【事件の表示】
　特願２００４−５２１５２５「トレンチ型ショットキ・バリア・ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日国際公開、ＷＯ２００４／００８５２９、平成１７年１０月２７日国内公表、特表２００５−５３２６９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００３年７月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年７月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年３月７日に翻訳文が提出され、平成２０年４月２１日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年５月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１７日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、平成２３年１月１９日付けでなされた当審よりの審尋に対して、同年７月２１日に回答書が提出されたものである。
　そして、平成２３年９月２０日付けの当審よりの拒絶理由通知に対して、平成２４年３月２７日に意見書及び誤訳訂正書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項１７に係る発明は、平成２４年３月２７日に提出された誤訳訂正書により誤訳訂正及び補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１７に記載されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に、窒化膜を直に形成する工程と、
　前記窒化膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程と、
　前記ウィンドーを介してエッチングを行い、前記シリコン基板の表面から内部に向かって下方に延びる、互いに離間した複数のトレンチを形成する工程と、
　犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程と、
　前記互いに離間した複数のトレンチを、第２の導電型をもつ導電体によって充填する工程と、
　前記導電体の頂面が前記シリコン基板の前記表面より下になるように、前記導電体のエッチングを行うことにより、前記シリコン基板の前記表面から前記導電体を除去する工程と、を含むことを特徴とするトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置の製造方法。」
　
２．当審の拒絶理由
　平成２３年９月２０日付けで当審から通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．この出願は、明細書の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項、第６項第１号及び２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　記　（引用刊行物（以下「引用例」という。）については引用例一覧参照）
　
・理由１
・請求項１
・引用例１、２
・備考
　……（中略）……
（３）したがって、相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　……（中略）……
 ＜引用例一覧＞ 
１．特開２００２−０５０７７３号公報
２．特開平０５−２８３５１８号公報
３．国際公開第０１／５７９１５号
４．米国特許第６,０７８,０９０号明細書」
　
３．引用例の表示
　　引用例１：特開２００２−０５０７７３号公報
　　引用例２：特開平０５−２８３５１８号公報
　
４．引用例１の記載、引用発明、引用例２の記載
４−１．引用例１の記載
　当審の拒絶理由通知で「引用例１」として引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−０５０７７３号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付した。以下、他の刊行物についても同様。）。
　
　　ア．発明の属する分野
・「【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は半導体装置、特にショットキバリアダイオードの構造に関する
　
　　イ．従来の技術
・「【０００２】
【従来の技術】ショットキバリアダイオードSBDは順方向電圧が低くスイッチング速度が速い反面、逆方向漏れ電流が大きく、逆方向降伏電圧が低いと言う欠点がある。又、ショットキダイオードの順方向電圧（ＶＦ）と逆方向電流（JR）にはトレードオフの関係がある事が知られている。ＶＦとＪＲはショットキダイオードの損失の原因であるため、トレードオフ関係を改善する為に種々の構造が提案されてきた。図１１（ａ）〜（ｄ）は夫々従来構造を示す。図１１（ａ）は一般的なショットキダイオードの構造を示す。メタルとシリコンの間には、金属と半導体の仕事関数の差によって約0.5〜0.7eVのショットキバリアが生じる。逆バイアス印加時の漏れ電流は、熱電子電流と呼び、バリア高さによって決まっている。逆バイアスの増加に伴い、バリア高さは鏡像力によって低くなる為、バリアを超える熱電子電流は増加し、漏れ電流は徐々に増加する。ショットキダイオードの順電圧はショットキバリアの高さとチャネル抵抗によって決まっている。チャネル抵抗を低減し、耐圧を落さず、漏れ電流が増加しないよう工夫すれば、VＦ−JＲトレードオフを低減できる。」
　
　　ウ．発明が解決しようとする課題
・「【０００６】
【発明が解決すべき課題】この発明が解決しようとする課題は次の通りである。従来のショットキダイオードはVＦ−JＲトレードオフがあり、これを改善する事はできないとされていた。これに対し、JBSや超接合型構造のように、電界を緩和し耐圧を高める事でチャネル抵抗を低減しVＦ−JＲトレードオフを改善する素子では、周辺部で耐圧が制限されてしまうため、これを防ぐために周辺部に深いガードリング拡散をおこなう必要があった。また、従来のトレンチMOSショットキダイオードは、濃度分布に傾斜を持たせなくては高い耐圧が得られなかった。本発明は、ガードリング拡散をおこなう事無く周辺部の耐圧を改善する事ができ、濃度分布を傾斜させる事無く100Vを超える高い耐圧が得られ、VＦ−JＲトレードオフを改善する事ができるショットキダイオードを提供する。」
