【事件の表示】
　特願２００３−３８７０６０「大面積高均一プラズマ処理方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年６月９日出願公開、特開２００５−１４９９５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月１７日に出願された特願２００３−３８７０６０号であって、平成２２年１月１５日付けで拒絶査定がなされ、本件は、これを不服として平成２２年４月２０日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、その審判請求と同時に手続補正がなされている。
　その後、平成２３年３月１７日付け審尋に対し、回答書が同年５月２３日付けで提出され、さらに、当審において同年８月１９日付けで拒絶理由を通知したところ、同年１０月２４日付けで手続補正書ならびに意見書が提出された。
　
第２　本願発明
　本願に係る発明は、平成２３年１０月２４日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「ＲＦ又はマイクロ波などの１ＭＨｚ以上の高周波電源を用いたプラズマプロセス用装置であって、
　上部に天板を備え、下部にはガス排気系に接続される排気口が設けられた真空チャンバーからなり、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に向け、１系統以上のガス供給系からのプロセスガス種を混合して一つのラインに集中させたプロセスガスを導入するプロセスガス導入用の断面積が２００mm2以下であるガス吹出孔を前記天板の中央部に設け、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の下流域には前記プロセスガスの流れに対して垂直に基板を設置すると共に、真空チャンバー内壁から前記基板までの距離に対するガス吹出孔から基板までの距離の比が０．２以上３以下の幾何学的構造をもつように構成し、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に前記プロセスガスを集中的に導入することによって前記中心部のガス圧を高めて粘性流とし、音速流を形成することによって進行方向に沿って圧力の粗密が縞状になった樽型衝撃波及び垂直衝撃波を発生させ、発生した衝撃波によって基板へのガスの移動を生じさせるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
第３　当審において通知した拒絶理由
１　当審において平成２３年８月１９日付けで通知した拒絶理由のうち、拒絶理由Ａは、本願の明細書の発明の詳細な説明は、本願の請求項１、２に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されておらず、特許法第３６条第４項第１項に規定する実施可能要件に適合していないというものであって、概略、以下の具体的指摘を含むものである。
〈具体的指摘の概要〉
　チャンバー内にガス（プロセスガス）をどのような条件下で導入すれば、当該ガスを「粘性流」として導入することができ、その結果「音速流を形成することによって衝撃波を発生させ」ることができるのかについて、明細書の発明の詳細な説明には、特定条件の一例や特定のガス吹出孔の断面積の場合のエッチング速度分布の不均一性改善の効果が記載されているものの、導入ガスの吹出流量やガス圧力に対して、どのように排気速度やガス吹出孔の断面積を設定すれば、ガスを「粘性流」として導入することができ、その結果「音速流を形成することによって衝撃波を発生させ」ることができるのか、発明の詳細な説明には、十分な記載がなく、当業者は、ガスを「粘性流」として導入し、その結果「音速流を形成することによって衝撃波を発生させ」るために必要とされる具体的手段や条件を理解することができない。
　
２　また、同拒絶理由のうち、拒絶理由Ｂは、本願発明は本願出願前に日本国内において頒布された刊行物１に記載された発明であるから、本願は特許法第２９条第１項第３号の規定により拒絶すべきものであるというものであって、拒絶理由Ｃは、本願発明は本願出願前に日本国内において頒布された刊行物１、２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものであるから、本願は特許法第２９条第２項の規定により拒絶すべきものであり、前記刊行物１、２は以下のとおりである。
