【事件の表示】
　特願２００７−２３８８７７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　４月　２日出願公開、特開２００９−　７１０９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年９月１４日の出願であって、平成２２年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲及び明細書を対象とする手続補正がなされたものである。
　
第２　原査定
　原査定における拒絶の理由の一つは、以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
１．特開２００７−２１４２２０号公報
２．特開２００７−１０９８０２号公報
３．特開平０７−１８３４５５号公報」
　
　上記刊行物のうち、特開２００７−２１４２２０号公報を以下「引用例１」といい、特開２００７−１０９８０２号公報を以下「引用例２」という。
　
第３　平成２２年６月２２日付け手続補正の却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２２年６月２２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］
１　本件補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　ウェハ上に形成された絶縁層上にファンアウト配線を形成するステップと、
　前記ファンアウト配線上に積層された複数の半導体チップの電極と前記ファンアウト配線とを電気的に接続するステップと、
　前記ウェハを取り除くステップとを備え
、
　前記半導体チップの電極を形成するステップは、
　前記電極の側面が前記半導体チップの側面と同一平面内に存在する電極である場合には、
　前記半導体チップの上面に形成されたパッド以外の部分に第１保護膜を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面にシード金属層を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面に第２フォトレジスト層を形成するステップと、
　前記第２フォトレジスト層のうち、一面が前記半導体チップの側面と同一平面内に存在する領域であって、前記積層方向下方に前記パッドが存在する前記領域をフォトリソグラフィにより除去するステップと、
　電解めっきにより前記領域に前記電極を形成するステップと、
　前記第２フォトレジスト層を剥離するステップと、
　エッチングにより前記シード金属層を除去するステップと
　を備え、
　前記電極が前記半導体チップを貫通して形成される電極である場合には、　前記半導体チップの上面に形成されたパッド以外の部分に第１保護膜を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面にシード金属層を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面に第２フォトレジスト層を形成するステップと、
　フォトリソグラフィにより前記電極を作成する領域の前記第２フォトレジスト層を除去するステップと、
　電解めっきにより前記領域に前記金属層を形成するステップと、
　前記半導体チップの積層方向に前記金属層を含んで前記半導体チップを貫通する第１貫通孔を形成するステップと、
　前記第１貫通孔の内壁に第２保護膜を形成するステップと、
　前記第２フォトレジスト層を剥離するステップと、
　エッチングにより前記シード金属層を除去するステップと
　を備え
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を半導体チップの電極を形成するステップを有する点で上記下線部記載のように限定するものであり、産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものではないことは明らかである。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　ここで、本願補正発明は、請求項に「・・・前記半導体チップの電極を形成するステップは、前記電極の側面が前記半導体チップの側面と同一平面内に存在する電極である場合には、・・・を備え、前記電極が前記半導体チップを貫通して形成される電極である場合には、・・・を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法」とあるように、半導体チップの電極を形成するステップについて、その側面が前記半導体チップの側面と同一平面内に存在する電極を形成するステップである場合と、前記半導体チップを貫通して形成される電極を形成するステップである場合とに場合分けされているものであって、半導体装置の製造方法について上記の二つの場合のものが択一的に記載されていると解するのが相当と認められる。そして、この点に関し、審判請求人は、平成２３年７月２２日付け回答書の「２．