【事件の表示】
　特願２００５−１６５９７１「エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月１５日出願公開、特開２００５−３４７２７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
平成１７年　６月　６日：特許出願
（優先日　平成１６年６月４日及び２９日　大韓民国）
平成２０年　７月１１日：拒絶理由
平成２０年１０月１５日：意見及び手続補正
平成２１年　６月　９日：拒絶理由
平成２１年　９月１６日：意見及び手続補正
平成２２年　１月　４日：拒絶査定
平成２２年　５月１２日：審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　基板と，
　前記基板上に備えられた画素電極と，
　前記画素電極上に位置し，前記画素電極の所定部分を露出する開口部を備え，前記基板上に積層された少なくとも二つ以上の画素定義膜と，
　前記各々の画素定義膜の上部に各々備えられたバリア層と，
　前記露出された画素電極上に形成された発光層と，
　前記発光層上に形成された対向電極と，
　を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置。
　
第３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開２００２−２０３６８２号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，電場を加えることで発生するルミネッセンス（エレクトロルミネッセンス：Electro Luminescence）が得られる発光体及びそれを用いた発光装置に関する。特に本発明は，発光体に有機化合物を用いた発光装置に関する。」
　
記載事項イ　
「【００２４】このような考察を基にして，有機発光素子及びそれを用いた有機発光装置において，有機化合物中に含まれる酸素やＨ2Ｏなどの不純物が輝度の低下等，種々の劣化を起こす不純物であることを見出した。
【００２５】本発明は，陰極と陽極との間に有機化合物から成る層を有する有機発光素子，及び当該有機発光素子を用いて構成される発光装置において，輝度の低下，ダークスポットなどの電極材料の劣化をもたらす酸素濃度を低減することを第１の目的とする。
【００２６】有機発光素子を用いた好適な応用例は，当該有機発光素子で画素部を形成したアクティブマトリクス駆動方式の発光装置である。各画素には能動素子として薄膜トランジスタ（以下，ＴＦＴと記す）が設けられている。半導体膜を用いて形成されるＴＦＴはアルカリ金属の汚染によりしきい値電圧などの特性値が変動することが知られている。本発明は，陰極に仕事関数の小さなアルカリ金属を用いる有機発光素子とＴＦＴとを組み合わせて画素部を形成するための適した構造を提供することを第２の目的とする。」
　
記載事項ウ　
「【００３８】一方，平坦化した表面に形成することが望ましい有機発光素子は，ポリイミドやアクリルなど有機樹脂材料から成る平坦化膜上に形成する。しかし，このような有機樹脂材料は吸湿性がある。酸素やＨ2Ｏで劣化する有機発光素子はガスバリア性のある窒化珪素，酸化窒化珪素，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）で被覆する。
【００３９】図１２は本発明のアクティブマトリクス駆動方式の発光装置の概念を説明する図である。発光装置１２００の構成要素として，ＴＦＴ１２０１と有機発光素子１２０２が同一の基板に形成されている。ＴＦＴ１２０１の構成要素は半導体膜，ゲート絶縁膜，ゲート電極などであり，含まれる元素として珪素，水素，酸素，窒素，その他ゲート電極を形成する金属などがある。一方有機発光素子１２０２は有機化合物材料の主たる構成要素の炭素の他に，リチウムなどのアルカリ金属が元素として含まれている。
【００４０】ＴＦＴ１２０１の下層側（ガラス基板１２０３側）には，ブロッキング層として窒化珪素または酸化窒化珪素１２０５が形成されている。その反対の上層側には保護膜として酸化窒化珪素１２０６が形成されている。一方，有機発光素子１２０２の下層側には保護膜として窒化珪素または酸化窒化珪素１２０７が形成されている。上層側には保護膜としてＤＬＣ膜１２０８が形成される。そして，その両者の間には有機樹脂層間絶縁膜１２０４が形成され，一体化されている。ＴＦＴ１２０１が最も嫌うナトリウムなどのアルカリ金属は，窒化珪素または酸化窒化珪素１２０５及び酸化窒化珪素１２０６でブロッキングしている。一方，有機発光素子１２０２は酸素やＨ2Ｏを最も嫌うため，それをブロッキングするために窒化珪素または酸化窒化珪素１２０７及びＤＬＣ膜１２０８が形成されている。また，これらは有機発光素子１２０２が有するアルカリ金属元素を外に出さないための機能も有している。
【００４１】このようにＴＦＴと有機発光素子を組み合わせて構成される発光装置は，不純物汚染に対する相反する性質を満足させるために，酸素，Ｈ2Ｏに対するブロッキング性を有する絶縁膜を巧みに組み合わせて形成することで不純物の相互汚染による劣化を防止する。
【００４２】尚，本明細書において発光装置とは，上記発光体を用いた装置全般を指して言う。また，陽極と陰極の間に前記発光体を含む層を有する素子（以下，発光素子と呼ぶ）にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ若しくはＴＣＰ（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール，ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線基板が設けられたモジュール，または，発光素子が形成されている基板にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によりＩＣが実装されたモジュールも全て発光装置の範疇に含むものとする。
