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　特願２００７−　５８８０４「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月２５日出願公開、特開２００８−２２６９０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１９年３月８日の出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２１年８月２１日に手続補正がされたが、平成２２年７月２０日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年１０月２１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 
　
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２１年８月２１日に補正された本願の請求項１に記載された次のとおりのもの（以下「本願発明」という。 ）と認められる。 
「基板と、前記基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、
　前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層はＩｎを含んでおり、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層の一方の面は前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層の一方の面と接し、前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層の他方の面は該ｎ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップの大きい層と接しており、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップの大きい層との界面と、前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層との界面と、の最短距離が４０ｎｍ未満であり、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層中のｎ型ドーパントの濃度が５×１０19／ｃｍ3未満であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。」
　
第３　引用例の記載事項と引用発明の認定 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−１２８５０２号公報（以下「引用例」という。）には図とともに以下の記載がある。
「【０００７】
　図１Ａは、本発明の実施形態による単一発光領域を有する発光装置を示す。図１Ａに示す装置は、空孔拡散層としてトンネル接合を組み込んだ「ＶＲＣＬＥＤ」又は「ＶＣＳＥＬ］である。発光する活性領域３は、ｎ型層２とｐ型層４とを分離する。活性領域３は、例えば、単一発光層か、又は、本明細書において引用により組み込まれる２００１年１１月２日出願の「インジウムガリウム窒化物の分離閉じ込めヘテロ構造発光装置」という名称の米国特許出願一連番号１０／０３３，３４９により詳細に説明された分離閉じ込めヘテロ構造のような、交替する量子井戸層及びバリア層の多重量子井戸構造とすることができる。ｎ型層は、例えば、ＳｉドープされたＡｌＧａＮであり、ｐ型層４は、例えば、ＭｇドープされたＡｌＧａＮであり、活性領域は、例えば、ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造であるとしてもよい。トンネル接合１００は、ｐ型層４の上に形成される。
【０００８】
　トンネル接合１００は、ｐ＋＋層とも呼ばれる高度にドープされたｐ型層５と、ｎ＋＋層とも呼ばれる高度にドープされたｎ型層６とを含む。ｐ＋＋層５は、例えば、Ｍｇ又はＺｎのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮ又はＧａＮとすることができる。いくつかの実施形態では、ｐ＋＋層５は、約２×１０20ｃｍ-3から約４×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされる。ｎ＋＋層６は、例えば、Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮ又はＧａＮとすることができる。いくつかの実施形態では、ｎ＋＋層６は、約７×１０19ｃｍ-3から約９×１０19ｃｍ-3までの濃度にドープされる。トンネル接合１００は、通常は非常に薄く、例えば、トンネル接合の厚さは、全体で約２ｎｍから約１００ｎｍの範囲であり、ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６の厚さは、それぞれ約１ｎｍから約５０ｎｍの範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６の厚さは、それぞれ約２５ｎｍから約３５ｎｍの範囲としてもよい。ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６の厚さは必ずしも同じである必要はない。一実施形態では、ｐ＋＋層５は、１５ｎｍのＭｇドープされたＩｎＧａＮであり、ｎ＋＋層６は、３０ｎｍのＳｉドープされたＧａＮである。ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６は、勾配を付けたドーパント濃度を有することができる。例えば、下に重なるｐ層４に隣接するｐ＋＋層５の一部分のドーパント濃度は、下に重なるｐ型層のドーパント濃度から、ｐ＋＋層５の所望のドーパント濃度まで勾配を付けることができる。同様に、ｎ＋＋層６のドーパント濃度は、ｐ＋＋層５に隣接する最大値からｎ型層７に隣接する最小値まで勾配を付けてもよい。トンネル接合１００は、電流を逆バイアスモードで導電する時にトンネル接合１００が低い直列電圧降下を示すように、十分に薄く十分にドープされるように製造される。いくつかの実施形態では、トンネル接合１００全体に亘る電圧降下は、約０．１Ｖから約１Ｖである。
