【事件の表示】
　特願２００４−　９７４４５「量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８６０８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月３０日の出願であって、平成２２年２月８日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月２９日に意見書が提出されたが、同年９月１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１１月１２日に審判請求がされたとともに同日に手続補正書が提出され、平成２３年１２月８日付けの審尋に対して、平成２４年２月６日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　本願発明に対する判断
１　本願発明
　平成２２年１１月１２日に提出された手続補正書による手続補正は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の段落【００１７】を補正するものである。このうち、特許請求の範囲に関する前記手続補正は、補正前の請求項４における「上記第１電極と第２金属との間を導通可能とする」の記載を、本願の願書に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載に基づいて、「上記第１電極と第２電極との間を導通可能とする」と補正するものであり、誤記の訂正を目的とする補正であると認められる。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項及び同第４項の規定に適合している。 
　
　よって、本願の請求項１〜４に係る発明は、前記平成２２年１１月１２日に提出された手続補正書による手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定された、次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「第１金属を含む化合物からなるイオン伝導層が被覆された上記第１金属からなる第１電極と、上記第１金属とは異なる第２金属からなる第２電極とを、上記イオン伝導層と上記第２電極とを近接させて配設すると共に、上記近接部において、上記第１電極と第２電極とが、上記第１電極表面から上記イオン伝導層を貫通するように形成された上記第１金属からなるマクロ架橋部と、上記マクロ架橋部の露呈面と上記第２電極表面との間に形成された上記第１金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなることを特徴とする量子化コンダクタンス素子。」
　
２　引用刊行物
２−１　引用刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−１４１４９４号公報（以下「引用例」という。）には、「ポイントコンタクト・アレー」（発明の名称）に関して、図１〜図５とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。）。
　
　　ア　発明の技術分野
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、対向する電極間においてポイントコンタクトを形成し、又は切断してコンダクタンスを制御する素子を複数個用いるポイントコンタクト・アレーに関するものである。」
　
　　イ　発明の実施の形態
・「【００２０】
図１は本発明にかかる複数個のポイントコンタクトを配置したポイントコンタクト・アレーを示す
【００２１】図１に示すように、
混合導電体１で被覆された金属線（第１電極）２と、金属線３，４（第２電極）との交点に可動イオン（原子）５で構成されたポイントコンタクト（架橋）６，７を形成する。
【００２２】第１及び第２の二つの電極間に半導体ないし絶縁体材料を挿入する場合は、この半導体ないし絶縁体中に可動イオンが固溶することにより、その半導体のコンダクタンスが変化する。
【００２３】その結果、電極間のコンダクタンスが変化する。なお、その変化量は半導体ないし絶縁体材料中に固溶する可動イオンの量に依存する。」
　
・「【００２５】本発明では、第１電極２と第２電極３，４間に電圧を印加して、イオン原子からなる架橋６，７を形成したり消滅させたりして、電極間に形成されたポイントコンタクトのコンダクタンスを制御する。
具体的に説明すれば、第１電極２に対して第２電極３，４に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、混合導電体材料中の可動イオン（原子）が析出し、電極間に架橋６，７が形成される。この結果、電極間のコンダクタンスが増大する。
【００２６】このように、
各金属線に印加する電圧を独立に制御することによって、
各交点のポイントコンタクトのコンダクタンスを独立に制御できる
