【事件の表示】
　平成１０年特許願第３２２９９３号「半導体イメージ・センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月２７日出願公開、特開平１１−２３３７４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１１月１３日（パリ条約による優先権主張１９９７年１１月１４日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１９年１２月２０日付けで拒絶理由通知が通知され、平成２０年７月８日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２１年９月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１２月１４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年３月２５日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年１０月２９日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２３年３月２日に拒絶査定不服審判がされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、同年８月２２日付けで審尋がなされ、同年１１月２４日に回答書が提出された。
　
第２　平成２３年３月２日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年３月２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するものであり、補正前後の請求項１の記載は次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　イメージ・センサであって：
　基板（１１）と、
　前記基板（１１）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、
　前記基板（１１）上のピン型フォトダイオードであって、
　　第１の深さを有する第１導電型の導通領域（２６）と、
　　前記導通領域（２６）の表面部分内に形成され、かつ前記ＭＯＳトランジスタから離れて前記導通領域（２６）の外側に延在する、第２の深さを有する第２導電型のピン型層（３７）であって、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、前記ピン型層（３７）と
　を含む、前記ピン型フォトダイオードと、
　前記ピン型フォトダイオードの上の誘電層（３８）と、
　前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層であって、前記珪化物層は珪化チタンであり、前記ピン型フォトダイオードの上の領域には前記珪化物層がない、前記珪化物層と、
　を備え、前記イメージ・センサの一部の上の前記珪化物層は、前記ＭＯＳトランジスタ（３２）のゲートの上の珪化物層を含み、
　前記ピン型層（３７）のドーピング濃度は、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記ピン型層（３７）の前記第２の深さは、０．２〜０．３ミクロンである、イメージ・センサ。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　イメージ・センサであって：
　第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）と、
　前記第１ドーピング濃度より低濃度の第２ドーピング濃度を有する前記第１導電型のエンハンスメント層（１２）であって、前記基板（１１）上に形成されるエンハンスメント層（１２）と、
　前記エンハンスメント層（１２）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、
　前記エンハンスメント層（１２）上のピン型フォトダイオードであって、
　　第１の深さを有する第２導電型の導通領域（２６）と、
　　前記導通領域（２６）の表面部分内に形成され、かつ前記ＭＯＳトランジスタから離れて前記導通領域（２６）の外側に延在する、第２の深さを有する前記第１導電型のピン型層（３７）であって、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、前記ピン型層（３７）と
　を含む、前記ピン型フォトダイオードと、
　前記ピン型フォトダイオードの上の誘電層（３８）と、
　前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層（４４）であって、前記珪化物層は珪化チタンであり、前記ピン型フォトダイオードの上の領域には前記珪化物層がない、前記珪化物層と、
　を備え、前記イメージ・センサの一部の上の前記珪化物層は、前記ＭＯＳトランジスタ（３２）のゲートの上の珪化物層を含み、
　前記ピン型層（３７）のドーピング濃度は、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記ピン型層（３７）の前記第２の深さは、０．２〜０．３ミクロンである、イメージ・センサ。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１に記載の「基板（１１）」を、「第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）」とする。
［補正事項２］
　補正前の請求項１における「基板（１１）と、」の後に、「前記第１ドーピング濃度より低濃度の第２ドーピング濃度を有する前記第１導電型のエンハンスメント層（１２）であって、前記基板（１１）上に形成されるエンハンスメント層（１２）と、」との記載を付加する（以下「補正事項２−１」という。）とともに、補正前の請求項１に記載された「前記基板（１１）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、　前記基板（１１）上のピン型フォトダイオード」を、「前記エンハンスメント層（１２）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、　前記エンハンスメント層（１２）上のピン型フォトダイオード」とする（以下「補正事項２−２」という。）。
