【手続補正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ブースト回路であって、
出力と、
上記出力をプリチャージレベルまでプリチャージするのに適合した、上記出力に接続されているプリチャージ回路と、
上記出力に接続されている第１の端子、及び第２の端子を有する第１のキャパシタと、
上記第１のキャパシタの第２の端子に接続され、上記第１のキャパシタの第２の端子を第１の電圧源に結合する第１の状態、上記第１のキャパシタの第２の端子を第２の電圧源に結合する第２の状態、及び上記第１のキャパシタの第２の端子を浮動にする第３の状態を限定する第１の回路と、
第１の端子と第２の端子を有する第２のキャパシタと、
上記第２のキャパシタの上記第１の端子に接続された第２の回路と、
を備え、
時間遅延が、上記第１の回路の第１のブースティング動作の第１の開始と、上記第２の回路の第２のブースティング動作の第２の開始とを分離しており、
上記第１の回路は、上記第１のブースティング動作が上記出力を上記プリチャージレベルから第１の電圧レベルへブーストするように動作可能であり、上記第２の回路は、上記第２のブースティング動作が上記出力を上記第１の電圧レベルから、上記第１の電圧レベルより大きな第２の電圧レベルへブーストするように動作可能であり、
上記第１の回路は、上記第１の回路を上記出力から分離するように、上記第２のブスティング動作の開始時に上記第３状態にスイッチするように動作可能であり、且つ、
上記第２の端子は上記出力に接続されていることを特徴とするブースト回路。
【請求項２】  上記第１の電圧源及び上記第２の電圧源の一方が接地されていることを特徴とする請求項１に記載のブースト回路。
【請求項３】  上記プリチャージ回路は、
少なくとも、上記出力に結合されている第１のスイッチング端子、及び上記第１の電圧源及び上記第２の電圧源の一方に結合される第２のスイッチング端子を有するスイッチング回路
を含むことを特徴とする請求項１に記載のブースト回路。
【請求項４】  上記第１のキャパシタの第１の端子は、第１の信号及び第２の信号の少なくとも一方に応答して上記第１の状態、第２の状態、及び第３の状態の間でスイッチすることを特徴とする請求項１に記載のブースト回路。
【請求項５】  上記第１のキャパシタの第１の端子は、上記第１の信号及び第２の信号の両方に応答して上記第１の状態へスイッチすることを特徴とする請求項４に記載のブースト回路。
【請求項６】  上記第１のキャパシタの第１の端子は、上記第１の信号に応答して上記第２の状態へスイッチすることを特徴とする請求項４に記載のブースト回路。
【請求項７】  上記第１のキャパシタの第１の端子は、上記第１の信号及び第２の信号の両方に応答して上記第３の状態へスイッチすることを特徴とする請求項４に記載のブースト回路。
【請求項８】  更に、ブースト回路を有し、上記ブースト回路は上記基板上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のブースト回路。
【請求項９】  集積回路デバイスであって、
基板と、
上記基板上にある、メモリセルを有するメモリアレイと、
上記メモリアレイにあるメモリセルに接続された複数のワードラインと、
請求項１乃至７の何れかに記載されたブースト回路と、
を有し、
前記ブースト回路は、上記基板上に設けられ、且つ、上記出力は、複数のワードラインドライバーの１つ以上に接続可能であることを特徴とする集積回路デバイス。
【請求項１０】  ブースト回路のエネルギー消費を減少する方法であって、
上記ブースト回路は、
第１の端子と、出力に接続された第２の端子を有する第１のキャパシタと、
上記第１のキャパシタの上記第１の端子に接続され、第１の状態、第２の状態、及び第３の状態を規定する第１の回路とを有し、
上記第１の状態において、上記第１のキャパシタの第１の端子は第１の電源に接続され、上記第２の状態において、上記第１のキャパシタの第１の端子は第２の電源に接続され、且つ、上記第３の状態において、上記第１のキャパシタの第１の端子は浮動であり、且つ
第１の端子と、上記出力に接続された第２の端子を有する第２のキャパシタと、
上記第２のキャパシタの第１の端子に接続された第２の回路とを有し、
上記方法は、
上記出力をプリチャージレベルにプリチャージするステップと、
