Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者内の局在領域に少なくとも1種の医薬化合物を制御可能に送達するための医療用植込剤であって、
表面と前記表面上の少なくとも一部に形成されたコーティングを有する植込み可能な医療装置を含み、前記コーティングが少なくとも2層を有し、前記層の少なくとも1つが少なくとも1種の遊離可能な医薬化合物を組み込み、前記層の各々が前記少なくとも1つの他の層と異なる前記遊離可能な医薬化合物の放出性に影響する少なくとも1つの物理的性質を有する、前記医療用移植剤。
【請求項２】
前記医療装置が、ステント、プローブ、カテーテル、微小粒子、ペーシングリード、血管移植片、アクセスデバイス、留置アクセスポート、弁、プレート、バリア、支持体、シャント、ディスク、及びジョイントからなる群より選ばれる、請求項1記載の医療用植込剤。
【請求項３】
前記ステントが、血管ステント、胆管ステント、及び食道ステントからなる群より選ばれる、請求項2記載の医療用植込剤。
【請求項４】
前記少なくとも1つの層がポリマーである、請求項1記載の医療用植込剤。
【請求項５】
前記少なくとも1種の医薬化合物の放出性に影響する前記少なくとも1つの物理的性質が分子量である、請求項4記載の医療用植込剤。
【請求項６】
前記分子量が約1 kDa〜100,000 kDaの範囲にある、請求項5記載の医療用植込剤。
【請求項７】
前記ポリマーが、ポリ(カプロラクトン)、ポリ(乳酸)、ポリ(グリコール酸)、ポリ(エチレン-酢酸ビニル)、コラーゲン、ヘパリン添加コラーゲン、ポリビニルピロリドン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレングリコール、ポリスチレン、アクリレート、ポリエステル、エポキシド、シリコーン、セルロース、及びそのコポリマーからなる群より選ばれる、請求項4記載の医療用植込剤。
【請求項８】
前記少なくとも1種の医薬化合物が抗再狭窄剤である、請求項1記載の医療用植込剤。
【請求項９】
前記抗再狭窄化合物がマクロライド抗生物質である、請求項8記載の医療用植込剤。
【請求項１０】
マクロライド抗生物質がラパマイシン又はその類似体や誘導体である、請求項9記載の医療用植込剤。
【請求項１１】
医療装置の表面に制御可能な薬剤放出勾配コーティングを作成する方法であって、
前記医療装置の前記表面上に第一層を形成し、前記第一層が少なくとも1種の放出可能に結合した医薬化合物を含有し且つ前記少なくとも1種の医薬化合物の放出性に影響する少なくとも1種の物理的性質を有するステップ; 及び
前記第一層上に少なくとも1つの追加層を形成し、前記少なくとも1つの追加層が前記少なくとも1つの物理的性質において異なっているステップ
を含む、前記方法。
【請求項１２】
前記ほぼ管状の構造がステント又はカテーテルである、請求項11の方法。
【請求項１３】
前記ステントが自己膨張する、請求項12記載の方法。
【請求項１４】
前記ステントが機械的に膨張性である、請求項12記載の方法。
【請求項１５】
前記ステントが生体再吸収性である、請求項12記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも1つのポリマー層の各ポリマー層が分子量の異なるポリマーから構成される、請求項11記載の方法。
【請求項１７】
前記分子量が約1 kDa〜100,000 kDaの範囲にある、請求項16記載の方法。
【請求項１８】
前記ポリマー層が、ポリ(カプロラクトン)、ポリ(乳酸)、ポリ(グリコール酸)、ポリ(エチレン-酢酸ビニル)、コラーゲン、ヘパリン添加コラーゲン、ポリビニルピロリドン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレングリコール、ポリスチレン、アクリレート、ポリエステル、エポキシド、シリコーン、セルロール、及びそのコポリマーからなる群より選ばれる、請求項11記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも1種の抗再狭窄化合物が隣接のポリマーコーティングの中に含有される、請求項16記載の方法。
【請求項２０】
前記抗再狭窄化合物がマクロライド抗生物質である、請求項19記載の方法。
【請求項２１】
マクロライド抗生物質がラパマイシン又はその類似体や誘導体である、請求項20記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも1種の抗再狭窄化合物が前記ポリマーコーティングにカップリングする、請求項16記載の方法。
【請求項２３】
前記抗再狭窄化合物がマクロライド抗生物質である、請求項22記載の方法。
【請求項２４】
マクロライド抗生物質がラパマイシン又はその類似体や誘導体である、請求項23記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソースへのアクセスを制御する方法であって、電子透かしによって信号に認可コードを埋め込むステップと、前記電子透かしを入れられた信号を認証装置に送信するステップとを有し、前記認証装置においては、前記電子透かしを入れられた信号から前記認可コードを抽出するステップと、前記抽出された認可コードに依存して前記リソースに対して実行されるべき操作を認可するステップとを有する方法。
【請求項２】
前記リソースはコンピュータプログラムを有し、前記認可コードは前記認証装置に前記プログラムを実行するための許可を与えさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リソースはコンピュータプログラムを有し、前記認可コードは前記認証装置に前記コンピュータプログラムのモジュールを起動させるための許可を与えさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リソースは電子ゲームを有し、前記認可コードは前記認証装置に前記電子ゲームにおけるチート機能を起動するための許可を与えさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リソースはマルチメディアオブジェクトを有し、前記認可コードは前記認証装置に、前記マルチメディアオブジェクトのレンダリング及び前記マルチメディアオブジェクトのコピーの作成のうちの少なくも１つのための許可を与えさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記許可は時間が制限される、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記リソースはコンピュータプログラムを有し、前記認可コードは前記認証装置に前記プログラムを実行するための以前に与えられた許可を取り消させる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記認可コードは更に、前記認証装置に前記リソースに対して実行されるべき更なる操作を認可させる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記信号は前記リソースに関連する広告を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