　
　　エ．課題を解決するための手段
・「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため請求項１の発明は、
一導電型の第一半導体層と、該第一半導体層より低不純物濃度の一導電型の第二半導体層とを積層して成る半導体基板
該第二半導体層表面と該ポリシリコン表面に連接して形成されたショットキー金属層を備えた
　
　　オ．実施例
・「【０００８】
【実施の態様】図１、図２は本発明の一実施例を示す正面図及び同図A−A’断面図で、図中６は一導電型の半導体基体、５は該基体１上に積層された低不純物濃度の一導電型の導電層（エピ層）、
T
１
〜T
ｎ
は該導電層５に形成されたトレンチ部で、夫々所定の巾S、深さｄ、間隔ｗをもって配設されている
【０００９】次に８は夫々トレンチ部の内壁に形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、１０は該酸化膜上に充填されたポリシリコン、１はショットキ金属層、３は最外郭のトレンチ部Tｎに囲まれた半導体層５に形成された逆導電型の半導体層（Ｐ＋）である。
【００１０】この構造によれば、周辺部は、酸化膜厚が750nm以上に厚く、トレンチ側壁酸化膜とフィールドプレートが連続した構造になっており、フィールドプレートにトレンチ底と同じ電圧が印加される。フィールドプレートの直下の半導体には電圧はほとんど印加されない。したがって、フィールドプレート直下で降伏は生じない。幅の狭いシリコンメサで周辺を取り囲む事で、周辺部の耐圧を、内側より高くする事ができる。シリコンメサの表面には、薄いP＋３を拡散しPN接合を作っても良い。この処理をする事により、表面からの熱電子電流をカットし、周辺部の漏れ電流を小さくする事ができる。P＋の深さは薄くしないと、P＋を拡散した部分がショットキ接合部より耐圧が低くなってしまう。メサ幅を狭くする事により、ピンチオフを増加し耐圧を高める事ができる。又、シリコンメサ部２はリング構造となっている。リングに垂直の断面は全て同じ構造になっており、チャネル内部の電界分布は任意の垂直断面で同じである為、耐圧は任意の位置で一定である。」
・「【００１３】図９は本発明の他の実施例構造を示すもので環状トレンチ部を全て直線を構成したストライプ型としたものでこれによっても同様に効果が得られ、更に漏れ電流が少ないことが確認された。」
・「【００１４】図１０は
本発明のショットキバリアダイオードの製法
先ずシリコンを酸化し、その上にLPCVD等の手段によってSi
３
N
４
膜を堆積する。Si
３
N
４
膜を写真によってパターニングし、フィールド酸化膜として残す部分を決定し、全面にPSGを堆積する。SiO
２
/Si
３
N
４
/PSG複合膜が得られる。
積層マスクの目的は
トレンチエッチの為のハードマスク
トレンチ側壁と周辺SiO
２
膜との選択酸化である
【００１５】
次に写真によってこの複合膜をパターニングし、これをハードマスクとしてトレンチエッチをおこなう。トレンチの深さは、6μm〜7μmである。
トレンチエッチの後、PエッチによってPSG膜のみを選択除去する
【００１６】
トレンチエッチの後、ケミカルドライエッチ（CDE）等の装置によりトレンチ底部の角を丸める。
この後、7000〜8000Åの厚いSiO
２
膜をトレンチ側壁に形成する。Si
３
N
４
膜が無いとショットキ表面に厚いSiO
２
膜が形成される。SiO
２
膜が形成されないよう、事前にショットキ表面にSi
３
N
４
膜を堆積してある。また、表面に酸化膜が露出する面積をできるだけ小さくする為に窒化膜を堆積してある。選択酸化の後、Si
３
N
４
膜をCDEでエッチングした。
【００１７】引き続き、縦型LPCVDによりポリシリコンを埋め込み、ポリシリコンのエッチバックをおこなう。
側壁酸化後、トレンチ内に導電性のポリシリコンを充填する。
ポリシリコンは、縦形LP-CVD装置により、ボロンドープポリシリコンを堆積した。
堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化し、ショットキ面を露出させる。ポリシリコンのエッチバックにはCDEを用いた。
エッチバックによって、ポリシリコン面に約1.0μm弱の窪みが生じる
【００１８】
次にSi
３
N
４
膜及びSiO
２
膜除去の後表面にショットキバリアメタル１を堆積する
　
　　カ．効果
・「【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明によれば逆方向電圧が高く、かつ逆方向漏れ電流の少ないダイオードが提供でき実用上の効果は大きい。」
　
　　キ．図面
・「本発明の一実施例（断面図）」（「【図面の簡単な説明】」）を図示する図２には、ｎ＋の半導体層とｎ型の半導体層とを積層してなる半導体基板の、前記ｎ型の半導体層に複数のトレンチ部が形成されていることが、開示されている。
・同図から、「トレンチＴは底の角を丸くし、又、酸化膜８は周辺部フィールドプレートに連続している。基板及びトレンチ上面を平坦化」し「てショッキー金属層１を接合させる。最外側のトレンチ間に薄いｐ＋拡散層を形成する。」という、引用例１の第１頁左下欄第１０〜１４行に記載された態様が、見て取れる。
・「本発明実施例の製造工程断面図」（「【図面の簡単な説明】」）を図示する図１０には、半導体基板上に、複数のトレンチ構造を同時に形成することが、開示されている。
　
４−２．引用発明
　前記オの段落【００１７】に、図１０（ｃ）を説明して、「堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化し、ショットキ面を露出させる。」と記載されている。しかし、図１０（ｃ）には、ｎ型のシリコン層の表面に形成されたＳｉＯ２膜が露出していることが図示されているので、前記「ショットキ面を露出させる」とは、ショットキ面となるｎ型のシリコン層がそのまま露出することを意味するのではなく、ＳｉＯ２膜が形成されたショットキ面となるｎ型のシリコン層が露出することを意味することは、明らかである。
　また、前記オの段落【００１８】に、図１０（ｄ）を説明して、「次にSi３N４膜及びSiO２膜除去の後」と記載されている。しかし、前記オの段落【００１６】には「選択酸化の後、Si３N４膜をCDEでエッチングした。」と記載され、前記図１０（ｃ）には既にSi３N４膜は図示されていない。したがって、前記段落【００１８】の上記記載は、「次にSiO２膜除去の後」の誤記であることは、明らかである。