【００２７】これにより、ポイントコンタクト・アレーからなるメモリー素子、演算素子などの電子素子とそれらからなる電気回路を構成することができる。
【００２８】以下では、
混合導電体材料Ａｇ
２
 Ｓ、可動イオン供給源Ａｇから成る第１電極と、Ｐｔからなる第２電極を用いた実施例を述べるが、他の材料を用いても同様の結果が得られることは言うまでもない
【００２９】
架橋の形成はＡｇ原子が１０個程度あれば十分可能である。測定結果から、電圧１００ｍＶ、初期電極間抵抗１００ｋΩの場合に、Ａｇ原子１０個を混合導電体Ａｇ
２
 Ｓから引き出すのに必要な時間、すなわち架橋を形成するのに必要な時間は、高々数十ナノ秒と見積もられた。
このため、本発明を用いれば、高速でかつ低消費電力型の素子を構築することができる
　
　　ウ　第１実施例
・「【００３０】まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００３１】図２は本発明にかかる多重メモリ素子に応用したポイントコンタクト・アレーの模式図である。
【００３２】簡略化のため、
図１と同様に、２つのポイントコンタクトから成る試料を用いた。ここでは、第１電極を構成する混合導電体材料１１としてＡｇ
２
 Ｓを、金属線１０としてＡｇ線を用いた。
第１電極を接地し、第２電極１３，１４にそれぞれ電圧Ｖ１，Ｖ２を独立に印加する。Ｖ１，Ｖ２として負の電圧を選ぶと、混合導電体材料１１中のＡｇ原子１２が析出し、架橋１５，１６が形成される。
【００３３】本発明では、ポイントコンタクトを複数用いることにより、以下に述べる新たな機能を実現している。
【００３４】本実施例では、
ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御をパルス電圧を印加することにより行った。すなわち、コンダクタンスを増大させるためには、５０ｍＶの電圧を５ミリ秒印加した。コンダクタンスを減少させる場合には、−５０ｍＶの電圧を５ミリ秒印加した
各ポイントコンタクトにおいて、量子化されたコンダクタンス間の遷移を実現した。
　
・「【００３５】そこで、
記録状態を読み出すためには、Ｖ１，Ｖ２を１０ｍＶに設定し、読み出し動作によって記録したコンダクタンス値が変化しないようにした。その状態で、各ポイントコンタクトの第２電極を構成する金属線１３，１４に流れる電流Ｉ
１
 ，Ｉ
２
 を測定した。
【００３６】図３において、Ｉ１ を細い実線で、Ｉ２ を太い実線で示してある。ポイントコンタクト１５ないし１６に、１秒ごとに書き込み動作を行い、その都度記録状態を読み出した。左側の縦軸は実際に測定した電流値を、右側の縦軸は対応する量子化コンダクタンスを示している。コンダクタンスは、測定電流を印加電圧（１０ｍＶ）除算して得られる。
【００３７】
この図によれば、各ポイントコンタクトのコンダクタンスが量子化されていることが分かる。
【００３８】本実施例では、Ｎ＝０〜３の４つの量子化状態しか用いなかったが、さらに大きな量子数をもつ状態を用いることにより、記録密度を増やすことができる。また、ポイントコンタクトの数を増やすことによって記録密度が上げられることも言うまでもない。」
　
　　エ　第２実施例、第３実施例
・「【００４２】図４は本発明の第２実施例の演算結果を示す図である。グラフ下に、入力したＮ１ ，Ｎ２ と測定されたＮout をグラフ横軸に対応させて示した。得られた電流値Ｉout がＮ１ ＋Ｎ２ に対応する量子化コンダクタンスを有していることが分かる。すなわち、加算が正確に行われている。本実施例でも、第１実施例と同様、Ｎ１ ＝０〜３，Ｎ２ ＝０〜３に対応する１６通りの加算結果を示したが、より大きな量子数を用いても良い。また、用いるポイントコンタクトの数、すなわち、入力数を３個以上にしても同様のことが行える。
【００４３】次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００４４】第１実施例に示す構成は、減算回路にも応用できる。入力の制御は第２実施例で述べたのと同じ方法で行う。減算の演算を行う際には、Ｖ１，Ｖ２として絶対値が等しく極性が逆の電圧を選べばよい。例えば、Ｖ１として１０ｍＶ、Ｖ２として−１０ｍＶを設定すれば、Ｎ１ −Ｎ２ に相当する量子化コンダクタンスに対応する電流Ｉout が第１電極から接地電位に流出する。このとき、電流の向きが第１電極から接地電位を向いていれば演算結果は正の値を持ち、接地電位から第１電極を向いていれば演算結果は負の値を持つことになる。」
　
　　オ　第４実施例
・「【００４７】次に、本発明の第４実施例について説明する。
【００４８】これは、本発明のポイントコンタクトを用いて論理回路を構成した実施例である。論理回路を構成する場合は、第１実施例〜第３実施例の場合と異なり、ポイントコンタクトにおける量子化コンダクタンス状態間の遷移は使わない。すなわち、オン・オフのスイッチング素子としてポイントコンタクトを用いる。典型的には、オンの状態の抵抗値が１ｋΩ以下、オフの状態の抵抗値が１００ｋΩ以上である。
【００４９】図６は本発明のポイントコンタクトを用いて構成したＯＲゲートの模式図である。
