【事件の表示】
　特願２００５−２６００２０「垂直磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日出願公開、特開２００５−３５３２７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１４年１月４日に出願した特願２００２−７４号（パリ条約による優先権主張２００１年１月３日、韓国）の一部を平成１７年９月８日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２２年６月４日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、同年９月１７日付けで回答書が提出され、平成２３年４月１３日付けで拒絶理由が通知され、意見書が提出されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成２０年５月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板と垂直磁気記録膜との間に、前記垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜が積層された垂直磁気記録媒体であって、前記下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜をさらに含む垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜はＣｏＣｒ系合金からなり、前記下地膜はＰｔからなり、
　前記結晶粒成長断絶膜は膜厚が５ｎｍであり、Ｔｉからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。」
　
　
３．引用例
　
　当審で通知した拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日の前に頒布された国際公開第９９／２４９７３号（以下「引用例」という。国際公開１９９９年５月２０日。翻訳文として特表２００１−５２３０３２号を参照。）には、「高度に配向された磁気薄膜、これを用いた記録媒体、変換器、デバイス、および製造方法」に関し、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
　
（ア）
「25. 
A recording medium comprising
a substrate
a Co or 
Co alloy film having a (0002) crystal texture forming a magnetic recording layer
a first underlayer structure having 
(i) at least one first underlayer having a face centered cubic structure and a (111) crystal texture disposed between said substrate and said magnetic layer and (ii) at least one second underlayer disposed between said first underlayer and said magnetic layer to induce the (0002) crystal texture in said magnetic layer.
（略）
28. The recording medium of claim 25 wherein:
said 
first underlayer is comprised of Ag
said substrate comprises a Si(111) single crystal.
29. The recording medium of any of 29 wherein:
said 
secound underlayer is comprised of Ti.
翻訳文）
「【請求項２５】　
基体と
（０００２）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成している
Ｃｏ合金膜と
（ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層
（ｉｉ）前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されて前記磁気記録層中に（０００２）結晶集合組織を誘導する少なくとも１つの第２の下層
を含む記録媒体。
（略）
【請求項２８】　前記
第１の下層がＡｇからなり
【請求項２９】　前記
第２の下層がＴｉからなる
（国際公開公報の特許請求の範囲２５項、２８項、２９項。対応する特表公報の請求項２５、２８、２９参照。）
　
（イ）
「Generally, for very small grain sizes, the coercivity increases with increased grain size. Large grains, however, results in greater noise. There is a need to achieve high coercivities without the increase in noise associated with large grains. 
To achieve a low noise magnetic medium, the Co alloy thin film should have uniformly sized, small grains with grain boundaries which can magnetically isolate neighboring grains.
　Separation of the grains of the magnetic layer and the resulting improvement in the signal to noise ratio of a recorded signal is promoted by inducing epitaxial crystalline growth of the magnetic layer grains. The grain size and orientation quality of the magnetic thin film layers are largely determined by the grain size and texture quality of the layer upon which the layer is being deposited. The degree to which a prior layer can be made to induce a texture in a second layer depends, in part, upon the relative size, or lattice spacing and the crystal structure, of the material in each layer. As might be expected, if there is a substantial variation between the crystal sizes and structure of layers the crystallographic texture will not be replicated and the layer will be deposited with either an amorphous structure and/or in an orientation of the crystal structure independent of the underlayer and representative of the lowest energy state, i.e. closest packed structure, depending upon the material.」
翻訳文）
「一般に、非常に小さいサイズの結晶粒については、保磁力は結晶粒のサイズの増加とともに増加する。しかし、大きい結晶粒はより大きいノイズをもたらす。大きい結晶粒に伴うノイズの増加なしに高い保磁力を達成することが求められている。
低ノイズ磁気媒体を得るためには、Ｃｏ合金薄膜は、隣接結晶粒と磁気的に単離することができる結晶粒界を有する均一なサイズの小さい結晶粒を有していなければならない。
　磁性体層の結晶粒の分離、およびこれによる記録された信号のＳＮ比の改良は、磁性体層結晶粒のエピタキシャル結晶成長を誘導することにより促進される。磁気薄膜層の結晶粒サイズおよび配向の質は、その層が蒸着されつつある層の結晶粒サイズおよび集合組織の質に大きく依存する。前の層が第２の層に集合組織を誘導しうる程度は、部分的には、各層の材料の相対サイズまたは格子間隔および結晶構造によって決定される。予測されるように、結晶サイズと層の構造との間に実質的な変動がある場合、結晶学的集合組織は複製されず、層は非晶質構造および／または下層および最低エネルギー状態の代表値、すなわち材料によって異なる最密構造とは無関係な結晶構造の配向で蒸着されるであろう。」
（「発明の背景」の項、国際公開公報７頁２６行〜８頁２１行。対応する特表公報の【００１６】、【００１７】参照。）
　
（ウ）
「As shown in FIG. 2(b), the underlayer structure may also include a seed layer and/or a wetting layer 18 disposed on the substrate 12 or elsewhere within the underlayer structure, additional underlayers 20 and an intermediate layer 22 disposed on the underlayer 14 adjacent to the magnetic layer structure. The magnetic layer 16 may be covered with an overlayer structure including an overlayer 24 followed by an overcoat 26 and an organic lubricant 28. 
