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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットカートリッジ用のアダプタキットであって、
カートリッジのハウジングと、前記ハウジング上に搭載されたプリントヘッドと、前記カートリッジのハウジングの位置を、第１のキャリッジ構造内の繰り返し可能な固定位置に合わせるための、前記ハウジング上の複数の基準表面と、前記カートリッジのハウジングに搭載され前記プリントヘッドに電気的に結合された、カートリッジ側の１組の電気接点とを備え、前記カートリッジ側の１組の電気接点は、前記カートリッジが前記第１のキャリッジ構造内に搭載されると、対応するキャリッジ側の第１の組の電気接点と電気的に接触するように前記ハウジング上に配置されている薄型のインクジェットカートリッジと、
前記カートリッジのハウジングに取り付けると前記アダプタ構造と前記カートリッジとのアセンブリを成し、前記アセンブリは、異なるサイズのインクジェットカートリッジを、繰り返し可能な固定位置に受け入れるように構成された第２のキャリッジ構造内に搭載されるように適合されており、前記第２のキャリッジ構造は、キャリッジ側の第２の組の電気接点を有し、前記カートリッジが、前記第２のキャリッジ構造内の前記繰り返し可能な固定位置につくと、前記１組の電気接点と前記キャリッジ側の第２の組の接点との間が接触するアダプタ構造とを有することを特徴とするインクジェットカートリッジ用のアダプタキット。
【請求項２】
前記薄型のインクジェットカートリッジは、前記異なるサイズの前記インクジェットカートリッジの大きい高さ寸法を有するカートリッジよりも小さい高さ寸法を有するカートリッジであることを特徴とする請求項１記載のキット。
【請求項３】
前記アダプタ構造は、前記薄型の高さ寸法と組み合わされると、前記異なるサイズの前記インクジェットカートリッジの大きい高さ寸法に一致するアセンブリの高さ寸法となるサイズであることを特徴とする請求項２記載のキット。
【請求項４】
前記ハウジングは、互いに対向する頂端および底端を有し、前記プリントヘッドは前記底端に付けられており、前記頂端と前記底端とを正面が接続し、前記カートリッジ側の１組の接点は、前記正面に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のキット。
【請求項５】
前記アダプタ構造は、前記カートリッジのハウジングにスナップ装着するように前記カートリッジのハウジングに関連させたサイズのフレーム構造を有することを特徴とする請求項１記載のキット。
【請求項６】
前記アダプタ構造は、フレーム構造を前記カートリッジのハウジングに取り付ける圧力締め具があるフレーム構造を有することを特徴とする請求項１記載のキット。
【請求項７】
インク受取り媒体上にインクを付着させるのに役立つ供給用インクがあるフォームファクタの小さいインクジェットカートリッジと、
前記フォームファクタの小さいカートリッジに搭載されて、フォームファクタの大きいカートリッジを収容する寸法のカートリッジ区画内に着脱可能に前記フォームファクタの小さいカートリッジを搭載できるようにしたアダプタとを有することを特徴とするインク送出システム。
【請求項８】
前記アダプタは、いかなる道具も必要とすることなく前記フォームファクタの小さいカートリッジに搭載されるスナップ方式のアダプタであることを特徴とする請求項７記載のインク送出システム。
【請求項９】
前記フォームファクタの小さいカートリッジが、
前記供給用インクを収容するチャンバと前記チャンバへ液体を連通させるインク出口ポートとを備えているハウジングと、
前記インク出口ポートに搭載され、前記インク出口ポートを通じて前記供給用インクと連通している複数のインク噴出オリフィスを備えたプリントヘッドと、
前記チャンバをシールして、前記インク出口ポートを介した前記供給用インクの液体連通を容易にさせる、前記ハウジングに固定された一体型のプラグふたとを有することを特徴とする請求項８記載のインク送出システム。
【請求項１０】
前記一体型のプラグふたは、前記アダプタをその上に受ける直立型のボスを有することを特徴とする請求項９記載のインク送出システム。
【請求項１１】
前記ボスは、形状がおおむね長方形であることを特徴とする請求項１０記載のインク送出システム。
【請求項１２】
前記アダプタは、前壁と、後壁と、１対の側壁とを有する箱型であり、前記前壁、後壁、および側壁は、内部に前記ボスを収容するような寸法の開放箱構成を成しており、前記後壁を貫いて、雌ねじの切られた開口部が延びており、前記アダプタが前記ボス上に配置されたときに前記アダプタを前記ボスに固定するように前記開口部内を通過可能なつまみねじが取り付けられていることを特徴とする請求項１０記載のインク送出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
弾力性エンベロープ（３８）の上方壁（２８）の孔（３２）は、それらが上記フォーム層（３６）の孔及びエンベロープ（３８）の下面（３０）の孔と一線にならないように配置されるのが好ましい。この仕方で、液は創傷からエンベロープ（３８）の下面（３０）にある孔（３４）に、そして下部フォーム層（３６）の“シンク”孔に引き入れられる。これらの液はその後下部フォーム層（３６）のセルに引き込まれ、そこで分散し、その後再び弾力性エンベロープ（３８）の孔（この時はエンベロープ（３８）の上方壁（２８）の孔）を通過する。下部フォーム層／エンベロープを創傷の上または中に置く場合、示したような正しい孔の配置が必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上部フォーム層（１２）は創傷から液を引っ張る真空を分散させる最初のメカニズムを与える。図１に示ような目下のところ好ましい実施形態において、上部フォーム層（１２）はポリウレタンフォームの下部層より硬い、目の粗いポリエステルベース−フォームまたはポリウレタン−フォームである。例えば、上記フォーム（３６）の下部層は目の粗いフォーム層１インチあたりの気孔の約１．５〜２倍の気孔を有する。一般的には目の粗いフォーム層は１インチあたり２０〜３０の気孔を有する。上部フォーム層（１２）は、比較的強い陰圧の影響下でもその形状を保持するように、フレキシビリティが幾らか小さくなければならない。上部フォーム層（１２）は、下部フォーム層（３６）を含む弾力性エンベロープ（３８）の上方壁（２８）と直接接触するように置かれる。上部フォーム層（１２）を覆い、包帯の均衡をとるのが弾力性ドレープ（１４）である。それは好ましい実施の形態において、弾力性エンベロープ（３８）と同様の或る種のポリウレタンフィルムから作られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
