【事件の表示】
　特願２００４−５３４１４１「ＰＴＣ素子と金属リード要素との接続構造体の製造方法及びその製造方法に用いられるＰＴＣ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１８日国際公開，ＷＯ２００４／０２３４９９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は平成１５年９月３日（優先権主張　平成１４年９月６日　日本国）を国際出願日とする国際出願であって，平成２１年６月２３日付け拒絶の理由に対し同年８月３１日に手続補正がなされ，平成２２年３月１５日付け拒絶の理由に対し同年５月２１日に手続補正がなされたが，平成２２年１１月９日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされたものであり，これに対し，平成２３年２月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると共に，同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後，当審において，平成２３年１２月７日付けで審尋がなされたが，これに対する応答はなかった。
　
第２　本願発明
　この出願の平成２３年２月１６日に補正された特許請求の範囲に記載された請求項１の発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
　（１）
　（Ａ）（ｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素及び
　　　　（ｉｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素の主表面上に配置された金属箔電極
を有して成るＰＴＣ素子であって，
　金属箔電極は，第Ｘ層と第一層の二つの金属層から形成され，
　第Ｘ層は，層状ポリマーＰＴＣ要素と接し，金属箔電極中最も小さなレーザー光吸収率（ａ％）を有し，
　第一層は，層状ポリマーＰＴＣ要素から最も離れて位置しており，ａ％より大きなレーザー光吸収率（ｂ％）を有するＰＴＣ素子，並びに
　（Ｂ）少なくとも一つの金属層から形成される金属リード要素であって，金属リード要素と金属箔電極が接する金属リード要素の金属層のレーザー光に対するレーザー光吸収率（ｃ％）が，金属箔電極の第Ｘ層のレーザー光吸収率（ａ％）より大きい金属リード要素を準備する工程，及び
　（２）
　金属箔電極と金属リード要素を，レーザー光を用いるパルス−シーム溶接法を使用して電気的に接続する工程
を含む接続構造体の製造方法。」
　
第３　刊行物の記載事項
１　文献１
　この出願の優先日前に頒布された刊行物であり，原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−２３０００１号公報（以下，「文献１」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
　なお，公報第５ページに記載されている昭和６１年１１月２８日付け手続補正書による補正がなされたものとして摘記をした。
　
　(1) 特許請求の範囲第１項
「
ＰＴＣ特性を有する物質とこの物質を狭持する電極板とからなる積層体の電極表面に外部接続用のリード板を重ね，この電極板とリード板とをスポット溶接によって溶接する
ＰＴＣ素子の製造法
　
　(2) 公報第１ページ右下欄第４行から第２ページ左上欄第１３行
「〔産業上の利用分野〕
　この発明は，
電気抵抗素子
〔従来技術〕
　ＰＴＣ特性を有する物質は，一定の温度に上昇すると発熱が止まるヒータ，正特性サーミスタ（ＰＴＣ ｔｈｅｒｍｉｓｔｅｒ），感熱センサ，乾電池などで短絡したとき電流が増大するためにジュール熱で自己発熱し，それによって抵抗を増大させ電流を所定値以下に制限し，他方その短絡が取り除かれたとき回路が復帰する保護素子などに利用することができる。したがって，ＰＴＣ特性を有する物質の開発が従来から進められ，現在ＢａＴｉＯ３に１価または３価の金属酸化物を添加したもの，
ポリエチレンなどの結晶性重合体に電導性物質が分散されたものなど
　従来，
