【事件の表示】
　平成１１年特許願第１２７３７０号「化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２８日出願公開、特開２０００−　３１０８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は，平成１１年５月７日（パリ条約による優先権主張１９９８年５月８日，大韓民国）の出願であって，平成２１年４月６日付けで手続補正がされ，平成２２年３月９日付けで拒絶理由が通知され，同年７月１５日付けで手続補正がされ，同年７月３０日付けで，前記同年７月１５日付けの手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対して同年１２月２日に審判請求がされるとともに手続補正がされたものである。
　
第２　平成２２年１２月２日付けの手続補正の却下について
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１２月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書の段落【００１０】を補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１については，本件補正の前後で以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「　　【請求項１】
　気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって，
　前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む，化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法。」
　
〈補正後〉
「　　【請求項１】
　気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって，
　前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合，紫外線の照射なしに，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む，化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法。」
　
２．補正事項の整理
　上記の，請求項１についての補正事項は，補正前の「前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む」を，補正後の「紫外線の照射なしに，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む」とすることである。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記の補正事項は，「前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階」について，その条件を「紫外線の照射なしに」として，より限定するものである。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，上記の補正事項に係る事項は，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載されているから，上記の補正事項は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「　　【請求項１】
　気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって，
　前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合，紫外線の照射なしに，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む，化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法。」
　
（２）刊行物に記載された発明
・特開平１０−１２６２４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−１２６２４号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜７とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様）
ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，窒化物系化合物半導体の熱処理方法に関し，特に，Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされたＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理に適用して好適なものである。」
　
イ　従来の技術
「【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＧａＩｎＮなどの窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は，その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘っており，赤色から紫外線の発光が可能な発光素子の実現が理論上可能であるため，近年，注目を集めている。
【０００３】この
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどを製造する場合
【０００４】さて，従来，
有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの気相成長法により例えばｐ型ＧａＮ層を成長させるには，水素（Ｈ
2
 ）キャリアガスまたはＨ
2
 と窒素（Ｎ
2
 ）との混合ガス中において，例えば，Ｇａ原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ，Ｇａ（ＣＨ
3
 ）
3
 ），Ｎ原料としてのアンモニア（ＮＨ
3
 ）およびｐ型ドーパントとしてのシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ
2
 Ｍｇ）を，加熱された基板，例えばサファイア基板，ＳｉＣ基板，ＧａＡｓ基板などの上に供給し，熱分解反応によって，ＭｇドープＧａＮ層を成長させる。この成長直後におけるＭｇドープＧａＮ層は高抵抗層であるので，その後に真空中または不活性ガス中において熱処理を行うことによりｐ型化する
　
ウ　発明が解決しようとする課題
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述のようにして得られるｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度は，現状では高々３×１０17ｃｍ-3程度であり，その抵抗率は２Ωｃｍ程度と高い。このため，例えば窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては，次のような問題があった。第１に，
この半導体レーザにおいては，ｐ側電極のコンタクト層としてｐ型ＧａＮ層を用いる
　
エ　課題を解決するための手段
「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は，上述の従来技術が有する問題を解決すべく，鋭意考察を行った。その概要について説明すると，次の通りである。
