【事件の表示】
　特願２００３−５５７０４１「基板処理方法，基板処理装置およびマイクロ波プラズマ水素シンタ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１０日国際公開，ＷＯ０３／５６６２２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年１２月２５日（優先権主張　平成１３年１２月２６日，日本国）を国際出願日とする特許出願であって，平成１９年９月２８日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月３０日に意見書と手続補正書が提出され，平成２０年１０月９日付けで最後の拒絶の理由が通知され，同年１２月１２日に意見書と手続補正書が提出されたが，平成２１年７月２４日付けの補正の却下の決定によって，前記平成２０年１２月１２日に提出された手続補正書でした補正は却下され，同日付けで拒絶査定されたものである。その後，平成２１年１０月２３日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに同日手続補正がなされ，平成２３年１月２８日付けで審尋がおこなわれ，同年３月２８日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年１０月２３日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１０月２３日に提出された手続補正書でした補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２１年１０月２３日に提出された手続補正書でした補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含み，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「【請求項１】電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給し，平面アンテナからマイクロ波を照射して前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】前記水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気は，重水素ラジカルおよび重水素イオンを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項４】前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行されることを特徴とする請求項１〜３のうち，いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項５】前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１〜４のうち，いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項６】前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする請求項１〜５のうち，いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項７】前記電子デバイス用基板は，Ｓｉ基板，ＳｉＧｅ基板あるいはガラス基板のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６のうち，いずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項８】電子デバイス用基板表面に酸化膜を形成する工程と，
　前記酸化膜をマイクロ波プラズマ処理により窒化し，少なくとも部分的に酸窒化膜に変換する工程と，
　前記酸窒化膜上にポリシリコン膜を形成する工程と，
　前記電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する半導体装置の製造方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給し，平面アンテナからマイクロ波を照射して前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】前記半導体装置はＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】前記電子デバイス用基板は，Ｓｉ基板，ＳｉＧｅ基板あるいはガラス基板のいずれかであることを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記酸化膜は，熱酸化膜をゲート絶縁膜として含むことを特徴とする請求項８〜１０のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする請求項８〜１１のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】前記酸化膜は，プラズマ酸化法，触媒酸化法，ＣＶＤ法，ＰＶＤ法のいずれかの方法により形成されたゲート絶縁膜を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記半導体装置は，電極間絶縁膜に高誘電体絶縁膜を用いた記憶素子を含むことを特徴とする請求項８〜１３のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行されることを特徴とする請求項８〜１４のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われることを特徴とする請求項８〜１５のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であることを特徴とする請求項８〜１６のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理装置であって，
　前記電子デバイス用基板を保持する基板保持台が形成され，排気部より排気される処理容器と，
　前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給するガス導入部と，
