【事件の表示】
　特願２００６−１４１４６４「リソグラフィ特性向上」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月　７日出願公開、特開２００６−３３２６５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年５月２２日（優先権主張２００５年５月２３日、米国）の出願であって、平成２１年８月５日付けで手続補正書が提出されたが、同年１２月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年４月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日に手続補正がなされたものである。その後、平成２３年２月２１日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年５月９日に回答書が提出された。
　
第２　平成２２年４月６日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２２年４月６日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由１］
１．補正後の発明 
　平成２２年４月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりのものに補正された。
　
　「基板の特性均一性を改善する方法であって、
　リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
　前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと
を含み、
　前記修正データの計算は、前記測定値と、前記基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路に関連付けられたデータと、を相関させ、当該相関に基づいて前記修正データを更新すべき前記区域を決定し、当該決定した区域についての前記修正データを前記測定値が改善する方向に更新することを含み、かつ、
　前記方法は、前記基板について、所望の特性均一性が実現されるまで、前記各ステップを繰り返す処理を実行する、方法。」（以下「補正発明」という。）
　
２．検討
　補正発明は、「前記測定値と、前記基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路に関連付けられたデータと、を相関させ、当該相関に基づいて前記修正データを更新すべき前記区域を決定し、」（以下「特定事項」という。）という事項を含むものである。
　請求人は、特定事項の補正は、本願明細書の段落【００３２】、【００４８】及び図４等の記載に基づくものであり、上記特定事項は本願明細書に開示されている事項である（審判請求書参照）と主張している。
　上記特定事項について検討する。
　
（１）本願明細書等の記載
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「【００２６】
　上に述べたように、基板を扱うプロセスが、１つまたは複数のリソグラフィ特性の値の変動の一因となる場合があり、これは、露光されるパターンの品質および性能に悪影響を及ぼす可能性がある。そのような不均一性は、ターゲット領域にわたって、基板にわたって、および基板間で生じる場合がある。さらに、これらの不均一性は、基板が通る特定の経路やスケジューリング異常など様々な因子に応じて変わることもある。以下でより詳細に述べるように、本発明の一実施例は、これらの不均一性を低減して許容できる特性均一性レベルを提供することができる特性向上プロセスを企図している。そのようなプロセスは、リソグラフィ・システムに関する情報、例えば基板トラック処理データ、計測データ、および／または基板履歴データを活用して、最適な修正データに到達し、または最適な修正データを維持して、全体の特性均一性能を改善する。」
　
（ｂ）「【００３２】
　図３に、本発明の一実施例に従って構成されて動作する基板特性向上プロセス２００の全般的な発明概念を概略的に示す。図３に示されるように、向上プロセス２００は、手順タスクＢ２０２から始まり、このタスクＢ２０２は、リソグラフィ露光装置１０２によって、既存の区域オフセットを有するサーマル・プレートを使用するプロセスで基板を露光する。基板には基板処理および構成情報が関連付けられていてもよく、その情報は、露光前基板測定データ、露光要件およびパラメータ、基板が通ったまたは通る経路および基板を処理したまたは処理する装置を含む場合がある基板トラック処理データ、レジスト・タイプおよび厚さなどの基板特性、並びに計測データなどである。この処理および構成情報は、区域オフセットを更新する際に使用される。例えば、経路情報は、どの（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、示すことができる。」
　
（ｃ）「【００３５】