［補正事項３］
　補正前の請求項１に記載の「第１導電型の導通領域（２６）」、「第２導電型のピン型層（３７）」を、それぞれ「第２導電型の導通領域（２６）」、「前記第１導電型のピン型層（３７）」とする。
［補正事項４］
　補正前の請求項１に記載の「前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層」を、「前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層（４４）」とする。
　
　以下、補正事項１ないし４について検討する。
ア　補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１における「基板（１１）」について、「第１ドーピング濃度を有する第１導電型の」という構成を追加して、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項１により追加された構成は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の段落【０００６】に記載されており、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　
イ　補正事項２について
　補正事項２−１は、補正前の請求項１における「基板（１１）」について、「前記第１ドーピング濃度より低濃度の第２ドーピング濃度を有する前記第１導電型のエンハンスメント層（１２）であって、前記基板（１１）上に形成されるエンハンスメント層（１２）」という構成を追加して、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項２−２は、補正事項２−１に伴い、補正前の請求項１における「ＭＯＳトランジスタ（３２）」及び「ピン型フォトダイオード」について、構成を形式的に変更するものであり、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２−１及び２−２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項２−１及び２−２により追加された構成は、当初明細書の段落【０００６】及び【０００９】に記載されており、補正事項２−１及び２−２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２−１及び２−２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
ウ　補正事項３について
　補正事項３は、補正事項１に伴い、補正前の請求項１における「導通領域（２６）」及び「ピン型層（３７）」について、導電型を形式的に変更するものであり、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項３により追加された構成は、当初明細書の段落【０００６】及び【０００７】に記載されており、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
エ　補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項１における「珪化物層」について符号「（４４）」を追加して、平成２１年９月９日付けの拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当に該当し、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項４により追加された構成は、当初明細書等の段落【００１８】及び図７に記載されており、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
オ　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。 
　
（２）独立特許要件について
ア　本件補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
イ　刊行物に記載された発明
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−１６２６２４号公報（以下「刊行物１」という。平成２２年３月２５日付け拒絶理由通知で引用された引用文献１）には、「固体撮像装置」（発明の名称）に関して、図１ないし図１０とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
ａ「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に偽信号が小さいと同時に大面積化が可能な
固体撮像装置
ｂ「【００２１】（第２の実施例）以下に本発明における第２の実施例を、図６から図８を用いて説明する。
【００２２】図６は本発明における第２の実施例の回路構成図である。受光領域５１内には、ホトダイオード５２及び２個のＭＯＳトランジスタスイッチ５３，５４からなる画素がマトリクス状に配置されている。…
【００２３】図中に破線で示した四角形が全てＳｉ基板から切り出した集積回路であり、本実施例における
ホトダイオード，ＭＯＳトランジスタ等は全て単結晶Ｓｉ上に形成
ｃ「【００２５】このように、本実施例におけるホトダイオード，ＭＯＳトランジスタ等も第１の実施例同様に全て単結晶Ｓｉ上に形成されたものである。特に受光領域は、複数の画素からなる画素ブロック６３，６４，６５，６６から構成されており、これに関して次に図７を用いて説明する。…」
ｄ「【００２７】図８は図７のＢ−Ｂ′断面図である。図８を用いて画素ブロック間の配線について説明する。図８で各画素ブロック６３，６４は、ｎ型Ｓｉ基板上のｐウエル内に設けられた
ホトダイオード５２，ＭＯＳトランジスタスイッチ５３，５４
絶縁膜７５
各画素ブロックのｐ基板には、基板コンタクト７４（図８中省略）を介して外部電源８２より電圧が供給
ｅ　図８には、第２の実施例の画素ブロック接続部の断面図が示されており、
ｐ基板内に形成されたｎ−領域と、ｎ−領域の表面部分内に形成され、かつＭＯＳトランジスタスイッチ５３から離れてｎ−領域の外側に延在するｐ＋領域と、を含むホトダイオード５２
ｆ　図８のホトダイオード５２において、
ｐ＋領域の深さはｎ−領域の深さよりも小さい
　