The wetting layer 18 can be an amorphous material or a film too thin to have developed a crystalline structure, or a film whose texture provides a gross lattice mismatch for the ensuing layer.
翻訳文）
「図２（ｂ）に示されるように、下層構造はまた、基体１２上に、または下層構造中の任意の場所に配置されている種晶層および／または湿潤層１８、追加の下層２０および磁性体層構造に隣接した下層１４上に配置されている中間層２２を含むことができる。磁性体層１６は、上層２４、続いて保護被膜２６および有機潤滑剤２８を含む上層構造で被覆されていてもよい。
湿潤層１８は、非晶質材料、または結晶構造を発達させるには薄すぎる膜、またはその集合組織が後に生ずる層について全体的格子不整合を与える膜であることができる。
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報２１頁３４行〜２２頁１１行。対応する特表公報の【００４４】参照。）
　
（エ）
「The wetting and/or seed layer 18 can be disposed between various layers in the medium 10 to either 
destroy the texture of the prior film
depending upon whether a wetting or seed layer is used, respectively. 
翻訳文）
「湿潤層および／または種晶層１８を、媒体１０中の種々の層の間に配置して、
湿潤または種晶層が用いられるかに依存して、それぞれ前の膜の集合組織を破壊する
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報２３頁１１行〜１６行。対応する特表公報の【００４８】参照。）
　
（オ）
「
In the present invention, Ag or an Ag alloy is generally preferred as the fcc structured underlayer, but other suitable material having a fcc structure include Ag, Cu, Al, Au
the precise choice of the fcc structure underlayer material depends upon the desired composition and orientation of the magnetic layer
翻訳文）
「
本発明においては、ｆｃｃ構造の下層としてＡｇまたはＡｇ合金が一般に好ましいが、ｆｃｃ構造を有する他の適当な材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ
が挙げられる。
ｆｃｃ構造下層材料の精密な選択は、磁性体層の所望の組成および配向に依存することを理解する
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報２６頁４行〜１２行。対応する特表公報の【００５６】参照。）
　
（カ）
「Therefore, it is desirable to 
produce a highly oriented (0002) perpendicular Co layer for use in perpendicular recording media.
　The (0002) orientation provides a close packed atomic surface and is the lowest energy state for the hcp structure. Therefore, Co-based materials tend to naturally grow with a weak (0002) texture if there is no epitaxial interface to induce a different orientation (texture) upon the material. Previous studies have also attempted to use Ti to induce higher quality (0002) texture in the Co layer. However, as shown in the x-ray diffraction patterns for CoCrPt/Ti/glass and CoCrPt/Ti/oxidized-Si, respectively, (FIGS. 21(a) and 21(b)), the Ti layer is generally not well oriented. Thus, it can be inferred that 
Ti is not acting as a seed layer, but essentially as a wetting layer that eliminates the influence of the orientation of the substrate or previously deposited layer under the Co-based layer.
