Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロヘキシルヒドロペルオキシドをシクロヘキサノールおよびシクロヘキサノンに分解する方法であって、
（ａ）シクロヘキサン空気酸化装置テールを水で洗浄するステップと、
（ｂ）ステップ（ａ）から得られる相を分離するステップと、
（ｃ）水洗した空気酸化装置テールを水性苛性アルカリ溶液と接触させるステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）から得られる相を分離するステップと、
（ｅ）水洗した空気酸化装置テールの有機相を、水性苛性アルカリ溶液中においてコバルト塩を含む触媒と接触させるステップと、
（ｆ）ステップ（ｅ）の２相生成物を撹拌するステップと、
（ｇ）それらの相を分離するステップと、
（ｈ）コバルトを含有する水性苛性アルカリ相を除去するステップと、
（ｉ）水で有機相を洗浄するステップと、
（ｊ）場合によって、ステップ（ｈ）からの水性苛性アルカリ相の一部をステップ（ｃ）に再循環させるステップと、
（ｋ）場合によって、前の洗浄するステップ（ｉ）からの水をステップ（ａ）に再循環させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
苛性アルカリ除去ステップからの水は、ステップ（ａ）における空気酸化装置テールを洗浄するために再循環されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（実施例）
実施例用凡例
「ｔ／ｈ」はトン／時間を意味し、
「Ｋ」はシクロヘキサノンを意味し、
「Ａ」はシクロヘキサノールを意味し、
「ＣＨＨＰ」はシクロヘキシルヒドロペルオキシドを意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
再循環水の流速を１．５ｔ／ｈに増加させた点を除いて、実施例３と同様の方法でステップを実施した。ＣＨＨＰ分解方法の収率は９５．７５％であった。実施例４は、高いコバルト濃度（１０ｐｐｍ）で再循環水の流速を１．５ｔ／ｈに増加させることは、ＣＨＨＰ分解方法の収率への有害な影響が少ないことを明らかにしている。コバルト触媒１０ｐｐｍおよび再循環水１．０ｔ／ｈで、より高いＣＨＨＰ分解方法の収率が得られた（実施例３）。
本発明は、好ましくは、以下の実施態様を含むものである。
１．シクロヘキシルヒドロペルオキシドをシクロヘキサノールおよびシクロヘキサノンに分解する方法であって、
（ａ）シクロヘキサン空気酸化装置テールを水で洗浄するステップと、
（ｂ）ステップ（ａ）から得られる相を分離するステップと、
（ｃ）水洗した空気酸化装置テールを水性苛性アルカリ溶液と接触させるステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）から得られる相を分離するステップと、
（ｅ）水洗した空気酸化装置テールの有機相を、水性苛性アルカリ溶液中においてコバルト塩を含む触媒と接触させるステップと、
（ｆ）ステップ（ｅ）の２相生成物を撹拌するステップと、
（ｇ）それらの相を分離するステップと、
（ｈ）コバルトを含有する水性苛性アルカリ相を除去するステップと、
（ｉ）水で有機相を洗浄するステップと、
（ｊ）場合によって、ステップ（ｈ）からの水性苛性アルカリ相の一部をステップ（ｃ）に再循環させるステップと、
（ｋ）場合によって、前の洗浄するステップ（ｉ）からの水をステップ（ａ）に再循環させるステップとを含む方法。
２．前記苛性アルカリ溶液は、アルカリ金属、アルカリ性水酸化物、アルカリ性炭酸塩からなる群から選択されることを特徴とする前記１に記載の方法。
３．前記苛性アルカリ溶液は、水酸化ナトリウムを含む前記２に記載の方法。
４．前記苛性アルカリ溶液の濃度は、２重量％から２５重量％の範囲にある前記１に記載の方法。
５．前記苛性アルカリ溶液の濃度は、７％から２０％の範囲にある前記４に記載の方法。
６．前記ステップ（ｃ）は、１０５℃から１４５℃の間の温度で実施される前記１に記載の方法。
７．使用されるコバルト触媒の量は、３から２０ｐｐｍの間にある前記１に記載の方法。
８．使用されるコバルト触媒の量は、５から１５ｐｐｍの間にある前記７に記載の方法。
９．苛性アルカリ除去ステップからの水は、ステップ（ａ）における空気酸化装置テールを洗浄するために再循環される前記１に記載の方法。
１０．有機相からの水性相の分離はデカントにより行われる前記１に記載の方法。
１１．前記デカントは、連続操作において行われる前記１０に記載の方法。
１２．ステップ（ａ）における水性相対有機相の比は、約０．１０：１００から約１．００：１００である前記１に記載の方法。
１３．水性相対有機相の体積比は、０．１０：１００から０．８０：１００の間である前記１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
物理的試験：
３部のワックスを１８０℃で９７部の歴青と３０分間混合する。液状混合物を注ぐ。この試験は注入用組成物のサンプル量について実施する。試験結果を以下の表に示す。
（表６ａ）：表３からの３％の変性剤を含有する歴青ブレンドの性質
2005528460.tif 000001
比較例*: 比較のための純粋な原料よりなるワックス
フラース破壊点 （°C）**: ５つの測定点での実験（極小＋極大）
円錐−平板粘度計での１８０℃での粘度（mPas）    a = D: 100 1/秒
b = D: 300 1/秒
（表６ｂ）：表４の変性剤を含有する歴青ブレンドの性質
2005528460.tif 000002
フラース破壊点（ °C）**： ５つの測定点での実験（ｍｉｎ＋ｍａｘ）
円錐−平板粘度計での１８０℃での粘度（mPas）    a = D: 100 1/s
b = D: 300 1/s
（表６ｃ）：表５の変性剤３％を混入した歴青ブレンドの性質
2005528460.tif 000003
フラース破壊点（ °C）**： ５つの測定点での実験（極小＋極大）
円錐−平板粘度計での１８０℃での粘度（mPas）  a = D: 100 1/s
b = D: 300 1/s
轍試験での用途技術的実験は鎖分布の変更によって用途技術的な顕著な欠点が認められないことを示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
反対に長鎖脂肪酸の混合物と脂肪族ジアミン（アミドワックス）との本発明の反応生成物を使用した場合には、標準生成物の良好な効果を保持したままで、破壊点が未変性歴青の温度範囲にまで戻り下がる。用途実験は轍試験における舗道負荷性においてこの変更によってマイナスの影響がもたらされないことを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャー加工された物品の形成方法であって、
基体本体を準備し、