　以上、図１〜１０を参酌してまとめると、刊行物１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「固体撮像装置であって：
　ｐ型Ｓｉ基板と、
　前記ｐ型Ｓｉ基板上のＭＯＳトランジスタスイッチ５３と、
　前記ｐ型Ｓｉ基板上のホトダイオード５２であって、
　　前記ｐ型Ｓｉ基板内に形成されたｎ−領域と、
　　前記ｎ−領域の表面部分内に形成され、かつ前記ＭＯＳトランジスタスイッチ５３から離れて前記ｎ−領域の外側に延在する、ｐ＋領域と、
　を含む、ホトダイオード５２と、
　前記ホトダイオード５２の上の絶縁膜７５と、
　を備え、前記ｐ型Ｓｉ基板には電圧が供給される、固体撮像装置。」
 　
ウ　対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「固体撮像装置」、「ＭＯＳトランジスタスイッチ５３」、及び「絶縁膜７５」は、それぞれ補正発明の「イメージ・センサ」、「ＭＯＳトランジスタ（３２）」、及び「誘電層（３８）」に相当する。
ｂ　引用発明の「ｐ型Ｓｉ基板」は、「ドーピング濃度を有する」ことは明らかであるから、補正発明の「第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）」に相当する。
ｃ　引用発明の「ホトダイオード５２」が含む「ｎ−領域」は、「ｐ型Ｓｉ基板内に形成された」ｎ型の領域であるから、ｐ型Ｓｉ基板とＰＮ接合部を形成しており「導通領域」であるといえ、かつ「深さを有する」ことは明らかであるから、補正発明の「第１の深さを有する第２導電型の導通領域（２６）」に相当するといえる。
ｄ　また、引用発明の「ホトダイオード５２」は、「ｐ型Ｓｉ基板内に形成されたｎ−領域と、前記ｎ−領域の表面内に形成され、かつＭＯＳトランジスタスイッチ５３から離れてｎ−領域の外側に延在するｐ＋領域と」を含み、「前記ｐ型Ｓｉ基板には電圧が供給される」ものであるから、引用発明の「ｐ＋領域」はホトダイオード５２に印加される電位をピニング（pinning固定）する層、すなわち「ピン型層」であるといえる。また、引用発明の「ｐ＋領域」は「深さを有する」ことは明らかである。
　したがって、引用発明の「ｐ＋領域」は、補正発明の「第２の深さを有する前記第１導電型のピン型層（３７）」に相当し、引用発明の「ホトダイオード５２」は、補正発明の「ピン型フォトダイオード」に相当するといえる。
ｅ　引用発明では、「ｐ＋領域の深さはｎ−領域の深さよりも小さい」から、補正発明と引用発明とは、「前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、前記ピン型層」を含む点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「イメージ・センサであって：
　第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）と、
　前記基板（１１）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、
　前記基板（１１）上のピン型フォトダイオードであって、
　　第１の深さを有する第２導電型の導通領域（２６）と、
　　前記導通領域（２６）の表面部分内に形成され、かつ前記ＭＯＳトランジスタから離れて前記導通領域（２６）の外側に延在する、第２の深さを有する前記第１導電型のピン型層（３７）であって、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、前記ピン型層（３７）と
　を含む、前記ピン型フォトダイオードと、
　前記ピン型フォトダイオードの上の誘電層（３８）と、
　を備える、イメージ・センサ。」
の点で一致し、以下の３点で相違する。
　
＜相違点１＞
　補正発明は、「第１導電型の基板（１１）」は、「第１ドーピング濃度」を有し、「前記第１ドーピング濃度より低濃度の第２ドーピング濃度を有する前記第１導電型のエンハンスメント層（１２）であって、前記基板（１１）上に形成されるエンハンスメント層（１２）」を含むものであり、かつ、「ＭＯＳトランジスタ（３２）」と「ピン型フォトダイオード」は、「前記エンハンスメント層（１２）上のＭＯＳトランジスタ（３２）」と、「前記エンハンスメント層（１２）上のピン型フォトダイオード」であるが、引用発明は、前記基板（ｐ型Ｓｉ基板）上に形成されるエンハンスメント層を含むものではない点。
　
＜相違点２＞
　補正発明は、「前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層（４４）であって、前記珪化物層は珪化チタンであり、前記ピン型フォトダイオードの上の領域には前記珪化物層がない、前記珪化物層」を備え、「前記イメージ・センサの一部の上の前記珪化物層は、前記ＭＯＳトランジスタ（３２）のゲートの上の珪化物層」を含むものであるが、引用発明ではその点について特定していない点。
　
＜相違点３＞
　補正発明は、「前記ピン型層（３７）のドーピング濃度は、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記ピン型層（３７）の前記第２の深さは、０．２〜０．３ミクロンである」が、引用発明ではピン型層（ｐ＋領域）のドーピング濃度と深さの数値範囲について特定していない点。
　
エ　判断
　上記相違点１ないし相違点３について検討する。
（ア）相違点１について
ａ　第１導電型の半導体層内に形成され、当該半導体層とＰＮ接合を形成する第２導電型領域を含むフォトダイオード、及び前記半導体層上のＭＯＳトランジスタを備える光電変換装置において、前記半導体層を、第１導電型の基板上に形成され、当該基板より低濃度のドーピング濃度を有する構造とすることは、下記の周知例１ないし周知例４に記載されているように、当業者における周知技術である。
　
（ａ）周知例１：特開昭６３−１７４３５８号公報（平成２３年８月２２日付け審尋に記載された《前置報告書の内容》において引用した引用文献３）
「本発明の
固体撮像素子は、高濃度のＰ型の基板上に、
Ｐ型不純物層を形成し、このＰ型不純物層にＮ型不純物層を形成してＰＮ接合のフォトダイオードを形成した構成
　なお、Ｐ型不純物層は好ましくはエピタキシャル成長層で構成する。」（第２ページ左上欄第１８行〜右上欄第４行）
「第１図は本発明の一実施例の断面図である。図示のように
高濃度のＰ型基板１にこれよりも低濃度のＰ型エピタキシャル層２を形成し、ここにＮ型層３を形成してＰＮ接合によるフォトダイオード４を構成
フォトダイオード４には隣接して
