【事件の表示】
　特願２００７−　４３３５５「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１１日出願公開、特開２００８−２１０８２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１９年２月２３日の出願であって、平成２１年６月１８日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月５日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年１０月６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２２年１月６日に審判請求がされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２２年１月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり、このうち、特許請求の範囲については、以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１の「少なくとも前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に」を、補正後の請求項１の「前記配線下、前記薄膜誘導素子下、および前記配線下と前記薄膜誘導素子下との間における前記半導体基板上に」と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項１２の「少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に」を、補正後の請求項１２の「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に」と補正する。
　
２．新規事項の有無、補正目的の適否
（１）新規事項の有無
　補正事項ａ及び補正事項ｂの本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされている。
　したがって、特許請求の範囲についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（２）補正目的について
　補正事項ａは、補正前の請求項１の「少なくとも前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に」を、補正後の請求項１の「前記配線下、前記薄膜誘導素子下、および前記配線下と前記薄膜誘導素子下との間における前記半導体基板上に」とする補正であり、補正前の請求項１に係る発明特定事項である「磁性膜」が「設けられて」いる「半導体基板上」の位置を限定的に減縮したものであるから、補正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　補正事項ｂは、補正前の請求項１２の「少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に」を、補正後の請求項１２の「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に」とする補正であり、補正前の請求項１２に係る発明特定事項である「磁性膜」が「設けられて」いる「半導体基板上」の位置を限定的に減縮したものであるから、補正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　したがって、特許請求の範囲についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する要件を満たす。
　
　そこで、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを、請求項１２に係る発明について検討する。
　
３．独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１２に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１２】
「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に、熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２００４−２１４５６１号公報
　　引用例２：特開２００２−１８４９４５号公報
　　引用例３：特開２００７−０１９３３３号公報
　
（３）引用例１の記載、引用発明と、引用例２、３の記載
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に「引用文献１」として引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−２１４５６１号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１、図２、図８、図１６、図１７、図１８とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の引用例においても同様である。）。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はノイズの影響を低減する半導体装置、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の小型化に伴い、半導体チップの外形寸法とほぼ同じ外形寸法を有するチップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、（以下、ＣＳＰと称す））と呼ばれる半導体装置のパッケージ構造が出現している。このチップサイズパッケージの一形態として、ウエハ状態でパッケージングが行われた、ウエハレベルチップサイズパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、（以下、ＷＣＳＰと称す））と呼ばれる半導体装置のパッケージ構造が存在する。」
・「【０００９】
しかしながら、上述したようなＷＣＳＰ構造では、外部端子及び再配線と半導体チップとが数μｍ程度の薄い絶縁膜を介して形成され、さらに、
