【事件の表示】
　特願２００６−５１３６０９「気相成長装置用サセプタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月２４日国際公開、ＷＯ２００５／１１１２６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１７年５月１７日（パリ条約に基づく優先権主張平成１６年５月１８日、日本国）の国際出願であって、同２１年１０月２６日付の拒絶理由通知に対して同２２年１月７日に意見書と手続補正書が提出され、同２２年３月１６日付で拒絶査定されたものである。当該拒絶査定の取消を求める本件審判は同２２年６月１７日に請求され、同日に特許請求の範囲を補正対象とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされ、当審の同２２年１２月１７日付審尋に対して同２３年２月２１日に回答書が提出されている。　
　
２．本件補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　
　　本件補正を却下する。　
　
［理由］　
2.1　本件補正の内容　
　本件補正により、特許請求の範囲が次のとおり補正された。　
ａ．補正前
「　【請求項１】
気相成長の際に半導体ウェーハを受容するためのウェーハポケットが形成されたサセプタにおいて、
前記ウェーハポケットは、前記半導体ウェーハの外周縁部が載置される第１ポケット部と、当該第１ポケット部より小径かつ下側に形成された第２ポケット部を少なくとも有し、一端が前記第２ポケット部の縦壁面に開口するとともに、他端がサセプタの裏面に開口する流体通路が形成され、
前記第２ポケット部の床面の外周に凹部が形成され、
前記流体通路の一端は、前記凹部に相当する前記縦壁面に開口され、
前記第２ポケット部の床面は、前記凹部の前記縦壁面に対面する縦壁面の上端から形成されていることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。
　　
【請求項２】
前記流体通路の、前記サセプタの裏面側の開口は、前記第２ポケット部の縦壁面より外側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置用サセプタ。
　　
【請求項３】
前記流体通路の、前記サセプタの裏面側の開口は、前記第２ポケット部の縦壁面より内側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置用サセプタ。
　　
【請求項４】
前記流体通路は、直線状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の気相成長装置用サセプタ。
　　
【請求項５】
前記流体通路が複数形成され、当該流体通路の一端が前記第２ポケット部の縦壁面の円周方向に沿って実質的に均等に開口していることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の気相成長装置用サセプタ。」　
ｂ．補正後
「　【請求項１】
気相成長の際に半導体ウェーハを受容するためのウェーハポケットが形成されたサセプタにおいて、
前記ウェーハポケットは、前記半導体ウェーハの外周縁部が載置される第１ポケット部と、当該第１ポケット部より小径かつ下側に形成された第２ポケット部を少なくとも有し、一端が前記第２ポケット部の縦壁面に開口するとともに、他端がサセプタの裏面に開口する流体通路が形成され、
前記第２ポケット部の床面の外周に凹部が形成され、
前記流体通路の一端は、前記凹部に相当する前記縦壁面に開口され、
前記第２ポケット部の床面は、前記凹部の前記縦壁面に対面する縦壁面の上端から形成され
、前記流体通路の、前記サセプタの裏面側の開口は、前記第２ポケット部の縦壁面より外側に形成され
　　
【請求項２】
前記流体通路は、直線状に形成されていることを特徴とする請求項
１
　　
【請求項３】
前記流体通路が複数形成され、当該流体通路の一端が前記第２ポケット部の縦壁面の円周方向に沿って実質的に均等に開口していることを特徴とする請求項
１又は２
（なお、下線は補正箇所を明確化する目的で当審にて付したものである。）
　
2.2　本件補正の適法性の検討　
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明において、流体通路について「サセプタの裏面側の開口は、第２ポケット部の縦壁面より外側に形成されている」との限定を加えて減縮するとともに、補正前の請求項２，３を削除し、補正前の請求項４及び５を請求項２及び３に繰り上げたものである。
　本件補正は特許請求の範囲を減縮するものを含むから、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法(以下、単に「改正前の特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に合致しているか、について以下に検討する。　
