【事件の表示】
　特願２００３−３３３１３７「バリア性フィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月１４日出願公開、特開２００５−　９６２７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　出願の経緯
　本願は、平成１５年９月２５日の出願であって、平成２１年９月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１８日に拒絶査定を不服として審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２１年１２月１８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１及び９に係る発明（以下、「本願発明１」及び「本願発明９」という。）は、以下のとおりである。
　
［本願発明１］
　「少なくとも、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けたバリア性層とからなり、
更に、該バリア性層は、少なくとも２室以上の製膜室を使用し、
かつ、各室毎に、少なくとも、有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、および、不活性ガスを含有する製膜用混合ガス組成物の各ガス成分の混合比を変えて調製した、少なくとも、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：０〜５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物と、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：６〜１５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物との２以上の製膜用混合ガス組成物を使用し、
その各製膜用混合ガス組成物を使用して製膜した２層以上のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層からなり、
更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有し、かつ、各珪素酸化物層毎に炭素含有量が異なり、更に、その膜中の炭素含有量が膜表面から深さ方向に向かって増加していること
を特徴とするバリア性フィルム。」
　
［本願発明９］
　「基材フィルム供給室、第１の製膜室、第２の製膜室、第３の製膜室、および、基材フィルムの上に珪素酸化物層を製膜化し重層したバリア性フィルムを巻き取る巻取り室から構成される低温プラズマ化学気相成長装置を用いて、
まず、巻き出しロ−ルに巻き取られている基材フィルムを第１の製膜室に繰り出し、
更に、該基材フィルムを、補助ロ−ルを介して冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
次に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第１の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された基材フィルムの上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物からなる第１層の珪素酸化物層を製膜化し、
次に、上記の第１の製膜室で第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを補助ロ−ルを介して第２の製膜室に繰り出し、
次いで、上記と同様に、第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、上記と同様に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第２の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムの第１層の珪素酸化物層の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物からなる第２層の珪素酸化物層を製膜化し、
更に、上記と同様にして、上記の第２の製膜室で第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを補助ロ−ルを介して第３の製膜室に繰り出し、
次いで、上記と同様に、第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、上記と同様に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して、第３の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムの第２層の珪素酸化物層の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物等からなる第３層の珪素酸化物層を製膜化し、
次いで、上記で第１層、第２層、および、第３層の珪素酸化物層を製膜化し、それらを重層した基材フィルムを、補助ロ−ルを介して、巻取り室に繰り出して、第１層、第２層、および、第３層の珪素酸化物層が重層したバリア性フィルムを巻き取りロ−ルに巻き取ることを特徴とするバリア性フィルムの製造法。」
　
