Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2006504631.tif 000001
（式中、Ｒは、水素、Ｃ1−Ｃ6アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアリール、ヘテロアリール、Ｃ1−Ｃ6アルキルヘテロアリール、Ｃ2−Ｃ6アルケニル、Ｃ2−Ｃ6アルケニルアリール、Ｃ2−Ｃ6アルケニルヘテロアリール、Ｃ2−Ｃ6アルキニル、Ｃ2−Ｃ6アルキニルアリール、Ｃ2−Ｃ6アルキニルヘテロアリール、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルシクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルヘテロシクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルカルボキシ、アシル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアシル、アシルオキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアシルオキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアルコキシ、アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアミノカルボニル、アシルアミノ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアシルアミノ、ウレイド、Ｃ1−Ｃ6アルキルウレイド、アミノ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアミノ、スルホニルオキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルスルホニルオキシ、スルホニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルスルホニル、スルフィニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルスルフィニル、スルファニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルスルファニル、スルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6アルキルスルホニルアミノ、を含んで成る又はそれらから成る群から選択される；
Ｒ1は、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6アルキル、Ｃ2−Ｃ6アルケニル、Ｃ2−Ｃ6アルキニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアリール、アリール又はヘテロアリール、Ｃ1−Ｃ6アルキルヘテロアリール、−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ2、−Ｃ（Ｏ）−Ｒ2、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2Ｒ2’、−（ＳＯ2）Ｒ2を含んで成る又はそれらから成る群から選択され、但し、
Ｒ2とＲ2’は、水素、Ｃ1−Ｃ6アルキル、Ｃ2−Ｃ6アルケニル、Ｃ2−Ｃ6アルキニル、アリール、ヘテロアリール、Ｃ1−Ｃ6アルキルアリール、Ｃ1−Ｃ6アルキルヘテロアリールを含んで成る又はそれらから成る群から独立して選択される；
ｎは０〜３の整数である）に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体、並びにその互変異性体、その幾何異性体、鏡像異性体としてのその光学活性形態、ジアステレオマー及びそのラセミ形態、並びに医薬として許容されるそれらの塩。
【請求項２】
Ｒ1が水素である、請求項１に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項３】
Ｒが水素、Ｃ1−Ｃ3アルキル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアルコキシ、Ｃ1−Ｃ6アルキルアシルオキシ、アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6アルキルアミノカルボニルから成る群から選択される、請求項１又は２に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項４】
ＲがＨ、又はＣ1−Ｃ3アルキル、特にメチル又はエチル部分、あるいはＣ1−Ｃ6アルキルアルコキシである、請求項３に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項５】
ｎが１である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項６】
以下の：
１，３−ベンゾチアゾール−２−イル[２−（｛４−[（４−メチルピペラジン−１−イル）メチル]ベンジル｝オキシ）ピリミジン−４−イル]アセトニトリル
１，３−ベンゾチアゾール−２−イル[２−（｛４−[（４−ベンジル−ピペラジン−１−イル）メチル]ベンジル｝オキシ）ピリミジン−４−イル]アセトニトリル
１，３−ベンゾチアゾール−２−イル（２−｛[４−（ピペラジン−１−イルメチル）ベンジル]オキシ｝ピリミジン−４−イル）アセトニトリル
１，３−ベンゾチアゾール−２−イル[２−（｛４−[（４−ホルミルピペラジン−１−イル）メチル]ベンジル｝オキシ）ピリミジン−４−イル]アセトニトリル
[２−（｛４−[（４−アセチルピペラジン−１−イル）メチル]ベンジル｝オキシ）ピリミジン−４−イル]（１，３−ベンゾチアゾール−２−イル）アセトニトリル
（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−｛２−[４−（４−[１，２，４]オキサジアゾール−３−イルメチル−ピペラジン−１−イルメチル）−ベンジルオキシ]−ピリミジン−４−イル｝−アセトニトリル
４−（４−｛４−[（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−シアノ−メチル]−ピリミジン−２−イルオキシメチル｝−ベンジル）−ピペラジン−１−カルボン酸メチルエステル
２−[４−（４−｛４−[（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−シアノ−メチル]−ピリミジン−２−イルオキシメチル｝−ベンジル）−ピペラジン−１−イル]−アセトアミド
（２−｛４−[４−（２−アミノ−アセチル）−ピペラジン−１−イルメチル]−ベンジルオキシ｝−ピリミジン−４−イル）−（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−アセトニトリル
[４−（４−｛４−[（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−シアノ−メチル]−ピリミジン−２−イルオキシメチル｝−ベンジル）−ピペラジン−１−イル]−酢酸メチルエステル
