【事件の表示】
　特願２００８−５０５３８１「不揮発性記憶内の結合の補償」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日国際公開、ＷＯ２００６／１０７７３０、平成２０年　９月　４日国内公表、特表２００８−５３６２５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年３月３１日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　２００５年４月５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年５月３１日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月２６日に意見書及び補正書が提出されたが、同年１２月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、平成２３年４月２８日に拒絶査定に対する審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１１月７日付けで審尋がなされ、平成２４年２月６日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年４月２８日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年４月２８日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２と補正するものであり、補正前の請求項１〜３、８〜９及び補正後の請求項１、２、７は各々次のとおりである。
　
　（補正前）
　「【請求項１】
　第１不揮発性記憶要素のデータ状態を読み出す方法であって、
　前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素は各々、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つを記憶しており、
　前記第２不揮発性記憶要素の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定する工程と、
　基準レベルの集合を用いて前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行する工程と、を備えており、
　基準レベルの各々は、前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別するものであり、
　前記基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて複数の基準レベルの集合から選択され、
　複数の基準レベルの集合の各々の基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応している方法。
【請求項２】
　複数の第１不揮発性記憶要素に対して前記読み出し動作を複数回実行し、
　複数回の読み出し動作の各々には、複数の基準レベルの集合のうちの１つの基準レベルの集合が用いられ、
　各々の第１不揮発性記憶要素は、各々１つの第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　隣接する第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、複数の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記読み出し動作は、前記第１不揮発性記憶要素の制御ゲートに所定の基準レベルを印加して、前記第１不揮発性記憶要素が導通しているか否かを検出している請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
　第１不揮発性記憶要素と、
　前記第１不揮発性記憶要素に隣接している第２不揮発性記憶要素と、
　　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素は各々、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つを記憶しており、
　不揮発性記憶要素と通信する一つ以上の管理回路と、を備えており、
　前記一つ以上の管理回路は、
　前記第２不揮発性記憶要素の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定しており、
　基準レベルの集合を用いて前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行しており、
　基準レベルの各々は、前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別するものであり、
　前記基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて複数の基準レベルの集合から選択されており、
　複数の基準レベルの集合の各々の基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応している不揮発性メモリシステム。
【請求項９】
　複数の第１不揮発性記憶要素に対して前記読み出し動作を複数回実行し、
　複数回の読み出し動作の各々には、複数の基準レベルの集合のうちの１つの基準レベルの集合が用いられ、
　各々の第１不揮発性記憶要素は、各々１つの第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記一つ以上の管理回路は、隣接する第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、複数の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する請求項８に記載の不揮発性メモリシステム。」
　
　（補正後）
　「【請求項１】
　第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を読み出す方法であって、
　前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり、
　前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり、
　前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定する工程と、
　前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行する工程を備えており、
　各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定し、
　各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており、
　前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用することを特徴とする方法。
【請求項２】
　前記読み出し動作の各々は、前記第１不揮発性記憶要素の制御ゲートに所定の基準レベルを印加して、前記第１不揮発性記憶要素が導通しているか否かを検出している請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　第１不揮発性記憶要素と、
　前記第１不揮発性記憶要素に隣接している第２不揮発性記憶要素と、
　　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており、
　　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり、
　　前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり、
　不揮発性記憶要素と通信する一つ以上の管理回路と、を備えており、
　前記一つ以上の管理回路は、
　前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定しており、
　前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行しており、
　各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定しており、
　各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており、
　前記一つ以上の管理回路が、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用することを特徴とする不揮発性メモリシステム。」
　
２．本件補正による補正事項
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１を引用する従属形式の補正前の請求項２を独立形式として補正後の請求項１とすると共に、補正前の請求項１を削除すること、及び、それに伴って、補正後の請求項１に従属する請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２の「第１不揮発性記憶要素のデータ状態を読み出す方法であって」を、補正後の請求項１の「第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を読み出す方法であって」と補正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項２の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素は各々、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つを記憶しており」を、補正後の請求項１の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており」、「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり」及び「前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり」と補正すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項２の「前記第２不揮発性記憶要素の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定する工程」を、補正後の請求項１の「前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定する工程」と補正すること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項２の「基準レベルの集合を用いて前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行する工程と、を備えており」及び「複数の第１不揮発性記憶要素に対して前記読み出し動作を複数回実行し」を、補正後の請求項１の「前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行する工程を備えており」と補正すること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項２の「基準レベルの各々は、前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別するものであり」を、補正後の請求項１の「各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定し」と補正すること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項２の「前記基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて複数の基準レベルの集合から選択され」、「複数の基準レベルの集合の各々の基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応している」こと、及び、同「複数回の読み出し動作の各々には、複数の基準レベルの集合のうちの１つの基準レベルの集合が用いられ」ることを、補正後の請求項１の「各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており」と補正すること。