電子回路の上方に外部端子、或いは再配線が位置する為、電子回路が外部端子、若しくは再配線からの電界ノイズの影響を受けてしまう
　
　　イ．第１の実施形態
・「【００１５】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１実施形態を説明する半導体装置の断面図であり、図２はキャパシタとメタル部材との位置関係を説明する半導体装置の平面図である。
【００１６】
本実施形態の半導体装置では、半導体チップ１００上に形成された電極２００と、開口部３１０を備え、この開口部３１０により電極２００の上面を露出するように、半導体チップ１００上に形成された絶縁膜３００と、絶縁膜３００上に形成された外部端子４００及び配線５００とを有し、配線の一端は開口部３１０を介して電極２００と電気的に接続され、他端は外部端子４００と電気的に接続される。
【００１７】
半導体チップ１００は、キャパシタ１０１を含む複数の電子素子１０２が上面に形成された基板１１０と、電子素子１０２上及び基板１１０上に形成された多層配線１２０とを有する。」
・「【００２１】
さらに、多層配線１２０における複数の層のうち、最上位の層内において、配線１４０が配置された領域以外の領域にメタル部材１５０が形成される。即ち、図１に示すように、多層配線１２０の２層目に、配線１４０ｂの他にメタル部材１５０が形成される。」
・「【００２３】
さらに、メタル部材１５０は、キャパシタ１０１の上方に位置する。ここで、後述する通り、メタル部材１５０の上方には、配線５００若しくは外部端子４００が形成される。メタル部材１５０は、この配線５００若しくは外部端子４００に発生する電界ノイズから、キャパシタ１０１を保護する為のものであり、メタル部材１５０の下方に位置するキャパシタ１０１は、この電界ノイズから保護される。本実施形態では、図２に示すように、半導体装置を平面的に見たとき、キャパシタ１０１の形成された領域が全てメタル部材１５０の形成された領域に覆われるように、それぞれが配置される。従って、キャパシタ１０１を、その全ての領域に渡り、メタル部材１５０によって保護することが可能となる。
【００２４】
さらに、メタル部材１５０は所定電位が与えられるノードに電気的に接続される。本実施の形態では、メタル部材１５０はグランド電位が与えられる電極２００に電気的に接続される。
【００２５】
本実施形態では、電極２００は、基板１１０の周辺部に形成され、外部端子４００は基板１１０の中央部に形成される。絶縁膜３００は２層構造を有し、ＳｉＮ（窒化シリコン）又はＳｉＯ２（酸化シリコン）により構成された絶縁膜３００ａ上に、ポリイミド等により構成された絶縁膜３００ｂが形成される。絶縁膜３００ａは配線１４０ｂ及びメタル部材１５０を酸化、若しくは腐食から保護する機能を有し、絶縁膜３００ｂは外部の衝撃から半導体チップ１００を保護する機能を有する。
【００２６】
配線５００の材料はＣｕ（銅）等であり、配線５００の一端は、絶縁膜３００の開口部３１０を介して電極２００に接続され、他端は基板１００の中央部まで延在する。
【００２７】
外部端子４００は半田等を材料とする半球状のものである。
外部端子４００と配線５００とを電気的に接続する為、本実施の形態では、基板１００の中央部に位置する配線５００の端部５１０上に、例えばＣｕ（銅）を材料とする柱状電極５２０（ポストとも称される）が形成され、この柱状電極５２０上に外部端子４００が形成される。
・「【００３１】
さらに、柱状電極５２０の上面を露出するように、エポキシ系樹脂等を材料とする封止層６００が絶縁膜３００及び配線５００の上面に形成される。ここで、柱状電極５２０の側面は封止層６００により覆われている。封止層６００により、配線５００及び柱状電極５２０は外部からの衝撃や酸化等から保護される。
【００３２】
このように、本実施形態の半導体装置は、キャパシタ１０１と配線５００との間に形成され、かつ、キャパシタ１０１の上方に位置するメタル部材１５０を有し、さらに、メタル部材１５０は所定電位が与えられるノードに電気的に接続される為、キャパシタ１０１の上方から侵入する電界ノイズ、即ち、配線５００若しくは外部端子４００から発生する電界ノイズは、メタル部材１５０により遮蔽され、その下方に位置するキャパシタ１０１まで作用する可能性は低くなる。
【００３３】
ここで、
外部端子４００、若しくは配線から発生する電界ノイズは、例えば、外部端子４００、配線５００の電圧の変化に伴い発生する。この電界ノイズにより、従来の半導体装置では、キャパシタに静電誘導が起きて
　
　　ウ．第６の実施形態
・「【００７３】
（第６実施の形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。第６実施形態では、
半導体チップ上に絶縁膜を介して外部端子が形成された半導体装置において、この絶縁膜上にインダクタが形成されている場合、このインダクタから発生するノイズの影響を電子回路が受けてしまう
【００７４】
従来の半導体装置において、外部端子が形成される絶縁膜上にインダクタが形成されている場合、インダクタから発生したノイズ、特に、磁界ノイズによって、半導体チップ内の電子回路に電磁誘導が発生し、半導体装置の特性に大きく影響してしまう可能性があった。通信系の半導体装置のように、高周波のアナログ信号を扱う場合、電磁誘導により信号の波形が大きく変動してしまい、通信特性に大きく影響してしまう可能性があった。
【００７５】
図１７は第６実施形態における半導体装置の断面図であり、図１８はインダクタと磁性体との位置関係を説明する半導体装置の平面図である。
【００７６】
本実施形態では、
半導体チップ１００上に絶縁膜１３０が形成され、絶縁膜１３０上にＦｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、若しくはＣｏ（コバルト）等を材料とする磁性体８００が形成され、この磁性体８００及び絶縁膜１３０の上面に、ポリイミド等を材料とする、絶縁膜３２０が形成される。ここで、絶縁膜３２０は電極２００の上面を露出する
【００７７】
さらに、
絶縁膜３２０上には、外部端子４００及びインダクタ９００が形成される
【００７８】
ここで、
磁性体８００はインダクタ９００の形成された領域下に位置する
磁性体８００はインダクタ９００から発生した磁界ノイズを遮蔽して電子回路を保護する為のものであり、その目的から、インダクタ９００の形成領域がすべて磁性体８００の形成領域に含まれることが好ましい