（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−（２−｛４−[４−（２−メトキシ−エチル）−ピペラジン−１−イルメチル]−ベンジルオキシ｝−ピリミジン−４−イル）−アセトニトリル
４−（４−｛４−[（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−シアノ−メチル]−ピリミジン−２−イルオキシメチル｝−ベンジル）−ピペラジン−１−カルボン酸ジメチルアミド
（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−｛２−[４−（４−エチル−ピペラジン−１−イルメチル）−ベンジルオキシ]−ピリミジン−４−イル｝−アセトニトリル
（３Ｈ−ベンゾチアゾール−２−イリデン）−（２−｛４−[４−（２−ヒドロキシ−エチル）−ピペラジン−１−イルメチル]−ベンジルオキシ｝−ピリミジン−４−イル）−アセトニトリル
の群から選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項７】
薬物としての使用のための、請求項１〜６のいずれか１項に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体。
【請求項８】
脳虚血障害又はＣＮＳ障害の処置のための薬物の製造のための、請求項１〜６のいずれか１項に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体の使用。
【請求項９】
以下の段階：
【化２】
2006504631.tif 000002
（Ｒ，Ｒ1及びｎは上述の通りである）
を含んで成る、請求項１〜６のいずれか１項に記載のピペラジンベンゾチアゾール誘導体の調製法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性−水性乳化を介して作用物質を粒子においてカプセル化する方法であって、
ａ．作用物質を多糖分散相においてカプセル化することが可能な安定高分子水性−水性乳剤を提供するために、多糖類を水性−水性乳化の前記分散相として選択し、水性高分子を連続相として選択し、水性−水性乳化のための安定剤及びその濃度を選択するステップと、
ｂ．少なくとも一つの作用物質を提供するステップと、
ｃ．前記作用物質充填多糖粒子のサイズ及び形状を適切なサイズ範囲に制御するステップと、
ｄ．前記乳剤を乾燥させるステップと、
ｅ．前記乾燥分散相に浸透せず、前記充填済みの脆弱な作用物質（群）に影響を与えない溶媒（群）により前記試料を洗浄することで乾燥させた後、前記連続相を除いてガラス体（分散位相）の微粒子を得るステップと、を備える方法。
【請求項２】
安定水性−水性乳剤を形成することが可能な、水性分散相と、水性連続相と、水性表面改質剤とを含む、請求項１記載の方法において使用された組成物。
【請求項３】
前記水性−水性乳剤の前記分散相を形成可能であり、カプセル化された作用物質を保護可能である十分な量の多糖類又はその誘導体を含む、請求項２の組成物。
【請求項４】
前記多糖類は、デキストランと、澱粉と、セルロースと及びその誘導体と、アガロース及び同様の構成を有する全てのタイプの多糖又はオリゴ糖とによって構成されたグループから選択される、請求項３の組成物。
【請求項５】
前記多糖類の平均分子量は、２，０００乃至２，０００，０００の範囲である、請求項４の組成物。
【請求項６】
前記作用物質は、生物活性のある作用物質である、請求項３の組成物。
【請求項７】
前記組成物質は、蛋白質と、ペプチドと、ＤＮＡ／ＲＮＡと、リポソームと、生ウイルスとによって構成されたグループから選択される、請求項６の組成物。
【請求項８】
前記蛋白質又はペプチドは、エリスロポエチン（ＥＰＯ）と、顆粒求コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）と、顆粒求マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）と、インタフェロン及びβ，成長ホルモンと、カルシトニンと、組織型プラスミノーゲン活性化因子（ＴＰＡ）と、第ＶＩＩＩ因子と、第ＩＸ因子と、ヒルジンと、ｄｏｒｎａｂｅと、その他の治療用タンパク質又はペプチドによって構成されたグループから選択される、請求項７の組成物。
【請求項９】
更に、連続するステップ中の前記多糖分散相におけるカプセル化した作用物質の優れた保護のための補完的作用物質として、小分子の糖を含む、請求項３記載の組成物。
【請求項１０】
前記小分子の糖は、トレハロース、マンニトール、スクロース、ラクトース、又はグリセリンである、請求項９記載の組成物。
【請求項１１】
前記水性−水性乳剤の前記連続相を形成するために、前記多糖類と不混和性である水性高分子を含む、請求項２記載の組成物。
【請求項１２】
前記連続相内の前記水性高分子は、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、又はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である、請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
前記高分子の平均分子量は、２，０００乃至２，０００，０００の範囲である、請求項１２の組成物。
【請求項１４】
水性表面改質剤は、アルギン酸ナトリウム、ヒアルロン酸塩、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルデキストラン、硫酸デキストラン、及びその他のデキストラン又は澱粉誘導体、又は負に荷電したバックボーン及び正に荷電した対イオンを保有するその他の高分子から選択される、請求項２記載の組成物。
【請求項１５】
吸入用及び二重マイクロカプセル化用に１乃至５μｍ、その他の用途のために１乃至５０μｍの平均直径を有する、請求項１記載の方法によって作成した乾燥多糖分散相。
【請求項１６】
生物活性作用物質（群）の制御放出のために、乾燥多糖分散相を生分解性高分子マイクロスフェアの中に分布してカプセル化する方法であって、
ａ）前記乾燥多糖分散相を固相として、ｓｏｌｉｄ−ｉｎ−ｏｉｌ−ｉｎ−ｗａｔｅｒ（Ｓ−Ｏ−Ｗ）又はｓｏｌｉｄ−ｉｎ−ｏｉｌ−ｉｎ−ｏｉｌ（Ｓ−Ｏ−Ｏ）乳化プロセスを利用するステップと、
ｂ）生分解性高分子を選択し、前記高分子を有機溶媒に溶解し、前記乾燥多糖分散相を前記高分子溶液に１：２から１：４０の間の割合で懸濁させるステップと、
ｃ）小分子の塩の水溶液において前記生分解性高分子の前記溶液を分散させるために高分子界面活性剤（群）を選択するステップと、
ｄ）前記塩溶液の濃度が０．５％乃至５０％の範囲であるステップと、
ｅ）抽出又は蒸発により前記有機溶媒を除去するステップと、を備える方法。
【請求項１７】
前記生分解性高分子は、ＰＬＧＡ、ポリ疑似ＣＢＺセリン、又はその他のポリマーである、請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人工ペプチドおよびリン脂質混合物からなる再構成サーファクタントであって、
人工ペプチドが式（Ｉ）
FeGfIPZZPVHLKR(XaB)n(XbB)n(XcB)mXdGALL ΩGL                  (I)
[式中、
Ｘは、Ｉ、Ｌ、およびｎＬ(ノルロイシン)からなる群から選択されるアミノ酸であり；
Ｂは、Ｋ、Ｗ、Ｆ、Ｙ、およびオルニチンからなる群から選択されるアミノ酸であり、
