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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記基板および前記ゲート電極上にポリシリコン再酸化層を形成するステップと、
前記ポリシリコン再酸化層上に窒化物層をたい積するステップと、
前記窒化物層を異方性エッチングし、前記ゲート電極上に窒化物オフセット・スペーサを形成するように、前記ポリシリコン再酸化層上で前記異方性エッチングを停止するステップと、
を含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記窒化物層がエッチングされた後、前記基板中にソース／ドレイン拡張部を形成するステップと、
前記オフセット・スペーサ上にサイドウォール・スペーサを形成するステップと、
前記基板中にソース／ドレインを形成するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記窒化物層をたい積する前に、前記基板中にハロー・インプラントを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記異方性エッチングするステップは、窒化物対酸化物の高い選択性を有する反応性イオンエッチングプロセスで実行される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ポリシリコン再酸化層を形成するステップは、約７００℃から約９００℃の間の温度で、酸化物を前記基板および前記ゲート電極上に熱処理によって成長させることを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ポリシリコン再酸化層の厚みは、約１５Åから約５０Åの間である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記窒化物層を異方性エッチングするステップは、CHF3プラズマ・エッチャント・ガスで反応性イオン・エッチングするステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記窒化物層をエッチングした後であって、前記基板中に前記ソース／ドレイン拡張部（３６）を形成する前に、前記露出したポリシリコン再酸化層を除去するステップをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記露出したポリシリコン再酸化層を除去するステップは、前記露出したポリシリコン再酸化層をウェットエッチングするステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記露出したポリシリコン再酸化層は、１００：１のＨＦ溶液でウェットエッチングされる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記基板上にエッチング停止層を形成するステップと、
前記エッチング停止層上に窒化物層を形成するステップと、
前記ゲート電極上にオフセット・スペーサを形成するように前記窒化物層をエッチングし、前記エッチングを前記エッチング停止層上で停止するステップと、
を含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項１２】
前記窒化物層がエッチングされた後、前記基板中にソース／ドレイン拡張部を形成するステップと、
前記オフセット・スペーサ上にサイドウォール・スペーサを形成するステップと、
前記基板中にソース／ドレインを形成するステップとをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記窒化物層がエッチングされた後、前記ポリシリコン再酸化層を貫通してインプラントすることによって、ソース／ドレイン拡張部およびソース／ドレイン・インプラントを形成するステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。        
【請求項１４】
前記窒化物層をたい積する前に、前記基板中にハロー・インプラントを形成するステップをさらに含む、請求項１１ないし１３のいずれかの項記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチング停止層を形成するステップは、約７００℃から約９００℃間の温度で、酸化物を前記基板および前記ゲート電極上に熱処理によって成長させることを含む、請求項１１ないし１４のいずれかの項記載の方法。
【請求項１６】
前記窒化物層をエッチングした後であって、前記基板中に前記ソース／ドレイン拡張部を形成する前に、前記露出した熱処理によって成長した酸化物層を除去するステップをさらに含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記窒化物層をエッチングするステップは、前記窒化物層を、窒化物対酸化物の高い選択性を有するプラズマ・エッチャント・ガスで、反応性イオンエッチングするステップを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記エッチング停止層は、ポリシリコン再酸化層である、
請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
前記基板を露出するように、前記窒化物層をエッチングすることによって露出した前記ポリシリコン再酸化層の一部を除去するステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項２０】
前記ポリシリコン再酸化層の一部を除去するステップは、ウェットエッチングを含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記窒化物層をエッチングするステップは、前記窒化物層を、窒化物対酸化物の高い選択性を有するプラズマ・エッチャント・ガスで、反応性イオンエッチングするステップを含む、請求項２０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行及び列をなすメモリセルを含む不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイを有する半導体装置（図３，１３，１４）であって、