【００５０】Ａｇ線２１，２２がＡｇ２ Ｓ  ２３，２４で被覆されており第１電極を構成している。これらのＡｇ２ Ｓ  ２３，２４から析出したＡｇ架橋２５，２６が、第２電極であるＰｔ電極２０に対向して、ポイントコンタクトを形成している。Ｐｔ電極２０の一端は、抵抗２７（本実施例では１０ｋΩ）を介して参照電圧ＶSに接続されており、もう一端は出力端子で、出力電圧Ｖout が出力される。Ａｇ線２１，２２に対して、入力電圧Ｖ１，Ｖ２が印加されると、これにより、架橋２５，２６が形成されたり消滅したりして、ポイントコンタクトがオン・オフのスイッチング素子として働く。
【００５１】図７にその動作結果を示す。本実施例では、１秒毎に入力、すなわちＶ１，Ｖ２を変更して出力Ｖout を測定した。
【００５２】２入力ＯＲゲートでは、ＬｏｗレベルとＨｉｇｈレベルの２値化されたそれぞれの入力に対し、いずれか一方でもＨｉｇｈレベルならば、出力がＨｉｇｈレベルとならなければならない。
【００５３】そこで、まず、Ｌｏｗレベルとして０Ｖ（参照電位Ｖｓも同じ）を、Ｈｉｇｈレベルとして２００ｍＶを用いて動作させた場合の結果を図７（ａ）に示す。
【００５４】この図によると、２つの入力Ｖ１，Ｖ２の内、いずれか一方が２００ｍＶのとき、出力Ｖout は略２００ｍＶとなっており、正常に動作していることが分かる。Ｈｉｇｈレベルの電圧を５００ｍＶに上昇させても同様の結果〔図７（ｂ）〕が得られた。
【００５５】図８は本論理回路の等価回路を示す図である。
【００５６】参照電圧Ｖｓと入力電圧Ｖ１，Ｖ２によって、架橋２５，２６（図６）の生成・消滅が起こり、抵抗Ｒ１，Ｒ２（架橋によって形成されるポイントコンタクト部の抵抗）の抵抗値が変化する。電極２０（図６）上の２つのポイントコンタクト間にも僅かな抵抗Ｒ１２（数Ωから数十Ω程度）があるが、Ｒ０（１０ｋΩ）、Ｒ１，Ｒ２（１ｋΩ〜１ＭΩ）に比べれば無視できる大きさである。
【００５７】まず、Ｖ１，Ｖ２ともに０Ｖの場合、系に接続された３つの電圧が全て０Ｖなので、出力Ｖout は必然的に０Ｖになる。次に、Ｖ１が０Ｖ、Ｖ２が２００ｍＶ（５００ｍＶ）の場合、架橋２５（図６）が成長し、抵抗Ｒ２の抵抗値が小さくなる。典型的には１ｋΩ以下である。
【００５８】この結果、Ｒ０よりもＲ２の方が抵抗値が１桁以上小さくなるので、Ｖ２′は約２００ｍＶ（５００ｍＶ）となる。このときＶ１′もほぼ２００ｍＶ（５００ｍＶ）となるので、架橋２４（図６）に対しては架橋が消滅する電圧が印加されたことになり、Ｒ１は１ＭΩ以上の大きい値となる。この結果、Ｖ１が０Ｖであっても、Ｒ０，Ｒ１≫Ｒ２であるので、Ｖ１′はＶ２′と同じ約２００ｍＶ（５００ｍＶ）となる。その結果、出力は２００ｍＶ（５００ｍＶ）となるのである。正確には、架橋２５の成長と架橋２４の切断は平行して起こり、上述の結果をもたらす。
【００５９】Ｖ１が２００ｍＶ（５００ｍＶ）、Ｖ２が０Ｖの場合も同様に説明できる。また、Ｖ１，Ｖ２ともに２００ｍＶ（５００ｍＶ）の場合は、架橋２５，２６がともに成長するので、Ｖ１，Ｖ２の電圧、すなわち、２００ｍＶ（５００ｍＶ）が出力されることになる。」
　
　　カ　「本発明にかかる複数個のポイントコンタクトを配置したポイントコンタクト・アレーを示す斜視模式図（「図面の簡単な説明」の記載）」である図１の斜視図、「本発明にかかる多重記憶メモリを構成するポイントコンタクト・アレーを示す模式図（「図面の簡単な説明」の記載）」である図２には、
ａ．第１電極２、１０を覆う混合導電体材料１、１１上に形成されているポイントコンタクト（架橋）６、７、１５、１６を介して、前記混合導電体材料１、１１と第２電極３、４、１３、１４が対向していること、
ｂ．前記ポイントコンタクト（架橋）６、７、１５、１６は、円錐形状であるかどうかは定かでないが、少なくとも、錐体状であることが見て取れること、
ｃ．第１電極１０に０Ｖを印加し、第２電極１３に電圧Ｖ１を印加し、第２電極１４には電圧Ｖ２を印加すると、前記第２電極１３から第１電極１０には電流Ｉ１が、前記第２電極１４から前記第１電極１０には電流Ｉ２が、それぞれ、流れること、
が示されている。
　
２−２　引用発明
　　ア　段落【００２０】の「図１は本発明にかかる複数個のポイントコンタクトを配置したポイントコンタクト・アレーを示す」、段落【００３４】の「これにより、各ポイントコンタクトにおいて、量子化されたコンダクタンス間の遷移を実現した。」、段落【００３７】の「各ポイントコンタクトのコンダクタンスが量子化されていることが分かる。」の各記載から、引用例には、そのコンダクタンスが量子化されているポイントコンタクトを複数個配置したポイントコンタクト・アレーが記載されている。
　
