【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガス・センサと共に動作し、気体セル（２）を通過する赤外線などの電磁波を検出するように意図された検出器の配置構成を形成する方法であって、前記気体セルが、測定されまたは評価されるある体積の気体（Ｇ）を封入することができるキャビティ（２１）を画定し、前記気体セル（２）またはキャビティ（２１）内に壁部（２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ）を形成する表面または表面の一部を、前記電磁波に対する反射率が高い表面を形成するように意図された１層または複数の異なる金属層で覆い、前記検出器（３）が、非導電性のベース構造上に形成された熱素子であり前記熱素子を形成するように配置された第１の導電金属層および第２の導電金属層で覆われ、トポグラフィ構造を有し、前記第１および第２の導電金属層のそれぞれが９０°以外の入射角で前記表面構造に付着され、前記ベース構造（Ｂ）の部分または区分（２Ｂ）によって前記トポグラフィ構造が露出され、前記気体セル（２）の一部を形成し、第２または別の部分（２Ａ）が、前記キャビティ（２１）を囲むように形成され、前記トポグラフィ構造を有する前記部分（２Ｂ）を覆うように適合され、前記トポグラフィ構造の外側のベース構造に関係する領域が、回路構成および／または離散的な構成要素（１ａ、１ｂ、および３）のために使用されることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記熱素子が前記第２の部分（２Ａ）で囲まれ、光発生手段（１ａ）および光受信手段（３）が、前記第２の部分（２Ａ）に隣接して外側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記トポグラフィ構造の１つの表面領域または複数の表面領域が導電金属層で覆われ、第１の金属層が、９０°以外の第１の入射角で表面構造に付着され、前記第２の金属層が、前記第１の角度とは異なる９０°以外の第２の入射角で前記表面構造に付着され、前記第１の金属層および前記第２の金属層が、前記検出器の離散的な表面部分の内部で互いに重なるようにされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記第１の金属層および前記第２の金属層が、前記検出器の前記離散的な表面部分で熱電対の機能をもたらす金属からなることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記検出器が限られた表面領域上に製作され、導電体および／または電気回路および／または電子回路が前記限られた表面領域上に同様に形成されることを特徴とする請求項１、２、または３に記載の方法。
【請求項６】  前記ベース・ユニットが、相補的なトポグラフィ構造を示すダイまたはモールドに対する型込め操作、プレス操作、エンボシング操作などのトポグラフィ成形操作によって作り出され、前記検出器に対応する前記モールドの少なくとも一部が、前記検出器に対して適合されたトポグラフィ構造を含むモデルに対する電極めっき方法または同様の方法によって作り出され、前記モデルが、シリコン基板などの基板をミクロ機械的に加工することによって作り出され、前記モデルのトポグラフィ構造および／または構成が、所望の検出器に関連付けられた表面部分、導電体、および／または電気回路および／または電子回路に対応するように選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記ベース・ユニットが、相補的なトポグラフィ構造を有するダイまたはモールドに対する型込め操作、プレス操作、エンボシング操作などの成形操作によって作り出され、前記検出器に対応する前記モールドの少なくとも一部が、シリコン基板などの基板をミクロ機械的に加工することによって作り出され、前記基板のトポグラフィ構造および／または構成が、所望の検出器に関連付けられた表面部分、導電体パス、および／または電気回路および／または電子回路に対して相補的であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記ベース・ユニットに関係する構造の一部が、前記第２のセル部の内側の表面部分に付着されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記ベース部が、前記第１のセル部と一体化した部分からなり、前記検出器に関連付けられた表面部分が、前記キャビティの内面の一部を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  キャビティに関連付けられた表面部分が、検出器に関連付けられた表面部分と同時に同じ金属で被覆されることを特徴とする請求項１、３、８、または９に記載の方法。
