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　特願２００７−２１７４１２「高出力ダイヤモンド半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月１２日出願公開、特開２００９−　５４６４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年８月２３日の出願であって、平成２３年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年５月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２４年２月１６日付けで審尋がなされ、同年４月２３日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２３年５月２０日になされた手続補正について
　平成２３年５月２０日になされた手続補正は、補正前の請求項１及び２を削除するとともに、補正前の請求項３を独立項として書き改め、補正後の請求項１とするものであって、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げられた請求項の削除を目的とするものである。
　したがって、当該手続補正は、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年５月２０日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、前記ショットキー電極、ダイヤモンドｐ−ドリフト層、ダイヤモンドｐ＋オーミック層、前記オーミック電極からなる積層構造のショットキーバリヤーダイオードである高出力ダイヤモンド半導体素子であって、
　前記ショットキー電極と前記ダイヤモンドｐ−ドリフト層の接合面の一部に、ダイヤモンドより高誘電率材料である誘電体で形成した誘電層を設け、さらに前記誘電層の外表面でかつ前記ショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けたものであり、
　前記誘電体が、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、又はＳｒＴｉＯ３であり、
　前記ショットキー電極に接合するダイヤモンド半導体のダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドであることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された特開２００７−５９７１１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。（下線は、当合議体にて付加したものである。以下同じ。）
　
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、工程数が少なく、位置ズレの小さいフィールドプレート構造の形成方法および高耐圧性の半導体装置に関する。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本発明のフィールドプレート構造の形成方法の工程図を図１に例示する。まず、
図１（ａ）に示すように、基板１の主表面に動作層２を形成し、動作層２上に電気絶縁層３を形成し、つづいて絶縁層３上に感光性の熱収縮性有機物層４を形成する。基板１には、一般的なものを使用することができ、たとえば、ＳｉＣ（４Ｈ，６Ｈなど）またはＧａＮ、ダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体材料などを用いることができる。一方、絶縁層３にも一般的な材料を使用することができ、ＳｉＣ基板を用いた場合には、熱酸化法により基板表面にＳｉＯ
2
からなる電気絶縁層を形成することができる。
【００１３】
　
動作層２は、ｐ型層、またはｎ型層、またはｐ型層とｎ型層の複合層とすることができ、たとえば、ショトッキーバリアダイオードまたはｐｎ接合ダイオードなどを形成することができる。ショットキーバリアダイオードにおいては、基板上にショットキー電極を形成する場合、フィールドプレート構造を形成することにより、電極端での電界集中を抑制して耐圧性を向上することができる。
【００１４】
　感光性の熱収縮性有機物層４は、単一層構造とする場合には、次工程において、リソグラフィによりパターン化できるような感光性を有することが必要であり、かつ沸騰水などにより熱収縮する特性を併せ持つ材料であることが必要である。また、有機物層は最終的には除去されるため、除去し易いように剥離性を有する材料が好ましい。感光性であって、熱収縮性である有機物としては、たとえば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などのポリメタクリル酸エステルなどのレジストが好適である。なお、熱収縮性を有するとは、９０℃〜１００℃の加熱水に１０分間浸漬したときに、長さ方向で０．０１％以上収縮する性質をいう。
【００１５】
