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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月23日(2006.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極触媒層からなる膜電極接合体において、前記電極触媒層が、電極触媒を２０〜４０体積％、プロトン伝導性高分子を２０〜４０体積％含み、かつ多孔度が少なくとも約３０体積％である膜電極接合体。
【請求項２】
前記電極触媒層の平均層厚が５０μｍ以下である、請求項１に記載の膜電極接合体。
【請求項３】
前記電極触媒層の平均層厚が約２５μｍ以下である、請求項１に記載の膜電極接合体。
【請求項４】
体積％多孔度の少なくとも６０％が、凝集体相互間の多孔度に由来する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項５】
前記電極触媒層は、担体相上に分散されている活性種相から構成される電極触媒粒子を含む請求項１乃至４のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項６】
前記電極触媒粒子は約２０ｎｍ以下である平均内孔径を有する請求項５に記載の膜電極接合体。
【請求項７】
前記電極触媒粒子は約１５ｎｍ以下である平均内孔径を有する請求項５に記載の膜電極接合体。
【請求項８】
前記電極触媒粒子の開放多孔度が少なくとも約４０％である、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項９】
前記電極触媒粒子が、担体相上に分散されている活性種相を含み、該担体相が一次炭素担体粒子からなる、請求項５乃至８のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項１０】
前記活性種が白金を含む、請求項５乃至９のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項１１】
前記電極触媒粒子は、電極触媒前駆体組成物の懸濁液滴をガス中に懸濁させながら、該液滴を加熱することによって製造される、請求項５乃至１０のいずれか一項に記載の膜電極接合体。
【請求項１２】
前記加熱工程は、混合流噴霧乾燥器中にて前記懸濁液滴を加熱することを含む、請求項１１に記載の膜電極接合体。
【請求項１３】
前記加熱工程は、約４００℃以下の温度まで加熱することを含む、請求項１１又は１２に記載の膜電極接合体。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．１ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、外部加湿と共にほぼ一定流量で、前記カソードに純粋空気の供給ガスおよび前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧、少なくとも約１５０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、膜電極接合体の電池電圧が少なくとも約０．７Ｖである膜電極接合体。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．２ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、外部加湿と共にほぼ一定流量で、前記カソードに純粋空気の供給ガスおよび前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧、少なくとも約５５０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、膜電極接合体の電池電圧が少なくとも約０．６Ｖである膜電極接合体。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．４ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で、前記カソードに純粋空気の供給ガスおよび前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧、少なくとも約８００ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、膜電極接合体の電池電圧が少なくとも約０．５Ｖである膜電極接合体。
【請求項１７】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．５ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で、前記カソードに純粋空気の供給ガスおよび前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧、少なくとも約８００ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、膜電極接合体の電池電圧が少なくとも約０．５Ｖである膜電極接合体。
【請求項１８】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．１ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧で測定した場合、ΔＥ値が２００ｍＡ／ｃｍ２で約５０ｍＶ以下であり、４００ｍＡ／ｃｍ２で約１００ｍＶ以下であり、６００ｍＡ／ｃｍ２で約１７５ｍＶ以下である膜電極接合体。
【請求項１９】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．２ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧で測定した場合、ΔＥ値が２００ｍＡ／ｃｍ２で約５０ｍＶ以下であり、６００ｍＡ／ｃｍ２で約１００ｍＶ以下であり、１０００ｍＡ／ｃｍ２で約１７０ｍＶ以下である膜電極接合体。
【請求項２０】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．４ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧で測定した場合、ΔＥ値が２００ｍＡ／ｃｍ２で約５０ｍＶ以下であり、６００ｍＡ／ｃｍ２で約１００ｍＶ以下であり、１０００ｍＡ／ｃｍ２で約２５０ｍＶ以下である膜電極接合体。
【請求項２１】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の膜電極接合体において、前記膜電極接合体はカソードとアノードとを含み、前記カソードが、担持活性種使用量が約０．６ｍｇ／ｃｍ２以下の電極触媒層を含み、かつ外部加湿と共にほぼ一定流量で前記アノードに純粋水素の供給ガスを使用し、５０℃、大気圧で測定した場合、ΔＥ値が２００ｍＡ／ｃｍ２で約８０ｍＶ以下であり、６００ｍＡ／ｃｍ２で約１５０ｍＶ以下であり、１０００ｍＡ／ｃｍ２で約２００ｍＶ以下である膜電極接合体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
68Wより大きい電力で動作することが可能な電気ランプ／反射器ユニットであり、光軸を持つ凹状反射面を持つ反射部を含む反射体と、前記反射体と一体化している前記光軸のまわりの中空首状部とを有する電気ランプ／反射器ユニットであって、電気ランプが、
（ａ）光透過ランプ容器であって、幾何学中心を持つ所定の形状の、一般に球形又は楕円形の空洞を囲む石英ガラス壁部を有し、前記壁部に、少なくとも部分的に赤外線反射・可視光透過被覆が設けられ、前記空洞が実質的に線状の電気的光源を収容する光透過ランプ容器と、
（ｂ）前記壁部中に完全に埋め込まれ、前記電気的光源に接続される金属箔と、
（ｃ）互いに対向するように配設され、両方とも封止部を有する第１端部及び第２端部と、
（ｄ）埋め込まれる前記金属箔に接続される各々の電流導体であって、前記封止部を通って金属箔に接続され、前記ランプ容器から外部に出る各々の電流導体と、