〈刊行物１〉国際公開０３／３４４６３号（特表２００５−５０７１５９号公報参照）
〈刊行物２〉特表２００２−５１１９０５号公報
　
第４　意見書（平成２３年１０月２４日付け）の主張
　上記平成２３年８月１９日付け拒絶理由に対し、請求人は手続補正書を提出して特許請求の範囲の記載を補正するとともに、意見書において、
１　本件明細書等の発明の詳細な説明には、出口の断面積２００ｍｍ２以下、総ガス流量３００ｓｃｃｍ、チャンバー内のガス圧０．３６Ｐａ等の必要なプロセス条件について全て開示され、さらに、ガス噴出口断面積が５０ｍｍ２の場合を例示し、そのシミュレーションの実施結果が図３に示されていることから、「プラズマ生成室内には衝撃波が形成されること」は理解できるし、ガス排気系の排気速度等の性能は、総ガス流量とチャンバー内のガス圧の記載から、真空ハンドブックなどの情報や一般知識により十分に設定可能であるから、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は、本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されている旨、及び、
　
２　刊行物１、２に記載の発明のガス噴出口は、いずれも、真空チャンバーの天板の中央部の穴部からプロセスガスを混合して集中的に導入する、という本願発明のガス吹出孔の構成と異なり、中心部のガス圧を高めて粘性流として音速流を形成することにより、進行方向に沿って圧力の粗密が縞状になった衝撃波を発生させ、中心部におけるラジカル濃度を高くして基板直上におけるラジカル分布を均一にできるという作用効果が期待できない上、本願発明は、装置内壁から基板までの距離に対するガス吹出孔から基板までの距離の比を０．２以上３以下とすることにより、十分なガス拡散を得つつ、基板に対して圧力を掛け、処理の均一性が得られるものであるから、本願発明は新規性、進歩性を有する旨、主張する。
　
第５　検討・判断
１　拒絶理由Ａについて
　本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１項の規定に適合するか否か、すなわち、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるか否かについて、本願発明の発明特定事項である、「中心部のガス圧を高めて粘性流とし、音速流を形成することによって進行方向に沿って圧力の粗密が縞状になった樽型衝撃波及び垂直衝撃波を発生させ」るという事項に関し、上記意見書の主張１を踏まえて検討する。
　当該事項に関して、本願明細書の発明の詳細な説明は、段落【００１１】に、「ガス流が分子流から粘性流に設定できるようにガス排気系を構成」する必要があって、「排気速度が低くなればノズル又はガス吹出孔の径を小さくし、排気系が大きくなればノズル又はガス吹出孔の径を大きくできる。」旨を記載し、段落【００２０】に、チャンバーの幾何学的構造を明示することなく、ガス吹出孔の断面積が２００ｍｍ２以下の場合について、チャンバー内に導入する総ガス流量３００ｓｃｃｍ、チャンバー内ガス圧０．３６Ｐａという一例を記載し、段落【００２１】及び【図２】に、ガス吹出孔の断面積が５０ｍｍ２の場合におけるエッチング速度分布の不均一性改善の効果を従来例と比較して記載するとともに、段落【００２２】に、【図３】を示しつつ、従来例に対する優位性を記載するものである。
　しかしながら、本願明細書の発明の詳細な説明には、ガス吹出孔の断面積、チャンバー内に導入するガスの流量、チャンバー内ガス圧に関する具体的条件について、上記記載以上の記載はない。そして、前記具体的条件を維持するためのガス排気系の排気速度が、公開された情報や一般知識によって設定可能であったとしても、その設定された排気速度に応じ、具体的にどのようにガス吹出孔の断面積を定めれば、導入ガスを粘性流とし得るのかについての記載もない。
　そうすると、本願明細書の発明の詳細な説明には、幾何学的構造の明示されないチャンバーを用い、ガス吹出孔の断面積が５０ｍｍ２、チャンバー内への導入総ガス流量３００ｓｃｃｍ、チャンバー内ガス圧０．３６Ｐａである場合に、エッチング速度分布の不均一性が改善される効果が得られることが記載されているにすぎず、当業者といえども、本願明細書の発明の詳細な説明の記載をもって、所与のチャンバー内に、ガスを「粘性流」として導入し、その結果「音速流を形成することによって衝撃波を発生させ」るために、導入ガスの吹出流量やチャンバー内圧力に対してどのようにガス吹出孔の断面積を設定すれば良いか、逆に、ガス吹出孔の断面積に対してどのように導入ガスの吹出流量やチャンバー内圧力を設定すれば良いかについて、必要とされる具体的手段や条件を理解することができない。
