(57)【要約】【課題】熱履歴を低減しつつ、封止性に優れた物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】物理量センサーの製造方法は、加速度センサー素子７を収容する第１収容部Ｓ１と、その内外を連通する第１貫通孔３２１と、角速度センサー素子４を収容する第２収容部Ｓ２と、その内外を連通する第２貫通孔３２２と、を有するパッケージ３を準備する工程と、第１、第２貫通孔３２１、３２２に第１、第２封止材３３１、３３２を配置する工程と、パッケージ３を第１封止材３３１の融点よりも高く第２封止材３３２の融点よりも低い温度に加熱し、第１封止材３３１を溶融して第１収容部Ｓ１を封止する工程と、第１封止材３３１を第２封止材３３２の融点以下の温度に維持しつつ、第２封止材３３２をその融点よりも高い温度に加熱し、第２封止材３３２を溶融して第２収容部Ｓ２を封止する工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１物理量センサー素子を収容する第１収容部と、前記第１収容部の内外を連通している第１貫通孔と、第２物理量センサー素子を収容する第２収容部と、前記第２収容部の内外を連通している第２貫通孔と、を有するパッケージを準備する工程と、
前記第１貫通孔に第１封止材を配置し、前記第２貫通孔に前記第１封止材よりも融点が高い第２封止材を配置する工程と、
第１雰囲気下において、前記パッケージを前記第１封止材の融点よりも高く前記第２封止材の融点よりも低い第１温度に加熱し、前記第１封止材を溶融して前記第１収容部を第１雰囲気で封止する工程と、
第２雰囲気下において、前記第１封止材を前記第２封止材の融点以下の温度に維持しつつ、前記第２封止材を前記第２封止材の融点よりも高い第２温度に加熱し、前記第２封止材を溶融して前記第２収容部を第２雰囲気で封止する工程と、を含んでいることを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項２】
前記第２封止材を溶融する工程では、前記第２封止材に局所的に熱を加える請求項１に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項３】
前記第２封止材を溶融する工程では、前記第２封止材にエネルギー線を照射する請求項１に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項４】
前記第２封止材を溶融する工程は、前記パッケージを前記第１温度以下とした状態で行われる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項５】
前記第２封止材を溶融する工程は、前記パッケージを前記第１封止材の融点以下の温度とした状態で行われる請求項４に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項６】
前記パッケージは、基板と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を有する蓋体と、を有し、
前記基板と前記蓋体とは、前記第１封止材を溶融する工程に先立って接合される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項７】
前記パッケージは、基板と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を有する蓋体と、を有し、
前記基板と前記蓋体とは、前記第１封止材を溶融する工程において接合される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項８】
前記第１物理量センサーは、加速度センサー素子であり、
前記第２物理量センサーは、角速度センサー素子である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項９】
前記第２雰囲気は、前記第１雰囲気よりも減圧されている請求項８に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項１０】
第１物理量センサー素子を収容する第１収容部と、
前記第１収容部の内外を連通している第１貫通孔と、
前記第１貫通孔を封止している第１封止材と、
第２物理量センサー素子を収容する第２収容部と、
前記第２収容部の内外を連通している第２貫通孔と、
前記第２貫通孔を封止している第２封止材と、を備えたパッケージを有し、
前記第１封止材および前記第２封止材は、互いに融点が異なっていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項１１】
請求項１０に記載の物理量センサーを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の物理量センサーを有することを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、角速度および加速度を共に検出可能な複合センサーとして、特許文献１の構成が知られている。特許文献１の複合センサーは、角速度センサー素子および加速度センサー素子と、これら素子を収容するパッケージと、を有している。また、角速度センサー素子および加速度センサー素子を異なる雰囲気中で封止するのが好ましいため、パッケージは、角速度センサー素子を収容する第１空間と加速度センサー素子を収容する第２空間とに仕切られている。また、パッケージには第２空間を所定雰囲気とするためのスルーホールが設けられ、このスルーホールは、第２空間を所定雰囲気とした後に封止材によって封止される。
【０００３】
また、特許文献２には、電子部品を収容するためのパッケージが開示されている。このパッケージは、箱状のベースと、ベースの開口を塞ぐ蓋と、を有し、ベースと蓋は、第１封止材で接合されている。また、ベースにはその内外を連通する凹部が形成され、この凹部は、第１封止材よりも融点の高い第２封止材で封止されている。このような構成とすると、パッケージを徐々に加熱していくことで、初めに第１封止材が溶融してベースと蓋とが接合され、次に第２封止材が溶融してパッケージ内の空間が気密封止されるため、パッケージ内の空間に第１封止材からのアウトガス等が残存し難くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−５９５０号公報
【特許文献２】特開２０１２−４９２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような特許文献２の構成を前述の特許文献１の構成に組み合わせると、例えば、以下のような複合センサーの製造方法が可能となる。すなわち、まず、角速度センサー素子を収容する第１空間に繋がる第１スルーホールと、加速度センサー素子を収容する第２空間に繋がる第２スルーホールと、を設け、第１スルーホールに融点の低い第１封止材（溶融前の封止材）を配置し、第２スルーホールに融点の高い第２封止材を配置する。次に、環境を第１空間に適した雰囲気とし、その状態で、第１封止材の融点温度以上、第２封止材の融点未満の温度まで加熱する。すると、第１封止材のみが溶融し、第１空間が所定雰囲気で封止される。次に、環境を第２空間に適した雰囲気とし、その状態で、第２封止材の融点以上の温度まで加熱する。すると、第２封止材が溶融し、第２空間が所定雰囲気で封止される。