翻訳文）
「したがって、
垂直磁気記録媒体において用いるための高度に配向された（０００２）垂直Ｃｏ層を製造する
　（０００２）配向は、最密原子表面を与え、ｈｃｐ構造の最低エネルギー状態である。したがって、Ｃｏ系材料は、材料上に異なる配向（集合組織）を誘導するエピタキシャル界面がない場合には、弱い（０００２）集合組織で自然に成長する傾向にある。Ｔｉを用いてＣｏ層により質の高い（０００２）集合組織を誘導しようという試みが研究されてきた。しかし、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／ガラスおよびＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／酸化−ＳｉのそれぞれのＸ線回折パターンに示されるように（図２１（ａ）および２１（ｂ））、Ｔｉ層は一般によく配向しない。したがって、
Ｔｉは種晶層として作用せず、本質的に基体またはＣｏ系層の下に先に蒸着された層の配向の影響を排除する湿潤層として作用する
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４３頁７行〜２５行。対応する特表公報の【０１０５】、【０１０６】参照。）
　
（キ）
「Applicants have found that 
very well oriented (0002) Co-based layers can be epitaxially grown using (111) fcc as a template through the use of an intermediate hcp template.
if Ti is deposited on (111) Ag, the Ti will assume a (0002) orientation which has a similar atomic face lattice to the fcc (111) orientation
The (0002) orientation of Ti significantly improves the Co-based layer to grow epitaxially in a (0002) orientation to produce a recording media having a nearly ideal perpendicularly oriented recording layer.
翻訳文）
「本出願人らは、
中間ｈｃｐテンプレートの使用により、（１１１）ｆｃｃをテンプレートとして用いて、非常によく配向した（０００２）Ｃｏ系層をエピタキシャル成長させうる
Ｔｉを（１１１）Ａｇ上に蒸着すると、
Ｔｉはｆｃｃ（１１１）配向と類似する原子面格子を有する（０００２）配向をとるであろう。Ｔｉの（０００２）配向はＣｏ系層が（０００２）配向でエピタキシャル成長することを著しく改良して、ほぼ理想的に垂直に配向した記録層を有する記録媒体を生成する。
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４３頁３５行〜４４頁１５行。対応する特表公報の【０１０８】参照。）
　
（ク）
「A number of tests were performed to assess the characteristics of the (0002) Co-based magnetic layers. The Si was prepared and 
Ag, Ti, and Co
68
 Cr
20
 Pt
12
 thin films
perpendicular recording
　
The x-ray diffraction spectra for a representative CoCrPt(50 nm)/Ti(50 nm)/Ag(12 nm) film grown on HF-Si(111) are shown in FIG. 23(a). Only those peaks corresponding to CoCrPt(0002), Ti(0002), and Ag(111) planes are observed in these spectra, indicating a good orientation of the films. As a comparison, CoCrPt(50 nm)/Ti(50 nm) films were also grown directly on HF-Si(111) without the thin Ag template and the x-ray spectrum in FIG. 23(b) shows a good, but weaker Ti(0002) peak. The presence of a thin Ag layer enhances the epitaxial growth of Ti and this results in an enhance CoCrPt (0002) peak.
翻訳文）
「多くの試験を実施して、（０００２）Ｃｏ系磁性体層の特徴を評価した。Ｓｉを製造し、
Ａｇ、Ｔｉ、およびＣｏ
６８
Ｃｒ
２０
Ｐｔ
１２
薄膜
垂直磁気記録
　
ＨＦ−Ｓｉ（１１１）上で成長させた代表的なＣｏＣｒＰｔ（５０ｎｍ）／Ｔｉ（５０ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）膜のＸ線回折スペクトルを図２３（ａ）に示す。これらのスペクトルにおいては、ＣｏＣｒＰｔ（０００２）、Ｔｉ（０００２）、およびＡｇ（１１１）平面に対応するピークのみが観察され、このことは膜の配向が良好であることを示す。比較として、ＣｏＣｒＰｔ（５０ｎｍ）／Ｔｉ（５０ｎｍ）膜を、薄いＡｇテンプレートなしでＨＦ−Ｓｉ（１１１）上で直接成長させた。図２３（ｂ）のＸ線スペクトルは、良好であるがより弱いＴｉ（０００２）ピークを示す。薄いＡｇ層の存在は、Ｔｉのエピタキシャル成長を促進し、その結果、ＣｏＣｒＰｔ（０００２）ピークが増強される。
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４５頁１２行〜４６頁８行。対応する特表公報の【０１１２】、【０１１３】参照。）
　
（ケ）
「
The magnetic properties of the CoCrPt/Ti/Ag/HF-Si(111) sample are compared to those of four other samples as listed in Table II. The coercivities (H.sub.c.perp.) were measured with the applied field perpendicular to the film planes.
