【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１面の上に設けられた複数の集積化導波路共振部であって、各共振部は、頂部、側部、及び第１及び第２端部を備え、前記共振部は、ファセットで結合された少なくとも２つの共振部を有し、少なくとも一つの湾曲導波路共振部を有するリングを形成するように連結されている複数の集積化導波路共振部と、
少なくとも一つの共振部の前記頂部と接続された導電層と、
前記基板上に設けられた第２電極と
を備えたリング型半導体進行波レーザ共振器。
【請求項２】
前記少なくとも２つの共振部は、前記ファセットで結合した少なくとも第１及び第２直線共振部を含み、前記少なくとも一つの湾曲共振部は、前記第１及び第２直線状共振部を連結することを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項３】
前記第１及び第２直線状共振部は、前記ファセットに対して傾斜させて、前記直線状共振部内を進行する光を前記ファセットの臨界角より低い角度で前記ファセットに衝突させて、前記光の少なくとも一部は、前記ファセットから出射することを特徴とする請求項２に記載のレーザ共振器。
【請求項４】
前記ファセットは、部分的に透過可能なことを特徴とする請求項３に記載のレーザ共振器。
【請求項５】
前記第１および第２共振部が直線状であり、かつ相互に角度をなして、前記各共振部内を進行する光を前記ファセットの臨界角より低い角度で前記ファセットに入射させるように構成された、請求項４に記載のレーザ共振器。
【請求項６】
各々が第１および第２端を有する少なくとも４つの直線状共振部であって、第１および第２共振部の第１端が第１ファセットで接合され、第３および第４共振部の第１端が第２ファセットで接合されている４つの共振部と、
前記第１および第３共振部の前記第２端を相互接続する第１湾曲部ならびに前記第２および第４共振部の前記第２端を相互接続する第２湾曲部との少なくとも２つの湾曲共振部と、
を含む、請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項７】
前記複数の共振部は、少なくとも３つの湾曲導波路部と、前記基板上に設けられた少なくとも６つの直線状導波路共振部とを有し、前記直線状部と前記湾曲部とは連結されて閉じたリングを形成し、前記ファセットは、部分透過であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項８】
前記少なくとも２つの共振部のそれぞれの第１端部は、前記ファセットで連結され、前記少なくとも２つの共振部のそれぞれの第２端部は、前記少なくとも一つの湾曲部の端部と向かい合うように連結されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項９】
前記共振部内で光を伝搬させる手段をさらに含む、請求項８に記載のレーザ共振器。
【請求項１０】
前記共振部を相互接続させて、前記共振部内で伝搬される光を、前記ファセットの臨界角より低い角度で前記ファセットに入射するように方向付ける、請求項９に記載のレーザ共振器。
【請求項１１】
前記複数の共振部は、複数の直線状共振部と複数の湾曲共振部を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項１２】
隣接する相互接続された共振部の接合部に少なくとも１つの内部全反射ファセットをさらに含む、請求項１１に記載のレーザ共振器。
【請求項１３】
前記導波路共振部は、狭幅共振部であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項１４】
前記導波路共振部は、狭幅リングレーザを備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項１５】
前記基板上の前記共振部を包囲する気体状媒体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項１６】
前記共振部は、光導波路であることを特徴とする請求項１５に記載のレーザ共振器。
【請求項１７】
前記共振部は、光の横方向閉じ込めを支持するように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のレーザ共振器。
【請求項１８】
前記共振部内に光を伝搬させる手段をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のレーザ共振器。
【請求項１９】
前記ファセットは、部分透過であって、前記共振部内を伝搬する光の少なくとも一部を出射するように配置されていることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ共振器。
【請求項２０】
前記ファセットは、前記少なくとも２つの共振部の対応するそれぞれの第１端で共通し、前記共振部は、湾曲され、連結されて一つのファセットを有する連続した閉じたリング型導波路を形成することを特徴とする請求項１５に記載のレーザ共振器。
【請求項２１】
前記導電層は、前記導波路共振部にレーザ光を伝搬させるバイアス電圧を受ける電極を形成し、前記レーザ光の少なくとも一部は前記ファセットから出射することを特徴とする請求項２０に記載のレーザ共振器。
【請求項２２】
前記集積化共振部は、端部間を非湾曲共振部と相互接続されて閉じたリング型導波路を形成する複数の湾曲共振部から構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項２３】
