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　特願２００７−１１９５６３「照明装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月１３日出願公開、特開２００８−２７７５６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年４月２７日の特許出願であって、平成２２年６月９日付けの拒絶理由の通知に応答して同年８月１３日に手続補正がされたが、同年１１月１１日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成２３年２月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされ、当審による平成２４年２月１０日付けの拒絶理由の通知に応答して同年４月１６日に手続補正がされるとともに同日付けで意見書が提出されたものである。  
　
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年４月１６日に補正された本願の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
「装置基板と；
　ダイボンドされる面と反対側の面に第１の素子電極及び第２の素子電極を有し前記装置基板の一面にダイボンドされて列をなし、配設ピッチが０.５ｍｍから４.０ｍｍの範囲で配設された複数の半導体発光素子と；
　前記半導体発光素子の第１の素子電極とこの第１の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように前記第１の素子電極に対して高さが50μｍよりも高く150μｍ以下となるように湾曲して設けられ、かつ、線径が20μｍ〜30μｍのボンディングワイヤであって、前記第１の素子電極に前記ボンディングワイヤの一端がボールボンディングにより接続されているとともに、前記第２の素子電極に設けたバンプを介して前記ボンディングワイヤの他端が前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極にワイヤボンディングで接続されて、前記各半導体発光素子同士を電気的に直列接続した前記ボンディングワイヤと；
　蛍光体が分散して混入されていて、前記半導体発光素子、前記複数の半導体発光素子の隣接した配設ピッチ間及びボンディングワイヤをこれらが外部に露出しないように埋設したシリコーン樹脂からなる透光性の封止部材と；
を具備したことを特徴とする照明装置。」 
 　 
第３　主引例の記載事項と引用発明の認定 
　当審による拒絶理由の通知で引用した、本願出願前に頒布された特開２００６−４８９３４号公報（以下「主引例」という。）には、以下の記載がある。 
「【００１４】 
　図２は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）などのセラミックをベース３とし、加えて、正方形としたＬＥＤチップ２の適宜数（図示の場合は４個）を１列に整列させるものとしたときの構成例であり、まず、ベース３には導電塗料などで配線パターン３ｂが印刷され、上記ベース３上にはグリーンシートの積層、焼成などによりキャビティ３ａが形成される。また、上記キャビティ３ａの形成時には端子板５も同時に形成され外部からの給電に備えられている。 
【００１５】 
　そして、前記配線パターン３ｂ上にはＬＥＤチップ２がマウントされ、各ＬＥＤチップ２が金線７により直列に配線が行われ、しかる後に、キャビティ３ａに適量の蛍光体６ａが混入された透明シリコーン樹脂６が注入されて、本発明の灯具光源用ＬＥＤランプ１とされる。ここで、本発明の灯具光源用ＬＥＤランプ１では、キャビティ３ａに注入されるシリコーン樹脂は、キャビティ３ａの上面に対しほぼ面一の平面でありレンズ作用を実質的に生じないものとされている。」 
 　 
　上記記載が参照する図２（灯具光源用ＬＥＤランプ１の断面図）からは、上記記載にいう「『キャビティ３ａに注入されるシリコーン樹脂』の『キャビティ３ａの上面に対しほぼ面一の平面』」が、ＬＥＤチップ２と金線７の上にあることが看取できるから、透明シリコーン樹脂６は、ＬＥＤチップ２、複数のＬＥＤチップ２の隣接した配設ピッチ間及び金線７をこれらが外部に露出しないように埋設しており、キャビティ３ａは、複数のＬＥＤチップ２及び金線７を包囲するとともに、ＬＥＤチップ２及び金線７の高さよりも高く設けられ、透明シリコーン樹脂６は、キャビティ３ａの内側に充填されてＬＥＤチップ２及び金線７を埋設して封止している。 
 　 
　したがって、主引例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「ベース３と； 
