【事件の表示】
　特願２００４−３５４２８９「有機ＥＬ素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月２２日出願公開、特開２００６−１６４７３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１６年１２月　７日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　５月２５日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年　７月　２日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　８月１２日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年１１年１１日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２３年１２月　１日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２４年　２月　６日  
　　意見書　　　　　　　：平成２４年　２月　６日  
 　 　　　 　  
第２　本願発明について  
　本願の請求項１、４に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」、「本願発明４」という。）は、平成２４年　２月　６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
 　　  　
「【請求項１】
　第１基板と、
　前記第１基板と離間して対向する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板とを封止し、前記第１基板と前記第２基板との間に封止空間を形成するシールと、
　前記第１基板上にそれぞれ設けられたソースライン、ゲートライン、電源ライン、及び画素電極と、
　前記ソースラインに接続された第１ＴＦＴと、
　前記電源ラインに接続された第２ＴＦＴと
を少なくとも有し、
　前記電源ラインは、前記第２ＴＦＴを介して前記画素電極に接続され、
　前記ソースライン、前記ゲートライン、及び前記電源ラインが前記封止空間内に設けられた有機ＥＬ素子であって、
　前記ソースラインと接続され、前記封止空間内から引き出されたソース引き出し電極と、
　前記電源ラインと接続され、前記封止空間内から引き出された電源引き出し電極とを有し、
　前記ゲートライン及び前記画素電極の厚みが、前記ソースラインの厚みよりも薄く形成され、
　前記ソース引き出し電極又は前記電源引き出し電極は、前記画素電極と同一工程で形成されている有機ＥＬ素子。」
　　　　　
「【請求項４】
　第１基板と、
　前記第１基板と離間して対向する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板とを封止し、前記第１基板と前記第２基板との間に封止空間を形成するシールと、
　前記第１基板上にそれぞれ設けられたソースライン、ゲートライン、電源ライン、及び画素電極と、
　前記ソースラインに接続された第１ＴＦＴと、
　前記電源ラインに接続された第２ＴＦＴと
を少なくとも有し、
　前記電源ラインは、前記第２ＴＦＴを介して前記画素電極に接続され、
　前記ソースライン、前記ゲートライン、及び前記電源ラインが前記封止空間内に設けられた有機ＥＬ素子であって、
　前記ソースラインと接続され、前記封止空間内から引き出されたソース引き出し電極と、
　前記電源ラインと接続され、前記封止空間内から引き出された電源引き出し電極とを有し、
　前記ゲートライン及び前記画素電極の厚みが、前記ソースラインの厚みよりも薄く形成され、
　前記ソース引き出し電極又は前記電源引き出し電極は、前記画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている有機ＥＬ素子。」
 　　　  
第３　当審における拒絶の理由  
　当審で通知した平成２３年１２月１日付け拒絶理由通知書の理由１、３で指摘した内容は、概略次のとおりである。  
 　  
「理由１  
　この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　本願発明１〜９において、 
「ソース引き出し電極及び／又は電源引き出し電極はゲートライン又は画素電極と同一工程で形成されている」 
　または、 
「ソース引き出し電極及び／又は電源引き出し電極はゲートライン又は画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている」 
　という発明特定事項があるが、発明の詳細な説明において、「ソース引き出し電極」、「電源引き出し電極」、「ゲートライン」及び「画素電極」の形成方法が記載されておらず、どのようにして「同一工程で形成」するのか、また、どのようにして「同一の材料により、同一の厚み」とするのかが当業者であっても理解が困難である。 
　一般に、「ソース引き出し電極及び／又は電源引き出し電極」と「ゲートライン又は画素電極」とでは、形成する層の高さも位置も異なるから、どのような工程であれば「同一工程」で形成できるのか分からないし、どのようにすれば「同一の厚み」とすることができるのかも分からない。 
