(57)【要約】【課題】  堆積膜の膜厚を均一化することにより、堆積膜の膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる方法を提供する。【解決手段】  第一の下部補助基体の２端面のうち、第二の下部補助基体に近い側のＲａをＲａ１とし、第二の下部補助基体の２端面のうち、第一の下部補助基体に近い側のＲａをＲａ２とし、反対側のＲａをＲａ３とし、円筒状基体の２端面のうち、第二の下部補助基体に近い側のＲａをＲａ４とし、反対側のＲａをＲａ５とし、第一の上部補助基体の２端面のうち、円筒状基体に近い側のＲａをＲａ６とし、反対側のＲａをＲａ７とし、第二の上部補助基体の２端面のうち、第一の上部補助基体に近い側のＲａをＲａ８としたとき、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２かつＲａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２かつＲａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８かつＲａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８を満足する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記下部補助基体は、第一の下部補助基体および第二の下部補助基体からなり、
前記第一の下部補助基体および前記第二の下部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記上部補助基体は、第一の上部補助基体および第二の上部補助基体からなり、
前記第一の上部補助基体および前記第二の上部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記第一の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
前記第二の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（１）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
【請求項２】
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（２）を満足する請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（２）
【請求項３】
前記第一の下部補助基体と前記第二の下部補助基体との間および前記第一の上部補助基体と前記第二の上部補助基体との間に樹脂材料が設けられている請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記第二の上部補助基体を前記第一の上部補助基体に向けて押しつける方向の力を前記基体ホルダーに対して加えながら、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記円筒状電極の２つの端部の一方が、前記第一の下部補助基体の側面に対向する位置にあり、他方が、前記第二の上部補助基体の側面に対向する位置にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記下部補助基体は、第一の下部補助基体および第二の下部補助基体からなり、
前記第一の下部補助基体および前記第二の下部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記第一の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が下記式（３）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（３）
【請求項７】
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が、下記式（４）を満足する請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（４）
【請求項８】
前記第一の下部補助基体と前記第二の下部補助基体との間に樹脂材料が設けられている請求項６または７に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記上部補助基体を前記円筒状基体に向けて押しつける方向の力を前記基体ホルダーに対して加えながら、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する請求項６〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
前記円筒状電極の２つの端部の一方が、前記第一の下部補助基体の側面に対向する位置にあり、他方が、前記上部補助基体の側面に対向する位置にある請求項６〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記上部補助基体は、第一の上部補助基体および第二の上部補助基体からなり、
前記第一の上部補助基体および前記第二の上部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
前記第二の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（５）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（５）
【請求項１２】
前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（６）を満足する請求項１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（６）
【請求項１３】
前記第一の上部補助基体と前記第二の上部補助基体との間に樹脂材料を設ける請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１４】
前記第二の上部補助基体を前記第一の上部補助基体に向けて押しつける方向の力を前記基体ホルダーに対して加えながら、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１５】
前記円筒状電極の２つの端部の一方が、前記下部補助基体の側面に対向する位置にあり、他方が、前記第二の上部補助基体の側面に対向する位置にある請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば、水素原子および／またはハロゲン原子を含有し、ケイ素原子を母体とするアモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用化されている。
【０００３】
この種の堆積膜を形成する方法についても各種提案されており、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が挙げられる。これらの中でも、プラズマＣＶＤ法は、電子写真感光体の製造方法において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。プラズマＣＶＤ法は原料ガスにＲＦ高周波電力を印加して、原料ガスを分解し、基体の外周面上に堆積膜を形成する方法である。
【０００４】
特許文献１には、補助基体に装着した基体の上部に補助基体キャップを設け、プラズマＣＶＤ法により、基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧し、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で堆積膜の形成をする電子写真感光体の製造装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５７６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上述したような技術により、堆積膜の膜特性の均一化が図られてきた。
【０００８】
しかしながら、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば、電子写真装置のデジタル化、フルカラー化に伴い、堆積膜の膜特性の均一化が従来以上に求められている。
【０００９】
例えば、電子写真プロセスを利用した近年のフルカラー画像形成装置（電子写真装置）では、階調性が向上しているため、従来は実用上問題のなかった堆積膜の膜特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能なムラを生じさせる可能性がある。このため、上述したような従来技術だけでは近年要求されている堆積膜の膜特性の均一性を確保することが難しくなってきている。
【００１０】
本発明は、堆積膜の膜厚を均一化することにより、堆積膜の膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記下部補助基体は、第一の下部補助基体および第二の下部補助基体からなり、
前記第一の下部補助基体および前記第二の下部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記上部補助基体は、第一の上部補助基体および第二の上部補助基体からなり、
