【事件の表示】
　平成１０年特許願第　１０７００号「半導体ウエハ製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月　７日出願公開，特開平１０−２０９１６１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年１月２２日（パリ条約による優先権主張１９９７年１月２２日，米国）の出願であって，平成２０年２月２２日付けの拒絶理由通知に対して，平成２０年８月２６日に手続補正書が提出されたが，平成２０年９月１２日に拒絶査定がされ，これに対し，平成２０年１２月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，平成２１年１月１５日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成２１年１月１５日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２１年１月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という）は，補正前の特許請求の範囲１〜２０を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２０とするものであり，次の補正内容からなる。
　
（１）補正事項１
　請求項１を補正するものであり，本件補正前後の請求項１の記載は次のとおりである。
　
ア　補正前の請求項１
「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされパターニングがなされた複数個の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に少なくとも１つの相互接続層が存在する半導体ウエハ（２００）を製造する方法であって，
　（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料の上に選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光の選択されたパターニングが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置される作業空間と，を提供するステップと，
　（ｂ）コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップと，
　（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成されている前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップと，
　（ｄ）前記光源によって送信されるパターニングがなされた紫外光の量及び波長にそれぞれが直接に依存する複数の現像率を有する単一の多機能マスキング材料からなるマスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップと，
　（ｅ）前記作業空間において，前記半導体ウエハを前記作業空間から除去せずに，選択されたレジスト・パターンにおいて様々な現像率で前記マスキング材料を現像する前記選択された光パターンを用いて，選択された波長を有する光を前記光源から前記マスキング層における選択された位置まで送信することによって，前記マスキング層の前記選択された位置に，複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップと，
　（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記選択された開口位置の組における前記選択されたレジスト・パターンでエッチングして，複数のレジスト厚を有し相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされパターニングがなされた複数の開口を形成するステップと，
　（ｇ）前記マスキング層（２２０）を除去するステップと，
　（ｈ）相互接続層を，前記コンタクト層又はバイア層において，相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされた前記選択された開口位置の内部に形成するステップと，
　を含むことを特徴とする方法。」
　
イ　補正後の請求項１
「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされたパターンを有する複数の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に，少なくとも１つの相互接続層を含む半導体ウエハ（２００）を製造する方法であって，
　（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料まで選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光のパターンが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置されている作業空間と，を提供するステップと，
　（ｂ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップと，
　（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成された前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップと，
　（ｄ）複数の現像率を有する多機能マスキング材料で構成される単一のマスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップであって，前記複数の現像率はそれぞれが前記レジスト材料まで選択されたパターンで前記光源によって送信される紫外光の量及び波長に直接に依存する，ステップと，
　（ｅ）前記半導体ウエハを前記作業空間の中に維持しながら，前記マスキング層における選択された対応する位置に，選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように形成するステップであって，複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量を，前記光源から前記選択された対応する位置まで送信することによって，形成するステップと，
　（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記開口の組の位置においてエッチングして，複数のレジスト厚を有し相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされパターンを有する複数の開口を形成するステップと，