【０００６】
しかしながら、このような製造方法では第１封止材を溶融した後に第２封止材を溶融するためにさらに温度を高めるため、第１封止材の粘度が低下してしまい、例えば、第１スルーホールから第１封止材が漏れ出し、第１スルーホールの封止性が低下したり、漏れ出した第１封止材により角速度センサー素子の特性が変化したりするおそれがある。さらには、熱履歴が大きくなり、応力が内在してしまうおそれもある。
【０００７】
本発明の目的は、熱履歴を低減しつつ、封止性に優れた物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の物理量センサーの製造方法は、第１物理量センサー素子を収容する第１収容部と、前記第１収容部の内外を連通している第１貫通孔と、第２物理量センサー素子を収容する第２収容部と、前記第２収容部の内外を連通している第２貫通孔と、を有するパッケージを準備する工程と、
前記第１貫通孔に第１封止材を配置し、前記第２貫通孔に前記第１封止材よりも融点が高い第２封止材を配置する工程と、
第１雰囲気下において、前記パッケージを前記第１封止材の融点よりも高く前記第２封止材の融点よりも低い第１温度に加熱し、前記第１封止材を溶融して前記第１収容部を第１雰囲気で封止する工程と、
第２雰囲気下において、前記第１封止材を前記第２封止材の融点以下の温度に維持しつつ、前記第２封止材を前記第２封止材の融点よりも高い第２温度に加熱し、前記第２封止材を溶融して前記第２収容部を第２雰囲気で封止する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【０００９】
このような方法によれば、第１封止材を溶融した後、第２封止材を溶融する際に、第１封止材の過剰な加熱が防止されるため、第１収容部の封止性が低下することを低減することができる。また、パッケージに対する熱履歴も低減され、パッケージに応力が内在（残存）することも低減することができる。
【００１０】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第２封止材を溶融する工程では、前記第２封止材に局所的に熱を加えることが好ましい。
これにより、より確実に、第１封止材やパッケージの過剰な加熱が低減される。
【００１１】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第２封止材を溶融する工程では、前記第２封止材にエネルギー線を照射することが好ましい。
これにより、より局所的に第２封止材を加熱することができる。
【００１２】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第２封止材を溶融する工程は、前記パッケージを前記第１温度以下とした状態で行われることが好ましい。
【００１３】
これにより、第１封止材の過剰な加熱を防止しつつ、第２封止材をなるべく高温まで加熱しておくことができる。そのため、第２封止材のみを溶融させるために第２封止材に加える熱を小さく済ますことができる。
【００１４】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第２封止材を溶融する工程は、前記パッケージを前記第１封止材の融点以下の温度とした状態で行われることが好ましい。
【００１５】
これにより、第１封止材が固化した状態で第２封止材を溶融することができ、第１収容部内の雰囲気をより確実に維持することができる。
【００１６】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記パッケージは、基板と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を有する蓋体と、を有し、
前記基板と前記蓋体とは、前記第１封止材を溶融する工程に先立って接合されることが好ましい。
【００１７】
これにより、早い段階で基板と蓋体とが接合されるため、その後のパッケージの取り扱いが容易となる。
【００１８】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記パッケージは、基板と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を有する蓋体と、を有し、
前記基板と前記蓋体とは、前記第１封止材を溶融する工程において接合されることが好ましい。
【００１９】
これにより、基板と蓋体との接合と、第１封止材の溶融とを同じ工程で行うことができるため、製造工程の簡易化を図ることができ、また、熱履歴を低減することもできる。
【００２０】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第１物理量センサーは、加速度センサー素子であり、
前記第２物理量センサーは、角速度センサー素子であることが好ましい。
【００２１】
これにより、角速度と加速度を共に検出することができる複合センサーとなり、利便性に優れた物理量センサーとなる。
【００２２】
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第２雰囲気は、前記第１雰囲気よりも減圧されていることが好ましい。
【００２３】
これにより、第１雰囲気を加速度センサー素子の駆動に適した雰囲気とすることができ、第２雰囲気を角速度センサー素子の駆動に適した雰囲気とすることができる。
【００２４】
本発明の物理量センサーは、第１物理量センサー素子を収容する第１収容部と、
前記第１収容部の内外を連通している第１貫通孔と、
前記第１貫通孔を封止している第１封止材と、
第２物理量センサー素子を収容する第２収容部と、
前記第２収容部の内外を連通している第２貫通孔と、
前記第２貫通孔を封止している第２封止材と、を備えたパッケージを有し、
前記第１封止材および前記第２封止材は、互いに融点が異なっていることを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、第１封止材を溶融して第１貫通孔を封止した後、第２封止材を局所的に加熱・溶融して第２貫通孔を封止することで、第１封止材の過剰な加熱が防止され、第１収容部の封止性が低下することを低減することができる。また、パッケージに対する熱履歴も低減され、パッケージに応力が内在（残存）することも低減することができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２７】
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーの断面図である。
【図２】加速度センサー素子の平面図である。
【図３】加速度センサー素子の平面図である。
【図４】加速度センサー素子の平面図である。
【図５】角速度センサー素子の平面図である。
【図６】角速度センサー素子の平面図である。
【図７】角速度センサー素子の平面図である。
【図８】図１に示す物理量センサーの製造方法の手順を示す図である。
