【手続補正書】
【提出日】平成18年1月17日(2006.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
電気的に絶縁性の、および電気的に導電性の材料からなる各区域とを具え、
前記電気的に絶縁性の材料は、1.45g/cm3以上の密度および3.0以下の誘電率を有するハイブリッド有機-無機材料とすることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記ハイブリッド有機-無機材料はスピン被覆された材料とすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記ハイブリッド有機-無機材料はポリ（オルガノシロキサン）とすることを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記ハイブリッド有機-無機材料は2.7以下の誘電率を有することを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記堆積されたハイブリッド有機-無機材料は２００℃以上のガラス遷移温度を有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記ハイブリッド層は2.5以下の誘電率を有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記ハイブリッド有機-無機材料は繰り返し-M-O-M-O-主鎖を有し、前記主鎖はこれに結合された有機置換基を有し、前記材料は500-100,000の分子量を有し、ここにMはシリコン、Oは酸素である、ことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記分子量は1,500-30,000とすることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項９】
前記有機置換基は完全な弗素化とすることを特徴とする請求項８に記載の集積回路装置。
【請求項１０】
一個以上の異なる有機置換基を繰り返し-M-O-M-O-主鎖に結合し、前記有機置換基を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項９に記載の集積回路装置。
【請求項１１】
前記ハイブリッド材料は隣接-M-O-M-O-ストランド間に有機架橋基を具えることを特徴とする請求項１０に記載の集積回路装置。
【請求項１２】
前記有機架橋基は総てまたは一部が弗素化されたシクロブタン基とすることを特徴とする請求項１１に記載の集積回路装置。
【請求項１３】
前記有機架橋基はパーフルオロ基であることを特徴とする請求項１２に記載の集積回路装置。
【請求項１４】
前記有機置換基は１乃至４の炭素を有する単層または多層環アリール基或はアルキル基とすることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項１５】
前記アリール基或はアルキル基は弗素化または重水素化されることを特徴とする請求項１４に記載の集積回路装置。
【請求項１６】
前記アリール基或はアルキル基は弗素化することを特徴とする請求項１５に記載の集積回路装置。
【請求項１７】
前記有機置換基は1乃至5の炭素原子を有するフェニ−ルまたは弗素化アルキル基とすることを特徴とする請求項１６に記載の集積回路装置。
【請求項１８】
前記フェニル基はフッ素化メチル、エチルまたはアルケニル群と置換することを特徴とする請求項１７に記載の集積回路装置。
【請求項１９】
前記ハイブリッド材料はシリコン酸化物主鎖を具えることを特徴とする請求項１８に記載の集積回路装置。
【請求項２０】
前記ハイブリッド材料はシリコン酸化物主鎖へのアリール置換基を具えることを特徴とする請求項１９に記載の集積回路装置。
【請求項２１】
前記ハイブリッド材料は1-4の炭素を有するアルキル置換基を具えることを特徴とする請求項１９に記載の集積回路装置。
【請求項２２】
前記ハイブリッド材料は三次元網において隣接シリコン酸化物ストランドに結合するシクロブタン基を具えることを特徴とする請求項１７に記載の集積回路装置。
【請求項２３】
前記ハイブリッド材料はメチルおよびフェニル基を具えることを特徴とする請求項２２に記載の集積回路装置。
【請求項２４】
前記Mは珪素とすることを特徴とする請求項１２に記載の集積回路装置。
【請求項２５】
前記材料は堆積前に溶剤、および熱イニシエータまたはフォトイニシエータと混合することを特徴とする請求項２２に記載の集積回路装置。
【請求項２６】
前記フォトイニシエータはスピンオン前に前記材料および溶剤と混合し、且つ露光の際に遊離基が形成されてハイブリッド材料を重合化せしめるようにしたことを特徴とする請求項２５に記載の集積回路装置。
【請求項２７】
前記電磁エネルギーを紫外光とすることを特徴とする請求項２０に記載の集積回路装置。
【請求項２８】
前記紫外光はマスクを経て前記ハイブリッド層に向けてハイブリッド層の一部分を露光するとともに現像剤によりハイブリッド層の非露光部分を除去することを特徴とする請求項２７に記載の集積回路装置。
【請求項２９】
前記ハイブリッド材料は三次元-M-O-M-O-格子の、M元素間に弗素化架橋群を具えることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項３０】
前記有機架橋群は完全に弗素化されることを特徴とする請求項２９に記載の集積回路装置。
【請求項３１】
-M-O-M-O-主鎖に結合された3つ以上の異なる有機基を具えることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項３２】
前記ハイブリッド材料をシロキサンとすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３３】
前記ハイブリッド材料は無機の三次元主鎖マトリックスに２種類乃至6種類の異なる有機置換基を具えることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項３４】
前記繰り返し-M-O-M-O-主鎖を三次元マトリックスとすることを特徴とする請求項２９に記載の集積回路装置。
【請求項３５】
前記ハイブリッド層の材料を疎水性とするとともに水に接触させた際に、90度以上の水接触角となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３６】
前記基板を、ガラス、石英、半導体、セラミック、またはプラスチック基板とすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３７】
前記ハイブリッド材料は、クロロシラン先駆物質を加水分解し、縮合して得た結果物であることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３８】
前記基板を、シリコンまたはゲルマニウム基板とすることを特徴とする請求項３６に記載の集積回路装置。
【請求項３９】
