【事件の表示】
　特願２００８−３２６３４２「イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月　１日出願公開、特開２０１０−１４５９７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２０年１２月２２日の出願であって、平成２１年１０月２２日及び平成２３年１月２０日付けで手続補正がなされ、同年５月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審における平成２４年１月３１日付け審尋に対し同年４月４日付けで回答書を提出している。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２３年９月２日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載の事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、平成２３年９月２日付け手続補正によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものであると認める。
　
「誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極とを備え、当該放電電極は絶縁基材に設けられており、前記放電電極と前記誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生するイオン発生素子であって、
　通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極が前記絶縁基材に設けられ、
　前記ヒータ電極は、上記沿面放電が発生する沿面放電発生領域に加え、前記誘導電極の端子部、前記放電電極の端子部、および前記ヒータ電極の端子部が配置される各端子部配置領域を加温するように配線されており、
　前記放電電極の端子部の導電物質の主成分は、金または白金であり、
　前記ヒータ電極は、当該ヒータ電極で加温する際、前記各端子部配置領域と前記沿面放電発生領域との温度差が１０℃以内となるように構成されており、
　前記ヒータ電極は、前記各端子部配置領域と前記沿面放電発生領域とで、同じ幅となっていることを特徴とするイオン発生素子。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
　原査定で引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１９４５８１号公報（以下「引用例」という。）」には、図とともに次の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。
（１）「【請求項１】　少なくとも表面が絶縁性を有する
絶縁基板と；前記絶縁基板上に形成された第１電極と；前記絶縁基板および前記第１電極を覆う誘電体層と；前記誘電体層上に形成され、前記第１電極との間で放電を生起させ得る第２電極と；前記第２電極を覆う保護層と；前記絶縁基板の表面側に設けられた温度制御用ヒータと、；を備える
イオン発生装置。
【請求項２】　
温度制御用ヒータは、絶縁基板の長手方向に沿い、少なくとも一部が前記絶縁基板の中央部から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成されて
【請求項３】　
温度制御用ヒータは、誘電体層
に埋設されている
【請求項４】　少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基板と；前記絶縁基板上に形成された第１電極と；前記絶縁基板および前記第１電極を覆う誘電体層と；前記誘電体層上に形成され、前記第１電極との間で放電を生起させ得る第２電極と；前記第２電極を覆う保護層と；前記絶縁基板の表面積の５０％以上の接触面積をもって前記絶縁基板を保持するホルダと；を備えることを特徴とするイオン発生装置。
【請求項５】　ホルダは、基板接触面に絶縁処理が施された金属により形成されていることを特徴とする請求項４記載のイオン発生装置。
【請求項６】　感光体と；請求項１ないし５のいずれか一記載のイオン発生装置により形成され、前記感光体を一様に帯電させる帯電装置と；前記帯電装置により一様帯電された前記感光体を露光して静電潜像を形成するイメージ露光装置と；前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて現像する現像装置と；前記感光体に形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置と；前記転写媒体上の転写画像を定着する定着装置と；を備えることを特徴とする電子写真記録装置。」
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン発生装置および電子写真記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複写機やレーザプリンタ等の電子写真記録装置においては、帯電装置や転写装置として、タングステンワイヤ等を主体とするコロナチャージャが一般に用いられている。
