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　特願２０００−４００２７２「磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１２日出願公開、特開２００２−１９７６３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　
　本願は、平成１２年１２月２８日の出願であって、平成２１年７月１６日付けで通知した拒絶理由に対して、同年９月２４日付けで手続補正がなされたが、平成２２年５月２５日付けで拒絶すべきものである旨の査定がなされ、これに対して、同年８月３１日付けで拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明について
　
１．本願発明
　
  本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２１年９月２４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　少なくとも非磁性基板と、該非磁性基板上に形成された軟磁性下地膜と、配向制御膜と、垂直磁性膜とを備える磁気記録媒体において、
 前記配向制御膜と垂直磁性膜は、１層以上のｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造からなる層を含み、前記垂直磁性膜上には、軟磁性材料からなる軟磁性膜が形成されており、
 該軟磁性膜と垂直磁性膜とが交換結合してい
て、前記軟磁性膜が、磁化された前記垂直磁性膜の上方への漏れ磁束により前記非磁性基板に概ね水平な方向に磁化されて、前記垂直磁性膜の磁化とともに閉磁路を形成するものであり、前記磁気記録媒体に基板垂直方向の磁界を印加して測定したＭ（磁化）−Ｈ（印加磁界の強度）曲線において、磁気記録媒体を正方向に磁化した後、印加磁界を減少させさらに負の方向の磁界を増加させた際に前記交換結合した垂直磁性膜と軟磁性膜が正から負へ磁化の向きが反転し始める磁界強度が１箇所（Ｈｎ
ca
）である
　
２．引用例
　
　 原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平１０−３３４４４３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（なお、以下、摘記事項の下線は当審で付した。）。
　
ア．「【請求項１】
非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた下地膜を介して形成された垂直磁化膜上に軟磁性膜
を形成し
垂直磁気記録媒体
　
イ．「【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、垂直磁化膜が磁気異方性エネルギーが２.５×１０6erg／ccから５×１０6erg／cc の範囲にある
Ｃｏ合金からなる垂直磁化膜
垂直磁化膜と基板側で接する下地膜が、六方最密充填構造を持つ
　
ウ．「【請求項６】請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
垂直磁化膜がＣｏもしくはＣｏ合金とＰｔ，Ｐｄ、もしくはこれらの金属を主成分とする合金からなる積層多層膜からなる
　
エ．「【００１４】磁気異方性エネルギーの高い垂直磁化膜を用いることにより、逆磁区の発生を押さえることができるので、逆磁区に起因する媒体ノイズの発生を防ぐことができるが、他の原因として、
媒体表面に存在する磁化のミクロレベルでの揺らぎがある。この揺らぎには、磁性膜の面内方向の磁気的相互作用が大きい場合長周期の磁化の揺らぎが生ずる。また、垂直磁化膜表面に磁気的な不均質性が存在すると、短周期の磁化揺らぎが生じ、いずれも媒体ノイズの原因となる
【００１５】
このような長周期，短周期の磁化揺らぎを抑制するためには、垂直磁化膜の表面に軟磁性膜もしくは面内方向に磁化容易軸を持つ磁性膜を形成すれば良い
これらの磁性膜の膜厚は、記録に用いる垂直磁化膜の厚さに比べ小さく選ぶ必要がある。膜厚が大きくなると、垂直磁化膜に記録された記録ビットから発生する磁束がこれらの膜に吸収された閉磁路を形成するために、媒体表面から磁束が漏洩しなくなり、磁気ヘッドで記録信号を再生できなくなる
【００１６】