前記堆積されたハイブリッド材料を劣化させることなく、2時間に亘り超臨界水蒸気中で、２気圧で、120℃で加熱し得るようにすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４０】
前記ハイブリッド材料は、少なくとも２：１のアスペクト比を有する直接パターン化材料とすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４１】
前記ハイブリッド材料をパーフルオロ化することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４２】
前記ハイブリッド材料を10％以下のHから構成することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４３】
前記ハイブリッド材料を５％以下のHから構成することを特徴とする請求項４２に記載の集積回路装置。
【請求項４４】
前記ハイブリッド材料をパターン化して、アパーテュアおよび／または100nm以下のサイズで特徴づけられるアパーチュアおよび/またはリッジを有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４５】
前記ハイブリッド材料は50nm以下のサイズで特徴づけられるアパーテュアおよび／またはリッジを有することを特徴とする請求項４４に記載の集積回路装置。
【請求項４６】
前記導電性区域はアルミニウムを具えることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４７】
前記導電性区域は銅を具えることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４８】
前記集積回路装置を銅ダマシン処理の一部とすることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項４９】
前記ハイブリッド材料は有機架橋群を具えることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項５０】
前記ハイブリッド材料は化学的に、且つ機械的に研磨されることを特徴とする請求項４９に記載の集積回路装置。
【請求項５１】
少なくとも4つの層を具え、各層は前記ハイブリッド材料および導電材料からなる領域が交互に繰り返されてなることを特徴とする請求項４９に記載の集積回路装置。
【請求項５２】
コンピュータ制御器内に設けるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項５３】
請求項１に記載の集積回路装置を具えるコンピュータ。
【請求項５４】
基板を設け、
前記基板に電気的に絶縁性の、および電気的に導電性の材料の各区域を形成し、
電気的に絶縁性の材料は前記基板上に堆積するとともに、350℃以下の温度で加熱して、
前記電気的に絶縁性の材料は、高密度化後、1.45g/cm3以上の密度を有するハイブリッド有機-無機材料とすることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項５５】
前記ハイブリッド材料はスピン被覆により堆積することを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項５６】
前記堆積されたハイブリッド材料は200℃以上のガラス遷移温度を有することを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項５７】
前記ハイブリッド層をパターン化し、このハイブリッド層のパターン化は前記ハイブリッド材料に電磁エネルギーを照射した後、現像剤を用いてハイブリッド材料の一部分を除去することを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項５８】
前記ハイブリッド有機-無機材料は、主鎖に結合された有機置換基を有する繰り返し-M-O-M-O-主鎖によって形成し、前記材料は500 - 100,000の分子量を有し、ここにMはシリコン、Oは酸素とする、
ことを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項５９】
前記有機置換基を完全に弗素化することを特徴とする請求項５８に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６０】
一個以上の異なる有機置換基を繰り返し-M-O-M-O-主鎖に結合し、各有機置換基を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項５９に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６１】
露光後、前記ハイブリッド材料は隣接-M-O-M-O-ストランド間に有機架橋群を具えることを特徴とする請求項６０に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６２】
前記ハイブリッド材料はマスクを経て電磁放射線に曝してハイブリッド材料の架橋を選択的に増強し、且つ選択された区域の分子量を増大するようにしたことを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６３】
現像剤を供給して未露光区域のハイブリッド材料を除去することを特徴とする請求項６２に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６４】
前記ハイブリッド材料を、堆積前に溶剤、および熱イニシエータまたはフォトイニシエータと混合することを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６５】
前記電磁エネルギーを紫外光とすることを特徴とする請求項６２に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６６】
前記ハイブリッド層の材料を疎水性とするとともに水と接触させた際に、90度以上の水接触角となるようにしたことを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６７】
前記ハイブリッド材料は200℃以下の温度で堆積することにより形成することを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６８】
前記基板を半導体基板とすることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項６９】
前記堆積されたハイブリッド材料を劣化させることなく、2時間に亘り超臨界水蒸気中で、２気圧で、120℃で加熱し得るようにすることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７０】
前記導電区域はアルミニウムを具えることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７１】
前記導電区域は銅を具えることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７２】