　　イ　段落【００２１】の「混合導電体１で被覆された金属線（第１電極）２と、金属線３，４（第２電極）との交点に可動イオン（原子）５で構成されたポイントコンタクト（架橋）６，７を形成する。」、段落【００２８】の「以下では、混合導電体材料Ａｇ２ Ｓ、可動イオン供給源Ａｇから成る第１電極と、Ｐｔからなる第２電極を用いた実施例を述べるが、他の材料を用いても同様の結果が得られることは言うまでもない。」、段落【００３２】の「図１と同様に、２つのポイントコンタクトから成る試料を用いた。ここでは、第１電極を構成する混合導電体材料１１としてＡｇ２ Ｓを、金属線１０としてＡｇ線を用いた。また、第２電極を構成する金属線１３，１４としてＰｔ線を用いた。」の各記載、及び、図１及び図２の図示態様から、引用例には、混合導電体材料としてのＡｇ２ Ｓで被覆されたＡｇ線を第１電極とし、Ｐｔ線を第２電極として、前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上に、ポイントコンタクトとなる、可動原子で構成された錐体状の架橋が形成されていること、が記載されている。
　
　　ウ　段落【００２５】の「具体的に説明すれば、第１電極２に対して第２電極３，４に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、混合導電体材料中の可動イオン（原子）が析出し、電極間に架橋６，７が形成される。この結果、電極間のコンダクタンスが増大する。」、段落【００２６】の「各金属線に印加する電圧を独立に制御することによって……各交点のポイントコンタクトのコンダクタンスを独立に制御できる。」、そして、段落【００２９】の「架橋の形成はＡｇ原子が１０個程度あれば十分可能である。測定結果から、電圧１００ｍＶ、初期電極間抵抗１００ｋΩの場合に、Ａｇ原子１０個を混合導電体Ａｇ２ Ｓから引き出すのに必要な時間、すなわち架橋を形成するのに必要な時間は、高々数十ナノ秒と見積もられた。」、段落【００３２】の「第１電極を接地し、第２電極１３，１４にそれぞれ電圧Ｖ１，Ｖ２を独立に印加する。Ｖ１，Ｖ２として負の電圧を選ぶと、混合導電体材料１１中のＡｇ原子１２が析出し、架橋１５，１６が形成される。」との各記載、及び、図１及び図２の図示態様から、引用例においては、ポイントコンタクトとなる架橋は、第１電極に対して第２電極に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、混合導電体材料中を動くＡｇイオンが前記混合導電体材料から引き出されてＡｇ原子として析出し、各電極間の混合導電体材料上に前記第２電極に向かって架橋が形成されるという現象を利用して形成していると認められる。
　
　　エ　段落【００２５】の「第１電極２に対して第２電極３，４に適当な負電圧を印加すると……この結果、電極間のコンダクタンスが増大する。逆に第２電極３，４に適当な正電圧を印加すると……コンダクタンスが減少する。」という記載を参酌すれば、段落【００３４】の「ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御をパルス電圧を印加することにより行った。すなわち、コンダクタンスを増大させるためには、５０ｍＶの電圧を５ミリ秒印加した。コンダクタンスを減少させる場合には、−５０ｍＶの電圧を５ミリ秒印加した。これにより、各ポイントコンタクトにおいて、量子化されたコンダクタンス間の遷移を実現した。」、段落【００３７】の「この図によれば、各ポイントコンタクトのコンダクタンスが量子化されていることが分かる。」の各記載から、引用例には、ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、ポイントコンタクトとなる架橋は量子化されたコンダクタンス間の遷移を示すこと、すなわち、ポイントコンタクトが量子化されたコンダクタンスを示すこと、が記載されている。
　
　　オ　段落【００３５】の「記録状態を読み出すためには、Ｖ１，Ｖ２を１０ｍＶに設定し、読み出し動作によって記録したコンダクタンス値が変化しないようにした。その状態で、各ポイントコンタクトの第２電極を構成する金属線１３，１４に流れる電流Ｉ１ ，Ｉ２ を測定した。その結果を図３に示す。」、段落【００３７】の「この図によれば、各ポイントコンタクトのコンダクタンスが量子化されていることが分かる。」の各記載、及び、図２の図示態様から、引用例には、ポイントコンタクトの読み出しのために、第２電極に１０ｍＶに設定して、第２電極流れる電流を測定すること、が記載されていると解される。
　
　　カ　段落【００２９】の「このため、本発明を用いれば、高速でかつ低消費電力型の素子を構築することができる。」の記載から、上記アの「ポイントコンタクト・アレー」が、「高速でかつ低消費電力型の素子」であると認められる。
　
　以上のア〜カによれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
「そのコンダクタンスが量子化されているポイントコンタクトを複数個配置したポイントコンタクト・アレーであって、
　混合導電体材料としてのＡｇ２ Ｓで被覆されたＡｇ線を第１電極とし、Ｐｔ線を第２電極として、前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上に形成された、前記ポイントコンタクトとなる、可動原子で構成された錐体状の架橋を備え、
