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【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活動型転移性乳癌のヒト患者の延命を目的とする治療に適用される薬剤の作製において、該薬剤の有効成分として使用するジフェニル化合物であって、
該ジフェニル化合物は、
少なくとも１種のジフェニル化合物：
【化１】
2005512996.tif 000001
（式中、ＸおよびＹはそれぞれフッ素、塩素もしくは臭素であり、Ｚは１〜３個の炭素原子のアルキレン基もしくは＝Ｃ＝Ｏであるか、またはフェニル基は連結されて３環式の環を形成し、ｏおよびｐは０もしくは１であり、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ１〜３個の炭素原子を含有する基であるか、または連結されて含窒素複素環を形成し、ｎは１、２もしくは３である）、ジフェニル化合物またはその塩酸塩あり、
（ａ）最初に少なくとも一種の前記ジフェニル化合物を前記患者に投与する、
（ｂ）細胞内ヒスタミンの結合を阻害するのに十分な時間が経過した後に、引き続き乳癌に有効な化学療法剤を前記患者に投与する
ことを特徴とするジフェニル化合物の使用方法。
【請求項２】
前記ジフェニル化合物は、次式の基が、
【化２】
2005512996.tif 000002
ジエチルアミノ基、ジメチルアミノ基、モルホリノ基またはピペラジノ基であり、またはこれらの塩酸塩である前記ジフェニル化合物の少なくとも１種を有効成分とすることを特徴とする請求項１に記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項３】
前記ジフェニル化合物は、次式の基が、
【化３】
2005512996.tif 000003
がジエチルアミノ基であり、ＺがＣＨ2であり、ｎが２であり、ｏおよびｐがそれぞれ０であり、またはそれらの塩酸塩である前記ジフェニル化合物の少なくとも１種を有効成分とすることを特徴とする請求項２に記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項４】
前記の乳癌に有効な化学療法剤がドキソルビシンまたはエピルビシンであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項５】
前記ジフェニル化合物の患者に対する投与を、前記化学療法剤を投与する３０〜９０分前に開始することを特徴とする請求項１−４のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項６】
前記ジフェニル化合物を、前記化学療法剤を投与する前に最高９０分にわたりその溶液を静脈内注入することによって投与され、前記化学療法剤の投与の間ずっと継続されることを特徴とする請求項１−５のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項７】
前記ジフェニル化合物が、前記化学療法剤を投与する前に６０分間投与され、前記化学療法剤の２０分間の静脈内注入の間ずっと継続されることを特徴とする請求項１−６のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項８】
前記ジフェニル化合物を、８−２４０ｍｇ／Ｍ2患者の量で投与することを特徴とする請求項１−７の何れかに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項９】
前記ジフェニル化合物の投与量が体重１ｋｇあたり３−１０ｍｇであることを特徴とする請求項１−８の何れか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項１０】
前記ジフェニル化合物の投与量が、塩酸塩の形態で６ｍｇ／ｋｇ、または遊離塩基の形態で５．３ｍｇ／ｋｇの量であることを特徴とする請求項１−９の何れか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項１１】
前記化学療法剤が５０〜７５ｍｇ／Ｍ2患者の量で投与されることを特徴とする請求項１−１１の何れかに記載のジフェニル化合物使用方法。
【請求項１２】
活動型乳癌に罹患している前記患者が、エストロゲン受容体陰性腫瘍を有する患者であることを特徴とする請求項１−１１のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項１３】
活動型乳癌に罹患している前記患者が、診断から転移性再発までの無再発期間が３６カ月未満の患者であることを特徴とする請求項１−１２のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項１４】
活動型乳癌に罹患している前記患者の治療を所定の間隔でステップ（ａ）及び（ｂ）少なくとも４サイクル行うことを特徴とする請求項１−１３のいずれか一つに記載のジフェニル化合物の使用方法。
【請求項１５】
前記患者が化学療法を受けていないかまたは前に治療を受けていない者から選ばれることを特徴とする請求項１−１４記載のジフェニル化合物の使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
の基はジエチルアミノ基であるが、ジメチルアミノなど他のアルキルアミノ基を使用することもでき、他の好ましい実施形態においては、モルホリノ基であるが、ピペラジノなど他の複素環式基を使用することもできる。Ｚがアルキレン基であるときにはｏおよびｐは通常０であり、ｏは２でもよい。特に好ましい一実施形態においては、ＺはＣＨ2（ｎは２である）であり、ｏおよびｐはそれぞれ０であり、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ベンゼン環を連結するアルキレン基に加えて、＝Ｃ＝Ｏなどの他の連結基を使用することもできる。ハロゲン原子に加えて、例えば、イミダゾール基など他の置換基をベンゼン環上に置くこともできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
アルゴリズムを実行する上でのこれ以外の主要段階には、算出したカレントレートと所望レートにおける間の総エラー数の計算が含まれる。この説明全体をとおして、算出したカレントレートと所望レートの間のエラーは「留数」と呼ばれるが、「エラー」と「留数」という用語は相互交換可能であることが理解されるべきである。Ｎサンプリング・インターバルのサンプリングしたドメインにおいて、Ｎ番目のサンプリング・インターバルにおける瞬間留数は、
ＲｅｓｉｄｕｅＮ＝ＲａｔｅＮ−Desired_Rate
と表される。
Ｎ番目のサンプリング・インターバルにおける総留数は、ここでは次式のとおり表される。
【数１０】
2005512365.tif 000001
ここから、Ｎ番目のサンプリング・インターバルの前に生じるサンプリング・インターバルについて次式が導かれ、
【数１１】
2005512365.tif 000002
したがって、Ｎ番目のサンプリング・インターバルにおける総留数も、前のＮ−１サンプリング・インターバルにおける総留数と、Ｎ番目のサンプリング・インターバルにおける瞬間留数の合計に関連して表すことができ、
【数１２】
2005512365.tif 000003
ＲｅｓｉｄｕｅＮ＝ＲａｔｅＮ−Desired_Rateで置換することにより、次式が得られ、