前記集積回路装置の製造方法は銅ダマシン処理の一部とすることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７３】
前記導電材料を現像剤により除去された区域に堆積することを特徴とする請求項６３に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７４】
前記ハイブリッド電気絶縁材料はこれに結合されたメチルおよびフェニル基を有するシリコン酸化物主鎖とすることを特徴とする請求項５４に記載の集積回路装置の製造方法。
【請求項７５】
請求項５４に記載の方法によって製造された集積回路。
【請求項７６】
ネガティブトーン物質の第1感光ハイブリッド有機-無機材料を設け、この第1感光ハイブリッド有機-無機材料を第1層として基板に堆積し、
この第1層の選択された区域に前記第１材料を重合し、
前記第1層の選択されていない区域を現像液により除去して第1の除去区域を形成し、
ネガティブトーン物質の第２感光ハイブリッド有機-無機材料を設け、この第２感光ハイブリッド有機-無機材料を前記第1の除去区域内に延在する第２層として前記第1層に堆積し、
この第2層の選択された区域に前記第２感光ハイブリッド有機-無機材料を重合し、
前記第2層の選択されていない区域を現像液により除去して互いに隣接する第1および第2層の双方から除去された区域を具える第2除去区域を形成し、
前記第1および第2層の双方の除去区域に導電性材料を堆積するようにしたことを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項７７】
前記第１層及び前記第２層における前記除去区域の形成は、これらの層に所定のマスクを介して電磁照射を行って、選択的に架橋させ、選択された領域における分子量を増大するようにしたことを特徴とする請求項７６に記載の集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項７８】
請求項７６に記載の集積回路を製造するデュアルダマシン方法により形成された集積回路。
【請求項７９】
導電性材料および誘電体によりデュアルダマシン方法を実施して誘電体を直接フォトパターン化ハイブリッド有機-無機材料とすることを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項８０】
金属酸化物および半導体酸化物主鎖並びに前記主鎖に結合された架橋群を有する第1感光ハイブリッド有機-無機材料を設けて、前記第1感光ハイブリッド有機-無機材料を基板上に第1層として堆積し；
粒子ビームにより書込みを行うか、または光をマスクを介して照射し、堆積された感光ハイブリッド材料の第1層の選択された区域の架橋群を経て架橋を生ぜしめるようにし；
金属酸化物および半導体酸化物主鎖および前記主鎖に結合された架橋群により第２感光ハイブリッド有機-無機材料を設けて、前記第1感光ハイブリッド有機-無機材料を前記第1層上に第２層として堆積し；
粒子ビームにより書込みを行うか、または光をマスクを介して照射し、堆積された感光ハイブリッド材料の第２層の選択された区域に架橋群を経て架橋を生ぜしめるようにし；
第1および第2層の非架橋区域を現像液により除去して互いに隣接する前記第1および第2層に除去された区域を形成し；
第1および第2層の双方から除去された区域に導電性材料を堆積するようにしたことを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシーン方法。
【請求項８１】
導電性材料および誘電体を具え、前記誘電体を直接フォトパターン化ハイブリッド有機-無機材料とすることを特徴とする集積回路。
【請求項８２】
基板上に弗素化ハイブリッド有機-無機誘電体材料を堆積し；
250nm以下の波長で前記堆積されたハイブリッド材料の第1区域を紫外光に曝し；
前記紫外光に曝されなかった前記ハイブリッド材料の第2区域を除去し；
この第2区域に導電性材料を堆積するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８３】
前記ハイブリッド材料の堆積後、350℃までの温度でハイブリッド材料を加熱し、250nm以下で露光することを特徴とする請求項８２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８４】
前記弗素化ハイブリッド材料を誘電体材料とし、この誘電体材料は、堆積時に、加水分解されたまたは縮合された先駆物質から形成された金属酸化物またはメタロイド酸化物主鎖を有するハイブリッド無機-有機材料、および主鎖における金属またはメタロイドに結合された有機基を有するハイブリッド有機-無機材料を具え、その有機基を弗素化することを特徴とする請求項８３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８５】
ネガティブトーン物質の第1感光ハイブリッド有機-無機材料を設け、この第1感光ハイブリッド有機-無機材料を第1層として基板に堆積し、
粒子ビームにより書込みを行うか、または電磁エネルギーに選択的に曝して堆積された感光ハイブリッド材料の第１層の選択された区域に漸減溶解度を生ぜしめるようにし；
溶解度が漸減されなかった第1層の区域を現像液で除去して第1除去区域を形成し；
ネガティブトーン物質の第２感光ハイブリッド有機-無機材料を設け、この第２感光ハイブリッド有機-無機材料を前記第1の除去区域内に延在する第２層として前記第1層に堆積し；
粒子ビームにより書込みを行うか、または電磁エネルギーに選択的に曝して堆積された感光ハイブリッド材料の第２層の選択された区域の溶解度を漸減せしめるようにし；
前記第1および第2層の双方の前記除去された区域に導電性材料を堆積するようにしたことを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項８６】
金属酸化物または半導体酸化物主鎖および前記主鎖に結合された架橋群により第1感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設けて、前記第1感光ハイブリッド有機-無機材料を基板上に第1層として堆積し；
粒子ビームにより書込みを行うか、または電磁エネルギーにより選択的に露光して堆積された感光ハイブリッド材料の第1層の選択された区域に架橋群を経て架橋を生ぜしめるようにし；
前記第1層の非架橋区域を現像液により除去して第1の除去された区域を形成し；
金属酸化物または半導体酸化物主鎖および前記主鎖に結合された架橋群により第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設けて、前記第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を前記第1層上に、前記第1の除去された区域内に延在する第２層として堆積し； 
粒子ビームにより書き込むか、または電磁エネルギーに選択的に曝して堆積された感光ハイブリッド材料の第2層の選択された区域に架橋基を経て架橋を生ぜしめるようにし；
