【事件の表示】
　特願２００１−３０２７８４「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１１日出願公開、特開２００３−１０９５２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年９月２８日の出願であって、明細書について平成２０年１１月４日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２１年１月２６日付けで補正がなされ（以下、「補正２」という。）、同年４月２０日付け（送達：同年４月２８日）で拒絶査定がされ、これに対し、同年７月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　その後、当審より、平成２３年４月２８日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、請求人より、同年７月１１日付けで意見書の提出があった。  
　なお、当審拒絶理由を通知した指定期間内である平成２３年５月１３日に、その委任を受けた代理人等と面接を行っている。
　
　
２．当審拒絶理由
　当審拒絶理由の概要は、以下のとおりである。  
　  
　この出願の下記の請求項１ないし５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００１−１８９１２３号公報に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 
　 
３．本願発明 
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、上記補正１及び２によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。 
　 
「電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、フェースプレートとリヤプレートとの間の距離を保つスペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートとスペーサとで囲まれる空間が真空に保たれるようにし、フェースプレートのリヤプレートとの対向面におけるスペーサ間の部位が、フェースプレートの外面側に凸となる曲面に形成されてなり、前記電子源素子および前記蛍光体層をそれぞれ複数個ずつ備えるとともに、前記各電子源素子がマトリクスの格子点に１つずつ配置され且つ前記各蛍光体層が前記各電子源素子に対して１対１で対応するように配設され、前記各蛍光体層の、前記リヤプレートの前記一表面への投影像のサイズおよびピッチが互いに揃うように前記各蛍光体層のサイズおよびピッチを設定してなり、前記電子源素子は、前記リヤプレートの前記一表面側に形成された下部電極と、下部電極に前記フェースプレート側で対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子がドリフトする強電界ドリフト層とを備え、強電界ドリフト層は、下部電極の厚み方向に延びた柱状の複数本の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの多数の半導体微結晶と、各半導体微結晶それぞれの表面に形成された半導体微結晶の結晶粒径より小さな膜厚の絶縁膜とからなることを特徴とする表示装置。」 
（以下、「本願発明」という。） 
　 
　 
４．引用例記載の事項・引用発明  
　これに対して、当審拒絶理由で引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１８９１２３号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項（ａ）〜（ｆ）が図面とともに記載されている。　　 
　 
（ａ）「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料を用いて電界放射により電子線を放射するようにした電界放射型電子源およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
・・・。
【０００３】上記公報に記載された電界放射型電子源は、単結晶の半導体基板が必須構成であるから大面積化が困難であって、平面ディスプレイ装置のように大面積の電子源を要する用途には適していないものである。