　前記処理容器内にマイクロ波を照射し前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起し，前記水素ラジカルおよび水素イオンを形成する平面アンテナと，
　を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われることを特徴とする請求項１８記載の基板処理装置。
【請求項２０】前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行されることを特徴とする請求項１８または１９記載の基板処理装置。
【請求項２１】前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１８〜２０のうち，いずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項２２】前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする請求項１８〜２１のうち，いずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項２３】マイクロ波プラズマ水素シンタ装置であって，
　前記電子デバイス用基板を保持する基板保持台が形成され，排気部より排気される処理容器と，
　前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給するガス導入部と，
　前記処理容器内にマイクロ波を照射し前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起し，前記水素ラジカルおよび水素イオンを形成する平面アンテナと，
　を備えたことを特徴とするマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。
【請求項２４】前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われることを特徴とする請求項２３記載のマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。
【請求項２５】前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行されることを特徴とする請求項２３または２４記載のマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。
【請求項２６】前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であることを特徴とする請求項２３〜２５のうち，いずれか一項記載のマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。
【請求項２７】前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする請求項２３〜２６のうち，いずれか一項記載のマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。」
とあったものを，補正後に，　
「【請求項１】半導体装置が形成された電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給し，平面アンテナからマイクロ波を照射して前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成され，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ，
　前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行され，
　前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であり，
　前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】前記水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気は，重水素ラジカルおよび重水素イオンを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】前記電子デバイス用基板は，Ｓｉ基板，ＳｉＧｅ基板あるいはガラス基板のいずれかであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】電子デバイス用基板表面に形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されゲート電極を構成するポリシリコン膜とよりなる半導体装置において，
　前記半導体装置が形成された前記電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する半導体装置の製造方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給し，平面アンテナからマイクロ波を照射して前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成され，
　前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであり，
　前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行され，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ，
