【事件の表示】
　特願２００５−４８００２「封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年９月７日出願公開、特開２００６−２３２９５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２３日の出願であって、平成２０年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月３０日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同年１０月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１１日に拒絶査定不服の審判が請求され、平成２１年１月１３日に手続補正書とともに審判請求書の手続補正書（方式）が提出され、同年３月１２日に前置報告がなされ、当審において平成２３年６月２８日付けで審尋がなされ、同年９月５日に回答書が提出され、当審で同年１１月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年２月６日に意見書とともに手続補正書が提出されたものである。
　  
　　
　　
第２　本願発明について
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２４年２月６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　  
「【請求項１】 
　エポキシ樹脂と硬化剤であるフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型若しくはビスフェノールＡ型又はこれらの水素添加型のエポキシ樹脂の中から選ばれる少なくとも一つを含み、さらにエポキシ樹脂として、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを、エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の３０〜８０％含み、フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物が少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であり、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０であり、さらに硬化剤として酸無水物を含み、フェノール性水酸基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：１０〜１００：１００であり、充填材として最大粒径が１〜４０μｍである球状非晶質シリカをエポキシ樹脂組成物全量に対して７５〜９４質量％使用し、硬化物のガラス転移温度が４０℃未満で、ガラス転移温度より低い温度における硬化物の線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃未満であることを特徴とする封止用液状エポキシ樹脂組成物。」
　  
　　
　　
第３　当審における拒絶理由の概要
　当審において、平成２３年１１月３０日付けで通知した拒絶理由は、本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものを含むものである。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
 　引用文献１：特開２００４−２７００５号公報
　
　
　
第４　当審拒絶理由の妥当性についての判断
　
１．引用文献１の記載事項
　本願の出願日前に日本国内において頒布されたことが明らかな引用文献１には、以下のことが記載されている。
　
（ａ）「【請求項１】　エポキシ樹脂と硬化剤と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物において、硬化物のガラス転移温度が４０℃〜８０℃、ガラス転移温度より低い温度における硬化物の線膨張係数が１５〜４０ｐｐｍ／℃であることを特徴とする封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項２】　室温における粘度が、５Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１に記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項３】　エポキシ樹脂として、ビスフェノールＦ型またはビスフェノールＡ型、またはこれらの水素添加型のエポキシ樹脂の中から選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項４】　エポキシ樹脂として、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを、エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の５〜５０％含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項５】　硬化剤としてフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物を含み、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項６】　硬化剤としてのフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物が、少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であることを特徴とする請求項５に記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項７】　硬化剤として酸無水物を含み、エポキシ基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：６０〜１００：１００であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
