【事件の表示】
　特願２００３−５３２７２４「反転型ＣＶＤのための装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１０日国際公開、ＷＯ０３／２９５１６、平成１７年　９月２２日国内公表、特表２００５−５２８７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年　９月２７日（パリ条約による優先権主張２００１年　９月２９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年　７月２８日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、平成２０年１０月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年　２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、平成２１年　５月２５日付けで審判請求がなされるとともに、平成２１年　６月２３日付けで手続補正がなされ、平成２２年　９月　２９日付け審尋書により、前置報告書の内容に基づく書面での審尋を行ったところ、平成２３年３月２５日付けで回答書が提出されたものである。
　　
第２．平成２１年　６月２３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年　６月２３日付けの手続補正を却下する。
　　
［理　由］
［１］平成２１年　６月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件手続補正は、平成２０年１０月３１日付けの手続補正により補正された本件補正前（以下、単に「本件補正前」という。）の特許請求の範囲の請求項１を下記のとおりに補正しようとする事項を含むものである。
　　
　＜本件補正前の請求項１＞
「【請求項１】
　半導体製造反応装置であって、
　反応装置チャンバ（６２）の頂部に据え付けられた回転可能なサセプタ（６４）と、
　前記サセプタ（６４）の回転によりウェハ（６８）を前記チャンバ（６２）内で回転させる前記サセプタ（６４）の表面に搭載された１つ以上の前記ウェハ（６８）と、
　前記サセプタ（６４）を加熱するヒータ（８０）と、
　半導体成長ガスを前記反応装置チャンバ（６２）内に許容するように前記ウェハ（６８）上に半導体材料を堆積するチャンバガス入口（９８、１２４、１４４、１５４、１７５）であって、前記ウェハ（６８）のレベルまたは前記ウェハ（６８）のレベルの下にある前記ガス入口（９８）と、
　前記ウェハ（６８）のレベルまたは前記ウェハ（６８）のレベルの上にあるチャンバガス出口（１１０、１４９、１６０）と、
　前記チャンバガス出口（４０、１１０、１３６、１４９、１６０）に接続された弁（４４）であって、前記弁が少なくとも部分的に開くと、前記反応装置チャンバ内のガスを排出できるようにする弁（４０）と
　を備えたことを特徴とする反応装置。」
　　
＜本件補正による請求項１＞
「【請求項１】
　半導体製造反応装置であって、
　反応装置チャンバ（６２）の頂部に据え付けられた回転可能なサセプタ（６４）と、
　前記サセプタ（６４）の回転によりウェハ（６８）を前記チャンバ（６２）内で回転させる前記サセプタ（６４）の表面に搭載された１つ以上の前記ウェハ（６８）と、
　
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
　半導体成長ガスを前記反応装置チャンバ（６２）内に許容するように前記ウェハ（６８）上に半導体材料を堆積するチャンバガス入口（９８、１２４、１４４、１５４、１７５）であって、前記ウェハ（６８）のレベルまたは前記ウェハ（６８）のレベルの下にある前記ガス入口（９８）と、
　前記
り、前記反応装置チャンバの頂部に通じてい
　前記チャンバガス出口（４０、１１０、１３６、１４９、１６０）に接続された弁（４４）であって、前記弁が少なくとも部分的に開くと、前記反応装置チャンバ内のガスを排出できるようにする弁（４０）と
　を備えたことを特徴とする反応装置。」
　（なお、上記下線は、補正箇所を示したものである。）
　　
［２］補正の適否について
１．補正の内容
　上記請求項１の補正事項は、本件補正前の請求項１における
（１）「前記サセプタ（６４）を加熱するヒータ（８０）」を、「
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
（２）「前記ウェハ（６８）のレベルまたは前記ウェハ（６８）のレベルの上にあるチャンバガス出口（１１０、１４９、１６０）」から、２択の内の一方の「前記ウェハ（６８）のレベルまたは」を削除し、他方について、更に「
