Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜と有機半導体層との間に介在させた自己組織化単分子層を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）であって、前記単分子層は、ゲート絶縁膜と自己組織化単分子層の前駆体との間の反応生成物であり、前記前駆体は次式：
Ｘ−Ｙ−Ｚn
（式中、ＸはＨまたはＣＨ3であり；Ｙは、直鎖状もしくは分枝状のＣ5〜Ｃ50脂肪族もしくは環状脂肪族の結合基、または直鎖状もしくは分枝状のＣ8〜Ｃ50の芳香族基含有基およびＣ3〜Ｃ44の脂肪族もしくは環状脂肪族の結合基であり；Ｚは、−ＰＯ3Ｈ2、−ＯＰＯ3Ｈ2、ベンゾトリアゾリル（−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、ベンゾトリアゾリルカルボニルオキシ（−ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、ベンゾトリアゾリルオキシ（−Ｏ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、ベンゾトリアゾリルアミノ（−ＮＨ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、−ＣＯＮＨＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＯＳＨ、−ＣＯＳｅＨ、−Ｃ5Ｈ4Ｎ、−ＳｅＨ、−ＳＯ3Ｈ、−ＮＣ、−ＳｉＣｌ（ＣＨ3）2、−ＳｉＣｌ2ＣＨ3、アミノ、およびホスフィニルから選択され；そして、ｎは１、２、または３であるが、ただしＺが−ＳｉＣｌ（ＣＨ3）2または−ＳｉＣｌ2ＣＨ3である場合にはｎ＝１である）
を有する組成物を含み；そしてここで、前記有機半導体層には次式：
【化１】
2005519486.tif 000001
（式中、それぞれのＲ基は独立して、電子供与性基、ハロゲン原子、水素原子、およびそれらの組合せから選択されるが、ただしすべてのＲ基が水素であるということはなく；ｍは１、２、３、または４であり；それぞれのＲ9およびＲ10は独立してＨまたは任意のＲ基であり；そして２つの隣接したＲ基の任意の組合せが共に結合して、５個または６個の炭素の環状脂肪族または芳香族基を形成していてもよいが；
ただし、Ｒ2とＲ3も、Ｒ6とＲ7も結合して６員芳香族環の一部となることはなく；そして、
ｍが１の場合には、Ｒ9もＲ10も６員芳香族環の一部となることもない）
の半導体を含む、ＯＴＦＴ。
【請求項２】
前記半導体層が、
ａ）Ｃ1〜Ｃ24アルキル−、ポリアルキル−、アルコキシ−、またはポリアルコキシ−置換アセン、
ｂ）Ｃ1〜Ｃ24アルキル−、ポリアルキル−、アルコキシ−、またはポリアルコキシ−置換アントラセン、
ｃ）Ｃ1〜Ｃ24アルキル−、ポリアルキル−、アルコキシ−、またはポリアルコキシ−置換テトラセン、及び
ｄ）Ｃ1〜Ｃ24アルキル−、ポリアルキル−、アルコキシ−、またはポリアルコキシ−置換ペンタセン
から選択される材料を含む、請求項１に記載のＯＴＦＴ。
【請求項３】
前記半導体が、１−メチルアントラセン、２−メチルアントラセン、１，２−ジメチルアントラセン、２，３−ジメチルアントラセン、２，３，６，７−テトラメチルアントラセン、１，２，３，４−テトラメチルアントラセン、２−エチルアントラセン、２，６−ジエチルアントラセン、２−ヘキシルアントラセン、２，６−ジヘキシルアントラセン、１−メチルテトラセン、２−メチルテトラセン、２，３−ジメチルテトラセン、２，８−ジメチルテトラセン、２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン、２−エチルテトラセン、２，８−ジエチルペンタセン、２，９−ジエチルペンタセン、２−ヘキシルテトラセン、２−ノニルテトラセン、１−メチルペンタセン、２−メチルペンタセン、２，６−ジアルキルアントラセン、２，８−ジアルキルテトラセン、２，３−ジアルキルペンタセン、２，９−ジアルキルペンタセン、２，１０−ジアルキルペンタセン、２−エチルペンタセン、２，１０−ジアルコキシペンタセン、２，３，９，１０−テトラアルキルペンタセン、１，４，８，１１−テトラアルコキシペンタセン、または１，２，３，４，８，９，１０，１１−オクタアルキルペンタセン、ジベンゾ［ｄｅ，ｑｒ］テトラセン、ゼスレン、ジベンゾ［ｄｅ，ｓｔ］ペンタセン、およびジベンゾ［ｄｅ，ｕｖ］ペンタセンから選択される材料を含み；ここでそれぞれの式の中の前記アルキルまたはアルコキシ基が１〜２４個の炭素を有する、請求項１に記載のＯＴＦＴ。
【請求項４】
前記前駆体のＹが、飽和脂肪族基、不飽和脂肪族基、飽和環状脂肪族基、および不飽和環状脂肪族基、またはそれらの組合せから選択され、それらのそれぞれは直鎖状であっても分枝状であってもよい、請求項１に記載のＯＴＦＴ。
【請求項５】
前記単分子層前駆体が、５〜５０個の炭素原子を有する直鎖状または分枝状のホスホノアルカンを含む、請求項１に記載のＯＴＦＴ。
【請求項６】
前記有機半導体層が、１〜２４個の炭素を有する少なくとも１種のアルキルまたはアルコキシ基で置換されたペンタセンを含む、請求項１に記載のＯＴＦＴ。
【請求項７】
前記ペンタセンが次式の構造を有し：
【化２】
2005519486.tif 000002
そして、１、２、３、４、８、９、１０、および１１位の１つまたは複数において置換されている、請求項６に記載のＯＴＦＴ。
【請求項８】
前記半導体が、２，３−、２，９−、もしくは２，１０−ジアルキル−もしくはジアルコキシ−置換ペンタセン（それぞれのアルキルまたはアルコキシ基が独立して１〜２４個の炭素を有している）、または２，３，９，１０−もしくは１，４，８，１１−テトラアルキル−もしくはテトラアルコキシ−置換ペンタセン（それぞれのアルキルまたはアルコキシ基が独立して１〜２４個の炭素を有している）から選択される、請求項７に記載のＯＴＦＴ。
【請求項９】
有機薄膜トランジスタを製造する方法であって：
ａ）基板を提供する工程；
ｂ）前記基板の上にゲート電極材料を提供する工程；
ｃ）前記ゲート電極材料の上にゲート絶縁膜を提供する工程；
ｄ）前記ゲート絶縁膜に隣接して請求項１に記載の自己組織化単分子層を提供する工程；および
ｅ）前記単分子層の上に請求項１〜８のいずれかに記載の有機半導体層を適用する工程；および
ｆ）前記有機半導体層に接触させてソース電極およびドレイン電極を提供する工程、を含む方法。
【請求項１０】
前記基板がフレキシブルである、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマルチメディア入力を受信するステップと、
複数のマルチメディア入力の一部しか含まないようにマルチメディア入力をサンプリングするステップと、
サンプリングされたマルチメディア入力を合成するステップと、
サンプリングされたマルチメディア入力を符号化するのに必要な符号化器の数が、複数のマルチメディア入力の数よりも少ない、サンプリングされたマルチメディア入力を符号化するステップとを含む、複数の番組を記録媒体に記録する方法。
【請求項２】
更に、サンプリングされたマルチメディア入力を再生するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記再生するステップが、