・・・ 
【請求項１１】　充填材として、最大粒径が１μｍ〜２０μｍである球状非晶質シリカを使用することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物。 
【請求項１２】　半導体チップの半導体回路側の面に樹脂層が配置され、かつ半導体チップに接続された多数の電極がその樹脂層を貫通して配置される半導体装置において、請求項１乃至１１のいずれかに記載の封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化物により上記樹脂層を形成して成ることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲請求項１〜７及び１１〜１２） 
　 
（ｂ）「【発明の属する技術分野】 
　本発明は、電子機器の実装体積を極小化するための実装システムで、液状エポキシ樹脂を封止材して用いて封止する分野において、封止材硬化後の封止物品の反りが少ないことを必要とする用途に関する発明である。具体的には、ウェハー全体を封止し硬化するプロセスを含むウェハーレベルＣＳＰや、アンダーフィルしたフリップチップ接続の特殊な半導体装置や、プリンタの熱転写あるいは感熱のためのヘッド部分など、反りを極小化する必要がある分野などに適用される封止用液状エポキシ樹脂組成物及びこの封止用液状エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置に関するものである。」（段落0001）  
　 
（ｃ）「【従来の技術】 
　従来より、電子部品や半導体装置を構成する半導体チップや基板等の部材を電気絶縁性を有する封止材で封止することが行なわれている。このような封止材としてはエポキシ樹脂を配合した液状エポキシ樹脂組成物が汎用されており、封止材を上記部材の表面に塗布した後、加熱硬化させることにより部材を封止するようにしている。しかしながら、従来では、封止材の硬化後に封止物品（電子部品や半導体装置）に反りが発生することがあった。封止材の硬化後に反りが生じるのは、硬化後の封止材を含めた複数の部材の熱膨張率に差があること及び封止材の硬化収縮が原因であると考えられるが、封止材に使用されるエポキシ樹脂の硬化システムは、熱硬化性樹脂の中では最も小さいクラスの硬化収縮なので、大きな影響とはなりにくい。従って、実質的には、いわゆるバイメタルのような部材間の熱膨張率ミスマッチに基づく反りが、最大の要因となっている。 
　バイメタル状の反りを生じる主因は、もちろん熱膨張率の差であるが、同時に部材の弾性率の大小も大きく影響する。なぜなら、熱膨張の差の分だけ変形すべきところ、湾曲の内側となる部材は伸ばされ、湾曲の外側となる部材は縮められる形で、双方の弾性率の大小に応じて、伸ばされる応力と縮められる応力が釣り合うように反るからである。 
　このことから、従来は上記のような反りを低減するために封止材について、低応力化と称して硬化後の封止材の弾性率をできるだけ下げる試みと硬化後の封止材の低線膨張率化の試みが採られてきた。低線膨張率化は、封止される部材（被封止材）にシリコンチップやセラミックスなどの硬化後の封止材よりも小さい線膨張係数を持つものが含まれることが多いので、硬化後の封止材の線膨張係数をできるだけ封止される部材の線膨張係数に近づけることを意味するものである。 
・・・ 
　また、硬化後の封止材の低線膨張率化は、シリカやアルミナなどの金属酸化物フィラーの含有量をできるだけ高めるというのが唯一の方法である。これは、液状の封止材の流動性を低下させて作業性を悪くする。また、硬化後の封止材の弾性率が高くなるので、これだけでは反りを小さくすることは困難である。 
・・・ 
【発明が解決しようとする課題】 
　本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、流動性に優れて作業性が良く、硬化後の封止物品の反りを極小化し、かつ高い封止信頼性を達成することができる封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用液状エポキシ樹脂組成物を用いて製造される半導体装置を提供することを目的とするものである。」（段落0002〜0008） 
　 
（ｄ）「【発明の実施の形態】 
　以下、本発明の実施の形態を説明する。 
　本発明に係る封止用液状エポキシ樹脂組成物は、電子部品や半導体装置を構成する半導体チップや基板等の部材を封止するために用いられるものであり、上記部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより、電気絶縁性を有する封止材が形成されるものである。 
　本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤を必須成分とする室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂組成物であり、且つその硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃〜８０℃、Ｔｇより低い温度における線膨張係数が１５〜４０ｐｐｍ／℃、好ましくは室温での曲げ弾性率が２ＧＰａ〜１５ＧＰａであるものである。 
　本発明の硬化物のＴｇが４０℃を下回ると、室温において硬化物がゴム状領域となってしまい、封止材を使用する主目的であるチップやバンプを補強する効果が弱まるので好ましくない。一方、本発明の硬化物のＴｇが８０℃よりも高くなると、通常１００〜１７０℃である硬化温度から、室温までの温度範囲において、硬化物がガラス状領域であって弾性率が高くなる温度の範囲が広くなり、それによって封止物品（電子部品や半導体装置など）の反りが大きくなるので好ましくない。 
