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　特願２００７−　　５６６０号「ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造、その製造方法、電子デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月１４日出願公開、特開２００８−　３４７９０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年１月１５日（パリ条約による優先権主張２００６年７月２７日、（ＴＷ）台湾）の出願であって、平成２２年５月７日付けで拒絶査定がされ（発送日：同年５月１８日）、これに対し、同年８月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正（前置補正）がされたものである。
　
２．平成２２年８月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２２年８月２０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造であって、
　キャリアと、
　前記キャリアの全領域上に形成され、前記キャリアの全領域上に貼り付けられる第１誘電体層を備えるＩＣ整合基板とを備え、
　前記キャリアは、前記第１誘電体層が貼り付けられる全領域が同一の個体材料で形成されており、
　前記キャリアの全領域と前記第１誘電体層との間の付着力により、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際に、可撓性を有するＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択されることを特徴とするＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造。」と補正された。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第１誘電体層」について「キャリアの全領域上に貼り付けられる」とし、また、「キャリア」について「第１誘電体層が貼り付けられる全領域が同一の個体材料で形成されて」いるものとして、その構成を限定するものであって、この限定した事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されており、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が異なるものではないから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号でいう特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例等及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−１６６９０２号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法」に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（Ａ）「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記目的を達成するために、本発明は、キャリア層の一方の面に複数のビルドアップ層を形成し、前記キャリア層の外部接続端子部に開口が形成された半導体チップ搭載基板、及び前記半導体チップ搭載基板に半導体チップを搭載し、樹脂封止後に前記キャリア層を除去した半導体パッケージ、及びそれらの製造方法を提供する。本発明は次のように構成される。」
　
（Ｂ）「【００１２】
　以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
（半導体チップ搭載基板）
　図１に、本発明の半導体チップ搭載基板の一実施形態（ビルドアップ層２層）の断面模式図を示した。本発明の半導体チップ搭載基板は、図１に示したように、キャリア層１１０の一方の面に、第１の絶縁層１００が形成され、さらにその上に外部接続端子１０３を含む第１の配線１０１が形成される。外部接続端子部のキャリア層１１０と第１の絶縁層１００には開口１０７が形成される。第１の絶縁層１００及び第１の配線１０１上には、第２の絶縁層１０２が形成され、さらにその上に第２の配線１０４が形成される。第１の配線１０１と第２の配線１０４は、接続導体１０５（ブラインドビア）で電気的に接続される。図１では２層の絶縁層しか記載していないが、必要に応じて絶縁層及び配線はさらに複数層形成しても良い。最外層の絶縁層上には、半導体チップ接続端子を含む配線（図１では第２の配線１０４）が形成される。また、最外層の絶縁層（図１では第２の絶縁層１０２）及び最外層の配線（図１では第２の配線１０４）上には、必要の応じて半導体チップ接続端子を除いてソルダレジストのような絶縁被覆１０６を形成しても良い。図２には、第１の配線とは別に外部接続端子１０３をキャリア層上に形成し、第１の接続端子１０８（金属バンプ）及び第２の接続端子１０９（金属バンプ）を用いた半導体チップ搭載基板の一実施形態（ビルドアップ層２層）の断面模式図を示した。
　配線の形状や各々の接続端子の配置等は特に制限されず、搭載する半導体チップや目的とする半導体パッケージを製造するために、適宜設計可能である。」
　
（Ｃ）「【００１７】
（キャリア層の除去方法）
　キャリア層の除去方法としては、機械的な力で剥離する方法、機械的な研磨による方法、薬液によるウエットエッチング、プラズマ等によるドライエッチングによる方法、レーザによる方法等があり、使用する材料の組合せによって選択でき、必要に応じて組み合わせて行うこともできる。これらの中では、機械的な力で剥離する方法が好ましい。
【００１８】
（機械的な力で剥離する方法）
　機械的に剥離するためには、絶縁層とキャリア層の接着力が１０〜５００Ｎ／ｍであることが好ましく、更に５０〜２００Ｎ／ｍであることがより好ましい。接着力が１０Ｎ／ｍ未満であると、半導体チップ搭載基板や半導体パッケージの製造工程で剥離してしまう恐れが有り、また、５００Ｎ／ｍより大きいと、キャリア層の除去工程で剥離が困難になり好ましくない。しかし、キャリア層の除去工程で以下に示す接着力低下手段を用いて、接着力を５００Ｎ／ｍ以下、より好ましくは２００Ｎ／ｍ以下にできる場合は、接着力の初期値は５００Ｎ／ｍより大きくてもよい。」
　
（Ｄ）図１、図５からみて、キャリヤ層１１０の全領域上に形成され、キャリヤ層１１０の全領域上に貼り付けられる第１の絶縁層１００を、ビルドアップ層は備えていることが看て取れる。
　なお、符号１０７で示された部分は開口であり、記載事項（Ｂ）における「図１に示したように、キャリア層１１０の一方の面に、第１の絶縁層１００が形成され、・・・外部接続端子部のキャリア層１１０と第１の絶縁層１００には開口１０７が形成される」との記載及び図１、図５からみて、この開口１０７は、キャリア層１１０と第１の絶縁層１００をともに貫通した開口であることが分かるから、キャリア層１１０の「全領域上に」第１の絶縁層１１０は形成され、貼り付けられているものと認められる。
　
　図面と共に、上記記載事項（Ａ）〜（Ｄ）を総合すると、引用例１には、
「キャリア層にビルドアップ層を形成した構造であって、
　キャリア層１１０と、
　前記キャリア層１１０の全領域上に形成され、前記キャリア層１１０の全領域上に貼り付けられる第１の絶縁層１００を備えるビルドアップ層とを備え、