【数１３】
2005512365.tif 000004
したがって、Ｎ番目のサンプリング・インターバルにおける総留数を、カレント留数と以前の留数に関連して、次式で表すことができ、
Current_Residue＝Previous_Residue＋(Current_Rate−Desired_Rate)
この場合、Current_Rateは上述のように計算され、Previous_Residueは最後のサンプリング・インターバルにおける総留数に関連し、Desired_Rateはユーザ入力として得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図４は、上述のレートシェーピング・アルゴリズムを実行するためのプロセスフロー・ダイアグラムの実施形態を示す。第１サイクルが開始する前に、ステップ４３４において、レートシェーピング・アルゴリズムについてDesired_Rateの値、ＮＣ及びΔｔが設定される。Desired_Rateの値、Ｎｃ、Δｔの設定は、手作業でのユーザ入力、又は、より幅広いＱｏＳシステムに応答して生成される自動入力が関連する。ステップ４３６の第１サイクルの開始時に、ステップ４３８にて、Previous_Rate及びPrevious_Residueがゼロに設定される。ステップ４４０にて、伝送情報Ｃが取得される。ステップ４４２にて、Current_Rateが、上述のように、提供された式を用いて計算される。Current_Rateの計算に使用する値には、Previous_Rate、Ｃ、Ｗａ、Ｗｂが含まれる。ステップ４４４にて、Current_Rateを計算した後に、Current_Residueが、上述のとおり、提供された式を使用して計算される。Current_Residueの計算に使用する値には、Previous_Residue、Current_Rate、Desired_Rateが含まれる。次に、算出したCurrent_Residueを決定ポイント４４６にて使用して、パケットをディスパッチするべきか、保持するべきかを決定する。Current_Residueがゼロ未満、又はゼロと等しい場合には、ステップ４４８にて、パケットがディスパッチされ、また、Current_Residueがゼロよりも大きい場合には、ステップ４５０にて、パケットが保持される。ある実施形態では、パケットのディスパッチには、スイッチをオンにする制御信号の生成が含まれ、また、パケットの保持には、スイッチをオフにする制御信号の生成が含まれる。パケットをディスパッチするか、保持するかを決定した後に、決定ポイント４５２にて、サンプリング・インターバルΔｔが満了している場合には、ステップ４５４にて次のサイクルが開始される。ステップ４５６では、次のサイクルを開始するために、前回のサイクルで算出したCurrent_Rateの値を、次のレート計算のためにPrevious_Rateとして使用し、前回のサイクルで算出したCurrent_Residueの値を、次のResidue計算のためにPrevious_Residueとして使用する。Previous_Rate及びPrevious_Residueの値の設定後に、伝送情報Ｃを取得し（ステップ４４０）、Current_Rateを計算し（ステップ４４２）、Current_Residueを計算し（ステップ４４４）、パケットをディスパッチするか、保持するかを決定する（決定ポイント４４６）処理が上述のとおり繰り返される。この処理は、Δｔ時間インターバル毎に連続的に繰り返される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プラズマドーピング装置であって，
プラズマドーピングチェンバーと，
該プラズマドーピングチェンバー内に位置し，ワークピースを支持するためのプラテンと，
前記プラズマドーピングチェンバー内にある，前記プラテンから間隔があけられるアノードと，
前記プラズマドーピングチェンバーに連結されたプロセスガス源と，
プラズマからのイオンをワークピースへと加速するための，前記プラテンと前記アノードとの間にパルスを適用するパルス源と，
ワークピースを回転させる機構と，
を含み，
プロセスガスのイオンを含むプラズマが，前記アノードと前記プラテンとの間のプラズマ放電領域で形成される，ところのプラズマドーピング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記プラテンが半導体ウエハを支持する形状をもち，半導体ウエハがその中心で回転するように，機構が前記プラテンを回転するように構成される，請求項１に記載のプラズマドーピング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の態様にしたがって，プラズマドーピング方法が，プラズマドーピングチェンバー内で，プラテン上でワークピースを支持する工程と，プラズマを発生させ，プラズマからのイオンをワークピースへと加速する工程と，ワークピースを回転させる工程とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
チェンバー10の囲まれた容積12は制御可能な弁32により，真空ポンプ34へと連結されている。プロセスガス源36は質量流量制御器38を介してチェンバー10に連結されている。チェンバー10内に配置された圧力センサー48が制御器46にチェンバー圧を示す信号を与える。制御器46は検知されたチェンバー圧を所望の圧力入力と比較し，制御信号を弁32へ与える。制御信号は，チェンバー圧と所望の圧力との間の違いを最小とするように，弁32を制御する。真空ポンプ34，弁32，圧力センサー48および制御器46は閉ループ圧力制御システムを構成する。圧力は典型的に，約1ミリトルから500ミリトルの範囲に制御はされるが，この範囲に限定されない。ガス源36はワークピースへの注入用の所望のドーパントを含むイオン化可能なガスを供給する。イオン化可能なガスの例として，BF3，N2，Ar，PH3，AsH3およびB2H6がある。質量流量制御器38は，ガスがチェンバー10に供給される割合を調整する。図１に図示された構成は，一定のガス流速でかつ一定の圧力の処理されたガスを連続流で与えている。圧力および流速は好適に，繰り返し可能な結果を与えるように調整される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
プラズマドーピングシステムは中空カソードパルス源56に接続された中空のカソード54を含むことができる。一実施例では，中空カソード54は，アノード24とプラテン14との間の間隔を取り囲む伝導性の中空シリンダーからなる。中空カソードは，非常に低いイオンエネルギーが必要となる応用例において利用することができる。特に，中空カソードパルス源56はチェンバー12内でプラズマを形成するのに十分なパルス電圧を与え，パルス源30は所望の注入電圧を形成する。中空カソードの使用に関する他の詳細は，ここに参考文献として組み込まれる特許文献５に示されている。
【特許文献５】米国特許第6,182,604号明細書
