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　平成１０年特許願第２６２６２８号「単結晶引上げ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月２８日出願公開、特開２０００−　８６３８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１０年９月１７日の出願であって、平成２０年８月８日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１４日付けで意見書・手続補正書が提出され、同年１２月１５日付けで拒絶査定され、平成２１年１月２３日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同年２月２３日付け手続補正書により明細書が補正され、平成２３年６月２１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年８月２４日付けで回答書が提出され、その後、当審から同年９月１３日付けで上記平成２１年２月２３日付けの手続補正書による補正の却下の決定及び拒絶理由が通知され、同年１１月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２３年１１月１８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】 
　金属シリコンを溶融させる石英ルツボが、炭素繊維強化炭素複合材料を基材とするＣ／Ｃルツボの内面に載置された構成を含む単結晶引き上げ装置であって、
　前記Ｃ／Ｃルツボは、内表面の平均表面粗さＲａが６μｍ以下であり且つ炭素繊維クロスからなる最内面を有し、前記Ｃ／Ｃルツボのガス透過率が０．３ｃｍ２／ｓｅｃ以下であることを特徴とする単結晶引き上げ装置。
　
第２．引用文献
１．引用文献１
　当審からの平成２３年９月１３日付け拒絶理由通知書に引用文献１として引用された特開平１０−７２２９１号公報には、次の事項が記載されている。
（１−１）「【請求項１】シリコン単結晶引き上げ装置を構成するヒータの内側に配置されて、このヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する石英ルツボと、この石英ルツボを外側から包み込む保護容器とにより構成したルツボであって、
この保護容器の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形成し、かつ、この基材の少なくとも上部表面に熱分解炭素からなる被膜を形成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ。
【請求項２】前記熱分解炭素からなる被膜を、前記基材の上部表面及び内側表面に形成したことを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ。」（特許請求の範囲の請求項１〜２）
（１−２）「本発明の目的とするところは、Ｃ／Ｃコンポジットという基材を採用することによって、全体の薄肉化及び軽量化、さらには一体化を図ることができて、Ｃ／ＣコンポジットとＳｉＯガスとの反応による珪化を防止して珪化層脱落が生じないようにすることができて、耐久性が高いルツボを提供することにある。」（【００１３】）
（１−３）「本発明に係るルツボ１０では、図１に示したように、少なくともその保護容器１２の内側上面に、パイレックスガラス並のガス不浸透性をもったＣＶＤ法による緻密質の熱分解炭素被膜１２ｂが形成してあるため、ここに飛散してきたＳｉＯガスやＳｉガスはこの熱分解炭素被膜１２ｂによって基材１２ａに接触することがなく、従って基材１２ａ中のＣ（炭素）と反応することはない。」（【００２０】）
（１−４）「保護容器１２をＣ／Ｃコンポジットによって形成すれば、石英ルツボ１１が載置される面に、炭素繊維の表面形状が残存することによる凹凸が存在することになるのであるが、この凹凸内に軟化した石英ルツボ１１の一部が入り込むことになる。このため、当該シリコン単結晶引き上げ装置１００の稼働を停止して、全体を冷却してから石英ルツボ１１を保護容器１２から取り出そうとしても、石英ルツボ１１の底面が保護容器１２の内面に接着してしまい、両者の分離が行えない。
この点、当該請求項２に係るルツボ１０では、その保護容器１２の内側表面にも熱分解炭素被膜１２ｂを形成したのであるから、この熱分解炭素被膜１２ｂによって保護容器１２の内側表面が平滑化されて、石英ルツボ１１の底面が保護容器１２の内面に融着することがなくなり、両者の分離を容易に行なうことができるのである。」（【００２４】〜【００２５】）
（１−５）「ちなみに、ＣＶＤ法による熱分解炭素被膜のガス透過率は、１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃであ・・・・・・る。」（【００２６】）
（１−６）「（実施例１）・・・・・・。