【００７９】
さらに、半導体チップ１００内の基板１１０上にキャパシタ１０１が形成される場合、半導体チップ内の層間絶縁膜１３０ｂ上にメタル部材１５０が形成され、キャパシタ１０１の上方にメタル部材１５０が位置するように、それぞれが配置される。メタル部材１５０は所定電位が与えられるノードに電気的に接続される。
【００８０】
磁性体は一般に、磁界の方向を変化させる性質を有しているので、インダクタ９００から発生した磁界は、磁性体８００により半導体装置の横方向に曲げらる。これにより、電子回路の内部に磁界ノイズが侵入する可能性を低減することができる。
【００８１】
このように、本実施形態では、電子回路とインダクタ９００との間に、磁性体８００が形成され、さらに、インダクタ９００の形成領域下には磁性体８００が位置する為、電子回路の上方から侵入するノイズ、特に、
インダクタ９００から発生する磁界ノイズは、磁性体８００により半導体装置の横方向に曲げられ、その下方に位置する電子回路まで作用する可能性は低くなる
【００８２】
さらに、上述した通り、通信系の半導体装置のように、高周波のアナログ信号を扱う場合、電磁誘導により信号の波形が大きく変動してしまい、通信特性に大きく影響してしまう。従って、磁界ノイズの影響を低減させることが可能な本実施形態を、通信系の半導体装置に適用すれば、通信特性が変化してしまう可能性を低減でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００８３】
さらに、キャパシタ１０１とインダクタ９００との間に形成され、かつ、キャパシタ１０１の上方に位置するメタル部材１５０を有し、さらに、メタル部材１５０は、所定電位が与えられるノードに電気的に接続される為、インダクタ９００からのノイズ、特に、電界ノイズは、メタル部材１５０により遮蔽され、その下方に位置するキャパシタ１０１まで作用する可能性は低くなる。
【００８４】
さらに、キャパシタ１０１の直上にインダクタ９００が形成される場合、即ち、キャパシタ１０１とインダクタ９００とが対向する場合、従来の構成では、キャパシタ１０１は電界ノイズの影響をより大きく受けてしまうが、本実施形態では、このような場合においてもキャパシタ１０１を電界ノイズから保護することが可能である。従って、電界ノイズの影響を低減する為にキャパシタ１０１の直上にインダクタ９００が位置しないように、それぞれの位置関係を考慮して設計を行う必要がなくなり、設計の自由度を高くすることが可能となる。」
　
　　エ．発明の効果
・「【００９８】
【発明の効果】
本発明では、再配線若しくは外部端子から発生した電界ノイズはメタル部材により遮蔽され、キャパシタ、若しくはアナログ回路が電界ノイズの影響を受けてしまう可能性を低くすることができる。
【００９９】
さらに、メタル部材の形成を従来から存在する多層配線を形成する工程内で行うことが可能である為、工程を大幅に増加させることなく本発明の実現でき、さらに、半導体装置の厚さを厚くすることなく本発明を実現することが可能となる。
【０１００】
さらに、キャパシタ、若しくはアナログ回路の直上に外部端子、若しくは再配線が位置しないように、それぞれの位置関係を考慮して設計を行う必要がなくなり、設計の自由度を高くすることが可能となる。」
　
　　オ．符号の説明
・「【符号の説明】
１００  半導体チップ
１０１  キャパシタ
１０２  電子素子
１０３  アナログ回路
１１０  基板
１２０  多層配線
１３０  層間絶縁膜
１４０  配線
１５０  メタル部材
２００  電極
３００、３２０、３３０、３４０  絶縁膜
３１０  開口部
４００  外部端子
５００  再配線
５２０  柱状電極
６００  封止層
７００  支持部材
８００  磁性体
９００  インダクタ」
　
　　カ．図面の記載
・図１７において、インダクタ９００と配線５００とは、同一の層上に設けられており、インダクタ９００は、渦巻き形状である。
　また、図１８は、図１７の「インダクタと磁性体との位置関係を説明する半導体装置の平面図である。」（段落【００７５】）が、図１８には、さらに、複数の電極２００が記載されている。そして、図８や図１６の記載を参照すると理解できるように、各電極２００には、それぞれ、配線５００が接続されているので、図１７、図１８に記載の実施形態は、複数の配線５００を有している。
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜カによれば、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「基板１１０上に複数の配線５００及び渦巻き形状のインダクタ９００が設けられた半導体装置の製造方法において、前記インダクタ９００を形成される領域下に、磁性体８００を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（３−３）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に「引用文献３」として引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００２−１８４９４５号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気素子一体型半導体デバイス」（発明の名称）に関して、図１とともに、次の記載がある。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表面マイクロマシーニング技術、ＩＣ製造技術等を活用することによって平面型に製作される平面インダクタ（薄膜インダクタともいう）や平面トランスなどの磁気素子に関する。」
　
　　イ．発明の実施の形態
・「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、ターン数１２のスパイラル状平面コイルを有する平面インダクタ一体型デバイスの例について、説明する。図１はこの発明の半導体デバイスの断面構造を示す概要図である。なお、半導体基板１１上にはトランジスタ、制御ＩＣ、ダイオードなどが集積されるが、この発明とは直接関係がないので図示は省略している。半導体基板１１上に形成される平面インダクタは、コイル導体１６と上部、下部磁性体１７、１５によって構成される。コイル導体１６の材料としては、直流抵抗を減らすためにＣｕなどが良く用いられるが、導電性材料であれば何でもよく、Ａｌ、Ａｕ等も良く用いられる。上部、下部磁性体１７、１５としては透磁率１０〜３０の磁性材料を用い、コイル導体１６を取り囲むように配置される。磁気シールド層１４は、半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して平面インダクタとの間に配置される。なお、符号２０は半導体基板１１上の電極を示す。」