リソースへのアクセスを制御するように構成された認証装置であって、電子透かしを入れられた信号を受信するための受信手段と、前記電子透かしを入れられた信号に埋め込まれた認可コードを検出するための電子透かし検出手段と、抽出された前記認可コードに依存して前記リソースに対して実行されるべき操作を認可するためのアクセス制御手段とを有する認証装置。
【請求項１１】
前記認可コードはタイムスタンプを有し、前記アクセス制御手段は更に、現在の時間に対する前記タイムスタンプの比較に依存して前記操作を認可するように構成される、請求項１０に記載の認証装置。
【請求項１２】
汎用コンピュータを請求項１０に記載の認証装置として機能させるように構成されたコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスデバイスにデータダウンロードをする前に、ネットワークサーバと通信するワイヤレスデバイスのグラフィックディスプレイ上にインターラクティブスクリーンを表示するシステムにおいて、
各ワイヤレスデバイスがコンピュータプラットフォームとグラフィックディスプレイとをその上に備え、各ワイヤレスデバイスがワイヤレスネットワークと選択的に通信する、１つ以上のユーザインターラクティブワイヤレスデバイスと、
各ネットワークサーバが１つ以上のワイヤレスデバイスと選択的に通信し、アプリケーションおよびデータをワイヤレスデバイスに選択的にダウンロードする、ワイヤレスネットワークと選択的に通信する１つ以上のネットワークサーバとを具備し、
ワイヤレスデバイスがワイヤレスネットワークを通してネットワークサーバからのデータのダウンロードを試行するときに、システムが、データをワイヤレスデバイスにダウンロードする前に、ワイヤレスネットワークを通してワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにインターラクティブスクリーンを送信し、ワイヤレスデバイスがそのグラフィックディスプレイ上にインターラクティブスクリーンを表示し、
インターラクティブスクリーンは、ワイヤレスデバイスがデータのダウンロードを試行した第１のネットワークサーバからワイヤレスデバイスに送信され、
ワイヤレスデバイスがワイヤレスネットワークを通して第１のネットワークサーバからのデータのダウンロードを試行するときに、インターラクティブスクリーンがワイヤレスネットワークを通して第２のネットワークサーバからワイヤレスデバイスに送信されるシステム。
【請求項２】
ワイヤレスデバイスのユーザがワイヤレスデバイスのグラフィックスクリーン上に表示されるインターラクティブスクリーンとインターラクトするときに、ワイヤレスデバイスがインターラクションを示す信号を第２のネットワークサーバに送信し、第２のネットワークサーバがワイヤレスデバイスにおけるインターラクションを示す信号を第１のネットワークサーバに送信し、第１のネットワークサーバが要求されたデータをワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにダウンロードする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
インターラクティブスクリーンは、ユーザがワイヤレスデバイスにおいてデータの入力をできるにようにし、ワイヤレスデバイスのユーザがワイヤレスデバイスのグラフィックスクリーン上に表示されるインターラクティブスクリーン上にデータを入力するときに、ワイヤレスデバイスが入力データを第２のネットワークサーバに送信し、第２のネットワークサーバがワイヤレスデバイスにおけるデータの入力を示す信号を第１のネットワークサーバに送信し、第１のネットワークサーバが要求されたデータをワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにダウンロードする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
コンピュータプラットフォームを含むユーザインターラクティブワイヤレスデバイスのグラフィックディスプレイ上にインターラクティブスクリーンを表示し、ワイヤレスデバイスがネットワークサーバと選択的に通信し、そこからアプリケーションおよびデータをダウンロードする方法において、
ワイヤレスネットワークを通してネットワークサーバからワイヤレスデバイスへデータのダウンロードを試行し、
データをワイヤレスデバイスにダウンロードする前に、ワイヤレスネットワークを通してワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにインターラクティブスクリーンを送信し、
ワイヤレスデバイスのグラフィックディスプレイ上にインターラクティブスクリーンを表示することを含み、
ワイヤレスネットワークを通してネットワークサーバからワイヤレスデバイスへデータのダウンロードを試行することは、ワイヤレスネットワークを通して第１のネットワークサーバからワイヤレスデバイスへのデータのダウンロードを試行することを含み、
ワイヤレスネットワークを通してワイヤレスデバイスにインターラクティブスクリーンを送信することは、ワイヤレスネットワークを通して第２のネットワークサーバからワイヤレスデバイスにインターラクティブスクリーンを送信することを含む方法。
【請求項５】
ワイヤレスデバイスのグラフィックスクリーン上に表示されるインターラクティブスクリーンとインターラクトし、
インターラクションを示す信号をワイヤレスデバイスから第２のネットワークサーバに送信し、
ワイヤレスデバイスにおけるインターラクションを示す信号を第２のネットワークサーバから第１のネットワークサーバに送信し、
要求されたデータを第１のネットワークサーバからワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにダウンロードすることをさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
インターラクティブスクリーンは、ユーザがワイヤレスデバイスにおいてデータを入力できるようにし、
方法は、
ワイヤレスデバイスのグラフィックスクリーン上に表示されるインターラクティブスクリーン上にデータを入力し、
入力されたデータをワイヤレスデバイスから第２のネットワークサーバに送信し、
ワイヤレスデバイスにおけるデータの入力を示す信号を第２のネットワークサーバから第１のネットワークサーバに送信し、
要求されたデータを第１のネットワークサーバからワイヤレスデバイスのコンピュータプラットフォームにダウンロードすることをさらに含む請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
触媒により被覆されるか若しくは被覆されない一組のチャンネルに、上記オートサーマル改質器の少なくとも１種の触媒が与えられ、
上記燃料供給ストリームと上記オートサーマル改質器内の触媒との接触の程度に基づいて、上記燃料供給ストリームが、選択されたチャンネルを流れるように、上記一組のチャンネルが配置され、
