【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化する為の方法であって、
前記第１の波長光の空間的な強度変動と相同の（homologous）第１の電子密度分布を発生することと、
前記第１の電子密度分布と相同の第２の追加の電子密度を発生する為に、前記第１の密度分布からの電子を、電子が電子なだれプロセスで増倍される複数のグレーデッドバンドギャップ層を備える構造に通過させることと、
材料中の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調する材料内において前記密度分布と相同の電界を発生する為に、捕獲領域内で前記第１および第２の電子密度分布からの電子を捕獲することと、
前記第２の波長光を前記変調の材料中を伝達させ、それにより、前記電界に応じて前記第２の波長光を変調し、前記情報で前記２の波長光を符号化することと、を含む方法。
【請求項２】  前記第１の電子密度を発生することが、前記第１の波長光を、前記第１の波長光からの光子を吸収することによって電子−正孔対が発生される光伝導材料中に伝達させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化する為の方法であって、
前記第１の波長光の空間的な強度変動と相同の第１の電子密度分布を発生する為に、前記第１の波長光を、前記第１の波長光からの光子を吸収することによって電子−正孔対が発生される光伝導材料中に伝達させることと、
材料内の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調させる材料内において前記密度分布と相同の電界を発生する為に、捕獲領域内部で前記第１の電子密度分布からの電子を捕獲することと、
前記光伝導材料中に電子−正孔対を発生するのに十分なエネルギーを有するパルス光を前記変調の材料中に伝達させ、その後、前記第１の電子密度分布と相同の第２の追加の電子密度を発生する為に、前記光伝導層に伝達させることと、
前記捕獲領域内に前記第２の電子密度分布からの電子を捕獲することと、
前記第２の波長光を前記変調の材料中に伝達させ、それにより、前記第２の波長光を前記電界に応じて変調し、前記第２の波長光を前記情報で符号化することと、を含む方法。
【請求項４】  前記伝導材料中で発生された電子を、電子が電子なだれプロセスで増倍される複数のグレーデッドバンドギャップ層を備える構造中に通過させること、を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記パルスのパルス長が十分に長く、そのため、前記パルスに応じて発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させた後、前記パルスの一部が前記変調の材料中にある、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記第２の波長光パルスによって前記光伝導層内に発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させる前に、前記第２の波長光のパルスが、実質的に完全に前記変調の材料を通過する、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項７】  前記第２の波長光を変調の材料中に伝達させることが、前記第２の波長光のパルスを前記変調の材料中に伝達させ、かつ前記光伝導材料中に伝達させることを含む、請求項３から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  第２の波長光が、前記光伝導材料中に電子−正孔対を発生するのに十分なエネルギーを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記第２の追加の電子密度を発生することが、
前記第１の波長光の強度変動と実質的に相同の電界が前記変調の材料中に確立された後、第２の波長光のパルスを前記変調の材料中に伝達させることと、
その後、前記第２の電子密度分布を発生する為に、前記光パルスを前記光伝導層中に伝達させることと、を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記パルスのパルス長が十分に長く、そのため、前記パルスに応じて発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させた後、前記パルスの一部が前記変調の材料中にある、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記第２の波長パルスによって前記光伝導層内に発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させる前に、前記第２の波長光のパルスが、実質的に完全に前記変調の材料を通過する、請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  第１および第２の電子密度を発生することが、その全てが実質的に同じ空間的な強度変動を有する前記第１の波長光パルスの列中の各光パルス毎に、第１および第２の電子密度を発生することを含み、電子を捕獲することが、同一の捕獲領域において、光パルス列中の光パルスに対して発生された密度から電子を捕獲することを含む、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化する方法であって、
