【事件の表示】
　特願２００５−５０１１４１「マルチパッケージモジュールおよびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日国際公開、ＷＯ２００４／０３４４３３、平成１８年　１月１９日国内公表、特表２００６−５０２５９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理由
１．手続の経緯
　本願は、２００３年１０月８日（パリ条約による優先権主張　２００２年１０月８日（ＵＳ）米国、２００３年４月４日（ＵＳ）米国、２００３年７月１４日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年２月２２日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２２年６月２５日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　　　　　
２．平成２２年６月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２２年６月２５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本願補正発明
　上記補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、前記上側パッケージは、裏返しにされ、前記基板の少なくとも下方を向く表面及び上方を向く表面に内部のビアによって互いに接続された金属層を有するとともに前記基板の縁部の近くの上方を向く金属層に相互接続パッドが配置され、且つ前記基板の下方を向く表面にある金属層に前記ダイがワイヤボンドされ、前記上側パッケージの前記基板の相互接続パッド及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記上側パッケージの上方を向く表面には、熱伝導性のヒートスプレッターが設けられており、前記ヒートスプレッターは、周囲の領域において、前記ワイヤボンディングと干渉しないように、中央の領域よりも薄く形成されている、マルチパッケージモジュール。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するための事項である「上側パッケージ」の「上方を向く表面」について、
「前記上側パッケージの上方を向く表面には、熱伝導性のヒートスプレッターが設けられており、前記ヒートスプレッターは、周囲の領域において、前記ワイヤボンディングと干渉しないように、中央の領域よりも薄く形成されている」との限定を付すものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　　　　
　そこで、上記補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　　　　
（２）引用文献及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である、特開２０００−２９４７２３号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
ａ：「【特許請求の範囲】
【請求項１】　少なくとも第１の半導体装置と第２の半導体装置とよりなり、互いの半導体装置どうしを放熱性接着剤を介して積層化して接合した積層型半導体装置であって、前記第１の半導体装置上に第２の半導体装置が積層され、前記第１の半導体装置と第２の半導体装置とが電気的に接続され、前記第２の半導体装置上に放熱用の金属製プレート板が設けられ、前記金属製プレート板が露出するように、前記第１の半導体装置と前記第２の半導体装置との外囲を封止樹脂で封止したことを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】　底面に外部端子を有し、上面に前記外部端子と基板内接続した電極を有した絶縁性回路基板よりなる第１の半導体キャリア基板と、前記電極に対応してその主面の電極パッドがバンプを介して接合された第１の半導体素子とよりなる第１の半導体装置と、底面に外部端子を有し、上面に前記外部端子と基板内接続した電極を有した絶縁性回路基板よりなる第２の半導体キャリア基板と、前記電極に対応してその主面の電極パッドがバンプを介して接合された第２の半導体素子とよりなる第２の半導体装置とが放熱性接着剤を介して積層化して接合した積層型半導体装置であって、前記第１の半導体素子の裏面と第２の半導体素子の裏面とが接合され、前記第２の半導体キャリア基板の底面の外部端子と前記第１の半導体キャリア基板の上面の電極とが金属細線で電気的に接続され、前記第２の半導体キャリア基板の底面上に放熱用の金属製プレート板が設けられ、前記金属製プレート板が露出するように、前記第１の半導体キャリア基板の上面領域の前記第２の半導体装置を含む領域を封止樹脂で封止したことを特徴とする積層型半導体装置。
　・・・（後略）・・・　」（【特許請求の範囲】）
　　　　　
ｂ：「【０００６】図６に示すように、従来のフリップチップ実装型の積層型半導体装置は、その主面の電極パッド７にバンプ２が形成された第１の半導体素子１が、その主面を下にして（フリップチップ）、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板よりなる半導体キャリア基板８上の複数の電極９とが半田あるいは導電性接着剤等により接合されている。そして、接合された第１の半導体素子１と半導体キャリア基板８との隙間には、エポキシ系の封止樹脂６が充填封止されている。なお、半導体キャリア基板８は、その裏面に外部端子１０を有し、電極９と外部端子１０とは半導体キャリア基板８内に形成されたビア(図示せず）により、内部接続されている。そしてもう一つ別の第２の半導体素子５が、半田または導電性接着剤１１等を介して、第１の半導体素子１の裏面と接合されており、この第２の半導体素子５の表面の電極パッド７から、半導体キャリア基板８の表面外周部にあるボンディングパッド１２に金属細線１３でボンディングされている。そして第１の半導体素子１、第２の半導体素子５および金属細線１３を含む半導体キャリア基板８の上面側を封止樹脂６で樹脂モールドして積層型半導体装置を構成している。」（段落【０００６】）
