【事件の表示】
　特願２００７−１００２６６「固体撮像装置および撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月２３日出願公開，特開２００８−２５８４７４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１９年４月６日の出願であって，平成２１年２月１７日付けの拒絶理由通知に対して，同年４月２４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２２年２月１６日に拒絶査定がされ，これに対し，同年５月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日に手続補正書が提出され，その後，当審より平成２３年９月１６日に審尋がされ，同年１１月２１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年５月１８日に提出された手続補正書による補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年５月１８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，本件補正前の請求項１を，本件補正後の請求項１とする補正を含むものであって，本件補正前後の請求項１は，次のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　半導体基板の光入射側の行方向および列方向に配列して形成された複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素と，
　前記光電変換部上の全面に平坦化膜を介して１層で形成されていて第１色を吸収して光電変換する有機光電変換膜と，
　前記有機光電変換膜上の全面に平面的に配列して形成された前記第１色を含まない２色の有機カラーフィルター層を有し，
　前記有機光電変換膜から前記第１色の信号のみを取り出し，
　前記有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第１色を含まない２色の信号を取り出す
　固体撮像装置。」
　
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　半導体基板の光入射側の行方向および列方向に配列して形成された同一平面の複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出す前記半導体基板の表面側のＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素と，
　前記半導体基板の裏面側において，前記光電変換部上の全面に平坦化膜を介して１層で形成されていて第１色を吸収して光電変換する有機光電変換膜と，
　前記有機光電変換膜上の全面に平面的に配列して形成された第２色と第３色からなる有機カラーフィルター層を有し，
　前記有機光電変換膜から前記第１色の信号のみを取り出し，
　前記有機カラーフィルター層の吸収分光により前記半導体基板に形成された光電変換部から前記第２色の信号と前記第３色の信号を取り出す
　固体撮像装置。」
　
（３）補正事項について
　本件補正前の請求項１を本件補正後の請求項１とする上記の補正は，次の補正事項１〜５を含むものである。
・補正事項１
　補正前の「複数の光電変換部」を，補正後の「同一平面の複数の光電変換部」と補正する。
・補正事項２
　補正前の「ＭＯＳトランジスタ」を，補正後の「前記半導体基板の表面側のＭＯＳトランジスタ」と補正する。
・補正事項３
　補正前の「前記光電変換部上の全面に・・・有機光電変換膜」を，補正後の「前記半導体基板の裏面において，前記光電変換部上の全面に・・・有機光電変換膜」と補正する。
・補正事項４
　補正前の「前記第１色を含まない２色の有機カラーフィルター層」を，補正後の「第２色と第３色からなる有機カラーフィルター層」と補正する。
・補正事項５
　補正前の「前記有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第１色を含まない２色の信号を取り出す」を，補正後の「前記有機カラーフィルター層の吸収分光により前記半導体基板に形成された光電変換部から前記第２色の信号と前記第３色の信号を取り出す」と補正する。
　
２　補正事項の検討
　上記補正事項１〜５について，新規事項の追加の有無及び補正目的の適否を検討する。
ア　補正事項１は，補正前の「複数の光電変換部」との事項に対し「同一平面の」との事項を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１は，本願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）の【００１７】，【００１９】及び図１に基づくものである。
イ　補正事項２及び３は，補正前の各事項に対しそれぞれ「半導体基板の表面側の」及び「前記半導体基板の裏面において」との事項を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項２は，当初明細書等の【００１７】，【００１９】及び図１に，補正事項３は，当初明細書等の【００２０】及び図１に，それぞれ基づくものである。
