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　特願２００４−３６６７２７「フレキシブルプリント基材の製造装置及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２０日出願公開、特開２００６−１９０７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１２月１７日の出願であって、平成２３年１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年４月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
　
２．平成２３年４月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年４月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
理由Ａ
　本件補正により、特許請求の範囲は、
「【請求項１】
　真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材の加熱を行うための１つのメインローラーと、前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段と、加熱圧延手段とを順に備え、前記シード層形成手段と、前記薄膜層形成手段とを、前記メインローラーの周方向に沿って設け、
　前記各手段間に隔壁を設け、
　前記メインローラーは、前記シード層形成手段によるシード層形成前から加熱を開始することを特徴とするフレキシブルプリント基材の製造装置。
　　【請求項２】
　真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材の加熱を行うための１つのメインローラーと、前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層を形成するための第１のスパッタリング手段と、金属薄膜層を形成するための第２のスパッタリング手段と、加熱圧延手段とを順に備え、前記第１及び第２のスパッタリング手段を、前記可撓性基材を加熱するためのメインローラーの周方向に沿って設け、
　前記プラズマ処理手段及び前記第１のスパッタリング手段間と、前記第２のスパッタリング手段及び前記加熱圧延手段間に、それぞれ隔壁を設け、
　前記メインローラーは、前記第１のスパッタリング手段によるシード層形成前から加熱を開始することを特徴とするフレキシブルプリント基材の製造装置。
　　【請求項３】
　前記シード層形成手段と、前記金属薄膜層形成手段との間に、両手段間の雰囲気圧力間に圧力差を設けるための中間室を設けたことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基材の製造装置。
　　【請求項４】
　前記シード層形成手段、前記中間室及び前記金属薄膜層形成手段の雰囲気を、独立又は同時に真空排気できるように構成したことを特徴とする請求項３に記載のフレキシブルプリント基材の製造装置。
　　【請求項５】
　前記シード層形成手段は、少なくとも１つ以上のカソードを備え、前記金属薄膜層形成手段は、少なくとも１つ以上の蒸着源を備えることを特徴とする請求項１、３及び４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント基材の製造装置。
　　【請求項６】
　真空槽内に設けられた１のメインローラーにより可撓性基材を巻回して搬送する過程おいて前記可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造方法であって、前記金属薄膜層は、前記可撓性基材上にシード層を介して形成され、前記シード層形成前から前記金属薄膜層を形成するまでの間、前記メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定し、前記可撓性基材は、前記金属薄膜層形成前に４０℃以上に加熱され、前記金属薄膜層形成後に、１００℃以上で加熱圧延されることを特徴とするフレキシブルプリント基材の製造方法。」に補正された。
　上記補正は、請求項６についてみると、実質的にみて、本件補正前の請求項６に記載した発明を特定するために必要な事項である「真空槽内において」を「真空槽内に設けられた１のメインローラーにより可撓性基材を巻回して搬送する過程おいて」に補正し、また、「前記シード層形成前から前記金属薄膜層を形成するまでの間、前記メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定し、」という事項を追加するものである。
