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【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ゲート電極を備える半導体装置を製造するプロセスであって、
半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板上に金属ゲート電極を形成するステップと、
前記金属ゲート電極の表面上に、シリコン酸窒化物スペーサをＰＥＣＶＤで形成するステップとを含み、
前記シリコン酸窒化物スペーサは、少なくとも一つのシリコン含有材料の第１量が少なくとも一つの他の反応物質の量に対して相対的に少なくなるようにＰＥＣＶＤ装置に供給されるシリコン欠乏状態において初期は形成され、それによって、前記金属ゲート電極と前記シリコン酸窒化物スペーサとの界面にはシリサイドが実質的に形成されない、プロセス。
【請求項２】
前記ＰＥＣＶＤで形成するステップは、前記供給された少なくとも一つのシリコン含有材料の増量された第２量を供給するステップをさらに含む、請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
前記シリコン欠乏状態は、ＰＥＣＶＤ装置に、前記少なくとも一つのシリコン含有材料を当初は供給せずに、酸素含有材料および窒素含有材料を供給するステップと、続いて前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に加えて、前記少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第１量を前記ＰＥＣＶＤ装置に供給するステップとを含み、前記供給される少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第１量は、シリコン酸窒化物のＰＥＣＶＤデポジションに関して、前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に対して不足当量のシリコンを含む、請求項１記載のプロセス。
【請求項４】
前記金属ゲート電極の前記表面には金属シリサイドが実質的に形成されない、請求項１記載のプロセス。
【請求項５】
前記ＰＥＣＶＤプロセスは摂氏約300度から約600度の範囲内の温度で実行される、請求項１記載のプロセス。
【請求項６】
前記酸素含有材料は酸化窒素である、請求項１記載のプロセス。
【請求項７】
前記窒素含有材料は窒素である、請求項１記載のプロセス。
【請求項８】
前記少なくとも一つのシリコン含有材料はシランである、請求項１記載のプロセス。
【請求項９】
前記金属ゲート電極は、Mo, Ni, Ta, Al, Co, Cu, Re, TiまたはW、またはこれらのうち２つ以上の混合物または合金、もしくはTaN, TaSiN, WN, WSiNのうち１つ以上を含む導電性金属窒化物を含む、請求項１記載のプロセス。
【請求項１０】
前記シリコン酸窒化物スペーサの第１部分は、約1.6から約1.9の範囲の屈折率を有し、その第２部分は約1.95から約2.3の範囲の屈折率を有する、請求項１記載のプロセス。
【請求項１１】
金属ゲート電極を備える半導体装置を製造するプロセスであって、
半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板上に金属ゲート電極を形成するステップと、
ＰＥＣＶＤ装置に、シリコン含有材料を供給せずに、酸素含有材料および窒素含有材料を供給し、続いて前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に加えて、少なくとも一つのシリコン含有材料の第１量を供給することにより、前記金属ゲート電極の表面上に、ＰＥＣＶＤ装置により、実質的にシリサイドを含まない絶縁物スペーサを形成するステップとを含み、
前記供給される少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第１量は、シリコン酸窒化物のＰＥＣＶＤデポジションに関して、前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に対して不足当量のシリコンを含む、プロセス。
【請求項１２】
前記ＰＥＣＶＤ装置に、前記少なくとも一つのシリコン含有材料を、前記シリコン含有材料の前記第１量と比較して増量された第２量供給するステップをさらに含む、請求項１１記載のプロセス。
【請求項１３】
前記少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第２量は、シリコン酸窒化物の形成に対して実質的に化学量論的な量のシリコンを含む、請求項１１記載のプロセス。
【請求項１４】
前記金属ゲート電極の前記表面には金属シリサイドが実質的に形成されない、請求項１１記載のプロセス。
【請求項１５】
金属ゲート電極を備える半導体装置を製造するプロセスであって、
半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板上に金属ゲート電極を形成するステップと、
（ａ）ＰＥＣＶＤ装置に、シリコン含有材料を供給せずに、酸素含有材料および窒素含有材料を供給し、続いて前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に加えて、少なくとも一つのシリコン含有材料の第１量を供給し、前記供給される少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第１量は、シリコン酸窒化物のＰＥＣＶＤデポジションに関して、前記酸素含有材料および前記窒素含有材料に対して不足当量のシリコンを含むステップ、および
（ｂ）前記ＰＥＣＶＤ装置に、前記少なくとも一つのシリコン含有材料を、前記シリコン含有材料の前記第１量と比較して増量された第２量供給し、前記金属ゲート電極の前記表面には金属シリサイドが実質的に形成されないステップによって、
前記金属ゲート電極の表面上に実質的にシリサイドを含まない絶縁物スペーサを形成するステップとを含む、プロセス。
【請求項１６】
前記少なくとも一つのシリコン含有材料の前記第２量は、シリコン酸窒化物の形成に対して実質的に化学量論的な量のシリコンを含む、請求項１５記載のプロセス。
【請求項１７】
前記ＰＥＣＶＤプロセスは摂氏約300度から約600度の範囲内の温度で実行される、請求項１５記載のプロセス。
【請求項１８】
前記酸素含有材料は酸化窒素である、請求項１５記載のプロセス。
【請求項１９】
前記窒素含有材料は窒素である、請求項１５記載のプロセス。
【請求項２０】
金属ゲート電極を備える半導体装置であって、
半導体基板と、