前記
り、前記反応装置チャンバの頂部に通じてい
それぞれ、補正しようとするものである。
　
　そこで、上記補正事項の内容について検討する。
　
ア．本件審判請求人は、審判請求書の「請求の理由【本願発明が特許されるべき理由】（１）補正について」において、以下のように説明している。
　「平成２１年６月２３日提出の手続補正書において、請求項１の記載を変更する補正を行ないました。なお、当該補正は、本願の図２から図８および明細書の関連する説明に基づいています。」
　
イ．ところで、上記補正事項（１）によって補正しようとする内容は、
　　ヒータが、
　（ア）サセプタに対して離れていること、且つ
　（イ）サセプタ（６４）を加熱する
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置され
を特定しようとするものである。
　そこで、上記（イ）についてみると、当該構成は、ヒータの配置場所を反応装置チャンバ内のどの位置か具体的に明示しておらず、サセプタを加熱しうる場所であれば、例えば、サセプタの横、基板側或いは反応装置チャンバの下端等、ヒータの配置場所は、チャンバ内の何処でもよいこととなる。
　
　ウ．一方、本願の明細書には、ヒータに関連する記載として、
「【００１４】・・・ヒータがサセプタを加熱し、・・・」
「【００１５】・・・ヒータによりサセプタを加熱し、・・・」
「【００２０】・・・１つ以上のウェハが無線周波数（ＲＦ）コイル、抵抗加熱、またはストリップヒータによる放射加熱によって加熱することができるサセプタと呼ばれるグラファイト構造上に保持され、これによってウェハを加熱する。」
「【００２２】  成長の間、サセプタ１４は、・・・ヒータ１８によって加熱される。・・・ヒータ１８は、上記に列挙した加熱デバイスのいずれとすることもできるが、通常、無線周波数（ＲＦ）または抵抗コイルである。」
「【００２８】・・・ヒータ１８への電力をオフにすることで基板１６を冷却する。」
【００３１】・・・サセプタは、サセプタ６４とチャンバの頂部表面との間に配置された加熱エレメント８０によって加熱される。ヒータ８０は、上記で列挙した任意の加熱デバイスとすることができるが、通常、無線周波数（ＲＦ）または抵抗コイルである。ヒータ８０がサセプタ６４を加熱すると、・・・」
があり、ヒータの配置場所として言及されているのは、【００３１】の「サセプタ６４とチャンバの頂部表面との間」のみである。
　また、ヒータ（１８）或いはヒータらしきものが図示されている本願の図１〜３、図５〜８においては、当該ヒータ（１８）或いはヒータらしきものは、サセプタ６４とチャンバの頂部表面との間に配置されているもののみである。
　なお、図４はサセプタの実施形態の下方斜視図であって、ヒータは、示されていない。
　
　エ．したがって、上記ア．〜ウ．のように、明細書全体の記載及び全図面である図１〜８を参酌しても、審判請求人の主張する、「本願の図２から図８および明細書の関連する説明」を根拠として、本件補正による補正事項である、「
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
　
２．まとめ
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
３．なお、仮に、本件補正による補正事項である、「
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
　
１）引用刊行物及びその摘記事項
ア．原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内において頒布された特開昭５６−７３６９４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
（刊１ａ）「本発明は縦型気相成長方法の改良及びその方法に用いる縦型気相成長装置の構造に関するものである。
　半導体装置の製造に於ては、半導体薄膜単結晶層或るいは絶縁膜等の形成に際して気相成長方法が用いられる。そしてこれらの気相成長は酸化還元反応、不均等化反応、水素化物や有機金属の熱分解等の種々な化学反応によってなされるが、これらの反応を行わせるための方法としては・・・反応管を垂直に設置し反応ガスを縦方向に流す縦型気相成長方法が行われており、本発明は上記の気相成長方法の中、縦型気相成長方法の改良・・・に関するものである。」（１頁右欄１４行〜２頁左上欄９行）
　