　有機物層４を複数層構造とする場合には、上の層は、感光によりパターン化しやすいように、感光性を有する態様が好ましい。かかる感光性材料としては、上記のレジストのほか、紫外線に感受性を有する化学増幅型樹脂材料、感光性ポリイミド、ポリハロゲン化合物などが好適である。また、下の層は熱収縮によりフィールドプレートを形成する領域を確保するため、熱収縮性を有する態様が好ましい。熱収縮性有機物としては、シリコーンなどが好適である。
【００１６】
　つぎに、図１（ｂ）に示すように、有機物層４をリソグラフィによりパターン化し、パターン化した有機物層４ａをマスクとして絶縁層３をエッチングする。その後、図１（ｃ）に示すように、有機物層４ａを加熱により収縮させて有機物層４ｂとすると、フィールドプレートを形成する領域Ｃが得られる。有機物層４ａの加熱は、有機物材料により異なるが、９０℃以上に加熱した水などの液体、水蒸気などの気体、または加熱したＮ2、Ａｒなどの不活性ガスなどを適宜選択して実施することができる。たとえば、ＰＭＭＡなどのレジストを単一の有機物層として用いた場合には、９０℃以上の加熱水が好ましく、９４℃以上に加熱したものがより好ましく、特に、沸騰水に浸漬処理する態様が好ましい。このように熱収縮により、十分なフィールドプレート領域Ｃを確保する点から、有機物層４ａが、加熱により、基板１の面方向に０．２μｍ以上収縮する態様が好ましく、０．５μｍ以上収縮する態様がより好ましい。かかる好ましい態様は、加熱処理時間などにより調整することができる。
【００１７】
　つづいて、図１（ｄ）に示すように、電極材料層５（５ａ，５ｂ）を形成し、最後に、リフトオフなどにより、熱収縮した有機物層４ｂを除去すると、図１（ｅ）に示すようなフィールドプレート構造が得られる。
このフィールドプレート構造は、図１（ｅ）に示すように、基板１の主表面に形成される動作層２と、動作層２上に形成される絶縁層３ａと、動作層２および絶縁層３ａの双方に接続する電極５ａとを有し、電極５ａを絶縁層３ａ上に重ね合せた形態を有する。
高耐圧性を有するショットキーバリアダイオードまたはｐｎ接合ダイオードを提供することができる。
【００１８】
　実施例１
　
図１に示すように、厚さ４００μｍ、抵抗率０．０２Ωｃｍのｎ型４Ｈ−ＳｉＣ８°オフ基板１の主表面上に、Ｎドーピングした（ドーピング濃度７×１０
15
ｃｍ
-3
）ｎ型動作層２（厚さ１０μｍ）をＣＶＤエピタキシャル法により形成した。つぎに、熱酸化法によりエピタキシャル層の表面にＳｉＯ
2
からなる絶縁層３を形成した後、裏面にＮｉ製のオーミック電極を蒸着により形成した（図示していない。）。その後、絶縁層３の表面に感光性の熱収縮性有機物層４としてレジストを形成し（図１（ａ））、リソグラフィによりパターニングした後、バッファドフッ酸により主表面上の絶縁層３をエッチングした（図１（ｂ））。つづいて、９４℃〜１００℃の加熱水に１０分間浸漬し、熱収縮させた後（図１（ｃ））、Ｎｉ電極５を蒸着し（図１（ｄ））、熱収縮した有機物層４ｂをリフトオフし、１ｍｍ×１ｍｍのショットキーバリアダイオードを得た（図１（ｅ））。
【００１９】
　得られたショットキーバリアダイオードの電気的特性を測定したところ、順方向特性を表す指標であるｎ値は１．０５と良好な値を示した。また、逆方向特性については、−６００Ｖ印加時のリーク電流が１×１０-8Ａと高耐圧性を示した。このショットキー電極５ａをＳＥＭで観察すると、Ｎｉ製のショットキー電極５ａがＳｉＯ2からなる絶縁層３ａ上に幅Ｗが０．５μｍとなるように形成され、フィールドプレート構造を形成していることが確認できた。」
　
上記記載からみて、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ダイヤモンドからなる基板１の主表面に形成される動作層２と、前記動作層２上に形成される絶縁層３ａと、前記動作層２および前記絶縁層３ａの双方に接続するショットキー電極５ａとを有し、前記ショットキー電極５ａを前記絶縁層３ａ上に重ね合せた形態を有するフィールドプレート構造を備えた、高耐圧性を有するショットキーバリアダイオード。」
　
（４−２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平５−２８３３６１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図８とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特にダイヤモンドからなるダイヤモンド半導体装置およびその製造方法に関するものである。」
「【００３６】図８は、本発明の一実施例によるダイヤモンド半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図８を参照して、ダイオード１０は、ｐ
+ 
ダイヤモンド層１，オーミック電極２，ショットキー電極３およびｐ型ダイヤモンド基板４から構成されている。このｐ型ダイヤモンド基板４の一方の表面上には、ショットキー電極３が形成されている。また、ｐ型ダイヤモンド基板４の他方の表面上には、ｐ
+ 
ダイヤモンド層１が形成されている。このｐ
+ 
ダイヤモンド層１の表面上には、１００μｍの距離に対して１００Å〜１００００Åの凹凸が形成されている。この凹凸が形成されたｐ
+ 
ダイヤモンド層１の表面上には、オーミック電極が形成されている。
　
