【事件の表示】
　特願２００８−５４６９１５「弾性表面波共振子及び弾性表面波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月　５日国際公開、ＷＯ２００８／０６５８３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年１０月２４日（優先権主張平成１８年１１月２９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年３月１８日付け及び同年６月１２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年９月４日付けで同年３月１８日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板と、
　前記水晶基板の主面上に形成されており、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極と、
　前記水晶基板の主面及び前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されたＳｉＯ２膜とを備え、
　弾性表面波の伝搬方向がＸ軸に対し９０°±５°の範囲内とされており、
　前記水晶基板を伝搬する弾性表面波の波長をλとすると、前記ＩＤＴ電極の膜厚がλの６．０％〜６．５％の範囲内とされており、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．６２〜０．６６の範囲内とされていることを特徴とする、弾性表面波共振子。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１６５７４６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ａ．「【請求項２】
　圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴとを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、
　前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、
　励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とし、
　前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５５≦ｍｒ≦０．６８とすることを特徴とした弾性表面波デバイス。
　・・・（中略）・・・
【請求項６】
　前記電極膜厚Ｈ／λが０．０４≦Ｈ／λ≦０．０８の範囲に設定されていることを特徴とした請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。」
　
Ｂ．「【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
　以下、本発明を図面に図示した実施の形態例に基づいて詳細に説明する。図1（ａ）は本発明に係るＳＡＷ共振子の平面図を示しており、圧電基板１上に正電極指と負電極指とがそれぞれ互いに間挿し合うＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にＳＡＷを反射する為のグレーティング反射器３ａ、３ｂとを配置する。そして、前記ＩＤＴ２の入出力パッド４ａ、４ｂとパッケージ６の入出力用端子とを金属ワイヤ５ａ、５ｂにより電気的に導通し、パッケージ６の開口部を蓋（リッド）で気密封止する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−５０°回転した付近に設定し、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対しほぼ垂直方向（９０°±５°）にした水晶平板であって、励振するＳＡＷはＳＨ波である。なお、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂの電極材料はＡｌ又はＡｌを主成分とする合金である。また、図１（ｂ）はＩＤＴ２の断面図を示しており、以下に示す実施例においてはＩＤＴ２上を励振するＳＡＷの波長をλとした時に電極膜厚を波長で基準化した値Ｈ／λで表し、ライン占有率ｍｒを電極指幅Ｌ／（電極指幅Ｌ＋電極指間スペースＳ）で表す。」
　
Ｃ．「【００４９】
　ところで、ライン占有率ｍｒは製造誤差等が生じるので正確に制御するのが難しい。ライン占有率ｍｒがばらつくと周波数変動が生じるので、製造歩留まりが劣化してしまう問題がある。従って、ライン占有率ｍｒがばらついても周波数変動量の少ない、即ち周波数制御性に優れたライン占有率ｍｒを選択することが望ましい。以下、ライン占有率ｍｒと周波数制御性について検討した。
【００５０】
　図６（ａ）は前記ＳＡＷ共振子のライン占有率ｍｒと共振周波数ｆの関係を示している。同図は実験値であり、水晶基板のカット角θを−５２．０°とし、電極膜厚Ｈ／λを０．０４から０．０８まで０．０１刻みで変化させ、ＩＤＴのライン占有率ｍｒを０．４から０．８まで０．１刻みで変化させている。なお、この時のグレーティング反射器のライン占有率はＩＤＴと同様に変化させている。図６（ａ）より、共振周波数ｆはライン占有率ｍｒに対して下に凸の２次曲線的な傾向を示すことが分かる。
【００５１】
　また、図６（ｂ）は各電極膜厚Ｈ／λの条件において共振周波数ｆの極小値をとるライン占有率ｍｒの値を示しており、電極膜厚Ｈ／λを０．０４≦Ｈ／λ≦０．０８とした時に、０．６０≦ｍｒ≦０．６３のライン占有率ｍｒの範囲において共振周波数ｆの極小値が存在することが確認された。なお、図６（ａ）の曲線から実際にはライン占有率ｍｒを０．５５≦ｍｒ≦０．６８の範囲内に設定すれば周波数変動量を抑圧でき、ライン占有率ｍｒがばらついても共振周波数ｆは然程変動しないので周波数制御性に優れたＳＡＷデバイスを提供することができる。」
　
Ｄ．「【００６２】
