【事件の表示】
　特願２００６−５０３１２４「パネル、基板、およびウエハーの表面特性の全領域光計測」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日国際公開、ＷＯ２００４／０６８０６６、平成１８年　７月　６日国内公表、特表２００６−５１６７３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１月２８日（パリ条約による優先権主張２００３年１月２８日、同年同月２９日（米国））の出願であって、特許請求の範囲について平成２２年１月６日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、同年２月２５日付け（送達：同年３月２日）で拒絶査定がなされ、同年６月２４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に補正がなされた（以下、「補正２」という。）ものである。そして、特許請求の範囲についてした補正２は、請求項の削除を目的としたものであった。
　その後、特許法第１６２条の規定による審査官の審査（前置審査）において、平成２２年８月５日付けで拒絶理由が通知されたところ（以下、「前置拒絶理由」という。）、平成２３年２月８日付けで意見書が提出されるとともに、特許請求の範囲について、同日付けで、誤訳訂正とともに補正がなされた（以下、「補正３」という。）。
　そして、前置拒絶理由の概要は、請求項１ないし４２、４４ないし４７，及び５０に係る各発明は、いずれも、特開昭６３−５０７０９号公報（以下、「引用例１」という。）に記載された発明及び特開平６−６１１３３号公報（以下、「引用例２」という。）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
  その後、当審より、本願は、補正３によっても、なお、前置拒絶理由は解消していない旨の審尋をしたところ、指定した期間を過ぎても、請求人から何らの回答もなかった。
　
２．本願発明　
  本願の請求項１ないし５０に係る発明は、補正３によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
 「互いに対応する位置を有する表側表面及びその反対側の裏側表面を有する、半導体又は光電子のパネル、基板、又はウエハーを用意し、
　実質上均一な波面を有する光プローブビームを用いて少なくとも前記裏側表面上の領域を照射して、少なくとも前記裏側表面上の照射されている前記領域によって引き起こされるゆがみを帯びた反射波面を有する反射プローブビームを生じさせ、
　前記反射プローブビームを光シェアリング干渉計デバイスの中に向け、前記反射波面と、ずれ距離によって空間的にシフトされている前記反射波面の別のレプリカとの間の光干渉模様を取得し、
　前記反射波面と、前記反射波面の前記レプリカとの間の位相シフトを調整して、前記光シェアリング干渉計から、異なる位相シフトの、複数の位相シフトされた干渉模様を取得し、
　前記干渉模様を処理して、前記表側表面の少なくとも一部分であって、前記照射されている少なくとも前記裏側表面上の領域に対応する部分における、表面傾斜に関する情報を取得する、
　ことを特徴とする方法。」（以下、「本願発明」という。） 
　
３．引用例記載の事項・引用発明
（１）引用例１
　前置拒絶理由に引用され、本願最先の優先日前に頒布された引用例１である特開昭６３−５０７０９号公報には、シェアリング干渉法（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）〜（ｄ）が図面とともに記載されている。
（ａ）「［従来の技術］
　光の干渉現象を利用して被測定物体における表面状態等を光学的に測定するために、種々の干渉法が用いられるか、このうちシェアリング干渉法は、被測定波面に対する干渉を行わせるために参照波面を必要としないので、非球面物体を高精度に測定する際等に好適に用いられている。
　かかるシェリング干渉法を実施するために、例えば、第４図に示したような構成を有する干渉装置が従来から用いられている。
　図中において、１は光源としてコヒーレントなレーザ光束を照射するレーザ光源、２は表面形状等を光学的に測定する対象としての被測定物体、３はCCD（電荷結合素子）等からなるエリアセンサをそれぞれ示す。レーザ光源１から照射されたレーザ光束はコリメータレンズ４によって平行光にされて、被測定物体２に向けて照射されるようになっている。」（１頁右下欄２行〜２頁左上欄１行）
