【手続補正書】
【提出日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造ラインマシンのためのモジュール式高フルエンス高繰返し率紫外線レーザシステムであって、
Ａ）１）ａ）第１のレーザガスと、
ｂ）放電領域を形成する、細長い間隔をあけて設けられた第１の電極対と、
を含む第１の放電室、
２）少なくとも２，０００パルス／秒の範囲の繰返し率で作動する際に、各パルスの後で、放電によって生成された実質的に全てのイオンを、次のパルスの前に前記第１の放電領域から除去するために、前記第１の放電領域において前記第１のレーザガスの十分なガス速度を生成するためのガス循環手段、
３）前記第１のレーザガスからレーザガス温度を所望の範囲内に維持するために熱エネルギーを除去することができる熱交換器システム、
４）前記放電領域の直下流の位置で１０ｍＪを上回るパルスエネルギー及び１×１０-6ワット／ｃｍ2を上回る平均パルス強度を生成するのに十分な電気パルスを、前記第１の電極対に供給するパルス出力システム、を備える２００ｎｍ未満の波長で紫外線レーザ光を生成するためのレーザ源と、
Ｂ）パルスエネルギー密度を２５×１０-6Ｊ／ｃｍ3未満に低減するための少なくとも１つの結晶フッ素光学部品を有するパルスエネルギー密度低減光学部品と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記放電領域の直下流の前記レーザパルスは、１．８×１０6ワット／ｃｍ2を上回る平均パルス強度を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記パルスエネルギー密度低減光学部品は、フッ素ガスを含む封入室に封じ込まれた少なくとも１つの結晶フッ素光学部品を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
拡張器は、前記第１の放電室下流の下流側封入室に封じ込まれることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの結晶フッ素光学部品は、少なくとも１つのプリズムビーム拡張器を備えることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記フッ素ガスは、ガス混合体であり、前記混合体の０．１パーセント未満を占めることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の放電領域において増幅用シード光を生成するための、第２の放電室及び光学部品を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記下流側封入室は、フッ素を含むパージガスでパージされることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項９】
前記フッ素は、Ｆ2ガスの形態であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記フッ素は、フッ素を含むガス分子化合物の形態であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記分子化合物は、ＮＨ4Ｆ．ＨＦ、ＳＦ6、ＣＣｌ3Ｆ、Ｃ2Ｃ１2Ｆ4、ＳｉＦ4、ＳＦ4、ＮＦ3、及びＣＯＦ2から成るグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記分子化合物は、ＳｉＦ4であることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ＳｉＦ4は、ヘリウムと一緒に混合体に含有され、前記ＳｉＦ4濃度は、１．０ｐｐｍ又はそれ以上であることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記結晶フッ素光学部品は、強い紫外線レーザパルスによって引き起こされる表面損傷を防ぐための保護被覆を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記被覆は、トラップされたフッ素原子を含むことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記被覆は、酸化フッ素珪素から成ることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記結晶フッ素光学部品は、第１の面がフッ素ガスに晒され、第２の表面はフッ素ガスに晒されず、前記保護被覆は、前記第２の表面に施され、前記第１の面には施されないことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記結晶フッ素光学部品は、ＭｇＦ2から成ることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの結晶フッ素光学部品は、レーザチャンバ窓ハウジング内に配置されているＣａＦ2プリズムビーム拡張器を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記パルスエネルギー密度低減光学部品は、前記第１の放電領域の第１の端部近傍に前記シード光を集束させるための光学部品を備え、前記放電領域を通って最終パスで増幅されながら拡張されるビームを生成するようになっていることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの結晶フッ素光学部品は、ビーム断面を４倍に拡大するための２プリズムＣａＦ2ビーム拡張器を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２２】
前記システムは、少なくとも１つのＣａＦ2結晶窓カットを備え、レーザ光が＜１００＞、＜０１０＞、又は＜００１＞方向に沿って前記窓を横切るようになっており、前記窓は、偏光面が＜１００＞、＜０１０＞、又は＜００１＞方向の１つと平行であるようにクロックされていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記第１の放電領域を出射する前記レーザ光を操作するために利用される全てのＣａＦ2及びＭｇＦ2光学部品は、取り付け前にクロック位置の関数としてその複屈折を決定するためにクロックされ、前記レーザ光の偏光回転が最小になるように選択された位置に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２４】
少なくとも１つのＴＩＲ回転プリズムと少なくとも１つのビーム反転プリズムとを更に備え、各々は、前記レーザ光が＜１００＞、＜０１０＞、又は＜００１＞方向の結晶軸に沿って２つの方向で前記少なくとも１つのＴＩＲ回転プリズム及びビーム反転プリズムの各々を横切るように配向されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２５】
前記パルス伸張器は、ビーム分割器と、２つは集束ミラーであり２つは視準ミラーである４つミラーとを備えることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項２６】
前記ビーム分割器は、（１００）、（０１０）、（００１）結晶面に平行な前面及び後面カットを有するＣａＦ2であり、前記ビーム分割器は、前記ビーム分割器を横切るレーザ光の各々の部分の伝搬面が（１００）、（０１０）、又は（００１）結晶面に平行に前記ビーム分割器を横切るように配向されることを特徴とする請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記第２の放電室で生成されたレーザ光のスペクトル帯域幅を狭くするための線幅狭小化ユニットを更に備え、前記線幅狭小化ユニットは、多重プリズムビーム拡張器を備え、前記多重プリズムビーム拡張器内の各々のプリズムは、（１００）、（０１０）、又は（００１）結晶面の少なくとも１つの表面カットを備え、前記第２の放電室から線幅狭小化格子に向かって横切るレーザ光が前記（１００）、（０１０）、又は（００１）面に対してほぼ垂直にプリズムを出ていくように配向されることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項２８】
前記第１の放電室は、最小の偏光回転をもたらすクロック位置を決定するためにクロックされる、ＣカットＭｇＦ2から成る窓を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項２９】
少なくとも１つの単軸複屈折結晶プリズムを更に備え、前記プリズムのＣ軸は、前記入射ビーム方向が前記Ｃ軸と直交するように配向され、前記入射ビームの偏光状態は、前記プリズムの入射面に対してＰ−偏光又はＳ−偏光されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３０】
レーザ光コヒーレンスを低減するためのビームプロファイルフリップ手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３１】
前記結晶フッ素光学部品の少なくとも１つは、ＵＶ劣化を受ける劣化性材料に接触する表面に施されるＵＶ遮光性保護被覆を備え、前記保護被覆は、前記劣化性材料をＵＶ照射から保護することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３２】
前記保護被覆は、Ａｌ2Ｏ3、ＳＣＯ2から成るグループから選択され、前記劣化性材料は、エポキシ樹脂又はＯリングであることを特徴とする請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
光学素子に取り付けられた熱電対を備える光学部品モニタを更に備え、前記光学部品の異常な温度上昇を検出することによって光学素子不良を検出するようになっていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。