【事件の表示】
　特願２００６−５２８７３８「垂直磁気記録ディスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１２日国際公開、ＷＯ２００６／００３９２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１７年６月２９日（優先権主張　平成１６年６月３０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月７日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２２年１１月３０日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、平成２３年１月３１日付けで回答書が提出されたものである。　
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２０年１１月７日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。　
　
「【請求項１】
　垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
　基板と、該基板上に形成されたグラニュラー構造を有する、ＣｏＰｔＣｒ系磁性材料にＳｉＯ２を添加してなる強磁性層と、該強磁性層上に形成してなるコバルト（Ｃｏ）またはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層と、前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚２ｎｍ以下のスペーサ層と、を有し、前記強磁性層中のＳｉＯ２の含有量が６原子％以上であり、前記強磁性層の膜厚をＡ、前記積層の膜厚をＢとした場合、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は２〜５の範囲であり、前記スペーサ層は、前記積層の第２層と同じ材料を用いることを特徴とする垂直磁気記録ディスク。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００４−３９０３３号公報（公開日　平成１６年２月５日。以下、「引用例１」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「【００５２】
本発明の好ましい磁気記録媒体のさらに他の例は、
非磁性基板、非磁性基板上に設けられた第１の磁気記録層、及び第１の磁気記録層上に設けられた第２の磁気記録層を有し、第１及び第２の磁気記録層は、互いに磁化の方向を反平行に揃える相互作用を及ぼし、その磁化容易軸が各々磁気記録層の面方向に対し垂直方向であり、第２の磁気記録層と第１の磁気記録層との間に第１の中間層Ｍ１が設けられ、かつこの第１の中間層Ｍ１の厚さが２ｎｍ以下である垂直磁気記録媒体である。
【００５３】
第２の磁気記録層と第１の磁気記録層との間に上記中間層Ｍ１を挿入することにより、大きな反強磁性交換結合エネルギー面密度が得られる。
　
イ）
「【０１０７】
実施例１−１
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【０１０８】
２．５インチのガラス基板を用意し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉシード層１０ｎｍ、及びＰｔ下地層２０ｎｍを形成した。得られたＰｔ下地層上に、スパッタリングにより、
Ｃｏ　０．３２ｎｍ／　Ｐｔ　０．７８ｎｍを１ユニットとして、スパッタ法を５回繰り返して行い、第１の磁気記録層を得た。
（Ｃｏ
８０
Ｐｔ
２０
）Ｔａ
５
−ＳｉＯ
２
を材料として第２の磁気記録層を１０ｎｍ、
を形成して、磁気記録媒体を得た。
【０１０９】
得られた磁気記録媒体について、その
第２の磁気記録層の微細構造
主にＣｏＰｔからなる柱状で、約９ｎｍの直径を有する磁性結晶粒子が、主にアモルファスのＳｉＯ
２
からなる非磁性部分で分断されている構造となっていた。
　
ウ）
「【０１２１】
実施例２−１
第１の磁気記録層と第２の磁気記録層との間にＩｒ中間層Ｍ１を０．２ｎｍないし２．８ｎｍの範囲で変化させて形成した以外は、実施例１−１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【０１２２】
得られた磁気記録媒体のＭ−Ｈループを図１７に示す。得られたヒステリシスループのＨ１とＨ２の値、及び各層の飽和磁化Ｍｓの値から交換結合エネルギー面密度Ｊを求めた。マイナーループが取れる方の層のシフト磁界をＨｗ（Ｈｃ１＋Ｈ２）とすると、交換結合エネルギー面密度Ｊは、下記式
Ｊ＝Ｈｗ×Ｍｓ×ｔ
で求められる。ここでｔは反転した方の層の膜厚である。
Ｉｒ厚さに対するＪの依存性は図１８に示すようになった。
【０１２３】
Ｊの符号は反強磁性結合の場合に負とした。膜厚が０．５ｎｍよりも薄いところでは強磁性結合するが、それより厚いと反強磁性結合となり、約０．８ｎｍでピークを持った後、再び強磁性結合に戻るという振動的な挙動が見られた。　同様な傾向は中間層Ｍ１として、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔｃ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｐｔ
　
エ）
　図１８には、Ｉｒ中間層の厚さに対する交換結合エネルギー面密度Ｊの依存性を表すグラフ図が示されており、特に
Ｉｒ中間層の厚さ
約２ｎｍ以下の場合に
交換結合となる
　
　前掲ア）ないしエ）の記載事項及び図面の記載を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「非磁性基板、非磁性基板上に設けられた第１の磁気記録層、及び第１の磁気記録層上に設けられた第２の磁気記録層を有し、第１及び第２の磁気記録層は、互いに磁化の方向を反平行に揃える相互作用を及ぼし、その磁化容易軸が各々磁気記録層の面方向に対し垂直方向であり、第２の磁気記録層と第１の磁気記録層との間に第１の中間層Ｍ１が設けられ、かつこの第１の中間層Ｍ１の厚さが２ｎｍ以下である垂直磁気記録媒体であって、
