【事件の表示】
　特願２００５−　１３３９５「加速度センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月　３日出願公開、特開２００６−２０１０４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・拒絶の理由
　本願は、平成１７年１月２０日の出願であって、明細書及び特許請求の範囲について平成２２年１月２７日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、同年２月１９日同日付けで拒絶査定がなされ（送達：同年同月２３日）、これに対し、同年５月２１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に、明細書及び特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　そして、原査定の拒絶の理由は、補正１によって補正された本願の特許請求の範囲に記載の各発明は、主たる引用例として引用され、出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１３６４９４号公報（発明の名称：マイクロ構造体、物理量検出装置及びその製造方法、出願人：住友金属工業株式会社、公開日：平成１５年５月１４日、以下、「引用例」という。）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた、というものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲に記載の各請求項のうち３つの独立請求項は、それぞれ次のとおり補正された。
（本件補正前）
「【請求項１】
　錘部と、
　前記錘部の周辺に配置された支持部と、
　所定の厚みを有する帯状をなし、前記錘部を前記支持部に可撓的に連結する梁部と、
　前記梁部と前記錘部との境界線付近の内部、及び／又は前記梁部と前記支持部との境界線付近の内部に形成された歪検出素子と、
　前記歪検出素子の両端部にそれぞれ形成され、低抵抗値拡散層からなる接合部と、
　前記支持部及び前記梁部に形成され、前記接合部の形成領域内に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列されるように開孔され、且つ前記低抵抗値拡散層を共有する複数のコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項４】
　前記錘部、前記錘部の周辺に配置された支持部、及び前記錘部と前記支持部とを可撓的に連結する梁部を有する加速度センサであって、
　前記加速度センサの前記梁部の端部近傍に形成され、低抵抗値拡散層からなる接合部と、
　前記接合部上に形成された中間膜と、
　前記中間膜に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列して開孔され且つ前記低抵抗拡散層を共有する複数のコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項５】
　錘部、前記錘部の周辺に配置される支持部、及び前記錘部と前記支持部とを可撓的に連結する梁部をそれぞれ画成する開口部を有する加速度センサであって、
　前記加速度センサの前記梁部の端部近傍に形成され、低抵抗値拡散層からなる接合部と、
　前記接合部上に形成され且つ前記開口部に沿って直列に複数形成され且つ前記低抵抗値拡散層を共有するコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。」
（本件補正後）
「【請求項１】
　錘部と、
　前記錘部の周辺に配置された支持部と、
　所定の厚みを有する帯状をなし、前記錘部を前記支持部に可撓的に連結する梁部と、
　前記梁部と前記錘部との境界線付近の内部、及び／又は前記梁部と前記支持部との境界線付近の内部に形成された歪検出素子と、
　前記歪検出素子の両端部にそれぞれ形成され、低抵抗値拡散層からなる接合部と、
　前記支持部及び前記梁部に形成され、前記接合部の形成領域内に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列されるように開孔され、且つ
前記歪検出素子の一端に形成された接合部の
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項４】
　錘部、前記錘部の周辺に配置された支持部、及び前記錘部と前記支持部とを可撓的に連結する梁部を有する加速度センサであって、
　前記加速度センサの前記梁部の端部近傍に形成され、
歪検出素子の一端に接続された
　前記接合部上に形成された中間膜と、
　前記中間膜に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列して開孔され且つ前記低抵抗値拡散層を共有する複数のコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項５】
　錘部、前記錘部の周辺に配置される支持部、及び前記錘部と前記支持部とを可撓的に連結する梁部をそれぞれ画成する開口部を有する加速度センサであって、
　前記加速度センサの前記梁部の端部近傍に形成され、
歪検出素子の一端に接続された
　前記接合部上に形成され且つ前記開口部に沿って直列に複数形成され且つ前記低抵抗値拡散層を共有するコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。」（下線は補正箇所。）