【０００３】これに対し、近年、
絶縁基板上に形成された２つの電極間に交流電圧を印加し、２つ電極間の放電により付近の空気をイオン化させるイオン発生装置
【０００４】図７は、
従来のイオン発生装置
絶縁基板１０１の上に誘導電極１０２が膜状形成され、この誘導電極１０２と共に絶縁基板１０１が誘電体層１０３に覆われている。この誘電体層１０３の上には２つの放電領域を有するイオン発生電極１０４が膜状形成されており、誘導電極１０２とイオン発生電極１０４の間には、誘電体層１０３を挟んでギャップＧが形成されている
誘電体層１０３及びイオン発生電極１０４は、保護層１０５で覆われている
【０００５】このようにして形成されたイオン発生装置は、電子写真記録装置の感光体１０６に所定の間隔を開けて対向配置され使用される。つまり、帯電装置として使用する場合、
高周波電源１０７によって誘導電極１０２とイオン発生電極１０４との間に高周波電圧を印加すると、誘導電極１０２とイオン発生電極１０４との間の放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが発生する
【０００６】次いで、
誘導電極１０２とイオン発生電極１０４との間の放電によってより効率よくイオンを発生させるためには、イオン発生装置を適正温度に昇温させておく必要がある
絶縁基板１０１にヒータ等を設けてイオン発生装置を温度制御するように構成する
【０００７】一方、図７に例示するようなイオン発生装置は、
電子写真記録装置において帯電装置や転写装置等として利用され、この場合には小型であるという利点が活かされて感光体回りの小型化に寄与する
帯電装置として利用される場合、イオン発生装置は感光体に対して１ｍｍ程度の間隔を開けて対向配置され
イオン発生装置の保持構造としては、イオン発生装置の長手方向両端部を保持部材に保持させるのが一般的であるが、それではイオン発生装置の両端部を保持する保持部材が感光体の両端から突出し、小型であるというイオン発生装置の利点が損なわれてしまう
イオン発生装置はそれ自体ある程度の柔軟性を有するため、その両端を保持する構造では感光体とイオン発生装置との対向間隔が場所によって変動し、均一な帯電等を行なうことができなくなってしまう。その反面、あまり広い接触面積をもってイオン発生装置を保持するようにすると、保持部材の熱容量によって、イオン発生装置を適正温度まで昇温させるのに多くの時間が必要になってしまう。このようなことから、
ホルダと一体化されたイオン発生装置
誘導電極１０２とイオン発生電極１０４とのパターンにより形成されたイオン発生面１０９を表面側に向けられた状態でホルダ１１０に保持されている
ホルダ１１０は、イオン発生装置の両側部を一対の保持溝１１１で挿入保持する構造である
裏面側に発熱パターン１１２が形成されており、この発熱パターン１１２を含むイオン発生装置の裏面とホルダ１１０との間には放熱空間１１３が形成されている
この放熱空間１１３は、イオン発生装置からホルダ１１０への熱伝導を妨げてイオン発生装置の熱容量を小さくするためのもの
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のイオン発生装置では、所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になるようにヒータに通電することになる。この場合、
ヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶縁基板の裏面に設けられていると、昇温制御が必要な絶縁基板表面について一般的に要求されている温度立ち上がり時間を実現することができない。また、実際に温度制御したい絶縁基板表面の温度変化に対して制御遅延が発生してしまい、温度制御を精度良く行うことが困難である
ヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶縁基板表面に形成されているが、イオン発生部において、誘導電極とイオン発生電極とに相当する２つの電極が２次元上に並列に配置されているという構造上、十分なイオン発生量を得ようとするとどうしても絶縁基板の幅が広くなってしまい、
【０００９】また、図８に例示するようなホルダ１１０によるイオン発生装置の保持構造は、空間１１３を設けてイオン発生装置における絶縁基板の熱容量を小さくするという工夫がなされている。これは、絶縁基板を温度制御する際に、必要とする温度まで絶縁基板を昇温するための時間を短縮することができるという利点を考慮したものである。
ところが、イオン発生装置では、調節する温度が比較的常温に近いため、
絶縁基板の保持構造を採用して絶縁基板の熱容量を小さくすると、常温よりも高いが常温に近い温度領域での温度調節が困難になってしまうという問題が生ずる。これは、周囲温度と温調温度とが近いため、ヒータオフ時の放熱が遅く、一度上がった温度がなかなか下がらなくなるためである