　
（８）補正事項８
　補正前の請求項２の「各々の第１不揮発性記憶要素は、各々１つの第２不揮発性記憶要素に隣接しており」及び「隣接する第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、複数の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する」を、補正後の請求項１「前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており」及び「前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する」と補正すること。
　
（９）補正事項９
　補正前の請求項３の「前記読み出し動作は、前記第１不揮発性記憶要素の制御ゲートに所定の基準レベルを印加して、前記第１不揮発性記憶要素が導通しているか否かを検出している」を、補正後の請求項２の「前記読み出し動作の各々は、前記第１不揮発性記憶要素の制御ゲートに所定の基準レベルを印加して、前記第１不揮発性記憶要素が導通しているか否かを検出している」と補正すること。
　
（１０）補正事項１０
　補正前の請求項８を引用する従属形式の補正前の請求項９を独立形式として補正後の請求項７とすると共に、補正前の請求項８を削除すること、及び、それに伴って、補正後の請求項７に従属する請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（１１）補正事項１１
　補正前の請求項９の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素は各々、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つを記憶しており」を、補正後の請求項７の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており」、「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり」、「前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり」と補正すること。
　
（１２）補正事項１２
　補正前の請求項９の「前記一つ以上の管理回路は」、「前記第２不揮発性記憶要素の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定しており」を、補正後の請求項７の「前記一つ以上の管理回路は、　前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定しており」と補正すること。
　
（１３）補正事項１３
　補正前の請求項９の「複数の第１不揮発性記憶要素に対して前記読み出し動作を複数回実行し」、「複数回の読み出し動作の各々には、複数の基準レベルの集合のうちの１つの基準レベルの集合が用いられ」、「各々の第１不揮発性記憶要素は、各々１つの第２不揮発性記憶要素に隣接して」いること、及び、同「基準レベルの集合を用いて前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行しており」、「基準レベルの各々は、前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別するものであり」、「前記基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて複数の基準レベルの集合から選択されており」、「複数の基準レベルの集合の各々の基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応している」ことを、補正後の請求項７の「前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行しており」、「各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定しており」、「各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており」と補正すること。
　
（１４）補正事項１４
　補正前の請求項９の「前記一つ以上の管理回路は、隣接する第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、複数の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する」ことを、補正後の請求項７の「前記一つ以上の管理回路が、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用すること」と補正すること。
　
３．新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「第１不揮発性記憶要素のデータ状態」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「前記第２不揮発性記憶要素は各々」及び「それらのデータ状態の１つを」をそれぞれ「前記第２不揮発性記憶要素の各々は」及び「それらのデータ状態の１つのデータ状態」として、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「第１不揮発性記憶要素」と「第２不揮発性記憶要素」との関係に技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１１４、０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定する工程」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項５について
　補正事項５は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行する工程」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１３１段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（６）補正事項６について
　補正事項６は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別する」ことについて技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項６は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（７）補正事項７について
　補正事項７は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「基準レベル」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項７は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（８）補正事項８について
　補正事項８は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「隣接する第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、複数の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する」ことについて技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項８は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（９）補正事項９について
　補正事項９は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「前記読み出し動作」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１３１段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項９は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（１０）補正事項１０について
　補正事項１０は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１０が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（１１）補正事項１１について
　補正事項１１は、補正前の請求項９に係る発明の発明特定事項である「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素」との関係について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（１２）補正事項１２について
　補正事項１２は、補正前の請求項９に係る発明の発明特定事項である「前記一つ以上の管理回路」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（１３）補正事項１３について
　補正事項１３は、補正前の請求項９に係る発明の発明特定事項である「前記台１不揮発性記憶要素の読み出し動作」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３１段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（１４）補正事項１４について
　補正事項１４は、補正前の請求項９に係る発明の発明特定事項である「前記一つ以上の管理回路」について技術的に限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の０１２９〜０１３０段落等に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（１５）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される、上記「１．補正の内容」に補正後の請求項１として記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を読み出す方法であって、
　前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり、
　前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり、
　前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定する工程と、
　前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行する工程を備えており、
　各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定し、
　各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており、
