【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）または式（ＩＩ）
【化１】
2005510547.tif 000001
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
ａおよびｂは独立して、ａ＋ｂが２であることを条件として、０、１または２のいずれかであり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ａｒは、Ｃ1〜Ｃ20分枝または直鎖アルキル、Ｃ1〜Ｃ20シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、アセタール、ケタール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニルまたは環状エーテルで更に置換されることが可能であり、
各Ｒは独立して、水素、エテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、および末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがエテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、または末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基を表すか、あるいは少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基を表すことを条件とする）であることを特徴とする燐含有二座配位子モノマー化合物。
【請求項２】
ａ＋ｂ＝２であることを条件としてａは１または２であり、ｂは０または１である式Ｉの燐含有二座配位子（モノマー）化合物、あるいはａ＋ｂ＝２であることを条件としてａは１または２であり、ｂは０または１である式ＩＩの化合物を含む組成物を調製する方法であって、
【化２】
2005510547.tif 000002
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒは独立して、水素、アクリロイル、メタクリロイル、および末端アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがアクリロイルまたはメタクリロイル、あるいは末端アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基であることを条件とする）
前記方法が、
（１）塩化アクリロイルまたは塩化メタクリロイルの少なくとも一方を多価アルコールと反応させて、モノアクリレートまたはモノメタクリレートの少なくとも一方を製造する工程と、
（２）前記モノアクリレートまたは前記モノメタクリレートの少なくとも一方を三塩化燐またはホスホロジクロリダイトあるいはアリールジクロロホスフィン（Ｃｌ2Ｐ−Ａｒ）の少なくとも一種と反応させて、少なくとも一種のホスホロクロリダイト含有アクリレートまたはメタクリレート、あるいはアリールアリールオキシクロロホスフィナイト含有アクリレートまたはメタクリレートを生じさせる工程と、
（３）工程（２）の前記少なくとも一種のホスホロクロリダイト含有アクリレートおよび／またはメタクリレート、あるいはアリールアリールオキシクロロホスフィナイト含有アクリレートおよび／またはメタクリレートを式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物と反応させる工程とを含むことを特徴とする方法。
【化３】
2005510547.tif 000003
（式中、各Ｒ’は独立して水素またはＭであり、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属である）
【請求項３】
高分子燐含有組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で、および任意選択的に第ＶＩＩＩ族遷移金属の存在下で、式Ｉの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＩの少なくとも一種の化合物を含む組成物を、大気圧において、および２０℃と１５０℃の間の温度で１〜１００時間にわたり加熱して前記高分子組成物を製造することを特徴とする方法。
【化４】
2005510547.tif 000004
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
ａおよびｂは独立して、ａ＋ｂが２であることを条件として、０、１または２のいずれかであり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ａｒは、Ｃ1〜Ｃ20分枝または直鎖アルキル、Ｃ1〜Ｃ20シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、アセタール、ケタール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニルまたは環状エーテルで更に置換されることが可能であり、
各Ｒは独立して、水素、エテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、および末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがエテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、または末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基を表すか、あるいは少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基を表すことを条件とする）
【請求項４】
高分子組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で、式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物を加熱することによることを特徴とする方法。
【化５】
2005510547.tif 000005
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
【請求項５】
高分子燐含有組成物を製造する方法であって、
