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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式のキレート剤結合体。
【化１】
2005500325.tif 000001
式中、各Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は独立にＲ基であり、
Ｙは−（Ａ）n−Ｘ−Ｚ（式中、Ｘは−ＮＲ4−、−ＣＯ2−、−Ｎ（Ｃ＝Ｓ）−、−Ｎ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｓ−又は−Ｏ−であり、Ｚは生体ターゲッティング部分であり、Ｒ4は独立にＲ基であり、−（Ａ）n−はリンカー基であって、各Ａは独立に−ＣＲ2−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＲ2ＯＣＲ2−、−ＣＲ2ＳＣＲ2−、−ＣＲ2ＮＲＣＲ2−、Ｃ4〜8シクロヘテロアルキレン基、Ｃ4〜8シクロアルキレン基、Ｃ5〜12アリ−レン基、Ｃ3〜12ヘテロアリ−レン基又はポリアルキレングリコール、ポリ乳酸又はポリグリコール酸部分であり、ｎは０〜１０の値の整数である。）であり、
各Ｒ基は独立にＨ又はＣ1〜10アルキル、Ｃ3〜10アルキルアリ−ル、Ｃ2〜10アルコキシアルキル、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル、Ｃ1〜10フルオロアルキルであるか、或いは２以上のＲ基がそれらに結合した原子と共に炭素環式、複素環式、飽和又は不飽和の環を形成する。
【請求項２】
次式で表される、請求項１記載のキレート剤結合体。
【化２】
2005500325.tif 000002
式中、各Ｒ1は独立にＣ1〜3アルキル又はＣ1〜3フルオロアルキルである。
【請求項３】
Ｚが３〜２０量体ペプチドである、請求項１又は請求項２記載のキレート剤結合体。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のキレート剤結合体の放射性金属複合体。
【請求項５】
放射性金属が99mＴｃである、請求項４記載の放射性金属複合体。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の放射性金属複合体をヒトへの投与に適した形態で含む、放射性医薬品。
【請求項７】
放射性金属が99mＴｃである、請求項６記載の放射性医薬品。
【請求項８】
請求項７記載の99mＴｃ放射性医薬品の製造用キットであって、
（ｉ）請求項１乃請求項３のいずれか１項記載のキレート剤結合体、及び
（ii）生体適合性還元剤
を含むキット。
【請求項９】
次式の化合物。
【化３】
2005500325.tif 000003
式中、各Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は独立にＲ基であり、
Ｅは−（Ａ）n−Ｊ（式中、ＪはＺとの結合に適した官能基であり、−（Ａ）n−はリンカー基であって、各Ａは独立に−ＣＲ2−、−ＣＲ＝ＣＲ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＲ2ＯＣＲ2−、−ＣＲ2ＳＣＲ2−、−ＣＲ2ＮＲＣＲ2−、Ｃ4〜8シクロヘテロアルキレン基、Ｃ4〜8シクロアルキレン基、Ｃ5〜12アリ−レン基、Ｃ3〜12ヘテロアリ−レン基又はポリアルキレングリコール、ポリ乳酸又はポリグリコール酸部分であり、ｎは０〜１０の値の整数である。）であり、
各Ｒ基は独立にＨ又はＣ1〜10アルキル、Ｃ3〜10アルキルアリ−ル、Ｃ2〜10アルコキシアルキル、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル、Ｃ1〜10フルオロアルキルであるか、或いは２以上のＲ基がそれらに結合した原子と共に炭素環式、複素環式、飽和又は不飽和の環を形成する。
【請求項１０】
請求項９記載の化合物であって、Ｊが−ＮＲ5Ｒ6、−ＣＯ2Ｍ、−ＮＣＳ、−ＮＣＯ、−ＳＭ1、−ＯＭ1、マレインイミド又はアクリルアミドであって、Ｒ5及びＲ6が独立にＲ基又はＰGであり、ＭがＨ、陽イオン、ＰG又は活性エステルであり、Ｍ1がＨ又はＰGであり、ＰGが保護基である、化合物。
【請求項１１】
Ｅが−ＣＨ2ＣＨ2−Ｊである、請求項９又は請求項１０記載の化合物。
【請求項１２】
次式の化合物。
【化４】
2005500325.tif 000004
【請求項１３】
次式の化合物又はその塩。
ＨＣ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＲ7Ｒ8）3
式中、Ｒ7及びＲ8は独立にＨ又はＰGであるか、或いはＲ7とＲ8とが一緒に保護基ＰGを形成する。
【請求項１４】
化合物ＨＣ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）3。
【請求項１５】
請求項９記載の化合物の製造方法であって、次の式ＩＶ：
【化５】
2005500325.tif 000005
（式中、Ａ、Ｊ、Ｒ2、Ｒ3及びｎは請求項９に記載の通りである。）の化合物を、
（ｉ）式Ｃｌ−Ｃ（Ｒ1）2−ＣＨ（ＮＯ）Ｒ1のクロロニトロソ誘導体、又は
（ii）式Ｃｌ−Ｃ（Ｒ1）2−Ｃ（＝ＮＯＨ）Ｒ1のアルファ−クロロオキシム、又は
（iii）式Ｂｒ−Ｃ（Ｒ1）2−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ1のアルファ−ブロモケトン
のいずれかでアルキル化し、上記（iii）でのアルキル化の場合は続いてジアミンジケトン生成物をヒドロキシルアミンによりジアミンジオキシムへ変換することからなる方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の化合物の製造方法であって、ＨＣ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）3を
（ｉ）式Ｃｌ−Ｃ（Ｒ1）2−ＣＨ（ＮＯ）Ｒ1のクロロニトロソ誘導体、又は
（ii）式Ｃｌ−Ｃ（Ｒ1）2−Ｃ（＝ＮＯＨ）Ｒ1のアルファ−クロロオキシム、又は
（iii）式Ｂｒ−Ｃ（Ｒ1）2−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ1のアルファ−ブロモケトン
のいずれかでアルキル化し、上記（iii）でのアルキル化の場合は続いてジアミンジケトン生成物をヒドロキシルアミンによりジアミンジオキシムへ変換することからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
場合により薬理学的に許容可能な酸付加塩、水和物又は溶媒和物の形態にあってもよい２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールの、抗痙攣作用を有する医薬組成物を製造するための使用。
【請求項２】
脳発作の予防及び／又は治療用医薬組成物を製造するための、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールがその（＋）又は（−）エナンチオマーの形態で使用される請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】
癲癇、全身発作（アブセンス発作、非定型アブセンス発作、ミオクローヌス発作、間代発作、強直発作及び強直・間代発作）、焦点性発作（単純及び複合焦点性発作）及び続発性全身発作の予防及び／又は治療のための、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
