【事件の表示】
　特願２００３−４０１７５３「結晶性半導体膜の形成方法及び結晶性半導体膜，並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開，特開２００５−１６６８１３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年１２月１日の特許出願であって，平成２１年５月２８日付けで拒絶の理由が通知され，同年７月３０日に意見書と手続補正書が提出されたが，平成２２年５月１１日付けで拒絶査定されたものである。その後，同年７月３０日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されると共に手続補正がなされ，平成２３年１１月１４日付けで審尋がおこなわれ，平成２４年１月１１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年７月３０日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年７月３０日に提出された手続補正書でした補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２２年７月３０日に提出された手続補正書でした補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含むものであって，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「【請求項１】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し，
　前記除去部の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの互いに重なる照射範囲の少なくとも一部に含まれ，且つ，前記半導体膜と前記除去部との境界の少なくとも一部が前記半導体膜の結晶成長方向と交差するように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，前記第１のエネルギービームを所定のパルス幅で一度だけ照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項２】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項３】
　基板上に島状に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記島状の半導体膜の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの照射範囲の少なくとも一部に含まれるように前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，前記第１のエネルギービームを所定のパルス幅で一度だけ照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項４】
　基板上に島状に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記島状の半導体膜の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの互いに重なる走査領域の少なくとも一部に含まれるように前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，
　前記島状の半導体膜の結晶成長方向の終端が前記第１のエネルギービームの走査領域の終端に含まれるように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項５】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して該半導体膜で囲まれた除去部を形成し，
　前記除去部の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの互いに重なる照射範囲の少なくとも一部に含まれ，且つ，前記半導体膜と前記除去部との境界の少なくとも一部が前記半導体膜の結晶成長方向と交差するように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，前記第１のエネルギービームを所定のパルス幅で一度だけ照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項６】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して該半導体膜で囲まれた除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項７】
　請求項１乃至６のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第１のエネルギービームは，エキシマレーザビームであることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項８】
　請求項１乃至７のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，赤外光であることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項９】
　請求項１乃至８のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，ＣＯ２レーザー光であることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項１０】
　請求項１乃至９のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，前記第１のエネルギービームの照射開始時点よりも前の時点から前記基板に対して照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項１１】
　請求項１乃至９のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，前記第１のエネルギービームの照射開始時点よりも前の時点から前記基板に対して照射し，且つ，前記第１のエネルギービームの照射終了時点よりも後の時点で前記基板に対する照射を終了することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項１２】
　請求項１乃至１１のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする結晶性半導体膜。
　　【請求項１３】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成する工程と，
　前記基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記除去部の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの互いに重なる照射範囲の少なくとも一部に含まれ，且つ，前記半導体膜と前記除去部との境界の少なくとも一部が前記半導体膜の結晶成長方向と交差するように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，前記第１のエネルギービームを所定のパルス幅で一度だけ照射する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１４】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成する工程と，