ＭＯＳ型ＦＥＴを構成
　
（ｂ）周知例２：特開平７−１５０２８号公報
「【００１７】
【実施例】図２は本発明の好適実施例によるフォトダイオード構造体の断面図を概略図示している。この構造体は実質上四つの層、すなわちｐ型シリコン基板１２、ｐ型層１１、ｎ型層１０、および酸化物層９、から構成されている。」
「【００２１】
ｐ層１１が接合部の下にある
これは非常にｐ＋ドープされたシリコンの上に成長した数マイクロメートルの厚さのエピタキシャル層である。硼素の基礎不純物濃度は約１＊１０１５ cm
−３
である
約１＊１０１９
 
cm
−３
の濃度の硼素で非常にドープされた層１２
【００２２】図４は本発明の更に他の実施例を示すものであって、本発明のフォトダイオード構造体がフォトダイオードアレイを成して配列されている。図４はフォトダイオードアレイの二つの感光域を貫く断面であって、このフォトダイオードアレイはこのような感光域を数十または数百さえも備えている。
フォトダイオードアレイは基層１２′を備えており、この層は図２に示す層１２、すなわち、ｐ＋シリコン基板、と実質上同じ
層１１に対応するエピタキシャル層１１′
層１１′のドーピングプロフィルは図３に示すプロフィルに対応
領域１０′および２０は個別感光域を構成
「【００２５】フォトダイオードアレイでは、一つの接点（図２に示す接点１cのような）が接地されている。他の接点（図２に示す接点１ｄのような）はＦＥＴスイッチを経て読出し線に、そして結局は別の蓄積コンデンサに接続されている。」
　
（ｃ）周知例３：特公平４−６７７８９号公報
「〔発明の技術分野〕
  本発明は
半導体受光素子と
等の周辺回路素子とを同一チツプ内に集積した光半導体装置
「これに対し、第４図Ａの構造では空乏層がＰ型基板２１側に形成されることから厚いＰ型基板２１をキヤリヤ発生領域として利用できるため、受光素子の感度を向上させることができる。しかし、この場合にも応答性の点で次のような問題がある。
　光フアイバー通信のように速い応答性が要求される場合、受光素子の容量は極力低いことが望ましいため、第４図ＡにおけるＰ型基板２１は、不純物濃度が〜1014／cm3程度と一般の集積回路の場合（1014〜1016／cm3）よりも低濃度のものが使用される。この場合にＰ型基板２１側に形成される空乏層の幅W1を、ＶＣＣ＝５Ｖとして次式により計算すると、W1＝4μmとなり、この空乏層領域で主にキヤリヤが発生することになる。」（第３ページ第６欄第２１〜２５行）
「この結果、第４図Ａの光受信回路では、主にＰ型基板２２の空乏層よりも深い領域で発生したキヤリヤの拡散電流により応答性が劣化するという問題がある。」（第４ページ第７欄第１７〜２０行）
「第１図Ａは本発明の光半導体装置を光フアイバー通信用の受信回路に適用した一実施例を示す断面図である。同図において、
４１はＰ
＋
型シリコン基板（不純物濃度は略10
19
／cm
3
）
該Ｐ
＋
型基板上には
Ｐ型エピタキシヤルシリコン層４
エピタキシヤル層４２
2
は
Ｐ
−
型エピタキシヤル層（不純物濃度は略10
14
／cm
3
）
Ｎ型エピタキシヤルシリコン層
４３
Ｎ型エピタキシヤル層領域の内の一つは受光素子を構成するもので、Ｐ
−
型エピタキシヤル層４２
2
との間のPN接合が受光素子としての活性領域を形成
「上記実施例の光半導体装置を第４図Ａの
従来例と比較すると、Ｐ型シリコン基板４１の不純物濃度が高いこと及びＰ型エピタキシヤル層４２が存在する点でのみ異なり
「次に、上記実施例になる光半導体装置の作用を説明する。
　まず、受光素子部分を5vの逆バイアスで動作させるとすると、第１図Ａ中に一点鎖線で示した空乏層の幅W2は4μmであり、空乏層幅はＰ−型領域４２2の内部で十分に賄える。従つて、キヤパシテイを低減して応答速度を速める上で必要な条件が満されていることになる。また、第４図Ａの場合と同じ理由から良好な感度を得ることができる。
　一方、上記実施例の受光素子部分にλ＝800nmの光が入射した場合、Ｎ型エピタキシヤル層４３及びＰ型エピタキシヤル層４２（膜厚は両者の合計で25μm）での吸収率は約90％で、殆ど大部分の光がこの両エピタキシヤル層４２，４３で吸収されることになる。ここで吸収されなかつた光はＰ＋型基板４１中で吸収されてキヤリヤを発生するが、基板４１の不純物濃度が著しく高いことから基板４１中でのキヤリヤの寿命は極めて短い。従つてその全てが速やかに消滅し、受光素子の応答性には影響しないと考えて差支えない。」（第５ページ第１０欄第１３〜３３行）
「また、
周辺回路素子として
ＭＯＳトランジスタ
　
（ｄ）周知例４：特開昭６２−８６７５６号公報
「［発明の技術分野］
　本発明は、固体撮像装置などで用いられる光電変換装置に関する。」（第１ページ右下欄第４〜６行）
「第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す装置の平面図と、その断面図である。
　第１図ににおいて、裏面電極１０上の
第１の導電体を有する半導体基板、たとえば不純物濃度が…〜１０
１９
cm
−３
のＰ
＋
型シリコン基板１１の上に、不純物濃度が…cm
−３
程度のＰ型シリコン層１２をエピタキシャル成長により形成
「次にSiO２膜１３にフォトエッチングにより窓孔を設け、
受光部となるPN接合形成のためにＮ
＋
型不純物拡散層１４
　
ｂ　したがって、引用発明において、前記周知技術に基づき、ｐ型Ｓｉ基板に換えて、ｐ型Ｓｉ基板と、当該ｐ型Ｓｉ基板より低濃度のｐ型半導体層を採用することで、補正発明のように、「第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）と、　前記第１ドーピング濃度より低濃度の第２ドーピング濃度を有する前記第１導電型のエンハンスメント層（１２）であって、前記基板（１１）上に形成されるエンハンスメント層（１２）と、　前記エンハンスメント層（１２）上のＭＯＳトランジスタ（３２）と、　前記エンハンスメント層（１２）上のピン型フォトダイオード」を備えるものとすることは当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（イ）相違点２について
ａ　一般に、ＭＯＳトランジスタのようにゲート絶縁膜とゲートを有する半導体装置において、ゲートの上に珪化チタン等の珪化物層を形成することで低抵抗化し高速駆動を行えるものとすることは、下記の周知例５に記載されているように、普通に行われている周知技術である。
　
（ａ）周知例５：特開平６-２１６３２４号公報
