【事件の表示】
　特願２００５−３２６０５２「有機ＥＬパネルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月３１日出願公開、特開２００７−１３４１６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年１１月１０日を出願日とする出願であって、平成２２年１１月２９日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、平成２３年１月１１日付けで手続補正がなされ、その後、同年３月７日付けで拒絶査定がされた。
　本件は、これを不服として、平成２３年５月２５日に請求された拒絶査定不服審判である。 
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１月１１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「異なる発光色を呈し、それぞれ異なる膜厚ｄ１，ｄ２にて形成する第一，第二の有機層をそれぞれ一対の電極間に挟持してなる複数の第一，第二の発光画素を基板上に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記第一，第二の発光画素の前記両電極間にそれぞれ下記式（１）を満たすように異なる電圧ｖ１，ｖ２を印加し、
式（１）　Ｅ＝ｖ１／ｄ１＝ｖ２／ｄ２
前記第一，第二の発光画素にかかる電界強度Eを略一定とし、前記第一，第二の発光画素の欠損部分における前記電極の一方を除去するエージング処理工程を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。」
　
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１５年１０月３日に頒布された「特開２００３−２８２２５３号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造方法に関し、特に、ディスプレイの歩留まりを向上させる安定化処理方法であるエージング方法に関する。」
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機ＥＬ素子は、電極間の有機膜が極めて薄く（例えばサブミクロンオーダ程度）、この電極の膜や有機膜に発生する欠陥部（膜欠陥部）が微小なものであっても容易に電流が集中し、非発光にいたるという問題がある。
【０００５】この微小な欠陥の原因としては、電極や有機膜といった膜を形成する際に発生するゴミやチリ等が挙げられるが、大きな面積でこれらの欠陥が無く均一な膜を形成することは大変困難である。
【０００６】そこで、素子の製造工程において、陽極と陰極との間に電圧を印加するエージング処理を行って膜欠陥部を予めオープン破壊させておくことが考えられる。オープン破壊とは、欠陥部を不導体化させることであり、エージングの際に生じるジュール熱によって当該膜欠陥部に対応する電極を破壊してオープン状態（絶縁状態）としたり、酸化して不導体化したりする等の現象により発生すると考えられる。
【０００７】このようなオープン破壊を行った膜欠陥部は局所的な非発光部となるが、問題となる膜欠陥部は、もともと視認できない程度の微小なものであり、表示品質には影響せず、問題はない。」
「【００１２】有機ＥＬ素子は、通常、上下電極間（陽極と陰極との間）に多数の有機膜が積層され、一般には５層から７層と複雑である。さらには、これら多層膜の材料や膜厚も、適用対象等によって種々異なるのが実情である。したがって、従来のエージング方法は、すべての素子構成に普遍的に適用できるものではなかった。
【００１３】つまり、このような層構造の異なる様々な有機ＥＬ素子に対して普遍的に適用して、膜欠陥部のオープン破壊と正常部の破壊防止とを確実に両立できるようなエージング方法は、従来無かった。
【００１４】そこで、本発明は上記問題に鑑み、素子の正常部に損傷を与えることなく、膜欠陥部を予め適切にオープン破壊させることのできる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。」
「【００６６】（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子Ｓ１の概略断面構成を示す図である。図１に示す有機ＥＬ素子Ｓ１は、表示パネルの１画素を示すものであり、当該表示パネルは、例えば、この素子Ｓ１を複数個平面配置した構成、つまり複数個の画素構成を有するものである。
【００６７】図１において、基板としてのガラス基板１の一面上には、陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７および陰極８といった各膜が順次積層されている。