（ｂ）「この被測定物体２からの反射光の光路を２つに分割した上で相互に重ね合わせるために、ハーフミラー等からなるビームスプリッタ5,6,7が設置されると共に、反射鏡８が設けられており、前述の反射光はビームスプリッタ５によって反射鏡８を介する光路Ａと、ビームスプリッタ６を介する光路Ｂとに分割され、ビームスプリッタ７において重ね合わされて、エリアセンサ３に入射されるようになっている。そして、光路Ａにおける波面を光路Ｂにおける波面に対して横ずらし、即ちシェアリングさせるために、当該光路Ａにおける反射鏡８とビームスプリッタ７との間の位置には平行平面板９が設置されており、この平行平面板９を光路Ａに対して所定角度傾けることによって、この光路Ａにおける波面を、光路Ｂにおける波面に対して、該平行平面板９の傾き角度に応じた量だけシェアリングさせることができるようになっている。」（２頁左上欄１行〜左上欄末行）
（ｃ）「ここで、この干渉装置は、前述したシェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組合わせたもので、このフリンジスキャンを行わせるために、反射鏡８には圧電素子等のアクチュエータからなる光路長微調整手段10が連結されており、該光路長微調整手段10によって反射鏡８は図中に矢印で示した方向に所定のピッチ間隔で往復移動せしめることができるようになっている。なお、図中11は投光レンズ、12は結像レンズをそれぞれ示す。
　前述のようにして構成される干渉装置によって波面の干渉を行わせるには、平行平面板９を所定角度傾けた状態に保持し、レーザ光源１からコヒーレントなレーザ光束をコリメータレンズ４、ビームスプリッタ6,5及び投光レンズ11を介して被測定物体２に向けて照射する。この被測定物体２の被検面2aからの反射光は投光レンズ11を通過してビームスプリッタ５によって２つの光路A,Bに分割される。光路Ａに沿って進行する光束は平行平面板９で横ずらしされて、光路Ｂから送られる光束とビームスプリッタ７で重ね合わせられることにより、光路Ａにおいて前述のようにシェアリングされた波面が光路Ｂからの波面に対して干渉することになり、この両波面の重なり合いに基づいて、エリアセンサ３において干渉縞の結像が行われることになる。この干渉縞は、シェアリングによる横ずらしを受けた波面と横ずらしを受けない波面との差であり、被測定波面の微分に相当するものであって、このようにして得られた干渉縞情報を解析すれば、被測定物体２の表面形状等の測定を行うことができる。」（２頁右上欄１行〜左下欄１３行）
（ｄ）「そこで、フリンジスキャンの手法によって、光路長微調整手段10を作動させて、光路Ａの光路長を変化させることにより、当該光路Ａに位相差δを与えるようにする。この位相差δは、レーザ光の波長をλとしたときに、
　　　　　δ＝λi/N（ｉ＝0,1,2,・・・Ｎ−１）
を満たすようにＮ段階で変化させるようになし、干渉縞における光の強度IjをＮ回測定し、測定結果にcos（２πi/N）とsin（２πi/N）の重みをかけて加算したものの比を取り、これのtan-1を計算することによって、被測定波面のそれぞれ位置における位相φ（x,y）を解析することができるようになる。」（２頁左下欄１４行〜右下欄８行）
　
・被測定物体２の被検面２ａとは反対側の表面を「対向面」と呼ぶことにすると、前記記載（ａ）、（ｃ）および従来技術によるシェアリング干渉法を実施するための装置構成図である第４図から、
ア　「互いに対応する位置を有する対向面及びその反対側の被検面２ａを有する被測定物体を用意する」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び第４図から、
イ　「コリメータレンズ４によって平行光にされたコヒーレントなレーザ光束を用いて被測定物体２の被検面２ａの領域を照射して、この被測定物体２の被検面２ａの領域からの波面を有する反射光を生じさせる」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｂ）、（ｃ）から、
ウ　「被検面２ａからの反射光をシェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置の中に向ける」との技術事項が見て取れる。
・前記記載（ｂ）、（ｃ）及び第４図から、
エ　「光路Ｂに沿って進行する光束と、平行平面板９で横ずらしされ、光路Ａに沿って進行する光束とを干渉させてエリアセンサ３において干渉縞を結像させる」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｄ）から、