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、特に低抵抗なゲート電極を持った半導体素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低抵抗化及び高速化を目的として、一般に、自己整合的にＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを形成し、ゲート電極とこのソース／ドレイン部をシリサイド化するサリサイドプロセス
【０００３】図５（Ａ）に示すように、…。熱酸化によりＳｉ基板表面にゲート酸化膜４を形成し、
ゲート電極となるポリシリコン５
「【０００５】次に図５（Ｃ）に示すように…、
高融点金属９例えばチタンを堆積
【０００６】次に図５（Ｄ）に示す様にその後６００〜１０００℃の熱処理を施すことにより、高融点金属と、ＰｏｌｙＳｉ及びＳｉとの間に、シリサイド化反応が生じ自己整合的に、
ゲート電極５
高融点金属（Ｔｉ）のシリサイド（ＴｉＳｉ
2 
）１０
　
ｂ　イメージ・センサにおいても例外ではなく、ゲートの上に珪化チタン等の珪化物層を形成することは、下記の周知例６ないし周知例９にも記載されているように、普通に行われている周知技術である。
　
（ａ）周知例６：特開昭６３−２６６８６７号公報
「〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装積回路装置として、水平読出（ＴＳＬ：
T
S
L
「前記画素は、フォトダイオードＰＤの光電変換出力をアクセス（呼び出す）するための水平スイッチＭＯＳＱｈ及び垂直スイッチＭＯＳＱｖ（Ｑｖｌ，Ｑｖ２）、光電変換素子（フォトダイオード）ＰＤ（ＰＤ１、ＰＤ２）で構成されている。水平スイッチＭＯＳＱｈの一方の半導体領域と垂直スイッチＭＯＳＱｖの他方の半導体領域は接続されており、両者は直列に接続されている。
光電変換素子ＰＤ１は、垂直スイッチＭＯＳＱｖ１の他方の半導体領域に接続
「画素の
水平スイッチＭＯＳＱｈは
　…。
　ゲート電極は、ゲート電極材料例えば多結晶シリコン膜（半導体膜）Ｐ−Ｓｉで形成する。…。また、
ゲート電極は、
高融点金属シリサイド
ＴｉＳｉ
２
膜、或は多結晶シリコン膜とそれらとの複合膜で形成してもよい
「垂直スイッチＭＯＳＱｖ１は、水平スイッチＭＯＳＱｈと実質的に同様に、主に、ウエル領域ＷＥＬＬ、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域である一対の半導体領域Ｎ＋で構成されている。
　垂直スイッチＭＯＳＱｖ２は、水平スイッチＭＯＳＱｈと実質的に同様に、主に、ウエル領域ＷＥＬＬ、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域である一対の半導体領域Ｎ＋で構成されている。
　
垂直スイッチＭＯＳＱｖ１、Ｑｖ２の夫々のゲート電極は、水平スイッチＭＯＳＱｈのゲート電極と同一製造工程で形成
　垂直スイッチＭＯＳＱｖ１の一方の半導体領域Ｎ＋は、水平スイッチＭＯＳＱｈの一方の半導体領域Ｎ＋と一体に構成（共有）されている。垂直スイッチＭＯＳＱｖ１の他方の半導体領域Ｎ＋は、垂直スイッチＭＯＳＱｖ２の他方の半導体領域Ｎ＋と一体に構成（共有）されている。
　
光電変換素子ＰＤ１は、垂直スイッチＭＯＳＱｖ１の他方の半導体領域Ｎ
＋
又は垂直スイッチＭＯＳＱｖ２の他方の半導体領域Ｎ
＋
とウエル領域ＷＥＬＬとのＰＮ接合部で構成
　
（ｂ）周知例７：特開昭６４−２５６９０号公報（平成２２年３月２５日付け拒絶理由通知で引用され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２）
「〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置に関し、特に、水平読出（ＴＳＬ：
T
S
L
ＭＯＳ型固体撮像装置
「次に、前述のＴＳＬ方式の固体撮像装置ＣＨＩの具体的なデバイス構造について、第１図、第５図及び第６図を用いて説明する。第１図は、受光部ＳＡのカラーフィルタの基本単位分の光電変換素子を示す平面図である。第５図は、受光部ＳＡの平面図である。第６図は、前記第１図のVIａ−VIａ切断線で切った受光部ＳＡの断面図（左側）及びVIｂ−VIｂ切断線で切った受光部の断面図である。
　第１図、第５図及び第６図に示すように、ＴＳＬ方式の固体撮像装置ＣＨＩは、単結晶硅素からなるｎ−型の半導体基板ＳＵＢで構成されている。半導体基板ＳＵＢのアクティブ領域となるその主面部には、ｐ−型のウエル領域ＷＥＬＬが設けられている。受光部ＳＡの各素子、すなわち光電変換素子ＰＤ１、ＰＤ２、
水平スイッチＭＯＳＱ
Ｈ
前記ウエル領域ＷＥＬＬの主面部に構成されている
「前記受光部ＳＡに配置される光電変換素子ＰＤ１は、２個の混合スイッチＭＯＳＱＭ形成領域以外の部分の周囲を素子間分離用絶縁膜ＬＯＣで規定され、ウエル領域ＷＥＬＬの主面部に構成されている。
光電変換素子ＰＤ１は、主に、ｎ
＋
型の半導体領域Ｎ
＋
及びウエル領域ＷＥＬＬからなるフォトダイオードと、半導体領域Ｎ
＋
及びｐ
＋
型の半導体領域Ｐ
＋
からなるフォトダイオードとで構成されている
「光電変換素子ＰＤ２は、２個の混合スイッチＭＯＳＱＭ形成領域及び２個の垂直スイッチＭＯＳＱＶ形成領域以外の部分の周囲を素子間分離用絶縁膜ＬＯＣで規定され、ウエル領域ＷＥＬＬの主面部に構成されている。
光電変換素子ＰＤ２は
半導体領域Ｎ
＋
及びウエル領域ＷＥＬＬからなるフォトダイオードと、半導体領域Ｎ
＋
及び半導体領域Ｐ
＋
からなるフォトダイオードとで構成されている
「前記水平スイッチＭＯＳＱＨは、行方向に配置される光電変換素子ＰＤ２間、行方向に配置される光電変換素子ＰＤ１間及び列方向に配置される光電変換素子ＰＤ１、ＰＤ２間のウエル領域ＷＥＬＬの主面部に構成されている。水平スイッチＭＯＳＱＨは、ゲート幅及び一方の半導体領域Ｎ＋の周囲を素子間分離用絶縁膜ＬＯＣに規定され構成されている。
水平スイッチＭＯＳＱ
Ｈ
は
ゲート電極ＧＨ
で構成
　ウエル領域ＷＥＬＬは、前記混合スイッチＭＯＳＱＨ、垂直スイッチＭＯＳＱＶと同様に使用される。
　ゲート絶縁膜ＧＩ２は、ゲート絶縁膜ＧＩ１と同様に、例えばウエル領域ＷＥＬＬの主面を酸化した酸化珪素膜で形成する。
　
ゲート電極ＧＨは
高融点金属シリサイド膜との複合膜
高融点金属シリサイド膜は
ＴｉＳｉ
２
を用いる
「次に、前述のＴＳＬ方式の固体撮像装置ＣＨＩの具体的な製造方法について、第１１図乃至第１７図（各製造工程毎に示す受光部の要部断面図）を用いて簡単に説明する。」（第１６ページ左下欄第４〜７行）