　特に、「画素電極」は、基板上に複数の配線層や絶縁層を形成した後に形成されるものであり、画素領域と封止領域とでは表面形状も異なるから（各領域で異なる構造（段差等）が存在する。）、「同一の厚み」の実現は困難であると考えられる。例えば、図１４、１６において、「ソース引き出し電極」や「電源引き出し電極」は基板に対して垂直方向に沿って形成される領域も有しており、このような部分をどのようにすれば「同一の厚み」とできるのかが理解困難である。 
 　　　　　　　 
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜９を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。」
 　　　  
「理由３  
　本願発明１〜９は、本願の優先日前に日本国内または外国において頒布された下記の刊行物（引用例１〜２）に記載された発明に基づいて、本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
 　 　  
　　　　　　　　　　　　　　　　　記  
〔引用例一覧〕  
・引用例１：特開２００３−１６７２５８号公報  
・引用例２：特開２００４−７０３０８号公報  
 　　　  
〔当審の判断〕  
・・・（中略）・・・　　　　 
（５）本願発明１〜９について；引用例１〜２ 
　（備考） 
・・・（中略）・・・
（５ｂ）引用例２の発明の実施の形態には、電極引き出し構造に関して、ブリッジ状導電膜を透明画素電極６３と同時に形成される導電膜とする発明が記載されている（例えば、段落【００６５】、【００９１】及び図３）。 
　引用例２の記載では、ブリッジ状導電膜はさらに接続パッド１４を介して外部に導出されるものであるが、配線構造を単純化することは当業者が通常行うことであるから、ブリッジ状導電膜自体を接続パッド１４の代わりに外部への引き出し電極となるように構成することは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。 
　あるいは、透明画素電極６３と同時に形成される導電膜で、ブリッジ状導電膜ではなく、接続パッドを形成することも、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。 
　その他細部に関しては、引用例１に記載された技術や周知の技術に過ぎない。 
　よって、本願発明１〜９は、引用例１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。」  
 　  
第４　請求人の主張 
　平成２４年　２月　６日付け意見書における請求人の主張は、概略次のとおりである。 
 　　 
１　拒絶の理由１（実施可能要件）について 
「（３）理由１：記載不備について
・・・（中略）・・・
ｂ．発明の詳細な説明について
出願当初の明細書には、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一工程で形成されている」、及び「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている」との明示的な記載はありません。
　しかしながら、出願当時の技術常識を考慮すれば、段落［００４１］に記載の「有機ＥＬ素子１では、ソース引き出し電極３０がゲートライン１３と同一膜により形成されているため、ソース引き出し電極３０をゲートライン１３と同一工程で形成することができる」という内容、段落［００５１］に記載の「有機ＥＬ素子１では、電極引き出し電極３２がゲートライン１３と同一膜により形成されているため、電極引き出し電極３２をゲートライン１３と同一工程で形成することができる」という内容、段落［００７４］に記載の「有機ＥＬ素子２では、ソース引き出し電極１３０が画素電極１２１と同一膜から形成されている」という内容、及び段落［００７７］に記載の「有機ＥＬ素子２では、電源引き出し電極１３２が画素電極１２１と同一膜から形成されている」という内容に基づいて、当業者であれば、その製造方法、即ち、ソース引き出し電極または電源引き出し電極と画素電極とは同時に成膜され、フォトリソグラフィー等の技術により同時に形成される（即ち、同一工程で形成される、または同一の材料により、同一の厚みで形成される）と理解できると言えます。従って、ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一工程で形成されること、及びソース引き出し電極又は電源引き出し電極と画素電極とは同一の材料により、同一の厚みで形成されることは直ちに理解されると言え、このことは、出願当初の明細書に記載されている事項から本願出願時における技術常識を参酌することにより導き出せるものであり、出願当初の明細書に記載されているに等しい事項であると言えます。
　また、本願の発明では、画素電極と、ソース引き出し電極または電源引き出し電極とを同一の高さで形成する必要はなく、ソース引き出し電極または電源引き出し電極を、画素電極と同一の材料により形成して、ソース引き出し電極または電源引き出し電極の層厚をより薄くすることができるため、大きな段差を形成することなく、例えば、図１５に示すように、シールにより、封止基板と第１基板との間をより確実に封止することができます。
　即ち、本願の発明における「同一工程で形成」、及び「同一の材料により同一の厚みで形成」とは、画素電極の工程で、引き出し電極のパターンを形成することを意味します。
