【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジであり、該捩り撓みヒンジの少なくとも一つが少なくとも３つの相互連結する基本ヒンジセグメントの第１の端部を互いに連結することにより形成され、各基本ヒンジセグメントは軸線を有し、各基本ヒンジセグメントの第１の端部が捩り撓みヒンジの端部間に位置するようにした一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材であって、且つ上記ヒンジセグメント軸線の何れとも向きが垂直でない動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、それにより
上記動的部材を基準部材側から従来の折返しのない捩りバーで支持させた場合と比較して、微細加工構造体はよりコンパクトであり、且つ上記捩り撓みヒンジが、それと同一の捩りバネ常数を有する従来の折返しの無い捩りバーと比較して、水平又は鉛直方向又は両方向においてより高い剛性を有して成る構成を特徴とする一体化微細加工構造体。
【請求項２】前記基本ヒンジセグメントの軸線方向が前記一対の捩り撓みヒンジの設定する軸と平行であり、そのように形成された該捩り撓みヒンジを平面図で見ると、それがＴ字型に見える構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項３】前記基本ヒンジセグメントの一つの第２の端部が前記基準部材に連結し、且つ前記基本ヒンジセグメントの二つの第２の端部が前記動的部材に連結して成る構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項４】前記基本ヒンジセグメントの一つの第２の端部が前記動的部材に連結し、前記基本ヒンジセグメントの二つの第２の端部が前記規準部材に連結して成る構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項５】前記基本ヒンジセグメントの少なくとも一つが、捩りセンサを備える従来の無折返し捩りバーで形成されて成る構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項６】基本ヒンジセグメントを互いに連結して形成される前記捩り撓みヒンジには更に少なくとも二つの補助ヒンジセグメントが有り、該補助ヒンジセグメントの各々の第１の端部は基本ヒンジセグメントの一つの第２の端部に連結し、各補助ヒンジセグメントの軸線が前記動的部材の回転軸と向きが垂直でない構成を特徴とする請求項１に記載に記載の微細加工構造体。
【請求項７】前記基本ヒンジセグメントの軸線と前記補助ヒンジセグメントの軸線が、前記捩り折返しヒンジの対の設定する軸に平行に並び、斯く形成された捩り撓みヒンジを平面図で見ると、連結された基本ヒンジセグメントと補助ヒンジセグメントの各対がＵ字状に見える構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項８】前記補助ヒンジセグメントの何れにも連結されていない基本ヒンジセグメントの第２の端部が前記規準部材に連結し、補助ヒンジセグメントの第２の端部が前記動的部材に連結して成る構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項９】前記補助ヒンジセグメントの何れにも連結されていない基本ヒンジセグメントの第２の端部が前記動的部材に連結し、補助ヒンジセグメントの第２の端部が前記規準部材に連結して成る構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項１０】前記補助ヒンジセグメントの少なくとも一つが二本つりビームである構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項１１】前記基本ヒンジセグメントと前記補助ヒンジセグメントとが幅：厚み比（ｗ：ｔ）を異にする構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項１２】前記基本ヒンジセグメントと前記補助ヒンジセグメントとが長さを異にする構成を特徴とする請求項６に記載の微細加工構造体。
【請求項１３】前記基本ヒンジセグメントの少なくとも一つが二本つりビームである構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項１４】前記基本ヒンジセグメントが幅：厚み比（ｗ：ｔ）を異にする構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項１５】前記基本ヒンジセグメントが長さを異にする構成を特徴とする請求項１に記載の微細加工構造体。
【請求項１６】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジであり、その少なくとも一つが二本つりビームにより形成される一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材であって、且つ該軸が上記二本つりビーム間に位置付けられる動的部材を備えると共に、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項１７】前記二本つりビームを形成する各ビームを平面図で見ると、それがＬ字形である構成を特徴とする請求項１６に記載の微細加工構造体。
