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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約４〜約４０％の熱誘導結晶化度を有する未配向の結晶化可能熱可塑性物質を含むプレフォームを形成して、該プレフォームを（Tg＋４５℃）（式中、Tgは結晶化可能熱可塑性物質の非晶質ガラス転移点である）以上の温度にて延伸配向して、約２０〜約６０％の総結晶化度を有する配向結晶化熱可塑性物品を提供することを含む、配向結晶化熱可塑性物品の加工方法。
【請求項２】
前記結晶化可能熱可塑性物質はポリエステルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記結晶化可能熱可塑性物質はポリエチレンテレフタレート樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プレフォームは、約１０〜約４０％の熱誘導結晶化度を有する未配向のポリエチレンテレフタレート樹脂を含み、該プレフォームを約１２５℃〜約２０５℃の温度にて二軸延伸配向する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プレフォームは、ポリエチレンテレフタレート、２５モル％以下のエチレンイソフタレート単位を含むポリエチレンテレフタレートのコポリマー、２５％以下のエチレンナフタレート単位を含むポリエチレンテレフタレートのコポリマーから選択される未配向のポリエチレンテレフタレート樹脂を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プレフォームは、約４〜約２０％の熱誘導結晶化度を有する未配向のポリエチレンテレフタレート樹脂を含む成形プレフォームであり、前記配向結晶化熱可塑性物品は約１２５℃〜約１５０℃の範囲にある温度にて延伸ブロー成形されたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記配向結晶化熱可塑性物品は、ポリエチレンテレフタレート樹脂を含むブロー成形ボトルである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
約２５％〜約４０％の熱誘導結晶化度を有する未配向の結晶化可能熱可塑性物質を含むフィルムを（Tg＋４５℃）（式中、Tgは結晶化可能熱可塑性物質の非晶質ガラス転移点である）以上の温度にて延伸配向することにより加工された、約２０％〜約６０％の総結晶化度を有する配向結晶化熱可塑性物品。
【請求項９】
前記フィルムは、約１２５℃〜約２０５℃の温度にて二軸延伸配向されたものである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
実質的に非晶質である結晶化可能熱可塑性物質プレフォームを第１の温度T1にて熱的に結晶化させて結晶化プレフォームを提供し、該結晶化プレフォームを第１の温度T1以上の第２の温度T2（T2≧T1）にて延伸配向させることを含む、高度に配向した熱可塑性物品の加工方法。
【請求項１１】
前記プレフォームは、約４〜約４０％の結晶化度のレベルまで熱的に結晶化される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の温度T1は、（Tg＋４５℃）（式中、Tgは前記熱可塑性物質の非晶質ガラス転移点である）以上である（T1≧（Tg＋４５℃））、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記結晶化可能熱可塑性物質はポリエステルである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記結晶化可能熱可塑性物質はポリエチレンテレフタレート樹脂である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記プレフォームはポリエチレンテレフタレート樹脂を含み、前記第１の温度T1は約１２２℃〜約１５０℃の範囲にあり、前記結晶化プレフォームはブロー成形により延伸配向される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記プレフォームはポリエチレンテレフタレート樹脂であり、前記第１の温度T1は約１２５℃〜約２０５℃の範囲にあり、前記結晶化プレフォームは二軸延伸配向される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記高度に配向された熱可塑性物品は約１５％よりも大きい総結晶化度を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
実質的に非晶質であるポリエチレンテレフタレート樹脂プレフォームを約１２２℃〜約１８０℃の範囲にある第１の温度T1にて加熱して、約４％〜約４０％の熱誘導結晶化度を有する結晶化プレフォームを提供し、該プレフォームを約１２５℃〜約２０５℃の範囲にあり第１の温度T1以上の第２の温度T2（T2≧T1）にて延伸配向することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
実質的に非晶質であるポリエチレンテレフタレート樹脂プレフォームを約１２２℃〜約１５０℃の範囲にある第１の温度T1にて加熱して、約４％〜約４０％の熱誘導結晶化度を有する結晶化プレフォームを提供し、該プレフォームを第１の温度T1以上の第２の温度T2（T2≧T1）にてブロー成形して、約２０％〜約６０％の範囲にある総結晶化度を有するブロー成形容器を提供することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
約４００Kpsiよりも大きな引っ張り係数を有し、３℃／minの速度にて加熱されたフィルム被検体に対するDMAにより決定された１００℃にて１０分後の収縮率が約５％未満である、熱結晶化配向ポリエチレンテレフタレートホモポリマー又はコポリマー樹脂物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料混合物を継続的に濾過するための装置、特に、プラスチック溶融物から不純物を分離するための装置であって、
ハウジング（１）内に配置された中空の円筒形フィルタ（２）と、
前記フィルタ（２）内に配置された内部チャンバ（１５）と、
前記フィルタ（２）の外表面及び前記ハウジング（１）の内壁によって規定される環状チャンバ（２２）と、
前記フィルタ（２）に保持される不純物を除去するための清掃装置（２３，２４）と、
を含み、
前記ハウジング（１）内において、前記フィルタ（２）が、軸（３）に対してモータ駆動により回動するよう配置され、