　前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用することを特徴とする方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）引用例の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−３２６８６６号公報（以下「引用例」という。）には、図１、２、４、６、８、９Ａ、９Ｂ及び１０〜１２とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電気的書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置とこれを用いた電子装置に係り、特に微細化したセルを持つフラッシュメモリの読み出し方式に関する。
　
ｂ．「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、フラッシュメモリでは、セルの微細化が進むにつれて、セル間の干渉、具体的には浮遊ゲート間の容量結合による書き込みしきい値の変動が大きくなるという問題がある。
この発明は、読み出し条件によってセル間の干渉の影響を低減した不揮発性半導体記憶装置とこれを用いた電子装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明による不揮発性半導体記憶装置は
前記メモリセルアレイから選択された第１のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第２のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスする
　
ｃ．「【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態を説明する。
［実施の形態１］
図１は、実施の形態によるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構成を示すブロック図である。
　
ｄ．「【００１６】
図２は、セルアレイ１の具体的構成を示す。この例では、１６個の直列接続されたメモリセルＭＣ０−ＭＣ１５とその両端に接続された選択ゲートトランジスタＳ１、Ｓ２により、ＮＡＮＤセルユニット４が構成されている。
【００１７】
一つのワード線に沿う複数のメモリセルの範囲が、一括したデータ読み出し及びデータ書き込みの単位となるページになる
　
ｅ．「【００２６】
この実施の形態では、図６に示すようなしきい値分布の４値データ“００”、“０１”、“１０”、“１１”を書き込む場合を想定している。この様な４値データ記憶を行う場合には、二値データ記憶に比べて前述した隣接セルの干渉の影響が大きい。
【００２７】
次にこの実施の形態による、隣接セルの干渉の影響を低減する読み出し方式を説明する。
このとき、従来例で説明したと同様、メモリセルに書き込まれたしきい値Ｖａは、後に書き込まれる隣接メモリセルの干渉により、Ｖｂに変化する。
【００２８】
このような隣接セルの干渉の影響を低減するため、データ読み出しは、次のようにする。メモリセルＭＣ０のデータ読み出し時は、これに隣接しこれより後に書き込まれたメモリセルＭＣ１の読み出しデータに応じて、その読み出し条件を決定する。同様に、メモリセルＭＣ１、ＭＣ２のデータ読み出し時も、それぞれに隣接し、それより後に書き込まれたメモリセルＭＣ２、ＭＣ３の読み出しデータに応じて読み出し条件を決定する。
　
ｆ．「【００２９】
図８は、ページ読み出し動作のフローを示しており、参照データとすべきページの読み出し動作ＲＥＡＤ１と、その参照データにより制御された、注目するページの読み出し動作ＲＥＡＤ２の２回の読み出しを実行することになる。即ち、ページＰｎ（ワード線ＷＬｎ）が選択されたとき、その読み出しデータに対してセル間干渉の影響を与えるのは、ページＰｎ＋１（ワード線ＷＬｎ＋１）のデータである。そこで、チップ外部から与えられるアドレス入力により、ページＰｎのデータ読み出しが要求された場合には、まず、ページＰｎ＋１のデータ読み出しを行う（ステップＳ１）。その読み出しデータは、図４のセンスアンプ回路ＳＡの第２のラッチ回路４２に保持する。
【００３０】
この後、注目するページＰｎのデータ読み出し動作ＲＥＡＤ２に入り、ビット線をプリチャージした後、ビット線放電を開始する（ステップＳ２）。データセンスは、先に読み出されている参照データに応じて、その条件を異ならせる。そのために、ラッチ回路４２のノードＮ３が“Ｈ”であるか否かを判定する（ステップＳ３）。ノードＮ３が“Ｈ”であれば、選択ページの読み出しに隣接セルの干渉を考慮する必要があり、“Ｌ”であれば、その必要がないことを意味する。この判定結果は、具体的には図４のセンスアンプ回路ＳＡにおいて、第２のラッチ回路４２の参照データに応じて、データ転送回路３０ａ、３０ｂのいずれが有効になるという結果として現れる。
【００３１】
即ち、ステップＳ３の判定結果がＮＯの場合、ビット線センスは、制御信号ＣＴ１によりオンとなるデータ転送回路３０ａにより行われる（ステップＳ４）。このデータセンス時、選択ページのワード線ＷＬｎには読み出し電圧Ｖｓｅｌを与える。ステップＳ３の判定結果がＹＥＳの場合、ビット線センスは、制御信号ＣＴ２によりオンとなるデータ転送回路３０ｂにより行われる（ステップＳ５）。このデータセンス時は、選択ページのワード線ＷＬｎには読み出し電圧Ｖｓｅｌよりわずかに高い読み出し電圧Ｖｓｅｌｈを与える。読み出しデータは、第１のラッチ回路４１に転送される（ステップＳ６）。
　
ｇ．「【００３２】
図９Ａ及び図９Ｂは、読み出し動作ＲＥＡＤ１、ＲＥＡＤ２におけるＮＡＮＤセルユニットのバイアス条件を示している。選択ページＰｎで読み出されるのはメモリセルＭＣ１であるとして、読み出し動作ＲＥＡＤ１では、隣接メモリセルＭＣ２のワード線に、読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅが与えられる。他のワード線及び選択ゲート線には、それらにより制御されるメモリセル及び選択ゲートトランジスタが導通するようなパス電圧Ｖｒｅａｄが与えられる。
【００３３】
読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅは、ページＰｎ＋１のメモリセルＭＣ２が所定の書き込み状態にあるか否かを判定するための電圧となる。
また、Ｖｓｅｌｐｒｅ＝Ｖｒ２とすれば、セルがデータ“１０”以下のしきい値であるか、データ“００”以上のしきい値であるかが判定される。
【００３４】
注目するページの読み出し動作ＲＥＡＤ２では、図９Ｂに示すように、選択ワード線に異なる読み出し電圧Ｖｓｅｌ、Ｖｓｅｌｈが異なるタイミングで与えられる。これが、参照データに応じて異なる読み出し条件となる。
　
ｈ．「【００３５】
次に、図１１及び図１２の読み出し動作波形を参照して、より具体的に読み出し動作を説明する。図１１は、参照データとすべきページＰｎ＋１のデータ読み出し動作（ＲＥＡＤ１）の波形であり、図１２は、注目するページＰｎのデータ読み出し動作（ＲＥＡＤ２）の波形である。
【００３６】
図１１の読み出し動作を説明すると、次のようになる。タイミングＴ０からＴ１で、ワード線、選択ゲート線にそれぞれ所定の電圧を印加し、ビット線をプリチャージする。選択ワード線には読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅ、非選択ワード線及びビット線側の選択ゲート線ＳＧＤには、読み出しパス電圧Ｖｒｅａｄが与えられる。ビット線プリチャージは、ＮＭＯＳトランジスタ３２のゲートＢＬＰＲＥにＶｃｃ＋Ｖｔを与えてノードＮＳ１をＶｃｃに充電し、ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲートＢＬＣＬＡＭＰにＶｐｒｅ＋Ｖｔを印加することによって行われる。これにより、ビット線はＶｐｒｅに充電される。
【００３７】
タイミングＴ１で、セルソース線側選択ゲート線ＳＧＳにパス電圧Ｖｒｅａｄが印加される。ページＰｎ＋１のメモリセル（図９ＡのメモリセルＭＣ２）のしきい値がＶｓｅｌｐｒｅより低ければ、そのメモリセルがオンしてビット線電位Ｖｐｒｅは放電され、しきい値がＶｓｅｌｐｒｅより高ければビット線電位は放電されない。図１１中のビット線電位の実線で示す波形Ａは放電されるケースを示し、一転鎖線で示す波形Ｂは放電されないケースを示している。
【００３８】
タイミングＴ２からＴ３では、ＮＭＯＳトランジスタ３８をオンにして、センスアンプＳＡ内のセンスノードＮＳ２をＶｃｃにプリチャージする。同時に、読み出しデータをラッチ回路４２に取り込むため、ＮＭＯＳトランジスタ４０のゲートＢＬＣ２にもＶｃｃ＋Ｖｔが印加される。これにより、ノードＮ３もＶｃｃにプリチャージされる。タイミングＴ４からＴ５では、ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲートＢＬＣＬＡＭＰにビット線センス電圧Ｖｓｅｎ＋Ｖｔ（Ｖｔは、ＮＭＯＳトランジスタ３１のしきい値電圧）が印加される。この時、ＮＭＯＳトランジスタ３３のゲートにも制御信号ＣＴ１＝Ｖｃｃが印加される。また、タイミングＴ２からＴ６の間、ＰＭＯＳトランジスタ４３のゲートに制御信号Ｎ４ＰＲＥｎ＝“Ｌ”が印加され、これによりＮＭＯＳトランジスタ３４のゲートにＶｃｃが印加されている。よってこのデータセンス時、データ転送回路３０ａのみが導通可能な状態となっている。
【００３９】
ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲートＢＬＣＬＡＭＰに与えられるセンス電圧は、Ｖｓｅｎ＋Ｖｔ（ＶｔはＮＭＯＳトランジスタ３１のしきい値電圧）である。図１１のビット線波形Ａのように、ビット線電圧がＶｓｅｎ以下であれば、ＮＭＯＳトランジスタ３１は導通状態となり、ノードＮＳ１、ＮＳ２はビット線電位近くまで放電される。この場合、タイミングＴ６からＴ７でラッチ回路４２のノードＮ３には“Ｌ”データが取り込まれる。これは、ページＰｎ＋１のメモリセルは書き込まれていないか、あるいは、しきい値があまり動かない書き込みしか行われていないことを意味する。」
　
ｉ．「【００４０】
ビット線の波形Ｂのように、タイミングＴ１からＴ４の間にビット線電位が放電されなかった場合には、ラッチ回路４２のノードＮ３には“Ｈ”データが取り込まれる。これは、ページＰｎ＋１のメモリセルに、注目するページＰｎのメモリセルの書き込みデータに影響を与える状態の書き込みがなされたことを意味する。タイミングＴ７、Ｔ８でノードＮ３のデータがラッチ回路４２に取り込まれる。以上により、第２のラッチ回路４２に参照データが保持される。
【００４１】
次に、ラッチ回路４２に参照データを保持したまま、図１２に示す選択ページＰｎのデータ読み出し動作ＲＥＡＤ２を行う。このとき、ＮＡＮＤセルユニットに印加される電圧は、図９Ｂのようになる。図９Ｂでは、メモリセルＭＣ１がページＰｎに対応するメモリセルであり、このメモリセルを選択するワード線には前述のように、二つの読み出し電圧Ｖｓｅｌ、Ｖｓｅｌｈが異なるタイミングで印加される。この読み出し電圧Ｖｓｅｌ、Ｖｓｅｌｈは、図１０に示すデータ分布において、データ“１０”と“００”を判別する読み出しを行う場合にはそれぞれ、Ｖｒ２、Ｖｒ２ｈに相当する電圧である。Ｖｒ２は、ページＰｎ＋１に書き込みが行われていない場合の読み出しワード線電圧であり、Ｖｒ２ｈはページＰｎ＋１のメモリセルに書き込みが行われている場合の読み出しワード線電圧である。
　
ｊ．「【００４２】
タイミングＴ０からＴ１では、選択ワード線に読み出し電圧Ｖｓｅｌ（例えば、ｖｒ２）を印加し、同一ＮＡＮＤセルユニットの非選択ワード線と選択ゲート線ＳＧＤにはパス電圧Ｖｒｅａｄを印加し、ビット線をＶｐｒｅにプリチャージする。タイミングＴ２でソース線側選択ゲート線ＳＧＳにパス電圧Ｖｒｅａｄを印加すると、選択ページＰｎのメモリセル（ＭＣ１）のしきい値がＶｓｅｌより低ければ、波形Ｃのようにビット線が放電される。
【００４３】
タイミングＴ２からＴ３では、ＮＭＯＳトランジスタ３８、３９のゲートＮＳＰＲＥ、ＢＬＣにＶｃｃ＋Ｖｔを与えて、ノードＮＳ２及び第１のラッチ回路４１のノードＮ１をＶｃｃにプリチャージする。ＮＭＯＳトランジスタ３８によるセンスノードチャージは、タイミングＴ３で停止し、ＮＭＯＳトランジスタ３９のゲートにはその後もＶｃｃ＋Ｖｔが印加される。そしてタイミングＴ４からＴ５で、ＮＭＯＳトランジスタ３１のゲートＢＬＣＬＭＡＰにセンス用電圧Ｖｓｅｎ＋Ｖｔを印加し、ＮＭＯＳトランジスタ３３のゲートに制御信号ＣＴ１＝Ｖｃｃを印加する。