（刊１ｂ）「本発明の方法の一例に使用する縦型気相成長装置は第５図に示すように石英等からなる反応管１の下部に、中央にガス噴出孔１７を有する下部遮蔽板１８が設けられ、該遮蔽板１８により仕切られた反応管１の下部領域にガス導入管１９が配設されており、又反応管１の上部には中央部にガス排出孔２０を有する上部遮蔽板２１が配設されており、該上部遮蔽板２１で仕切られた反応管１の上部領域にはガス排出管２２が設けられている。そして下部遮蔽板１８と上部遮蔽板２１との間に形成された成長領域２３には、被成長基板６を成長ガス７の流れ方向に対して直角に対向する下方に向って固定し、且つ該被成長基板６上にカーボン等からなる基板加熱体４が積載保持できるような構造を有する石英等からなる基板保持装置２４が配設されており、該基板保持装置２４は該保持装置に固着せしめられ上部遮蔽板２１のガス排出孔２０及び反応管１の上壁を貫いて反応管１の外部に導出されている石英等からなる支持棒２により回転機構に係合されており、又前記成長領域に於ける反応管外周には高周波コイル５が配設された構造を有している。」（３頁左下欄５行〜右下欄７行）
　
（刊１ｃ）「先ず上記気相成長装置の基板保持装置に・・・被成長基板６をその被成長面を下に向け且つ成長ガスの流れに向かって直角に対向せしめて固定し、更にその上にカーボン等からなる加熱体を積載保持せしめ、該基板保持装置を所定の速度で回転させる。次に成長装置の下部に設けられたガス導入管１９から・・・等を反応ガスとし、・・・等をキャリヤーガスとしてなる成長ガス７を流入し、該成長ガス７を下部遮蔽板１８のガス噴出孔１７から成長領域２３内へ噴出させ、基板保持装置内に搭載されているカーボン加熱体４を高周波加熱して被成長基板６を700〜800〔℃〕に昇温せしめる。」（３頁右下欄９行〜４頁左上欄５行）
　
（刊１ｄ）第５図には、気相成長装置の断面模式図として、反応管１の上部及び下部には、それぞれ中央部にガス排出孔２０及びガス噴出孔１７を有する上部遮蔽板２１及び下部遮蔽板１８が配設され、下部遮蔽板１８と上部遮蔽板２１との間に形成された成長領域２３に対応する反応管外周には高周波コイル５が配設された構造が示されている。
　
　
２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（刊１ａ）〜（刊１ｄ）を整理すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。
　
　「半導体装置の製造において、化学反応によってなされる半導体薄膜単結晶層或るいは絶縁膜等の形成に用いる縦型気相成長装置であって、
　下部遮蔽板１８と上部遮蔽板２１との間に形成された成長領域２３には、被成長基板６を成長ガス７の流れ方向に対して直角に対向する下方に向って固定し、且つ該被成長基板６上にカーボン等からなる基板加熱体４が積載保持できるような構造を有する石英等からなる基板保持装置２４が配設され、該基板保持装置２４は保持装置に固着せしめられ上部遮蔽板２１のガス排出孔２０及び反応管１の上壁を貫いて反応管１の外部に導出されている石英等からなる支持棒２により回転機構に係合され、前記成長領域に対応する反応管外周には、カーボン等からなる基板加熱体４を高周波加熱する高周波コイル５が配設され、
　反応管１の下部には中央にガス噴出孔１７を有する下部遮蔽板１８が配設され、該下部遮蔽板１８により仕切られた反応管１の下部領域にガス導入管１９が配設されており、
　反応管１の上部には中央部にガス排出孔２０を有する上部遮蔽板２１が配設されており、該上部遮蔽板２１で仕切られた反応管１の上部領域にはガス排出管２２が設けられた、
縦型気相成長装置。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
（２−２）対比・判断
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、
ア．刊行物発明の「半導体装置の製造において、化学反応によってなされる半導体単結晶層或るいは絶縁膜等の形成に用いる縦型気相成長装置」、「被成長基板」は、それぞれ本願補正発明の「半導体製造反応装置」、「ウェハ」に相当する。
　
イ．刊行物発明の「下部遮蔽板と上部遮蔽板との間に形成された成長領域」は、反応管１の内部に、下部遮蔽板と上部遮蔽板とで区切られた領域を形成し、当該領域内に被成長基板を配置して、ガスが噴出される孔及びガスが排出される孔によって、ガスを空間内に流通させることで、ガスの化学反応によって被成長基板に半導体薄膜単結晶層或いは絶縁膜等の形成がなされる空間、即ち、反応が行われる空間であり、本願補正発明の「反応装置チャンバ」と、「反応が行われる空間」である点で一致する。
　
