(57)【要約】【課題】表示品位の劣化抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１配向膜を備えた第１基板と、前記第１配向膜に対向する第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、前記液晶層は、６０℃の条件における粘性が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料によって形成され、前記セルギャップは、２．３μｍ以上３．３μｍ以下である、液晶表示装置。【選択図】図３
2017058541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配向膜を備えた第１基板と、
前記第１配向膜に対向する第２配向膜を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、
前記液晶層は、６５℃の条件における粘性が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料によって形成され、
前記セルギャップは、２．３μｍ以上３．３μｍ以下である、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、さらに、第１電極と、前記第１電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上で前記第１電極と対向し前記第１配向膜によって覆われた第２電極と、を備え、
前記液晶材料の誘電率異方性は負である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２基板は、さらに、有機絶縁膜を備え、
前記有機絶縁膜は、架橋剤モノマーを含むアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂を主成分とする透明の光硬化性樹脂材料によって形成された、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記有機絶縁膜について、透湿度は５Ｅ-９ｍｏｌ／ｃｍ２以下である、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記有機絶縁膜について、紫外線を照射する前後での吸光度スペクトルの差分の最小値と最大値との差が０．００３０以下である、請求項３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
さらに、非表示領域において、所定電位のシールド電極と、前記シールド電極とは異なる電位のトラップ電極とを備えた、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、光配向膜である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、第１電極と第２電極との間に挟持され、ねじれネマティック配向する液晶層を備えた液晶表示装置であって、液晶層の回転粘性が５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓであり、液晶層の厚さであるセルギャップが２．５μｍ〜５．０μｍであり、第１電極と第２電極との電位差が０．２Ｖ〜８．０Ｖである液晶表示装置が開示されている。
【０００３】
一方で、液晶層中のイオン性不純物が表示領域に凝集することによって、局所的に電圧保持率が低下し、表示ムラ（例えば、白表示画面内の一部が黒く表示される黒ムラ）に起因した表示品位の劣化を招くといった課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
第１配向膜を備えた第１基板と、前記第１配向膜に対向する第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のセルギャップに保持された液晶層と、を備え、前記液晶層は、６０℃の条件における粘性が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料によって形成され、前記セルギャップは、２．３μｍ以上３．３μｍ以下である、液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する表示パネルＰＮＬの構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１の一部の構成を第２基板ＳＵＢ２の側から見た平面図である。
【図３】図３は、図２の線Ｉ−Ｉ‘に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、図３では、非表示領域ＮＤＡにおける表示パネルＰＮＬの断面も併せて図示している。
【図４】図４は、表示パネルＰＮＬの画面サイズと、液晶層ＬＱのイオン性不純物のイオン密度との関係をシミュレーションした結果を示す図である。
【図５】図５は、表示パネルＰＮＬのセルギャップＧＰと、粘性抵抗η１との関係をシミュレーションした結果を示す図である。
【図６】図６は、信頼性試験の時間と、イオン性不純物のドリフト距離との関係をシミュレーションした結果を示す図である。
【図７】図７は、画面サイズと、信頼性試験の時間との関係をシミュレーションした結果を示す図である。
【図８】図８は、各画面サイズについて、信頼性試験ＯＫと判定される条件をまとめた図である。
【図９】図９は、図８に示した条件を満足する各画面サイズの表示パネルＰＮＬの実施例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、表示パネルの各構成例の信頼性試験の結果と、オーバーコート層ＯＣの透湿度と、オーバーコート層ＯＣのスペクトル変化量との関係をまとめた図である。
【図１１】図１１は、各構成例のオーバーコート層について、吸光度スペクトルの差分をプロットしたものである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する表示パネルＰＮＬの構成を示す平面図である。ここでは、互いに交差する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面における平面図を図示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。
【００１０】