審判請求人の意見」における「補正後の請求項１における補正前の請求項５、６での限定部分は、「前記半導体チップの電極を形成するステップ」に関する記載です。このうち、補正前の請求項５に係る記載部分は、「前記電極の側面が前記半導体チップの側面と同一平面内に存在する電極である場合」に関する記載であり、補正前の請求項６に係る記載部分は、「前記電極が前記半導体チップを貫通して形成される電極である場合」に関する記載です。両者の記載は同時に満たされるものではなく、何れか一方が択一的に満たされる記載となっています。」との記載のとおり、請求項１の記載が択一的記載であることを認めている。すなわち、本願補正発明は、その側面が半導体チップの側面と同一平面内に存在する半導体チップの電極を形成するステップを含む半導体装置の製造方法の発明と、半導体チップを貫通して形成される半導体チップの電極を形成するステップを含む半導体装置の製造方法の発明とが択一的に記載された発明である。
　そして、後者の発明は、本件補正後の請求項１に記載された事項の一部により特定される次のとおりのものである（以下「本願補正発明２」という。）。
　
「ウェハ上に形成された絶縁層上にファンアウト配線を形成するステップと、
　前記ファンアウト配線上に積層された複数の半導体チップの電極と前記ファンアウト配線とを電気的に接続するステップと、
　前記ウェハを取り除くステップとを備え、
　前記半導体チップの電極を形成するステップは、
　前記電極が前記半導体チップを貫通して形成される電極であり、
　前記半導体チップの上面に形成されたパッド以外の部分に第１保護膜を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面にシード金属層を形成するステップと、
　前記半導体チップの上面の全面に第２フォトレジスト層を形成するステップと、
　フォトリソグラフィにより前記電極を作成する領域の前記第２フォトレジスト層を除去するステップと、
　電解めっきにより前記領域に前記金属層を形成するステップと、
　前記半導体チップの積層方向に前記金属層を含んで前記半導体チップを貫通する第１貫通孔を形成するステップと、
　前記第１貫通孔の内壁に第２保護膜を形成するステップと、
　前記第２フォトレジスト層を剥離するステップと、
　エッチングにより前記シード金属層を除去するステップと
　を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　そこで、択一的な二つの発明を包含する本願補正発明の一つである本願補正発明２が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２　引用刊行物
（１）本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１には、半導体パッケージの製造方法に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１ａ）「【０００８】
　あるいは、記複数の半導体チップを前記半導体ウエハ上に積層する前に、前記半導体ウエハ状態の前記半導体ウエハの前記第１面と反対の第２面に補強用基材を接着することが好ましい。補強用基材としては、ガラス板を用いることができる。前記半導体ウエハの前記第２面に前記補強用基材を接着した後、前記半導体ウエハの前記第１面を研削することにより半導体ウエハを薄化し、
前記薄化された半導体ウエハの前記第１面上に前記複数の半導体チップを積層することができる。更に、前記複数の半導体チップを前記半導体ウエハ上に積層する前に、前記第１面上に再配線層を形成することができる。」
　
（１ｂ）「【００１４】
　以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体パッケージに適用可能な半導体チップ（Ａ）及びその積層体（Ｂ）の構成を示す概略断面図である。図２は、本発明に係る半導体パッケージに適用可能なインターポーザ用のシリコンウエハを示す概略平面図である。半導体チップ１００は、貫通電極１０４を設けた半導体基板１０２の表裏両面にバンプ１０６を形成した構造となっている。なお、バンプ１０６は半導体基板１０２の片側にのみ形成する構造であっても良い。半導体基板１０２の厚さは、貫通電極の深さから２０−１００μｍであることが望ましい。説明の便宜上、半導体チップ１００を（Ｂ）図のように積層したものをチップ積層体１２０と呼ぶこととする。チップ積層体１２０は、インターポーザ上に積層されるものである。本発明においては、ウエハＷ状態のインターポーザの上に半導体チップ１００を積層する工法を採用している。」
　
（１ｃ）「【００２３】
　まず、図６（２−１）に示すように、インターポーザ形成用のシリコンウエハ２１２（Ｗ）の内部に貫通電極２１４を複数形成する。シリコンウエハ２１２の厚さは５００−１０００μｍ程度である。貫通電極２１４の上端は、シリコンウエハ２１２の表面に露出している。シリコンウエハ２１２の表面には、配線層（再配線）２１８が形成されている。貫通電極２１４上には、バンプパッドが形成されている。また、図示しないが、配線層２１８及び貫通電極２１４上には絶縁膜が形成されている。貫通電極の深さは、２０−１００μｍとすることができる。