【００１０】本発明の
目的は、イオン発生装置において温度制御特性を向上させること
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のイオン発生装置は、少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基板と；絶縁基板上に形成された第１電極と；絶縁基板および第１電極を覆う誘電体層と；誘電体層上に形成され、第１電極との間で放電を生起させ得る第２電極と；第２電極を覆う保護層と；絶縁基板の表面側に設けられた温度制御用ヒータと；を備える。
したがって、第１電極と第２電極との間に高周波電圧を印加すると、第１電極と第２電極との間の放電によって高密度の正負イオンが発生する
【００１２】そして、請求項１記載のイオン発生装置では、
温度制御用ヒータが絶縁基板の表面側に設けられているために、温度制御用ヒータの動作状態に対する絶縁基板表面に設けられたイオン発生部分の温度反応速度が高まる。しかも、第１電極と第２電極とが積層構造となっているために電極間密度が高まり、絶縁基板を幅広にすることなく十分なイオン発生量が得られる。この面からも、温度制御用ヒータの動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が高まる。よって、イオン発生部分の温度制御が高精度に行われ、温度制御特性が向上する
【００１３】ここで、請求項１記載の発明において、「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用いられ、この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスクリーン印刷により形成されている。
「第１電極」および「第２電極」は、
金系の厚膜導体である
「温度制御用ヒータ」は、
銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成され
　
（３）「【００２５】
【発明の実施の形態】本発明のイオン発生装置の第１の実施の形態を図１ないし図３に基づいて説明する。図１はイオン発生装置の縦断正面図、図２はその平面図、図３は温度制御用ヒータを拡大して示す平面図である。
【００２６】まず、絶縁性を有する絶縁基板１が設けられ、この
絶縁基板１上には、
誘導電極２、誘電体層３、
イオン発生電極４、および保護層５がスクリーン印刷によって順に積層形成され
絶縁基板１上には、温度制御用ヒータ６も膜状形成され
【００２７】ここで、図１および図２から明らかなように、
誘導電極２は３本の並列パターン、イオン発生電極４は４本の並列パターンに形成され、温度制御用ヒータ６はそれらの誘導電極２およびイオン発生電極４を取り囲むようなパターンに形成され
誘導電極２およびイオン発生電極４は、絶縁基板１の表面に形成された給電電極７に接続され
【００２８】次いで、絶縁基板１は、アルミナを材料とする長さ３６０ｍｍの扁平の矩形部材である。誘導電極２およびイオン発生電極４は、例えば銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の導体により形成されている。誘電体層３は、例えばガラス絶縁層（ホウ珪酸鉛系ガラスやアルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等）であり、厚さ２０〜４０μｍ程度に形成されている。保護層５は、ガラス系（ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等）または樹脂系（ポリイミド、エポキシ、シリコーン）の材料によって形成され、厚さ１０μｍ程度以下に形成されている。また、温度制御用ヒータ６は、銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成されている。このような温度制御用ヒータ６は、図３に示すように、中央部よりも両端部が幅狭となるようなテーパ形状に形成されている。より詳しくは、テーパ部分の始まりは、温度制御用ヒータ６の中央部から絶縁基板１の長さの２０％の位置から始まっており、また、温度制御用ヒータ６の最も幅広の部分を１００％とした場合に、温度制御用ヒータ６のテーパ形状によって最も幅狭となる部分は７０％程度であり、したがって、その絞り率は３０％程度である。
【００２９】ついで、図１に示すように、絶縁基板１はホルダ８に保持されている。このホルダ８は、絶縁基板１と同じ長さである３６０ｍｍの長さでピーク材により形成され、絶縁基板１の裏面に１００％の接触面積率で面接触する接触面９を備える。このようなホルダ８は、溝１０に絶縁基板１を嵌合させるような溝保持形式で絶縁基板１を保持する。なお、ホルダ８の材料としては、ＰＰＳや液晶ポリマー等を用いることもできる。