【００６８】陽極２は透明電極材料、ホール注入層３〜電子輸送層６は、ホール輸送性や電子輸送性を持つ有機材料や有機ＥＬ材料からなり、また、電子注入層７は電子注入性を持つ無機や有機の材料、陰極８は金属配線材料から構成されている。ここで、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５および電子輸送層６が有機膜３〜６を構成している。なお、電子注入層７は無くても良い。
【００６９】限定するものではないが、本第１実施形態における陽極２〜陰極８の各層の一構成例を示す。陽極２はＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）からなる膜厚１４０ｎｍの膜、ホール注入層３はＣｕＰｃ（銅フタロシアニン錯体）からなる膜厚５０ｎｍの膜、ホール輸送層４はＴＰＴＥ（テトラトリフェニルアミン）からなる膜厚６０ｎｍの膜とする。
【００７０】また、発光層５はジメチルキナクリドンが１％ドープされたＡｌｑ3（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）からなる膜厚４０ｎｍの膜、電子輸送層６はＡｌｑ3からなる膜厚２０ｎｍの膜、電子注入層７はＬｉＦ（フッ化リチウム）からなる膜厚０．５ｎｍの膜、そして、陰極８はＡｌからなる厚さ１００ｎｍの膜とする。」
「【００８５】図４の例では、欠陥部の破壊電圧は、欠陥部のオープン破壊が発生する最小電圧を採用すれば−８Ｖであり、欠陥部のオープン破壊が発生する最大電圧を採用すれば−１６Ｖである。また、有機ＥＬ素子（正常部）の破壊電圧は、正常部の破壊は確実に防止するという点から、最小電圧である−３６Ｖを採用する。
【００８６】こうして破壊電圧測定工程を行い、欠陥部の破壊電圧および有機ＥＬ素子の破壊電圧を求めた後、これら両破壊電圧の間の電圧範囲を、エージング処理における印加電圧の範囲として、有機ＥＬ素子Ｓ１において陽極２と陰極８との間に電圧を印加するエージング処理を行う（エージング工程）。
【００８７】このエージング工程により、各膜２〜８に存在している視認できない程度の微小な欠陥部をオープン破壊させる。このエージング工程では、エージング処理を、欠陥部の破壊電圧と有機ＥＬ素子の破壊電圧との間の電圧範囲にて行うため、正常部は破壊せずに、欠陥部のみをオープン破壊することができる。なお、各膜２〜８に視認できる欠陥部が存在していれば、エージング工程の前に容易に除去することが可能である。」
「【０１１７】また、本実施形態においては、エージング処理における印加電圧を、欠陥部の破壊電圧および有機ＥＬ素子の破壊電圧の間としているが、さらに、エージング処理における印加電圧を、有機ＥＬ素子Ｓ１の実駆動時の逆電圧（逆バイアス電圧）以上とすることが好ましい。
【０１１８】有機ＥＬ素子において実駆動時における逆電圧は、発光輝度の仕様に基づく順電圧以上の値に設定されるのが通常である。これは、有機ＥＬ素子をドットマトリクス駆動に用いる場合に、そのドットマトリクス駆動によるクロストークを防止するために、逆電圧の方が順電圧よりも大きいことが必要になるためである。
【０１１９】そのため、実駆動でのライン欠陥をより確実に防止するという観点から、エージング処理における印加電圧は実駆動時の逆電圧以上で実施することが望ましい。
【０１２０】具体的には、各電圧の大小関係が、実駆動時の逆電圧＜欠陥部の破壊電圧＜有機ＥＬ素子の破壊電圧である場合、エージング処理は、欠陥部の破壊電圧と有機ＥＬ素子の破壊電圧との間で実施する。
【０１２１】また、欠陥部の破壊電圧＜実駆動時の逆電圧＜有機ＥＬ素子の破壊電圧である場合、エージング処理は実駆動電圧と素子の破壊電圧との間で実施する。いずれにせよ、エージング処理における印加電圧は実駆動時の逆電圧以上で実施する。
【０１２２】さらに、欠陥部の破壊電圧以上となるように有機ＥＬ素子Ｓ１の実駆動時の逆電圧を決定したうえで、エージング処理における印加電圧を、有機ＥＬ素子Ｓ１の実駆動時の逆電圧以上とすることが好ましい。」
「【０１２６】（第２実施形態）上記第１実施形態でも述べたように、実駆動でのライン欠陥をより確実に防止するという観点から、エージング処理における印加電圧は実駆動時の逆電圧以上で実施することが望ましい。
【０１２７】そして、本発明者らの検討により、有機ＥＬ素子の破壊電圧は、有機ＥＬ素子における有機膜の膜厚ｔと相関があることを見出した。上記第１実施形態の一構成例に示した材料を用いた有機ＥＬ素子Ｓ１において、有機膜４〜６の膜厚ｔ（ｎｍ）と有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧（Ｖ）、破壊電界強度（ＭＶ／ｃｍ）との関係を調べた。
【０１２８】その結果を図１０に示す。ここで、有機膜の膜厚ｔは、有機膜３〜６においてＣｕＰｃ等の導電性の膜３を含む場合は当該導電性の膜を除いた有機膜４〜６の膜厚ｔである。当該導電性の膜を除外するのは、当該導電性の膜が、他の有機膜に比べて十分に抵抗値が小さく、電界がさほど加わらないためである。
