【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的にガス不透過性の非導電性材料から構成された反応チャンバー（４）と、
前記反応チャンバー（４）内に配置された導電性のガス透過性の触媒／サセプタ（１、１５、１６）と
を含み、
前記反応チャンバー（４）は、交流を供給可能な電源により励磁可能な誘導コイル（３）に囲まれており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は化学反応を生じさせるのに十分な温度まで前記誘導コイル（３）により生成された交番磁場により誘導加熱可能であり、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は、実質的に環形断面を有する中空シリンダとして成形されていて、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性シリンダ（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮ調製のための高温、気相、触媒化学反応を実施する装置。
【請求項２】
アンモニアと、１〜６個の炭素原子を有するガス状炭化水素とを、実質的に円筒状の導電性ガス透過性触媒白金族金属触媒／サセプタ（１、１５、１６）を含む触媒構造に通過させる工程を含み、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、円周の軸に垂直な面においてその円周をまわる連続した導電性経路を有していて、５０Ｈｚ〜３０ＭＨｚの周波数で、前記反応物質を反応させるのに十分な温度まで誘導加熱コイル（３）により加熱され、前記円筒状触媒／サセプタが、触媒活性を促進させるのに十分な誘導加熱効率を有するのに十分なバルク電気抵抗を有しており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、中空であり、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性シリンダ（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮの調製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３〜７の放射状フロー反応器構成の場合には、反応器の化学反応効率を更に高めるために、中空シリンダ触媒／サセプタ１の内部を、任意で、導電性とする必要のないガス透過性触媒材料で充填してもよい。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  実質的にガス不透過性の非導電性材料から構成された反応チャンバー（４）と、
前記反応チャンバー（４）内に配置された導電性のガス透過性の触媒／サセプタ（１、１５、１６）と
を含み、
前記反応チャンバー（４）は、交流を供給可能な電源により励磁可能な誘導コイル（３）に囲まれており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は化学反応を生じさせるのに十分な温度まで前記誘導コイル（３）により生成された交番磁場により誘導加熱可能であり、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は、実質的に環形断面を有する中空シリンダとして成形されていて、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性シリンダ（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮ調製のための高温、気相、触媒化学反応を実施する装置。
２．  前記非導電性シリンダ（５）が実質的にガス不透過性であって、前記ガス（６）を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して軸状に流れさせることができることを特徴とする１．に記載の装置。
３．  前記非導電性シリンダ（１０）が実質的にガス透過性であって、前記ガス（６）を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して放射状に流れさせることができることを特徴とする１．に記載の装置。
４．  前記誘導コイル（３）が長さ全体にわたって均一な間隔を有することを特徴とする１．に記載の装置。
５．  前記誘導コイル（３）のエネルギー沈積強度が、前記円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の長さに沿って変わることを特徴としている１．に記載の装置。
６．  前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ’、３Ｂ’）から構成され、ここで、前記セクションの各々が、他の１つまたは複数のセクションの各々と異なる大きさの電流を流すことを特徴とする５．に記載の装置。
７．  前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ、３Ｂ）から構成され、ここで、前記セクションの１つのコイル間隔が、他の１つまたは複数のセクションの各々のコイル間隔と異なることを特徴とする５．に記載の装置。
８．  前記触媒／サセプタ（１）が、多数の連続的なラップガーゼから構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
９．  前記触媒／サセプタ（１６）が、触媒金属発泡体から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１０．  前記触媒／サセプタ（１５）が、互いに積み重ねられた複数の環形状のガーゼのリングから構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１１．  前記触媒／サセプタ（１）が、異なるバルク導電率を有する同心の環状層（１Ａ、１Ｂ）から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１２．  前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、１つ以上の白金族金属から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１３．  前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の外径が、前記誘導コイル（３）の内径の０．１〜０．９であることを特徴とする１．に記載の装置。
１４．  アンモニアと、１〜６個の炭素原子を有するガス状炭化水素とを、実質的に円筒状の導電性ガス透過性触媒白金族金属触媒／サセプタ（１、１５、１６）を含む触媒構造に通過させる工程を含み、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、円周の軸に垂直な面においてその円周をまわる連続した導電性経路を有していて、５０Ｈｚ〜３０ＭＨｚの周波数で、前記反応物質を反応させるのに十分な温度まで誘導加熱コイル（３）により加熱され、前記円筒状触媒／サセプタが、触媒活性を促進させるのに十分な誘導加熱効率を有するのに十分なバルク電気抵抗を有しており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、中空であり、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性シリンダ（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮの調製方法。
１５．  前記アンモニアと前記炭化水素を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して軸方向に流れさせることを特徴とする１４．に記載の方法。
１６．  前記アンモニアと前記炭化水素を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して放射状に流れさせることを特徴とする１４．に記載の方法。
１７．  前記誘導コイル（３）が長さ全体にわたって均一な間隔を有することを特徴とする１４．に記載の方法。
１８．  前記誘導コイル（３）のエネルギー沈積強度が、前記円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の長さに沿って変わることを特徴としている１４．に記載の方法。
１９．  前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ’、３Ｂ’）から構成され、ここで、前記セクションの各々が、他の１つまたは複数のセクションの各々と異なる大きさの電流を流すことを特徴とする１８．に記載の方法。
２０．  前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ、３Ｂ）から構成され、ここで、前記セクションの１つのコイル間隔が、他の１つまたは複数のセクションの各々のコイル間隔と異なることを特徴とする１８．に記載の方法。
２１．  前記触媒／サセプタ（１）が、多数の連続的なガーゼラップから構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２２．  前記触媒／サセプタ（１６）が、触媒金属発泡体から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２３．  前記触媒／サセプタ（１５）が、互いに積み重ねられた複数の環形状のガーゼのリングから構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２４．  前記触媒／サセプタ（１）が、異なるバルク導電率を有する同心の環状層（１Ａ、１Ｂ）から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２５．  前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、１つまたは複数の白金族金属から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２６．  前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の外径が、前記誘導コイル（３）の内径の０．１〜０．９であることを特徴とする１４．に記載の方法。
２７．  前記炭化水素がメタンを含む１４．に記載の方法。
２８．  前記中空円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の壁厚がその外径の約四分の一以下であることを特徴とする１．に記載の装置。
２９．  前記中空円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の壁厚がその外径の約四分の一以下であることを特徴とする１４．に記載の方法。