【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４１８５９６２号発明「試料作製装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第４１８５９６２号に係る発明についての手続の概要は次のとおりである。
　平成　９年１０月　１日　原出願（特願平９−２６８３６３号）
　平成１６年　６月　７日　第１分割出願（特願２００４−１６７９３３
　　　　　　　　　　　　　号）
　平成１８年　６月　８日　第２分割出願（特願２００６−１５９２３４
　　　　　　　　　　　　　号）
　平成２０年　３月　７日　本件分割出願（特願２００８−５８６８９号）
　平成２０年　９月１２日　特許権の設定登録（請求項の数２６）
　平成２３年　４月　７日　無効審判請求（請求人）（甲第１〜１０号証）
　平成２３年　７月　８日　答弁書提出（被請求人）（乙第１〜３号証）
　平成２３年１１月　４日　審理事項通知書（当審）
　平成２３年１１月２８日　口頭審理陳述要領書（請求人）
　平成２３年１１月２８日　口頭審理陳述要領書（被請求人）（乙第４〜
　　　　　　　　　　　　　７号証）
　平成２３年１２月　７日　上申書（請求人）
　平成２３年１２月１２日　上申書（被請求人）
　平成２３年１２月１２日　口頭審理・審理終結
　
　第２　請求人の主張の及び証拠方法
（１）請求人の主張
　請求人は、特許第４１８５９６２号の請求項１５に係る発明を無効とする、審判費用は被請求人の負担とするとの審決を求め、無効審判請求、口頭審理（口頭審理陳述要領書及び第１回口頭審理調書を含む）において、下記「（２）証拠方法」において示した甲第１号証〜甲第１０号証を提出し、次に示す無効理由を主張している。
　　　
（無効理由）
　特許第４１８５９６２号の請求項１５係る発明（以下、「本件発明１５」という。）は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、又は、甲第１〜３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許が受けることができないものであり、その本件発明に係る特許は同法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきである。
　
（２）証拠方法
　甲第１号証　：特開平５−５２７２１号公報
　甲第２号証　：特開平９−１９９０６９号公報
　甲第３号証　：特開平６−２３２２３８号公報
　甲第４号証　：特開平１−１８７８２６号公報
　甲第５号証　：「NEW APPLICATIONS OF FOCUSED ION BEAM TECHNIQUE
　　　　　　　　 TO FAILURE ANALYSIS AND PROCESS MONITORING OF 
　　　　　　　　VLSI［集束イオンビーム技術の故障解析の新用途
　　　　　　　　及びＶＬＳＩのプロセスモニタリング］」
　　　　　　　　（K. Nikawa 　1989
　　　　　　　　，International Reliability Physics Symposium
　　　　　　　　， 43−52）
　甲第６号証　：特開平２−１５６４８号公報
　甲第７号証　：特開平３−２８４８２６号公報
　甲第８号証　：特開平２−２９４６４４号公報
　甲第９号証　：「Cross−sectional transmission electron microscopy
　　　　　　　　　 of precisely selected regions from semiconductor 
　　　　　　　　　devices ［半導体デバイスの正確に選択した領域の
　　　　　　　　　断面透過型電子顕微鏡］」
　　　　　　　　（ECG  Kirk他、Inst．Phys．Conf．Ser. No100: 
　　　　　　　　　Section 7  ，1989， 501-506)
　甲第１０号証：「Micromachining and Device Transplantation Using 
　　　　　　　　　Focused Ion Beam［集束イオンビームを
　　　　　　　　　使用するマイクロマシニング及び
　　　　　　　　　デバイス移植］」（Tohru Ishitani 他、Japanese 
　　　　　　　　　Journal of Applied Physics, Vol. 29, No. 10,
　　　　　　　　　 October, 1990, pp. 2283−2287)
　
（３）証拠等の記載
（３−１）甲第１号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第１号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は、当審で付与したものである。以下、同様である。）
　
（甲１−１）「【０００２】
【従来の技術】
従来技術として
集束イオンビーム
ＦＩＢ
【０００３】上記文献の開示内容によれば、図７に示すように、
半導体集積回路から
チップ７１を
切出し
グリッド７２
ＴＥＭ
標準グリッド
に固定し、その後、ＦＩＢを利用してチップ７１に薄膜試料７３を加工・形成し
　
（甲１−２）「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離方法及び分析方法は、上記目的を達成するため、次のように構成される。
１．  本発明に係る試料の分離方法は、
試料の表面に
集束イオンビームを照射
２．  前記分離方法において、好ましくは、試料の一部とプローブの接続を、集束イオンビーム加工により発生したスパッタ粒子による再付着膜により、又はガス雰囲気中での集束イオンビーム照射により形成したビーム誘起堆積膜により行う。
３．  前記の各分離方法において、好ましくは、集束イオンビーム加工が、反応ガス雰囲気中でのガス支援エッチングである。
４．  前記の分離方法において、好ましくは、試料は半導体ウェハーであり、またプローブは半導体製造プロセスを利用して製造される。
５．  本発明に係る試料の分析方法は、試料の表面に対し、少なくとも２つの異なる角度の方向から集束イオンビームを照射して試料を集束イオンビーム加工し、試料の一部を分離して分析する方法であり、試料の一部を分離する前に、外部から導入されたプローブを、分離される一部に接続し、試料の一部を支持し、プローブによるこの支持状態で、観察手段を用いて、分離された試料の一部の断面を像観察するものである。
６．  本発明に係る更なる試料の分析方法は、試料の表面に対し、少なくとも２つの異なる角度の方向から集束イオンビームを照射して試料を集束イオンビーム加工し、試料の一部を分離して分析する方法であり、試料の一部を分離する前に、外部から導入されたプローブを、分離される一部に接続し、試料の一部を支持し、更に、試料の一部を分離する最中又は分離した後に部分的に薄膜化し、この薄膜部を透過型電子顕微鏡で像観察するものである。
・・・
【０００９】
【作用】本発明では、試料基板表面に対し少なくとも二種類の角度からＦＩＢ加工することで、試料基板と分析部を含む微小試料とが機械的に分離するように構成される。またこの試料の一部分離の際において、別個に外部から導入したプローブに分離試料を機械的に接続しておくことで、分離試料が保持でき、プローブの移動により試料を任意の位置に運搬することができる。プローブに保持された分離試料は元の試料基板とは別個に、多種の分析装置に搬入して測定することが可能であり、分析に適した形状に再加工することも可能である。・・・」
　
（甲１−３）「【００１０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図１〜図６を参照して説明する。図３は、本実施例で用いられる
ＦＩＢ装置の基本構成を示す
液体金属イオン源１００から放出したイオンは、コンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６によりＦＩＢ１となって試料２上に集束される
【００１１】
試料２は、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８上において
ステージ１０８に装着された試料回転装置１２０の回転軸に固定されている
【００１２】
１０７はガス源で
ガス
は
ＦＩＢ１の試料照射部の近傍に導かれる
