Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
広範な逆流性疾患の合併症はバレット食道と呼ばれる疾患であり、該疾患は食道における種々の程度の上皮変化を伴う。逆流は食道の上皮を破壊し、それは、次に食道の腺癌の危険性の増加と関連する状態をもたらすと考えられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に至るまでの試験において、血清中の低空腹時ガストリン−１７(Ｇ−１７fast)レベル(＜１pmol／ｌ)は、非常に酸性の胃(酸排出が常に高い)を示し、その胃内Ｈ＋濃度は、胃の前庭部ガストリン細胞からのガストリン−１７の放出を阻害することが確立された。ガストリン−１７の血清濃度は、胃粘膜が正常で健康である対象、すなわちヘリコバクター・ピロリ抗体がなく、かつ血清ペプシノゲンＩマーカーが正常である対象の、胃の酸性の間接的マーカーである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量センサー式近接検出器であって、
−１つの測定電極を夫々有する複数の容量式近接センサーを備え、物体又は身体の近傍に配置された、少なくとも１つの検出アンテナと、
−前記電極を励起すると共に前記容量センサーから出力された信号を処理するための電子手段と、
−前記電子手段を制御すると共に、斯く処理された測定信号に基づいて前記電極と前記物体又は身体との間の距離を計算するためのディジタル手段、
とを備え、
その特徴は、前記電子手段は、夫々の検出アンテナ毎に、検査手段と協働して前記アンテナの各電極と測定すべき物体又は身体との間の各容量を順次に測定するための浮動容量式又は浮動励起式ブリッジを有することからなる容量センサー式近接検出器。
【請求項２】
検出アンテナは更にアンテナの全ての測定電極のための単一のシールドを有することを特徴とする請求項１に基づく近接検出器。
【請求項３】
検出アンテナは更にアンテナの全ての測定電極の一部のために夫々設けた複数のシールドを有することを特徴とする請求項１に基づく近接検出器。
【請求項４】
前記電子手段と制御および計算をするための前記ディジタル手段は、予め設定された変更可能な順序に従って、アンテナの各電極毎に距離を順次に測定するべく協働することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項５】
検出アンテナの少なくとも１つは、通常の作動時にはシールド電位にあり、かつ、テスト時には接地されるテスト配線を有することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項６】
テスト配線は電極の背後又は近傍に配置されていることを特徴とする請求項５に基づく近接検出器。
【請求項７】
前記電子手段と制御および計算をするための前記ディジタル手段は、不可干渉測定又は制御および計算をするためのディジタル手段の不作動を示す警報信号を出力するべく協働することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項８】
前記電子手段は前記電子手段の較正を制御するための、又は、前記電子手段の再較正を行うための、一若しくは複数の基準容量を更に有することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項９】
１つのアンテナは、測定電極の近傍に、測定電極の電場線を修正するべく配置された一若しくは複数のシールド表面又は接地表面を更に有することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１０】
近接検出器はキャップ又はケーシングの内側面又は外側面に配置してあり、検出アンテナを備えた複数の測定領域を有することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１１】
前記電子手段と制御および計算をするための前記ディジタル手段は、近接性検出の閾値信号を出力するべく協働することを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１２】
前記電子手段と制御および計算をするための前記ディジタル手段は、ケーシングの領域と検出された物体との間の最小距離の画像のアナログ出力信号を供給するべく協働することを特徴とする請求項１０又は１１のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１３】
アンテナはケーシング又はキャップの５面に配置されていることを特徴とする請求項１０から１２のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１４】
前記キャップの１面に一部配置され隣接する他の面に一部配置された稜線のアンテナと、側方アンテナとを備えていることを特徴とする請求項１０から１３のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１５】
アンテナの少なくとも１つはフレキシブル回路を用いて形成されていることを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１６】
アンテナの少なくとも１つは可撓性のリンク手段によって電子手段に接続されていることを特徴とする前記請求項のいづれかに基づく近接検出器。
【請求項１７】
前記請求項のいづれかに基づく近接検出器であって、物体又は身体を照射するべくＸ線ビームを発射する装置と、前記物体又は身体から来るＸ線ビームを検出する装置とを備えた、Ｘ線による放射線装置内に使用され、このＸ線検出装置はキャップで覆われており、その特徴は、検出器は前記キャップの内側面又は外側面に配置してあり、検出器はＸ線ビームが通過する、Ｘ線アンテナと言われる、少なくとも１つのアンテナを有することからなる近接検出器。
【請求項１８】
Ｘ線アンテナはＸ線ビームを通過させるための穿孔を有することを特徴とする請求項１７に基づく近接検出器。
【請求項１９】
Ｘ線アンテナはクロームの薄層と銅の厚層の２面にメタライズした絶縁体からなるフレキシブル印刷回路によって形成されており、前記銅の層はＸ線ビームの通過に対応する領域について廃止してあり、前記領域においてはリンク配線および容量電極はクローム層で形成してあることを特徴とする請求項１７に基づく近接検出器。
【請求項２０】
前記請求項のいづれかに基づく近接検出器であって、物体又は身体を照射するべくＸ線ビームを発射する装置を備えたＸ線による放射線装置内に使用され、近接検出器は前記エミッタの内側又は外側表面に配置されていることを特徴とする近接検出器。
【請求項２１】
前記請求項のいづれかに基づく近接検出器を血管位置決め装置の制御に応用すること。
【請求項２２】
請求項１から２０のいづれかに基づく近接検出器を、放射線装置において、物体又は身体に照射されるＸ線量を物体又は身体の厚さの計算に基づいて制御することに応用すること。
【請求項２３】
物体又は身体の厚さの計算は距離の測定に基づいて行われることを特徴とする請求項２２に基づく応用。
【請求項２４】
請求項１から２０のいづれかに基づく近接検出器を、運動中の機械、特に工作機械、の速度及び／又は位置の制御に応用すること。
【請求項２５】
請求項１から２０のいづれかに基づく近接検出器を、複雑な形状又は存在の検出に応用すること。
【請求項２６】