前記第1層の除去された区域内に延在材料を含む第2層の非架橋区域を現像剤により除去して互いに隣接する第1および第2層の双方から除去された区域を具え；
前記第1および第2層の双方の除去された区域に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項８７】
ネガティブトーン物質の第1感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設け、この第1感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を第1層として基板に堆積し；
粒子ビームにより書き込むか、または電磁エネルギーに選択的に曝して堆積された感光ハイブリッド材料の第１層の選択された区域に減少された溶解度を生ぜしめるようにし；
ネガティブトーン物質の第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設け、この第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を第２層として前記第1層上に堆積し；
粒子ビームにより書き込むか、または電磁エネルギーに選択的に曝して堆積された感光ハイブリッド材料の第2層の選択された区域の溶解度を減少せしめるようにし；
溶解度の減少しなかった前記第1および第2層の区域を現像剤により除去して互いに隣接する第1および第2層内に除去領域を形成し；
前記第1および第2層の双方から前記除去領域に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項８８】
ネガティブトーン物質の第1感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設け、この第1感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を第1層として基板に堆積し；
堆積された感光ハイブリッド材料の第１層の選択された区域を重合化し；
ネガティブトーン物質の第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を設け、この第２感光ハイブリッド有機-無機誘電体材料を第２層として前記第1層上に堆積し；
堆積された感光ハイブリッド材料の第２層の選択された区域を重合化し；
前記第１層及び前記第２層の非選択領域を現像液で除去し、前記第１層および前記第２層内に、互いに隣接した除去領域を形成し、
前記第１層および前記第２層から前記除去領域内に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路を製造するデュアルダマシン方法。
【請求項８９】
不飽和炭素-炭素二重結合を具える完全な、または一部弗素化された第1有機基を有し、この第１の有機基がシリコンに結合されてなるシラン先駆物質によって形成された誘電体材料の区域および導電体材料の領域が交互に繰り返すようにこれら材料を蒸着し、
前記シラン先駆物質から基板上に少なくとも500の分子量を有するハイブリッド有機―無機材料を形成し、
前記ハイブリッド材料の分子量を、熱、電磁放射線または電子ビームに曝して増大し、完全な、または一部弗素化された有機基を介して不飽和炭素-炭素二重結合および架橋を破断して、増大させるようにすることを特徴とする集積回路を製造する方法。
【請求項９０】
前記ハイブリッド材料は、前記シラン先駆物質単独、または他の先駆物質とともに、少なくとも部分的に加水分解または縮合し、スピン被覆、スプレイ被覆、またはディップ（浸漬）被覆による堆積によって形成することを特徴とする請求項８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９１】
前記ハイブリッド層をパターン化し、このハイブリッド層のパターン化は前記ハイブリッド層に対して電磁エネルギーを照射し、現像剤を用いて前記ハイブリッド材料の一部分を除去して行うことを特徴とする請求項８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９２】
前記ハイブリッド有機-無機材料は、主鎖に結合された有機置換基を有する繰り返し-M-O-M-O-主鎖を有するように形成し、前記材料は500 - 100,000の分子量を有し、ここにMはシリコン、Oは酸素とする、ことを特徴とする請求項８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９３】
前記第1有機基を完全に弗素化することを特徴とする請求項９２に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９４】
-M-O-M-O-主鎖に結合された第2の完全な弗素化有機基をさらに具えることを特徴とする請求項９３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９５】
露光後、前記ハイブリッド材料は不飽和炭素-炭素二重結合における破断結果の隣接-M-O-M-O-ストランド間の第２有機基および第1有機架橋モイエティを備えることを特徴とする請求項９４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９６】
前記第2有機置換基は１乃至１４炭素を有する単一または多層環アリール基或はアルキル基とすることを特徴とする請求項９４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９７】
前記アリール基は置換されたまたは置換されないパーフルオロフェニル基とすることを特徴とする請求項９６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９８】
前記アルキル基は直鎖または分岐鎖のパーフルオロアルキル基とすることを特徴とする請求項９７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９９】
前記有機置換体を1-5の炭素原子を有するパーフルオロフェニルまたはパーフルオロアルキル基とすることを特徴とする請求項９８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１００】
請求項８９に記載の集積回路の製造方法によって製造された集積回路。
【請求項１０１】
一般式R14-mMOR3m (ここにmは整数2-4、R1はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルまたはエポキシから選択され、非弗素化、または完全にまたは一部弗素化された基であり、OR3はアルコキシ、Mはシリコン)の化合物を一般式R2M1(ここにR2はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルまたはエポキシから選択され、少なくとも一部が弗素化された基であり、M1は周期律表のグループIから選択された元素)の化合物と反応させて、
一般式R14-mMOR3m-1R2の化合物を形成し；
