【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造方法であって、
ａ）基板を提供するステップと、
ｂ）アノード層を前記基板の上に堆積させるステップと、
ｃ）複数の分離したウェルを前記基板の上に設置するステップであって、前記ウェルを形成するように壁を外接させることによって、前記分離したウェルを形成するステップと、
ｄ）バッファ層を、前記ウェルのそれぞれの中の前記アノード層の上に堆積させるステップと、
ｅ）パターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記ウェルのそれぞれの中に堆積させるステップと、
ｆ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、少なくとも１個のパターン化したドーパント層を、前記ウェルのうちの少なくとも１個に堆積させるステップと、
ｇ）カソード層を堆積させるステップと
を含み、それによって有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスを製造することを特徴とする方法。
【請求項２】
フルカラーの副画素化した有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造方法であって、
ａ）基板を提供するステップと、
ｂ）アノード層を前記基板の上に堆積させるステップと、
ｃ）複数の分離したウェルを、前記基板の上に３個１組で設置するステップであって、前記ウェルを形成するように壁を外接させることによって、前記分離したウェルを形成し、それぞれのウェルが副画素を画定し、３個のウェルの組それぞれが画素を画定する、ステップと、
ｄ）バッファ層を、前記ウェルのそれぞれの中の前記アノード層の上に堆積させるステップと、
ｅ）青色光を生じるように選択したパターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記ウェルのそれぞれの中に堆積させるステップと、
ｆ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、赤色光を生じるように選択した第１のパターン化したドーパント層を、前記３個のウェルの組のうちの少なくとも１個の第１のウェルの中に堆積させるステップと、
ｇ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、緑色光を生じるように選択した第２のパターン化したドーパント層を、前記３個のウェルの組のうちの少なくとも１個の第２のウェルの中に堆積させるステップと、
ｈ）カソード層を堆積させるステップと
を含み、それによってフルカラーの副画素化されたエレクトロルミネセンス・デバイスを製造することを特徴とする方法。
【請求項３】
前記ＥＬデバイスが、アクティブ・マトリックス・フルカラーのＥＬデバイスであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＥＬデバイスが、パッシブ・マトリックス・フルカラーのＥＬデバイスであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記壁が、矩形のウェル、円形のウェル、長円形のウェル、または三角形のウェルに外接していることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および前記第２のドーパントが、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散して、前記ウェル中に単一層を形成することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および前記第２のドーパントが、前記第１または前記第２のドーパントを含むポリマー溶液で前記ホスト・ポリマー層を濡らすことによって、熱拡散によって、または、電場バイアスをかけることによって、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および前記第２のドーパントが、前記第１または前記第２のドーパントを含むポリマー溶液で前記ホスト・ポリマー層を濡らすことによって、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記濡らすことが、前記ホスト・ポリマー中に勾配のある密度プロファイルを生成することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
任意選択で青色光を発光するパターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記カソード層の堆積直前に堆積させることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
複数の第１の副画素および第２の副画素を有するエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスであって、エレクトロルミネセンス・ポリマー層を含み、前記第１の副画素のうちの少なくとも１個のエレクトロルミネセンス・ポリマー層が、その中に第１のドーパントを拡散させており、前記第２の副画素のうちの少なくとも１個のエレクトロルミネセンス・ポリマー層が、その中に第２のドーパントを拡散させており、前記少なくとも１個の第１の副画素が、前記第１のドーパントだけからの発光を示す光ルミネセンススペクトルを呈し、前記少なくとも１個の第２の副画素が、前記第２のドーパントだけからの発光を示す光ルミネセンススペクトルを呈することを特徴とするエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
【請求項１２】
バッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のフルカラーのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
