【事件の表示】
　特願２００６−５０８７３９「ウェハ上のフォトレジストを減衰位相シフトマスクを使用してパターニングする方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１６日国際公開、ＷＯ２００４／０７９７７９、平成１８年　８月２４日国内公表、特表２００６−５１９４２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年（２００４年）２月１３日（パリ条約による優先権主張　２００３年３月３日　米国）を国際出願日とする出願（特願２００６−５０８７３９号）であって、平成２１年１２月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年４月２２日付けで意見書が提出され、同年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「基板と、
  基板の上に横たわる減衰積層体とを備え、該減衰積層体は、基板の上に横たわる第１層と、第１層を覆うタンタルシリコン酸化物層と、タンタルシリコン酸化物層を覆うタンタルシリコン窒化物層と、を備え、
  第１層はクロム層またはルテニウム層の内の一つである、減衰位相シフトマスク。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−３３７４３６号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路等の製造に用いられるフォトマスク及びそのフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクに関し、特に、微細寸法の投影像が得られるハーフトーン位相シフトフォトマスクと、この位相シフトフォトマスクを製造するためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスに関する。」
　
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＬＳＩパターンの微細化に伴う露光波長の短波長化に伴い、より短波長露光に対応した、タンタルシリサイド系の材料を、ハーフトーン位相シフト膜へ適用する試みが行われているが、タンタルシリサイド系のハーフトーン位相シフト膜材料は、それ自体は優れた加工特性、加工後の化学的安定性を示すが、位相差の高精度制御も考慮に入れると、高精度のパターニングが困難になってしまう、と言う問題点があり、この対応が求められていた。本発明は、これに対応するもので、タンタルシリサイド系のハーフトーン位相シフト膜材料を用い、且つ、タンタルシリサイド系材料の優れた加工特性、加工後の化学的安定性等を維持しつつ、石英基板とのエツチング選択比を向上させた構造のハーフトーン位相シフトフォトマスクを提供しようとするものである。同時に、そのようなハーフトーン位相シフトフォトマスクの作製を可能とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスを提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスは、透明基板上のハーフトーン位相シフト層が、タンタル、シリコン、及び、酸素を主成分とする一層と、クロムまたはクロムタンタル合金を主成分とする一層とを少なくとも含む多層膜で構成されていることを特徴とするものである。そして、上記において、透明基板上にクロムまたはクロムタンタル合金を主成分とする一層がまず形成され、その上にタンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする一層が形成されていることを特徴とするものである。　そしてまた、上記において、クロムまたはクロムタンタル合金を主成分とする一層が、シリコンを含むことを特徴とするものである。また、上記において、クロムまたはクロムタンタル合金を主成分とする一層が、酸素、フツ素、または、窒素を含むことを特徴とするものである。−−−以下、省略−−−。」
　
「【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施の形態の第２の例の断面図で、
図２（ａ）は本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
【００１８】はじめに、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施の形態の第１の例を、図１（ａ）に基づいて説明する。本例の
ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスは、タンタル、シリコン、及び、酸素を主成分とする第２の層１２２と、クロムを主成分とする第１の層１２１からなる多層膜をハーフトーン位相シフト層１２０とするもので、合成石英からなる透明基板１１０上に、順に、クロムを主成分とする第１の層１２１、タンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする第２の層１２２を形成している。
　
「【００３２】
【実施例】（実施例１）実施例１は、
図１（ａ）に示す第１の例のハーフトーン位相シフトフォトマスクブランクスを用い、
図２（ａ）に示す第１の例のハーフトーン位相シフトフォトマスクを形成した
　
「【図１】
　
【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載（図面の記載も含む）を総合すれば、引用例１には、
「合成石英からなる透明基板１１０上に、順に、クロムを主成分とする第１の層１２１、タンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする第２の層１２２を形成し、
　タンタル、シリコン、及び、酸素を主成分とする第２の層１２２と、クロムを主成分とする第１の層１２１からなる多層膜をハーフトーン位相シフト層１２０とするハーフトーン位相シフトフォトマスク。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−５３４７号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。(下線は、当審において付した。)
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細加工を行うフォトリソグラフィー工程に好適に用いられる位相シフトマスクブランク及びその製造方法に関し、特に、位相シフト膜によって露光波長の光の強度を減衰させることができるハーフトーン型の位相シフトマスクブランク及びその製造方法に関するものである。」