Ｚは、エステル結合を介して側鎖に連結された１２〜２２個の炭素原子を含むアシル基で場合により置換されていてもよいＳであり；
Ωは、Ｍ、Ｉ、Ｌ、ｎＬからなる群から選択されるアミノ酸であり；
ａは、１〜１９の整数であり；
ｂは、１〜１９の整数であり；
ｃは、１〜２１の整数であり；
ｄは、０〜２０の整数であり；
ｅは、０または１であり；
ｆは、０または１であり；
ｎは、０または１であり；
ｍは、０または１であり、
ｎ＋ｍ＞０；ｆ＞ｅ、そして（ＸaＢ）n（ＸbＢ）n（ＸcＢ）mＸdは最大２２個のアミノ酸を有する配列である]
で表されるＳＰ−Ｃ類似体であり、かつ、
リン脂質混合物が、重量比で８０：２０〜６０：４０の範囲にある、ジパルミトイルホスファチジルコリン（ＤＰＰＣ）とパルミトイルオレイルホスファチジルグリセロール（ＰＯＰＧ）から選択されるパルミトイルオレイルリン脂質からなるか、またはそれらの混合物とパルミトイルオレイルホスファチジルコリン（ＰＯＰＣ）とからなる再構成サーファクタント。
【請求項２】
配列（ＸaＢ）n（ＸbＢ）n（ＸcＢ）mＸdが、１０〜２２個のアミノ酸を有する配列である、請求項１に記載の再構成サーファクタント。
【請求項３】
人工ペプチドが、式（ＩＩ）：
IPSSPVHLKRLKLLLLLLLLILLLILGALLΩGL           (II)
［式中、
Ωは、Ｍ、Ｉ、Ｌ、およびｎＬからなる群から選択されるアミノ酸である］
で表される請求項１または２に記載の再構成サーファクタント。
【請求項４】
人工ペプチドが、式
IPSSPVHLKRLKLLLLLLLLILLLILGALLMGL
で表されるＳＰ−Ｃ３３である請求項３に記載の再構成サーファクタント。
【請求項５】
人工ペプチドが、重量比で７５：２５〜６５：３５の範囲にあるＰＰＣおよびＰＯＰＧからなるリン脂質の混合物と組み合わさっている請求項１ないし４のいずれか一項に記載の再構成サーファクタント。
【請求項６】
人工ペプチドが、重量比で６８：３１にあるＰＰＣおよびＰＯＰＧからなるリン脂質の混合物と組み合わさっている請求項５に記載の再構成サーファクタント。
【請求項７】
人工ペプチドが、重量比で６０：２０：２０〜６８：１５：１６の範囲にあるＤＰＰＣ、ＰＯＰＧおよびＰＯＰＣからなるリン脂質の混合物と組み合わさっている請求項１ないし４のいずれか一項に記載の再構成サーファクタント。
【請求項８】
請求項１ないし７に記載のいずれか一項に記載の再構成サーファクタントの調製方法であって、
ｉ）該人工ペプチドと該リン脂質の溶液または懸濁液を混合する工程、および
ｉｉ）こうして得られた混合物を乾燥する工程、
を含んでなる方法。
【請求項９】
溶液、分散物、懸濁液または乾燥粉末状の請求項１ないし７のいずれか一項に記載の再構成サーファクタント。
【請求項１０】
肺サーファクタント機能不全に関連する疾患の処置用の医薬を製造するための請求項１ないし７のいずれか一項に記載の再構成サーファクタントの使用。
【請求項１１】
疾患が、呼吸窮迫症候群（ＲＤＳ）である請求項１１に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
FeGfIPZZPVHLKR(XaB)n(XbB)n(XcB)mXdGALL ΩGL                  (I)
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［式中、
Ｘは、Ｉ、Ｌ，ｎＬ（ノルロイシン）からなる群から選択されるアミノ酸であり；
Ｂは、Ｋ、Ｗ、Ｆ、Ｙ、オルニチンからなる群から選択されるアミノ酸であり、
Ｚは、それぞれ、エステル結合を介して側鎖に連結された１２〜２２個の炭素原子を含むアシル基で場合により置換されていてもよいＳであり；
Ωは、Ｍ、Ｉ、Ｌ、ｎＬからなる群から選択されるアミノ酸であり；
ａは、１〜１９の整数であり；
ｂは、１〜１９の整数であり；
ｃは、１〜２１の整数であり；
ｄは、０〜２０の整数であり；
ｅは、０または１であり；
ｆは、０または１であり；
ｎは、０または１であり；
ｍは、０または１であるが、
ただし以下の
−ｎ＋ｍ＞０；
−ｆ＞ｅ、
−（ＸaＢ）n（ＸbＢ）n（ＸcＢ）mＸdは最大２２個のアミノ酸、好ましくは１０〜２２個を有する配列である、ことを条件とする］
を有するＳＰ−Ｃ類似体の使用である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１７に記載のベクターを含むマウス胚性幹細胞株。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
高血圧症および心筋収縮能および腎不全および肺障害をモデュレートする化合物をスクリーニングする方法であって、請求項１１ないし１４のいずれかに記載の非ヒト哺乳動物に化合物を導入し、ついで血圧および／または心筋収縮能および／または腎臓機能および／または肺機能における増大または低減を決定することを含む方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
請求項２０ないし２２のいずれかに記載の方法に従って単離した化合物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
該多型がＡＣＥ２ａ〜ＡＣＥ２ｍの少なくとも一つよりなる群から選ばれたものである、請求項２９に記載の単離核酸分子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３５】
ＡＣＥ２核酸コード領域の上流または下流の領域に特異的に結合する配列を含み、該領域がＡＣＥ２発現を低減させるヌクレオチド多型に近接している、ポリヌクレオチド。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５１】
動物がＡＣＥ２低減状態の疾患を有するかまたはそのリスクにあることを検出するための、請求項４４に記載のキット。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６３】
該ポリヌクレオチドが、ＡＣＥ２多型とは区別される単一多型を含むＡＣＥ２核酸の領域に近接して選択的にハイブリダイズする、請求項６２に記載の方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は、動物の細胞でのＡＣＥ２の発現が該細胞にＡＣＥ２ポリペプチドの生物学的活性または表現型をもたらすように、ＡＣＥ２をコードする核酸分子または機能的に同等の核酸分子を該細胞に提供する方法および組成物を包含する。該細胞にＡＣＥ２ポリペプチドの生物学的活性または表現型がもたらされるように、充分な量の核酸分子を投与し、充分なレベルで発現させる。たとえば、該方法は、好ましくは、ＡＣＥ２をコードするＤＮＡを含むベクターを主体に投与することを含む、心血管または腎臓または肺の疾患を有する動物の細胞にＡＣＥ２をコードする核酸分子を送達する方法を包含する。該方法はまた、ＡＣＥ２をコードするＤＮＡを投与することによって心血管または腎臓または肺の疾患を有する動物に生物学的に活性なＡＣＥ２ポリペプチドをもたらす方法にも関する。該方法は、インビボまたはエクスビボ（たとえば、肺、心臓、内皮または腎臓の幹細胞、先祖細胞（progenitor cells）または他の細胞が移植細胞であってよい）で行うことができる。ＡＣＥ２を単離細胞または動物に投与（遺伝子療法における場合を含む）する方法および組成物は、たとえば、米国特許第５,６７２,３４４号、同第５,６４５,８２９号、同第５,７４１,４８６号、同第５,６５６,４６５号、同第５,５４７,９３２号、同第５,５２９,７７４号、同第５,４３６,１４６号、同第５,３９９,３４６号、同第５,６７０,４８８号、同第５,２４０,８４６号、同第６,３２２,５３６号、同第６,３０６,８３０号および同第６,０７１,８９０号および米国特許出願第２００１００２９０４０号（参照のためのその全体を本明細書中に引用する）に説明されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
