【事件の表示】
　特願２０００−１８９８４２「半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月　９日出願公開，特開２００１−　３６０４５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は，平成１２年６月２３日（パリ条約による優先権主張　１９９９年６月２５日，大韓民国）の出願であって，平成２１年１０月１日付けで拒絶理由が通知され，平成２２年１月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年２月１７日付けで拒絶査定がなされ，それに対して，同年６月２３日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明の認定
　平成２２年１月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲は請求項１ないし２２からなるが，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，明細書及び図面の記載からみて，次のとおりのものであると認める。 
　
「【請求項１】　半導体基板上にキャパシタを製造する方法であって，半導体基板上に下部電極を形成する段階，前記下部電極上に誘電体膜としてＴａＯＮ膜を蒸着する段階，及び前記ＴａＯＮ膜上に上部電極を形成する段階を含み，
前記ＴａＯＮ膜を蒸着する段階は，チャンバ内の気相反応を抑制しながらウェハ表面のみで化学反応が起きるよう，Ｏ２ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけ前記チャンバに供給し，前記チャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持することにより前記ＴａＯＮ膜を蒸着することを特徴とする，半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法。」
　
　なお，請求項１には，「前記チェンバ」と２か所記載されているが，本願明細書の発明の詳細な説明には「チャンバ」との用語が記載されており，また，「前記」と付されていることから，「チェンバ」は請求項１の第４行の「チャンバ」と同一のものと解されるので，「前記チェンバ」は「前記チャンバ」の誤記であると認定し，請求項１に係る発明を，上記のとおり認定した。
　
３．引用例の記載と引用発明 
（１）特開平７−２６３４４２号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−２６３４４２号公報（以下「引用例１」という。）には，「タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置」（発明の名称）について，図１とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法，並びにかかるタンタル系高誘電体材料を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在，半導体装置においては，絶縁膜や容量絶縁膜として窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜が用いられている。容量絶縁膜は，例えば，ＤＲＡＭにおいて電荷を蓄積するためのキャパシタンスとして用いられる。そして，例えば次世代以降のＵＬＳＩ（特にＤＲＡＭ）用の容量絶縁膜の材料として，シリコン窒化膜に代わり，一層大きな比誘電率を有するタンタル（Ｔａ）を含む材料，例えばＴａ2Ｏ5から成る高誘電体膜の検討が進められている。容量絶縁膜の容量をＣ，比誘電率をε，面積をＳ，厚さをｄとした場合，
Ｃ＝ε×Ｓ／ｄ
の関係が成立する。半導体装置が高密度になるに従い，容量絶縁膜の面積Ｓを小さくする必要がある。従って，容量絶縁膜の容量Ｃを同一に保持するためには，容量絶縁膜を構成する材料の比誘電率εを大きくしなければならない。例えば，バイポーラトランジスタにおいて，トランジスタ素子の面積が１／５になると，容量絶縁膜の面積はトランジスタ素子全体の１／２をも占めるようになる。