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の実施例が，図２〜図４，図５A，図５B，図６および図７を参照して記述されているが，ここで同様の要素には同じ符号が付されている。プラズマドーピングシステムの実施例の部分断面図が図２に示されている。図２ないし図６に図示の構成は図１に図示され上述されたタイプのプラズマドーピングシステム，または他のプラズマドーピングシステムに利用することができる。この構成は，イオンドーズ量の一様性を改良するために，個別にまたは組み合わせて利用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２に示されているように，プラズマドーピングシステムはプラズマドーピング中，ウエハ20を回転する駆動機構100を含むことができる。駆動機構100は，駆動モータ112およびプラテン14と駆動モータ112との間に連結されたシャフト110を有することができる。好適には，駆動モータ112はチェンバー10の外部に位置する。プラズマドーピング中，駆動モータ112は付勢されることで，プラテン14およびウエハ20はウエハ20の面内で回転する。好適には，回転の中心は，ウエハ20の中心またはその近くである。ウエハ20は好適に，約10から600rmpの範囲の速度で回転する。一実施例では，ウエハ20は一秒あたり数回の速度で回転する。ウエハ20の回転速度は好適に，パルス源30のパルスレートが回転速度よりも非常に速くなるように選択される。さらに，ウエハ20の回転は，パルス源30の動作と同期されるべきではない。プラズマドーピング中，ウエハ20を回転させることで，方位角方向の一様性の変化が，ウエハ表面にわたって平均化され，このことにより，ドーズ量の一様性が増加する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の他の特徴にしたがって，アノードは，アノードの領域にわたって変化するカソードからの間隔を有してもよい。アノードは固定構成をもつが，好適には，異なる動作条件および異なる応用例に適用するために，ふたつ以上の調節可能なアノード要素をもつ。アノード要素とカソードとの間の間隔は，所望のプラズマ特性および所望のドーズ量の一様性を達成するために調節することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
他の実施例において，アノードは，個々に制御可能なアノード要素のグリッドのように構成され，またはそれぞれが個々に制御可能な複数の，任意に形状付けられたアノード要素で構成されてもよい。いずれの場合も，アノードとウエハとの間の間隔は，所望のドーズ量の一様性を達成するためにアノード領域にわたって変化してもよい。他の実施例では，アノードは，アノードの領域にわたって変化する，アノードとウエハとの間の間隔を与える固定した構成をもつ。この構成は，プラズマの空間的な分布が，イオン種，プロセスガス圧などのような異なるプラズマドーピングパラメータに対して変化するために，好適ではない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの物品を搬送するための搬送部材であって、
炭素繊維強化複合材料を有する本体と、
前記本体上に配置された導電性ポリマー部分とを含み、前記導電性ポリマー部分が、少なくとも１つの物品を搬送する間、該少なくとも１つの物品との接触部分を有し、前記本体中の炭素繊維強化複合材料の炭素繊維の少なくとも一部に電気接続されることを特徴とする搬送部材。
【請求項２】
請求項１に記載の搬送部材を製造するための方法であって、
ａ）炭素繊維強化複合材料を含有する本体を製造する工程と、
ｂ）前記本体の炭素繊維強化複合材料の炭素繊維の少なくとも一部を露出させる工程と、
ｃ）導電性ポリマー部分を前記本体上に配置し、露出されている炭素繊維の少なくとも一部が前記導電性ポリマー部分に電気接続される工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
従って、上述した目的および利点を完全に満たす、電気導電率を有する搬送部材およびその製造方法が本発明によって提供されたことは明らかである。この発明がその特定の実施態様と共に記載されたが、多くの代替物、改良、および変型が当業者には明白であることは明らかである。したがって、添付したクレームの精神および広い範囲に含まれる全てのかかる代替物、改良、および変型を包含することが意図される。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  少なくとも１つの物品を搬送するための搬送部材であって、
炭素繊維強化複合材料を有する本体と、
前記本体上に配置された導電性ポリマー部分とを含み、前記導電性ポリマー部分が、少なくとも１つの物品を搬送する間、該少なくとも１つの物品との接触部分を有し、前記本体中の炭素繊維強化複合材料の炭素繊維の少なくとも一部に電気接続されることを特徴とする搬送部材。
２．  前記炭素繊維強化複合材料が、１０℃／分の上昇速度で２５℃〜２５０℃の温度条件を有する、１０-5Ｐａの真空で発生される１５ｐｐｍ未満の水および１ｐｐｍ未満の水素ガスの純度を含むことを特徴とする１．に記載の搬送部材。
３．  前記本体が、接地線への接地接点が設けられる近接端部を有し、前記物品との接点が、前記炭素繊維の少なくとも一部によって前記導電性ポリマー部分に電気接続されることを特徴とする１．または２．に記載の搬送部材。
４．  前記本体の前記炭素繊維強化複合材料が、前記本体の縦方向と実質的に平行に配置された炭素繊維の一方向性プレプレグの少なくとも１つの層を含み、前記一方向性プレプレグの前記炭素繊維の少なくとも一部と前記導電性ポリマー部分とが、電気接続されていることを特徴とする１．または３．に記載の搬送部材。
５．  前記本体の前記炭素繊維強化複合材料が、炭素繊維を含有するクロスプレプレグの少なくとも１つの層と、電気接続されている前記プレプレグおよび前記導電性ポリマー部分の前記炭素繊維の少なくとも一部とを含むことを特徴とする１．または３．に記載の搬送部材。
６．  前記導電性ポリマー部分が、ポリイミド、エポキシ、アラミド、ビスマレイミド、フェノール、フラン、尿素、不飽和ポリエステル、エポキシアクリレート、ジアリルフタレート、ビニルエステル、メラミン、ナイロンポリマー、液体芳香族ポリアミドポリマー、ポリエステルポリマー、液体芳香族ポリエステルポリマー、ポリプロピレンポリマー、ポリエーテルスルホンポリマー、ポリフェニレンスルフィドポリマー、ポリエーテルエーテルケトンポリマー、ポリエーテルケトンポリマー、ポリエーテルケトンポリマー、ポリスルホンポリマー、ポリ塩化ビニルポリマー、ビニロンポリマー、アラミドポリマー、液晶ポリマー、ポリ（パラフェニレンベンゾビサキサゾール）またはフルオロポリマーの１つ以上を含むことを特徴とする１．〜５．のいずれか一項に記載の搬送部材。
７．  ａ）炭素繊維強化複合材料を含有する本体を製造する工程と、
ｂ）前記本体の炭素繊維強化複合材料の炭素繊維の少なくとも一部を露出させる工程と、
ｃ）導電性ポリマー部分を前記本体上に配置し、露出されている炭素繊維の少なくとも一部が前記導電性ポリマー部分に電気接続される工程と、を含むことを特徴とする１．〜６．のいずれか一項に記載の搬送部材の製造方法。
８．  前記導電性ポリマー部分が、導電性接着剤を用いて前記本体上に配置されることを特徴とする７．に記載の製造方法。
９．  前記配置工程が、炭素繊維の少なくとも一部を露出させるために形成された画定された開口部または凹部分に前記導電性ポリマー部分を挿入する工程を含むことを特徴とする７．に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の側と第２の側によって規定される厚みを持ち、かつ複数の開口を規定する誘電性パネルと、
該誘電性パネルに取り付けられた第1の導電性の層とを含み、