復号化信号を供給するために、サンプリングされ符号化された少なくとも一つのマルチメディア入力を復号化するステップと、
少なくとも一つのマルチメディア入力を再生可能なように復号化信号を処理するステップとを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記処理するステップが、サンプリングされた少なくとも一つのマルチメディア入力を高品質変換するステップを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
サンプリングされた少なくとも一つのマルチメディア入力と組み合わせるダミー入力を発生するステップをも含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記複数のマルチメディア入力が、ビデオ、オーディオ、もしくはビデオとオーディオの組み合わせからなるグループから選択されたマルチメディア・データを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
複数のマルチメディア入力のそれぞれがオーディオ信号とビデオ信号とを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ビデオ信号を含んでいるマルチメディア入力がＤ１ビデオ信号を含み、前記サンプリングするステップがＤ１ビデオ信号をＤ１ビデオ信号の半分にサンプリングするステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項９】
ビデオ信号を含んでいるマルチメディア入力がＤ１ビデオ信号を含み、前記サンプリングするステップがＤ１ビデオ信号をＳＩＦビデオ信号にサンプリングするステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
オーディオ信号を含んでいるマルチメディア入力が、２チャンネルよりも多いオーディオ信号を含み、前記サンプリングするステップがオーディオ信号をステレオ信号にサンプリングするステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
オーディオ信号を含んだマルチメディア入力が、２チャンネルよりも多いオーディオ信号を含み、前記サンプリングするステップがオーディオ信号をモノラル信号にサンプリングするステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１２】
複数のマルチメディア入力の一部しか含まないようにマルチメディア入力をサンプリングする少なくとも一つのサンプラーと、
サンプリングされたマルチメディア入力信号を合成する合成装置と、
サンプリングされたマルチメディア入力信号を符号化する符号化器であって、その数が複数のマルチメディア入力の数より少ない、少なくとも一つの符号化器と、
を含む、複数のマルチメディア入力を符号化するシステム。
【請求項１３】
複数のマルチメディア入力がオーディオ信号を含み、
オーディオ信号を受信する受信機と、
オーディオ信号のチャンネル数を減少するダウンミクサーと、
ダウンミクシングされたオーディオ信号を符号化する符号化器であって、その数がオーディオ信号の数よりも少ない、少なくとも一つの符号化器とを含む、請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
複数のマルチメディア入力がビデオ信号とオーディオ信号とからなり、ビデオ信号とオーディオ信号とを多重化するマルチプレクサを含む、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
復号化信号を供給するために、サンプリングされ符号化された少なくとも一つのマルチメディア入力を復号化する復号化器と、
少なくとも一つのマルチメディア入力の再生を可能にするために復号化信号を処理する処理装置とを含む、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
オーディオ信号とビデオ信号とを分離するデマルチプレクサを含む、請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
オーディオ信号とビデオ信号とを出力する再生装置を含む、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
少なくとも一つのサンプリングされたマルチメディア入力と組み合わせるためのダミー番組信号を発生するダミー番組信号発生装置を含む、請求項１２記載のシステム。
【請求項１９】
符号化器の数が、マルチメディア入力信号をサンプリングするために用いられるサンプラーの数よりも少ない、請求項１２記載のシステム。
【請求項２０】
複数のマルチメディア入力信号を受信する受信装置と、
サンプリングされたマルチメディア入力信号が、複数のマルチメディア入力信号の一部しか含まないようにマルチメディア入力信号をサンプリングする少なくとも一つのサンプラーと、
サンプリングされたマルチメディア入力信号を合成する合成装置と、
サンプリングされたマルチメディア入力信号を符号化する符号化器であって、その数が複数のマルチメディア入力信号の数より少ない、少なくとも一つの符号化器と、
ビデオ信号とオーディオ信号とを多重化するマルチプレクサと、
復号化信号を供給するために、サンプリングされ符号化された少なくとも一つのマルチメディア入力を復号化する復号化器と、
少なくとも一つのマルチメディア入力の再生を可能にするために、復号化信号を処理する処理装置と、
オーディオ信号とビデオ信号とを分離するデマルチプレクサと、
少なくとも一つのサンプリングされたマルチメディア入力と組み合わせるためのダミー入力信号を発生するダミー番組信号発生装置と、
オーディオ信号とビデオ信号とを出力する表示装置と、
を含む、ビデオ信号とオーディオ信号とを含んだ複数のマルチメディア入力信号を符号化するシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複数の番組の記録方法および複数のマルチメディア入力を符号化するシステム
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）超臨界ＣＯ2と有機基を有する所定量のシリル化剤とを含有する超臨界処理溶液で、低ｋ誘電体表面からエッチング後残渣を除去すること、及び
（ｂ）前記超臨界処理溶液を前記低ｋ誘電体表面から除去すること、
を含み、前記超臨界処理溶液からの前記有機基によって、前記低ｋ誘電体表面を少なくとも部分的に不動態化する、低ｋ誘電体表面の処理方法。
【請求項２】