ウ．刊行物発明の「カーボン等からなる基板加熱体」は、下記の周知文献１、２に記載されているように「サセプタ」の一種であり、一方、本願補正発明における「サセプタ」においては、具体的な構成が特定されているものではない。
　さらに、刊行物発明の「カーボン等からなる基板加熱体」は、基板保持装置に積載保持させる物であり且つ基板保持装置は、「保持装置に固着せしめられ上部遮蔽板のガス排出孔及び反応管の上壁を貫いて反応管の外部に導出されている石英等からなる支持棒により回転機構に係合され」ていることから、「カーボン等からなる基板加熱体」自体も回転可能であることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「下部遮蔽板と上部遮蔽板との間に形成された成長領域には、被成長基板を成長ガスの流れ方向に対して直角に対向する下方に向って固定し、且つ該被成長基板上にカーボン等からなる基板加熱体が積載保持できるような構造を有する石英等からなる基板保持装置が配設され、該基板保持装置は保持装置に固着せしめられ上部遮蔽板のガス排出孔及び反応管の上壁を貫いて反応管の外部に導出されている石英等からなる支持棒により回転機構に係合され」た配置の「基板加熱体」は、本願補正発明の「反応装置チャンバの頂部に据え付けられた回転可能なサセプタ」と、「反応が行われる空間の頂部に据え付けられた回転可能なサセプタ」である点で一致する。
　
　＜周知文献の記載事項＞
＊周知文献1：特開２０００−９１２４６号公報
　「【００６９】サセプター２４は、図１において上下面が平面状に形成された柱状、例えば、円柱形状に形成されており、カーボンで形成されて、・・・図１において、サセプター２４の下面には、結晶成長用の基板２６が取り付けられており、基板２６は、サセプター２４の外周面と下面の一部を覆う状態で配設された略筒状、例えば、円筒形状のサセプターホルダ２７によりサセプター２４の下面に密着されるとともに、その結晶成長面（結晶成長を行う側の表面）を下側に向けた状態で、かつ、サセプター２４の自重でサセプター２４とサセプターホルダ２７の下側の保持部２７ａとの間に狭持された状態でサセプター２４の下面に取り付けられている。・・・」
＊周知文献２：特開平８−１３９０２８号公報
　「【０００８】・・・ここで図１５に示した従来の縦型気相成長装置の基板保持方法の詳細を図１７に示す。この例では、基板保持爪１１２付きの固定保持腕１３０及び揺動可能保持腕１３１を有する基板保持治具１０９で主面を下方に向けた被成長基板１０８を保持し、該被成長基板１０８の裏面上に直に被成長基板と同じ大きさの被誘導加熱体１０７を積載している。このようにすれば被成長基板１０８の主面を下方に向けて保持し、しかも被誘導加熱体１０７から効率よく熱を供給することが可能である。・・・
【０００９】・・・このため図１５に示すような従来の縦型気相成長装置においては、図１７に示すように基板保持治具１０９と支持棒１１０とは一体化されていてカーボンサセプターを直に基板上に積載する方法がとられている。そのため、被成長基板をセットする時、多孔質でガス吸着量の多いカーボンサセプターのような被誘導加熱体・・・」
　
エ．刊行物発明の「被成長基板」上に、「カーボン等からなる基板加熱体が積載保持」され、基板保持装置と共に回転することは明らかであるから、刊行物発明の「下部遮蔽板と上部遮蔽板との間に形成された成長領域には、被成長基板を成長ガスの流れ方向に対して直角に対向する下方に向って固定し、且つ該被成長基板上にカーボン等からなる基板加熱体が積載保持できるような構造を有する石英等からなる基板保持装置が配設され、該基板保持装置は保持装置に固着せしめられ上部遮蔽板のガス排出孔及び反応管の上壁を貫いて反応管の外部に導出されている石英等からなる支持棒により回転機構に係合され」た配置の「被成長基板」は、本願補正発明の「サセプタの回転によりウェハを前記チャンバ内で回転させる前記サセプタの表面に搭載された１つ以上の前記ウェハ」に相当する。
　
オ．刊行物発明の「基板加熱体」は、反応管外周にある高周波コイルによって高周波加熱され、「被成長基板」と直接接触することで当該「被成長基板」を加熱するものであり、高周波コイルは、「基板加熱体」から離れて配置され、「基板加熱体」を介して「被成長基板」を間接的に加熱する部材である。
　一方、「ヒータ」に関して、本願明細書には、「【００２０】・・・１つ以上のウェハが無線周波数（ＲＦ）コイル、抵抗加熱、またはストリップヒータによる放射加熱によって加熱することができるサセプタと呼ばれるグラファイト構造上に保持され、これによってウェハを加熱する。」とされていることから、ウェハを加熱するサセプタを加熱する部材を「ヒータ」と呼びウェハは、サセプタを介して、ヒータにより間接的に加熱されている。