【請求項１８】前記二本つりビームを形成する各ビームを平面図で見ると、それがＵ字形である構成を特徴とする請求項１６に記載の微細加工構造体。
【請求項１９】前記捩り撓みヒンジの二本つりビームに有る二つのビームの間に配置され、且つ前記規準部材と動的部材の間に延びている従来の無折返し捩りバーを更に備えて成る請求項１６に記載の微細加工構造体。
【請求項２０】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備え、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記捩り撓みヒンジの設定する軸を中心とする回転運動を上記動的部材に付与する駆動手段と、
上記捩り撓みヒンジの一つに沿った上記規準部材と動的部材間の一点で、その第１の端部が上記捩り撓みヒンジ一つに取り付けられる少なくとも一つのアペンディジであって、該アペンディジは上記捩り撓みヒンジ一つから外側に突出し、且つ上記動的部材が規準部材に対して軸の周りに充分回転すると、規準部材と固定関係にあるストップにアペンディジの突出端が接触するアペンディジとを備えて成り、それにより
上記捩り撓みヒンジ一つの捩りバネ常数を強化する構成を特徴とする一体化微細加工構造体。
【請求項２１】前記アペンディジの第２の端部が前記ストップに接触している間に、前記動的部材が前記規準部材に対し軸中心に回転し続けると、上記アペンディジが撓む構成を特徴とする請求項２０に記載の微細加工構造体。
【請求項２２】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備え、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記捩り撓みヒンジの設定する軸を中心とする回転運動を上記動的部材に付与する駆動手段と、
第１の端部で規準部材に連結され、第２の端部で上記捩り撓みヒンジの一つの第２の端部に、該捩り撓みヒンジ一つに沿った規準部材と動的部材間の一点にて連結されるテザとを備えて成り、
上記動的部材が規準部材に対して軸の周りに充分回転すると、上記テザが上記捩り撓みヒンジ一つの捩りバネ常数を増大する構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項２３】前記テザがバネを備えて成る構成を特徴とする請求項２２に記載の微細加工構造体。
【請求項２４】前記動的部材が規準部材に対して軸中心に回転するに従って、前記バネに備わる波形起伏が圧縮する構成を特徴とする請求項２３に記載の微細加工構造体。
【請求項２５】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備え、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記動的部材が規準部材に対して軸中心になす角度回転に応答して信号を発生する回転センサと、
上記動的部材に近接して設けられた少なくとも一つの電極と、
上記動的部材を捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転させる静電駆動信号を動的部材と電極間に印加する駆動手段とを備えて成り、
該駆動手段が上記回転センサから信号を受信し、それに応答して上記駆動信号を変更して微細構造体の静電安定性を改良する構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項２６】或る成分が前記駆動信号に付加され、該成分が前記受信信号を或るべき数乗したものに比例する構成を特徴とする請求項２５に記載の微細加工構造体。
【請求項２７】前記べき数が２である構成を特徴とする請求項２６に記載の微細加工構造体。
【請求項２８】前記回転センサが、前記捩り撓みヒンジの一つに位置付けられた捩りセンサである構成を特徴とする請求項２５に記載の微細加工構造体。
【請求項２９】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備え、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、且つ上記動的部材には先端の尖った強化リムを備え、更に
該強化リムの先端に近接して配設された少なくとも一つの電極と、
上記動的部材を捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転させる静電駆動信号を動的部材と電極間に印加する駆動手段とを備えて成り、
上記駆動信号により上記強化リムと電極間に発生される静電場が強化リムの先鋭化により強められる構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項３０】前記先端先鋭化が、シリコン基板の１１１結晶面に沿った異方性エッチングにより行われる構成を特徴とする請求項２９に記載の微細加工構造体。