　　　　　
ｃ：「【００１８】図１に示すように本実施形態の積層型半導体装置は、その主面の電極パッド７にバンプ２の形成された第１の半導体素子１がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ａに接合されている。ここで第１の半導体素子１上に形成されたバンプ２と半導体キャリア基板８ａ上の複数の電極９ａとが半田あるいは導電性接着剤１４等により接合されている。そして接合された第１の半導体素子１と半導体キャリア基板８ａとの隙間には、エポキシ系の封止樹脂６が充填封止されている。なお、半導体キャリア基板８ａはその裏面に外部端子１０を有し、電極９ａと外部端子１０とは、半導体キャリア基板８ａ内に形成されたビア（図示せず）により内部接続されているものである。そして第１の半導体素子１の裏面側に放熱性接着剤１５を介して第２の半導体素子５がその裏面側で接合されており、この第２の半導体素子５もまた第１の半導体素子の実装構造と同様に、その主面の電極パッド７にバンプ２の形成された第２の半導体素子５がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ｂに接合されている。そして同様に、第２の半導体素子５上に形成されたバンプ２と半導体キャリア基板８ｂ上の複数の電極９ｂとが半田あるいは導電性接着剤等１４により接合されている。そして接合された第２の半導体素子５と半導体キャリア基板８ｂとの隙間には、エポキシ系の封止樹脂６が充填封止されている。なお、半導体キャリア基板８ｂはその裏面に外部端子１０を有し、電極９ｂと外部端子１０とは、半導体キャリア基板８ｂ内に形成されたビア（図示せず）により内部接続されているものである。」（段落【００１８】）
　　　　　
ｄ：「【００１９】また、積層化した２種の半導体素子のうち、第２の半導体素子５からの電気的信号を電気的にユーザ基板へ導くため、第２の半導体素子５の半導体キャリア基板８ｂ裏面の外周部にある電極端子１６から、積層化した下側にある第１の半導体素子１の半導体キャリア基板８ａの表層面外周部に設けたボンディングパッド部１７へ金線等の金属細線１３でボンディングしているものである。そして第２の半導体素子５側の半導体キャリア基板８ｂの裏面の略中央部には、放熱用の金属メッキ層または金属製プレート板１８が設けられているものである。」（段落【００１９】）
　　　　　
ｅ：「【００３５】図３に示す積層型半導体装置は、図１に示した積層型半導体装置における上側の半導体装置として、図１のようにフリップチップ実装した半導体装置ではなく、パッケージ底面に外部電極２５が配列したモールド封止型の半導体装置２６を第１の半導体素子１の裏面に対して、放熱性接着剤１５により接合した構成である。なお、他の構成は図１に示した構成と同じである。図３の構成のように、フリップチップ実装した半導体装置どうしでなくとも積層型を構成し、半導体装置２６の裏面中央部に放熱用の金属製プレート板１８を設けることにより、電子機器の筐体へ放熱させることができるものであり、高密度実装を実現するとともに、放熱性を向上させることができる。」（段落【００３５】）
　　　　　
　上記の各記載事項及び図面の記載を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されていると認められる。
　「第１の半導体装置と第２の半導体装置とよりなり、互いの半導体装置どうしを放熱性接着剤を介して積層化して接合した積層型半導体装置であって、
　その主面の電極パッド７にバンプ２の形成された第１の半導体素子１がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ａに接合されており、
　第１の半導体素子１の裏面側に放熱性接着剤１５を介して第２の半導体素子５がその裏面側で接合されており、
　この第２の半導体素子５もまた第１の半導体素子の実装構造と同様に、その主面の電極パッド７にバンプ２の形成された第２の半導体素子５がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ｂに接合されており、
　第２の半導体素子５上に形成されたバンプ２と半導体キャリア基板８ｂ上の複数の電極９ｂとが半田あるいは導電性接着剤等１４により接合されており、
　半導体キャリア基板８ｂはその裏面に外部端子１０を有し、電極９ｂと外部端子１０とは、半導体キャリア基板８ｂ内に形成されたビアにより内部接続されており、
　第２の半導体素子５の半導体キャリア基板８ｂ裏面の外周部にある電極端子１６から、積層化した下側にある第１の半導体素子１の半導体キャリア基板８ａの表層面外周部に設けたボンディングパッド部１７へ金線等の金属細線１３でボンディングしているものであり、
　第２の半導体素子５側の半導体キャリア基板８ｂの裏面の略中央部には、放熱用の金属製プレート板１８が設けられている、
　積層型半導体装置。」
　　　　　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「第１の半導体装置」は本願補正発明の「下側パッケージ」に相当する。
