【事件の表示】
　特願２００４−　５５８１５「磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月１５日出願公開、特開２００５−２４７５９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月１日の出願であって、平成２０年１０月１７日付けの拒絶理由が通知され、同年１２月１１日に意見書とともに特許請求の範囲に係る手続補正書が提出され、平成２１年４月１日付けで拒絶査定された。
　これに対し、同年７月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、特許請求の範囲に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２３年８月２３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、これに対する回答書が同年１０月３１日に提出されている。
　
第２　平成２１年７月６日付け特許請求の範囲に係る手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年７月６日付け特許請求の範囲に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲（平成２０年１２月１１日付け手続補正書により補正されたもの）を、以下のように補正するものである。
（補正前）
「　【請求項１】
　一般式　Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２　（式中のＭ１は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、１．５＜ｘ＜３．０、０＜ｙ＜０．０１、０≦ｚ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙ）
　で示されること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。
　　【請求項２】
　請求項１記載の磁性ガーネット単結晶で形成されることを特徴とする光学素子。」を、
（補正後）
「　【請求項１】
　一般式　Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２　（式中のＭ１は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、１．５＜ｘ＜３．０、０＜ｙ＜０．０１、０≦ｚ＜１．５、０
．００２＜
　で示されること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。
　　【請求項２】
　請求項１記載の磁性ガーネット単結晶で形成されることを特徴とする光学素子。」とする。
（当審注：アンダーラインが補正箇所）
　
２．補正の目的について
　本件補正は、ｗの数値範囲を「０≦ｗ＜０．０１」から「０．００２＜ｗ＜０．０１」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３．独立特許要件
３−１．本件補正発明 
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）は、次の事項により特定事項されるものである。
　
「【請求項１】
　一般式　Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２　（式中のＭ１は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、１．５＜ｘ＜３．０、０＜ｙ＜０．０１、０≦ｚ＜１．５、０．００２＜ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙ）
　で示されること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。」
　
３−２．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００１−１４２０３９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ア）「【発明の属する技術分野】本発明は、光通信機器、光情報処理機器等に用いられ、主として、光を一方向にのみ透過させ、逆方向には遮断する光アイソレータのファラデー回転素子として用いられる硬磁性ガーネット厚膜材料およびその製造方法に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「【課題を解決するための手段】本発明の第１の様相によれば、Ｔｂ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｇａを主成分とする単結晶厚膜からなる硬磁性ガーネット厚膜材料において、ＳＧＧＧ結晶（Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｒ置換ＧＧＧ、格子定数１２.４９６オングストローム）を基板とし、液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法という）により、化学式が、Ｔｂ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙ（ＡｌａＧａｂ）ｙＯ１２、ただし、０．８≦ｘ≦１．５、０．８≦ｙ≦１．２、および、０．１≦ａ／（ａ＋ｂ）≦０．９０、で示される組成を有する硬磁性ガーネット厚膜材料を得ることができる。本発明の第１の様相の硬磁性ガーネット厚膜材料に含まれるＢ２Ｏ３およびＰｂＯの濃度は、それぞれ３ｗｔ％以下と規定する。・・・・・・」（段落【０００８】）
