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　特願２００５−　　　６１３「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２０日出願公開、特開２００６−１９０７６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１月５日の出願であって、平成２２年６月１７日に手続補正がなされたが、平成２３年３月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである（以下、この平成２３年６月２１日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲である
「【請求項１】
　一対の光閉じ込め層が形成され、その対の光閉じ込め層の間に活性層を有すると共に、上面の一部に凸部が形成されたレーザ構造部と、
　前記レーザ構造部の上面のうち前記凸部以外の領域に形成された低誘電率層と、
　前記レーザ構造部の上面と前記低誘電率層との間に形成された第１の絶縁層と、
　前記凸部上に形成された上部電極と、
　前記低誘電率層上に形成された第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層上に形成された電極パッドと、
　前記上部電極および前記電極パッドを電気的に接続する配線と
　を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
　前記低誘電率層および前記凸部は、所定の距離を隔てて形成されている
　ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
　前記低誘電率層は、ポリイミドにより構成されており、
　前記絶縁層は、窒化物または酸化物により構成されている
　ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。」
を
「【請求項１】
　一対の光閉じ込め層が形成され、その対の光閉じ込め層の間に活性層を有すると共に、上面の一部に凸部が形成されたレーザ構造部と、
　前記レーザ構造部の上面のうち前記凸部以外の領域に形成された低誘電率層と、
　前記レーザ構造部の上面と前記低誘電率層との間に形成された第１の絶縁層と、
　前記凸部上に形成された上部電極と、
　前記低誘電率層
の上面全体
　前記第２の絶縁層上に形成された電極パッドと、
　前記上部電極および前記電極パッドを電気的に接続する配線と
　を備え
た
【請求項２】
　前記低誘電率層および前記凸部は、所定の距離を隔てて形成されてい
る
【請求項３】
　前記低誘電率層は、ポリイミドにより構成されており、
　前記絶縁層は、窒化物または酸化物により構成されてい
る
と補正することを含むものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２４９７１９号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光型半導体発光素子に関する。」
　
イ　「【００３３】（実施形態１）図２は、本発明の実施形態１にかかる面発光型半導体発光素子の構造を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）の断面Ａ−Ａ'における断面図である。ここでは面発光型半導体レーザについて説明する。
【００３４】この面発光型半導体レーザは、基板１の主面上に、発光領域１３を有する半導体活性層３と、半導体活性層３を狭持し、基板１の主面に対して垂直方向の共振器を形成する第１の半導体多層膜反射鏡６及び第２の半導体多層膜反射鏡２が形成されている。半導体活性層３の上下両面には、半導体クラッド層４及び半導体クラッド層５が形成されている。
【００３５】第１の半導体多層膜反射鏡６上には、コンタクト層７が形成されている。コンタクト層７上にはコンタクト電極９が形成されている。コンタクト電極９は、発光領域１３上を開口するように形成されている。
【００３６】基板１の裏面には、電極１０が形成されている。
【００３７】第１の半導体多層膜反射鏡６、半導体活性層３、半導体クラッド層４及び半導体クラッド層５は凸部形状のメサ部１００となっている。このメサ部は、基板１の主面上方向に突出している。
【００３８】第１の半導体多層膜反射鏡６及び半導体活性層３を含むメサ部１００の周辺には凹部１２が設けられている。メサ部１００は基板１に対して逆テーパに形成されている。ここでメサ部１００の上面は、基板１に接する面よりも大きい面を有している。
【００３９】第１の半導体多層膜反射鏡６の下には、メサ部１００の側壁から発光領域１３に向かって横方向に酸化されることによって形成された電流狭窄部１４が形成されている。
