【事件の表示】
　特願２００３−５４４８０１「積層構造物」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２２日国際公開、ＷＯ０３／４３０６６、平成１７年　４月１４日国内公表、特表２００５−５１００５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００２年１１月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１１月１３日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１２月１４日に手続補正がなされ、平成２２年３月９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１２月１４日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　互いに接触している少なくとも２つの層であって、各々の層はダイヤモンドでできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層を有する生成物を製造する方法において、
　(i) ダイヤモンドでできた基体であって、表面と、特定の特性を持つ該表面付近の領域とを有する該基体を与える工程、
　(ii) 前記表面を通して前記基体にイオン注入を行って、その表面の下に損傷層を形成する工程、
　(iii) イオン注入が起こった前記基体の表面の少なくとも一部分の上に、ホウ素をドープしたダイヤモンドでできた層を、化学蒸着によって成長させる工程であって、該成長した層のダイヤモンドが、該イオン注入が起こった前記基体の表面の付近の基体領域の特性と相違する特性を有する該工程、及び
　(iv) 前記損傷層を通じて、前記基体を切り離すことによって、ホウ素をドープしたダイヤモンド層よりも薄いダイヤモンド層を製造する工程、
を包含する、上記製造方法。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に外国において頒布された米国特許第５５８７２１０号明細書（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「This invention generally pertains to diamonds and more particularly to a product and a process for growing and releasing diamonds from a diamond substrate.」（第１欄第５〜７行）
「この発明は、一般にダイヤモンドに関し、より特定的にはダイヤモンド基板にダイヤモンドを成長し、分離するための方法、およびその生成物に関する。」（翻訳文は当審が作成。以下同様）
　
「These and other objects of this invention are realized by ion implanting a diamond substrate to provide non-diamond carbon within the diamond substrate, growing a diamond on the diamond substrate, and electrochemically etching the non-diamond carbon to separate the grown diamond along the non-diamond carbon.」（第１欄第４４〜４９行）
「この発明のこれらの目的やその他の目的は、ダイヤモンド基板内に非ダイヤモンドの炭素を生成するためにダイヤモンド基板にイオン注入し、ダイヤモンド基板上にダイヤモンドを成長し、非ダイヤモンドの炭素に沿って、成長したダイヤモンドを分離するために、非ダイヤモンドの炭素を電気化学的にエッチングすることによって達成される。」
　
「Before ion implantation of the diamond substrate to create a non-diamond carbon layer below the top surface of the diamond substrate, the diamond substrate can be doped by ion implantation with suitable atoms to create n-type and p-type semiconductors, although considerable lattice damage takes place when the impurity atoms are introduced into a diamond structure. 」（第１欄第５４〜６０行）
「ダイヤモンド基板の表面の下方に非ダイヤモンドの炭素層を形成するためにダイヤモンド基板へのイオン注入する前に、ｎ型とｐ型半導体を形成するためにダイヤモンド基板に適切な原子をイオン注入することができる。しかし、ダイヤモンド構造に不純物原子が注入されると相当な格子損傷を生じるが。」
　
「The step of forming a damaged layer of non-diamond carbon in the diamond substrate, preferably single crystal diamond, can be carried out by conventional ion implantation. Provision of the damaged layer of the non-diamond carbon in the substrate is done in such a way that the damaged layer is below the diamond cap layer or below the top surface of the substrate. 」（第２欄第８〜１４行）
