Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インビボでヘリコバクターの増殖又は生存を阻害することができる分子を同定するためのインビトロの方法であって、
（ａ）親ヘリコバクターを生物学的試料中の該分子と接触させる工程、
（ｂ）該活性分子の存在下又は非存在下で、ＵｒｅＩを欠損した株に対して親株の及び／又はｕｒｅＩを保持するプラスミドで補足されたＵｒｅＩ欠損株の細胞外pHに対する応答及び酸性に対する感受性を試験し比較する工程、並びに
（ｃ）ＵｒｅＩ欠損株と比較して異なる効果を親株に対して示す該分子を選択する工程を含む方法。
【請求項２】  酸性に対する感受性の程度が工程（ｂ）において測定される、請求項１記載の方法。
【請求項３】  分子がＵｒｅＩに特異的である、請求項１記載の方法。
【請求項４】  ヘリコバクター株が、ヘリコバクター  ピロリ（Helicobacter pylori）、ヘリコバクター  フェリス（Helicobacter felis）、ヘリコバクター  ヘイルマンニ（Helicobacter heilmannii）、ヘリコバクター  ムステレ（Helicobacter mustelae）、ヘリコバクター  カニス（Helicobacter canis）、ヘリコバクター  ビリス（Helicobacter bilis）、ヘリコバクター  ヘパチクス（Helicobacter hepaticus）、ヘリコバクター  ムリダルム（Helicobacter muridarum）、及びヘリコバクター  トログンタム（Helicobacter troguntum）からなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項５】  請求項１記載の方法により同定されたインビボでＨ．ピロリの増殖又は生存を阻害することができる分子。
【請求項６】  請求項５記載の分子を、薬学的に許容される担体と共に、そのような処置を必要とするヒト又は動物に投与する工程を含む、ヒト又は動物におけるＨ．ピロリ感染を処置又は予防する方法。
【請求項７】  インビボでＨ．ピロリの増殖又は生存を阻害することができる分子を、そのような処置を必要とするヒト又は動物に投与する工程を含む、Ｈ．ピロリ感染を予防又は処置する方法。
【請求項８】  分子が、ＵｒｅＩに対する高親和性のためにＨ．ピロリ細胞内部に輸送される、請求項７記載の方法。
【請求項９】  分子が、Ｈ．ピロリの酸性に対する耐性におけるその特性を阻害することにより、ＵｒｅＩを不活性化する、請求項７記載の方法。
【請求項１０】  分子が、トランスポーターとしてのその特性を阻害することにより、ＵｒｅＩを不活性化する、請求項７記載の方法。
【請求項１１】  分子が、ＵｒｅＩとその他のＨ．ピロリタンパク質との相互作用を阻害することにより、ＵｒｅＩを不活性化する、請求項７記載の方法。
【請求項１２】  分子が、Ｈ．ピロリにおいて、ウレアーゼの細胞内阻害を行うことができる、請求項７記載の方法。
【請求項１３】  インビボでヘリコバクター  ピロリの増殖又は生存を阻害することができる分子であって、ＵｒｅＩタンパク質もしくはＵｒｅＩ活性と、又は対応するｕｒｅＩ遺伝子と直接的又は間接的に相互作用することができる分子。
【請求項１４】  ｕｒｅＩに対する高親和性のためにＨ．ピロリ細胞内部に輸送される、請求項１３記載の分子。
【請求項１５】  ｕｒｅＩと直接結合することによりＵｒｅＩタンパク質を不活性化する、請求項９又は１３に記載の分子。
【請求項１６】  アンモニアの放出又は尿素の輸送（排出もしくは取り込み）のいずれかにおけるＵｒｅＩトランスポーター特性を特異的に阻害する、請求項１０又は１３に記載の分子。
【請求項１７】  ＵｒｅＩとその他のＨ．ピロリタンパク質との相互作用を特異的に阻害することができる、請求項１１又は１３に記載の分子。
【請求項１８】  Ｈ．ピロリウレアーゼの細胞内阻害を行うことができる、請求項１２又は１３に記載の分子。
【請求項１９】  Ｈ．ピロリＵｒｅＩの全部又は一部と薬学的に許容される担体とを含む免疫原性組成物。
【請求項２０】  請求項１９記載の免疫原性組成物を投与する工程を含む、ヘリコバクター  ピロリ感染を予防する方法。
【請求項２１】  Ｈ．ピロリＵｒｅＩの全部又は一部を特異的に認識するモノクローナル又はポリクローナル抗体。
【請求項２２】  Ｈ．ピロリの組換え株であって、遺伝子の産物がインビボでの該細菌の生存能力の弱化に寄与する、改変されたｕｒｅＩ遺伝子を含む、組換え株。
【請求項２３】  １９９９年６月２８日にＣ．Ｎ．Ｃ．Ｍ．に寄託されたＨ．ピロリＮ６−８３４突然変異体と名付けられた、請求項２２記載の組換え株。
【請求項２４】  受託番号Ｉ−２２４５の下で１９９９年６月２８日にＣ．Ｎ．Ｃ．Ｍ．に寄託された、Ｈ．ピロリにおいて安定的に複製することができ、ｕｒｅＩ遺伝子を保持し、かつＨ．ピロリＮ６−８３４突然変異体を補足する、プラスミドｐＩＬＬ８５０。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サンプル中（サンプルが組織の寒冷セクションを含むことを特徴とする）の活性形質転換生長因子β(ＴＧＦ−β)を定量するためのアッセイであって、
（ａ）指標タンパク質をコードする構造領域を有するＴＧＦ−β応答発現ベクター含有の真核細胞とともにサンプルを、該真核細胞が該指標タンパク質の検出可能量を発現するのに十分である予め定めた時間インキュベートする；
（ｂ）該時間内に発現された該指標タンパク質の量を測定する；
（ｃ）該指標タンパク質の測定量を対照データと比較して、サンプル中に存在するＴＧＦ−βの量を決める；
ことを含む、ＴＧＦ−βのアッセイ。
【請求項２】  参照データが、真核細胞により一連の既知濃度のＴＧＦ−βから産生された一連の測定量の該指標タンパク質を表す、請求項１のアッセイ。
【請求項３】  指標タンパク質がルシフェラーゼである、請求項１のアッセイ。
【請求項４】  寒冷セクションの調製を、組織抽出物を分割し、支持体に埋め込み、液体窒素中で組織をすぐに凍結することにより行う、請求項１のアッセイ。
【請求項５】  支持体がメチルセルロースである、請求項４のアッセイ。
【請求項６】  寒冷セクションが厚さ５０μｍまでである、請求項１−５いずれかに記載のアッセイ。
【請求項７】  寒冷セクションが厚さ３０μｍ以下である、請求項６のアッセイ。
【請求項８】  寒冷セクションが実質的に厚さ２０μｍである、請求項６または７のアッセイ。
【請求項９】  寒冷セクションをカバースリップ上に乗せる、請求項１−８いずれかに記載のアッセイ。
【請求項１０】  各カバースリップが２以上の寒冷セクションを保持している、請求項９のアッセイ。
【請求項１１】  単一のカバースリップが４までの寒冷セクションを保持している、請求項９または１０のアッセイ。
【請求項１２】  サンプルの量でアッセイにより測定された量を割ることによりＴＧＦ−βの濃度を決定し、サンプルの面積でサンプルの厚さを乗じることによりサンプルの量を決定し、着色および造影により各寒冷セクションサンプルの面積を決定する、請求項１−１１いずれかに記載のアッセイ。
【請求項１３】  着色がヘマトキシリンおよびエオシンによる、請求項１２のアッセイ。