【０１２９】つまり、図１０では、ＣｕＰｃからなるホール注入層３を除く有機膜４〜６の膜厚ｔを変えていき、上記破壊電圧測定工程と同様の要領で有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧を求めた。また、有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電界強度は、求められた有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧を有機膜４〜６の膜厚ｔで除したものである。なお、測定は常温で行った。
【０１３０】図１０に示す結果から、有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧は、有機膜４〜６の膜厚ｔに依存するのに対し、破壊電界強度は、有機膜４〜６の膜厚ｔによらずほぼ一定であることがわかった。
【０１３１】そして、多数の有機ＥＬ素子Ｓ１について、有機ＥＬ素子Ｓ１（正常部）の破壊電界強度を同様に調べた。その結果を、当該破壊電界強度の分布として図１１に示す。
【０１３２】図１１に示すように、有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電界強度は、平均値として３．９ＭＶ／ｃｍであり、また、３σの下限値として３．２ＭＶ／ｃｍであることがわかった。
【０１３３】これらのことから、本実施形態では、有機ＥＬ素子Ｓ１の実駆動時の逆電圧をＲとしたとき、エージング処理における印加電圧の範囲として、当該逆電圧Ｒと（ｔ×３．９）ＭＶ／ｃｍとの間の値とすれば、正常部すなわち有機ＥＬ素子Ｓ１は破壊せずに、欠陥部のみをオープン破壊できる。
【０１３４】ここで、エージング処理における印加電圧の範囲として、前記逆電圧Ｒと（ｔ×３．２）ＭＶ／ｃｍとの間の値とすれば、より確実に有機ＥＬ素子の破壊を防止することができ、好ましい。
【０１３５】したがって、本実施形態によっても、素子の正常部に損傷を与えることなく、欠陥部を予め適切にオープン破壊させることのできる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。」
　
ｂ　図面の記載
　引用例１の図１に開示された有機ＥＬ素子の図からして、図１には、ガラス基板１上に、陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７および陰極８が順次積層されている有機ＥＬ素子が記載されているといえる。
　また、引用例１の図１０には、有機膜の膜厚ｔ（ｎｍ）と有機ＥＬ素子の破壊電圧（Ｖ）、破壊電界強度（ＭＶ／ｃｍ）との関係が示されており、有機膜の膜厚により破壊電圧はほぼ比例関係、破壊電界強度はほぼ一定であることが記載されている。
　
ｃ　引用例１記載の発明
　ａ、ｂの記載事項によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子Ｓ１が、ガラス基板上に、陽極２、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン錯体）からなるホール注入層３、ＴＰＴＥ（テトラトリフェニルアミン）からなるホール輸送層４、ジメチルキナクリドンが１％ドープされたＡｌｑ3（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）からなる発光層５、Ａｌｑ3からなる電子輸送層６、ＬｉＦ（フッ化リチウム）からなる電子注入層７およびＡｌからなる陰極８が順次積層され、かつ、有機膜４〜６の膜厚ｔ（ｎｍ）にて形成された表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の製造方法であって、
表示パネルの画素である有機ＥＬ素子Ｓ１において陽極２と陰極８との間に電圧を印加する、エージング処理における電圧の範囲として、有機ＥＬ素子の実駆動時の逆電圧Ｒと（ｔ×３．９）ＭＶ／ｃｍとの間の値を印加し、
表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の電極の膜や有機膜に発生する、膜欠陥部に対応する電極を破壊してオープン状態（絶縁状態）としたり、酸化して不導体化したりするエージング処理を含む表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の製造方法。」
　
