【事件の表示】
　特願２００７−２２３５８８「ポリシリコン成形体の汚染および破壊のない試験法および欠陥のないポリシリコン成形体」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　３月１３日出願公開、特開２００８−　５８３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１９年８月３０日を出願日（パリ条約による優先権主張２００６年８月３０日，ドイツ）とするものであり，平成２２年８月６日付けで拒絶査定がされ，これに対し同年１２月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がされたものである。
  　
第２　平成２２年１２月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
１　補正却下の決定の結論
　　平成２２年１２月１３日付けの手続補正を却下する。
  　
２　理由
（１）本願補正発明
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１を，特許請求の範囲の請求項１として，「ジーメンス反応器中で珪素含有ガスまたは珪素含有ガス混合物の熱分解およびＣＶＤ堆積により製造された，３ｍｍ〜３００ｍｍの直径および１０ｍｍ〜４５００ｍｍの測定長さを有するポリシリコン成形体の材料欠陥を汚染がなく，破壊がなく試験する方法において，ポリシリコン成形体に超音波を照射し，その際，気泡のない水を使用して超音波の結合を噴射水技術により行い，この場合，
水は，７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含であり
　
（２）補正要件（限定的減縮）について
　上記請求項１についての補正は，補正前の「水が完全脱塩されており」を「水は，７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含であり」とするものであり，「水」の「完全脱塩」の程度を「７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含」と限定するものといえるから，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，上記請求項１に係る発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
  
（３）独立特許要件（進歩性）について
　
　ア　刊行物１およびその記載事項
　本願の優先日前に頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である，特開２００４−１４９３２４号公報（以下，「刊行物１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（以下，下線は当審において付記したものである）。 
  　
　（ア−１）「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，シリコン単結晶の製造原料に適した多結晶シリコンロッド
【０００２】【従来の技術】従来より，半導体デバイスの素材であるシリコン単結晶は，工業的にはもっぱらＣＺ法により製造されている。ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造では，まず石英ルツボ内で塊状の多結晶シリコンを加熱溶融してシリコンの原料融液を形成する。次いで，その原料融液にシリコンの種結晶を漬け，これを回転させながら引き上げることにより種結晶の下方にロッド状のシリコン単結晶を育成する。
【０００３】
ここにおけるシリコン単結晶の製造原料としては，シーメンス法により製造された多結晶シリコンがもっぱら使用されている
　
　（ア−２）「【０００８】
シーメンス法で製造された多結晶シリコンロッド
多結晶シリコンロッドに歪みや，微小な傷，鬆（す）と呼ばれる空洞などがあると，これらが起点になって割れが生じ破断に至るのである
　
　（ア−３）「【００１４】本発明の目的は，熱処理によらずにリチャージでの割れを防止できる多結晶シリコンロッド及びその製造方法を提供することにある。本発明の別の目的は，その多結晶シリコンロッドの製造に使用されることにより，熱処理によらずにリチャージでの割れを防止できるシリコン芯材を提供することにある。
【００１５】【課題を解決するための手段】本発明者らは，以前より，