　他方で、露光された基板が十分には均一でない場合、プロセス２００は、手順タスクＢ２０８に進み、ここで、特性均一性を改善または制御するために計算される１つまたは複数の更新区域オフセットを計算して、それを１つまたは複数の適切なサーマル・プレートに適用することによって、特性均一性の欠如を補償する。関連付けられた基板処理および構成情報をこの点で使用して、例えば、どの特定の（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、あるいは特性均一性が更新区域オフセットに起因するかどうか、または特性均一性を更新区域オフセットによって修正することができるかどうかを判定することができる。一実施例では、更新区域オフセットは、露光される基板（または露光基板に関連付けられる基板のグループ）に関して特有であり且つ維持されている場合があり、基板（または基板のグループ）に関連付けられた基板処理および構成情報に基づいて、その基板（または基板のグループ）を処理するために使用される１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される。別の基板（または基板のグループ）は、その独自の基板処理および構成情報に基づいた独自の更新区域オフセットを有する。」
　
（ｄ）「【００４５】
　上で論じたのと同様に、結果として得られる１つまたは複数の基板の１つまたは複数の特性の値が測定される。測定された特性値から、区域オフセット応答が計算される（３１０）。例えば、測定された特性の変化と区域オフセットの変化とを相関させて、単位区域オフセット変化当たりの特性変化を識別する区域オフセット応答データを提供することができる。区域オフセット応答は、区域毎に決定することができ、または１組の区域（またはサーマル・プレート全体）にわたって平均化されていてもよい。同様に、区域オフセット応答は、サーマル・プレート毎に決定することができ、または１組のサーマル・プレートにわたって平均化されていてもよい。追加としてまたは別法として、区域オフセット応答は、特定の基板構成および処理に特有のものであってもよい。例えば、あるレジストおよび／または処理条件を有する基板に関して１組の区域オフセット応答を決定することができ、別のレジストおよび／または処理条件を有する基板に関して別の組の区域オフセット応答を決定することができる。追加としてまたは別法として、各区域の空間応答が、区域オフセット応答内に因子として含まれていてもよい。すなわち、１つの区域の区域オフセットの変化が別の区域の応答を変える場合があるので、区域間の相互相関および相互作用が因数化される場合がある。区域オフセット応答は、データベース３１５を介して区域オフセット決定モジュール３２０に提供され、１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される区域オフセットの計算に使用される。」
　
（ｅ）「【００４８】
　既存の区域オフセットを有する１つまたは複数のサーマル・プレートを使用する露光および熱処理の後、１つまたは複数の露光基板の１つまたは複数の特性の値が測定され、（例えば、データベース３１５に供給される、データベース３１５によって検索された、またはデータベース３１５に保持された関連する基板処理および構成情報からの）リソグラフィ・システムを通る（１つまたは複数の）基板の進行経路（Ｂ３７０）と相関される。進行経路と相関させることによって、特性値を評価して、どのプロセスおよび／または装置が特性不均一性を引き起こしている可能性があるかを求めることができる。上で論じたように、トラック内、リソグラフィ露光装置内、または別の場所に位置された任意の適切な機器を使用して様々な特性を測定することができる。」
　
（ｆ）「【００４９】
　特性測定データを用いて、区域オフセット決定モジュール３２０が、図２で論じたように、特性範囲、特性標準偏差、または領域間の平均特性範囲などのプロファイル特性または基準に従って（１つまたは複数の）特性が十分に均一であるかどうか判定する。（１つまたは複数の）特性が十分に均一でない場合、１つまたは複数の所望の区域オフセットが計算され、これを（１つまたは複数の）基板の特性均一性を改善または制御するために適切な１つまたは複数のサーマル・プレートに適用することができる。特に、区域オフセット決定モジュール３２０は、区域オフセット応答データベース３１５によって供給された、または別の形で入手可能な区域オフセット応答と、（１つまたは複数の）特性の測定値とを使用して、（１つまたは複数の）サーマル・プレートの既存の区域オフセットを増加または減少させて、（１つまたは複数の）サーマル・プレートに関する所望の区域オフセットに到達し、特性均一性を改善または制御することができる。上で論じたように、基板の経路などの基板に関連付けられる基板処理および構成情報を区域オフセット決定モジュール３２０によってこの件について使用して、例えば、どの特定の（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか、あるいは特性均一性が更新区域オフセットに起因するかどうか、または特性均一性を更新区域オフセットによって修正することができるかどうかを判定することができる。」
　
（ｇ）「
」
　
（２）判断
　上記各記載を含む当初明細書等の記載を総合的に勘案すれば、当初明細書等には、以下の事項が記載されているものと認められる。
　
（ア）基板の特性の測定値のデータを用いて、１つまたは複数のサーマル・プレートに適用される区域オフセットが、区域毎に決定される。（上記摘記事項（ｄ）、（ｆ）参照）
（イ）基板の特性の測定値のデータと経路に関連付けられたデータを相関させ、どのプロセスおよび／または装置が特性不均一性を引き起こしている可能性があるかを求めることができる。（同（ｂ）、（ｅ）参照）
（ウ）基板の特性の測定値のデータと経路に関連付けられたデータを相関させ、どの特定の（１つまたは複数の）サーマル・プレートがその区域オフセットを更新されるべきか決定する。（同（ｂ）、（ｃ）、（ｆ）参照）
　
