【事件の表示】
　特願２００５−　９９０６３「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日出願公開、特開２００６−２７８９４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月３０日を出願日とする特許出願であって、平成２２年２月１０日付けの拒絶理由通知に対して同年４月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月７日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年８月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１１月１４日付けで審尋がなされ、平成２４年１月１３日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６とするとともに、明細書の補正を行うものであり、補正前の請求項１、７、及び補正後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　素子を形成する工程と、
　前記素子に接続された導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程と、
　前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　「【請求項７】
　前記侵入抑制膜の下側又は上側にシリコン窒化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　素子を形成する工程と、
　前記素子に接続された導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程と、
　前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程と、
　前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１を引用する請求項７を独立形式請求項に書き下すとともに、補正前の請求項７の「前記侵入抑制膜の下側又は上側にシリコン窒化膜を形成する工程」を「前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　同様に、補正前の請求項３〜５を引用する請求項７を各々独立形式請求項に書き下すとともに、補正前の請求項７の「前記侵入抑制膜の下側又は上側にシリコン窒化膜を形成する工程」を「前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程」と補正して、各々補正後の請求項２〜４とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１を引用する請求項７の「前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程」を「前記シリコン酸化膜の上方に、水素及び水分の侵入を防止するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項３〜４を引用する請求項７の「水素又は水分の侵入を防止する侵入抑制膜を形成する工程」を「水素及び水分の侵入を防止するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程」と補正して、各々補正後の請求項２〜３とすること。
　また、補正前の請求項５を引用する請求項７の「水素又は水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程」を「水素及び水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１〜５を削除するとともに、当該削除及び補正事項１に伴って補正前の請求項の番号及び引用する請求項の番号を補正すること。
　
（５）補正事項５
　補正前の明細書の００２０、００２６、００２７、００３０、００４７〜００５１、００５３〜００５５、００５７、００５９〜００６１、００６５〜００６８、００７２〜００７６、００８３〜００８５、００８９、００９１〜００９４、０１００、０１０２、０１４１段落を補正して、各々補正後の明細書の００２０、００２６、００２７、００３０、００４７〜００５１、００５３〜００５５、００５７、００５９〜００６１、００６５〜００６８、００７２〜００７６、００８３〜００８５、００８９、００９１〜００９４、０１００、０１０２、０１４１段落とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項７に係る発明の発明特定事項である「シリコン窒化膜を形成する工程」の「シリコン窒化膜」の形成箇所を「前記侵入抑制膜の下側又は上側」から「前記侵入抑制膜の上側」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００６９段落、００７８段落、及び００８７段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項７に係る発明の発明特定事項である「侵