　したがって、刊行物発明の「成長領域に於ける反応管外周に」配設された「カーボン等からなる基板加熱体４を高周波加熱する高周波コイル」と、本願補正発明の「サセプタに対して離れ、前記サセプタを加熱するように前記反応装置チャンバ内に配置されたヒータ」とは、「前記サセプタに対して離れ、前記サセプタを加熱するように配置されたヒータ」である点で一致する。
　
カ．刊行物発明において、成長領域に導入するガスは、被成長基板に対して化学反応によってなされる半導体薄膜単結晶層或いは絶縁膜等の形成、即ち、半導体薄膜単結晶層等を堆積・成長させることに用いるガスであるから、刊行物発明における「ガス」、「半導体薄膜単結晶層或るいは絶縁膜等」は、それぞれ本願補正発明の「半導体成長ガス」、「半導体材料」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「反応管１の下部には中央にガス噴出孔１７を有する下部遮蔽板２１が配設され、該下部遮蔽板１８により仕切られた反応管１の下部領域にガス導入管１９が配設されており」と、本願補正発明の「半導体成長ガスを前記反応装置チャンバ内に許容するように前記ウェハ上に半導体材料を堆積するチャンバガス入口であって、前記ウェハのレベルまたは前記ウェハのレベルの下にある前記ガス入口反応装置チャンバ」とは、「半導体成長ガスを前記反応が行われる空間内に許容するように前記ウェハ上に半導体材料を堆積する反応が行われる空間へのガス入口であって、前記ウェハのレベルまたは前記ウェハのレベルの下にある前記ガス入口」の点で一致する。
　
キ．刊行物発明の「反応管の上部には中央部にガス排出孔を有する上部遮蔽板が配設されており、該上部遮蔽板で仕切られた反応管１の上部領域にはガス排出管２２が設けられた」と、本願補正発明の「ウェハのレベルの上にあり、前記反応装置チャンバの頂部に通じているチャンバガス出口」とは、「ウェハのレベルの上にあり、前記反応が行われる空間の頂部に通じているガス出口」の点で一致する。
　
そうすると、両者は、
　「半導体製造反応装置であって、
　反応が行われる空間の頂部に据え付けられた回転可能なサセプタと、
　前記サセプタの回転によりウェハを前記チャンバ内で回転させる前記サセプタの表面に搭載された１つ以上の前記ウェハと、
　前記サセプタに対して離れ、前記サセプタを加熱するように配置されたヒータと、
　半導体成長ガスを前記反応が行われる空間内に許容するように前記ウェハ上に半導体材料を堆積するガス入口であって、前記ウェハのレベルまたは前記ウェハのレベルの下にある前記ガス入口と、
　前記ウェハのレベルの上にあり、前記反応が行われる空間の頂部に通じているガス出口と、
　を備えた反応装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：反応が行われる空間として、本願補正発明は、「反応装置チャンバ」であるのに対して、刊行物発明では、「下部遮蔽板と上部遮蔽板との間に形成された成長領域」である点。
　
＊相違点２：ヒータの配置場所として、本願補正発明は、「反応装置チャンバ内」であるのに対して、刊行物発明では、「反応管外周」である点。
　
＊相違点３：本願補正発明では、「チャンバガス出口に接続された弁であって、前記弁が少なくとも部分的に開くと、前記反応装置チャンバ内のガスを排出できるようにする弁」を有しているのに対して、刊行物発明にはその点が明記されていない点。
　
　そこで、上記各相違点１〜３について検討する。
　
ア．相違点１について
　刊行物発明における成長領域は、上遮蔽板及び下遮蔽板により区切られた領域に於いて、化学反応により半導体薄膜単結晶層等を成長させる場所であり、当該領域は反応を行わせるために区切られた室、即ち「チャンバ」であることは、明らかである。　
　一方、本願補正発明における「反応装置チャンバ」については、それ自体の構成として、具体的な構成を限定したものではない。
　したがって、刊行物発明における「下部遮蔽板と上部遮蔽板との間に形成された成長領域」は、本願補正発明の「反応装置チャンバ」に相当する。
　
　なお、本願明細書及び図面に於いては、「反応装置チャンバ」として、遮蔽板のない、単一の室からなる構造が示されていることから、刊行物発明において、遮蔽板の無い構成を取り得るか否かについても一応検討する。
　刊行物発明は、「ガス噴出孔１７から被成長基板６に吹きつけられた低温の成長ガス７は高温になっている被成長基板７の表面で加熱され反応して被成長基板７（「６」の明らかな誤記）上にGaAs単結晶を成長せしめながら、該被成長基板の表面に沿ってその周縁部に向かって流れる上昇気流８となって基板上から除かれ、圧力の低下した被成長基板６の表面に次々と新しい低温の成長ガスが補充される。」（刊行物１の４頁左上欄７〜１５行）、との作用を行わせるものである。