【００４４】
この時、ラッチ回路４２が保持する参照データが、Ｎ３＝“Ｌ”、Ｎ４＝“Ｈ”の場合、すなわち、ページＰｎ＋１のメモリセルに所定の書き込みが行われていない場合には、ＮＭＯＳトランジスタ３４がゲートにＶｃｃが印加されて導通可能な状態になっている。即ちデータ転送回路３０ａが有効であって、タイミングＴ４からＴ５の間にビット線センスが行われる。実線波形Ｃのようにビット線電位がＶｓｅｎ以下であれば、ノードＮＳ１、ＮＳ２は、ビット線側に放電される。ビット線が放電されていなければ、一転鎖線Ｄに示すように、ノードＮＳ１、ＮＳ２は放電されない。こうしてビット線センスの結果は、ラッチ回路４１のノードＮ１に転送される。
【００４５】
図１２のビット線放電波形Ｃ、Ｄによりセンスされるメモリセルのしきい値は、例えば図１０のデータ分布のなかのデータ“１０”の実線で示す分布Ｃ１、データ“００”の実線で示す分布Ｄ１にそれぞれ対応する。これらの実線分布Ｃ１、Ｄ１は、隣接セルの書き込みデータの影響がない場合のしきい値分布を示しており、Ｔ４−Ｔ５のデータセンスでは、これらの分布Ｃ１、Ｄ１が判別される。なぜなら、ラッチ回路４２に保持された参照データは、注目するページＰｎのメモリセルの書き込みしきい値に対してページＰｎ＋１のデータが影響を与えないことを示しているからである。
　
ｋ．「【００４６】
次にタイミングＴ６で選択ページＰｎの読み出しワード線電圧をＶｓｅｌｈに上昇させる。ビット線の放電は継続されたままとなっている。この読み出し電圧Ｖｓｅｌｈは、先の読み出し電圧Ｖｓｅｌに対して、最大でも、図１０における、隣接セルの影響がない実線分布Ｃ１と、隣接セルの影響がある場合の破線分布Ｅ１の電位差程度の上昇分となる。例えば、Ｖｓｅｌｈ＝Ｖｓｅｌ＋０．２Ｖである。タイミングＴ１からＴ４にかけてのビット線放電時間と同程度の待ち時間を経て、タイミングＴ７からＴ８で、再びビット線センスを行う。
【００４７】
このときもＮＭＯＳトランジスタ３１のゲートＢＬＣＬＡＭＰに印加される電圧は、Ｖｓｅｎ＋Ｖｔであり、同時にＮＭＯＳトランジスタ３５のゲートに制御信号ＣＴ２＝Ｖｃｃが印加される。この期間にビット線センスされるのは、例えば図１０における破線分布Ｅ１または分布Ｆ１のようなしきい値をもつメモリセルの場合である。
これらは、ページＰｎ＋１のメモリセルに所定の書き込みが行われており、メモリセル間の干渉によって、図１０に実線で示す本来のしきい値分布Ｃ１、Ｄ１が、破線で示す分布Ｅ１、Ｆ１にシフトされているメモリセルである。
【００４８】
このときラッチ回路４２が保持する参照データは、Ｎ３＝“Ｈ”、Ｎ４＝“Ｌ”であって、ＮＭＯＳトランジスタ３６が導通可能な状態となっている。従ってビット線波形ＥのようにタイミングＴ７でビット線電位がＶｓｅｎ以下になっていれば、センスノードＮＳ２は、転送回路３０ｂを介し、更にＮＭＯＳトランジスタ３１を介してビット線側に放電される。波形Ｆのようにビット線の放電がなければ、メモリセルのしきい値は、図１０の分布Ｆ１のように、読み出し電圧Ｖｒ２ｈより高いことになる。
以上のように、タイミングＴ４〜Ｔ５間とＴ７〜Ｔ８間に異なる読み出し条件でセンスされた結果は、そのいずれか一方が、タイミングＴ９でＳＥＮ＝“Ｈ”、タイミングＴ１０でＬＡＴ＝“Ｈ”とすることにより、ラッチ回路４１に取り込まれる
【００４９】
本実施の形態では、２ビット／セルの２ビットを読み分ける具体的な動作には言及していないが、多値記憶により複数のしきい値分布が存在していてそれらをワード線の電位を変えて読み出すことを前提にしている。
　
ｌ．・「データ読み出し動作のフローが示す図」（図面の簡単な説明）である図８には、ステップＳ１からなる「ＲＥＡＤ１」の後に、ステップＳ２〜Ｓ６からなる「ＲＥＡＤ２」が実行されることが記載されている。
・「注目セルのデータ読み出し時のバイアス条件を示す図」（図面の簡単な説明）である図９Ｂには、ＮＡＮＤセルユニットは、２つのＭＯＳトランジスタの間に、メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……が直列に接続されたものであることが記載されている。
・「フラッシュメモリのデータ状態を従来例と比較して示す図である」（図面の簡単な説明）図１０には、メモリセルにおける“１１”、“１０”、“００”、“０１”の各データのデータ分布が、それぞれ、実線と点線とで示されている。そして、同図の「実施の形態」におけるデータ状態図には、前記実線で示されるデータ分布の間にＶｒ１、Ｖｒ２、Ｖｒ３の各電圧が位置すること、前記点線で示されるデータ分布の間にＶｒ２ｈ、Ｖｒ３ｈの各電圧が位置すること、が記載されている。
　
（２−２）引用発明
Ａ．図９Ｂの記載から、「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……」によって「ＮＡＮＤセルユニット４」が構成されていることは明らかであり、また、００１２段落の「この発明による不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な浮遊ゲート型メモリセルが配列されたメモリセルアレイと……前記メモリセルアレイから選択された第１のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第２のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスするように構成されていることを特徴とする。」という記載から、引用例には「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……」から構成される「ＮＡＮＤセルユニット」内の選択された「メモリセル」が記憶している「データ」を読み出す方法の発明が記載されているといえる。
　
Ｂ．００２７段落の「ここではＮＡＮＤセルユニット４は、説明を簡略化するため、４つのメモリセルＭＣ０−ＭＣ３の場合を示している。」、００２８段落の「メモリセルＭＣ０のデータ読み出し時は、これに隣接しこれより後に書き込まれたメモリセルＭＣ１の読み出しデータに応じて、その読み出し条件を決定する。同様に、メモリセルＭＣ１、ＭＣ２のデータ読み出し時も、それぞれに隣接し、それより後に書き込まれたメモリセルＭＣ２、ＭＣ３の読み出しデータに応じて読み出し条件を決定する。」という記載、及び、図９Ｂの記載から、引用例の「メモリセルＭＣ０」は「メモリセルＭＣ１」に隣接して配置され、「メモリセルＭＣ１」は「メモリセルＭＣ２」に隣接して配置され、「メモリセルＭＣ２」は「メモリセルＭＣ３」に隣接して配置されていることが記載されている。
　
Ｃ．００２６段落の「この実施の形態では、図６に示すようなしきい値分布の４値データ“００”、“０１”、“１０”、“１１”を書き込む場合を想定している。」という記載における「４値データ“００”、“０１”、“１０”、“１１”」は、「フラッシュメモリのデータ分布例を示す図（「【図面の簡単な説明】」の記載）」である図６を参照すると、しきい値が高くなる方向に「“１１”、“１０”、“００”、“０１”」とグレイコード化されているデータであることが示されているから、引用例の「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……」の各々は、「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」を記憶可能であり、それらの「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」の内の１つのデータを記憶していることは明らかである。
　また、前記図６の記載から、「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」のそれぞれに対応した４つの電荷レベルが存在していることは明らかである。したがって、引用例には、「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……」の各々は、「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」にそれぞれ対応した４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルの状態にあることは明らかである。
　
Ｄ．そして、００１２段落の「この発明による不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な浮遊ゲート型メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うための複数のセンスアンプ回路とを有し、前記各センスアンプ回路は、前記メモリセルアレイから選択された第１のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第２のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスするように構成されている」、００２８段落の「データ読み出しは、次のようにする。メモリセルＭＣ０のデータ読み出し時は、これに隣接しこれより後に書き込まれたメモリセルＭＣ１の読み出しデータに応じて、その読み出し条件を決定する。同様に、メモリセルＭＣ１、ＭＣ２のデータ読み出し時も、それぞれに隣接し、それより後に書き込まれたメモリセルＭＣ２、ＭＣ３の読み出しデータに応じて読み出し条件を決定する。」という記載、及び、図７の「書き込み順」及び「読み出し順」の記載から、メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の順で書き込まれるとともに読み出し選択される、上記Ａの「ＮＡＮＤセルユニット」の読み出しは、前記選択されたメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスすることで行われると解される。
　
Ｅ．００４１段落には「次に、ラッチ回路４２に参照データを保持したまま、図１２に示す選択ページＰｎのデータ読み出し動作ＲＥＡＤ２を行う。このとき、ＮＡＮＤセルユニットに印加される電圧は、図９Ｂのようになる。図９Ｂでは、メモリセルＭＣ１がページＰｎに対応するメモリセルであり、このメモリセルを選択するワード線には前述のように、二つの読み出し電圧Ｖｓｅｌ、Ｖｓｅｌｈが異なるタイミングで印加される。この読み出し電圧Ｖｓｅｌ，Ｖｓｅｌｈは、図１０に示すデータ分布において、データ“１０”と“００”を判別する読み出しを行う場合にはそれぞれ、Ｖｒ２，Ｖｒ２ｈに相当する電圧である。Ｖｒ２は、ページＰｎ＋１に書き込みが行われていない場合の読み出しワード線電圧であり、Ｖｒ２ｈはページＰｎ＋１のメモリセルに書き込みが行われている場合の読み出しワード線電圧である。」と記載されている。
　ここで、００３３段落には、「読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅは、ページＰｎ＋１のメモリセルＭＣ２が所定の書き込み状態にあるか否かを判定するための電圧となる。例えば……Ｖｓｅｌｐｒｅ＝Ｖｒ２とすれば、セルがデータ“１０”以下のしきい値であるか、データ“００”以上のしきい値であるかが判定される。」と記載されている。したがって、前記「ページＰｎ＋１に書き込みが行われていない場合の読み出しワード線電圧」とは、「隣接」する「メモリセル」に“００”以上のデータの「書き込みが行われていない場合」、すなわち、“１１”または“１０”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であり、前記「書き込みが行われている場合の読み出しワード線電圧」とは、「隣接」する「メモリセル」に“００”以上のデータの「書き込みが行われている場合」、すなわち、“００”または“０１”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であると解される。