【０００４】これに対して、本願発明者らは、特願平１０−２７２３４０号、特願平１０−２７２３４２号などにおいて大面積化の可能な電界放射型電子源を提案した。これらの電子源は、導電性基板と金属薄膜からなる表面電極との間に、多孔質多結晶半導体層（たとえば、多孔質化された多結晶シリコン層）を急速熱酸化（ＲＴＯ）技術によって急速熱酸化することによって形成した強電界ドリフト層を介在させた構造を有し、導電性基板から強電界ドリフト層に注入された電子が強電界ドリフト層においてドリフトするようになっている。この種の電界放射型電子源は、たとえば図８（当審注：「図８」は「図１４」の誤記）に示すように、導電性基板としてのｎ形シリコン基板１１の主表面側に、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６のドリフト部６ａ（図示する構成では強電界ドリフト層６の全体がドリフト部６ａとして機能する）を介して金属薄膜よりなる表面電極７が積層され、ｎ形シリコン基板１１の裏面にオーミック電極２が積層された形状に形成される。
【０００５】図８に示す電界放射型電子源から電子を放出させるには、図９（当審注：「図９」は「図１５」の誤記）に示すように、表面電極７に対向配置されたコレクタ電極１２を設け、表面電極７とコレクタ電極１２との間を真空とした状態で、表面電極７がｎ形シリコン基板１１（オーミック電極２）に対して高電位側となるように表面電極７とｎ形シリコン基板１１との間に直流電圧Ｖｐｓを印加するとともに、コレクタ電極１２が表面電極７に対して高電位側となるようにコレクタ電極１２と表面電極７との間に直流電圧Ｖｃを印加する。各直流電圧Ｖｐｓ，Ｖｃを適宜に設定すれば、ｎ形シリコン基板１１から注入された電子が強電界ドリフト層６をドリフトし表面電極７を通して放出される（なお、図９中の一点鎖線は表面電極７を通して放出された電子ｅ-の流れを示す）。表面電極７には仕事関数の小さな材料が採用され、表面電極７の膜厚は１０〜１５ｎｍ程度に設定されている。
【０００６】ここで、強電界ドリフト層６のドリフト部６ａは、図１０（当審注：「図１０」は「図１６」の誤記）に示すように、柱状の多結晶シリコンからなるグレイン２１と、グレイン２１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜２２と、多結晶シリコンのグレイン２１の間に介在するナノメータオーダの微結晶シリコン２３と、微結晶シリコン２３の表面に形成され微結晶シリコン２３の結晶粒径よりも小さい膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜２４とを少なくとも含むと考えられる。このドリフト部６ａは上述した処理を行う前の多結晶シリコンに含まれていたグレインの表面が多孔質化し、残されたグレイン２１で結晶状態が維持されているものと考えられる。したがって、ドリフト部６ａに印加された電界の大部分はシリコン酸化膜２４を集中的に通り、注入された電子ｅ- はグレイン２１の間でシリコン酸化膜２４を通る強電界により加速され図１０の矢印Ａの向き（図１０中の上向き）にドリフトする。なお、ドリフト部６ａの表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、表面電極７を容易にトンネルし真空中に放出される。
【０００７】・・・。
【０００８】ところで、上述した構成例では導電性基板としてｎ形シリコン基板１１を用いているが、ｎ形シリコン基板１１に代えてガラス基板のような絶縁性基板上にＩＴＯ膜のような導電体層を形成した基板を用いることもでき、このような構成の導電性基板を用いると、電子源の大面積化および低コスト化が可能になる。このような構成の導電性基板の一例を図１１（当審注：「図１１」は「図１７」の誤記）に示す。図１１に示す導電性基板は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１３と、絶縁性基板１３の上に形成したＩＴＯ膜よりなる導電体層８ｂとで構成した導電性基板を用いており、導電体層８ｂには強電界ドリフト層６（つまりドリフト層６ａ）を介して金属薄膜よりなる表面電極７が形成が積層されている。この電界放射型電子源では、強電界ドリフト層６が導電体層８ｂの上にノンドープの多結晶シリコン層を堆積させた後に、多結晶シリコン層を陽極酸化処理にて多孔質化し、さらに酸化あるいは窒化することにより形成されている。