【００４０】また、第２の半導体多層膜反射鏡２の上には、メサ部１００の側壁から発光領域１３に向かって横方向に酸化されることによって形成された電流狭窄部１５が形成されている。これら電流狭窄部１４及び１５は、発光領域１３へ電流を絞り込むためのものである。
【００４１】メサ部１００が基板１に対して逆テーパ状に形成されているので、電流狭窄部１４が位置するメサ部１００側面から発光領域１３までの距離が、メサ部１００のコンタクト電極形成面の端縁から光取り出し部までの距離のうち最短のものよりも短くなっている。
【００４２】また、凹部１２の表面には絶縁膜５０が形成され、これを介して電極５１が形成されている。電極５１は、配線５２によってコンタクト電極９と接続されている。」
　
ウ　「【００５１】次に、図２に示す面発光型半導体レーザの製造方法について、具体的に説明する。
【００５２】先ず、洗浄された厚さ４００μｍの３インチ、面方位（１００）のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ装置を用いてｎ型の半導体多層膜反射鏡２、電流狭窄部１５となる被酸化層、クラッド層４、半導体活性層３、クラッド層５、電流狭窄部１４となる被酸化層、ｐ型の半導体多層膜反射鏡６、コンタクト層７を順次成長する。・・・。
【００５７】次に、フォトリソグラフィとエッチング工程によりｎ型半導体多層膜反射鏡２の上部までエッチングを行い、ＧａＡｓ基板１に対して逆テーパ形状になるようにメサ部を作製する。・・・。
【００６１】次に、水蒸気雰囲気中で４００℃〜５００℃の熱処理を行い、被酸化層を横方向に選択酸化し電流狭窄部１４及び１５を形成する。このとき、メサ部１００の側壁からの酸化長を６．５μｍとし、５μｍ径の発光領域１３を作製する。・・・。
【００６３】次に、ポリイミドを用いてメサエッチング部を埋め込んで絶縁層５０を形成する。
【００６４】次に、ボンディングパッド５１を形成する。次に、配線部５２が形成されるべき部分と光取り出し口となるｐ型半導体多層膜反射鏡６上の絶縁膜４９を除去し、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７上にｐ側電極９を形成する。このときボンディングパッド５１とｐ側電極９とをつなぐ配線５２を同時に形成する。基板裏面にはｎ側電極１０を形成する。」　
　
　エ　図２には、凹部１２の表面に絶縁膜４９が形成され、この（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９の表面に絶縁層５０が形成され、この絶縁層５０上にさらに絶縁膜４９が形成され、この（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９上にボンディングパッド５１が形成されている様子が示されている。
　なお、図２は、次のものである。
　
（２）同じく、特開２００４−３１６３３号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光半導体レーザ素子及び光伝送システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
面発光半導体レーザ素子は、活性層近傍に電流と光を閉じ込める必要があるため、及び、高速変調のために寄生容量を低減するため、多くの場合、レーザ構造としては半導体柱構造をとる。
【０００３】
さらに、このような面発光半導体レーザ素子では、素子への水分を遮断し素子が劣化するのを防ぐため、また、素子表面の平坦化により配線パターニングを容易にするため、また、放熱のため、また、高速変調を可能にするため、レーザ構造部である半導体柱の周辺は、一般に、耐熱性があり、機械的強度が高く、水分遮断性が高く、低誘電率であり、膜形成が容易であるポリイミド保護膜で覆われる。」
　
イ　「【００２４】
図１は本発明に係る面発光半導体レーザ素子の基本的な構成例を示す図（断面図）である。図１を参照すると、この面発光半導体レーザ素子は、半導体基板（ｎ−ＧａＡｓ基板）上に、下部半導体分布ブラッグ反射鏡（下部半導体ＤＢＲ：下部ミラー層）と、ＮとＡｓを含むＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体（ＧａＩｎＮＡｓ系材料）からなる活性層を含む共振器構造と、上部半導体分布ブラッグ反射鏡（上部半導体ＤＢＲ：上部ミラー層）とが順次に積層されて、半導体積層構造として形成されている。そして、この半導体積層構造の表面から少なくとも活性層の下端まで（図１の例では、下部半導体ＤＢＲ（下部ミラー層）の表面まで）がエッチング除去されて柱状構造をなし、レーザ構造部が形成されており、このレーザ構造部の表面に、全応力２．５×１０２Ｐａ・ｍ以下のポリイミド保護膜が設けられている。」
　
ウ　「【００５３】