（２）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１４年１２月２０日に頒布された「特開２００２−３６７７８７号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する（なお、従来と同一の部分には同一の番号を付して一部重複した説明は省略する。）。図１は本発明における第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構造を示す説明図である（ここでは、図５と同様に各ラインＬ１，Ｌ２，Ｌ３は省略している。）。ガラス等の透明な基板１の一面には、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る第１電極２が複数箇所に形成されている。この第１電極２間の基板１上には、ポリイミド等から成る絶縁膜３が、第１電極２の周辺を若干覆うように形成されている。
【００２７】また、複数の第１電極２間を跨って、第１電極２及び絶縁膜３上に、正孔注入層４０及び正孔輸送層４１が形成されている。そして、各色毎の領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃが選択されて、それぞれの領域に、発光層４２ａ，４２ｂ，４２ｃ、電子輸送層４３ａ，４３ｂ，４３ｃ、電子注入層４４ａ，４４ｂ，４４ｃが形成され、これらの正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層からなる有機層は、各色毎に選択された領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃを連ねて連続層を形成している。なお、ここでは、発光層と第１電極間に形成される層を正孔注入層４０及び正孔輸送層４１の２層形態としているが、本実施形態及び後述する各実施形態において、正孔注入層４０及び正孔輸送層４１は、第１電極からの正孔注入，正孔輸送，発光層への正孔注入を行う単層の正孔輸送層としたものでもよい。
【００２８】このように形成した有機層において、第１色目として選択された領域６０ａには、例えば赤色（Ｒ）発光を得るための発光層４２ａ及び電子輸送層４３ａがそれぞれ４０ｎｍの膜厚で形成されており、第２色目として選択された領域６０ｂには、例えば緑色（Ｇ）発光を得るための発光層４２ｂ及び電子輸送層４３ｂがそれぞれ３０ｎｍ，２５ｎｍの膜厚で形成されており、第３色目として選択された領域６０ｃには、例えば青色（Ｂ）発光を得るための発光層４２ｃ及び電子輸送層４３ｃがそれぞれ２５ｎｍ，２０ｎｍの膜厚で形成されている。このように発光層及び電子輸送層を各色毎に異ならせて形成することで、各色の発光効率の違いを解消しているが、これによって、上述したように有機層の表面には、各色毎に選択された領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃの境界において段差が形成されている。
【００２９】この有機層上には、最上層の電子注入層４４ａ，４４ｂ，４４ｃを覆うように、Ａｌ等から成り反射電極として作用する第２電極５０を形成する。そして、第１電極２及び第２電極５０間に駆動電圧を印加することによって、各色毎に選択された領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃにおける発光領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃから、基板１を介してＲＧＢの各発光色を選択的に得る。」
　
ｂ　図面の記載
　引用例２の図１に開示された有機ＥＬ表示装置の図からして、図１には、基板１上の３つの領域６０ａ、６０ｂ、６０ｃのそれぞれに絶縁膜３を挟んで第１電極２が形成され、第１電極２及び絶縁層３上で３つの領域６０ａ、６０ｂ、６０ｃに跨って、正孔注入層４０及び正孔輸送層４１が形成され、その上に、領域６０ａには発光層４２ａ、電子輸送層４３ａ及び電子注入層４４ａが、領域６０ｂには発光層４２ｂ、電子輸送層４３ｂ及び電子注入層４４ｂが、領域６０ｃには発光層４２ｃ、電子輸送層４３ｃ及び電子注入層４４ｃがそれぞれの領域において異なる膜厚で形成され、その上に、３つの領域６０ａ、６０ｂ、６０ｃに跨って第２電極５０が形成された有機ＥＬ表示装置が記載されている。
　
（３）引用刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１４年７月１２日に頒布された「特開２００２−１９８１７２号公報 」（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、新規な有機電界発光素子（以下有機ＥＬ素子）の製造方法、特に、素子のエージングに関する。」
「【００４１】なお、本実施例では、素子がモノカラー表示であったため、単一のエージング条件でエージング処理を実行したが、幾つか異なる発光色を有するエリアカラー型のマルチカラー表示素子やＲＧＢ各画素を備えたフルカラー表示素子の場合には、それぞれの発光色の発光面に対し最適なエージング条件を選択し、エージング処理することが望ましい。」　
　
４　対比
