(57)【要約】【課題】  集積回路が局所的に発熱する事を抑え、熱による集積回路の誤動作を抑制することを可能にする。【解決手段】  多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置であって、第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得部と、取得された温度情報に基づき第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路における回路部の動作を制御する動作制御部とを有する。【選択図】  図１
2017017164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置であって、
第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得手段と、
前記温度情報に基づき前記第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路における回路部の動作を制御する動作制御手段と、
を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記第２の集積回路は、制御対象となる複数の回路部を有し、
前記温度情報取得手段は、前記第２の集積回路における前記複数の回路部それぞれの位置に対応する、前記第１の集積回路における各温度を取得する
ことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記動作制御手段は、
前記温度情報取得手段が取得した温度が、予め設定した正常範囲にあるか否かを判定する判定手段と、
該判定手段により、前記温度が前記正常範囲の上限以上であって温度の上昇中であると判定された場合、或いは、前記温度が前記正常範囲の下限以下であって温度が降下中であると判定された場合、単位時間に対する温度変化に応じて、前記第２の集積回路における該当する回路部の駆動クロックの周波数を変更する変更手段と
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記判定手段は、
記憶部に記憶された、前記温度情報取得手段が取得した温度情報および前記正常範囲を参照する
ことを特徴とする請求項３に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記変更手段は、
前記判定手段によって、前記温度情報取得手段が取得した温度が、前記正常範囲の上限以上であって温度の上昇中であると判定された場合、温度上昇の勾配に応じて前記回路部の駆動クロックを下げ、
前記判定手段によって、前記温度情報取得手段が取得した温度が、前記正常範囲の下限以下であって温度の降下中であると判定された場合、温度降下の勾配に応じて前記回路部の駆動クロックを上げる処理を行い、
前記判定手段によって、上記以外の場合には、前記回路部への駆動クロックは変更しない
ことを特徴とする請求項３に記載の集積回路装置。
【請求項６】
多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置であって、
第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得手段と、
前記第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路の回路部の温度を推定する推定手段と、
該推定手段で推定された温度に基づき、前記第１の集積回路上の、前記第２の集積回路の回路部に対応する位置にある、回路部の動作を制御する動作制御手段と、
を有すること特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置の制御方法であって、
温度情報取得手段が、第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得工程と、
動作制御手段が、前記温度情報に基づき前記第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路における回路部の動作を制御する動作制御工程と、
を有することを特徴とする集積回路装置の制御方法。
【請求項８】
多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置の制御方法であって、
温度情報取得手段が、第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得工程と、
推定手段が、前記第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路の回路部の温度を推定する推定工程と、