【０００３】容量絶縁膜を構成するＴａ2Ｏ5は，比誘電率が２０〜３０と高い。ちなみに，Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＯ2の比誘電率はそれぞれ，６〜７，３．７〜３．９である。通常，ＴａＣｌ5とＯ2を原料ガスとして用いたＣＶＤ法にてＴａ2Ｏ5膜を成膜する。」
・「【００２０】（実施例２）実施例２の高誘電体膜の形成方法は，実施例１にて説明した高誘電体膜の形成方法の変形に関する。実施例２においては，実施例１と異なり，
減圧熱ＣＶＤ法にて高誘電体膜を成膜した
タンタル系有機金属原料ガスとしてはＣｐ
2
Ｔａ（Ｎ
3
）
3
を用い，窒化のためのＮＨ
3
ガス，及び酸化のためのＯ
3
ガスを原料ガスとして併せて用いた。成膜された高誘電体膜は，Ｔａ
X
Ｏ
Y
Ｎ
Z
の形態（Ｘ＝０．５，Ｙ＝０．４，Ｚ＝０．１）の形態を有していた。減圧熱ＣＶＤの条件を以下に例示する。使用ガス  ：  Ｃｐ
2
Ｔａ（Ｎ
3
）
3
／ＮＨ
3
／Ｏ
3
＝１００〜５００／５００〜１０００／１００〜５００sccm圧力      ：  １０〜２００Ｐａ基体温度  ：  ４００〜８００゜Ｃこうして得られたＴａ
X
Ｎ
Y
Ｏ
Z
から成るタンタル系の高誘電体膜の比誘電率は２０〜４０であった
・「【００２２】（実施例４）本発明の第１若しくは第２の態様に係る高誘電体膜の形成方法を応用して形成された容量絶縁膜を有する
スタックトキャパシタセル構造を有するＤＲＡＭから成る半導体装置
（Ａ）
シリコン半導体基板
（Ｂ）ゲート電極１４及びゲート配線１４Ａ（ワード線）を，例えばポリシリコンから形成する。
（Ｃ）ソース・ドレイン領域１６を形成する。
（Ｄ）全面に例えばＳｉＯ2から成る層間絶縁層１８を形成した後，ソース・ドレイン領域１６の上方の層間絶縁層１８に開口部を設け，この開口部及び層間絶縁層１８の上に例えばポリシリコンから成る
キャパシタ用の電極２０を形成する
（Ｅ）本発明の第１若しくは第２の態様に係る高誘電体膜の形成方法に基づき，
電極２０及び層間絶縁層１８の上にＴａ
X
Ｏ
Y
Ｎ
Z
という形態を有する高誘電体膜２２を形成
（Ｆ）次いで，ＯＮＯから成る
キャパシタ用の電極２４を形成
（Ｇ）最後に，ＳｉＮから成るパッシベーション膜３０を全面に形成する。
【００２３】以上，本発明を好ましい実施例に基づき説明したが，本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例にて説明した原料ガスや成膜条件等は，使用するＣＶＤ装置やＣＶＤ法等に依存して適宜変更することができる
　
（２）引用発明 
　上記記載事項及び図１の内容を総合すれば，引用例１の実施例２においては，ＣＶＤ装置を使用し，減圧熱ＣＶＤ法でＴａXＯYＮZの高誘電体膜を形成しているから，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
　
「高誘電体膜の容量絶縁膜を有するスタックトキャパシタセル構造を有するＤＲＡＭから成る半導体装置の製造方法において，
シリコン半導体基板１０にキャパシタ用の電極２０を形成し，
電極２０の上にＴａXＯYＮZという形態を有する容量絶縁膜に相当する高誘電体膜２２を形成し，
次いで，キャパシタ用の電極２４を形成し，
高誘電体膜の形成方法が，
タンタル系有機金属原料ガスとしてはＣｐ2Ｔａ（Ｎ3）3を用い，窒化のためのＮＨ3ガス，及び酸化のためのＯ3ガスを原料ガスとして併せて用い，成膜された高誘電体膜は，ＴａXＯYＮZ（Ｘ＝０．５，Ｙ＝０．４，Ｚ＝０．１）の形態を有し，
ＣＶＤ装置を使用した減圧熱ＣＶＤの条件が，
使用ガス  ：  Ｃｐ2Ｔａ（Ｎ3）3／ＮＨ3／Ｏ3＝１００〜５００／５００〜１０００／１００〜５００sccm
圧力      ：  １０〜２００Ｐａ
基体温度  ：  ４００〜８００゜Ｃ
である方法。」
　
４．対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係 
　ア　引用発明の「キャパシタ用の電極２０」，「容量絶縁膜に相当する高誘電体膜２２」，「キャパシタ用の電極２４」は，それぞれ，本願発明の「下部電極」，「誘電体膜」，「上部電極」に相当する。
　イ　引用発明の「ＴａXＯYＮZ」，「Ｃｐ2Ｔａ（Ｎ3）3」は，本願発明の「ＴａＯＮ膜」，「前駆体」に相当する。また，引用発明の「ＴａXＯYＮZという形態を有する容量絶縁膜に相当する高誘電体膜２２を形成」することが，本願発明の「ＴａＯＮ膜を蒸着する」ことに相当する。
