Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図４及び図５は、図１とともに、ハウジング１１０の下端２１１に位置することができるドレン２１０を示す。第一のフローガイドは、乾燥させるべき一次ガスを乾燥ドラムに通すことができる一次ガスチャンバ１６２を画定する。第一のフローガイドはまた、乾燥ドラムからの二次再生ガスが入る二次ガスチャンバ１６３を画定する。隔壁１６９が設けられている。ドレンは液トラップ２１２を含み、この液トラップの中に隔壁が延びて、捕らえた液体２１３を溜めるためのＵ字形空間を画定している。液トラップは、環状の通路２１４の形態にある。ハウジングの一部によって通路の外壁２１５が形成され、乾燥機の出口１２１の一部によって内壁２１６が形成されている。シール２１７が出口とハウジングとの間に設けられている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
ばね座金の形態にある位置決め手段１５５が駆動軸に設けられ、駆動軸上の形成部１５６に対して作用して、第一のフローガイドの接触部品１６１を乾燥ドラムの接触部品１５８に向けて付勢して、乾燥ドラム１５９のさらなる接触部品を第二のフローガイド１８１の接触部品に向けて付勢する。接触部品は、フローガイドが乾燥ドラムの支持コアに対して回転することを、それらの間にガスを通すことなく可能にする軸受けシールの形態で設けられている。軸受けシールは、乾燥含浸繊維ガスケットの形態にあることができる。さらなる軸受けシール１８２が第二のフローガイドに設けられて、第二のフローガイド及びハウジングの二次ガス入口をシールしている。駆動ピン２００が駆動軸から半径方向に延び、第一及び第二のフローガイドと係合してそれら駆動する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図４及び図５は、図１とともに、ハウジング１１０の下端２１１に位置することができるドレン２１０を示す。第一のフローガイドは、乾燥させるべき一次ガスを乾燥ドラムに通すことができる一次ガスチャンバ１６２を画定する。第一のフローガイドはまた、乾燥ドラムからの二次再生ガスが入る二次ガスチャンバ１６３を画定する。隔壁１６９が設けられている。ドレンは液トラップ２１２を含み、この液トラップの中に隔壁が延びて、捕らえた液体２１３を溜めるためのＵ字形空間を画定している。液トラップは、環状の通路２１４の形態にある。ハウジングの一部によって通路の外壁２１５が形成され、乾燥機の出口１２１の一部によって内壁２１６が形成されている。シール２１７が出口とハウジングとの間に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクとその他の不純物とを含む製紙プロセス水の清澄化方法であって、
ａ）ｉ）カチオン性モノマージアリル―Ｎ，Ｎ−ニ置換アンモニウムハロゲン化物、但し、前記ニ置換アンモニウムハロゲン化物の置換基は、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、及びアリールアルキル基から成る群から選ばれる、と、
ｉｉ）式：
【化１】
2002531248.tif 000001
但し、Ｒ1及びＲ2は、水素、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アリール基、及びアルキルアリール基から成る群から選ばれ；Ｒ3は水素とメチル基とから成る群から選ばれ、Ｒ4及びＲ5は、Ｃ1〜Ｃ10直鎖又は枝分かれアルキレン基と水素とから成る群から選ばれる、の第二モノマーとの、
多価アニオン性塩の水溶液中での重合によって調整される親水性分散ポリマーの効果的清澄化量を水に添加する工程であって、前記重合が、分散剤の存在下に実施される工程
を含む方法。
【請求項２】  前記カチオン性モノマーが、ジアリルジメチルアンモニウム塩化物であり、前記第二モノマーがアクリルアミドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  親水性分散ポリマーが、１モル％〜３０モル％のカチオン性装入物（ｃｈａｒｇｅ）を有しており、前記ポリマーが、１グラムあたり０．５〜１０デシリットルの固有粘度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  さらに、工程ａ）において凝固剤の添加を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  さらに、工程ａ）において凝集剤の添加を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  さらに、工程ａ）において凝集剤の添加を含んでいる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】  さらに、工程ａ）においてミョウバンの添加を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  さらに、工程ａ）において凝固剤の添加を含んでいる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記清澄化を、溶解空気浮遊によって行う、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月4日(2006.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  Ｘが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＳＯ４、Ｒ５ＳＯ４、ＨＳＯ４、ＣＯ３、ＨＣＯ３、Ｒ５ＣＯ３又はＲ５ＣＯ２又はこれらの２個又はそれ以上からなる混合物を表し、Ｒ５は、Ｃ原子を１〜３０個有する線状又は分枝鎖状で、飽和又は不飽和の、脂肪族、脂環式、芳香脂肪族又は芳香族の基を表す、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  空気止血帯カフ内の圧力を検出する圧力変換手段と、止血機器の電動作動のコンポーネントへの電力の供給を監視する電力監視手段と、前記圧力変換手段に応答する危険検出手段と、前記止血機器の前記コンポーネントに電力が供給されないときに前記止血帯カフに圧力が検出された場合に警報信号を発生する電力監視手段とを含み、
前記止血機器は、前記止血帯カフへ加圧ガスを供給して該止血帯カフに圧力を発生させるように、前記止血帯カフに空気接続可能である、外科的止血システム用危険監視装置。