ＰＴＣ特性を有する抵抗素子（以下，ＰＴＣ素子と略す）は，第３図に示すようにＰＴＣ特性を有する物質２と，これを狭持する電極板３ａおよび３ｂと，電極板に接続されたリード板４ａおよび４ｂとからなる。このような構成のＰＴＣ素子を量産する従来の方法は，ＰＴＣ特性を有する物質の成形体にニッケルなどの電極板を積層し，この積層体を所望の寸法に裁断してこれに外部接続用のリード板を接続することからなる。この方法において電極板とリード板との接続は，
スポット溶接，レーザー溶接などの手法によって行なわれている
　
　(3) 公報第２ページ右上欄第１５行から左下欄第３行
「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明者らは，上述の目的達成のために種々の試験研究を行なった結果，電極表面にリード板を半田付けするとき
素子全体が加熱されてＰＴＣ組成物の劣化が起り
溶接時の発熱によってポリマーが一部分解
　
　以上の記載及び図面の記載から，文献１には以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「加熱により劣化が起こるポリエチレンなどの結晶性重合体に電導性物質が分散されたＰＴＣ特性を有する物質と，前記物質の上下に積層されたニッケル箔からなる電極板とからなる積層体の電極表面に外部接続用のリード板を重ね，この電極板とリード板とをスポット溶接，レーザー溶接などの手法によって接続する電気抵抗素子であるＰＴＣ素子の製造法。」
　
２　文献２
　この出願の優先日前に頒布された刊行物であって，原査定の拒絶の理由で引用された特許第３２９６０７０号公報（平成１４年４月１２日発行）には，図面と共に次の事項が記載されている。なお，下線は当審で付したものである。
　
　(1) 「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，集積回路，センサ等の回路，又は回路とケースターミナルとの間の配線等に用いられる接合構造体であって，特に，異種金属を重ね合わせレーザ溶接する，接合構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
レーザ溶接は，エネルギー密度が極めて高い熱源によるため，照射箇所以外への熱影響が小さく，微小部や精度の要求される部品を低歪みで溶接できるという特徴を有する
【０００３】このレーザ入力によって，図２４に示すごとく，まず表面の第１金属部材９１が溶融し，やがてその溶融部９９は，図２５に示すごとく，その下方の第２金属部材９２に到達する。これにより，第１，第２金属部材９１，９２が溶接接合される。
【０００４】また，図２８に示すごとく，表面の第１金属部材９１にはレーザ溶融し易いめっき膜９１１を，その下方の第２金属部材９２にはレーザ溶接を抑制するめっき膜９２２を施し，レーザ照射により，上記第１，第２金属部材９１，９２を溶融部９９にて溶接接合する場合がある。
【０００５】次に，上記第１，第２金属部材を，電子部品の溶接接合部において用いることが考えられる。例えば，図２９に示すごとく，第１金属部材９１０を回路基板から電子情報を取り出すリード１７０として用い，また，第２金属部材９２０を，回路基板収納用の樹脂ケース７９０と一体化したターミナル端子２７０として用いる場合がある。
【０００６】ターミナル端子２７０の一端はリード１７０との溶接部２００であり，その他端は樹脂ケース７９０に埋設されるコネクタ部２０１である。ターミナル端子２７０はリード１７０との溶融接合性に優れたＮｉめっき膜２２９により被覆されている。そして，コネクタ部２０１の表面だけ，電気伝導の耐久性の向上のために，Ｓｎ（錫）めっき膜２３９により被覆されている。
【０００７】上記樹脂ケース７９０と一体化したターミナル端子の製造方法について，図３０を用いて説明する。まず，ターミナル端子作製用素材として，Ｓｎめっき膜が施された黄銅材を準備する。また，樹脂ケース作製用素材として，樹脂を準備する。
【０００８】次に，上記ターミナル端子作製用素材を，金型を用いて所望の形状にプレス加工し，打ち抜いて，図２９に示すターミナル端子２７０を得る。次に，表面処理工程として，ターミナル端子２７０の表面全体に，無電解めっき法によりＮｉめっき膜２２９を形成し，次いで，ターミナル端子２７０のコネクタ部２０１にのみＳｎめっき膜２３９を形成する。