　なお、引き出し電極のパターン位置については、同一工程における他のパターンと干渉しない位置であれば、任意に決定することができ、成膜した画素電極の材料を、フォトリソグラフィー工程において、任意の位置に配置する（材料を残す）ことが可能であることは、当業者であれば、直ちに理解できる事項といえます。
　以上より、発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると言えます。」 
 　　　　　 
２　拒絶の理由３（進歩性）について 
「（４）理由２：進歩性欠如に対する措置
　ａ．本願発明の説明
　本願発明の要旨は、補正後の特許請求の範囲に記載されているとおりであり、今回の補正では、請求項１の発明において、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一工程で形成されている」点を明確にするとともに、請求項４の発明において、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている」点を明確にしました。
　そして、請求項１，４に係る発明では、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極を画素電極と同一工程で形成する」、または「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極を画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成する」ことにより、ソース引き出し電極や電源引き出し電極の厚みをソースラインの厚みよりも薄く形成することができるため、シールを横断する電極をソース引き出し電極と電源引き出し電極のみにすることができ、シールにより封止基板と第１基板との間をより確実に封止することが可能になります。その結果、有機ＥＬ素子内への水分や酸素等の進入を効果的に抑制することができるとともに、水分や酸素等に対する高い耐久性を実現することができる、という効果を得ることができます。即ち、従来、厚みの大きいソースラインや電源ラインがシールを横断している場合に見られたシール不良による寿命低下を防止できるという顕著な効果を奏するものです。
　ｂ．引用文献に記載の発明の説明
　引用例１には、ゲート配線、及び端子部の引き出し配線を構成するゲート配線を備えた液晶表示装置が開示されています。
　引用例２には、シール材の外側へと引き出された接続パッド（パッド用配線）が形成された液晶表示装置が開示されています。
　ｃ．本願発明と引用文献に記載された発明との対比
　本願発明は、シールの外側へと引き出された配線を備える点で引用例１〜２に記載された発明と一致します。
　しかしながら、引用例１，２のいずれにも、本願の請求項１に係る発明の「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一工程で形成されている」点、及び本願の請求項４に係る発明の「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極は画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている」という構成について開示も示唆もされていません。
　拒絶理由通知においては、「引用例１には、共通電極ＣＰＴに共通電極を供給する共通配線ＣＬを外部に引き出すための電極を設けるという記載はないが、引用例１の共通配線ＣＬが、外部から供給される共通電位を受けるための何らかの外部端子に接続されることが必要であるため、共通電位についても何らかの引き出し電極が設けられていることは明らかである」と記載されています。
　しかしながら、引用例１においては、図１、図３から明らかなように、共通配線ＣＬは、ゲート配線ＧＬと同一層から形成されており、引用例１，２のいずれにも、引き出し電極として画素電極を用いる点については開示も示唆もありません。
　従いまして、引用例１の内容からは、引き出し電極を設ける構成として、ゲート配線ＧＬが、そのままシール材ＳＥＬの下を通り抜ける構造を想定することは可能と言えますが、共通配線ＣＬに接続された、画素電極と同一の材料からなる引き出し電極を設ける構造は、到底予想することができないものと言えます。
　また、拒絶理由通知においては、「引用例２には、ブリッジ状導電膜自体を接続パッド１４の代わりに外部への引き出し電極となるように構成すること、及び透明画素電極６３と同時に形成される導電膜で接続パッド１４を形成することは、当業者にとって格別な創意を必要としない」と記載されていますが、その根拠として、「配線構造を単純化することは当業者が通常行うことである」としか記されておりません。
　更に、引用例１，２においては、本願の発明において見出された、シールと第一基板との間に生じる間隙とシール下の配線（電極）の厚さとの相関関係や、水分や酸素等に起因する表示素子の耐久性への影響について、全く考慮されておりません。
　また、本願の発明における表示素子は有機ＥＬ素子であり、本願の発明における「電源ライン」は、単に電力を供給するための配線ではなく、有機ＥＬ素子に特有の配線であり、引用例１の液晶表示装置用の共通配線ＣＬとは本質的に異なります。
