【事件の表示】
　特願２００４−１０６４２５「熱電変換材料」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月２０日出願公開、特開２００５−２９４４７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月３１日の出願であって、平成２１年１月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月１６日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年１月１２日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年３月２３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年４月２８日付けで平成２２年３月２３日付け手続補正書でした手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ、これに対し、同年８月３日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　そして、平成２３年１１月１４日付の審尋に対して、平成２４年１月１０日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２２年８月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、平成２２年３月２３日付け手続補正書でした手続補正は、上記のように、同年４月２８日付けで却下されているで、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１に、「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」との事項を追加して、補正後の請求項１とする。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項３に、「前記コアシェル微粒子のシェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらにコア部の粒径は２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることを」との事項を追加して、補正後の請求項３とする。
〈補正事項３〉
　請求項４において、引用する請求項を、「請求項１」から「請求項３」に変更する。
　
　上記補正事項１及び２は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３０】及び【００３７】の記載を根拠とするものであり、したがって、上記補正事項１〜３は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであると認められる。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項１について
　補正事項１は、本件補正前の請求項１の「シェル部」が「膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであ」であることを限定するとともに、本件補正前の請求項１の「コア部」は「粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項１は、本件補正前の請求項１の発明特定事項である「シェル部」及び「コア部」を概念的により下位のものに限定する補正であるから、補正事項１は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当する。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、本件補正前の請求項３の「コアシェル微粒子」の「シェル部」が「膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであ」であることを限定するとともに、本件補正前の請求項３の「コア部」は「粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項２は、本件補正前の請求項３の発明特定事項である「コアシェル微粒子」の「シェル部」及び「コア部」を概念的により下位のものに限定する補正であるから、補正事項２は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当する。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、本件補正前は「請求項１に記載の熱電変換材料」の発明を引用していたものを、本件補正後は「請求項３に記載の熱電変換材料の製造方法」の発明を引用するよう、引用請求項を変更するものである。
　そして、本件補正前後の請求項４は「熱電変換材料の製造方法」の発明についてのものであるから、補正事項３は誤記の訂正を目的とする補正に該当する。
　
（４）補正目的の適否のまとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号及び第３号に規定する要件を満たす。