第３　引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−２５７６１９号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平１１−３４８１７１号公報（以下、「引用例２」という。）、特開２００２−３６１７７４号公報（以下、「引用例３」という。）及び特開２００３−２３６９７６号公報（以下、「引用例４」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
［引用例１］
（１）「【請求項１】  基材上の少なくとも一方に炭素含有率の異なる金属酸化物、金属酸窒化物もしくは金属窒化物を含有する膜を２層以上設けたことを特徴とする基板。
（中略）
【請求項３】  炭素含有率が原子数濃度で１％未満の金属酸化物、金属酸窒化物もしくは金属窒化物を含有する膜（Ａ）とこれよりも炭素含有率の高い金属酸化物、金属酸窒化物もしくは金属窒化物を含有する膜（Ｂ）を順次積層し４層以上としたことを特徴とする請求項１または２に記載の基板。」
　
（２）「【００２８】・・・本発明において形成される金属酸化物、金属酸窒化物もしくは金属窒化物を含有する膜は、例えば、蒸着、スパッタリング，ＣＶＤ法（化学蒸着）、プラズマＣＶＤ、大気圧プラズマＣＶＤ等のドライプロセスで形成されるのが好ましい。なかでもＣＶＤが好ましく、プラズマＣＶＤがより好ましく、・・・。」
　
（３）「【００３２】この炭素含有率は、主に電源の周波数と供給電力に依存し、電極に印加する電圧の高周波の周波数が高いほど、及び供給電力が大きくなるほど少なくなる傾向があることがわかった。又、混合ガス中に水素ガスを注入すると炭素原子が消費されやすくなり、膜中の含有量は減る。一方、基板温度を下げることで炭素含有率は大きくなる。また、混合ガス中のテトラアルコキシシランをモノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコキシシランに置き換えた場合は後者の方が炭素含有率が大きくなる。」
　
（４）「【００３８】金属酸化物・・・としては酸化珪素・・・等があげられる。」
　
（５）「【０１０５】本発明の好ましい態様において、樹脂基材上に基材側から炭素含有率が原子数濃度で１〜４０％の金属酸化物または窒化物を含有する柔軟性の高い層、炭素含有率が原子数濃度で１％未満の実質的に水の透過を防ぎ、水の封止性を付与する層を順次積層することで、水に対する封止性を付与する層と、柔軟性が高く樹脂基材と該水に対する封止性の高い層との接着（密着）性を向上させる層を有し、また、とくに最外層が炭素含有率の低い、それ故硬度が高い層をであることによって、摩擦や、ブラッシングに対する耐性に優れ、傷を受けにくいという優れた特性を併せもつ基板が得られる。
【０１０６】図７に本発明に係わる基板の好ましい１例を示す。図７は、１００で表される基材、例えばポリエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルムからなる基材１００上に前記炭素含有率が原子数濃度で１〜４０％の金属酸化物、金属酸窒化物もしくは金属窒化物を含有する柔軟性の高い層１０１、さらに該層上に炭素含有率が原子数濃度で１％未満の実質的に水の透過を防ぎ、水の封止性を付与する層１０２を積層した例を示している。」
　
（６）「【０１０８】本発明に係わる基板は、樹脂基材の特徴である可撓性を維持しつつ、金属酸化物を含有する膜が有する水の封止性により、樹脂基材中の水分や樹脂基材を透過して浸透する水蒸気等の水分を封止できるため、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子自体をこれらの基板に形成し、且つ、水の透過性の低いフィルム等のやはり可撓性の材料、好ましくは同じ基板で封止して、フレキシブルな表示装置として形成することで、湿気に対し敏感な有機エレクトロルミネッセンス素子が封止材料や基板等に含有される水分により徐々に特性が劣化してしまうという問題を、封止された内部空間を低湿度に保つことにより回避でき、有機エレクトロルミネッセンス素子としての寿命を非常に高めることが出来る。」
　
（７）図５には、プラズマ製膜装置のプラズマ放電処理室（３０）に、ロール状の元巻き基材（ＦＦ）及び製膜化した基材フィルムを巻き取る巻き取りロールが配置されていないことが示されている。
　
［引用例２］
（１）「【請求項１】  基材フィルムの一方の面に、プラズマ化学蒸着法による無機酸化物の蒸着膜を２層ないしそれ以上に重層してなることを特徴とする透明バリア性フィルム。
（中略）
【請求項４】  無機酸化物の蒸着膜が、酸化珪素化合物からなり、更に、炭素、水素、珪素、または、酸素の１種または２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種以上含有する連続蒸着膜からなることを特徴とする上記の請求項１、２または３に記載する透明バリア性フィルム。」
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明バリア性フィルムおよびそれを使用した積層体に関し、更に詳しくは、透明性、酸素ガスあるいは水蒸気等に対するバリア性等に優れ、更に、ラミネ−ト適性を有し、飲食品、医薬品、化粧品、化学品、電子部品、その他等の種々の物品を充填包装する包装材料として有用な透明バリア性フィルムおよびそれを使用した積層体に関するものである。」
　