【図９】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１４】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１８】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図１９】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図２０】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【図２２】物理量センサー装置を示す断面図である。
【図２３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図２４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図２５】本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【図２６】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーの断面図である。図２ないし図４は、それぞれ、加速度センサー素子の平面図である。図５ないし図７は、それぞれ、角速度センサー素子の平面図である。図８は、図１に示す物理量センサーの製造方法の手順を示す図である。図９ないし図１６は、それぞれ、図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。なお、以下の説明では、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。また、Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ軸方向」とも言い、Ｙ軸方向に沿う方向を「Ｙ軸方向」とも言い、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ軸方向」とも言う。
【００３１】
［物理量センサー］
図１に示す物理量センサー１は、角速度および加速度を検出することのできる複合センサーである。特に、本実施形態の物理量センサー１は、角速度として、Ｘ軸まわりの角速度ωｘ、Ｙ軸まわりの角速度ωｙおよびＺ軸まわりの角速度ωｚをそれぞれ独立して検出することができ、加速度として、Ｘ軸方向の加速度Ａｘ、Ｙ軸方向の加速度ＡｙおよびＺ軸方向の加速度Ａｚをそれぞれ独立して検出することができる所謂「６軸検出複合センサー」である。このような物理量センサー１は、複数の物理量を検出でき、検出軸も多いため、極めて利便性に優れている。
【００３２】
物理量センサー１は、基板３１と、基板３１に接合された蓋体３２と、を備えたパッケージ３を有している。このようなパッケージ３には第１収容部Ｓ１および第２収容部Ｓ２が独立して設けられており、第１収容部Ｓ１には３つの加速度センサー素子（第１物理量センサー素子）７、８、９が収容され、第２収容部Ｓ２には３つの角速度センサー素子（第２物理量センサー素子）４、５、６が収容されている。
【００３３】
本実施形態では、基板３１は、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）から構成され、蓋体３２は、シリコンから構成されている。このような材料で基板３１と蓋体３２とを構成することで、これら陽極接合によって接合することができる。ただし、基板３１および蓋体３２の材料としては、これに限定されないし、基板３１と蓋体３２との接合方法も陽極接合に限定されず、例えば、ガラスフリットや金属層等の接合材を介して接合してもよい。
【００３４】
なお、基板３１には第１、第２収容部Ｓ１、Ｓ２の内外を連通する溝部（配線の引出し溝）が形成されているが、この溝部は、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２膜３０によって塞がれている。ただし、溝部を塞ぐ部材としては、ＳｉＯ２膜に限定されない。
【００３５】
また、蓋体３２の天井部には第１収容部Ｓ１の内外を連通する第１貫通孔３２１と、第２収容部Ｓ２の内外を連通する第２貫通孔３２２と、が設けられており、第１貫通孔３２１は、第１封止材３３１によって封止され、第２貫通孔３２２は、第２封止材３３２によって封止されている。後述する製造方法でも説明するように、第１貫通孔３２１を介して第１収容部Ｓ１を所望の雰囲気とした後、第１貫通孔３２１を第１封止材３３１で封止することで第１収容部Ｓ１の雰囲気を維持することができ、同様に、第２貫通孔３２２を介して第２収容部Ｓ２を所望の雰囲気とした後、第２貫通孔３２２を第２封止材３３２で封止することで第２収容部Ｓ２の雰囲気を維持することができる。
【００３６】
また、第１封止材３３１と第２封止材３３２は、異なる材料で構成されており、第１封止材３３１の融点Ｔ３３１が第２封止材３３２の融点Ｔ３３２よりも低くなっている。すなわち、Ｔ３３１＜Ｔ３３２なる関係を満足している。
【００３７】
このような第１、第２封止材３３１、３３２としては、特に限定されず、一般的に用いられる材料、例えば、Ａｕ（金）／Ｓｎ（錫）系合金、Ａｕ（金）／Ｇｅ（ゲルマニウム）系合金、Ａｕ（金）／Ａｌ（アルミニウム）系合金等の各種金属材料、低融点ガラス等のガラス材料等を用いることができる。ここで、一般的に、Ａｕ／Ｓｎ系合金の融点＜Ａｕ／Ｇｅ系合金の融点＜Ａｕ／Ａｌ系合金の関係となっていることから、例えば、第１封止材３３１としてＡｕ／Ｓｎ系合金を用い、第２封止材３３２としてＡｕ／Ｇｅ系合金を用いてもよい。また、第１封止材３３１としてＡｕ／Ｓｎ系合金またはＡｕ／Ｇｅ系合金を用い、第２封止材３３２としてＡｕ／Ａｌ系合金を用いてもよい。
【００３８】
次に、加速度センサー素子７、８、９について簡単に説明する。第２収容部Ｓ２内には、基板３１の上面に開放する３つの凹部３７、３８、３９が、例えばＹ軸方向に並んで設けられており、凹部３７上に加速度センサー素子７が配置され、凹部３８上に加速度センサー素子８が配置され、凹部３９上に加速度センサー素子９が配置されている。
【００３９】
図２に示す加速度センサー素子７は、Ｘ軸方向の加速度Ａｘを検出するセンサー素子である。加速度センサー素子７は、可動部７１と、バネ部７２と、固定部７３と、固定検出電極７４、７５と、を有する構造体７０を備えている。このような構造体７０は、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチング（例えば、反応性イオンエッチング等のドライエッチング）によってパターニングすることで一括形成されている。
【００４０】
可動部７１は、基部７１１と、基部７１１からＹ軸方向両側に突出している複数の可動検出電極７１２と、を有している。そして、基部７１１の両端部にバネ部７２の一端部が接続されている。バネ部７２の他端部は、固定部７３に接続されており、固定部７３は、基板３１に固定されている。また、固定検出電極７４、７５は、基板３１に固定されており、可動検出電極７１２を間に挟んで設けられている。そして、可動検出電極７１２と固定検出電極７４、７５との間に、それぞれ、静電容量が形成されている。
【００４１】
