【事件の表示】
　特願２００４−１６４９２９「透明導電性酸化物膜付き基体および光電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月１５日出願公開、特開２００５−３４７４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１６年６月２日の出願であって、平成２３年３月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２４年５月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年８月６日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２４年５月２９日付け拒絶理由通知の概要
　
　平成２４年５月２９日付け拒絶理由通知の内容は、概略、次の１及び２のとおりである。
　
　１　本願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項並びに第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　なお、本拒絶理由通知において、上記記載不備の一つとして、「Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい」ものとすること自体に、技術上どのような意義があるのか不明であることが指摘されている。
　
　２　本願の請求項１ないし１２に係る発明は、国際公開第０３／０３６６５７号に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　本願発明
　
　１　平成２４年８月６日になされた手続補正後の請求項１は、次のとおりのものである。
　
「複数の山部と複数の平坦部とで構成され、該山部および該平坦部の表面がミクロの多数の凸部を連続して有している透明導電性酸化物膜が基体上に設けられた透明導電性酸化物膜付き基体であって、
　前記複数の山部は、隣接する該山部間の頂点と頂点の距離が直線上に０．７〜１．２μｍであり、前記基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さが１．０〜１．４μｍであり、
　波長範囲４００〜８００ｎｍでＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000に準じて測定した分光ヘイズ率が４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって２０〜９０％であり、該分光ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が４５％以下であり、基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際、該Ｃ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である透明導電性酸化物膜付き基体。」
　
　２　上記記載における「前記基板」の前に「基板」は記載されていない。
　
　３　「基板」について、本願明細書には、以下の記載がある。
「【００４４】
  図１に示すように、本発明の透明導電性酸化物膜付き基体１０は、ガラス基板１１上に、不連続な複数の山部１２によるマクロな凹凸（テクスチャ）と、この山部間をうめる複数の平坦部１３とを有しており、該山部１２および該平坦部１３の外表面は、ミクロの多数の凹凸（テクスチャ）を有する構造となっている。」
　
　４　上記３によれば、本願請求項１に記載の「基板」は、その上に本願請求項１に記載の「山部」および「平坦部」を有するものであると認められる。
　
　５　以上によれば、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年８月６日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、請求項１に係る発明は、次のとおりのものと認められる。
　
「複数の山部と複数の平坦部とで構成され、該山部および該平坦部の表面がミクロの多数の凸部を連続して有している透明導電性酸化物膜が基体上に設けられた透明導電性酸化物膜付き基体であって、
　前記複数の山部は、隣接する該山部間の頂点と頂点の距離が直線上に０．７〜１．２μｍであり、該山部および該平坦部を有する基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さが１．０〜１．４μｍであり、
