【事件の表示】
　特願２００７−２１２８４１「発光ダイオードのための拡散バリヤー」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２８日出願公開、特開２００８−　４７９２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年８月１７日（パリ条約による優先権主張２００６年８月１８日、米国）に特許出願され、平成２２年８月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年２月２８日に特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたが、同年３月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
（１）平成２３年２月２８日に補正された特許請求の範囲の請求項１は、
「発光ダイオード構造であって、
　電流が加えられると再結合および光子を発生するｐ型半導体エピタキシャル層およびｎ型半導体エピタキシャル層と、
　前記エピタキシャル層の少なくとも一方の近傍にあり所望の方向における光出力を増加させる反射金属層と、
　前記反射金属層の中の金属がこの発光ダイオード構造の内部で移行することを防止するバリア構造と、
　を備えており、
前記バリア構造は、前記反射金属層の上にあり約６０モル％から約７０モル％までの間のチタンを含む第１のチタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層の上にあり約３０モル％から約４５モル％までの間のチタンを含む窒化チタンタングステン層と、前記窒化チタンタングステン層とは反対側の前記第１のチタンタングステン層の上にあり約６０モル％から約７０モル％までの間のチタンを含む第２のチタンタングステン層と、を備えており
というものである。
　上記によれば、請求項１のバリア構造は、第１のチタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層の上にある窒化チタンタングステン層と、前記窒化チタンタングステン層とは反対側の前記第１のチタンタングステン層の上にある第２のチタンタングステン層と、を備えるもの、すなわち、窒化チタンタングステン層と第２のチタンタングステン層との間に第１のチタンタングステン層が挟まれるものとされることが認められる。
　
（２）しかるに、本願明細書及び図面には、第１のチタンタングステン層、窒化チタンタングステン層及び第２のチタンタングステン層に関し、窒化チタンタングステン層と第２のチタンタングステン層との間に第１のチタンタングステン層が挟まれる構造のものは示されておらず、上記（１）の補正前の請求項１には、
「該反射金属層上にあるチタンタングステンの第一層、
　該第一チタンタングステン層上にある窒化チタンタングステンの層、そして
　該第一チタンタングステン層の反対側の該窒化タングステンチタン層上にチタンタングステンの第二層」
と記載されており、本願明細書及び図面にも、この記載に沿った構造のもの、すなわち、第１のチタンタングステン層と第２のチタンタングステン層の間に窒化チタンタングステン層が挟まれる構造のもののみが示されていることに照らすと、上記（１）の請求項１は、次のように記載すべきところを誤記したものと認められる。
　
「発光ダイオード構造であって、
　電流が加えられると再結合および光子を発生するｐ型半導体エピタキシャル層およびｎ型半導体エピタキシャル層と、
　前記エピタキシャル層の少なくとも一方の近傍にあり所望の方向における光出力を増加させる反射金属層と、
　前記反射金属層の中の金属がこの発光ダイオード構造の内部で移行することを防止するバリア構造と、
　を備えており、前記バリア構造は、前記反射金属層の上にあり約６０モル％から約７０モル％までの間のチタンを含む第１のチタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層の上にあり約３０モル％から約４５モル％までの間のチタンを含む窒化チタンタングステン層と、前記
第１の
窒化
　
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記記載のとおりのものと認める。
　　
３　引用刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００５／２７４９７０号明細書（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（訳文をかっこ書で付した。）。
　
（１）「［0001］ The present invention relates to semiconductor light emitting devices and, in particular, to light emitting devices mounted to submounts. 」
（［0001］ 本発明は、半導体発光デバイス、特にサブマウント上に取り付けられた発光デバイスに関する。）
　
（２）「［0010］　FIG. 1A  is a cross sectional view of a device  100  that includes a semiconductor light emitting device  100 a (sometimes referred to herein as LED  100 a) mounted to a transparent submount  116  with conductive vias  118 , in accordance with an embodiment of the present invention. The LED  100 a includes a number of epitaxially grown layers  101 , including a light emitting active region  102  sandwiched between an n-doped cladding region  104  and a p-doped cladding region  106 . The wavelength of light emitted by the active region  102  may be controlled by selecting the width and composition of the layers in active region  102 , as is well known in the art. An example of a suitable active region includes 3 or 4 quantum wells separated by barrier layers. The LED  100 a also includes a p contact layer  108  in contact with the p-doped cladding region  106  and an n contact layer  110  in contact with the n-doped cladding region  104 . 　