　そこで、次に、前記特許請求の範囲の減縮を目的とする補正がなされた請求項１について、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本件補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル微粒子の圧縮成型体として形成され、複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル構造体からなる熱電変換材料であって、
　前記複数のコア部は互いに独立し、前記シェル部は連続しており、さらに前記コア部が前記コアシェル構造体中に均一に分散しており、
　前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする熱電変換材料。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例：特開平０２−１０６０７９号公報
　
（３）引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例の記載
　平成２２年１月１２日付けの最後の拒絶理由通知で引用され、原査定の拒絶の理由の根拠となった、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０２−１０６０７９号公報（以下「引用例」という。）には、「電熱変換素子」（発明の名称）に関して、第３図及び第４図とともに、次の記載がある（下線は、参考のために当審において付したもの。以下、他の刊行物についても同様。）。
　
　　ア　　産業上の利用分野
・「本発明はペルチエ効果を利用した熱変換素子に関する。」（第１頁下左欄第１７〜１８行）
　
　　イ　問題点を解決するための手段
・「また、第２の発明は、
ガラス、セラミックス等の低熱伝導材料の周りをカルコゲナイド系材料で被覆した粒子を結合した
　
　　ウ　発明の作用及び効果
・「本発明は上記構成になり、第１の発明は、半導体の通電方向の途中に低熱伝導層を形成したから発熱端から吸熱端への熱伝導が妨げられ、かつ、この層の導電率は十分に高いから、
熱成績係数が高く、効率が向上する効果
半導体全体の熱伝導率が低く、導電率は十分に高く維持されるから
同様の効果を奏する
　
　　エ　実施例
・「次に、本発明の第２の発明の一実施例を第３、４、図に基づいて説明すると、本実施例は、上記実施例と同様に、Ｐ形半導体１とＮ形半導体２が接合板３、４によって接合された構成になるが、本実施例においてはＰ形半導体１とＮ形半導体２の全体が、第４図に拡大して示すように、
ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料からなる粒子８の周りに
半導体を構成するビスマス・テルル、鉛・テルル等のカルコゲナイド系材料からなる被覆層９をメツキまたは融着等の手段によって形成し
焼結により結合した構成
カルコゲナイド系材料からなる被覆層９が半導体としての機能を果たす
低熱伝導材料からなる粒子の介在によって全体の熱伝導率が低下し
　
　　オ　図面
・「半導体の部分拡大図」（第２頁下左欄第１３〜１４行）である第４図には、粒子８が被覆層９で被覆された構造を有する複数個の粒子が、その界面を介して互いに接し、整列していることが、図示されている。
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜オによれば、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料からなる複数の粒子８と、前記粒子８の周りにメッキまたは融着等の手段によって形成された、カルコゲナイド系材料からなり半導体としての機能を果たす被覆層９とを備えた粒子を、焼結により結合した構成を有する電熱変換素子であって、
　前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子が、その界面を介して互いに接し、整列するように結合され、
　前記低熱伝導材料からなる前記粒子８の介在によって全体の熱伝導率が低下し、導電率は十分に高く維持されるから、熱成績係数が高く効率が向上することを特徴とする電熱変換素子。」
　
（４）対比
（４−１）本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料」からなる「粒子８」は、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造」を有する「前記粒子」において、コア部をなしていると認められる。
　したがって、引用発明の「ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料」からなる「粒子８」と、本件補正発明の「粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」「コア部」とは、コア部である点で共通する。
　
　　イ　引用発明の「前記粒子８の周りにメッキまたは融着等の手段によって形成された、カルコゲナイド系材料からなり半導体としての機能を果たす被覆層９」は、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造」を有する「前記粒子」において、シェル部をなしていると認められる。