コネクター（１６）がドレープ（１４）を切り取って作った孔に置かれ、シールパッチ（２２）によってそこに固定される。好ましい実施の形態では円形であるシールパッチ（２２）は、コネクター（１６）の底部フランジ部及びドレープ（１４）に付着する。この方法で、適切な吸引ラインをコネクター（１６）上に置かれたチューブコネクター（１８）に連結すると、陰圧が上部フォーム層（１２）にかかる。フランジ部（２０）は、液の流れを多孔性パッドからコネクター（１６）の管状部分（１８）に向けるチャンネルで形成された下面を有する。適切な吸引ヘッドコネクターが英国特許第２３２９１２７号及び米国特許第６２１６７０１号（ＷＯ９９／１３７９３）に示される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオントラップ質量分析計において、イオンを供給源からイオントラップに導くための装置であって、
ａ）多重極ロッドおよびイオンガイド出口を含み、前記供給源からのイオンビームを受け取り、かつ前記イオンガイド出口を通過するように前記イオンビームを導くためのイオンガイドと、
ｂ）電圧がバイアスされたとき、前記イオンビームを受け取る開口部を有するイオンガイド集束レンズと、
ｃ）大略的に円筒形の形態を形成する第１および第２の構成体を含むデフレクターレンズであって、前記構成体は、それぞれの構成体に対して同じ電圧でバイアスされたとき、大略的に円筒形の形態の軸に沿ってイオンの流れを集束させ、かつ、前記構成体は、極性が反対の各電圧でバイアスされたとき、イオンの流れを偏向させるものであるデフレクターレンズと、
ｄ）前記デフレクターレンズからのイオンビームを前記イオントラップのために受け取るための開口部を有するイオントラップエンドキャップレンズとを備えた装置。
【請求項２】
前記第１および第２の構成体は形態が同一である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記イオンガイドおよび前記デフレクターレンズにおいて排気された雰囲気を維持するための真空ポンプをさらに備えた、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
ａ）大気圧イオン源と、
ｂ）前記イオン源からのイオンビームを受け取るためのイオンガイドと、
ｃ）大略的に円筒形の形態の第１および第２の構成体を有するデフレクターレンズであって、前記構成体は、それぞれの構成体に対して同じ電圧でバイアスされたとき、前記大略的に円筒形の形態の軸に沿ってイオンの流れを集束させ、かつ、前記構成体は、前記構成体が極性が反対の各電圧でバイアスされたとき、イオンの流れを偏向させるものであるデフレクターレンズと、
ｄ）前記デフレクターレンズからの前記イオンビームを受け取るための開口部を有するエンドキャップを含むイオントラップとを備えたイオントラップ質量分析計。
【請求項５】
前記イオンガイドおよび前記デフレクターレンズにおいて排気された雰囲気を維持するための真空ポンプをさらに備えた、請求項４に記載のイオントラップ質量分析計。
【請求項６】
前記デフレクターレンズの前記第１および第２の構成体は形態が同一である、請求項５に記載のイオントラップ質量分析計。
【請求項７】
前記イオンガイドは多重極ロッドおよびイオン出口ガイドを含む、請求項６に記載のイオントラップ質量分析計。
【請求項８】
前記イオンガイド出口からのイオンビームを受け取るための開口部を有するイオンガイド集束レンズをさらに備えた、請求項７に記載のイオントラップ質量分析計。
【請求項９】
前記イオントラップからのイオンを受け取り、その質量を分析するためのイオン検出器をさらに備えた、請求項８に記載のイオントラップ質量分析計。
【請求項１０】
前記イオントラップからのイオンを受け取り、その質量を分析するためのイオン検出器をさらに備えた、請求項４に記載のイオントラップ質量分析計。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
スプライス、レジューサ、又はデッドエンドコネクタのような電力コネクタは、電気使用契約者、電気公益事業、及び地方自治体のような多様なユーザーによって、電力供給導体を接続するために使用される。装着は非常に困難なアクセスであり、気象条件であり、ことによっては頭上の活線のある屋外で完成する必要があり、この装着を容易にするために、ユーザーは、自動的な頭上コネクタを使用してきている。自動的な頭上コネクタにおいて、このコネクタの電力導体を保持するウェッジは、コネクタ内に自動的にウェッジをスプリング付勢して強制する。ウェッジと導体との間の導体の張力（導体の重量のため）及び摩擦は、それによってコネクタ内にウェッジをくさび止めする係留をなす。さらなる単純な装着のために、頭上の電力コネクタは、通常多様な寸法の多数の導体とともに使用されるように寸法採りされる。例えば、１本の頭上コネクタは、０．２３インチ径から０．５７インチ径超の導体を接続するために用いられる。このことは、ユーザーが選択して、作業現場でより少数の異なる寸法のコネクタを持っていくことができるものである。既知の頭上電力コネクタの構造は、コネクタとともに使用される最大の寸法の導体を接続する時、最大の接続負荷（例えば、ウェッジからコネクタシェルに対する負荷をてこであげるように）を支持することができる。したがって、コネクタの構造は、このように寸法採りされる。米国特許第６０７６２３６号は、くさび止め作用によってケーブルを握持するための対向するあごを支持する本体、及びケーブルを離脱するための開放位置にあごを保持するためのラッチプレートを有する従来のケーブルコネクタの例を開示する。従来のコネクタの他の例が、コネクタがその中に摺動可能に支持された握持あごを有する凹所を具備する本体を有する米国特許第４４２８１００号に開示されている。このあごは、解放ピンによって開放位置に保持される。なお、さらに他の例が、米国特許５５３９９６１号に開示され、あごでスプリング負荷のウェッジデッドエンドが、フロータのタブよって開放をロックされる閉止位置スプリング閉止位置に対してスプリング付勢されている。この発明は、以下により詳細に述べるように、従来のコネクタの問題を解決することができる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記したように、各シェル区分２３、２５はスチフナ２７Ａ−２７Ｅを有し、シェル区分の曲げ剛性を強化し、増加する。この実施例における２つのシェル区分は、ほぼ鏡像であるので、その説明は、もし他の表示がないならば、区分２３の１つについて特別の参照をしてさらに以下に続く。この実施例において、スチフナ２７Ａ−２７Ｂは、対向する側壁２６、２８から外方に延びるリブである。代わりの実施例において、シェルスチフナは、シェル区分に対して望ましい剛性を与えるあらゆる他の適切な形状を有することができる。