【請求項３１】前記先端の幅が、前記動的部材と電極間の間隔の３倍を上回らない構成を特徴とする請求項２９に記載の微細加工構造体。
【請求項３２】前記動的部材に形成され、前記電極に向かって開口する空洞を前記強化リムが囲繞し、該電極は基板上に支持され、該基板には第２の空洞が形成されてい、それが上記動的部材に形成された第１の空洞に向かって開口する構成を特徴とする請求項２９に記載の微細加工構造体。
【請求項３３】前記基板がシリコン基板を用いて製作され、前記第２の空洞が該シリコン基板にその１１１結晶面に沿って異方性エッチングして形成されて成る構成を特徴とする請求項３２に記載の微細加工構造体。
【請求項３４】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備え、該動的部材には強化リムが備わり、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、且つ上記動的部材に形成された第１の空洞を前記強化リムが囲繞し、更に
上記動的部材に形成された第１の空洞に近接して、それに向かって開口する第２の開口が形成された基板とを備えて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項３５】前記基板がシリコン基板を用いて製作され、前記第２の空洞が該シリコン基板にその１１１結晶面に沿って異方性エッチングして形成されて成る構成を特徴とする請求項３４に記載の微細加工構造体。
【請求項３６】動的部材が規準部材に対して軸中心になす回転を駆動手段が、動的部材と前記基板に取り付けられた電極との間に駆動信号を印加することにより静電的に付勢する構成を特徴とする請求項３４に記載の微細加工構造体。
【請求項３７】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記一つの捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材と、
上記動的部材と規準部材との間に上記捩り撓みヒンジの一つの両側に沿って配設された少なくとも一対の補助駆動プレートとを備え、
該補助駆動プレートは動的部材に近接して上記捩り撓みヒンジ一つに連結され、上記補助プレートの対の軸直角方向の幅は動的部材の軸直角方向の幅より少なく、
上記基準部材と一対の捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記補助プレートの一つに近接して配設された少なくとも一つの電極と、
該補助プレート一つと電極との間に駆動信号を印加することにより、上記捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心とする回転運動を上記動的部材に付与する駆動手段とを備えて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項３８】前記シリコン基板のその１１１結晶面に沿った異方性エッチングにより先鋭化された先端を有する強化部を、前記電極に近接する補助プレート一つが備えて成る構成を特徴とする請求項３７に記載の微細加工構造体。
【請求項３９】前記先端の幅が、前記動的部材と電極間の間隔の３倍を上回らない構成を特徴とする請求項３８に記載の微細加工構造体。
【請求項４０】前記動的部材の片側又は両側に位置付けられる反射ミラー面か光が反射してくるように、動的部材を電極が閉塞しない構成を特徴とする請求項３８に記載の微細加工構造体。
【請求項４１】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジであって、該捩り撓みヒンジの幅：厚み比（ｗ：ｔ）は４：１を超え、それにより捩りバネ常数が同等の、幅がより狭く、厚みがより薄いより通常の捩り撓みヒンジと比較して、熱伝導度が増大するようにした捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項４２】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩りバーであって、該捩りバーの一つの少なくとも一部は幅：厚み比（ｗ：ｔ）が１：２を超え、それにより非線形捩りバネ常数を示す捩りバーと、
上記捩りバーにより上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該一対の捩りバーが設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩りバーと動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されている構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項４３】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の同位体として純粋な、応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項４４】前記動的部材もまた、同位体として純粋なシリコンを用いて製造されている構成を特徴とする請求項４３に記載の微細加工構造体。