　この補正について、審判請求の理由では、「請求項６における「真空槽内に設けられた１のメインローラーにより可撓性基材を巻回して搬送する過程おいて前記可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造方法であって」の下線部の事項に関しては、本願明細書の段落［０００９］，［００１６］及び図１，２を根拠に補正しました。また、更に、同項における「前記シード層形成前から前記金属薄膜層を形成するまでの間、前記メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定し」という事項は、明細書の段落［００１７］（実施例１）の第１９行〜第２０行の「上記各処理の間、メインローラー５を１１０℃に設定し、基材３を加熱するようにした。」という記載と、同書の段落［００１９］（実施例２）の第３行の「基材３は、実施例１と同じものを使用し」という記載と、同段落の第１６行の「上記各処理の間、メインローラー５を７０℃に設定し、基材３を加熱するようにした。」という記載を根拠に限定しました。」と説明しており、また、平成２４年２月２０日付け回答書では、「（１）請求項６の「メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定」する事項についてですが、本願明細書の実施例１及び実施例２には、同じ基材に対して、メインローラーの温度を、１１０℃及び７０℃とすることにより基材に皺等を生じない効果を説明しています。この記載をみれば、当業者であれば、例えば、１３０℃や６０℃といった温度で発明の効果が得られるか否かは不明であるけれども、少なくとも７０℃〜１１０℃では、基材には皺等が生じないことは理解されるのが当然かと思料します。」と主張する。
　請求項６においては、「可撓性基材」の材質・送り速度や「金属薄膜層形成手段１４」の具体的手法などは特定されておらず、上記段落の「実施の形態」（実施例１、２）に限定されるものではない。したがって、「前記シード層形成前から前記金属薄膜層を形成するまでの間、前記メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定し、」という事項は、例えば、「金属薄膜層形成手段１４」が上記の「電子ビーム蒸着法」であるか「ＤＣマグネトロンスパッタリング法」であるか等にかかわらず、「７０℃〜１１０℃」に設定するという事項、それにより「基材に皺等を生じない効果」を奏するという事項を包含する。これに関して、請求人が主張するように確かに、本願明細書の【００１７】には「上記各処理の間、メインローラー５を１１０℃に設定し、基材３を加熱するようにした。」と記載されているが、それは、【００１７】に記載されている特定の「電子ビーム蒸着法」を採用した「金属薄膜層形成手段１４」等を備える「実施の形態」についてである。同じく、本願明細書の【００１９】には「上記各処理の間、メインローラー５を７０℃に設定し、基材３を加熱するようにした。」と記載されているが、それは、【００１９】に記載されている特定の「ＤＣマグネトロンスパッタリング法」を採用した「金属薄膜層形成手段１４」等を備える「実施の形態」についてである。両「実施の形態」は基材３の送り速度も異なっている。前者の「実施の形態」において「１１０℃」以外の例えば「７０℃」とした例、後者の「実施の形態」において「７０℃」以外の例えば「１１０℃」とした例については、当初明細書又は図面に記載されていないとともに、それらの例において「基材に皺等を生じない効果」を奏することについての説明は特になされていない。また、これらが当初の明細書又は図面から自明の事項であるともいえない。以上を勘案すると、「前記シード層形成前から前記金属薄膜層を形成するまでの間、前記メインローラーの温度を７０℃〜１１０℃に設定し、」という事項を追加する補正は、新たな技術的事項を導入しないものであるということはできず、結局、上記の補正は、当初明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
理由Ｂ
　本件補正による特許請求の範囲の補正は上記のとおりである。
　その補正は、請求項１についてみると、実質的に、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「真空槽」について、「前記各手段間に隔壁を設け、」という事項を追加して限定するものであって、これは、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）本願補正発明
　上記のとおりである。
（２）引用例
（２−１）引用例１
　実願昭６３−４１３３１号（実開平１−１４７２５３号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。なお、全角半角等の文字の大きさ、促音、拗音、句読点は記載内容を損なわない限りで適宜表記した。以下、同様。
（あ）「［産業上の利用分野］
　本考案は、物理的蒸着処理により金属薄膜が設けられた金属蒸着フィルムを連続的に製造する装置に関するものである。
　［従来の技術］
　近年、プラスチックフィルムのメタライジングが盛んに行なわれており、その用途も、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、フィルムコンデンサー、磁気テープ等の電子機器部品分野から、…（略）…現在益々拡大される傾向にある。」（明細書第１ページ第１９行〜第２ページ第１０行）
（い）「　［考案が解決しようとする課題］