入抑制膜」について「Ａｌ2Ｏ3膜からなる」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００６９段落、００７７段落、及び００８６段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項７に係る発明の発明特定事項である「侵入抑制膜」について、「Ａｌ2Ｏ3膜からなる」という技術的限定を加えるとともに、その機能を「水素又は水分の侵入を防止する」又は「水素又は水分の侵入を抑制する」から各々「水素及び水分の侵入を防止する」又は「水素及び水分の侵入を抑制する」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３により補正された部分は、当初明細書の００６９段落、００７７段落、及び００８６段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（５）補正事項５について
　補正事項５は、補正事項１〜４により補正された特許請求の範囲と整合を取るために発明の詳細な説明を補正するものであるから、補正事項１〜４と同様に特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（６）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載した次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　素子を形成する工程と、
　前記素子に接続された導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程と、
　前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程と、
　前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）引用例１：実願平２−７７２００号（実開平４−３６２３０号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム
　
（２−１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である実願平２−７７２００号（実開平４−３６２３０号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（以下「引用例１」という。）には、第１図及び第３図と共に次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）。
　
ａ．「【産業上の利用分野】
　本考案は、ボンディングのためのパッド開口部の構造を改良した半導体装置に関するものである。」（明細書第１ページ第１０行〜第１２行）
　
ｂ．「【従来の技術】
　チップ状の半導体装置には、パッケージの電極との間をボンディングするためのパッド電極がある。ボンディングするに先立っては、パッド電極の上を覆っているパッシベーション膜に穴を開て、パッド電極を露出する必要がある。この穴の部分が、パッド開口部である。
（中略）
　第３図（イ）はパッド開口部７を開ける前の状態を示している。半導体基板１としてはシリコン基板が用いられるが、その上に例えばアルミニウムから成るパッド電極２が形成され、更にその上に保護用のパッシベーション膜としてＰＳＧ膜３、Ｓｉ３Ｎ４膜４が順次形成される。
　
パッシベーション膜には、従来、ＰＳＧ膜３が単独で用いられていたが、これは水分を通し易く、耐湿性が良くなかった。耐湿性が悪いと、アルミニウム配線等を腐食してしまい、半導体装置の信頼性を低下させる。そのため近年では、耐湿性の良いＳｉ
３
Ｎ
４
膜４が用いられるようになって来ている。
　
しかし、Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜４を形成した場合には、強いストレス（圧縮応力）を生じ、他の部分（例えばＭＯＳトランジスタ）に悪影響を与える。そのため、単独では用いず、ストレスを和らげるクッションの働きをする層として、下にＰＳＧ膜３を設け、２層構造とすることが行われている。
　
ｃ．「〔第１の実施例〕
　第１図は、本考案の第１の実施例にかかわる半導体装置の構造およびその製造方法を説明する図である。符号は第３図のものに対応し、２−２はエッチング凹部である。
　
半導体装置は、第１図（イ）→（ニ）の工程で製造されるので、この順に製造方法および構造を説明する
（１）第１図（イ）の工程
　
半導体基板１上にパッド電極２を形成した後、気相成長法によりＰＳＧ膜３を形成する。
　
その後、ＰＳＧ膜３をエッチングするためにレジスト５を塗布し、パターニングによりパターニング穴６を開ける。
（２）第１図（ロ）の工程
　
ＲＩＥ法（リアクティブ・イオン・エッチング）によりＰＳＧ膜３をエッチングして、パッド電極２の上面を露出させる。
（中略）
（３）第１図（ハ）の工程
　
気相成長法により、Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜４を形成する。
（中略）
　
Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜４を形成した後、再びレジスト５を塗布し、パターンニングしてパターニング穴８を開ける。
　但し、この場合のパターニング穴８の径Ｂは、径Ａより小（例えば、１μｍ程度小）とすると共に、パターニング穴８の位置は、パターニング穴６の中にすっぽりと入るような位置にする。
（４）第１図（ニ）の工程
　
ＲＩＥ法によりＳｉ
３
Ｎ
４
膜４をエッチングして、パッド開口部７を開ける。
（中略）
　
パッド開口部７が以上のような構造となるように製造された半導体装置では、パッド開口部７の内壁にＰＳＧ膜３が露出してない。そのため、内壁より水分が侵入することがなくなり、耐湿性が向上する。
　
ｄ．引用例１の上記記載事項ｃ及び第１図（ロ）を参照すると、「パッド電極２」の周囲に「ＰＳＧ膜３」が形成されていることが見てとれる。
　
ｅ．引用例１の上記記載事項ｃ及び第１図（ニ）を参照すると、「ＰＳＧ膜３」上に「Ｓｉ３Ｎ４膜４」が形成されていることが見てとれる。
　
（２−１−２）したがって、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体基板１上にパッド電極２を形成する工程と、
　前記パッド電極２の周囲にＰＳＧ膜３を形成する工程と、
　前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２−２）引用例２：特開昭５５−８６１２２号公報
　
（２−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭５５−８６１２２号公報（以下「引用例２」という。）には、第１ａ図ないし第１ｄ図と共に次の記載がある。
　
ａ．「発明の詳細な説明
　この発明は、半導体装置におけるパッシベーション膜構造の改良に関する。
　
これまでに知られているパッシベーション膜構造でこの発明に比較的近いものとしては、プラズマ気相デポジション法で形成したシリコンナイトライド膜（以下、プラズマシリコンナイトライド膜という）の下地膜にＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）膜を用いたものがある。
　しかしながら、
プラズマシリコンナイトライド膜は前述のボンディングパッド部ないしスクライブライン部で選択的に除去されるのが普通であり、この除去部分では下地のＰＳＧ膜の一部が露呈される。ＰＳＧ膜は耐湿性にやや劣る欠点があることから、プラズマシリコンナイトライド膜が欠如した部分における耐湿性ないしパッシベーション効果はかなり低下せざるを得ない
　従って、
従来のＰＳＧ膜を下地膜としたプラズマシリコンナイトライドパッシベーション構造は、全体としてみると、必ずしも十分なパッシベーション効果を有せず、特に耐湿性に難点があるといえる
　この発明の目的は、上記従来技術の利点を生かしつつその欠点を除去した新規なパッシベーション膜構造を提供することにある。」（第１ページ左下欄第９行〜第２ページ左上欄第２行）
　
ｂ．「
この発明によるパッシベーション膜構造は、かかる目的を達成するため、プラズマシリコンナイトライド膜の下地膜としてアルミナ膜を用いたことを特徴とするもの
　第１ａ図乃至第１ｄ図は、この発明の一実施例によるパッシベーション膜構造の製作過程を示すもので、第１ａ〜第１ｄ図にそれぞれ対応した工程（ａ）〜（ｄ）を順次に説明する。
　（ａ）シリコンなどからなる半導体基板１０は図示しない部分に多数のシリコンゲート型絶縁ゲート電界効果トランジスタなどを含んでおり、表面には熱生成されたシリコンオキサイド膜１２が形成されている。このような基板１０を用意してから、Ａｌ等をシリコンオキサイド膜１２上に蒸着してパターニングする公知の方法により
アルミニウム電極層１４を形成する。
電極層１４をおおって
アルミナ膜１６を形成する。
　（ｂ）プラズマ気相反応炉中のガスをシリコンナイトライド形成を可能にするガスにかえて、
アルミナ膜１６上にプラズマシリコンナイトライド膜１８を形成する。
　（ｃ）
ボンディングパッド部
を露呈させるためにプラズマシリコンナイトライド膜１８に孔１８ａ，１８ｂを設ける。
　（ｄ）プラズマエッチャー内のガスをアルミナエッチ用のガスに代えて
アルミナ膜１６に孔１８ａ，１８ｂに対応した孔１６ａ，１６ｂを形成する。これによってアルミニウム電極層１４のボンディングパッド部が孔１６ａ内に露呈される
　以上のように、
この発明によれば、耐湿性に優れたアルミナ膜をプラズマシリコンナイトライド膜の下地膜として利用しているので、ボンディングパッド部やスクライブライン部においてもパッシベーション効果や耐湿性が低下することがなく
プラズマシリコンナイトライド膜の耐湿性及び機械的強度の優秀性などはそのまま維持することができる効果がある。
　
ｃ．「なお、この発明を実施する際には適宜改良、変更を加えうることは勿論であって、例えば、
アルミナ膜の下にＰＳＧ膜などをその一部が露呈しないように配置することができる。
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「パッド電極２」は、補正発明の「導電パッド」に相当する。
　したがって、引用発明の「半導体基板１上にパッド電極２を形成する工程」と、補正発明の「前記素子に接続された導電パッドを形成する工程」とは、「導電パッドを形成する工程」である点で共通する。