請求項１から２０のいづれかに基づく一若しくは複数の近接検出器を機械装置又は可動車両に装備することを特徴とする請求項２５に基づく応用。
【請求項２７】
防犯検出器への請求項２５に基づく応用。
【請求項２８】
請求項１から２０のいづれかに基づく少なくとも１つの近接検出器を、物体又は人体の外形を測定するための容量式カメラの製造に応用すること。
【請求項２９】
請求項１から２０のいづれかに基づく少なくとも１つの近接検出器を、人体の三次元画像の形成に応用すること。
【請求項３０】
請求項１から２０のいづれかに基づく少なくとも１つの近接検出器を、手のような人体の一部の検出に応用すること。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明で光学的に均一な細長いコアであって、端から端まで光が前記コアに沿って透過するためのコアと、
前記コアより低い屈折率を有し、前記コアの側方を覆い且つ前記コアの側方に接触している光学的透過シースと、
透明で、前記コアに近い屈折率、高い光学的透過率、低い背面反射率及び低い吸光性を有しており、少なくとも一部の散乱光が前記コアの側方から抜け出ることができるように、前記コアに沿って伝送された前記散乱光に対して分散されている前記コア中の拡散粒子と、
前記コアの側方から抜け出る散乱光を妨害するために設けた拡散材料でなるジャケットと、
を有する側方散乱光ガイド。
【請求項２】
前記コアの屈折率に対する前記拡散粒子の屈折率の比の変化は、前記光の波長域に亙って１％未満である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項３】
前記拡散粒子は、前記光の平均波長より十分に大きなサイズを有している請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項４】
前記コアを取り囲む、より低い屈折率を有する光学的透過シースは、透明又は半透明である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項５】
前記光学的透過シースの外面層は、前記拡散物質でなるジャケットを形成している請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項６】
前記シースの外表面は、粗い請求項５に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項７】
前記コアの粗い外表面は、前記拡散物質でなるジャケットを形成している請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項８】
前記粗い外表面は、前記コア中の高濃度の拡散粒子によって形成されている請求項７に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項９】
前記拡散物質でなるジャケットは、前記コアの一部分のみを取り囲んでいる請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１０】
前記拡散物質でなるジャケットは、半透明な拡散体である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１１】
前記拡散物質でなるジャケットは、ポリエチレン、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ、ＰＶＣ又はガラスのうちの一つでなる請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１２】
前記拡散物質でなるジャケットは、反射拡散体である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１３】
前記拡散物質でなるジャケットの材料は、不透明で且つ反射性である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１４】
前記拡散物質でなるジャケットは、透過性で且つ反射性である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１５】
前記拡散物質でなるジャケットの材料の一部は、半透明であり、且つ他の部分は反射性である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１６】
前記拡散物質でなるジャケットは、不透明で、反射性で且つ開口を有している請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１７】
前記開口は、透過拡散体によって取り囲まれている請求項１６に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１８】
前記開口は、縦のスリットである請求項１６に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項１９】
前記拡散粒子は、ポリマー材料、ガラス、又は石英によって形成されている請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２０】
一つ以上の光学素子が、前記側方散乱光ガイドから側方散乱光を集め、方向づけるために、前記光ガイドの側方に隣接して設けられている請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２１】
前記光学素子は、レンズ、鏡、又は回折素子である請求項２０に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２２】
前記低屈折率のシースは、フルオロポリマー又はシリコーンポリマーによって形成されている請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２３】
前記低屈折率のシースは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレン（ＦＥＰ）の共重合体、及びテトラフルオロエチレンとペルフルオロアルコキシエチレンとの共重合体（ＰＦＥ）、フルオロシリコーンポリマー、ポリジメチルシロキサンポリマー、及びポリメチルフェニルシロキサンポリマーの少なくとも一つによって形成されている請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２４】
前記シースは、空洞領域である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【請求項２５】
前記シースは、液体である請求項１に記載の側方散乱光ガイド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）（ｉ）溶剤、（ｉｉ）可溶性リチウム供給源、および（ｉｉｉ）可溶性バナジウム供給源を含む溶液を調製し、
（ｂ）該溶液を基材に塗布して被覆された基材を形成し、
（ｃ）該被覆された基材を加熱してリチウム化バナジウム酸化物を含む光学的品質のコーティングを形成すること、
を含むリチウム化バナジウム酸化物被覆基材を調製する方法。
【請求項２】  前記溶液の調製が、水酸化リチウム、水酸化リチウム一水和物またはそれらの組み合わせおよび五酸化バナジウムまたはバナジン酸を水の存在下で組合せて水溶液を形成し、該水溶液を乾燥させて水を除去しリチウムおよびバナジウムを含む中間体を形成し、該中間体を有機溶剤に組合せることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  （ａ）請求項１に記載のリチウム化バナジウム酸化物被覆基材を形成し、