癲癇の予防及び／又は治療のための請求項１〜４のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが１種又は２種以上の他の医薬として活性な物質と組み合せて使用される請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
活性物質が抗痙攣剤から選ばれる請求項６に記載の使用。
【請求項８】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、カルバマゼピン、オキサカルバマゼピン、バルプロ酸、ジフェニルヒンダトイン、エトスクシミド、メスクシミド、フェノバルビタール、プリミドン、ベンゾジアゼピン、コルチコトロフィン、コルチコイド、ブロミド、スルチアム、アセタゾールアミド、フェルバマット、ガバペンチン、ラモトリゲン、トピラマット、ビガバトリン、レベチラセタム及びゾニサミドからなる群より選ばれる１種又は２種以上の活性物質と共に使用される請求項６又は７に記載の使用。
【請求項９】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩、メタンスルホン酸塩、酢酸塩、フマル酸塩、コハク酸塩、乳酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩及びマレイン酸塩からなる群より選ばれる薬理学的に許容可能な酸付加塩の形態で使用される請求項１〜８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、１日当り約０．０５〜７．５ｍｇの投与量で使用される請求項１〜９のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式(Ｉ)：
【化１】
2005500370.tif 000001
［式中、
nは0、1、2または3に等しく；
Xは、酸素または硫黄原子を表し；
R1は、nが2または3のときは互いに独立しており、ハロゲン原子、ヒドロキシ、C1-3アルキル、C1-3アルコキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメチルオキシまたはメチレンジオキシを表し；
R2は、任意にC3-7シクロアルキル基、フェニル、C1-3アルコキシ基、ヒドロキシもしくはハロゲン原子で置換されていてもよいC1-6アルキル基；C3-7シクロアルキル、ピペリジニルまたはフェニル基を表し；これらのC3-7シクロアルキル、ピペリジニルおよびフェニル基は、任意に１つ以上のC1-3アルキル基、C1-3アルコキシ基、ヒドロキシまたはハロゲン原子で置換されていてもよく；
R3は、水素原子または任意にC3-7シクロアルキル基で置換されていてもよいC1-6アルキル基を表し；
R4は、水素原子またはC1-4アルキル基を表し；
R5およびR5'は、互いに独立して、水素原子、ヒドロキシ、ハロゲン原子もしくはC1-3アルキル基を表すか；またはR5およびR5'は一緒になってオキソ基を形成し；そして、
R6は、水素原子、ハロゲン原子、C1-3アルキル、C1-3アルコキシ、トリフルオロメチルまたはトリフルオロメトキシを表す］
に相当し、塩基、酸付加塩、水和物または溶媒和物の形態にある化合物。
【請求項２】
Xは、酸素または硫黄原子を表し；
R1は、nが2または3のときは互いに独立しており、ハロゲン原子、メチレンジオキシ、C1-3アルキル基、C1-3アルコキシ基またはトリフルオロメチルオキシを表し；
R2は、任意にC4-7シクロアルキルまたはフェニル基で置換されていてもよいC1-4アルキル基；C4-7シクロアルキル、ピペリジニルまたはフェニル基を表し；これらのC4-7シクロアルキル、ピペリジニルおよびフェニル基は、任意に１つ以上のC1-3アルキルまたはC1-3アルコキシ基で置換されていてもよく；
R3は、水素原子または任意にC4-7シクロアルキル基で置換されていてもよいC1-4アルキル基を表し；
R4は、水素原子またはC1-3アルキル基を表し；
R5およびR5'は、互いに独立して、水素もしくはハロゲン原子、ヒドロキシまたはC1-3アルキル基を表すか；あるいはR5およびR5'は一緒になってオキソ基を形成し；そして、
R6は、水素原子またはC1-3アルコキシを表す
ことを特徴とし、塩基、酸付加塩、水和物または溶媒和物の形態にある、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Xは、酸素原子を表し；
R1は、nが2または3のときは互いに独立しており、ハロゲン原子を表し；
R2は、任意にC4-7シクロアルキルまたはフェニル基で置換されていてもよいC1-4アルキル基；C4-7シクロアルキル、ピペリジニルまたはフェニル基を表し；これらのC4-7シクロアルキル、ピペリジニルおよびフェニル基は、任意に１つまたは２つのC1-3アルキルまたはC1-3アルコキシ基で置換されていてもよく；
R3は、メチル、エチルまたはプロピルを表し；
R4は、水素原子またはメチルを表し；
R5およびR5'は、互いに独立して、水素もしくはフッ素原子、ヒドロキシまたはメチルを表すか；あるいはR5およびR5'は一緒になってオキソ基を形成し；そして
R6は、水素原子またはメトキシを表す
ことを特徴とし、塩基、酸付加塩、水和物または溶媒和物の形態にある、請求項１に記載の式(Ｉ)の化合物。
【請求項４】
式(VII)：
【化２】
2005500370.tif 000002
の化合物と、式(VIII)：
【化３】
2005500370.tif 000003
［式中、n、X、R1、R2、R3、R4、R5およびR5'は請求項１に記載の式(Ｉ)で定義したとおりである］
のアミノ酸とのペプチドカップリングを行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の式(Ｉ)の化合物の製造方法。
【請求項５】
式(XIII)：
【化４】
2005500370.tif 000004
のアミンと、式(XIV)：
【化５】
2005500370.tif 000005
［式中、n、X、R1、R2、R3、R4、R5およびR5'は請求項１に記載の式(Ｉ)で定義したとおりである］
の酸とのペプチドカップリングによる、請求項１〜３のいずれか一つに記載の式(Ｉ) (ここでR3は水素原子を表わさない)の化合物の製造方法。
【請求項６】
式(VI)：
【化６】
2005500370.tif 000006
［式中、X、R2およびR4は請求項１で定義したとおりであり、Pgはジフェニルケトン イミンを表す］
の化合物。
【請求項７】
式(VII)：
【化７】
2005500370.tif 000007
［式中、X、R2およびR4は請求項１で定義したとおりである］
の化合物。
【請求項８】
式(XIII)：
【化８】
2005500370.tif 000008
［式中、X、R2、R3およびR4は請求項１で定義したとおりである］
の化合物。
【請求項９】
医薬的に許容される塩基、塩、水和物または溶媒和物の形態にある請求項１〜３のいずれか一つに記載の式(Ｉ)の化合物を少なくとも１つ、およびの医薬的に許容される賦形剤を任意に１つ以上含む医薬組成物。
【請求項１０】
医薬として使用するための、医薬的に許容される塩基、塩、水和物または溶媒和物の形態にある、請求項１〜３のいずれか一つに記載の式(Ｉ)の化合物。
【請求項１１】
塩基の形態にある請求項１〜３のいずれか一つに記載の式(Ｉ)の化合物または医薬的に許容される塩、水和物もしくは溶媒和物を有効成分として含むβ-アミロイドペプチドβ-A4の形成阻害剤が治療的恩恵を提供する症状の治療用医薬組成物。
【請求項１２】