【００３０】このような構成において、誘導電極２とイオン発生電極４との間に高周波電圧を印加すると、誘導電極２とイオン発生電極４との間の放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが発生する。そこで、本実施の形態のイオン発生装置を、例えば図示しない感光体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャップＧを感光体に対向させてイオン発生電極４と感光体との間に負のバイアス電圧を印加する。すると、ギャップＧ近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用して感光体が一様帯電される。
【００３１】ここで、本実施の形態のイオン発生装置では、温度制御用ヒータ６が絶縁基板１の表面側に設けられているために、温度制御用ヒータ６の動作状態に対する絶縁基板６表面に形成されたイオン発生部分、つまり、誘導電極２とイオン発生電極４との間のギャップＧ部分周辺の温度反応速度が高まる。しかも、誘導電極２とイオン発生電極４とが積層構造となっているために電極間密度が高まり、絶縁基板１を幅広にすることなく十分なイオン発生量が得られる。この面からも、温度制御用ヒータ６の動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が高まる。よって、イオン発生部分の温度制御が高精度に行われる。
【００３２】また、図２に示すような温度制御用ヒータ６は、
そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高まるようになっている。このため、両端ほど熱容量が小さくなる絶縁基板１の温度特性が補完され、イオン発生部分が均等に加熱されることになる。したがって、イオン発生装置のどの部分においても均等にイオンが発生し、品質が均一化する
　
（４）「【００３６】本発明のイオン発生装置の第２の実施の形態を図４に基づいて説明する。図４はイオン発生装置の縦断正面図である。
第１の実施の形態と同一または相当する部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施の形態では、温度制御用ヒータ６が誘電体層３に埋設されている。つまり、絶縁基板１上に膜状形成された誘導電極２と温度制御用ヒータ６とに誘電体層３が積層形成されている。これにより、温度制御用ヒータ６の動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が一層高まり、イオン発生部分の温度制御がより高精度に行われる
　
（５）「【００４７】
【発明の効果】請求項１記載のイオン発生装置は、第１電極と第２電極とを積層構造とし、絶縁基板の表面側に温度制御用ヒータを設けたので、
温度制御用ヒータの状態に対するイオン発生部分の温度反応速度を速めることができ、したがって、イオン発生装置におけるイオン発生部分の温度制御を高精度に行うことができ、その温度制御特性を向上させることができる
【００４８】請求項２記載の発明は、請求項１記載のイオン発生装置において、
温度制御用ヒータを、絶縁基板の長手方向に沿い、少なくとも一部が絶縁基板の中央部から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成したので、両端ほど発熱温度が高くなる温度制御用ヒータによって両端ほど放熱が大きくなる絶縁基板の温度特性を補完することができ、したがって、イオン発生部分の温度制御を均一に行うことができる
　
（６）図１及び図２の記載から、３本の並列パターンに形成された誘導電極２と、４本の並列パターンに形成されたイオン発生電極４とが、平面視で、各並列パターンが噛み合うように平行に互い違いに誘電体層３を介して配置されて隣接するパターン間のギャップ部分周辺でイオン発生部分を形成し、前記誘導電極２の３本の並列パターンは、絶縁基板１の一端側（図２の上側）の前記イオン発生部分の外側に隣接する一端側領域で第１の給電電極７に共通接続され、イオン発生電極４の４本の並列パターンは、前記絶縁基板１の他端側（図２の下側）の前記イオン発生部分の外側に隣接する他端側領域で第２の給電電極７に共通接続され、温度制御用ヒータ６は、前記一端側領域で、前記第１の給電電極７の近傍に位置する第１端部から始まり、前記絶縁基板１の一方の側部（図２の右側辺）と、前記第１の給電電極７、前記イオン発生部分及び前記第２の給電電極７との間の第１側部領域を通って、前記他端側領域で、前記絶縁基板１の前記他端と前記第２の給電電極７との間を通って前記一端側領域に向かってＵターンし、前記絶縁基板１の他方の側部（図２の左側辺）と、前記第２の給電電極７、前記イオン発生部分及び前記第１の給電電極７との間の第２側部領域を通って、前記一端側領域で、前記第１の給電電極７及び前記第１端部に近接する第２端部で終わるほぼＵ字型のパターンに形成されて、それらの誘導電極２及びイオン発生電極４で形成するイオン発生部分、第１及び第２の給電電極７を取り囲むようになっていることが見て取れる。
　図４の記載から、図４に記載されている第２の実施の形態では、前記温度制御用ヒータ６が誘電体層３に埋設されていることが見て取れる。