　前記ベース３上に印刷された配線パターン３ｂにマウントされて１列に整列した４個のＬＥＤチップ２と； 
　前記各ＬＥＤチップ２同士を直列に配線する金線７と； 
　蛍光体６ａが混入されていて、前記ＬＥＤチップ２、前記複数のＬＥＤチップ２の隣接した配設ピッチ間及び金線７をこれらが外部に露出しないように埋設した透明シリコーン樹脂６と； 
を具備し、 
　複数のＬＥＤチップ２及び金線７を包囲するとともに、前記ＬＥＤチップ２及び金線７の高さよりも高く設けられたキャビティ３ａを更に備え、前記透明シリコーン樹脂６は、前記キャビティ３ａの内側に充填されて前記ＬＥＤチップ２及び前記金線７を埋設して封止する、 
灯具光源用ＬＥＤランプ１。」 
 　 
第４　副引例の記載事項の認定
　当審による拒絶理由の通知で引用した、本願出願前に頒布された特開２００２−３１４１３６号公報（以下「副引例」という。）には、以下の１ないし５の記載がある。 
１ 「【００１５】図１〜図３は、本発明による管状の半導体発光装置の第１の本実施の形態を示す。・・・」
　
２　「【００１７】・・・各半導体発光素子(3)の各電極間は順次ボンディングワイヤ(9)を介して電気的に直列に相互に接続される。」 
 　 
３　「【００１８】・・・配線基板(2)上の所定の位置に接着剤（図示せず）で固定される青色ＬＥＤチップは、幅０.３４mm、高さ０.１mmの外形寸法を有し、必要な明るさを得る個数、例えば５個〜７個が用いられる。」
　
４　「【００２０】・・・配線基板(2)に半導体発光素子(3)を固定した後、半導体発光素子(3)の各電極間及び導体パターン(7)とを０.１５mm程度のループ高さでボンディングワイヤ(8, 9)で接続し」 
 　 
５　「【００２３】本発明による管状半導体発光装置の図４〜図６に示す第２の実施の形態では・・・」
　
　上記１及び５より、上記２ないし４を含む副引例の【００１５】ないし【００２２】の記載及び上記１が参照する図１〜図３は、同じ実施例である「第１の本実施の形態」に関するものである。
　
　図１及び図２からは、各半導体発光素子(3)の配線基板(2)に向いた面とは反対側の面に、ボンディングワイヤ(9)と接続される部分が２箇所あり、７個の半導体発光素子(3)がなす列が延びる方向に隣接する２つの半導体発光素子(3)において、近い箇所同士が、ボンディングワイヤ(9)で接続されていることが看取できる。
　上記２より、ボンディングワイヤ(9)の両端が接続されるのは「各半導体発光素子(3)の各電極」であるから、上記「２箇所」には２個の電極（以下「第１電極」及び「第２電極」という。）がある。
　
　上記３より、上記２，４及び図１，２における「半導体発光素子(3)」は、「青色ＬＥＤチップ」であり、配線基板(2)に接着剤で固定される。
　　
　してみると、副引例には、次の青色ＬＥＤ発光装置が記載されていると認められる。
「配線基板と；
　接着剤で固定される面と反対側の面に第１電極及び第２電極を有し、前記配線基板の一面に接着剤で固定されて列をなす複数の青色ＬＥＤチップと；
　前記青色ＬＥＤチップの第１電極と、この第１電極を有した前記青色ＬＥＤチップに対し前記列が延びる方向に隣接した前記青色ＬＥＤチップの第２電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両電極にわたり前記青色ＬＥＤチップの前記配線基板に接着剤で固定される面とは反対側の面から遠ざかるように０.１５mm程度のループ高さで湾曲して設けられ、前記各青色ＬＥＤチップ同士を電気的に直列接続した前記ボンディングワイヤと；
を具備した青色ＬＥＤ発光装置。」　
　
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
　引用発明の「ベース３」、「４個のＬＥＤチップ２」、「金線７」、「蛍光体６ａ」、「透明シリコーン樹脂６」及び「灯具光源用ＬＥＤランプ１」は、それぞれ、本願発明の「装置基板」、「複数の半導体発光素子」、「ボンディングワイヤ」、「蛍光体」、「シリコーン樹脂からなる透光性の封止部材」及び「照明装置」に相当する。 
 　
　引用発明において、「４個のＬＥＤチップ２」が「ベース３上に印刷された配線パターン３ｂにマウントされて１列に整列した」ことは、「複数の半導体発光素子」が「装置基板の一面に搭載されて列をなして配設された」点で、本願発明において、「複数の半導体発光素子」が「装置基板の一面にダイボンドされて列をなし、配設ピッチが０.５ｍｍから４.０ｍｍの範囲で配設された」ことと共通している。
　