前記清掃装置（２３，２４）が、前記フィルタ（２）に保持される不純物を径方向に除去するための少なくとも１つのワイパ（２３，２８，３０）と、前記ワイパ（２３，２８，３０）によって前記フィルタ（２）に保持された不純物を外部に運び出すための搬送装置（２４）を備え、
モータ駆動のロータリ駆動の前記フィルタ（２）及び前記搬送装置（２４）が、お互いから独立して駆動される、ことを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記ワイパ（２３，２８，３０）が、前記フィルタ（２）に対して角度を付けて配置されている、ことを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の装置であって、
前記ワイパ（２３，２８，３０）が、前記フィルタ（２）の正中面（４０）に対して、ある所定のピッチ角（α）で配置されている、ことを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記ワイパ（２３，２８，３０）の前記ピッチ角（α）を変更することができる、ことを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の装置であって、
前記ワイパ（２３，２８，３０）が、前記ハウジング（１）内に回動可能に配置されたシャフト（２６）上に配置されている、ことを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の装置であって、
前記搬送装置（２４）が、前記フィルタ（２）の前記回転軸（３）と平行に配置されたモータ駆動の搬送ネジである、ことを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記フィルタ（２）の回転速度及び前記搬送装置（２４）の回転速度を、互いに独立して制御できる、ことを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１つに記載の装置であって、
前記ワイパ（２３，２８，３０）が、前記搬送ネジ（２４）の直近の近辺に配置されている、ことを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１つに記載の装置であって、
前記フィルタ（２）が、支持体（１２）に支持されたフィルタチューブ（１１）であって、流れの方向に沿って広がる複数の通過開口部（１０）を有するフィルタチューブ（１１）を備える、ことを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記支持体（１２）が、フィルタチューブ（１１）を支持する狭いリブ状の要素（３９）を、間に有する、いくつかの円周収集溝（１３）を備える、ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１つに記載の装置であって、
前記フィルタ（２）は、前記ハウジング（１）に回動可能に配置された、支持シャフト（４）上に着脱可能に取付けられている、ことを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記支持シャフト（４）が、前記内部チャンバを形成する、いくつかの収集スロット（１５）を備える、ことを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１つに記載の装置であって、
前記ワイパは、バネ（３２）によって前記フィルタ（２）へと押されるスクレーパナイフ（２３）である、ことを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１から１２のいずれか１つに記載の装置であって、
前記ワイパが、飛び出しナイフ（２８）である、ことを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項６から１４のいずれか１つに記載の装置であって、
前記フィルタ（２）及び前記搬送装置（２４）が、同一の回転方向又は逆の回転方向を有する、ことを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
フィルタは容易に製造でき、また、フィルタは、複数の通過開口部が設けられたフィルタチューブを含み、このフィルタチューブは支持体によって支持される。このフィルタチューブは、好適には、耐摩耗性の材料により形成され、任意に、この材料を追加のコーティングで被覆してもよい。通過開口部は好適には、流れの方向に沿って幅が広がる断面を有しており、例えば、電子線又はレーザ処理によって生成される、円錐形の穴の形であってもよい。支持体は、好適には中空の円筒であり、フィルタチューブを支える表面上に、狭いリブ状の接触部材を間に有する、いくつかの円周収集溝を備える。よって、大きな開口フィルタ表面を有する安価なフィルタが可能となる。フィルタは、耐摩耗性が非常に高く、必要であれば、容易に交換できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月3日(2006.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記プロセッサユニット（６）は、前記計測手段（１２）が前記噴霧ヘッド（４１）と前記媒体（８）との距離が、所定の最小値と前記所定の最大値とによって決まる範囲内にあると判断し、同時に、前記動き検出手段（１４；６、１２）が前記噴霧ヘッド（４１）の動きを検出したときに前記液体噴霧装置（４）を作動させるように構成されている、請求項１に記載の用具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適切に調整された現在の個別の送信電力によって達成できる個別の品質係数に適合する特定の所定の所要エラーレートを有する種々の多重化されたサービスの組を、受信時の大域的な品質係数に対応した大域的な送信電力で、同時に送信する伝送システムにおいて、
所与のサービスについて、前記特定の所定の所要エラーレートと測定された現在のエラーレートとの間の差の推定値に関して前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップを含む、
資源を最適化する方法。
【請求項２】
前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップが、前記サービスの送信中に繰り返しまたはパンクチャされるべきビット数に関連し、前記サービスに関連付けられたレートマッチングパラメータを動的に適応させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝送システムが前記種々の多重化されたサービスの組によって通信できるようにされた少なくとも一つの発信機および受信機を含み、
前記受信機に、
初期レートマッチングパラメータを導出し、前記初期レートマッチングパラメータを前記発信機へ送信するため、基準値から前記対応した特定の所定の所要エラーレートに適合する前記個別の品質係数の推定値を決定するステップと、
