレジスト膜を形成する。
　また、このレジスト膜の形成においては、レジスト液滴下の前工程として溶剤、好ましくは塗布するレジスト液に含有される溶剤と同一あるいは同成分又はそれらの混合あるいはそれらを含有する溶剤をウエハＷの表面に塗布しておくと、塗布するレジスト液の量を省力化することができる点で好ましい。
　次に、Ｄ工程に示すようにウエハＷの回転速度を上述の速度より減速させ、所定の速度に設定する。この所定の速度は、ウエハＷの周縁部を除去する速度であり、好ましい速度は、１０〜５００ｒｐｍの範囲の所定速度である。この際、所定速度に減速させながら、スピンチャック２４をウエハＷの塗布膜除去位置まで上昇すると、処理のスループットを向上することができる。次に、Ｅ工程に示すようにウエハＷ周縁部のレジストの除去処理を行い一連の処理を終了する。」（段落【００７４】〜【００７７】）
　　　
キ「◎実施例１０
次に、塗布膜除去機構２３で他の被処理体例えばＬＣＤ基板Ｇを処理する作用を図１９及び図２０を参照して説明する。
　図１９において、スピンチャック２４には角状基板としてのＬＣＤ基板Ｇ（以下に基板という）が保持されている。このような角状基板Ｇを処理する場合の処理工程について図２０を参照して説明すると、最初にＧ工程において、まず、基板Ｇの１つの端面をアーム３９の移動方向Ｙ３と平行に位置決めする。この際、基板Ｇの端面の総数に係るカウンターフラッグ“ｎ”を初期設定しておく。次に、Ｈ工程に示すようにアーム３９をＹ２方向に移動させ設定された端面の周縁部のレジスト膜を除去処理する。この後、Ｉ工程に示すように、スピンチャック２４を回転し、次に処理する端面、つまり基板Ｇを９０°回転させる。この後、基板Ｇの端面の総数値から“１”を引いた値とカウンターフラッグ“ｎ”の値が同一であるかを比較する。同一であれば除去処理を終了させる。異なっていた場合は、Ｋ工程に示すようにカウンターフラッグ“ｎ”に“１”を加算し、Ｈ工程に進み順次、基板Ｇの各辺の塗布膜除去を行うものである。また、図２１に示すようにＪ工程の後、Ｉ工程を実施させれば全ての辺を処理した後で無駄な回転を防止できるので、処理のスループットを向上することができる。
　この実施例において、スピンチャック２４の回転角度を適宜制御すれば、ＬＣＤ基板Ｇのような平行４辺形のものに限らず、更に複雑な形状の被処理体に対しても塗布膜除去処理を行うことができる。また、処理カップ２６は、ＬＣＤ基板Ｇのよう角状基板を回転させる場合に特に、その角状基板の回転速度かつ回転方向と同一あるいはそれに準ずる回転速度かつ回転方向に設定し、回転させるのが好ましい。これは、角状基板を回転させると、その基板の角張った部分にて気流の乱れを生じさせるため処理カップ２６内に気流の乱れが生じレジスト液が均一に基板Ｇ上に形成されないという問題を解消するためである。勿論ウエハＷのような円状の基板においても処理カップ２６を回転させるのは好ましい。」（段落【００７８】〜【００８０】）
　　
ク「また、この発明は上記実施例及び変形例によって限定されることはなく、この発明の要旨を逸脱することなく、様々に変形して実施できることは当然のことである。」（段落【００８６】）　
　　　
ケ　そして、摘記事項エの「センサ５９の検出信号がコントローラ６０に入力され・・・このコントローラ６０は、センサ５９の検出信号に基づき、上記シリンダ５５を駆動してアーム３９の先端部材３９ｂを進退動させて洗浄ノズル４１及び排出管４３をウエハＷに対して適切に位置決めした後、・・・プログラムされている。」との記載から、引用例におけるセンサ５９、コントローラ６０、シリンダ５５、アーム３９、プログラムは、検出されたウエハＷのエッジ位置に基づいて洗浄ノズル４１の位置を移動する手段を構成するものと理解できる。
　　　
コ　さらに、摘記事項オの「ウエハＷのオリフラ部Ｗｏの位置、ウエハＷとアーム３９との位置は、図６にも示すようにセンサー５９で位置検出しながら行っている。」、摘記事項カの「Ｄ工程に示すようにウエハＷの回転速度を上述の速度より減速させ、所定の速度に設定する。この所定の速度は、ウエハＷの周縁部を除去する速度であり、好ましい速度は、１０〜５００ｒｐｍの範囲の所定速度である。」との記載から、引用例に記載のものは、円以外の被処理体である、フラットなオリフラ部Ｗｏを有するウエハＷの位置検出を行いながら周縁部の処理を行っているものと理解できる。
　　
　これら記載事項、認定事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに即して整理すると、引用例には、