　前記基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程とを含むことを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項１５】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜を島状に加工する工程と，
　前記基板上に島状に形成された前記半導体膜に，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記島状の半導体膜の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの照射範囲の少なくとも一部に含まれるように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，前記第１のエネルギービームを所定のパルス幅で一度だけ照射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１６】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜を島状に加工する工程と，
　前記基板上に島状に形成された前記半導体膜に，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，前記島状の半導体膜の結晶成長方向の終端が前記第１のエネルギービームの走査領域の終端に含まれるように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程とを含むことを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項１７】
　請求項１３記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項１８】
　請求項１４記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項１９】
　請求項１５記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２０】
　請求項１６記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して細長の矩形状に照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させ，
　前記第１及び第２のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うことを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項２】
　基板上に島状に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して細長の矩形状に照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記島状の半導体膜の少なくとも一部が前記第１及び第２のエネルギービームの互いに重なる走査領域の少なくとも一部に含まれるように前記第１及び第２のエネルギービームを照射し，
　前記島状の半導体膜の結晶成長方向の終端が前記第１のエネルギービームの走査領域の終端に含まれるように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させ，
　前記第１及び第２のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うことを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項３】
　基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して細長の矩形状に照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して該半導体膜で囲まれた除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させ，
　前記第１及び第２のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うことを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項４】
　請求項１乃至３のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第１のエネルギービームは，エキシマレーザビームであることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項５】
　請求項１乃至４のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，赤外光であることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項６】
　請求項１乃至５のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，ＣＯ２レーザー光であることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項７】
　請求項１乃至６のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，前記第１のエネルギービームの照射開始時点よりも前の時点から前記基板に対して照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項８】
　請求項１乃至７のうち何れか１項に記載された結晶性半導体膜の形成方法であって，
　前記第２のエネルギービームは，前記第１のエネルギービームの照射開始時点よりも前の時点から前記基板に対して照射し，且つ，前記第１のエネルギービームの照射終了時点よりも後の時点で前記基板に対する照射を終了することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
　【請求項９】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成する工程と，
　前記基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して細長の矩形状に照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程とを含み，
　前記結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程では，前記第１及び第２のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】
　半導体膜を結晶化させた結晶性半導体膜により構成されたチャネル領域を備える半導体装置の製造方法であって，
　基板上に半導体膜を形成する工程と，
　前記半導体膜を島状に加工する工程と，
　前記基板上に島状に形成された前記半導体膜に，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して細長の矩形状に照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する際に，前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，前記島状の半導体膜の結晶成長方向の終端が前記第１のエネルギービームの走査領域の終端に含まれるように，前記第１及び第２のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程とを含み，