前記基準値の外挿された更新値を導出するため、所与のサービスの現在のエラーレートおよび前記対応した大域的な品質係数を測定するステップと、
前記更新値から、中間的な大域的な品質係数の推定値、および、前記所与のサービスの前記特定の所定の所要エラーレートに適合する対応した所要の個別の品質係数を導出するステップと、
何れか二つのサービスに対する前記中間的な大域的な品質係数の推定値が異なる場合に、前記ステップによって導出された前記所要の個別の品質係数に基づいて前記レートマッチングパラメータを適応させるステップと、
前記現在のエラーレートが共通の中間的な大域的な品質係数の推定値のための前記特定の所定の所要エラーレートを満たす場合に、前記現在のレートマッチングパラメータを格納する最終ステップと、
前記現在のエラーレートおよび前記対応した大域的な品質係数を測定するステップへ戻るステップと、
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
適切に調整された現在の個別の送信電力を必要とする品質係数に関連付けられた特定の所定の所要エラーレートを有する特定のトランスポートチャネルでブロック符号化データを運ぶ種々の所定のサイズのトランスポートデータブロックの組により構成された種々の多重化されたサービスの組を、大域的な送信電力で、同時に送信する伝送システムにおいて、
前記トランスポートデータブロックの前記所定のサイズに関して前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップを含む、
資源を最適化する方法。
【請求項５】
前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップが、前記サービスの送信中に繰り返しまたはパンクチャされるべきビット数に関連し、前記サービスに関連付けられたレートマッチングパラメータを符号ブロックサイズの変更時に動的に適応させるステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記サービスに関連付けられたレートマッチングパラメータを符号ブロックサイズの変更時に動的に適応させるステップが、
トランスポートデータブロックの組内で、所定の範囲内だけで異なる品質係数に関連付けられたトランスポートデータブロックを含むグループを決定する準備ステップと、
前記グループの関連付けられた品質係数に対応した所定のルールに関して前記レートマッチングパラメータを計算するステップと、
を含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップが、前記特定の所定の所要エラーレートに適合する個別の品質係数を導出するため、前記トランスポートデータブロックに関連した符号ブロックサイズ符号化利得を推定するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
適切に調整された現在の個別の送信電力によって達成できる品質係数に適合する特定の所定の所要エラーレートを有する種々の多重化されたサービスの組を大域的な送信電力で同時に送信する発信機および受信機を備えた伝送システムであって、
所与のサービスについて、前記特定の所定の所要エラーレートと測定された現在のエラーレートとの間の差の推定値に関して前記現在の個別の送信電力を平衡化する手段を含む、資源最適化手段を備えた伝送システム。
【請求項９】
適切に調整された現在の個別の送信電力によって達成できる品質係数に適合する特定の所定の所要エラーレートを有する種々の多重化されたサービスの組を大域的な送信電力で同時に送信する発信機および受信機を備えた伝送システムにおいて、
所与のサービスについて、前記特定の所定の所要エラーレートと測定された現在のエラーレートとの間の差の推定値に関して前記現在の個別の送信電力を平衡化する手段を含む、資源最適化手段を備えた受信機。
【請求項１０】
適切に調整された現在の個別の送信電力によって達成できる個別の品質係数に適合する特定の所定の所要エラーレートを有する種々の多重化されたサービスの組を、受信時の大域的な品質係数に対応した大域的な送信電力で、同時に送信する伝送システムにおける受信機のためのコンピュータプログラムであって、
所与のサービスについて、前記特定の所定の所要エラーレートと測定された現在のエラーレートとの間の差の推定値に関して前記現在の個別の送信電力を平衡化するステップを含む、資源を最適化するためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
歪まされた所望の信号ｚを伝える信号入力と、参照信号入力と、両方の信号入力に結合され前記所望の信号の歪みに関する推定値として作用する参照信号ｘを用いて前記歪まされた所望の信号ｚを処理するためのスペクトル処理器とを有する音響システムにより歪みのない所望の信号を生成する方法において、前記信号入力に歪まされた所望の信号ｚを伝え、前記参照信号入力に参照信号を伝えるステップと、前記スペクトル処理器により前記信号ｚ及びｘにおける時間に対して本質的に静的であるような成分間のスペクトル比として因数Ｃ’を決定して前記歪まされた所望の信号ｚを処理するステップとを有し、前記推定値は前記因数Ｃ’及び前記参照信号のスペクトルパワーの積の関数であることを特徴とする、歪みのない所望の信号を生成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記カーボンフォーム電流コレクタは、グラファイトフォームであり、電気抵抗率が約１００〜４００μｏｈｍ−ｃｍである請求項１に記載の電極プレート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
カーボンフォームに加え、電流コレクタ２０を形成するのにグラファイトフォームを使用することもできる。そのようなグラファイトフォームの１つは、商標ＰｏｃｏＦｏａｍのもとに、Ｐｏｃｏ Ｇｒａｐｈｉｔｅ社から販売されている。グラファイトフォームの密度及び孔の構造は、カーボンフォームのものと類似している。グラファイトフォームとカーボンフォームとの主な違いは、構造エレメント４２を構成する炭素原子の配向である。たとえば、カーボンフォームでは、炭素が本質的にアモルファスな状態にある。他方、グラファイトフォームでは、多くの炭素がグラファイトの階層構造に順序付けられる。グラファイト構造の規則性により、グラファイトフォームは、カーボンフォームよりも高い導電性を示す。ＰｏｃｏＦｏａｍ・グラファイトフォームは、約１００〜４００μｏｈｍ−ｃｍの電気抵抗率を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の論理要素領域を形成する方法であって、前記集積回路は基板上に製造され、前記方法は、
