【事件の表示】
　特願２００６−１８３３２２「半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月１５日出願公開、特開２００７−　６７３７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年７月３日（パリ条約による優先権主張２００５年８月３１日、米国）を出願日とする出願であって、平成２２年３月１２日付けで拒絶の理由（最後）が通知され、これに対し、同年６月９日付けで手続補正がなされ、その後、平成２３年２月１８日付けで拒絶査定がされた。
　本件は、これを不服として、同年６月２０日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審の同年１０月３１日付け審尋が通知されたが、これに対する回答はなかった。 
　
第２　平成２３年６月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年６月２０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正前（平成２２年６月９日付けで補正、以下同様。）の
「【請求項１】
　ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
　前記ウェーハに第１のマスクを形成する工程と、
　光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率が０．７５よりも大きい液浸リソグラフィにより、前記ウェーハに前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを使用する第１の露光工程を行って、アクティブパターンとダミーパターンとを含むパターンを前記基板層上に形成する工程と、
　乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程を行って、前記パターンから前記ダミーパターンを除去し、それにより前記基板層上に前記アクティブパターンを形成する工程と、
　を含むことを特徴とする半導体製造の二重露光フォトリソグラフィ方法。」を
「【請求項１】
　ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
　前記ウェーハに第１のマスクを形成する工程と、
　光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率が０．７５よりも大きい液浸リソグラフィにより、前記ウェーハに前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを使用する第１の露光工程と、
　前記第１の露光工程の後、前記第１のフォトレジスト層を現像する工程を行って、アクティブパターンとダミーパターンとを含むパターンを前記ウェーハ上に形成する工程と、
　前記第１のフォトレジスト層を現像する工程の後、乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程を行って、前記パターンから前記ダミーパターンを除去し、それにより前記ウェーハ上に前記アクティブパターンを形成する工程と、
　を含むことを特徴とする半導体製造の二重露光フォトリソグラフィ方法。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、本件補正後の請求項１に係る発明の発明特定事項に「第１の露光工程の後、前記第１のフォトレジスト層を現像する工程」を追加し、「第２の露光工程」を「第１のフォトレジスト層を現像する工程の後」とする補正（以下「補正事項１」という。）、及び、請求項１に係る発明の発明特定事項である、パターンを形成する箇所を、本件補正前の「基板層上」から本件補正後の「ウェーハ上」とする補正（以下「補正事項２」という。）である。
　ここで、補正事項１は、明らかに特許請求の範囲を限定して減縮するものである。
　また、「ウェーハ」は直訳すると「基板」であるが、本願明細書には、「ウェーハ２８は、基板９１０、誘電体層９１４及びＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）層９２０まで拡張してもよい。」（【００３３】）と記載されており、「ウェーハ」は「基板」または「基板」を含む層であると解すことができるから、補正事項２も、特許請求の範囲を限定して減縮するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成１１年５月２１日に頒布された「特開平１１−１３３５８５号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造に使用するフォトマスクおよびフォトレチクル等の露光用マスクに関し、特に、半導体装置上でのパターン形成を高精度に行うための露光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置上に形成するレジストパターンの形成技術としてフォトマスクと縮小投影露光装置を使用した光リソグラフィ技術が用いられているが、近年における半導体装置の集積度の上昇、及びこれに伴う半導体装置上に形成するパターンの徹細寸法化により、前記した光リソグラフィ技術では、焦点深度（Depth Of Focus、以下ＤＯＦと挿する）を確保することが重要になっている。このＤＯＦを確保するためには、半導体装置に形成するパターンの繰り返し性を向上させることが有効であることが知られているが、孤立したラインパターンではこの繰り返し性を満たすことができず、前記したＤＯＦの確保が困難になっている。このため、このような孤立したラインパターンに対しては、その近傍にダミーパターンを配置し、このダミーパターンによって繰り返し性を確保する技術が提案されている。例えば、持開平８−４５８１０号公報に示された例を説明する。