前記基体本体に、複数のアルカリ土類塩粒子が少なくとも部分的に埋め込まれたエラストマ性ポリマーからなるドーニング層化合物を付与する、
ことからなる方法。
【請求項２】
前記塩粒子を乾燥剤として使用し、硬化前に前記エラストマ性ポリマーの粘着性を取り除くようになっており、前記多数の塩粒子が曝されて、接触面から突出して、着用特性を有するようにテクスチャー加工された表面輪郭を形成するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルカリ土類塩粒子が、物品の形成工程中に前記エラストマ性ポリマーの乳濁剤内に解離しないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エラストマ性ポリマーは、ポリブタジエン、ポリウレタン、またはハロゲンコポリマーから選択された材料を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーは、１、２−シンジオタクチックポリブタジエンであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の塩粒子は、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムまたはステアリン酸マグネシウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
潤滑剤化合物を前記基体本体に付与することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記潤滑剤化合物は、シリコン乳濁剤、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、または非イオン界面活性剤の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーニング層化合物は天然ゴムラテックスを含むものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
改善された着用特性を有する物品を形成する方法であって、
モールド上に基体本体を形成し、
少なくとも部分的に埋め込まれて、突出する複数の曝された複数のアルカリ土類塩粒子を有するエラストマ性ポリマーからなるドーニング層化合物を、前記基体本体に付与してテクスチャー加工された表面輪郭を形成し、
前記基体本体とドーニング層を硬化して物品を形成し、
前記物品を前記モールドから取り除く、
段階からなる方法。
【請求項１１】
前記エラストマ性ポリマーは、１、２−シンジオタクチックポリブタジエンを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１、２−シンジオタクチックポリブタジエンは、約１５％の固形物成分を持つ乳濁液として形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アルカリ土壌塩粒子が、前記ドーニング層の前記形成工程中に前記エラストマー性ポリマー乳濁剤内で解離しないことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の粒子塩は、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムまたはステアリン酸マグネシウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の粒子塩は、約３２５メッシュのサイズを持つことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記ドーニング層組成物は、約０．１質量％から約１０質量％までの１、２−シンジオタクチックポリブタジエン、約０．１質量％から約５質量％までのアルカリ土壌塩粒子及び０．１質量％から約１０質量％までの天然ゴム、及び脱イオン水からなることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
手形状のフォーマー上に形成された天然ゴムからなる第１材料の基体本体を準備し、
前記基体本体を、１、２−シンジオタクチックポリブタジエン、該１、２−シンジオタクチックポリブタジエンから少なくとも部分的に突出し、これに埋め込まれている、曝された複数のアルカリ土類塩粒子、及び天然ゴムからなる、第２の材料のドーニング層化合物に浸漬し、前記塩粒子を乾燥剤として使用し、硬化前に前記ドーニング層の粘着性を取り除くようにし、
前記基体本体及びドーニング層を硬化して手袋を形成し、
前記フォーマーから前記手袋を除去し、
更に、前記手袋を裏返す、
段階から製造された改善された着用特性を持つ手袋。
【請求項１８】
前記複数の塩粒子は、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムまたはステアリン酸マグネシウムを含んでおり、前記複数の塩粒子が、前記ドーニング層の形成工程中に前記該１、２−シンジオタクチックポリブタジエンの乳濁剤内で解離しないことを特徴とする請求項１７に記載の手袋。
【請求項１９】
シリコンを含む潤滑剤化合物を前記ドーニング層に付与する段階を含むことを特徴とする請求項１７に記載の手袋。
【請求項２０】
前記ドーニング層組成物は、約０．１質量％から約１０質量％までの１、２−シンジオタクチックポリブタジエン、約０．１質量％から約５質量％までのアルカリ土壌塩粒子及び０．１質量％から約１０質量％までの天然ゴム、及び脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１７に記載の手袋。
【請求項２１】
テクスチャー加工された物品を製造するための方法であって、
天然ゴムラテックスポリマーを含む基体本体を形成し、
該基体本体と異なる第２ポリマーと、前記基体本体の内面に曝され、少なくとも部分的に、前記第２ポリマーマトリックス構造に少なくとも部分的に組み込まれ、前記第２ポリマーマトリックス構造から突出した複数のアルカリ土壌塩粒子と、からなるドーニング層組成物を前記基体本体に付与する、段階からなり、
前記塩粒子を乾燥剤として使用し、硬化前に前記第２ポリマーの粘着性を取り除くようになっていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）約30000〜500000の質量平均分子量を有するポリマー、及び
（２）発泡剤、
を含み、x/z方向のポリマーフォーム材料のセル配向比が、約0.5〜0.97であり、異方性比が、1.6〜1.03であることを特徴とするポリマーフォーム材料(20)。
【請求項２】
赤外線遮蔽剤、可塑剤、難燃化学剤、顔料、エラストマー、押出成型補助剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤及び紫外線吸収剤から成る群から選択される１種以上の添加剤をさらに含む請求項１に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項３】