【００１３】マニピュレータ１１２は、図４に示すように、３枚のバイモルフ型圧電素子３０を９０°ずつ方向を回転して接続し、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸の駆動を可能としたものである。
マニピュレータの先端には、金属製のプローブ３１を装着している
　
（甲１−４）「【００１５】次に、上記構成を有するＦＩＢ装置を用いて試料２を加工する。図１は、試料２から分析対象部を含む試料の一部を分離する工程（ａ）〜（ｇ）を示した斜視図である。この実施例で、試料２はシリコン基板であり、分離された試料の一部を、以下「分離試料」という。以下に、分離の手順を工程（ａ）〜（ｇ）に従って説明する。
【００１６】（ａ）  
試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射する
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する。
（ｄ）  マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させる。接触したか否かについての判定方法については、後述される。
（ｅ）  ガスノズル６からＷ（ＣＯ）６ 
ガス７を供給
ＦＩＢ１を、プローブ３１の先端部を含む領域に局所的に照射し
試料２の分離部分とプローブ３１の先端は、堆積膜８で接続される
（ｆ）  ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、
試料２から分離試料９を切り出す
切り出された分離試料９は、接続されたプローブ３１で支持された状態になる
（ｇ）  
マニピュレータ１１２を駆動し、分離試料９を所要の箇所に移動させる
上記実施例において、ＦＩＢ１の加工エリアを指定する際、予め加工エリアを含む領域をＦＩＢ１でラスタ走査し、試料２の表面から発生した二次電子（代表的な二次粒子）の信号量を輝度信号として画像化したＳＩＭ像を利用した。二次電子の検出は、二次電子検出器１０９によって行われる。ＳＩＭ像を利用した試料表面の方向（Ｘ，Ｙ軸方向）における加工エリアの設定は比較的簡単に行うことができる。しかし、プローブ３１と試料２との接触に関する判定は、Ｚ軸方向の情報が必要であるため、困難である。すなわち、ＦＩＢ１のフォーカス状態の違いによりＺ軸方向に関するある程度の情報が得られるが、ミクロンレベルの判定は困難である。」
　
（甲１−５）「【００１８】
切り出した分離試料９は
ＦＩＢ加工
し
【００１９】図２は、前記実施例と同様の手法で試料２の一部を分離し、その分離試料９をＴＥＭ観察する目的で薄膜化した実施例を示す斜視図である。工程（ａ）に示されるように分離試料９の一部９ａの肉厚が予め薄くされる。更に工程（ｂ）で、
分離試料９は、薄肉部９ａをＦＩＢ１で薄膜化される
　
（甲１−６）「【００２２】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明による分離方法を、トランジスタ素子の移植方法に利用する実施例を説明するための工程図である。移植しようとするトランジスタ素子は、予め本発明による分離方法を利用してチップから分離しておく。以下に、移植の手順を述べる。
【００２３】（ａ）  移植先の基板部分に角穴６１をＦＩＢ加工する。
（ｂ）  加工角穴６１に、分離試料６３（例えばトランジスタ等）をマニピュレータを駆動して運搬し、プローブヘッドをＦＩＢにより切断して分離試料６３を角穴６１内に残す。
（ｃ）  分離試料６３上の電極とチップ基板上の配線６０を、移植配線６２により電気的に接続する。移植配線６２は分離試料６３と同様にマニピュレータにより運搬し、接続はＷ（ＣＯ）６ ガス雰囲気でのＦＩＢ局所照射によるＷ堆積膜で行う。
【００２４】以上のように、本発明による分離方法を利用すれば、別のチップ内に形成されたデバイスを容易に分離し、運搬し、他のチップ内の所要の箇所に融合させることができる。」
　
（３−２）甲第２号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第２号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲２−１）「【０００４】また、他の従来例として、メッシュに試料を貼り付けた上で該メッシュをＦＩＢ装置の試料台に貼り付けるタイプがあるが、非常に小さい試料を接着剤を用いてメッシュに貼り付ける際に、接着剤が回り込んで観察面に付着する等の不具合が発生し易い為、作業性が悪かった。また、
作製した試料を貼り付けたメッシュを試料台に固定する
【０００５】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、試料ホルダ−を装置取付部と試料作製台とから構成し、切り出した小片試料をこの試料作製台に取り付けたままＦＩＢ装置による加工が行なえ、加工終了後に装置取付部と試料作製台とを容易に合体させることができる試料ホルダーを提供する
　
（甲２−２）「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＴＥＭ用試料ホルダーについて説明する。図１(a) (b) は本発明の一形態例の試料ホルダーの構成図、図２(a) (b) 及び(c) は試料取付け状態説明図、試料加工後の状態説明図、及び試料を保持した試料作成台と装置取付部とを合体させた状態図である。本発明のＴＥＭ用試料ホルダ−１０は、試料作製台１１と装置取付部１２とにより構成され、両者は組立分解自在となっている。図１(a) が本発明のＴＥＭ用試料ホルダ−の組立状態の全体図である。この試料ホルダ−１０は、図１(b) のように試料作製台１１と装置取付部１２とに分解することができる。図２(a) に示す様に、
試料１３を試料作製台１の端面中央部に接着剤等によりを取り付け、この状態で
ＦＩＢ装置により試料１３を加工する
　
（甲２−３）「【０００９】本発明では、従来例の様にメッシュを用いないので、接着剤を付する位置が、試料の観察部分の反対側となり、また試料は厚い試料作製台１１に固定されるので、その後のＦＩＢ装置の試料台への垂直固定も容易となり、加工精度を高めることができる。ＴＥＭを用いた試料の観察方法自体は容易であるが、それに先立つ試料作製作業が極めて困難であり、本発明により初めて試料作製作業性と、作製後の試料をホルダーに保持する作業性を向上したものである。」
　
（３−３）甲第３号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第３号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲３−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、磁性体、超電導体材料などの極薄膜構造から成る製品デバイスを初めとする各種試料を、各作製工程における処理直後の状態を正確に保ったまま、もしくは自由な環境下において複数の処理装置間で搬送し、その場動的に任意方向より原子レベルで多角的にかつ迅速にオンライン検査を初めとする処理装置における各種処理を行なうための試料処理装置および試料処理方法に関する。」
　
（甲３−２）「【００１３】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の実施例を説明する。図１は本発明の一実施例を示す試料搬送装置の基本構成図である。本実施例においては処理装置として成膜装置(スパッタ装置)と評価装置(ＴＥＭ)を取り上げた。また制御する環境としては試料温度を取り上げた。試料搬送装置は、試料ホルダ本体１、トランスファロッド９、チャック１０、トランスファチャンバ２３、バッテリー、または太陽電池駆動の可搬型イオンポンプ２４、液体窒素シュラウド(shroud)２５、チャンバ電流導入端子２６、リード線２７、リード線を巻き取るためのリール２８、中間排気室３０、ゲートバルブ３１から構成されている。前記構成部品は図８に示す台車５３および架台５４に搭載される。トランスファチャンバ２３と成膜装置２９あるいは評価装置は、成膜装置２９あるいは評価装置側のゲートバルブ３２と中間排気室３０の間で連結される。中間排気室３０は連結部にコンフラットフランジを備えており、該フランジ径はゲートバルブ３２の径に合わせて変換される。中間排気室３０は高速排気を可能とするためできる限り小体積なものとし、ここにターボ分子ポンプ等の排気容量の大きい粗引きポンプを接続する。トランスファロッド９により試料ホルダ本体１をトランスファチャンバ２３と成膜装置２９あるいは評価装置との間で移動させる。またトランスファロッド９の先端にあるチャック１０により、試料ホルダ本体１とトランスファロッド９との物理的かつ電気的着脱を行なう。チャンバ電流導入端子２６は外部温度制御回路と接続され、試料ホルダ本体１に設置される試料加熱用ヒータ或いは冷却用素子に通電される。バッテリー駆動の可搬型イオンポンプ２４と液体窒素シュラウド２５は、試料搬送装置を成膜装置２９あるいは評価装置と連結している時、および成膜装置２９と評価装置間で移動している時のトランスファチャンバ２３内の真空排気を行なう。