【０００３】この公報に記載の技術では、図１２（ａ）に示すような、形成しようとする所望パターン１０１に対して、図１２（ｂ）に示すように、前記所望パターン１０１の両隣に複数の、ここでは各２個のダミーパターン１０２を形成した第１フォトマスク１１Ａを形成する。そして、この第１フォトマスク１１Ａを用いて半導体基板にパターン露光を行うことで、図１３（ａ）のように、所望パターンとダミーパターンの各パターンが形成される。しかる上で、図１３（ｂ）のように、所望パターンは露光せず、ダミーパターンのみを露光するパターンの第２フォトマスク１２Ａを形成し、この第２フォトマスク１２Ａを用いて前記ダミーパターン１０２を露光することにより、結果的に前記半導体基板では所望パターンのみが露光されない状態が生じ、所望パターンの露光が実現されることになる。
【０００４】図１４はその状態を示す図であり、図１４（ａ）のように、半導体基板１上にはポジ型のフォトレジスト２が塗布されており、第１の露光工程では図１９に示した第１フォトマスク１１Ａを用いて前記フォトレジスト２に縮小投影露光を行うことで、前記フォトレジストの所望パターン１０１とダミーパターン１０２以外の領域が露光されて第１の露光部２１が形成される。次に、図１４（ｂ）のように、図１３（ｂ）に示した第２フォトマスク１２Ａを用いて前記フォトレジスト２に対して縮小投影露光を行うことで、前記ダミーパターン１０２の領域が露光されて第２の露光部２２が形成される。したがって、所望パターン１０１のみが露光されない状態となり、このフォトレジスト２を現像することで、ボジ型のフォトレジストは現像処理により露光部は溶解し、末露光部は溶解しない性質を持っているので、図１４（ｃ）のように、所望パターンのみがフォトレジストパターンとし残されることになる。以降は、この所望パターンを利用して半導体基板１の表面エッチングを行うことで、半導体基板上に所望パターンを形成することが可能となる。」
「【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施形態について、図面を参照して説明する。先ず、図２（ａ）は格子点設定工程を説明する図であり、格子点領域３１を、所望パターン１０１を配置する領域３２と、この領域の外周領域のダミーパターン１０２を配置できる領域３３として設定する。また、この格子点数定工程では、前記格子点領域３１の位置座標を出力する。ここでは、領域の右下点と左上点の各座標（ｘ１，ｙｌ），（ｘ２，ｙ２））と、格子点間隔（Ｐｘ，Ｐｙ）を出力する。なお、出力形式は、ｘとｙ方向の格子点数（ｉ，ｊ）を使用した形式でも良い。
【００１２】次に、図２（ｂ）は所望パターン設計工程を説明する図であり、前記所望パターン配置領域３２に配置する所望パターン１０１のパターンデータを作成し、これを格子点領域３１中の格子点上に配置する。そして、この所望パターン１０１のパターンデータと、これを配置した位置を出力する。ここでは、（ｉ，ｊ）＝（３，６）（６，３）（８，５）（８，６）（９，４）（９，５）（９，６）を出力する。）
【００１３】次に、図２（ｃ）はダミーパターン設計工程を説明する図であり、ダミーパターンデー夕を作成し、ダミーパターン１０２を格子点領域３１中の格子点上に配置する。このとき、ダミーパターン１０２は、前記格子点領域３１中の所望パターン１０１が配置されていない格子点を満すように配置されることは言うまでもない。さらに、このダミーパターン設計工程では、ダミーパターンデータと、これを配置した位置を出力する。
【００１４】しかる上で、前記図２のパターンに基づいて第１のフォトマスク１１と第２のフォトマスク１２を作成する。図３（ａ）に示す第１のフォトマスク１１は、図２（ａ）の格子点領域３１の位置座標、格子点間隔と、図２（ｂ）及び図２（ｃ）の所望パターンデータとダミーパターンデータを用いて作成する。このとき、第１のフォトマスク１１では、所望パターン１０１及びダミーパターン１０２が暗部として、すなわち、露光光が遮光される第１のパターンとなるように作成する。また、図３（ｂ）に示す第２のフォトマスク１２は、図２（ａ）の格子点領域３１の位置座標、格子点間隔と、図２（ｃ）のダミーパターンデータを用いて作成する。このとき、第２のフォトマスク１２での明暗は、ダミーパターン１０２が明部として、すなわち、露光光が透過される第２のパターンとなるように作成する。
【００１５】このように作成された第１及び第２のフォトマスクを用いたフォトレジストパターンの形成方法を説明する。先ず、図４（ａ）のように、半導体基板１上にネガ型レジストを塗布し、レジスト膜２を形成する。次いで、前記第１のフォトマスク１１を用いた縮小投影露光を行い、前記半導体基板１上のレジスト膜２に前記第１のパターンからなる第１の露光部２１を形成する。この第１の露光部２１は、前記第１のフォトマスクの所望パターンとダミーパターンが存在しない領域に形成される。次に、図４（ｂ）のように、第２のフォトマスク１２を用いた縮小投影露光を行い、前記半専体基板１上のレジスト膜２に前記第２のパターンからなる第２の露光部２２を形成する。この第２の露光部２２は、前記ダミーパターンが存在する領域である。これにより、所望パターン１０１を除く領域に全て露光光が照射されることになる。したがって、このレジストに対して現像処理を行うことで、図４（ｃ）のように、所望パターン領域のみレジストが除去されたレジストパターンが得られる。このレジストパターンを用いて半導体基板１をエッチングすることで、所望パターンの領域のみにエッチングが施され、所望パターンが形成される。」