上記第１の回路の第１のブースティング動作の第１の開始と、上記第２の回路の第２のブースティング動作の第２の開始を分ける時間遅延を与えるステップと、
上記プリチャージレベルから第１の電圧レベルへ上記出力をブーストするために、上記第１の回路の第１のブースティング動作を行うステップと、
上記第１の電圧レベルから、上記第１の電圧レベルより大きな第２の電圧レベルへ上記出力をブーストするために、上記第２の回路の第２のブースティング動作を行うステップと、
上記第１の回路を上記出力から分離するように、上記第２のブースティング動作の開始時に、上記第１の回路を上記第３の状態にスイッチングするステップと、
を有する方法。
【請求項１１】  ノード充電回路であって、
出力と、
出力ノードを有するスイッチ回路と、
上記スイッチ回路の上記出力ノードに結合されているゲート、上記出力に結合されている第１の端子、及び電圧源、電流源、及び接地の１つに結合される第２の端子を有するトランジスタと、
を備え、
上記ノード充電回路は、ａ）上記出力を電圧源、電流源、及び接地の１つに結合する第１のモード、及びｂ）上記出力を浮動にする第２のモードを有している
ことを特徴とするノード充電回路。
【請求項１２】  上記スイッチ回路は、
ゲート、第１の端子、及び上記スイッチ回路の出力ノードに結合されている第２の端子を有するｐチャンネルトランジスタと、
上記ｐチャンネルトランジスタのゲートに結合されているゲート、第１の端子、及び上記スイッチ回路の出力ノードに結合されている第２の端子を有するｎチャンネルトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のノード充電回路。
【請求項１３】  上記ｐチャンネルトランジスタの第１の端子は、上記出力に結合されていることを特徴とする請求項１２に記載のノード充電回路。
【請求項１４】  上記スイッチ回路は、
ゲート、第１の端子、及び上記スイッチ回路の出力ノードに結合されている第２の端子を有するｎチャンネルトランジスタと、
上記ｎチャンネルトランジスタのゲートに結合されているゲート、第１の端子、及び上記スイッチ回路の出力ノードに結合されている第２の端子を有するｐチャンネルトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のノード充電回路。
【請求項１５】  上記ｐチャンネルトランジスタは、ゲート、上記ｐチャンネルトランジスタの上記第２の端子に結合されている第１の端子、及び上記スイッチ回路の上記出力ノードに結合されている第２の端子を有するパストランジスタを通して上記スイッチ回路の出力ノードに結合されていることを特徴とする請求項１４に記載のノード充電回路。
【請求項１６】  上記ｎチャンネルトランジスタの第１の端子は、上記出力に結合されていることを特徴とする請求項１４に記載のノード充電回路。
【請求項１７】  ブースト回路であって、
出力と、
上記出力に接続され、上記出力を電圧源、電流源、及び接地の１つに結合する第１のモード、及び上記出力を第１の浮動電圧にする第２のモードを有する第１のプリチャージ回路と、
第１の端子、及び上記出力に接続されている第２の端子を有するダイオードと、
上記ダイオードの第１の端子に接続され、上記ダイオードの第１の端子を電圧源、電流源、及び接地の１つに結合する第１のモード、及び上記ダイオードの第１の端子を第２の浮動電圧にする第２のモードを有する第２のプリチャージ回路と、
上記ダイオードの第１の端子に接続されている第１の端子、及び第２の端子を有する第１のキャパシタと、
上記第１のキャパシタの第２の端子に結合されている第１のブースト回路と、
上記出力に接続されている第１の端子、及び第２の端子を有する第２のキャパシタと、
上記第２のキャパシタの第２の端子に結合されている第２のブースト回路と、
を備えていることを特徴とするブースト回路。
【請求項１８】  ブースト回路を動作させる方法であって、
出力に接続されているダイオードの第１の端子をプリチャージするステップと、
次に、上記ダイオードの第２の端子をプリチャージするステップと、
上記ダイオードの第１の端子を浮動にするステップと、
上記ダイオードの第２の端子を浮動にするステップと、
上記ダイオードの第１の端子をブーストするステップと、
次に、上記ダイオードの第２の端子をブーストするステップと、
を含むことを特徴とする方法。