【事件の表示】
　特願２００６−２６６４５５「半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月２４日出願公開、特開２００７−１２９２０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年９月２９日の出願（パリ条約による優先権主張　２００５年９月３０日　米国）であって、平成２１年１１月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年４月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年５月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２２年１０月１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年１０月２４日付けで審尋がなされ、これに対して平成２４年４月２３日付けで回答書が提出されたものである。 
　
第２　平成２２年１０月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
 　平成２２年１０月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］ 
　１．本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１についての補正を含むものであり、当該請求項１についての補正は、本件補正前の（平成２２年４月２３日付けで提出された手続補正書により補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の請求項１を、下記（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に補正するものである。 
 　 
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ 
「【請求項１】
　パワー半導体デバイスの製造方法であって、
　導電性の基板を用意し、
　第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、
III族窒化物遷移層を成長させて、
　前記遷移層上に、活性領域を形成することを特徴とする製造方法。」 
 　 
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ 
「【請求項１】
　パワー半導体デバイスの製造方法であって、
　導電性の基板を用意し、
　第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、
III族窒化物遷移層を成長させ
、前記III族窒化物遷移層は、その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、
　前記
III族窒化物
（なお、下線は、補正箇所を示すために当審で付した。） 
 　 
　２．本件補正の目的 
　本件補正は、請求項１において、「III族窒化物遷移層」について、「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」と特定することによって、補正前の「III族窒化物遷移層」を限定するとともに、補正前の「遷移層」を「III族窒化物遷移層」に限定したものである。そして、補正後の請求項１に記載された発明と補正前の請求項１に記載された発明とで産業上の利用分野及び解決しようとする課題が異なるものではない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　３．本件補正の適否 
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、さらに検討する。 
　
（１）刊行物等から認定される技術事項
　ア．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−２３５１９３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び特表２００４−５０８２６８号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）引用刊行物１（特開２００４−２３５１９３号公報）
（刊１ａ）「【請求項１】
Ｓｉ基板上にアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層を成長させる第１バッファ層成長工程と、
上記第１バッファ層上に単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２バッファ層を成長させる第２バッファ層成長工程とを有することを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法において、上記第２バッファ層上にヘテロ構造を作製するヘテロ構造作製工程を有することを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法。
・・・（略）・・・
【請求項６】