【請求項１４】  寒冷セクションの、ＴＧＦ−β応答ベクター含有の真核細胞とのインキュベーションを、１以上の寒冷セクションを保持するカバースリップを逆にし、寒冷セクションが真核細胞に接触するようにカバースリップを真核細胞の上に置くことにより行う、請求項９のアッセイ。
【請求項１５】  インビボのＴＧＦ−βレベルを表すために、試験サンプルと対照サンプルの両方について実施する、請求項１−１４いずれかに記載のアッセイ。
【請求項１６】  サンプル中のＴＧＦ−βイソ型のレベルを決定するアッセイであって、請求項１のアッセイを含み、寒冷セクションを抗ＴＧＦ−β中和抗体とともに予め定めた時間、前インキュベートする工程を先行さすアッセイ。
【請求項１７】  サンプル中の（潜在性および活性の）ＴＧＦ−βの全量を決定するアッセイであって、請求項１のアッセイを含み、寒冷セクションを約８０℃で予め定めた時間、加熱する工程を先行さすアッセイ。
【請求項１８】  サンプル中の全ＴＧＦ−βに対する活性ＴＧＦ−βを決定するアッセイであって、最初に請求項１のアッセイを行い、次いで最初のアッセイで使用したのと同じ寒冷セクションを熱処理し、次いで請求項１のアッセイを繰り返すアッセイ。
【請求項１９】  ＴＧＦ−βレベルに対する刺激作用を測定するための、請求項１−１８いずれかに記載のアッセイ。
【請求項２０】  ＴＧＦ−βレベルに対する創傷治癒作用を監視するための、請求項１−１８いずれかに記載のアッセイ。
【請求項２１】  活性ＴＧＦ−βレベルに対する物質の作用を監視またはスクリーンするための、請求項１−１８いずれかに記載のアッセイ。
【請求項２２】  活性ＴＧＦ−βレベルを測定することによる疾患または病理状態の進行を監視するための、請求項１−１８いずれかに記載のアッセイ。
【請求項２３】  疾患または病理状態が線維症、創傷または癌である、請求項２２のアッセイ。
【請求項２４】  物質が活性ＴＧＦ−β1およびＴＧＦ−β2のＴＧＦ−β3に対する比率を調節するかどうかを評価するための、請求項１または１８のアッセイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ファルネソール及びゲラニルゲラニオルで構成されるグループから選択される化合物を生成する方法において、
（ａ）微生物を、イソプレノール及びプレノールで構成されるグループから選択される化合物を含む発酵培地中で培養して、ファルネシル・リン酸、ファルネソール、ゲラニルゲラニル・リン酸及びゲラニルゲラニオルで構成されるグループから選択される生成物を生成するステップと、
（ｂ）前記生成物を回収するステップとを含む方法。
【請求項２】  ファルネソールを生成する方法において、
（ａ）微生物を発酵培地で培養して、ファルネシル・リン酸とファルネソールで構成されるグループから選択される生成物をつくりだすステップにおいて、前記微生物のスクアレン・シンターゼの作用が低下されるステップと、
（ｂ）前記生成物を回収するステップとを含む方法。
【請求項３】  前記微生物がスクアレン・シンターゼの作用を低下させるように遺伝子的に改良されていることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記微生物がＨＭＧ−ＣｏＡリタクターゼの作用を増強するようにさらに遺伝子的に改良されていることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記微生物が、アセトアセチルＣｏ−Ａチオロース、ＨＭＧ−ＣｏＡシンターゼ、メバロネート・キナーゼ、ホスホメバロネート・キナーゼ、ホスホメバロネート・デカルボキシラーゼ、イソペンテニル・ピロリン酸・イソメラーゼ、ファルネシル・ピロリン酸・シンターゼ、Ｄ−１−デオキシキシロース  ５−リン酸、そして１−デオキシ−Ｄ−キシロース  ５−リン酸・リダクトイソメラーゼで構成されるグループから選択される蛋白質の作用を増強するように遺伝子的に改良されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】  生合成によってファルネソールをつくりだす微生物において、前記微生物がその内部でのスクアレン・シンターゼの作用を低下させるような突然変異を含んでいると同時に、アセトアセチル  Ｃｏ−Ａチオロース、ＨＭＧ−ＣｏＡシンターゼ、ＨＭＧ  ＣｏＡリタクターゼ、メバロネート・キナーゼ、ホスホメバロネート・キナーゼ、及びホスホメバロネート・デカルボキシラーゼ、イソペンテニル・ピロリン酸・イソメラーゼ、ファルネシル・ピロリン酸・シンターゼ、Ｄ−１−デオキシキシルロース  ５−リン酸・シンターゼ、及び１−デオキシ−Ｄ−キシルロース  ５−リン酸・リダクトイソメラ
ーゼで構成されるグループから選択される蛋白質の作用を増強するように遺伝子的に改良されている微生物。
【請求項７】  ゲラニルゲラニオルを生成する方法において、
（ａ）発酵培地中で微生物を培養してゲラニルゲラニル・リン酸及びゲラニルゲラニオルで構成されるグループから選択される生成物を生成し、スクアレン・シンターゼの作用が低下されるステップと、
（ｂ）前記生成物を回収するステップとを含む方法。
【請求項８】  前記微生物がスクアレン・シンターゼの作用を低下させるように遺伝子的に改良されている請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記微生物がＨＭＧ  ＣｏＡリタクターゼの作用を増強するように遺伝子的に改良されている請求項８記載の方法。
【請求項１０】  前記微生物がさらに、アセトアセチル  Ｃｏ−Ａチオロース、ＨＭＧ−ＣｏＡシンターゼ、ＨＭＧ  ＣｏＡリタクターゼ、メバロネート・キナーゼ、ホスホメバロネート・キナーゼ、及びホスホメバロネート・デカルボキシラーゼ、イソペンテニル・ピロリン酸・イソメラーゼ、ファルネシル・ピロリン酸・シンターゼ、Ｄ−１−デオキシキシルロース  ５−リン酸・シンターゼ、及び１−デオキシ−Ｄ−キシルロース  ５−リン酸・リダクトイソメラーゼで構成されるグループから選択される蛋白質の作用を増強するように遺伝子的に改良されている請求項９記載の方法。
【請求項１１】  生合成プロセスによりゲラニルゲラニオルをつくりだすための微生物において、前記微生物がその内部でスクアレン・シンターゼの作用を低下させるような遺伝子改変を有していると同時に、アセトアセチル  Ｃｏ−Ａチオロース、ＨＭＧ−ＣｏＡシンターゼ、ＨＭＧ  ＣｏＡリタクターゼ、メバロネート・キナーゼ、ホスホメバロネート・キナーゼ、及びホスホメバロネート・デカルボキシラーゼ、イソペンテニル・ピロリン酸・イソメラーゼ、ファルネシル・ピロリン酸・シンターゼ、Ｄ−１−デオキシキシルロース  ５−リン酸・シンターゼ、及び１−デオキシ−Ｄ−キシルロース  ５−リン酸・リダクトイソメラーゼで構成されるグループから選択される蛋白質の作用を増強するような遺伝子的改良を含んでいる微生物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  底部の開口部が、植物が収容部から取り出される方向に作用する切断エッジ部(５)によって画定される点に特徴を有する、
使用位置においては、各収容部が、それぞれの上部に植物の導入開口部備えており、少なくともそれらの一部が底部において開放されている、