　引用発明において、「金線７」が「各ＬＥＤチップ２同士を直列に配線する」ことは、「ボンディングワイヤ」が「各半導体発光素子同士を電気的に直列接続する」点で、本願発明において、「ボンディングワイヤ」が「半導体発光素子の第１の素子電極とこの第１の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように前記第１の素子電極に対して高さが50μｍよりも高く150μｍ以下となるように湾曲して設けられ、かつ、線径が20μｍ〜30μｍのボンディングワイヤであって、前記第１の素子電極に前記ボンディングワイヤの一端がボールボンディングにより接続されているとともに、前記第２の素子電極に設けたバンプを介して前記ボンディングワイヤの他端が前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極にワイヤボンディングで接続されて、前記各半導体発光素子同士を電気的に直列接続した」ことと共通している。
　
　引用発明の「蛍光体６ａが混入されていて、ＬＥＤチップ２、複数のＬＥＤチップ２の隣接した配設ピッチ間及び金線７をこれらが外部に露出しないように埋設した透明シリコーン樹脂６と；を具備し、複数のＬＥＤチップ２及び金線７を包囲するとともに、前記ＬＥＤチップ２及び金線７の高さよりも高く設けられたキャビティ３ａを更に備え、前記透明シリコーン樹脂６は、前記キャビティ３ａの内側に充填されて前記ＬＥＤチップ２及び前記金線７を埋設して封止する」は、本願発明の「蛍光体が分散して混入されていて、半導体発光素子、複数の半導体発光素子の隣接した配設ピッチ間及びボンディングワイヤをこれらが外部に露出しないように埋設したシリコーン樹脂からなる透光性の封止部材と；
を具備した」に相当する。
　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 
＜一致点＞ 
「装置基板と； 
　前記装置基板の一面に搭載されて列をなして配設された複数の半導体発光素子と； 
　前記各半導体発光素子同士を電気的に直列接続するボンディングワイヤと； 
　蛍光体が分散して混入されていて、前記半導体発光素子、前記複数の半導体発光素子の隣接した配設ピッチ間及びボンディングワイヤをこれらが外部に露出しないように埋設したシリコーン樹脂からなる透光性の封止部材と；
を具備した照明装置。」 
　　 
＜相違点１＞
　本願発明は、複数の半導体発光素子が、「ダイボンドされる面と反対側の面に第１の素子電極及び第２の素子電極を有し装置基板の一面にダイボンドされて列をなし、配設ピッチが０.５ｍｍから４.０ｍｍの範囲で配設され」るのに対して、引用発明は、複数の半導体発光素子が、どのような電極を備えるのか、装置基板にどのように搭載されるのか、及び配設ピッチがどの程度であるのか不明である点。
　
＜相違点２＞ 
　本願発明は、ボンディングワイヤが、「半導体発光素子の第１の素子電極とこの第１の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように前記第１の素子電極に対して高さが50μｍよりも高く150μｍ以下となるように湾曲して設けられ、かつ、線径が20μｍ〜30μｍのボンディングワイヤであって、前記第１の素子電極に前記ボンディングワイヤの一端がボールボンディングにより接続されているとともに、前記第２の素子電極に設けたバンプを介して前記ボンディングワイヤの他端が前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極にワイヤボンディングで接続されて、前記各半導体発光素子同士を電気的に直列接続」するのに対して、引用発明は、ボンディングワイヤが、どのように各半導体発光素子同士を電気的に直列接続するのか不明である点。
　
第６　判断
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。 
１　＜相違点１＞について
　副引例には、複数の半導体発光素子（青色ＬＥＤ）が、「ダイボンド（接着剤で固定）される面と反対側の面に第１電極及び第２電極を有し、装置基板（配線基板）の一面にダイボンド（接着剤で固定）されて列をなして配設された照明装置（青色ＬＥＤ発光装置）」が記載されている（上記「第４　副引例の記載事項の認定」参照。）。
　よって、引用発明において、複数の半導体発光素子を、「ダイボンドされる面と反対側の面に第１の素子電極及び第２の素子電極を有し装置基板の一面にダイボンドされて列をなして配設され」るものとすることは、副引例の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得る。
　
　その際、配設ピッチをどの程度とするかは設計事項である。そして、複数のＬＥＤチップを基板上に一列に配置して直列に配線した発光装置において、ＬＥＤチップの配設ピッチ０.５ｍｍから４.０ｍｍは、以下の（１）及び（２）の文献の記載からみて、設計事項の範囲内で当業者が適宜選択し得る通常の大きさである。