（ｅ）前記ランプ封止部が通される、前記ランプ容器を保持する首状部内の位置決め金属部材と、
（ｆ）取付リングの下の、前記第１端部の前記封止部が通されるセラミックインサートとを有し、前記電気ランプが、前記第１端部が少なくとも部分的に前記首状部内に位置し、前記空洞が前記反射部内に位置し、前記電気的光源が大部分は前記光軸上に位置し、前記セラミックインサートが前記ランプの動作中前記第１端部から熱を放散させるのに効果的であるように前記反射体内に配設される電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項２】
前記電気ランプが少なくとも最低限のEPACTのエフィカシ規格を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項３】
前記電気ランプが、約1750時間において元の値の90％より高い光出力を供給する一方で少なくとも約3000時間のメジアン寿命を呈することを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項４】
前記第１端部電流導体が前記第１端部の前記金属箔に接続される接続箇所が、前記幾何学中心から距離dcI離れたところにあり、前記第１端部が、前記幾何学中心から測定して長さlepIを持ち、前記第２端部電流導体が前記第２端部の前記金属箔に接続される接続箇所が、前記幾何学中心から距離dcII離れたところにあり、前記第２端部が、前記幾何学中心から測定して長さlepIIを持ち、距離dcI、dcIIと各々の長さlepI、lepIIの比が、dcI/lepI>0.75且つdcII/lepII>0.75であることを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項５】
前記セラミックインサートが、前記ランプ容器が通る穴を中央に持ち、ガラス反射器の内側部分にきつく嵌まることを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項６】
前記反射体がレンズによって閉じられることを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項７】
前記ランプ容器の前記空洞が、楕円形をしており、赤外線反射・可視光透過被覆を具備することを特徴とする請求項６に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項８】
螺旋状の線状白熱体が前記空洞内に配設され、前記白熱体によって生成される赤外光の形態の熱が該白熱体に反射し戻されることを特徴とする請求項７に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項９】
前記第２端部電流導体が、前記第２端部から突き出て、第２電気伝導接続部を介して前記反射体の前記首状部に案内され、前記第１端部電流導体が同様に第１電気伝導接続部に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１０】
前記電気伝導接続部が少なくとも部分的にニッケル又はステンレス鋼の接点部材から作成されることを特徴とする請求項９に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１１】
前記被覆が多層干渉フィルタを有することを特徴とする請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１２】
前記被覆が４７層からなるNb2O5/SiO2の赤外線反射干渉フィルタであることを特徴とする請求項１１に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１３】
電気伝導接続部を備える前記ランプ容器が、前記第２電気伝導接続部及び前記第１電気伝導接続部が前記セラミックインサートの穴を通るように前記位置決め金属部材及び該セラミックインサートを通ることを特徴とする請求項９に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１４】
前記接続部が前記セラミックインサートからアイレットの外に出ることを特徴とする請求項１３に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１５】
前記アイレットが、スカート状口金に取り付けられるヒューズワイヤ及びニッケルワイヤとの接続を達成することを特徴とする請求項１４に記載の電気ランプ／反射器ユニット。
【請求項１６】
請求項１に記載の電気ランプ／反射器ユニット用の電気ランプ。
【請求項１７】
PAR38ランプ及びランプ反射器のユニット用のランプであって、前記ランプが、請求項１に記載の電気ランプを有し、前記電気ランプが、68Wより大きい電力のハロゲンランプであり、該ハロゲンランプによって生成される赤外線エネルギを該ハロゲンランプのフィラメントに反射し戻す赤外線フィルムで被覆され、前記ハロゲンランプが、効率向上を達成すること、最低限のEPACTのエフィカシ規格を満たす若しくは上回ること、又は約1750時間において元の値の90％より高い光出力を持ち、少なくとも約3000時間のメジアン寿命を呈すること、のうちの少なくとも１つのために構成されるランプ。
【請求項１８】
PAR38ランプ及びランプ反射器のユニット用のランプであって、前記ランプが、請求項１に記載の電気ランプを有し、前記電気ランプが、イオン化可能なガス中の電極対を有し、前記電気ランプが、68Wより大きい電力で動作し、該電気ランプによって生成される赤外線エネルギを前記電極対の間の空間に反射し戻す赤外線フィルムで被覆され、前記電気ランプが、効率向上を達成すること、最低限のEPACTのエフィカシ規格を満たす若しくは上回ること、又は約1750時間において元の値の90％より高い光出力を持ち、少なくとも約3000時間のメジアン寿命を呈すること、のうちの少なくとも１つのために構成されるランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個人用コンテンツアイテムを作る方法であって、
パーソナルメディアアイテムをコンテンツアイテムに組み込むステップを有し、
前記コンテンツアイテムを記述する第１の識別子と、前記パーソナルメディアアイテムを記述する第２の記述子とを比較するステップと、
前記第１と前記第２の記述子との間に関係が存在する場合に、前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むステップと
を更に有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むステップは、個人写真を前記コンテンツアイテムに組み込むことを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
更なるステップは、少なくとも１つの前記記述子を使用することによりテキストを構成し、前記テキストを前記コンテンツアイテムに組み込むことを有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むステップは、前記パーソナルメディアアイテムをコマーシャルに組み込むことを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むステップは、前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムの印のある部分に組み込むことを有することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むステップは、前記パーソナルメディアアイテムを以下の位置：前記コンテンツアイテムの最初のフレームの前と、最後のフレームの後とのうち少なくとも１つに挿入することを有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
更なるステップは、コンテンツ分析を使用して少なくとも１つの前記記述子を生成することを有することを特徴とする方法。
【請求項８】