伝導性を付与するコーティングをされた誘電性パネルが基体の第1の側から第２の側への電磁気的エネルギーの移転を弱める、電磁気的妨害（ＥＭＩ）に対する遮蔽に適合されたベントパネル。
【請求項２】
誘電性パネルが高分子体である請求項１のベントパネル。
【請求項３】
誘電性パネルが、ポリカーボネート、ポリプロピレン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、炭素、ガラス繊維、紙及びそれらの組み合わせから成る群から選ばれる請求項１のベントパネル。
【請求項４】
誘電性パネルが、互いに結合された複数の管を有する請求項１〜３のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項５】
誘電性パネルが、共押出成形された複数の管を含む請求項１〜４のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項６】
誘電性パネルが、射出成形法を用いて製造されたものである請求項１〜５のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項７】
誘電性パネルが、互いに結合された複数の、波型を付けた誘電体シートを含み、該結合された波形を付けたシートが複数の開口を規定する請求項１〜６のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項８】
導電性の層が、銅、ニッケル、錫、アルミニウム、銀、金、グラファイト、鉛、パラジウム、カドミウム、亜鉛及びそれらの組み合わせから成る群から選ばれる請求項１〜７のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項９】
更に、第1の導電性の層と電気的に連絡している第2の導電性の層を含む請求項１〜８のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１０】
複数の開口が、開口様の２次元的配列として構成されている請求項１〜９のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１１】
開口様の各々の断面の形が、円形、楕円形、六角形、正方形、長方形、三角形、長斜方形、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項１０のベントパネル。
【請求項１２】
開口様の各々の断面の直径が、０．１５２ｃｍ（０．０６インチ）から２．５４ｃｍ（１インチ）の間にあるように選択される請求項１〜１１のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１３】
誘電性パネルが、３２．０ｋｇ／ｍ３（２ボンド／立方フィート）と３２０ｋｇ／ｍ３（２０ポンド／立方フィート）の間の密度を持つよう選択される請求項１〜１２のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１４】
ベントパネルが１０9 ヘルツにおいて少なくとも２０デシベルのＥＭＩの減衰を与える請求項１〜１３のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１５】
ベントパネルをシャシーと電気的に連絡して置くために、実質的にベントパネルの周辺に延びている伝導性の縁を更に含む請求項１〜１４のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１６】
伝導性の縁が、圧縮可能な物質を含む請求項１５のベントパネル。
【請求項１７】
圧縮可能な物質が、伝導性エラストマー、伝導性織物、伝導性織物に包まれたエラストマー、及びそれらの組み合わせを含む群から選択される請求項１６のベントパネル。
【請求項１８】
伝導性の縁が、導電性のシャシーにより規定される開口の中にベントパネルを機械的に保持するよう適用されている請求項１５〜１７のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項１９】
伝導性の縁が、複数の部分的開口を含む請求項１５〜１８のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項２０】
伝導性の縁が、ベントパネルに固定されている請求項１５〜１９のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項２１】
伝導性の縁が、ベントパネルに接着剤により固定されている請求項２０のベントパネル。
【請求項２２】
伝導性の縁が、ベントパネルの周辺と電気的に連絡している導電性の細長い小片を含み、該伝導性の細長い小片が、周囲から外側に延びる複数の伝導性の突起を含む請求項１５〜２１のいずれか１項記載のベントパネル。
【請求項２３】
該複数の伝導性の突起の各々が、弾力性のばねフィンガー、窪み、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項２２の冷却ベントパネル。
【請求項２４】
第1の側と第２の側とにより規定される厚みを持ちかつ複数の開口を規定する誘電性パネルを用意すること、ここで各開口が第1の側から第２の側へ延びる、および
第1の導電性の層を誘電性パネルに適用すること、ここで伝導性を付与するコーティングをされた誘電性パネルが、基体の第1の側から第２の側への電磁気的エネルギーの移転を弱めること
を含む、電磁気的妨害（ＥＭＩ）に対する遮蔽に適合されたベントパネルを製造する方法。
【請求項２５】
適用が、非電解メッキ、ラジオ波スパッタリング、直流スパッタリング、蒸発、電解メッキ、化学的蒸着、或いは物理的沈着の少なくとも一つを含む請求項２４の方法。
【請求項２６】
第2の導電性の層の適用を更に含む請求項２４又は２５の方法。
【請求項２７】
第2の導電性の層の適用が、非電解メッキ、ラジオ波スパッタリング、直流スパッタリング、或いは物理的沈着の少なくとも一つを含む請求項２６の方法。
【請求項２８】
誘電性パネルを用意することが、互いに結合された複数の管を用意することを含む請求項２４〜２７のいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
誘電性パネルを用意することが、共押出成形された複数の管を用意することを含む請求項２４〜２８のいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
誘電性パネルを用意することが、射出成形を含む請求項２４〜２９のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
波形を付けた誘電性の複数のシートを用意すること、および
該波形を付けたシートを互いに結合すること、ここで、結合された波形を付けた誘電性シートが複数の開口を規定する、
を含む請求項２４〜３０のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
シャシーによって規定された開口内に、実質的に全周囲に延びる伝導性の縁を持つ周囲を規定する金属化された誘電性のベントパネルを挿入すること、ここで伝導性の縁が、ベントパネルを開口に機械的に保持するため及びベントパネルをシャシーと電気的連絡して置くために適合されている、及び
伝導性の縁をシャシーに保持すること
を含む、電磁気的妨害（ＥＭＩ）に対する遮蔽に適合された誘電性ベントパネルを使用する方法。