　また、本願の請求項１，４に係る発明によれば、上述のごとく、有機ＥＬ素子内への水分や酸素等の進入を効果的に抑制することができるとともに、水分や酸素等に対する高い耐久性を実現することができ、従来、厚みの大きいソースラインや電源ラインがシールを横断している場合に見られたシール不良による寿命低下を防止できるという効果が奏されます。かかる効果は、上記本願の請求項１，４に係る発明の「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極を画素電極と同一工程で形成する」、または「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極を画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成する」という構成について開示も示唆もされていない引用例１，２からは到底予想することができないものであります。」 
 　　 
第５　当審の判断 
 　　  
１　実施可能要件について（特許法第３６条第４項第１号）  
　本願発明４において、 
「前記ソース引き出し電極又は前記電源引き出し電極は、前記画素電極と同一の材料により、同一の厚みで形成されている」 
　という発明特定事項があるが、本願の発明の詳細な説明において、「ソース引き出し電極」、「電源引き出し電極」及び「画素電極」の形成方法が全く記載されておらず、どのようにして「同一の材料により、同一の厚み」とするのかが当業者であっても理解が困難である。 
　「同一材料により、同一の厚み」で形成することは、「同一工程」で形成することを前提としているものと認められるが、一般に、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極」と「画素電極」とでは、形成する層の高さも位置も異なるから、どのような工程であればそれらを「同一工程」で形成できるのか分からないし、仮に「同一工程」で行えた場合でも、どのようにすれば「同一の厚み」とすることができるのかも分からない。 
　特に、「画素電極」は、基板上に複数の配線層や絶縁層を形成した後に形成されるものであり、画素領域と封止領域とでは表面形状も異なるから（各領域で異なる構造（段差等）が存在する。）、「同一の厚み」の実現は困難であると考えられる。例えば、本願の図面の図１４、１６において、「ソース引き出し電極」や「電源引き出し電極」は基板に対して垂直方向に沿って形成される領域も有しており、このような部分をどのようにすれば「画素電極」と「同一の厚み」とできるのかが理解困難である。 
　上記請求人の主張を参酌しても、本願の発明の詳細な説明には、少なくとも、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極」と「画素電極」とを「同一の厚み」とすることについて具体的な記載が存在しないから、「ソース引き出し電極又は電源引き出し電極と画素電極とは同一の材料により、同一の厚みで形成されることは直ちに理解される」とはいえない。技術常識からしても、「同一工程」で形成される「同一膜」であっても、その形成位置や形成方向等が異なる場合、「同一の厚み」になるとは限らないことは明らかである。例えば、上述した基板に対して垂直方向に沿って形成される電極パターンは、基板に対して水平方向に沿って形成される電極パターンとは異なる厚みとなるのが通常である。
　　　
　よって、本願の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本願発明４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。  
 　　　  
２　拒絶の理由３（進歩性）について 
 　  
２−１　引用例  
　当審で通知した平成２３年１２月１日付けの拒絶理由で引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−７０３０８号公報（以下「引用例」という。公開日：平成１６年３月４日）には、図面とともに、次の事項が記載されている。  
 　  
（ａ）「【００１８】
図１は、液晶表示装置の概略全体斜視図であり、図２は画素領域についてのアレイ基板の概略部分断面図である。また、図３は、接続領域についての液晶表示装置の模式的な積層断面図であり、図４は接続領域についてアレイ基板の部分平面図である。」
【００１９】
この液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板と液晶層とシール材を含む表示セルと、駆動回路基板と、ＴＣＰと、面光源を備えて構成される。表示セルと駆動回路基板とをＴＣＰで電気的に接続する。面光源は、表示セルの表示領域を照射する。
【００２０】
アレイ基板は、ガラス等の光透過性絶縁基板１８上に複数の走査線と、複数の信号線３１と、複数のスイッチ素子９と、複数の画素電極６と、補助容量Ｃｓを含む。走査線と信号線３１とは、絶縁膜を介して直交配置される。スイッチ素子９は、走査線と信号線３１の各交点付近に配置され、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成される。スイッチ素子９のゲートは対応走査線に接続し、ドレインは対応信号線３１に接続し、ソースは対応画素電極６に接続する。
・・・（中略）・・・
【００２２】
スイッチ素子９のゲート電極１１ａは走査線からの延在部により形成されており、スイッチ素子９のドレイン電極３２は、信号線３１と一体的に形成されている。そして、スイッチ素子９のソース電極３３は、層間絶縁膜４及び透光性の厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール４３，５３を通じて、画素電極６に電気的に接続している。
【００２３】