　以下、同様に「第２の半導体装置」は「上側パッケージ」に、「半導体キャリア基板８ａ」及び「半導体キャリア基板８ｂ」は「基板」に、「第１の半導体素子」及び「第２の半導体素子」は「ダイ」に、「第２の半導体素子５側の半導体キャリア基板８ｂの裏面」は「上側パッケージの上方を向く表面」に、「放熱用の金属製プレート板」は「熱伝導性のヒートスプレッター」に、「積層型半導体装置」は「マルチパッケージモジュール」に、それぞれ相当する。
　引用発明では、「第１の半導体装置と第２の半導体装置とよりなり、互いの半導体装置どうしを放熱性接着剤を介して積層化」しているから、本願補正発明の「積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え」る構成を備えているといえる。
　引用発明では「第１の半導体素子１がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ａに接合されており」、また、「第２の半導体素子５もまた第１の半導体素子の実装構造と同様に、その主面の電極パッド７にバンプ２の形成された第２の半導体素子５がその主面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体とした多層回路基板より成る半導体キャリア基板８ｂに接合されて」いるから、引用発明は、本願補正発明の「パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し」ている構成を備えているといえる。
　引用発明では、「第１の半導体素子１の裏面側に放熱性接着剤１５を介して第２の半導体素子５がその裏面側で接合されて」いるから、引用発明は、本願補正発明の「上側パッケージは、裏返しにされ」ている構成を備えているといえる。
　引用発明では、「半導体キャリア基板８ｂはその裏面に外部端子１０を有し、電極９ｂと外部端子１０とは、半導体キャリア基板８ｂ内に形成されたビアにより内部接続されて」おり、また、「第２の半導体素子５の半導体キャリア基板８ｂ裏面の外周部にある電極端子１６」があるから、引用発明は、本願補正発明の「上側パッケージは、」「前記基板の少なくとも下方を向く表面及び上方を向く表面に内部のビアによって互いに接続された金属層を有するとともに前記基板の縁部の近くの上方を向く金属層に相互接続パッドが配置され」ている構成を備えているといえる。
　引用発明では、「第２の半導体素子５の半導体キャリア基板８ｂ裏面の外周部にある電極端子１６から、積層化した下側にある第１の半導体素子１の半導体キャリア基板８ａの表層面外周部に設けたボンディングパッド部１７へ金線等の金属細線１３でボンディングしている」から、引用発明は、本願補正発明の「上側パッケージの前記基板の相互接続パッド及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され」ている構成を備えているといえる。
　引用発明では、「半導体キャリア基板８ｂ上の複数の電極９ｂ」は、半導体キャリア基板８ｂの下側にあるから（引用例の図１を参照。）、引用発明の「第２の半導体素子５上に形成されたバンプ２と半導体キャリア基板８ｂ上の複数の電極９ｂとが半田あるいは導電性接着剤等１４により接合されて」いることと、本願補正発明の「基板の下方を向く表面にある金属層に前記ダイがワイヤボンドされ」ていることとは、基板の下方を向く表面にある金属層に前記ダイが、電気的に接続されている点で、共通している。
　　　　　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
　「積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、前記上側パッケージは、裏返しにされ、前記基板の少なくとも下方を向く表面及び上方を向く表面に内部のビアによって互いに接続された金属層を有するとともに前記基板の縁部の近くの上方を向く金属層に相互接続パッドが配置され、且つ前記基板の下方を向く表面にある金属層に前記ダイが電気的に接続され、前記上側パッケージの前記基板の相互接続パッド及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記上側パッケージの上方を向く表面には、熱伝導性のヒートスプレッターが設けられている、マルチパッケージモジュール。 」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
 上側パッケージにおける「電気的に接続」に関し、本願補正発明では「ワイヤボンド」であるのに対して、引用発明では、「半田あるいは導電性接着剤等１４により接合」、すなわち「フリップチップ」である点。
　　　　　
［相違点２］
　「ヒートスプレッター」に関し、本願補正発明では「周囲の領域において、前記ワイヤボンディングと干渉しないように、中央の領域よりも薄く形成されている」のに対して、引用発明では上記のように形成されていない点。
　　　　　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　基板の金属層とダイとを電気的に接続するものとして、ワイヤボンドを用いることは、慣用の技術である。
　例えば、引用例の前記の記載事項ｂ及び図６を参照すれば、第２の半導体素子５の表面の電極パッド７から、半導体キャリア基板８の表面外周部にあるボンディングパッド１２に金属細線１３でボンディング（ワイヤボンドに相当。）されたものが記載されている。