前記第一の上部補助基体および前記第二の上部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記第一の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
前記第二の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（１）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
【００１２】
また、本発明は、減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記下部補助基体は、第一の下部補助基体および第二の下部補助基体からなり、
前記第一の下部補助基体および前記第二の下部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記第一の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
前記第二の下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第二の下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、
前記Ｒａ１、前記Ｒａ２、前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５および前記Ｒａ６が下記式（３）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（３）
【００１３】
また、本発明は、減圧可能な反応容器の内部の接地接続された受け台に、下部補助基体と円筒状基体と上部補助基体とがこの順に装着された基体ホルダーを設置し、
前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、
円筒状基体を取り囲むように配置された前記反応容器の側壁を兼ねる円筒状電極に高周波電力を印加する
ことにより、前記円筒状基体上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記上部補助基体は、第一の上部補助基体および第二の上部補助基体からなり、
前記第一の上部補助基体および前記第二の上部補助基体は、この順に前記基体ホルダーに装着され、
前記下部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記下部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
前記円筒状基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記円筒状基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
前記第一の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第二の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
前記第二の上部補助基体の２つの端面のうち、前記第一の上部補助基体に近い側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
前記Ｒａ３、前記Ｒａ４、前記Ｒａ５、前記Ｒａ６、前記Ｒａ７および前記Ｒａ８が、下記式（５）を満足することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（５）
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、堆積膜の膜厚を均一化することにより、堆積膜の膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】円筒状基体の設置方法および算術平均粗さの関係を説明するための断面図である。
【図２】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示す断面図である。
【図５】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図である。
【図６】円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示す模式的な断面図である。
【図７】電子写真感光体の層構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明者らは堆積膜の膜厚の均一性を向上させるために、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の構成について検討を行った。
【００１７】
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。
【００１８】
図４は、下部補助基体４０８、円筒状基体４０３および上部補助基体４０９が基体ホルダー４０６に装着されている。基体ホルダー４０６は、接地接続された受け台４０７に導通状態で設置されている。
【００１９】
つまり、片側のみで接地接続された基体ホルダー４０６に下部補助基体４０８、円筒状基体４０３および上部補助基体４０９が導通状態で装着されている。
【００２０】
高周波電力は、金属の表面を伝搬する。そのため、電極の外側の表面に設けられた高周波電力の給電位置から電極の外側の表面を伝わり、給電位置から最も近い電極の終点（以下「開放端」とも表記する。）から、電極の内側の表面に伝わると考えられる。電極が円筒状である場合、周方向には開放端は存在せず、開放端は、円筒状電極の母線方向の終端（両端）となる。
【００２１】
図４に示すような円筒状電極４１１を用いた堆積膜形成装置の場合、円筒状電極４１１は、円筒状基体４０３を取り囲むように配置され、反応容器４１０の側壁を兼ねる。円筒状電極４１１の外周面に１つ設けられた給電位置４２７から供給された高周波電力は、円筒状電極４１１の両端に向かって伝搬され、そこから円筒状電極４１１の内周面に伝わる。そのため、円筒状電極４１１の両端部は、中央部に比べて、プラズマの密度が高くなると考えられる。
【００２２】
本発明者らが検討を行ったところ、基体ホルダー４０６が片側のみで接地接続されている構成においては、上記のようなプラズマ密度の分布を反映し、円筒状基体４０３の上端および下端の膜厚が厚くなる場合があった。
【００２３】
また、電子写真感光体の製造の条件によっても影響され、例えば、ＳｉＨ４／Ｈ２比を大きくすると、円筒状基体４０３の下端の膜厚が特に厚くなったり、ＳｉＨ４／Ｈ２比を小さくすると、円筒状基体４０３の上端が特に厚くなったりする場合があった。
【００２４】
上記課題に対して、本発明者らは特許文献２に開示されている技術を試した。特許文献２に開示されている電子写真感光体の製造装置は、円筒状基体と補助基体との間および円筒状基体と基体ホルダーとの間での高周波電力に対するアース面の不連続を低減し、装置本来の膜厚分布を反映させる効果を持つ。このため、上記のように基体ホルダー４０６が片側のみで接地接続されていることによりプラズマ密度の分布をもつ装置構成においては、特許文献２に開示されている構成を適用しても、プラズマ密度の分布を反映した膜厚分布となる。そのため、十分に改善することはできなかった。
【００２５】
そこで、対策を検討した結果、補助基体の継ぎ目にプラズマ密度の不均一を打ち消すようなアース面の不連続部分を意図的に作り出すことにより、堆積膜の膜厚の均一性を向上させるという考えに至った。
【００２６】
その方策として、円筒状補助基体同士の間の算術平均粗さと、円筒状基体と円筒状補助基体との間の算術平均粗さの関係が、一定の条件を満足することが重要であることを見出した。
【００２７】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２８】
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。堆積膜形成装置は、プラズマ処理によって円筒状基体４０３に堆積膜を形成する装置である。円筒状電極４１１、絶縁体４１２、上壁４１３、ゲート弁４１４、底壁４１５により、減圧可能な反応容器４１０を形成している。
【００２９】
反応容器４１０の内部には、加熱用ヒーター４１６が設けられていてもよい。加熱用ヒーター４１６は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター、カーボンヒーターの様な電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの様な熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。
【００３０】
また、反応容器４１０の内部には、反応容器４１０内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管４１７が設けられている。原料ガス導入管４１７は接続配管４１８を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング装置４１９と、原料ガス流入バルブ４２０からなるガス供給系に接続されている。堆積膜形成装置が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット（不図示）が、排気配管４２１を介して、底壁４１５の排気口４２２に接続されている。排気配管４２１には、排気メインバルブ４２３が設けられている。
【００３１】
