【事件の表示】
　特願２００７−１７９３０３「フレキシブル表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１２日出願公開、特開２００８−１３４５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年７月９日（パリ条約による優先権主張２００６年１１月２７日、韓国）の出願であって、平成２２年５月２５日付けで手続補正がなされたが、同年６月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２３年６月６日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年１２月８日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２２年１０月２８日付けの手続補正の補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２２年１０月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２２年１０月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「フレキシブル基板と；
　前記フレキシブル基板上に形成された表示素子層と；
　前記表示素子層に接触して覆い、かつ前記表示素子層をエッチング液から保護する絶縁保護層を備えて、
　ガラス：前記絶縁保護層のエッチング選択比、及びステンレス：前記絶縁保護層のエッチング選択比の内、少なくともいずれか一つは１：２０以上であり、かつ
　前記絶縁保護層が、シリコン、窒化シリコン（SiNx）、酸化シリコン（SiOx）、金属酸化物及び有機材料の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするフレキシブル表示装置。」
　
　上記請求項１の記載において、「少なくともいずれか一つは
１：２０
２０：１
２０：１
　
　そこで、補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　
引用文献１：国際公開第２００４／０４０６４９号
　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１ａ）頁番号１、４〜７行
「本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。・・・」
（１ｂ）頁番号３、１２〜１６行
「また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量化された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。」
（１ｃ）頁番号２２、１行〜頁番号２４、１３行
「本実施例では、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する例を挙げて図５に説明することとする。
　なお、本発明は、有機化合物を含む層を有する発光デバイスであれば、アクティブマトリクス型の発光装置に限定されず、カラー表示パネルとなるパッシブマトリクス型の発光装置や、面光源または電飾用装置となるエリアカラーの発光装置に適用することができる。
　まず、ガラス基板（第１の基板３００）上に素子を形成する。スパッタ法でガラス基板上に金属膜３０１、ここではタングステン膜（膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍ）を形成し、さらに大気にふれることなく、酸化物膜３０２、ここでは酸化シリコン膜（膜厚１５０ｎｍ〜２００ｎｍ）を積層形成する。なお、スパッタ法では基板端面に成膜されるため、基板端面に成膜されたタングステン膜と酸化シリコン膜とをＯ2アッシングなどで選択的に除去することが好ましい。後の工程で剥離する際、タングステン膜と酸化シリコン膜との界面または酸化シリコン膜中で分離が生じる。
　次いで、ＰＣＶＤ法で下地絶縁膜となる酸化窒化シリコン膜（膜厚１００ｎｍ）を形成し、さらに大気にふれることなく、アモルファスシリコン膜（膜厚５４ｎｍ）を積層形成する。
　アモルファスシリコン膜は水素を含んでおり、加熱してポリシリコン膜を形成する場合、結晶化させるため５００℃以上の熱処理を行えば、ポリシリコン膜を形成すると同時に水素の拡散を行うことができる。得られたポリシリコン膜を用いて、ＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子やセンサ素子（代表的にはポリシリコンを用いた感圧式指紋センサー）を形成することができる。
　ここでは、公知の技術（固相成長法、レーザー結晶化方法、触媒金属を用いた結晶化方法など）を用いてポリシリコン膜を形成した後、パターニングを行って島状の半導体領域を形成し、それを活性層とするトップゲート型ＴＦＴ３０３を作製する。適宜、ゲート絶縁膜の形成、ゲート電極の形成、活性層へのドーピングによるソース領域またはドレイン領域の形成、層間絶縁膜の形成、ソース電極またはドレイン電極の形成、活性化処理などを行う。
　次いで、一対の電極（陽極、陰極）間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設け、一対の電極間に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を形成するための第１の電極を形成する。まず、陽極または陰極となる第１の電極３０４を形成する。ここでは第１の電極３０４として仕事関数の大きい金属膜（Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗなど）、または透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、陽極として機能させる例を示す。