　
2.3　補正発明　
　補正発明は、上記2.1ｂ．の【請求項１】に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。　
　
2.3　刊行物記載の発明または事項　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された、以下の刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。　
　刊行物１：　特表２００１−５２２１４２号公報　
　刊行物２：　特開２００３−２８９０４４号公報　
　
2.3.1　刊行物１　
ａ．（発明の詳細な説明、段落１）　
「
発明の属する技術分野
　本発明は、半導体加工チャンバ内の基板の支持構造に関するものであり、より詳しくは枚葉式加工チャンバ内のウェハを支持するための低質量支持構造に関するものである。」　
ｂ．（同、段落２６）　
「
好適実施態様の詳細な説明
　
代表的なシステム
（中略）更に、ここで記載する用語“ウェハ”支持システムは、ガラスなど任意の多数の基板を保持し得、該基板はCVD、物理的気相成長法（“PVD”）、エッチング、アニール、ドーパント拡散およびフォトリソグラフィなどの反応チャンバ内での処理に供される。（後略）」　
ｃ．（同、段落９２）　
「
支持リングを有するツーピースウェハホルダー
　次に図１６−２５を参照すると、本発明の第２の好ましい実施態様が図示され、そこではウェハホルダー２０ａは単一の一体品ではなくリング５２ａおよび別個のベースプレート５０ａを含む。（後略）」
ｄ．（同、段落１２３）　
「（前略）　
下部ガス通路をもつウェハホルダー
図３３−３７は、１以上の下部ガス通路を装備したウェハホルダーを示す。下部ガス通路は、ウェハがピックアップされるときにベースプレートとウェハ間のギャップにガスを流通させ、ウェハがドロップオフされるときギャップからガスを流出させることができる。図示された実施態様のそれぞれにおいて、支持リングは、複数の間隔をあけられたリップより、むしろ円筒状の内面をもつ単一環状リップに取り付けられている。該環状リップは、ベースプレート上のウェハとさらに間隔がおかれている。しかしながら、他の配置において、後側ガス流は間隔をあけられたリップ間の前側ガス流と合流し、ピックアップ及びドロップオフされる間にウェハとウェハホルダーの間に適度なガス流が確保されることが理解されるであろう。　
（中略）　
再度図３３−３５を参照すると、好ましくは単一環状リップ６６ｄが、後側からウェハ１６の前側を効果的にシールするように提供される。このような配置は、ウェハ１６の前側から後側への加工ガスの拡散を効果的に除く。このシールは、ウェハがピックアップされる間、通常は真空吸引効果を作り出す。しかしながら、図示された実施態様では、環状後側通路２６０ｄ（図３５）は、リング５２ｄ及びベースプレート５０ｄの間、特にリングステップ２０４ｄ及びベースプレート張出し２０５ｄの間に提供される。（後略）」
ｅ．（同、段落１２４）
「（前略）
有利なことに、図３５で示した配置は、段をつけた通路における後側通路２６０ｄを提供し、輻射熱がランプからウェハに直接浸透しないようにし、ホットスポットが回避される。
次に図３６によると、本発明の第６の好ましい態様に従ってウェハホルダー２０ｅが示される。下部ガス通路は、ウェハホルダー２０ｅの下側からベースプレート５０ｅとウェハ１６のギャップへ導く少なくとも１つの導管２７０ｅの形態で提供される。好ましくは、導管２７０ｅは、リング５２ｅの下側から環状リップ６６ｅの側壁に導かれている。（中略）
望ましくは、導管２７０ｅは、ウェハ上へのランプの直接輻射を避けるために、図示するように内部に向かって角度をつけている。
（後略）」
ｆ．（図３６）
　ウェハホルダー２０ｅが、ウェハ１６の外周縁部が載置される単一環状リップ６６ｄと、当該単一環状リップ６６ｄより小径かつ下側に形成されたリングステップ２０４ｅ及びベースプレート５０ｅを少なくとも有し、一端が前記リングステップ２０４ｅの縦壁面に開口するとともに、他端がウェハホルダー２０ｅの裏面に開口する導管２７０ｅが形成され、前記リングステップ２０４ｅの外周とベースプレート５０ｅとの間に凹部が形成され、前記導管２７０ｅの一端は前記凹部に相当する前記縦壁面に開口され、前記ベースプレート５０ｅの上面は、前記凹部の前記縦壁面に対面する縦壁面の上端から形成され、前記導管２７０ｅの、前記ウェハホルダー２０ｅの裏面側の開口は、前記リングステップ２０４ｅの縦壁面より外側に形成されていることが、理解されると認める。
　
　上記摘記事項を、技術常識をふまえつつ本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認められる。　