【０００９】上述のようにＭｇドープＧａＮ層を成長させただけでは，低キャリア濃度で高抵抗率のｐ型ＧａＮ層しか得られない理由は，成長時に結晶中に取り込まれた水素がＭｇの近傍に存在し，この水素との相互作用によりＭｇが不活性化されていることによる。そして，熱処理により正孔が生成されるのは，この水素が脱離してＭｇが活性化され，アクセプタ不純物として働くからである。一方，分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により成長されたｐ型ＧａＮ層では，成長時に結晶中に水素が取り込まれることがないため，アクセプタ不純物の活性化のための熱処理を行わないでも，５×１０18ｃｍ-3以上の正孔濃度が得られている。
【００１０】ところで，上述の従来の熱処理方法によっても，熱処理時間を長くしたり，熱処理温度を高くしたりして結晶中に取り込まれた水素を脱離させることにより，ｐ型窒化物系化合物半導体の正孔濃度の増大および抵抗率の低減を図ることが可能である。しかしながら，結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるために長時間または高温の熱処理を行うと，主として窒素が脱離することにより結晶自体が劣化してしまうという問題がある。
【００１１】したがって，もし，結晶の劣化を抑えつつ，長時間または高温の熱処理で結晶中の水素を１００％脱離させることができれば，ＭＢＥ法により成長されたｐ型ＧａＮ層並みの正孔濃度が得られると予想される。
　　・・・
【００２７】上述のように構成されたこの発明による窒化物系化合物半導体の熱処理方法においては，窒素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するようにしていることにより，熱処理時に窒化物系化合物半導体から窒素が脱離するのを防止することができ，この窒素の脱離による窒化物系化合物半導体の結晶の劣化を抑えることができる。このため，より長時間，より高温の熱処理が可能となるので，成長時に窒化物系化合物半導体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させることができ，これによって水素により不活性化されていたアクセプタ不純物を十分に活性化させることができる。」
　
オ　発明の実施の形態
「【００２８】
【発明の実施の形態】以下，この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。この一実施形態においては，この発明をｐ型ＧａＮ層の作製に適用した場合について説明する。
　　・・・
【００３１】次に，基板温度を例えば１０００℃まで上昇させた後，図１Ｂに示すように，ＧａＮバッファ層２上に例えば
厚さ２μｍのｐ型ＧａＮ層３をＭＯＣＶＤ法により成長させる
【００３２】これらのＧａＮバッファ層２およびｐ型ＧａＮ層３の成長においては，Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ），Ｎ原料としてアンモニア（ＮＨ3 ），
ｐ型ドーパントとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ
2
 Ｍｇ）を用いる
【００３３】
このようにして成長されたＭｇドープｐ型ＧａＮ層３中のＭｇ濃度を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法により分析したところ，９×１０
19
ｃｍ
-3
であった
　
カ　発明の実施の形態（続き）
「【００３４】次に，図１Ｃに示すように，上述のようにしてｐ型ＧａＮ層３が成長されたｃ面サファイア基板１を窒素（Ｎ2 ）ガスとトリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）のガスとの混合ガス雰囲気中において熱処理することにより，ｐ型ＧａＮ層３中のＭｇを活性化させる。
【００３５】図２はこの熱処理に用いる熱処理装置を示す。図２に示すように，この熱処理装置においては，赤外線ランプによる加熱炉１１内に石英管１２が設けられている。この石英管１２内にはカーボンサセプタ１３が置かれ，このカーボンサセプタ１３上に熱処理を行うべき基板１４が載せられるようになっている。この図２に示す熱処理装置により熱処理を行うには，ｐ型ＧａＮ層３が成長されたｃ面サファイア基板１をカーボンサセプタ１３上に載せ，このカーボンサセプタ１３を石英管１２内に入れた後，この石英管１２内にＮ2 ガスを２ｌ／分の流量，トリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）を２００ｍｌ／分の流量で流しながら，加熱炉１１内で赤外線ランプによる赤外線照射によりｃ面サファイア基板１を急速加熱する。ここで，トリメチルアミンは０℃で１気圧程度の蒸気圧を有するが，ここでは，このトリメチルアミンをボンベに充填し，このボンベの温度を４０℃に温め，流量制御器を用いてその供給を制御した。
【００３６】図３および図４は，それぞれ，熱処理温度を１０００℃に固定し，熱処理時間を１分から１００分まで変化させたときのｐ型ＧａＮ層３の抵抗率および正孔濃度の変化を示す。図３および図４から明らかなように，抵抗率および正孔濃度とも，熱処理時間の増加によって著しく改善され，熱処理時間が１００分間では正孔濃度は約５×１０18ｃｍ-3，抵抗率は０．２〜０．３Ωｃｍとなっている。」
　
キ　従来の方法との比較
「【００３８】
一方，比較のために，従来の方法により熱処理を行ったｐ型ＧａＮ層３の熱処理温度による抵抗率の変化，熱処理時間による抵抗率の変化および熱処理時間による正孔濃度の変化をそれぞれ図５，図６および図７に示す
【００３９】すなわち，
図５は熱処理温度を８００〜１１００℃の範囲で変えて熱処理を３分間および１０分間行ったときの熱処理温度によるｐ型ＧａＮ層３の抵抗率の変化を示す。図５から明らかなように，熱処理温度が８００〜９００℃のときには抵抗率は約１０Ωｃｍに減少する
　　・・・
【００４１】図７は，ｐ型ＧａＮ層３の正孔濃度の熱処理時間による変化を示す。図７から明らかなように，熱処理時間が長くなるにしたがって正孔濃度は減少し，熱処理温度が１０００℃の場合の最適熱処理時間は１分以下であることがわかる。」
　
　ここで，上記ア〜ウを参照すると，「Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされたＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理」が，「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどを製造する」に際してなされる技術であることは明らかである。また，上記ウに記載されているように，「半導体レーザ」などの半導体素子が「電極」を備えることも明らかである。よって，引用例に記載された「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理」が，窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり電極を備える半導体素子の製造に際して用いられることは明らかである。
　また，上記ア〜ウを参照すると，上記キの「従来の方法により熱処理を行ったｐ型ＧａＮ層３」は，当該熱処理前には「Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされた」ＧａＮ層として「有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの気相成長法により」成長されたことは明らかである。さらに，上記キとともに図５を参照すると，「従来の方法」によって８００℃で熱処理されたｐ型ＧａＮ層３は約１０Ωｃｍの抵抗率となっていることが読み取れる。
