【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  平面を有する材料を研磨するために利用され、かつ前記平面を研磨するための研磨パッドの上に該平面が置かれている成形用具において、該平面を研磨するための研磨の終点を決定するための装置が、
流体支持体であって、該流体支持体とパッドとの間に流体を供給するために、前記平面と反対側の該パッドの下面に沿って配置された流体支持体と、
前記流体支持体と連結されて、前記平面が前記研磨する終点に到達すると、前記流体の圧力変化を測定するセンサーと、
前記平面を研磨するために、前記研磨パッド上に供給されるスラリーと、
を備え、
前記スラリーが、第１ゼータ電位が、前記平面の研磨に関連し、第２ゼータ電位が、該平面の研磨の完了に関連し、これらのゼータ電位の差が、前記センサーで測定した流体の圧力変化で明らかになるような選択されたｐＨ値を有することを特徴とする成形用具。
【請求項２】  前記平面を磨いて、下にある材料を露出し、かつ前記第２ゼータ電位が前記下にある材料に関連し、かつ該下にある材料が露出すると、第２ゼータ電位が、前記流体の圧力変化を起こす、請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記第１及び第２ゼータ電位が、反対の極性である、請求項１記載の装置。
【請求項４】  基体の表面又は基体の上に形成された層の表面を化学的バフ磨きするためのリニアポリッシャーであって、前記基体が、前記表面を研磨する直線移動研磨パッドの上に設置されているポリッシャーにおいて、前記表面の研磨に対する研磨終点を決定するための装置が、
直線移動ベルトの上に配置された前記パッドを有する該直線移動ベルトの下面に沿って配置された流体支持体であって、該流体支持体とパッドとの間に沿って流体を供給するための流体支持体と、
前記流体支持体と連結されて、前記表面が前記研磨する終点に到達すると、前記流体の圧力変化を測定するセンサーと、
前記表面を研磨するために、前記研磨パッド上に供給されるスラリーと、
を備え、
前記スラリーが、第１ゼータ電位が、前記表面の研磨に関連し、第２ゼータ電位が、該表面の研磨の完了に関連し、これらのゼータ電位の差が、前記センサーで測定した流体の圧力変化で明らかになるような選択されたｐＨ値を有することを特徴とするリニアポリッシャー。
【請求項５】  前記表面を磨いて、下にある材料を露出させ、かつ前記第２ゼータ電位が前記下にある材料に関連し、かつ該下にある材料が露出すると、第２ゼータ電位が、前記流体の圧力変化を起こす、請求項４記載の装置。
【請求項６】  前記第１及び第２ゼータ電位が、反対の極性である、請求項５記載の装置。
【請求項７】  前記流体支持体が、流体を供給する、請求項５記載の装置。
【請求項８】  前記流体支持体が、空気又はガスを供給する、請求項６記載の装置。
【請求項９】  半導体ウェファーの上に形成された第１材料層を化学的バフ磨きするためのリニアポリッシャーであって、前記第１材料層を研磨して、下にある第２材料層を露出するポリッシャーにおいて、前記第２材料層が露出すると研磨を停止するために研磨終点を決定するための装置が、
直線移動ベルトの上に配置された前記パッドを有する該直線移動ベルトの下面に沿って配置された流体支持体であって、該流体支持体とパッドとの間に沿って流体を供給するための流体支持体と、
前記流体支持体と連結されて、前記第１材料層が前記研磨する終点に到達すると、前記流体の圧力変化を測定するセンサーと、
前記第１材料層を研磨するために、前記研磨パッド上に供給されるスラリーと、
を備え、
前記スラリーが、第１ゼータ電位が、前記第１材料層の研磨に関連し、第２ゼータ電位が、前記第２材料層の研磨の開始に関連し、これらのゼータ電位の差が、第２材料層が前記スラリーに暴露されると、前記センサーで測定した流体の圧力変化で明らかになるような選択されたｐＨ値を有することを特徴とするリニアポリッシャー。
【請求項１０】  前記第１及び第２ゼータ電位が、反対の極性である、請求項９記載の装置。
【請求項１１】  前記圧力変化が、前記パッドと研磨する材料層との界面で働くせん断力の変化の結果であり、該せん断力の変化は、第２材料層を露出することによるゼータ電位極性の変化によって誘導される、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】  前記センサーが、前記パッドの先端が最初に前記流体支持体と接触する該流体支持体の前縁に位置する、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】  前記流体支持体が、流体を供給する、請求項１１記載の装置。
【請求項１４】  前記流体支持体が、空気又はガスを供給する、請求項１１記載の装置。
【請求項１５】  表面を研磨するための研磨終点を決定する方法であって、表面を研磨するための研磨パッドの上にスラリーを供給する工程であって、該スラリーが、第１ゼータ電位が、前記表面の研磨に関連し、第２ゼータ電位が、前記表面の研磨の完了に関連するような選択されたｐＨ値を有する工程と、
前記表面を研磨する工程と、
前記表面の研磨を終止するための前記第１ゼータ電位から前記第２ゼータ電位への変化を検出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】  研磨する前記平面と反対側で、前記パッドの下面に沿って流体を配置する工程、及び該流体の圧力変化を検出することによって、ゼータ電位の変化を検出する工程を更に含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  前記研磨が、研磨して、下にある材料を露出することを含み、かつ前記下にある材料が露出されたときに、前記ゼータ電位の変化の検出が、前記下にある材料に関連する第２ゼータ電位を検出することである、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】  センサーが結合されて、前記圧力変化を測定し、パッドが前記下にある材料と係合すると、せん断応力における変化によって、該圧力変化が引き起こされる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】  スラリーの供給が、研磨される材料の前記第１ゼータ電位が、前記下にある材料に関連する第２ゼータ電位に対して極性が反対になるようなスラリーのｐＨレベルを選択することを含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】  半導体ウェファーの上に形成された第１材料層を化学的バフ磨きするためのリニアポリッシャーであって、前記第１材料層を研磨して、下にある第２材料層を露出するポリッシャーにおいて、前記第２材料層が露出すると研磨を停止するために研磨終点を決定する方法が、
前記第１材料層を研磨するための研磨パッドの上にスラリーを供給する工程であって、該スラリーが、第１ゼータ電位が、前記第１材料層の研磨に関連し、第２ゼータ電位が、前記第２材料層の研磨の開始に関連し、これらのゼータ電位の差が、前記パッド又はパッドが上に取りつけられたベルトの下側に沿って供給した流体の圧力変化で明らかになるような選択されたｐＨ値を有する工程と、
前記第１材料層を研磨する工程と、
前記第２材料層が研磨されはじめると、流体の圧力変化を測定する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】  前記流体の圧力変化の測定が、前記パッドと係合する前記ゼータ電位が変化すると前記流体圧で明らかになる、ウェファーの研磨せん断応力の変化を測定する工程を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】  センサーが連結され、前記圧力変化を測定し、連結され、該圧力変化が、前記パッドが第２材料層と係合すると、研磨せん断応力における変化によって、該圧力変化を引き起こす、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】  前記スラリーの供給が、研磨される第１材料層の第１のゼータ電位が、第２材料層に関連する第２ゼータ電位と極性が反対になるように、スラリーのｐＨレベルを選択する工程を含む、請求項２１記載の方法。