植物(６)を収容するための多数の収容部(２)を備えるプラスチック製本体を有する植物用トレイ。
【請求項２】  各収容部内に植物のためのクランプ手段(４，１４)を有する請求項１記載の植物用トレイ。
【請求項３】  前記クランプ手段は、挿入開口部から収容部の底部に向かって増大しつつ更に前記収容部内に延出するプレートを有する請求項２記載の植物用トレイ。
【請求項４】  前記プレート（４）は、前記収容部の境界に対し不可欠に垂直をなす請求項３記載の植物用トレイ。
【請求項５】  前記クランプ手段(４)は、シャープな切断エッジ部(１２)を備える点に特徴を有する請求項２‐４のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項６】  １収容部当たり少なくとも３つのクランプ手段を有する請求項２‐５のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項７】  前記クランプ手段(１４)は、それらが前記収容部に関し弾性的であるように、フィットされる先行請求項のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項８】  前記収容部が六角形に形成される先行請求項のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項９】  前記クランプ手段は、常に前記六角形のコーナーポイントから延出する請求項６‐８のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項１０】  収容部の前記境界壁（３）は、２．５mmよりも小さい壁の厚さを有する先行請求項のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項１１】  前記収容部は、チューリップの球根を収容するために設計される先行請求項のいずれか１記載の植物用トレイ。
【請求項１２】  自由な空間がトレイの底部とコンテナ−のベースとの間に画定される植物用トレイを収容するコンテナー(８)を有する先行請求項のいずれか１記載の植物用トレイを有する栽培システム。
【請求項１３】  前記の自由な空間が、底部における前記収容部の少なくとも多数と共通する請求項１２記載の栽培システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
この発明のトレイの平面図。
【図２】
図１のトレイの細部の一部を露出した側面図。
【図３】
栽培システムと組み合わされた図１に示すトレイの断面図。
【図４】
球根植物をクランプする代替方法を概略断面図で示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月14日(2006.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  複数の延長モジュールが、エリスロマイシン、ナルボマイシン、ピクロマイシン、ランカマイシン、クジマイシンもしくはメガロマイシンより選択されたPKSの、またはマクロライドの合成を導くことができるその突然変異体もしくは変異体の、延長モジュールに対応することを特徴とする特許請求の範囲第10項ないし第24項のうちいずれかに記載の系、生物または方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブラシ要素であって、
外縁と内縁とを有する中心部分と、
前記外縁から延在する複数の剛毛と、
前記ブラシ要素を第２のブラシ要素と噛合せるように構成された、前記内縁に配置された噛合い機構と、を含むブラシ要素。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだを堆積させる方法であって、
実質的に平坦な面（２１０）と、該実質的に平坦な面に隣接する傾斜した面（２２０）とを含む基板（２００）を設けるステップと、
前記傾斜した面の一部分上に濡れ性層（２３０）を形成するステップと、
前記濡れ性層の一部分上にはんだ層（２８０）を形成するステップとを含む、はんだを堆積させる方法。
【請求項２】
前記はんだ層を形成するステップの前に、有機膜（２５０）を、前記基板の前記実質的に平坦な面に付着させるステップをさらに含み、該付着のステップは、前記有機膜が前記基板の前記傾斜した面に付着するのを実質的に防ぐ、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記はんだ層を形成するステップの前に、前記濡れ性層に隣接する前記有機膜の一部分を除去し、前記有機膜と前記基板の傾斜した面上に設けられた前記濡れ性層との間に間隙を形成するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記はんだ層を形成するステップが、
前記有機膜から除去された前記有機膜の一部分の体積をはんだペーストで実質的に満たすステップと、
前記はんだペーストを約１８０℃以下の温度まで加熱するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記はんだ層を形成する前に、前記濡れ性層の上に濡れ性でないコーティング層（２４０）を形成するステップをさらに含み、
前記コーティング層により、前記濡れ性層の、当該コーティング層によって占められる面上に前記はんだ層が形成されることが防止される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板が半導体である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
半導体デバイスであって、
実質的に平坦な面（２１０）と内側に傾斜した面（２２０）とを有する基板（２００）と、
前記内側に傾斜した面の一部分に付着された濡れ性層（２３０）と、
前記濡れ性層の第１の部分に付着されたはんだ層（２８０）とを備えている、半導体デバイス。
【請求項８】
前記濡れ性層の一部分に付着された濡れ性でないコーティング層（２４０）をさらに備えており、前記濡れ性層が金属を含む、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記基板の前記実質的に平坦な面の一部分に付着され、かつ前記傾斜した面の一部分に隣接する剛性の有機膜（２５０）をさらに備えている、請求項７または８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記はんだ層が、スズ−ビスマス化合物または共晶スズ−鉛化合物を含み、前記コーティング層が誘電体材料を含む、請求項８または９に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ヘテロローガスなプロモーターに操作可能に結合した、哺乳動物標的細胞において発現される場合に実質的にグリコシル化されていない、ＨＩＶエンベロープタンパク質または少なくとも１つのＨＩＶエピトープを含有するＨＩＶエンベロープタンパク質フラグメント、あるいはその免疫原性誘導体をコード化する配列を含むポリヌクレオチドであって、そのＨＩＶエンベロープタンパク質またはフラグメントあるいは免疫原性誘導体をコード化する配列が哺乳動物標的細胞にてグリコシル化を軽減または防止するのに適用されるところの、ポリヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、磁性材料を製造する方法：