「次に、第１５図に示すように、
水平スイッチＭＯＳＱ
Ｈ
のゲート電極ＧＨ
ゲート電極ＧＨ
高融点金属シリサイド膜との複合膜
　
（ｃ）周知例８：特開平６−１３５９７号公報
「【０００２】
【従来技術】従来の増幅型固体撮像素子は、光電変換部にて得られた光情報信号を同一画素内で増幅し、垂直及び水平走査スイッチ回路を介して読み出すＸＹアドレス型エリアイメージセンサである。図１７に従来技術の内部増幅型固体撮像素子（以後、従来素子と称す）の１画素の構造を示す。図１８にその等価回路を示す。…。
【０００３】従来素子の１画素は、光電変換部としての（ｎ+）ＰファトダイオードＰＤと、ＰＤのリセット用スイッチＴｒｓと増幅素子Ｔａと垂直選択スイッチＴｙの３個のｎチャネルＭＯＳ電界効果型トランジスタより構成される。…」
「【００１１】図１は、本発明による増幅型固体撮像素子の一実施例を説明するための構成図で、図中、１０１は半導体基板、１０２は高不純物濃度領域、１０３はゲート酸化膜、
１０４はゲート電極
【００１２】…。
高不純物濃度領域１０２は
Ｓｃのソース電極やドレイン電極を構成
ＰＤ部では、前記不純物濃度領域１０２は光電変換部位であるｐｎ接合の一端
ゲート電極１０４は
Ｓｃのゲート電極
シリサイド
【００１３】
図２は
等価回路
「【００２１】次に、請求項３に記載の本発明の増幅型固体撮像素子の構成及び動作を以下に説明する。
図５は、請求項３に記載の増幅型固体撮像素子の１画素
２０４はゲート電極
【００２２】…。
高不純物濃度領域２０２は
Ｓ
C1
のソース電極やドレイン電極を構成
ＰＤ部では同２０２は光電変換部であるｐｎ接合の一端
ゲート電極２０４
Ｓ
C1
のゲート電極
シリサイド
【００２３】
図６は
等価回路
Ｓ
C1
は、請求項３に記載の本発明の特徴となる制御部
「【００３７】次に、
請求項３に記載の本発明の増幅型固体撮像素子の実施例として、実施例２
〈実施例２〉実施例２の増幅型固体撮像素子は実施例１の光入力回路を請求項３の特徴を有するものに変更したもので、信号検出方式、各層構成などは実施例１と同じである。
　
図１３は、実施例２の増幅型固体撮像素子の１画素の構造
図１４はその等価回路
４０４はゲート電極
【００３８】
ＰＤは半導体基板のｎ領域との（Ｐ
+
）領域４０２を用いたｐｎ接合により形成
Ｓ
C1
ｐチャネルＭＯＳトランジスタにより形成
　
（ｄ）周知例９：特開平３−１２９７７２号公報
「また上述のように構成された第２の発明の固体撮像装置によれば、
第１および第２の電荷転送電極は高融点金属シリサイドからなる膜
低抵抗であって可視光線を透過させず、従来のものに比べて高速動作が可能
遮光膜の働き
「第２図は本発明による固体撮像装置の第２の実施例の製造工程を示す断面図である。第２図（ａ）において、…。
　次に、全面に
ゲート酸化膜６ａ
　すなわち、電荷転送電極は、不純物が添加された
多結晶シリコンｌｌａ´，ｌｌｂ´　と、タングステンとシリコンの合金１１ａ，１１ｂの積層構造
電荷転送電極の一部のタングステンとシリコンの合金１１ａ，ｌｌｂをシリサイド化
「また、
電極１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ、１２ａおよび１２ｂの材料としては
チタンとシリコンの合金
　なお、上記第２の実施例においては、
電荷転送電極は、不純物が添加された多結晶シリコン膜、及び高融点金属とシリコンの合金からなる膜の２層構造
　 
ｃ　したがって、引用発明において、前記周知技術に基づき、ＭＯＳトランジスタスイッチ５３のゲートの上に珪化チタンを形成することは当業者が適宜なし得たことである。
　一方、フォトダイオードの上の領域に珪化物層を設けると当該珪化物層により入射光が遮られ、所期の動作が行えないことは当業者であれば直ちに察知し得たことである。実際、上記周知例６ないし周知例９においても、フォトダイオードの上の領域には珪化物層は設けられていない。
　したがって、引用発明において、ＭＯＳトランジスタ５３の上に珪化チタンを形成するに際して、ホトダイオード５２の上の領域には珪化チタンがないものとすることは、当業者が当然なし得たことである。
　
ｄ　以上のことからすると、引用発明において、前記周知技術に基づき、補正発明のように、「前記イメージ・センサの一部の上の珪化物層（４４）であって、前記珪化物層は珪化チタンであり、前記ピン型フォトダイオードの上の領域には前記珪化物層がない、前記珪化物層」を備え、「前記イメージ・センサの一部の上の前記珪化物層は、前記ＭＯＳトランジスタ（３２）のゲートの上の珪化物層」を含むものとすることは当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（ウ）相違点３について
ａ　第１導電型のピン型層と第２導電型の導通領域とを含むピン型フォトダイオードを備えるイメージ・センサにおいて、ピン型層のドーピング濃度及び深さをどのような数値範囲とするかは、当業者が適宜選択し得る設計的事項であり、そして、そのドーピング濃度をピン型層の電位が固定される（pinned）ように十分に高濃度とし、かつその深さをフォトダイオード領域に比較して十分に薄く形成することは当業者における慣用技術であり、例えば、下記周知例１０及び周知例１１に記載されている。
　
（ａ）周知例１０：特開平８−３３５６８８号公報（平成１９年１２月２０日付け拒絶理由通知で引用した引用文献１）
「【０００７】
【発明の実施の形態】電荷結合デバイス（ＣＣＤ）の技術的特徴は両方の技術を用いる
ピン光ダイオードを有する能動画素センサー
　
図１はＣＭＯＳに基づく単一処理システム内で用いられるように本発明の能動画素センサーに基づくピン光ダイオード
【０００８】
図２は本発明のセンサーを製造するのに用いられるデバイスの断面図
ピン光ダイオード１２（ＰＰＤ）デバイス
「【００１０】プロセスの統合は従来技術の各プロセスによりそれぞれ得られるものに匹敵する性能を有する２つの技術の混合である。これは線形画像センサー及びＣＭＯＳテスト回路で示されている。
　混合されたプロセス技術ではプロセスフローの概略は図３から９に示される。…」
「【００１１】図４、５は
エピタキシャル層と共に
シリコン層２上に形成される
「【００１２】図７はフォトレジスト５４でポリシリコン２６のパターン化及びソース及びドレイン領域を形成するためにＮ＋ドーパントのインプラントを示す。これは残余のポリシリコンに自己配列されるソース及びドレイン領域を生ずる。これは好ましい実施例でのＮＭＯＳトランジスタを形成する。