【０００９】図１１に示す電界放射型電子源から電子を放出させるには、図８に示した電界放射型電子源と同様に表面電極７に対向配置されたコレクタ電極１２を設ける。つまり、図１２（当審注：「図１２」は「図１８」の誤記）に示すように、表面電極７とコレクタ電極１２との間を真空とした状態で、表面電極７が導電体層８ｂに対して高電位側となるように表面電極７と導電体層８ｂとの間に直流電圧Ｖｐｓを印加するとともに、コレクタ電極１２が表面電極７に対して高電位側となるようにコレクタ電極１２と表面電極７との間に直流電圧Ｖｃを印加する。各直流電圧Ｖｐｓ，Ｖｃを適宜に設定すれば、導電体層８ｂから注入された電子が強電界ドリフト層６をドリフトし表面電極７を通して放出される（なお、図１２中の一点鎖線は表面電極７を通して放出された電子ｅ- の流れを示す）。」
　
（ｂ）「【００３２】 
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本実施形態では、図１に示すように、電界放射型電子源（以下、電子源という）１０に対向してガラス基板１４を配設し、ガラス基板１４における電子源１０との対向面にコレクタ電極１２および蛍光体層１５を設けることによってディスプレイ装置を構成する例を示す。蛍光体層１５はコレクタ電極１２の表面に塗布されており、電子源１０から放射される電子により可視光を発光する。また、ガラス基板１４は図示しないスペーサによって電子源１０と離間させてあり、ガラス基板１４と電子源１０との間に形成される気密空間を真空にしてある。」 
　 
（ｃ）「【００３３】本実施形態で用いる電子源１０は、図１ないし図３に示すように、ｐ形シリコン基板１６の主表面側に導電体層としての複数本のｎ形領域８ａがストライプ状に形成された導電性基板と、各ｎ形領域８ａにそれぞれ重なる形でストライプ状に形成された多孔質多結晶シリコンよりなるドリフト部６ａおよびドリフト部６ａの間を埋めてドリフト部６ａと面一となった多結晶シリコンよりなる分離部６ｂを有する強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６の上でドリフト部６ａおよび分離部６ｂに跨ってｎ形領域８ａに直交する方向のストライプ状に形成された複数本の導電性薄膜（たとえば、金薄膜）よりなる表面電極７とを備えている。 
【００３４】上述した電子源１０は、ストライプ状に形成されたｎ形領域８ａと、ｎ形領域８ａに直交するストライプ状に形成された表面電極７との間に強電界ドリフト層６のドリフト部６ａが挟まれているから、表面電極７とｎ形領域８ａとの組を適宜選択して選択した組間に電圧を印加することにより、選択された表面電極７とｎ形領域８ａとの交点に相当する部位のドリフト部６ａにのみ強電界が作用して電子が放出される。つまり、表面電極７とｎ形領域８ａとからなる格子の格子点に電子源を配置したことに相当し、電圧を印加する表面電極７とｎ形領域８ａとの組を選択することによって所望の格子点から電子を放出させることが可能になる。」 
　 
（ｄ）「【００４３】また、本実施形態では、・・・。たとえば、ガラスのような絶縁性基板にクロムのような金属薄膜からなる導電体層を設けたものを導電性基板として用いてもよい。強電界ドリフト層６は多結晶シリコン層５を用いて形成されているが、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン以外の半導体も採用することが可能である。・・・。 
【００４４】・・・。 
【００４５】ところで、本実施形態ではドリフト部６ａにおいて多孔質化された領域の厚みが２μｍ以下であるから、図６（ａ）に示すように、強電界ドリフト層６の厚み寸法に占める多孔質化された領域Ｄｐの割合が比較的小さくなり、図６（ｂ）に示すように、電子ｅの放出方向がドリフト部６ａの表面の凹凸の影響を受けやすくなる。理想的には、図７（ａ）のようにドリフト部６ａの表面を平面化するのが望ましく、ドリフト部６ａの電子放出側の表面を完全な平面とすることができれば、図７（ｂ）のように、電子ｅの放出方向がドリフト部６ａの表面に直交する方向に揃うことになり、電子の広がりがもっとも小さくなると考えられる。 
【００４６】そこで、本実施形態では、陽極酸化処理を施す装置を利用して電解研磨法によりドリフト部６ａの表面の平滑化を行う。ここに、表面の平滑化とは、表面の凹凸の振幅を小さくしかつ滑らかに連続させるように加工することを意味している。・・・。実際には導電性基板の厚み方向に直交する仮想基準面を設定し、仮想基準面に対するドリフト部６ａの表面の法線方向の角度分布が、ドリフト部６ａから放出される電子ｅの仮想基準面に対する放出方向として許容される角度分布範囲内になるように平滑化する。ここに、電子ｅの放出方向として許容される角度分布範囲は、たとえば、ディスプレイ装置の電子源に用いる場合であれば画素の大きさにより規定される。つまり、ディスプレイ装置の電子源であれば高精細であるほと電子ｅの放出方向の角度分布を小さくすることが要求されるから、上述のようにドリフト部６ａの電子放出側の表面を平滑化したことによって、高精細のディスプレイ装置に用いることが可能になる。」 