得られた基材１２ａをＣＶＤ炉に入れて・・・・・・基材１２ａの表面全体に厚さ５０μｍの熱分解炭素被膜１２ｂが生成された・・・・・・。
（実施例２）・・・・・・。
第２の方法は、炭素繊維で編んだ布を用いてルツボ１０となるべき形状に形成し、これにフェノール樹脂を含浸して、硬化後に９００℃で焼成した。さらに、フェノール樹脂含浸、硬化、焼成を２回繰り返し、これを黒鉛化して、Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材１２ａを得た。この基材１２ａに実施例１と同様な方法によって熱分解炭素被膜１２ｂを形成した。」（【００３５】〜【００３８】）
　
２．引用文献２
　当審からの平成２３年９月１３日付け拒絶理由通知書に引用文献２として引用された特開平１０−５９７９５号公報には、次の事項が記載され、視認される。
（２−１）「【請求項２】炭素繊維強化炭素複合材料を全部または一部に含んで形成される半導体単結晶引き上げ用ルツボの製造方法であって、
前記炭素繊維強化炭素複合材料の開気孔に、ＣＶＤ法によって０．２μｍ／ｈｒ以下の析出速度で熱分解炭素の被膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体単結晶引き上げ用ルツボの製造方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
（２−２）「【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコンの単結晶の製造は高温の環境で行われるので、結晶引き上げ装置の周辺は、前記単結晶の材料および石英ルツボより発生するＳｉＯガス雰囲気となる。ここで、前記結晶の製造に用いるルツボをＣ／Ｃ材によって形成すると、Ｃ／Ｃ材の表面は多くの微小孔が存在して外表面積が大きいために、ルツボが前記のＳｉＯガスの浸食によって消耗するということが判った。即ち、上記Ｃ／Ｃ材は、これを構成するＣが前記のＳｉＯガスと反応してＳｉＣ化することにより、消耗するのである。
そこで、本発明は、前記の知見に基づいて、Ｃ／Ｃ材を全部または一部に含んでなる半導体単結晶引き上げ用ルツボに熱分解炭素の保護用被膜を形成することにより、特に耐Ｓｉ反応性にすぐれた単結晶引き上げ用ルツボを提供することを目的とする。」（【０００５】〜【０００６】）
（２−３）「ここで言うＣＶＤ法とは、前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を基材の開気孔のより内部にまで浸透析出させる所謂ＣＶＩ法を包含する方法・・・・・・。」（【００１２】）
（２−４）「【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる単結晶引き上げ用ルツボの実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明にかかるルツボの一例について、その縦断面図を示している。図１（ａ）は、Ｃ／Ｃ材を全部または一部に含んで形成されるルツボ本体２の開気孔に熱分解炭素の被膜３を形成したものを示している。また、図１（ａ）に示す例の他、ルツボを使用する温度条件等に伴うＳｉＯガスの発生や、ルツボを構成する部材等との関係により、部分的に前記被膜３を形成することもできる。かかる例を示すのが図１（ｂ）である。」（【００１４】）
（２−５）「本発明にかかるルツボの縦断面図である」図１をみると、上記（２−４）に記載された事項を窺うことができる。
　
３．引用文献３
　当審からの平成２３年９月１３日付け拒絶理由通知書に引用文献３として引用された特開平９−２９５８８９号公報には、次の事項が記載されている。
（３−１）「ここで、ＣＶＩ法とは前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させる方法であ・・・・・・る。・・・・・・なお、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）は分解生成する炭素を組織中に直接沈着させるものであって、ＣＶＩ法のように基材の内部まで含浸成膜させることはできず、短時間に厚い熱分解炭素を沈着させるにとどまる。」（【００１６】）
 　
第３．対比・判断
１．引用発明
（１）引用文献１の（１−１）において、請求項１を引用する請求項２の記載を請求項１の記載を取り込んで書き改めると、請求項２の記載には、「シリコン単結晶引き上げ装置を構成するヒータの内側に配置されて、このヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する石英ルツボと、この石英ルツボを外側から包み込む保護容器とにより構成したルツボであって、
この保護容器の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形成し、かつ、この基材の上部表面及び内側表面に熱分解炭素からなる被膜を形成した・・・・・・シリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ。」が記載されているといえる。