（４−３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された特開２０００−１００８３１号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動通信、衛星通信、及び衛星放送等のマイクロ波領域で動作するショットキ・ゲート電界効果トランジスタに関する。」
「【００３６】
【実施例】（実施例１）
本実施例の電界効果型トランジスタは、図２（ｇ）に示すように、ゲート電極が庇状のフィールドプレート部９を備え、このフィールドプレート部９とチャネル層との間に、Ｔａ
2
Ｏ
5
からなる誘電体膜４が形成されている。
【００３７】以下、図１、２を参照して、本実施例の電界効果型トランジスタの製造方法について説明する。
【００３８】まず、半絶縁性のＧａＡｓ基板１上にＭＢＥ法により、Ｓｉを２×１０17ｃｍ-3ドープしたＮ型ＧａＡｓチャネル層２（厚さ２３０ｎｍ）、およびＳｉを５×１０17ｃｍ-3ドープしたＮ型ＧａＡｓコンタクト層３（厚さ１５０ｎｍ）を成長させる（図１（ａ））。
【００３９】つぎにレジスト（図示せず）をマスクとして硫酸系または燐酸系の水溶液を用いてチャネル層２、コンタクト層３をウェットエッチングし、リセスを形成する（図１（ｂ））。
【００４０】つづいてＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍのＴａ2Ｏ5からなる誘電体膜４を全面に堆積する（図１（ｃ））。この誘電体膜４の上にレジスト（不図示）を形成し、これをマスクとしてゲート電極形成箇所の誘電体膜４をＣＨＦ3またはＳＦ6を用いてドライエッチングする。次いで誘電体膜４をマスクとして電極形成箇所のチャネル層２を３０ｎｍ程度エッチングする（図１（ｄ））。
【００４１】次に、全面に１００ｎｍのＷＳｉ膜、５０ｎｍのＴｉＮ膜、１５ｎｍのＰｔ膜、４００ｎｍのＡｕ膜をこの順でスパッタ蒸着し、ゲート金属膜６を形成する（図２（ｅ））。その後、ゲート電極形成箇所にのみフォトレジストを設け、イオンミリングにより不要箇所を除去してゲート電極５を形成する（図２（ｆ））。
【００４２】つづいて誘電体膜４の所定箇所をエッチングしてコンタクト層３を露出させ、８ｎｍのＮｉ膜、５０ｎｍのＡｕＧｅ膜、２５０ｎｍのＡｕ膜をこの順で真空蒸着し、ソース電極７とドレイン電極８とを形成し、電界効果型トランジスタを完成する（図２（ｇ））。
【００４３】
本実施例の電界効果型トランジスタは、フィールドプレート部とチャネル層との間の誘電体膜４の材料としてＴａ
2
Ｏ
5
（比誘電率約２０）を用いているため、充分な電界緩和効果を得ながら誘電体膜４の膜厚を厚くすることができる。このため従来技術で問題となっていた誘電体膜の破壊や電流リークの発生が起こりにくい。
【００４４】
本実施例では誘電体膜４の材料としてＴａ
2
Ｏ
5
を用いているが、他に窒化シリコン（Ｓｉ
3
Ｎ
4
）、酸化アルミニウム（Ａｌ
2
Ｏ
3
）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
3
）、
を用いることができる。
【００４５】なお、本実施例ではチャネル層２、コンタクト層３をＭＢＥ法により形成しているが、ＭＯＣＶＤ法により形成することもできる。」
　
（４−４）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平９−２２８８０号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は整流素子、発光素子、トランジスタ又はセンサ等のダイヤモンドを使用したダイヤモンド半導体電子デバイスを製造する場合に好適のダイヤモンドへの整流電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、そのバンドギャップが大きく（５．５ｅＶ）、高い絶縁破壊電界強度（１０7Ｖ／ｃｍ）を有する。また、ダイヤモンドは熱伝導率が従来の半導体材料に比して高いため、高温又は放射線下等の過酷な使用環境においても動作可能な電子デバイスとしての応用が期待されている。
【０００３】
電子デバイスとしてダイヤモンドを使用する場合には、ダイヤモンド上にオーミック電極及び整流性電極を再現性よく形成することが重要である。
しかし、ダイヤモンド上に良好な整流特性を有する電極を形成することは困難であり、如何にしてこのような電極を形成するかが大きな課題となっている。
【０００４】ところで、
金属と半導体ダイヤモンドとを接合（以下、「金属／ダイヤモンド接合」という）する場合に、ダイヤモンドの表面を化学洗浄によって酸素終端させておくことにより、金属電極の品種によらず、その金属／ダイヤモンド接合は整流特性を有するものになるという報告がある（文献１：Y.Mori,H.Kawarada and A.Hiraki, Appl.Phys.Lett.58,940(1991)）。これは、ダイヤモンドの表面を酸素終端すると、ダイヤモンドの表面準位密度が高くなり、フェルミ準位をピニングするからであると説明されている。
　
５．対比
（対比）
（５−１）刊行物発明において、「ショットキー電極５ａ」と「接続」して「ショットキーバリアダイオード」を構成する「動作層２」が、半導体であることは明らかであるから、刊行物発明の「動作層２」と、本願発明の「ダイヤモンドｐ−ドリフト層」は、「半導体層」という点で共通する。
　