【請求項３３】
開口への挿入が、ベントパネルを受け入れるのに適合された予め規定された溝内へ誘電性冷却ベントパネルを滑り込ませることを含む請求項３２の方法。
【請求項３４】
シャシーに保持することが、誘電性ベントパネルの伝導性の縁を押圧することを含む請求項３２又は３３の方法。
【請求項３５】
第1の側と第２の側によって規定される厚みを持ちかつ複数の開口を規定する誘電性パネルを用意する手段、ここで各開口が第1の側から第２の側に延びる、及び
第1の導電性の層を誘電性パネルに適用するための手段を含み、ここで伝導的にコートされた誘電性パネルが基体の第1の側から第２の側への電磁的エネルギーの伝達を弱める、
電磁気的妨害（ＥＭＩ）に対する遮蔽に適合されたベントパネル装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイミング制御機能を有する狭帯域２室高繰返し率ガス放電レーザシステムであって、
Ａ）１）ａ）第１のレーザガスと、
ｂ）第１の放電領域を形成する、各々細長い形状で間隔をあけて設けられた第１の電極対とを含む第１の放電室、
２）４，０００パルス／秒又はそれ以上の範囲の繰返し率で作動する際に、各パルスの後に、放電によって生成されたイオンの実質的に全てを、次のパルスの前に前記第１の放電領域から除去するための第１のファン、
３）前記第１のレーザガスから熱エネルギーを除去することができる第１の熱交換器システム、
４）前記第１の放電室で生成された光パルスのスペクトル帯域幅を狭小化するための線幅狭小化ユニットを備える第１のレーザユニットと、
Ｂ）１）ａ）第２のレーザガスと、
ｂ）第２の放電領域を形成する、各々細長い形状で間隔をあけて設けられた第２の電極対とを含む第２の放電室、
２）４，０００パルス／秒又はそれ以上の範囲の繰返し率で作動する際に、各パルスの後に、放電によって生成されたイオンの実質的に全てを、次のパルスの前に前記第２の放電領域から除去するための第２のファン、
３）前記第２のレーザガスから熱エネルギーを除去することができる第２の熱交換器システムを備える第２のレーザユニットと、
Ｃ）約４，０００パルス／秒の速度で制御されたパルスエネルギーを有するレーザパルスを生成するのに十分な電気パルスを前記第１の電極対及び前記第２の電極対に供給するようになったパルス電力システムと、
Ｄ）前記２室式レーザシステムによって生成されたレーザ出力パルスのパルスエネルギー、波長、及び帯域幅の少なくとも１つを測定すると共に、フィードバック制御方式で前記レーザ出力パルスを制御するためのレーザ光測定及び制御システムと、
Ｅ）フィードバックタイミング制御を行うアルゴリズムでプログラムされたプロセッサと、
を備えることを特徴とするレーザシステム。
【請求項２】
前記第１のレーザユニットは、主発振器として構成され、前記第２のレーザユニットは、電力増幅器として構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記レーザガスは、アルゴン、フッ素、及びネオンを含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記レーザガスは、クリプトン、フッ化物、及びネオンを含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項５】
前記レーザガスは、フッ化物と、ネオン、ヘリウム、又はネオンとヘリウムの混合物から成る群から選択されたバッファガスとを含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項６】
前記第１のファン及び前記第２のファンの各々は、横流ファンであり、各々は２つのブラシレスＤＣモータによって駆動される軸を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記モータは、水冷式モータであることを特徴とする請求項６に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記パルス電力システムは、水冷式電気部品を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項９】
前記水冷式部品の少なくとも１つは、１２，０００ボルトを超える高電圧で作動する構成部品であることを特徴とする請求項８に記載のレーザシステム。
【請求項１０】
前記高電圧は、冷却水が流れるインダクタを使用して接地から絶縁されることを特徴とする請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記パルス電力システムは、充電コンデンサを正確に制御された電圧に充電するための共振充電システムを備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１２】
前記システムは、わずかな変更でもって、ＫｒＦレーザシステム、ＡｒＦレーザシステム、又はＦ２レーザシステムのいずれかで作動するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１３】
実質的に全ての構成部品は、レーザエンクロージャに収容されるが、前記システムは、前記エンクロージャから物理的に離れたＡＣ／ＤＣモジュールを備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１４】
前記パルス電力システムは、主発振器充電コンデンサバンクと、電力増幅器充電コンデンサバンクと、前記充電コンデンサバンクの両者を並列に充電するように構成された共振充電器を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１５】
前記パルス電力システムは、少なくとも２０００Ｖの供給電力を前記共振充電器に供給するように構成された電源装置を備えることを特徴とする請求項１４に記載のレーザシステム。
【請求項１６】
主発振器ビームパラメータを制御するために、前記第１のレーザガスのＦ２濃度を制御するためのガス制御システムを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１７】
主発振器ビームパラメータを制御するために、前記第１のレーザガスのレーザガス圧力を制御するためのガス制御システムを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１８】
前記主発振器の放電の２０ｎｓから６０ｎｓ後に生じるように、前記電力増幅器の放電をトリガする放電タイミング制御装置を更に備えることを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項１９】
特定の状況において、どの大きな出力パルスエネルギーも回避するよう時間調整された放電を引き起こすようにプログラムされた放電制御ユニットを更に備えることを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項２０】
前記特定の状況において、前記制御装置は、前記主発振器での放電の少なくとも２０ｎｓ前に前記電力増幅器の放電を引き起こすようにプログラムされることを特徴とする請求項１９に記載のレーザシステム。
【請求項２１】
前記特定の状況において、前記制御装置は、前記主発振器での放電の少なくとも７０ｎｓ後に前記電力増幅器の放電を引き起こすようにプログラムされることを特徴とする請求項１９に記載のレーザシステム。
【請求項２２】