基板３１の凹部３７の周囲には溝部３７１、３７２、３７３が設けられており、溝部３７１、３７２、３７３内には配線Ｌ７１、Ｌ７２、Ｌ７３が設けられている。配線Ｌ７１は、導電性バンプＢ７１を介して固定部７３と電気的に接続されており、配線Ｌ７２は、導電性バンプＢ７２を介して固定検出電極７４と電気的に接続されており、配線Ｌ７３は、導電性バンプＢ７３を介して固定検出電極７５と電気的に接続されている。また、配線Ｌ７１、Ｌ７２、Ｌ７３の一端部は、それぞれ、端子Ｔとなっており、蓋体３２の外側に位置している（図１参照）。
【００４２】
このような加速度センサー素子７は、次のようにして加速度Ａｘを検出することができる。加速度Ａｘが物理量センサー１に加わると、加速度Ａｘの大きさに基づいて、可動部７１が、バネ部７２を弾性変形させながら、Ｘ軸方向に変位する。可動部７１が変位することで、可動検出電極７１２と固定検出電極７４とのギャップおよび可動検出電極７１２と固定検出電極７５とのギャップが変化し、それに伴って、これらの間の静電容量が変化する。そのため、この静電容量の変化量に基づいて加速度Ａｘを検出することができる。
【００４３】
図３に示す加速度センサー素子８は、Ｙ軸方向の加速度Ａｙを検出するセンサー素子である。加速度センサー素子８は、前述した加速度センサー素子７の向きを９０°回転させた以外は、加速度センサー素子７と同様である。そのため、加速度センサー素子８の説明は、省略する。
【００４４】
図４に示す加速度センサー素子９は、Ｚ軸方向の加速度Ａｚを検出するセンサー素子である。加速度センサー素子９は、可動部９１と、梁部９２と、固定部９３と、を有する構造体９０を備えている。このような構造体９０は、前述の構造体７０と同様に、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで一括形成されている。
【００４５】
可動部９１は、梁部９２によって固定部９３に接続されており、固定部９３は、基板３１に固定されている。このような可動部９１は、梁部９２により形成された回動軸Ｊ９まわりにシーソー揺動するようになっている。また、可動部９１は、平面視で、回動軸Ｊ９の一方側に位置する可動検出電極９１１と、回動軸Ｊ９の他方側に位置する可動検出電極９１２と、を有し、可動検出電極９１１、９１２は、加速度Ａｚが加わったときの回転モーメントが互いに異なるように設計されている。また、凹部３９の底面には、可動検出電極９１１と対向する固定検出電極９４と、可動検出電極９１２と対向する固定検出電極９５と、が設けられている。そして、可動検出電極９１１、９１２と固定検出電極９４、９５との間に、それぞれ、静電容量が形成されている。
【００４６】
基板３１の凹部３９の周囲には溝部３９１、３９２、３９３が設けられており、溝部３９１、３９２、３９３内には配線Ｌ９１、Ｌ９２、Ｌ９３が設けられている。配線Ｌ９１は、導電性バンプＢ９１を介して固定部９３と電気的に接続されており、配線Ｌ９２は、固定検出電極９４と電気的に接続されており、配線Ｌ９３は、固定検出電極９５と電気的に接続されている。また、配線Ｌ９１、Ｌ９２、Ｌ９３の一端部は、端子Ｔとなっており、蓋体３２の外側に位置している（図１参照）。
【００４７】
このような加速度センサー素子９は、次のようにして加速度Ａｚを検出することができる。加速度Ａｚが物理量センサー１に加わると、可動部９１は、回動軸まわりにシーソー揺動する。このような可動部９１のシーソー揺動によって、可動検出電極９１１と固定検出電極９４とのギャップおよび可動検出電極９１２と固定検出電極９５とのギャップが変化し、それに伴って、これらの間の静電容量が変化する。そのため、この静電容量の変化量に基づいて加速度Ａｚを検出することができる。
【００４８】
以上、加速度センサー素子７、８、９について説明した。このような加速度センサー素子７、８、９が収容されている第１収容部Ｓ１は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されて、使用温度（−４０℃〜８０℃程度）で、ほぼ大気圧（例えば、２．０×１０４〜２．０×１０５Ｐａ程度）となっている。第１収容部Ｓ１を大気圧とすることで、粘性抵抗が増してダンピング効果が発揮され、加速度センサー素子７、８、９の可動部７１、８１、９１の振動を速やかに収束（停止）させることができる。そのため、加速度Ａｘ、Ａｙ、Ａｚの検出精度が向上する。
【００４９】
次に、角速度センサー素子４、５、６について簡単に説明する。第２収容部Ｓ２内には、基板３１の上面に開放する３つの凹部３４、３５、３６が、例えばＹ軸方向に並んで設けられており、凹部３４上に角速度センサー素子４が配置され、凹部３５上に角速度センサー素子５が配置され、凹部３６上に角速度センサー素子６が配置されている。
【００５０】
図５に示す角速度センサー素子４は、Ｘ軸まわりの角速度ωｘを検出するセンサー素子である。角速度センサー素子４は、Ｙ軸方向に並んだ２つの構造体４０（４０ａ、４０ｂ）を有している。各構造体４０は、振動部４１と、駆動バネ部４２と、固定部４３と、可動駆動電極４４と、固定駆動電極４５、４６と、検出用フラップ板４７と、梁部４８と、を有している。このような構造体４０は、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで一括形成されている。
【００５１】
振動部４１は、矩形の枠体であり、その４隅に駆動バネ部４２の一端部が接続されている。駆動バネ部４２の他端部は、固定部４３に接続されており、固定部４３は、基板３１に固定されている。また、可動駆動電極４４は、振動部４１に設けられている。一方、固定駆動電極４５、４６は、基板３１に固定されており、可動駆動電極４４を間に挟んで設けられている。
【００５２】
検出用フラップ板４７は、振動部４１の内側に配置されており、梁部４８によって振動部４１に連結されている。検出用フラップ板４７は、梁部４８により形成された回動軸まわりに回動（傾倒）可能となっている。また、凹部３４の底面には、検出用フラップ板４７と対向して固定検出電極４９が設けられており、検出用フラップ板４７と固定検出電極４９との間に静電容量が形成されている。
【００５３】
基板３１の凹部３４の周囲には溝部３４１、３４２、３４３、３４４、３４５が設けられており、溝部３４１、３４２、３４３、３４４、３４５内には配線Ｌ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４、Ｌ４５が設けられている。配線Ｌ４１は、導電性バンプＢ４１を介して固定部４３と電気的に接続されており、配線Ｌ４２は、導電性バンプＢ４２を介して固定駆動電極４５と電気的に接続されており、配線Ｌ４３は、導電性バンプＢ４３を介して固定駆動電極４６と電気的に接続されており、配線Ｌ４４は、構造体４０ａの固定検出電極４９と電気的に接続されており、配線Ｌ４５は、構造体４０ｂの固定検出電極４９と電気的に接続されている。また、配線Ｌ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４、Ｌ４５の一端部は、端子Ｔとなっており、蓋体３２の外側に位置している。
【００５４】
以上のような角速度センサー素子４は、次のようにして角速度ωｘを検出することができる。まず、可動駆動電極４４と固定駆動電極４５、４６との間に駆動電圧を印加し、２つの振動部４１をＹ軸方向に互いに逆位相で振動させる。この状態で、物理量センサー１に角速度ωｘが加わると、コリオリ力が働き、２つの検出用フラップ板４７が回動軸Ｊ４まわりに互いに逆位相で変位する。検出用フラップ板４７が変位することで、検出用フラップ板４７と固定検出電極４９とのギャップが変化し、それに伴ってこれらの間の静電容量が変化する。そのため、この静電容量の変化量に基づいて角速度ωｘを検出することができる。