・「【００１８】図８に、高導電性非磁性材料をシールド層として用いた、磁気素子一体型半導体デバイスの製造方法を示す。まず、
集積回路を形成した半導体基板１１上に、ポリイミド絶縁膜１２を３μｍ塗布・焼成する（図８（ａ）参照）。
磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する（図８（ｃ）参照）。
【００１９】下部磁性体１５上に電気めっきのシード層として、ＴｉおよびＣｕをそれぞれ膜厚０．１μｍでスパッタし、さらにフォトレジストをパターニングし、コイル導体のパターンの反転パターンを形成する。このときのレジストの膜厚は約６０μｍである。このレジストパターンをめっきの型として、フォトレジストの溝部にＣｕを電気めっきで埋め込み、コイル導体１６とする（図８（ｄ）参照）。コイル導体の厚さは約５０μｍである。半導体基板１１とはコンタクト部１６ｂで、半導体基板上の電極２０と電気的に接続される。コイル導体形成後、不要なレジスト、めっきシード層を除去し、最後に下部磁性体と同様の磁性体をコイル導体上に塗布・焼成し、上部磁性体１７とする（図８（ｅ）参照）。このとき、コイル導体の間隔部にも磁性体は埋め込まれる。コイル導体上面から上部磁性体上面までの厚さは、約５０μｍである。」
　
　　ウ．発明の効果
・「【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、磁気素子の特性を悪化させることなく、
安価な材料と簡単な製造方法により、良好な磁気シールドを実現することが可能となる
　
（３−４）引用例３の記載
　当審において新たに引用する、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００７−０１９３３３号公報（以下「引用例３」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、次の記載がある。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
　本発明は、シリコンウェハ等の半導体基材やポリイミド等の樹脂基材の上にインダクタを備えた半導体装置及びその製造方法に関する。」
・「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、インダクタを備えた半導体装置において、該インダクタのインダクタンスを増大させ、特性の優れたインダクタを有する半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明は、インダクタンスが高く、特性の優れたインダクタを有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」
　
　　イ．第１の実施形態
・「【００１３】
  ＜第一の実施形態＞
　図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
　この半導体装置１０においては、集積回路（図示略）が形成された半導体基板１の表面に集積回路（ＩＣ、図示略）の電極２およびパッシベーション膜３が形成されている。
　さらにこの
半導体装置１０は、半導体基板１のパッシベーション膜３上に設けられた絶縁樹脂層１１と、この絶縁樹脂層１１の上に設けられた第一の磁性層１２と、第一の磁性層１２上に設けられた配線層１３と、配線層１３を被覆して設けられた第二の磁性層１４とを有する。配線層１３は、誘導素子として図２に示すようなメアンダ形状のインダクタ１３ａを有する
【００１４】
　半導体基板１は、少なくとも表層が絶縁部（図示略）をなす基材１ａの一面上に、例えば電極２としてＡｌパッドを設け、さらにその上にＳｉＮまたはＳｉＯ２　　等のパッシベーション膜３（不動態化による絶縁層）を形成してなるものである。このパッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部５が設けられており、この開口部５を通して電極２が露出されている。パッシベーション膜３は、例えばＬＰ−ＣＶＤ法等により形成することができ、その膜厚は例えば０．１〜０．５［μｍ］である。
　ここでは、
メアンダ形状のインダクタ１３ａを有する配線層１３を、集積回路と電気的に接続するための電極２が、半導体基板１の表面の２箇所（図では１箇所のみ表示）に設けられている
【００１５】
　本発明では、メアンダ形状のインダクタ１３ａが第一の磁性層１２と第二の磁性層１４とで被覆されているので、インダクタ中を流れる電流の向きと垂直をなす面内において閉磁路を形成することができ、かつ、半導体基板１と磁束が垂直方向に発生しない構造とすることができる。これにより、インダクタンス値の増加、もしくはインダクタの小型化が図れる。
　一般に、磁性材料は非磁性材料に比べて透磁率が大きく、しかも磁性層に覆われたインダクタのインダクタンスはこの透磁率に比例する。このため、インダクタを磁性層で被覆することで、大きなインダクタンスを得ることができる。
　インダクタが有するインダクタンスをこの磁性層の透磁率に比例して大きくすることが可能である。したがって、比透磁率が数百程度の磁性部材（例えば、フェライトの透磁率が数百程度）を用いることによりインダクタンスを増加させることができる。
　さらにフェライト等電気抵抗率の高い磁性層材料を使用することによって、配線層と磁性層を直接接触することが可能となり、工程の削減が可能となる。また、
磁性膜中の渦電流損失が低減する
【００１６】
　半導体基板１は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板１が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００１７】
　絶縁樹脂層１１は、各電極２と整合する位置に形成された開口部１５を有する。絶縁樹脂層１１は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