金属ゲート電極と、
前記金属ゲート電極の表面上に形成されたシリコン酸窒化物スペーサとを含み、
前記第１層と前記金属ゲート電極との界面には実質的に金属シリサイドが存在しない、半導体装置。
【請求項２１】
前記金属ゲート電極の前記表面には金属シリサイドが実質的に存在しない、請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記金属ゲート電極は、Mo, Ni, Ta, Al, Co, Cu, Re, TiまたはW、またはこれらのうち２つ以上の混合物または合金、もしくはTaN, TaSiN, WN, WSiNのうち１つ以上を含む導電性金属窒化物を含む、請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記シリコン酸窒化物は次の化学式を持ち、
SiwOxNyHz
wは、シリコンの約２０から約５６原子百分率の範囲内、
xは、酸素の約５から約４０原子百分率の範囲内、
yは、窒素の約１０から約４０原子百分率の範囲内、
zは、水素の０から約１０原子百分率の範囲内であって、
w+x+y+z=100原子百分率である、請求項２０記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記シリコン酸窒化物スペーサの第１部分は、約1.6から約1.9の範囲の屈折率を有し、その第２部分は約1.95から約2.3の範囲の屈折率を有する、請求項２０記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  局部的な縦軸(24)を有する電気ケーブル(22)において、
導電性の中心導体(30)と、中心導体(30)を覆っている中心導体絶縁層(32)と、中心導体絶縁層(32)を覆っている導電性の中心導体シールド(34)とを備えている中心導体構造(28)と、
中心導体構造(28)を覆ってその上にスパイラルに巻かれている複数のスパイラル導体構造(38)とを具備し、
前記複数のスパイラル導体構造(38)はそれぞれ導電性のスパイラル導体(40)と、このスパイラル導体(40)を覆っているスパイラル導体絶縁層(44)とを具備し、
各スパイラル導体構造(38)はその上に導電性シールドを有しておらず、
複数のスパイラル導体(40)を覆っている導電性外部シールド(46)と、この導電性外部シールド(46)を覆っている外部絶縁体(48)とを具備している電気ケーブル。
【請求項２】  各スパイラル導体構造(38)は、電気ケーブル(22)の長さに沿って円周方向に隣接する同じ１対のスパイラル導体構造(38)を保持している請求項１記載の電気ケーブル。
【請求項３】  各スパイラル導体構造(38)は指定された識別子を有し、スパイラル導体構造(38)の円周方向の配置は、指定され識別子と、各１対の円周方向に隣接するスパイラル導体構造(38)の指定され識別子に応じて選択される請求項１記載の電気ケーブル。
【請求項４】  さらに、中心導体構造(28)の周囲にスパイラルに巻かれたスパイラルスペーサ構造を含み、このスパイラルスペーサ構造は並んだ関係で２つのスパイラル導体構造の間に位置している請求項１記載電気ケーブル。
【請求項５】  電気ケーブルを処理する方法において、
導電性の中心導体(30)と、中心導体(30)を覆っている中心導体絶縁層(32)と、中心導体絶縁層(32)を覆っている導電性の中心導体シールド(34)とを備えている中心導体構造(28)を形成し、
それぞれ指定された識別子を有し、導電性のスパイラル導体(40)と、そのスパイラル導体(40)を覆っているスパイラル導体絶縁層(44)とを具備している複数のスパイラル導体構造(38)を形成し、
各スパイラル導体構造(38)はその上に導電性シールドを有しておらず、
指定された識別子と、円周方向に隣接している１対のスパイラル導体構造(38)のそれぞれの指定された識別子とに応じて各スパイラル導体構造(38)の円周方向配置を選択し、
スパイラルパターンで中心導体構造(28)の周囲にスパイラル導体構造(38)を巻付け、各スパイラル導体構造(38)が電気ケーブル(22)の長さに沿って円周方向で隣接している１対のスパイラル導体構造(38)を同じ関係に保持し、
導電性外部シールド(46)を中心導体構造(28)に巻付けられた複数のスパイラル導体構造(38)を覆って配置し、
この外部シールド(46)を覆って外部絶縁体(48)を配置して局部縦軸(24)を有する電気ケーブルを形成するステップを含んでいる電気ケーブルの処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影放射ビームを提供するための放射システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するプログラム可能パターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムとを備えた画像化装置において、該装置が、
前記プログラム可能パターン化手段と前記基板テーブルの間に設けられた、前記パターン化されたビームの一部をわきへ逸らせるべく機能するビーム分割手段と、
前記パターン化されたビームの前記部分を解析するための画像検出手段とをさらに備えたことを特徴とする画像化装置。
【請求項２】
前記画像検出手段が、前記プログラム可能パターン化手段によって生成される実際の画像と、基準パターン化手段によって生成される基準画像とを比較するべく具体化されたことを特徴とする、請求項１に記載の画像化装置。
【請求項３】
前記基準画像が前記実際の画像のネガであることを特徴とし、かつ、前記画像検出手段が、前記実際の画像と基準画像を加え合わせるための手段若しくは控除するための手段を備えたことを特徴とする、請求項２に記載の画像化装置。
【請求項４】
前記画像検出手段が、電荷結合デバイス、ＣＭＯＳ検出器、フォトダイオード及び光電子増倍管からなるグループから選択された検出デバイスを備えたことを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の画像化装置。
【請求項５】
（ａ）少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
（ｂ）放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
（ｃ）前記投影ビームの断面に所望のパターンを付与するためのプログラム可能パターン化手段を使用するステップと、
（ｄ）パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含むデバイス製造方法において、
ステップ（ｄ）に先立って、あるいはステップ（ｄ）を実行中に、
前記パターン化されたビームの一部がわきへ逸れて画像検出手段に導かれ、また、