　
　したがって、ア〜キから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ｎ＋の半導体層とｎ型のシリコン層とを積層してなる半導体基板の、前記ｎ型のシリコン層の表面を酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積する工程と、
　前記ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜を、複数箇所のトレンチエッチの為のハードマスクにするため、写真によってパターニングする工程と、
　前記トレンチエッチを行い、夫々所定の巾、深さ、間隔をもって配設されている複数のトレンチを、前記ｎ型のシリコン層に形成する工程と、
　前記トレンチエッチの後、前記ＰＳＧ膜のみを選択除去し、また、ケミカルドライエッチにより前記トレンチの底部の角を丸める工程と、
　その後、前記Ｓｉ３Ｎ４膜を、ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする選択酸化に利用して、前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程と、
　前記選択酸化の後、前記Ｓｉ３Ｎ４膜をエッチングする工程と、
　引き続き、前記各トレンチ内に導電性のボロンドープポリシリコンを堆積・充填する工程と、
　前記堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化して、前記ＳｉＯ２膜が形成された前記ショットキ表面を露出させて、前記エッチバックによって、前記ポリシリコンの表面に約1.0μm弱の窪みを生じさせる工程と、
　前記ＳｉＯ２膜を除去した後に、前記ショットキ表面及び前記ポリシリコン表面にショットキバリアメタル１を堆積する工程と、
を含むことを特徴とするショットキバリアダイオードの製法。」
　
４−３．引用例２の記載
　当審の拒絶理由通知で「引用例２」として引用された、本願の本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０５−２８３５１８号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
　
　　ア．「【０００９】
【作用】上記のような発明において、耐酸化性被膜をマスクとしシリコン基板を酸化し第一のシリコン酸化膜を形成する際、図３に示すように、幅の狭い溝１０３ａには、第一のシリコン酸化膜１０３は薄く成長し凹部が残存する。また、幅の広い溝１０３ｂには、第一のシリコン酸化膜１０３は厚く成長し凹部をほぼ埋める。その後更に、シリコン基板全面に第二のシリコン酸化膜１０４を堆積させ、幅の狭い溝１０３ａ内の上記凹部を埋め込み、表面を平坦しシリコン基板をエッチバックするのでシリコン基板の素子分離領域となる多種の幅のフィ−ルド領域にシリコン酸化膜を完全に埋め込むことができる。」
　
　　イ．「【００１１】まず図１に示すように、
シリコン基板１０１上に薄い例えば約１０００〜２０００オングストロ−ム程度の厚さのシリコン窒化膜１０２を形成する。
リソグラフィ−技術を用いて耐酸化性被膜、例えばシリコン窒化膜１０２を所定のパタ−ンに形成する
図２に示すように、上記シリコン窒化膜１０２を用いて所望の深さまでシリコン基板１０１をエッチング、例えばスパッタエッチングして複数の溝、例えば幅の狭い溝１０３ａ
を形成する。具体的には、
シリコン窒化膜１０２及びシリコン基板１０１を反応性スパッタエッチングする。
次に図３に示すように、例えば、１ａｔｍ、１０００℃で５時間、酸素及び水蒸気雰囲気中で、シリコン基板を酸化させる。
シリコン窒化膜間の幅が小さいほど、即ち幅の狭い溝ほど第一の酸化膜の膜厚は小さい。
以上より、図３において、幅の狭い溝１０３ａには、第一のシリコン酸化膜１０３は薄く成長し凹部が残存する。
　
　　ウ．図３からは、シリコン窒化膜１０２の下のシリコン基板１０１上に、前記シリコン窒化膜１０２の下までシリコン酸化膜１０３が形成されていること、幅の狭い溝１０３ａにおいては、前記シリコン窒化膜１０２の下の前記シリコン基板１０２の当該幅の狭い溝１０３ａの側面に前記シリコン酸化膜１０３が成長していることが、開示されている。
　
５．対比
５−１．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア．引用発明の「ｎ＋の半導体層とｎ型のシリコン層とを積層してなる半導体基板」は、本願発明の「第１の導電型を有するシリコン基板」に相当する。
　したがって、引用発明の「ｎ＋の半導体層とｎ型のシリコン層とを積層してなる半導体基板の、前記ｎ型のシリコン層の表面を酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積する工程」と、本願発明の「第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に、窒化膜を直に形成する工程」とは、いずれも、第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に、窒化膜を形成する工程である点で共通する。
　
　　イ．引用発明の「前記ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜を、複数箇所のトレンチエッチの為のハードマスクにするため、写真によってパターニングする工程」において、「複合膜」は「パターニング」により「複数箇所のトレンチエッチの為のハードマスク」になるのであるから、該「パターニング」によって、互いに離間した複数のエッチング用のウィンドーが形成されることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜を、複数箇所のトレンチエッチの為のハードマスクにするため、写真によってパターニングする工程」と、本願発明の「前記窒化膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程」とは、いずれも、膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程である点で共通する。
　
