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　特願２００４−５３２５６４「有機エレクトロルミネセンス・デバイス用のバッファ層、並びに製造および使用方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日国際公開、ＷＯ２００４／０２１４６３、平成１７年１０月２０日国内公表、特表２００５−５３１９１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）５月７日（パリ条約による優先権主張　２００２年６月２６日　米国）を国際出願日とする特願２００４−５３２５６４号であって、平成２１年７月８日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年１月１４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、同年３月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年１月１４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
　ドナー基板上に正孔注入転写層を形成するステップであって、前記転写層がバッファ層を含み、前記バッファ層がトリアリールアミン正孔輸送材料および電子受容体材料を含んでなるステップと、
　レセプタ基板上に電極を形成するステップと、
　前記バッファ層の一部を前記レセプタ基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に選択的に熱転写するステップと、
　前記レセプタ基板の上に選択的に熱転写された前記バッファ層の前記部分の上に発光層を配置するステップと、
を含んでなる、方法。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平８−２３６２７１号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は
有機電界発光素子及びその製造方法
　
「【００１１】以下、本発明の有機電界発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に用いられる一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、
１は基板、２は陽極、３は有機発光層、４は陰極
【００１２】基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の上に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００１３】
基板１上には陽極２が設けられ
ともできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常、５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍ程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００１４】
陽極２の上には有機発光層３が設けられる。
有機発光層３は発光効率の向上のために、図２に示すように、正孔輸送層３ａと電子輸送層３ｂに分割して機能分離型にすることが行われる
【００１５】上記の機能分離型素子において、
正孔輸送層３ａの材料として
【００１６】
このような正孔輸送材料としては、
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
が挙げられる。
【００１７】上記の化合物以外に、正孔輸送層３ａの材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特願平５−２０５３７７）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７巻，４１６３頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２１巻，９６９頁，１９８３年）等の高分子材料が挙げられる。
【００１８】上記の
正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸送層３ａを形成する。
【００１９】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板１上の陽極２上に正孔輸送層３ａを形成させる。
【００２０】上記
正孔輸送層３ａを形成する場合、さらに、アクセプタとして
ドープして、フリーキャリアとしての正孔を生成させる
【００２１】正孔輸送層３ａの膜厚は、通常、１０〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００２２】正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層３ａと陽極２との間に正孔注入層３ａ’を挿入することも行われている（図３）。正孔注入層３ａ’に用いられる材料としてはイオン化ポテンシャルが低く、導電性が高く、さらに陽極上で熱的に安定な薄膜を形成する材料が望ましく、フタロシアニン化合物やポルフィリン化合物（特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭６３−２９５６９５号公報）が使用される。正孔注入層３ａ’を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。正孔注入層３ａ’に正孔輸送層３ａと同様にしてアクセプタをドープすることで導電性を向上させることも可能である。
【００２３】正孔注入層３ａ’の膜厚は、通常、２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍである。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
正孔輸送層３ａの上には電子輸送層３ｂが設けられる。
【００２４】電子輸送層３ｂに用いられる電子輸送性化合物としては、陰極４からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【００２５】このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、同３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、同３−７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）などが挙げられる。
【００２６】これらの化合物を用いた電子輸送層３ｂは、一般に、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結合の際に発光をもたらす役割を同時に果たすことができる。正孔輸送層３ａが発光機能を有する場合は、電子輸送層３ｂは電子を輸送する役割だけを果たす場合もある。
【００２７】素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）等も行われている。本発明においても上記の
有機電子輸送材料をホスト材料として各種の蛍光色素を１０
−３
〜１０モル％ドープすることにより、素子の発光特性をさらに向上させることができる。