画素電極６は、走査線と信号線３１とにより画されるマス目状の領域（画素ドット領域）ごとに配置され、該領域の略全体を覆うとともに両縁部が信号線３１と重ねられている。各画素電極６は、金属からなる一つの反射画素電極７３と、ＩＴＯからなる透明画素電極６３とが組み合わさってなる。透明画素電極６３は、反射画素電極７３の窓状開口に配置され、窓状開口の内縁部が透明画素電極６３の外縁部に直接重ね合わされて互いに導通されている。尚、反射画素電極７３に対応する位置の厚型樹脂膜５は、その表面に凹部５６を有する。
　・・・(中略)・・・
【００２５】
信号線３１は、接続領域まで延在形成され、接続パッドを介してＴＣＰと接続する。」
　　
（ｂ）「【００２６】
図３は、液晶表示装置の接続領域の概略断面図、図４はアレイ基板の接続領域の概略平面図である。
【００２７】
図３および図４に示すように、接続領域では、厚型樹脂膜５の抜き部５４中に、接続パッド１４が配列される。
【００２８】
接続パッド１４は、走査線と同一材料にて同時に作成され、ゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜４の対応箇所を除去した絶縁膜抜き部４４により、上記抜き部５４内の所定個所にて露出されている。
【００２９】
なお、接続パッド１４は、該接続パッド１４から基板内側へと延在されるパッド用配線１４ａと、コンタクトホール４１，４２，５１，５２及びこれらを覆うブリッジ状導電膜７１とにより、信号線３１の先端部３１ａに電気的に接続されている。ここで、パッド用配線１４ａとブリッジ状導電膜７１とが接続する部分では、厚型樹脂膜５を貫く上層コンタクトホール５１の底部に、層間絶縁膜４及びゲート絶縁膜１５を貫く下層コンタクトホール４１が配置されている。一方、信号線３１とブリッジ状導電膜７１とが接続する部分では、厚型樹脂膜５を貫く上層コンタクトホール５２の底部に、層間絶縁膜４を貫く下層コンタクトホール４２が配置されている。
【００３０】
透光性の厚型樹脂膜５は、例えば厚さが１μｍ以上であり、低誘電率の絶縁性の樹脂材料からなる。特には、アクリル系樹脂等の感光型の硬化性有機樹脂材料からなる。厚型樹脂膜５は、接続パッド１４を露出するための抜き部５４と、上層コンタクトホール５１〜５３の個所とを除き、アレイ基板上の全体を被覆する。
【００３１】
図３に示すように、抜き部５４を画する厚型樹脂膜５の内縁端面のうち、接続パッド１４の列を基板外側から臨む端面５ａには、ショルダー５５が形成されている。ショルダー５５上の平坦部の幅は、好ましくは５〜２０μｍ、例えば１０μｍに設定される。つまり、厚型樹脂膜５のうち、外部駆動回路であるＴＣＰの端子と重複配置される側の抜き部端面５ａにショルダー５５を有する段差が形成される。
【００３２】
図３中右端部には、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）１００が実装された様子を模式的に示している。
【００３３】
テープキャリアパッケージ１００の本体基板部分１０２が、アレイ基板の端縁に沿って、厚型樹脂膜５上に載置され、本体基板部分１０２の基板内側の端縁からは基板内側へと向かって端子ピン１０１が突き出している。端子ピン１０１の先端の当接部１０３は、他の部分よりも肉厚に形成されており、特には、下方に膨出するとともに下面に平坦な当接面をなしている。端子ピン１０１先端の当接部１０３は、テープャリアパッケージ１００が実装された際に、絶縁膜抜き部４４内に位置し、端子ピン１０１の曲げ弾性力でもって、接続パッド１４に押し付けられる。
【００３４】
図示の例において、端子ピン１０１は、根元から先端の当接部１０３に至る中間の領域で、厚型樹脂膜５の端面５ａに当接している。
【００３５】
一方、図４に示すように、厚型樹脂膜５の、抜き部５４を外側から画する端面５ａは、平面図において、一様なパルス波形をなす。すなわち、基板内側に向かって突き出すパルス波状の張り出し部５ｂが、等ピッチで繰り返される形の波形をなしている。
【００３６】
これら張り出し部５ｂは、突き出し寸法及び幅が互いに等しく、配列のピッチが、接続パッド１４のピッチと略等しい。すなわち、各張り出し部５ｂは、接続パッド１４に対応する位置に設けられており、接続パッドの幅に対してわずかに幅広に形成されている。
【００３７】
図示の具体的な寸法構成例において、張り出し部５ｂは、幅が１８０μｍ、突き出し寸法が３７０μｍ、また、繰り返しのピッチが４６０μｍである。また、接続パッド１４の幅は、１５０μｍである。
【００３８】
このように基板端にある厚型樹脂膜５のパターンの内縁を、ジグザグ状または波状とするのは、後述するように、隣り合う端子ピン１０１間での短絡をより確実に防止するためである。
【００３９】
なお、図示の例では、張り出し部５ｂの上に端子ピン９１が来る配置としたが、隣り合う張り出し部５ｂの間に端子ピン９１が配置されるのであっても、全く同様に、短絡を確実に防止することができる。また、ショルダー５５は、抜き部５４を外側から画する端面５ａの全体にわたって設けてもよい。」
　　　
（ｃ）「【００４１】
（１）　第１のパターニング
ガラス基板１８上に、スパッタ法によりモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）を２３０ｎｍ堆積させる。そして、第１のマスクパターンを用いるパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、１７６本の走査線、その延在部からなるゲート電極１１ａ、及び画素ドットごとに幅広部１３ａをなす補助容量線１３を形成する。
【００４２】