第１トランジスタゲート材料レイヤを備える第１ゲート構造を前記基板上に形成すること、
第２トランジスタゲート材料レイヤを備える第２ゲート構造を前記基板上に形成すること
を含み、
前記第１トランジスタゲート材料レイヤは、前記第２トランジスタゲート材料レイヤとは異なり、
前記第２ゲート構造の第２部分は、前記第１ゲート構造の第１部分上に形成され、それによって第１オーバラップゲート領域を形成する
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板上に前記第１トランジスタゲート材料レイヤを形成すること、および
その後、前記基板上に前記第２トランジスタゲート材料レイヤを形成すること
をさらに含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記第１ゲート構造は、第１厚さを有するように形成され、
前記第２ゲート構造は、第２厚さを有するように形成される
方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、
前記基板上に第１誘電体レイヤを形成すること、
その後、前記基板上に前記第１トランジスタゲート材料レイヤを形成すること、
その後、前記基板上に第２誘電体レイヤを形成すること、および
その後、前記基板上に前記第２トランジスタゲート材料レイヤを形成すること
をさらに含む方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法であって、前記第１ゲート材料レイヤおよび前記第２ゲート材料レイヤは、ポリシリコン材料をそれぞれ含む方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、前記第１および第２ゲート誘電体レイヤは二酸化珪素をそれぞれ含む方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法であって、前記第１誘電体レイヤは、第１厚さを有するように形成され、
前記第２誘電体レイヤは、第２厚さを有するように形成される
方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、
第１厚さを有する誘電体レイヤを前記第１ゲート構造および前記第２ゲート構造の間に形成すること
をさらに含み、
前記第２ゲート構造の前記第２部分および前記第１ゲート構造の前記第１部分の間の間隔は、前記誘電体レイヤの前記第１厚さに実質的に等しい
方法。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の方法であって、前記論理要素は、２つの直列に接続されたトランジスタのパフォーマンス特性に実質的に類似するパフォーマンス特性を示すように設計される回路部分を含み、
前記第１ゲート構造および第２ゲート構造は前記回路部分のトランジスタのゲート群に対応し、
前記方法は、
前記回路部分のソース領域として機能する第１ドーピング領域を前記基板中に形成すること、
前記回路部分のドレイン領域として機能する第２ドーピング領域を前記基板中に形成すること、および
前記ソースおよびドレイン領域の間で電流が流れるよう設計された活性領域を前記ソースおよびドレイン領域の間の前記基板中に形成すること
をさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記第１ゲート構造の前記第１部分は、前記第２ゲート領域の前記第２部分および前記回路部分の活性領域の間に挟まれる方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法であって、前記論理要素は、並列に接続された２つのトランジスタのパフォーマンス特性に実質的に類似するパフォーマンス特性を示すように設計される回路部分を含み、
前記第１ゲート構造および第２ゲート構造は前記回路部分のトランジスタのゲート群に対応し、
前記方法は、
前記回路部分のソース領域として機能する第１ドーピング領域を前記基板中に形成すること、
前記回路部分のドレイン領域として機能する第２ドーピング領域を前記基板中に形成すること、および
前記ソースおよびドレイン領域の間で電流が流れるよう設計された活性領域を前記ソースおよびドレイン領域の間の前記基板中に形成すること
をさらに含む方法。
【請求項１２】
請求項９または１１に記載の方法であって、前記回路部分は、前記第１ドーピング領域の
ドーピング特性に実質的に類似するドーピング特性を有する第３ドーピング領域を欠く方法。
【請求項１３】
請求項９または１１に記載の方法であって、前記回路部分は、フローティングゲート構造を欠く方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかに記載の方法であって、前記第１オーバラップゲート領域の大部分が前記活性領域上にあり、
前記オーバラップゲート部分の幅は、前記活性領域の幅以下である
方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記第１ゲート構造の前記第１部分は、前記活性領域上に形成され、
前記第２ゲート構造の少なくとも一部は前記第１ゲート構造の前記第１部分の一部のみの上に形成される
方法。
【請求項１６】
請求項１１〜１３に記載の方法であって、前記第１オーバラップゲート領域の大部分が前記活性領域上にあり、
前記第１ゲート構造の前記第１部分は前記活性領域上に形成され、
前記第２ゲート構造の少なくとも一部は、前記第１ゲート構造の前記第１部分の全体の上に形成される
方法。
【請求項１７】
請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法であって、前記回路部分は、単一のソース領域を含む方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の方法であって、前記論理要素は、ＮＡＮＤゲート、ＡＮＤゲート、ＮＯＲゲート、ＯＲゲート、ＸＯＲゲート、ＡＳＩＣ、ＳＲＡＭセル、およびラッチのグループから選択される要素に対応する方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の方法であって、前記論理要素はフローティングゲートを欠く方法。
【請求項２０】
集積回路上に形成された論理要素であって、前記集積回路は基板上に製造され、前記論理要素は、
第１トランジスタゲート材料レイヤを備える、前記基板上に形成された第１ゲート構造、
第２トランジスタゲート材料レイヤを備える、前記基板上に形成された第２ゲート構造を備え、
前記第１トランジスタゲート材料レイヤは、前記第２トランジスタゲート材料レイヤとは異なり、
前記第２ゲート構造の第２部分は、前記第１ゲート構造の第１部分上に形成され、それによって第１オーバラップゲート領域を形成する