すなわち、表示パネルＰＮＬは、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。図示した例では、シール材ＳＥは、矩形枠状の閉ループ形状をなすように形成されている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示する表示領域ＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、例えば、略長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１１】
第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出するゲート線Ｇ、第２方向Ｙに延出するソース線Ｓ、各画素ＰＸにおいてゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。コモン電位の共通電極ＣＥは、第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に備えられ、複数の画素電極ＰＥと対向する。なお、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、一部で屈曲していても良いし、一部が分岐していても良い。
【００１２】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号供給源は、表示領域ＤＡよりも外側の非表示領域（周辺領域）ＮＤＡに位置している。図示した例では、駆動ＩＣチップ２及びＦＰＣ基板３は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲むエリアであり、シール材ＳＥが配置されるエリアを含み、矩形枠状に形成されている。
【００１３】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、基板主面あるいはＸ−Ｙ平面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、あるいは、基板主面の法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥが第１基板ＳＵＢ１に備えられる一方で、共通電極ＣＥが第２基板ＳＵＢ２に備えられる。また、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が第１基板ＳＵＢ１に備えられている。さらには、表示パネルＰＮＬは、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。
【００１４】
また、表示パネルＰＮＬは、例えば、後述する照明装置（バックライトユニット）ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型であるが、これに限定されるものではない。すなわち、表示パネルＰＮＬは、外光や補助光といった表示面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であっても良い。また、表示パネルＰＮＬは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型であっても良い。反射型の表示パネルＰＮＬが適用される場合、第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置する照明装置ＢＬは省略される。但し、反射型の表示パネルＰＮＬが適用される場合には、第２基板ＳＵＢ２と対向する側に照明装置（フロントライトユニット）が配置されても良い。
【００１５】
図２は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１の一部の構成を第２基板ＳＵＢ２の側から見た平面図である。なお、ここでは、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した第１基板ＳＵＢ１の構成を例に説明するが、図中には説明に必要な主要部のみを図示している。
【００１６】
第１基板ＳＵＢ１は、ゲート線Ｇ１乃至Ｇ３、ソース線Ｓ１乃至Ｓ４、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ６、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ６、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。ゲート線Ｇ１乃至Ｇ３は、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出している。ソース線Ｓ１乃至Ｓ４は、概ね第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出し、ゲート線Ｇ１乃至Ｇ３と交差している。これらのゲート線Ｇ１乃至Ｇ３及びソース線Ｓ１乃至Ｓ４は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ６を区画している。
【００１７】
一例では、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は互いに異なる色を表示する画素であり、また、画素ＰＸ４乃至ＰＸ６も互いに異なる色を表示する画素である。これらの画素ＰＸ乃至ＰＸ６には、例えば、緑色画素、青色画素、及び、赤色画素が含まれ、さらに、必要に応じて他の色（例えば、白色など）を表示する画素が含まれる場合もある。
【００１８】
画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する第１延出方向Ａ１に延出している。各画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の両側に位置するソース線Ｓ１乃至Ｓ４は第１延出方向Ａ１に延出している。画素ＰＸ４乃至ＰＸ６は、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する第２延出方向Ａ２に延出している。各画素ＰＸ４乃至ＰＸ６の両側に位置するソース線Ｓ１乃至Ｓ４は第２延出方向Ａ２に延出している。なお、第２方向Ｙと第１延出方向Ａ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと第２延出方向Ａ２とのなす角度θ２とほぼ同一であり、例えば５°〜１５°程度である。
【００１９】