「気相成長の際にウェハ１６を受容する部分が形成されたウェハホルダー２０ｅにおいて、
前記ウェハ１６を受容する部分は、前記ウェハ１６の外周縁部が載置される単一環状リップ６６ｄと、当該単一環状リップ６６ｄより小径かつ下側に形成されたリングステップ２０４ｅ及びベースプレート５０ｅを少なくとも有し、一端が前記リングステップ２０４ｅの縦壁面に開口するとともに、他端がウェハホルダー２０ｅの裏面に開口する導管２７０ｅが形成され、
前記リングステップ２０４ｅの外周とベースプレート５０ｅの上面との間に凹部が形成され、
前記導管２７０ｅの一端は、前記凹部に相当する前記縦壁面に開口され、
前記ベースプレート５０ｅの上面は、前記凹部の前記縦壁面に対面する縦壁面の上端から形成され、
前記導管２７０ｅの、前記ウェハホルダー２０ｅの裏面側の開口は、前記リングステップ２０４ｅの縦壁面より外側に形成されている気相成長装置用ウェハホルダー２０ｅ。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。　
　
2.3.2　刊行物２　
ａ．（特許請求の範囲、請求項１）　
「　【請求項１】　気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、半導体基板を支持する側の面から裏面に貫通する貫通部を有し、該貫通部は、当該サセプタにより支持された半導体基板を当該サセプタを介して裏面側より加熱する熱源からの、当該貫通部を介した直接的な熱輻射を妨げることにより、半導体基板の局部的過熱を抑制する過熱抑制部を備えることを特徴とするサセプタ。」
ｂ．（発明の詳細な説明、段落１３〜１５）　
「【００１３】このうち、サセプタ２０は、気相成長の際に半導体基板Ｗ（以下、基板Ｗと略称することがある。）を支持するものであり、例えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成されている。このサセプタ２０は、図１に示すように、例えば略円盤状に構成され、その主表面には、該主表面上に基板Ｗを位置決めするための座ぐり２１（平面視円形の凹部）が形成されている。この座ぐり２１は、例えば図１（ａ）に示すような状態で基板Ｗの外周縁部を支持する円環状（図１（ｂ）参照）の外周側部分２１ａと、該外周側部分２１ａの内側に該外周側部分２１ａよりも下側に窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分２１ｂとを有する二段構成を成している。なお、このうち外周側部分２１ａは例えば略平面に形成され、内周側部分２１ｂは凹曲面形状に形成されている。
【００１４】そして、サセプタ２０の、例えば内周側部分２１ｂには、当該サセプタ２０の裏面に貫通する貫通部２２が形成されている。すなわち、サセプタ１０は、基板Ｗを支持する側の面から裏面に貫通する貫通部２２を有している。この貫通部２２は、当該サセプタ２０により支持された基板Ｗを該サセプタ２０を介して裏面側より加熱する熱源（加熱装置１４ａ、１４ｂのうち、特に加熱装置１４ｂ）からの、該貫通部２２を介した直接的な熱輻射を妨げることにより、基板Ｗの局部的過熱を抑制する過熱抑制部２２１，２２２（図２）を備える。より具体的には、サセプタ２０の例えば内周側部分２１ｂには、基板Ｗを支持する側の面と、その裏面とから、（サセプタ２０の盤面に対し直交方向において）互いに一部のみが重なり合うように位置のずれた孔部２２３，２２４が、各々は当該サセプタ２０を貫通しないが当該サセプタ２０内部で互いに通じ合う深さに形成されている。この結果、これら孔部２２３，２２４の総体により、貫通部２２が構成されている。そして、当該サセプタ２０において、孔部２２３が突き当たる部位が過熱抑制部２２１を構成し、孔部２２４が突き当たる部位が過熱抑制部２２２を構成している。
【００１５】なお、貫通部２２は、より具体的には、例えば内周側部分２１ｂの最外周部に形成されている。また、例えば、基板Ｗを支持する側の面から形成された孔部２２３は、裏面から形成された孔部２２４よりも、当該サセプタ２０の外周側に位置している。さらに、図１（ｂ）に示すように、貫通部２２は、多数が、座ぐり２１と中心が等しい円周上に、例えば等間隔に配されている（図１（ｂ）では、一部の貫通部２２にのみ符号を付している。）。つまり、多数の貫通部２２が、座ぐり２１と中心が等しい円周上に万遍なく形成されている。」
　
　上記摘記事項を、技術常識をふまえつつ本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。　
「気相成長の際に半導体基板Ｗを位置決めするための座ぐり２１が形成されたサセプタ２０において、
前記座ぐり２１は、前記半導体基板Ｗの外周縁部が載置される円環状の外周側部分２１ａと、当該外周側部分２１ａより小径かつ下側に形成された内周側部分２１ｂを少なくとも有し、