β-アミロイドペプチドβ-A4の形成阻害剤が治療的恩恵を提供する症状が、老人性痴呆症、アルツハイマー病、ダウン症候群、パーキンソン病、アミロイド血管症および/または脳血管障害である、請求項１１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
場合により薬理学的に許容可能な酸付加塩、水和物又は溶媒和物の形態にあってもよい２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールの、ＡＤＨＤの予防及び／又は治療用医薬組成物を製造するための使用。
【請求項２】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールがその（＋）又は（−）エナンチオマーの形態で使用される請求項１に記載の使用。
【請求項３】
注意欠陥の予防及び／又は治療のための請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】
活動過多疾患の予防及び／又は治療のための請求項１又は２に記載の使用。
【請求項５】
注意欠陥が伴う活動過多疾患の予防及び／又は治療のための請求項１又は２に記載の使用。
【請求項６】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが１種又は２種以上の他の医薬として活性な物質と組み合せて使用される請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
活性物質が、α−交感神経興奮剤及び抗鬱剤から選ばれる請求項６に記載の使用。
【請求項８】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、メチルフェニデート、アンフェタミン、アンフェタミニル、メタンフェタミン、ペモリン、トモキセチン、デシプラミン、イミプラミン、ビュープロピオン及びモダフィニルからなる群より選ばれる１種又は２種以上の活性物質と共に使用される請求項６又は７に記載の使用。
【請求項９】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩、メタンスルホン酸塩、酢酸塩、フマル酸塩、コハク酸塩、乳酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩及びマレイン酸塩からなる群より選ばれる薬理学的に許容可能な酸付加塩の形態で使用される請求項１〜８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
２−アミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−６−ｎ−プロピルアミノ−ベンゾチアゾールが、１日当り約０．０５〜７．５ｍｇの投与量で使用される請求項１〜９のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−Ｏ−グルコシルヒドロモルホン又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項２】
３−Ｏ−グルコシルジヒドロイソモルフィン又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項３】
６−Ｏ−グルコシルジヒドロイソモルフィン又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項４】
３−Ｏ−グルコシルジヒドロモルフィン又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項５】
６−Ｏ−グルコシルジヒドロモルフィン又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項６】
ノルジヒドロモルフィン−３−グルクロニド又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項７】
ノルジヒドロイソモルフィン−３−グルクロニド又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項８】
ノルヒドロモルホン−３−グルクロニド又は薬学的に許容し得るこれらの塩である化合物。
【請求項９】
単離され、精製された形態のものである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
β−グリコシドである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１１】
有効量の請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物と薬学的に許容し得るキャリア又はビヒクルとを含む組成物。
【請求項１２】
患者の痛みの治療のための請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１３】
患者の痛みを治療するための薬剤の製造のための請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式の化合物または医薬上許容されるその塩：
【化１】
2005500355.tif 000001
［式中、Ｘは、Ｎ、ＣＨ、Ｃ−Ｒ２；
Ｒ１は、Ｃ１−Ｃ６直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和アルキル；
Ｒ２は、水素、Ｃ１−Ｃ６直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和アルキル、Ｃ６−Ｃ１４アリールまたはＣ６−Ｃ１４アリール（Ｃ１−Ｃ６）直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和アルキル（ここで、アリール基は１または複数の、同じであっても異なっていてもよい以下からなる群から選択される置換基によって置換されていてもよい：ハロゲン、ヒドロキシ、直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、アミノ、モノ−またはジ−直鎖状または分枝鎖状Ｃ１−Ｃ６アルキル）；
Ｒ３は、ＮＨ２、ＮＨＲ４
Ｒ４は、Ｃ１−Ｃ６アルキルまたはＣ１−Ｃ６ヒドロキシアルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキル（ここで、アミノ基は１または２のＣ１−Ｃ３アルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基は直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和）、Ｃ６−Ｃ１４アリールまたはＣ６−Ｃ１４アリール（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（ここで、アリール基は１または複数の、同じであっても異なっていてもよい以下からなる群から選択される置換基によって置換されていてもよい：ハロゲン、ヒドロキシ、直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、直鎖状または分枝鎖状の飽和または不飽和Ｃ１−Ｃ６アルキルによってモノ−またはジ−置換されたアミノ）］。
【請求項２】
Ｘが窒素でありＲ２が２位のｎ−ブチルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｘが窒素でありＲ２が２位のフェネチルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘが窒素でありＲ２が２位のｎ−ペンチルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ｘが炭素でありＲ２が６または７位の水素である、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
