【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５１１９７０号発明「窒化物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第３５１１９７０号（以下「本件特許」という。平成１６年１月１６日登録、請求項の数は５である。）の請求項１ないし５に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
　本件審判の経緯は、以下のとおりである。
　
平成２３年　９月　７日　審判請求
平成２３年１２月２０日　審判事件答弁書提出（被請求人）
平成２４年　３月１４日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　３月１６日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　３月２９日　口頭審理
平成２４年　４月１２日　上申書提出（請求人）
　
第３　本件発明
　本件特許の請求項に係る発明は、次の各請求項に記載されたとおりのものと認められる。
「【請求項１】  導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする窒化物半導体が接着してなり、該窒化物半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  前記電極が、窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極及び／又は導電性基板表面に形成されたオーミック電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  前記導電性基板を接着する窒化物半導体層面が、前記ｐ型層であり、前記電極及び／又は導電性材料が、ｐ型層のほぼ全面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  前記電極が導電性材料を多層構造に積層されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  前記電極及び／又は導電性材料が、窒化物半導体の発光波長を反射できることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。」
（以下、請求項１ないし５のそれぞれに係る発明を、「本件発明１」ないし「本件発明５」といい、これらを総称して「本件発明」という。）
　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法 
　１　無効理由１
　本件発明１ないし５は、甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）に記載された発明と同一であり、又は、少なくとも当該発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　２　無効理由２
　本件発明１ないし５は、甲第２号証（特開平４−２９３７４公報）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　 　  
　３　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
　
（１）甲第１号証　特開平５−２５１７３９号公報
（２）甲第２号証　特開平４−２９３７４公報
（３）甲第３号証　平成５年１１月３０日付日経産業新聞
（４）甲第４号証　日経エレクトロニクス　１９９４年２月２８日発行、第６０２号、９３〜１０２頁「青色発光ダイオード、ダブルヘテロ構造で１ｃｄ実現」
（５）甲第５号証　特開昭６１−１８２２９２号公報
（６）甲第６号証　特開昭６１−５９８８６号公報
（以上、審判請求書に添付して提出。）
（７）甲第７号証　特開平４−１９９７５２号公報
（８）甲第８号証　平木昭夫監修「高輝度青色発光のための電子材料技術」株式会社サイエンスフォーラム、１９９１（平成３）年１２月３０日発行、４４頁〜４５頁
（９）甲第９号証　特開平４−２４２９８５号公報
（１０）甲第１０号証　特開平６−２６８２５９号公報
（１１）甲第１１号証　特開平６−３２６４１６号公報
（以上、口頭審理陳述要領書に添付して提出。）
　
第５　被請求人の主張の概要
　１　無効理由１に対して
　本件発明１ないし５は、甲第１号証に記載された発明と同一ではなく、当業者が容易に想到できたものでもない。
　
　２　無効理由２に対して
　本件発明１ないし５は、甲第２号証といかなる周知技術とに基づいても、当業者が容易に想到できたものではない。
　
第６　無効理由についての当審の判断
　１　無効理由１について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−２５１７３９号公報）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【００４４】次に本発明の実施例１を図面を参照して説明する。図４は本発明の実施例１に係る
半導体発光素子である発光ダイオード
一方の電極を有する化合物半導体結晶１４と、この結晶の他方の面上にオーミック電極１３、更にそのオーミック電極１３の上の共晶合金１２及び発光層２の両側に電流拡散層３、厚膜層１０を有する光半導体ウェーバ１５の厚膜層１０側にオーミック電極１１と電流拡散層側３にオーミック電極５が存在し、前記化合物半導体結晶１４と光半導体結晶１５とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている
　
（イ）「【００４５】次に上記半導体発光素子の製造方法について具体的に説明する。
【００４６】各半導体層は有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により成長させた。
【００４７】原料にはトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をIII 族元素のソースとして、アルシン（ＡｓＨ3 ）とフォスフィン（ＰＨ3 ）をＶ族元素のソースとして用いた。
【００４８】またＰ型ドーパントとしてＺｎ、ｎ型ドーパントとしてＳｉを用いたが、これらはそれぞれジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、シラン（ＳｉＨ4 ）をソースとしてドープした。
【００４９】これらの反応性ガスを水素をキャリアガスとして石英製反応管に輸送して、ＳｉＣコーティングしたグラファイトサセプタ上に設置したｐ−ＧａＡｓ光半導体結晶基板にエピタキシャル結晶成長をさせた。
【００５０】反応管内部の圧力は３０〜１００Torrであり、基板は８００℃程度に加熱される。