図８
より深くＮ＋不純物をインプラントすることによりフォトダイオードを作る
ピン層２２インプラントはフォトダイオード３２の表面付近に残る低エネルギーＰ＋ドーパントの高ドーズを用いて作られる
　周知例１０の図２には、本発明のセンサーを製造するのに用いられるデバイスの断面図が示されている。段落【０００８】〜【００１３】の記載を参酌すると、図２には、Ｐ基板２上にＰエピタキシャル層４が形成され、Ｐエピタキシャル層４上のＭＯＳトランジスタと、ピン光ダイオード（ＰＰＤ）１２であって、Ｎ＋領域３２と、Ｎ＋領域３２の表面部分内に形成されたＰ＋ピン層２２であって、
ピン層２２の深さはＮ＋領域３２の深さよりも小さい、ピン層２２を含むピン光ダイオード（ＰＰＤ）１２
　
（ｂ）周知例１１：特開昭５９−１９８７５６号公報（平成２２年１０月２９日付け拒絶査定の備考に記載した周知文献）
「［発明の利用分野］
　本発明は半導体基板に
ＰＮ接合からなるホトダイオード部とこれに連なるMOSトランジスタとを設けてなる固体撮像素子
「第４図は本発明の一実施例を示す固体撮像素子の断面図である。同図を第１図と対比して見れば明らかなように、本実施例では、従来のＮＰ＋接合を形成していた
Ｎ層３の上にＰ
＋＋
層５が付加された構成
Ｐ
＋＋
はＰ
＋
よりも不純物濃度が高いことを示す
Ｐ
＋＋
層５は、下層のＰ
＋
層４と同電位となる
　上記構成において、
ＮＰ
＋
接合ダイオード構造がＰ
＋＋
ＮＰ
＋
の３層構造となつており、Ｐ
＋＋
層５はＰ
＋
層４と同電位
Ｎ層３に比較して十分に薄くしてある
「次に、この側壁２６を設けたポリシリコン層７からなるゲート層および素子間分離絶縁膜６ならびに酸化膜２５をマスクとしてボロンを拡散すれば、
ホトダイオード部ＰＤの表面部に
Ｐ
＋＋
層５が形成
　周知例１１の第４図には、本発明の一実施例を示す固体撮像素子の断面図が示されている。第１図を勘案すると、第４図には、
Ｐ
＋＋
層５の深さをＮ層３の深さよりも小さくしたホトダイオード部ＰＤを含む固体撮像素子
　周知例１１に記載されたホトダイオード部ＰＤは、Ｐ＋＋ＮＰ＋の３層構造となつているＮＰ＋接合ダイオード構造を含み、かつＰ＋＋層５は下層のＰ＋層４と同電位となるように接続するものであるから、「Ｐ＋＋層５」はホトダイオード２に印加される電位をピニング（pinning固定）する層、すなわち「ピン型層」であるといえ、当該ホトダイオード部ＰＤはピン型フォトダイオードを備えるといえる。
　したがって、周知例１１には、ピン型層の深さをフォトダイオード領域の深さよりも小さくしたピン型フォトダイオードを備える固体撮像素子が示唆されているといえる。
　
ｂ　そして、引用発明のイメージ・センサは、第１導電型のピン型層と第２導電型の導通領域とを含むピン型フォトダイオードを備えるイメージ・センサであるから、引用発明において、前記慣用技術を採用して、ピン型層（Ｐ＋領域）のドーピング濃度を、ピン型層の電位が固定されるように十分に高濃度とし、かつその深さを十分に薄く形成することは当業者が当然に想到し得ることである。
　
ｃ　次に、補正発明における、ピン型層（３７）のドーピング濃度及び深さの数値範囲の下限値及び上限値について検討する。
　本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「前記ピン型層（３７）のドーピング濃度」の数値範囲を「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」とし、「前記ピン型層（３７）の前記第２の深さ」の数値範囲を「０．２〜０．３ミクロン」としたことにより格別な効果が生じているとは認められないから、「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」という数値範囲、及び「０．２〜０．３ミクロン」という数値範囲に臨界的意義は認められない。
　
ｄ　他方、下記周知例１２には、Ｐ型ウェル２の表面に、Ｎ型不純物層５を設けてホトダイオードを形成し、Ｎ型不純物層５の表面にＰ＋＋型高不純物濃度層９を形成した固体撮像素子において、Ｐ＋＋型高不純物濃度層９は、不純物濃度を１０１９cm−３程度とし、従来例では０．２μｍ以上であった深さを、短波長感度を従来に比して向上させた実施例では、０．１０〜０．１５μｍと浅く形成したものが記載されている。
　また、下記周知例１３には、第１図（ａ）を勘案すると、固体撮像装置の光電変換領域においてｐ形ウェル２の表面にｎ形領域３が形成された固体撮像装置であって、ｎ形領域３の表面側に１０１８〜１０２０cm−３のピーク濃度を有する濃いｐ形領域４がシリコン基板表面から０．４μｍ以内の深さに形成され、シリコン表面付近が空乏化しないようにしたものが記載されている。
　下記周知例１４には、固体撮像装置の光電変換部の領域において、ｐ型ウエル２の表面にｎ−型領域３が形成され、ｎ−型領域３の表面にｐ＋＋型領域８が形成された固体撮像装置にであって、ｐ＋＋型領域８の拡散深さは約０．５μｍ以下に設定され、ｐ＋＋型領域８の表面濃度は１０18〜１０19ｃｍ-3であるものが記載されている。
　
（ａ）周知例１２：特開平５−２５１６８０号公報（平成２２年１０月２９日付け拒絶査定の備考に記載した周知文献）
「【０００２】
【従来の技術】一般に、固体撮像素子を構成するホトダイオード(受光部)は、Ｐ型基板またはＰ型ウエルの表面に、Ｎ型不純物をイオン注入またはデポジションしてＮ層を設けることによって形成している。このＮ層は、残像を少なくするために、低不純物濃度に設定して、完全に空乏化させることが多い。しかしながら、このように完全に空乏化した場合、暗電流が増加する。そこで、この暗電流を低減し、また、表面電位を固定して電子シャッタ動作を行うために、上記
Ｎ層の表面に高不純物濃度(１０
19
cm
-3
程度)のＰ層を設ける
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、固体撮像素子のホトダイオードに入射する光のうち短波長のものは、上記Ｎ層の表面付近で吸収される。このため、上記Ｐ層は、極力浅く形成して、ホトダイオードの短波長感度(青感度)の低下を避けなければならない。しかしながら、従来は、上記Ｎ層の表面にそのままイオン注入を行って上記Ｐ層を形成しているため、チャネリングが生じて、上記Ｐ層をあまり浅く形成できないという問題がある。上記
Ｐ層の深さは、実際に０.２０μm以上
「【００１２】