「【００１９】前記第１の実施形態では、第２のフォトマスクのパターンは、ダミーパターンのみを露光するように形成しているが、所望パターン以外の領域を露光すればよいため、第２のフォトマスクのパターンをより容易に形成することも可能となる。例えば、図８（ａ）に示した配置の所望パターン１０１とダミーパターン１０２に対して、図８（ｂ）に示すように、ダミーパターン１０２間に斜線を記した付加パターン１０４を付加したパターンとしてダミーパターン設計を行ってもよい。このように、すれば、第２のフォトマスクは、ダミパターンと付加パターンとの連続した領域を透光領域としたパターンで形成でき、これにより第２のフォトマスク１２の製造を容易にし、かつこれを用いた第２の露光工程において、特にマクス位置合わせが容易になる。」
「【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、第１のフォトマスクには規則性のある格子点のそれぞれに第１のパターンが配置されているため、パターンが微細化された場合でも所望パターンとダミーパターンを規則的に配置することができ、これによりこの第１のフォトマスクを用いた露光ではパターンの繰り返し性が確保でき、ＤＯＦを向上し、高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成を実現することが可能となる。また、第２のフォトマスクに形成する第２のパターンは、第１のフォトマスクのダミーパターンあるいはダミーパターンを含むダミーパターン間領域に形成すればよいため、第２のパターンの製造精度が緩和でき、製造が容易なものとなる。さらに、同一の第１のフォトマスクを用いても、第２のフォトマスクの第２のパターンを変更するだけで任意のレジストパターンの形成が可能となり、マスクの利用価値を高めることが可能となる。」
　
ｂ　図面の記載
　引用例１の図４（ａ）乃至（ｃ）に開示された露光工程の図からして、図４（ａ）には、半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２を、該フォトレジスト２の上方に位置した第１のフォトマスク１１を用いて露光を行い、図４（ｂ）には、半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２を、該フォトレジスト２の上方に位置した第２のフォトマスク１２を用いて露光を行い、図４（ｃ）には、２回の露光により露光光が照射されない領域のレジスト膜が、現像により除去される露光工程が記載されている。
　また、引用例１の図１４（ａ）乃至（ｃ）に開示された露光工程の図からして、図１４（ａ）には、半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２を、該フォトレジスト２の上方に位置した第１のフォトマスク１１Ａを用いて露光を行い、図１４（ｂ）には、半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２を、該フォトレジスト２の上方に位置した第２のフォトマスク１２Ａを用いて露光を行い、図１４（ｃ）には、２回の露光により露光光が照射される領域のレジスト膜が、現像により除去される露光工程が記載されている。
　
ｃ　引用例１記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板１上にフォトレジスト２を塗布し、
半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２の上方に第１のフォトマスク１１Ａを位置させ、
縮小投影露光により、第１のフォトマスク１１Ａを用いて半導体基板１上のフォトレジスト２に露光を行うことで、
フォトレジストの所望パターン１０１とダミーパターン１０２以外の領域を露光し、
縮小投影露光により、第２のフォトマスク１２Ａを用いて半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２に対して露光を行うことで、
ダミーパターン１０２の領域が露光されて、所望パターン１０１のみが露光されない状態となり、このフォトレジスト２を現像することで、所望パターンのみがフォトレジストパターンとして残される半導体装置を製造する露光方法。」
　
（２）引用刊行物２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成１７年６月２日に頒布された「特開２００５−１４０９９７号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【００２７】
  次に、図６に示すように、ポジレジスト３４の露光を行う（ステップＳ１０）。ここでは、波長１５７．６nmの、Ｆ２エキシマレーザを露光光源として、センターシグマσが０．４、σの半径が、０．０５の二点照明光源を用いる。また、レンズ開口数ＮＡは、０．９５とする。また、フォトマスクとして、上述した第１のフォトマスクを用いる。」
　
５　対比
（１）引用発明の「半導体基板１」及び「フォトレジスト２」は、本件補正発明の「ウェーハ」及び「第１のフォトレジスト層」に相当するから、引用発明の「半導体基板１上にフォトレジスト２を塗布」する点は、本件補正発明の「ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程」に相当する。