（１）引用発明の「ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン錯体）からなるホール注入層３、ＴＰＴＥ（テトラトリフェニルアミン）からなるホール輸送層４、ジメチルキナクリドンが１％ドープされたＡｌｑ3（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）からなる発光層５、Ａｌｑ3からなる電子輸送層６」は、全て有機物質であるから、本願発明における「有機層」に相当する。
　また、引用発明の「陽極２」及び「陰極８」が、本願発明の「一対の電極」に相当する。
　さらに、引用発明における「有機ＥＬ素子」は「表示パネルの画素」であり、画素を有する表示パネルが複数の画素を有することは技術常識である。
　そうすると、引用発明の「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子Ｓ１が、ガラス基板上に、陽極２、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン錯体）からなるホール注入層３、ＴＰＴＥ（テトラトリフェニルアミン）からなるホール輸送層４、ジメチルキナクリドンが１％ドープされたＡｌｑ3（８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体）からなる発光層５、Ａｌｑ3からなる電子輸送層６、ＬｉＦ（フッ化リチウム）からなる電子注入層７およびＡｌからなる陰極８が順次積層され、かつ、有機膜４〜６の膜厚ｔ（ｎｍ）にて形成され」ている点と、本願発明の「異なる発光色を呈し、それぞれ異なる膜厚ｄ１，ｄ２にて形成する第一，第二の有機層をそれぞれ一対の電極間に挟持してなる複数の第一，第二の発光画素を基板上に形成する」点とは、「有機層を一対の電極間に狭持してなる複数の発光画素を基板上に形成する」点で一致する。
　
（２）引用発明の「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の製造方法」は、本願発明の「複数の発光画素を基板上に形成する有機ＥＬパネルの製造方法」に相当する。
　
（３）引用発明の「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子Ｓ１において陽極２と陰極８との間に電圧を印加する、エージング処理における電圧の範囲として、有機ＥＬ素子の実駆動時の逆電圧Ｒと（ｔ×３．９）ＭＶ／ｃｍとの間の値を印加」する点と、本願発明の「第一，第二の発光画素の前記両電極間にそれぞれ下記式（１）を満たすように異なる電圧ｖ１，ｖ２を印加し、式（１）　Ｅ＝ｖ１／ｄ１＝ｖ２／ｄ２　前記第一，第二の発光画素にかかる電界強度Eを略一定と」する点とは、「発光画素の両電極間に所定の電圧を印加」する点で一致する。
　
（４）引用発明の「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の電極の膜や有機膜に発生する、膜欠陥部」は、本願発明の「発光画素の欠損部分」に相当する。
　また、本願明細書には、「有機ＥＬ素子３を形成した後に、陽極４及び陰極８の両電極間に第一〜第三の電源装置Ｐ１〜Ｐ３を保護抵抗（図示しない）を介して接続し、両電極４，８間に、少なくとも逆バイアス電圧成分を含む電圧波形を所定時間印加する（エージング処理工程。図３（ｃ）参照）。・・・（略）・・・前記エージング処理工程において欠損部分における陰極８を十分に除去できる条件での電界強度をＥとし、第一〜第三の有機層７ａ〜７ｃの膜厚をｄ１〜ｄ３とする場合に、式（１）にて定められる。Ｅ＝ｖ１／ｄ１＝ｖ２／ｄ２＝ｖ３／ｄ３・・・式（１）」（【００２５】）と記載されており、本願発明の「エージング処理工程」における「電極の一方を除去する」点は、物理的に「除去」することを意味している訳ではなく、引用発明の如く「電極を破壊してオープン状態（絶縁状態）としたり、酸化して不導体化したりする」ことを意味していると認められる。
　このことは、本願明細書に、引用例１を特許文献３として引用しながら、「特許文献３に開示されるように、有機ＥＬパネルの製造工程において、前記有機ＥＬ素子形成後に前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加して、リーク電流を発生させる前記欠陥部分において前記陰極を除去するエージング処理を行う方法が知られている。」と記載されていることからも明らかである。
　そうすると、引用発明の「表示パネルの画素である有機ＥＬ素子の電極の膜や有機膜に発生する、膜欠陥部に対応する電極を破壊してオープン状態（絶縁状態）としたり、酸化して不導体化したりするエージング処理」は、本願発明の「発光画素の欠損部分における前記電極の一方を除去するエージング処理工程」に相当する。
　
　上記（１）〜（４）の点から、本願発明と引用発明は、