　なお、ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をそのまま第１電極とする場合、またはソース領域またはドレイン領域に接して第１電極を別途形成する場合には、ＴＦＴとは第１電極を含める。
　次いで、第１電極（陽極）の両端には、第１電極の周縁を囲むように隔壁（バンク、障壁、土手などと呼ばれる）３０５ａを形成する。カバレッジを良好なものとするため、隔壁の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁３０５ａとして、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
　また、複数の有機樹脂を積層する場合、有機樹脂同士では使用している溶媒によって塗布または焼成時に一部溶解したり、密着性が高くなりすぎる恐れがある。従って、隔壁の材料として有機樹脂を用いた場合、後の工程で水溶性樹脂を塗布した後に除去しやすくなるように隔壁３０５ａを無機絶縁膜（ＳｉＮX膜、ＳｉＮXＯY膜、ＡｌＮX膜、またはＡｌＮXＯY膜）で覆うことが好ましい。この無機絶縁膜は、隔壁の一部３０５ｂとして機能する。（図５（Ａ））」
（１ｄ）頁番号２４、１４行〜頁番号２５、２１行
「次いで、水またはアルコール類に可溶な接着材を全面に塗布、焼成する。この接着材の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるものでもよい。ここではスピンコートで水溶性樹脂（東亜合成製：ＶＬ−ＷＳＨＬ１０）からなる膜（膜厚３０μｍ）３０６を塗布し、仮硬化させるために２分間の露光を行ったあと、ＵＶ光を裏面から２．５分、表面から１０分、合計１２．５分の露光を行って本硬化させる。（図５（Ｂ））
　次いで、後の剥離を行いやすくするために、金属膜３０１と酸化物膜３０２との密着性を部分的に低下させる処理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って金属膜３０１または酸化物膜３０２にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて酸化物膜３０２の層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
　次いで、両面テープ３０７を用い、水溶性樹脂からなる膜３０６に第２の基板３０８を貼り付ける。さらに、両面テープ３０９を用い、第１の基板３００に第３の基板３１０を貼り付ける。（図５（Ｃ））第３の基板３１０は、後の剥離工程で第１の基板３００が破損することを防ぐ。第２の基板３０８および第３の基板３１０としては、第１の基板３００よりも剛性の高い基板、例えば石英基板、半導体基板を用いることが好ましい。
　次いで、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、金属膜３０１が設けられている第１の基板３００を物理的手段により引き剥がす。比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。こうして、酸化物層３０２上に形成された被剥離層を第１の基板３００から分離することができる。剥離後の状態を図５（Ｄ）に示す。」
（１ｅ）頁番号２５、２２行〜頁番号２６、１２行
「次いで、接着材３１１で第４の基板３１２と酸化物層３０２（及び被剥離層）とを接着する。（図５（Ｅ））接着材３１１は、両面テープ３０７による第２の基板３０８と被剥離層との密着性よりも酸化物層３０２（及び被剥離層）と第４の基板との密着性のほうが高いことが重要である。
　第４の基板３１２としては、フレキシブルなプラスチック基板を用いる。ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、またはポリフタールアミドからなるプラスチック基板を用いることが好ましい。ここではポリカーボネート基板（ＰＣ基板）を用いる。
　接着材３１１としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。」
（１ｆ）頁番号２６、１３行〜頁番号２７、１７行
「次いで、両面テープ３０７から第２の基板３０８を分離させる。（図５（Ｆ））
　次いで、両面テープ３０７を剥がす。（図５（Ｇ））
　次いで、水を用いて水溶性樹脂３０６を溶かして除去する。（図５（Ｈ））ここで水溶性樹脂が残っていると不良の原因となるため、第１の電極３０４の表面を洗浄処理やＯ2プラズマ処理で清浄な表面とすることが好ましい。
　次いで、必要であれば、多孔質なスポンジ（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製、ナイロン製）に界面活性剤（弱アルカリ性）を含ませ、第１の電極３０４表面を擦って洗浄する。
　次いで、有機化合物を含む層３１３を形成する直前に、ＴＦＴ及び隔壁が設けられた基板全体の吸着水分を除去するための真空加熱を行う。さらに有機化合物を含む層を形成する直前に、第１電極に対して紫外線照射を行ってもよい。
　次いで、第１電極（陽極）上に、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層３１３を選択的に形成する。有機化合物を含む層３１３としては、高分子材料、低分子材料、無機材料、またはこれらを混合させた層、またはこれらを分散させた層、またはこれらの層を適宜組み合わせた積層とすればよい。
　さらに、有機化合物を含む層上には第２電極（陰極）３１４を形成する。（図５（Ｉ））陰極３１４としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）の薄膜（発光を透過する膜厚）と透明導電膜との積層を用いればよい。また、必要であれば、第２電極を覆ってスパッタ法または蒸着法により形成する保護層を形成する。保護層としてはスパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。」
