【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標識付きの半導体構造であって、
表面（１１）を有する半導体（１０）と、
前記表面（１１）の全体ではなく一部の上にあり、前記半導体（１０）に対してオーミック・コンタクトを形成する第１金属層（２６）であって、円以外の回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有する第１パターンを形成する第１金属層（２６）と、
前記表面（１１）の全体ではなく一部の上にあり、前記半導体（１０）に対してオーミック・コンタクトを形成する第２金属層（２７）であって、円以外の回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有しかつ前記第１パターンとは異なる第２パターンを形成する第２金属層（２７）と
を含んでいることを特徴とする半導体構造。
【請求項２】
請求項１記載の半導体構造において、前記第１及び第２パターンの各々がＸパターンを形成することを特徴とする半導体構造。
【請求項３】
請求項２記載の半導体構造において、前記Ｘパターンはそれぞれ、該Ｘパターンのアームの少なくとも一方に対して垂直なタブ部（３４〜３７）を備えていることを特徴とする半導体構造。
【請求項４】
請求項１記載の半導体構造において、前記回転対称性Ｃｎを有するパターンは、直線上に順次メタライズ化した部分（４６、４７）及びメタライズ化してない部分（５０、５１）を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項５】
請求項１記載の半導体構造において、
前記半導体構造の表面は、少なくとも１つの平坦面（１６）を有する基板（１４）と、前記平坦面（１６）上にあり、該平坦面の全体ではなく一部を第１の所定の幾何学的パターンで被覆する前記第１金属層（２６）とで構成され、
前記第２金属層（２７）は、前記平坦面上にあり、前記平坦面の全体ではなく一部を、前記第１幾何学的パターンとは異なる第２幾何学的パターンで被覆している
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項６】
請求項１又は５記載の半導体構造において、前記第２金属層（２７）の一部が、前記第１金属層（２６）の一部に重畳していることを特徴とする半導体構造。
【請求項７】
請求項６記載の半導体構造において、該半導体構造は更に、前記平坦面及び前記第１及び第２金属層（２６、２７）と反対側の前記基板（１４）の上にエピタキシャル層（１３）を備えていることを特徴とする半導体構造。
【請求項８】
請求項１記載の半導体構造を含んだ半導体ウエハ（２１）であって、
第１及び第２直交平部（２２、２３）と、
表及び裏の平坦面と、
前記半導体ウエハ上の複数のデバイス（１０）と
を備え、
前記デバイスの各々は、前記平坦面上にあって、該平坦面の全体ではなく一部を所定の第１幾何学的パターンで被覆する第１金属層を有し、
前記デバイスの各々は、前記平坦面上にあって、該平坦面の全体ではなく一部を、前記第１幾何学的パターンとは異なる第２幾何学的パターンで被覆する第２金属層を有し、
前記第１及び第２幾何学的パターンは、回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有している
ことを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項９】
請求項８記載の半導体ウエハにおいて、前記ウエハ上の前記複数のデバイスは、互いに同一であり、前記平部に対して所定の関係で配列されていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項１０】
請求項７又は８記載の半導体ウエハにおいて、前記複数のデバイスは、接合型ダイオード、バイポーラ・トランジスタ、サイリスタ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴＳ、ＭＯＳＦＥＴ、及び光検出器からなる群から選択されることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項１１】
半導体デバイスを製造するための品質管理方法であって、
デバイスの半導体面上に、前記半導体（１０）に対してオーミック・コンタクトを形成する第１金属層（２６）であって、円以外の回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有する第１パターンを形成する第１金属層（２６）を配置するステップと、
前記デバイスの前記半導体面上に、前記半導体（１０）に対してオーミック・コンタクトを形成する第２金属層（２６）であって、円以外の回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有する第２パターンを形成する第２金属層（２７）を配置するステップと、
前記デバイスを検査し、前記第１及び第２パターンの一方又は双方の有無を識別する検査ステップと
を含むことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の品質管理製造方法において、該方法は更に、前記第１及び第２パターンの一方又は双方が欠落している場合、当該デバイスを破棄するステップを含むことを特徴とする品質管理製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の品質管理方法において、前記検査ステップは、マシーン分析システムを用いて各デバイスを評価することからなることを特徴とする品質管理方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の品質管理方法において、前記検査ステップは、各デバイスのいずれかの面を検査して、前記第１及び第２パターンの一方又は双方の有無を識別することからなることを特徴とする品質管理方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の品質管理方法であって、
少なくとも１つの平部を含むウエハ上に、前記第１及び第２金属層を配置するステップと、
前記第１及び第２金属層を、前記ウエハの平部に関して所定の関係で位置合わせするステップと、
マシーン検査システムを用いて、前記ウエハの前記平部を位置合わせするステップと、
その後、前記マシーン検査システムを用いて各デバイスを評価するステップと
を含むことを特徴とする品質管理方法。
【請求項１６】
請求項１１記載の品質管理方法において、前記検査ステップは、前記第１及び第２金属層と反対の前記ウエハの面を照明し、前記照明した面をマシーン検査システムによって走査することによって、透明なデバイスを検査することからなることを特徴とする品質管理方法。
【請求項１７】
半導体ウエハにおいて、
炭化珪素からなる基板（１４）と、
前記基板上の半導体エピタキシャル層（１３）と、
第１及び第２直交平部（２２、２３）と、
前記基板（１４）及びエピタキシャル層（１３）の上に形成され、前記直交平部に対して所定の関係に配列された複数のデバイス（１０）と
を備え、
前記デバイスの各々は、前記基板（１４）上にあって、当該デバイスの全体ではなく一部を所定の第１幾何学的パターンで被覆する第１オーミックコンタクト金属層（２６）を有し、
前記デバイスの各々は、前記基板（１４）上にあって、当該デバイスの全体ではなく一部を、前記第１幾何学的パターンとは異なる第２幾何学的パターンで被覆する第２オーミックコンタクト金属層を有し、
前記第１及び第２幾何学的パターンは、回転対称性Ｃｎ（ｎは２以上）を有している
ことを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体ウエハにおいて、前記複数のデバイスは、接合型ダイオード、バイポーラ・トランジスタ、サイリスタ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴＳ、ＭＯＳＦＥＴ、及び光検出器からなる群から選択されることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体ウエハにおいて、
前記デバイスは、ＰＮ接合を有する光放射ダイオード又はレーザ・ダイオードを含み、
前記第１及び第２金属層は、前記基板上に形成されたニッケル層、該ニッケル層上に形成されたチタン−金の合金層からなり、前記デバイスに対するオーミック・コンタクトを形成することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２０】
請求項１７記載の半導体ウエハにおいて、前記第１及び第２幾何学的パターンの各々がＸパターンを形成することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体ウエハにおいて、前記Ｘパターンはそれぞれ、該Ｘパターンのアームの少なくとも一方に対して垂直なタブ部（３４〜３７）を備えていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２２】
請求項１７記載の半導体ウエハにおいて、前記回転対称性Ｃｎを有する前記第１及び第２幾何学的パターンは、直線上に順次メタライズ化した部分（４６、４７）及びメタライズ化してない部分（５０、５１）を含むことを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２３】
請求項１７記載の半導体ウエハにおいて、前記第２金属層（２７）の一部が、前記第１金属層（２６）の一部に重畳していることを特徴とする半導体ウエハ。