【事件の表示】
　特願２００７−５１９６０２「金属−セラミック基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１９日国際公開、ＷＯ２００６／００５２８０、平成２０年　２月２１日国内公表、特表２００８−５０５５０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、２００５年（平成１７年）４月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、２００４年（平成１６年）７月８日、独国）を国際出願日とする国際特許出願であって、平成１８年１２月１５日付けで国内書面が提出され、平成１９年２月７日付けで請求の範囲、明細書及び要約書の翻訳文がそれぞれ提出され、平成２１年３月２４日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、同年７月２８日付けで特許請求の範囲を補正する手続補正書及び意見書がそれぞれ提出され、平成２２年１月２６日付けで最後の拒絶の理由が通知され、これに対し、同年６月２２日付けで特許請求の範囲を補正する手続補正書及び意見書がそれぞれ提出されたが、同年１２月１４日付けで上記平成２２年６月２２日付け手続補正書でした手続補正を却下する決定がなされるとともに、同日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされ、これに対し、平成２３年４月１３日付けで拒絶査定不服審判が請求され、当該審判の請求と同時に特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において同年１１月７日付けで書面による審尋がなされ、これに対し、平成２４年２月１３日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年４月１３日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年４月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２３年４月１３日付けで提出された手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について、下記（１）に示す本件補正前の（すなわち、平成２１年７月２８日付けで提出された手続補正書により補正された）請求項１ないし１１を、下記（２）に示す請求項１ないし９へと補正するものである。
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１１
「　【請求項１】
少なくとも一つのセラミック層（２）を有する金属−セラミック基板であって、前記セラミック層（２）の両方の表面側上に金属被覆（３、４）を有し、前記セラミック層（２）は、Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４からなり、前記金属被覆は、前記セラミック層（２）と直接結合され、かつ、０．１−１．０ｍｍの間の厚さ（ｄ２）を持ち、所定の測定電圧（Ｖ２）に対して１０ｐＣ未満の部分放電安定性あるいは耐性を達成するために、前記セラミック層（２）の厚さ（ｄ１）および前記測定電圧（Ｖ２）は、計算式
Ｖ２≦６．１×ｄ１　
または
ｄ１≧Ｖ２／６．１　
に対応し、ここでＶ２はｋＶで、およびｄ１はｍｍで指定される、
ことを特徴とする金属−セラミック基板。
　　【請求項２】
前記金属被覆（３、４）は、少なくとも２５Ｎ／ｃｍの結合強さで、前記セラミック層（２）と結合される、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項３】
前記セラミック層（２）の前記厚さ（ｄ１）は、０．３ｍｍと２．０ｍｍの間である、ことを特徴とする請求項１あるいは２に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項４】
前記それぞれの金属被覆（３、４）によって占められる最大表面積は、１００ｃｍ２を超えない、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項５】
前記金属被覆（３、４）は、銅でできている金属被覆である、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項６】
前記セラミック層（２）はＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４からなり、
Ａｌ２Ｏ３の中間層が、前記セラミック層（２）の少なくとも一つの表面側に、１０μｍ未満の厚さで設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項７】
前記セラミックに対する前記それぞれの金属被覆（３、４）の前記結合は、９５％を超える、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項８】