そのことにより上記燃料電池フィードストリーム中のメタン濃度を制御する請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減衰位相シフト反射マスクを用いて、半導体ウェハ上に第１のフォトレジスト層をパターン化するための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上にバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）上に修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記修正可能層（５０）上に第２のフォトレジスト層（６０）を成膜する工程と、
前記第２のフォトレジスト層（６０）をパターン化して、パターン化フォトレジスト層（６０）を形成する工程と、
前記パターン化フォトレジスト層（６０）を第１のマスクとして使用し、前記修正可能層（５０）をエッチングして、パターン化された修正可能層（５５）を形成する工程と、
前記パターン化フォトレジスト層（６０）を除去する工程と、
前記パターン化された修正可能層（５５）を検査し、修正して、パターン化された修正済層（５５，７０）を形成する工程と、
前記パターン化された修正済層（５５，７０）を第２のマスクとして使用し、前記バッファ層（４０）をエッチングして、パターン化されたバッファ層（４５）を形成する工程と、
前記パターン化された修正済層（５５，７０）を除去する工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）を第３のマスクとして使用して、前記減衰位相シフト層（３０）をエッチングする工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）を除去して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
半導体ウェハ（１４０）に第１のフォトレジスト（１７０，１８０）を塗布する工程と、
前記半導体ウェハ（１４０）上の前記第１のフォトレジスト（１７０，１８０）に、前記減衰位相シフト反射マスク（１００）から放射線を反射させて、前記フォトレジスト上に露光パターンを形成する工程とを含む方法。
【請求項２】
前記バッファ層（４０）をエッチングした後で、前記パターン化されたバッファ層（４５）を検査する工程と、
前記パターン化されたバッファ層（４５）が欠陥を有している場合に、前記パターン化されたバッファ層（４５）を修正する工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体ウェハ上に露光されたフォトレジストの所望のパターンを得るための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上に修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記修正可能層（５０）上に第１のフォトレジスト層（６０）を成膜する工程と、
前記所望のパターンに従って前記第１のフォトレジスト層（６０）をパターン化する工程と、
前記所望のパターンを、前記第１のフォトレジスト層（６０）から前記修正可能層（５０）に転写する工程と、
前記所望のパターンを有しているかを判定するために、前記修正可能層（５５）を検査する工程と、
前記検査により前記修正可能層（５５）が前記所望のパターンを有していないことが示された場合には、前記修正可能層（５５）を前記所望のパターンに修正する工程と、
前記所望のパターンを前記修正可能層（５５）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１４０）に第２のフォトレジスト層（１７０，１８０）を塗布する工程と、
前記減衰位相シフト反射マスク（１００）から放射線を反射させて、前記所望のパターンで前記第２のフォトレジスト（１７０，１８０）を露光する工程とを含む方法。
【請求項４】
前記修正可能層（５０）を成膜する前に、前記減衰位相シフト層（３０）上にバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）を使用して、前記所望のパターンを、前記修正可能層（５０）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写する工程とをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
半導体ウェハ上に所望のパターンを形成するための方法であって、
反射層（２０）を有するマスク基板（１０）を提供する工程と、
前記反射層（２０）上に、前記反射層（２０）に対して選択的にエッチングすることができる減衰位相シフト層（３０）を成膜する工程と、
前記減衰位相シフト層（３０）上に、シリコンおよび酸素を含むバッファ層（４０）を成膜する工程と、
前記バッファ層（４０）上に、前記バッファ層（４０）に対して選択的にエッチングすることができる修正可能層（５０）を成膜する工程と、
前記所望のパターンに従って前記修正可能層（５０）をパターン化する工程と、
前記修正可能層（５０）をパターン化した後で、前記修正可能層（５５）を検査する工程と、
検査により前記修正可能層（５５）が前記所望のパターンを有していないことが示された場合には、前記修正可能層（５５）を前記所望のパターンに修正する工程と、
前記所望のパターンを前記修正可能層（５５）から前記減衰位相シフト層（３０）に転写して、減衰位相シフト反射マスク（１００）を形成する工程と、
前記減衰位相シフト反射マスク（１００）を使用して、前記半導体ウェハ（１４０）上に前記所望のパターンを形成する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極放出表面を有する放出器を形成する方法であって、
前記陰極放出表面上に導電性の保護層を形成するステップと、
前記保護層上に、スペーサ層を備えた電子レンズ構造を形成するステップと、
前記スペーサ層をエッチングするステップと、
その後、前記保護層をエッチングして、前記陰極放出表面を露出させるステップと
を含み、
前記スペーサ層のエッチング速度と前記保護層のエッチング速度が約１０：１以上のエッチング選択性を有する方法。
【請求項２】
電子供給源上に放出器を形成する方法であって、
前記電子供給源上にトンネル層を形成するステップと、
前記トンネル層上に陰極層を形成するステップと、
前記陰極層上に導電性の保護層を形成するステップと、
前記保護層上にテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、酸化シリコン、窒化シリコンまたはこれらの組み合わせの層で電子レンズを形成することによって、前記保護層上に電子レンズ構造を形成するステップと、
前記電子レンズ構造および前記保護層に、陰極表面への開口部を形成するステップと
を含む方法。
【請求項３】
前記開口部を形成するステップが、前記保護層をエッチングする前に前記ＴＥＯＳ層をエッチングするステップを更に含むとともに、前記ＴＥＯＳ層のエッチング速度と前記保護層のエッチング速度が約１０：１以上のエッチング選択性を有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記陰極表面への開口部を形成するために、硫酸過酸化水素で、前記ＴＥＯＳ層をエッチングした後に、前記保護層をエッチングするステップを更に含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記硫酸過酸化水素のエッチングが、約１部のＨ2Ｏと約２部のＨ2ＳＯ4を使用して行われる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