オ　「光路長微調整手段１０により、光路Ｂと光路Ａとの位相差δをＮ段階で変化させるようになし、シェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置から干渉縞における光の強度IjをＮ回測定する」との技術事項が読み取れる。
・前記記載（ｃ）における「被測定波面」は、被検面２ａで反射した波面であるから、被検面２ａの形状を表すものであることは明らかである。このことを考慮すると、記載（ｃ）から、
カ　「干渉縞情報を解析して被検面２ａの領域における表面形状等の測定を行う方法」との技術事項が読み取れる。
　
  以上の技術事項アないしカを総合勘案すると、引用例１には次の発明が記載されていると認められる。
「互いに対応する位置を有する被検面２ａ及びその反対側の対向面を有する被測定物体２を用意し、
　コリメータレンズ４によって平行光にされたコヒーレントなレーザ光束を用いて前記被検面２ａ上の領域を照射して、前記被検面２ａ上の照射されている領域から波面を有する反射光を生じさせ、
　前記被検面２ａからの反射光をシェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置の中に向け、光路Ｂに沿って進行する光束と、平行平面板９で横ずらしされ、光路Ａに沿って進行する光束とを干渉させてエリアセンサ３において干渉縞を結像させ、
　光路長微調整手段１０により光路Bと光路Ａとの位相差δをＮ段階で変化させるようになし、シェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置から干渉縞における光の強度ＩｊをＮ回測定し、
　干渉縞情報を解析して、前記被検面２ａ上の領域における表面形状等の測定を行う方法。」（以下、「引用発明１」という。）
　
（２）引用例２
  同じく前置拒絶理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された引用例２である特開平６−６１１３３号公報には、電子線描画装置（発明の名称）に関し、次の事項（ｅ）〜（ｈ）が図面とともに記載されている。
（ｅ）「【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれば、遮光パターンを描画する場合とシフターパターンを描画する場合とでは、試料の表面状態が異なっている（例えば、レジストなどの違いによる）ため、試料の表面状態による撓み測定結果にばらつきが生じるという問題がある。
　すなわち、センサ３による検知は、図６に示すように、金属パターン１ａ（遮光性）部分では検知レベルが高く、ガラス基板１ｂ（透明）部分では検知レベルが低くなる（図中の点線は、しきい値である）。撓み測定結果にばらつきが生じると、描画精度の悪化が生じ、かつ位相シフトマスクなどの製品の歩留りが低下するという問題が生じる。」（段落【００１１】〜【００１２】）
（ｆ）「【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
　すなわち、平板状の試料の表面に電子線を照射して遮光パターンなどの描画を行う電子線描画装置であって、前記試料の形状を測定するための検知手段を前記試料の裏面側に配設するようにしている。
【作用】上記した手段によれば、形状測定がレジストなどの違いによる表面状態に影響されることなく測定を行うことができる。したがって、形状測定にばらつきを生じることがなく、描画精度及び歩留りの向上を図ることができる。」（段落【００１５】〜【００１７】）
（ｇ）「【実施例】図１は本発明による電子線描画装置の構成を示す斜視図である。また、図２は試料の表面高さを検知するための検知手段の構成を示す模式的斜視図である。さらに、図３は図２におけるセンサの検知レベルを示す説明図である。
　図１に示すように、電子線描画装置は、ＬａＢ６（ランタンヘキサボライド）による熱電子放出形で電子線を発生する電子銃４、この電子銃４からの電子線を所定のサイズに絞る第１成形絞り５、この絞りからの電子線を成形する第１成形レンズ６、このレンズ６からの電子線を偏向する成形偏向器７、第２成形レンズ８、第２成形絞り９、この絞りからの電子線を集束する縮小レンズ１０、印加電圧に応じて露光をオン／オフするブランキング電極１１、偏向器１２、及び偏向器１２を取り囲むように配設された集束レンズ１３、試料１が載置されるＸ−Ｙステージ１４、及びＸ−Ｙステージ１４及び試料１（半導体ウェハ）を収納して内部を真空に保持する試料室１５、試料１の表面にレーザを照射する測定用光源２、及び測定用光源２からの反射レーザ光を検知するセンサ３、及びセンサ３の検知信号に基づいて偏向系を制御する制御部１６の各々を備えて構成される。
