【事件の表示】
　特願２００８−　　７７７８「改善されたＱのためのトロイダルインダクタの設計」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月３１日出願公開、特開２００８−１７７５７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２０年１月１７日（パリ条約による優先権主張２００７年１月１８日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２３年２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年６月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１７に係る発明は、平成２２年９月１５日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　中心軸を有するトロイダルコアの周りに延びる複数の巻きを画定する細長い導体から形成される３次元のコイルを有するインダクタであって、
　前記細長い導体は、第一のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントと第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントとから構成され、前記第一のタイプのコイルセグメントのそれぞれは、離れて配置され、それらのそれぞれの長さに沿って予め決定された間隔で導電性のリンクにより電気的に接続される複数の細長いパラレルの導体から構成され、前記第二のタイプの前記コイルセグメントは、単一の導体から形成される、
ことを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
　それぞれの前記細長いパラレルな導体は、セラミック基板の１つのレイヤの対向する面に設けられる、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項３】
　前記第一のタイプのコイルセグメントと前記第二のタイプのコイルセグメントは、前記細長い導体を形成するために直列接続で配置される、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項４】
　前記細長い導体は、複数の前記第一のタイプのコイルセグメントと複数の前記第二のタイプのコイルセグメントとから構成され、前記第二のタイプのコイルセグメントのそれぞれは、前記第一のタイプのコイルセグメント間の直列の電気的な接続を画定する。
請求項３記載のインダクタ。
　　【請求項５】
　前記第二のタイプのコイルセグメントを有する単一の導体は、基板に形成される導電性のビアから構成される、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項６】
　前記細長いパラレルの導体のそれぞれは、基板の表面に配置される導電性のトレースから構成される、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項７】
　前記導電性のリンクは、基板において画定されるビアから形成される、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項８】
　前記細長い導体は、第一のタイプのセグメントと第二のタイプのセグメントの交互するパターンで配置される複数のコイルセグメントから構成される、
請求項１記載のインダクタ。
　　【請求項９】
　前記第二のタイプのセグメントは、基板で形成される導電性のビアから構成される、
請求項８記載のインダクタ。
　　【請求項１０】
　前記パラレルの導体のそれぞれは、基板の表面に配置される導電性のトレースから構成され、前記導電性のトレースは、少なくとも１つの導電性のビアにより前記予め決定されたインターバルで接続される、
請求項８記載のインダクタ。
　　【請求項１１】
　中心軸を有するトロイダルコアの周りに延びる複数の巻きを画定する細長い導体から３次元のコイルを形成するステップと、
　離れて配置される複数の細長いパラレルの導体から構成される第一のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントを含むように前記細長い導体を形成するステップと、
　前記複数の細長いパラレルの導体の長さに沿って予め決定された間隔で配置される導電性リンクにより前記細長いパラレルの導体を電気的に接続するステップと、
　１つの導体から形成される第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントからなる前記細長いパラレルを形成するステップと、
を有するインダクタを製造する方法。
　　【請求項１２】
　前記細長いパラレルの導体のそれぞれを、セラミック基板の１つのレイヤの対向する面に設けられる導電性トレースとして形成するステップを更に有する、
請求項１１記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記第一のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントと前記第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントを直列接続で配置して、前記細長い導体を形成するステップを更に含む、
請求項１１記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記第一のタイプの複数のコイルセグメントの間で直列の電気的な接続を、前記第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントにより形成するステップを更に含む、
請求項１３記載の方法。
　　【請求項１５】
　基板に形成される導電性のビアとして前記第二のタイプのコイルセグメントを形成するステップを更に含む、
請求項１１記載の方法。
　　【請求項１６】
　基板の表面に配置される導電性のトレースとして前記パラレルの導体のそれぞれを形成するステップを更に含む、
請求項１１記載の方法。
　　【請求項１７】
　基板に定義されるビアから前記導電性のリンクを形成するステップを更に含む、
請求項１１記載の方法。」
　
３．本願発明について 
（１）本願発明 
　本願発明は上記のとおりである。 
（２）引用例
　米国特許出願公開第２００３／０１１２１１４号明細書（以下、「引用例」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。なお、（）内の日本語文は、当審における仮訳である。
（あ）「[0045] Referring now to FIGS. 1 and 2, there is shown the embedded inductor 12 in the dielectric substrate 10 with the ceramic material that would normally surround the embedded inductor 12 being removed. The embedded inductor 12 is essentially a multiturn coil that has an axis 14 that is parallel to the plane of each of the layers 16 that make up the dielectric substrate 10. Each turn of the coil comprises a top portion 18, a bottom portion 20 and two sides 22. As can be seen from FIGS. 1 and 2, the top portion 18 and bottom portion 20 are parallel and are in different layers. Thus, bottom portion 20 is in a first layer while top portion 18 is in another layer three layers away. The side portions 22, which connect a top portion 18 to a bottom portion 20, are generally perpendicular to the layers 16 of the Dielectric substrate 10. As the embedded inductor 12 may be made by MLC or similar technology, top portion 18 and bottom portion 20 will be formed by screened lines while side portions 22 comprise at least one via 32 but will usually comprise more than one via 32 as shown in FIGS. 1 and 2. The forming of the dielectric substrate 10 and embedded inductor 12 will be discussed in more detail hereafter. Lastly, the embedded inductor 12 has termination vias 24 which connect to other internal wiring (not shown) in the dielectric substrate 10. 