【０００９】次いで，金型内に上記ターミナル端子を所定の個所に固定する。次いで，この金型内に上記樹脂ケース作製用の軟化樹脂を注入して，樹脂ケースをインサート成形する。次に，余分なターミナル端子をプレス切断し，１７５℃程度でアニーリングを行なう。次いで，ターミナル端子２７０と樹脂ケース７９０との間の絶縁検査を行なう。これにより，樹脂ケースと一体化したターミナル端子が得られる。その後，これを梱包し，他の場所へ運搬し，そこで，上記リード１７０を用いて，回路を上記樹脂ケース内に搭載する。
【００１０】尚，上記リード１７０は，はんだめっき９１１を施した軟銅製の第１金属部材９１０である。ターミナル端子２７０とリード１７０とは，レーザ照射により溶接接合される。第２金属部材９２０の厚みは，０．６４〜０．８ｍｍである。無電解Ｎｉめっき膜２２９の膜厚は，３．５μｍである。Ｓｎめっき膜２３９の膜厚は，３μｍである。
【００１１】
【解決しようとする課題】しかしながら，図２６に示すごとく，
第１金属部材９１の溶融部９９がその下方の第２金属部材９２に到達した際に，レーザが照射された部分の第２金属部材９２が照射直後に蒸発し，その溶融金属９９０が爆飛して，穴明き状態９９１が生じることがある
【００１２】また，図２８に示すごとく，第１，第２金属部材９１，９２の表面に被膜を形成させた場合には，両部材の溶接性を向上させることができるが，レーザ溶融を抑制するめっき膜９２２としてニッケルとリンとの合金を用いているため，コストがかかる。このめっき膜９３０をコストの低いＳｎめっきに変更すると，
レーザにより第２金属部材９２が過剰に加熱され，溶融部が爆飛し，スパッタが発生するおそれがある
【００１３】また，図２９に示すごとく，第１，第２金属部材９１，９２を，それぞれリード１７０及びターミナル端子２７０として用いる場合には，前記したごとく，樹脂ケース７９０に埋設されるコネクタ部２０１を，錫めっき膜２３９により被覆しなければならない。そのため，図３０に示すごとく，ターミナル端子２７０の作製の際に，第２金属部材９２０の表面に２段階に渡る複雑なめっき工程を行わなければならない。
【００１４】そのため，ターミナル端子２７０の作製に，長時間を必要とし，コストが高くなるという問題がある。そこで，本発明はかかる従来の問題点に鑑み，溶融部の爆飛を抑制し，良好で安定したレーザ溶接をすることができる，安価な接合構造体及びその製造方法を提供しようとするものである。」
　
　(2) 「【００４１】
【実施例】
実施例１
本発明の実施例に係る接合構造体について，図１〜図５を用いて説明する。本例の接合構造体は，後述するごとく，電子部品におけるリードとターミナル端子とを接合した構造を示すもので，リードが第１部材を，ターミナル端子が第２部材を構成している。即ち，本例の接合構造体は，図１に示すごとく，レーザ照射面１５を有する第１部材１と，レーザ照射面１５の反対側に配置され，かつ該第１部材１よりもレーザ吸収率が高い第２部材２とよりなる。
【００４２】第１部材１の全表面は，第１部材１よりもレーザ吸収率が高い第１被膜１１により被覆されている。
第２部材２
は，第２被膜２２及び第３被膜２３により被覆されている
【００４３】第１部材１及び第２部材２は，上記接合層３を介して，積層されている。上記第１被膜１１，第３被膜２３，及び第２被膜２２は，接合層３を構成している。
上記第１部材１は，第２部材２と反対側の面をレーザ照射面１５とし，該レーザ照射面１５からＹＡＧレーザ５０が照射されて，上記接合層３を介して第２部材２とレーザ溶接されている
【００４４】
第１部材１は一方の電子部品におけるリードであり，銅又は銅合金よりなる
第１被膜１１及び第３被膜２３は，第１部材１よりもレーザ吸収率が高い，
錫の被膜である。第２被膜２２は，第２部材２よりもレーザ吸収率が低い
銅の被膜である
表１に，上記第１部材，第２部材，第１被膜，第２被膜，及び第３被膜に用いられる上記の各材料のレーザ吸収率及び融点を示す
【００４５】
【表１】