　したがって、請求人の主張を勘案しても、本願明細書の発明の詳細な説明が、本願発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
２　拒絶理由Ｂ、Ｃについて
（１）本願出願前に頒布された刊行物
ア　刊行物１
　刊行物１は、国際公開０３／３４４６３号であって、刊行物１には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、邦訳は、対応する公表公報である特表２００５−５０７１５９号公報の記載を採用した。
（１ａ）頁番号１ 行番号４〜９
「
技術分野
（１ｂ）頁番号５ 行番号２３〜頁番号７ 行番号２３
「
発明の要約
　前記ＲＦエネルギ源は、ＲＦアンテナを含み、前記ガス噴射器は、前記プラズマ処理チャンバ内の第１のプラズマ発生領域に向けて前記処理ガスを噴射することができる。前記ガス排気口は、前記ガス噴射器の軸方向の端面に配置され、これによって複数のガス排気口領域を形成する。例えば、前記ガス排気口は,前記基板の露出面に垂直な軸方向に延びる中央ガス排気口（軸上領域）と、前記軸方向に対して鋭角をなして延びる複数の斜軸式ガス排気口（軸外領域）と、を含むことができる。前記噴射器の排気口は、前記基板上方の反応種の均一性を改善するように配置される。単一ガス供給は分割されて、それぞれの噴射領域に供給を行う。
　ガス噴射器は、可変流量制限装置を用いた１つ以上の噴射器の排気口の間に分割され、分離された各ガスラインが異なる噴射領域に供給を行う。可変流量制限装置の設定を独立に変化させることによって、可変サイズのジェットを処理チャンバの軸に対して異なる角度で作り出すために複数の領域を通る流れの比率が変更されうる。軸上及び軸外噴射間のこのバランスは、ノズル先端からの対流の流れの場の下向きの流れ（convective flow field downstream）を決定する。この流れの場は、対流成分及び拡散成分を含むチャンバ内の全ての流れを変更するために使用されうる。その結果、 処理均一性を改善する目的のために、反応種（reactive species）の空間密度の依存性を調節することができる。
　ガス噴射器は、亜音速（subsonic）、音速（sonic）又は超音速（supersonic）で処理ガスを噴射することができる。１つの実施形態では、ガス噴射器は、誘電体ウィンドウの内面と同一平面上にある平面に軸方向端面を含む。別の実施形態では、ガス噴射器は、誘電体ウィンドウに取外し可能に取り付けられ、及び/又は、処理ガスをチャンバの中央領域に供給する。ガス排気口は、様々な構成及び/又は空間配置を持つことができる。例えば、ガス噴射器は閉じた末端を含み、基板の露出面に平行な平面に対して鋭角を成して処理ガスを供給するようにガス排気口が方向付けられうる。ガス噴射器が誘電体ウィンドウの開口部に取外し可能に取り付けられる場合では、少なくとも１個のＯリングがガス噴射器と誘電体ウィンドウとの間で真空シールを提供する。
　本発明はまた、処理チャンバの壁を形成する誘電体部材の内面が基板支持体に面する状態で、該処理チャンバ内の該基板支持体上に基板を配置する工程と、前記処理チャンバ内に処理ガスを供給する複数のガス排気口を有するガス噴射器の末端が前記処理チャンバ内部に露出するように、前記処理チャンバ内に前記誘電体部材を通って延びる該ガス噴射器から処理ガスを供給する工程と、前記ガス排気口の少なくとも１つに対する前記処理ガスの流量は、前記ガス排気口の少なくとも他の１つに対する前記処理ガスの流量とは独立して制御する工程と、前記処理チャンバ内の前記誘電体部材を通してＲＦエネルギ源によって生成されたＲＦエネルギを誘導結合することによって、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にする工程であって、前記処理ガスがプラズマ状態で前記基板の露出面と反応する工程と、を含む基板をプラズマ処理する方法をも提供する。本発明の好適な実施形態によれば、噴射器の排気口の孔は、単一のガス源によって供給される複数のガス供給ラインによって供給される。各供給ラインを通る全ての流れの一部は、例えば、プラズマチャンバの外側に配置されるバルブと絞り部（throttling elements）のネットワーク等の制御バルブ構成を用いて変更されうる。したがって、チャンバ内の流れのパターンは、噴射器内の各噴射領域に対するコンダクタンスの比率を変えることによって調節される。」