また、反応容器４１０には、その内部の圧力を測定する真空計４２４が取り付けられている。これらを用いて、反応容器４１０の内部を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。円筒状電極４１１には、整合回路を有するマッチングボックス４２５を介して高周波電源４２６が電気的に接続されている。円筒状電極４１１の上下は、セラミックスからなる絶縁体４１２により上壁４１３および底壁４１５と絶縁されている。
【００３２】
上壁４１３には反応容器４１０の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁４１４が設置されている。ゲート弁４１４から反応容器４１０の中に、下部補助基体４０８、円筒状基体４０３および上部補助基体４０９が装着された基体ホルダー４０６が搬入・設置・搬出される。
【００３３】
反応容器４１０の下部には、基体ホルダー４０６が設置される接地接続された受け台４０７が設けられている。接地接続された受け台４０７は回転機構を有していてもよい。
【００３４】
円筒状電極４１１に関しては、円筒状基体の長さより長くするのが一般的である。円筒状電極４１１が円筒状基体より短い場合、円筒状電極４１１に対向している部分と対向していない部分で、プラズマが不均一となる。その結果、堆積膜の均一性を低下させる場合がある。よって、円筒状電極４１１は、円筒状基体の長さより長くするほうが好ましい。
【００３５】
円筒状電極４１１が円筒状基体より長ければ長いほど、上述したような円筒状電極４１１のプラズマ密度の分布が円筒状基体に及ぼす影響を低減することが可能となる。しかしながら、円筒状電極４１１を円筒状基体より長くしすぎると装置が大型し、装置コストが増大すると同時に、消費する原料ガスも増加する。
【００３６】
よって、生産性を考慮すると、円筒状電極４１１の２つの端部の一方（円筒状電極４１１の下端部）が下部補助基体４０８の側面に対向する位置にあり、他方（円筒状電極４１１の上端部）が上部補助基体４０９の側面に対向する位置にあることが好ましい。
【００３７】
例えば、本発明において、円筒状電極４１１の下端部が、下部補助基体４０８の側面に対向する位置にあるとは、円筒状電極４１１の母線方向（垂直方向）において、円筒状電極４１１の下端部位置と下部補助基体４０８の位置が対向していることを意味する。
【００３８】
下部補助基体４０８が、第一の下部補助基体４０１および第二の下部補助基体４０２からなり、この順に基体ホルダー４０６に設置されている場合、円筒状電極４１１の下端部が第一の下部補助基体４０１の側面に対向する位置にあることが好ましい。
【００３９】
同様に、上部補助基体４０９が、第一の上部補助基体４０４および第二の上部補助基体４０５からなり、この順に基体ホルダー４０６に設置されている場合、円筒状電極４１１の上端部が第二の上部補助基体４０５の側面に対向する位置にあることが好ましい。このような装置構成においては、上述したような円筒状電極４１１のプラズマ密度分布が円筒状基体に及ぼす影響が大きくなるが、本発明により、円筒状基体に及ぼす影響を低減することが可能となる。その結果、装置コストや原料ガスの使用量が増大することを抑制しつつ、堆積膜の膜厚の均一性に優れた電子写真感光体を製造することが可能となる。
【００４０】
（円筒状基体の設置方法および算術平均粗さの関係）
図１は本発明の円筒状基体の設置方法および算術平均粗さの関係を説明するための模式的な断面図である。
【００４１】
下部補助基体１０８、円筒状基体１０３および上部補助基体１０９が基体ホルダー１０６に装着されている。下部補助基体１０８は、第一の下部補助基体１０１および第二の下部補助基体１０２からなり、この順に基体ホルダー１０６に装着されている。また、上部補助基体１０９は、第一の上部補助基体１０４および第二の上部補助基体１０５からなり、この順に基体ホルダー１０６に装着されている。基体ホルダー１０６は反応容器の中の接地接続された受け台１０７に導通状態で設置されている。
【００４２】
円筒状基体１０３の材質は、使用目的に応じたものであればよい。円筒状基体１０３の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００４３】
また、下部補助基体１０８、上部補助基体１０９および基体ホルダー１０６の材質も、円筒状基体１０３に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【００４４】
図１（ｂ）に示すように、第一の下部補助基体１０１の２つの端面のうち、第二の下部補助基体１０２側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
第二の下部補助基体１０２の２つの端面のうち、第一の下部補助基体１０１側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
第二の下部補助基体１０２の２つの端面のうち、円筒状基体１０３側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
円筒状基体１０３の２つの端面のうち、第二の下部補助基体１０２側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
円筒状基体１０３の２つの端面のうち、第一の上部補助基体１０４側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
第一の上部補助基体１０４の２つの端面のうち、円筒状基体１０３側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
第一の上部補助基体１０４の２つの端面のうち、第二の上部補助基体側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
第二の上部補助基体１０５の２つの端面のうち、第一の上部補助基体１０４側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８が、下記式（１）を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
なお、本発明でいう算術平均粗さは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で示される算術平均粗さ（Ｒａ）である。
【００４５】
上記式（１）を満足するようにした場合について詳細に説明する。
【００４６】
第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３との接続部分における算術平均粗さの合計および第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３との接続部分における算術平均粗さの合計
に比べて、
第一の下部補助基体１０１と第二の下部補助基体１０２との接続部分における算術平均粗さの合計および第一の上部補助基体１０４と第二の上部補助基体１０５との接続部分における算術平均粗さの合計
を大きくする。このようにすることで、
第一の下部補助基体１０１と第二の下部補助基体１０２との接続部分および第一の上部補助基体１０４と第二の上部補助基体１０５との接続部分の微細な隙間
が、
第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３との接続部分および第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３との接続部分の微細な隙間
よりも相対的に大きくなる。これにより、
第一の下部補助基体１０１と第二の下部補助基体１０２との接触および第一の上部補助基体１０４と第二の上部補助基体１０５との接触
は、
第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３との接触および第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３との接触
に比べて、全周にわたって十分に接触しているとはいえない状態となる。
【００４７】
高周波電力は接触状態の影響を受けやすい。このため、
第一の下部補助基体１０１と第二の下部補助基体１０２との接続部分および
第一の上部補助基体１０４と第二の上部補助基体１０５との接続部分
において、直流的には十分な導通が確保されている状態であっても、微細な隙間を設けることで高周波電力に対しては導通が十分に確保されていない状態となる。その結果、高周波電力に対してアース面の不連続部となり、円筒状基体１０３の上端および下端でのプラズマが不連続となる。
【００４８】
これにより、円筒状基体１０３の上端および下端の膜厚が厚くなることを抑制することが可能となる。
【００４９】
つまり、上記のように意図的に作り出したアース面の不連続部分によるプラズマの不連続が、基体ホルダー１０６が片側のみで接地接続されている構成およびカソード電極の長さに起因するプラズマの不均一を打ち消すように働く。その結果、円筒状基体１０３の上端および下端の膜厚が厚くなることを抑制し、堆積膜の膜厚の均一性を向上することが可能となる。
【００５０】
本発明において算術平均粗さを管理すべき端面とは、円筒状補助基体同士もしくは円筒状基体と円筒状補助基体が向き合った面を指す。例えば、第一の下部補助基体１０１の算術平均粗さを管理すべき端面とは第二の下部補助基体１０２と向き合った面（図１（ａ）中のＡ）を指す。
【００５１】
端面の加工方法としては、加工条件の変更で任意の算術平均粗さに仕上げることが可能ならばいずれの方法でもよく、例えば、切削加工、研磨加工、圧縮加工が挙げられる。
