【事件の表示】
　特願２００４−３４２１４９号「レーザ転写用ドナー基板およびその基板を用いて製造される有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６６６６１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月２６日（パリ条約による優先権主張平成１５年１１月２９日、韓国）の出願であって、平成２０年５月１９日付けで手続補正がなされた後、平成２１年５月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２１年９月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２１年９月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］平成２１年９月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「基材フィルムと、
　該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、
　該光熱変換層上に形成されている転写層
　を含み、該転写層が、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択される熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子及び低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物からなる群より選択される熱硬化性非発光低分子からなる熱硬化性電場発光物質を含むことを特徴とする、レーザ転写用ドナー基板。」
と補正された。
　
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「熱硬化性電場発光物質」について「ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリチオフェン（ＰＴ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択される」を、「ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択される熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子及び低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物からなる群より選択される熱硬化性非発光低分子からなる」と限定するものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された国際公開第０３／０１７７３２号（特表２００５−５００６５３号公報参照）（以下「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　
記載事項ア．請求項１３〜１８
「請求項１３．ドナーシートであって、
基材と、
前記基材上に配置され、重合性非晶質母材および前記母材に配置された発光材料を含む転写層と、を含み、前記転写層が、前記ドナーシートから隣接して配置された受容体に選択的に熱転写され得るドナーシート。
請求項１４．
前記基材と前記転写層との間に配置された光−熱変換層を更に含む、請求項１３に記載のドナーシート。
請求項１５．
前記発光材料が発光ポリマーを含む、請求項１３に記載のドナーシート。
請求項１６．前記発光材料が燐光材料を含む、請求項１３に記載のドナーシート。
請求項１７．
前記重合性非晶質母材が、非晶質母材形成ベース構造および前記ベース構造に結合した少なくとも２つの重合性部分を有する少なくとも１つの重合性非晶質母材形成化合物を含む、請求項１３に記載のドナーシート。
請求項１８．
前記重合性部分が
ベンゾシクロブタン部分から選択される、請求項１７に記載のドナーシート
　
記載事項イ．第１ページ１２行〜３０行
「発明の要約
　本発明は、重合性非晶質母材を前記母材に配置された発光材料など、電気活性材料でパターン化するための材料および方法、並びに前記材料および方法を用いて形成された素子に関する。
本発明の１つの実施態様は、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を含める。
　
別の実施態様は、基材および転写層を備えるドナーシートである。
　
記載事項ウ．第３ページ２１行〜２７行
「有機エレクトロルミネセンス（ＯＥＬ）表示または素子は、有機発光材料を備えるエレクトロルミネセンス表示または素子を指し、その発光材料には、小分子（ＳＭ）発光体（例えば、非ポリマー発光体）、ＳＭドープトポリマー、
発光ポリマー（ＬＥＰ）、
　
記載事項エ．第１１ページ１９行〜第１２ページ１４行
「適した重合性非晶質母材形成化合物の１つの例は、式１：
　
によって示され、上式中、３個のビニル基が重合性部分に相当し、分子の残り部分がベース構造である。２個だけのビニル基を有し、第３のビニル基が何れかの他の部分（水素を含める）によって置換された別の適した材料を製造できることは、理解されよう。他の適した材料を、他の重合性部分を用いて製造することができる。例えば、式１の構造２（重合性ビニル基を有する）の１つ以上を、ビニル基以外の重合性部分を有する構造３〜１０の何れかによって、例えば、重合性ペルフルオロビニルエーテル基（３）、ペンタジエニル基（４）、アジド基（５）、アルキニル基（６）、（メタ）アクリレート基（７）、フェニルアルキニル基（８）、イソシアナト基（９）、およびベンゾシクロブタン基（１０）によって置換することができる。
　……（略）……
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項オ．第１４ページ６行〜第１５ページ２３行