ウ　補正事項４は，「第１色を含まない２色」との事項を「第２色と第３色」と限定するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項４は，当初明細書等の【００２０】，【００２３】及び図１〜２に基づくものである。
エ　補正事項５は，「吸収分光から・・・信号を取り出す」との事項を「吸収分光により前記半導体基板に形成された光電変換部から・・・信号を取り出す」と限定し，「第１色を含まない２色の信号」との事項を「第２色の信号と前記第３色の信号」と限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項５は，当初明細書等の【００２０】，【００２２】〜【００２３】及び図１〜２に基づくものである。
オ　したがって，上記補正事項１〜５は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，同法１７条の２第５項２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，上記補正事項１〜５を含む本件補正は，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
　
３−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１（２））。
　
３−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００５−３０３２６６号公報（以下「引用例」という。）には，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
「【００１０】
 
 本発明は効率の高い光電変換素子を提供すること，更に色分離の良い及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供することである
　
「【００４５】
（光電変換素子）
  以下に本発明の好ましい態様の光電変換素子について説明する。
  
本発明の光電変換素子は電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる
  本発明において
電磁波吸収／光電変換部位は，少なくとも青光，緑光，赤光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも２層の積層型構造を有する
青光吸収層（Ｂ）
緑光吸収層（Ｇ）
赤光吸収層（Ｒ）
上層（光入射側）
２層積層型構造の場合は
好ましくは上層がＧ層で下層が同一平面状にＢＲ層である
下層の同一平面状に２つの光吸収層が設けられる場合には上層の上もしくは上層と下層の間に色分別できるフィルタ−層を例えばモザイク状に設けることが好ましい
  
本発明における電荷蓄積／転送／読み出し部位は電磁波吸収／光電変換部位の下に設ける
【００４６】
  
本発明において電磁波吸収／光電変換部位は有機層または無機層または有機層と無機層の混合よりなる
有機層と無機層が１層の場合には無機層が同一平面状に２色以上の電磁波吸収／光電変換部位を形成する
電磁波吸収／光電変換部位として無機層を用いる場合には，この無機層が電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねる
　
「【００５５】
（無機層）
  電磁波吸収／光電変換部位としての無機層について説明する。この場合，
上層の有機層を通過した光を無機層で光電変換することになる
特に有機層にＧ層を配置すると有機層を透過する光はＢ光とＲ光になる
【００５６】
  
無機層は好ましくは，半導体基板内の深さ方向に，画素毎に複数のフォトダイオードが重層され，前記複数のフォトダイオードに吸収される光によって各フォトダイオードに生じる信号電荷に応じた色信号を外部に読み出す構造である
  
無機層についてさらに詳細に説明する。無機層の好ましい構成としては，光伝導型，ｐ−ｎ接合型，ショットキー接合型，ＰＩＮ接合型，ＭＳＭ（金属−半導体−金属）型の受光素子やフォトトランジスタ型の受光素子が挙げられる
　
「【００６３】
（電荷蓄積／転送／読み出し部位）
  電荷転送／読み出し部位については特開昭５８−１０３１６６，特開昭５８−１０３１６５，特開２００３−３３２５５１等を参考にすることができる。
半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成
電荷蓄積部に蓄積された電荷は，ＭＯＳトランジスタのスイッチングにより電荷読出し部に移動し，さらに電気信号として出力される。これにより，フルカラーの画像信号が，信号処理部を含む固体撮像装置に入力される
  一定量のバイアス電荷を蓄積ダイオードに注入して（リフレッシュモード）おき，一定の電荷を蓄積（光電変換モード）後，信号電荷を読み出すことが可能である。受光素子そのものを蓄積ダイオードとして用いることもできるし，別途，蓄積ダイオードを付設することもできる。
【００６４】
  信号の読み出しについてさらに詳細に説明する。
信号の読み出しは，通常のカラー読み出し回路を用いることができる。受光部で光／電気変換された信号電荷もしくは信号電流は，受光部そのものもしくは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は，Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子（いわゆるＣＭＯＳセンサ）の手法により，画素位置の選択とともに読み出される