　したがって、反応が行われる空間に於いて、下向きの被成長基板に対して、下側からガスを供給し、ウエハ上側でガスを排出できる構造であれば充分その作用/機能を奏するであろうことは明らかであり、この点から、上下の遮蔽板自体を必ずしも必須の物としていないことも当業者にとって明らかである。
　一方、反応空間の下側から、ガスを導入し、反応空間の天井面としての頂部からガスを排出することで反応が行われる空間を形成する際に、遮蔽板を用いずに、直接空間内にガスを導入及び排出させることは、下記周知文献３、４に記載されているように周知の事項である。
　してみると、刊行物発明において、上記作用を奏させる手段として、遮蔽板を用いずに、上記周知文献３、４に記載された周知の事項を採用することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　＜周知文献の記載事項＞
＊周知文献３：特開平１０−６８０７９号公報
　「【００２４】図２には基板表面をＣＶＤ法により被膜する装置が示され、・・・支持装置１０の上部は反応炉１６の上部壁に、好ましくは回転可能に固定されている。・・・反応炉１６の流入口１７を通してＣＶＤ法の実施のためにプロセスガスが流入し、このプロセスガスで合成されたプロセスガス流５はディフューザ１８を通してガス移送領域１９に流入し基板２に向かって流れる。余分のプロセスガスは排出口２４を介して再び反応炉１６から排出され、特にポンプによって吸引される。・・・」
　また、図２には、反応炉１６の下方にガスの流入口１７を設け、反応炉の天井面にガスの排出口２４を設けていることが図示されている。
＊周知文献４：特開平１−３００５１６号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４）
　「これらのガスは、入口１８，２０，２２，２４に近い領域３０で混り合い、第１図の矢印で示すように、直ちに室１０の中を上方へ流れ、最後に出口ボート３２から出ていく。この混合ガスの上昇流により、室１０の下半分の壁面に堆積するのが防止される。」（３頁右上欄３〜８行）
　また、第１図には、室１０の下方に、ガスの入口１８，２０，２２，２４が設けられ、室１０の天井面に出口ボート３２を設けていることが図示されている。
　　
イ．相違点２について
　刊行物発明は、外部の高周波コイル、即ち外部ヒータにより基板加熱体、即ちサセプタを加熱することで、基板を間接的に加熱するものであるが、ヒータの配置場所に特段の目的を有している発明ではなく、その配置場所は、適宜選択しうるものであるところ、サセプタの基板載置面と反対側の面にサセプタから離して、サセプタを加熱する手段を配置することは、下記周知文献３、５、６のように周知の事項である。
　したがって、刊行物発明において、周知文献３、５、６に記載された周知技術を採用することで、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とする事は、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　＜周知文献の記載事項＞
＊周知文献３：特開平１０−６８０７９号公報
　「【００３６】図７には基板２をＣＶＤ法により被膜する装置の他の実施例を示す。・・・支持装置７にはその底板７０にサセプタ３が配置され、これは側面部７１により境界され、熱的に基板２と結合されている。サセプタ３の上にはこの例でも誘導コイル４が配置されている。・・・」
　また、図７には、サセプタ３の基板２とは反対側の面において、サセプタ３から離れた位置に誘導コイル４が配置されていることが示されている。
＊周知文献５：特開平７−１５３６９６号公報
　「【００２５】・・・２４は真空チャック等によりウエハ載置面にウエハを載置し、固定するウエハ保持具、２５はウエハ保持具２４と分離して設けられ、ウエハ保持具２４を介してウエハ２７を間接的に加熱するヒータ、・・・」
　また、図１には、ウエハ保持具２４のウエハ２７とは反対側の面に、ウエハ保持具２４から離れた位置にヒータ２５が配置されていることが示されている。
＊周知文献６：特開平９−３２１０３４号公報
　「【００１９】・・・サセプタ３の上にはサセプタ３に固定されているウエハ２を加熱する例えば抵抗加熱ヒータなどの加熱機構１６が設置されている。」
　また、図１には、サセプタ３のウエハ２とは反対側の面に、サセプタ３から離れた位置に加熱機構１６が配置されていることが示されている。