　前記第１の磁気記録層はＣｏ　０．３２ｎｍ／　Ｐｔ　０．７８ｎｍを１ユニットとして、スパッタ法を５回繰り返して行って積層されており、
　前記第２の磁気記録層は（Ｃｏ８０Ｐｔ２０）Ｔａ５−ＳｉＯ２を材料として１０ｎｍ積層されており、その微細構造は、主にＣｏＰｔからなる柱状で、約９ｎｍの直径を有する磁性結晶粒子が、主にアモルファスのＳｉＯ２からなる非磁性部分で分断されている構造となっており、
　前記第１の中間層Ｍ１はＩｒであり、交換結合エネルギー面密度ＪがＩｒの厚さに依存するものであってＩｒ中間層の厚さが２ｎｍ以下で交換結合となる
垂直磁気記録媒体。」
　
　
　また、同じく原査定の拒絶理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−３４２９０８号公報（以下、「引用例２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
オ）
「【００２３】本発明に係る磁気記録媒体は、
基板上に強磁性体であるＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とした磁性薄膜が形成されてなる金属薄膜型の磁気記録媒体である。
【００２４】
磁性層５は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯ
ｘ
（ｘ：１以上、２以下））を含有している。そして、磁性層５におけるＳｉ酸化物の含有量は、当該酸化物を構成する構成元素Ｓｉの比率がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して、８原子％以上、
となるような量とされている。
【００２５】
この磁性層５は、磁性層５を構成するＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒間に、Ｓｉ酸化物（ＳｉＯ
ｘ
（ｘ：１以上、２以下））が島状に分散せしめられた構造となっている。
【００２６】磁性層におけるＳｉ酸化物含有量が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉ酸化物を構成する構成元素Ｓｉの比率として換算したときに、当該構成元素Ｓｉが、８原子％未満とされるような量である場合、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒を囲んで孤立化させる効果が不十分となり、高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力が得られない。
【００２７】一方、磁性層におけるＳｉ酸化物の含有量がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対するＳｉ酸化物を構成する構成元素Ｓｉの比率として換算した場合、構成元素Ｓｉが１６原子％を上回るような量である場合、磁性層中のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの含有量が相対的に減少するため、逆にＳ／Ｎ比、および保磁力は小さくなってしまう。
【００２８】従って、
磁性層５におけるＳｉ酸化物（ＳｉＯ
ｘ
（ｘ：１以上、２以下））の含有量が、当該酸化物を構成する構成元素Ｓｉの比率としてＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して、８原子％以上、
となるような量とされることによって、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒と、当該結晶粒を囲むＳｉ酸化物との比率が適正となる。これによって、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒の結晶間相互作用が効率良く分断され、高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力を得ることが出来る。
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「垂直磁気記録媒体」、「非磁性基板」は、それぞれ本願発明の「垂直磁気記録に用いる磁気ディスク」、「基板」に相当する。
　
（２）引用発明の「第２の磁気記録層」は、非磁性基板上に形成されたものであって（Ｃｏ８０Ｐｔ２０）Ｔａ５−ＳｉＯ２を材料としていることから、ＣｏＰｔ系磁性材料にＳｉＯ２を添加してなる強磁性材料であるといえ、本願発明と引用発明とは「基板上に形成された」「ＣｏＰｔ系磁性材料にＳｉＯ２を添加してなる強磁性層」を有している点で共通している。
　そして、引用発明の「第２の磁気記録層」の微細構造は、ＣｏＰｔからなる柱状の磁性結晶粒子が、アモルファスのＳｉＯ２からなる非磁性部分で分断されている構造となっていることから、グラニュラー構造となっていることは明らかであり、本願発明の「強磁性層」と引用発明の「第２の磁気記録層」とは「グラニュラー構造を有する」点で共通している。
　
（３）引用発明の「第１の磁気記録層」は、Ｃｏ　０．３２ｎｍ／　Ｐｔ　０．７８ｎｍを１ユニットとしてスパッタ法を５回繰り返して積層したものであり、前記「Ｃｏ」は「Ｃｏを含む第１層」といえ、前記「Ｐｔ」は「Ｐｔを含む第２層」といえる。
　よって、引用発明の「第１の磁気記録層」は、本願発明の「コバルト（Ｃｏ）またはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層」のうち「コバルト（Ｃｏ）を含む第１層と白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層」に相当する。
　
（４）引用発明の「第１の中間層Ｍ１」は、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層との間に形成され、第１の磁気記録層と第２の磁気記録層の交換結合エネルギー密度Ｊに影響を及ぼすものであるから、交換結合を制御可能なものであるといえ、その厚さが２ｎｍ以下であるから、本願発明の「前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚２ｎｍ以下のスペーサ層」に相当する