　前記ポイントコンタクトとなる前記架橋は、前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、前記混合導電体材料中を動くＡｇイオンが前記混合導電体材料から引き出されてＡｇ原子として析出し、各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって架橋が形成されるという現象を利用して形成されるものであり、
　前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示し、その読み出しのために前記第２電極を１０ｍＶに設定して当該第２電極に流れる電流を測定する、
ことを特徴とする、高速でかつ低消費電力型の素子であるポイントコンタクト・アレー。」
　
３　対比
３−１　本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「第１電極」である「Ａｇ線」における「Ａｇ」、前記「第１電極」である「Ａｇ線」は、本願発明の「第１金属」、「上記第１金属からなる第１電極」に相当する。
　したがって、引用発明の「第１電極」を「被覆」する「混合導電体材料としてのＡｇ２ Ｓ」は、「前記混合導電体材料中」を「Ａｇイオン」が「動く」ことができるものであるから、本願発明の「第１電極」を「被覆」する「第１金属を含む化合物からなるイオン伝導層」に相当する。
　また、引用発明の「第２電極」である「Ｐｔ線」は、本願発明の「上記第１金属とは異なる第２金属からなる第２電極」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「前記ポイントコンタクト」は、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上に形成され」た「可動原子で構成された錐体状の架橋」であるとともに、前記「架橋」として「各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって」「形成される」ものである。すなわち、引用発明の「前記混合導電体材料」と「前記第２電極」とは、「前記第１電極と前記第２電極の交点」において、「錐体状の前記ポイントコンタクト」を介して対向することにより近接している。
　したがって、引用発明の「前記ポイントコンタクト」が、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上に形成され」た「可動原子で構成された錐体状の架橋」であるとともに、「架橋」として「各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって」「形成される」ことは、本願発明の「上記イオン伝導層と上記第２電極とを近接させて配設する」ことに相当する。
　そして、引用発明において、「前記混合導電体材料」と「前記第２電極」が近接している部分である「前記第１電極と前記第２電極の交点」は、本願発明の「近接部」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「ポイントコンタクト」は、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上に形成された」、「可動原子で構成された錐体状の架橋」である。そして、「前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示」す。
　このとき、「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、前記「量子化されたコンダクタンスを示」すのであるから、引用発明の「第１電極」と「第２電極」とを導通可能に接続することに寄与する「コンタクト」である、すなわち、電気的な接点であることは、明らかである。
　これに対して、本願発明の「金属ナノ架橋」は、「上記近接部において、上記第１電極と第２電極とが」、「導通可能に接続されてなる」ことに寄与するものであって、「マクロ架橋部の露呈面と上記第２電極表面との間に形成された上記第１金属からなり量子化コンダクタンスを呈する」ものである。
　したがって、引用発明において、「前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、前記混合導電体材料中を動くＡｇイオンが前記混合導電体材料から引き出されてＡｇ原子として析出し、各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって」形成された「前記ポイントコンタクトとなる前記架橋」に、「前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加する」ことで得られる、「量子化されたコンダクタンスを示」す「前記ポイントコンタクトとなる架橋」と、本願発明の「上記近接部において、上記第１電極と第２電極と」が「導通可能に接続されてなること」に寄与する「上記マクロ架橋部の露呈面と上記第２電極表面との間に形成された上記第１金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋」とは、「上記近接部において、上記第１電極と第２電極と」が「導通可能に接続されてなること」に寄与する「面と上記第２電極表面との間に形成された上記第１金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋」である点で共通する。