スチフナ２７Ａ−２７Ｂは、シェル区分２３、２５に沿って配列される。この実施例におけるコネクタ１０のシェル区分２３は、一例目的のためのみで５つのスチフナ２７Ａ−２７Ｅを有するように図１に示されている。しかしながら、このシェル区分は、シェル区分に沿って配列されたあらゆる適数のスチフナを有することができる。シェル区分における隣接するスチフナ２７Ａ−２７Ｅ間の空間２９Ａ−２９Ｂは、等しくない。図１において分かるように、シェル区分の内端３７に向かうスチフナ２７Ｃ−２７Ｅは、シェル区分の外端３４により近く位置されたスチフナ２７Ａ−２７Ｂよりも一緒により近く離間している。この実施例において、図２で最もよく分かるように、隣接するスチフナ２７Ａ−２７Ｅ間の連続した空間２９Ａ−２９Ｂは、シェル区分の外端３４から内端３７に連続してより小さい。このように、例えば、最も外側のスチフナ２７Ａと隣接するスチフナ２７Ｂとの間の空間２９Ａは、スチフナ２７Ｂと連続する隣接のスチフナ２７との間の次の連続する空間２９Ｂより大きい。同様に、空間２９Ｃは、空間２９Ｂよりも小さく、次の連続する空間２９Ｄよりも小さい。この連続は、シェル区分が追加のスチフナを有するこれらの代わりの実施例における追加のスチフナのために続く。他の代わりの実施例において、１つ又はそれ以上の連続するスチフナ間の空間は、等しくすることができる。図１及び２から理解できるように、連続する隣接のスチフナ２７Ａ−２７Ｅ間の空間２９Ａ−２９Ｄにおける不一致は、異なる曲げ剛性を有するシェル区分２３の異なる部分を有する。図１−２に示される実施例において、内部シェル端３７に向かうスチフナ２７Ｃ−２７Ｅのより近い空間（すなわち、シェル区分の広い部分）は、シェル区分の対向する壁２６、２８の同等の部分が壁の部分より曲げに硬い。スチフナ２７Ａ−２７Ｂがさらに離れて隔たっている外方端３４に接近する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
再度図１−２を参照して、輪郭線部１１は、丸い外部ガイド面３を有する。輪郭線部１１の内部表面５４は、受入区域３０内に導体通路開口を定めるものであるが、図３において分かるように、外方に傾斜、又はラッパになっている。ラッパになっている内部表面４は、対向する側壁に位置する側面部４Ａと、シェル区分２３の底壁４０を横切る底部４Ｂとを有する。内部表面の部分４Ａ、４Ｂは、導体通路開口内の導体が幾分曲げられるときに特別にコネクタ１０を出ていく導体に対するエッジを効かせることなく円滑な移動、又は支持表面を提供するために、あらゆる望ましい角度でラッパになっていてよい。丸い外部ガイド面は、対向する側壁２６、２８における丸い部分又は側面３Ａ及び内部表面の底部４Ｂ内に移動するほぼ半径方向の下方部分を有する。図１−２に示される実施例において、側壁２６、６８における丸い部分３Ａは、導体通路開口の端縁から最も離れたスチフナ２７Ａに外方にふくらむ移動を提供する。代わりの実施例において、丸い外部ガイド面は、シェル区分の第１のスチフナに延びなくてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
別の側面において、マイクロコンポーネントが製造されると、プラズマディスプレイパネル内に組み込む前に調整を行うことが好ましい。調整を行うとは、それらをある期間励磁し、プラズマディスプレイパネル内に組み込まれた後に短時間で故障してしまおそれのあるマイクロコンポーネントを、組み立て前に故障させるようにすることを意味する。これにより、最終的に、プラズマディスプレイパネル内に組み込まれるマイクロコンポーネントの歩留まりが著しく向上する。前述の調整を実現するための装置の例を図１１および１２に示す。図１２の調整装置９５１に示すように、製造・検査済みのマイクロコンポーネント９５９を、ここで示される様々な形態をとることが可能な電源９５３からリード線９５５を通じて電力が供給される、２つの導電金属板９５７の間に組み込むことができる。マイクロコンポーネント９５９は、その中に含まれるプラズマガスが励磁されるのに十分な電界にさらされ、プラズマディスプレイパネル内に組み込まれた際に実現されるいかなる励磁レベルよりも高いことが好ましい。かかる励磁は、故障しやすいマイクロコンポーネントが、調整段階で故障するのに十分な時間、通常、５時間から１０時間にわたって行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【図１】本発明に係るシステムの論理構成を示すブロック図である。
【図２】調整可能なカットオフ周波数を有するハイパスフィルタの一群の周波数応答を示す図である。
【図３ａ】低周波域での可変ゲインを示すハイパスフィルタの一群の周波数応答を示す図である。
【図３ｂ】低周波域で周波数と共にゲインが徐々に上昇する可変のハイパスフィルタの一群の周波数応答を示す図である。
【図４ａ】低周波域で調整可能なカットオフ周波数と可変ゲインとを組み合わせたハイパスフィルタの一群の周波数応答を示す図である。
【図４ｂ】調整可能なカットオフ周波数を有し、低周波域で周波数と共にゲインが上昇するハイパスフィルタの一群の周波数応答を示す図である。
【図５ａ】ダイナミックトランスデューサの周波数応答を示す図である。
【図５ｂ】オーディオ信号の高周波域のゲインを信号強度の増大と共に低減する、本発明による周波数応答調整部の一群の周波数応答を示す図である。
【図５ｃ】図５ａによるダイナミックトランスデューサを、図５ｂによる周波数応答調整部と組み合わせることで得られる一群の周波数応答を示す図である。
【図５ｄ】信号強度が減少するオーディオ信号の高周波域のゲインよりも小さい範囲に低周波域のゲインを低減する、本発明による周波数応答調整部の一群の周波数応答を示す図である。
【図５ｅ】図５ａによるダイナミックトランスデューサを、図５ｄによる周波数応答調整部と組み合わせることで得られる一群の周波数応答を示す図である。
【図６】移動通信端末上のボリューム設定に基づく信号周波数応答の適応調整に係る回路図である。
【図７】オーディオ信号全体としての電流レベル判定に基づく信号周波数応答の適応調整に係る回路図である。
【図８】オーディオ信号の低周波域の電流信号強度情報に基づく信号周波数応答の適応調整に係る回路図である。
【図９】使用するダイナミックトランスデューサの電気機械的特性に従ってオーディオ信号を重み付けする信号周波数応答の適応調整に係る回路図である。
【図１０】実施例における、ダイナミックトランスデューサの電気機械的特性に対するオーディオ信号のレベル依存周波数選択性適応の方法を示すフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の周波数の出力を有する電圧制御発振器（ＶＣＯ）をディジタル方式でプリチューニングし注入ロックする方法であって、
（ａ）特定のロック帯域幅（ＬＢＷ）内に前記ＶＣＯをディジタル方式でプリチューニングする段階と、