個人用コンテンツを作る電子装置であって、
第１の記述子により記述されたコンテンツアイテムを有する信号を受信可能な受信機と、
第２の記述子により記述されたパーソナルメディアアイテムを有するパーソナルメディアのコレクションを格納する第１の記憶手段とインタフェース接続する第１のインタフェースと、
前記第１の記憶手段から前記パーソナルメディアアイテムを取り出し、前記第１の識別子と前記第２の識別子とを比較し、前記第１と前記第２の識別子との間に関係が存在する場合に、前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むために前記第１のインタフェースを使用することができるコントロールユニットと
を有する電子装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電子装置であって、
第２の記述子のコレクションを格納する第２の格納手段とインタフェース接続する第２のインタフェースを更に有し、
前記コントロールユニットは、前記第２の記憶手段から前記第２の記述子を取り出すために前記第２のインタフェースを使用することができることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子装置であって、
前記コントロールユニットは、コンテンツ分析を使用して少なくとも１つの前記記述子を生成することが可能な電子装置。
【請求項１１】
個人用コンテンツを作るシステムであって、
コンテンツアイテムを記述する第１の記述子を、前記コンテンツアイテムを有する信号に挿入し、前記信号を送信することができる構成要素と、
第２の記述子により記述されたパーソナルメディアアイテムを有するパーソナルメディアのコレクションを格納することができる構成要素と、
前記信号を受信し、前記第１の記述子と前記第２の記述子とを比較し、前記第１と前記第２の記述子との間に関係が存在する場合に、前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込むことができる構成要素と
を有するシステム。
【請求項１２】
個人用コンテンツを作るコンピュータプログラムであって、
コンテンツアイテムを記述する第１の記述子と、パーソナルメディアアイテムを記述する第２の記述子とを比較し、
前記第１と前記第２の記述子との間に関係が存在する場合に、前記パーソナルメディアアイテムを前記コンテンツアイテムに組み込む機能を有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変データ・レート信号の上限データ・レートを判定する方法であって、
第１に、可変データ・レート信号から構築された第１の部分シンボルの第１の数の特性を、前記第１の数に対応する第１の閾値と比較し、第１の比較結果を提供する工程であって、該第1の数はフレーム中のすべての第1の部分シンボルよりも少ないことと、
前記第１の比較結果が好適である時は、第１のデータ・レートで該可変データ・レート信号を処理する工程と、
第２に、前記第１の数の前記第１の部分シンボルの前記特性を、前記第１の数に対応する第２の閾値と比較して、第２の比較結果を提供する工程と、
前記第２の比較結果が好適である時、前記第１の部分シンボルを合成して、前記第１のデータ・レートよりも小さい第２のデータ・レートにおける第２の部分シンボルを提供する工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記第１の比較結果と前記第２の比較結果が好適でない時、前記第１の数を第２の数の前記第１の部分シンボルに増加し、前記第１の比較、前記処理、前記第２の比較、および前記合成の工程を反復する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の比較結果が好適である時、
第１に、前記可変データ・レート信号から構築された第２の数の前記第２の部分シンボルの特性を、前記第２の数に対応する第３の閾値と比較して、第３の比較結果を提供し、
前記第３の比較結果が好適である時、前記第２のデータ・レートで前記可変データ・レート信号を処理し、
第２に、前記第２の数の前記第２の部分シンボルの前記特性を、前記第２の数に対応する第４の閾値と比較して第４の比較結果を提供し、
前記第４の比較結果が好適である時、前記第２の部分シンボルを合成して、前記第２のデータ・レートより小さい第３のデータ・レートにおける第３の部分シンボルを提供する
ように請求項１の工程を反復する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の特性を比較する第１の比較工程はさらに、前記第１の数の前記第１の部分シンボルのエネルギーに比例する特性を比較する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記特性を前記第２の閾値と比較する第２の比較工程は、前記可変データ・レート信号が前記第１のデータ・レートを含まないことを所定の信頼度で確定する閾値と前記特性を比較する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
可変データ・レート信号の上限データ・レートを判定するように配列および構築された集積回路であって、
該可変データ・レート信号から構築された第１の数の第１の部分シンボルを待ち行列に入れるバッファと、
前記第１の部分シンボルの前記第１の数の特性を、前記第１の数に対応する第１の閾値と比較して、第１の比較結果を提供し、該第1の数はフレーム中のすべての第1の部分シンボルよりも少ないことと、さらに、前記第１の部分シンボルの第１の数の特性を、前記第１の数に対応する第２の閾値と比較して、第２の比較結果を提供する比較器と、
前記バッファは、前記第１の比較結果が好適であると、第１のデータ・レートで該可変データ・レート信号をさらに処理するためのシンボルとして該第１の部分シンボルを提供することと、
前記第２の比較結果が好適である時、前記第１の部分シンボルを合成して、前記第１のデータ・レートより小さい第２のデータ・レートにおける第２の部分シンボルを提供するコンバイナと、
の組合せからなる集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロックされたクロックを用いて処理されるビデオ信号とオーディオ信号との間の同期を維持するシステムにおいて、
初期オーディオ入力バッファ・レベルを判定するコンポーネントと、
前記初期オーディオ入力バッファ・レベルにおけるドリフト量を判定し、前記ドリフト量が第１の所定の閾値に達している場合に前記クロックを調整することによって、前記初期オーディ入力バッファ・レベルを維持するコンポーネントと、
前記クロックの調整に応じて前記オーディオ信号に関連付けられたビデオ信号の変位を測定し、前記測定された変位が第２の所定の閾値に達している場合に前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作するコンポーネントと、
からなる、前記システム。
【請求項２】
前記初期オーディオ入力バッファ・レベルが、メモリに記憶される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記ドリフト量が前記第１の所定の閾値に達している場合、クロック・リカバリー制御が無効になる、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記オーディオ信号および前記ビデオ信号が、ＭＰＥＧ信号からなる、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作するコンポーネントは、前記初期入力バッファ・レベルの前記測定を再度初期化することによって前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作する、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作するコンポーネントは、前記ビデオ信号のフレームをドロップすることによって前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作する、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の所定の閾値が、約＋／−１０ｍｓである、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記第２の所定の閾値が、約＋／−２５ｍｓである、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記システムが、テレビジョン・セットの部分である、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記テレビジョン・セットが、高品位テレビジョン・セットである、請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