放出器を形成する方法であって、
電子供給源の表面上にトンネル層を形成するステップと、
前記トンネル層上に陰極層を形成するステップと、
前記陰極層上に第１の保護層を形成するステップと、
前記第１の保護層上に第１の導電性の層を形成するステップと、
前記第１の導電性の層上に第２の保護層を形成するステップと、
前記第２の保護層上にスペーサ層を形成するステップと、
前記スペーサ層上に第２の導電性の層を形成するステップと、
前記第２の導電性の層と前記第２の保護層との間に開口部を形成するステップと、
前記第２の保護層から前記第１の導電性の層までエッチングするステップと、
前記第１の導電性の層から前記保護層までエッチングするステップと、
前記第１の保護層から前記陰極層までエッチングするステップと
を含む方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法により形成される放出器。
【請求項８】
前記形成した第１および第２の保護層の少なくとも１つがチタンまたはモリブデンである請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記スペーサ層がテトラエチルオルトシリケート、酸化シリコン、窒化シリコンまたはこれらの組み合わせである請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子供給源の表面を形成するためにポリシリコンを堆積するステップを更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記開口部を形成するステップが、前記第２の保護層をエッチングする前に前記スペーサ層をエッチングするステップを更に含むとともに、前記スペーサ層のエッチング速度と前記第２の保護層のエッチング速度が約１０：１以上のエッチング選択性を有する請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
露出した陰極放出表面を形成するために、前記第１の保護層を硫酸過酸化水素でエッチングする請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記硫酸過酸化水素のエッチングが、約１部のＨ2Ｏと約２部のＨ2ＳＯ4を使用して行われる請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥剤及びゲッタリング材料の一方または両方を含有する吸着剤入り転写接着剤フィルムを提供する工程と、
前記転写接着剤フィルムが、基板上に配置された有機電子デバイスの外面全体の周りにガスケットを形成するかまたはデバイス全体を覆うように、前記転写接着剤フィルムを適用する工程と、
蓋が前記接着剤によって前記基板に付着されるように前記有機電子デバイス及びその外面の上に前記蓋を適用し、それによって前記デバイスを封入する工程と、
を含む、有機電子デバイスの封入方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月4日(2006.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の変形形態でも面コンタクトは、セラミック本体の相互に対向する端面上に配置されている。しかし、第１のセラミック層上に配置された内部電極はそれぞれ、異なる面コンタクトと接続されている。これらの内部電極はそれぞれ、別の面コンタクトとそれぞれ接続された、隣接する第２のセラミック層上の内部電極とオーバーラップしている（図４Ａおよび４Ｂを参照されたい）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電気的構成素子であって、
セラミック層のシーケンスを有するセラミック本体が設けられており、
それぞれ２つのセラミック層間に配置された複数の電極面が設けられており、
各電極面（５，１０）には、内部電極（１５Ａ，１５Ｂ）が少なくとも２つ配置されており、
前記セラミック本体の表面上に２つの面コンタクト（２０Ａ，２０Ｂ）が配置されており、
前記面コンタクト（２０Ａ，２０Ｂ）は、前記内部電極（１５Ａ，１５Ｂ）と導電接続されており、
もっぱら、それぞれ異なる面コンタクト（２０Ａ，２０Ｂ）と接続され、かつ隣接する第１の電極面（５）および第２の電極面（１０）上に配置された内部電極（１５Ａ，１５Ｂ）が相互にオーバーラップするように構成されていることを特徴とする電気的構成素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)誘電材料と、
(b)少なくとも二つの縮合芳香環を含むポロゲンであって、前記縮合芳香環のそれぞれがその上に少なくとも一つのアルキル置換基をもち、隣接する芳香環上の前記アルキル置換基の少なくとも二つの間に結合が存在する前記ポロゲンと
を含む、前記組成物。
【請求項２】
前記ポロゲンが、非官能基化(unfunctionalized)ポリアセナフチレンホモポリマー、官能基化ポリアセナフチレンホモポリマー、ポリアセナフチレンコポリマー、ポリ(2-ビニルナフタレン)、及びビニルアントラセン、並びに相互のブレンドからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記誘電材料が有機物である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
(a)(1)場合により式I：
【化１】
2005516382.tif 000001
の少なくとも一種のモノマーと、
(2)式II：
【化２】
2005516382.tif 000002
[式中、前記Eはかご型化合物であり、前記Qはそれぞれ同一または異なり、水素、アリール、分岐アリール及び置換アリールから選択され、前記置換基は水素、ハロゲン、アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、アリールエーテル、アルケニル、アルキニル、アルコキシル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアリール、ヒドロキシアルケニル、ヒドロキシアルキニル、ヒドロキシル、またはカルボキシルを含み、前記Gwはアリールまたは置換アリールであり、ここで置換基はハロゲン及びアルキルを含み、前記ｈは０〜10であり、前記iは０〜10であり、前記ｊは０〜10であり、及び前記ｗは０または１である]
の少なくとも一種のオリゴマーまたはポリマーとを含む熱硬化性成分と、
(b)ポロゲンと
を含む組成物であって、
前記ポロゲンが、前記熱硬化性成分(a)のガラス転移温度より低く、そして前記熱硬化性成分(a)の硬化温度より高い分解温度を持つ材料を含み、
前記ポロゲンが、非官能基化ポリアセナフチレンホモポリマー、官能基化ポリアセナフチレンホモポリマー、ポリアセナフチレンコポリマー、ポリノルボルネン、ポリカプロラクトン、ポリ(2-ビニルナフタレン)、ビニルアントラセン、ポリスチレン、ポリスチレン誘導体、ポリシロキサン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアクリレート、脂肪族ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリラクチド、及びそのブレンドからなる群から選択され、