共通電極ＣＥは、ゲート線Ｇ１乃至Ｇ３の上方を跨いで第２方向Ｙに延在するとともに、ソース線Ｓ１乃至Ｓ４の上方を跨いで第１方向Ｘに延在し、画素ＰＸ１乃至ＰＸ６のそれぞれに配置されている。なお、共通電極ＣＥには、各画素において、詳述しないが画素電極とスイッチング素子とを電気的に接続するための開口部が形成されている。
【００２０】
画素ＰＸ１は、スイッチング素子ＳＷ１及び画素電極ＰＥ１を備えている。スイッチング素子ＳＷ１は、ゲート線Ｇ２及びソース線Ｓ１と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１に接続されている。画素ＰＸ２は、スイッチング素子ＳＷ２及び画素電極ＰＥ２を備えている。スイッチング素子ＳＷ２は、ゲート線Ｇ２及びソース線Ｓ２と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ２は、スイッチング素子ＳＷ２に接続されている。画素ＰＸ３は、スイッチング素子ＳＷ３及び画素電極ＰＥ３を備えている。スイッチング素子ＳＷ３は、ゲート線Ｇ２及びソース線Ｓ３と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ３は、スイッチング素子ＳＷ３に接続されている。
【００２１】
同様に、画素ＰＸ４は、ゲート線Ｇ３及びソース線Ｓ１と電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ４、及び、スイッチング素子ＳＷ４に接続された画素電極ＰＥ４を備えている。画素ＰＸ５は、ゲート線Ｇ３及びソース線Ｓ２と電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ５、及び、スイッチング素子ＳＷ５に接続された画素電極ＰＥ５を備えている。画素ＰＸ６は、ゲート線Ｇ３及びソース線Ｓ３と電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ６、及び、スイッチング素子ＳＷ６に接続された画素電極ＰＥ６を備えている。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ６は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ６は、それぞれ共通電極ＣＥの上方に位置している。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ第１延出方向Ａ１に延出した画素形状に対応した島状に形成されている。また、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ第１延出方向Ａ１に延出したスリットＳＬＡを有している。画素電極ＰＥ４乃至ＰＥ６は、それぞれ第２延出方向Ａ２に延出した画素形状に対応した島状に形成されている。また、画素電極ＰＥ４乃至ＰＥ６は、それぞれ第２延出方向Ａ２に延出したスリットＳＬＢを有している。各スリットＳＬＡ及びＳＬＢは、いずれも共通電極ＣＥと向かい合っている。
【００２３】
第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向Ｒ１は、第２基板ＳＵＢ２に備えられる第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向Ｒ２と平行である。なお、配向処理方向Ｒ１及びＲ２は、互いに逆向きの方向であっても良いし、同じ向きの方向であっても良い。一例では、配向処理方向Ｒ１及びＲ２は、第１延出方向Ａ１及び第２延出方向Ａ２に対して４５°以上、９０°未満の鋭角に交差する方向である。図示した例では、配向処理方向Ｒ１及びＲ２は、第１方向Ｘに平行である。本実施形態では、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、いずれも光配向処理によって配向処理されている。光配向処理とは、配向膜材料に対して所定方向から紫外線を照射することによって、配向膜材料に所定の配向規制力を発揮させるための処理である。本実施形態では、光配向処理された配向膜を「光配向膜」と称する。
【００２４】
図３は、図２の線Ｉ−Ｉ‘に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、図３では、非表示領域ＮＤＡにおける表示パネルＰＮＬの断面も併せて図示している。
【００２５】
第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの透明な第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、第１基板ＳＵＢ１は、図示しない、ゲート線、ソース線、スイッチング素子なども備えている。
【００２６】
共通電極ＣＥは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２によって覆われている。なお、図示しないゲート線やソース線、スイッチング素子などは、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間に形成されている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第２絶縁膜１２の上に形成され、共通電極ＣＥと向かい合っている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３には、それぞれスリットＳＬＡが形成されている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、第２絶縁膜１２も覆っている。第１配向膜ＡＬ１は、例えば水平配向性を示す材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００２７】
図示した例では、共通電極ＣＥが第１電極に相当し、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３が第２電極に相当し、第２絶縁膜１２が層間絶縁膜に相当する。但し、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３が第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に形成され、共通電極ＣＥが第２絶縁膜１２と第１配向膜ＡＬ１との間に形成されても良い。この場合、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３が第１電極に相当し、共通電極ＣＥが第２電極に相当する。
【００２８】