磁性材料の表面に特異的に結合する部分を含む合成ペプチドまたは合成タンパク質を提供する工程；
1種以上の磁性材料前駆物質を、磁性材料が形成されるような条件で、合成ペプチドまたは合成タンパク質と接触させる工程。
【請求項２】
合成ペプチドまたは合成タンパク質を基板に結合させる工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
合成ペプチドまたは合成タンパク質がコンビナトリアル・ライブラリーのスクリーニングによって選択される、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
磁性材料を単離する工程をさらに含む、請求項1または2記載の方法。
【請求項５】
ペプチドまたはタンパク質が自己組立性分子の一部を含む、請求項1または2記載の方法。
【請求項６】
自己組立性分子がファージである、請求項5記載の方法。
【請求項７】
磁性材料がナノ粒子である、請求項1または2記載の方法。
【請求項８】
合成ペプチドまたは合成タンパク質がキメラタンパク質の一部を含む、請求項1または2記載の方法。
【請求項９】
結合性のペプチドまたはタンパク質と、１種以上の磁性材料前駆物質を使用することによって形成される磁性材料。
【請求項１０】
ペプチドまたはタンパク質を、金属塩および還元剤の存在下で使用する、請求項9記載の磁性材料。
【請求項１１】
ナノ粒子を含む、請求項9または10の磁性材料。
【請求項１２】
ε-Coに特異的に結合するペプチドを含む組成物。
【請求項１３】
CoPtに特異的に結合するペプチドを含む組成物。
【請求項１４】
FePtに特異的に結合するペプチドを含む組成物。
【請求項１５】
SmCo5に特異的に結合するペプチドを含む組成物。
【請求項１６】
強磁性表面に特異的に結合するペプチドを含む組成物。
【請求項１７】
以下の工程を含む、磁性材料に特異的に結合する合成ペプチドまたは合成タンパク質を単離する方法：
合成ペプチドまたは合成タンパク質のライブラリーを、磁性材料と接触させる工程；
非結合の合成ペプチドまたは合成タンパク質をライブラリーから除去する工程；および
結合した合成ペプチドまたは合成タンパク質を磁性材料から溶離させる工程。
【請求項１８】
合成ペプチドまたは合成タンパク質のライブラリーが、ファージ・ディスプレー・ライブラリーを含むものであるとしてさらに定義される、請求項17記載の方法。
【請求項１９】
合成ペプチドまたは合成タンパク質のライブラリーが、コンビナトリアル・ケミストリー・ライブラリーを含むものであるとしてさらに定義される、請求項17記載の方法。
【請求項２０】
以下の工程を含む、粒子フィルムを調製する方法：
粒子の溶液を表面に加え、その際に、結合性の合成ペプチドまたは合成タンパク質を使用することによって粒子を合成する工程；
ナノ粒子の溶液を表面上で蒸発させる工程；および
粒子を表面にアニーリングして、粒子のフィルムを創出する工程。
【請求項２１】
粒子がナノ粒子である、請求項20記載の方法。
【請求項２２】
以下の工程を含む、金属材料の製造方法：
金属表面に特異的に結合する部分を含む合成ペプチドまたは合成タンパク質を提供する工程；
1種以上の金属材料前駆物質を、金属材料が形成されるような条件で、合成ペプチドと接触させる工程。
【請求項２３】
300℃以下の温度で接触が行われる、請求項1記載の方法。
【請求項２４】
300℃以下の温度で接触が行われる、請求項22記載の方法。
【請求項２５】
結合性の合成ペプチドによって合成したまたは合成タンパク質によって合成した金属粒子を含む金属材料。
【請求項２６】
結合性の合成ペプチドによって合成したまたは合成タンパク質によって合成した金属ナノ粒子の集まりを含んでおり、金属ナノ粒子は、多結晶材料から単結晶材料へとアニーリングされている、金属材料。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
ジチオカルボン酸またはその塩を、一般式（ＩＩ）
【化１】
2006520339.tif 000001
（式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５基は互いに独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する基である）のビニル化合物と反応させる、請求項１から１８までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形状によって画定される少なくとも１つの領域付きの少なくとも１つの形状を有する接合点の幾何学的に繰り返しの、かつ、視覚的に識別できる基本パターンと、前記基本パターン内に組み込まれた第２の視覚的に区別できる接合パターンとを有する不織繊維ウェブを含んでなるパターン接合不織布。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン接合不織布を含んでなる防護衣の物品。
【請求項３】
請求項１に記載のパターン接合不織布を含んでなるメディカルドレープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施例２
図３は本発明の別の例を示す。十字形の輪郭の視覚的に区別できる接合パターンを幾何学的に繰り返しの基本接合パターン上に見ることができる。図２と同様に、幾何学的に繰り返しの基本接合パターンは円１０および卵形１２接合点で構成されてネスト状デイジー花パターンを作り出す。視覚的に特定可能な第２接合パターンは菱形形状の接合点１４で構成される。各菱形１４が円１０か卵形１２かのどちらかに置き換わってしまった。図３の菱形のすべてが十字形の輪郭を生み出す。円１０および卵形１２は布の表面の１５％をカバーする。菱形１４は布の表面の２０％をカバーする。布の接合点密度はｃｍ2当たり３０点である。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  形状によって画定される少なくとも１つの領域付きの少なくとも１つの形状を有する接合点の幾何学的に繰り返しの、かつ、視覚的に識別できる基本パターンと、前記基本パターン内に組み込まれた第２の視覚的に区別できる接合パターンとを有する不織繊維ウェブを含んでなるパターン接合不織布。
２．  基本接合パターンの接合点の幾らかが基本接合パターンの接合点とは異なる形状および／または面積を有する第２パターン接合点で置き換えられている上記１に記載のパターン接合不織布。
３．  第２パターン接合点が異なる面積の基本パターン接合点の同じ形状のものである上記２に記載のパターン接合不織布。
４．  第２パターン接合点が同じ面積の基本パターン接合点とは異なる形状のものである上記２に記載のパターン接合不織布。
５．  第２パターン接合点が基本パターン接合点とは異なる形状および異なる面積のものである上記２に記載のパターン接合不織布。