　ウ　ＴａＯＮ膜の蒸着に関して，引用発明の「タンタル系有機金属原料ガスとしてはＣｐ2Ｔａ（Ｎ3）3を用い，窒化のためのＮＨ3ガス，及び酸化のためのＯ3ガスを原料ガスとして併せて用い」，「ＣＶＤ装置を使用した減圧熱ＣＶＤの条件が，使用ガス  ：  Ｃｐ2Ｔａ（Ｎ3）3／ＮＨ3／Ｏ3＝１００〜５００／５００〜１０００／１００〜５００sccm　　圧力　：  １０〜２００Ｐａ　　基体温度  ：  ４００〜８００゜Ｃ」であることは，本願発明の「チャンバ内の気相反応を抑制しながらウェハ表面のみで化学反応が起きるよう，Ｏ２ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけ前記チャンバに供給し，前記チャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持すること」と，「酸化性ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけ装置に供給」する点において共通する。
　エ　引用発明の「ＤＲＡＭ」は，本願発明の「半導体メモリ素子」に相当し，引用発明の「高誘電体膜の容量絶縁膜を有するスタックトキャパシタセル構造を有するＤＲＡＭから成る半導体装置の製造方法」は，実質的にキャパシタの製造方法を含んでいるから，本願発明の「半導体基板上にキャパシタを製造する方法であって」，「半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法」に相当する。
　
（２）一致点及び相違点 
　上記対応関係によれば，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。 
〈一致点〉
「半導体基板上にキャパシタを製造する方法であって，半導体基板上に下部電極を形成する段階，前記下部電極上に誘電体膜としてＴａＯＮ膜を蒸着する段階，及び前記ＴａＯＮ膜上に上部電極を形成する段階を含み，
前記ＴａＯＮ膜を蒸着する段階は，酸化性ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけ装置に供給し，前記ＴａＯＮ膜を蒸着することを特徴とする，半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法。」
　
〈相違点１〉 
・「ＴａＯＮ膜を蒸着する段階」において酸化性ガスが，本願発明では「Ｏ２ガス」であるのに対し，引用発明では「Ｏ３ガス」である点。
〈相違点２〉 
・「ＴａＯＮ膜を蒸着する段階」を，本願発明では「チャンバ内の気相反応を抑制しながらウェハ表面のみで化学反応が起きるよう」，酸化性ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を「所定の流量だけ前記チャンバに供給し，前記チャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持すること」により行っているのに対し，引用発明では，酸化性ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけＣＶＤ装置に供給しているものの，上記構成は明示されていない点。
　
５．相違点についての判断 
（１）相違点１について 
　ＣＶＤ法による酸化膜又は酸窒化膜の形成に係る技術分野において，酸化性ガスとして「酸素（Ｏ２）」と「オゾン（Ｏ３）」は等価のものとして利用できることは，以下の周知例１及び周知例２に記載されているように，当業者に良く知られたことであり，「Ｏ３ガス」に替えて「Ｏ２ガス」を使用することは，周知の技術事項にすぎない。
　したがって，引用発明において，ＴａXＯYＮZの高誘電体膜を形成する際に，「Ｏ３ガス」に替えて「Ｏ２ガス」を採用することは，等価手段の変更に過ぎず，本願発明のごとく，「Ｏ２ガス」とＮＨ３ガス及び前駆体を所定の流量だけ供給することは，当業者が容易になし得たことである。
　
・周知例１：特開平１１−１６８０７３号公報 
　原審の拒絶査定時に周知文献として引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１６８０７３号公報（以下「周知例１」という。）には，「半導体装置の製造方法」（発明の名称）について，次の記載がある。