翻訳文）
「
表ＩＩに掲げられるように、ＣｏＣｒＰｔ／Ｔｉ／Ａｇ／ＨＦ−Ｓｉ（１１１）試料の磁気特性を４つの他の試料の磁気特性と比較する。膜平面に垂直に印加された磁界を用いて保磁力（Ｈｃ⊥）を測定した。
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４７頁１７行〜２１行。対応する特表公報の【０１１７】参照。）
　
（コ）
　
表ＩＩには、試料Ｄとして、試料ＣｏＣｒＰｔ５０ｎｍ／Ｔｉ５０ｎｍ／Ａｇ１２ｎｍ、Ｈｃ４５８０（Ｏｅ）が記載され、他の試料Ｃとして、ＣｏＣｒＰｔ５０ｎｍ／Ｔｉ５０ｎｍ、Ｈｃ３５５０（Ｏｅ）が記載されており、Ａｇ層を有する試料Ｄの方が、Ａｇ層を有さない試料Ｃより保磁力Ｈｃが向上していることが示されている。
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４８頁ＴａｂｌｅＩＩ。対応する特表公報の【０１１８】表ＩＩ参照。）
　
（サ）
「As previously discussed, 
a 12 nm thin Ag layer introduced before the deposition of the Ti layer in sample D improves the orientation of the Ti and the Co alloy. The XRD spectra (FIG. 23(a)) shows that the Ti(0002) peak was greatly enhanced when compared to the spectra of sample C (FIG. 23(b)).
　The hysteresis curves show that the coercivity of the samples A through D increases with the higher quality of orientation of the films. Consistent with the high degree of orientation, similar coercivity results were obtained for the thicker Ag layers.」
翻訳文）
「先に議論したように、
試料ＤにおいてＴｉ層の蒸着の前に導入された１２ｎｍ厚さのＡｇ層は、ＴｉおよびＣｏ合金の配向を改良する。ＸＲＤスペクトル（図２３（ａ））は、試料Ｃのスペクトル（図２３（ｂ））と比較してＴｉ（０００２）ピークが非常に増強されたことを示す。
　ヒステリシスカーブは、試料ＡからＤの保磁力は、膜の配向の質が高くなるにつれて増加することを示す。高い程度の配向と一致して、より厚いＡｇ層について同様の保磁力の結果が得られた。」
（「発明の詳細な説明」の項、国際公開公報４９頁１２行〜３０行。対応する特表公報の【０１２１】、【０１２２】参照。）
　
　上記（ア）ないし（サ）の記載事項（特に、（ア）（オ）（キ）（ク）の記載事項）及び図面からみて、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「基体と、
　（０００２）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏ合金膜と、
　面心立方構造を有し、前記基体と前記磁気記録層との間に配置されている第１の下層と、
　前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されて前記磁気記録層中に（０００２）結晶集合組織を誘導する第２の下層と、
　を含む記録媒体であって、
　前記磁気記録層を形成しているＣｏ合金膜はＣｏ６８Ｃｒ２０Ｐｔ１２薄膜であり、
　前記第１の下層がＡｇからなり、
　前記第２の下層が膜厚５０ｎｍのＴｉからなる記録媒体。」
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「磁気記録層」は、垂直に配向した記録層（上記（キ）参照）であるから垂直磁気記録層であることは明らかであって、さらに、この「磁気記録層」を形成しているＣｏ合金膜はＣｏ６８Ｃｒ２０Ｐｔ１２薄膜であるから、ＣｏＣｒ系合金であるといえる。よって、引用発明の「磁気記録層」は、本願発明の「垂直磁気記録膜」に相当し、両者とも「ＣｏＣｒ系合金からな」る点で共通しており、また、引用発明の「記録媒体」は、本願発明の「垂直磁気記録媒体」に相当する。
　
（２）引用発明の「基体」「第１の下層」は、それぞれ本願発明の「基板」「下地膜」に相当する。