【００１４】試料ホルダ及びトランスファロッドとの接続部の詳細を、図２と図３にそれぞれ断面図と平面図で示す。試料は試料台６上に固定される。この試料ホルダは２軸傾斜機構および試料温度制御手段を持つ。２軸傾斜機構では、試料台６が試料台軸周りと、それに直交する軸周りに回転することによって２軸傾斜が成される。先ず、試料台軸周りの傾斜動作を以下に示す。試料ホルダ本体１には、軸２とそれに連動したバネ３及び傾斜板４が付けられており、軸受け５を矢印Ａ方向に押すと、軸２と傾斜板４が軸受け５に押され、バネ３が伸びる。試料およびヒータを載せる試料台６が傾斜板４と接触する部分は曲率を持っており、傾斜板４が軸２と共に矢印Ａの方向に押されると試料台６は矢印Ｂ方向に回転し傾斜する。この時試料台６は、傾斜用バネ７の弾性力を受けている試料台押さえ８によって下側から矢印Ｂの逆方向への復元力を受ける。そこで、軸受け５を試料ホルダ本体１から離すと、つまり矢印Ａの逆方向に動かすと、バネ３により傾斜板４が矢印Ａの逆方向に引っ張られ、試料台押さえ８により試料台６の傾斜が元に戻る。もう１つの前記とは直交する軸方向の傾斜は、ピン１１を図３の紙面に垂直方向に押して試料ホルダ本体１を回転することにより成される。前記２軸傾斜機構のうち、試料台６、傾斜用バネ７、試料台押さえ８は、後述のように試料台６上に固定されるヒータへの温度制御用電流導入機構と兼用されるので、従来の試料加熱ホルダで用いられたような電流導入線は無い。従って、試料台６のスムーズな傾斜動作が可能である。」
　
（甲３−３）「【００３５】（実施例６）本発明をSi-ＵＬＳＩ等の真空一貫プロセスラインに適用した場合の実施例を図９を用いて以下に示す。試料であるSiウエハは、ウエハテスト室４６、ウエハ前処理室４７、薄膜形成室４８、不純物導入室４９、パターン形成室５０から成る真空一貫プロセスラインで各プロセスを受けることにより、DRAM、BiCMOS等のデバイスの形態に加工される。前記各プロセス室におけるプロセス条件の仕様からのずれ、あるいはプロセス不良発生の有無をチェックすることは、最終的なデバイス形態での不良を未然に防ぐために必要不可欠である。各プロセスにおけるウエハ状態を正確に評価するために、本発明の試料搬送装置を以下のように用いる。各プロセス室には試料搬送装置４０が接続する共通ポートを設けておき、該ポートからウエハを抜き取る。この時、試料搬送装置のトランスファロッドの先端には、実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダではなく、Siウエハ対応の試料ホルダを設置しておく。次に、試料搬送装置で評価装置５２へ搬送する。場合によっては試料をウエハ加工装置５１に搬送し、劈開やイオンシニング等によってウエハを評価可能な形状に加工できるものとする。これは装置によっては規格の大きさのウエハを挿入することができないことがあるからである。またＴＥＭでは、ウエハ状態では厚すぎて観察できないのでイオンシニングによって薄膜化する必要があることもある。また試料薄膜の積層構造を走査電子顕微鏡(ＳＥＭ)やオージェ電子分光装置で分析する場合には、ウエハの断面を劈開により作り、観察する。
評価装置がＴＥＭである場合には、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をSiウエハ対応の試料ホルダから実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える
　
（甲３−４）「【００３９】
【発明の効果】本発明を用いることにより、真空度、温度等の環境を制御しながら目的の試料を複数の処理装置間で搬送可能となる。更に例えばスパッタ、ＣＶＤ、ＭＢＥ等の各種の成膜装置で作製した試料における、結晶構造、元素組成、結合状態などを作製直後の状態を保ったまま、その場動的に透過電子顕微鏡、２次イオン質量分析装置、光電子分光装置等の各種の評価装置により多角的に分析することができる。さらに、本発明は各種のプロセス装置および評価装置にフレキシブルに連結可能なので、Si-ＵＬＳＩを始めとする製品デバイスの作製プロセスラインにおけるプロセス条件のオンライン検査に用いることもできる。」
 　
（３−４）甲第４号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第４号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲４−１）「２．特許請求の範囲
（１）試料に集束イオンビームを照射するイオンビーム照射系と、
試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向に駆動する試料台
　
（甲４−２）「本発明の基本構成は、第１図（当審注：「第２図」は「第１図」の誤記）のイオンビーム加工装置であり、図中、１４はＩＣソケット付ホルダー、１５はパターンジェネレータ、１６は深針、１７はＸＹＺポジショナである。イオン源ｌより引き出され、加速されたイオンビーム１２は、対物レンズ８により集束され、ＸＹデフレクタ９でＩＣ試料上を走査する。イオン励起二次電子は、検出器１１で検出され、ＣＲＴ２７で像観察し、加工場所の位置出しをする。加工領域を設定し、イオンビームエツチングと、イオンビームＣＶＤで配線の変更を行い、動作解析場所へ、ブロービングバットを形成する。次に、ＣＲＴ２７で像観察をしながら、ＩＣ試料上の深針１６を、概ブロービングパソトへ接触させる。そして、ＩＣソケット付ホルダー１４に取り付けたＩＣ試料１３へ、外部のパターンジェネレータ１５から信号を入力し、深針１６の信号を観測することにより、動作解析することができる。」（２頁右下欄最下行〜３頁左上欄１６行）
　
（甲４−３）第１図には、探針１６を備えたＸＹＺポジショナをイオンビーム加工装置の試料室の壁に設けることが記載されている。
　
（３−５）甲第５号証：
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第５号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲５−１）「The apparatus used is the SMI8100 focused ion beam system for IC development, manufactured by Seiko Instruments Inc.［1,2］ ...  A schematic diagram of the system is shown in Fig.2.  ...  The sample stage has five axes − X,Y,Z, tilt and rotation.　［日本語訳： 使用された装置は、セイコーインスツル株式会社製のＩＣ開発用ＳＭＩ８１００
集束イオンビームシステムである
試料ステージは、Ｘ，Ｙ，Ｚ，傾斜及び回転の５つの軸を有している
　
（３−６）甲第６号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第６号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲６−１）「位置決めステージ３は、観察試料４を載置し、垂直面内で傾き角を自由に設定できるチルトステージ３ａ，チルトステージ３ａを載置し、水平面内で自由に回転角を設定可能なθステージ３ｂ，θステージ３ｂを載置し、垂直上下方向に自由に位置を設定可能なＺステージ３ｃ，Ｚステージ３ｃを載置し、水平面内で一軸方向に任意に位置決め可能なＸステージ３ｄおよび、Ｘステージ３ｄと水平面内で直交する方向に任意に位置決め可能なＹステージ３ｅの５軸から構成されている。・・・また位置決めステージ３は、搬送ステージ５に載置され、レール６上をスライド可能な構造となっている。」（２頁右下欄１６行〜３頁左上欄９行）