シーメンス法で製造される多結晶シリコンロッドに多発する鬆（す）と呼ばれる欠陥に着目
この空洞状の欠陥３は，超音波探傷法により非破壊的に検査することができる
検体に超音波を照射し，その反射により欠陥の位置と大きさを測定する方法であり，多結晶シリコンロッド１に適用することにより，鬆（す）と呼ばれる空洞状の欠陥３の位置及び大きさを非破壊的に検査することができる
【００１６】本発明者らは，リチャージにおける多結晶シリコンロッド１の割れが，必ずしも内部残留応力に依存しない傾向があることから，その割れの一因をロッド内部の物理的な欠陥，とりわけ鬆（す）と呼ばれる空洞状の欠陥３に求め，
欠陥３の分布状況を超音波探傷法により直径１３０ｍｍ×長さ１０００ｍｍの製品について詳細に調査した
　
　（ア−４）「【００２９】
シーメンス法による多結晶シリコンの製造
【００３０】炉底部上にセットされた所定本数のシリコン芯材２は，２本を１組としてブリッジ１０により門型に組み合わされ，電極６を介して電源７と接続される。
【００３１】シリコン芯材２のセットが終わると，反応炉５を閉じ，炉内を真空引きする。その後，水素ガス或いは不活性ガスにより炉内を加圧置換する。炉内の雰囲気置換が終わると，炉内にセットされた所定本数のシリコン芯材２を同時に通電加熱する。この状態で，クロルシ
ラン類と水素の混合ガスを原料ガスとして炉内に供給する。これにより，シリコン芯材２の表面へのシリコン結晶の析出が開始される。
【００３２】析出シリコンが所定量に達し，シリコン芯材２が所定径まで成長すると，炉内への原料ガスの供給を停止する。また，電極６への通電を停止する。このようにして，円柱形状の多結晶シリコンロッド製品が製造される。図７中の８は原料ガスを炉内に供給するガス供給管，９は反応に使用された後のガスを炉外へ排出するガス排出管である。原料ガス中のクロルシラン類は，ＳｉＣｌ４  （四塩化珪素），ＳｉＨＣｌ３  （トリクロロシラン），ＳｉＨ２  Ｃｌ２  （ジクロロシラン），ＳｉＨ３  Ｃｌ（モノクロロシラン）をいい，これらを単独又は混合で使用することができる。」
　
　（ア−５）「【００３９】
製造された各１００本の多結晶シリコンロッドに対して，超音波探傷法により鬆（す）についての欠陥検査を実施した
　
　イ　対比・判断　　
　刊行物１の記載事項（ア−１）〜（ア−５）を総合すると，刊行物１には，次の発明が記載されているものと認められる。
　
「シーメンス法で製造される多結晶シリコンロッド１に生じる鬆と呼ばれる空洞状の欠陥３の検査方法であり，直径１３０ｍｍ×長さ１０００ｍｍの円柱形状の多結晶シリコンロッド１に超音波を照射し，その反射により空洞状の欠陥３の位置及び大きさを非破壊的に検査する検査方法。」（以下，「刊行物１発明」という。）
　
　そこで，以下に本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
　
　（ア）本願補正発明の「ポリシリコン成形体」とは，発明の詳細な説明における「【０００１】本発明は
高純度多結晶シリコンの破壊のない材料試験法
ポリシリコンと記載する高純度多結晶シリコン
多結晶シリコン成形体
多結晶シリコン成形体
ポリシリコン成形体
ポリシリコン
　さらに，本願補正発明の「ポリシリコン成形体」は，直径を有するさまざまな形状のものを含むものといえ，発明の詳細な説明における「【００３６】本発明の方法により
円筒形
ポリシリコン成形体
　また，シーメンス法が，シーメンス反応器中で珪素を含有したガスの熱分解およびＣＶＤ堆積によって結晶を製造する手法であることは，特開２００６−３６６２８号公報における「【０００２】従来の
高純度多結晶シリコンの製造方法
シーメンス法
原料ガスを熱分解あるいは水素還元して析着・成長させ，多結晶シリコンを製造するもの
原料シランガスは高度に精製した式ＣｌnＳｉＨ4-n（ｎ＝０から４の整数）
シーメンス法
原料ガスを高温下で熱分解または水素還元して得られるシリコン
半導体級多結晶シリコン（ＳＥＧ・Ｓｉ）
ポリシリコン生産方法
化学的蒸着（ＣＶＤ）リアクタ内でポリシリコンを蒸着することによる方法があり，シーメンス法
ＣＶＤリアクタ内で蒸着
　そうすると，刊行物１発明の「シーメンス法で製造される多結晶シリコンロッド」であり「直径１３０ｍｍ×長さ１０００ｍｍの円柱形状の多結晶シリコンロッド」と，本願補正発明の「ジーメンス反応器中で珪素含有ガスまたは珪素含有ガス混合物の熱分解およびＣＶＤ堆積により製造された，３ｍｍ〜３００ｍｍの直径および１０ｍｍ〜４５００ｍｍの測定長さを有するポリシリコン成形体」とは，「ジーメンス反応器中で珪素含有ガスまたは珪素含有ガス混合物の熱分解およびＣＶＤ堆積により製造された，１３０ｍｍの直径および１０００ｍｍの測定長さを有するポリシリコン成形体」である点で一致する。