動作制御手段が、前記推定工程で推定された温度に基づき、前記第１の集積回路上の、前記第２の集積回路の回路部に対応する位置にある、回路部の動作を制御する動作制御工程と、
を有する事を特徴とする集積回路装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路を多段に積層する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、製品の小型化、高機能化、省電力化の市場要求がますます強まっている。この要求を受け、半導体業界では、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を採用する３次元実装が注目を集めている。
【０００３】
例えば、複数の機能を盛り込んだＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の上層に、メモリデバイスを積層した高密度に集積された新たなＬＳＩが開発されている。さらには、ＬＳＩの上層に他のＬＳＩを積層する形態の開発も進んでいる。
【０００４】
ＴＳＶを採用することで、従来よりも、回路の高集積化、チップ間の通信バス帯域の拡張、低消費電力化を図ることが可能となる。例えば、メモリデバイスや他ＬＳＩなどの他ＩＣをＬＳＩに垂直方向に３Ｄ実装することでプリント基板の小型化を図れる。また、デバイスを貫通した配線が可能な貫通電極の利用で、チップ間の信号配線の短配線化によるタイミング性の向上、寄生容量の軽減による消費電力の軽減も図れる。さらに、従来のプリント基板の配線は１００ｕｍ程度の配線幅であるのに対し、貫通電極の径は数ｕｍ〜１０ｕｍ程度となっており、配線を細くする事で実装効率の向上も図れる。
【０００５】
一方、ＴＳＶを用いた３次元実装では、ＬＳＩの薄膜化により、垂直方向の熱抵抗が従来の実装に対して非常に低くなる。結果、上下に積まれたＬＳＩそれぞれがお互いの発熱の影響を受けやすくなり、熱の影響を受けたＬＳＩが誤動作する可能性が高まる。そのため、発熱の影響を軽減して誤動作を防止する技術として、ＬＳＩの間に断熱材を配置する特許文献１やヒートシンクを配置する技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３４７３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、今後、さらなる薄膜化が進むと、特許文献１に記されているような断熱材やヒートシンクによる対処だけでは、熱を十分に分散しきれなくなってくることが予想される。熱による誤動作の可能性を解消するためには、ＬＳＩ上に局所的に大きな熱（熱のホットスポット）が発生しないようにＬＳＩの各回路モジュールを動作させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題を解決するため、例えば本発明の集積回路装置は以下の構成を備える。すなわち、
多段に積層された複数の集積回路を有する集積回路装置であって、
第１の集積回路の温度情報を取得する温度情報取得手段と、
前記温度情報に基づき前記第１の集積回路に隣接して積層される第２の集積回路における回路部の動作を制御する動作制御手段とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、集積回路が局所的に発熱する事を抑え、熱による集積回路の誤動作を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】半導体装置の基本ブロック構成図。
【図２】温度判定部の記憶部に記憶する情報を示す図。
【図３】本提案の実装図
【図４】第１の実施形態の温度判定部のフローチャート
【図５】第１の実施形態の温度判定部の判定基準を説明する図
【図６】第１の実施形態の動作制御部のフローチャート
【図７】第２の実施形態における基本ブロック構成図。
【図８】第２の実施形態の温度推測部が持つ温度情報を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面に従って本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
【００１２】
［第１の実施形態］
第１の実施形態を、図１乃至図６を用いて以下に説明する。図１は第１の実施形態に関わる半導体集積装置１００の基本的な構成図である。
【００１３】
