【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された緩和バッファ層（ＲＢＬ）と、該ＲＢＬ上の歪シリコン層と、を備えた歪シリコン半導体素子構造であって、
前記ＲＢＬは、シリコン−ゲルマニウム合金を含み、
前記歪シリコン層は、シリコン−カーボン合金を含む
ことを特徴とする歪シリコン半導体素子構造。
【請求項２】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．２から約１．５原子％のカーボンを含むことを特徴とする素子構造。
【請求項３】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．４から約１．２原子％のカーボンを含むことを特徴とする素子構造。
【請求項４】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．５から約１．０原子％のカーボンを含むことを特徴とする素子構造。
【請求項５】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−カーボン合金中のカーボンの量は、カーボン原子の実質的に全てが前記シリコン−カーボン合金に実質的に組み入れられるようにすることを特徴とする素子構造。
【請求項６】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−カーボン合金中のカーボンの量は、合金散乱に対するカーボン濃度閾値よりも下であることを特徴とする素子構造。
【請求項７】
請求項１記載の素子構造において、
前記歪シリコン層は、約５から約５０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項８】
請求項１記載の素子構造において、
前記歪シリコン層は、約８から約４０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項９】
請求項１記載の素子構造において、
前記歪シリコン層は、約１０から約２０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項１０】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−ゲルマニウム合金は、ｘが約０．６から約０．９５である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有することを特徴とする素子構造。
【請求項１１】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−ゲルマニウム合金は、ｘが約０．６５から約０．９０である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有することを特徴とする素子構造。
【請求項１２】
請求項１記載の素子構造において、
前記シリコン−ゲルマニウム合金は、ｘが約０．７から約０．８５である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有することを特徴とする素子構造。
【請求項１３】
請求項１記載の素子構造において、
前記ＲＢＬは、前記歪シリコン層の近くの頂部表面で測定され、１０５欠陥／ｃｍ２を超えない貫通転位密度を有することを特徴とする素子構造。
【請求項１４】
半導体素子に組み入れられた請求項１記載の素子構造。
【請求項１５】
請求項１４記載の素子構造において、
前記半導体素子は、ヘテロ接合ＣＭＯＳ素子であることを特徴とする素子構造。
【請求項１６】
請求項１４記載の素子構造において、
前記半導体素子は、トランジスタ素子であることを特徴とする素子構造。
【請求項１７】
請求項１６記載の素子構造において、
前記トランジスタ素子は、ＨＦＥＴであることを特徴とする素子構造。
【請求項１８】
請求項１６記載の素子構造において、
前記トランジスタ素子は、ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする素子構造。
【請求項１９】
請求項１６記載の素子構造において、
前記トランジスタ素子は、ＭＯＤＦＥＴであることを特徴とする素子構造。
【請求項２０】
シリコンウエハ基板上の請求項１記載の素子構造。
【請求項２１】
基板上に形成されたシリコン−ゲルマニウム合金を含む緩和バッファ層（ＲＢＬ）と、シリコン−カーボン合金を含む前記ＲＢＬ上のチャネル層であって該チャンネル層中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて約０．５から約１．０原子％を含むチャネル層と、を備えたヘテロ接合電界効果トランジスタであって、
前記シリコン−ゲルマニウム合金は、約１０から約３０原子％のゲルマニウムを含み、前記チャネル層は、厚さが約１０から約２０ナノメートルであり、前記ＲＢＬは、前記チャネル層の近くの表面で測定され、１０５欠陥／ｃｍ２を超えない貫通転位密度を有することを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。
【請求項２２】
基板上に形成されたＳｉＧｅ緩和バッファ層（ＲＢＬ）と該ＲＢＬ上のシリコンチャネル層とを含む半導体素子構造を製造する方法であって、