【請求項１１】  前記トポグラフィ構造が、前記検出器に属する必須の接続パッド、導電体、および／または電気回路および／または電子回路を提供するように適合されることを特徴とする請求項１または３に記載の方法。
【請求項１２】  導電体、および／または電気回路および／または電子回路が、前記第２のセル部に形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１３】  前記検出器に関連付けられた表面部分に属するトポグラフィ構造が、いくつかのいわゆる導電性隆起部を含み、前記導電性隆起部が、第１の側面、第２の側面、および上面を有し、いわゆる導電性表面が、隣接する２つの導電性隆起部の間に位置し、前記第１の角度が、それぞれの導電性隆起部の前記第１の側面、および前記上面の少なくとも一部と、前記中間の導電性表面の少なくとも一部とが前記第１の金属層で被覆されるように適合され、前記第２の角度が、それぞれの導電性隆起部の前記第２の側面、および前記上面の少なくとも一部と、前記中間の導電性表面の少なくとも一部とが前記第２の金属層で被覆されるように適合され、前記第１の角度および第２の角度が、それぞれの導電性隆起部の上面と中間の導電性表面の上にある前記第１の金属層に前記第２の金属層が重なって前記第１の金属層との電気コンタクトを形成するように適合されて、前記金属層が前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に電気的に相互接続された一連の接合部を形成するようになされることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１４】  前記検出器に関連付けられた表面部分が、入射光線、または電磁波に対して位置決めされて、前記入射光線がそれぞれの導電性隆起部の前記上面に照射されるように、かつ前記中間の導電性表面が、入射光線に対し、前記導電性隆起部の陰になるようにすることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記中間の導電性表面と共に、前記導電性隆起部の間に形成され、前記べース・ユニットに属する表面区分を囲む電気絶縁性表面区分を特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】  いわゆる絶縁性表面が互いに対して、前記導電性隆起部に対して、また前記第１の角度および前記第２の角度に対しても隣接して位置付けられた状態で、いわゆる絶縁性隆起部を、前記絶縁性表面上の前記第１の金属層と前記第２の金属層の両方の被覆を除くように位置決めすることによって前記電気絶縁を実現することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記導電性隆起部には列１、列２から列「ｎ」まで指定されたｎ個の導電性隆起部を形成する構成が与えられて、それぞれの列が隆起部１、隆起部２から隆起部「ｍ」まで指定されたｍ個の導電性隆起部を含み、「ｍ」がそれぞれの列で異なるものでよく、第「ｎ」列を除く各列の第１の隆起部と、最後の列を除く各列の第「ｍ」の隆起部とが相互接続する隆起部を形成し、最後の列を除く各列の第「ｍ」の隆起部が、次に続く列の第１の隆起部に電気的に接続し、全ての列の全ての導電性隆起部に属する前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に得られた接合部が、前記一連の電気的に相互接続された接合部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】  ある列の第「ｍ」の隆起部と、隣接する列の隆起部１との間の電気的な相互接続が、前記隣接する列同士の間に導電性表面区分を形成することによって実現され、前記導電性表面区分が、前記隣接する列に属する相互接続する隆起部に電気的に接続されるが、その他の点では前記隣接する列から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  一連の導電性隆起部が、直列に接続された熱電対を形成し、前記一連の導電性隆起部の、第１の導電性隆起部の第１もしくは第２の側面上の中間層、または前記第１の導電性隆起部に隣接する導電性表面が、第１の熱電対接続電極を形成し、前記一連の導電性隆起部の、最後の導電性隆起部の第１もしくは第２の側面、または前記最後の導電性隆起部に隣接する導電性表面が、第２の熱電対接続電極を形成することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】  それぞれの導電性隆起部の前記上面が熱吸収層で覆われ、前記中間導電性表面が熱反射層で覆われることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】  