　　ウ．引用発明の「前記トレンチエッチを行い、夫々所定の巾、深さ、間隔をもって配設されている複数のトレンチを、前記ｎ型のシリコン層に形成する工程」は、本願発明の「前記ウィンドーを介してエッチングを行い、前記シリコン基板の表面から内部に向かって下方に延びる、互いに離間した複数のトレンチを形成する工程」に相当する。
　
　　エ．引用発明は「その後、前記Ｓｉ３Ｎ４膜を、ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする選択酸化に利用して、前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」を有している。そして、引用発明の「ショットキバリアダイオードの製法」は、前記「厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」を実行するまでに、犠牲酸化膜を形成することも、該犠牲酸化膜をエッチングすることも、行っていない。
　したがって、引用発明の「その後、前記Ｓｉ３Ｎ４膜を、ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする選択酸化に利用して、前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」と、本願発明の「犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程」とは、いずれも、犠牲酸化膜の形成とエッチングを行うことなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程である点で共通する。
　
　　オ．引用発明の「引き続き、前記各トレンチ内に導電性のボロンドープポリシリコンを堆積・充填する工程」において、「ポリシリコン」は、「ボロン」が「ドープ」されることで、ｐ型のシリコンという導電体になっている。そして、「各トレンチ」は、前記「間隔をもって配設されている複数のトレンチを、前記ｎ型のシリコン層に形成する工程」において、「間隔をもって配設され」るように「ｎ型のシリコン層に形成」されたものであるから、互いに離間している。
　したがって、引用発明の「引き続き、前記各トレンチ内に導電性のボロンドープポリシリコンを堆積・充填する工程」は、本願発明の「前記互いに離間した複数のトレンチを、第２の導電型をもつ導電体によって充填する工程」に相当する。
　
　　カ．引用発明の「前記堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化して、前記ＳｉＯ２膜が形成された前記ショットキ表面を露出させて、前記エッチバックによって、前記ポリシリコンの表面に約1.0μm弱の窪みを生じさせる工程」により、「前記ＳｉＯ２膜が形成された前記ショットキ表面」が「露出」するように、「堆積」した「導電性のボロンドープポリシリコン」が「エッチングバック」されて除去されると認められる。
　したがって、引用発明の「前記堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化して、前記ＳｉＯ２膜が形成された前記ショットキ表面を露出させて、前記エッチバックによって、前記ポリシリコンの表面に約1.0μm弱の窪みを生じさせる工程」と、本願発明の「前記導電体の頂面が前記シリコン基板の前記表面より下になるように、前記導電体のエッチングを行うことにより、前記シリコン基板の前記表面から前記導電体を除去する工程」とは、いずれも、前記導電体のエッチングを行うことにより、前記シリコン基板の前記表面から前記導電体を除去する工程である点で共通する。
　
　　キ．そして、引用発明の「ショットキバリアダイオード」は「トレンチ」構造を有している。
　したがって、引用発明の「ショットキバリアダイオードの製法」は、本願発明の「トレンチ型ショットキ・バリア半導体装置の製造方法」に相当する。
　
５−２．一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に、窒化膜を形成する工程と、
　膜に、互いに離間した複数のウィンドーを区画するため、パターン形成する工程と、
　前記ウィンドーを介してエッチングを行い、前記シリコン基板の表面から内部に向かって下方に延びる、互いに離間した複数のトレンチを形成する工程と、
　犠牲酸化膜の形成とエッチングを行うことなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程と、
　前記互いに離間した複数のトレンチを、第２の導電型をもつ導電体によって充填する工程と、
　前記導電体のエッチングを行うことにより、前記シリコン基板の前記表面から前記導電体を除去する工程と、を含むことを特徴とするトレンチ型ショットキ・バリア半導体装置の製造方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明は、第１の導電型を有するシリコン基板の表面の上に「窒化膜を直に形成する」のに対して、引用発明は、前記ｎ型のシリコン層の表面を「酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積する」点。
　
《相違点２》
　本願発明は「窒化膜」に「パターン形成する」のに対して、引用発明は「ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜」を「パターニングする」点。
　
《相違点３》
　本願発明は「前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく」前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆するのに対して、引用発明は「前記Ｓｉ３Ｎ４膜を、ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする選択酸化に利用して」前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する点。
　
《相違点４》
　本願発明は「前記導電体の頂面が前記シリコン基板の前記表面より下になるように、前記導電体のエッチングを行う」のに対して、引用発明は「前記堆積したポリシリコンをエッチバックで平坦化」して「前記エッチバックによって、前記ポリシリコンの表面に約1.0μm弱の窪みを生じさせる」点。
　
６．当審の判断
６−１．各相違点についての検討