【００２４】・・・
【００２５】
　次に、図６（２−２）に示すように、接着剤２１５を介してガラス板２３２をシリコンウエハ２１２の配線層側表面に貼り合わせる。ガラス板２３２は、外径がシリコンウエハ２１２より５００−２０００μｍ程度大きい又は同径であり、厚さが５００−１０００μｍで平面精度の良好なものを使用する。また、接着剤２１５の厚さとしては、１０−１００μｍ程度が好ましい。
【００２６】
　次に、図６（２−３）に示すように、シリコンウエハ２１２の表面を貫通電極２１４が露出するまで研削する。その後、必要に応じて、図７（２−４）に示すように、所定の位置に再配線２１７と、バンプ２１６を形成する。さらに、貫通電極２１４以外の部分の表面及び、再配線の上には絶縁層を形成する。この時、シリコンウエハ２１２の厚さは２０−１００μｍとなる。
【００２７】
　次に、図７（２−５）に示すように、シリコンウエハ２１２の所定の位置に周知の方法により半導体チップ１００を積層し、チップ積層体１２０を成形する。チップ積層体１２０において、各半導体チップ１００は電気的に接続されている。
【００２８】・・・
【００２９】・・・
【００３０】
　次に、図９（２−８）に示すように、ガラス板２３２及び接着剤２１５をシリコンウエハ２１２から剥がす。
【００３１】
　以上のように、本発明の第２実施例によれば、上述した第１実施例の効果に加え、シリコンウエハの表裏両面に再配線が可能になるため、多品種に対応が可能となる。また、シリコンウエハがガラス板で支持されているため、オーバーモールド工程までシリコンウエハの反りを抑えられるという効果がある。なお、シリコンウエハに接着される補強用部材としては、ガラス以外の材質のもの使用することもできる。」
　
（１ｄ）図６及び図７の記載より、半導体チップがバンプ２１６を介して配線上に積層される点が看取できる。また、チップ積層体１２０を構成する半導体チップの各電極が貫通電極２１４及びバンプ２１６を介して再配線２１７、貫通電極２１４及び配線層２１８からなる配線へと電気的に接続している態様が看取できる。
　
　上記記載事項より、引用例１には次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「上端が表面に露出した貫通電極２１４をシリコンウエハ２１２の内部に複数形成し、該表面に配線層２１８を形成し、接着剤２１５を介して補強用基材（ガラス板２３２）をシリコンウエハ２１２の配線層側表面に貼り合わせ、貫通電極２１４が露出するように研削したシリコンウエハ２１２の反対側の面の所定の位置に再配線２１７とバンプ２１６を形成し、複数の半導体チップ１００にそれぞれ貫通電極１０４を形成し、シリコンウエハ２１２の所定の位置に、各半導体チップの貫通電極１０４がバンプ２１６を介して再配線２１７、貫通電極２１４及び配線層２１８からなる配線へと電気的に接続するように半導体チップ１００を積層してチップ積層体１２０を成形した後、補強用基材（ガラス板２３２）及び接着剤２１５をシリコンウエハ２１２から剥がす半導体パッケージの製造方法。」
　
（２）同じく本願の出願前に頒布された刊行物である引用例２には、配線基板及び配線基板を用いた半導体装置並びにその製造方法に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（２ａ）「【００４０】
　本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の第２電極となる位置に前記支持基板が露出するように開口部を形成する工程と、前記開口部内に前記第２電極を形成する工程と、前記絶縁層と前記第２電極の上に配線層を形成する工程と、前記絶縁層と前記第２電極の上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極に１つ又は複数の半導体素子を搭載する工程と、前記支持基板を除去する工程と、前記第２電極の側面と前記絶縁層との間に空間を形成する工程とを有することを特徴とする。」
　
（２ｂ）「【００７７】
　配線層１２は、上述の如く例えば銅によって形成されており、その厚さは例えば１０μｍである。配線層１２は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法又はフルアディティブ法等によって形成する。
【００７８】・・・
【００７９】
　セミアディティブ法は、無電解めっき法、スパッタ法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によって給電層を形成した後、所望のパターンに開口されたレジストを形成し、レジスト開口部内に電解めっき法による金属を析出させ、レジストを除去した後に給電層をエッチングして所望の配線パターンを得る方法である。」
　
（２ｃ）「【０１１５】
　第１電極１３は、絶縁層１１及び第２電極１４上に設けられ、第２電極１４に直接、又は、配線層１２を介して第２電極１４に電気的に接続されている。・・・
【０１１６】・・・
【０１１７】
