Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子回路と、前記装置の少なくとも一つの動作を制御する第２の電子回路とを含む第１の回路基板と、
第１の動作状態において第１の信号フォーマットにより第１の制御信号を生成し、第２の動作状態において第２の信号フォーマットにより第２の制御信号を生成する、制御ラインに結合したコントローラを含む、前記制御ラインを介して前記第１の回路基板に動作可能に結合した第２の回路基板と、を備えた信号処理装置であって、
前記第１の電子回路は、前記第２の動作状態の間アンパワー状態に置かれ、前記第１の電子回路は、前記第１の電子回路が前記アンパワー状態のとき、前記第１の電子回路が前記制御ラインをロー状態に保たないようにする手段に結合されており、
前記第１と第２の電子回路は、前記制御ラインに結合されており、前記コントローラは、前記第１の動作状態において前記第２の電子回路に影響せずに前記制御ラインを介して前記第１の電子回路に前記第１の制御信号を送信し、前記第２の動作状態において前記第１の電子回路に影響せずに前記制御ラインを介して前記第２の電子回路に前記第２の制御信号を送信することを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記第１の電子回路は、前記第２の電子回路を制御するための動作データを有するメモリ回路を備え、前記コントローラは、前記第１の動作状態において前記動作データを読み出し、前記第２の動作状態において前記動作データに応じて前記第２の電子回路を制御することを特徴とする、請求項１記載の信号処理装置。
【請求項３】
テレビ信号レシーバを動作させる方法であって、
制御ラインに結合された第１の回路基板と、第２の回路基板とを設けるステップを含み、
前記第１の回路基板は、その上に含まれ、制御ラインに結合したメモリデバイスと制御回路とを有し、前記第２の回路基板は、その上に含まれ前記制御ラインに結合したコントローラを有し、
前記方法は、
前記レシーバが第１の動作状態にあるとき、前記制御回路に影響を与えないで、前記第２の回路基板上の前記コントローラから、前記第１の回路基板上の前記メモリデバイスに、前記制御ラインを介して、第１の信号フォーマットにより第１の制御信号を送信するステップと、
前記レシーバが第２の動作状態にあるとき、前記メモリデバイスに影響を与えないで、前記コントローラから、前記第１の回路基板上の前記制御回路に、前記制御ラインを介して、第２の信号フォーマットにより第２の制御信号を送信するステップと、
前記第２の制御信号を送信するステップの間、前記メモリデバイスをアンパワー状態におくステップとをさらに含み、
前記メモリデバイスは、アンパワー状態におかれているとき、前記メモリデバイスが前記制御ラインをロー状態に保たないようにする手段に結合されていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月8日(2005.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号処理装置であって、
第１の電気回路と前記装置の少なくとも一つの動作を制御する第２の電気回路とを含む第１の回路基板と、
制御ラインを介して前記第１の回路基板と動作可能に結合された第２の回路基板と、を含み、
前記第２の回路基板は、前記制御ラインに結合した、第１の動作状態において第１の信号フォーマットにより第１の制御信号を生成し、第２の動作状態において第２の信号フォーマットにより第２の制御信号を生成するコントローラを含み、
前記第１と第２の電気回路は前記制御ラインに結合され、
前記コントローラは、前記第１の動作状態において前記第２の電気回路に影響を与えることなく前記制御ラインを介して動作データを読み出すために、前記第１の電気回路に前記第１の制御信号を送信し、前記制御ラインを介して前記動作データに応じて前記第２の電気回路を制御するために、前記第２の電気回路に前記第２の制御信号を送信することを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の信号処理装置であって、
前記第１の電気回路は、前記第２の電気回路を制御する、記憶された動作データを有するメモリ回路を有し、
前記コントローラは、前記第１の動作状態において前記動作データを読み出し、前記第２の動作状態において前記動作データに応じて前記第２の電気回路を制御することを特徴とする信号処理装置。
【請求項３】
第１と第２の動作状態を有するテレビ信号レシーバを動作させる方法であって、
制御ラインを介して結合された第１と第２の回路基板を設けるステップを含み、
前記第１の回路基板は、メモリデバイスと制御回路を有し、前記制御ラインに結合し、
前記第２の回路基板は、コントローラを有し、前記制御ラインに結合し、
前記方法は、
前記レシーバが前記第１の動作状態にあるとき、前記制御回路に影響することなく、前記メモリデバイスから動作データを読み出すために、前記第２の回路基板の前記コントローラから、前記第１の回路基板の前記メモリデバイスに、前記制御ラインを介して、第１の信号フォーマットにより第１の制御信号を送信するステップと、
前記レシーバが前記第２の動作状態にあるとき、前記読み出した動作データに応じて、前記コントローラから、前記第１の回路基板の前記制御回路に、前記制御ラインを介して、第２の信号フォーマットにより第２の制御信号を送信するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を送信する方法であって、
カオス２相位相変調済みデータを示す信号を送信するステップであり、入力データを供給する処理、供給されたデータを順方向誤り訂正のために符号化する処理、符号化データをパケット化する処理、および、パケット化したデータを圧縮して変調用の符号化データを供給する処理を含む前記信号を送信するステップと、
送信された信号を狭い周波数帯域内で伝搬して、伝搬された信号がカオスの軌道の制御により実質的にデータの劣化なしに受信されるようにするステップと、
を含む、信号を送信する方法。
【請求項２】
前記狭い周波数帯域が、約２０ｋＨｚ未満の帯域幅を有する無線周波帯域を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記カオス２相位相変調済みデータを示す信号が、中間周波数信号である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記符号化する処理が、２相位相変調によってコンポジット情報／カオス信号を搬送波信号上に変調して、カオス２相位相変調済みデータを形成するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記符号化する処理が、フローを呈する非線形写像関数に従って、２相位相変調によってカオス信号を導出するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
送信信号を受信する方法であって、
狭い周波数帯域内で伝搬され、カオス２相位相変調済みデータを示す送信信号を、カオスの軌道の制御により実質的にデータの劣化なしに受信するステップを含み、