　
　（イ）本願補正発明の「ポリシリコン成形体の材料欠陥」に関して，発明の詳細な説明には「【０００８】・・・多結晶シリコン中で超音波が直線的に拡大するが，
界面
材料欠陥（例えば亀裂，空洞，または穴）
反射する
材料欠陥の主要拡大が超音波の拡大方向に垂直にポリシリコン中に延びる場合に，材料欠陥が最もよく位置を測定できる
材料欠陥
　また，本願補正発明において，「ポリシリコン成形体」を「破壊」なく「試験」するための具体的な手法は特定されていない。上記の「破壊」についての具体的な説明は，発明の詳細な説明に背景技術として「【０００３】・・・このために一般に音響試験とも呼ばれる
音響的共鳴分析
ハンマーでたたくことにより外部から刺激
損傷
剥離
破壊
　そうすると，刊行物１発明の「超音波」を用いた「多結晶シリコンロッドに生じる鬆と呼ばれる空洞状の欠陥」を「非破壊的に検査する検査方法」と，本願補正発明の「ポリシリコン成形体の材料欠陥を汚染がなく，破壊がなく試験する方法」とは，「ポリシリコン成形体の材料欠陥を破壊がなく試験する方法」である点で共通する。
　
　（ウ）刊行物１発明の「多結晶シリコンロッド１に超音波を照射」する工程と，本願補正発明の「ポリシリコン成形体に超音波を照射し，その際，気泡のない水を使用して超音波の結合を噴射水技術により行い，この場合，水は，７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含」である工程とは，「ポリシリコン成形体に超音波を照射」する工程である点で共通する。
　　
　（エ）本願補正発明における，超音波受信器により記録される「ポリシリコン成形体の通過後」の超音波が，ポリシリコン成形体内部で反射された超音波を意味するものであることは，発明の詳細な説明の「【００１０】
超音波透過法
欠陥の深部測定はこの方法では不可能
本発明により有利に以下に記載されるインパルス・エコー法を使用する
インパルス・エコー法において
完全にまたは部分的に反射後，同じ超音波ヘッドにより記録され
材料欠陥の深部測定が可能である
反射された超音波の信号評価
反射された信号を受け取る
　また，刊行物１発明は，反射された超音波を受信器により記録する工程を当然に有するものといえる。
　そうすると，刊行物１発明の「その反射により空洞状の欠陥３の位置及び大きさを非破壊的に検査する検査方法」と，本願補正発明の「超音波をポリシリコン成形体の通過後に超音波受信器により記録し，こうしてポリシリコン中の材料欠陥を検出することを特徴とするポリシリコン成形体の材料欠陥を汚染がなく，破壊がなく試験する方法」とは，「超音波をポリシリコン成形体の通過後に超音波受信器により記録し，こうしてポリシリコン中の材料欠陥を検出することを特徴とするポリシリコン成形体の材料欠陥を破壊がなく試験する方法」である点で共通する。
　
　以上より，本願補正発明と刊行物１発明とは，
「ジーメンス反応器中で珪素含有ガスまたは珪素含有ガス混合物の熱分解およびＣＶＤ堆積により製造された，１３０ｍｍの直径および１０００ｍｍの測定長さを有するポリシリコン成形体の材料欠陥を破壊がなく試験する方法において，ポリシリコン成形体に超音波を照射し，超音波をポリシリコン成形体の通過後に超音波受信器により記録し，こうしてポリシリコン中の材料欠陥を検出することを特徴とするポリシリコン成形体の材料欠陥を破壊がなく試験する方法」である点において一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）「ポリシリコン成形体」の大きさについて，本願補正発明においては，「３ｍｍ〜３００ｍｍの直径および１０ｍｍ〜４５００ｍｍの測定長さ」と数値範囲が特定されるのに対して，刊行物１発明においては「直径１３０ｍｍ×長さ１０００ｍｍ」とされる点。
　
（相違点２）「ポリシリコン成形体」を「試験する方法」が，本願補正発明においては「汚染がなく，破壊がなく試験する方法」と特定されるのに対して，刊行物１発明においては「汚染がなく」試験することについては特定されていない点。
　
（相違点３）「ポリシリコン成形体に超音波を照射」する工程が，本願補正発明においては「気泡のない水を使用して超音波の結合を噴射水技術により行い，この場合，水は，７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含」であるのに対して，刊行物１発明においては，このような特定がされていない点。