【００５２】
切削加工の場合、切削バイトの種類、送り速度などにより、任意の算術平均粗さに加工することができる。研磨加工の場合、研磨部材（例えば、サンドペーパー、研磨シート、研磨スポンジなど）の番手、研磨材料の種類や粒系により任意の算術平均粗さに加工することができる。圧縮加工の場合、端面に圧力をかけて表面を平滑に加工することもできる。
【００５３】
さらに、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８は、下記式（２）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（２）
上記式（２）を満足するようにした場合について詳細に説明する。
【００５４】
第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３との接続部分および第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３との接続部分に関しては十分に接触していることが好ましい。Ｒａ３＋Ｒａ４およびＲａ５＋Ｒａ６を１．０μｍ以下とする。そうすることで、第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３および第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３が実質的に密着させる。すると、第二の下部補助基体１０２と円筒状基体１０３にかけてのプラズマおよび第一の上部補助基体１０４と円筒状基体１０３にかけてのプラズマから見た電位の均一性を十分に確保することができる。その結果、堆積膜の膜厚の均一性をさらに向上することが可能となる。よって、Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍとすることが好ましい。
【００５５】
一方、Ｒａ１＋Ｒａ２およびＲａ７＋Ｒａ８を２．０μｍ以上とする。そうすることで、第一の下部補助基体１０１と第二の下部補助基体１０２との接続部分および第一の上部補助基体１０４と第二の上部補助基体１０５との接続部分を、高周波電力に対してアース面の不連続部分とすることができる。その結果、円筒状電極端部のプラズマの不均一をさらに打ち消す状態を作り出すことが可能となる。よって、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２かつ２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８とすることが好ましい。
【００５６】
上記式（２）を満足することで、本発明の効果がさらに得られる。加えて、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ７、Ｒａ８を３．０μｍ以下、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６を０．１μｍ以上とすることで、加工に要する手間と時間を削減でき、加工に掛かるコストを抑えることができる。
【００５７】
そのため、最適には、０．２μｍ≦Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍかつ０．２μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍかつ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２≦６．０μｍかつ２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８≦６．０μｍであることが好ましい。
【００５８】
図２は本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
【００５９】
下部補助基体２０７、円筒状基体２０３および上部補助基体２０４が基体ホルダー２０５に装着されている。下部補助基体２０７は、第一の下部補助基体２０１および第二の下部補助基体２０２からなり、この順に基体ホルダー２０５に装着されている。基体ホルダー２０５は反応容器の中の接地接続された受け台２０６に導通状態で設置されている。
【００６０】
図２（ｂ）に示すように、第一の下部補助基体２０１の２つの端面のうち、第二の下部補助基体２０２側の端面の算術平均粗さをＲａ１とし、
第二の下部補助基体２０２の２つの端面のうち、第一の下部補助基体２０１側の端面の算術平均粗さをＲａ２とし、
第二の下部補助基体２０２の２つの端面のうち、円筒状基体２０３側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
円筒状基体２０３の２つの端面のうち、第二の下部補助基体２０２側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
円筒状基体２０３の２つの端面のうち、上部補助基体２０４側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
上部補助基体２０４の２つの端面のうち、円筒状基体２０３側の端面の算術平均粗さをＲａ６としたとき、
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が、下記式（３）を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（３）
上記式（３）を満足するようにした場合について詳細に説明する。
【００６１】
第二の下部補助基体２０２と円筒状基体２０３との接続部分における算術平均粗さの合計、および、上部補助基体２０４と円筒状基体２０３との接続部分における算術平均粗さの合計
に比べて、
第一の下部補助基体２０１と第二の下部補助基体２０２との接続部分における算術平均粗さの合計
を大きくする。このようにすることで、上述と同様の理由により、第一の下部補助基体２０１と第二の下部補助基体２０２との接続部分は、高周波電力に対してアース面の不連続部分となる。その結果、第一の下部補助基体２０１から第二の下部補助基体２０２にかけてのプラズマから見たアース電位が不連続となり、円筒状基体２０３の下端でのプラズマが不連続となる。
【００６２】
例えば、基体ホルダー２０５が片側のみで接地接続されている構成において、電子写真感光体の製造の際の条件として、ＳｉＨ４／Ｈ２比が大きい条件を選択した場合、プラズマ密度の分布を反映し、円筒状基体２０３の下端の膜厚が厚くなる場合がある。このような場合、上記のように、第一の下部補助基体２０１と第二の下部補助基体２０２との接続部分に意図的に高周波電力に対するアース面の不連続部分を作り出すことにより、円筒状基体２０３の下端の膜厚が厚くなることを抑制することが可能となる。
【００６３】
その結果、堆積膜の膜厚の均一性を向上することが可能となった。
【００６４】
また、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６は、下記式（４）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（４）
さらには、０．２μｍ≦Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、０．２μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２≦６．０μｍであることが好ましい。
【００６５】
上記の数値範囲がより好ましい理由は、上述のとおりである。
【００６６】
図３は、本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
【００６７】
下部補助基体３０１、円筒状基体３０２および上部補助基体３０７が基体ホルダー３０５に装着されている。上部補助基体３０７は、第一の上部補助基体３０３および第二の上部補助基体３０４からなり、この順に基体ホルダー３０５に装着されている。基体ホルダー３０５は反応容器の中の接地接続された受け台３０６に導通状態で設置されている。
【００６８】
図３（ｂ）に示すように、下部補助基体３０１の２つの端面のうち、円筒状基体３０２側の端面の算術平均粗さをＲａ３とし、
円筒状基体３０２の２つの端面のうち、下部補助基体３０１側の端面の算術平均粗さをＲａ４とし、
円筒状基体３０２の２つの端面のうち、第一の上部補助基体３０３側の端面の算術平均粗さをＲａ５とし、
第一の上部補助基体３０３の２つの端面のうち、円筒状基体３０２側の端面の算術平均粗さをＲａ６とし、
第一の上部補助基体３０３の２つの端面のうち、第二の上部補助基体３０４側の端面の算術平均粗さをＲａ７とし、
第二の上部補助基体３０４の２つの端面のうち、第一の上部補助基体３０３側の端面の算術平均粗さをＲａ８としたとき、
Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８が、下記式（５）を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（５）
上記式（５）を満足するようにした場合について詳細に説明する。
【００６９】
下部補助基体３０１と円筒状基体３０２との接続部分および第一の上部補助基体３０３と円筒状基体３０２との接続部分における算術平均粗さの合計
に比べて、
第一の上部補助基体３０３と第二の上部補助基体３０４との接続部分における算術平均粗さの合計