（ウ）「硬磁性ガーネット厚膜材料は、以下に述べるように、ＬＰＥ法によって育成される。まず、白金るつぼの中で、フラックス成分としての酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）等、ガーネット成分として高純度の、酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化第２鉄（α−Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）等を、約９００〜１１００℃の温度で溶解して溶液を作製した後、降温し過冷却状態（過飽和溶液状態）とする。その溶液に浸漬し、一定時間回転した基板結晶の表面に、硬磁性ガーネット厚膜材料が育成される。硬磁性ガーネット厚膜材料は、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとして育成されるため、ある程度のＢ２Ｏ３およびＰｂＯを含有させることができる。硬磁性ガーネット厚膜材料中の高濃度のＢ２Ｏ３、ＰｂＯは、入射光の挿入損失を高める。しかし、適切な濃度で含まれるＢ２Ｏ３、ＰｂＯは、それぞれ、結晶格子の歪みの緩和や、イオンバランスの改善に寄与すると考えられる。本発明において、硬磁性ガーネット厚膜材料に含有されるＢ２Ｏ３およびＰｂＯは、それぞれ３ｗｔ％以下とされる。・・・・・・」（段落【００２７】）
（エ）「（実施例１）・・・・・・
　ＬＰＥ法によって、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとし、ＳＧＧＧ結晶基板上に、ＴｂＢｉ系の硬磁性ガーネット厚膜材料を育成した。・・・・・・」（段落【００３１】〜【００３２】）
（オ）「（実施例２）・・・・・・
　実施例１と同様にして、主成分比が、Ｔｂ１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．０（ＡｌａＧａｂ）１．０Ｏ１２、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜１．０で表され、ＰｂＯおよびＢ２Ｏ３を各々０．１〜２．０ｗｔ％含有する硬磁性ガーネット厚膜材料を、厚さ約５００μｍ育成した。・・・・・・」（段落【００３６】〜【００３７】）
　
３−３．引用発明
（ａ）引用文献１には、記載事項（オ）に、「主成分比が、Ｔｂ１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．０（ＡｌａＧａｂ）１．０Ｏ１２、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜１．０で表され、ＰｂＯおよびＢ２Ｏ３を各々０．１〜２．０ｗｔ％含有する硬磁性ガーネット厚膜材料」が記載されている。
（ｂ）この「硬磁性ガーネット厚膜材料」について、記載事項（イ）には、「Ｔｂ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｇａを主成分とする単結晶厚膜からなる硬磁性ガーネット厚膜材料」と記載されているから、その結晶構造は、単結晶であるといえる。
（ｃ）上記（ａ）、（ｂ）の検討を踏まえ、記載事項（イ）、（オ）の事項を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「主成分比が、Ｔｂ１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．０（ＡｌａＧａｂ）１．０Ｏ１２、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜１．０で表され、ＰｂＯおよびＢ２Ｏ３を各々０．１〜２．０ｗｔ％含有する単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料。」なる発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３−４．対比・判断
（ａ）本件補正発明の「Ｍ１」は、「Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素」であり、「Ｔｂ」を含むことから、引用発明の「Ｔｂ」は、本件補正発明の「Ｍ１」と、「Ｍ１（式中のＭ１は、Ｔｂ）」で一致する。
（ｂ）本件補正発明の「Ｍ２」は、「Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素」である。一方、引用発明の「（ＡｌａＧａｂ）」は、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜１．０で表され、ａ／（ａ＋ｂ）が０または１．０のとき、「（ＡｌａＧａｂ）」は、「Ａｌ」または「Ｇａ」となり、「少なくとも１種類」となるから、引用発明の「（ＡｌａＧａｂ）」は、本件補正発明の「Ｍ２」と、「Ｍ２（Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌから選択される少なくとも１種類以上の元素）」で一致する。
（ｃ）引用発明の「Ｔｂ１．８」は、本件補正発明の「Ｍ１ｘ」が、「１．５＜ｘ＜３．０」であることと、ｘ＝１．８、すなわち、「Ｍ１１．８」で一致する。
