【事件の表示】
　特願２００１−１５１９０６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月　６日出願公開、特開２００２−３５３３７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１３年５月２２日の出願であって、平成２２年８月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２２年１１月１９日に拒絶査定に対する不服の審判が請求された。
　その後、当審において平成２３年１０月４日付けで拒絶の理由を通知したところ、平成２３年１２月８日付けで手続補正がされたものである。
　　　　　
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２３年１２月８日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　はんだを介してリードフレームに半導体素子を接合し、それをモールド樹脂中に封入した半導体装置であって、
　前記はんだは、熱膨張係数が２０〜９０ｐｐｍ／℃であり、その厚さは７０μｍ以上であり、前記半導体素子の厚さは２００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。」
　　　　　
２．引用文献及びその記載事項
（１）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１１６００７号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　１ａ）　「【請求項１】　リードフレームのダイパッド上に半田によりペレットがダイボンドされている半導体装置において、前記ダイパッドのペレット搭載部の中心部に上面が平坦になされた、上面の面積が搭載ペレットのそれより小さく高さが２０μｍ以上の突起部が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　　　　　
　１ｂ）　「【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置は、リードフレームのダイパッド上にペレットをマウントしペレットの電極パッドとリードフレームのリード間を金属細線により接続し、トランスファモールド法などにより封止して製造される。ここで、パワー用の半導体装置においては、ペレットはＰｂ／Ｓｎ半田等の半田を用いてリードフレーム上にマウントされる。
　　・・・（中略）・・・
【０００４】マウント時にペレットを強く押圧することにより、ペレットの傾きは抑えることができる。しかし、この場合には図３（ｂ）に示されるように、ペレット下の半田厚が薄くなり、熱サイクル（例えば、−５５℃〜１５０℃のサイクル）が加えられた場合にリードフレーム（Ｃｕ等）材とペレット（Ｓｉ等）の熱膨張係数差による応力により、半田が熱疲労を起こし半導体装置の特性劣化を招く恐れが生じる。」
　　　　
　１ｃ）　「【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施例の平面図と、断面図である。同図において、１はリードフレームのダイパッド、１ａは、ダイパッド１の中央部に形成された中央突起部、２はリードフレームのリード、３は、パワートランジスタ等の形成されたペレット、４はＰｂ／Ｓｎ半田等の低温半田である。
【００１５】中央突起部１ａは、円柱状で高さが３０μｍに形成されており、またその平坦部の面積は１ｍｍ2 （直径：Ｒ＝１．１２ｍｍ）になされている。この突起部はプレス加工により形成され、その後コイニング加工により上面が平坦化されている。この突起部の高さによりペレット下の半田層の厚さが規制される。一般的には半田層の厚さが厚いほど熱疲労の発生は軽減される。本発明者の実験によれば、２０μｍを越えるあたりから急速に改善され、３０μｍで十分な改善がなされることが確認できている。而して、熱疲労改善の目的のためには厚くすることが望ましいものの接着強度等半田付けの信頼性の面からは必要以上に厚くすることは好ましくなく、１００μｍ程度以下に抑えることが好ましい。」
　　　　　
　１ｄ）　「【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導体装置は、ダイパッドのペレットを搭載する中心部に２０μｍ以上の高さで上面の平坦部がペレット面積より狭い突起部を設けたものであるので、ペレットをリードフレームに対して平坦に取り付けることができ、後工程におけるペレット表面の電極の認識が確実に行なえるようになって信頼性の高い結線が行えるようになる。また、ペレット−リードフレーム間の応力の作用の大きいペレット外周部においては十分の膜厚の半田にて半田付けが行われるため、熱疲労による半導体装置の特性劣化を防止することができる。」
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されていると認められる。
　「リードフレームのダイパッド上に半田によりペレットがダイボンドされている半導体装置。」
　　　　　