前記画像検出手段を使用して、前記パターン化されたビームの前記部分が解析され、かつ、前記所望のパターンに対応するパターンを含有している領域の範囲が決定されることを特徴とする、デバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐摩耗性電極であって、
高分子基板の上に提供され、かつ金属被覆導電性谷間部により隔てられた、２個の平行な非導電性突出部を有する高分子基板を含んでなり、前記非導電性突出部が分断された金属の被覆を有する、耐摩耗性電極。
【請求項２】
請求項１に記載の複数の耐摩耗性電極を含んでなる電気デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の電気デバイスを含んでなる血中グルコースモニタ装置。
【請求項４】
請求項２に記載の電気デバイスを含んでなる高周波ＩＤタグ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマルチメディアオブジェクトのそれぞれのフィンガープリント及び関連する一式のメタデータを有するデータベースを維持する方法であって、
前記複数のマルチメディアオブジェクトを共有するように構成されたファイル共有ネットワークに接続されたそれぞれのファイル共有クライアント上に、前記データベースのそれぞれの部分を分散することを有する方法。
【請求項２】
１つ以上のマルチメディアオブジェクトを保存するストレージと、
ファイル共有ネットワークの他のファイル共有クライアントと前記ストレージのマルチメディアオブジェクトを共有する共有手段と、
フィンガープリントを計算し、前記共有手段により共有される前記マルチメディアオブジェクトの一式のメタデータを取得し、前記計算されたフィンガープリントと取得された一式のメタデータとを前記ファイル共有ネットワークに接続された前記ファイル共有クライアント上に分散されたデータベースに追加するフィンガープリント手段と
を有するファイル共有クライアント。
【請求項３】
請求項２に記載のファイル共有クライアントであって、
前記分散されたデータベースの部分を維持するDBMS手段を更に有するファイル共有クライアント。
【請求項４】
請求項３に記載のファイル共有クライアントであって、
前記DBMS手段により維持される前記分散されたデータベースの前記部分の大きさが、そのクライアントが動作するコンピュータシステムの性能に依存するファイル共有クライアント。
【請求項５】
請求項３に記載のファイル共有クライアントであって、
前記DBMS手段が、前記計算されたフィンガープリントと取得された一式のメタデータとを前記それぞれの部分に追加するように構成されたファイル共有クライアント。
【請求項６】
請求項２に記載のファイル共有クライアントであって、
前記フィンガープリント手段が、前記計算されたフィンガープリントと前記取得された一式のメタデータとを、前記ファイル共有ネットワークの他のファイル共有クライアントに送信するように構成されたファイル共有クライアント。
【請求項７】
請求項６に記載のファイル共有クライアントであって、
前記他のファイル共有クライアントが、前記ファイル共有ネットワークのスーパーノード（super  node）であるファイル共有クライアント。
【請求項８】
請求項６に記載のファイル共有クライアントであって、
前記他のファイル共有クライアントにマルチメディアオブジェクトを送信することと同時に前記送信が行われるファイル共有クライアント。
【請求項９】
請求項２に記載のファイル共有クライアントであって、
前記フィンガープリント手段は、前記マルチメディアオブジェクトが前記ストレージに保存されているときに、前記フィンガープリントを計算し、前記マルチメディアオブジェクトの前記一式のメタデータを取得するように構成されたファイル共有クライアント。
【請求項１０】
多目的コンピュータを請求項２に記載のファイル共有クライアントとして機能させるように構成されたコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項２に記載の少なくとも１つのクライアントを有するファイル共有ネットワーク。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５５】
請求項４２に記載の超伝導磁気コイルはさらに、
コイル軸の周りに巻かれた第３のコイル巻き超伝導体テープを備え、該第３のコイル巻き超伝導体テープが、
超伝導体層、および
該第３のコイル巻き超伝導体テープの内側表面を形成する表面を有する導電層を備え、該第３のコイル巻き超伝導体テープの該内側表面が該第３のコイル巻き超伝導体テープの該コイル軸に面し、
コイル軸の周りにコイル巻きされた第４のコイル巻き超伝導体テープを備え、該第４のコイル巻き超伝導体テープが、
超伝導体層、および
該第４のコイル巻き超伝導体テープの外側表面を形成する表面を有する導電層を備え、該第４のコイル巻き超伝導体テープの該外側表面が該第４のコイル巻き超伝導体テープの該コイル軸から離れる方向に面し、
該第３及び第４の超伝導体テープは、該第３の超伝導体テープの内側表面が該第４の超伝導体テープの該外側表面に隣接するように構成される超伝導磁気コイル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）高フッ素化ポリマーの水性ディスパージョン中に炭素繊維構造体を浸漬するステップと、
ｂ）該ディスパージョンを対向電極に接触させるステップと、
ｃ）該炭素繊維構造体と該対向電極との間に電流を印加することにより該炭素繊維構造体上に該高フッ素化ポリマーを電気泳動堆積させるステップと、
を含む、疎水性炭素繊維構造体の製造方法。
【請求項２】
ｄ）前記炭素繊維構造体を加熱することにより前記高フッ素化ポリマーを焼結させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法に従って製造される、疎水性炭素繊維構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
電気化学的活性要素が、トランジスタ・チャンネルに隣接する酸化還元シンク領域をさらに含み、１個のゲート電極がトランジスタ・チャンネルにより近接し、そして一個のゲート電極が酸化還元シンク領域により近接するように電気化学的活性要素の両側に配置された少なくとも２個のゲート電極を含む請求項８に記載の電気化学的デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
ポリマー材料が、３,４−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーであり
、ここで２つのアルコキシ基は同じであるかまたは異なっていてもよく、または一緒になって場合により置換されたオキシ−アルキレン−オキシ架橋を示す請求項１１に記載の電気化学的デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
パターン形成が、ガス・エッチングによって行われる請求項２６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記ハウジングの一部が、複数の光学特性の変更手段からなるアセンブリと一体化し、レンズのアセンブリは駆動によって変更できる請求項８〜１０のいずれか一項に記載のハウジングの一部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
変調伝達関数を、２つの値を考慮して分析する。すなわち２５線対／ミリメートル（ｌｐ／ｍｍ）と、５０線対／ミリメートル（ｌｐ／ｍｍ）である。さらに、３つの異なる値の視野（ＦＯＶ）を試験する。標準的なレンズ・モジュールと標準的なレンズ・モジュールおよび接写レンズの組み合わせとの、結像に対する性能を比べると、変調伝達関数（ＭＴＦ）に対して得られる値は実質的に等しく、２５ｌｐ／ｍｍ値において、観察される違いが最小となり得る。分析した標準的なレンズ・モジュールおよび接写レンズの組み合わせの方が、歪みおよび相対照度が少し悪いが、値は依然として許容限界内にあり、追加のレンズに帰することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
要約すれば、一体化されたまたは外部モジュールとしてのカメラ・モジュールと組み合わせた携帯電話について与えられた実施例は、本発明の基本的な考え方を教えている。標準的なカメラ・モジュールが携帯電話用に提供されており、標準的な光学レンズ・モジュールを備えるカメラ・ユニットを用いて写真を撮ることができる。光学レンズ・モジュールによって標準的な結像が得られる。より高性能な結像を行なうには、補助レンズ、フィルタなどのさらなる光学的手段を用いる必要がある。これらの光学的手段を、カメラ・モジュールのハウジングに取り付ける。外部カメラ・モジュールの場合には、モジュールは、モジュール用のハウジングに入り、一体化されたカメラ・モジュールの場合には、ハウジングに、携帯電話および一体化されたカメラ・モジュールの両方が入る。光学的手段は、写真撮影の要求に応じて交換しても良い。たとえば、光学的手段を個々のハウジングに脱着可能に接続しても良い。さらに数個の異なる光学的手段を、ハウジング上に取り付けても良いし、適切な手動または自動（電動）駆動によって交換しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウォーターマークをメディア信号に埋め込む方法であり、埋め込みパラメタに依存して埋め込み強度を適応的に制御するステップを有する方法において、前記メディア信号と一緒に入力される補助信号の形態で前記埋め込みパラメタを入力するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記メディア信号は圧縮されたビットストリームとして入力され、前記補助信号はユーザデータとして前記ビットストリームに収容される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記補助信号は壊れやすいウォーターマークの形態で前記メディア信号に収容される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記補助信号が見つからない又は破損している場合、既定の埋め込み強度を備えるウォーターマークを埋め込むステップをさらに含み、前記既定の埋め込み強度は前記埋め込まれるウォーターマークが知覚可能であるように選択される方法。
【請求項５】
ウォーターマークをメディア信号に埋め込む装置であって、埋め込みパラメタに依存して埋め込み強度を適応的に制御する手段を有する装置において、前記メディア信号と一緒に入力される補助信号から前記埋め込みパラメタを得る手段を有することを特徴とする装置。
【請求項６】
遠隔地からのメディア信号をローカル局へ送信する方法において、
−前記遠隔地においてウォーターマーク埋め込みパラメタを計算し、前記埋め込みパラメタは、ウォーターマークが前記ローカル局により前記メディア信号に埋め込まれるべき強度を表すステップ、及び
−前記メディア信号と一緒に補助信号の形態で前記ローカル局へ前記埋め込みパラメタを送信するステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
遠隔地からのメディア信号をローカル局へ送信する装置において、
−前記遠隔地においてウォーターマーク埋め込みパラメタを計算し、前記埋め込みパラメタは、ウォーターマークが前記ローカル局により前記メディア信号に埋め込まれるべき強度を表す手段、及び
−前記メディア信号と一緒に補助信号の形態で前記ローカル局へ前記埋め込みパラメタを送信する手段、
を有することを特徴とする装置。
【請求項８】
メディア信号及び補助信号が記憶される記憶媒体において、前記記憶される補助信号は、前記メディア信号の再生中に、前記メディア信号にウォーターマークを埋め込む強度を制御する埋め込みパラメタを表すことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザにより使用されるテレビジョン記録及び再生システムの動作を制御する方法であって：
ａ）複数のユーザの内の第１ユーザにてログインするステップ；
ｂ）記録されるテレビジョン番組の選択内容を前記第１ユーザから受信するステップ；
ｃ）前記第１ユーザにより選択された前記テレビジョン番組を記録するステップ；及び
ｄ）前記第１ユーザにより記録するように選択された番組を含む記録済み番組のリストを表示するステップであって、前記リストは前記第１ユーザに固有に関連付けられるところのステップ；
を有し、更に、
ｅ）前記第１ユーザにより鑑賞される第２のテレビジョン番組の選択内容を第２ユーザから受信するステップ；
ｆ）前記第２のテレビジョン番組を記録するステップ；及び
ｇ）前記第１ユーザにより選択された番組及び前記第２ユーザにより指定された番組双方を記録番組のリストの中で前記第１ユーザに見せるように表示するステップ；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
更に、予定される番組を記録するために格納スペースが必要とされる場合に、デフォルトのプロトコル又はユーザ選択プロトコルに従って、記録済み番組を消去するステップより成る
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