前記熱硬化性成分(a)が、
(1)式XA：
【化３】
2005516382.tif 000003
、式XB：
【化４】
2005516382.tif 000004
、式XC：
【化５】
2005516382.tif 000005
若しくは式XD：
【化６】
2005516382.tif 000006
のアダマンタンモノマーと、
(2)式XI：
【化７】
2005516382.tif 000007
のアダマンタンオリゴマー若しくはポリマー、または
(1)式XIIA：
【化８】
2005516382.tif 000008
、式XIIB：
【化９】
2005516382.tif 000009
、式XIIC：
【化１０】
2005516382.tif 000010
若しくは式XIID：
【化１１】
2005516382.tif 000011
のジアマンタンモノマーと、
(2)式XIII：
【化１２】
2005516382.tif 000012
のジアマンタンオリゴマー若しくはポリマーを含み、ここで前記hは０〜10であり、前記iは０〜10であり、前記jは０〜10であり、前記R1はそれぞれ同一または異なり、水素、ハロゲン、アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、アリールエーテル、アルケニル、アルキニル、アルコキシル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアリール、ヒドロキシアルケニル、ヒドロキシアルキニル、ヒドロキシル、またはカルボキシルであり、前記Yはそれぞれ同一または異なり、水素、アルキル、アリール、置換アリール、またはハロゲンから選択され、
前記モノマーが存在又は不存在であり、
前記R1がアリールまたは置換アリールであり、及び前記Yが水素、フェニル、またはビフェニルであり、
(c)少なくとも二官能基をもつ化合物を含む接着促進剤をさらに含み、ここで前記二官能基は同一または異なり、前記第一の官能基は前記熱硬化性成分(a)と相互作用可能であり、且つ前記第二の官能基は、前記組成物を基板に塗布する場合に、前記基板と相互作用可能であり、
前記接着促進剤は、
式XXXVI：(R2)k(R3)lSi(R4)m(R5)nのシラン類
[式中、R2、R3、R4及びR5はそれぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、不飽和若しくは飽和アルキル、置換若しくは非置換アルキルを表し、ここで前記置換基はアミノ若しくはエポキシ、不飽和若しくは飽和アルコキシ、不飽和若しくは飽和カルボン酸基、またはアリールであり、前記R2、R3、R4及びR5の少なくとも二つは、水素、ヒドロキシル、飽和若しくは不飽和アルコキシル、不飽和アルキル、または不飽和カルボン酸基を表し、ｋ+ｌ+ｍ+ｎ＜４である]；
式XXXVII：
【化１３】
2005516382.tif 000013
のポリカルボシラン
｛式中、R8、R14、及びR17はそれぞれ独立して置換若しくは非置換アルキレン、シクロアルキレン、ビニレン、アリレン、またはアリーレンを表し；R9、R10、R11、R10、R15及びR16はそれぞれ独立して水素原子または、アルキル、アルキレン、ビニル、シクロアルキル、アリル若しくはアリールを含む有機基を表し、直鎖であっても分枝であってもよい；R13はケイ素有機ケイ素化合物、シラニル、シロキシル、または有機基を表し；p、q、r及びsは、[4＜p＋q＋r＋s＜100,000]の条件を満たし、q及びr及びsは、集合的にまたは独立してゼロであってもよい｝；
グリシジルエーテルまたは少なくとも一つのカルボン酸基を含有する不飽和カルボン酸のエステル；
環式ビニルオリゴマーまたはポリマー
[式中、前記環式基はビニル、芳香族または複素環式芳香族である]；及び
式XXXVIII：[R18C6H2(OH)(R19]uのフェノール-ホルムアルデヒド樹脂またはオリゴマー
[式中、R18は置換若しくは非置換アルキレン、シクロアルキレン、ビニル、アリル、またはアリールであり、R19はアルキル、アルキレン、ビニレン、シクロアルキレン、アリレン、またはアリールであり、及びu＝３〜100である]
からなる群から選択される、前記組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月7日(2006.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング状コレットであって、
内壁と、外壁と、前記コレットの幅だけ離隔した第１エンドおよび第２エンドと、
前記幅を部分的に横切って前記第１エンドから前記第２エンドへ向かって延びる、少なくとも２つの等しく離隔する、前記内壁から外壁までのスロットと、前記幅を部分的に横切って前記第２エンドから前記第１エンドに向かって延びる、少なくとも２つの等しく離隔する、前記内壁から外壁までのスロットと、から成り、前記第１エンド内のスロットの数は、前記第２エンド内のスロットの数に等しく、前記第１エンドからのスロットは、前記第２エンドからのスロットの間に概ね等しく配置されており、
前記内壁は、伝送線路ケーブルを収容するサイズに設定された直径を形成し、
前記外壁は、前記第１エンド直近の最大直径から、前記第２エンド直近の最小直径までテーパが付けられた直径を有し、
前記第２エンドの前記スロットの各々は、前記第１エンド近傍において、前記内壁から前記外壁まで延びる前記第１エンドの一部によって閉鎖されており、
変形可能材料から形成されたリング状コレット。
【請求項２】
前記変形可能材料は金属である請求項１に記載のリング状コレット。
【請求項３】
前記変形可能材料は真鍮である請求項２に記載のリング状コレット。
【請求項４】
前記内壁はリッジを含む請求項１に記載のリング状コレット。
【請求項５】
前記第１エンドから前記第２エンドに向かって４つのスロットが延びており、前記第２エンドから前記第１エンドへ向かって４つのスロットが延びている請求項１に記載のリング状コレット。
【請求項６】
前記コレットの上から嵌り込むサイズに設定されたリング状リア・シールを更に含み、前記リア・シールは、直径がほぼ一定の外側面と、第１エンド直近の大きい直径から第２エンド直近の小さい直径までテーパが付けられた内側面とを有し、前記内側面は、前記コレットの前記第２エンドの直径より小さく、前記ケーブルの周囲に嵌り込むのに充分な大きさの直径を形成する前記内壁から内側へ突出するショルダを含み、前記ショルダは、前記第１エンドから、前記コレットの幅より小さい距離だけ離隔している、請求項１に記載のリング状コレット。
【請求項７】
伝送線路コネクタをケーブルに取り付けるための圧縮リング・アッセンブリであって、
第１エンドおよび第２エンドを有し、変形可能な材料から形成されたリング状コレットであり、前記エンドは前記コレットの幅によって離隔しており、前記第１エンドから前記第２エンドに向かって延びて部分的に前記幅を横切り前記コレットを通る少なくとも２つの等しく離隔したスロットと、前記第２エンドから前記第１エンドへ向かって延びて部分的に前記幅を横切り前記コレットを通る少なくとも２つの等しく離隔したスロットと、を含み、前記第１エンド内のスロット数は前記第２エンド内のスロット数に等しく、前記第１エンドからのスロットは前記第２エンドからのスロットの間に概ね等しく配置されている、リング状コレットと、