　前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記半導体装置はＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記電子デバイス用基板は，Ｓｉ基板，ＳｉＧｅ基板あるいはガラス基板のいずれかであることを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記酸化膜は，熱酸化膜をゲート絶縁膜として含むことを特徴とする請求項４〜６のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】前記酸化膜は，プラズマ酸化法，触媒酸化法，ＣＶＤ法，ＰＶＤ法のいずれかの方法により形成されたゲート絶縁膜を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】前記半導体装置は，電極間絶縁膜に高誘電体絶縁膜を用いた記憶素子を含むことを特徴とする請求項４〜８のうち，いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】半導体装置が形成された電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理装置であって，
　前記電子デバイス用基板を保持する基板保持台が形成され，排気部より排気される処理容器と，
　前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給するガス導入部と，
　前記処理容器内にマイクロ波を照射し前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起し，前記水素ラジカルおよび水素イオンを形成する平面アンテナと，
　を備え，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ，
　前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行され，
　前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であり，
　前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】マイクロ波プラズマ水素シンタ装置であって，
　半導体装置が形成された電子デバイス用基板を保持する基板保持台が形成され，排気部より排気される処理容器と，
　前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給するガス導入部と，
　前記処理容器内にマイクロ波を照射し前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起し，前記水素ラジカルおよび水素イオンを形成する平面アンテナと，
　を備え，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ，
　前記電子デバイス用基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行され，
　前記プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下であり，
　前記平面アンテナは，ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とするマイクロ波プラズマ水素シンタ装置。」
とするものである。
　
２　補正目的の適否について
　上記補正の内，補正後の請求項１についてした補正は，補正前の請求項１に係る発明における「電子デバイス用基板」を，「半導体装置が形成された電子デバイス用基板」と限定し，「水素ラジカルおよび水素イオンの形成」が，「１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ」ることを限定し，「電子デバイス用基板の水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対する曝露」が，「４００℃以下の基板温度で実行され」ることを限定し，「プラズマ」は，「電子温度が１．５ｅＶ以下であ」ることを限定し，及び，「平面アンテナ」が，「ラジアルラインスロットアンテナである」ことを限定したものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正といえる。
　同様の理由により，補正後の請求項１０及び請求項１１についてした補正も，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正といえる。
　
　また，補正後の請求項４についてした補正のうち，補正前の請求項８に係る発明における「電子デバイス用基板表面に酸化膜を形成する工程と，前記酸化膜をマイクロ波プラズマ処理により窒化し，少なくとも部分的に酸窒化膜に変換する工程と，前記酸窒化膜上にポリシリコン膜を形成する工程と」を，「電子デバイス用基板表面に形成されたゲート絶縁膜と，前記ゲート絶縁膜上に形成されゲート電極を構成するポリシリコン膜とよりなる半導体装置において」とした補正は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とした補正であり，補正前の請求項８に係る発明における「電子デバイス用基板」を，「半導体装置が形成された前記電子デバイス用基板」と限定し，「平面アンテナ」が，「ラジアルラインスロットアンテナである」ことを限定し，「電子デバイス用基板の水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対する曝露」が，「４００℃以下の基板温度で実行され」ることを限定し，「水素ラジカルおよび水素イオンの形成」が，「１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ」ることを限定し，「プラズマ」は，「電子温度が１．５ｅＶ以下であ」ることを限定した補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正といえる。
　
　そして，補正後の請求項２−３及び請求項５−９は，いずれも，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正をおこなった請求項１及び請求項４を引用するから，請求項２−３及び請求項５−９もまた，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正をおこなった請求項であるといえる。
　
　なお，補正前の請求項３−６，１２，１５−１７，１９−２２，２４−２７は，補正後に削除されており，これは，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とした補正といえる。
