【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルを受け取るように配列されたサンプル・ホルダと、前記サンプルに放射線を照射するための光軸に沿って第１の電気荷電粒子の主ビームを生成するように配列された粒子源と、照射によって前記サンプルから生ずる電子信号を検出するように配列された、開口を有する第１の検出器と、少なくとも前記サンプル・ホルダと前記第１の検出器で形成された検出スペースと、前記主ビームを前記サンプル・ホルダの近くに集束させるための磁界を供給するように配列された液浸レンズと、を備える粒子−光装置であって、前記第１の検出器は前記検出スペースに電界を供給するように配列され、前記検出スペースはガスを含み、前記第１の検出器および前記液浸レンズは、前記電界が前記磁界Ｂに対して横向きになった成分Ｅを含んでおり、
【数１】
2005539359.tif 000001
が前記ガスのイオン化エネルギーよりも大きく、ｍが電子の質量であり、ｑが電子の電荷であり、サンプルからの電子信号のマグネトロン増幅を実現する増幅領域で動作する第１の部分を前記検出スペースが備えて、前記電界および前記磁界を供給するように配列されている粒子−光装置。
【請求項２】
前記第１の検出器および前記液浸レンズは、さらに、前記電界と前記磁界が平行になっている第２の部分を前記検出スペースが備えて、前記電界および前記磁界を供給するように配列されている請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項３】
前記第１の検出器は、前記電界を供給しかつ前記電子信号を検出するように配列された第１の電極を備え、さらに、前記開口は、前記光軸のまわりに対称的に形成された中央開口部を備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項４】
前記第１の検出器は、前記電界を供給しかつ前記電子信号を検出するように配列された第１の電極を備え、さらに、前記開口は、前記光軸のまわりに対称的に形成された中央開口部を備える請求項２に記載の粒子−光装置。
【請求項５】
前記ガスと前記電子の間の相互作用によって前記ガス中に解放されたイオンを集めるように配列されたイオン収集器をさらに備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項６】
前記ガスと前記電子の間の相互作用によって前記ガス中に解放された、イオンのような第２の荷電粒子を検出するように配列された第２の検出器をさらに備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項７】
前記第２の検出器が第２の電極を備え、前記第２の電極が前記サンプルと前記第１の検出器の間に位置し、さらに前記第２の電極が前記光軸のまわりに対称的に配置された中心開口部を備える請求項６に記載の粒子−光装置。
【請求項８】
前記サンプル・ホルダが第３の検出器を備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項９】
前記ガスと前記電子の間の相互作用の結果として形成された光子を検出するように配列された検出器をさらに備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１０】
前記検出スペース中の前記電界に影響を及ぼすために、前記サンプルを電気的にバイアスするように配列された手段をさらに備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１１】
荷電粒子を検出しかつこの検出に基づいて信号を供給するように配列された複数のさらに他の検出器と、前記複数のさらに他の検出器および前記第１の検出器のうちのどれか１つまたは複数によって供給された少なくとも２つの信号の組合せで構成される出力信号を供給する手段とをさらに備える請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１２】
前記電界の前記横向きの成分は、組み合わせられた磁気ペニング増幅およびマグネトロン増幅を実現する増幅領域で動作する請求項２に記載の粒子−光装置。
【請求項１３】
４００Ｖ未満の陽極電圧において、ガス増幅が１０００よりも大きい請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１４】
前記ガス増幅が５０００よりも大きい請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１５】
前記ガス増幅が１００００よりも大きい請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項１６】
サンプルを受け取るように配列されたサンプル・ホルダと、前記サンプルに放射線を照射するための光軸に沿って第１の電気荷電粒子の主ビームを生成するように配列された粒子源と、少なくとも前記サンプル・ホルダと前記第１の検出器で形成された検出スペースと、前記主ビームを前記サンプル・ホルダの近くに集束させるための磁界を供給するように配列された液浸レンズと、を備える粒子−光装置で前記第１の検出器として使用するための、リング状電極および増幅器を備える検出器であって、前記第１の検出器は、前記検出スペースに電界を供給しかつ前記照射によって前記サンプルから生ずる電子信号を検出するように配列され、さらに、前記検出スペースは、前記サンプルから生じるガスを増幅するためのガスを含むように配列され、前記第１の検出器および前記液浸レンズは、前記電界の成分Ｅが前記磁界Ｂに対して横向きになっており、数１が前記ガスのイオン化エネルギーよりも大きく、ｍが電子の質量であり、ｑが電子の電荷であり、サンプルからの電子信号のマグネトロン増幅を実現する増幅領域で動作する第１の部分を前記検出スペースが備え、前記電界および前記磁界を供給するように配列されている検出器。