（２）上記（１）の「シリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ」の構成事項をシリコン単結晶装置の視点から整理すると、「ヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する石英ルツボと、この石英ルツボを外側から包み込む保護容器が、前記ヒータの内側に配置されるシリコン単結晶引き上げ装置であって、
前記保護容器の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形成し、かつ、この基材の上部表面及び内側表面に熱分解炭素からなる被膜を形成したシリコン単結晶引き上げ装置」が記載されているとみることができる。
（３）上記（２）の「シリコン単結晶引き上げ装置」の「保護容器」についてみてみると、その「基材」を形成する「Ｃ／Ｃコンポジット」は、引用文献１の（１−６）の「（実施例２）」に係る記載において、「炭素繊維で編んだ布を用いてルツボ１０となるべき形状に形成し・・・・・・Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材１２ａを得た。」との記載によれば、「炭素繊維で編んだ布を用いて」いるといえる。
（４）また、この「保護容器」の「基材の上部表面及び内側表面に熱分解炭素からなる被膜」とは、引用文献１の（１−３）及び（１−６）の記載によれば、ＣＶＤ法によるものであり、そのガス透過率は同（１−５）の記載によれば、「１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃであ」ると認められる。
（５）上記（１）〜（４）の検討を踏まえ、引用文献１の（１−１）〜（１−６）の記載を整理すると、引用文献１には、
「ヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する石英ルツボと、この石英ルツボを外側から包み込む保護容器が、前記ヒータの内側に配置されるシリコン単結晶引き上げ装置であって、
前記保護容器の基材にＣ／Ｃコンポジットである炭素繊維で編んだ布を用い、かつ、この基材の上部表面及び内側表面にＣＶＤ法により、ガス透過率が１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃである熱分解炭素からなる被膜を形成したシリコン単結晶引き上げ装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
２．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する石英ルツボ」は、本願発明の「金属シリコンを溶融させる石英ルツボ」に相当する。
（２）引用発明の「保護容器」はその「基材」をＣ／Ｃコンポジット、すなわち、炭素繊維強化炭素複合材料としており、「ヒータからの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、このシリコン材料を直接収納する」「石英ルツボを外側から包み込む」ものであるから、本願発明の「炭素繊維強化炭素複合材料を基材とするＣ／Ｃルツボ」に相当する。
（３）引用発明の「炭素繊維で編んだ布」は、本願発明の「炭素繊維クロス」に相当する。そして、引用文献１の（１−６）の実施例２に係る記載の「炭素繊維で編んだ布を用いてルツボ１０となるべき形状に形成し」からみて、引用発明の「炭素繊維で編んだ布」は保護容器自体の内部、すなわち、保護容器の最内面にあることは明らかである。
（４）引用発明では「保護容器が、前記ヒータの内側に配置され」ているが、かかる事項は、本願発明の発明特定事項ではないものの、本願発明においてもＣ／Ｃルツボはヒータの内側に配置されていることは明らかである。
（５）本願発明の「単結晶引き上げ装置」は、「金属シリコンを溶融させ」ているから、シリコン単結晶を引き上げるものといえ、引用発明の「シリコン単結晶引き上げ装置」は、本願発明の「単結晶引き上げ装置」に相当する。
（６）そうすると、両者は、
「金属シリコンを溶融させる石英ルツボが、炭素繊維強化炭素複合材料を基材とするＣ／Ｃルツボの内面に載置された構成を含む単結晶引き上げ装置であって、
前記Ｃ／Ｃルツボは、炭素繊維クロスからなる最内面を有している単結晶引き上げ装置。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：本願発明は、Ｃ／Ｃルツボのガス透過率が０．３ｃｍ２／ｓｅｃ以下であるのに対し、引用発明は、上部表面及び内側表面にＣＶＤ法により、ガス透過率が１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃである熱分解炭素からなる被膜を形成している点
相違点２：本願発明は、Ｃ／Ｃルツボの内表面の平均表面粗さＲａが６μｍ以下であるのに対し、引用発明はかかる事項を有していない点。
　
３．判断
　そこで、これら相違点について検討する。
（１）相違点１について