　
（３）引用発明の「第１の下層」は、「基体」と「磁気記録層」との間に配置され、磁気記録層の配向性を誘導するように材料が選択されているものであり（上記（オ）参照）、「（１１１）ｆｃｃをテンプレートとして用いて」Ｃｏ系磁気記録層を垂直配向させると説明されているように（上記（キ）参照）、垂直配向性を誘導している層であるといえるので、本願発明の「下地膜」と引用発明の「第１の下層」とは、「基板と垂直磁気記録膜との間に」「積層され」ており、かつ、「垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する」ものである点で共通している。　
　
（４）引用発明の「第２の下層」は、「第１の下層」と「磁気記録層」との間に配置されたＴｉ層であり、磁気記録層は第１の下層である面心立方構造（ｆｃｃ構造）のＡｇから連続的に成長しておらず、第２の下層であるＴｉ層が、第１の下層のＡｇとは異なる材料で異なる結晶構造（ｈｃｐ構造）を備えているから、本願発明の「下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の下地膜からの連続的な成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜」に実質的に相当する。そして、本願発明の「結晶粒成長断絶膜」と引用発明の「第２の下層」は、ともに「Ｔｉからなる」点で共通している。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、
　
＜一致点＞
「基板と垂直磁気記録膜との間に、前記垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜が積層された垂直磁気記録媒体であって、前記下地膜と垂直磁気記録膜との間に垂直磁気記録膜の結晶粒の成長を断絶させる結晶粒成長断絶膜をさらに含む垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜はＣｏＣｒ系合金からなり、
　前記結晶粒成長断絶膜はＴｉからなる垂直磁気記録媒体。」
　
　である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
＜相違点１＞
　下地膜の組成に関して、本願発明は「Ｐｔ」であるのに対して、引用発明は「Ａｇ」である点。
　
＜相違点２＞
　Ｔｉからなる結晶粒成長断絶膜の膜厚に関して、本願発明は「５ｎｍ」であるのに対して、引用発明は「５０ｎｍ」である点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用発明では、「第１の下層」（本願発明の「下地膜」に相当）として、面心立方構造（ｆｃｃ構造）を有するＡｇを用いているが、これは、「（１１１）ｆｃｃをテンプレートとして用いて」非常によく配向した（０００２）Ｃｏ系層をエピタキシャル成長させることに着目しているためであり（上記（キ）参照）、Ａｇ以外の他の適当な材料としてＣｕ、Ａｌ、Ａｕも例示していることを参酌すれば（上記（オ）参照）、Ａｇに限らず、面心立方構造を有する他の材料を用いても良いことは明らかである。
　そして、ＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁気記録膜に用いた垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導するための下地膜としてＡｇと同じく面心立方構造を有するＰｔを用いることは周知技術であるから、引用発明の「第１の下層」としてＡｇに換えて、同じく面心立方構造を有するＰｔを採用することは、Ｐｔ以外の材料と比較して格別の効果を奏するわけでもないことを勘案すると、垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導するためのｆｃｃ構造を有する下地膜という共通性からして、当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　なお、垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜としてＰｔが周知技術であることは、当審で通知した拒絶の理由に引用された特開平７−１９２２４４号公報（請求項１、【００１０】等参照）、特開平８−３１６３９号公報（請求項１、【０００５】、【００１２】−【００１４】、【００２３】等参照）に記載されている。