半導体集積装置１００は、２つの集積回路１０１，１０２で構成される。集積回路１０１、１０２は、どのような目的のＬＳＩでも構わない。ただし、実施形態における集積回路１０１は、ＬＳＩを構成する第４の回路部３０１、第５の回路部３０２、第６の回路部３０３を有する。また、集積回路１０１は、集積回路１０２と積層した祭に、集積回路１０２が実装する３つの回路部（符号１０８乃至１１０）のそれぞれに対応する位置に、第１の温度情報取得部１０３，第２の温度情報取得部１０４，第３の温度情報取得部１０５を有する。これら３つの第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５は、集積回路１０１を構成する主要な回路部に配置されるものとする。また、集積回路１０２は、第１の回路部１０８、第２の回路部１０９、及び、第３の回路部１１０を有する。そして、集積回路１０２は、更に温度判定部１０６、動作制御部１０７を有する。
【００１４】
第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５は、集積回路１０１のそれぞれが配置される位置の温度を検出し、検出した温度を示す温度情報を、集積回路１０２の温度判定部１０６へ供給する。ここで、第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５による温度情報の取得の単位時間（インターバル）は特に問わないが、ここでは１ミリ秒とする。なお、集積回路１００に実装される第４乃至第６の回路部３０１〜３０３は、固定のクロック周波数で動作するものとし、温度制御対象外として説明する。
【００１５】
温度判定部１０６は、第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５から供給される温度情報から集積回路１０１における該当する各回路部が使用可能な動作周波数を判定し、その判定結果を示す情報を周波数変更命令として動作制御部１０７に供給する。周波数変更命令には、例えば動作制御部１０７の分周比を設定するための情報が含まれている。
【００１６】
また、温度判定部１０６は、図２（ａ）〜（ｃ）に示されるような、温度情報と周波数の関係を示したテーブルを記憶するための不図示の記憶部を持つ。また、温度判定部１０６は、書き込み可能なメモリ（レジスタ又はＲＡＭ）も備え、第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５から供給された温度情報を、その時間ともにメモリに書き込む。なお、テーブルの情報は、あらかじめシミュレーションなどにより数値を決定しておく。また、図２（ａ）〜（ｃ）で示されている数値は第１の実施形態を説明するための数値であり、実際にはシステムごとに変わるものであり、これら数値に限定されるものではない。
【００１７】
図２（ａ）は高温側基準温度を示しているテーブルである。高温側基準温度とは、第１乃至第３の回路部１０８〜１１０が通常動作した場合に、集積回路１０１の許容温度を超えてしまう事が予測される温度を示している。なお、この温度は、或る程度の余裕をもった温度であり、この温度を超えたからといって直ちに該当する回路部が正常動作しなくなることを意味するものではない。また、集積回路１０２から集積回路１０１への熱の伝わりやすさは、集積回路１０１，１０２の領域によって異なるため、領域毎に異なる基準温度が設定されている。
【００１８】
図２（ｂ）は低温側基準温度を示しているテーブルである。低温側基準温度とは、第１乃至第３の回路部１０８〜１１０が通常動作しても集積回路１０１の動作に誤動作が無いと予測される温度を示す。また、集積回路１０２から集積回路１０１への熱の伝わりやすさが集積回路１０１、１０２の領域によって異なるため、領域毎に異なる基準温度が設定されている。
【００１９】
図２（ｃ）は温度変化に応じて各回路部に設定する動作周波数を示しているテーブルである。温度変化に応じた回路部の動作周波数は、温度変化の勾配によって集積回路１０１の動作に誤動作が生じる許容温度まで達しない動作周波数を事前にシミュレーションで確認した値を設定する。
【００２０】
動作制御部１０７は、温度判定部１０６からの周波数変更命令と第１乃至第３の回路部１０８〜１１０の動作の基となるクロック信号を入力する。そして。動作制御部１０７は、周波数変更命令に基づき第１乃至第３の回路部１０８〜１１０を駆動するためのクロック信号を分周した駆動クロック信号を出力する。
【００２１】
第１乃至第３の回路部１０８〜１１０それぞれは、動作制御部１０７からの駆動クロック信号を入力し、その駆動クロック信号に基づいた動作周波数で各種処理を行う。
【００２２】
以上、本実施形態における半導体集積装置１００の構成と基本動作を説明した。なお、本第１の実施形態は、集積回路１０１，１０２や第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５、第１乃至第３の回路部１０８〜１１０を記したが、この個数に限定するものではなく、いくつあっても構わない。あくまで例示であると理解されたい。
【００２３】
次に、図３を用いて、集積回路１０１と集積回路１０２が、３次元的にどのように接続されているかを説明する。
【００２４】