（３）「【０００８】ところで、上記のような構成からなる本発明にかかる透明バリア性フィルムは、上記の図１に示す透明バリア性フィルム１を使用した例で例示すると、図３に示すように、第１の無機酸化物の蒸着膜３ａと第２の無機酸化物の蒸着膜３ｂとの２層を重層することにより、仮に、第１の無機酸化物の蒸着膜３ａにクラック４ａ、４ａ・・が発生しても、該クラック４ａ、４ａ・・が発生した位置に対応する位置にある第２の無機酸化物の蒸着膜３ｂにクラック４ｂ、４ｂ・・が発生しなければ、上記の第１の無機酸化物の蒸着膜３ａに発生したクラック４ａ、４ａ・・は、第２の無機酸化物の蒸着膜３ｂで塞ぐことになり、而して、上記の第１の無機酸化物の蒸着膜３ａと第２の無機酸化物の蒸着膜３ｂとの２層の相乗効果により、酸素ガス、あるいは、水蒸気等に対するバリア性を維持することができるものである。」
　
（４）「【００１１】・・・本発明においては、基材フィルムの一方の面に、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガスを原料とし、該蒸着用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガス、その他等からなる蒸着用混合ガス組成物を使用し、真空チャンバ−を２ないしそれ以上有する低温プラズマ発生装置等を利用するプラズマ化学蒸着法（ＣＶＤ法）を用いて、酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜を２層ないしそれ以上を重層して形成して、本発明にかかる透明バリア性フィルムを形成することができる。・・・。
【００１２】具体的に、上記のプラズマ化学蒸着法についてその一例を例示して説明すると、図５は、二つの真空チャンバ−を有するプラズマ化学蒸着法の概要を示すプラズマ化学蒸着装置の概略的構成図である。上記の図５に示すように、本発明においては、まず、プラズマ化学蒸着装置３１の第１の真空チャンバ−３２内に配置された巻き出しロ−ル３３から基材フィルム２を繰り出し、更に、該基材フィルム２を、補助ロ−ル３４を介して所定の速度で冷却・電極ドラム３５周面上に搬送する。而して、本発明においては、ガス供給装置３６、３７、および、原料揮発供給装置３８等から酸素ガス、不活性ガス、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガス、その他等を供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しなから原料供給ノズル３９を通して真空チャンバ−３２内に導入し、そして、上記の冷却・電極ドラム３５周面上に搬送された基材フィルム２の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマ４０を発生させて、これを照射して、第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜を製膜化する。なお、本発明においては、その際に、冷却・電極ドラム３５は、真空チャンバ−３２外に配置されている電源４１から所定の電力が印加されており、また、冷却・電極ドラム３５の近傍には、マグネット４２を配置してプラズマの発生が促進されており、次いで、上記で第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜を形成した基材フィルム２を補助ロ−ル４３、４４を介して、プラズマ化学蒸着装置３１を構成する第２の真空チャンバ−４５内に供給する。而して、上記でプラズマ化学蒸着装置３１を構成する第２の真空チャンバ−４５内に供給された第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜を形成した基材フィルム２は、補助ロ−ル４６、４７を介して、前述と同様に、所定の速度で冷却・電極ドラム４８周面上に搬送される。而して、本発明においては、ガス供給装置４９、５０、および、原料揮発供給装置５１等から酸素ガス、不活性ガス、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガス、その他等を供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しなから原料供給ノズル５２を通して第２の真空チャンバ−４５内に導入し、そして、上記の冷却・電極ドラム４８周面上に搬送された上記の基材フィルム２の上に形成した第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマ５３を発生させて、これを照射して、第２の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜を製膜化し、第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜と第２の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜との２層が重層した蒸着膜を形成する。なお、本発明においては、その際に、冷却・電極ドラム４８は、真空チャンバ−４５外に配置されている電源５４から所定の電力が印加されており、また、冷却・電極ドラム４８の近傍には、マグネット５５を配置してプラズマの発生が促進されており、次いで、上記で第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜と第２の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜との２層が重層した蒸着膜を形成した基材フィルム２を補助ロ−ル５６を介して巻き取りロ−ル５７に巻き取って、第１の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜と第２の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜との２層を重層して設けた基材フィルム２からなる透明バリア性フィルムを製造することができるものである。なお、図中、５８、５９は、二つの真空チャンバ−３２、４５を真空にするために設けた真空ポンプを表す。上記の例示は、本発明にかかる二つの真空チャンバ−を有するプラズマ化学蒸着法の一例を例示するものであり、本発明においては、真空チャンバ−を３ないしそれ以上を有するプラズマ化学蒸着法によるプラズマ化学蒸着装置を使用し、３層ないしそれ以上を重層させて透明パリア性フィルムを製造することもでき・・・。」