　
３　独立特許要件について
　上記のとおり，請求項１−１１についてした補正は，いずれも特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。そこで，この補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）及び請求項７−８に係る発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて更に検討する。
　
（１）請求項７−８の記載要件について
　請求項７−８は，いずれも請求項４を引用する請求項であるところ，請求項７−８の冒頭に記載された「前記酸化膜」に対応する「酸化膜」は，請求項４には存在しない。したがって，請求項７−８の記載は不明確であるから，特許を受けようとする発明が明確であることを要する特許法第３６条第６項第２号の規定に適合しない。
　
（２）本願補正発明１の進歩性について
ア　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１，引用例２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
（ア）　引用例１：特開平１１−３３００８０号公報
（１ａ）「【請求項１】
水素を構成要素として含む分子を含む気体をプラズマ化し，その下流に被加工物を設置して，被加工物内に水素を導入し，被加工物の物性を変化させることを特徴とする水素アニール方法
【請求項２】被加工物の処理が非エッチング，非堆積膜生成処理であることを特徴とする請求項１に記載の水素アニール方法。
【請求項３】
プラズマ化するためのガスに含まれる水素中の重水素の存在比が０．０１８４％以上である
【請求項４】被加工物が半導体あるいは半導体の酸化物であることを特徴とする請求項２または３に記載の水素アニール方法。
【請求項５】
被加工物の半導体あるいは半導体酸化物が半導体集積回路，液晶表示素子，あるいは太陽電池を構成する部材
【請求項６】
処理中の被加工物が１２０℃以上に保持
【請求項７】プラズマ化してその下流に被加工物を設置して処理するための，水素を構成要素として含む分子を含む気体が，ハロゲン，窒素，
希ガス
を構成要素とする分子を，該水素を構成要素として含む分子と同時に含む
　
（１ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は水素により物性を改良するための水素アニールを低温で高速かつ安価に行う方法に関する。特に，
被加工物表面に物理的損傷を与えることが少なく，かつ目的とする処理を達成するのに不都合な現象を生じる活性粒子を生じることの少ないプラズマダウンストリーム処理法の特性
　
（１ｃ）「【従来の技術】水素分子を含むガス中で被加工物を高温に維持することにより，被加工物表面にエッチングや堆積物生成等の表面加工を生じることなく，被加工物の物性を変化させる水素アニール処理は，例えばシリコン半導体デバイス製造工程において，様々な形で利用されてきた。
シリコン大規模集積回路の製造では前工程の終了前に４００〜４５０℃程度の高温度で水素アニールを行い，シリコン半導体の特性を安定させる方法は良く知られている
　
（１ｄ）「【発明が解決しようとする課題】これら従来の水素アニールは大量のシリコン基板を同時に処理できる筒型の炉を用いているのが普通である。高温処理であるために，枚葉で処理を行っていたのでは昇温，降温のための時間がかかり，処理が効率的に行えないためである。しかし，大容量の炉に例え希釈してあったとしても水素を流し，かつ長時間処理するので，大量の水素を安全に供給し排気するための大規模な設備が必要であり，水素ガスの費用も無視できないものがある。」（【０００５】）
　
（１ｅ）「また，例えば４００〜４５０℃の水素アニールの場合，この時点では被加工物である集積回路上にはアルミニウムを用いた配線がすでに施されている。用いられる４００〜４５０℃と言う温度はアルミニウムの融点よりは低くはあるが，それでも結晶粒界（ｇｒａｉｎ　ｂｏｕｎｄａｒｙ）の変動などの構造変化が起こり，ヒルロックと呼ばれる突起した結晶粒が生じることなどが知られている。集積回路が微細化された現在，結晶粒界がアルミニウム配線を横切る構造になると，ストレスマイグレーションと呼ばれる，アルミニウムの上下にある物質間の熱膨張率の違いによってアルミニウム配線が断裂してしまう障害などが起こりやすくなることが知られている。従って，アルミニウムへの影響は極力排除されることが望ましいが，そのためにはおそらく２００℃程度の低温で水素アニールが行える必要があり，その程度の低温になると，水素分子の拡散が十分に起こらず，本来水素アニールが目的とするシリコン酸化膜，あるいはシリコン酸化膜／シリコン界面の特性改善が十分に行われなくなってしまう問題がある。」（【０００６】）
　
（１ｆ）「【課題を解決するための手段】
水素を構成要素として含む分子を含む気体をプラズマ化し，その下流に被加工物を設置して，被加工物内に水素を導入する
　水素アニールの効果は被加工物を構成部分の少なくとも一部として持つ機能素子の電気的特性を含む物性の変化として測定評価されているが，水素が被加工物に与える原子・分子レベルでの変化，すなわち構造化学的な観点での変化は必ずしも明らかになっていない。しかし，例えば前述の４００〜４５０℃アニールの場合，シリコン酸化膜中あるいはシリコン酸化膜／シリコン界面に存在するシリコンのダングリング・ボンドと水素が結合し，Ｓｉ−Ｈ結合もしくはＳｉ−Ｄ結合が形成され，それによりダングリング・ボンドがもたらす電気的な不安定が取り除かれると考えられている。このとき，
水素分子は最終的には解離され水素原子としてシリコンと結合するのであり，熱は水素分子の拡散速度を高めかつシリコンとの反応効率を高めていると考察されるから，あらかじめ水素分子ではなく，水素原子として被加工物に供給すれば拡散速度の点でも，反応の点でも処理の低温下と高速化が実現できると期待される
　
