【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無秩序化された水素結合網を形成して回転無秩序化されることができ、１００℃以上の温度で長期間動作することができる固体酸を含んでなる電解質膜。
【請求項２】
該固体酸が一般式:(M x M'1-x)3H3x(YO4)2(前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、Yは、P、As、Vおよびこれらの混合物からなる群より選ばれ、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項３】
該固体酸が一般式: M'3H2x[(Y1-x, Ax)O4]2 (前記式中、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、AはSi又はGeの一方であり、Yは、P、As、Vおよびこれらの混合物からなる群より選ばれ、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項４】
該固体酸が一般式: MH1+x(PO3A)1-x(YO4)x (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、AはF又はHの一方であり、Yは、P、As、Vおよびこれらの混合物からなる群より選ばれ、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項５】
該固体酸が一般式: M3Hx[(PO3A)x(YO4)(1-x)/2]2 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、AはF又はHの一方であり、Yは、P、As、Vおよびこれらの混合物からなる群より選ばれ、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項６】
該固体酸が一般式: MH1+x(CrO4)1-x(YO4)x及びM3Hx[(CrO4)x(YO4)1-x]2 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、Yは、P、As、Vおよびこれらの混合物からなる群より選ばれ、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項７】
該固体酸が一般式: MHx(P1-xAx)F6 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、AはSi又はGeの一方であり、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項８】
該固体酸が一般式: MxM'yHzAlF6 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、そしてX,Y及びZはそれぞれ独立して、関係:
X + 2Y + Z = 3
に従う3未満の数である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項９】
該固体酸が一般式: (M1-xHx)3AlF6, MH2AlF6, M'HAlF6及びM2HAlF6 (前記式中、Mは+1電荷を有する種であり、M'は+2電荷を有する種であり、そしてXは1以下である)から成る群から選択された、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１０】
該固体酸が一般式:(M1-yHy)2+x(A1-xAlx)F6 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、AはSi又はGeの一方であり、そしてX及びYはそれぞれ別個に1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１１】
該固体酸が一般式:(M1-yHy)1+2x(P1-xAlx)F6 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、そしてX及びYはそれぞれ別個に1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１２】
該固体酸が一般式:(M2(1-x)M'x)Hx(A1-xAlx)F6 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、AはSi又はGeの一方であり、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１３】
該固体酸が一般式:[M1-xHx]4AO4 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、AはSi又はGeの一方であり、そしてXは1以下である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１４】
該固体酸が一般式:M'H2AO4 (前記式中、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、そして、AはSi又はGeの一方である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１５】
該固体酸が一般式:M''HAO4 (前記式中、M''は、+3電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、そして、AはSi又はGeの一方である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１６】
該固体酸が一般式:MM'HAO4 (前記式中、Mは、+1電荷を有する任意のアルカリ金属、遷移金属その他の官能基であり、M'は、+2電荷を有する任意のアルカリ土類金属又は遷移金属であり、そして、AはSi又はGeの一方である)で表わされるものである、請求項１記載の電解質膜。
【請求項１７】
MがLi, Na, K, Rb, Cs, Fr及びNH4から成る群から選択されている、請求項２及び請求項４〜１３及び請求項１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項１８】
M'がBe, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra及びPbから成る群から選択されている、請求項２、３、８、９、１２、１４及び１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項１９】
M''が：Sc, Y, La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb及びLuから成る群から選択されている、請求項１５に記載の電解質膜。
【請求項２０】
さらに構造バインダー材料を含む、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２１】
該構造バインダー材料が、グラファイト、ポリマー、セラミック、ガラス及び金属から成る群から選択された種である、請求項２０に記載の電解質膜。
【請求項２２】
さらに別個の導電性材料を含む、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２３】
該導電性材料が、導電性ポリマー、金属及びグラファイトから成る群から選択されている、請求項２２に記載の電解質膜。
【請求項２４】
該固体酸が1以上の可変原子価元素を含む、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２５】
該電解質が水不溶性である、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２６】
該電解質が100℃を上回る温度で熱安定的である、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２７】
該電解質がプロトンを伝導する、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２８】
該電解質が使用温度で約10-5Ω-1cm-1以上のプロトン伝導率を有する、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項２９】
該電解質がプロトン及び電子の双方を伝導する、請求項２〜１６のいずれか１項に記載の電解質膜。
【請求項３０】
請求項２〜１６のいずれか１項に記載の固体酸電解質膜を内蔵した電気化学デバイス。
【請求項３１】
該デバイスが、燃料電池、バッテリー、水素分離膜及び膜反応器から成る群から選ばれる、請求項３０に記載の電気化学デバイス。
【請求項３２】
従来のアルカリ含有ケイ酸塩又はゲルマニウム酸塩の合成反応を行うに際し、アルカリイオン又はアルカリ土類イオンを含有する反応体の一方を、１以上の大型カチオンを含有する反応体に置き換えることを特徴とする、固体酸電解質材料の製造方法。
【請求項３３】
従来のアルカリ含有ケイ酸塩又はゲルマニウム酸塩を準備し；そして、
イオン交換を行いアルカリイオン又はアルカリ土類イオンの一方を１以上の大型カチオンに置き換える
工程を含むことを特徴とする、固体酸電解質材料の製造方法。
【請求項３４】
従来のLi含有ケイ酸塩又はゲルマニウム酸塩を準備し；そして、
酸性媒体中でイオン交換を行い該Liを１以上のプロトンに置き換える
工程を含むことを特徴とする、固体酸電解質材料の製造方法。