　
（３−２）引用発明の「ＰＳＧ膜３」がリン成分を含んだシリコン酸化膜であることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「ＰＳＧ膜３」は、補正発明の「シリコン酸化膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記パッド電極２の周囲にＰＳＧ膜３を形成する工程」は、補正発明の「前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程」と、補正発明の「前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程と、　前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程」とは、「前記シリコン酸化膜への水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（３−４）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　前記シリコン酸化膜への水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明では、「素子を形成する工程」を含むと共に、「導電パッド」が「前記素子に接続された」ものであるのに対し、引用発明では、「素子を形成する工程」を含むとの特定がなされておらず、また、「導電パッド」が「前記素子に接続された」ものとの特定もなされていない点。
　
（相違点２）
　補正発明では、「窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程」を含むのに対し、引用発明では、補正発明の「シリコン酸化膜」に相当する「ＰＳＧ膜３」に対して、そのような工程を含まない点。
　
（相違点３）
　補正発明では、「侵入抑制膜」が「前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる」と共に、「前記侵入抑制膜の上側にシリコン窒化膜を形成する工程」を有するのに対し、引用発明では、「侵入抑制膜」そのものが「ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４」である点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　引用例１の摘記事項ｂを勘案すると、引用発明において「半導体装置」に「素子」が存在することは自明である。また、一般に、「半導体装置」内の当該「素子」と「導電パッド」とを電気的に接続する必要があることも自明である。
　したがって、引用発明の「半導体基板１上にパッド電極２を形成する工程」「を有することを特徴とする半導体装置の製造方法」においても、補正発明と同様に、当然に「素子を形成する工程」を有すると認められ、また、「パッド電極２」が当該「素子」に接続されているものと認められるから、相違点１は実質的なものではない。
　
（４−２）相違点２について
　一般に、ＰＳＧ膜の吸湿性によって、Ａｌ配線等の腐食の問題が生じること、及び、ＰＳＧ膜の吸湿性を抑制するため、又は、ＰＳＧ膜から水分を除去するために、窒素雰囲気中でＰＳＧ膜をアニールすることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１及び周知例２に記載されているように当業者において周知である。
　一方、引用例１には、「パッシベーション膜には、従来、ＰＳＧ膜３が単独で用いられていたが、これは水分を通し易く、耐湿性が良くなかった。耐湿性が悪いと、アルミニウム配線等を腐食してしまい、半導体装置の信頼性を低下させる。」と記載されている。
　したがって、引用発明において、アルミニウム配線の腐食をより防止するために、補正発明の「シリコン酸化膜」に相当する「ＰＳＧ膜３」を窒素雰囲気でアニールする工程を設けること、すなわち、補正発明のように「窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程」を設けることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ａ．周知例１：半導体用語大辞典編集委員会編，「半導体用語大辞典」，第１版，１９９９年３月２０日，株式会社日刊工業新聞社発行
　「ＰＳＧ膜〔phospho silicate glass〕
　Ｐ（リン）の酸化物であるＰ２Ｏ５（五酸化リン）を添加したＳｉＯ２膜である．（中略）
　ＬＳＩ製造プロセスではＡｌ配線下の平坦化層間絶縁膜，パッシベーション膜として用いられる．（中略）
Ｐの濃度を高濃度化すればフロー特性は向上するが，８w/o％以上添加すると吸湿によりリン酸を生じ、Ａｌ配線の腐食などの問題が生じる．形成後の膜に対しＮ
２
雰囲気中で熱処理すれば吸湿性を抑制することができる
　
ｂ．周知例２：特開昭６２−２６３６４２号公報
　上記周知例２には、第１図と共に次の記載がある。
　「従来の技術