【００５５】
図６に示す角速度センサー素子５は、Ｙ軸まわりの角速度ωｙを検出するセンサー素子である。角速度センサー素子５は、前述した角速度センサー素子４の向きを９０°回転させた以外（すなわち、Ｘ軸方向に構造体５０ａ、５０ｂが並ぶように配置した以外）は、角速度センサー素子４と同様である。そのため、角速度センサー素子５の説明は、省略する。
【００５６】
図７に示す角速度センサー素子６は、Ｚ軸まわりの角速度ωｚを検出するセンサー素子である。角速度センサー素子６は、Ｘ軸方向に並んだ２つの構造体６０（６０ａ、６０ｂ）を有している。構造体６０は、振動部６１と、可動部６２と、検出バネ部６３と、駆動バネ部６４と、固定部６５と、可動駆動電極６６と、固定駆動電極６７１、６７２と、固定検出電極６８１、６８２と、を有している。このような構造体６０は、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで一括形成されている。
【００５７】
振動部６１は、矩形の枠体であり、その４隅に駆動バネ部６４の一端部が接続されている。駆動バネ部６４の他端部は、固定部６５に接続されており、固定部６５は、基板３１に固定されている。可動駆動電極６６は、振動部６１に設けられている。固定駆動電極６７１、６７２は、基板３１に固定されており、可動駆動電極６６を間に挟んで設けられている。
【００５８】
可動部６２は、振動部６１の内側に配置されており、検出バネ部６３によって振動部６１に連結されている。可動部６２は、矩形の枠状をなす基部６２１と、基部６２１の内側に配置され、Ｘ軸方向に延在する可動検出電極６２２と、を有している。固定検出電極６８１、６８２は、基板３１に固定されており、可動検出電極６２２を間に挟んで設けられている。そして、可動検出電極６２２と固定検出電極６８１との間、および、可動検出電極６２２と固定検出電極６８２との間には、それぞれ、静電容量が形成されている。
【００５９】
基板３１の凹部３６の周囲には溝部３６１、３６２、３６３、３６４、３６５が設けられており、溝部３６１、３６２、３６３、３６４、３６５内には配線Ｌ６１、Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４、Ｌ６５が設けられている。配線Ｌ６１は、導電性バンプＢ６１を介して固定部６５と電気的に接続されており、配線Ｌ６２は、導電性バンプＢ６２を介して固定駆動電極６７１と電気的に接続されており、配線Ｌ６３は、導電性バンプＢ６３を介して固定駆動電極６７２と電気的に接続されており、配線Ｌ６４は、図示しない導電性バンプを介して固定検出電極６８１と電気的に接続されており、配線Ｌ６５は、図示しない導電性バンプを介して固定検出電極６８２と電気的に接続されている。また、配線Ｌ６１、Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４、Ｌ６５の一端部は、端子Ｔとなっており、蓋体３２の外側に位置している（図１参照）。
【００６０】
以上のような角速度センサー素子６は、次のようにして角速度ωｚを検出することができる。まず、可動駆動電極６６と固定駆動電極６７１、６７２との間に駆動電圧を印加し、駆動バネ部６４を弾性変形させつつ、２つの振動部６１をＸ軸方向に逆位相で振動させる。この状態で、物理量センサー１に角速度ωｚが加わると、コリオリ力が働き、２つの可動部６２が、検出バネ部６３を弾性変形させつつＹ軸方向に逆位相で振動する。可動部６２が振動することで、可動検出電極６２２と固定検出電極６８１とのギャップおよび可動検出電極６２２と固定検出電極６８２とのギャップが変化し、それに伴ってこれらの間の静電容量が変化する。そのため、この静電容量の変化量に基づいて角速度ωｚを検出することができる。
【００６１】
以上、角速度センサー素子４、５、６について説明した。このような角速度センサー素子４、５、６が収容されている第２収容部Ｓ２は、減圧状態（例えば、０．０１〜１０Ｐａ程度）となっている。これにより、粘性抵抗が減り、角速度センサー素子４、５、６の振動部４１、５１、６１を効率的にかつ安定して振動させることができる。そのため、角速度ωｘ、ωｙ、ωｚの検出精度が向上する。
【００６２】
［物理量センサー１の製造方法］
次に、物理量センサー１の製造方法について、図８ないし図１６に基づいて詳細に説明する。物理量センサー１の製造方法は、図８に示すように、加速度センサー素子７、８、９を収容する第１収容部Ｓ１と、第１収容部Ｓ１の内外を連通する第１貫通孔３２１と、角速度センサー素子４、５、６を収容する第２収容部Ｓ２と、第２収容部Ｓ２の内外を連通する第２貫通孔３２２と、を有するパッケージ３を準備するパッケージ準備工程と、第１貫通孔３２１に第１封止材３３１を配置し、第２貫通孔３２２に第２封止材３３２を配置する封止材配置工程と、第１雰囲気下において、第１、第２封止材３３１、３３２を第１封止材３３１の融点Ｔ３３１よりも高く第２封止材３３２の融点Ｔ３３２よりも低い第１温度に加熱し、第１封止材３３１を溶融して第１収容部Ｓ１を第１雰囲気で封止する第１収容部封止工程と、第２雰囲気下において、第１封止材３３１を第２封止材の融点Ｔ３３２以下の温度に維持しつつ、第２封止材３３２をその融点Ｔ３３２よりも高い第２温度に加熱し、第２封止材３３２を溶融して第２収容部Ｓ２を第２雰囲気で封止する第２収容部封止工程と、を含んでいる。以下、これら各工程について順次詳細に説明する。
【００６３】
（パッケージ準備工程）
まず、図９に示すように、基板３１を用意する。この基板３１は、ガラス基板の上面にフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて凹部および溝部を形成し、その後、必要箇所に電極および配線を配置することで得られる。なお、電極および配線は、例えば、基板３１に金属膜を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで得られる。
【００６４】
次に、図１０に示すように、基板３１の上面に、各センサー素子４〜９の母材となるシリコン基板Ｓを陽極接合によって接合する。ただし、基板３１とシリコン基板Ｓの接合方法としては、陽極接合に限定されない。
【００６５】
次に、必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）等によってシリコン基板Ｓを薄肉化し、さらに、シリコン基板Ｓにリン、ボロン等の不純物をドープして、シリコン基板Ｓに導電性を付与する。次に、シリコン基板Ｓをエッチング（好ましくは、反応性イオンエッチング等のドライエッチング）によりパターニングすることで、図１１に示すように、センサー素子４〜９を得る。
【００６６】