　一方、上記特定事項の「測定値と、経路に関連付けられたデータとを相関させ、当該相関に基づいて修正データを更新すべき区域を決定」することは、「測定値と、経路に関連付けられたデータとを相関させ」ることによって「どの区域の修正データを更新すべきかを決定する」ことであるが、このことは「区域毎に、その修正データを更新すべきかどうか判断する」ことを包含する。しかしながら、このような事項は、当初明細書等に記載されているとはいえない。
　また、当初明細書等のすべての記載を参酌しても、上記事項を示唆する記載もないし、上記特定事項が、本願の出願時点で当業者にとって自明な事項であるともいえない。
　よって、上記特定事項は、当初明細書等には記載された事項とすることはできない。
　
　したがって本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
 　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
［理由２］
１．補正後の請求項に記載された発明 
　本件補正後の、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、上記「［理由１］」の「１．」のとおりである。
　また、本件補正の上記請求項１に係る補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認める。
　
　そこで、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　引用文献１：特開２００４−２７３５８６号公報
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板上に所望のパターン寸法を有するレジストパターンを形成する方法に係わり、特に半導体デバイスの微細パターンを形成するのに好適なパターン形成方法および該パターンを用いた半導体装置の製造方法に関する。」
（１ｂ）「【０００３】
・・・レジストパターンに対して加熱処理を行うことによりレジストパターンを変形させて、より微細なパターンを得る方法が知られている。
【０００４】
即ち、図１０（ａ）に示すような被処理基板１０１上に形成された開口幅Ｗａを有するレジストパターン１０２に対して加熱処理を行い、レジストパターン１０２を流動（リフロー）させて横方向に広げることにより、図１０（ｂ）に示すような微細なレジスト開口幅Ｗｂを得ている。
【０００５】
しかしながら、このレジストパターン形成方法においては、装置の稼動中にプロセス条件などが変動した場合、所望のパターン寸法を得ることができず、例えば加熱処理が不十分な場合には、図１０（ｃ）に示すような大きな開口幅Ｗｃを有するレジストパターン１０２が、また、加熱処理が過分な場合には、図１０（ｄ）に示すようなパターンのつぶれたレジストパターン１０２がそれぞれ形成されることになる。」
（１ｃ）「【００１０】
しかしながら、上記特許文献１または特許文献２に開示された方法では、モニタパターンの近傍においては、所望のレジストパターン寸法が得られるが、それ以外においては、所望のレジストパターン寸法が得られず、被処理基板の面内分布のばらつきには対応できない問題がある。
【００１１】
何故ならば、通常のリソグラフィー工程である、レジスト塗布、露光、ベークおよび現像処理の各工程においてプロセスの変動要因があるため、既に、加熱処理する前にレジストパターンの寸法ばらつきが被処理基板面内および被処理基板間に存在するためである。」
（１ｄ）「【００１８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、被処理基板面内または被処理基板間で最終的に所望のパターン寸法が得られるパターン形成方法および電気的特性の安定した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のパターン形成方法では、被処理基板上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜にパターンを露光してベークおよび現像処理を行うことによりモニタパターンを含むレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン内に配置されたモニタパターンの寸法を測定して、前記被処理基板面内のパターン寸法の平均値を求めるモニタパターン測定工程と、前記平均値と所定の基準値とを比較して、前記レジストパターンが所望の寸法になるように加熱処理条件を制御して前記レジストパターンを変形させるレジストパターン変形工程とを有することを特徴としている。」
（１ｅ）「【００４８】
またベーク処理条件として、温度以外のパラメータ、例えばベーク時間やベーク雰囲気（大気中、窒素パージ等）を変えるようにしても良く、さらに、モニタパターンの測定とパターン変形の加熱処理を複数回繰り返しておこなっても構わない。」
（１ｆ）「【００４９】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明による第２の実施の形態に係わるパターン形成方法のフローチャートを示す図である。
・・・
【００５１】
図４に示すように、第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、現像後のモニタパターン寸法の基板面内分布を求め、その面内分布を相殺するような温度分布を有するホットプレートを用いて加熱処理することにある。
【００５２】