請求項１に記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法において、上記第１バッファ層成長工程では、プラズマ励起した窒素を使用する分子線エピタキシー法を用いて、上記第１バッファ層を成長させることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項２に記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法において、上記第２バッファ層以降の層を、有機金属気相成長法またはアンモニアを用いた分子線エピタキシー法を用いて成長させることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（刊１ｂ）「【００１４】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法によれば、Ｓｉ基板上にアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層を成長させる第１バッファ層成長工程を備えるので、この第１バッファ層成長工程で形成されたアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層で、Ｓｉ基板の立方晶の性質を遮断できる。したがって、上記第１バッファ層成長工程の後に行われる第２バッファ層成長工程で、上記第１バッファ層上に形成される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に、Ｓｉ基板の立方晶の性質が波及するのを防止でき、上記第２バッファ層を構成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶を結晶構造が略均一な単結晶にすることができる。したがって、この結晶構造が略均一な単結晶の第２バッファ層の上方に形成される層の結晶性を良好なものにすることができる。」（段落【００１４】）
　
（刊１ｃ）「【００２８】
上記実施形態によれば、プラズマ励起した窒素を用いる分子線エピタキシー法、すなわち、高周波（ＲＦ）を使用する分子線エピタキシー法であるＲＦ−ＭＢＥ法で窒素をプラズマ励起させる方法、または、電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ：  ＥＣＲ）を使用する分子線エピタキシー法であるＥＣＲ−ＭＢＥ法で窒素をプラズマ励起させる方法を用いて、上記第１バッファ層を成長させるので、３００℃以下の成長温度でアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる。したがって、上記アモルファスの第１バッファ層の性質が、Ｓｉ基板の立方晶の性質を遮断できて第２バッファ層の結晶構造にも影響を及ぼさない良好なものになる。尚、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、あるいは、アンモニアを分解させるために最低限４５０℃の基板温度を必要とするアンモニア（ＮＨ３）を用いたガスソース分子線エピタキシー法（ＧＳＭＢＥ）の場合、３００℃より大きい高温の基板温度を必要とするので、第１バッファ層を成長させる方法としては不適当である。
【００２９】
また、一実施形態の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法は、上記第２バッファ層以降の層を有機金属気相成長法またはアンモニアを用いた分子線エピタキシー法を用いて成長させることを特徴としている。」（段落【００２８】及び【００２９】）
　
（刊１ｄ）「【００５６】
また、上記第１実施形態の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法の第１バッファ層成長工程では、Ｓｉ基板１上に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の一例としてのＡｌＮからなるアモルファスの第１バッファ層３を成長させたが、本発明の第１バッファ層成長工程では、Ｓｉ基板上に、アモルファスのＧａＮ層やアモルファスのＩｎＮ層等のアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても良く、この場合も、Ｓｉ基板１上に、ＡｌＮからなるアモルファスの第１バッファ層３を成長させた場合と同様の作用効果を奏する。」（段落【００５６】）
　
（刊１ｅ）「【００５８】
また、上記第１実施形態の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法の第２バッファ層成長工程では、第１バッファ層３上に、単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層５を成長させたが、本発明の第２バッファ層成長工程では、第１バッファ層上に、単結晶のＧａＮ層や単結晶のＩｎＮ層等の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても良く、この場合も、Ｓｉ基板上に、単結晶のＡｌＮ層を成長させる場合と同様の作用効果を奏する。」（段落【００５８】）
　
（刊１ｆ）「【００７１】
また、上記第２実施形態の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法では、ヘテロ構造作製工程で、アンモニアを使用したＧＳＭＢＥを用いて、ＧａＮ層３４およびＡｌＧａＮ層３５を第２バッファ層３３上にこの順で形成したが、本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法では、ヘテロ構造作製工程で、アンモニアを使用したＧＳＭＢＥを用いて、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層からなるヘテロ構造以外の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のヘテロ構造を第２バッファ層上に形成しても良く、この場合も、ヘテロ構造の電気的特性を優れたものにすることができる。」（段落【００７１】）
　
（刊１ｇ）「【００７４】
本発明者は、５１から５５までの装置の要部を、ＲＦ−ＭＢＥのみで成長させた場合、第１バッファ層をＲＦ−ＭＢＥで成長させた後、第２バッファ層以降の層をＧＳＭＢＥで成長させた場合および第１バッファ層をＲＦ−ＭＢＥで成長させた後、第２バッファ層以降の層をＭＯＣＶＤで成長させた場合の３通りについて、ＨＦＥＴの電気的特性を調べた。」（段落【００７４】）
　
（刊１ｈ）「【００８４】
（第３実施形態）
図６（Ａ）は、本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を用いた送信機のブロックダイアグラムであり、６９はミキサー、６０はミキサーの発信部、６１はミキサーの発信回路ブロック、６７はフィルター、６３はパワーアンプである。・・・（略）・・・また、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）に示すパワーアンプ６３に用いられる本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置としてのＨＥＭＴの拡大断面図である。・・・（略）・・・
