【事件の表示】
　特願２００８−５０３９５２「ハイブリッドディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日国際公開、ＷＯ２００６／１０７１６０、平成２０年　８月２８日国内公表、特表２００８−５３５１３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　
　本願は、２００６年３月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年４月２日、韓国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１１月２４日付けで通知した拒絶理由に対して、平成２２年３月１日付けで手続補正がなされ、同年５月２７日付けで通知した拒絶理由に対して、同年９月１日付けで意見書が提出されたが、同年１０月２１日付けで拒絶すべきものである旨の査定がなされ、これに対して、平成２３年２月２８日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　その後、当審において、平成２３年１０月１２日付けで前置報告書（特許法第１６４条第３項）を利用した審尋を行ったところ、回答書が提出されなかったものである。
　
　
第２．本願発明について
　
１．本願発明
　
  本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２３年２月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであるところ、本願の請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「　　【請求項４】
　光ピックアップを備え、ハイブリッドディスクの記録及び／または再生に使われるハイブリッドディスク装置において、前記ハイブリッドディスクは、
　第１規格ビームによってデータを記録／判読する第１規格を有する第１記録層と、
　第２規格ビームによってデータを記録／判読する第２規格を有する第２記録層と、を備え、
　前記第１記録層の透過率及び第２記録層の反射率は、光ピックアップに照射される第１及び第２規格ビームの相対的な強度を制御するように相互関連しており、
　前記第１記録層は、少なくとも２層の金属層と少なくとも１層の誘電体層とを備え、
　前記第２記録層は、少なくとも１層の金属層を備え、
　前記第２規格ビームに対する第１記録層の透過率は、
Ｔ
１２
Ｒ
２２
前記第２記録層から反射されて検出される前記第２規格ビームの比率が１８％以上になるように
Ｔ
１２
Ｒ
２２
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１１−３０６５９８号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（なお、以下、摘記事項の下線は当審で付した。）。
　
ア．「【請求項１０】  
光源から出射した光ビームを、光ディスクの信号記録面上に集束する光集束手段と
光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを受光する受光部を有する光検出手段
上記光集束手段を移動可能な駆動手段と、
上記光検出手段の受光部からの信号に基づいて生成されるサーボ信号を上記駆動手段に与えるサーボ手段とを含んでいる
光ディスク装置であって
上記光ディスクが
透明材料から成り少なくとも一層の情報記録層をもつ円板状の第一及び第二のディスク基板を有し、
少なくとも一方のディスク基板の一面に上記情報記録層が半透過性の反射膜により形成されていて
各ディスク基板を上記一面が重なるようにして貼り合わせる透明接着層を有し、
光ディスクの記録及び／または再生のために照射される光ビーム
上記光源からの光ビームが、第一のディスクの基板の情報記録層（高密度記録層）に対して、λ≦４６０ｎｍで
照射され
上記光ビームが上記第二のディスクの基板の情報記録層（中密度記録層）に対して、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで
照射される
光ディスク装置
　