論理要素。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラム信号(programme signal)を生成あるいは修正して、プログラム記録装置上での複製に対する保護を提供する方法であって、
プログラム信号、又は、情報のライン(lines)に分割された、プログラム信号を生成するための情報を受信するステップであって、当該信号が、受信機のスクリーン上でプログラムの同期をとるための水平同期パルス及び垂直同期パルスを有するものであるステップ、
画像情報を含むラインの水平ブランキング期間(interval)中の前記プログラム信号中に、及び、垂直ブランキング領域（region）内のライン中に、パルスを付加するステップ、
前記プログラム信号の垂直同期パルスに第１の変調信号を付加するステップ、
プログラム信号のフレームの底部(bottom)において、前記垂直ブランキング領域の近傍の画像情報のラインに第２の変調信号を付加するステップ、
を含む方法であって、
前記プログラム信号に付加された、前記パルス、及び、前記第１の及び第２の変調信号が、前記信号が、前記記録装置によって複製されたときに、前記複製された信号の再製の中に干渉が生成されるために十分(sufficient)であり、複製されていないプログラム信号の再製において干渉が不可視的である、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路装置を形成する方法において、
半導体基板を提供する工程と、
第１の頂部と、ほぼ垂直で互いに向かい合う第１のサイドウォールおよび第２のサイドウォールとを有した第１のパターン層を前記半導体基板上に形成する工程と、
第２の頂部と、ほぼ垂直で互いに向かい合い、かつ前記第１のサイドウォールおよび前記第２のサイドウォールとそれぞれほぼ共通の平面にある第３のサイドウォールおよび第４のサイドウォールとを有した第２のパターン層を前記誘電体パターン層上に形成する工程と、
前記第２のパターン層の上方に反射防止膜（ＡＲＣ）を形成する工程と、
前記第１の頂部および前記第２の頂部の上方、かつ前記第１のサイドウォール、前記第２のサイドウォール、前記第３のサイドウォールおよび前記第４のサイドウォールに近接して、第１の誘電体層を形成する工程と、
前記第１のサイドウォールおよび前記第３のサイドウォールに近接する第１の誘電体領域と、前記第３のサイドウォールおよび前記第４のサイドウォールに隣接する第２の誘電体領域とを形成するために、前記第１の誘電体層の、前記第１の頂部および前記第２の頂部の上方に形成される前記第１の誘電体層の領域を含む部分を除去する工程と、
前記第１の誘電体層の前記部分の除去後に前記ＡＲＣを除去する工程と、
前記第１のパターン層および第２のパターン層の下方に、半導体基板内にチャネル領域を形成する工程とを有する前記方法。
【請求項２】
集積回路装置を形成する方法において、
半導体基板を提供する工程と、
前記半導体基板上に誘電体パターン層を形成する工程と、
前記誘電体パターン層の上方に導電体パターン層を形成する工程と、
前記導電体パターン層の上方に反射防止膜（ＡＲＣ）を形成する工程と、
前記誘電体パターン層および前記導電体パターン層の上方に第１の誘電体層を形成する工程と、
前記第１の誘電体層の上方に第２の誘電体層を形成する工程と、
前記第２の誘電体層の上方に第１の層を形成する工程と、
前記誘電体パターン層および前記導電体パターン層に近接する第１のパターン層を形成
するために前記第１の層の部分を除去する工程と、
前記第１のパターン層に近接する第１の誘電体領域を形成するために前記第２の誘電体の部分を除去する工程と、
前記第１の誘電体領域に近接する第２の誘電体領域を形成するために前記第１の誘電体の部分を除去する工程と、
前記第１の誘電体層の部分の除去後に前記ＡＲＣを除去する工程とを有する前記方法。
【請求項３】
集積回路装置を形成する方法において、
第１の部分および第２の部分を持つ半導体基板を提供する工程と、
前記半導体基板の前記第１の部分上に形成されるゲート誘電体と、前記ゲート誘電体上に形成されるゲート電極とを有するゲートスタックを形成する工程と、
前記ゲートスタックの上方に第１のパターン反射防止膜（ＡＲＣ）を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第２の部分の上方に形成される電荷記憶層と、前記電荷記憶層の上方に形成される第１の誘電体層とを有する不揮発性メモリスタックを形成する工程と、
前記不揮発性メモリスタックの上方に第２のパターンＡＲＣを形成する工程と、
前記ゲートスタックおよび前記不揮発性メモリスタックの上方に第２の誘電体層を形成する工程と、
前記ゲートスタックおよび前記不揮発性メモリスタックに隣接する第１のスペーサを形成するために前記第２の誘電体層の部分を除去する工程と、
前記第２の誘電体層の部分の除去後に前記第１のパターンＡＲＣおよび前記第２のパターンＡＲＣを除去する工程と、
前記ゲートスタックの下方に第１のチャネルを形成する工程と、
前記不揮発性メモリスタックの下方に第２のチャネルを形成する工程とを有する方法。
【請求項４】
集積回路装置において、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される誘電体パターン層と、前記誘電体パターン層上に形成される伝導体パターン層と、第１のサイドウォールと、前記第１のサイドウォールに隣接する第２のサイドウォールとを有するスタックと、
前記半導体基板内にあり前記第１のサイドウォールに隣接する第１の電極領域と、
前記半導体基板内にあり前記第２のサイドウォールに隣接する第２の電極領域と、
前記第１の電極領域および前記第２の電極領域の間にあり前記スタックの下方にあるチャネル領域と、
前記第１のサイドウォールおよび前記第２のサイドウォールに近接する、第１の高さを持つ酸化物スペーサと、
前記第１の酸化物スペーサに隣接し、および前記第１の高さよりも低い第２の高さを持つ窒化物スペーサとを有する前記集積回路。
【請求項５】
集積回路装置において、
頂部表面を持つ半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第１の層と、前記第１の層上に形成される第２の層と、第１のサイドウォールと、前記第１のサイドウォールと向かい合う第２のサイドウォールとを有するスタックと、
前記半導体基板の前記頂部表面の第１の部分はその下にあり、第２の部分は前記スタックの下にあり、前記第１の部分は前記第２の部分と事実上共通平面にある、前記第１のサイドウォールおよび前記第２のサイドウォールが近接するスペーサと、
前記半導体基板内で前記第１のサイドウォールに隣接する第１のドープ領域と、
前記半導体基板内で前記第２のサイドウォールに隣接する第２のドープ領域と、