  また、上述のＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴやグレーティング反射器上にＳｉＯ２等の保護膜やＡｌを陽極酸化した保護膜等を形成したり、Ａｌ電極の上部あるいは下部に密着層あるいは耐電力向上等の目的で別の金属薄膜を形成した場合においても、本発明と同様の効果を得られることは明らかである。・・・（後略）・・・」
　
　上記Ｂ．に記載のＳＡＷ共振子の構成要件を基にした上記Ｃ．に記載のＳＡＷ共振子は、上記Ａ．の請求項２を引用する請求項６に記載された弾性表面波デバイスに対応するものである。
　そして、上記Ｃ．に記載のＳＡＷ共振子においては、「カット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定」された「回転Ｙカット水晶基板」のカット角θを「−５２．０°」とした例が示されており、「図６（ｂ）」に、「各電極膜厚Ｈ／λの条件において共振周波数ｆの極小値をとるライン占有率ｍｒの値」の例として、「電極膜厚Ｈ／λ」を「０．０６」、「ライン占有率ｍｒ」を「０．６２」とする例が示されている。
　また、上記Ｄ．には、「上述のＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴやグレーティング反射器上にＳｉＯ２等の保護膜・・・等を形成したり・・・した場合においても、本発明と同様の効果を得られることは明らかである。」と記載されており、上記Ｃ．に記載のＳＡＷ共振子において、ＩＤＴ上にＳｉＯ２の保護膜を形成したものも開示されているということができる。
　
　してみれば、上記Ａ．〜Ｄ．の記載及び関連する図面より、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例記載の発明」という。）
「カット角θが−５２．０°の回転Ｙカット水晶基板と、
　前記水晶基板上に形成されており、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴと、
　前記ＩＤＴ上に形成されたＳｉＯ２の保護膜とを備え、
　弾性表面波の伝搬方向が結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とされており、
　励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λが０．０６とされており、
　前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時、前記ライン占有率ｍｒが０．６２とされている弾性表面波共振子。」
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例記載の発明における「カット角θが−５２．０°の回転Ｙカット水晶基板」は、本願発明における「カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板」のカット角θ（−５３°〜−５２°）に包含されるカット角θ（−５２．０°）を有する「回転Ｙカットの水晶基板」である。
　
（い）引用例記載の発明における「ＩＤＴ」は、本願発明における「ＩＤＴ電極」に相当する。そして、引用例記載の発明において、「ＩＤＴ」が形成される水晶基板の「面」は、「主面」と呼ぶことのできる面である。
　よって、引用例記載の発明における「水晶基板上に形成されており、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ」は、本願発明における「水晶基板の主面上に形成されており、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極」に相当する。
　
（う）引用例記載の発明における「ＳｉＯ２の保護膜」は、本願発明における「ＳｉＯ２膜」に相当する。そして、「ＩＤＴ」は櫛歯状の電極であるから、「ＩＤＴ上に形成されたＳｉＯ２の保護膜」といった場合、櫛歯状の電極の歯と歯の間に現れる水晶基板の「主面」も「ＩＤＴ」とともにＳｉＯ２膜によって覆われて保護される状態になるものと解される。
　よって、引用例記載の発明における「ＩＤＴ上に形成されたＳｉＯ２の保護膜」は、本願発明における「水晶基板の主面及びＩＤＴ電極を覆うように形成されたＳｉＯ２膜」に相当する。
　
（え）引用例記載の発明における「弾性表面波の伝搬方向が結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とされており」は、本願発明における「弾性表面波の伝搬方向がＸ軸に対し９０°±５°の範囲内とされており」に相当する事項である。
　
（お）引用例記載の発明において、「励振する弾性表面波の波長をλとした時」の「ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λ」が「０．０６」であることは、本願発明において、「水晶基板を伝搬する弾性表面波の波長をλ」としたときに「ＩＤＴ電極の膜厚」が「λの６．０％」であることに相当し、これは、「λの６．０％〜６．５％の範囲内」に包含される数値である。
　
（か）引用例記載の発明において、「ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時」の「ライン占有率ｍｒ」は、本願発明における「ＩＤＴ電極のデューティ比」に相当する。
　よって、引用例記載の発明において「ライン占有率ｍｒが０．６２とされている」ことは、本願発明において「ＩＤＴ電極のデューティ比が０．６２〜０．６６の範囲内とされている」ことに包含される事項である。
　
　上記（あ）〜（か）の事項により、本願発明は、水晶基板の「カット角」、「ＩＤＴ電極の膜厚」、及び「ＩＤＴ電極のデューティ比」の数値において引用例記載の発明を包含するものであり、他の部分において引用例記載の発明と同一のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明を包含するものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。