　機械的に剥離するために、第１の絶縁層１００とキャリア層１１０の接着力が１０〜５００Ｎ／ｍとなるようにされたキャリア層にビルドアップ層を形成した構造。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明でいう「ビルドアップ層」は、本願補正発明でいう「ＩＣ整合基板」に相当し、以下同様に、「キャリア層１１０」は「キャリア」に、「第１の絶縁層１００」は「第１誘電体層」に、それぞれ相当する。また、引用発明でいう「キャリア層にビルドアップ層を形成した構造」は、本願補正発明でいう「ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造」に相当している。
　
（３−２）上記の対比関係からみて、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、本願補正発明の表記にしたがえば、次のとおりである。
［一致点］
「ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造であって、
　キャリアと、
　前記キャリアの全領域上に形成され、前記キャリアの全領域上に貼り付けられる第１誘電体層を備えるＩＣ整合基板とを備えた、ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造。」
　
［相違点１］
　本願補正発明では、キャリアが、「第１誘電体層が貼り付けられる全領域が同一の個体材料で形成」されているのに対して、引用発明では、どのように形成されているのかが明らかではない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では、「前記キャリアの全領域と前記第１誘電体層との間の付着力により、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際に、可撓性を有するＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択される」のに対して、引用発明では、「機械的に剥離するために、第１の絶縁層１００とキャリア層１１０の接着力が１０〜５００Ｎ／ｍとなるようにされ」ている点。
　
（４）当審の判断
　上記各相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　引用例１の図１及び図５を参照すると、記載事項（Ｄ）にもあるとおり、キャリヤ層１１０の全領域上に第１の絶縁層１００が貼り付けられていることが看て取れる。ここで、図に示されたキャリア層１１０は、開口１０７の部分を除いて均一に図示されている上、明細書の記載を見ても、特段、キャリア層１１０が複数種類の材料から形成されるものとは認められない。したがって、引用発明におけるキャリア層１１０を同一の個体材料で形成されるようにして、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点２］について
　引用発明において、「第１の絶縁層１００とキャリア層１１０の接着力が１０〜５００Ｎ／ｍとなるようにされ」ているのは、記載事項（Ｃ）にあるように、「接着力が１０Ｎ／ｍ未満であると、半導体チップ搭載基板や半導体パッケージの製造工程で剥離してしまう恐れが有り、また、５００Ｎ／ｍより大きいと、キャリア層の除去工程で剥離が困難になり好ましくない」ためである。このことから、ビルドアップ層（ＩＣ整合基板）が製造工程においてキャリア層１１０（キャリア）から剥離することがないようにする一方、キャリア層の除去工程においては剥離しやすいようにする技術思想が認められる。そして、このキャリア層の除去工程は、製造工程の後に行われるものであるから、キャリア層の除去工程をカット処理の際に行うようにすることに特段の困難性は認められない。（なお、カット処理の際にキャリアを除去することは、例えば原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−９２０２号公報、特開平５−１４４９７４号公報にも記載されているように、周知の技術手段である。）
　本願明細書段落【００３０】には、「本発明のいわゆる「自然に分離する」とは、外力を加えずに、若しくはわずかな外力を加えることで（例えばテープ粘着、挟持具での挟み取り、真空吸着などの方法）、ＩＣ整合基板とキャリアとが分離して、各部構造が破壊されないことを指す。」と記載されている。引用発明におけるキャリア層の除去工程では、記載事項（Ｃ）にあるように、「機械的な力で剥離する」方法が含まれているが、この際に各部構造を破壊されないようにすることは当然のことであるから、引用発明においても本願補正発明でいうところの「自然分離」がされるようになっているものと認められる。そして、自然分離されるように、キャリア層１１０（キャリア）と第１の絶縁層１００（第１誘電体層）の材料を適宜選択することは、設計的事項である。
　引用発明における「ビルドアップ層」が可撓性を有しているかは明らかではなく、また、請求人は審判請求書において、引用発明に記載された結合構造は、硬性の物と硬性の物との間の結合である旨を主張している。しかし、可撓性を有するＩＣ整合基板は周知であり、さらに、キャリア上に可撓性を有するＩＣ整合基板を形成した後に剥離する製造方法も周知であるから（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−９２０２号公報参照）、引用発明における「ビルドアップ層」を可撓性を有するものとする点に、特段の困難性は認められない。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、上記相違点を備える本願補正発明の作用・効果について検討しても、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、補正却下の決定の結論のとおり決定する。
　
３．本願発明について
　平成２２年８月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、平成２２年３月２日付けの手続補正に係る特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項によって特定されるものと認められるが、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】
　ＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造であって、
　キャリアと、
　前記キャリアの全領域上に形成され、前記キャリアに貼り付けられる第１誘電体層を備えるＩＣ整合基板とを備え、
　前記キャリアの全領域と前記第１誘電体層との間の付着力により、前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方、カット処理の際に、可撓性を有するＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように、前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択されることを特徴とするＩＣ整合基板とキャリアとの結合構造。」
　
（１）引用例等及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記２．（２）において記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明の構成を全て含むとともに、本願発明の構成に更に限定を付加した本願補正発明が、上記２．で検討した如く、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。