「ダイヤモンド基板、好ましくは単結晶ダイヤモンド中に、非ダイヤモンドの炭素の損傷層を形成するステップは、従来のイオン注入によって行なうことができる。基板中の非ダイヤモンドの炭素の損傷層は、ダイヤモンドキャップ層の下方、あるいは基板表面の下方にあるように形成される。」
　
「Ions which can be considered for implantation herein include carbon, arsenic, argon, aluminum, phosphorus, antimony, boron, nitrogen, oxygen, beryllium, selenium, silicon, sulfur, tellurium and zinc; especially carbon and argon.」（第２欄第３２〜３５行）
「ここで、注入するために考えられるイオンには、炭素、ヒ素、アルゴン、アルミニウム、燐、アンチモン、ホウ素、窒素、酸素、ベリリウム、セレン、シリコン、硫黄、テルルおよび亜鉛が含まれる。」
　
「After ion implantation of a diamond substrate, diamond can then be grown on top surface of the substrate by conventional vapor deposition. 」（第３欄第３１〜３３行）
「ダイヤモンド基板へのイオン注入の後、従来の気相成長によって、ダイヤモンドを基板の表面上で成長させることができる。」
　
「The minimum thickness of the deposited diamond layer on diamond substrate can theoretically be monolayer and up to a maximum of any thickness desired. For practical reasons, however, the thickness of the grown diamond layer is typically in the approximate range of 50-100,000 nm, more typically 100-10,000 nm. 」
「ダイヤモンド基板上に堆積されたダイヤモンド層の最小厚さは、理論的には、単層から望まれる最大の厚さまでであり得る。しかしながら、実用的な理由からは、成長したダイヤモンドの層の厚さは、典型的には、約５０−１００，０００ｎｍの範囲、さらに典型的には、１００−１０，０００ｎｍである。」（第４欄第１２〜１７行）
　
「Separation of the diamond grown on the substrate along the damaged path created by the non-diamond carbon disposed some distance below the top surface of the substrate is typically effected by non-contact electrochemical etching which dissolves or disintegrates the non-diamond carbon layer under influence of an electric field. 」（第４欄第３６〜４１行）
「基板表面の下方のある距離のところに位置する非ダイヤモンドの炭素によって形成された損傷したパスに沿っての、基板上に成長されたダイヤモンドの分離は、典型的には、電界の影響の下で非ダイヤモンドの炭素層を溶かすか分解することによる非接触の電気化学エッチングにより達成される。」
　
「This example demonstrates preparation of a diamond product comprising the steps of ion implanting a diamond substrate with carbon ions to create a layer of non-diamond carbon or the damaged layer with a diamond cap layer above the non-diamond carbon layer and the rest of the diamond substrate below the non-diamond carbon layer. The step of ion implanting is followed by the steps of growing a diamond film on the substrate cap by CVD, and non-contact electrochemical etching of the diamond assembly in order to separate from the rest of the diamond substrate the grown diamond and the cap adhering thereto along the path of the non-diamond carbon.」（第５欄第６６行〜第６欄第１０行）
「この例は、非ダイヤモンドの炭素層あるいは非ダイヤモンドの炭素層上のダイヤモンドキャップ層を有する損傷層と、非ダイヤモンド炭素層の下方のダイヤモンド基板の残りの部分を形成するためにダイヤモンド基板に炭素イオンを注入するステップをからなるダイヤモンド生成物の製法を示す。イオン注入のステップの次に、ＣＶＤにより基板キャップの上にダイヤモンド薄膜を成長させ、ダイオモンド基板の残りの部分から非ダイヤモンド炭素のパスに沿って、成長したダイヤモンドとそれに密着したキャップを分離するための、ダイヤモンドの集合体を非接触で電気化学エッチングするステップが続く。」
　