　
　この補正は、請求項１について見ると、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「低抵抗値拡散層」について、「前記歪検出素子の一端に形成された接合部の」との限定を付加するものであり、請求項４について見ると、請求項４に記載した発明を特定するために必要な事項である「低抵抗値拡散層」について、「歪検出素子の一端に接続された」との限定を付加するものであり、請求項５についても、請求項４と同様である。
　よって、この補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）、請求項４に記載された発明（以下、「本願補正発明２」という。）、及び請求項５に記載された発明（以下、「本願補正発明３」という。）が、それぞれ、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（２）引用例記載の事項・引用発明
ア　記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例には、次の事項（ａ）ないし（ｅ）が図面とともに記載されている。
（ａ）「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマイクロ構造体の応用例（加速度センサ）について、その実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるピエゾ抵抗検出型の加速度センサ１０を上面から見た斜視図であり、図２は下面（裏面）から見た斜視図である。この加速度センサ１０は、マイクロ構造体としてのＳＯＩ基板にセンサ回路が形成されたものである。
【００１５】加速度センサ１０は、矩形の枠部１１を有し、枠部１１の中心部には円柱状の重錘体１２が設けられている。この重錘体１２は、枠部１１の各辺の中央部とビーム１３ａ〜１３ｄとにより接続されている。一直線状をなすビーム１３ａ、１３ｂには、Ｘ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４が、これと直交するビーム１３ｃ、１３ｄには、Ｙ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４が、Ｘ軸と平行で、その近傍にある軸上にＺ軸方向の加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４が配されている。
【００１６】そして、四角柱状の補助重錘体１４ａ〜１４ｄがビーム１３ａ〜１３ｄと枠部１１の内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で、重錘体１２に連設されている。加速度センサ１０の寸法は、例えば、縦及び横の長さがそれぞれ２．５ｍｍ、厚みが５６６μｍであり、枠部１１の幅が５００μｍである。そして、重錘体１２の直径が４００μｍ、ビーム１３の長さが５５０μｍ、幅が７０μｍ、補助重錘体１４の縦及び横の長さが６１５μｍ、補助重錘体１４と、ビーム１３及び枠部１１の内周面との間隔が夫々５０μｍである。
【００１７】なお、ピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｙ１〜Ｒｙ４、Ｒｚ１〜Ｒｚ４によって形成される３つのブリッジ回路は上述の図１４と同一である。つまり、ピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４及びＲｙ１〜Ｒｙ４についての回路図は図１４（ａ）と同一であり、ピエゾ抵抗Ｒｚ１〜Ｒｚ４についての回路図は図１４（ｂ）と同一である。
【００１８】加速度が加わった場合、加速度に起因して重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄに外力が作用し、重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄは低位置から変位し、この変位によって生じた機械的歪みがビーム１３ａ〜１３ｄの機械的変形によって吸収され、この上に形成されたピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｙ１〜Ｒｙ４、Ｒｚ１〜Ｒｚ４の抵抗値が変化する。その結果、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すブリッジ回路の平衡がくずれて電圧Ｖｏｕｔが検出される。
【００１９】ここで、Ｘ（Ｙ）軸方向の加速度に対して重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄはモーメントを受け、Ｘ（Ｙ）軸のピエゾ抵抗変化分は加算されて出力されるが、Ｚ軸方向については、変化分が相殺されて出力されない。一方、Ｚ軸方向の加速度に対しては重錘体１２及び補助重錘体１４ａ〜１４ｄは垂直方向に変化し、このためピエゾ抵抗変化分は、Ｚ軸方向については加算されて出力され、Ｘ（Ｙ）軸方向については、相殺されて出力されない。」
（ｂ）「【００２４】次に、この加速度センサ１０の検出動作を安定化させる３つの手法について説明する。つまり、図１４に示されるブリッジ回路の出力信号に現れるスパイク性のノイズの発生を抑制したり、出力信号のドリフトを抑制するのに効果的な第１〜第３の手法について説明する。