　 
（ｅ）「【００５３】（第３の実施の形態）本実施形態では、ガラス基板の一表面に導電体層としての白金薄膜を設けたものを導電性基板として用いる。・・・。 
【００５４】しかして、本実施形態では、ガラス基板である絶縁性基板１３（当審注：図１０で示される符号「１１」は「１３」の誤記）の一表面にスパッタ法によって０．２μｍの白金薄膜を導電体層８ｂとして形成し、その後、図１０（ａ）のように、イオンミリングによって導電体層８ｂをストライプ状にパターニングする。 
【００５５】次に、図１０（ｂ）のように絶縁性基板１３および導電体層８ｂを覆うようにノンドープの多結晶シリコン層３を０．５μｍの厚みになるように成膜し、さらに図１０（ｃ）のように、導電体層８ｂの上の多結晶シリコン層３を残すようにしてＲＩＥによるパターニングを行う。このパターンニングにより強電界ドリフト層６におけるドリフト部６ａとなる部位のパターンが形成されることになる。そこで、導電体層８ｂを一方の電極として第１の実施の形態または第２の実施の形態と同様の陽極酸化処理を行い、多結晶シリコン層３の多孔質化を行う。多孔質化の深さは多結晶シリコン層３の厚みにほぼ等しくし、多孔質化の領域を導電体層８ｂにほぼ到達させる。ここで、陽極酸化処理の際にエッチャントがフッ酸を含んでいても導電体層８ｂはフッ酸に対する耐食性を有するから導電体層８ｂが腐食されることはない。陽極酸化処理の後には、ランプアニール装置を用い、乾燥酸素雰囲気中で急速熱酸化（ＲＴＯ）することによって、熱酸化された多孔質多結晶シリコンよりなるドリフト部６ａが形成される。 
【００５６】その後、図１０（ｄ）のように、絶縁性基板１３およびドリフト部６ａを覆うようにＥＢ蒸着法によって金薄膜を形成し、パターニングによってストライプ状の表面電極７が形成され、電子源１０を形成することができる。 
【００５７】・・・。 
【００５８】・・・。また、本実施形態では導電性基板として絶縁性基板１３に導電体層８ｂを設けたものを用いているが、フッ酸に対する耐食性を有する材料であれば白金以外でもよく、他の導電性材料を耐食性材料で保護することにより導電体層を形成してもよい。他の構成および動作は第１の実施の形態と同様である。」 
　 
　 
・上記記載（ａ）の【０００１】における「半導体材料を用いて電界放射により電子線を放射するようにした電界放射型電子源」との記載、上記記載（ｂ）の「（第１の実施の形態）・・・電界放射型電子源（以下、電子源という）１０に対向してガラス基板１４を配設し、ガラス基板１４における電子源１０との対向面にコレクタ電極１２および蛍光体層１５を設けることによってディスプレイ装置を構成する例を示す。蛍光体層１５はコレクタ電極１２の表面に塗布されており、電子源１０から放射される電子により可視光を発光する。また、ガラス基板１４は図示しないスペーサによって電子源１０と離間させてあり、ガラス基板１４と電子源１０との間に形成される気密空間を真空にしてある。」との記載、上記記載（ｄ）の【００４３】における「ガラスのような絶縁性基板にクロムのような金属薄膜からなる導電体層を設けたものを導電性基板として用いてもよい。」との記載、【００４６】における「電子ｅの放出方向として許容される角度分布範囲は、たとえば、ディスプレイ装置の電子源に用いる場合であれば画素の大きさにより規定される。つまり、ディスプレイ装置の電子源であれば高精細であるほと電子ｅの放出方向の角度分布を小さくすることが要求される」との記載、上記記載（ｅ）の【００５３】における「（第３の実施の形態）本実施形態では、ガラス基板の一表面に導電体層としての白金薄膜を設けたものを導電性基板として用いる。」との記載、【００５８】における「本実施形態では導電性基板として絶縁性基板１３に導電体層８ｂを設けたものを用いているが、フッ酸に対する耐食性を有する材料であれば白金以外でもよく、他の導電性材料を耐食性材料で保護することにより導電体層を形成してもよい。他の構成および動作は第１の実施の形態と同様である。」との記載、図１〜３、７及び１０から、
（１）「電子線を放射させる電子源が一表面側に配設された絶縁性基板１３と、絶縁性基板１３に対向配置され電子源から放射される電子線により発光する蛍光体層１５からなる画素が設けられたガラス基板１４と、ガラス基板１４と絶縁性基板１３とを離間させるスペーサとを備え、絶縁性基板１３とガラス基板１４とスペーサとで囲まれる空間を真空にしたディスプレイ装置」との技術事項が読み取れる。 
　 