（１ｃ）頁番号８ 行番号１５〜頁番号１１ 行番号７
「
好適な実施形態の詳細な説明
　本発明の好適な実施形態によれば、ガス噴射装置は、誘導結合プラズマチャンバに提供される。好適な装置では、ガス噴射器はチャンバの上壁の中央に配置され、１つ以上のガス排気口が処理すべきウェハ又はフラットパネルディスプレイ等の半導体基板の上方のチャンバ内に処理ガスを導く（direct）。本発明に係るガス噴射器は、中央からエッジまでの均一性、エッチング又は成膜の平均的な特性（例えば、クリティカルディメンジョン(CD)、CDバイアス、プロファイル及び／又はプロファイルマイクロローディング（profile microloading））を改善することができる。
…（中略）…
　図１は、本願の譲受人（assignee）であるラムリサーチコーポレーションによって製造された、ＴＣＰ９１００(登録商標)等のプラズマエッチング反応室１０を示す図である。本発明によれば、ガス噴射器は、誘電体ウィンドウを通って延びる開口部に取り付けられる。真空処理チャンバ１０は、静電チャック１６を介して基板１３に静電クランプ力を与えるだけでなくその上に支持される基板へＲＦバイアスを与える基板ホルダ１２と、Ｈｅで裏面冷却される間に基板上方の領域にプラズマを閉じ込めるフォーカスリング１４と、を含む。適当なＲＦ源によってパワーが与えられるアンテナ１８等のチャンバ内で高密度（例えば、１０１１−１０１２ions/cm３）プラズマを維持するためのエネルギ源、及び、これに対応するＲＦインピーダンスマッチング回路１９は、高密度プラズマを提供するためにＲＦエネルギをチャンバ１０内に誘導結合する。チャンバは、所望の圧力(例えば、５０ｍＴｏｒｒ以下、典型的には１−２０ｍＴｏｒｒ以下）にチャンバ内部を維持するために、排気口１５に接続された適当な真空ポンプ装置(不図示)を含む。一定の厚さを持つ実質的に平面な誘電体ウィンドウ２０は、アンテナ１８と処理チャンバ１０の内部との間に提供され、処理チャンバ１０の上に真空壁（vacuum wall）を形成する。ガス噴射器２２は、ウィンドウ２０の開口部に設けられ、処理チャンバ１０にガス供給部２３によって供給される処理ガスを送るための円形の孔（不図示）等の複数のガス排気口を含む。オプションの（optional）円錐又は筒状のライナー３０は、ウィンドウ２０から延びて、基板ホルダ１２を取り囲む。」
（１ｄ）頁番号１２ 行番号１〜頁番号１４ 行番号１３
「図２a−bは、噴射器２２がマルチゾーンガス噴射を提供する本発明の実施の形態を示す図である。本実施形態に示されるように、噴射器２２は、処理ガスが基板表面に垂直な軸方向に供給される第１の領域に処理ガスを供給する軸上噴射排気口２４と、処理ガスが基板に垂直ではない斜め方向に供給される第２の領域に処理ガスを供給する軸外噴射排気口２６と、を含む。両方の領域には、同じ処理ガス（例えば、１つ以上の処理ガスが混合されたガス多岐管からの処理ガス）が供給されうる。例えば、メインガス供給部３２は、Ｔ−コネクタ３４で分割されて、両方の噴射領域に供給を行うことができる。各ラインのガス流を制御するために、異なった噴射領域に供給を行う別々のガスラインの各々に、可変流量制限装置３６ａ、３６ｂ等のフローコントローラ（flow controllers）が配置されうる。装置３６a、３６bは、マニュアルで設定されてもよいし、適当な電子制御によって自動的で操作されてもよい。可変流量制限装置３６ａ、３６ｂの設定を独立に変化させることによって、２つの排気口２４、２６を通る流れの比率を変えることができる。他の実施では、複数の排気口及び可変流量制限バルブ及び／又は固定されたリストリクター（restrictors）とバルブとのネットワークを含み、各噴射領域への全コンダクタンスが１つ以上の予め設定された、動的に制御される値に調整されうる。
　図２aの実施形態では、中央孔２５の延長（continuation）として中央ガス噴射排気口が示されており、これによって孔／排気口２４、２５が干渉計測（interferometry measurements）に使用されうる。例えば、孔２５の上端は、本願に参照により組み込まれる米国特許第６，０５２，１７６に開示されたランプ、分光器、光ファイバ及びレンズ装置等の放射能測定装置２９と通信するように構成されたウィンドウ２７によってシールされる。そのような装置では、軸上排気口は軸外排気口より大きな直径を持ち、例えば、軸上排気口は直径１ｃｍであり、軸外排気口は直径１ｍｍである。図２ｂの実施形態では、軸上排気口は、孔２５より小さい直径を持つ。所望のガス流れ分布（gas flow distribution）を実現するために、軸上排気口と軸外排気口の相対的なサイズを選択することができる。例えば、軸外排気口の総断面積は、軸上排気口の総断面積より少なくても、等しくても、大きくてもよい。