　（ｇ）前記マスキング層（２２０）を除去するステップと，
　（ｈ）相互接続層を，前記コンタクト層又はバイア層において，相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされた前記開口の組の位置の内部に形成するステップと，
　を含むことを特徴とする方法。」
　
　上記補正事項１は，以下の補正事項１−１〜１−７を含むものと認められる。（なお，下線は補正箇所を示し，当審で付加したものである。）
　
・補正事項１−１
　補正前の「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされパターニングがなされた複数個の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に少なくとも１つの相互接続層が存在する半導体ウエハ（２００）を製造する方法であって」を，
　補正後の「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされ
たパターンを有する複数の
，
　
・補正事項１−２
　補正前の「（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料の上に選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光の選択されたパターニングが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置される作業空間と，を提供するステップと」を
　補正後の「（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料
まで
パターンが
　
・補正事項１−３
　補正前の「（ｂ）コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップ」を，
　補正後の「（ｂ）
前記
　
・補正事項１−４
　補正前の「（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成されている前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップ」を，
　補正後の「（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成され
た
　
・補正事項１−５
　補正前の「（ｄ）前記光源によって送信されるパターニングがなされた紫外光の量及び波長にそれぞれが直接に依存する複数の現像率を有する単一の多機能マスキング材料からなるマスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップと」を，
　補正後の「（ｄ）複数の現像率を有する
多機能マスキング材料で構成される単一の
であって，前記複数の現像率はそれぞれが前記レジスト材料まで選択されたパターンで前記光源によって送信される紫外光の量及び波長に直接に依存する，ステップ
　
・補正事項１−６
　補正前の「（ｅ）前記作業空間において，前記半導体ウエハを前記作業空間から除去せずに，選択されたレジスト・パターンにおいて様々な現像率で前記マスキング材料を現像する前記選択された光パターンを用いて，選択された波長を有する光を前記光源から前記マスキング層における選択された位置まで送信することによって，前記マスキング層の前記選択された位置に，複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップと」を，
　補正後の「（ｅ）前記半導体ウエハを前記
作業空間の中に維持しながら
における
対応する
選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように
複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量を，前記光源から前記選択された対応する位置まで送信することによって
　
・補正事項１−７
　補正前の「（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記選択された開口位置の組における前記選択されたレジスト・パターンでエッチングして，複数のレジスト厚を有し相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされパターニングがなされた複数の開口を形成するステップ」を，
　補正後の「（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，
前記開口の組の位置において
パターンを有する
　
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１１を本件補正後の請求項１１に補正する。ここで，補正前の請求項１１は，「フォトマスク形成のためのイメージ投影システムを用いて」との点，及び，「作業空間を定義するフォトマスク形成のためのイメージ投影システムと，を提供する」との点を除き，補正前の請求項１と実質的に同じ内容である。また，補正後の請求項１１は，「フォトマスク形成のためのイメージ投影システムを用いて」との点，及び，「作業空間を定義するフォトマスク形成のためのイメージ投影システムと，を提供する」との点を除き，補正後の請求項１と実質的に同じ内容である。よって，補正事項２は，補正事項１と実質的に同じ補正内容である。
　
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項５，１５における「マスキング材料」及び「露光させ」を，「マスキング層」及び「露光し」に補正する。
　
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項７，１７における「系されている」を，補正後の請求項７，１７における「形成されている」にそれぞれ補正する。
　
 ２　新規事項の追加の有無，及び補正目的の適否について
　本件補正事項が，特許法第１７条の２第３項の規定に適合するものであるか，また，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）各号に掲げる事項を目的とするものであるか否かについて，以下で検討する。
　
（１）補正事項３〜４について