【００８８】
（第５実施形態）
図８に、本発明の第５実施形態の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置としてのＬＥＤ（例えば、白色ＬＥＤ）８１と、ＬＥＤ８１を駆動する電子デバイスである駆動回路８２とを示す。上記ＬＥＤ８１と、駆動回路８２とは、共通のＳｉ基板の（１００）面上に形成されている。図８には、ＬＥＤ８１を配列したＬＥＤアレイが示されている。図８に示したＬＥＤ８１と駆動回路８２との組み合わせを、液晶ディスプレー等のバックライト等に用いることができる。」（段落【００８４】〜【００８８】）
　
（イ）引用刊行物２（特表２００４−５０８２６８号公報）
（刊２ａ）「【請求項１】
ａ）基板を用意する工程と、
ｂ）層内の欠陥密度に起因して残留応力の低減された、欠陥の多い第１のエピタキシャル層を成長させる工程と、
ｃ）上記第１の層上に、良質で低欠陥密度の第２の層を成長させる工程と、
を備えた亀裂のないヘテロエピタキシャル層を形成する方法。
・・・（略）・・・
【請求項４】
上記基板の材料は、サファイア、ＩＩＩ−Ｖ族基板、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、リン化ガリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、シリコン、珪素酸化物、炭化珪素、アルミン酸リチウム、没食子酸リチウム、及び／又は没食子酸リチウムアルミニウムのうち１つ以上からなる群から選択される請求項１記載の方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（刊２ｂ）「【０００２】
（発明の背景）
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、大きな可能性を有する工業材料として認識されている。例えば、ＧａＮは、青色発光ダイオード、半導体レーザー、及びその他のオプトエレクトロニクスデバイスの製造、並びに高温電子デバイスの製作に用いられている。
【０００３】
ＧａＮをベースとしたデバイスを大量生産する上での大きな難問の１つは、適切な天然のＧａＮの基板あるいは平坦で厚いＧａＮの層がないことである。ＧａＮは自然界では発見できないし、適度な圧力でその理論上の融解温度が解離温度を超えるため、シリコン、ヒ化ガリウム、サファイア等のように融解させてボウルから引き上げることができない。しかしながら、電子デバイスに用いる、ＧａＮやそれに関連する合金からなる極めて高い結晶性の薄層を形成するには、これらの層を現存するＧａＮの表面上にホモエピタキシャル堆積させる必要がある。このような良質のデバイス層は、本発明の範囲外の理由によりそのままヘテロエピタキシャル成長させることができない。」（段落【０００２】及び【０００３】）
　
（刊２ｃ）「【００１５】
（好ましい実施例の詳細な説明）
例証を目的として、本発明では主に、ハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）等の適切な成長技術を用いた、サファイア基板上への厚いＧａＮ層の形成に関して説明する。尚、本発明は、他の堆積技術（金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、スパッタリング、蒸着等）を用いてサファイア以外の基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ及び／又はこれらの合金を含む材料を堆積する場合、さらにこれらを任意に組み合わせた場合にも適用可能である。例示を目的として、以下の実施形態ではＧａＮ基板に関して説明しているが、本発明はＧａＮ基板のみに限定されない。当業者であれば、本方法がその他のＩＩＩ族窒化物及びその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物の基板の形成にも同様に適用可能あることを理解できる。」（段落【００１５】）
　
（刊２ｄ）「【００２２】
第２の実施形態
図５（ａ）ないし図５（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に係る、サファイア上への厚く、亀裂のないＧａＮの層の成長を概略的に示している。図５（ａ）において、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）等の気相エピタキシー技術を用い、基板５０１上に例えばＧａＮからなる極めて薄いバッファ層５０６を成長させることができる。この基板は、図３の基板３０１と共通の特徴を有してもよく、同様の種類の材料で構成されてもよい。通常、バッファの厚みは５０ｎｍ程度であり、その後のＨＶＰＥによる成長時よりも低い温度で成長させる。バッファは、ＡｌＮ、ＩｎＮ、又はＡｌＮ、ＧａＮ及び／又はＩｎＮの合金、ＺｎＯ、若しくはＭｇＯで構成されてもよい。単一のバッファ層に代えて、異なる組成の複数の層を使用することもできる。その場合、バッファ層は、５０ｎｍを超える厚みを有してもよいし、ＭＯＣＶＤによりそれぞれ異なる温度で成長させた複数の層で構成されてもよい。例えば、１つ以上の層からなるバッファを低温で成長させた後に、それよりも高い温度で１つ以上の層を新たに成長させ、場合によっては低温でさらに層を成長させることも本発明の範囲内に含まれる。バッファは、格子的及び／又は熱的不整合により生じる界面応力の低減の促進に利用することも可能であるが、その後のＧａＮ層の核生成及び成長の促進に利用することもできる。バッファの成長後、図５（ｂ）に示すように、厚く、欠陥の多い又は起伏の多い、ＨＶＰＥによる第２の層５０７を堆積する。その後、図５（ｃ）に示すように、ＨＶＰＥによる第２のＧａＮ層５０７上に、良質な又は極めて平坦な、ＨＶＰＥによる第３のＧａＮ層５０８を成長させる。この第３の成長後、ウェーハを室温まで冷却する。第２のＧａＮ層５０７が第３のエピタキシャルＧａＮ層５０８とサファイア基板５０１との間の残留応力を緩和するため、冷却時に熱的不整合に起因する亀裂は生じない。サファイア基板１は、図５（ｄ）に示すように、研磨あるいはその他の技術を用いて取り除いてもよい。そして、層５０６、５０７、及び５０８は独立的な基板５２０を形成する。」（段落【００２２】）