集積回路１０１と集積回路１０２は、双方の信号接続がいくつものＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ：シリコン貫通電極）３０４を用いて接続されている。このＴＳＶ３０４を介して、第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５が取得した温度情報が、温度判定部１０６に転送される。また同様に、ＴＳＶ３０４を介して、集積回路１０２の第１乃至第３の回路部１０８〜１１０と、集積回路１０１の回路部の間でデータ転送をおこなっている。なお、ＴＳＶ３０４を用いて集積回路１０１および集積回路１０２の間を接続する際、マイクロバンプがＴＳＶ３０４の経路上に配置されていてもよい。マイクロバンプとは、集積回路を接続する際に用いられる電極部にメッキで形成した突起である。
【００２５】
図４を用いて、温度判定部１０６が第１の温度情報取得部１０３から入力される温度情報に基づき、周波数変更命令を出力するまでの動作を説明する。第１の温度情報取得部１０３から温度判定部１０６に供給される温度情報を、取得温度情報と名前を定義して、以降の説明を行っていく。同様に、温度判定部１０６の不図示の記憶部に書き込まれている温度情報を、記憶温度情報と名前を定義して、以降の説明を行っていく。
【００２６】
第１の温度情報取得部１０３が温度情報を取得した時、図４のフローが開始する。まずステップＳ４０１にて、温度判定部１０６は、第１の温度情報取得部１０３が取得した取得温度情報と高温側基準温度との比較を行う。そして、ステップＳ４０１ａにて比較の判定を行う。判定結果が取得温度情報が高温側基準温度以上を示す場合、処理をステップＳ４０２へ進める。また、判定結果が取得温度情報が高温側基準温度に満たないことを示す場合、処理をステップＳ４０７へ進む。
【００２７】
ステップＳ４０２にて、温度判定部１０６は自身が持つ不図示の記憶部に格納されている記憶温度情報を読み出す。そして、ステップＳ４０３にて、温度判定部１０６は、読み出した記憶温度情報と、第１の温度情報取得部１０３が取得した取得温度情報（現在の温度を示す情報）とを比較する。そして、ステップＳ４０３ａにて、比較の判定を行う。判定結果が、取得温度情報が記憶温度情報以上の場合、つまり、温度上昇中であることを示す場合、処理をステップＳ４０４へ進める。また、判定結果が、取得温度情報が記憶温度情報を下回ることを示す場合には処理をステップＳ４０６へ進める。
【００２８】
ステップＳ４０４には、温度判定部１０６は、取得温度情報が記憶温度情報以上と判定されたため、取得温度情報と記憶温度情報の温度変化の勾配を計算する。尚、勾配を計算する際には、温度変化に対する時間変化の情報が必要となるが、温度情報を１ミリ秒ごとで取得するため、時間変化の情報はこの周期の情報を使用すればよい。そして。ステップＳ４０５にて、温度判定部１０６は、図２（ｃ）に記すテーブルの第１の回路部１０８の情報から、ステップＳ４０５で計算した温度変化の勾配に対応する動作周波数の値を取得する。そして、温度判定部１０６は、取得した動作周波数への変更を指示する周波数変更命令を動作制御部１０７へ出力する。
【００２９】
ステップＳ４０６には、温度判定部１０６が、第１の温度情報取得部１０３から取得した取得温度情報を記憶温度情報として、温度判定部１０６が持つ不図示の記憶部へ格納する。
【００３０】
一方、ステップＳ４０７に処理が進んだ場合、温度判定部１０６は、第１温度情報取得部１０３が取得した取得温度情報と低温側基準温度との比較判定を行う。そして、ステップＳ４０７ａにて、比較の判定を行う。判定結果が、取得温度情報が低温側基準温度以下であることを示す場合、処理をステップＳ４０８へ進める。また、判定結果が、取得温度情報が低温側基準温度を超えることを示す場合、処理をステップＳ４０６へ進める。
【００３１】
ステップＳ４０８にて、温度判定部１０６は自身が持つ不図示の記憶部に格納されている記憶温度情報を読み出す。そして、ステップＳ４０９にて、温度判定部１０６は、読み出した記憶温度情報と第１温度情報取得部１０３が取得した取得温度情報とを比較を行う。そして、ステップＳ４０９ａにて、その比較判定を行う。判定結果が、取得温度情報が記憶温度情報以下であることを示す場合、つまり、温度降下中である場合、処理をステップＳ４１０へ進める。また、判定結果が、取得温度情報が記憶温度情報を下回ることを示す場合には、処理をステップＳ４０６へ処理を進める。
【００３２】
ステップＳ４１０にて、温度判定部１０６は、取得温度情報が記憶温度情報以下と判定されたため、第１の回路部１０８の動作周波数の変更（周波数を上げるため）する周波数変更命令を動作制御部１０７へ出力する。
【００３３】
また、ここでは第１の温度情報取得部１０３から取得温度情報を取得した例を記したが、第２の温度情報取得部１０４や第３の温度情報取得部１０５から温度情報を取得した際も温度判定部１０６は同様の処理を行う事とする。
