【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱する為の装置であって：
基板を支持するように適合されたサセプタと；
前記サセプタの第１部分及び第２部分を加熱するように、それぞれ配置された第１加熱素子及び第２加熱素子であって、前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの前記第１部分より放射状に外側にある、前記第１加熱素子及び第２加熱素子と；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分にそれぞれ結合される第１熱電対及び第２熱電対であって、各熱電対は、温度読みを生み出す、前記第１熱電対及び第２熱電対と；
前記第１加熱素子に第１電流を供給し、前記第２加熱素子に第２電流を供給するように接続されたヒータ制御器と；
前記ヒータ制御器は、前記第１電流と前記第２電流を制御し、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みより少なくとも１０℃だけ高い、前記装置。
【請求項２】
前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの周囲付近にある、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ヒータ制御器は、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みより１０から２０℃だけ高くなるように、前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記サセプタを包囲する処理チャンバと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
を更に備え、
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が１０％以下の厚みの均一性を有するのに十分に大きな量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記サセプタを包囲する処理チャンバと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
を更に備え、
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有するのに十分に大きな量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記サセプタを包囲する処理チャンバと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
を更に備え、
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が４．１％以下の厚みの均一性を有するのに十分に大きな量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記サセプタを包囲する処理チャンバと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
を更に備え、
前記ヒータ制御器は、前記第１熱電対と前記第２熱電対が供給ステップ中に等しい場合に生み出される膜の厚みの均一性に対し前記膜の厚みの均一性を改善する量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第１熱電対及び前記第２熱電対は、前記ヒータ制御器にフィードバックを与えるように接続されている、請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記サセプタは、少なくとも５５０ｍｍ×６５０ｍｍの寸法を有する基板を支持する為に十分に大きい、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
処理チャンバと；
前記基板を支持するように適合されたサセプタであって、前記サセプタは、前記処理チャンバ内に位置決めされる、前記サセプタと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされた第１加熱素子及び第２加熱素子であって、前記サセプタの第２部分は、前記サセプタの前記第１部分より放射状に外側にある、前記第１加熱素子及び第２加熱素子と；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分に、それぞれ結合された第１熱電対及び第２熱電対と；
第１電流を前記第１加熱素子に供給し、第２電流を前記第２加熱素子に供給する為に接続されたヒータ制御器と；
を備え、
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が１０％以下の厚みの均一性を有するのに十分な大きさの量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように、前記第１電流及び前記第２電流を制御する、前記装置。
【請求項１１】
処理チャンバと；
前記基板を支持するように適合されたサセプタであって、前記サセプタは、前記処理チャンバ内に位置決めされる、前記サセプタと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされた第１加熱素子及び第２加熱素子であって、前記サセプタの第２部分は、前記サセプタの前記第１部分より放射状に外側にある、前記第１加熱素子及び第２加熱素子と；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分に、それぞれ結合された第１熱電対及び第２熱電対と；
第１電流を前記第１加熱素子に供給し、第２電流を前記第２加熱素子に供給する為に接続されたヒータ制御器と；
を備え、
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有するのに十分な大きさの量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように、前記第１電流及び前記第２電流を制御する、前記装置。
【請求項１２】
前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの周囲付近である、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が４．１％以下の厚みの均一性を有するのに十分な大きさの量だけ、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みを越えるように、前記第１電流及び前記第２電流を制御する、請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
