【事件の表示】
　特願２００３−２０１０２１「ダイヤモンド膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月１７日出願公開、特開２００５−　４１７１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２４日の出願であって、平成１６年７月１２日付けで明細書に係る手続補正書が提出され、平成２０年７月９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日付けで意見書及び明細書に係る手続補正書が提出され、平成２１年１月１５日付けで拒絶査定がなされ、同年２月１８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年３月１７日付けで明細書に係る手続補正書が提出され、その後、平成２３年７月１３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、同年９月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２１年３月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年３月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　平成２１年３月１７日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は次のとおりに補正された。
【請求項１】　少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ３）３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させ、かつ前記基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しないで形成し、前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとすることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
【請求項２】　前記原料ガスに含ませるＰ（ＯＣＨ３）３ガスの全原料ガスに対する体積濃度を、０ｖｏｌ．％より大きく１５ｖｏｌ．％以下の範囲の濃度とすることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド膜の製造方法。
【請求項３】　前記リンのドープを、ダイヤモンド膜の電気抵抗率が２０℃で１０７Ω・ｃｍ以下の範囲となるよう調整することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のダイヤモンド膜の製造方法。
　
　上記補正は、本件補正前の請求項４を削除すると共に、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「一部の層」について、「前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとする」との特定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に規定する請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか、以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物であるR. Roychoudhury et al., J. Appl. Phys., 1997年4月15日, Vol. 81, No. 8, pp. 3644-3646. （以下、「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。括弧内に抄訳を付記する。
（ア）「
」（第１頁抄録）
（リンをドープした多結晶ダイヤモンド膜をドープ源として亜リン酸トリメチルを用いた熱フィラメント化学蒸着法により成長させた。ダイヤモンド膜中へのリンの混入が二次イオン質量分析により証明された。電流−電圧特性が測定され、膜の電気抵抗が室温でおよそ１０１２Ωｃｍであることが見出された。電子線誘起電流法による研究によれば、ダイヤモンド膜はｎ型の挙動を示した。）
（イ）「
」（第１頁左欄１４〜２０行）
（この研究の目的は、我々が再現できることを見出したリンをドープした熱フィラメントＣＶＤ法（ＨＦＣＶＤ）で堆積したダイヤモンド膜の挙動についてのより明確な見解を得ることである。そして、新たなドープ源、亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］が導入される、それはアセトン［（ＣＨ３）２ＣＯ］に容易に溶けて気体として反応チャンバに導入することができる。）
（ウ）「
」（第１頁左欄下から６行〜同頁右欄１１行）
（ダイヤモンド膜が４本のタングステンフィラメントを用いた通常のＨＦＣＶＤ法により堆積された。水素（Ｈ２）とメタン（ＣＨ４）の混合物が反応ガスとして用いられ、アセトン［（ＣＨ３）２ＣＯ］で希釈された亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］がドープ源としてリン対炭素比１０００ｐｐｍで用いられた。ドーパント混合物は室温で容易に蒸発し、蒸気の形態で反応チャンバに導入された。反応混合物の全流量１００ｓｃｃｍが成長のために用いられた。抵抗値５−１５Ωｃｍの（１００）方位のＰ−型シリコン及び抵抗値０．０００８Ωｃｍの（１１１）方位のｎ＋＋シリコンが基板として用いられた。基板の表面は、反応チャンバへの装入前に粒径１μｍのダイヤモンドペーストを用いて手で磨かれた。フィラメントと基板の温度は計測され、それぞれ２０００及び７５０℃に保持された。チャンバの圧力はおよそ２５Ｔｏｒｒに保たれた。）
（エ）「
」（第１頁右欄１３行〜第２頁左欄４行）
（図１は、リンをドープしたダイヤモンド膜の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を示すものである。膜の堆積速度は約１μｍ／ｈである。膜の形態は、ドープされていない、あるいはボロンをドープした膜のそれと大きく違わない。図２は、ダイヤモンド膜中のリンのＳＩＭＳプロファイルを示すものである。この仕事はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ　Ｃａｍｅｃａ　３Ｆ　ｓｙｓｔｅｍを用いて商業的に行われた。リンの対数値がスパッタ時間の関数として示されている。ａｔｍｓ／ｃｃに換算すると、ダイヤモンド中に５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｃのリンが存在すると見積もることができた。リンの分布は深さに関し比較的一定のようである。）
　
（３）対比、判断