　
（２）引用発明の「第１フォトマスク１１Ａ」は、本件補正発明の「第１のマスク」に相当する。
　また、本件補正発明の「ウェーハに第１のマスクを形成する」点は、本願明細書の「光束２５は、マスク２４を透過した後、ウェーハ２８へ照射される前に投射レンズ２６により集束される。」（【００１５】）という記載、及び、本願の図２及び図３等の記載からみて、第１のマスクを通して露光光がウェーハに照射される位置に第１のマスクを位置させることと解すことができる。
　そうすると、引用発明の「半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２の上方に第１のフォトマスク１１Ａを位置させ」る点は、半導体基板１に露光光を照射させることを前提に行うものであるから、本件補正発明の「ウェーハに第１のマスクを形成する工程」に相当する。
　
（３）引用発明の「縮小投影露光により、第１フォトマスク１１Ａを用いて半導体基板１上のフォトレジスト２に露光を行う」点と、本件補正発明の「光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率が０．７５よりも大きい液浸リソグラフィにより、前記ウェーハに前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを使用する第１の露光工程」は、「ウェーハに第１のフォトレジスト層及び第１のマスクを使用する第１の露光工程」である点で一致する。
　
（４）引用発明の「縮小投影露光」は、液体を用いない露光方法であるから、本件補正発明の「乾式フォトリソグラフィ」に相当する。
　また、引用発明の「第２フォトマスク」は、本件補正発明の「第２のマスク」に相当する。
　そうすると、引用発明の「縮小投影露光により、第２フォトマスク１２Ａを用いて半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２に対して露光を行」う点は、本件補正発明の「乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程」に相当する。
　
（５）引用発明の「所望パターン１０１」及び「ダミーパターン１０２」は、本件補正発明の「アクティブパターン」及び「ダミーパターン」に相当する。
　そして、引用発明の「フォトレジスト２」は「半導体基板１上」に「塗布」されたものであるから、引用発明の「ダミーパターン１０２の領域が露光されて、所望パターン１０１のみが露光されない状態となり、このフォトレジスト２を現像することで、所望パターン１０１のみがフォトレジストパターンとして残される」点と、本件補正発明の「パターンから前記ダミーパターンを除去し、それにより前記ウェーハ上に前記アクティブパターンを形成する工程」は、「ウェーハ上にアクティブパターンを形成する工程」である点で一致する。
　
（６）引用発明は、「第１フォトマスク１１Ａを用いて半導体基板１上のフォトレジスト２に露光を行」い、「第２フォトマスク１２Ａを用いて半導体基板１上に形成されたフォトレジスト２に対して露光を行」うものであるから、「二重露光フォトリソグラフィ方法」であるといえる。
　そうすると、引用発明の「半導体装置を製造する露光方法」は、本件補正発明の「半導体製造の二重露光フォトリソグラフィ方法」であるといえる。
　
　上記（１）〜（６）の点から、本件補正発明と引用発明は、
「ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
　前記ウェーハに第１のマスクを形成する工程と、
　前記ウェーハに前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを使用する第１の露光工程と、
　乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程を行って、前記ウェーハ上に前記アクティブパターンを形成する工程と、
　を含む半導体製造の二重露光フォトリソグラフィ方法。」
で一致し、以下（ａ）、（ｂ）の各点で相違する。
　
（ａ）第１の露光工程を、本件補正発明は、光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率が０．７５よりも大きい液浸リソグラフィにより行うのに対し、引用発明は、縮小投影露光により行う点。
（ｂ）ウェーハ上に前記アクティブパターンを形成するために、本件補正発明は、第１の露光工程の後、第１のフォトレジスト層を現像する工程を行って、アクティブパターンとダミーパターンとを含むパターンをウェーハ上に形成し、第１のフォトレジスト層を現像する工程の後、第２の露光工程を行って、アクティブパターンとダミーパターンとを含むパターンからダミーパターンを除去するのに対し、引用発明は、フォトレジストの所望パターンとダミーパターン以外の領域を露光し、次に、ダミーパターン１０２の領域が露光されて、所望パターン１０１のみが露光されない状態となる露光を行い、このフォトレジスト２を現像する点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
（ａ）の点について
　引用例１の【００１５】の記載から、引用発明の露光工程は、最初の露光で「第１のフォトマスクの所望パターンとダミーパターンが存在しない領域」を露光し、次の露光で「ダミーパターンが存在する領域」を露光するものであって、所望のパターンを形成する露光は第１の露光のみであって、第２の露光はダミーパターンを露光するものであるといえる。