【００２８】電子輸送層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。有機電界発光素子の発光効率をさらに向上させる方法として、電子輸送層３ｂの上にさらに他の電子輸送層３ｃを積層することもできる。この電子輸送層３ｃに用いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。この様な電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５５巻，１４８９頁，１９８９年他）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の樹脂に分散した系（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６１巻，２７９３頁，１９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、または、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。電子輸送層３ｃの膜厚は、通常、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。」
　
「【００４７】実施例１
図２に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）により、触針式表面粗さ計（ランクテーラーホブソン社製タリステップ）によりＩＴＯ表面の十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１）を測定したところ７．４ｎｍであった。このＩＴＯガラス基板を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．７×１０−４Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、以下に示す、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（Ｈ１）
【００４８】
【化２】
【００４９】をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、２５０〜２６０℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度１．７×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．３×１０−４Ｐａ）、蒸着時間３分３０秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層３ａを得た。
【００５０】次に、
発光機能を有する電子輸送層３ｂ
【００５１】
【化３】
【００５２】を上記正孔輸送層３ａの上に同様にして蒸着を行った。この時のるつぼの温度は２７０〜３００℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は１．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．７×１０−４Ｐａ）、蒸着時間は３分１０秒で、蒸着された電子輸送層３ｂの膜厚は７５ｎｍであった。上記の正孔輸送層３ａ及び電子輸送層３ｂを真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。」
　
「【００６２】引続いて、
発光機能を有する電子輸送層３ｂ
　
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　【００２７】の「有機電子輸送材料をホスト材料として各種の蛍光色素を１０−３〜１０モル％ドープすることにより、素子の発光特性をさらに向上させることができる。」の記載、並びに、【００５０】【００６２】の記載から電子輸送層３ｂが発光機能を有することは明らかである。
　よって、上記記載（図面の記載も含む）を総合勘案すれば、引用例１には、
「基板１上に陽極２、正孔輸送層３ａ、発光機能を有する電子輸送層３ｂ、陰極４を積層させる有機電界発光素子の製造方法であって、
　正孔輸送層３ａは、フリーキャリアとして正孔を生成させるアクセプタとなる物質がドープされた４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルからなる正孔輸送材料によって形成され、
　正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により陽極２上に積層することにより正孔輸送層３ａを形成し、正孔輸送層３ａの上に電子輸送層３ｂを形成する有機電界発光素子及びその製造方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−８３６９１号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ(Light Emitting Diode)表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、薄膜トランジスタ等を利用したアクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置及びその製造方法に関する。」
　
「【００３１】発光層及び／又は電荷輸送層は、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法等の塗布法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセス又は蒸着法、真空蒸着法、レーザー転写法（特開平１１−２６０５４９号公報）等のドライプロセスで形成することができる。なかでも、大面積化、生産性、作製速度等を考慮すると印刷法又はレーザー転写法が好ましい。」
　
「【００３６】また、転写法は、図１３に示したように、フィルム３４上に光−熱変換層３５、熱伝播層３６を介して有機ＬＥＤ層６又は電荷輸送層（図示せず）が積層されたベースフィルム３７を、被転写基板上に張り合わせ、所望の領域にレーザー３３を照射することにより実現することができる。これにより、被転写基板上に発光層又は電荷輸送層を形成することができる。有機ＬＥＤ層又は電荷輸送層は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。フィルム上への有機ＬＥＤ層又は電荷輸送層の形成は、真空蒸着法等のドライプロセス；ディップコート法、スピンコート法、インクジェット法等のウェットプロセス等により行うことができる。なお、有機ＬＥＤ層又は電荷輸送層上に、電極を形成することにより、これらの層を同時に形成することも可能である。」
　
「【０１１０】次に、コンタクトホールを含む平坦化膜１２上に銀膜を３μｍ成膜し、これを４μｍの厚み分研磨することにより、平坦化膜１２上の銀膜を除去すると同時に、平坦化膜表面とコンタクトホール中の接続配線を同時に平坦化した。
【０１１１】その後、接続電極及び接続配線を介してドレイン電極と電気的に接続するように、銀膜を抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍになるように成膜し、その上にカルシウムを抵抗加熱蒸着法により膜厚３０ｎｍになるように成膜し、レーザを用いて、所定の形状にパターニングして画素電極５を形成した。た。
【０１１２】次に、ＳｉＯ２膜を２００ｎｍ形成し、表面を研磨することにより画素電極間のみに絶縁膜を残すとともに、絶縁膜と画素電極とを同時に平坦化した。これにより、画素電極のエッジ部での電界集中による素子の劣化を防止することができ、かつ、テーパー状にすることにより転写法により有機ＬＥＤ層を形成した場合にも、後述する転写法で使用するベースフィルムを完全に基板に密着させることができるため、有機ＬＥＤ層が転写されない部分を生じることを防止することができる。