（５−２）刊行物発明の「ショットキー電極５ａ」のうち、「動作層２」に「接続」している部分は、本願発明の「ショットキー電極」に相当する。
　
（５−３）刊行物発明の「絶縁層３ａ」は、本願発明の「誘電体層」に相当する。
　
（５−４）刊行物発明の「ショットキー電極５ａ」のうち、「絶縁層３ａ上に重ね合」せた部分は、本願発明の「導電体からなるフィールドプレート」に相当する。
　
（５−５）一般に、高耐圧性を有するデバイスは、高電圧下で動作する高出力デバイスとして使用されることが予定されているから、刊行物発明の「高耐圧性を有するショットキーバリアダイオード」は、本願発明の「ショットキーバリヤーダイオードである高出力ダイヤモンド半導体素子」に相当する。
　
（５−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「ショットキーバリヤーダイオードである高出力ダイヤモンド半導体素子であって、
　ショットキー電極と半導体層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに前記誘電層の外表面でかつ前記ショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けた高出力ダイヤモンド半導体素子。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）本願発明の「ショットキーバリヤーダイオード」は、「ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、前記ショットキー電極、ダイヤモンドｐ−ドリフト層、ダイヤモンドｐ＋オーミック層、前記オーミック電極からなる積層構造」であるのに対し、刊行物発明の「ショットキーバリアダイオード」は、「ショットキー電極５ａ」及び「動作層２」で構成されているものの、その具体的構成までは、特定されていない点。
　
（相違点２）本願発明の「誘電層」は、「ダイヤモンドより高誘電率材料である誘電体で」ある「Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、又はＳｒＴｉＯ３であ」るのに対し、刊行物発明の「絶縁層３ａ」は、具体的な材料が特定されていない点。
　
（相違点３）本願発明では、「ショットキー電極に接合するダイヤモンド半導体のダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンド」であるのに対し、刊行物発明では、「ショットキー電極５ａ」に「接続する」「動作層２」の表面に関して、そのような特定はなされていない点。
　
６．判断
（６−１）相違点１について
　引用刊行物２の「【００３６】図８は、本発明の一実施例によるダイヤモンド半導体装置の概略構成を示す断面図である。図８を参照して、ダイオード１０は、ｐ+ ダイヤモンド層１，オーミック電極２，ショットキー電極３およびｐ型ダイヤモンド基板４から構成されている。
このｐ型ダイヤモンド基板４の一方の表面上には、ショットキー電極３が形成されている。また、ｐ型ダイヤモンド基板４の他方の表面上には、ｐ
+ 
ダイヤモンド層１が形成されている。このｐ
+ 
ダイヤモンド層１の表面上には、１００μｍの距離に対して１００Å〜１００００Åの凹凸が形成されている。この凹凸が形成されたｐ
+ 
ダイヤモンド層１の表面上には、オーミック電極が形成されている。
　そして、一般に、半導体基板を用いてショットキーダイオードを実現するに際して、半導体基板に、当該半導体基板と同様の材料の半導体層を形成し、基板と半導体層にショットキー電極及びオーミック電極を設けることは当業者において常とう的に行われてきていることである。
　それは、ダイヤモンドを用いたショットキーダイオードにおいても当然例外ではなく、引用刊行物２の【００３６】段落等の記載を総合すると、当該引用刊行物２には、「ｐ型ダイヤモンド基板４の一方の表面上には、ショットキー電極３が形成され」、「他方の表面上には、ｐ＋ダイヤモンド層１が形成され」、前記「ｐ＋ダイヤモンド層１の表面上には、オーミック電極が形成されている、ダイオード１０」が記載されていることからも分かるように、ダイヤモンドを用いたショットキーダイオードにおいて、半導体基板に、当該半導体基板と同様の材料の半導体層を形成し、基板と半導体層にショットキー電極及びオーミック電極を設けることは従来から行われてきていることである。
　そして、ショットキーダイオードを構成するに当たり、ショットキー電極が形成される部分の半導体の不純物濃度を低く、オーミック電極が形成される部分の不純物濃度を高くする必要があることは当業者における技術常識である。
　したがって、刊行物発明に接した当業者であれば、本願発明のように、「ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、前記ショットキー電極、ダイヤモンドｐ−ドリフト層、ダイヤモンドｐ＋オーミック層、前記オーミック電極からなる積層構造のショットキーバリヤーダイオード」とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−２）相違点２について
　引用刊行物３には、「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、・・・ショットキ・ゲート電界効果トランジスタに関する。」