　近年、デバイスの高集積化及び高速化の対応が最も大きな関心事項として挙げられるが、プラズマ低温窒化膜は成長温度の低温化、ステップカバレッジ（段差被覆特性）の優位性及びナトリウム等の不純物が膜中に入り込む時の障壁としての遮蔽効果の完全性等の点で充分期待と応えうる特徴を示すことが知られており、多層配線デバイスの平坦化や最終表面保護膜として高い信頼性を備えていることと相まって、その用途は増々拡大されつつある。又、欠点としてプラズマ低温窒化膜（以下Ｐ−ＳｉＮと記す）の膜中に含まれるＨ２含有量の度合によって下地への膜応力欠陥を起こし、Ａｌ電極配線の断線を引き起こすこともありストレスを緩和する目的でＡｌ電極配線とＰ−ＳｉＮの中間にリン珪酸ガラス（以下ＰＳＧと記す）の層を堆積させているが、
ＰＳＧはリン濃度に比例して水分を吸収する吸湿性があり、Ｐ−ＳｉＮ成長の前段階でオーブン等の使用により水分を除去しているのが現状である。
　「発明が解決しようとする問題点
　しかしながら上記のような工程では、ＰＳＧ成長後の乾燥を充分に行ない、ＰＳＧ中の水分を充分に除去したとしても乾燥とＰ−ＳｉＮ成長の間の工程で待時間が生じたりすれば、再度ＰＳＧ中に水分を吸収することが考えられる。
もし、水分を吸収した状態でＰ−ＳｉＮ気相成長を行なえば、
ＰＳＧと結合してリン酸（Ｈ
３
ＰＯ
４
）を生じてアルミ電極を腐食したり
　本発明は上記問題点に鑑み、Ｐ−ＳｉＮ気相成長工程で水分を吸収したＰＳＧ膜が表面に形成されている半導体基板の水分を真空予備室で除去した後、Ｐ−ＳｉＮ気相成長を可能にするものである。」（第２ページ左下欄第１４行〜右下欄第１２行）
　「実施例
　以下本発明の一実施例の気相成長方法について、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１の実施例における気相成長法のフローチャート、第２図は第１の実施例における真空予備室付プラズマ気相成長装置の概略構造を示すものである。第２図において、１６は真空予備室である。
（中略）
　第１図のフローチャート図に示すように、
まず、アルミパターニング後シンター処理を施された半導体基板は、化学気相成長法によりＰＳＧが成長される。次に空気中の水分を吸収した半導体基板は、熱風乾燥器を用いて水分が除去される。
　
　周知例２の第１図から、「ＰＳＧ成長」の後の「乾燥」工程を「１５０℃、Ｎ２＝５ＳＬＭ、３０ｍｉｎ以内」で行うことが見てとれる。
　したがって、上記周知例２には、ＰＳＧ膜の吸湿性によって、Ａｌ配線等の腐食の問題が生じること、及び、ＰＳＧ膜から水分を除去するために、窒素雰囲気中でＰＳＧ膜をアニールすることが記載されているものと認められる。
　
（４−３）相違点３について
　引用例２の上記摘記箇所には、「従来のＰＳＧ膜を下地膜としたプラズマシリコンナイトライドパッシベーション構造は、全体としてみると、必ずしも十分なパッシベーション効果を有せず、特に耐湿性に難点がある」という課題を解決するために、「プラズマシリコンナイトライド膜の下地膜としてアルミナ膜を用いる」ことが記載され、また、「アルミナ膜の下にＰＳＧ膜などをその一部が露呈しないように配置することができる」こと、「耐湿性に優れたアルミナ膜をプラズマシリコンナイトライド膜の下地膜として利用しているので、ボンディングパッド部・・・においてもパッシベーション効果や耐湿性が低下することがなく、・・・プラズマシリコンナイトライド膜の耐湿性及び機械的強度の優秀性などはそのまま維持することができる効果がある」ことが記載されている。ここで、引用例２の「耐湿性に優れたアルミナ膜」が補正発明の「水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜」に相当する。
　したがって、引用発明において、引用例２の記載に基づいて、耐湿性をさらに向上させるために、「ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４」の下地膜として、耐湿性に優れたアルミナ膜を設けること、すなわち、「前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程」に代えて、「前記ＰＳＧ膜３上」に水分の侵入を抑制するＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程と、前記侵入抑制膜の上側に「Ｓｉ３Ｎ４膜４を形成する工程」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、アルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3膜）の水素侵入抑制機能は、当業者に自明の、材料自体が有する特性に過ぎない。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点については以上のとおりであるから、補正発明は、引用発明、並びに引用例２に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明、並びに引用例２に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明についての検討
　
１．本願発明
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２２年４月１９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に請求項１として記載した次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　素子を形成する工程と、
