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　特願２００６−２９１９６４「スイッチ回路、それを有するフロントエンドモジュール及び無線端末」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年５月８日出願公開、特開２００８−１０９５３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月２７日の出願であって、平成２０年１１月２１日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年１月２９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年２月１８日付けで拒絶査定され、これに対して同年３月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年４月２３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は，平成２１年４月２３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。なお、上記補正は、以下の下線部につき、平成２１年１月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の「第１ダイオード」及び「第２ダイオード」のそれぞれの極性について、その誤記の訂正を目的とするものであり、当該訂正は出願当初の明細書に記載した事項の範囲内でしたものと認める。
「　【請求項１】
　積層体基板と、
　前記積層体基板の上面又は内部に設けられた伝送線路と、
　前記伝送線路の一端に
カソード
アノード
　前記第１ダイオードの
アノード
　一端が前記抵抗と前記第１ダイオードとの接続点に接続され、他端が接地された第１コンデンサと、
　前記伝送線路に対して並列に接続された第２コンデンサとを具備することを特徴とするスイッチ回路。」
　
３．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００１−３３２９０２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
ア　「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。高周波部品１０は、第１〜第３ポートＰ１〜Ｐ３、第１及び第２ダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ１，Ｌ２、λ／４伝送線路ＳＬ、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒを含む。
【００１３】第１ポートＰ１と第２ポートＰ２との間には第１ダイオードＤ１が接続され、第１ダイオードＤ１にはインダクタＬ１とコンデンサＣ１とからなる直列回路が並列接続される。また、第１ダイオードＤ１の第２ポートＰ２側、すなわちアノードはインダクタＬ２を介して接地され、インダクタＬ２のグランド側は制御端子Ｖｃに接続される。
【００１４】さらに、第１ポートＰ１と第３ポートＰ３との間にはλ／４伝送線路ＳＬが接続され、λ／４伝送線路ＳＬにはコンデンサＣ２が並列接続される。また、λ／４伝送線路ＳＬの第３ポートＰ３側は第２ダイオードＤ２及びコンデンサＣ３を介して接地され、第２ダイオードＤ２とコンデンサＣ３との接続点は抵抗Ｒを介して接地される。
【００１５】以上のような構成で、高周波部品１０の第１ポートＰ１と第３ポートＰ３との間にはλ／４伝送線路ＳＬとコンデンサＣ２とからなる並列共振回路が形成され、この並列共振回路が低域通過フィルタとして働く。その結果、高周波部品１０は高周波スイッチの機能と低域通過フィルタの機能とを備えることになる。
【００１６】すなわち、図９に示す携帯電話器のＲＦ部において、高周波スイッチＳＷと受信部Ｒｘの低域通過フィルタＬＰＦとを一体化したものである。
【００１７】図２は、図１に示す高周波部品の具体的な構成を示す一部分解透視斜視図である。高周波部品１０は、積層体１１を含み、積層体１１には、図示していないが、インダクタＬ１、λ／４伝送線路ＳＬ、コンデンサＣ２（図１参照）がそれぞれ内蔵される。
【００１８】また、積層体１１の表面には、ダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ２、コンデンサＣ１，Ｃ３及び抵抗Ｒがそれぞれ搭載される。さらに、積層体１１の側面から下面にかけて外部端子Ｔ１〜Ｔ８が設けられる。
【００１９】そして、積層体１１上に搭載したダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ２、コンデンサＣ１，Ｃ３及び抵抗Ｒを覆うとともに、相対する短辺の突起部１２１，１２２が外部端子Ｔ４，Ｔ８に当接するように、積層体１１上に金属キャップ１２が被せられる。
【００２０】この際、外部端子Ｔ１は第１ポートＰ１、外部端子Ｔ３は第３ポートＰ３、外部端子Ｔ５は第２ポートＰ２、外部端子Ｔ６は制御端子Ｖｃ、外部端子Ｔ２，Ｔ４，Ｔ７，Ｔ８はグランド端子となる。
【００２１】図３（ａ）〜図３（ｆ）、図４（ａ）、図４（ｂ）は、図２の高周波部品の積層体を構成する各誘電体層の上面図、図４（ｃ）は、図４（ｂ）の下面図である。積層体１１は、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第８の誘電体層１１ａ〜１１ｈを上から順次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することにより形成される。