（ｂ）前記ＶＣＯに入力基準信号を注入する段階と、
（ｃ）前記ＶＣＯを前記入力基準信号にロックする段階
とを含む方法。
【請求項２】
前記ディジタル方式でプリチューニングする段階は、
（ａ）前記ＶＣＯ出力をディジタル化する段階と、
（ｂ）前記ＶＣＯ出力周波数を決定する段階と、
（ｃ）前記ＶＣＯ出力周波数を調整する段階と、
（ｄ）所望の発振周波数に達するまで段階（ａ）から段階（ｃ）を反復する段階
とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記決定段階は、前記ＶＣＯに関連付けられている中心周波数（ｆc）をマイクロコントローラで算出する段階をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記決定段階は、前記算出された中心周波数（ｆc）が所望のロック帯域幅（ＬＢＷ）内にあるかどうかを判定する段階をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ディジタル化段階は、アナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）で前記ＶＣＯ出力をサブサンプリングする段階をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記算出段階は、前記サブサンプリングされたＶＣＯ出力に対して前記マイクロコントローラで高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を行う段階をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記算出段階は、前記ＶＣＯ出力からあらゆる干渉を取り除く段階をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記調整段階は、前記マイクロコントローラでディジタル制御信号を生成する段階をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記調整段階は、ディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）で前記ディジタル制御信号をアナログ信号に変換する段階をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ディジタル化段階は、変化する中間周波数（ＩＦ）をサンプリングする段階をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記注入段階は、低周波数水晶発振器の第Ｎ調波を注入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ロック段階は、前記第Ｎ調波にロックする段階をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記算出段階は、前記サブサンプリングされたＶＣＯ出力のディジタル方式のダウンコンバージョンを行う段階をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記算出段階は、前記サブサンプリングされたＶＣＯ出力の各サンプルの間の位相シフトを測定することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記決定段階は、ディジタル回路系を使用して、前記ＶＣＯに関連付けられている中心周波数（ｆc）を算出する段階をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１６】
電圧制御発振器（ＶＣＯ）をディジタル方式でプリチューニングし注入ロックする回路であって、
（ａ）基準入力信号を生成する基準発振器と、
（ｂ）前記基準発振器に電気的に接続されているＶＣＯと、
（ｃ）前記ＶＣＯをディジタル方式でプリチューニングし、基準を受け取るため、前記ＶＣＯに電気的に接続されている帰還回路、
とを備える回路。
【請求項１７】
前記基準発振器は低周波数水晶発振器である、請求項１６に記載の回路。
【請求項１８】
前記回路は無線トランシーバ回路である、請求項１６に記載の回路。
【請求項１９】
前記帰還回路は、アナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）と、マイクロコントローラと、ディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）とを備え、制御信号が前記マイクロコントローラ内で生成されて前記ＶＣＯに送られる、請求項１６に記載の回路。
【請求項２０】
前記ＶＣＯは無線周波数（ＲＦ）ＶＣＯである、請求項１９に記載の回路。
【請求項２１】
前記（ＲＦ）ＶＣＯはタンク回路をさらに含む、請求項２０に記載の回路。
【請求項２２】
前記タンク回路は、関連付けられている制御電圧を有する少なくとも２つの可変キャパシタを備え、前記制御電圧は前記ＤＡＣによって調整される、請求項２１に記載の回路。
【請求項２３】
前記タンク回路は、関連付けられている制御電圧を有する１組のスイッチドキャパシタバンクを備え、前記制御電圧は前記ＤＡＣによって調整される、請求項２１に記載の回路。
【請求項２４】
前記タンク回路は、関連付けられている負のインピーダンスを有する第１の対の差動トランジスタに電気的に接続されており、前記負のインピーダンスは、前記タンク回路に関連しているあらゆる電気的損失をキャンセルする働きをする、請求項２２に記載の回路。
【請求項２５】
前記タンク回路は、前記第１の対の差動トランジスタとの組合せで、発振器を形成する、請求項２４に記載の回路。
【請求項２６】
前記タンク回路は、前記基準入力信号を電流に変換するための第２の対の差動トランジスタに電気的に接続されており、前記電流は前記タンク回路に注入される、請求項２２に記載の回路。
【請求項２７】
前記電流は前記タンク回路に関連付けられている電流信号に加えられる、請求項２６に記載の回路。
【請求項２８】