前記熱吸収層が炭素からなり、前記熱反射層が前記金属層からなることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記２層の金属層の一方の金属が、前記光線または電磁波に対して第１の反射係数を有し、前記２層の金属層の他方の金属が、前記光線または電磁波に対して第２の反射係数を有し、前記２つの反射係数の低いほうの反射係数を有する金属が、前記入射光線または電磁波に直面することになる側面を覆う金属であるように、前記検出器に関連付けられた表面部分が入射光線または電磁波に対して位置決めされることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】  前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に熱電効果が得られるように、前記第１の金属層の金属が前記第２の金属層の金属と異なることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】  前記２層の金属層が、クロムを覆う金からなることを特徴とする請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】  前記第１のセル部が、２個以上の異なる検出器用の表面区分を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２６】  前記第２のセル部が、２個以上の検出器用の表面区分を有することを特徴とする請求項１または２１に記載の方法。
【請求項２７】  赤外線などの電磁波を検出するように意図されたボロメータに関係する検出器を形成する方法であって、測定されまたは評価されるある体積の気体（Ｇ）を封入することができるキャビティ（２１）が、前記電磁波に対する反射率が高い表面を形成する意図で１層または複数の金属層で覆われた前記キャビティ（２１）内に壁部（２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ）を形成する表面または表面の一部を有し、前記検出器（３）が、非導電性ベース構造上に形成され、トポグラフィ構造を有し、導電金属層で覆われ、前記ベース構造（Ｂ）の部分または区分（２Ｂ）が、前記トポグラフィ構造を露出させ、前記キャビティ（２１）の一部を形成し、第２または別の部分（２Ａ）が、前記キャビティ（２１）を囲むように形成され、前記トポグラフィ構造を有する前記部分（２Ｂ）を覆うように適合され、前記トポグラフィ構造の外側のベース構造に関係する領域が、回路構成および／または離散的な構成要素（１ａ、１ｂ、および３）のために使用されることを特徴とする方法。
【請求項２８】  ガス・センサ（１）と共に動作し、気体セル（２）を通過する赤外線などの電磁波を検出するように意図された検出器構成であって、前記気体セルが、測定されまたは評価されるある体積の気体（６）を封入することができるキャビティ（２１）を画定し、前記気体セル（２）またはキャビティ（２１）内に壁部（２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ）を形成する表面または表面の一部が、前記電磁波に対する反射率が高い表面を形成するように意図された１層または複数の異なる金属層で覆われ、前記検出器が熱素子であり、前記熱素子を形成するように意図された第１の導電金属層および第２の導電層で覆われたトポグラフィ構造を有する非導電性のベース構造上に形成され、前記第１および第２の導電金属層のそれぞれが９０°以外の入射角で前記表面構造に付着され、前記ベース構造（Ｂ）の部分または区分（２Ｂ）が前記トポグラフィ構造を露出させ、前記気体セル（２）の一部を形成し、第２または別の部分（２Ａ）が、前記キャビティ（２１）を囲むように形成され、前記トポグラフィ構造を有する前記部分（２Ｂ）を覆うように適合され、前記トポグラフィ構造の外側のベース構造に関係する領域が、回路構成および／または離散的な構成要素（１ａ、１ｂ、および３）のために使用されること特徴とする検出器。
【請求項２９】  前記熱素子が前記第２の部分（２Ａ）で囲まれ、光発生手段（１ａ）および光受信手段（３）が前記第２の部分（２Ａ）に隣接して外側に配置されることを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項３０】  前記トポグラフィ構造の１つの表面領域または複数の表面領域が第２の導電金属層で覆われ、前記第１の金属層が、９０°以外の第１の入射角で表面構造に付着され、前記第２の金属層が、前記第１の入射角とは異なる９０°以外の第２の角度で前記表面構造に付着され、前記第１の金属層および前記第２の金属層が、検出器に関連付けられた離散的な表面部分の内部で相互に重なり合うことを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項３１】  前記第１の金属層および前記第２の金属層が、前記検出器に関連付けられた離散的な表面部分で熱電対の機能をもたらす金属からなることを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項３２】  前記検出器が限られた表面領域内に形成され、導電体および／または電気回路および／または電子回路が、前記限られた表面領域内に同様に設けられたことを特徴とする請求項２８、２９、または３０に記載の検出器。