「【００３６】
【実施例】（実施例１）本実施例の電界効果型トランジスタは、図２（ｇ）に示すように、ゲート電極が庇状のフィールドプレート部９を備え、このフィールドプレート部９とチャネル層との間に、Ｔａ2Ｏ5からなる誘電体膜４が形成されている。」
【００４３】本実施例の電界効果型トランジスタは、フィールドプレート部とチャネル層との間の誘電体膜４の材料としてＴａ2Ｏ5（比誘電率約２０）を用いているため、充分な電界緩和効果を得ながら誘電体膜４の膜厚を厚くすることができる。このため従来技術で問題となっていた誘電体膜の破壊や電流リークの発生が起こりにくい。　
【００４４】本実施例では誘電体膜４の材料としてＴａ2Ｏ5を用いているが、他に窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、・・・を用いることができる。・・・」のように、「ショットキー・ゲート電界効果トランジスタ」において、「ゲート電極」が「備え」る「庇状のフィールプレート部９」と「チャネル層」との間に、「窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）」からなる「誘電体膜４」を形成することにより 「誘電体体膜の破壊や電流リークの発生」を起こりにくくすることが記載されている。そして、「窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）」が、ダイヤモンドより高誘電率材料であることは明らかである。
　そして、一般に、フィールドプレートには、高い電圧がかかるものであるところ、当該フィールドプレート下の絶縁膜が絶縁破壊したり、電流リークが発生しないようにすることは、当業者が当然に配慮する課題であるから、刊行物発明に接した当業者であれば、刊行物発明において、フィールドプレートを構成する「ショットキー電極５ａ」の下の「絶縁膜３ａ」を引用刊行物３に記載された「誘電体膜４」の材料である「窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４」、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）」とすること、すなわち、本願発明のように、「前記ショットキー電極と前記ダイヤモンドｐ−ドリフト層の接合面の一部に、ダイヤモンドより高誘電率材料である誘電体で形成した誘電層を設け、」「前記誘電体が、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、又はＳｒＴｉＯ３であ」る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−３）相違点３について
　引用刊行物４には、「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は整流素子、発光素子、トランジスタ又はセンサ等のダイヤモンドを使用したダイヤモンド半導体電子デバイスを製造する場合に好適のダイヤモンドへの整流電極の形成方法に関する。
「【０００３】電子デバイスとしてダイヤモンドを使用する場合には、ダイヤモンド上にオーミック電極及び整流性電極を再現性よく形成することが重要である。オーミック特性を有する電極を形成することは、イオン注入によってダイヤモンドの表面に高濃度のｐ型半導体層を形成すること等により可能である。しかし、ダイヤモンド上に良好な整流特性を有する電極を形成することは困難であり、如何にしてこのような電極を形成するかが大きな課題となっている。
【０００４】ところで、
金属と半導体ダイヤモンドとを接合（以下、「金属／ダイヤモンド接合」という）する場合に、ダイヤモンドの表面を化学洗浄によって酸素終端させておくことにより、金属電極の品種によらず、その金属／ダイヤモンド接合は整流特性を有するものになるという報告がある（文献１：Y.Mori,H.Kawarada and A.Hiraki, Appl.Phys.Lett.58,940(1991)）。これは、ダイヤモンドの表面を酸素終端すると、ダイヤモンドの表面準位密度が高くなり、フェルミ準位をピニングするからであると説明されている。
　そして、一般に、ダイオードにおいて、良好な整流特性を再現性よく実現することは、当業者が、当然に配慮する技術課題であるから、刊行物発明に接した当業者であれば、上記（６−１）において検討したように、刊行物発明の「動作層２」として、「ダイヤモンド層」を用い、その上に「ショットキー電極」を形成した場合に、前記「ダイヤモンド層」の表面を「酸素終端」することにより、本願発明のように、「ショットキー電極に接合するダイヤモンド半導体のダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドである」構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点３は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６−４）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、いずれも引用刊行物２ないし３に記載された公知の技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。