ＡＣＥ２遺伝子はＸ染色体上にマッピングされるので、雄の子孫はすべてＡＣＥ２に関してヌル突然変異体（ａｃｅ２−／ｙ）かまたは野生型（ａｃｅ２＋／ｙ）のいずれかであり、一方、雌の子孫はａｃｅ２の突然変異に関して野生型（ａｃｅ２＋／＋）、へテロ接合性（ａｃｅ２＋／−）、またはホモ接合性（ａｃｅ２−／−）のいずれかであった。以下に記載する全ての実験において、ａｃｅ２＋／−雌はａｃｅ２＋／＋雌と同様の挙動を示し、ａｃｅ２＋／ｙ雄はａｃｅ２のへテロ接合性の見かけの影響がないことを示していたことに注意すべきである。ＡＣＥ２ヌルマウスは予期されたメンデルの法則による頻度で生まれ、健康に見え、分析した全ての臓器で肉眼的な検出しうる変化を示さなかった。さらに、有意に低減した棯性を示すａｃｅ２−／−雌マウスと対照的に、雄および雌のａｃｅ２ヌルマウスはいずれも棯性である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式で表される化合物の、昆虫忌避剤としての使用：
【化１】
2006504638.tif 000001
式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、Ｈ；１個から２０個の炭素原子を有する脂肪族残基、５個から１４個の炭素原子を有する環状脂肪族残基または前記脂肪族残基もしくは環状脂肪族残基のうち、１個または２個以上の、Ｏ、ＮまたはＳから選択されるヘテロ原子を有するもの；６個から１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基であって、ヘテロ原子はＯ、ＮまたはＳから選択されるもの；または前記基のうち、Ｃ１−４アルキル、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ２−４アルケニル、アリールもしくは前記ヘテロアリール、アリールオキシ、アミノ−、アミド−、エステル、ケト−、ヒドロキシルおよびハロゲンから選択されるものによって置換されたもの、から選択されるか、あるいは、
Ｒ１およびＲ２は、Ｒ１およびＲ２が結合する窒素原子とともに、５員環または６員環であって、Ｏ、ＮまたはＳから選択されるヘテロ原子を任意に含んでもよいものを形成する。
【請求項２】
化合物が下記化合物からなる群から選択される、請求項１に記載の使用：
メチルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；  
エチルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；
ブチルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；
イソブチルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；
ジエチルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；
ピロリジン−１−カルボン酸（−）−メンチルエステル；
ピペリジン−１−カルボン酸（−）−メンチルエステル；
モルホリン−４−カルボン酸（−）−メンチルエステル；
フェニルカルバミン酸（−）−メンチルエステル；および
３−［（−）−メントキシ−カルボニルアミノ］−プロピオン酸エステル。
【請求項３】
下記式で表される化合物を少なくとも１種含む製剤を基板に適用することによる、昆虫を忌避せしめる方法：
【化２】
2006504638.tif 000002
式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、Ｈ；１個から２０個の炭素原子を有する脂肪族残基、５個から１４個の炭素原子を有する環状脂肪族残基または前記脂肪族残基もしくは環状脂肪族残基のうち、１個または２個以上の、Ｏ、ＮまたはＳから選択されるヘテロ原子を有するもの；６個から１４個の炭素原子を有するアリール基またはヘテロアリール基であって、ヘテロ原子はＯ、ＮまたはＳから選択されるもの；または前記基のうち、Ｃ１−４アルキル、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ２−４アルケニル、アリールもしくは前記ヘテロアリール、アリールオキシ、アミノ−、アミド−、エステル、ケト−、ヒドロキシルおよびハロゲンから選択されるものによって置換されたもの、から選択されるか、あるいは、
Ｒ１およびＲ２は、Ｒ１およびＲ２が結合する窒素原子とともに、５員環または６員環であって、Ｏ、ＮまたはＳから選択されるヘテロ原子を任意に含んでもよいものを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
セラミック材料と20nm以下の粒径をもつアロイとを含むサーメット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付具アセンブリから膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）を、該取付具アセンブリ内でのＭＥＡ接合の後に分離する方法であって、該取付具アセンブリが、該ＭＥＡの第１表面に接触する第１取付具と該ＭＥＡの第２表面に接触する第２取付具とを備え、該第１および第２取付具がそれぞれ実質的多孔性領域を備えてなる、方法において、
前記取付具アセンブリの前記第１取付具を安定化するステップと、
前記取付具アセンブリの前記第２取付具を安定化するステップと、
前記第２取付具が安定化される間に、前記第１取付具を加圧して、前記ＭＥＡの前記第１表面を前記第１取付具から分離させるステップと、
前記第１取付具が安定化される間に、前記第２取付具を加圧して、前記ＭＥＡの前記第２表面を前記第２取付具から分離させるステップと、
前記第１取付具の近傍から前記第２取付具を移動させて、前記第１取付具からの前記ＭＥＡの取出しを可能にするステップと、
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１取付具と前記ＭＥＡの前記第１表面とに圧力が加えられている間に、前記第２取付具と前記ＭＥＡの前記第２表面とに真空を与え、続いて、前記第２取付具と前記ＭＥＡの前記第２表面とに圧力が加えられている間に、前記第１取付具と前記ＭＥＡの前記第１表面とに真空を与え、
前記第１取付具を安定化するステップは、前記第１取付具をつかんで該第１取付具を安定させることを含み、
前記第２取付具を安定化するステップは、真空を用いて前記第２取付具を安定させることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
