【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  データ記憶媒体であって、
１種以上のプラスチック樹脂部分を含む基板と、
上記基板上の１以上のデータ層であって、少なくとも１つのエネルギ場によって、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができるデータ層と
を備え、上記エネルギ場が当該記憶媒体に接する際にエネルギ場が上記基板に入射する前にデータ層に入射する、記憶媒体。
【請求項２】  データ記憶媒体であって、
１種以上のプラスチック樹脂部分を含む基板と、
上記プラスチック樹脂部分上に配設された１以上のデータ層であって、少なくとも１つのエネルギ場によって、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができるデータ層と
を備え、上記エネルギ場が、電場、磁場及び光学場のうちの少なくともいずれかからなる、記憶媒体。
【請求項３】  データ記憶媒体であって、
上面と底面を有する基板と、
上面と底面の各々に配設された１種以上のプラスチック樹脂部分と
上面と底面の各々の上のプラスチック樹脂部分のうちの少なくともいずれかの上に配設された１以上のデータ層であって、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができるデータ層と
を備え、上記エネルギ場が、電場、磁場及び光学場のうちの少なくともいずれかからなる、記憶媒体。
【請求項４】  データ記憶媒体であって、
１種以上のプラスチック樹脂部分を含む基板と、
上記基板上に配設された１以上のデータ層と
を備え、衝撃又は振動励起下での基板の軸方向変位のピークが約５００μ未満である、記憶媒体。
【請求項５】  データ記憶媒体であって、
ａ）１種以上のプラスチック樹脂部分とコアとを有する基板であって、コアの厚さが変化する基板と、
ｂ）上記基板上に配設された１以上のデータ層と
を備える記憶媒体。
【請求項６】  ピット、溝、エッジ特徴、凹凸及びこれらの１以上を含む組合せからなる群から選択される表面特徴をさらに有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項７】  前記表面特徴が、オリジナルマスタの９０％超の複製率を有する、請求項６記載の記憶媒体。
【請求項８】  前記基板のエッジリフト高さが約８ミクロン未満である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項９】  衝撃又は振動励起下での基板の軸方向変位のピークが約５００μ未満である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１０】  前記基板の慣性モーメントが約５．５×１０-3スラグ−平方インチ以下である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１１】  前記基板が１°以下のチルトを有し、該チルトがラジアルチルト及びタンジェンシャルチルトからなる群から選択される、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１２】  相対湿度８５％及び８０℃の試験条件下で平衡状態で４週間経過した後の前記基板の水分量の変化が約０．５％未満である、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１３】  前記基板が、温度２４℃で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１４】  前記基板が約２５０Ｈｚを超える共振周波数を有する、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１５】  前記基板が約１．５未満の比重を有する、請求項１乃至請求項１４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１６】  前記基板が金属コアを含み、該コアの少なくとも片面の少なくとも一部にプラスチックフィルムが配設されている、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１７】  前記プラスチック樹脂部分が、熱硬化性樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、エチレン−酢酸ビニル、ポリビニルアセテート、液晶ポリマー、エチレンテトラフルオロエチレン、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロン、部分水素化ポリスチレン、ポリ（シクロヘキシルエチレン）、ポリ（スチレン−コ−アクリロニトリル）、ポリ（スチレン−コ−無水マレイン酸）、並びにこれらの樹脂の１種以上を含むブレンド、複合体、混合物、反応生成物及び共重合体からなる群から選択される樹脂を含む、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１８】  前記プラスチック樹脂部分が、加硫ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、ポリエーテルゴム、イソブチレン−イソプレン共重合体、イソシアネートゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリスルフィドゴム、フッ素ゴム、ブロック共重合体、熱可塑性エラストマー材料、ポリウレタン、並びにこれらの材料の１種以上を含む組合せからなる群から選択される１種以上の材料をさらに含む、請求項１乃至請求項１７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１９】  前記基板が、金属、ガラス、セラミック、並びにこれらの材料の１種以上を含む合金、複合体及び組合せからなる群から選択される材料をさらに含む、請求項１乃至請求項１８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２０】  繊維、ウィスカー、フィブリル、粒状物、ナノチューブ、並びにこれらの補強材の１種以上を含む組合せからなる群から選択される補強材であって、金属、鉱物、プラスチック、セラミック、ガラス又はこれらの組合せからなる補強材をさらに含む  請求項１乃至請求項１９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２１】  前記基板の表面粗さが約１０Å未満である、請求項１乃至請求項２０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２２】  