　そして、温度制御用ヒータ６への通電は、前記第１端部及び第２端部を端子として行われ、前記誘導電極２とイオン発生電極４との間への高周波電圧の印加は前記第１の給電電極７及び第２の給電電極７を介して行われることが当業者に自明であり、このことと、図４に記載されている第２の実施の形態では、前記温度制御用ヒータ６が前記誘電体層３に埋設されていることからみて、前記第１の給電電極７、前記第１端部及び前記第２端部は、高周波電圧の印加及び温度制御用ヒータ６への通電のために前記誘電体層３に埋設せず、第２の給電電極７は高周波電圧の印加のために前記誘電体層３の表面に形成されるものと解される。
　
（７）上記（１）ないし（６）からみて、引用例には、図４に記載されている第２の実施の形態のものとして、
「電子写真記録装置において帯電装置や転写装置等として利用される場合には小型であるという利点が活かされて感光体回りの小型化に寄与するものであり、かつ、誘導電極とイオン発生電極との間の放電によってより効率よくイオンを発生させるためには、イオン発生装置を適正温度に昇温させておく必要があるため、絶縁基板にヒータ等を設けてイオン発生装置を温度制御するように構成したイオン発生装置であって、
　例えば帯電装置として利用され、感光体に対して１ｍｍ程度の間隔を開けて対向配置される場合、イオン発生装置の保持構造としては、イオン発生装置の長手方向両端部を保持部材に保持させるのが一般的であるが、それではイオン発生装置の両端部を保持する保持部材が感光体の両端から突出し、小型であるというイオン発生装置の利点が損なわれてしまい、イオン発生装置はそれ自体ある程度の柔軟性を有するため、その両端を保持する構造では感光体とイオン発生装置との対向間隔が場所によって変動し、均一な帯電等を行なうことができなくなってしまい、反面、あまり広い接触面積をもってイオン発生装置を保持するようにすると、保持部材の熱容量によって、イオン発生装置を適正温度まで昇温させるのに多くの時間が必要になってしまうことから、従来、誘導電極とイオン発生電極とのパターンにより形成されたイオン発生面を表面側に向けられた状態で、イオン発生装置の両側部をホルダの一対の保持溝に挿入して保持し、発熱パターンを含むイオン発生装置の裏面とホルダとの間に、イオン発生装置からホルダへの熱伝導を妨げてイオン発生装置の熱容量を小さくするための放熱空間を形成していたところ、
　従来のイオン発生装置では、所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になるようにヒータに通電する場合、ヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶縁基板の裏面に設けられていると、昇温制御が必要な絶縁基板表面について一般的に要求されている温度立ち上がり時間を実現することができず、実際に温度制御したい絶縁基板表面の温度変化に対して制御遅延が発生してしまい、温度制御を精度良く行うことが困難であり、ヒータ機能を奏する発熱抵抗体を絶縁基板表面に形成し、イオン発生部において、誘導電極とイオン発生電極とに相当する２つの電極が２次元上に並列に配置されている従来のものでは、その構造上十分なイオン発生量を得ようとするとどうしても絶縁基板の幅が広くなってしまい、また、イオン発生装置では、調節する温度が比較的常温に近いため、放熱空間を形成した上記の従来のものでは、周囲温度と温調温度とが近いためヒータオフ時の放熱が遅く、一度上がった温度がなかなか下がらなくなるため、常温よりも高いが常温に近い温度領域での温度調節が困難になってしまうといった問題が生じていたので、
　これらの問題を解決し、温度制御特性を向上させることを目的として、
　絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された誘導電極及び温度制御用ヒータと、前記絶縁基板、誘導電極及び温度制御用ヒータを覆う誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、前記誘導電極との間で放電を生起させ得るイオン発生電極と、該イオン発生電極を覆う保護層とを備え、高周波電源によって前記誘導電極とイオン発生電極との間に第１の給電電極及び第２の給電電極を介して高周波電圧を印加して、前記誘導電極とイオン発生電極との間の放電によって、前記誘導電極とイオン発生電極の間に誘電体層を挟んで形成したギャップの近傍に高密度の正負イオンを発生させるイオン発生装置であり、
　前記温度制御用ヒータを前記絶縁基板の表面側に設けることにより、該温度制御用ヒータの動作状態に対する前記絶縁基板表面に設けられたイオン発生部分の温度反応速度を高め、しかも、前記誘導電極とイオン発生電極とを積層構造としたために電極間密度を高めることができ、前記絶縁基板を幅広にすることなく十分なイオン発生量を得られ、この面からも、前記温度制御用ヒータの動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度を一層高めて、前記イオン発生部分の温度制御をより高精度に行え、温度制御特性を向上させたイオン発生装置であって、