半導体基板内にあるとともに、互いに離間して電気的に絶縁される第１ウェル領域（３０１）及び第２ウェル領域（３０２）と、
前記第１ウェル領域（３０１）内に位置する第１列メモリセル（３１１〜３１６）と、
前記第２ウェル領域（３０２）内に位置する第２列メモリセル（３２１〜３２６）と、
前記第１列メモリセルの第１メモリセルの第１トンネル誘電体（１５０２または２１００）及び前記第２列メモリセルの第２メモリセルの第２トンネル誘電体（１５０２または２１００）と、
前記第１メモリセルの第１電荷蓄積層（１５０３または２３００）であって前記第１トンネル誘電体を覆って形成される第１電荷蓄積層、及び前記第２メモリセルの第２電荷蓄積層（１５０３または２３００）であって前記第２トンネル誘電体を覆って形成される第２電荷蓄積層と、
前記第１メモリセルの第１制御ゲート（１５０５または２４００）であって前記第１電荷蓄積層を覆って形成される第１制御ゲート、及び前記第２メモリセルの第２制御ゲート（１５０５または２４００）であって前記第２電荷蓄積層を覆って形成される第２制御ゲートと、前記第１制御ゲート及び前記第２制御ゲートは同じ行にあるとともに共通ワード線を通して電気的に接続されていることと、
前記第１列メモリセルの各メモリセルのドレイン領域に電気的に接続される第１ビット線（３０９１）と、
前記第２列メモリセルの各メモリセルのドレイン領域に電気的に接続される第２ビット線（３０９２）と、
前記第１列メモリセルの各メモリセルのソース領域に電気的に接続される第１ソース線（３０５１）と、前記第１ソース線及び前記第１列メモリセルの内の少なくとも一つのメモリセルのソース領域は前記第１ウェル領域に電気的に接続されることと、
前記第２列メモリセルの各メモリセルのソース領域に電気的に接続される第２ソース線（３０５２）と、前記第２ソース線及び前記第２列メモリセルの内の少なくとも一つのメモリセルのソース領域は前記第２ウェル領域に電気的に接続されることとを備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１メモリセルの第１遮断層（１５０４）であって前記第１電荷蓄積層を覆って前記第１制御ゲートの下に形成される第１遮断層、及び前記第２メモリセルの第２遮断層（１５０４）であって前記第２電荷蓄積層を覆って前記第１制御ゲートの下に形成される第２遮断層をさらに備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
行及び列をなすメモリセル（３１１〜３１６）を備えた不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイを有する半導体装置（図３，１３，１４）であって、
半導体基板内に形成されるウェル領域（３０１）と、
列メモリセルと、各メモリセルは、
前記ウェル領域内に位置するとともに各ソース領域が前記ウェル領域に電気的に接続される、ソース領域（３１１２，３１２２，３１３２，・・・３１６２）及び、ドレイン領域（３１１１，３１２１，・・・３１６１）、
前記半導体基板を覆って形成されるトンネル誘電体層（１５０２または２１００）、
前記トンネル誘電体層を覆って形成される電荷蓄積層（１５０３または２３００）、及び
前記電荷蓄積層を覆って形成される制御ゲート（１５０５，２４００）を備えることと、
各ワード線が前記列メモリセルの一のメモリセルの該当する制御ゲートに電気的に接続されるワード線（３０７１〜３０７６）と、
列メモリセルの各メモリセルのドレイン領域に電気的に接続される一のビット線（３０９１）とを備える半導体装置。
【請求項４】
互いに絶縁される第１ウェル領域（３０１）及び第２ウェル領域（３０２）を含む半導体基板と、
前記第１ウェル領域に形成される第１メモリセル（３１１）と、
該第１メモリセル（３１１）は、
前記第１ウェル領域内に在って、前記第１ウェル領域の極性とは異なる極性を有する第１ソース領域（３１１２）及び第１ドレイン領域（３１１１）、
前記第１ソース領域及び前記第１ドレイン領域を覆って形成される第１トンネル誘電体層（１５０２または２１００）、
前記第１トンネル誘電体層を覆って形成される第１電荷蓄積層（１５０３または２３００）、及び
前記第１電荷蓄積層を覆って形成される第１制御ゲート（１５０５または２４００）を備えることと、
前記第２ウェル領域に形成される第２メモリセル（３２１）と、
前記第２メモリセル（３１１）は、
前記第２ウェル領域内に在って、前記第２ウェル領域の極性とは異なる極性を有する第２ソース領域及び第２ドレイン領域、
前記第２ソース領域及び前記第２ドレイン領域を覆って形成される第２トンネル誘電体層（１５０２または２１００）、
前記第２トンネル誘電体層を覆って形成される第２電荷蓄積層（１５０３または２３００）、
前記第２電荷蓄積層を覆って形成される第２制御ゲート（１５０５または２４００）、及び
前記第２メモリセル及び前記第１メモリセルはワード線（３０７１）を通して電気的に接続されることを備えることとを備える半導体装置（図３，１３，１４）。
【請求項５】
絶縁構造により相隔てられる第１ウェル領域（３０１）及び第２ウェル領域（３０２）を半導体基板に形成する工程と、
前記第１ウェル領域内に位置する第１列メモリセル（３１１〜３１６）を形成する工程
と、
前記第２ウェル領域内に位置する第２列メモリセル（３２１〜３２６）を形成する工程と、
前記第１列メモリセルの第１メモリセルの第１トンネル誘電体（１５０２または２１００）及び前記第２列メモリセルの第２メモリセルの第２トンネル誘電体（１５０２，２１００）を形成する工程と、
前記第１トンネル誘電体を覆う形に前記第１メモリセルの第１電荷蓄積層（１５０３，２３００）を、及び前記第２トンネル誘電体を覆う形に前記第２メモリセルの第２電荷蓄積層（１５０３，２３００）を形成する工程と、
前記第１電荷蓄積層を覆う形に前記第１メモリセルの第１制御ゲート（１５０５，２４００）を、及び前記第２電荷蓄積層を覆う形に前記第２メモリセルの第２制御ゲート（１５０５，２４００）を、前記第１制御ゲート及び前記第２制御ゲートは同じ行に在り、かつ共通ワード線を通して電気的に接続されるように形成する工程と、
前記第１列メモリセルの各メモリセルのドレイン領域に電気的に接続される第１ビット線（３０９１）を形成する工程と、