　さらに、本発明の硬化物において上記Ｔｇより低い温度における線膨張係数が１５ｐｐｍ／℃を下回ると、それ自体は反りに対して不都合を生じるわけではないが、線膨張係数を下げるために充填材の含有量を増やすことで副次的に生じる本発明の著しい粘度上昇により、本発明の流動性が低下し、作業性が悪化するので好ましくない。また、逆に、本発明の硬化物において上記Ｔｇより低い温度における線膨張係数が４０ｐｐｍ／℃を超えると、温度サイクル性能に代表される封止信頼性が低くなり、また、封止物品の反りも大きくなる傾向となるので好ましくない。」（段落0024〜0028） 
　 
（ｅ）「特に、エポキシ樹脂として、ビスフェノールＦジグリシジルエーテルまたはビスフェノールＡジグリシジルエーテルまたは、これらの芳香環の二重結合に水素添加した型のエポキシ樹脂（いわゆる水添ビスＦエポキシあるいは水添ビスＡエポキシ）から選ばれる少なくとも一つを含むのが好ましく、これにより、本発明の粘度を低くすることが可能であり、かつ本発明の硬化物のＴｇを４０〜８０℃にするのが容易であり、本発明の硬化物の密着性を良好な水準に維持できるからである。 
　また、エポキシ樹脂として、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを、エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の５〜５０％含むことが更に好ましい。ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを使用すると本発明の硬化物のＴｇを低くすることができ、かつ、本発明の粘度を低く抑えることが可能で、かつ本発明の硬化物の密着性を高めることができる。エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の５％よりも少ないと、これらの効果が弱く、逆にエポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の５０％を超えると、本発明の硬化物の吸湿性が高くなり、耐湿信頼性が劣るので好ましくない。ここで、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルとは、ポリエチレングリコールやポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコールとエピクロルヒドリンの反応により得られる構造を持つものであり、ポリアルキレングリコールからなるユニットの繰り返し数は、一般には２０までであり、６〜１０程度が液体粘度が高すぎず、かつ気化しにくさの点で好ましい。
　また、硬化剤としてフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物を含み、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０となるように配合することが好ましい。フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物には、フェノールノボラックやクレゾールノボラック、ビスフェノール類などを例示できるが、これらを硬化剤として使用すると、硬化物の密着性が優れ、高い封止性能を実現できる。そして、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０であることが、本発明の硬化性、硬化物の強度、密着性などを最も優れる状態に維持できるので好ましい。この範囲からはずれると、本発明の硬化性が悪くなったり、硬化物の強度や密着性が低下したりして好ましくない。 
　また、フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物としては、少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であることが特に好ましい。アリル化フェノールの構造を持つ化合物は、アリル化フェノールノボラックに代表される化合物であるが、フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物の上記特徴に加えて、本発明の粘度を低くすることができる。」（段落0033〜0036） 
　 
（ｆ）「さらに、充填材としてはシリカ、アルミナ、窒化アルミ、ボロンナイトライド、窒化珪素、シリコンカーバイド、炭酸カルシウムなどの無機フィラーを用いることができるが、最大粒径が１μｍ〜２０μｍである球状非晶質シリカを使用することが特に好ましい。粒子形状が球状であると、破砕状や異形の場合よりも、充填剤の含有量を高めた際の本発明の粘度増加を抑えることができるので好ましい。また、非晶質シリカはアモルファスシリカとも呼ばれるが、単一金属元素からなる酸化物あるいは窒化物あるいは炭化物の中で、最も熱膨張率が小さいという特徴から、本発明の線膨張係数を上記の範囲に入るよう抑えることに好都合である。このような球状非晶質シリカの最大粒径が１μｍより小さくなると、そのようなシリカ粉はフュームドシリカと呼ばれるような、比表面積が極めて大きなものとなり、本発明の粘度を著しく高めてしまうので好ましくない。一方、球状非晶質シリカの最大粒径が２０μｍを超えると、本発明を狭い隙間に毛細管現象を利用して充填させようとする場合や、ワイヤーボンディングの金ワイヤー間隔が数十μｍといった高密度ボンディングの素子を、ワイヤー間隔を変化させずに封止しようとする場合などに不都合が生じるので好ましくない。 
　本発明では充填材は全量に対して４０〜８０質量％配合することができる。」（段落0041〜0042） 
　 
（ｇ）「上記のようにして調製される本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物は、硬化後に封止物品の反りが少ないことを必要とする用途、具体的には、ウェハー全体を封止し硬化するプロセスを含むウェハーレベルＣＳＰや、アンダーフィルしたフリップチップ接続の特殊な半導体装置や、プリンタの熱転写あるいは感熱のためのヘッド部分など、反りを極小化する必要がある分野に好適に使用することができる。 