　また、例えば本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平５−２７５５８１号公報（特に段落【００１５】及び図１〜２を参照。）には、「【００１５】なお、前記セラミック回路基板の表面に搭載される半導体チップとしては例えばＬＳＩチップ等が用いられ、前記セラミック回路基板の表面に例えばＡｕ層を介してダイボンディングされる。かかる半導体チップは、例えばＴＡＢやフリップチップ法、またはワイヤボンディングにより前記セラミック回路基板の薄膜配線に接続して搭載される。・・・」と記載されており、
　同じく本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である国際公開第０２／０６９３９９号（特表２００４−５２３１２１号公報の特に【要約】及び【請求項１０】〜【請求項１１】を参照。）には、ダイを基板にワイヤボンディング又はフリップチップの何れかによって接続することが記載されており、
　同じく本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平８−１４８８３９号公報（特に段落【００１８】を参照。）には、「電子部品としては，フリップチップ型素子，又はワイヤボンド型素子のいずれを用いてもよい。」と記載されており、これらの刊行物の記載からも、フリップチップとワイヤボンドとは、互いに置き換えることができる慣用の技術であったものといえる。
　一方、引用例の前記の記載事項ｅには、フリップチップ実装した半導体装置どうしでなくとも積層型を構成することができる旨が記載されている。
　すると、引用発明において、これらの慣用の技術を参照することにより、フリップチップに代えてワイヤボンドを採用し、本願補正発明の上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　　　
［相違点２］について
　半導体装置の技術分野において、ヒートスプレッターを、周囲の領域において、ワイヤボンディングと干渉しないように、中央の領域よりも薄く形成することは、本願の優先権主張日前に周知の技術である。
　例えば、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２０００−２９４６９４号公報（段落【０００９】及び図４を参照。）には、半導体装置に設けられたヒートシンク（ヒートスプレッターに相当。）が、金線（ワイヤボンディングに相当。）の位置及び高さを回避する必要のためにＴ形構造とされていることが記載されており、図４には、ヒートシンク４６の周囲は中央部より薄く形成されているものが記載されており、
　同じく本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１−２４４６５２号公報（第３ページ左上欄第１６〜１９行及び図１〜３を参照。）には、放熱板（ヒートスプレッターに相当。）の下面凸形状部８ａの形状は、ボンデングワイヤー（ワイヤボンディングに相当。）を避けて、その内側に台形状に形成したことが記載されており、図１〜３には、放熱板の周囲は中央部より薄く形成されているものが記載されており、
　また、同じく本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である登録実用新案第３０７４７７９号公報（図２〜３を参照。）には、排熱板（ヒートスプレッターに相当。）の周囲が中央部より薄く形成されているものが記載されている。
　すると、引用発明において、この周知の技術を参照することにより、本願補正発明の上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　　　　
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明、慣用の技術及び周知の技術から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。  
　以上のことから、本願補正発明は、引用発明、慣用の技術及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　　　　　
 ３．本願発明について 
（１）本願発明
　平成２２年６月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年２月２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、上側パッケージは、裏返しにされ、前記基板の少なくとも下方を向く表面及び上方を向く表面に内部のビアによって互いに接続された金属層を有するとともに前記基板の縁部の近くの上方を向く金属層に相互接続パッドが配置され、且つ前記基板の下方を向く表面にある金属層に前記ダイがワイヤボンドされ、前記上側基板の相互接続パッド及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されるマルチパッケージモジュール。」
　　　　　
（２）引用文献及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献、及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。 
　　　　　
（３）対比・判断 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記限定事項を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用発明、慣用の技術及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　　　　　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、慣用の技術及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。