　
（５）「【００１４】ところで、本発明においては、上記のようなプラズマ化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって製膜化される第１、および、第２、更には、それ以上の酸化珪素等の無機酸化物の蒸着膜等は、１層の蒸着膜自身において、クラック等の発生を防止するために、薄膜で形成され、かつ、屈曲性等に富む蒸着膜であることが望ましいものである。そのため、本発明において、上記のプラズマ化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって製膜化される蒸着膜の特性は、製膜化スピ−ド、プラズマパワ−、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガスと酸素ガスと不活性ガスとその他等からなる蒸着用混合ガス組成物の組成比、真空チャンバ−の真空度等の製膜パラメ−タ−等によって影響を受けるものであるが、本発明においては、特に、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガス、その他等からなる蒸着用混合ガス組成物を原料供給ノズルを通して真空チャンバ−内に導入する際に、その蒸着用混合ガス組成物の組成において、酸素ガスの含有量を上げ、他方、蒸着用モノマ−ガスの含有量を低くすることにより、更に、プラズマパワ−を低くして、マイルドな条件でプラズマ照射し、これにより、薄膜であり、かつ、透明性を有し、更に、屈曲性に富み、また、酸素ガスバリア性等に優れた蒸着薄膜を形成することが望ましいものである。」
　
（６）図５には、巻き取りロール（５７）が真空チャンバー内に配置されていることが示されている。
　
　以上の記載事項によると、引用例２には
　
「基材フィルムの一方の面に、酸化珪素化合物からなり、更に、炭素からなる化合物を含有する、プラズマ化学蒸着法による連続蒸着膜を２層重層してなる透明バリア性フィルム」
　
の発明（以下、「引用発明２−１」という。）及び
　
「第１の真空チャンバ−、第２の真空チャンバ−、第３の真空チャンバ−から構成される低温プラズマ発生装置を利用するプラズマ化学蒸着装置を用いて、
まず、第１の真空チャンバ−内に配置された巻き出しロ−ルから基材フィルムを繰り出し、
更に、該基材フィルムを、補助ロ−ルを介して冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
次に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の蒸着用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第１の真空チャンバ−内に導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された基材フィルムの上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、第１の酸化珪素の蒸着膜を製膜化し、
次に、上記の第１の酸化珪素の蒸着膜を形成した基材フィルムを補助ロ−ルを介して、前述と同様に、第２の真空チャンバ−内の冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の蒸着用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第２の真空チャンバ−内に導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１の酸化珪素の蒸着膜の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、第２の酸化珪素の蒸着膜を製膜化し、
更に、上記と同様にして、上記の第２の製膜室で第１と第２の酸化珪素の蒸着膜を製膜化した基材フィルムを補助ロ−ルを介して、前述と同様に、第３の真空チャンバ−内の冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の蒸着用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第３の真空チャンバ−内に導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１と第２の酸化珪素の蒸着膜を製膜化した基材フィルムの第２の酸化珪素の蒸着膜の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、第３の酸化珪素の蒸着膜を製膜化し、