前記第２列メモリセルの各メモリセルのドレイン領域に電気的に接続される第２ビット線（３０９２）を形成する工程と、
前記第１列メモリセルの各メモリセルのソース領域に電気的に接続される第１ソース線（３０５１）を、前記第１ソース線及び前記第１列メモリセルの少なくとも一つのメモリセルのソース領域は前記第１ウェル領域に電気的に接続されるように形成する工程と、
前記第２列メモリセルの各メモリセルのソース領域に電気的に接続される第２ソース線（３０５２）を、前記第２ソース線及び前記第２列メモリセルの少なくとも一つのメモリセルのソース領域は前記第２ウェル領域に電気的に接続されるように形成する工程とを備える、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行されたときに請求項１乃至４のいずれか記載の方法を実行する、コンピュータ読み取り可能な媒体に記憶されたプログラムコード手段を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１〜５０重量％のカーボン粒子、
０．１〜１５重量％の高度にフッ素化されたポリマー、および
０．１〜１５重量％のアミンオキシド界面活性剤
を含む、水性コーティング組成物。
【請求項２】
前記アミンオキシド界面活性剤が、式ＩＩ：
Ｒ3Ｎ→Ｏ  （ＩＩ）
（式中、各Ｒは独立して、エーテル酸素を含んでも良く、アルコール基で置換されても良く、さらに置換されても良い、１〜２０個の炭素を含有するアルキル基から選択される）によって示されるアルキルジメチルアミンオキシドである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記アミンオキシド界面活性剤が２００℃未満の分解温度を有し、前記高度にフッ素化されたポリマーが焼結温度を有し、前記アミンオキシド界面活性剤が前記焼結温度よりも少なくとも５℃低い分解温度を有する、請求項１又は２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む有機発光素子であって、前記発光層が、
凝集体発光材料、及び
モノマー発光材料
を含み、
前記凝集体発光材料からの発光が、前記モノマー発光材料からの発光よりエネルギーが低く、かつ前記凝集体発光材料と前記モノマー発光材料の複合発光が、可視スペクトルを十分に包含して白色発光をもたらし、
前記凝集体発光材料及び／又は前記モノマー発光材料が、りん光により発光し；又は、
前記凝集体発光材料が、エキシマーであり、かつ、前記発光層が単一の層からなり；又は、
前記凝集体発光材料及び／又は前記モノマー発光材料が、りん光により発光し、かつ、前記凝集体発光材料が、エキシマーである、
有機発光素子。
【請求項２】
陽極、正孔輸送層、電子輸送層、及び、陰極を更に含む請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
陽極、正孔輸送層、及び、陰極を更に含み、前記発光層が、電子輸送層又は正孔輸送層である請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記正孔輸送層が発光層である請求項２又は３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記電子輸送層が発光層である請求項２又は３に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記発光層が単一の層からなる請求項１〜５の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記凝集体発光材料が、エキシマーである請求項１〜６の何れかに記載の有機発行素子。
【請求項８】
前記凝集体発光材料及び前記モノマー発光材料が、りん光により発光する請求項１〜７の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記凝集体発光材料及び前記モノマー発光材料が、同一の化合物を含む請求項１〜８の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記凝集体発光材料及び前記モノマー発光材料が、りん光を発する有機金属化合物である請求項１〜９の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記凝集体発光材料が、ＦＰｔ（ａｃａｃ）を含み、前記モノマー発光材料が、ＦＩｒ（ｐｉｃ）を含む請求項１〜１０の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記複合発光が、少なくとも約８０の演色評価数を有する請求項１〜１１の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記複合発光が、約０．３０から約０．４０のＣＩＥｘ座標及び約０．３０から約０．４５のＣＩＥｙ座標を有する請求項１〜１２の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記発光層が、エキシマー発光材料又は励起錯体発光材料を含み、モノマー発光材料を含む請求項１〜１３の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１５】
前記発光材料が、りん光を発する有機金属化合物である請求項１〜１４の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記発光層が、ポリマーマトリックスをさらに含む請求項１〜１５の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１７】
前記ポリマーマトリックスが、ＰＶＫである請求項１〜１６の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１８】
式Ｉの化合物
【化１】
2005514754.tif 000001
（式中、２、４、５、６、及び、それぞれの４‘の位置の置換基は、独立して、水素、フェニル又はポリフェニルから選択される。）
を含むマトリックス材料を更に含む請求項１〜１７の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項１９】
前記マトリックス材料が、下記式の化合物
【化２】
2005514754.tif 000002