　特に、図１に示すように、シリコンチップ等の半導体チップ１の半導体回路側の面２には樹脂層３が配置され、かつ半導体チップ１に接続された多数の電極４がその樹脂層３を貫通して配置された型式の半導体装置において、半導体チップ１の半導体回路側の面２に配置されている樹脂層３を形成するために、本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物を好適に使用することができる。この形態の半導体装置は、一般にはＣＳＰ（チップスケールパッケージあるいはチップサイズパッケージ）と呼ばれる範疇のものであり、半導体チップ１を個片化する以前のシリコンウェハーの段階でＣＳＰへの加工を行うことからＷＬ（ウェハーレベル）あるいはＷＳ（ウェハースケール）のＣＳＰと呼ばれ、ＷＬ−ＣＳＰ、ＷＳ−ＣＳＰと略されているものである。 
　本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物を使用して、ＷＬ−ＣＳＰを製造するには特許第３０８４０２１号公報に記載の方法を例示できる。すなわち、まず、ＣＳＰとなったときにバンプが形成される位置にあるウェハー上のパッド部５に、樹脂層３を貫通することになるポスト６としての金属を形成する。ポスト６を形成する方法としては、具体的には、パッド部５にフラックスを印刷し、その上にメタルマスクを利用して半田ボールを載せリフローする方法や、パッド部５にハンダペーストを印刷しリフローする方法、あるいはパッド部５に銅などの金属をメッキ法により成長させる方法などがある。次に、ポスト６としての金属が形成されたウェハーに、本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物を印刷し、加熱硬化させる。印刷は常圧印刷でも真空印刷でも良い。常圧印刷の場合は、印刷後に減圧下に置いて、組成物中のボイドを除く処理を行うのが好ましい。加熱硬化は、常圧でも加圧下でも良いが、加圧下の方が硬化物中のボイドをより少なくすることができる。また硬化条件は、８０〜１２０℃で３０分〜２時間の１段目硬化を行った後に、１５０〜１７０℃で１〜６時間の２段目硬化を行うという２ステップ硬化を例示できる。フェノール性水酸基を有する化合物を硬化剤として使用した場合は、このような２ステップ硬化以外にも、１００〜１７０℃で３０分〜６時間の１ステップ硬化を採用することもできる。 
　硬化後のウェハーは、本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化物が適切なＴｇや弾性率、線膨張係数を有していることにより、例えば、１０ｃｍ径のウェハーで３００μｍ以下の反りとなるような、小さな反りを実現できる。 
　次に、封止用液状エポキシ樹脂組成物の硬化後のウェハーを樹脂層３側から研磨し、ポスト６と樹脂層３の高さを揃える。必要に応じて、その後にウェハーの背面を研磨し、総厚みを小さくする工程を採ることもある。また、半導体チップ１の背面保護やマーキング性向上のため、ウェハーの背面に本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物あるいは、他の樹脂を塗布、硬化しても良い。 
　次に、半田等を用いてＣＳＰのバンプ７の形成を行う。具体的には、樹脂層３の表面に露出するポスト６の端面にフラックスを印刷し、その上にメタルマスクを利用して半田ボールを載せてリフローする方法や、ポスト６にハンダペーストを印刷してリフローする方法などがある。 
　このようにして得られたウェハーをダイシングにより個片化すると、ポスト６とバンプ７からなる金属製の電極４を備えたＣＳＰを得ることができる。このＣＳＰは、密着性が良く、線膨張係数も適切なエポキシ樹脂組成物が使用されているので、また反りが小さいため内部応力が低いので、温度サイクル性や耐湿信頼性に優れているものである。」（段落0046〜0052） 
　 
（ｈ）「（実施例１〜６及び比較例１、２） 
　下記の表１に示す原材料の配合量（単位は質量部）及び製造法で、実施例１〜６及び比較例１、２を調製した。 
　ここで、表１において使用した原材料は次のものである。 
（エポキシ樹脂） 
樹脂Ａ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤＦ−８１７０」、エポキシ当量１６０） 
樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤ−８１２５」、エポキシ当量１７２） 
樹脂Ｃ：ナフタレン環含有エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、品番「ＨＰ−４０３２」、エポキシ当量１４３） 
樹脂Ｄ：ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル（東都化成株式会社製、品番「ＰＧ−２０７」、エポキシ当量３１８） 
樹脂Ｅ：水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシ株式会社製、品番「ＹＬ６７５３」、エポキシ当量１８０） 
（硬化剤） 
硬化剤Ａ：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（ＭＨＨＰＡ、大日本インキ化学工業株式会社製、品番「Ｂ−６５０」、酸無水物当量１６８） 
硬化剤Ｂ：グルタル酸無水物（ナカライテスク株式会社製、酸無水物当量１１４） 
硬化剤Ｃ：ドデセニル無水コハク酸（新日本理化株式会社製、品番「リカシッドＤＤＳＡ」、酸無水物当量２６６） 
硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック、明和化成株式会社製、品番「ＭＥＨ８０００Ｈ」、水酸基当量１４１） 
（硬化促進剤） 
促進剤Ａ：アミンアダクト（株式会社味の素製、品番「アミキュアＰＮ２３」） 
促進剤Ｂ：イミダゾール類を核とするマイクロカプセル（旭化成工業株式会社製、品番「ノバキュアＨＸ３０８８」） 
（添加剤） 