【００３４】
図５は、温度判定部１０６に記憶する高温側基準温度と低温側基準温度の情報を用いた判定によって集積回路１０１の温度変化を説明する。
【００３５】
集積回路１０２が動作すると熱伝導により集積回路１０１の温度が上昇し、温度が上昇し続けると集積回路１０１の動作が保証された許容温度を超えてしまう可能性がある。そのため、許容温度以下に高温側基準温度を設定し、温度判定部１０６は時間（タイミング）ｔ１にて集積回路１０１の温度が高温側基準温度以上になった事を判定する。この判定により、温度判定部１０６は集積回路１０１の温度が許容温度を超えないよう集積回路１０２の動作を制限するよう命令を出力したため、集積回路１０１の温度が低下する。
【００３６】
また、高温側基準温度以下に低温側基準温度を設定し、温度判定部１０６は時間ｔ２にて集積回路１０１の温度が低温側基準温度以下になった事を判定する。この判定により、温度判定部１０６は集積回路１０２の動作の制限を解除して通常動作させる命令を出力したために、再び集積回路１０１の温度が上昇し始める。
【００３７】
このように高温側基準温度および低温側基準温度を設定する事で、集積回路１０１の温度は、実質的に許容温度範囲内で変化させる事が可能となる。
【００３８】
次に、図６を参照し、動作制御部１０７が第１の回路部１０８に対して行う制御手順を説明する。
【００３９】
動作制御部１０７は、温度判定部１０６から周波数変更命令を受けた際、以下の処理を行う。
【００４０】
まず、ステップＳ６０１にて、動作制御部１０７は、温度判定部１０６から入力された第１回路部１０８に関する周波数変更命令に基づき、第１回路部１０８へ供給する分周クロック信号を決定する。分周比の決定方法は、例えば、周波数変更命令に基づき、回路部毎に指定された周波数になるように、入力されるクロック信号と指定された周波数の値から分周比を決定すれば良い。具体的には、周波数変更命令を元に自動的に必要な分周比を算出して周波数を切り替えるようなセレクタ回路を持たせることで実現できる。
【００４１】
ステップＳ６０２にて、動作制御部１０７は、決定した分周比に基づきクロック信号を分周して、分周クロック信号を生成する。そして、ステップＳ６０３にて、動作制御部１０７は、生成した分周クロック信号を第１の回路部１０８への供給を開始する。
【００４２】
上述する手順で、動作制御部１０７が第１の回路部１０８の動作周波数を変更できる。尚、ここでは第１の回路部１０８の動作周波数を変更する手順を記したが、第２の回路部１０９、第３の回路部１１０についても同様の手順で動作周波数の変更は可能である。
【００４３】
以上の説明を第１の回路部１０８に着目してまとめると、次の通りである。図２（ａ）の該当する高温側基準温度「１００」を温度上限を示す閾値ＴH，図２（ｂ）の該当する低温側基準温度「５５」を温度下限を示す閾値ＴLと定義する。つまり、温度５５〜１００°を正常範囲と定義する。そして、現材の温度（取得温度情報）をＴ、１ミリ秒前の温度（記憶温度情報）をＴPREと定義する。
・Ｔ≧ＴH（上限以上）で、且つ、Ｔ≧ＴPRE（温度上昇中）である場合、温度勾配に応じて第１の回路部１０８の駆動クロックの周波数を下げる。
・Ｔ≦ＴL（下限以下）で、且つ、Ｔ≦ＴPRE（温度降下中）である場合、温度勾配に応じて第１の回路部１０８の駆動クロックの周波数を上げる。
・上記以外の場合は、現状維持（駆動記録の周波数を変更しない）とする。
【００４４】
以上の手順により、積層された集積回路が局所的に発熱する事を抑え、熱による集積回路の誤動作を抑制することが可能となる。
【００４５】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、集積回路１０２の各回路部の動作周波数を集積回路１０１の温度情報に基づいて設定する例であった。本第２の実施形態では、集積回路７０６の温度情報を取得して動作周波数を変更する。
【００４６】
図７は、第２の実施形態の半導体集積装置１００における構成例を示すものである。この半導体集積装置１００は、２つの集積回路７０５と集積回路７０６で構成される。そして、集積回路７０５と集積回路７０６は、積層され、且つ、ＴＳＶ３０４で接続されている。
【００４７】
ここで、集積回路７０５は、第４の回路部３０１、第５の回路部３０２、第６の回路部３０３を有する。
【００４８】
また、集積回路７０６は、第１の実施形態と同様、第１の回路部１０８、第２の回路部１０９、第３の回路部１１０を有する。また、集積回路７０６は、更に、第４の温度情報取得部７０１、第５の温度情報取得部７０２、第６の温度情報取得部７０３、温度推測部７０４、温度判定部１０６、動作制御部１０７を有する。
【００４９】