　
　イ．周知文献の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された刊行物である特表２００４−５２４２５０号公報（以下、「周知文献１」という。）、及び特開２００２−３５９２５５号公報（以下、「周知文献２」という。）には、それぞれ、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）周知文献１（特表２００４−５２４２５０号公報）
・「【請求項１】
シリコン層を含む基板；
その基板の上をおおって形成されている組成的に勾配を付けた転移層；および
その転移層の上をおおって形成されている窒化ガリウム材料層；
を含む半導体材料。」（【特許請求の範囲】）
　
・「【０００３】
多くの適用例で、窒化ガリウム材料は基板上に成長させられる。しかし、窒化ガリウム材料と基板の間の性質の差が、多くの用途に適した層を成長させることを困難にすることがある。例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）は、サファイヤ、炭化ケイ素およびシリコンを含む多くの基板材料とは異なる熱膨張係数（即ち、熱膨張率）を有する。熱膨張におけるこの差は、例えば、加工中にその構造物が冷却される時、そのような基板上に成長した窒化ガリウム層を亀裂させることがある。この亀裂現象は、窒化ガリウム材料を、多くの用途での使用に適合させるのを妨げることになり得る。亀裂は、比較的厚い（例えば、＞0.5 ミクロン）窒化ガリウム層で特に問題になる。
【０００４】
窒化ガリウム（ＧａＮ）はまた、大半の基板材料とは異なる格子定数を有する。格子定数における差は、基板上に成長された窒化ガリウム層中に欠陥を生じさせる可能性がある。このような欠陥は、その窒化ガリウム材料層を用いて作られたデバイスの実用性能を悪化させる。
【０００５】
従来技術で、サファイヤ基板および炭化ケイ素基板上に成長された窒化ガリウム材料中での亀裂の生成と欠陥の生成に対応する方法が開発されてきた。このような方法は、例えば、その基板上に一つまたはそれ以上の緩衝層を成長させ、次いでその緩衝層（単層または複数層）の上に窒化ガリウム材料を成長させることを含んでいる。
【０００６】
本発明の概要
本発明は、シリコン基板上に形成された窒化ガリウム材料層を含む半導体材料およびその半導体材料を調製する方法を提供する。この半導体材料は、そのシリコン基板と窒化ガリウム材料層の間に形成された転移層を含んでいる。この転移層は、窒化ガリウム材料と基板との間の熱膨張率の差から生じる可能性のある窒化ガリウム材料層中の応力を低減させるために組成的な勾配が付けられる。窒化ガリウム材料層中の応力を低減すると、亀裂が生成する傾向が減り、亀裂が殆どないか、または全くない窒化ガリウム材料層を含む半導体材料の製造が可能になる。この半導体材料は、多くのマイクロエレクトロニクス用途および光学的用途に用いられてもよい。
【０００７】
本発明は、窒化ガリウム材料（例えば、ＧａＮ）とシリコンの間の熱膨張率および格子定数の両方における大きい差に起因する亀裂が、殆どまたは全く無い窒化ガリウム材料をシリコン基板上に成長させるという、他のタイプの基板（例えば、ＳｉＣおよびサファイヤ）上での場合より、かなり挑戦甲斐の大きい課題を克服した。」（段落【０００３】〜【０００７】）
　
・「【００１８】
本明細書で用いられる“組成的に勾配を付けた層”（compositionally-graded layer）という用語は、その層の少なくとも一部の厚さ方向に変化する組成を有する層のことである。かくして、転移層１２は、その層内の異なる深さに、少なくとも二つの異なる組成物を含んでいる。下でさらに説明されるように、転移層１２の組成は、多くの方法で変えられる。普通、窒化ガリウム材料層１６中での亀裂の生成を限定または防止するのに十分な応力の低減を提供するように転移層１２の組成を変化させるのが有利である。
【００１９】
一組の実施態様では、転移層１２は、Ａｌx Ｉｎy Ｇａ(1-x-y) Ｎ、Ａｌx Ｇａ(1-x) ＮおよびＩｎy Ｇａ(1-y) Ｎ、のような窒化ガリウムの合金から構成される。しかし他の組成を有する転移層も用いられる得ると理解すべきである。窒化ガリウムの合金を利用する態様では、その合金の元素（例えば、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ）の少なくとも一つの濃度を、普通、その転移層の厚さの少なくとも一部を横断して変化させる。転移層１２がＡｌx Ｉｎy Ｇａ(1-x-y) Ｎの組成を有する場合には、ｘおよび／またはｙが変えられる。転移層１２がＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎの組成を有する場合には、ｘが変えられる。転移層１２がＩｎy Ｇａ(1-y) Ｎの組成を有する場合には、ｙが変えられる。
【００２０】
一定の推奨される実施態様では、転移層１２は、背面１８でガリウム濃度が低く、そして前面２０でガリウム濃度が高いのが望ましい。このような転移層は、窒化ガリウム材料層１６内の内部応力を低減させるのに特に有効である。窒化ガリウム合金の転移層のガリウム濃度を下げるとその合金の熱膨張率をシリコンの熱膨張率に、より近づけることができる。下でさらに説明するように、普通、窒化ガリウム材料層１６は、高い濃度のガリウムを含んでいる。かくして、これらの実施態様で、転移層１２中のガリウムの濃度を高くすると、その合金の熱膨張率を窒化ガリウム材料層１６の熱膨張率に、より近づけることができる。これらの推奨される実施態様での効果的な応力の低減は、背面１８が基板１４に比較的近い熱膨張率を有しており、一方、前面２０は窒化ガリウム材料層１６の熱膨張率に比較的近い熱膨張率を有しているので、達成されるものと信じられる。」（段落【００１８】〜【００２０】）
