【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク基板、多孔質枠体及びペリクルを含むフォトマスクアッセンブリであって、多孔質枠体が、酸素又は窒素に対して約１０ｍｌ．ｍｍ／ｃｍ２．ｍｉｎ．ＭＰａより大きい通気率、０．００１μｍ〜１０μｍの平均孔径、及び０．０１ｐｐｍ／℃〜１０ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有するフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２】
多孔質枠体が、酸素又は窒素に対して約４０ｍｌ．ｍｍ／ｃｍ２．ｍｉｎ．ＭＰａより大きい通気率を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項３】
多孔質枠体が、酸素又は窒素に対して約７０ｍｌ．ｍｍ／ｃｍ２．ｍｉｎ．ＭＰａより大きい通気率を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項４】
多孔質枠体が、０．０１μｍ〜１μｍの平均孔径を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項５】
多孔質枠体が、０．０８μｍ〜１μｍの平均孔径を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項６】
多孔質枠体が、０．１ｐｐｍ／℃〜１ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項７】
多孔質枠体が、０．３ｐｐｍ／℃〜０．７ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項８】
多孔質枠体が、フォトマスク基板及び／又はハードペリクルに固着され、かつ多孔質枠体の熱膨張係数が、±２０％内で、フォトマスク基板及び／又はハードペリクルの熱膨張係数と一致する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項９】
多孔質枠体が、約２０μｍより小さい表面平面度を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１０】
多孔質枠体が、約５μｍより小さい表面平面度を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１１】
多孔質枠体が、約１μｍより小さい表面平面度を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１２】
多孔質枠体が、１０ｍ２／ｇより大きい気孔表面積を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１３】
多孔質枠体が、２５ｍ２／ｇより大きい気孔表面積を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１４】
多孔質枠体が、７０ｍ２／ｇより大きい気孔表面積を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１５】
多孔質枠体が、１ＧＰａより大きい弾性率を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１６】
多孔質枠体が、５ＧＰａより大きい弾性率を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１７】
多孔質枠体が、１０ＧＰａより大きい弾性率を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１８】
多孔質枠体が、１ＭＰａより大きい破断係数を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項１９】
多孔質枠体が、５ＭＰａより大きい破断係数を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２０】
多孔質枠体が、１０ＭＰａより大きい破断係数を有する請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２１】
多孔質枠体が、多孔質枠体材料の０．０１重量％より多い量で、ある種の化学物質を捕捉するように構成されている請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２２】
多孔質枠体が、多孔質枠体材料の０．０５重量％より多い量で、ある種の化学物質を捕捉するように構成されている請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２３】
多孔質枠体が、シリカ、フッ化シリカ、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２‐Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２‐Ｂ２Ｏ３、及びそれらの混合物からなる群から選ばれた材料で形成される請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２４】
多孔質枠体が、約９６重量％より高いシリカ純度を有する、シリカ及びフッ化シリカからなる群から選ばれた材料で形成される請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項２５】
フォトマスクアッセンブリの製造方法であって、
フォトマスク基板、多孔質枠体及びペリクルを提供すること、その際多孔質枠体が、酸素又は窒素に対して約１０ｍｌ．ｍｍ／ｃｍ２．ｍｉｎ．ＭＰａより大きい通気率、０．００１μｍ〜１０μｍの平均孔径及び０．０１ｐｐｍ／℃〜１０ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有するものであり、
フォトマスク基板、多孔質枠体及びペリクルを一体に固着させてフォトマスクアッセンブリを形成させることを含む方法。
【請求項２６】
多孔質枠体を提供することが、（ａ）ゾル‐ゲル法によりゲルを作製すること、（ｂ）ゲルを乾燥すること、及び（ｃ）乾燥ゲルを部分緻密化することを含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
緻密化された乾燥ゲルを加工して多孔質枠体を形成することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
緻密化された乾燥ゲルを加工して角棒を形成し、棒を接合して多孔質枠体を形成することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
ダイヤモンドツール加工、超音波ミリング、レーザー加工及びウオータージェット加工からなる群から選ばれた方法を用いて、緻密化された乾燥ゲルを加工することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