（ｂ）該リチウム化バナジウム酸化物被覆基材を（ｉ）電子伝導体および該電子伝導体上に付着されたエレクトロクロミック材料を含む第２の基材、および（ｉｉ）電解質に組み合わせてエレクトロクロミック装置を作成する
ことを含むエレクトロクロミック装置を作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月13日(2006.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１トランジスタ・セルを備えた揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、ダイオードが、制御ゲートと浮遊ゲートとの間のコンデンサの代わりに使用され、情報は、前記トランジスタのソース端子とドレイン端子との間の抵抗を感知することによって読み取られる、揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項２】
トランジスタのゲートのダイオード分離を有する１トランジスタ・セルを備えたダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、前記ダイオードを介した前記ゲートの充放電は、前記ダイオードを形成する材料の電気特性を変化させず、また、ゲート酸化物にストレスを与えない、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項３】
リアルタイムのデータ処理を可能にするために、書き込みサイクル数は、十分に大きく、充放電の速度は、十分に速い、請求項２に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項４】
１トランジスタ・セルを備えたダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、炭化ケイ素デバイスが、制御ゲートと浮遊ゲートとの間のコンデンサの代わりに使用され、情報は、前記トランジスタのソース端子とドレイン端子との間の抵抗を感知することによって読み取られる、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項５】
前記炭化ケイ素デバイスは、ダイオードである、請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項６】
前記炭化ケイ素デバイスは、制御されたスイッチである請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項７】
前記炭化ケイ素は、３Ｃ  ＳｉＣウェハである、請求項４に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項８】
前記ダイオードは、前記１Ｔメモリ・セルを電気的にリフレッシュする必要を回避するために十分長い電荷保持時間を創出するように不動態化されたＳｉＣ−ＳｉＯ２界面を有する炭化ケイ素で実施される、請求項５に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項９】
前記電荷保持時間は、７年を超える、請求項７に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ−ＳｉＯ２界面は、ＮＯまたはＮ２Ｏどちらかのリッチ環境（ｒｉｃｈ  ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）内で窒化される、請求項８に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１１】
電子とホールの発生／再結合率および電荷漏洩は、非平衡電荷をかなりの時間維持することができる程低減され、かつ、メモリ・セルを接続するためのスイッチとして使用される炭化ケイ素トランジスタを含む不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１２】
１トランジスタ・セルからなるダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリであって、前記トランジスタは、
（ａ）ポリシリコンの本体と、
（ｂ）ソース領域またはドレイン領域として機能する、金属接点または高濃度ドーピングされたポリシリコン接点と、
（ｃ）分離ダイオードのアノードまたはカソードと一体になっているＳｉＣゲートと、
を伴って創出された、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１３】
前記分離ダイオードは、順方向ターン・オン電圧および逆方向ターン・オン電圧を超えたとき、順方向オン動作と逆方向オン動作の両方を有する基準型ダイオードである、請求項５に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１４】
前記基準型ダイオードは、ＮＰＮ層またはＰＮＰ層のいずれかより創出される、請求項１１に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１５】
シリコンまたは炭化ケイ素のトランジスタは、メモリ素子として使用され、炭化ケイ素のトランジスタは、前記メモリ素子のゲートに接続するスイッチとして使用される、ダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１６】
前記炭化ケイ素トランジスタのゲート酸化物は、直接の酸化物成長によって、あるいはＮＯまたはＮ２Ｏの存在下で予め成長させた酸化物のアニールによって用意される、請求項１２に記載のダイナミック不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１７】
トランジスタゲートのダイオード分離を有する１トランジスタ・セルを備えた揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【請求項１８】
ワード線と交差するビット線を有し、前記ワード線と平行であるソースを有し、シリコンまたは炭化ケイ素で実施される金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
【請求項１９】
前記ビット線は、ＭＯＳＦＥＴのドレインを含み、前記ワード線は、ＭＯＳＦＥＴのゲートを含む、請求項１８に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
【請求項２０】
書き込み動作は、ゲートを接地して実行される、請求項１６に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
【請求項２１】
窒化酸化ケイ素ゲートを炭化ケイ素基板上に形成し、次いでイオン注入を実行し、それからＭＯＳＦＥＴの形成を仕上げる工程を含む、請求項１０に記載の不揮発性ランダム・アクセス・メモリまたは請求項１６に記載のＭＯＳＦＥＴを製造する方法。
【請求項２２】