また、図１の面発光半導体レーザ素子において、レーザ構造部の表面とポリイミド保護膜との間に、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層を設けることもできる。
【００５４】
図４には、図１の面発光半導体レーザ素子において、レーザ構造部の表面とポリイミド保護膜との間に、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層が設けられている面発光半導体レーザ素子が示されている。
【００５５】
ここで、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層は、プラズマＣＶＤなどで作製することができる。
【００５６】
このように、図１の面発光半導体レーザ素子において、レーザ構造部の表面とポリイミド保護膜との間に、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層を設けることで、レーザ構造部への水分遮蔽効果をより高めることができ、面発光半導体レーザ素子の信頼性をより高めることができる。
【００５７】
さらに、図４の面発光半導体レーザ素子において、レーザ構造部の表面とパッシベーション層との間に、ＳｉＯ２膜からなる応力緩和層を設けることもできる。」
　
（３）刊行物３
　同じく、特開平８−２２０３５８号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体光素子に係り、特に光通信用モジュール、光通信システム、光ネットワークに用いる好適な半導体光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】リッジ装荷型光導波素子は作製工程が非常に簡易であるため、半導体レーザ、光変調器等様々な導波路型光素子に適用されている。しかし、図２に示すような従来のリッジ装荷型光導波素子には構造上以下の問題点がある。なお図２において、１はｎ型（１００）ＩｎＰ半導体基板、２はＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４はｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ、５はシリコン酸化膜、６は上部電極、７はポリイミド樹脂膜、８は下部電極である。
【０００３】（１）図２（ａ）に示すように、リッジ部が平坦でないため電極形成等の後続プロセスが困難である。
【０００４】（２）平坦化のためにしばしば、図２（ｂ）のようにポリイミド樹脂膜７等が用いられているが、放熱性が悪いため半導体レーザに適用した場合、特に高出力化が困難である。また、ポリイミド膜の引っ張り応力によるストレス等から素子寿命に関する信頼性に問題が残されている。また、電極を形成する場合、ポリイミド膜と電極金属との密着性が極めて悪いため、ワイヤボンディング工程の際電極剥がれがしばしば発生する。このため高歩留まり化に難がある。さらに、原理上リッジ部が完全に平坦にならず、表面段差が０．５〜１μｍ程度存在するため特に成長表面を下側にしたいわゆるジャンクションダウン実装が困難である。このため、ジャンクションダウン実装が必須な高出力レーザへの適用は困難であった。」
　
イ　「【０００９】図１（ａ），(ｂ）に本発明によるリッジ装荷型光導波路構造の一例を示す。リッジ導波路はＩｎＰ半導体基板１上に形成され、コア層２、クラッド層３を含む多層膜構造をリッジ加工し、さらにポリイミド等の絶縁性樹脂膜をリッジ両脇に設けられた一対の溝部のみに形成することにより得られる。溝部の横幅は２〜４０μｍに設定されている。さらに本構造をレーザ、変調器等に適用する場合には図示のように上部、下部に電極を形成する。」
ウ　「【００１０】本構造の採用による改善点は以下の通りである。
【００１１】（１）まず、素子の電気実装の際、ワイヤボンディングを行う電極パッド下にポリイミド等の有機絶縁性樹脂膜がなく、電極が接触する材料はＳｉＯ２膜のような無機材料であるため通常のワイヤボンディングに必要な十分な電極の密着強度が得られる。このため、実装歩留まり、素子の耐震性に関する信頼性等が大きく向上する。
【００１２】（２）ポリイミド等の有機絶縁性樹脂膜がリッジ両脇の２〜４０μｍと素子内の僅かな領域のみにしか存在しないため、リッジ導波路型光素子の劣化の主要因である膜の引っ張り応力等による面内ストレスが殆どない。また、ポリイミドが電極に覆われ素子の表面に露出しないため耐湿性に優れた構造が容易に得られる。このため、素子の長期寿命も大きく改善できる。」
　
（４）刊行物４
　同じく、特開平９−２８３５３１号公報（以下「刊行物４」という。）には、次の記載がある。
　
「【００２４】低い誘電定数を有している厚いボンディングパッド誘電体層16によって所望された結果が生じたことは示されてきたが、トランジスタ10へワイヤボンディングするための最適なプラットフォームは提供されない。接続のための最適なプラットフォームは、ポリイミドより良好なボンディングパッドの密着性および機械的安定性を提供する窒化シリコンあるいは二酸化シリコンのいずれかを具備しているボンディングパッド誘電体層16を使用して達成される。」　