イ．「【０００５】ここで、上記第一のディスク基板の情報記録層と第二のディスク基板の情報記録層が、互いに異なる信号記録密度を有する光ディスク、例えば入射側の情報記録層がより高密度である光ディスクも提案されている。このような光ディスクは、例えば低密度の情報記録層即ち第二のディスク基板の情報記録層が、従来一般的である波長７８０ｎｍの光ビームを使用するようにして、例えば従来のコンパクトディスク（ＣＤ）用の再生装置でも再生できるようにしたものがある。これにより、波長７８０ｎｍの光ビームが、第一のディスク基板の情報記録層を透過して、第二のディスク基板の情報記録層で反射され、その戻り光が再び第一の第一のディスク基板の情報記録層を透過して検出されることにより、第二のディスク基板の情報記録層の記録及び／または再生が行なわれるようになっている。これに対して、より高い密度の情報記録層即ち第一のディスクの基板の情報記録層は、より短い波長、例えば波長６５０ｎｍまたは６３５ｎｍの光ビームに対応するように構成されている。これにより、波長６５０ｎｍまたは６３５ｎｍの光ビームが、第一のディスク基板の情報記録層で反射され、その戻り光が検出されることにより、第一のディスク基板の情報記録層の記録及び／または再生が行なわれるようになっている。」
　
ウ．「【００１７】図１は、本発明による光ディスクの第一の実施形態を再生するための光ディスク装置の全体構成を示している。図１において、
光ディスク装置１０は
光ディスク１１の信号記録面に対して光ビームを照射して信号を記録し、この信号記録面からの戻り光ビームにより記録信号を再生する光学ピックアップ２０
を備えている
　
エ．「【００２０】図２は、上記光ディスク装置１０に組み込まれた光学ピックアップ２０の構成を示している。図２において、光学ピックアップ２０は、光源２１から出射される光ビームの光路中に順次に配設された、光分離手段としてのビームスプリッタ２２及び光集束手段としての対物レンズ２３と、ビームスプリッタ２２による分離光路中に配設された光検出器２４とを備えている。
【００２１】光源２１は、例えば半導体の再結合発光を利用した半導体レーザ素子を備えており、例えば波長４１０ｎｍのレーザ光を出射する。あるいは、光源２１は、後述するように、二種類の波長の光ビーム、例えば高密度記録光ディスク用の波長６５０μｍの光ビームそして中密度記録光ディスク用の波長４１０ｎｍμｍの光ビームを選択的に出射するように、例えば二つの半導体レーザ素子（図示せず）を備えていてもよい。」
　
オ．「【００２５】ここで、本発明の第一の実施形態による光ディスク１１は、図３に示すように、構成されている。図３において、光ディスク１１は、例えばポリカーボネイト等の透明合成樹脂から成る厚さＴが例えば０．６ｍｍの円板状の二枚のディスク基板３１，３２と、これら二枚のディスク基板３１，３２を貼り合わせるための透明接着層３３とから構成されており、図３にて上方から、光学ピックアップ２０の光源２１からの光ビームＬが入射するようになっている。
【００２６】
第一のディスク基板３１は、その内側面（図３にて下面）が、情報を担う形状として例えば凹凸のピット形状に形成された後、その上に、半透明性の反射膜３４が形成されている
第二のディスク基板３２は、その内側面（図３にて上面）が、情報を担う形状として例えば凹凸のピット形状に形成された後、その上に、全反射膜３５が形成されている
【００２７】さらに、本実施形態では、
上記反射膜３４による情報記録層が、高密度記録層として構成され
上記反射膜３５による情報記録層が、中密度記録層として構成されている
上記反射膜３４による高密度記録層は、λ≦４６０ｎｍで
記録及び／または再生されるように構成されている
上記反射膜３５による中密度記録層は、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで
記録及び／または再生されるように構成されている
【００２８】さらに、
上記反射膜３４は
６１５μｍ≦λ≦６５５μｍにおける透過率が４０％以上であるように、構成されている
透過率が４０％未満の場合には、中密度記録層への照射光量が低下することになり、中密度記録層の記録及び／または再生特性が劣化してしまう
【００２９】また、
上記反射膜３５は、６１５μｍ≦λ≦６５５μｍにおける反射率が２５％以上であるように構成されている
反射率が２５％未満の場合には、中密度記録層からの戻り光の光量が十分ではなく、中密度記録層の再生特性が劣化してしまう
　
カ．「【００３１】以上の条件を満たすためには、半透過性の反射膜３４は特開平１２８８０２号に開示されているように、窒素，酸素，水素の少なくとも１種の元素を含むＳｉ化合物から形成する。ここで、その反射率はその厚みに対してサイン２乗の特性を有している。したがって、反射率は、その厚みを変化させることにより適宜変更される。また、半透過性の反射膜は、Ｓｉ化合物に限らず、金やアルミニウムの金属薄膜によっても構成できる。」
　
キ．「【００４１】尚、上記実施形態においては、光ディスク装置１０は、再生専用の光ディスク装置として構成されているが、これに限らず、光ディスク１１の高密度記録層及び中密度記録層に対して記録及び／または再生を行なうように構成された記録再生用光ディスク装置であってもよいことは明らかである。さらに、光ディスク１１の高密度記録層に関しては、再生専用であり、中密度記録層に対しては記録及び再生を行なうような構成の光ディスク装置であってもよいことは明らかである。」