前記有機基がアルキル基を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機基が、５個又はそれ未満の炭素原子を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリル化剤が、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、及びトリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記超臨界処理溶液が更に、キャリア溶媒を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記キャリア溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、γ−ブチロールアセトン（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、炭酸エチレン（ＥＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルピペリドン、炭酸プロピレン、及びアルコールからなる群より選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記低ｋ誘電体表面を、４０〜２００℃の範囲の温度に保つ、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記超臨界処理溶液による前記低ｋ誘電体表面からのエッチング後残渣の除去が、前記低ｋ誘電体表面上に前記超臨界処理溶液を循環させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記超臨界処理溶液を、１，０００〜９，０００ｐｓｉ（約６．８９〜約６２．１ＭＰａ）の範囲の圧力に保つ、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記超臨界処理溶液による前記低ｋ誘電体表面からのエッチング後残渣の除去に先立って、この低ｋ誘電体表面を乾燥することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記低ｋ誘電体表面の乾燥が、超臨界二酸化炭素及びｎ−ヘキサンを含有する超臨界乾燥液で、この低ｋ誘電体表面を処理することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記低ｋ誘電体表面が、酸化ケイ素を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記低ｋ誘電体表面が、炭素でドープした酸化物（ＣＯＤ）、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）、及びフッ化ケイ素ガラス（ＦＳＧ）からなる群より選択される材料を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）超臨界洗浄液によって、誘電体表面からエッチング後残渣を除去すること、及び
（ｂ）工程（ａ）と同時に、前記超臨界洗浄液中の不動態化剤によって前記誘電体表面を処理して、不動態化された誘電体表面を形成すること、
を含む、誘電体表面の処理方法。
【請求項１５】
前記エッチング後残渣がポリマーを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ポリマーがフォトレジストポリマーである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記フォトレジストポリマーが反射防止染料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記誘電体表面が酸化ケイ素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記誘電体表面が、炭素をドープした酸化物、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）、及びフッ化ケイ素ガラス（ＦＳＧ）からなる群より選択される材料を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記エッチング後残渣が反射防止膜を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記反射防止膜が、有機スピン・オン反射防止材料を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記不動態化剤が有機ケイ素化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記有機ケイ素化合物が、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、及びトリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）からなる群より選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
（ａ）低ｋ誘電材料の連続層を堆積させること、
（ｂ）前記低ｋ誘電材料の連続層を覆って、フォトレジストマスクを形成すること、
（ｃ）前記フォトレジストマスクを通して前記低ｋ誘電材料の連続層のパターン形成を行うことによって、エッチング後残渣をもたらすこと、及び
（ｄ）超臨界二酸化炭素と有機ケイ素不動態化剤とを含有する超臨界溶液を用いて、前記エッチング後残渣を除去すること、
を含み、前記有機ケイ素不動態化剤からの前記有機基によって、前記低ｋ誘電体表面を不動態化する、パターン形成された低ｋ誘電体層の形成方法。
【請求項２５】
（ａ）誘電材料の層のパターン形成を行って、所定のｋ値を有するパターン形成された誘電体層を形成すること、及び
（ｂ）所定のｋ値を有する前記パターン形成された誘電体層を不動態化剤で不動態化して、ｋ値が減少したパターン形成された低ｋ誘電体層を形成すること、
を含む、ｋ値が減少した誘電体層の形成方法。
【請求項２６】
前記所定のｋ値が３．０超である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記減少したｋ値が３．０未満である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記所定のｋ値と前記減少したｋ値との間に１．０又はそれよりも大きい差がある、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記誘電体材料が、酸化ケイ素成分と炭化水素成分を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記不動態化剤が、有機基を有するシリル化剤である、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の製造プロセスであって、
基板上の、アリールアルコキシシランを含有するフォトレジスト材を第１のリソグラフィ波長の第１の放射にさらすステップと、
マスクまたはレチクル上に設けられたパターンに従って前記フォトレジスト材の上部を選択的に変化させるステップと、
前記フォトレジスト材を第２のリソグラフィ波長の第２の放射にさらすステップと、を有し、
前記第１のリソグラフィ波長は前記第２のリソグラフィ波長より短く、前記フォトレジスト材の前記変化を受けた上部は前記第２の放射を透過させない、プロセス。
【請求項２】
