【事件の表示】
　特願２００３−２７８８３１「静電放電から保護される薄膜共振器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６４０８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２４日（パリ条約に基づく優先権主張　２００２年７月３０日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成２０年２月２２日付けの拒絶理由通知に対して同年５月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年１１月２７日付けの最後の拒絶理由通知に対して平成２１年６月２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年４月１４日付けで、平成２１年６月２日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年８月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１１月１６日付けで審尋がなされ、平成２４年２月１５日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年８月１６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年８月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１０（平成２０年５月２６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０）を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体基板上に製造された薄膜共振器と、
　不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層と、
　前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッドであって、静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成するボンディングパットと
　を備える装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板上に製造された薄膜共振器であって、底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備え、当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む、薄膜共振器と、
　不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層と、
　前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッドであって、静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成するボンディングパットと
　を備える装置。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「半導体基板上に製造された薄膜共振器」を、「半導体基板上に製造された薄膜共振器であって、底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備え、当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む、薄膜共振器」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項５及び６を削除するとともに、当該削除と整合するように請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項７の「基板上に薄膜共振器を製造するステップ」を、「基板上に薄膜共振器を製造するステップであって、当該薄膜共振器が、底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備え、当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む、ステップ」と補正して、補正後の請求項５とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲（以下「当初特許請求の範囲」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」といい、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の請求項５及び６、並びに当初明細書の００１４段落及び００１５段落に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項と認められる「半導体基板上に製造された薄膜共振器」に対して技術的限定を加えるものであるから、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は、当初特許請求の範囲の請求項５及び６、並びに当初明細書の００１４段落及び００１５段落に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３は、補正前の請求項７に係る発明の発明特定事項と認められる「基板上に薄膜共振器を製造するステップ」に対して技術的限定を加えるものであるから、当該補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願の補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜８係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板上に製造された薄膜共振器であって、底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備え、当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む、薄膜共振器と、