第１の波長光の少なくとも１つのパルスを光伝導材料中に伝達させ、それにより前記第１の波長光の空間的な強度変動と相同の電子の密度分布を発生することと、
材料中の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調する材料中において、前記空間的な変動と相同の電界を発生する為に、前記電子の密度分布から電子を捕獲することと、
光伝導層内に電子正孔対を発生するのに十分なエネルギーを有する第２の波長光のパルスを、前記変調の材料および前記光伝導材料中に伝達させ、それにより、前記電界に応じて前記パルスを変調し、前記情報で前記パルスを符号化することと、を含む方法。
【請求項１４】  前記第２の波長パルスによって前記光伝導層内に発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させる前に、前記第２の波長光のパルスが、実質的に完全に前記変調の材料を通過する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記第２の波長光のパルスを始めに前記光変調層中に伝達させ、次に前記光伝導層中に伝達させることを含み、前記パルスのパルス長は、前記パルスに応じて発生された電子が捕獲され、前記変調の材料中の電界を変化させた後、前記パルスの一部が前記変調の材料中にあるようなものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】  第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化するための方法であって、
全てが実質的に同じ空間的な強度変動パターンを有する第１の波長光の複数のパルスを受信することと、
受信した各第１の波長光パルスに応じて、前記第１の波長光パルスの空間的な強度変動と相同の電子密度分布を発生することと、
材料中の電界に応じて該材料を通過する光の特性を変調する材料中において前記密度分布と相同の電界を発生する為に、前記発生された電子密度分布から電子を蓄積することと、
前記第２の波長光がその内部の電界に応じて変調されそれによって前記情報で符号化される前記変調の材料中に、前記第２の波長光を伝達させることと、を含む方法。
【請求項１７】  前記複数の光パルスの最初と最後の間の時間経過が、前記材料中で電子密度が減衰する速度を特徴づける前記材料のリラクゼーション時間より短い、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  第２の波長光を伝達させることが、第２の波長光のパルスを伝達させることを含む、請求項１６または請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  第１の波長によって特徴付けられる光の空間的な強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光で画像化する為の方法であって、
ａ）請求項７から請求項１１、請求項１２から請求項１５、または請求項１８のいずれかにしたがって、第２の波長光のパルスを符号化することと、
ｂ）前記符号化された第２の波長光パルスを、感光表面上に画像化することと、
ｃ）ａ）およびｂ）を少なくとも２回反復することと、を含み、この場合において、受信された少なくとも１つの第１の波長光パルスが全ての反復において、実質的に同じ空間的な強度変動を有すること、
を特徴とする方法。
【請求項２０】  対象物を画像化する為の方法であって、
前記対象物によって反射または放射された第１の波長光を収集することと、
請求項１から請求項１８のいずれかにしたがって、前記第１の波長光中の強度変動を、第２の波長によって特徴付けられる光中に符号化することと、
符号化された第２の波長光を、感光表面上に画像化することと、を含む方法。
【請求項２１】  対象物までの距離を決定する為の方法であって、
第１の波長によって特徴付けられる光パルスの少なくとも１つのパルス列で対象物を照射することと、
前記パルス列中の光パルスが放射される時間に連動した時間に開閉されるシャッタ上で、前記対象物によって反射された前記パルス列中の光パルスからの光を受けることと、
請求項１２から請求項１８のいずれかにしたがって、前記シャッタを伝達した、反射された第１の波長光の強度変動を、第２の波長によって特徴付けられる光の強度変動中に符号化することと、
符号化された第２の波長光を、感光表面上に画像化することと、
表面要素を画像化する前記感光表面の領域中に記録された第２の光波長光の強度に応じて、前記対象物の表面要素までの距離を決定することと、を含む方法。
【請求項２２】  前記少なくとも１つのパルス列が、複数のパルス列を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記第１の波長光の波長が、前記第２の波長光の特有の波長より長い、請求項１から請求項２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】  前記第１の波長光の波長が、前記第２の波長光の特有の波長より短い、請求項１から請求項２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】  前記第１の波長光の波長が、前記第２の波長光の特有の波長に実質的に等しい、請求項１から請求項２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】  波長変換器であって、