（１ｇ）頁番号２７、１８行〜頁番号２８、１３行
「次いで、封止材となる第５の基板３１６に一対の基板間隔を保持するギャップ材が含まれたシール材（図示しない）を所望のパターンに描画する。ここではブロッキング効果を持たせるため、表面にバリア膜（ＳｉＮX膜、ＳｉＮXＯY膜、ＡｌＮX膜、またはＡｌＮXＯY膜など）とエッチングストッパー膜（ＳｒＯ膜、ＳｎＯ2膜、またはテフロン（登録商標）膜）との積層膜３１７が形成されたガラス基板３１６を用いる。次いで、シールが描画された封止基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、封止基板に設けられたシールパターンがアクティブマトリクス基板に設けられた発光領域を囲む位置になるように封止する。また、シール材に囲まれた空間には透明な有機樹脂からなる接着材３１５が充填されるように封止する。（図５（Ｊ））
　次いで、ガラス基板である第５の基板３１６をエッチャントでエッチングして除去し、積層膜３１７を露呈させる。（図５（Ｋ））本実施例は、発光素子の発光を積層膜３１７に透過させる例であるので、積層膜３１７としては透光性を有する材料膜であればよい。
　以上の工程でプラスチック基板３１２を支持体とし、ＴＦＴと発光素子とを備えた発光装置を作製することができる。（図５（Ｌ））こうして得られる発光装置は支持体をプラスチック基板としているため薄く、軽量、且つ、フレキシブルなものとすることができる。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「フレキシブルなプラスチック基板（３１２）を支持体とし、該支持体に、
　ＴＦＴ（３０３）と、
　第１の電極（３０４）、隔壁（３０５ａ、３０５ｂ）、有機化合物を含む層（３１３）及び第２の電極（３１４）を有する発光素子と、
　バリア膜（ＳｉＮX膜、ＳｉＮXＯY膜、ＡｌＮX膜、またはＡｌＮXＯY膜など）とエッチングストッパー膜（ＳｒＯ膜、ＳｎＯ2膜、またはテフロン（登録商標）膜）との積層膜（３１７）を順次積層し、
　積層膜を露呈させた、発光表示装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
　引用発明の「フレキシブルなプラスチック基板」、「発光素子」及び「バリア膜とエッチングストッパー膜との積層膜」が、それぞれ、補正発明の「フレキシブル基板」、「表示素子層」及び「表示素子層をエッチング液から保護する絶縁保護層」に相当することは明らかである。
　また、引用文献１の摘記事項（１ｇ）の「こうして得られる発光装置は支持体をプラスチック基板としているため薄く、軽量、且つ、フレキシブルなものとすることができる。」の記載を参酌すれば、引用発明の「発光表示装置」がフレキシブルな表示装置であることも明らかである。
　そして、引用発明のバリア膜としてＳｉＮX膜を含み、かつ、エッチングストッパー膜としてＳｒＯ膜、ＳｎＯ2膜等の金属酸化膜を含むことから、
　
　結局、両者は、 
　「フレキシブル基板と；
　前記フレキシブル基板上に形成された表示素子層と；
　前記表示素子層に接触して覆い、かつ前記表示素子層をエッチング液から保護する絶縁保護層を備えて、
　前記絶縁保護層が、シリコン、窒化シリコン（SiNx）、酸化シリコン（SiOx）、金属酸化物及び有機材料の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするフレキシブル表示装置。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　補正発明は、ガラス：前記絶縁保護層のエッチング選択比、及びステンレス：前記絶縁保護層のエッチング選択比の内、少なくともいずれか一つは２０：１以上であるのに対して、引用発明は、エッチング選択比が不明な点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　引用発明の積層膜（補正発明の「絶縁保護層」に相当）がガラス基板をエッチングで除去する際のブロッキングのために用いられるものであること（上記摘記事項（１ｇ）参照）、積層膜に用いられている材料が補正発明の絶縁保護層と同一であること等を考慮すると、引用発明において、ガラス：前記絶縁保護層のエッチング選択比を十分な値に設定すべきことは、当業者が当然考慮すべき事項であり、その値を２０：１以上とすることに、格別の困難性はない。
　してみると、引用発明に上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２２年１０月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２２年５月２５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「フレキシブル基板と；
　前記フレキシブル基板上に形成された表示素子層と；
　前記表示素子層に接触して覆い、かつ前記表示素子層をエッチング液から保護する絶縁保護層を備えて、
　ガラス：前記絶縁保護層のエッチング選択比、及びステンレス：前記絶縁保護層のエッチング選択比の内、少なくともいずれか一つは１：２０以上であることを特徴とするフレキシブル表示装置」
　
　上記請求項１の記載において、「少なくともいずれか一つは
１：２０
２０：１
２０：１
　
１．引用刊行物
　原査定に引用された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から「前記絶縁保護層が、シリコン、窒化シリコン（SiNx）、酸化シリコン（SiOx）、金属酸化物及び有機材料の少なくともいずれか一つを含む」という事項を省くことにより拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。