【請求項３３】  前記ベース構造が、相補的なトポグラフィ構造を有するダイまたはモールドに対する型込め操作、プレス操作、エンボシング操作などのトポグラフィ成形操作によって作り出され、前記検出器に対応する前記ダイまたはモールドの少なくとも一部が、前記検出器に適合されたトポグラフィ構造を有するモデル上に、電気めっきまたは同様の方法によって作り出され、前記モデルが、シリコン基板などの基板をミクロ機械的に加工することによって作り出され、前記モデルのトポグラフィ構造および／または構成が、所望の検出器に関連付けられた表面部分、導電体パス、および／または電気回路および／または電子回路に対応するように選択されることを特徴とする請求項３２に記載の検出器。
【請求項３４】  前記ベース構造が、相補的なトポグラフィ構造または構成を有するダイまたはモールドに対する型込め操作、プレス操作、エンボシング操作などの成形操作によって作り出され、前記検出器に対応する前記ダイまたはモールドの少なくとも一部が、シリコン基板などの基板をミクロ機械的に加工することによって作り出され、前記基板に関するトポグラフィ構造および／またはダイまたはモールドが、所望の検出器に関連付けられた表面部分、導電体パス、および／または電気回路および／または電子回路に対して相補的であることを特徴とする請求項３２に記載の検出器。
【請求項３５】  前記ベース構造が、前記第２のセル部の表面区分に付着されることを特徴とする請求項３２に記載の検出器。
【請求項３６】  前記気体セルが、相互に共に動作してキャビティを形成するように意図された第１の部分および第２の部分からなり、前記ベース構造が、前記第１のセル部と一体化した部分を形成し、前記検出器に関連付けられた表面部分が、前記キャビティの内面と一体化した部分を形成することを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項３７】  キャビティに関連付けられた表面区分が、検出器に関連付けられた表面部分と同時に同じ金属で被覆されることを特徴とする請求項３５または３６に記載の検出器。
【請求項３８】  前記トポグラフィ構造が、前記検出器に属する必須の接続パッド、導電体パス、および／または電気回路および／または電子回路を提供するように適合されることを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項３９】  導電体パス、および／または電気回路および／または電子回路が、前記第２のセル部に形成されることを特徴とする請求項３５または３６に記載の検出器。
【請求項４０】  前記検出器に関連付けられた表面部分に属する前記トポグラフィ構造が、いくつかのいわゆる導電性隆起部を含み、前記導電性隆起部が、第１の側面、第２の側面、および上面を有し、中間のいわゆる導電性表面が、相互に隣接する導電性隆起部同士の間に位置付けられ、前記第１の角度が、それぞれの導電性隆起部の前記第１の側面、および前記上面の少なくとも一部と、前記中間の導電性表面の少なくとも一部とが前記第１の金属層で被覆されるように適合され、前記第２の角度が、それぞれの導電性隆起部の前記第２の側面、および前記上面の少なくとも一部と、前記中間の導電性表面の少なくとも一部とが前記第２の金属層で被覆されるように適合され、前記第１の角度および前記第２の角度が、それぞれの導電性隆起部の上面と前記中間の導電性表面の上にある前記第１の金属層に前記第２の金属層が重なって前記第１の金属層との電気コンタクトを形成するように適合されて、前記金属層が前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に電気的に相互接続された一連の接合部を形成するようになされることを特徴とする請求項３０に記載の検出器。
【請求項４１】  前記検出器に関連付けられた表面部分が、入射光線、または電磁波に対して位置決めされて、前記入射光線がそれぞれの導電性隆起部の前記上面に照射されるように、かつ前記導電性隆起部が、前記入射光線に対し、前記中間の導電性表面に影を作るようにすることを特徴とする請求項４０に記載の検出器。