（１）　特開２００７−９５７２２号公報（当審による拒絶理由の通知の備考で引用）
「【００４９】・・・ＬＥＤチップ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃが第一の金属部材１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにそれぞれ配置される間隔は、約０．８ｍｍの等間隔とさせてある。」
　
（２）　特開２００６−１０７８５０号公報
「【００２４】・・・発光素子１の大きさは、長さＬが３ｍｍ程度で、幅Ｗが２ｍｍ程度のものが用いられ、横方向のピッチｐ１が３±０.５ｍｍ程度、縦方向のピッチｐ２が４±０.５ｍｍ程度になるように配線パターンが形成され」
　
　したがって、引用発明において、本願発明の相違点１に係る構成を備えることは、副引例の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得ることと認められる。
　
２　＜相違点２＞について 
　副引例には、ボンディングワイヤが、「半導体発光素子（青色ＬＥＤチップ）の第１電極と、この第１電極を有した前記半導体発光素子（青色ＬＥＤチップ）に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子（青色ＬＥＤチップ）の第２電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両電極にわたり前記半導体発光素子（青色ＬＥＤチップ）の前記装置基板（配線基板）にダイボンド（接着剤で固定）される面とは反対側の面から遠ざかるように０.１５mm程度のループ高さで湾曲して設けられ、前記各半導体発光素子（青色ＬＥＤチップ）同士を電気的に直列接続した照明装置（青色ＬＥＤ発光装置）」が記載されている（上記「第４　副引例の記載事項の認定」参照。）。
　よって、引用発明において、ボンディングワイヤを、「半導体発光素子の第１の素子電極とこの第１の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第２の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように湾曲して設けられ、前記各半導体発光素子同士を電気的に直列接続」するものとすることは、副引例の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得る。
　
　その際、遠ざかる高さをどの程度とするか、ボンディングワイヤの線径をどの程度の大きさとするか、及びボンディングワイヤの両端をどのようにボンディングするかは設計事項である。そして、遠ざかる高さを第１の素子電極に対して高さが50μｍよりも高く150μｍ以下となるようにすること、ボンディングワイヤの線径を20μｍ〜30μｍとすること、及び第１の素子電極にボンディングワイヤの一端をボールボンディングにより接続し、第２の素子電極に設けたバンプを介してボンディングワイヤの他端を記列が延びる方向に隣接した半導体発光素子の第２の素子電極にワイヤボンディングで接続することは、以下の（１）ないし（３）にそれぞれ示すとおり、周知技術に基づいて、当業者が適宜選択し得たことである。
（１）　遠ざかる高さの程度について
　ＬＥＤチップの直列接続がボンディングワイヤによりなされる半導体発光装置を製造する際には、ボンディングマシーン等でどのようにボンディングするか設計しなければならないのであるから、半導体発光素子の素子電極のある側の面からの、ボンディングワイヤ湾曲部分の高さをどう定めるかは設計事項である。また、その高さが５０μｍより高く１５０μｍ以下であることも、通常採用される範囲内であるか同範囲と格別相違しない。以下のアないしウの文献の記載はそれを裏づける。
ア　特開２００２−１５１７４５号公報
「【００１５】また、本発明においては、逆ワイヤーボンドにより形成されるワイヤーのアーチは、発光ダイオード上面から３０μm 〜５０μm の高さを有している。
【００１６】ワイヤーのアーチを低くする程、半導体装置が小型化するものの、ワイヤーが発光ダイオードのエッジに接触して断線する可能性が高くなるので、ワイヤーのアーチの高さを発光ダイオード上面から３０μm 〜５０μm 程度に設定するのが良い。」
　同公報の図３には、湾曲したワイア５の高さが、発光ダイオード４の上面から離れる方向に３０〜５０μｍであることが記載されている。
　
　上記記載は、半導体発光素子の素子電極のある側の面からの、ボンディングワイヤ湾曲部分の高さは、低ければ半導体装置が小型化できるが、低過ぎればワイヤーが発光ダイオードのエッジに接触して断線する可能性が高くなることを勘案して定めるべき設計事項であることを示している。