６．  少なくとも１つの不織繊維ウェブと少なくとも１つのフィルムとのラミネートを含んでなる上記１に記載のパターン接合不織布。
７．  不織繊維ウェブがステープルファイバー不織ウェブ、スパンボンド不織ウェブおよびメルトブローン不織ウェブから選択される上記１に記載のパターン接合不織布。
８．  マルチプル不織ウェブを含んでなる上記１に記載のパターン接合不織布。
９．  第１スパンボンド不織ウェブ、少なくとも１つのメルトブローン不織ウェブおよび第２スパンボンド不織ウェブを含んでなる上記８に記載のパターン接合不織布。
１０．  個々の第２パターン接合点の面積が個々の基本パターン接合点の面積の約２５〜約３００％である上記２に記載のパターン接合不織布。
１１．  上記１に記載のパターン接合不織布を含んでなる防護衣の物品。
１２．  上記１に記載のパターン接合不織布を含んでなるメディカルドレープ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）入射する光を反射させるための振動可能な走査素子と、
ｂ）前記走査素子を支持するための移動可能なフレームと、
ｃ）ヒンジ軸に沿って延び、前記フレームと前記走査素子との間に接続されたヒンジと、
ｄ）周期的な駆動信号により通電されたときに、前記フレームの両側を、前記ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向にそれぞれ直接押したり引いたりし、慣性により前記走査素子を該ヒンジ軸の周りで間接的に振動させて前記入射光を走査するための、該ヒンジ軸の両側で該フレームの両側に接続された慣性駆動装置と、
を備えることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記走査素子、前記フレーム、及び前記ヒンジが、一体のほぼ平坦なシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記走査素子が鏡面コーティングを有することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ヒンジが、前記ヒンジ軸に沿って延びる２つの細長いヒンジ部分を含み、各々のヒンジ部分が、前記フレームに接続された一端の領域と、前記走査素子に接続された反対端の領域とを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記フレームは、前記走査素子を囲み、前記装置の静止位置と共通の面にあることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記走査素子は、該走査素子の質量の中心を通って延びる対称軸を有し、前記ヒンジ軸は、前記対称軸と同一線上にあり、前記駆動装置は、前記フレームを直接振動させるように働くことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記走査素子は、該走査素子の質量の中心を通って延びる対称軸を有し、前記ヒンジ軸は、前記対称軸に平行な横断方向に沿って離間配置され、前記駆動装置は、前記フレームを、前記横断方向とほぼ垂直な駆動方向に直接直線的に動かすように働くことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記駆動装置が、１ｋＨｚを超える周波数で、機械的に±８°のオーダーの弧状距離にわたって前記走査素子を振動させるように働くことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記駆動装置は、前記フレームに接続され、周期的な駆動信号によって通電されたときに、該フレームを、前記ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向に機械的に動かすように働く少なくとも１つの圧電装置を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記駆動装置が、前記ヒンジ軸の両側で前記フレームに接続され、周期的な駆動信号により通電されたときに、該フレームの両側を、前記ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向にそれぞれ機械的に押したり引いたりするように働く、一対の圧電装置を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
平坦な支持構造をさらに含み、前記慣性駆動装置は、前記平坦な支持構造と垂直に延び、該平坦な支持構造に接続された第１の端部分と該ヒンジ軸の両側で前記フレームに接続された第２の端部分とを有し、該フレームを機械的に支持し、かつ前記周期的な駆動信号により通電されたときに、該フレームの両側を、該ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向にそれぞれ押したり引いたりするように働く、一対の細長い圧電装置を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記平坦な支持構造と垂直に延び、該平坦な支持構造に接続された第１の端部分と該ヒンジ軸の両側で前記フレームに接続された第２の端部分とを有する付加的な一対の細長い圧電装置をさらに含み、前記付加的な圧電装置は、該フレームを機械的に支持するように前記最初に述べた対と共に働き、前記付加的な対は、該フレームの振動運動を監視し、そこからの電気フィードバックを生成し、伝導するように働くことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
共鳴ビームを掃引するための装置であって、前記装置が、
ａ）一体構造の材料から一体形成され、光源からの光ビームを遮断するように配置された反射面部分と、前記反射面部分に取り付けられた一対のねじりヒンジとを含み、該反射面部分が軸の周りで振動するのを可能にするように支持部分まで延びているミラー装置と、
ｂ）前記反射面部分において振動エネルギーを生成するための駆動回路と、
を備え、
前記振動エネルギーは、慣性により前記対のねじりヒンジを通して前記支持部分から前記反射面部分に結合され、共鳴周波数より選択された低い下限と前記共鳴周波数より高い選択された上限との間で、該反射面部分を軸の周りで振動させることを特徴とする装置。
【請求項１４】
光走査方法であって、
ａ）振動可能な走査素子に入射する光を反射させ、
ｂ）前記走査素子を移動可能なフレーム上に支持し、
ｃ）ヒンジ軸に沿って延び、前記フレームと前記走査素子との間に接続されたヒンジを接続し、
ｄ）前記フレームを直接動かし、慣性により前記走査素子を前記ヒンジ軸の周りで間接的に振動させて前記入射光を走査する、
ステップを含み、
前記動かすステップは、慣性駆動装置を前記ヒンジ軸の両側で前記フレームの両側に接続し、前記慣性駆動装置を周期的な駆動信号で通電して、該フレームの両側を、該ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向にそれぞれ直接押したり引いたりすることによって実行されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの圧電装置を前記フレームに接続するステップをさらに含み、前記駆動ステップは、前記少なくとも１つの圧電装置が前記周期的な駆動信号により通電されたときに、該フレームを、前記ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向に機械的に動かすことによって実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