　第２電極１４は、絶縁層１１に埋設され、配線層１２及び第１電極１３と電気的に接続されている。」
　
（２ｄ）「【０１８５】
　先ず、図１７（ａ）に示すとおり、支持基板３０を用意し、必要であれば表面のウェット洗浄、ドライ洗浄、平坦化及び粗化など処理を施す。支持基板３０は、導電性の材料又は表面に導電性の膜が形成された材料で、適度な剛性を有していることが望ましいため、シリコン、サファイア及びＧａＡｓ等の半導体ウエハ材料並びに金属、石英、ガラス、セラミック及びプリント板を用いることができる。本発明においては、熱酸化膜付き８インチ（直径２００ｍｍ）、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウエハ上に剥離層（図示せず）と導電性のシードメタル層（図示せず）とを順に設けた支持基板を用いた。」
　
（２ｅ）「【０２６７】
　先ず、図２２（ａ）に示すとおり、支持基板３０上に第２電極１４、絶縁層１１、配線層１２及び第１電極１３が設けられた状態を形成する。本発明においては、熱酸化膜付き８インチ（直径２００ｍｍ）、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウエハ上に剥離層（図示せず）と導電性のシードメタル層（図示せず）とを順に設けた支持基板３０上に、感光性ポリイミド樹脂を７μｍの厚みで絶縁層１１を形成し、支持基板３０上に形成されたシードメタル層（図示せず）より給電を行うことで支持基板３０側からＣｕ２μｍ、Ｎｉ５μｍの順に積層し、Ｃｕ１０μｍの厚みで配線層１２を、銅５μｍ、ニッケル３μｍ及び金０．５μｍの各厚みで金が最表面となる順に第１電極１３をセミアディティブ法で形成した。
【０２６８】
　次に、図２２（ｂ）に示すとおり、第１電極１３に半田ボール１８を介して半導体素子１６の電極（図示せず）をフリップチップ接続する。・・・
【０２６９】・・・
【０２７０】・・・
【０２７１】
　次に、図２２（ｃ）に示すとおり、支持基板３０を除去する。」
　
３　対比・判断
　本願補正発明２と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「チップ積層体１２０」、「半導体パッケージの製造方法」は、それぞれ本願補正発明２の「積層された複数の半導体チップ」、「半導体装置の製造方法」に相当する。
　引用発明の「シリコンウェハ２１２」は、その上面及び内部にわたって配線を形成する層として機能するものであることからみて、本願補正発明２の「絶縁層」に相当する。
　引用発明の「補強用基材（ガラス板２３２）」は、半導体装置の製造工程において最終的に構造から除去される補強用基材である点で、本願補正発明２の「ウェハ」と概念上共通している。そして、引用例１における、該補強用基材は実施例としてガラス板２３２を用いているがガラス以外の材質のものを使用することもできるとの記載（記載事項１ａ及び１ｃ参照）や、半導体装置の技術分野における技術常識（例えば、引用例２における、支持基板として半導体ウエハ材料やガラス等を用いることができるとの記載（記載事項２ｄ参照））に照らせば、引用発明の「補強用基材（ガラス板２３２）」は、本願補正発明２の「ウェハ」に相当する構成であるといえる。
　引用発明の「再配線２１７」、「貫通電極２１４」及び「配線層２１８」は、ウェハ上に形成された絶縁層上に形成される配線構造を構成するものである点で、本願補正発明２の「ファンアウト配線」と概念上共通する。
　
　したがって、本願補正発明２と引用発明は、本願補正発明２の表記にできるだけしたがえば、
「ウェハ上に形成された絶縁層上に配線を形成するステップと、前記配線上に積層された複数の半導体チップの電極と前記配線とを電気的に接続するステップと、前記ウェハを取り除くステップとを備え、前記半導体チップの電極を形成するステップを備え、前記電極が前記半導体チップを貫通して形成される電極である半導体装置の製造方法」
である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
［相違点１］
　ウェハ上に形成された絶縁層上に形成される配線が、本願補正発明２では「ファンアウト配線」であるのに対して、引用発明では「再配線２１７、貫通電極２１４及び配線層２１８からなる配線」であって、当該配線がファンアウト配線であるか否か明らかでない点。
　
［相違点２］
　半導体チップを貫通して電極を形成するステップについて、本願補正発明２は、「前記半導体チップの上面に形成されたパッド以外の部分に第１保護膜を形成するステップと、前記半導体チップの上面の全面にシード金属層を形成するステップと、前記半導体チップの上面の全面に第２フォトレジスト層を形成するステップと、フォトリソグラフィにより前記電極を作成する領域の前記第２フォトレジスト層を除去するステップと、電解めっきにより前記領域に前記金属層を形成するステップと、前記半導体チップの積層方向に前記金属層を含んで前記半導体チップを貫通する第１貫通孔を形成するステップと、前記第１貫通孔の内壁に第２保護膜を形成するステップと、前記第２フォトレジスト層を剥離するステップと、エッチングにより前記シード金属層を除去するステップとを備える」とされているのに対して、引用発明は、半導体チップに貫通電極を設ける手法が明らかでない点。