（２）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−２７００９２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　２ａ）　「【０００４】この発明はかかる問題を解決するためになされたもので、接合後の半導体チップ１と基材２との間隔を所定の値に保つことによって半導体チップ１に作用する熱応力を緩和させることができる半導体装置の接合用半田材料及び接合方法を提供することを目的とする。」
　　　　　
　２ｂ）　「【０００９】図３はＳｉ半導チップ１に作用する熱応力と第１半田４の厚さとの関係を示す特性図であり、縦軸は一定の温度変化を接合部に与えた場合にＳｉ半導体チップ１に生じる熱応力を示し、横軸は第１半田４の厚さを示す。図からわかるように第１半田４の厚さが３０μｍ以下の範囲では発生する熱応力に大きな変化はないが、３０μｍを越えた付近から熱応力は大きく低下し始める。従って第１半田４の厚さは３０μｍ以上であることが必要であり、熱応力緩和のためには厚ければ厚い程よい。しかし、接合層厚さが厚くなれば、Ｓｉ半導体チップ１から基材２へ熱が伝わり難くなるため、必要な熱伝導性を確保することができるように第１半田層４の厚さを決定することが必要である。」
　　　　　
　２ｃ）　図３には、半導体チップに作用する熱応力と第１半田の厚さとの関係を示す特性図が示されており、横軸に第１半田の厚さを０〜１００μｍの範囲としたものが示されている。
　　　　　
（３）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１２０２８３号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　３ａ）　「【０００５】半導体ペレットと放熱板の間の半田層の厚さが小さい程、半田層による半導体ペレットの放熱性が良くなる反面、前記熱ストレスで半田層にクラックが発生し易くなる。半田層にクラックが発生すると、クラック部分の熱伝導性が低下して、クラックが更に大きくなって、半田層による半導体ペレットの放熱性が急激に低下し、半導体ペレットが熱で破壊される。逆に、半導体ペレットと放熱板の間の半田層の厚さが大きい程、半田層が前記熱ストレスを効果的に吸収し、半田層にクラックが発生する確率が少なくなるが、半田層による半導体ペレットの放熱性が悪くなり、半導体ペレットの高パワー化が難しくなる。」
　　　　　
（４）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である国際公開第０１／２４２６１号（以下「引用例４」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　４ａ）　「A second technique for reducing the fracturing of integrated circuit dies is to reduce the thickness of the integrated circuit die 10. Thinner dies have a greater modulus of elasticity which are defined as:
　　　　Modulus of Elasticity = L/(W*h 2 ) 　　　(2)
　　where,
　　　　L = die length
　　　　W = die width
　　　　h = die thickness
　　Thus, as h becomes small, the Modulus of Elasticity becomes greater and the integrated circuit die 10 exhibits greater flexural strength. Increased flexural strength results in a lower propensity for fracturing of the integrated circuit die 10 because the die becomes more resilient to thermal stress and the accompanying expansion forces.」（第７ページ第１〜１２行）
｛集積回路ダイの破壊を低減する第２の技術は、集積回路ダイ１０の厚さを低減することである。より薄いダイは、以下の式によって規定されるように、より大きい弾性率を有する。
　　弾性率＝Ｌ／（Ｗ*ｈ2）　　　（２）
ただし、
　　Ｌ＝ダイの長さ
　　Ｗ＝ダイの幅
　　ｈ＝ダイの厚さ
　従って、ｈが小さくなるにつれて、弾性率は大きくなり、集積回路ダイ１０は、より大きい曲げ強さを示す。熱応力およびそれに伴う膨脹力に対してダイがより弾力的であるので、増大した曲げ強さによって、集積回路ダイ１０が破壊される傾向がより低くなる。｝
（｛｝内は当審による翻訳文。なお、翻訳文作成にあたり、引用例４に対応する国内公表である特表２００３−５１０８４７号公報を参照した。以下、同様。）
　　　　　
　４ｂ）　「1. 　A method for attaching an integrated circuit die to a mounting structure, the method comprising the steps of: 
　　applying an adhesive to the mounting structure;