　
　上記「ア．」ないし「キ．」の記載から、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　光ピックアップを備え、光ディスクの記録及び／または再生に使われる光ディスク装置において、前記光ディスクは、
　波長λ≦４６０ｎｍの光ビームによって情報を記録及び／または再生する高密度記録層と、
　６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームによって情報を記録及び／または再生する中密度記録層と、を備え、
　前記高密度記録層は、半透明性の反射膜を備え、
　前記中密度記録層は、全反射膜を備え、
　６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける半透明性の反射膜の透過率が４０％以上であり、６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける全反射膜の反射率が２５％以上である光ディスク装置。
　
３．対比
　
　引用発明と本願発明とを対比する。
　
　引用発明の「波長λ≦４６０ｎｍの光ビームによって情報を記録及び／または再生する高密度記録層」、「６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームによって情報を記録及び／または再生する中密度記録層」は、それぞれ、本願発明の「第１規格ビームによってデータを記録／判読する第１規格を有する第１記録層」、「第２規格ビームによってデータを記録／判読する第２規格を有する第２記録層」に相当する。
　
　引用発明の「光ディスク」は、異なる波長を有する光ビームによって記録及び／または再生される、異なる規格の記録層を内蔵するものであるから、本願発明の「ハイブリッドディスク」に相当する。
　そして、引用発明の「光ピックアップを備え、光ディスクの記録及び／または再生に使われる光ディスク装置」は、本願発明の「光ピックアップを備え、ハイブリッドディスクの記録及び／または再生に使われるハイブリッドディスク装置」に相当する。
　
　引用発明において、「高密度記録層」の透過率及び「中密度記録層」の反射率は、「光ピックアップ」に照射される「波長λ≦４６０ｎｍの光ビーム」及び「６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビーム」の相対的な強度に影響を及ぼすことは明らかであるから、本願発明の「前記第１記録層の透過率及び第２記録層の反射率は、光ピックアップに照射される第１及び第２規格ビームの相対的な強度を制御するように相互関連して」いることは、引用発明も実質的に備えている事項である。
　
　以上のことから、引用発明と本願発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
［一致点］
　
「  光ピックアップを備え、ハイブリッドディスクの記録及び／または再生に使われるハイブリッドディスク装置において、前記ハイブリッドディスクは、
　第１規格ビームによってデータを記録／判読する第１規格を有する第１記録層と、
　第２規格ビームによってデータを記録／判読する第２規格を有する第２記録層と、を備え、
　前記第１記録層の透過率及び第２記録層の反射率は、光ピックアップに照射される第１及び第２規格ビームの相対的な強度を制御するように相互関連している、
　ハイブリッドディスク装置。」である点。
　
［相違点］
　
［相違点１］
　本願発明では、「前記第１記録層は、少なくとも２層の金属層と少なくとも１層の誘電体層とを備え」、「前記第２記録層は、少なくとも１層の金属層を備え」るのに対して、引用発明では、「前記高密度記録層は、半透明性の反射膜を備え」、「前記中密度記録層は、全反射膜を備え」ることが特定されているにとどまる点。
　
［相違点２］
　本願発明では、「前記第２規格ビームに対する第１記録層の透過率は、Ｔ１２、第２規格ビームに対する第２記録層の反射率をＲ２２とするとき、前記第２記録層から反射されて検出される前記第２規格ビームの比率が１８％以上になるように前記第１記録層の透過率及び前記第２記録層の反射率は、次の数式：（Ｔ１２）２×Ｒ２２＞０.１８によって相互関連されている」に対して、引用発明では、「６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける半透明性の反射膜の透過率が４０％以上であり、６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける全反射膜の反射率が２５％以上である」ことが特定されているにとどまる点。
