【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
ａ）前記基板上にハードマスクを形成し、
ｂ）前記ハードマスクを使用して、前記基板にトレンチをエッチングし、
ｃ）前記ハードマスク上およびトレンチ内に誘電層を形成し、前記誘電層は、前記トレンチの内側を覆うように構成され、
ｄ）前記誘電層上に導電材料を、前記導電材料のブランケットが前記ハードマスク上を覆い、かつ前記トレンチを充填するように、付加し、
ｅ）前記導電材料をエッチングして前記導電材料を実質的に平坦化し、
前記導電材料の前記エッチングは、前記ハードマスクを覆う前記誘電層上から全ての前記導電材料が除去される直前を終点とするように構成され、
ｆ）前記ハードマスクを覆う前記誘電層上の導電材料が除去され、且つ前記トレンチ内から前記導電材料の少なくとも一部が除去されるように、前記導電材料をリセスエッチングする、
工程を備える、基板におけるリセスエッチング作業を行う方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、さらに、
前記トレンチ内に前記導電材料の複数の層を形成するために、前記（ｃ）ないし前記（ｆ）を一回以上繰り返す工程を備える、方法。
【請求項３】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記終点が、インタフェロメトリ・モニタリングを使用してトリガされる、方法。
【請求項４】
請求項３記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記導電材料のエッチングの前記インタフェロメトリ・モニタリングを利用することで、前記ハードマスクが保護される、方法。
【請求項５】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記実質的な平坦化および前記リセスエッチングが、エッチングチャンバで起こり、これによりウェーハ生産スループットが増加する、方法。
【請求項６】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記導電材料の前記エッチングは、Ｃｌ2、Ｈｅ、およびＳＦ6を含む第一の化学反応を利用する、方法。
【請求項７】
請求項６記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ｃｌ2の流量が、約２０ｓｃｃｍないし約２００ｓｃｃｍであり、
Ｈｅの流量が、約２０ｓｃｃｍないし約５００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約２ｓｃｃｍないし約５０ｓｃｃｍである、方法。
【請求項８】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記リセスエッチングは、ＡｒおよびＳＦ6を含む第二の化学反応を利用する、方法。
【請求項９】
請求項８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ａｒの流量が、約０ｓｃｃｍないし約３００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約１０ｓｃｃｍないし約１００ｓｃｃｍである、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記リセスエッチングを、インタフェロメトリ終点（ＩＥＰ）検出および時限式エッチングの一方と共に使用して、前記導電材料の除去をモニタする、方法。
【請求項１１】
基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
ａ）前記基板上にハードマスクを形成し、
ｂ）前記ハードマスクを使用して、前記基板にトレンチをエッチングし、
ｃ）前記ハードマスク上およびトレンチ内に誘電層を形成し、前記誘電層は、前記トレンチの内側を覆うように構成され、
ｄ）前記誘電層上に導電材料を、前記導電材料のブランケットが前記ハードマスク上を覆い、かつ前記トレンチを充填するように、付加し、
ｅ）第一の化学反応を利用して前記導電材料をエッチングし、前記導電材料を実質的に平坦化し、
前記導電材料の前記エッチングは、前記ハードマスクを覆う前記誘電層上から全ての前記導電材料が除去される直前を終点とするように構成され、
前記終点が、インタフェロメトリ・モニタリングを使用してトリガされ、
ｆ）前記ハードマスクを覆う前記誘電層上の導電材料が除去され、且つ前記トレンチ内から前記導電材料の少なくとも一部が除去されるように、
第二の化学反応、ならびにインタフェロメトリ・モニタリングおよび時限式エッチングの一方を使用して、
前記導電材料をリセスエッチングし、
ｇ）前記トレンチ内に前記導電材料の複数の層を形成するために、前記（ｃ）ないし前記（ｆ）を一回以上繰り返す、
工程を備える、基板におけるリセスエッチング作業を行う方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記導電材料のエッチングの前記インタフェロメトリ・モニタリングを利用することで、前記ハードマスクが保護される、方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記実質的な平坦化および前記リセスエッチングが、エッチングチャンバで起こり、これによりウェーハ生産スループットが増加する、方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記第一の化学反応は、Ｃｌ2、Ｈｅ、およびＳＦ6を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ｃｌ2の流量が、約２０ｓｃｃｍないし約２００ｓｃｃｍであり、
Ｈｅの流量が、約２０ｓｃｃｍないし約５００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約２ｓｃｃｍないし約５０ｓｃｃｍである、方法。