を含む請求項１８に記載の有機発光素子。
【請求項２０】
電子障壁層を更に含む請求項１〜１９の何れかに記載の有機発光素子。
【請求項２１】
前記電子障壁層が、前記正孔輸送層と前記発光層との間に配置されている；又は、
前記電子障壁層が、ｆａｃ−イリジウム(ＩＩＩ)トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムを含む；又は
前記電子障壁層が、ｆａｃ−イリジウム(ＩＩＩ)トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムを含み、かつ、前記正孔輸送層と前記発光層との間に配置されている、請求項２０に記載の有機発光素子。
【請求項２２】
発光層を含む有機発光素子であって、
前記発光層が、Ｎ，Ｎ’−メタ−ジカルバゾロイルベンゼンを含むマトリックス材料を含む、
有機発光素子。
【請求項２３】
前記素子が青色発光素子又は白色発光素子である請求項２２に記載の有機発光素子。
【請求項２４】
発光層及び電子障壁層を含む有機発光素子であって、
前記電子障壁層が、ｆａｃ−トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム(ＩＩＩ)を含む、有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月13日(2006.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
送風機を備えた、送風機回路；
振動可能なアパーチャプレートを備えるエアロゾル発生器であって、エアロゾルを該送風機回路へと放出するように構成されている、エアロゾル発生器；および
液体を保持し、かつ該エアロゾル発生器と接続するように構成された噴霧器本体を備える、噴霧器、
を備える、システム。
【請求項２】
ハウジングをさらに備え、そして前記エアロゾル発生器と連絡しているリザバをさらに備え、ここで前記噴霧器本体がキー要素を備え、そして該噴霧器が該ハウジング中に挿入される場合、該キー要素が、該ハウジングと鍵合わせされる場合に該リザバへの接近を提供し、これによって液体が該噴霧器から該リザバに移される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記振動可能なアパーチャプレートが、第１の面、第２の面およびそれらを通る複数のアパーチャを有するエアロゾル化要素、ならびに振動要素を備え；そして
前記システムは、該振動要素に接続されたコントローラーをさらに備え、
ここで、前記リザバが、前記エアロゾル発生器のエアロゾル化要素の第１の面と液体連絡している、
請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記コントローラーが、複数の記憶された作動プログラムを備える、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記コントローラーが、前記エアロゾル発生器に、呼吸サイクルの第１の所定の時間においてエアロゾル生成を開始させ、該呼吸サイクルの第２の所定の時間においてエアロゾル生成を停止させるように構成されており、そして該コントローラーが、呼吸パターンに基づいてエアロゾル生成の時間間隔を調整するように構成されている、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記コントローラーが、患者の１つ以上の測定された呼吸特徴に基づいて前記振動要素を振動させる、請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記リザバ上に配置されたスリットシール膜をさらに備え、ここで前記噴霧器が、前記キー要素が前記ハウジングと鍵合わせされて前記液体が該噴霧器から該リザバに移されることを可能にする場合に、該スリットシール膜を通じて突出するように構成されている、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
呼吸サイクルの第１の所定の時間を感知するセンサをさらに備え、ここで、該センサが、前記コントローラーと連絡している、請求項３に記載のシステム。
【請求項９】
前記コントローラーが、ある間隔の間エアロゾルを提供するように構成されており、該間隔は、呼気期の一部分および連続する吸気期の一部分を含み、該呼気期の開始後に始まり、そして該連続する吸気期の間に終わる、請求項３に記載のシステム。
【請求項１０】
前記液体をさらに含み、ここで該液体が抗生物質を含有する、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記請求項１乃至６のいずれか一項に記載のステップを実行する命令セットを有するコンピュータープログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴霧器であって、以下：
医薬流体を含む医薬バイアルアセンブリ；
該医薬バイアルアセンブリと流体連絡して係合する、リザーバーアセンブリ；
該リザーバーアセンブリと流体連絡して取り付けられる、エアロゾル発生器；ならびに
滴定機構であって、以下：該医薬バイアルアセンブリに対して作動するよう配置されたプランジャー、該プランジャーと機械的に係合するスクリューアセンブリ、該スクリューアセンブリと機械的に係合する滴定制御機構、および該プランジャーの線形移動を引き起こすように該スクリューアセンブリに対して作動するよう配置されたアクチュエータボタンを備える、滴定機構、
を備え；
ここで、該滴定制御機構の作動は、該アクチュエータボタンが押される場合に、該プランジャーが移動を引き起こされる線形距離を選択的に設定し、ここで、該プランジャーの移動は、該バイアルアセンブリから該リザーバーアセンブリ内へと流体を移動させるような様式で、該バイアルアセンブリに対して該プランジャーを作用させ、そしてここで、該リザーバーアセンブリ内の該流体が、該エアロゾル発生器の作動によって、霧として該リザーバーから排出され得る、噴霧器。
【請求項２】
前記医薬バイアルアセンブリが、タブを有するカラーをさらに備え、そして前記リザーバーアセンブリが、該タブとインターロックして該バイアルアセンブリと該リザーバーアセンブリとを一緒に保持する、移動止めを備える、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項３】