　絶縁樹脂層１１は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部１５は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００１８】
　第一の磁性層１２は、各電極３と整合する位置に形成された開口部１６を有する。また、
第一の磁性層１２は、閉磁路を形成するため、インダクタサイズから少なくとも５０μｍ以上大きくするとよい
　磁性層材料としては、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｚｎを主成分とするフェライトや、ＣｏＮｂＺｒ等のアモルファス金属、Ｎｉ−Ｆｅ等の強磁性体金属等の各種磁性部材を用いることができ
　磁性層材料は電気抵抗が高いほうが好ましいが、
低抵抗の磁性層材料を使用するときは、第一の磁性層１２と配線層１３との間に絶縁層を配する
【００１９】
　配線層１３は、誘導素子としてのメアンダインダクタ１３ａを有する。
　配線層１３の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。配線層１３は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００２０】
　第二の磁性層１４は、閉磁路を形成するため、第一の磁性層１２と接触するようにパターンを形成する。
　第二の磁性層１４は、上述したような磁性層材料を例えばめっき法やスパッタリング法により形成することができる。その厚さは、例えば、１〜１０［μｍ］である。
磁性層材料は電気抵抗が高いほうが好ましいが、低抵抗の磁性層材料を使用するときは、配線層１３と第二の磁性層１４との間に絶縁層を配することにより、同様の効果を得ることが可能である。
【００２１】
　図１では、半導体基板上の誘導素子１つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる。
【００２２】
　次に、図１に示す半導体装置の製造方法について説明する。
　まず、図３（ａ）に示すように、集積回路（図示略）、電極２およびパッシベーション膜３を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、上述したように、基材１ａの一面上に電極２とパッシベーション膜３が形成されており、パッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部５が設けられた半導体ウエハである。パッシベーション膜３は例えばＬＰ−ＣＶＤ等により形成され、その膜厚は例えば０．１〜０．５［μｍ］である。
【００２３】
　次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１のパッシベーション膜３の上に、開口部１５を有する絶縁樹脂層１１を形成する。
　このような絶縁樹脂層１１は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜３の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極２と整合する位置に開口部１５を形成することによって形成することができる。
【００２４】
　次に、図３（ｃ）に示すように、半導体基板１上に第一の磁性層１２を形成する。その厚さは、例えば、１〜１０［μｍ］である。このとき、閉磁路を形成するため、第一の磁性層１２は、インダクタサイズから少なくとも５０［μｍ］以上大きくするとよい。
　第一の磁性層１２は、例えば上述したような磁性材料を、めっき法やスパッタリング法により成膜することによって形成することができる。このとき、Ａｌパッドやチップのスクライブラインを露出させる。さらに、開口部１５は、例えばイオンミリングやＩＣＰ−ＲＩＥによるエッチング、またはフォトリソグラフィー法やリフトオフ法によるパターニングなどにより形成される。
【００２５】
　次に、図３（ｄ）に示すように、第一の磁性層１２の上に配線層１３を形成する。その厚さは、例えば０．１〜３０［μｍ］である。この配線層１３を所定の領域に形成する方法は、特に限定されるものではない。」
・「【００２９】
　次に、図３（ｅ）に示すように、第二の磁性層１４を形成する。その厚さは、例えば、１〜１０［μｍ］である。このとき、閉磁路を形成するため、第一の磁性層１２と接触するようにパターンを形成する。この工程により第一の磁性層１２と第二の磁性層１４を接続することで、インダクタ１３ａを覆うように接続された閉磁路が形成されるので、外部への磁場の漏洩を抑制できる。
　第二の磁性層１４は、上述したような磁性材料を例えばめっき法やスパッタリング法、スピンコート法、スクリーン印刷法等により成膜することによって形成することができる。さらに、例えば、フォトリソグラフィー法やリフトオフ法によるパターニングなどにより、所定の形状にパターニングする。
　なお、この際、第二の磁性層１４に電気抵抗が低い磁性層材料を用いる場合は、配線層１３と第二の磁性層１４との間に絶縁層を形成する。絶縁層の形成は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮを成膜したり、絶縁性の樹脂を塗布することにより可能である。
　第二の磁性層１４の形成後、前記誘導素子などの各種構造物が形成された半導体ウエハを所定の寸法にダイシングすることにより、前記誘導素子がパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
【００３０】
　半導体装置１０では、インダクタ１３ａが第一の磁性層１２と第二の磁性層１４とで被覆されているので、インダクタ中を流れる電流の向きと垂直をなす面内において閉磁路を形成することができ、かつ、基板と磁束が垂直方向に発生しない構造とすることができる。また、インダクタの近傍に磁性層が配置されることで効率的に磁束密度が増加するので、インダクタンス値の増加、もしくはインダクタの小型化が図れる。
　さらに半導体装置１０では、絶縁樹脂層１１を介し配線層１２を形成するので、基板との距離が離れ特性が向上する。また半導体基板への汚染を低減することができる。さらに、厚膜の絶縁樹脂層１１で絶縁することにより、コンタミネーションの問題も回避することが可能である。」
　
　　ウ．発明の効果