前記少なくとも２０ｎｓは、約４０ｎｓであることを特徴とする請求項２０に記載のレーザシステム。
【請求項２３】
前記少なくとも７０ｎｓは、約１１０ｎｓであることを特徴とする請求項２１に記載のレーザシステム。
【請求項２４】
前記レーザシステムは、前記第１の放電室及び第２の放電室の各々における放電ＡＳＥを測定するためのＰセルを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項２５】
前記制御装置は、放電を示すために前記Ｐセルからの信号を使用するようにプログラムされることを特徴とする請求項２４に記載のレーザシステム。
【請求項２６】
前記制御装置は、コンデンサ電圧の測定結果に基づいて放電を判定するようにプログラムされることを特徴とする請求項２１に記載のレーザシステム。
【請求項２７】
ＭＯＰＡシステムによって生成されるバーストパルスの放電タイミングを制御するための方法であって、フィードバック放電タイミング信号に基づいて前記パルスを生成するための放電タイミングを判定する段階を含み、前記バーストパルスの開始時の少なくとも第１の放電セットは、放電の結果として有意なレーザ放射が生じないように相対時間に発生するようにプログラムされることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板複合材を形成する方法であって、
ａ）平坦なポリマー基板の互いに反対側にある２つの表面の少なくとも一方をエッチングすること、
ｂ）エッチングされたポリマー基板の一方または両方の表面上に、ポリイミド、ポリエステル、コポリマーを含むポリエステル、ポリアリーレンエーテル、液晶ポリマー、ポリフェニレンエーテル、アミンのいずれか一つ、またはこれらの組み合わせからなるポリマーフィルムを積層すること、および
ｃ）ポリマーフィルムの上に金属箔を積層し付着させることを含む方法。
【請求項２】
ポリマーフィルムを、エッチングされた一方の基板表面上に積層することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリマーフィルムを、エッチングされた一方の基板表面上にコーティングによって付着させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
互いに反対側にある両方の基板表面をエッチングする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ポリマーフィルムを、互いに反対側にあるエッチングされた両方の基板表面上に積層し、両方のポリマーフィルムの上に金属箔を積層し付着させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
エッチングされた基板の一方の表面上にポリマーフィルムを積層し、互いに反対側にあるエッチングされた基板の表面上にコーティングによって他のポリマーフィルムを付着させ、かつ、両方のポリマーフィルム上に金属箔を付着させることを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ポリマーフィルムおよびポリマー基板が同じポリマーを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板がポリエステルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板がポリイミドを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ポリマーフィルムがポリエステルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ポリマーフィルムがポリイミドを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
金属箔が、銅、亜鉛、真鍮、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス鋼、鉄、金、銀、チタン、ならびにこれらの組み合わせおよび合金からなる群から選択される材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
金属箔が銅を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ポリマーフィルムが３μｍ〜５０μｍの厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
金属箔が３μｍ〜２００μｍの厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
エッチングするステップ（ａ）を、アルカリ水溶液を用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
エッチングするステップ（ａ）を、I族またはII族の水酸化物を含む水溶液を用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
エッチングするステップ（ａ）を、ＮａＯＨまたはＫＯＨを含むアルカリ水溶液を用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
エッチングするステップ（ａ）を、プラズマのエッチャントを用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
エッチングするステップ（ａ）を、酸素（Ｏ２）とテトラフルオロメタンとの混合物を含むプラズマのエッチャントを用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
プラズマのエッチャントが、少なくとも３％のテトラフルオロメタンを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
プラズマのエッチャントが、７％以上のテトラフルオロメタンを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
エッチングするステップ（ａ）を、基板表面の少なくとも０．４５μｍが除去されるように実施する請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
積層を、オートクレーブによる積層、真空式液圧プレス、非真空式液圧プレス、熱間圧延による積層により実施するか、あるいは箔に電流を流してポリマーフィルムを軟化させるのに十分な量だけ金属箔を加熱し、ポリマーフィルムを基板に付着させることによって実施する請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
プリント回路基板を形成する方法であって、
ａ）平坦なポリマー基板の互いに反対側にある２つの表面の少なくとも一方をエッチングすること、
ｂ）エッチングされたポリマー基板の一方または両方の表面上に、ポリイミド、ポリエステル、コポリマーを含むポリエステル、ポリアリーレンエーテル、液晶ポリマー、ポリフェニレンエーテル、アミンのいずれか一つ、またはこれらの組み合わせからなるポリマーフィルムを積層すること、
ｃ）ポリマーフィルムの上に金属箔を積層し付着させること、
ｄ）金属箔の上にフォトレジストを堆積させること、
ｅ）フォトレジストを露光および現像し、それによって下層の金属箔の一部を露出させること、および
ｆ）露出した下層の金属箔の部分を除去することを含む方法。