以下からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物：
６−アミノ−２，９−ジメチル−８−（トリアゾール−２−イル）−９（Ｈ）−プリン；
２−ブチル−９−メチル−８−（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−２−イル）−９Ｈ−プリン−６−イルアミン；
９−メチル−２−（２−フェニルエチル）−８−（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−２−イル）−９Ｈ−プリン−６−イルアミン；
９−メチル−２−ペンチル−８−（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−２−イル）−９Ｈ−プリン−６−イルアミン。
【請求項７】
６−アミノ−９−メチル−８−（トリアゾール−２−イル）−９（Ｈ）−プリンである、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
以下の図式にしたがい、以下の工程を含む、請求項１−７に記載の化合物の調製方法：
【化２】
2005500355.tif 000002
ａ）化合物ａ）の２位をブロモ−置換する工程、
ｂ）化合物ｂ）の２位のブロモをトリアゾール−２−イル基に置換して化合物ｃ）を得る工程。
【請求項９】
請求項１−７に記載の少なくとも１つの化合物を、医薬上許容される賦形剤および／または媒体と混合して含む医薬組成物。
【請求項１０】
アデノシンＡ２ａ受容体に対して阻害活性を有する、請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１１】
該阻害活性がアデノシンＡ２ａ受容体に対して選択的である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
運動障害の治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１３】
アルツハイマー病の治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１４】
ハンチントン病の治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１５】
ウィルソン病の治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１６】
パーキンソン病の治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１７】
パーキンソン病が「オンオフ」現象を有するか、またはパーキンソン病が重大な運動障害を伴うものである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
該化合物が、Ｌ−ＤＯＰＡまたは１または複数のドーパミンアゴニストと組合される、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
ドーパミン代替療法に有用である、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
障害が、薬剤、外傷、毒性薬剤によって引き起こされる、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
脳虚血および／または神経変性過程に関連するメカニズムの治療のための請求項１−６のいずれかに記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項２２】
請求項１−６のいずれかに記載の化合物とＬ−ＤＯＰＡまたはドーパミンアゴニストとの組合せ。
【請求項２３】
ドーパミン−代替療法に有用な、請求項２２に記載の組み合わせを含む医薬組成物。
【請求項２４】
アデノシンＡ１受容体に対してアフィニティーを有する、請求項７に記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項２５】
認知障害、アルツハイマー病、脳虚血、急性および慢性腎不全、放射線写真造影剤またはシスプラチンによって誘導される腎不全の治療に有用である、請求項２４に記載の医薬組成物。
【請求項２６】
２−ブロモ−４−クロロ−１−メチル−１（Ｈ）−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン。
【請求項２７】
４−クロロ−１−メチル−２−（トリアゾール−２−イル）−１（Ｈ）−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン。
【請求項２８】
４−クロロ−１−メチル−２−（トリアゾール−１−イル）−１（Ｈ）−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン。
【請求項２９】
４−ベンジルアミノ−１−メチル−２−（トリアゾール−２−イル）−１（Ｈ）−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン。
【請求項３０】
請求項８に記載の方法における中間体としての請求項２６−２９の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
80重量％DPPC、10重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子を有してなる製剤。
【請求項２】
75重量％DPPC、15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子を有してなる製剤。
【請求項３】
75重量％〜80重量％DPPC、10重量％〜15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子を有してなる製剤。
【請求項４】
粒子が、約1.5mg〜約20mgの質量のインスリンを含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項５】
粒子が、容器当たり約1.5mgの質量のインスリンを含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項６】
粒子が、容器当たり約５mgの質量のインスリンを含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項７】
粒子が、約42IU〜約540IUのインスリンの投薬量を含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項８】
粒子が、約42IUのインスリンの投薬量を含有してなる請求項７記載の製剤。
【請求項９】
粒子が、約84IU〜約294IUのインスリンの投薬量を含有してなる請求項７記載の製剤。
【請求項１０】
粒子が、約0.4g/cm3未満のタップ密度を有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項１１】
粒子が約0.1g/cm3未満のタップ密度を有してなる請求項１０記載の製剤。
【請求項１２】
粒子が、約５μm〜約30μmのメジアン幾何学的直径を有してなる請求項３記載
の製剤。
【請求項１３】
粒子が、約７μm〜約８μmのメジアン幾何学的直径を有してなる請求項１２記
載の製剤。
【請求項１４】
