【事件の表示】
　特願２００７−１５５１２９「表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月２５日出願公開、特開２００８−３１０９７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年６月１２日の出願であって、平成２２年６月２４日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、平成２２年８月２７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年１１月１２日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２３年２月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成２３年２月１６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　　平成２３年２月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
　（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の補正は、
「【請求項１】
　発光素子を有する表示画素を備えた表示装置において、
　前記表示画素は、前記発光素子と、該発光素子に所定の発光駆動電流を流す画素駆動回路と、を有し、
　前記画素駆動回路の導電層及び配線層は基板上に形成され、前記発光素子は、前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の平坦化膜上に形成され、
　前記発光素子は、少なくとも、前記平坦化膜上に設けられて前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属薄膜を有する反射層と、前記発光波長の少なくとも一部の光を透過する導電性酸化金属層を有する第１の電極と、前記反射層と前記第１の電極との間に設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する層間絶縁膜と、前記第１の電極に対向して設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を有し、
　前記平坦化膜に設けられて、前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層を露出する第１の開口部と、
　前記層間絶縁膜の、前記第１の開口部の直上の領域に設けられて、前記反射層をなす前記金属薄膜の一部を露出する第２の開口部と、
を有し、
　前記反射層をなす前記金属薄膜は、前記平坦化膜に設けられた前記第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続され、
　前記第１の電極をなす前記導電性酸化金属層は、前記層間絶縁膜に設けられた前記第２の開口部を介して、該第２の開口部より露出される前記反射層をなす前記金属薄膜上に設けられて、該反射層を介して前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
　前記層間絶縁膜は、１．８〜２．２の屈折率を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
　前記層間絶縁膜は有機膜からなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
　前記表示画素は、カラー表示に対応した異なる発光色の前記発光素子を有し、
　前記層間絶縁膜は、前記発光色に応じて異なる膜厚を有することを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
　前記画素駆動回路は、少なくとも前記導電層及び前記配線層の一部が前記発光素子と平面的に重なるように前記基板上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
　前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
　前記発光素子に設けられる前記発光機能層は、高分子系の有機材料からなることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
　発光素子を有する表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
　基板上に、前記発光素子に所定の発光駆動電流を流すための画素駆動回路の導電層及び配線層を形成する工程と、
　前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の平坦化膜を形成し、該平坦化膜をエッチングして前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層が露出する第１の開口部を形成する工程と、　金属薄膜により、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有し、前記第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層に接続されるとともに、前記平坦化膜上に延在する反射層を形成する工程と、
　前記反射層を含む領域に、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の前記第１の開口部の直上の領域をエッチングして、前記反射層をなす前記金属薄膜の一部を露出する第２の開口部を形成する工程と、
　導電性酸化金属層により、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有し、前記第２の開口部を介して、該第２の開口部を介して露出される前記反射層をなす前記金属薄膜上に形成されて該反射層に電気的に接続されるとともに、前記反射層に対応する前記層間絶縁膜上の領域に延在する第１の電極を形成する工程と、
　前記第１の電極上に有機材料による発光機能層を形成する工程と、
　前記発光機能層を介して前記第１の電極に対向し、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
　前記層間絶縁膜は、１．８〜２．２の屈折率を有していることを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
　前記表示画素は、カラー表示に対応した異なる発光色の前記発光素子を有し、