取付具アセンブリから膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）を、該取付具アセンブリ内でのＭＥＡ接合の後に分離する装置であって、該取付具アセンブリが、該ＭＥＡの第１表面に接触する第１取付具と該ＭＥＡの第２表面に接触する第２取付具とを備え、該第１および第２取付具がそれぞれ実質的多孔性領域を備えてなる、装置において、
第１ポートを有するベースであって、該第１ポートが前記第１取付具の前記多孔性領域を介して前記ＭＥＡの前記第１表面と流体連通するように、前記取付具アセンブリを受容するベースと、
支持体上に移動可能に取付けられるグリッパアセンブリであって、グリッパ機構と第２ポートとを有し、該第２ポートが、前記第２取付具の前記多孔性領域を介して前記ＭＥＡの前記第２表面と流体連通するグリッパアセンブリと、を具備し、
前記第１および第２ポートが、選択的に加圧かつ排気されて、それぞれ前記第１および第２取付具から前記ＭＥＡの前記第１および第２表面を分離し、
前記グリッパアセンブリが、前記第２取付具の一対の両縁を解放可能につかんで、前記第１取付具の近傍から前記第２取付具を移動させるようになっていること、
を特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央磁芯から分岐する少なくとも第一および第二のアームと相互接続している前記中央磁芯を含む、相互接続した高透磁率構造と、
前記中央磁芯を囲んで前記中央磁芯にバイアスをかける超伝導コイルと、
前記第一のアームを囲んで交流電源と相互接続している第一の交流コイルと、
前記第二のアームを囲んで交流負荷と相互接続している第二の交流コイルと、
を含む超伝導限流装置であって、
前記第一および第二の交流コイルが、前記中央磁芯と磁気的に接続されていて、前記負荷に故障状態が生じると、当該限流装置を通過する電流を制限するように動作する超伝導限流装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記第一および第二のアームの各々が、実質的に、前記中央磁芯の第一および第二の終端を相互接続するループを形成する、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記ループの各々が、前記ループの一部分を第二の部分から分離するエアギャップを含む、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記高透磁率構造が、鉄材料から形成されている、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記磁芯を形成している高透磁率材料の断面幅が、前記アームを形成している高透磁率材料の断面幅のほぼ２倍である、装置。
【請求項６】
高透磁率材料により形成された中央磁芯と、
前記中央磁芯を囲んで前記中央磁芯にバイアスをかける超電導コイルと、
各々が交流電源の相と相互接続している第一の一連の交流相コイルと、
少なくとも１つの交流負荷の相と相互接続している第二の一連の交流コイルと、
を含む多相超伝導限流装置であって、
前記第一および第二の一連の交流コイルが前記中央磁芯と磁気的に接続されていて、前記電源または負荷に故障状態が生じると、当該限流装置を通過する電流を制限するように動作する多相超伝導限流装置。
【請求項７】
少なくとも第１および第２の超伝導限流装置を含む多段超伝導限流装置であって、
前記第一の超伝導限流装置が、過渡故障の第一の部分を限流するように設計されていて、
前記第二の超伝導限流装置が、過渡故障の第二の部分を限流するように設計されている、多段超伝導限流装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記第一の部分が前記過渡故障の初期部分を含み、前記第二の部分が前記過渡故障の定常状態部分を含む、装置。
【請求項９】
１個の低温保持装置、１個の極低温クーラー、および１個の超電導コイルだけを必要とする多相超伝導限流装置。
【請求項１０】
前記鉄芯にエアギャップを含む、直流飽和超伝導限流装置。
【請求項１１】
複数の鉄芯を有し、少なくとも１個が前記鉄芯内にエアギャップを含み、少なくとも１個が連続鉄芯を有する、一連の多相直流飽和超伝導限流装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーヤー（９００）で読取可能な記録媒体（８００）であって、
記録媒体の１以上のトラック（１０４）に沿って設けられたデジタルコンテンツと、
記録媒体の１以上のトラックに沿った１以上の所定位置（８１０）に設けられた１以上の曖昧ビット（３３０，３３２，４２４，４２６，４２８，５２４，５２６，５２８，６２４，６２６，６２８，７２４，７２６，７２８）と、
上記１以上の所定位置に１以上の曖昧ビットが存在するか否かを判定することによって記録媒体を認証（１０００，１１００）するための、 記録媒体の１以上のトラックに沿って設けられた認証プログラム（８０８）と
を備える記録媒体。
【請求項２】
記録媒体の読取時にプレーヤー付属の補正手段による前記１以上の曖昧ビットの補正ができないように設定（１２０６，１３０４，１４１２）された１以上のトラックに沿って設けられた１以上の冗長ビットをさらに備える、請求項１記載の記録媒体。
【請求項３】
プレーヤー（９００）で読取可能なデジタルコンテンツを記録した記録媒体（８００）であって、
記録媒体の１以上のトラックに沿った１以上の所定位置（８１０）に設けられた１以上の曖昧ビット（３３０，３３２，４２４，４２６，４２８，５２４，５２６，５２８，６２４，６２６，６２８，７２４，７２６，７２８）が存在するか否かを判定することによって記録媒体（８００）を認証（１０００，１１００）するための、記録媒体の１以上のトラック（１０４）に沿って設けられた認証プログラム（８０８）
を備える記録媒体。
【請求項４】
プレーヤー（９００）で読取可能な１以上のトラック（１０４）に沿ってデジタルコンテンツを記録した記録媒体（８００）であって、
記録媒体の１以上のトラックに沿った１以上の所定位置（８１０）に設けられた１以上の曖昧ビット（３３０，３３２，４２４，４２６，４２８，５２４，５２６，５２８，６２４，６２６，６２８，７２４，７２６，７２８）で、そのうちの少なくとも１つが、ｉ）２つのピット（３０４，３０６）間の距離（３００）の変調、ii）ピット（４０４）の幅（４００）の変調、iii）ピット（５０４）の深さ（５００）の変調、及びiv）金属層（６１１）の反射率（６００，７００）の変調からなる群から選択される変調技術によって生成される曖昧ビット
を備える記録媒体。
【請求項５】
プレーヤー（９００）で読取可能なデジタルコンテンツを記録した記録媒体（８００）を認証（１０００）する方法であって、
記録媒体の所定位置（１００４，８１０）を複数回読取るステップ、
所定位置での複数の読取りの結果（１０１０）を比較して、各読取りについて結果が実質的に同一であるか否かを判定するステップ、及び
結果が実質的に同一であれば記録媒体に記録されたデジタルコンテンツの読取りの停止（１０１６）をプレーヤーに命ずるステップ
を含む認証方法。
【請求項６】
プレーヤー（９００）で読取可能なデジタルコンテンツを記録した記録媒体（８００）を認証（１１００）する方法であって、
記録媒体の所定位置（８１０）で一連のビット（１１０４）を複数回読取るステップ、
所定位置での複数の読取りによるビット列（１１１２）を比較し、各読取りについてビット列のビットが実質的に同一であるか否かを判定するステップ、及び
ビット列内のビットが実質的に同一であれば記録媒体に記録されたデジタルコンテンツの読取り（１１１６）の停止をプレーヤーに命ずるステップ