【請求項２６】
ステップ（ｄ）の前に、ポリマーフィルムと反対側の金属箔の表面を粗化することをさらに含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
粗化された金属箔の表面が、１〜１０μｍの範囲の平均粗さ値を有する請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
粗化された金属箔表面が、粗化された表面上または表面内に、金属または合金からなる微小コブ（ｎｏｄｕｌｅ）を含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
粗化される金属箔表面が、マイクロエッチングによって粗化される請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
ステップ（ｆ）の後に、残存する、いかなるフォトレジストも除去するステップをさらに含む請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
金属箔の露出した部分を酸エッチングによって除去する請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
金属箔の露出した部分を、基板に対するアルカリエッチングによって除去する請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸ケーブルの中心導体に固定可能な内部コンタクトと、
該内部コンタクトを受容する収容室を有し、前記同軸ケーブルを受容するコネクタハウジングと、
該コネクタハウジングに固定され、前記同軸ケーブルの外部編組導体に固定可能な外部コンタクトと、
該外部コンタクトに接続され、前記同軸ケーブルの前記外部編組導体を突き刺し且つ保持力で保持する圧接ビームを有する同軸ケーブル圧接部と
を具備することを特徴とする同軸ケーブルコネクタ。
【請求項２】
前記同軸ケーブル圧接部は、前記同軸ケーブルの前記外部編組導体を２つの位置で突き刺すように、前記同軸ケーブルの前記中心導体の外径より大きく、前記同軸ケーブルの前記外部編組導体の内径より小さい距離で離間する少なくとも２本の前記圧接ビームを有することを特徴とする請求項１記載の同軸ケーブルコネクタ。
【請求項３】
前記同軸ケーブルの前記外部編組導体の内径より小さい距離で離間する複数の圧接ビームをさらに具備することを特徴とする請求項１記載の同軸ケーブルコネクタ。
【請求項４】
誘電層により分離された内部導体及び外部導体を有する同軸ケーブルにコネクタを取り付ける方法であって、
前記同軸ケーブルの前記内部導体の一端部を露出する工程と、
前記内部導体の前記一端部に内部コンタクトを固定する工程と、
前記同軸ケーブルの前記内部導体及び前記外部導体が絶縁ハウジングの縦軸に沿って延びた状態で、前記同軸ケーブル及び前記内部コンタクトを前記絶縁ハウジング内に配置する工程と、
同軸ケーブル圧接コンタクトが前記同軸ケーブルを突き刺して所定保持力で前記外部導体と係合するまで、前記縦軸に対して横断する方向に前記同軸ケーブル内に前記同軸ケーブル圧接コンタクトを横方向へ挿入する工程と
からなることを特徴とする、同軸ケーブルへのコネクタの取付方法。
【請求項５】
１対の前記同軸ケーブル圧接コンタクトが前記同軸ケーブルの前記内部導体の両側の前記外部導体の部分を突き刺し且つしっかりと保持するまで、前記横断方向に、前記同軸ケーブルの前記内部導体の両側に沿って、前記１対の同軸ケーブル圧接コンタクトを横方向に挿入する工程をさらに具備することを特徴とする請求項４記載の同軸ケーブルへのコネクタの取付方法。
【請求項６】
前記同軸ケーブル内に前記同軸ケーブル圧接コンタクトを挿入する前に、前記同軸ケーブル圧接コンタクトの１対の圧接ビーム間の間隙上の中心に前記同軸ケーブルを配置する工程と、
前記圧接ビームの各々が前記同軸ケーブルの前記外部導体の各側に保持力を印加した状態で、前記圧接ビームが前記外部導体の両側を突き刺し且つ電気的に係合するまで、前記同軸ケーブルに前記圧接ビームを押圧する工程とをさらに具備することを特徴とする請求項４記載の同軸ケーブルへのコネクタの取付方法。
【請求項７】
誘電層により分離され外被内に収容された内部導体及び外部導体を有する同軸ケーブルと接続するための同軸ケーブル圧接コンタクトであって、
前記同軸ケーブルを突き刺すよう構成された圧接部を具備し、
該圧接部はフォーク状部を有し、
該フォーク状部は、編組受容スロットにより分離された圧接ビーム及びコンタクト壁を有して基部から延び、
前記編組受容スロットは、前記同軸ケーブルの前記外部導体の半径方向幅に対応するスロット幅を有し、
前記圧接ビームは、前記外部導体の誘電層及び外被の部分を変位させるよう配置され、
前記圧接ビーム及びコンタクト壁は、前記圧接ビームが前記同軸ケーブルを突き刺す際に、前記編組受容スロットに割り込んだ前記同軸ケーブルの前記外部導体の一部に保持力を生じさせるよう構成されることを特徴とする同軸ケーブル圧接コンタクト。
【請求項８】
前記内部導体と該内部導体を取り囲む前記誘電層の一部とを受容するよう構成されたケーブル溝により分離された１対の圧接部をさらに具備し、
前記ケーブル溝は、前記同軸ケーブルの前記外部導体の内径よりも小さい幅を有することを特徴とする請求項７記載の同軸ケーブル圧接コンタクト。
【請求項９】
前記圧接ビームは、前記同軸ケーブルの前記外部導体を突き刺し且つ前記誘電層内に延びるよう構成され、
前記圧接ビームは、前記同軸ケーブルの前記内部導体及び前記外部導体を分離する前記誘電層の半径方向厚さよりも小さいビーム幅を有することを特徴とする請求項７記載の同軸ケーブル圧接コンタクト。
【請求項１０】
誘電層により分離され外被内に収容された内部導体及び外部導体を有する同軸ケーブルと接続するコネクタ組立体であって、
基部から延びるフォーク状部を有する１対の圧接部材と、前記同軸ケーブルを受容するよう構成された溝、及び該溝の両側に配置されたアームリリーフスロットを有する編組案内部とを具備し、
前記フォーク状部は、圧接ビームと、前記同軸ケーブルの前記外部導体を受容する編組受容スロットとを有し、
前記アームリリーフスロットは、前記圧接部材を摺動可能に受容すると共に、前記同軸ケーブルの前記外部導体を突き刺すよう前記フォーク状部を前記溝に対して案内するよう構成されていることを特徴とするコネクタ組立体。
【請求項１１】
前記溝は、前記編組案内部の開放端間を縦軸に沿って延びており、
前記アームリリーフスロットは、前記縦軸に対して直交する平面内で互いに整列することを特徴とする請求項１０記載のコネクタ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンク状態ルーティング・プロトコルに従って動作する、ルーティング・ドメインの履歴ルーティング情報を格納する方法は、
時間とともに受け取られ、ルーティング・ドメインに通知される複数のルーティング・イベントを格納する工程と、
前記ルーティング・ドメインのルーティング及びトポロジー情報の完全なコンテキストを保持するための時刻セットを特定する工程と、
前記特定する工程で特定された各時刻において、前記ルーティング・ドメインの現行トポロジー及びルーティング状態を表すデータ構造を格納することによって、少なくとも１つのタイムスタンプ・ルーティング情報コンテキストを構築する工程と、