「重合性部分が結合することができる、適したベース構造の例には、電気活性側基を有する四面体コアーを有する構造がある。かかる構造体の例には、テトラフェニルメタン１１、テトラフェニルシラン１２、およびテトラフェニルアダマンタン１３、並びにテトラフェニルゲルマン、テトラフェニルプルンバン、およびテトラフェニルスタナン（すなわち、１２のＳｉをそれぞれ、Ｇｅ、Ｐｂ、またはＳｎで置換する）。
　
各Ｒが独立して、正孔（例えばカチオンラジカルとして）、電子（例えばアニオンラジカルとして）を安定化するか、または発色団の働きをする１個以上の共役官能基（例えば、アリール、アリーレン、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、アルケニル、またはアルケニレン）を含む置換基である。各Ｒ置換基が他のＲ置換基と同一または異なっていてもよい。すべてのＲ置換基が同一であるとき、分子は典型的には特定の対称性を有する。Ｒ置換基の少なくとも１個が異なっているとき、分子は、非晶質母材の形成および維持を更に容易にする場合がある非対称性を有する。いくつかの場合には、Ｒは、Ｒが結合して例えば、置換または非置換ナフチルまたは他の縮合環構造を形成するフェニル基に結合している芳香環を含む。かかる材料の例および更に詳細な説明は、例えば、ＰＣＴ特許出願の国際公開第００／０３５６５号およびロビンソンら著、Ａｄｖ．Ｍａｔ．、２０００年、１２（２２）、１７０１に見出すことができる。概して、
重合性部分は、Ｒ置換基に結合した官能基である。
　いくつかの実施態様において、
Ｒ置換基は、例えば、１個以上のアルケニル、アルケニレン、アリール、アリーレン（例えば、フェニレン、ナフチレン、またはアントリレン）、ヘテロアリール、またはヘテロアリーレン官能基を有する１個以上の共役構造を含む。前記置換基は、窒素および酸素などのヘテロ原子を含むことができる伸長π−共役系を有することができる。前記共役系は、カチオンラジカル（例えば正孔）を安定化する電子豊富部分（例えばトリアリールアミン）、アニオンラジカル（例えば電子）を安定化する電子欠乏部分、または発色団の働きをする紫外線−可視域のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ（最高被占分子軌道−最低空分子軌道）ギャップを含むことができる。適したＲ基の例には、以下の基があるがそれらに限定されない。
　
　
適した四面体ベース構造の特定の例には、構造１４〜１６がある。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項カ．第２５ページ２８行〜第２６ページ６行
「一般に、非晶質母材が形成されるとき、非晶質母材／ＬＥＰ（または他の発光材料）ブレンドの凝集力を低減させるための域値は、ＬＥＰが不連続相になる点（２つの観察可能な相がある場合）、またはＬＥＰ鎖が非晶質母材によって溶解される点（単一相が存在する場合）である。概して、発光ポリマーまたは他の発光分子の全量が、塗料の固形分の５０重量％以下であり、固形分の４０重量％、２５重量％、またはそれ以下であってもよい。典型的には、重合性非晶質母材形成材料の、発光材料（例えば、発光ポリマー）に対する重量比は少なくとも１：１、典型的には１：１〜１００：１の範囲である。概して、少なくとも１：１、典型的には少なくとも２：１または３：１以上の比が、熱転写の適用に適している。」
　
記載事項キ．第２７ページ１６行〜２７行
「
ＬＥＰおよびＳＭ光発光体などののいろいろな発光材料を用いることができる。
適したＬＥＰ材料の種類の例には、
ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、
などがある。
　
記載事項ク．第２８ページ６行〜９行
 「図１に戻ると、素子層１１０が基材１２０上に配置される。基材１２０は、ＯＥＬ素子および表示に適した何れの基材であってもよい。例えば、基材１２０が、ガラス、透明プラスチック、または可視光に本質的に透明である他の適した材料を含むことができる。」
　
記載事項ケ．第２９ページ１０行〜１５行
「有機電子素子の発光材料を含む層の選択的な熱転写を、熱転写ドナーを用いて行うことができる。図２は、本発明に使用するのに適した熱転写ドナー２００の例を示す。ドナー要素２００は、ベース基材２１０、任意の下層２１２、任意の光−熱変換層（ＬＴＨＣ層）２１４、任意の中間層２１６、および転写層２１８を備える。」
　
記載事項コ．第２９ページ２２行〜末行
「
本発明の方法において、ドナー要素の転写層を受像体に隣接して置き、ドナー要素を選択的に加熱することによって、ＬＥＰまたは他の材料などの発光有機材料を、ドナーシートの転写層から受容基材に選択的に転写することができる。実例として、ドナー中に、しばしば別個のＬＴＨＣ層に配置された光−熱変換材料によって吸収され、熱に変換され得る画像形成輻射線でドナー要素を照射することによって、ドナー要素を選択的に加熱することができる。これらの場合、ドナー基材を通して、受容体を通して、または両方を通してドナーを画像形成輻射線に露光することができる。輻射線は、例えばレーザ、
などの１つ以上の波長を含めることができる。
　
記載事項サ．第３３ページ２４行〜第３４ページ６行
「図２を参照して、ドナーシート２００の様々な層についてここで説明する。
　
ドナー基材２１０は、ポリマーフィルムであってもよい。
　
　記載事項ア．〜サ．の記載内容からして、引用例には、