ロックされたクロックを用いて処理されるビデオ信号とオーディオ信号との間の同期を維持するシステムにおいて、
初期オーディオ入力バッファ・レベルを判定する手段と、
前記初期オーディオ入力バッファ・レベルにおけるドリフト量を判定する手段と、
前記ドリフト量が第１の所定の閾値に達している場合に前記クロックを調整することによって、前記初期オーディ入力バッファ・レベルを維持する手段と、
前記クロックの調整に応じて前記オーディオ信号に関連付けられたビデオ信号の変位を測定する手段と、
前記測定された変位が第２の所定の閾値に達している場合に前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消す手段と、
からなる、前記システム。
【請求項１２】
前記オーディオ信号および前記ビデオ信号が、ＭＰＥＧ信号からなる、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消す手段は、前記初期入力バッファ・レベルの前記測定を再度初期化することによって前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作する、請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消す手段は、前記ビデオ信号のフレームをドロップすることによって前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すように動作する、請求項１１記載のシステム。
【請求項１５】
ロックされたクロックを用いて処理されるビデオ信号とオーディオ信号との間の同期を維持する方法において、
初期オーディオ入力バッファ・レベルを判定するステップと、
前記初期オーディオ入力バッファ・レベルにおけるドリフト量を判定するステップと、
前記ドリフト量が第１の所定の閾値に達している場合に前記クロックを調整することによって、前記初期オーディ入力バッファ・レベルを維持するステップと、
前記クロックの調整に応じて前記オーディオ信号に関連付けられたビデオ信号の変位を測定するステップと、前記測定された変位が第２の所定の閾値に達している場合に前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すステップと、
からなる、前記方法。
【請求項１６】
前記初期オーディオ入力バッファ・レベルをメモリに記憶するステップを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記ドリフト量が前記第１の所定の閾値に達している場合、クロック・リカバリー制御を無効にするステップを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すステップが、前記初期オーディオ入力バッファ・レベルの前記測定を再度初期化するステップからなる、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記ビデオ信号の前記測定された変位を打ち消すステップが、前記ビデオ信号のフレームをドロップするステップからなる、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
上記各ステップが、記載された順番に実行される、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料の状態監視方法であって、
材料の少なくとも２つの特性について基準ベースラインを決定することと、
前記材料の少なくとも２つの特性を時間および／または温度にわたって監視することと、
前記の監視した特性を前記基準ベースラインと比較することと、
前記の監視した特性と基準ベースラインとの間の差が所定の値に達するか該所定の値を超える時に信号を開始することと、
を包含し、ここで、前記の監視した２つ以上の特性と基準ベースラインとの間の差が、前記材料の伸び、材料の組成の冶金的変化および材料の横断面積の減少のうちの1つ以上によって生じる、材料の状態監視方法。
【請求項２】
前記材料は発熱体に成形される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基準ベースラインは前記材料の状態の幾何学的モデルである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記監視した特性は前記材料の状態を表すものである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記特性の１つは前記材料の電気抵抗である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記特性の１つは電圧値である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記特性の１つは電流値である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記特性の１つは温度値である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記監視を所定の温度範囲にわたって実行する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記監視を２０℃から１４００℃の温度範囲にわたって実行する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記監視を前記材料が置かれた室を閉鎖することなしに実行する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記材料の特性の監視を前記材料の電気抵抗の測定によって実行する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記の監視した特性と基準ベースラインとの間の差は前記材料の伸びによって生じる請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記の監視した特性と基準ベースラインとの間の差は前記材料の組成の冶金的変化によって生じる請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記の監視した特性と基準ベースラインとの間の差は前記材料の横断面積の減少によって生じる請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記差が２つ以上の特性の変化によって生じ、ここで、どの特性の変化の度合いも、前記の監視したその他の特性の1つ以上の変化の度合いに等しくない請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記材料は、鉄約７２．２％、クロミウム約２２．０％およびアルミニウム約５．８％の合金からなるワイヤ発熱体である請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記所定の値は、前記材料の冶金的変化を示し、アルミニウム含有量が前記合金の３．０％より少なくなる変化を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記基準ベースラインと監視した特性とはグラフ表示に変換され、前記監視した特性と基準ベースラインとの間の比較は幾何学的比較である請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記差が所定値に達する時に前記信号が開始される請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記の開始された信号は決定部に送られる請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記の監視された特性の急激な変化に基づいて前記材料の劣化または破損を検出することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