前記タイムスタンプ・ルーティング情報コンテキストのそれぞれに対して、前記特定する工程で特定された次の時刻までの間イベントが時間とともに受け取られる、ルーティング・イベントの時間番号付きリストを構築する工程と、
を有するものである。
【請求項２】
請求項１の方法において、前記ルーティング・ドメインはマルチエリア・ルーティング・ドメインを有し、前記タイムスタンプ・ルーティング情報コンテキストは、前記ルーティング・ドメインの各領域に関する情報の個々の格納を介して論理的に分割され、そこで、前記構築する工程は、前記ルーティング・ドメインの各領域関するルーティング・イベントの個別時間番号付きリストを構築することを有するものである。
【請求項３】
リンク状態ルーティング・プロトコルに従って動作する、ルーティング・ドメインの経路情報を特定する方法は、
時間とともに受け取られ、ルーティング・ドメインに通知される複数のルーティング・イベントを格納する工程と、
前記ルーティング・ドメインのルーティング及びトポロジー情報の完全なコンテキストを保持するために時刻セットを特定する工程と、
前記特定する工程で特定された各時刻において、前記ルーティング・ドメインの現行トポロジーおよびルーティング状態を表すデータ構造を格納することによって、少なくとも１つのタイムスタンプ・ルーティング情報コンテキストを構築する工程と、
前記タイムスタンプ・ルーティング情報コンテキストのそれぞれに対して、前記特定する工程で特定された次の時刻までの間イベントが時間とともに受け取られる、ルーティング・イベントの時間番号付きリストを構築する工程と、
前記ルーティング・ドメインの開始点と、前記ルーティング・ドメインの宛先アドレスと、開始時間と、終了時間とを指定する工程と、
前記タイムスタンプされたルーティング情報コンテキストを検討する工程であって、前記開始時間に先行するタイムスタンプを持つコンテキストに未だ先行する、最も最近のタイムスタンプを有するコンテキストを特定する、前記検討する工程と、
前記開始時間に先行するタイプスタンプを有する前記最も最近のルーティング・イベントに到達するまで、前記タイムスタンプされたルーティング情報コンテキストと関係がある前記ルーティング・イベントの時間番号付きリストからルーティング・イベントを順次処理することによって、少なくとも１つの更新されタイムスタンプされたルーティング情報コンテキストを構築する工程と、
前記更新されタイムスタンプされたルーティング情報コンテキストを使用して、前記開始点と前記宛先アドレス間に経路情報を構築する工程と
を有するものである。
【請求項４】
請求項３の方法において、前記経路情報を構築する工程は、前記更新されタイムスタンプされたルーティング情報コンテキストから複数の経路を特定する工程と、
前記複数の経路のサブセットを前記開始点と前記宛先アドレス間の少なくとも１つのコスト経路の中へアセンブルする工程と
を有するものである。
【請求項５】
請求項４の方法において、前記複数の経路を特定する工程は、前記宛先アドレスが到達可能となる複数の経路を特定する工程を有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記サーバにより適用される前記各規則は絶えず更新可能であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層に開口部を形成する過程と、
アンモニア（ＮＨ３）及び窒素（Ｎ２）中で前記誘電体層の露出表面領域にレーザ熱アニール処理を実行し、
タンタル（Ｔａ）を含有し前記開口部を被覆する複合バリア層を形成する過程と、を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記誘電体層が、フッ素ドープオルトけい酸テトラエチル（Ｆ−ＴＥＯＳ）由来のフッ素含有シリコン酸化物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
フッ素（Ｆ）が減少して窒素（Ｎ２）が濃縮された表面領域を形成するため、前記露出表面にレーザ熱アニール処理を実行する過程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
タンタル（Ｔａ）のデポジションを行うことによって前記複合バリア層を形成する過程を含み、
前記複合バリア層は、
前記窒素（Ｎ２）が濃縮された表面領域上に形成されるとともに前記窒素が濃縮された表面領域から離れる方向で窒素（Ｎ２）量が減少するように窒素を含有する傾斜濃度窒化タンタル層と、
前記傾斜濃度窒化タンタル層（２０）に形成されたαタンタル（α−Ｔａ）層（２１）と、
を含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記開口部を銅（Ｃu）又は銅合金で充填する過程を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記開口部は、上方トレンチにつながる下方ビアホールを含むデュアルダマシン開口部を含み、
上方ラインとつながった下方ビアを形成するように前記前記開口部を銅（Ｃu）又は銅合金で充填する過程を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
約０．０９〜約０．１１ジュール／ｃｍ２の放射フルーエンスで前記露出表面にレーザ光線（１８）を照射することによってレーザ熱アニール処理する過程を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
温度を約３７０℃〜約４３０℃に上昇させるように前記レーザ熱アニール処理を行う過程を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
窒素（Ｎ２）を流速約２００〜約２０００ｓｃｃｍ、アンモニア（ＮＨ３）を流速約２００〜約２０００ｓｃｃｍで用いたレーザー熱アニール処理を行って、フッ素（Ｆ）が減少されて窒素（Ｎ２）が濃縮された表面領域を形成する過程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
タンタル（Ｔａ）のデポジションを行うことによって前記複合バリア層（２０，２１）を形成する過程を有し、前記複合バリア層は、
前記窒素が濃縮された表面領域上に形成された傾斜濃度窒化タンタル層を有し、この傾斜濃度窒化タンタル層は、前記窒素濃縮表面領域（１９）から離れる方向で窒素（Ｎ２）量が減少するように窒素を含有するものであり、
前記傾斜濃度窒化タンタル層上に形成されたαタンタル（α−Ｔａ）層（２１）を有する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
窒素（Ｎ２）が濃縮された表面領域を形成するように前記誘電層の露出表面にレーザ熱アニール処理を実行する過程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
タンタル（Ｔａ）のデポジションを行うことによって前記複合バリア層（２０，２１）を形成する過程を有し、前記複合バリア層は、
前記窒素が濃縮された表面領域上に形成された傾斜濃度窒化タンタル層を有し、この傾斜濃度窒化タンタル層は、前記窒素濃縮表面領域（１９）から離れる方向で窒素（Ｎ２）量が減少するように窒素を含有するものであり、
前記傾斜濃度窒化タンタル層上に形成されたαタンタル（α−Ｔａ）層（２１）を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記開口部を銅（Ｃu）又は銅合金で充填する過程を含む、請求項１１記載の方法。