前記導波路の上の複数のファセットをさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ共振器。
【請求項２４】
前記複数の共振部は、それぞれが第１端及び第２端を有する少なくとも第１及び第２直線状共振部を有し、前記少なくとも一つの湾曲共振部は、第１端及び第２端を有する少なくとも一つの連続した湾曲共振部を有し、前記直線状部及び湾曲部は、端部間で相互接続されて直線状部及び湾曲部を有する一つの連続したリング状共振器を形成することを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項２５】
前記相互接続された直線状部は、結合されて複数のファセットを形成していることを特徴とする請求項２４に記載のレーザ共振器。
【請求項２６】
前記共振部は、レーザ光を伝搬させる光導波路であって、前記第１及び第２共振部は、前記ファセットを部分透過にして光を出射させる角度で前記ファセットにおいて結合されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項２７】
前記共振器内にレーザ光を伝搬させる手段をさらに備え、前記共振部は、前記レーザ光を伝搬するように相互接続されて、前記ファセットは、前記ファセットの臨界角より小さい角度で前記ファセットに衝突する伝搬光を出射することを特徴とする請求項２６に記載のレーザ共振器。
【請求項２８】
前記複数の共振部は、前記基板上に間隔を置いて配置された、少なくとも第１及び第２集積化半導体共振部を備え、前記共振器の側部と前記ファセットは同じ高さであり、
前記第１導電層は、間隔を置いて配置された前記第１及び第２共振部の頂部の上に電気的接続を伴って設けられた金属層を備え、前記金属層は、前記共振部の間の空間に跨っており、前記共振器の間にボイドを形成し、
前記共振部の前記側部に隣接し、かつ前記金属層の少なくとも一部分の下の前記ボイドに気体状媒体を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ共振器。
【請求項２９】
基板上に間隔を置いて配置された、少なくとも第１及び第２集積化半導体共振部であって、それぞれが頂部及び側部とを有し、前記共振部の少なくとも２つはファセットで結合され、前記共振器の側部と前記ファセットは同じ高さである、第１及び第２集積化半導体共振部と、
間隔を置いて配置された前記第１及び第２共振部の頂部の上に電気的接続を伴って設けられた金属層であって、前記金属層は、前記共振部の間の空間に跨っており、前記共振器の間にボイドを形成する、金属層と、
前記共振部の前記側部に隣接し、かつ前記金属層の少なくとも一部分の下の前記ボイドの中の気体状媒体と
を備えたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項３０】
前記共振部は、リッジ型導波路共振器であることを特徴とする請求項２９に記載の発光デバイス。
【請求項３１】
前記共振部は、狭幅導波路共振器であることを特徴とする請求項２９に記載の発光デバイス。
【請求項３２】
活性領域ならびに上部および下部クラッド領域を有するウェハの頂部に誘電層を堆積するステップと、
前記誘電層をパターン形成して、湾曲導波路を画定するマスクを形成するステップと、
前記マスクを前記ウェハに転写して、頂部、側部、および少なくとも１つのファセットを含む湾曲導波路を有するレーザ共振器を形成するステップと、
前記レーザ共振器の頂部、側部、およびファセット上に薄い共形の誘電層を堆積するステップと、
前記ウェハの底面にコンタクトを堆積するステップと、
前記ウェハの前記頂部に前記薄い共形誘電層の上から、前記ウェハおよび前記レーザ共振器を完全に被覆しかつ平坦な頂部を形成するのに充分な厚さまで、フォトレジストを堆積するステップと、
前記フォトレジストを前記共振器の前記頂部より下の深さまで露光させるステップと、
前記露光したフォトレジストを除去するステップと、
前記共振器の前記頂部から前記薄い共形の誘電層を除去するステップと、
前記共振器の前記頂部上にｐコンタクト層を堆積するステップと、
前に除去されなかったフォトレジストを除去して、前記共振器の周囲に気体で満たされたボイドを残すステップと、
を含むことを特徴とする湾曲導波路進行波レーザを製作する方法。
【請求項３３】
ドープされた半導体基板の第１面の上に第１クラッド層を形成するステップと、
前記第１クラッド層上に活性層を形成するステップと、
前記活性層上に第２クラッド層を形成するステップと、
前記第２クラッド層上にエッチングマスクを設けるステップと、
前記マスクを介して前記第１及び第２クラッド層、活性層をエッチングして、
基板上への半導体レーザ共振器の製造方法
【請求項３４】
前記フォトレジスト層を除去するステップは、前記レジスト層をはぎ取って、前記導電性ブリッジの下にボイドを残すことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ボイドにガスを満たすステップをさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記エッチングマスクを形成するステップは、前記レーザ共振器セグメントの形状を規定するマスクをリソグラフィック的に形成するステップを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記マスクを形成するステップは、前記共振器及び共振器セグメントの幅及び長さを規定するステップと、前記共振器について少なくとも一つのファセットを規定するステップとを含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。