　　attaching the integrated circuit die to the adhesive, wherein the integrated circuit die is approximately 0.0075 - 0.0085 inches thick and a thickness of the epoxy adhesive is approximately 0.0012 - 0.003 inches after the integrated circuit die is attached to the adhesive; and 
　　encapsulating the integrated circuit die, the adhesive and the mounting structure in plastic.」（第９ページ第２〜１０行）
｛１．集積回路ダイを実装構造体に取り付ける方法であって、該方法は、
　該実装構造体に接着剤を塗布するステップと、
　該集積回路ダイを該接着剤に取り付けるステップであって、該集積回路ダイは約０．００７５〜０．００８５インチの厚さであり、該集積回路ダイが該接着剤に取り付けられた後の、該エポキシ接着剤の厚さが約０．００１２〜０．００３インチである、ステップと、
　該集積回路ダイ、該接着剤、および該実装構造体をプラスチック内にカプセル化するステップと、を含む方法。｝
　　　　　
（５）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１５０１３５号公報（以下「引用例５」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　５ａ）　「【００１１】しかし、この銀ペーストは、直径が５０〜２００μｍもある大きな金属球（Ｃｕ球）を１０〜５０体積％も混入しているため、これを用いて接着を行うと、接着・硬化後の銀ペースト層（接着層）が厚くなる問題がある。この金属球の大きさを考慮すると、接着層の厚さは数百μｍ以上になることは明らかである。リードフレームやチップの厚さが２００μｍ程度にまで薄膜化されている現状では、このような接着層の厚さの増大は、近年のパッケージの小型化・薄膜化の要請に反するものである。また、熱伝導性については、バラツキがなくなるとともに向上することが示されているが、導電性については記載がなく、一般的に、粒径が大きくなると粒子同士の接点の数が少なくなり接触面積が小さくなることから、導電性は低くなると考えられる。」
　　　　　
（６）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２９４５１９号公報（以下「引用例６」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　６ａ）　「【０００６】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決するために、本発明の半導体装置では厚さが200μm以下の半導体素子と、半導体素子上に形成された電極パッドと、電極パッドと電気的に接続される配線と、半導体素子の回路形成面および配線を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。」
　　　　　
　６ｂ）　「【００１５】熱膨張係数の違いから、加熱すると半導体装置と実装基板との間には歪みが生じる。半導体素子１の厚さを薄くすることによって、半導体素子自体の柔軟性は大きくなる。よって半導体素子自体が加熱時の歪みを吸収する。図2-Aでは半導体素子を薄くするほど、接合部の最大歪みが小さくなっている。」
　　　　　
（７）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３１８７１号公報（以下「引用例７」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　７ａ）　「【００１９】また、この樹脂の熱膨張係数は、一般的なＰｂ−Ｓｎ系のはんだ合金の熱膨張係数（２５〜３０×１０−６／℃）と等しくなるように設定されている。　・・・（以下略）・・・　」
　　　　　
（８）　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−２２５５７５号公報（以下「引用例８」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　８ａ）　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般に、基板１と金属電極膜３ａ，３ｂおよびはんだ６ａ，６ｂの熱膨張係数は大きく異なる。一例として、基板に用いられるほうけい酸ガラスの熱膨張係数は５．２×１０−６／℃であり、一方すず５０％鉛５０％組成のはんだの熱膨張係数は２３．４×１０−６／℃である。」
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「リードフレームのダイパッド」は、本願発明の「リードフレーム」に相当する。
　以下、同様に「半田」は「はんだ」に、「ペレット」は「半導体素子」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明は樹脂封止型の半導体装置に関するものであるから、引用発明は本願発明の「それをモールド樹脂中に封入した半導体装置」の構成を実質的に備えているといえる。