を大きくする。このようにすることで、上述と同様の理由により、第一の上部補助基体３０３と第二の上部補助基体３０４との接続部分は、高周波電力に対してアース面の不連続部分となる。その結果、第一の上部補助基体３０３から第二の上部補助基体３０４にかけてのプラズマから見たアース電位が不連続となり、円筒状基体３０２の上端でのプラズマが不連続となる。
【００７０】
例えば、基体ホルダー３０５が片側のみで接地接続されている構成において、電子写真感光体の製造の際の条件として、ＳｉＨ４／Ｈ２比が小さい条件を選択した場合、プラズマ密度の分布を反映し、円筒状基体３０２の上端の膜厚が厚くなる場合がある。このような場合、上記のように、第一の上部補助基体３０３と第二の上部補助基体３０４との接続部分に意図的に高周波電力に対するアース面の不連続部分を作り出すことにより、円筒状基体３０２の上端の膜厚が厚くなることを抑制することが可能となる。
【００７１】
その結果、堆積膜の膜厚の均一性を向上することが可能となった。
【００７２】
また、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８は、下記式（６）を満足することが好ましい。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（６）
さらには、０．２μｍ≦Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、０．２μｍ≦Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８≦６．０μｍであることが好ましい。
【００７３】
上記の数値範囲がより好ましい理由は、上述のとおりである。
【００７４】
図５は本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
【００７５】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８が上記式（１）を満足する。その場合、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分および第一の上部補助基体５０４と第二の上部補助基体５０５との接続部分に樹脂材料５１０をさらに設けることが好ましい。
【００７６】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６が上記式（３）を満足する場合、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分に樹脂材料５１０をさらに設けることが好ましい。
【００７７】
Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８が上記式（５）を満足する場合、第一の上部補助基体５０４と第二の上部補助基体５０５との接続部分に樹脂材料５１０をさらに設けることが好ましい。
【００７８】
例えば、上記式（１）を満足するようにした場合を例にして説明する。
【００７９】
樹脂材料５１０を設けない場合は、高周波電力の印加電力が大きい堆積膜形成条件において、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分のように金属同士が対向している部分に微細な隙間があることでプラズマが集中する場合がある。そして、プラズマが集中することに起因して、微小なスパークを発生させしまう場合がある。その結果、円筒状基体５０３の下端部から数ｍｍの範囲において端部剥がれが発生してしまったり、端部剥がれを起こさない場合でも、堆積膜の密着性が低下したりする場合がある。端部剥がれが生じても画像形成の際に使用する範囲外のため、堆積膜の膜厚の均一性に影響を及ぼさないが、外観検査で問題となる場合がある。また、堆積膜の密着性が低下すると経時的に剥がれを発生させる場合がある。
【００８０】
第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分に樹脂材料５１０をさらに設けることで、金属同士が対向することを回避し、スパークの発生を低減することが可能となる。
【００８１】
樹脂材料５１０の設置方法としては、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分の微細な隙間を残すことが重要である。
【００８２】
つまり、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との接続部分の微細な隙間を残すことで高周波電力に対するアース面の不連続部分として作用させる。そして、堆積膜の膜厚の均一性を維持しつつ、樹脂材料５１０を設けることで、金属同士が対向することを回避し、スパークの発生を低減する。
【００８３】
その結果、堆積膜の膜厚の均一性を維持しつつ、端部剥がれの発生を低減することが可能となる。
【００８４】
樹脂材料５１０としては耐熱性に優れていれば特に制限はない。例えば、フッ素樹脂やポリイミド樹脂が使用される。
【００８５】
図６は本発明の円筒状基体の設置方法を説明するための別の一例を示した模式的な断面図である。
【００８６】
各端面の算術平均粗さを大きくした円筒状基体および補助基体を用いた場合、搬送時の振動により、各端面の接触面でダストが発生する場合がある。発生したダストが円筒状基体上に付着すると、付着したダストを起点として、異常成長を起こす場合がある。これにより、電子写真感光体の表面に球状突起が形成され、画像形成の際に画像欠陥が生じる場合がある。よって、基体ホルダー６０６に対して上部補助基体６０９を搬送時の振動によりダストが発生しないように、自重を超える力で押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜を形成することが好ましい。
【００８７】
上部補助基体６０９が、第一の上部補助基体６０４および第二の上部補助基体６０５からなり、この順に基体ホルダー６０６に設置されている。その場合、基体ホルダー６０６に対して第二の上部補助基体６０５を押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜を形成することが好ましい。
【００８８】
基体ホルダー６０６に第二の上部補助基体６０５を押しつけることにより、第一の上部補助基体６０４が円筒状基体６０３に押しつけられる。さらに、円筒状基体６０３が下部補助基体６０８に押しつけられる。よって、各端面での密着性が向上し、搬送時のダストの発生を低減することが可能となる。
【００８９】
基体ホルダー６０６に第二の上部補助基体６０５を押しつける方法は特に制限はないが、例えば以下のような方法により実施することができる。
【００９０】
図６は下部補助基体６０８、円筒状基体６０３、上部補助基体６０９が基体ホルダー６０６に装着されている。下部補助基体６０８は、第一の下部補助基体６０１および第二の下部補助基体６０２からなり、この順に基体ホルダー６０６に装着されている。また、上部補助基体６０９は、第一の上部補助基体６０４および第二の上部補助基体６０５からなり、この順に基体ホルダー６０６に装着されている。基体ホルダー６０６は反応容器の中の接地接続された受け台６０７に導通状態で設置されている。
【００９１】
基体ホルダー６０６と第二の上部補助基体６０５はネジ６１０によって固定されている。ネジ６１０は第二の上部補助基体６０５を基体ホルダー６０６に固定できるだけの強度をもつものであれば特に制限はない。ネジ６１０の材質としては例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金が好適である。
【００９２】
また、ネジ６１０と第二の上部補助基体６０５の間に弾性部材であるバネ６１１を設けてもよい。ネジ６１０を押し込むことによって、弾性部材であるバネ６１１を介して第二の上部補助基体６０５が押しつけられる。これにより、基体ホルダー６０６が熱的に伸び縮みしても安定して、第二の上部補助基体６０５を押しつけることが可能となる。
【００９３】
ネジ６１０の締め付けトルクを適宜選択することで、第二の上部補助基体６０５を加圧する力を適切に調整することが可能となる。
【００９４】
加圧されることで各端面が押しつぶされて、算術平均粗さは加圧前より小さくなる場合がある。あらかじめネジ６１０の締め付けトルクにより各端面の算術平均粗さがどの程度変化するかを測定しておくことにより、堆積膜形成中の各端面の算術平均粗さを所望の値にすることが可能となる。
【００９５】
（堆積膜形成方法）
次に、本発明における堆積膜形成方法を説明する。
【００９６】
図４は、プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示した断面図である。
【００９７】
まず、反応容器４１０の内部に第一の下部補助基体４０１、第二の下部補助基体４０２、円筒状基体４０３、第一の上部補助基体４０４および第二の上部補助基体４０５が装着された基体ホルダー４０６を搬入する。そして、接地接続された受け台４０７に設置した後、ゲート弁４１４を閉める。
【００９８】
各端面の算術平均粗さは、例えば、Ｒａ１＝１．３μｍ、Ｒａ２＝１．２μｍ、Ｒａ３＝０．２μｍ、Ｒａ４＝０．４μｍ、Ｒａ５＝０．３μｍ、Ｒａ６＝０．４μｍ、Ｒａ７＝１．３μｍ、Ｒａ８＝１．５μｍとし、下記式（１）を満足するようにする。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
【００９９】
その後、真空ポンプユニット（不図示）により排気された反応容器４１０の内部に、円筒状基体４０３の加熱に必要なガス（例えばＡｒガス、Ｈｅガス）を導入する。加熱に必要なガスは、ミキシング装置４１９、原料ガス流入バルブ４２０、接続配管４１８および原料ガス導入管４１７を介して導入する。