　本発明の実施形態によれば、噴射器は、噴射器のガス通路内でのプラズマ点火を最小限にする導電性のシールドを備えてもよい。噴射器がクォーツ等の非導電性材料で作られる場合では、アンテナによって生じる電界によって噴射器内にプラズマ放電が持続する。噴射器内に生じる反応種によって、噴射器内部で望ましくない成膜又はエッチングが生じるかもしれない。したがって、図２ｃを参照すれば、放電の持続を最小限に抑えるために、噴射器２２が導電性のシールド４０を備えてもよいし、導電性のフィルムでコーティングされてもよい。導電性のシールドは、噴射器の外側表面、例えば、噴射器の側壁に沿って配置されうる。シールドは、噴射器のガス通路内でのプラズマ点火及び/又はプラズマの維持を抑えるために、噴射器内の電界を大幅に低減することができる。図２cに示されるように、導電性のシールド４０は、環状リング又は開放型の筒状ジャケット等の管状の部材として設計されうる。シールドは、噴射器の側面及び/又は上端(例えば、４０')の上に隨意的に（optionally）導電性のコーティングを備えることができる。導電性のジャケット（conducting jacket）は、他の接地された又はＲＦ駆動された導電性表面との近さによって、噴射器内の電界強度を弱めるために、電気的に接地されたりフローティングにされたりしてもよい。
　図３a−cは、噴射器の流れの比率が、ウィンドウ２０の開口部に取り付けられたガス噴射器２２を含む誘導結合プラズマ反応室内の反応種の密度に及ぼす影響を示す図である（反応物の密度曲線の増加方向は矢印Ａによって示され、生成物質の密度曲線の増加方向は矢印Ｂによって示される）。図３aでは、流量制限装置(不図示)は、ガス供給の大部分が軸上排気口を通るように設定される。図３bでは、流量制限装置(不図示)は、ガス供給の大部分が軸外排気口を通るように設定される。図３cでは、軸上排気口及び軸外排気口を通る供給ガスの流れの比率は、反応物（reactant）と生成反応種（product reactive species）の両方に対して、平坦な密度曲線を作り出すように調整される。これらの図は、噴射流れ分布（injection flow distribution）とプラズマ生成/密度プロファイルとの間の相互作用を説明するものではない。反応物利用率（reactant utilization）の影響も示されていない。このような相互作用が存在することによって、基板上方のプラズマ及び反応性の中性粒子（reactive neutral）密度のプロファイルに影響を与えうると仮定することも妥当である。１つ以上のプラズマ及び反応種の均一性を最適化するように噴射器の排気口を通る流れの比率が選択されうる。
　好適な実施の形態によれば、ガス噴射器は、単一の軸上排気口及び複数の軸外排気口(例えば、３つの排気口が１２０°離れて配置され、４つの排気口が９０°離れて配置される等)を含む。排気口装置は、ポリシリコンエッチングプロセス又はアルミニウムエッチングプロセスに役に立つ。例えば、軸外排気口は、４５°離れて配置され、軸の端部の外側周辺部から延びるテーパ状の側面上に配置されうる。軸外の角度は、軸方向に対して鋭角、直角又は鈍角を成しうる。軸外排気口の好適な角度は、軸方向に対して１０〜９０°、より好適には１０〜６０°である。」
（１ｅ）頁番号１６ 行番号４〜２０
「チャンバへ処理ガスを供給するガス供給部は、上述のガス噴射器を含む。処理ガスは、反応ガス及びアルゴン等の随意的なキャリアガスを含む。小さい孔（orifice）のサイズとガス排気口の数によって、ガス噴射器とチャンバ内部との間に大きな圧力差が作り出されうる。例えば、ガス噴射器を１Torrを超える圧力で用い、チャンバ内部を約１０mTorrの圧力で用いると、その圧力差は約１００：１である。これによって、ガス排気口にチョークドソニックフロー（choked、sonic flow）をもたらす。必要があれば、各排気口で超音速の流れを供給するように、ガス排気口の内側の孔の形状が付けられうる。