　波長範囲４００〜８００ｎｍでＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000に準じて測定した分光ヘイズ率が４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって２０〜９０％であり、該分光ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が４５％以下であり、基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際、該Ｃ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である透明導電性酸化物膜付き基体。」
　
第４　当審の判断
　
　１　特許法第３６条第４項第１号について
　
（１）明細書の記載
　
　本願明細書には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。 
　
　ア　「【背景技術】 
【０００２】 
　光電変換素子である薄膜系太陽電池には、発電層の種類により、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系、多結晶シリコン系などがあるが、これらの
薄膜シリコン系太陽電池には、その入射光側電極として透明導電性酸化物膜が使用されている。この透明導電性酸化物膜は、光電変換効率を高めるために低抵抗・高透明であり、かつ、光散乱性能が大きいことが要求されている。
　
　イ　「【発明が解決しようとする課題】 
【００１０】 
　しかしながら、
上記特許文献８に記載の透明導電性酸化物膜付き基体は
特に、搬送型のＣＶＤ（例えば、ベルトコンベア炉を用いたＣＶＤ）装置で量産的に製造した場合に得られる３０ｃｍ角程度の大きさの基体におけるＣ光源ヘイズ率のばらつきが大きく（例えば、４０％程度）なる傾向がある
　そこで、低抵抗かつ高透明で、太陽光の全波長域（３００ｎｍ〜３μｍ）で良好な光散乱性能を有し、量産性に優れた透明導電性酸化物膜付き基体において、 
　本発明は、特に３０ｃｍ×３０ｃｍの大型の基体に対してもＣ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい透明導電性酸化物膜付き基体を提供し、また、該透明導電性酸化物膜付き基体を生産性よく製造する方法を提供し、さらに、該透明導電性酸化物膜付き基体を、光電変換素子、特に、薄膜シリコン系太陽電池の基板として適用することにより、光電変換率の効率が改善された光電変換素子を提供する、ことを目的とする。」　 
　
　ウ　「【００５３】 
　「Ｃ光源ヘイズ率」とは、Ｃ光源で測定したヘイズ率のことを示し、本発明においては、以下に示す「Ｃ光源ヘイズ率のばらつき」を求める際に１０ｍｍの間隔で測定したＣ光源ヘイズ率を表す。 
　また、
「Ｃ光源ヘイズ率のばらつき」とは、上述したように、Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値の差のことであって、本発明においては、透明導電性酸化物膜付き基体の基体全面（少なくとも０．０９ｍ
2
の領域（例えば、３０ｃｍ角の基体全面））においてＣ光源ヘイズ率を測定した際の該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差のことである。 また、本発明において、「基体全面においてＣ光源ヘイズ率を測定」とは、Ｃ光源ヘイズ率を基板の縦方向と横方向のそれぞれに１０ｍｍ間隔（基体端部から１５ｍｍ以内を除く）でヘイズメータ（Ｃ光源ヘイズ率計）で測定することである。
　
（２）「Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい」ことの技術上の意義について
　
　ア　上記（１）ア及びイの記載によれば、薄膜シリコン系太陽電池に使用される透明導電性酸化物膜は、光電変換効率を高めるために低抵抗・高透明であり、かつ、光散乱性能が大きいことが要求されており、特許文献８（国際公開第０３／０３６６５７号）に記載の透明導電性酸化物膜付き基体は、特に、搬送型のＣＶＤ（例えば、ベルトコンベア炉を用いたＣＶＤ）装置で量産的に製造した場合に得られる３０ｃｍ角程度の大きさの基体におけるＣ光源ヘイズ率のばらつきが大きく（例えば、４０％程度）なる傾向があり、本願発明は、特に３０ｃｍ×３０ｃｍの大型の基体に対してもＣ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい透明導電性酸化物膜付き基体を提供し、また、該透明導電性酸化物膜付き基体を生産性よく製造する方法を提供し、さらに、該透明導電性酸化物膜付き基体を、光電変換素子、特に、薄膜シリコン系太陽電池の基板として適用することにより、光電変換率の効率が改善された光電変換素子を提供する、ことを目的とするものと解される。 
　しかしながら、透明導電性酸化物膜付き基体を「Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい」ものとすること自体に、技術上どのような意義があるのか不明であって、本願発明の「該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である」との構成についても、技術上の意義が不明である。