前記ＳｉＣ−ＳｉＯ２界面は、ＮＯまたはＮ２Ｏどちらかの環境内において高温で窒化されることによって不動態化される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記炭化ケイ素は、３Ｃ  ＳｉＣウェハである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記トランジスタは、ゲートを含み、前記ゲートは、モリブデン、Ｐ＋ポリシリコン、およびプラチナ・シリサイドの中から選択される、請求項１２に記載の不揮発性ランダム・アクセス・メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリアルデータソースからデータを受信する手段と、
データをエンコードし、第１の位相ロックループを有するエンコード手段であり、前記第１の位相ロックループは、前記シリアルデータソースから受信したデータを同期させるために、クロック信号にロックするように適合されたエンコード手段と、
前記クロック信号を生成する際に使用する基準信号を提供する第２の位相ロックループを有する制御手段であり、前記エンコード手段に前記クロック信号を提供し、前記第１の位相ロックループがロックされているか否かを決定するために、前記シリアルデータソースと前記エンコード手段との間に結合された制御手段と、
前記第１の位相ロックループがロックされていると前記制御手段が決定したことに応じて、前記シリアルデータソースから前記データを伝送する伝送手段と
を有する装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記エンコードデータの無線伝送を可能にする手段を更に有する装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記エンコードデータが音声データを有する装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記エンコードデータが映像データを有する装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置が送信機である装置。
【請求項６】
データ同期化を提供する方法であって、
シリアルデータを受信し、
コントローラを使用して、前記シリアルデータに応じて第１のクロック信号を生成し、
位相ロックループを使用して、前記第１のクロック信号に応じて第２のクロック信号を生成し、
前記第２のクロック信号が前記第１のクロック信号と実質的に同期しているという決定の際に、前記シリアルデータの伝送を可能にすることを有する方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記生成された周波数に応じてエンコードデータを生成し、
前記エンコードデータの無線伝送を可能にすることを更に有する方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記エンコードデータが音声データを有する方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記エンコードデータが映像データを有する方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法であって、
前記クロック信号が、前記シリアルデータに含まれるフレーム開始に応じて生成される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マシンビジョンシステム内で照射される際に高度なパターン認識を示すバンプ形成半導体チップであって、
アクティブ面上にて複数のはんだバンプを有するフリップチップ集積回路ダイと、
前記アクティブ面上に配置され、かつアンダーフィル材を含む被膜と、
画像改良剤を含有し、前記複数のはんだバンプのうちの少なくとも２個のバンプ上に対して選択的に堆積されて、該はんだバンプの光学的特性を変更するフラックス組成物とを備え、
前記堆積された画像改良剤は、選択された波長光でアクティブ面が照射される際に、前記はんだバンプをアンダーフィル材と対照して明るく出現させる半導体チップ。
【請求項２】
前記画像改良剤は、着色料である請求項１に記載のバンプ形成半導体チップ。
【請求項３】
バンプ形成半導体チップをプリント回路基板に実装する自動高速アセンブリであって、マシンビジョンシステム内で照射される際に高度なパターン認識を示し、
アクティブ面上にて複数のはんだバンプを有するフリップチップ集積回路と、
前記各はんだバンプの少なくとも一部が被覆されずに残留するように、アクティブ面上に被覆されるアンダーフィル材と、
赤色染料を含有し、かつ各はんだバンプ上のみに堆積されて、マシンビジョンシステム内にて赤色光源で照射される際に前記はんだバンプの光学的特性を変更するフラックスとを備えるバンプ形成半導体チップ。
【請求項４】
マシンビジョンシステム内で照射される際に高度なパターン認識を示すバンプ形成半導体パッケージであって、
第一面と第二面とを有する回路搭載基板と、
前記回路搭載基板の第一面上に対して電気的かつ機械的に実装された半導体デバイスと、
前記回路塔載基板の第二面は、ほぼ同一面を有するはんだバンプのアレイを備えていることと、
前記回路塔載基板の第二面上に配置されたアンダーフィル材の被膜と、
画像改良剤を含有し、かつアレイ状に配列されたはんだバンプのうちの少なくとも２個
のバンプ上に対して選択的に堆積されて、該はんだバンプの光学的特性を変更するフラックス組成物とを備え、
前記堆積された画像改良剤は、選択された波長光で回路塔載基板の第二面が照射される際に、前記はんだバンプをアンダーフィル材と対照して明るく出現させる半導体パッケージ。
【請求項５】
マシンビジョンシステム内で照射される際に高度なパターン認識を示すバンプ形成半導体チップであって、
アクティブ面上にて複数のはんだバンプを有するフリップチップ集積回路と、
前記アクティブ面上を被覆するアンダーフィル材と、
着色料を含有し、前記複数のはんだバンプの各々の上にのみ堆積されて、マシンビジョンシステム内の光源により照射される際に該はんだバンプの光学的特性を変更するフラックスとを備える半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー主鎖にカルボン酸エステル構造単位を含有するポリイミドコポリマーおよび液晶ポリマーからなる群から選択された非膨潤性ポリマーを含み、約２５μｍ〜約６０μｍの厚さを有し、前記厚さがアルカリ湿潤エッチング法により２５μｍ未満に低減される少なくとも１つの凹んだ領域を備える、フレキシブル回路用の基板として使用するための誘電体膜。
【請求項２】
前記液晶ポリマーが、ｐ−フェニレンテレフタルアミドを含有するコポリマーおよびｐ−ヒドロキシ安息香酸を含有するコポリマーからなる群から選択される、請求項１に記載の誘電体膜。
【請求項３】
前記ポリイミドコポリマーが、ｐ−フェニレンビス（トリメリト酸モノエステル無水物）を含有するモノマーの反応生成物を含む、請求項１に記載の誘電体膜。
【請求項４】
ハードディスクドライブのヘッドジンバルアセンブリに使用するためのフレキシブル回路であって、
ポリマー主鎖にカルボン酸エステル構造単位を含有するポリイミドコポリマーおよび液晶ポリマーからなる群から選択されたポリマーを含む非膨潤性誘電体膜を含み、前記誘電体膜が、約２５μｍ〜約６０μｍの厚さを有し、前記厚さがアルカリ湿潤エッチング法により２５μｍ未満に低減される少なくとも１つの制御可能に薄化された領域を備える、フレキシブル回路。
【請求項５】