　音速で処理ガスを注入することによってプラズマがガス排気口に入り込むことを防止する。ドープされた又はノンドープの二酸化シリコン等の材料の成膜の場合では、このような設計は、SiH４等のプラズマで分解されるガスがチャンバの内部から噴射器に入るのを防止する。これによって、その後にガス排気口内にアモルファスシリコンの残留物が形成されることを防止することができる。本実施形態に係るプラズマ処理システムによって、基板上方にシリコンを含む処理ガスを終結させ、処理ガスを基板の特定の領域に優先的に方向付けることによって、従来のガス分配システムに比べて、基板上での成膜速度が増大し均一性が改善されうる。」
（１ｆ）FIG.１、FIG.２ａ〜２ｃ、FIG.３ａ〜３ｃ
　図１
　図２
　図３
　これらの記載事項からして、刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「ＲＦアンテナを含むＲＦエネルギ源によってＲＦエネルギとプラズマ処理チャンバ内の処理ガスを誘導結合することにより、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして基板を処理するプラズマ処理システムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、上壁となる誘電体ウィンドウと、
前記プラズマ処理チャンバの底部の排気口に接続されて所望の圧力にチャンバ内部を維持するために真空ポンプと、
前記プラズマ処理チャンバの内部に、その上で基板が処理される基板支持体を具備するものであり、
前記誘電体ウィンドウの中央の開口部には、前記処理ガスを前記プラズマ処理チャンバの中央領域に供給するガス噴射器が、前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が晒されるように、誘電体ウィンドウの内面と同一平面上にある平面に軸方向端面を含むように設けられ、
前記ガス噴射器は、前記処理ガスを前記基板表面に垂直な軸方向の第１の領域に供給する軸上噴射排気口と、処理ガスを基板に垂直ではない斜め方向の第２の領域に供給する軸外噴射排気口とを含み、前記軸上噴射排気口は直径１ｃｍ、前記軸外噴射排気口は直径１ｍｍであり、各噴射排気口で超音速の流れを供給するように、前記各噴射排気口の内側の孔が形状付けられて、１つ以上の処理ガスが混合された同じ前記処理ガスを、亜音速、音速又は超音速で噴射することができ、前記軸上噴射排気口及び前記軸外噴射排気口を通る供給ガスの流れの比率は、１つ以上のプラズマ及び反応種の均一性を最適化するように選択されるものである、
プラズマ処理システム。」
　
イ　刊行物２
　刊行物２は、特表２００２−５１１９０５号公報であって、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２ａ）第６頁第９〜１２行
「発明の分野
  本発明は、プラズマ処理システムにおいて、基板に反応物を供給するシステムと方法に関する。より具体的には、本発明は、処理の均一性を最大化させるためにガス噴射システムを介して反応物を供給するシステムと方法に関する。」
（２ｂ）第１９頁第２０行〜第２０頁第１３行
「基板の中心部近くの蒸着速度を大きく低下させずに基板周辺近くの蒸着速度を増大するための論理的基礎が、次の説明から理解される。一般に、音速ノズルからのフリージェット膨張は、連続した流れの限界部で生じ、結果的にバレル状の衝撃／マッハのディスク構造の形成（a barrel shock/Mach disk structure）によって、制限された膨張を行うことになる。そのような制限された膨張に関して、比較的少数の噴射器で基板上で一様なフラックス分布を達成できるとは誰も予想しなかったであろう。しかし、本発明によれば、ジェットの密度とチャンバ雰囲気は非常に低く、ジェットは急速に遊離分子流領域（free molecular flow regime）まで移行することになる。
　遊離分子流領域では、ジェットは非常に稀薄なために衝撃構造は確立されず、ジェットは単に、効果的に固定された（一定の）温度と速度で、プランドル−メイヤー膨張（Prandtl-Meyer expansion)として膨張するだけである。図４は、噴射器からのガスジェットの例示的な流線を示している。図４を参照すると、膨張では、流線は点状ソースから放射されているように見える。密度は、ソースからの距離の逆自乗に比例して各流線に沿って減少しており、流線から流線への密度の（極角度Θでの）変化は、極座標Ｒからほぼ独立している。従って、例えば、０．０２０インチの直径のオリフィスを有する１６個の噴射器からの２００ｓｃｃｍのＳｉＨ4の例示的な流量、１０mTorrのチャンバ圧力、３．９Torrのガスリング圧力において、円錐状の膨張の全包摂角は約１５０度である。この膨張は、発散角度が小さく、純粋な噴き出し流によくあるコサイン分布よりも更に平行にされている。」