・上記記載（ｂ）〜（ｅ）、図１〜３、７及び１０から、 
（２）「電子源は、絶縁性基板１３の一表面側に形成されたストライプ状の導電体層８ｂと、導電体層８ｂにガラス基板１４側で対向するストライプ状の表面電極７と、導電体層８ｂと表面電極７との間に介在し電子がドリフトする強電界ドリフト層６であって導電体層８ｂと表面電極７との交点に相当する部位であるドリフト部６ａとを備える」との技術事項が読み取れる。
　
・上記記載（ａ）の【０００６】における「強電界ドリフト層６のドリフト部６ａは、・・・、柱状の多結晶シリコンからなるグレイン２１と、グレイン２１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜２２と、多結晶シリコンのグレイン２１の間に介在するナノメータオーダの微結晶シリコン２３と、微結晶シリコン２３の表面に形成され微結晶シリコン２３の結晶粒径よりも小さい膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜２４とを少なくとも含むと考えられる。・・・。したがって、ドリフト部６ａに印加された電界の大部分はシリコン酸化膜２４を集中的に通り、注入された電子ｅ- はグレイン２１の間でシリコン酸化膜２４を通る強電界により加速され図１０の矢印Ａの向き（図１０中の上向き）にドリフトする。」との記載、上記記載（ｃ）〜（ｅ）、図７、１０及び１６から、
（３）「ドリフト部６ａは、導電体層８ｂの厚み方向に延びた柱状の複数本の多結晶シリコンからなるグレイン２１と、グレイン２１間に介在するナノメータオーダの多数の微結晶シリコン２３と、各微結晶シリコン２３それぞれの表面に形成された微結晶シリコン２３の結晶粒径より小さな膜厚の絶縁膜とからなる」との技術事項が読み取れる。
　 
・上記記載（ｃ）の【００３４】における「表面電極７とｎ形領域８ａとからなる格子の格子点に電子源を配置したことに相当し、・・・所望の格子点から電子を放出させることが可能になる。」との記載、上記記載（ｄ）の【００４５】における「理想的には、・・・電子ｅの放出方向がドリフト部６ａの表面に直交する方向に揃うことになり、電子の広がりがもっとも小さくなる」との記載、【００４６】における「電子ｅの放出方向として許容される角度分布範囲は、たとえば、ディスプレイ装置の電子源に用いる場合であれば画素の大きさにより規定される。つまり、ディスプレイ装置の電子源であれば高精細であるほと電子ｅの放出方向の角度分布を小さくすることが要求される」との記載、図１〜３及び７からみて、
（４）「電子源及び蛍光体層１５からなる画素をそれぞれ複数個備え、各電子源が格子の格子点に１つずつ配置され且つ前記蛍光体層１５からなる各画素が前記各電子源に対向するように配置されている」との技術事項が読み取れる。
　
・図１〜３及び１０、また、この種の平面ディスプレイ装置では各電子源の大きさ及びピッチが互いに揃っているのが技術常識であることからみて、
（５）「各電子源の、絶縁性基板１３の一表面側での大きさ及びピッチは互いに揃っている」との技術事項が読み取れる。
　
　以上の技術事項（１）ないし（５）を総合勘案すると、引用例には次の発明が記載されていると認められる。 
　 
「電子線を放射させる電子源が一表面側に配設された絶縁性基板１３と、絶縁性基板１３に対向配置され電子源から放射される電子線により発光する蛍光体層１５からなる画素が設けられたガラス基板１４と、ガラス基板１４と絶縁性基板１３とを離間させるスペーサとを備え、絶縁性基板１３とガラス基板１４とスペーサとで囲まれる空間を真空にし、前記電子源及び前記蛍光体層１５からなる画素をそれぞれ複数個備え、前記各電子源が格子の格子点に１つずつ配置され且つ前記蛍光体層１５からなる各画素が前記各電子源に対向するように配置され、前記各電子源の、前記絶縁性基板１３の前記一表面側での大きさ及びピッチは互いに揃っており、前記電子源は、前記絶縁性基板１３の前記一表面側に形成されたストライプ状の導電体層８ｂと、導電体層８ｂに前記ガラス基板１４側で対向するストライプ状の表面電極７と、導電体層８ｂと表面電極７との間に介在し電子がドリフトする強電界ドリフト層６であって導電体層８ｂと表面電極７との交点に相当する部位であるドリフト部６ａとを備え、ドリフト部６ａは、導電体層８ｂの厚み方向に延びた柱状の複数本の多結晶シリコンからなるグレイン２１と、グレイン２１間に介在するナノメータオーダの多数の微結晶シリコン２３と、各微結晶シリコン２３それぞれの表面に形成された微結晶シリコン２３の結晶粒径より小さな膜厚の絶縁膜とからなるディスプレイ装置。」  
（以下、「引用発明」という。） 