　また、上記記載における「３０〜５０μｍ程度」は、「高さが50μｍよりも高く150μｍ以下」と５０μｍ近傍で重なっている。
　
イ　特開２００３−３４７３４５号公報
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケージの薄型化の要求が高まるに伴い、ワイヤーのループ高さも制限されるようになった。そこで、図６（ａ）に示すようなこれまでのワイヤーに替えて、（ｂ）に示すような低ループワイヤーや、（ｃ）に示すような逆ボンディングなどによる低ループ化が測られたが、前者はループ高さが１００μｍ以下に制御することができず、後者はワイヤーボンダーに追加ソフトが必要となり、新たに大きな設備投資が要求される。そして、さらにこれらは共にワイヤー長が短くなるため、パッケージの際、樹脂の応力によりワイヤーが断線してしまう、という問題があった。
【０００４】そこで、本発明は、従来の半導体装置及びその製造方法、製造装置における欠点を取り除き、大きな設備投資を必要とすることなく、高い信頼性をもって低ループ化を図ることの可能な半導体装置及びその製造方法、製造装置を提供することを目的とするものである。」
　
　上記記載は、半導体発光素子の素子電極のある側の面からの、ボンディングワイヤ湾曲部分の高さは、パッケージの薄型化の要求からは低い方がよいが、ワイヤー長が短くなると、パッケージの際、樹脂の応力によりワイヤーが断線してしまうというのであるから、パッケージの薄型化と断線防止を勘案して定めるべき設計事項であることを示している。
　また、上記記載は、従来ループ高さが１００μｍ以下に制御することができなかった点を本発明は解決するというのであるから、本発明はループ高さ１００μｍ以下を目指すものである。
　
ウ　特開２００６−２０３０８０号公報
「【００５０】
 　本発明者らはさらに、図１０に示すＡｕワイヤ５０のループ形状を最適化するための試験を実施した。具体的には、Ａｕワイヤ５０のループ形状を変化させて、Ａｕワイヤ５０とサブマウント２０との接触の有無を調べる試験とともに、いわゆるワイヤプルテストを実施した。
  図１０に示すように、Ａｕワイヤ５０のうち最も基板１０から離間している部分の基板１０からの距離をＡとし、Ａｕワイヤ５０のうち最もサブマウント２０から離間している部分の接合部１１Ｂからの距離をＢとする。サブマウントの幅Ｔ１は６００μｍ、高さＴ２は１５０μｍである。なお、Ａｕワイヤは、太さが２５μｍのものを用いた。（【００５１】は省略。）
【００５２】
 　ここで、距離Ａを１８０μｍで固定して・・・」
　
　上記記載は、ボンディングワイヤのループ形状が、試験等で好適な値を求めるべき設計事項であることを示している。
　また、上記記載より、Ｔ２は１５０μｍ、Ａは１８０μｍであるから、上記記載が参照する図１０において、ループ高さに相当するＡ−Ｔ２は、１８０μｍ−１５０μｍ＝３０μｍである。
　
　なお、請求人は、平成２４年４月１６日に提出した意見書において、「引用文献２の段落番号００２０には、０．１５ｍｍ程度のループ高さを有することが記載されているが、引用文献２の記載からするとこのループ高さの基準となる位置については記載がない。また、引用文献２の記載内容からすると、このループ高さの基準は、配線基板面からの高さを規定していると解釈することが妥当であると思料する。」と主張している。
　たしかに、副引例（上記「引用文献２」）には、「【００２０】・・・半導体発光素子(3)及びボンディングワイヤ(8, 9)の保護と光取り出し効率向上のため、半導体発光素子(3)の表面及びボンディングワイヤ(8, 9)にシリコーン樹脂等の保護部材（図示せず）を０.２mm程度の塗布厚さで塗布してもよい。【００２１】・・・配線基板(2)の厚さは０.２mm、青色半導体発光素子(3)の高さは０.１mm、ボンディングワイヤ(8, 9)のループ高さは０.１５mm、保護部材の塗布の厚さは０.２mmであり、配線基板(2)の下面から保護部材の上面までの間隔は０.４mmである」との記載がある。ループ高さを青色半導体発光素子の上面からの高さとすると、配線基板下面から保護部材の上面までの間隔は、配線基板の厚さ０.２mm、半導体発光素子の高さ０.１mm、ループ高さ０.１５mmの和の０．４５ｍｍであるかこれに保護部材の塗布厚さ０.２mmをさらに加えた０．６５ｍｍとなって、「配線基板(2)の下面から保護部材の上面までの間隔は０.４mmである」と矛盾する一方、ループ高さを配線基板の上面からの高さとすると、配線基板下面から保護部材の上面までの間隔は、配線基板の厚さ０.２ｍｍとループ高さ０.１５ｍｍの和の０．３５ｍｍであるかこれに保護部材の塗布厚さ０.２ｍｍをさらに加えた０．４５ｍｍとなって、「配線基板(2)の下面から保護部材の上面までの間隔は０.４mmである」と概ね符合する。よって、請求人の主張するとおりに、副引例の記載におけるループ高さの基準は、配線基板面からの高さを規定していると解釈することが妥当でないとまではいえない。しかしながら、そのように解釈すると、副引例の記載における湾曲したボンディングワイヤの電極のあるＬＥＤチップ上面からの高さは０.１５ｍｍから半導体発光素子の高さ０.１ｍｍを減算した０．０５ｍｍ＝５０μｍであり、これは、本願発明の相違点２に係る構成における「高さが50μｍよりも高く150μｍ以下」と５０μｍで一致する。