シリコン−カーボン合金を含む材料の前記シリコンチャネル層を形成する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．２から約１．５原子％のカーボンを含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．４から約１．２原子％のカーボンを含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金は、前記合金中のシリコン及びカーボンの総量に基づいて、約０．５から約１．０原子％のカーボンを含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金中のカーボンの量は、カーボン原子の実質的に全てが前記シリコン−カーボン合金に実質的に組み入れられるようにすることを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金中のカーボンの量は、合金散乱に対するカーボン濃度閾値よりも下であることを特徴とする素子構造。
【請求項２８】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコンチャネル層は、約５から約５０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項２９】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコンチャネル層は、約８から約４０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項３０】
請求項２２記載の方法において、
前記シリコンチャネル層は、約１０から約２０ナノメートルの厚さを有することを特徴とする素子構造。
【請求項３１】
請求項２２記載の方法において、
前記ＲＢＬは、ｘが約０．６から約０．９５である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有するシリコン−ゲルマニウム合金を含むことを特徴とする素子構造。
【請求項３２】
請求項２２記載の方法において、
前記ＲＢＬは、ｘが約０．６５から約０．９０である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有するシリコン−ゲルマニウム合金を含むことを特徴とする素子構造。
【請求項３３】
請求項２２記載の方法において、
前記ＲＢＬは、ｘが約０．７から約０．８５である化学式ＳｉｘＧｅ１−ｘを有するシリコン−ゲルマニウム合金を含むことを特徴とする素子構造。
【請求項３４】
基板上に形成された緩和バッファ層（ＲＢＬ）と該ＲＢＬ上のシリコンチャネル層とを含む歪半導体素子構造を製造する方法であって、
シリコン−ゲルマニウム合金を含む材料の前記ＲＢＬを形成する段階と、
シリコン−カーボン合金を含む材料の前記歪シリコン層を形成する段階と、を含み、
前記ＲＢＬは、前記シリコンチャネル層の近くの頂部表面で測定され、１０５欠陥／ｃｍ２を超えない貫通転位密度を生み出す条件下で成長されることを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項２２記載の方法において、
前記半導体素子構造は、ヘテロ接合ＣＭＯＳ素子を含むことを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項２２記載の方法において、
前記半導体素子構造は、トランジスタ素子を含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項２２記載の方法において、
前記半導体素子構造は、ＨＦＥＴを含むことを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項２２記載の方法において、
前記半導体素子構造は、ＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項２２記載の方法において、
前記半導体素子構造は、ＭＯＤＦＥＴを含むことを特徴とする方法。
【請求項４０】
基板上に形成された緩和バッファ層（ＲＢＬ）と該ＲＢＬ上のシリコンチャネル層とを含む歪半導体素子構造を製造する方法であって、
シリコン−ゲルマニウム合金を含む材料の前記ＲＢＬを形成する段階と、
シリコン−カーボン合金を含む材料の前記歪シリコン層を形成する段階と、を含み、
前記歪シリコン層を形成する段階は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）を含むことを特徴とする方法。
【請求項４１】
請求項４０記載の方法において、
前記ＣＶＤは、５５０℃を超えない温度で前記ＲＢＬ上に前記シリコン−カーボン合金を成長させることによって実施されることを特徴とする方法。
【請求項４２】
請求項４１記載の方法において、
前記シリコン−カーボン合金は、１分あたり約１から約２ナノメートルの範囲の成長速度でＲＢＬ上に成長されることを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項４１記載の方法において、
前記シリコンチャネル層は、約１０から約２０ナノメートルの範囲の厚さに成長されることを特徴とする方法。
【請求項４４】
基板上に形成されたＳｉＧｅ緩和バッファ層におけるゲルマニウムの含有量を減少させることによって貫通欠陥密度を減少させる方法であって、
歪シリコンチャネル層が、半導体素子構造の製造の際に、前記ＳｉＧｅ緩和バッファ層に形成され、
シリコン−カーボン合金を含む材料の前記歪シリコンチャネル層を形成する段階を含むことを特徴とする方法。