発熱体の状態監視方法であって、
発熱体の１つの特性を基準ベースラインとして表す第１のグラフ表示を決定することと、
前記特性のグラフ変化の閾値レベルを設定することと、
間隔をおいた後の前記発熱体の材料の特性の状態を反映するデータを収集することと、
前記の収集したデータを第２のグラフ表示に変換することと、
前記第１のグラフ表示と第２のグラフ表示との間の差を前記グラフ変化の閾値レベルと比較することと、
前記差が前記閾値レベルに達するか該閾値レベルを超える時に決定部に信号を送ることと、
を包含し、ここで合金がアルミニウム約２．５％を含有する組成に達する時に信号が前記決定部に送られるように前記閾値レベルを設定する、発熱体の状態監視方法。
【請求項２４】
前記発熱体は、鉄約７２．２％、クロミウム約２２．０％およびアルミニウム約５．８％の初期合金組成を有する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記の収集したデータは前記発熱体の抵抗測定値を包含する請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記の比較を幾何学的比較として行う請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
材料の状態監視装置であって、
材料の初期組成を初期時点における基準ベースラインとして決定する手段と、
指定された時間間隔をおいた後の前記材料の後続組成を反映するデータを収集する手段と、
前記初期組成から前記後続組成までの間の変化の閾値レベルを設定する手段と、
前記時間間隔が過ぎた後の前記材料の組成変化を監視する手段と、
前記の監視した変化が前記閾値レベルに達したか該閾値レベルを超えた時に決定部に信号を送る手段と、
を包含する材料の状態監視装置。
【請求項２８】
前記初期組成を設定する手段が、鉄約７２．２％、クロミウム約２２．０％およびアルミニウム約５．８％を含有する材料に対する抵抗ベースラインを設定する請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記閾値レベルは、アルミニウム約２．５％を含有する前記材料の組成に対応するレベルを含有する請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記データを収集する手段はマイクロコントローラを包含する請求項２７に記載の装置。
【請求項３１】
前記データを収集する手段は発熱体の状態を感知する感知メカニズムを包含する請求項２７に記載の装置。
【請求項３２】
前記感知メカニズムは発熱体の電気的特性を感知する請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
前記設定する手段は、約２０℃から１４００℃までの温度範囲にわたって１．０から１．２７までの正規化された抵抗曲線に相当する閾値レベルを設定する請求項２７に記載の装置。
【請求項３４】
前記監視する手段はマイクロコントローラを包含する請求項２７に記載の装置。
【請求項３５】
更に、ひとたび、前記閾値レベルに達したかそれを超えた場合に前記信号を送る手段に応答する決定部を包含する請求項２７に記載の装置。
【請求項３６】
前記決定部はマイクロコントローラを包含する請求項３５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーフィルムを有し、リンス液中に浸されている対象物を乾燥する方法であって、
a.  該対象物を該リンス液から取り出し、そして充分な量の該リンス液が該対象物から蒸発し得る前に、溶剤浴中に該対象物を据える工程、尚、ここで該溶剤浴中の溶剤の密度は、力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存するものである、
b.  該対象物を該溶剤浴から取り出す工程、及び
c.  乾燥プロセスを実施する工程
を含む方法。
【請求項２】
該目的物が集積回路を形成するための半導体ウェファーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該ポリマーフィルムがフォトレジストフィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該リンス液が水である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該溶剤が補助溶剤及び界面活性剤の少なくとも一方を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該力が重力及び向心力の少なくとも一方を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該溶剤の密度が該力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存することが、該ポリマーフィルムが該力に関して実質上反対方向に向けられている場合に、該溶剤の密度が該リンス液の密度より大きいことを含むものである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該溶剤の密度が該力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存することが、該ポリマーフィルムが該力に関して実質上同一方向に向けられている場合に、該溶剤の密度が該リンス液の密度より小さいことを含むものである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
該乾燥工程の実施が超臨界流体乾燥プロセスの実施を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該超臨界流体乾燥プロセスの実施が該対象物の回転を含むものである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ポリマーフィルムを有する対象物を乾燥する方法であって、
a.  該対象物をリンス浴から溶剤浴に移動させる間、該ポリマーフィルムの上に充分な量のリンス液を保持させておく工程、
b.  該溶剤浴中に該対象物を据える工程、尚ここで該溶剤浴中の溶剤の密度が力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存する、
c.  該対象物を該溶剤浴から取り出す工程、及び
d.  超臨界流体乾燥プロセスを実施する工程
を含む方法。
【請求項１２】
該目的物が集積回路を形成するための半導体ウェファーである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
該ポリマーフィルムがフォトレジストフィルムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
該リンス液が水である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
該溶剤が補助溶剤及び界面活性剤の少なくとも一方を含むものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
