【手続補正書】
【提出日】平成18年1月31日(2006.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の電気特性の測定方法であって、
刺激エネルギー源を用いて前記集積回路の所定の領域を刺激することによって、前記集積回路内へテスト信号を注入するステップと、
検出器を用いて、前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出するステップと、
前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記電気作用の前記検出を、電気的に無負荷な方法で行なう請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テスト信号の前記注入を、前記刺激エネルギー源を前記集積回路の前記所定の被刺激領域と機械的に接触させることなく行なう請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される電磁放射のビームを用いて刺激する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される荷電粒子のビームを用いて刺激する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記回路内へ注入される前記テスト信号を、前記集積回路内に配置される信号コンディショニング・デバイスを用いてコンディショニングする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記注入の前に、前記集積回路を、ウェハ上で位置確認して、前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して所定の方法で位置づける請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記集積回路を前記ウェハ上で位置確認することを、前記ウェハの画像を使用し前記画像の光学的パターン認識分析を実行することによって行なう請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記集積回路を前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して位置づけることを、機械的ステージを用いて行なう請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記注入の前に、前記集積回路に電力を供給する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記集積回路に前記電力を供給することを、前記回路内に受光器を配置して前記受光器をエネルギー・ビームを用いて照射することによって行なう請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記集積回路に前記電力を供給することを、前記集積回路内に配置された少なくとも１つの導電性パッドとはめ合う少なくとも１つの機械的プローブを用いて行なう請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記注入を、前記集積回路の金属層を堆積した後に行なう請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記集積回路についてパラメータ測定を行なうステップと、前記パラメータ測定の結果を用いて前記集積回路の特性を決定するステップとをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの非時間分解検出を用いて行なう請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの時間分解検出を用いて行なう請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路のレーザ・ビーム・プロービングを用いて行なう請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路内に配置された少なくとも１つの導電性パッドとはめ合う少なくとも１つの機械的プローブを用いて行なう請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路の電子ビーム・プロービングを用いて行なう請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための刺激エネルギー源と、
前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも１つに向けて電力を供給する電源と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出する検出器と、を備え、
前記電気作用は、前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも１つのスイッチングを含み、前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定する装置。
【請求項２１】
前記検出器が、前記集積回路内の前記電気作用を電気的に無負荷な方法で検出するように動作する請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記刺激エネルギー源が、前記集積回路の前記所定の被刺激領域との機械的な接触を設けることなく前記テスト信号を注入するように動作する請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記刺激エネルギー源が、前記集積回路の前記所定の領域を、電磁放射のビームを前記所定の領域上へ送ることによって刺激する請求項２０に記載の装置。
【請求項２４】
前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される荷電粒子のビームを用いて刺激する請求項２０に記載の装置。
【請求項２５】
前記回路内へ注入される前記テスト信号を、前記集積回路内に配置される信号コンディショニング・デバイスを用いてコンディショニングする請求項２０に記載の装置。
【請求項２６】
前記注入の前に、前記集積回路を、ウェハ上で位置確認して、前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して所定の方法で位置づける請求項２０に記載の装置。
【請求項２７】
前記集積回路を前記ウェハ上で位置確認することを、前記ウェハの画像を使用し前記画像の光学的パターン認識分析を実行することによって行なう請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記集積回路を前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して位置づけることを、機械的ステージを用いて行なう請求項２６に記載の装置。
【請求項２９】
前記注入の前に、前記集積回路に電力を供給する請求項２０に記載の装置。
【請求項３０】
前記集積回路に前記電力を供給することを、前記回路内に受光器を配置して前記受光器をエネルギー・ビームを用いて照射することによって行なう請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記集積回路に前記電力を供給することを、前記集積回路内に配置された少なくとも１つの導電性パッドとはめ合う少なくとも１つの機械的プローブを用いて行なう請求項２９に記載の装置。
【請求項３２】
前記注入を、前記集積回路の金属層を堆積した後に行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３３】
前記集積回路についてパラメータ測定を行なうためのセットアップをさらに備え、前記パラメータ測定の結果を用いて前記集積回路の特性を決定する請求項２０に記載の装置。
【請求項３４】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの非時間分解検出を用いて行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３５】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの時間分解検出を用いて行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３６】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路のレーザ・ビーム・プロービングを用いて行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３７】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路内に配置された少なくとも１つの導電性パッドとはめ合う少なくとも１つの機械的プローブを用いて行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３８】
前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路の電子ビーム・プロービングを用いて行なう請求項２０に記載の装置。
【請求項３９】
所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための刺激エネルギー源と、
前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも１つに向けて電力を供給する電源と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出する検出器と、を備え、
検出された前記電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するための処理ユニットと
を備え、
前記電気作用は、前記集積回路の電子コンポーネントの少なくとも１つのスイッチングを含み、前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定する装置。
【請求項４０】
所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定するための装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための手段と、
前記集積回路に電力を供給するための手段と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出するための手段と、
検出された前記電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するための手段と
を備え、
前記電気作用は前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも１つのスイッチングを含む
ことを特徴とする装置。