【事件の表示】
　特願２０１０−　　２３７０「非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月３１日出願公開、特開２０１１−　６６３７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は，平成２２年１月７日（優先権主張平成２１年８月１８日）の出願であって，平成２３年２月１０日に手続補正がされ，平成２３年４月２０日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２３年７月２１日に審判請求がされるとともに，同日付けで手続補正がされたものである。
　その後，平成２４年２月２４日付けで審尋がされ，同年４月１９日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２３年７月２１日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）　　について
（１）本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，補正の前後の請求項は各々以下のとおりである。
〈補正前〉
「　【請求項１】
　Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体からなり，
　前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合，前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）で規定される非晶質酸化物半導体材料。
　　【請求項２】
　前記元素組成比がさらに，ｂ≦１．５の範囲で規定される請求項１に記載の非晶質酸化物半導体材料。
　　【請求項３】
　光学バンドギャップが３．７９ｅＶ以上である請求項１又は請求項２に記載の非晶質酸化物半導体材料。
　　【請求項４】
　請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の非晶質酸化物半導体材料からなり，電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層を有した電界効果型トランジスタ。
　　【請求項５】
　請求項４に記載の電界効果型トランジスタを備えた表示装置。
　　【請求項６】
　基板と，
　前記基板上に配置され，ボトムゲート構造を有する請求項４に記載の電界効果型トランジスタと，
　前記基板上で，前記電界効果型トランジスタに電気的に接続されている有機電界発光素子と，
　を備え，前記有機電界発光素子から発せられる光が，前記基板側から取り出されるボトムエミッション型の表示装置。」
　
〈補正後〉
「　【請求項１】
　Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合，前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）で規定される非晶質酸化物半導体材料からなり，電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層，
　を有した電界効果型トランジスタ。
　　【請求項２】
　前記元素組成比がさらに，ｂ≦１．５の範囲で規定される請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
　　【請求項３】
　光学バンドギャップが３．７９ｅＶ以上である請求項１又は請求項２に記載の電界効果型トランジスタ。
　　【請求項４】
　請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタを備えた表示装置。
　　【請求項５】
　基板と，
　前記基板上に配置され，ボトムゲート構造を有する請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の電界効果型トランジスタと，
　前記基板上で，前記電界効果型トランジスタに電気的に接続されている有機電界発光素子と，
　を備え，前記有機電界発光素子から発せられる光が，前記基板側から取り出されるボトムエミッション型の表示装置。」
　
（２）補正事項の整理
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１〜請求項３を削除するとともに，補正前の請求項４のうち補正前の請求項１を引用していた部分を，独立形式として補正後の請求項１とし，補正前の請求項４のうち補正前の請求項２，３を引用していた部分を，それぞれ補正後の請求項２，３とすること。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項４を引用していた補正前の請求項５を，補正後の請求項１〜３を引用する補正後の請求項４とするとともに，補正前の請求項４を引用していた補正前の請求項６を，補正後の請求項１〜３を引用する補正後の請求項５とすること。
　
〈補正事項３〉
　補正前の請求項４が引用していた補正前の請求項１の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体からなり，」を，補正後の請求項１の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，」とすること。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
〈補正事項１について〉
　補正事項１は，補正前の請求項１〜３を削除し，補正前の請求項４を独立形式及び引用形式で書き分けたものであるから，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
〈補正事項２について〉
　補正事項２は，補正事項１によって，補正前の請求項４が補正後の請求項１〜３に分けられたことに伴い，補正前の請求項４を引用していた補正前の請求項５及び６について，引用請求項の整合を図るものであるから，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