・「【発明の効果】
【００１１】
　本発明では、インダクタを磁性層で被覆することで、インダクタ中を流れる電流の向きと垂直をなす面内において閉磁路を形成することができ、かつ、半導体基板と磁束とが垂直方向に発生しない構造とすることができる。これにより、インダクタンス値の増加、またはインダクタの小型化が図れる。
　また、本発明では、磁性層に抵抗値の高い材料を用いることで、インダクタと磁性層との間に絶縁層を介さないで、インダクタと磁性層とを直接積層することが可能となるので、工程を簡略化することができる。」
　
（４）対比
（４−１）本願補正発明と引用発明との対比
　次に、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「基板１１０」、「配線５００」、「渦巻き形状のインダクタ９００」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体基板」、「配線」、「渦巻き形状の薄膜誘導素子」に対応するので、引用発明の「基板１１０上に複数の配線５００及び渦巻き形状のインダクタ９００が設けられた半導体装置の製造方法」は、本願補正発明の「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　　イ．引用発明の「磁性体８００」は、本願補正発明の「磁性膜」に対応するので、引用発明の「前記インダクタ９００を形成される領域下に、磁性体８００を形成する工程」は、本願補正発明の「前記薄膜誘導素子」「を形成すべき領域下」に、「磁性膜を形成する工程」に相当する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下に、磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」のに対して、引用発明は、「磁性体８００を形成する」ものの、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜」ではない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は、「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に、」「磁性膜を形成する」のに対して、引用発明は、「前記インダクタ９００を形成される領域下に、磁性体８００を形成する」ものの、「前記配線」「を形成すべき領域下および」「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下」「の間における前記半導体基板上に、」「磁性膜を形成」していない点。
　
（５）相違点１、２についての判断
（５−１）相違点１について
　　ア．引用例２には、「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する（図８（ｃ）参照）。」（段落【００１８】）ことが、記載されている。
　そして、引用例２の「集積回路を形成した半導体基板１１上に、ポリイミド絶縁膜１２を３μｍ塗布・焼成する（図８（ａ）参照）。」（段落【００１８】）という、同趣旨の記載から理解できるように、前記の「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する」ことにおける、「焼成」は、熱硬化の意味と考えられるので、引用例２に記載の「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する」ことは、本願補正発明の「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ことに対応しており、また、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ことは、周知技術でもある。
　
　　イ．引用例１には、段落【００７６】に「本実施形態では、半導体チップ１００上に絶縁膜１３０が形成され、絶縁膜１３０上にＦｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、若しくはＣｏ（コバルト）等を材料とする磁性体８００が形成され、この磁性体８００及び絶縁膜１３０の上面に、ポリイミド等を材料とする、絶縁膜３２０が形成される。」と記載され、引用発明の「磁性体８００」の「磁性」を発現させる材料は記載されているが、前記「磁性体８００」を具体的にどのように「形成する」のかは記載されていない。
　しかしながら、上記記載及び引用例１の図１７から、前記「磁性体８００」は膜状に「形成」されるものである。
　そして、前記膜状の「磁性体８００」を、周知の手法を選択して「形成する」ことに、格別の困難性は認められない。
　
　　ウ．そうすると、引用発明において、「磁性体８００を形成する」際に、上記アの引用例２の記載、或いは、上記周知技術を適用して、本願補正発明の「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（５−２）相違点２について
　　ア．引用例３には、「半導体装置１０は、半導体基板１のパッシベーション膜３上に設けられた絶縁樹脂層１１と、この絶縁樹脂層１１の上に設けられた第一の磁性層１２と、第一の磁性層１２上に設けられた配線層１３と、配線層１３を被覆して設けられた第二の磁性層１４とを有する。配線層１３は、誘導素子として図２に示すようなメアンダ形状のインダクタ１３ａを有する。」（段落【００１３】）こと、「メアンダ形状のインダクタ１３ａを有する配線層１３を、集積回路と電気的に接続するための電極２が、半導体基板１の表面の２箇所（図では１箇所のみ表示）に設けられている。」（段落【００１４】）こと、「第一の磁性層１２は、閉磁路を形成するため、インダクタサイズから少なくとも５０μｍ以上大きくするとよい。」こと、及び、「磁性層材料としては、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｚｎを主成分とするフェライトや、ＣｏＮｂＺｒ等のアモルファス金属、Ｎｉ−Ｆｅ等の強磁性体金属等の各種磁性部材を用いることができ」るとともに「低抵抗の磁性層材料を使用するときは、第一の磁性層１２と配線層１３との間に絶縁層を配する」（段落【００１８】）こと、「図１では、半導体基板上の誘導素子１つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる。」（段落【００２１】）ことが、記載されている。