（１）式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物を開始剤の存在下で加熱する工程と、
【化６】
2005510547.tif 000006
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
（２）Ｒ’がヒドロキシル保護基である場合、Ｒ’をＨまたはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属に転化する工程と、
（３）Ｒ’がヒドロキシル保護基以外である場合に工程（１）の生成物、またはＲ’がヒドロキシル保護基である場合に工程（１）および（２）の生成物をジアリールオキシホスファイト単位−Ｐ（−Ｏ−Ａｒ）2、ジアリールホスフィン単位−Ｐ（Ａｒ）2、またはアリールアリールオキシホスフィナイト単位−Ｐ（Ａｒ）（−Ｏ−Ａｒ）（ここで、各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件とする）あるいはそれらの混合単位を有する三価燐でホスホニル化する工程と
によることを特徴とする方法。
【請求項６】
高分子燐含有組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で少なくとも一個のアクリレート基またはメチルアクリレート基を含むホスホロクロリダイトを加熱して、ホスホロクロリダイトを含有するポリマーを製造し、このポリマーを式ＩＩＩおよび／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物と更に反応させることを特徴とする方法。
【化７】
2005510547.tif 000007
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
但し、Ｒ’が保護されている場合、保護基は式ＩＩＩおよび／または式ＩＶの化合物をホスホロクロリダイトを含むポリマーと反応させる前に除去されなければならないことを条件としており、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
【請求項７】
（１）請求項１に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）請求項３に記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）請求項４から６のいずれかに記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含むことを特徴とする触媒組成物。
【請求項８】
（１）請求項１に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）請求項３に記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）請求項４から６のいずれかに記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機化合物をＣＯおよびＨ2に接触させることを含むことを特徴とするヒドロホルミル化法。
【請求項９】
（１）請求項１に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）請求項３に記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）請求項４から６のいずれかに記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属ならびに任意のルイス酸
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機化合物をＨＣＮに接触させることを含むことを特徴とするヒドロシアン化法。
【請求項１０】
（１）請求項１に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）請求項３に記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）請求項４から６のいずれかに記載の方法によって製造される少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機ニトリル化合物を反応させることを含むことを特徴とする異性化法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５１】
特定の詳しさの程度を用いて本発明をこうして記載し、そして例示してきたけれども、請求の範囲はそんな風に限定されずに、請求項および請求項の均等物の各要素の表現と釣り合った範囲を与えようとしていることが認められるべきである。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  式（Ｉ）または式（ＩＩ）
【化８】
2005510547.tif 000008
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
ａおよびｂは独立して、ａ＋ｂが２であることを条件として、０、１または２のいずれかであり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ａｒは、Ｃ1〜Ｃ20分枝または直鎖アルキル、Ｃ1〜Ｃ20シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、アセタール、ケタール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニルまたは環状エーテルで更に置換されることが可能であり、
各Ｒは独立して、水素、エテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、および末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがエテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、または末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基を表すか、あるいは少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基を表すことを条件とする）であることを特徴とする燐含有二座配位子モノマー化合物。