【００４６】第１被膜１１の厚みは１〜１０μｍであり，第３被膜２３の厚みは１０μｍ以下である。第１部材１の裏面を被覆する第１被膜１１と第３被膜２３との合計厚みは，２０μｍ以下である。第２被膜２２の厚みは，０．１〜１μｍである。第３被膜２３の厚みは，１〜４μｍである。第１被膜１１，第３被膜２３，及び第２被膜２２から構成される接合層３の合計膜厚は，レーザ照射による溶融によって，第１部材１と第２部材２との中間のレーザ吸収率となる膜厚（１〜２０μｍ）である。
【００４７】次に，上記接合構造体の製造方法について説明する。まず，図１に示すごとく，第１部材１の表裏両面に，電気めっき法により第１被膜１１を形成する。また，
第２部材２の片面に，下地めっきとして第２被膜２２を施し，該第２被膜２２の表面には電気めっき法により第３被膜２３を被覆させる。次に，上記第１部材１と第２部材２とを重ね合わせて，積層し，レーザ照射により，これらを一体的に接合して，本例の接合構造体を作製する。
【００４８】即ち，上記接合構造体においては，第１部材１のレーザ照射面１５としての片面に，集光レンズ５を経たＹＡＧレーザ５０を照射する。これにより，まず，図３に示すごとく，第１部材１のレーザ照射面１５の表面近傍が溶融し，溶融部１９が形成される。やがて，溶融部１９は，図４に示すごとく，接合層３に到達する。そうして，溶融部１９は，図５に示すごとく，更に，第２部材２の表面付近に至る。これにより，図２に示すごとく，第１部材１，接合層３及び第２部材２に形成された溶接部１９にて，第１部材１と第２部材２とがレーザ溶接される。
【００４９】次に，本例の作用効果について説明する。本例の接合構造体は，図１に示すごとく，第１部材１のレーザ照射面１５に第１被膜１１が配設されている。第１被膜１１は，第１部材１よりもレーザ吸収率が高いため，第１部材１のレーザの吸収を高める。そのため，図３に示すごとく，低いレーザ入力で，第１部材１の温度を上昇させ，第１部材１の溶融を促進させることができる。
【００５０】そうして，第１部材１に吸収されたレーザは，更に出力を減少させながら進行し，やがて，レーザ照射面１５と反対側の第１部材１の裏面側に到達する。第１部材１の裏面側には，図４に示すごとく，第２部材２との間に，第１部材１側に配設された第１被膜１１と，第２部材側に配設された第３被膜２３及び第２被膜２２とよりなる接合層３が介在している。
【００５１】第１被膜１１及び第３被膜２３は，錫であり，第１部材よりもレーザ吸収率が高く，また第１部材よりも融点が低い性質を有している。一方，第２被膜２２は，銅であり，第２部材よりもレーザ吸収率が低く，第２部材よりも融点が高い性質を有している。
【００５２】そのため，レーザが接合層３を通過する際には，図４に示すごとく，まず第１被膜１１において一旦その進行を速め，その後第２被膜２２において徐々に進行を減速しながら，第２部材２へ到達する。それ故，レーザは，ある程度の出力を維持しながら，第２部材２には第１部材１と溶接接合可能でかつ過剰に溶融しない程度に，入射する。
【００５３】また，第３被膜２３は第２部材２よりも融点が低く，第１，第３被膜１１，２３は第１部材１よりも融点が低いため，図４に示すごとく，レーザによりこの接合層３が溶融する際には，まず第１被膜１１において一旦その溶融速度を速め，その後第２被膜２２において徐々にその進行を減速しながら，第２部材２へ到達する。それ故，レーザによる溶融は，ある程度の速度を維持しながら，第１部材１と溶接接合可能でかつ過剰に溶融しない程度に，第２部材２に到達する。
【００５４】その結果，図２，図５に示すごとく，爆飛，スパッタの発生もなく，少ないレーザ出力で第１部材１と第２部材２とを，良好に安定して，レーザ溶接することができる。
【００５５】また，接合層３の合計膜厚は，表１に示すごとく，レーザ照射による溶融によって，第１部材１と第２部材２との中間のレーザ吸収率となる膜厚である。そのため，レーザ照射による接合層３の溶融があたかも制動されながら第２部材２に到達するため，第２部材２の過熱による爆飛及びスパッタの発生を防止することができる。
【００５６】また，第１被膜１１及び第３被膜２３は同じ材料を用いているため，両被膜共に，第１部材１から入力されたレーザの進行及びレーザによる溶融速度を促進させることができる。更に，第１，第２部材１，２を被覆する第１，第２，及び第３被膜１１，２２，２３には，安価な材料を用いているため，接合構造体のコストを削減することができる。 【００５７】また，本例の製造方法によれば，上記のごとく優れた特性を有する接合構造体を作製することができる。」