　
　　イ．また、引用例３の図２には、符号で示されているのは、インダクタ１３ａと第１の磁性層１２のみであるが、図におけるインダクタ１３ａの左右に、それぞれ、インダクタ１３ａから電極２の部分まで延在している配線が、示されている。
　同じく、引用例３の図２において、第１の磁性層１２は、インダクタ１３ａ、配線、電極２の部分を超えて、それらの外側にまで拡がっていることが、示されている。
　
　　ウ．引用例３には、「複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる」（段落【００２１】）ことも記載されているので、引用例３に記載の「めっき法やスパッタリング法やスピンコート法、スクリーン印刷法等により形成」される「第１の磁性層１２」は、複数のインダクタ１３ａの領域下に形成されるのみならず、複数の配線の領域下と、複数の配線と複数のインダクタ１３ａとの間における半導体基板の一部にも、形成されることになり、本願補正発明の「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に、」「磁性膜を形成する」ことに対応する。
　
　　エ．そして、引用例３には、「このとき、閉磁路を形成するため、第一の磁性層１２は、インダクタサイズから少なくとも５０［μｍ］以上大きくするとよい。」（段落【００２４】）と記載され、「インダクタを磁性層で被覆する」（段落【００１１】）という、「被覆」の効果をより発揮するためには、「磁性層１２」を「インダクタ」と比較して、より大きく形成することが望ましいことが開示されている。
　一方、引用例１にも「磁性体８００はインダクタ９００から発生した磁界ノイズを遮蔽して電子回路を保護する為のものであり、その目的から、インダクタ９００の形成領域がすべて磁性体８００の形成領域に含まれることが好ましい。」（段落【００７８】）と記載されているから、引用発明においても、「磁性体８００」を「渦巻き形状のインダクタ９００」と比較して、より大きく形成することが望ましいと認められる。
　
　　オ．したがって、引用発明の「前記インダクタ９００を形成される領域下に、磁性体８００を形成する」代わりに、上記ウの引用例３の記載を適用して、本願補正発明の「前記配線と前記薄膜誘導素子とを形成すべき領域下およびこの間における前記半導体基板上に」、「磁性膜を形成する」ようになすことは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことと認められる。
　
　　カ．また、引用例１には、「ＷＣＳＰ構造では、外部端子及び再配線と半導体チップとが数μｍ程度の薄い絶縁膜を介して形成され、さらに、電子回路の上方に外部端子、或いは再配線が位置する為、電子回路が外部端子、若しくは再配線からの電界ノイズの影響を受けてしまう」（段落【０００９】）こと、「外部端子４００、若しくは配線から発生する電界ノイズは、例えば、外部端子４００、配線５００の電圧の変化に伴い発生する。この電界ノイズにより、従来の半導体装置では、キャパシタに静電誘導が起き」る（段落【００３３】）こと、が記載されている。
　すなわち、引用例１には、「インダクタ９００から発生した磁界ノイズを遮蔽して電子回路を保護する」（段落【００７８】）だけでなく、引用発明の「複数の配線５００」から発生する電界ノイズからも保護される必要があることが記載されている。
　
　　キ．このため、引用例１においては、「第６実施の形態」として、「磁性体８００」を「Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、若しくはＣｏ（コバルト）等」で「形成」（段落【００７６】）して、前記「磁性体８００」上に「絶縁膜３２０」を介して「外部端子４００及びインダクタ９００が形成される」（段落【００７６】〜【００７７】）ことにより、「インダクタ９００から発生した磁界ノイズを遮蔽して電子回路を保護する」（段落【００７８】）が記載されるとともに、「半導体チップ１００内の基板１１０上にキャパシタ１０１が形成される場合、半導体チップ内の層間絶縁膜１３０ｂ上にメタル部材１５０が形成され、キャパシタ１０１の上方にメタル部材１５０が位置するように、それぞれが配置される」（段落【００７９】）こと、が記載されている。
　ここで、上記段落【００７９】に記載された構成は、引用例１における、「メタル部材１５０は、この配線５００若しくは外部端子４００に発生する電界ノイズから、キャパシタ１０１を保護する為のもの」（段落【００２３】）との記載から、「複数の配線５００」から発生する電界ノイズからも保護されるためであることは、明らかである。
　
　　ク．しかしながら、導電性を有する磁性体を用いて、磁界ノイズとともに電界ノイズも遮蔽することは、以下のケ、コのように、周知技術にすぎない。
　したがって、上記のように「磁性体８００」とは別の「メタル部材１５０」を設けることに代えて、引用発明において、導電性を有する材料であるＦｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、若しくはＣｏ（コバルト）等で「形成」される前記「磁性体８００」を、絶縁膜３２０を介して、「インダクタ９００を形成される領域下に」設けるだけでなく、「複数の配線５００」から発生する電界ノイズからも保護されるように、該「複数の配線５００」を形成される領域下にも設けることは、当業者であれば、当然になし得たものと認められる。
　そして、このとき、前記「インダクタ９００」と「複数の配線５００」の間の領域下にも前記「磁性体８００」を設けることは、前記「インダクタ９００」から発生した磁界ノイズの遮蔽をより確実にすること、及び、製造の容易さを考慮すれば、当然になし得た事項であると認められる。
　
　　ケ．本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平０３−１１５７８０号公報には、
「第７図は磁気シールド部材の第２実施例を示し、第３図と同様な図である。この実施例による
磁気シールド部材１５Ａは磁性体繊維の束によって形成され
変動する電界が生じても、磁性体繊維を利用しているため磁気シールド部材１．５Ａの壁面における渦電流の発生が非常に抑制され
と記載されている。
　