【請求項１６】
請求項１１記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
第二の化学反応は、ＡｒおよびＳＦ6を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ａｒの流量が、約０ｓｃｃｍないし約３００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約１０ｓｃｃｍないし約１００ｓｃｃｍである、方法。
【請求項１８】
基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
ａ）前記基板上にハードマスクを形成し、
ｂ）前記ハードマスクを使用して、前記基板にトレンチをエッチングし、
ｃ）前記ハードマスク上およびトレンチ内に二酸化ケイ素層を形成し、前記二酸化ケイ素層は、前記トレンチの内側を覆うように構成され、
ｄ）前記二酸化ケイ素層上にポリシリコン材料を、前記ポリシリコン材料のブランケットが前記ハードマスク上を覆い、かつ前記トレンチを充填するように、付加し、
ｅ）前記ポリシリコン材料をエッチングして前記ポリシリコン材料を実質的に平坦化し、
前記ポリシリコン材料の前記エッチングは、前記ハードマスクを覆う前記二酸化ケイ素層上から全ての前記ポリシリコン材料が除去される直前を終点とするように構成され、
前記終点が、インタフェロメトリ・モニタリングを使用してトリガされ、
前記ポリシリコン材料の前記エッチングは、Ｃｌ2、Ｈｅ、およびＳＦ6を含む第一の化学反応を使用し、
ｆ）前記ハードマスクを覆う前記二酸化ケイ素層上のポリシリコン材料が除去され、且つ前記トレンチ内から前記ポリシリコン材料の少なくとも一部が除去されるように、
インタフェロメトリ・モニタリングおよび時限式エッチングの一方を使用して、
前記ポリシリコン材料をリセスエッチングし、
前記リセスエッチングは、ＡｒおよびＳＦ6を含む第二の化学反応を使用する、
工程を備える、基板におけるリセスエッチング作業を行う方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ｃｌ2の流量が、約１００ｓｃｃｍであり、
Ｈｅの流量が、約１００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約１０ｓｃｃｍである、方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
Ａｒの流量が、約２００ｓｃｃｍであり、
ＳＦ6の流量が、約１５ｓｃｃｍである、方法。
【請求項２１】
請求項１８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記平坦化エッチングが、
約８００ワットないし約１２００ワットのトップ出力と、
約４０ワットないし約１００ワットのボトム出力と、
約３ｍＴｏｒｒないし約１０ｍＴｏｒｒのガス圧力と、
約１０度Ｃないし約６０度Ｃの温度と、を利用するエッチングチャンバ内で起こる、方法。
【請求項２２】
請求項１８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
平坦化エッチングが、
約１０００ワットのトップ出力と、
約６６ワットのボトム出力と、
約５ｍＴｏｒｒのガス圧力と、
約３０度Ｃの温度と、を利用するエッチングチャンバ内で起こる、方法。
【請求項２３】
請求項１８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、
前記インタフェロメトリ・モニタリングは、第一の波長を有する第一の光信号と、第二の波長を有する第二の光信号と、の使用を含み、前記第一の波長は前記第二の波長と異なる、方法。
【請求項２４】
請求項１８記載の基板におけるリセスエッチング作業を行う方法であって、さらに、
前記トレンチ内に前記導電材料の多数の層を形成するための、前記（ｃ）ないし前記（ｆ）の一回以上の繰り返し、
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に別の実施形態では、基板におけるリセスエッチング作業を行う方法が提供される。この方法は、基板上へのハードマスクの形成と、ハードマスクを使用して行う、基板へのトレンチのエッチングと、を含む。この方法は、また、ハードマスク上およびトレンチ内への二酸化ケイ素層の形成を含み、二酸化ケイ素層は、トレンチの内側を覆う。この方法は、さらに、ポリシリコン材料のブランケットがハードマスク上を覆い、かつトレンチを充填するように行う、誘電層上へのポリシリコン材料の付加を含む。そして、ポリシリコン材料が、実質的に平坦化されるようにエッチングされる。ここで、ポリシリコン材料のエッチングは、ハードマスクを覆う二酸化ケイ素層上から全てのポリシリコン材料が除去される直前を終点とする。終点は、インタフェロメトリ・モニタリングを使用してトリガされ、ポリシリコン材料のエッチングは、Ｃｌ2、Ｈｅ、およびＳＦ6を含む第一の化学反応を使用する。その後、この方法は、ハードマスクを覆う二酸化ケイ素層上のポリシリコン材料が除去され、且つトレンチ内からポリシリコン材料の少なくとも一部が除去されるように、インタフェロメトリ・モニタリングおよび時限式エッチングの一方を使用して、ポリシリコン材料をリセスエッチングする。リセスエッチングは、ＡｒおよびＳＦ6を含む第二の化学反応を使用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
表Ａに表示されるような実施形態における例示的な化学物質の代わりに、その他の化学物質を利用してもよいと理解するべきである。例えば、Ａｒ、その他のような任意の希ガスを、Ｈｅに置き換えてもよい。別の実施形態では、例えば、ＮＦ3、ＣＦ4、ＣＨＦ3、その他のような任意のフッ素含有化合物を、ＳＦ6に置き換えてもよい。更に別の実施形態では、ＨＢｒおよびＨＣｌその他のような他の化学物質を、Ｃｌ2の代用としてもよい。