　したがって、引用発明の「前記粒子８の周りにメッキまたは融着等の手段によって形成された、カルコゲナイド系材料からなり半導体としての機能を果たす被覆層９」と、本件補正発明の「膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであ」る「前記コア部を被覆するシェル部」とは、前記コア部を被覆するシェル部である点で共通する。
　
　　ウ　上記ア及びイから、引用発明の「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造」を有する「前記粒子」と、本件補正発明の「コアシェル微粒子」とは、コアシェル粒子である点で共通する。
　そして、引用発明の「複数の粒子８」が「前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子」が「焼結により結合した構成」と、本件補正発明の前記「コアシェル微粒子の圧縮成型体として形成され、複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル構造体」とは、前記コアシェル粒子の成型体として形成され、複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル構造体である点で共通する。
　
　　エ　引用発明において、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子が、その界面を介して互いに接し、整列するように結合され」ている。
　したがって、引用発明の「複数の粒子８」は、「前記被覆層９」により互いに隔てられているから、互いに独立しているものである。
　また、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子が、その界面を介して互いに接し、整列するように結合され」た「焼結により結合した構成」においては、前記「粒子８」は、均一に分散されていると解される。
　一方、引用発明において、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子」の「界面」は、「前記被覆層９」の界面でもある。すなわち、前記「複数個の前記粒子」は、「前記被覆層９」の界面を「介して互いに接し、整列するように結合され」ている。そして、本願の明細書には、段落【００１７】に「本発明においてシェル部が連続しているとは……内部にある程度の界面が存在する場合もシェル部を移動する電子の導電率が向上することから含む……ここで、界面が存在するとは、例えば図２（ｂ）に示すように隣接するコア部１を被覆するシェル部２同士が結合していなく、その間に界面ａが存在する状態である。」と記載されている。
　以上から、引用発明の「複数の粒子８」が「前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子が、その界面を介して互いに接し、整列するように結合され」ていることは、本件補正発明の「前記複数のコア部は互いに独立し、前記シェル部は連続しており、さらに前記コア部が前記コアシェル構造体中に均一に分散して」いることに相当する。
　
　　オ　そして、引用発明の「電熱変換素子」の「ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料からなる複数の粒子８と、前記粒子８の周りにメッキまたは融着等の手段によって形成された、カルコゲナイド系材料からなり半導体としての機能を果たす被覆層９とを備えた粒子を、焼結により結合した構成を有する」ものは、印加される「熱」を「半導体としての機能」に基づき電気的情報に「変換」する材料であると解されるから、本件補正発明の「熱電変換材料」に相当する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　そうすると、本件補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル粒子の成型体として形成され、複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル構造体からなる熱電変換材料であって、
　前記複数のコア部は互いに独立し、前記シェル部は連続しており、さらに前記コア部が前記コアシェル構造体中に均一に分散している、
　ことを特徴とする熱電変換材料。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本件補正発明は、コアシェル粒子が「コアシェル微粒子」であるのに対して、引用発明の「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する」「前記粒子」は、微粒子であるかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　本件補正発明は「コアシェル構造体」が「コアシェル微粒子の圧縮成型体として形成され」るのに対して、引用発明の「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子」を「焼結により結合した構成」は、「焼結により結合」するに際して圧縮成型されたか不明である点。
　
《相違点３》