前記タブが、前記移動止めとインターロックして、連結が解かれることを防止し、そして前記バイアルアセンブリおよび前記リザーバーアセンブリを一緒に保持する、請求項２に記載の噴霧器。
【請求項４】
前記医薬バイアルアセンブリが、複数のタブを有するカラーをさらに備え、そして前記リザーバーアセンブリが、該タブ内でインターロックして、該バイアルアセンブリと該リザーバーアセンブリとを一緒に保持する、複数の移動止めを備える、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項５】
前記リザーバーアセンブリが、リザーバーおよび該リザーバーと流体連絡するカニューレを備え、そして該カニューレが、前記医薬バイアルアセンブリと流体連絡して係合する、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項６】
前記医薬バイアルアセンブリが、前記プランジャーの前進によって移動され得る可動部分を備える、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項７】
前記リザーバーアセンブリが、前記医薬バイアルアセンブリと永続的に係合している、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項８】
前記滴定機構が、ノブおよび視覚的指標を備え、該ノブは、前記噴霧器に回転可能に取り付けられており、そして該回転の程度が、前記プランジャーの移動距離を設定し、そして該視覚的指標は、該ノブの回転により作用され、該プランジャーの選択された距離での移動によって押しのけられる流体の量の視覚的指標を提供する、請求項１に記載の噴霧器。
【請求項９】
前記視覚的指標が、数値表示を備え、そして該数値表示は、各々、前記プランジャーの選択された距離での移動によって押しのけられる流体の量に対応する数値を示し得る数値表示である、請求項８に記載の噴霧器。
【請求項１０】
前記滴定機構が、電子的に作動可能な数値表示および前記ノブの回転に応答する電子回路を備える、請求項９に記載の噴霧器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移植可能な生物適合性マトリックス及び当該生物適合性マトリックスの上又は中に堆積されて培養されることにより女性の生殖器官又は組織を形成する少なくとも２つの異なる細胞集団を含む、女性の生殖器官又は組織の再構築のための構築物であって、但し、２つの異なる細胞集団の少なくとも一つが当該生物適合性マトリックスの上又は中に堆積された女性の生殖細胞集団を含む、構築物。
【請求項２】
第１の細胞集団が実質上均質な女性生殖上皮細胞集団を含む、請求項１記載の構築物。
【請求項３】
第２の細胞集団が実質上均質な平滑筋細胞集団を含む、請求項１又は２記載の構築物。
【請求項４】
女性の生殖器官又は組織の構造が、膣、子宮、輸卵管及び子宮頸からなる群から選択される、請求項１乃至３の何れか１項記載の構築物。
【請求項５】
生物適合性マトリックスが、エーテルセルロース、セルロース、セルロースでできたエステル、フッ素化ポリエチレン、ポリ−４−メチルペンテン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリベンゾキサゾル、ポリカーボネート、ポリシアノアリルエーテル、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレン、ポリフルオロオレフィン、ポリグリコール酸、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリオキサジアゾル、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルフィド、ポリスルフォン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリチオエーテル、ポリトリアゾール、ポリウレタン、ポリビニル、ポリビニリデンフルオリド、再生セルロース、尿素−フォルムアミド、又はこれらの物質のコポリマー又は自然の（physical）ブレンドからなる群から選択される少なくとも一つのポリマー材料から形成される、請求項１乃至４の何れか１項記載の構築物。
【請求項６】
生物適合性マトリックスが脱細胞された構造を含む、請求項１乃至５の何れか１項記載の構築物。
【請求項７】
生物適合性マトリックスがポリグリコール酸ポリマーを含む、請求項１乃至６の何れか１項記載の構築物。
【請求項８】
女性の生殖器官又は組織の構造が、マトリックスの表面上に堆積された女性生殖上皮細胞及びマトリックスの別の表面上に堆積された平滑筋細胞を有する女性生殖器官である、請求項１乃至７の何れか１項記載の構築物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が個別の軸を確定する複数の湾曲セグメントを含む最小エネルギー状態の二次形態に形成したフィラメント状構造を含む血管塞栓装置であって、
前記最小エネルギー状態下に多数の軸を確定し、前記湾曲セグメントが、極大部及び極小部を有する実質的に正弦波形を確定する波状の開いたループであり、前記極大部及び極小部の各々が半径長さｒの円弧を確定し、各円弧が概略２ｒより短い長さを有する直線セクションによって隣り合う円弧と連結される血管塞栓装置。
【請求項２】
各湾曲セグメントが、平面と、該平面に実質的に直交する軸とを確定する請求項１の装置。
【請求項３】
多数の軸が実質的に平行である請求項１の装置。
【請求項４】
多数の軸の隣り合う各一対が鋭角を形成する請求項１の装置。
【請求項５】
各湾曲セグメントが、相互に連結され実質的に閉じたループである請求項１の装置。
【請求項６】
各湾曲セグメントが波状の開いたループである請求項１の装置。
【請求項７】
各ループが実質的に正弦波の形態を確定する請求項６の装置。
【請求項８】
正弦波の形態が極大部及び極小部を有し、各極大部及び極小部が、半径長さｒの円弧を確定し、各円弧が、概略２ｒより短い長さを有する直線セクションによって隣り合う円弧と連結される請求項７の装置。
【請求項９】
ループが相互に接線方向に配列される請求項５の装置。
【請求項１０】
少なくとも１つのループが隣り合うループに重なる請求項５の装置。