　刊行物１には、抄訳によれば、記載事項（ア）に「リンをドープした多結晶ダイヤモンド膜をドープ源として亜リン酸トリメチルを用いた熱フィラメント化学蒸着法により成長させた。」との記載があり、記載事項（ウ）には、具体的に、「ダイヤモンド膜が・・・ＨＦＣＶＤ法により堆積された」こと、「水素（Ｈ２）とメタン（ＣＨ４）の混合物が反応ガスとして用いられ、アセトン［（ＣＨ３）２ＣＯ］で希釈された亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］がドープ源として・・・用いられ」たこと、「ドーパント混合物は室温で容易に蒸発し、蒸気の形態で反応チャンバに導入された」ことが記載され、記載事項（イ）にも、「ドープ源」が「亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］」であり、それは「気体として反応チャンバに導入することができる」ことが記載されている。
　そこで、刊行物１の上記記載を整理すると、刊行物１には次の発明（以下、「刊行１発明」という。）が記載されているといえる。
「水素（Ｈ２）とメタン（ＣＨ４）の混合物を反応ガスとして用い、ドープ源として亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］を用い、亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］を蒸気の形態で反応チャンバに導入して、熱フィラメント化学蒸着法によりダイヤモンド膜を堆積させることにより、リンをドープした多結晶ダイヤモンド膜を成長させる方法。」
　
　本願補正発明と刊行１発明とを対比すると、刊行１発明の「反応ガス」は本願補正発明の「原料ガス」に相当し、また、刊行１発明の「ドープ源」は「リンのドープ源」に他ならず、刊行１発明の「蒸気の形態」の「亜リン酸トリメチル［（ＣＨ３Ｏ）３Ｐ］」は「Ｐ（ＯＣＨ３）３ガス」に他ならないことは明らかである。
　そして、熱フィラメント化学蒸着法によるダイヤモンド膜の堆積は、通常、反応チャンバに導入した原料ガスを用いて気相反応により基板上にダイヤモンド膜を堆積することにより行われるものであるから、刊行１発明の「熱フィラメント化学蒸着法によりダイヤモンド膜を堆積させる」ことは、反応チャンバに導入されるＰ（ＯＣＨ３）３ガスを原料ガスに含ませた混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることであることは明らかである。
　さらに、刊行１発明の「リンをドープした多結晶ダイヤモンド膜を成長させる方法」は、基板上にリンをドープした多結晶ダイヤモンド膜を製造する方法であって、「ダイヤモンド膜の製造方法」といえるものである。
　してみると、両者は、
「少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ３）３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させるダイヤモンド膜の製造方法」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：本願補正発明は、「前記基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しないで形成し、前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとする」のに対し、刊行１発明は、かかる特定がない点
　
　そこで、この相違点について検討する。
　一部の層にのみ特定の不純物をドープしたダイヤモンド物品、換言すると、特定の不純物をドープしたダイヤモンド膜と不純物をドープしないダイヤモンド膜とを積層した積層構造を有するダイヤモンド物品は、例えば、国際公開第０１／１１６９８号、特開２００３−５１６０９号公報、特に請求項９、特開平８−１０２５１１号公報に記載されているように、本願出願前各種技術分野において広く知られたものである。そして、かかる積層構造を有するダイヤモンド物品を製造するに際し、原料ガス中に特定の不純物のドープ源を添加しながら気相反応により基板上に特定の不純物をドープしたダイヤモンド膜を形成し、原料ガス中にドープ源を添加しないで気相反応により基板上に不純物をドープしないダイヤモンド膜を形成することは、前出の国際公開第０１／１１６９８号、特に第６頁２２行〜第７頁１３行、特開２００３−５１６０９号公報、特に段落【００６７】〜【００６９】、特開平８−１０２５１１号公報、特に段落【００３０】〜【００３４】の記載からも明らかなように、当業者にとって常套手段であると認められる。
　してみれば、刊行１発明のダイヤモンド膜の製造方法を、一部の層にのみリンをドープしたダイヤモンド物品の製造方法として採用し、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しないで形成することは、当業者が容易に想到し得たことであると認められる。
　そして、その際、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら形成する一部の層をダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成すること、その膜を厚み２０μｍ以下の範囲で形成することは、製造すべきダイヤモンド物品の構造に応じて当業者が適宜設定し得たことである。
　
　そして、本願明細書及び図面の記載を検討しても、基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しないで形成し、その一部の層を、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとしたことにより、当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されたものとは認められない。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成２１年３月１７日付けの手続補正は前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２０年９月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
【請求項１】　少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ３）３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させ、かつ前記基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＰ（ＯＣＨ３）３ガスを添加しないで形成することを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
　
（２）引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である刊行物１及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明に関し、「一部の層」についての「前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとする」との特定を除いたものである。
　してみると、本願発明１の発明特定事項である「一部の層」について、「前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとする」との特定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明と同様の理由により、本願発明１も、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。