［0011］　The epi layers  101  are grown on a GaAs substrate  114 , which as illustrated by the broken lines in  FIG. 1A  is removed after the transparent submount  116  is mounted to the assembly  100 b, which will be described below. Once the GaAs substrate  114  is removed, an anti-reflective coating  124  may be deposited over the epi layers  101  if desired. The anti-reflective coating  124  may be produced, e.g., as a quarter wavelength layer of SiNx, SiO2, or MgO, or complex multilayer dielectric films as are well known in the art. Alternatively, the contact layer  110  may be treated, e.g., by roughening, to enhance optical extraction. 
　…。
［0013］　The p contact layer  108  is electrically coupled to a metal contact  109  and n contact layer  110  is electrically coupled to another metal contact  111 . Contacts  109  and  111  are illustrated in  FIGS. 1B and 1C , respectively.  FIG. 1B  illustrates an example of a multilayer p-contact  109 , which includes a metal p contact  109 a of, e.g., AuZn alloy, having a thickness of approximately 2000 Å, which provides ohmic contact to the semiconductor p contact layer  108 . If desired, an adhesive layer of, e.g., titanium or nickel, may be deposited over the p contact layer  108  prior to depositing the ohmic layer  109 a. The ohmic layer  109 a is protected by a guard metal layer  109 b of, for example, a sandwich of TiW, TiW:N, and TiW. The ohmic layer  109 a and guard layer  109 b may cover all or just a portion of the exposed p contact layer  108 . A thick contact layer  109 c, such as Ti/Au, having a thickness of approximately 2 μm, is then formed over the guard layer  109 b and may be used for bonding to the submount  116 . Alternatively, as illustrated in  FIG. 1B , a barrier layer  109 e, e.g., of Ni or TiW, and a thick solder layer  109 d, such as AuSn solder, is formed over all or a portion of the contact layer  109 c. The solder layer  109 d should be compliant to provide a suitable surface for soldering with the submount  116 . If desired, a dielectric material, such as SiNx or Al2O3, may be deposited across the active region and p/n junction for passivation and protection. 」
（［0010］  図１Ａは、本発明の実施形態による、伝導ビア１１８を持つ透明サブマウント１１６に
半導体発光デバイス１００ａ（時々ＬＥＤ１００ａとして参照される）
ＬＥＤ１００ａは、ｎド−プ被覆域１０４とｐド−プ被覆域１０６との間にはさまれた発光活性域１０２を含む多数のエピタキシャル成長層１０１を含む
ＬＥＤ１００ａはまた、ｐド−プ被覆域１０６に接続されたｐ接点層１０８と、ｎド−プ被覆域１０４に接続されたｎ接点層１１０を含んでいる
［0011］　エピ層１０１は、ＧａＡｓ基板１１４上で成長させられ、このＧａＡｓ基板１１４は、以下に説明されるアセンブリ−１００ｂに透明サブマウント１１６が取り付けられた後に、図１Ａの破線で示されるように除去される。いったんＧａＡｓ基板１１４が除去されると、反射防止被覆１２４を、望まれるならエピ層全体を被うように堆積させることが可能である。反射防止被覆１２４は、当業界で周知のように、例えばＳｉＮｘ，ＳｉＯ2，或いはＭｇＯ或いは複合多層誘電フィルムの四分の一波長層として形成することができる。或いは、接点層１１０は、光学的引き抜きを高めるため、例えば、粗面化することにより、処理することができる。
　…。
［0013］　 
ｐ接点層１０８は金属接点１０９に電気的に接続され、ｎ接点層１１０は他の金属接点１１１に電気的に接続されている
半導体ｐ接点層１０８に対するオ−ム接点を提供するＡｕＺｎ合金の金属ｐ接点１０９ａを含む、多層ｐ接点１０９
オ−ム層１０９ａは、例えば、ＴｉＷ，ＴｉＷ：ＮとＴｉＷのサンドイッチ構造のガ−ド金属層１０９ｂによって保護されている
厚い接点層１０９ｃが、ガ−ド層１０９ｂの全体を被うように形成され
　
（３）「What is claimed is:
　….