　前記層間絶縁膜の膜厚を前記発光色に応じて異なる値にすることを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。」を
「【請求項１】
　発光素子を有する表示画素を備えた表示装置において、
　前記表示画素は、
　前記発光素子に所定の発光駆動電流を流す画素駆動回路と、
　前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の平坦化膜と、
　前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する絶縁性材料からなり、前記平坦化膜上に設けられる層間絶縁膜と、
　を有し、
　前記発光素子は、少なくとも、前記平坦化膜上に設けられて前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属材料からなる第１の金属層と、前記層間絶縁膜上に前記第１の金属層に対向して設けられて前記発光波長の少なくとも一部の光を透過する透明電極材料からなる第１の導電性酸化金属層と、前記第１の導電性酸化金属層に対向して設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極と、前記第１の導電性酸化金属層と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を有し、
　前記平坦化膜は第１の開口部を有し、該第１の開口部より前記画素駆動回路の出力端となる導電層の一部が露出され、前記第１の金属層は前記第１の開口部内にも設けられて前記導電層に電気的に接続され、前記層間絶縁膜は前記第１の開口部の直上の領域に設けられた第２の開口部を有し、該第２の開口部より前記第１の金属層の一部が露出され、前記第１の導電性酸化金属層は前記第２の開口部内にも設けられて前記第１の金属層に電気的に接続され、
　前記平坦化膜は外部接続用の端子パッドの形成領域に設けられた第３の開口部を有し、前記平坦化膜下に設けられて前記画素駆動回路に接続される配線層の一端の一部が前記第３の開口部より露出され、前記平坦化膜上及び前記第３の開口部内に前記金属材料からなる第２の金属層が設けられて、該第２の金属層が前記配線層に電気的に接続され、前記層間絶縁膜は前記第３の開口部の直上の領域に設けられた第４の開口部を有し、該第４の開口部より前記第２の金属層の一部が露出し、前記層間絶縁膜上及び前記第４の開口部内に前記透明電極材料からなる第２の導電性酸化金属層が設けられて、該第２の導電性酸化金属層が前記第２の金属層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
　前記層間絶縁膜は、１．８〜２．２の屈折率を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
　前記層間絶縁膜は有機膜からなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
　前記表示画素は、カラー表示に対応した異なる発光色の前記発光素子を有し、
　前記層間絶縁膜は、前記発光色に応じて異なる膜厚を有することを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
　前記画素駆動回路は、少なくとも前記導電層及び前記配線層の一部が前記発光素子と平面的に重なるように前記基板上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
　前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
　前記発光素子に設けられる前記発光機能層は、高分子系の有機材料からなることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
　発光素子を有する表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
　基板上に、前記発光素子に所定の発光駆動電流を流すための画素駆動回路及び該画素駆動回路に接続される配線層を形成する工程と、
　前記画素駆動回路及び前記配線層の一部を被覆する絶縁性の平坦化膜を形成する工程と、
　前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属材料により、前記平坦化膜上に金属薄膜を形成する工程と、
　前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する絶縁性材料により、前記第１及び第２の金属層が形成された前記平坦化膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記発光波長の少なくとも一部の光を透過する透明電極材料により、前記層間絶縁膜上に導電性酸化金属膜を形成する工程と、
　前記導電性酸化金属膜をパターニングした第１の導電性酸化金属層上に有機材料による発光機能層を形成する工程と、
　前記発光機能層を介して前記第１の導電性酸化金属層に対向し、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極を形成する工程と、
を含み、
　前記平坦化膜を形成する工程は、該平坦化膜をエッチングして前記画素駆動回路の出力端となる導電層の一部が露出する第１の開口部を形成する工程と、前記平坦化膜の外部接続用の端子パッドの形成領域をエッチングして前記配線層の一端の一部が露出する第３の開口部を形成する工程と、を含み、
　前記金属薄膜を形成する工程は、前記金属薄膜をパターニングして、前記第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層に電気的に接続される第１の金属層を形成する工程と、前記金属薄膜をパターニングして、前記第３の開口部を介して前記配線層に電気的に接続される第２の金属層を形成する工程と、を含み、　
　前記層間絶縁膜を形成する工程は、該層間絶縁膜の前記第１の開口部の直上の領域をエッチングして、前記第１の金属層の一部を露出する第２の開口部を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記第３の開口部の直上の領域をエッチングして前記第２の金属層の一部を露出する第４の開口部を形成する工程と、を含み、
　前記導電性酸化金属膜を形成する工程は、前記第１の導電性酸化金属層を前記第２の開口部を介して前記第１の金属層に電気的に接続する工程と、前記導電性酸化金属膜をパターニングして、前記第４の開口部を介して前記第２の金属層に電気的に接続される第２の導電性酸化金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