前記それぞれの金属被覆（３、４）と前記セラミック層（２）との間の遷移において、中空の空間を形成する欠損箇所（５）は、５０μｍの直径（ｄ３）および５０μｍの高さ（ｈ）を超えない、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項９】
前記セラミック層（２）の前記表面上に凸部あるいは凹部の形で、前記構造化された金属被覆（３、４）によって形成される欠損箇所（６）は、少なくとも５０μｍの曲率半径を有する端段（６．１）を持つ、ことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項１０】
前記セラミック層（２）の前記セラミック材料は、２−３０重量パーセント、すなわち、前記セラミック材料の前記総重量に対して、２−３０重量パーセントのＺｒＯ２を伴うＡｌ２Ｏ３でできている、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項１１】
前記セラミック層（２）の前記セラミック材料は、１−１０重量パーセントの総濃度でおよび前記セラミック材料の前記総重量に対して、グループイットリウム酸化物、セロキサイド、カリウム酸化物あるいは酸化マグネシウムからの少なくとも一つの添加物を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。」
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９
「　【請求項１】
少なくとも一つのセラミック層（２）を有する金属−セラミック基板であって、前記セラミック層（２）の両方の表面側上に金属被覆（３、４）を有し、前記セラミック層（２）は、Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４からなり、前記金属被覆は、前記セラミック層（２）と直接結合され、かつ、０．１−１．０ｍｍの間の厚さ（ｄ２）を持ち、所定の測定電圧（Ｖ２）に対して１０ｐＣ未満の部分放電安定性あるいは耐性を達成するために、前記セラミック層（２）の厚さ（ｄ１）および前記測定電圧（Ｖ２）は、計算式
Ｖ２≦６．１×ｄ１　
または
ｄ１≧Ｖ２／６．１
に対応し、ここでＶ２はｋＶで、およびｄ１はｍｍで指定
され、前記セラミックに対する前記それぞれの金属被覆（３、４）の前記結合は、９５％を超え、前記それぞれの金属被覆（３、４）と前記セラミック層（２）との間の遷移において、中空の空間を形成する欠損箇所（５）は、５０μｍの直径（ｄ
３
）および５０μｍの高さ（ｈ）を超えない、
　　【請求項２】
前記金属被覆（３、４）は、少なくとも２５Ｎ／ｃｍの結合強さで、前記セラミック層（２）と結合される、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項３】
前記セラミック層（２）の前記厚さ（ｄ１）は、０．３ｍｍと２．０ｍｍの間である、ことを特徴とする請求項１あるいは２に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項４】
前記それぞれの金属被覆（３、４）によって占められる最大表面積は、１００ｃｍ２を超えない、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項５】
前記金属被覆（３、４）は、銅でできている金属被覆である、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項６】
前記セラミック層（２）はＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４からなり、
Ａｌ２Ｏ３の中間層が、前記セラミック層（２）の少なくとも一つの表面側に、１０μｍ未満の厚さで設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項７】
前記セラミック層（２）の前記表面上に凸部あるいは凹部の形で、前記構造化された金属被覆（３、４）によって形成される欠損箇所（６）は、少なくとも５０μｍの曲率半径を有する端段（６．１）を持つ、ことを特徴とする
請求項１
　　【請求項８】
前記セラミック層（２）の前記セラミック材料は、２−３０重量パーセント、すなわち、前記セラミック材料の前記総重量に対して、２−３０重量パーセントのＺｒＯ２を伴うＡｌ２Ｏ３でできている、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。
　　【請求項９】
前記セラミック層（２）の前記セラミック材料は、１−１０重量パーセントの総濃度でおよび前記セラミック材料の前記総重量に対して、グループイットリウム酸化物、セロキサイド、カリウム酸化物あるいは酸化マグネシウムからの少なくとも一つの添加物を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の金属−セラミック基板。」（なお、下線は本件補正箇所を示すために、本件審判請求人が付したものである。）