次に、蓋体３２を用意する。このような蓋体３２は、例えば、シリコン基板をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニング（凹凸を形成する）ことで得られる。そして、図１２に示すように、蓋体３２を基板３１に突き合わせて、電圧と熱を加えることでこれらを陽極接合し、さらに、ＳｉＯ２膜３０によって基板３１と蓋体３２との隙間（溝部）を塞ぐ。これにより、パッケージ３が得られる。このように、本工程において、基板３１と蓋体３２とを接合しておくことで、後の工程において、これらのズレが発生しないため、取り扱いが容易となる。
【００６７】
ただし、基板３１と蓋体３２の接合方法としては、陽極接合に限定されず、例えば、ガラスフリットや金属層等の接合材を介して接合してもよいし、プラズマ照射等によって互いの接合界面を活性化させて接合する活性化接合を用いてもよい。
【００６８】
（封止材配置工程）
次に、第１封止材３３１と、第１封止材３３１の融点Ｔ３３１よりも高い融点Ｔ３３２を有する第２封止材３３２と、を用意し、図１３に示すように、第１貫通孔３２１に第１封止材３３１を配置し、第２貫通孔３２２に第２封止材３３２を配置する。なお、この状態では、第１、第２封止材３３１、３３２は、それぞれ、ボール状をなしており、第１、第２貫通孔３２１、３２２と第１、第２封止材３３１、３３２との間には隙間が形成されている。
【００６９】
前述したように、第１、第２封止材３３１、３３２としては、Ｔ３３１＜Ｔ３３２の関係を満足していれば、特に限定されないが、本実施形態では、第１封止材３３１としてＡｕ／Ｓｎ系合金の封止材（融点：約２８０℃）を用い、第２封止材３３２としてＡｕ／Ｇｅ系合金の封止材（融点：約３６０℃）を用いている。また、融点Ｔ３３１、Ｔ３３２の温度差としては特に限定されないが、例えば、５０℃以上、２００℃以下程度であることが好ましく、６０℃以上、１００℃以下程度であることがより好ましい。
【００７０】
（第１収容部封止工程）
次に、図１４に示すように、パッケージ３をチャンバーＣ内に配置する。なお、このチャンバーＣ内にはステージ状のヒーターＨが設けられており、このヒーター状にパッケージ３を配置することでパッケージ３を加熱することができるようになっている。そして、ヒーターＨによってパッケージ３をほぼ２５℃に維持しつつ、チャンバーＣ内を真空引きした後、乾燥Ｎ２を導入し、チャンバーＣの内圧を１．０×１０５Ｐａ（第１雰囲気）とする。前述したように、第１、第２貫通孔３２１、３２２と第１、第２封止材３３１、３３２との間には隙間が形成されているため、第１、第２収容部Ｓ１、Ｓ２内もチャンバーＣ内と同様の雰囲気となる。
【００７１】
次に、ヒーターＨによってパッケージ３（第１、第２封止材３３１、３３２）を約２９０℃（すなわち、融点Ｔ３３１以上、融点Ｔ３３２未満の温度。第１温度）まで加熱する。すると、図１５に示すように、第１、第２封止材３３１、３３２のうち、第１封止材３３１のみが溶融し、第１収容部Ｓ１が第１雰囲気で封止される。なお、前述したように、第１封止材３３１の融点Ｔ３３１と第２封止材３３２の融点Ｔ３３２との温度差ΔＴは、約８０℃となっている。そのため、第２封止材３３２を溶融させずに、第１封止材３３１のみを溶融させることができる温度域を十分広く確保することができるため、本工程をより確実かつより容易に行うことができる。
【００７２】
なお、２９０℃に加熱された状態では、第１収容部Ｓ１の内圧が約１．９×１０５Ｐａまで上昇しているが、２５℃まで降温することで第１収容部Ｓ１の内圧は、元の１．０×１０５Ｐａに戻ることになる。また、第１封止材３３１の材料や第１貫通孔３２１の大きさ等にもよるが、本工程では、パッケージ３を融点Ｔ３３１よりも５０℃以上高い温度には加熱しないことが好ましい。これにより、第１封止材３３１の粘性が過度に低下することを防止でき、例えば、溶融した第１封止材３３１が第１貫通孔３２１から垂れて加速度センサー素子７、８、９に付着してしまうことを低減することができる。
【００７３】
（第２収容部封止工程）
次に、パッケージ３の温度を約２９０℃（すなわち、第１収容部封止工程での加熱温度）に保ちつつ、チャンバーＣ内を徐々に減圧して、約２．０Ｐａ程度（第２雰囲気）とする。次に、図１６に示すように、第２封止材３３２にエネルギー線としてレーザーＬを照射して、第２封止材３３２をその融点Ｔ３３２よりも高い温度（第２温度）に加熱する。すると、第２封止材３３２が溶融し、第２収容部Ｓ２が第２雰囲気で封止される。なお、前述したように、融点Ｔ３３１と融点Ｔ３３２との温度差ΔＴは、約８０℃である。そのため、第２封止材３３２を溶融させるために、追加で第２封止材３３２に加えなければならない熱を比較的小さく抑えることができ（本実施形態では７０℃）、第２封止材３３２をより容易に溶融させることができる。なお、２９０℃に加熱された状態では第２収容部Ｓ２の内圧が２．０Ｐａとなっているが、第２収容部Ｓ２の内圧は、２５℃まで降温することで約１．０Ｐａ程度まで下がる。
【００７４】
このように、本工程では、レーザーＬを照射することで第２封止材３３２を局所的に加熱している。そのため、第１封止材３３１やパッケージ３を２９０℃（融点Ｔ３３２以下の温度）に維持しつつ、実質的に第２封止材３３２のみをその融点Ｔ３３２よりも高い温度に加熱することができる。その結果、次の効果を発揮することができる。まず、第１に、第１封止材３３１の過剰な加熱が防止されるため、第１封止材３３１の粘度の低下が低減され（すなわち、第１収容部Ｓ１の気密性を保てる程度の粘度を維持でき）、第２収容部封止工程中における第１収容部Ｓ１の封止性の低下を低減することができる。また、第１封止材３３１の粘度の低下が低減されれば、第１貫通孔３２１から第１封止材３３１が垂れ難くなり、その分、第１封止材３３１が加速度センサー素子７、８、９や配線に付着し難くなる。そのため、加速度センサー素子７、８、９の故障や加速度検知特性の劣化等を低減することができる。第２に、パッケージ３の熱履歴を低減することができ、パッケージ３に応力が内在（残存）してしまうのを低減することができる。
【００７５】
特に、本実施形態では、レーザーＬを照射することで第２封止材３３２を加熱しているため、容易に第２封止材３３２を局所的に加熱することができる。ただし、第２封止材３３２を加熱する方法としては、第２封止材３３２に局所的に熱を加えることができれば、レーザーＬを照射する方法に限定されない。例えば、高い熱伝導性を有するピンの先を第２封止材３３２に接触させ、前記ピンを介して第２封止材３３２に熱を加える方法であってもよい。また、例えば、第１封止材３３１を冷却しつつ、チャンバーＣ内の温度を融点Ｔ３３２以上に高める方法であってもよい。
【００７６】
また、本実施形態では、本工程を、パッケージ３を第１収容部封止工程での加熱温度（２９０℃）に保った状態で行っている。そのため、第２封止材３３２を溶融させるために、レーザー照射によって第２封止材３３２に加える熱を比較的小さくすることができ、第２封止材３３２の溶融を容易に行うことができる。ただし、本工程は、パッケージ３を第１収容部封止工程での加熱温度（２９０℃）以下に保った状態で行ってもよい。特に、パッケージ３を第１封止材３３１の融点Ｔ３３１未満の温度とした状態で行うことで、第１封止材３３１が固化し、第１収容部Ｓ１の高い封止性が確保された状態で本工程を行うことができる。
【００７７】
最後に、パッケージ３の温度を常温に戻すことで、第１、第２封止材３３１、３３２が固化し、物理量センサー１が得られる。
【００７８】