【請求項２】  前記警報信号に応答して人間に知覚可能な警報を発する警報手段を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記電気作動のコンポーネントは、前記止血帯カフ内の圧力のレベルを感知して、感知された前記圧力を示す人間に知覚可能な表示を生じさせるために前記止血機器に用いられる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記電気作動のコンポーネントは、前記止血帯カフに供給される加圧ガスの圧力を調整する圧力調整装置である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記警報信号は、前記カフが加圧されているとき前記コンポーネントへの前記電力の供給が中断されると発せられる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】  検出される前記圧力は所定の圧力レベルより高い圧力である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】  外科的処置の実行のために適当な長さの時間にわたって調整圧力に近い加圧ガスを供給するために作動可能な圧力調整手段と、該圧力調整手段によって供給される加圧ガスのための通路を確立する空気接続手段とを含み、
前記圧力調整手段は前記電気作動のコンポーネントを含み、前記危険検出手段は、前記圧力調整手段の前記コンポーネントに電力が供給されないとき所定の圧力レベルより高い圧力を有するガスの存在を検出するために、前記空気接続手段と空気連通する、請求項１に記載の危険監視装置を有する外科用止血機器。
【請求項８】  前記空気接続手段に接続可能で膨張可能な止血帯カフを含み、該止血帯カフは、前記空気接続手段に接続されて、前記圧力調整手段によって供給される加圧ガスで膨張されるとき、前記止血帯カフに巻き付けられる肢に圧力を加える、請求項７に記載の機器。
【請求項９】  前記圧力監視手段は、前記所定の圧力レベルより高い圧力を有するガス圧が検出され、かつ、前記止血機器の前記コンポーネントに電力が供給されない間、人間に知覚可能な警報を発する、請求項７に記載の機器。
【請求項１０】  前記コンポーネントは、電力が供給されるとき、前記圧力調整手段によって供給されるガス圧を示す表示を生じさせるのに動作可能である、請求項７に記載の機器。
【請求項１１】  前記電力監視手段は、前記供給の中断が開始されるとき加圧ガスの存在が検出される場合に前記コンポーネントへの電力の前記供給の中断が操作者によって開始されるとき、警報信号を発する、請求項７に記載の機器。
【請求項１２】  空気止血帯カフに接続される電気作動の外科的止血機器に関係する、危険を示す警報を発する方法であって、
いつ前記止血帯カフのガス圧が所定の圧力レベルより高くなるかを検出するステップと、
前記止血機器の電気作動のコンポーネントへの電力供給を監視するステップと、
前記所定の圧力レベルより高圧のガスが前記止血帯カフ内に検出され、かつ、電力が前記コンポーネントに供給されないとき、人間に知覚可能な警報を発するステップとを含み、
前記止血機器は、電力が前記コンポーネントへ供給されているとき、前記止血帯カフへ加圧ガスを供給するために動作可能である、危険を示す警報を発する方法。
【請求項１３】  外科的止血機器の作動に必要な電力供給を操作者が中断することを中断が危険な場合に防止する方法であって、
電気作動の止血機器のスイッチを監視するステップと、
前記スイッチが操作者によって操作されるとき前記止血機器に接続された空気止血帯カフのガス圧が所定の圧力レベルより高いかどうかを検出するステップと、
前記スイッチが作動されるとき、前記所定の圧力レベルより高圧のガスが前記止血帯カフ内に検出される場合には、電力供給の中断を防止するステップとを含み、
操作者によるスイッチの操作が前記止血機器の作動に必要な電力供給の中断を開始する、電力供給の中断を防止する方法。
【請求項１４】  外科的処置の実行のために適当な長さの時間にわたって加圧ガスを発生させ、該加圧ガスを発生させるために電力供給を要する、圧力調整手段と、
操作者が前記圧力調整手段に要する電力供給の中断を開始することを可能にする電源スイッチ手段と、
前記操作者が、膨張可能な止血帯カフを前記圧力調整手段に空気接続し、それによって、前記圧力調整手段によって発生される加圧ガスのための前記止血帯カフへの通路を確立することを可能にする、空気接続手段と、
前記電力供給の中断が前記操作者によって開始されるとき、所定の圧力レベルより高圧の加圧ガスを検出するために前記空気接続手段と空気連通する危険監視手段とを含む、危険監視装置を有する外科的止血機器。
【請求項１５】  前記危険監視装置は、前記電力供給の中断が操作者によって開始されるとき、前記所定の圧力レベルより高圧のガスが検出される場合には、前記電力供給の中断を防止する、請求項１４に記載の機器。
【請求項１６】  前記空気接続手段に空気接続される膨張可能な止血帯カフを含み、該止血帯カフは、患者の肢に巻き付けられて、前記空気接続手段に接続され前記加圧ガスで膨張されるとき、巻き付けられた前記肢に圧力を加えるように適合される、請求項１４に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機熱可塑性ポリマーの耐候性及び低温衝撃強さを向上させるための耐衝撃性改良剤を製造する方法であって、
（１）３０℃〜１１０℃の温度で半連続式乳化重合条件下で複数種のシリコーンゴム単量体を重合して、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴムラテックスを形成する工程、
（２）工程（１）で得られたシリコーンゴムラテックスに、４〜９．５のｐＨ及び２０℃〜９０℃の温度で攪拌を行いながら、複数種の重合性アクリレートゴム単量体を含む混合物を回分式に添加して、シリコーンゴム９５部〜５部とポリアクリレートゴム５部〜９５部の重量比を有する乳化重合シリコーンゴム−アクリレートゴム複合体を含んでなるラテックスを形成する工程であって、重合性アクリレートゴム単量体のシリコーンゴムラテックスへの添加がアクリレートゴムの形成に十分な重合触媒の添加の前又は同時に行われる工程、
（３）工程（２）の乳化重合シリコーンゴム−アクリレートゴム複合体ラテックスに、十分量の重合性含アルケニル有機材料をグラフトさせて、乳化重合シリコーンゴム−アクリレートゴム複合体ラテックスのグラフトを形成する工程、及び
（４）工程（３）のグラフト乳化重合ラテックスを凝固させ、洗浄して、乾燥させる工程
を含んでなる方法。
【請求項２】  前記シリコーンゴム単量体がオクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン及びγ−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシランである、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記重合性アクリレートゴム単量体がアクリル酸ブチル及びメタクリル酸アリルである、請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記グラフトの形成に用いられる重合性含アルケニル有機材料がスチレンとアクリロニトリルの混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項５】  体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンの乳化重合シリコーンゴムラテックスを最初に利用して得られる乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなる溶融押出し可能なグラフトを含んでなる耐衝撃性改良剤であって、請求項１記載の方法で得られる耐衝撃性改良剤。
