【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電極と；
反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
前記ウェーハと電極との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備えることを特徴とする反応炉。
【請求項２】  前記シールドは、複数のルーバを含むことを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項３】  前記シールドは、前記ウェーハから前記電極に向かって飛散する材料の経路を遮断するために、前記ウェーハと前記電極との間の見通し経路を遮断する複数の重なり合うルーバを含むことを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項４】  前記シールドは、前記反応チャンバを、プラズマが生成される前記電極と関連した第一のチャンバと；ウェーハを固定するようになった前記チャックと関連した第二のチャンバとに分割することを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項５】  前記電極は、前記反応チャンバの最上部に配置される第一の電極であり；
前記チャンバの周縁部付近に配置され、チャンバの周縁部を規定する第二の電極と；
前記チャンバの底部に配置され、前記チャックと関連した第三の電極とを含むことを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項６】  前記シールドは、セラミック又は石英のいずれかで作られることを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項７】  ウェーハ上の導電性フィルムをエッチングするようになった請求項１に記載の反応炉。
【請求項８】  誘導結合されたプラズマ反応炉であって：
プラズマを生成するために使用される電極と；
反応チャンバと；
前記電極を前記反応チャンバから遮蔽する窓と；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記窓への材料の堆積を最小限にするために、前記ウェーハと前記窓との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備えることを特徴とするプラズマ反応炉。
【請求項９】  前記シールドは、複数のルーバを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１０】  前記シールドは、前記ウェーハから前記電極に向かって飛散する材料の経路を遮断するために、前記ウェーハと前記電極との間の見通し経路を遮断する複数の重なり合うルーバを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１１】  前記電極は、前記反応チャンバの最上部に配置される第一の電極であり；
前記チャンバの周縁部付近に配置され、前記周縁部を規定する第二の電極と；
前記チャンバの底部に配置され、前記チャックと関連した第三の電極とを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１２】  前記シールドは、セラミック又は石英のいずれかで作られることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１３】  ウェーハの材料をスパッタリングさせる反応炉であって：
電極と；
反応チャンバと；
前記反応チャンバにおけるウェーハを固定するようになった第一の手段と；
材料が前記電極に向けられることを防止するために、前記チャンバに配置された第二の手段とを備えることを特徴とする反応炉。
【請求項１４】  前記第二の手段は、前記ウェーハと前記電極との間の見通し経路における反応チャンバに配置されたシールドであることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１５】  前記第二の手段は、前記ウェーハと前記電極との間の見通し経路に配置されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ反応炉。
【請求項１６】  電極と；
電力伝送窓と；
反応チャンバとを備え、前記電極と前記反応チャンバとの間に、前記電力伝送窓が配置され；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
前記チャックと前記電力伝送窓の間に配置され、前記電力伝送窓に材料が堆積するのを防止するシールドとを備えることを特徴とする反応炉。
【請求項１７】  電極と；
電力伝送窓と；
反応チャンバとを備え、前記電極と前記反応チャンバとの間に、前記電力伝送窓が配置され；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
前記チャンバに配置された、前記電極がショートされるのを防止するための手段とを備えることを特徴とする反応炉。
【請求項１８】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる反応炉であって：
電極及び電力伝送窓の一つと；
反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
前記チャックと前記電極との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記反応チャンバを、前記電極及び前記電力伝送窓の一つと前記シールドとの間に配置された第一の部分と、前記シールドと前記チャックとの間に配置された第二の部分とに分割し；
前記シールドは、前記第二の部分において見られるプラズマの特徴に影響を与える材料を備えていることを特徴とする反応炉。
【請求項１９】  前記シールドは、導体及び絶縁体の一つを備えることを特徴とする請求項１８に記載の反応炉。
【請求項２０】  前記シールドは、磁界が、シールドを通過して、前記第一のチャンバから前記第二のチャンバへ続くようにする非導体であることを特徴とする請求項１８に記載の反応炉。
【請求項２１】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる反応炉であって：
電極及び電力伝送窓の一つと；
反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
前記チャックと前記電極との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記反応チャンバを、前記電極及び前記電力伝送窓の一つと前記シールドとの間に配置された第一の部分と、前記シールドと前記チャックとの間に配置された第二の部分とに分割し；
前記シールドは、前記チャックを保護するために前記第一の部分へのプラズマ生成を含む材料を備えており、前記シールドは、前記チャックに固定されたウェーハを保護するようになったことを特徴とする反応炉。
【請求項２２】  前記電極は、第一の電極であり；
第二の電極は、前記チャンバの周縁部付近に配置され、前記周縁部を規定し；
第三の電極は、前記チャックと関連することを特徴とする請求項１８に記載の反応炉。
【請求項２３】  電極と；
反応チャンバと；
前記反応チャンバにおけるウェーハを固定するようになった第一の手段と；