また、第１基板ＳＵＢ１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、シールド電極３０及びトラップ電極４０を備えている。図示した例では、シールド電極３０は第２絶縁膜１２と第１配向膜ＡＬ１との間に形成され、トラップ電極４０は第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に形成されているが、両者の配置位置は図示した例に限られるものではない。シールド電極３０には、所定の電位が供給される。一例では、シールド電極３０は、共通電極ＣＥと同電位である。このようなシールド電極３０は、画素電極と同一材料によって形成可能であるが、他の金属材料などによって形成されても良い。トラップ電極４０には、シールド電極３０とは異なる電位が供給される。一例では、トラップ電極４０は、固定電位が供給される図示しない配線（例えば、スイッチング素子のオフ電圧であるゲートロー電圧が印加される配線）と電気的に接続されている。トラップ電極４０は、共通電極と同一材料によって形成可能であるが、他の金属材料などによって形成されても良い。
【００２９】
第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの透明な第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、遮光部ＢＭ、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３０】
遮光部ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する内面２０Ａに形成されている。遮光部ＢＭは、非表示領域ＮＤＡの内面２０Ａにも形成されている。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のそれぞれは、内面２０Ａにも形成されている。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ異なる色のカラーフィルタである。例えば、カラーフィルタＣＦ１は、緑色（Ｇ）に着色された樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦ２は、青色（Ｂ）に着色された樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦ３は、赤色（Ｒ）に着色された樹脂材料によって形成されている。
【００３１】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３を覆っている。非表示領域ＮＤＡにおいては、オーバーコート層ＯＣは、遮光部ＢＭを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。このようなオーバーコート層ＯＣは、第２基板ＳＵＢ２に備えられた有機絶縁膜に相当する。一例では、オーバーコート層ＯＣは、架橋剤モノマー（例えば、フタル酸構造を有する架橋剤）を含むアクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂を主成分とする透明の光硬化性樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣは、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。第２配向膜ＡＬ２は、例えば水平配向性を示す材料によって形成され、第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＱに接する面に配置されている。
【００３２】
上述したような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、セルギャップＧＰが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１の第１配向膜ＡＬ１と第２基板ＳＵＢ２の第２配向膜ＡＬ２との間に形成されたセルギャップＧＰに保持されている。なお、セルギャップとは、表示パネルＰＮＬの法線方向に沿った第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間の距離に相当し、例えばスペーサの高さで規定される。本実施形態では、液晶層ＬＱは、誘電率異方性が負（ネガ型）の液晶材料によって形成されている。また、液晶層ＬＱは、６５℃の温度条件における粘性が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料によって形成されている。セルギャップＧＰは、２．３μｍ以上３．３μｍ以下である。
【００３３】
照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１と対向している。照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。  
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０の外面に配置されている。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の外面に配置されている。例えば、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸及び第２偏光板ＰＬ２の第２吸収軸は、Ｘ−Ｙ平面内で直交している。また、第１吸収軸及び第２吸収軸のいずれか一方は、液晶分子ＬＭの初期配向方向と平行である。
【００３４】
以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。  