　　
ウ．相違点３について
　化学気相成長装置（ＣＶＤ）において、排気系に弁(バルブ)を配置して、弁(バルブ)の開閉によりチャンバ内のガスを排気調整することは、下記周知文献７、８に記載されているように周知の技術であり、化学気相装置としての刊行物発明においても、当該周知のガスの排出調整方法を採用することは、実施化に際して適宜採用する設計事項にすぎない。
　したがって、刊行物発明において、周知文献７、８に記載された周知技術を採用することで、上記相違点３に係る本願補正発明の構成とする事は、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　＜周知文献の記載事項＞
＊周知文献７：特開平４−１２８３７９号公報
  「そして、オペレータはＣＶＤプロセス開始時において、予め求められた熱化学反応時に最適な排気圧と、圧力センサ２０が検知した反応室１内の圧力が等しくなるように、手動バルブ１７によって、排気パイプ分岐１６ａ及び１６ｂから排気される廃ガス３１の流量を調整し、以後は格別の事情がない限り、そのときの手動バルブ１７の開度を維持する。」
（３頁左上欄６〜１３行）
　また、第５図には、排気調整のための手動バルブ１７及び自動バルブ１８が示されている。
＊周知文献８：特開２０００−１５０９３８号公報（拒絶査定に於いて引用された周知文献）
　「【００２３】・・・反応器１の上方には、スロットルバルブ５１を介して真空ポンプ５が設けてある。設定圧力に応じてスロットルバルブ５１の開度を調節し、真空ポンプ５を作動させることにより、反応器１内と混合器２内を大気圧より低い設定圧力に保持することができる。・・・」
　　
エ．また、本願補正発明の奏する効果として、上記相違点１〜３に基づく相乗的な効果は認められず、各相違点１〜３に係る各周知技術によって予測し得る範囲のものである。
　　
オ．したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知文献１〜８に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、仮に本件補正による補正事項である、「
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
　
　
第３．本願発明について　
［１］本願発明
　平成２１年　６月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１０月３１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
［２］引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物１の摘記事項は、上記「第２．［２］３．なお書きの１）引用刊行物及びその摘記事項」に記載されたとおりである。
　また、周知文献１〜８の摘記事項は、「第２．［２］３．なお書きの２）当審の判断」に記載されたとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記「第２．［２］３．なお書き２）当審の判断」で検討した本願補正発明の
　１．「
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
前記サセプタ（６４）に対して離れ、
ように前記反応装置チャンバ（６２）内に配置された
　２．「前記ウェハ（６８）のレベルの上にあ
り、前記反応装置チャンバの頂部に通じてい
り、前記反応装置チャンバの頂部に通じてい
各限定事項を省くと共に、選択肢を増やしたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て（但し上記２．の選択肢の一つ）含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２．［２］３．２）当審の判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知文献１〜８に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、刊行物１に記載された発明及び周知文献１〜８に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知文献１〜８に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１０に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。