前記受信するステップが、
伝搬された信号が示すデータを圧縮解除する処理、
圧縮解除したデータをパケット化解除する処理、および、
パケット化解除したデータを復号して、送信データから実質的に劣化なしに出力データを供給する処理、
を含む、送信信号を受信する方法。
【請求項７】
前記パケット化解除したデータを復号する処理が、高速検出によってコンポジット情報／カオス信号を搬送波信号から復調して、送信データを実質的に回復するステップを更に含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記カオス２相位相変調済みデータを示す信号が、前記送信と前記受信の同期を支援するための非線形写像関数を用いたカオス生成に応答する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記パケット化解除したデータを復号する処理が、フローを呈する非線形写像関数に従って、位相比較および周波数比較の少なくとも一方によってカオス信号を導出するステップを更に含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記パケット化解除したデータを復号する処理が、
位相比較および周波数比較の前記少なくとも一方に従って、比較のための送信機写像の正確な複製を生成するステップと、
訂正用の誤り信号を生成するステップとを更に含む、請求項９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】狭帯域カオス２相位相変調を用いて信号を送受信する方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記第１の送信機はＣＤＭＡ送信機であり、前記第２の受信機はＴＤＭＡ受信機であり、
前記ＣＤＭＡ送信機で前記非圧縮アップリンク信号を送信し、
前記ＣＤＭＡ送信機が前記非圧縮アップリンク信号を送信すると同時に、前記ＴＤＭＡ受信機で前記第２の信号を受信する、
請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース画像における画素の値から得られる複数の離散コサイン変換(DCT)係数を含む信号から画素値を抽出する方法であって、
それぞれ値が抽出されるべきである特定の画素に関連づけられる複数の予め計算されたパラメタを記憶し、
抽出されるべきどんな特定の画素値についても、1つ以上のDCT係数と共にそこで関連する予め計算されたパラメタを使用して画素値を計算するステップを含む方法。
【請求項２】
ソース画像において画素の値から得られる複数の離散コサイン変換(DCT)係数を含む信号から画素値を抽出する装置であって、
それぞれ値が抽出されるべきである特定の画素に関連づけられた複数の予め計算されたパラメタを記憶する記憶装置手段と、
抽出されるべきどんな特定の画素値についても、1つ以上のDCT係数と共にそこで関連する予め計算されたパラメタを使用して画素値を計算する計算手段とを含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルビデオと静止画像とを同時に取得し、処理し、送信する方法であって、
１つまたは複数のイメージセンサからビデオフレームを取得するステップと、
１つまたは複数のプロセッサを有するビデオパイプラインを使用して前記ビデオフレームを処理するステップと、
前記ビデオフレーム取得中に１つまたは複数の高解像度静止画像が取得される場合に、前記ビデオフレームをフレームバッファに一時的に格納するステップと、
前記ビデオパイプラインと同時に実行する静止画像パイプラインを使用して、前記高解像度静止画像を処理するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ビデオフレームを処理するステップが、
前記ビデオフレームをダウンサンプリングしデモザイク処理するステップと、
前記ビデオフレームを色補正するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高解像度静止画像を処理するステップが、
複雑なデモザイク処理アルゴリズムを使用して前記高解像度静止画像をダウンサンプリングしデモザイク処理するステップと、
複雑な色補正アルゴリズムを使用して前記高解像度静止画像を色補正するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを圧縮するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを通信チャネルを介して送信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを記憶装置に格納するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記高解像度静止画像を処理するステップが、前記ビデオパイプラインにおける同じイメージセンサと同じプロセッサとを使用して前記高解像度静止画像を処理するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ビデオフレームを処理するステップと前記高解像度静止画像を処理するステップとが、別々のハードウェア処理パイプラインを使用して前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを処理するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ビデオカメラシステムのための同時二重ビデオ・静止画像パイプラインであって、
ビデオフレームと高解像度静止画像とを取得することができる１つまたは複数のイメージセンサであって、前記高解像度静止画像は、前記ビデオフレーム取得中に取得される、１つまたは複数のイメージセンサと、
前記ビデオフレームをメモリに入力することができるセンサコントローラと、
前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを同時に処理することができる１つまたは複数のプロセッサであって、前記ビデオフレームは、ビデオパイプラインを使用して処理され、前記高解像度静止画像は、静止画像パイプラインを使用して処理され、前記ビデオパイプラインは、前記静止画像パイプラインと同時に実行する、１つまたは複数のプロセッサと、
前記高解像度静止画像が処理されている時に、前記ビデオフレームを一時的に格納することができるフレームバッファと、
を具備する、同時二重ビデオ・静止画像パイプライン。
【請求項１０】
前記ビデオフレームと前記高解像度静止画像とを格納することができる記憶装置をさらに具備する、請求項９に記載の、同時二重ビデオ・静止画像パイプライン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが、ストリーミングビデオをビューファインダとして使用することにより、遠隔高解像度写真を取得する方法であって、
ユーザによって制御される遠隔装置を、１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置に接続するステップと、