前記第１のドープ領域および第２のドープ領域の間かつ前記半導体基板内にあるチャネル領域とを有する前記集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、高分子バインダ、前記高分子バインダ中に配置されたトリアリールアミン正孔輸送材料、および、前記高分子バインダ中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。
【請求項２】
電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、（ａ）複数のトリアリールアミン部分を含んでなる高分子正孔輸送材料、および、（ｂ）前記高分子正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。
【請求項３】
電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、トリアリールアミン正孔輸送材料、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された色変換材料、および、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。
【請求項４】
電極、
発光材料を含んでなる発光層、並びに、
前記電極と前記発光層との間に配置され、かつ前記電極および前記発光層と電気的に通じているバッファ層、
を含んでなるエレクトロルミネセンス・デバイスであって、前記バッファ層が、トリアリールアミン正孔輸送材料、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された複数の光散乱粒子、および、前記トリアリールアミン正孔輸送材料中に配置された電子受容体材料を含んでなる、エレクトロルミネセンス・デバイス。
【請求項５】
エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
電極を形成するステップと、
高分子バインダ、トリアリールアミン正孔輸送材料、および電子受容体材料を含んでなるバッファ層を、溶液から前記電極の上にコーティングするステップと、
前記バッファ層の上に発光層を配置するステップと、
を含んでなり、前記電極、バッファ層、および発光層が電気的に通じており、前記発光層が発光材料を含んでなる、方法。
【請求項６】
エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
ドナー基板上に正孔注入転写層を形成するステップであって、前記バッファ層がトリアリールアミン正孔輸送材料および電子受容体材料を含んでなるステップと、
レセプタ基板上に電極を形成するステップと、
前記バッファ層の一部を前記レセプタ基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に選択的に熱転写するステップと、
前記レセプタ基板の上に選択的に熱転写された前記バッファ層の前記部分の上に発光層を配置するステップと、
を含んでなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を供給する電源装置、
前記電源装置によりパワーが供給される少なくとも３個のマグネトロン装置、
前記３個のマグネトロン装置の各々への電流の量を割当てる制御回路、
を有しているシステム。
【請求項２】
請求項１において、前記制御回路が前記マグネトロン装置のうちの第一のものに到達する電流の量及び前記マグネトロン装置のうちの第二のものに到達する電流の量を制御するシステム。
【請求項３】
請求項１において、前記電源装置がほぼ一定の電流を供給するシステム。
【請求項４】
請求項１において、前記制御回路が、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第一のものとの間に結合されている第一ホール効果センサー、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第二のものとの間に結合されている第二ホール効果センサー、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第三のものとの間に結合されている第三ホール効果センサー、を有しているシステム。
【請求項５】
請求項４において、前記マグネトロン装置のうちの前記第一のものがマスターマグネトロン装置を有しており、前記マグネトロン装置のうちの前記第二のものがスレーブマグネトロン装置を有しており、且つ前記マグネトロン装置のうちの前記第三のものがスレーブマグネトロン装置を有しているシステム。
【請求項６】
請求項４において、前記第一ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第一のものにおける電流を検知し、前記第二ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第二のものにおける電流を検知し、且つ前記第三ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第三のものにおける電流を検知するシステム。
【請求項７】
請求項６において、前記制御回路が、更に、前記第一ホール効果センサーの出力と前記第二ホール効果センサーの出力とを比較する第一比較装置を有しているシステム。
【請求項８】
請求項７において、前記制御回路が、更に、前記第一ホール効果センサーの出力と前記第三ホール効果センサーの出力とを比較する第二比較装置を有しているシステム。
【請求項９】
少なくとも３個のマグネトロン装置へパワーを供給する電源装置、
前記少なくとも３個のマグネトロン装置の各々への電流の量を割当てる制御手段、
を有しているシステム。
【請求項１０】
請求項９において、前記制御手段が、前記マグネトロン装置のうちの第一のものに到達する電流の量及び前記マグネトロン装置のうちの第二のものに到達する電流の量を制御するシステム。
【請求項１１】
請求項９において、前記電源装置がほぼ一定の電流を供給するシステム。
【請求項１２】
請求項９において、前記制御手段が、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第一のものとの間に結合されている第一ホール効果センサー、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第二のものとの間に結合されている第二ホール効果センサー、前記電源装置と前記マグネトロン装置のうちの第三のものとの間に結合されている第三ホール効果センサーを有しているシステム。
【請求項１３】
請求項１２において、前記マグネトロン装置のうちの前記第一のものがマスターマグネトロン装置を有しており、前記マグネトロン装置のうちの前記第二のものがスレーブマグネトロン装置を有しており、且つ前記マグネトロン装置のうちの前記第三のものがスレーブマグネトロン装置を有しているシステム。
【請求項１４】