15 . A method of producing a semiconductor light emitting device, the method comprising: 
　producing an assembly comprising a light emitting region disposed between a region of a first conductivity and a region of a second conductivity;
　producing a first contact in electrical contact with the region of a first conductivity;
　producing a second contact in electrical contact with the region of a second conductivity;
　providing a transparent submount with a plurality of conductive vias, the conductive vias being electrically and thermally conductive; and
　bonding the assembly to the transparent submount wherein at least one conductive via is in electrical contact with the first contact and at least one conductive via is in electrical contact with the second contact.
　… .
18 . The method of  claim 15 , wherein producing an assembly comprises: 
　producing a first contact layer on a growth substrate;
　producing a first cladding layer on the first contact layer, the first cladding layer being the region of a first conductivity type;
　producing an active region over the first cladding layer, the active region being the light emitting region;
　producing a second cladding layer over the active region, the second cladding layer being the region of a second conductivity type;
　producing a second contact layer on the second cladding layer;
　etching a contact region through the second contact layer, the second cladding layer, the active region and the first cladding layer, wherein the first contact is produced in the contact region.
　….
20 . The method of  claim 18 , wherein the second contact is at least partially reflective of light emitted from the active region. 」
（請求されるのは：
　…。
１５． 第一の伝導型の領域と第二の伝導型の領域との間に発光域が配置されたアセンブリ−を製造し、
  前記第一の伝導型の領域に電気的に接続された第一接点を生成し、
  第二の伝導型の領域に電気的に接続された第二接点を生成し、
  電気的及び熱的に伝導性の複数の伝導ビアを持つ透明サブマウントを生成し、
  少なくとも一つの伝導ビアが前記第一接点に電気的に接続され、少なくとも一つの伝導ビアが前記第二接点に電気的に接続されるように、前記サブマウウントに前記アセンブリ−を結合する、
ことからなることを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
　…。
１８． 請求項１５に記載の方法であって、前記アセンブリ−を製造することが、
  成長基板上に第一接点層を形成し、
  第一伝導型の領域である第一被覆層を前記第一接点層上に形成し、
  前記第一被覆層を被うように発光域である活性域を形成し、