　　ア．まず、本願発明の「犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆する工程」における、「トレンチの内壁の頂部」に「形成すること」がない「酸化膜」の意義について検討する。
　
　　イ．上記の点に関して、本願明細書には、
「【０００３】
  図１〜図４は、トレンチ型ショットキ・ダイオードを形成するためのＬＯＣＯＳ（局所酸化）プロセスを示す。シリコンウエハ10は、Ｎ＋型基板と、この上に形成されたＮ−型エピタキシャル層とからなっている。シリコンウエハ10の上には、厚さ２００〜５００Åの二酸化ケイ素からなる公知のパッド用酸化膜12が形成されている。また、パッド用酸化膜12の上には、窒化膜14（Ｓｉ３Ｎ４）が蒸着されている。
【０００４】
  次に、トレンチ形成用のマスクを形成し、さらにフォトリソグラフィー技術を用いて、これに複数の平行なウィンドーを形成する。シリコンウエハ10には、エッチングによって、図２に示すようなトレンチ16が、平行に複数個形成される。この後、犠牲酸化膜を成長させるが、この犠牲酸化膜は、ウェットエッチングされる。この間、パッド用酸化膜も、図２に示すように、エッチングされ、アンダーカット部分が生じる。
【０００５】
  ついで、ゲート酸化膜（厚さ５００Å）を、トレンチ16の内壁に成長させる。この間、窒化膜14の突出した縁部は、アンダーカット部分で成長するゲート酸化膜によって押し上げられる。ついで、窒化膜14を除去した後、ポリシリコン層を蒸着する。このポリシリコン層は、ホウ素イオンをドーピングした後、エッチバックされる。
【０００６】
  最後に、パッド用酸化膜をエッチングすると、トレンチの入口縁部には、図４に示すような鳥のくちばし形状の酸化物が残るが、これは、完成後の半導体装置のリーク電流特性を低下させる。」、
「【００１０】
  これらの工程を省くことによって、マスクの数と、これに関連する工程を削減することができる。さらに、トレンチの縁部に有害な「鳥のくちばし」形状の酸化物が形成されるのを回避することもできる。したがって、本発明によれば、半導体装置のリーク電流特性を改善して、収率を高めることができる。」、
と記載されている。
　
　すなわち、本願明細書の発明の詳細な説明には、
　パッド用酸化膜12の上に窒化膜14が形成されたシリコンウエハ10にトレンチ16を複数個形成した後、犠牲酸化膜を成長させ、この犠牲酸化膜をエッチングすると、前記パッド用酸化膜もエッチングされ、トレンチの入口縁部にアンダーカット部分が生じる。ついで、前記トレンチ16の内壁にゲート酸化膜を成長させた後、最後に、前記パッド用酸化膜もエッチングすると、トレンチの入口縁部には、前記ゲート酸化膜を成長させた際に前記アンダーカット部分で成長したゲート酸化膜が、鳥のくちばし形状の酸化物となって残ってしまうこと、しかし、前記犠牲酸化膜の成長と該犠牲酸化膜のエッチングの各工程を省くことにより、トレンチの縁部に有害な「鳥のくちばし」形状の酸化物が形成されることを回避できること、が記載されている。
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明には、「トレンチの内壁の頂部」の近傍に「形成」されると好ましくない、有害な「酸化膜」については、「犠牲酸化膜の形成とエッチング」を行うことにより形成される前記トレンチの縁部の「鳥のくちばし形状の酸化物」の他には記載がない。
　
　さらに、審判請求書には、「請求の理由」として、「３．本願発明が特許されるべき理由」の「２）拒絶理由に対する意見」の項には、
「本願発明は、請求項１における「シリコン基板の上に、窒化膜を直に形成する工程」を有する点、及び請求項１３における「第１の導電型を有するシリコン基板の片面に、直に窒化膜を形成する工程」を有する点において共通した特徴を有し、これにより、「トレンチ内壁の頂部に酸化膜を形成することなく、トレンチの内壁を最終的に使用される酸化膜によって被覆」、及び「窒化膜と半導体基板の界面に、前記メサに沿って、互いに離間した複数の鳥のくちばし形状の酸化物が形成されることのないよう、犠牲酸化膜を形成することなく、トレンチの側壁と底面に酸化膜を形成」することが可能となり、マスク数や工程数を削減することができ、トレンチの縁部における不所望な「鳥のくちばし」形状の酸化物の形成を回避することができます（出願当初明細書の段落００１０）。」、
と記載されている。すなわち、請求項１における「トレンチ内壁の頂部」の「酸化膜」と、前記「トレンチの縁部における不所望な「鳥のくちばし」形状の酸化物」とを、同等のものとして記載している。
　
　したがって、本願発明の「犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより」、「形成すること」がない「前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部」の「酸化膜」とは、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された、「犠牲酸化膜の形成とエッチング」を行うことにより「トレンチの内壁の頂部」の縁部に「形成」されてしまう鳥のくちばし形状の「酸化膜」を意味すると認められる。
　
　　ウ．これに対して、引用発明の「ｎ型のシリコン層」上には「Ｓｉ３Ｎ４膜」の下に「ＳｉＯ２膜」が形成されるものの、引用発明の「ショットキバリアダイオードの製法」は、前記「５−１．対比」の項のエで指摘したように、「厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」を実行するまでに、犠牲酸化膜を形成することも、該犠牲酸化膜をエッチングすることも、行わない。
　したがって、引用発明において、「前記Ｓｉ３Ｎ４膜」を「選択酸化に利用して、前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する」に際して、本願発明における上記の意味での「複数のトレンチの内壁の頂部」に「形成」される「酸化膜」は、当然に形成されない。
　よって、引用発明は、本願発明と同様に、「犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことにより、前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜を形成することなく」、「選択酸化」によって「前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」を有するものである。