前記第１のリソグラフィ波長が１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、および１３．４ｎｍの波長のうちから選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記第２のリソグラフィ波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、および１９３ｎｍの波長のうちから選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記第１の放射にさらす前記ステップが前記第２の放射にさらす前記ステップの前に実行される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記フォトレジスト材の前記変化を受けた上部を、前記第２の放射にさらす前記ステップの自己整合マスクとして提供する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記フォトレジスト材は、ポジ型フォトレジスト材である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記フォトレジスト材の前記変化を受けた上部が有機アリールアルコキシシラン材料の重合体を含有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記変化を受けた上部の厚さが少なくとも１０ｎｍである、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
前記マスク又はレチクルを前記フォトレジスト材に転写するステップを有し、この転写されたパターンの解像度は、前記第１のリソグラフ波長により決定される、請求項１記載のプロセス。
【請求項１０】
集積回路における２４８ｎｍ及び１９３ｎｍのフォトレジストを略１５７ｎｍ未満のリソグラフ手法で使用できるよう拡張させる方法であって、
短リソグラフ波長の第１の放射を行うステップと、
マスク又はレチクル上のパターンに従って、基板上に設けられたフォトレジスト層の上部を変化させるステップを有し、前記変化を受けた上部は、前記第１の放射を受けた少なくとも一つの重合部を有するとともにマスク又はレチクルによるパターンを有し、
前記第１の放射を行った後に長リソグラフ波長の第２の放射を行うステップを有し、前記短リソグラフ波長は、前記長リソグラフ波長よりも短い、方法。
【請求項１１】
前記フォトレジストは、アリールアルコキシシランを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記マスク又はレチクルは、第２の放射ステップで除去される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の放射は、重合化された箇所は透過しない、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記フォトレジスト層上部の重合化された箇所と前記第２の放射とによって前記フォトレジスト層のパターニングを行うステップを有し、前記パターニングされたフォトレジスト層の解像度は、第１の放射の前記短リソグラフ波長により決定される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
集積回路の製造方法であって、
基板上に設けられたフォトレジスト材を第１の放射にさらし、
マスク又はレチクルにより与えられるパターンによって前記フォトレジスト材の上部を選択的に変化させ、
前記フォトレジスト層を第２の放射にさらし、
前記第１の放射における波長は、前記第２の放射における波長よりも短い、方法。
【請求項１６】
前記第１の放射は、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、および１３．４ｎｍの波長のいずれかのうちから選択される波長で行われる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の放射は、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、および１９３ｎｍの波長のうちから選択される波長で行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の放射にさらす前記ステップが前記第２の放射にさらす前記ステップの前に実行される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記フォトレジスト材の前記変化された上部は、前記第２の波長の放射に対して不透明である、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記フォトレジスト材は、光塩基発生剤と触媒量の水とを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記フォトレジスト材の前記変化を受けた上部は重合化有機アリールアルコキシシランを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
前記変化を受けた上部の厚みは、少なくとも１０ｎｍである、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
集積回路の製造システムであって、
第１のリソグラフィ波長（λ１）の第１の放射（１６）を提供する第１の光源（１８）と、
第２のリソグラフィ波長（λ２）の第２の放射（３０）を提供する第２の光源（２８）と、
フォトレジスト層（１４）に設けた自己整合マスクであって、パターニングされたマスクまたはレチクルに従って前記第１のリソグラフィ波長の前記第１の放射にさらされて形成された自己整合マスクと、を有し、
前記第１のリソグラフィ波長（λ１）は前記第２のリソグラフィ波長（λ２）より短いことを特徴とするシステム。
【請求項２４】
前記自己整合マスクが、上部のアリールアルコキシシラン層（１５）の少なくとも１つの架橋および／または重合部（１７）を含むことを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２５】
前記自己整合マスクが前記フォトレジスト層（１１４）の上部に存在し、その厚さが１０ｎｍ〜１００００ｎｍであることを特徴とする請求項２３または２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第１のリソグラフィ波長（λ１）が１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、および１３．４ｎｍの波長のうちから選択されることを特徴とする請求項２３または２４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
ＥＵＶ照射への暴露の間少なくとも１つの光学要素の表面上の汚染を防除するためのデバイスであって、前記光学要素により放射される光電子のための検出ユニット（４１、４２、４３）、前記検出ユニットに接続された評価ユニット（５）、および前記評価ユニットおよびガス送給ユニット（７１、７２）に接続された制御ユニット（６）を備え、前記評価ユニット（５）が、測定された光電流を光電流の少なくとも２つの記憶されたしきい値と比較し、前記制御ユニット（６）にしきい値依存信号を供給するように構成されているデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月6日(2006.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の凸部と、第２の凸部と、両凸部の間に配置される腰部とを備えた、開口数が０.７よりも大きなマイクロリソグラフィーの屈折型投影対物レンズであって、第１の凸部が最大径Ｄ1を有し、第２の凸部が最大径Ｄ2を有し、