　前記絶縁基板上に、前記誘導電極と温度制御用ヒータ、前記誘電体層、前記イオン発生電極及び前記保護層をスクリーン印刷によって順に積層形成し、前記誘導電極及び前記イオン発生電極を金系の厚膜導体とし、前記誘導電極を３本の並列パターン、前記イオン発生電極を４本の並列パターンに形成し、３本の並列パターンに形成された誘導電極と、４本の並列パターンに形成されたイオン発生電極とを、平面視で、各並列パターンが噛み合うように平行に互い違いに前記誘電体層を介して配置して隣接するパターン間のギャップ部分周辺で前記イオン発生部分を形成し、前記誘導電極の３本の並列パターンを、前記絶縁基板の一端側の前記イオン発生部分の外側に隣接する一端側領域で前記第１の給電電極に共通接続し、前記イオン発生電極の４本の並列パターンを、前記絶縁基板の他端側の前記イオン発生部分の外側に隣接する他端側領域で前記第２の給電電極に共通接続し、
　前記温度制御用ヒータを前記誘電体層に埋設し、該温度制御用ヒータへの通電を第１端部及び第２端部を端子として行い、前記誘導電極とイオン発生電極との間への高周波電圧の印加を前記第１の給電電極及び第２の給電電極を介して行い、前記第１の給電電極、前記第１端部及び前記第２端部は、高周波電圧の印加及び温度制御用ヒータへの通電のために前記誘電体層に埋設せず、前記第２の給電電極は高周波電圧の印加のために前記誘電体層の表面に形成し、
　前記温度制御用ヒータを、銀系の厚膜導体により、前記一端側領域で、前記第１の給電電極の近傍に位置する前記第１端部から始まり、前記絶縁基板１の一方の側部と、前記第１の給電電極、前記イオン発生部分及び前記第２の給電電極との間の第１側部領域を通って、前記他端側領域で、前記絶縁基板の前記他端と前記第２の給電電極との間を通って前記一端側領域に向かってＵターンし、前記絶縁基板１の他方の側部と、前記第２の給電電極、前記イオン発生部分及び前記第１の給電電極との間の第２側部領域を通って、前記一端側領域で、前記第１の給電電極及び前記第１端部に近接する第２端部で終わるほぼＵ字型のパターンに形成し、前記イオン発生部分、第１の給電電極及び第２の給電電極を取り囲むようにし、
　前記温度制御用ヒータの前記第１側部領域及び前記第２側部領域の前記絶縁基板の長手方向に沿う部分の少なくとも一部を、前記絶縁基板の中央部から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成し、そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高まるようになして、両端ほど熱容量が小さくなる絶縁基板の温度特性を補完し、イオン発生部分が均等に加熱されるようにして、イオン発生装置のどの部分においても均等にイオンが発生し、品質を均一化することができるようにした、
　イオン発生装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「誘電体層」、「イオン発生電極」、「誘導電極」、「絶縁基板」、「高周波電圧」、「誘導電極とイオン発生電極との間の放電によって、前記誘導電極とイオン発生電極の間に誘電体層を挟んで形成したギャップの近傍に高密度の正負イオンを発生させる」、「イオン発生装置」、「『所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になる』ように『通電』される」、「温度制御用ヒータ」、「イオン発生部分」、「第１の給電電極」、「第２の給電電極」、「第１端部及び第２端部」及び「『一端側領域』、『他端側領域』」は、それぞれ、本願発明の「誘電体層」、「放電電極」、「誘導電極」、「絶縁基材」、「交番電圧」、「沿面放電に伴ってイオンを発生する」、「イオン発生素子」、「通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温する」、「ヒータ電極」、「沿面放電発生領域」、「誘導電極の端子部」、「放電電極の端子部」、「ヒータ電極の端子部」及び「各端子部配置領域」に相当する。
　
（２）引用発明の「イオン発生素子（イオン発生装置）」は、「絶縁基材（絶縁基板）」と、該「絶縁基材」上に形成された「誘導電極」及び「ヒータ電極（温度制御用ヒータ）」と、前記「絶縁基材」、「誘導電極」及び「ヒータ電極」を覆う「誘電体層」と、前記「誘電体層」上に形成され、前記「誘導電極」との間で放電を生起させ得る「放電電極（イオン発生電極）」と、該「放電電極」を覆う保護層とを備え、高周波電源によって「誘導電極」と「放電電極」との間に「交番電圧（高周波電圧）」を印加して、「沿面放電に伴ってイオンを発生（誘導電極とイオン発生電極との間の放電によって、誘導電極とイオン発生電極の間に誘電体層を挟んで形成したギャップの近傍に高密度の正負イオンを発生）」させるものであるから、本願発明の「イオン発生素子」と、「誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極とを備え」る点、「当該放電電極は絶縁基材に設けられて」いる点及び「前記放電電極と前記誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生する」点で一致する。