　補正事項３は，本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）の【００１２】等の記載に基づくものであるから，本願明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。また，補正事項３は，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正事項４は，本願明細書等の【００１５】等の記載に基づくものであるから，本願明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。また，補正事項４は，誤記の訂正を目的とするものである。
　
（２）補正事項１について
（２−１）　補正事項１−１〜１−５，１−７は，いずれも，自明な範囲内での語句や記載順序の変更であって，本願明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２）　補正事項１−６のうち，以下の補正は，いずれも，自明な範囲内での語句や記載順序の変更であって，本願明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであって，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・「作業空間において，前記半導体ウエハを前記作業空間から除去せずに，」を「前記半導体ウエハを前記作業空間の中に維持しながら，」とする補正。
・「前記マスキング層の前記選択された位置に，複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップ」を「前記マスキング層における選択された対応する位置に，選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように形成するステップ」とする補正。
　
（２−３）　次に，補正事項１−６のうち，補正前の「選択されたレジスト・パターンにおいて様々な現像率で前記マスキング材料を現像する前記選択された光パターンを用いて，選択された波長を有する光を前記光源から前記マスキング層における選択された位置まで送信することによって」を，補正後の「複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量を，前記光源から前記選択された対応する位置まで送信することによって」とする補正について検討する。
ア　本願明細書等には，現像率と光の量及び波長の関係について，次の記載がある。（下線は当審で付加。以下同じ。）
「【００１２】
　そして，上述のシリコン・ウエハ基板は，コンタクト又はバイア層の外側表面上に形成された多機能（multi-functional）のマスキング材料の層を有する。このマスキング材料は，
紫外光源によってレジスト材料に送信されているパターニングされた光の量及び波長にそれぞれが直接に依存する複数の現像率を有している
【００１３】
　フォトマスクされた半導体ウエハは，次に，作業空間の中に導かれる。この作業空間は，典型的には，ステッパ，スキャナ，又はステップ・アンド・リピート投影システムの中に配置される。半導体ウエハをこの作業空間から除去することなく，マスキング材料の中の選択された位置に複数のレジスト厚を有する選択されたマスキング・パターンの開口の組が，
光源からの選択された波長の光を様々な現像率で選択されたレジスト・パターンで化学反応を生じさせる選択された光パターンで選択された位置に送信することによって
「【００２１】
　　【発明の実施の形態】
・・・（略）・・・
【００２４】
　次に，図１１を参照すると，いったん絶縁／誘電層２１０が基板２０２上に積層（デポ）されると，単一のフォトレジスト・マスキング・ステップが行われる。この場合には，
送信される紫外光の量によって決まる現像率（develop rate）を有する多機能のフォトレジスト材料が用いられ
・・・（略）・・・
【００３０】
　
多機能フォトレジスト層２２０は，好ましくは，ＤＵＶフォトレジスト材料であり，更に好ましくは，フォトマスクを通して送信されるＤＵＶ光に直接的に依存する現像率を有する正のトーンのＤＵＶフォトレジストである
０％のクロム（chrome）パターンでは，１００％のフォトレジスト厚が残存し，５０％の送信クロム・パターンでは，約５０％のフォトレジスト厚が残存し，送信クロム・パターンがない場合には，約０％のフォトレジスト厚が残存する
・・・（略）・・・
【００３２】
図１２に示されているように，
第１のホール・パターン２３０が，標準的な０％の送信クロムの標準的な線量を用いて露光される従来型のステッパ又はスキャナなどのイメージ投影システムにおける先に位置合わせされロードされた第１のホール・パターン・レチクルを用いて，発生される
・・・（略）・・・
【００３７】
次に，ウエハ２００を用いているイメージ投影システムの境界から取り除くことなく，図１３に示されるように，
逆の相互接続パターンが，露光され後の相互接続開口２５０に要求される幅を有する開口２４０を形成する先に位置合わせされロードされた逆の相互接続パターン・レチクルから，５０％の送信クロムの標準的な線量を用いて，発生される
　
イ　上記【００１２】〜【００１３】によれば，レジスト材料の現像率が「光の量及び波長に直接に依存する」と記載されているから，現像率が波長の関数であると理解できる余地はある。しかしながら，上記から「選択された位置の中の１つ」と「紫外光の波長の中の１つ」とが，どのように対応し，それにより「前記紫外光の波長の中の１つの関数」が具体的にどのような関数となるかを読み取ることはできない。また，上記【発明の実施の形態】の項（【００２４】〜【００３７】）からは，複数のフォトマスクを用いて選択された位置の紫外光の量を調整して複数の現像率を得ていることは読み取れるが，「選択された位置の中の１つ」と「紫外光の波長の中の１つ」との対応関係や，「前記紫外光の波長の中の１つの関数」がどのような関数であるかは説明されていない。他に，本願明細書等において，「選択された位置の中の１つ」と「紫外光の波長の中の１つ」との対応関係や，「前記紫外光の波長の中の１つの関数」について説明した箇所は見当たらない。
　仮に，現像率が光の量及び波長に直接に依存することから，選択された位置に対応して紫外光の波長を調整して複数の現像率を得る，との技術的事項が読み取れると理解したとしても，本願明細書等には，どのようにしてウエハを作業空間の中に維持しながら選択された位置に特定の波長の紫外光を送信するのかについて，具体的手段の説明はなされていないから，当該技術的事項は，本願明細書等において本願の課題解決手段として直ちに理解できる程度に記載されていたものとはいえない。
　そうすると，補正事項１−６は，本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。
　