「有機層を一対の電極間に狭持してなる複数の発光画素を基板上に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
発光画素の前記両電極間に所定の電圧を印加し、
発光画素の欠損部分における前記電極の一方を除去するエージング処理工程を含むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。」
で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　複数の発光画素が、本願発明は、異なる発光色を呈し、それぞれ異なる膜厚ｄ１，ｄ２にて形成する第一，第二の有機層をそれぞれ一対の電極間に挟持してなる第一，第二の発光画素であり、その前記両電極間にそれぞれ下記式（１）を満たすように異なる電圧ｖ１，ｖ２を印加し、式（１）　Ｅ＝ｖ１／ｄ１＝ｖ２／ｄ２　前記第一，第二の発光画素にかかる電界強度Eを略一定とするのに対し、引用発明は、画素の発光色及び膜厚の違いについて特定しておらず、一対の電極間に印加する電圧を有機ＥＬ素子の実駆動時の逆電圧Ｒと（ｔ×３．９）ＭＶ／ｃｍとの間の値とする点
　
５　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　３原色を発光せしめる有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬパネルは周知のものであって、その発光のための有機層の膜厚が各色毎に相違することは、引用例２に記載されているように本願出願前に周知の事項である。
　ここで、引用発明において、エージングの際に印加する電圧に有機膜の厚さｔに比例する電界強度による制限を課しているのは、引用例１の「【０１２７】そして、本発明者らの検討により、有機ＥＬ素子の破壊電圧は、有機ＥＬ素子における有機膜の膜厚ｔと相関があることを見出した。上記第１実施形態の一構成例に示した材料を用いた有機ＥＬ素子Ｓ１において、有機膜４〜６の膜厚ｔ（ｎｍ）と有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧（Ｖ）、破壊電界強度（ＭＶ／ｃｍ）との関係を調べた。
【０１２８】その結果を図１０に示す。・・・（略）・・・
【０１３０】図１０に示す結果から、有機ＥＬ素子Ｓ１の破壊電圧は、有機膜４〜６の膜厚ｔに依存するのに対し、破壊電界強度は、有機膜４〜６の膜厚ｔによらずほぼ一定であることがわかった。」という記載、及び、図１０の「有機膜の膜厚ｔ（ｎｍ）と有機ＥＬ素子の破壊電圧（Ｖ）、破壊電界強度（ＭＶ／ｃｍ）との関係」の記載からして、有機ＥＬ素子の破壊電圧は有機膜の膜厚にほぼ比例し、有機ＥＬ素子の破壊電界強度が略一定であるという知見に基づくものであるといえる。
　したがって、発光色毎に異なる膜厚を有する有機層からなる有機ＥＬパネルにエージングを行う際に、付与すべき電界強度は、有機ＥＬ素子の発光色によらず破壊に至らない範囲の一定の電界強度であって、印加すべき電圧は、各色を発光する有機ＥＬ素子の膜厚に比例した破壊に至らない範囲の電圧であるといえることは明らかである。
　また、引用例３には、有機ＥＬ素子のエージングについて、「【００４１】なお、本実施例では、素子がモノカラー表示であったため、単一のエージング条件でエージング処理を実行したが、幾つか異なる発光色を有するエリアカラー型のマルチカラー表示素子やＲＧＢ各画素を備えたフルカラー表示素子の場合には、それぞれの発光色の発光面に対し最適なエージング条件を選択し、エージング処理することが望ましい。」と記載されており、３色を発光せしめる各画素に対し異なるエージング条件でエージング処理をすることが示唆されている。
　そうすると、引用発明において、複数の発光画素を、異なる発光色を呈し、それぞれ異なる膜厚ｄ１，ｄ２にて形成する第一，第二の有機層をそれぞれ一対の電極間に挟持してなる第一，第二の発光画素とし、その前記両電極間にそれぞれ下記式（１）を満たすように異なる電圧ｖ１，ｖ２を印加し、式（１）　Ｅ＝ｖ１／ｄ１＝ｖ２／ｄ２　前記第一，第二の発光画素にかかる電界強度Eを略一定とすることは、周知の有機ＥＬパネル構造に照らしつつ、引用例２に記載されている周知の事項に基づいて、当業者が容易に想到できたことである。
　相違点については上記のとおりであり、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２，３記載の発明から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本願発明は、引用発明及び引用例２，３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、各引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。