【請求項６】  当該耐衝撃性改良剤が、複数の乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなる複数の溶融押出し可能なグラフトの混合物であって、上記複数の溶融押出し可能なグラフトの少なくとも１種が、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴムラテックスを利用して得られる乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体のグラフトである、請求項５記載の耐衝撃性改良剤。
【請求項７】  有機熱可塑性ポリマー材料と有効量のシリコーン−アクリレート耐衝撃性改良剤とを含んでなる耐候性と低温衝撃強さの向上した成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料であって、シリコーン−アクリレート耐衝撃性改良剤が、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンの乳化重合シリコーンゴムラテックスを最初に利用して得られる乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなるグラフトを含み、該耐衝撃性改良剤が請求項１記載の方法で得られたものである、成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項８】  前記有機熱可塑性ポリマー材料が、少なくとも１種のポリエステル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、又はスチレンとアクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリル酸エステル若しくはメタクリル酸エステルとの共重合体、又はこれらの共重合体である、請求項７記載の成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項９】  体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンの乳化重合シリコーンゴムラテックスを最初に利用して得られる乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にスチレン及びアクリロニトリルをグラフト重合してなる溶融押出し可能なグラフトと、スチレン−アクリロニトリル共重合体とを含んでなる、請求項７記載の成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項１０】  前記シリコーン−アクリレート耐衝撃性改良剤が、複数の乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなる複数のグラフトの混合物を最初に利用して得られるものであり、上記複数の乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体のうち少なくとも１種が、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンの乳化重合シリコーンゴムラテックスを最初に利用して得られるものである、請求項７記載の成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項１１】  前記シリコーン−アクリレート耐衝撃性改良剤が、複数の乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなる複数のグラフトのバイモーダル混合物を最初に利用して得られるものである、請求項１０記載の成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項１２】  アルケニル単量体をグラフト重合してなる前記複数のグラフトの混合物において、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合して得られるグラフトが、重量基準で少なくとも過半量で存在する、請求項１０記載の成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料。
【請求項１３】  耐候性と低温衝撃強さの向上した成形可能な熱可塑性有機ポリマー材料を製造する方法であって、当該方法が、体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンの乳化重合シリコーンゴムラテックスを最初に利用して得られる乳化重合シリコーンゴム−ポリアクリレートゴム複合体にアルケニル単量体をグラフト重合してなるグラフトを含んでなる有効量のシリコーン−アクリレート耐衝撃性改良剤と有機熱可塑性ポリマー材料とを混合する工程を含み、該耐衝撃性改良剤が請求項１記載の方法で得られたものである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オクタメチルシクロテトラシロキサンとγ−メルカプトプロピルトリメトキシシランとの反応で得られる体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴム粒子とアルケニルポリマーシェル１５〜７５重量％とからなるシリコーンゴムグラフト共重合体
【請求項２】  シリコーンゴム系グラフト共重合体の製造方法であって、
（１）５０℃〜９５℃の温度で、（Ａ）オクタメチルシクロテトラシロキサンとγ−メルカプトプロピルトリメトキシシランとの反応で得られる体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴム粒子を含むｐＨ３〜９の水性シリコーンゴムラテックスと（Ｂ）少なくとも１種の重合性アルケニル有機単量体を含む水性混合物との反応を、当該グラフト共重合体の合計重量を基準として１５〜７５重量％のアルケニルポリマーシェルを形成するのに十分な比率の混合物（Ｂ）を用いて、実施する工程、
（２）工程（１）で得られたラテックスを凝固させる工程、及び
（３）得られた固形物を回収し、洗浄し、しかる後に乾燥させる工程
を含んでなる方法。
【請求項３】  前記（Ｂ）の水性混合物が重量比９０：１０〜５０：５０のスチレンとアクリロニトリルを含む水性混合物である、請求項２記載の方法。
【請求項４】  熱可塑性ブレンドであって、（Ｃ）熱可塑性ポリマー、及び（Ｄ）当該熱可塑性ブレンドの重量を基準として５〜５０重量％の、オクタメチルシクロテトラシロキサンとγ−メルカプトプロピルトリメトキシシランとの反応で得られる体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴム粒子とアルケニルポリマーシェル１５〜７５重量％とからなるシリコーンゴムグラフト共重合体、を含んでなる熱可塑性ブレンド。