【００５１】ｐ−ＧａＡｓ基板にはＺｎをドープした、キャリア濃度が１×１０19cm-3程度のものを用いた。基板の面方位は（１００）である。初めにｐ−ＧａＡｓ基板の上にｐ−ＧａＡｓ（Ｚｎドープ、３×１０18cm-3）バッファ層を０．５μｍ程度成長させる。この上に順次ｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.2 Ａｌ0.3 Ｐ保護膜層（Ｚｎドープ、５×１０17cm-3）を０．１５μｍ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ、３×１０18cm-3）を０．１μｍ，ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層（Ｚｎドープ  ４×１０18cm-3）３を７μｍ程度、
ｐ−Ｉｎ
0.5
 Ａｌ
0.5
 Ｐ）、クラッド層
２２
アンドープＩｎ
0.5 
Ｇａ
0.21
Ａｌ
0.29
Ｐ活性層２０
ｎ−Ｉｎ
0.5 
Ａｌ
0.5 
Ｐクラッド層
【００５２】次にこのようにして得られた
ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５
【００５３】ついでこれを写真触刻法により所定の形状（例えば直径７０μｍ，ピッチが１８０μｍの電極パターン）にエッチングして電極１１を形成する。また、電極１１以外の露出しているｎ−ＧａＡｓコンタクト層をアンモニア水と過酸化水素水からなるエッチング液で除去する。
【００５４】一方、厚さ２５０μｍ程度の
ｎ−ＧａＰ結晶
【００５５】このようにして電極形成された光半導体結晶１５のｎ側電極１１と
ＧａＰ半導体結晶１４
【００５６】次にこのＡｕＧｅ合金の融着により接着一体化したウェーハをアンモニア水と過酸化水素水のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓ半導体結晶基板のみを除去する。更にリン酸で７０℃３０秒エッチングしてｐ−Ｉｎ0.5 Ｇａ0.2 Ａｌ0.3 Ｐ保護膜層を除去し、真空蒸着法によりｐ−ＧａＡｓコンタクト層にＡｕＢｅ合金層を０．３μｍ蒸着した後、４８０℃１０分間Ａｒ雰囲気中でシンタリングしてオーミックコンタクトを形成する。更にワイヤポンディングが容易にならしめるためにＡｕＢｅ合金層の上にＡｕを１μｍ程度蒸着した後、
所定の形状にエッチングしてＰ側電極５を形成
【００５７】また電極５以外の露出しているｐ−ＧａＡｓコンタクト層はアンモニア水と過酸化水素水からなるエッチング液で除去する。しかる後に所定のピッチでダイシングして個々のペレットに分離する。
【００５８】このようにしてＧａＡｓ基板を除去してなる高効率ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ・半導体発光素子が完成する。このＬＥＤではダブルヘテロ構造部の活性層で発生した光はＰ側電極５側、ｎ−厚膜層１０側及び側面に向うことになる。ｎ−厚膜層１０側に向かった光はｎ−厚膜層１０と空気との界面で１部が反射され、残りは半導体結晶１４に向う。半導体結晶１４に入射した光も半導体結晶が透明であるので有効に外に放射される。この効果は
電極
９
　ここで、図４は次のものである。
　
（ウ）「【００５９】なお、上記実施例において、ＩｎＧａＡｌＰ保護膜層、ＧａＡｓコンタクト層を形成してあるが、これらの層は本発明においては本質的な事項ではなく、これらの層がなくても特性上問題ない。また
半導体結晶としてｎ−ＧａＰを採用しているが、ｐ−ＧａＰを使用しても良い。この場合は図４に示されている導電型はすべて逆になる
　
（エ）「【００６１】つぎに図５を参照して本発明の実施例２を説明する。
【００６２】これは
金属反射層１８を設けるという点が先に説明した図４の実施例１とは基本的に異なる
【００６３】
それ以外の工程は本発明の実施例１と同様である
【００６４】本発明の実施例２の特徴は従来例２で説明した半導体反射層と同じ効果を金属反射層１８により出現させるという点で、半導体反射層よりも製造バラツキを少なくさせることが出来ることが優れている。
【００６５】金属反射層１８の材料としては前記のＡｇの他にＡｕ  Ａｌ  Ｎｉ等の他に金属を用いても良いがＡｇは反射率の点で優れており、Ａｕは化学的安定性で優れている。
・・・
【００６８】そこで図５に示す発明実施例２によって構成された半導体発光デバイスは、一方を光半導体結晶基板１４例えばｎ−ＧａＰと、もう一方をｎー厚膜層１０例えばｎ−ＧａＰ結晶若しくは、光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＰエピタキシャル層の上にｎーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２１，ｐーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２２を成長させ、活性層２０とにより発光層を形成する。更にｐー電流拡散層を構築した、光半導体発光素子（ＬＥＤウェーハー）１５とで、半導体発光デバイスを構成するわけであるが、
ｎー厚膜層１０に、所定の形に形状化したオーミック電極１１（水玉電極）を形成し、該オーミック電極面上全面に金属若しくは合金から成る金属反射層１８を形成、更に、この金属反射層１８と光半導体結晶基板１４上に形成したオーミック電極・全面電極１７とを合金熱溶融により共晶合金化
　ここで、図５は、次のものである。
　
（オ）「【００６９】第三の発明は少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体エピタキシャル結晶成長層を有する半導体発光素子同志若しくは少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体エピタキシャル結晶成長層発光層を有する半導体発光素子と光半導体結晶基板をベースとした半導体発光素子との接合を金属によって共晶合金接合によって成る半導体発デバイスの各発光層により中間色を発光するものである。そこで、次に図６を参照して発明
実施例３ついて説明する
【００７０】
これは図４の光半導体結晶１４のかわりに、ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ・半導体発光素子２３を接合するという点が先に説明した図４の実施例とは基本的に異なっている
【００７１】このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ・半導体発光素子２３は例えば図６で示すように、このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェーハ・半導体発光素子２３を構成するベースとなるｎ−ＧａＰ光半導体結晶基板２４上に図６−２５ｎ−ＧａＡｓＰエピ層と図６−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピ層を積層成長させ、図６−２５ｎ−ＧａＡｓＰエピ層と図６−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピ層とで発光層を形成する。
【００７２】このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー・半導体発光素子２３は図４で先に説明した方法によりＧａＰ緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェハー・半導体発光素子２７と接合される。」