【０１１３】得られた基板上に、赤色転写基板を貼り付け、１３ＷのＹＡＧレーザーで所望の位置を走査して、赤色転写基板の赤色発光層をパターン転写した。同様にして緑色発光層、青色発光層をパターン転して有機発光層６２を形成した。このようなレーザ転写法を用いて有機発光層を形成することにより、カルシウムからなる画素電極のような、溶媒と反応する電極上にも高分子発光材料からなる発光層を形成することができる。
【０１１４】なお、赤色転写基板は、まず、０．１ｍｍ膜厚のポリエチレンテレフタレートフィルムからなるベースフィルムに、レーザー光を熱に変換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を５μｍの膜厚でコーティングして室温硬化し、その上に、熱伝播及び剥離層として、ポリαメチルスチレン膜を１μｍの膜厚でコーティングし、さらに赤色発光層としてＭＥＨ−ＰＰＶをクロロホルム溶液から成膜して乾燥し、膜厚が７０ｎｍになるように作製した。次に、真空下、８０℃にて1時間ベークする。ここで、ＭＥＨ−ＰＰＶの耐熱温度は１８０℃であった。ただし、耐熱温度とは、この材料を用いて素子を作製する際に、乾燥の目的で加熱したときに素子の電気的特性が悪化しない温度である。」
　
第４　本願発明と引用発明の対比、及び、当審の判断
１　対比
（１）ここで、本願発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「基板１上に陽極２、正孔輸送層３ａ、発光機能を有する電子輸送層３ｂ、陰極４を積層させる有機電界発光素子の製造方法」が、本願発明の「エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法」に相当する。
　
　引用発明においては電子輸送層３ｂが発光機能を有するのであるから、引用発明の「正孔輸送層３ａ」は、本願発明の「バッファ層」に相当する。また、引用発明の「４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル」は引用例１の【００４８】の【化２】に記載されている構造からみて、トリアリールアミンであることは明らかであるから、引用発明の「４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルからなる正孔輸送材料」が、本願発明の「トリアリールアミン正孔輸送材料」に相当する。また、引用発明の「フリーキャリアとして正孔を生成させるアクセプタとなる物質」が、本願発明の「電子受容体材料」に相当する。
　よって、引用発明の「正孔輸送層３ａは、フリーキャリアとして正孔を生成させるアクセプタとなる物質がドープされた４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルからなる正孔輸送材料によって形成され」ることが、本願発明の「バッファ層がトリアリールアミン正孔輸送材料および電子受容体材料を含んでなる」ことに相当する。
　
　本願発明の「レセプタ基板」は、製造された（後の）エレクトロルミネセンス・デバイスの基板となるものであることは明らかであることを踏まえると、引用発明の「基板１」と、本願発明の「レセプタ基板」とは「基板」である点で一致する。また、引用発明の「陽極２」が、本願発明の「電極」に相当する。
　よって、引用発明の「基板１上に陽極２、・・・を積層させる」ことと、本願発明の「レセプタ基板上に電極を形成する」こととは、「基板上に電極を形成する」点で一致する。
　
　引用発明の「正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により陽極２上に積層することにより正孔輸送層３ａを形成する」ことと、本願発明の「バッファ層の一部を前記レセプタ基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に選択的に熱転写する」こととは、「前記バッファ層の一部を前記基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に積層する」点において一致する。
　
　引用発明の「基板１上に陽極２、正孔輸送層３ａ、発光機能を有する電子輸送層３ｂ、陰極４を積層させる」ことと、本願発明の「前記レセプタ基板の上に選択的に熱転写された前記バッファ層の前記部分の上に発光層を配置する」こととは、「基板の上に積層されたバッファ層の上に発光層を配置する」ことで一致する。なお、本願発明における「前記バッファ層の前記部分の上」については、本願の発明の詳細な説明（特に、製法に関する【００５６】〜【００７０】及び【０１０７】〜【０１２０】）を参酌しても、発光層をバッファ層の特定の部分のみに配置することは記載されていないことから、「前記部分」には格別の意味はないものと認められる。
　
（２）本願発明と引用発明の一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「エレクトロルミネセンス・デバイスを製造する方法であって、
　バッファ層がトリアリールアミン正孔輸送材料および電子受容体材料を含んでなり、
　基板上に電極を形成し、
　前記バッファ層の一部を前記基板の上に、前記電極と電気的に通じた状態に積層し、
　前記基板の上に積層された前記バッファ層の上に発光層を配置すること
　を含んでなる、方法。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
（３）本願発明と引用発明の相違点
　バッファ層の積層に関し、本願発明は、「（電極を形成し、その上にバッファ層を積層する）基板」を「レセプタ基板」とし、「ドナー基板上に形成したバッファ層（を含む正孔注入転写層）をレセプタ基板の上に、選択的に熱転写」するものであるのに対して、引用発明においては「塗布法または真空蒸着法により積層」するものである点。
　
２　当審の判断
（１）相違点の検討
　エレクトロルミネセンス・デバイス等の多層構造物の製造方法において、各層の積層方法として、ドナー基板上に形成された層をレセプタ基板上に選択的に熱転写することによって積層することは、引用例２（【００３６】【０１１３】参照）にも記載されているように周知の技術的事項である。
　正孔輸送層を含む各層の積層方法して、周知の塗布法、真空蒸着法、熱転写法などのうち、どの積層方法を選択するかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得ることであり、また、引用発明において、正孔輸送層３ａ（バッファ層）の積層方法として上記の周知の熱転写方法を選択することに阻害要因も認められない。
　よって、引用発明において、「塗布法あるいは真空蒸着法により積層する」ことに換えて、上記の周知の「ドナー基板上に形成された層をレセプタ基板上に選択的に熱転写することによって積層する」方法を採用することにより、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２に記載された周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　結言
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項１に係る発明）は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。