〈補正事項３について〉
　補正事項３は，補正前の請求項１が非晶質酸化物半導体材料に係る発明であったところ，補正後の請求項１は，当該非晶質酸化物半導体材料からなる活性層を有した電界効果トランジスタとなったことに伴い，「からなる」の重複を避けるものであるから，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
また，上記〈補正事項１〉〜〈補正事項３〉は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内でなされたことは明らかであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）小括
　上記（３）において検討したとおり，本件補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされ，特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであり，また，特許法第１７条の２第５項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであるから，適法になされたものである。
　
３．本願発明
　上記のとおり，本件補正は適法になされたものであるから，本願の請求項１ないし５に係る発明は，平成２３年７月２１日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであり，それらのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
　Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合，前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）で規定される非晶質酸化物半導体材料からなり，電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層，
　を有した電界効果型トランジスタ。」
　
４．刊行物に記載された発明
（１）特開２００７−２８１４０９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−２８１４０９号公報（以下「引用例１」という。）には，図１，２，１０，１４とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
ア　技術分野
「【０００１】
　本発明は、有機ＥＬや無機ＥＬを発光素子に利用した表示装置や、液晶を利用した表示装置に用いられる、酸化物を用いた電界効果型トランジスタに関する。」
　
イ　発明が解決しようとする課題
「【０００３】
　上記非特許文献１では，具体的には，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１．１：１．１：０．９（ａｔｏｍｉｃ　ratio）の原子組成比率を有するアモルファス酸化物をＴＦＴのチャネル層に用いる技術が記載されている。
【０００４】
　そこで，本発明者らは，上記組成を参考に，スパッタリング法によりＩｎとＧａとＺｎの原子組成比率がほぼ等しい酸化物膜を形成し，それがトランジスタ動作することを確認した。
【０００５】
　そして，酸化物構成元素の種類はなるべく少ない方が，原子組成比率制御性の観点からは好ましいとの認識の下，Ｇａの量を減らしながら，様々に原子組成比率を変化させることを試みた。
【０００６】
　その結果，ＩｎとＺｎに対するＧａの原子組成比率を従来より小さくすることで，トランジスタ特性の評価項目であるＳ値や電界効果移動度を向上することができる本発明を成すに至った。
更に，経時安定性や駆動安定性に優れるＩｎ−Ｇｚ（当審注：ＧｚはＧａの誤記）−Ｚｎ原子組成比率範囲を技術開示する
　
ウ　電界効果型トランジスタの構成
「【００６８】
　（電界効果型トランジスタの構成）
　ここで，
本発明に適用できる電界効果型トランジスタの構成について説明する
【００６９】
　
図２はボトムゲート型トランジスタの例である
【００７０】
　図２において，２１は基板（ｎ＋のＳｉ基板：ゲート電極を兼ねる），２２は絶縁膜（ＳｉＯ２），２５はチャンネル（酸化物半導体）である。２４と２７は，第１の電極（例えばＴｉ），２３と２６は第２の電極（Ａｕ）である。なお，第１の電極として，Ｔｉの代わりにＮｉでもよい。
【００７１】
　上述の実施態様に係る酸化物半導体（チャンネル）の厚さは，１０ｎｍから２００ｎｍの範囲，好ましくは２０ｎｍから１００ｎｍの範囲である。更に好ましくは，３０ｎｍから７０ｎｍの範囲である。
【００７２】
　アモルファス酸化物からなるゲート絶縁膜の成膜法としては，スパッタ法（ＳＰ法），パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法），及び電子ビーム蒸着法，原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ　ｌａｙｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）などの気相法を用いるのがよい。尚，気相法の中でも，量産性の点からは，ＳＰ法が適している。しかし，成膜法は，これらの方法に限られるのものではない。成膜時の基板の温度は意図的に加温しない状態で，ほぼ室温に維持することができる。
【００７３】
　また，
アモルファス酸化物半導体をチャンネル層に適用した薄膜トランジスタにおいて，良好なＴＦＴ特性を得るためには，以下のようにする
【００７４】
　
すなわち，チャンネル層に１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有した半絶縁性のアモルファス酸化物（高抵抗のアモルファス酸化物半導体）膜をチャンネル層に適用することが好ましい