（１ｇ）「［第二の実施例］図１の装置を用いて，９９％重水素からなる重水素分子ガス９０ｓｃｃｍと塩素分子１０ｓｃｃｍの混合ガスを，５００Ｗ，２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印加してプラズマ化し，その下流に１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハを設置し，２００℃で１０分間処理し，２次イオン質量分析法で重水素を測定した。表面から１００Åの酸化膜／シリコン界面付近で重水素濃度は最大となり，その濃度は約３ｘ１０１９ｃｍ−３であった。残念ながら設備の関係上実際のＭＯＳトランジスターを用いてのゲート酸化膜の電子注入に対する寿命は調査できなかったが，この結果は重水素によるダングリング・ボンドの解消を従来より低温で高速，かつ少ない重水素量で行えることを示唆するものである。」（【００１６】）
　
（イ）　引用発明１
　上記引用例１の記載事項（１ｇ）をまとめると，引用例１には，
「９９％重水素からなる重水素分子ガス９０ｓｃｃｍと塩素分子１０ｓｃｃｍの混合ガスに，５００Ｗ，２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印加してプラズマ化し，その下流に１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハを設置し，２００℃で１０分間処理して，表面から１００Åの酸化膜／シリコン界面付近での重水素濃度を最大となし，その濃度を約３ｘ１０１９ｃｍ−３とした，酸化膜を成長させたシリコンウェハの処理方法。」（以下「引用発明１」という。）が記載されている。　
　
（ウ）　引用例２：国際公開第９８／３３３６２号
（２ａ）「技術分野
  本発明は，
プラズマ装置
背景技術
  近年，
ＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integrated Circuit）のチップサイズの大型化に伴い，その基体として用いられるシリコン基板も大口径化される傾向にある
　
（２ｂ）「本発明は，容器内部が狭い空間内部において，プラズマ電位の低い大面積において均一な高密度プラズマを励起し，且つシャワープレートに相当する機構を採用することで原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるため，大面積の基板上に高品質の薄膜を低温且つ高速で均一に成膜でき，エッチンクプラズマプロセス
その他のプラズマ処理にも使用できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする
　
（２ｃ）「（符号の説明）
・・・　
２０１・・　ラジアル・ライン・スロット・アンテナ
　
（２ｄ）「実施例
　以下，図面を参照して本発明のプラズマ装置を説明するが，本発明はこれらの実施例に限定されるものでないことはいうまでもない。
  （実施例１）
  本例では，図１に示すプラズマ装置を用い，容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生起させる際，容器内面を構成する部材の材質および部材の厚さを変えてプラズマの安定性を調べた。
  図１において，１００は内部が減圧可能な容器，１０１はチャンバ，１０２は第１の誘電体板，１０３は導波誘電体板，１０４は被処理体，１０５はプラズマ，１０６はアンテナスロット板，１０７は同軸管，１０８はアンテナガイト，１０９は電極，１１０はスロット，２０１はラジアル・ライン・スロット・アンテナ，２０２は第１のＯリング，２０５は空間３，２０６は空間４，２０７は空間５である。
  図１において，内部が減圧可能な容器１００は，チャンバ１０１（材質：ＳＵＳ）と，第１の誘電体板１０２（材質：石英）と，これらの間に設けた真空シール機能を有する第１のＯリング２０２とから構成されており，容器１００の内部は不図示の排気システムによって減圧することができ，容器１００は電気的に接地してある。
  
容器１００外には，アンテナガイド１０８（材質：Ａ１），アンテナスロット板１０６（材質：Ｃｕ），導波誘電体板１０３（材質：石英）から構成されるラジアル・ライン・スロット・アンテナ２０１が設置され
容器１００内に電波を放射し，不図示の原料ガス供給系から，容器１００内部へガスを流し込み，プラズマ１０５を励起させる
  図２は，図１に示したラジアル・ライン・スロット・アンテナ２０１を下方からみた模式的な平面図である。アンテナスロット板１０６には，スロット板を貫通する穴部（以下，スロット）１１０が配置されているが，スロット１１０の配置は図２の配置に限定されない。
  スロット１１０は，２つのスロット１１１ａと１１１ｂを１つの対としており，アンテナ２０１へ同軸管１０７を通して入射される管内波長λｇの１／４の距離で直角に配置されている。前記スロット１１１ａと１１１ｂからなる対，すなわちスロット１１０は各々が円偏波の電波を出すことができ，複数個のスロット１１０は同心円状に多数設けられている。スロット１１０の配置は同心円の他に螺旋状に設けてあっても構わない。これらの例に限定されることはないが，本例では同心円状に配置することにより，前記電波を大面積内で均一に放射できるように設けた。
  また，円偏波の電波を放射することに限定されるわけではなく直線偏波を用いてもよいが前記円偏波の方が好ましい。
  １０７はスロット板１０６にマイクロ波を供給するための同軸管であり，不図示の同軸管−導波管変換器を介して導波管から整合器を介してマイクロ波電源が接続されている。
  また，被処理体１０４をチャンバ１０１内外に搬送するための手段などが必要であるか，図１では省略してある。
  本例では，ラジアル・ライン・スロット・アンテナ２０１に同軸管１０７よりマイクロ波（周波数＝８．３ＧＨｚ）を導入し，アンテナ２０１より電波を放射し容器１００の空間５（２０７）の中にプラズマ１０５を励起させた。しかし，ＳＵＳチャンバ１０１では，空間５（２０７）の中にプラズマ１０５か励起しなかった
  そこで，前記ＳＵＳチャンバ１０１の内表面に，鉛，タンタル，タングステン，アルミニウム，金，銅，銀からなるめっき層（７種）をそれぞれ施し，上記プラズマの着火実験を行なった。その際，
プロセスガスとしてはＡｒガスを用い，ガス圧力は５００ｍＴｏｒｒとした
  図３は，プラズマの着火実験の結果である。この時，めっきの厚さはマイクロ波のｄ＝（２／μ0σω）1/2から決定する表皮深さよりも厚い必要があるため，約１０μｍとした。図３から，チャンバ１０１の内表面の材質の導電率が高くなればなるほどプラズマは励起しやすいことがわかった。この実験結果は，マイクロ波を容器１００内に導入した瞬間には，容器１００内は共振器状態となっており，プラズマを着火するには高電界が必要なため，共振器のＱ値を高くしなければならないことを意味する。