一般式R14-mMOR3m-1R2の化合物を加水分解し、縮合して少なくとも５００の分子量を有するハイブリッド有機−無機金属を形成し；
ハイブリッド有機−無機金属を基板に集積回路の絶縁物として堆積し；
前記ハイブリッド材料の堆積前または後に集積回路内に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１０２】
M1をNa、LiまたはKとすることを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０３】
R2を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０４】
R2を完全引例または弗素化されたアルケニル、またはアルキニル基とすることを特徴とする請求項１０３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０５】
R2を１〜10の炭素を有するアルキル基またはアリール基とすることを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０６】
R2を完全にまたは一部弗素化されたアルケニル基とすることを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０７】
R1を完全にまたは一部弗素化されたアリール基またはアルキル基とすることを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０８】
R1のアリール基またはアルキル基を完全に弗素化することを特徴とする請求項１０７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１０９】
R1の完全にまたは一部弗素化されたフェニル基を完全にまたは一部弗素化されたメチル、ビニールまたはエチル基で置換することを特徴とする請求項１０８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１０】
OR3をC1-C4アルコキシとすることを特徴とする請求項１０１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１１】
一般式（I）R1４−ｍMOR3ｍ−ｎXｎ（mは整数2-4、nは整数0-3でmより小さい、R1はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルまたはエポキシから選択され、非弗素化、または完全にまたは一部弗素化された基であり、OR3はアルコキシ、Xはハロゲン、Mはシリコン）の化合物を一般式R2M1（R2はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルまたはエポキシから選択され、少なくとも一部が弗素化された基であり、M1は周期律表のグループIから選択された元素)の化合物と反応させて、一般式R2MR14-mOR3m-nXn-1, n>0の場合、またはR2MR14-mOR3m-1, n=0の場合の化合物を形成し；
化合物R2MR14-mOR3m-nXn-1またはR2MR14-mOR3m-1を加水分解及び縮合して、少なくとも500の分子量を有するハイブリッド有機−無機金属を形成し；
ハイブリッド有機−無機金属を基板に集積回路の絶縁物として堆積し；
前記ハイブリッド材料の堆積前または後に集積回路内に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１１２】
M1をNa、LiまたはKとすることを特徴とする請求項１１１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１３】
R2を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項１１１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１４】
R2を完全にまたは弗素化されたアルケニルまたはアルキニル基とすることを特徴とする請求項１１３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１５】
R2を1-14炭素を有するアルキル基またはアリール基とすることを特徴とする請求項１１１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１６】
R2を完全にまたは一部弗素化されたアルケニル基とすることを特徴とする請求項１１１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１７】
R1を1以上の環を有するアリール基または1-14炭素を有するアルキル基とすることを特徴とする請求項１１１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１８】
R1のアリール基またはアルキル基を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項１１７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１１９】
一般式X3MOR33（ここにX3はハロゲン、Mはシリコン、OR3はアルコキシ）の化合物を一般式R1M1（R1はアルキル、アルケニル、アリールおよびアルキニルから選択され、部分的または完全に弗素化された基であり、M1は周期律表のグループIから選択された元素）の化合物と反応させて一般式R1MOR33の化合物を形成し；
化合物R1MOR33を加水分解及び縮合して少なくとも500の分子量を有するハイブリッド有機−無機材料を形成し；
前記ハイブリッド材料を基板上に集積回路の絶縁物として蒸着し、
前記ハイブリッド材料の堆積前または後に集積回路内に導電材料を堆積することを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１２０】
M1をNa、LiまたはKとすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２１】
R1を完全にまたは一部弗素化することを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２２】
R1を完全にまたは一部弗素化されたアルキニル基とすることを特徴とする請求項１２１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２３】
R1をビニール基とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２４】
R1を完全にまたは一部弗素化されたアルケニル基とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２５】
R2を完全にまたは一部弗素化されたアルケニル基とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２６】