【００７５】
　このような電気伝導度をえるためには，チャンネル層の材料組成にも依存するが，１０１４〜１０１８／ｃｍ３程度の電子キャリヤ濃度を有したアモルファス酸化物膜を形成することが好ましい。
【００７６】
　
電気伝導度にして１０Ｓ／ｃｍ以上の場合，ノーマリーオフ・トランジスタを構成することができないし，また，オン・オフ比を大きくすることができない。極端な場合には，ゲート電圧の印加によっても，ソース・ドレイン電極間の電流がオン・オフせず，トランジスタ動作を示さない。一方で，絶縁体，すなわち電気伝導度にして０．０００１Ｓ／ｃｍ以下となると，オン電流を大きくすることができなくなる。極端な場合には，ゲート電圧の印加によっても，ソース・ドレイン電極間の電流がオン・オフせず，トランジスタ動作を示さない
【００７７】
　通常，酸化物の電気伝導度電子やキャリア濃度を制御するためには，成膜時の酸素分圧を制御することで行う。すなわち，酸素分圧を制御することで，主として薄膜中の酸素欠損量を制御し，これにより電子キャリア濃度を制御する。図１４には，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物薄膜をスパッタ法で成膜した際の，キャリア濃度の酸素分圧依存性の一例を示す図である。
【００７８】
　実際に，酸素分圧を高度に制御することで，電子キャリヤ濃度が１０１４〜１０１８／ｃｍ３で半絶縁性を有したアモルファス酸化膜の半絶縁性膜を得ることができる。そして，このような薄膜をチャンネル層に適用することで良好なＴＦＴを作成することができる。図１４に示すように典型的には０．００５Ｐａ程度の酸素分圧で成膜することで，半絶縁性の薄膜を得ることができる。
【００７９】
　０．００１Ｐａ以下では絶縁となり，一方で０．０１Ｐａ以上では電気伝導度が高すぎ，用途にもよるが，トランジスタのチャンネル層としては不適合である場合がある。
【００８０】
　なお，上記した好ましい酸素分圧は，チャンネル層の材料組成に依存する。
【００８１】
　なお，図１における相図は，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎをどのような割合（原子パーセント，ａｔｏｍｉｃ　ｒａｔｉｏ）で含まれるかを示している。酸素量は考慮していない。例えば，図中のａは，酸化物に含まれるＺｎとＩｎの総量に対して，Ｚｎが９０原子％，Ｉｎが１０原子％の割合で含まれることを示している。
【００８２】
　図１における点線で示した領域は，酸化物に含まれる酸素量により多少変化するが，点線の左側の領域が結晶，あるいは結晶性の高い領域，右側の領域が非晶質領域である。」
　
エ　チャンネル層の好ましい組成例
「【００９９】
　（チャンネル層の好ましい組成例について）
　
先に，活性層の好ましい材料組成について説明したが，下記の組成範囲も好ましい組成範囲ということができる。図１，図１０を用いて，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の相図において，ＴＦＴのチャンネル層に適用した際に，好ましい原子組成比率について説明する
【０１００】
　
図１及び図１０における三元相図は，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物において，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎをどのような割合（原子％）で含まれるかを示している
【０１０１】
　本発明において酸素量は特にこだわらないが，たとえば，Ｉｎ３価，Ｇａ３価，Ｚｎを２価として考えた際に，ストイキオメトリー及びその周辺組成が挙げられる。ストイキオメトリーからのズレ（酸素欠陥量）は，後述の成膜時の酸素圧力などで制御することができる。
【０１０２】
　
三元相図例えば，図中のａは，酸化物に含まれるＺｎとＩｎの総量に対して，Ｚｎが９０原子％，Ｉｎが１０原子％の割合で含まれることを示している。下記にそれぞれの点の原子組成比率である原子パーセントを記しておく
点ａ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：０：９０
点ｂ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：０：８０
点ｃ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：０：５０
点ｄ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝６０：０：４０
点ｅ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝７０：０：３０
点ｆ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝９０：０：１０
点ｇ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝８０：１０：１０
点ｈ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：４０：１０
点ｉ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：５０：１０
点ｊ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：８０：１０
点ｋ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：５０：４０
点ｌ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１０：８０
点ｍ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：１０：７０
点ｎ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：１０：４０