これらの磁性膜の膜厚が適当に薄いと垂直磁化膜表面に存在する長周期，短周期の磁気揺らぎは垂直磁化膜の表面に形成した磁性膜に吸収されるが、記録ビットから発生するより強い磁束は吸収しきれない場合がおこる。この場合、磁気揺らぎに起因する磁束は磁性膜表面に漏洩しないため、磁気ヘッドで検出されなくなり、媒体ノイズが減少する
　
オ．「【００２１】
垂直磁化膜１３上に軟磁性膜１４を設けることにより、垂直磁化膜１３の表面に存在する磁気揺らぎから発生する磁束が磁性膜に吸収され、この結果媒体ノイズが低減する
　
カ．「【００２３】図２から図４に示す構成を用いても、目的を達成することができる。図２に示した媒体構造は、
第１の垂直磁化膜２４と非磁性基板２１の間に六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化が１００emu／cc 以下の弱磁性の六方最密充填構造を持つ下地材料層２３とこの下地材料層の結晶配向を制御するための下地層２２を持つ場合
２層下地構造を採用することにより、垂直磁化膜の結晶粒径や配向の高度制御が可能になり、さらに低ノイズ特性が実現する
【００２４】図３および
図４に示した媒体の断面構造は、垂直磁化膜の下部に軟磁性膜層を保有する型の垂直磁気記録媒体場合の構造を説明したものである
４２がそれぞれ軟磁性膜層である
この場合も垂直磁化膜の上部には軟磁性膜
４５がそれぞれ形成されている
【００２５】
図１から図４において、いずれも垂直磁化膜の上に形成された磁性膜は垂直磁化膜の表面に存在する長周期，短周期の磁気揺らぎから発生する磁束を吸収し、媒体ノイズを低減する役割を果たす
図４の六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化が１００emu／cc 以下の弱磁性の六方最密充填構造を持つ下地４３は、いずれもこれらの下地の上に形成される磁性膜の結晶配向や結晶粒径を制御することを目的に設けられたものであり
　
キ．「【００２７】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞直径２.５ インチのガラス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。
基板１１上に、下地層１２，垂直磁化膜１３，軟磁性膜１４
をこの順序で形成した
下地用にはＴｉ−１０at.５Ｃｒターゲット、垂直磁化膜用にＣｏ−１９at.％Ｃｒ−８at.％Ｐｔターゲット、軟磁性膜用にはCoNbZrのターゲット
を用いた
【００２８】
さらに軟磁性膜１４に、Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを用いた垂直磁気記録媒体を作製した
　
ク．「【００３３】＜実施例２＞直径２.５ インチのシリコン基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板２１上に、第１下地層２２，第２下地層２３，垂直磁化膜２４，磁性膜２５
をこの順序で形成した
第１下地用にはＴｉ−１０at．５Ｃｒターゲット、第２下地用にはＣｏ−３５at.％Ｃｒターゲット、垂直磁化膜用にＣｏ−１６at.％Ｃｒ−８at.％Ｐｔ−３at.％Ｔａターゲット、磁性膜用にＦｅ−８０ａｔ％Ｎｉのターゲット
を用いた
　
　上記ア．ないしク．の記載によれば、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　少なくとも非磁性基板と、該非磁性基板上に形成された軟磁性膜層と、下地膜（下地層、下地材料層、下地）と、垂直磁化膜とを備える磁気記録媒体において、
　前記下地膜は、１層ないし２層の六方最密充填構造を持つ層を含み、前記垂直磁化膜は、Ｃｏ合金からなる膜またはＣｏもしくはＣｏ合金とＰｔ，Ｐｄ、もしくはこれらの金属を主成分とする合金からなる積層多層膜を含み、前記垂直磁化膜上に軟磁性膜が形成されている、
　磁気記録媒体。
　
３．対比
　
　引用発明と本願発明とを対比する。
　
　引用発明の「磁気記録媒体」は、本願発明の「磁気記録媒体」に相当する。
　
　引用発明の「非磁性基板」、「軟磁性膜層」は、それぞれ、本願発明の「非磁性基板」、「軟磁性下地膜」に相当する。
　
　引用発明の「下地膜」は、引用例の「カ．」には、垂直磁化膜の結晶配向や結晶粒径を制御するためのものであることが記載されているから、本願発明の「配向制御膜」に相当する。
　引用発明の「下地膜は、１層ないし２層の六方最密充填構造を持つ層を含」むことは、本願発明の「配向制御膜」は、「１層以上のｈｃｐ構造」「からなる層を含」むことに相当する。
　