また、請求人が「垂直磁気記録膜の垂直配向性を誘導する下地膜」として「Ａｕ、Ｐｄ」等がいずれも周知である根拠として提出している参考資料１（平成１９年１１月２日提出。Low　noise　Co／Pd　multilayer　perpendicular　media　with　granular　seed　layer，Ohmori，H．，Maesaka，A．，IEEE　Transactions　on　Magnetics，Volume：36，Issue：5，Sept　2000　Pages：2384−2386）には、貴金属（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ）シード層が列挙されており、ＰｔがＡｇと同様に垂直磁気記録媒体における下地膜（シード層）として適宜採用されうることが、上記参考資料１にも示されている。
　
＜相違点２＞について
　引用例では、Ｔｉ層について、「Ｔｉは種晶層として作用せず、本質的に基体またはＣｏ系層の下に先に蒸着された層の配向の影響を排除する湿潤層として作用する」と推論しており（上記（カ）参照）、この湿潤層に関して、「非晶質材料、または結晶構造を発達させるには薄すぎる膜、またはその集合組織が後に生ずる層について全体的格子不整合を与える膜である」（上記（ウ）参照）とし、また、「前の膜の集合組織を破壊する」（上記（エ）参照）と説明している。これらの説明によれば、引用例においても、Ｔｉ層の特性が本願発明と同様のものであることが示唆されているといえ、その膜厚をどの程度に設定するかについては、当業者が引用発明の具体化にあたり、磁気記録媒体の他層の材料・結晶構造・膜厚等に応じて適宜最適化するものにすぎない。
　
　そして、引用例では、「低ノイズ磁気媒体を得るためには、Ｃｏ合金薄膜は、隣接結晶粒と磁気的に単離することができる結晶粒界を有する均一なサイズの小さい結晶粒を有していなければならない」（上記（イ）参照）としており、低ノイズ化を図るためにＣｏ合金磁気記録膜の結晶粒径を小さくすることが望ましいと示唆しているところ、当審で通知した拒絶の理由に引用された特開２０００−２８５４３１号公報（【００１８】、【００２０】等参照）には、低ノイズ化を図るために中間層を０．５〜５ｎｍと薄く形成し下層の結晶成長を遮断して結晶粒径を小さくする技術事項が開示されており、同じく当審で通知した拒絶の理由に引用された特開平８−１０６６３３号公報（【０００７】、【００１６】、【００２５】の「実施例７」「実施例８」等参照）にも、低ノイズ化を図るためにＣｏＣｒ系垂直磁気記録膜の下に膜厚５ｎｍのＴｉ層を形成して前記ＣｏＣｒ系垂直磁気記録膜の結晶粒径を小さくするという技術事項が開示されている。
　引用例の上記示唆とこれらの文献に開示された上記技術事項とは、低ノイズ化を図るために結晶粒径を小さくするという課題において共通するものであるから、引用発明におけるＴｉ層の膜厚を５ｎｍとすることは、厚さが５ｎｍ以外の場合と比べて予測できない効果が奏されるわけではないことを勘案すると、上記技術事項に基づいて、当業者であれば容易に為しうるものである。
　
　なお、本願の発明の詳細な説明【００２１】には、結晶粒成長断絶膜の膜厚に関して、「下地膜の垂直磁気配向特性をＰＭＲ膜に伝達できる２０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が２０ｎｍを超えれば、下地膜の垂直磁気配向特性をＰＭＲ膜まで伝達できないといった問題点があるために望ましくない。」と記載されている。
　一方、引用発明では、Ｔｉ層の膜厚を５０ｎｍとしているものの、Ａｇ層はＴｉ層およびＣｏ合金の配向を改良する旨（上記（サ）参照）記載され、Ｔｉ層のみでＡｇ層のない例に比較して、良好な垂直磁気配向特性を備えていることが示されている（上記（ク）（ケ）（コ）（サ）参照）のであるから、引用発明においても、Ａｇ層の配向特性はＣｏ合金層に伝達されているといえ、磁気特性においても優れている。
　よって、引用発明ではＴｉ層の膜厚を５０ｎｍとしているので、本願の発明の詳細な説明に記載されているように「膜厚が２０ｎｍを超えれば、下地膜の垂直磁気配向特性をＰＭＲ膜まで伝達できないといった問題点がある」とはいえず、本願発明と引用発明とは、Ｔｉ層の膜厚の違いにより、下地膜の垂直磁気配向特性の伝達作用において格別の差があるともいえない。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、本願の優先権主張の日の前に頒布された引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。