　以上から、相違点３は実質的な相異点ではない。
　
　　エ．ところで、本願の請求項１の「犠牲酸化膜の形成とエッチングを行わないことに」より「トレンチ」「内壁の頂部に酸化膜を形成することなく」との発明特定事項は、平成２０年１１月６日に提出された手続補正書に基づく手続補正によるものであるが、同日に提出された意見書において、この補正を説明して、「請求項１については、「前記トレンチ内壁の頂部に鳥のくちばし形状の酸化物が残存することのないよう」を削除し、表現を若干訂正しました。」としている。
　すなわち、本願発明の「複数のトレンチの内壁の頂部」に「形成」されてしまう「酸化膜」は、「トレンチ内壁の頂部」に残存してしまう「鳥のくちばし形状の酸化物」以外の「酸化膜」に必ずしも限定されない旨を、前記意見書は主張していると認められる。
　もっとも、前記イで指摘したように、本願明細書の発明の詳細な説明には、「トレンチの内壁の頂部」の近傍に「形成」されると好ましくない「酸化膜」については、「犠牲酸化膜の形成とエッチング」を行うことにより形成される前記「鳥のくちばし形状の酸化物」以外には記載されていない。
　しかしながら、平成２０年１１月６日に提出された意見書の主張を踏まえ、本願発明の「前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部」の「酸化膜」を、仮に、「犠牲酸化膜の形成とエッチング」を行うことにより「トレンチの内壁の頂部」の縁部に「形成」されてしまう鳥のくちばし形状の「酸化膜」に必ずしも限定されない、単なる、前記「トレンチの内壁の頂部」の近傍の「酸化膜」を意味するとして、相違点１〜３について検討する。
　
　　オ．さて、引用発明は、「ｎ型のシリコン層の表面を酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積する」ことで形成した「前記ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜」を利用して、「ショットキバリアダイオード」を製造している。そのため、引用発明は、「前記ＰＳＧ膜のみを選択除去」する工程と、「前記Ｓｉ３Ｎ４膜をエッチングする工程」と「前記ＳｉＯ２膜を除去」する工程とが、それぞれ、別々に必要である。
　
　　カ．ここで、製造工程の工程数を低減するとともに、製造工程におけるエッチング等の工程において一時的に必要となる膜をより単純化することは、半導体装置の製造方法一般に共通する課題である。
　
　　キ．そして、引用例２には、前記「４−３．引用例２の記載」の項で摘記したように、シリコン基板上に直に薄いシリコン窒化膜を形成し、リソグラフィ−技術を用いて前記シリコン窒化膜を所定のパタ−ンにし、前記シリコン窒化膜を用いて前記シリコン基板をエッチングして所望の深さを有する幅の狭い溝を形成し、前記シリコン基板を熱酸化させることで、前記シリコン基板の前記幅の狭い溝の側面に、シリコン酸化膜を薄く成長させて凹部を残存させることが、記載されている。
　上記の、半導体基板上に直に形成した窒化膜のみをマスクとして用いて、前記半導体基板をエッチングして所望の深さを有するトレンチ等の幅の狭い溝を形成するとともに、前記窒化膜のみを用いて、前記トレンチ等の幅の狭い溝の側面に酸化膜を成長させるという方法は、引用例２に加えて以下のス及びセにも記載され、トレンチ等の幅の狭い溝の側面に酸化膜を成長させる方法として、従来より周知の技術である。
　
　また、窒化膜のみを、ポリシリコンのエッチングに際してのエッチングストッパ用の膜として用いることは、半導体製造方法において周知慣用の技術であるが（要すれば、特開平０７−２５４５９４号公報の段落【００１５】〜【００１８】、及び、特開２０００−２２８５０３号公報の段落【００２９】〜【００３１】を参照のこと。）、さらに、半導体基板に設けられたトレンチ等の開口部にポリシリコンを充填するに際して利用するために、前記半導体基板表面に窒化膜のみを形成し、前記窒化膜上に堆積されたポリシリコンをエッチングするときに前記窒化膜をエッチングストッパ用の膜として用いることも、以下のソ及びタに記載されるように、従来より周知の技術である。
　
　　ク．引用発明の「トレンチ」は、引用例１の図２及び図１０を参照すれば、十分に幅の狭い溝であると認められる。
　したがって、引用発明の「ショットキバリアダイオードの製法」の製造工程をより単純化させるとともに、その「ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜」をより単純化するために、引用発明において、「トレンチエッチ」におけるマスクのウィンドを区画するための「膜」として「ｎ型のシリコン層の表面を酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積」して、前記「ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜からなる複合膜」を「写真によってパターニングする」ことに代えて、上記各周知の技術のように、窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」のみを「ｎ型のシリコン層の表面」に直に形成するとともに、前記窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」を「パターニングする」ことは、当業者であれば、当然に想起し得たものと認められる。
　
　　ケ．ところで、引用例１の一実施例を示す図１０（ｃ）を見ると、各トレンチの側壁に厚いＳｉＯ２膜を形成した後に、各トレンチの側壁の頂部の直上において、ｎ型のシリコン層の表面に露出していること、同図１０（ｄ）を見ると、前記ｎ型のシリコン層の表面に露出した各トレンチの側壁及びポリシリコンの上に「ショットキバリアメタル１」が「堆積」されていることが、見て取れる。
　しかしながら、同様に引用例１の一実施例を示している図２には、前記「４−１．引用例１の記載」の「キ．図面」の項で記載したとおり、「基板及びトレンチ上面を平坦化」し「てショッキー金属層１を接合させる。」という構成が開示されている。すなわち、「ＳｉＯ２膜を除去した」後の「ｎ型のシリコン層の表面」である「ショットキ表面」とトレンチ上面である「ポリシリコン表面」とが概ね面一であり、その上に「ショットキバリアメタル１」が「堆積」されているという態様が、図示されている。