　
（イ）周知文献２（特開２００２−３５９２５５号公報）
・「【請求項１】抵抗率が１×１０５Ωｃｍ未満の導電性ＳｉＣからなる基材と、この基材上に形成された、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体層群とを具えることを特徴とする、半導体素子。」（【特許請求の範囲】）
　
・「【００２７】なお、本発明の半導体素子においては、下地層を構成する窒化物半導体はＡｌを含有し、実際の素子として機能する窒化物半導体層群はＡｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含有する。したがって、前記下地層の組成と窒化物半導体層群の組成とのずれに起因して、両者の間の格子定数差が増大してしまう場合は、これらの層中にクラックが発生してしまう場合がある。
【００２８】このような場合においては、下地層を構成する窒化物半導体中の成分含有量を、前記導電性ＳｉＣ基材側から前記窒化物半導体層群に向かって連続的又はステップ状に変化させて、前記下地層の、前記窒化物半導体層群との界面近傍の組成を前記窒化物半導体層群の組成と近似させることが好ましい。これによって、前記下地層又は前記窒化物半導体層群の、成長中に発生する膜内応力差に起因したクラックの発生を効果的に抑制することができる。」（段落【００２７】及び【００２８】）
　
　ウ．引用刊行物１に記載された発明
　上記「ア．（ア）」の記載事項（刊１ａ）（以下、「摘記刊１ａ」という。（刊１ｂ）〜（刊１ｈ）及び（刊２ａ）〜（刊２ｄ）についても同様。）において、「Ｓｉ基板上にアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層を成長させる第１バッファ層成長工程」には、「Ｓｉ基板」が必要なことは明らかであるから、当該工程の前に「Ｓｉ基板」が用意されていると解される。
　摘記刊１ａでは、「上記第２バッファ層以降の層を、有機金属気相成長法またはアンモニアを用いた分子線エピタキシー法を用いて成長させる」とされているところ、摘記刊１ｇには「第２バッファ層以降の層をＭＯＣＶＤで成長させた場合」（「ＭＯＣＶＤ」は「有機金属気相成長法」（摘記刊１ｃ）である。）が示されているから、引用刊行物１には、第２バッファ層以降の層を有機金属気相成長法を用いて成長させることが記載されている。
　これらの点及び摘記刊１ａに基づいて整理すると、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認める。
　
「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法であって、
　Ｓｉ基板を用意し、
　プラズマ励起した窒素を使用する分子線エピタキシー法を用いて、Ｓｉ基板上にアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層を成長させ、有機金属気相成長法を用いて、第１バッファ層上に単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２バッファ層を成長させて、
　第２バッファ層上にヘテロ構造を作製する、製造方法。」
　
　エ．引用刊行物２に記載された発明
　摘記刊２ａによると、最初に基板が用意されている。
　摘記刊２ａによると、基板の材料として「シリコン」や「炭化珪素」が挙げられている。
　摘記刊２ｂによると、「ＧａＮをベースとしたデバイス」が製造されている。
　摘記刊２ｄによると、基板５０１上に、ＡｌＮ、ＩｎＮ、又はＡｌＮ、ＧａＮ及び／又はＩｎＮの合金、ＺｎＯ、若しくはＭｇＯで構成されるバッファ層５０６を、ＭＯＣＶＤにより成長させ、バッファ層５０６の成長後、厚く、欠陥の多い又は起伏の多い、ＨＶＰＥによる第２のＧａＮ層５０７を堆積し、その後、第２のＧａＮ層５０７上に、良質な又は極めて平坦な、ＨＶＰＥによる第３のＧａＮ層５０８を成長させることが記載されている。
　これらの点に基づいて整理すると、引用刊行物２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認める。
　
「ＧａＮをベースとしたデバイスの製造方法であって、
　シリコンもしくは炭化珪素の基板５０１を用意し、
　ＭＯＣＶＤを用いて、前記シリコンもしくは炭化珪素の基板５０１上に、ＡｌＮ、ＩｎＮ、又はＡｌＮ、ＧａＮ及び／又はＩｎＮの合金、ＺｎＯ、若しくはＭｇＯで構成されるバッファ層５０６を成長させ、ＨＶＰＥを用いて、前記バッファ層５０６上に、厚く、欠陥の多い又は起伏の多い、第２のＧａＮ層５０７を堆積し、
　前記第２のＧａＮ層５０７上に、良質な又は極めて平坦な、第３のＧａＮ層５０８を成長させる、製造方法。」
　
（２）対比・判断
　ア．引用刊行物１を主引用例とした対比・判断
（ア）対比 
　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
　ａ．引用発明１の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置」は、一般にパワー半導体デバイスとして知られている「パワーアンプ」や「ＬＥＤ」（摘記刊１ｈ）として用いられるものであるから、本件補正発明の「パワー半導体デバイス」に相当する。
　
　ｂ．本願明細書の段落【００１９】に、「導電性の基板１４（例えばSiまたはSiC）」と記載されているように、Ｓｉ（シリコン）からなる基板は一般に導電性であるから、引用発明１の「Ｓｉ基板」は、本件補正発明の「導電性の基板」に相当する。
　
　ｃ．引用発明１において、「第１バッファ層」が成長される部分は、「Ｓｉ基板上」であって、これが基板の主たる表面であることは明らかである。また、引用発明１のアモルファスの「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」は、その例として「ＡｌＮ」、「ＧａＮ」、及び「ＩｎＮ」が挙げられており（摘記刊１ｄ）、「Ａｌ」、「Ｇａ」、及び「Ｉｎ」はIII族であるから、「III族窒化物」である。