ウ　また，補正事項１−６における，補正後の「複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量」との事項は，何をどう特定する事項なのかが不明確であり，その意味範囲を一義的に特定できない。
　よって，補正事項１−６は，補正前の請求項１の範囲を不明確にするものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものとはいえない。また，請求項の削除，誤記又は誤訳の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
 （２−４）　したがって，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。また，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
（３）補正事項２について
　補正事項２は実質的に補正事項１と同じ内容であるから，上記（２）で補正事項１について検討したのと同様にして，本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。また，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
  
（４）補正事項についてのまとめ
　以上のとおり，補正事項３〜４は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，特許法第１７条の２第４項第３，４号に掲げる事項を目的とするものに該当するが，補正事項１〜２は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合せず，また，特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
３　独立特許要件についての検討
　以上で検討したとおり，請求項１に係る補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり，特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないものであるが，仮にそうでなく，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的するものであるとして，本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で検討する。
　
３−１　容易想到性について
　上記２（２）（２−３）ウで指摘したとおり，本件補正後の請求項１における「複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量」との事項は，何をどう特定する事項なのか不明確なものであるが，上記事項は，「紫外光」を，「複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する」ものに特定し，「複数の現像率」を，「それぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である」ものに特定するものであると，一応解することができる。
　そして，「関数」を，仮に「前記選択された位置の中の１つ」と「前記紫外光の波長の中の１つ」を対応づけるものであるとすると，（Ａ）「選択された位置」のそれぞれに対し同一の波長が対応するもの（本願【発明の実施形態】に相当），又は，（Ｂ）「選択された位置」のそれぞれに対し異なる波長が対応するもの，の２つが考えられる。そこで，まず上記事項が，少なくとも（Ａ）の対応関係を含むものと仮定して，本願補正後の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができるものであるか検討する。
　
３−１−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１（１）イ）。
　
３−１−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−１０７１４３号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜５とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
「【００１３】
【作用】本発明は，第１の配線層上に第２の配線層を形成するにあたり，第２の配線層を形成するための開口部を，絶縁膜を１回だけエッチングすることにより形成させるというものである。多層配線層を形成する場合，開口部の幅は第１の配線層に近づくにつれて狭く形成しなければならないが，従来方法だと開口部の幅が狭くなる時点で再度エッチングを行わなければならず，複数回のエッチングを必要としていた。一方，本発明は必要となる開口部の形状に合わせたフォトレジストパターンを予め絶縁膜上に形成し，このフォトレジストパターンを用いて絶縁膜をエッチングし開口部を形成するので，容易にかつ完全な開口部を形成することができる。その結果，上記配線間を電気的に導通させ，工程数が削減できる多層配線層の形成方法を提供できる。
【００１４】
【実施例】本発明の多層配線層の形成方法の実施例を，断面図を参照して説明する。図１はシリコン酸化膜１２を形成する工程を示している。
第１の配線層１１として厚さ０．４μｍのＡｌを選び，この上に反応ガスとしてＴＥＯＳとＯ
2
 を使用したプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１２を堆積させる
【００１５】図２はフォトレジスト１４を形成する工程を示している。
所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて，ＰＥＰにより第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する
【００１６】図３は
配線溝１５とコンタクトホール１６を同時に形成する工程を示している。フォトレジスト１４をマスクとしてＲＩＥ法により，シリコン酸化膜１２を第１の配線層１１の表面がコンタクトホール１６の直径幅だけ露出するようエッチングする。この時，シリコン酸化膜１２は階段形状となる
【００１７】図４は第２の配線層１３を形成する工程を示している。
フォトレジスト１４を除去した後，第１の配線層１１表面および配線溝１５とコンタクトホール１６の内部に導電膜である第２の配線層１３を形成する
【００１８】図５は第２の配線層１３の表面を平坦化する工程を示している。第２の配線層１３が配線溝１５とコンタクトホール１６にのみ残存形成するようポリッシングする。