前記第１熱電対及び前記第２熱電対は、前記ヒータ制御器にフィードバックを与えるように接続されている、請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
前記サセプタは、少なくとも５５０ｍｍ×６５０ｍｍの寸法を有する基板を前記チャンバ内で支持するのに十分に大きい、請求項１１記載の装置。
【請求項１６】
基板を加熱する為の装置であって：
基板を支持するように適合されたサセプタと；
前記サセプタの第１部分及び第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされる第１加熱素子及び第２加熱素子であって、前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの前記第１部分より放射状に外側にある、前記第１加熱素子及び第２加熱素子と；
第１温度読みを生み出す第１熱電対と；
第２温度読みを生み出す第２熱電対と；
第１電流を前記第１熱電対に供給し、第２電流を前記第２熱電対に供給する為に接続されたヒータ制御器であって、前記ヒータ制御器は、前記温度読みに応じて前記電流を制御する、前記ヒータ制御器と；
を備え、
前記第２熱電対は、前記サセプタの前記第１部分および前記第２部分の間にある前記サセプタの第３部分に結合され、
前記第１熱電対は、前記サセプタの前記第３部分の放射状の内側にある、前記装置。
【請求項１７】
前記サセプタの前記第４部分は、前記サセプタの前記第１部分の放射状の内側にある、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの周囲付近にある、請求項１６記載の装置。
【請求項１９】
前記ヒータ制御器は、前記第２熱電対の前記温度読みが前記第１熱電対の前記温度読みより高くなるように前記電流を制御する、請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
前記ヒータ制御器は、前記第２熱電対の前記温度読みが前記第１熱電対の前記温度読みより高くなるように前記電流を制御する、請求項１６記載の装置。
【請求項２１】
前記ヒータ制御器は、前記第２熱電対の前記温度読みが前記第１熱電対の前記温度読みより、少なくとも１０℃だけ高くなるように前記電流を制御する、請求項１６記載の装置。
【請求項２２】
前記ヒータ制御器は、前記第２熱電対の前記温度読みが前記第１熱電対の前記温度読みより、１０℃から２０℃の範囲で高くなるように前記電流を制御する、請求項１６記載の装置。
【請求項２３】
前記サセプタを包囲する処理チャンバと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と；
を更に備える、請求項１６記載の装置。
【請求項２４】
前記ヒータ制御器は、前記基板上に堆積される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ、前記第２熱電対の前記温度の読みが前記第１熱電対の前記温度読みを越えるように前記電流を制御する、請求項２３記載の装置。
【請求項２５】
前記ヒータ制御器は、前記第１熱電対と前記第２熱電対の読みが等しい場合に生み出される膜の厚みの均一性に対し前記膜の前記厚みの均一性を改善する量だけ、前記第２熱電対の前記温度の読みが前記第１熱電対の前記温度読みを越えるように前記電流を制御する、請求項２３記載の装置。
【請求項２６】
前記サセプタは、少なくとも５５０ｍｍ×６５０ｍｍの寸法を揺する基板を支持するのに十分に大きい、請求項１６記載の装置。
【請求項２７】
基板上に膜を形成する方法であって：
処理チャンバ内にサセプタを準備するステップと；
前記サセプタの第１部分と第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされた第１加熱素子と第２加熱素子とを準備するステップであって、前記サセプタの前記第２部分は前記サセプタの前記第１部分より放射状の外側にある、前記ステップと；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分に、それぞれ結合された第１熱電対と第２熱電対を準備するステップであって、各熱電対は温度の読みを生み出す、前記ステップと；
前記サセプタ上で基板を支持するステップと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を供給するステップと；
前記支持ステップと前記供給ステップと同時に、前記第２熱電対の前記温度の読みが、前記基板上に形成される前記膜が１０％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ前記第１熱電対の前記温度の読みを越えるように、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項２８】
処理チャンバ内にサセプタを準備するステップと；
前記サセプタの第１部分及び第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされた第１加熱素子及び第２加熱素子を準備するステップであって、前記サセプタの前記第２部分は前記サセプタの前記第１部分の放射状に外側にある、前記ステップと；
前記サセプタの前記第１部分及び前記第２部分に、それぞれ結合された第１熱電対及び第２熱電対を準備するステップであって、各熱電対は温度の読みを与える、前記ステップと；
前記サセプタ上に基板を支持するステップと；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を供給するステップと；
前記支持ステップと前記供給ステップと同時に、前記第２熱電対の前記温度の読みが、前記基板上に形成される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ前記第１熱電対の前記温度の読みを越えるように、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項２９】
前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの周囲付近である、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の前記温度の読みが、前記基板上に形成される前記膜が４．１％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ前記第１熱電対の前記温度の読みを越えるように、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項２８記載の方法。