　本発明における測定用光源２及びセンサ３は、従来は試料１の上側からレーザビームの照射及び反射光の検知を行っていたのに対し、図２に示すように、表面状態の変わることのない試料１の下側（裏面）からレーザビームの照射及び反射光の検知を行っている。測定用光源２及びセンサ３は、Ｘ−Ｙステージ１４に埋設し、或いはＸ−Ｙステージ１４に１対の傾斜させた貫通穴を設け、この貫通穴の延長線上に測定用光源２とセンサ３を配設（Ｘ−Ｙステージ１４の外部で、かつ試料室１５内に設置）する。このように下側から行うことで、図３に示すように、金属パターン１ａとガラス基板１ｂを同じレベルで検知できるようになる。」（段落【００１８】〜【００２０】）
（ｈ）「次に、本発明による補正手段について説明する。
　試料室１５内のＸ−Ｙステージ１４上に試料１を載置する。ついで、Ｘ−Ｙステージ１４上に載置された標準マーク（不図示）を用いて電子ビームの校正を行う。また、描画精度を高めるために試料１の撓み形状及び高さの測定を行う。撓み形状及び高さの測定は、測定用光源２から試料１の表面に向けてレーザビームが照射され（ステップ４０１）、その際の試料１からの反射光がセンサ３によって検知される（ステップ４０２）。この撓み形状及び高さの測定は、試料１の面積内の数点（例えば、９点）について行い、その各々を記憶する（ステップ４０３）。これらの各点に対し、測定した検知信号に基づいて基準面からの高さづれを数値（例えばμｍオーダー）に換算（ステップ４０４）する（センサ３の出力は実際の寸法値ではないために換算を行う）。
　更に、試料１の側面長の測定を行い、裏面と表面との平行度の測定結果をもとに制御部１６によって２次式で試料１の表面高さ及び傾きを補正する係数を求める。・・・。」（段落【００２３】〜【００２５】）
　
・前記記載（ｅ）〜（ｈ）から、引用例２には次の発明が記載されていると認められる。
「表側の表面状態の影響を受けないようにするために、半導体ウエハの裏面にレーザビームを照射し、その反射光から、その表側の表面形状を求めるようにした半導体ウエハの表面形状の測定方法。」（以下、「引用発明２」という。）
　
４．対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
（１）まず、引用発明１における、「対向面」及び「被検面２ａ」は、本願発明における、「裏側表面」及び「表側表面」に、それぞれ相当する。
（２）また、引用発明１の「被測定物体２」も、本願発明の「半導体又は光電子のパネル、基板、又はウエハー」も、共に、「被測定物」である点で共通する。
（３）また、引用発明１における「レーザ光束」は、本願発明における「光プローブビーム」に相当し、以下、同様に、「波面を有する反射光」は「反射波面を有する反射プローブビーム」に、「シェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置」は「光シェアリング干渉計デバイス」に、「平行平面板９で横ずらしされ、光路Ａに沿って進行する光束」は「ずれ距離によって空間的にシフトされている前記反射波面の別のレプリカ」に、「位相差δ」は「位相シフト」に、「干渉縞情報」は「干渉模様」に、「表面形状等」は「表面傾斜に関する情報」に、それぞれ相当する。
（４）上記（１）、（３）の相当関係を踏まえると、引用発明１における「コリメータレンズ４によって平行光にされたコヒーレントなレーザ光束を用いて前記被検面２ａ上の領域を照射して、前記被検面２ａ上の照射されている領域から波面を有する反射光を生じさせ」ることも、本願発明における「実質上均一な波面を有する光プローブビームを用いて少なくとも前記裏側表面上の領域を照射して、少なくとも前記裏側表面上の照射されている前記領域によって引き起こされるゆがみを帯びた反射波面を有する反射プローブビームを生じさせ」ることも、共に、「実質上均一な波面を有する光プローブビームを用いて少なくとも前記表面上の領域を照射して、少なくとも前記表面上の照射されている前記領域によって引き起こされるゆがみを帯びた反射波面を有する反射プローブビームを生じさせ」る点で、共通するといえる。
（５）同様に、引用発明１における「前記被検面２ａからの反射光をシェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置の中に向け、光路Ｂに沿って進行する光束と、平行平面板９で横ずらしされ、光路Ａに沿って進行する光束とを干渉させてエリアセンサ３において干渉縞を結像させ」ることは、本願発明における「前記反射プローブビームを光シェアリング干渉計デバイスの中に向け、前記反射波面と、ずれ距離によって空間的にシフトされている前記反射波面の別のレプリカとの間の光干渉模様を取得」することに相当するといえる。