　なお，他の記載及び図面の記載から，段落００４１の「ターナル」は「ターミナル」の，段落００５０の「第１部材１の裏面側には，図４に示すごとく，第２部材２との間に，第１部材１側に配設された第１被膜１１及び第２被膜２２と，第２部材側に配設された第２被膜２２とよりなる接合層３が介在している。」は「第１部材１の裏面側には，図４に示すごとく，第２部材２との間に，第１部材１側に配設された第１被膜１１と，第２部材側に配設された第３被膜２３及び第２被膜２２とよりなる接合層３が介在している。」のいずれも誤記と認められるから，それぞれ後者のように認定した。
　また，段落００５６の「第１被膜１１及び第３被膜２３は同じ材料を用いている」及び図面の記載から，段落００５２及び段落００５３の「第１被覆１１」は，実質的に「第１被膜１１及び第３被膜２３」を示しているものと認められる。
　
　(3) 「【００６４】実施例５
本例の接合構造体は，図１１に示すごとく，第１部材１のレーザ照射面１５にのみ第１被膜１１を施している。第１部材１と第２部材２との間には，第３被膜２３及び第２被膜２２より構成される接合層３が介設している。第１被膜１１の厚さは，１〜１０μｍである。第２被膜２２の厚さは，０．２〜０．８μｍである。第３被膜２３の厚さは，１〜４μｍである。その他は，実施例１と同様である。本例においても，実施例１と同様の効果を得ることができる。」
　
　以上の記載及び図面の記載から，文献２には以下の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されている。
「電子部品におけるリードとターミナル端子とを接合する構造であって，
　リードが第１部材を，ターミナル端子が第２部材を構成し，
　第２部材は，第２被膜が施され，さらに第２被覆の表面には第３被膜が施されることにより被覆されており，
　第１部材と第２部材との間に，第３被膜及び第２被膜より構成される接合層が介設されるように，第１部材と第２部材を重ね合わせて積層し，
　第１部材の第２部材と反対側の面をレーザ照射面とし，該レーザ照射面からＹＡＧレーザが照射されて，上記接合層を介して，第２部材が過剰に加熱されないように，第１部材と第２部材とをレーザ溶接するものであって，
　第１部材の材料はレーザ吸収率１４％の銅又はレーザ吸収率２０％の銅合金であり，第２被覆の材料はレーザ吸収率１４％の銅であり，第３被覆の材料はレーザ吸収率３８％の錫である
電子部品におけるリードとターミナル端子とを接合する構造。」
　
３　文献３
　この出願の優先日前に頒布された刊行物である実願平４−０６１８２３号（実開平６−０２６２０１号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下，「文献３」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。なお，下線は当審で付したものである。
　
　(1) 「【０００２】
    【従来の技術】
  従来，この種の抵抗器としては，１０〜５０ｍΩの超低抵抗値を有するもので，図４および図５に示す抵抗器本体11のように，銅−ニッケル合金，ニッケル−クロム合金，洋銀などから長方形状の平板に形成された抵抗素子12の両端部を，長手方向に対向する銅板からなる端子片13に接合し，この抵抗素子12と端子片13との接合部分を抵抗スポット溶接などによりスポット溶接して接続した構成のものが知られている。」
　
　(2) 「【００２２】
  また，抵抗溶接によって抵抗素子３と端子片２とを接続して説明したが，シーム溶接など他の溶接方法でもできる。」
　
４　文献４
　この出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１９１５９１号公報（以下，「文献４」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。なお，下線は当審で付したものである。
　