（ｄ）引用発明の「（ＡｌａＧａｂ）１．０」は、本件補正発明の「Ｍ２ｚ」が、「０≦ｚ＜１．５」であることと、ｚ＝１．０、すなわち、「Ｍ２１．０」で一致する。
（ｅ）引用発明の「Ｔｂ１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．０（ＡｌａＧａｂ）１．０Ｏ１２」の分子量は、ａとｂの比に応じて、１０２１．９（ａ／（ａ＋ｂ）＝０）〜９７９．２（ａ／（ａ＋ｂ）＝１）の範囲をとる。引用発明の「ＰｂＯ」（分子量２２３．２）が、「Ｔｂ１．８Ｂｉ１．２Ｆｅ４．０（ＡｌａＧａｂ）１．０Ｏ１２」に「０．１〜２．０ｗｔ％」含有されることは、成分比に換算すると、「Ｐｂ」として０．００４〜０．０９０含有されることになるから、本面補正発明の「Ｐｂｙ」が、「０＜ｙ＜０．０１」であることと、「Ｐｂｙ」が「０．００４≦ｙ＜０．０１」で重複する。
（ｆ）本件補正発明は、「１．５＜ｘ＜３．０」、「０＜ｙ＜０．０１」であるから、ｘとｙの和は、１．５＜ｘ＋ｙ＜３．０１の範囲をとることになる。そうすると、３−ｘ−ｙは、０≦３−ｘ−ｙ＜１．５の範囲となるから、引用発明の「Ｂｉ１．２」は、本件補正発明の「Ｂｉ３−ｘ−ｙ」と、「Ｂｉ１．２」で一致する。
（ｇ）本件補正発明は、「０≦ｚ＜１．５」、「０．００２＜ｗ＜０．０１」であるから、ｚとｗの和は、０．００２＜ｚ＋ｗ＜１．５１の範囲をとることになる。そうすると、５−ｚ−ｗは、３．４９＜５−ｚ−ｗ＜４．９９８の範囲となるから、引用発明の「Ｆｅ４．０」は、本件補正発明の「Ｆｅ５−ｚ−ｗ」と、「Ｆｅ４．０」で一致する。
（ｈ）引用発明の「Ｏ１２」は、本件補正発明の「Ｏ１２」に相当する。
（ｉ）引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」について、引用文献１の記載事項（ア）に、「主として、光を一方向にのみ透過させ、逆方向には遮断する光アイソレータのファラデー回転素子として用いられる硬磁性ガーネット厚膜材料およびその製造方法に関する。」と記載され、同記載事項（オ）に、「硬磁性ガーネット厚膜材料を、厚さ約５００μｍ育成した。」と記載されている。一方、本件補正発明の「磁性ガーネット単結晶」について、本願明細書の段落【０００８】には、「ファラデー回転子に用いられる磁性ガーネット単結晶」と記載され、同段落【００１８】〜【００２１】にはそれぞれ、「膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜が得られた。」と記載されており、両者はいずれも「ファラデー回転子」に用いられる「膜厚５００μｍの磁性ガーネット単結晶膜」であることからみて、引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」は、本件補正発明の「磁性ガーネット単結晶」に相当する。
（ｊ）上記（ａ）〜（ｉ）の検討を踏まえると、両者は、
「一般式、Ｂｉ１．２Ｍ１１．８ＰｂｙＦｅ４．０Ｍ２１．０Ｏ１２　
（式中のＭ１はＴｂ、Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、ｘ＝１．８、０．００４≦ｙ＜０．０１、ｚ＝１．０）
　で示される磁性ガーネット単結晶。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・相違点Ａ
　本件補正発明の「磁性ガーネット単結晶」は、「Ｍ３ｗ」（Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．００２＜ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙ）を含むのに対し、引用発明ではかかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｂ
　引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」は、Ｂ２Ｏ３を０．１〜２．０ｗｔ％含有するのに対し、本件補正発明はＢ２Ｏ３の含有量について特定していない点。
　
　上記各相違点Ａ、Ｂについて検討する。
・相違点Ａについて
　本件補正発明の「磁性ガーネット単結晶」が、「Ｍ３ｗ」（Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．００２＜ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙ）を含むことについて、本願明細書の段落【０００９】には、「・・・液相エピタキシャル法で磁性ガーネット単結晶膜の育成に使用する溶媒にＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３が通常は用いられる。・・・」と記載され、同段落【００１２】には、「・・・一般に液相エピタキシャル成長で磁性ガーネット単結晶膜を育成する場合、Ｐｔはルツボの材質として使われており、育成中に少量のＰｔが融液に溶解する。ＰｔカチオンはＦｅカチオンに大きさが近く４価で安定な電荷を取るカチオンであるため、Ｐｂカチオンの２価の電荷を補償する形でＦｅカチオンを置換してガーネット単結晶内に入る。・・・」と記載され、同段落【００１３】には、「・・・一般式　Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２において、元素Ｍ３（＝Ｐｔ）の含有量ｗの値が０．０１０の磁性ガーネット単結晶では、Ｐｂ含有量ｙの値は０．０１０となり、従来に比べてＰｂ量を大きく削減させることができた。さらに育成条件の調整を行いＰｔの含有量ｗを０とした場合、Ｐｂの含有量ｙは０．００３となり、Ｐｂ含有量の削減に非常に有効であることが分かった。・・・」と記載されている。これらの記載から、液相エピタキシャル法で磁性ガーネット単結晶膜を育成する際に、溶媒にＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３を用い、ルツボにＰｔが含まれると、Ｆｅカチオンを置換してＰｂカチオンとＰｔカチオンがガーネット単結晶内に入るが、Ｐｂ含有量ｙの値が０．０１未満であれば、Ｐｔ含有量ｗとＰｂ含有量ｙの関係は、ｗ＜ｙになるといえる。