一対の圧電装置を前記ヒンジ軸の両側で前記フレームに接続するステップをさらに含み、前記駆動ステップは、前記対の圧電装置が前記周期的な駆動信号により通電されたときに、該フレームの両側を、前記ヒンジ軸の周りで反対向きの周方向に、それぞれ機械的に押したり引いたりすることによって実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ターゲットを横切る振動ビームを掃引する方法であって、
ａ）ヒンジ構成の周りでピボット運動可能に共鳴する共鳴周波数を有し、前記ヒンジ構成によって支持部分にピボット運動可能に取り付けられ、前記支持部分と一体構成された反射面を設け、
ｂ）前記反射面からの光ビームを反射させ、
ｃ）前記反射された光を遮断するようにターゲットを配置し、
ｄ）慣性により振動エネルギーを前記反射面に結合し、該反射面が、前記ヒンジ構成の周りでピボット運動可能に共鳴し、前記反射された光を、前記ターゲットを横切って前後に連続的に掃引させるようにする、
ステップを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両エクステリアライト自動制御システムであって、
イメージャボードを所望のイメージセンサ光軸から約±５°の範囲内に固定するよう構成されたアタッチメント部材及びキャリヤ／バッフルを有する、
ことを特徴とする車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項２】
制御システムは、イメージセンサのイメージ領域を自動較正してイメージセンサの僅かな位置合わせ不良を補償するよう構成されている、
請求項１記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項３】
前記イメージャボードは、所望のイメージセンサ光軸から約±５°の範囲内で垂直方向に位置合わせされる、
請求項１記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項４】
前記イメージャボードは、所望のイメージセンサ光軸から約±５°の範囲内で水平方向に位置合わせされる、
請求項１記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項５】
イメージセンサの光軸を定めるよう互いに協働するアタッチメント部材とキャリヤを有する、
車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項６】
前記イメージセンサは、名目上の視界と関連したピクセルを包囲する周辺ピクセルを有する、
請求項５記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項７】
僅かなイメージセンサ光軸の位置合わせ不良を補償する自動位置合わせ手段を更に有する、
請求項６記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項８】
前記アタッチメント部材は、リヤビューミラー組立体の取付けのためのボールを更に有する、
請求項１又は５記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項９】
自動及び（又は）手動イメージセンサ位置合わせを可能にする機械的イメージセンサ再位置決め手段を有する、
ことを特徴とする車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項１０】
自動イメージセンサ再位置決め手段は、ピッチセンサ、ヨーセンサ、旋回センサ、制動センサ、加速度センサ及び荷重センサから成る群から選択された少なくとも１つの入力を更に有する、
請求項９記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項１１】
車両エクステリアライト自動制御システムであって、
イメージャボードを所望のイメージセンサ光軸から約±５°の範囲内に固定するよう構成されたアタッチメント部材及びキャリヤを有し、前記アタッチメント部材と前記キャリヤは、イメージセンサ光軸を定めるよう互いに協働し、前記車両エクステリアライト自動制御システムは、自動及び（又は）手段イメージセンサの位置合わせを可能にする機械的イメージセンサ再位置決め手段を更に有する、
ことを特徴とする車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項１２】
自動車両装備品制御システムであって、
イメージャボードを所望のイメージセンサ光軸から約±５°の範囲内に固定するよう構成されたアタッチメント部材及びキャリヤを有し、前記アタッチメント部材と前記キャリヤは、イメージセンサ光軸を定めるよう互いに協働する、
ことを特徴とする自動車両装備品制御システム。
【請求項１３】
イメージセンサと、イメージセンサ制御論理、Ａ／Ｄ変換器、低電圧差分信号線ドライバ、温度センサ、制御出力、電圧調整器、第２のイメージセンサ、マイクロプロセッサ、湿分センサ及びコンパスから成る群から選択された少なくとも１つの他の装置は、共通の特定用途向け集積チップに組み込まれている、
請求項１、５、１１又は１２記載の自動車両装備品制御システム。
【請求項１４】
前記イメージセンサと前記少なくとも１つの他の装置は、共通シリコンウェーハ上に実装されている、
請求項１３記載の自動車両装備品制御システム。
【請求項１５】
少なくとも部分的に前記アタッチメント部材と前記キャリヤとの間に位置決めされていて、第２のイメージセンサ光軸を定める少なくとも１つのシムを更に有する、
請求項５記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項１６】
少なくとも部分的に前記アタッチメント部材と前記キャリヤとの間に位置決めされていて、第２のイメージセンサ光軸を定める少なくとも１つのシムを更に有する、
請求項１３記載の車両エクステリアライト自動制御システム。
【請求項１７】
電気光学的ミラー要素、周囲光センサ、グレア光センサ、情報ディスプレイ、インジケータ、マイクロフォン、コンパス、オペレータインタフェース、温度計、ブルートゥース（Bluetooth）インタフェース、ワイヤレストランシーバ、車両バスインタフェース、乗客側拘束状態ディスプレイ及び電気光学的ミラー要素制御装置から成る群から選択された少なくとも１つの装置を更に有する、
請求項１２記載の自動車両装備品制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月29日(2006.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変化する作業負荷レベルに基づいてコンピューティング環境において１つまたは複数のリソースのデプロイメントを管理する自動化方法であって、