　一方、引用例１の【００２４】の記載から、「第２のパターンの製造精度が緩和でき」るのは、「第１のフォトマスクを用いた露光」で、「高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成」を行うことにより、「第２のフォトマスクに形成する第２のパターンを、第１のフォトマスクのダミーパターンあるいはダミーパターンを含むダミーパターン間領域に形成すればよいため」であるといえる。
　そうすると、上述のとおり、引用例１の【００１５】の記載から、所望のパターンを形成する露光は第１の露光のみであって、第２の露光はダミーパターンを露光するものであるから、この「高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成」は、引用例１に記載された「所望パターンとダミーパターンを規則的に配置」したものに限らず、第１の露光は、単に高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成ができればよいといえる。
　一方、液体を用いる液浸露光が、液体を用いない乾式露光よりも微細な露光が可能であることは、周知の事項（特開２００５−１０９１５４号公報の【０００２】乃至【０００３】、特開２００５−１７５１７６号公報の【０００２】乃至【０００６】等参照。）である。
　そうすると、引用発明において、上記周知の事項を考慮しつつ、第１の露光工程を「高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成」が可能な液浸リソグラフィにより行い、第２の露光工程を「製造精度が緩和」した乾式リソグラフィにより行うことは、当業者が容易になしえたことである。
　そして、露光に用いる光束波長がより小さく、開口率（開口数）が大きい方が微細化に対応可能であることは周知の事項（特開２００５−１７５１７６号公報の【０００３】乃至【０００５】等参照。）であるところ、光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率（開口数）が０．７５よりも大きいリソグラフィは、引用例２の【００２７】に記載されているように、本願優先日前に知られていることであるから、上記液浸リソグラフィを、光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率（開口数）が０．７５よりも大きいリソグラフィで行うことに、格別の困難性はない。
　してみると、相違点（ａ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（ｂ）の点について
　一般的に、フォトリソグラフィの技術は、レジストの露光を行った後に現像を行うものであるから、本件補正発明は、「第１の露光工程の後、前記第１のフォトレジスト層を現像する工程を行」い、さらに、第２の露光工程の後、２回目の現像を行っているものと認められる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明は、現像回数が異なっていることとなるが、最終的にウェーハ上にアクティブパターンが形成される点で何ら変わるものではない。
　また、露光工程毎に複数回現像を行う場合と、複数回の露光工程が全て終わった後に１回現像を行う場合で、最終的に形成されるパターンが同じであれば、露光工程毎に複数回現像を行うか、複数回の露光工程が終わった後に１回現像を行うかは、当業者が適宜選択しうる設計的事項にすぎない。
　してみると、相違点（ｂ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
　相違点（ａ）、（ｂ）については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年６月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２２年６月９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（第２［理由］１参照。）
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物及びその記載事項、ならびに引用発明は、上記第２［理由］４（１）、（２）に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、上記第２［理由］１及び２で検討したとおり、本件補正発明の「第１の露光工程の後、前記第１のフォトレジスト層を現像する工程を行って、アクティブパターンとダミーパターンとを含むパターンを前記ウェーハ上に形成する工程と、前記第１のフォトレジスト層を現像する工程の後、乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程を行って、前記パターンから前記ダミーパターンを除去し、それにより前記ウェーハ上に前記アクティブパターンを形成する工程」から、その構成要素である「第１のフォトレジスト層を現像する工程」を除き、同じくその構成要素である「ウェーハ」を「基板層」としたものである。
　ここで、引用発明の「半導体基板１」は、本件補正発明の「ウェーハ」と同様に本願発明の「基板層」に相当するから、本願発明は、実質的に本件補正発明から上記構成要素を除いたものである。
　したがって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに、上記構成要素で限定した本件補正発明が、上記第２［理由］６に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。