　
　　エ　引用発明の「前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加」して「量子化されたコンダクタンスを示」す「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、「その読み出しのために前記第２電極を１０ｍＶに設定して当該第２電極に流れる電流を測定する」ものであるから、引用例の図２を参酌すれば、「前記ポイントコンタクトとなる架橋」が「量子化されたコンダクタンスを示」すとき、引用発明の「第１電極」と「第２電極」とは導通可能に接続されていることは、明らかである。
　してみれば、上記ウで指摘したように、引用発明の「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加する」ことで「量子化されたコンダクタンスを示」す「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、前記「第１電極」と前記「第２電極」とが導通可能に接続されるときの、導通経路の一部であると解される。
　一方、引用発明における「第１電極」と「ポイントコンタクトとなる架橋」の間に存在する「混合導電体材料」も、「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加」して「前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示し」ているとき、前記「第１電極」と前記「第２電極」とが導通可能に接続されるときの導通経路の一部であることは、明らかである。
　したがって、引用発明において、「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示」すときは、「第１電極」と「前記ポイントコンタクトとなる架橋」の間に存在する「混合導電体材料」と、「前記ポイントコンタクトとなる架橋」とにより、前記「第１電極」と前記「第２電極」とが導通可能に接続されると認められる。
　そして、引用発明の「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示」すときにおける、「第１電極」と「ポイントコンタクトとなる架橋」の間に存在する「混合導電体材料」と、本願発明の「上記第１電極表面から上記イオン伝導層を貫通するように形成された上記第１金属からなるマクロ架橋部」とは、「上記第１電極表面」から「形成された」部分である点で共通している。
　以上から、引用発明において、「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示」すときに、「第１電極」と「前記ポイントコンタクトとなる架橋」の間に存在する「混合導電体材料」と、「量子化されたコンダクタンスを示」す「前記ポイントコンタクトとなる架橋」とにより、前記「第１電極」と前記「第２電極」とが導通可能に接続されていることと、本願発明において、「上記近接部において、上記第１電極と第２電極とが、上記第１電極表面から上記イオン伝導層を貫通するように形成された上記第１金属からなるマクロ架橋部」と前記「金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなること」とは、「上記近接部において、上記第１電極と第２電極とが、上記第１電極表面」から「形成された」部分と前記「金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなる」点で共通している。
　
　　オ　そして、引用発明の「そのコンダクタンスが量子化されているポイントコンタクトを複数個配置したポイントコンタクト・アレー」は、「量子化され」た「コンダクタンス」を示す「高速でかつ低消費電力型の素子」であるから、本願発明の「量子化コンダクタンス素子」に相当する。
　
３−２　一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、以下の各点で一応、相違している。
　
《一致点》
「第１金属を含む化合物からなるイオン伝導層が被覆された上記第１金属からなる第１電極と、上記第１金属とは異なる第２金属からなる第２電極とを、上記イオン伝導層と上記第２電極とを近接させて配設すると共に、上記近接部において、上記第１電極と第２電極とが、上記第１電極表面から形成された部分と、面と上記第２電極表面との間に形成された上記第１金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなることを特徴とする量子化コンダクタンス素子。」