　ここで、図６は、次のものである。
　
（カ）「【００７４】次に図７を参照して本発明実施例４について説明する。
【００７５】これは図４の半導体結晶１４のかわりに、ｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４をＧａＡｓ半導体結晶上に成長させた後エッチングによりＧａＡｓ半導体結晶を除去し、ｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４上にｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層２５とｐ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層２６とを積層させ発光層を形成させる。これによりＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウエーハー３６を形成する点が、先に説明した図４の本発明実施例１とは、基本的に異なっており、もう１方のｎ−ＧａＰエピ層・光半導体エピタキシャル結晶成長層３３をベースとしてなるＧａＰ緑色ＬＥＤウエーハー（ピーク波長５６５ｎｍ程度）３５は、図６の本発明実施例３でのｎ−ＧａＰ結晶基板２８から構成された（ＧａＰ）緑色ＬＥＤウエーハー２７とは基本的にｎ−ＧａＰ結晶基板２８とｎ−ＧａＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３３並びにｎ−ＧａＰ結晶基板２４とｎ−ＧａＡｓＰエピ層光半導体エピタキシャル結晶成長層３４との対比点で異なっている。
【００７６】そこで、図７の本発明実施例４でのＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ３６はｎ−ＧａＰエピタキシャル結晶成長層３４からなり、図６の実施例３でのｎ−ＧａＰ結晶基板２４から構成されたＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ２３とは基本的に特性も異なっくる。
【００７７】図７の本発明実施例４での半導体発光素子・ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤ（ピーク波長６５０ｎｍ程度）ウェーハ３６は、ｎ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層３４上に成長・積層構成された図７−２５のｎ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層と図７−２６のｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層とで発光層を形成する。
【００７８】又このＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー３６である半導体発光素子ともう１方の半導体発光素子・（ＧａＰ）緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェーハ３５はｎ−ＧａＰ光半導体エピタキシャル結晶成長層３３上に積層で構成された図７のｎ−ＧａＰエピタキシャル結晶成長層２９と図７のｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル結晶成長層３０とで発光層を形成する。
【００７９】この様にして構成したＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェハー３６（ピーク波長６５０ｎｍ程度）である半導体発光素子とＧａＰ緑色ＬＥＤウエ−ハー（ピーク波長５６５ｎｍ程度）３５である半導体発光素子とを金属間結合による共晶合金接合で半導体発光素子同志の結合を行なつた半導体発光デバイスを製造した。
【００８０】該半導体発光デバイス製造方法は第７の発明である
前記半導体発光素子の光半導体エピタキシャル結晶成長層３３上に形成したオーミック電極ともう一方の前記半導体発光素子の光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＡｓＰエピタキシャル層２６上にオーミック電極を形成し、更に各オーミック電極上に共晶合金化構築物を形成する
【００８１】
これによって該オーミック電極同志を金属間結合により共晶合金接合させ成る半導体発光デバイス製造方法である。図４，図６，図７の１１，１２，１３の共晶合金化構築物の形成方法がこれである
【００８２】図７で先に説明した方法によりＧａＰ緑色ＬＥＤ（ピーク波長５６５ｎｍ程度）ウェハーである光半導体発光素子（ＬＥＤウェーハー）３５は、図７の光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＰエピタキシャル層３３上にｎ−ＧａＰエピタキチャル結晶成長層２９，ｐ−ＧａＰエピタキチャル結晶成長層３０で挟んだいわゆる薄い光導波路であるＮ／ＧａＰ発光層を形成する。
【００８３】このようにして得られた半導体発光デバイス・チップは赤と緑の中間色のＬＥＤとなる。そして接合面から第３の電極を取り出すことにより１個のチップで赤から緑色までの光を任意に取り出すことができるという特徴を持つ。
又  青色ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する
　
　イ　甲第７号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第７号証（特開平４−１９９７５２号公報）には、以下の記載がある。
　
「半導体基板上に複数のエピタキシャル成長層を形成した化合物半導体発光素子において、前記
半導体基板が硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）又はそれらの混晶の単結晶であり
ガリウム（Ｇａ）の窒化物半導体
「窒化物半導体の積層膜で形成される発光層は金属元素のアルミニウム（Ａｌ）とインジウム（Ｉｎ）の窒化物の混晶、又は、
ガリウム（Ｇａ）の窒化物
本発明の化合物半導体発光素子の基板には硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛又はそれらの混晶の硫化・セレン化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）の単結晶
「又、上記の緩衝層の上面にエピタキシャル成長させたＺｎＯ層上に、
ＧａＮ
「以上で説明した本発明の化合物半導体発光素子は、次に説明する特徴により、従来の発光素子がもつ課題を解決している。・・・第３に、従来の発光素子において、電気的特性を一定にできなかった課題を、従来の絶縁性サファイヤ基板でなく、
低抵抗のＺｎＳ，ＺｎＳｅ又はＺｎＳＳｅ等の基板を用いて対向配置の電極構造にする
　
