【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  それぞれ、電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される２つの半導体装置コンポーネントを有し、２つの半導体装置コンポーネントの第２主端子同士が共通接続され、かつ制御端子同士が共通接続されている保護機能付き半導体装置であって、
上記各半導体装置コンポーネントは、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子、及び
保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第２主端子との間に、第２主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置であって、さらに
入力信号により点灯・消灯する発光素子、及び
発光素子に光結合され、起電力を発生する光起電力素子を含み、
上記起電力が、制御端子と第２主端子との間に印加されるようになっている半導体装置。
【請求項３】  請求項１に記載の半導体装置であって、
交流信号を整流して得た電圧が、制御端子と第２主端子との間に印加されるようになっている半導体装置。
【請求項４】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電圧差によって駆動され、
保護回路は、
主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、
一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用トランジスタの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、
保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタを介して電力が供給されるよう、第１主端子と第２主端子との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間の電位上昇に応じて両電極間が遮断されるように制御電極が接続されている半導体装置。
【請求項５】  請求項４に記載の半導体装置であって、さらに
保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と、第２主端子との間に、第２主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。
【請求項６】  請求項４又は５に記載の半導体装置であって、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴである半導体装置。
【請求項７】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
検出用トランジスタが、２つ以上の検出用トランジスタコンポーネントで構成され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電位差によって駆動され、
保護回路は、
主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、
一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用トランジスタの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、
保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタコンポーネントのいずれかを介して電力が供給されるよう、第１主端子と第２主端子との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間の電位上昇に応じて両電極間が遮断されるよう制御電極が接続されている半導体装置。
【請求項８】  請求項７に記載の半導体装置であって、
保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と第２主端子との間に、第２主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。
【請求項９】  請求項７又は８に記載の半導体装置であって、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴである半導体装置。
【請求項１０】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴからなり、
保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第２、第３及び第４インピーダンス素子と、それぞれソース電極が第２主端子に共通接続された第１、第２及び第３ＭＯＳＦＥＴと、第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主ＭＯＳＦＥＴに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、
第２インピーダンス素子の他端が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３インピーダンス素子の他端が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第４インピーダンス素子の他端が第３ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第２ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第３ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。
【請求項１１】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
検出用トランジスタが第１検出用トランジスタと第２検出用トランジスタとで構成され、
主トランジスタ、第１検出用トランジスタ、第２検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれＭＯＳＦＥＴからなり、
上記インピーダンス素子が第１インピーダンス素子とされ、
保護回路は、それぞれ一端が第１検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第２及び第３インピーダンス素子と、それぞれソース電極が主トランジスタのソース電極に共通接続された第１、第２ＭＯＳＦＥＴと、第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第２検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第４インピーダンス素子とを含み、
第２インピーダンス素子の他端が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３インピーダンス素子の他端が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第２ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極と接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第１検出用トランジスタのゲート電極が第１インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第２検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。
【請求項１２】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
さらに、保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第２主端子との間に、第２主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含み、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴからなり、
保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第２、第３及び第４インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第１、第２及び第３ＭＯＳＦＥＴと、第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、
第２インピーダンス素子の他端が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３インピーダンス素子の他端が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第４インピーダンス素子の他端が第３ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第２ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第３ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。
【請求項１３】  電源と負荷との間に挿入され、第１主端子と第２主端子との間を通過する電流が、制御端子と第２主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第１主端子と第２主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、
第１主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第１主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
さらに、保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第２主端子との間に、第２主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含み、
検出用トランジスタが第１検出用トランジスタと第２検出用トランジスタとで構成され、
主トランジスタ、第１検出用トランジスタ、第２検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれＭＯＳＦＥＴからなり、
上記インピーダンス素子が第１インピーダンス素子とされ、
保護回路は、それぞれ一端が第１検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第２、第３インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第１、第２ＭＯＳＦＥＴと、第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第２検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第４インピーダンス素子とを含み、
第２インピーダンス素子の他端が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第３インピーダンス素子の他端が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、第２ＭＯＳＦＥＴのゲート電極が第２検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第１検出用トランジスタのゲート電極が第１インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第２検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。