予定される番組を記録するために格納スペースが必要とされる場合に、デフォルトのプロトコル又はユーザ選択プロトコルに従って、
ａ）記録済み番組を未だ視聴していない許可されたユーザの数；
ｂ）記録済み番組が、許可されたユーザによってどの程度最近に鑑賞されたか；
ｃ）記録済み番組を鑑賞し終えていない許可されたユーザのカテゴリ；及び
ｄ）許可されたユーザによる視聴後に記録済み番組に付けられたサムアップ又はサムダウンの格付け；
の１以上に基づいて、記録済み番組を消去するステップより成る
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
ユーザにグループを割り当て、グループ及び／又は個人による許可を受け入れるステップより成る
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
受信機にロードされたとき、該受信機に請求項９記載の方法を実行させる命令のセットを計算するための受信機用のコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
キャッシング・サーバから要求があった場合に、機密保護状態でコンテンツを配信するための権利管理方法であって、
前記キャッシング・サーバに通信できるように結合されているコンテンツ・プロバイダを供給する工程と、
鍵管理プロトコルを供給する工程と、を含み、
同鍵管理プロトコルを供給する工程が、
前記キャッシング・サーバから前記コンテンツ・プロバイダに鍵管理をスタートするためのチケット・チャレンジ・メッセージを転送する工程と、
それに応じて、前記コンテンツ・プロバイダから前記キャッシング・サーバに鍵要求メッセージを送信する工程と、
それに応じて、前記キャッシング・サーバから前記コンテンツ・プロバイダに鍵応答メッセージを送信する工程と、
それに応じて、前記コンテンツ・プロバイダから前記キャッシング・サーバへ、セキュリティ確立メッセージを送信する工程と、
前記コンテンツ・プロバイダから前記キャッシング・サーバに、機密保護状態でコンテンツを配信するための一組の鍵を確立する工程と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体スイッチを用いてブリッジ構成した整流器およびインバータを有するモータ制御用の周波数変換器であって前記インバータはモータに正電圧および負電圧を供給する２つのブリッジから成る周波数変換器と、該整流器およびインバータの間の中間回路とを含み、該中間回路はコンデンサと、前記周波数変換器の入力端子である前記整流器の入力端子に設けられ、各相に接続された複数の誘導子を含む誘導子ユニットと、前記インバータのスイッチを制御する制御ユニットとを含む交流モータ駆動用の電動モータ駆動装置において、該装置はさらに、
２個の調整ユニットを含み、それらのうち第１の調整ユニットは、およそ50 μFの低容量のコンデンサを有する中間回路を含み、第２の調整ユニットは、補助スイッチと、電動モータへ供給される電流をモニタしさらに／あるいは計測する電流計ユニットとを含み、
前記補助スイッチは、前記インバータの上部ブリッジのそれぞれの半導体スイッチに接続され、該補助スイッチにはセーフティリレーによって電力が供給され、該補助スイッチが前記上部ブリッジのそれぞれの半導体スイッチに接続されていることにより、該補助スイッチが導通状態にある時にそれぞれの半導体スイッチへの制御信号が該補助スイッチを通して伝達され、
前記制御ユニットは、前記インバータの下部ブリッジのそれぞれの半導体スイッチに接続された電流モニタユニットを含むことを特徴とする電動モータ駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電動モータ駆動装置において、前記補助スイッチはスイッチングトランジスタを含み、該スイッチングトランジスタに前記セーフティリレーを介して作動電圧が印加され、制御パルスは、該作動電圧が印加されているときに、前記スイッチングトランジスタを通って制御ユニットからIGBTなどの半導体スイッチの制御端子へ伝達可能であることを特徴とする電動モータ駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電動モータ駆動装置において、前記中間回路は前記コンデンサに直列接続されたスイッチを含むことを特徴とする電動モータ駆動装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の電動モータ駆動装置において、前記コンデンサはペーパーコンデンサ、プラスチックコンデンサまたはこれらに相当する乾式コンデンサであることを特徴とする電動モータ駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレビジョン記録及び再生システムを制御する方法であって、
記憶装置に記録されるテレビ番組を示すユーザにより選択された番組情報、及び前記テレビ番組が記録される１以上の表示形式を受信するステップと、
前記ユーザにより選択された番組情報及び表示形式の選択に応答して、選択されたテレビ番組を受信し、第一の表示形式、ハンドヘルド表示装置での表示のために適合される第二の表示形式、又は前記記憶装置での第一及び第二の表示形式で記憶するステップと、
ハンドヘルド表示装置に転送される記憶されているテレビ番組をユーザが選択するのを可能にするグラフィックユーザインタフェース（ＧＵＩ）を提供するステップと、
ユーザによる同期モードの選択に応答して、選択された記憶されているテレビ番組を前記第二の表示形式で前記ハンドヘルド表示装置に転送するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
テレビスケージュール情報を有する電子番組ガイド（ＧＰＧ）情報を受信するステップと、
前記ＥＰＧ情報を前記ハンドヘルド表示装置に転送し、前記ハンドヘルド表示装置から記憶のために選択されたテレビ番組を示す番組情報を受けるステップと、
前記番組情報に応答して、前記選択されたテレビ番組を受信して記憶するステップと、
をさらに備える請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記番組情報は、それぞれ選択されたテレビ番組に関連される指定された再生装置を示す装置再生情報を提供するステップと、
前記装置再生情報に応答して、選択されたテレビ番組を受信し、第一の表示形式、第二の表示形式、又は第一及び第二の表示形式で記憶するステップと、