　前記層間絶縁膜は、１．８〜２．２の屈折率を有していることを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
　前記表示画素は、カラー表示に対応した異なる発光色の前記発光素子を有し、
　前記層間絶縁膜の膜厚を前記発光色に応じて異なる値にすることを特徴とする請求項８記載の表示装置の製造方法。」
と補正するものである。
　
（２）補正の適否
　本件補正には、次の補正事項１及び２が含まれる。
ａ　補正事項１
　本件補正後の請求項１に係る発明には、基板が構成要件に含まれておらず、補正前の請求項１に係る発明の構成要件に含まれていた「画素駆動回路の導電層及び配線層は基板上に形成され」ている点が、構成要件から削除された。
　
ｂ　補正事項２
　本件補正前の請求項１における「反射性を有する金属薄膜を有する反射層」が「反射性を有する金属材料からなる第１の金属層」と補正された。
　
　上記補正事項１は、単なる構成要件の削除である。
　また、上記補正事項２は、反射性を有する層が金属薄膜を有する点を構成要件から削除するものである。
　したがって、上記補正事項１及び２は、いずれも明らかに特許請求の範囲を減縮するものではない。
　また、当該補正は、請求項の削除、誤記の訂正、または、明りょうでない記載の釈明のいずれのものでもない。　
　なお、補正後の請求項５には、「画素駆動回路は、少なくとも前記導電層及び前記配線層の一部が前記発光素子と平面的に重なるように前記基板上に設けられている」点が構成要件に含まれているものの、かかる点は補正前の請求項５と同一の構成であり、しかも補正前及び補正後の請求項１はいずれも請求項１を引用するものであるから、実質的に上記補正事項１が特許請求の範囲の減縮ではないことに影響を与える記載ではない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明
　平成２３年２月１６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されるべきものであるから、本願請求項１に係る発明は、平成２２年８月２７日付けの手続補正書における特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「発光素子を有する表示画素を備えた表示装置において、
　前記表示画素は、前記発光素子と、該発光素子に所定の発光駆動電流を流す画素駆動回路と、を有し、
　前記画素駆動回路の導電層及び配線層は基板上に形成され、前記発光素子は、前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の平坦化膜上に形成され、
　前記発光素子は、少なくとも、前記平坦化膜上に設けられて前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属薄膜を有する反射層と、前記発光波長の少なくとも一部の光を透過する導電性酸化金属層を有する第１の電極と、前記反射層と前記第１の電極との間に設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する層間絶縁膜と、前記第１の電極に対向して設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を有し、
　前記平坦化膜に設けられて、前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層を露出する第１の開口部と、
　前記層間絶縁膜の、前記第１の開口部の直上の領域に設けられて、前記反射層をなす前記金属薄膜の一部を露出する第２の開口部と、
を有し、
　前記反射層をなす前記金属薄膜は、前記平坦化膜に設けられた前記第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続され、
　前記第１の電極をなす前記導電性酸化金属層は、前記層間絶縁膜に設けられた前記第２の開口部を介して、該第２の開口部より露出される前記反射層をなす前記金属薄膜上に設けられて、該反射層を介して前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。」
　
４　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１５年８月１５日に頒布された「特開２００３−２２９２８３号公報 」（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複数の表示素子がそれぞれ独立な表示画素として支持基板上に配置される平面表示装置およびその製造方法に関し、特に各表示画素から支持基板側に放出される光を反射するように構成される平面表示装置およびその製造方法に関する。」
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る平面表示装置について図面を参照して説明する。この平面表示装置は上面発光方式のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置である。」
「【００１４】複数の表示画素ＰＸは行方向に隣接する３個一組で１カラー表示画素を構成する。各表示画素ＰＸは赤、緑、または青色に対応する波長の光で発光する有機ＥＬ素子OLEDおよびこの有機ＥＬ素子OLEDに流れる電流を制御する電流制御回路７を含む。電流制御回路７は例えばＮチャネル薄膜トランジスタ１１、Ｐチャネル薄膜トランジスタ１２、および容量素子１３により構成される。ここで、薄膜トランジスタ１１は対応信号線Ｘおよび対応走査線Ｙの交差位置近傍に配置され、対応走査線Ｙの制御により対応信号線Ｘから映像信号を取り込むスイッチ素子として用いられる。薄膜トランジスタ１２は電源線Ｖdd，Ｖss間において有機ＥＬ素子OLEDと直列に接続され、薄膜トランジスタ１１を介して印加される映像信号電圧に基づいて有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子として用いられる。容量素子１３は薄膜トランジスタ１１が非導通状態であるときに映像信号電圧を保持するために用いられる。