　　　　　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　「はんだを介してリードフレームに半導体素子を接合し、それをモールド樹脂中に封入した半導体装置。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　はんだの厚さに関して、本願発明では「厚さは７０μｍ以上」であるのに対して、引用発明では、その厚さは明確ではない点。
　　　　　
［相違点２］
　半導体素子の厚さに関して、本願発明では「厚さは２００μｍ以下」であるのに対して、引用発明では、その厚さは明確ではない点。
　　　　　
［相違点３］
　はんだの熱膨張係数に関して、本願発明では「熱膨張係数が２０〜９０ｐｐｍ／℃」であるのに対して、引用発明では、その熱膨張係数は明らかではない点。
　　　　　
４．判断
［相違点１］について
　本願発明では、ダイボンディング材（はんだ）を厚くすることによって、熱応力を抑制している。
　ところで、引用例１の記載事項「１ｃ）」には、一般的に半田層の厚さ（本願発明の「はんだの厚さ」に相当。）が厚いほど熱疲労の発生は軽減されること（本願発明の「熱応力を抑制すること」に相当。）が記載されており、更に、この半田層の厚さとして、３０μｍで十分な改善がなされること、接着強度等半田付けの信頼性の面から必要以上に厚くすることは望ましくないこと、及び、１００μｍ程度以下に抑えることが好ましいこと記載されている。
　引用例２の記載事項「２ａ）」〜「２ｃ）」には、熱応力緩和（本願発明の「熱応力を抑制すること」に相当。）のためには第１半田は厚ければ厚い程よいこと、厚くなると熱が伝わり難くなるため、必要な熱伝導性を確保することができるように第１半田層の厚さを決定すること、及び、半田層の厚さ（本願発明の「はんだの厚さ」に相当。）として０〜１００μｍでの特性図が記載されている。
　また、引用例３の記載事項「３ａ）」には、半田層の厚さ（本願発明の「はんだの厚さ」に相当。）が大きい程、半田層が熱ストレスを効果的に吸収すること（本願発明の「熱応力を抑制すること」に相当。）、及び、半田層の厚さが大きい程、放熱性が悪くなることが記載されている。
　このように、引用例１〜３には、はんだの厚さが大きいほど熱応力が抑制されること、又は、はんだの厚さとして１００μｍ程度までの大きさのもの（本願発明でいうところの「７０μｍ以上」のものに相当。）が示されていることから、引用発明において、熱応力を抑制するために、はんだの厚さを「７０μｍ以上」とすることにより、本願発明の上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　　　
［相違点２］について
　本願発明では、半導体素子を薄くすることによって、熱応力を抑制している。
　ところで、引用例４の記載事項「４ａ）」〜「４ｂ）」には、集積回路ダイの厚さ（本願発明の「半導体素子の厚さ」に相当。）が小さくなるにつれ、熱応力で破壊される傾向が低くなること（本願発明の「熱応力を抑制すること」に相当。）、及び、集積回路ダイの厚さが０．００７５〜０．００８５インチ（約１９０〜２１５μｍ）とすることが記載されている。
　引用文献５の記載事項「５ａ）」には、現状ではチップの厚さ（本願発明の「半導体素子の厚さ」に相当。）が、２００μｍ程度であることが記載されている。
　また、引用文献６の記載事項「６ａ）」〜「６ｂ）」には、半導体素子の厚さ（本願発明の「半導体素子の厚さ」に相当。）を薄くすることによって、加熱時の歪みを吸収すること（本願発明の「熱応力を抑制すること」に相当。）、及び、半導体素子の厚さを２００μｍ以下とすることが記載されている。
　このように、引用例４〜６には、半導体素子の厚さを薄くすると熱応力が抑制されること、及び、半導体素子の厚さが２００μｍ程度又は２００μｍ以下のものが示されていることから、引用発明において、熱応力を抑制するために、半導体素子の厚さを「２００μｍ以下」とすることにより、本願発明の上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　　　
［相違点３］について
　引用例７の記載事項「７ａ）」には、一般的なＰｂ−Ｓｎ系のはんだ合金の熱膨張係数は２５〜３０×１０−６／℃、すなわち２５〜３０ｐｐｍ／℃であることが記載されている。
　引用例８の記載事項「８ａ）」には、すず５０％鉛５０％組成のはんだの熱膨張係数は２３．４×１０−６／℃、すなわち２３．４ｐｐｍ／℃であることが記載されている。
　このように、一般にはんだは、本願発明でいう「２０〜９０ｐｐｍ／℃」の範囲内の熱膨張係数を有しており、また、この範囲も常識的な値によるものであるから、引用発明において、本願発明の上記相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　　　　
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び引用例１〜８記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び引用例１〜８記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　
５．むすび  
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び引用例１〜８記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。