　
　以下，上記相違点について検討する。相違点２および３は関連するものであるので，まとめて検討する。
　
（相違点１について）
　刊行物１発明である検査方法は，様々な形状の多結晶シリコンロッドに対して適用可能であるといえ，３ｍｍ〜３００ｍｍの直径および１０ｍｍ〜４５００ｍｍの測定長さを有するものに対して適用することも，当業者が適宜行い得ることである。
　
（相違点２および相違点３について）
　刊行物１発明は，被検査体である多結晶シリコンロッド表面における音響結合方法を具体的に特定するものではないが，超音波検査に際して，検査精度の観点および超音波の特性から，被検査体表面における音響結合を考慮することは当業者が当然に行うことである。そして，そのための手法として，噴射水を介して音響結合を図る手法，および，被検査体を水中に浸漬配置して音響結合を図る手法は，下記文献における記載事項のとおり本願優先日前における周知技術である。
　特開２００５−７７１９６号公報の【請求項１】，【００２４】，【００２５】，【００２６】には「被測定物の寸法測定や内部欠陥の探傷を非接触で行う超音波式測定装置において，被測定物の超音波送受信部に対向した表面に向けて斜めに水を噴射するノズルを備え，噴射水を用いて水柱を形成し，超音波を水柱中に伝播させること，またその際，水柱内に気泡が混入するのを防止すること」が記載され，特開平２−１８４７５２公報の特許請求の範囲，３頁右下欄９行〜４頁左上欄７行，４頁左下欄４〜６行には「細長い丸管または丸棒の如き検査対象物体の溶接部等の超音波検査装置において，探触子側から検査対象の物体の方に超音波伝達液を噴射するノズルを用いることにより，ノズル３９のノズル口３９ａから噴射される水５０で探触子２４の超音波射出部と探傷する溶接部の間を満たすこと，また噴出する超音波伝達液内に気泡が発生しても，液流で直ちに除去されるので，気泡による探傷検査への妨害も最少にすることができること」が記載され，特公平７−１０４４３０号公報報の３欄１１〜１５行，５欄４８行〜６欄２８行には「棒状及び管材等の溶接部超音波探傷検査において，被検材１２が配置される内装水槽２７に循環水を注水すること，循環水はフィルタ４及び純水製造装置５で一定水準の水に浄化し，また脱気すること」が記載されている。
　さらに，上記文献に記載されているとおり，音響結合に用いる水として，気泡がなく，浮遊物を含まないより純水に近いものを選択することは，検査精度の観点から当業者であれば当然に考慮することである。
　また，上記純水の純度などの特性は，検査条件に応じて最適化されるものといえるが，純水の特性として「７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗」が格別なものではないことは，例えば，特開平１１−１２８９２４号公報の【０００１】，【００１３】，【００１４】に「半導体製造などの電子産業分野，医薬用水関連分野などで用いられる，ホウ素濃度を大幅に低減し，比抵抗を高めた純水又は超純水の製造に適した純水製造装置」において「混床型イオン交換装置を通過して得られた純水の水質」として「ｐＨ７．０２，比抵抗１７．８６ＭΩ・ｃｍ」のものが例示されるとおりである。
　
  また，本願補正発明において，「ポリシリコン成形体」を「汚染」なく「試験」するための具体的な手法は特定されていない。これに関して，発明の詳細な説明には，背景技術として「【０００３】・・・このために一般に音響試験とも呼ばれる
音響的共鳴分
接触し，汚染され，引き続く洗浄工程が強制的に必要である
汚れ粒子を負荷
ポリシリコン成形体の汚染を生じ，引き続く洗浄工程が強制的に必要になる
結合剤媒体として飲料水を使用
試験された材料を引き続き更に洗浄しなければならない
気泡のない，完全脱塩水を使用して超音波結合を行う
結合剤媒体として完全脱塩水（ｐＨ７．０以下，抵抗＝１８メガオーム，浮遊物質不含）を使用した試験の後
完全脱塩水の使用によりポリシリコン成形体の付加的な後洗浄を節約できる
　さらに，超音波検査において用いる音響結合材として，検査後の洗浄が不要となるような材を選択することも，特開平５−１４２２１５号公報に「【００１６】
接触媒質
洗浄
媒質を水に置換える
洗浄）が不要