粒子が、約１μm〜約５μmの空気力学的直径を有してなる請求項３記載の製剤
。
【請求項１５】
粒子が、約１μm〜約３μmの空気力学的直径を有する請求項１４記載の製剤。
【請求項１６】
粒子が、約３μm〜約５μmの空気力学的直径を有する請求項１４記載の製剤。
【請求項１７】
粒子がアミノ酸をさらに含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項１８】
アミノ酸が、ロイシン、イソロイシン、アラニン、バリン、フェニルアラニンまたはその任意の組み合わせである請求項１７記載の製剤。
【請求項１９】
粒子が低転移温度リン脂質をさらに含有してなる請求項３記載の製剤。
【請求項２０】
a）75重量％DPPC、15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子；
b）80重量％DPPC、10重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子；ならびに
c）75重量％〜80重量％DPPC、10重量％〜15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子
からなる群より選ばれる単位投薬量を含有する２つ以上の容器を含有してなるインスリンの投与用キット。
【請求項２１】
前記２つ以上の容器を使用するための説明書をさらに含有してなる請求項２０記載のキット。
【請求項２２】
２つ以上の容器を含有してなるインスリンの投与のためのキットであって、ここで１つ以上の容器が、40重量%〜60重量%DPPC、30重量％〜50重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子の単位投薬量を含有してなり、１つ以上の容器が、75重量%〜80重量%DPPC、10重量％〜15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子の単位投薬量を含有してなるキット。
【請求項２３】
１つ以上の容器が60重量%DPPC、30重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子の単位投薬量を含有してなり、１つ以上の容器が、75重量%DPPC、15重量％インスリンおよび10重量％クエン酸ナトリウムを含有する粒子の単位投薬量を含有してなる請求項２２記載のキット。
【請求項２４】
使用するための説明書をさらに含有してなる請求項２２記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
老化関連症状の早期発現または進行に対する被験者の感受性を特定する方法において、
ＩＬ−１パターン１、パターン２および／またはパターン３の少なくとも一つの対立遺伝子に関して被験者の遺伝子型を利用する工程を含み、
ＩＬ−１パターン１、パターン２および／またはパターン３の少なくとも一つの対立遺伝子の存在または不在が、老化関連症状の早期発現または進行に対する被験者の感受性に関する情報を提供することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者の皮膚または毛髪の拭取りに適した多数の吸脂性脂取りシートのパッケージであって、この脂取りシートは、５０〜１００パーセントの保脂率パーセントを有し、熱可塑性材料の吸脂性多孔質フィルムを含み、６５未満の透明度を有し、脂が負荷された時に透明度が変化する、前記多孔質フィルムが、中間脂不浸透性層またはフィルムを伴なわずに、直接に１つの面に脂汚染可能層を有する、吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項２】
前記脂汚染可能層がマクロ多孔質層またはパターンコーティング層である、請求項１に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項３】
前記脂汚染可能層が乾燥粉末である、請求項２に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項４】
前記脂汚染可能層が不織ウエブである、請求項２に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項５】
前記不織ウエブが、１０〜１００ｇ／ｍ2の坪量を有し、脂取りシートに断続的に接着され、その接着面積が１〜５０パーセントである、請求項１，２または４に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項６】
前記多孔質フィルムの単位面積あたりの間隙容量が、次の等式：
単位面積あたりの間隙容量＝［フィルム厚さ（ｃｍ）×１（ｃｍ）×空隙率（％）］／１００（式中、空隙率は、多孔質フィルム中の空隙のパーセンテージである）
によって計算された場合、０．０００１〜０．００５ｃｍ3の範囲内にあり、前記多孔質フィルムの空隙率が５〜５０％の範囲内にあり、フィルムの厚さが５〜２００μｍの範囲内にある、請求項１〜５のいずれか１項に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項７】
前記多孔質フィルムが、２０〜６０パーセントの非微粒子充填剤を含む熱可塑性多孔質フィルムを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項８】
前記多孔質フィルムの空隙が、０．２〜５．０ミクロン（μｍ）の範囲内の平均サイズを有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【請求項９】
前記脂汚染可能層が泡立て界面活性剤である、請求項１〜３及び請求項５〜８のいずれか１項に記載の吸脂性脂取りシートのパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医薬品をコーティングする方法であって、
少なくとも１個のマイクロ・ディスペンサー(１)で、個々に分離した小滴(７)を製造し、当該小滴の大きさ、形および組成を制御する手段、
小滴(７)の製造頻度および調整を制御する手段、
制御された速度および飛行時間で小滴(７)を配布する手段、
キャリアー・ガスの流速、温度および組成を制御する手段、
小滴(７)をコーティングに付する粒子(１０)に指向させる手段、
を含む方法。
【請求項２】
制御された大きさ、形および組成の個々に分離した小滴(７)の製造が圧作動型マイクロ・ディスペンサーで実施される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
小滴(７)がキャリアー・ガスを使用して配布される請求項１記載の方法。
【請求項４】
小滴(７)の速度がキャリアー・ガスの流速で調整可能である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
小滴(７)がホロウ・コーン(８)で指向される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ホロウ・コーン(８)がマイクロ・ディスペンサー(１)を囲んでいる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
コーティングが流動床(９)で実施される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コーティングが、当該医薬品がキャリアー・ガスによって搬送されているパイプ中で連続的に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
コーティング形成がモニターされている請求項７および８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
