【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化オニウム水溶液の純度を改善するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも４つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、カソード、アノード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成され、該カソードに隣接するコンパートメントが、該第２のバイポーラ膜および該カソードによって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに水酸化オニウム溶液を入れること、
（Ｃ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｄ）該第１のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、精製された水酸化オニウム溶液を回収すること
を含む、プロセス。
【請求項２】
水酸化オニウム水溶液の純度を改善するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも５つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜、第２のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに水酸化オニウム溶液を入れること、
（Ｃ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｄ）該第２のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、精製された水酸化オニウムを回収すること
を含む、プロセス。
【請求項３】
ハロゲン化物イオンを含む４級水酸化アンモニウム水溶液のハロゲン化物含有量を低減するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも４つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成され、該カソードに隣接するコンパートメントが、該第２のバイポーラ膜および該カソードによって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに、特定量のハロゲン化物イオンを含む該４級水酸化アンモニウム溶液を入れること、
（Ｃ）別のコンパートメントに電解液を入れること、
（Ｄ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｅ）該第１のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、４級水酸化アンモニウム水溶液を回収することを含み、
該回収コンパートメントから回収された該４級水酸化アンモニウム水溶液が、該供給コンパートメントに入れられた４級水酸化アンモニウム溶液中に存在するハロゲン化物イオンの量よりも少量のハロゲン化物イオンを含む
プロセス。
【請求項４】
ハロゲン化物イオンを含む４級水酸化アンモニウム水溶液のハロゲン化物含有量を低減するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも５つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜、第２のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに、特定量のハロゲン化物イオンを含む該４級水酸化アンモニウム溶液を入れること、
（Ｃ）別のコンパートメントに電解液を入れること、
（Ｄ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｅ）該第２のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、４級水酸化アンモニウム溶液を回収することを含み、
該回収された該４級水酸化アンモニウム溶液が、工程（Ｂ）において該供給コンパートメントに入れられた４級水酸化アンモニウム溶液中に存在するハロゲン化物イオンの量よりも少量のハロゲン化物イオンを含む
プロセス。
【請求項５】
カチオン交換材料上に吸着されたオニウムカチオンを無機塩基の水溶液で溶出させた水酸化オニウム水溶液の純度を改善するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも４つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、カソード、アノード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成され、該カソードに隣接するコンパートメントが、該第２のバイポーラ膜および該カソードによって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに水酸化オニウム溶液を入れること、
（Ｃ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｄ）該第１のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、精製された水酸化オニウム溶液を回収すること
を含む、プロセス。
【請求項６】
水酸化オニウム水溶液の純度を改善するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも５つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜、第２のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに、カチオン交換材料上に吸着されたオニウム塩を無機塩基の水溶液で溶出させた水酸化オニウム溶液を入れること、
（Ｃ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｄ）該第２のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、精製された水酸化オニウムを回収すること
を含む、プロセス。
【請求項７】
ハロゲン化物イオンを含む４級水酸化アンモニウム水溶液のハロゲン化物含有量を低減するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも４つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成され、該カソードに隣接するコンパートメントが、該第２のバイポーラ膜および該カソードによって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに、カチオン交換材料上に吸着された４級アンモニウムカチオンを無機塩基の水溶液で溶出して得られ、かつ特定量のハロゲン化物イオンを含む４級水酸化アンモニウム溶液を入れること、
（Ｃ）別のコンパートメントに電解液を入れること、
（Ｄ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｅ）該第１のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、４級水酸化アンモニウム水溶液を回収することを含み、
該回収コンパートメントから回収された該４級水酸化アンモニウム水溶液が、該供給コンパートメントに入れられた４級水酸化アンモニウム溶液中に存在するハロゲン化物イオンの量よりも少量のハロゲン化物イオンを含む
プロセス。
【請求項８】
ハロゲン化物イオンを含む４級水酸化アンモニウム水溶液のハロゲン化物含有量を低減するプロセスであって、
（Ａ）少なくとも５つのコンパートメントを有する電気化学セルを提供することであって、該コンパートメントが、アノード、カソード、ならびに、該アノード側から該カソード側へと順に第１のバイポーラ膜、第１のカチオン選択膜、第２のカチオン選択膜および第２のバイポーラ膜によって形成されている、電気化学セルを提供すること、
（Ｂ）該第１のバイポーラ膜および該第１のカチオン選択膜によって形成され、イオン交換材料を含まない供給コンパートメントに、カチオン交換材料上に吸着された４級アンモニウムカチオンを無機塩基の水溶液で溶出して得られ、かつ特定量のハロゲン化物イオンを含む該４級水酸化アンモニウム溶液を入れること、
（Ｃ）別のコンパートメントに電解液を入れること、
（Ｄ）該セルに電流を流すこと、および
（Ｅ）該第２のカチオン選択膜および該第２のバイポーラ膜によって形成された回収コンパートメントから、４級水酸化アンモニウム溶液を回収することを含み、
該回収された該４級水酸化アンモニウム溶液が、工程（Ｂ）において該供給コンパートメントに入れられた４級水酸化アンモニウム溶液中に存在するハロゲン化物イオンの量よりも少量のハロゲン化物イオンを含む
プロセス。
【請求項９】
前記水酸化オニウムが、４級アンモニウムの水酸化物、４級ホスホニウムの水酸化物または３級スルホニウムの水酸化物である、請求項１、２、５、６、７または８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
前記水酸化オニウムが、４級アンモニウムの水酸化物である、請求項１、２、５、６、７または８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
前記４級アンモニウムの水酸化物が、下記化学式で表される、請求項３、４または１０に記載のプロセス：
【化１】
2005514447.tif 000001
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、１から１０個の炭素原子を有するアルキル基、２から１０個の炭素原子を有するヒドロキシアルキルまたはアルコキシアルキル基、あるいはアリールまたはヒドロキシアリール基であり、あるいは、Ｒ１およびＲ２は、窒素原子と一緒になって芳香族または非芳香族複素環を形成し得るアルキル基であり、ただし、該複素基が−Ｃ＝Ｎ−を含む場合にはＲ３は二次結合である。
【請求項１２】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、１から５個の炭素原子を有するアルキル基、または２から５個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル基である、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、１または２個の炭素原子を有するアルキル基である、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記カチオン選択膜が、パーフルオロスルホン酸、パーフルオロカルボン酸、またはパーフルオロスルホン酸−パーフルオロカルボン酸、パーフルオロ炭化水素ポリマー膜を含む、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記電気化学セルの別のコンパートメントに電解液が入れられる、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記電解液が、水酸化オニウムの水溶液である、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記工程（Ｂ）において入れられる前記水酸化オニウム溶液が特定量のハロゲン化物イオンを含み、ならびに、前記工程（Ｄ）において回収される前記溶液が該特定量よりも少量のハロゲン化物イオンを含む、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記工程（Ｃ）において前記別のコンパートメントに入れられる前記電解液が、４級水酸化アンモニウムの水溶液である、請求項３または４に記載のプロセス。