　そして、引用発明の「前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する工程」は、「前記Ｓｉ３Ｎ４膜を、ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする選択酸化に利用して」行う工程である。
　してみれば、引用発明において、「ｎ型のシリコン層の表面を酸化してＳｉＯ２膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４膜及びＰＳＧ膜をこの順で堆積する」ことに代えて、窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」のみを「ｎ型のシリコン層の表面」に直に形成するときにおいても、「ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようにするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積をできるだけ小さくする」ために、「選択酸化」によって「前記厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する」に際して、引用例１の図２のように「基板及びトレンチ上面を平坦化」するために、「形成」する「厚いＳｉＯ２膜」が各トレンチの側壁の頂部の直上において基板をなす「ｎ型のシリコン層」の表面に「露出」しないように、「選択酸化」の条件を設定することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　コ．以上、オ〜ケから、引用発明において、「トレンチエッチ」におけるマスクのウィンドを区画するための「膜」として、窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」のみを「ｎ型のシリコン層の表面」に直に形成して相違点１に係る構成とするとともに、前記窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」を「パターニング」して相違点２に係る構成とし、前記「膜」を利用して行う、「ショットキ表面に厚いＳｉＯ２膜が形成されないようするとともに該ＳｉＯ２膜が表面に露出する面積を小さく」して「厚いＳｉＯ２膜を各トレンチの側壁に形成する」前記「選択酸化」の条件を、「形成」する前記「厚いＳｉＯ２膜」が「各トレンチの側壁」の頂部の直上において「ｎ型のシリコン層」の表面に「露出」しないように設定することにより、「各トレンチの側壁」の頂部に「ＳｉＯ２膜」が形成されないようにして相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　サ．そして、引用発明は「前記ポリシリコンをエッチバックする」ことで、「前記堆積したポリシリコンを平坦化して、前記ＳｉＯ２膜が形成された前記ショットキ表面を露出させて、これによって、前記ポリシリコンの表面に約1.0μm弱の窪みを生じさせる」ものである。
　したがって、上記コのように、窒化膜である「Ｓｉ３Ｎ４膜」のみを「ｎ型のシリコン層の表面」に直に形成するとともに、「厚いＳｉＯ２膜」が「各トレンチの側壁」の頂部の直上において「ｎ型のシリコン層」の表面に「露出」しないように「選択酸化」された「半導体基板」上に「堆積・充填」された「導電性のボロンドープポリシリコン」を「エッチバックする」とき、前記「厚いＳｉＯ２膜」が「各トレンチの側壁」の頂部の直上において「ｎ型のシリコン層」の表面に「露出」していないのであるから、「ショットキ表面」となる「露出」した「ｎ型のシリコン層の表面」と「各トレンチ」部分の「ポリシリコン表面」とは、概ね面一になるものの、「各トレンチ」部分の「ポリシリコン表面」には「約1.0μm弱の窪み」が形成されると認められる。
　このとき、当然に、「前記ポリシリコンの表面」は「前記ショットキ表面」より下になり、相違点４に係る構成となると認められる。
　
　　シ．付言すれば、本願発明の「前記互いに離間した複数のトレンチの内壁の頂部に酸化膜」の語句の意味を、本願明細書の記載に基づいて解釈するときは、相違点３が実質的な相異点でなくなるのであるから、相違点１、相違点２及び相違点４に係る構成とすることは、上記と同じ理由により、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　ス．本願の本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−０５４６０８号公報には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図２（ａ）〜（ｃ）とともに、次の記載がある。
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板に形成される複数の素子間を分離するためのトレンチ（溝）構造の素子分離構造を有する半導体装置とその製造方法に関する。」
　
・「【００１３】次に、本発明の第２の実施形態を図２を用いて説明する。先ず、図２（ａ）のように、
Ｐ型シリコン基板１に
Ｎウェル層２を形成し、かつ、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膿１３をＮウェル層２の表面に堆積する
リソグラフィ法とドライエッチング法などを用いて、幅約０．４μｍの素子分離のためのトレンチ３を前記Ｐ型シリコン基板１に達するまで形成する
前記シリコン窒化膿１３をマスクにした熱酸化法により、前記Ｎ型ウェル層２の表面の酸化を防止しながら、トレンチ３の側壁と底部を選択的に覆うように厚さ約０．１μｍのシリコン酸化膜１４を形成する
【００１４】次いで、図２（ｃ）のように、ウェットエッチング法などを用いて、前記シリコン窒化膜１３を除去した後、熱酸化法を用いて改めてＮウェル層２の表面およびトレンチ３の側壁と底部を覆うように厚さ約５ｎｍのゲート酸化膜４Ａを形成する。……（以下、省略）」
　
　　セ．本願の本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−０６４２１０号公報には、「ショットキー電界効果トランジスタ」（発明の名称）に関して、図１（ａ）〜（ｂ）、図６（ａ）〜（ｂ）とともに、次の記載がある。
・「【００１８】
【発明の実施の形態】本発明に基づくショットキー電界効果トランジスタ（ＳＦＥＴ）スイッチ１０の断面図を図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す。図１（ａ）のスイッチ１０は電流遮断状態、図１（ｂ）は導電状態のスイッチ１０である。本実施例において、スイッチは、高濃度にドープされたｎ＋部分１０４を有する