  出力信号の読み出しには，フローティングディフュージョン検出器や，フローティングゲート検出器を用いることができる。また画素部分に信号増幅回路を設けることや，相関二重サンプリング（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）の手法などにより，Ｓ／Ｎの向上をはかることができる。」
　
（２）記載事項の整理
（２−１）以上によれば，引用例には「電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる」「光電変換素子」が開示され，当該「光電変換素子」の各部位について，次の事項が記載されている。
ア　【００４５】には，「電磁波吸収／光電変換部位は，少なくとも青光，緑光，赤光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも２層の積層型構造を有する」こと，「２層積層型構造の場合」に，「光入射側」である「上層」が「Ｇ層」すなわち「緑光吸収層」で「下層が同一平面状に」「ＢＲ層」すなわち「青光吸収層と赤光吸収層」とすることが好ましいこと，が記載されている。
イ　【００４５】には，「下層の同一平面状に２つの光吸収層が設けられる場合に」「上層の上」に「色分別できるフィルタ−層を例えばモザイク状に設けること」が記載されている。
ウ　【００４６】には，上記「光電変換素子」の「電磁波吸収／光電変換部位」は「有機層と無機層の混合」よりなることが好ましく，「有機層と無機層が１層の場合には無機層が同一平面状に２色以上の電磁波吸収／光電変換部位を形成」し，「この無機層が電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねる」ことが記載されている。
エ　【００５５】には，「電磁波吸収／光電変換部位として」「無機層」を用いる場合，「上層の有機層を通過した光を無機層で光電変換すること」が記載されている。また，「有機層」に「Ｇ層」すなわち緑光吸収層を配置すると有機層を透過する光が青光と赤光であることが記載されている。
オ　【００５６】には，「無機層の好ましい構成」として，「半導体基板内」に形成された「受光素子」が記載されている。
カ　【００６３】には，「電荷蓄積／転送／読み出し部位」について，「半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成」とすることが記載されている。
キ　【００６４】には，「受光部で光／電気変換された信号電荷もしくは信号電流は，受光部そのものもしくは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は，Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子（いわゆるＣＭＯＳセンサ）の手法により，画素位置の選択とともに読み出される」ことが記載されている。
ク　上記ア〜ウから，「上層」が「有機層」であり，「下層」が「無機層」であることが理解できる。また，上記ウ，オ，カから，「電磁波吸収／光電変換部位」の「受光素子」と「電荷蓄積／転送／読み出し部位」の「ＭＯＳトランジスタ」が，半導体基板に形成されていることが理解できる。
　
（２−２）【００１０】から，上記（２−１）の「光電変換素子」が「撮像素子」であることは明らかである。
　
（３）引用発明
　上記（２）によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる撮像素子であって，
前記電磁波吸収／光電変換部位は，光入射側に設けられた緑光吸収層である有機層と，同一平面状に青光吸収層と赤光吸収層が設けられた無機層との２層積層型構造を有し，前記有機層の上に色分別できるモザイク状のフィルター層が設けられており，前記無機層は半導体基板内に形成された受光素子で構成され，
前記電荷蓄積／転送／読み出し部位は，前記半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成であり，Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子の手法により画素位置の選択とともに，光／電気変換された信号電荷を読み出すものである，
撮像素子。」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明における「撮像素子」は，補正発明における「固体撮像装置」に相当する。
イ　上記３−２，（２−１）ア，イから，引用発明の「無機層」に設けられた「青光吸収層」及び「赤光吸収層」は，「色分別できるフィルター層」に対応して「モザイク状」，すなわち「行方向および列方向に配列して」設けられていると理解するのが自然である。また，受光素子が半導体基板の「光入射側」に設けられることは技術常識である。
　そうすると，引用発明における「同一平面状に青光吸収層と赤光吸収層が設けられた」「半導体基板内に形成された受光素子で構成され」ている「無機層」は，補正発明における「半導体基板の光入射側の行方向および列方向に配列して形成された同一平面の複数の光電変換部」に相当する。
ウ　引用発明における「ＭＯＳトランジスタ」は，「各画素単位で形成され」「Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子の手法により画素位置の選択とともに」「電磁波吸収／光電変換部位」で「光／電気変換された信号電荷を読み出す」ものであるから，補正発明における「光電変換部から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタ」に相当する。