を含む認証方法。
【請求項７】
プレーヤー（９００）で読取可能でしかも認証を有する記録媒体（８００）の製造方法（１２００，１３００）であって、
記録媒体のフォーマット（１２０４，１３０２）に１以上の曖昧ビットを追加するステップ、
記録媒体の読取時にプレーヤー付属のエラー補正手段による１以上の曖昧ビットの補正ができなくなるように、フォーマットに冗長ビット（１２０６，１３０４）を設定するステップ、
フォーマットを用いてマスク（１２０８，１３０６）を製造するステップ、
マスクを用いて原盤（１２１０，１３０８）を製造するステップ、及び
原盤から記録媒体（１２１２，１３１４）をスタンピングするステップ
を含む製造方法。
【請求項８】
プレーヤー（９００）で読取可能でしかも認証を有する記録媒体（１４００）の製造方法であって、
記録媒体（８００）のフォーマットを用いて、１以上の所定位置（８１０）を位置決めするグルーブを備えたマスク（１４０４）を作製するステップ、
上記マスクを用いて原盤（１４０６）を作成するステップ、
上記原盤から、金属層（６１１）を含む記録媒体（１４０８）をスタンピングするステップ、
上記１以上の所定位置（８１０）で金属層の反射率（６００，７００）を変調することによって記録媒体の上記１以上の所定位置に１以上の曖昧ビットを追加するステップ、及び
記録媒体の読取時にプレーヤー付属のエラー補正手段による１以上の曖昧ビットの補正ができなくなるように上記１以上の所定位置に対応した冗長ビット（１４１２）を設定するステップ
を含む記録媒体製造方法。
【請求項９】
機械で読取可能なデジタルコンテンツを記録したプログラム記録媒体を認証する方法を実行するための、機械（９００）で実行可能な命令（１０００，８０８）を含むプログラムを具体的に実現するプログラム記録装置（８００）であって、上記方法が、
プログラム記録装置の所定位置（１００４，８１０）を複数回読取るステップ、
所定位置での複数の読取りの結果（１０１０）を比較して、各読取りについて結果が実質的に同一であるか否かを判定するステップと、
結果が実質的に同一であればプログラム記録装置が記録するデジタルコンテンツの読取りの停止（１０１６）を機械に命ずるステップを含む、プログラム記録装置。
【請求項１０】
機械で読取可能なデジタルコンテンツを記録したプログラム記録媒体の認証方法を実行するための、機械（９００）で実行可能な命令（１１００，８０８）を含むプログラムを具体的に実現するプログラム記録装置（８００）であって、上記方法が、
プログラム記録媒体の所定位置（８１０）で一連のビット（１１０４）を複数回読取るステップ、
上記所定位置での複数の読取りによるビット列（１１１２）を比較し、各読取りについてビット列のビットが実質的に同一であるか否かを判定するステップ、及び
ビット列内のビットが実質的に同一であればプログラム記録媒体に記録されたデジタルコンテンツの読取りの停止（１１１６）を命ずるステップ
を含む、プログラム記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器によって生成される電磁放出を減少するための熱伝導性複合材料であって、当該熱伝導性複合材料が、
粒子状の熱伝導性材料、および、
粒子状の電磁エネルギー吸収材料、
を組み合わせて含み、
当該熱伝導性材料および当該電磁エネルギー吸収材料が重合体状マトリックス材料中に懸濁されており、
当該重合体状マトリックス材料が電磁エネルギーに対して実質的に透明であり、
当該熱伝導性材料が当該電子機器からの熱エネルギーの移動を促進し、かつ当該電磁エネルギー吸収材料が該機器によって生成される電磁放出を減少する、熱伝導性複合材料。
【請求項２】
当該熱伝導性材料および当該電磁エネルギー吸収材料の少なくとも１が、回転楕円体、楕円体および不規則な回転楕円体からなる群から選ばれた形を持つ顆粒の形態をした粒子を含む、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項３】
当該熱伝導性材料および当該電磁エネルギー吸収材料の少なくとも１が、ストランド、フレーク、粉体およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれた形態を持つ粒子を含む、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項４】
当該熱伝導性材料が窒化アルミニウム、窒化ホウ素、鉄、金属酸化物およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１〜３のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項５】
当該熱伝導性材料がセラミック材料である、請求項１〜３のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項６】
当該電磁エネルギー吸収材料が電導性材料；メタリックシルバー；鉄カルボニル粉体；鉄、ケイ素およびアルミニウムの合金；フェライト；ケイ化鉄；磁性合金；磁性フレーク；磁性材料；およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１〜５のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項７】
当該重合体状マトリックス材料が４より小さい比誘電率および０．１より小さい損失正接を持つ、請求項１〜６のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項８】
当該重合体状マトリックス材料がエラストマー、天然ゴム、合成ゴム、ＰＤＰ、ＥＰＤＭゴム、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１〜７のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項９】
当該重合体状マトリックス材料が重合体を含む、請求項１〜１０のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１０】
当該重合体状マトリックス材料がシリコーン、フルオロシリコーン、イソプレン、ニトリル、クロルスルホン化ポリエチレン、ネオプレン、フルオロエラストマー、ウレタン、熱可塑性プラスチック、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、ポリアミドＴＰＥ、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１〜７のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１１】
当該重合体状マトリックス材料が熱可塑性および熱硬化性材料からなる群から選ばれた固体材料である、請求項１〜７のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１２】
当該重合体状マトリックス材料が液体である、請求項１〜７のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１３】
当該液体がシリコーン、エポキシ、ポリエステル樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１２に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１４】