【００１５】図２は有機ＥＬパネルＰＮＬの１カラー画素の平面構造を示し、図３は図２に示すIII-III線に沿った断面を示す。図２に示すように、表示画素ＰＸは走査線Ｙと信号線Ｘとに囲まれた領域に配置され。薄膜トランジスタ１１のソース電極Ｓは信号線Ｘに接続され、ゲート電極Ｇは走査線Ｙに接続され、ドレイン電極Ｄは容量素子１３の上部電極となる電源線Ｖddに容量結合する容量素子１３の下部電極を介して薄膜トランジスタ１２のゲート電極Ｇに接続される。薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓは有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤに接続され、ドレイン電極Ｄは電源線Ｖddに接続される。」
「【００１７】有機ＥＬ素子OLEDはアノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤ間に有機発光層ＥＭを挟持した構造を有する。アノード電極ＡＤはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性導電材料からなり、カソード電極ＣＤは光透過性を有する程度に薄く形成したアルカリ土類金属あるいは希土類金属等の導電材料からなる。有機ＥＬ素子OLEDでは、アノード電極ＡＤから注入されたホールとカソード電極ＣＤから注入された電子とが有機発光層ＥＭの内部で再結合したときに、有機発光層ＥＭを構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で光が有機発光層ＥＭから放出され、この光が光透過性のカソード電極ＣＤを介して外部へ出射される。尚、有機発光層ＥＭは発光効率を向上させるためにホール輸送層、エレクトロン輸送層および発光層の３層積層で構成されてもよく、また機能的に複合された２層または単層で構成されてもよい。
【００１８】有機ＥＬ表示パネルＰＮＬは、さらに複数の有機ＥＬ素子OLEDの有機発光層ＥＭからガラス基板２０側に放出される光を反射する光反射層ＲＦを備え、光反射層ＲＦは光透過性絶縁膜２６を介して有機ＥＬ素子OLEDからそれぞれ離され各々対応有機ＥＬ素子OLEDに向かわせる複数の凹部１５を入射角調整部として含む。各凹部１５は対応有機ＥＬ素子OLEDの有機発光層ＥＭの外縁に沿う傾斜面１６を持つ。光反射層ＲＦは金属等の導電材で構成され、有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤと薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを接続する配線部材を兼ねている。」
「【００２０】まず、常圧ＣＶＤあるいはプラズマＣＶＤにより、ガラス等の絶縁基板２０上にアンダーコート層２１としてＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜を堆積し、その上にアモルファスシリコン膜を堆積する。尚、ここで薄膜トランジスタ１１，１２のしきい値制御のために基板全面にボロン（Ｂ）等のＰ型不純物をドープしてもよい。
【００２１】次に、アモルファスシリコン膜をエキシマレーザでアニール処理し、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化させる。
【００２２】さらに、その多結晶シリコン膜にレジストを塗布し、露光・パターニング・エッチング処理を施し、多結晶シリコン膜を島状に形成する。
【００２３】続いて、多結晶シリコン膜を覆って全面に、ＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜し、ゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２上にフォロシトグラフィー技術を用いてＮチャネル薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域を露出するレジストマスクを形成する。このレジストマスクをマスクとして、燐イオン（Ｐ）をドーピングし、薄膜トランジスタ１１の多結晶シリコン膜に導電領域であるソース領域およびドレイン領域を形成する。
【００２４】次に、ゲート絶縁膜および多結晶シリコン膜上にゲート金属膜としてＭｏＷを堆積し、フォトリソグラフィー技術を用いてゲート金属膜をパターニングし、Ｐチャネル薄膜トンジスタ１２のゲート電極Ｇを形成する。
【００２５】その後、薄膜トランジスタ１２のゲート電極Ｇまたはゲート電極形成時のレジストをマスクとして上部よりボロンイオン（Ｂ）をドーピングし、Ｐチャネル薄膜トランジスタ１２の多結晶シリコン膜にソース領域およびドレイン領域を形成する。
【００２６】そして、ゲート金属膜をさらにパターニングしてゲート配線およびＮチャネル薄膜トランジスタ１１のゲート電極Ｇ、信号線Ｘの一部Ｘａ、容量素子１３の下部電極を形成する。そしてこれらゲート金属膜をマスクとして、燐イオン（Ｐ）を低濃度注入し、ソース領域およびドレイン領域とチャネル領域との間にＬＤＤ領域を形成する。
【００２７】さらにＣＶＤ法などによりこれらの上面全部を覆うように、層間絶縁層２３となるＳｉＯｘを成膜し、層間絶縁層２３およびゲート絶縁膜２１を貫通し薄膜トランジスタ１１，１２のソース領域およびドレイン領域に達するコンタクトホールを設けた後、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属膜を成膜しパターニング処理し、薄膜トランジスタ１１，１２のソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、電源線Ｖddおよび信号線Ｘの一部Ｘｂを形成する。薄膜トランジスタ１１，１２は上述のような処理により形成される。信号線駆動回路５および走査線駆動回路６は薄膜トランジスタ１１と共通な処理により同時に形成されるＮチャネル薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタ１２と共通な処理により同時に形成されるＰチャネルトランジスタの組み合わせとして得られる。また、容量素子１３の上部電極は電源線Ｖddの一部として形成される。
【００２８】さらに基板全面にＳｉＮｘの絶縁層２４を形成し、全表示画素ＰＸの薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを露出させるコンタクトホールを設ける。この後、絶縁層２４を部分的にハーフエッチングし、この絶縁層２４をおお上にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ、Ａｇ等の金属膜を成膜しパターニング処理することにより複数の凹部１５を持つ光反射層ＲＦを形成する。この光反射層ＲＦはパターニング処理で分割された複数の金属膜部分で構成され、各金属膜部分は対応表示画素ＰＸの薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓに凹部１５の周囲でコンタクトする。この後、レジスト材料、ポリイミドなどの有機材料を光透過性絶縁膜２６として全体に塗布し、光反射層ＲＦの各金属膜を凹部１５の周囲で部分的に露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、光透過性絶縁膜２６を全体的に覆ってＩＴＯを成膜しパターニング処理し、光反射層ＲＦの金属膜にそれぞれコンタクトしこれら金属膜の凹部１５にそれぞれ対向する複数のアノード電極ＡＤを形成する。