　そうすると，刊行物１発明において，音響結合のために周知の手法である噴射水技術を用いるよう想到すること，その際，気泡のない水であり，７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含の水を用いることは，当業者であれば容易になし得ることである。そしてこれにより，多結晶シリコンロッドの非破壊検査が，実質的に汚染のない状態で実現可能となることは明らかである。
　
（本願補正発明の効果について）  
　本願補正発明の有する効果は，刊行物１の記載事項および周知技術から当業者が予測できる範囲のものであり，格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって，本願補正発明は，刊行物１発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明は特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお，請求人は審判請求書において，浸漬技術と噴射水技術において得られた測定データを提示して，両者における信号強度値を比較することにより，浸漬技術に比べた噴射水技術の利点を主張している。しかしながら，本願明細書には，「【００２１】
超音波結合は噴射水技術または浸漬技術で行うことができる
噴射水技術
気泡がなく結合する
浸漬技術
気泡がなく結合する
　さらに，請求人は審尋に対する回答書において，引用文献に記載された「純水」と本願発明１の「完全脱塩水，即ち７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含である水」とは，技術的意義の上で明確に区別できると主張している。しかしながら上記「（相違点２および相違点３について）」で検討したとおり，音響結合材として試験条件に適した特性のものを選択することは，当業者が適宜行うことであり，より純度の高い水を選択することも，検査精度の観点から当業者であれば当然に行うことである。
　
（４）小括
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
第３　本願発明について
　平成２２年１２月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので，本願の請求項１ないし９に係る発明は，平成２２年７月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
  　
「ジーメンス反応器中で珪素含有ガスまたは珪素含有ガス混合物の熱分解およびＣＶＤ堆積により製造された，３ｍｍ〜３００ｍｍの直径および１０ｍｍ〜４５００ｍｍの測定長さを有するポリシリコン成形体の材料欠陥を汚染がなく，破壊がなく試験する方法において，ポリシリコン成形体に超音波を照射し，その際，気泡のない水を使用して超音波の結合を噴射水技術により行い，この場合，水が完全脱塩されており，超音波をポリシリコン成形体の通過後に超音波受信器により記録し，こうしてポリシリコン中の材料欠陥を検出することを特徴とするポリシリコン成形体の材料欠陥を汚染がなく，破壊がなく試験する方法。」
　　
１　刊行物およびその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である刊行物１の記載事項は，前記「第２　２（３）」に記載したとおりである。　
  　
２　対比・判断
　本願発明は，前記「第２　２（３）」で検討した本願補正発明における「水」の「完全脱塩」の程度についての「７．０以下のｐＨおよび０．５メガオーム以上の抵抗を有し，浮遊物質不含であり」との限定事項を省くものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加し限定したたものに相当する本願補正発明が，前記「第２　２（３）」にて述べたとおり，刊行物１発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，刊行物１発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
３　むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１発明および周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その他の請求項に係る発明についての判断を示すまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　　
　よって，結論のとおり審決する。