　前記ＰＶＤ処理の内真空蒸着法は、金属薄膜の成長速度は比較的速いものの、該真空蒸着法によりプラスチックフィルム上に直接金属薄膜を形成すると、実用に耐え得る充分な密着性を持ったものが得られない場合が多かった。…（略）…
　一方、スパッタリング法により形成された金属薄膜は、基板との密着性に優れており、又結晶粒が小さく、緻密性が良い等の点で真空蒸着法による金属薄膜よりも優れているが、前記スパッタリング法は金属薄膜の成長速度が非常に遅く、生産性の点で真空蒸着法よりも劣っていた。
　［課題を解決する為の手段］
　本考案者等はこの様な問題点を解決する為鋭意検討した結果、プラスチックフィルム上に金属薄膜を形成するにあたって、先ずスパッタリング法によって膜厚５０〜５０００Åの単一金属又は合金の薄膜を形成し、次いで該スパッタ膜上に真空蒸着法により、任意の膜厚の単一金属又は合金の薄膜を形成した後、更に該金属薄膜上にスパッタリング法により、膜厚５０〜５０００Åの単一金属又は合金の薄膜を形成する事によって、基材フィルムとの密着性に優れた金属薄膜を効率良く形成出来る事を見出して、先に特許出願を行なった。
　本考案者等は、前記方法を連続的に実施する為の具体的な金属蒸着フィルムの製造装置について鋭意検討した結果本考案の慣性に到ったものであって、その目的とするところは、プラスチックフィルムとの密着性が良く、高品質な金属薄膜を基材フィルム上に効率良く蒸着させる事が可能な連続式金属蒸着フィルムの製造装置を提供する事である。
　即ち本考案による連続式金属蒸着フィルムの製造装置は、内部を所定の真空度に保持出来る室内に、基材フィルムの送り出し装置と、送り出された基材フィルムが巻き付けられる回転する円筒状のドラムと、物理的蒸着処理により金属薄膜が設けられたフィルムを巻き取る巻き取り装置とから構成されるフィルム走行路が形成されており、前記フィルム走行路を形成している回転する円筒状ドラム上の巻回フィルム表面に対向して、独立した真空度が保持出来、且つ個別に排気出来る様に分離形成された物理的蒸着装置を内蔵する物理的蒸着処理室の所望数が、前記回転ドラムの回転方向に直列に配置されている事を特徴とするものである。」（明細書第２ページ第２０行〜第５ページ第９行）
（う）「又これらの各室相互間は、仕切り板１１によって仕切られており、更に各室の気密性を充分に保つ為にシール機構１９が設けられている。」（明細書第７ページ第３〜６行）
（え）「　［実施例１］
　次に本考案を実施例により更に具体的に説明する。
　各室が所定のガス雰囲気になる様に構成された真空室１内に、ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ、長さ１００ｍ、…（略）…）１７Ａを、送り出しロール２からガイドロールと回転ドラム７に周接して、巻き取りロール８に至る様にセットし、１０−６Ｔｏｒｒ迄排気した後、第一スパッタ室９Ａ及び第二スパッタ室９Ｂに、ガス導入口１８Ａ及び１８ＢよりＡｒガスを導入してスパッタリングを行ない、Ｃｕ薄膜を８３Å／ｓｅｃの膜成長速度で形成すると共に、蒸着室１０において、８３０Å／ｓｅｃの膜成長速度で電子ビーム蒸着を行なった。その際、…（略）…、第２図に示す構造の、密着性及び耐湿熱性に優れたＣｕ薄膜蒸着プラスチックフィルムが得られた。」（明細書第９ページ第１６行〜第１０行第１９行）
　以上の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「真空室１内において基材フィルム１７Ａ上に金属薄膜を形成するためのフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を連続的に製造する製造装置であって、真空室１は、基材フィルムを巻回して搬送する１つの回転ドラム７と、基材フィルム１７Ａの搬送方向に、スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａ、電子ビーム蒸着を行なう蒸着室１０、スパッタリングを行なう第二スパッタ室９Ｂとを順に備え、第一スパッタ室９Ａ、蒸着室１０、第二スパッタ室９Ｂを、回転ドラム７の周方向に沿って設け、
　第一スパッタ室９Ａ、蒸着室１０、第二スパッタ室９Ｂの間に仕切り板１１を設けたフレキシブルプリント基板の製造装置。」
（２−２）引用例２
　特開平５−２５９５９５号公報（以下、「引用例２」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（か）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、層間の密着力、耐熱性、耐薬品性、耐屈曲性、電気特性に優れ、高密度配線においても、信頼性が高いフレキシブルプリント配線用基板に関するものである。」
（き）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の実情に鑑みて発明されたもので、その目的は、前記従来技術の問題点を解決して、層間の密着力を高くし、耐熱性、耐薬品性、耐屈曲性及び電気特性が優れ、高密度配線でも信頼性の高いフレキシブルプリント配線用基板を提供するにある。」
