Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
公開鍵インフラストラクチャー（ＰＫＩ）のユーザを登録し、前記ユーザのスマートカードにあるＰＫＩ部を有効にする公開鍵インフラストラクチャーの方法であって、前記スマートカードを端末に関連付け、前記端末を前記ＰＫＩへのアクセスを提供する通信ネットワークに接続し、前記ユーザに、申請書への個人データの記入と有効な身分証明書での本人確認とが登録のために求め、前記データを、前記身分証明書と照合して、前記登録の承認へ向けて前記ＰＫＩに電子送信し、
ａ）未開封の状態では秘匿された起動コードと、前記封筒上に視覚認識できるように印刷された照会番号もしくはコードとがそれぞれに記載された複数の封印された封筒を事前に印刷するステップであって、前記各封筒の照会番号もしくはコードと関連する前記起動コードとが、前記ＰＫＩに組み込まれるか、もしくは接続されたセキュリティサーバー内のテーブルに保存されているものである、ステップと、
ｂ）前記ユーザに、前記照会番号もしくはコードが事前に印刷することが可能である申請書とともに、前記封印された封筒のいずれかを提供するステップと、
ｃ）前記照会番号が前記申請書に事前に印刷されていない場合は、前記ユーザに前記申請書に前記照会番号もしくはコードを記入するよう依頼するステップと、
ｄ）前記個人データとともに、前記照会番号もしくはコードを前記ＰＫＩ及びセキュリティサーバーに転送するステップと、
ｅ）前記登録が前記ＰＫＩによって承認されると、前記ユーザに承認情報を送信して、ユーザの端末において前記起動コードを入力するように依頼し、前記テーブルの前記照会番号もしくはコードに関連した前記起動コードと、前記ユーザのスマートカードに対応するスマートカードの識別情報とを、前記ＰＫＩの起動モジュールに提供するステップと、
ｆ）前記起動コードの入力後、前記端末から、前記スマートカードの識別情報とともに前記起動コードを前記起動モジュールに対して送信し、そして、前記起動コードとスマートカードの識別情報を受信するステップと、
ｇ）前記受信された起動コードとスマートカードの識別情報が、前記セキュリティサーバーによって事前に提供された情報に一致するかを判断し、一致する場合、前記スマートカードのＰＫＩ部を動作可能にするステップと
を有することを特徴とする公開鍵インフラストラクチャーの方法。
【請求項２】
前記通信ネットワークがＧＳＭもしくは３Ｇネットワークであり、前記端末がＧＳＭもしくは３Ｇ携帯電話であり、前記スマートカードがＳＩＭカードであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スマートカードの識別情報がＭＳＩＳＤＮ及びＩＣＣＩＤであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＰＫＩ機能が前記スマートカードに保存されており、有効とされるまで前記ユーザに対して秘匿されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記承認情報が、ＳＭＳ、電子メールもしくは郵便で送信されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記封印された封筒ごとに、前記照会番号もしくはコード及び起動コードとともに状態が前記テーブルに保存されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記状態が初期段階では「不使用」に設定され、ステップｄ）においては「検討中」へ、ステップｅ）の承認の場合には「承認済みであるが非起動」へ、ステップｅ）の非承認の場合には「非承認」へ、ステップｇ）において一致する場合には「起動」へ変更されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信された直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号の電力増幅器過渡変動（３１５）を補償する方法であって、
受信されたＯＦＤＭ信号のパイロット符号又は搬送波の電力レベルを測定して、電力増幅器過渡変動（３１５）に応じたスカラー利得係数を決定するステップと、
前記スカラー利得係数を用いて、電力増幅器過渡変動（３１５）を補償するステップと
を備える方法。
【請求項２】
電力増幅器過渡変動（３１５）を補償する前記ステップが、複数の符号単位ベース又は符号単位ベースで実行される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記スカラー利得係数が、前記ＯＦＤＭ信号のそれぞれのＯＦＤＭ符号又はそれぞれの複数のＯＦＤＭ符号に対するそれぞれの一定値として決定され、且つ前記ＯＦＤＭ信号の異なるＯＦＤＭ符号又は異なる複数のＯＦＤＭ符号にわたり可変である請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記スカラー利得係数が、複数の前記パイロット符号又は搬送波の電力レベルにわたり平均化することにより決定される請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
電力増幅器過渡変動（３１５）を補償する前記ステップが、前記スカラー利得係数を乗算された等化タップを用いて、前記の受信されたＯＦＤＭ信号を等化するステップを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
電力増幅器過渡変動（３１５）を補償する前記ステップが、チャネル推定値に前記スカラー利得係数の逆数を乗算するステップを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
スカラー利得係数を用いて、電力増幅器過渡変動（３１５）を補償する前記のステップが、デコーダにより用いられたメトリックを、前記スカラー利得係数により重み付けするステップを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）通信方法であって、
電力増幅器過渡変動（３１５）を有するＯＦＤＭ信号を送信するステップと、
前記電力増幅器過渡変動（３１５）を有するＯＦＤＭ信号を受信するステップと、
請求項１から７のいずれか一項に記載の方法を用いて、前記電力増幅器過渡変動（３１５）を補償するステップと
を備える方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、
前記方法が、受信された信号の劣化の許容程度が指定される通信システム（１）で実行され、
ＯＦＤＭ信号が受信されたとき、前記電力増幅器過渡変動（３１５）が、前記の補償するステップが実行されなかった場合、前記の指定された信号劣化の許容程度に適応される、方法。
【請求項１０】
ＨＩＰＥＲＬＡＮ／２通信システムに使用するのに適合されている請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法を実行するようプロセッサを制御するためのプロセッサ実行可能命令を格納する記憶媒体。
【請求項１２】
請求項１から７のいずれか一項に記載の方法を実行するよう適合されている通信装置（２，４，６）。
【請求項１３】
ＨＩＰＥＲＬＡＮ／２通信システム用アクセス・ポイント（２）又は移動端末装置（４，６）の形態である請求項１２記載の通信装置。
【請求項１４】
請求項８又は９記載の方法を実行するよう適合されている通信システム。
【請求項１５】