該力が重力及び向心力の少なくとも一方を含むものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
該溶剤の密度が該力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存することが、該ポリマーフィルムが該力に関して実質上反対方向に向けられている場合に、該溶剤の密度が該リンス液の密度より大きいことを含むものである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
該溶剤の密度が該力に関して該ポリマーフィルムの向く方向に依存することが、該ポリマーフィルムが該力に関して実質上同一方向に向けられている場合に、該溶剤の密度が該リンス液の密度より小さいことを含むものである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
該超臨界流体乾燥プロセスの実施が該対象物の回転を含むものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
ポリマーフィルムを有する対象物を乾燥するための装置であって、
a.  リンス浴、
b.  溶剤浴、
c.  該対象物を該リンス浴から該溶剤浴に移動させる間、該ポリマーフィルムの上に充分な量のリンス液を保持させておくための手段、
d.  該対象物を該溶剤浴中に据えるための手段、
e.  該対象物を該溶剤浴から取り出すための手段、及び
f.  超臨界流体乾燥プロセスを実施するための手段
を含む装置。
【請求項２１】
該溶剤浴がアルキルエーテルR‐O‐R1を含むものであり、ここで、RはC1‐C6の脂肪族炭化水素であり、R1はC1‐C6の弗素化炭化水素である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
C1‐C6が、エチルノナフルオロイソブチルエーテル及びエチルノナフルオロブチルエーテルからなる群から選択される炭化水素である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
該リンス浴が水を含むものである、請求項２０に記載の装置。
【請求項２４】
該溶剤浴が少なくとも１種の補助溶剤及び界面活性剤を含むものである、請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
該溶剤浴がアルキルエーテルR‐O‐R1を含むものであり、ここで、RはC1‐C6の脂肪族炭化水素であり、R1はC1‐C6の弗素化炭化水素である、請求項２０に記載の装置。
【請求項２６】
C1‐C6が、エチルノナフルオロイソブチルエーテル及びエチルノナフルオロブチルエーテルからなる群から選択される炭化水素である、請求項２５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造に適したウェハ表面の平坦化に有用なスラリーであって：
銅を硫化銅に変えうる硫黄含有化合物、からなる前記ウェハ表面の平坦化に有用なスラリー。
【請求項２】
前記銅を硫化銅に変えうる硫黄含有化合物が：
Ｒ1Ｓ−ＳX−Ｓ−Ｒ2
の構造を有し、ここで前記Ｒ1およびＲ2は、独立して有機または無機成分であり、前記ｘは０〜２４の整数をとる、ジスルフィドまたはポリスルフィドである請求項１に記載のスラリー。
【請求項３】
前記Ｒ1およびＲ2が、炭化水素基、水素、アミン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン、スルホニル基、またはそれらの組み合わせから選択した有機官能基を含むことができる、独立した有機物の成分である請求項２に記載のスラリー。
【請求項４】
前記Ｒ1およびＲ2が、アルカリまたはアルカリ土類金属塩またはアンモニウム塩またはそれらの組み合わせから選択された、独立した無機官能基である請求項２に記載のスラリー。
【請求項５】
前記ポリスルフィドが、ヒドロキシエチルポリスルフィドである請求項２に記載のスラリー。
【請求項６】
前記銅を硫化銅に変えうる硫黄含有化合物が、０．００１０％〜１００％の濃度を有する請求項１に記載のスラリー。
【請求項７】
さらに無機研磨粒子を含有し、該粒子が、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣｅＯ2、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、セリウム塩類、ガーネット、珪酸塩類および二酸化チタンから選択される請求項１に記載のスラリー。
【請求項８】
ｐＨが、２〜１３である請求項１に記載のスラリー。
【請求項９】
半導体デバイス製造に適したウェハ表面を改質する方法であり：
ａ）パターン形成のためにエッチングされた表面を有する第１の材料と、第１の材料の表面をおおって堆積される第２の材料、からなるウェハを提供し； 
ｂ）銅を硫化銅に変えうる含硫黄化合物を含む加工用スラリーの存在下で、研磨パッドとウェハの第２の材料を接触し；および
ｃ）ウェハの露出された表面が平坦となり、少なくとも１つの露出された第１の材料の領域と１つの露出された第２の材料の領域から成るまで、第２の材料を研磨パッドと接触させた状態で相対的にウェハまたは研磨パッドを動かす
工程からなる前記ウェハ表面を改質する方法。
【請求項１０】
前記スラリーが研磨粒子を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記研磨粒子が研磨パッドに固定される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記研磨パッドが、スラリーと重合体パッドを有し、該スラリーは、スラリー中に分散された多数の遊離した研磨粒子を含み、研磨パッドの適用によりウェハの金属層と接触する請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料が絶縁体材料であり、前記第２の材料が導体材料である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハが、さらに絶縁体材料を被覆したバリア層を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属層が、チタン、銀、アルミニウム、タングステン、タンタル、窒化タンタル、窒化タングステン、酸化タンタル、酸化タングステン、シリカ、銅またはそれらの合金からなる群から選択される導体材料である請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
高い腐食性の水が、摩減された硫化銅粒子除去のため使用される請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
超音波放射が、ウェハ表面からの硫化銅除去を促進するため使用される請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタを形成する方法であって、
アクティブ領域に形成されてこのアクティブ領域からゲート絶縁層により離間されているゲート電極を備えた基板に、ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層を形成するステップと、
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層から前記活性領域へドーパントを拡散して拡張領域を形成するように、前記基板を熱処理するステップと、
前記ゲート電極のサイドウォールで、サイドウォールスペーサ２１０を形成するために、前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層をパターニングするステップと、
前記電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を形成するために、注入マスクとして前記サイドウォールスペーサを用いて、イオン注入プロセスを実施するステップと、を有する方法。