（ア）本願発明の「Ｃ／Ｃルツボのガス透過率が０．３ｃｍ２／ｓｅｃ以下である」ことについてみてみると、「緻密化を行なうとともに、珪酸ガスとの反応を抑制することを目的に、ＣＶＩ法またはＣＶＩ＋ＣＶＤ法によりこの表面から内部に至る微小な開気孔に熱分解炭素を含浸させ、表面に被膜を生成する。」（【００１４】）、及び「熱分解炭素をＣＶＩ法により含浸させ、緻密化し・・・・・・ガス透過率０．２７ｃｍ2／ｓｅｃの試験用Ｃ／Ｃルツボを得た。」（【００２３】）と記載されていることからみて、熱分解炭素をＣＶＩ法またはＣＶＩ＋ＣＶＤ法により表面から内部に至る微小な開気孔に含浸させ、表面に熱分解炭素の被膜を生成することによって達成しているとみることができる。
（イ）引用発明において、「ＣＶＤ法により、ガス透過率が１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃである熱分解炭素からなる被膜を形成」することの技術的な意義についてみてみる。
　引用文献１の（１−２）には、「Ｃ／ＣコンポジットとＳｉＯガスとの反応による珪化を防止して珪化層脱落が生じないようにする」ことを目的としていることが記載され、同（１−３）には、そのために、「保護容器１２の内側上面に、・・・・・・ＣＶＤ法による緻密質の熱分解炭素被膜１２ｂが形成」することが記載されているから、上記「ＣＶＤ法により、ガス透過率が１０-10〜１０-12ｃｍ2／ｓｅｃである熱分解炭素からなる被膜を形成」することは、この目的を達成するためのものといえる。
（ウ）引用文献２の（２−２）には、「Ｃ／Ｃ材は、これを構成するＣが前記のＳｉＯガスと反応してＳｉＣ化することにより、消耗するのである。・・・・・・本発明は、前記の知見に基づいて、Ｃ／Ｃ材を全部または一部に含んでなる半導体単結晶引き上げ用ルツボに熱分解炭素の保護用被膜を形成することにより、特に耐Ｓｉ反応性にすぐれた単結晶引き上げ用ルツボを提供することを目的とする。」との、上記（イ）でみたように引用文献１と同様の目的が記載されている。
　そして、引用文献２では、この目的を達成するために、同（２−１）及び（２−３）に示されているように、ＣＶＩ法を含むＣＶＤ法を用い、同（２−４）及び（２−５）に示されるように、ルツボの全体または一部に、熱分解炭素の保護用被膜を形成している。
（エ）さらに、引用文献３の（３−１）には、「ＣＶＩ法とは前述した熱分解炭素（ＰｙＣ）を浸透析出させる方法であ・・・・・・る。・・・・・・なお、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）は分解生成する炭素を組織中に直接沈着させるものであって、ＣＶＩ法のように基材の内部まで含浸成膜させることはできず、短時間に厚い熱分解炭素を沈着させるにとどまる。」と記載されているから、引用文献３は、緻密質の熱分解炭素皮膜を形成するにはＣＶＤ法よりもＣＶＩ法が望ましいことを開示しているといえる。
（オ）そうすると、より緻密質の熱分解炭素皮膜を形成すれば、上記（イ）で述べた引用文献１の目的がより確実に達成できることは明らかであるから、引用文献２及び３に接した当業者は、引用発明の熱分解炭素被膜を形成するに当たり、ＣＶＤ法よりもＣＶＩ法を含むＣＶＤ法、または、ＣＶＩ法を用いることが望ましいとの教示を得、引用発明においてＣＶＤ法に代えてＣＶＩ法を含むＣＶＤ法またはＣＶＩ法を用いて緻密質の熱分解炭素被膜を保護容器の基材であるＣ／Ｃルツボの全体または一部に形成して、この保護容器であるＣ／Ｃルツボのガス透過率を０．３ｃｍ２／ｓｅｃ以下とすることは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
　
（２）相違点２について
（ア）引用文献１の（１−４）には、保護容器の石英ルツボに接する面、すなわち、保護容器の内側表面（内表面）に凹凸が存在すると、この凹凸内に軟化した石英ルツボが入り込み、石英ルツボと保護容器が分離できなくなるが、保護容器の内側表面を平坦化すると分離を容易に行うことができる旨の記載がなされており、この記載に接した当業者は、保護容器の内側表面がある程度平坦であれば分離が容易であるとの教示を得るものといえる。
　そうすると、引用発明において、石英ルツボと保護容器が分離を容易にするための、保護容器の内側表面の凹凸の程度の上限、すなわち、平均表面粗さＲａの上限を適宜決定し、その値を６μｍとする程度のことは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
　
（３）また、本願発明の「表面が滑らかになることで、石英ルツボとＣ／Ｃルツボの密着性が向上し、石英ルツボの均熱部分が広範囲で得られ、単結晶インゴットの品質が向上する効果が得られる。また、炭素繊維密度が大きいクロスを積層することで、石英ルツボとの反応による、Ｃ／Ｃルツボの炭化ケイ素化が抑制され、Ｃ／Ｃルツボの延命効果も得られる。」という効果（【００３１】）は、当業者であれば予想できる程度のものであり、格別なものとはいえない。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。