　本件補正発明の「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであ」るのに対して、引用発明の「被覆層９」の膜厚は不明である点。
　
《相違点４》
　本件補正発明の「前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」のに対して、引用発明の「粒子８」の粒径は不明である点。
　
（５）相違点についての判断
（５−１）相違点１、３及び４について
　　ア　引用発明の「電熱変換素子」は、「前記低熱伝導材料からなる前記粒子８の介在によって全体の熱伝導率が低下し、導電率は十分に高く維持されるから、熱成績係数が高く効率が向上する」という「特徴」を有している。
　ここで、「粒子８」を形成する「低熱伝導材料」である「ガラス、セラミック」は、絶縁材料であるから、引用発明の「電熱変換素子」が「導電率は十分に高く維持される」のは、「前記粒子８の周り」を被覆する「被覆層９」が「半導体としての機能を果たす」からであることは明らかである。
　
　　イ　さて、平成２１年１月１４日付けの拒絶理由通知で引用された特開２００２−０２６４０４号公報に「従来の技術」として、
「【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱電材料では、熱電材料の性能を表す性能指数Ｚが次式のように定義されている。
【０００３】
【数１】Ｚ＝σ＊α２／κ
この式で、σは電気伝導率、αはゼーベック係数、κは熱伝導率である。熱伝導率κは、物質を構成する原子核自体の振動によるもの（フォノン熱伝導率）と、キャリア（電子又はホール）の移動によるもの（キャリア熱伝導率）との和で与えられる。
【０００４】性能指数Ｚが大きい熱電材料を得るために、様々な製造方法が提案されている。特に、熱伝導率κを小さくする方法として、フォノンを散乱する散乱中心物を備える熱電材料が提案されている。このような熱電材料の製造方法として、散乱中心物の粉末と機械的に粉砕し粉末にした母材とを混合した後に焼結する方法が提案されている（例えば、特開平９−７４２２９号公報など）。」、
と記載されるように、熱電変換材料の技術分野において、熱伝導率が小さいほど性能指数Ｚが良好になること、前記熱伝導率は、物質を構成する原子核自体の振動による「フォノン熱伝導率」と、キャリアの移動による「キャリア熱伝導率」との和で与えられること、は技術常識である。
　また、上記記載のように、熱電変換材料の熱伝導率を小さくするために、フォノンを散乱する散乱中心物を前記熱電変換材料中に分散させることも、周知慣用の手段であった。
　
　　ウ　そして、以下の周知例１には、「不活性超微粒子としてのＢＮの超微粒子とを用意する（ステップ１０）。これらの超微粒子の粒径は０．０１μｍ程度である。」（段落【００２２】）こと、「熱電材料１中のフォノンは、不活性超微粒子３の粒径よりも大きい波長について散乱される。例えば、不活性超微粒子３の粒径が４ｎｍであれば４ｎｍ以上の波長のフォノンが散乱されることになる。そして、フォノンの波長は０．４ｎｍ以上であり、４ｎｍ程度のものが最も多い。したがって、本実施形態では不活性超微粒子３として大きさの小さいＢＮを使用しているので、フォノンの波長成分のうち最も多い４ｎｍ程度の部分を効率的に散乱することができる。」（段落【００２５】）ことが記載されている。そして、特に、後者の記載は、「フォノン」を「散乱」させる「超微粒子」は、その「粒径よりも大きい波長」を持つ「フォノン」を「散乱」させるから、「不活性超微粒子３の粒径が４ｎｍ」であれば、「波長は０．４ｎｍ以上であ」る「フォノン」のうち「４ｎｍ以上の波長のフォノン」を「散乱」させることができる、すなわち、「フォノン」を「散乱」させる「超微粒子」の「粒径」が小さいほど、より多くの「波長のフォノン」を「散乱」させることができる、ということである。
　また、以下の周知例２には、「熱伝導率を下げることで、熱電材料の性能を向上させる手段が提案されている。その手段の１つに結晶粒界面でのフォノン散乱を利用する方法がある。フォノン散乱を起こさせることで格子熱伝導率を下げるためには、結晶粒界面を増加させてより多くのフォノンを散乱させることが好ましく、そのために結晶粒径を微細化する方法がある。そこで、微細な結晶粒径を持つ素子を作成するために予め粒径の小さい超微粒子を出発原料として用いることが有効と考えられる。」（段落【０００９】）こと、「酸化亜鉛超微粒子及びアルミナ超微粒子は気相法により製造された平均粒径５０ｎｍのものを使用した。」（段落【００２４】）こと、が記載されている。そして、特に、前者の記載は、「より多くのフォノンを散乱させる」ために、「粒径の小さい超微粒子」を用いて、その「結晶粒界面」で「より多くのフォノンを散乱させる」、ということである。
　してみれば、熱電変換材料の技術分野において、熱電変換材料の熱伝導率を小さくさせることを目的として前記熱電変換材料中に分散させるフォノン散乱中心物に、多くのフォノンを散乱させるため、前記フォノン散乱中心物を粒径の小さい超微粒子とすること、具体的には、前記フォノン散乱中心物をセラミック超微粒子で形成するとともに、その粒径を４乃至１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲で設定することは、周知例１及び周知例２に記載されるように、周知技術である。