　
（２）本願発明と引用発明の対比
ア　ＲＦエネルギと処理ガスの誘導結合を利用するプラズマ処理装置において用いられる高周波が１ＭＨｚ以上であることは当業者の技術常識に属する事項であるから、引用発明の「ＲＦアンテナを含むＲＦエネルギ源によってＲＦエネルギとプラズマ処理チャンバ内の処理ガスを誘導結合することにより、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして基板を処理するプラズマ処理システム」が、本願発明の「ＲＦ又はマイクロ波などの１ＭＨｚ以上の高周波電源を用いたプラズマプロセス用装置」に相当する。
イ　引用発明の「プラズマ処理チャンバ」、「上壁となる誘電体ウィンドウ」及び「底部の排気口に接続されて所望の圧力にチャンバ内部を維持するために真空ポンプ」が、それぞれ、本願発明の「真空チャンバー」、「天板」及び「ガス排気系に接続される排気口」に相当する。
ウ　引用発明の「ガス噴射器」は、「誘電体ウィンドウの中央の開口部」、すなわち、上壁の中央に設けられ、「処理ガスを前記プラズマ処理チャンバの中央領域に供給する」ものであって、「１つ以上の処理ガスが混合された」「前記処理ガスを」「噴射する」ものであるから、当該ガス噴射器に関する事項は、本願発明の「真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に向け、１系統以上のガス供給系からのプロセスガス種を混合して一つのラインに集中させたプロセスガスを導入するプロセスガス導入用の」「ガス吹出孔を前記天板の中央部に設け」るという事項と一致する。
エ　引用発明の「ガス噴射器」の噴射排気口の断面積が、本願発明の「プロセスガス導入用の断面積」に相当するといえるから、両者の断面積について検討すると、引用発明の「軸上噴射排気口は直径１ｃｍ」、「軸外噴射排気口は直径１ｍｍ」であって、それぞれの断面積は約７８．５ｍｍ２、０．７９ｍｍ２であり、刊行物１に記載された複数の軸外（噴射）排気口の好適な実施の形態として記載された「４５°離れて配置され」た態様（上記刊行物１の（１ｄ）の摘記参照）の場合でも、引用発明の前記「ガス噴射器」の噴射排気口の総断面積は約８５ｍｍ２であるから、本願発明と引用発明は、「プロセスガス導入用の断面積が２００mm2以下」である点で一致する。
オ　引用発明は、「プラズマ処理チャンバの内部に、その上で基板が処理される基板支持体を具備」し、「誘電体ウィンドウの中央の開口部」に設けられた「ガス噴射器」の、「処理ガスを前記基板表面に垂直な軸方向の第１の領域に供給する軸上噴射排気口と、処理ガスを基板に垂直ではない斜め方向の第２の領域に供給する軸外噴射排気口」から、「処理ガスを」、「音速」「で噴射することができ」るものであることからして、本願発明と引用発明は、「真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の下流域にガスの流れに対して基板を設置し、前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に前記プロセスガスを音速流で導入するよう構成した」点で一致しているといえる。
　
　以上から、本願発明と引用発明は、
「ＲＦの１ＭＨｚ以上の高周波電源を用いたプラズマプロセス用装置であって、
 上部に天板を備え、下部にはガス排気系に接続される排気口が設けられた真空チャンバーからなり、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に向け、１系統以上のガス供給系からのプロセスガス種を混合して一つのラインに集中させたプロセスガスを導入するプロセスガス導入用の断面積が２００mm2以下であるガス吹出孔を前記天板の中央部に設け、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の下流域にはガスの流れに対して基板を設置し、
　前記真空チャンバー内上部のプラズマが生成される放電空間の中心部に前記プロセスガスを音速流で導入するよう構成したプラズマ処理装置。」である点で一致し、
 以下の点で相違するといえる。
〈相違点１〉
　本願発明は、「真空チャンバー内壁から前記基板までの距離に対するガス吹出孔から基板までの距離の比が０．２以上３以下の幾何学的構造をもつように構成」しているのに対し、引用発明は上記距離の比について特定されていない点。