（６）同様に、引用発明１における「光路長微調整手段１０により光路Bと光路Ａとの位相差δをＮ段階で変化させるようになし、シェアリング干渉法とフリンジスキャン干渉法とを組み合わせた干渉装置から干渉縞における光の強度ＩｊをＮ回測定」することは、本願発明における「前記反射波面と、前記反射波面の前記レプリカとの間の位相シフトを調整して、前記光シェアリング干渉計から、異なる位相シフトの、複数の位相シフトされた干渉模様を取得」することに相当するといえる。
（７）また、同様に、引用発明１における「被検面２ａ上の領域における表面形状等の測定を行う」ことも、本願発明における「前記表側表面の少なくとも一部分であって、前記照射されている少なくとも前記裏側表面上の領域に対応する部分における、表面傾斜に関する情報を取得する」ことも、共に、「前記照射されている少なくとも前記表面上の領域に対応する部分における、表面傾斜に関する情報を取得する」点で共通するといえる。
　してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「互いに対応する位置を有する表側表面及びその反対側の裏側表面を有する、被測定物を用意し、
　実質上均一な波面を有する光プローブビームを用いて少なくとも前記表面上の領域を照射して、少なくとも前記表面上の照射されている前記領域によって引き起こされるゆがみを帯びた反射波面を有する反射プローブビームを生じさせ、
　前記反射プローブビームを光シェアリング干渉計デバイスの中に向け、前記反射波面と、ずれ距離によって空間的にシフトされている前記反射波面の別のレプリカとの間の光干渉模様を取得し、
　前記反射波面と、前記反射波面の前記レプリカとの間の位相シフトを調整して、前記光シェアリング干渉計から、異なる位相シフトの、複数の位相シフトされた干渉模様を取得し、
　前記干渉模様を処理して、前記照射されている少なくとも前記表面上の領域に対応する部分における、表面傾斜に関する情報を取得する、方法。」
（相違点）
・相違点１
　被測定物が、本願発明では、半導体又は光電子のパネル、基板、又はウエハーであるのに対し、引用発明１では、一般的な被測定物体としているにとどまる点。
・相違点２： 本願発明では、「・・・前記裏側表面上の領域を照射して、・・・前記表側表面の少なくとも一部分であって、前記照射されている少なくとも前記裏側表面上の領域に対応する部分における、表面傾斜に関する情報を取得する」とあるように、表側表面の表面傾斜情報を取得するために、裏側表面上に光プローブビームを照射しているのに対し、引用発明１では、被検面２ａ（本願発明の「表側表面」に相当する。以下、同様。）の表面形状等（表面傾斜に関する情報）を取得するために、レーザ光束（光プローブビーム）を被検面２ａ（表側表面）に照射している点。
  
５．判断
　前記相違点１，２について、併せて検討する。
　引用発明２を再掲すれば、以下のとおりである。
「表側の表面状態の影響を受けないようにするために、半導体ウエハの裏面にレーザビームを照射し、その反射光から、その表側の表面形状を求めるようにした半導体ウエハの表面形状の測定方法。」
　ところで、本願発明において、表側表面の表面傾斜情報を取得するために、それとは反対側の裏側表面上に光プローブビームを照射するようにしたのは、レーザー光を用いた光学的測定に際し、表側に存在するパターンなどの影響を受けないようにするためである（本願明細書の段落【００５３】〜【００５５】）ところ、この点は、上記したように、引用発明２も同様である。
　そして、引用発明１も、引用発明２も、共に、被測定物の表面形状を求めるという共通の技術課題を有するものであり、その測定手法も、共にレーザー光を被測定物に照射し、その反射光から求めるようにした点で共通している。
　したがって、引用発明１において、測定対象を半導体ウエハとし、その測定手法として、表側の表面状態の影響を受けないようにするべく、引用発明２に係る測定方法を適用して本願発明の構成とすることは 当業者ならば容易に想到し得たことである。
  そして、本願発明の作用効果も、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測可能なものであって格別のものでもない。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。