　また、前記周知例１には、熱電変換材料としてカルコゲナイド系材料を用いることが記載されている。
　
　　エ　一方、粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であるコア部となる粒子を、無電解メッキ等の湿式メッキ、または、スパッタリング等の乾式メッキにより、膜厚が１〜１０ｎｍであるシェル部となる弱導電性あるいは導電性の材料で被覆して、ナノオーダーの超微粒子を形成することも、以下の周知例３〜５に記載されるように周知技術にすぎない。
　
　　オ　ところで、本願明細書の発明の詳細な説明には、本件補正発明が「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであ」るとしたことの意義に関して、段落【００１８】に「電子やフォノンの通り道であるシェル部２の厚みが量子効果の発現する１００ｎｍ以下の場合には、量子効果により性能指数Ｚが向上する場合がある。」と、段落【００３０】に「本発明において、シェル部のコア部を覆っている部分の厚みとしては、電子およびフォノンを伝導させることができ、かつ、量子効果を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではないが、具体的には１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく……上記厚みが薄すぎると電子が十分に伝導されなくなり、導電性が減少して性能が低下する可能性があるからである。逆に、上記厚みが厚すぎるとコア部によるフォノンの散乱効果が得られにくくなる場合があるからである。」と記載されている。
　一方、本件補正発明が「前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」としたことの意義に関しては、段落【００３７】に「上記コア部微粒子の平均粒径は、フォノンを効果的に散乱することができる大きさであれば特に限定されるものではないが……特に２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記平均粒径が大きすぎると、コアシェル構造体の形成時に例えば図３（ａ）に示すようにコアシェル微粒子１２を隙間なく配列してもコアシェル微粒子１２間に生じる空間ｂが大きくなり、圧縮成型する際にこの空間ｂにシェル部２の構成材料が流動し、例えば図３（ｂ）に示すようにコア部１がシェル部２に覆われていない部分ｃが生じ、コアシェル構造を維持できなくなり、シェルの厚みが極端に薄い部分や極端に熱い部分を生じる可能性があるからである。また、平均粒径が上記範囲内より小さい微粒子は、製造が困難であるからである。」と記載されている。
　これに対して、本願明細書の段落【００７７】〜【００９３】に開示された「【実施例】」には、「粒径が３ｎｍのＺｎＯ微粒子」（段落【００７９】）をコア部とし、膜厚が８．５ｎｍ（段落【００７９】、【００８２】の記載から換算）であるシェル部を有する「実施例１」と、「粒径が２ｎｍのＲｈ微粒子」（段落【００９０】）をコア部とし、膜厚が４ｎｍ（段落【００９０】、【００９１】の記載から換算）であるシェル部を有する「実施例２」とを、それぞれ、コア部となる材料を添加しなかった外は「実施例１」と同様に製造した「比較例」と対比したときの「評価」結果が示されているだけである。
　
　　カ　すなわち、本件補正発明が「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」としたことの意義に関して、本願明細書の発明の詳細な説明には、類推や可能性に基づく見解が記載されているだけで、その見解は「実施例」の記載によって裏付けられていない。
　したがって、本件補正発明が「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」とした点に、臨界的な意義が存するとは認められない。
　
　　キ　さて、引用発明の「電熱変換素子」に、より大きな性能係数を要求すること、そのために、引用発明の「ガラス、セラミック、あるいはこれらの多孔質体等の低熱伝導材料からなる複数の粒子８と、前記粒子８の周りにメッキまたは融着等の手段によって形成された、カルコゲナイド系材料からなり半導体としての機能を果たす被覆層９とを備えた粒子を、焼結により結合した構成」により小さい熱伝導率を要求することは、引用発明が当然に有する課題である。
　そして、前記「構成」の熱伝導率を小さくするため、「導電率は十分に高く維持される」ために「機能」する、すなわち、流れる電子の経路となる「被覆層９」で「周り」が被覆された「低熱伝導材料からなる前記粒子８」に、フォノンを散乱させようとすることは、当業者であれば当然に想起したものと認められる。