[0046] Advantages of the embedded inductor 12 according to the present invention include high Q, high stability with respect to temperature, humidity, time, high inductance capabilities and low space constraints. Capacitance of the embedded inductor 12 is also minimized. A further advantage of the present invention is that the embedded inductor 12 may be tuned to optimize performance.」
（［0045］図１、２をみると、セラミック材料の絶縁基材１０に埋め込まれたインダクタ１２が示されている。埋め込みインダクタ１２は複数巻きコイルであり、絶縁基材１０の層１６の面に平行な軸１４を備える。コイルの各巻きは、トップ部１８、ボトム部２０、及び２つのサイド部２２からなる。トップ部１８とボトム部２０は平行であり、別の層に位置する。ボトム部２０は第１層に位置し、トップ部１８は３層離れた別の層に位置する。トップ部１８とボトム部２０を接続するサイド部２２は、絶縁基材１０の層１６に対して概ね垂直である。埋め込みインダクタ１２はＭＬＣまたは類似の技術により製造でき、トップ部１８とボトム部２０はシールド線で形成され、サイド部２２は少なくとも１つのビア３２からなるが、通常は、複数のビアからなる。絶縁基材１０及び埋め込みインダクタ１２の詳細は後述する。埋め込みインダクタ１２は、図示しない他の内部配線に接続する端部ビア２４を備える。
［0046］本発明による埋め込みインダクタ１２の利点には、高Ｑ値、温度、湿度、時間に関する高安定性、高インダクタンス性、省スペース性がある。キャパシタンスも小さい。他の利点は、調整により性能を向上できることである。）
（い）「[0049] Still referring to FIGS. 1 and 2, the top portion 18 and bottom portion 20 connecting the side portions 22 of the embedded inductor 12 have lower crossectional area than the side portions 22 and create higher resistance. Therefore, structural changes which minimize the resistance of the top portion 18 and bottom portion 20 create higher Q values and allow the optimization of the embedded inductor 12. 
[0050] One example of such a structural change is that shown in FIG. 3 wherein the top portion 18 of embedded inductor 112 actually comprises top subportions 18A and 18B and bottom subportions 20A and 20B. By doubling the metal that is present in the inductor loop, the resistance of the embedded inductor 112 is reduced, thereby increasing its inductance. 
[0051] Referring now to FIG. 4, the embodiment shown in FIG. 3 has been modified by adding vias 36 between top subportions 18A and 18B as well as between bottom subportions 20A and 20B. The addition of vias 36 to the inductor loop should further reduce the resistance and increase the Q of embedded inductor 212.」
（［0049］図１、２をみると、トップ部１８とボトム部２０はサイド部２２より断面積が小さく、抵抗が高くなる。したがって、トップ部１８とボトム部２０の抵抗が小さくなるように構造を変更すれば、埋め込みインダクタ１２の性能向上を図ることができる。
［0050］そのような構造変更の一例が図３に示されており、埋め込みインダクタ１１２のトップ部１８をトップ部分１８Ａとトップ部分１８Ｂから構成し、同様に、ボトム部２０をボトム部分２０Ａとボトム部分２０Ｂから構成する。インダクタのループを形成する金属を二重にすることによって、埋め込みインダクタ１１２の抵抗が小さくなり、インダクタンスが増大する。
［0051］図４では、図３の例が変更され、トップ部分１８Ａとトップ部分１８Ｂ間、及びボトム部分２０Ａとボトム部分２０Ｂ間を接続するビア３６が追加される。インダクタのループにビア３６を追加することにより抵抗は更に小さくなり、埋め込みインダクタ２１２のＱは増大する。）