  図４は，ＳＵＳチャンバ１０１の内表面にアルミニウムめっき層を設け，その厚さとアンテナ２０１に導入するマイクロ波の波長とを変えて，プラズマの着火実験を行った結果である。図４から，
マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚの場合には，マイクロ波のｄ＝（２／μ0σω）
1/2
から決定する表皮深さ１．６７μｍよりもアルミニウムめっき層が厚いとき，プラズマが安定していることが分かった
　
（２ｅ）「（実施例１６）
  本例では，図１５に示すプラズマ装置において，容器１０１外に第１の誘電体板１０２を介して
アンテナ２０１
  図３１は飽和イオン電流密度の分布を，図３２は電子温度の分布を，図３３は電子密度の分布を，それぞれ測定した結果を示すグラフである。
  図３１乃至図３３から，
本発明に係るプラズマ装置は，
１．０ｅＶ（１５０００Ｋ）程度の電子温度
　
（２ｆ）「原料ガスとしてＳｉＨ4，Ｈ2及びＡｒを用いているが，これらの組み合わせに限定されるわけではなく，Ａｒの代わりにＸｅを用いてもよいが，Ｘｅのほうが好ましい。
  Ａｒの比率はＡｒを全体の半分以上に保つ必要がある。本例では５０％に設定したがこの値に限定されるわけではない。これは
マイクロ波を用いたプラズマ励起方法では，プラズマの励起を維持するためには，該プラズマ中の電子密度がある程度高い必要があるためで，より高い電子密度を得ることのできるＡｒの比率を多くする必要がある
　
（２ｇ）「
キャリアガスとしてＡｒの代わりにＨｅやＸｅを用いても構わない
　
（２ｈ）「（実施例３８）
  本例では，大流量のガスを均一に供給することが可能な
ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラスマ装置
本装置の構成は実施例３と同様であるので省略する。
  ダイヤモンド薄膜はその優れた機械的，熱的科学的，電気的，光学的特性を有し，さらに適当な不純物を添加することによって半導体特性を制御できることから注目されている。
  本実施例では，ダイヤモンド薄膜を，ＵＬＳＩシリコンの次世代の加工技術として期待されているＸ線リソグラフィに用いられる，マスクへの応用を目指した成膜について述べる。
  図６９にＸ線リソグラフィ用マスクの構成の一例を示す。図の中央正方形部の吸収体には転写する回路パターンが形成される。基板側から平行光のＸ線が入射し，中央正方形部の，吸収体のない部分をＸ線が通過し，吸収体側に設置された，不図示の被パターン形成Ｓｉウエハに投影される。吸収体の支持層として使われるダイヤモンド薄膜には，透明であること，表面が平滑であること，面内で均一な特性であることが要求される。
  本実施例では，Ｓｉウェハ上へのダイヤモンド薄膜の成膜を実施した。以下に実施方法を述べる。
  表面の汚染物（パーティクル，有機物，金属）と自然酸化膜を除去したＳｉ基板をチャンバに導入する。ローディング後，ダイヤモンド薄膜を前記装置にて，１〜２μｍ程度成膜する。まずＡｒ／Ｈ2／ＣＨ4もしくはＡｒ／Ｈ2／ＣＯ2雰囲気中でＳｉ基板表面を炭化処理した後，Ｓｉ基板を負にバイアスして，Ｓｉ基板上にダイヤモンド結晶の核を生成させる。この処理の後，Ａｒ／Ｈ2／ＣＨ4／Ｏ2もしくはＡｒ／Ｈ2／ＣＯ2／Ｏ2雰囲気中でダイヤモンド薄膜を１〜２μｍ程度成膜する。上記のＡｒの代わりにＸｅを用いても良い。
プロセス時のチャンバー圧力は３〜５００ｍＴｏｒｒ
Ｓｉウェハは３００
本装置では，大面積に高密度かつ均一なプラズマを生成でき
　
イ　対比
（ア）引用発明１は，引用例１の請求項に記載された発明の実施例であるところ，引用例１の上記摘記（１ａ）に記載されているように，請求項３において「プラズマ化するためのガスに含まれる
水素中の重水素の存在比
水素中の
　
（イ）上記（ア）で検討したように，引用発明１の混合ガスは水素を含む処理ガスといえるところ，この引用発明１の水素を含む処理ガスである混合ガスにマイクロ波を印加してプラズマ化することで，前記水素が励起されて，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気が形成されることは技術常識といえる。
　
（ウ）引用発明１の「１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハ」と，本願発明１の「半導体装置が形成された電子デバイス用基板」とは，「基板」である点で一致する。
　
（エ）引用発明１の「２００℃」は，４００℃以下の温度範囲に含まれるから，引用発明１と本願補正発明１は，いずれも，雰囲気に対する曝露を「４００℃以下の基板温度」で実行する基板処理方法である点で一致する。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明１との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，供給された水素を含む処理ガスにマイクロ波を照射して前記水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成され，
　前記基板の前記雰囲気に対する曝露は，４００℃以下の基板温度で実行される基板処理方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１が「半導体装置が形成された電子デバイス用基板」に対する基板処理方法であるのに対して，引用発明１は「１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハ」に対する基板処理方法である点。
　
・相違点２：本願補正発明１においては，水素ラジカルおよび水素イオンは，「希ガス」と水素を含む処理ガスから形成されているのに対して，引用発明１では，「塩素分子」と水素を含む処理ガスから形成されている点。
　