次いで、上記で第１、第２、および、第３の酸化珪素の蒸着膜の３層が重層した蒸着膜を形成した基材フィルムを補助ロールを介して、第１、第２、および、第３の酸化珪素の蒸着膜との３層を重層して設けた基材フィルムからなる透明バリア性フィルムを第３の真空チャンバ−内に配置された巻き取りロ−ルに巻き取る透明バリア性フィルムの製造法」
　
の発明（以下、「引用発明２−２」という。）が記載されていると認められる。
　
［引用例３］
（１）「【請求項１】  基材の片面または両面に、プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化珪素膜を有するガスバリアフィルムであって、
前記酸化珪素膜は、Ｓｉ原子数１００に対してＯ原子数１８０〜２００の範囲内の成分割合であり、かつＳｉ原子数１００に対してＣ原子数４０〜８０の成分割合からなり、さらに１０４５〜１０６０ｃｍ-1の間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動に基づくＩＲ吸収があり、かつ１２７４±４ｃｍ-1にＳｉ−ＣＨ3伸縮振動に基づくＩＲ吸収があることを特徴とするガスバリアフィルム。」
　
（２）「【００２１】Ｓｉ、Ｏ、Ｃの各成分割合を、Ｓｉ原子数１００に対してＯ原子数１８０〜２００およびＣ原子数４０〜８０にするには、有機珪素化合物ガスと酸素ガスの流量比や有機珪素化合物ガスの単位流量当たりの投入電力の大きさ等を調節することにより、制御することができる。具体的には、以下の方法を挙げることができる。
【００２２】酸素ガス／有珪素化合物ガスの比率を、０〜１０程度の範囲内に調整することにより、酸化珪素膜中に炭素を積極的に導入する方法。
（中略）
【００２４】この範囲の成分組成を有する酸化珪素膜は、Ｓｉ−Ｃ結合を適度に含むものであるので、極めて優れたガスバリア性を有すると共に優れた耐屈曲性および耐衝撃性を有するものとなる。」
　
（３）「【０１０１】（実施例１）・・・。
【０１０３】（実施例２）有機珪素ガス（ＨＭＤＳＯ）の流量、酸素ガス流量、および投入電力を以下に示す表に記載したように変更した以外は、上記実施例１と同様にして実施例２のガスバリアフィルムを得た。
【０１０４】（比較例１〜７）有機珪素ガス（ＨＭＤＳＯ）の流量、酸素ガス流量、および投入電力を以下に示す表に記載したように変更した以外は、上記実施例１と同様にして比較例１〜７までのガスバリアフィルムを得た。
【０１０５】（評価方法）上記実施例１〜２、および比較例１〜７のガスバリアフィルムを以下の評価方法により評価した。
【０１０６】１．成分割合の測定
・・・。得られた原子数比について、Ｓｉ原子数を１００とし、他の成分であるＯとＣの原子数を算出して成分割合として評価した。
（中略）
【０１１２】結果を以下の表にまとめる。表１は製膜条件を、表２は評価結果をまとめたものである。
【０１１３】
【表１】
【０１１４】
【表２】
」
　
　上記（３）における、有機珪素ガス（ＨＭＤＳＯ）の流量、酸素ガス流量以外は同じ製膜条件で製造された実施例１〜２並びに比較例１〜２及び５について、「酸化珪素ガスと酸素の流量比」と「膜中の炭素含有量」を当審において計算したところ、以下の表のとおりとなった。
　したがって、上記（３）には、プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化珪素膜中の炭素含有量は、有機珪素ガスと酸素ガスとの流量比によって制御し得ることが記載されていると認められる。
　
［引用例４］
（１）「【請求項１】  プラスチック基材上に形成されたケイ素酸化物被膜において、有機ケイ素化合物の化学蒸着により形成され、波数８４５〜８３３ｃｍ−１におけるＳｉＣＨ３の赤外特性吸収が実質上ゼロであり、且つＳｉＯＨ／ＳｉＯの赤外吸光度比（Ａ）が０．２５以下であることを特徴とするケイ素酸化物被膜。
【請求項２】  ケイ素酸化物被膜が、有機ケイ素化合物の重合体層を介して前記基材上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のケイ素酸化物被膜。
【請求項３】  基材の表面側からケイ素酸化物被膜の外表面に向けて炭素量が連続的に減少していることを特徴とする請求項２に記載のケイ素酸化物被膜。」
　
（２）「【００２２】本発明によるケイ素酸化物被膜は、有機ケイ素化合物の重合体層を介して前記プラスチック基材上に形成されていることが好ましい。・・・。図５は、本発明の好適なケイ素酸化物被膜のＸ線光電子分光分析による炭素、酸素、ケイ素の原子割合の厚さ方向の分布を示している。基材の表面側からケイ素酸化物被膜の外表面に向けて炭素量が連続的に減少し、基材の表面側からケイ素酸化物被膜の外表面に向けてケイ素量及び酸素量が連続的に増加していることが確認されるが、ケイ素１５％以上及び炭素２０％以上を含む層の存在も確認される。・・・。この有機ケイ素化合物の重合体層を含むケイ素酸化物被膜はガス遮断性に特に優れているという利点を有する。」
　
第４　本願発明１
１　対比
　本願発明１と引用発明２−１とを対比すると、引用発明２−１における「基材フィルム」は、本願発明１における「基材フィルム」に相当する。