【請求項１１】
各ループが、円弧の一定の角度により分離された半径にして、円の固有の半径に直交する軸を確定する請求項９の装置。
【請求項１２】
最大のループから最小のループまで、漸次直径が減少する複数のループを含む請求項５の装置。
【請求項１３】
最小のループが最初の最小のループであり、最大のループに直ぐ隣り合う第２の最小のループを更に含んでいる請求項１２の装置。
【請求項１４】
所定の最大寸法形状を有する血管部位に組み込むための寸法形状とされ、二次形態下において、前記血管部位の最大寸法よりも少なくとも２５％大きい少なくとも１つの寸法形状を有する請求項１の装置。
【請求項１５】
所定の最大寸法形状を有する血管部位に組み込むための寸法形状とされ、二次形態において前記血管部位の最大直径と概略等しい直径を有する少なくとも１つの湾曲セグメントを有する請求項１の装置。
【請求項１６】
二次形態において血管部位の最大の寸法形状の少なくとも２倍の長さを有する請求項１４の装置。
【請求項１７】
フィラメント状構造が、マイクロコイル、ワイヤ、孔開けワイヤ、螺旋カットワイヤ、チューブ、孔開けチューブ、螺旋カットチューブ、ポリマーフィラメント、ポリマー／金属複合フィラメント、マイクロチェーンからなる群から選択される請求項１の装置。
【請求項１８】
湾曲セグメントの各々が対数螺旋である請求項１の装置。
【請求項１９】
最少エネルギー状態の二次形態において、約３０°以上である円弧の第１の角度にサブテンドし、隣り合う一対のループが、該ループ間に第２の角度を確定し、該第２の角度が、円弧の前記第１の角度の約半分よりも小さい請求項５の装置。
【請求項２０】
各々が平面と、該平面に実質的に直交する個別の軸を確定する、相互に連結した、実質的に閉じた複数のループを含む最小エネルギー状態の二次形態に形成したフィラメント状構造を含む血管塞栓装置であって、
前記複数のループが所定の直径を有する少なくとも１つの中間ループと、該中間ループの直径よりも好ましくは約１．５ｍｍ小さい、若干直径の小さい一対の端部ループとを含む血管塞栓装置。
【請求項２１】
各軸が実質的に平行である請求項２０の装置。
【請求項２２】
各対の隣り合う各軸が鋭角を形成する請求項２０の装置。
【請求項２３】
各閉じたループが相互に接線方向に配列される請求項２０の装置。
【請求項２４】
少なくとも１つのループが、隣り合うループと重なる請求項２０の装置。
【請求項２５】
各ループが、円の固有の半径と直交する軸を確定し、前記半径が、円弧の固定角度により分離される請求項２３の装置。
【請求項２６】
最大のループから最小のループまで直径が漸減する複数のループを含む請求項２０の装置。
【請求項２７】
最小のループが最初の最小のループであり、最大のループに直ぐ隣り合う第２の最少のループを更に含んでいる請求項２６の装置。
【請求項２８】
所定の最大寸法形状を有する血管部位に組み込むための寸法形状とされ、二次形態下において、前記血管部位の最大寸法よりも少なくとも２５％大きい少なくとも１つの寸法形状を有する請求項２０の装置。
【請求項２９】
所定の最大寸法形状を有する血管部位に組み込むための寸法形状とされ、二次形態において前記血管部位の最大直径と概略等しい直径を有する少なくとも１つの湾曲セグメントを有する請求項２０の装置。
【請求項３０】
二次形態において、血管部位の最大の寸法形状の少なくとも２倍の長さを有する請求項２８の装置。
【請求項３１】
フィラメント状構造が、マイクロコイル、ワイヤ、孔開けワイヤ、螺旋カットワイヤ、チューブ、孔開けチューブ、螺旋カットチューブ、ポリマーフィラメント、ポリマー／金属複合フィラメント、マイクロチェーンからなる群から選択される請求項２０の装置。
【請求項３２】
所定の最大直径を有する血管部位を塞栓するための血管塞栓装置であって、
複数の湾曲セグメントを含む最小エネルギー状態の二次形態に形成したフィラメント状構造を含み、該最小エネルギー状態の二次形態下に、前記血管部位の最大直径よりも少なくとも約２５％大きい長さを有する血管塞栓装置。
【請求項３３】
最小エネルギー状態の二次形態下の血管塞栓装置が、血管部位の最大直径の少なくとも約２倍の長さを有するようにした請求項３２の装置。
【請求項３４】
最小エネルギー状態の二次形態下の血管塞栓装置が、血管部位の最大直径と概略等しい直径を有する少なくとも１つの湾曲セグメントを有するようにした請求項３２の装置。
【請求項３５】
湾曲セグメントの各々が、各個別の軸を確定する実質的に閉じたループであるようにした請求項３２の装置。
【請求項３６】
各湾曲セグメントが、各個別の軸を確定する波状の開いたループであるようにした請求項３２の装置。
【請求項３７】
各湾曲セグメントが対数螺旋であるようにした請求項３２の装置。
【請求項３８】
各湾曲セグメントが、球の表面の周囲の通路によって確定され、前記通路が、該通路がその周囲に生じるところの球の周囲の概略中心点位置の固有の焦点と、前記球の半径と等しい距離において前記中心点位置から伸延する半径とによって確定されるようにした請求項３２の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平行な上部主面と下部主面とを有するベースフィルム層を含み、前記ベースの前記上部主面から１平方センチメートルあたり少なくとも５０個の離間したフック部材が突出しており、前記フック部材が前記上部主面から１０００μｍ未満の高さを有しており、それぞれ前記ベースの一端に付加されたステム部分と、前記ベースの側とは反対側の前記ステム部分の端部にヘッド部とを含み、少なくともヘッド部分が前記バッキングの表面に略平行な所与の第１の方向に５０〜２００μｍの厚さを有している、弾性のある可撓性のポリマー樹脂の単体フックファスナー。
【請求項２】
少なくとも前記フックヘッド部分が１０パーセント未満の分子配向を有している、請求項１に記載の単体フックファスナー。
【請求項３】
前記ベース近傍の前記フック部材ベース部分が少なくとも１０パーセントの分子配向を有している、請求項２に記載の単体フックファスナー。
【請求項４】
熱可塑性樹脂を、連続ベース部分キャビティと前記ベース部分キャビティから延在している１つ以上のリッジキャビティを有するダイプレートを通して機械方向に押出す工程であって、押出速度はリッジを有するベース部分を形成する少なくともリッジキャビティを通して流れるポリマー中にメルトフロー分子配向を誘導するのに十分である工程と、前記リッジキャビティを通して押出された熱可塑性樹脂から突出部を形成する工程と、次いで前記突出部の厚さを減じるのに十分な温度および時間で、固化された突出部の少なくとも一部を熱処理する工程とを含む単体ファスナーの形成方法。