　また、具体的な実施例として、同段落【００１９】には、「金と白金の合金製のルツボにＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ内の材料を溶解し、金製の攪拌用冶具を使用して融液を攪拌した。・・・・・・育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．１９Ｇｄ１．２０Ｙｂ０．６０Ｐｂ０．０１Ｆｅ４．９９Ｐｔ０．０１Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析で詳しく組成を評価して、ＰｔとＰｂの含有量を確定させた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９３Ｐｂ０．００７Ｆｅ４．９９４Ｐｔ０．００６Ｏ１２であることが分かった。」と記載され、同段落【００２０】には、「金と白金の合金製のルツボにＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ内の材料を溶解し、金製の攪拌用冶具を使用して融液を攪拌した。・・・・・・育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．１９Ｇｄ１．１９Ｙｂ０．６０Ｐｂ０．０１Ｆｅ４．９９Ｐｔ０．０１Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析で詳しく組成を評価して、ＰｔとＰｂの含有量を確定させた。その結果、磁性ガーネット単結晶の化学式は（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９０Ｐｂ０．０１０Ｆｅ４．９９０Ｐｔ０．０１０Ｏ１２であることが分かった。」と記載されている。両実施例を比較することにより、同じ条件で単結晶を育成しても、サンプルの選定、測定点の取り方次第では、ｗ＝ｙ＝０．０１０となる場合と、ｗ＜ｙ＜０．０１０となる場合が有り得るということができる。
　一方、引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」について、記載事項（ウ）には、「硬磁性ガーネット厚膜材料は、以下に述べるように、ＬＰＥ法によって育成される。まず、白金るつぼの中で、フラックス成分としての酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）等、ガーネット成分として高純度の、酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化第２鉄（α−Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）等を、約９００〜１１００℃の温度で溶解して溶液を作製した後、降温し過冷却状態（過飽和溶液状態）とする。その溶液に浸漬し、一定時間回転した基板結晶の表面に、硬磁性ガーネット厚膜材料が育成される。硬磁性ガーネット厚膜材料は、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとして育成されるため、ある程度のＢ２Ｏ３およびＰｂＯを含有させることができる。」と記載され、記載事項（エ）には、「ＬＰＥ法によって、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとし、ＳＧＧＧ結晶基板上に、ＴｂＢｉ系の硬磁性ガーネット厚膜材料を育成した。」と記載されている。これらの記載から、引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」は、ＬＰＥ法によって、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとし、白金るつぼを用いて育成されるといえる。
　上記ＬＰＥ法によって、ＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系をフラックスとし、白金るつぼを用いて磁性ガーネット単結晶を育成すると、Ｐｔが溶出してフラックス成分とともに結晶中に混入することは、例えば、特開昭６３−８９４９５号公報（第２頁左上欄第１行〜右上欄第７行を参照）、特開昭６４−２１９０８号公報（第２頁左上欄第５〜１０行を参照）、特開平５−８９５号公報（段落【０００３】〜【０００５】を参照）等に記載されているとおり、本願出願前周知であるから、引用発明の「単結晶硬磁性ガーネット厚膜材料」も、本件補正発明の「Ｍ３」と同様に、Ｐｔが含まれているといえ、上記（ｅ）で述べたとおり、引用発明のＰｂの含有量が「０．００４≦ｙ＜０．０１」で本件補正発明と重複することからみて、引用発明のＰｔの含有量もＰｂと同程度とみることができ、その際、上記のとおり、同じ条件で単結晶を育成しても、サンプルの選定や測定点の取り方次第で、ｗ＝ｙ＝０．０１０となる場合と、ｗ＜ｙ＜０．０１０となる場合が有り得ることを鑑みれば、Ｐｔの含有量ｗとＰｂの含有量ｙを、０．００２＜ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙとするか否かは、当業者が適宜選択しうる事項にすぎない。