　
２．本件補正の適否（本件補正の目的要件について）
　本件補正は、本件補正前の請求項１における「セラミック層（２）の両方の表面側上に金属被覆（３、４）を有し、…前記金属被覆は、前記セラミック層（２）と直接結合され」との発明特定事項に関して、「
前記セラミックに対する前記それぞれの金属被覆（３、４）の前記結合は、９５％を超え
前記それぞれの金属被覆（３、４）と前記セラミック層（２）との間の遷移において、中空の空間を形成する欠損箇所（５）は、５０μｍの直径（ｄ
３
）および５０μｍの高さ（ｈ）を超えない
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正を含むものに該当する。
　
３．本件補正の適否（本願補正発明の独立特許要件について）
　上記２．のとおり、本件補正は「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲、平成１９年２月７日付けで提出された明細書の翻訳文、及び、国際出願時に提出された図面の記載からみて、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記１．（２）の【請求項１】に記載されたとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
　Ａ．引用文献に記載された事項
　本件出願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開昭５９−３０７６号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の（Ａ）ないし（Ｇ）の事項が記載されている。
（Ａ）「２．特許請求の範囲
（１）金属との結合に必要な量の結合剤を含有させたセラミック部材に、金属を接触させて加熱することを特徴とするセラミック部材と金属との接合方法
（２）加熱温度は金属の融点以下でかつ金属と結合剤との共晶合金の共晶温度以上である特許請求の範囲第１項記載のセラミック部材と金属との接合方法。
（３）セラミック部材は非酸化物系セラミックからなる特許請求の範囲第１項または第２項記載のセラミック部材と金属との接合方法。
（４）セラミツク部材は窒化物系セラミックである特許請求の範囲第３項記載のセラミック部材と金属との接合方法。」（第１ページ左下欄第４ないし１８行）
　
（Ｂ）「［発明の技術分野］
  本発明はセラミック部材に金属を直接接合する方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
　・・・　（中略）　・・・
  このような難点を解消するため、近年、セラミック部材に金属を直接接合させる方法が検討されており、例えばセラミック部材に金属を接触させて結合剤を含むガス雰囲気中で加熱する方法、結合剤で金属を表面処理し、これをセラミック部材に接触させて不活性ガス雰囲気中で加熱する方法等が知られている。」（第１ページ右下欄第１５行ないし第２ページ左上欄第１８行）
　
（Ｃ）「本発明に適用されるセラミック部材としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物、炭化ケイ素、炭化チタン等の炭化物またはホウ化ランタン等のホウ化物等の非酸化物系セラミックおよび酸化ケイ素、アルミナ等の酸化物系セラミックがあげられ、これらには酸化イットリウム等の焼結助剤等が含まれていてもよい。」（第２ページ左下欄第６ないし１２行）
　
（Ｄ）「本発明に適用される金属としては、銅、鉄、クロム、ニッケル、モリブデン、銀、コバルト、アルミニウム等の単体、合金あるいは混合物があげられ、その形状は柱状、板状等の有形状のもののほか箔状、粒状であってもよい。」（第３ページ左上欄第２ないし６行）
　
（Ｅ）「本発明においては、所定量の結合剤を含有させたセラミック部材に金属を接触配置させこれを加熱する。加熱温度は金属の融点以下でかつ金属と結合剤との共晶合金の共晶温度以上が適している。例えば金属が銅で結合剤が酸素の場合は、銅の融点（１０８３℃）以下、銅−酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上である。」（第３ページ左上欄第１５行ないし同ページ右上欄第１行）
　
（Ｆ）「実施例
　窒化けい素に酸化イットリウム５重量％、アルミナ５重量％、二酸化けい素５重量％を含有させた３０mm×３０mm×２mmの板状セラミック部材に１０mm×５０mm×０．３mmの板状のタフピッチ電解銅を接触させ、窒素ガス雰囲気中で１０７５℃で１０分間加熱した。ほぼ室温まで冷却して接合状態を調べた結果強固な接合が得られていた。」（第３ページ右上欄第１２ないし１９行）（当審注：「窒化けい素」は、以下においては、上記（Ｃ）の「窒化ケイ素」に統一してカタカナで表記する。）
　
（Ｇ）「［発明の効果］