前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置からストリーミングされるビデオをビューファインダとして使用することにより、前記遠隔装置から高解像度写真を取得するステップと、
ビデオ・静止画像共同パイプラインを使用して、前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置から取得された前記ビデオと前記高解像度写真とを処理し、送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記接続するステップが、前記遠隔装置を、ネットワークを介して前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置に接続するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接続するステップが、前記遠隔装置を、ポイント・ツー・ポイント接続を介して前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置に接続するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置を制御することを望むユーザに対し支払情報を要求するステップと、
前記ユーザが前記遠隔装置からの前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置を制御することができるようにするステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ユーザが前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置を制御することができるようにする前に、該ユーザによって提出された前記支払情報を確認するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記取得するステップが、待ち行列システムを使用して、複数のユーザが前記１つまたは複数の多解像度ビデオ取得装置を制御するのを可能にするステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ネットワークサーバにおける記憶装置に、前記ビデオおよび前記高解像度写真を格納するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ユーザに、前記ビデオおよび前記高解像度写真を送信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ウェブページ上に前記ビデオおよび前記高解像度写真をポストするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ウェブページから前記ビデオおよび前記高解像度写真をダウンロードすることを望むユーザに対し、支払情報を要求するステップと、
前記ユーザが、前記ビデオおよび前記高解像度写真を前記遠隔装置にダウンロードすることを可能にするステップと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を処理するための方法であって、
第１の信号ポイントで提供された第１のＲＦ信号を受信するステップと、
第３の信号ポイントで第１のダウンコンバートされた信号を提供するために、前記第１のＲＦ信号をダウンコンバートするステップと、
第２の信号ポイントで提供された第２のＲＦ信号を受信するステップと、
前記第３の信号ポイントで第２のダウンコンバートされた信号を提供するために、前記第２のＲＦ信号をダウンコンバートするステップと、
前記第３の信号ポイントで提供された第３のＲＦ信号を受信するステップと、
選択信号に応じて前記第１と第２の信号ポイントのうちの１つでアップコンバートされた信号を選択的に提供するために、前記第３のＲＦ信号をアップコンバートするステップと
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１のダウンコンバートされた信号と、前記第２のダウンコンバートされた信号と、前記第３のＲＦ信号とが、前記第３の信号ポイントで同時に存在する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
室内ユニットからの制御信号に応じて、前記選択信号を生成するステップを更に有する方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
室内ユニットからの制御信号に応じて、前記選択信号を生成するステップを更に有する方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記制御信号が、前記第１のダウンコンバートされた信号と、前記第２のダウンコンバートされた信号と、前記第３のＲＦ信号と同時に、前記第３の信号ポイントに存在している方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
ＧＰＳ信号が、前記制御信号と、前記第１のダウンコンバートされた信号と、前記第２のダウンコンバートされた信号と、前記第３のＲＦ信号と同時に、前記第３の信号ポイントに存在している方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１のＲＦ信号が、テレビ信号とインターネットプロトコル信号とのうちの１つを有する方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＲＦ信号が、テレビ信号とインターネットプロトコル信号とのうちの１つを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｃｕ3Ｔａ3ＭＯ12（式中、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃまたはこれらの混合物である）で表される組成物。
【請求項２】
ＭがＡｌである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ＭがＧａである請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ＭがＦｅである請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
ＭがＣｒである請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ＭがＳｃである請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物を含んでなるキャパシタ。
【請求項８】
請求項７に記載のキャパシタを含んでなる電子デバイス。
【請求項９】
（ａ）請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物を含んでなる誘電材料を準備し、そして（ｂ）該誘電材料からキャパシタを製造することを含んでなるキャパシタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【表３】