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞　
「垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
　基板と、該基板上に形成されたグラニュラー構造を有する、ＣｏＰｔ系磁性材料にＳｉＯ２を添加してなる強磁性層と、コバルト（Ｃｏ）を含む第１層と白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層と、前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚２ｎｍ以下のスペーサ層と、を有する垂直磁気記録ディスク。」
　
　そして、次の＜相違点１＞ないし＜相違点３＞で相違する。
　
＜相違点１＞
　強磁性層の材料に関して、本願発明では、「ＣｏＰｔＣｒ系磁性材料」であり「強磁性層中のＳｉＯ２の含有量が６原子％以上」であるのに対して、引用発明では、ＣｏＰｔＴａ−ＳｉＯ２であり、かつＳｉＯ２の含有量を特定していない点。
　
＜相違点２＞
　積層と強磁性層の関係に関して、本願発明では、積層が「強磁性層上に形成」されており「前記強磁性層の膜厚をＡ、前記積層の膜厚をＢとした場合、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は２〜５の範囲」であるのに対して、引用発明では、第１の磁気記録層（積層）が第２の磁気記録層（強磁性層）下に形成されており、第２の磁気記録層（強磁性層）の膜厚Ａが１０ｎｍ、第１の磁気記録層（積層）の膜厚Ｂが（０．３２ｎｍ＋０．７８ｎｍ）×５回＝５．５ｎｍであることから、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は１０／５．５＝１．８である点。
　
＜相違点３＞
　スペーサ層の材料に関して、本願発明では、「積層の第２層と同じ材料を用いる」のに対して、引用発明では、Ｉｒを用いており、積層の第２層と同じ材料を用いるとはしていない点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用例２には、磁気記録媒体に用いられる強磁性層の材料として、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｒにＳｉ酸化物（ＳｉＯｘ（ｘ：１以上、２以下））を含有させることにより、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒの結晶粒間にＳｉ酸化物が島状に分散せしめられた構造、すなわちグラニュラー構造とした強磁性材料を用いることが開示されており、特に、磁磁性層におけるＳｉ酸化物の含有量について、Ｓｉの比率がＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒに対して、８原子％以上とすることにより、高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力が得られることが開示されている。
　引用発明も引用例２に開示された発明も、ＣｏＰｔ系磁性材料にＳｉ酸化物を添加したグラニュラー構造を有する強磁性層を用いている点で共通するものであって、磁気記録媒体において高Ｓ／Ｎ比、および高保磁力を図ることは自明な共通の課題であるから、引用発明の強磁性層の材料として、引用例２に記載された、ＣｏＰｔＣｒ系磁性材料にＳｉ酸化物を８原子％以上含有した強磁性材料を採用し、「ＣｏＰｔＣｒ系磁性材料」を用い「磁性層中のＳｉＯ２の含有量を６％以上」とすることは、当業者であれば容易に為しうるものである。
　
＜相違点２＞について
　積層と強磁性層がスペーサ層を介して交換結合する磁気記録媒体において、積層を「強磁性層上に形成」し、「強磁性層の膜厚をＡ、前記積層の膜厚をＢとした場合、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は２〜５の範囲」とすることは、出願人が本願明細書において先行技術文献として開示している米国特許６４６８６７０号公報（特に、第２欄第８行ないし第２３行、第３欄第２５行ないし第３０行、図１等参照。ＣｏＣｒ強磁性層の膜厚Ａを５０ｎｍ、Ｃｏ／Ｐｔ積層の膜厚を１４ｎｍとしているので、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は５０／１４＝３．６となる。）に示されるように周知技術である。
　よって、引用発明において、第１の磁気記録層（積層）を「第２の磁気記録層（強磁性層）上に形成」し、「強磁性層の膜厚をＡ、前記積層の膜厚をＢとした場合、Ａ／Ｂ（Ｂ分のＡ）は２〜５の範囲」とすることは、前記周知技術に基づいて当業者であれば適宜為しうる事項である。
　
＜相違点３＞について
　積層と強磁性層がスペーサ層を介して交換結合する磁気記録媒体において、スペーサ層の材料として「積層の第２層と同じ材料を用いる」ことは、出願人が本願明細書において先行技術文献として開示している米国特許６４６８６７０号公報（特に、第２欄第８行ないし第２３行、図１等参照。スペーサ層であるｉｎｔｅｒｆａｃｅ　ｌａｙｅｒの材料として、ｐｌａｔｉｎｕｍとｐａｌｌａｄｉｎｕｍを例示し、どちらの材料を用いるかは、積層がＣｏ／ＰｔであるかＣｏ／Ｐｄであるかに依存するとしている。）に示されるように周知技術である。
　一方、引用発明においても、前掲ウ）の【０１２３】には、第１の中間層Ｍ１（スペーサ層）の材料としてＰｔを用いること、すなわち、第１の磁気記録層（積層）の第２層である白金（Ｐｔ）と同じ材料を用いることが例示されているところ、前記周知技術に基づいて「第１の磁気記録層（積層）の第２層と同じ材料を用いる」とすることは、当業者であれば適宜為しうる事項である。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。