以上、物理量センサー１の製造方法について説明した。このような製造方法によれば、熱履歴を低減しつつ、封止性（特に第１収容部Ｓ１の封止性）に優れた物理量センサー１が得られる。
【００７９】
特に、本実施形態では、加速度センサー素子７、８、９が収容されている第１収容部Ｓ１の封止に融点の低い第１封止材３３１を用い、この第１収容部Ｓ１を先に封止し、角速度センサー素子４、５、６が収容されている第２収容部Ｓ２の封止に融点の高い第２封止材３３２を用い、この第２収容部Ｓ２を後に封止している。そのため、第２収容部Ｓ２をより長くチャンバーＣと連通させておくことができ、その分、第２収容部Ｓ２内の水分等をより十分に除去することができる。角速度センサー素子４、５、６は、前述したように駆動振動させる素子であるため、その特性は、加速度センサー素子７、８、９よりも雰囲気に敏感に反応する。そのため、第２収容部Ｓ２内の水分等を十分に除去することで、角速度センサー素子４、５、６の特性の劣化を低減することができる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
図１７および図１８は、それぞれ、図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【００８１】
以下、第２実施形態の物理量センサーの製造方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８２】
本発明の第２実施形態に係る物理量センサーの製造方法は、基板と蓋体とを接合する工程が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８３】
［物理量センサー１の製造方法］
本実施形態の物理量センサー１の製造方法も、前述した第１実施形態と同様に、パッケージ準備工程と、封止材配置工程と、第１収容部封止工程と、第２収容部封止工程と、を含んでいる。
【００８４】
（パッケージ準備工程）
まず、前述した第１実施形態と同様にして、図１７に示すように、基板３１上にセンサー素子４〜９を形成し、さらに、基板３１上に蓋体３２を配置する。ただし、この状態では、基板３１と蓋体３２とは接合されていない。
【００８５】
（封止材配置工程）
次に、第１貫通孔３２１に第１封止材３３１を配置し、第２貫通孔３２２に第２封止材３３２を配置した後、基板３１と蓋体３２との積層体３００をチャンバーＣ内（ヒーターＨ上）に配置する。そして、ヒーターＨによって積層体３００をほぼ２５℃に維持しつつ、チャンバーＣ内を真空引きした後、乾燥Ｎ２を導入し、チャンバーＣの内圧を１．０×１０５Ｐａ（第１雰囲気）とする。
【００８６】
次に、ヒーターＨで積層体３００を加熱しながら電圧を印加することで、基板３１と蓋体３２とを陽極接合し、さらに、ＳｉＯ２膜３０によって基板３１と蓋体３２との隙間（溝部）を塞ぐ。これにより、図１８に示すように、パッケージ３が得られる。なお、本工程では、積層体３００を融点Ｔ３３１以上には加熱せず、例えば、２７０℃程度に加熱する。これにより、本工程中における第１封止材３３１の溶融を防止することができると共に、積層体３００に陽極接合に必要な熱を十分に加えることができる。
【００８７】
（第１収容部封止工程、第２収容部封止工程）
第１収容部封止工程および第２収容部封止工程は、前述した第１実施形態と同様である。
【００８８】
このような物理量センサー１の製造方法によれば、ヒーターＨを陽極接合時の加熱手段としても用いることができるため、製造工程の簡易化を図ることができる。また、予め第１収容部Ｓ１のための第１雰囲気とした状態で、基板３１と蓋体３２とを陽極接合するため、この陽極接合を終えた後に、速やかに、第１収容部封止工程に移行することができる。特に、陽極接合のためにパッケージ３が２７０℃まで加熱されているため、第１封止材３３１を溶融させるためにパッケージ３を２９０℃まで加熱することが容易であるという点でも、第１収容部封止工程への移行が容易であると言える。
【００８９】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９０】
＜第３実施形態＞
図１９ないし図２１は、それぞれ、図１に示す物理量センサーの製造方法を説明する断面図である。
【００９１】
以下、第３実施形態の物理量センサーの製造方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９２】
本発明の第３実施形態に係る物理量センサーの製造方法は、基板と蓋体の接合と、第１封止材の溶融とを同時に行うこと以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００９３】
［物理量センサー１の製造方法］
本実施形態の物理量センサー１の製造方法も、前述した第１実施形態と同様に、パッケージ準備工程と、封止材配置工程と、第１収容部封止工程と、第２収容部封止工程と、を含んでいる。
【００９４】
（パッケージ準備工程）
まず、前述した第１実施形態と同様にして、図１９に示すように、基板３１上にセンサー素子４〜９を形成し、さらに、基板３１上に蓋体３２を配置する。ただし、この状態では、基板３１と蓋体３２とは接合されていない。
【００９５】
（封止材配置工程）
次に、第１貫通孔３２１に第１封止材３３１を配置し、第２貫通孔３２２に第２封止材３３２を配置した後、基板３１と蓋体３２との積層体３００をチャンバーＣ内（ヒーターＨ上）に配置する。そして、ヒーターＨによって積層体３００をほぼ２５℃に維持しつつ、チャンバーＣ内を真空引きした後、乾燥Ｎ２を導入し、チャンバーＣの内圧を１．０×１０５Ｐａ（第１雰囲気）とする。
【００９６】
（第１収容部封止工程）
次に、ヒーターＨで積層体３００を２９０℃（すなわち、融点Ｔ３３１以上、融点Ｔ３３２未満の温度）に加熱し、図２０に示すように、第１封止材３３１を溶融させて第１貫通孔３２１を塞ぐ。次に、この温度を維持しながら、積層体３００に電圧を印加して、基板３１と蓋体３２とを陽極接合する。さらに、ＳｉＯ２膜３０によって基板３１と蓋体３２との隙間（溝部）を塞ぐ。これにより、図２１に示すように、パッケージ３が得られると共に、第１収容部Ｓ１が封止される。
【００９７】
（第２収容部封止工程）
第２収容部封止工程は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９８】
このような物理量センサー１の製造方法によれば、基板３１と蓋体３２との接合と、第１封止材３３１の溶融とを同時に（同じ工程で）行うことができるため、製造工程の簡易化を図ることができる。また、パッケージ３に加わる熱履歴を低減することもできる。
【００９９】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１００】
［物理量センサー装置］
次に、本発明の物理量センサーを備える物理量センサー装置について説明する。
【０１０１】
図２２は、物理量センサー装置を示す断面図である。
図２２に示す物理量センサー装置１００は、基板１０１と、接着層１０３を介して基板１０１に固定されている物理量センサー１と、接着層１０４を介して物理量センサー１に固定されているＩＣチップ（電子部品）１０２と、を有する。そして、物理量センサー１およびＩＣチップ１０２がモールド材Ｍによってモールドされている。なお、接着層１０３、１０４としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤（ダイアタッチ剤）等を用いることができる。また、モールド材Ｍとしては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