ＨＩＰＥＲＬＡＮ／２通信システム仕様に準拠している請求項１４記載の通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）熱可塑性樹脂及び金属繊維と金属被覆繊維の相乗的組合せ物とを溶融混練装置に供給する工程、及び（ii）溶融混練装置から直接電導性熱可塑性構造物を形成する工程からなることを特徴とする電導性熱可塑性構造体の製造方法。
【請求項２】
熱可塑性樹脂がポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンとスチレンのインターポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、衝撃ポリスチレン、スチレンとアクリロニトリルのコポリマー、アクリロニトリルとブタジエンとスチレンのターポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、コポリエステルポリカーボネート、ポリアミド、熱可塑性ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアクリレート、ポリアクリレートエーテルスルホン、ポリアリーレートエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド−イミド、ポリエーテル−イミド又はそれらのブレンド物である請求項１の方法。
【請求項３】
熱可塑性樹脂がポリカーボネート、アクリロニトリルとブタジエンとスチレンのターポリマー又はそれらの混合物である請求項１の方法。
【請求項４】
金属繊維がアルミニウム、亜鉛、銅、銀、ニッケル、ステンレススチール、金、クロム及びこれらの合金から選ばれる金属の繊維である請求項１の方法。
【請求項５】
金属繊維がステンレススチールの繊維である請求項１の方法。
【請求項６】
金属被覆繊維が非金属繊維上の金属被膜をもつ請求項１の方法。
【請求項７】
金属被膜の厚さが０．１〜２マイクロメートルである請求項６の方法。
【請求項８】
金属被膜の銀、ニッケル、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、銅及びそれらの合金から選ばれる被膜である請求項６の方法。
【請求項９】
非金属繊維が炭素、ガラス又はポリマーからなる繊維である請求項６の方法。
【請求項１０】
金属被覆繊維がニッケル被覆炭素繊維である請求項１の方法。
【請求項１１】
金属混練装置が押出機又は射出成形機である請求項１の方法。
【請求項１２】
金属繊維が電導性熱可塑性物の容積基準で２〜１５重量％の量で供給される請求項１の方法。
【請求項１３】
金属被覆繊維が３〜２５重量％の量で供給される請求項１の方法。
【請求項１４】
請求項１の方法で製造した電導性熱可塑性構造物。
【請求項１５】
溶融混練装置が押出機でありそして電導性熱可塑性構造物がシーと又はプロフィールである請求項１１の方法。
【請求項１６】
さらに（iii）シーとを熱成形、真空成形又は圧縮成形する工程をもつ請求項１５の方法。
【請求項１７】
溶融混練装置が射出成形機でありそして電導性熱可塑性構造体が射出成形品である請求項１１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月14日(2005.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の表面を整備する方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為；
ＡｌＮ基板の表面にＣＭＰ工程を施す行為；および
ＡｌＮ基板の表面を仕上げる行為を含み、ここでＣＭＰ工程を施す行為には、さらにＣＭＰ工程中に、溶液中の研磨懸濁液を適用する行為を含み、前記研磨懸濁液は９よりも大きいｐＨを有する、前記方法。
【請求項２】
溶液中の研磨懸濁液が、さらに水酸化物（塩基性）溶液中のシリカ懸濁液を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
研磨懸濁液が、ＫＯＨベースのスラリーを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
溶液中の研磨懸濁液が、アンモニウムベースのスラリーに懸濁したシリカ粒子をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の表面を整備する方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為；
ＡｌＮ基板の表面にＣＭＰ工程を施す行為；および
ＡｌＮ基板の表面を仕上げる行為、ここでＣＭＰ工程を施す行為には、さらにＣＭＰ工程中に、直径８．０インチ（２０．３２ｃｍ）の円形の研磨表面に対し、毎分約０．５ｍＬの割合で、溶液中の研磨懸濁液を適用する行為を含む、前記方法。
【請求項６】
ＣＭＰ工程を施す行為が、サンプルの研磨スピードを約４５〜６０回転／分（ＲＰＭ）の範囲で維持する行為を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
下処理する行為が、ＡｌＮ基板の表面を研磨する前に、実質的な研磨表面の汚染を減少させるため、研磨装置を洗浄することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ＡｌＮ基板表面を仕上げる行為が、ＡｌＮ基板の表面から、研磨懸濁液を実質的にリンスする行為を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
下処理行為中に、ＡｌＮ基板を溶媒で洗浄することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＡｌＮ基板が、実質的に軸上にある、Ａｌ−極性、ｃ−面表面であり、および研磨懸濁液のｐＨ値が約１０．５以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法により製造される基板。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
【請求項１３】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の表面を整備するための方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為を含み、該下処理行為は：
ＡｌＮ基板の配向を決定する行為；および
配向に基づいてＡｌＮ基板表面の除去を施す行為を含む、前記方法。
【請求項１４】
ＡｌＮ基板が、少なくとも部分的に、ＡｌＮ結晶構造の結晶配向を規定するｃ−軸を有するＡｌＮ結晶構造から形成され、そして、ＡｌＮ基板の配向を決定する行為が、ｃ−軸とＡｌＮ基板の表面法線との間の角度を決定する行為を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
除去を施す行為が、配向に基づいて除去の周期を決定する行為を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
角度を決定する行為が、Ａｌ−極性ｃ−面表面およびＮ−極性ｃ−面表面の極性に対する、ＡｌＮ基板表面の相対的極性を決定する行為を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
除去を施す行為が、少なくとも第１の期間および第２の期間から選択される期間であって、第２の期間は第１の期間よりも長く、ここで、第２の期間は相対的極性が主にＡｌ−極性である場合に選択される、前記期間中に、基板においてＣＭＰ工程を施す行為を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２の期間が、ｃ−軸と表面法線との間の角度が約２０度未満である場合に選択され、ここで第１の期間は、前記角度が約２０度以上である場合に選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