【０１００】
そして、反応容器４１０の内部が所定の圧力になるように、真空計４２４を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット（不図示）のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【０１０１】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒーター４１６により円筒状基体４０３の温度を１５０〜４５０℃、より好ましくは２００〜３５０℃の所望の温度に制御する。
【０１０２】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜の形成を行う。このために、まず、堆積膜形成用の原料ガスとして、主原料ガスと希釈ガスおよび特性改善ガスを、ミキシング装置４１９を介して混合して導入し、導入ガスが所望の流量になるように調整する。その際、反応容器４１０の内部の圧力が１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａの所望の圧力になるように、真空計４２４を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。
【０１０３】
堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、六フッ化二ケイ素（Ｓｉ２Ｆ６）のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。
【０１０４】
この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）が挙げられる。また、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化ホウ素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）の特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【０１０５】
次に、反応容器４１０の内部の圧力が安定した後、高周波電源４２６を所望の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス４２５を介して円筒状電極４１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器４１０の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜が形成される。
【０１０６】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは、円筒状基体４０３を加熱する段階から、円筒状基体４０３を回転させてもよい。この回転は、０．５〜２０ｒｐｍ、例えば、１０ｒｐｍの回転速度とする。こうすることで円筒状基体４０３の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【０１０７】
以上のようにして円筒状基体４０３の外周面上に堆積膜が形成される。
【０１０８】
多層膜を形成する場合には、各層の堆積膜が所望の膜厚になった時点で高周波電力の供給を停止し、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。また、連続的に高周波電力、原料ガスの種類、流量設定、加熱用ヒーター４１６の電力、反応容器４１０の中の圧力を再設定して堆積膜を形成してもよい。
【０１０９】
堆積膜が形成された後は、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒーター４１６の電力の供給を停止し、反応容器４１０の中を排気する。その後、反応容器４１０および原料ガス導入管４１７内をパージガス、例えばＡｒ、ＨｅやＮ２などの不活性ガスの少なくとも１つを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、第一の下部補助基体４０１、第二の下部補助基体４０２、円筒状基体４０３、第一の上部補助基体４０４および第二の上部補助基体４０５が装着された基体ホルダー４０６を反応容器４１０の中から搬出する。
【実施例】
【０１１０】
以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１１１】
〔実施例１〕
図４に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウム製の外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体４０３の上に、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。製造の際の各種条件を表１に示す。
【０１１２】
図７において符号７０１は円筒状基体を、符号７０２は下部阻止層を、符号７０３は光導電層を、符号７０４は上部阻止層を、符号７０５は表面層をそれぞれ示す。
【０１１３】
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図１に示す構成にした。
【０１１４】
つまり、第一の下部補助基体１０１、第二の下部補助基体１０２、円筒状基体１０３、第一の上部補助基体１０４および第二の上部補助基体１０５がこの順に基体ホルダー１０６に装着されている構成にした。
【０１１５】
本実施例では各端面の算術平均粗さを表４に示すように、下記式（１）を満足するようにした。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
【０１１６】
各端面は、サンドペーパー（三共理化学（株）製、商品名：ＤＣＣＳ）を用い、研磨加工を行った。加工の手順としては、まず、円筒状基体もしくは補助基体を旋盤などの回転駆動機にセットし、回転速度２００〜１０００ｒｐｍで回転させる。次に、サンドペーパーを端面に押し当て、所望の算術平均粗さに加工する。なお、サンドペーパーは、粒度５００〜２０００の範囲で粗さに応じ使用した。
【０１１７】
（軸方向膜厚ムラの評価）
渦電流式膜厚計（（株）フィッシャーインストルメンツ製、ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）を用いて、軸方向膜厚ムラの評価を行った。電子写真感光体の中央部位置を０位置とし、そこから軸方向に両側それぞれ４ｃｍ間隔で８点（±４ｃｍ、±８ｃｍ、±１２ｃｍ、±１６ｃｍ）の合計９点の膜厚を測定した。また、各９点について、それぞれ周方向４５°間隔で８点の膜厚を測定した。軸方向の各９点において、得られた周方向８点の膜厚の平均値を求めた。得られた軸方向の各位置の平均値の、最大値と最小値の膜厚差を軸方向膜厚ムラとした。評価は、後述する比較例１で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１１８】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
ランクＢ以上で本発明の効果が得られていると考える。
Ａ・・・６０未満
Ｂ・・・６０以上９０未満
Ｃ・・・９０以上１１０未満
Ｄ・・・１１０以上
評価結果を表４に示す。
【０１１９】
なお、上記渦電流式膜厚計による具体的な膜厚測定方法手順の詳細を以下に説明する。
【０１２０】
気温２５℃、湿度６０％ＲＨ、１気圧に調整された環境の下で、まず、キャリブレーションを行い、検量線を膜厚計に覚え込ませる。膜厚測定を行う電子写真感光体に使われている基体と同じ円筒状基体（堆積膜の付いていないもの）を用意し、表面を１０回測定することにより、ゼロ点を合わせる。次に、円筒状基体上に、装置付属の標準板（厚みが分かっているフィルム）を置き、これを１０回測定し、標準板の膜厚を入力する。次に厚みの異なる２枚目の標準板も同様に１０回測定し、標準板の膜厚を入力する。以上で、膜厚計のキャリブレーションは完了する。
【０１２１】
こうして渦電流式膜厚計に検量線を覚え込ませることで、正しい膜厚を測定することが可能になる。その他の具体的な操作や測定作業は、すべてＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ付属の取扱説明書に従った。
【０１２２】
次に、成膜（層形成）の終わった電子写真感光体を測定した。渦電流式膜厚計は、上記の手順ですでにキャリブレーションされているため、電子写真感光体の膜厚を直読することができる。
【０１２３】
〔実施例２〕
本実施例では表２に示すように、表１の条件から光導電層形成時のＳｉＨ４／Ｈ２比を１：７に変更した条件で、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。
【０１２４】
上記以外は、実施例１と同様に、電子写真感光体を製造した。
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１２５】
〔実施例３〕
本実施例では表３に示すように、表１の条件から光導電層形成時のＳｉＨ４／Ｈ２比を１：３に変更した条件で、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。
【０１２６】
上記以外は、実施例１と同様に、電子写真感光体を製造した。
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１２７】