添加剤：カーボンブラック（三菱化学株式会社製、品番「ＭＡ１００」） 
（充填材） 
充填材Ａ：球状非晶質シリカ（三菱レーヨン株式会社製、品番「ＱＳ−６」、最大粒径２０μｍ） 
充填材Ｂ：球状非晶質シリカ（株式会社アドマテックス製、品番「ＳＯ−２５Ｈ」、最大粒径３μｍ） 
　また、表１において採用した製造法は次の通りである。 
（製造法Ａ）促進剤以外の成分を混合し、特殊機化工業製ホモミキサーにて３０００〜５０００ｒｐｍで分散、混合の後、促進剤を加え、特殊機化工業製ホモディスパーにて３００〜５００ｒｐｍで分散、混合してエポキシ樹脂組成物を調整した。 
（製造法Ｂ）促進剤以外の成分を混合し、三本ロールにて分散、混合の後、促進剤を加え、特殊機化工業製ホモディスパーにて３００〜５００ｒｐｍで分散、混合してエポキシ樹脂組成物を調整した。 
（製造法Ｃ）促進剤以外の成分を混合し、ゲッツマン社製ビーズミルにて分散、混合の後、促進剤を加え、特殊機化工業製ホモディスパーにて３００〜５００ｒｐｍで分散、混合してエポキシ樹脂組成物を調整した。 
【表１】 
　尚、上記の表１において当量比（１００：）とは、エポキシ当量１００に対する硬化剤当量を示し、フィラー質量％とは封止用液状エポキシ樹脂組成物中における充填材の質量％を示す。また、実施例１では樹脂Ｄを全エポキシ樹脂中にエポキシ当量比で１０％配合したものであり、また、実施例３は樹脂Ｄを全エポキシ樹脂中にエポキシ当量比で５０％配合したものである。
　実施例１〜６及び比較例１、２で得られた封止用液状エポキシ樹脂組成物の特性を次の方法で測定した。測定結果を下記の表２に示す。 
　（１）エポキシ樹脂組成物の粘度 
　室温（２５℃）にてＢ型粘度計を用いて測定した。 
　（２）曲げ弾性率 
　実施例１〜６及び比較例１、２を硬化させて、８０ｍｍ以上長×１０ｍｍ幅×３ｍｍ厚の試験片を形成し、引張圧縮試験機による３点曲げ試験により室温で評価した。試験速度２ｍｍ／ｍｉｎ．、支点間距離４８ｍｍとし、試験片が折れるまで荷重を加えた。実施例１〜６及び比較例１、２の硬化は１００℃で１時間加熱した後、１５０℃で３時間加熱して行なった。 
　（３）線膨張係数 
　熱分析計ＴＭＡにより評価した。実施例１〜６及び比較例１、２を硬化させて、５ｍｍ×５ｍｍ×２０ｍｍ長の試験片を形成し、この試験片を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎ．により−６０℃〜２６０℃まで測定した。実施例１〜６及び比較例１、２の硬化は１００℃で１時間加熱した後、１５０℃で３時間加熱して行なった。 
　（４）ガラス転移温度（Ｔｇ） 
　粘弾性スペクトルメーター（ＤＭＡ）の曲げモードにて評価した。試験片は、実施例１〜６及び比較例１、２を１００℃で１時間加熱した後、１５０℃で３時間加熱して形成したものであって、５ｍｍ幅×５０ｍｍ長×０．２ｍｍ厚に切り出したものを用いた。昇温は２℃／ｍｉｎ．により−６０℃〜２６０℃まで測定した。 
　（５）反り 
　４インチで３００μｍ厚のウエハーの表面に実施例１〜６及び比較例１、２を直径８０ｍｍで０．２ｍｍ厚に塗布し、１００℃で１時間加熱した後、１５０℃で３時間加熱することによって、塗布した実施例１〜６及び比較例１、２を硬化させた。実施例１〜６及び比較例１、２の硬化後、三次元座標顕微鏡により裏面（実施例１〜６及び比較例１、２が塗布されていない面）の中心点と円周上に等間隔にとった８点とのＺ座標（裏面と直交する方向に座標）の差の平均値を算出することにより反り量を評価した。 
【表２】 
　表２にみられるように、実施例１〜６のものと比較例１，２のものとを比較すると、各実施例のものはいずれもが封止物品の反りが極小化され、実使用下において問題なく使用できることが確認される。一方、比較例１、２のものは、室温における粘度が、５Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓの範囲にないことから平面形状に塗布する場合の作業性や、ディスペンサーで塗布する場合の作業性、あるいはフリップチップのアンダーフィルを行う場合の作業性が十分ではなく、反りの点でも著しく悪いため実用に供さないことが確認される。この結果、本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物は、例えば、特許第３０８４０２１号公報に記載の電子部品の製造方法等に好適に用いることことができるものである。」（段落0054〜0065） 
　 
２．引用文献１に記載された発明 
　引用文献１の実施例１には、「樹脂Ａ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤＦ−８１７０」、エポキシ当量１６０）が３６．５６質量部、樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤ−８１２５」、エポキシ当量１７２）が３．５２質量部、樹脂Ｄ：ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル（東都化成株式会社製、品番「ＰＧ−２０７」、エポキシ当量３１８）が１０．１３質量部、硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック、明和化成株式会社製、品番「ＭＥＨ８０００Ｈ」、水酸基当量１４１）が３７．７７質量部、促進剤Ｂ：イミダゾール類を核とするマイクロカプセル（旭化成工業株式会社製、品番「ノバキュアＨＸ３０８８」）が１．７８質量部、添加剤：カーボンブラック（三菱化学株式会社製、品番「ＭＡ１００」）が０．２６質量部、充填材Ａ：球状非晶質シリカ（三菱レーヨン株式会社製、品番「ＱＳ−６」、最大粒径２０μｍ）が１５７．５質量部、充填材Ｂ：球状非晶質シリカ（株式会社アドマテックス製、品番「ＳＯ−２５Ｈ」、最大粒径３μｍ）が５２．５質量部からなり、エポキシ当量１００に対する硬化剤当量１００であり、フィラー重量７０％であるエポキシ樹脂組成物」（摘示ｈ）が記載されている。 