　また、引用発明２−１における「基材フィルムの一方の面に、酸化珪素化合物からなり、更に、炭素からなる化合物を含有する、プラズマ化学蒸着法による連続蒸着膜を２層重層してなる」こととは、「第３［引用例２］（５）」のとおり、基材フィルムにの一方の面に、酸素ガス、水蒸気ガス等に対するバリア性を有する層を設けることであり、本願発明１における「少なくとも２室以上の製膜室を使用し、かつ、各室毎に、少なくとも、有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、および、不活性ガスを含有する製膜用混合ガス組成物の各ガス成分の混合比を変えて調製した、少なくとも、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：０〜５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物と、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：６〜１５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物との２以上の製膜用混合ガス組成物を使用し、その各製膜用混合ガス組成物を使用して製膜した２層以上のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層からなり、更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有し、かつ、各珪素酸化物層毎に炭素含有量が異なり、更に、その膜中の炭素含有量が膜表面から深さ方向に向かって増加している」との記載は、製膜化する方法によって「バリア性層」を構成する「珪素酸化物層」を特定しようとする記載であると認められるが、上記「第３」の「［引用例１］（３）」及び「［引用例３］（３）」に記載されているように、異なる方法によっても同一の層を製膜化できると解されるから、本願発明１における上記記載は最終的に得られた「２層以上のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層珪素酸化物層からなり、更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有し、かつ、各珪素酸化物層毎に炭素含有量が異なり、更に、その膜中の炭素含有量が膜表面から深さ方向に向かって増加している」もの自体を意味しているものと解すると、引用発明２−１における「基材フィルムの一方の面に、酸化珪素化合物からなり、更に、炭素からなる化合物を含有する、プラズマ化学蒸着法による連続蒸着膜を２層重層してなる」ことと、本願発明１における「基材フィルムの一方の面に設けたバリア性層とからなり、更に、該バリア性層は、少なくとも２室以上の製膜室を使用し、かつ、各室毎に、少なくとも、有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、および、不活性ガスを含有する製膜用混合ガス組成物の各ガス成分の混合比を変えて調製した、少なくとも、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：０〜５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物と、製膜用モノマ−ガス：酸素ガス：不活性ガス＝１：６〜１５：１（単位：ｓｌｍ、スタンダ−ドリッタ−ミニットの略である。）のガス組成比からなる製膜用混合ガス組成物との２以上の製膜用混合ガス組成物を使用し、その各製膜用混合ガス組成物を使用して製膜した２層以上のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層からなり、更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有し、かつ、各珪素酸化物層毎に炭素含有量が異なり、更に、その膜中の炭素含有量が膜表面から深さ方向に向かって増加している」こととは、「基材フィルムの一方の面に、２層のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層からなり、更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有するバリア層を設ける」ことで一致する。
　したがって、両者は
　
「少なくとも、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けたバリア性層とからなり、
更に、該バリア性層は、２層以上のプラズマ化学気相成長法による珪素酸化物層からなり、
更に、該各珪素酸化物層は、その膜中に炭素原子を含有しているバリア性フィルム」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明１では、各珪素酸化物層毎に炭素含有量が異なり、更に、その膜中の炭素含有量が膜表面から深さ方向に向かって増加している点。
　
２　判断
　上記相違点１について検討する。
　引用発明２−１は、上記「第３［引用例２］」の（４）及び（６）のとおり、基材フィルムの一方の面に、１層でも酸素ガスバリア性を有する「プラズマ化学蒸着法による連続蒸着膜」を２層重層することにより、基材フィルムの酸素ガス、あるいは、水蒸気等に対するバリア性を改良したものである。
　そして、引用例１には、上記「第３［引用例１］」の（３）〜（５）のとおり、基材フィルム上の少なくとも一方に炭素含有率の異なる酸化珪素の蒸着膜を２層以上設けることにより、水蒸気等の水分の透過性を低くすることが記載されている。
　また、引用例４には、上記「第３［引用例４］（２）」のとおり、ケイ素酸化物被膜中の炭素量が基材の表面側からケイ素酸化物被膜の外表面に向けて連続的に減少しているケイ素酸化物被膜は、ガス遮断性に優れていることが記載されている。