　
（甲６−２）「
真空室１の一部には、微小加工手段として集束イオンビーム加エユニット７
取付けられている
搬送ステージ５は、これら集束イオンビーム加工ユニット７、および走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール６によってスライドできる
　
（３−７）甲第７号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第７号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲７−１）「集束イオンビーム加工装置９０は第３図に示す構造である。イオン銃４１からでたイオンビーム４２はイオン光学系４３により、集束イオンビーム４４に集束され、試料１の加工位置または加工位置近傍を走査しながら照射する。試料１は試料ホルダ２に保持されており、さらに試料ホルダ２は集束イオンビーム装置の加工試料ステージ４０に載置されている。加工試料ステージ４０は３次元的（ＸＹＺ）に移動可能になってまり、外部からの移動データにより移動可能になっている。」（３頁右上欄６〜１６行）
　
（甲７−２）「
集束イオンビーム加工は真空状態になっている真空チャンバー３１内で行われ
試料１を保持している試料ホルダ２を真空チャンバー３１内の加工試料ステージ４０を載置する移動装置３４が備えられている
　
（３−８）甲第８号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第８号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲８−１）「６．上記の運搬工程は、試料を搭載したステージ機構と、予め作製しておいたデバイスを保持して移送するマニピュレーターとを組合せ使用することにより、試料の任意場所にデバイスを運搬することからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれかに記載のデバイス移植方法。」(２頁左上欄３〜９行）
　
（甲８−２）「第１図（ａ）はＦＩＢ１の照射によるスパッタリング加工の様子を示したもので、参考のためその上面図を第１図（ｅ）に示す。・・・また、移植デバイス５の位置ずれを緩和するため、移植デバイスの落とし込み穴４を開けておく。これは、試料表面の絶縁膜の浅いスパッタリング加工である。第１図（ｂ）は、移植デバイス５を落とし込み穴４上に運搬する手法を示したものである。・・・
移植テバイス５はデバイス・フレームキャリア６に細いアーム２１を介して固定されている
このフレーム６は第２図中の３軸マニピュレーター１０９によって保持されている
マニピュレーター１０９及びステージ１１１を駆動することで、移植デバイス５を所望場所（ここでは落とし込み穴４）上に運搬することができる
　
（甲８−３）「
基板上での移植場所及び基板面に対する移植方向を変更したい場合には、フレームキャリア６のアーム２１と移植デバイスとを両者間に堆積膜を形成することにより再び機械的に接続し，ついで移植デバイスを基板に密着させている堆積膜７をＦＩＢ照射によるスパッタリングにより除去せしめることにより，再びマニピュレーターによる移植デバイスの移動を可能とし
　上記実施例は、微細なデバイスを試料上の任意の場所に任意の向きに移植できることを示しており、例えば，検出すべき物理量を電気信号に変換して検出するセンサー素子を測定用プローブの先端に移植せしめたり、直接被測定試料上の測定点近傍に移植せしめることが可能となるため，被測定試料上の物理量の測定精度及び検出感度の向上が期待できる。」（６頁右上欄１８行〜左下欄１５行）
　
（甲８−４）第２図又は第１１図には、ステージ１１１はステージ制御で駆動され、マニピュレーター１０９は３軸マニピュレーター制御で駆動されることが描かれている。
　
（３−９）甲第９号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第９号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲９−１）「2. SPECIMEN PREPARATION 
The first stage in specimen preparation for TEM is to select the region of interest on the wafer or clip using an optical microscope or scanning electron microscope. A slice containing the electronic device selected for analysis is then cut from the using a low speed, low deformation diamond wafering saw. The slices are a few mm long, and 100−500μm wide. Thinner slices are preferred because the subsequent milling time in the SIM is less.
The slice is then cut to a length of approximately 2 mm for mounting on a 3 mm diameter copper slot grid. It is mounted using epoxy resin with the region of interest over the slot and lying perpendicular to the grid plane, as shown in Fig.2. These steps are performed under a low power binocular microscope. 
The specimen is mounted in the scanning ion microscope so that the ion beam impinges normal to the original surface of the circuit. The surface is imaged to locate the precise region of interest. Trenches are cut inwards from both edges of the slice to within a few microns on either side of the selected device resulting a bar of material bisecting a trench spanning the specimen.　［日本語訳：２．試料調製　
　
ＴＥＭ用試料調製
スライスがチップから切り出される
　次に、
スライス
グリッドへ載置させる
スライス
グリッド平面に垂直に、エポキシ樹脂を使用して載置する
　
試料は、イオンビームが回路の元の表面に対し垂直に衝突するように、走査型イオン顕微鏡中に載置される
　
（３−１０）甲第１０号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第６号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（甲１０−１）「§3．　Device Transplantation（TP）
3.1　Device TP process and its feasibility experiment 
　Device TP comprises three processes : (i) TP −device fabrication , (2) TP−device manipulation . i.e., the TP−device is transferred to any desired place on the substrate, and (3) the attachment of the TP−device to the substrate . Here , mechanical or electrical connections between the device and substrate are carried out .