2005514776.tif 000001
なお、本発明の主たる特徴及び態様を要約すれば以下のとおりである。
１．  式Ｃｕ3Ｔａ3ＭＯ12（式中、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃまたはこれらの混合物である）で表される組成物。
２．  ＭがＡｌである上記１に記載の組成物。
３．  ＭがＧａである上記１に記載の組成物。
４．  ＭがＦｅである上記１に記載の組成物。
５．  ＭがＣｒである上記１に記載の組成物。
６．  ＭがＳｃである上記１に記載の組成物。
７．  誘電材料を含んでなるキャパシタであって、該誘電材料が式Ｃｕ3Ｔａ3ＭＯ12（式中、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃまたはこれらの混合物である）で表される組成物を含んでなるキャパシタ。
８．  ＭがＡｌである上記７に記載のキャパシタ。
９．  ＭがＧａである上記７に記載のキャパシタ。
１０．  ＭがＦｅである上記７に記載のキャパシタ。
１１．  ＭがＣｒである上記７に記載のキャパシタ。
１２．  ＭがＳｃである上記７に記載のキャパシタ。
１３．  誘電材料を有するキャパシタを含んでなる電子デバイスであって、該誘電材料が式Ｃｕ3Ｔａ3ＭＯ12（式中、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃまたはこれらの混合物である）で表される組成物を含んでなる電子デバイス。
１４．  ＭがＡｌである上記１３に記載の電子デバイス。
１５．  ＭがＧａである上記１３に記載の電子デバイス。
１６．  ＭがＦｅである上記１３に記載の電子デバイス。
１７．  ＭがＣｒである上記１３に記載の電子デバイス。
１８．  ＭがＳｃである上記１３に記載の電子デバイス。
１９．  （ａ）式Ｃｕ3Ｔａ3ＭＯ12（式中、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃまたはこれらの混合物である）で表される組成物を含んでなる誘電材料を準備し、そして（ｂ）該誘電材料からキャパシタを製造することを含んでなるキャパシタの製造方法。
２０．  ＭがＡｌである上記１９に記載の方法。
２１．  ＭがＧａである上記１９に記載の方法。
２２．  ＭがＦｅである上記１９に記載の方法。
２３．  ＭがＣｒである上記１９に記載の方法。
２４．  ＭがＳｃである上記１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
トランジスタが形成された半導体基板を有し、前記トランジスタは、前記基板上に形成された互いに対向するサイドウォールを備えたゲート電極を含むものであり、
前記基板上に形成された活性領域を有し、
ゲート電極対向サイドウォールに沿って形成されるとともに当該ゲート電極対向サイドウォールに接している絶縁サイドウォールスペーサを有し、
前記サイドウォールスペーサに埋め込まれている導電層を有し、前記導電層は、前記ゲート電極及び前記活性領域から電気的に絶縁されているものであり、
前記埋め込まれた導電層は、金属及び金属シリサイドのうちから選択された導電材料を含む、
半導体デバイス。
【請求項２】
前記活性領域は、ソース及びドレイン領域を含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ゲート電極と前記活性領域間に挿入されたゲート絶縁層を更に含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記サイドウォールスペーサは、窒化シリコンを含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記埋め込まれた導電層の膜厚は、約５０Å〜約３００Åである、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記サイドウォールスペーサの幅は、約３００Å〜約２０００Åである、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記埋め込まれた導電層の幅は、約１００Å〜約１８００Åである、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記導電層は、ゲート電極側壁から、約５０Å〜約５００Å離間されている、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記埋め込まれた導電層には、バイアスがかけられる、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記埋め込まれた導電層は、フローティング状態である、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
半導体デバイスであって、
トランジスタが形成された半導体基板を有し、前記トランジスタは、前記基板上に形成された互いに対向するサイドウォールを備えたゲート電極を含むものであり、
前記基板上に形成された活性領域を有し、
ゲート電極対向サイドウォールに沿って形成されるとともに当該ゲート電極対向サイドウォールに接している絶縁サイドウォールスペーサを有し、
前記サイドウォールスペーサに埋め込まれている導電層を有し、前記導電層は、前記ゲート電極及び前記活性領域から電気的に絶縁されているものであり、
前記埋め込まれた導電層は、導電性ポリシリコンを含む、
半導体デバイス。
【請求項１２】
半導体デバイスであって、
トランジスタ（３２）が形成された半導体基板を有し、前記トランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタを含み、
前記トランジスタ（３２）は、前記基板（１０）上に形成された互いに対向するサイドウォール（２０）を備えたゲート電極（１８）を含み、
前記基板（１０）上に形成された活性領域（１４）を有し、
前記ゲート電極対向サイドウォール（２０）に沿って形成されるとともに当該ゲート電極対向サイドウォール（２０）に接している絶縁サイドウォールスペーサ（２７）を有し、
前記サイドウォールスペーサ（２７）に埋め込まれている導電層（２４）を有し、前記導電層（２４）は、前記ゲート電極（１８）及び前記活性領域（１４）から電気的に絶縁されているものであり、
前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタの前記活性領域の直列抵抗は、それぞれ独立してプログラム可能である、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシピパラメータに応答する機器のためにレシピを作成する方法であって、
マスクセットデータにアクセスするステップと、
前記マスクセットデータにおけるターゲット構造を認識するステップと、
該マスクデータセットからパラメータを抽出するステップと、