【００２２】そして、第１の誘電体層１１ａの上面には、積層体１１の表面に搭載されるダイオードＤ１，Ｄ２、インダクタＬ２、コンデンサＣ１，Ｃ３及び抵抗Ｒを実装するためのランドＬａが形成される。また、第２、第３及び第７の誘電体層１１ｂ，１１ｃ，１１ｇの上面には、ストリップライン電極ＳＴ１〜ＳＴ３がそれぞれ形成される。
【００２３】さらに、第４及び第５の誘電体層１１ｄ，１１ｅの上面には、コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２がそれぞれ形成される。また、第６及び第８の誘電体層１１ｆ，１１ｈの上面には、グランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２がそれぞれ形成される。
【００２４】さらに、第８の誘電体層の下面（図４（ｃ）中、１１ｈｕ）には、外部端子Ｔ１〜Ｔ８が形成される。また、第１〜第６の誘電体層１１ａ〜１１ｆには、所定の位置に、ストリップライン電極ＳＴ１〜ＳＴ３、コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２、グランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２及びランドＬａを接続するためのビアホール電極Ｖｈが設けられる。
【００２５】この際、インダクタＬ１（図１参照）がストリップライン電極ＳＴ１，ＳＴ２で、λ／４伝送線路ＳＬ（図１参照）がストリップライン電極ＳＴ３でそれぞれ形成される。また、コンデンサＣ２（図１参照）がコンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２でそれぞれ形成される。
【００２６】図５は、図１の回路を備える高周波部品の第１ポート−第３ポート間の減衰特性を示す図である。図５において、実線は第１の実施例の高周波部品１０（図１）、破線は従来例の高周波スイッチの場合を示す。
【００２７】この図から、第１の実施例の高周波部品１０（実線）では、λ／４伝送線路ＳＬとコンデンサＣ２とからなる並列共振回路による減衰極が２．６ＧＨｚ付近に発生し、高周波領域の減衰が大きくなっていることが理解される。」
イ　以上のアで摘記した【００１７】、【００２１】及び【００２５】の記載によれば、引用例に記載された「高周波部品１０」は「積層体１１」を含み、「高周波部品１０」の構成要素である「λ／４伝送線路ＳＬ」は該「積層体１１」に内蔵されるものである。
　
　してみると、引用例１には，以下の発明（以下，「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。
「　積層体と、
　前記積層体の内部に設けられたλ／４伝送線路ＳＬと、
　前記λ／４伝送線路ＳＬの一端にアノード側が接続された第２ダイオードＤ２及び他端にカソード側が接続された第１ダイオードＤ１と、
　前記第２ダイオードＤ２のカソード側と接続され、前記第２及び第１ダイオードに電流を印加するための抵抗Ｒと、
　一端が前記抵抗Ｒと前記第２ダイオードＤ２との接続点に接続され、他端が接地されたコンデンサＣ３と、
　前記λ／４伝送線路ＳＬに対して並列に接続されたコンデンサＣ２とを具備することを特徴とする高周波部品。」
　
（２）同じく原査定の備考欄において本願出願前の周知技術の例として引用された、特開２００６−２２３００４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１に示される高周波スイッチの第１実施例及び図６に示される従来の高周波スイッチと共に以下の技術的事項が記載されている。
ア　「【００１３】
　本発明によれば、ダイオードのカソードとアノードの向きを従来の高周波スイッチの場合とは逆にすることにより、送信端子側に接続されていた従来の大容量で大型のバイアスカット用コンデンサを不要にし、受信端子側に接続された小容量で小型のバイアスカット用コンデンサだけですむようにできる。従って、高周波スイッチを小型化することができる。」
イ　「【００２３】
　さらに、高周波スイッチ２１は、ダイオードＤ１１，Ｄ１２のカソードとアノードを、図６に示した従来の高周波スイッチ１のダイオードＤ１，Ｄ２のカソードとアノードの向きと逆にして接続することにより、従来の高周波スイッチ１が有していた大容量で大型のバイアスカット用コンデンサＣ１や電圧制御端子Ｖｃ１や抵抗Ｒａを不要にすることができる。つまり、高周波スイッチ２１は、受信端子Ｒｘ側の、ダイオードＤ１２とグランドとの間に接続された小容量で小型のコンデンサＣ１２だけですむようになる。コンデンサＣ１２の容量は、例えば１ＧＨｚ付近で１０ｐＦ、２ＧＨｚ付近で３ｐＦである。従って、高周波スイッチ２１の小型化を図ることができる。」
　
４．対比
　本願発明と引用例１発明を対比すると、引用例１発明の「積層体」、「λ／４伝送線路ＳＬ」、「第２ダイオードＤ２」、「第１ダイオードＤ１」、「抵抗Ｒ」、「コンデンサＣ３」及び「コンデンサＣ２」は、それぞれ、本願発明の「積層体基板」、「伝送線路」、「第１ダイオード」、「第２ダイオード」、「抵抗」、「第１コンデンサ」及び「第２コンデンサ」に相当し、また、引用例１発明の「高周波部品」は高周波スイッチとしての動作機能を果たすものであるから、本願発明の「スイッチ回路」に相当する。
　なお付記するが、本願発明は、「伝送線路」の構造を「積層体基板の上面又は内部に設けられた」と特定しているが、本願明細書及び図面には、該「伝送線路」が「積層体基板の上面」に設けられた構造については記載も示唆もなく、本願明細書又は図面に基づくものではない。