当該重合体状マトリックス材料が環境温度では固相で存在し、そして装置作動温度では液相に転移する相変化材料を含む、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１５】
当該重合体状マトリックス材料がパラフィンワックスとエチレン−酢酸ビニル共重合体の混合物を含む、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１６】
当該重合体状マトリックス材料が約１００℃の融点および約１０００の分子量を持つ合成ワックスを含む、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１７】
当該電磁エネルギー吸収材料が１．０ＧＨｚで３．０より大きい、そして１０ＧＨｚで１．５より大きい比透磁率を持つ、請求項１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１８】
当該複合材料が０．２５４ｍｍより大きい厚さを持つシートの形態をしている、請求項１〜１７のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項１９】
当該複合材料が４．５７ｍｍより小さい厚さを持つシートの形態をしている、請求項１〜１８のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２０】
当該複合材料がシートの形態をしていて、そしてさらに当該シートの少なくとも１面上に接着剤を含む、請求項１〜１９のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２１】
当該接着剤が熱伝導性接着剤である、請求項２０に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２２】
当該接着剤が感圧性、熱伝導性接着剤である、請求項２０に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２３】
当該接着剤がアクリル、シリコーン、ゴムおよびこれらの組み合わせからなる群から選ばれた化合物に基づいている、請求項２０に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２４】
当該接着剤がさらにセラミック粉体を含む、請求項２０〜２３のいずれか１に記載された熱伝導性複合材料。
【請求項２５】
（ａ）粒子状の熱伝導性材料を用意すること、
（ｂ）粒子状の電磁エネルギー吸収材料を用意すること、
（ｃ）熱伝導性材料を電磁エネルギー吸収材料と一緒にすること、
（ｄ）一緒にされた熱伝導性材料および電磁エネルギー吸収材料を重合体状マトリックス材料中に懸濁させること、
（ｅ）重合体状マトリックス材料中に懸濁された、一緒にされた熱伝導性材料および電磁エネルギー吸収材料を当該機器および近傍の構造体の間に置くこと、
の段階を含む、機器によって生成される電磁放出を減少する方法。
【請求項２６】
近傍の構造体がヒートシンクを含む、請求項２５の方法。
【請求項２７】
当該機器が集積回路を含む、請求項２５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されると共に、前記半導体デバイスのチャネル領域においてＵ字型の断面を有している第１ゲートと、
複数の側表面、上表面、および下表面を有しており、前記下表面、および前記側表面の一部が、前記第１ゲートに囲まれているフィンと、を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１ゲートは、前記フィンの片側に配置された第１ゲート電極と、前記第１ゲートからみて前記フィンの反対側に配置した第２ゲート電極とを含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１ゲートは、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも一方を含む、請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記フィンの下表面を囲んでいる前記第１ゲートの一部は、第３ゲートを含む、請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記フィンの複数の側表面および下表面の周りに形成される絶縁層をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１ゲートおよび前記基板の双方は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも一方を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記絶縁層は、埋込酸化膜を含む、請求項６記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記フィンは、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも一方を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記絶縁層上に形成されると共に、前記フィンの片側または反対側の各端部に隣接する、ソースおよびドレイン領域をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記フィンの上表面上に形成される、窒化物および酸化物の少なくとも一方を含む、絶縁層をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記フィンは、前記半導体デバイスの前記チャネル領域において、前記下表面、および前記側表面の高さ全体が、前記第１ゲートに囲まれている、請求項１ないし１０のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されると共に、第１端部と、第２端部と、前記第１端部および第２端部の間に位置する中間部分とを有しており、前記第１端部および第２端部が前記絶縁層上に配置され、前記中間部分が前記絶縁層と分離されている、導電性のフィンと、
前記導電性のフィンの上表面上に形成される絶縁性のキャップと、
前記導電性のフィンの側表面および下表面の上に形成されるゲート絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されており、前記導電性のフィンの中間部分の下表面および側表面を取り囲んでいると共に前記導電性のフィンの上表面上に形成される前記絶縁性のキャップ上には形成されていないゲートと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されると共に、第１端部と、第２端部と、前記第１端部および第２端部の間に位置する中間部分とを有しており、前記第１端部および第２端部が前記絶縁層上に配置され、前記中間部分が前記絶縁層と分離されている、導電性のフィンと、
前記導電性のフィンの側表面および下表面の上に形成されるゲート絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されており、前記導電性のフィンの中間部分の下表面および側表面を取り囲んでおり、前記半導体デバイスのチャネル領域でＵ字型の断面を有するゲートと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１４】