０.８＜Ｄ1／Ｄ2＜１.１
であることを特徴とする屈折型投影対物レンズ。
【請求項２】
最大径の比率が
０.９＜Ｄ1／Ｄ2＜１.０
であることを特徴とする請求項１に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項３】
光の伝播方向において、負の屈折力を持った第１のレンズ群と、正の屈折力を持った第２のレンズ群と、光束の狭隘部を備えた負の屈折力を持った第３のレンズ群と、正の屈折力を持った次の第４のレンズ群と、正の屈折力を有する次の第５のレンズ群を備えたシステム絞りとから成っている屈折型投影対物レンズであって、前記絞りの前と前記絞りの後にそれぞれ物体の方へ湾曲したメニスカスレンズが配置されていることを特徴とする屈折型投影対物レンズ。
【請求項４】
Ｌをレチクルからウェハまでの全長とし、ＮＡを像側の開口数、ＤMAXをシステムの最大径、すなわちＤ1またはＤ2とし、２ｙｂをイメージフィールドの径としたとき、
Ｌ*Ｄmax／（ＮＡ*２ｙｂ）＜１２８５０
であることを特徴とする請求項２または３に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項５】
第１のレンズ群が少なくとも２つのまたは３つの負のレンズを有していることを特徴とする上記請求項１〜４のいづれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項６】
第１の凸部と、第２の凸部と、両凸部の間に配置され、最も狭い狭隘部を含む腰部とを備えた屈折型投影対物レンズであって、前記最も狭い狭隘部の後でシステム絞りの前に、凸面を互いに対向させた２つのメニスカスレンズが配置されていることを特徴とする屈折型投影対物レンズ。
【請求項７】
第１の凸部と、次の腰部と、その次の第２の凸部とから成り、第２の凸部にシステム絞りが配置されている屈折型投影対物レンズであって、物体の面Ｏから最後の絞り側レンズ面までの範囲をＬF、前記絞りに続いている最初のレンズ面から像面までの範囲をＬR、ＬFとＬRの間の範囲をＬAPとし、対物レンズ内に配置されるすべてのレンズの中心厚の総和をＬgeo、像面Ｏ’から物体の面Ｏまでの距離をＬとしたとき、長さの比率ＬＶが
【数１】
2005519332.tif 000001
ＬＶ≧０.１
である前記屈折型投影対物レンズ。
【請求項８】
開口数が０.７よりも大きく、有利には０.８よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項９】
投影対物レンズの光コンダクタンスが全長の２％よりも大きく、この場合光コンダクタンスはイメージフィールド径と像側の開口数との積として定義されていることを特徴とする上記請求項１〜８のいづれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１０】
１つの材料から成るレンズのみを使用したことを特徴とする請求項１，３，４，５，６，７または８に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１１】
全長（ＯＯ’）と第５のレンズ群の焦点距離との比率が８よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１２】
第１のレンズ群ＬＧ１が少なくとも１つの非球面を含み、有利には２つの非球面が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１３】
第１のレンズ群ＬＧ１の非球面が有利にはレチクル側の面にあることを特徴とする請求項１２に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１４】
第１のレンズ群ＬＧ１の非球面が有利にはレチクル側の集光面にあることを特徴とする請求項１３に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１５】
非球面を第３のレンズ群ＬＧ３に使用する場合、該非球面を常にウェハ側の面に使用することを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１６】
第３のレンズ群に非球面が設けられていないことを特徴とする請求項１，２，４，５および７から１４のいづれかに記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１７】
第１のレンズ群ＬＧ１に、物体の面側に凸で負の屈折力を持った少なくとも１つのメニスカスレンズが配置されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１８】
第５のレンズ群ＬＧ５が少なくとも２つの非球面を含んでいることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項１９】
第５のレンズ群ＬＧ５が、少なくとも２つの両凸のレンズと像側に凹の２つの集光メニスカスを含んでいることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項２０】
第５のレンズ群ＬＧ５が最大で５つの集光レンズを有していることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項２１】
レンズ群ＬＧ１とＬＧ２において、最も外側のフィールドポイントに対するメインビームの高さが軸点を結像させるためのエッジビームの高さよりも大きく、その比率がレンズ群ＬＧ３において逆になっていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項２２】
軸点を結像させるためのエッジビームの最大高さがレンズ群ＬＧ３の最も狭い狭隘部におけるその高さの３倍以上あることを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項２３】
レンズ群ＬＧ２の最大径が物体フィールド径よりも２倍大きいことを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【請求項２４】
レンズ群ＬＧ３における最小自由径が物体フィールド径の１.２倍よりも小さく、有利な実施形態では１.１倍よりも小さいことを特徴とする請求項１５または１６に記載の屈折型投影対物レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリプレスワークフローシステムにおいてジョブを処理するためにユーザーインターフェースを調整する方法であって、
−前記ジョブのジョブ形式をチェックし、
−前記ジョブ形式に応じて前記ユーザーインターフェースを自動的に調整する
段階を含んだ方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法の諸段階を実行するための手段を備えたデータ処理システム。
【請求項３】
プログラムがコンピューター上で走っているときに請求項１に記載の方法の諸段階を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を備えるコンピュータープログラム。