請求項１２において、前記第一ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第一のものにおける電流を検知し、前記第二ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第二のものにおける電流を検知し、且つ前記第三ホール効果センサーが前記マグネトロン装置のうちの前記第三のものにおける電流を検知するシステム。
【請求項１５】
請求項１４において、前記制御手段が、更に、前記第一ホール効果センサーの出力と前記第二ホール効果センサーの出力とを比較する第一比較装置を有しているシステム。
【請求項１６】
請求項１５において、前記制御手段が、更に、前記第一ホール効果センサーの出力と前記第三ホール効果センサーの出力とを比較する第二比較装置を有しているシステム。
【請求項１７】
電源装置、
各々が前記電源装置によりパワーが供給される第一マグネトロン装置及び第二マグネトロン装置、
前記第一マグネトロン装置を介しての電流を検知する第一センサー装置、
前記第二マグネトロン装置を介しての電流を検知する第二センサー装置、
前記第一センサー装置の出力と前記第二センサー装置の出力とを比較する第一比較装置、
前記第一比較装置の比較に基づいて前記第二マグネトロン装置への電流を調節する第一メカニズム、
を有しているシステム。
【請求項１８】
請求項１７において、更に、
前記電源装置によりパワーが供給される第三マグネトロン装置、
前記第三マグネトロン装置を介しての電流を検知する第三センサー装置、
前記第三センサー装置の出力と前記第一センサー装置の出力とを比較する第二比較装置、
前記第二比較装置の比較に基づいて前記第三マグネトロン装置への電流を調節する第二メカニズム、
を有しているシステム。
【請求項１９】
少なくとも３個のマグネトロン装置へパワーを供給する方法において、
第一マグネトロン装置へ第一信号線に沿って第一電流を供給し、
第二マグネトロン装置へ第二信号線に沿って第二電流を供給し、
第三マグネトロン装置へ第三信号線に沿って第三電流を供給し、
前記第二及び第三マグネトロン装置の各々への電流の量を割当てる、
ことを包含している方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記割当てを行う場合に、前記第一電流を検知し、前記第二電流を検知し且つ前記第三電流を検知し、且つ前記第二マグネトロン装置への前記第二電流を調節し且つ前記第三マグネトロン装置への前記第三電流を調節する、ことを包含している方法。
【請求項２１】
請求項２０において、前記割当てを行う場合に、更に、前記検知した第一電流と前記検知した第二電流とを比較することを包含している方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記割当てを行う場合に、更に、前記検知した第一電流と前記検知した第三電流とを比較することを包含している方法。
【請求項２３】
第一マグネトロン装置へパワーを供給し、
第二マグネトロン装置へパワーを供給し、
前記第一マグネトロン装置を介しての電流を検知し、
前記第二マグネトロン装置を介しての電流を検知し、
前記第一マグネトロン装置を介しての前記検知した電流及び前記第二マグネトロン装置を介しての前記検知した電流を比較し、
前記第一マグネトロン装置を介しての前記検知した電流及び前記第二マグネトロン装置を介しての前記検知した電流の比較に基づいて前記第二マグネトロン装置への電流を調節し、
第三マグネトロン装置へパワーを供給し、
前記第三マグネトロン装置を介しての電流を検知し、
前記第一マグネトロン装置を介しての前記検知した電流及び前記第三マグネトロン装置を介しての前記検知した電流を比較し、
前記第一マグネトロン装置を介しての前記検知した電流と前記第三マグネトロン装置を介しての前記検知した電流との比較に基づいて前記第三マグネトロン装置への電流を調節する、
ことを包含している方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号を処理するシステムであって、前記システムはビデオ信号を受信するように構成されたレシーバを有し、前記ビデオ信号の少なくとも１つのビデオフレームは複数の放送データソースの各々に対応する少なくとも１つのエリアを有するところのシステムにおいて、
前記システムは、画像分析アルゴリズムを用いることにより、前記ビデオフレームを処理して前記ビデオフレームの少なくとも１つから前記エリアの少なくとも一部を抽出するように構成されたプロセッサを有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記エリアまたは前記エリアの一部は方形であることを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシステムであって、前記プロセッサは、前記エリアまたは前記エリアの一部のエッジを検出するように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、前記プロセッサは、各フレームから前記エリアまたは前記エリアの一部の境界を定めるラインを検出するようにさらに構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項３または４に記載のシステムであって、前記プロセッサは、同一のデータソースに対応する前記エリアまたは前記エリアの一部の複数の一連のフレームにおいてエッジを検出するようにさらに構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、前記ビデオフレームの少なくとも１つから抽出される前記エリアまたは前記エリアの一部をユーザ操作可能に示すマーカをさらに有することを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項１、４、または６のいずれか一項に記載のシステムであって、前記抽出されたエリアまたは前記エリアの一部の前記複数の放送データソースとの相関を識別する識別手段をさらに有することを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、各画面エリアにマップされた少なくとも１つの抽出されたエリアまたは前記エリアの一部を示すように構成された表示手段をさらに有することを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、前記システムは、前記複数の放送データソースの各々に対応する少なくとも１つのエリアを有する前記ビデオフレームの受信と、前記放送データソースの選択されたものからビデオフレームの受信とを切り替えるよう動作可能であり、