　
３　引用発明
　前記２（１）によれば、刊行物１には、
「基板１の主面上に、発光領域１３を有する半導体活性層３と、半導体活性層３を狭持し、基板１の主面に対して垂直方向の共振器を形成する第１の半導体多層膜反射鏡６及び第２の半導体多層膜反射鏡２が形成されている面発光型半導体レーザであって、
　半導体活性層３の上下両面には、半導体クラッド層４及び半導体クラッド層５が形成されており、
　第１の半導体多層膜反射鏡６上には、コンタクト層７が形成され、コンタクト層７上にはコンタクト電極９が形成されており、
　第１の半導体多層膜反射鏡６、半導体活性層３、半導体クラッド層４及び半導体クラッド層５は、凸部形状のメサ部１００となって、基板１の主面上方向に突出しており、
　第１の半導体多層膜反射鏡６及び半導体活性層３を含むメサ部１００の周辺には凹部１２が設けられており、
　凹部１２の表面に絶縁膜４９が形成され、この（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９の表面にポリイミドの絶縁層５０が形成され、この絶縁層５０上にさらに絶縁膜４９が形成され、この（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９上にボンディングパッド５１が形成されており、
　ボンディングパッド５１は、配線５２によってコンタクト電極９と接続されている面発光型半導体レーザ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（１）本願補正発明も引用発明もともに「半導体レーザ」であって、引用発明の「半導体活性層３を狭持し、基板１の主面に対して垂直方向の共振器を形成する第１の半導体多層膜反射鏡６及び第２の半導体多層膜反射鏡２」、「半導体活性層３」及び「凸部形状のメサ部１００」は、それぞれ、本願補正発明の「一対の光閉じ込め層」、「活性層」及び「凸部」に相当するから、引用発明は、本願補正発明と同様に「一対の光閉じ込め層が形成され、その対の光閉じ込め層の間に活性層を有すると共に、上面の一部に凸部が形成されたレーザ構造部」を備える「半導体レーザ」といえる。
　
（２）引用発明の「凹部１２」は、本願補正発明の「レーザ構造部の上面のうち前記凸部以外の領域」であるといえ、また、引用発明の「絶縁層５０」は、「ポリイミドの絶縁層５０」であるところ、本願補正発明の「低誘電率層」について、上記１のとおり、本願の【請求項３】には、「前記低誘電率層は、ポリイミドにより構成されており」と記載されていることに照らして、引用発明の「絶縁層５０」は、本願補正発明の「低誘電率層」といえ、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記レーザ構造部の上面のうち前記凸部以外の領域に形成された低誘電率層」を備えるものといえる。
　
（３）引用発明は、「凹部１２の表面に絶縁膜４９が形成され、この（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９の表面にポリイミドの絶縁層５０が形成され」るものであるから、引用発明の「（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９」は、本願補正発明の「第１の絶縁層」に相当するところであり、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記レーザ構造部の上面と前記低誘電率層との間に形成された第１の絶縁層」を備えるものといえる。
　
（４）引用発明の「コンタクト電極９」は、「凸部形状のメサ部１００」を構成する「第１の半導体多層膜反射鏡６」上の「コンタクト層７」上に形成されており、本願補正発明の「凸部上に形成された上部電極」に相当する。
　
（５）引用発明の「（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９」は、絶縁層５０上に形成されているから、本願補正発明と引用発明は、「前記低誘電率層上に形成された第２の絶縁層」を備えるものである点で一致する。
　
（６）引用発明の「ボンディングパッド５１」は、「（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９上に」形成されており、本願補正発明の「前記第２の絶縁層上に形成された電極パッド」に相当する。
　
（７）引用発明の「配線５２」は、「ボンディングパッド５１」と「コンタクト電極９」を接続するものであるから、本願補正発明の「前記上部電極および前記電極パッドを電気的に接続する配線」に相当する。
　
（８）以上によれば、両者は、