前記マスクセットデータから作成されるマスクでプリントされるウエーハが生成される前に、前記認識されたターゲット構造に応じて前記抽出されたパラメータに基づくレシピを設定するステップと、
を具備した方法。
【請求項２】
処理レイヤのための前記レシピが、データベースから検索される請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記レシピが、ウエーハ処理パラメータ、検査パラメータおよび制御パラメータのうちの少なくとも１つからなる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ターゲット構造が、アライメントサイト、測定サイト、オーバーレイターゲットおよびアレイ要素のうちの少なくとも１つからなる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ウエーハについてのタスクを実行するようレシピによって命令される機器のための方法であって、
ダイを記述する設計データを受け取るステップと、
前記機器の構成に関連した前記設計データからパラメータを抽出するステップと、
ウエーハに前記設計データが適用される前に、前記抽出されたパラメータに基づき前記タスクを実行するための前記レシピを作成するステップと、
を具備した方法。
【請求項６】
前記タスクが、検査および測定の少なくとも１つを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ステッパセットアップファイルを使用するウエーハ上の少なくとも１つのダイに、前記抽出されたパラメータを適用するステップ、を更に具備した請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記設計データは、要素名およびインスタンスタイプの少なくとも１つを含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記レシピを使用して前記ウエーハを検査するステップを更に具備した請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記検査がマイクロ検査である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記検査がマクロ検査である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記検査が暗視野検査である請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記レシピを使用して前記ウエーハを測定するステップを更に具備した請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記測定がフィルム測定である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記測定が微小寸法測定である請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記測定がオーバーレイ測定である請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
１つまたは複数のダイを記述する設計データを使用するレシピ抽出システムであって、
前記設計データにアクセスするアクセスモジュールと、
前記設計データからパラメータを抽出するアナライザと、
前記設計データが適用されたウエーハが生成される前に、検査器および測定器の一方を制御するためのレシピを作成する設定モジュールと、
を具備したレシピ抽出システム。
【請求項１８】
前記アクセスモジュールが、ネットワークインターフェイスである請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記アナライザが、オーバーレイレシピ抽出を実行する請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記アナライザが、検査レシピ抽出を行う請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】
前記レシピが、ウエーハの測定を行うための命令のセットである請求項１７に記載のシステム。
【請求項２２】
前記レシピが、ウエーハの検査を行うための命令のセットである請求項１に記載のシステム。
【請求項２３】
１つまたは複数のダイを記述する設計データを使用する検査/測定器であって、
前記設計データにアクセスするための入力インターフェイスと、
前記設計データにおけるターゲット構造を認識し、該設計データからパラメータを抽出するためのアナライザと、
前記設計データが適用されたウエーハが生成される前に、前記認識されたターゲット構造に応じて抽出された前記パラメータに基づき、レシピを作成するレシピモジュールと、
を具備した検査/測定器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
上端部と下端部とを有するスピンドルと、
前記スピンドルの前記下端部に結合されたウエハキャリヤと、
前記スピンドルの前記上端部に配設された直線力生成部と、
前記直線力生成部と前記スピンドルの前記上端部との間に位置するロードセルと、
前記ロードセルに結合され、前記直線力生成部によって印加される力を制御するコントローラと、
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
前記直線力生成部は、
前記ロードセル上に配設された下板と、
前記下板の上方に配設された上板と、
前記下板と前記上板との間に位置するブラダと、
を含む、装置。
【請求項３】
請求項２記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
前記コントローラは、
前記ロードセルからの信号をモニタするサーボ増幅比較器と、
前記空気ブラダに空気を送給し、前記空気ブラダから空気を放出するサーボバルブと、
を含む、装置。
【請求項４】
請求項１記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
ロードセル板は、前記スピンドルの前記上端部に位置し、前記ロードセルは、前記ロードセル板上に実装される、装置。
【請求項５】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
上端部と下端部とを有するスピンドルと、
前記スピンドルの前記下端部に結合されたウエハキャリヤと、
前記スピンドルの前記上端部に結合されたロードセル板と、
前記ロードセル板上に配設されたロードセルと、
前記ロードセル上に配設された下板と、
前記下板の上方で支持された上板と、
前記下板と前記上板との間に位置するブラダと、
を備える、装置。
【請求項６】
請求項５記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、さらに、
前記ロードセルからの信号をモニタするサーボ増幅比較器を備える、装置。
【請求項７】
請求項６記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、さらに、