前記ポリマーが、熱可塑性ポリマーである請求項１に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項４】
前記ポリマーが、アルケニル芳香族ポリマーである請求項３に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項５】
前記アルケニル芳香族ポリマーが、ポリスチレンである請求項４に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項６】
前記発泡剤が、HCFC、HFC、HC、二酸化炭素、及び他の不活性ガスを含む請求項１に記載のポリマーフォーム。
【請求項７】
（１）約30000〜500000の質量平均分子量を有するポリマー、及び
（２）発泡剤、
を含み、x/z方向のポリマーフォーム材料のセル配向比が、約1.03〜2.0であり、異方性比が、0.97〜0.6であることを特徴とするポリマーフォーム材料。
【請求項８】
赤外線遮蔽剤、可塑剤、難燃化学剤、顔料、エラストマー、押出成型補助剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤及び紫外線吸収剤から成る群から選択される１種以上の添加剤をさらに含む請求項７に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項９】
前記ポリマーが、熱可塑性ポリマーである請求項８に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項１０】
前記ポリマーが、アルケニル芳香族ポリマーである請求項９に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項１１】
前記アルケニル芳香族ポリマーが、ポリスチレンである請求項１０に記載のポリマーフォーム材料。
【請求項１２】
前記発泡剤が、HCFC、HFC、HC、二酸化炭素、及び他の不活性ガスを含む請求項７に記載のポリマーフォーム。
【請求項１３】
断熱製品に使用される硬質ポリマーフォームの断熱R値を向上させる方法であって、硬質ポリマーフォーム材料のx/z方向におけるセル配向比を約1.03〜2.0に増加させる工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
硬質ポリマーフォームのx/z方向におけるセル配向比を増加させる請求項１３に記載の方法であって、以下の工程、
（１）硬質ポリマーフォーム材料を製造できる装置を提供する工程、
（２）熱可塑性ポリマー樹脂を前記装置に投入する工程、
（３）前記熱可塑性ポリマー樹脂をそのガラス転移温度及び融点より上で加熱する工程、
（４）１種以上の発泡剤を初期圧で、前記熱可塑性ポリマー樹脂に配合してゲル形成する工程であって、前記初期圧が前記ゲルの前発砲の予防に十分な圧である工程、
（５）前記ゲルをダイ融点まで冷却する工程、及び
（６）前記ゲルを前記装置のダイギャップを通してより低いダイ圧に押出して前記ゲルがz方向に比べx方向により早く成長させて、ポリマーフォーム材料を形成する工程であって、前記x方向が、前記ポリマーフォーム材料の押出し方向と定義され、かつ前記z方向が、前記ポリマーフォーム材料の垂直な厚さ方向として定義される工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記装置が、押出機、混合機又はブレンダーを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
一定のダイギャップ厚さにおいて、前記ダイギャップを通して、前記装置の線引っ張り速度を増加させることによって、前記ゲルをz方向に比べx方向により早く成長させながら、ポリマーフィルム材料の一定なフィルム密度を維持する請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記装置の一定の線引っ張り速度で、ダイギャップ幅を増加させることによって前記ゲルを、z方向に比べx方向により一層早く成長させながら、ポリマーフィルム材料のセルフィルム密度を維持する請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
熱可塑性ポリマー材料を前記装置に投入することが、アルケニル芳香族ポリマーを前記装置に投入する工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
１種以上の発泡剤を配合することが、１種以上の発泡剤を前記熱可塑性ポリマー樹脂に初期圧で配合してゲルを形成する工程を含み、前記初期圧は、前記ゲルの前発泡の予防に十分であり、前記１種以上の発泡剤が部分的に又は完全に水素化されたHCFC、HFC、HC、二酸化炭素、他の不活性ガス、又はその混合物を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
熱可塑性ポリマー樹脂を前記装置に投入することが、熱可塑性ポリマー樹脂を前記装置に投入する工程を含み、前記熱可塑性ポリマー樹脂が、約30000〜500000の平均質量分子量を有する請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分（ａ）および（ｂ）を含有する水性ポリマー分散液を含有する接着剤：
（ａ）６０〜２２０ｎｍの平均粒径を有するポリクロロプレンの分散液、および
（ｂ）ＳｉＯ２粒子の粒径が１〜４００ｎｍである水性二酸化ケイ素分散液。
【請求項２】
ＳｉＯ２粒子の粒径が５０〜１００ｎｍである請求項１記載の接着剤。
【請求項３】
ＳｉＯ２粒子の粒径が８〜５０ｎｍである請求項１記載の接着剤。
【請求項４】
ＳｉＯ２粒子が離散状の非架橋一次粒子として存在する請求項１から３いずれかに記載の接着剤。
【請求項５】
ＳｉＯ２粒子が粒子表面上にヒドロキシル基を有する請求項１から４いずれかに記載の接着剤。
【請求項６】
水性二酸化ケイ素分散液（ｂ）がケイ酸ゾルである請求項１から５いずれかに記載の接着剤。
【請求項７】
ポリクロロプレン分散液（ａ）を二酸化ケイ素分散液（ｂ）と混合し、次いで、得られた混合物に、所望により、常套の接着剤助剤と添加剤を添加することを含む請求項１記載の接着剤の製造方法。
【請求項８】
添加剤として、酸化亜鉛または酸化マグネシウムを使用する請求項７記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【表２】
2005528495.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリホスファゼンポリマーが少なくとも１個のスルホン化懸垂基及び５個以下の異なるスルホン化懸垂基を含み、前記少なくとも１個のスルホン化懸垂基はポリマー鎖の長さ方向に沿って存在し、又前記少なくとも１個のスルホン化懸垂基は少なくとも３個の炭素原子を含む無窒素結合を通じて少なくとも１個のＳＯ３−基を前記ポリマー鎖に結合することを特徴とするポリホスファゼンポリマー。