　不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層と、
　前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッドであって、静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成するボンディングパットと
　を備える装置。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭６１−１２７２１７号公報には、第１図〜第５図と共に次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「〔発明の技術分野〕
　
この発明はＵＨＦ帯のフィルタや発振子として用いる圧電薄膜共振子に関するものである
　
ｂ．「〔発明の技術的背景とその問題点〕
　近年、材料技術や加工技術の進歩にともない半導体素子の高密度集積化が推し進められている。
これに対して共振器やフィルタ等の受動部品は半導体素子に比べて小型化の開発が立ち遅れており、電子通信機器等の分野においてはＵＨＦ帯で使用可能な小型の受動部品の開発が望まれている。
（途中略）
　
これに対して、１９８２年に米国IEEEUHrasonic Sympsium Proceeding 82 CH1823-4で開示されているように、ＧａＡｓ等の半導体結晶基板に選択性エッチングにより厚さ十数μｍ以下の誘電膜または不純物濃度の高い半導体薄膜を振動板の一部として残し、下部より細い穴を設け、この上に励振用下部電極を金属の蒸着で形成し、さらにその上に十数μｍ以下のＺｎＯ，ＡｌＮ等の圧電薄膜をマグネトロンスパッタ法等により形成し、最上部に励振用上部電極を蒸着して形成し、振動部全体の厚さが数十μｍ以下になるような構造の圧電薄膜共振子の研究が推し進められている
（途中略）
この圧電薄膜共振子の特徴として・・・第３に、一般的な集積回路と同様に写真蝕刻、蒸着などの技術を用いて半導体ウエファ上に薄膜共振器を形成することができるため、トランジスタ等の能動素子との一体化および集積化が可能となる
　
ｃ．「〔発明の実施例〕
　
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する
　
第１図はダイヤフラム型複合共振子にこの発明を適用させたものである。図において１はＳｉ基板で、このＳｉ基板１の両面にＣＶの法またはスパッタ法等の手段を用いてＳｉＯ
２
膜２，３を形成する。そして基板１の裏側に形成したＳｉＯ
２
膜３の中央部分を正方形に取り除き、ＳｉＯ
２
膜２，３をマスクとして第２図に示すようにＳｉＯ
２
膜２に達するまでＰＥＤ（パイロカテコール，エチレンジアミン，水の混合液）等の異方性エッチング液を用いて異方性エッチングを行ない凹部４を形成する。この凹部４と対向するＳｉＯ
２
からなる基底膜２ａ上にＡｕまたはＡｌを主成分とする金属膜により第１電極５を形成する。さらに、この上にＲＦマグネトロンスパッタ法等の手段を用いてＺｎＯ圧電導膜（審決注：「ＺｎＯ圧電薄膜」の誤記）を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて所望の位置にレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして酢酸を主剤とするエッチング液を用いてエッチングを行ない、基底膜２ａの上方に所定の大きさの圧電薄膜６を形成する。このとき、圧電薄膜６の端部が第３図、第４図に示すようにＳｉ基板１の面に対して傾斜角θが６０°以下になるようにテーパをかける。例えば酢酸，水およびエチレンジアミンからなるエッチング液のエチレンジアミン溶液の量を変えてエッチング液のＰＨに対してＺｎＯ圧電薄端部の傾斜角を調べた結果第５図に示すようにエッチング液のＰＨを６以下で使用することにより圧電導膜（審決注：「圧電薄膜」の誤記）端部の傾斜角を６０°以下に設定することができる。この実施例ではエッチング液のＰＨを４．６以下で使用して傾斜角を４５°以下に抑えた
最後に、圧電薄膜６の上からＡｌ等の金属膜により金属マスク法またはリフトオフ法等の手段を用いて第２電極７を第１電極５と直交する方向に所定の大きさに形成する。このとき、第１電極５と第２電極７はＺｎＯ圧電薄膜６を挾んで少なくとも一部が互いに対向して配置される
ここで８，９は電極５，７から導出してＳｉＯ
２
膜２上に形成したボンディングパッドである
　
（２−２）ここにおいて、上記摘記事項ｃ．並びに第１図及び第２図の記載から、上記摘記事項ｃ．に「発明の一実施例」として記載された「ダイヤフラム型複合共振子」（以下「引用例のダイヤフラム型複合共振子」という。）は、「Ｓｉ基板１」上に形成されていることが明らかである。
　また、上記摘記事項ｃ．並びに第１図及び第２図の記載から、引用発明のダイヤフラム型複合共振子は、Ｓｉ基板１上に形成されたＳｉＯ２からなる基底膜２ａにおける凹部４と対向する部分に、Ａｕ又はＡｌを主成分とする第１電極５、ＺｎＯ圧電薄膜６及びＡｌ等の第２電極７が形成され、第１電極５と第２電極７がＺｎＯ圧電薄膜６を挾んで少なくとも一部が互いに対向して配置される構造であることが明らかである。
　さらに、上記摘記事項ｃ．並びに第１図及び第２図の記載から、引用発明のダイヤフラム型複合共振子は、第１電極５及び第２電極７から各々ボンディングパッド８及び９が導出される構造であることも明らかである。
　
（２−３）したがって、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「Ｓｉ基板１上に形成されたダイヤフラム型複合共振子であって、