前記空気ブラダに空気を送給し、前記空気ブラダから空気を放出するサーボバルブを備える、装置。
【請求項８】
請求項７記載のＣＭＰ工程中にウエハを研磨面に当接させる装置であって、
前記サーボ増幅比較器と前記サーボバルブとは、前記ブラダにより印加される力を制御する、装置。
【請求項９】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）中にウエハに下降力を印加する方法であって、
スピンドルの上端部に直線下降力を印加する工程であって、前記スピンドルは、その下端部に結合されたウエハキャリヤを有する、前記工程と、
前記スピンドルの前記上端部に印加される前記直線下降力をモニタする工程と、
を備え、
前記モニタする工程は、
前記スピンドルの前記上端部に印加される直線下降力をロードセルを用いて測定する工程と、
前記ロードセルによって測定された前記力を所望の力の設定値と比較する工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９記載のＣＭＰ中にウエハに下降力を印加する方法であって、
前記直線下降力は、空気ブラダを用いて印加され、
前記スピンドルの前記上端部に印加される前記直線下降力をモニタする工程は、
前記空気ブラダが所望量の前記直線下降力を前記スピンドルの前記上端部に印加するように、前記空気ブラダ内の空気圧を調整する工程を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のＣＭＰ中にウエハに下降力を印加する方法であって、
前記空気ブラダ内の前記空気圧を調整する工程は、
前記空気ブラダに制御可能に空気を加える工程を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のＣＭＰ中にウエハに下降力を印加する方法であって、
前記空気ブラダ内の前記空気圧を調整する工程は、
前記空気ブラダから制御可能に空気を放出する工程を含む、方法。
【請求項１３】
請求項９記載のＣＭＰ中にウエハに下降力を印加する方法であって、
前記比較工程は、
前記ロードセルによって測定された力が、前記所望の力の設定値より高いか低いかを判断する工程を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載のＣＭＰ中にウエハに下降力を印加する方法であって、さらに、
前記ロードセルによって測定された力が前記所望の力の設定値より高い場合に、前記スピンドルの前記上端部に印加される直線下降力を減少させる工程と、
前記ロードセルによって測定された力が前記所望の力の設定値より低い場合に、前記スピンドルの前記上端部に印加される直線下降力を増加させる工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池容器の開口末端をシールするための集電子及びシール組立体であって、
前記容器の開口末端に配置されてシール密閉を形成するよう適合された、開口が形成されたシール部材と、
前記シール部材は中心ハブの内壁によって画成される開口を有しており、
前記シール部材の前記開口を貫通して延びるシャフトを有する集電装置と、
を備え、前記集電装置は、シール位置にあるときに前記シール部材の中心ハブの内壁が前記集電装置のシャフトにシール係合するように前記開口内に締まり嵌めされ、前記シール部材と前記集電装置の少なくとも一方が、前記シール部材の中心ハブの内部壁と前記集電装置の間に加圧ガスを通気するための圧力軽減通路を形成するように、予め定められた圧力に曝されると、シール係合から通気位置まで前記シール部材と前記集電装置の他方に対して軸方向に移動可能であることを特徴とする集電子及びシール組立体。
【請求項２】
外側カバーを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の電気化学電池。
【請求項３】
内側カバーを更に備え、前記内側カバーは前記外側カバーと電気的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の電気化学電池。
【請求項４】
前記集電装置は、加圧ガスを通気するための圧力軽減通路を形成するように、前記電池内で予め定められた圧力を受けると、前記シール位置から前記通気位置まで前記シール部材の開口内で軸方向に移動可能であることを特徴とする、請求項１に記載の電気化学電池。
【請求項５】
前記外側カバーと前記集電装置を電気的に結合する導電性コネクタを更に含み、前記導電性コネクタは、前記シール部材に向かって前記集電装置をバイアスすることを特徴とする請求項２に記載の電気化学電池。
【請求項６】
前記導電性コネクタは、圧縮バネを含むことを特徴とする請求項５に記載の電気化学電池。
【請求項７】
前記バネは、コイルバネを含むことを特徴とする請求項６に記載の電気化学電池。
【請求項８】
前記導電性コネクタは、ボール形ディスクを含むことを特徴とする請求項５に記載の電気化学電池。
【請求項９】
前記集電装置及びシール部材は、初期圧力通気の後で互いを再度シール係合することができることを特徴とする請求項１に記載の電気化学電池。
【請求項１０】
前記シール部材は、加圧ガスを通気するための圧力軽減通路を形成するように、前記電池内で予め定められた圧力を受けると、前記シール位置から前記通気位置まで前記集電装置のシャフトに沿って軸方向に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学電池。
【請求項１１】
前記集電装置は、前記シール位置で前記シール部材とシール係合する第１の直径と、前記第１の直径より小さい第２の直径とを有するシャフトを含み、前記シール部材は、該シール部材が前記通気位置にある場合に前記圧力軽減通路を形成するために、前記第１の直径から前記第２の直径に向かって前記シャフトに沿って移動可能であることを特徴とする請求項１０に記載の電気化学電池。
【請求項１２】
前記集電装置は、前記シャフト上に形成された拡大直径ステップを含み、前記シール部材は、前記シール位置で前記拡大直径ステップによって保持され、前記シール部材の中心ハブは、前記拡大直径ステップを越えて前記通気位置まで前記シャフトに沿って移動可能であることを特徴とする請求項１１に記載の電気化学電池。
【請求項１３】
前記集電装置は、前記通気位置にある場合、前記圧力軽減通路を形成するために集電装置に形成された１つ又はそれ以上の溝を有することを特徴とする請求項１０に記載の電気化学電池。
【請求項１４】
前記シール部材は、前記通気位置にある場合に、前記集電装置及びシール部材の再シールを防ぐために、前記シール部材の上側表面に形成された通気経路を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気化学電池。
【請求項１５】
アルカリ電解液を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電気化学電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
