【手続補正書】
【提出日】平成18年8月31日(2006.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１段、前記第１段に連結された第２段、及び一段は前記第２段に連結され、他段は電気構成体に連結される第３段を含むビーム部と、
前記ビーム部の前記第１段に連結されたディップ部とを含み、前記ディップ部は前記ディップ部の上端部に形成された突部を含むことを特徴とする電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２】
前記ディップ部の下端部はラウンド処理された円柱状であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項３】
前記ティップ部の下端部はラウンド処理された角錐台または円錐台形状とすることを特徴とする請求項１に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項４】
前記ディップ部は前記突部に連結され、前記突部より断面積が小さく、前記ディップ部の中間部に形成された他の突部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項５】
前記第２段は前記第１段より広い幅を有し、前記第３段は前記第２段より広い幅を有することを特徴とする請求項１に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項６】
前記第２段は折り曲げ型であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項７】
前記第２段は一つ以上の折り曲げ点を具備したジグザグ形状を有することを特徴とする請求項６に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項８】
前記第２段の折り曲げ角度は３０°〜１７０°であることを特徴とする請求項６に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項９】
犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成する段階と、
前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして用いて前記犠牲基板をエッチングして、前記犠牲基板にトレンチを形成する段階と、
前記第１保護膜パターンを除去する段階と、
前記犠牲基板上に前記トレンチを露出する開口部を有する第２保護膜パターンを形成する段階と、
前記開口部内に導電性物質を提供し、前記犠牲基板及び前記第２保護膜パターンを除去し、ビーム部及び前記ビーム部の第１段に連結されたディップ部を有する電気的接触体を形成する段階とを含み、
前記トレンチは湿式エッチング工程と、前記湿式エッチング工程の次に実行される乾式エッチング工程によって形成されることを特徴とする電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１０】
前記湿式エッチング工程は水酸化カリウムを含む溶液によって実行され、前記トレンチの底面部は角錐台または円錐台形状を有することを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１１】
前記湿式エッチング工程はフッ化水素、硝酸及び酢酸を含む溶液によって実行され、前記トレンチの底面部はラウンド処理された円柱形状であることを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１２】
前記乾式エッチング工程は、前記湿式エッチング工程によって形成されたトレンチをさらに深くし、前記トレンチの底面部はラウンド処理されるようにすることを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１３】
前記開口部は、前記ビームが第１段、前記第１段に連結されて前記第１段より幅が広い第２段、及び前記第２段に連結されて前記第２段より幅が広い第３段を具備するように形成されることを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部は、前記ビームが第１段、前記第１段に連結される折り曲げ型の第２段、及び前記第２段に連結される第３段を具備するように形成されることを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１５】
前記第２段は一つ以上の折り曲げ部を具備したジグザグ形状であることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１６】
前記ティップ部は前記ティップ部の上端部に突部を有することを特徴とする請求項９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１７】
前記トレンチを形成する段階は、
側面が所定の角度で傾いた予備トレンチを形成する段階と、
前記予備トレンチの中央部を開放する前記第１保護パターンを形成する段階と、
前記第１保護パターンをエッチングマスクとして用いて前記犠牲基板をエッチングし、前記予備トレンチをさらに深くする段階とを含むことを特徴とする請求項１６に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１８】
前記予備トレンチを形成する段階は、
水酸化カリウムを含むエッチング溶液による湿式エッチング工程において、前記予備トレンチの底面部を角錐または円錐形状に作ることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項１９】
第１段、前記第１段に連結された第２段、及び一段は前記第２段に連結され、他段は電気構成体に連結される第３段を含むビーム部と、
前記ビーム部の前記第１段に連結されたディップ部とを含み、前記第２段は折り曲げ部を含むことを特徴とする電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２０】
前記第２段は一つ以上の折り曲げ部を具備したジグザグ形状を有することを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２１】
前記第２段の折り曲げ角度は３０°〜１７０°であることを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２２】
前記第２段は前記第１段より広い幅を有し、前記第３段は前記第２段より広い幅を有することを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２３】
前記ディップ部の下端部はラウンド処理された円柱形状であることを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２４】
前記ティップ部の下端部はラウンド処理された角錐台または円錐台形状であることを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２５】
前記ティップ部は前記ティップ部の上端部に形成された突部を含むことを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項２６】
前記ディップ部は前記突部と連結されて前記突部より断面積が小さく、前記ディップ部の中間部に形成された他の突部をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２７】
前記第２段の前記ディップ部の反対面上に形成されたアームレストをさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２８】
前記アームレストは前記ディップ部に最も隣接した前記第２段の折り曲げ部上に形成されたことを特徴とする請求項２７に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項２９】
前記第２段の前記アームレストと向き合う前記電気構成体上に形成された他のアームレストをさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項３０】
前記アームレストの表面上に絶縁性物質がコーティングされたことを特徴とする請求項２７に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項３１】
前記絶縁性物質はポリイミドまたはパリレンを含むことを特徴とする請求項３０に記載の電子素子検査用の電気的接触体。
【請求項３２】
犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成する段階と、
前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして用いて前記犠牲基板をエッチングして、前記犠牲基板にトレンチを形成する段階と、
前記第１保護膜パターンを除去する段階と、
前記犠牲基板上に前記トレンチを露出する第１開口部を有する第２保護膜パターンを形成する段階と、
前記第１開口部内に導電性物質を提供し、ビーム部及び前記ビーム部の一段が連結されたディップ部を含む電気接触体を形成する段階と、
前記ビームの上部面を露出する第２開口部を有する第３保護膜パターンを形成する段階と、
前記第２開口部内に導電性物質を提供し、前記ビーム部の上部面上にアームレストを形成する段階と、
前記第３保護膜パターンを除去する段階と、
前記アームレストの表面に絶縁性物質をコーティングする段階とを含むことを特徴とする電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項３３】
電気構成体を前記ディップ部の反対側のビーム部の上部面に連結する段階と、
前記第２保護膜パターンを除去する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項３４】
前記電気構成体上に他のアームレストを形成する段階をさらに含み、前記アームレストと前記他のアームレストは相互対応する位置に形成されることを特徴とする請求項３２に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項３５】
前記第１開口部は、前記ビーム部が第１段、前記第１段に連結され、一つ以上のジグザグの折り曲げ部を有する第２段、及び前記第２段に連結された第３段を含むように形成されることを特徴とする請求項３２に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。
【請求項３６】
前記アームレストは前記ディップ部に最も隣接する前記第２段のジグザグの折り曲げ部上に形成されることを特徴とする請求項３５に記載の電子素子検査用の電気的接触体の製造方法。