　したがって、引用発明１の「アモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層」は、本件補正発明の「第１のIII族窒化物半導体層」に相当し、また、引用発明１の「プラズマ励起した窒素を使用する分子線エピタキシー法を用いて、Ｓｉ基板上にアモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１バッファ層を成長させ、」との事項は、本件補正発明の「第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、」との事項に相当する。
　
　ｄ．引用発明１の「有機金属気相成長法」が、「プラズマ励起した窒素を使用する分子線エピタキシー法」とは異なる成長方法であることは明らかである。また、引用発明１の単結晶の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」は、その例として「ＡｌＮ」、「ＧａＮ」、及び「ＩｎＮ」（摘記刊１ｅ）が挙げられており、「Ａｌ」、「Ｇａ」、及び「Ｉｎ」はIII族であるから、「III族窒化物」である。
　したがって、引用発明１の「単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２バッファ層」は、本件補正発明の「第２のIII族窒化物半導体層」に相当し、また、引用発明１の「有機金属気相成長法を用いて、第１バッファ層上に単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２バッファ層を成長させて、」との事項は、本件補正発明の「前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させる」との事項に相当する。
　
　ｅ．本件補正発明の「III族窒化物遷移層」は、「基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、」かつ「第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させる」ことによって成長されるものであるから、引用発明１における、本件補正発明の「第１のIII族窒化物半導体層」に相当する「第１バッファ層」と、本件補正発明の「第２のIII族窒化物半導体層」に相当する「第２バッファ層」とを合わせたものは、本件補正発明の「III族窒化物遷移層」に相当する。
　
　ｆ．引用発明１の「ヘテロ構造」は、「ヘテロ構造の電気的特性を優れたものにすることができる。」（摘記刊１ｆ）とあるように、半導体装置の中でも優れた電気的特性が求められる部分、すなわち半導体装置本体として利用される部分であると解される。
　したがって、引用発明１の「ヘテロ構造」は、本件補正発明の「活性領域」に相当する。
　
　よって、両者は、次の点で一致する。
＜一致点＞ 
　パワー半導体デバイスの製造方法であって、
　導電性の基板を用意し、
　第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、
III族窒化物遷移層を成長させ、
　前記III族窒化物遷移層上に、活性領域を形成することを特徴とする製造方法。
　
　そして、両者は、次の点で相違する。
＜相違点＞ 
　本件補正発明では、「III族窒化物遷移層」について、「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」と特定されているのに対して、引用発明１では、そのような特定がない点。
　
（イ）相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　
　ａ．一般に、半導体装置におけるバッファ層は、これに隣接する層間の熱的不整合や格子的不整合を緩衝し、クラックの発生等を防止する機能を有するものであって、バッファ層における隣接する層との境界部分の組成が、当該隣接する層の組成と近くなるように、バッファ層の組成を厚さ方向に変化させることは、周知文献１及び周知文献２に記載されるように、周知の技術である。
　すなわち、周知文献１には、シリコン層を含む基板と窒化ガリウム材料層との間に形成された転移層、すなわちバッファ層について、その背面が基板に比較的近い熱膨張率を有し、前面が窒化ガリウム材料層の熱膨張率に比較的近い熱膨張率を有するように、組成的に勾配を付けることによって、窒化ガリウム材料とシリコンの間の熱膨張率等の差に起因する亀裂を防止することが示されている。
　また、周知文献２には、導電性ＳｉＣからなる基材と、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体層群との間に形成された、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層、すなわちバッファ層について、下地層を構成する窒化物半導体中の成分含有量を、連続的又はステップ状に変化させて、下地層の窒化物半導体層群との界面近傍の組成を、窒化物半導体層群の組成と近似させることによって、膜内応力差に起因したクラックの発生を抑制することが示されている。
　
　ｂ．引用発明１における「第１バッファ層」は、「アモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」であって、その例として「ＡｌＮからなるアモルファス」及び「アモルファスのＧａＮ層やアモルファスのＩｎＮ層等」が示されている（摘記刊１ｄ）。すなわち、「第１バッファ層」は、「アモルファスの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」であるが、その具体的な組成は限定されていない。
　また、引用発明１における「第２バッファ層」は、「単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」であり、さらに、「結晶構造が略均一」（摘記刊１ｂ）であって、その例として「単結晶のＡｌＮ」及び「単結晶のＧａＮ層や単結晶のＩｎＮ層等」が示されている（摘記刊１ｅ）。すなわち、「第２バッファ層」は、「結晶構造が略均一」な「単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」でなければならないが、その具体的な組成は限定されていない。