選択された洗浄工程であって、少なくとも部分的に、ＡｌＮ基板の配向および／またはＡｌＮ表面基板の相対的極性に基づいて選択される、前記洗浄工程を施す行為をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
ＡｌＮ基板の相対的極性が主にＡｌ−極性であり、そして、除去を施す行為が、ＡｌＮ基板を下処理するために、ポリマーダイヤモンド懸濁液を用いた乾式研削および研磨の少なくとも１種を施す行為を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
ＡｌＮ基板にスラリーを適用する行為を含む、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程を施す行為をさらに含み、ここで、スラリー組成物は、少なくとも部分的に、ｃ−軸と表面法線との角度および／またはＡｌＮ表面の相対的極性に基づいて選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
スラリーのｐＨ値が、少なくとも部分的に、ＡｌＮ基板の相対的極性に基づいて選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
ＡｌＮ基板表面の相対的極性が、主にＡｌ極性であると決定される場合に、スラリーのｐＨ値が１０．５より大きいことが選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１３に記載の方法により製造される基板。
【請求項２５】
請求項１３に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
【請求項２６】
ＡｌＮ基板の表面が、非極性表面であると決定されるか、または、ＡｌＮ基板の表面の相対的極性が主にＮ−極性であると決定される場合に、ｐＨ値が１１未満であることが選択される、請求項２２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005510072.tif 000001
【図２】
2005510072.tif 000002
【図３】
2005510072.tif 000003
【図４】
2005510072.tif 000004
【図５】
2005510072.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
刃具（９）により、対向する２つの表面（１ａ、１ｂ）に導電接触区域（４、４１；６、６１）を有する塑性基体（１）の該導電接触区域（４、４１）に、該基体（１）を貫通し該２つの面（１ａ、１ｂ）に達する傾斜切込み（１１）を入れ、スルーコンタクトを形成する方法であって、前記切込み形成操作によって、同時に前記傾斜切込み（１１）に隣接する２つの基体領域（２０、３０）が互いの背後において固定されるまで重ね合わされることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記隣接する２つの基体領域（２０、３０）が、独立したラム（１２）および/または前記刃具に取り付けられている駆動装置（１５）によって、重ね合わされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記隣接する２つの基体領域（２０、３０）が、圧搾空気（１３）または減圧（１４）によって、重ね合わされることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記基体の位置を固定したまま、前記切込みを形成するステップと前記隣接する２つの基体領域を重ね合わせるステップとが実施されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記傾斜切込み（１１）が、前記対向する２つの基体表面（１ａ、１ｂ）に対し４５°の角度で形成されることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
基体（１）の対向する２つの表面（１ａ、１ｂ）に達する傾斜切込み（１１）を形成するための刃具（９）、および該切込み（１１）に隣接する２つの基体領域（２０、３０）を重ね合わせ互いの背後で固定するための手段（１２；１３；１４；１５）を備えている、請求項１〜５いずれか１項記載の方法を実施するための装置であって、前記刃具（９）および前記固定するための手段（１２；１３；１４；１５）が同一作業台に配されていることを特徴とする装置。
【請求項７】
前記固定するための手段が、ラム（１２）を備えていることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記固定するための手段が、圧搾空気（１３）によって、前記切込みに隣接する２つの基体領域を重ね合わせることを特徴とする請求項６または７記載の装置。
【請求項９】
前記固定するための手段が、減圧（１４）によって、前記切込みに隣接する２つの基体領域を重ね合わせることを特徴とする請求項６〜８いずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記固定するための手段が、前記刃具（９）に取り付けられている駆動フック（１５）を備えていることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項１１】
前記刃具（９）が、少なくとも１つの歯（９ｂ）を有する刃先を備えていることを特徴とする請求項６〜１０いずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記刃具（９）が、刃面に直角な方向に弾性を有する刀身を備えていることを特徴とする請求項６〜１１いずれか１項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス基板を処理するための装置であって、
基板処理用の第１、第２ゾーンと、
前記装置のｙ軸方向において、前記第２ゾーンの第２重なり領域と重なる、前記第１ゾーンの第１重なり領域と、
前記第１ゾーンを前記第２ソーンから少なくとも部分的に分離する仕切りと、
少なくとも部分的に前記仕切り内に形成され、前記第１、第２ゾーン間で１つ以上の基板を通過させることができる、前記第１、第２ゾーン間の通路と、
前記第１ゾーンの前記重なり領域内にキャリアを配置できるように、前記第１ゾーンに配置されるキャリア処理ロボットと、
前記第２ゾーンの前記重なり領域内に少なくとも部分的に配置され、前記第１ゾーン内の前記キャリアと前記第２ゾーンとの間で１つ以上の基板を移送できる、少なくとも１つの基板処理ロボットと、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第１ゾーンは、さらに、前記装置の外側と第１ゾーンとの間で、少なくとも１つの１つ以上のキャリアを移送できる、少なくとも１つの入口を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１ゾーン内に配置される前記キャリア処理ロボットが、前記装置の外側と第１ゾーンとの間で、少なくとも１つ以上の前記キャリアを移送できることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記第２ゾーンに隣接し、かつ少なくとも１つの基板処理ステーションを含む少なくとも１つの処理ゾーンをさらに有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記第１ゾーン内に配置されたキャリア処理ロボットは、第１、第２のキャリアが前記第１ゾーンの前記重なり領域内に同時に配置されるように前記第１ゾーンの前記重なり領域内に前記第１、第２のキャリアを配置でき、