　前記結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させる工程では，前記第１及び第２のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
とするものである。
　
２　補正目的の適否について
　本件補正は，補正前の請求項１，３，５，１２−１３，１５，１７−２０を削除し，補正前の請求項２，４，６−１１，１４，１６を，補正後の請求項１−１０と補正するものといえる。
　そして，前記補正の内，補正後の請求項１についてする補正は，補正前の請求項２の第１のエネルギービームの照射について，補正後に「細長の矩形状に」と限定し，更に，第１及び第２のエネルギービームの照射について，補正後に「前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行う」と限定するものであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正を含むものといえる。
　
３　独立特許要件について
　上記のとおり，補正前の請求項２を補正後の請求項１とする補正は，特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるから，この補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて更に検討する。
　
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１，２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００３−２５７８６２号公報
（１ａ）「【請求項１】絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタが設けられた半導体装置の作製方法であって，前記
基板上に非単結晶半導体膜を形成し
島状半導体層Ａを形成し
島状半導体層Ａに選択的にレーザー光を照射して，結晶化領域を形成し
島状半導体層Ａは，その輪郭の少なくとも一部が，山形の形状が複数個連なっている形状または鋸刃形状であり
レーザー光は，照射面における断面形状が線形状または矩形状であり
　
（１ｂ）「【請求項５】請求項１又は２において，前記
レーザー光は，パルス発振のエキシマレーザー発振装置
複数種を光源
　
（１ｃ）「【請求項９】請求項１又は２において，前記レーザー光は，パルス発振のレーザー発振装置を光源とし，前記
レーザー光がパルス発振するごとに，前記非単結晶半導体膜面上における前記レーザー光のビームスポット位置が０．３μm以上かつ５μm以下の距離を移動する
　
（１ｄ）「【請求項１３】請求項９において，前記
ビームスポット形状は，前記短尺方向の長さが５０μm以下である
　
（１ｅ）「また，「“Sequential lateral solidification of thin silicon films on SiO2，Robert S. Sposili and James S. Im，Appl.Phys.Lett.69(19)，4 November 1996，pp2864-2866”」によれば，James S. Imらは，人工的に制御して，任意の場所にスーパーラテラル成長を実現させることの出来るSequential Lateral Solidification method（以下，ＳＬＳ法と言う）が公表されている。このＳＬＳ法は，
パルス発振のエキシマレーザー光を，スリット状のマスクを介して，試料に照射する
　
（１ｆ）「この理由を，図２と図４を用いて説明する。図２（Ａ）に，島状半導体層Ａとして４０３を示す。
島状半導体層４０３において始めにレーザー光のビームスポット４００ａがパルス照射されるのは，山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先端領域である
島状半導体層Ａにおける山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先領域から，レーザー光スポットの基板に対する相対移動方向にかけて形成される結晶４１１は，ラテラル結晶成長がさらに連続的に繋がりやすいため，結晶粒界をより少なくすることが可能
　
（１ｇ）「従来のＳＬＳ法では，
エキシマレーザーを用いているため，通常の光学系だけでは，スーパーラテラル成長に必要な集光性を得ることができない。そのために，レーザー光を部分的に遮光するために，スリット状のマスクを用いる必要があった
　前記レーザー光の光源は，
パルス発振の固体レーザー発振装置の第２高調波（または第３高調波，第４高調波）を照射する装置とする。このレーザー構成ならば，通常の光学系レンズとして用いられるシリンドリカルレンズだけで，スーパーラテラル成長に最適な，レーザー光の空間的なビーム強度プロファイルにビームを集光することができる
　
（１ｈ）「次表に，ＳＬＳ法を前提にした，ＸｅＣｌガスレーザー照射装置とＮｄ：ＹＬＦ固体レーザー照射装置とを比較したものを示す。」（【００３４】）
　
（１ｉ）【００３５】の【表１】には，「マスク」について，「ＸｅＣｌガスレーザー照射装置」では「必要」であることが，また「Ｎｄ：ＹＬＦ固体レーザー照射装置」では「マスクレス」であることが示されている。
　
（１ｊ）「【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の態様について図面を参照して詳細に説明する。
　図１に本発明のレーザー照射方法のブロック図を示す。図１において，
被処理物１０７に対するパルスレーザー光の照射位置を制御する第１の手段として，２つの方法示している。一つの方法は，ステージコントローラ１０１によってステージ１０８を駆動することで，ステージ上に設置している被処理物１０７（基板）の位置を変える方法である。もう一方は，基板位置を固定した状態で光学系１０３を用いてレーザー光スポットの照射位置を移動させる方法である。本発明では，上記２つのいずれの方法であってもよく，また，上記２つの方法を組み合わせる方法であってもよい
　上記２つの方法は，いずれもレーザー光スポット位置の基板に対する相対位置を変化させることを意味し，
これを便宜上「（レーザー光スポットを）走査する」として示す
　
（１ｋ）「また，
レーザー照射装置１００は，パルスレーザー光を発振する第２の手段に相当するパルスレーザー発振装置１０２を有している。パルスレーザー発振装置１０２は，処理の目的によって適宜変えることが可能である。本発明では，公知のレーザーを用いることができる。レーザーは，パルス発振の気体レーザー発振装置もしくは固体レーザー発振装置を用いることができるが，本実施形態ではパルス発振の固体レーザー発振装置を用いた場合について説明する
　
（１ｌ）「また，
レーザー照射装置１００は，レーザー発振装置１０２から発振されるレーザー光の被処理物におけるビームスポットを加工することができる，第３の手段に相当する光学系１０３を有している。レーザー発振装置１０２から射出されたレーザー光の形状は，ロッド形状が円筒形であれば円状となり，スラブ型であれば矩形状状となる。このようなレーザー光を光学系により，さらに成形することにより，レーザー光の被処理物１０７の表面におけるビームスポットを所望の形状にすることができる
　
（１ｍ）「さらに，