　
４．判断
　
　上記相違点について検討する。
　
［相違点１について］
　光ディスクとして、光を透過させる記録層が、少なくとも２層の金属層と前記２層の金属層の間に備えられた少なくとも１層の誘電体層とを備えたものは、周知である（例えば、特開２００２−５００５３号公報（【００２６】−【００２８】，【００４５】，【００５４】，【００５８】、図１等を参照。フィルタ層が情報保持層を兼ねること（半透明の反射層をフィルタ層とすること）、フィルタ層としてＡｇ等からなる２層の金属薄膜の間に誘電体膜を挟んだものが挙げられること、が記載されている。）、特開２００２−２５１１５号公報（請求項１，２，８，９、【０００９】，【００１０】，【００１４】，【００１７】，【００１９】，【００２７】等を参照。金属を主成分とする半透明放熱層（なお、半透明放熱層が半透明反射層としても機能することは明らかである）、誘電体層、金属を主成分とする半透明反射層をこの順に有することが記載されている。）、特開平１０−６９６７６号公報（請求項１，３，６、【００３５】−【００３８】、図５等を参照。光選択性光反射層を銀と酸化硅素の積層膜（Ａｇ／Ｓｉ０２／Ａｇ）とすることが記載されている。：原査定の拒絶の理由に引用。）等を参照のこと。）。
　そして、引用発明において、「前記高密度記録層は、半透明性の反射膜を備え」ており、「高密度記録層」は、光を透過させる記録層であるから、これに対して、上記周知技術を適用し、引用発明において、「高密度記録層」を、少なくとも２層の金属層と前記２層の金属層の間に備えられた少なくとも１層の誘電体層とを備えたものとすることは、当業者が容易になし得る事項である。
　また、光ディスクとして、全反射膜を少なくとも１層の金属層とすることは、例示するまでもなく、周知慣用である。
　そして、引用発明において、「前記中密度記録層は、全反射膜を備え」ているから、引用発明において、「中密度記録層」を、少なくとも１層の金属層を備えたものとすることは、引用発明が実質的に備えていると解される程度の事項であるか、又は引用発明において当業者が容易になし得る事項である。
　
［相違点２について］
　引用発明の「６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける半透明性の反射膜の透過率」、「６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームにおける全反射膜の反射率」は、それぞれ、本願発明の「第２規格ビームに対する第１記録層の透過率は、Ｔ１２」、「第２規格ビームに対する第２記録層の反射率をＲ２２」に対応する。
　ここで、引用発明において、Ｔ１２を「４０％以上」とし、Ｒ２２を「２５％以上」とするのは、引用例の「オ．」（特に、【００２８】，【００２９】）によれば、中密度記録層への照射光量が低下することを防ぎ、中密度記録層からの戻り光の光量を十分として、中密度記録層の記録及び／または再生特性が劣化するのを防止するためであり、中密度記録層からの戻り光の光量を十分とすることは、（Ｔ１２）２×Ｒ２２を所定以上とすることにほかならない。
　そして、例えば、国際公開第２００５／０１０８７４号（第２ページ第２５行目−第３ページ第１行目等）には、第２の情報層の第２の波長λ２での反射率Ｒ２が少なくとも５８％、第１の情報層の第２の波長λ２での透過率Ｔ２が少なくとも７６％、とすることが記載されており、このときの（Ｔ２）２×Ｒ２は、少なくとも３３．５％であり、「１８％以上」を満足するし、国際公開第２００３／０８３８５１号（第６ページ第３０行目−第７ページ第６行目等）には、第２の層状スタックからの有効反射：＝Ｔ１×Ｔ１×Ｒ１＝２０．２％であり、１８％より大きくすることが記載されていることを勘案すると、本願発明における（Ｔ１２）２×Ｒ２２の下限値「０．１８」は、新規ではなく、臨界的意義を見いだすこともできない。
　したがって、引用発明において、（Ｔ１２）２×Ｒ２２を所定以上と規定することは、当業者にとって容易に想到し得ることであり、その下限を「０．１８」とすること（中密度記録層から反射されて検出される６１５μｍ≦波長λ≦６５５μｍの光ビームの比率が１８％以上となるように（Ｔ１２、Ｒ２２を調整）すること）は、適宜なし得る事項である。
　
　そして、上記相違点により本願発明が奏する効果は、引用例に記載された発明及び周知技術から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第３．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。