　以上説明したように本発明方法によれば、結合剤を含有しないたとえば非酸化物系セラミック部材であっても簡便に金属直接結合することができ、半導体マウント基板や電子管外囲器、整流素子外囲器等の製造に有効である。」（第３ページ左下欄第６ないし１１行）
　
　Ｂ．引用文献の記載からわかること
　上記Ａ．（Ａ）ないし（Ｇ）の記載から、引用文献には次の（Ｈ）ないし（Ｊ）の事項が記載されていることが分かる。
（Ｈ）上記Ａ．（Ｇ）から、引用文献に記載されたセラミック部材と金属との接合方法は、非酸化物系セラミック部材であっても簡便に金属直接結合することができるものであって、半導体マウント基板の製造に適用できることが分かる。
　
（Ｉ）上記Ａ．（Ｆ）における、「板状セラミック部材」と「板状のタフピッチ電解銅」とを接合する実施例は、各部材の材質及び形状から、上記（Ｈ）の半導体マウント基板を模したものであることが分かる。なお、当該「板状のタフピッチ電解銅」は上記Ａ．（Ｄ）における「板状」の「金属」に該当することは明らかである。
　
（Ｊ）上記Ａ．（Ｆ）の記載から、「板状セラミック部材」は主成分が窒化ケイ素からなり、また、上記Ａ．（Ｃ）から、窒化ケイ素のほか、窒化アルミニウム、アルミナを選択できることがわかる。
　
　Ｃ．引用発明
　上記Ａ．及びＢ．の記載から、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「板状セラミック部材を有する半導体マウント基板であって、
前記板状セラミック部材の表面側上に板状の金属を有し、
前記板状セラミック部材は、アルミナまたは窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素からなり、
前記板状の金属は、前記板状セラミック部材と直接結合され、かつ、０．３mmの厚さを持ち、
前記板状セラミック部材の厚さは２mmである半導体マウント基板。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明における「板状セラミック部材」は、その機能及び構造からみて、本願補正発明における「少なくとも一つのセラミック層（２）」に相当し、以下同様に、「板状の金属」は「金属被覆（３、４）」に、「アルミナまたは窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素」は「Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明における「半導体マウント基板」は、「板状セラミック部材」と「板状の金属」とから製造されることから、本願補正発明における「金属−セラミック基板」に相当する。
　引用発明における板状の金属の「０．３mmの厚さ」は、本願補正発明における金属被覆（３、４）の「０．１−１．０ｍｍの間の厚さ（ｄ２）」に含まれる。
　さらに、引用発明における「板状セラミック部材の厚さは２mm」である点は、「セラミック層の厚さは所定の厚さ」である限りにおいて、本願補正発明における「所定の測定電圧（Ｖ２）に対して１０ｐＣ未満の部分放電安定性あるいは耐性を達成するために、前記セラミック層（２）の厚さ（ｄ１）および前記測定電圧（Ｖ２）は、計算式
Ｖ２≦６．１×ｄ１　
または
ｄ１≧Ｖ２／６．１
に対応し、ここでＶ２はｋＶで、およびｄ１はｍｍで指定され」る「セラミック層（２）の厚さ（ｄ１）」に相当するといえる。
　
　してみると、本願補正発明と引用発明とは、次の＜一致点＞で一致し、次の＜相違点＞のＡ．ないしＣ．の点で相違する。
＜一致点＞
「少なくとも一つのセラミック層を有する金属−セラミック基板であって、
前記セラミック層の表面側上に金属被覆を有し、
前記セラミック層は、Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮまたはＳｉ３Ｎ４からなり、
前記金属被覆は、前記セラミック層と直接結合され、かつ、０．１−１．０ｍｍの間の厚さを持ち、
前記セラミック層の厚さは所定の厚さである金属−セラミック基板。」
＜相違点＞
Ａ．本願補正発明においては、セラミック層（２）の「両方の」表面側上に金属被覆（３、４）を有しているのに対し、引用発明においては、板状セラミック部材の両方の表面側上に板状の金属を有しているのか不明である点（以下、「相違点１」という。）。
　
Ｂ．本願補正発明においては、「所定の測定電圧（Ｖ２）に対して１０ｐＣ未満の部分放電安定性あるいは耐性を達成するために、前記セラミック層（２）の厚さ（ｄ１）および前記測定電圧（Ｖ２）は、計算式
Ｖ２≦６．１×ｄ１　
または
ｄ１≧Ｖ２／６．１
に対応し、ここでＶ２はｋＶで、およびｄ１はｍｍで指定され」るのに対し、引用発明においては、板状セラミック部材の厚さは２mmであるものの、本願補正発明における測定電圧（Ｖ２）に対応する電圧値が不明であるため、上記計算式を満たすか不明である点（以下、「相違点２」という。）。
　