また、同時に、接続領域では、接続パッド１４及びこれから延在されるパッド用配線１４ａを作成する。」
　　　　　
（ｄ）「【００４６】
この後、スパッタ法により、２５ｎｍ厚のボトムＭｏ層、２５０ｎｍ厚のＡｌ層、及び、５０ｎｍ厚のトップＭｏ層からなる三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を堆積する。
【００４７】
そして、第３のマスクパターンを用いて、レジストを露光、現像した後、ａ−Ｓｉ：Ｈ層、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層、及び三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を一括してパターニングする。この第３のパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、２２０×３本の信号線３１と、各信号線３１から延在するドレイン電極３２と、ソース電極３３とを作成する。」
　　　
（ｅ）「【００６０】
（６）　第６のパターニング
透明導電層としての４０ｎｍ厚のａ−ＩＴＯを、堆積した後、アレイ基板上の全体にレジストの塗布、露光及び現像を行う。そして、このレジストパターンの下で、シュウ酸水溶液をエッチング液として用いるパターニングを行うことにより、透明画素電極６３を形成する。」
　　　　
（ｆ）「【００６１】
（７）　第７のパターニング（図５（ｂ）〜（ｄ））
スパッタ法により、５０ｎｍ厚のモリブデン金属膜と、この上の５０ｎｍ厚のアルミニウム金属膜とからなる積層膜（Ｍｏ／Ａｌ）を堆積する。
・・・（中略）・・・
【００６５】
このレジストパターンの下で、ウェットエッチングにより金属積層膜（Ｍｏ／Ａｌ）のパターニングを行うことにより、コンタクト用のブリッジ状導電膜７１と、反射画素電極７３とを作成する。この際、図５（ｄ）に示すように、レジスト８残りのないレジストパターンを用いてウェットエッチングを行なうことにより、厚型樹脂膜５の端面５ａの麓（厚型樹脂膜と層間絶縁膜の接する部分）の付近に金属積層膜が残留することはない。」
　　　　　　　
（ｇ）「【００８７】
尚、上述の実施例においては、各画素ドット内の反射画素電極に対応する位置に凹部を有するものについて説明したが、透過画素電極と同様に、平坦な構造であってもよい。また、透過画素電極を形成する部分の厚型樹脂膜を除去し、層間絶縁膜上に透過画素電極を形成してもよい。
【００８８】
また、上述の実施例においては、各画素ドット内に反射画素電極と透過画素電極を有する半透過型表示装置について説明したが、これに限定されず、反射画素と透過画素が部分的に設けられる部分反射型表示装置や、反射型表示装置、透過型表示装置等に適用することも可能である。
【００８９】
図９は一例として、透過型表示装置用のアレイ基板の断面図を示す。
【００９０】
透明画素電極６３は、コンタクトホール４３，５３を通じて、ソース電極３３の延在部の上面に直接接触することで、導通を行っている。
【００９１】
また、図示は省略するが、アレイ基板の周縁部においては、金属膜からなるコンタクト用のブリッジ状導電膜７１に代えて、ＩＴＯ層からなるブリッジ状導電膜を用いてもよい、すなわち、反射金属層７３と同時に設けられる導電膜に代えて、透明画素電極６３と同時に形成される導電膜が配置される。」
　　　　
（ｈ）「【００９５】
また、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ等の平面表示装置であっても、全く同様である。」  
 　　  
（ｉ）図１
（１ｊ）図２
（１ｋ）図３
（１ｌ）図４
〔摘記事項からの認定事項〕
　摘記事項（ｇ）の「透過型表示装置」について、「半透過型表示装置」との共通部分については、特段構成を変える必要性がないから、摘記事項（ａ）〜（ｆ）が援用されるものと認められる。
　　
〔引用例に記載された発明の認定〕  
　これらの記載事項及び認定事項からして、引用例には、  
「光透過性絶縁基板１８と、
　光透過性絶縁基板１８と対向する対向基板と、
　光透過性絶縁基板１８と対向基板とをシールするシール材と、
　光透過性絶縁基板１８上に設けられた、信号線３１、走査線、透明画素電極６３と、
　走査線がゲートに接続され、信号線３１がドレインに接続された薄膜トランジスタで構成されたスイッチ素子９と、
を有し、
　信号線３１及び走査線がシール材でシールされた空間内に設けられた透過型の液晶表示装置であって、
　信号線３１に透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ層からなるブリッジ状導電膜７１が接続され、当該ブリッジ状導電膜７１と接続された接続パッド１４がシール材でシールされた空間内から引き出され、
　信号線３１は、２５ｎｍ厚のボトムＭｏ層、２５０ｎｍ厚のＡｌ層、及び、５０ｎｍ厚のトップＭｏ層からなる三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）で構成され、
　走査線は、２３０ｎｍのモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）で構成され、
　透明画素電極６３は、透明導電層としての４０ｎｍ厚のａ−ＩＴＯで構成されている透過型の液晶表示装置。」 
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
 　　　　  
２−２　対比  