前記コレット上に嵌るサイズに設定されたリング状リア・シールであり、直径がほぼ一定の外側面と、第１エンドの直近の大きい直径から第２エンド直近の小さい直径までテーパが付けられた内側面と、を有し、前記内側面は、前記コレットの前記第２エンドの直径より小さく、前記ケーブル周囲に嵌り込むのに充分な大きさの直径を形成する前記内壁から内側へ突出するショルダと、を含み、前記ショルダは、前記第１エンドから前記コレットの幅より小さい距離だけ離隔する、リング状リア・シールと、
前記ケーブル周囲に嵌り込むサイズに設定され、ショルダを有するねじ付きスリーブと、
前記リア・シールの外径上から嵌り込むサイズに設定された直径を有する円筒状内側面と、前記内側面から内側に突出し、前記リア・シールの外側面より小さい直径を形成するレッジを有するエンドキャップであり、前記スリーブのねじと係合するねじが付けられたエンドキャップと、から成り、
前記コレットは、前記リア・シールの前記内側面の前記大きい直径より小さく、前記リア・シールの前記内側面の前記小さい直径より大きい直径を有する、圧縮リング・アッセンブリ。
【請求項８】
伝送線路コネクタをケーブルのエンドに取り付ける方法であって、
前記ケーブルの周囲にねじ付きエンドキャップを配置するステップであり、前記ねじ付きエンドキャップは、内壁からケーブルへ向かって内側に突出するショルダを有する、配置ステップと、
前記ケーブルの周囲の、前記ケーブルの前記エンドと前記エンドキャップとの間にリア・シールを配置するステップであり、前記リア・シールは、第１エンドの直近のより大きい直径、第２エンドの直近のより小さい直径、および前記第１エンドから前記第２エンドまでのテーパを形成する、前記第２エンドから内側へ向かい、前記リア・シールから突出するショルダを伴う内壁を含んでおり、前記ショルダは、前記第１エンドからコレットの幅より小さい距離を軸方向に離隔されており、前記第２エンドが前記エンドキャップへ向けられる、配置ステップと、
前記ケーブルの周囲の、前記ケーブルの前記エンドと前記リア・シールとの間に、大きい直径の第１エンドから小さい直径の第２エンドまでテーパが付けられた外壁および幅を含み、前記第１エンドから前記第２エンドへ向かう前記深さを部分的に横断して延びる複数のスロットおよび前記第２エンドから前記第１エンドへ向かう前記幅を部分的に横断して延びる複数のスロットを伴うコレットを配置する配置ステップと、
前記ケーブルの周囲の、前記ケーブルの前記エンドと前記コレットの間にねじ付きスリーブを配置するステップであり、前記ねじ付きスリーブは、前記コレットに向かう前記スリーブのエンドに形成されたショルダを有する、配置ステップと、
前記コレットの前記第１エンドを、前記ねじ付きスリーブの前記ショルダに対してスライドさせるスライドステップと、
前記リア・シールの前記第１エンドを、前記コレットの前記第２エンドを越えてスライドさせるスライドステップと、
前記ねじ付きエンドキャップを前記ねじ付きスリーブの周囲にスライドさせて前記ねじ付きスリーブと螺合させる螺合ステップと、
前記ねじ付きエンドキャップおよび前記ねじ付きスリーブが互いに引き合い、前記ねじ付きエンドキャップの前記ショルダが前記リア・シールの第２エンドと係合し、前記リア・シールの前記第１エンドを前記コレットの前記第１エンドへ向けて押し、前記リア・シールの前記内壁の前記テーパおよび前記コレットの前記外壁の前記テーパの協働が前記ケーブルの周囲で前記コレットをつぶすように前記ねじ付きエンドキャップを回転するステップと、
から成る取り付け方法。
【請求項９】
前記ねじ付きエンドキャップの前記回転は、前記コレットの前記第２エンドが前記リア・シールの前記内壁から延びる前記ショルダと係合したときに停止される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ねじ付きエンドキャップの前記回転は、所定のトルク仕様に達したときに停止される請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月15日(2005.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
理論的限界またはその付近に半導体装置の破壊電圧を維持しながら、半導体装置(100) のエッジ終端(42)を改善する方法において、
イオン注入(40)を使用して前記半導体装置(100) の周囲に補償された領域(140) を生成し、それに続いて化学的湿式エツチングによって０．２乃至０．３μｍ程度の高さのメサ(114) を形成することを特徴とする半導体装置のエッジ終端改善方法。
【請求項２】
（ａ）基板(12)を設け、
（ｂ）前記基板(12)上にコレクタ層(16)を形成し、
（ｃ）前記コレクタ層(16)上にベース層(18)を形成し、
（ｄ）前記ベース層(18)上にエミッタ層(20)を形成する請求項１記載の方法。
【請求項３】
（ａ）半導体基板(12)と、
（ｂ）前記基板(12)上に形成されたコレクタ層(16)と、
（ｃ）前記コレクタ層(16)上に形成されたベース層(18)と、
（ｄ）前記ベース層(18)上に形成されたエミッタ層とを具備し、
前記エミッタ層(20)はエミッタ領域を規定するためにパターン化されており、別々の金属コンタクト(36, 30)が前記ベース層の一部分と前記エミッタ領域(20)とに形成されて能動装置領域が規定されているヘテロ接合バイポーラ半導体装置において、
前記能動装置領域の周囲の周縁領域を規定する前記ベース層(18)および前記基板(12)の一部分に形成されたイオン注入領域(140) と、前記周縁領域の外側に位置するエツチングされた領域とを有し、それにより前記能動装置領域を囲んでそれから前記イオン注入領域(140) によって分離された０．２乃至０．３μｍ程度の高さのメサ(114) が形成されているヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ接着領域を有する半導体チップパッケージ・ベースと、
少なくとも一つの面および少なくとも一つの端部を有するダイであって、前記ダイは、本質的にシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）および砒化ガリウム（GaAs）を含む群から選択された半導体材料を含んでおり、前記少なくとも一つの面のそれぞれは、厚みおよび幅を有するものと、
前記ダイおよび前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される、制御された量のダイアタッチ材料であって、前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分は、前記ダイの前記少なくとも一つの面上に、少なくとも一つのメニスカスを形成しており、前記少なくとも一つのメニスカスは、前記ダイアタッチ材料を硬化させることで、少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成しており、