点ｐ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝６０：１０：３０
点ｑ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝７０：１０：２０
点Ｒ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３０：０：７０
点Ｓ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３０：１０：６０
点Ｔ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３０：３０：４０
点Ｕ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝６０：３０：１０
点Ｖ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：３０：６０
点Ｗ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：０：６０
点Ｘ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：１０：５０
点Ｙ　　　Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：４０：４０
　図１における点線で示した領域は，酸化物に含まれる酸素量や製膜方法などにより多少変化するが，点線の左側の領域が結晶，あるいは結晶性の高い領域，右側の領域が非晶質領域である。結晶相とアモルファス相の境界は，膜厚などの成膜条件に依存して変わりうるため，その変わりうる範囲を２本の点線（１０５０と１０６０）で記している。
【０１０３】
　すなわち成膜条件に依存して，この２本の点線の間の中の任意の組成で，結晶領域とアモルファス領域に分かれる。たとえばスパッタ成膜法においては，ターゲットと試料の間の距離やガス圧に依存して，この境界の位置が変わりうる。
【０１０４】
　まず，図１に記載の相図のａ，ｆ，ｉ，ｋで囲まれる領域内の組成である。この組成領域からなるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ薄膜でチャンネル層を構成することで，薄膜トランジスタとしての動作が可能である。この領域内の任意の組成を選択することで所望の特性を有したトランジスタを提供することができる。
【０１０５】
　
さらにこの中でも特に，図１に記載の相図のＳ，ｎ，ｋ，Ｖで囲まれる領域内の組成が好ましい。この領域の組成のアモルファス材料をチャンネル層に適用すると，比較的移動度が高く，閾値電圧を０Ｖ近傍の素子を実現可能である。特に，再現良く良好な特性のトランジスタを作製することができるという特徴がある。再現性の良くトランジスタを作製できる理由は定かではないが，製膜時の真空雰囲気や温度，さらには成膜後の環境に対しての安定性に優れていると考えることができる。すなわち，この組成の領域は，安定性と比較的大きな移動度を両立した素子が必要な際に有用な領域である
【０１０６】
　
　・・・　（中略）　・・・
　
【０１１３】
　
他にも，（図１に記載の相図のＹ，ｈ，ｉ，ｋで囲まれる領域が挙げられる。この領域は閾値が正であるトランジスタを作製しやすい領域である。また，比較的オフ電流の小さな特性を得ることができる。このような特徴が得られる理由は定かではないが，この領域では，酸化物半導体材料の移動度が比較的小さい一方で，キャリア濃度の低下した状態を安定して形成できると考えることができる
【０１１４】
　
さらには，比較的Ｇａ組成が多いことで光吸収端が短波長側にシフトし，波長４００ｎｍ近傍での光透過性が高いという特徴がある。また，屈折率が小さくなる。すなわち，この組成の領域は，大きなオン電流は必要ないが，オフ電流が小さい素子や透明性の高い素子が望まれる際に有用な領域である
　
オ　実施例
「【０１４４】
　次に，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜をｎ型チャネル層とした電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）の特性およびその組成依存性を調べた。具体的には，熱酸化膜付Ｓｉ基板上にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ組成傾斜膜を製膜した後，パターニング，電極形成等を行い，それぞれ組成の異なる活性層を有する素子を一枚の基板上に形成した。３ｉｎｃｈウェーハ上に形成されたＦＥＴを５×５の領域に分割してアドレスをふり，それぞれ特性を評価した。ＦＥＴの構造としては図２に示すようなボトムゲート・トップコンタクト型で，ゲート電極にｎ＋−Ｓｉ，絶縁膜にＳｉＯ２，ソースドレイン電極にＡｕ／Ｔｉ，を使用している。またこの時チャネル幅およびチャネル長はそれぞれ１５０μｍ，１０μｍである。ＦＥＴ評価において用いたソースドレイン電圧は６Ｖである。構成を図２に示している。
【０１４５】
　ＴＦＴ特性評価において，電子移動度はゲート電圧（Ｖｇ）に対する√Ｉｄ（Ｉｄ：ドレイン電流）の傾きにより，電流ＯＮ／ＯＦＦ比はＩｄの最大値と最小値の比により求めた。またＶｇに対して√ＩｄをプロットしたときのＶｇ軸との切片をしきい値電圧とし，ｄＶｇ／ｄ（ｌｏｇＩｄ）の最小値をＳ値（電流を一桁上昇させるのに必要な電圧の値）とした。
【０１４６】
　基板上のさまざまな位置のＴＦＴ特性を評価することで，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ原子組成比率に応じたＴＦＴ特性の変化を調べた。これにより，基板上の位置，すなわち，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ原子組成比率に応じて，ＴＦＴ特性が変化することがわかった。
【０１４７】
　
　・・・　（中略）　・・・
　
【０１５０】