ダイヤモンドツール加工及び超音波ミリングからなる群から選ばれた方法を用いて、緻密化された乾燥ゲルを加工することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
ゲルを作製することが、その後にゲルが乾燥され、部分緻密化される時に、加工を必要とせず、枠体が所望の寸法になるように構成される寸法をもつ型内で、ゲルを形作ることを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
緻密化された乾燥ゲルを２０μｍより小さい表面平面度に加工することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３３】
乾燥ゲルがシリカを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】
ゲルがシリコンアルコキシド及びヒュームドシリカを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３５】
部分緻密化することが、ヘリウム、窒素、酸素又はそれらの混合物を含む雰囲気中で、規定の部分緻密化温度で乾燥ゲルを部分緻密化することを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項３６】
部分緻密化することが、６５０℃〜１２６０℃の範囲内の部分緻密化温度で起きる請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
部分緻密化することが、１１００℃〜１２００℃の範囲内の部分緻密化温度で起きる請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
部分緻密化することが、約１１８０℃の範囲内の部分緻密化温度で起きる請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを１℃／時間〜２００℃／時間の速度で規定の部分緻密化温度に加熱することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを１０℃／時間〜１００℃／時間の速度で規定の部分緻密化温度に加熱することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４１】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを約１５℃／時間の速度で規定の部分緻密化温度に加熱することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを規定の部分緻密化温度で１時間〜１００時間の範囲の時間維持することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを規定の部分緻密化温度で１時間〜３０時間の範囲の時間維持することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４４】
部分緻密化することが、乾燥ゲルを規定の部分緻密化温度で約４時間維持することを含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４５】
雰囲気が酸素及び窒素又はヘリウムの混合物から本質的に成り、この混合物が３％〜２０％の酸素濃度を有する請求項３５に記載の方法。
【請求項４６】
雰囲気が酸素及び窒素又はヘリウムの混合物から本質的に成り、この混合物が約７％の酸素濃度を有する請求項３５に記載の方法。
【請求項４７】
乾燥ゲルを１５０℃〜３００℃の温度で加熱することにより、乾燥ゲルから炭化水素を除去することを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項４８】
炭化水素除去ステップ後に、６５０℃〜１，２００℃の温度で、ハロゲン化剤を用いて乾燥ゲルをハロゲン化することを更に含む請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
（ａ）ハロゲン化ステップ後に乾燥ゲルを酸化すること、及び（ｂ）酸化ステップ後に乾燥ゲルを再ハロゲン化することを更に含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
乾燥ゲルを部分緻密化するステップが、
規定された初期の部分緻密化温度で乾燥ゲルを部分緻密化すること、
部分緻密化された乾燥ゲルを所望の多孔質枠体形状に加工すること、及び
規定された最終の部分緻密化温度で多孔質枠体を部分緻密化し、この際に最終の部分緻密化温度が、初期の部分緻密化温度より約５０℃〜約３００℃高いことを更に含む請求項２６に記載の方法。
【請求項５１】
規定された最終の部分緻密化温度が６５０℃〜１，２６０℃の範囲である請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
規定された最終の部分緻密化温度が１，１００℃〜１，２００℃の範囲である請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
規定された最終の部分緻密化温度が約１，１８０℃である請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
乾燥ゲルを部分緻密化することが、
規定された初期の部分緻密化温度で、乾燥ゲルを部分緻密化すること、
乾燥ゲルを部分緻密化するステップの後に、部分緻密化された乾燥ゲルを加工して所望の多孔質枠体形状を作製すること、
初期の部分緻密化温度とこれより約３００℃低い温度の間にあるアニール温度で、加工された乾燥ゲルをアニールすること、及び
規定された最終の部分緻密化温度で、アニールされた乾燥ゲルを部分緻密化すること、その際に最終の部分緻密化温度が、初期の部分緻密化温度より約５０℃〜約３００℃高いことを含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５５】
フォトマスクアッセンブリ用に適した多孔質シリカ枠体の製造方法であって、
ゾル‐ゲル法を用いて９９．９％より多いシリカを含む乾燥ゲルを作製すること、
約３３％の塩素及び約６７％のヘリウム雰囲気中で、約２５℃／時間の加熱速度で、乾燥ゲルを約６５０℃〜約１，０５０℃に加熱することにより乾燥ゲルをハロゲン化し、かつこの乾燥ゲルを、この雰囲気中で約１時間、約１，０５０℃で維持すること、
約７％の酸素及び約９３％のヘリウム雰囲気中で、約２５℃／時間の加熱速度で、ハロゲン化された乾燥ゲルを約１，０５０℃〜約１，１８０℃に加熱することによりハロゲン化乾燥ゲルを部分緻密化し、かつこのハロゲン化された乾燥ゲルを約１，１８０℃で約４時間維持すること、及び
部分緻密化された乾燥ゲルを１μｍより小さい平面度を有する所望の枠体形状に加工することを含む方法。
【請求項５６】
多孔質枠体が、５０μｍより大きい径を有する通気孔をもたないものである、請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。
【請求項５７】
多孔質枠体が、１０μｍより大きい粒子の拡散を行わせる径を有する通気孔をもたないものである、請求項１に記載のフォトマスクアッセンブリ。