　
《相違点１》
　本願発明は、「イオン伝導層を貫通するように」形成された「上記第１金属からなるマクロ架橋部」を有するものの、引用発明の「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加すると、前記ポイントコンタクトとなる架橋は、量子化されたコンダクタンスを示」すときに、「第１電極」と「前記ポイントコンタクトとなる架橋」の間に存在する「混合導電体材料」が、本願発明でいう前記「マクロ架橋部」となっているかは不明である点。
　
《相違点２》
　本願発明の「金属ナノ架橋」は「上記マクロ架橋部の露呈面」と上記第２電極表面との間に形成されたのに対して、引用発明の「前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加する」と「量子化されたコンダクタンスを示」す、「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料上」に「前記第２電極に向かって」「形成され」ている点。
　
４　当審の判断
４−１　相違点１及び相違点２について
　　ア　引用発明の「ポイントコンタクトとなる架橋」は、「前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、前記混合導電体材料中を動くＡｇイオンが前記混合導電体材料から引き出されてＡｇ原子として析出し、各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって架橋が形成されるという現象を利用して形成されるもの」である。
　したがって、引用発明の「ポイントコンタクト」の形成は、「適当な負電圧」が「印加」されると、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中を「電流」が流れ、「前記混合導電体材料」の「中」を「Ａｇイオン」が動くことで、当該動いた「Ａｇイオン」が「前記混合導電体材料上」に「引き出されて」「Ａｇ原子」として「析出」することでなされると認められる。
　
　　イ　ところで、「Ａｇ」等の金属イオンが分散している媒体中を電子が移動すると、この電子を捕捉した銀イオン等の金属イオンが還元されて金属となることは、技術常識である。
　この点について、本願明細書の段落【００３４】にも、
「次に、イオン伝導層１３と第２電極１２との近接部に第１電極１１から第２電極１２に向かう負の電圧を、好ましくは０．１〜０．８Ｖ程度で印加し、この電圧の印加により、第２電極１２から第１電極１１に向かう電子の流れが発生し、これによりイオン伝導層１３の第２電極１２との近接部において第１金属のイオン（カチオン）が還元されて、図４（Ｂ）に示されるように、第１電極１１と第２電極１２との間に第１金属からなる導電路５０が形成される。この導電路５０はイオン伝導層１３と第２電極１２との近接状態に依存して本発明の金属ナノ架橋に比べてかなり大きく形成されるため、この操作だけでは金属ナノ架橋とはならない。」、と記載されている。
　
　　ウ　さて、引用発明の「前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加する」ことによる「ポイントコンタクトとなる前記架橋」の「形成」時には、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中を「電流」が流れる以上、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中を前記「電流」と逆向きに電子が流れていると認められる。
　また、「前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加」された「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、「その読み出しのために前記第２電極を１０ｍＶに設定して当該第２電極に流れる電流を測定する」ことができるから、「前記第２電極を１０ｍＶに設定し」たときも、「前記混合導電体材料中」を「電流」が流れるものである。
　してみれば、引用発明において、「前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加する」ことにより「ポイントコンタクトとなる前記架橋」を「形成」する時には、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中を「電流」が流れ、言い換えると、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中を前記「電流」と逆向きに電子が流れるから、この電子が流れる「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中では「Ａｇイオン」が少なからず「Ａｇ」に還元されることは明らかである。