【０１０２】
また、基板１０１の上面には複数の端子１０１ａが配置されており、下面には図示しない内部配線を介して端子１０１ａに接続されている複数の実装端子１０１ｂが配置されている。このような基板１０１としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
【０１０３】
また、ＩＣチップ１０２には、例えば、物理量センサー１を駆動する駆動回路や、物理量センサー１からの信号に基づいて加速度および角速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。このようなＩＣチップ１０２は、ボンディングワイヤー１０５を介して物理量センサー１の端子Ｔと電気的に接続されており、ボンディングワイヤー１０６を介して基板１０１の端子１０１ａに電気的に接続されている。
【０１０４】
このような物理量センサー装置１００は、物理量センサー１を備えているので、優れた信頼性を有している。
【０１０５】
［電子機器］
次に、本発明の物理量センサーを備える電子機器について説明する。
【０１０６】
図２３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【０１０７】
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１が内蔵されている。
【０１０８】
図２４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１０９】
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１が内蔵されている。
【０１１０】
図２５は、本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【０１１１】
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、例えば、手振れ補正に用いられる物理量センサー１が内蔵されている。
【０１１２】
このような電子機器は、物理量センサー１を備えているので、優れた信頼性を有している。
【０１１３】
なお、本発明の電子機器は、図２３のパーソナルコンピューター、図２４の携帯電話機、図２５のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、携帯端末用の基地局、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１１４】
［移動体］
次に、本発明の移動体について説明する。
図２６は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【０１１５】
自動車１５００には物理量センサー１が内蔵されており、例えば、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。
【０１１６】
その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプター（ドローンを含む）で利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量センサー１が組み込まれる。
【０１１７】
以上、本発明の物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１１８】
また、前述した実施形態では、加速度センサー素子が３つ、角速度センサー素子が３つ設けられた構成について説明したが、物理量センサーの構成としては、これに限定されず、少なくとも１つの加速度センサーと、少なくとも１つの角速度センサーが設けられていればよい。
【０１１９】
また、前述した実施形態では、第１物理量センサー素子が加速度センサー素子であり、第２物理量センサー素子が角速度センサー素子である構成について説明したが、物理量センサーの構成としては、これに限定されず、例えば、第１物理量センサー素子が角速度センサー素子であり、第２物理量センサー素子が加速度センサー素子である構成であってもよいし、第１、第２物理量センサー素子の少なくとも一方が、加速度センサー素子および角速度センサー素子以外の物理量センサー素子（例えば、気圧センサー素子）であってもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
１…物理量センサー、３…パッケージ、３０…ＳｉＯ２膜、３００…積層体、３１…基板、３２…蓋体、３２１…第１貫通孔、３２２…第２貫通孔、３３１…第１封止材、３３２…第２封止材、３４、３５、３６、３７、３８、３９…凹部、３４１、３４２、３４３、３４４、３４５、３６１、３６２、３６３、３６４、３６５、３７１、３７２、３７３、３９１、３９２、３９３…溝部、４…角速度センサー素子、４０、４０ａ、４０ｂ…構造体、４１…振動部、４２…駆動バネ部、４３…固定部、４４…可動駆動電極、４５、４６…固定駆動電極、４７…検出用フラップ板、４８…梁部、４９…固定検出電極、５…角速度センサー素子、５０ａ、５０ｂ…構造体、６…角速度センサー素子、６０、６０ａ、６０ｂ…構造体、６１…振動部、６２…可動部、６２１…基部、６２２…可動検出電極、６３…検出バネ部、６４…駆動バネ部、６５…固定部、６６…可動駆動電極、６７１、６７２…固定駆動電極、６８１、６８２…固定検出電極、７…加速度センサー素子、７０…構造体、７１…可動部、７１１…基部、７１２…可動検出電極、７２…バネ部、７３…固定部、７４、７５…固定検出電極、８…加速度センサー素子、９…加速度センサー素子、９０…構造体、９１…可動部、９１１…可動検出電極、９１２…可動検出電極、９２…梁部、９３…固定部、９４、９５…固定検出電極、１００…物理量センサー装置、１０１…基板、１０１ａ…端子、１０１ｂ…実装端子、１０２…ＩＣチップ、１０３、１０４…接着層、１０５、１０６…ボンディングワイヤー、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、Ａｘ、Ａｙ、Ａｚ…加速度、Ｂ４１、Ｂ４２、Ｂ４３、Ｂ６１、Ｂ６２、Ｂ６３、Ｂ７１、Ｂ７２、Ｂ７３、Ｂ９１…導電性バンプ、Ｃ…チャンバー、Ｈ…ヒーター、Ｊ４、Ｊ９…回動軸、Ｌ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４、Ｌ４５、Ｌ６１、Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４、Ｌ６５、Ｌ７１、Ｌ７２、Ｌ７３、Ｌ９１、Ｌ９２、Ｌ９３…配線、Ｌ…レーザー、Ｍ…モールド材、Ｓ…シリコン基板、Ｓ１…第１収容部、Ｓ２…第２収容部、Ｔ…端子、ωｘ、ωｙ、ωｚ…角速度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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