【請求項２】
少なくとも１個のスルホン化懸垂基及び５個以下の異なるスルホン化懸垂基を含むポリホスファゼンポリマーを調製する方法であって、前記方法が第四アンモニウム塩の形態で少なくとも１個のスルホン化修飾試薬をポリホスファゼン基質と反応させることを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項１記載のポリホスファゼンポリマーを含むことを特徴とする膜。
【請求項４】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項１記載のポリホスファゼンポリマーを含み、前記ポリホスファゼンポリマーが約２０，０００乃至１，０００，０００の分子量を持つことを特徴とする膜。
【請求項５】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項２記載の方法で調製されるポリホスファゼンポリマーを含むことを特徴とする膜。
【請求項６】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項２記載の方法で調製されるポリホスファゼンポリマーを含み、ここで前記ポリホスファゼンポリマーが約２０，０００乃至１，０００，０００の分子量を持つことを特徴とする膜。
【請求項７】
請求項１記載のポリホスファゼンポリマーを含む電池用固体高分子電解質、導電ポリマー用多機能ドーパント、界面活性剤、繊維・織物プロテクター、及び膜を含むグループから選択されることを特徴とする製品。
【請求項８】
請求項２記載の方法により調製されるポリホスファゼンポリマーを含む電池用固体高分子電解質、導電ポリマー用多機能ドーパント、界面活性剤、繊維・織物プロテクター、及び膜を含むグループから選択されることを特徴とする製品。
【請求項９】
ポリホスファゼンコポリマーが単一スルホン化懸垂基を含み、前記単一スルホン化懸垂基はコポリマー鎖の長さ方向に沿って存在し、又前記単一スルホン化懸垂基は少なくとも３個の炭素原子を含む無窒素結合を通じて少なくとも１個のＳＯ３−基を前記コポリマー鎖に結合することを特徴とするポリホスファゼンコポリマー。
【請求項１０】
単一スルホン化懸垂基がパラオキシフェニルスルホン基であることを特徴とする請求項９記載のポリホスファゼンコポリマー。
【請求項１１】
更に単一非イオン懸垂基を含み、前記単一非イオン懸垂基がコポリマー鎖に沿って存在することを特徴とする請求項９記載のポリホスファゼンコポリマー。
【請求項１２】
更にいくつかの異なる非イオン懸垂基を含み、前記いくつかの異なる非イオン懸垂基がコポリマー鎖に沿って存在することを特徴とする請求項９記載のポリホスファゼンコポリマー。
【請求項１３】
更に化学架橋に適した単一懸垂基を含み、前記化学架橋に適した単一懸垂基がコポリマー鎖に沿って存在することを特徴とする請求項１１記載のポリホスファゼンコポリマー。
【請求項１４】
単一スルホン化懸垂基を含むポリホスファゼンコポリマーを調製する方法であって、前記方法が第四アンモニウム塩の形態で単一スルホン化修飾試薬をポリホスファゼン基質と反応させることを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項９記載のポリホスファゼンコポリマーを含むことを特徴とする膜。
【請求項１６】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項９記載のポリホスファゼンコポリマーを含み、前記ポリホスファゼンコポリマーが約２０，０００乃至１，０００，０００の分子量を持つことを特徴とする膜。
【請求項１７】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項１４記載の方法により調製されるポリホスファゼンコポリマーを含むことを特徴とする膜。
【請求項１８】
燃料電池への使用のための膜であって、前記膜が請求項９記載の方法により調製されるポリホスファゼンコポリマーを含み、前記ポリホスファゼンコポリマーが約２０，０００乃至１，０００，０００の分子量を持つことを特徴とする膜。
【請求項１９】
請求項９記載の方法により調製されるポリホスファゼンコポリマーを含む電池用固体高分子電解質、導電ポリマー用多機能ドーパント、界面活性剤、繊維・織物用プロテクター、及び膜を含むグループから選択されることを特徴とする製品。
【請求項２０】
請求項１４記載の方法により調製されるポリホスファゼンコポリマーを含む電池用固体高分子電解質、導電ポリマー用多機能ドーパント、界面活性剤、繊維・織物用プロテクター、及び膜を含むグループから選択されることを特徴とする製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
高い剪断力あるいは強力な動的乱流が反応区域（３）の機械的手段によって発生される、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
反応混合物の相界面を増大させるために超音波装置も利用することができる。勿論、この装置が機械装置の他に配備されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペーパー製品の折り重ねたシートのクリップ状物を収納する小出し用カートンであって、
（ａ）前記シートが前記カートンから引出される、小出し開口部を有する上端壁と、
（ｂ）２対の対向する側壁と、
（ｃ）底壁と、
（ｄ）前記２対の対向する側壁の少なくとも１対の対向する側壁の内面の少なくとも一部分に装着される動摩擦減少材料と
、を含み、
ここで、前記カートンから１枚のシートを小出しするのに必要な小出し力が減少される小出し用カートン。
【請求項２】  前記小出し開口部が、前記シートが小出しされるスリットを有するプラスチック・フイルムで覆われる、請求項１に記載のカートン。
【請求項３】  前記小出し開口部が、前記摩擦減少材料が設けられる前記側壁に延在する、請求項２に記載のカートン。
【請求項４】  前記摩擦減少材料が、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレンおよびポリエチレンから構成される群から選択される、請求項１に記載のカートン。
【請求項５】  前記摩擦減少材料が、前記カートン内に挿入される前記シートのクリップ状物内の最上ペーパー・シートの抄紙方向縁部の隣接位置まで前記底壁の方向に前記側壁の下方へ延在する、請求項１に記載のカートン
【請求項６】  前記クリップ状物が、ペーパー・タオルの重ねられたシートを含む、請求項１に記載のカートン。
【請求項７】  前記クリップ状物が、顔用ティッシュの重ねられたシートを含む、請求項１に記載のカートン。