カソード、特に多孔質カソード層については、電子伝導性を有するか又は有しないセラミック繊維を使用することができる。ＬＳＭ型、例えば、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＭｎＯ3、又はＬＳＣ型、特に、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＣｏＯ3の材料の繊維を使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード基体（２０）と、カソード基体（２１）と、これらの基体間に配置されたプロトン交換膜（１９）と、
アノード基体に隣接して燃料反応物気体流れ区域（２７，２８）を提供するアノード流れ区域板（２６）と、
カソード基体に隣接して酸化剤反応物気体流れ区域（４９，５０）を提供するカソード流れ区域板（４０）と、
を備える、燃料電池であって、
燃料反応物気体流れ区域は、燃料反応物気体入口マニホールド（３４）から燃料を受け取り、燃料反応物気体出口マニホールド（３６）内へと排出し、
酸化剤反応物気体流れ区域は、酸化剤反応物気体入口マニホールド（４２）から酸化剤を受け取り、酸化剤反応物気体出口マニホールド（４５）内へと排出し、
少なくとも１つの流れ区域板は、多孔質であり、また、少なくとも１つの流れ区域板の側面において、対応する１つの反応物気体流れ区域の反対に、水流れ区域（２９，３０，３１；４８，４９，５０）を有しており、水流れ区域（２９，４８）は、対応する１つの反応物気体入口マニホールドの領域で行き止まりになっており、対応する１つの反応物気体出口マニホールド内へ開いており、１つの流れ反応物気体区域内の反応物気体の圧力を対応する１つの反応物気体出口マニホールド内の反応物気体の圧力より上に維持するように、その排出端部において流れ制限器（３９，４７）を有することを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
複数の請求項１に記載の燃料電池と、
（ａ）内部に冷却剤流れ区域を有する冷却板および（ｂ）中実板から選択されるとともに、燃料電池のそれぞれをその隣接する燃料電池から隔離する、気体不透過性セパレータ板（２６，５１ａ）と、
を有することを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項３】
前記流れ制限器は、対応する出口マニホールド内の圧力より０．２から２．０ｐｓｉ上に反応物気体の圧力を維持することを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項４】
複数の請求項１に記載の燃料電池と、
複数の冷却板（５１ａ）と、
を有する、燃料電池スタックであって、
各冷却板は、内部に冷却剤流れ区域（５２）を有し、燃料電池のそれぞれは、それに隣接する燃料電池から冷却板の１つによって隔離され、各冷却剤流れ区域の一部分は、反応物気体入口マニホールドの付近において少なくとも１つの反応物流れ区域の一部分と互いに位置合わせされ、少なくとも１つの水抜き孔（５７）が、各冷却剤流れ区域の前記部分と、これと互いに位置合わせされる１つの反応物気体流れ区域との間に存在することを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項５】
前記流れ制限器は、交互嵌合反応物気体流れ区域流路（６５，６６，７６，７８）を備えることを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項６】
少なくとも１つの前記基体は、多孔質であり、（ａ）親水性基体、（ｂ）防水基体、および（ｃ）部分的に親水性かつ部分的に防水の基体から選択されることを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項７】
少なくとも１つの流れ区域板（２６ａ）は、中実であり、反応物気体流れ流路（２７，２８）と、この流路から水流れ区域内へ延びる小さな孔（８５）とを有することを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項８】
前記小さな孔は、粒状物質で充填されており、それによって、多孔質詰め物を形成することを特徴とする請求項７記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス又はプラスチックの支持基板（２）と、
上記基板（２）の上に配置された少なくとも２つの電極（３）と、
上記２つの電極（３）の間の基板（２）上に配置された少なくとも３次元浸透層（４、４Ａ）であって、マイクロメータ又はナノメータ寸法の多数の空隙で規定される金属メスポーラス構造を有し、該構造が通電を保証するために特に金属相互接続体または金属の誘電性相互接続体から構成されている３次元浸透層（４、４Ａ）と、
多数の発光性含有物（５）で、特に３次元浸透層（４、４Ａ）の空隙の各々に閉じ込められたナノ粒子又はマクロ分子から成る多数の発光性含有物（５）と、を含むエレクトロルミネセンス装置（１）であって、
発光性含有物（５）が、電子トンネリング効果により３次元浸透層（４、４Ａ）を通過する電子によって励起された時に、光を放射する機能を有するエレクトロルミネセンス装置（１）。
【請求項２】
電極（３）が、外部電源（低ＶＤＣ）と３次元浸透層（４、４Ａ）との電気的接続を確立するように機能して、３次元浸透層の端部間に、この３次元浸透層を通過する電荷輸送を誘起する電位差を生じさせる請求項１に記載の装置。
【請求項３】
３次元浸透層（４、４Ａ）の保護層（６）を備えている請求項１に記載の装置。
【請求項４】
上記基板（２）がガラス又はプラスチック材料から成る請求項１に記載の装置。
【請求項５】
電極（３）が各々に連続した金属層で形成されている請求項１に記載の装置。
【請求項６】
上記の連続した金属層が基板（２）上への蒸着により形成されて成る請求項５に記載の装置。
【請求項７】
上記金属層が、銅、銀、金、アルミニウム、白金およびニッケルから成る群から選択される材料から成る請求項５に記載の装置。
【請求項８】
発光性含有物（５）が、半導体ナノ結晶、金属ナノ粒子、又は発光特性の微粒子の形態である請求項１に記載の装置。
【請求項９】
発光性含有物（５）が、クマリン７、アルミニウム−８−ハイドロキシキノリン、スピロ化合物、及びエレクトロルミネセンスポリマーのような発光性有機分子の形態である請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
発光性含有物（５）が、Ｓｉ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、「コアシェル」ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、及びＣｄＳｅ／ＣｄＳ構造体のような無機半導体の形態である請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
発光性含有物（５）が、金属ナノ粒子の形態である請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