エ　上記イ，ウから，引用発明も補正発明と同様に，「光電変換部」と「ＭＯＳトランジスタ」とを含む「複数の画素」を有すると理解できる。
オ　引用発明における「光入射側に設けられた緑光吸収層である有機層」は，補正発明における「前記光電変換部上の全面に１層で形成されていて第１色を吸収して光電変換する有機光電変換膜」に相当する。
カ　上記３−２，（２−１）ア，イから，引用発明の「モザイク状のフィルター層」は，「下層の同一平面状に２つの光吸収層が設けられる場合に」おいて色分別するために設けられたものであり，引用発明の「無機層」は「同一平面状に青光吸収層と赤光吸収層が設けられた」ものであるから，引用発明の「モザイク状のフィルター層」は，「無機層」で吸収される青光と赤光を分別するためのものであると理解できる。
　そうすると，引用発明において「前記有機層の上に色分別できるモザイク状のフィルター層が設けられて」いることは，補正発明における「前記有機光電変換膜上の全面に平面的に配列して形成された第２色と第３色からなる」「カラーフィルター層を有」することに対応する。
キ　引用発明における「有機層」は「緑光吸収層」であり，上記３−２，（２−１）エに摘記したとおり，青光と赤光を透過するものであるから，引用発明も補正発明と同様に「前記有機光電変換膜から前記第１色の信号のみを取り出し」ていると理解できる。
ク　上記カで検討したとおり，引用発明の「モザイク状のフィルター層」は，「無機層」で吸収される青光と赤光を分別するためのものであると理解できるから，引用発明と補正発明は，「カラーフィルター層の吸収分光により前記半導体基板に形成された光電変換部から前記第２色の信号と前記第３色の信号を取り出す」ものである点で共通する。
　
　以上を総合すると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「半導体基板の光入射側の行方向および列方向に配列して形成された同一平面の複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素と，
　前記光電変換部上の全面に１層で形成されていて第１色を吸収して光電変換する有機光電変換膜と，
　前記有機光電変換膜上の全面に平面的に配列して形成された第２色と第３色からなるカラーフィルター層を有し，
　前記有機光電変換膜から前記第１色の信号のみを取り出し，
　前記カラーフィルター層の吸収分光により前記半導体基板に形成された光電変換部から前記第２色の信号と前記第３色の信号を取り出す
　固体撮像装置。」
である点。
＜相違点１＞
　補正発明では，「ＭＯＳトランジスタ」が「前記半導体基板の表面側」に，「有機光電変換膜」が「半導体基板の裏面側において」形成されているのに対し，引用発明では，「有機膜」が「光入射側」に設けられていることは特定されているが，当該「光入射側」及び「ＭＯＳトランジスタ」が形成されている側が，「半導体基板」の表裏どちらの面であるか特定されていない点。
＜相違点２＞
　補正発明では，「有機光電変換膜」が「光電変換部上の全面に平坦化膜を介して」形成されているのに対し，引用発明では「平坦化膜」について教示がない点。
＜相違点３＞
　補正発明では，「有機カラーフィルター層」を用いているのに対し，引用発明では「フィルター層」の材料が特定されていない点。
　
３−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　光入射側を半導体基板の裏面側とし，信号電荷を読み出すためのＭＯＳトランジスタを半導体基板の表面側に設ける構造は，次の周知例１〜３に記載されているように，固体撮像素子の技術分野において，画素の微細化や開口率の向上に資する素子構造として周知のものである。したがって，引用発明において当該周知の素子構造を採用すること，すなわち上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
・周知例１：特開２００３−３１７８５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には，図３とともに，次の記載がある。
「【００２８】・・・すなわち，
シリコン層３１の一方の面側から入射する光は
シリコン層３１に形成される後述するフォトダイオード３７の受光面に導かれる
シリコン層３１の他方の面側には，トランジスタや金属配線が形成される配線層３８が形成され
【００２９】ここで，従来のＣＭＯＳイメージセンサでは，配線層側を表面側とし，この配線層側から入射光を取り込む表面受光型の画素構造を採っていたのに対して，本実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサでは，配線層３８と反対側の面（裏面）側から入射光を取り込むことから，裏面受光型の画素構造となっている。・・・（以下略）」
「【００４７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，Ｘ-Ｙアドレス型固体撮像素子において，裏面受光型の画素構造を採ることにより，
受光面を考慮した配線の必要がなくなるため，画素の配線の自由度が高くなり，画素の微細化を図ることができる
　
・周知例２：特開２００７−５９７５５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。