【００４３】また，本明細書でいう不純物元素としての酸素濃度は，二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で測定される最低濃度を指していう。」
　
記載事項エ　
「【００７３】[実施の形態３]図６はアクティブマトリクス駆動方式の発光装置の構造を示す一例である。ＴＦＴは画素部とその周辺の各種の機能回路に設けられる。ＴＦＴのチャネル形成領域を形成する半導体膜の材質は，非晶質珪素または多結晶珪素が選択可能であるが，本発明はどちらを採用しても構わない。
【００７４】基板６０１はガラス基板または有機樹脂基板が採用される。有機樹脂材料はガラス材料と比較して軽量であり，発光装置自体の軽量化に有効に作用する。発光装置を作製する上で適用できるものとしては，ポリイミド，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），アラミドなどの有機樹脂材料を用いることができる。ガラス基板は無アルカリガラスと呼ばれる，バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスを用いることが望ましい。ガラス基板の厚さは０．５〜１．１mmのものが採用されるが，軽量化を目的とすると厚さは薄くする必要がある。また，さらに軽量化を図るには比重が２．３７g/ccと小さいものを採用することが望ましい。
【００７５】図６では駆動回路部６５０にｎチャネル型ＴＦＴ６５２とｐチャネル型ＴＦＴ６５３が形成され，画素部６５１にはスイッチング用ＴＦＴ６５４，電流制御用ＴＦＴ６５５が形成されている様子を示している。これらのＴＦＴは，窒化珪素または酸化窒化珪素（ＳｉＯxＮyで表される）から成る第１絶縁層６０２上に半導体膜６０３〜６０６，ゲート絶縁膜６０７，ゲート電極６０８〜６１１などを用いて形成されている。
【００７６】ゲート電極の上層には，窒化珪素，酸化窒化珪素からなる第２絶縁層６１８が形成され，保護膜として用いられている。さらに平坦化膜として，ポリイミドまたはアクリルから成る有機絶縁膜６１９が形成されている。この有機絶縁膜は吸湿性があるので，Ｈ2Ｏを吸蔵する性質を持っている。そのＨ2Ｏが再放出されると，有機化合物に酸素を供給し，有機発光素子を劣化させる原因となるので，Ｈ2Ｏの吸蔵及び再放出を防ぐために，有機絶縁膜６１９の上に窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁膜６２０を形成する。
【００７７】駆動回路部６５０の回路構成は，ゲート信号側駆動回路とデータ信号側駆動回路とで異なるがここでは省略する。ｎチャネル型ＴＦＴ６５２及びｐチャネル型ＴＦＴ６５３には配線６１２，６１３が接続され，これらのＴＦＴを用いて，シフトレジスタやラッチ回路，バッファ回路などが形成することが可能である。
【００７８】画素部６５１では，データ配線６１４がスイッチング用ＴＦＴ６５４のソース側に接続し，ドレイン側の配線６１５は電流制御用ＴＦＴ６５５のゲート電極６１１と接続している。また，電流制御用ＴＦＴ６５５のソース側は電源供給配線６１７と接続し，ドレイン側の電極６１６がＥＬ素子の陽極と接続するように配線されている。
【００７９】有機発光素子６５６は，保護絶縁膜６２０上に形成され，ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）で形成される陽極６２１，正孔注入層，正孔輸送層，発光層などを含む有機化合物層６２３，ＭｇＡｇやＬｉＦなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属などの材料を用いて形成される陰極６２４とから成っている。有機発光素子の構造は任意なものとするが，図５で示す構造を採用することができる。バンク６２２はポリイミドやアクリルなどの有機樹脂で形成する。バンク６２２は１μm程度の厚さで形成し，その端部をテーパー形状となるように形成する。ＴＦＴの配線と陽極６２１の端部を覆うように形成され，この部分で陰極と陽極とがショートすることを防ぐために設ける。
【００８０】しかし，バンクを形成するポリイミドなどは吸湿性を有するため，アルゴンを用いたプラズマ処理で表面を緻密化して，Ｈ2Ｏなどを吸蔵しないように表面を改質する。こうして，バンクから再放出されるガス量を低下させ，有機化合物が劣化しないようにする。
【００８１】有機発光素子の陰極６２４は，仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ），リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極，ＬｉＡｌ電極，また，ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。さらにその上層には，窒化珪素または，ＤＬＣ膜で第３絶縁膜６２５（当審注：「第３絶縁膜」は「第４絶縁膜」の誤記である。）を形成する。ＤＬＣ膜は酸素をはじめ，ＣＯ，ＣＯ2，Ｈ2Ｏなどのガスバリア性が高いことが知られている。保護膜６２５は，陰極６２４を形成した後，大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。保護膜６２５の下層には窒化珪素のバッファ層があっても良い。陰極６２４と有機化合物層６２３との界面状態は有機発光素子の発光効率に大きく影響するからである。