〈相違点２〉
　本願発明は、プロセスガスの流れに対し、基板が「垂直に」設置され、前記プロセスガスを、「放電空間の中心部に」「集中的に」導入することにより、「中心部のガス圧を高めて粘性流とし、音速流を形成することによって衝撃波を発生させ、発生した衝撃波によって基板へのガスの移動を生じさせるように構成」しているのに対し、引用発明はプロセスガスの流れに対して基板を設置し、前記プロセスガスを音速流で導入するといえるものの、基板が前記流れに対して垂直であって、プロセスガスを、放電空間の中心部に集中的に導入することにより、粘性流とし、衝撃波を発生させ、発生した衝撃波によって基板へのガスの移動を生じさせることについて特定がない点。
　
（３）相違点の検討
ア　相違点１について
　刊行物１のFIG.１、3a〜3c、及び、プラズマ処理装置に関する技術常識に照らせば、刊行物１の真空チャンバー内壁から前記基板までの距離に対するガス吹出孔から基板までの距離の比が０．２以上３以下の範囲に属することは明らかであり、相違点１は実質的な相違点ではない、もしくは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　
イ　相違点２について
　引用発明のガス噴射器に設けられている噴射排気口は、「軸上噴射排気口及び軸外噴射排気口を通る供給ガスの流れの比率は、１つ以上のプラズマ及び反応種の均一性を最適化するように選択されるもの」であり、刊行物１には、軸上噴射排気口のみから処理ガス、すなわちプロセスガスを供給する態様や、プロセスガスを基板の特定の領域に優先的に方向付けることについても記載されている（特に上記刊行物１の（１ｄ）、（１ｅ）の摘記、fig３ａ参照）。
　そうすると、軸上噴射排気口のみから処理ガスを供給する態様においては、引用発明の基板は、処理ガスの流れに対して垂直に配置され、処理ガスが放電空間の中心部に集中的に導入されることは明らかである。
　そして、刊行物２に記載されている（上記刊行物２の（２ｂ）の摘記参照）ように、プラズマ処理チャンバー内に、プロセスガス噴出ノズルからプロセスガスを音速で供給した場合、噴出ノズル近傍で衝撃波（マッハディスク）が形成され、その後急速に分子流に移行することは、本願出願前当業者に公知の事項であり、軸上噴射口からプロセスガスを音速流で導入する引用発明においても、軸上噴出口から導入されたガスは粘性流として噴出され、衝撃波を発生せしめているといえる。
　一方、本願明細書の発明の詳細な説明には、ガスを「粘性流」として導入し、その結果「音速流を形成することによって衝撃波を発生させ」るために必要とされる具体的手段や条件については何ら記載がなく、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、その具体的手段や条件を当業者が理解できる程度に記載したものでないことは、上記「１　拒絶理由Ａについて」で述べたとおりであるから、上記相違点２に係る本願発明の構成が、軸上噴出口からプロセスガスを音速流で導入するという引用発明の構成と格別相違するものであると解すべき根拠もない。
　してみると、上記相違点２に係る構成は、引用発明が実質的に内包している構成である、もしくは、刊行物２に記載された当業者に公知の事項に基いて、当業者が容易に得ることができる構成にすぎない。
 　 
（４）小括
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用発明である、もしくは、引用発明および刊行物２に記載されている事項に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の明細書の発明の詳細な説明は、本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないとともに、本願発明は、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物１に記載された発明である、もしくは、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物１、２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本願は、特許法第３６条第４項第１項の規定、及び、同法第２９条第１項第３号、もしくは、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。