  前記活性域を被うように第二伝導型の領域である第二被覆層を形成し、
  第二接点層を前記第二被覆層上に形成し、
  前記第二接点層、前記第二被覆層、前記活性域及び前記第一被覆層を通って、前記第一接点が形成されている該接点域をエッチングする、
ことからなる方法。
　…。
２０． 前記第二接点が前記活性域から射出される光を少なくとも部分的に反射することを特徴とする請求項１８に記載の方法。）
　
４　引用発明
　上記３（２）によれば、引用刊行物には、
「ｎド−プ被覆域１０４とｐド−プ被覆域１０６との間にはさまれた発光活性域１０２を含む多数のエピタキシャル成長層１０１と、ｐド−プ被覆域１０６に接続されたｐ接点層１０８と、ｎド−プ被覆域１０４に接続されたｎ接点層１１０を含んでなる半導体発光デバイス１００ａ（ＬＥＤ１００ａ）であって、
　ｐ接点層１０８は金属接点１０９に電気的に接続され、ｎ接点層１１０は他の金属接点１１１に電気的に接続されており、
　接点１０９は、半導体ｐ接点層１０８に対するオ−ム接点を提供するＡｕＺｎ合金の金属ｐ接点１０９ａを含む、多層ｐ接点１０９であり、
　接点１０９は、オ−ム層１０９ａ、ガ−ド金属層１０９ｂ及び厚い接点層１０９ｃを含んでおり、
　オ−ム層１０９ａは、ＴｉＷ，ＴｉＷ：ＮとＴｉＷのサンドイッチ構造のガ−ド金属層１０９ｂによって保護されており、
　厚い接点層１０９ｃが、ガ−ド層１０９ｂの全体を被うように形成されている半導体発光デバイス１００ａ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「（エピタキシャル成長層である）ｎド−プ被覆域１０４」及び「（エピタキシャル成長層である）ｐド−プ被覆域１０６」がそれぞれ本願発明の「ｎ型半導体エピタキシャル層」及び「ｐ型半導体エピタキシャル層」に相当するところであり、引用発明の「（これらの間にはさまれた）発光活性域１０２」が再結合および光子を発生するものと認められるから、本願発明と引用発明は、「電流が加えられると再結合および光子を発生するｐ型半導体エピタキシャル層およびｎ型半導体エピタキシャル層」を備える点で一致する。
　
（２）引用発明の「ｎド−プ被覆域１０４」、「ｐド−プ被覆域１０６」、「ｐ接点層１０８」、「ｎ接点層１１０」、「金属接点１０９」及び「金属接点１１１」は、前記３（３）に摘記した、請求項１５を引用する請求項１８における「第一伝導型の領域」、「第二伝導型の領域」、「第二被覆層」、「第一被覆層」、「第二接点」及び「第一接点」にそれぞれ相当するものと解されるところ、請求項１８を引用する請求項２０において、「前記第二接点が前記活性域から射出される光を少なくとも部分的に反射する」とされているから、引用発明の「金属接点１０９」が「反射金属層」となっていることは明らかであり、本願発明と引用発明は、「前記エピタキシャル層の少なくとも一方の近傍にあり所望の方向における光出力を増加させる反射金属層」を備える点で一致する。
　
（３）引用発明の「（接点１０９の）ガ−ド金属層１０９ｂ」は、「（接点１０９の）オ−ム層１０９ａ」を保護するものであるから、「オ−ム層１０９ａ」と、「ガ−ド金属層１０９ｂ」を挟んで位置する「厚い接点層１０９ｃ」とが相互作用することを防止するものであると認められ、また、引用発明の「ガ−ド金属層１０９ｂ」は、「ＴｉＷ：Ｎ」層、すなわち、「窒化チタンタングステン」層を含むものであるから、本願明細書の「窒化チタンタングステン化合物は、バリヤーとして作用し、また、熱処理の間または後でも、金属、例えば金、銀、アルミニウムが拡散するのを防止する。」（［００３９］）との記載に照らして、「金属、例えば金、銀、アルミニウムが拡散するのを防止する」ものであると認められる。
　してみると、引用発明の「ガ−ド金属層１０９ｂ」は、「オ−ム層１０９ａ」の金属が「厚い接点層１０９ｃ」に移行することを防止する機能を有するものと認められ、本願発明の「前記反射金属層の中の金属がこの発光ダイオード構造の内部で移行することを防止するバリア構造」に相当するといえる。
　
（４）上記（２）のとおり、引用発明の「金属接点１０９」は、「活性域から射出される光を…反射する」ものであるところ、反射は、活性域、すなわち、引用発明の「発光活性域１０２」に最も近い層で行われるものと認められるから、結局、「オ−ム層１０９ａ、ガ−ド金属層１０９ｂ及び厚い接点層１０９ｃ」をこの順に含む引用発明の「金属接点１０９」において、「発光活性域１０２」に最も近い「オ−ム層１０９ａ」が「反射金属層」と認められるところであり、引用発明は、本願発明の「前記バリア構造は、前記反射金属層の上にあり」との事項を備える。