を備える請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記記憶装置に記憶されている番組を前記ハンドヘルド表示装置にユーザが選択的に転送するのを可能にし、前記ハンドヘルド表示装置から前記記憶装置に番組を選択的に転送するのを可能にする同期メニューを生成するステップを更に含む、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記同期メニューは、ハンドヘルド表示装置に転送された番組に関する視聴状態を提供し、前記ハンドヘルド表示装置がテレビジョン記録及び再生システムに接続されたとき、又は前記ハンドヘルド装置が前記テレビジョン記録及び再生システムに次に接続されたとき、前記記憶装置から視聴された番組を削除するためにユーザが選択するのを可能にする、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記同期メニューは、前記記憶装置に記憶されている番組に関する視聴状態を提供し、前記ハンドヘルド表示装置がテレビジョン記録及び再生システムに接続されたとき、前記ハンドヘルド表示装置から視聴された番組を削除するためにユーザが選択するのを可能にする、
請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
記号プロセッサ４０７は、チッププロセッサ４０５によって逆拡散された信号に対して演算を実行する。例えば、記号プロセッサ４０７は、例えば、最大比結合（ＭＲＣ：maximum ratio combining）などの、種々の結合技法を使用して、マルチパス信号を結合することができる。また、記号プロセッサは、制御プロセッサから受け取るチャネル推定に基づいて、ＭＲＣ係数を計算、かつ更新することができる。ＭＲＣ係数は、以下に説明するように、マルチパス信号成分を結合する前に、それらに重み付けをするのに使用する。したがって、記号プロセッサ４０７は、ＲＡＫＥ要素４１１、４１３、および４１５によって出力される逆拡散信号を記憶するためのレジスタファイル４２１を含む。記号プロセッサ４０７は、また、最大比結合、およびＭＲＣ係数の計算を実行できる結合器４２３も含む。代替案として、係数の計算は、制御プロセッサ３０１によるソフトウエア内で実行することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
バッチ処理の例を、図８の図に示してあり、この図は、制御プロセッサとコプロセッサとの間のコマンドおよび報告シーケンスを示している。図８に示すように、チッププロセッサの選択されたＲＡＫＥ要素は、共通パイロットチャネル８０１の相関器として構成される。すなわち、これらのＲＡＫＥ要素は、共通パイロットチャネル上で受け取るデータを逆拡散するように構成されている。チッププロセッサのその他のＲＡＫＥ要素を、データパイロットチャネル（ＤＰＩＣＨ）８０３用の相関器として使用して、ＤＰＩＣＨ上で受け取ったデータを逆拡散する。記号プロセッサの結合器は、係数生成ユニット（coefficient generator unit：ＣＧＵ）８０５および最大比結合器（ＭＲＣ）８０７として構成することができる。先行バッチｋ−１の処理中に、制御プロセッサは、バッチｋ−２の処理中に生成された報告８０９を受け取る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主放物面反射器（２０）と、前記主反射器（２０）の中心軸線（４０）の頂点を通り、前記中心軸線（４０）に沿っておかれた導波管給電区分（２３）と、誘電体コーン（２２）と、前記導波管給電区分（２３）と通信するサブ反射器（２１、３１）とからなり、前記主反射器が、反射器の中心軸線（４０）に最も近い第１環状区分（２０ａ、３０ａ）から該主反射器の外側周辺部（４５）を定める最後の環状区分（２０ｅ、３０ｅ）まで順に配置された複数（Ｎ）の同軸環状区分（２０ａ−２０ｅ、３０ａ−３０ｅ）を備え、各区分が内側周辺部と外側周辺部との間の放物反射面を有し、各区分に関連する焦点（４１）又は焦点リング（４７）が、前記サブ反射器（２１、３１）の反射面上におかれたマイクロ波反射器アンテナであって、各区分（２０ｅ、３０ｅ）に関連する前記焦点（４１）又は前記焦点リング（４７）が、該主反射器の内部体積（４２）の内部にあって、互いに中心軸線に沿って配置され、それにより反射器の全体的な深さが最小になるか又は最小に近くなるように前記区分（２０ａ−２０ｅ）が構成され、該サブ反射器（２１、３１）が反射器の前記内部体積（４２）の内部におかれるようになったことを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
全ての区分（２０ａ−２０ｅ、３０ａ−３０ｅ）の内側周辺部が、中心軸線（４０）に対して垂直な平面（２９）上に実質的におかれるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
最後の区分を除く前記各区分の外側周辺部が、環状ストリップ（２８）により後続する区分の内側周辺部に接続されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記環状ストリップ（２８）は、前記中心軸線（４０）に対する傾斜角度を有し、この傾斜角度は、全てのストリップ（２８）について実質的に同じであることを特徴とする請求項３に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記傾斜角度は、０から３度までの間の値であることを特徴とする請求項４に記載のアンテナ。
【請求項６】
各ストリップは、該ストリップ（２８）が取り付けられるそれぞれの区分（３０ｂ−３０ｅ）の内側周辺部（３０ｂ’−３０ｅ’）を、反射器の焦点又は焦点リング（４７）に接合するそれぞれの仮想コーン又は円錐台の上におかれることを特徴とする請求項３に記載のアンテナ。
【請求項７】
前記環状区分の放物面の焦点距離（ｆi）が以下の規則、
ｆi＝ｆi-1＋ｋ．λ／２
式中、ｆi＝焦点距離であり、ｋ＝１、２、３．．．であり、ｉ＝２、．．．Ｎであり、λ＝主反射器の動作波長の平均長さである、
に従うことを特徴とする上記請求項のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項８】
前記主反射器の最も外側の周辺部（４５）に当接するレードーム（２７）をさらに備えることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項９】
前記導波管給電区分に沿った後方反射を最小にするために前記サブ反射器頂点と前記誘電体コーン（２２）との間に配置されたステップ変圧器区分をさらに備えることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（発明の開示）