ポリマー主鎖にカルボン酸エステル構造単位を含有するポリイミドコポリマーおよび液晶ポリマーからなる群から選択されたポリマーを含む厚さ約２５μｍ〜約６０μｍを有する非膨潤性誘電体膜を提供し、次いで厚さがアルカリ湿潤エッチング法により２５μｍ未満に制御可能に低減される製法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外囲体と、
この外囲体に封入された不活性ガス及び水銀蒸気と、
一対の電極と、
外囲体の内側に配置された１以上の焼結金属部とを含んで構成され、
焼結金属部は、排出ガスに対して高いゲッタリング性を示す一方、水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す水銀ガス放電装置。
【請求項２】
１以上の焼結金属部は、鉄、ニッケル若しくはコバルト、又は鉄、ニッケル及びコバルトからなるか、あるいはこれを含む請求項１に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項３】
１以上の焼結金属部は、ａ）排出ガスに対して高いゲッタリング性を示す一方、水銀ガスに対して低いゲッタリング性を示す第１のグループから選択された鉄、ニッケル又はコバルトの１以上の金属元素と、ｂ）装置内における高い温度に対する耐性を有し、かつ水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す第２のグループから選択されたモリブデン、タングステン、タンタル又はニオブの１以上の金属元素とを合成して構成される請求項１に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項４】
第１のグループから選択された金属元素の比率は、第２のグループから選択された金属元素の比率と合わせて、焼結金属組成全体の５０〜１００％を構成する請求項３に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項５】
焼結金属部の少なくとも１つが陰極として使用される請求項１に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項６】
焼結金属部の１以上が多孔質焼結金属である請求項１に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項７】
前記多孔質焼結金属は、５０〜４％の空隙率及び５０〜９６％の相対密度を有する請求項６に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項８】
焼結金属部の１以上が陰極からの電子放出率を増大させる１以上の活性アルカリ金属を更に含み、この活性アルカリ金属は、バリウム、カルシウム、ストロンチウム及びセシウムの少なくとも１つを含んで構成される請求項５に記載の水銀ガス放電装置。
【請求項９】
内壁及び外壁が形成されるとともに、内壁に蛍光パウダーフィルムのコーティングが施されたチューブと、
このチューブに封入された不活性ガス及び水銀蒸気と、
一対の電極と、
チューブの内側に配置された１以上の焼結金属部とを含んで構成され、
焼結金属部は、排出ガスに対して高いゲッタリング性を示す一方、水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す蛍光ランプ。
【請求項１０】
１以上の焼結金属部は、鉄、ニッケル若しくはコバルト、又は鉄、ニッケル及びコバルトからなるか、あるいはこれを含む請求項９に記載の蛍光ランプ。
【請求項１１】
１以上の焼結金属部は、ａ）排出ガスに対して高いゲッタリング性を示す一方、水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す第１のグループから選択された鉄、ニッケル又はコバルトの１以上の金属元素と、ｂ）蛍光チューブ内における高い温度に対する耐性を有し、かつ水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す第２のグループから選択されたモリブデン、タングステン、タンタル又はニオブの１以上の金属元素とを合成して構成される請求項９に記載の蛍光ランプ。
【請求項１２】
第１のグループから選択された金属元素の比率は、第２のグループから選択された金属元素の比率と合わせて、焼結金属組成全体の５０〜１００％を構成する請求項１１に記載の蛍光ランプ。
【請求項１３】
焼結金属部の少なくとも１つが陰極として使用される請求項９に記載の蛍光ランプ。
【請求項１４】
焼結金属部の少なくとも１つがゲッター材として内置される請求項１３に記載の蛍光ランプ。
【請求項１５】
焼結金属部の１以上が多孔質焼結金属である請求項９に記載の蛍光ランプ。
【請求項１６】
前記多孔質焼結金属は、５０〜４％の空隙率及び５０〜９６％の相対密度を有する請求項１５に記載の蛍光ランプ。
【請求項１７】
焼結金属部の１以上が陰極からの電子放出率を増大させる１以上の活性アルカリ金属を更に含み、この活性アルカリ金属は、バリウム、カルシウム、ストロンチウム及びセシウムの少なくとも１つを含んで構成される請求項１３に記載の蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一形態に係る水銀ガス放電装置は、不活性ガス及び水銀蒸気が封入された外囲体を含んで構成される。この水銀ガス放電装置は、外囲体の内側又は外側に配置された一対の電極を含んで構成される。また、１以上の焼結金属部が外囲体に設けられる。この焼結金属部は、排出ガスに対して高いゲッタリング性（又は物理的吸着性）を示す一方、水銀蒸気に対して低いゲッタリング性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
焼結金属チューブ７又はプレート８（図示しないバケット状に形成してもよい。）は、排出ガスに対する高いゲッタリング性及びチューブ２内の水銀蒸気に対する低いゲッタリング性を示す金属元素の第１のグループから選択された、少なくとも１つの金属元素を含んで構成されるのが好ましい。その金属元素は、水銀蒸気に対して非常に低いゲッタリング性を示すものであるとよい。このため、第１のグループに属する金属元素には、限定されるわけではないが、鉄、ニッケル及びコバルト等のフェラス系金属が含まれる。これらの金属元素は、蛍光ランプ１０の作動温度のもと、電流のプラズマが非常に高温であるため、水、酸素、窒素、一酸化炭素及び二酸化炭素等の排出ガスと化学的に反応するが、水銀蒸気とは反応しない。従って、第１のグループに属する金属元素のうち１以上を含むことで、焼結金属チューブ７又はプレート８のゲッタリング性が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本実施例で得られたデータを外挿することで、上記の焼結多孔質合成金属を使用して構成したＣＣＦＬは、３ｍＡでの連続作動のもとでおよそ５００００時間の寿命を達成すると見積られる。
本発明により構成したＣＣＦＬ等の水銀ガス放電装置では、（チューブ、バケット又はプレート等の）焼結金属部を採用したことで、外囲体内におけるゲッタリング作用が改善され、もって光度が増大し、装置の寿命が延長され、性能が格段に向上する。一実施形態では、本発明に係る焼結金属部に多孔性を持たせた。このため、その焼結金属部は、従来の水銀ガス放電装置又はＣＣＦＬのゲッター材と比較して作動表面積が拡大する。従って、本装置は、安定した作動条件及び光度を維持しつつ、より大きな作動電流に耐えることができ、作動電流を増大した場合は、光度も増大する。特に、多孔質焼結部を設けたＣＣＦＬは、陰極として使用し、かつ本発明の実施形態に従い構成した場合に、従来の蛍光ランプよりも格段に高い光度指数を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光構造を有するフェースプレートと、