【請求項４２】  前記中間の導電性表面と共に、前記導電性隆起部の間に電気絶縁性表面区分が形成され、前記べース構造の表面区分を囲むことを特徴とする請求項４０に記載の検出器。
【請求項４３】  互いに対し、前記導電性隆起部に対し、また前記第１の角度および前記第２の角度に対しても隣接するいわゆる絶縁性表面を有するいわゆる絶縁性隆起部を、前記絶縁性表面上の前記第１の金属層と前記第２の金属層の両方の付着を除くように位置決めすることによって、前記電気絶縁を実現することを特徴とする請求項４２に記載の検出器。
【請求項４４】  前記導電性隆起部が、ｎ個の列の導電性隆起部を形成するように構成され、ここで前記列が、列１、列２から列「ｎ」まで指定され、それぞれの列がｍ個の導電性隆起部を含み、前記隆起部が、隆起部１、隆起部２から隆起部「ｍ」まで指定され、「ｍ」がそれぞれの列で異なるものでよく、第「ｎ」列を除く各列の第１の隆起部と、最後の列を除く各列内の第「ｍ」の隆起部とが相互接続する隆起部を形成し、最後の列を除く各列の第「ｍ」の隆起部が、次に続く列の第１の隆起部に電気的に接続し、全ての列の全ての導電性隆起部に属する前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に得られた接合部が、前記一連の電気的に相互接続された接合部を形成することを特徴とする請求項４０に記載の検出器。
【請求項４５】  隣接する列同士がその間に導電性表面区分を含み、ある列の第「ｍ」の隆起部と隣接する列の第１の隆起部との間の前記電気的な相互接続が前記導電性表面区分によって行われ、前記導電性表面区分が、隣接する列に属する相互接続する隆起部に電気的に接続されるが、その他の点では前記隣接する列から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項４４に記載の検出器。
【請求項４６】  一連の導電性隆起部が、直列に接続された熱電対を形成し、前記一連の導電性隆起部の金属層と、第１の導電性隆起部の第１もしくは第２の側面、または前記第１の導電性隆起部に隣接する導電性表面が、第１の熱電対接続電極を形成し、前記一連の導電性隆起部の、最後の導電性隆起部の第１もしくは第２の側面、または前記最後の導電性隆起部に隣接する導電性表面が、第２の熱電対接続電極を形成することを特徴とする請求項４０に記載の検出器。
【請求項４７】  それぞれの導電性隆起部の上面が熱吸収層で覆われ、前記中間導電性表面が熱反射層で覆われることを特徴とする請求項４０に記載の検出器。
【請求項４８】  前記熱吸収層が炭素層であり、前記熱反射層が前記金属層からなることを特徴とする請求項４７に記載の検出器。
【請求項４９】  前記２層の金属層の一方の金属が、前記光線または電磁波に対して第１の反射係数を有し、前記２層の金属層の他方の金属が、前記光線または電磁波に対して第２の反射係数を有し、前記２つの反射係数の低いほうの反射係数を有する金属が、前記入射光線または電磁波に直面することになる側面を覆う金属であるように、前記検出器に関連付けられた表面部分が入射光線または電磁波に対して位置決めされることを特徴とする請求項４１に記載の検出器。
【請求項５０】  前記第１の金属層と前記第２の金属層の間に熱電効果が得られるように、前記第１の金属層の金属が前記第２の金属層の金属と異なることを特徴とする請求項３０に記載の検出器。
【請求項５１】  前記２層の金属層が、クロムを覆う金からなることを特徴とする請求項５０に記載の検出器。
【請求項５２】  前記第１のセル部が、２個以上の検出器用の表面区分を含むことを特徴とする請求項２８に記載の検出器。
【請求項５３】  前記第２のセル部が、１個または複数の検出器用の表面区分を含むことを特徴とする請求項２８または請求項５２に記載の検出器。
【請求項５４】  赤外線などの電磁波を検出するように意図されたボロメータに関係する検出器構成であって、測定されまたは評価されるある体積の気体（Ｇ）を封入することができるキャビティ（２１）が、前記電磁波に対する反射率が高い表面を形成する意図で１層または複数の金属層で覆われた前記キャビティ（２１）内に壁部（２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ）を形成する表面または表面の一部を有し、前記検出器（３）が、非導電性ベース構造上に形成され、トポグラフィ構造を有し、導電金属層で覆われ、前記ベース構造（Ｂ）の部分または区分（２Ｂ）が前記トポグラフィ構造を露出させ、この構造が、直列接続された抵抗として形成され、前記気体セル（２１）の一部を形成し、第２または別の部分（２Ａ）が、前記キャビティ（２１）を囲むように形成され、前記トポグラフィ構造を有する前記部分（２Ｂ）を覆うように適合され、前記トポグラフィ構造の外側のベース構造に関係する領域が、回路構成および／または離散的な構成要素（１ａ、１ｂ、および３）のために使用されることを特徴とする検出器。