　
　以上によれば，上記キに示される，「従来の方法」によって８００℃で熱処理を行うことに注目すると，引用例には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
　
「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり電極を備える半導体素子の製造に際して用いられる，窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理方法であって，
　有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの気相成長法によって成長された，Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされたＧａＮ層を真空中または不活性ガス中において８００℃で熱処理を行うことによりｐ型化する，窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理方法。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり電極を備える半導体素子の製造に際して用いられる，窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理方法」は，「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり電極を備える半導体素子の製造」方法を構成しているから，本願補正発明の「ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法」に対応する。
　
イ　引用発明の「有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの気相成長法によって成長された，Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされたＧａＮ層」は，本願補正発明の「気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜」に対応する。また，引用発明の「８００℃で熱処理を行うこと」は，本願補正発明の「200〜850℃の範囲で熱処理」する温度範囲内においてなされている。よって，引用発明の「Ｍｇなどのアクセプタ不純物がドープされたＧａＮ層を真空中または不活性ガス中において８００℃で熱処理を行うことによりｐ型化する」ことと，本願補正発明の「前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合，紫外線の照射なしに，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階」とは，「前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを含有する場合，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階」である点で共通する。
　
ウ　引用発明の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体中のアクセプタ不純物を活性化させるための熱処理方法」は，本願補正発明の「化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法」に相当する。
　
エ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって，
　前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを含有する場合，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む，化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法。」
である点で一致する。
　
オ　一方，両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明においては「ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合」としているが，引用発明においてはＭｇの含有量が明らかではない点。
《相違点２》
　本願補正発明においては「紫外線の照射なしに」「熱処理」するが，引用発明においては紫外線の照射の有無が明らかではない点。
　
（４）当審の判断
〈相違点１について〉
　前記第２　４．（２）イ〜エに摘示した引用例の記載によれば，「従来の技術」によって熱処理してもｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度「高々３×１０17ｃｍ-3程度」であるのは，「従来の技術」では，「熱処理時間を長くしたり，熱処理温度を高くしたりして結晶中に取り込まれた水素を脱離させることにより，ｐ型窒化物系化合物半導体の正孔濃度の増大および抵抗率の低減を図ることが可能である。しかしながら，結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させるために長時間または高温の熱処理を行うと，主として窒素が脱離することにより結晶自体が劣化してしまうという問題がある」（段落【００１０】）ためである。引用例には，「結晶の劣化を抑えつつ，長時間または高温の熱処理で結晶中の水素を１００％脱離させることができれば，ＭＢＥ法により成長されたｐ型ＧａＮ層並みの正孔濃度が得られると予想される。」（段落【００１１】）という発想のもと，「窒素放出過程において水素を放出しない窒素含有炭化水素を含む雰囲気中において窒化物系化合物半導体を熱処理するようにしていることにより，熱処理時に窒化物系化合物半導体から窒素が脱離するのを防止することができ，この窒素の脱離による窒化物系化合物半導体の結晶の劣化を抑えることができる。このため，より長時間，より高温の熱処理が可能となるので，成長時に窒化物系化合物半導体の結晶中に取り込まれた水素を十分に脱離させることができ，これによって水素により
不活性化されていたアクセプタ不純物を十分に活性化させ
　ところで，前記第２　４．（２）オ，カに摘示した引用例の「発明の実施の形態」によれば，熱処理の対象とされた「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層３中のＭｇ濃度を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法により分析したところ，９×１０19ｃｍ-3であ」り，熱処理後には「正孔濃度は約５×１０18ｃｍ-3，抵抗率は０．２〜０．３Ωｃｍ」となっている。一方，前記第２　４．（２）キに摘示したとおり，「
比較のために
不活性化されていたアクセプタ不純物を十分に活性化
　また，「発明の実施の形態」に係る熱処理が，「水素により
不活性化されていたアクセプタ不純物を十分に活性化
　したがって，引用発明の認定の基となった，上記前記第２　４．（２）キに示される，「従来の方法」によって８００℃で熱処理を行うことにおいて，Ｍｇ濃度は少なくとも９×１０19ｃｍ-3であるといえるから，相違点１は実質的な相違点ではない。
　仮に，相違点１が実質的な相違点であるとしても，有機金属化学気相成長法によって成長させるＧａＮ層について，ｐ型とすべく含有させるＭｇの濃度として5×1019cm-3以上の値は，以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より普通に採用される値である。