前記チャンバに配置され、汚染物質がウェーハから前記電極に向けられることを防止する第二の手段とを備え；
前記第二の手段は、前記第二のチャンバにおいて見られるプラズマの特性に影響を与える材料を備えることを特徴とする反応炉。
【請求項２４】  前記第二の手段の前記材料は、磁界が、シールドを通過して、前記第一のチャンバから前記第二のチャンバへ続くようにする非導体であることを特徴とする請求項２３に記載の反応炉。
【請求項２５】  前記第二の手段の前記材料は、アルミニウム、陽極酸化処理アルミニウム、カーボン、及びカーボンベースの化合物の一つを備えることを特徴とする請求項２４に記載の反応炉。
【請求項２６】  処理されるウェーハから電極及び電力伝送窓の一つに向けられた材料の経路を遮断するために、前記ウェーハと電極との間の見通し経路に配置される、反応炉のためのシールドであって：
複数のルーバを備え；
前記ルーバは、前記反応炉に見られるプラズマの特性に影響を与える材料を備えることを特徴とするシールド。
【請求項２７】  前記複数のルーバと重なり合う他の複数のルーバを含むことを特徴とする請求項２６に記載のシールド。
【請求項２８】  前記ルーバの少なくともいくつかはタブを含むことを特徴とする請求項２６に記載のシールド。
【請求項２９】  誘導結合されたプラズマ反応炉であって：
プラズマを生成するために使用される電極と；
反応チャンバと；
前記電極を前記反応チャンバから遮蔽する電力伝送窓と；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記窓への材料の堆積を最小限にするために、前記ウェーハと前記窓との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドを備え；
前記シールドは、前記電力伝送窓の一部であることを特徴とするプラズマ反応炉。
【請求項３０】  誘導結合されたプラズマ反応炉であって、
プラズマを生成するために使用される電極と；
反応チャンバと；
前記電極を前記反応チャンバから遮蔽する電力伝送窓と；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記窓への材料の堆積を最小限にするために、前記ウェーハと前記窓との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドを備え；
前記シールドは、実質的に前記電力伝送窓に隣接して配置されることを特徴とするプラズマ反応炉。
【請求項３１】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる容量結合された反応炉であって：
電極と；
容量結合反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記容量結合反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記電極への材料の堆積の影響を最小限にするために、前記チャックと前記電極との間の見通し経路における前記容量結合反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記電極の一体部分であり；
前記シールドは、その上に材料が堆積するようになった複数の離間した部分を含むことを特徴とする反応炉。
【請求項３２】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる容量結合された反応炉であって：
電極と；
容量結合反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記容量結合反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記電極への材料の堆積を最小限にするために、前記チャックと前記電極との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記電極に隣接して配置され；
前記シールドは、その上に材料が堆積するようになった複数の離間した部分を含むことを特徴とする反応炉。
【請求項３３】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる反応炉であって：
電力伝送窓と；
反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記電力伝送窓への材料の堆積を最小限にするために、前記チャックと前記電力伝送窓との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記電力伝送窓の一体部分であり；
前記シールドは、その上に材料が堆積するようになった複数の離間した部分を含むことを特徴とする反応炉。
【請求項３４】  半導体ウェーハを処理するためにプラズマを生成することができる反応炉であって：
電力伝送窓と；
反応チャンバと；
ウェーハを固定するようになり、前記反応チャンバ内に配置されるチャックと；
ウェーハから前記電力伝送窓への材料の堆積を最小限にするために、前記チャックと前記電力伝送窓との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドとを備え；
前記シールドは、前記電力伝送窓に隣接して配置され；
前記シールドは、その上に材料が堆積するようになった複数の離間した部分を含むことを特徴とする反応炉。
【請求項３５】  処理されるウェーハから電極及び電力伝送窓の一つに向けられた材料の経路を遮断するために、前記ウェーハと前記電極及び電力伝送窓の一つとの間の見通し経路に配置される、反応炉のためのシールドであって、前記シールドは前記電極及び電力伝送窓の一つの一部であり：
複数のルーバを備えることを特徴とするシールド。
【請求項３６】  ウェーハから電極に向けられた材料の経路を遮断するために、処理される前記ウェーハを固定するようになったチャックと前記電極との間の見通し経路に配置される、反応炉のためのシールドであって、前記シールドは前記電極の一体部分であり：
複数のルーバを備えることを特徴とするシールド。
【請求項３７】  電極と；反応チャンバと；ウェーハを固定するようになったチャックとを備え、該電極及びチャックは前記反応チャンバ内に配置される反応炉であって、
前記チャックと電極との間の見通し経路における前記反応チャンバ内に配置されるシールドを備え、
前記シールドは反応材料の堆積物が前記電極に戻るように向けられることを防止することを特徴とする反応炉。
【請求項３８】  ウェーハから電力伝送窓に向けられた材料の経路を遮断するために、処理される前記ウェーハを固定するようになったチャックの一部と電極との間の見通し経路に配置される、誘導結合された反応炉のためのシールドであって：
複数のルーバを備え；
前記ルーバは前記電力伝送窓に組み込まれていることを特徴とするシールド。
【請求項３９】  ウェーハから電極の一つに向けられた材料の経路を遮断するために、処理される前記ウェーハと前記電極との間の見通し経路に配置される、容量結合された反応炉のためのシールドであって、前記シールドは前記電極の一部であり：
複数のルーバを備えることを特徴とするシールド。
【請求項４０】  ウェーハから電極に向けられた材料の経路を遮断するために、処理される前記ウェーハを固定するようになったチャックと前記電極との間の見通し経路に配置される、容量結合された反応炉のためのシールドであって、前記シールドは前記電極に隣接して配置され：
複数のルーバを備えることを特徴とするシールド。