（う）「[0053] The embodiments discussed thus far are variations on the embedded inductor 12 shown in FIG. 1 wherein the embedded inductor 12, 112, 212, 312 has an axis 14 that is essentially a straight line. The embodiment of the present invention that is shown in FIG. 6 illustrates an embedded inductor 412 that has a circular axis 15 so that the embedded inductor 412 ends up having a toroidal shape. The axis of embedded inductor 412 remains parallel to the plane of ceramic layer 16. The advantages of the toroidal-shaped inductor shown in FIG. 6 are smaller external magnetic fields and reduced unwanted coupling to adjacent components.」
（［0053］以上の例は図１の埋め込みインダクタ１２の変更例であり、それらの埋め込みインダクタ１２、１１２、２１２、３１２は略直線状の軸１４を有する。図６の例は環状の軸１５を有し、したがって、埋め込みインダクタ４１２はトロイダル形状である。埋め込みインダクタ４１２の軸はセラミック層１６の面と平行である。図６のトロイダル形状インダクタの利点は、外部磁場が狭く、近接する素子への干渉が低減されることである。）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。
「セラミック材料の絶縁基材１０に埋め込まれた複数巻きコイルからなる中心軸を有するトロイダル形状の埋め込みインダクタ４１２であって、
　複数巻きコイルは、トップ部１８、ボトム部２０とサイド部２２とから構成されるインダクタ４１２。」
（３）対比
　本願発明と引用例発明とを比較すると、後者の「セラミック材料の絶縁基材１０に埋め込まれた複数巻きコイルからなる中心軸を有するトロイダル形状の埋め込みインダクタ４１２」は前者の「中心軸を有するトロイダルコアの周りに延びる複数の巻きを画定する細長い導体から形成される３次元のコイルを有するインダクタ」に相当し、同様に、「トップ部１８」及び「ボトム部２０」は「第一のタイプの少なくとも１つのコイルセグメント」に、「サイド部２２」は「第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメント」に、それぞれ相当する。したがって、本願発明の用語に倣って整理すると、両者は、
「中心軸を有するトロイダルコアの周りに延びる複数の巻きを画定する細長い導体から形成される３次元のコイルを有するインダクタであって、
　前記細長い導体は、第一のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントと第二のタイプの少なくとも１つのコイルセグメントとから構成されるインダクタ。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「前記第一のタイプのコイルセグメントのそれぞれは、離れて配置され、それらのそれぞれの長さに沿って予め決定された間隔で導電性のリンクにより電気的に接続される複数の細長いパラレルの導体から構成され」るのに対し、引用例発明は、そのような事項を備えるかどうか不明である点。
［相違点２］
　本願発明は、「前記第二のタイプの前記コイルセグメントは、単一の導体から形成される」のに対し、引用例発明は、そのような事項を備えるかどうか不明である点。
（４）判断
（４−１）相違点１について
　引用例には、上記（特に（い））に摘記したように、略直線状の軸を有するインダクタ１１２、２１２についてであるが、トップ部１８及びボトム部２０は、それぞれ、離れて配置され、それぞれの長さに沿って所定の間隔でビア３６により電気的に接続されるトップ部分１８Ａとトップ部分１８Ｂ、及びボトム部分２０Ａとボトム部分２０Ｂから構成されるという事項が示されている。そして、引用例には、上記（特に（う））に摘記したように、「［0053］以上の例は図１の埋め込みインダクタ１２の変更例であり、それらの埋め込みインダクタ１２、１１２、２１２、３１２は略直線状の軸１４を有する。図６の例は環状の軸１５を有し、したがって、埋め込みインダクタ４１２はトロイダル形状である。」と記載されており、略直線状の軸１４を有するインダクタも、環状の軸１５を有するトロイダル形状の埋め込みインダクタ４１２も、同じく、引用例に記載されている発明の例であるから、トップ部１８及びボトム部２０の構造に係る引用例の上記事項をトロイダル形状の埋め込みインダクタ４１２に適用することに格別の困難性はない。むしろ、そのような適用は当然に予定されているということもできる。このようにしたものは、実質的にみて、相違点１に係る本願発明の上記事項を具備しているといえる。
（４−２）相違点２について
　引用例１には、上記（あ）に摘記したように、「サイド部２２は少なくとも１つのビア３２からなるが、通常は、複数のビアからなる。」と記載されており、サイド部２２が１つのビア３２からなるという事項が明記されている。引用例発明に引用例の上記記載事項を適用して、サイド部２２を１つのビア３２から形成することに格別の困難性はない。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例に記載された発明及び技術事項に基づいて当業者が予測し得た程度のものである。
（５）むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．結語
　以上のとおり、本願発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである以上、請求項２〜１７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。