【請求項４】
コンピューター上で走っているときに請求項１に記載の方法を実行するようにされたプログラムコードを備えたコンピューター可読の媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の好ましい実施例を詳細に説明したが、本技術熟練者には、特許請求の範囲に定められた本発明の範囲から離れることなく多くの変更をなし得ることが明らかであろう。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１．プリプレスワークフローシステムにおいてジョブを処理するためにユーザーインターフェースを調整する方法であって、
−前記ジョブのジョブ形式をチェックし、
−前記ジョブ形式に応じて前記ユーザーインターフェースを自動的に調整する
段階を含んだ方法。
２．前記ジョブ形式が、コマーシャル印刷産業のためのジョブ形式及びパッケージング印刷産業のためのジョブ形式のグループから選定される上記１による方法。
３．−前記ジョブ形式に応じて前記ユーザーインターフェースのレイアウトを自動的に調整する
段階を更に含む上記１−２のいずれか一つによる方法。
４．−前記ユーザーインターフェースにおける前記ジョブ形式のための適切な用語を自動的に調整する
段階を更に含む上記１−３のいずれか一つによる方法。
５．−前記ジョブ形式用のパラメーターを設定し、
−前記パラメーターに応じて前記ユーザーインターフェースにおいて特定のデータを表示する
段階を更に含む上記１−４のいずれか一つによる方法。
６．−前記ジョブ形式用の入力データを受け取り、
−前記入力データの起源をチェックし、
−前記起源に基づいて前記ジョブ形式を決定する
ことを更に含む上記１−５のいずれか一つによる方法。
７．−前記ジョブに関するデータの特性をチェックし、
−前記特性に基づいて前記ジョブ形式を決定する
ことを更に含む上記１−５のいずれか一つによる方法。
８．−ユーザーにより前記ジョブ形式を決定し、
−前記決定されたジョブ形式を記憶する
ことを更に含み、
前記記憶する段階が、前記ジョブ形式をチェックする前記段階に上記１−５のいずれか一つによる方法。
９．−新しいジョブ形式を作り、
−前記プリプレスワークフローシステムにおける前記新しいジョブ形式のジョブを処理するためにユーザーにより新しいユーザーインターフェースを定める
諸段階を更に含む上記１−８のいずれか一つによる方法。
１０．上記１−９のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するための手段を備えたデータ処理システム。
１１．プログラムがコンピューター上で走っているときに上記１−９９のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を備えるコンピュータープログラム。
１２．コンピューター上で走っているときに上記１−９のいずれか一つによる方法を実行するようにされたプログラムコードを備えたコンピューター可読の媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月22日(2006.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記位置決めステップが、前記光ファイバの前記一端に前記ＧＲＩＮファイバレンズの一端をスプライス接合するステップおよび前記ＧＲＩＮファイバレンズを所望の長さに劈開するステップを含み、前記配置ステップが前記ＧＲＩＮファイバレンズの前記劈開される端部上に前記バイコニックレンズを形成するステップを含むことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記位置決めステップが、前記光ファイバの前記一端に前記ＧＲＩＮファイバレンズの一端をスプライス接合するステップおよび前記ＧＲＩＮファイバレンズを所望の長さに劈開するステップを含み、前記配置ステップが前記ＧＲＩＮファイバレンズの前記劈開される端部に前記矩形のロッドの一端を固着するステップおよび前記矩形のロッドの他方の端部を成形して前記バイコニックレンズを上に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記マルチレンズ装置が、それぞれが半径方向に一定の屈折率を有する１つ以上のスペーサロッドを有し、前記１つ以上のスペーサロッドが、１つ以上の前記光ファイバと前記ＧＲＩＮファイバレンズとの間、および前記ＧＲＩＮファイバレンズと前記バイコニックレンズとの間に位置決めされることを特徴とする、請求項１１記載の光学アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データを、第１の出力フォーマット及び第２の出力フォーマットの出力データ（１０）に同時に描く方法であって、
−前記出力データ（１０）を構成している複数のバンド（１１−１４）を定める段階を含み、更に
−前記複数のバンド（１１−１４）からの各特定のバンド（１１−１４）について
ｉ）レンドラーにより、前記入力データから、前記第１の出力フォーマットの前記特定のバンド（１１−１４）についての第１の出力データを作り、
ｉｉ）前記第１の出力データから、前記第２の出力フォーマットの前記特定のバンド（１１−１４）についての第２の出力データを作る
諸段階を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法の諸段階を実行するための手段を備えるデータ処理システム。
【請求項３】
前記校正装置を更に備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
プログラムがコンピューター上で走っているとき、請求項１に記載の方法を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を含むコンピュータープログラム。
【請求項５】
コンピューター上で走っているとき、請求項１に記載の方法を実行するようにされたプログラムコードを備えたコンピューター可読媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の好ましい実施例を詳細に説明したが、本技術熟練者には、特許請求の範囲に定められた本発明の範囲から離れることなく多くの変更をなし得ることが明らかであろう。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１．入力データを、第１の出力フォーマット及び第２の出力フォーマットの出力データ（１０）に同時に描く方法であって、
−前記出力データ（１０）を構成している複数のバンド（１１−１４）を定める段階を含み、更に
−前記複数のバンド（１１−１４）からの各特定のバンド（１１−１４）について
ｉ）レンドラーにより、前記入力データから、前記第１の出力フォーマットの前記特定のバンド（１１−１４）についての第１の出力データを作り、
ｉｉ）前記第１の出力データから、前記第２の出力フォーマットの前記特定のバンド（１１−１４）についての第２の出力データを作る
諸段階を更に含むことを特徴とする方法。
２．−前記第１の出力フォーマットの前記出力データを主出力装置に送り、