　よって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が、本願発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえない。 
　
　イ　この点について、請求人は、平成２４年８月６日付け意見書（［２］（１））において、
「このように複数の太陽電池セルを接続する際、「Ｃ光源ヘイズ率のばらつき」があると、太陽電池モジュールを構成する各太陽電池セルの「Ｃ光源ヘイズ率」がそれぞれ異なる場合が多くなり、その結果、各太陽電池セルの電流値が異なるという事態が生じ得ます。例えば、上述した例のように直列に２つの太陽電池セルを接続した場合、いずれか一方にＣ光源ヘイズ率が小さい太陽電池セルが存在すると、その太陽電池セルの電流が小さくなるため、太陽電池モジュール全体の電流値は、その小さい電流値が律速となります。
　つまり、３０ｃｍ×３０ｃｍのような大型の基体で「Ｃ光源ヘイズ率のばらつき」が大きい場合には、複数の太陽電池セルが直列または並列に接続された太陽電池モジュール全体で捉えた場合には、電流値が低下し、光電変換効率が劣るという課題があります。
　なお、この点に関して、本審判事件の合議体は、『例えば、Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さいが、Ｃ光源ヘイズ率が全体で小さい値で揃っているものよりも、Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが大きいが、Ｃ光源ヘイズ率がごく一部でのみ小さく、その他のほぼ全体では十分に大きいものの方が望ましいように思われる。』とご指摘しておりますが、Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが大きく、Ｃ光源ヘイズ率がごく一部でのみ小さい場合であっても、この基板を用いて太陽電池モジュールを作製した場合には、上述したように、接続の仕方（直列または並列）によっては、Ｃ光源ヘイズ率が小さい太陽電池セルの電流値が律速となる場合があり、その場合には光電変換効率が劣ることになります。」
と主張する。
　請求人の上記主張について検討するに、上記主張における「Ｃ光源ヘイズ率が小さい太陽電池セルの電流値が律速となる場合」、太陽電池セルの電流値の低下を避けるため有効であるのは、Ｃ光源ヘイズ率の最小値を大きくすることであって、仮に本願発明のようにＣ光源ヘイズ率のばらつきをある値以下にしたとしても、Ｃ光源ヘイズ率の値自体が全体的に小さければ、太陽電池セルの電流値の低下を避けることはできないと認められる。したがって、請求人の上記主張は、上記判断を左右するものではない。
　
（３）小括
　
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　２　特許法第２９条第２項について
　
（１）刊行物の記載
　
　上記１の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０３６６５７号（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「発明を実施するための最良の形態
　以下に、本発明を詳細に説明する。
　本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の形状および構成を図１、図２を用いて説明するが、本発明の透明導電性酸化物膜付き基体とその製造方法、および光電変換素子（以下、太陽電池の具体例について述べる）は、これに限定されない。
　
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体は、図１に示されるように、ガラス基板１上に、不連続な複数の山部２によるマクロな凹凸（テクスチャ）と、この山部間をうめる複数の平坦部３とを有しており、該山部２、および該平坦部３の外表面は、ミクロの多数の凹凸（テクスチャ）を有する構造となっている。
　上記山部の高さ（平坦部上のミクロの凸部の頂部からの高さ）Ｈａは０．２〜２．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．０μｍ、さらに好ましくは０．４〜０．７μｍである。上記山部間の間隔（隣接する山部間の平坦部の距離）Ｗａは直線状に０〜２．０μｍであることが好ましく、より好ましくは１．２μｍ以下、さらに０．４μｍ以下であることが好ましく、特に、０．１μｍ以上（いずれの山部も不連続である）であることが好ましい。本発明においては、複数の山部は不連続である部分と連続している部分があってよく、山部間の間隔Ｗａが０〜２．０μｍであるということは、平坦部がないところがあってもよいということである。
　また、上記山部の底面径Ｄａは１．０〜３．０μｍであることが好ましく、より好ましくは１．０〜２．０μｍである。