「【背景技術】
【０００２】
  高強度の薄型半導体装置，例えば，裏面照射型の固体撮像装置には，
一方の面に信号電荷を電気信号に変換して出力するＭＯＳトランジスタなどのデバイスを形成し，一方の面と反対の他方の面から一方の面に達するようにフォトダイオードを形成したシリコン基板が用いられ
　
・周知例３：特開平５−２１８３７４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，図１とともに，次の記載がある。
「【００１０】図１は，本発明による光電変換装置の第１実施例を示す模式的断面図である。図において，１はベースであるｐ型Ｓｉ領域，２はエミッタであるｎ+ 型Ｓｉ領域，３はコレクタであるｎ-型エピタキシャル成長単結晶Ｓｉ層である。５はエミッタ出力線であるＡｌ層，
７はｐＭＯＳトランジスタのポリＳｉゲート電極，８はＳｉＯ
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ゲート絶縁膜
【００１１】本実施例では，ｎ- 型エピタキシャル成長単結晶Ｓｉ層３は透明な絶縁性石英ガラス板１３上に形成されている。この様に，本実施例では，ＳＯＩ（シリコンオン  インシュレーター）構造をとっており，ＳＯＩ基板はｎ- 型エピタキシャル成長単結晶Ｓｉ層３と石英ガラス板１３との接合体からなる。絶縁性で使用光に対し透明であれば石英ガラス板以外も使用可能である。
本実施例の光電変換装置を可視光で用いる場合には，配線層がない面（図における下側の面）側から光を入射させることができる
本実施例では，ＳＯＩ基板の石英ガラス板１３側の表面にはＡｌ等の配線層がないので，従来５０％程度だった開口率を１００％程度まで向上させることができ，感度も大幅に向上する
　
（２）相違点２について
　基板上に有機光電変換膜を形成する際に，その下に平坦化膜を介して形成することは，次の周知例４〜５にも記載された当業者の周知技術であるから，引用発明における「有機層」を平坦化膜を介して形成することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
・周知例４：特開２００４−２６０７９８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例４には，図８とともに，次の記載がある。
「【００８０】
  図８は本発明の実施の形態１における情報読み取り素子の受光部に用いられる有機光電変換素子を示す要部断面図である。図８において，３０は有機光電変換素子を示す。また，３１は基板，３２は陽極，３３は陰極，３４は光電変換領域，３５は電子供与性有機材料で構成される電子供与性層，３６は電子受容性材料で構成される電子受容性層である。」
「【０１１５】
  また，
電極（陽極３２或いは陰極３３）と光電変換領域３４との界面を平坦化させるために，電極と光電変換領域３４との間にバッファ層を設けてもよい
　
・周知例５：特開２００７−３５９８６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例５には，図２とともに，次の記載がある。
「【００７２】
  図２において，４は有機光電変換部，７は基板２の上に成膜され形成されたカラーフィルタ，８はアクリル系，エポキシ系，ポリイミド系等の合成樹脂製等でカラーフィルタ７の上面に形成され，後述する有機光電変換層１０を形成する際の溶剤等からカラーフィルタ７を保護するとともに
カラーフィルタ７の表面の平坦性を向上させる保護膜
９は保護膜８の上面に形成され
光透過性を有する陽極
１０は陽極９の上面に形成され電子供与性材料からなる電子供与体，電子受容性材料からなる電子受容体で構成され光吸収によって励起子が形成される有機光電変換層
　
（３）相違点３について
　固体撮像素子におけるカラーフィルター層として「有機カラーフィルター層」を用いることは慣用手段であるから，引用発明における「フィルター層」を「有機カラーフィルター層」とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（４）小括
　したがって，補正発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
  以上のとおり，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条５項の規定に適合しないものであるから，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年５月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜５に係る発明は，平成２１年４月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項１について，補正事項１〜５の点を限定したものである。また，上記第２，３−３で提示した補正発明と引用発明の相違点１は，補正事項２及び３に関するものである。
　そうすると，上記補正事項１〜５を含まない本願発明と引用発明とは，上記第２，３−３で提示した相違点２及び３において相違し，その余の点で一致するものであるところ，上記第２，３−４（２）で検討したとおり，引用発明において相違点２及び３に係る構成とすることは当業者が適宜なし得たことであるから，本願発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。