　
　相違点１について検討する。
　引用例２には、本願のものと同様の半導体装置の製造方法（記載事項２ａ参照）において、支持基板３０上に、第１電極１３が配線層１２を介して、絶縁層１１に埋設された第２電極１４に電気的に接続される配線構造を形成し、第１電極上に半導体素子１６を載置し、第１電極に半導体素子の電極を接続することが記載されている（記載事項２ｃ、２ｅ及び図２２参照）。ここで、上記配線構造は、その形態からみて、本願補正発明２でいうところの「ファンアウト配線」に相当するものと考えられる。引用発明において引用例２を参酌し、再配線２１７、貫通電極２１４及び配線層２１８からなる配線に代えて引用例２に記載されたファンアウト配線を採用して上記相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことといえる。
　
　次に、相違点２について検討する。
　引用例２には、配線や電極の形成に、給電層を形成した後、所望のパターンに開口されたレジストを形成し、レジスト開口部内に電解めっき法による金属を析出させ、レジストを除去した後に給電層をエッチングして所望の配線パターンを得る方法である、いわゆるセミアディティブ法を用いることが記載されており（記載事項２ｂ参照）、さらに具体的に、支持基板３０上に形成されたシードメタル層より給電を行うことにより金属を積層して配線層１２や第１電極１３を形成する、との手順が記載されている（記載事項２ｅ参照）。引用発明では、半導体チップへの貫通電極の形成方法について具体的な記載がないが、半導体チップに設けた貫通孔内において該半導体チップの上面から下面にわたって導電部分を形成するのに適した公知の手法の一つとして引用例２に記載されたセミアディティブ法を採用することは当業者にとって格別困難なことではないと考えられるから、引用発明において、半導体チップに貫通電極を形成する際に、引用例２に記載されたセミアディティブ法に係る上記手順を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことといえる。そして、半導体装置の製造工程において保護膜を用いることは、例えば特開２００７−２１４２６８号公報に記載されているように周知の技術であり、各種回路が形成された半導体チップの表面（本願明細書の段落【００２４】参照）や貫通孔構造（同段落【００４９】参照）を保護膜により保護することは当業者であれば適宜なし得ることである。
　したがって、引用発明において引用例２の記載事項及び周知の事項を参照し上記相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことといえる。
　
　そして、本願補正発明２により得られる作用効果も、引用発明、引用例２の記載事項及び周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　以上のことから、本願補正発明２は、引用発明、引用例２の記載事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　そうすると、本願補正発明２をその一つとして択一的な二つの発明を包含する本願補正発明も、本願補正発明２と同じく、引用発明、引用例２の記載事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえ、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、出願時の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。 
　
「【請求項１】
　ウェハ上に形成された絶縁層上にファンアウト配線を形成するステップと、
　前記ファンアウト配線上に積層された複数の半導体チップの電極と前記ファンアウト配線とを電気的に接続するステップと、
　前記ウェハを取り除くステップと
　を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第５　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記第３の２に記載したとおりである。
　
第６　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、前記第３の１に記載した限定を外したものである。 
　してみると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第３の３に記載したとおり、引用発明、引用例２の記載事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由で当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２の記載事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　したがって、原査定は妥当であり、結論のとおり審決する。