　
周知例１：　特開平９−３６４２３号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−３６４２３号公報には，図１，２とともに，以下の記載がある。
「【００１０】次に，この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は，有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) による気相成長により製造された。
　　・・・
【００１５】続いて，温度を1100℃に保持し，N2又はH2を20 liter／分，NH3 を 10liter／分，TMG を1.12×10-4モル／分，TMA を0.47×10-4モル／分，及び，CP2Mg を2×10-4モル／分で30分間導入し，
膜厚約0.5 μｍのマグネシウム(Mg)ドープのAl
0.08
Ga
0.92
N から成るｐ層６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は 5×10
20
/cm
3
である
【００１６】続いて，温度を1100℃に保持し，N2又はH2を20 liter／分，NH3 を 10liter／分，TMG を1.12×10-4モル／分，及び，CP2Mg を 4×10-3モル／分の割合で 4分間導入し，
膜厚約1 μｍのマグネシウム(Mg)ドープのGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタクト層６２のマグネシウムの濃度は 5×10
21
/cm
3
である
　
周知例２：　特開平９−１５３６４５号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−１５３６４５号公報には，図２とともに，以下の記載がある。
「【００１７】次に，この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は，有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) による気相成長により製造された。用いられたガスは，NH3 とキャリアガスH2又はＮ2 とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とジエチル亜鉛( 以下「DEZ 」と記す) とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下「CP2Mg 」と記す）である。
・・・
【００２２】続いて，温度を1100℃に保持し，N2又はH2を20 liter／分，NH3 を 10liter／分，TMG を1.12×10-4モル／分，TMA を0.47×10-4モル／分，及び，CP2Mg を2×10-4モル／分で60分間導入し，
膜厚約1.0 μｍのマグネシウム(Mg)ドープのAl
0.3
Ga
0.7
N から成るｐ層６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は1 ×10
20
/cm
3
である
【００２３】続いて，温度を1100℃に保持し，N2又はH2を20 liter／分，NH3 を 10liter／分，TMG を1.12×10-4モル／分，及び，CP2Mg を 4×10-4モル／分の割合で 4分間導入し，
膜厚約0.2 μｍのマグネシウム(Mg)ドープのGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタクト層６２のマグネシウムの濃度は 2×10
20
/cm
3
である
【００２４】このようにして，図２に示す断面構造のウエハが得られた。次に，このウエハを，４５０℃で４５分間，熱処理した。・・・。」
　
　それゆえ，引用発明において，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有させることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は実質的な相違点ではなく，そうでないとしても，当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
〈相違点２について〉
　引用例に記載されたものにおいては，前記第２　４．（２）カに摘示したとおり，赤外線ランプによる加熱炉１１を用いて加熱処理を行っているところ，当該加熱処理において照射される光について，引用例は他に何ら言及していないから，前記照射される光は赤外線であり，紫外線は実質的に照射されていないものといえる。そして，引用発明の認定の基となった，上記前記第２　４．（２）キに示される，「従来の方法」によって８００℃で熱処理を行うことにおいても，同じ加熱炉を用いることは，「比較のために」当然になされ，同様に，紫外線は実質的に照射されていないものといえる。また，仮にそうではないとしても，紫外線を実質的に照射しないことは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は実質的な相違点ではなく，そうでないとしても，当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）小括
　以上のとおり，本願補正発明は引用発明と同一であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し，仮にそうでないとしても，本願補正発明は，技術常識を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．平成２２年１２月２日付けの手続補正は，上記のとおり却下され，また，平成２２年７月１５日付けの手続補正は，同年７月３０日付けで却下されているので，本願の請求項１に係る発明は，平成２１年４月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「　　【請求項１】
　気相エピタキシ法で成長し，ｐ型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって，
　前記ｐ型不純物をドーピングした半導体薄膜が，ｐ型不純物としてMgを5×1019cm-3以上含有する場合，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む，化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法。」
　
２．引用発明
　引用発明は，前記第２の４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について，補正前の「前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む」を，補正後の「紫外線の照射なしに，前記化合物半導体薄膜を200〜850℃の範囲で熱処理する段階を含む」とする限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，引用発明と同一であり，仮にそうでないとしても，技術常識を勘案して，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明と同一であり，仮にそうでないとしても，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し，仮にそうでないとしても，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。