　
さらに、上記山部間のピッチ（隣接する山部間の頂点と頂点の距離）Ｐ
ａ
は直線状に０．１〜２．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜１．５μｍ、さらに好ましくは０．７〜１．２μｍである。
　上記ミクロの多数の凹凸を示す図１の拡大図を図２に示す。図２に示すように、凸部１０の高さＨｂが０．０５〜０．２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜０．２μｍである。また、上記凸部間のピッチ（隣接する凸部間の頂点と頂点の距離）Ｐｂは直線状に０．１〜０．３μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜０．２μｍである。
　さらに、上記凸部１０の底面径Ｄｂは０．１〜０．３μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．３μｍであり、凸部１０の高さＨｂ／底面径Ｄｂの比は０．７〜１．２であることが好ましく、より好ましくは０．７〜１．０である。
　該山部２、および該平坦部３の外表面を、このような山部による凹凸（マクロな凹凸）よりも小さな凹凸（ミクロな凹凸）とすることにより短波長の光を強く散乱することができ、全体として広い領域の光を有効に散乱することが可能になる。すなわち、大きな凹凸である山部により長波長の光を、小さな凹凸表面より短波長の光を散乱することができる。
　また、上記ダブルテクスチャ構造により、本発明の透明導電性酸化物膜付き基体は、基体全体において、以下に示す波長とヘイズ率との関係を有している。すなわち、４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって、ヘイズ率が１０〜９５％である。
該ヘイズ率は、４００〜６００ｎｍの波長領域において４０〜７０％以上であることが好ましく、特に、６００〜８００ｎｍの波長領域において２０〜４０％であることが好ましい。また、ヘイズ率の最大値と最小値の差（最大値−最小値）が５０％以下であることが好ましい
　本発明の透明導電性酸化物膜付き基体に用いられる基体は、必ずしも平面で板状である必要はなく、曲面でも異型状でもよい。該基体としては、ガラス基体、セラミックス基体、プラスチック基体、金属基体などが挙げられる。該基体は透光性に優れた透明の基体であることが好ましく、ガラス基板であることが強度および耐熱性の点から好ましい。ガラス基板としては、無色透明なソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、その他の各種ガラスからなる透明ガラス板を用いることができる。
　太陽電池用基板に用いる場合、ガラス基板の厚さは０．２〜６．０ｍｍであることが好ましい。この範囲であると、前記ガラス基板の強度が強く、透過率が高い。また基体は、３５０〜８００ｎｍの波長領域において高い透過率、例えば８０％以上の透過率を有することが好ましい。また、十分絶縁性で、かつ化学的、物理的耐久性が高いことが望ましい。
　なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガラスからなるガラス基板、または低アルカリ含有ガラスからなるガラス基板の場合には、ガラスからその上面に形成される透明電導膜へのアルカリ成分の拡散を最小限にするために、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤ層をガラス基板面に施してもよい。
　また、ガラス基板の表面に、ガラス基板の表面と、その上に設けられる層との屈折率の差異を軽減するための層をさらに有していてもよい。
　ソーダライムガラス基板上に形成するアルカリバリア層は、ＳｉＯ２や、ＳｉＯ２とＳｎＯ２の混合酸化物膜や多層膜などであり、その膜厚は２０〜１００ｎｍであることが好ましい。膜厚がこの範囲であると、ガラス基板からの透過光の反射および吸収を制御することができる。多層膜の例としては、ソーダライムガラス基板上にＳｎＯ２膜とＳｉＯ２膜を順次積層した膜が挙げられ、膜厚はそれぞれ２０〜３０ｎｍ、２０〜４０ｎｍであることが好ましい。特に、該アルカリバリア層の膜厚は、４０〜６０ｎｍであることが好ましい。」
（８頁１８行−１１頁６行）
　
　イ　「得られた膜付き基板のシート抵抗、ヘイズ率、透過率の測定方法を以下に述べる。・・・
ヘイズ率は分光光度計（日立製作所製Ｕ３４００）を用いて測定した。測定波長範囲は４００〜８００ｎｍ、測定間隔は１０ｎｍとした。まず光入射面をガラス面として、正透過法で透過率を測定した。このときの各波長における透過率をＴｄ（λ）とする。次に内面球径１５０ｍｍφの積分球を装着し、サンプルの膜面を積分球に密着させて、積分球透過率を測定した。このときの各波長における透過率をＴｔ（λ）とする。以上の測定結果からヘイズ率Ｈｚ（λ）を以下の式により算出した。　Ｈｚ（λ）＝（Ｔｔ（λ）−Ｔｄ（λ））×１００／Ｔｔ（λ）  （％）