a）一般式R54-mM2R6m（ここにmは整数2-4、R5はアルキル、アルケニル、アリール基、または弗素化されたアルキル、アルケニル、またはアリール基であり、R6はアルコキシであり、M2は周期律表のグループ14から選択された元素）の化合物を一般式R7M3（ここにR7はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルから選択され、少なくとも部分的に弗素化された基であり、M3は周期律表のグループIから選択された元素）の化合物と反応させて一般式R7M2R53-nR6n（ここにnは整数1-3）の化合物を形成することを特徴とする請求項２０３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２７】
MをSiとしM2をSiを除く周期律表の3-6グループまたは13-16グループから選択された元素とすることを特徴とする請求項１２６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２８】
R1、R7およびR5の少なくとも一つはアルケニル基を具え、且つR1MOR33およびR7M2R53-nR6nを共にハロゲン化し、加水分解及び縮合して架橋を生ぜしめるようにしたことを特徴とする請求項１２６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１２９】
OR3をC1-C3アルコキシとすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３０】
R1をC2+直鎖またはC3+分岐鎖とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３１】
X3をClとすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３２】
M1をLiとすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３３】
一般式R1MOR33の化合物とハロゲンまたはハロゲン化合物とを反応させて一般式R1MOR32X3(X3はハロゲン)の化合物を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３４】
X3をClとすることを特徴とする請求項１３３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３５】
ハロゲンまたはハロゲン化合物を臭化水素酸、臭化チオニル、塩化水素酸、塩化物、塩化チオニル、塩化スルフリルとすることを特徴とする請求項１３３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３６】
ハロゲンまたはハロゲン化合物を触媒の存在下でR1MOR32X3と反応させることを特徴とする請求項１３５に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３７】
R1を完全に弗素化することを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３８】
R1を置換された、または未置換のアルキル、アルキニル、アリール、またはアルキニル基とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１３９】
一般式R1MOR33の化合物と一般式R2M2(ここにR2はアルキル、アルケニル、アリールおよびアルキニルから選択された基であり、M2は周期律表の1グループからの元素とする)の化合物と反応させて一般式R1R2MOR32の化合物を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４０】
M2をNa、LiまたはKことを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４１】
一般式R1MOR33の化合物をハロゲンまたはハロゲン化合物と反応させて一般式R1MOR3X32に(X3はハロゲン)の化合物を形成することを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４２】
R1またはR2を弗素化ビニールとすることを特徴とする請求項１４１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４３】
M2をLiとすることを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４４】
一般式R1R2MOR32の化合物をハロゲンまたはハロゲン化合物と反応させて、一般式R1R2MX32またはR1R2MOR3X3(X3はハロゲン)の化合物を形成するステップを更に具えることを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４５】
X3をClとすることを特徴とする請求項１４４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４６】
ハロゲンまたはハロゲン化合物を臭化水素酸、臭化チオニル、塩化水素酸、塩化物、塩化チオニル、塩化スルフリルとすることを特徴とする請求項１４４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４７】
ハロゲンまたはハライド化合物を塩素または塩素化化合物とすることを特徴とする請求項１４６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４８】
R1を置換または未置換アルキル、アルケニル、アリール、またはアルキニル基とすることを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１４９】
一般式R1MOR33の化合物とハロゲンまたはハライド化合物とを反応させて一般式R1MX33（ここにX3はハロゲン）の化合物を形成することを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５０】
X3をBrまたはClとすることを特徴とする請求項１４９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５１】
一般式R1R2MOR32の化合物とハロゲンまたはハライド化合物とを反応させて一般式R1R2MX32（ここにX3はハロゲン）の化合物を形成することを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５２】
R1またはR2を弗素化メチルまたはエチル基とすることを特徴とする請求項１３９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５３】
MをSiとすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５４】
R1を(CF2)xCF=CF２(ここにｘ=0-10)とすることを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５５】