　そして、引用文献１の摘示ａから、上記のエポキシ樹脂組成物は、「エポキシ樹脂と硬化剤と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物」に相当することも明らかである。 
　そうすると、引用文献１には、「エポキシ樹脂と硬化剤と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物であって、樹脂Ａ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤＦ−８１７０」、エポキシ当量１６０）が３６．５６質量部、樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤ−８１２５」、エポキシ当量１７２）が３．５２質量部、樹脂Ｄ：ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル（東都化成株式会社製、品番「ＰＧ−２０７」、エポキシ当量３１８）が１０．１３質量部、硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック、明和化成株式会社製、品番「ＭＥＨ８０００Ｈ」、水酸基当量１４１）が３７．７７質量部、促進剤Ｂ：イミダゾール類を核とするマイクロカプセル（旭化成工業株式会社製、品番「ノバキュアＨＸ３０８８」）が１．７８質量部、添加剤：カーボンブラック（三菱化学株式会社製、品番「ＭＡ１００」）が０．２６質量部、充填材Ａ：球状非晶質シリカ（三菱レーヨン株式会社製、品番「ＱＳ−６」、最大粒径２０μｍ）が１５７．５質量部、充填材Ｂ：球状非晶質シリカ（株式会社アドマテックス製、品番「ＳＯ−２５Ｈ」、最大粒径３μｍ）が５２．５質量部からなり、エポキシ当量１００に対する硬化剤当量１００であり、フィラー重量７０％であるエポキシ樹脂組成物」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
　  
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック」は、本願発明における「アリル化フェノールの構造を持つ化合物」に対応している。
　そして、引用発明における全エポキシ基のモル数を計算すると、樹脂Ａ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤＦ−８１７０」、エポキシ当量１６０）が３６．５６質量部、樹脂Ｂ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、品番「ＹＤ−８１２５」、エポキシ当量１７２）が３．５２質量部及び樹脂Ｄ：ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル（東都化成株式会社製、品番「ＰＧ−２０７」、エポキシ当量３１８）が１０．１３質量部であることから、樹脂Ａは３６．５６／１６０＝０．２２８５、樹脂Ｂは３．５２／１７２＝０．０２０５、樹脂Ｄは１０．１３／３１８＝０．０３１９、であり、併せて０．２２８５＋０．０２０５＋０．０３１９＝０．２８０９と計算され、引用発明における全フェノール性水酸基のモル数を計算すると、硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック、明和化成株式会社製、品番「ＭＥＨ８０００Ｈ」、水酸基当量１４１）が３７．７７質量部であることから、硬化剤Ｄが３７．７７／１４１＝０．２６７９と計算されるから、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比は、「１００：約９５」と計算され、これは本願発明の「１００：９０〜１００：１１０」と重複一致する。
　また、引用発明における「樹脂Ｄ：ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル（東都化成株式会社製、品番「ＰＧ−２０７」、エポキシ当量３１８）」の全エポキシ樹脂中の含有量を計算すると、エポキシ当量比で、樹脂Ｄは１０．１３／３１８＝０．０３１９、樹脂Ａは３６．５６／１６０＝０．２２８５、樹脂Ｂは３．５２／１７２＝０．０２０５であることから、樹脂Ｄの全エポキシ樹脂中の含有量は、エポキシ当量比で「１１．３％」と計算される。
　そうすると、両者は、「エポキシ樹脂と硬化剤であるフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型若しくはビスフェノールＡ型又はこれらの水素添加型のエポキシ樹脂の中から選ばれる少なくとも一つを含み、さらにエポキシ樹脂として、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを含み、フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物が少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であり、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０であり、充填材として最大粒径が１〜４０μｍである球状非晶質シリカを使用してなる封止用液状エポキシ樹脂組成物。」である点で一致し、以下の相違点で相違する。
　  
　＜相違点１＞
　ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルの含有量が、本願発明では、「エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の３０〜８０％含み」と規定しているのに対し、引用発明では、「１１．３％」である点
　  
　＜相違点２＞
　エポキシ樹脂組成物全量に対する球状非晶質シリカの使用量が、本願発明では、「７５〜９４質量％」であると規定しているのに対し、引用発明では、「７０重量％」である点
　
　＜相違点３＞
　硬化物のガラス転移温度が、本願発明では、「４０℃未満」であるのに対し、引用発明では、「７０℃」である点
　
　＜相違点４＞