Ｃ．本願補正発明においては、「前記セラミックに対する前記それぞれの金属被覆（３、４）の前記結合は、９５％を超え、前記それぞれの金属被覆（３、４）と前記セラミック層（２）との間の遷移において、中空の空間を形成する欠損箇所（５）は、５０μｍの直径（ｄ３）および５０μｍの高さ（ｈ）を超えない」のに対し、引用発明においては、「板状セラミック部材」と「板状の金属」との結合の程度が不明であり、「板状セラミック部材」と「板状の金属」との間の遷移における欠損箇所がどのような状態にあるのか不明である点（以下、「相違点３」という。）。
　
（４）判断
Ａ．相違点１について
　セラミック層に金属被覆を有する半導体マウント基板において、セラミック層の両方の表面側上に金属被覆を有することは、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２０００−２３６０５２号公報（以下、「周知例１」という。例えば、段落【０００５】及び図２に記載のセラミックス板１の表裏両面に銅板２を接合した技術を参照のこと。）に記載されているように、本件出願の優先日前において慣用技術（以下、「慣用技術」とう。）である。
　引用発明と当該慣用技術とはともにセラミック板に銅板を直接接合した半導体装置用基板であることから、引用発明の半導体マウント基板の構造として当該慣用技術を適用することで、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　なお、セラミック層に金属被膜を有する半導体マウント基板は、一般的に、当該慣用技術のように両方の表面側上に金属被膜を有することから、引用文献に明示的な記載はないものの、引用発明における半導体マウント基板についても、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項と同様の構造を有している蓋然性が高い、ともいえる。
　
Ｂ．相違点３について
　本件請求人は、相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項を前提として、相違点２に係る本願発明特定事項の計算式が成り立つ旨の主張をしていることから、相違点３について先に検討する。
　セラミック層に金属被覆を有する半導体マウント基板において、セラミックに対する金属被覆の結合の割合をできる限り高めて欠損箇所をなくすようにすることや、その欠損箇所の大きさ及び高さをできる限り小さくしようとすることにより、欠損箇所内での放電の発生を抑制しようとすることは、例えば、周知例１の段落【０００８】ないし【００１２】及び【００１９】に記載されているように、本件出願の優先日前において、当業者によく知られた技術的思想（以下、「周知の技術思想」という。）である。
　してみると、引用発明における半導体マウント基板においても、周知の技術思想と同様に、セラミックに対する金属被覆の結合の割合をできる限り高めて欠損箇所をなくすようにするとともに、欠損箇所が残ったとしても、その欠損箇所の大きさ及び高さをできる限り小さくしようと対処することは、当業者であれば普通になし得る事項であるといえる。
　そして、本件補正発明における、セラミックに対する金属被覆の結合の割合を「９５％を超える」ようにする、及び、欠損箇所は「５０μｍの直径および５０μｍの高さを超えない」ようにするという数値範囲のしきい値自体には、明細書や図面等を参酌しても有用であることを裏付ける実験データ等が示されるわけでもなく、臨界的意義が存在するとは認められず、また、本件補正発明はそのような数値範囲の基板を効率よく得るための製造方法に関する発明でもないことから、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項は、単に従来から知られた上記周知の技術思想の範ちゅうで数値範囲を適宜特定した程度のものであるといえる。
　したがって、引用発明において、上記周知の技術思想を適用するにあたり、その結合の割合並びに欠損箇所の大きさ及び高さを、放電の発生の抑制に適した数値範囲内にすることで、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が通常の創作能力を発揮することにより適宜なし得た程度のことである。
　
Ｃ．相違点２について
　セラミック層に金属被覆を有する半導体マウント基板において、セラミック層の厚みが小さいほど熱特性に優れ、厚みが大きいほど欠損箇所内での部分放電安定特性に優れていることは、例えば、周知例１（例えば、段落【００１８】の記載を参照のこと。）及び原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００４−１０７１２８号公報（公開日、２００４年（平成１６年）４月８日。例えば、段落【００２４】の記載を参照のこと。）に記載されているように、本件出願の優先日前において、当業者によく知られた周知の技術的事項であり、さらに、周知例１の段落【００１８】に記載されているように、部分放電電圧を高くすることと、セラミックス板を厚くすることとの間に相関関係が存在することもよく知られた周知の技術的事項である（以下、総じて「周知の技術的事項」という。）。