液晶層ＬＱに電圧が印加されていないＯＦＦ時には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、図２に実線で示したように、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の配向規制力によりＸ−Ｙ平面内において第１方向Ｘに初期配向している。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は第１方向Ｘに平行である。ＯＦＦ時には、照明装置ＢＬからの光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、表示パネルＰＮＬに入射する。表示パネルＰＮＬに入射した光は、例えば第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、ＯＦＦ時の表示パネルＰＮＬを透過した際にほとんど変化しない。このため、表示パネルＰＮＬを透過した直線偏光のほとんどが、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００３５】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加されたＯＮ時には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子ＬＭは、図２に破線で示したように、Ｘ−Ｙ平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ネガ型の液晶材料においては、例えば画素ＰＸ３の液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面内において、フリンジ電界と略直交な方向に配向するように反時計回りに回転し、画素ＰＸ６の液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面内において、フリンジ電界と略平行な方向に配向するように時計回りに回転する。このとき、液晶分子ＬＭは、電界の大きさに応じた方向に配向する。ＯＮ時には、第１偏光板ＰＬ１の第１吸収軸と直交する直線偏光は、表示パネルＰＮＬに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを透過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。このため、ＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。  
このような構成により、ノーマリーブラックモードが実現される。
【００３６】
ネガ型の液晶材料を適用した液晶表示装置においては、フリンジ電界のうちのＸ−Ｙ平面に対して垂直な成分が液晶層に作用しても、液晶分子ＬＭはＸ−Ｙ平面と略平行な面内で回転する。つまり、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向に液晶分子ＬＭが立ち上がる現象を抑制することができる。このため、ポジ型の液晶材料を適用した液晶表示装置と比較して、一画素あたりの透過率を向上することができ、また、コントラスト比も向上することが可能となる。
【００３７】
ところで、発明者は、一般的な液晶表示装置において、液晶層ＬＱに浸入したイオン性不純物が表示領域ＤＡの一部に凝集することに起因した黒ムラの発生メカニズムについて種々検討した。まず、イオン性不純物の発生原因の一つとして、表示パネルＰＮＬに適用される第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２がいずれも光配向処理によって配向処理される「光配向膜」である点が挙げられる。すなわち、光配向処理では、配向膜材料に対して紫外線が照射される。この際、配向膜材料やその下地となる各種有機絶縁膜（例えばオーバーコート層ＯＣ）が劣化し、イオン性不純物を発生する。発生したイオン性不純物は、表示パネルＰＮＬが組み立てられた後に、液晶層ＬＱに浸入しやすい。また、イオン性不純物の他の発生原因としては、イオン性不純物を含む水分が外部から表示パネルＰＮＬに浸入する点が挙げられる。有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して透湿性が高いものが多い。このため、表示パネルＰＮＬを構成する部材のうち、外部に露出した有機絶縁膜が水分パスを形成し、水分に含まれるイオン性不純物が液晶層ＬＱに浸入しやすい。特に、ネガ型の液晶材料は、イオン性不純物を取り込みやすい性質を有している。
【００３８】
液晶層ＬＱに浸入したイオン性不純物は、液晶表示装置が駆動されることにより、液晶層ＬＱ中をドリフトし、シール材ＳＥで囲まれた領域の端部に凝集する。近年では、液晶表示装置における非表示領域ＮＤＡの幅を低減する狭額縁化の要望が高まっている。このため、ドリフトしたイオン性不純物は、シール材ＳＥの近傍に凝集するが、非表示領域ＮＤＡにとどまらず、表示領域ＤＡにも凝集する。表示領域ＤＡにおいて、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の表面に凝集したイオン性不純物は、各画素ＰＸに保持された電圧のリークを引き起こす原因となる。このため、ノーマリーブラックモードにおいて、ＯＮ時に白を表示している画素ＰＸの保持電圧が低下することでＯＦＦ時の黒表示状態に近づき、結果として、黒ムラとして視認されてしまう。
【００３９】
図４は、表示パネルＰＮＬの画面サイズと、液晶層ＬＱのイオン性不純物のイオン密度との関係をシミュレーションした結果を示す図である。なお、図中の（Ａ）及び（Ｂ）において、横軸は表示パネルＰＮＬの画面サイズを表す表示領域ＤＡの対角寸法（インチ）を示し、縦軸は画面サイズが５インチの場合のイオン密度を１として規格化した場合のイオン密度（相対値）を示している。
【００４０】
図中の（Ａ）は、表示パネルＰＮＬを構成する部材の透湿性を考慮して外部から浸入するイオン性不純物のイオン密度をシミュレーションした結果を示している。画面サイズが小さくなるほど、液晶層ＬＱの体積が減少するため、イオン密度は増加する傾向がわかる。
【００４１】
図中の（Ｂ）は、紫外線を照射した際に表示パネルＰＮＬを構成する有機絶縁膜（第１配向膜ＡＬ１、第２配向膜ＡＬ２、オーバーコート層ＯＣなど）から発生するイオン性不純物のイオン密度をシミュレーションした結果を示している。画面サイズが大きくなるほど、有機絶縁膜の表面積が増加するため、イオン密度は増加する傾向がわかる。
【００４２】
図４に示したように、イオン性不純物は、紫外線照射及び外部からの浸入によって表示パネルＰＮＬに蓄積されるが、画面サイズによって支配的要因が異なる。つまり、画面サイズの小さい表示パネルＰＮＬについては外部からの浸入するイオン性不純物が支配的となり、画面サイズの大きい表示パネルＰＮＬについては、紫外線照射によって発生したイオン性不純物が支配的となる。このため、画面サイズの小さい表示パネルＰＮＬについては、表示パネルＰＮＬを構成する部材の透湿性を低減することによってイオン性不純物のイオン濃度の上昇を抑制することができる。また、画面サイズの大きい表示パネルＰＮＬについては、表示パネルＰＮＬを構成する部材の紫外線耐性を向上することによってイオン性不純物のイオン濃度の上昇を抑制することができる。