「Ion implantation produced a layer of 50 nm of non-diamond carbon i.e., black damaged layer below the top surface of each substrate which layer extended from one end of the substrate to the opposite, parallel to the top surface. There was 50 nm thick diamond cap layer above the non-diamond carbon layer.」（第６欄第１９〜２５行）
「イオン注入により、５０ｎｍの非ダイヤモンドの炭素層、すなわち、表面と平行に基板の一端から他方端へと延びる各基板の表面の下方に黒い損傷層を形成した。非ダイヤモンドの炭素層の上には、厚さ５０ｎｍのダイヤモンドキャップ層が存在した。」
　
（３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型とｐ型半導体を形成するためにダイヤモンド基板に適切な原子をイオン注入し、
ダイヤモンド基板にイオン注入することによって、基板表面の下方に、非ダイヤモンドの炭素の損傷層を形成するとともに、その上に厚さ５０ｎｍのダイヤモンドキャップ層を形成し、
ダイヤモンド基板へのイオン注入の後、従来の気相成長によって、厚さ１００−１０，０００ｎｍのダイヤモンドを基板の表面上に成長し、
基板表面の下方のある距離のところに位置する非ダイヤモンドの炭素によって形成された損傷したパスに沿って、基板上に成長されたダイヤモンドとそれに密着したダイヤモンドキャップ層を分離する、
ダイヤモンド基板にダイヤモンドを成長し、分離するための方法。」
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「ダイヤモンド基板」は、本願発明の「ダイヤモンドでできた基体」に相当する。そして、刊行物発明の「ダイヤモンド基板」は、表面を持つこと、及び該表面付近の領域が何らかの特定の特性を有していることは明らかである。
　
（４−２）刊行物発明の「ダイヤモンド基板にイオン注入することによって、基板表面の下方に、非ダイヤモンドの炭素の損傷層を形成する」ことは、本願発明の「表面を通して」「基体にイオン注入を行って、その表面の下に損傷層を形成する工程」に相当する。
　
（４−３）刊行物発明の「ダイヤモンド基板へのイオン注入の後、従来の気相成長によって、」「ダイヤモンドを基板の表面上で成長」することは、本願発明の「イオン注入が起こった」「基体の表面の少なくとも一部分の上に、」「ダイヤモンドでできた層を、化学蒸着によって成長させる工程」に相当する。
　
（４−４）刊行物発明の「厚さ１００−１０，０００ｎｍのダイヤモンド」と、本願発明の「ホウ素をドーピングしたダイヤモンド層」とは、成長させたダイヤモンド層である点で一致する。また、刊行物発明において、「基板表面の下方のある距離のところに位置する非ダイヤモンドの炭素によって形成された損傷したパスに沿って、基板上に成長されたダイヤモンドとそれに密着したダイヤモンドキャップ層を分離する」と、「分離された」「ダイヤモンド」及び「密着したダイヤモンドキャップ層」の厚さは、各々「１００−１０，０００ｎｍ」及び「５０ｎｍ」になることは明らかである。
　
（４−５）刊行物発明の「基板表面の下方のある距離のところに位置する非ダイヤモンドの炭素によって形成された損傷したパスに沿って」「分離」された「基板上に成長されたダイヤモンドとそれに密着したダイヤモンドキャップ層」は、本願発明の「各々の層」が「ダイヤモンドでできており、」「互いに接触している少なくとも２つの層」に相当する。
　
（４−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「互いに接触している少なくとも２つの層であって、各々の層はダイヤモンドでできており、前記少なくとも２つの層を有する生成物を製造する方法において、
　(i) ダイヤモンドでできた基体であって、表面と、特定の特性を持つ該表面付近の領域とを有する該基体を与える工程、
　(ii) 前記表面を通して前記基体にイオン注入を行って、その表面の下に損傷層を形成する工程、
　(iii) イオン注入が起こった前記基体の表面の少なくとも一部分の上に、ダイヤモンドでできた層を、化学蒸着によって成長させる工程、及び
　(iv) 前記損傷層を通じて、前記基体を切り離すことによって、成長させたダイヤモンド層よりも薄いダイヤモンド層を製造する工程、
を包含する、上記製造方法。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「ダイヤモンドでできて」いる「互いに接触している少なくとも２つの層」の「各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している」のに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「イオン注入が起こった」「基体の表面の少なくとも一部分の上に、ホウ素をドープしたダイヤモンドでできた層を、化学蒸着によって成長させる」のに対して、刊行物発明では、「気相成長によって、」「基板の表面上に成長」された「ダイヤモンド」にホウ素がドープされているとの特定がなされていない点。
　
（相違点３）本願発明では、「成長した層のダイヤモンドが、」「基体の表面の付近の基体領域の特性と相違する特性を有する」のに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
５．判断
（５−１）相違点１〜３は、相互に関連しているので、まとめて検討する。
　
　引用刊行物には、刊行物発明に係る方法により、具体的にどのような物を製造するのかが記載されていないが、引用刊行物の「ダイヤモンド基板の表面の下方に非ダイヤモンドの炭素層を形成するためにダイヤモンド基板へのイオン注入する前に、ｎ型とｐ型半導体を形成するためにダイヤモンド基板に適切な原子をイオン注入することができる。」（第１欄第５４〜５８行）という記載から、刊行物発明によって製造された物は、ｎ型とｐ型の半導体を有すること、同じく引用刊行物の「この発明は、一般にダイヤモンドに関し、より特定的にはダイヤモンド基板にダイヤモンドを成長し、分離するための方法、およびその生成物に関する。」（第１欄第５〜７行）という記載において、当該「生成物」には半導体装置が含まれ得ることを考えると、刊行物発明に係る方法を、半導体装置を製造する方法に適用することは、当業者にとって容易になし得たことと認められる。