　そして、周知例１の段落【００１２】に記載されているように、半導体装置や周辺装置の高度制御化により、放電エネルギーが小さくとも問題の重要性が増していることは、当業者における技術常識であって、部分放電を測定するにあたり１０ｐＣ未満の部分放電安定性を備えているかを測定することも、例えば、特開２０００−３４９４００号公報の段落【００３８】ないし【００４１】に記載されているように、一般的な測定方法であることから、引用発明における半導体マウント基板において、その板状セラミック部材の厚さを２mmとした上で、１０ｐＣ未満の部分放電安定性を備えるように、当該基板の許容上限電圧値を決定することで、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　なお、本件請求人は、本願補正発明を特定するセラミック層の厚さと測定電圧との計算式（Ｖ２≦６．１×ｄ１　または　ｄ１≧Ｖ２／６．１）を新規に見いだし、部分放電安定性が１０ｐＣ未満となる範囲で可能な限りセラミック層の厚さを薄くした点に特徴がある旨の主張をしているが、本願補正発明は、「金属−セラミック基板」という物の発明に属するものであって、当該計算式が等式ではなく不等式で示されていることもあり、当該計算式に当てはまる基板自体が、例えば引用発明の半導体マウント基板（板状セラミック部材の厚さを２mm。なお、この値は、本願補正発明の下位概念である本件請求項３に係る発明で特定されるセラミック層の厚さの上限値でもあることから、一般的な測定電圧値であれば当然に本願補正発明の計算式を満たす値であると解される。）や、周知例の段落【００１７】に記載された基板（セラミックス板の厚さがｔ2＝０．５mm、部分放電電圧０．７５ｋＶ）のように、本件出願の優先日前において既に存在する以上、相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項により進歩性を有するとはいい難い。
　さらに、周知例１の段落【００１３】ないし【００１８】には、セラミック層に金属被覆を有する半導体マウント基板において、セラミックス層と欠損箇所とをコンデンサとみなし、それらが直列接続されていると仮定すると、部分放電電圧Ｖとセラミック基板の厚さｔ2とは、（２）式のような一次式の関係で説明できる点が開示されていることを付言する。
　
Ｄ．作用効果について
　本願補正発明を全体としてみても、その作用効果は、引用発明、慣用技術、周知の技術思想、及び、周知の技術的事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　
（５）小括
　したがって、本願補正発明は、上記のとおり、引用発明、慣用技術、周知の技術思想、及び、周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　 
４．むすび
　上記３．のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　 
　よって、結論のとおり決定する。
　 
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２３年４月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年７月２８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記第２．［理由］１．（１）の【請求項１】に記載のとおりのものである。
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（特開昭５９−３０７６号公報）の記載事項及び引用発明は、上記第２．［理由］３．（２）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願補正発明は、上記第２．［理由］２．に記したように、本願発明における「セラミック層（２）の両方の表面側上に金属被覆（３、４）を有し、…前記金属被覆は、前記セラミック層（２）と直接結合され」との発明特定事項に関し、「
前記セラミックに対する前記それぞれの金属被覆（３、４）の前記結合は、９５％を超え
前記それぞれの金属被覆（３、４）と前記セラミック層（２）との間の遷移において、中空の空間を形成する欠損箇所（５）は、５０μｍの直径（ｄ
３
）および５０μｍの高さ（ｈ）を超えない
　そうすると、本願発明を特定する事項をすべて含み、さらに本願発明を減縮したものに相当する本願補正発明が、上記第２［理由］３．に記載したとおり、引用発明、慣用技術、周知の技術思想、及び、周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、慣用技術、周知の技術思想、及び、周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、慣用技術、周知の技術思想、及び、周知の技術的事項周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。