「一対の光閉じ込め層が形成され、その対の光閉じ込め層の間に活性層を有すると共に、上面の一部に凸部が形成されたレーザ構造部と、
　前記レーザ構造部の上面のうち前記凸部以外の領域に形成された低誘電率層と、
　前記レーザ構造部の上面と前記低誘電率層との間に形成された第１の絶縁層と、
　前記凸部上に形成された上部電極と、
　前記低誘電率層上に形成された第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層上に形成された電極パッドと、
　前記上部電極および前記電極パッドを電気的に接続する配線と
　を備えた半導体レーザ。」
である点で一致し、
「本願補正発明は、第２の絶縁層が低誘電率層の上面全体に形成されているのに対し、引用発明の（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９は、ボンディングパッド５１の下部には形成されているものの、絶縁層５０の上面全体には形成されていない点。」（以下、単に「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
５　判断
　刊行物２には、レーザ構造部の表面とポリイミド保護膜との間に設ける層がＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層であり、水分遮蔽効果をより高めることができるものである旨記載されており（前記２（２）ウを参照。）、かかる記載に接した当業者においては、引用発明の「（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９」は、刊行物２に記載されるのと同様のＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜からなるパッシベーション層であると理解されるところであって、引用発明の「（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９」についても、前記「（凹部１２の表面に形成された）絶縁膜４９」と同じであり、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜であると理解される。
　ここで、引用発明の「（絶縁層５０上に形成された）絶縁膜４９」は、ボンディングパッド５１の下部に形成されているが、これは、刊行物３や刊行物４に記載されるように、ボンディングパッドは、ポリイミドとの密着性が悪いが無機材料との密着性は良い（前記２（３）ア【０００４】「ポリイミド膜と電極金属との密着性が極めて悪いため、ワイヤボンディング工程の際電極剥がれがしばしば発生する」、同ウ【００１１】「ワイヤボンディングを行う電極パッド下にポリイミド等の有機絶縁性樹脂膜がなく、電極が接触する材料はＳｉＯ２膜のような無機材料であるため通常のワイヤボンディングに必要な十分な電極の密着強度が得られる」の記載、前記２（４）「ポリイミドより良好なボンディングパッドの密着性および機械的安定性を提供する窒化シリコンあるいは二酸化シリコン」の記載を参照。）ので、無機材料であるＳｉＮやＳｉＯＮ膜が絶縁膜４９としてボンディングパッド５１の下部に設けられているものと理解されるところ、引用発明の配線５２もボンディングパッドと同様にポリイミドの絶縁層５０との密着性が良くないことは明らかであり、配線５２と絶縁層５０との密着性を高めるために、これらの間にも無機材料であるＳｉＮやＳｉＯＮ膜を設けることは、当業者が必要に応じて適宜採用する程度の事項というべきである。
　また、ＳｉＮやＳｉＯＮ膜は、刊行物２に記載されるとおり、パッシべーション層であり、水分遮蔽効果を高めることができるものであることに照らせば、これらをポリイミドの絶縁層５０の上面全体に設けることは、当業者が必要に応じて適宜採用する程度の事項というべきである。
　してみれば、引用発明において、絶縁層５０の上面全体に絶縁膜４９となるＳｉＮやＳｉＯＮ膜を設けるようにして、相違点に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　そして、本願補正発明において、相違点に係る構成により格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月１７日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１に、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　判断
　本願発明は、本願補正発明の「低誘電率層
の上面全体
　すなわち、本願発明は、前記第２［理由］３において、本願補正発明と引用発明が一致する点として示したものと同じであって、引用発明と相違するところはない。
　
３　むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。