　したがって、引用発明２−１に係る透明バリア性フィルムのバリア性を高めるために、引用発明２−１における２層重層する「連続蒸着膜」を、引用例１に記載されているように、各膜ごとに炭素含有量が異なるように形成し、また、各膜については、引用例４に記載されているように、炭素量が、膜の表面から深さ方向に向かって連続的に増加するように形成することは、当業者であれば容易に想到し得たことであり、その効果も当業者が予測できる範囲のものである。
　
３　むすび
　したがって、本願発明１は、引用発明２−１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第５　本願発明９
１　対比
　本願発明９と引用発明２−２とを対比すると、引用発明２−２における「第１の真空チャンバ−」、「第２の真空チャンバ−」、「第３の真空チャンバ−」、「低温プラズマ発生装置を利用するプラズマ化学蒸着装置」、「巻き出しロ−ル」及び「巻き取りロ−ル」は、それぞれ引用発明２−２における「第１の製膜室」、「第２の製膜室」、「第３の製膜室」、「低温プラズマ化学気相成長装置」、「巻き出しロ−ル」及び「巻き取りロ−ル」に相当する。
　したがって、両者は
　
「第１の製膜室、第２の製膜室及び第３の製膜室から構成される低温プラズマ化学気相成長装置を用いて、
まず、巻き出しロ−ルに巻き取られている基材フィルムを、補助ロ−ルを介して第１の製膜室内の冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
次に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第１の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された基材フィルムの上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物からなる第１層の珪素酸化物層を製膜化し、
次に、上記の第１の製膜室で第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを補助ロ−ルを介して第２の製膜室に繰り出し、
次いで、上記と同様に、第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、上記と同様に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して第２の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムの第１層の珪素酸化物層の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物からなる第２層の珪素酸化物層を製膜化し、
更に、上記と同様にして、上記の第２の製膜室で第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを補助ロ−ルを介して第３の製膜室に繰り出し、
次いで、上記と同様に、第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムを冷却・電極ドラム周面上に搬送し、
しかる後、上記と同様に、原料揮発供給装置、および、ガス供給装置から有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、不活性ガスを供給し、それらからなる製膜用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズルを通して、第３の製膜室内に上記の製膜用混合ガス組成物を導入し、
そして、上記の冷却・電極ドラム周面上に搬送された第１層と第２層の珪素酸化物層を製膜化した基材フィルムの第２層の珪素酸化物層の上に、グロ−放電プラズマによってプラズマを発生させ、これを照射して、珪素酸化物等からなる第３層の珪素酸化物層を製膜化し、
次いで、上記で第１層、第２層、および、第３層の珪素酸化物層を製膜化し、それらを重層した基材フィルムを、補助ロ−ルを介して、巻き取りロ−ルに巻き取ることを特徴とするバリア性フィルムの製造法」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点２］
　本願発明９では、基材フィルム供給室及び巻取り室が設けられている点。
　
２　判断
　上記相違点２について検討する。
　引用例１には、上記「第３［引用例１］（７）」のとおり、巻き出しロール及び巻き取りロールを、真空チャンバー内に設けないことが示されており、また、巻き出しロール及び巻き取りロールを配置する室を真空チャンバーとは別に設けることも、本願出願前に周知の技術手段である（例えば、特開２００２−１０５６４９号公報、特開２００２−１１３８０５号公報参照。）。
　したがって、引用発明２−２における「低温プラズマ化学気相成長装置」において、「基材フィルム供給室」及び「巻取り室」を設け、「巻き出しロール」を「基材フィルム供給室」に、かつ「巻き取りロール」を「巻取り室」にそれぞれ配置することは、当業者であれば容易になし得たことであり、その効果も当業者が予測できる範囲のものである。
　
３　むすび
　したがって、本願発明９は、引用発明２−２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第６　むすび
　したがって、本願発明１は、引用発明２−１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本願発明９は、引用発明２−２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、原査定は妥当であり、結論のとおり審決する。