レーザー照射装置１００は，第４の手段に相当するコンピューター１０４を有している。コンピューター１０４はレーザー発振装置１０２の発振を制御し，かつ，レーザー光のビームスポットがマスクパターンのデータに従って定められる位置を覆うように，第１の手段に相当するステージコントローラ１０１を制御することができる
　
（１ｎ）「なお，
このレーザー照射方法は，上記４つの手段の他に，被処理物の温度を調節する手段を備えていても良い
　
（１ｏ）「図３では，例えば，走査線駆動回路領域５１２とその他の領域とで，レーザー光の走査方向を変更させている場合について示す。まず，基板上に形成されているマーカーを位置基準として，
図３（Ａ）に示すように，信号線駆動回路となる領域５１１と画素部となる領域５１０をレーザー照射する
　次に，図３（Ｂ）に示すように，基板ステージを９０°回転させて，基板上に形成されているマーカーを再度読み取り，この位置情報から，
走査線駆動回路となる領域５１２をレーザー照射する
　
（１ｐ）「【実施例】（実施例１）本実施例ではアクティブマトリクス基板の作製方法について図７〜図１０および図５を用いて説明する。ここではＣＭＯＳ回路，及び駆動回路と，画素ＴＦＴ，保持容量とを有する画素部を同一基板上に形成された基板を，便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。また，図７〜図１０と図５（Ｂ），（Ｄ），（Ｆ），（Ｈ）はともに，ＴＦＴ作製工程の断面図であるが，図７〜図１０はＴＦＴをソース・ドレイン間を結ぶ直線を含む面で分断した場合の断面図（チャネル長方向の断面図）であり，図５（Ｂ），（Ｄ），（Ｆ），（Ｈ）はＴＦＴをチャネル幅方向の断面図に相当する。
　まず，本実施例ではバリウムホウケイ酸ガラス，またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板６００を用いる。なお，基板６００としては，石英基板やシリコン基板，金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また，本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
　次いで，
基板６００上に酸化珪素膜，窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜６０１を公知の手段（スパッタ法，ＬＰＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法等）により形成する
　次いで，
下地膜６０１上に，公知の手段（スパッタ法，ＬＰＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法等）により２５〜１５０nm（好ましくは３０〜１２０nm）の厚さで非晶質半導体膜６９２を形成する
　次に，
非晶質半導体膜６９２をパターニングし，フッ化ハロゲン，例えば，ＣｌＦ，ＣｌＦ
3
，ＢｒＦ，ＢｒＦ
3
，ＩＦ，ＩＦ
3
等を含む雰囲気で異方性ドライエッチング法によりエッチングすることで，図７（Ｂ）に示すように，島状半導体膜Ａとなる６９３ａ，６９３ｂ，６９３ｃ，６９３ｄ，６９３ｅを形成する
　次に，
島状半導体膜Ａの６９３ａ，６９３ｂ，６９３ｃをレーザー結晶化法により結晶化させる
　
本発明のレーザー照射方法では，パルス発振の気体レーザー発振装置もしくは固体レーザー発振装置を用いることができる。本実施例ではパルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザーを用いた場合について説明する
　図１１はレーザー結晶化処理装置を示したものである。図１１では，Ｎｄ：ＹＬＦレーザー発振装置１０１を用いて出力１．５W，繰り返し周波数１kHzの条件で使用する場合を例にする。レーザー光源１０１は共振器の中にＹＬＦ結晶と非線形光学素子を入れて，波長５２７nmの第２高調波を射出する方式であるとするが，無論，非線形光学素子が共振器の外側にある場合でもよい。さらに，このレーザー光源１０１は，ロッド形状が円筒形であり，レーザー光源１０１から射出直後のビームスポット形状は円状であるとするが，仮にロッド形状がスラブ型であり，射出直後のビームスポット形状は矩形状であっても，以下に示すように，光学系により，ビームスポットを所望の形状に成形できる。
　このＮｄ：ＹＬＦレーザーはビームの拡がり角が３ミリラジアンであり，ビームサイズは射出口で直径２mm程度であるが，射出口から２０cm 離れた位置では直径１cm程度に広がってしまう。この位置に焦点距離ｆ＝６００mmの凸レンズ１０２を一枚入れると，ビームサイズは直径約１０mmの平行光になる。図１１の光学ミラー１０３〜１０５で反射されたレーザー光は，図１１のY方向に曲率を有する凸シリンドリカルレンズ１０６によりレーザー光を集光する。ここでＹ方向は，半導体膜面上におけるレーザー光のビームスポットの移動方向であり，ビームスポットの短尺方向となる。また，図１１のＸ方向は半導体膜面上におけるレーザー光のビームスポットの長尺方向になり，半導体膜面上におけるレーザー光のビームスポットの移動方向と直角をなす方向である。（光学ミラー１０３〜１０５は装置のレイアウト上，入れているものであり，本質的に必要とするわけではない。）以上の構成で，
照射面となる半導体膜面上におけるビームスポットは１０mm×１０μmの線形状ビームになる
　ただし，照射面にて，線形状または矩形状のレーザー光に成形する方法はこの限りではない。図示しないが，光学ミラー１０３と凸シリンドリカルレンズ１０６の間に凹シリンドリカルレンズをいれて，ビームスポットの長尺方向を長くすることが可能である。また，その凹シリンドリカルレンズとレーザー光源１０１との間に，レーザー光を平行光とするためのビームコリメーターや，レーザー光を広げるためのビームエキスパンダーを入れることも可能である。また，ここでは出力１．５Wのレーザー光源でビームスポットは
１０mm×１０μmの線形状ビームにする方法を示したが，さらに高出力のレーザー光源の場合には，短尺方向のビームスポットサイズは変えずに，長尺方向のサイズのみ長くすることが望ましい
　
（１ｑ）「
半導体膜面上におけるレーザー光のビームスポットの相対位置を動かすために，基板ステージ１０１をＹ方向（ビームスポットの短尺方向）にスイープ駆動する
レーザーパルスを１回照射するごとに，基板とビームスポットの相対位置はY方向に３μmずれて（送りピッチが３μm）いる
　上述した
レーザー結晶化によって，図７（Ｃ）に示すように，結晶性が高められた島状半導体膜Ａの６９４ａ，６９４ｂ，６９４ｃ，６９４ｄ，６９４ｅが形成される
　
（１ｒ）図３は，基板を回転させることで，基板内でのレーザー光スポットの相対的な移動方向を変化させて照射することを示す図であって，上記（１ａ）−（１ｑ）の記載を参酌すれば，図３（Ｂ）から，基板上の中央に画素部となる領域５１０が存在し，前記画素部となる領域５１０の上下には，間隔を開けて走査線駆動回路となる領域５１２が存在し，前記走査線駆動回路となる領域５１２には，複数の島状半導体層Ａが形成されており，前記複数の島状半導体層Ａは，その左側の輪郭が山形の形状が複数個連なっている形状であり，同図下には「基板に対するレーザー光スポットの相対移動方向」と記されると共に，右向きの矢印が表示され，かつ，同図の前記走査線駆動回路となる領域５１２と前記領域の左右上下の近傍を覆うように斜線が付された領域５１３Ｂが図示されていることを読み取ることができる。
　
イ　引用発明１
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｒ）の記載を総合勘案すれば，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板上に下地膜を形成する工程と，