　前記Ｓｉ基板１上に形成されたＳｉＯ２からなる基底膜２ａにおける凹部４と対向する部分に、Ａｕ又はＡｌを主成分とする第１電極５、ＺｎＯ圧電薄膜６、及びＡｌ等の第２電極７が形成され、
　前記第１電極５と前記第２電極７が前記ＺｎＯ圧電薄膜６を挾んで少なくとも一部が互いに対向して配置され、
　前記第１電極５及び前記第２電極７から各々ボンディングパッド８及び９が導出されているダイヤフラム型複合共振子。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「Ｓｉ基板１」、「ダイヤフラム型複合共振子」は、各々補正発明の「半導体基板」、「薄膜共振器」に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｓｉ基板１上に形成されたダイヤフラム型複合共振子」は、補正発明の「半導体基板上に製造された薄膜共振器」に相当するとともに、補正発明と引用発明とは、「半導体基板上に製造された薄膜共振器」「を備える装置」である点で一致する。
　
（３−２）引用発明の「Ａｕ又はＡｌを主成分とする第１電極５」、「ＺｎＯ圧電薄膜６」、「Ａｌ等の第２電極７」は、各々補正発明の「底部電極」、「圧電部分」、「頂部電極」に相当する。
　そして、引用発明は、「前記第１電極５と前記第２電極７が前記ＺｎＯ圧電薄膜６を挾んで少なくとも一部が互いに対向して配置され」るものであるから、引用発明の「ＺｎＯ圧電薄膜６」は、「前記第１電極５」及び「前記第２電極７」によって「ＺｎＯ圧電薄膜６」がサンドイッチ状に挟まれる構造となっていることが明らかである。
　したがって、補正発明の「薄膜共振器」と引用発明の「ダイヤフラム型複合共振子」とは、「底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備え」ている点で一致する。
　
（３−３）引用発明の「ボンディングパッド８及び９」は、各々「前記第１電極５及び前記第２電極７から」「導出されている」から、補正発明と引用発明とは、「前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッド」を備えている点で一致する。
　
（３−４）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　
　「半導体基板上に製造された薄膜共振器であって、底部電極及び頂部電極によってサンドイッチ状に挟まれた圧電部分を備えた薄膜共振器と、
　前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッドと
　を備える装置。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「薄膜共振器」の「当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む」ものであるのに対して、引用発明は、「ダイヤフラム型複合共振子」の「圧電薄膜」が「ＺｎＯ」からなるものであり、「第１電極５」及び「第２電極７」が、各々「Ａｕ又はＡｌを主成分とする」もの及び「Ａｌ等」からなるものである点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層」を備えているのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッド」が、「静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成する」ものであるのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）一般に、薄膜共振器において、圧電部分の材料及び電極部分の材料として、各々窒化アルミニウム及びモリブデンを用いることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例１にも記載されているように（圧電部分の材料として窒化アルミニウムを用いることについては、引用例における従来技術の説明である上記（２）（２−１）摘記事項ｂ．にも記載されている。）、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開２００１−１７７３６５号公報
　上記周知例１には、図２と共に次の記載がある。
　「【０００５】
図２は、ブリッジ構造を有するバルク音波共振器の１例を示している。
　「【００１０】
圧電層は、例えばＺｎＯ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、或いはその他の、薄膜として作ることの出来る圧電材料であってよい
【００１１】
好ましくは、電極層を形成するために用いられる材料は、高い音響インピーダンスを有する電導性材料である。電極は、例えばタングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及びタンタル（Ｔａ）などの、任意の適当な金属から成っていてよい
　
　上記記載から、上記周知例１には、薄膜共振器であるブリッジ構造を有するバルク音波共振器において、圧電部分の材料として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用い、電極部分の材料としてモリブデン（Ｍｏ）を用いることが記載されているものと認められる。
　
（４−１−２）したがって、引用発明に接した当業者にとって、「ダイヤフラム型複合共振子」の「圧電薄膜」を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とし、「第１電極５」及び「第２電極７」をモリブデンとすること、すなわち、補正発明のように、「薄膜共振器」の「当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む」ものとすること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　そして、補正発明において、「当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む」ものとすることによる当業者の予測を超えた効果も認められない。
　よって、引用発明において、補正発明のように、「薄膜共振器」の「当該圧電部分が窒化アルミニウムを含み、前記底部電極及び前記頂部電極がモリブデンを含む」ものとすることは当業者が容易になし得たことであるから、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、半導体基板上に種々の素子が形成された装置（半導体装置）において、製造途中や製造後に有害な物質が素子に接することにより性能が劣化することを防止するために、当該装置の表面をシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の不活性材料からなる保護膜で覆うことは当業者における周知技術である。
　半導体基板上に形成された圧電素子についても当然例外ではなく、表面を不活性材料からなる保護膜で覆うことは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例２にも記載されているように、当業者において従来から行われてきているところである。
　
ａ．周知例２：特開平１０−３２４５４号公報
　上記周知例２には、図３と共に次の記載がある。  　
　「【００２７】
次に図３に本発明の第２の実施の形態に係るマイクロ圧電振動子の構成を示し説明する。同図に示されるように、本実施の形態と第１の実施の形態との違いは、圧電振動子２形成面側に水素ガスの侵入を防止する保護膜１４としてシリコン窒化膜或いは圧電振動子を構成する圧電厚膜と同じ材料、例えばＰＺＴ若しくはビスマス層状強誘電体等の層を含む絶縁膜が形成されていることにある
　
　上記記載から、上記周知例２には、圧電素子であるマイクロ圧電振動子の表面を不活性材料であるシリコン窒化膜からなる保護膜で覆うことが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）したがって、引用発明に接した当業者にとって、補正発明のように、「不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層」を備える構成とすること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　なお、付言すれば、その際に、「ボンディングパッド８及び９」の部分には保護層を設けないようにすることは、当該「ボンディングパッド８及び９」が外部と接続するために設けられるものであることからみても、また、一般に、ボンディングパッドを避けて保護層を設けることが、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例３にも記載されているように当業者において常とう的に行われていることからみても、当業者が当然になし得たことである。
　
ａ．周知例３：特開昭５８−５８７５７号公報
　上記周知例３には、第１図と共に次の記載がある。
　「
一般に、半導体装置は水分等の影響を受け故障しやすいため半導体素子表面に絶縁保護膜が形成されている
（途中略）
　第１図は従来の半導体装置の一例の断面図である。
　半導体基板１０に絶縁膜１１を設けて開口し、拡散層１２を形成する。この拡散層１２の所望部分に白金珪化物層１４を形成し、ショット接合又はオーミック接合を得る。
しかる後、スパッタ法あるいは蒸着法等により全表面をアルミニウムで覆い、所望部分を残す選択エッチングを行って所望のアルミニウム配線１５及び電極１６を得る。更に全表面を絶縁膜１７で覆い、電極１６を露出させ内部リード１８を取り付ける
　
　上記記載から、上記周知例３には、半導体装置において、電極１６におけるリード１８が接続される部分、すなわちボンディングパッドの部分を避けて、全表面を絶縁保護膜である絶縁膜１７で覆うことが記載されているものと認められる。
　
（４−２−３）そして、補正発明において、「不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層」を備えることによる当業者の予測を超えた効果も認められない。
　したがって、引用発明において、補正発明のように、「不活性材料からなる、前記薄膜共振器上に製造された保護層」を備える構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
（４−３−１）一般に、半導体装置、特に薄膜を用いた半導体装置が静電放電に伴う過電圧により容易に破壊されてしまうことは当業者の技術常識であり、そのような破壊を防止するということは、当業者における周知の技術課題である。
　薄膜圧電素子を用いた半導体装置についても当然例外ではなく、静電放電に伴う過電圧による破壊を防止するという技術課題は、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例４にも記載されているように、当業者において従来から認識されてきているところである。
　
ａ．周知例４：特開平４−３４３２８０号公報
　上記周知例４には次の記載がある（ここにおいて、特許庁の事務処理システムでは丸付き数字を使用できないので、丸付き数字を「○」とそれに続く数字で代用している。）。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、圧電体で駆動するマイクロアクチェエーターに係り、特に圧電体の電圧破壊を保護する手段を有した微小変位素子及びその製造方法、さらには、かかる微小変位素子を用いた情報処理装置、走査型トンネル顕微鏡に関する
　「【０００４】
しかしながら、微小変位駆動させる圧電薄膜はＺｎＯが用いられており、特に薄膜においては、その破壊電圧は数Ｖ程度で有り、静電気や帯電等で圧電体薄膜の破壊が起こりやすく、極めて外部環境に弱い
　「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来例の問題点に鑑み、本発明の目的とするところは
○１．微小変位素子の耐久性をたかめる。
○２．帯電等による電圧破壊を保護する
【００１１】上記○１及び○２を同時に満足し得る微小変位素子を提供することにある。」
　
　上記記載から、上記周知例４には、圧電薄膜が形成された半導体装置において、帯電等による電圧破壊、すなわち静電放電に伴う過電圧による破壊を防止するという技術課題が記載されているものと認められる。
　
（４−３−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、「ダイヤフラム型複合共振子」の静電放電に伴う過電圧による破壊を防止するという技術課題は直ちに察知し得たことである。
　そして、一般に、半導体装置における過電圧による破壊を防止するための手段として、ボンディングパッドと半導体基板表面により形成されるショットキーダイオードを利用することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例５にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例５：特開平３−５８４６８号公報
　上記周知例５には、第１図及び第２図と共に次の記載がある。
　「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体集積回路装置に関し、特に端子電圧が電源電圧以上に上る半導体集積回路装置のボンディングパッドの構造に関する。」（１ページ左下欄１５行〜右下欄１行）
　「〔実施例〕
　次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
　第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置のチップの縦断面図である。本実施例では、シリコンからなるＰ型半導体基板６及びＮ型エピタキシャル層４を含んでなるチップのエピタキシャル層４の表面からＰ型基板７（審決注：「Ｐ型基板６」の誤記）にかけて選択的に設けられたＰ＋型分離領域３によりそれぞれの素子形成領域に区画されている。Ｎ型エピタキシャル層４とボンディングパッド用電極１とが電気的に接続され、図面には示していないが、Ｎ型エピタキシャル層４上には複数個のＰ型拡散領域が形成され素子を形成しており、電極１と接続している。
更に、ボンディングパッド用電極１をアノード、Ｎ型エピタキシャル層４をカソードとする保護ダイオードとしてのショットキーバリヤーダイオードを構成し、かつ、Ｎ型エピタキシャル層４をＮ
＋
型高濃度拡散領域７を介して電源電圧用アルミ電極で電源電圧でバイアスされた構成を有するものである
　
上記の構成で、ボンディングパッド用アルミ電極の電位が電源電圧以上になると、上記ショットキーバリヤーダイオードが導通し、端子に流入する電流は保護ダイオードとなる上記ショットキーバリヤーダイオードを介してＮ
＋
高濃度拡散領域及び電源電圧用アルミ電極を介して電源端子に流入する
　
　上記記載から、上記周知例５には、半導体集積回路装置において、過電圧による破壊を防止するための手段として、ボンディングパッド用電極１と半導体基板表面のＮ型エピタキシャル層４により形成されるショットキーダイオード（ショットキーバリヤーダイオード）を利用することが記載されているものと認められる。
　
（４−３−３）したがって、引用発明に接した当業者にとって、「ダイヤフラム型複合共振子」の静電放電に伴う過電圧による破壊を防止するという課題を解決するために、「ボンディングパッド８及び９」と「Ｓｉ基板１」の表面により形成されるショットキーダイオードを利用すること、すなわち、補正発明のように、「前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッド」が、「静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成する」構成とすること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　そして、補正発明において、「前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッド」が、「静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成する」構成とすることによる当業者の予測を超えた効果も認められない。
　よって、引用発明において、補正発明のように、「前記薄膜共振器に接続されたボンディングパッド」が、「静電放電から前記薄膜共振器を保護するために、前記半導体基板とともにショットキーダイオードを形成する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおり、相違点１〜３は、いずれも周知の課題及び技術を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、補正発明は、周知の課題及び技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから、補正発明は特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年８月１６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下され、平成２１年６月２日に提出された手続補正書による補正は原審において却下されているので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成２０年５月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭６１−１２７２１７号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。