２．  ａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１．の式Ｉに記載の化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１．の式ＩＩに記載の化合物。
３．  ａ＋ｂ＝２であることを条件としてａは１または２であり、ｂは０または１である式Ｉの燐含有二座配位子（モノマー）化合物、あるいはａ＋ｂ＝２であることを条件としてａは１または２であり、ｂは０または１である式ＩＩの化合物を含む組成物を調製する方法であって、
【化９】
2005510547.tif 000009
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒは独立して、水素、アクリロイル、メタクリロイル、および末端アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがアクリロイルまたはメタクリロイル、あるいは末端アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基であることを条件とする）
前記方法が、
（１）塩化アクリロイルまたは塩化メタクリロイルの少なくとも一方を多価アルコールと反応させて、モノアクリレートまたはモノメタクリレートの少なくとも一方を製造する工程と、
（２）前記モノアクリレートまたは前記モノメタクリレートの少なくとも一方を三塩化燐またはホスホロジクロリダイトあるいはアリールジクロロホスフィン（Ｃｌ2Ｐ−Ａｒ）の少なくとも一種と反応させて、少なくとも一種のホスホロクロリダイト含有アクリレートまたはメタクリレート、あるいはアリールアリールオキシクロロホスフィナイト含有アクリレートまたはメタクリレートを生じさせる工程と、
（３）工程（２）の前記少なくとも一種のホスホロクロリダイト含有アクリレートおよび／またはメタクリレート、あるいはアリールアリールオキシクロロホスフィナイト含有アクリレートおよび／またはメタクリレートを式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物と反応させる工程とを含むことを特徴とする方法。
【化１０】
2005510547.tif 000010
（式中、各Ｒ’は独立して水素またはＭであり、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属である）
４．  ａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする３．の式ＩＩＩに記載の化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする２．の式ＩＶに記載の化合物。
５．  高分子燐含有組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で、および任意選択的に第ＶＩＩＩ族遷移金属の存在下で、式Ｉの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＩの少なくとも一種の化合物を含む組成物を、大気圧において、および２０℃と１５０℃の間の温度で１〜１００時間にわたり加熱して前記高分子組成物を製造することを特徴とする方法。
【化１１】
2005510547.tif 000011
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
ａおよびｂは独立して、ａ＋ｂが２であることを条件として、０、１または２のいずれかであり、
各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件としており、
各Ａｒは、Ｃ1〜Ｃ20分枝または直鎖アルキル、Ｃ1〜Ｃ20シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、アセタール、ケタール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニルまたは環状エーテルで更に置換されることが可能であり、
各Ｒは独立して、水素、エテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、および末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基からなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲがエテニル、プロペニル、アクリロイル、メタクリロイル、または末端エテニル、プロペニル、アクリロイルまたはメタクリロイル基を有する有機基を表すか、あるいは少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基を表すことを条件とする）
６．  ａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする５．の式Ｉに記載の化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする５．の式ＩＩに記載の化合物。
７．  前記開始剤はラジカル開始剤であることを特徴とする５．に記載の方法。
８．  ５．に記載の方法によって製造されたことを特徴とする高分子燐含有組成物。
９．  高分子組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で、式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物を加熱することによることを特徴とする方法。
【化１２】
2005510547.tif 000012
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
１０．  ａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする９．の式Ｉに記載の化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１．の式ＩＩに記載の化合物。
１１．  前記開始剤はラジカル開始剤であることを特徴とする９．に記載の方法。
１２．  ９．に記載の方法によって製造されたことを特徴とする高分子組成物。
１３．  高分子燐含有組成物を製造する方法であって、
（１）式ＩＩＩの少なくとも一種の化合物および／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物を開始剤の存在下で加熱する工程と、
【化１３】
2005510547.tif 000013
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
（２）Ｒ’がヒドロキシル保護基である場合、Ｒ’をＨまたはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属に転化する工程と、
（３）Ｒ’がヒドロキシル保護基以外である場合に工程（１）の生成物、またはＲ’がヒドロキシル保護基である場合に工程（１）および（２）の生成物をジアリールオキシホスファイト単位−Ｐ（−Ｏ−Ａｒ）2、ジアリールホスフィン単位−Ｐ（Ａｒ）2、またはアリールアリールオキシホスフィナイト単位−Ｐ（Ａｒ）（−Ｏ−Ａｒ）（ここで、各Ａｒは独立して、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択され、但し、直接結合、アルキリデン、第二級アミンまたは第三級アミン、酸素、スルフィド、スルホンおよびスルホキシドからなる群から選択された連結単位によって、同じ燐原子に直接または間接に結合されている二個のＡｒ基を互いに連結できることを条件とする）あるいはそれらの混合単位を有する三価燐でホスホニル化する工程と
によることを特徴とする方法。
１４．  前記三価燐はジアリールオキシホスファイト単位−Ｐ（−Ｏ−Ａｒ）2である１３．に記載の化合物であって、ａが２であり、ｂが０であり、Ａｒ基がＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルを含み、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする式ＩＩＩの化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、Ａｒ基がＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルを含み、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１３．、式ＩＶに記載の化合物。
１５．  前記開始剤はラジカル開始剤であることを特徴とする１３．に記載の方法。
１６．  １３．に記載の方法によって製造されたことを特徴とする高分子組成物。
１７．  高分子燐含有組成物を製造する方法であって、開始剤の存在下で少なくとも一個のアクリレート基またはメチルアクリレート基を含むホスホロクロリダイトを加熱して、ホスホロクロリダイトを含有するポリマーを製造し、このポリマーを式ＩＩＩおよび／または式ＩＶの少なくとも一種の化合物を含む組成物と更に反応させることを特徴とする方法。
【化１４】
2005510547.tif 000014
（式中、
ｘは０〜４であり、
ｙは０〜２であり、
各Ｒ’は独立して、水素またはアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属またはアルキル、アルコキシアルキル、カルボニルアルキルからなる群から選択されたヒドロキシル保護基、および両方のＲ’基を一緒にすることにより形成されたクラウンエーテルからなる群から選択され、
但し、Ｒ’が保護されている場合、保護基は式ＩＩＩおよび／または式ＩＶの化合物をホスホロクロリダイトを含むポリマーと反応させる前に除去されなければならないことを条件としており、
各Ｒ’’は独立して、水素、直鎖または分枝アルキル、シクロアルキル、アセタール、ケタール、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、ホルミル、エステル、弗素、塩素、臭素、ペルハロアルキル、ヒドロカルビルスルフィニル、ヒドロカルビルスルホニル、ヒドロカルビルカルボニル、環状エーテル、エテニル、プロペニル、および末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基からなる群から選択され、
但し、少なくとも一個のＲ’’がエテニル、プロペニル、または末端エテニルまたはプロペニル基を有する有機基であることを条件とする）
１８．  ａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｙが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビナフタレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１７．の式ＩＩＩに記載の化合物、あるいはａが２であり、ｂが０であり、ＲがＡｒに結合された酸素に対してオルトに位置する第一級アルキルまたは第二級アルキルであり、ｘが１以上であり、少なくとも一個のＲ’’が第一級アルキル基または第二級アルキル基であり、ビフェニレン基に結合された酸素のオルト位に位置することを特徴とする１７．の式ＩＶに記載の化合物。
１９．  前記開始剤はラジカル開始剤であることを特徴とする１７．に記載の方法。
２０．  １７．に記載の方法によって製造されたことを特徴とする高分子組成物。
２１．  （１）１．に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）８．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）１２．、１６．または２０．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含むことを特徴とする触媒組成物。
２２．  前記第ＶＩＩＩ族金属は、ニッケル、パラジウムまたはコバルトであることを特徴とする２１．に記載の触媒組成物。
２３．  前記第ＶＩＩＩ族金属は、ロジウム、イリジウムまたは白金であることを特徴とする２１．に記載の触媒組成物。
２４．  前記第ＶＩＩＩ族金属はニッケルであることを特徴とする２１．に記載の触媒組成物。
２５．  ルイス酸を更に含むことを特徴とする２２．または２４．．に記載の触媒組成物。