（２７頁３行−１４行）　
　
（２）引用発明
　
　ア　上記（１）アによれば、引用刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「透明導電性酸化物膜付き基体であって、
　ガラス基板上に、不連続な複数の山部によるマクロな凹凸（テクスチャ）と、この山部間をうめる複数の平坦部とを有しており、該山部、および該平坦部の外表面は、ミクロの多数の凹凸（テクスチャ）を有する構造となっており、
　上記山部の高さ（平坦部上のミクロの凸部の頂部からの高さ）Ｈａは０．４〜０．７μｍであり、上記山部間の間隔（隣接する山部間の平坦部の距離）Ｗａは直線状に０．４μｍ以下、０．１μｍ以上（いずれの山部も不連続である）であり、
　上記山部の底面径Ｄａは１．０〜２．０μｍであり、
　上記山部間のピッチ（隣接する山部間の頂点と頂点の距離）Ｐａは直線状に０．７〜１．２μｍであり、
　凸部１０の高さＨｂが０．１〜０．２μｍであり、上記凸部間のピッチ（隣接する凸部間の頂点と頂点の距離）Ｐｂは直線状に０．１〜０．２μｍであり、
　上記凸部１０の底面径Ｄｂは０．１５〜０．３μｍであり、凸部１０の高さＨｂ／底面径Ｄｂの比は０．７〜１．０であり、
　該山部、および該平坦部の外表面を、このような山部による凹凸（マクロな凹凸）よりも小さな凹凸（ミクロな凹凸）とすることにより短波長の光を強く散乱することができ、全体として広い領域の光を有効に散乱することが可能になり、すなわち、大きな凹凸である山部により長波長の光を、小さな凹凸表面より短波長の光を散乱することができ、
　上記構造により、基体全体において、４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって、ヘイズ率が１０〜９５％であり、該ヘイズ率は、４００〜６００ｎｍの波長領域において４０〜７０％以上であり、６００〜８００ｎｍの波長領域において２０〜４０％であり、ヘイズ率の最大値と最小値の差（最大値−最小値）が５０％以下である、
透明導電性酸化物膜付き基体。」
　
　イ　上記（１）イによれば、上記アの発明の「ヘイズ率」は、分光光度計（日立製作所製Ｕ３４００）を用いて、測定波長範囲は４００〜８００ｎｍ、測定間隔は１０ｎｍとし、まず光入射面をガラス面として、正透過法で透過率を測定し、このときの各波長における透過率をＴｄ（λ）とし、次に内面球径１５０ｍｍφの積分球を装着し、サンプルの膜面を積分球に密着させて、積分球透過率を測定し、このときの各波長における透過率をＴｔ（λ）とし、以上の測定結果から以下の式
　Ｈｚ（λ）＝（Ｔｔ（λ）−Ｔｄ（λ））×１００／Ｔｔ（λ）  （％）
により算出したものであると認められる。
　
　ウ　以上によれば、引用刊行物には、以下の発明が記載されているものと認められる。
「透明導電性酸化物膜付き基体であって、
　ガラス基板上に、不連続な複数の山部によるマクロな凹凸（テクスチャ）と、この山部間をうめる複数の平坦部とを有しており、該山部、および該平坦部の外表面は、ミクロの多数の凹凸（テクスチャ）を有する構造となっており、
　上記山部の高さ（平坦部上のミクロの凸部の頂部からの高さ）Ｈａは０．４〜０．７μｍであり、上記山部間の間隔（隣接する山部間の平坦部の距離）Ｗａは直線状に０．４μｍ以下、０．１μｍ以上（いずれの山部も不連続である）であり、
　上記山部の底面径Ｄａは１．０〜２．０μｍであり、
　上記山部間のピッチ（隣接する山部間の頂点と頂点の距離）Ｐａは直線状に０．７〜１．２μｍであり、
　凸部１０の高さＨｂが０．１〜０．２μｍであり、上記凸部間のピッチ（隣接する凸部間の頂点と頂点の距離）Ｐｂは直線状に０．１〜０．２μｍであり、
　上記凸部１０の底面径Ｄｂは０．１５〜０．３μｍであり、凸部１０の高さＨｂ／底面径Ｄｂの比は０．７〜１．０であり、
　該山部、および該平坦部の外表面を、このような山部による凹凸（マクロな凹凸）よりも小さな凹凸（ミクロな凹凸）とすることにより短波長の光を強く散乱することができ、全体として広い領域の光を有効に散乱することが可能になり、すなわち、大きな凹凸である山部により長波長の光を、小さな凹凸表面より短波長の光を散乱することができ、
　上記構造により、基体全体において、４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって、ヘイズ率が１０〜９５％であり、該ヘイズ率は、４００〜６００ｎｍの波長領域において４０〜７０％以上であり、６００〜８００ｎｍの波長領域において２０〜４０％であり、ヘイズ率の最大値と最小値の差（最大値−最小値）が５０％以下であり、
　上記ヘイズ率は、分光光度計（日立製作所製Ｕ３４００）を用いて、測定波長範囲は４００〜８００ｎｍ、測定間隔は１０ｎｍとし、まず光入射面をガラス面として、正透過法で透過率を測定し、このときの各波長における透過率をＴｄ（λ）とし、次に内面球径１５０ｍｍφの積分球を装着し、サンプルの膜面を積分球に密着させて、積分球透過率を測定し、このときの各波長における透過率をＴｔ（λ）とし、以上の測定結果から以下の式