　一方，Ｇａ−ｒｉｃｈ領域（Ｇａ濃度が４０原子％以上５０原子％以下の範囲において）では，電流ＯＮ／ＯＦＦ比が１０６以上と比較的良好なトランジスタ動作が確認された。しきい値電圧も正の値をとっており，ゲート電圧非印加時には電流が流れない，「ノーマリーオフ特性」が得られた。しかし，酸素量にもよるであろうが，本実施例では，ＯＮ時のドレイン電流が小さく，電子移動度が１〜２ｃｍ２（Ｖ・ｓ）−１程度の小さな値しか得られなかった。
すなわち図１のＹ，ｈ，ｉ，Ｋで囲まれたＧａ−ｒｉｃｈ領域でチャンネル層を作成することで，小さなオフ電流を有し，閾値が正のトランジスタを実現することができる
　
カ　実施例のＴＦＴ評価の結果
「【０１５９】
　下記に本実施例のＴＦＴ評価の結果を簡単にまとめる。
【０１６０】
　組成依存性については以下のように言える。
【０１６１】
　Ｉｎ−ｒｉｃｈ領域（図１の領域ｎ，ｇ，Ｕ，Ｔ）で移動度大。ヒステリシスが小さい。
Ｇａ−ｒｉｃｈ領域（領域Ｙ，ｈ，ｉ，ｋ）でオフ電流が小さく，電流ＯＮ／ＯＦＦ比大，しきい値大。光安定性，光透過性が良好である
　
　ここで，上記ウ，エの記載から，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用した，ボトムゲート型の薄膜トランジスタである電界効果型トランジスタにおいて，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であることが好ましいことがわかる。
　また，上記ウ，エ，オ，カの記載から，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用するに際しては，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，段落【０１０２】に記載されたＹ，ｈ，ｉ，ｋの各点で囲まれる領域内の組成のものを採用することにより，閾値が正であるトランジスタを作製しやすく，比較的オフ電流が小さく，比較的Ｇａ組成が多いことで光吸収端が短波長側にシフトし，波長４００ｎｍ近傍での光透過性が高く，また，屈折率が小さくなり，光安定性が良好である特性の電界効果トランジスタが得られることがわかる。
　また，上記ウ，エの記載から，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用するに際しては，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，段落【０１０２】に記載されたＳ，ｎ，ｋ，Ｖの各点で囲まれる領域内の組成のものを採用することにより，安定性と比較的大きな移動度を両立した電界効果トランジスタを作製することができることがわかる。
　
　以上を総合し，上記Ｙ，ｈ，ｉ，ｋの各点で囲まれる領域内の組成を採用した電界効果トランジスタに注目すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用した，ボトムゲート型の薄膜トランジスタである電界効果型トランジスタにおいて，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であり，さらに，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の組成が，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，Ｙ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：４０：４０），ｈ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：４０：１０），ｉ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：５０：１０），ｋ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：５０：４０）の各点で囲まれる領域内のものを採用することにより，閾値が正であり，比較的オフ電流が小さく，光吸収端が短波長側にシフトし，波長４００ｎｍ近傍での光透過性が高く，また，屈折率が小さく，光安定性を良好なものとした電界効果トランジスタ。」
　
５．本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明の「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体」は，本願発明の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体」に相当する。
　
・引用発明における，「前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の組成が，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，Ｙ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：４０：４０），ｈ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：４０：１０），ｉ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：５０：１０），ｋ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：５０：４０）の各点で囲まれる領域内のもの」中のＹ，ｈ，ｉ，ｋの各点を，本願発明と同様に，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃのときａ＋ｂ＝２となるように換算すると，Ｙ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２／３ ： ４／３ ： ４／３），ｈ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０／９ ： ８／９ ： ２／９），ｉ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝８／９ ： １０／９ ： ２／９），ｋ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３ ： ５／３ ： ４／３）となる。