　したがって、００４１段落の前記記載から、引用例においては、前記Ｃの「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」の内の１つの「データ」が記憶された「メモリセル」の中から選択された「メモリセル」の読み出しを行うとき、前記記憶された「データ」が「“１０”」であるか「“００”」であるかを「判別する読み出しを行う場合には」、前記選択された「メモリセル」に隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる「メモリセル」に“１１”または“１０”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧である「Ｖｒ２」を「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」とし、前記隣接する「メモリセル」に“００”または“０１”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧である「Ｖｒ２ｈ」を「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」としていると認められる。
　
Ｆ．００２９段落の「図８は、ページ読み出し動作のフローを示しており、参照データとすべきページの読み出し動作ＲＥＡＤ１と、その参照データにより制御された、注目するページの読み出し動作ＲＥＡＤ２の２回の読み出しを実行することになる。即ち、ページＰｎ（ワード線ＷＬｎ）が選択されたとき、その読み出しデータに対してセル間干渉の影響を与えるのは、ページＰｎ＋１（ワード線ＷＬｎ＋１）のデータである。そこで、チップ外部から与えられるアドレス入力により、ページＰｎのデータ読み出しが要求された場合には、まず、ページＰｎ＋１のデータ読み出しを行う（ステップＳ１）。その読み出しデータは、図４のセンスアンプ回路ＳＡの第２のラッチ回路４２に保持する。」、００３２段落の「読み出し動作ＲＥＡＤ１では、隣接メモリセルＭＣ２のワード線に、読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅが与えられる。」、及び、００３３段落の「読み出し電圧Ｖｓｅｌｐｒｅは、ページＰｎ＋１のメモリセルＭＣ２が所定の書き込み状態にあるか否かを判定するための電圧となる。例えば、セルデータが、図６に示すデータ“１１”であるか、それ以外であるかを判定する場合には、Ｖｓｅｌｐｒｅ＝Ｖｒ１（＝０Ｖ）とする。また、Ｖｓｅｌｐｒｅ＝Ｖｒ２とすれば、セルがデータ“１０”以下のしきい値であるか、データ“００”以上のしきい値であるかが判定される。」という記載、図８の「ＲＥＡＤ１」における記載から、引用例においては、選択された「メモリセル」の「データ読み出しが要求された場合に」まず行われる「読み出し動作ＲＥＡＤ１」では、隣接する「メモリセル」が、「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」の中の、「例えば」、「“１１”」に対応した電荷レベルを有しているか否かを、あるいは、「“１１”」または「“１０”」に対応した電荷レベルを有しているか、「“００”」または「“０１”」に対応した電荷レベルを有しているかを、判定していると認められる。
　
Ｇ．「フラッシュメモリの注目セルのデータ読み出し動作の波形を示す図（「【図面の簡単な説明】」の記載）」である図１２、及び、００２９段落の「図８は、ページ読み出し動作のフローを示しており、参照データとすべきページの読み出し動作ＲＥＡＤ１と、その参照データにより制御された、注目するページの読み出し動作ＲＥＡＤ２の２回の読み出しを実行することになる。」という記載と、図８の「ＲＥＡＤ２」についての記載から、引用例において、選択された「メモリセル」の「読み出し動作」である「ＲＥＡＤ２」は、２回の読み出しを実行するものであると認められる。
　
Ｈ．００４１段落の「図１２に示す選択ページＰｎのデータ読み出し動作ＲＥＡＤ２を行う。このとき……このメモリセルを選択するワード線には前述のように、二つの読み出し電圧Ｖｓｅｌ，Ｖｓｅｌｈが異なるタイミングで印加される。この読み出し電圧Ｖｓｅｌ，Ｖｓｅｌｈは、図１０に示すデータ分布において、データ“１０”と“００”を判別する読み出しを行う場合にはそれぞれ、Ｖｒ２，Ｖｒ２ｈに相当する電圧である。Ｖｒ２は、ページＰｎ＋１に書き込みが行われていない場合の読み出しワード線電圧であり、Ｖｒ２ｈはページＰｎ＋１のメモリセルに書き込みが行われている場合の読み出しワード線電圧である。」という記載、「フラッシュメモリのデータ状態を従来例と比較して示す図（「【図面の簡単な説明】」の記載）」である図１０における「実施の形態」における記載、及び、前記図１２の記載から、引用例には、選択された「メモリセル」を読み出すための前記「ＲＥＡＤ２」においては、「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」を用いる「読み出し」と「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」を用いる「読み出し」とを「異なるタイミング」で行うこと、このとき、各「読み出し」で前記選択された「メモリセル」に「“１０”」のデータが記憶されているか「“００”」のデータが記憶されているかを「判別する読み出しを行う場合には」、第１回目の「読み出し」では「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」として「Ｖｒ２」を用い、第２回目の「読み出し」では「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」として「Ｖｒ２ｈ」を用いていること、が記載されている。
　
Ｉ．上記Ｅで述べたとおり、また、００１２段落の「前記メモリセルアレイから選択された第１のメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされる第２のメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でセルデータをセンスする」、００４１段落の前記「Ｖｒ２は、ページＰｎ＋１に書き込みが行われていない場合の読み出しワード線電圧であり、Ｖｒ２ｈはページＰｎ＋１のメモリセルに書き込みが行われている場合の読み出しワード線電圧である。」という記載から、引用例において、前記「ＲＥＡＤ２」においては、第１回目の「読み出し動作」で用いる「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」、及び、第２回目の「読み出し動作」で用いる「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」は、それぞれ、隣接する「メモリセル」に記憶されたデータの電荷レベルに対応した電荷レベルに設定されていることは明らかである。
　
Ｊ．また、００４８段落の「以上のように、タイミングＴ４〜Ｔ５間とＴ７〜Ｔ８間に異なる読み出し条件でセンスされた結果は、そのいずれか一方が、タイミングＴ９でＳＥＮ＝“Ｈ”、タイミングＴ１０でＬＡＴ＝“Ｈ”とすることにより、ラッチ回路４１に取り込まれる。」、００４９段落の「図１２の動作でラッチ回路４２に保持されるデータは、ラッチ回路４１に読み出すデータを確実に判別するための参照データとなる。従って本実施の形態で説明した読み出し動作を、１回あるいは複数回行い、最終的にチップ外部に出力できるデータを確定する。」という記載から、引用例において、前記「ＲＥＡＤ２」においては、「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」に基づいた選択された「メモリセル」の「読み出し動作」の結果、あるいは、「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」に基づいた選択された「メモリセル」の「読み出し動作」の結果のうち、いずれか一方が、採用されて、確定されたデータとして読み出されることは明らかである。
　
Ｋ．以上のＡ〜Ｉから、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……から構成されるＮＡＮＤセルユニット内の選択されたメモリセルが記憶しているデータを読み出す方法であって、
　前記メモリセルＭＣ０は前記メモリセルＭＣ１に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ１は前記メモリセルＭＣ２に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ２は前記メモリセルＭＣ３に隣接して配置されており、
　前記メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の各々は、４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”を記憶可能であり、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータを記憶しており、
　前記メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の各々は、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”にそれぞれ対応した４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり、
　前記メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の順で書き込まれるとともに読み出し選択される、前記ＮＡＮＤセルユニットの読み出しは、前記選択されたメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でデータをセンスすることで行われ、
　前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータが記憶されたメモリセルの中から選択されたメモリセルの読み出しを行うとき、前記記憶されたデータが“１０”であるか“００”であるかを判別する読み出しを行う場合には、前記選択されたメモリセルに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルに“１１”または“１０”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２を読み出し電圧Ｖｓｅｌとし、前記隣接するメモリセルに“００”または“０１”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２ｈを読み出し電圧Ｖｓｅｌｈとし、
　前記選択されたメモリセルのデータ読み出しが要求された場合にまず行われる読み出し動作ＲＥＡＤ１では、前記隣接するメモリセルが、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、たとえば、“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、あるいは、“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを、判定し、
　前記選択されたメモリセルの読み出し動作であるＲＥＡＤ２は、２回の読み出しを実行するものであり、
　前記ＲＥＡＤ２においては、
　読み出し電圧Ｖｓｅｌを用いる前記読み出しと読み出し電圧Ｖｓｅｌｈを用いる前記読み出しとを、異なるタイミングで行い、前記各読み出しで、前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合には、第１回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ２を用い、第２回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ２ｈを用い、
　前記第１回目の読み出しで用いる前記読み出し電圧Ｖｓｅｌ、及び、前記第２回目の読み出しで用いる前記読み出し電圧Ｖｓｅｌｈは、それぞれ、前記隣接するメモリセルに記憶されたデータの電荷レベルに対応した電荷レベルに設定されており、