基板と、
前記基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されると共に、第１端部と、第２端部と、前記第１端部および第２端部の間に位置する中間部分とを有しており、前記第１端部および第２端部が前記絶縁層上に配置され、前記中間部分が前記絶縁層と分離されている導電性のフィンと、
前記導電性のフィンの上表面上に形成される絶縁性のキャップと、
前記導電性のフィンの側表面および下表面全体の上に形成されるゲート絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されると共に、前記導電性のフィンの中間部分の下表面および側表面全体を取り囲んでおり、前記半導体デバイスのチャネル領域でＵ字型の断面を有するゲートと、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１５】
前記ゲートは、前記導電性のフィンの片側に配置した第１ゲート電極と、前記導電性のフィンの反対側に配置した第２ゲート電極と、を含む、請求項１２ないし１４のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記ゲートは、前記導電性のフィンの片側に配置した第１ゲート電極と、前記導電性のフィンの反対側に配置した第２ゲート電極と、前記導電性のフィンの底側に配置した第３ゲート電極とを含む、請求項１２ないし１４のいずれかの項記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に、複数の側表面、上表面および下表面を有するフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造の上表面上に絶縁層を形成するステップと、
ソースおよびドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン構造の前記下表面より下の前記絶縁層を横方向にアンダーカットすべく、前記絶縁層をエッチングするステップと、
前記フィン構造上に、前記フィン構造の前記下表面と、前記側表面の少なくとも一部と、を取り囲んでいるゲート材料をたい積するステップと、
前記たい積したゲート材料をプレーナ化するステップであって、前記プレーナ化したゲート材料は、前記半導体デバイスのチャネル領域でＵ字型の断面を有するステップと、
前記フィンの対向面上に第１ゲート電極および第２ゲート電極を形成すべく、前記ゲート材料をパターン化すると共にエッチングするステップと、を含む、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１８】
前記エッチングするステップは、
前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記絶縁層を横方向にアンダーカットすべく、HBrを使用する、請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月13日(2006.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーであって、
半導体基板上の金属表面の研磨中に前記スラリーを２．５乃至４．０の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤と、
研磨粒子安定剤を含み、ここで前記研磨粒子安定剤は、前記スラリー内の研磨粒子を含む重合体の繰り返し単位と等価の分子を含むスラリー。
【請求項２】
前記ｐＨ値は２．７と３．２の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項３】
前記ｐＨ値は３．５と４．０の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項４】
前記研磨粒子は、約１００ｎｍ以下の平均径を有する実質的に球形粒子であるコロイドシリカ粒子を含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項５】
前記研磨粒子はコロイド珪酸粒子を含むとともに、前記研磨粒子安定剤は珪酸および珪酸塩を含む請求項４に記載のスラリー。
【請求項６】
前記珪酸と前記珪酸塩との比率は１００：１と１：１００の間である請求項５に記載のスラリー。
【請求項７】
前記研磨粒子はアルミナを含むとともに、前記研磨粒子安定剤はアルミン酸塩を含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項８】
酸化剤および不活性剤をさらに含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項９】
前記不活性剤は前記金属表面と前記酸化剤との反応から現場で発生される請求項８に記載のスラリー。
【請求項１０】
前記酸化剤はヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）であり、前記不活性剤はヨウ素（Ｉ２）であり、前記金属表面は銅を含む請求項９に記載のスラリー。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第１のサブセルの制御ゲートと第２のサブセルの制御ゲートは同一なワードラインに連結されており、第１のサブセルのフローティングゲートは、第２のサブセルのフローティングゲートに連結されていることを特徴とする請求項６に記載のフラッシュＥＥＰＲＯＭアレイ構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月17日(2006.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（３２）に線形パワー駆動を配送するための装置であって、
前記光源（３２）に接続された出力を備えたパルス幅変調器（１６）と、を有し、
前記コマンド電圧駆動信号が変化したときに、複数のパルスと周波数を備えたパルス幅変調信号が、前記出力に提供され、複数のパルスの幅が変化するように、前記パルス幅変調器（１６）は、コマンド電圧駆動信号に応答するように構成され、
前記パルス幅変調器（１６）に接続された周波数制御回路（５６）と、を有し、
前記コマンド電圧駆動信号が、複数のパルス幅の変化と実質的に同時に周波数を変化させるように変化したときに、制御電流が、前記周波数を変化させる前記パルス幅変調器（１６）に提供されるように、前記周波数制御回路（５６）は、前記コマンド電圧駆動信号に応答するように構成され、
前記光源（３２）に流れる電流に応答するように構成され、更に対数電圧を提供するように構成されたフィードバックループと、
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
合成信号を生成するために、前記対数電圧と輝度コマンド信号を加算するように構成された加算回路（５０）を更に有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記合成信号の積算で前記コマンド電圧駆動信号を生成するように構成された積分器（５２）を更に有することを特徴とする、請求項２に記載の装置。