　前記素子に接続された導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程と、
　前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
（１）引用例１：実願平２−７７２００号（実開平４−３６２３０号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム
　
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である実願平２−７７２００号（実開平４−３６２３０号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（引用例１、再掲）には、上記第２．４．（２）に記載した事項及び次のとおりの発明（引用発明）が記載されていると認められる。
　
　「半導体基板１上にパッド電極２を形成する工程と、
　前記パッド電極２の周囲にＰＳＧ膜３を形成する工程と、
　前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用例３：特開昭５９−２１１２３６号公報
　
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭５９−２１１２３６号公報（以下「引用例３」という。）には、第２図と共に次の記載がある。
　
ａ．「〔発明の技術的背景〕
　半導体装置は、半導体基板にトランジスタ等の素子を作り込み、外半導体基板上に絶縁膜を介して各種の電極や配線を形成した構造を有している。これらの電極や配線はアルミニウム等の金属膜パターンで形成されている。そして、この電極や配線パターンを覆うパッシベーション膜が形成されており、該パッシベーション膜によって外部からの不純物の侵入を阻止して金属配線パターンの腐蝕防止が図られている。」（第１ページ左下欄第１５行〜右下欄第４行）
　
ｂ．「〔背景技術の問題点〕
　
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜あるいはシリコン窒化膜をパッシベーション膜として用いた従来の半導体装置には次のような問題があった
　まず、シリコン酸化膜またはＰＳＧ膜をパッシベーション膜とした装置では、外部からの不純物の侵入を充分に阻止できず、アルミニウム等の金属配線層の腐蝕防止効果が小さいために信頼性が低いという問題があった。
　他方、
シリコン窒化膜をパッシベーション膜とした装置では、不純物の侵入に対しては充分な阻止能力を有するが、パッシベーション膜形成後にクラックを生じ易い。このため管理面での困難さを伴う他、クラックの発生は装置の致命不良にもつながるという問題があった。
　
ｃ．「〔発明の概要〕
　本発明による半導体装置は、トランジスタ等の素子が形成された半導体基板と、該半導体基板上に絶縁膜を介して形成された金属配線層と、該金属配線層を覆って形成されたシリコン酸化膜または燐硅酸ガラス膜と、更にその上に積層された酸化アルミニウム膜とを具備したことを特徴とするものである。
　
上記本発明の半導体装置では、パッシベーション膜がシリコン酸化膜またはＰＳＧ膜と酸化アルミニウム膜とを積層して形成されている。酸化アルミニウムは不純物の侵入を阻止する能力が大きいから、この酸化アルミニウム膜を積層したことにより、金属配線層の腐蝕を充分に防止できる。また、シリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、アルミニウム酸化膜は何れもシリコン窒化膜に比較してクラックを発生し難いから、管理も容易で致命不良も生じ難い。
　
ｄ．「〔発明の実施例〕
　第２図は本発明の一実施例になるＭＯＳ型半導体装置を示す第１図同様の断面図で、第１図と同一部分には同一の参照番号を付してある。
　即ち、同図において、１はＰ型シリコン基板、２はｎ＋型ソース領域、３はｎ＋ドレイン領域、４はゲート酸化膜、５はゲート電極、６はフィールド酸化膜、７はソース電極、８はドレイン電極である。そして、アルミニウム配線層５，７，８の上には、パッシベーション膜としてＰＳＧ膜１０およびアルミニウム酸化膜１１が順次積層されている。このうち、ＰＳＧ膜１０はＣＶＤ法により形成されたものであり、アルミニウム酸化膜１１はスパッタ法によりＰＳＧ膜１０上に被着されたものである。
　
上記実施例の半導体装置は、ＰＳＧ膜１０上に更にアルミニウム酸化膜１１を積層してパッシベーション膜９が形成されているため、外部からの不純物の侵入が充分に阻止され、配線層５，７，８の腐蝕を防止して信頼性を向上することができる。また、パッシベーション膜９のクラック発生も生じない。
　
３．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「パッド電極２」は、本願発明の「導電パッド」に相当する。
　したがって、引用発明の「半導体基板１上にパッド電極２を形成する工程」と、本願発明の「前記素子に接続された導電パッドを形成する工程」とは、「導電パッドを形成する工程」である点で共通する。
　