【請求項１３】
前記基板の表面が、フッ素を実質的に含まないことを特徴とする請求項１１に記載のフルカラーのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
本発明の特定の好適な実施形態に関して本発明を詳細に記載してきたが、その修正形態および変形形態は、記載し、クレームしたものの趣旨および範囲内にあることを理解されたい。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造方法であって、
ａ）基板を提供するステップと、
ｂ）アノード層を前記基板の上に堆積させるステップと、
ｃ）複数の分離したウェルを前記基板の上に設置するステップであって、前記ウェルを形成するように壁を外接させることによって、前記分離したウェルを形成するステップと、
ｄ）バッファ層を、前記ウェルのそれぞれの中の前記アノード層の上に堆積させるステップと、
ｅ）パターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記ウェルのそれぞれの中に堆積させるステップと、
ｆ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、少なくとも１個のパターン化したドーパント層を、前記ウェルのうちの少なくとも１個に堆積させるステップと、
ｇ）カソード層を堆積させるステップと
を含み、それによって有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスを製造することを特徴とする方法。
［２］  フルカラーの副画素化した有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスの製造方法であって、
ａ）基板を提供するステップと、
ｂ）アノード層を前記基板の上に堆積させるステップと、
ｃ）複数の分離したウェルを、前記基板の上に３個１組で設置するステップであって、前記ウェルを形成するように壁を外接させることによって、前記分離したウェルを形成し、それぞれのウェルが副画素を画定し、３個のウェルの組それぞれが画素を画定する、ステップと、
ｄ）バッファ層を、前記ウェルのそれぞれの中の前記アノード層の上に堆積させるステップと、
ｅ）青色光を生じるように選択したパターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記ウェルのそれぞれの中に堆積させるステップと、
ｆ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、赤色光を生じるように選択した第１のパターン化したドーパント層を、前記３個のウェルの組のうちの少なくとも１個の第１のウェルの中に堆積させるステップと、
ｇ）前記ウェルの前記壁の表面前処理なしで、緑色光を生じるように選択した第２のパターン化したドーパント層を、前記３個のウェルの組のうちの少なくとも１個の第２のウェルの中に堆積させるステップと、
ｈ）カソード層を堆積させるステップと
を含み、それによってフルカラーの副画素化されたエレクトロルミネセンス・デバイスを製造することを特徴とする方法。
［３］  前記ＥＬデバイスが、アクティブ・マトリックス・フルカラーのＥＬデバイスであることを特徴とする［２］に記載の方法。
［４］  前記ＥＬデバイスが、パッシブ・マトリックス・フルカラーのＥＬデバイスであることを特徴とする［２］に記載の方法。
［５］  前記壁が、矩形のウェル、円形のウェル、長円形のウェル、または三角形のウェルに外接していることを特徴とする［２］に記載の方法。
［６］  前記第１および前記第２のドーパントが、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散して、前記ウェル中に単一層を形成することを特徴とする［２］に記載の方法。
［７］  前記第１および前記第２のドーパントが、前記第１または前記第２のドーパントを含むポリマー溶液で前記ホスト・ポリマー層を濡らすことによって、熱拡散によって、または、電場バイアスをかけることによって、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散されることを特徴とする［６］に記載の方法。
［８］  前記第１および前記第２のドーパントが、前記第１または前記第２のドーパントを含むポリマー溶液で前記ホスト・ポリマー層を濡らすことによって、前記ＥＬホスト・ポリマー層の中に拡散されることを特徴とする［６］に記載の方法。
［９］  前記濡らすことが、前記ホスト・ポリマー中に勾配のある密度プロファイルを生成することを特徴とする［８］に記載の方法。
［１０］  任意選択で青色光を発光するパターン化していないＥＬホスト・ポリマー層を、前記カソード層の堆積直前に堆積させることを特徴とする［２］に記載の方法。
［１１］  前記アノード層が、第２族の元素、第４〜６族の元素、および第８〜１４族の元素の混合酸化物から選択されることを特徴とする［２］に記載の方法。
［１２］  前記アノード層が、第１２〜１４族の元素の混合酸化物から選択されることを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１３］  前記アノード層が、インジウムスズ酸化物であることを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１４］  前記アノード層または前記カソード層の前記堆積が、化学蒸着法、物理蒸着法、およびスピン・キャスト法から選択されることを特徴とする［２］に記載の方法。
［１５］  前記化学蒸着法が、プラズマ化学気相成長法（「ＰＥＣＶＤ」）または有機金属化学蒸着法（「ＭＯＣＶＤ」）から選択されることを特徴とする［１４］に記載の方法。
［１６］  前記物理蒸着法が、スパッタリング、ｅ−ビーム蒸発、および抵抗蒸発から選択されることを特徴とする［１４］に記載の方法。