　ウ　甲第８号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第８号証（「高輝度青色発光のための電子材料技術」）には、次の記載がある。
　
「エピタキシャル成長用の基板結晶材料の選択は、デバイス化だけでなく、初期成長過程を理解する上でも重要である。
表−３に格子整合性を考慮したＧａＮ用基板の候補をリストアップした
　表−３は次のものである。
　
　エ　甲第９号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開平４−２４２９８５号公報）には、以下の記載がある。
　
「【請求項１】　　ｎ型導電性を示す
窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌ
　
Ｇａ
１−　
）Ｉｎ
１−　
Ｎ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）から成るｎ層と、ｐ型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌ
　’
Ｇａ
１−　’
）
　’
Ｉｎ
１−　’
Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）（ｘ＝ｘ’またはｘ≠ｘ’，ｙ＝ｙ’　または　ｙ≠ｙ’）から成るｐ層とが接合された少なくとも１つのｐｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
「【請求項８】　　サファイア、
Ｓｉ、６Ｈ−ＳｉＣ又はＧａＮ　から成る基板を有する
「【００４０】
【実施例】・・・
以下基板としてサファイア，Ｓｉ，６Ｈ−ＳｉＣ及びＧａＮ　を用いた場合各々について成長手順を示す
・・・
【００４９】（３）
６Ｈ−ＳｉＣ　基板の場合
６Ｈ−ＳｉＣ基板上に作成したレーザダイオードを図３に示す。低抵抗ｎ型６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面基板１６を有機洗浄の後、王水系エッチャントによりエッチングの後、結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給し、１２００℃まで昇温する。次に、成長炉に水素を供給し基板温度を１０４０℃にして、ＴＭＧ，ＳｉＨ４及びＮＨ３を供給してｎ型ＧａＮ緩衝層１７を０．５〜１μｍ程度成長する。次に、ＴＭＡを加え、ｎ型ＧａＮ緩衝層１７の上にｎ型ＧａＡＮ層１８（ｎ層）を成長する。
【００５０】次に、ｎ型ＧａＡＮ層１８の上に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、
ＧａＮ層１９
　
　オ　甲第１０号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１０号証（特開平６−２６８２５９号公報）には、次の記載がある。
　
「【０００８】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面図を図１に示す。下から順に、
基板１の上に、バッファ層２と、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３と
が順に積層
基板１には
ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ等が使用
【０００９】前記、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３の種類は特に限定するものなく、ＧａＮ
　
　カ　甲第１１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特開平６−３２６４１６号公報）には、次の記載がある。
　
「【請求項１】  立方晶ＳｉＣ基板と、この
立方晶ＳｉＣ基板の（１１１）面上に形成されたＧａ
x
 Ａｌ
y
 Ｉｎ
1-x-y
 Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）層
　
（２）甲第１号証に記載された発明
　ア　前記（１）ア（ア）によれば、甲第１号証には、実施例１として「一方の電極を有する化合物半導体結晶１４と、この結晶の他方の面上にオーミック電極１３、更にそのオーミック電極１３の上の共晶合金１２及び発光層２の両側に電流拡散層３、厚膜層１０を有する光半導体ウェーハ１５の厚膜層１０側にオーミック電極１１と電流拡散層側３にオーミック電極５が存在し、前記化合物半導体結晶１４と光半導体結晶１５とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている、半導体発光素子である発光ダイオード。」が記載されているものと認められる。
　そして、同（イ）によれば、上記発光ダイオードにおける、「一方の電極」、「化合物半導体結晶１４」、「オーミック電極１３」、「共晶合金１２」、「発光層２」、「電流拡散層３」、「厚膜層１０」、「『光半導体ウェーバ１５』ないし『光半導体結晶１５』」、「オーミック電極１１」及び「オーミック電極５」は、具体的にはそれぞれ、「ｎ側電極９」、「ｎ−ＧａＰ半導体結晶１４」、「オーミック電極１３」、「共晶合金１２」、「ｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層２２、アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.21Ａｌ0.29Ｐ活性層２０及びｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層２１からなる発光層２」、「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層３」、「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層１０」、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５」、「オーミック電極１１」及び「所定の形状にエッチングして形成したＰ側電極５」であるものと認められる。
　更に同（ウ）によれば、半導体結晶１４としてｐ−ＧａＰを使用してもよいこと、この場合は、導電型はすべて逆になることが理解できる。
　
　イ　前記（１）ア（エ）によれば、甲第１号証には、金属反射層１８を設けるという点が実施例１と異なる実施例２が記載されており、同実施例においては、光半導体ウェーハ１５の厚膜層１０側に形成したオーミック電極１１（水玉電極）の面上全面に金属反射層１８が形成され、更に、この金属反射層１８と光半導体結晶基板１４上に形成した全面電極であるオーミック電極１７とが共晶合金１２によって結合されているものと認められる。
　