 A feasibility experiment on device TP was performed . A schematic diagram of the experimental process is shown in Fig . 5 . Let us think of the end tip as a dummy device , which should be transplanted on the substrate . First , the dummy TP−device is transferred to the desired place on the substrate . A simple xyz micromaipulator composed of three bimorph−type piezoelectric actuators was used for TP−device transfer . Second , the substrate area near the TP−device is bombarded by a slow−speed scanning FIB . Here , the y−component of the FIB scanning direction is opposite to the device side wall . This enable most of the sputtered atoms to be directed toward the TP−device side wall. Redeposition is used to attach the TP−device to the substrate .［日本語訳：§３．デバイス移植（ＴＰ）
３．１　デバイスＴＰのプロセス及びその実施可能性の実験
　デバイスＴＰは次の３つのプロセスから成る。（１）ＴＰ−デバイスの製作、（２）ＴＰ−デバイスの操作、つまり、ＴＰ−デバイスの基板上の望ましい場所への移転、及び（３）ＴＰ−デバイスの基板への付着である。ここで、デバイスと基板との間の機械的又は電気的接続が行われる。　
　デバイスＴＰの実施可能性の実験が行われた。実験のプロセスの模式図を図５に示す。先端部を、基板に移植されるべきダミーのデバイスと考える。第一にダミーのＴＰ−デバイスが基板上の望ましい場所に移植される。３つのバイモルフ型の圧電アクチュエーターから成る単純なｘｙｚマイクロマニピュレーターがＴＰ−デバイスの移転に使用された。第二に、ＴＰ−デバイス付近の基板の領域を低速のスキャニングＦＩＢによって照射する。ここで、ＦＩＢのスキャニング方向のｙ−コンポーネントはデバイスの側壁と反対方向である。このことにより、スパッタされた原子の殆どをＴＰ−デバイスの側壁へと向かわせることができる。ＴＰ−デバイスを基板に付着させるために再堆積が使用される。」(２５８４頁右欄下から９行〜２２８５頁左欄１３行）
　
第４　被請求人の主張及び証拠
（１）被請求人の主張
　本件無効審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担するとの審決を求め、無効審判請求、口頭審理（口頭審理陳述要領書及び第１回口頭審理調書を含む）において、下記「（２）証拠方法」に示した証拠を提出して、本件発明１５は、請求人の提出した甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、又は、甲第１〜３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許が受けることができないものではなく、本件特許に無効理由は存在しない。
　
（２）証拠方法
　乙第１号証　：特許第２７７４８８４号公報
　乙第２号証　：「精密工業会誌Ｖｏｌ．６７，２００１年
　　　　　　　　１２月号」の「２００１年度（第２１回）
　　　　　　　　精密工学会技術賞受賞業績の紹介」欄の
　　　　　　　　「１０μｍレベルの微小片を直接摘出する
　　　　　　　　電子顕微鏡用マイクロサンプリング技術の
　　　　　　　　開発」平成13年12月5日
　　　　　　　　社団法人精密工学会発行
　乙第３号証　：「先端計測技術分野　科学技術・研究開発の
　　　　　　　　　国際比較 2008版」の表紙、88、奥付、
　　　　　　　　平成20年2月、独立行政法人　科学技術振興機構
　　　　　　　　研究開発戦略センター発行
　乙第４号証　：電波新聞　１９９９年２月２７日発行
　乙第５号証　：特開平５−２９０７８７号公報
　乙第６号証　：特開平６−１７６７２９号公報
　乙第７号証　：特開平６−１６２９８２号公報
　
第５　当審の判断
（１）本件発明
　本件無効審判請求の対象となった本件発明１５は、その特許請求の範囲からみて、次の技術的事項により特定されるものである。
　
「【請求項１５】
　３次元方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージと；
  集束イオンビーム照射領域にデポジション膜を形成する元材料ガスを供給するデポガス源と；
　試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダと；
  デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料室壁に設置され、試料基板から摘出された試料片を試料ホルダに移し変える移送手段と；
  試料基板、及び試料ホルダに固定された試料片に対して集束イオンビームを照射し、前記試料基板、及び前記試料片を加工する照射光学系と；
  試料ステージ、試料ホルダ、及びプローブを、真空状態である内部に設置する試料室と、を備え；
  デポジション膜により試料ホルダに固定され、集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置。」
　　　
（２）甲第１号証記載の発明
　上記摘記事項（甲１−１）〜（甲１−６）の記載を参照すると、甲第１号証には、
「試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８と、
　集束イオンビーム（ＦＩＢ）１の試料照射部の近傍に導かれ、堆積膜８を形成するガス７を供給するガス源１０７と、
　試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１と、
　先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２と、
　試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、液体金属イオン源１００から放出したイオンを集束して集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射するコンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６とを備え、
　分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化するＦＩＢ装置。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　
（３）本件発明１５と引用発明との対比
（i）上記甲第１号証の摘記事項（甲１−２）に「【０００９】・・・本発明では、
試料基板表面に対し
ＦＩＢ加工する
　そうすると、引用発明の「試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８」と、本件発明１５の「３次元方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージ」とは、ともに、「複数方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージ」である点で共通する。
　
（ii）例えば、特開平８−８３７８５号公報に、
「【００２５】次に、図２に示すように、レジストパターン９をマスクとして導電膜３０をエッチングしてゲート電極３を形成する。このとき、エッチングガスにＣＨＦ３やＨＢｒなどのガスを混ぜることによりエッチング中に発生する
堆積物からなるデポジション膜６
　
（iii）引用発明の「試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１」は、その構成・機能からみて、本件発明１５の「デポジション膜により試料片と接続できるプローブ」に相当する。
　そして、引用発明の「マニピュレータ１１２」は、先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させることから、引用発明の「先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２」と本件発明１５の「移送手段」とは、「デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段」である点で共通する。
　
（iv）上記甲第１号証の摘記事項（甲１−４）に、
