【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    a)  (i)構造要素C=C-C-X [Xは脱離基である]を含むアリル基質、(ii)遷移金属と1以上のキラル配位子を含む触媒錯体、及び(iii)求核試薬からなる反応混合物を製造し；かつ
b)  該反応混合物を、制御可能なマイクロ波源からのマイクロ波エネルギーに曝す
工程からなる、遷移金属-触媒の不斉なアリル位置置換反応を行なう方法。
【請求項２】    反応混合物が、シングル-モードのマイクロ波空洞でマイクロ波エネルギーに曝される請求項１による方法。
【請求項３】    マイクロ波エネルギーが、300MHz〜300GHzの範囲の周波数を有する請求項１または２による方法。
【請求項４】    マイクロ波エネルギーが、1〜1000Wの出力で反応混合物に供給される請求項１〜３のいずれか１つによる方法。
【請求項５】  マイクロ波エネルギーが、1秒〜1時間のあいだ反応混合物に供給される請求項１〜４のいずれか１つによる方法。
【請求項６】  触媒錯体の遷移金属が、コバルト(Co)、銅(Cu)、イリジウム(Ir)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、オスミウム(Os)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、レニウム(Re)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)又はタングステン(W)から選択される請求項１〜５のいずれか１つによる方法。
【請求項７】  触媒錯体の配位子が、C1-又はC2-の対称配位子から選択される請求項１〜６のいずれか１つによる方法。
【請求項８】  触媒錯体の配位子が、窒素(N)、酸素(O)、硫黄(S)、セレン(Se)、リン(P)、テルル(Te)、アンチモン(Sb)、炭素(C)及びヒ素(As)からなる群から選択される配位原子を有する請求項１〜７のいずれか１つによる方法。
【請求項９】  触媒錯体の配位子が、単座配位子である請求項１〜８のいずれか１つによる方法。
【請求項１０】  配位子が、
【化１】
2002524428.tif 000001
[式中、Phはフェニルを意味し、R及びR'はそれぞれ独立して水素、C1-10アルキル及びフェニルから選択され、かつR''はC1-10アルキル及びフェニルから選択される]から選択される請求項７又は８による方法。
【請求項１１】  触媒錯体の配位子が二座配位子である請求項１〜８のいずれか１つによる方法。
【請求項１２】  配位子が、
【化２】
2002524428.tif 000002
[式中、R、R'及びR''はそれぞれ独立して水素、C1-10アルキル及びフェニルから選択され、かつR1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ独立して水素、C1-10アルキル及びフェニルから選択され、ここでR1及びR2は、相互に連結する原子と共に、ベンゼン環を形成していてもよい]から選択される窒素ベースの配位子である請求項１１による方法。
【請求項１３】  配位子が、
【化３】
2002524428.tif 000003
[式中、Phはフェニルを意味し、R及びR'はそれぞれ独立して水素、C1-6アルキル及びフェニルから選択され、ここでR及びR''は、相互に連結する原子と共に、ベンゼン環のような炭素環式環を形成していてもよい]から選択されるリンベースの配位子である請求項８による方法。
【請求項１４】  配位子が、
【化４】
2002524428.tif 000004
[式中、Phはフェニルを意味し、Arはアリールを意味し、R及びR'はそれぞれ独立して水素、C1-6アルキル及びフェニルから選択され、かつR1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ独立して水素、C1-6アルキル及びフェニルから選択され、ここでR1及びR2は、相互に連結する原子と共に、ベンゼン環のような炭素環式環を形成していてもよい]から選択されるリン/窒素ベースの配位子である請求項８による方法。
【請求項１５】  触媒錯体の配位子が、3〜6個の配位原子を含む多座配位子である請求項１〜８のいずれか１つによる方法。
【請求項１６】  触媒錯体が、ひとつの配位子を含む請求項１〜１５のいずれか１つによる方法。
【請求項１７】  触媒錯体が、1以上の配位子を含む請求項１〜１６のいずれか１つによる方法。
【請求項１８】  触媒錯体の遷移金属が、パラジウムである請求項７〜１７のいずれか１つによる方法。
【請求項１９】  遷移金属がモリブデンであり、配位子が、
【化５】
2002524428.tif 000005
[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ独立して水素、C1-6アルキル、アリール、ヘテロアリール、ヒドロキシ、アルコキシ、ジ(C1-6アルキル)アミノ、C1-6アルキルチオ及びトリ(C1-6アルキル及び/又はフェニル)シリルから選択される]である請求項７による方法。
【請求項２０】  触媒錯体がその場で形成される請求項１〜１９のいずれか１つによる方法。
【請求項２１】  触媒が、触媒前駆体と遊離の配位子とのマイクロ波-刺激反応によって生じる請求項２０による方法。
【請求項２２】    アリル基質が、一般式
【化６】
2002524428.tif 000006