【請求項４５】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記規準部材及び動的部材から成る群より選ばれた微細加工部材であって、上記捩り撓みヒンジに沿って配設されている少なくとも一つの溝が形成されている微細加工部材と、
上記溝に跨って配設され、上記規準部材の近傍で近接の捩り撓みヒンジ接触する減衰材料とを備えて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項４６】前記動的部材には、該動的部材の減結合部をほぼ完全に囲繞する応力緩和カットが備わり、それにより該減結合部を動的部材の囲繞部側から支持するビームを設立し、それにより該囲繞部と減結合部間で応力が減結合される構成を特徴とする請求項４５に記載の微細加工構造体。
【請求項４７】前記動的部材の減結合部に少なくとも一つの反射ミラー面が被覆されている構成を特徴とする請求項４６に記載の微細加工構造体。
【請求項４８】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記動的部材には、該動的部材の減結合部をほぼ完全に囲繞する応力緩和カットが備わり、それにより該減結合部を動的部材の囲繞部側から支持するビームを設立し、それにより該囲繞部と減結合部間で応力が減結合される構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項４９】前記動的部材の減結合部に少なくとも一つの反射ミラー面が被覆されている構成を特徴とする請求項４８に記載の微細加工構造体。
【請求項５０】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、且つ上記捩り撓みヒンジのすくなくとも一つが拡大部を備える構成であって、更に
上記拡大部に位置付けられ、上記規準部材に対する動的部材の角度回転に応答して信号を発生する捩りセンサとを備えて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項５１】前記拡張部の或る捩り撓みヒンジが、一つに該拡大部が有る複数の基本ヒンジセグメントを互いに連結することにより形成される構成を特徴とする請求項５０に記載の微細加工構造体。
【請求項５２】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、且つ上記捩り撓みヒンジのすくなくとも一つが拡大部を備える構成であって、更に
上記規準部材と動的部材には前面と後面が有り、該動的部材の前面と後面には応力平衡化反射ミラー被膜が付けられている構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項５３】前記反射ミラー被膜が動的部材に付けられるとき、前記前面及び後面が順次、段階的に被覆されて成る構成を特徴とする請求項５２に記載の微細加工構造体。
【請求項５４】前記反射ミラー被膜が動的部材に付けられるとき、前記動的部材が間歇的に回転して成る構成を特徴とする請求項５３に記載の微細加工構造体。
【請求項５５】前記反射ミラー被膜が動的部材に付けられるとき、前記動的部材が連続的に回転して成る構成を特徴とする請求項５３に記載の微細加工構造体。
【請求項５６】前記反射ミラー被膜が動的部材に真空蒸着されて成る構成を特徴とする請求項５２に記載の微細加工構造体。
【請求項５７】前記反射ミラー被膜付着工程全体を通して、付着条件と環境が一定に維持されて成る構成を特徴とする請求項５６に記載の微細加工構造体。
【請求項５８】前記反射ミラー被膜が動的部材に溶液からメッキされて成る構成を特徴とする請求項５２に記載の微細加工構造体。
【請求項５９】前記動的部材の前面及び後面の両面に、先ず薄い接着層が付着され、次いで反射ミラー被膜になる薄い反射層が付着されて成る構成を特徴とする請求項５２に記載の微細加工構造体。
【請求項６０】低応力材料が前記薄い接着層を形成して成る構成を特徴とする請求項５９に記載の微細加工構造体。
【請求項６１】前記低応力材料がチタン及びジルコニウムから成る群より選ばれて成る構成を特徴とする請求項６０に記載の微細加工構造体。
【請求項６２】前記動的部材の前面及び後面の両面に付着される反射ミラー被膜がパリレンでオーバーコートされて成る構成を特徴とする請求項５２に記載の微細加工構造体。
【請求項６３】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、且つ上記捩り撓みヒンジのすくなくとも一つが拡大部を備える構成であって、更に
上記捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心とする回動を上記動的部材に付与する駆動手段とを備えて成り、該駆動手段が動的部材の軸中心回転を初め電流パルスで電磁的に付勢して動的部材を衝撃的に所望向きにまで回転させ、停止した動的部材を該所望向きに静電締付力で保持して成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項６４】前記動的部材の回転を衝撃的に開始する電流パルスが、動的部材を近零速度で所望の向きに近接させる予め設定されたプロファイルに従って成る構成を特徴とする請求項６３に記載の微細加工構造体。