電子放出素子を有するバックプレートと、
前記フェースプレートとバックプレート間に位置するスペーサと
を有するディスプレイ装置であって、
前記スペーサは、イットリアで安定化されたジルコニアとアルミナとの混合物か、またはマグネシアとアルミナとの混合物のいずれかから構成されることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記スペーサの熱膨張係数が、８０×１０−７／℃以上且つ８５×１０−７／℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記スペーサは、更に、
酸化モリブデン及び八モリブデン酸アンモニウムのいずれか一方と、
チタニアとを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記スペーサの縁部にメタライゼーション細長片を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップにアンダーフィル材を提供し、前記チップをウエハからダイ分離するために切断する方法であって、以下に続く工程順によって、
ａ．前面および裏面を有するウエハを提供する工程と、前記ウエハは少なくとも一つの集積回路チップを含み、前記集積回路チップは前記ウエハの前面に複数のはんだバンプを有することと、
ｂ．前記少なくとも一つの集積回路チップに端部を画定する溝を形成するために、前記ウエハの前面を切断する工程と、前記切断はウエハを完全に切断しない深さまでであることと、
ｃ．前記ウエハの前面をアンダーフィル材で被覆する工程と、
ｄ．前記ウエハの裏面を粗研磨して、前記溝が前面から裏面に及ぶまで十分に前記ウエハの厚さを減少させる工程とを備え、
ｅ．前記前面上に被覆したアンダーフィル材は集積回路チップに付着した状態のまま残る方法。
【請求項２】
集積回路チップにアンダーフィル材を提供するための方法であって、以下に続く工程順よって、
ａ．前面および裏面を有するウエハを提供する工程と、前記ウエハは少なくとも一つの集積回路チップを含み、前記集積回路チップは前記ウエハの前面に複数のはんだバンプを有することと、
ｂ．前記少なくとも一つの集積回路チップに端部を画定する溝を形成するために、前記ウエハの前面を切断する工程と、前記切断はウエハを完全に切断しない深さまでであることと、
ｃ．前記はんだバンプの各々の一部分を被覆せずに残すように、前記ウエハの前面をアンダーフィル材で被覆する工程と、
ｄ．前記ウエハの裏面から材料を取り除いて、前記溝が前面から裏面に及ぶまで十分に前記ウエハの厚さを減少させる工程と、
ｅ．前記ウエハから集積回路チップをダイ分離するために切断するのに十分であるように、溝にあるアンダーフィル材を切断することによってダイ分離する工程とを備える方法であって、
ｆ．前記前面に被覆されたアンダーフィル材は、ダイ分離のために切断された集積回路
チップに付着された状態のままに残る方法。
【請求項３】
導電性パッド上にはんだボールを備える活性表面を有する集積回路にアンダーフィル接着剤層を提供するためのウエハレベルの方法であって、
一つ以上の前記集積回路を含むシリコンウエハを提供する工程と、
前記集積回路の端部を画定する溝を形成するために、前記ウエハの活性表面を切断する工程と、前記切断はウエハを完全に切断しない深さまでであることと、
前記集積回路の活性表面上、および前記溝においてアンダーフィル接着剤層を形成する工程であって、ほとんどの前記はんだボールの内の少なくとも一部分は、アンダーフィル接着剤層に被覆されないままであることと、
前記アンダーフィル接着剤を部分的に硬化する工程と、
前記溝がウエハを完全に貫通するまで十分に前記ウエハの裏面からシリコンを除去する工程と、
前記溝に含まれるアンダーフィル接着剤を切断して、活性表面および端部にアンダーフィル材を有する集積回路を少なくとも一つダイ分離のために切断する工程とを備える方法。
【請求項４】
バンプを形成する集積回路の配列を有するウエハにアンダーフィル接着剤層を提供するための方法であって、各回路は導電性パッドにはんだボールを含む活性表面を有しており、
前記ウエハをダイシングして、ウエハの厚さよりも少ない所定の深さを有する溝を形成する工程と、
前記活性表面を被覆し、アンダーフィル材で溝を充填するように、前記ウエハをアンダーフィル材で被覆する工程と、
前記ダイシングされた溝が完全にウエハを貫通するまで、前記ウエハの活性表面の反対面を研磨する工程と、
前記溝にあるアンダーフィル材を通して切断し、前記バンプを形成する集積回路の配列をダイ分離するために切断する工程とを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第１及び第２のナノ構造集合が、少なくともＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はＩＶ族半導体又はその合金の中から選択された半導体から成る一部分を含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
前記第１及び第２のナノ構造集合が、少なくともＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はＩＶ族半導体又はその合金の中から選択された半導体から成る一部分を含んでいる、請求項１９に記載の光起電性デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月21日(2006.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の病変組織または臓器部分の選択的な治療法のために薬物を放出する医療器具であって、少なくとも短時間上記病変組織に押し付けられることによって上記病変組織と接触状態になり、かつ、組織と接触している時に活性物質を直ちに放出する器具の表面に、あらゆる組織成分に、マトリクスを伴わないかあるいは乾燥コーティングとして固体マトリクスを伴い結合し、脂溶性でおおむね水に不溶である薬物が、付着している、ことを特徴とする前記医療器具。
【請求項２】
ステントなしのまたはステントを結合したバルーン・カテーテル、カテーテルおよび/またはその一部、針、およびガイドワイヤー、ならびにステントが活性物質の担体として使用されることを特徴とする、請求項1に記載の器具。
【請求項３】
予め形成された縦の折り目のあるバルーンが薬物コーティングに使用されることを特徴とする、請求項2に記載の器具。
【請求項４】
前記バルーンが、滑らかな表層を有することを特徴とする、請求項2に記載の器具。
【請求項５】
完全に折り畳まれた状態での、低い粘性の活性物質溶液中への浸漬によってコートされたバルーンが使用されることを特徴とする、請求項2に記載の器具。
【請求項６】
折り目によって覆われた領域だけが、適用後に乾燥させた薬物によってコートされることを特徴とする、請求項2〜5のいずれか1項に記載の器具。
【請求項７】
前記脂溶性薬物が、細胞増殖または炎症プロセスの阻害剤であるか、あるいは抗酸化剤であることを特徴とする、請求項1に記載の器具。
【請求項８】