【請求項５】
形成されたフックが、分子配向が低減されかつ前記フック部分の前記フックヘッド部分の少なくとも厚さが５〜９０パーセント収縮するのに十分な温度および時間加熱される、請求項４に記載の単一フックファスナーの形成方法。
【請求項６】
略平行な上部主面と下部主面を有するベースと、前記ベースの前記上部主面から突出していて、離間して直立している突出部とを含み、前記突出部の少なくとも一部が上部で１０パーセント未満の分子配向を有し、前記ベースフィルム近傍では１０パーセントを超える分子配向を有している弾性のある可撓性ポリマー樹脂のファスナー。
【請求項７】
略平行な上部主面と下部主面とを有するベース層を含み、離間して直立した一体型ポリマー突出部が、前記ベースの前記上部主面から突出しており、前記ベース層がその幅にわたって実質的に連続した厚さを有しており、前記上部主面上の前記突出部の少なくとも第１の部分が、前記同じ上部主面上の前記突出部の少なくとも第２の部分より小さい厚さまたは分子配向を有しており、前記直立した突出部の一部が１０パーセント未満の分子配向を有している、弾性のある可撓性熱可塑性樹脂のファスナーストリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重特異性アンチセンスオリゴヌクレオチドであって、本質的に、全ての該オリゴヌクレオチドはヒトＩＧＦＢＰ−２をコードする遺伝子の一部に相補的であり、本質的に、全ての該オリゴヌクレオチドはヒトＩＧＦＢＰ−５をコードする遺伝子にも相補的であり、かつ該オリゴヌクレオチドはヒトＩＧＦＢＰ−２およびヒトＩＧＦＢＰ−５のアンチセンスインヒビターとして作用するのに充分な長さである、二重特異性アンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項２】
該オリゴヌクレオチドは本質的に、配列番号１に記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項３】
該オリゴヌクレオチドは、本質的に、配列番号２に記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項４】
該オリゴヌクレオチドは、本質的に、配列番号３〜７のいずれかに記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項５】
該オリゴヌクレオチドは、配列番号１に記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項６】
該オリゴヌクレオチドは、配列番号２に記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項７】
該オリゴヌクレオチドは、本質的に、配列番号３〜７のいずれかに記載される一連の塩基からなる、請求項１に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチド。
【請求項８】
内分泌調節性癌の治療用の薬剤組成物の製造方法であって、請求項１〜７のいずれか１項に記載の二重特異性アンチセンスオリゴを、静脈内、腹腔内、皮下または経口投与のための薬剤学的に許容しうる担体と組合せる工程を含む製造方法。
【請求項９】
内分泌調節性癌に罹患している対象における内分泌調節性癌の治療用の薬剤組成物の製造方法であって、請求項１〜７のいずれか１項に記載の二重特異性アンチセンスオリゴを、静脈内、腹腔内、皮下または経口投与のための薬剤学的に許容しうる担体と組合せる工程を含む製造方法。
【請求項１０】
癌は前立腺癌である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
癌は乳癌である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のアンチセンスオリゴヌクレオチドと薬剤学的に許容しうる担体を含む、薬剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
超高温（ＵＨＴ）処理は最小の化学変化で生成物をもたらすことを可能とするために無菌化する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
直接熱交換器は生成物殺菌のために水蒸気を使用する。注入またはスチーム・イントー・プロダクトシステムと共に水蒸気インジェクターが生成物流中への水蒸気の気泡導入に使用される。生成物よりも高温では水蒸気は殺菌に必要とされる温度に生成物温度を高めるために凝縮する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
インジェクションシステムの代替手段はインフュージョンまたはプロダクト・イントー・スチーム・システムである。これは頂部に注入手段を有する耐蒸気圧容器を基礎としており、円錐をベースとしている。生成物は収集用円錐部中にへの水蒸気ガスに通す。生成物が落下する時に温度が水蒸気と接触して上昇する。加熱された生成物を次いでホールド管を通して水除去および冷却のための膨張用容器中にポンプ供給される。ＵＨＴ法の種類および配置は生成物および要求に従って変動する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
特に本発明は、２〜５重量％の澱粉ｎ−アルケニルスクシナート、好ましくは３〜４重量％の澱粉ｎ−アルケニルスクシナートを含有するＵＨＴ−処理ホワイトソースに関し、そしてＵＨＴ処理後のその粘度は１５００ｍＰａ．ｓ以下、好ましくは１０００ｍＰａ．ｓ以下であり、他方、再加熱の間に粘度は２０００ｍＰａ．ｓ以上、好ましくは２２００ｍＰａ．ｓ以上に増加する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明は更に澱粉ｎ−アルケニルスクシナートを含むＵＨＴ−処理生成物を製造する方法に関し、そして該方法は以下の各段階を包含している：
ａ）澱粉ｎ−アルケニルスクシナートを含む各成分の混合物を製造し、