　また、引用発明の「ガ−ド金属層１０９ｂ」は、「ＴｉＷ，ＴｉＷ：ＮとＴｉＷのサンドイッチ構造」であって、本願発明の「バリア構造」と同様の構造であるから、結局、本願発明と引用発明は、「前記バリア構造は、前記反射金属層の上にある第１のチタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層の上にある窒化チタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層とは反対側の前記窒化チタンタングステン層の上にある第２のチタンタングステン層と、を備えており」の点で一致する。
　
（５）引用発明の「半導体発光デバイス１００ａ」が「発光ダイオード構造」を有することは明らかである。
　
（６）以上によれば、本願発明と引用発明は、
「発光ダイオード構造であって、
　電流が加えられると再結合および光子を発生するｐ型半導体エピタキシャル層およびｎ型半導体エピタキシャル層と、
　前記エピタキシャル層の少なくとも一方の近傍にあり所望の方向における光出力を増加させる反射金属層と、
　前記反射金属層の中の金属がこの発光ダイオード構造の内部で移行することを防止するバリア構造と、
　を備えており、前記バリア構造は、前記反射金属層の上にある第１のチタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層の上にある窒化チタンタングステン層と、前記第１のチタンタングステン層とは反対側の前記窒化チタンタングステン層の上にある第２のチタンタングステン層と、を備えている発光ダイオード構造。」の点で一致し、次のア及びイの点で相違するものと認められる。
　
　ア　本願発明は、第１及び第２のチタンタングステン層が「約６０モル％から約７０モル％までの間のチタンを含む」ものであり、窒化チタンタングステン層が「約３０モル％から約４５モル％までの間のチタンを含む」ものであるのに対し、引用発明の「ガ−ド金属層１０９ｂ」におけるＴｉの含有量が不明な点（以下「相違点１」という。）。
　
　イ　本願発明は、「前記チタン含有層の全厚は、この発光ダイオード構造の他の部分への前記反射金属の移行または拡散を防止するのに充分な厚さであるが、生じる応力が前記チタン含有層における離層および関連する構造上の問題を促進する厚さ未満である」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点（以下「相違点２」という。）。
　
６　判断
（１）相違点１について
　引用発明のガ−ド金属層１０９ｂのＴｉＷ、ＴｉＷ：Ｎについて、その組成をどの程度とするかは、当業者が設計上適宜に決定すべき事項というべきところ、チタンの量について、上記相違点１に係る本願発明の範囲内とすることに格別の困難は認められず、かかる範囲内のものとしたことにより格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　この点について、請求人は、審判請求書において、相違点１に係るモル百分率は、当業者であれば適宜設計可能な数値ではなく、種々の百分率のチタンを含む具体的デバイスについて、意図する効果が実際に得られるかどうかを実験により検証し、その結果、特許請求の範囲に記載されたモル百分率の３つの層からなるバリア層であれば、所期の作用効果を奏することができることを、初めて発見したものである旨主張をするが、本願明細書には、かかる主張を裏付ける記載は見当たらず、同主張は、本願明細書の記載に基づかないものであって、採用できない。
　
（２）相違点２について
　本願明細書の「バリヤー層１５、１６および１７は、ダイオード１０の他の部分中への反射金属の移行または拡散を防止するのに充分であるが、生じる応力によって、チタン含有層１５、１６および１７における離層および関連の構造問題が促進されると考えられる厚さは下回っている全厚を有する。半導体および関連の薄い材料のエピタキシャル層の成長に精通している当業者は、バリヤー層のみが意図される目的を達成するのに充分に厚いことが必要であることを理解している。バリヤーが移行を防止するのに充分に厚い状態で、層厚を増加させると、バリヤーとして追加される利益は全く無く、各々の層内で物理的応力が増加する傾向がある。」（［００２８］）との記載に照らして、相違点２に係る本願発明の構成は、チタン含有層の全厚を、反射金属の移行または拡散を防止するのに充分な厚さ以上とすることは無用であることをいうにとどまるものと解されるところである。
　そして、引用発明において、ガ−ド金属層１０９ｂが、その保護機能を奏するために必要な程度以上に厚すぎても無駄であることは、当業者に明らかであるから、保護機能を奏するために必要な程度の厚さとすることは、当業者が当然考慮することである。
　すなわち、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が当然考慮することというべきである。
　　　
７　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。