（く）「【００２６】本発明になるフレキシブルプリント配線用基板の効果をより高めるためには、スパッタリング蒸着時の温度をポリイミドフィルムを用いる場合は、１２０〜２８０℃とするのが好適で、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合は、１２０〜１６０℃とするのが好適である。この時、冷却ロールを加熱することや、蒸着直前での加熱用ヒーターで加熱することで行うことができる。」
（け）「【００２９】本発明になるフレキシブルプリント配線用基板の製造法の一例を図５に基づいて説明する。図５は、長尺プラスチックフィルム系を備えた蒸着装置の概略図であり、真空槽内に巻出し軸６、円筒状の冷却ドラム７、８、巻取り軸９からなる走行系が設置され、巻出し軸６、巻取り軸９を納めた上槽１０と複数の蒸発源１２、１３、１４、１５を納めた下槽１１を有する。そして、隔壁及びマスク１６で分離されており、排気口１７、１８よりそれぞれ真空排気される。
【００３０】図５の蒸着装置において、ポリイミドフィルム１９を巻出し軸６より一定の巻出し圧力を付与しつつ、０．５〜２０ｍ／分の速度で繰り出し、ローラー２０−ａ介した後に、アルゴンガスのグロー放電プラズマ処理装置２１において処理する。該プラズマ処理装置での処理条件は、０．００１〜１トールのアルゴンガス圧で、５０〜５００ＭＨｚの高周波によって、高電圧を印加した電極と接地電極の電極対を持つ内部電極方式を採用する。
【００３１】蒸着は、下槽１１内圧力を予め５×１０−５トール以下に排気した後に、アルゴンガスを導入し、ガス圧５×１０−３トール以下で行う。第１蒸着層はクロムターゲットを蒸発源１２として、１０〜５００オングストロームの厚みに形成した後、第２蒸着層は銅ターゲットを蒸発源１３として、１００オングストローム〜１μｍの厚みになるよう、マグネトロンスパッタ方式で形成する。尚、第１蒸着層では、所望のガスを微量にコントロールできるノズル２３を使用して、導入することもできる。続いて、ローラー２０−ｄ、２０−ｅを介して第３蒸着層は、銅インゴットを蒸発源１４、１５として１〜１８μｍの厚みに、電子ビーム加熱蒸着を２回行って形成する。次いで、ローラー２０−ｆ、ｇ、ｈを介して、一定の張力によって多層蒸着膜を持つ加工フィルム２２を巻き取る。この加工フィルム２２は、広幅、長尺ロールの本発明になるフレキシブルプリント配線用基板である。」
（こ）「【００４８】
【発明の効果】本発明のフレキシブルプリント配線用基板は、層間の密着力が高く、耐熱性、耐屈曲性、耐薬品性等の性能が優れていること、電気特性や導体の配線形成精度が優れている等で、高密度配線を形成しても信頼性の高いフレキシブルプリント配線板が得られる。
【００４９】また、本発明の前記配線用基板の製造方法は、電気めっき等を用いないので、無公害であり、且つ生産性が良好となる。
【００５０】尚、本発明の前記配線用基板は、あらゆるエレクトロニクス分野に活用でき、またコネクター、フラット電極、ＴＡＢ、ＣＯＢ等への適用も可能である。」
（２−３）引用例３
　特開昭５８−３２６３６号公報（以下、「引用例３」という。）には、下記の事項が図面とともに記載されている。
（さ）「本発明は高分子成形物基板上に金属薄膜を形成した金属化フィルムの熱処理方法に関するものでその目的は金属化フィルムの平坦化の熱処理を高速化することにある。
　金属化フィルムは…（略）…注目されている。しかし、蒸着により高分子成形物基板上に高ヤング率で高融点の金属を厚く形成して金属化フィルムＡを形成した場合、第１図に示すように金属薄膜１の残留内部応力により高分子成形物基板２にカールが発生し、薄膜形成時にこれを平坦とすることは工業的に困難である。…（略）…
　本発明者はこのような問題を解決するために以前に金属薄膜形成後に熱ロール上で熱処理を行ない、平坦な金属化フィルムを得ることを提案した。しかし、この熱処理のために４０ｍ／ｍｉｎ以上の高速でフィルムを走行させると、熱処理ロールへのフィルムの密着が悪くなり、しわが発生したり、熱処理の不均一等を引き起こすため、工業的生産レベルでしわのない平坦な金属フィルムを得ることは不可能であった。
　本発明者はこのような問題を解決するために鋭意研究した結果、金属化フィルムの金属薄膜面側を熱処理ロールの表面に接触しながら走行させ、かつシリコンゴム等からなるニップロールにより０．１〜０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力でそのフィルムを熱処理ロールに密着させながら熱処理を行なうことにより４０ｍ／ｍｉｎ以上の速度で金属化フィルムを走行させてもしわのない平坦な金属化フィルムを得ることができることを究明した。さらに、上記熱処理ロールの直前と直後に６０℃以上で熱処理温度未満（好ましくは熱処理温度より１０℃以上低い）の補助熱ロールを設け、この補助熱ロールを金属化フィルムに接触させることにより、より安定した平坦な金属化フィルムが得られることも判明した。」（第１ページ左下欄第２０行〜第２ページ右上欄第１１行）
（３）対比