【００２５】第１の手法は、ＳＯＩ層１５の電位をブリッジ回路への印加電圧Ｖｄｄ等に固定する方法である。図４は、この第１の安定化手法を説明するための加速度センサ１０の断面図である。ここでは、ＳＯＩ層１５に２つのピエゾ抵抗２３が形成され、ＳＯＩ層１５の上面には酸化膜が形成されている。ＳＯＩ層１５に形成されたピエゾ抵抗２３の両端には、絶縁膜１８を貫通してその上面に露出する金属配線によって、ピエゾ抵抗負電極２１及びピエゾ抵抗正電極２２が形成されている。そして、ピエゾ抵抗２３の左側には、同様の金属配線によって、ＳＯＩ層１５と電気的に接続されるコンタクト電極２０が形成されている。
【００２６】このコンタクト電極２０をブリッジ回路の電源電圧Ｖｄｄ等に接続しておくことで、ＳＯＩ層１５自体の電位を固定することができる。なお、ＳＯＩ層１５は、ｎ型半導体で構成し、ピエゾ抵抗２３は、ｐ型半導体で構成するのが好ましい。ｐ型半導体で形成したピエゾ抵抗のほうが、ｎ型半導体の場合よりも検出感度（同一量のひずみに対する抵抗値の変化量）が大きいからである。
【００２７】したがって、ピエゾ抵抗２３とＳＯＩ層１５とが逆バイアスとなるように、このコンタクト電極２０には、ピエゾ抵抗２３に印加される電圧の中で最も高い電圧と同じかそれよりも大きい電圧を印加すればよい。具体的には、図５（ａ）に示されるように、この加速度センサ１０が持つ３つの（ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸方向の加速度成分を検出する）ブリッジ回路４１〜４３に、１つの電源４０から共通の直流電圧が印加されている場合には、このコンタクト電極２０を電源４０の出力端子に接続するか、あるいは、その電源４０の出力電圧よりも高い電位の端子に接続すればよい。一方、図５（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、３つのブリッジ回路４１〜４３それぞれに、独立した３種類の直流電圧電源４５〜４７から定電流化回路を介した定電流が印加されている場合には、このコンタクト電極２０を３つの電源４５〜４７の中で最も高い電圧を発生している電源の出力端子、あるいは、その電源の出力電圧よりも高い電位の端子に接続すればよい。
【００２８】このような第１の手法によるＳＯＩ層１５の電位固定によって、ブリッジ回路からの出力信号は安定化される。これは、ピエゾ抵抗２３と接するＳＯＩ層１５の電位がフローティング状態となってしまうことに起因する回路の不安定性が解消されるためと考えられる。」
（ｃ）「【００３２】加速度センサ１０による検出動作を安定化させる第３の手法は、上述のコンデンサの両電極を電気的に短絡させる方法である。図７は、この第３の安定化手法を説明するための加速度センサ１０の断面図である。ここでは、最上面の絶縁膜１８、ＳＯＩ層１５及び埋め込み絶縁膜１６を貫通して支持基板１７に達するコンタクトホールが形成され、そのコンタクトホール内にＳＯＩ層１５と支持基板１７とを導通させる金属配線（コンタクト電極２４）が施されている。」
（ｄ）「【００３６】図９は、上記第３の手法におけるコンタクト電極２４の詳細な製造工程を示す図である。まず、図９（ａ）に示されるように、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層１５に不純物を拡散することによってピエゾ抵抗２３を形成した後に、酸化膜である絶縁膜１８を形成する（第１の工程）。
【００３７】次に、図９（ｂ）に示されるように、絶縁膜１８をエッチングした後に、ＳＯＩ層１５をエッチングし、さらに、埋め込み絶縁膜１６をエッチングすることによって、支持基板１７に達する支持基板１７用のコンタクトホール３５を形成する（第２の工程）。
【００３８】続いて、図９（ｃ）に示されるように、上記第１の工程で形成したピエゾ抵抗２３の両端部に対応する絶縁膜１８をエッチングすることで、ピエゾ抵抗２３用のコンタクトホール３６ａ、３６ｂを形成する（第３の工程）。
【００３９】最後に、図９（ｄ）に示されるように、上記支持基板１７用のコンタクトホール３５とピエゾ抵抗２３用のコンタクトホール３６ａ、３６ｂに金属配線を施すことで、ＳＯＩ層１５と支持基板１７とを短絡させるコンタクト電極２４、及び、ピエゾ抵抗２３の負電極２１と正電極を形成する（第４の工程）。
【００４０】このようにして、ピエゾ抵抗２３及びその電極の形成と並行して、ＳＯＩ層１５と支持基板１７とを短絡させるコンタクト電極２４を効率よく形成することができる。なお、本図においては、支持基板１７用のコンタクトホール３５を形成した後に（第２の工程）、ピエゾ抵抗２３用のコンタクトホール３６ａ、３６ｂを形成したが（第３の工程）、第２の工程における絶縁膜１８のエッチング処理と並行して第３の工程を実施することとしてもよい。」
（ｅ）「【００４３】また、コンタクトホール３５、３６ａ、３６ｂを形成した後に（第２及び第３の工程）、次の金属配線による電極２１、２２、２４の形成に先立ち、図１０（ｂ）に示されるように、コンタクトホール３５、３６ａ、３６ｂの底面に相当する支持基板１７及びピエゾ抵抗２３中に、イオン注入等によって高濃度不純物３８ａ〜３８ｃを形成しておくのが好ましい。支持基板１７及びピエゾ抵抗２３と、次の金属配線で形成される金属電極との電気的な接触（オーミック性）をより確実にするためである。」　
　
イ　引用発明
　上記記載事項（ａ）及び図１ないし３に記載された半導体加速度センサ１０、上記記載事項（ｂ）及び図４，５に記載された上記半導体加速度センサ１０の検出動作を安定化させるための第１の安定化手法に関する説明、並びに上記記載（ｃ）ないし（ｅ）及び図７，９，１０（ｂ）に記載された、同じく第３の安定化手法に関する説明から、次の技術事項（ア）を把握することができる。