【請求項５】  前記熱可塑性ポリマーが、少なくとも１種のポリエステル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、又はスチレンとアクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリル酸エステル若しくはメタクリル酸エステルとの共重合体、又はこれらの共重合体である、請求項４記載の熱可塑性ブレンド。
【請求項６】  前記熱可塑性ポリマーがスチレンとアクリロニトリルとの共重合体である、請求項４又は請求項５記載の熱可塑性ブレンド。
【請求項７】  スチレンとアクリロニトリルの重量比が９０：１０〜５０：５０である、請求項６記載の熱可塑性ブレンド。
【請求項８】  熱可塑性ブレンドの製造方法であって、（Ｃ）熱可塑性ポリマーと、（Ｄ）当該熱可塑性ブレンドの重量を基準として５〜５０重量％の、オクタメチルシクロテトラシロキサンとγ−メルカプトプロピルトリメトキシシランとの反応で得られる体積平均粒度４００ｎｍ〜２ミクロンのシリコーンゴム粒子とアルケニルポリマーシェル１５〜７５重量％とからなるシリコーンゴムグラフト共重合体とを混合する工程を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリエーテルイミド樹脂又はポリエーテルイミド−コポリマー樹脂、及び
当該組成物に低反り性を付与するため当該組成物の総重量を基準にして５〜３０重量％の量で存在する板状充填材であって雲母、ガラスフレーク又はこれらの混合物である板状充填材と、当該組成物に１０6オーム／ｃｍ2以下の表面抵抗率を付与するため当該組成物の総重量を基準にして９〜４０重量％の量で存在する導電性充填材
を含んでなるポリエーテルイミド組成物。
【請求項２】  前記表面抵抗率が１０3〜１０6オーム／ｃｍ2である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  前記雲母充填材が金雲母、白雲母又はこれらの混合物である、請求項１記載の組成物。
【請求項４】  前記ガラスフレーク充填材がホウケイ酸塩Ｅガラスである、請求項１記載の組成物。
【請求項５】  前記板状充填材が２０〜３００ミクロンの最大寸法を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項６】  前記板状充填材が当該組成物の総重量を基準にして１０〜２０重量％の量で存在し、前記導電性充填材が当該組成物の総重量を基準にして９〜１５重量％の量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項７】  前記充填材が当該組成物の総重量を基準にして５０重量％の量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項８】  前記充填材が当該組成物の総重量を基準にして１５〜３０重量％の量で存在する、請求項７記載の組成物。
【請求項９】  前記導電性充填材が炭素繊維、炭素フィブリル、導電性炭素粉末、金属繊維、金属被覆炭素繊維、金属フレーク、金属粉末又はこれらの混合物である、請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  前記金属被覆炭素繊維がニッケル被覆炭素繊維である、請求項９記載の組成物。
【請求項１１】  前記導電性充填材が炭素繊維である、請求項９記載の組成物。
【請求項１２】  前記導電性充填材がポリエーテルイミド樹脂又はポリエーテルイミドコポリマー樹脂で被覆されている、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】  前記導電性充填材が１〜２０ミクロンの直径を有する炭素繊維である、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】  前記ポリエーテルイミド樹脂が次式のものである、請求項１記載の組成物。
【化１】
2002531668.tif 000001
式中、Ｔは酸素、カルボニル、イオウ、スルホキシド及びビスフェノール残基からなる群から選択され、Ｒは炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される。
【請求項１５】  前記ビスフェノール残基がビスフェノールＡ由来のものであり、Ｒがフェニルである、請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】  ポリオレフィンをさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１７】  前記ポリオレフィンがポリエチレンである、請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】  前記ポリエチレンが当該組成物の総重量を基準にして０．１〜５重量％の量で存在する、請求項１７記載の組成物。
【請求項１９】  請求項１乃至請求項１８のいずれか１項記載のポリエーテルイミド組成物を含んでなるコンピューターチップトレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性ポリカーボネートと、該ポリカーボネート１００重量部につき０.０１〜３０重量部の、平均粒子直径１ｎｍ〜２０μｍのケイ素化合物を含有する熱可塑性成形用組成物。
【請求項２】  ケイ素化合物の平均粒子直径が５〜１５ｎｍである請求項１記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項３】  親水性ケイ素化合物を含有する請求項１記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項４】  Ａ.  芳香族ポリカーボネート４０〜９９重量部、
Ｂ.  ビニルコポリマー０〜５０重量部、
Ｃ.  グラフトポリマー０.５〜６０重量部、
Ｄ.  ケイ素化合物０.１〜３０重量部
を含有する請求項１記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項５】  防炎加工剤としてリン化合物を含有する請求項４記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項６】  成形物品の製造のための請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性成形用組成物の使用。
【請求項７】  請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性成形用組成物から製造される成形物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）全ターポリマー重量の１〜３０％のエポキシ官能性（メタ）アクリレートモノマー単位、
ｂ）全ターポリマー重量の１〜９８％の粘着性付与（メタ）アクリレートモノマー単位、および