　引用発明の「垂直磁化膜」は、本願発明の「垂直磁性膜」に相当する。
　引用発明の「垂直磁化膜は、Ｃｏ合金からなる膜またはＣｏもしくはＣｏ合金とＰｔ，Ｐｄ、もしくはこれらの金属を主成分とする合金からなる積層多層膜を含」むことは、「Ｃｏ合金」や「ＣｏもしくはＣｏ合金」がｈｃｐ構造を有することは明らかであり、「Ｐｔ，Ｐｄ、もしくはこれらの金属を主成分とする合金」がｆｃｃ構造を有することは明らかであるから、本願発明の「垂直磁性膜」は、「１層以上のｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造からなる層を含」むことに相当する。
　
　引用発明の「垂直磁化膜上に軟磁性膜が形成されている」ことは、本願発明の「垂直磁性膜上には、軟磁性材料からなる軟磁性膜が形成されて」いることに相当する。
　
　以上のことから、引用発明と本願発明の一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　
［一致点］
　
「　少なくとも非磁性基板と、該非磁性基板上に形成された軟磁性下地膜と、配向制御膜と、垂直磁性膜とを備える磁気記録媒体において、
 前記配向制御膜と垂直磁性膜は、１層以上のｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造からなる層を含み、前記垂直磁性膜上には、軟磁性材料からなる軟磁性膜が形成されている、
　磁気記録媒体。」である点。
　
［一応の相違点］
　
（相違点１）
　本願発明では、「前記軟磁性膜が、磁化された前記垂直磁性膜の上方への漏れ磁束により前記非磁性基板に概ね水平な方向に磁化されて、前記垂直磁性膜の磁化とともに閉磁路を形成するもの」であるのに対し、引用発明では、これが直接的に特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、「該軟磁性膜と垂直磁性膜とが交換結合していて、」「前記磁気記録媒体に基板垂直方向の磁界を印加して測定したＭ（磁化）−Ｈ（印加磁界の強度）曲線において、磁気記録媒体を正方向に磁化した後、印加磁界を減少させさらに負の方向の磁界を増加させた際に前記交換結合した垂直磁性膜と軟磁性膜が正から負へ磁化の向きが反転し始める磁界強度が１箇所（Ｈｎca）であるものである」のに対し、引用発明では、これが直接的に特定されていない点。
　
４．判断
　
　上記一応の相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　引用例の「エ．」、「オ．」、「カ．」を参照すると、軟磁性膜は、垂直磁化膜に記録された記録ビットから発生する磁束を少なからず吸収し閉磁路を形成すること、軟磁性膜は、垂直磁化膜の表面に存在する磁気揺らぎから発生する磁束を吸収すること、から、軟磁性膜の磁化と垂直磁化膜の磁化が閉磁路を形成していることは明らかであるから、引用発明は、「前記軟磁性膜が、磁化された前記垂直磁性膜の上方への漏れ磁束により前記非磁性基板に概ね水平な方向に磁化されて、前記垂直磁性膜の磁化とともに閉磁路を形成するもの」であることは、実質的に特定されている。
　
（相違点２について）
　引用例を参照すると、軟磁性膜は、垂直磁化膜の上に直接形成されているので、技術常識からして、軟磁性膜と垂直磁化膜とは交換結合していると認められる。
　補足すると、引用例を精査しても、垂直磁化膜の上に非磁性膜を介して軟磁性膜を形成することや垂直磁化膜と軟磁性膜の間に不純物を添加することは記載されていないので、軟磁性膜と垂直磁化膜とは交換結合していないとする根拠は見出せない。
　してみれば、引用発明は、「該軟磁性膜と垂直磁性膜とが交換結合して」いることは、実質的に特定されており、「前記磁気記録媒体に基板垂直方向の磁界を印加して測定したＭ（磁化）−Ｈ（印加磁界の強度）曲線において、磁気記録媒体を正方向に磁化した後、印加磁界を減少させさらに負の方向の磁界を増加させた際に前記交換結合した垂直磁性膜と軟磁性膜が正から負へ磁化の向きが反転し始める磁界強度が１箇所（Ｈｎca）であるものである」ことも、実質的に特定されている。
　
　すると、上記一応の相違点とした点は、引用例の記載全体と技術常識とを参酌して理解すると、引用発明においても実質的に備えていると解するのが技術的に妥当である。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　
　
第３．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。