さらに、前記基板処理ロボットは、前記第１内の第１キャリアと第２ゾーンとの間に１つ以上の基板を移送し、そして、前記第１ゾーン内の第２キャリアと第２ゾーンとの間に１以上の基板を移送することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
複数の基板貯蔵位置を有する貯蔵装置に複数の基板を配置するための方法であって、
第１の基板をエレベータ機構に配置し、
前記貯蔵装置の所望貯蔵位置に対して前記エレベータ機構を位置決めし、
前記第１の基板が前記貯蔵装置の所望貯蔵位置に移送されるように、前記貯蔵装置に対して前記エレベータを移動し、
前記エレベータ機構の位置決め工程と基板を前記エレベータ機構に配置する工程を、少なくとも１つの付加的な基板に対して繰り返す、各工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記エレベータ機構に配置する工程は、前記エレベータ機構上に一群の基板を設けることを含み、
前記エレベータ機構を位置決めする工程は、前記貯蔵装置の所望の貯蔵位置に対して前記エレベータ機構を位置決めることを含み、
前記エレベータを移動する工程は、前記基板が前記貯蔵装置の所望の貯蔵位置に移送されるように前記貯蔵装置に対して前記エレベータ機構を移動することを含んでいることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
第１、第２ゾーン間の出口を形成し、互いに対向して配置され、かつ各々が、キャリアをロード及びアンロードするための第１側と前記基板をロード及びアンロードするための第２側とを含んでいる第１、第２の入口と、
前記２つの入口間に少なくとも部分的に配置され、前記第１、第２ゾーン間で基板を移送できるような移動範囲を有する、少なくとも１つの基板処理ロボットと、前記第１、第２の入口のいずれかの第１側に前記キャリアをロード及びアンロードできるように、前記第１ゾーン内に配置されるキャリア処理ロボットと、
を有することを特徴とする、マイクロエレクトロニクス基板を処理するためのツール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体リソグラフィプロセスパラメータを制御する方法であって、
テスト構造の転写特性を変更するための波面エンジニアリングフィーチャを有するテスト構造をレチクル上に形成することと、
ウェーハテスト構造を形成するための前記リソグラフィプロセスを用いて前記テスト構造を第１のウェーハに転写すること、および
前記ウェーハテスト構造の少なくとも一部を測定し、参照寸法と比較することによって、少なくとも１つのリソグラフィプロセスパラメータが変化したかを決定すると共に、前記少なくとも１つのリソグラフィプロセスパラメータの変化の間接的測定を提供すること
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記参照寸法は、前記第１のウェーハと第２のウェーハとの一方上の前記ウェーハテスト構造の第２形成により得られる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記リソグラフィプロセスが変化したときに、前記少なくとも１つのリソグラフィプロセスパラメータを調整することをさらに含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャの前記設計は、前記ウェーハテスト構造の、前記少なくとも１つのリソグラフィプロセスパラメータの変化に対する最適化された感度を生むように選択される方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャの前記設計を実験的な手法で決定することをさらに含む方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、シミュレーションツール上で実行されるシミュレーションによって前記波面エンジニアリングフィーチャの設計を決定することをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項２に記載の方法であって、光学的オーバレイツールが用いられることによって、前記ウェーハテスト構造の前記第１および第２の形成のうちの少なくとも一つにおける前記テスト構造が測定される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャの前記設計は、前記テスト構造が、前記ウェーハテスト構造を形成するのに用いられる露光ツールのフォーカスおよび露光量の変化に対して感度を持つように選択される方法。
【請求項９】
請求項２に記載の方法であって、前記ウェーハテスト構造は、画像処理ソフトウェアを用いて分析される方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャは位相シフトマスクデザインである方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャは、光学近接補正である方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記テスト構造は、フォーカスおよび露光量変化に対して独立に応答する方法。
【請求項１３】
半導体プロセスパラメータを制御する方法であって、
テスト構造を持つパターンをレチクル上に形成すること、および
前記テスト構造に近接して波面エンジニアリングフィーチャを配置することによって、リソグラフィプロセスにおいて前記テスト構造の転写を制御すること
を含み、
前記波面エンジニアリングフィーチャは、前記パターンが複数のウェーハ上に転写されるとき、前記パターンのうちの前記テスト構造部分がプロセス変化に対して予め選択された感度であるように構成される
方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記テスト構造は、前記リソグラフィプロセスのフォーカスおよび露光量変化に対して独立に応答する方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記テスト構造は、デュアルトーンラインショートニングアレイを備える方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
ウェーハ上に前記パターンを形成すること、および
前記ウェーハ上に形成された前記パターンの前記アレイ部分を測定することによって、ウェーハ上の前記パターンの第２形成に比較して前記プロセスが変化したかを決定すること
をさらに含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記パターンの前記第１形成および前記パターンの前記第２形成は、同じウェーハ上に起こる方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であって、前記波面エンジニアリングフィーチャは光学近接補正フィーチャであり、前記レチクル上に現れる前記テスト構造をフォーカスがずれた状態で転写させることによって、ウェーハ上に前記パターンを転写するのに用いられる露光ツールのフォーカスの変化の向きを決定するように前記波面エンジニアリングフィーチャがさらに構成される方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記テスト構造はデュアルトーンラインショートニングアレイを備え、前記光学近接補正フィーチャは、前記アレイに対して非対称に適用される方法。
