【事件の表示】
　特願２００６−１５１４９０「ウエハ薄化装置及びウエハ処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月１３日出願公開、特開２００７−３２４２９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成１８年５月３１日の出願であって、平成２３年９月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年１１月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正がされたものである。
　平成２４年１月１２日付けで審査官の前置報告がされ、当審により平成２４年２月２３日付けで当該前置報告を踏まえた審尋を行ったところ、請求人より平成２４年３月２１日付けで回答があった。
　
２．平成２３年１１月３０日付けの手続補正についての却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１１月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「【請求項１】
　少なくとも回路形成面が保護されたウエハを処理液に浸漬させて処理を行うウエハ薄化装置において、
　複数枚のウエハ
の厚さを光学的に判断して、複数枚のウエハ
　処理液を貯留し、収容器を収容する処理槽と、
　前記載置台と前記処理槽との間で収容器を搬送する搬送機構と、
　前記搬送機構を操作して、収容器を前記処理槽に順次に搬送させるとともに、前記処理槽での収容器の浸漬時間をグループ毎に変える制御部と、
　ウエハの目標厚さと、グループ内の平均厚さと、処理液による処理レートとに基づいて前記浸漬時間を求める演算部と、
　を備えていることを特徴とするウエハ薄化装置。」と補正された。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された、ウエハのグループ分けに関し、上記下線部記載の事項（以下、「限定事項」という。）を付加して限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物等から認定される技術事項
ア．　原査定の拒絶の理由に周知技術の例として引用例２が挙げられているが、この引用例２である特開平１−３１９９３９号公報（以下「周知例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
・「半導体基板をエッチング液に浸してエッチングするのに用いる半導体治工具において、上記半導体基板の片面をエッチング液から保護し、かつ半導体基板と半導体治工具の間の空間に生ずる圧力差を緩和する圧力緩和膜を備えたことを特徴とする半導体治工具。」（「特許請求の範囲」）
・「この発明は、半導体基板の片面のみエッチングし、他面がエッチング液に対して耐薬品性が無い場合に用いる半導体治工具に関するものである。」（発明の詳細な説明の[産業上の利用分野]）
・「以上のようにこの発明によれば、半導体治工具の一部に圧力緩和膜を設けたので、空間に生じた圧力差を緩和でき、その結果、半導体基板の深いエッチング、エッチング残し量の薄膜化ができるという効果がある。」（発明の詳細な説明の[発明の効果]）
　
　これらの記載事項から、周知例には、「半導体基板をエッチング液に浸してエッチングするに際し、その片面をエッチング液から保護しつつ行う半導体基板の薄膜化技術」について開示があるということができる。
　
　ところで、この周知例に関連して以下のことが明らかである。
・エッチング処理されるべきものが「半導体基板」とされるが、これはこの場合「半導体ウエハ」「ウエハ」などと同義語と解される。「薄膜化」と「薄化」も同様と解される。
・「エッチング液」とは、これによって半導体基板をエッチング処理するものであるから「処理液」と言い替えることができる。
・例えば、特開２００１−２２３２３２号公報（【請求項１】など参照）などには、エッチング処理による薄化加工において半導体ウエハの片面である「回路形成面」をエッチング液から保護する技術につき記載があるが、一般にこのような技術は周知であり、このことから、周知例の「片面」は、「回路形成面」と言い替えることができる。
・周知例に係る技術が装置により実現されることは自明である。
　
　以上のことから、次の発明が本件出願前に周知であると認められる（以下、この発明を「周知発明」という。）。
　「回路形成面が保護されたウエハを処理液に浸漬させて処理を行うウエハ薄化装置。」
　
イ．　同じく拒絶の理由に引用例１として引用された、特開昭５２−６００７５号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
・「機械的研磨が施された複数個の半導体基板を、それぞれの厚さに応じてグループ分けし、次いでこれらを厚さの厚いグループから所定の時間間隔で順次化学エッチング液内へ投入し、全てのグループの半導体基板を同時処理でエッチングすることを特徴とする半導体基板の化学エッチング方法。」（「特許請求の範囲」）
・「１ＭＨｚでＱが２００以上の、合金接合型のシリコン可変容量ダイオードを製造するに供するシリコン基板として、化学エッチング後の仕上がり厚さが７０±１ミクロンのものを得るあたり、先ず初厚が１８０〜２００ミクロンで２．５ミリ角のシリコン基板１５００枚を２ミクロンの幅で層別した。このようにして層別したシリコン基板を、フッ酸、硝酸、酢酸を体積比で３：５：２．０に混合し、温度を２５℃に保持したエッチング液中へ厚いグループから薄いグループへと順次投入した。ところで、上記のエッチング液のエッチング速度は１．４μ／ｓｅｃであり、層間の投入間隔を１．５秒とし、初厚が２００μのグループの投入時から１００秒間のエッチングを施し、しかもこのエッチング処理の間にわたり１分間に１００回の割合でエッチング液を攪拌した結果、７０±１ミクロンの仕上がり厚さの半導体基板が得られた。」（２頁左下欄２０行ないし右下欄１６行）　
　
（３）本願補正発明と周知発明との対比
　両発明を比較するに、その一致点、相違点は次のとおりである。
（一致点）
　「少なくとも回路形成面が保護されたウエハを処理液に浸漬させて処理を行うウエハ薄化装置。」
　
（相違点）