（ア）「重錐体１２と、前記重錐体１２の周辺に配置された枠部１１と、所定の厚みを有する帯状をなし、前記重錐体１２を前記枠部１１に可撓的に連結するビーム１３ａ〜１３ｄと、前記重錐体１２、前記枠部１１及び前記ビーム１３ａ〜１３ｄをそれぞれ画成する開口部を有する加速度センサ１０であって、
　前記ビーム１３ａ〜１３ｄと前記重錐体１２との境界線付近の内部、及び前記ビーム１３ａ〜１３ｄと前記枠部１１との境界線付近の内部に形成されたピエゾ抵抗２３（Ｒｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｙ１〜Ｒｙ４）と、前記ピエゾ抵抗２３の両端部にそれぞれ形成される高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと、前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃ上に形成された絶縁膜１８と、前記絶縁膜１８に開孔されるとともに、前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成された前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃのピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線と、を備えた加速度センサ１０。」
　
　また、引用例に記載の、ビーム１３ａ〜１３ｄに設けられたピエゾ抵抗２３であるピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４やピエゾ抵抗Ｒｙ１〜Ｒｙ４が、それぞれブリッジ回路を構成する（上記記載事項（ａ）や図１４（ａ）を参照のこと。）ようにした加速度センサにあっては、金属配線を枠部１１やビーム１３ａ〜１３ｄに形成する必要があり、特に、ビーム１３ａ〜１３ｄに形成された金属配線は、ビーム１３ａ〜１３ｄの長手方向に形成されるものであることは、技術常識である。
　この点については、例えば、特開２００３−１０１０３３号公報（発明の名称：半導体加速度センサー）に示された引出し電極４０や、特開平１１−１６０３４８号公報（発明の名称：半導体加速度センサ）に示された配線４を参照のこと。
　よって、引用例の記載事項（ａ）、図１４（ａ）、及び上記技術常識を踏まえると、次の技術事項（イ）を把握することができる。
（イ）「枠部１１に形成されるとともに、ビーム１３ａ〜１３ｄの長手方向に形成された金属配線。」
　
　以上の技術事項（ア）、（イ）を総合すると、引用例から次の発明を把握することができる。
「重錐体１２と、
　前記重錐体１２の周辺に配置された枠部１１と、
　所定の厚みを有する帯状をなし、前記重錐体１２を前記枠部１１に可撓的に連結するビーム１３ａ〜１３ｄと、
　前記重錐体１２、前記枠部１１及び前記ビーム１３ａ〜１３ｄをそれぞれ画成する開口部を有する加速度センサ１０であって、
　前記ビーム１３ａ〜１３ｄと前記重錐体１２との境界線付近の内部、及び前記ビーム１３ａ〜１３ｄと前記枠部１１との境界線付近の内部に形成されたピエゾ抵抗２３と、
　前記ピエゾ抵抗２３の両端部にそれぞれ形成される高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと、
　前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃ上に形成された絶縁膜１８と、
　前記枠部１１及び前記ビーム１３ａ〜１３ｄの長手方向に形成された金属配線であって、前記絶縁膜１８に開孔されるとともに、前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成されたピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線と、
　を備えた加速度センサ１０。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３）本願補正発明１について
ア　対比
　本願補正発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「重錐体１２」、「枠部１１」、「ビーム１３ａ〜１３ｄ」、、「ピエゾ抵抗２３」、「高濃度不純物３８ｂ，３８ｃ」、「ピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（３６ｂ）」、「金属配線」及び「加速度センサ１０」は、本願補正発明１における、「錘部」、「支持部」、「梁部」、「歪検出素子」、「低抵抗値拡散層からなる接合部」、「コンタクトホール」、「配線」及び「加速度センサ」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明における「前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成されたピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線」も、本願補正発明１における「前記接合部の形成領域内に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列されるように開孔され、且つ前記歪検出素子の一端に形成された接合部の前記低抵抗値拡散層を共有する複数のコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線」も、共に、「前記接合部の形成領域内に開孔され、かつ前記歪検出素子の一端に形成されたコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線」である点で共通する。