　前記読み出し電圧Ｖｓｅｌに基づいた前記選択されたメモリセルの読み出し動作の結果、あるいは、前記読み出し電圧Ｖｓｅｌｈに基づいた前記選択されたメモリセルの読み出し動作の結果のうち、いずれか一方が、採用されて、確定されたデータとして読み出される、
ことを特徴とするＮＡＮＤセルユニット内の前記メモリセルが記憶しているデータを読み出す方法。」
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア．引用発明の「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……から構成されるＮＡＮＤセルユニット内」の「選択されたメモリセル」は、第１不揮発性記憶要素といえるから、引用発明の「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……から構成されるＮＡＮＤセルユニット内の選択されたメモリセルが記憶しているデータを読み出す方法」は、補正発明の「第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を読み出す方法」に相当している。
　
イ．「前記メモリセルＭＣ０は前記メモリセルＭＣ１に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ１は前記メモリセルＭＣ２に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ２は前記メモリセルＭＣ３に隣接して配置されて」いる引用発明において、「隣接して配置され」た「メモリセル」は第２不揮発性記憶要素といえるから、引用発明の「前記メモリセルＭＣ０は前記メモリセルＭＣ１に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ１は前記メモリセルＭＣ２に隣接して配置され、前記メモリセルＭＣ２は前記メモリセルＭＣ３に隣接して配置されて」いることは、補正発明の「前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接して」いることに相当している。
　
ウ．引用発明の「前記メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の各々は、４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”を記憶可能であり、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータを記憶して」いることは、補正発明の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶してお」ることに相当している。
　
エ．引用発明の「前記メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の各々は、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”にそれぞれ対応した４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあ」ることは、補正発明の「前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあ」ることに相当している。
　
オ．引用発明は「前記選択されたメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でデータをセンスすることで行われ」るものである。
　そして、引用発明は、「前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータが記憶されたメモリセルの中から選択されたメモリセルの読み出しを行うとき、前記記憶されたデータが“１０”であるか“００”であるかを判別する読み出しを行う場合には、前記選択されたメモリセルに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルに“１１”または“１０”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２を読み出し電圧Ｖｓｅｌとし、前記隣接するメモリセルに“００”または“０１”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２ｈを読み出し電圧Ｖｓｅｌｈと」するから、引用発明の「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」及び「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」は、「選択されたメモリセル」が記憶している「データ」の状態を、「隣接」する「メモリセル」が「記憶している」データの状態に基づいて、区別するための「電圧」レベルであるといえる。
　また、引用発明は「前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータが記憶されたメモリセルの中から選択されたメモリセルの読み出しを行う」のであるから、「前記記憶されたデータ」が「前記状態が“１０”であるか“００”」以外の「状態」であるかを「識別」していることは明らかである。
　ここで、引用発明は、前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」及び前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」の設定については、「前記状態が“１０”であるか“００”であるかを判別する読み出しを行う場合」にのみ規定している。しかし、引用発明が「前記選択されたメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でデータをセンスすることで行われ」るものである以上、上記のように「前記記憶されたデータ」が「前記状態が“１０”であるか“００”」以外の「状態」であるか「識別」するための読み出しを行う場合には、前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」及び前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」を、読み出しを行おうとする「選択されたメモリセル」対応して「隣接」する「メモリセル」に記憶されている「データに応じて」決定していることは、自明である。すなわち、引用発明の前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」及び前記「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」は、前記「隣接」する「メモリセル」に記憶されている「データに応じて」変化するものと認められる。
　以上から、引用発明において、「前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の内の１つのデータが記憶されたメモリセルの中から選択されたメモリセルの読み出しを行うとき、前記記憶されたデータが“１０”であるか“００”であるかを判別する読み出しを行う場合には、前記選択されたメモリセルに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルに“１１”または“１０”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２を読み出し電圧Ｖｓｅｌとし、前記隣接するメモリセルに“００”または“０１”が記憶されている場合に設定した読み出し電圧であるＶｒ２ｈを読み出し電圧Ｖｓｅｌｈと」することは、補正発明の「前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであ」ることに相当している。
　
カ．引用発明は「前記選択されたメモリセルのデータ読み出しが要求された場合にまず行われる読み出し動作ＲＥＡＤ１では、前記隣接するメモリセルが、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、たとえば、“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、あるいは、“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを、判定し」ている。
　ここで、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、あるいは、“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを、判定し」ているが、「たとえば」という記載が示すように、また、図１０の「データ状態」を示す図面から明らかなとおり、引用発明は、「読み出し動作ＲＥＡＤ１」において、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか、“０１”に対応した電荷レベルを有しているかも、判定していることは明らかである。
　すなわち、引用発明は、「読み出し動作ＲＥＡＤ１」においては、「前記隣接するメモリセル」が、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否か」を、あるいは、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」を、そして、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、「判定し」ていると解される。
　したがって、引用発明が「前記選択されたメモリセルのデータ読み出しが要求された場合にまず行われる読み出し動作ＲＥＡＤ１では、前記隣接するメモリセルが、前記４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、たとえば、“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、あるいは、“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを、判定し」ていることと、補正発明の「前記第２不揮発性記憶要素が、前記の少なくとも４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを示す電荷レベルデータを決定する工程」とは、「前記第２不揮発性記憶要素が、前記」の「電荷レベルデータを決定する工程」である点で共通している。
　
キ．引用発明の「前記選択されたメモリセルの読み出し動作であるＲＥＡＤ２は、２回の読み出しを実行するものであ」ることは、補正発明の「前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行する工程を備えて」いることに相当している。
　
ク．引用発明は、「選択されたメモリセルの読み出し動作」を「実行」する「前記ＲＥＡＤ２においては」、「読み出し電圧Ｖｓｅｌを用いる前記読み出しと読み出し電圧Ｖｓｅｌｈを用いる前記読み出しとを、異なるタイミングで行い、前記各読み出しで、前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合には、第１回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ２を用い、第２回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ２ｈを用い」ている。すなわち、前記「ＲＥＡＤ２」においては、「選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合」の「読み出し電圧」が特定されているだけで、「４つの電荷のうちの１つの電荷レベル」に「対応」する「データ」が記憶されている前記「選択されたメモリセル」から、前記「データ」の「読み出し」の際に、前記「選択されたメモリセル」に記憶された「データ」の状態を特定できるように「読み出し」ているのか、不明である。