本発明の第１の態様によれば、主放物面反射器と、該主反射器の中心軸線の頂点を通り、該中心軸線に沿っておかれた導波管給電区分と、誘電体コーンと、該導波管給電区分と通信するサブ反射器とからなり、該主反射器が、反射器の中心軸線に最も近い第１環状区分から該主反射器の外側周辺部を定める最後の環状区分まで順に配置された複数の同軸環状区分を含み、各区分が内側周辺部と外側周辺部との間の放物反射面を有し、各区分に関連する焦点又は焦点リングが、該サブ反射器の反射面上におかれたマイクロ波反射器アンテナであって、各区分に関連する該焦点又は該焦点リングが、該主反射器の内部体積の内部にあって、互いに中心軸線に沿って配置され、それにより反射器の全体的な深さが最小になるか又は最小に近くなるように該区分が構成され、該サブ反射器が反射器の該内部体積の内部におかれるようになるアンテナが提供される。反射器の焦点がその内部体積の内部におかれることを保証することにより、焦点に位置されるアンテナサブ反射器が反射器の体積内におかれるので、こうした反射器を組み入れるアンテナの全体的な深さが最小になることが保証される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
全ての区分の内側周辺部は、中心軸線に対して垂直な平面上に実質的におかれるように配置されることが有利である。こうした配置は、反射器の深さを最小にする一助となる。
最後の区分を除く各区分の外側周辺部は、環状ストリップにより後続する区分の内側周辺部に接続されることが好ましい。
１つの配置においては、環状ストリップは、中心軸線に対して或る傾斜角度を有し、この傾斜角度は全てのストリップについてほぼ同じである。傾斜角度は、０から３度までの間の値にされることが好ましい。
別の好ましい配置においては、各ストリップは、それぞれの仮想コーン又は円錐台コーン上におかれ、ストリップが取り付けられるそれぞれの区分の内側周辺部を、反射器の焦点又は焦点リングに接合する。
放物面区分の焦点距離（ｆi）は、以下の規則、
ｆi＝ｆi-1＋ｋ．ｌ／２
式中、ｆi＝焦点距離、ｋ＝１、２、３．．．、ｉ＝２、．．．Ｎ、ｌ＝主反射器の動作波長の平均長さである、
に従うことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
アンテナは、主反射器の最も外側の周辺部に当接するレードームをさらに備えることが好ましい。
アンテナはさらに、導波管給電区分に沿った後方反射を最小にするために、サブ反射器頂点と誘電体コーンとの間に配置されたステップ変圧器区分を備えることが有利である。
次に、本発明の実施形態を、制限する意味ではない単なる例として、図面を参照しながら説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
完成された製品の特有の重量もしくは気孔率(porosity)は、飼育魚のための固形飼料を含む幾つかの形式の食料及び飼料の品質の重要な判断基準であり得る。製品の気孔率は、製品に吸収される液体栄養物(liquid nutrient)を付加する可能性を考えると、重要である。また、気孔率は、適当な媒体での浮遊能力を考えると、更に重要である。また、歯切れ（crispness）、口の感覚、歯ごたえのような感覚基準についても、重要である。魚に与える固形飼料にとって、気孔率は、製造プロセス中にオイルを吸収する固形飼料の能力、供給時の水における浮遊能力(floating capacity)／浮力(buoyancy)という点で、重要である。  
【特許文献１】米国特許４１５４８６４号
【特許文献２】欧州特許０２２０２５３号
【特許文献３】ＷＯ９８４９９０４号
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  上皮増殖因子受容体（EGF-R）アンタゴニストが、EGF-Rに対して選択的なチロシンキナーゼ阻害剤、上皮増殖因子（EGF）に特異的に結合するモノクローナル抗体、EGF-Rに特異的に結合するモノクローナル抗体、EGFをコードする配列に対して特異的なアンチセンス分子、EGF-Rをコードする配列に対して特異的なアンチセンス分子、および抗酸化剤より選択される、気道粘液過剰分泌を治療する薬物を製造するためのEGF-Rアンタゴニストの使用。
【請求項２】  EGF-Rアンタゴニストが、EGF-Rに対して選択的なチロシンキナーゼ阻害剤である、請求項1記載の使用。
【請求項３】  抗体が上皮増殖因子（EGF）に特異的に結合するモノクローナル抗体である、請求項1記載の使用。
【請求項４】  抗体が上皮増殖因子受容体（EGF-R）に特異的に結合するモノクローナル抗体である、請求項3記載の使用。
【請求項５】  アンタゴニストが、EGFおよびEGF-Rからなる群より選択されるタンパク質をコードする配列に対して特異的なアンチセンス分子である、請求項1記載の使用。
【請求項６】  アンタゴニストが注射によって投与されるように製剤化される、請求項1記載の使用。
【請求項７】  アンタゴニストが、通常の生理食塩溶液の形態で担体と共に静脈内投与されるように製剤化される、請求項1記載の使用。
【請求項８】  アンタゴニストが吸入によって投与されるように製剤化される、請求項1記載の使用。
【請求項９】  アンタゴニストが、リポソーム輸送によって投与されるように製剤化される、請求項1記載の使用。
【請求項１０】  リポソームが立体的に安定化され、静脈内投与されるように製剤化される、請求項9記載の使用。
【請求項１１】  粘液の気道過剰分泌が慢性閉塞性肺疾患に関連する、請求項1記載の使用。
【請求項１２】  （i）杯細胞分化のインビトロ・モデルに上皮増殖因子（EGF）またはその機能的等価物を接触させる段階；
（ii）その後、インビトロ・モデルに候補薬剤を接触させる段階；および
（iii）杯細胞分化を評価する段階であって、杯細胞分化の減少を薬剤の治療的可能性の指標とする段階、
を含む、気道における粘液過剰分泌を治療する治療的可能性に関して候補薬剤をスクリーニングするインビトロの方法。
【請求項１３】  インビトロ・モデルが肺上皮細胞である、請求項12記載のインビトロの方法。
【請求項１４】  （i）哺乳動物モデルの気道上皮細胞において上皮増殖因子受容体（EGF-R）の発現を誘導することによって、過剰分泌肺疾患のインビボ非ヒト哺乳動物モデルを作製する段階；
（ii）ムチン産生杯細胞が産生されるよう、誘導されたEGF-Rをリガンドで刺激する段階；
（iii）哺乳動物モデルに候補薬剤を投与する段階；および
（iv）哺乳動物モデルの気道における杯細胞分化または粘液分泌を評価する段階であって、杯細胞分化または粘液分泌の阻害を候補薬剤の治療的可能性の指標とする段階、
を含む、気道における粘液過剰分泌を治療する治療的可能性に関して候補薬剤をスクリーニングするインビボの方法。
【請求項１５】  インビボ・モデルで用いられる非ヒト哺乳動物が、マウス、ラット、ウサギ、およびモルモットからなる群より選択される、請求項14記載のインビボの方法。
【請求項１６】  インビボ・モデルが喘息モデルである、請求項14記載のインビボの方法。
【請求項１７】  上皮増殖因子受容体（EGF-R）アンタゴニストがEGF-Rに対して選択的なチロシンキナーゼ阻害剤である、気道粘液過剰分泌を減少させるために十分な量のEGF-Rアンタゴニストの治療的に有効な量；および
吸入による輸送に適した流動可能な製剤
を含む、気道粘液過剰分泌を治療するための薬学的製剤。
【請求項１８】 EGF-Rアンタゴニストが液体担体および噴射剤と共に製剤化される、請求項17記載の薬学的製剤。
【請求項１９】  EGF-Rアンタゴニストが、水性溶液またはエタノール溶液において製剤化される、請求項17記載の薬学的製剤。
【請求項２０】  EGF-Rアンタゴニストが乾燥粉末製剤中に存在する、請求項17記載の薬学的製剤。
【請求項２１】  製剤がエアロゾル化されてエアロゾルを形成する、請求項17記載の薬学的製剤。
【請求項２２】  気管支拡張剤、コルチコステロイド、去痰剤、および粘液溶解剤からなる群より選択される薬剤をさらに含む、請求項17記載の薬学的製剤。
【請求項２３】  吸入による輸送に適した流動可能な製剤を有する容器を含む、気道粘液過剰分泌を治療するために用いられるパッケージであって、該製剤が、薬学的に活性な上皮増殖因子受容体（EGF-R）アンタゴニストを含み、ここでEGF-RアンタゴニストがEGF-Rに対して選択的なチロシンキナーゼ阻害剤である、パッケージ。
【請求項２４】  パッケージが計測用量吸入器であり、EGF-Rアンタゴニストが噴射剤と共に製剤化される、請求項23記載のパッケージ。
【請求項２５】  パッケージが乾燥粉末吸入器であり、EGF-Rアンタゴニストが乾燥粉末製剤において製剤化される、請求項23記載のパッケージ。
【請求項２６】  パッケージがネブライザーであり、EGF-Rアンタゴニストが水性溶液またはエタノール溶液である、請求項23記載のパッケージ。
【請求項２７】  製剤が、気管支拡張剤、コルチコステロイド、去痰剤、および粘液溶解剤からなる群より選択される薬剤をさらに含む、請求項23記載のパッケージ。
【請求項２８】  薬学的に活性な上皮増殖因子受容体（EGF-R）アンタゴニストを含むエアロゾルであって、ここでEGF-RアンタゴニストがEGF-Rに対して選択的なチロシンキナーゼ阻害剤である、エアロゾル。
【請求項２９】  気管支拡張剤、コルチコステロイド、去痰剤、および粘液溶解剤からなる群より選択される薬剤をさらに含む、請求項28記載のエアロゾル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  単結晶シリコンインゴットを成長させるシリカルツボにおいて、シリコンメルトを製造する方法であって、該方法が、
内表面および外表面を有する底壁および側壁形成物と、
ルツボを形成するためのシリカの融解時にシリカ材料中に形成され、０.５％未満のシリコン不溶性ガスを含有する気泡と
を有するシリカルツボに、ポリシリコンを装填し；
該ポリシリコンを溶融させて、ルツボ内に溶融シリコン塊を形成し；
該溶融シリコン塊をバリウムでドーピングし；および
該溶融シリコン塊に接するルツボの内表面に失透シリカの層を形成し、該層は該溶融シリコン塊中のバリウムによって核形成される；
ことを含んで成る方法。
【請求項２】  バリウムドーパントが、酸化バリウム、珪酸バリウム、酢酸バリウム、珪化バリウム、水素化バリウム、塩化バリウムおよび蓚酸バリウムから成る群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  バリウムドーパントが、水酸化バリウム、炭酸バリウムおよびバリウムシリコンオキシドから成る群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  少なくとも１.５ｘ１０−８ｇのバリウム/シリコン装填容量（ｃｍ３）/シリカ湿潤面積（ｃｍ２）の濃度のバリウムを添加する請求項１に記載の方法。
【請求項５】  少なくとも６ｘ１０−７ｇのバリウム/シリコン装填容量（ｃｍ３）/シリカ湿潤面積（ｃｍ２）の濃度のバリウムを添加する請求項１に記載の方法。
【請求項６】  ポリシリコンを装填する前に、ルツボの側壁形成物の外表面を失透促進剤で被覆することをさらに含んで成る請求項１に記載の方法。
【請求項７】  ポリシリコンおよびドーパントを導入する前に、ルツボの側壁形成物の内表面および底壁の内表面がタングステンでドーピングされた層を有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】  単結晶シリコンインゴットを成長させるシリカルツボにおいて、シリコンメルトを製造する方法であって、該方法が、
内表面および外表面を有する底壁および側壁形成物と、
ルツボを形成するためのシリカの融解時にシリカ材料中に形成され、０.５％未満のシリコン不溶性ガスを含有する気泡と
を有するシリカルツボに、ポリシリコンおよびバリウムを装填し；
該ポリシリコンを溶融させて、ルツボ内に溶融シリコン塊を形成し；および
該溶融シリコン塊に接するルツボの内表面に失透シリカの層を形成し、該層は該溶融シリコン塊中のバリウムによって核形成される；
ことを含んで成る方法。
【請求項９】  単結晶シリコンインゴットを成長させるシリカルツボにおいて、シリコンメルトを製造する方法であって、該方法が、
内表面および外表面を有する底壁および側壁形成物を有し、底壁および側壁形成物の内表面にタングステンでドーピングされた層を有するルツボに、ポリシリコンを装填し；
該ポリシリコンを溶融させて、ルツボ内に溶融シリコン塊を形成し；
該溶融シリコン塊をバリウムでドーピングし；および
該溶融シリコン塊に接するルツボの内表面に失透シリカの層を形成し、該層は該溶融シリコン塊中のバリウムによって核形成される；
ことを含んで成る方法。
【請求項１０】  ルツボが、側壁形成物の外表面にタングステンでドーピングされた層も有する請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
シリコンに不溶性の極低レベルのガスを含有するこのルツボは、減少した量のアルゴンのような不溶性ガスの雰囲気において、ルツボを融解することによって製造される。この種の雰囲気におけるルツボの融解によって、ルツボマトリックス中に形成される気泡が、減少した含有量のアルゴンのような不溶性ガスを含有する。従って、結晶成長の間にルツボが溶解するにつれて、気泡がメルトに放出される際に、不溶性ガスによって生じる結晶空隙欠陥が最少限にされるかまたは除去される。