【請求項２０】
半導体プロセスパラメータを制御する方法であって、
パターンをレチクル上に形成すること、および
ウェーハ上に転写された前記パターンのラインエンドショートニングを位相シフト技術を用いて制御することによって前記パターンのウェーハ上への転写を制御すること
を含み、
前記位相シフト技術は、前記パターンが複数のウェーハ上に転写されるとき、前記パターンがプロセス変化に対して感度を持つように選択される
方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
ウェーハ上に前記パターンを形成すること、および
前記ウェーハ上の前記形成されたパターンを測定することによって、ウェーハ上の前記パターンの第２形成に比較して前記プロセスが変化したかを決定すること
をさらに含む方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記プロセスパラメータをそれらが変化したときに調整することをさらに含む方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の方法であって、前記位相シフト技術は、プロセス変化に対する予め選択された感度を生むよう選択される方法。
【請求項２４】
請求項２０に記載の方法であって、前記位相シフト技術は、プロセス変化に対する高められた感度を生むよう選択される方法。
【請求項２５】
請求項２０に記載の方法であって、前記位相シフト技術は、プロセス変化に対する低められた感度を生むよう選択される方法。
【請求項２６】
請求項１に記載の方法であって、
前記測定した部分が前記参照寸法を所定の閾値分超える場合に、前記リソグラフィプロセスパラメータを調整することをさらに含む、方法。
【請求項２７】
請求項１に記載の方法であって、
前記波面エンジニアリングフィーチャは、前記少なくとも１つのリソグラフィプロセスパラメータが所定の閾値分変化するとき、前記ウェーハテスト構造に所定の変化を引き起こすように構成されている、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層マイクロエレクトロニック基材を製造するための方法であって、
ａ）第一収縮温度を有する複数の熱的に一体化可能なフィルムを用意し、
ｂ）前記第一収縮温度より高い第二収縮温度を有する少なくとも一個のフィルムを用意し、
ｃ）前記第二収縮温度を有する少なくとも一個のフィルムを、前記第一収縮温度を有するフィルム同士の間に配置し、
ｄ）前記張り合わせたフィルムを前記第一収縮温度に加熱し、さらに前記第一収縮温度を有する前記フィルムが完全に収縮するまで、第一最終温度に加熱し、前記第一最終温度を前記第二収縮温度より低く維持し、
ｅ）前記張り合わせたフィルムを前記第二収縮温度に加熱し、適用可能であれば、さらに前記第二収縮温度を有する前記少なくとも一個のフィルムを収縮させるために、第二最終温度に加熱することからなり、
前記少なくとも一個のフィルムが、フェライトの主成分として酸化ニッケルＮｉＯおよび酸化第一鉄Ｆｅ２Ｏ３を含む磁気誘電材料から製造されたものであり、前記フェライトが酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３、または酸化鉛ＰｂＯと少なくとも一種の他の金属酸化物の、または酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３と少なくとも一種の他の金属酸化物の共融混合物を含む、方法。
【請求項２】
前記他の金属酸化物が酸化モリブデンＭｏＯ３、酸化亜鉛ＺｎＯ、二酸化ケイ素ＳｉＯ２、酸化ホウ素Ｂ２Ｏ３または酸化タングステンＷＯ３である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化ビスマスまたは前記共融混合物が、前記フェライトの１〜１０重量％の量で含まれる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記フェライトがＮｉｖＺｎｗＣｏｙＦｅｚＯ４、式中、０．８８≦ｖ≦１、０≦ｗ≦０．８、０≦ｙ≦０．０３および１．７≦ｚ≦２．１２、の組成物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記フィルムの別の少なくとも一個が、誘電セラミック組成を有するフィルムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも前記第一収縮温度を有する前記フィルムがセラミック細片フィルムである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第二収縮温度が前記第一収縮温度よりも１００℃以下高い、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
磁気誘電材料から製造された少なくとも一個の層が、フェライトの主成分として酸化ニッケルＮｉＯおよび酸化第一鉄Ｆｅ２Ｏ３を有し、前記フェライトが酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３、または酸化鉛ＰｂＯと少なくとも一種の他の金属酸化物の、または酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３と少なくとも一種の他の金属酸化物の共融混合物を含む、多層マイクロエレクトロニック基材。
【請求項９】
前記他の金属酸化物が酸化モリブデンＭｏＯ３、酸化亜鉛ＺｎＯ、二酸化ケイ素ＳｉＯ２、酸化ホウ素Ｂ２Ｏ３または酸化タングステンＷＯ３である、請求項８に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１０】
前記酸化ビスマスまたは前記共融混合物が、前記フェライトの１〜１０重量％の量で含まれる、請求項８に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１１】
前記フェライトがＮｉｖＺｎｗＣｏｙＦｅｚＯ４、式中、０．８８≦ｖ≦１、０≦ｗ≦０．８、０≦ｙ≦０．０３および１．７≦ｚ≦２．１２、の組成を有する請求項８に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１２】
前記少なくとも一個の層が、誘電セラミック組成物を有する、請求項８に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１３】
前記誘電セラミック組成物が比誘電率ε≧７０を有する、請求項７に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１４】