　ガラス転移温度より低い温度における硬化物の線膨張係数が、本願発明では、「５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃未満である」のに対し、引用発明では、「２６ｐｐｍ／℃」である点
　
　＜相違点５＞
　硬化剤が、本願発明では、「少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であるフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物に加えて、酸無水物を含み、フェノール性水酸基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：１０〜１００：１００である」のに対し、引用発明では、「硬化剤Ｄ：アリル化フェノールノボラック」のみである点
　 
４．相違点に対する判断
（１）相違点１及び３について
　引用文献１には、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルの含有量について、「エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の５〜５０％含む」（摘示ａの請求項４及び摘示ｅ）と記載されており、「ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを使用すると本発明の硬化物のＴｇを低くすることができ、かつ、本発明の粘度を低く抑えることが可能で、かつ本発明の硬化物の密着性を高めることができる。」（摘示ｅ）とも記載されている。
　ここで、本願の出願日前に日本国内において頒布されたことが明らかな特開２００４−１２８３５３号公報には、チップスケールパッケージ等の半導体パッケージにおいて、ウエハ（半導体素子）の反りを低減することが求められており、そのためのエポキシ樹脂組成物においては、低ガラス転移温度化と低線膨張化の２通りの方向があることが記載されており、実施例では、硬化物のＴｇが２０℃であるものが記載されている（段落0002、0003、0010及び0023）。
　そうすると、エポキシ樹脂組成物によるチップスケールパッケージ等の半導体パッケージにおいて、ウェハの反りを低減するには、封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物のＴｇ（ガラス転移温度）を低くすることが有効であることが本願の出願日前に一般に知られていたということができる。
　そうであれば、引用発明において、ウェハの反りをさらに低減することを目的として、硬化物のＴｇを低くすること、及びそのために硬化物のＴｇを低くすることができる成分として引用文献１に記載されている「ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテル」の配合割合を、エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の「１１．３％」から「３０〜５０％」程度に増やしてみることは、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）であれば、容易になし得ることにすぎず、その結果、硬化物のＴｇは当然に低下することとなり、「７０℃」から「４０℃未満」となっているものと認められる。
　 
（２）相違点２及び４について
　上記４．（１）で述べたとおり、エポキシ樹脂組成物によるチップスケールパッケージ等の半導体パッケージにおいて、ウェハの反りを低減するには、封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物のＴｇ（ガラス転移温度）を低くすること以外にも、硬化物の線膨張係数を小さくすることが有効であることが本願の出願日前に一般に知られていたということができる。
　また、引用文献１の摘示ｇ及びｈにおいて、本発明の封止用液状エポキシ樹脂組成物が好適に用いることができるものであるとして引用する、本願の出願日前に日本国内において頒布されたことが明らかな特許第３０８４０２１号公報（段落0014〜0015）及び特開２００１−２７４１８２号公報（段落0015〜0016）には、封止を行う際に用いられる液状の封止樹脂が硬化後にウェハの反りが極めて少なくなるよう抑えられるものが好ましいこと、それが例えば、直径８インチ、厚さ４００μｍのウェハの表面に液状の封止樹脂を塗布し、この液状の封止樹脂を硬化させたときに、ウェハの反りが１ｍｍ以下であることが好ましいこと、そして、液状の封止樹脂としては、樹脂硬化成分中にシリカ粉末が８０重量％以上含まれ、硬化収縮率が０．１％以下であり、熱膨張係数が１２ｐｐｍ以下である日本レック（株）のＮＰＲ−７８５Ｎが最良であること、が記載されている。そして、当該「ＮＰＲ−７８５Ｎ」が、液状のエポキシ樹脂に硬化剤や充填剤等を添加した配合物であることも明らかである（例えば、特開平１０−１８９６２６号公報の段落0018及び特開平１０−１４４７０７号公報の段落0025を参照のこと）。
　そして、引用文献１には、非晶質シリカについて、「非晶質シリカはアモルファスシリカとも呼ばれるが、単一金属元素からなる酸化物あるいは窒化物あるいは炭化物の中で、最も熱膨張率が小さいという特徴から、本発明の線膨張係数を上記の範囲に入るよう抑えることに好都合である」（摘示ｆ）と記載されている。
　そうであれば、引用発明において、ウェハの反りをさらに低減することを目的として、硬化物の線膨張係数を１２ｐｐｍ以下程度とすること、及びそのために硬化物の線膨張係数を小さくすることができる成分として引用文献１に記載されている「球状非晶質シリカ」の使用量を、「７０重量％」から「８０〜９４質量％」程度に増やしてみることは、当業者であれば、容易になし得ることにすぎず、その結果、硬化物の線膨張係数は当然に低下することとなり、「２６ｐｐｍ／℃」から「５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃未満」となっているものと認められる。
　
（３）相違点５について