【請求項８】  前記小出し力が、前記カートンに収納されるシートの引裂き強さ未満まで少なくとも減少される、請求項１に記載のカートン。
【請求項９】  前記小出し力が、５０％を超えるまで減少される、請求項８に記載のカートン。
【請求項１０】  前記カートン内壁についての平均動摩擦係数が、５０％減少される、請求項１に記載のカートン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
発明の詳細な説明
図２は、本発明に従うカートン半加工品（blank）（以下、打ち抜き板ともいう。）５０の好ましい実施例の平面図である。組立てられたカートン２００の内面を形成する半加工品５０の表面が図２に示される。半加工品５０は、上端壁パネル１０、底壁パネル１１、側壁パネル１２、１３ａ、１３ｂ、１４、１５ａおよび１５ｂを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
摩擦減少材料２０は、カートンの上端壁パネル１０の内面にも装着できる。かくして、製造を容易にするために、かつ、コスト的に有効にするために、材料の１つの連続片を使用して、上端壁パネル１０、側壁パネル１２および側壁パネル１３を覆うことができる。つまり、そのような連続片は、図２を参照すると、セクション２０ａ、２２および２０ｂを含むであろう。加えて、一体の連続した片を使用することは必要ではなく、１つ以上の小さいセクションを同様に好都合に使用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
小出し力は、修正されたＪＩＳ規格試験方法ＪＩＳ  Ｂ７７２１、一般引張試験―力の検証方法―に従って測定される。調湿室は、温度と湿度が下記の限界以内に制御される。すなわち（１）相対湿度±２％；および（２）温度２２．７８℃±１．１℃（７３°Ｆ±２°Ｆ）である。その力試験器は、１００ニュートン・ロードセル、プレキシグラス・サンプルホルダー、および２つの平坦面を備えた掴みを有するＳｉｎｔｅｃｈ  Ｆｒａｍｅ  Ｉｎｓｔｒｏｎ  ＃５５６４である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
必要な試験装置の設置に続いて、試験器を校正しなければならない。「単純な引張試験」は、必要とされるデータに基づく変更を伴う適切な方法である。例えば、ここで適切なクロスヘッド速度についての設定値は、２４８．９ｃｍ／分（９８インチ／分）である。これは、低い速度設定値よりも、消費者の取出しパターンを一層厳密に表す。加えて標点間の長さは、試験されるカートンの高さにより決定しなければならない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  空気取入口および空気吹出口を具備したハウジングを含む空気濾過搬送装置であって、該空気取入口と該空気吹出口との間に、該空気取入口と該空気吹出口との間で気流と衝突して該空気吹出口に該空気取入口より気圧の高い領域を設ける少なくとも２つの回転式空気移動構成要素と、該空気移動手段と同じ回転軸を中心に回転する少なくとも１つの上流フィルタ面および少なくとも１つの下流フィルタ面を有して少なくとも１つの第１のフローチャネルを形成し、少なくとも２０００ｍ３／時／ｍ２の平均フレージャー透過性があるエレクトレット化フィルタ媒体を具備する少なくとも１つの多孔性のフィルタ構成要素から形成されるフィルタとを含む空気搬送ファンが配置されており、該上流フィルタ面が該空気搬送ファンを通して流動する気流の一部内に移動すると、該上流フィルタ面がフローチャネル内で移動している気流の一部に衝突して、該空気を、該フィルタ構成要素を通過して該上流フィルタ面から該下流フィルタ面に、また該下流フィルタ面からフローチャネル内の該気流の別部分に移動させることができ、該フィルタ構成要素および／または移動構成要素がさらに、気流を実質的に滞留させずに該第１のフローチャネルおよび該空気吹出口まで送り込むことができる空気流路を形成している空気濾過搬送装置。
【請求項２】  前記空気搬送ファンが、該ファンの回転軸に対して半径方向に空気を搬送する、軸方向の空気取入口を有する遠心型ファンであって、前記空気移動構成要素が、該回転軸と略位置合わせされた上流面と、前記空気取入口および空気吹出口の少なくとも一部からの前記空気流路とを含む、請求項１に記載の空気濾過搬送装置。
【請求項３】  前記空気移動手段が、前記フィルタ構成要素および前記回転軸と平行である、請求項１又は２に記載の空気濾過搬送装置。
【請求項４】  前記空気移動構成要素が、前記フィルタ構成要素を有している、請求項１〜３のいずれかに記載の空気濾過搬送装置。
【請求項５】  第２のフローチャネルには、気流を実質的に滞留させずに前記空気吹出口まで流動させることができる流路が設けられた、請求項１〜４のいずれかに記載の空気濾過搬送装置。
【請求項６】  前記フィルタ媒体の平均フレージャー透過性が２０００〜８０００ｍ３／時／ｍ２である、請求項１〜５のいずれかに記載の空気濾過搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、この目的は、密度が０．９ｇ／ｃｍ３〜１．３ｇ／ｃｍ３、特に０．９ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３で、固体体フラクションと液体フラクションとから構成され、間隙率（液体フラクション体積対全体積の比）が３８％〜５０％、好ましくは４５％未満のセメントスラリーにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  局所的投与のための薬学的組成物であって、以下：
（ａ）安全かつ薬学的に有効な量の薬学的に活性な薬剤；
（ｂ）１，２−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、およびこれらの混合物からなる群より選択される、約１５〜９７重量％のジオール；
（ｃ）約０．５〜２５重量％のセチルアルコール；
（ｄ）約０．１〜２５重量％のモノステアリン酸グリセリル；
（ｅ）約０．９〜５．０重量％のラウロカプラム； 
（ｆ）約０．５〜２５重量％のステアリルアルコール；
（ｇ）約０．０１〜１．０重量％のラウリル硫酸ナトリウム；ならびに
（ｈ）水
を含む、薬学的組成物。
【請求項２】  
【表１】
2003506462.tif 000001
を含む、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】  
【表２】
2003506462.tif 000002
から本質的になる、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項４】  局所的薬学的組成物を調製するためのプロセスであって、以下：