「レジスト膜をその表面に有するフラットなオリフラ部Ｗｏを有するウエハＷの塗布膜を除去する処理装置であって、洗浄液を吐出する洗浄ノズル４１、ウエハＷを連続回転させつつウエハＷのエッジ位置を検出するセンサー５９、および検出されたウエハＷのエッジ位置に基づいて洗浄ノズル４１の位置を移動する手段を備える塗布膜を除去する処理装置。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用発明の「塗布膜を除去する処理装置」は本願補正発明の「リンス装置」に相当し、以下同様に「洗浄液」は「リンス液」に、「洗浄ノズル４１」は「リンス液ノズル」に、「検出されたウエハＷのエッジ位置に基づいて洗浄ノズル４１の位置を移動する手段」は「検出された基板のエッジ位置に基づいてリンス液ノズルの位置を移動する手段」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明の「フラットなオリフラ部Ｗｏを有するウエハＷ」と本願補正発明の「多角形形状を有する基板」は、「円形以外の形状を有する基板」である点で共通する。
　したがって、両者は、
「レジスト膜をその表面に有する円形以外の形状を有する基板のリンス装置であって、リンス液を吐出するリンス液ノズル、基板を連続回転させつつ基板のエッジ位置を検出する手段、および検出された基板のエッジ位置に基づいてリンス液ノズルの位置を移動する手段を備えるリンス装置。」の点で一致し、
次のア、イの点で相違している。
［相違点ア］
　基板形状について、本願補正発明は、多角形状であるのに対し、引用発明は、フラットなオリフラ部を有するものである点。
　　　
［相違点イ］
　基板につき、本願補正発明が、ベークされたものであるのに対し、引用発明では、当該構成が不明である点。
　　　
（４）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　まず、相違点アについて検討する。
　引用文献には、実施例としてウエハＷの形状を角状、平行四辺形のものが示されている（上記摘記事項（２）キ参照）。この実施例のものは、位置決めとレジスト膜除去処理を連続回転させながら行っているものとはいえない。
　しかしながら、引用例記載のものは、円形以外の被処理体であってもその周縁部の塗布膜を有効に除去できる機能を備えた処理装置を提供することを目的とするものであり（「（２）イ」）、引用例記載のこの実施例のものにおいても、処理のスループット向上について示唆がある（「（２）キ」）他、様々に変形して実施できるとの記載もある（「（２）ク」）。
　加えて、当該分野において、角状の基板を回転しながらリンスすること自体も良く知られた技術事項である（必要であれば、一例として、特開２００１−６８３９３号公報段落【００７３】参照。）。
　そうすると、引用発明において、円形でない基板を、多角形状を有する基板とした点は、処理のスループット向上等の必要に応じて、当業者が容易に想到し得たことである。
　　
　次に、相違点イについて検討する。
　引用例記載のものにおいて、塗布膜除去機構の直前に基板をベークするとの記載はない。
　しかし、処理液塗布機構１７に搬送される前処理段階で、プリベーク機構１５での処理を経ている（「（２）ウ」）。
　このように、半導体基板等の製造において、複数のベーク処理を行うことは一般的に行われており、リンスを行う前にベーキングを行うことも本願出願前周知の技術である（先に提示した特開平１１−１４５２４６号公報【００３０】「ベーキングが行われる。この後、基板はエッジングリンス部３４に移される」、特開平５−２７７４２４号公報【００３０】「ベークする前に基板の裏面、側面及び表面周縁部の塗布膜を溶解して除去することが望ましい」などの記載参照）。
　そうすると、引用発明において、基板を、ベークされたものとした点は、基板表面の膜を固定する等の必要に応じて、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　　
　また、本願補正発明の奏する作用効果をみても、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　
３．本願発明について
　平成２３年　２月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、本願の平成２２年　６月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項４に記載された次のとおりのものである。
「多角形形状を有する基板のエッジ位置検出手段、リンス液を吐出するリンス液ノズル、および検出された基板のエッジ位置に基づいてリンス液ノズルの位置を移動する手段を含むリンス装置であって、基板を連続回転させつつ基板のエッジ位置を検出する手段を備えるリンス装置。」
　　　　　　　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及び、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　　　　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明から「基板」の限定事項である「ベークされたレジスト膜をその表面に有する」との構成を省いたものである。
　　　
　そうすると、本願発明の構成をすべて含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。