【００１９】以上の工程により多層配線層を形成するが，上記した第１の配線層および第２の配線層にはＡｌ，Ｗ，Ｃｕの他，導電性の材料であれば何でもよい。また，本発明により形成した多層配線に導通試験を行うと，
１００個のコンタクトホール中９５個に未開口が確認された。従って歩留まりは９５％と非常に高い
【００２０】
【発明の効果】本発明を用いると，
配線溝とコンタクトホールを同時に形成することができ
　
（２）以上を整理すると，引用例には次の事項が記載されている。
　
ア　上記【００２０】から，引用例には「配線溝とコンタクトホールを同時に形成する」「多層配線の形成方法」が記載されている。また【００１９】から，引用例には複数の「配線溝とコンタクトホール」を有する「多層配線」を形成することが開示されているといえる。
イ　上記【００１４】から，引用例には「第１の配線層１１」「の上に」「シリコン酸化膜１２を堆積」する工程が記載されている。
ウ　上記【００１５】から，引用例には「所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて，ＰＥＰにより第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する」工程が記載されている。ここで，上記「ＰＥＰ」とは，Photo Engraving Process の略号（特開平２−１３２８４０号公報，特開平２−５４５１６号公報を参照。），あるいは，「写真蝕刻」（特開平８−４５９３１号公報，特開昭５５−１４４２４３号公報を参照）を意味することは，当業者に明らかである。
エ　上記【００１６】から，引用例には「フォトレジスト１４をマスクとして」「シリコン酸化膜１２を」「第１の配線層１１の表面がコンタクトホール１６の直径幅だけ露出する」「階段形状となる」ように「エッチング」して「配線溝１５とコンタクトホール１６を同時に形成する」工程が記載されている。
オ　上記【００１７】から，引用例には「フォトレジスト１４を除去する」工程と「第１の配線層１１表面および配線溝１５とコンタクトホール１６の内部に導電膜である第２の配線層１３を形成する」工程が記載されている。
　
（３）上記（２）によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「複数の配線溝とコンタクトホールを同時に形成する多層配線の形成方法であって，
第１の配線層１１の上にシリコン酸化膜１２を堆積する工程と，
所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて，ＰＥＰにより第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する工程と，
フォトレジスト１４をマスクとしてシリコン酸化膜１２を第１の配線層１１の表面がコンタクトホール１６の直径幅だけ露出する階段形状となるようにエッチングして配線溝１５とコンタクトホール１６を同時に形成する工程と，
フォトレジスト１４を除去する工程と，
第１の配線層１１表面および配線溝１５とコンタクトホール１６の内部に導電膜である第２の配線層１３を形成する工程と，
　を含むことを特徴とする方法。」
　
３−１−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「シリコン酸化膜１２」，「フォトレジスト１４」及び「第２の配線層１３」は，補正発明における「コンタクト層又はバイア層」，「マスキング層」及び「相互接続層」にそれぞれ相当する。
　
（２）引用発明の「配線溝とコンタクトホールを同時に形成する多層配線の形成方法」は，補正発明における「複数の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に，少なくとも１つの相互接続層を含む半導体ウエハ（２００）を製造する方法」に相当する。
　
（３）多層配線が「シリコン・ウエハ基板」の上に形成されるものであることは技術常識であるから，引用発明における「第１の配線層」が，「シリコン・ウエハ基板」の上に形成されたものであることは明らかである。よって，引用発明における「第１の配線層１１の上にシリコン酸化膜１２を堆積する工程」は，補正発明における「（ｂ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップ」に相当する。
　
（４）引用発明は「ＰＥＰにより第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する工程」を含むものであり，上記３−１−２（２）ウのとおり，当該「ＰＥＰ」とは，Photo Engraving Process の略号，あるいは，「写真蝕刻」を意味することは明らかであり，いずれにおいても，半導体基板上の膜上にレジストが塗布され，形成しようとするパターンが描かれたホトマスクをこのレジストに投影露光した後，現像してレジストにパターンを形成する工程を含むものであることは，当業者の技術常識である。また，露光光として紫外光は慣用されるものであり，所定の作業空間に基板を配置することは当然に行うことである。そうすると，引用発明の上記「ＰＥＰにより・・・フォトレジストを階段状に形成する工程」が，補正発明の「特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料まで選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光のパターンが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置されている作業空間と，を提供するステップ」「（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成された前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップ」及び「マスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップ」を含むことは明らかである。
　
（５）引用発明の「フォトレジスト１４」は，「ＰＥＰ」により「階段状に形成」されるものであるから，「複数の現像率を有する」材料であることが理解できる。また，一般にレジスト材料の現像率が「光の量及び波長」に直接依存することは技術常識であり，引用発明における「フォトレジスト１４」の材料も，当然に「現像率が光の量及び波長」に直接依存するものであると理解するのが自然である。
　