　よって、該主張は、ボンディングワイヤを第１の素子電極に対して高さが50μｍよりも高く150μｍ以下となるように湾曲して設けることが、副引例の記載に基づいて、想到容易ではないことを立証するものではない。
　
（２）　ボンディングワイヤの線径について
　半導体発光素子に用いるボンディングワイヤの線径として20μｍ〜30μｍは通常の範囲であり、当業者が必要に応じて採用できるものである。
　例えば、特開２００２−１５１７４５号公報には次の記載がある。
「【００１４】ワイヤーの径を細くする程、ワイヤーの端が小さくなるので、発光ダイオード上面の電極を小さくして、発光効率の向上を図ることができるものの、実用的なワイヤーの強度を維持するためには、ワイヤーの径を２０μｍ〜２３μm に設定するのが良い。」
　また、特開２００６−２０３０８０号公報には、次の記載がある。
「【００５０】・・・Ａｕワイヤは、太さが２５μｍのものを用いた。」
　
（３）　ボンディングワイヤの一端がボールボンディングにより接続され、他端が電極に設けたバンプを介して電極にワイヤボンディング接続される点について
　電子部品におけるボンディングワイヤによるボンディングにおいて、ボンディングワイヤ端をボールボンディングで接続すること、ボンディングワイヤ端を電極に設けたバンプを介して接続すること、及びボンディングワイヤの一端と他端で接続の仕方を異ならせることは周知である。そのことを示す例として、以下のアないしエの文献の記載を挙げる。
　よって、ボンディングワイヤの一端をボールボンディングによる接続とし、他端を電極に設けたバンプを介しての接続とすることは、周知技術に基づいて、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
ア　特開昭６１−１９８７４１号公報
「従来、この種のワイヤボンディングにおけるポール形成装置は第６図に示すようにキャピラリ３の先端部より引き出したAl線やCu線などのワイヤ１に対して不活性ガスをノズル９より噴出し、スパーク放電電源部７を使ってスパーク放電によりワイヤｌの先端にボール1aを形成し、そのポール1aをＩＣチップの電極にボンディングした後、ワイヤ１をパッケージにボンディングしていた（特公昭５７−３９０５５号）。」（１頁右欄４ないし１２行。）
　
イ　特開２００２−１５１７４５号公報
「【００１０】・・・この逆ワイヤーボンドに際しては、まずボンディングワイヤー（Ａｕ線等）の先端にボールを形成して、このボールを第２配線パターン上にボンディングし、引き続いてワイヤーを第２配線パターンから発光ダイオード上面の電極へと引き延ばして、このワイヤーの端を発光ダイオード上面の電極にボンディングする。」
　
ウ　特開２００６−２０３０８０号公報
「【００３６】・・・はじめに半導体素子側のパターンにＡｕワイヤのイニシャルボールを接合して、つぎに基板側のパターンにＡｕワイヤの他端を接合することが慣例となっていた。」
　
エ　特開２００３−３４７３４５号公報
「【請求項３】  フレーム上に半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子のボンディングパッド部と、前記フレームのリード部をワイヤーで接続する工程と、
前記ワイヤーをそのループ形状にその高さを制限するような形状に塑性加工する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　以上のことから、引用発明において、本願発明の相違点２に係る構成を備えることは、副引例の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことと認められる。 
　
３　まとめ
　上記１及び２より、引用発明において、本願発明の相違点１及び相違点２に係る構成を備えることは、副引例の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。 
　したがって、本願発明は、引用発明、副引例の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、副引例の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。