これらの点のうち，ｋ点は本願発明において除外される値（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３）に合致し，また，Ｙ点はｃ＝−５ｂ＋８の関係を有するから，本願発明におけるｃ＞−５ｂ＋８の関係を満たさない。さらに，ｈ点及びｉ点はいずれもｃ＝２／９であるから，本願発明の１≦ｃ≦２の範囲に含まれず，また，ｈ点及びｉ点は各々ｂの値が８／９，１０／９であるから，本願発明の１．３≦ｂ＜２の関係も満たさない。したがって，引用発明におけるＹ，ｈ，ｉ，ｋの各点における組成比は，本願発明の「前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）」には入らない。また，引用発明の「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，Ｙ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：４０：４０），ｈ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：４０：１０），ｉ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：５０：１０），ｋ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：５０：４０）の各点で囲まれる領域」と本願発明に係る前記組成比の範囲とが重複するか否かは明らかでない。
　
・引用発明の「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用した，ボトムゲート型の薄膜トランジスタである電界効果型トランジスタ」は，本願発明の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体」「からな」「る活性層，　を有した電界効果型トランジスタ。」に相当する。そして，引用発明の「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の電気伝導度が電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であ」ることは，０．０００１Ｓ／ｃｍが１０−４Ｓ／ｃｍであるから，本願発明の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，」「電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層」とは，「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，」「電気伝導度が１０−４≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である」範囲で重複する。
　よって，引用発明の「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体をチャンネル層（活性層）に適用した，ボトムゲート型の薄膜トランジスタである電界効果型トランジスタにおいて，前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であ」る「電界効果トランジスタ」と，本願発明の「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，」「電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層，　を有した電界効果型トランジスタ」とは，「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり」「電気伝導度σが１０−４≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層，　を有した電界効果型トランジスタ」である点で共通する。
　
　以上から，引用発明と本願発明とは，
「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体であり，電気伝導度σが１０−４≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である活性層を有した電界効果型トランジスタ。」
である点で一致する。
　
一方，両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明においては，「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体」が「前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合，前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）で規定される非晶質酸化物半導体材料」であるのに対して，引用発明においては「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜の組成が，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎが含まれる割合（原子％）を示した三元相図において，Ｙ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２０：４０：４０），ｈ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５０：４０：１０），ｉ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４０：５０：１０），ｋ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：５０：４０）の各点で囲まれる領域内のもの」である点。