・「【００３３】そのような
ＣＶＤ装置
ＣＶＤ装置の反応チャンバ２１
反応チャンバ２１内を減圧する
・「【００４２】TiCl4 ガスの導入の開始から５秒経過した後にTiCl4 ガスの流量を１０sccmに増やし，さらにTiCl4 ガスの導入の開始から１０秒経過後にTiCl4 ガス流量を２０sccmまで増やす。これにより，図５(b) に示すように，
酸素含有窒化チタン膜
O
2
，
NH
3
 
・「【００６３】図３及び図４のガスフローチャートでは，TiON膜又は酸素プリフロー処理によるTiN 膜を成長する前に
酸素ガス
オゾン（Ｏ
3
 ）
　
　よって，周知例１には以下の技術的事項が開示されている。 
　ａ　ＣＶＤ装置を用いて金属窒化膜又は金属酸窒化膜を形成する際に，シリコン基板を反応チャンバ内に置いて，成膜を行うこと。
　ｂ　ＣＶＤ装置により金属酸窒化膜を形成する際に，酸化性ガスとして，酸素（Ｏ２）とオゾン（Ｏ3 ）が等価であり，代替可能であること。
　
・周知例２：特開平６−１０１０４８号公報 
　原審の拒絶査定時に周知文献として引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−１０１０４８号公報（以下「周知例２」という。）には，「絶縁膜の製造方法と製造装置」（発明の名称）について，次の記載がある。 
・「【０００２】
【従来の技術】たとえば酸化シリコン膜などの絶縁膜を常圧
化学気相成長（ＣＶＤ）
酸素ガス
・「【００１０】
【作用】本発明の製造装置を用いた絶縁膜の製造方法では，
オゾンおよび／または酸素を含むガス
基板表面でのオゾンおよび／または酸素を含むガスの濃度が向上し，基板表面において，オゾンおよび／または酸素を含むガスとソースガスとの反応が促進され
周囲の雰囲気ガス中のオゾンおよび／または酸素のガス濃度が低下することから，反応が基板表面に集中し，雰囲気ガス中での反応が減り，パーティクルの発生を抑制することができる
　
　よって，周知例２には以下の技術的事項が開示されている。 
　ａ　ＣＶＤ法により絶縁膜（酸化膜）を形成する際に，「オゾンおよび／または酸素を含むガス」を使用すること，すなわち，酸化性ガスとして，酸素（Ｏ２）とオゾン（Ｏ3 ）が等価であること。
　ｂ　ＣＶＤ装置において，基板表面でのオゾンおよび／または酸素を含むガスの濃度が向上すると，基板表面において，オゾンおよび／または酸素を含むガスとソースガスとの反応が促進され，絶縁膜の膜質が向上すること。
　ｃ　周囲の雰囲気ガス中のオゾンおよび／または酸素のガス濃度が低下すると，雰囲気ガス中での反応が減り，パーティクルの発生を抑制することができること。
　
（２）相違点２について 
　ア　引用発明に「チャンバ」の記載はないが，一般に，ＣＶＤ法による膜の形成を，ＣＶＤ装置の「チャンバ」内で実施することは，上記周知例１にも記載されるように，通常行われていることであるから，引用発明において，「チャンバ」内で減圧熱ＣＶＤ法によりＴａＯＮ膜を形成すること，すなわち，ガスを所定の流量だけ「チャンバ」に供給することは単なる慣用技術である。
　イ　また，ＣＶＤ法により膜形成を行うときに，膜質が圧力や温度の影響を受けることは自明のことであるから，均一で良質な膜を形成するためにチャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持することは，周知の技術的事項にすぎず，引用発明においても減圧熱ＣＶＤ法により高誘電体膜２２を形成する際に温度，圧力等の条件を設定している。
　そうすると，膜形成の期間中，均一で良質な膜を形成するためにチャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持することは，当業者が当然考慮すべき製造条件である。
　ウ　次に，ウェハ表面のみでの化学反応に関して検討すると，本願明細書には，「この様な方法にてＬＰＣＶＤチャンバ内に供給されたＴａ化学蒸気，反応ガスのＯ２ガス(excess  gas)及びＮＨ３ガスは互いに反応して，ＨＳＧ膜４１上に非晶質状態のＴａＯＮ膜４３が約１００乃至１５０Å厚さで形成される。このとき，パティクル発生を最小化する為に，Ｔａ化学蒸気，Ｏ２ガス及びＮＨ３ガスは，チャンバ内の気相反応(gas  phase  reaction)は抑制させながら，ウェーハ表面のみで化学反応が起きるようにする。ここで，気相反応は反応ガス等の流量とチャンバ内の圧力によって調節される。また，本実施例において，気相反応が抑制できる様に，反応ガスのＯ２ガスとＮＨ３ガスは各々１０乃至１０００ｓｃｃｍ程度の流量で供給され，ＬＰＣＶＤチャンバ内の温度は３００乃至６００℃，圧力は０.１乃至１０Ｔｏｒｒで維持させる。さらに，ＬＰＣＶＤチャンバ内で蒸着されたＴａＯＮ膜４３は非晶質状態である。」（段落【００１６】）と記載されている。