前記帰還回路は、アナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）と、ディジタル回路系と、ディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）とを備え、制御信号が前記ディジタル回路系内で生成されて前記ＶＣＯに送られる、請求項１６に記載の回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は、ＶＣＯ  ３０の好ましい実施形態で使用されるサンプル回路図を示す。ＶＣＯのタンク回路がインダクタ５８と可変キャパシタ５０を有している。当業者によって理解されるように、タンク回路は、インダクタとキャパシタとオプショナルな抵抗器を有する並列共振器回路である。キャパシタとインダクタの両方がエネルギーを蓄積するので、この回路は一般的にタンク回路と呼ばれている。同様に理解されるように、可変キャパシタ５０は、１組のスイッチドキャパシタバンク（switched capacitor bank）で置き換えることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005536095.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005536095.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルな支持体、伸張性のある金属または金属合金層、および架橋ポリマー保護層を含む伝導性フィルムであって、少なくとも１つの恒久的に変形された曲面状領域を有する伝導性フィルム。
【請求項２】
前記金属または金属合金層が実質的に連続であり、前記少なくとも１つの恒久的に変形された曲面状領域が複合曲面状である請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
前記フィルムが光透過性である請求項２に記載のフィルム。
【請求項４】
請求項１、２、または３のいずれかのフィルムを含む電気的デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁干渉を起こし得るかもしくは電磁干渉に敏感なデバイスまたは密閉領域を透明にシールドするための方法であって、デバイスまたは領域を、フレキシブルな支持体を含む可視光透過性のフィルムと、伸張性のある可視光透過性の金属または金属合金層と、可視光透過性の架橋ポリマー保護層とによって、少なくとも部分的に囲むことを含む方法。
【請求項２】
前記金属または金属合金層が実質的に連続であり、前記方法がさらに、少なくとも１つの接地電極を前記金属または金属合金層に接続することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属または金属合金層が銀を含み、前記架橋ポリマー層がアクリレートポリマーを含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
電磁干渉を起こし得るかもしくは電磁干渉に敏感なデバイスまたは密閉領域を含む電磁シールドされた物品であって、前記デバイスまたは領域が少なくとも部分的に、フレキシブルな支持体を含む可視光透過性のフィルム、伸張性のある可視光透過性の金属または金属合金層、および可視光透過性の架橋ポリマー保護層によって囲まれる物品。
【請求項５】
電磁干渉を起こし得るかもしくは電磁干渉に敏感なデバイスまたは密閉領域を含む電磁シールドされた物品であって、前記デバイスまたは領域が少なくとも部分的に、フレキシブルな支持体を含む可視光透過性のフィルムと、可視光透過性の架橋ポリマー保護層によって分離された伸張性のある可視光透過性の第１および第２の金属または金属合金層とによって囲まれる物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月22日(2006.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝達関数を有する画像除去フィルタであって、
除去するための直角位相信号を受け、前記直角位相信号からの虚数成分を生成する第１の部分回路と、
除去するための同相信号を受け、前記同相信号からの実数成分を生成する第２の部分回路と、から成り、
前記伝達関数は、前記伝達関数の分母あるいは分子として前記虚数成分および前記実数成分を用いることを特徴とする画像除去フィルタ。
【請求項２】
前記フィルタは、前記分数伝達関数を生成する多重帰還ループ積分回路を有する請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項３】
前記伝達関数は、非再帰分子および再帰分母を、さらに、有する請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項４】
前記分子および前記分母は、多項式である請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項５】
前記分子の前記多項式の係数は、実数で因数分解される数である請求項４に記載の画像除去フィルタ。
【請求項６】
前記分子は少なくとも１つの実数から成り、前記分母は少なくとも１つの虚数から成る請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項７】
前記分子は少なくとも１つの虚数から成り、前記分母は少なくとも１つの実数から成る請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項８】
前記伝達関数の前記分子および前記分母は同じ符号を有し、ゼロから成る複数の因数に前記分子が因数分解できる請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項９】
２次画像除去ミキサを有する請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項１０】
前記２次画像除去ミキサは以下の伝達関数を有する請求項９に記載の画像除去フィルタ。
【数３】
2005536080.tif 000001
ここで、
Ｓ１＝ｊｗＣ１Ｒ
Ｓ２＝ｊｗＣ２Ｒ
【請求項１１】
前記２次画像除去ミキサは分割電極伝達関数を有する請求項９に記載の画像除去フィルタ。
【請求項１２】
３次画像除去ミキサを有する請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【請求項１３】
前記３次画像除去ミキサは以下の伝達関数を有する請求項１２に記載の画像除去フィルタ。
【数７】
2005536080.tif 000002
ここで、
Ｓ＝ｊｗＣＲ
【請求項１４】
４次画像除去ミキサを有する請求項１３に記載の画像除去フィルタ。
【請求項１５】
前記４次画像除去ミキサは以下の伝達関数を有する請求項１３に記載の画像除去フィルタ。
【数９】
2005536080.tif 000003
ここで、
Ｓ＝ｊｗＣＲ
【請求項１６】
複数のカスケード接続された相互コンダクタンス増幅器を有する請求項１に記載の画像除去フィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）チャネル内のコンダクタンスを制御するよう構成されたゲートの近くおよび（ii）少なくとも一方が金属で作製されているソースとドレインとの間の電気経路内に配置された半導体チャネルを含むトランジスタであって、当該チャネルと、金属で作製されている当該ソースおよび／または当該ドレインのどちらかとが、チャネル−界面層−ソース／ドレイン接合を形成するように界面層によって分離されており、当該接合の近くの領域内では半導体チャネルのフェルミ準位がピン止め解除され、この接合は活性化された半導体表面を有すると共に当該接合が約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有するものであるトランジスタ。