　(1) 公報第３ページ左上欄第３行から第２０行
「次に，各配線板群１ａ，１ｂ，１ｃの各配線板２を所定の接合部３で接合して電気的に接続する。
　接合には，第３図に示す如く，配線板２の接合部３どうしを重ねあわせて，溶接部８をアーク溶接又はレーザ溶接等によってスポット溶接又はシーム溶接する方法，
　第４図に示す如く，配線板２の接合部３どうしを重ね合わせて，重ね合わせ部分又はその周囲を半田や銀ろう等のろう材１８によってろう付けする方法，
　第５図に示す如く，配線板２の接合部を突き合わせて，溶接部８をアーク溶接又は，レーザ溶接等によってスポット溶接又はシーム溶接する方法，
　第６図に示す如く，配線板２の接合部３どうしを突き合わせて，突き合わせ部分を半田や銀ろう等のろう材１８によってろう付けする方法等が用いられる。」
　
第４　対比及び判断
１　本願発明と引用発明１との対比
　(1) 本願発明の「層状ポリマーＰＴＣ要素」とは，詳細な説明の開示によれば，「本明細書において，ＰＴＣ素子の「層状ポリマーＰＣＴ要素」とは，例えば，導電性フィラーを含むポリマー材料（例えば，カーボンブラック粒状物質を分散状態で含む高密度ポリエチレン）であって，ＰＴＣ特性を示す，層状の形態のもの」（国際出願の明細書第６ページ第２６行から第２９行）というものであるから，引用発明１の「ポリエチレンなどの結晶性重合体に電導性物質が分散されたＰＴＣ特性を有する物質」は，図面の記載も参照すると，本願発明の「層状ポリマーＰＴＣ要素」に相当する。
　引用発明１の「前記物質の上下に積層されたニッケル箔からなる電極板」は，本願発明の「ポリマーＰＴＣ要素の主表面上に配置された金属箔電極」に相当する。
　よって，引用発明１と本願発明の「ＰＴＣ素子」は，「層状ポリマーＰＴＣ要素及び」「層状ポリマーＰＴＣ要素の主表面上に配置された金属箔電極」「を有して成るＰＴＣ素子」である点で，一致する。
　(2) 引用発明１の「外部接続用のリード板」は本願発明の「リード要素」に相当する。
　(3) 引用発明１の「リード板」の「外部接続」とは，引用発明１の「ＰＴＣ素子」が「電気抵抗素子」であることから，導電接続のための電気的な接続をいうことが明らかであるから，引用発明１の「電極板とリード板とをスポット溶接，レーザー溶接などの手法によって接続する」ことと，本願発明の「金属箔電極と金属リード要素を，レーザー光を用いるパルス−シーム溶接法を使用して電気的に接続する」ことは，「金属箔電極とリード要素を，レーザー溶接法を使用して電気的に接続する」ことである点で一致する。
　(4) 引用発明１の「ＰＴＣ素子の製造法」は，電極板とリード板の接続方法を示すものであるから，引用発明１と本件補正発明は，「接続構造体の製造方法」である点で一致する。
　
２　一致点及び相違点
　以上より，本願発明と引用発明１は，以下の点で一致する。
　
「（１）
　（Ａ）（ｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素及び
　　　　（ｉｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素の主表面上に配置された金属箔電極
を有して成るＰＴＣ素子
並びに
　（Ｂ）リード要素を準備する工程，及び
　（２）
　金属箔電極とリード要素を，レーザー光を用いる溶接法を使用して電気的に接続する工程
を含む接続構造体の製造方法。」
　
　そして，以下の各点で相違する。
　
相違点１　「リード要素」について，本願発明は「少なくとも一つの金属層から形成される金属リード要素」であるのに対し，引用発明１の「リード板」は「金属」であるか否かは特定されていない点。
　
相違点２　同じく「リード要素」について，本願発明は「金属リード要素と金属箔電極が接する金属リード要素の金属層のレーザー光に対するレーザー光吸収率（ｃ％）が，金属箔電極の第Ｘ層のレーザー光吸収率（ａ％）より大きい」のに対し，引用発明１はかかる特定がなされていない点。
　
相違点３　「金属箔電極」について，本願発明は「金属箔電極は，第Ｘ層と第一層の二つの金属層から形成され」「第Ｘ層は，層状ポリマーＰＴＣ要素と接し，金属箔電極中最も小さなレーザー光吸収率（ａ％）を有し」「第一層は，層状ポリマーＰＴＣ要素から最も離れて位置しており，ａ％より大きなレーザー光吸収率（ｂ％）を有する」というものであるのに対し，引用発明１の「電極板」は「ニッケル箔」である点。