コンピューティング環境に関連付けられたデータに基づいて将来の作業負荷レベルを予測するステップと、
将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを推定するステップと、
将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分および過度のうちの１つであると推定された場合に、１つまたは複数のアクションを実行させるステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
１つまたは複数のリソースをモニタリングすることによって、将来の作業負荷レベルを予測するステップによって使用される、コンピューティング環境に関連付けられたデータを取得するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アクションを実行させるステップが、現在のリソース・デプロイメントが不十分であると推定された場合に、将来の作業負荷レベルに対処するように１つまたは複数のリソースを追加させるステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アクションを実行させるステップが、現在のリソース・デプロイメントが過度であると推定された場合に、将来の作業負荷レベルに対処するように１つまたは複数のリソースを除去させるステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アクションを実行させるステップが、リソースに関連付けられた１つまたは複数の構成パラメータをチューニングさせるステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
アクションを実行させるステップが、リソース上でアドミッション・キューを操作させるステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
推定するステップが、１つまたは複数のサービス目標に基づいて、現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを推定するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
将来の作業負荷レベルを予測するステップが、特定の予測範囲に基づいて予測するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
変化する作業負荷レベルに基づいてコンピューティング環境において１つまたは複数のリソースのデプロイメントを管理するための装置であって、
メモリと、
メモリに結合され、（ｉ）コンピューティング環境に関連付けられたデータに基づいて将来の作業負荷レベルを予測するように、（ｉｉ）将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを推定するように、および（ｉｉｉ）将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分および過度のうちの１つであると推定された場合に、１つまたは複数のアクションを実行させるように、動作可能な少なくとも１つのプロセッサと、
を有する、装置。
【請求項１０】
変化する作業負荷レベルに基づいてコンピューティング環境において１つまたは複数のリソースのデプロイメントを管理するためのプログラムであって、
コンピューティング環境に関連付けられたデータに基づいて将来の作業負荷レベルを予測するステップと、
将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを推定するステップと、
将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分および過度のうちの１つであると推定された場合に、１つまたは複数のアクションを実行させるステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
変化する作業負荷レベルに基づいてコンピューティング環境において１つまたは複数のリソースのデプロイメントを管理するための自動化システムであって、
（ｉ）コンピューティング環境に関連付けられたデータに基づいて将来の作業負荷レベルを予測するように、（ｉｉ）将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを推定するように、動作可能なソリューション・マネージャと、
ソリューション・マネージャに結合され、（ｉ）コンピューティング環境に関連付けられたデータをソリューション・マネージャに提供するように、および（ｉｉ）ソリューション・マネージャによって、将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分および過度のうちの１つであると推定された場合に、ソリューション・マネージャに応答して１つまたは複数のアクションを実行するように、動作可能なデプロイメント・マネージャと、
を有する、システム。
【請求項１２】
１つまたは複数のリソースがアプリケーションの実行をインプリメントするようにデプロイ可能である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
ソリューション・マネージャおよびデプロイメント・マネージャのうちの少なくとも１つが自律的に動作する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
１つまたは複数のアクションが、リソース・プロビジョニング、リソース・チューニング、およびアドミッション管理のうちの少なくとも１つを有する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
アプリケーションの実行に関連付けられた１つまたは複数のサービス目標を満たすことを保証するように試みる方法であって、
１つまたは複数のサービス目標に従ってアプリケーションをホストするようにサービス・プロバイダと契約するステップと、
変化する作業負荷レベルに基づいて、アプリケーションを実行するために使用されるコンピューティング環境において１つまたは複数のリソースのデプロイメントを管理するための自動化システムをインプリメントするようにサービス・プロバイダと契約するステップと、
を有し、自動化システムが、（ｉ）コンピューティング環境に関連付けられたデータに基づいて将来の作業負荷レベルを予測するように、（ｉｉ）将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分、十分、および過度のうちの１つであるかどうかを、１つまたは複数のサービス目標に基づいて推定するように、および（ｉｉｉ）将来の作業負荷レベルを満たすには現在のリソース・デプロイメントが不十分および過度のうちの１つであると推定された場合に、１つまたは複数のアクションを実行させるように、動作可能である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４１】