【請求項６５】前記動的部材の規準部材に対する軸の周りの角度回転に応答して信号を発生する捩りセンサが微細加工構造体に備わり、且つ該捩りセンサが発生した信号を前記駆動手段が受け取り、これを用いて、動的部材を近零速度で所望角度まで回転させる電流パルスが加えられている間、動的部材の衝撃的回転を予め設定されたプロファイルに対してサーボ制御して成る構成を特徴とする請求項６３に記載の微細加工構造体。
【請求項６６】前記動的部材が静電締付力により所望向きに保持されている間に該動的部材が接するストップを微細加工構造体が備えて成る構成を特徴とする請求項６３に記載の微細加工構造体。
【請求項６７】前記動的部材が静電締付力により所望向きに保持されている間に該動的部材が接する弾性絶縁性材料で前記ストップがオーバーコートされて成る構成を特徴とする請求項６６に記載の微細加工構造体。
【請求項６８】前記動的部材が静電締付力により所望向きに保持されている間に該所望のむきへの動的部材の回転を調整する微調整手段を更に備えて成る構成を特徴とする請求項６３に記載の微細加工構造体。
【請求項６９】前記動的部材が電磁締付力により保持されている間、前記捩り撓みヒンジが設定する軸から動的部材の外周を超えて突出して支持体に接触する少なくとも一つの可撓性ビームを前記微調整手段が備え、動的部材に加わる力が該可撓性ビームを曲げて成る構成を特徴とする請求項６８に記載の微細加工構造体。
【請求項７０】前記動的部材の回転を所望向きに合わせるに際し、静電力が動的部材に印加されて成る構成を特徴とする請求項６９に記載の微細加工構造体。
【請求項７１】前記動的部材の回転を所望向きに合わせるに際し、電磁力が動的部材に印加されて成る構成を特徴とする請求項６９に記載の微細加工構造体。
【請求項７２】
前記捩り撓みヒンジが基準部材とサブフレームの間に連結され、
また微調整捩り撓みヒンジが前記動的部材に備わって、動的部材の残部と上記サブフレームを連結し、それにより該動的部材の残部を支持し、微調整捩り撓みヒンジが設定する微調整軸を中心として該動的部材の残部をサブフレームに対して回転自在にし、
動的部材の回転を所望向きに合わせるに際し、動的部材の残部に加わる力が該残部を微調整軸を中心として回転させるようにして前記動的部材内の微調整手段が成る構成を特徴とする請求項６８に記載の微細加工構造体。
【請求項７３】前記動的部材の回転を所望向きに合わせるに際し、静電力が動的部材の残部に印加される構成を特徴とする請求項７２に記載の微細加工構造体。
【請求項７４】前記動的部材の回転を所望向きに合わせるに際し、電磁力が動的部材の残部に印加される構成を特徴とする請求項７２に記載の微細加工構造体。
【請求項７５】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記動的部材には光検出器が形成されると共に、該光検出器に近接してワイヤ格子偏光子が配設されてい、光検出器に入射する光はワイヤ格子偏光子を横切った後はじめて、光検出器に当たる構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項７６】前記ワイヤ格子偏光子が前記動的部材の減結合部上に配設されてい、該減結合部を応力緩和カットがほぼ完全に囲繞し、それにより該減結合部を動的部材の囲繞部側から支持するビームを設立し、それにより該囲繞部と減結合部間で応力が減結合される成る構成を特徴とする請求項７５に記載の微細加工構造体。
【請求項７７】一体化微細加工構造体であって、
光学的に走査中の物体から散乱される光を検出する光検出器が形成されている基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項７８】前記光検出器に近接して基準部材上に配設されているワイヤ格子偏光子を更に備え、光検出器に入射する光はワイヤ格子偏光子を横切った後はじめて、光検出器に当たるようにして成る構成を特徴とする請求項７７に記載の微細加工構造体。
【請求項７９】一体化微細加工構造体であって、
基準部材と、
該基準部材から突出し、且つ直径反対方向にあって、互いに対向する一対の捩り撓みヒンジと、
上記捩り撓みヒンジの対により上記基準部材に連結され、それにより該基準部材側から支持されて、該捩り撓みヒンジの対が設定する軸を中心として回転する動的部材とを備えると共に、
上記基準部材と捩り撓みヒンジの対と動的部材とが、シリコン基板の応力無残留の半導体層を用いて一体化製造されてい、更に
上記動的部材がフレネルレンズを備えて成る構成を特徴とする微細加工構造体。
【請求項８０】前記フレネルレンズに反射ミラー被膜が付着されて成る請求項７９に記載の微細加工構造体。
【請求項８１】前記動的部材の前面と後面の両面に前記反射ミラー被膜が付着されて成る構成を特徴とする請求項７９に記載の微細加工構造体。