　本願発明１と引用発明とを対比する。  
 　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「光透過性絶縁基板１８」、「対向基板」、「走査線」及び「透明画素電極６３」は、本願発明１の「第１基板」、「第２基板」、「ゲートライン」及び「画素電極」に相当する。  
 　　　  
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「信号線３１」と本願発明１の「ソースライン」とは、「信号線」である点で共通する。　　  
　　　　
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「光透過性絶縁基板１８と対向基板とをシールするシール材」は、本願発明１の「第１基板と第２基板とを封止し、前記第１基板と前記第２基板との間に封止空間を形成するシール」に相当する。  
 　　　  
＜対応関係Ｄ＞  
　引用発明の「走査線がゲートに接続され、信号線３１がドレインに接続された薄膜トランジスタで構成されたスイッチ素子９」を有することと、本願発明１の「ソースラインに接続された第１ＴＦＴと、電源ラインに接続された第２ＴＦＴ」とを有することとは、「ＴＦＴで構成された画素回路」を有する点で共通する。  
 　　　  
＜対応関係Ｅ＞  
　引用発明の「透過型の液晶表示装置」と本願発明１の「有機ＥＬ素子」とは「表示装置」である点で共通し、引用発明の「信号線３１及び走査線がシール材でシールされた空間内に設けられた透過型の液晶表示装置」と、本願発明１の「ソースライン、ゲートライン、及び電源ラインが封止空間内に設けられた有機ＥＬ素子」とは、「信号線及びゲートラインが封止空間内に設けられた表示装置」である点で共通する。  
 　　　  
＜対応関係Ｆ＞  
　引用発明の「ブリッジ状導電膜７１」及び「接続パッド１４」からなる電極構造は、「信号線３１」を「シール材でシールされた空間内から引き出」すためのものである。
　そうすると、引用発明の「ブリッジ状導電膜７１」及び「接続パッド１４」からなる電極構造と本願発明１の「ソース引き出し電極」とは、「信号線に接続され、封止空間内から引き出された信号線引き出し電極」である点で共通する。  
 　　　  
＜対応関係Ｇ＞  
　引用発明において、「信号線３１は、２５ｎｍ厚のボトムＭｏ層、２５０ｎｍ厚のＡｌ層、及び、５０ｎｍ厚のトップＭｏ層からなる三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）で構成され、走査線は、２３０ｎｍのモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）で構成され、透明画素電極６３は、透明導電層としての４０ｎｍ厚のａ−ＩＴＯで構成されている」ことと、本願発明１の「ゲートライン及び画素電極の厚みが、ソースラインの厚みよりも薄く形成され」ることとは、「ゲートライン及び画素電極の厚みが、信号線の厚みよりも薄く形成され」る点で共通する。  
 　　
＜対応関係Ｈ＞
　引用発明において、「ブリッジ状導電膜７１」が「透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ層からなる」ことと、本願発明１において、「ソース引き出し電極又は前記電源引き出し電極は、前記画素電極と同一工程で形成されている」こととは、「信号線引き出し電極の少なくとも一部が、画素電極と同一工程で形成されている」点で共通する。
　　  
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、  
「第１基板と、
　前記第１基板と離間して対向する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板とを封止し、前記第１基板と前記第２基板との間に封止空間を形成するシールと、
　前記第１基板上にそれぞれ設けられた信号線、ゲートライン及び画素電極と、
　ＴＦＴで構成された画素回路と
を少なくとも有し、
　前記信号線及び前記ゲートラインが前記封止空間内に設けられた表示装置であって、
　前記信号線と接続され、前記封止空間内から引き出された信号線引き出し電極と、
　前記ゲートライン及び前記画素電極の厚みが、前記信号線の厚みよりも薄く形成され、
　前記信号線引き出し電極の少なくとも一部が、前記画素電極と同一工程で形成されている表示装置。」  
　の発明である点で一致し、以下の点で相違する。  
 　　  
（相違点１）  
　「表示装置」の「ＴＦＴで構成された画素回路」に関して、本願発明１は、「有機ＥＬ素子」の「ソースラインに接続された第１ＴＦＴと、電源ラインに接続された第２ＴＦＴ」とを有するものであり、「電源ラインは、第２ＴＦＴを介して画素電極に接続され」るものであるのに対して、引用発明は、「透過型の液晶表示装置」の「走査線がゲートに接続され、信号線３１がドレインに接続された薄膜トランジスタで構成されたスイッチ素子９」を有するものであり、「電源ライン」も有していない点。 
 　　  
（相違点２） 
　「信号線」に関して、本願発明１は「ソースライン」とされているに対して、引用発明は「ドレインに接続された」「信号線３１」である点。  
　　　　
（相違点３）
　本願発明１は、「電源ラインと接続され、封止空間内から引き出された電源引き出し電極」を有するのに対して、引用発明は、そのような構成を有さない点。
　　　
（相違点４）