（６）引用例の図２から，引用例の「階段状に形成」された「フォトレジスト１４」が，「配線溝１５」に対応する幅及び深さを有する開口と，「コンタクトホール１６」に対応する幅及び深さを有する開口の組を，複数のレジスト厚さを有するように形成したものであることが見て取れる。よって，引用発明における「第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する」ことは，補正発明における「前記マスキング層における選択された対応する位置に，選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように形成する」ことに相当する。
　
（７）上記３−１の冒頭で述べたとおり，補正発明における「選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数」は，任意の選択された位置に対し同一の波長が対応する場合，すなわち，波長一定で光の量を変化させる場合を含むものと理解できるとすると，引用発明における「所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて」「ＰＥＰにより・・・フォトレジスト１４を階段状に形成する工程」は，補正発明の「複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量を，前記光源から前記選択された対応する位置まで送信することによって，形成するステップ」に相当する。
　
（８）引用発明における「フォトレジスト１４をマスクとしてシリコン酸化膜１２を第１の配線層１１の表面がコンタクトホール１６の直径幅だけ露出する階段形状となるようにエッチングして配線溝１５とコンタクトホール１６を同時に形成する工程」は，補正発明における（ｆ）のステップと，「前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記開口の組の位置においてエッチングして，複数のレジスト厚を有する複数の開口を形成するステップ」である点で共通する。
　
（９）引用発明における「フォトレジスト１４を除去する工程」は，補正発明における「（ｇ）前記マスキング層（２２０）を除去するステップ」に相当する。
　
（１０）引用発明における「第１の配線層１１表面および配線溝１５とコンタクトホール１６の内部に導電膜である第２の配線層１３を形成する工程」は，補正発明における（ｈ）のステップと，「相互接続層を，前記コンタクト層又はバイア層において，前記開口の組の位置の内部に形成するステップ」である点で共通する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「複数の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に，少なくとも１つの相互接続層を含む半導体ウエハ（２００）を製造する方法であって，
　（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料まで選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光のパターンが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置されている作業空間と，を提供するステップと，
　（ｂ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップと，
　（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成された前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップと，
　（ｄ）複数の現像率を有する多機能マスキング材料で構成される単一のマスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップであって，前記複数の現像率はそれぞれが前記レジスト材料まで選択されたパターンで前記光源によって送信される紫外光の量及び波長に直接に依存する，ステップと，
　（ｅ）前記マスキング層における選択された対応する位置に，選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように形成するステップであって，複数の現像率であってそれぞれが前記選択された位置の中の１つに対応する前記紫外光の波長の中の１つの関数である複数の現像率で前記レジスト材料を現像するように選択された波長を有する紫外光の量を，前記光源から前記選択された対応する位置まで送信することによって，形成するステップと，
　（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記開口の組の位置においてエッチングして，複数のレジスト厚を有し複数の開口を形成するステップと，
　（ｇ）前記マスキング層（２２０）を除去するステップと，
　（ｈ）相互接続層を，前記コンタクト層又はバイア層において，前記開口の組の位置の内部に形成するステップと，
　を含むことを特徴とする方法。」である点。
　
＜相違点１＞
 　補正発明では，「前記マスキング層における選択された対応する位置に，選択されたマスキング・パターンを有する開口の組を，複数のレジスト厚を有するように形成するステップを」「前記半導体ウエハを前記作業空間の中に維持しながら」行っているのに対し，引用発明では，作業空間の中に維持しながら行うことについて教示がない点。
　
＜相違点２＞
　補正発明では，「複数の開口」が「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされたパターンを有する」のに対し，引用発明では「複数の開口」についてそのような特定がされていない点。
　
３−１−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　引用発明は「所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて」「フォトレジスト１４を階段状に形成する」ものであるところ，ハーフトーンマスクを用いて階段状のレジストを形成する技術は，下記周知例１〜３に記載されているように，当業者に周知の技術であり，当該周知技術は単一のレチクルを用いた一回の露光により階段状のレジストを形成するものであるから，「半導体ウエハを作業空間の中に維持しながら」形成する技術であることは明らかである。そうすると，引用発明における「所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスク」として周知の「ハーフトーンマスク」を用いることで，「フォトレジスト１４を階段状に形成する工程」を，「半導体ウエハを作業空間の中に維持しながら」行うこと，すなわち，引用発明において相違点１に係る構成とすることは，上記周知の技術を勘案することにより当業者が容易に想到し得たことである。
　