　
・相違点Ｂについて
　本願明細書の段落【０００９】には、「・・・液相エピタキシャル法で磁性ガーネット単結晶膜の育成に使用する溶媒にＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３が通常は用いられる。・・・」と記載され、同段落【００１９】には、「・・・金と白金の合金製のルツボにＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ内の材料を溶解し、金製の攪拌用冶具を使用して融液を攪拌した。・・・・・・育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．１９Ｇｄ１．２０Ｙｂ０．６０Ｐｂ０．０１Ｆｅ４．９９Ｐｔ０．０１Ｏ１２であった。・・・」と記載され、同段落【００２０】には、「・・・金と白金の合金製のルツボにＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯを充填して、電気炉に配置した。９５０℃まで炉温を上げてルツボ内の材料を溶解し、金製の攪拌用冶具を使用して融液を攪拌した。・・・・・・育成した単結晶を蛍光Ｘ線分析により組成分析したところ、組成はＢｉ１．１９Ｇｄ１．１９Ｙｂ０．６０Ｐｂ０．０１Ｆｅ４．９９Ｐｔ０．０１Ｏ１２であった。・・・」と記載されている他、同段落【００１５】〜【００１７】、【００１８】、【００２１】においても、「Ｂ２Ｏ３」を用いることが記載されており、本件補正発明においてもＢが含まれていると認められるところ、上記「蛍光Ｘ線分析」による組成分析において、Ｂが検出されにくいことは、例えば、化学大辞典編集委員会編，“化学大辞典１”，共立出版株式会社，１９９７年９月２０日，縮刷版第３６刷，ｐ．９２５等に記載されているとおり、当業者にとって周知であるから、上記「蛍光Ｘ線分析」による組成分析ではＢが検出されなかっただけで、本件補正発明の磁性ガーネット単結晶にも相当量のＢが含まれているといえる。
　よって、上記相違点Ｂは実質的な相違点とはなり得ない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正発明は、本願出願前に頒布された引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により出願の際に独立して特許を受けることができないものであり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成２１年７月６日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
　一般式　Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２　（式中のＭ１は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ３は、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、１．５＜ｘ＜３．０、０＜ｙ＜０．０１、０≦ｚ＜１．５、０≦ｗ＜０．０１、ｗ＜ｙ）
　で示されること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。」
　
　本願発明は、本件補正発明のｗの範囲を、「０．００２＜ｗ＜０．０１」から「０≦ｗ＜０．０１」に変更するものである。
　
第４　引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１、並びにその記載事項は、上記３−２．に記載したとおりである。
　
第５　引用発明
　引用発明については、上記３−３．で述べたとおりである。
　
第６　対比・判断
　引用発明と本願発明との一致点については、上記３−４．で述べたとおりである。また、本願発明は、本件補正発明のｗの範囲を、「０．００２＜ｗ＜０．０１」から「０≦ｗ＜０．０１」に変更したものであるから、引用発明と本願発明との相違点は、上記３−４．で述べた相違点Ｂと、相違点Ａのうち、上記ｗの範囲を「０．００２＜ｗ＜０．０１」から「０≦ｗ＜０．０１」に変更したものであり、これら相違点の検討についても、上記３−４．で述べたとおりである。
　
第７　回答書における主張について
　請求人は、回答書の３．（２）において補正案を提示し、平成２０年１２月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１（本願発明）の「Ｍ３」から「Ｐｔ」を削除し、「ｗ」の数値範囲を「０．００２＜ｗ＜０．０１」する補正の機会を求めている。
　上記補正案は、実質的に平成２１年７月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１（本件補正発明）の「Ｍ３」から「Ｐｔ」を削除したものであり、前置報告（上記特許法第１６４条第３項に基づく報告）によれば、原審審査官が提示したものであるが、「Ｍ３」から「Ｐｔ」を削除すると、ｗの数値範囲（０．００２＜ｗ＜０．００１）との整合性が取れないので、採用することができない。
　
第８　むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、上記のとおり審決する。