ｃ）全ターポリマー重量の１〜９８％の相溶性付与（メタ）アクリレートモノマー単位を含み、
前記相溶性付与（メタ）アクリレートモノマー単位が、６〜１４個の炭素原子を含有する芳香族アルコールから誘導された（メタ）アクリルエステルである、三元共重合した構成成分を含む組成物。
【請求項２】  エポキシモノマー、結合に利用できるエポキシ官能基を有するエポキシオリゴマー、結合に利用できるエポキシ官能基を有するエポキシポリマー、およびそれらのあらゆる組み合わせを含む群より選択されたエポキシ樹脂構成成分をさらに含み、エポキシ樹脂構成成分と三元共重合した構成成分とを合計した重量に対して、２０〜８０重量％の前記エポキシ樹脂構成成分を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  エポキシ硬化剤及びポリオールをさらに含む請求項１または２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱可塑性ポリカーボネート、およびポリカーボネート１００質量部に対して０．０１〜３０質量部の、平均粒子直径が１nm〜２０μmの亜鉛化合物（ただし、１００nmまたはそれ以下の平均粒子直径を有する酸化亜鉛を除く）を含んでなる熱可塑性成形用組成物。
【請求項２】  亜鉛化合物として、酸化亜鉛、硫化亜鉛、燐酸亜鉛、ホウ酸亜鉛および／または硫酸亜鉛を含む請求項１に記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項３】  Ａ．芳香族ポリカーボネート４０〜９８質量部、
Ｂ．ビニルコリマー０〜５０質量部、
Ｃ．グラフトポリマー０．５〜６０質量部、
Ｄ．亜鉛化合物０．１〜３０質量部
を含んでなる請求項１に記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項４】  燐化合物を難燃剤として含む請求項３に記載の熱可塑性成形用組成物。
【請求項５】  成形品の製造における、請求項１〜４のいずれかに記載の熱可塑性成形用組成物の使用。
【請求項６】  請求項１〜４のいずれかに記載の熱可塑性成形用組成物を成形することにより製造された成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  炭化水素の脱水素環化方法であり、
(a) ０．１〜２０．０重量％のジメチルブタンを含有する未加工のパラフィンに富む原料炭化水素を反応ゾーンにおいて高選択性脱水素環化触媒と脱水素環化反応条件下に接触させてパラフィンを芳香族に転化して芳香族に富む流出液を得る、
(b) 流出液から芳香族を分離して芳香族に乏しいラフィネートを得る、
(c) 工程(a) の芳香族に富む流出液から、又は、工程(b) の芳香族に乏しいラフィネートから、ジメチルブタンを除去する、および、
(d) 低濃度のジメチルブタンの前記ラフィネートを反応ゾーンへ再循環させる、
工程を包含し、しかも、前記高選択性脱水素環化触媒は、脱水素環化反応条件下でのｎ−ヘキサンの芳香族への転化において、一回通過（再循環転化を除く）基準で、ｎ−ヘキサンの芳香族への転化につき少なくとも４０重量％、の芳香族の選択性を結果としてもたらす触媒である、炭化水素の脱水素環化方法。
【請求項２】  該触媒は一次元結晶性アルミノケイ酸塩上のＶＩＩＩ族金属を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  該アルミノケイ酸塩はゼオライトＬであり、そしてＶＩＩＩ族金属は白金である請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記芳香族はラフィネートから溶媒抽出、蒸留、または分子ふるい抽出により分離される請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理される陰極を支える支持部材と、電気分解工程中に母板の表面上に成長する金属析出物を少なくとも一部分離する部材と、該金属析出物の成長不規則部を作り出す成長影響手段を設けた陰極の母板と、前記分離した金属析出物を支持するための部材とを有する、金属電解精製もしくは金属電解採取などの電気分解工程において前記陰極として用いる母板からの金属析出物分離装置において、前記金属析出物の成長不規則部を作り出す成長影響手段は、前記陰極の母板の縁端部上もしくは該縁端部の付近における、互いに鋭角を成す複数の壁を有する溝であり、該溝は前記陰極の母板の表面において最大幅になるようにされており、前記成長影響手段は、前記成長不規則部に沿って前記金属析出物を切断して２つの部分にするために前記金属析出物を前記陰極の母板に対して傾ける時に、蝶番部材として用いられることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項２】  処理される陰極を支える支持部材と、電気分解工程中に母板の表面上に成長する金属析出物を少なくとも一部分離する部材と、該金属析出物の成長不規則部を作り出す成長影響手段を設けた陰極の母板と、前記分離した金属析出物を支持するための部材とを有する、金属電解精製もしくは金属電解採取などの電気分解工程において前記陰極として用いる母板からの金属析出物分離装置において、前記成長影響手段は、ハンガーバーが設置されている縁端部と反対側の前記陰極の母板の縁端部上、もしくは前記縁端部の付近における電気分解工程で用いられる電流密度に基づいており、前記成長影響手段は、前記成長不規則部に沿って前記金属析出物を切断して２つの部分にするために前記金属析出物を前記陰極の母板に対して傾ける時に、蝶番部材として用いられることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項３】  請求項２に記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段は、電気分解工程における前記陰極とそれぞれの陽極との間の長さの差に基づいていることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段により生成される前記金属析出物の成長不規則部に沿って分離するための前記金属析出物の傾斜角は、前記陰極の母板に対して60度ないし150度の間であることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項５】  請求項１ないし４のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段により生成される前記金属析出物の成長不規則部に沿って分離するための前記金属析出物の傾斜角は、前記陰極の母板に対して実質的に90度であることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項６】  請求項１ないし４のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段により生成される前記金属析出物の成長不規則部に沿って分離するために、前記金属析出物を上下運動させることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項７】  