　Ｈｚ（λ）＝（Ｔｔ（λ）−Ｔｄ（λ））×１００／Ｔｔ（λ）  （％）
により算出したものである、
透明導電性酸化物膜付き基体。」
（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「複数の山部」、「複数の平坦部」及び「透明導電性酸化物膜付き基体」は、それぞれ本願発明の「複数の山部」、「複数の平坦部」及び「透明導電性酸化物膜付き基体」に相当する。
　
　イ　引用発明の「ガラス基板」は、その上に、不連続な複数の山部によるマクロな凹凸（テクスチャ）と、この山部間をうめる複数の平坦部とを有するものであるから、本願発明の「該山部および該平坦部を有する基板」に相当する。
　
　ウ　引用発明において、「該山部、および該平坦部の外表面は、ミクロの多数の凹凸（テクスチャ）を有する構造となって」いることは、本願発明において、「該山部および該平坦部の表面がミクロの多数の凸部を連続して有している」ことに相当する。
　
　エ　引用発明において、「上記山部間のピッチ（隣接する山部間の頂点と頂点の距離）Ｐａは直線状に０．７〜１．２μｍであ」ることは、本願発明において、「前記複数の山部は、隣接する該山部間の頂点と頂点の距離が直線上に０．７〜１．２μｍであ」ることに相当する。
　
　オ　以上によれば、本願発明と引用発明とは、
　
「複数の山部と複数の平坦部とで構成され、該山部および該平坦部の表面がミクロの多数の凸部を連続して有している透明導電性酸化物膜が基体上に設けられた透明導電性酸化物膜付き基体であって、
　前記複数の山部は、隣接する該山部間の頂点と頂点の距離が直線上に０．７〜１．２μｍである、
透明導電性酸化物膜付き基体。」
　
である点で一致し、以下の（ア）ないし（ウ）の点で相違するものと認められる。
　
（ア）基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さが、本願発明は、１．０〜１．４μｍであると限定されているのに対して、引用発明は、限定がなされていない点（以下「相違点１」という。）。
　
（イ）「分光ヘイズ率」が、本願発明において、「ＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000に準じて測定した」ものであり、「４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって２０〜９０％であり、該分光ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が４５％以下であ」るのに対して、引用発明において、「ＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000に準じて測定した」ものとは限定されておらず、「基体全体において、４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって、ヘイズ率が１０〜９５％であり、該ヘイズ率は、４００〜６００ｎｍの波長領域において４０〜７０％以上であり、６００〜８００ｎｍの波長領域において２０〜４０％であり、ヘイズ率の最大値と最小値の差（最大値−最小値）が５０％以下であ」るとされている点（以下「相違点２」という。）。
　
（ウ）本願発明において、「基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際、該Ｃ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である」と限定されているのに対して、引用発明では、Ｃ光源ヘイズ率について限定がなされていない点（以下「相違点３」という。）。
　
（４）判断
　
　ア　上記相違点１について検討する。
　
（ア）引用発明において、基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さをどの程度のものとすべきかは、当業者が設計上適宜に定めるべき事項である。
　
（イ）「基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さ」＝「基板上から平坦部上のミクロの凸部の頂部までの高さ」＋「上記山部の高さ（平坦部上のミクロの凸部の頂部からの高さ）Ｈａ」であるところ、引用発明において右辺の第２項は０．４〜０．７μｍである。また、引用刊行物には、「上記ガラス基板１上の連続層５の厚さＨe（ミクロの凸部を含む）は０.５〜１.０μｍであることが好ましく、より好ましくは０.５〜０.７μｍである。」（１５頁６−８行）と記載されており、当該記載における「上記ガラス基板１上の連続層５の厚さＨe（ミクロの凸部を含む）」は、「基板上から平坦部上のミクロの凸部の頂部までの高さ」であると認められるから、上記の式の右辺の第１項に、「０.５〜０.７μｍ」を代入すると、「基板上から該山部の頂点（前記ミクロの凸部を含む）までの高さ」は、０．９〜１．４μｍとなると認められる。