使用された薬物が、パクリタキセルおよび他のタキサン、ラパマイシンおよび関連物質、タクロリムスおよび関連物質、コルチコイド、性ホルモンおよび関連物質、スタチン、エポシロン、プロブコール、プロスタサイクリン、又は血管形成インデューサーであることを特徴とする、請求項7に記載の器具。
【請求項９】
使用された薬物がパクリタキセルおよび他のタキサンであることを特徴とする、請求項8に記載の器具。
【請求項１０】
脂溶性薬物が、それぞれの物品表面上に乾燥固体またはオイルとして存在することを特徴とする、請求項7または8に記載の器具。
【請求項１１】
前記薬物の有効用量が、有効成分の乏しい水可溶性にもかかわらずそれらの広い表面積のために速く溶解する、0.1 μm〜5 μmの範囲の粒径をもつアモルファス構造体を含むことを特徴とする、請求項9に記載の器具。
【請求項１２】
前記脂溶性薬物が、すぐに水に溶ける低分子量のマトリックス材料中に埋め込まれて、前記器具表面への良好な接着を達成し、かつ、組織による吸収を改善することを特徴とする、請求項1に記載の器具。
【請求項１３】
前記マトリックス材料が、分子量5000 D未満の低分子親水性材料から成ることを特徴とする、請求項11に記載の器具。
【請求項１４】
前記マトリクス材料が、造影剤および様々な診断手順のためにin vivoで使用される色素、糖及び関連物質、特別に糖アルコール、生体適合性の有機および無機塩、特別に安息香酸塩、ならびにサリチル酸の塩及び他の誘導体から選択されることを特徴とする、請求項13に記載の器具。
【請求項１５】
前記マトリクス材料が、１又は複数のヨウ化Ｘ線造影剤および／または常磁性キレート剤であることを特徴とする、請求項14に記載の器具。
【請求項１６】
前記脂溶性薬物が、粒子に吸収されるか、または低分子マトリックスを有する器具表面に適用されることを特徴とする、請求項1に記載の器具。
【請求項１７】
前記表面が、器具の滑走性のような特別な効果を与えるか、または血液凝固を防ぐ物質によってさらにコートされることを特徴とする、請求項1に記載の器具。
【請求項１８】
溶液、懸濁液、または乳濁液媒体中の前記脂溶性薬物および賦形剤を、浸漬、展着、またはスプレー工程、あるいは一定量を器具表面にデリバリーすると同時に上記表面に軽く付着した過剰な媒体および材料を取り除く道具を使って適用することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1項に記載の器具の製造方法。
【請求項１９】
前記コーティング工程が、再現性のある活性物質含有量の増加のために、同じまたは異なる溶液、懸濁液、または乳濁液媒体、および/または賦形剤を用いて、繰り返し実行されることを特徴とする、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、ジエチルエーテル、アセトン、水、またはその混合物が、溶液、懸濁液、および乳濁液媒体として使用されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
使用状態にある折り畳まれたバルーンが圧着されたステントを有するか、またはそれを持たない、殺菌前またはその後にコートされる薬物担体として提供されることを特徴とする、請求項18〜20のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２２】
前記バルーンが折り畳まれていない状態でそれぞれの脂溶性薬物によってコートされ、そしてそのバルーンが、場合により生体適合性滑走剤によって湿らされた、特別に潤滑化する道具を用いて折り畳まれることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
【請求項２３】
バルーン・カテーテルと結合したステントが、コーティングより前に、またはその後に付けられることを特徴とする、請求項18に記載の方法。
【請求項２４】
完全にコートされた器具が、エチレンオキサイドを使って殺菌されることを特徴とする、請求項18に記載の方法。
【請求項２５】
高度局所薬物濃度を生じさせるための手段を製造するために設計された請求項1〜17のいずれか1項に記載の医療器具。
【請求項２６】
体内の開かれた通路を作り出すための手段を製造するために設計された請求項1〜17のいずれか1項に記載の医療器具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織を密封する腹腔鏡下手術用双極電気外科器械であって、
細長い管が取り付けられた取っ手を有し、前記管は、その遠位端部に取り付けられた第１、第２ジョー部材を有し、これらのジョー部材は、組織に接近するための第１の位置から、組織を前記ジョー間に把持するための少なくとも１つの次の位置まで移動することができ、前記ジョー部材の各々は導電性密封面を有し、前記取っ手は固定取っ手及び可動取っ手を備え、該可動取っ手は、前記ジョー部材を、前記第１の位置から、組織を把持する前記少なくとも１つの次の位置まで移動させるように、前記固定取っ手に対して移動可能であり、
対向可能な密封面がこれらの間に保持された組織に電気外科エネルギを通すことができるように、前記ジョー部材を電気外科エネルギ源に接続するための手段と、
前記対向可能な密封面間に少なくとも約０．０３ミリメートルの最小離隔距離を維持するためのストップと、
前記対向可能な密封面間に約３ｋｇ／ｃｍ2〜１６ｋｇ／ｃｍ2の閉鎖力を維持するための手段とを有する、
腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項２】
接続手段は、第１ジョー部材を電気外科エネルギ源に接続するプッシュロッドと、第２ジョー部材を電気外科エネルギ源に接続する導電性管とを含む、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項３】
維持手段は、固定取っ手内に設けられたラチェットと、可動取っ手に設けられた少なくとも１つの相補形状の相互係止機械的インタフェースとを含み、ラチェット及び相補形状の相互係止機械的インタフェースは、対向可能な密封面相互間に約７ｋｇ／ｃｍ2〜１３ｋｇ／ｃｍ2の閉鎖力を維持する少なくとも１つの相互係止位置を提供する、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項４】
閉鎖力は、約４ｋｇ／ｃｍ2〜約６．５ｋｇ／ｃｍ2である、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項５】
ストップは、密封面のうちの少なくとも一方に設けられている、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項６】
ストップは、密封面のうちの少なくとも一方に隣接して設けられている、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項７】
ストップは、密封面相互間に約０．０３ミリメートル〜約０．１６ミリメートルの最小離隔距離を維持する、請求項１記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項８】
組織を密封する腹腔鏡下手術用双極電気外科器械であって、