前記磁気誘電材料を備えた層が、適当であれば比誘電率ε≧７０を有する、誘電セラミック組成物の２個の層の間に埋め込まれている、請求項１２または１３に記載のマイクロエレクトロニック基材。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニック基材の、小型化された回路中の受動部品としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグの中心軸（１４）に沿って延びる電気絶縁スリーブ（１２）と、前記スリーブ内に取り付けられ、前記スリーブの端部（１２ｃ）を越えて軸方向に突出する先端（１６ａ）を有する第１の電極（１６）と、前記スリーブを囲む導電性シェル（２０）と、前記シェルに取り付けられ、これに電気接続される第２の電極（２２）とを備える点火プラグ（３０；４０）において、前記第２の電極は前記第１の電極の前記先端（１６ａ）がプラグの点火隙間（Ｇ１）を画定するように位置決めされた先端（２２ａ）を有し、前記シェルは前記シェルの端部表面（２０ｂ）で終了する端部（２０ｃ）を有し、前記スリーブ（１２）は、その間に間隙を備えて前記シェルの前記端部（２０ｃ）を通って延び、前記シェルの前記端部表面（２０ｂ）を越えて延びるプラグであって、このプラグはまた、絶縁材料でできた少なくとも１つの突起（３２）を備え、前記突起は、前記スリーブ（１２）上に位置決めされ、前記シェルの前記端部表面（２０ｂ）の領域内で０．５ｍｍから１．１ｍｍの範囲内にあるよう前記間隙を小さくするように、前記スリーブ（１２）上に位置決めされ、前記スリーブから突出しており、それによって二次点火隙間（Ｇ２）が形成されることを特徴とする点火プラグ。
【請求項２】
前記突起（３２）が前記スリーブ（１２）と一体であることを特徴とする、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項３】
前記突起（３２）が、前記スリーブ（１２）の周りに環状リブとして延びることを特徴とする、請求項１及び２のいずれか一項に記載の点火プラグ。
【請求項４】
前記突起（３２）は、前記プラグの軸方向断面がドーム形状をしていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか一項に記載の点火プラグ。
【請求項５】
前記突起（３２）が、前記軸（１４）に対して６０度から３０度の間の角度で傾斜している、側表面（３２ｂ、３２ｃ）の少なくとも一方を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の点火プラグ。
【請求項６】
前記突起（３２）が平らな頂点（３２ａ）を有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか一項に記載の点火プラグ。
【請求項７】
前記スリーブ（１２）の周方向に、前記突起（３２）の中心線が、前記シェル（２０）の前記端部表面（２０ｂ）と同一平面にあるように、前記突起が位置合わせされることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか一項に記載の点火プラグ。
【請求項８】
前記シェル（２０）の内側にある前記スリーブの前記端部（１２ｃ）の一部が、経路延長波状起伏（４２）を備えていることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか一項に記載の点火プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体であって、２つの長辺と２つの短辺と４つのコーナーを有する実質的に長方形の支持フレームと、
支持フレームの２つの長辺に取り付けられたテンション・マスクと、
前記コーナーのそれぞれに在る閉じた端部であって、前記閉じた端部は各コーナーで隣接した辺の１つに連続しており、前記コーナーのそれぞれは支持フレームの長辺と短辺の間で前記閉じた端部を形成し、カラー陰極線内でマスクを吊すのに用いられる角度がついた取付け壁を含む複数の壁を有する閉じた端部とから成る、陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項２】
長辺が、長方形、三角形、またはＬ型の断面形を有する、請求項１に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項３】
長辺と短辺が、溶接手段により接着されている、請求項１に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項４】
溶接手段が、アーク溶接またはレーザ溶接である、請求項３に記載の陰極線管のマスク・フレーム組み立て構体。
【請求項５】
支持フレームが、ＩＮＶＡＲ、ＧＡＭＭＡＰＨＹ、およびカーバイド硬化鉄ニッケル合金から成るグループから選択された鉄ニッケル合金である、請求項１に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項６】
陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体であって、２つの長辺、２つの短辺、および４つのコーナーを有する実質的に長方形の支持フレームと、
長辺に取り付けられ、それに平行なブレードと、
ブレードに取り付けられているテンション・マスクと、
前記コーナーのそれぞれに在る閉じた端部であって、前記閉じた端部は各コーナーで隣接した辺の１つに連続しており、前記コーナーのそれぞれは支持フレームの長辺と短辺の間で前記閉じた端部を形成し、カラー陰極線内でマスクを吊すのに使用される角度がついた取付け壁を含む複数の壁を有する閉じた端部とから成る、陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項７】
長辺が、長方形、三角形、Ｌ型の断面形を有する、請求項６に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項８】
長辺と短辺が、溶接手段により接着されている、請求項６に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項９】
溶接手段が、アーク溶接またはレーザ溶接である、請求項８に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【請求項１０】
支持フレームが、ＩＮＶＡＲ、ＧＡＭＭＡＰＨＹ、およびカーバイド硬化鉄ニッケル合金から成るグループから選択された鉄ニッケル合金である、請求項６に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
添付図に関する事例により本発明を説明する。
特許請求の範囲と実施例との対応関係を実施例で使われている参照番号を用いて示すと以下の通りである。
（請求項１）
陰極線管（１）のテンション・マスク・フレーム組み立て構体（１０）であって、２つの長辺（２２、２４）と２つの短辺（２６、２８）と４つのコーナーを有する実質的に長方形の支持フレーム（２０）と、
支持フレームの２つの長辺に取り付けられたテンション・マスク（３０）と、
前記コーナーのそれぞれに在る閉じた端部（３２）であって、前記閉じた端部は各コーナーで隣接した辺の１つに連続しており、前記コーナーのそれぞれは支持フレームの長辺と短辺の間で前記閉じた端部を形成し、カラー陰極線内でマスクを吊すのに用いられる角度がついた取付け壁（３６）を含む複数の壁を有する閉じた端部とから成る、陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項２）
長辺が、長方形、三角形、またはＬ型の断面形を有する、請求項１に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項３）
長辺と短辺が、溶接手段により接着されている、請求項１に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項４）
溶接手段が、アーク溶接またはレーザ溶接である、請求項３に記載の陰極線管のマスク・フレーム組み立て構体。
（請求項５）
