【事件の表示】
　特願２００５−　７６４６２「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２８日出願公開、特開２００６−２６１３７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本件発明
　本件出願は平成１７年３月１７日の出願であって、同２２年９月９日付拒絶理由通知に対し同２２年１１月９日に意見書と手続補正書が提出されたが、同２３年４月１２日付で拒絶査定がなされたものである。これに対し、平成２３年７月８日に本件審判が請求され、当審による同２３年１１月１５日付拒絶理由通知に対し同２４年１月５日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　本件出願の請求項１に係る発明は、平成２４年１月５日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、同請求項１の記載は次のとおりのものである。
「側面と主面とが交差する箇所が面取り加工されて曲面である半導体基板を裏面側から研削することによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
　前記裏面側からの研削によっても未研削で残される領域を予測し、側面の中では、前記未研削で残される予測領域の側面にのみ、かつ、前記未研削で残される予測領域の全側面に、塗布手段によって、１〜２０μｍ厚で弾性率が２〜１０ＧＰａの有機樹脂製保護塗膜を設けると共に、前記半導体基板の主面である表面に、塗布手段によって、前記側面の有機樹脂製保護塗膜と繋がる１〜２０μｍ厚で弾性率が２〜１０ＧＰａの有機樹脂製保護塗膜を設ける有機樹脂製保護塗膜形成工程と、
　前記有機樹脂製保護塗膜形成工程の後、半導体基板を、前記半導体基板の裏面側から、前記側面の有機樹脂製保護塗膜の直前位置まで研削する研削工程
とを具備することを特徴とする薄厚の半導体装置製造方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明または事項
　これに対し、本件出願前に頒布された刊行物であって、当審の拒絶理由に引用された以下の文献には、下記のとおりの記載が認められる。
　刊行物１：　特開２０００−３５３６８２号公報
　刊行物２：　特開平７−６９８６号公報
　刊行物３：　特開２００４−４７９０３号公報
　
2.1　刊行物１
ａ．（発明の詳細な説明、段落１〜５）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエーハ保護テープの切断方法に係り、特に半導体ウエーハのバックグラインダー等の加工時に用いられる表面保護テープの切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】IC等の半導体装置は、ウエーハ１上に多数同時に形成され、個々に性能検査がされた後ダイシングソーで個々のデバイスに分割される。しかしながらICカード等に用いられる半導体デバイスは厚さの薄いものが要求されるようになり、その場合はダイシングソーで個々のデバイスに分割する前にバックグラインダーでウエーハ１の裏面を研削して所望の厚さに加工している。この場合ウエーハ１の表面に形成された半導体デバイスを破損や汚染から守るために、表面に保護テープ２を貼って加工している。この表面保護テープ２は、テープ基材３と粘着剤４とから成っており、この粘着剤４を介してウエーハ１の表面に貼付された後ウエーハ１の外周に沿って切断工具５でカットされている。（図４〜図６）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり保護テープ２は、ウエーハ１の表面と直角にウエーハ１の外周に沿って、切断されていた。（図４〜図６）ところが近年スマートカードに代表される超薄型ICカードが登場するに及び、それに組み込まれる半導体デバイスも３０ミクロン〜５０ミクロンという超超薄型化が求められるようになって来た。ところで半導体ウエーハ１は、外周のエッジ部分が尖っていると、いくつもの製造工程を経る中で微細な割れや欠けが生じ、その微細な破片が悪さをしたりエッジ部に発生したマイクロクラックが内部に進行してダメージを与えたりする為、外周のエッジ部分を面取りしてシャープなエッジをなくしている。この面取りされたウエーハ１の表面に保護テープ２を貼る場合、表面の平坦部のみならず面取りされた径斜面にまでテープが倣って貼付され、この状態で表面の平坦部と直角にウエーハの外周に沿って切断される。