シリコン基板１０２から形成されており
トレンチ１０８は、基板１０２上に形成され、トレンチセグメントはメサ１１０によって隔絶されている。金属層１１２を基板１０２上に蒸着し、メサ１１０の上部表面で整流性ショットキーインターフェイス１１４を形成した
誘電層１１８は、本実施例では二酸化ケイ素である。図示されている通り、誘電層１１８はトレンチ１０８の側壁に隣接する薄層部分
を有する
　
・「【００２５】或る実施例では、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ｐ型領域１２０はメサ１１０外部での移植によって基板１０２内に形成される。ｐ型領域は基板１０２の残りのｎ型部分とｐｎ接合１２２を形成する。これは、所望の電圧においてトレンチ構造を保護し、特にゲート誘電層１１８にホットキャリヤが注入される点に電界強さが達しないようにするようなクランピングダイオードに相当する。……（以下、省略）」
　
・「【００２８】図１に示したＳＦＥＴ１０の製造工程の段階を図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す。公知のｎ型エピタキシャルリアクタを用いてｎ＋シリコン部分１０４上にｎ−エピ層１０６を成長させた。本実施例においてはエピ層１０６には２層以上の副層（sublayer）が含まれ、上部副層は厚さ３．７μｍで平均ドーピング濃度が２×１０１５ｃｍ−３であり、下部副層は厚さ０．５μｍで平均ドーピング濃度が３×１０１７ｃｍ−３である。薄いパッド酸化層６０２及び
窒化ケイ素層６０４をエピ層１０６の上部表面に形成し
トレンチ１０８が配置される位置にある開口によりパターンをなした
トレンチ１０８は、好適にはドライエッチングによりエピ層を貫通してｎ
＋
シリコンまでカッティングして形成した
【００２９】図６（ａ）に示すように、
トレンチの側壁及び床部にゲート酸化層１１８を熱成長させた
【００３０】図６（ｂ）に示すように、例えば、構造の上部表面に厚層部分１１８Ａ及び通常平坦なトポロジーを形成するべく窒化層６０４をマスクとして用い、露出ポリシリコンを酸化厚さ０．２μｍまで熱酸化した。
窒化ケイ素層６０４
を従来のエッチング剤で除去し
金属層１１２をメサ１１０の上部表面
に蒸着させ、ショットキーインターフェイス１１４を形成した。
（なお、上記刊行物には、「トレンチの壁上に犠牲酸化層を成長させ、トレンチ形成中に発生した欠陥を削除するべくエッチバック（段落【００２８】）」することが記載されている。しかし、「ショットキーインターフェイス１１４」となるのは、「窒化ケイ素層６０４」のみが直に形成された「エピ層１０６」の「メサ１１０の上部表面」であるから、上記刊行物のものにおいて、本願明細書に記載された「鳥のくちばし形状の酸化物」である「酸化膜」が形成されないことは明らかである。）
　
　　ソ．本願の本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２６９２２０号公報には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図４〜図５とともに、次の記載がある。
・「【００４３】次に、図４（ｄ）に示すごとく、
ＳｉＮ層４４をマスクにして、対ＳｉＮとの非常に高いエッチング条件を用いて（４０（ｍＴｏｒｒ），１４００（ｗ），Ｃ
４
Ｆ
８
／ＣＯ／Ａｒ＝１０／５０／２００（ｓｃｃｍ））、下層部の層間絶縁層４２にコンタクトホールのエッチングを行い
【００４４】次に図５（ｅ）に示すごとく、
配線材料４３をコンタクトホールに成膜した
【００４５】次に図５（ｆ）に示すごとく、
ＣＭＰによりＳｉＮ層４４をストッパーとして配線材料４３の平坦化を行った
【００４６】次に図５（ｇ）に示すごとく、層間絶縁層４２′を成膜し、再度、層間絶縁層４２′にコンタクトホールを形成した。
【００４７】ＳｉＮ層４４はコンタクトホール形成エッチングプロセスでは、ボーダレスエッチングのストッパーとして寄与する。これにより、ボーダレスエッチングを抑制し、容易に配線を形成する事が可能である。特に、フリンジ幅の狭い混載のＬｏｇｉｃ部分、及びＬｏｇｉｃ部分には、非常に有効な技術である。
【００４８】今回は、
配線の材料として、
ポリシリコン
でも構わな
　
　　タ．本願の本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−００７３２３号公報には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図４とともに、次の記載がある。
・「【００２１】次に、２０００Å程度のシリコン酸化膜４をＬＰＣＶＤ法によって堆積する。さらに、シリコン酸化膜４上には、ＬＰＣＶＤ法によって、
１００Å程度の第２シリコン窒化膜５を形成する。この第２シリコン窒化膜５は、後に形成するポリシリコン層に対するエッチングストッパーとして機能する
【００２２】次に、図２に示すように、図示しないホトレジストをマスクとして、
第２シリコン窒化膜５、シリコン酸化膜４及び第１シリコン窒化膜３を順次、エッチングし、ゲート電極の形成領域に開口部６を形成する
【００２３】次に、図３に示すように、
開口部６を充填すると共に、第２シリコン窒化膜５上に３０００Åのポリシリコン層９をＬＰＣＶＤ法によって形成する。
【００２４】次に、図４に示すように、
ポリシリコン層９を全面エッチングして開口部６に充填されたポリシリコン層９のみを残す。第２シリコン窒化膜は、エッチングストッパーとして機能する。
この全面エッチングは、エッチバックでもよい
（なお、上記刊行物には、段落【００２２】に「第２シリコン窒化膜５、シリコン酸化膜４及び第１シリコン窒化膜３を順次」設けることが記載されている。しかし、図２から明らかなように、前記「シリコン酸化膜４及び第１シリコン窒化膜３」は、エッチングされた部分が「開口部６」を形成しており、シリコン基板の一部をなすものである。）
　
６−３．小括
　したがって、引用発明において、上記相違点１〜４に係る構成とすることは、周知の技術を参酌すれば、当業者が容易に想到し得るものである。そして、本願発明の効果も、引用発明及び周知の技術から、当業者が予期し得たものである。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。