請求項１ないし５のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段により生成される前記金属析出物の成長不規則部に沿って該金属析出物を切断して２つの別個の部分にするために、該金属析出物の複数の把持部材を相反する方向に動かすことを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項８】  請求項１ないし５のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、前記成長影響手段により生成される前記金属析出物の成長不規則部に沿って該金属析出物を切断して２つの別個の部分にするために、該金属析出物を分離切断ステーションへ送って該金属析出物を相反する方向に引張ることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、上下運動を行う前に、前記陰極の母板を持ち上げて、少なくとも一部分離している前記金属析出物から離し、前記金属析出物の上下運動をより効果的にすることを特徴とする金属析出物分離装置。
【請求項１０】  請求項１ないし９のいずれかに記載の金属析出物分離装置において、上下運動中に前記陰極の母板を持ち上げて、少なくとも一部分離している前記金属析出物から離し、前記金属析出物の上下運動をより効果的にすることを特徴とする金属析出物分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
第１の基板と、
第１の基板の上に配されるゲート電極と、
ゲート電極の上に配される第２の基板と、
第１の基板の部分にゲート電極に近接して配される第１の組の活性領域と、
ゲート電極の上に第２の基板に近接して配される第２の組の活性領域と、
第２の基板の上に第２の組の活性領域の間に配される第１の絶縁層と、
第２の組の活性領域の各々に近接して、第２の組の活性領域の各々と接触して配される第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、さらに、第２の組の各々の活性領域の下に配される少なくとも１つのスペーサ部材に近接して、少なくとも１つのスペーサ部材と接触して配される、半導体デバイス。
【請求項２】
第２の基板層は、第２の基板層の底部の近くに電圧閾値領域を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
第２の基板層は、電圧閾値領域の上にパンチスルー領域を含む、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
第２の組の活性領域の下のゲート電極の側壁に配されるスペーサをさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
第１および第２の組の活性領域はともにつながれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
ゲート電極および第１の組の活性領域は第１の導電型のトランジスタを形成し、ゲート電極および第２の組の活性領域は異なる導電型のトランジスタを形成する、請求項１に記載の半導体。
【請求項７】
ゲート電極および第１の組の活性領域は第１の導電型のトランジスタを形成し、ゲート
電極および第２の組の活性領域は同じ導電型のトランジスタを形成する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
第２の組の活性領域は各々、第１の絶縁層の上部面と実質的に平面の上部面を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
第２の絶縁層は、第１の絶縁層の上部面および第２の組の活性領域の上部面と実質的に平面の上部面を含む、請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
スペーサは、第１および第２の絶縁層に対して選択的にエッチング可能な材料から形成される、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
第１の絶縁層に、第１および第２の組の活性領域の１つ以上と接触して配される１つ以上の接触をさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
第２の絶縁層および第２の基板を通ってゲート電極と接触して延在する接触をさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
接触と第２の基板との間に配される絶縁体をさらに含む、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
絶縁体は窒化物から形成される、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
ゲート電極と第１の基板との間に配される第１のゲート絶縁層、およびゲート電極と第２の基板との間に配される第２のゲート絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
第２の組の各々の活性領域は、下にあるスペーサの上に、第２のゲート絶縁層とゲート電極との間の界面に隣接した底部面を含む、請求項１５に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
第２の組の各々の活性領域の幅は、それぞれの下にあるスペーサの幅と実質的に等しい、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
半導体デバイスであって、
第１の基板と、
第１の基板の上に配される積み重ねとを含み、前記積み重ねは、
第１の基板の上に配される第１のゲート絶縁層と、
第１のゲート絶縁層の上に配されるゲート電極と、
ゲート電極の上に配される第２のゲート絶縁層と、
第２のゲート絶縁層の上に配される第２の基板とを含み、前記半導体デバイスは、さらに、
積み重ねの側壁に配されるスペーサを含み、各々のスペーサはゲート電極の上に上部面を有し、前記半導体デバイスは、さらに、
第１の基板の部分にゲート電極に近接して配される第１の組の活性領域と、
スペーサの上に第２の基板に近接して配される第２の組の活性領域とを含み、第２の組の各々の活性領域の幅は下にあるスペーサの１つの幅と同じであり、前記半導体デバイスは、さらに、
第２の基板の上に第２の組の活性領域の間に配される第１の絶縁層と、
第２の組の活性領域の各々に近接して、第２の組の活性領域の各々と接触して配される第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、さらに、スペーサの少なくとも１つに近接して
、スペーサの少なくとも１つと接触して配される、半導体デバイス。
【請求項１９】