　そうすると、本願発明と引用例１発明との一致点、及び、相違点を整理すると、以下のようになる。
　
（一致点）
　積層体基板と、
　前記積層体基板の内部に設けられた伝送線路と、
　前記伝送線路の一端にその一方の極性側が接続された第１ダイオード及び他端にその一方の極性側が接続された第２ダイオードと、
　前記第１ダイオードの前記極性の逆側と接続され、前記第１及び第２ダイオードに電流を印加するための抵抗と、
　一端が前記抵抗と前記第１ダイオードとの接続点に接続され、他端が接地された第１コンデンサと、
　前記伝送線路に対して並列に接続された第２コンデンサとを具備することを特徴とするスイッチ回路。
　
（相違点）
　伝送線路の一端にその一方の極性側が接続された第１ダイオード及び他端にその一方の極性側が接続された第２ダイオード、並びに、抵抗に接続された第１ダイオードの前記極性の逆側について、本願発明では、該第１ダイオードのその一方の極性側がカソード側、その逆側（抵抗に接続された側）がアノード側であり、該第２ダイオードのその一方の極性側がアノード側であるのに対して、引用例１発明では、その逆で、該第１ダイオードのその一方の極性側がアノード側、その逆側（抵抗に接続された側）がカソード側であり、該第２ダイオードのその一方の極性側がカソード側である点。
　
５．当審の判断
　上記４．で抽出した相違点について、以下に検討する。
（１）（相違点１）について
　移動体通信機器に組み込まれる高周波スイッチ回路を、本願発明のようなダイオードスイッチ回路で構成することは、上記引用例１及び２を始め、原査定において引用した他の引用文献（拒絶の理由に引用された、特開２００１−２６７８０１号公報（なお、平成２０年１１月２１日付けの拒絶理由通知では、当該公報番号を特開２００１−２９７８０１号公報と記したが誤記であり、それは平成２１年１月２９日付け意見書によれば出願人（請求人）も認識していた点である。）、及び、備考欄で本願出願前の周知技術の例とした、特開２００４−１５１６１号公報）も含め、当該技術分野において周知の構成である。そして、このダイオードスイッチ回路を構成する２つのダイオードのアノードとカソードの向きを逆にしても同等のスイッチ機能が得られることも、上記３．の（２）で引用例２をその例として摘記したとおり、周知技術である。他に必要ならば、特開２００３−２９８３０３号公報（図１、図２にそれぞれ示される、２つのダイオードのアノードとカソードの向きが互いに逆構成のダイオードスイッチ、及び、その構成／動作等を記載した【０００８】〜【００１８】）、特開２００４−１８７１２９号公報（図９、図１０にそれぞれ示される、２つのダイオードのアノードとカソードの向きが互いに逆構成のダイオードスイッチ、及び、その構成／動作等を記載した【００１７】〜【００１８】）を参照されたい。そしてまた、上記ダイオードスイッチ回路を構成する２つのダイオードのアノードとカソードの向きを逆にすることは、当該ダイオードによるスイッチング機能に対する変更に過ぎず、引用例１発明の構成である、「λ／４伝送線路ＳＬに対して並列に」「コンデンサＣ２」を接続したことによる機能（動作）に対してそれを阻害するような直接的な影響を及ぼすものではない。
　してみると、引用例１発明に上記周知技術を適用することにより、引用例１発明のスイッチ回路を構成する第１及び第２のダイオードのアノードとカソードの向きを逆にして、相違点に係る本願発明の構成とすることは、その適用に阻害要因も見当たらず、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）本願発明の効果について
　本願発明の構成によってもたらされる効果について、本願明細書の発明の詳細な説明によれば、スイッチ回路内の伝送線路と並列にコンデンサを接続する構成とすることにより、良好な送受信間のアイソレーション特性を得ることが示されているが、該構成によるどのような作用（動作）により得られるかについては、【００２７】に「図６に示されるように、伝送線路Ｌ１と並列にコンデンサＣａ１を設けることによって、コンデンサＣａ１を設けない場合に比べて、アイソレーションを改善できることがわかった。」、また、【００３７】に「…伝送線路に並列にコンデンサを接続し、このコンデンサの容量値を調整、最適化することによりアイソレーションを改善させることが可能である。」の記載があるのみで、明瞭に示されていない。
　一方、引用例１については、上記３．の（１）で摘記のとおり、【００１５】に「…λ／４伝送線路ＳＬとコンデンサＣ２とからなる並列共振回路が形成され、この並列共振回路が低域通過フィルタとして働く」ことが示されており、アイソレーション特性について直接触れた記載は見当たらない。しかしながら、【００２６】、【００２７】及び図５の減衰特性図によれば、「λ／４伝送線路ＳＬとコンデンサＣ２とからなる並列共振回路による減衰極が２．６ＧＨｚ付近に発生し、高周波領域の減衰が大きくなっていることが理解される」ことが示されており、すなわち、高周波領域に関してそのアイソレーション特性の改善に寄与するものであることが示唆されているといえる。
　したがって、本願発明の構成によってもたらされる効果は、引用例１発明から、当業者が容易に予測することができる程度のものといえ、格別のものとまではいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び上記の周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。