を備える、前記方法。
【請求項３１】
前記前駆体材料は、ＴＥＯＳを含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３２】
前記前駆体材料は、オルガノ珪酸塩材を含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３３】
第１電流を前記第１加熱素子に供給し、第２電流を前記第２加熱素子に供給する為に接続されたヒータ制御器を準備するステップを更に備え、前記第１熱電対及び前記第２熱電対は、前記コントローラにフィードバックを与える為に接続されている、請求項２８記載の方法。
【請求項３４】
前記基板は、少なくとも５５０ｍｍ×６５０ｍｍの寸法を有する、請求項２８記載の方法。
【請求項３５】
基板を加熱する為のサセプタの温度を制御する方法であって：
基板を支持するように適合されたサセプタを準備するステップと；
前記サセプタの第１部分に第１加熱素子を結合するステップと；
前記第１部分の放射状の外側にある前記サセプタの第２部分に第２加熱素子を結合するステップと；
前記第１熱電対及び第２熱電対を準備するステップであって、各熱電対は温度の読みを与える、前記ステップと；
前記サセプタの前記第１部分と前記第２部分との間にある前記サセプタの第３部分に前記第２熱電対を結合するステップと；
前記サセプタの前記第３部分の放射状の内側にある前記サセプタの第４部分に前記第１熱電対を結合するステップと；
前記第１熱電対及び前記第２熱電対の前記温度の読みに応じて前記第１加熱素子及び前記第２加熱素子を制御するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項３６】
前記サセプタの前記第４部分は、前記第１部分の放射状内側にある、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記サセプタの前記第２部分は、前記サセプタの前記周囲付近にある、請求項３５記載の方法。
【請求項３８】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の前記温度の読みが前記第１熱電対の前記温度読みより高くなるように前記第１加熱素子及び前記第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項３５記載の方法。
【請求項３９】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の温度の読みが前記第１熱電対の温度読みより少なくとも１０度だけ高くなるように第１加熱素子及び第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項３５記載の方法。
【請求項４０】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みより少なくとも１０度から２０度だけ高くなるように第１加熱素子及び第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項３５記載の方法。
【請求項４１】
前記サセプタ上に基板を支持するステップと；
前記基板上に膜を堆積するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を供給するステップと；
を前記制御するステップと同時に更に備える、請求項３５記載の方法。
【請求項４２】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の前記温度読みが、前記基板上に形成される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ前記第１熱電対の前記温度読みを越えるように、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
前記制御するステップは、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御する工程であって、前記第２熱電対の前記温度読みが前記第１熱電対の前記温度読みを、前記第１熱電対と前記第２熱電対の温度読みが等しい場合に生ずる膜の厚みの均一性に対し前記膜の厚みの均一性を改善する量だけ前記第１熱電対の前記温度読みを越える、前記工程を備える、請求項４１記載の方法。
【請求項４４】
前記サセプタは、前記チャンバ内部で少なくとも５５０ｍｍ×６５０ｍｍの寸法を持つ基板を支持するのに十分な大きさである、請求項３５記載の方法。
【請求項４５】
上部に膜が形成される基板であって：
処理チャンバ内部にサセプタを提供するステップ；
前記サセプタの第１部分及び第２部分を加熱するように、それぞれ位置決めされた第１加熱素子及び第２加熱素子を提供するステップであって、前記サセプタの前記第１部分は前記サセプタの前記第２部分の放射状外側にある、前記ステップ；
前記サセプタの前記第１部分及び第２部分に、それぞれ結合された第１熱電対及び第２熱電対を提供するステップであって、各々の熱電対は、温度読みを与える、前記ステップ；
前記サセプタ上に基板を支持するステップ；
前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を供給するステップ；
前記第１加熱素子及び第２加熱素子を制御するステップであって、前記第１熱電対と前記第２熱電対の温度読みが等しい場合に生ずる膜の厚みの均一性より良好な厚みの均一性を前記基板上に堆積された前記膜が有するように、かなり十分な量だけ前記第１熱電対の前記温度読みが前記第２熱電対の前記温度読みを越える、前記ステップ；
が同時に発生することにより、前記膜が形成される、前記基板。
【請求項４６】
前記サセプタの前記第１部分は、前記サセプタの前記周囲に隣接している、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
前記制御するステップは、前記第１熱電対の前記温度読みが、前記基板上に形成される前記膜が６．７％以下の厚みの均一性を有する為に十分に大きい量だけ前記第２熱電対の前記温度読みを越えるように、前記第１熱加熱素子及び前記第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項４５記載の方法。
【請求項４８】
前記制御するステップは、前記第２熱電対の温度読みが前記第１熱電対の温度読みより少なくとも１０度だけ高くなるように第１加熱素子及び第２加熱素子を制御する工程を備える、請求項４５記載の方法。
【請求項４９】
前記前駆体材料は、ＴＥＯＳを含む、請求項４５記載の方法。
【請求項５０】
前記前駆体材料は、オルガノ珪酸塩材料を含む、請求項４５記載の方法。