モニターがスペクトロメトリー測定を行うことによって実施される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
スペクトロメトリー測定が連続的に実施される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
当該スペクトロメトリー測定が電磁スペクトルの任意の領域に基くスペクトロメトリー法によって実施される請求項１０および１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】
当該スペクトロメトリー測定がイメージング・スペクトロメトリー法によって実施される請求項１０および１１の何れかに記載の方法。
【請求項１４】
当該モニターからの出力を、小滴(７)の配布を制御するための入力として使用する請求項９−１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】
小滴製造ユニット(１)および小滴指向ユニット(８)を含む、医薬品のコーティングのための装置であって、小滴製造ユニット(１)が、個々に分離した小滴(７)を製造し、当該小滴(７)の大きさ、形および組成を制御するための圧作動型マイクロ・ディスペンサーであることを特徴とする装置。
【請求項１６】
小滴指向ユニット(８)がホロウ・コーン(８)を含む請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
小滴(７)を搬送するために、当該小滴指向ユニット(８)中にキャリアー・ガスが提供される請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
圧作動型マイクロ・ディスペンサー(１)が圧セラミック素子(５)を含む請求項１５−１７の何れかに記載の装置。
【請求項１９】
マイクロ・ディスペンサー(１)が、流通チャネルを形成する２個の結合したシリコン構造体(２、３)を含む請求項１５−１８の何れかに記載の装置。
【請求項２０】
スタンド(４)が当該マイクロ・ディスペンサー(１)と当該圧セラミック素子(５)の間に提供されている請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
当該シリコン構造体の一方(２)が膜を有し、そこに逆ピラミッドの形の開口部が提供されている請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
装置が、小滴製造ユニット(１)のアレイと小滴指向ユニット(８)を含む請求項１５に記載の装置。
【請求項２３】
小滴製造ユニット(１)および小滴指向ユニット(８)が、それぞれ互いに独立して設置されている請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
いくつかのアレイがコーティング加工ユニット(９)中に設置されている請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
コーティング加工ユニットが流動床(９)である請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
コーティング加工ユニットが連続コーティング加工ユニットである請求項２４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
中空体が近位端と遠位端とを有し、中空体の近位端がリザーバの外部に延び、かつ、注入ポートを備えている、請求項１２に記載の送達デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
発明の詳細な説明
同等の参照文字が同等の部分を示している、図面中の種々の図を参照すると、そこには、本発明による送達デバイス１の種々の図が示してある。
図１〜３に示すとおり、送達デバイス１は、近位端３と遠位端４とを有するリザーバ２を備えている。リザーバ２の近位端３近傍に位置するのは、リザーバ２内への所望の剤の注入のための注入ポート５である。注入ポート５を通じて注入された剤は、処置部位に送達機構６を通じて送達される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
ａ）工程は、更にＧα１６ポリペプチドの存在下で行われる請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２０】
前記検出又は前記ＧＰＲ８６ポリペプチドのシグナリング活性の測定工程は、セカンドメッセンジャーのレベルにおける変化を検出する工程を含む請求項７〜１９のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４６】
ＡＤＰ存在下でＧＰＲ８６を発現する細胞系列において測定されるＧＰＲ８６活性の標準をさらに含む請求項３３〜４５のいずれかに記載のキット。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５４】
ＡＤＰが、ＡＴＰ，２ＭｅＳＡＴＰ，２ＭｅＳＡＤＰ，ＡＤＰβＳ、又はＡｐ３Ａと置き換えられる請求項１〜２３，３３〜３９，４１又は４６のいずれかに記載の方法又はキット。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
ここで用いられる「ＡＤＰ」とは、ＡＴＰのリン酸末端の加水分解によって生成されるヌクレオチドをいい、アデニン、リボース及び２リン酸を含んだ構造である（図７）。ＡＤＰアナローグ（analog）はＡＤＰ等価物と考えられるであろうことが意図される。本発明のＡＤＰアナローグとしては、２ＭｅＳＡＤＰ、ＡＤＰβＳが挙げられるが、これらに限定されない。本発明によれば、ＡＤＰアナローグは上記で説明され、図７で表されるようなＡＤＰと同じ塩基構造を示すだけでなく、１つ以上の異なる置換基の構造であってもよく、米国特許５７００７８６に表示されているＡＤＰアナローグのいずれかを含むが、これらに限定されない。本発明によればＡＤＰアナローグは、ＡＤＰと同程度にＧＰＲ８６への結合を示すだろう。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３６】
変位実験用に、ＧＰＲ８６ポリペプチドを発現する細胞（一般に解析あたり２５×１０３細胞又は１乃至１００μｇの膜抽出物）は、濃度を増加させている候補モジュレーターの存在又は不在下で、標識されたＡＤＰと結合バッファ（binding  buffer）内で培養される。その解析を有効にし、修正するために、非標識ＡＤＰの濃度を増大させながら、コントロール競合反応を行うことができる。培養後、細胞は、広範囲に洗浄され、結合した標識ＡＤＰは与えられた標識にふさわしいように測定される（例えば、シンチレーションカウント、蛍光など）。候補モジュレーターの存在下で結合された標識ＡＤＰの量において少なくとも１０％減少すると、候補モジュレーターによって結合が変位していることを示している。１０ｎＭ以下の濃度で標識ＡＤＰ（サブ飽和しているＡＤＰ投与量）の５０％変位すれば、本明細書で説明されているこの又は他の解析において、候補モジュレーターは特異的に結合すると考えられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４４】
他のリガンド