　本願補正発明が「複数枚のウエハの厚さを光学的に判断して、複数枚のウエハを所定範囲の厚さごとにグループ分けし、同じグループの複数枚のウエハを収容した収容器が載置される載置台と、処理液を貯留し、収容器を収容する処理槽と、前記載置台と前記処理槽との間で収容器を搬送する搬送機構と、前記搬送機構を操作して、収容器を前記処理槽に順次に搬送させるとともに、前記処理槽での収容器の浸漬時間をグループ毎に変える制御部と、ウエハの目標厚さと、グループ内の平均厚さと、処理液による処理レートとに基づいて前記浸漬時間を求める演算部」を備えているのに対して、周知発明では、そのような構成の存在が不明である点。
　
（４）相違点についての判断
ア．　周知発明も、同一半導体基板を複数枚作製する場合に適用できるものであるし、その際に、最終的な基板の厚さを均一化させようとすることは、当業者にとってごく普通の課題である。
イ．　周知発明は、薄化のためのエッチング処理であり、これに対して、引用例の記載事項は、厚さ均一化のためのエッチング処理とされるが、具体的には２００ミクロン程度の半導体基板を７０ミクロン程度にまでエッチング処理により削るというのであるから、いずれの処理も、厚さ方向に削るエッチング処理に係るものである点で共通している。
ウ．　半導体基板を厚さ方向に削るエッチング処理を行うに際して、半導体基板のエッチング液への浸漬時間は、エッチング量とエッチング速度とから求められるところ、エッチング量は、処理対象の半導体基板の実際の厚さと目標とする厚さとから求められることは技術的常識に属する事項と言うべきである。
　したがって、半導体基板のエッチング液への具体的な浸漬時間を求めるにあたっては、処理対象の半導体基板の厚さ、その目標厚さ、及び、エッチング速度すなわち処理レートを考慮する必要がある。
　引用例の記載事項は、半導体基板の厚さを２ミクロンの幅でグループ分けし、厚さの大きい方から順に時間間隔を制御しつつエッチング液に投入していき、最後に同時仕上げを行うものであるから、グループ毎の厚さに応じて浸漬時間を制御しているということができる。
　ここで、引用例の記載事項における各グループ内には当然のことながら厚さが異なる半導体基板が存在することが想定されていることから、グループ毎の厚さをどのようにとらえるかということについては、いろいろな考え方が可能であるが、各グループに属する各半導体基板の厚みの平均値を用いるという考え方は、当業者がごく通常に採用することである。　
エ．　そうしてみると、周知発明において、その半導体基板を複数枚用意しておき薄化するにあたり、引用例の記載事項を考慮して、半導体基板を厚さに応じてグループ化し、浸漬時間を、そのグループ内の平均厚さを目標厚さ、処理液の処理レートに加味して求めることは、当業者にとって格別の創作力を要することとはいえない。
　また、厚さに応じてグループ化するには、当然、その厚さを測定しておく必要があるが、これには、例えば当審による審尋において引用文献３として挙げた特開平８−１０５７１６号公報に記載されるような周知の光学式測定手法が採用できることも自明というべきである。
　さらに、周知発明において、これらの構成変更を実施しようとすれば、それに相応する設備を具備する装置が必要であるが、これには、例えば特開２００３−６６３９７号公報の【図６】等に記載があるような、キャリアステーションにおいて搬送ロボット２５にて基板をカセット２６に収納しこのカセット２６ごと搬送アーム２９にてエッチ槽１０に浸漬するための周知の装置が用いられ得るものである。　
オ．　以上を踏まえると、周知発明において、引用例の記載事項や周知の光学式測定手法、周知の装置構成を考慮して、複数枚の半導体基板の厚さを光学的に測定し、これを所定範囲の厚さごとにグループ分けし、このグループ分けされた複数基板を収納するカセットを載置できる載置台を具備させ、エッチング処理をするための処理槽を具備させ、載置台と処理槽との間でカセットを搬送する搬送機構を具備させ、さらに浸漬時間を求める演算部を具備させるとともに、これら全体を制御する制御部を具備させて、本願補正発明の上記相違点に係る構成とすることは、当業者にとって想到容易といえる。
　しかも、本願補正発明により、当業者が周知発明、引用例の記載事項、周知の光学式測定手法及び周知の装置構成からみて格別顕著な効果が奏されるともいえない。
　したがって、本願補正発明は、周知発明、引用例の記載事項、周知の光学式測定手法及び周知の装置構成に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成２３年１１月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明は、平成２３年５月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであるところ、そこには次のとおり記載されている。
　「【請求項１】
　少なくとも回路形成面が保護されたウエハを処理液に浸漬させて処理を行うウエハ薄化装置において、
　複数枚のウエハを所定範囲の厚さごとにグループ分けし、同じグループの複数枚のウエハを収容した収容器が載置される載置台と、
　処理液を貯留し、収容器を収容する処理槽と、
　前記載置台と前記処理槽との間で収容器を搬送する搬送機構と、
　前記搬送機構を操作して、収容器を前記処理槽に順次に搬送させるとともに、前記処理槽での収容器の浸漬時間をグループ毎に変える制御部と、
　ウエハの目標厚さと、グループ内の平均厚さと、処理液による処理レートとに基づいて前記浸漬時間を求める演算部と、
　を備えていることを特徴とするウエハ薄化装置。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
（２）刊行物等から認定される技術事項
　原査定の拒絶の理由に引用された周知例、引用例に記載される事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記限定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、周知発明、引用例の記載事項、周知の光学式測定手法及び周知の装置構成に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、周知発明、引用例の記載事項及び周知の装置構成に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。