　
　してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「錘部と、
　前記錘部の周辺に配置された支持部と、
　所定の厚みを有する帯状をなし、前記錘部を前記支持部に可撓的に連結する梁部と、
　前記梁部と前記錘部との境界線付近の内部、及び／又は前記梁部と前記支持部との境界線付近の内部に形成された歪検出素子と、
　前記歪検出素子の両端部にそれぞれ形成され、低抵抗値拡散層からなる接合部と、
　前記支持部及び前記梁部に形成され、前記接合部の形成領域内に開孔され、且つ前記歪検出素子の一端に形成されたコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線と、
　を備えたことを特徴とする加速度センサ。」
（相違点１）
　コンタクトホールに関し、本願補正発明１では、「前記接合部の形成領域内に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列されるように開孔され、且つ前記歪検出素子の一端に形成された接合部の前記低抵抗値拡散層を共有する複数のコンタクトホール」と規定しているように、複数のコンタクトホールが、接合部の形成領域内に梁部の長手方向に沿って直列に配列され、それらが低抵抗値拡散層、すなわち接合部を共有しているのに対し、引用発明では、「前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成されたピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線」とあるように、高濃度不純物３８ｂ，３８ｃ（本願補正発明１の「接合部」に相当する。以下、同様。）の形成領域内に開孔されているピエゾ抵抗用コンタクトホール（コンタクトホール）は、ピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）の１つであるにとどまる点。
　
イ　判断
　上記相違点１について検討する。
　一般に、コンタクトホールを介して配線と電気的に接続する際に、配線の方向に沿って複数のコンタクトホールを設けることにより電気的接続をより確実なものとすることは、周知技術である。
　このことについては、例えば、原審で引用された特開平９−５７８８号公報（発明の名称：マトリクス型液晶表示装置、特に、従来例の説明図である図４に示された、上部導電性電極パターン１１に沿って設けられた複数のコンタクトホールパターン１を参照のこと。）や、特開昭６１−１６６０４８号公報（発明の名称：半導体装置、特に、第４図に示された、配線アルミニウム４２に沿って設けられた複数のコンタクトホール４１を参照のこと。）
　本願補正発明１におけるコンタクトホールと同様に、引用発明におけるピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）も、枠部１１やビーム１３ａ〜１３ｄに形成された金属配線とピエゾ抵抗２３とを電気的に接続するとの役割を担うものであるから、引用発明においても、ピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）には、電気的接続を確実なものとすることが当然に要請されているものと認められる。
　よって、引用発明に上記周知技術を適用することで、引用発明において、高濃度不純物３８ｂ（又は３８ｃ）の形成領域内に開孔された１つのピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）を、配線に沿った複数の配列のものとし、高濃度不純物３８ｂ（又は３８ｃ）を共有するようにすることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。
　ところで、上記で説示したように、この種の加速度センサにあっては、梁部に形成された配線は、梁部の長手方向に沿って形成されるものであるから、引用発明に上記周知技術を適用した結果、複数のコンタクトホールは、本願補正発明１のように、「梁部の長手方向に沿って直列に配列されるように開孔され」ることとなる。
　
　そして、引用発明においても本願補正発明と同様に、ピエゾ抵抗２３が、ビーム１３ａ〜１３ｄと重錐体１２との境界線付近や、枠部１１との境界線付近に形成されていることから、該ピエゾ抵抗２３は、加速度センサが受けた加速度に伴い生じる歪みを大きく受けるものである。
　してみると、本願補正発明１が明細書に記載の効果を奏することは、引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測可能なものであって、格別のものであるとも言えない。
　
ウ　まとめ
　したがって、本願補正発明１は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）本願補正発明２について
ア　対比
　本願補正発明２と引用発明とを対比するに、引用発明の「絶縁膜１８」が、本願補正発明２の「中間膜」に相当するほか、その余の相当関係などについては、上記「（３）ア　対比」で説示したとおりである。
　してみると、両者は、以下の点で相違し、その余の点は一致する。
（相違点２）