第４乃至第６の回路部３０１〜３０３と、温度判定部１０６、動作制御部１０７、第１乃至第３の回路部１０８〜１１０の構成と処理は、第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。以下では、第４乃至第６の温度情報取得部７０１〜７０３と温度推測部７０４の構成と処理についてのみ説明する。
【００５０】
第４乃至第６の温度情報取得部７０１〜７０３は、集積回路７０６の第１乃至第３の回路部１０８〜１１０が配置される領域の温度情報を取得し、取得した温度情報を集積回路７０６の温度推測部７０４へ供給する。なお、第４乃至第６の温度情報取得部７０１〜７０３の温度を取得する周期は第１の実施形態と同様に１ミリ秒とするが、これは一例であり、他の周期であっても構わない。
【００５１】
本第２の実施形態の状況は、例えば、第２の集積回路７０６における第４乃至第６の温度情報取得部７０１乃至７０３それぞれは、集積回路７０５における第４乃至第６の回路部３０１〜３０３と対応する位置にある。つまり、第２の集積回路７０６における第４乃至第６の温度情報取得部７０１乃至７０３それぞれは、集積回路７０５における第４乃至第６の回路部３０１〜３０３の温度を推定するのに都合が良い位置にあるものとする。ただし、第４乃至第６の温度情報取得部７０１乃至７０３、第１乃至第３の回路部１０８乃至１１０とは距離を推定できる程度まで、近くは無い。かかる状況を前提にすると分かりやすい。
【００５２】
温度推測部７０４は、第４乃至第６の温度情報取得部７０１〜７０３が取得した温度情報を入力し、集積回路７０５の第４乃至第６の回路部３０１〜３０３を推定し、その推定した温度を出力する。ここで推測した温度情報は、第１の実施形態の第１乃至第３の温度情報取得部１０３〜１０５の出力と同等のものであり、その後の温度判定部の処理が第１の実施形態と変わる事はない。
【００５３】
温度推測部７０４は、取得した温度情報に基づき推測される第４乃至第６の回路部３０１〜３０３の温度情報のテーブルを保持する。この温度情報のテーブルを参照する事で、第４乃至第６の回路部３０１〜３０３の温度を推測する。このような温度情報のテーブルを使って第４乃至第６の回路部３０１〜３０３の温度を推測する手段は一例であり、限定するものではなく、例えば演算回路を実装し、計算から推測する事でも実現できる。
【００５４】
図８に本第２の実施形態における温度推測部７０４が保持する温度情報のテーブルを示す。
【００５５】
Ｔｒは第４乃至第６の温度情報取得部３０１〜３０３から取得した温度情報を示している。Ｔｓは、事前に第１乃至第３の回路部１０３〜１０５と、第４乃至第６の回路部３０１〜３０３の熱伝導のシミュレーションなどにより決定した温度情報である。
【００５６】
ＴｓはＴＳＶ接続領域の中心からの半径によって値が変動し、また温度情報Ｔｒの値によっても変動する。図８に示すテーブルには、Ｔｒを横軸、ＴＳＶ接続領域の中心からの半径を縦軸として、Ｔｓの値をテーブルとして持つ。例えば、Ｔｒが１００℃の時の第４の回路部３０１のＴＳＶ接続領域の中心からの半径が０．１ｍｍの範囲は、図８のテーブルから１０５度であると推測できる。
【００５７】
以上の手順により、積層された集積回路のシステムでも、第１の実施形態とは異なる集積回路に温度情報取得部を実装した場合でも、積層された集積回路が局所的に発熱する事を抑え、熱による集積回路の誤動作を抑制することが可能となる。
【００５８】
なお、上記実施形態では、２つの集積回路を積層する例を説明したが、３つ以上であっても構わない。要するに、上記第１、第２の実施形態は、多段に積層した集積回路における隣接する２つの集積回路に着目したものと理解されたい。
【００５９】
また、上記実施形態では、集積回路上の温度情報取得部の数と、駆動クロックを制御する対象の回路部の数とが一致するものとした。しかし、１つの制御対象の回路部を取り囲むように複数の温度情報取得部が位置する場合には、それら複数の温度の線形補間等によって、制御対象の回路部の温度を推定することもできるので、必ずしも両者が同じ数にする必要もない。
【符号の説明】
【００６０】
１００…半導体集積装置、１０１、１０２、７０５，７０６…集積回路、１０３…第１の温度情報取得部、１０４…第２の温度情報取得部、１０５…第３の温度情報取得部、１０６…温度判定部、１０７…動作制御部、１０８…第１の回路部、１０９…第２の回路部、１１０…第３の回路部、３０１…第４の回路部、３０２…第５の回路部、３０３…第６の回路部、３０４…ＴＳＶ、７０１…第４の温度情報取得部、７０２…第５の温度情報取得部、７０３…第６の温度情報取得部、７０４…温度推定部
【図１】
2017017164.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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