【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路または該レチクルにおける処理を実行するシステムであって、
前記集積回路の少なくとも一層のレイアウトパターンであって、特定フラグに関連付けられ前記集積回路または該レチクル上の第１の処理領域に対応する第１のレイアウト領域と、前記特定フラグに関連付けられずに前記集積回路または該レチクル上の第２の処理領域に対応する第２のレイアウト領域とを有するレイアウトパターンの電子表象を有する回路設計図を格納する格納部と、
前記回路設計図から前記第１のレイアウト領域に関連付けられている前記特定フラグを読み取るフラグ読取部と、
前記特定フラグが読み取られた前記第１のレイアウト領域に対応する前記第１の処理領域上で、前記第２の処理領域上で実行される第２の処理とは異なる第１の処理を実行する処理部と
を備えるシステム。
【請求項２】  前記回路設計図は再使用可能である請求項１記載のシステム。
【請求項３】  前記第１および第２の処理は、レチクルの検査処理、レチクルの製造処理、集積回路の製造処理、製造された集積回路の検査処理のうちいずれかの工程である請求項１または２記載のシステム。
【請求項４】  前記回路設計図は、
（ｉ）  前記第１のレイアウト領域を特定せずに前記レイアウトパターンの全体を示すベース表象と、
（ｉｉ）  前記レイアウトパターンの全体を特定せずに前記第１のレイアウト領域をフラグ付けするシャドウ表象と
を含む請求項１ないし３のいずれか記載のシステム。
【請求項５】  前記処理部は、単一のレチクルに対して前記第１の処理を実行するために、前記ベース表象および前記シャドウ表象を一緒に用いることが可能である請求項４記載のシステム。
【請求項６】  前記処理部は、前記ベース表象に基づいて単一のレチクルを製造することが可能であり、更に、前記シャドウ表象に基づいて前記単一のレチクルを検査する請求項４または５記載のシステム。
【請求項７】  前処理部は、厳しい基準の閾値を使用して、前記第１の処理領域を前記第１のレイアウト領域と比較するとともに、通常の基準の閾値を使用して、前記第１の処理領域の外側にある前記第２の処理領域を、前記第１のレイアウト領域の外側にある前記第２のレイアウト領域と比較する比較部を備える請求項１ないし６のいずれか記載のシステム。
【請求項８】  前記処理部は、前記第１の処理領域の外側にある前記第２処理領域を、前記第１のレイアウトの外側にある前記第２のレイアウト領域と比較することなしに、厳しい基準の閾値を使用して、前記第１の処理領域を前記第１のレイアウト領域と比較する比較部を備える請求項１ないし６のいずれか記載のシステム。
【請求項９】  前記厳しい基準の閾値は、前記レチクルの第１の処理領域の線幅を、前記第１のレイアウト領域の線幅と比較するために使用される請求項８記載のシステム。
【請求項１０】  前記厳しい基準の閾値は、前記レチクルの第１の処理領域の面積を、前記第１のレイアウト領域の面積と比較するために使用される請求項８記載のシステム。
【請求項１１】  前記第１の処理は、前記第１の処理領域中に欠陥があるか否かの検査を実行する処理である請求項１ないし１０のいずれか記載のシステム。
【請求項１２】  前記第１の処理と前記第２の処理とは質的に異なる処理である請求項１ないし１１のいずれか記載のシステム。
【請求項１３】  請求項１ないし１２のいずれか記載のシステムであって、更に、
前記レイアウトパターンは、前記集積回路または該レチクル上の第３の処理領域に対応する第３のレイアウト領域であって、前記第１のレイアウト領域に関連付けられた前記特定フラグとは異なる第２の特定フラグに関連付けられた第３のレイアウト領域を有し、
前記第２の特定フラグが読み取られた前記第３のレイアウト領域に対応する前記第３の処理領域上で、前記第１の処理とは量的に異なる第３の処理を実行する第２の処理部と
を備えるシステム。
【請求項１４】  請求項１ないし１２のいずれか記載のシステムであって、更に、
前記レイアウトパターンは、前記集積回路または該レチクル上の第３の処理領域に対応する第３のレイアウト領域であって、前記第１のレイアウト領域に関連付けられた前記特定フラグとは異なる第２の特定フラグに関連付けられた第３のレイアウト領域を有し、
前記第２の特定フラグが読み取られた前記第３のレイアウト領域に対応する前記第３の処理領域上で、前記第１の処理とは質的に異なる第３の処理を実行する第２の処理部と
を備えるシステム。
【請求項１５】  集積回路デバイスのためのレチクルを製造する方法であって、
前記レチクルのためのレイアウトパターンの電子表象をレチクル製造システムに提供する工程であって、前記電子表象は、関連付けられた前記レチクルのクリティカル領域に特殊な製造技術が要求されることを前記レチクル製造システムに示すフラグ付きクリティカル領域を有する工程と、
前記電子表象に基づいて前記レチクルを製造する工程であって、前記電子表象の前記フラグ付きクリティカル領域に関連付けられた前記レチクルの前記クリティカル領域は、通常の製造技術とは異なる前記特殊な製造技術によって製造され、前記レチクルの他の領域は前記通常の製造技術によって製造される工程と
を備える方法。
【請求項１６】  前記表象の前記フラグ付きクリティカル領域は、前記レチクル製造システムによって可読なフラグを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  前記フラグ付きクリティカル領域は、ベース表象と共に前記全体のレイアウト表象を構成するシャドウ表象に規定されている請求項１５または１６記載の方法。