第２の基板層は、第２の基板層の底部の近くに電圧閾値領域を含み、電圧閾値領域の上にパンチスルー領域を含む、請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
ゲート電極および第１の組の活性領域は第１の導電型のトランジスタを形成し、ゲート電極および第２の組の活性領域は異なる導電型のトランジスタを形成する、請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
ゲート電極および第１の組の活性領域は第１の導電型のトランジスタを形成し、ゲート電極および第２の組の活性領域は同じ導電型のトランジスタを形成する、請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
積み重ねは、第２の基板の上に第２の組の活性領域の間に配されるキャップ層をさらに含む、請求項１８に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一電極と、
前記第一電極から絶縁された第二電極（３６又は４６）と、
前記第一電極と前記第二電極（３６又は４６）との間に挟まれた強誘電ＰＺＴ層（３５又は４５）と、を含む強誘電コンデンサにおいて、
前記第一電極は、個々の粒子から成る少なくとも２つのサブレイヤ（３４１及び３４２）を有する導電性酸化物層（３４又は４４）を含み、上部サブレイヤ（３４２）は、方向が不揃いな個々の粒子を有し、前記導電性酸化物層（３４又は４４）の粒子サイズが２０ｎｍ以下であることを特徴とする強誘電コンデンサ。
【請求項２】  前記ＰＺＴ層（３５又は４５）が実質的に（111）配向を有することを特徴とする請求項１に記載の強誘電コンデンサ。
【請求項３】  前記導電性酸化物層（３４又は４４）が、単一の酸化物、好ましくはIrO2、RuO2、RhO2、ReO2、OsO2等のルチル型結晶構造を有する単一の酸化物から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の強誘電コンデンサ。
【請求項４】  前記導電性酸化物層（３４又は４４）が、(La, Sr)CoO3等のペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物から成ることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の強誘電コンデンサ。
【請求項５】  前記ＰＺＴ層（３５）が第一のＰＺＴサブレイヤと第二のＰＺＴサブレイヤとを含み、第一のＰＺＴサブレイヤのＴｉ濃度が第二のＰＺＴサブレイヤのＴｉ濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の強誘電コンデンサ。
【請求項６】  前記ＰＺＴ層（４５）は、側壁を備え前記第一電極（４４）と重なった１つの水平面の形態を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の強誘電コンデンサ。
【請求項７】  介在接続部（３８）を通して電極（３９）又は活性素子（４０）に接続されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の強誘電コンデンサ。
【請求項８】  少なくとも接触層（３９）をその上に析出させた活性素子（４０）、好ましくはＭＯＳＦＥＴと、導電性の介在接続部（３８）と、請求項１乃至６の何れか１項に記載の強誘電コンデンサとを含む装置。
【請求項９】  請求項１乃至８の何れか１項に記載の強誘電コンデンサの製造方法であって、
基本的に導電性酸化物層（３４又は４４）から成る第一電極を、基板（３０）上に作成する工程と、
前記導電性酸化物層（３４又は４４）上に強誘電ＰＺＴ層（３５又は４５）を形成する工程と、
強誘電ＰＺＴ層（３５又は４５）の上面に、前記第一電極から絶縁された第二電極（３６又は４６）を作成する工程と、を含み、
前記導電性酸化物層（３４又は４４）は、個々の粒子から成る少なくとも２つのサブレイヤ（３４１及び３４２）を含み、上部サブレイヤ（３４２）は、方向が不揃いな個々の粒子を有し、前記導電性酸化物層（３４又は４４）の粒子サイズが２０ｎｍ以下であることを特徴とする強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１０】  前記強誘電ＰＺＴ層（３５又は４５）を形成する工程が、
アモルファスのＰＺＴ層を析出する過程と、
熱処理により前記アモルファスの層を結晶化して強誘電ＰＺＴ層にする過程とから成ることを特徴とする請求項９に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１１】  前記第一電極（３４）を形成する工程より前に、
活性素子（４０）の上に接触層（３９）を析出する工程と、
前記接触層（３９）上に導電性の介在接続部（３８）を析出する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１２】  前記ＰＺＴ層の成長時における基板の温度が第一の所定温度Ｔｃ1から第二の所定温度Ｔｃ2の範囲にあり、第一の所定温度Ｔｃ1は、その温度以下では導電性酸化物層のサブレイヤがアモルファスである温度に規定され、第二の所定温度Ｔｃ2は、ＰＺＴ層の粒子サイズが所定寸法、好ましくは２０ｎｍのオーダーを超えないことが確実な温度に規定されることを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１３】  前記ＰＺＴ層の成長時における雰囲気が、Ｏ2/Ａｒの混合雰囲気であり、その混合比が１以上、好ましくは４/１以上であることを特徴とする請求項９乃至１２の何れか１項に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１４】  前記ＰＺＴ層の成長時の析出速度が１５〜２０ｎｍ/分の範囲にあることを特徴とする請求項９乃至１３の何れか１項に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【請求項１５】  前記導電性の酸化物層は、前記ＰＺＴ層の厚さの少なくとも１/２以下、好ましくは１/５以下の粒子サイズを有することを特徴とする請求項９乃至１４の何れか１項に記載の強誘電コンデンサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 低空間解像度のボクセルデータセットから高空間解像度の透視描画を形成する方法であって、
（ａ）前記ボクセルデータセットによって定義される空間において光線上で点をサンプリングすることによって、あらかじめ決定された位置から前記ボクセル空間内に少なくとも１つの光線をレイキャスト（ray cast）することと、
（ｂ）前記サンプリングの点での不透明度値を用いて、前記光線の経路上で不透明度の効果を光線蓄積値に累積することと、
（ｃ）前記投射された光線上の点に物質クラスを関連付け、複数の可能性のある物質クラスのそれぞれの物質クラスは不透明度値の一組を関連付けられており、（ｄ）前記点の不透明度値を用いて、第１の物質クラス内の点から第２の物質クラス内の点に光線が通過するか否かを決定することと、
（ｅ）境界視覚化値と２つの異なる物質クラスの間の境界との、少なくとも１つの関連を提供することと、
（ｆ）前記光線がクラス間を通過すると決定される場合に、前記２つのクラス間で境界を関連付けられた境界視覚化値を、前記光線蓄積値に累積することと、
（ｇ）複数の投射光線について少なくとも（ａ），（ｂ），（ｄ），及び（ｆ）を繰り返すことと、
（ｈ）前記光線蓄積値の決定から、高空間解像度の透視描画を形成することと、
を含む方法。
【請求項２】 前記レイキャスティング間に（ｆ）において前記境界の位置を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記境界は、前記異なるクラスの２つの点間の位置に設定される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】 前記境界は、前記異なるクラスの２つの点間の少なくとも１つの追加サンプリング点で検査することによって決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】 境界決定についての所望の精度が達成されるまで、異なるクラスの点間でサンプリング点の検査を繰り返すこと、を含む請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空チャンバー内にプラズマを形成する方法であって、
前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカプス領域（第１の尖頭部領域）および第２のカプス領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
さらに、前記プラズマの大部分は、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている
ことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記プラズマは真空チャンバーの上面に横たわるように配置された単一または複数のコイルにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第１のカスプ領域はプラズマ源の近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記チャンバー内にワークを置き、前記第２のカスプ領域はプラズマ処理されるワークの近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記チャンバー内にワークを置き、前記プラズマとワークとの間にバイアス電圧かけて、プラズマ放電中の粒子をワークの表面内に導入する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記真空チャンバーは複数の電磁気源を備えており、直流電源からの直流を第１の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  直流電源からの直流を第２の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】  前記第１の電磁気源は、第１の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】  前記第２の電磁気源は、前記第１の方向とは逆方向の第２の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】  水素ガスを真空チャンバー内に供給して、水素含有粒子を有するプラズマを形成する請求項１記載の方法。
【請求項１１】  前記プラズマは、実質的に、Ｈ１＋粒子の水素含有プラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  チャンバーと、
該チャンバーの内部領域内に配置されたサセプタと、サセプタは、この上にワークを固定するように構成されており、
チャンバー内のサセプタ上方に、横たわるように配置されたプラズマ源と、
誘導源とからなり、
前記誘導源は、誘導結合構造が第１のカプス領域と第２のカプス領域とを有するように誘導結合構造を形成するように構成されている誘導源である
ことを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項１３】  前記プラズマ源は、チャンバーの上面上に横たわるように配置される単一または複数のコイルであることを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】  前記プラズマは、プラズマ源方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１５】  前記プラズマは、サセプタ方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】  前記誘導源は、第１の電磁気源と第２の電磁気源を有し、前記第１及び第２の電磁気源は、大部分のプラズマがチャンバーの壁に直接隣接する領域を占めることを防止することを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１７】  前記誘導源は、チャンバー内の上部の周囲に配置された第１の電磁気源を有し、該第１の電磁気源はサセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成し、
チャンバー内のサセプタの周囲に配置された第２の電磁気源を更に有し、該第２の電磁気源は、サセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１８】  前記第１の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】  前記第２の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向とは逆の第２の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】  前記チャンバーは、０．１〜１．０ミリトールの圧力に維持された真空チャンバーであることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項２１】  真空チャンバーと、
該チャンバーの内部領域に配置されたサセプタと、
該サセプタは、この上にワークを固定することができ、
チャンバー内のサセプタの上方に横たわるように、配置されたｒｆ源と、
該ｒｆ源は誘導放電を供給してチャンバー内のガスからプラズマを形成し、
チャンバーの上部の周囲に配置された第１の電磁気源と、
該第１の電磁気源はｒｆ源に近いプラズマの第１のカプス領域を形成し、
チャンバーの下部の周囲に配置された第２の電磁気源と
を有し、該第２の電磁気源はサセプタに近いプラズマの第２のカプス領域を形成し、
さらに、前記第１の電磁気源が直流電流に接続されているプラズマを使用した処理装置。