【０００４】この表面に保護テープ２の貼られたウエーハ１は、保護テープ２の貼られた面を下にしてバックグラインダーのワークテーブルに載置固定され、上方から研削砥石で所定の厚さ迄加工される。ところが最終厚みが極めて薄いウエーハ１ではウエーハ１の元厚の半分以上も研削加工しなければならない。この場合は図５ に示すように硬脆性材料であるウエーハ１だけでなく、樹脂材料である保護テープ２の基材３まで一緒に研削することになり、この樹脂材料が研削砥石の砥粒（ダイヤモンド等）に絡み付き、目詰まりを起こして加工性能を劣化させ、加工能率の低下や加工品質の低下を来すとともに、更にはウエーハ１を破損させる要因ともなっていた。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、最終厚みが極めて薄いウエーハであっても、樹脂材料である保護テープの基材まで一緒に研削することがなく研削砥石の目詰まりを引き起こさないウエーハの表面保護テープの切断方法を提供する。」
ｂ．（同、段落９）
「【０００９】
 【作用】本発明によれば、ウエーハ保護テープ２はウエーハ１の表面を保護するのに必要最小限の寸法で切断されるので、最終厚みが極めて薄いウエーハ１であってもウエーハ１の加工領域５にまではみ出すことが無く、樹脂材料である保護テープ２の基材３まで一緒に研削することがないので研削砥石の目詰まりを生じさせない。」
ｃ．（同、段落１１，１２）
「【００１１】図１において、ウエーハ１は図示しないテープ貼付け装置の載置台上に半導体デバイスの形成された表面を上に、裏面を下にして吸着固定される。次いで保護テープ２がその粘着剤４側を下にしてウエーハ上に配置され、上から図示しない弾性体の回転ローラ等で加圧されウエーハに貼付される。この時保護テープ２は、ウエーハ表面の平坦部のみでなく周辺の面取りされた部分の一部にも回り込むように貼り付けられる。次に、ウエーハ１の面取り部分の形状及びウエーハ１の最終厚みを基に算出された角度だけ切断工具５が傾けられ、この状態で切断工具５がウエーハ１の中心線を軸にして回転し、ウエーハ１の外径に沿って保護テープ２を切断する。尚、切断工具５が傾斜固定されたままで、ウエーハ１を吸着固定した載置台が回転するようにしてもよい。これにより、保護テープ２は必要最小限の大きさで切断される。
【００１２】図２では上記方法で切断された保護テープ２でデバイス面を保護されたウエーハ１の保護テープ２側を下にして、図示しないバックグラインダーのワークテーブルに吸着固定されたウエーハ１を、上方から研削砥石で裏面研削する場合の加工領域６（点線のハッチング付きの枠）と保護テープ２の位置関係を示している。図示のように保護テープ２の基材３は加工領域６の外側に位置しているので、樹脂材料で出来ている基材３はウエーハ１の裏面研削中に同時に加工されることはない。」
ｄ．（図２）
　ウエーハの側面と表面とが交差する箇所が面取り加工されて曲面とされ、ウエーハ保護テープ２が、裏面加工の加工領域６に対し、面取り加工されて曲面とされた未加工で残される領域の側面ほぼ全域を覆うことが理解される。
　
　摘記事項c中の「ウエーハ１の面取り部分の形状及びウエーハ１の最終厚みを基に算出された角度だけ切断工具５が傾けられ」、及び「保護テープ２の基材３は加工領域６の外側に位置している」との記載，並びに図２の記載から、刊行物１記載の方法では、ウエーハの裏面側からの研削によっても未研削で残される領域を予測し、側面の中で未研削で残される領域の側面にのみ、保護テープを貼付していることは，当業者にとって自明である。したがって、摘記事項を本件発明の記載に倣って整理すると、刊行物１には次の発明が記載されていると認めることができる。
「側面と表面とが交差する箇所が面取り加工されて曲面であるウエーハを裏面側から研削することによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
　前記裏面側からの研削によっても未研削で残される領域を予測し、側面の中では、前記未研削で残される領域の側面のほぼ全域にのみ、保護テープを貼付すると共に、前記ウエーハの主面である表面に前記側面の保護テープと繋がる保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、
　前記保護テープ貼付工程の後、ウエーハを、前記ウエーハの裏面側から、前記側面の保護テープの手前の位置まで研削する研削工程
とを具備する、薄厚の半導体装置製造方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　
2.2　刊行物２
ａ．（発明の詳細な説明、段落７，８）