【請求項１８】  前記レチクルの前記クリティカル領域は、前記レチクルの他の部分とは異なるパターン形成の設定によって製造される請求項１５ないし１７のいずれか記載の方法。
【請求項１９】  前記パターン形成の設定は電子ビームのサイズを選択する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  更に、前記レチクルの前記クリティカル領域を前記レチクルの他の部分と異なる方法で検査する工程を含む請求項１５ないし１９のいずれか記載の方法。
【請求項２１】  集積回路デバイスのためのレチクルを製造する機能をコンピュータに実現させるためのプログラムであって、
関連付けられた前記レチクルのクリティカル領域に特殊な製造技術が要求されることをレチクル製造システムに示すフラグ付きクリティカル領域を有する電子表象を、前記レチクル製造システムに提供する機能と、
前記電子表象に基づいて前記レチクルを製造する機能であって、前記電子表象の前記フラグ付きクリティカル領域に関連付けられた前記レチクルの前記クリティカル領域は前記特殊な製造技術によって製造され、前記レチクルの他の領域は通常の製造技術によって製造され、前記特殊な製造技術は前記通常の製造技術と異なる機能と
を実現させるためのプログラム。
【請求項２２】  回路層パターンを規定するためのレチクルであって、クリティカル領域に関連付けられた特殊分析領域と、通常領域に関連付けられた通常分析領域とを有するレチクルを検査する方法であって、
前記回路層パターンにおける通常領域およびフラグ付きクリティカル領域を有した電子表象を提供する工程と、
前記レチクルのテストレチクル像を提供する工程と、
前記テストレチクル像の予想パターンを含んだベースライン表象を提供する工程と、
（ｉ）前記レチクルの前記通常分析領域に対応する前記テストレチクル像の領域および前記ベースライン表象の領域が、通常の分析によって比較されると共に、（ii）前記レチクルの前記特殊分析領域に対応する前記テストレチクル像の領域および前記ベースライン表象の領域が、前記通常の分析と異なる特殊な分析によって比較されるように、前記テストレチクル像を前記ベースライン表象と比較する工程と
を備える方法。
【請求項２３】  前記テストレチクル像は電子光学像である請求項２２記載の方法。
【請求項２４】  前記特殊な分析は、前記通常の分析より厳しい基準の閾値によって実行される請求項２２または２３記載の方法。
【請求項２５】  請求項２２ないし２４のいずれかに記載の方法であって、
前記通常の分析は、第１の閾値を使用して、前記テストレチクル像および前記ベースライン表象における対応する形状のエッジ位置を比較し、
前記特殊な分析は、第２の閾値を使用して、前記テストレチクル像および前記ベースライン表象における対応する形状のエッジ位置を比較する方法。
【請求項２６】  前記特殊な分析は、前記テストレチクル像および前記ベースライン表象における対応する形状の線幅を比較する請求項２２ないし２４のいずれか記載の方法。
【請求項２７】  前記対応する形状はゲート電極である請求項２６記載の方法。
【請求項２８】  前記特殊な分析は、前記テストレチクル像および前記ベースライン表象における対応する形状の面積を比較する請求項２２ないし２４のいずれか記載の方法。
【請求項２９】  前記対応する形状はバイアスホールまたはコンタクトホールである請求項２８記載の方法。
【請求項３０】  前記比較する工程は、前記特殊分析領域の特殊パラメータが、前記ベースライン特殊分析領域における関連パラメータの第１の閾値の範囲内であるか否かを決定する工程を備える請求項２２ないし２９のいずれか記載の方法。
【請求項３１】  前記比較する工程は、更に、前記特殊分析領域の通常パラメータが、前記ベースライン通常分析領域における関連パラメータの第２の閾値の範囲内であるか否かを決定する工程を備える請求項３０記載の方法。
【請求項３２】  前記第２の閾値は、前記第１の閾値より大きい値を有する請求項３１記載の方法。
【請求項３３】  前記特殊パラメータは、前記特殊分析領域の平均幅または線幅である請求項３１または３２記載の方法。
【請求項３４】  前記通常パラメータは、前記テスト通常分析領域のエッジ位置である請求項３３記載の方法。
【請求項３５】  前記特殊パラメータは、前記特殊分析領域における形状の面積である請求項３１または３２記載の方法。
【請求項３６】  前記特殊な分析は、前記通常分析と質的に異なるアルゴリズムを実行する請求項２２ないし３５のいずれか記載の方法。
【請求項３７】  前記ベースライン像は、テスト効果を含む前記回路層パターンの表象を描いたものである請求項２２ないし３６のいずれか記載の方法。
【請求項３８】  回路層パターンを規定するためのレチクルであって、クリティカル領域に関連付けられた特殊分析領域と、通常領域に関連付けられた通常分析領域とを有するレチクルを検査する機能をコンピュータに実現させるためのプログラムであって、
前記回路層パターンにおける通常領域およびフラグ付きクリティカル領域を有した電子表象を提供する機能と、
前記レチクルのテストレチクル像を提供する機能と、
前記テストレチクル像の予想パターンを含んだベースライン表象を提供する機能と、
（ｉ）前記レチクルの前記通常分析領域に対応する前記テストレチクル像の領域および前記ベースライン表象の領域が、通常の分析によって比較されると共に、（ｉｉ）前記レチクルの前記特殊分析領域に対応する前記テストレチクル像の領域および前記ベースライン表象の領域が、前記通常の分析と異なる特殊な分析によって比較されるように、前記テストレチクル像を前記ベースライン表象と比較する機能と
を実現させるためのプログラム。