（ａ）約７０〜８０℃で水、ジオールおよびラウリル硫酸ナトリウムを、少なくとも該ジオールおよびラウリル硫酸ナトリウムが溶解するまで混合して、水相混合物部分Ａを得る工程であって、ここで、該ジオールが１，２−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、およびそれらの混合物からなる群より選択される、工程；
（ｂ）約７０〜８０℃でラウロカプラムおよび薬学的に活性な薬剤を、少なくとも該薬学的に活性な薬剤が溶解するまで混合して、薬剤／ラウロカプラムプレミックス部分Ｂを得る工程；
（ｃ）モノステアリン酸グリセリル、セチルアルコールおよびステアリルアルコールを約７０〜８０℃で混合する工程であって、少なくとも該混合物が融解するまで混合する工程；
（ｄ）該融解した混合物と、該薬剤／ラウロカプラムプレミックス部分Ｂとを約７０〜８０℃で混合し、そして少なくとも完全にブレンドされるまで混合して油相（非水相）混合物部分Ｃを得る工程；
（ｅ）該水相混合物部分Ａと該油相（非水相）混合物部分Ｃとの混合物を約７０〜８０℃で乳化する工程；ならびに
（ｆ）室温まで冷却する工程
を包含する、プロセス。
【請求項５】  前記薬学的に活性な薬剤がコルチコステロイドである、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】  前記コルチコステロイドがトリアムシノロンアセトニドである、請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】  請求項４に記載のプロセスであって、前記薬学的組成物が以下：
（ａ）薬学的に有効な量の前記薬学的に活性な薬剤；
（ｂ）約１５〜９７重量％の前記ジオール；
（ｃ）約０．５〜２５重量％のセチルアルコール；
（ｄ）約０．１〜２５重量％のモノステアリン酸グリセリル；
（ｅ）約０．９〜５．０重量％のラウロカプラム； 
（ｆ）約０．５〜２５重量％のステアリルアルコール；
（ｇ）約０．０１〜１．０重量％のラウリル硫酸ナトリウム；ならびに
（ｈ）水
を含む、プロセス。
【請求項８】  請求項４に記載のプロセスであって、前記薬学的組成物が以下：
【表３】
2003506462.tif 000003
を含む、プロセス。
【請求項９】  請求項４に記載のプロセスであって、前記薬学的組成物が本質的に以下：
【表４】
2003506462.tif 000004
からなる、プロセス。
【請求項１０】  請求項４に記載のプロセスにより得られる、薬学的組成物。
【請求項１１】  請求項１０に記載の薬学的組成物であって、以下：
（ａ）薬学的に有効な量の前記薬学的に活性な薬剤；
（ｂ）約１５〜９７重量％の前記ジオール；
（ｃ）約０．５〜２５重量％のセチルアルコール；
（ｄ）約０．１〜２５重量％のモノステアリン酸グリセリル；
（ｅ）約０．９〜５．０重量％のラウロカプラム； 
（ｆ）約０．５〜２５重量％のステアリルアルコール；
（ｇ）約０．０１〜１．０重量％のラウリル硫酸ナトリウム；ならびに
（ｈ）水
を含む、薬学的組成物。
【請求項１２】  
【表５】
2003506462.tif 000005
を含む、請求項１０に記載の薬学的組成物。
【請求項１３】  
【表６】
2003506462.tif 000006
から本質的になる、請求項１０に記載の薬学的組成物。
【請求項１４】  炎症性皮膚状態の処置が必要な動物において該炎症性皮膚状態を処置するための請求項１または請求項１０に記載の薬学的組成物であって、ここで、該組成物は、該動物に投与するために処方されている、組成物。
【請求項１５】  請求項１４に記載の組成物であって、前記炎症性皮膚状態が、乾癬、脂漏性皮膚炎、アトピー性皮膚炎、接触性皮膚炎または湿疹である、組成物。
【請求項１６】  請求項１４に記載の組成物であって、前記薬学的組成物が以下：
（ａ）前記炎症性皮膚状態を処置するために有効な量の前記薬学的に活性な薬剤；
（ｂ）約１５〜９７重量％の前記ジオール；
（ｃ）約０．５〜２５重量％のセチルアルコール；
（ｄ）約０．１〜２５重量％のモノステアリン酸グリセリル；
（ｅ）約０．９〜５．０重量％のラウロカプラム； 
（ｆ）約０．５〜２５重量％のステアリルアルコール；
（ｇ）約０．０１〜１．０重量％のラウリル硫酸ナトリウム；ならびに
（ｈ）水
を含む、組成物。
【請求項１７】  請求項１４に記載の組成物であって、前記薬学的組成物が以下：
【表７】
2003506462.tif 000007
を含む、組成物。
【請求項１８】  請求項１４に記載の組成物であって、前記薬学的組成物が以下：
【表８】
2003506462.tif 000008
から本質的になる、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）自動コンピューター制御装置を用いて、１つまたはそれ以上の試験化合物と複数の細胞懸濁液の各々を順次混合して、複数の試験混合物の各々を順次作成する工程と、
（ｂ）複数の細胞応答を同時に検出することができる検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を順次誘導する工程と、
（ｃ）前記複の試験混合物の各々が前記検出ゾーンを通って流れているときに、前記懸濁細胞における前記１つまたはそれ以上の試験化合物に対する複数の細胞応答を同時に測定する工程 とを含む、細胞応答を引き起こす化合物を同定する方法。
【請求項２】  前記複数の細胞応答は、レセプター媒介性応答の活性化または抑制、イオンチャンネルの活性化または抑制、非選択的細孔の活性化または抑制、レセプターまたはチャンネルの下流点での二次メッセンジャー経路の活性化または抑制、アポトーシスの活性化または抑制、細胞ネクローシスの活性化または抑制、および細胞毒性からなる群から選択される細胞応答を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記複数の細胞応答は、特定の細胞応答を示すシグナルを発生する１つまたはそれ以上の応答指示試薬と前記細胞を接触させることにより測定される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記応答指示試薬により発生する前記シグナルは、蛍光である請求項３に記載の方法。
【請求項５】  検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を順次誘導する前記工程は、個々の細胞における前記細胞応答を検出することができる前記検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を誘導することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】  検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を順次誘導する前記工程は、フローサイトメーターを通して、前記複数の試験混合物の各々を誘導することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】  複数の細胞応答を同時に測定する前記工程は、スラグが前記検出ゾーンを通って流れているときに、前記懸濁細胞における前記複数の細胞応答を測定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記複数の細胞懸濁液の各々は、１つより多くの型の細胞を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】（ａ）自動コンピューター制御装置を用いて、１つまたはそれ以上の試験化合物と複数の細胞懸濁液の各々を順次混合して、複数の試験混合物の各々を作成する工程と、