R1を弗素化メチル基とすることを特徴とする請求項１５４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５６】
一般式X4M2R63(X4はハロゲン、M2は周期律表の14から選択された元素、R6はアルコキシ)の化合物と、一般式R7M5(R7はアルキル、アルケニル、アリール、アルキニルから選択され、一部または完全に弗素化された基であり、M5は周期律表のIから選択された元素)の化合物とを反応させて一般式R7MR63の化合物を形成することを特徴とする請求項１１９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５７】
MをSiとし、M2を周期律表のグループ3-6またはグループ13-16から選択したSi以外の元素とすることを特徴とする請求項１５６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５８】
一般式R8M4（M4は周期律表のグループIから選択された元素、R8はアルキル、アルケニル、アリールまたはアルキニル基）の化合物と反応させた後に一般式R1MOR32X3の化合物を形成することを特徴とする請求項１４４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１５９】
一般式R1MOR32X3の化合物と一般式R2M2（ここにR2はアルキル、アルケニル、アリールおよびアルキニルから選択された基であり、M2は周期律表のグループIから選択された元素）の化合物とを反応させて一般式R1R2MOR32の化合物を形成するステップをさらに具えることを特徴とする請求項１３３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６０】
アルケニル基、アルキニル基、アクリレート基およびエポキシ基から選択された完全にまたは一部弗素化された第1有機基を有するシラン先駆物質からなる誘電体区域と導電性区域とが交互に存在するようにして、これら誘電体材料及び導電性材料を蒸着し、
前記シラン先駆物質から基板上に少なくとも500の分子量を有するハイブリッド有機―無機材料を形成し、
前記ハイブリッド材料の分子量を、熱、電磁放射線または電子ビームに曝して増大し、完全な、または一部弗素化された有機基を介して架橋せしめて増大させるようにすることを特徴とする集積回路を製造する方法。
【請求項１６１】
部分的あるいは完全に加水分解した１以上の先駆物質から構成される誘電体材料の区域と導電性材料の区域とを交互に形成し、前記先駆物質の少なくとも一つが一般式(I)を有し、
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ここにR2はハロゲン、-OHまたはアルコキシ基であり、M1およびM2は互いに独立な金属または半金属であり、R1は1-10炭素原子を有する完全にまたは一部弗素化されたアルキル基または完全にまたは一部弗素化されたアロマチック基である、ことを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１６２】
R1を1-6炭素原子を有する完全にまたは一部弗素化されたアルキル基とすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６３】
R1を完全にまたは一部弗素化されたアリール基とすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６４】
R1をフェニール、ビフェニール、ナフタレン、１,2-トルエン、1,3-トルエン、1,2-スチレンおよび1,3-スチレンよりなる群から選択することを特徴とする請求項１６３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６５】
R1をパーフルオロ化することを特徴とする請求項１６４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６６】
R1をフェニールまたはビフェニールとすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６７】
R1をスチレンとすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６８】
R1を1,2-スチレンまたは1,3-スチレンとすることを特徴とする請求項１６７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１６９】
R1をトルエンとすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７０】
R1を1,2-トルエンまたは1,3-トルエンとすることを特徴とする請求項１６９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７１】
R1をナフタレンとすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７２】
M1をシリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムまたはチタンとすることを特徴とする請求項１６１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７３】
M1をシリコンとすることを特徴とする請求項１７２に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７４】
R2をアルコキシ基とすることを特徴とする請求項１７３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７５】
一般式(1)の化合物を、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシランまたはジアルコキシシランよりなる群から選択された少なくとも一種の他のアルコキシシランと共に加水分解することを特徴とする請求項１７３に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７６】
一般式(1)の化合物のR2は塩素基であることを特徴とする請求項１７４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７７】
一般式(1)の化合物はテトラクロロシラン、トリクロロシランまたはジクロロシランよりなる群から選択された少なくとも一種の他のクロロシランと共に加水分化することを特徴とする請求項１７６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１７８】
導電材料からなる区域および誘電体材料からなる区域を交互に形成し、前記誘電体材料は1種以上の先駆物質を一部または完全に加水分解し、縮合することにより形成し、その少なくとも1種は、
縮合および／または加水分解されると共にハロゲン基、-OH基、アクリロキシ基またはアルコキシ基より成る群から選択された複数の加水分解基または縮合可能な基と、