ここで説明されている方法又は結合解析のいずれも、ＧＰＲ８６の非ＡＤＰリガンド（例えばアゴニスト、アンタゴニストなど）を用いて実行されることができると理解されるべきである。例えば、ここで説明されているように同定された小さな分子又はＡＤＰアナローグは、米国特許Ｎｏ．５７００７８６に表示されるＡＤＰアナローグ、天然又は合成ペプチド、ポリペプチド、抗体又はその抗原結合部位、脂質、炭水化物、及び小さな有機分子のいずれも含むが、これらに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟なポリマ基板である柔軟な基板と、
作用電極を含むトレースを形成するために前記基板に配された導電性材料と、
前記作用電極の近傍に配された酵素とを含む皮下埋め込み可能電気化学センサ。
【請求項２】
動物に埋め込むために構成および配置されている狭い遠心部分と、前後軸から単一側面方向に広がっている広い近位部分とを含む前後軸を有しており、柔軟な基板、ポリマ基板または柔軟なポリマ基板である基板と、
前記基板の狭い遠心部分に配された少なくとも一つの作用電極と、
前記基板の広い近位部分に配されており、前記少なくとも一つの作用電極と電気的に接続されている少なくとも一つのコンタクトパッドと、
前記少なくとも一つの作用電極の近傍に配された酵素とを含む、流体中の分析物のレベルを測定する埋め込み可能電気化学センサ。
【請求項３】
柔軟な基板、ポリマ基板または柔軟なポリマ基板である基板と、
前記基板上に配された作用電極であって、導電性材料を含み、前記作用電極の少なくとも一部に沿った幅が１５０μｍ以下である作用電極と、
前記作用電極の近傍に配された酵素とを含む電気化学センサ。
【請求項４】
柔軟な基板、ポリマ基板または柔軟なポリマ基板基板である基板と、
複数のトレースを形成するために前記基板の表面に配され、前記トレースのうちの少なくとも１つが作用電極を形成している導電材料と、
前記作用電極の近傍に配された酵素とを含む電気化学センサであって、
前記複数の導電トレースが、
(a)  前記基板の表面上での間隔が、１５０μｍ以下または５０μｍ以下であり、
(b)  前記基板の幅に沿って１つのトレースに６６７μｍという密度以下または１６７μｍという密度以下で前記基板の表面上に配されている電気化学センサ。
【請求項５】
少なくとも１つの対照電極をさらに含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項６】
前記作用電極上に配され、浸出不可能な状態で前記作用電極上に配されている電子移動剤をさらに含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項７】
前記基板が平面である請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項８】
前記基板の表面が、広い部分と狭い部分とを含み、前記狭い部分は患者へ埋め込むように構成されており、幅が０．５ｍｍ以下である請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項９】
前記センサがグルコース濃度を決定するために構成され、前記酵素がオリゴ糖デヒドロゲナーゼ、ＰＱＱグルコースデヒドロゲナーゼまたはグルコースオキシダーゼである請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１０】
前記作用電極の少なくとも一部の上に配された物質移動制限層をさらに含む請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１１】
前記電気化学センサが、生体内操作用に構成されている請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１２】
前記電気化学センサが、生体外操作用に構成されている請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１３】
前記作用電極の少なくとも一部に沿った幅が、７５μｍ以下または２５μｍ以下である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１４】
前記作用電極の隣に配された第２の電極をさらに含み、前記第２の電極と作用電極とが１５０μｍ以下の間隔で配されている請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
【請求項１５】
流体中の分析物のレベルを測定する方法であって、
請求項１〜１４いずれか一項に記載の電気化学センサと前記流体とを接触させる工程と、
前記分析物の存在に応じて前記センサに電気信号を生成する工程と、
前記電気信号から前記分析物のレベルを測定する工程とを含む方法。
【請求項１６】
前記流体を電気化学センサに接触させる工程が、前記電気化学センサが動物の体液と接触するように、前記動物に前記電気化学センサの少なくとも一部を埋め込む工程を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記動物に電気化学センサを埋め込む工程が、前記電気化学センサが前記動物の間質液と接触するように、前記動物に前記電気化学センサの少なくとも一部を皮下に埋め込む工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記流体を電気化学センサに接触させる工程が、容積が１μＬ未満の体液のサンプルを接触させる工程を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
動物の分析物のレベルを測定する方法であって、
請求項１〜４いずれか一項に記載のセンサの少なくとも一部を前記動物に埋め込む工程と、
前記分析物に応じて前記作用電極で信号を発生させる工程と、
前記信号を分析して前記分析物のレベルを測定する工程と、
前記分析物のレベルが、閾値を越えると、電流を生成し、前記動物の一部分に流すことによって前記動物に知らせる工程であって、前記電流は、前記導電トレースのうち２つの間に電位を加えることによって生成される工程とを含む方法。
【請求項２０】
前記電流の範囲が、１ｐＡ〜１ｍＡである請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学センサを製造する方法であって、
前記方法が、第１部分と前記第１部分に隣接した第２部分とを有するセンサ平面図形を有する基板（任意にポリマー性基板）を準備する工程と、
少なくとも１つのコンタクトパッドを前記第１部分に適用する工程と、
少なくとも１つの導電トレースが少なくとも１つのコンタクトパッドと電気的に通じるように、少なくとも１つの導電トレースを前記第１部分と前記第２部分に適用する工程と、
前記センサ平面図形を前記基板から除去して、除去されたセンサを形成する工程を含む方法。
【請求項２】
電気化学センサを製造する方法であって、
前記方法が、第１部分と前記第１部分に隣接した第２部分とを有するセンサ平面図形であって、前記第１部分の少なくとも一部が基板の外に位置するよう適合されており、前記第２部分の少なくとも一部が基板の内に位置するように適合されているセンサ平面図形を有する基板（任意にポリマー性基板）を準備する工程と、
少なくとも１つの電極を前記平面図形上に形成し、前記少なくとも１つの電極が前記第１部分と前記第２部分とに存在する工程と、
前記平面図形を前記基板から分離して、少なくとも１つの電極を含む除去されたセンサを形成する工程を含む方法。
【請求項３】