発光性含有物（５）が、ユーロピウム、テルビウム、エルビウム、イッテルビウムの金属有機化合物のような発光性希土類の形態である請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
保護層（６）が、ガラスもしくは他の透明なプラスチック誘電体から成る請求項３に記載の装置。
【請求項１４】
上記ガラスが、ゾル−ゲル法により製造され、スピンコーティング、ディップコーティング、蒸着、又はスパッタリングにより上記浸透層（４、４Ａ）の上に形成されて成る請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
複数の３次元浸透層（４Ａ）を備えて成る請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
上記浸透層（４Ａ）が、互いに異なる種類の金属から、又は金属−誘電体−金属−誘電体型の繰り返し配置を有する金属から形成される請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
上記浸透層（４Ａ）が、誘電材料の不連続層（４Ｂ）と相互に入れ換えた１種類の金属から成る請求項１５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に、第１の部分および第２の部分を含むシリコン層を設けるステップを有し、
前記シリコン層の前記第１の部分を部分的に除去するステップであって、前記第２の部分の厚みが、前記第１の部分の厚みより厚くされるステップを有し、
前記第１の部分に第１のトランジスタを形成し、前記第２の部分に第２のトランジスタを形成するステップを有する、半導体デバイスの製造方法であって、
前記第１のトランジスタが、第１のソース／ドレイン領域を含み、前記第２のトランジスタが、第２のソース／ドレイン領域を含み、前記第２のソース／ドレイン領域の深さが、前記第１のソース／ドレイン領域の深さより深く、
前記第１のソース／ドレイン領域が、第１のドーパントを用いて形成され、前記第２のソース／ドレイン領域が、第２のドーパントを用いて形成され、
シリコン内での前記第２のドーパントの拡散率が、シリコン内での前記第１のドーパントの拡散率より高い、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記シリコン層（１４）の前記第１の部分の厚みおよび第２の部分の厚みの初期値が互いに等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン層の前記第１の部分を部分的に除去する前記ステップが、前記第１の部分をエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン層の前記第１の部分を部分的に除去する前記ステップが、前記シリコン層上にレジストを堆積することと、前記シリコン層の前記第１の部分を露光するために、前記レジストを露光および現像することとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の部分の前記厚みが、所定の時間、前記第１の部分をエッチングすることによって決定される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン層の前記第１の部分を部分的に除去する前記ステップが、前記シリコン層の前記第１の部分を酸化することと、前記酸化されたシリコンを除去することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン層の前記第１の部分を部分的に除去する前記ステップが、前記シリコン層上にマスク層およびレジストを堆積することと、前記シリコン層の前記第１の部分上の前記マスク層の一部分を露光するために、前記レジストを露光および現像することと、前記シリコン層の前記第１の部分上の前記マスク層を除去することとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マスク層を除去する前記ステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記マスク層が、反射防止材である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記マスク層が、窒化シリコンである、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン層の前記第１の部分が、前記第２の部分に直接隣接し、前記第１の部分と前記第２の部分が、絶縁フィーチャによって離間されているものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のトランジスタは、Ｎ型トランジスタであり、前記第２トランジスタは、Ｐ型トランジスタである、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されて、第１の部分および第２の部分を含むシリコン層と、を有し、
前記第１の部分に第１トランジスタが形成され、前記第２の部分に第２のトランジスタが形成され、
前記第２の部分の厚みが、前記第１の部分の厚みより厚く、
前記第１のトランジスタが、第１のソース／ドレイン領域を含み、前記第２のトランジスタが、第２のソース／ドレイン領域を含み、
前記第２のソース／ドレイン領域の深さは、第１のソース／ドレイン領域の深さより深く、
前記第１のソース／ドレイン領域が第１のドーパントを用いて形成され、前記第２のソース／ドレイン領域が第２のドーパントを用いて形成され、
シリコン内への前記第２のドーパントの前記拡散率が、シリコン内への前記第１のドーパントの前記拡散率より高い、半導体デバイスの製造方法。 
【請求項１４】
前記シリコン層の前記第１の部分が前記第２の部分に直接隣接し、前記第１の部分および前記第２の部分が絶縁フィーチャによって離間されているものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のトランジスタは、Ｎ型トランジスタであり、前記第２トランジスタは、Ｐ型トランジスタである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
絶縁層（１２）と、
前記絶縁層（１２）上にあり、第１の部分および第２の部分を含むシリコン層（１４）と、
前記第１の部分に形成された第１のトランジスタおよび前記第２の部分に形成された第２のトランジスタとを含む半導体デバイスであって、
前記第２の部分の厚みが、前記第１の部分の厚みより厚く、
前記第１のトランジスタが、第１のソース／ドレイン領域（４０ａ、４２ａ）を含み、前記第２のトランジスタが、第２のソース／ドレイン領域（４０ｂ、４２ｂ）を含み、
前記第２のソース／ドレイン領域（４０ｂ、４２ｂ）の深さが、前記第１のソース／ドレイン領域（４０ａ、４０ｂ）の深さより深く、
前記第１のソース／ドレイン領域（４０ａ、４２ａ）が、第１のドーパントを用いて形成され、前記第２のソース／ドレイン領域（４０ｂ、４２ｂ）が、第２のドーパントを用いて形成され、
シリコン内での前記第２のドーパントの拡散率が、シリコン内での前記第１のドーパントの拡散率より高い、半導体デバイス。