【請求項２】
前記半導体チャネルが、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、またはＳｉＣの１つで作製される請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記金属が、純粋な金属、合金、または高融点金属の１つを含む請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記金属がアルミニウムを含む請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記固有接触抵抗が約１００Ω−μｍ2以下である請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記固有接触抵抗が約５０Ω−μｍ2以下である請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記固有接触抵抗が約１０Ω−μｍ2以下である請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記固有接触抵抗が約１Ω−μｍ2以下である請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記界面層がパッシブ材料を含む請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記パッシブ材料が、前記チャネルの半導体の窒化物、前記チャネルの半導体のフッ化物、前記チャネルの半導体の酸化物、前記チャネルの半導体の酸窒化物、前記チャネルの半導体の水素化物、および／または前記チャネルの半導体のヒ化物の１つまたは複数を含む請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
半導体チャネル表面の化学的安定性が実現されるよう、前記界面層が、本質的に当該半導体チャネル表面の十分なダングリング・ボンドを終結させるのに十分な量のパッシブ材料からなる請求項１０に記載のトランジスタ。
【請求項１２】
前記界面層が、本質的に、前記チャネルの半導体のフェルミ準位をピン止め解除するよう構成された単層からなる請求項１０に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
前記界面層が、前記半導体チャネルの金属誘起ギャップ状態の影響を低減させるのに十分な厚さを有する請求項１２に記載のトランジスタ。
【請求項１４】
前記界面層が分離層をさらに含む請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１５】
前記分離層が、前記半導体チャネルの金属誘起ギャップ状態の影響を低減させるのに十分な厚さを有する請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項１６】
前記半導体チャネルが誘電体によってゲートから分離される請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１７】
ゲートの近くでありかつ少なくとも一方が金属で作製されるソースとドレインとの間の電気経路内に配置された半導体チャネルを有するトランジスタであって、当該チャネルと、金属で作製されている当該ソースおよび／または当該ドレインのどちらかとが、チャネル−界面層−ソース／ドレイン接合を形成するように界面層によって分離されており、当該接合の近くの領域内では半導体チャネルのフェルミ準位がピン止め解除されこの接合は活性化された半導体表面を有すると共に当該接合が約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有するトランジスタに結合された回路を含む電気システム。
【請求項１８】
前記半導体チャネルが誘電体によって前記ゲートから分離している請求項１７に記載の電気システム。
【請求項１９】
前記固有接触抵抗が約１００Ω−μｍ2以下である請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２０】
前記固有接触抵抗が約５０Ω−μｍ2以下である請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２１】
前記固有接触抵抗が約１０Ω−μｍ2以下である請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２２】
前記固有接触抵抗が約１Ω−μｍ2以下である請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２３】
前記半導体チャネルが、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、またはＳｉＣの１つで作製される請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２４】
前記界面層がパッシブ材料を含む請求項１８に記載の電気システム。
【請求項２５】
前記界面層が、前記パッシブ材料とは異なる材料を含んだ分離層を含む請求項２４に記載の電気システム。
【請求項２６】
前記界面層が、前記半導体チャネルの金属誘起ギャップ状態の影響を低減させるのに十分な厚さを有する請求項２４に記載の電気システム。
【請求項２７】
前記界面層が、前記接合の近くの領域で前記半導体チャネルの表面の化学的安定性を実現するために、前記半導体チャネルのすべてのまたは十分な数のダングリング・ボンドを終結させるのに十分な量のパッシブ材料を含む請求項２４に記載の電気システム。
【請求項２８】
不活性材料の量が単層を構成する請求項２７に記載の電気システム。
【請求項２９】
ソースおよび／又はドレイン内の金属は半導体チャンネルの導電バンドに近い仕事関数を有する請求項１記載のトランジスタ。
【請求項３０】
ソースおよび／又はドレイン内の金属は半導体チャンネルの原子価帯域に近い仕事関数を有する請求項１記載のトランジスタ。
【請求項３１】
ソースおよび／又はドレイン内の金属は半導体チャンネルの導電帯に近い仕事関数を有する請求項１７記載の電気システム。
【請求項３２】
ソースおよび／又はドレイン内の金属は半導体チャンネルの導電帯に近い仕事関数を有する請求項１７記載のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気放電（ＥＳＤ）回路を有する集積回路（９）であって、