　したがって、引用発明の「前記ＲＥＡＤ２においては」、「前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合には、第１回目の読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ２を用い、第２回目の読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ２ｈを用い」て「選択されたメモリセルの読み出し動作」を「実行」することと、補正発明の「各回の読み出し動作では、複数個の基準レベルを用いて前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定」することとは、「各回の読み出し動作では」、「基準レベルを用いて」いる点で共通する。
　
ケ．引用発明の「前記第１回目の読み出しで用いる前記読み出し電圧Ｖｓｅｌ、及び、前記第２回目の読み出しで用いる前記読み出し電圧Ｖｓｅｌｈは、それぞれ、前記隣接するメモリセルに記憶されたデータの電荷レベルに対応した電荷レベルに設定されて」いることと、補正発明の「各回の読み出し動作で用いる複数個の基準レベルの各々は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されて」いるいこととは、「各回の読み出し動作で用いる」、「基準レベル」は、「前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されて」いる点で共通する。
　
コ．引用発明の「前記読み出し電圧Ｖｓｅｌに基づいた前記選択されたメモリセルの読み出し動作の結果、あるいは、前記読み出し電圧Ｖｓｅｌｈに基づいた前記選択されたメモリセルの読み出し動作の結果のうち、いずれか一方が、採用され」ることは、補正発明の「前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する」ことに相当している。
　
（３−２）一致点及び相違点
　以上、ア〜コを総合すると、補正発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
（一致点）
「第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を読み出す方法であって、
　前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つのデータ状態を記憶しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素の各々は、少なくとも４つの電荷レベルのうちの１つの電荷レベルにあり、
　前記第１不揮発性記憶要素が記憶しているデータ状態を隣接するデータ状態から区別するレベルが、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応して変化するものであり、
　前記第２不揮発性記憶要素が、前記の電荷レベルデータを決定する工程と、
　前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を複数回実行する工程を備えており、
　各回の読み出し動作では、基準レベルを用いており、
　各回の読み出し動作で用いる基準レベルは、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルに対応するレベルに設定されており、
　前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて、前記第１不揮発性記憶要素の複数回の読み出し動作のうちの１つの結果を採用する、
ことを特徴とする方法。」
　
（相違点１）
　補正発明では、第２不揮発性記憶要素が、「少なくとも４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを示す」電荷レベルデータにあるかを決定するのに対して、引用発明は、前記隣接するメモリセルが、４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否か」を、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」を、あるいは、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、判定していると認められる点。
　
（相違点２）
　補正発明では、第１不揮発性記憶要素の各回の読み出し動作では「複数個の」基準レベルを用いて「前記少なくとも４つのデータ状態のうちのどのデータ状態にあるかを特定し」ているのに対して、引用発明は、「選択されたメモリセルの読み出し動作であるＲＥＡＤ２」においては「前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合には、第１回目の読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ２を用い、第２回目の読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ２ｈを用い」ている点。
　
（相違点３）
　補正発明は、各回の読み出し動作で「複数個の」基準レベルの「各々」を用いるのに対して、引用発明は、「第１回目の読み出し」で「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」を用い、「第２回目の読み出し」で「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」を「用いる」点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　引用発明の「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」のようにグレイコード化されている４値データの読み出しにおいては、読み出したデータが、“１１”に対応した電荷レベルを有しているか、“１０”〜“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定し、“１１”〜“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”〜“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定し、“１１”〜“００”に対応した電荷レベルを有しているか、“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定することで、これら３つの判定の結果に基づいて、前記読み出したデータの電荷レベルを決定するようにデータ読み出しを行うことは、メモリの読み出し技術において、周知慣用の技術である。
　
　引用発明は、「読み出し動作ＲＥＡＤ１」において、隣接するメモリセルが、４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”の中の、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否か」を、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」を、あるいは、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、判定していると認められるものの、これら３つの判定をすべて行うものではない。
　
　ところで、引用発明は、引用例の００２９段落に記載された「ページＰｎ（ワード線ＷＬｎ）が選択されたとき、その読み出しデータに対してセル間干渉の影響を与えるのは、ページＰｎ＋１（ワード線ＷＬｎ＋１）のデータである。」という知見に基づいて、「メモリセルＭＣ０、ＭＣ１、ＭＣ２、ＭＣ３……の順で書き込まれるとともに読み出し選択される、前記ＮＡＮＤセルユニットの読み出しは、前記選択されたメモリセルについて、これに隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件下でデータをセンスする」ものである。
　
　しかし、上記のように、隣接するメモリセルの「電荷レベル」を、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否か」、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」、あるいは、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか否か、のいずれか一つで判定すると、たとえば、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」で前記隣接するメモリセルの「電荷レベル」を判定する場合、当該隣接するメモリセルの「電荷レベル」が実際には“１１”であっても、“１１”であるか“１０”であるかを特定できないことは明らかである。
　したがって、この場合、「隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータに応じて決まる読み出し条件」を正確な意味で設定できないことは、明らかである。
　
　「読み出し動作ＲＥＡＤ１」で「判定」する「隣接し且つこれより後にデータ書き込みがなされるメモリセルのデータ」の「電荷レベル」を正確に「判定」し、「ＲＥＡＤ２」の「読み出し動作」における「読み出し条件」を正確に設定したい、ということは、引用発明が当然に有する課題であると認められる。
　
　してみれば、引用発明の「読み出し動作ＲＥＡＤ１」において、前記隣接するメモリセルに記憶された４値データが、「“１１”に対応した電荷レベルを有しているか否か」を、「“１１”または“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”または“０１”に対応した電荷レベルを有しているか」を、あるいは、“１１”または“１０”あるいは“００”に対応した電荷レベルを有しているか否かを、判定することに代えて、前記周知慣用の技術のように、上記の３つの判定をすべて行い、読み出した前記隣接するメモリセルに記憶された４値データが、“１１”、“１０”、“００”、“０１”の４つの電荷レベルのうちのどの電荷レベルにあるかを決定することで、「ＲＥＡＤ２」の「読み出し動作」における「読み出し条件」を正確に設定することは、当業者であれば、当然になし得たものと認められる。
　
（４−２）相違点２及び相違点３について
　引用発明は、「選択されたメモリセルの読み出し動作」を「実行」する「前記ＲＥＡＤ２においては」、「読み出し電圧Ｖｓｅｌを用いる前記読み出しと読み出し電圧Ｖｓｅｌｈを用いる前記読み出しとを、異なるタイミングで行い、前記各読み出しで、前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合には、第１回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ２を用い、第２回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ２ｈを用い」ており、「４つの電荷のうちの１つの電荷レベル」に「対応」する「データ」が記憶されている「前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出しを行う場合」以外の場合の「読み出し電圧」をどのように設定し、「読み出し」動作をどのように行うのか、不明である。
　また、メモリのデータ読み出しにおいて、読み出したデータのデータ状態を特定することは、当然に必要であるが、この点、引用発明は「選択されたメモリセルに」如何なる「データが記憶されているか」を「判別する」のか、不明である。
　