　本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、後者の「真空室１」は前者の「真空槽」に、「基材フィルム１７Ａ」は「可撓性基材」に、「金属薄膜を形成する」は「金属薄膜層を形成する」に、「回転ドラム７」は「メインローラー」に、「スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａ」は「シード層形成手段」に、「電子ビーム蒸着を行なう蒸着室１０」は「金属薄膜層形成手段」に、「仕切り板１１」は「隔壁」に、それぞれ相当する。
　したがって、本願補正発明の用語に倣って整理すると、両者は、
「真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材を巻回して搬送するための１つのメインローラーと、前記可撓性基材の搬送方向に、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段とを順に備え、前記シード層形成手段と、前記薄膜層形成手段とを、前記メインローラーの周方向に沿って設け、
　前記各手段間に隔壁を設けたフレキシブルプリント基材の製造装置。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願補正発明は、「前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段と、加熱圧延手段とを順に備え、」という事項を具備しているのに対し、引用例１発明は「基材フィルム１７Ａの搬送方向に、スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａ、電子ビーム蒸着を行なう蒸着室１０、スパッタリングを行なう第二スパッタ室９Ｂとを順に備え、」という事項を備えているものの、「プラズマ処理手段」、「加熱圧延手段」を備えていない点。
［相違点２］
　　本願補正発明は、「前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材の加熱を行うための１つのメインローラー」を備え、「前記メインローラーは、前記シード層形成手段によるシード層形成前から加熱を開始する」のに対し、引用例１発明は「基材フィルムを巻回して搬送するための１つの回転ドラム７」を備えているものの、「回転ドラム７」は「加熱を行なう」ものではない点。
（４）判断
（４−１）相違点１について
　引用例２には、上記の特に（け）に摘記したように、ポリイミドフィルム１９の搬送方向に、グロー放電プラズマ処理装置２１、マグネトロンスパッタ形式による蒸着手段、電子ビーム蒸着手段を順に備えたものが示されている。引用例１発明においても、スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａ、電子ビーム蒸着を行なう蒸着室１０、及びスパッタリングを行なう第二スパッタ室９Ｂにおける処理を行なう前にプラズマ処理を行なうことが好適であることは明らかであり、このように、引用例１発明に引用例２の上記事項を適用することに格別の困難性はない。
　引用例３には、上記（さ）に摘記したように、金属薄膜を形成した金属化フィルムは、金属薄膜の残留熱応力によりその高分子成形物基板にカールが発生すること、金属薄膜形成後に熱ロールで熱処理を行なうことにより、このような問題を解決し得ること、ニップロールにより０．１〜０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力で金属化フィルムを熱処理ロールに密着させながら熱処理を行なうことにより４０ｍ／ｍｉｎ以上の速度で金属化フィルムを走行させてもしわのない平坦な金属化フィルムを得ることができることが示されている。引用例１発明においても、スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａ、電子ビーム蒸着を行なう蒸着室１０、及びスパッタリングを行なう第二スパッタ室９Ｂにおける処理を行なった後に、熱処理ロールによる熱処理を行なうことが望ましいことは明らかであり、引用例１発明に引用例３の上記事項を適用して、引用例１の真空室１内の例えば「製品の張力調整用ガイドロール４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ」ないしその付近の部位において、熱処理ロールによる熱処理を行なうことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。なお、本願補正発明の「加熱圧延手段」について、本願明細書には「【００１４】金属薄膜層が形成された基材３は、メインローラー５から、加熱圧延手段１５により加熱圧延処理され、ワインダー６により巻き取られる。図示される加熱圧延処理手段１５では、１組の加熱圧延ローラー２４，２４間に基材３を通過させることにより、基材３に残留する金属薄膜層形成後の応力を緩和し、基材３のカーリングを防ぐようにしている。この加熱圧延ローラー２４，２４の温度は、基材３の耐熱温度以下とすることが好ましいが、基材３の熱容量が小さいこともあるため、基材３の耐熱温度より５０℃程度高い温度であってもよい。」と説明されており、この説明及び技術常識を参酌すると、引用例３の上記のような「金属薄膜形成後に熱ロールで熱処理を行なう」ことは実質的に「加熱圧延手段」に相当するということができる。
（４−２）相違点２について