即ち、複数のヒータを内蔵したホットプレートを用いてホットプレートの面内温度分布をモニタパターン寸法の基板面内分布を相殺するように制御することにより基板面内のレジストパターン寸法の均一性を改善することができる。
【００５３】
まず、上述した第１の実施の形態と同様に、膜厚１μｍのシリコン酸化膜が形成された基板を、例えば、２０枚用意して、この上に反射防止膜およびＫｒＦポジ型化学増幅レジスト膜をこの順に形成した後、パターン露光、露光後ベークおよび現像処理を行い、例えば、ピッチが１３０ｎｍと一定で、最もライン幅が大きい中央のラインを挟んで線対象にライン幅が漸減していくラインアンドスペース（以下、Ｌ／Ｓという）パターンが配列されたモニタパターンを形成した。
【００５４】
このモニタパターンはドーズメータと呼ばれるもので、モニタパターンに光を照射すると、モニタパターンが回折格子として作用し、０次の回折光および高次の回折光（主に、１次光）が発生する。
【００５５】
次に、０次の回折光のみをスリットにより取り出してレジスト上に露光すると、モニタパターンのうち、中央のスペースを挟んで線対称に漸減していくある大きさのラインまでが解像された矩形状パターンが露光される。
【００５６】
この矩形状パターンの幅は０次の回折光のみによる実効的露光量に比例することから、フォーカスに依存しない実効的露光量を求めることができる方法である。このパターン幅は数〜十μｍになるため光学的に測定することが容易である。
【００５７】
従って、予めこの実効的露光量と実際のレジストパターン寸法の関係を求めておけば、解像された矩形状パターンの幅を測定することにより、実際にレジスト上に解像されたレジストパターン寸法に換算することができる。
【００５８】
そのため、ＳＥＭを用いてナノメータ（ｎｍ）サイズのレジストパターン寸法を直接測定しなくても、レジストパターン寸法の基板の面内分布を迅速に求めることができる。
【００５９】
本実施の形態においては、２０枚すべての基板について面内５０点の実効露光量を測定して、パターン寸法の面内分布を求めた（第１５ステップＳ１５）。
【００６０】
次に、基板の面内分布が基準値内か否かが判断され（第１６ステップＳ１６）、基準値内であれば標準の温度分布に設定されたホットプレートを用いて加熱処理をおこなう（第１７ステップＳ１７）。
【００６１】
一方、ウェーハ面内分布が基準値外であれば、その基板の面内分布を打ち消すような温度分布に設定されたホットプレートを用いて加熱処理を行う（第１８ステップＳ１８）。
【００６２】
図５は、この基板の面内分布を打ち消すような温度分布を有するホットプレートを示す図で、図５（ａ）はヒータの配列を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断して矢印方向に眺めた断面図である。
【００６３】
図に示すように、ホットプレート１１には、複数のヒータ１２、例えば、３６個のヒータが内臓されている。各ヒータ１２は、周囲を断熱材１３でカバーされて電源１４に接続されており、それぞれ個別にヒータ温度が設定できるようになっている。ヒータ１２を覆う天板１５に基板１６が載置され、加熱処理が行われる。
【００６４】
図６は、このホットプレート１１を用いて、レジストを変形させる加熱処理工程を示す図で、図６（ａ）は現像後のモニタパターン寸法のウェーハ面内分布を示す図、図６（ｂ）はホットプレート１１の温度分布を示す図である。
【００６５】
図に示すように、現像後のモニタパターン寸法に基準値内の領域１７と基準値より大きい領域１８および基準値より小さい領域１９が存在して基板の面内分布がある場合、ホットプレート１１の面内温度分布をモニタパターン寸法の基板面内分布を相殺するように設定している。
【００６６】
即ち、モニタパターン寸法が基準値内の領域１７に対応するヒータ２０の温度を標準温度に、モニタパターン寸法が基準値内より大きい領域１８に対応するヒータ２１の温度を標準より高い温度に、モニタパターン寸法が基準値内より小さい領域１９に対応するヒータ２２の温度を標準より低い温度に、それぞれ設定する。
【００６７】
この温度分布を有するホットプレート１１に基板１６を載置して加熱処理することにより、モニタパターン寸法の基板面内分布を打ち消して均一化することが可能である。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されているものと認める。
　「基板上のモニタパターンを測定することによりパターン寸法の基板の面内分布を求め、
　複数のヒータが内臓され、それぞれ個別にヒータ温度が設定できるようになっているホットプレートにこの基板の面内分布を相殺するような温度分布を設定し、
　この温度分布を有するホットプレートに基板を載置して加熱処理し、モニタパターンの測定とパターン変形の加熱処理を複数回繰り返しておこなって、モニタパターン寸法の基板面内分布を打ち消して均一化することが可能であるリソグラフィー工程を有する、半導体装置の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
　引用発明の「モニタパターン寸法の基板面内分布」は、基板毎に特定される各基板の状態を示すものであるから、補正発明の「基板の特性」に相当し、したがって、引用発明の「モニタパターン寸法の基板面内分布を打ち消して均一化する」ことは、補正発明の「基板の特性均一性を改善する」ことに相当する。同じく「基板上のモニタパターン」の「測定」値は「基板の特性の測定値」に相当する。