周知例１：特開平８−２５０４４６号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には，図５Ａ〜５Ｃ，６とともに，次の記載がある。
「【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するために，本発明は半導体基板に光線を用いてマスクパターンを転写させるマスクにおいて，前記マ
スクパターンは光の透過率が部分的に異なるグレートーンマスクパターンを含めて前記マスクを通る光線の透過率が部分的に異なるように調節することを特徴とするマスク
「【００１９】次に，本発明によるマスクの他の例とこれを用いたイオン注入用パターン形成方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｃは本発明によるマスクとこれを用いて基板上にマスク層としてフォトレジスト膜パターンを形成する過程を示した図面である。具体的に，本発明のフォトマスクは図５Ａに示したようにマスク基板１に厚さの異なる光吸収体であるグレートーンマスクパターン３が形成されている。
このフォトマスクに光線５を照射すれば，ウェーハ（基板）７上に形成されている感光物質であるフォトレジスト膜９ａ，９ｂが選択的に化学変化を起こす。
，図５Ｂの基板を現像すれば，ポジティブトーンのフォトレジスト膜の場合，図５Ｃに示したように階段型のフォトレジスト膜パターン１１が形成される
【００２０】ここで，基板上に形成される階段型のフォトレジスト膜パターンと露光光量に対する残留フォトレジスト膜の厚さとの相関関係を説明する。図６は本発明により基板上に形成されたフォトレジスト膜の現像の際，露光光量に対する残留フォトレジスト膜の厚さとの相関関係を説明するために示した図面である。
【００２１】具体的に，フォトレジスト膜パターン１１を透過する光量は参照番号１３と同一な強度のプロファイルを有する。言い換えれば，暗い部分の光強度（露光光量）は低く，明るい部分の光強度は高い。このような光分布マスクがフォトレジスト膜の特性曲線１５を経ながら現像程度が差別化されて参照番号１７のような厚さの相異なるフォトレジスト膜パターンが形成される。」
　
周知例２：特開平２−２６８４１６号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。
「前記の課題に関し，本発明では，コンタクト窓のレジストパターンを形成する際に，開口部の外周に半透過部分を有するコンタクト窓パターニング用のフォトマスクを使用することで，
レジストパターンにおけるコンタクト窓のレジスト残膜が階段状になる形状
「次に第１図（ｃ）に示すように，
開口部の外周に半透過部分６を有するコンタクト窓パターニング用のフォトマスク７を使用して，リソグラフィにより層間絶縁膜上にコンタクト窓のレジストパターン９を形成する
　
周知例３：特開昭６２−２７６５５２号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３には，第１〜５図とともに，次の記載がある。
「第１図におけるハッチング線が交差する部分１は基板１１全面にＣｒを形成した第２部分としての暗部（光が不透過）パターンであり，ハッチングが一方だけの部分２はＣｒをメツシュ状（又はストライプ状）に形成した第３部分としての中間部（光が半分透過）パターンであり，白ぬきの部分３はＣｒが全くない第１部分としての明部（光が全部透過）である。この第３部分の光透過率は上記第１部分と第２部分との光透過率値の間の値に制御される。
　第３図は上記したマスクＭに光を透過させた際の光強度分布を第２図に対応させて表わした曲線図である。
　
第４図は上記マスクＭを使用してコンタクト孔あけのために感光性樹脂としてのレジストに露光する
　４はレジスト膜（ポジ型）である。５は穴あけ加工される絶縁膜（被エッチング膜），６は下地基板（たとえば半導体基板）である。
　このようなマスクを通して光は明部では１００％に露光され，中間部では５０％露光され，暗部では全く露光されない。
　
第５図は上記露光後に現像を行ってレジストの露光部分を溶解除去しホトレジストパターンを形成
　同図に示すように
露光の際の光の強度に比例してレジスト膜４の膜厚が制御される。その結果深い穴部７と中段部８とを有するレジストパターンができる
　
（２）相違点２について
　本願明細書等には，「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされたパターン」の形成について，次の記載がある。
「【００１８】
　最後に，相互接続材料が，コンタクト又はバイア開口と相互接続層開口とに積層される。そして，積層された相互接続材料は，好ましくは，化学的機械的研磨法を用いてコンタクト又はバイア層の表面まで研磨され，結果的に，
相互にオフセットがなく実質的に位置合わせがなされた選択された開口位置が生じる
【００１９】
　本発明によって提案される方法には，多数の長所がある。第１に，ホール及び相互接続パターン層の間の位置合わせ（アライメント）公差は，効果的にゼロまで減少する。その理由は，
ウエハをステージから取り外すことなく，同じモデリング係数を用いて，ステッパ又はスキャナ上で，これらの層の両方が位置合わせされるからである
「【００３０】
・・・(略）・・・
単一の作業空間においてマスク・パターニングを実行することができることによって，マスキング材料の選択された位置に選択されたマスキング・パターンで開口を形成することが容易になり，これらの開口は，図１から図９に示した従来技術による方法の場合とは異なり，相互にオフセットなく位置合わせがなされている
　
　上記によれば，補正発明における「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされたパターン」は，ウエハを作業空間の中に維持しながら露光することによって得られるものであると理解できる。一方，上記（１）で検討したとおり，引用発明において「作業空間の中に維持しながら露光」することは，当業者が容易に想到し得たことである。そうすると，相違点２に係る構成は，引用発明において相違点１に係る構成とすることによって自然に到達し得るものであって，上記周知技術を勘案し当業者が容易になし得るものである。
　
（３）小括
　よって，補正発明は，上記周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−２　容易想到性についての予備的検討