前記基板が、凹状、凸状、テーパ状又はこれらの組合せからなる群から選択される幾何形状を有するコアをさらに備える、請求項１乃至請求項２１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２３】  前記基板が、該基板の外径と略等しい外径を有するコアをさらに備える、請求項１乃至請求項２２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２４】  前記基板が、該基板のデータ層とは反対側の面に取り付けられた複数の部分からなるインサートをさらに備える、請求項１乃至請求項２３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２５】  前記基板が動作周波数よりも大きい第１のモード周波数を有する、請求項１乃至請求項２４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２６】  前記基板が動作周波数よりも小さい唯一のモード周波数を有する、請求項１乃至請求項２５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２７】  前記基板が第１の動作周波数より大きい第１のモード周波数及び第２の動作周波数を有する、請求項１乃至請求項２６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２８】  前記プラスチック樹脂部分が、コアの少なくとも一部の上に配設されたフィルムである、請求項１乃至請求項２７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２９】  前記コアが、金属、セラミック、ガラス、カーボン、並びにこれらの１種以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項２８記載の記憶媒体。
【請求項３０】  前記フィルムが約５０μ以下の厚さを有する、請求項２９記載の記憶媒体。
【請求項３１】  前記基板が約２５０ｋｐｓｉ以上の曲げ弾性率を有する、請求項１乃至請求項３０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３２】  前記基板が、第１のモード周波数を動作周波数外にする比重及び曲げ弾性率を有する、請求項１乃至請求項３１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３３】  前記基板が約７０ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１乃至請求項３２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３４】  前記基板が約２００ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１乃至請求項３３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３５】  １種以上のプラスチック樹脂部分を含む当該記憶媒体のヘッドスラップ特性が、１種以上のプラスチック樹脂部分を含まない金属基板の記憶媒体と実質的に等しい、請求項１乃至請求項３４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３６】  前記プラスチック樹脂部分がスピンコートフィルムからなる、請求項１乃至請求項３５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３７】  前記プラスチック樹脂部分が、エンボス処理された表面特徴を含む１種以上の熱硬化性樹脂からなる、請求項１乃至請求項３６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３８】  前記プラスチック樹脂部分が１種以上の熱硬化性樹脂からなり、該１種以上の熱硬化性樹脂に表面特徴をエンボス処理するプロセスで該熱硬化性樹脂が少なくとも部分的に硬化する、請求項１乃至請求項３７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３９】  請求項１乃至請求項３８のいずれか１項記載の記憶媒体の使用方法。
【請求項４０】  プラスチック樹脂部分を含む基板の製造方法であって、所望のピットと溝を有し、オリジナルマスタの約９０％以上のピット／溝複製率を有する基板をその場で製造することを含む方法。
【請求項４１】  当該方法が、射出成形又は射出成形−圧縮成形からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】  基板をエンボス処理する方法であって、当該方法が、
第一の基板を基板表面のガラス転移温度よりも高い温度に加熱し、
上記基板表面のガラス転移温度よりも低い金型温度にモールドを予熱及び保温し、
加熱した基板を、予熱した金型に導入し、
金型内で加熱基板を圧縮し、
圧縮した基板を冷却し、
冷却した基板を金型から取り出す
を含み、衝撃又は振動励起下での上記基板の軸方向変位のピークが約５００μ未満である、方法。
【請求項４３】  基板をエンボス処理する方法であって、当該方法が、
第一の基板を基板表面のガラス転移温度よりも高い温度に加熱し、
上記基板表面のガラス転移温度よりも最大３０℃高い金型温度にモールドを予熱し、
加熱した基板を、予熱した金型に導入し、
金型内で加熱基板を圧縮し、
圧縮した基板を冷却し、
冷却した基板を金型から取り出す
を含み、衝撃又は振動励起下での上記基板の軸方向変位のピークが約５００μ未満である、方法。
【請求項４４】  圧縮した基板を、基板表面のガラス転移温度よりも低い温度に冷却する、請求項４３記載の方法。
【請求項４５】  前記金型を、基板表面のガラス転移温度よりも低い温度に冷却する、請求項４３又は請求項４４項記載の方法。
【請求項４６】  前記金型温度が、基板表面のガラス転移温度よりも最大２０℃高い、請求項４３乃至請求項４５のいずれか１項記載の方法。
【請求項４７】  前記基板を冷却しながら、金型温度を基板表面のガラス転移温度の約３０℃以内に保持する、請求項４３乃至請求項４６のいずれか１項記載の方法。
【請求項４８】  記表面特徴が、オリジナルマスタの９０％超の複製率を有する、請求項４２乃至請求項４７のいずれか１項記載の方法。
【請求項４９】  前記第一の基板がある粗さを有していて、前記冷却した基板の有する粗さが第一の基板の粗さよりも小さい、請求項４２乃至請求項４８のいずれか１項記載の方法。