「有機エレクトロルミネセンス素子を製造するためのドナーシートで、ポリマーフィルムからなるドナー基材と、光−熱変換層と、光−熱変換層上に配置され、重合性非晶質母材および前記母材に配置されたポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）などの発光ポリマーを含む転写層と、を含み、前記転写層が、前記ドナーシートから隣接して配置された受容体にレーザからなる画像形成輻射線で露光することにより選択的に熱転写され得るドナーシートであって、前記重合性非晶質母材が、非晶質母材形成ベース構造および前記ベース構造に結合した少なくとも２つの重合性部分を有する少なくとも１つの重合性非晶質母材形成化合物を含み、前記重合性部分がベンゾシクロブタン部分から選択されるドナーシート。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「ポリマーフィルムからなるドナー基材と、光−熱変換層と、光−熱変換層上に配置され」た「転写層と、を含」むことは、本願補正発明の「基材フィルムと、該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、該光熱変換層上に形成されている転写層を含」むことに相当する。
　
（ｂ）引用発明の「有機エレクトロルミネセンス素子を製造するためのドナーシート」に用いられる「ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）などの発光ポリマー」は、熱硬化性官能基を有するものではないから、本願補正発明の「熱硬化性官能基がない電場発光高分子」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「非晶質母材形成ベース構造および前記ベース構造に結合した少なくとも２つの重合性部分を有する少なくとも１つの重合性非晶質母材形成化合物を含み、前記重合性部分がベンゾシクロブタン部分から選択される」「重合性非晶質母材」は、重合性部分が熱硬化性を有する材料であることは明らかであるから、引用発明の「非晶質母材形成ベース構造および前記ベース構造に結合した少なくとも２つの重合性部分を有する少なくとも１つの重合性非晶質母材形成化合物を含み、前記重合性部分がベンゾシクロブタン部分から選択される」「重合性非晶質母材」と本願補正発明の「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子」「より選択される熱硬化性非発光低分子」は、「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の熱硬化性の材料」である点で共通する。
　
（ｄ）上記（ｂ）、（ｃ）に記載したことからして、引用発明の「転写層」が、「重合性非晶質母材および前記母材に配置されたポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）などの発光ポリマーを含」み、「前記重合性非晶質母材が、非晶質母材形成ベース構造および前記ベース構造に結合した少なくとも２つの重合性部分を有する少なくとも１つの重合性非晶質母材形成化合物を含み、前記重合性部分がベンゾシクロブタン部分から選択される」ことと、本願補正発明の「転写層が、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択される熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子」「より選択される熱硬化性非発光低分子からなる熱硬化性電場発光物質を含む」ことは、「転写層が、熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の熱硬化性の材料からなる熱硬化性電場発光物質を含む」点で共通する。
　
（ｅ）引用発明の「転写層が、前記ドナーシートから隣接して配置された受容体にレーザからなる画像形成輻射線で露光することにより選択的に熱転写され得るドナーシート」は、本願補正発明の「レーザ転写用ドナー基板」に相当する。
　
　上記（ａ）〜（ｅ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「基材フィルムと、該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、該光熱変換層上に形成されている転写層を含み、該転写層が、熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の熱硬化性の材料からなる熱硬化性電場発光物質を含む、レーザ転写用ドナー基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点（Ａ）
　転写層の熱硬化性官能基がない電場発光高分子が、本願補正発明では、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択されるものであるのに対して、引用発明では、ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）などの発光ポリマーである点。
　
相違点（Ｂ）
　転写層に用いるベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の熱硬化性の材料が、本願補正発明では、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子及び低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物からなる群より選択される熱硬化性非発光低分子であるのに対して、引用発明は、非発光低分子であるかどうか不明である点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点（Ａ）について
　有機電界発光素子の電場発光高分子として、熱硬化性官能基がない電場発光高分子である、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンなどを用いることができることは、例えば、特開２００３−３０８９７６号公報にも記載（【００２０】、【００３６】等参照）されているように本願の優先日前周知技術であり、引用発明に上記周知技術を適用して、上記相違点（Ａ）に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　相違点（Ｂ）について