・相違点３：本願補正発明１では「基板上に処理ガスを供給し，ラジアルラインスロットアンテナである平面アンテナからマイクロ波を照射して処理ガスをプラズマ励起」し，「水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ」，「プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下」であるのに対して，引用発明１では「混合ガスを，５００Ｗ，２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印加してプラズマ化し，その下流に基板を設置」していることが示されているだけであって，圧力と電子温度は特定されていない点。
　
ウ　相違点についての判断
・相違点１について
（ア）引用例１の上記摘記（１ｂ）には，発明の属する技術分野として，従来水素分子を用い高温で行われていた水素アニールを低温で高速に行えるようにしたことを特徴とする水素アニール方法に関するものであることが示されている。
（イ）また，引用例１の上記摘記（１ｃ）には，従来の技術として，シリコン大規模集積回路の製造での前工程の終了前に４００〜４５０℃程度の高温度で水素アニールを行い，シリコン半導体の特性を安定させる方法が良く知られていることが示されている。
（ウ）さらに，引用例１の上記摘記（１ｄ）〜（１ｅ）には，発明が解決しようとする課題として，４００〜４５０℃の水素アニールの場合，この時点では被加工物である集積回路上にはアルミニウムを用いた配線がすでに施されており，アルミニウムへの影響は極力排除されることが望ましいが，そのためにはおそらく２００℃程度の低温で水素アニールが行える必要があり，その程度の低温になると，水素分子の拡散が十分に起こらず，本来水素アニールが目的とするシリコン酸化膜，あるいはシリコン酸化膜／シリコン界面の特性改善が十分に行われなくなってしまう問題があることが示されている。
（エ）そして，前記（イ）の，シリコン大規模集積回路の製造での前工程の終了前の水素アニール，及び，前記（ウ）の被加工物である集積回路上にアルミニウムを用いた配線がすでに施されている時点での水素アニールが，いずれも，半導体装置が形成された電子デバイス用基板を，水素雰囲気に対して曝露する基板処理方法であることは，当業者にとって明らかといえる。
（オ）そうすると，引用例１に接した当業者であれば，従来水素分子を用い高温で行われていた，半導体装置が形成された電子デバイス用基板の水素アニールには，種々の不都合があったので，これら不都合を解決する為に，引用発明１が成されたということを理解することができるといえる。
（カ）してみれば，引用例１に「第二の実施例」として記載された引用発明１が，「１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハ」に対する基板処理であって，半導体装置が形成された電子デバイス用基板への処理でなかったとしても，当業者であれば，前記（オ）の理解に基づいて，前記引用例１の「第二の実施例」に記載された「１００Åの酸化膜をＯ２雰囲気中で成長させた６インチのシリコンウェハ」が，電子デバイス用基板に形成された半導体装置のシリコン酸化膜／シリコン界面を模したものであることに思い至り，引用発明１を，半導体装置が形成された電子デバイス用基板への処理に適用することは容易になし得たことといえる。
（キ）しかも，引用例１の上記摘記（１ｇ）には「残念ながら設備の関係上実際のＭＯＳトランジスターを用いてのゲート酸化膜の電子注入に対する寿命は調査できなかったが，この結果は重水素によるダングリング・ボンドの解消を従来より低温で高速，かつ少ない重水素量で行えることを示唆するものである。」とも記載されている。そうすると，ここに明記されている「この結果は重水素によるダングリング・ボンドの解消を従来より低温で高速，かつ少ない重水素量で行えることを示唆するものである」との示唆に基づいて，引用発明１を，残念ながら設備の関係上調査できなかった，実際のＭＯＳトランジスターに用いることは当業者が容易に想到し得たことともいえる。
（ク）してみれば，引用発明１において，上記相違点１について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ａ）に「【請求項７】プラズマ化してその下流に被加工物を設置して処理するための，水素を構成要素として含む分子を含む気体が，ハロゲン，窒素，
希ガス
を構成要素とする分子を，該水素を構成要素として含む分子と同時に含む
　また，引用例２の上記摘記（２ｆ）に「原料ガスとしてＳｉＨ4，Ｈ2及びＡｒを用いているが，これらの組み合わせに限定されるわけではなく，Ａｒの代わりにＸｅを用いてもよいが，Ｘｅのほうが好ましい。 Ａｒの比率はＡｒを全体の半分以上に保つ必要がある。本例では５０％に設定したがこの値に限定されるわけではない。これは
マイクロ波を用いたプラズマ励起方法では，プラズマの励起を維持するためには，該プラズマ中の電子密度がある程度高い必要があるためで，より高い電子密度を得ることのできるＡｒの比率を多くする必要がある
　してみれば，引用発明１において，上記相違点２について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・相違点３について
　引用例１の上記摘記（１ｂ），（１ｆ）の「
従来水素分子を用い高温で行われていた
水素を構成要素として含む分子を含む気体をプラズマ化し
熱は水素分子の拡散速度を高めかつシリコンとの反応効率を高めていると考察されるから，あらかじめ水素分子ではなく，水素原子として被加工物に供給すれば拡散速度の点でも，反応の点でも処理の低温下と高速化が実現できると期待される
　更に，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「特に，
被加工物表面に物理的損傷を与えることが少なく，かつ目的とする処理を達成するのに不都合な現象を生じる活性粒子を生じることの少ないプラズマダウンストリーム処理法の特性
　
　一方，引用例２には，上記摘記（２ａ）〜（２ｈ）に照らして，基板上に処理ガスを供給し，ラジアルラインスロットアンテナである平面アンテナからマイクロ波を照射して処理ガスをプラズマ励起するプラスマ装置が開示されていることが認められる。
　ところで，引用例２の上記摘記（２ａ），（２ｂ）の「近年，ＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integrated Circuit）のチップサイズの大型化に伴い，その基体として用いられるシリコン基板も大口径化される傾向にある。」，「大面積の基板上に高品質の薄膜を低温且つ高速で均一に成膜でき，エッチンクプラズマプロセス