「【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１に本発明の一実施例を示す。まず、図１（ｂ）に示すようにシリコンウエハ１にパターン面２を形成する。次に、図１（ｃ）に示すようにパターン面保護膜として、シリコンウエハ１のパターン面２上に、レジスト３（東京応化製のＯＭＲ−８３−２００ＣＰ）を３５００ｒｐｍでスピンコート法により３．２μｍの厚さに均一に塗布する。その後、ポストベークとして、１００〜２００℃の窒素または大気雰囲気中のベーク炉で１０〜２０分間の加熱処理を行い、レジスト中の溶剤成分を蒸発させて、裏面研削用の厚膜レジスト３を形成する。
【０００８】ここで用いるレジストの種類としては、機械的強度や耐ウエットエッチング性に優れるネガ型レジストを用いる。図２にウエハ回転数とレジスト膜厚、厚さばらつきの関係を示す。ウエハ回転数２０００ｒｐｍ以上にすると、ＯＭＲ８３−２００では３〜４μｍ、ＦＭＲ−Ｎ−５００（富士薬品製）では６〜８μｍの膜厚で、厚さ精度が±０．２μｍ以下という高精度な保護膜が形成できる。」
　
　上記を整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。
「スピンコート法による塗布により、３〜４μｍまたは６〜８μｍの膜厚をもつパターン面保護膜を形成する、シリコンウエハ裏面研削用の保護膜の形成方法。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。）
　
2.3　刊行物３
ａ．（発明の詳細な説明、段落１５〜１８）
「【００１５】
【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。図１の半導体ウエハ１（以下、単に「ウエハ１」という。）は、種々の素子形成工程および配線工程などを経ていて、活性表層領域側の面である表面１ａは窒化膜などからなる保護膜（パッシベーション膜）で覆われている。そして、この保護膜からは、外部との電気接続のためのパッドが露出させられている。
【００１６】このパッド上に、図１（ａ）に示すように、たとえば、金（Ａｕ）からなる複数の突起電極２が形成される。この突起電極２は、たとえば、電解めっきにより形成され、その保護膜表面からの高さは、たとえば、５０μｍ程度とされることが好ましい。突起電極２は、円柱状または四角柱状などの柱状のものであることが好ましい。その材料としては、金のほかにも、銅、半田などを適用することができる。また、ウエハ１の表面１ａ上で個々の半導体素子の境界（図１に矢印Ａで示す位置）には、スクライブラインが形成される。
【００１７】次に、このウエハ１の表面１ａに、第１樹脂膜３を形成する（図１（ｂ））。第１樹脂膜３は、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、バーコーティング法等により液状の樹脂を塗布後、硬化させることにより得ることができる。樹脂の種類は、ポリイミドやエポキシなどとすることができる。硬化後の第１樹脂膜３（以下、単に「第１樹脂膜３」という。）は、突起電極２を埋没させることができる厚さで形成されていることが好ましい。具体的には、第１樹脂膜３の厚みは、１００μｍ程度とされることが好ましい。また、第１樹脂膜３の表面は、平坦であることが好ましい。また第１樹脂膜３は、半導体基板との熱膨張係数の違いによる応力を低減する程度に低弾性であり、弾性率が５ＧＰａ以下、特に、２ＧＰａ以下であることが望ましい。
【００１８】続いて、このような第１樹脂膜３が形成されたウエハ１の裏面１ｂを、たとえば、グラインダを用いて研削し、ウエハ１を所望の厚さに調整する（図１（ｃ））。第１樹脂膜３が突起電極２の頂部を覆って形成されたものであり、第１樹脂膜３の表面が平坦である場合、第１樹脂膜３が半導体基板との熱膨張係数の違いによる応力を低減する程度に低弾性であるため、研削時にウエハ１を第１樹脂膜３が形成された側から均一に加圧することができる。（以下省略)」
　
　上記において、第１樹脂膜３を構成するポリイミドやエポキシが有機樹脂であることは明白であり、第１樹脂膜３が半導体ウエハの裏面研削時に活性表層領域側を保護するものであることも自明である。
　そこで、摘記事項を整理すると、刊行物３には以下の事項が記載されていると認められる。
「弾性率が５ＧＰａ以下の有機樹脂からなる第１樹脂膜を形成する、半導体ウエハ裏面研削用の保護膜の形成方法。」（以下、「刊行物３記載の事項」という。）
　
３．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、以下のとおりである。
　後者の「ウエーハ」が、前者の「半導体基板」に相当することは、明白であり、同様に後者の「表面」が、前者の「主面」に相当することも明白である。る。