　コンタクトホールに関し、本願補正発明２では、「前記中間膜に前記梁部の長手方向に沿って直列に配列して開孔され且つ前記低抵抗値拡散層を共有する複数のコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線」と規定しているように、複数のコンタクトホールが、接合部の形成領域内に梁部の長手方向に沿って直列に配列され、それらが低抵抗値拡散層、すなわち接合部を共有しているのに対し、引用発明では、「前記絶縁膜１８に開孔されるとともに、前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成されたピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線」とあるように、ピエゾ抵抗用コンタクトホール（コンタクトホール）は、ピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）の１つであるにとどまる点。
　
イ　判断・まとめ　
　上記相違点２は、上記相違点１と同じ内容であるから、上記「（３）イ　判断」で説示したと同様に、本願補正発明２も、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）本願補正発明３について
ア　対比
　本願補正発明３と引用発明とを対比するに、両者の相当関係などについては、上記「（３）ア　対比」で説示したとおりであるから、両者は、以下の点で相違し、その余の点は一致する。
（相違点３）
　コンタクトホールに関し、本願補正発明３では、「前記接合部上に形成され且つ前記開口部に沿って直列に複数形成され且つ前記低抵抗値拡散層を共有するコンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続される配線」と規定しているように、複数のコンタクトホールが、開口部に沿って直列に配列され、それらが低抵抗値拡散層、すなわち接合部を共有しているのに対し、引用発明では、「前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃの形成領域内に開孔され、かつ、前記ピエゾ抵抗２３の一端に形成されたピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ，３６ｂをそれぞれ介して前記高濃度不純物３８ｂ，３８ｃと電気的に接続される金属配線」とあるように、ピエゾ抵抗用コンタクトホール（コンタクトホール）は、ピエゾ抵抗用コンタクトホール３６ａ（又は３６ｂ）の１つであるにとどまる点。
　
イ　判断・まとめ　
　上記相違点３に関し、本願補正発明３は、「前記接合部上に形成され且つ前記開口部に沿って直列に複数形成され且つ前記低抵抗値拡散層を共有するコンタクトホール」と規定しているように、複数のコンタクトホールは、開口部に沿って直列に配列される、としているのであるが、このことは、本願明細書、特許請求の範囲及び図面の記載を総合するに、複数のコンタクトホールが開口部を画成する片に沿って直列に配列される、と解するのが自然である。
　してみると、相違点３は、実質的に相違点１と同じ内容であるから、上記「（３）イ　判断」で説示したと同様に、本願補正発明３も、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）むすび
　以上のとおり、本願補正発明１、本願補正発明２、及び本願補正発明３は、いずれも独立特許要件を充足せず、よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、補正１によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１、請求項４及び請求項５に係る発明は、上記「２．（１）補正の内容（本件補正前）」に記載のとおりである。
　以下、請求項１に係る発明を「本願発明１」と、請求項４に係る発明を「本願発明２」と、請求項５に係る発明を「本願発明３」という。
　
（２）引用例記載の事項・発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例に記載の事項及び引用発明は、前記「２．（２）引用例記載の事項・引用発明」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１から「低抵抗値拡散層」についての限定事項である「歪検出素子の一端に形成された接合部の」との発明特定事項を省いたものであり、本願発明２は、本願補正発明２から「低抵抗値拡散層」についての限定事項である「歪検出素子の一端に接続された」との発明特定事項を省いたものであり、本願発明３も、本願補正発明３から「低抵抗値拡散層」についての限定事項である「歪検出素子の一端に接続された」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明１ないし３の発明特定事項を、それぞれ、すべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明１ないし３が、前記「２．（３）本願補正発明１について」、前記「２．（４）本願補正発明２について」及び前記「２．（５）本願補正発明３について」で説示したとおり、いずれも、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１ないし３も、同様の理由により、いずれも、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１、本願発明２及び本願発明３は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。