【００４３】
図５は、表示パネルＰＮＬのセルギャップＧＰと、粘性抵抗η１との関係をシミュレーションした結果を示す図である。図中の横軸はセルギャップＧＰ（μｍ）であり、縦軸はセルギャップＧＰが３．２μｍの場合の粘性抵抗η１を１として規格化した場合の粘性抵抗η１（相対値）である。ここでは、平行に配置された２枚の平板間に液晶層ＬＱを配置した時のポアズイユの流れを仮定し、Langevin方程式に基づき、セルギャップ（平板間の距離）ＧＰに対する粘性抵抗η１をシミュレーションにより算出した。液晶層ＬＱ中をドリフトするイオン性不純物は、液晶層ＬＱの粘性抵抗ηを受ける。この粘性抵抗ηは、液晶層ＬＱの粘性γ１と２枚の平板界面から受ける粘性抵抗η１とで決まる値である。図示したように、セルギャップＧＰが小さくなるほど、２枚の平板界面が接近するため、イオン性不純物が平板界面から受ける粘性抵抗η１は増加する傾向がわかる。つまり、液晶層ＬＱの粘性γ１、及び、粘性抵抗η１を決めるセルギャップＧＰにより、液晶層ＬＱの粘性抵抗ηを最適化することによって、イオン性不純物のドリフトを抑制し、さらには、イオン性不純物の凝集を抑制することができる。本実施形態では、上記の通り、セルギャップＧＰは、２．３μｍ以上、３．３μｍ以下に設定されるため、これらのセルギャップＧＰにおけるイオン性不純物の凝集を抑制するための粘性抵抗ηの最適化が必要となる。上記のセルギャップＧＰの範囲において、セルギャップＧＰが小さい条件（２．３μｍに近づく条件）では、図示したように粘性抵抗η１が増加し、イオン性不純物のドリフト及び凝集を抑制する効果が期待できる。一方で、セルギャップＧＰが大きい条件（３．３μｍに近づく条件）では、粘性抵抗η１が低減するため、液晶層ＬＱの粘性γ１を最適化することで、イオン性不純物のドリフト及び凝集を抑制することが可能となる。
【００４４】
発明者は、上記の知見に基づき、信頼性試験において黒ムラが発生しない液晶層ＬＱの粘性γ１をシミュレーションによって算出した。ここでの信頼性試験とは、温度６５℃、湿度９０%の環境下に表示パネルＰＮＬを放置するステップを複数回にわたって行うものである。使用する表示パネルＰＮＬについては、画面サイズが５インチであり、セルギャップＧＰが３．２μｍである。表示領域ＤＡにおけるイオン性不純物が直線的にドリフトするものと仮定すると、最長のドリフト距離は、表示領域ＤＡの対角線上の距離つまり５インチである。ドリフト距離が５インチである場合、表示領域ＤＡにおけるほぼすべてのイオン性不純物が表示領域ＤＡの１つの角部に凝集したものと仮定される。このシミュレーション上の信頼性試験では、イオン性不純物が凝集するのに要する時間（あるいは、ドリフト距離が５インチとなるのに要する時間）が３０ステップ（約１０００時間相当）以上である条件を、許容する（信頼性試験ＯＫ判定とする）ことにする。
【００４５】
図６は、信頼性試験の時間と、イオン性不純物のドリフト距離との関係をシミュレーションした結果を示す図である。図中の横軸は信頼性試験の時間に相当するタイムステップ（ｓｔｅｐ）であり、縦軸はイオン性不純物のドリフト距離（インチ）である。シミュレーションでは、液晶層ＬＱの粘性γ１をパラメータとして、イオン性不純物の凝集に要する時間を、Langevin方程式に基づいて算出した。６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである場合、凝集に要する時間は約３０ステップであった（信頼性試験ＯＫ）。同様に、粘性γ１が２６ｍＰａ＊ｓである場合、凝集に要する時間は約３５ステップであった（信頼性試験ＯＫ）。一方で、粘性γ１が１５ｍＰａ＊ｓである場合、凝集は約２０ステップで発生した（信頼性試験ＮＧ）。また、粘性γ１が１８ｍＰａ＊ｓである場合、凝集は約２５ステップで発生した（信頼性試験ＮＧ）。
【００４６】
このようなシミュレーション結果に基づくと、画面サイズが５インチであり、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについては、６５℃の温度条件での粘性γ１が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料を適用することにより、通常の使用範囲においては、イオン性不純物の凝集が抑制され、黒ムラの発生を防止できることが分かった。なお、粘性γ１が大きくなるほどイオン性不純物のドリフトが抑制されるため、黒ムラ発生を抑制するといった観点では、粘性γ１の上限は特にないが、表示品位の観点から、６５℃の温度条件において、８３ｍＰａ＊ｓ以下であることが望ましい。
【００４７】
上記の通り、本実施形態によれば、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２がいずれも「光配向膜」であったとしても、液晶層ＬＱは６５℃の条件における粘性が２０ｍＰａ＊ｓ以上の液晶材料によって形成され、セルギャップＧＰは２．３μｍ以上３．３μｍ以下である条件を適用することにより、液晶層ＬＱにおけるイオン性不純物のドリフトを抑制することができ、イオン性不純物の凝集に起因した黒ムラの発生を抑制することができる。したがって、表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００４８】
次に、画面サイズをパラメータとして、６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである液晶材料を適用し、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについて同様の信頼性試験のシミュレーションを行った。
【００４９】
図７は、画面サイズと、信頼性試験の時間との関係をシミュレーションした結果を示す図である。図中の横軸は画面サイズ（インチ）であり、縦軸は表示領域ＤＡにおけるほぼすべてのイオン性不純物が表示領域ＤＡの１つの角部に凝集するのに要する時間に相当するタイムステップ（ｓｔｅｐ）である。図示したように、粘性γ１及びセルギャップＧＰを固定した条件では、画面サイズが小さくなるにしたがって、最長のドリフト距離が短縮するため、３０ステップ未満の短時間でイオン性不純物が凝集する。このため、画面サイズが５インチ未満のいずれの表示パネルＰＮＬも信頼性試験でＮＧと判定される。例えば、画面サイズが４．５インチである場合には約２４ステップであり、画面サイズが４インチである場合には約１９ステップであり、画面サイズが３．５インチである場合には約１５ステップであった。
【００５０】