前記内周側部分２１ｂの床面の外周に孔部２２３が形成されている、気相成長装置用サセプタ。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。　
　
2.4　対比
　補正発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、後者の「ウェハ１６」、「ウェハ１６を受容する部分」、「ウェハホルダー２０ｅ」、「単一環状リップ６６ｄ」及び「導管２７０ｅ」が、前者の「半導体ウェーハ」、「ウェーハポケット」、「サセプタ」、「第１ポケット部」及び「流体通路」にそれぞれ相当することは明白である。　
　また、後者の「リングステップ２０４ｅ及びベースプレート５０ｅ」がウェーハの下面に形成する空間は、第１ポケット部より小径かつ下側に形成された空間である限りにおいて、後者の「第２ポケット部」と共通する。したがって、後者の「リングステップ２０４ｅの外周とベースプレート５０ｅとの間」に形成される凹部は、該空間の床面の外周に形成される凹部であり、同様に「リングステップ２０４ｅ縦壁面」は該空間の縦壁面であり、「ベースプレート５０ｅの上面」は該空間の床面である。
　そうしてみると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
＜一致点＞　
「気相成長の際に半導体ウェーハを受容するためのウェーハポケットが形成されたサセプタにおいて、
前記ウェーハポケットは、前記半導体ウェーハの外周縁部が載置される第１ポケット部と、当該第１ポケット部より小径かつ下側に形成された空間を少なくとも有し、一端が前記空間の縦壁面に開口するとともに、他端がサセプタの裏面に開口する流体通路が形成され、
前記空間の床面の外周に凹部が形成され、
前記流体通路の一端は、前記凹部に相当する前記縦壁面に開口され、
前記空間の床面は、前記凹部の前記縦壁面に対面する縦壁面の上端から形成され、
前記流体通路の、前記サセプタの裏面側の開口は、前記空間の縦壁面より外側に形成されている気相成長装置用サセプタ。」である点。　
＜相違点＞　
　第１ポケット部より小径かつ下側に形成された空間が、前者では第２ポケット部であるのに対し、後者ではリングステップ２０４ｅとベースプレート５０ｅが協働して形成している点。
　
2.5　判断　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物２記載の事項において、「座ぐり２１」が「ウェーハポケット」であり、その「外周側部分２１ａ」及び「内周側部分２１ｂ」が、補正発明の「第１ポケット部」及び「第２ポケット部」にそれぞれ相当することは明白であるから、刊行物２には「第１ポケット部より小径かつ下側に形成された第２ポケット部を少なくとも有」するサセプタが記載されているということができる。
　刊行物２記載の事項は刊行物１記載の発明と同様、気相成長装置用サセプタに関するから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して＜相違点＞に係る発明特定事項を補正発明のものとすることは、当業者が容易に想到し得る。
　
2.6　まとめ　
　本件補正発明には、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基いて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を見出すこともできないため、本件補正発明は刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　以上のとおり、本件補正は、改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について　
3.1　本願発明　
　平成２２年６月１７日付の特許請求の範囲を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１（以下、「本願発明」という。）に係る発明は、同２２年１月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１は、前記2.1ａの【請求項１】に記載したとおりである。　
　
3.2　刊行物記載の発明または事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項は、前記2.3に記載したとおりである。　
　
3.3　対比・判断　
　本願発明は、前記２．で検討した補正発明から、流体通路について「サセプタの裏面側の開口は、第２ポケット部の縦壁面より外側に形成されている」との限定を除いたものである。　
　そうすると、本願発明の構成を全て含む補正発明が、前記「2.6」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
3.4　むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　.