　前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と，
　前記非晶質半導体膜をパターニングし，異方性ドライエッチング法によりエッチングすることで，輪郭の少なくとも一部が山形の形状が複数個連なっている形状または鋸刃形状である島状半導体膜Ａを形成する工程と，
　前記島状半導体膜Ａをレーザー結晶化法により結晶化させる方法であって，
　前記レーザー結晶化法は，
　パルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザーを用いたレーザー照射方法を用いて行うものであり，
　照射面となる半導体膜面上におけるビームスポットは１０mm×１０μmの線形状ビームであり，
　前記ビームスポットが始めにパルス照射されるのは前記島状半導体膜Ａの山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先端領域であり，
　前記島状半導体膜Ａの山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先端領域から前記ビームスポットの相対位置を動かすために，基板ステージをビームスポットの短尺方向にスイープ駆動することで，レーザーパルスを１回照射するごとに，基板とビームスポットの相対位置を３μmずらす（送りピッチが３μm）ものである，
　ラテラル結晶成長をさらに連続的に繋がりやすくすることで，島状半導体膜Ａにおける山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先領域から，ビームスポットの基板に対する相対移動方向にかけて形成される結晶の結晶粒界をより少なくした方法。」
　
ウ　引用例２：特開２００２−２１７１２５号公報
（２ａ）「【請求項５】
基板上に形成された膜の膜面に第１レーザ光を供給して前記膜を加熱
　前記
膜の加熱に際して，前記基板の裏面側に第２レーザ光を供給して前記膜を補助的に加熱
　前記
第１及び第２レーザ光に対して前記基板を相対的に移動させる
　前記第１レーザ光は，前記膜で吸収される波長に設定されており，
　前記第２レーザ光は，前記基板を透過する波長に設定されていることを特徴とする表面処理方法。
　【請求項６】　前記
第２レーザ光を，前記第１レーザ光が入射する範囲に対応する前記基板の第１領域を含む第２領域に裏面側から入射させる
　【請求項７】　前記
第１及び第２レーザ光は，ビーム整形装置を介して前記膜面上に投影
　【請求項８】　前記
第１レーザ光の照射タイミングと，前記第２レーザ光の照射タイミングとを同時
　
（２ｂ）「【発明の属する技術分野】
本発明は，成膜した基板に対してレーザ光を用いてアニール等の表面処理を行う表面処理装置及び方法に関する
【従来の技術】従来，例えばオーミックコンタクトを形成する方法として，シリコン等の半導体基板上にＮｉ等の高融点金属を成膜した後，このように成膜した基板を適当な温度に加熱しつつランプアニールを施すことによって表面の高融点金属を拡散・合金化させて，オーミックコンタクトに加工する方法が知られている。
　一方，
ガラス等からなる絶縁基板上に半導体層を形成する方法
絶縁基板上にアモルファスＳｉ等の半導体形成材料を予め成膜し，この半導体形成材料をエキシマレーザ等のレーザビームによるレーザアニールで結晶化してＳｉ多結晶等からなる半導体層を形成する方法
レーザアニールで大きな結晶を成長させたい場合，エキシマレーザ等ではビームパワーを十分に確保でないことを考慮して，絶縁基板を全体的に加熱しておくことが行われる
　
（２ｃ）「また，
後者のレーザアニールでは，絶縁基板を全体的に加熱するため，非結晶Ｓｉ等の半導体形成材料を局所的に加熱・冷却することができず，熱処理工程の精密な制御や管理が困難となり，また真空中で絶縁基板を精密に高温に維持する必要からステージが大型化したり，スループットが低下する。さらに，絶縁基板を加熱せざるを得ないため，本質的に低温プロセスとすることができない
　そこで，本発明は，処理工程が簡単で基板に与える熱的ダメージが少なく，大面積の基板を表面に近い領域のみを管理された熱工程で処理することができる表面処理装置及び方法を提供することを目的とする。」（【０００５】−【０００６】）
　
（２ｄ）「上記装置の具体的な態様では，前記第２レーザ供給手段からのレーザ光が，前記第１レーザ供給手段からのレーザ光が入射する範囲に対応する前記基板の第１領域を含む第２領域に裏面側から入射することを特徴とする。この場合，効率の良い熱処理が可能になる。ここで，
第２領域の範囲は，第１領域の揺らぎ，すなわち第１レーザ供給手段からのレーザ光の基板上への入射位置の変動を考慮した広さとすることが望ましい。これにより，第１レーザ供給手段の揺らぎを考慮した効率的で安定したな熱処理が可能になる
　
（２ｅ）「また，上記方法の別の具体的な態様では，前記
第１及び第２レーザ光が，ビーム整形装置を介して前記膜面上に投影され，前記基板が，移動ステージによって移動することを特徴とする。この場合，ビーム整形装置によって形成した線状ビームや矩形ビームの走査によって，基板上の膜全体に亘って所望の熱処理が可能になる
　また，上記方法の別の具体的な態様では，前記第１レーザ光の照射タイミングと，前記第２レーザ光の照射タイミングとを同時若しくは所定の時間差とすることを特徴とする。この場合，例えば前記
第１及び第２レーザ光の照射タイミングを一致させると，膜等の熱処理のために投入するパワーのピーク値を最も大きくすることができる
　
（２ｆ）「図１は，第１実施形態の表面処理装置の構造を説明する図である。この表面処理装置は，基板を構成する半導体ウエハの表面上に金属薄膜を形成した直後の処理対象物ＷＯにレーザアニールの熱処理を施すためのものである。この装置は，処理対象物ＷＯを載置して処理室１０中で移動する移動ステージ２０と，処理対象物ＷＯを金属薄膜側から加熱する
第１レーザ光ＬＢ1を発生するエキシマレーザ
第２レーザ光ＬＢ2を発生する炭酸ガスレーザ
　
（２）対比
ア　引用発明１の「非晶質半導体膜」，「パルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザー」，「非晶質半導体膜をパターニングし，異方性ドライエッチング法によりエッチングすることで，輪郭の少なくとも一部が山形の形状が複数個連なっている形状または鋸刃形状である島状半導体膜Ａを形成」は，本願補正発明１の「半導体膜」，「第１のエネルギービーム」，「半導体膜の一部を除去して除去部を形成」に相当する。
　
イ　引用発明１の「ラテラル結晶成長をさらに連続的に繋がりやすくすることで，島状半導体膜Ａにおける山形の形状の山頂領域または鋸刃形状の刃先領域から，ビームスポットの基板に対する相対移動方向にかけて形成される結晶の結晶粒界をより少なくした」ことは，本願補正発明１の「結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成」及び「第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１のエネルギービームの走査方向に延在させ」たことに相当する。
　
ウ　引用発明１の「照射面となる半導体膜面上におけるビームスポットは１０mm×１０μmの線形状ビーム」を「ビームスポットの短尺方向にスイープ駆動することで，レーザーパルスを１回照射するごとに，基板とビームスポットの相対位置を３μmずらす（送りピッチが３μm）」ことは，本願補正発明１の「第１のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行うこと」に相当する。