　また、後者の「保護テープ貼付工程」は、半導体基板を裏面側から研削する間、半導体基板の表面に形成された半導体装置を保護する膜を形成する、保護膜形成工程である限りにおいて、前者の「有機樹脂製保護塗膜形成工程」と共通するものであり、後者において「保護テープの手前の位置まで研削する」ことは、後者において「有機樹脂製保護塗膜の直前位置まで研削する」ことと、保護膜の手前の位置まで研削する限りにおいて、共通する。
　そうしてみると、本件発明と刊行物１記載の発明とは、以下の点で一致及び相違するものと認められる。
　＜一致点＞
「側面と主面とが交差する箇所が面取り加工されて曲面である半導体基板を裏面側から研削することによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
　前記裏面側からの研削によっても未研削で残される領域を予測し、側面の中では、前記未研削で残される領域の側面にのみ、保護膜を形成すると共に、前記半導体基板の主面である表面に前記側面の保護膜と繋がる保護膜を形成する保護膜形成工程と、
　前記保護膜形成工程の後、半導体基板を、前記半導体基板の裏面側から、前記側面の保護膜の手前の位置まで研削する研削工程
とを具備する、薄厚の半導体装置製造方法。」である点。
＜相違点１＞
　保護膜形成工程が、前者では塗布手段によって１〜２０μｍ厚で弾性率が２〜１０ＧＰａの有機樹脂製保護塗膜を形成するものであるのに対し、後者では保護テープを貼付するものであって、厚みや弾性率の特定がない点。
＜相違点２＞
　前者では、半導体基板の側面の保護膜が、未研削で残される予測領域の側面にのみ、かつ、未研削で残される予測領域の全側面に形成され、研削工程では、裏面側から、側面の保護膜の直前位置まで研削するのに対し、後者では、保護膜が未研削で残される領域の側面のほぼ全域にのみ形成され、研削工程では保護膜の手前の位置まで研削する点。
　
４．当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
4.1　＜相違点１＞について
　2.2及び2.3に示したとおり、刊行物２には、シリコンウエハ、すなわち半導体基板の裏面研削時にパターン面、すなわち半導体装置が形成された面を保護する膜を塗布によって３〜４μｍまたは６〜８μｍの膜厚に形成することが記載されており、また、刊行物３には保護膜を５ＧＰａ以下の弾性率をもつ有機樹脂製とすることが記載されている。
　刊行物２及び３記載の事項は、いずれも刊行物１記載の発明と同じく、半導体基板の裏面研削時に半導体装置を保護する保護膜に関するものであるから、刊行物１記載の発明に刊行物２及び３記載の事項を適用して、保護膜形成工程を、保護テープを貼付するものに代えて、塗布手段によって１〜２０μｍ厚で弾性率が２〜１０ＧＰａの有機樹脂製保護塗膜を形成するものとすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
4.2　＜相違点２＞について
　刊行物１の摘記事項ａには、半導体基板の裏面を研削する際に、半導体装置を保護し、外周部の割れや欠けを防止するする目的で保護膜を面取り部にまで形成すること、及び、保護膜まで研削することが好ましくないこと、が示唆されていると認められる。
　そこで、保護膜を形成する目的を考慮すると、保護膜が裏面研削において未研削で残される部分をすべて覆うように形成されることが望ましいことは自明であるから、半導体基板の側面の保護膜を、未研削で残される予測領域の側面のみに形成するにあたって、未研削で残される予測領域の全側面に形成することは、当業者が容易に想到し得る。
　そして、保護膜が未研削で残される予測領域の全側面に形成されると、半導体基板裏面の研削工程では、裏面側から、側面の保護膜の直前位置まで研削することになるのは自明である。また、保護膜まで研削することを避けるうえでも、研削を保護膜の直前位置で止めるべきであることは、当業者が容易に想到し得る。
　
4.3　本件発明の作用効果について
　本件発明の作用効果には、刊行物１記載の発明及び刊行物２，３記載の事項に基づいて、普通に予測される範囲を超える格別のものを見出すこともできない。
　よって、本件発明は刊行物１記載の発明及び刊行物２，３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は刊行物１記載の発明及び刊行物２，３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり、審決する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　.