前記第１部分が、大きな部分であり、前記第２部分が、小さな部分である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記大きな部分が、前記小さな部分より大きな表面積を有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記大きな部分が、前記小さな部分より広い幅を有する請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１部分が、コネクタ部分であり、前記第２部分が、経皮性部分である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記導電トレースを前記第１部分および前記第２部分に適用する工程が、少なくとも１つの電極を前記第１部分の表面上および前記第２部分の表面上に形成することを含む請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの導電トレースを適用する工程が、ピエゾジェットまたはインクジェット印刷、電子写真、磁力記録または粒子線写真印刷のようなノンインパクト印刷により利用される請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、少なくとも１つの導電トレースを適用する工程の後、感知層を前記導電トレースの少なくとも一部上に適用する工程をさらに含む請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
感知層を適用する工程が、前記感知層中または上に配される電子移動剤を準備する工程を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
感知層を適用する工程が、前記感知層中または上に配される触媒を準備する工程を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
膜層が、任意に質量移動制限層を含み、少なくとも１つの膜層を少なくとも１つの導電トレース上に適用する工程をさらに含む請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法により製造された電気化学センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月14日(2006.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コア区域、界面区域および周辺区域を有する集積回路を製造する方法であって、界面区域はコア区域と周辺区域との間にあり、周辺区域は少なくとも１つの厚いロコス構造を有し、コア区域は少なくとも１つの薄いロコス構造を有し、薄いロコス構造および厚いロコス構造は半導体基板に形成され、半導体基板は基板上に配置される第１のハードマスク層を含み、前記方法は、
第１のハードマスク層上に第１のエッチレジスト層を設けるステップを含み、第１のエッチレジスト層は薄いロコス構造を規定し、前記方法はさらに、
第１のエッチレジスト層に従って第１のハードマスク層をエッチングするステップと、
薄いロコス構造を成長させるステップと、
第１のハードマスク層を剥離するステップと、
厚いロコス構造を形成するために、コア領域にわたって第２のハードマスク層（１６０）を設けるステップとを含み、コア区域における薄いロコス構造が形成された後で、周辺区域における厚いロコス構造が形成される、方法。
【請求項２】  第２のハードマスク層上に第２のエッチレジスト層を設けるステップをさらに含み、第２のエッチレジスト層は厚いロコス構造を規定し、さらに、
第２のエッチレジスト層に従って第２のハードマスク層をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  厚いロコス構造を成長させるステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  第２のハードマスク層を剥離するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  第１のハードマスク層および第２のハードマスク層は窒化物から成る、
請求項３に記載の方法
【請求項６】  集積回路はメモリ回路である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  第１のハードマスク層をエッチングするステップはアライメントマークを残す、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  半導体基板上の、第１の区域に少なくとも１つの第１の分離領域、および第２の区域に少なくとも１つの第２の分離領域を製造する方法であって、前記第１の分離領域は第２の分離領域よりも薄く、半導体基板は、基板上に配置されるパッド酸化物
層およびパッド酸化物層上に配置される第１のハードマスク層を含み、前記方法は、
第１のハードマスク層をエッチングするステップと、
基板を加熱することによって第１の分離領域を形成するステップと、
第１のハードマスク層を除去するステップと、
第２の分離領域のために第２のハードマスク層を設けるステップとを含み、第１の分離領域は第２の分離領域の前に形成される、方法。
【請求項９】  第２のハードマスク層をエッチングするステップと、
基板を加熱することによって第２の分離領域を形成するステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  第２のハードマスク層を剥離するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  第１のハードマスク層および第２のハードマスク層は窒化物層である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  半導体基板は、コア領域および周辺領域を含み、第２の分離領域は、周辺領域に位置する厚いロコス構造であり、第１の分離領域は、コア領域に位置する薄いロコス構造である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  半導体基板はメモリ回路を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  メモリ回路はフラッシュメモリ回路である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  半導体基板上に半導体素子を製造する方法であって、
半導体基板上に第１の窒化物層を設けるステップと、
複数の第１の場所で第１の窒化物層を選択的にエッチングするステップと、
第１の場所で複数の第１の酸化分離構造を形成するステップと、
半導体基板上に第２の窒化物層を設けるステップと、
複数の第２の場所で第２の窒化物層を選択的にエッチングするステップと、
第１の酸化分離構造を形成した後で、第２の場所に複数の第２の酸化分離構造を形成するステップとを含み、第２の分離構造は第１の分離構造よりも厚い、方法。
【請求項１６】  第２の窒化物層を設ける前に第１の窒化物層を除去するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  第１の窒化物層および第２の窒化物層は化学気相成長によって設けられる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  半導体基板は、コア領域と周辺領域とを含むメモリ回路のためのものであり、第２の酸化分離構造は周辺領域に位置し、第１の酸化分離構造はコア領域に位置する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】  半導体基板は、コア領域と周辺領域との間の界面領域をさらに含み、界面領域における界面酸化物構造は、従来のプロセスと比較すると、より平坦な上面を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  メモリ回路はフラッシュメモリ回路である、請求項１８に記載の方法。