　ウ　以上によれば、甲第１号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｐ側電極を有するｐ−ＧａＰ半導体結晶と、この結晶の他方の面上にオーミック電極、更にそのオーミック電極の上の共晶合金、並びに、ｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層、アンドープＩｎ0.5 Ｇａ0.21Ａｌ0.29Ｐ活性層及びｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層からなる発光層の両側にｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層、ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層を有するＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側にオーミック電極と金属反射層がこの順に存在するとともに、電流拡散層側に所定の形状にエッチングして形成したｎ側電極が存在し、前記ｐ−ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている、半導体発光素子である発光ダイオード。」（以下「甲１発明」という。）
　
　ウ　請求人は、以下のように主張する（審判請求書８頁〜１０頁）。
　
（ア）甲第１号証には、前記（２）ア（ア）ないし（ウ）にある実施例１（以下「実施例１」という）の光半導体結晶について、「半導体結晶としてｎ−ＧａＰを採用しているが、ｐ−ＧａＰを使用しても良い。この場合は図４に示されている導電型はすべて逆になる。」（（２）ア（ウ））との記載があることから、甲第１号証には、基板であるｐ−ＧａＰからなる光半導体結晶１４上に、水玉電極１１・１３及び共晶合金１２からなる電極によって接合して成ることを特徴とする半導体が接着してなり、該半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層である半導体発光素子が開示されているといえる。
　
（イ）前記（２）ア（オ）及び（カ）にある実施例３（以下「実施例３」という。）について、甲第１号証には、「青色ＬＥＤではＧａＮ、ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する。」（【００８３】）との記載があり、金属によって接合される２個の半導体発光素子のうちいずれか一方が、ＧａＮエピタキチャル結晶成長層を有する半導体発光素子（以下「ＧａＮ半導体発光素子」という。）である構成が開示されている。
　
（ウ）甲第１号証には、前記（２）ア（カ）のとおり、半導体発光素子と光半導体結晶を接合する（実施例１）場合及び半導体発光素子同士を接合する（実施例３）場合のいずれにも無差別に使用できる方法として、オーミック電極（水玉電極）１１・１３の間に共晶合金化構築物（共晶合金１２）を形成するという方法が開示されており、上記の共晶合金化構築物（共晶合金１２）について、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ等のＡｕ系の金属若しくは合金、又はＡｕ系以外の適切な金属若しくは合金からなることが記載されている。
　また、前記（２）ア（オ）から明らかなように、実施例３は、実施例１の光半導体結晶１４を半導体発光素子で置換した構成であるから、実施例１は、実施例３において、共晶合金１２によって接合された２つの半導体発光素子のうちいずれか一方を光半導体結晶基板１４で置換した構成も実質的に開示しているということもできる。
　したがって、甲第１号証には、光半導体結晶１４と接合される半導体発光素子１５が、ＧａＮ半導体発光素子である構成が実質的に開示されているということができる。
　
（エ）甲第１号証には、前記（２）ア（イ）にある実施例２（以下「実施例２」という。）のように、実施例１における半導体発光素子１５と光半導体結晶１４の接合面にＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ等の金属又は合金からなる金属反射層１８を付加した半導体発光デバイスが記載されている。実施例２は、光の取り出し側にないオーミック電極を全面電極とすることができ、図５には、かかる全面電極の形成面上全面に金属反射層１８を施した構成が開示されている。
　また、実施例２は、接合面の構成を除いて、実施例１と構成上何ら異なるところがないのであるから実施例２においても、実施例１と同じように、光半導体結晶基板１４の材料がｐ−ＧａＰであり、半導体発光素子１５がＧａＮ半導体発光素子である構成が実質的に開示されているということができる（実施例２のうち、このような構成を有する半導体発光デバイスを、以下、「引用発明１」という）。
　引用発明１は、ｐ−ＧａＰよりなる光半導体結晶基板１４と接着する層面となるｐ型層が最下層、その反対側の層面であるｎ型層が最上層となる。
　また、最上層の該ｎ型層には、図５の「５ｐ型電極」のような部分電極が設けられることとなる（ただし、引用発明１においては、部分電極の導電型はｎ型となる）。
　
（オ）したがって、引用発明１は、本件発明１との対比の観点からは、次の構成からなることが明らかである（以下「構成１−１ａ」〜「構成１−１ｆ」という）。
１−１ａ　基板であるｐ−ＧａＰよりなる光半導体結晶１４上に、
１−１ｂ　共晶合金１２からなる金属反射層１８の電極を介して光の取り出し側とするＧａＮ半導体発光素子が接着してなり、
１−１ｃ　該ＧａＮ半導体発光素子の最下層はｐ型層であり、
１−１ｄ　最上層がｎ型層であって、
１−１ｅ　該ｎ型層には部分電極５が設けられていることを特徴とする
１−１ｆ　半導体発光デバイス。
　
　エ　上記ウの請求人の主張について検討する。
　
（ア）請求人が上記ウ（イ）において指摘する、甲第１号証の【００８３】（前記（１）ア（カ）を参照。）に記載された「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」について検討するに、「エピタキチャル結晶成長層」との表現に照らすならば、ｐ−ＧａＡｓ光半導体結晶基板にエピタキシャル結晶成長をさせて得られたＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶１５（前記（１）ア（イ）、【００４９】〜【００５２】を参照。）、すなわち、甲１発明における「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」や、ＧａＰ緑色ＬＥＤウェハー・半導体発光素子２７（前記（１）ア（オ）、【００７２】を参照。）と同様に用いることを意図したものとひとまず推測できる。
　
（イ）しかし、「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」をどのように用いて、化合物半導体結晶１４（前記（１）ア（ア）を参照。）や、ＧａＡｓＰ赤色ＬＥＤウェーハ・半導体発光素子２３（前記（１）ア（オ）、【００７０】を参照。）などと結合するのかなど、それ以上の具体的な説明は甲第１号証には認められないのであって、「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」を用いる場合に、甲１発明の各層がどのようなものとされ、ｐ、ｎの導電型がどのようなものとされるのか当業者が理解し得るものとは認められない。