前記少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、少なくとも一つの制御された高さを有しており、前記少なくとも一つの制御された高さは、せん断応力を減少するために、前記ダイの少なくとも一つの面の、少なくとも一つの各端部から、少なくとも２５％内側に位置する、前記ダイの少なくとも一つの面の厚みのおよそ０％からおよそ７５％の範囲を含む、ダイアタッチ材料とを含む、
パッケージ化された半導体チップ。
【請求項２】
前記ダイは、およそ４ミル（１０１μｍ）からおよそ３０ミル（７６２μｍ）の範囲の厚みを含む、請求項１記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項３】
前記ダイアタッチ材料は、エポキシ樹脂を含む、請求項１または２記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項４】
前記少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、前記ダイの厚みのおよそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲の制御された高さを含む、請求項１、２または３記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項５】
前記制御された高さは、前記ダイの幅のおよそ中央の５０％の前記ダイの厚みの前記およそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲に制限される、請求項４記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項６】
前記ダイ上、前記フィレット上、前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分上、および前記パッケージ・ベースの少なくとも一部分上に配置されるモールドコンパウンドをさらに含む、請求項１ないし５のいずれかの項記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項７】
前記半導体チップパッケージ・ベースは、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）を含む、請求項１ないし６のいずれかの項記載のパッケージ化された半導体チップ。
【請求項８】
その上に配置される半導体チップとダイ接着領域とを有する半導体チップパッケージ・ベースを提供するステップと、
厚みと、少なくとも一つの面が幅を有するダイを提供するステップと、
ダイアタッチ材料を提供するステップと、
このダイと前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される前記ダイアタッチ材料の量を制御するステップであって、これによって前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分が、前記ダイの少なくとも一つの面に少なくとも一つのメニスカスを形成し、それによって前記少なくとも一つのメニスカスが、前記ダイアタッチ材料を硬化させることで、前記ダイの底から高さまで広がる少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成するステップと、を含み、
前記ダイと前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される前記ダイアタッチ材料の量は、前記フィレットの高さが、前記ダイの前記面のおよそ中央５０％の前記ダイの厚みの０％からおよそ７５％となるように制御される、方法。
【請求項９】
前記ダイと前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される前記ダイアタッチ材料の量は、前記フィレットの高さが、前記ダイの前記面のおよそ中央５０％の前記ダイの厚みの、３３％よりも大きくおよそ７５％までとなるように制御される、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部領域を画定するＴＯ−ｃａｎキャップおよびＴＯ−ｃａｎヘッダーと、
該ＴＯ−ｃａｎヘッダーに接続されている複数のポストと、
該内部領域に搭載されているレーザーと、
該レーザーと該複数のポストのうちの少なくとも１つのポストとを結合する電気経路と
を含む光電子装置であって、
該電気経路は、所定のインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子装置内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該レーザーと、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子装置。
【請求項２】
前記２つまたはそれ以上のボンドワイヤの合計長が６００マイクロメートル未満である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記伝送線路が共面導波路を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記伝送線路が低域フィルタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記内部領域にサブマウントをさらに含み、前記伝送線路が該サブマウント上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電気経路が、複数のボンドワイヤと、少なくとも１つのコンデンサとを含み、該複数のボンドワイヤと該少なくとも１つのコンデンサとが直列に結合されており、該少なくとも１つのコンデンサがアースに結合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記レーザーが１回目に少なくとも１０Ｇｂｐｓの速度で駆動される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
内部領域を画定するＴＯ−ｃａｎキャップおよびＴＯ−ｃａｎヘッダーと、
該ＴＯ−ｃａｎヘッダーに接続されている複数のポストと、
該内部領域に搭載されている光検出器と、
該光検出器と該複数のポストのうちの少なくとも１つのポストとを結合する電気経路と
を含む光電子装置であって、
該電気経路は、所定のインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子装置内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該光検出器と、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子装置。
【請求項９】