各々が互いに独立した金属基または半金属基である少なくとも２つの無機基であって、それぞれが少なくとも一つの自身に結合した加水分解基と、
これら無機基間に結合された完全にまたは一部弗素化された有機基とを具えることを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１７９】
完全にまたは一部弗素化された有機基を、1-10の炭素原子を有する完全にまたは一部弗素化されたアルキル基とすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８０】
有機基を完全にまたは一部弗素化されたアリール基とすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８１】
有機基をフェニール、ビフェニール、ナフタレン、１,2-トルエン、1,3-トルエン、1,2-スチレンおよび1,3-スチレンよりなる群から選択することを特徴とする請求項１８０に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８２】
有機基をパーフルオロ化することを特徴とする請求項１８１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８３】
有機基をフェニールまたはビフェニールとすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８４】
有機基をスチレンとすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８５】
有機基を1,2-スチレンまたは1,3-スチレンとすることを特徴とする請求項１８４に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８６】
有機基をトルエンとすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８７】
有機基を1,2-トルエンまたは1,3-トルエンとすることを特徴とする請求項１８６に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８８】
有機基をナフタレンとすることを特徴とする請求項１７８に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１８９】
1種以上のシランまたはシラノール先駆物質を加水分解してポリ(オルガノシロキサン)材料を形成し；
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料を一部または完全に弗素化された溶剤により混合し；
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料を集積回路の誘電体材料として基板に堆積し；
選択された区域のポリ(オルガノシロキサン)材料を除去することにより前記ポリ(オルガノシロキサン)材料をパターン化し；
選択された区域に導電材料を堆積してポリ(オルガノシロキサン)材料を具える誘電体材料および導電材料の双方領域を有する層を形成することを特徴とする集積回路の製造方法。
【請求項１９０】
前記弗素化溶剤は、パーフルオロアルカン[F(CF2)nF、ここにn=6-10の際]、弗素化または一部弗素化アルコール[F(CF2)n-OH,n=3-10]、ヘキサフルオロベンゼン、ペンタフルオロフェノール、ペンタフルオロニトロベンゼン、パーフルオロ（m-キシレン）、パーフルオロ（p-キシレン）、パーフルオロトルエン、パーフルオロ-(メチルシクロヘキサン)、パーフルオロデカリン、パーフルオロ（メチルデカリン）およびパーフルオロ（1-メチル-シクロペンテン）から選択することを特徴とする請求項１８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９１】
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料は、自身の主鎖に結合された1-14炭素を有するアリール基またはアルキル基のシリコン酸化物主鎖を具えることを特徴とする請求項１８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９２】
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料は置換または未置換フェニル基を具えることを特徴とする請求項１９１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９３】
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料はメチルまたはエチル基を具えることを特徴とする請求項１９１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９４】
前記アリールまたはアルキル基を一部または完全に弗素化することを特徴とする請求項１９１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９５】
前記ポリ(オルガノシロキサン)材料はそのパターン化またはアニール化中に分解されたビニールから形成された架橋シクロブタン基を有するシリコン酸化物主鎖を具えることを特徴とする請求項１８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９６】
前記ポリ（オルガノシロキサン）材料は、不飽和炭素-炭素二重結合を具え、シラン先駆物質内でシリコンに結合された完全なまたは一部弗素化された第1の有機基を有する前記シラン先駆物質から形成し、前記シラン先駆物質は、加水分解され、縮合されて、少なくとも500の分子量を有するポリオルガノシロキサン材料を形成し、前記ポリ（オルガノシロキサン）材料を基板上に堆積した後、熱、電磁放射線、電子ビームに曝すことによって前記ポリ（オルガノシロキサン）材料の分子量を増大し、前記不飽和炭素-炭素二重結合と完全または一部弗素化有機基を経る架橋とを破砕することを特徴とする請求項１８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９７】
シリコン原子、前記シリコン原子に結合された1種以上の塩素基、前記シリコン原子に結合された1種以上のハイパーフルオロ化またはパーフルオロ化された有機基を具えるクロロシラン先駆物質を設けてポリ（オルガノシロキサン）材料を形成し；
前記クロロシラン先駆物質を加水分解し、縮合してポリ（オルガノシロキサン）材料を形成することを特徴とする請求項１８９に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９８】
前記ポリ（オルガノシロキサン）材料は3.0以下の誘電率を有することを特徴とする請求項１９１に記載の集積回路の製造方法。
【請求項１９９】
前記ポリ（オルガノシロキサン）材料は2.7以下の誘電率を有することを特徴とする請求項１９８に記載の集積回路の製造方法。