【請求項１７】
粒子−光装置で電子信号を検出する方法であって、サンプルが荷電粒子の主ビームを照射されそして前記照射によって前記サンプルから二次電子が解放され、前記二次電子が検出器の方に加速されそして検出スペースが少なくとも前記検出器および前記サンプルによって形成されており、前記検出スペースはガスを含み、さらに、液浸レンズは前記検出スペースに磁界を供給し、電界および前記磁界は、前記電界の成分Ｅが前記磁界Ｂに対して横向きになっており、数１が前記ガスのイオン化エネルギーよりも大きく、ｍが電子の質量であり、ｑが電子の電荷であり、サンプルからの電子信号のマグネトロン増幅を実現する増幅領域で動作する部分を前記検出スペースが少なくとも備えるように供給される方法。
【請求項１８】
ペニング効果を用いるガス増幅のために前記電界が前記磁界に平行な成分を含む部分を前記検出スペースが少なくとも備える請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくともいくつかの二次電子あるいは娘電子が、ガス分子と衝突する前に電極に衝突しないような電子の運動を前記電界あるいは磁界が作り出す請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記電界が、開口の内部で実質的に放射状に向いている成分を含んでいる請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項２１】
前記電界が、開口内部の領域内において実質的に放射状の成分を含んでおり、前記開口の上下の領域内部光軸に対して実質的に平行な成分を含んでいる請求項２に記載の粒子−光装置。
【請求項２２】
前記第一の検出器が、電界を供給し前記電子信号を検出するように配列された第一の電極を含んでおり、前記サンプルからの実質的な電子および娘電子が、ガス分子との衝突によってエネルギーを損失するまで第一の電極と衝突することなく、前記検出スペース内でサイクロイド運動を維持することにより、特に低ガス圧においてガス増幅を増加させる請求項１に記載の粒子−光装置。
【請求項２３】
電気荷電粒子の主ビームを生成し、かつサンプルに放射線を照射するための光軸に沿って前記主ビームを向けるよう配列された粒子源と、
前記照射によって前記サンプルから生じ、かつガスによって増幅された電子信号を検出するように配列された第１の検出器と、
イオン化用のガスを含み、かつ、磁界および数１が前記ガスのイオン化エネルギーよりも大きく、ｍが電子の質量であり、ｑが電子の電荷であり、Ｂが前記磁界の軸方向成分であるような、前記磁界に対して横向きの成分Ｅを有する電界を第一の領域が備える増幅スペースであって、前記増幅スペースは、前記磁界に平行な成分を前記電界が含んでいる第二の領域と、ペニングおよびマグネトロン効果の組み合わせによってガスを増幅する装置をさらに備えている粒子−光装置。
【請求項２４】
前記サンプルと前記粒子源との間に位置した第１の極を有する磁気液浸レンズをさらに備えて前記磁界を供給する装置であって、
前記サンプルと前記第１の極との間に位置して開口を有する電極を備える前記第１の検出器と、
前記サンプルと前記第１の極との間に位置する増幅スペースであって、前記磁気液浸レンズが開口内部で磁界を供給し、前記電極が前記磁界を供給する増幅スペースと、
を備える請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記電極は前記サンプルと前記第１の極に相対した正電位に保たれて、前記磁界を供給する請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
４００Ｖ未満の陽極電圧においてガス増幅が１０００より大きい請求項２４に記載の粒子−光装置。
【請求項２７】
電気荷電粒子の主ビームを生成し、かつサンプルに放射線を照射するための光軸に沿って前記主ビームを向けるよう配列された粒子源と、
前記サンプルと前記粒子源との間に位置する第１の極を有する磁気液浸レンズと、
前記照射によって前記サンプルから生じ、かつガスによって増幅された電子信号を検出するように配列された第１の検出器であって、開口を有し、かつ前記サンプルおよび前記第１の極に対して正電位に維持されている第１の検出器と、
前記サンプルと前記第１の極との間の増幅スペースであって、前記増幅スペースはイオン化用のガスを含み、前記液浸レンズが開口内部で磁界を供給し、開口の領域内において実質的に放射状に方向付けられている磁界を供給し、第２の領域内の磁界に対して平行な成分を有する電界を供給し、前記電界と磁界の組み合わせが３５０Ｖ未満の陽極電圧において５００より大きいガス増幅を供給する粒子−光装置。
【請求項２８】
４００Ｖ未満の陽極電圧において、ガス増幅が１０００より大きい請求項２７に記載の粒子−光装置。