　上記３−１の冒頭では，上記事項が，少なくとも上記（Ａ）の関係（本願【発明の実施形態】に相当する関係）を含むものと仮定した場合について検討したが，たとえ，上記事項が，上記（Ｂ）の関係のみを含むものと仮定したとしても，以下に示すとおり，本願補正後の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　上記事項を，上記（Ｂ）の関係のみを含むものと仮定した場合において，補正発明と引用発明とを比較すると，両者は，上記３−１−３で認定した相違点１及び相違点２と，引用発明には上記（Ｂ）の関係について明記されていない点（以下「相違点３」という。），とで相違することになる。
　上記相違点３について検討する。選択した位置において光の量を調整して異なる現像率を得る技術は引用発明に含まれる技術であり，レジスト現像率が光の量と波長に依存することは当業者の技術常識であるから，当業者が，当初明細書等から上記（Ｂ）の関係を直ちに理解できる能力を有する者だとするならば，同様にして，引用例に接した当業者が引用発明において相違点３に係る構成とすることも，直ちに想到し得たことであるといえる。
　また，相違点１〜２については，上記３−１−４で検討したとおり，当業者が容易に想到し得たことである。よって，補正発明は，上記周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
   
３−３　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　上記２，３で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合せず，また，特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないものであり，仮にそうでないとしても，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年１月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２０に係る発明は，平成２０年８月２６日付けの手続補正により補正された願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−１−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２（２）で検討したように，補正発明は，実質的に，本件補正前の請求項１の（ｅ）のステップを，本件補正後の（ｅ）のステップに補正したものであり，それ以外は実質的な補正はなされていない。そこで，本願発明と引用発明を比較すると，本願発明の（ｅ）のステップ以外については，上記第２，３−１−３の検討のとおりである。また，引用発明における，「所定箇所の光の透過量が異なる図示せぬマスクを用いて，ＰＥＰにより第１の配線層１１の表面が後の工程で形成するコンタクトホールの直径幅だけ露出するようフォトレジスト１４を階段状に形成する工程」と，本願発明における（ｅ）のステップとは，「選択されたレジスト・パターンにおいて様々な現像率で前記マスキング材料を現像する前記選択された光パターンを用いて，選択された波長を有する光を前記光源から前記マスキング層における選択された位置まで送信することによって，前記マスキング層の前記選択された位置に，複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップ」である点で共通する。よって，本願発明と引用発明の一致点，相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「複数個の開口を有するコンタクト層又はバイア層の上に少なくとも１つの相互接続層が存在する半導体ウエハ（２００）を製造する方法であって，
　（ａ）シリコン・ウエハ基板（２０２）と，特定の量及び波長の紫外光をレジスト材料の上に選択されたパターンで送信する光源と，前記紫外光の選択されたパターニングが選択される間に前記シリコン・ウエハ基板が配置される作業空間と，を提供するステップと，
　（ｂ）コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記シリコン・ウエハ基板（２０２）の上に形成するステップと，
　（ｃ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）がその上に形成されている前記シリコン・ウエハ基板（２０２）を前記作業空間に導くステップと，
　（ｄ）前記光源によって送信されるパターニングがなされた紫外光の量及び波長にそれぞれが直接に依存する複数の現像率を有する単一の多機能マスキング材料からなるマスキング層（２２０）を，前記コンタクト層又はバイア層（２１０）の外側表面に形成するステップと，
　（ｅ）選択されたレジスト・パターンにおいて様々な現像率で前記マスキング材料を現像する前記選択された光パターンを用いて，選択された波長を有する光を前記光源から前記マスキング層における選択された位置まで送信することによって，前記マスキング層の前記選択された位置に，複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップと，
　（ｆ）前記コンタクト層又はバイア層（２１０）を，前記選択された開口位置の組における前記選択されたレジスト・パターンでエッチングして，複数のレジスト厚を有する複数の開口を形成するステップと，
　（ｇ）前記マスキング層（２２０）を除去するステップと，
　（ｈ）相互接続層を，前記コンタクト層又はバイア層において，前記選択された開口位置の内部に形成するステップと，
　を含むことを特徴とする方法。」
　
＜相違点４＞
　本願発明では，「選択されたレジスト・パターンにおいて，・・・複数のレジスト厚と選択されたマスキング・パターンとを有する開口の組を形成するステップ」を「前記作業空間において，前記半導体ウエハを前記作業空間から除去せずに」行うのに対し，引用発明では，作業空間から除去せずに行うことについて教示がない点。
　
＜相違点５＞
　本願発明では，「複数の開口」が，「相互にオフセットすることなく実質的に位置合わせがなされパターニングがなされた」ものであるのに対し，引用発明では，「複数の開口」についてそのような特定がなされていない点。
　
　そうすると，上記相違点４は，上記第２，３−１−３の相違点１と，上記相違点５は，上記第２，３−１−３の相違点２と実質的に同じ内容であるから，上記第２，３−１−４において検討したのと同様に，引用発明において相違点４〜５に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。したがって，本願発明も，周知技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができる。
　
４　本願発明についてのまとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。