　
エ　そうすると，本願補正発明１と，引用発明１との一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
　「基板上に形成された半導体膜に対し，前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１のエネルギービームの走査方向に延在させ，
　前記第１のエネルギービームの走査を前記矩形の短辺方向に該短辺の長さの１／２よりも短いステップで行う結晶性半導体膜の形成方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１の第１のエネルギービームが「細長の矩形状」に照射されるのに対して，引用発明１のレーザーのビームスポットが「１０mm×１０μmの線形状ビーム」である点。
　
・相違点２：本願補正発明１の第１のエネルギービームが「マスクを介して」照射されるのに対して，引用発明１のレーザーはマスクを介していない点。
　
・相違点３：本願補正発明１は「基板を加熱する第２のエネルギービームを照射する」ものであり，かつ，この「第２のエネルギービーム」は，「第１のエネルギービーム」との関係において，「第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように」第１のエネルギービームを照射するものであり，また，「前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ」るものであるのに対して，引用発明１は，第２のエネルギービームを備えていない点。
　
・相違点４：本願補正発明１が「第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が除去部に含まれる」のに対して，引用発明１では，この点が明記されていない点。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１について
　「細長」，「矩形状」の国語的な文言の意味内容に基づけば，引用発明１の「１０mm×１０μmの線形状」は，本願補正発明１の「細長の矩形状」に含まれると解されるから，相違点１は実質的なものではない。
　仮に，「１０mm×１０μmの線形状」が「細長の矩形状」に含まれないとしても，引用例１の上記摘記（１ａ）に「レーザー光は，照射面における断面形状が線形状または矩形状であり」と記載されていることから，前記記載に基づいて引用発明１のビームスポットの形状を「細長の矩形状」とすることは当業者にとって容易である。
　すなわち，引用発明１において，前記相違点１について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ｂ）の「レーザー光は，パルス発振のエキシマレーザー発振装置」との記載，上記摘記（１ｋ）の「本発明では，公知のレーザーを用いることができる。レーザーは，パルス発振の気体レーザー発振装置もしくは固体レーザー発振装置を用いることができるが，本実施形態ではパルス発振の固体レーザー発振装置を用いた場合について説明する」との記載，上記摘記（１ｐ）の「本発明のレーザー照射方法では，パルス発振の気体レーザー発振装置もしくは固体レーザー発振装置を用いることができる。本実施例ではパルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザーを用いた場合について説明する。」との記載から，引用発明１の「パルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザー」を「パルス発振のエキシマレーザー発振装置」とすることは適宜なし得た事項であるといえるところ，引用例１の上記摘記（１ｇ），（１ｉ）の記載に照らして，レーザー照射を「パルス発振のエキシマレーザー発振装置」により行う場合には「マスクを介する」ことが「必要」であると直ちに理解することができるといえる。
　してみれば，引用発明１において，「パルス発振のＮｄ：ＹＬＦレーザー」を「パルス発振のエキシマレーザー発振装置」となし，これに併せて，「マスクを介する」ようにすること，すなわち，引用発明１において，前記相違点２について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・相違点３について
ア　引用例１の上記摘記（１ｊ）−（１ｍ）の記載に照らして，引用発明１に用いるレーザー照射方法は，ステージコントローラによってステージを駆動することでステージ上に設置している基板の位置を変えてパルスレーザー光の照射位置を制御する「第１の手段」と，パルスレーザー光を発振する「第２の手段」と，レーザー光のビームスポットを加工する「第３の手段」と，レーザー発振装置の発振を制御しかつレーザー光のビームスポットがマスクパターンのデータに従って定められる位置を覆うように，第１の手段に相当するステージコントローラを制御する「第４の手段」とを備えていると解されるところ，引用例１の上記摘記（１ｎ）には，前記レーザー照射方法は，「上記４つの手段の他」に，「被処理物の温度を調節する手段を備えていても良い」ことが示されている。
　
イ　一方，引用例２は，「成膜した基板に対してレーザ光を用いて表面処理を行う表面処理方法」に係る発明が記載されている点で，引用発明１と技術分野を共通とするものと認められるところ，引用例２の上記摘記（２ｂ）には「絶縁基板上にアモルファスＳｉ等の半導体形成材料を予め成膜し，この半導体形成材料をエキシマレーザ等のレーザビームによるレーザアニールで結晶化してＳｉ多結晶等からなる半導体層を形成する方法が知られている。このようなレーザアニールで大きな結晶を成長させたい場合，エキシマレーザ等ではビームパワーを十分に確保でないことを考慮して，絶縁基板を全体的に加熱しておくことが行われる。」ことが記載されている。
　
ウ　そして，引用例１と，引用例２に接した当業者であれば，引用例２に示される前記「エキシマレーザ等ではビームパワーを十分に確保でないことを考慮して，絶縁基板を全体的に加熱しておくことが行われる」との記載に基づいて，引用例１の前記「被処理物の温度を調節する手段を備えていても良い」との記載を，引用発明１に被処理物を加熱する手段を備えても良いことを示しているものと理解することは自然といえる。
　
エ　また，引用例２の上記摘記（２ｃ）には，前記摘記（２ｂ）に示された「絶縁基板を全体的に加熱」のもつ解決すべき課題が示され，かつ，引用例２の上記摘記（２ａ），（２ｄ）−（２ｆ）には，前記解決すべき課題の解決手段として，（ア）基板上に形成された膜の膜面に第１レーザ光を供給して前記膜を加熱するに際して，前記基板に第２レーザ光を供給して前記膜を補助的に加熱すること，（イ）第２レーザ光を，第１レーザ光が入射する範囲に対応する基板の第１領域を含む第２領域に入射させること，（ウ）第１レーザ光の照射タイミングと，第２レーザ光の照射タイミングとを同時として，前記第１及び第２レーザ光に対して基板を相対的に移動させる方法が示されている。
　
オ　してみれば，引用例１と引用例２に接した当業者であれば，引用例１の上記摘記（１ｎ）の記載に基づいて，引用発明１に「被処理物の温度を調節する」手段を付加するにあたり，引用例２に記載された（ア）基板上に形成された膜の膜面に第１レーザ光を供給して前記膜を加熱するに際して，前記基板に第２レーザ光を供給して前記膜を補助的に加熱すること，（イ）第２レーザ光を，第１レーザ光が入射する範囲に対応する基板の第１領域を含む第２領域に入射させること，（ウ）第１レーザ光の照射タイミングと，第２レーザ光の照射タイミングとを同時として，前記第１及び第２レーザ光に対して基板を相対的に移動させること等を採用すること，すなわち，引用発明１において，相違点３について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