[式中、R1、R2、R3、R4及びR5は、独立して水素、任意に置換されるC1-12アルキル、任意に置換されるアリール、任意に置換されるヘテロアリール、任意に置換されるC1-12アルコキシ、任意に置換されるアリールオキシ、任意に置換されるヘテロアリールオキシ、トリ(C1-10アルキル及び/又はフェニル)シリルから選択されるか、又は置換基R1、R2、R3、R4及びR5の2つは、ともに炭素環式環を形成し；かつ
Xは脱離基であり、かつR1とともにあるX及び相互に連結する原子は、エポキシド又はアジリジンを形成してもよい]を有する請求項１〜２１のいずれか１つによる方法。
【請求項２３】  Xが、臭素、塩素、ヨウ素、-OC(=O)R(例えばアセトキシ)、-OCO2R、-OPO(OR)2、-OSOR、-OSO2R、-OR、-OR2+、-SR2+、-SO2R、-NR3+、-PR3+、-NO2、-CN [Rは水素、C1-10アルキル、アリール及びヘテロアリールから選択される]から選択される請求項２２による方法。
【請求項２４】  Xが-OAcである請求項２３による方法。
【請求項２５】  Xが群 -Y-C(=Y)Y- [YはO、N及びSから個々に選択される]から選択される請求項２２による方法。
【請求項２６】    R1〜R5の少なくともひとつがアリールである請求項２２による方法。
【請求項２７】  基質が
【化７】
2002524428.tif 000007
から選択される請求項２４による方法。
【請求項２８】  求核試薬が
【化８】
2002524428.tif 000008
[式中、Yは電子吸引基であり、Rはそれぞれ独立して、水素、C1-12アルキル、アリール- C1-6アルキル、アリール、ヘテロアリール、トリ(C1-12-アルキル及び/又はフェニル)シリル、C1-12アルコキシ、アリールオキシ、ジ(C1-20アルキル)アミノ、C1-12アルキルスルホニル及びC1-12アルキルオキシカルボニルから選択される]から選択される請求項１〜２７のいずれか１つによる方法。
【請求項２９】  求核試薬が、
【化９】
2002524428.tif 000009
から選択される化合物の脱プロトン化形態である請求項２８による方法。
【請求項３０】  求核試薬が、10〜50の範囲のpKaを有する強塩基と求核試薬前駆体とを反応させてその場で生じる請求項２８による方法。
【請求項３１】  強塩基が、クラウンエーテル、第四級アンモニウム塩又は第四級ホスホニウム塩と組合わせて用いられる請求項３０による方法。
【請求項３２】  反応混合物がさらに溶媒を含む請求項１〜３１のいずれか１つによる方法。
【請求項３３】  溶媒が、rtで0.04より大きい損失接線を有する請求項３２による方法。
【請求項３４】  溶媒が、アセトニトリル、DMF、DMSO、NMP、水、MeOH、EtOH、ベンゾニトリル、エチレングリコール、アセトン、THFから選択される請求項３２による方法。
【請求項３５】  溶媒中のアリル基質の濃度が、1*10-3〜2Mの範囲である請求項３２、３３又は３４による方法。
【請求項３６】  溶媒中における求核試薬の濃度が、1*10-3〜2Mの範囲である請求項３２〜３５のいずれか１つによる方法。
【請求項３７】  溶媒中の触媒錯体の濃度が、1*10-9〜1Mの範囲である請求項３２〜３６のいずれか１つによる方法。
【請求項３８】  反応混合物が、溶媒を含まない請求項１〜３１のいずれか１つによる方法。
【請求項３９】  求核試薬とアリル基質とのモル比が、1000:1〜1:1000の範囲である請求項１〜３８のいずれか１つによる方法。
【請求項４０】  触媒錯体とアリル基質のモル比が、1:1〜1:1*109の範囲である請求項１〜３９のいずれか１つによる方法。
【請求項４１】  アリル位置置換反応により、理論的に可能な反応生成物の一つについて鏡像異性体過剰率(ee)が生じる請求項１〜４０のいずれか１つによる方法。
【請求項４２】  鏡像異性体過剰率(ee)が60％より高い請求項４１による方法。
【請求項４３】  アリル位置置換反応により、理論的に可能な反応生成物のひとつについてジアステレオマー過剰率(de)が生じる請求項１〜４２のいずれか１つによる方法。
【請求項４４】  ジアステレオマー過剰率(de)が60％より高い請求項４３による方法。
【請求項４５】  アリル基質及び/又は求核試薬が、放射性同位体を用いて増強される請求項１〜４４のいずれか１つによる方法。
【請求項４６】  放射性同位体が、ポジトロン放射性同位体である請求項４５による方法。
【請求項４７】  a)  (i)構造要素C=C-C-X [Xは脱離基である]を含むアリル基質のn個の異なる種、(ii)遷移金属と1以上のキラル配位子を含む触媒錯体、及び(iii)m個の異なる求核試薬からなる反応混合物[nは1〜25の範囲の整数であり、かつmは1〜10の範囲の整数である、但し、生成物n x mは少なくとも2であり、例えば少なくとも3又は少なくとも4である]を製造し；かつ
b)  該反応混合物を、制御可能なマイクロ波源からのマイクロ波エネルギーに曝す
工程からなる、遷移金属-触媒不斉アリル位置置換反応生成物の化合物ライブラリーを製造する方法。
【請求項４８】  条件、基質及び触媒が、請求項２〜４６のいずれか１つに定義されている請求項４７による方法。
【請求項４９】  マイクロ波-促進不斉アリル位置置換反応における請求項６〜１９のいずれか１つに定義されるC1-又はC2-の対称配位子を含む遷移金属-触媒錯体の使用。