　そして、半導体装置において、ＰＮ接合は極めて良く用いられる構造であるから、刊行物発明において、「基板」と「基板上に成長されたダイヤモンド」の一方をＰ型とし、他方をＮ型とすることによりＰＮ接合を実現することは、引用刊行物に触れた当業者であれば、容易に想到し得たことである。
  その場合において、「基板」又は「基板上に成長されたダイヤモンド」のどちらをＰ型あるいはＮ型とするかは、当業者が適宜選択し得ることであるから、「基板」をＮ型とし、「基板上に成長されたダイヤモンド」をＰ型とすることは、当業者が適宜なし得たことである。そして、「基板上に成長されたダイヤモンド」をＰ型とする手段として、化学気相成長によって、Ｐ型不純物であるホウ素をドープしたダイヤモンド層を基板上に成長させることは、以下の周知例１、２に記載されているように、従来から周知である。
　
（ア）周知例１
　特開平７−６９７９５号公報には、以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放電加工を利用したダイヤモンドの製造方法、特に大型の単結晶ダイヤモンドの製造方法に関するものである。」
「【００１３】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）本実施例においては、天然ＩＩａ型ダイヤモンド単結晶から、スライスし、研磨したものを基板として用いた。基板面方位は｛１１１｝であり大きさは５ｍｍ
×５ｍｍ×１ｍｍである。この上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法によりメタン濃度１．０％のメタン／水素系導入ガスを使用し、基板温度８００℃で、６００μｍの厚さのＢ（硼素）ドープダイヤモンドを成長させた。成長面を機械研磨した後に、放電加工により基板と気相合成ダイヤモンドを分離した。このときの切りしろは２００μｍであった。これにより５ｍｍ×５ｍｍ×４００μｍのＢドープダイヤモンドの薄板を得ることができた。得られた薄板はＸ線回折により単結晶ダイヤモンドであることが確認された。また、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）により、Ｂ（硼素）以外の不純物を含まないことがわかった。切り離した基板はそのまま再使用が可能であった。」
　
（イ）周知例２
　特開平４−２４０７８４号公報には、図１とともに、以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電圧の印加によって紫外線領域で発光する発光素子に関するものである。」
「【００２２】
【実施例】（実施例　１）　図１は本発明の実施例に係るダイヤモンド発光素子の断面図を示す。これはＩｂ型単結晶ダイヤモンド基板１の上に、ボロン添加ダイヤモンド膜２、ノンド−プダイヤモンド膜３、リン添加ダイヤモンド膜４を成長させ、ボロン添加ダイヤモンド膜２とリン添加ダイヤモンド膜４の上にＴｉ電極５を形成したものである。製法を述べる。○１（当審注：丸付き数字をこのように記載する。以下同様）　単結晶ダイヤモンド基板１の上にｐ型の低抵抗層として高濃度にボロンを添加したダイヤモンド膜２をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により成長させた。成長条件は以下の通りである。
原料ガス
メタン濃度( ＣＨ4 ／Ｈ2 ）　６％
ボロン濃度（Ｂ2 Ｈ6 ／ＣＨ4 ）　３００ｐｐｍ　
圧力　４０Ｔｏｒｒ
マイクロ波パワ−　４００Ｗ　　　
Ｂ添加ダイヤモンド層の厚み　０．５μｍ　　
【００２３】○２　次に発光層としてのノンド−プ高品質のダイヤモンド膜３をマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって形成した。成長条件は以下の通りである。
原料ガス
メタン濃度（ＣＨ4 ／Ｈ2 ）　１０％
酸素濃度　（Ｏ2 ／Ｈ2 ）　５％
圧力　４０Ｔｏｒｒ
マイクロ波パワ−　４００Ｗ　
ノンド−プダイヤモンド膜厚　０．７μｍ
【００２４】○３　さらにその上にリンを添加したｎ型のダイヤモンド膜４を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法で形成した。その条件は次のようである。
原料ガス
メタン濃度（ＣＨ4 ／Ｈ2 ）　６％
リン濃度（ＰＨ3 ／ＣＨ4 ）　５０ｐｐｍ　
圧力　４０Ｔｏｒｒ
マイクロ波パワ−　４００Ｗ
リン添加ダイヤモンド層膜厚　０．２μｍ
【００２５】○４　図１のようにノンド−プダイヤモンド膜３とリン添加ダイヤモンド膜４の一部をエッチングし、ボロン添加ダイヤモンド膜２とリン添加ダイヤモンド膜４の
上にＴｉ電極５を電子ビ−ム蒸着法により約０．２μｍの厚さに形成した。」
　
　そうすると、刊行物発明に対して上記周知の技術を適用して、Ｎ型の「ダイヤモンド基板」上に、「気相成長によって、」ホウ素をドープした「ダイヤモンドを基板の表面上に成長」させること、すなわち、本願発明のように、「ダイヤモンドでできて」いる「互いに接触している少なくとも２つの層」の「各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違して」おり、「イオン注入が起こった」「基体の表面の少なくとも一部分の上に、ホウ素をドープしたダイヤモンドでできた層を、化学蒸着によって成長させ」、「成長した層のダイヤモンドが、」「基体の表面の付近の基体領域の特性と相違する特性を有する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点１〜３は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。