（ｂ）個々の細胞における細胞応答を検出することができる検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を順次誘導する工程と、
（ｃ）前記複数の試験混合物の各々が前記検出ゾーンを通って流れるときに、個々の懸濁細胞における前記１つまたはそれ以上の試験化合物に対する１つまたはそれ以上の細胞応答を測定する方法 とを含む、細胞応答を引き起こす化合物を同定する方法。
【請求項１０】  前記１つまたはそれ以上の細胞応答は、レセプター媒介性応答の活性化または抑制、イオンチャンネルの活性化または抑制、非選択的細孔の活性化または抑制、レセプターまたはチャンネルの下流点での二次メッセンジャー経路の活性化または抑制、アポトーシスの活性化または抑制、細胞ネクローシスの活性化または抑制、および細胞毒性からなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記１つまたはそれ以上の細胞応答は、特定の細胞応答を示すシグナルを発生する１つまたはそれ以上の応答指示試薬と前記細胞を接触させることにより測定される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記応答指示試薬により発生する前記シグナルは、蛍光である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  検出ゾーンを通して、前記複数の試験混合物の各々を誘導する前記工程は、フローサイトメーターを通して、前記複数の試験混合物の各々を誘導することを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  前記複数の細胞懸濁液の各々は、１つより多くの型の細胞を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１５】  複数の細胞応答を同時に測定する前記工程は、スラグが前記検出ゾーンを通って流れているときに、前記懸濁細胞における前記複数の細胞応答を測定することを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１６】  （ｄ）前記細胞の前記細胞応答に対して既知の効果を有する１つまたはそれ以上の標準化合物と前記細胞の懸濁液を混合して、標準混合液を作成する工程と、
（ｅ）前記検出ゾーンを通して、前記標準混合物を誘導する工程と、
（ｆ）前記１つまたはそれ以上の標準化合物に対する前記細胞の前記細胞応答を測定する工程とをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記混合する工程において、前記１つまたはそれ以上の標準化合物および前記１つまたはそれ以上の試験化合物を前記細胞と同時に混合し、前記測定工程は、前記既知の効果または前記既知の効果の改変を検出する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記１つまたはそれ以上の標準化合物は、前記細胞応答のアンタゴニストである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  前記１つまたはそれ以上の標準化合物は、前記細胞応答のアゴニストである請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】  前記細胞懸濁液は、１より多くの細胞型を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】  検出ゾーンを通して、前記試験混合物を誘導する工程は、フローサイトメーターを通して、前記試験混合物を誘導することを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】  ある濃度範囲の前記試験化合物が、前記細胞懸濁液と混合される請求項１に記載の方法。
【請求項２３】  前記複数の細胞懸濁液および前記試験化合物と、既知の細胞応答を引き起こす１つまたはそれ以上の化合物を混合することをさらに含む請求項１に記載の方法。【請求項２４】  既知の細胞応答を引き起こす、ある濃度範囲の前記１つまたはそれ以上の化合物が、前記複数の細胞懸濁液および前記試験化合物と混合される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  ある濃度範囲の前記試験化合物が、前記細胞懸濁液と混合される請求項９に記載の方法。
【請求項２６】  前記複数の細胞懸濁液および前記試験化合物と、既知の細胞応答を引き起こす１つまたはそれ以上の化合物を混合することをさらに含む請求項９に記載の方法。【請求項２７】  既知の細胞応答を引き起こす、ある濃度範囲の前記１つまたはそれ以上
の化合物が、前記複数の細胞懸濁液および前記試験化合物と混合される請求項２６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  Ｘ線管であって、
（ａ）  電子源が配置されたカソードハウジングと、
（ｂ）  アノードが配置されたＸ線管ハウジングであって、該アノードは前記電子源により放出された電子を受け取ることができるターゲット表面を有する、前記Ｘ線管ハウジングと、
（ｃ）  前記カソード及び前記アノードの間に位置決めされたシールド構造であって、該シールド構造は該構造内に形成された開口を有し、該開口を通って、電子が前記電子源から前記ターゲット表面まで通過させられる、前記シールド構造と、
（ｄ）  前記シールド構造の近傍に配置された少なくとも１つの流体通路であって、該流体通路は、冷却剤が通過し、これによって前記シールド構造の少なくとも一部分から熱を吸収することを可能にする、前記冷却通路と、
（ｅ）  前記シールド構造に取り付けられた、複数の延長表面であって、該延長表面は、前記少なくとも１つの流体通路を通過した冷却剤と少なくとも部分的に接触し、且つ、前記シールド構造から前記冷却剤まで熱が転移されるように配位されている、前記複数の延長表面と、
