【手続補正書】
【提出日】平成18年8月2日(2006.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気抵抗を有する電気素子、
プロセス制御機能を実行するように、前記電気素子に接続されたプロセス制御装置回路、
前記電気素子に接続され、前記電気抵抗による前記電気素子の自己発熱指標に関する自己発熱信号を供給する自己発熱回路、
前記装置をループに接続するように、プロセス制御ループに接続された回路、および
前記自己発熱回路に接続され、前記自己発熱信号の関数として前記電気素子の健全さに関する診断出力を応答的に供給する、診断回路を含むプロセス制御システム内のプロセス制御装置。
【請求項２】  前記自己発熱信号に関する、少なくとも１つの、所望の結果を記憶するメモリを含む請求項１の装置。
【請求項３】  前記診断回路が神経回路網、ファジィ論理、又は回帰モデルよりなる請求項１の装置。
【請求項４】  前記診断出力が前記電気素子の推定残寿命に関するものである請求項１の装置。
【請求項５】  前記診断回路が、前記自己発熱信号の変化の割合（ＲＯＣ）の関数として、前記推定残寿命を決定する請求項４の装置。
【請求項６】  前記自己発熱回路が電源および電圧測定回路を含む請求項１の装置。
【請求項７】  前記自己発熱回路が、前記電気素子に印加される電力の変化に対応する前記電気素子の抵抗の変化の関数として、ＳＨ指標を決定する請求項１の装置。
【請求項８】  前記ＳＨ指標が（Ｒ1−Ｒ2）／（Ｐ1−Ｐ2）として計算される請求項７の装置。
ここに、Ｐ1，Ｐ2は、第１，第２の電源の電力、Ｒ1，Ｒ2は、前記Ｐ1，Ｐ2を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
【請求項９】  前記出力回路が、前記自己発熱信号の関数として電気素子を較正する請求項１の装置。
【請求項１０】  前記電気素子がひずみ計、制御素子、感知素子、熱電対、又はコイルよりなる請求項１の装置。
【請求項１１】  前記コイルがコリオリ流量計内のセンサ、又はコリオリ流量計のドライバよりなる請求項１０の装置。
【請求項１２】  プロセス制御装置内の電気素子を診断するための方法であって、
前記装置の、抵抗を有する電気素子のための自己発熱指標（ＳＨＩ）を取得すること、および
ＳＨＩの関数として電気素子診断出力を供給することを含む方法。
【請求項１３】  前記ＳＨＩの取得が、前記電気素子に印加される電力の変化に対応する、前記電気素子の抵抗の変化を測定することよりなる請求項１２の方法。
【請求項１４】  前記自己発熱指標が、（Ｒ1−Ｒ2）／（Ｐ1−Ｐ2）として計算される請求項１３の方法。
ここに、Ｐ1，Ｐ2は、第１，第２の電源の電力、Ｒ1，Ｒ2は、前記Ｐ1，Ｐ2を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
【請求項１５】  前記ＳＨＩの変化の割合に基づいて前記電気素子の残寿命を推定することを含む請求項１２の方法。
【請求項１６】  前記ＳＨＩの取得が、前記電気素子内に少なくとも２つの異なる電流レベルを順次的に注入すること、およびその結果として生ずる前記電気素子両端の電圧降下を測定することを含む請求項１５の方法。
【請求項１７】  前記診断出力の関数として前記電気素子の寿命予測を決定することを含む請求項１２の方法。
【請求項１８】  前記ＳＨＩの関数として前記電気素子を較正することを含む請求項１２の方法。
【請求項１９】  プロセス制御ループに接続さるように適合された入／出力回路、
抵抗を有する電気素子、
前記電気素子に接続されて前記電気素子に給電する電流源、
前記電気素子に接続され、前記電気素子の両端の電圧降下に関する出力を供給する電圧測定回路、および
供給された電流および前記抵抗に起因する前記電気素子両端の電圧降下の関数として、自己発熱（ＳＨ）指標出力を供給する診断回路を具備したプロセス制御システム内で用いられるための装置。
【請求項２０】  前記診断回路が、前記ＳＨ指標の関数として、前記電気素子の寿命予測出力を供給する請求項１９の装置。
【請求項２１】  前記電気素子からの出力および前記ＳＨ指標の関数として、プロセス変数に関する出力を供給する測定回路を含む請求項１９の装置。
【請求項２２】  前記ＳＨ指標が、前記電気素子に印加される電圧の変化に対応する、前記電気素子の抵抗の変化の関数として決定される請求項１９の装置。
【請求項２３】  前記自己発熱指標が、（Ｒ1−Ｒ2）／（Ｐ1−Ｐ2）として計算される請求項２２の装置。
ここに、Ｐ1，Ｐ2は、第１，第２の電源の電力、Ｒ1，Ｒ2は、前記Ｐ1，Ｐ2を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
【請求項２４】  前記電気素子がひずみ計、制御素子、感知素子、コイル、又は熱電対よりなる請求項１９の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
マイクロプロセッサ５２は次の式２を用いてＲＴＤセンサ素子６１の温度を計算する。
Ｒ1＝（ＲREFNOM）ＶR1／ＶRREF    式２
ここで、Ｒ1＝ＲＴＤセンサ素子６１の抵抗、
ＶR1＝ＲＴＤセンサ素子６１両端間の電圧降下、
ＶRREF＝抵抗ＲREF両端間の電圧降下、
ＲREFNOM＝基準抵抗ＲREFの、および／あるいはメモリ５６に記              憶された抵抗の公称抵抗（Ω）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
しかしながら、記憶されたルックアップ表あるいは式２のどちらも、特定のＲＴＤ温度センサのためには適当に較正されなければならない。さらに前記のような較正は、時間の経過にともない、センサのアルファ（α）がドリフトするのに従って変化する傾向がある。定数α、Ｒ0、およびδを正確に決定するために、多数の正しい温度値を取得するように、ＲＴＤの較正には正確な温度計基準が必要である。式３および伝送器較正は、ローズマウント社によって発行され、援用によって本発明書に組み込まれた、１９８５年２月付けのＰＲＴハンドブック・ブルテン（Bulletin）１０４２に説明されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＳＨ指標は、電流源１４０をセンサ素子６１に接続するようにマイクロプロセッサ５２がスイッチ１３８（図２と図４を参照）を作動する時に計算される。式１のＰ1およびＲ1は、センサ６１を流れる電流源１４０からの電流ＩSHを用いて計算される。マイクロプロセッサ５２は、電流源４５からの電流ＩSによってP2およびR2を決定する。ＳＨ指標は式１を用いて計算される。伝送器４０がループ６から完全に給電される場合には、電流ＩSHおよびＩSはループ６内の電流Ｉに制限され、伝送器４０内の回路を作動するために必要とされるいかなる電流よりも少ない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ブロック１５４で、ＳＨ指標の現在値（ＳＨＩ2）がマイクロプロセッサ５２によって決定される。もしも、変化の割合ｍが許容変化割合の最大値（ｍMAX）以上である場合には、判断ブロック１５８が警報出力を供給する。一般的には、ＳＨＩ2とＳＨＩ1との差を示す値がブロック１５６で決定（評価）される。このような差の決定機能のための好ましい方法は、２つのＳＨＩ値の時間に対する傾きを計算することである。しかしながら、差の大きさを評価するその他の方法（そのいくつかは、閾値に対してＳＨＩ2を単に比較するように単純である）がブロック１５６なしに実行されることもできる。