２６．  前記ルイス酸は、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳＯ4、ＣｕＣｌ2、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（Ｏ3ＳＣＦ3）2、ＣｏＣｌ2、ＣｏＩ2、ＦｅＩ2、ＦｅＣｌ3、ＦｅＣｌ2、ＦｅＣｌ2（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ4（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ2、ＣｌＴｉ（ＯｉＰｒ）2、ＭｎＣｌ2、ＳｃＣｌ3、ＡｌＣｌ3、（Ｃ8Ｈ17）ＡｌＣｌ2、（Ｃ8Ｈ17）2ＡｌＣｌ、（イソ−Ｃ4Ｈ9）2ＡｌＣｌ、Ｐｈ2ＡｌＣｌ、ＰｈＡｌＣｌ2、ＲｅＣｌ5、ＺｒＣｌ4、ＮｂＣｌ5、ＶＣｌ3、ＣｒＣｌ2、ＭｏＣｌ5、ＹＣｌ3、ＣｄＣｌ2、ＬａＣｌ3、Ｅｒ（Ｏ3ＳＣＦ3）3、Ｙｂ（Ｏ2ＣＣＦ3）3、ＳｍＣｌ3、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）3、（Ｃ6Ｈ5）3ＳｎＸ（ここで、Ｘ＝ＣＦ3ＳＯ3、ＣＨ3Ｃ6Ｈ5ＳＯ3または（Ｃ6Ｈ5）3ＢＣＮ）およびＴａＣｌ5からなる群から選択されることを特徴とする２５．に記載の触媒組成物。
２７．  前記ルイス酸は塩化亜鉛または塩化鉄であることを特徴とする２６．に記載の触媒組成物。
２８．  （１）１．に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）８．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）１２．、１６．または２０．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機化合物をＣＯおよびＨ2に接触させることを含むことを特徴とするヒドロホルミル化法。
２９．  第ＶＩＩＩ族金属は、ロジウム、イリジウムまたは白金であることを特徴とする２８．に記載のヒドロホルミル化法。
３０．  前記不飽和有機化合物は、３−ペンテンニトリル、３−ペンテン酸、３−ペンテナール、アリルアルコールおよびアルキル３−ペンテノエートまたはそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする２９．に記載のヒドロホルミル化法。
３１．  前記不飽和有機化合物は１００ｐｐｍ未満の過酸化物を含み、前記第ＶＩＩＩ族金属はロジウムであることを特徴とする３０．に記載のヒドロホルミル化法。
３２．  （１）１．に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）８．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）１２．、１６．または２０．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属ならびに任意のルイス酸
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機化合物をＨＣＮに接触させることを含むことを特徴とするヒドロシアン化法。
３３．  前記ルイス酸は、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳＯ4、ＣｕＣｌ2、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（Ｏ3ＳＣＦ3）2、ＣｏＣｌ2、ＣｏＩ2、ＦｅＩ2、ＦｅＣｌ3、ＦｅＣｌ2、ＦｅＣｌ2（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ4（ＴＨＦ）2、ＴｉＣｌ2、ＣｌＴｉ（ＯｉＰｒ）2、ＭｎＣｌ2、ＳｃＣｌ3、ＡｌＣｌ3、（Ｃ8Ｈ17）ＡｌＣｌ2、（Ｃ8Ｈ17）2ＡｌＣｌ、（イソ−Ｃ4Ｈ9）2ＡｌＣｌ、Ｐｈ2ＡｌＣｌ、ＰｈＡｌＣｌ2、ＲｅＣｌ5、ＺｒＣｌ4、ＮｂＣｌ5、ＶＣｌ3、ＣｒＣｌ2、ＭｏＣｌ5、ＹＣｌ3、ＣｄＣｌ2、ＬａＣｌ3、Ｅｒ（Ｏ3ＳＣＦ3）3、Ｙｂ（Ｏ2ＣＣＦ3）3、ＳｍＣｌ3、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）3およびＴａＣｌ5からなる群から選択されることを特徴とする３２．に記載のヒドロシアン化法。
３４．  前記ルイス酸は塩化亜鉛または塩化鉄であることを特徴とする３３．に記載のヒドロシアン化法。
３５．  前記第ＶＩＩＩ族金属は、ニッケル、パラジウムまたはコバルトであることを特徴とする３４．に記載のヒドロシアン化法。
３６．  前記第ＶＩＩＩ族金属はニッケルであることを特徴とする３５．に記載のヒドロシアン化法。
３７．  前記不飽和有機化合物は、３−ペンテンニトリルまたは４−ペンテンニトリルあるいはそれらの混合物であることを特徴とする３６．に記載のヒドロシアン化法。
３８．  前記ＨＣＮは２０ｐｐｍ未満の二酸化硫黄、４０ｐｐｍ未満の硫酸、２０ｐｐｍ未満のシアノーゲン、１０ｐｐｍ未満のエポキシド、２０ｐｐｍ未満のアクリロニトリルおよび１００ｐｐｍの過酸化物を含有し、前記ペンテンニトリルは１００ｐｐｍの過酸化物を含有することを特徴とする３７．に記載のヒドロシアン化法。
３９．  前記第ＶＩＩＩ族金属は、ニッケル、パラジウムまたはコバルトであり、前記不飽和有機化合物は１，３−ブタジエンであることを特徴とする３２．に記載のヒドロシアン化法。
４０．  前記第ＶＩＩＩ族金属はニッケルであることを特徴とする３９．に記載のヒドロシアン化法。
４１．  前記ＨＣＮは２０ｐｐｍ未満の二酸化硫黄、４０ｐｐｍ未満の硫酸、２０ｐｐｍ未満のシアノーゲン、１０ｐｐｍ未満のエポキシド、２０ｐｐｍ未満のアクリロニトリルおよび１００ｐｐｍの過酸化物を含有し、前記１，３−ブタジエンは５ｐｐｍ未満のｔ−ブチルカテコール、５００ｐｐｍ未満のビニルシクロヘキセンおよび１００ｐｐｍの過酸化物を含有することを特徴とする４０．に記載のヒドロシアン化法。
４２．  （１）１．に記載の少なくとも一種の低分子量燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（２）８．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、または
（３）１２．、１６．または２０．に記載の少なくとも一種の高分子燐含有組成物および少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属
を含む触媒組成物の存在下で不飽和有機ニトリル化合物を反応させることを含むことを特徴とする異性化法。
４３．  前記第ＶＩＩＩ族金属は、ニッケル、パラジウムまたはコバルトであることを特徴とする４２．に記載の異性化法。
４４．  前記不飽和有機ニトリル化合物は、２−メチル−３−ブテンニトリルであり、前記第ＶＩＩＩ族金属はニッケルであることを特徴とする４３．に記載の異性化法。
４５．  前記２−メチル−３−ブテンニトリルは１００ｐｐｍ未満の過酸化物を含有することを特徴とする４４．に記載の異性化法。