〔実施例４〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図２に示す構成にした。
【０１２８】
つまり、第一の下部補助基体２０１、第二の下部補助基体２０２、円筒状基体２０３および上部補助基体２０４がこの順に基体ホルダー１０５に装着されている構成にした。
【０１２９】
本実施例では各端面の算術平均粗さを表４に示すように、下記式（３）を満足するようにした。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（３）
上記以外は、実施例２と同様に、電子写真感光体を製造した。
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１３０】
〔実施例５〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図３に示す構成にした。
【０１３１】
つまり、下部補助基体３０１、円筒状基体３０２、第一の上部補助基体３０３および第二の上部補助基体３０４がこの順に基体ホルダー３０５に装着されている構成にした。
【０１３２】
本実施例では、各端面の算術平均粗さを表４に示すように、下記式（５）を満足するようにした。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（５）
上記以外は、実施例３と同様に、電子写真感光体を製造した。
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１３３】
〔比較例１および２〕
本比較例では、円筒状基体の設置方法を図１に示す構成にした。
【０１３４】
本比較例では各端面の算術平均粗さを表４に示すように、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８を本発明外の範囲に設定した以外は、実施例１と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１３５】
本比較例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１３６】
〔比較例３および４〕
本比較例では、円筒状基体の設置方法を図２に示す構成にした。
【０１３７】
本比較例では各端面の算術平均粗さを表４に示すように、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６を本発明外の範囲に設定した以外は、実施例４と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１３８】
本比較例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１３９】
〔比較例５および６〕
本比較例では、円筒状基体の設置方法を図３に示す構成にした。
【０１４０】
本比較例では各端面の算術平均粗さを表４に示すように、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７およびＲａ８を本発明外の範囲に設定した以外は、実施例５と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１４１】
本比較例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表４に示す。
【０１４２】
【表１】
2017003862.tif 000003
【０１４３】
【表２】
2017003862.tif 000004
【０１４４】
【表３】
2017003862.tif 000005
【０１４５】
【表４】
2017003862.tif 000006
【０１４６】
表４から、実施例１〜５においては、軸方向膜厚ムラが改善されており、本発明の効果が明らかになった。
【０１４７】
〔実施例６および７〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図１に示す構成にした。
【０１４８】
本実施例では表５に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（２）を満足するようにした以外は、実施例１と同様に、電子写真感光体を製造した。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍかつ２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（２）
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表５に示す。
【０１４９】
表５には、比較のため、実施例１の結果も示す。
【０１５０】
〔実施例８および９〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図２に示す構成にした。
【０１５１】
本実施例では表５に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（４）を満足するようにした以外は、実施例４と同様に、電子写真感光体を製造した。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（４）
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表５に示す。
【０１５２】
表５には、比較のため、実施例４の結果も示す。
【０１５３】
〔実施例１０および１１〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図３に示す構成にした。
【０１５４】
本実施例では表５に示すように、各端面の算術平均粗さが下記式（６）を満足するようにした以外は、実施例５と同様に、電子写真感光体を製造した。
Ｒａ３＋Ｒａ４≦１．０μｍ、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６≦１．０μｍ、かつ、２．０μｍ≦Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（６）
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表５に示す。
【０１５５】
表５には、比較のため、実施例５の結果も示す。
【０１５６】
【表５】
2017003862.tif 000007
【０１５７】
表５から、
円筒状基体の設置方法が図１の場合は上記式（２）、
円筒状基体の設置方法が図２の場合は上記式（４）、
円筒状基体の設置方法が図３の場合は上記式（６）
を満足するようにした実施例６〜１１においては、軸方向膜厚ムラがさらに改善され、本発明の効果がより高まることが明らかになった。
【０１５８】
〔実施例１２〕
本実施例では表６に示すように、表１の条件から光導電層形成時の電力（パワー）を１５００Ｗに変更した以外は、実施例７と同様に、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。本実施例では電子写真感光体を１０本製造した。本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。
【０１５９】
さらに形成した電子写真感光体を温度２５℃の水道水の中に入れ、５日間放置し、目視により端部剥がれの評価も行った。評価を実施した範囲は、円筒状基体１０３の上端部および下端部から電子写真感光体の母線方向３ｍｍの範囲とした。
【０１６０】
そして、得られた結果を以下に示す基準でランク付けを行った。結果を表９に示す。
Ａ・・・１０本とも端部剥がれは認められない。
Ｂ・・・端部剥がれが認められる電子写真感光体が１本以上３本以下。
【０１６１】
〔実施例１３〕
本実施例では表７に示すように、表２の条件から光導電層形成時の電力（パワー）を１５００Ｗに変更した以外は、実施例９と同様に、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。
【０１６２】
本実施例においても、実施例１２と同様の評価を行った。結果を表９に示す。
【０１６３】
〔実施例１４〕
本実施例では表８に示すように、表３の条件から光導電層形成時の電力（パワー）を１５００Ｗに変更した以外は、実施例１１と同様に、図７に示す層構成のアモルファスシリコン電子写真感光体を製造した。本実施例においても、実施例１２と同様の評価を行った。結果を表９に示す。
【０１６４】
〔実施例１５〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図５に示す構成にした以外は、実施例１２と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１６５】
つまり、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との間に樹脂材料５１０をさらに設け、第一の上部補助基体５０３と第二の上部補助基体５０４との間にも樹脂材料５１０をさらに設けた。樹脂材料５１０として厚さ０．３ｍｍのポリテトラフルオロエチレンシートを用いた。
【０１６６】
本実施例においても、実施例１２と同様の評価を行った。結果を表９に示す。
【０１６７】
〔実施例１６〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図２に示す構成にし、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との間に樹脂材料５１０をさらに設けたこと以外は、実施例１３と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１６８】