一方で、画面サイズが５インチよりも大きい場合、図４を参照して説明した通り、外部から浸入するイオン性不純物よりも、紫外線照射によって発生するイオン性不純物の影響が支配的となる。このため、画面サイズが５．５インチ及び６インチの場合、紫外線耐性を向上する対策を施すことで、画面サイズが５インチの場合と同様に、約３０ステップを達成できる（信頼性試験ＯＫ）。一方、紫外線耐性が未対策の場合には、画面サイズが５．５インチの場合には約２７ステップであり、画面サイズが６インチの場合には約２５ステップであり、いずれも信頼性試験でＮＧと判定される。
【００５１】
次に、信頼性試験ＯＫと判定される条件、すなわち、画面サイズが５インチであり、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについて、６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである液晶材料を適用する条件に基づき、他の画面サイズの表示パネルＰＮＬについても、信頼性試験ＯＫと判定される条件を算出した。すなわち、各画面サイズの表示パネルＰＮＬについて、図４の（Ａ）に示したイオン密度（相対値）に基づいて、信頼性試験ＯＫと判定される液晶層ＬＱの粘性（γ１）、及び、粘性抵抗η１を決めるセルギャップＧＰを換算した。
【００５２】
図８は、各画面サイズについて、信頼性試験ＯＫと判定される条件をまとめた図である。図中には、各画面サイズについて、イオン密度（相対値）、粘性（ｍＰａ＊ｓ）、セルギャップ（μｍ）、液晶層ＬＱの粘性抵抗η（相対値）、応答時間（相対値）の順にそれぞれの値を記載している。イオン密度、粘性抵抗、及び、応答時間については、画面サイズが５インチの場合の値を１として規格化した相対値を表している。また、粘性については、同一材料であっても温度によって値が異なるが、ここでは、信頼性試験における温度条件での値であり、例えば、６５℃での値を示している。
【００５３】
イオン密度について、図４の（Ａ）に示したように、画面サイズが５インチの場合を１とした時、画面サイズが４．５インチの場合に１．１３であり、画面サイズが４インチの場合に１．３であり、画面サイズが３．５インチの場合に１．５である。
【００５４】
粘性γ１について、温度条件を一定とし、画面サイズが５インチの場合に信頼性試験ＯＫと判定される値がγｘ以上であると仮定すると、他の画面サイズについて信頼性試験ＯＫと判定される粘性γ１はイオン密度に基づいて以下の通り換算される。すなわち、画面サイズが４．５インチの場合にはγｘの１．１３倍以上であり、画面サイズが４インチの場合にはγｘの１．３倍以上であり、画面サイズが３．５インチの場合にはγｘの１．５倍以上である。一例では、温度条件を６５℃とし、粘性γｘが２０ｍＰａ＊ｓ以上である場合、画面サイズが４．５インチの場合の粘性γ１は２２．６ｍＰａ＊ｓ以上であり、画面サイズが４インチの場合の粘性γ１は２６ｍＰａ＊ｓ以上であり、画面サイズが３．５インチの場合の粘性γ１は３０ｍＰａ＊ｓ以上である。
【００５５】
セルギャップＧＰについて、画面サイズが５インチの場合に信頼性試験ＯＫと判定される値がＧＰｘであると仮定すると、他の画面サイズについて信頼性試験ＯＫと判定されるセルギャップＧＰはイオン密度に基づいて以下の通り換算される。すなわち、画面サイズが４．５インチの場合のセルギャップＧＰはＧＰｘを１．１３の平方根で除算した値以下であり、画面サイズが４インチの場合のセルギャップＧＰはＧＰｘを１．３の平方根で除算した値以下であり、画面サイズが３．５インチの場合のセルギャップＧＰはＧＰｘを１．５の平方根で除算した値以下である。一例では、セルギャップＧＰｘが３．２μｍである場合、画面サイズが４．５インチの場合にはセルギャップＧＰが３．０μｍ以下であり、画面サイズが４インチの場合にはセルギャップＧＰが２．８μｍ以下であり、画面サイズが３．５インチの場合にはセルギャップＧＰが２．６μｍ以下である。
【００５６】
粘性抵抗ηは、粘性γ１及びセルギャップＧＰに基づいて算出される値であり、画面サイズが５インチの場合に信頼性試験ＯＫと判定される値を１とした場合、他の画面サイズについて信頼性試験ＯＫと判定される粘性抵抗ηは以下の通りである。すなわち、画面サイズが４．５インチの場合の粘性抵抗ηは１．２４以上であり、画面サイズが４インチの場合の粘性抵抗ηは１．６９以上であり、画面サイズが３．５インチの場合の粘性抵抗ηは２．２５以上である。
【００５７】
応答時間について、画面サイズが５インチの場合を１とすると、他の画面サイズについては、いずれも１以下となった。また、言うまでもなく、シミュレーション上の信頼性試験では、いずれも画面サイズの表示パネルについてもＯＫと判定された。
【００５８】
図９は、図８に示した条件を満足する各画面サイズの表示パネルＰＮＬの実施例を説明するための図である。図中の（Ａ）乃至（Ｄ）について、横軸は、表示領域ＤＡにおけるほぼすべてのイオン性不純物が表示領域の１つの角部に凝集するのに要する時間に相当するタイムステップ（ｓｔｅｐ）であり、縦軸は、イオン密度（相対値）である。イオン密度は、画面サイズが５インチの表示パネルＰＮＬについて、信頼性試験ＯＫと判定される３０ステップでのイオン密度を１とする。
【００５９】
図中の（Ａ）は、画面サイズが５インチの表示パネルＰＮＬの実施例に相当する。６５℃での粘性γ１は２２Ｐａ＊ｓであり、セルギャップは３．２μｍである。
【００６０】
図中の（Ｂ）は、画面サイズが４．５インチの表示パネルＰＮＬの実施例に相当する。６５℃での粘性γ１は２５Ｐａ＊ｓであり、セルギャップは３μｍである。イオン密度は１．１３であり、３５ステップが実現できる。なお、画面サイズが４．５インチの表示パネルであっても、６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである液晶材料を適用し、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについては、図７に示した通り、約２４ステップであった。
【００６１】
図中の（Ｃ）は、画面サイズが４インチの表示パネルの実施例に相当する。６５℃での粘性γ１は２９Ｐａ＊ｓであり、セルギャップは２．８μｍである。イオン密度は１．３であり、４０ステップが実現できる。なお、画面サイズが４インチの表示パネルであっても、６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである液晶材料を適用し、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについては、図７に示した通り、約１９ステップであった。