　
（ウ）また、引用刊行物には「基板上から山部の頂上（ミクロの凸部を含む）までの高さは０.８〜３.０μｍであることが好ましく、より好ましくは０.８〜１.０μｍであり」（１７頁７−９行）と記載されている。
　
（エ）上記（イ）及び（ウ）に照らして、引用発明において、相違点１に係る本願発明の特定事項とすることに格別の困難があるものとは認められない。また、本願発明において、相違点１の特定事項に設計的事項の域を超える格別の技術的意義があるものとも認められない。
　
　イ　上記相違点２について検討する。
　
（ア）ＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000は、ヘイズの求め方を規定する日本工業規格である。試験により測定を行う際、規格化された試験方法があれば、それに準じて試験及び測定を行うことは、一般的に行われていることであるから、引用発明において、ヘイズ率を、ＪＩＳ Ｋ ７１３６:2000に準じて測定することは、当業者が容易に想到できたことである。
　
（イ）引用発明において、「４００〜８００ｎｍの波長全域にわた」る「（分光）ヘイズ率」の範囲及びその最大値と最小値の差をどの程度のものとするかは、望ましい「（分光）ヘイズ率」の範囲に応じて、当業者が設計上適宜に定めるべき事項であるところ、引用発明において、「該ヘイズ率は、４００〜６００ｎｍの波長領域において４０〜７０％以上であり、６００〜８００ｎｍの波長領域において２０〜４０％であり、ヘイズ率の最大値と最小値の差（最大値−最小値）が５０％以下であ」ることに照らして、「４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって２０〜９０％であり、該分光ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が４５％以下」とすることに格別の困難はないものと認められる。また、本願発明において、相違点２の特定事項に設計的事項の域を超える格別の技術的意義があるものとも認められない。
　
（ウ）以上によれば、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　
　ウ　上記相違点３について検討する。
　
（ア）引用発明において、特定の光源に対するヘイズ率の範囲及びその最大値と最小値との差をどの程度のものとするかは、当該ヘイズ率の望ましい範囲に応じて当業者が設計上適宜に定めるべき事項である。
　
（イ）上記１（２）で検討したとおり、「Ｃ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい」こと、すなわち本願発明における「該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である」ことの技術上の意義が不明である。
　そして、本願発明における「基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際、該Ｃ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、該Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）が１４％以下である」との特定は、基体全面について特定の光源に対するヘイズ率をヘイズメータで測定した際の望ましいＣ光源ヘイズ率及びその最大値と最小値との差の範囲について定めたものと解されるのであって、設計的事項の域を超えるものということはできない。 
　本願明細書の記載を見ても、本願発明において特定される分光ヘイズ率及びその最大値と最小値の差ないし基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際の該Ｃ光源ヘイズ率及びその最大値と最小値の差の範囲内と範囲外とで当業者が予測困難なほどの作用、効果の差異が生じるものと認めることはできず、それらの範囲が特定された点に格別の臨界的な意義があるものとは認められない。 
　
（ウ）以上によれば、引用発明において、上記相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　
（５）小括
　
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用刊行物の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
第５　むすび
　
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないものである。
　
　また、本願発明は、引用発明及び引用刊行物の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。