前記表示手段は、主画面エリアに前記選択された放送データソースの前記受信したビデオフレームを、および複数の副画面エリアの少なくとも１つに少なくとも１つの選択されたエリアまたは前記エリアの一部を示すように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムであって、前記放送データソースの選択されたものからビデオ信号のビデオフレームを受信するように構成されたさらに別のレシーバを有し、
前記表示手段は、主画面エリアに前記さらに別のレシーバにより受信された前記選択された放送データソースの前記ビデオフレームを、複数の副画面エリアの少なくとも１つに少なくとも１つの抽出されたエリアまたは前記エリアの一部を表示するように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のシステムであって、前記表示手段は、前記複数の副画面エリアの各々において少なくとも１つの抽出されたエリアまたは前記エリアの一部の表示をユーザ操作可能に特定するように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、前記表示手段は、少なくとも１つの副画面エリアの大きさおよび／または位置をユーザが特定可能とするように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項１３】
ビデオ信号を受信するよう構成されたレシーバであって、前記ビデオ信号の少なくとも１つのビデオフレームは複数の放送データソースの各々に対応した少なくとも１つのエリアを有するレシーバにおいて、前記ビデオフレームを処理して前記ビデオフレームの少なくとも１つから前記エリアの少なくとも一部を抽出するように構成されたプロセッサを前記レシーバが有することを特徴とするレシーバ。
【請求項１４】
コンピュータプログラムであって、プログラマブルデバイスが前記コンピュータプログラムを実施したとき、請求項１に記載のシステムとして機能できるようにすることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声品質を評価する方法であって、
第１音声信号および第２音声信号についての第１音声品質評価および第２音声品質評価を決定する工程であって、前記第１音声信号が、前記第２音声信号のひずんだバージョンである工程と、
前記第１音声品質と前記第２音声品質とを比較して、補償された音声品質評価を得る工程とを含む方法。
【請求項２】
前記第１音声品質評価および前記第２音声品質評価を決定する前に、前記第２音声信号をひずませて、前記第１音声信号を生成する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１音声品質および前記第２音声品質が、客観的音声品質評価のための同一技法を使用して評価される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記補償された音声品質評価が、前記第１音声品質と前記第２音声品質との差に相当する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記補償された音声品質評価が、前記第１音声品質と前記第２音声品質との比に相当する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１音声品質および前記第２音声品質が、音声の聴覚明瞭度分析を使用して評価される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２音声品質評価及び前記第１音声品質評価を決定する工程が、
前記音声信号またはひずんだ音声信号について明瞭発音電力と非明瞭発音電力とを比較する工程であって、明瞭発音電力および非明瞭発音電力が、前記音声信号または前記ひずんだ音声信号の明瞭発音周波数に関連付けられた電力および非明瞭発音周波数に関連付けられた電力である工程と、
前記比較に基づいて、前記第２音声品質及び前記第１音声品質を評価する工程とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記明瞭発音周波数が、約２〜１２．５Ｈｚである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記明瞭発音周波数が、人間の明瞭発音速度にほぼ対応する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記非明瞭発音周波数が、明瞭発音周波数よりおおよそ高い、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記明瞭発音電力と前記非明瞭発音電力との前記比較が、前記明瞭発音電力と前記非明瞭発音電力との比である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記比が、前記明瞭発音電力および小さい定数を含む分子と、前記非明瞭発音電力と前記小さい定数との和を含む分母とを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記明瞭発音電力と前記非明瞭発音電力との比較が、前記明瞭発音電力と前記非明瞭発音電力との差である、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１音声品質及び前記第２音声品質を評価する工程が、
前記比較を使用して局部音声品質を決定する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記局部音声品質が、ＤＣ成分電力に基づく重み付けファクタを使用してさらに決定される、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１音声品質または前記第２音声品質が、前記局部音声品質を使用して決定される、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
明瞭発音電力と非明瞭発音電力とを比較する前記工程が、
複数の臨界帯域信号から得られた複数の包絡線のそれぞれに対してフーリエ変換を実施する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
明瞭発音電力と非明瞭発音電力とを比較する前記工程が、
複数の臨界帯域信号を得るために、前記音声信号をろ波する工程を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
明瞭発音電力と非明瞭発音電力とを比較する前記工程が、
複数の変調スペクトルを得るために、前記複数の臨界帯域信号について包絡線分析を実施する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
明瞭発音電力と非明瞭発音電力とを比較する前記工程が、
前記複数の変調スペクトルのそれぞれに対してフーリエ変換を実施する工程を含む、請求項１８に記載の方法。