（２）引用発明の「ＰＳＧ膜３」がリン成分を含んだシリコン酸化膜であることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「ＰＳＧ膜３」は、本願発明の「シリコン酸化膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記パッド電極２の周囲にＰＳＧ膜３を形成する工程」は、本願発明の「前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程」に相当する。
　
（３）引用発明の「前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程」と、本願発明の「前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程」とは、「前記シリコン酸化膜への水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（４）したがって、本願発明と引用発明とは、
　「導電パッドを形成する工程と、
　前記導電パッドの周囲にシリコン酸化膜を形成する工程と、
　前記シリコン酸化膜への水分の侵入を抑制する侵入抑制膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点４）
　本願発明では、「素子を形成する工程」を含むと共に、「導電パッド」が「前記素子に接続された」ものであるのに対し、引用発明では、「素子を形成する工程」を含むとの特定がなされておらず、また、「導電パッド」が「前記素子に接続された」ものとの特定もなされていない点。
　
（相違点５）
　本願発明では、「窒素雰囲気中で前記シリコン酸化膜をアニールする工程」を含むのに対し、引用発明では、本願発明の「シリコン酸化膜」に相当する「ＰＳＧ膜３」に対して、そのような工程を含まない点。
　
（相違点６）
　本願発明では、「侵入抑制膜」が「前記シリコン酸化膜への水素及び水分の侵入を抑制する」「膜」であるのに対し、引用発明では、「侵入抑制膜」が「ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４」である点。
　
４．相違点についての当審の判断
（１）相違点４について
　相違点４は、相違点１と同じものあると認められるから、相違点１と同様に、相違点４は実質的なものではない。
　
（２）相違点５について
　相違点５は、相違点２と同じものあると認められるから、相違点２と同様に、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）相違点６について
　引用例３の上記摘記箇所には、「シリコン酸化膜またはＰＳＧ膜をパッシベーション膜とした装置では、外部からの不純物の侵入を充分に阻止できず、アルミニウム等の金属配線層の腐蝕防止効果が小さいために信頼性が低いという問題があった」、及び、「シリコン窒化膜をパッシベーション膜とした装置では、不純物の侵入に対しては充分な阻止能力を有するが、パッシベーション膜形成後にクラックを生じ易い」という課題を解決するために、「パッシベーション膜」を「シリコン酸化膜またはＰＳＧ膜と酸化アルミニウム膜とを積層して形成」することが記載され、「酸化アルミニウムは不純物の侵入を阻止する能力が大きいから、この酸化アルミニウム膜を積層したことにより、金属配線層の腐蝕を充分に防止できる」こと、及び、「シリコン酸化膜、ＰＳＧ膜、アルミニウム酸化膜は何れもシリコン窒化膜に比較してクラックを発生し難いから、管理も容易で致命不良も生じ難い」ことが記載されている。ここで、引用例３の「不純物の侵入を阻止する能力が大きい」「酸化アルミニウム膜」が補正発明の「侵入抑制膜」に相当する。
　したがって、引用発明において、引用例３の記載に基づいて、不純物の侵入の阻止効果を向上させつつ、クラックの発生を低減させるために、「Ｓｉ３Ｎ４膜４」に代えて、不純物の侵入阻止能力が大きく、クラックの生じ難い酸化アルミニウム膜を設けること、すなわち、「前記ＰＳＧ膜３上に、ＰＳＧ膜３への水分の侵入を抑制するＳｉ３Ｎ４膜４を形成する工程」に代えて、「前記ＰＳＧ膜３上」にＡｌ2Ｏ3膜からなる侵入抑制膜を形成する工程とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、酸化アルミニウム膜（Ａｌ2Ｏ3膜）の水素と水分の侵入抑制機能は、当業者に自明の、材料自体が有する特性に過ぎない。
　よって、相違点６は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４）相違点についての判断のまとめ
　本願発明と引用発明との相違点については以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明、並びに引用例３に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．本願発明についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、引用発明、並びに引用例３に記載された発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。