　
相違点４　「溶接法」について，本願発明は「レーザー光を用いるパルス−シーム溶接法」であるのに対し，引用発明は「レーザー溶接」であるものの，「パルス−シーム溶接法」であるかは特定されていない点。
　
３　相違点についての判断
　
　(1) 相違点１について
　電子素子のリード（導線，導体）に金属が用いられることは一般的なことであり，しかも，引用発明１に開示された「スポット溶接」が金属でなければなし得ない電気溶接であることからしても，当業者であれば，引用発明１の「リード板」は，明確な記載がなくとも金属板であると解することができることであり，相違点１は引用発明１が実質的に具備する事項にすぎない。
　
　(2) 相違点２，相違点３及び相違点４について
　相違点２，相違点３及び相違点４は関連するものであるからあわせて検討する。
　引用発明２はリードとターミナルのレーザ溶接による接合構造に係るものであり，引用発明２と本願発明を対比すると，引用発明２の「リード」である「第１部材」は本願発明の「金属リード要素」に相当し，引用発明２の「ターミナル」である「第２部材」に施された「第２被覆」は本願発明の「第Ｘ層」に相当し，引用発明２の「第２被覆」の表面に施された「第３被覆」は本願発明の「第１層」に相当し，引用発明２の「レーザ吸収率」は本願発明の「レーザー光吸収率」に相当するものであり，引用発明２の「第１部材」は「レーザ吸収率１４％」又は同「２０％」，「第２被覆」は同「１４％」，「第３被覆」は同「３８％」と規定されているのに対し，本願発明の「金属リード要素」は「レーザー光吸収率（ｃ％）が，金属箔電極の第Ｘ層のレーザー光吸収率（ａ％）より大き」く，「第Ｘ層」は「金属箔電極中最も小さなレーザー光吸収率（ａ％）」，「第一層」は「ａ％より大きなレーザー光吸収率（ｂ％）」というものであるから，引用発明２は本願発明の金属箔電極と共通の電極構造を有し，しかも，レーザ光吸収率も本願発明と同様の関係を有するものである。
　ここで，引用発明２は，かかる構成により「第２部材が過剰に加熱されないように，第１部材と第２部材とをレーザ溶接する」というものであり，「第２部材」，すなわち本願発明でいう「層状ポリマーＰＴＣ要素」に対応する箇所の部材が過剰に加熱されないようにする，というものである。
　そして，引用発明１の加熱により劣化が起こるＰＴＣ素子へのレーザ溶接によるリードの接続にあたり，引用発明２の第２部材が過剰に加熱されないようなレーザ溶接のための被覆構造を採用することで，加熱を回避しようとすることは，当業者であれば容易になし得ることである。
　さらに，溶接により電気的接続を行う場合において，スポット溶接とするか，シーム溶接とするかは，文献３及び文献４（いずれも摘記箇所参照。）に例示されるようにいずれも周知技術であって，引用発明１に引用発明２を組合せた発明は，ＰＴＣ素子が過剰に加熱されないような構造を有することとなる以上，複数回のスポット溶接であるシーム溶接にも耐性を有することとなり，シーム溶接を採用し得ない事情もないことから，引用発明１に引用発明２を組合せた発明において，溶接をシーム溶接とすることは，当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　(3) そして，引用発明１に引用発明２及び周知技術を適用することにより本願発明のようにすることにより生じる効果が，格別顕著なものであるとはいえない。
　
４　小括
　以上検討したように，本願発明は，引用発明１，引用発明２及び周知技術に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第５　むすび
　以上のように，本願発明は，引用発明１，引用発明２及び周知技術に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって，この出願については，他の請求項について論及するまでもなく，原査定の拒絶の理由により拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。