【実施例】以下、この発明の
固体撮像素子
【００１３】図１(a)に示すように、Ｎ型シリコン基板１の表面にＰ型ウエル(不純物濃度１０15cm-3)２を形成し、このＰ型ウエル２の表面２aに所定のピッチでＰ+型画素分離領域(不純物濃度１０17cm-3)３,３を設ける。次に、この画素分離領域３,３の間にＮ-型電荷転送部(不純物濃度１０17cm-3)４を形成した後、ウエル表面２a全域にゲート絶縁膜６を２００Åの厚さに形成し、さらに、電荷転送部４上にポリシリコンからなるゲート電極７を設ける。次に、画素分離領域３,３の間にＮ型不純物層(不純物濃度１０17cm-3)５を形成して、
Ｐ型ウエルとＮ型不純物層５とでホトダイオードを構成
「【００１５】次に、この上から、ボロン(Ｂ)イオンまたはＢＦ2イオンを、従来と同様に、数１０keＶの加速エネルギで注入する。これにより、
Ｎ型不純物層５の表面に、Ｐ
++
型高不純物濃度層(不純物濃度１０
19
cm
-3
程度)９を形成
０.１０〜０.１５μmの深さに形成することができる(従来は０.２０μm以上であった。)
【００１６】このように、この発明によれば、フォトリソグラフィの回数などを増やすことなくイオン注入工程を１回増やすだけでもって、
高不純物濃度層９を浅く形成でき、したがって、固体撮像素子の短波長感度を従来に比して向上させることができる
　
（ｂ）周知例１３：特開平２−１７８９７２号公報（平成２２年１０月２９日付け拒絶査定の備考に記載した周知文献）
「課題を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の固体撮像装置は、分光感度特性において可視光の短波長側の感度を向上させるための手段として、
ｎ形領域の表面側に１０
１８
〜１０
２０
ｃｍ
−３
のピーク濃度を有する濃いｐ形領域がシリコン基板表面から０．４μｍ以内に形成
「第１図（ａ）は、本発明の実施例における、
固体撮像装置の光電変換領域
ｐ形領域４はシリコン表面付近が空乏化しないように、０．４μｍ以内の深さに、１０
１８
〜１０
２０
ｃｍ
−３
のピーク濃度で形成
　
（ｃ）周知例１４：特開平８−２５５８９０号公報（平成２２年１０月２９日付け拒絶査定の備考に記載した周知文献）
「【０００３】以下、従来の固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図４は
光電変換部（以下、フォトダイオードと記す）
【０００４】この従来の固体撮像装置は、まず、ｎ- 型シリコン基板１にｐ型ウエル２が形成されている。ｐ型ウエル２にはフォトダイオードとなるｎ- 型領域３が形成されている。…。そして
暗電流や画像欠陥を低減するために高濃度のｐ
++
型領域８がフォトダイオードのｎ
- 
型領域３表面に形成されている
「【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説明する。まず、この発明の第１の実施例について説明する。図１（ａ）はこの発明の第１の実施例の
固体撮像装置
「【００２４】そして、
ｐ
++
型領域８がフォトダイオードのｎ
- 
型シリコン基板１表面に形成
ｐ
++
型領域８の拡散深さは約０．５μｍ以下に設定
ｐ
++
型領域８の表面濃度は１０
18
〜１０
19
ｃｍ
-3
ｐ
++
型領域８の深さはできるだけ浅くするのがよい
　
ｅ　引用発明のｐ＋領域と、上記周知例１２ないし周知例１４、それぞれに記載のＰ++型高不純物濃度層、濃いｐ形領域、及びｐ++型領域は、いずれも固体撮像装置のフォトダイオードあるいは光電変換領域が含むｎ型領域上に形成されたｐ型高不純物濃度領域である点で共通するものである。
　しかも、周知例１２ないし周知例１４に記載のｐ型高不純物濃度層あるいはｐ型領域のドーピング濃度及び深さの数値範囲は、補正発明の「前記ピン型層（３７）のドーピング濃度は、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記ピン型層（３７）の前記第２の深さは、０．２〜０．３ミクロンである」の数値範囲と重なる。
　したがって、引用発明において、ｐ＋領域のドーピング濃度及び深さを、それぞれ「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」であり、「０．２〜０．３ミクロン」であるものとすることは、周知例１２ないし周知例１４の記載を勘案すれば、当業者にとって特段の困難性はなく、かつ「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」という数値範囲、及び「０．２〜０．３ミクロン」という数値範囲に臨界的意義は認められないから、引用発明において、ｐ＋領域のドーピング濃度及び深さを、補正発明のようにそれぞれ「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」であり、「０．２〜０．３ミクロン」であるものとすることは当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（エ）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１〜相違点３は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
オ　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年９月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書、及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
第４　刊行物に記載された発明 
　刊行物１に記載されている事項及び刊行物１に記載された発明（引用発明）は、「第２　２（２）イ　刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。 
　
第５　対比・判断
　本願発明は、「第２　２（２）」で検討した補正発明における「エンハンスメント層」についての限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２　２（２）エ　判断」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　 
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。