【００２９】次に、有機絶縁材料を３μｍの膜厚で光透過性絶縁膜２６の全面に塗布して乾燥させ、この有機絶縁材料膜をパターニング処理することにより、複数の凹部１５にそれぞれ対応する領域内でこれらアノード電極ＡＤを露出する複数の開口ＯＰを残して光透過性絶縁膜２６を覆う隔壁膜２７を形成する。
【００３０】さらに、インクジェット法により順次Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する高分子系の有機発光材料をこれら開口ＯＰ内にそれぞれ吐出し、これら開口ＯＰにより露出された複数のアノード電極ＡＤ上に複数の有機発光層ＥＭを１００ｎｍ程度の厚さでそれぞれ形成する。この後、例えばＢａ等の光透過性導電膜をこれら有機発光層ＥＭにおよび隔壁膜２７を覆って１０ｎｍの膜厚で形成する。この場合、光透過性導電膜のシート抵抗はおよそ１０５Ω／□となる。各有機ＥＬ素子OLEDのカソード電極ＣＤはこのような光透過性導電膜により共通に構成される。この後、カソード電極ＣＤ側においてガラス等の透明絶縁基板を支持基板２０に対向配置させ、これら基板の周囲を例えば窒素雰囲気中で封止する。」
「【００３３】上述の製造方法で得られた平面表示装置では、光反射層ＲＦが光透過性絶縁膜２６を介して複数の有機ＥＬ素子OLEDから離される複数の凹部１５を含み、各凹部１５が対応有機ＥＬ素子OLEDからの光を反射してこの有機ＥＬ素子OLEDに向かわせることになる。さらに各凹部１５は対応有機ＥＬ素子OLEDの有機発光層ＥＭの外縁に沿う傾斜面１６を持つ。従って、各有機ＥＬ素子OLEDから放出される光を支持基板２０とは反対側の空間に出射させて光の利用効率を向上させることができる。」
　
（２）図面の記載
　引用例の図２には、有機ＥＬパネルの１カラー画素の平面構造が示されており、同図から、有機ＥＬ素子OLED（赤）及び有機ＥＬ素子OLED（緑）の箇所に存在する２つの薄膜トランジスタ１２を横切るようにIII−III線が存在することが見て取れる。
　さらに、引用例の図３には、図２に示された有機ＥＬパネルのIII−III線に沿った断面が示されており、同図から、以下ａ〜ｄの事項が一応読み取れる。
ａ　ガラス基板２０上にアンダーコート層２１を介して形成され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを有する薄膜トランジスタ１２、アンダーコート層２１上に形成されたゲート絶縁膜２２、薄膜トランジスタ１２を覆うようにゲート絶縁膜２２上に形成された層間絶縁膜２３、層間絶縁膜２３上に形成された信号線Ｘ、層間絶縁膜２３に形成されたコンタクトホール内及び層間絶縁膜２３上に形成されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ、信号線Ｘ並びにソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを挟むように層間絶縁膜２３上に形成された絶縁層２４、絶縁層２４上に形成された層２５、層２５上に形成された光反射層ＲＦ、光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤ、アノード電極ＡＤ上に形成された有機ＥＬ発光層ＥＭ、及び、有機ＥＬ発光層ＥＭ上に形成されたカソード電極ＣＤが順に積層されていること
ｂ　絶縁層２４及び層２５に設けられたコンタクトホールを介して光反射層ＲＦが層間絶縁膜２３上のソース電極Ｓに接続されていること
ｃ　絶縁層２４及び層２５に設けられたコンタクトホールが、光透過性絶縁膜２６に設けられたコンタクトホールとずれた領域に存在すること
ｄ　層２５は、その表面に凹部１５が形成され、かつ、層間絶縁膜２３及び隔壁膜２７と同じハッチングをされていること
　
（３）図３に示された層２５について
　引用例の図３に示された表示装置には、光反射層ＲＦの下に層２５が存在しているが、引用例の【特許請求の範囲】及び【発明の詳細な説明】には、層２５について何ら具体的に記載されていない。
　以下、この層２５について検討する。
　引用例には、「薄膜トランジスタ１２は電源線Ｖdd，Ｖss間において有機ＥＬ素子OLEDと直列に接続され、薄膜トランジスタ１１を介して印加される映像信号電圧に基づいて有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子として用いられる。」（【００１４】）と記載されているから、薄膜トランジスタ１２は有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子である。
　層２５が仮に導体であるとすると、図３に示された赤の画素ＰＸと緑の画素ＰＸにおける有機ＥＬ素子OLEDの光反射層ＲＦ、ひいては２つの薄膜トランジスタ１２のソース電極が短絡してしまい、赤の画素ＰＸと緑の画素ＰＸにおける有機ＥＬ素子OLEDに異なる電流を流すことが不可能となって、薄膜トランジスタ１２は有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子の役割を果たすことができない。
　また、引用例の図３には、層２５はいずれも絶縁体である層間絶縁層２３及び隔壁膜２７と同じハッチングであることが示されている。
　したがって、層２５は、導体ではなく絶縁体であると認められる。
　次に、引用例には「絶縁層２４を部分的にハーフエッチングし、この絶縁層２４をおお上にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ、Ａｇ等の金属膜を成膜しパターニング処理することにより複数の凹部１５を持つ光反射層ＲＦを形成する。」（【００２８】）と記載されており、この記載は、ハーフエッチングにより凹部を設けている層が絶縁層２４であることを示しているが、引用例の図３には、凹部が設けられているのが層２５であることが示されている。