　 
　 
３．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
（ア）引用発明における「電子源」、「絶縁性基板１３」、「蛍光体層１５からなる画素」、「ガラス基板１４」、「を離間させる」、「真空にし」、「格子」、「大きさ」、「ストライプ状の導電体層８ｂ」、「ストライプ状の表面電極７」、「強電界ドリフト層６であって導電体層８ｂと表面電極７との交点に相当する部位であるドリフト部６ａ」、「多結晶シリコンからなるグレイン２１」、「微結晶シリコン２３」及び「ディスプレイ装置」は、
本願発明の「電子源素子」、「リアプレート」、「蛍光体層」、「フェースプレート」、「の間の距離を保つ」、「真空に保たれるようにし」、「マトリクス」、「サイズ」、「下部電極」、「表面電極」、「強電界ドリフト層」、「半導体結晶」、「微結晶シリコン」及び「表示装置」にそれぞれ相当する。
  
（イ）蛍光体層が電子線により励起されて発光することは技術常識であるから、引用発明の蛍光体層１５からなる画素が電子線により「発光する」は、本願発明の蛍光体層が電子線により「励起されて発光する」に相当する。
　
（ウ）引用発明では、「蛍光体層１５からなる各画素」が「各電子源に対向するように配置され」るのであるから、「蛍光対層１５からなる各画素」が「各電子源に対して１対１で対応するように配設され」ているといえる。
　そうすると、引用発明における「前記電子源及び前記蛍光体層１５からなる画素をそれぞれ複数個備え、前記各電子源が格子の格子点に１つずつ配置され且つ前記蛍光体層１５からなる各画素が前記各電子源に対向するように配設され」は、 
本願発明の「前記電子源素子および前記蛍光体層をそれぞれ複数個ずつ備えるとともに、前記各電子源素子がマトリクスの格子点に１つずつ配置され且つ前記各蛍光体層が前記各電子源素子に対して１対１で対応するように配設され」に相当する。 
 　 
（エ）本願発明の「各蛍光体層の、前記リヤプレートの前記一表面への投影像のサイズおよびピッチが互いに揃うように前記各蛍光体層のサイズおよびピッチを設定してなり」について検討する。
　本願発明では上記投影像と電子源素子とのリアプレートの一表面におけるサイズ及びピッチの関係は特定していないが、本願明細書【００２５】の「フェースプレート３０に設けられるサブピクセル３２は、図２に示すように、サブピクセル３２におけるリヤプレート２０の上記一表面への投影像のサイズが揃うようにサブピクセル３２間のピッチが設定されており（なお、図２中の一点鎖線はサブピクセル３２をリヤプレート２０へ投影する線を示している）、サブピクセル３２の投影像が電子源素子１０の表面形状（表面電極７の表面形状）に略等しく且つ電子源素子１０に重なるようになっている。しかして、本実施形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブピクセル３２の並設方向において隣り合う電子源素子１０に対応したサブピクセル３２へ電子が到達するのを防止することができ、画像のにじみを防止して色再現性を高めることができる。」との記載及び図２の記載、並びに、この種の電子線を利用した表示装置についての技術常識からみて、本願発明の電子源素子のサイズ及びピッチも、上記投影像のサイズ及びピッチと同様に、互いに揃うように設定されていると解することができる。
　そうすると、本願発明の「各蛍光体層の、前記リヤプレートの前記一表面への投影像のサイズおよびピッチが互いに揃うように前記各蛍光体層のサイズおよびピッチを設定してなり」と、引用発明の「各電子源の、前記絶縁性基板１３の前記一表面側での大きさ及びピッチが互いに揃っており」とは、共に、「各電子源素子の、前記リアプレートの前記一表面側でのサイズおよびピッチが互いに揃うように設定して」いる点で共通している。　
 
 してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。  
（一致点）  