　そして、この電子が流れ、「Ａｇイオン」が少なからず「Ａｇ」に還元された、「前記混合導電体材料」の領域が、前記「その読み出しのため」に「前記第２電極」を「１０ｍＶ」という低電圧に「設定し」たときに、「前記混合導電体材料中」を「電流」が流れることに、少なくとも、寄与していると認められる。
　
　　エ　したがって、「前記ポイントコンタクトとなる前記架橋」が「形成され」た時点では、「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」中では、そこにあった「Ａｇイオン」が少なからず還元されて、前記「第１電極」の表面から「前記混合導電体材料」を貫通するように形成された導電路となっているものと、解される。
　
　　オ　なお、本願明細書の段落【００３４】には、「イオン伝導層１３と第２電極１２との近接部に第１電極１１から第２電極１２に向かう負の電圧を、好ましくは０．１〜０．８Ｖ程度で印加し」たという「操作だけでは金属ナノ架橋とはならない。」、と記載されている。
　一方、引用発明は、「前記第１電極に対して前記第２電極に適当な負電圧を印加すると、電圧と電流との効果により、前記混合導電体材料中を動くＡｇイオンが前記混合導電体材料から引き出されてＡｇ原子として析出し、各電極間の前記混合導電体材料上に前記第２電極に向かって架橋が形成されるという現象を利用」して「前記ポイントコンタクトとなる前記架橋」を「形成」するものである。そして、「前記ポイントコンタクトのコンダクタンスの制御のために、前記第２電極に５０ｍＶ、５ミリ秒の負または正のパルス電圧を印加する」と、「前記ポイントコンタクトのコンダクタンス」が「制御」されて、「量子化されたコンダクタンスを示」す「前記ポイントコンタクトとなる架橋」が得られるものである。
　
　　カ　以上のとおりであるから、引用発明の「ポイントコンタクト」、及び、当該「ポイントコンタクト」と「第１電極」である「Ａｇ線」との間に位置する「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」は、前記「第１電極」の表面から「前記混合導電体材料」を貫通するように形成された導電路となっているものと認められ、本願発明の「マクロ架橋部」に相当している。
　してみれば、引用発明の「前記ポイントコンタクトとなる架橋」は、本願発明の「マクロ架橋部」に相当する前記「前記第１電極と前記第２電極の交点における前記混合導電体材料」の露呈面上に形成されていると認められる。
　よって、相違点１及び相違点２は、いずれも、実質的な相異点ではなく、したがって、引用発明は、本願発明と相違するところがない。
　
４−２　審判請求人の主張について
　　ア　審判請求人は、審判請求書において、以下のように主張している。
ａ．「引用文献１記載のポイントコンタクト・アレーにおいて、その電極間のコンダクタンスが制御可能な電子素子（架橋）は、図２，６及び９に示されるとおり、混合導電体材料（Ａｇ２Ｓ）上に設けられており、可動イオン供給源である第１電極の金属線（Ａｇ電極）とは接していない。」
ｂ．「引用文献１記載の発明では、Ａｇ原子を混合導電体Ａｇ２Ｓから引き出すに足るだけの負の電圧を印加することが示唆されているだけであるから、段落［００３１］の記載からは、混合導電体Ａｇ２Ｓから負の電圧によりＡｇ原子を引き出し、更に、正の電圧によりＡｇ原子を混合導電体Ａｇ２Ｓに戻すことが想起されるだけである。つまり、引用文献１記載の発明の場合は、金属線から混合導電体にＡｇ原子の移動はあり得るとしても、金属からなるマクロ架橋部を形成することはなく、混合導電体を介したＡｇ原子の移動が示されているだけである。」
ｃ．「更に、引用文献１記載の負の電圧の印加は、初期電極間抵抗１００ｋΩに対して、電圧１００ｍＶを印加するものである……引用文献１記載の負の電圧の印加において、より低抵抗において高電圧（即ち、高電力）を印加する動機付けがない。」
　
　　イ　しかしながら、上記ａ及びｂの主張については、「４−１　相違点１及び相違点２について」のア〜カで記載したとおりである。
　また、上記ｃの主張については、本願の特許請求の範囲の記載に基づくものではなく、この主張は当を得ていない。
　
　　ウ　なお、審判請求人は、平成２４年２月６日に提出された回答書において、上記ａ〜ｃの主張のほかに、以下のように主張している。
ｄ．「引用文献１の第４実施例は、本願発明のマクロ架橋部を示唆することはなく、引用文献１の第４実施例では、量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋すら形成されていない。」
　
　　エ　しかしながら、引用発明は、「２−１　引用刊行物の記載」で摘記したように、引用例において、「そのコンダクタンスが量子化されているポイントコンタクトを複数個配置したポイントコンタクト・アレー」について記載された部分を基礎として認定したものであり、上記ｄの主張は当を得ていない。
　
４−３　小括
　以上の検討から、本願発明は、引用例に記載された発明であると認められる。
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。