−前記第２の出力フォーマットの前記出力データを校正装置に送る
諸段階を更に含む上記１による方法。
３．前記主出力装置が、イメージセッター及びプレートセッターのグループから選択される上記２による方法。
４．前記特定のバンド（１１−１４）用の第１の出力データが、複数のカラーのためのデータを含む上記１−３のいずれか一つによる方法。
５．−前記特定のバンド（１１−１４）用の前記第１の出力データをデスクリーニングする段階を含む上記１−４のいずれか一つによる方法。
６．−前記特定のバンド（１１−１４）用の前記第１の出力データの第１の部分を一時的に記憶し、前記第１の部分は前記複数のバンドからの別の特定バンド（１１−１４）用のデータに隣接し、
−前記特定のバンド用の前記第２の出力データを前記別の特定バンド用の前記第２の出力データに連結するために、前記特定のバンド（１１−１４）用の前記第１の出力データの第１の部分を使用する
諸段階を更に含む上記１−５のいずれか一つによる方法。
７．−前記複数のバンド（１１−１４）からの各特定のバンド（１１−１４）用の前記第１の出力データを追加し、これにより前記第１の出力フォーマットの前記出力データを得る段階を更に含む上記１−６のいずれか一つによる方法。
８．上記１から７のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するための手段を備えるデータ処理システム。
９．前記主出力装置を更に備える上記２に従属したときの上記８によるシステム。
１０．前記校正装置を更に備える上記２に従属したときの上記８により、或いは上記９によるシステム。
１１．プログラムがコンピューター上で走っているとき、上記１から７のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を含むコンピュータープログラム。
１２．コンピューター上で走っているとき、上記１から７のいずれか一つによる方法を実行するようにされたプログラムコードを備えたコンピューター可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月22日(2006.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のプロセッサ（１２０）、第２のプロセッサ（１４０）、複数のモジュール及びメモリ（１３０）を有するシステムにおいて仮想直接メモリ・アクセス（ＤＭＡ）をするための方法であって、
優先順位付けされた仮想ＤＭＡチャネルを有する仮想ＤＭＡチャネル手段（１１０）を設けるステップと、
優先順位付けされた割り込みを前記仮想ＤＭＡチャネル手段（１１０）から前記第１のプロセッサ（１２０）及び第２のプロセッサ（１４０）に与えるステップと、
コールバック機能手段を設けるステップであって、前記コールバック機能手段が、前記優先順位付けされた割り込みに対応する割り込みイベントを受け取ると例外ハンドラにより呼び出されて、割り込みサービス・ルーチンを前記第１のプロセッサ（１２０）及び第２のプロセッサ（１４０）上で実行するアプリケーションに与えることにより、前記アプリケーションが前記コールバック機能手段に応答して同期化することを可能にする、前記コールバック機能手段を設けるステップと
を備える方法。
【請求項２】
コールバック機能を前記コールバック機能手段に取り付ける手段を設けるステップと、
コールバック機能を前記コールバック機能手段から取り外す手段を設けるステップと
を更に備える請求項１記載の方法。
【請求項３】
コールバック機能を取り付ける前記手段、及びコールバック機能を取り外す前記手段が、前記システムの使用中に動作するよう構成され、それにより、前記コールバック機能手段の機能が前記システムの使用中に変えられ得る請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記割り込みが自動ベクトル化される請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記割り込みがベクトル化される請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記仮想ＤＭＡチャネルが直接プロセッサ割り込みラインに接続される請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のプロセッサが、ソフトウエアの信号処理クラスを処理するよう構成されているディジタル信号プロセッサ（１２０）であり、
前記第２のプロセッサが、ソフトウエアの制御及びプロトコル・クラスを処理するよう構成されているマイクロコントローラ装置（１４０）である
請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記システムが無線セルラ電話処理システムである請求項７記載の方法。
【請求項９】
少なくとも第１のプロセッサ（１２０）、第２のプロセッサ（１４０）、複数のモジュール及びメモリ（１４０）を有するシステムにおいて仮想直接メモリ・アクセス（ＤＭＡ）をするための装置であって、優先順位付けされた仮想ＤＭＡチャネルを設けた仮想ＤＭＡチャネル手段（１１０）を備える、前記装置において、
優先順位付けされた割り込みを前記仮想ＤＭＡチャネル手段（１１０）から前記第１のプロセッサ（１２０）及び第２のプロセッサ（１４０）に与え、
前記優先順位付けされた割り込みに対応する割り込みイベントを受け取ると例外ハンドラにより呼び出されて、割り込みサービス・ルーチンを前記第１のプロセッサ（１２０）及び第２のプロセッサ（１４０）上で実行するアプリケーションに与えるよう構成されたコールバック機能手段を備え、それにより前記アプリケーションが、前記コールバック機能手段に応答して同期化することを可能にする、装置。
【請求項１０】
コールバック機能を前記コールバック機能手段に取り付ける手段と、
コールバック機能を前記コールバック機能手段から取り外す手段と
を更に備える請求項９記載の装置。
【請求項１１】
コールバック機能を取り付ける前記手段、及びコールバック機能を取り外す前記手段が、前記システムの使用中に動作するよう構成され、それにより、前記コールバック機能手段の機能が前記システムの使用中に変えられ得る請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記割り込みが自動ベクトル化される請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記割り込みがベクトル化される請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記仮想ＤＭＡチャネルが直接プロセッサ割り込みラインに接続される請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のプロセッサが、ソフトウエアの信号処理クラスを処理するよう構成されているディジタル信号プロセッサ（１２０）であり、
前記第２のプロセッサが、ソフトウエアの制御及びプロトコル・クラスを処理するよう構成されているマイクロコントローラ装置（１４０）である
請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記システムが無線セルラ電話処理システムである請求項１５記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