［１７］  前記物理蒸着法が、ｒｆマグネトロンスパッタリングおよび誘導結合高周波プラズマ物理蒸着法（「ＩＭＰ−ＰＶＤ」）から選択されることを特徴とする［１４］に記載の方法。
［１８］  前記バッファ層が、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）から選択され、前記バッファ層が、任意選択でプロトン酸でドープされることを特徴とする［２］に記載の方法。
［１９］  前記ＥＬポリマー層が、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ＰＰＶ共重合体、ポリフルオレン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン、およびその誘導体から選択されることを特徴とする［２］に記載の方法。
［２０］  前記ドーパントが、少なくとも１個の金属に配位した官能基を含む官能基化されたポリマーであることを特徴とする［２］に記載の方法。
［２１］  前記官能基化されたポリマーが、カルボン酸、カルボン酸塩、スルホン酸基、スルホン酸塩、ＯＨ部分を有する基、アミン、イミン、ジイミン、Ｎ−オキシド、ホスフィン、ホスフィンオキシド、およびβ−ジカルボニル基から選択される官能基を含むことを特徴とする［２０］に記載の方法。
［２２］  前記少なくとも１個の金属が、ランタニド金属、第７族金属、第８族金属、第９族金属、第１０族金属、第１１族金属、第１２族金属、および第１３族金属から選択されることを特徴とする［２０］に記載の方法。
［２３］  前記パターン化していないＥｌホスト・ポリマー層が、金属キレート化オキシノイド化合物、フェナントロリンベースの化合物、およびアゾール化合物、［１０］に記載の方法。
［２４］  前記パターン化していないポリマー層が、Ａｌｑ３、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＤＰＡ」）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＰＡ」）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（「ＰＢＤ」）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（「ＴＡＺ」）、または、それらの任意の１種または複数種の組合せを含むことを特徴とする［２３］に記載の方法。［２５］  前記カソード層が、第１族金属、第２族金属、第１２族金属、ランタニド、およびアクチニドを含むことを特徴とする［２］に記載の方法。
［２６］  前記バッファ層、ＥＬホスト・ポリマー層、およびドーパントの前記堆積が、溶液キャスティング、滴下キャスティング、カーテンキャスティング、スピンコーティング、スクリーン印刷、およびインクジェット印刷によって処理されることを特徴とする［２］に記載の方法。
［２７］  ［２］に記載の方法によって製造されるエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［２８］  基板、アノード層、少なくとも１つのエレクトロルミネセンス・ポリマー層、およびカソード層を含むエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスであって、
前記基板が、複数の分離したウェルを含み、前記複数の分離したウェルのそれぞれが、少なくとも壁面に実質的にフッ素を含まないことを特徴とするエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［２９］  バッファ層をさらに含むことを特徴とする［２８］に記載のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［３０］  前記ＥＬポリマー層が、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ＰＰＶ共重合体、ポリフルオレン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン、およびその誘導体から選択されることを特徴とする［２８］に記載のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［３１］  前記バッファ層が、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）から選択され、前記バッファ層が、任意選択でプロトン酸でドープされていることを特徴とする［２９］に記載のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［３２］  複数の第１の副画素および第２の副画素を有するエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイスであって、エレクトロルミネセンス・ポリマー層を含み、前記第１の副画素のうちの少なくとも１個のエレクトロルミネセンス・ポリマー層が、その中に第１のドーパントを拡散させており、前記第２の副画素のうちの少なくとも１個のエレクトロルミネセンス・ポリマー層が、その中に第２のドーパントを拡散させており、前記少なくとも１個の第１の副画素が、前記第１のドーパントだけからの発光を示す光ルミネセンススペクトルを呈し、前記少なくとも１個の第２の副画素が、前記第２のドーパントだけからの発光を示す光ルミネセンススペクトルを呈することを特徴とするエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［３３］  バッファ層をさらに含むことを特徴とする［３２］に記載のフルカラーのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。
［３４］  前記基板の表面が、フッ素を実質的に含まないことを特徴とする［３２］に記載のフルカラーのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス。