【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板；
前記基板に注入された領域；
前記注入された領域につなげられた金属層であって、平面図では前記注入された領域に電気的に結合されているように見える金属層；および
前記注入された領域と前記金属層の間に設けられた誘電層であって、それにより前記注入された領域から前記金属層を絶縁する誘電層；
を有する偽装された回路構造であって、
前記平面図で見たとき、前記誘電層は、当該回路構造の特徴によって前記誘電層が少なくとも部分的に隠される寸法を有し、当該偽装された回路構造は、前記誘電層と金属層の間に設置されたポリシリコン層をさらに有することを特徴とする偽装された回路構造。
【請求項２】
前記誘電層を少なくとも部分的に隠す当該回路構造の特徴は、前記金属層につなげられた金属プラグを有することを特徴とする請求項１に記載の偽装された回路構造。
【請求項３】
前記注入された領域を蔽うように設けられたシリサイド層をさらに有し、前記金属層は通常通り、前記シリサイド層および前記金属層とつなげられた前記金属プラグを介して前記注入された領域に電気的に結合され、前記誘電層は前記電気的な結合を阻止することを特徴とする請求項２に記載の偽装された回路構造。
【請求項４】
前記誘電層は前記金属層と前記シリサイド層の間に設けられることを特徴とする請求項３に記載の偽装された回路構造。
【請求項５】
前記半導体基板はシリコンで構成され、前記誘電層は二酸化珪素で構成されることを特徴とする請求項１に記載の偽装された回路構造。
【請求項６】
前記回路構造は、平面図で見たとき、通常通り機能するフィールド効果トランジスタであるように見えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の偽装された回路構造。
【請求項７】
前記回路構造は、平面図で見たとき、通常通り機能するバイポーラ装置であるように見えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の偽装された回路構造。
【請求項８】
半導体基板；
前記基板内の活性領域；
前記活性領域につなげられた導電層であって、平面図では制御電圧の印加によって前記活性領域を通る電気伝導に寄与するため配置されているように見える導電層；
前記導電性層とつなげられた制御電極であって、平面図では前記導電性層と電気的に接続しているように見える制御電極；および
前記導電性層と前記制御電極の間に設けられた少なくとも１の誘電層であって、前記制御電極への制御電圧の印加に応じて前記活性領域を通る電気伝導の寄与から、前記導電性層を意図的に離している誘電層；
を有し、当該偽装された回路構造は、さらに前記少なくとも1の誘電層と前記制御電極の間にポリシリコン層を有し、前記少なくとも1の誘電層は、酸化物層を有することを特徴とする偽装された回路構造。
【請求項９】
前記少なくとも１の誘電層は、平面図で見たとき、当該回路構造の特長によって前記誘電層が少なくとも部分的に隠される寸法を有することを特徴とする請求項８に記載の偽装された回路構造。
【請求項１０】
前記活性領域はゲート領域であって、少なくとも１の誘電層は前記ゲート領域を電気伝導的に「オフ」の状態に設定することを特徴とする請求項８または９に記載の偽装された回路構造。
【請求項１１】
少なくとも１の導電性接触を活性領域とつなげるステップ；および
妨害絶縁層を挿入することにより、前記少なくとも１の導電性接触と前記活性領域の間の電気的伝導を妨げるステップ；
を有するリバースエンジニアリングを阻止する方法。
【請求項１２】
前記１つの導電性接触の下に少なくとも１つのポリシリコン層を設けるステップをさらに有し、前記妨害絶縁層は前記２つのポリシリコン層の間にあり、少なくとも１つのポリシリコン層はその上に形成されたシリサイド層を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記妨害絶縁層は二酸化珪素であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板上に導電性層を形成するステップ；
金属層を提供するステップ；および
前記金属層と前記導電性層との間の電気接触を阻止する手段を挿入するステップ；
を有する、半導体接触を機能させない方法。
【請求項１５】
前記電気接触を阻止する手段は酸化物層およびポリシリコン層を提供するステップを有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属層の下に前記阻止する手段を隠すステップをさらに有することを特徴とする請求項１４または１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
基板内に設けられた活性領域；
前記活性領域の少なくとも一部を蔽うように設けられた絶縁性の非電気導電層；
前記活性領域の少なくとも一部を蔽うように設けられた前記絶縁性の非電気導電層の少なくとも一部を蔽うように設けられたポリシリコン層であって、前記絶縁性の非電気導電層は前記ポリシリコン層を前記活性領域から電気的に絶縁しているポリシリコン層；および
前記ポリシリコン層と電気的に共有化され、前記活性領域から電気的に分離されている金属層；
を有する擬似トランジスタであって、
前記絶縁性の非電気導電層、前記ポリシリコン層および前記金属層の各々は、平面図で見たとき、前記金属層が前記活性領域と電気的に共有化されているように見える寸法を有することを特徴とする擬似トランジスタ。
【請求項１８】
前記金属層は金属プラグを有し、前記金属プラグはある断面を有し、前記ポリシリコン層はある断面を有し、前記金属プラグの断面および前記ポリシリコン層の断面は本質的に同じ寸法であることを特徴とする請求項１７に記載の擬似トランジスタ。
【請求項１９】
前記活性領域を蔽うように設けられた第１のシリサイド層をさらに有することを特徴とする請求項１７または１８のいずれかに記載の擬似トランジスタ。
【請求項２０】
前記ポリシリコン層を蔽うように設けられた第２のシリサイド層をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の擬似トランジスタ。
【請求項２１】
金属層；
第１のポリシリコン層；
少なくとも前記金属層と前記第１のポリシリコン層との間に設けられた第２のポリシリコン層；および
少なくとも前記第１のポリシリコン層と前記第２のポリシリコン層との間に設けられた絶縁性の非電気導電層；
を有する動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２２】
前記金属層は金属プラグを有し、前記金属プラグはある断面を有し、前記第２のポリシリコン層はある断面を有し、前記金属プラグの断面と前記第２のポリシリコン層の断面は本質的に同じ寸法であることを特徴とする請求項２１に記載の動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２３】
前記第１のポリシリコン層の少なくとも一部を覆うように設けられた第１のシリサイド層をさらに有することを特徴とする請求項２１または２２に記載の動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２４】
前記第２のポリシリコン層を蔽うように設けられた第２のシリサイド層をさらに有することを特徴とする請求項２３に記載の動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２５】
前記絶縁性の非電気導電層は二酸化珪素ＳｉＯ２を有することを特徴とする請求項１７に記載の擬似トランジスタまたは請求項２１に記載の動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２６】
前記絶縁性の非電気導電層は窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４を有することを特徴とする請求項１７に記載の擬似トランジスタまたは請求項２１に記載の動作しない半導体ゲート接触。
【請求項２７】
基板内に活性領域を形成するステップ；
前記活性領域の少なくとも一部を蔽う誘電層を定めるステップ；および
前記誘電層を蔽う金属層を設けるステップ；
を有する擬似トランジスタを製造する方法であって、
前記誘電層は前記活性領域と前記金属層との間の電気的な接続を妨げることを特徴とする擬似トランジスタを製造する方法。
【請求項２８】
前記金属層を設ける前記ステップは、前記誘電層を少なくとも部分的に隠す金属プラグを形成するステップを有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記活性領域を蔽うシリサイド層を形成するステップをさらに有し、前記シリサイド層を形成する前記ステップは、前記活性領域を形成する前記ステップの後であって誘電層を定める前記ステップの前に存在することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記誘電層を蔽うシリサイド層を形成するステップをさらに有し、前記シリサイド層を形成する前記ステップは、前記誘電層を定める前記ステップの後であって前記金属層を設ける前記ステップの前に存在することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記活性領域を蔽うように第１のシリサイド層を形成させるステップであって、前記第１のシリサイド層を形成させる前記ステップは、前記活性領域を形成する前記ステップの後であって前記金属層を設ける前記ステップの前に存在するステップ；および
前記誘電層を蔽うように第２のシリサイド層を形成するステップであって、前記第２のシリサイド層を形成する前記ステップは、前記誘電層を定める前記ステップの後であって前記金属層を設ける前記ステップの前に存在するステップ；
をさらに有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記誘電層を蔽うようにポリシリコン層を提供するステップをさらに有し、前記ポリシリコン層を提供する前記ステップは、前記誘電層を定める前記ステップの後であって前記金属層を設ける前記ステップの前に存在することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
基板内に前記活性領域を形成する前記ステップはさらに、シリコン基板内に活性領域を注入することによって定められ、前記誘電層は二酸化珪素で構成されることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３４】
前記誘電層は窒化珪素で構成されることを特徴とする請求項２７ないし３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
基板内に活性領域を定めるステップ；
前記活性領域に導電性層をつなげるステップ；
前記導電性層を蔽う誘電層を形成するステップ；および
前記活性領域とつなげられた制御電極を提供するステップ；
を有する、リバースエンジニアを混同させる方法であって、
前記誘電層は、前記導電性層への、前記制御電極への制御電圧の印加に応じて前記活性領域を通る電気伝導の寄与を妨げることを特徴とする、リバースエンジニアを混同させる方法。
【請求項３６】
前記制御電極の下の前記誘電層の少なくとも一部を隠すステップをさらに有することを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記誘電層の少なくとも一部を蔽うポリシリコン層を形成するステップをさらに有し、前記誘電層は酸化物層で構成されることを特徴とする請求項３５または３６に記載の方法。