【手続補正書】
【提出日】平成18年6月28日(2006.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを処理するためのリアクタチャンバと、
ガス出口を有し、半導体ウェーハを前記リアクタチャンバとの間で装填および除去するための手段を有するウェーハ輸送チャンバと、
前記ウェーハ輸送チャンバにガスを送出するように動作可能に接続されたガス送出システムと、
前記ウェーハ輸送チャンバにおいてガスを調節するためにガス出口に接続されたパイロット作動式背圧レギュレータと
を備えることを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。
【請求項２】
前記パイロット作動式背圧レギュレータが、
前記出口に接続された調節可能な開口を有する空圧駆動式絞り弁と、
前記空圧駆動式絞り弁の両端の圧力を感知して、感知圧力に応答して調節可能な弁開口を調節するように接続された圧力感知リレーシステムと
を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ガス放出システムが、少なくとも１つのガス源と、前記ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第１のラインとを含み、
前記装置が、前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの放出を調節するために、第１のラインにあるガス放出システムに一体に接続されたドームロード式レギュレータをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記ガス放出システムが、前記ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第２のラインを含み、
前記装置が、
前記第２のラインにあるガス放出システムと直接に接続されたダンパと、
前記ダンパと前記ウェーハ輸送チャンバ間に直列に配置されたガス流量制限手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記リアクタチャンバとウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁と、
第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁の開口を制御するための手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の装置。
【請求項６】
前記ガス放出システムが、少なくとも１つのガス源と、前記ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第１のラインとを含み、
前記装置が、
前記第１のラインにあるガス放出システムと直接に接続されたダンパと、
前記ダンパと前記ウェーハ輸送チャンバ間に直列に配置されたガス流量制限手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記リアクタチャンバとウェーハ輸送チャンバとの間に配置された仕切弁と、
第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁の開口を制御するための手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
半導体ウェーハを処理するためのリアクタチャンバと、
半導体ウェーハを前記リアクタチャンバとの間で装填および除去するための手段を有するウェーハ輸送チャンバと、
前記ウェーハ輸送チャンバに動作可能に接続されたガス送出システムと、
前記ウェーハ輸送チャンバ内へのガスの放出を制御するために第１のラインにあるガス放出システムに第１のラインにより一体に接続されたドームロード式レギュレータと
を備えることを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。
【請求項９】
前記ガス放出システムが、ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第２のラインを含み、
前記装置が、
前記第２のラインにあるガス放出システムと直接に接続されたダンパと、
前記ダンパと前記ウェーハ輸送チャンバ間に配置されたガス流量制限手段とを
さらに備えることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記リアクタチャンバとウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁と、
第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁の開口を制御するための手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記リアクタチャンバとウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁と、
第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁の開口を制御するための手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１２】
半導体ウェーハを処理するためのリアクタチャンバと、
半導体ウェーハを前記リアクタチャンバとの間で装填および除去するための手段を有するウェーハ輸送チャンバと、
前記ウェーハ輸送チャンバにガスを送出するように動作可能に接続されたガス送出システムと、
前記ガス送出システムに接続されたダンパと、
前記ダンパとウェーハ輸送チャンバ間に配置されたガス流量制限手段と
を備えることを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。
【請求項１３】
前記リアクタチャンバとウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁と、
第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁の開口を制御するための手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
ガス出口を有するウェーハ輸送チャンバとリアクタチャンバとを有する半導体リアクタにおいて半導体ウェーハを処理する方法であって、ウェーハ取扱チャンバにあるパーティクルを低減するステップを備え、
前記ステップが、
ウェーハ輸送チャンバにガスを放出するステップと、
ガス出口に動作可能に接続されたパイロット作動式背圧レギュレータでウェーハ輸送チャンバのガス圧力を調節するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記半導体リアクタが、少なくとも１つのガス源と、前記ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第１のラインとを含み、
前記方法が、ドームロード式レギュレータで第１のラインにあるウェーハ輸送チャンバへのガスの送出を調節するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体リアクタが、前記ガス源を前記ウェーハ輸送システムに接続する第２のラインを含み、
前記方法が、
第２のラインにおいて、前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの放出を減衰させるステップと、
前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの流量を制限するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１５記載の方法。 
【請求項１７】
前記半導体リアクタが、前記リアクタチャンバと前記ウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁をさらに含み、
前記パーティクル低減方法が、第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁を最初に開口するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。 
【請求項１８】
前記半導体リアクタが、前記リアクタチャンバと前記ウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁をさらに含み、
前記パーティクル低減方法が、第１の速度、次いで 第２の速度で前記仕切弁を最初に開口するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。 
【請求項１９】
ウェーハ輸送チャンバとリアクタチャンバとを有する半導体リアクタにおいて半導体ウェーハを処理する方法であって、
ウェーハ輸送チャンバにあるパーティクルを低減するステップを備え、
前記ステップが、
ウェーハ輸送チャンバにガスを放出するステップと、
ドームロード式レギュレータで前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの放出を調節するステップと
を含むことを特徴とする方法。 
【請求項２０】
前記半導体リアクタが、少なくとも１つのガス源と、前記ガス源を前記ウェーハ輸送チャンバに接続する第１のラインとを含み、
前記方法が、
第１のラインにおいて、前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの放出を減衰させるステップと、
前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの流量を制限するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１９記載の方法。 
【請求項２１】
前記半導体リアクタが、前記リアクタチャンバと前記ウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁を含み、
前記パーティクル低減方法が、第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁を最初に開口するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１９記載の方法。 
【請求項２２】
ガス出口を有するウェーハ輸送チャンバとリアクタチャンバとを有する半導体リアクタにおいて半導体ウェーハを処理する方法であって、ウェーハ輸送チャンバにあるパーティクルを低減するステップを備え、
前記ステップが、
ウェーハ輸送チャンバにガスを放出するステップと、
ラインにおいて、前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの放出を減衰させるステップと、
前記ウェーハ輸送チャンバへのガスの流量を制限するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】 
前記半導体リアクタが、前記リアクタチャンバと前記ウェーハ輸送チャンバ間に配置された仕切弁をさらに含み、
前記パーティクル低減方法が、第１の速度、次いで第２の速度で前記仕切弁を最初に開口するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２２記載の方法。