　
（３）引用発明の「ヒータ電極（温度制御用ヒータ）」は、「通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温する（所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になるように通電される）」ものであり、かつ、「絶縁基材（絶縁基板）」の表面側に設けられるものであるから、本願発明の「ヒータ電極」と、「通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温する」点及び「絶縁基材に設けられ」る点で一致する。
　
（４）引用発明において、「ヒータ電極（温度制御用ヒータ）」を、一方の「端子部配置領域（一端側領域）」で、「誘導電極の端子部（第１の給電電極）」の近傍に位置する一方の「ヒータ電極の端子部（第１端部）」から始まり、「絶縁基材（絶縁基板）」の一方の側部と、前記「誘導電極の端子部」、「沿面放電発生領域（イオン発生部分）」及び「放電電極の端子部（第２の給電電極）」との間の第１側部領域を通って、他方の「端子部配置領域（他端側領域）」で、前記「絶縁基材」の前記他端と前記「放電電極の端子部」との間を通って前記一方の「端子部配置領域」に向かってＵターンし、前記「絶縁基材」の他方の側部と、前記「放電電極の端子部」、前記「沿面放電発生領域」及び前記「誘導電極の端子部」との間の第２側部領域を通って、前記一方の「端子部配置領域」で、前記「誘導電極の端子部」及び前記一方の「ヒータ電極の端子部」に近接する他方の「ヒータ電極の端子部（第２端部）」で終わるほぼＵ字型のパターンに形成し、前記「沿面放電発生領域」、「誘導電極の端子部」及び「放電電極の端子部」を取り囲むようにし、該「ヒータ電極」への通電を「ヒータ電極の端子部（第１端部及び第２端部）」を端子として行っており、かつ、その通電は「発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温する（所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になるようにされる）」のであるから、引用発明の「ヒータ電極」と本願発明の「ヒータ電極」とは、「沿面放電が発生する沿面放電発生領域に加え、誘導電極の端子部、放電電極の端子部、およびヒータ電極の端子部が配置される各端子部配置領域を加温するように配線されて」いる点で一致する。
　
（５）引用発明の「イオン発生素子（イオン発生装置）」は、「ヒータ電極（温度制御用ヒータ）」の第１側部領域及び第２側部領域の「絶縁基材（絶縁基板）」の長手方向に沿う部分の少なくとも一部を、前記「絶縁基材」の中央部から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成し、そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高まるようになるため、両端ほど熱容量が小さくなる「絶縁基材」の温度特性を補完し、「沿面放電発生領域（イオン発生部分）」が均等に加熱されるようにして、「沿面放電発生領域」のどの部分においても均等にイオンが発生し、さらに品質を均一化することができるようにしたものであって、その調節する温度が比較的常温に近いものであり、かつ、常温よりも高いが常温に近い温度領域での温度調節、温度制御を高精度に行え、温度制御特性を向上させたものであるから、「ヒータ電極で加温する（所望の温度を維持するために定常（収束）状態で所望の温度特性になるようにヒータに通電する）」際、そのように「沿面放電発生領域」のどの部分においても均等に加熱されると、前記「沿面放電発生領域」と該「沿面放電発生領域」の外側に隣接する前記「各端子部配置領域（一端側領域、他端側領域）」との間に１０℃を超えるような大きな温度差が生じることがないものと解される。
　したがって、引用発明の「ヒータ電極（温度制御用ヒータ）」と本願発明の「ヒータ電極」とは、「当該ヒータ電極で加温する際、前記各端子部配置領域と前記沿面放電発生領域との温度差が１０℃以内となるように構成され」ている点で一致する。
　
（６）上記（１）ないし（５）からみて、本願発明と引用発明とは、
「誘電体層を挟んで設けられた放電電極と誘導電極とを備え、当該放電電極は絶縁基材に設けられており、前記放電電極と前記誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生するイオン発生素子であって、
　通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極が前記絶縁基板に設けられ、
　前記ヒータ電極は、上記沿面放電が発生する沿面放電発生領域に加え、前記誘導電極の端子部、前記放電電極の端子部、および前記ヒータ電極の端子部が配置される各端子部配置領域を加温するように配線されており、