【０００９】
　第２のｎ型層７は、トンネル接合１００の上に形成される。正の電気接点９は、ｎ型層７に取り付けられ、負の電気接点１０は、ｎ型層２に取り付けられる。図１Ａに示す装置は、「ＶＲＣＬＥＤ」又は「ＶＣＳＥＬ］であり、従って、それはまた、ｎ型層２の下に下部分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１を含む。「ＤＢＲ」１は、誘電体であるか、又は、現場でＩＩＩ族窒化物材料から形成することができる。上部「ＤＢＲ」８は、ｎ型層７上で形成される。当業者には明らかなように、図１Ａに示す装置は、「ＤＢＲ」１及び８のない発光ダイオードとして製造されてもよい。」
　
　上記記載が参照する引用例の【図１Ａ】からは、ｎ型層２、活性領域３、ｐ型層４、ｐ＋＋層５、ｎ＋＋層６、第２のｎ型層７、の順で積層されていることが看取できる。
　
　上記記載の【０００７】には「ｎ型層は、例えば、ＳｉドープされたＡｌＧａＮであり」とあるから、「ｎ型層２」と「ｎ型層７」は「ＳｉドープされたＡｌＧａＮ」であってもよい。
　
　上記記載の【０００７】には「ｐ型層４は、例えば、ＭｇドープされたＡｌＧａＮであり」とあるから、「ｐ型層４」は、「ＭｇドープされたＡｌＧａＮ」であってもよい。
　
　上記記載の【０００７】には「発光する活性領域３」とあるから、「活性領域３」は「発光する活性領域３」である。
　
　上記記載の【０００８】には、「ｐ＋＋層５は、例えば、Ｍｇ又はＺｎのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮ又はＧａＮとすることができる。」及び「ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６の厚さは、それぞれ約２５ｎｍから約３５ｎｍの範囲としてもよい。」とあるから、「ｐ＋＋層５」は「Ｍｇ又はＺｎのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｐ＋＋層５」であってもよい。
　
　上記記載の【０００８】には、「ｎ＋＋層６は、例えば、Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮ又はＧａＮとすることができる。」及び「ｐ＋＋層５とｎ＋＋層６の厚さは、それぞれ約２５ｎｍから約３５ｎｍの範囲としてもよい。」とあるから、「ｎ＋＋層６」は「Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｎ＋＋層６」であってもよい。
　
　上記記載の【０００８】には「トンネル接合１００は、ｐ＋＋層とも呼ばれる高度にドープされたｐ型層５と、ｎ＋＋層とも呼ばれる高度にドープされたｎ型層６とを含む。」とあるから、「トンネル接合１００」は「ｐ＋＋層５」と「ｎ＋＋層６」とを含む。
　上記記載の【０００９】には「図１Ａに示す装置は、「ＤＢＲ」１及び８のない発光ダイオードとして製造されてもよい。」とあるから、図１Ａに示された発光装置は、分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）のない発光ダイオードであってもよい。
　
　上記記載より、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＳｉドープされたＡｌＧａＮであるｎ型層２、発光する活性領域３、ＭｇドープされたＡｌＧａＮであるｐ型層４、Ｍｇ又はＺｎのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｐ＋＋層５、Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｎ＋＋層６、ＳｉドープされたＡｌＧａＮである第２のｎ型層７、の順に積層され、
　前記ｐ＋＋層５と前記ｎ＋＋層６とを含むトンネル接合１００を有する、
　発光ダイオード。」
　
第４　対比 
　本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「ＳｉドープされたＡｌＧａＮであるｎ型層２」、「発光する活性領域３」、「ＭｇドープされたＡｌＧａＮであるｐ型層４」、「ＳｉドープされたＡｌＧａＮである第２のｎ型層７」及び「トンネル接合１００」は、それぞれ、本願発明の「第１のｎ型窒化物半導体層」、「発光層」、「ｐ型窒化物半導体層」、「第２のｎ型窒化物半導体層」及び「トンネル接合」に相当する。
　
　引用発明において、「Ｍｇ又はＺｎのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｐ＋＋層５」及び「Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタを用いて約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3までの濃度にドープされたＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｎ＋＋層６」は、ともに「トンネル接合１００」に含まれているのであるから、それぞれ、本願発明の「ｐ型窒化物半導体トンネル接合層」及び「ｎ型窒化物半導体トンネル接合層」に相当する。
　
　引用発明の各層は窒化物半導体で形成されているから、引用発明の「発光ダイオード」は、本願発明の「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
　引用発明において、「トンネル接合１００」が「ｐ＋＋層５」と「ｎ＋＋層６」とを含んでいることは、本願発明において、「ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成して」いることに相当する。
　
　引用発明において、「ｎ＋＋層６」が「ＩｎＧａＮ」であることは、本願発明において、「ｎ型窒化物半導体トンネル接合層はＩｎを含んで」いることに相当する。
　
　ＡｌＧａＮのバンドギャップはＩｎＧａＮのバンドギャップより大きいから、引用発明において、「ＳｉドープされたＡｌＧａＮである第２のｎ型層７」は、「ＩｎＧａＮであり約２５ｎｍから約３５ｎｍの厚みのｎ＋＋層６」よりバンドギャップの大きい層である。　
　
　引用発明における各層の積層順から、「ｎ＋＋層６」は、一方の面が「ｎ＋＋層６よりバンドギャップの大きい層」である「第２のｎ型層７」と接しており、他方の面は「ｐ＋＋層５」と接している。
　
　引用発明において、「ｎ＋＋層６」と「ｎ＋＋層６よりバンドギャップの大きい層」である「第２のｎ型層７」との界面と、「ｐ＋＋層５」と「ｎ＋＋層６」との界面との最短距離は、「ｎ＋＋層６」の厚みにほかならないから約２５ｎｍから約３５ｎｍであり、４０ｎｍ未満である。
　　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞
「第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、
　前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層はＩｎを含んでおり、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層の一方の面は前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層の一方の面と接し、前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層の他方の面は該ｎ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップの大きい層と接しており、
　前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップの大きい層との界面と、前記ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と前記ｎ型窒化物半導体トンネル接合層との界面と、の最短距離が４０ｎｍ未満である、
　窒化物半導体発光素子。」
　
＜相違点１＞
　本願発明は、「基板と、前記基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層と・・・を含み」と特定されているのに対して、引用発明は該特定を有しない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明は「ｎ型窒化物半導体トンネル接合層中のｎ型ドーパントの濃度が５×１０19／ｃｍ3未満である」と特定されているのに対して、引用発明は該特定を有しない点。
　
第５　判断
１　＜相違点１＞について
　発光ダイオードを製造する際に、基板の上に各半導体層を形成することは本願の出願前に周知である。
　例えば、引用例の【０００２】には「スタックには、多くの場合、
基板の上に形成され
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３１９７０３号公報には以下の記載がある。
「【請求項１】　第１のｎ型III族窒化物半導体積層構造，ｐ型III族窒化物半導体積層構造，第２のｎ型III族窒化物半導体積層構造を少なくとも有する
III族窒化物半導体積層構造が、基板上に形成されており
　
　よって、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
　
２　＜相違点２＞について
　引用発明の「ｎ型窒化物半導体トンネル接合層」（ｎ＋＋層６）のｎ型ドーパントである「Ｓｉ又はＧｅのようなアクセプタ」の濃度は「約１０18ｃｍ-3から約５×１０20ｃｍ-3まで」である。
　一方、本願発明の「ｎ型窒化物半導体トンネル接合層」中のｎ型ドーパントの濃度は、「５×１０19／ｃｍ3未満」であり、これは「約１０18ｃｍ-3から５×１０19／ｃｍ3未満」の範囲を含んでいる。
　よって、「約１０18ｃｍ-3から５×１０19／ｃｍ3未満」の範囲において、引用発明と本願発明は、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層」中のｎ型ドーパントの濃度が一致しており、＜相違点２＞は実質的な差異ではない。
　　
３　小括
　上記１及び２より、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。