支持フレームが、ＩＮＶＡＲ、ＧＡＭＭＡＰＨＹ、およびカーバイド硬化鉄ニッケル合金から成るグループから選択された鉄ニッケル合金である、請求項１に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項６）
陰極線管（１）のテンション・マスク・フレーム組み立て構体（１０）であって、２つの長辺（２２、２４）、２つの短辺（２６、２８）、および４つのコーナーを有する実質的に長方形の支持フレーム（２０）と、
長辺に取り付けられ、それに平行なブレード（４０）と、
ブレードに取り付けられているテンション・マスク（３０）と、
前記コーナーのそれぞれに在る閉じた端部（３２）であって、前記閉じた端部は各コーナーで隣接した辺の１つに連続しており、前記コーナーのそれぞれは支持フレームの長辺と短辺の間で前記閉じた端部を形成し、カラー陰極線内でマスクを吊すのに使用される角度がついた取付け壁（３６）を含む複数の壁を有する閉じた端部とから成る、陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項７）
長辺が、長方形、三角形、Ｌ型の断面形を有する、請求項６に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項８）
長辺と短辺が、溶接手段により接着されている、請求項６に記載の陰極線管テンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項９）
溶接手段が、アーク溶接またはレーザ溶接である、請求項８に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
（請求項１０）
支持フレームが、ＩＮＶＡＲ、ＧＡＭＭＡＰＨＹ、およびカーバイド硬化鉄ニッケル合金から成るグループから選択された鉄ニッケル合金である、請求項６に記載の陰極線管のテンション・マスク・フレーム組み立て構体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月16日(2005.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
上記高密度の低エネルギープラズマの密度が、上記低密度の低エネルギープラズマの密度の１０倍大きい請求項１乃至９のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ガス導入口（２６、３０）を備えた成長チャンバ（２３）を含む成長システム（８０）であって、
成長システム（８０）は、少なくとも２つの工程を含む低密度の低エネルギープラズマ強化化学蒸着法（ＬＥＰＥＣＶＤ）を行うために装備されており、これにより
第１の処理工程中のシステムパラメータが、基板温度４００℃〜８５０℃、ガス導入口での全反応ガス流量５ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍ、成長速度２ｎｍ／ｓ以上になるように調整され、
第２の処理工程中のシステムパラメータが、基板温度を４００℃〜５００℃に保持し、水素（Ｈ２）を成長チャンバ（２３）に導入し、そして、少なくとも１つの層に変調ドーピングできるようにドーパントガスを成長チャンバ（２３）にパルス状に導入するように調整された成長システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
上記処理制御ユニット（８１）は、電位約−１２Ｖの低エネルギーのプラズマと、ほぼ０Ｖのプラズマ電位とを維持するために、上記パラメータを制御することができる請求項１３に記載の成長システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式Ｉの、少なくとも１種類の自己乳化性フッ素化アルコキシシラン、
Ｒf1−［−Ｑ−［ＳｉＹ3-xＲ1x］z］y        （Ｉ）
｛式中、Ｒf1は、一官能性又は二官能性フッ素化基を表し、
Ｑは、独立して、有機二官能性又は三官能性結合基を表し、
Ｒ1は、独立して、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基を表し、
Ｙは、独立して、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、又は構造式−Ｏ−Ａ−Ｒ3の親水性アルコキシ基を表すが、但し、少なくとも１つのＹが前記親水性アルコキシ基であり、式中、各Ａは、独立して、ａ）式、（ＣＨＲ2−ＣＨ2Ｏ）q（式中、ｑは、１〜４０の値を有する数であり、Ｒ2は、独立して水素又はメチルであり、Ｒ2の少なくとも７０％は水素である）を有するか、又は（ｂ）１つのＯＨおよび１つのヒドロキシル水素を除去することにより、ポリオール、又は、そのアルキルエーテル又はポリエーテル誘導体から誘導される、二官能性親水基を含み、
および、式中、Ｒ3は独立して、水素、又は炭素原子数１〜４の低級アルキル基であり、
ｘは、０又は１であり、
ｙは、１又は２であり、
ｚは、１又は２である｝、および
（ｂ）少なくとも１種類の水と完全に混和性の有機補助溶媒と少なくとも１種類のフッ素化界面活性剤のうちの一方又は両方、
を含む均一な混合物を含む、希釈可能な非水性濃縮物。
【請求項２】
ａ．水、又は、水と少なくとも１種類の有機補助溶媒とを含む水性溶媒混合物を含む、希釈媒体、および
ｂ．ｉ．式Ｉの少なくとも１種類の自己乳化性フッ素化アルコキシシラン、
Ｒf1−［−Ｑ−［ＳｉＹ3-xＲ1x］z］y          （Ｉ）
｛式中、Ｒf1は、−（ＣnＦ2n）−、−（ＣnＦ2nＯ）−、−（ＣＦ（Ｚ））−、−（ＣＦ（Ｚ）Ｏ）−、−（ＣＦ（Ｚ）ＣnＦ2nＯ）−、−（ＣnＦ2nＣＦ（Ｚ）Ｏ）−およびこれらの組合せからなる群から選択される過フッ素化繰り返し単位を含む、一官能性又は二官能性パーフルオロポリエーテルを表し、式中、Ｚは、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、酸素置換パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、および酸素置換パーフルオロアルコキシ基であり、そして、式中、ｎは１〜６であり、
Ｑは、独立して、有機二官能性又は三官能性結合基を表し、
Ｒ1は、独立して、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基を表し、
Ｙは、独立して、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、又は構造式−Ｏ−Ａ−Ｒ3の親水性アルコキシ基を表すが、但し、少なくとも１つの親水性アルコキシ基がフッ素化アルコキシシラン中に存在し、式中、各Ａは、独立して、ａ）式、（ＣＨＲ2−ＣＨ2Ｏ）q（式中、ｑは、１〜４０の値を有する数であり、Ｒ2は、独立して水素又はメチルであり、Ｒ2の少なくとも７０％が水素である）を有するか、又は（ｂ）１つのＯＨおよび１つのヒドロキシル水素を除去することにより、ポリオール、又は、そのアルキルエーテル又はポリエーテル誘導体から誘導される、二官能性親水基を含み、
および、式中、Ｒ3は独立して、水素、又は炭素原子数１〜４の低級アルキル基であり、
ｘは、０又は１であり、
ｙは、１又は２であり、
ｚは、１又は２である｝、および
ｉｉ．少なくとも１種類の水に完全に混和性の有機補助溶媒と少なくとも１種類のフッ素化界面活性剤のうちの一方又は両方、
を含む、均一な混合物を含む希釈可能な非水性濃縮物、
を含む水性希釈液。
【請求項３】
基材に請求項２に記載の水性希釈液を塗布する工程、および前記水性希釈液を硬化させる工程を含む、基材の処理方法。