その他のプラズマ処理にも使用できる
　他方，引用発明１は，引用例１の上記摘記（１ｃ），（１ｇ）の「シリコン大規模集積回路の製造では前工程の終了前に４００〜４５０℃程度の高温度で水素アニールを行い，シリコン半導体の特性を安定させる方法は良く知られている。」，「残念ながら設備の関係上実際のＭＯＳトランジスターを用いてのゲート酸化膜の電子注入に対する寿命は調査できなかったが，この結果は重水素によるダングリング・ボンドの解消を従来より低温で高速，かつ少ない重水素量で行えることを示唆するものである。」等の記載に照らして，シリコン大規模集積回路の製造に関係した発明であるといえる。
　そうすると，引用例２に記載された前記プラズマ装置は，引用発明１が属する技術分野と密接に関連する技術分野において用いられているプラズマ処理の為の技術手段であるということができる。
　また，引用例２の上記摘記（２ｄ）の「
ラジアル・ライン・スロット・アンテナ
マイクロ波がアンテナ２０１内に導入され
マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚ
　そして，引用例２の上記摘記（２ｆ），（２ｈ）等の記載に照らして，引用例２に記載されたプラズマ装置は，水素を含む原料ガスをプラズマ化しているから，水素を含む原料ガスをプラズマ化するプラズマ装置である点で引用発明１の装置と一致し，さらに，上記摘記（２ｅ）に「本発明に係るプラズマ装置は，１４ｍＡ／ｃｍ2以上の飽和イオン電流，
１．０ｅＶ
程度の電子温度
　
　そうすると，引用例２に記載された，基板上に処理ガスを供給し，ラジアルラインスロットアンテナである平面アンテナからマイクロ波を照射して処理ガスをプラズマ励起する装置は，引用発明１が属する技術分野と密接に関連する技術分野において用いられている引用発明１と同様のマイクロ波を用いたプラズマ処理のための装置であり，かつ，当該装置において使用可能なマイクロ波の周波数が一致し，プラズマ化の対象であるガスの種類も水素を含むガスである点で共通するとともに，電子温度が低いことから，被加工物表面に物理的損傷を与えることが少なく，かつ目的とする処理を達成するのに不都合な現象を生じる活性粒子を生じることの少ない装置でもあり，更に，直径３００ｍｍ以上の大面積上にわたって，均一に励起できる，大面積の基板の処理に適した装置であるという利点をも有する装置であるといえるから，引用発明１の，９９％重水素からなる重水素分子ガス９０ｓｃｃｍと塩素分子１０ｓｃｃｍの混合ガスをプラズマ化する為の技術手段として，引用発明２に記載された前記装置を使用することは当業者が容易に想到し得たことといえる。
　
　そして，引用例２の上記摘記（２ｅ）の「本発明に係るプラズマ装置は，１４ｍＡ／ｃｍ2以上の飽和イオン電流，１．０ｅＶ（１５０００Ｋ）程度の電子温度，１０12以上の電子密度を有する高密度プラズマを，容器１０１内において直径３００ｍｍ以上の大面積上にわたって，均一に励起できることが分かった」との記載，及び，上記摘記（２ｈ）の「プロセス時のチャンバー圧力は３〜５００ｍＴｏｒｒ」等の記載に照らして，上記ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラスマ装置において，プラズマの電子温度が１．０ｅＶ程度であること，及び，プロセス時のチャンバー圧力を３〜５００ｍＴｏｒｒとすることは通常用いられている程度の設定値であると認められるから，「水素ラジカルおよび水素イオンの生成は，１３．３Ｐａ〜２６７Ｐａの圧力範囲で行われ」，「プラズマは，電子温度が１．５ｅＶ以下」とすることは，当業者が適宜なし得た程度の数値限定といえる。
　なお，水素ラジカルおよび水素イオンの生成が行われる圧力範囲の「１３．３Ｐａ」という下限値，「２６７Ｐａ」という上限値，及び，電子温度の「１．５ｅＶ」という上限値の値自体に臨界的な意義は認められない。
　
　してみれば，引用発明１において，上記相違点３について，本願補正発明１の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
（３）まとめ
　以上のとおり，本願の請求項７−８の記載は不明確であるから，特許を受けようとする発明が明確であることを要する規定に適合せず，また，本願補正発明１は，上記引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件補正による補正後の請求項７−８に記載されている事項により特定される発明，及び，本件補正による補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明は，各々，特許法第３６条第６項第２号の規定，及び，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年１０月２３日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−２７に係る発明は，平成１９年１１月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−２７に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
　「【請求項１】電子デバイス用基板を，水素ラジカルおよび水素イオンを含む雰囲気に対して曝露する基板処理方法であって，
　前記水素ラジカルおよび水素イオンは，前記電子デバイス用基板上に希ガスと水素を含む処理ガスを供給し，平面アンテナからマイクロ波を照射して前記希ガスと水素を含む処理ガスをプラズマ励起することにより形成されることを特徴とする基板処理方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項は，上記「第２　３　（２）　ア　引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　３　（２）本願補正発明１の進歩性について」に記載したとおり，引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様の理由で，引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
３　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。