　引用発明の「リソグラフィー工程」及び「ホットプレート」は、それぞれ、補正発明の「リソグラフィ露光」及び「サーマル・プレート」に相当し、引用発明が基板の面内分布を相殺するような温度分布を設定することから、「個別に設定されたヒータ温度」が温度分布の不均一性を修正するように設定されることは明らかであり、その過程においてパラメータ等の数値の計算が行われるであろうことは、当業者の技術常識であって、このことは補正発明の「修正データを計算する」ことに相当する。そして、その修正データが随時更新されるものであることは明らかであるから、引用発明は「測定値に基づいて修正データを更新すべき区域を決定」する構成を有する。
　また、引用発明の「複数のヒータが内臓され、それぞれ個別にヒータ温度が設定できるようになっているホットプレートにこの基板の面内分布を打ち消すような温度分布を設定し、この温度分布を有するホットプレートに基板を載置して加熱処理し・・・モニタパターン寸法の基板面内分布を打ち消して均一化すること」は、補正発明の「前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正する」ことに相当し、引用発明の「加熱処理を複数回繰り返しておこなって、モニタパターン寸法の基板面内分布を打ち消して均一化すること」が、補正発明の「所望の特性均一性が実現されるまで、前記各ステップを繰り返す処理を実行する」ことに相当することは明らかである。
　してみると両者は、 
　「基板の特性均一性を改善する方法であって、
　リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
　前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと
を含み、
　前記修正データの計算は、前記測定値に基づいて前記修正データを更新すべき前記区域を決定し、当該決定した区域についての前記修正データを前記測定値が改善する方向に更新することを含み、かつ、
　前記方法は、前記基板について、所望の特性均一性が実現されるまで、前記各ステップを繰り返す処理を実行する、方法。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　修正データの計算は、補正発明では、測定値とともに、基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路に関連付けられたデータと、を相関させ、当該相関に基づいて行われるのに対して、引用発明では、測定値のみに基づいて行われる点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　リソグラフィ露光装置を用いる半導体の製造方法において、例えばポストベイク装置のような処理装置をその製造工程に設けることは、ごく普通に行われていることである。
　そのようなものは、補正発明の「基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路」に包含される。
　そして、各工程に要する時間にばらつきがある場合などに、製造工程全体のスループットを改善するために、時間を要する工程の装置を複数併設する等、基板が搬送される経路を複数設けることは、ごく普通に行われる周知技術である。
　引用発明に当該周知技術を適用することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　その場合に、基板が搬送されるポストベイク装置が異なれば、すなわち基板が搬送される経路が異なれば修正データが異なったものとなることは、当業者であれば容易に予測しうる事項であり、当該事項に対処するために、修正データの計算を、測定値とともに、搬送経路に対応させて行うことにより、基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路に関連付けられたデータ（すなわちどの経路を搬送されたかを示すデータ）と、を相関させ、当該相関に基づいて行うようにすることは、当業者が当然考慮すべき事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２２年４月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２１年８月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「基板の特性均一性を改善する方法であって、
　リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、
　前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと
を含み、
　前記基板について、所望の特性均一性が実現されるまで、前記各ステップを繰り返す処理を実行する、方法。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「［理由２］」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から「前記修正データの計算は、前記測定値と、前記基板が前記リソグラフィ露光装置及び少なくとも１の処理装置を搬送される経路に関連付けられたデータと、を相関させ、当該相関に基づいて前記修正データを更新すべき前記区域を決定し、当該決定した区域についての前記修正データを前記測定値が改善する方向に更新することを含み、かつ、」という事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「［理由２］」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。