「【００１６】（ａ）  試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射するように試料２の姿勢を保ち、試料２上でＦＩＢ１を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴３を形成する。
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する。
・・・
（ｆ）  
ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、試料２から分離試料９を切り出す
「【００１８】
切り出した分離試料９は
ＦＩＢ加工
し
【００１９】図２は、前記実施例と同様の手法で試料２の一部を分離し、その分離試料９をＴＥＭ観察する目的で薄膜化した実施例を示す斜視図である。工程（ａ）に示されるように分離試料９の一部９ａの肉厚が予め薄くされる。更に工程（ｂ）で、
分離試料９は、薄肉部９ａをＦＩＢ１で薄膜化される
　そうすると、引用発明の「試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、液体金属イオン源１００から放出したイオンを集束して集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射するコンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６」と、本件発明１５の「照射光学系」とは、「試料基板、及び試料片に対して集束イオンビームを照射し、前記試料基板、及び前記試料片を加工する照射光学系」である点で共通する。
　
（v）上記甲第６号証の摘記事項（甲６−２）に、
「
真空室１の一部には、微小加工手段として集束イオンビーム加エユニット７
取付けられている
搬送ステージ５は、これら集束イオンビーム加工ユニット７、および走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール６によってスライドできる
「
集束イオンビーム加工は真空状態になっている真空チャンバー３１内で行われ
試料１を保持している試料ホルダ２を真空チャンバー３１内の加工試料ステージ４０を載置する移動装置３４が備えられている
　そうすると、引用発明の「ＦＩＢ装置」と、本件発明１５の「試料作製装置」とは、「試料ステージ、及びプローブを、真空状態である内部に設置する試料室」を備えている点で共通する。
　
（vi）引用発明のＦＩＢ装置は、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化することから、引用発明の「ＦＩＢ装」と、本件発明１５の「試料作製装置」とは、「集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置」である点で共通する。
　
　そうすると、本件発明１５と引用発明とは、
「複数方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージと；
  集束イオンビーム照射領域にデポジション膜を形成する元材料ガスを供給するデポガス源と；
　デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段と；
  試料基板、及び試料片に対して集束イオンビームを照射し、前記試料基板、及び前記試料片を加工する照射光学系と；
  試料ステージ、及びプローブを、真空状態である内部に設置する試料室と、を備え；
  集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置。」
　である点で一致し、次の相違点（あ）〜相違点（か）で相違する。
　
・相違点（あ）
　複数方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージが、本件発明１５では、「３次元方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージ」であるのに対して、引用発明では、試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８である点。
　
・相違点（い）
　本件発明１５では、「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」を備えているのに対して、引用発明では、そのような構成を備えていない点。
　
・相違点（う）
　デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段が、本件発明１５では、「試料室壁に設置され、」試料基板から摘出された試料片を「試料ホルダに移し変える移送手段」であるのに対して、引用発明では、先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２であり、どこに設置されるの不明である点。
　
・相違点（え）　
　集束イオンビームを照射し、前記試料基板、及び前記試料片を加工する照射光学系が、本件発明１５では、試料基板、及び「試料ホルダに固定された試料片」に対して集束イオンビームを照射するのに対して、引用発明では、試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射する点。
　
・相違点（お）
　本件発明１５では、真空状態である内部の試料室に、「試料ステージ、試料ホルダ、及びプローブ」を設置するのに対して、引用発明では、ステージ１０８、及びプローブ３１を設置する点。
　　　　
・相違点（か）集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置が、本件発明１５では、「デポジション膜により試料ホルダに固定され、」集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置であるのに対して、引用発明では、プローブ３１と接続された分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化するＦＩＢ装置である点。
　
（４）相違点の検討・判断
・相違点（あ）について、
　引用発明のステージ１０８は、試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージであるが、ＦＩＢ装置において、３次元方向に移動でき、試料基板を載置する試料ステージは、ＦＩＢ装置の分野において周知である。
　たとえば、上記甲第４号証の摘記事項（甲４−１）に、
「
試料に集束イオンビームを照射するイオンビーム照射系と、試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向に駆動する試料台
　上記甲第５号証の摘記事項（甲５−１）に、
「使用された装置は、セイコーインスツル株式会社製のＩＣ開発用ＳＭ８１００
集束イオンビームシステムである
試料ステージは、ｘ、ｙ、ｚ、傾斜及び回転の５つの軸を有している
　上記甲第６号証の摘記事項（甲６−３）に、
「
位置決めステージ３は
水平面内で自由に回転角を設定可能なθステージ３ｂ
Ｚステージ３ｃ
Ｘステージ３ｄ
Ｙステージ３ｅ
位置決めステージ３は、搬送ステージ５に載置され
「
真空室１の一部には、微小加工手段として集束イオンビーム加エユニット７
取付けられている
搬送ステージ５は、これら集束イオンビーム加工ユニット７、および走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール６によってスライドできる
　上記甲第７号証の摘記事項（甲７−１）に、
「
集束イオンビーム加工装置
加工試料ステージ４０は３次元的（ＸＹＺ）に移動可能に
なっている
「
集束イオンビーム加工は真空状態になっている真空チャンバー３１内で行われる
試料１を保持している試料ホルダ２を真空チャンバー３１内の加工試料ステージ４０を載置する移動装置３４が備えられている
　そして、引用発明のＦＩＢ装置も上記周知のＦＩＢ装置もともに、試料を複数の方向に移動可能なステージを有するＦＩＢ装置である点で共通し、さらに、上記甲第５号証及び甲第６号証のＦＩＢ装置の試料ステージは、３次元の移動のほかに、試料を回転させる移動も備えていることから、引用発明のステージ１０８において、試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８に、周知例の構成を採用して、２軸（Ｘ，Ｙ）方向のほかに、Ｚ方向にも移動可能に構成することにより、本件発明のごとく、複数方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージが、「３次元方向に移動でき、試料基板を載置できる試料ステージ」とすることは当業者であれば容易になし得るものである。
　
・相違点（い）について