　したがって、金属によって接合される２個の半導体発光素子のうちいずれか一方が、ＧａＮエピタキチャル結晶成長層を有する半導体発光素子（請求人のいう「ＧａＮ半導体発光素子」）である構成が甲第１号証に開示されていると当業者が理解し得るとは認められないし、甲第１号証には、光半導体結晶１４と接合される半導体発光素子１５が、ＧａＮ半導体発光素子である構成が実質的に開示されているということもできない。
　
（ウ）請求人は、甲第１号証には、光半導体結晶１４と接合される半導体発光素子１５が、ＧａＮ半導体発光素子である構成が実質的に開示されていることを前提として、甲第１号証には引用発明１（上記ウ（オ）を参照。）が実質的に開示されていると主張するが、以上の検討によれば、前提において採用できない。
　
（３）本件発明１と甲１発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　
（ア）甲１発明における「ｐ−ＧａＰ半導体結晶」は、本件発明１の「導電性基板」に相当する。
　
（イ）甲１発明は、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」が「発光層の両側」に「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層」、「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層」を有し、「厚膜層側」に「金属反射層」が存在するものであるから、「電流拡散層」側が「光の取り出し側」になるものと認められる。
　そして、甲１発明は、「ｐ−ＧａＰ半導体結晶のオーミック電極とＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶の厚膜層側に存在する金属反射層とが前記共晶合金によって機械的にも電気的にも結合されている」ものであるから、甲１発明は「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してな」るものといえ、この点において、本件発明１と甲１発明とは、共通するものといえる。
　
（ウ）甲１発明の「ｐ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ厚膜層」、「ｎ−Ｇａ0.2 Ａｌ0.8 Ａｓ電流拡散層」及び「所定の形状にエッチングして形成したｎ側電極」は、それぞれ、本件発明１の「（最下層である）ｐ型層」、「（最上層である）ｎ型層」及び「（ｎ型層に設けられた）部分電極」に相当する。
　
（エ）甲１発明の「半導体発光素子である発光ダイオード」は、「半導体発光素子」である点において、本件発明１と共通するものといえる。
　
（オ）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、
「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してなり、該半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられている半導体発光素子。」
である点において一致し、
「半導体が、本件発明では、『窒化物半導体』であるのに対して、甲１発明では、『ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶』である点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
　イ　判断
（ア）相違点について検討するに、甲１発明において、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」を「窒化物半導体」に置換することについて、当業者が容易に想到し得たと認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができない。
　
（イ）請求人は、甲第７ないし第１１号証を挙げ、甲第７号証には、ＧａＮ成長用の基板として低抵抗の基板（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、又はその混晶）を使用することで、発光素子の上下に電極を有するＧａＮ系発光素子が実現できることが記載され、甲第８ないし第１１号証には、ＧａＮ成長用の基板としてＳｉＣ半導体その他種々の材料を使用することが記載されている旨主張する（口頭審理陳述要領書１１頁〜１３頁）が、上記各甲号証の記載をもって、「ＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層」を使用する「青色ＬＥＤ」を用いる場合に、甲１発明の各層がどのようなものとされ、ｐ、ｎの導電型がどのようなものとされるのか当業者が理解し得るものとは認められないし、甲１発明において、「ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤ用光半導体結晶」を「窒化物半導体」に置換することについて、当業者が容易に想到し得たと認めることもできない。
　
　ウ　小括
　よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　
（４）本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１の特定事項をすべて含み、更に特定事項を付加したものであるところ、上記（３）で検討したとおり、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできないから、本件発明２ないし５が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできないことは明らかである。
　
　２　無効理由２について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第２号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開平４−２９３７４公報）には、以下の記載がある。
　
（ア）「第１図はこの発明による面出射型半導体発光素子の作製方法の一例を示しており、第２図は作製された面出射型半導体発光素子の構造および動作状態を示している。
　
ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ
０．３
Ａｌ
０．７
Ａｓクラッド層２、Ｇａ
０．６
Ａｌ
０．４
Ａｓ活性層３およびｐ−Ｇａ
０．３
Ａｌ
０．７
Ａｓクラッド層４を順次成長させ
　
ｐ−Ｇａ
０．３
Ａｌ
０．７
Ａｓクラッド層４上にオーミック電極を形成し、その最上層にはＡｕが露出するようにしておく
　そして、
このオーミック電極上にｐ−Ｓｉ基板５を置き、加熱することにより、Ｓｉ基板５とｐ−Ｇａ
０．３
Ａｌ
０．７
Ａｓクラッド層４とを接着させる
クラッド層４とＳｉ基板５との接合面はＡｕとＳｉの合金化領域６となる
　最後に
ＧａＡｓ基板１をエッチング等により除去
　そして、第２図に示すように、