　してみれば、引用発明において、必要とする「全体の熱伝導率」の大きさに応じて、「低熱伝導材料からなる前記粒子８」の粒径を、前記周知技術のように４ｎｍ〜５０ｎｍの範囲で設定することで、前記「低熱伝導材料からなる前記粒子８」によりフォノンを散乱させて「熱伝導率」を低下させ、「低熱伝導材料からなる前記粒子８の介在」による「全体の熱伝導率」の「低下」の効果をより大きくしようとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　このとき、粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であるコア部となる粒子を膜厚が１〜１０ｎｍであるシェル部となる弱導電性あるいは導電性の材料で被覆して、ナノオーダーの超微粒子を形成することが、前記周知例３〜５に記載されるように周知技術であることを考慮すれば、この粒径が４ｎｍ〜５０ｎｍの範囲の範囲である超微粒子を被覆する「半導体としての機能を果たす被覆層９」の厚さを、当該周知技術のように、１〜１０ｎｍに設定することは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　以上のとおりであるから、引用発明の「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造」を有する「前記粒子」において、「前記粒子８」の粒径を４ｎｍ〜５０ｎｍの範囲で設定し、「被覆層９」の厚さを１〜１０ｎｍに設定することにより、「前記粒子」を粒径がナノオーダーの超微粒子とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　ク　周知例１：特開平１０−２４２５３５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１０−２４２５３５号公報には、「熱電材料及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「【０００３】
【数１】Ｚ＝α２／（ρ×κ）
この性能指数Ｚが大きいほど熱電材料として高性能である。このため、性能指数Ｚを向上させる手段の１つとして材料の熱伝導率κを低減することが望まれる。すなわち、熱電材料は温度差により発電するものなので、熱伝導率κが低い程、温度差を生じ易いということになる。
【０００４】
材料の熱伝導率κを低減するために、熱電材料の出発原料の粒子に熱電材料の母材と反応しない粒径数ｎｍ〜数十ｎｍの超微粒子（不活性超微粒子）を添加する
不活性超微粒子が熱電材料における熱伝導の主要因であるフォノンを散乱させて、熱伝導率κを低減する
　
・「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を図面に示す実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。熱電材料は、
出発原料を超微粒子とし、それに母材と反応しない超微粒子である不活性超微粒子を均一に分布する状態に添加して焼結して成る
出発原料としてビスマス・Ｂｉ，テルル・Ｔｅ，アンチモン・Ｓｂ，セレン・Ｓｅの超微粒子を使用して合金化された結晶粒２
不活性超微粒子３としてはＢＮの超微粒子を使用している
熱電材料１はＢＮの超微粒子を含んだビスマス−テルル系の焼結体とされている
　
・「【００２１】この熱電材料１を製造する手順を図２に示すフローチャートに基づいて説明する。本実施形態では、熱電材料１を製造する手順は出発原料及び不活性超微粒子３から合金の微粉末を合成する粉末合成工程（ステップ１０〜１２）とこの微粉末を焼結する焼結工程（ステップ１３〜１４）との２工程から成るものである。
【００２２】粉末合成工程では、出発原料として単体のＢｉ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｓｅの超微粒子と
不活性超微粒子としてのＢＮの超微粒子とを用意する（ステップ１０）。これらの超微粒子の粒径は０．０１μｍ程度である。
【００２３】そして、焼結工程では、このＢｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系の微粉体を放電プラズマ焼結加工法により焼結する（ステップ１３）。具体的には、例えば
住石放電プラズマ焼結装置（住友石炭鉱業株式会社製）により焼結を行う
【００２４】したがって、この手順により製造された熱電材料１は、出発原料と不活性超微粒子３とのいずれもが超微粒子で同等の大きさとなるので、出発原料の大きさを基準とすると
不活性超微粒子３は結晶粒２に対して偏在することなく分散して均一に分布する。このため、熱電材料１中でフォノンが十分に散乱されて熱伝導率を低減させることができる。また、不活性超微粒子３は均一に分布されているので
熱伝導率の低減による性能指数の増加量を大きくして性能指数を増加させる
【００２５】ここで、
熱電材料１中のフォノンは、不活性超微粒子３の粒径よりも大きい波長について散乱される。
不活性超微粒子３の粒径が４ｎｍであれば４ｎｍ以上の波長のフォノンが散乱されることになる。
これにより、熱電材料１の熱伝導率を十分に低減させる
　
　　ケ　周知例２：特開２００１−２８４６６１号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００１−２８４６６１号公報には、「高温用ｎ型熱電素子組成物」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明する。本発明の母材として用いられる
酸化亜鉛超微粒子とは
好ましくは５〜１００ｎｍのものである
　
・「【０００９】電子熱伝導率はキャリア濃度に依存するのに対して、格子熱伝導率はキャリア濃度への依存が小さいことが知られている。そこで、格子熱伝導率を下げることで、ゼーベック係数や電気伝導率に与える影響を押さえつつ、熱伝導率を下げることで、熱電材料の性能を向上させる手段が提案されている。