（い−１）本件発明１５の「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」の構成における「試料ホルダ」は、「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき」る「試料ホルダ」であり、さらに、本件発明１５は、「試料基板を載置できる試料ステージ」の構成、及び「試料ステージ、試料ホルダ、及びプローブを、真空状態である内部に設置する試料室」の構成を有することから、真空状態である試料室の内部を、試料ステージが移動することにより、試料基板、及び試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定できる試料ホルダが移動することを意味することは明らかである。
（い−２）ところで、甲第１号証の摘記事項（甲１−１）に、
「【０００２】
従来技術として
集束イオンビーム
ＦＩＢ
【０００３】上記文献の開示内容によれば、図７に示すように、
半導体集積回路から
チップ７１を
切出し、
グリッド７２
ＴＥＭ
標準グリッド
に固定し、その後、ＦＩＢを利用してチップ７１に薄膜試料７３を加工・形成し
「【０００４】・・・
作製した試料を貼り付けたメッシュを試料台に固定する
【０００５】本発明は上記に鑑みてなされたものであり、
試料ホルダ−を装置取付部と試料作製台とから構成し、切り出した小片試料をこの試料作製台に取り付けたままＦＩＢ装置による加工が行なえ、加工終了後に装置取付部と試料作製台とを容易に合体させることができる試料ホルダーを提供する
「【０００７】・・・この試料ホルダ−１０は、図１(b) のように試料作製台１１と装置取付部１２とに分解することができる。図２(a) に示す様に、
試料１３を試料作製台１の端面中央部に接着剤等によりを取り付け、この状態で
ＦＩＢ装置により試料１３を加工する
ＦＩＢ装置による加工後のＴＥＭ観察部
「【０００２】従来技術として
マイクロスコピー・オブ・セミコンダクティング・マテリアルズ・コンファレンス、オックスフォ−ド大学（１９８９年）、５０１〜５０６頁（Microscopy of Semiconducting Materials Conference,Oxford,(1989)pp.501-506
「２．試料調製　
　
ＴＥＭ用試料調製
スライスがチップから切り出される
　次に、
スライスを
グリッドへ載置させる
スライスは
グリッド平面に垂直に、エポキシ樹脂を使用して載置する
　
試料は、イオンビームが回路の元の表面に対し垂直に衝突するように、走査型イオン顕微鏡中に載置される
　上記の甲第１号証の従来例、甲第２号証、及び甲第９号証の記載事項からすると、上記の甲第１号証の従来例、甲第２号証、及び甲第９号証には、ＦＩＢ装置において、ＴＥＭ観察用試料を加工する際に、試料から切り出した試料片を、接着剤等、又はエポキシ樹脂によりＴＥＭグリッドに固定させ、イオンビームによりＴＥＭグリッドに固定された試料片を加工することが記載されており、このＴＥＭグリッドが、試料ホルダに相当するものと認められる。そして、上記甲第６号証の摘記事項（甲６−３）に、
「
位置決めステージ３は
観察試料４を載置し
位置決めステージ３は、搬送ステージ５に載置され
「・・・
搬送ステージ５は、これら集束イオンビーム加工ユニット７
を
スライドできる
「
集束イオンビーム加工装置
試料１は試料ホルダ２に保持されており、さらに試料ホルダ２は集束イオンビーム装置の加工試料ステージ４０に載置されている
（い−３）また、甲第８号証の摘記事項（甲８−２）に、
「１図（ａ）は
ＦＩＢ１の照射によるスパッタリング加工の様子を示した
移植テバイス５はデバイス・フレームキャリア６に細いアーム２１を介して固定されている
このフレーム６は第２図中の３軸マニピュレーター１０９によって保持されている
マニピュレーター１０９及びステージ１１１を駆動することで、移植デバイス５を所望場所（ここでは落とし込み穴４）上に運搬することができる
「
基板上での移植場所及び基板面に対する移植方向を変更したい場合には、フレームキャリア６のアーム２１と移植デバイスとを両者間に堆積膜を形成することにより再び機械的に接続し，ついで移植デバイスを基板に密着させている堆積膜７をＦＩＢ照射によるスパッタリングにより除去せしめることにより，再びマニピュレーターによる移植デバイスの移動を可能とし
「§３．
デバイス移植
３．１　デバイスＴＰのプロセス及びその実施可能性の実験
　デバイスＴＰは次の３つのプロセスから成る。（１）ＴＰ−デバイスの製作、（２）
ＴＰ−デバイスの操作、つまり、ＴＰ−デバイスの基板上の望ましい場所への移転
　デバイスＴＰの実施可能性の実験が行われた。実験のプロセスの模式図を図５に示す。先端部を、基板に移植されるべきダミーのデバイスと考える。第一にダミーのＴＰ−デバイスが基板上の望ましい場所に移植される。３つのバイモルフ型の圧電アクチュエーターから成る単純な
ｘｙｚマイクロマニピュレーターがＴＰ−デバイスの移転に使用された
ＦＩＢによって照射する
ＴＰ−デバイスを基板に付着させるために再堆積が使用される
「【００３５】・・・
評価装置がＴＥＭである場合には、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をSiウエハ対応の試料ホルダから実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える
　上記甲第８号証及び甲第１０号証の記載によれば、ＦＩＢ装置内で、マニュピュレータを用いて移植デバイスを移動させることが記載されており、さらに甲第８号証には、移植デバイスを移動させる際に、マニピュレーター１０９で保持されるデバイス・フレームキャリア６の細いアーム２１と移植デバイスとを堆積膜で固定して、マニピュレーター１０９を移動させることにより移植デバイスも移動できるようにすることが記載されているものの、広辞苑（第５版）によれば、「試料」とは「試験・検査・分析などに供する物質や生物」と記載されていることから、甲第８号証及び甲第１０号証の「デバイス移植」は「試料」を意味しないことは明らかである。さらに、甲第８号証には、移植デバイスを移動させる際に、マニピュレーター１０９で保持されるデバイス・フレームキャリア６の細いアーム２１と移植デバイスとを堆積膜で固定して、マニピュレーター１０９を移動させることにより移植デバイスも移動できるようにする構成が記載されているが、この構成は、単に、ＦＩＢ装置内で、マニピュレータを用いて部品を移動させることが記載されてるにすぎず、本件発明１５の上記「相違点（い）」のように、「試料基板から摘出された試料片を」「試料ホルダ」に、堆積膜、すなわち「デポジション膜により固定でき」るようにするためのものではない。
　また、甲第３号証は、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、ウエハ加工装置５１内の加工された試料を試料ホルダから、評価装置で使用する２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える構成が記載されているのみであり、「試料基板から摘出された試料片を」「試料ホルダ」に移動させるものではない。
（い−４）上記（い−１）〜（い−３）の検討をまとめると、上記の甲第１号証の従来例、甲第２号証、及び甲第９号証には、ＦＩＢ装置において、ＴＥＭ観察用試料を加工する際に、試料から切り出した試料片を、接着剤等、又はエポキシ樹脂によりＴＥＭグリッドに固定させ、イオンビームによりＴＥＭグリッドに固定された試料片を加工することが記載されており、このＴＥＭグリッドが、試料ホルダに相当し、試料ステージで移動できるものと推認できるものの、ＦＩＢ装置の試料から切り出した試料片は、接着剤等、又はエポキシ樹脂により、真空状態のＦＩＢ装置外でＴＥＭグリッドに固定されることは明らかであるといえる。そうすると、上記の甲第１号証の従来例、甲第２号証、及び甲第９号証のように、ＦＩＢ装置において、ＴＥＭ観察用試料を加工する際に、試料から切り出した試料片を、接着剤等、又はエポキシ樹脂によりＴＥＭグリッドに固定させ、イオンビームによりＴＥＭグリッドに固定された試料片を加工することが周知であったとしても、甲第１号証〜甲第１０号証のいずれにも、真空状態のＦＩＢ装置の内部で試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成は記載されていないから、上記「（３）本件特許発明１５と引用発明との対比」の（v）で検討したように、真空室内で、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１を、マニピュレータ１１２で所要の箇所に移動させる引用発明のＦＩＢ装置において、ＦＩＢ装置の内部で試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッド、すなわち試料ホルダに堆積膜で固定する構成を得ることはできないし、さらに、引用発明のＦＩＢ装置において、試料２から切り出され、プローブ３１に接続された分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する代わりに、試料２から切り出された分離試料９を堆積膜で固定する試料ホルダに設けて、集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化することもできないことは明らかである。