この素子を上下反転し、Ｓｉ基板５の下面に電極７を、クラッド層２上面の一部に電極８を設け
　ここで、第２図は、次のものである。
　
（イ）「さらに、
ＡｕＳｉ合金化領域は活性層３で発光する光に対して反射体として働く
　
（ウ）「
この発明による面出射型半導体発光素子はＧａＡｓ系の材料に限定されないのはいうまでもない
　
　イ　甲第３号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第３号証（平成５年１１月３０日付日経産業新聞）には、以下の記載がある。
　
「日亜化学、
窒化ガリウム使う
「日亜化学工業（徳島県阿南市、小川英治社長）は明るさ千ミリカンデラの青色発光ダイオード（ＬＥＤ）を開発し、九四年一月から量産に乗り出す。」（前文１行〜２行）、
「
日亜化学の開発した青色ＬＥＤ
素材には窒化ガリウムを使った
　
　ウ　甲第４号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第４号証（「青色発光ダイオード、ダブルヘテロ構造で１ｃｄ実現」）には、次の記載がある。
　
（ア）「
日亜化学工業が光度１ｃｄのＧａＮ青色発光ダイオードを開発した
発光層をＡｌＧａＮ層で挟むダブル・ヘテロ構造ができるようになった。次の開発課題は、青色半導体レーザの実現
　
（イ）「開発したＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮダブルヘテロ構造高輝度青色発光ダイオードの構造を図８に示す。まずサファイア基板上にＧａＮバッファ層を約＋５５０゜Ｃで成長させ、その上に約＋１０００゜Ｃで
ｎ型ＧａＮ、ｎ型ＡｌＧａＮ、ＺｎドープＩｎＧａＮ、ｐ型ＡｌＧａＮ、ｐ型ＧａＮを順次成長させる
　
（ウ）「
今回開発したＧａＮ青色発光ダイオードがレーザ発振するために欠けている条件は、発光がバンド間発光でない点と光の共振面がない点である
劈開性を利用せず、エッチングなどの方法により共振面を作る必要があろう
　
　エ　甲第５号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５号証（特開昭６１−１８２２９２号公報）には、以下の記載がある。
　
「本発明はこのような従来技術の問題を考慮して成されたもので、
ケミカルエッチングによる良好な共振器端面が形成できしかも量産性の高い半導体レーザーの製造方法
「
本発明は共振器端面の形成は垂直面の得られ易い結晶方位を用い、素子の分離は基板結晶のへき開方位に合わせて行う
垂直面の得られ易い結晶方位を第２の半導体基板のへき開方位に合わせて半導体の接着を行い
半導体多層膜はケミカルエッチングによって垂直端面を形成し、第２の半導体基板をへき開方向に分離せしめる
「以上説明してきたように、本発明は良好なエッチング垂直面が容易に得られ、素子の分離も容易に行える特徴を有する。このため本発明では大量にウェハーを処理することも可能となり、半導体レーザーの低価格化等にも有効である。
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、例えば使用材料、加工条件等は適用する対象によって決定すればよく
本発明はその主旨と範囲を逸脱することなく種々の変形が可能である
　
　オ　甲第６号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第６号証（特開昭６１−５９８８６号公報）には、以下の記載がある。
　
「以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）を用いて詳記する。第１図（ａ）は・・・ｎ−ＧａＡｓ基板１上に
第１層２のｎ−Ａｌ
Ｘ１
Ｇａ
１−Ｘ１
Ａｓ、活性層となる第２層３のＰ−Ａｌ
Ｘ２
Ｇａ
１−Ｘ２
Ａｓ、第３層４のＰ−Ａｌ
Ｘ３
Ｇａ
１−Ｘ３
Ａｓ、第４層５のｎ−Ａｌ
Ｘ４
Ｇａ
１−Ｘ４
Ａｓを順次液相成長させ、Ｐ型不純物拡散領域６ａ、６ｂを選択拡散している
第１図（ｂ）に示す様にＰ型電極７と金鍍金部８の形成が行われた後でシリコンウェハー或いは溶融合金をメタライズしたシリコンウェハー１６に金鍍金部８側を下にして金シリコン（ＡｕＳｉ）、金−錫（ＡｕＳｎ）等の溶融合金材１７を介してダイボンドを行う
次に第１図（ｃ）に示す様にＮ型電極１０をパターニングする場合に形成する光取出し部１１の直径は１３０μｍ程度にする
　上述の如き特性チェック後にクラッキングすることで第１図（ｄ）に示す様に完全にチップ化されてステム１４にシリコンウェハー１６は取り付けられ、ワイヤ１３のボンデングが行われる。
個々に分離されたチップもシリコンウェハーと一体であり強度も充分であってＰ側電極７よりの電極取り出しもシリコンウェハー１６が導電性を付与または導電性であるために電極取り出しも特に工夫する必要はない
「第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の光半導体装置の製造方法を示す側断面図・・・である。
　１・・・基板、２・・・第１層、３・・・活性層となる第２層、４・・・第３層、５・・・第４層、６、６ａ、６ｂ・・・　Ｐ型不純物拡散層、７・・・Ｐ型電極、８・・・金鍍金部、９・・・エッチング部、１０・・・　ｎ型電極、１１・・・光取出し部、１２・・・切溝、１３・・・ワイヤボンド部、１４・・・ステム、１５・・・溶融合金、１６・・・　シリコンウェハー、１７・・・溶融合金」（３頁右上欄下から５行〜左下欄９行）
　ここで、第１図は次のものである。
　
（２）甲第２号証に記載された発明
　ア　前記（１）ア（ア）によれば、甲第２号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３及びｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４を順次成長させ、ｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４上にオーミック電極を形成し、その最上層にはＡｕが露出するようにしておき、このオーミック電極上にｐ−Ｓｉ基板５を置き、加熱することにより、クラッド層４とｐ−Ｓｉ基板５との接合面をＡｕとＳｉの合金化領域６としてＳｉ基板５とｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４とを接着させ、ＧａＡｓ基板１をエッチング等により除去し、この素子を上下反転し、ｐ−Ｓｉ基板５の下面に電極７を、クラッド層２上面の一部に電極８を設けた面出射型半導体発光素子。」（以下「甲２発明」という。）
　
（３）本件発明１と甲２発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　
（ア）甲２発明における「ｐ−Ｓｉ基板５」は、本件発明１の「導電性基板」に相当する。
　
（イ）前記（１）ア（イ）のとおり、甲２発明の「ＡｕＳｉ合金化領域６」は活性層３で発光する光に対して反射体として働くものであるから、「ｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３及びｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４」は、「ｐ−Ｓｉ基板５」に対して光の取り出し側になるものと認められる。