　エ　しかしながら，上記周知例２に，周囲の雰囲気ガス中，すなわち，チャンバ内の雰囲気ガス中のガス濃度の低下により，雰囲気ガス中での反応が減り，パーティクルの発生が抑制されること，及び，基板表面での反応の促進により，絶縁膜の膜質が向上することが開示されており，また，以下の周知例３にも，圧力やガスの供給を制御して気相中での反応を抑制すると，成膜中のダストが低減できることが開示されているように，ＣＶＤ法による成膜に係る技術分野において，成膜時に，チャンバ内の気相反応を抑制して，基板表面での反応とすることにより，パーティクルやダストの発生を低減することは，当業者にとって周知の技術的事項であり，良質の膜形成を行うために，パーティクルやダストの発生を低減する製造条件を選択することは，当業者が当然に考慮することといえる。
　
・周知例３：特開平１１−７４４８５号公報 
　原審の拒絶査定時に周知文献として引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−７４４８５号公報（以下「周知例３」という。）には，「半導体装置よびその製造方法」（発明の名称）について，次の記載がある。 
・「【００３６】本発明の他の半導体装置の製造方法（請求項１４）では，
シリコン源および窒素源を交互に供給することで，ガスが混ざることがないために気相反応を抑制することができる
・「【００４０】同様の理由で，
圧力を高くすると，気相反応によりシリコンが堆積し，また逆に圧力が低すぎると，充分表面反応が進みにくく，一方窒素を含む熱処理では，できるだけ高温で熱処理を行うことが好ましい
・「【００４２】また，所定の処理終了後，不活性ガスまたは塩化水素ガスまたは水素ガスにより，各原料ガスを置換することにより，各原料ガスが気相中で反応することを抑制することができる。その結果，Ｓｉ−Ｃｌ，Ｓｉ−Ｈ，Ｎ−Ｈといった不純物を含む結合は，最表面にのみ形成され，従って容易に除去可能になる。また，他の効果として，
気相中での反応が抑制できるので，成膜中のダストが低減できる
・「【０１０９】しかしながら，この方法でも窒化膜中の塩素，およびＮ−Ｈ結合を減少させることは困難である。さらに，
従来のＣＶＤ法では，原料ガスが混合された状態で供給されるため，気相中で反応が進み，基板表面にはクラスター化した分子が吸着
【０１１０】一方，デジタルＣＶＤとして
原料ガスを間欠的に供給
反応を基板表面だけに限定することができる
　
　オ　そして，一般に，ＣＶＤ装置のチャンバ内の反応は，ガス流量や，成膜時の温度や圧力に大きく依存することは自明のことであるから，これらを管理してチャンバ内の気相反応を制御することは，当業者が通常行うことと認められる。さらに，本願発明が，チャンバ内の気相反応を抑制するために，実施例（段落【００１６】）において採用しているガス流量，温度，圧力は，引用発明で採用されているガス流量，温度，圧力と重複する部分を有しており，格別のものではない。
　カ　したがって，上記ア〜オを考慮すると，引用発明のＴａＯＮ膜の成膜工程において，パーティクルの発生の抑制を目的として，上記周知の技術的事項を考慮して，ガス流量，温度，圧力を制御すること，すなわち，本願発明のごとく，「チャンバ内の気相反応を抑制しながらウェハ表面のみで化学反応が起きるよう」，酸化性ガス，ＮＨ３ガス及び前駆体を「所定の流量だけ前記チャンバに供給し，前記チャンバ内を所定の圧力と所定の温度に維持すること」は，当業者が容易になし得たことである。
　
６．小括 
　以上検討したとおり，相違点１及び２における本願発明の構成は，当業者が容易に想到し得たものであるから，本願発明は，引用発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
 　 
７．結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
 　 
　よって，結論のとおり審決する。