　また、甲第８号証及び甲第１０号証に、マニピュレーター１０９用いて、移植デバイスも移動できるようにする構成が周知であったとしても、第１号証〜甲第１０号証のいずれにも、真空状態のＦＩＢ装置の内部で試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成は記載されていないから、引用発明において、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１を移動させるマニピュレータ１１２を用いて、ＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成が得られないものである。
　さらに、甲第１号証〜甲第１０号証のいずれにも、真空状態である試料室の内部の試料ステージ上に、試料基板、及び試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定できる試料ホルダを設けて、試料ステージの移動により、試料基板と試料ホルダを移動させることは、開示も示唆もされていないことから、上記（い−１）で検討したように、本件発明１５の「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」の構成は得られないものである。
　
（い−５）なお、請求人は、審判請求書において、（ａ）甲第１の従来技術、甲第２号証、及び甲第９号証から、
「ＦＩＢ装置において、ＴＥＭ観測試料を加工する際に、試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに固定させ、さらにＴＥＭグリッドを試料ステージに固定し、試料ステージにより移動可能な状態としてイオンビームによりＴＥＭグリッドに固定された試料片を加工することは周知技術であった」（１８頁１２行〜２０頁１行）とし、「上記の通り、試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに固定させて、さらにＴＥＭグリッドをＦＩＢ装置の試料ステージに固定し、試料ステージにより移動可能な状態としてイオンビームにより加工することは周知であったとすれば、甲１発明において、周知技術と同様にＴＥＭグリッドに固定された状態でＴＥＭ試料を作製するために、ステージにＴＥＭグリッドを固定し、イオンビームによりＴＥＭグリッドに固定された分離試料を９を薄膜化してＴＥＭ試料を作製することは、当業者にとって容易に想到できる事項に過ぎないのである。」（２０頁２１〜２８行）と主張している。
　さらに、（ｂ）甲１発明、甲第８号証、甲第１０号証及び甲第３号証から、「マニュピュレータを有するＦＩＢ装置において、試料室内においてマニュピュレータを用いて試料を移動させ、所望の箇所に移し替えることは周知であった。」（２０頁２〜１７行）とし、「マニュピュレータを有するＦＩＢ装置において、試料室内においてマニュピュレータを用いて試料を移動させ、所望の箇所に移し替えることも周知技術であったとすれば、分離試料を所望の位置に搬送できるマニュピュレータを用いて、プローブ３１に接続された分離試料９をＴＥＭグリッドに移し替えることも、当業者にとって容易に想到できる事項に過ぎないものである。」（２０頁最下行〜２１頁４行）と主張している。
　しかしながら、上記（い−４）で検討したように、（ａ）上記の甲第１号証の従来例、甲第２号証、及び甲第９号証には、真空状態のＦＩＢ装置の内部で試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成は記載されていないから、引用発明の真空状態のＦＩＢ装置に、試料２から切り出された分離試料９を堆積膜で固定するための試料ホルダを設けることができないことは明らかである。
　そして、（ｂ）甲第８号証及び甲第１０号証に記載されているように、マニピュレーターを用いて、移植デバイスも移動できるようにする構成が周知であったとしても、第１号証〜甲第１０号証のいずれにも、真空状態のＦＩＢ装置の内部で試料から切り出した試料片をＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成は記載されていないから、引用発明において、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１を移動させるマニピュレータ１１２を用いて、ＴＥＭグリッドに堆積膜で固定する構成が得られないものであり、さらに、甲第１号証〜甲第１０号証のいずれにも、真空状態である試料室の内部の試料ステージ上に、試料基板、及び試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定できる試料ホルダを設けることは、開示も示唆もされていないことから、本件発明１５の「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」の構成を得ることができないことは明らかであり、請求人の上記（ａ）及び（ｂ）の主張は採用できないものである。
　
・相違点（う）について
　上記甲第４号証の摘記事項（甲４−３）に、
「第１図には、探針１６を備えたＸＹＺポジショナをイオンビーム加工装置の試料室の壁に設ける」
　と記載されており、この甲第４号証のＸＹＺポジショナは、探針１６を移動させるマニピュレータであることは明らかである。
　そして、引用発明の、ＦＩＢ装置のプローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２と、甲第４号証に記載された発明の、イオンビーム加工装置のＸＹＺポジショナとは、ともにＦＩＢ装置で使用されるマニュピュレータである点で共通することから、引用発明のＦＩＢ装置のマニピュレータ１１２を、甲第４号証に記載さえた発明の構成を採用し、引用発明のマニピュレータ１１２をＦＩＢ装置の試料室の壁に設けることにより、本件発明１５のごとく、デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段が、「試料室壁に設置され」るように構成することは当業者が容易になし得るものであるが、上記「相違点（い）について」において検討したように、甲第１号証〜甲第１０号証に記載された技術事項からは、本件特許発明１５の「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」の構成は得られないものであるから、相違点（う）の「デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段が、試料基板から摘出された試料片を「試料ホルダに移し変える移送手段」である構成が得られないことは明らかである。
　
・相違点（え）〜相違点（か）について
　さらに、上記相違点（え）〜相違点（か）においても、試料ホルダを含む構成が相違点に含まれることから、甲第１号証〜甲第１０号証に記載された技術事項からは、本件発明１５の相違点（え）の、「集束イオンビームを照射し、前記試料基板、及び前記試料片を加工する照射光学系が、、試料基板、及び『試料ホルダに固定された試料片』に対して集束イオンビームを照射する」構成、同じく相違点（お）の、「真空状態である内部の試料室に、『試料ステージ、試料ホルダ、及びプローブ』を設置する」構成、及び、同じく相違点（か）の、「集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置が、『デポジション膜により試料ホルダに固定され、』集束イオンビーム照射による薄壁加工を施された試料片を作製する試料作製装置である」構成を得るこができないことは明らかである。
　
　そして、本件発明１５は、上記相違点（い）の、「試料基板から摘出された試料片をデポジション膜により固定でき、試料ステージの移動により集束イオンビーム照射領域内に移動する試料ホルダ」の構成を備えており、さらに、相違点（う）の、デポジション膜により試料片と接続できるプローブを有し、試料基板から摘出された試料片を移動させる移送手段が、「試料室壁に設置され、」試料基板から摘出された試料片を「試料ホルダに移し変える移送手段」である構成を備えていることにより、本件特許明細書の段落【００２６】に記載された、
「移送手段全体を試料ステージと独立して設置して、サンプリング位置の大きな移動はステージ移動に分担させた。」効果を生じることは明らかである。
　
（５）小括
　したがって、本件発明１５は、甲第１号証に記載された発明、甲第４号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証、甲第３号証、甲第５号証〜甲第１０号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　よって、請求人の主張する無効理由によっては、本件発明１５を無効とすることはできない。
　　　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠によっては、本件発明１５に係る特許を無効とすることができない。また、本件発明１５に係る特許を無効とすべき他の理由を発見しない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。