カ　なお，引用例２では，第１のレーザ光は基板の表面側から照射され，第２レーザ光は基板の裏面側から照射されるているものの，照射されている範囲は，基板の同一の範囲といえるから，引用例２に記載された発明は，第１のレーザ光を第２のレーザ光の照射範囲に重なるように，オーバーラップした状態で照射するものと解されるが，仮に，本願補正発明１の「照射範囲に重なる」，「オーバーラップ」を，第１のエネルギービームと第２のエネルギービームとを，基板の同一方向から照射するものと限定して解したとしても，複数のエネルギービームを基板の一方の側から照射することは，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記の周知例１にも記載されているように周知の技術的事項であるから，引用発明１に引用例２に記載された発明を適用するにあたり，第２レーザ光の照射を第１レーザ光と同じ基板側から照射することは当業者が適宜なし得たことであり，この点に進歩性を認めることはできない。
　
・周知例１：特開平１１−３０７４５０号公報
（周１ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は，結晶性シリコン薄膜トランジスタを構成するシリコン薄膜等の半導体薄膜を形成するのに有効な薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置に関し，特に
エキシマレーザにより薄膜を結晶化する薄膜の改質方法
　
（周１ｂ）「次に，本発明装置についての実施例について，図１０を参照して説明する。
エキシマレーザは
ｘｙステージ８１７上のガラス基板８１５及びその上のシリコン薄膜８１６に照射される
赤外パルスレーザ光源８２１は
エキシマレーザと同様にガラス基板８１５に向けて照射される
　このような構成とすることによって，赤外レーザによる基板最表面の加熱と紫外短パルスレーザによるシリコン薄膜８１６の溶融再結晶化が可能となる。赤外光源としてはパルスレーザに限らず連続波レーザであってもよく，ビームを走査するための機構（例えばポリゴンミラー等）を具備しても良い。また，３５１ｎｍ程度の紫外光源を用いることによって，比較的容易に基板裏面からのエキシマレーザ結晶化が可能になるため，
紫外光の導入は基板下方から，赤外光の導入を基板上方から行うように構成することも可能である
　
・相違点４について
　引用例１の上記摘記（１ｏ）の「次に，図３（Ｂ）に示すように，基板ステージを９０°回転させて，基板上に形成されているマーカーを再度読み取り，この位置情報から，走査線駆動回路となる領域５１２をレーザー照射する。このようにすることで基板内のレーザー光スポットの相対的な移動方向を変化させて照射することが可能である。」との記載に照らして，引用例１の図３（Ｂ）の斜線が付された領域５１３Ｂが，走査線駆動回路となる領域５１２に形成された複数の島状半導体層Ａに選択的にレーザー光を照射する際に，当該レーザー光を走査する領域であると理解することは自然である。
　そうすると，引用例１の図３（Ｂ）からは，同図下の記載からレーザー光が左から右へと移動することが明らかであり，かつ，前記斜線が付された領域５１３Ｂの右端部が，島状半導体膜Ａが形成された，前記走査線駆動回路となる領域５１２の右側端部の外側に位置していることから，前記走査線駆動回路となる領域５１２に形成された複数の島状半導体層Ａに照射されるレーザー光の走査領域の終端が，前記島状半導体層Ａが存在しない領域，すなわち，非晶質半導体膜をパターニングして島状半導体層Ａを形成する際に，エッチングすることで前記非晶質半導体膜が除去された領域にあることを理解することができる。　
　してみれば，引用発明１のレーザー光の走査領域の終端は非晶質半導体膜が除去された領域にあり，この点で，本願補正発明１と相違しないから，前記相違点４は実質的なものではない。
　
　なお，仮に，前記相違点４が実質的なものであったとしても，基板上の島状半導体膜にエネルギービームを照射して結晶性半導体膜を形成するにあたり，前記エネルギービームの走査領域の少なくとも終端が，前記島状半導体膜を形成する際に半導体膜の一部を除去した除去部に含まれるようにすることは，下記周知例２−３にもあるように周知の事項であるから，引用発明１において，前記相違点４について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・周知例２：特開２００３−２４９４６１号公報
（周２ａ）「【請求項４】基板上に形成されたサブアイランドのパターン情報を記憶し，
　レーザ光のビームスポットが線状になるように集光し，
　前記記憶されたパターン情報を用いて，前記サブアイランドを含むように，前記ビームスポットの走査経路及び走査方向に対して垂直方向における幅を定め，
　前記サブアイランドと共通の半導体膜から形成されたマーカーを基準として，前記走査経路に従って前記ビームスポットを移動させることで，前記
サブアイランドにレーザ光を照射するレーザ光の照射方法
　前記ビームスポットを走査する際に，前記ビームスポットが前記サブアイランドに達したとき，前記ビームスポットと前記サブアイランドとが複数点で接することを特徴とするレーザ光の照射方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（周２ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は，
半導体膜をレーザ光を用いて結晶化
するレーザ光の照射方法
　
（周２ｃ）「【課題を解決するための手段】本発明では，半導体膜のマスクの形状のデータ（パターン情報）をもとに，島状の半導体膜（アイランド）となる部分を把握する。そして，該アイランドを単数または複数含む
島状の半導体膜（サブアイランド）をパターニングによって形成する
次に
レーザ光の照射により該サブアイランドの結晶性を高め
　さらに本発明では，サブアイランドのパターン情報から，少なくともサブアイランドにレーザ光が照射されるように，基板上におけるレーザ光の走査経路を定める。つまり，
基板全体にレーザ光を照射するのではなく，少なくとも必要不可欠な部分が最低限結晶化できるようにレーザ光を走査する。上記構成により，サブアイランド以外の部分にレーザ光が照射される時間を省くことができ，よって，レーザ光照射にかかる時間を短縮化することができ，なおかつ基板の処理速度を向上させることができる
　
（周２ｄ）「なお，ビームスポットの幅は，サブアイランドまたはアイランドのサイズによって適宜変えることができる。例えば，電流を比較的多く流すことが望まれる駆動回路のＴＦＴは，チャネル幅が大きく，よってアイランドのサイズも画素部に比べて大きい傾向にある。図１８に，２通りのサイズのサブアイランドに，スリットの幅を変えてレーザ光を走査する場合について示す。図１８（Ａ）に，走査方向と垂直な方向におけるサブアイランドの長さが短い場合を，図１８（Ｂ）に走査方向と垂直な方向におけるサブアイランド長さが長い場合の，レーザ光の走査する部分と，サブアイランドとの関係を示す。
　図１８（Ａ）におけるビームスポットの幅をＷBW1，図１８（Ｂ）におけるビームスポットの幅をＷBW2とすると，ＷBW1＜ＷBW2となる。無論，ビームスポットの幅はこれに限られず，サブアイランド間の走査方向と垂直な方向における間隔に余裕がある場合は，自由にその幅を設定することができる。
　なお本発明では，図１８に示すように，レーザ光を基板全面に照射するのではなく，サブアイランドの部分を最低限結晶化できるようにレーザ光を走査する。基板全面を照射するのではなく，サブアイランドが結晶化できるように必要最低限の部分にレーザ光が照射されるので，１枚の基板にかかる処理時間を抑えることができ，基板処理の効率を高めることができる」（【０１０２】−【０１０４】）