　
「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】位相シフトマスクは、透明基板上に形成されたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングで位相シフト膜をエッチングすることによって位相シフトパターンを設けたものである。この場合、
位相シフト膜は、位相シフトマスク製造の工程における洗浄等の前処理又は洗浄液として使用される硫酸等の酸に弱く、この工程で位相シフト膜の光学定数が変化してしまうという問題がある。
【００１２】本発明は上記問題点を改善するためになされたもので、耐薬品性を有する位相シフトマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、
露光波長に対して透明な基板上に形成された位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフト膜を金属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含む互いに膜組成が異なる２層以上の膜が交互に積層された互層膜とすることで薬品耐性が改善することを見出し、
　
「【００１５】本発明によれば、位相シフトマスクブランクを作製するに当たり、金属、珪素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含む互いに組成の異なる２種以上の膜が交互に積層されてなる互層膜を形成することによって、マスク製造工程における洗浄の前処理又は洗浄液として使用される硫酸等に対する耐薬品性が改善され、製造プロセスの安定化が図られ、高品質な位相シフトマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができるものである。
【００１６】以下、本発明につき更に詳しく説明する。本発明の位相シフトマスクブランクは、図３に示したように、露光光が透過する基板１の上に金属と珪素と酸素と窒素から選ばれた少なくとも１種を含む互いに組成の異なる２種以上の膜が交互に積層されてなる互層膜（位相シフト膜）２を形成することを特徴とし、これにより、耐薬品性が優れた高品質な位相シフトマスクブランクを得ることができるものである。
【００１７】
具体的には、上記位相シフト膜は
Ｔａ
の金属とシリコンと酸素と窒素から選ばれる少なくとも１種を含み、具体的には
シリサイド酸化物
と
シリサイド窒化物
の互層膜
が挙げられる。
位相シフト膜の最表面をモリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）とした方が耐薬品性をさらに向上できる点から好ましい。
　
第４　本願発明と引用発明の対比、及び、当審の判断
１　対比
（１）ここで、本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「合成石英からなる透明基板１１０」が、本願発明の「基板」に相当する。
　引用発明の「合成石英からなる透明基板１１０上」の「ハーフトーン位相シフト層１２０」が、本願発明の「基板の上に横たわる減衰積層体」に相当する。
　引用発明の「合成石英からなる透明基板１１０上に」、「クロムを主成分とする第１の層１２１」が形成されることが、本願発明の「基板の上」に「第１層」が「横たわる」こと、及び「第１層はクロム層またはルテニウム層の内の一つである」ことに相当する。
　引用発明の「第１の層１２１」の上の「タンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする第２の層１２２」と、本願発明の「第１層を覆うタンタルシリコン酸化物層と、タンタルシリコン酸化物層を覆うタンタルシリコン窒化物層」とは、「第１層を覆う、タンタルシリコン化合物からなる膜」である点で一致する。
　引用発明の「ハーフトーン位相シフトフォトマスク」が、本願発明の「減衰位相シフトマスク」に相当する。
　
（２）一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
  基板の上に横たわる減衰積層体とを備え、該減衰積層体は、基板の上に横たわる第１層と、第１層を覆うタンタルシリコン化合物からなる膜と、を備え、
  第１層はクロム層またはルテニウム層の内の一つである、減衰位相シフトマスク。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　第１層を覆うタンタルシリコン化合物からなる膜が、本願発明においては「タンタルシリコン酸化物層と、タンタルシリコン酸化物層を覆うタンタルシリコン窒化物層」からなるのに対して、引用発明においては「タンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする層」の単層である点で相違する。
　
２　当審の判断
（１）相違点の検討
　引用例２（【００１１】【００１３】【００１７】参照）にも記載されているように、ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、位相シフト膜の化学的安定性を考慮して、位相シフト膜を金属シリサイド酸化物層と金属シリサイド窒化物層の２層以上からなる互層膜とするとともに、金属シリサイド窒化物層を最表面に配置することは周知技術である。
　本願発明、引用発明及び上記の周知技術は、いずれも、ハーフトーン位相シフトマスクに関する技術であって、短波長化された露光光に対応する必要があり、また、当然にエッチングに際しての耐薬品性（化学的安定性）の向上が要請されるものである点で共通していることに鑑みれば、引用発明に対して、膜の化学的安定性の向上を踏まえた上で、短波長化された露光光に対応するために、上記の周知技術を適用し、引用発明の、単層からなる「タンタル、シリコン、及び、酸素とを主成分とする層」を、「金属シリサイド酸化物層と表面に配置する金属シリサイド窒化物層の２層の互層膜」となるように換え、その結果として、２層の「タンタルシリコン酸化物層と、タンタルシリコン酸化物層を覆うタンタルシリコン窒化物層」を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　結言
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。