第１バス（１４）、第２バス（１８）、及び第３バス（１２）に各々接続された複数のパッド（３１）と、
前記複数のパッド（３１）の各々及び第３バス（１２）にその各々が接続された複数のプルアップ回路（３４）と、
複数の分流回路（３６）であって、
前記複数のパッド（３１）の各々は、第１バス（１４）を介して前記複数の分流回路（３６）の少なくとも１つに接続され、
前記複数の分流回路（３６）は、前記複数のパッド（３１）の少なくとも１つ上におけるＥＳＤ現象に応答して並列に動作して前記複数のパッド（３１）のＥＳＤ保護を行い、
前記複数の分流回路（３６）の少なくとも１つが、第１バス（１４）、第４バス（１６）、及び第２バス（１８）に接続される前記複数の分流回路（３６）と、
過渡検出回路を含むトリガ回路（５０）であって、第３バス（１２）を介して前記複数のパッド（３１）の各々に接続された第１端子と、第４バス（１６）を介して前記複数の分流回路（３６）の少なくとも１つに接続された第２端子と、第２バス（１８）に接続された第３端子とを有する前記トリガ回路（５０）とを備える集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記複数の分流回路（３６）の各々は、トランジスタを備え、前記トランジスタの制御電極は第４バス（１６）に接続され、前記トランジスタの第１電流電極は第２バス（１８）に接続され、前記トランジスタの第２電流電極は第１バス（１４）に接続されている集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、第３バス（１２）及び第１バス（１４）は、平衡回路（５８）を介して互いに接続されている集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、前記複数の分流回路（３６）は、半導体チップ周辺部の一部を囲む連続分流回路網の一部である集積回路。
【請求項５】
集積回路（９）において静電気放電（ＥＳＤ）を補償するための方法であって、
前記集積回路内に複数のパッド（３１）を配置し、
前記複数のパッド（３１）の各々を各第１ダイオード素子（３３）を介して第１バス（１４）に接続し、
前記複数のパッド（３１）の各々を各第２ダイオード素子（３２）を介して第２バス（１８）に接続し、
前記第２バス（１８）及び第３バス（１２）に、第４バス（１６）に接続された出力部を有する過渡検出回路（５０）を接続し、
前記複数のパッド（３１）の各々及び第３バス（１２）に各々接続された複数のプルアップ回路（３４）を物理的に配置し、
その少なくとも１つが第１バス（１４）、第４バス（１６）、及び第２バス（１８）に接続される複数の分流回路（３６）を配置することを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成するための方法において、
半導体基板を設ける工程と、
前記半導体基板の上方に位置し、かつ、３ｎｍ〜５ｎｍの範囲にある第１の厚さを有する第１のゲート誘電体層を形成する工程と、
前記第１のゲート誘電体層の、前記半導体基板の第１の領域の上方に位置する部分を除去する工程と、
前記半導体基板の前記第１の領域の上方に位置し、かつ、第１の厚さより小さい第２の厚さを有する第２のゲート誘電体層を形成する工程と、
前記第１のゲート誘電体層および前記第２のゲート誘電体層の上方に位置する金属酸化物層を形成する工程とを備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１のゲート誘電体層は、シリコンオキサイドおよびシリコンオキシナイトライドからなる群から選択される材料を含有する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記第２のゲート誘電体層は、シリコンオキサイドおよびシリコンオキシナイトライドからなる群から選択される材料を含有する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
前記第２のゲート誘電体層の、前記半導体基板の第２の領域の上方に位置する部分を除去する工程と、
前記半導体基板の前記第２の領域の上方に位置する第３のゲート誘電体層を形成する工程とをさらに備え、
前記金属酸化物層を形成する工程は、前記第１のゲート誘電体層、前記第２のゲート誘電体層、および前記第３のゲート誘電体層の上方に位置する前記金属酸化物層を形成する工程を含む方法。
【請求項５】
半導体デバイスを形成するための方法において、
半導体基板を設ける工程と、
前記半導体基板の上方に位置する第１の誘電体材料を形成する工程であって、前記半導体基板の第１の領域の上方に位置する前記第１の誘電体材料の第１の部分は３ｎｍ〜５ｎ
ｍの範囲にある第１の膜厚を有し、かつ前記半導体基板の第２の領域の上方に位置する前記第１の誘電体材料の第２の部分は前記第１の膜厚とは異なる第２の膜厚を有する、第１の誘電体材料を形成する工程と、
前記第１の誘電体材料の上方に位置する高ｋ誘電体層を形成する工程と、
前記高ｋ誘電体層の上方に位置するゲート層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１の領域内の第１のデバイスのゲートおよび前記半導体基板の前記第２の領域内の第２のデバイスのゲートを形成するために、前記ゲート層および前記高ｋ誘電体層をパターン形成する工程とを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
以下：
トリシランを含む供給ガスを使用して、毎分約５Å以上の堆積速度で、支持体上にアモルファスＳｉ含有膜を堆積させること；および
該アモルファスＳｉ含有膜をアニールして単結晶領域を含む結晶性Ｓｉ含有膜を形成させること、
を包含する、堆積方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
該結晶性Ｓｉ含有膜が多結晶性領域を含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペデスタル構造を形成するための上部表面を有する基板と、
前記ペデスタル構造の側面に沿って配置され、トランジスタの第１伝導電極のエッジを定義する導電材料と、
前記導電材料の側面に沿って形成され、前記第１伝導電極のコンタクト領域を定義する誘電性スペーサと、
から構成されることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
ソース領域をドープし、かつ、半導体装置のチャネルを形成するための上部表面を有する基板と、
前記上部表面上に形成された誘電性ペデスタルと、
前記誘電性ペデスタルの側面に沿って形成され、前記ソース領域のエッジを定義する制御電極と、
前記制御電極の側面に沿って形成され、前記ソース領域のコンタクト領域を定義する誘電性スペーサと、