　また、引用例の図３には、絶縁層２４及び層２５にコンタクトホールが設けられていることが示されているが、明細書には、「基板全面にＳｉＮｘの絶縁層２４を形成し、全表示画素ＰＸの薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを露出させるコンタクトホールを設ける」（【００２８】）と記載されており、層２５にコンタクトホールを設けることが記載されていない。
　そうすると、引用例の記載から【発明の詳細な説明】における「絶縁層２４」は、図３に示された絶縁層２４及び層２５をまとめたものを意味していることは明らかである。
　
（４）（３）を考慮した上での、図３に示された技術事項
　上記（３）で検討したように、図３に示された絶縁層２４及び層２５をまとめて、「絶縁層２４，２５」と称すると、（２）のａ〜ｄに代えて、引用例の図３から、以下ａ〜ｃの事項が読み取れる。
ａ　ガラス基板２０上にアンダーコート層２１を介して形成され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを有する薄膜トランジスタ１２、アンダーコート層２１上に形成されたゲート絶縁膜２２、薄膜トランジスタ１２を覆うようにゲート絶縁膜２２上に形成された層間絶縁膜２３、層間絶縁膜２３上に形成された信号線Ｘ、層間絶縁膜２３に形成されたコンタクトホール内及び層間絶縁膜２３上に形成されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ、信号線Ｘ並びにソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを挟むように層間絶縁膜２３上に形成された絶縁層２４，２５、絶縁層２４，２５上に形成された光反射層ＲＦ、光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤ、アノード電極ＡＤ上に形成された有機ＥＬ発光層ＥＭ、及び、有機ＥＬ発光層ＥＭ上に形成されたカソード電極ＣＤが順に積層されていること
ｂ　絶縁層２４，２５に設けられたコンタクトホールを介して光反射層ＲＦが層間絶縁膜２３上のソース電極Ｓに接続されていること
ｃ　絶縁層２４，２５に設けられたコンタクトホールが、光透過性絶縁膜２６に設けられたコンタクトホールとずれた領域に存在すること
　
（５）引用例記載の事項
　（１）〜（４）の記載事項によると、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
「各表示画素ＰＸは赤、緑、または青色に対応する波長の光で発光する有機ＥＬ素子OLEDを含む表示装置であって、
各表示画素ＰＸは有機ＥＬ素子OLEDとこの有機ＥＬ素子OLEDに流れる電流を制御する電流制御回路７と、を有し、電流制御回路７はＮチャネル薄膜トランジスタ１１、Ｐチャネル薄膜トランジスタ１２、および容量素子１３により構成され、薄膜トランジスタ１２は電源線Ｖdd，Ｖss間において有機ＥＬ素子OLEDと直列に接続され、薄膜トランジスタ１１を介して印加される映像信号電圧に基づいて有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子として用いられ、
ガラス基板２０上にアンダーコート層２１を介して形成され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを有する薄膜トランジスタ１２、アンダーコート層２１上に形成されたゲート絶縁膜２２、薄膜トランジスタ１２を覆うようにゲート絶縁膜２２上に形成された層間絶縁膜２３、層間絶縁膜２３上に形成された信号線Ｘが順に積層され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを挟むように層間絶縁膜２３上に形成された絶縁層２４，２５、絶縁層２４，２５上に形成された光反射層ＲＦ、光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤ、アノード電極ＡＤ上に形成された有機ＥＬ発光層ＥＭ、及び、有機ＥＬ発光層ＥＭ上に形成されたカソード電極ＣＤが順に積層され、
有機ＥＬ素子OLEDの有機発光層ＥＭから放出される光を反射する金属等の導電材からなる光反射層ＲＦと、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性導電材料からなるアノード電極ＡＤとを有し、光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤが順に積層されており、有機ＥＬ素子OLEDはアノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤ間に有機発光層ＥＭを挟持した構造を有し、カソード電極ＣＤは光透過性を有し、
絶縁層２４，２５に形成された、全表示画素ＰＸの薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを露出させるコンタクトホールと、
光透過性絶縁膜２６の、絶縁層２４，２５に設けられたコンタクトホールとずれた領域に形成され、光反射層ＲＦの金属膜を部分的に露出させるコンタクトホールと、
絶縁層２４，２５に設けられたコンタクトホールを介して光反射層ＲＦが層間絶縁膜２３上のソース電極Ｓに接続され、
有機材料を光透過性絶縁膜２６として全体に塗布し、光反射層ＲＦの金属膜を部分的に露出させるコンタクトホールを形成し、光透過性絶縁膜２６を全体的に覆ってＩＴＯを成膜しパターニング処理し、光反射層ＲＦの金属膜にコンタクトしアノード電極ＡＤを形成し、光反射層ＲＦは有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤと薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを接続する表示装置。」
　
５　対比
（１）引用例記載の発明（以下、「引用発明」という。）における「有機ＥＬ素子OLED」が本願発明における「発光素子」に相当することは明らかであって、引用発明は、「各表示画素ＰＸは赤、緑、または青色に対応する波長の光で発光する有機ＥＬ素子OLED」を有するものであるから、引用発明における「各表示画素ＰＸは赤、緑、または青色に対応する波長の光で発光する有機ＥＬ素子OLEDを含む表示装置」は、本願発明における「発光素子を有する表示画素を備えた表示装置」に相当する。
　