【００６２】
図中の（Ｄ）は、画面サイズが３．５インチの表示パネルの実施例に相当する。６５℃での粘性γ１は３３Ｐａ＊ｓであり、セルギャップは２．６μｍである。イオン密度は１．５であり、４５ステップが実現できる。なお、画面サイズが３．５インチの表示パネルであっても、６５℃の温度条件での粘性γ１が２２ｍＰａ＊ｓである液晶材料を適用し、セルギャップＧＰが３．２μｍである表示パネルＰＮＬについては、図７に示した通り、約１５ステップであった。
【００６３】
このように、各画面サイズの表示パネルＰＮＬについて、それぞれ粘性γ１及びセルギャップＧＰを図８に示した条件を満足するように最適化することで、３０ステップ以上を実現することができた。
【００６４】
ところで、上記の説明は、液晶層ＬＱに含まれるイオン性不純物のドリフトを抑制し、イオン性不純物の凝集による黒ムラの発生を抑制するための手法に関するものである。一方で、液晶層ＬＱへのイオン性不純物の浸入を抑制するための手法を組み合わせることがさらに有効である。
【００６５】
一手法としては、図４を参照して説明した通り、表示パネルＰＮＬを構成する部材の透湿性を低減することが有効である。本実施形態では、表示パネルＰＮＬを構成する有機絶縁膜について、透湿度は５Ｅ-９ｍｏｌ／ｃｍ２以下であることが望ましい。なお、透湿度の評価方法は、ＴＤＳ（Thermal Desorption Spectrometry；昇温脱離ガス分光法）が適用される。
【００６６】
また、イオン性不純物の浸入を抑制する他の手法としては、図４を参照して説明した通り、表示パネルＰＮＬを構成する部材の紫外線耐性を向上することが有効である。本実施形態では、表示パネルＰＮＬを構成する有機絶縁膜について、紫外線を照射する前後での吸光度スペクトルの差分の最小値と最大値との差（スペクトル変化量）が０．００３０以下であることが望ましい。なお、吸光度スペクトルは、ＦＴＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectrometer）で測定される。
【００６７】
図１０は、表示パネルの各構成例の信頼性試験の結果と、オーバーコート層ＯＣの透湿度と、オーバーコート層ＯＣのスペクトル変化量との関係をまとめた図である。各構成例は、オーバーコート層ＯＣの材料以外、すべて同一条件で構成された表示パネルである。ここでは、４種類のオーバーコート層ＯＣを用意した。図中では、４種類のオーバーコート層ＯＣを、ＯＣ−Ａ、ＯＣ−Ｂ、ＯＣ−Ｃ、ＯＣ−Ｄで区別している。
【００６８】
各オーバーコート層ＯＣの透湿度（ｍｏｌ／ｃｍ２）は、光配向膜を形成する際の紫外線照射前と、紫外線照射後とでそれぞれ測定した。ＯＣ−Ｂ、ＯＣ−Ｃ、ＯＣ−Ｄの各構成例について、透湿度は、紫外線照射前後で５Ｅ-９ｍｏｌ／ｃｍ２以下の条件を満たす。ＯＣ−Ａの構成例について、透湿度は、紫外線照射前後で５Ｅ-９ｍｏｌ／ｃｍ２以下の条件を満たさない。
【００６９】
各オーバーコート層ＯＣのスペクトル変化量は、光配向膜を形成する際の紫外線照射前に測定した吸光度スペクトルと、紫外線照射後に測定した吸光度スペクトルとの差分をプロットし、その最小値と最大値との差を求めた。図１１は、各構成例のオーバーコート層について、吸光度スペクトルの差分をプロットしたものである。図中の（Ａ）乃至（Ｄ）は、それぞれＯＣ−Ａ、ＯＣ−Ｂ、ＯＣ−Ｃ、ＯＣ−Ｄで区別される４種類の構成例に相当する。図中の（Ａ）乃至（Ｄ）について、横軸は波数（ｃｍ−１）であり、縦軸は紫外線照射前後での吸光度スペクトルとの差分である。ＯＣ−Ａ、ＯＣ−Ｃ、ＯＣ−Ｄの各構成例について、スペクトル変化量は、０．００３０以下の条件を満たす。ＯＣ−Ｂの構成例について、スペクトル変化量は、０．００３０以下の条件を満たさない。
【００７０】
これらの４つの構成例について、上記と同一条件（温度６５℃、湿度９０%の環境下に表示パネルＰＮＬを放置する）の信頼性試験を行ったところ、ＯＣ−Ａ及びＯＣ−Ｂで区別される２種類の構成例についてはＮＧと判定され、ＯＣ−Ｃ及びＯＣ−Ｄで区別される２種類の構成例についてはＯＫと判定された。
【００７１】
次に、液晶層ＬＱに含まれるイオン性不純物をトラップする手法について説明する。  
本実施形態では、図３を参照して説明したように、表示パネルＰＮＬは、非表示領域ＮＤＡにシールド電極３０及びトラップ電極４０を備えている。トラップ対象であるイオン性不純物が正イオンである場合には、例えばトラップ電極４０の電位は、シールド電極３０の電位よりも低電位に設定される。これにより、イオン性不純物は、クーロン力によってトラップ電極４０にトラップされる。なお、トラップ対象のイオン性不純物が負イオンである場合には、トラップ電極４０の電位は、シールド電極３０の電位よりも高電位に設定される。このようなシールド電極３０及びトラップ電極４０は、非表示領域ＮＤＡにおける所望の位置に設置することができる。このため、表示領域ＤＡにおけるイオン性不純物の凝集を抑制することが可能となる。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００７３】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７４】
ＰＮＬ…表示パネル  ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＬＱ…液晶層
ＡＬ１…第１配向膜  ＡＬ２…第２配向膜
ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極  ＯＣ…オーバーコート層
３０…シールド電極  ４０…トラップ電極
【図１】
2017058541.tif 000003
【図２】
2017058541.tif 000004
【図３】
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【図４】
2017058541.tif 000006
【図５】
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【図６】
2017058541.tif 000008
【図７】
2017058541.tif 000009
【図８】
2017058541.tif 000010
【図９】
2017058541.tif 000011
【図１０】
2017058541.tif 000012
【図１１】
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