前記２つまたはそれ以上のボンドワイヤの合計長が６００マイクロメートル未満である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記伝送線路が共面導波路を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記伝送線が帯域フィルタを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記内部領域にサブマウントをさらに含み、前記伝送線が該サブマウント上にある、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記電気経路が、複数のボンドワイヤと、少なくとも１つのコンデンサとを含み、該複数のボンドワイヤと該少なくとも１つのコンデンサとが直列に結合されており、該少なくとも１つのコンデンサがアースに結合されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記光検出器が１回目に少なくとも１０Ｇｂｐｓの速度でデータを受信する、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
画定された内部パッケージ領域を有するＴＯ−ｃａｎキャップおよびヘッダーのアッセンブリと、
該ＴＯ−ｃａｎアッセンブリのヘッダーに接続されている複数のポストと、
少なくとも１つのポストと該内部パッケージ領域内の光電子部品とを結合するように構成されている電気経路と
を含む光電子パッケージであって、
該電気経路は、制御されたインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子パッケージ内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該光電子部品と、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子パッケージ。
【請求項１６】
前記光電子部品はＶＣＳＥＬである、請求項１５に記載の光電子パッケージ。
【請求項１７】
前記光電子部品は光検出器である、請求項１５に記載の光電子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムと接続するインターフェースモジュールと、無線通信ネットワークによってデータ情報を受信または送信する無線トランシーバモジュールと、インターフェースモジュールおよび無線トランシーバモジュールとそれぞれ接続され、ＵＳＢまたはＩＥＥＥ１３９４規格動作を行う制御装置モジュールとを備えている無線データ通信装置に基づく無線データ通信方法において、
（１）無線データ通信装置を制御し、駆動するためにデータ処理システム中にその無線データ通信装置のドライバを設定し、
（２）無線データ通信装置をインターフェースモジュールによってデータ処理システムに接続し、ＵＳＢインターフェースまたはＩＥＥＥ１３９４インターフェースによって無線データ通信装置とデータ処理システムとの間に情報交換チャンネルを確立し、
（３）制御装置モジュールがオペレーティングシステムの要求にしたがって無線トランシーバの動作を制御し、無線通信ネットワークとの接続を確立し、
（４）制御装置モジュールがインターフェースモジュールを介してデータ処理システムから命令を受信し、無線トランシーバモジュールによって無線データ通信装置と無線通信ネットワークとの間におけるデータ接続を確立し、データ処理システムとのデータ送信を完了するステップを含んでいる無線データ通信方法。
【請求項２】
ドライバは仮想ＲＳ２３２直列インターフェースを生成することを特徴とする請求項１記載の無線データ通信方法。
【請求項３】
無線ネットワーク加入者識別モジュールによって無線トランシーバモジュールと、制御モジュールと、および無線ネットワーク加入者識別カードとの間において通信を行うステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の無線データ通信方法。
【請求項４】
ドライバはＵＳＢインターフェースまたはＩＥＥＥ１３９４インターフェースのデータフォーマットをＲＳ２３２直列インターフェースのデータフォーマットにマップすることを特徴とする請求項１記載の無線データ通信方法。
【請求項５】
無線データ通信装置は、この無線データ通信装置がデータ処理システムの外部記憶機能を行えるようにすることのできる記憶媒体モジュールを備えていることを特徴とする請求項１記載の無線データ通信方法。
【請求項６】
無線通信ネットワークは、ＧＳＭ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷＣＤＭＡ、ＣＤＭＡ２０００またはＣＤＰＤであることができることを特徴とする請求項１記載の無線データ通信方法。
【請求項７】
データ処理システムと無線データ通信装置をＵＳＢまたはＩＥＥＥ１３９４インターフェースによって接続するインターフェースモジュールと、
データ情報を無線通信ネットワークによって受信または送信する無線トランシーバモジュールと、
無線ネットワーク加入者識別モジュールと、
制御装置モジュールとを具備し、
前記無線ネットワーク加入者識別モジュールは無線トランシーバモジュールと接続され、無線トランシーバモジュールと無線ネットワーク加入者識別モジュールカードとの間に標準的なインターフェースを提供し、
前記制御装置モジュールはインターフェースモジュールおよび無線トランシーバモジュールと接続され、ＵＳＢまたはＩＥＥＥ１３９４規格動作を行い、インターフェースモジュールを介する無線トランシーバモジュールとデータ処理システムとの間のデータ送信を行うようにその無線トランシーバモジュールを制御することを特徴とするデータ処理システム用の無線データ通信装置。
【請求項８】
さらに、制御装置モジュールと接続され、ユーザのアイデンティティを確認するために識別コードを記憶する識別コードモジュールを備えていることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【請求項９】
さらに、制御装置モジュールと接続され、データドキュメントおよび種々の情報を記憶する記憶媒体モジュールを備えていることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【請求項１０】
無線データ通信装置の動作電源は、インターフェースモジュールを介して接続されていることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【請求項１１】
無線通信ネットワークは、ＧＳＭ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷＣＤＭＡ、ＣＤＭＡ２０００またはＣＤＰＤであることができることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【請求項１２】
無線トランシーバモジュールと制御装置モジュールとの間の接続は、標準的なＲＳ２３２インターフェースであることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【請求項１３】
無線データ通信装置はさらに、この無線データ通信装置の動作状態を示す指示素子を備えていることを特徴とする請求項７記載の無線データ通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
コンピュータ上での実行時、請求項１乃至８何れか一項記載の方法を実行するコンピュータ読み出し可能媒体に記憶されたプログラムコード手段を有することを特徴とするコンピュータプログラム。