　エポキシ樹脂組成物において、硬化剤として、アリル化フェノール等のフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物と酸無水物とを併用すること、そして酸無水物を併用した場合の効果として組成物の粘度が低いことも、当該技術分野における周知技術にすぎないものと認められる（例えば、特開平６−３０６１４３号公報、特開平７−２０６９９７号公報、特開平８−１７６２８０号公報及び新保正樹編「エポキシ樹脂ハンドブック」（昭和６２年１２月２５日、日刊工業新聞社発行）ｐ．１７９を参照のこと。）から、引用発明において、硬化剤としてさらに「酸無水物」を併用し、その使用量を「フェノール性水酸基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：１０〜１００：１００」程度としてみることは、当業者であれば格別の困難性を要することなくなし得ることにすぎない。
　
　また、本願発明によりもたらされる効果が引用文献１及び上記周知技術からみて格別顕著であるということもできない。
　
５．まとめ  
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
　
第５　請求人の主張についての検討
　
　請求人は、平成２４年２月６日に提出した意見書において、「（１）本願発明の説明
・・・
　（ａ）『さらに硬化剤として酸無水物を含み、フェノール性水酸基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：１０〜１００：１００である点。』
・・・
（３）本願発明と引用文献１等に記載された発明との対比
　本願発明と引用文献１に記載された発明とは、エポキシ樹脂と硬化剤であるフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物と充填材とを必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布後、加熱硬化させることにより封止材として使用される室温で液状のエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型若しくはビスフェノールＡ型又はこれらの水素添加型のエポキシ樹脂の中から選ばれる少なくとも一つを含み、さらにエポキシ樹脂として、ポリアルキレングリコール・ジグリシジルエーテルを、エポキシ当量比で全エポキシ樹脂中の３０〜５０％含み、フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物が少なくともアリル化フェノールの構造を持つ化合物であり、エポキシ基のモル数とフェノール性水酸基のモル数の比が１００：９０〜１００：１１０であり、充填材として最大粒径が１〜２０μｍである球状非晶質シリカをエポキシ樹脂組成物全量に対して７５〜８０質量％使用する点では共通する。
　しかし、引用文献１においては、上記（ａ）のような構成については、何ら記載も示唆もされていない。
　この点、審判官殿は、補正前の請求項３に係る発明について、『エポキシ樹脂組成物において、硬化剤として、『フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物』と『酸無水物』とを併用することは、文献を示すまでもなく当該技術分野における周知慣用手段にすぎないものと認められるから、引用発明において、硬化剤として、さらに『酸無水物』を併用し、その使用量を『フェノール性水酸基のモル数と酸無水物基のモル数の比が１００：１０〜１００：１００』程度としてみることに格別の困難性は見当たらないし、またこれにより本願発明３が格別顕著な効果を奏するともいえない。』と認定されている。
　しかし、『フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物』及び『酸無水物』がそれぞれ硬化剤として周知であるとしても、特定のエポキシ樹脂及び充填材を用い、硬化物のガラス転移温度及び線膨張係数を特定の範囲に限定した上で『フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物』及び『酸無水物』を併用することまで周知慣用手段とはいえない。仮に周知慣用手段であるとしても、引用文献１等に『フェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物』及び『酸無水物』の併用について記載も示唆もされていない以上、両者の量的関係を上記（ａ）のように規定することは周知慣用手段とはいえず、むしろ当業者の通常の創作能力の発揮の範囲を大きく超えるものである。
　したがって、本願発明の（ａ）の構成を具備しない引用文献１等に記載された発明では、本願発明が（ａ）の構成から奏した上記のような、『粘度を低く抑えることができ、硬化物の吸湿性が低くかつ硬化物の絶縁特性が良好となり、優れた作業性及び封止信頼性を実現することができる』という効果を期待することはできないものであり、この点において本願発明と引用文献１等に記載された発明とは明らかに別異のものである。」と主張している。
　
　しかしながら、上記第４　４．（３）でも述べたとおり、エポキシ樹脂組成物において、硬化剤として、アリル化フェノール等のフェノール性水酸基を１分子内に複数有する化合物と酸無水物とを併用すること、そして酸無水物を併用した場合の効果として組成物の粘度が低いことも、当該技術分野における周知技術にすぎないものと認められるのであるから、引用発明においてかかる周知技術を適用することに格別の困難性はみあたらないといわざるを得ないし、それによりもたらされるとして請求人が主張する効果は、いずれも組成物が低粘度であることに起因するものであって、当業者であれば予測し得る程度のものにすぎないということができる。
　そうすると、請求人のこの主張は受け入れられるものではない。
　
　
　
第６　むすび 
　 
　以上のとおり、当審において通知した拒絶理由は妥当なものであるから、本願は、この理由によって拒絶をすべきものである。
　 
　よって、結論のとおり審決する。