　ここで、前記「（４−１）相違点１について」の項で指摘したように、引用発明の「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”」のようにグレイコード化されている４値データの読み出しにおいては、読み出したデータが、“１１”に対応した電荷レベルを有しているか、“１０”〜“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定し、“１１”〜“１０”に対応した電荷レベルを有しているか、“００”〜“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定し、“１１”〜“００”に対応した電荷レベルを有しているか、“０１”に対応した電荷レベルを有しているかを判定することで、これら３つの判定の結果に基づいて、前記読み出したデータの電荷レベルを決定するようにデータ読み出しを行うことは、メモリの読み出し技術において、周知慣用の技術である。
　
　したがって、引用発明の「前記各読み出し」において、「前記選択されたメモリセルに“１０”のデータが記憶されているか“００”のデータが記憶されているかを判別する読み出し」として、前記周知慣用の技術のように、“１１”〜“１０”のデータが記憶されているか“００”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定し、加えて、前記周知慣用の技術のように、「前記選択されたメモリセル」に「記憶されている」データが、“１１”のデータが記憶されているか“１０”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定するとともに、“１１”〜“００”のデータが記憶されているか“０１”のデータが記憶されているかを判定することで、「前記選択されたメモリセル」に「記憶されている」データを読み出す際に、「前記選択されたメモリセル」に「記憶されている」データが、４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”にそれぞれ対応した４つの電荷レベルのうちの、どの電荷レベルにあるかを「判別」することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　このとき、引用発明の「前記ＲＥＡＤ２」においては、「第１回目の読み出し」と「第２回目の読み出し」とで、それぞれ、「前記選択されたメモリセル」に「記憶されている」データが、“１１”〜“１０”のデータが記憶されているか“００”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定し、加えて、“１１”のデータが記憶されているか“１０”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定するとともに、“１１”〜“００”のデータが記憶されているか“０１”のデータが記憶されているかを判定することになる。
　そして、たとえば、前記“１１”〜“００”のデータが記憶されているか“０１”のデータが記憶されているかを判定する場合は、引用例の図１０における「実施の形態」の記載から、第１回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌとしてＶｒ３を用い、第２回目の前記読み出しでは前記読み出し電圧ＶｓｅｌｈとしてＶｒ３ｈを用いることとなることは、明らかである。
　
　以上から、引用発明の「選択されたメモリセルの読み出し動作であるＲＥＡＤ２」において、上記のように、「第１回目の読み出し」と「第２回目の読み出し」とで、それぞれ、「前記選択されたメモリセル」に「記憶されている」データが、“１１”〜“１０”のデータが記憶されているか“００”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定し、加えて、“１１”のデータが記憶されているか“１０”〜“０１”のデータが記憶されているかを判定するとともに、“１１”〜“００”のデータが記憶されているか“０１”のデータが記憶されているかを判定することよって、「第１回目の読み出し」と「第２回目の読み出し」とで、それぞれ、複数個の「読み出し電圧Ｖｓｅｌ」と「読み出し電圧Ｖｓｅｌｈ」とを各々用いて、「４値データ“１１”、“１０”、“００”、“０１”にそれぞれ対応した４つの電荷レベル」のうちのどの「電荷レベル」に「対応」する「データ」がきおくされているかを「判別する読み出し」を行わせることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（４−３）判断のまとめ
　以上のとおりであるから、相違点１〜３は、いずれも格別のものではなく、引用発明を相違点１〜３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、補正発明の効果も、引用発明から当業者が予期し得たものである。
　したがって、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−４）審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成２４年２月６日に提出された回答書において、
「（１）審判請求時の補正が特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであることについては争わず、その補正を却下していただくことを希望します。
　（２）拒絶査定時の特許請求の範囲を補正することを希望し、その補正後の特許請求の範囲について審理を進めていただくことを希望します。」、
として、
「（１）第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作が、第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに依存していないことを明確にする」ことで、「（２）それにより、本願発明を、図２２及び２３に示されている読み出し動作の特徴を明確に現す内容に限定する」ことを目的とする補正案を提示している。
　
　ここで、「第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作が、第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに依存していない」点に関しては、前記補正案の請求項１には、「前記読み出し動作を複数回実行する工程では、前記第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作が、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータから独立して実行されており」と記載されている。
　しかしながら、前記補正案の請求項１に係る発明は、「フラッシュメモリ」において「フローティングゲート間の結合現象は、異なる時間にプログラムされる隣接するメモリセルの集合の間で最も顕著に発生する。……隣接メモリセルからの結合は、十分な量を読み出す見かけの電荷レベルをシフトさせ、記憶されたデータの誤った読み出しをもたらす。」という、本願明細書の００１０段落に記載された知見に基づき、「フローティングゲート間の結合の影響を低減する」ことを課題とする発明であると認められる。すなわち、この点、引用発明と相違しない。
　そして、前記補正案の請求項１に係る発明においては、「第１不揮発性記憶要素に対する各回の読み出し動作」で「使用」する「基準レベルの集合」は「前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応して」いることが明記されている。
　
　したがって、前記補正案の、「第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作が、第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに依存していない」、「前記第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作が、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータから独立して実行され」るとの記載は、その意味するところが、必ずしも明確でない。
　
　しかし、前記「（４−１）相違点１について」及び「（４−２）相違点２及び相違点３について」において検討したように、引用発明の「ＮＡＮＤセルユニット内の前記メモリセルが記憶しているデータを読み出す方法」を、本願の図２２及び２３に示されているフローチャートのような読み出し方法とすることは、引用発明から、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　したがって、審判請求人の主張するとおり、本願の図２２及び２３に示されているフローチャートのような読み出し方法とするという意味で、引用発明において、「前記第１不揮発性記憶要素の電荷レベルデータの読み出し動作」を「前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータから独立して実行さ」せることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　よって、審判請求人が提示した補正案は、これを採用することができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２３年４月２８日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２２年１０月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、以下に再掲するとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　第１不揮発性記憶要素のデータ状態を読み出す方法であって、
　前記第１不揮発性記憶要素は、第２不揮発性記憶要素に隣接しており、
　前記第１不揮発性記憶要素と前記第２不揮発性記憶要素は各々、少なくとも４つのデータ状態を記憶可能であり、それらのデータ状態の１つを記憶しており、　前記第２不揮発性記憶要素の少なくとも４つの電荷レベルデータのうちの１つの電荷レベルデータを決定する工程と、
　基準レベルの集合を用いて前記第１不揮発性記憶要素の読み出し動作を実行する工程と、を備えており、
　基準レベルの各々は、前記第１不揮発性記憶要素の２つの隣接するデータ状態の間を区別するものであり、
　前記基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに基づいて複数の基準レベルの集合から選択され、
　複数の基準レベルの集合の各々の基準レベルの集合は、前記第２不揮発性記憶要素の電荷レベルデータに対応している方法。」
　
２．引用刊行物及び引用発明
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−３２６８６６号公報（引用例）には、上記「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件についての検討」の「（２）引用刊行物に記載された発明」における、「（２−１）引用例の記載」に記載したとおりの事項、及び、「（２−２）引用発明」に記載したとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　
３．判断
　そして、上記「第２．補正の却下の決定」の「３．新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討」における、「（１）補正事項１について」から「（８）補正事項８について」に記載したとおり、補正発明は、本願発明の発明特定事項に対して技術的事項を付加してより限定した発明である。
　そして、上記「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件についての検討において検討したとおり、この補正発明が引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明から上記限定を削除した発明である本願発明も、当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。