　
《相違点２》
　電界効果トランジスタが有する活性層となるＩｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体について，本願発明においては，「電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である」のであるのに対して，引用発明においては「電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であ」る点。
　
６．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
（１）　《相違点１》について
　引用発明においては，引用発明に係る前記組成を採用することにより，「閾値が正であり，比較的オフ電流が小さく，光吸収端が短波長側にシフトし，波長４００ｎｍ近傍での光透過性が高く，また，屈折率が小さく，光安定性を良好なもの」としている。引用例には，これとは別に，前記４．（１）エに摘記したとおり，「図１に記載の相図のＳ，ｎ，ｋ，Ｖで囲まれる領域内の組成が好ましい。この領域の組成のアモルファス材料をチャンネル層に適用すると，比較的移動度が高く，閾値電圧を０Ｖ近傍の素子を実現可能である。特に，再現良く良好な特性のトランジスタを作製することができるという特徴がある。再現性の良くトランジスタを作製できる理由は定かではないが，製膜時の真空雰囲気や温度，さらには成膜後の環境に対しての安定性に優れていると考えることができる。すなわち，この組成の領域は，安定性と比較的大きな移動度を両立した素子が必要な際に有用な領域である。」（段落【０１０５】）との記載がある。ここで，図１を参照すると，前記「Ｓ，ｎ，ｋ，Ｖで囲まれる領域」について，点ｎと点ｋを結ぶ線上には，引用発明に係る点Ｙが位置し，引用発明に係るＹ，ｈ，ｉ，ｋの各点で囲まれる領域と，前記「Ｓ，ｎ，ｋ，Ｖで囲まれる領域」とが，点Ｙと点ｋとを結ぶ線分において接していることがわかる。
　そして，前記段落【０１０５】に記載された「安定性と比較的大きな移動度を両立」することは，一般にトランジスタについて常に求められる特性であるから，引用発明においても，引用発明に係る「閾値が正であり，比較的オフ電流が小さく，光吸収端が短波長側にシフトし，波長４００ｎｍ近傍での光透過性が高く，また，屈折率が小さく，光安定性を良好なもの」である特性を維持しつつ，上記「安定性と比較的大きな移動度を両立」した特性をも獲得すべく，引用発明に係るＹ，ｈ，ｉ，ｋの各点で囲まれる領域と，前記「Ｓ，ｎ，ｋ，Ｖで囲まれる領域」との境界における組成，すなわち，前記点Ｙと点ｋとを結ぶ線分上の組成を選択することは当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，点Ｙと点ｋとを結ぶ線分上の組成として，例えば，点Ｙと点ｋとの中間点の組成である，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１５：４５：４０を選択し，本願発明と同様に，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃのときａ＋ｂ＝２となるように換算すると，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／２ ： ３／２ ： ４／３となるところ，この値は，本願発明に係る「前記元素組成比が，ａ＋ｂ＝２，かつ１．３≦ｂ＜２，かつｃ＞−５ｂ＋８，かつ１≦ｃ≦２の範囲（ただし，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１／３：５／３：４／３を除く）」に入るものである。
　一方，本願発明における組成についての限定は，わずか４点のみのデータしか示されておらず，本願発明に係る組成の範囲に限定することに臨界的な意義が認められないものである。
　したがって，相違点１に係る構成は，当業者が適宜になし得た事項の範囲内に含まれる程度のものである。
　
（２）　《相違点２》について
　引用発明に係る「電気伝導度が１０Ｓ／ｃｍ以下で０．０００１Ｓ／ｃｍ以上であ」るものは，０．０００１Ｓ／ｃｍが１０−４Ｓ／ｃｍであることから，本願発明の「電気伝導度σが１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である」ものとは，「電気伝導度が１０−４≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である」範囲で重複する。
　そして，本願の明細書を参照しても，本願発明において「電気伝導度σ」を「１０−９≦σ≦１０−２（Ｓ／ｃｍ）である」ようにすることは，「ここで、非特許文献２や下記参考文献３、４におけるトランジスタＶｇ−Ｉｄ特性を参考にすると、トランジスタの活性層として有効な比抵抗の範囲は、１０２≦ρ≦１０９ (Ω・ｃｍ)となる。すなわちトランジスタの活性層として有効な電気伝導度σは、１０−９≦σ≦１０−２(Ｓ／ｃｍ)となる。」（段落【０１０９】）との記載から見て，従来技術に倣ってトランジスタの活性層として有効な電気伝導度を単に定めたものであり，当該数値範囲が臨界的意義を有するものとは認められない。
　それゆえ，相違点２は実質的なものではなく，仮に実質的なものであるとしても，相違点２に係る構成は当業者が適宜になし得た事項の範囲内に含まれる程度のものである。
　
（３）まとめ
　よって，本願発明は，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから，本願は，請求項２〜５について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。