　引用例２には、上記の特に（け）に摘記したように、ポリイミドフィルム１９の搬送方向に、グロー放電プラズマ処理装置２１、マグネトロンスパッタ形式による蒸着手段、電子ビーム蒸着手段を順に備えたものが示されており、また、上記（く）に摘記したとおり、「【００２６】本発明になるフレキシブルプリント配線用基板の効果をより高めるためには、スパッタリング蒸着時の温度をポリイミドフィルムを用いる場合は、１２０〜２８０℃とするのが好適で、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合は、１２０〜１６０℃とするのが好適である。この時、冷却ロールを加熱することや、蒸着直前での加熱用ヒーターで加熱することで行うことができる。」と記載されている。すなわち、引用例２には、層間の密着力を高くする等の「本発明になるフレキシブルプリント配線用基板の効果」をより高めるために「冷却ロール」を加熱してスパッタリング蒸着時の温度をポリイミドフィルムを用いる場合は１２０〜２８０℃とするのが好適であることが記載ないし示唆されている。引用例１発明においてもこのような効果の向上を図るべきことが好ましいことは明らかであり、引用例１発明に引用例２の上記事項を適用し、回転ドラム７を加熱してスパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａにおける温度を相応に高くすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。このように、スパッタリングを行なう第一スパッタ室９Ａにおける温度を高くしようとする場合に、「回転ドラム７は、該スパッタリングの前から加熱を開始する」ように構成することは適宜の設計事項にすぎず、また、引用例１発明は「フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を連続的に製造する製造装置」であるから、回転ドラム７を加熱すると、技術必然的に、「回転ドラム７は、該スパッタリングの前から加熱を開始する」ということもできる。
　したがって、本願補正発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は、上記回答書において、「引用文献２には、冷却ローラーを加熱するということしか示唆はされておらず、冷却ローラーがどのような温度となるかについて何も触れられていません。」（「引用文献２」は本審決の「引用例２に」にあたる。）と主張する。仮に、「引用文献２」には「冷却ローラーがどのような温度となるかについて何も触れられて」いないとしても、本願補正発明においても「メインローラー」の温度は特定されていない。
　
（５）むすび
　本願補正発明について以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定違反するものであり、本件補正における他の補正事項を検討するまでもなく、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成２３年４月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明６」という。）は、平成２２年９月８日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１は次のとおりである。
「【請求項１】
　真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段と、加熱圧延手段とを順に備え、前記シード層形成手段と、前記薄膜層形成手段とを、前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材に前記シード層形成手段によりシード層を形成する前から加熱を開始するためのメインローラーの周方向に沿って設けたことを特徴とするフレキシブルプリント基材の製造装置。」
　
３−１．本願発明１について
（１）本願発明１
　本願発明１は上記のとおりである。
（２）引用例
　引用例１〜３、及びその記載事項は上記２．に記載したとおりである。
（３）対比・判断
　本願発明１は、実質的にみると、本願補正発明においてその「前記各手段間に隔壁を設け、」という事項を削除して拡張したものに相当する。
　そうすると、本願発明１の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２．の「理由Ｂ」に記載したとおり、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、実質的に同様の理由により、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明１は引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に基づいて特許を受けることができない。
　
４．結論
　上述のように、本願発明１が特許を受けることができないものである以上、本願発明２〜６について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。