（２）引用発明は、「有機ＥＬ素子OLEDに流れる電流を制御する」「電流制御回路７は例えばＮチャネル薄膜トランジスタ１１、Ｐチャネル薄膜トランジスタ１２、および容量素子１３により構成され、薄膜トランジスタ１２は電源線Ｖdd，Ｖss間において有機ＥＬ素子OLEDと直列に接続され、薄膜トランジスタ１１を介して印加される映像信号電圧に基づいて有機ＥＬ素子OLEDに電流を流す電流駆動素子として用いられ」ているから、引用発明における「電流制御回路７」は、本願発明における「画素駆動回路」に相当し、引用発明における「各表示画素ＰＸは有機ＥＬ素子OLEDとこの有機ＥＬ素子OLEDに流れる電流を制御する電流制御回路７」を有することは、本願発明における「表示画素は、前記発光素子と、該発光素子に所定の発光駆動電流を流す画素駆動回路」を有することに相当する。
　
（３）引用例には、「電流制御回路７はＮチャネル薄膜トランジスタ１１、Ｐチャネル薄膜トランジスタ１２、および容量素子１３により構成され」（【００１４】）ていると記載されているから、引用発明における「薄膜トランジスタ１２」は本願発明における「画素駆動回路」の一部である。
　そうすると、引用発明における「薄膜トランジスタ１２」の「ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ」は、本願発明における「画素駆動回路の導電層」に相当する。
　また、引用発明における「信号線Ｘ」は、本願発明における「配線層」に相当する。
　したがって、引用発明における「ガラス基板２０上にアンダーコート層２１を介して形成され、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを有する薄膜トランジスタ１２、アンダーコート層２１上に形成されたゲート絶縁膜２２、薄膜トランジスタ１２を覆うようにゲート絶縁膜２２上に形成された層間絶縁膜２３、層間絶縁膜２３上に形成された信号線Ｘが順に積層され」た点は、本願発明における「画素駆動回路の導電層及び配線層は基板上に形成され」た点に相当する。
　
（４）引用例には、「【００１５】…（中略）…薄膜トランジスタ１１のソース電極Ｓは信号線Ｘに接続され、ゲート電極Ｇは走査線Ｙに接続され、ドレイン電極Ｄは容量素子１３の上部電極となる電源線Ｖddに容量結合する容量素子１３の下部電極を介して薄膜トランジスタ１２のゲート電極Ｇに接続される。薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓは有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤに接続され、ドレイン電極Ｄは電源線Ｖddに接続される。」と記載されているから、ソース電極Ｓは薄膜トランジスタ、すなわち画素駆動回路の一部であるといえる。
　そうすると、引用発明における「ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを挟むように層間絶縁膜２３上に形成された絶縁層２４，２５」は、画素駆動回路を被覆するものであるといえる。
　また、引用例には、「【００１７】有機ＥＬ素子OLEDはアノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤ間に有機発光層ＥＭを挟持した構造を有する。…（以下略）…」と記載されているから、引用発明における「アノード電極ＡＤ」、「有機ＥＬ発光層ＥＭ」及び「カソード電極ＣＤ」は、本願発明における「発光素子」の一部であることは明らかであるから、引用発明は、発光素子が画素駆動回路を被覆する絶縁性の膜上に形成されたものであるといえる。
　したがって、引用発明における「ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを挟むように層間絶縁膜２３上に形成された絶縁層２４，２５、絶縁層２４，２５上に形成された光反射層ＲＦ、光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤ、アノード電極ＡＤ上に形成された有機ＥＬ発光層ＥＭ、及び、有機ＥＬ発光層ＥＭ上に形成されたカソード電極ＣＤが順に積層され、」た点と、本願発明における「発光素子は、前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の平坦化膜上に形成され」た点とは、「発光素子は、前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の膜上に形成され」た点で一致する。
　
（５）引用発明における「有機ＥＬ素子OLEDの有機発光層ＥＭから放出される光を反射する金属等の導電材からなる光反射層ＲＦ」は、本願発明における「発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属」「を有する反射層」に相当する。
　
（６）ＩＴＯは導電性酸化金属であるから、引用発明における「ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性導電材料からなるアノード電極ＡＤ」は、本願発明における「発光波長の少なくとも一部の光を透過する導電性酸化金属層を有する第１の電極」に相当する。
　
（７）引用発明における「光透過性絶縁膜２６」は、本願発明における「層間絶縁膜」に相当することは明らかであるから、引用発明における「光反射層ＲＦ上に形成された光透過性絶縁膜２６、光透過性絶縁膜２６上に形成されたアノード電極ＡＤが順に積層され」た点は、本願発明における「前記反射層と前記第１の電極との間に設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する層間絶縁膜」を有する点に相当する。
　
（８）引用発明における「カソード電極」及び「有機発光層ＥＭ」が、本願発明における「第２の電極」及び「発光機能層」にそれぞれ相当することは明らかである。
　また、引用発明における「有機ＥＬ素子OLEDはアノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤ間に有機発光層ＥＭを挟持した構造」を有するから、アノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤは互いに対向して設けられていると認められる。
　よって、引用発明における「有機ＥＬ素子OLEDはアノード電極ＡＤおよびカソード電極ＣＤ間に有機発光層ＥＭを挟持した構造を有し、カソード電極ＣＤは光透過性を有」する点は、本願発明における「第１の電極に対向して設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を有」する点に相当する。
　
（９）引用例１の「薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓは有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤに接続され」（【００１５】）の記載から、引用発明における「薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓ」が出力端であることは明らかである。