前記パルス電流は、６ｍｍ２の放射面積に対して１０ｍＡより大きく、１００００パルスまでの間安定であることを特徴とする請求項３７に記載の膜。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量で０．１から０．３％の炭素（Ｃ）、８から１７％のコバルト（Ｃｏ）、５から１０％未満のニッケル（Ｎｉ）、６から１１％のクロム（Ｃｒ）、１から３％のモリブデン（Ｍｏ）、０．８％未満のバナジウム（Ｖ）、３％未満のタングステン（Ｗ）、本質的に鉄（Ｆｅ）である残部並びに偶発的元素および不純物とを組み合わせて含有する構造用ステンレス鋼合金であって、大部分のラスマルテンサイト微細構造は本質的に位相幾何最密充填金属間相を含まず、前記炭素（Ｃ）はナノスケールで分散しており、大部分のＭ２Ｃカーバイド粒子は直径１０ナノメートル未満の公称寸法を有し、ここでＭはＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、ＮｂおよびＴａからなる群から選択される２以上の元素であることによって特徴付けられる合金。
【請求項２】
ＭがＣｒおよびＭｏを含む請求項１記載の合金。
【請求項３】
ＭがＣｒ、ＭｏおよびＶを含む請求項１記載の合金。
【請求項４】
ＭがＭｏ、並びにＣｒ、Ｗ、Ｖ、ＮｂおよびＴａからなる群から選択される２以上の元素、を含む請求項１記載の合金。
【請求項５】
最高引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく強化された請求項１記載の合金。
【請求項６】
靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数１】
2005519203.tif 000001
以上になるように処理された請求項１記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【請求項７】
引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく、かつ靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数２】
2005519203.tif 000002
以上になるように処理された請求項１記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【請求項８】
セメンタイト（Ｆｅ３Ｃ）溶解が実質的に完全である請求項１記載の合金。
【請求項９】
重量で０．１から０．３％の炭素（Ｃ）、８から１７％のコバルト（Ｃｏ）、５から１０％未満のニッケル（Ｎｉ）、６から１１％のクロム（Ｃｒ）；モリブデン（Ｍｏ）；タングステン（Ｗ）およびバナジウム（Ｖ）であって、前記モリブデン（Ｍｏ）は重量で１より多く３％未満存在し、前記タングステン（Ｗ）は重量で３％未満存在し、前記バナジウム（Ｖ）は重量で０．８％未満存在し、本質的に鉄（Ｆｅ）である残部並びに偶発的元素および不純物とを組み合わせて含有する構造用ステンレス鋼合金であって、耐食性で本質的に位相幾何最密充填金属間相を含まないラスマルテンサイト微細構造と、ナノスケールに分散された大部分が直径１０ｎｍ以下のＭ２Ｃカーバイド粒子を含み、ここでＭはＭｏ、並びにＣｒ、ＷおよびＶからなる群から選択された１以上の元素であり、セメンタイト（Ｆｅ３Ｃ）溶解が実質的に完全である合金。
【請求項１０】
最高引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく強化された請求項９記載の合金。
【請求項１１】
靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数３】
2005519203.tif 000003
以上になるように処理された請求項９記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【請求項１２】
引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく、かつ靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数４】
2005519203.tif 000004
以上になるように処理された請求項９記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【請求項１３】
ＭがＣｒ、ＭｏおよびＶを含む請求項９記載の合金。
【請求項１４】
重量で０．１から０．３％の炭素（Ｃ）、８から１７％のコバルト（Ｃｏ）、５から１０％未満のニッケル（Ｎｉ）、６から１１％のクロム（Ｃｒ）、１から３％のモリブデン（Ｍｏ）、０．８％未満のバナジウム（Ｖ）、３％未満のタングステン（Ｗ）、本質的に鉄（Ｆｅ）である残部並びに偶発的元素および不純物とを組み合わせて含有する構造用ステンレス鋼合金であって、大部分のラスマルテンサイト微細構造は本質的に位相幾何最密充填金属間相を含まず、前記炭素（Ｃ）はナノスケールで分散しており、大部分のＭ２Ｃカーバイド粒子は直径１０ナノメートル未満の公称寸法を有し、ここでＭはＣｒ、Ｍｏ、ＷおよびＶからなる群から選択される２以上の元素であることによって特徴付けられる合金。
【請求項１５】
ＭがＣｒ、ＭｏおよびＶを含む請求項１４記載の合金。
【請求項１６】
最高引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく強化された請求項１４記載の合金。
【請求項１７】
靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数５】
2005519203.tif 000005
以上になるように処理された請求項１４記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【請求項１８】
引張り強さが２６０ｋｓｉより大きく、かつ靱性の強度比（ＫＩＣ／ＹＳ）が
【数６】
2005519203.tif 000006
以上になるように処理された請求項１４記載の合金であって、ここでＫＩＣは平面歪み破壊靱性、ＹＳは降伏強さである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
従って、この方法の場合には、タイヤ圧力またはその許容値の検出、評価および表示の際に、周囲温度が考慮される。しかし、この方法の場合、冒頭に述べたＴＰＭＳ法の場合のように、公知の方法で例えばバルブ内でセンサで測定される温度が実質的に、リムの温度であり、（必ずしも）タイヤ内のガスの実際の温度ではないという問題がある。すなわち、リム温度は特に比較的に急速な温度変動の場合、タイヤ内のガスの温度に一致しない。例えば、自動車のブレーキディスク、ひいてはリムはきわめて迅速に加熱され、それによりタイヤとリムの間に温度勾配が生じ、ガス温度は先ず最初はセンサ信号によって示される温度よりもはるかに低い。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本方法はまた、光学プローブ、容量型プローブまたは誘導型プローブなどの非接触プローブとともに用いる場合にも好適である。