【請求項２】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成ステップでは、少なくとも１つのドーパント材料の存在下でｈｉｇｈ−ｋ誘電体層のデポジットがなされる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成ステップには、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層をデポジットするステップと、少なくとも１つのイオン注入及び犠牲層からの拡散により、前記ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層にドーパントを導入するステップとが含まれる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層はｈｉｇｈ−ｋ誘電体を含み、かつ、前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層のドーパント濃度は、ほぼ、前記ｈｉｇｈ−ｋ誘電体内のドーパントの固溶度の範囲内、あるいはそれ以上である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層のパターニングが、前記基板に熱処理を施す前に実施される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記基板は、前記イオン注入プロセスにより導入されるドーパントの活性化と、格子の損傷の回復とが同時になされるように、前記イオン注入プロセス後に、熱処理される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成前に、誘電体バリア層を形成するステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記基板の熱処理ステップが、約８００−１２００℃の範囲の温度で実施される、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記熱処理の持続時間が、約１０秒から３０分の範囲である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層が、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、ランタン、イットリウム、及びストロンチウムのうちの少なくとも１つの酸化物及びシリケートの１つを有している、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
電界効果トランジスタを形成する方法であって、
基板に形成される活性領域にソース及びドレイン領域を形成するようにイオン注入プロセスを実施するステップを有し、前記基板は、前記活性領域に形成されるとともにゲート絶縁層により前記活性領域から離間されたゲート電極を含み、前記ゲート電極は、そのサイドウォールに形成されているサイドウォールスペーサを有しており、
前記サイドウォールスペーサを取り除くステップと、
前記基板に、ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層を形成するステップと、
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層から前記活性領域へドーパントを導入するように前記基板をアニーリングするステップと、
前記ゲート電極のサイドウォールにｈｉｇｈ−ｋ誘電体サイドウォールスペーサを形成するように前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層をパターニングするステップ、を有する方法。
【請求項１２】
前記基板をアニーリングするステップは、前記イオン注入プロセス中に導入されるドーパントが活性化され、かつ、前記イオン注入プロセスがもたらす格子の損傷が少なくとも部分的に回復するように実施される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成ステップは、少なくとも１つのドーパント材料の存在下でｈｉｇｈ−ｋ誘電体層をデポジットすることを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成ステップは、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層をデポジットするステップと、犠牲層からのイオン注入及び拡散の少なくとも一方によって前記ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層にドーパントを導入するステップと、を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層はｈｉｇｈ−ｋ誘電体を含み、前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層のドーパント濃度が、ほぼ、前記ｈｉｇｈ−ｋ誘電体内の固溶度の範囲内、あるいはそれ以上である、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
前記ｈｉｇｈ−ｋ導電体層をパターニングするステップは、前記基板をアニーリングする前に行われる、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層の形成前に、誘電体バリア層を形成するステップを更に有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記基板のアニーリングステップが、約８００−１２００℃の範囲の温度で実施される、請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
前記アニーリングの持続時間が、約１０秒から３０分の範囲である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記ドープされたｈｉｇｈ−ｋ誘電体層が、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、ランタン、イットリウム、及びストロンチウムのうちの少なくとも１つの酸化物及びシリケートの１つを有している、請求項１１記載の方法。
【請求項２１】
誘電体領域下に浅くドープされた半導体領域を形成する方法であって、
前記半導体領域上に誘電体層を形成するステップを含み、前記誘電体層は、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、ランタン、イットリウム、及びストロンチウムのうちの少なくとも１つの酸化物を含むものであって、
前記誘電体層にドーパント材料を導入するステップを含み、
前記誘電体層から前記半導体領域へドーパント材料を拡散するために前記基板をアニーリングするステップを含み、および、
前記ドープされた半導体領域上に誘電体領域を形成するために、前記誘電体層をパターニングするステップを含み、
前記誘電領域による外部電場の存在下で、前記誘電体領域下の電荷担体の蓄積が増加される、方法。
【請求項２２】
前記誘電体層へドーパントを導入するステップでは、少なくとも１つのドーパント材料の存在下で前記誘電体層のデポジットがなされる、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記誘電体層へドーパントを導入するステップは、犠牲層からのイオン注入および拡散の少なくとも一方を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記ドープされた誘電体層のドーパント濃度は、ほぼ、前記誘電体層内の固溶度の範囲内、あるいはそれ以上である、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記誘電体層をパターニングするステップは、前記基板をアニーリングする前に行われる、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記誘電体層の形成前に、誘電体バリア層を形成するステップを更に有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記基板のアニーリングステップが、約８００−１２００℃の範囲の温度で実施される、請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記アニーリングプロセスの持続時間が、約１０秒から３０分の範囲である、請求項２７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の面に対向する第１の面、および第２の端に対向する第１の端を有するバッキングシート、