　前記ヒータ電極は、当該ヒータ電極で加温する際、前記各端子部配置領域と前記沿面放電発生領域との温度差が１０℃以内となるように構成されているイオン発生素子。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　前記「放電電極の端子部（第２の給電電極）」の導電物質の主成分が、本願発明では「金または白金」であるのに対して、引用発明では明らかでない点。
　
相違点２：
　前記各端子部配置領域での前記ヒータ電極の幅と前記沿面放電発生領域での前記ヒータ電極の幅とが、本願発明では「同じ幅」となっているのに対して、引用発明では同じ幅ではない点。
　
５　判断
　上記相違点１及び２について検討する。
（１）相違点１について
　ア　引用発明のイオン発生装置は、絶縁基板上に、誘導電極と温度制御用ヒータ、誘電体層、イオン発生電極及び保護層をスクリーン印刷によって順に積層形成し、誘導電極及びイオン発生電極を金系の厚膜導体とし、前記温度制御用ヒータを前記誘電体層に埋設し、該温度制御用ヒータへの通電を第１端部及び第２端部を端子として行い、前記誘導電極とイオン発生電極との間への高周波電圧の印加を第１の給電電極及び第２の給電電極を介して行い、前記第１の給電電極、前記第１端部及び前記第２端部は、高周波電圧の印加及び温度制御用ヒータへの通電のために前記誘電体層に埋設せず、前記第２の給電電極は高周波電圧の印加のために前記誘電体層の表面に形成したものであり、かつ、前記第２の給電電極には、前記イオン発生電極の４本の並列パターンが共通接続されるものであるところ、第２の給電電極と、この第２の給電電極に共通接続される４本の並列パターンを含むイオン発生電極とを、異なる材料で形成しなければならない理由はないから、第２の給電電極も金系の厚膜導体とし、これら第２の給電電極及びイオン発生電極を金系の厚膜導体でスクリーン印刷して一度にパターン形成するようにすることは、当業者が容易に想到することができた程度のことである。
　イ　「金系の厚膜導体」の導電物質の主成分は「金」であるといえる。
　ウ　上記ア及びイからみて、引用発明において、前記「放電電極の端子部（第２の給電電極）」の導電物質の主成分を「金」となすこと、すなわち、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得た程度のことである。
　
（２）相違点２について
　ア　発熱量は電流の二乗と電気抵抗に比例すること、発熱抵抗体の配線に通電して加熱する際に、配線の厚さが同じとすると、その発熱量は、配線の線幅に反比例し配線の長さに正比例することは一般常識である。
　イ　引用発明では、温度制御用ヒータの第１側部領域及び第２側部領域の絶縁基板の長手方向に沿う部分の少なくとも一部を、前記絶縁基板の中央部から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成し、そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高まるようになして、両端ほど熱容量が小さくなる絶縁基板の温度特性を補完し、イオン発生部分が均等に加熱されるようにしているが、上記アからして、温度制御用ヒータの幅を一定にして、前記絶縁基板の両端ほど絶縁基板の長手方向に沿う一定長さにおける配線の長さが長くなるようにし、発熱温度が高まるようになして、両端ほど熱容量が小さくなる絶縁基板の温度特性を補完し、イオン発生部分が均等に加熱されるようにしてもよいことは、当業者に自明のことである（原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０−１９８１２４号公報の実施例１及び実施例２参照。）。
　ウ　上記イからして、引用発明において、温度制御用ヒータの幅を一定にして、絶縁基板の両端ほど絶縁基板の長手方向に沿う一定長さにおける配線の長さが長くなるようにし、発熱温度が高まるようになして、両端ほど熱容量が小さくなる絶縁基板の温度特性を補完し、イオン発生部分が均等に加熱されるようにすること、すなわち、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が一般常識に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
（３）効果について
　金（Ａｕ）がオゾンに抗する耐食性金属であることは本願の出願前に当業者に知られていたことである（以下「公知の技術事項」という。特開平８−１３３７０８号公報の【００２０】参照。）。
　したがって、本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、公知の技術事項及び一般常識から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明、公知の技術事項及び一般常識に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、上記５のとおり、当業者が引用例に記載された発明、公知の技術事項及び一般常識に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。