　そして、引用発明１における「第１バッファ層」及び「第２バッファ層」は、「基板」と「ヘテロ構造」との間に配置されている。また、その組成は、「ＡｌＮ」等の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」であって（摘記刊１ｄ）、「Ｓｉ」という基板の組成とは異なるものであり、「ＧａＮ」や「ＡｌＧａＮ」等の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物」（摘記刊１ｇ）というヘテロ構造の組成とも異なり得るものである。さらに、「第１バッファ層」の組成と「第２バッファ層」の組成とが同一でなくてはならないものではない。
　
　ｃ．したがって、引用発明１において、「第１バッファ層」、「第２バッファ層」、及び「ヘテロ構造」の具体的組成に応じて、「第１のバッファ層」のバッファ層としての本来の機能を向上させるべく、上記の周知の技術を適用して、「第１のバッファ層」における隣接する層との境界部分の組成が、隣接する層である「Ｓｉ基板」もしくは「第２バッファ層」の組成と近くなるように、その組成を厚さ方向に変化させること、すなわち上記相違点に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　ｄ．また、本件補正発明を全体としてみても、本件補正発明により奏されるとされる効果は、引用発明１及び周知の技術からみて格別なものとはいえない。特に、「遷移層にある漏れ電流路を小さくするか、または除去する」（本願明細書段落【００１４】）との効果については、そのような効果をもたらす根拠とみられる「第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、III族窒化物遷移層を成長させ」との事項に相当する構成を備える引用発明１からみて、格別なものとはいえない。
　
（ウ）小括 
　以上のとおりであるから、本件補正発明は、引用発明１及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　イ．引用刊行物２を主引用例とした対比・判断
（ア）対比 
　本件補正発明と引用発明２とを対比する。
　ａ．引用発明２の「ＧａＮをベースとしたデバイス」は、一般にパワー半導体デバイスとして知られている「青色発光ダイオード、半導体レーザー」（摘記刊２ｂ）として用いられるものであるから、本件補正発明の「パワー半導体デバイス」に相当する。
　
　ｂ．本願明細書の段落【００１９】に、「導電性の基板１４（例えばSiまたはSiC）」と記載されているように、Ｓｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化珪素）からなる基板は一般に導電性であるから、引用発明２の「シリコンもしくは炭化珪素の基板」は、本件補正発明の「導電性の基板」に相当する。
　
　ｃ．引用発明２において、「バッファ層５０６」が成長される部分は、「基板５０１上」であって、これが基板５０１の主たる表面であることは明らかである。また、引用発明２の「バッファ層５０６」は、その組成が「ＡｌＮ、ＩｎＮ、又はＡｌＮ、ＧａＮ及び／又はＩｎＮの合金」である場合は、「Ａｌ」、「Ｇａ」、及び「Ｉｎ」はIII族であるから、「III族窒化物」である。
　したがって、引用発明２の「バッファ層５０６」は、本件補正発明の「第１のIII族窒化物半導体層」に相当し、また、引用発明２の「ＭＯＣＶＤを用いて、前記基板５０１上に、ＡｌＮ、ＩｎＮ、又はＡｌＮ、ＧａＮ及び／又はＩｎＮの合金、ＺｎＯ、若しくはＭｇＯで構成されるバッファ層５０６を成長させ、」との事項は、本件補正発明の「第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、」との事項に相当する。
　
　ｄ．引用発明２の「ＨＶＰＥ」が、「ＭＯＣＶＤ」とは異なる成長方法であることは明らかである。また、引用発明２の「第２のＧａＮ層５０７」は、「Ｇａ」がIII族であることから、「III族窒化物」である。
　したがって、引用発明２の「第２のＧａＮ層５０７」は、本件補正発明の「第２のIII族窒化物半導体層」に相当し、また、引用発明２の「ＨＶＰＥを用いて、前記バッファ層５０６上に、厚く、欠陥の多い又は起伏の多い、第２のＧａＮ層５０７を堆積し、」との事項は、本件補正発明の「前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させる」との事項に相当する。
　
　ｅ．本件補正発明の「III族窒化物遷移層」は、「基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、」かつ「第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させる」ことによって成長されるものであるから、引用発明２における、本件補正発明の「第１のIII族窒化物半導体層」に相当する「バッファ層５０６」と、本件補正発明の「第２のIII族窒化物半導体層」に相当する「第２のＧａＮ層５０７」とを合わせたものは、本件補正発明の「III族窒化物遷移層」に相当する。
　
　ｆ．引用発明２の「第３のＧａＮ層５０８」は、「良質な又は極めて平坦な」ものであって、良質な結晶構造が要求される半導体装置本体として利用される部分であるといえるから、本件補正発明の「活性領域」に相当する。
　
　よって、両者は、次の点で一致する。
＜一致点＞ 
　パワー半導体デバイスの製造方法であって、
　導電性の基板を用意し、
　第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、
III族窒化物遷移層を成長させ、
　前記III族窒化物遷移層上に、活性領域を形成することを特徴とする製造方法。
　
　そして、両者は、次の点で相違する。
＜相違点＞ 
　本件補正発明では、「III族窒化物遷移層」について、「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」と特定されているのに対して、引用発明２では、そのような特定がない点。
　
（イ）相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　