　　コ．本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００１−１６５９６３号公報には、
「【００１８】絶縁板１６は平面形状がホール素子１よりも少し大きい四角形の例えばセラミック板であって、ホール素子１を支持板２から絶縁する機能の他に、磁性体層１７及びホール素子１を機械的に支持する機能を有する。絶縁板１６の上面にホール素子とほぼ同一の平面パターンを有するように形成された
シールド層１７は例えば鉄、ニッケル、コバルト等の導電性を有する磁性体から成り、外部電界及び磁界をシールドする機能を有する
と記載されている。
　
　　サ．以上、ア〜コから、引用発明において、「磁性体８００」を、「インダクタ９００を形成される領域下に」設けるだけでなく、「複数の配線５００」を形成される領域下、及び、前記「インダクタ９００」と前記「複数の配線５００」の間の領域下にも設けることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（６）独立特許要件を満たすかどうかの検討のまとめ
　以上のとおり、上記相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反し、また、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明
１．本願発明について
　以上のとおり、本件補正（平成２２年１月６日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１３に係る発明は、平成２１年８月５日に提出された手続補正書の請求項１〜１３に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１２】
「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に、熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
　引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載については、前記第２、３、（３−１）〜（３−３）において認定したとおりである。
　
３．対比 
（１）本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「基板１１０」、「配線５００」、「渦巻き形状のインダクタ９００」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「配線」、「渦巻き形状の薄膜誘導素子」に対応するので、引用発明の「基板１１０上に複数の配線５００及び渦巻き形状のインダクタ９００が設けられた半導体装置の製造方法」は、本願発明の「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法」に相当する。
　
　　イ．引用発明の「磁性体８００」は、本願発明の「磁性膜」に対応するので、引用発明の「前記インダクタ９００を形成される領域下に、磁性体８００を形成する工程」は、本願発明の「少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に、」「磁性膜を形成する工程」に相当する。
　
（２）一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に、磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
《相違点》
《相違点３》
　本願発明は、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」のに対して、引用発明は、「磁性体８００を形成する」ものの、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜」ではない点。
　
４　相違点３についての判断
　　ア．引用例２には、「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する（図８（ｃ）参照）。」（段落【００１８】）ことが、記載されている。
　そして、引用例２の「集積回路を形成した半導体基板１１上に、ポリイミド絶縁膜１２を３μｍ塗布・焼成する（図８（ａ）参照）。」（段落【００１８】）という、同趣旨の記載から理解できるように、前記の「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する」ことにおける、「焼成」は、熱硬化の意味と考えられるので、引用例２に記載の「磁性粒子を樹脂中に分散させた磁性材料を塗布・焼成し、下部磁性体１５を形成する」ことは、本願発明の「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ことに対応しており、また、「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ことは、周知技術でもある。
　
　　イ．引用例１には、段落【００７６】に「本実施形態では、半導体チップ１００上に絶縁膜１３０が形成され、絶縁膜１３０上にＦｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、若しくはＣｏ（コバルト）等を材料とする磁性体８００が形成され、この磁性体８００及び絶縁膜１３０の上面に、ポリイミド等を材料とする、絶縁膜３２０が形成される。」と記載され、引用発明の「磁性体８００」の「磁性」を発現させる材料は記載されているが、前記「磁性体８００」を具体的にどのように「形成する」のかは記載されていない。
　しかしながら、上記記載及び引用例１の図１７から、前記「磁性体８００」は膜状に「形成」されるものである。
　そして、前記膜状の「磁性体８００」を、周知の手法を選択して「形成する」ことに、格別の困難性は認められない。
　
　　ウ．そうすると、引用発明において、「磁性体８００を形成する」際に、上記アの引用例２の記載、或いは、上記周知技術を適用して、本願発明の「熱硬化性樹脂中に磁性体粉末が混入された磁性膜を形成する」ようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
５．判断のまとめ
　以上のとおり、上記相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。