第１の波長によって特徴付けられ且つその強度中に空間的な変動を有する光が通って前記波長変換器に入る第１のポートと、
前記変換器に入る第１の波長光が通過し、且つその内部で前記空間的な変動に応じて電子密度分布が発生される光伝導層と、
前記光伝導層内で発生された電子を受け取り、該受け取った電子に応じて、より多数の電子を生成する、複数のグレーデッドバンドギャップ層を備える電子増倍領域と、
前記増倍層内で発生された電子を捕獲する捕獲領域と、
第２の波長によって特徴付けられる光が通って前記波長変換器に入る第２のポートと、
前記第２の波長光が通過する光変調領域であって、その内部の電界に応じて前記第２の波長光を変調し、且つその内部において、前記捕獲領域内で捕獲された電子によって発生される電界が、前記第１の波長光内の空間変動と相同の場である光変調領域と、
を備える波長変換器。
【請求項２７】  前記光変調領域が、狭バンドギャップと広バンドギャップが交互になっている層を有するＭＱＷ構造を備える、請求項２６に記載の波長変換器。
【請求項２８】  前記捕獲領域が、第１および第２の波長光の両方を反射する反射器を備え、変調された第２の波長光が、前記第２のポートを介して前記波長変換器を出る、請求項２６または請求項２７に記載の波長変換器。
【請求項２９】  前記反射層が誘電体ミラーである、請求項２８に記載の波長変換器。
【請求項３０】  第１の波長光を反射し且つ第２の波長光を伝達する反射器を備え、該反射器は、前記光伝導層よりも第１のポートから離れて配置され、且つ、前記波長変換器に入り前記光伝導層を通過する第１の波長光が２度前記光伝導層を通過する様に前記第１の波長光を反射する、請求項２６または請求項２７に記載の波長変換器。
【請求項３１】  第１の波長光を反射し且つ第２の波長光を伝達する反射器が、
誘電体ミラーを備える、請求項２６から請求項３０のいずれかに記載の波長変換器。
【請求項３２】  変調された第２の波長光が通って前記波長変換器を出る第３のポートを備える、請求項２６、請求項２７、請求項３０、または請求項３１に記載の波長変換器。
【請求項３３】  前記捕獲領域が、第１の波長光を伝達し且つ第２の波長光を反射する反射器を備え、前記第３のポートは第２のポートと同一である、請求項３２に記載の波長変換器。
【請求項３４】  第１の波長光を伝達し且つ第２の波長光を反射する前記捕獲領域内の前記反射器が誘電体ミラーを備える、請求項３３に記載の波長変換器。
【請求項３５】  前記波長変換器によって変調される第２の波長光のパルスを放射する光源を備え、ｃを光速、ｄを前記光伝導層の厚さ、ｖを前記光伝導層内での電子のドリフト速度として、前記波長変換器に入る第２の波長光パルスのパルス幅が、（ｃｄ）／ｖより短い、請求項３２に記載の波長変換器。
【請求項３６】  前記第１のポートと第２のポートが同一である、請求項３２から請求項３５のいずれかに記載の波長変換器。
【請求項３７】  前記光伝導層に結合された穿孔された金属層を備え、前記光伝導層は、前記金属層内の穿孔と位置合わせされた穴を伴って形成され、前記穴は、前記光伝導層の全幅を貫通しているか、またはほぼ貫通している、請求項３６に記載の波長変換器。
【請求項３８】  前記金属層が前記光伝導層よりも第２のポートに近い、請求項３７に記載の波長変換器。
【請求項３９】  前記第１のポートと第３のポートが同一である、請求項３２に記載の波長変換器。
【請求項４０】  第１の波長光が前記光伝導層を通過できるようにし、またそれを妨げるように動作可能な第１の波長シャッタを備える、請求項２６から請求項３９のいずれかに記載の波長変換器。
【請求項４１】  前記第１の波長シャッタが、狭バンドギャップと広バンドギャップが交互になっている層を有するＭＱＷ構造を備える、請求項４０に記載の波長変換器。
【請求項４２】  前記第２の波長光が前記波長変換器に入ることができるようにし、またそれを妨げるように動作可能な第２の波長シャッタを備える、請求項２６から請求項４１のいずれかに記載の波長変換器。
【請求項４３】  前記第１の波長シャッタが、狭バンドギャップと広バンドギャップが交互になっている層を有するＭＱＷ構造を備える、請求項４２に記載の波長変換器。
【請求項４４】  第１の波長によって特徴付けられる光の強度変動中に符号化された情報を、第２の波長によって特徴付けられる光で画像化するカメラであって、
請求項２８、請求項２９、または、請求項３２から請求項３９のいずれかに記載の波長変換器と、
感光表面と、
前記波長変換器を出る第２の波長光を受け取り、それを前記感光表面上に画像化する光学部品と、を備えるカメラ。
【請求項４５】  第１の波長光が、前記波長変換器に到達することを遮断するシャッタを備える、請求項４４に記載のカメラ。
【請求項４６】  前記シャッタが前記波長変換器内に備えられている、請求項４５に記載のカメラ。
【請求項４７】  第２の波長光を放射する光源を備える、請求項４５または４６に記載のカメラ。
【請求項４８】  対象物までの距離を決定する３Ｄカメラであって、
請求項４７によるカメラと、
第１の波長光パルスの少なくとも１つのパルス列で、前記対象物を照射するパルス光源と、
少なくとも１つのパルス列中の光パルスが放射される時間に連動する時間にシャッタをゲート・オープンし、前記少なくとも１つのパルス列それぞれの最後の光パルスに続いて、第２の波長光のパルスで前記波長変換器を照射するように前記第２の波長光源を制御するコントローラと、
を備える３Ｄカメラ。