前記バッキングシートの前記第１の面に付着する複数の第１の連結要素、
ラップされた締結ストリップ形成中に前記複数の第１の相互連結要素とインターロックする、前記バッキングシートの前記第２の面に付着する複数の第２の連結要素、および
前記バッキングシートの少なくとも前記第１の面の上の前記連結要素の領域間にある複数の境界の柔軟な材料のパターン化付着物
を含んで成り、
前記柔軟な材料が、前記第１の端および前記第２の端の重なり合いによる前記ラップされた締結ストリップの形成に続いて、少なくとも対象物群との摩擦接触を有して、実質的に整然とした配置からのその動きを防止する、
整然とした配置内に対象物群を保持する締結ストリップ。
【請求項２】
前記複数の第１の連結要素が複数のフック要素であり、前記複数の第２の連結要素が複数のループ要素であり、前記柔軟な材料が、エラストマー材料、接着剤、およびマスチックより成る群から選択される、請求項１に記載の締結ストリップ。
【請求項３】
第２の面に対向する第１の面、および開口部が形成された第２の端に対向する第１の端を有するバッキングシート、
前記バッキングシートの前記第１の面に付着する複数の連結要素、
前記バッキングシートの前記第２の面の柔軟な材料のパターン化付着物、
前記柔軟な材料が、ラップされた締結ストリップにより整然とした配置が取り囲まれた際に、少なくとも対象物群との摩擦接触を有して実質的にその動きを防止する、および
前記第２の端の前記開口部を通して前記第１の端を引き出して、前記ラップされた締結ストリップを形成し、その後前記複数の連結要素の部分の重ね合わせ相互連結を形成するように前記ストリップを折りたたむことで形成される折りたたまれたクロージャー
を含んで成る、
対象物群を整然とした配置に保持するための締結ストリップ。
【請求項４】
前記柔軟な材料がエラストマー材料、接着剤、およびマスチックより成る群から選択される、請求項３に記載の締結ストリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の組立、調節および検査のための装置において、
当該組立、調節および検査装置が、モジュール化された、移動可能で相互結合可能な複数の個々の独立コンポーネントから成っており、これらの独立コンポーネントが、１平面上で、溝を形成することまたは天井を負荷することなく設置可能になっており、当該組立、調節および検査装置が、組み立てようとする自動車のための搬送兼組立装置を備えており、当該組立、調節および検査装置が、最終組立領域を備えていることを特徴とする、自動車の組立、調節および試験のための装置。
【請求項２】
個々の独立コンポーネント内で延びる供給ラインを連結するための手段が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
搬送装置が、自動車を懸架して搬送するための装置である、請求項１記載の装置。
【請求項４】
当該組立、調節および検査装置が、車両検査スタンドを備えており、自動車が、車両検査スタンドに懸架して配置されるようになっており、自動車の車輪が、回転、制動およびＡＢＳ検査スタンドの、車輪に側方から作用するモータ駆動式のエレメントによって、回転可能であるか、もしくは制動可能である、請求項３記載の装置。
【請求項５】
モータ駆動式のエレメントが、車輪に作用するようになっている、請求項４記載の装置。
【請求項６】
モータ駆動式のエレメントが、リムに作用するようになっている、請求項４記載の装置。
【請求項７】
モータ駆動式のエレメントが、ホイールハブに作用するようになっている、請求項４記載の装置。
【請求項８】
加速過程および制動過程を自動的に行うための手段が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項９】
別の機能検査を自動的に行うための手段が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
完成した自動車を組立作業室から懸架して搬送するための手段が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
後作業ステーションに向かう分岐路が設けられている、請求項９記載の装置。
【請求項１２】
請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置を形成するための、移動可能でモジュール化された個々の独立コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
角度αは、１〜２度の範囲にあることを特徴とする請求項７に記載の切削用インサート（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
各端面１２は、４つのコーナー部、すなわち、２つの対角線上に対向する低いコーナー部２６と２つの対角線上に対向する高いコーナー部２４を有する。低いコーナー部２６は、高いコーナー部２４より正中面Ｍに近い。各コーナー側面２２は、２つの対向する端面１２のうちの一方の面の所定の高いコーナー部２４と２つの対向する端面１２のうちの他方の面の所定の低いコーナー部２６との間に延在する。各端面１２には、概ね凹形又はＶ字形の形状をした当接面３０を有する当接部材２８が設けられている。好ましい実施態様によれば、当接面３０は、３つの概ね平坦な部分、すなわち、それらの間の内側部分３４とともに２つの外側部分３２を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
周囲縁部４０は、各端面１２と周囲側面１４との交差部に形成される。各端面１２に対して、周囲縁部４０は、大きな側面１８の端面１２との交差により形成される２つの大きな縁部４２；小さな側面１６の端面１２との交差により形成される２つの小さな縁部４４；及びコーナー側面２２の端面１２との交差により形成される２つのコーナー縁部５０を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
後壁９０は、略凸状であり、側壁８８には、軸当接領域（an axial abutment region）９６において切削用インサート１０の所定の小さな側面１６に当接する軸配置面（an axial location surface）９４が設けられている。後壁９０には、２つの突出する接線配置面（two protruding tangential location surfaces）、すなわち、ポケットの側壁８８に隣接する上部接線配置面９８と下部接線配置面１００とが設けられている。２つの接線配置面は、後壁９０の中央領域１０２の両側に配置されている。上部接線配置面９８は、切削用インサート１０の当接面３０に配置される上部接線当接面１０４に当接する。下部接線配置面１００は、当接面３０に配置される下部接線当接面１０６に当接する。当接面３０に対して本明細書で使用されている用語“下部”及び“上部”が、切削用インサート１０がフライス８０に取り付けられるときにのみ使用され、図７に示される方向に対して使用されていることは明白である。同様に、図７に対して、軸当接領域９６は、半径方向外側の小さな副側面１１０の前方領域１０８に配置され、該前方領域は、インサート・ポケット８４の後壁９０から離れている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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