ｂ）該混合物を５０℃より高い温度、好ましくは７５℃までの温度に予備加熱し、
ｃ）該予備加熱処理した混合物を２０ｂａｒよりも高い圧力で均一化し、
ｄ）該混合物を１２０℃よりも高い温度でＵＨＴによって処理しそして
ｅ）ＵＨＴ処理した生成物を冷却する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ＵＨＴ−処理したホワイトソースを以下の処方によって製造した：
処方：
2005514938.tif 000001
ｎＯＳＡで高度に安定化したタピオカ澱粉は Cerestar 社から入手できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
比較例：
ＵＨＴ−処理したホワイトソースを、ヒドロキシプロピル化タピオカ−ジホスファート（Cerestar社から入手したＣ・Ｃｒｅａｍ  Ｔｅｘ  ７５７０５を使用しそして以下の処方によって製造した：
処方：
┌─────────────┬───────────┐
│成分（％）                │        対照          │
├─────────────┼───────────┤
│大豆油                    │        １０          │
├─────────────┼───────────┤
│スキムド−ミルク          │          ４          │
├─────────────┼───────────┤
│卵黄                      │        １．５        │
├─────────────┼───────────┤
│Ｃ☆Ｃｒｅａｍ  Ｔｅｘ    │          ３          │
│７５７０５（Cerestar）    │                      │
├─────────────┼───────────┤
│水                        │        ８１．５      │
└─────────────┴───────────┘
生成物を実施例１のパラメータに従って処理した。得られるブロックフィールド粘度を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非感染性炎症疾患の重症度、または、非感染性炎症疾患の重症度に対する素因を検出する方法であって、前記方法が、ＭＩＦポリペプチド発現の増加または減少に相関したヒトＭｉｆプロモーターにおける多型を検出することを含み、前記多型の検出が、前記疾患の重症度または前記疾患の重症度に対する素因の指標である、前記方法。
【請求項２】
非感染性炎症疾患が、自己免疫、関節リウマチ、および移植片対宿主疾患からなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ヒトＭｉｆプロモーターにおける多型が、ヒトＭｉｆ遺伝子の−８１７位におけるＣＡＴＴ−テトラヌクレオチド反復多型である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ヒトＭｉｆ遺伝子の−８１７位におけるＣＡＴＴ−テトラヌクレオチド反復多型が、５、６、７、および８反復単位からなる群より選択され、少なくとも1つの対立遺伝子における５反復単位の存在が、低い疾患重症度の存在または素因を示す、請求項３記載の方法。
【請求項５】
ＰＣＲ技術を使用してＭｉｆプロモーターを増幅することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
ヒトＭｉｆプロモーターの領域を増幅するように選択されたＰＣＲプライマーセットであって、前記ＰＣＲプライマーセットが、（ｉ）ＭＩＦ−Ｆ（−１０２４）およびＭＩＦ−Ｒ（−４２１）；（ii）ＭＩＦ−Ｆ（−４４１）およびＭＩＦ−Ｒ（＋４）；（iii）ＭＩＦ−Ｆ（−１３）およびＭＩＦ−Ｒ（＋３９５）；および（iv）ＭＩＦ−Ｆ（＋３７９）よびＭＩＦ−Ｒ（＋１０４３）からなる群より選択される、前記ＰＣＲプライマーセット。
【請求項７】
請求項６記載のプライマーセットを使用することを含む、ヒトＭｉｆプロモーター領域における多型を検出する方法。
【請求項８】
請求項６記載のＰＣＲプライマーセットを含む製造品。
【請求項９】
ヒトＭｉｆプロモーターを含む単離した核酸分子。
【請求項１０】
ゲノムＤＮＡ断片である、請求項９記載の単離した核酸分子。
【請求項１１】
ゲノムＤＮＡ断片が、ヒト被験者のＤＮＡ試料から増幅されている、請求項１０記載の単離した核酸分子。
【請求項１２】
ヒトＭｉｆ遺伝子の−８１７位におけるＣＡＴＴ−テトラヌクレオチド反復多型を含むヒトＭｉｆプロモーターの一部を含む、請求項９記載の単離した核酸分子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
１）タンパク質材料、金属カチオンで沈殿する親水コロイド、及び水を互いに加え、
２）工程１）からの組成物を、均一混合物に形成し、
３）２）からの混合物を少なくとも２価の金属カチオンの溶液と混合して繊維状製品を形成し、
４）繊維状製品を単離する、
タンパク質を含有する肉代用製品の製造方法であって、
５）タンパク質材料が乳タンパク質材料を含み、及び
６）タンパク質材料、金属カチオンで沈殿する親水コロイド、及び水の混合物を、ある量の、カルシウムイオンと複合体を形成することができる材料の存在下で形成する
ことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
最初に、タンパク質材料及び水の混合物を作り、カルシウムイオンと複合体を形成することができる材料をこの混合物に加え、次いで、金属カチオンで沈殿する親水コロイドを導入することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
カルシウムイオンと複合体を形成することができる材料がリン酸塩材料であって、リン酸又はポリリン酸のアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
リン酸塩材料の量が、存在する遊離カルシウムイオンと複合体を形成するのに少なくとも十分な量であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の方法。