　「信号線引き出し電極」に関して、本願発明１は、「ソース引き出し電極・・・は、前記画素電極と同一工程で形成されている」のに対して、引用発明は、「信号線３１」を「シール材でシールされた空間内から引き出」す電極構造の一部は「透明画素電極６３」と同時に形成されているが、全体としては同一工程では形成されていない点。
　　　　　  
２−３　判断  
　上記相違点について検討する。  
 　　  
（１）相違点１、３について  
　引用例の上記摘記事項（ｈ）において、「液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ等の平面表示装置であっても、全く同様である」とされていることからして、引用発明の配線構造はアクティブマトリクス型の液晶表示装置だけでなく、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に適用され得るものであることは明らかである。
　そして、相違点１に係る「ソースラインに接続された第１ＴＦＴと、電源ラインに接続された第２ＴＦＴ」とを有し、「電源ラインは、第２ＴＦＴを介して画素電極に接続され」る「ＴＦＴで構成された画素回路」は、周知のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路構成に過ぎず（例えば、特開２００３−１５００７９号公報（図１等）、特開２００４−２８１１８３号公報（図１等）を参照されたい。）、同様に、相違点３に係る「電源ラインと接続され、封止空間内から引き出された電源引き出し電極」を有する構成も周知のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の構成に過ぎない（電源ラインへの給電は封止空間外から行う必要があるのでごく当たり前の構成である。）。
　そうすると、液晶表示装置における引用発明の配線構造をアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に適用するに際して、当該周知の構成を採用することは、当業者にとって何ら創意を必要とすることではない。
　よって、引用発明に周知の技術を採用することで、相違点１、３に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　  
（２）相違点２について  
　上記「（１）相違点１、３について」で述べたように、引用発明の配線構造をアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に適用すれば、同時に得られる構成に過ぎない。
　なお、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極とは本質的に相違するものではないので、この点は、元もと、実質的な相違点ではない。
　　  
（３）相違点４について  
　引用発明では、「信号線３１」を「シール材でシールされた空間内から引き出」す電極構造は、「透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ層からなるブリッジ状導電膜７１」と「当該ブリッジ状導電膜７１と接続された接続パッド１４」を結合した複合的な電極となっているが、複数部材からなる電極構造を一体化して簡略なものとすることは当業者が通常行うことであるから、「透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ層」である「ブリッジ状導電膜７１」自体が接続パッド１４の代わりに外部への引き出し電極となるように構成することは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。
　そして、外部への引き出し電極について、画素電極と同じ工程で形成される電極とする構造は、表示装置の技術分野における周知の技術に過ぎないから（例えば、特開２００４−２４７５３３号公報（第１〜３実施形態及び段落【００２５】、【００７０】等）、特開平８−１７１０９７号公報（段落【００６９】〜【００７６】等）、特開平１１−５２３９４号公報（段落【００１４】〜【００１８】等）を参照されたい。）、そのような電極構造の採用は当業者であれば容易に想到することである。
　　　　　
　よって、引用発明の配線構造を一体化する設計変更を加えること（あるいは、上記周知の技術を採用すること）で、相違点４に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　　
（４）作用効果について
　本願発明１が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　　　
（５）小括 
　よって、本願発明１は、引用例に記載された発明及び周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　　　  
２−４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
 　　　　  
第６　まとめ  
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本願の請求項１に係る発明は、第２９条第２項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができないものである。  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
よって、結論のとおり審決する。