「電子線を放射させる電子源素子が一表面側に配設されたリヤプレートと、リヤプレートに対向配置され電子源素子から放射される電子線により励起されて発光する蛍光体層が設けられたフェースプレートと、フェースプレートとリヤプレートとの間の距離を保つスペーサとを備え、リヤプレートとフェースプレートとスペーサとで囲まれる空間が真空に保たれるようにし、前記電子源素子および前記蛍光体層をそれぞれ複数個ずつ備えるとともに、前記各電子源素子がマトリクスの格子点に１つずつ配置され且つ前記各蛍光体層が前記各電子源素子に対して１対１で対応するように配設され、各電子源素子の、前記リアプレートの前記一表面側でのサイズおよびピッチが互いに揃うように設定してなり、前記電子源素子は、前記リヤプレートの前記一表面側に形成された下部電極と、下部電極に前記フェースプレート側で対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在し電子がドリフトする強電界ドリフト層とを備え、強電界ドリフト層は、下部電極の厚み方向に延びた柱状の複数本の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの多数の半導体微結晶と、各半導体微結晶それぞれの表面に形成された半導体微結晶の結晶粒径より小さな膜厚の絶縁膜とからなることを特徴とする表示装置。」  
　 
（相違点）  
・相違点１  
　フェースプレートのリヤプレートとの対向面におけるスペーサ間の部位の形状に関し、本願発明では、「フェースプレートの外面側に凸となる曲面」であるのに対し、引用発明では、ガラス板１４（本願発明の「フェースプレート」に相当する。以下、同様。）の絶縁性基板１３（リアプレート）との対向面におけるスペーサ間の部位の形状が特定されていない点。  
　  
・相違点２  
　蛍光体層の設定に関し、本願発明では、「各蛍光体層の、リヤプレートの一表面への投影像のサイズおよびピッチが互いに揃うように前記各蛍光体層のサイズおよびピッチを設定」するとしているのに対し、引用発明では、各電子源の、絶縁性基板１３の一表面側での大きさ及びピッチが互いに揃っているにとどまる点。  
　 
　 
５．判断  
　上記相違点１、２について併せて検討する。  
　  
　この種の電子線を利用した表示装置において、フェースプレートの耐圧性を向上させるためにフェースプレートのリヤプレートとの対向面の形状を、フェースプレートの外面側に凸となる曲面に形成することは周知技術に過ぎない（例えば、当審拒絶理由で引用された国際公開第９４／１１８９６号（特に、６頁１６〜１９行、図１、図７、図１８））。  
　また、このようにフェースプレートが曲面に形成された場合においても、各電子源から放射される各電子線がそれぞれ蛍光体層からなる各画素に対して精度良く照射されるように各画素のサイズ、ピッチなどが整えられなければならないことは、当該表示装置の動作原理からみて明らかであり、このことは上記国際公開第９４／１１８９６号にも十分に示唆されている（例えば、図７、図２２。また、１４頁６〜１６行も参照。）。  
　そして、引用例の図１〜３の記載から見て取れるように、また、この種の平面ディスプレイ装置についての技術常識からみて、引用発明の各電子源は、そのサイズ及びピッチが互いに揃ったものであり、電子源から放出される電子の放出方向がドリフト部の表面、すなわち、絶縁性基板の表面に直交する方向であり、その広がり角が小さいものであることも引用例には記載されている（例えば、上記「４．引用例記載の事項・引用発明（ｃ）」の【００３４】、上記「４．引用例記載の事項・引用発明（ｄ）」の【００４５】及び【００４６】）。  
　してみると、引用発明においても、絶縁性基板１３に、そのサイズ及びピッチが揃って配設された各電子源から絶縁性基板１３の表面に直交する方向に、しかも小さな広がり角で放射される各電子線が蛍光体層１５からなる各画素に精度良く照射されるようにするために、各画素の絶縁性基板１３への投影像のサイズ及びピッチが上記電子源のサイズ及びピッチと一致するように設定されているものと認められる。 
　よって、引用発明において、ガラス基板１４を外面側に凸となる曲面に形成し、画素となる蛍光体層１５の絶縁性基板１３への投影像のサイズ及びピッチを互いに揃ったものに設定して、上記相違点１及び相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者ならば容易になし得たことである。
　  
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測可能なものであって、格別のものでもない。  
　 
　 
６．請求人の主張 
　請求人は、平成２３年７月１１日付け意見書において、引用例及び上記国際公開第９４／１１８９６号には、「前記各蛍光体層の、前記リヤプレートの前記一表面への投影像のサイズおよびピッチが互いに揃うように前記各蛍光体層のサイズおよびピッチを設定して」いる構成が示されていない旨の主張をしているが、この点については、上記「５．判断」で説示したとおりであり、上記主張は採用できない。  　 
　 
７．むすび  
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。