細長い管が取り付けられた取っ手を有し、該管は、その遠位端部に取り付けられた第１、第２ジョー部材を有し、これらのジョー部材は、組織に接近するための第１の位置から、組織をこれらの間に把持するための少なくとも１つの次の位置まで移動することができ、前記ジョー部材の各々は導電性密封面を有し、前記取っ手は固定取っ手及び可動取っ手を備え、該可動取っ手は、前記ジョー部材を、前記第１の位置から、組織を把持する前記少なくとも１つの次の位置まで移動させるように前記固定取っ手に対して移動することができ、対向可能な密封面が、密封工程中、組織へのくっつきを減少させる非他着性材料を含み、
前記対向可能な密封面がこれらの間に保持された組織に電気外科エネルギを通すことができるように、前記ジョー部材を電気外科エネルギ源に接続するための手段と、
前記対向可能な密封面のうちの一方に設けられた、前記対向可能な密封面間の最小離隔距離を維持するためのストップと、
前記固定取っ手と前記可動取っ手のうちの一方に設けられたラチェットと、
前記固定取っ手と前記可動取っ手のうちの他方に設けられた少なくとも１つの相補形状の相互係止機械的インタフェースとを有し、
前記ラチェット及び相補形状の相互係止機械的インタフェースは、前記対向可能な密封面間に約７ｋｇ／ｃｍ2〜１３ｋｇ／ｃｍ2の閉鎖力を維持する少なくとも１つの相互係止位置を提供する、
腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項９】
非他着性材料は、対向可能な密封面に被着された被膜である、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１０】
非他着性被膜は、窒化物及びニッケル／クロム合金から成る材料の群から選択されている、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１１】
非他着性被膜は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴｉＡｌＮ、ＣｒＮ、Ｎｉ／Ｃｒ比が約５：１のニッケル／クロム合金、インコネル（Inconel）６００、Ｎｉ２００及びＮｉ２０１のうち少なくとも１つを含む、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１２】
対向可能な密封面は、非他着性材料で作られている、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１３】
非他着性材料は、ニッケル／クロム合金である、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１４】
非他着性材料は、Ｎｉ／Ｃｒ比が約５：１のニッケル／クロム合金、インコネル（Inconel）６００、Ｎｉ２００及びＮｉ２０１のうち少なくとも１つを含む、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１５】
ジョー部材、取っ手及び細長い管のうち少なくとも１つには絶縁材料が被着されている、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１６】
前記絶縁材料は絶縁被膜である、請求項８記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【請求項１７】
前記絶縁材料は絶縁シースである、請求項１５記載の腹腔鏡下手術用双極電気外科器械。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
診断用ＮＯ測定のための装置であって、
ＮＯセンサ（１１）と、
予め定められた流量率と圧力で患者が呼気する入口（１）と、
前記呼気されたエアの一部を一時的に蓄えるバッファ室（７）と、
サンプルの一部を、前記ＮＯセンサに適する流量率で前記ＮＯセンサに供給するための手段（１０）と、から構成されることを特徴とする装置。
【請求項２】
呼気流量を制御する流量レギュレータ（６）を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サンプルの一部をＮＯセンサに供給する手段が、前記呼気の継続時間よりも長い時間にわたって約0.5から10ｍｌ／ｓの一定の流量を生み出すよう動作する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記サンプルの湿度を均一化する手段を備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記サンプルの湿度を均一化する手段が、触媒作用膜材料で作られた長尺のチューブからなる、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
吸気のパラメータを検証し、呼気のパラメータを制御する手段を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記手段が、圧力センサ（２）と、患者にフィードバックを提供する手段とから構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記手段がさらに、流量センサと、流量を制御し、及び／又は患者にフィードバックを提供する手段とを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記手段がさらに、大気の変動に応じてＮＯの分圧を補填することを可能にするために絶対圧力の測定が可能な圧力センサ（２）を備える、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記バッファ室（７）が、迷路状通路である、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記バッファ室（７）が、移動式ピストンを備えたシリンダからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記バッファ室（７）が、長尺のチューブからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置が、ＮＯ除去器であって、患者が前記装置内に呼気する直前に当該ＮＯ除去器を介して吸気し、これにより患者の呼吸器系の死腔がＮＯフリーエアで満たされることを保証するＮＯ除去器を備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
特定のユーザにリンクしたデータを蓄積でき、測定データの記録が可能なスマートカードを受け入れるためのインターフェイスをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記装置が、前記スマートカードに蓄積されたデータを基に、異なるユーザまたは異なるユーザグループに適用できる能力を備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ＮＯセンサが、電気化学センサである、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記センサに導かれるときの前記サンプルの流量率が、呼気流量率よりも低い、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の装置への使用に適したスマートカードであって、個々の患者または患者グループに関するデータを保存し、少なくとも
−  測定の日付、時間
−  測定されたＦＥＮＯ
−  センサＩＤ番号
−  装置ＩＤ番号
のデータが記録されているスマートカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】診断用ガス分析装置