ピクセル・デバイスが垂直ピクセル・デバイスである、請求項２０に記載の電気化学的能動素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリプレスワークフローシステムにおけるジョブのためのジョブチケット（１０）を定める方法であって、
−前記プリプレスワークフローシステムにより少なくも一つの文書を受け入れるため及び  前記少なくも一つの文書の調査を行うために入力チャンネル（１１−１３）を定め、
−前記少なくも一つの文書から前記ジョブを組み立てるため及び前記プリプレスワークフ  ローシステムにより前記ジョブを処理するためにジョブチケット（１０）を定める
諸段階を含み、
前記ジョブチケットの定義が前記入力チャンネルの定義を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記１に記載の方法の諸段階を実行するための手段を備えるデータ処理用のシステム。
【請求項３】
プログラムがコンピューター上で走っているとき、上記１に記載の方法の諸段階を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を備えるコンピュータープログラム。
【請求項４】
プログラムがコンピューター上で走っているとき、上記１に記載の方法の諸段階を実行するようにされたプログラムコードを備えるコンピューター可読媒体。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の好ましい実施例を詳細に説明したが、本技術熟練者には、特許請求の範囲に定められた本発明の範囲から離れることなく多くの変更をなし得ることが明らかであろう。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１．プリプレスワークフローシステムにおけるジョブのためのジョブチケット（１０）を定める方法であって、
−前記プリプレスワークフローシステムにより少なくも一つの文書を受け入れるため及び
前記少なくも一つの文書の調査を行うために入力チャンネル（１１−１３）を定め、
−前記少なくも一つの文書から前記ジョブを組み立てるため及び前記プリプレスワークフ
ローシステムにより前記ジョブを処理するためにジョブチケット（１０）を定める
諸段階を含み、
前記ジョブチケットの定義が前記入力チャンネルの定義を含む
ことを特徴とする方法。
２．−第２の入力チャンネル（１１−１３）を定める段階を更に含み、
前記ジョブチケットの定義が前記第２の入力チャンネルの定義を含む
上記１による方法。
３．−前記第１の入力チャンネル（１１−１３）のための第１の設定を定め、
−前記第２の入力チャンネル（１１−１３）のための第２の設定を定める
諸段階を更に含み、
前記第２の設定が前記第１の設定とは異なる上記１−２のいずれか一つによる方法。
４．−前記第１の入力チャンネル（１１−１２）のための第１の処理段階（２１、３１）を定め、
−前記第２の入力チャンネル（１３）のための第２の処理段階（２２、３２）を定める諸段階を更に含み、
前記第２の処理段階（２２、２３）が前記第１の処理段階（２１、３１）とは異なる上記１−３のいずれか一つによる方法。
５．−前記ジョブの状態を調査し、
−前記状態が特定の所定の状態であるならば、前記入力チャンネル（１１−１３）を停止する
諸段階を更に含む上記１−４のいずれか一つによる方法。
６．−前記ジョブチケット（１０）内で前記入力チャンネル（１１−１３）の前記定義を記憶
する段階を更に含む上記１−５のいずれか一つによる方法。
７．上記１から６のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するための手段を備えるデータ処理用のシステム。
８．前記入力チャンネル（１１−１３）を経て前記ジョブにデータを入力するための入力装置を更に備える上記７によるシステム。
９．プログラムがコンピューター上で走っているとき、上記１から６のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するようにされたコンピュータープログラムコード手段を備えるコンピュータープログラム。
１０．プログラムがコンピューター上で走っているとき、上記１から６のいずれか一つによる方法の諸段階を実行するようにされたプログラムコードを備えるコンピューター可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調節可能なキーボード支持アセンブリにおいて、
第１ガイドレール装置を有する第１側板、および該第１側板から間隔を置いて配置され、第２ガイドレール装置を有する第２側板を備える筐体と、
略Ｕ字形部材であって、
両側の第１および第２端部を有する支持部材、
前記第１ガイドレール装置に摺動可能かつ回転可能に取り付けられて、該支持部材の該第１端部から延設され、少なくとも１つの切欠きが設けられる第１サイドアーム、並びに
前記第２ガイドレール装置に摺動可能かつ回転可能に取り付けられて、該支持部材の該第２端部から延設され、少なくとも１つの切欠きが設けられる第２サイドアーム、を備える略Ｕ字形部材と、
前記略Ｕ字形部材の前記支持部材に回転可能に取り付けられるキーボード台と、
前記第１側板から延設され、前記第１サイドアームの前記少なくとも１つの切欠きと係合するようになっている第１ラッチ部材と、
前記第２側板から延設され、前記第２サイドアームの前記少なくとも１つの切欠きと係合するようになっている第２ラッチ部材と、
を具備することを特徴とする、調節可能なキーボード支持アセンブリ。
【請求項２】
前記第１および第２ガイドレール装置の各々が少なくとも１つのレールを備え、該第１ガイドレール装置の各レールが該第２ガイドレール装置の各レールとほぼ平行である、請求項１に記載の調節可能なキーボード支持アセンブリ。
【請求項３】
前記第１サイドアームが第１摺動部材により前記第１ガイドレール装置に摺動可能かつ回転可能に取り付けられ、前記第２サイドアームが第２摺動部材により前記第２ガイドレール装置に摺動可能かつ回転可能に取り付けられる、請求項１に記載の調節可能なキーボード支持アセンブリ。
【請求項４】
前記第１サイドアームが、前記第１ガイドレール装置の１対のガイドレールの間に保持される第１摺動部材により、前記第１側板に摺動可能かつ回転可能に取り付けられ、前記第２サイドアームが、前記第２ガイドレール装置の１対のガイドレールの間に保持される第２摺動部材により、前記第２側板に摺動可能かつ回転可能に取り付けられる、請求項１に記載の調節可能なキーボード支持アセンブリ。
【請求項５】
前記第１ラッチ部材が前記第１サイドアームの切欠きと係合し、かつ前記第２ラッチ部材が前記第２サイドアームの切欠きと係合するときに、該第１および第２サイドアームの各切欠きが、該第１または第２ラッチ部材に対し積極的に係合して、前記Ｕ字形部材の下向き動作を制限するように形成される、請求項１に記載の調節可能なキーボード支持アセンブリ。
【請求項６】
前記キーボード台が、係合時に前記Ｕ字形部材に対する該キーボード台の回転を抑止し、かつ離脱時に該Ｕ字形部材に対する該キーボード台の比較的自由な回転を可能にするようになっているロック装置をさらに備える、請求項１に記載の調節可能なキーボード支持アセンブリ。