【請求項４】
ａ．基材、および
ｂ．請求項２に記載の水性希釈液を前記基材上に塗付し、前記水性希釈液を硬化させることにより得られる、前記基材上の塗膜、
を含む物品。
【請求項５】
前記基材がガラス、セラミック、又は、反射防止フィルムの少なくともいずれか１つを含む、請求項４に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも０．４ｄｌ／ｇの固有粘度を有するポリトリメチレンテレフタレートのペレットを、導管中を移動する液体を含む導管中に導入し、それによって、ペレットを前記液体と共に導管中を移動させること、ここにおいて前記液体のペレットに対する重量比は６．６７：１より大きく、前記導管中の液体の流量、ＵＭ、は、前記ペレットの沈降を防止するのに十分な大きさであり、次式によって求められ、
【数１】
2005510604.tif 000001
［上式で、ＵＭはペレットが沈降しない最小の流体速度であり、Ｄｐは前記管の内径であり、ｄｐはペレットの直径であり、ρｐはペレットの密度であり、ρＦは流体の密度である。］
ｂ）ペレットおよび液体の温度を、前記ペレット中に少なくとも３５％の結晶化度を引き起こすのに十分な時間、５０〜９５℃の温度に調節すること、
ｃ）前記ペレットを前記液体から分離すること
を含む、ポリトリメチレンテレフタレートのペレットの自己付着性を低減する方法。
【請求項２】
前記液体と前記ペレットとの重量比が、１０：１から１００：１である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリトリメチレンテレフタレートのペレットが、３秒から５分の範囲の時間、前記液体と接触され続ける請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ペレットが、少なくとも５５℃のガラス転移温度を有するポリトリメチレンテレフタレートのペレットを製造するのに十分な時間、液体と接触させられる請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
冷間結晶化ピークが存在しないことを特徴とする示差走査熱量測定温度記録を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法によって作製されるポリトリメチレンテレフタレートのペレット。
【請求項６】
ａ）前記分離されたペレットを分級機に送ること、
ｂ）前記ペレットを分級機内の篩を通すことにより、ペレットの微粉、ダスト、および過小寸法品を除去すること、
ｃ）前記ペレットを、空気が流通してペレットを冷却している、分級機内の薄板部分を通過させること、
ｄ）前記ペレットを、過大寸法のペレットを保持する、分級機内の穴あき板を通過させること、および
ｅ）分級機から前記ペレットを移動させることをさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ａ）前記ペレットを篩を通過させることにより、ペレットの微粉、ダスト、および過小寸法品を除去すること、
ｂ）前記ペレットを、空気が流通してペレットを冷却している薄板部分を通過させること、
ｃ）前記ペレットを、過大寸法のペレットを保持する穴あき板を通過させること、および
ｄ）前記ペレットを移動させること
を含む、ポリマーペレットを分級し、そのガラス転移温度以下に冷却する方法。
【請求項８】
ａ）液体を含んでいる導管中にポリマーペレットを導入する手段と、
ｂ）前記液体を導管内を移動させる手段と、
ｃ）前記液体の温度を制御する手段と、
ｄ）前記液体から前記ペレットを分離する手段と、
ｅ）ｉ）ペレットの微粉、ダスト、および過小寸法品を除去するための篩、
ｉｉ）空気が流通して前記ペレットを冷却している薄板部分、および
ｉｉｉ）過大寸法のペレットを保持する穴あき底板を含む、ペレットの微粉およびダストおよび過大寸法ペレットを除去するための分級／冷却複合手段と、
ｆ）前記液体を再利用する手段と
を含む、ポリマーペレットの自己付着性を低減するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
例５
商用の連結テープ
セメント質パネル構造に用いられる、市販のエラストマー性テープ（Multicoat, Costa Mesa）が、布製の裏打ちと感圧性接着剤から作製されている。このテープ上の接着剤の厚さは約０．０１インチである。２インチ×５インチの、予めコートされた２つのファイバーセメントボード試料を、それらの間に１／８インチのギャップを設けて配置した。そのギャップは１００％ポリウレタンの充填材（Chem-calk 900, Bostik Findley）によってコーキングし、充填材の表面は滑らかにし、そして、充填材は一晩で硬化させた。Multicoatエラストマー性テープの、２インチ×３インチの断片を、コーキングされた連結部上に中心を合わせ、貼り付けた。試験サンプルは中位のテクスチャーコーティング（Multicoat, Costa Mesa, CA）によって仕上げた。テクスチャーコーティングの厚さは、約０から１／１６インチとし、表面上のパターンに応じて変化している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
特許文献１の連結テープは、布製の裏打ちと感圧性接着剤から作られた市販の３インチ幅自己接着性連結テープ（Multicoat, Costa Mesa, CA）である。本開示の連結テープは、Sontara 8004布とHeartland Adhesive H400（スチレン−ブタジエン）の、０．０１０インチ厚の層から作製された３インチ幅自己接着性連結テープである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
取り付け部材３０上に機械加工されたねじ山に対する結合ねじ（不図示）は、ハンドル４１に取り付けられた軟質材のピース４０に形成される。ハンドル４１は、取り付け部材の逃げ部３４に対応した位置において、第３ばね４２により相対固定部材３１に保持されている。第３ばね４２はハンドル４１をバイアスし、ハンドルのレスト位置で軟質材が取り付け部材３０のねじに係合するようにしている。ハンドル４１を１９方向に引き、取り付け部材３０から離すことによって、ばね４２によるバイアスが打ち消され、軟質材４０は係合位置から第２位置へと離脱する。その位置では、軟質材４０はもはや取り付け部材のねじ山と係合しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
しかし、例えばレバーの移動によってカム４７が作動すると、挿入部４４は４６方向に下降して変形可能な材料の斜面に係合し、取り付け部材３０に向けてこれを付勢することで、変形および結合ねじの形成が行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
長軸がアクチュエータ７３およびばね７４に作用する位置にカム７２があるとき（図に示している状態）、ばね７４は圧縮され、アクチュエータ７３は変形可能な材料７１上に置かれているが、変形可能な材料７１を大きく変形させてはいない。これは、変形可能な材料７１がねじ山６７に接触していないことを意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
レバー８９を作動させると、屈曲ヒンジ８７はその第２の非接触位置（不図示）に移動し、ＰＴＦＥ９０は半径方向内側に移動してねじ山８６から離れる。これによって、結合ねじはもはやねじ山８６と当接しなくなり、中空取り付け部材が螺旋経路を辿らないようにすることができる。