　そして、甲１発明は、「ｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４上にオーミック電極を形成し、その最上層にはＡｕが露出するようにしておき、このオーミック電極上にｐ−Ｓｉ基板５を置き、加熱することにより、クラッド層４とｐ−Ｓｉ基板５との接合面をＡｕとＳｉの合金化領域６としてＳｉ基板５とｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４とを接着させ」るものであるから、甲１発明は「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してな」るものといえ、この点において、本件発明１と甲２発明とは、共通するものといえる。
　
（ウ）甲２発明の「ｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４」、「ｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２」及び「（クラッド層２上面の一部に設けた）電極８」は、それぞれ、本件発明１の「（最下層である）ｐ型層」、「（最上層である）ｎ型層」及び「（ｎ型層に設けられた）部分電極」に相当する。
　
（エ）甲１発明の「面出射型半導体発光素子」は、「半導体発光素子」である点において、本件発明１と共通するものといえる。
　
（オ）以上によれば、本件発明１と甲２発明とは、
「導電性基板上に、電極を介して光の取り出し側とする半導体が接着してなり、該半導体の最下層はｐ型層であり、最上層がｎ型層であって、該ｎ型層には部分電極が設けられている半導体発光素子。」
である点において一致し、
「半導体が、本件発明では、『窒化物半導体』であるのに対して、甲２発明では、『ｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３及びｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４』である点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
　イ　判断
（ア）相違点について検討するに、前記（１）ア（ウ）によれば、甲２発明の面出射型半導体発光素子は、ＧａＡｓ系の材料に限定されないものとされていることが認められる。
　しかし甲２発明において、「ｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３及びｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４」を「窒化物半導体」に置換することについて、当業者が容易に想到し得たと認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができない。
　
（イ）請求人は、甲第３及び第４号証を挙げ、本件特許の出願日当時、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物材料を用いたＬＥＤすなわち窒化物半導体発光素子は周知技術であったこと、甲第４号証に記載の「青色半導体レーザの実現」、「エッチングなどの方法により共振面を作る」という課題（前記（１）ウ（ア）及び（ウ）を参照。）については、甲第５号証（前記（１）エを参照。）に、劈開性を有する新たな基板を接合するという解決手段が開示されるところ、甲２発明の「ｐ−Ｓｉ基板５」の材料であるシリコン単結晶が劈開性を有することは技術常識であるから、甲第４号証に記載された「青色半導体レーザの実現」等の課題を解決する手段として、甲第４号証に記載された窒化物半導体発光素子に甲２発明を適用することは、当業者の通常の創作能力の発揮に止まること、甲第６号証（前記（１）オを参照。）には、半導体発光素子のｐ型層（Ｐ型不純物拡散層６）にＰ型電極７及び導電性材料（金鍍金部８・溶融合金１７）を介して導電性基板（シリコンウェハー１６）が接着されており、該半導体発光素子の上面及び下面に電極（ｎ型電極１０・Ｐ型電極７）が設けられている点で甲２発明と異ならない光半導体装置が開示されており、かかる光半導体装置について、「Ｐ側電極７よりの電極取り出しもシリコンウェハー１６が導電性を付与または導電性であるために電極取り出しも特に工夫する必要」がなく電極の取り出しが容易であるという作用効果があることが明記され、「上下より電極を取り出せる構造を有する・・・窒化物半導体素子」という本件各発明の主たる目的（本件特許明細書【０００７】）が、窒化物半導体発光素子に甲２発明を適用することによって達成できることは明らかであり、窒化物半導体発光素子に引用発明２を適用することは、当業者の通常の創作能力の発揮に止まることを主張する（審判請求書１８頁〜２４頁）。
　しかし、甲第３及び第４号証（前記（１）イ及びウを参照。）は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物材料を用いたＬＥＤすなわち窒化物半導体発光素子を概括的に紹介するにとどまるものであり、上記各甲号証の記載を見ても、窒化物半導体をどのようにして甲２発明に適用できるのか想定し難い。したがって、甲第５ないし第６号証の記載事項にかかわらず、甲２発明において、「ｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３及びｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４」を「窒化物半導体」に置換することについて、当業者が容易に想到し得たと認めることはできない。
　
　ウ　小括
　よって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
（４）本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１の特定事項をすべて含み、更に特定事項を付加したものであるところ、上記（３）で検討したとおり、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件発明２ないし５が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできないことは明らかである。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本件発明１ないし５が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　また、本件発明１ないし５が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、請求人が主張する理由によって、本件発明についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。