　ａ．上記「ア．（イ）ａ．」で示したとおり、一般に、半導体装置におけるバッファ層は、これに隣接する層間の熱的不整合や格子的不整合を緩衝し、クラックの発生等を防止する機能を有するものであって、バッファ層における隣接する層との境界部分の組成が、当該隣接する層の組成と近くなるように、バッファ層の組成を厚さ方向に変化させることは、周知文献１及び周知文献２に記載されるように、周知の技術である。
　すなわち、周知文献１には、シリコン層を含む基板と窒化ガリウム材料層との間に形成された転移層、すなわちバッファ層について、その背面が基板に比較的近い熱膨張率を有し、前面が窒化ガリウム材料層の熱膨張率に比較的近い熱膨張率を有するように、組成的に勾配を付けることによって、窒化ガリウム材料とシリコンの間の熱膨張率等の差に起因する亀裂を防止することが示されている。
　また、周知文献２には、導電性ＳｉＣからなる基材と、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体層群との間に形成された、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層、すなわちバッファ層について、下地層を構成する窒化物半導体中の成分含有量を、連続的又はステップ状に変化させて、下地層の窒化物半導体層群との界面近傍の組成を、窒化物半導体層群の組成と近似させることによって、膜内応力差に起因したクラックの発生を抑制することが示されている。
　
　ｂ．引用発明２における「バッファ層５０６」は、「格子的及び／又は熱的不整合により生じる界面応力の低減の促進に利用することも可能である」（摘記刊２ｄ）という機能を有するものであり、「第２のＧａＮ層５０７」は、「第３のエピタキシャルＧａＮ層５０８とサファイア基板５０１との間の残留応力を緩和するため、冷却時に熱的不整合に起因する亀裂は生じない。」（摘記刊２ｄ）という機能を有するものである。
　してみると、このような機能を向上させるべく、上記の周知の技術を適用して、「バッファ層５０６」における隣接する層との境界部分の組成を、隣接する層である「基板」もしくは「第２のＧａＮ層５０７」の組成と近くなるように、「バッファ層５０６」の組成を厚さ方向に変化させること、もしくは、「第２のＧａＮ層５０７」における隣接する層との境界部分の組成を、隣接する層である「バッファ層５０６」もしくは「第３のＧａＮ層５０８」の組成と近くなるように、「第２のＧａＮ層５０７」の組成を厚さ方向に変化させること、すなわち上記相違点に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　ｃ．また、本件補正発明を全体としてみても、本件補正発明により奏されるとされる効果は、引用発明２及び周知の技術からみて格別なものとはいえない。特に、「遷移層にある漏れ電流路を小さくするか、または除去する」（本願明細書段落【００１４】）との効果については、そのような効果をもたらす根拠とみられる「第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、前記第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、III族窒化物遷移層を成長させ」との事項に相当する構成を備える引用発明２からみて、格別なものとはいえない。
　
（ウ）小括 
　以上のとおりであるから、本件補正発明は、引用発明２及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび 
　上記のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
　１　本願発明 
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本願の特許請求の範囲の請求項１〜２２に係る発明は、平成２２年４月２３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（１）」の【請求項１】のとおりである。 
　
　２　原査定の拒絶の理由  
　本願発明についての原査定の拒絶の理由は、「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。」、及び「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものであり、上記の「下記の刊行物」とは、「特開２００４−２３５１９３号公報」（上記引用刊行物１）である。 
　
　３　引用刊行物１に記載された発明 
　引用刊行物１（特開２００４−２３５１９３号公報）には、上記「第２［理由］３（１）ウ．」で示したとおりの発明（以下、上記同様に、「引用発明１」という。）が記載されている。 
　
　４　対比・判断 
　上記「第２［理由］２」で検討したように、本件補正発明は、本願発明の発明特定事項に、「III族窒化物遷移層」についての「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」という限定を加え、「遷移層」を「III族窒化物遷移層」と限定したものである。
　そして、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本件補正発明と、引用発明１との相違点は、上記「第２［理由］３（２）ア．（ア）」で示したとおり、本件補正発明では、「III族窒化物遷移層」について、「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」と特定されているのに対して、引用発明１では、そのような特定がない点である。
　本願発明は、上記相違点に係る、「III族窒化物遷移層」についての「その厚さ全体の少なくとも一部にわたって、厚さ方向に変化する組成を有し、」との限定がないのであるから、本願発明と引用発明１には、相違点がない。
　したがって、本願発明は、その出願前に頒布された引用刊行物１に記載された発明である。
　
　５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。