　引用例には、重合性非晶質母材形成化合物の１例として、３個の重合性部分のうち２個がビニル基で、１個がベンゾシクロブタン基であり、かつ、分子の残り部分のベース構造がフルオラン系の低分子である化合物が記載（記載事項エ．参照）されており、更に、引用例には、重合性部分が結合することができるベース構造の例として、構造式１１〜１３で表される四面体コアー構造のものが記載（記載事項オ．参照）されているのであるから、引用例には、ベース構造が構造式１１〜１３の何れかの構造で、３個の重合性部分のうち２個がビニル基で、１個がベンゾシクロブタン基である重合性非晶質母材形成化合物が記載されているといえる。
　そして、引用例には、重合性部分はＲ置換基に結合した官能基であることが記載（記載事項オ．参照）されており、更にそのＲ置換基は、「例えば、１個以上のアルケニル、アルケニレン、アリール、アリーレン（例えば、フェニレン、ナフチレン、またはアントリレン）、ヘテロアリール、またはヘテロアリーレン官能基を有する１個以上の共役構造を含む。前記置換基は、窒素および酸素などのヘテロ原子を含むことができる伸長π−共役系を有することができる。前記共役系は、カチオンラジカル（例えば正孔）を安定化する電子豊富部分（例えばトリアリールアミン）、アニオンラジカル（例えば電子）を安定化する電子欠乏部分、または発色団の働きをする紫外線−可視域のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ（最高被占分子軌道−最低空分子軌道）ギャップを含むことができる。」と記載（記載事項オ．参照）されており、Ｒ置換基が有する共役系のカチオンラジカル（例えば正孔）を安定化する電子豊富部分、及びアニオンラジカル（例えば電子）を安定化する電子欠乏部分は、発色団の働きをする紫外線−可視域のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ（最高被占分子軌道−最低空分子軌道）ギャップと並列的に記載されているのであるから、カチオンラジカル（例えば正孔）を安定化する電子豊富部分、及びアニオンラジカル（例えば電子）を安定化する電子欠乏部分を含むＲ置換基は発色団の働きをしないもの、つまり非発光性のものが含まれているといえる。また、Ｒ置換基の例として開示されているものには、通常非発光性のものとして認識できる縮合環がない構造のものも開示（記載事項オ．参照）されており、適した四面体ベース構造の例として開示されている構造式１４の化合物（記載事項オ．参照）は、通常正孔輸送性の化合物であって非発光性のものとして認識できるアリールアミン構造のものが記載されている。そうすると、これらの引用例の記載事項を総合して考慮すると、引用例に記載されているといえる上記重合性非晶質母材形成化合物は非発光低分子を含んでいるといえ、該非発光低分子の重合性非晶質母材形成化合物は、本願補正発明の「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の」「熱硬化性非発光低分子」の概念に包含されるものであるといえる。
　したがって、引用例には重合性非晶質母材形成化合物として本願補正発明の「ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の」「熱硬化性非発光低分子」の概念に包含されるものが記載されているといえるのであるから、この重合性非晶質母材形成化合物を引用発明の重合性非晶質母材形成化合物に代えて採用し、上記相違点（Ｂ）に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果も、引用発明、引用例に記載された事項及び上記周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例に記載された事項及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２１年９月１７付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２０年５月１９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。（以下同項記載の発明を「本願発明」という。）
　
「基材フィルムと、
　該基材フィルム上に形成されている光熱変換層と、
　該光熱変換層上に形成されている転写層
　を含み、該転写層が、ポリ（ジアルキルフルオレン）、ポリチオフェン（ＰＴ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール−ビニルアルコール）コポリマー、トリアリールアミンを含むポリノルボルネン、ポリアニリン、ポリアリールポリアミン、トリフェニルアミン−ポリエーテルケトンから成る群から選択される熱硬化性電場発光物質を含むことを特徴とする、レーザ転写用ドナー基板。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から「熱硬化性電場発光物質」の限定事項である「熱硬化性官能基がない電場発光高分子と、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の低分子及び低分子ジシクロペンタジエノン誘導体−低分子ジアセチレン誘導体の混合物からなる群より選択される熱硬化性非発光低分子からなる」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．」「（４）」に記載したとおり、引用発明、引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明,引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明,引用例に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。