　
（周２ｅ）「次に，レーザ光照射の途中で，ＡＯ変調器によりレーザ光の方向を変更することで，結果的にレーザ光を遮り，所定の部分にのみレーザ光を照射する例について説明する。なお本実施例ではＡＯ変調器を用いてレーザ光を遮蔽しているが，本発明はこれに限定されず，レーザ光を遮蔽できればどのような手段を用いても良い。
　本発明では，コンピューターにおいて，入力されたマスクの情報に基づきレーザ光を走査する部分を把握する。さらに本実施例では，走査するべき部分のみにレーザ光が照射されるようにＡＯ変調器を用いてレーザ光の方向を変更することで，結果的にレーザ光を遮る。このときＡＯ変調器は，レーザ光を遮ることが可能であり，なおかつレーザ光によって変形または損傷しないような材質で形成するのが望ましい。
　図２３（Ｂ）に，半導体膜のパターニングのマスクの形状と，レーザ光が照射される部分の関係を一例として示す。５７０は半導体膜のパターニングのマスクの形状を示しており，レーザ光照射による結晶化の後，該マスクに従って半導体膜がパターニングされる。
　５７１は，レーザ光が照射された部分を示している。破線で囲まれている部分はレーザ光がＡＯ変調器でレーザ光の方向を変更することで，結果的にレーザ光が遮られている部分を示しており，本実施例では結晶化させる必要のない部分にはレーザ光を照射しないか，照射されていてもそのエネルギー密度が低くなるようにすることができる。したがって，不必要な部分にレーザ光を照射することで基板に与えられるダメージをさらに軽減することができる。」（【０１６４】−【０１６７】）
　
（周２ｆ）図１８は，レーザー光の照射部分とマスクとの位置関係を示す図であって，上記摘記（周２ａ）−（周２ｄ）の記載を参酌すれば，同図から，島状の半導体膜（サブアイランド）に照射されるレーザー光の走査領域の終端が，前記島状の半導体膜（サブアイランド）が存在しない領域，すなわち，半導体膜をパターニングして島状の半導体膜（サブアイランド）を形成するする際に，前記半導体膜が除去された領域にあることを読み取ることができる。
　
（周２ｇ）図２３は，レーザー光の照射部分とマスクとの位置関係を示す図であって，上記摘記（周２ａ）−（周２ｃ），（周２ｅ）の記載を参酌すれば，同図から，島状の半導体膜（サブアイランド）に照射されるレーザー光の走査領域の終端が，前記島状の半導体膜（サブアイランド）が存在しない領域，すなわち，半導体膜をパターニングして島状の半導体膜（サブアイランド）を形成するする際に，前記半導体膜が除去された領域にあることを読み取ることができる。
　
・周知例３：特開２００３−１９７５２１号公報
（周３ａ）「【請求項１】
基板上に非晶質半導体層を形成する工程
　前記
非晶質半導体層を所望の形状にパターニングして，第１の島状半導体層とマーカーを形成する工程
　前記
第１の島状半導体層を含む領域に，楕円状あるいは矩形状に集光されたレーザ光を，前記基板に対して相対的に走査しつつ照射し，前記第１の島状半導体層を結晶化する工程
　前記結晶化された第１の島状半導体層を所望の形状にパターニングして，第２の島状半導体層を形成する工程と，
　前記第２の島状半導体層を活性層とした薄膜トランジスタを形成し，前記薄膜トランジスタを用いて回路を構成する半導体装置の作製方法であって，
　前記半導体装置に含まれる単位回路が有する全ての薄膜トランジスタの活性層は，前記結晶化された第１の島状半導体層のうちいずれか１つから形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（周３ｂ）「結果，図５(Ａ)〜(Ｃ)に示すように，複数の第２の島状半導体層が形成される，幅の大きい第１の島状半導体層５０１を結晶化する場合，合成レーザ光スポット５０２を用いて，ただ１回の走査で完了することが出来る。よって第１の島状半導体層５０１は，図５(Ｂ)にて５０４で示す１点が最初にレーザ光スポットと接触して結晶化を開始し，(１００)配向面を有する結晶が成長する。得られた第１の島状半導体層５０５の結晶状態は(１００)配向面の率の高が高く，良好なものとなる。
　さらに，図５(Ｄ)に示すように，パターニングによって第２の島状半導体層５０６が形成される。このとき，ＴＦＴのチャネル長方向，すなわち電荷の移動方向が，結晶粒の長軸方向，すなわちレーザ光スポットの走査方向と平行あるいはそれに準ずる方向となるようにレイアウトすることによって，ＴＦＴのチャネル形成領域における電荷の移動が，結晶粒界に妨げられるのを少なくすることが出来る。
　以後，図５(Ｅ)に示すように，ゲート電極，配線等が形成され，回路が完成する。ここでは，２つの作動増幅回路５０７，５０８が形成されている。」（【００７６】−【００７８】）
　
（周３ｃ）図５は，合成レーザ光スポットによって結晶化される第１の島状半導体層と，当該第１の島状半導体層から形成された第２の島状半導体層を用いたＴＦＴによって回路を構成する例を示す図であって，前記摘記（周３ａ）−（周３ｂ）の記載を参酌すれば，図５（Ｃ）から，第１の島状半導体層に照射されるレーザ光スポットの走査領域の終端が，前記島状半導体層が存在しない領域，すなわち，非晶質半導体層をパターニングして第１の島状半導体層を形成する際に，前記非晶質半導体層が除去された領域にあることを読み取ることができる。
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年７月３０日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−２０に係る発明は，平成２１年７月３０日に提出された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は，次のとおりである。
　
「基板上に形成された半導体膜に対し，前記基板を加熱する第２のエネルギービームを照射するとともに，前記第２のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第１のエネルギービームをマスクを介して照射することにより，結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって，
　前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し，
　前記第１のエネルギービームの照射範囲を前記第２のエネルギービームの照射範囲にオーバーラップさせた状態で，前記第１及び第２のエネルギービームを前記基板の一方向に走査させ，
　前記第１のエネルギービームの走査領域の少なくとも終端が前記除去部に含まれるように，前記第１のエネルギービームを照射することにより，結晶を前記第１及び第２のエネルギービームの走査方向に延在させることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１，２に記載されている事項は，上記「第２　３　（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明２を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　３　（３）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明２も同様の理由で，引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項２に係る発明は，引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。