　また、引用発明における「ソース電極Ｓを露出させるコンタクトホール」は、本願発明における「第１の開口部」に相当する。
　よって、引用発明における「絶縁層２４，２５に形成された、全表示画素ＰＸの薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを露出させるコンタクトホール」と、本願発明における「平坦化膜に設けられて、前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層を露出する第１の開口部」とは、「膜に設けられて、前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層を露出する第１の開口部」である点で一致する。
　
（１０）引用発明における「光透過性絶縁膜２６」に形成された、「光反射層ＲＦの金属膜を部分的に露出させるコンタクトホール」は、本願発明における「層間絶縁膜」「に設けられて、前記反射層をなす前記金属薄膜の一部を露出する第２の開口部」に相当する。
　
（１１）引用発明における「絶縁層２４，２５に設けられたコンタクトホールを介して光反射層ＲＦが層間絶縁膜２３上のソース電極Ｓに接続され」た点は、本願発明における「反射層をなす前記金属薄膜は、」「第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続され」た点に相当する。
　
（１２）引用発明における「アノード電極ＡＤ」となる「ＩＴＯ」が、本願発明における「第１の電極をなす前記導電性酸化金属層」に相当するから、引用発明における「有機材料を光透過性絶縁膜２６として全体に塗布し、光反射層ＲＦの金属膜を部分的に露出させるコンタクトホールを形成し、光透過性絶縁膜２６を全体的に覆ってＩＴＯを成膜しパターニング処理し、光反射層ＲＦの金属膜にコンタクトしアノード電極ＡＤを形成する」点は、本願発明における「第１の電極をなす前記導電性酸化金属層は、前記層間絶縁膜に設けられた前記第２の開口部を介して、該第２の開口部より露出される前記反射層をなす前記金属薄膜上に設けられ」る点に相当する。
　
（１３）引用発明における「光反射層ＲＦは有機ＥＬ素子OLEDのアノード電極ＡＤと薄膜トランジスタ１２のソース電極Ｓを接続する」点は、本願発明における、「第１の電極をなす前記導電性酸化金属層は、」「該反射層を介して前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続されている」点に相当する。
　
　上記（１）〜（１３）の点から、本願発明と引用発明は、
「発光素子を有する表示画素を備えた表示装置において、
　前記表示画素は、前記発光素子と、該発光素子に所定の発光駆動電流を流す画素駆動回路と、を有し、
　前記画素駆動回路の導電層及び配線層は基板上に形成され、前記発光素子は、前記画素駆動回路を被覆する絶縁性の膜上に形成され、
　前記発光素子は、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属を有する反射層と、前記発光波長の少なくとも一部の光を透過する導電性酸化金属層を有する第１の電極と、前記反射層と前記第１の電極との間に設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する層間絶縁膜と、前記第１の電極に対向して設けられ、前記発光波長の少なくとも一部の光に対して透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光機能層と、を有し、
　前記膜に設けられて、前記画素駆動回路の出力端となる前記導電層を露出する第１の開口部と、
　前記層間絶縁膜に設けられて、前記反射層をなす前記金属薄膜の一部を露出する第２の開口部と、を有し、
　前記反射層をなす前記金属薄膜は、前記第１の開口部の内部で前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続され、
　前記第１の電極をなす前記導電性酸化金属層は、前記層間絶縁膜に設けられた前記第２の開口部を介して、該第２の開口部より露出される前記反射層をなす前記金属薄膜上に設けられて、該反射層を介して前記画素駆動回路の前記出力端となる前記導電層に電気的に接続されている表示装置。」
で一致し、以下（ａ）〜（ｃ）の各点で相違する。
（ａ）画素駆動回路を被覆する絶縁性の膜が、本願発明は、平坦化膜であるのに対し、引用発明は、そのような特定事項を有しない点
（ｂ）第２の開口部が第１開口部に対して、本願発明では、直上の領域に設けられているのに対し、引用発明では、ずれた領域に設けられている点
（ｃ）発光波長の少なくとも一部の光に対して反射性を有する金属を有する反射層が、本願発明は、薄膜であるのに対し、引用発明は、薄膜であるか不明である点
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
（ａ）の点について
　画素駆動回路を覆うように平坦化膜を形成し、その上に反射層を形成することは、周知技術（必要ならば、特開２００５−３４５９７６号公報の図２〜７等参照。）であり、引用発明における絶縁膜に代えて、平坦化膜を採用することに格別の創作性はない。
　
（ｂ）の点について
　一般に、多層配線層を形成する際に、上下に形成された２つの開口部を平面的に同じ位置に形成すること（必要ならば、特開２００５−３４５９７６号公報の図３５〜４２等参照。）も、ずらして形成することも、いずれも広く行われていることであり、引用発明における光透過性絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを、絶縁層２４，２５に形成されたコンタクトホールとずれた領域に設けることに代えて、絶縁層２４，２５に形成されたコンタクトホールの直上の領域に設けることに、何ら困難性はない。
　
（ｃ）の点について
　発光素子における金属反射層を薄膜とすることは、周知技術（必要ならば、特開２００６−２７８１２８号公報の【０１０８】、図１１等参照。）であるから、引用発明における金属を有する反射層を、薄膜の反射膜で形成することは、きわめて普通に行いうることである。
　
　相違点（ａ）〜（ｃ）については上記のとおりであり、また、相違点（ａ）〜（ｃ）を総合的に検討しても奏される効果は当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。