から構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１表面上に配置され、前記第１表面に対して垂直な第２表面で前記半導体装置の伝導電極を定義する第１導電材料と、
前記第１表面と平行に走る前記第１導電材料の表面上に形成され、前記伝導電極のコンタクト領域を定義する誘電性スペーサと、
から構成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各結晶質ドメインが任意の隣接ドメインと異なって配向されている複数の結晶質ドメイン；及び
薬剤物質を含む結晶質ドメインを取り囲む、少なくとも１種の安定剤を含む複数の界面領域
を含んでなる粒子。
【請求項２】
前記結晶質ドメインの平均粒度が５００オングストローム未満である請求項１に記載の粒子。
【請求項３】
前記安定剤が１種若しくはそれ以上のリン脂質、界面活性剤、ベシクル、ポリマー、コポリマー、ホモポリマー、生体高分子又は分散助剤である請求項１に記載の粒子。
【請求項４】
前記粒子が本質的に結晶質である請求項１に記載の粒子。
【請求項５】
前記薬剤物質が水に貧溶性である請求項１に記載の粒子。
【請求項６】
前記薬剤物質が経口投与用である請求項５に記載の粒子。
【請求項７】
（ａ）薬剤物質を溶媒に溶解させ；そして
（ｂ）工程（ａ）の生成物を水に添加して、沈澱薬物粒子を形成せしめることを含んでなる方法に従って製造された薬物粒子であって、前記薬物粒子が、
各ドメインが任意の隣接ドメインと異なって配向された薬剤物質を含む複数の結晶質ドメイン；及び
前記結晶質ドメインを取り囲む、少なくとも１種の安定剤を含む複数の界面領域
を含んでなる薬物粒子。
【請求項８】
前記安定剤が最初から溶媒中に存在する請求項７に記載の粒子。
【請求項９】
前記安定剤が最初から水中に存在する請求項７に記載の粒子。
【請求項１０】
前記結晶質ドメインの平均粒度が５００オングストローム未満である請求項７に記載の粒子。
【請求項１１】
前記安定剤が１種若しくはそれ以上のリン脂質、界面活性剤、ベシクル、ポリマー、コポリマー、ホモポリマー、生体高分子又は分散助剤である請求項７に記載の粒子。
【請求項１２】
前記粒子が本質的に結晶質である請求項７に記載の粒子。
【請求項１３】
前記薬剤物質が水に貧溶性である請求項７に記載の粒子。
【請求項１４】
前記薬剤物質が経口投与用である請求項１３に記載の粒子。
【請求項１５】
前記方法が工程（ｂ）の生成物を混合する工程を更に含む請求項７に記載の粒子。
【請求項１６】
前記方法が沈澱薬物粒子を乾燥させる工程を更に含む請求項７に記載の粒子。
【請求項１７】
前記工程（ｂ）を６５℃未満で実施する請求項７に記載の粒子。
【請求項１８】
１種又はそれ以上の賦形剤が溶媒中に存在する請求項７に記載の粒子。
【請求項１９】
１種又はそれ以上の賦形剤が水中に存在する請求項７に記載の粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
以下の式のいずれか１つに記載の化合物又は薬学的に許容されるその塩若しくはプロドラッグ
【化５】
2005536503.tif 000001
、
【化６】
2005536503.tif 000002
、
【化７】
2005536503.tif 000003
、
【化８】
2005536503.tif 000004
、
【化９】
2005536503.tif 000005
、
【化１０】
2005536503.tif 000006
、
【化１１】
2005536503.tif 000007
、
【化１２】
2005536503.tif 000008
、
【化１３】
2005536503.tif 000009
、
【化１４】
2005536503.tif 000010
、
【化１５】
2005536503.tif 000011
、
【化１６】
2005536503.tif 000012
、
【化１７】
2005536503.tif 000013
、
【化１８】
2005536503.tif 000014
、
【化１９】
2005536503.tif 000015
、
【化２０】
2005536503.tif 000016
、
【化２１】
2005536503.tif 000017
、
【化２２】
2005536503.tif 000018
、
【化２３】
2005536503.tif 000019
、
【化２４】
2005536503.tif 000020
、
【化２５】
2005536503.tif 000021
、
【化２６】
2005536503.tif 000022
、
【化２７】
2005536503.tif 000023
、
【化２８】
2005536503.tif 000024
、
【化２９】
2005536503.tif 000025
、
【化３０】
2005536503.tif 000026
、
【化３１】
2005536503.tif 000027
、
【化３２】
2005536503.tif 000028
、
【化３３】
2005536503.tif 000029
、
【化３４】
2005536503.tif 000030
、
【化３５】
2005536503.tif 000031
、
【化３６】
2005536503.tif 000032
、
【化３７】
2005536503.tif 000033
、
【化３８】
2005536503.tif 000034
、
【化３９】
2005536503.tif 000035
及び
【化４０】
2005536503.tif 000036
。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
１種又は複数の薬学的に許容される担体、賦形剤及び／又は希釈剤と一緒に、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の化合物を含む医薬組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
ａ）式（ＩＩ）の化合物
【化２】
2005536503.tif 000037
を用いた、式Ｒ５ＣＨＯ（式中、Ｒ５は、Ｃ０〜２アルキルＡｒ１であり、Ａｒ１は請求項１の定義と同様である）のアルデヒドの還元的アミノ化、
又は
ｂ）式（ＩＩＩ）の化合物
【化３】
2005536503.tif 000038
（式中、Ｒは請求項１の定義と同様であり、Ｐは同一であっても異なっていてもよく、ヒドロキシ保護基である）の脱保護、
を含む請求項１〜１１のいずれか一項に記載の化合物を調製するための方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
グルコシルセラミドシンターゼの阻害剤としての使用のための医薬品の製造における請求項１〜１１のいずれか一項に記載の化合物の使用。