その手段の１つに結晶粒界面でのフォノン散乱を利用する方法がある。フォノン散乱を起こさせることで格子熱伝導率を下げるためには、結晶粒界面を増加させてより多くのフォノンを散乱させることが好ましく、そのために結晶粒径を微細化する
　
・「【００１９】次に上記の混合工程において得られた混合原料粉を成形・焼結する。成形・焼結工程としては、
加圧成形後焼結する方法と、加圧しながら焼結する方法の何れの方法も用いることができる
　……（中略）……
【００２２】
加圧しながら焼結する方法としては
放電プラズマ焼結法などの何れの方法も用いる
　
・「【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、原料の履歴及び熱電材料の評価方法は下記のとおりである。
〔原料〕原料となる金属化合物は、予め１３０℃の乾燥機中で乾燥した。
酸化亜鉛超微粒子及びアルミナ超微粒子は気相法により製造された平均粒径５０ｎｍのものを使用した
〔ゼーベック係数及び電気伝導率〕サンプルを角棒状に切断し、表面研磨した後に、熱電能測定装置（真空理工製ＺＥＭ−１Ｓ）を用いて測定した。」
　
　　コ　周知例３：特開平１１−０６１３９９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−０６１３９９号公報には、「セラミックス被覆粉末の製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「【００１４】
【実施例】
実施例１：
種々の粒径をもつ絶縁性セラミックス粉末に、前掲の式（１）から求められた膜厚になるようにＴｉＮ，ＡｌＮ，ＴｉＣ，ＺｒＮ，ＣｒＮ等の弱導電性セラミックスを反応性スパッタリングで被覆した。
【００１５】そこで、
電気抵抗が２桁以上改善された場合を粉末粒子がセラミックスで均一に被覆されているもの（○）
と判定
判定結果を示す表１〜４
　
・前記「判定結果」を示す表１〜４には、セラミックス粉末粒子がセラミックスで均一に被覆されているもの（○）として、「被覆種の結晶子径」が３０〜５０ｎｍ、前記被覆の「膜厚」が１〜１０ｎｍであるものが記載されている。
　
　　サ　周知例４：特開平１１−１５４６７６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−１５４６７６号公報には、「金属配線およびその形成方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「【００２８】ここで、
金属微粒子４は、直径５０ｎｍのＡｌ微粒子５と、このＡｌ微粒子５の表面を被覆する厚さ５ｎｍのＷ薄膜６とから構成されている
無電界メッキにより形成する
　
　　シ　周知例５：特開２００３−０６４２７８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平２００３−０６４２７８号公報には、「コアシェル型半導体ナノ粒子」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明につき詳細に説明する。
［半導体ナノ粒子］本発明の半導体ナノ粒子は、
半導体ナノ結晶のコア（内核）と金属等導電体のシェル（外殻）とからなるコアシェル型粒子
【００１４】該
コアシェル型粒子の数平均粒径は２〜５０ｎｍである
　……（中略）……
【００１６】上記
コアシェル型粒子における導電体シェルの厚さは、通常０．５〜１０ｎｍ程度である。該シェルの厚さの下限値が小さすぎると半導体ナノ結晶の光触媒能減殺の効果が極端に低下する場合があるので、好ましくは１ｎｍ、更に好ましくは２ｎｍである。
　
・「【００３２】前記
導電体シェルは
遷移金属シェルである場合にはその表面が酸化物や硫化物等のカルコゲニド組成を含有していてもよい
【００３３】［導電体シェルの形成方法］前記
導電体のシェルを半導体ナノ結晶コアの表面に形成させる方法に制限はないが、代表的な導電体である金や銀等の遷移金属のシェルは、例えば、前記従来技術で述べた化学メッキ法やその前処理法である金属塩水溶液中において還元剤等を加えて金属陽イオンを還元し０価金属を生成する反応により形成可能である
　
（５−２）相違点２について
　　ア　引用発明のように、「前記粒子８が前記被覆層９で被覆された構造を有する複数個の前記粒子」を「焼結により結合」するに際しては、一般に、前記「複数個の前記粒子」を加圧し圧縮成型した状態で前記「焼結」を行うものである。
　
　　イ　したがって、引用発明においても、前記「複数個の前記粒子」を圧縮成型するとともに「焼結により結合」していると解され、よって、相違点２は実質的な相異点ではない。
　
　　ウ　なお、圧電変換材料の技術分野において、複数の粒子を焼結・結合する圧電変換材料を形成する際に、前記複数の粒子を加圧・圧縮して成型することは、平成２２年１月１２日付けの最後の拒絶理由通知で引用された特開平０５−１５２６１３号公報の段落【００１１】、平成２１年１月１４日付けの拒絶理由通知で引用された特開２０００−２６１０４７号公報の段落【００１８】、前記周知例２の段落【００１９】及び【００２２】、前記周知例１の段落【００２３】に、それぞれ記載されるように、通常行われる常套手段にすぎない。