樹脂材料５１０として厚さ０．３ｍｍのポリテトラフルオロエチレンシートを用いた。
【０１６９】
本実施例においても、実施例１２と同様の評価を行った。結果を表９に示す。
【０１７０】
〔実施例１７〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図３に示す構成にし、第一の上部補助基体５０３と第二の上部補助基体５０４との間に樹脂材料５１０をさらに設けたこと以外は、実施例１４と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１７１】
樹脂材料５１０として厚さ０．３ｍｍのポリテトラフルオロエチレンシートを用いた。
【０１７２】
本実施例においても、実施例１２と同様の評価を行った。結果を表９に示す。
【０１７３】
【表６】
2017003862.tif 000008
【０１７４】
【表７】
2017003862.tif 000009
【０１７５】
【表８】
2017003862.tif 000010
【０１７６】
【表９】
2017003862.tif 000011
【０１７７】
表９から、下記式（１）、（３）および（５）を満足し、かつ、補助基体同士の間に樹脂材料であるポリテトラフルオロエチレンシートを設けるようにした実施例１５〜１７においては、端部剥がれが改善されている。つまり、製造条件のラチチュードが広がることが明らかになった。
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（１）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ１＋Ｒａ２、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ１＋Ｒａ２  ・・・（３）
Ｒａ３＋Ｒａ４＜Ｒａ７＋Ｒａ８、かつ、Ｒａ５＋Ｒａ６＜Ｒａ７＋Ｒａ８  ・・・（５）
【０１７８】
〔実施例１８〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図６に示す構成にした。つまり、基体ホルダー６０６に対して第二の上部補助基体６０５を押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜の形成を行った。
【０１７９】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１２と同様に、電子写真感光体を製造した。本実施例では、ネジ６１０の材質はＳＵＳ３０４（オーステナイト系ステンレス鋼）を用いた。ネジ６１０は第二の上部補助基体６０５の周方向に９０度間隔で４個設置した。
【０１８０】
さらにネジ６１０と第二の上部補助基体６０５との間に弾性部材であるバネ６１１を設けた。バネ６１１の材質はＳＵＳ３０４を用いた。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０１８１】
本実施例においても、実施例１と同様の評価を行った。さらに以下に示す方法により球状突起の評価も行った。結果を表１０に示す。
【０１８２】
（球状突起）
作製した電子写真感光体を、光学顕微鏡を用いて電子写真感光体の全面の観察を行い、球状突起の個数をカウントした。カウントする対象とした球状突起は、電子写真感光体の表面から見た場合の、球状突起の外接円の直径が１０μｍ以上のものとした。
【０１８３】
評価は、実施例１５で作製した電子写真感光体の結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１８４】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
Ａ・・・５０未満。
Ｂ・・・５０以上８０未満。
Ｃ・・・８０以上１１０未満。
【０１８５】
その評価結果を表１０に示す。
表１０には、比較のため、実施例１５の結果も示す。
【０１８６】
〔実施例１９〕
本実施例では図２の円筒状基体の設置方法に、図６の押え機構を組み合わせた構成にした。つまり、基体ホルダー６０６に対して上部補助基体６０９を押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜の形成を行った。
【０１８７】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１３と同様に、電子写真感光体を製造した。本実施例では、ネジ６１０の材質、設置方法、バネ６１１の材質は実施例１８と同様にした。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０１８８】
本実施例においても、実施例１８と同様の評価を行った。結果を表１０に示す。
表１０には、比較のため、実施例１６の結果も示す。
【０１８９】
〔実施例２０〕
本実施例では図３の円筒状基体の設置方法に、図６の押え機構を組み合わせた構成にした。つまり、基体ホルダー６０６に対して第二の上部補助基体６０５を押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜の形成を行った。
【０１９０】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１４と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１９１】
本実施例では、ネジ６１０の材質、設置方法、バネ６１１の材質は実施例１８と同様にした。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０１９２】
本実施例においても、実施例１８と同様の評価を行った。結果を表１０に示す。
表１０には、比較のため、実施例１４の結果も示す。
【０１９３】
〔実施例２１〕
本実施例では、円筒状基体の設置方法を図６に示す構成にし、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との間に樹脂材料５１０をさらに設け、第一の上部補助基体５０３と第二の上部補助基体５０４との間にも樹脂材料５１０をさらに設けた。
【０１９４】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１５と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１９５】
本実施例では、ネジ６１０の材質、設置方法、バネ６１１の材質は実施例１８と同様にした。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０１９６】
本実施例においても、実施例１８と同様の評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１９７】
〔実施例２２〕
本実施例では図２の円筒状基体の設置方法に、図６の押え機構を組み合わせた構成にし、第一の下部補助基体５０１と第二の下部補助基体５０２との間に樹脂材料５１０をさらに設けた。
【０１９８】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１６と同様に、電子写真感光体を製造した。
【０１９９】
本実施例では、ネジ６１０の材質、設置方法、バネ６１１の材質は実施例１８と同様にした。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０２００】
本実施例においても、実施例１８と同様の評価を行った。結果を表１０に示す。
【０２０１】
〔実施例２３〕
本実施例では図３の円筒状基体の設置方法に、図６の押え機構を組み合わせた構成にし、第一の上部補助基体５０３と第二の上部補助基体５０４との間に樹脂材料５１０をさらに設けた。
【０２０２】
そして、下部補助基体６０８、円筒状基体６０３および上部補助基体６０９が装着された基体ホルダー６０６の搬送時に、加速実験として故意に振動を与えた後、反応容器に搬入した。上記以外は、実施例１７と同様に、電子写真感光体を製造した。本実施例では、ネジ６１０の材質、設置方法、バネ６１１の材質は実施例１８と同様にした。本実施例では電子写真感光体を１本製造した。
【０２０３】
本実施例においても、実施例１８と同様の評価を行った。結果を表１０に示す。
【０２０４】
【表１０】
2017003862.tif 000012
【０２０５】
表１０から、基体ホルダー６０６に対して第二の上部補助基体６０５または上部補助基体６０９を押しつけながら、円筒状基体６０３の上に堆積膜を形成するようにした実施例１８〜２３においては、球状突起が改善されており、本発明の効果が明らかになった。
【符号の説明】
【０２０６】
１０１  第一の下部補助基体
１０２  第二の下部補助基体円筒状基体
１０３  円筒状基体
１０４  第一の上部補助基体
１０５  第二の上部補助基体
１０６  基体ホルダー
１０７  受け台
１０８  下部補助基体
１０９  上部補助基体
【図１】
2017003862.tif 000013
【図２】
2017003862.tif 000014
【図３】
2017003862.tif 000015
【図４】
2017003862.tif 000016
【図５】
2017003862.tif 000017
【図６】
2017003862.tif 000018
【図７】
2017003862.tif 000019