を含む、Ｘ線管。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このように本願発明の目的は達成される。前述の説明は本願発明の原理と実際の利用法を実施例を利用して解説している。本願発明のスコープ内でそれら実施例に種々な変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はアルミニウム基板ヒータデバイスの垂直断面図である。
【図２】図２は別ヒータ実施例である。
【図３】図３は別ヒータ実施例である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月22日(2005.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源から光経路に沿い光バルブによって映写される光の、少なくとも強度を制御する光バルブを含む映像表示装置において、
該光バルブは、複数の光伝達構成要素を設定し、それらの光伝達構成要素の少なくとも各々の半透明性は周期的に調整され、よって各々の構成要素の半透明性はその半透明性が調整されているインタバルの間以外では略一定となり、
シャッタは、少なくとも一つの光伝達構成要素の半透明性が調整されているインタバルの間に、その構成要素を経由する光経路を遮断するように設置される、
映像表示装置。
【請求項２】  上記シャッタは、複数の上記光伝達構成要素を経由する光経路を遮断する、
請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項３】  上記シャッタは、光バルブの全ての光伝達構成要素を経由する光経路を遮断する、
請求項１又は請求項２に記載の映像表示装置。
【請求項４】  光伝達構成要素が一つ又は複数の構成要素のグループで設置され、
構成要素の各々のグループは通常の調整期間にて順に調整され、
構成要素の各々のグループは、必要に応じ且つ個々の調整期間に多くとも一度、調整され、
シャッタは、個々の調整期間の所定の部分の間に、光経路を遮断する、
請求項２又は請求項３に記載の映像表示装置。
【請求項５】  光伝達構成要素の各々のグループが、一つ以上の構成要素を含む、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】  光経路がシャッタにより遮断されないインタバルは、上記光伝達構成要素の１つ以上または構成要素のグループが一定状態にある期間と、同時に生じるように時機が合わされる、先行する請求項のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】  光伝達構成要素は、行と列とのマトリクスアレイにて設置され、該行又は該列の各々は上記の構成要素のグループのうちの一つを構成する、
請求項５又は請求項６に記載の装置。
【請求項８】  複数の上記シャッタを含み、各々のシャッタは、上記光バルブ伝達構成要素の別のもの若しくはグループを遮断するように動作する、
先行する請求項のいずれかに記載の映像表示装置。
【請求項９】  個々のシャッタの遮断インタバルは、少なくと一つの他のシャッタの遮断インタバルから、オフセットしている、請求項８に記載の映像表示装置。
【請求項１０】  上記複数のシャッタの各々は、その他全てのシャッタの遮断インタバルからオフセットしている遮断インタバルを有する、請求項９に記載の映像表示装置。
【請求項１１】  グループの各々のシャッタが順に動作し、順に動作する各々のシャッタは、シャッタの数によって分割された光バルブの調整期間に等しい継続時間だけ、順序にて先行するシャッタからオフセットしている遮断インタバルを有する、請求項４から従属する請求項１０に記載の映像表示装置。
【請求項１２】  光バルブがＬＣＤパネルである、先行する請求項のいずれかに記載の映像表示装置。
【請求項１３】  光バルブを介して表示面上に光を映写することにより、映像が表示面に表示される、先行する請求項のいずれかに記載の映像表示装置。
【請求項１４】  先行する請求項のいずれかに係る映像映写システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記分泌物が肺粘液、咽頭粘液、頸管粘液、精液、又は乳頭吸引液である請求項２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月18日(2006.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造の製造方法であって、
基板と単結晶半導体層とを有し前記基板と前記単結晶半導体層との間に堆積された犠牲層を有する物品を設けるステップと、
前記単結晶半導体層を通じて前記犠牲層の中へ延びる開口部を製造するステップと、
前記単結晶半導体層を適切なデバイス厚までエピタキシャル成長させることによってデバイス層を形成するステップと、から成り、
前記単結晶半導体層は得られる前記デバイス層が前記開口部の上方に延びるように成長させられ、
前記開口部の上方に延びる前記デバイス層の表面部分は単結晶シリコンであり、
前記単結晶半導体層をエピタキシャル成長させるステップによってデバイス層及び犠牲層内にアンチ・スティクション突起物が形成される、製造方法。
【請求項２】
半導体構造の製造方法であって、
基板と単結晶半導体層とを有し前記基板と前記単結晶半導体層との間に堆積された犠牲層を有する物品を設けるステップと、
前記単結晶半導体層を通じて前記犠牲層の中へ延びる少なくとも１つの開口部を製造するステップと、
デバイス層の材料が前記開口部の中へ延びることによって前記犠牲層を通じて延びるアンカー部分を形成するように、前記デバイス層を形成するために、前記単結晶半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、
前記単結晶半導体層に半導体構造を形成するステップと、
前記犠牲層の少なくとも一部分をエッチング剤で除去することによって前記半導体構造を解放するステップと、から成り、
前記単結晶半導体層は得られる前記デバイス層が前記開口部の上方に延びるように成長させられ、
前記開口部の上方に延びる前記デバイス層の表面部分は単結晶シリコンであり、
デバイス層の厚さに対する開口部の深さの比は約１〜約１０の範囲内である、製造方法。
【請求項３】
アンチ・スティクション突起物を有する半導体構造の製造方法であって、
基板と半導体層とを有し前記基板と前記半導体層との間に堆積された犠牲層を有する物品を設けるステップと、
前記半導体層を通じて前記犠牲層の中へ部分的に延びる少なくとも１つの開口部を製造するステップと、
デバイス層の材料が前記開口部の中へ延びることによって前記デバイス層から前記犠牲層の中へ延びるアンチ・スティクション突起物を形成するように、前記デバイス層を形成するために、前記半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、
前記半導体層に半導体構造を形成するステップと、
前記アンチ・スティクション突起物を囲む前記犠牲層の少なくとも一部分をエッチング剤で除去するステップと、から成る、製造方法。