　よって、仮に、相違点２が実質的な相異点であるとしても、引用発明において、前記「複数個の前記粒子」を圧縮して「焼結により結合」することは、当業者であれば、当然になし得たものと認められる。
　
（５−３）審判請求人の主張
　　ア　審判請求人は、平成２４年１月１０日に提出した回答書において、
Ａ．「フォノンの散乱効果や量子効果を用いる点が一切示唆されていない引用文献１に接した当業者が、いかに通常行う創作能力を発揮しても、シェル部の膜厚を１ｎｍ〜１００ｎｍにし、さらにコア部の粒径を２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にしてみることを想到することは、極めて難しいものであると考えます。」、
Ｂ．「引用文献１に接した当業者は、通常行う創作能力の範囲内であれば、引用文献１に記載された製造方法の範囲内でコア部の大きさ（粒径）及びシェル部の膜厚を調整し、その最適範囲を見出そうとするものであると思われます。しかしながら、このような製造方法ではシェル部の膜厚を１ｎｍ〜１００ｎｍにし、さらにコア部の粒径を２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にすることは極めて困難であります。」、
と主張している。
　
　しかしながら、
　　イ　上記Ａの主張については、「（５−１）相違点１、３及び４について」の項において検討したとおりである。
　
　　ウ　上記Ｂの主張についても、「（５−１）相違点１、３及び４について」の項のウにおいて指摘したとおり、熱電変換材料の技術分野において、粒径を４ｎｍ〜５０ｎｍの範囲のセラミック微粒子をフォノンを散乱させるための散乱中心物とすることは周知技術であり、また、同ウにおいて指摘したように、粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であるコア部となる粒子を、無電解メッキ等の湿式メッキ、または、スパッタリング等の乾式メッキにより、膜厚が１〜１０ｎｍであるシェル部となる弱導電性あるいは導電性の材料で被覆することも、周知技術であった。
　
（６）独立特許要件を満たすかどうかの検討のまとめ
　以上のとおり、相違点１〜４は、いずれも、格別のものではなく、引用発明を前記各相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　小括
　以上の次第で、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　以上のとおり、本件補正（平成２２年８月３日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２１年３月１６日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲、明細書または図面の記載からみて、その請求項１〜５に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル微粒子の圧縮成型体として形成され、複数のコア部と前記コア部を被覆するシェル部とを有するコアシェル構造体からなる熱電変換材料であって、前記複数のコア部は互いに独立し、前記シェル部は連続しており、さらに前記コア部が前記コアシェル構造体中に均一に分散していることを特徴とする熱電変換材料」
　
２　引用例１の記載と引用発明
　引用例１の記載と、引用発明については、前記「第２　平成２２年８月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」における「３　独立特許要件を満たすかどうかの検討」の「（３）引用例の記載と引用発明」において、「（３−１）引用例の記載」で摘記したとおりであり、「（３−２）引用発明」において認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　前記「第２　平成２２年８月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」における、「１　本件補正の内容」の「〈補正事項１〉」、及び、「２　補正目的の適否」の「（１）補正事項１について」で検討したように、本件補正発明は、本件補正前の発明である本願発明に、「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」との事項を追加して、本願発明をより限定したものである。逆に言えば、本願発明は、本件補正発明から、上記の「前記シェル部の膜厚は１ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに前記コア部の粒径が２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内である」という限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本件補正発明が、前記「第２　平成２２年８月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」における「３　独立特許要件を満たすかどうかの検討」において検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。