【００８２】図６ではスイッチング用ＴＦＴ６５４をマルチゲート構造とし，電流制御用ＴＦＴ６５５にはゲート電極とオーバーラップする低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けている。多結晶珪素を用いたＴＦＴは，高い動作速度を示すが故にホットキャリア注入などの劣化も起こりやすい。そのため，図６のように，画素内において機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと，ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは，高い信頼性を有し，且つ，良好な画像表示が可能な（動作性能の高い）表示装置を作製する上で非常に有効である。
【００８３】図６で示すように，ＴＦＴ６５４，６５５を形成する半導体膜の下層側（基板６０１側）には，第１絶縁膜６０２が形成されている。その反対の上層側には第２絶縁膜６１８が形成されている。一方，有機発光素子６５６の下層側には第３絶縁膜６２０が形成されている。上層側には第４絶縁膜６２５が形成される。そして，その両者の間には有機発光素子６５６が形成され，第３絶縁膜６２０と保護膜６２５に挟まれて一体化されている。ＴＦＴ６５４，６５５が最も嫌うナトリウムなどのアルカリ金属は，汚染源として基板６０１や有機発光素子６５６が考えられるが，第１絶縁膜６０２と第２絶縁膜６１８で囲むことによりブロッキングしている。一方，有機発光素子６５６は酸素やＨ2Ｏを最も嫌うため，それをブロッキングするために第３絶縁膜６２０，第４絶縁膜６２５が形成されている。これらは有機発光素子６５６が有するアルカリ金属元素を外に出さないための機能も有している。
【００８４】また，ポリイミドなど有機樹脂の吸湿とガスの再放出を防ぐための他の形態は図７に示されている。陽極６２１を形成した後，バンク６２２を形成する。その後，スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法で窒化珪素膜からなるガスバリア層６３０を形成する。窒化珪素膜は最初全面に形成されるので，エッチング処理により陽極６２１の表面を露出させる。その後，有機化合物層６２３，陰極６２４を形成することにより有機発光素子６５６が完成する。図示しないが更に陰極６２４上には窒化酸化珪素又はＤＬＣ膜で保護膜を形成する。好ましくは陰極を形成した後，大気開放せずに連続して保護膜を形成するのが良い。また，保護膜を形成する下地として窒化珪素膜を形成しておいても良い。
【００８５】さらに，図６で示すような構造の有機発光装置において，効率的な作製方法の一例は，第３絶縁膜６２０，ＩＴＯに代表される透明導電膜で作製される陽極６２１をスパッタ法により連続成膜する工程を採用できる。有機絶縁膜６１９の表面に著しいダメージを与えることなく，緻密な窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜を形成するにはスパッタ法は適している。
【００８６】以上のように，ＴＦＴと有機発光装置を組み合わせて画素部を形成し，発光装置を完成させることができる。このような発光装置はＴＦＴを用いて駆動回路を同一基板上に形成することもできる。図６または図７で示すように，ＴＦＴの主要構成要素である半導体膜，ゲート絶縁膜及びゲート電極を，その下層側及び上層側を窒化珪素または酸化窒化珪素から成るブロッキング層と保護膜により囲むことにより，アルカリ金属や有機物の汚染を防ぐ構造を有している。一方有機発光素子はアルカリ金属を一部に含み，窒化珪素または酸化窒化珪素またはＤＬＣ膜から成る保護膜と，窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁膜から成るガスバリア層とで囲まれ，外部から酸素やＨ2Ｏが浸入することを防ぐ構造を有している。
【００８７】このように，本発明は不純物に対する特性の異なる素子を組合せ，お互いが干渉することなく発光装置を完成させる技術を提供している。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，引用例に記載された発明（図７の実施の形態）を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。なお，図７の実施の形態は図６の実施の形態に対する他の形態として記載されているので，図６の構成と明らかに同じ構成と認められるものについては，図６に関する引用例の記載を援用する。）。
　
Ａ　基板（６０１）はガラス基板または有機樹脂基板が採用され，
Ｂ　画素部（６５１）にはスイッチング用ＴＦＴ（６５４），電流制御用ＴＦＴ（６５５）が形成され，これらのＴＦＴは，窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第１絶縁膜（６０２）上に半導体膜（６０５，６０６），ゲート絶縁膜（６０７），ゲート電極（６１０，６１１）などを用いて形成され，
Ｃ　ゲート電極の上層には，窒化珪素，酸化窒化珪素からなる第２絶縁膜（６１８）が形成され，さらに平坦化膜として，ポリイミドまたはアクリルから成る有機絶縁膜（６１９）が形成され，有機絶縁膜（６１９）の上に窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第３絶縁膜（６２０）が形成され，
Ｄ　有機発光素子（６５６）は，第３絶縁膜（６２０）上に形成され，ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）で形成される陽極（６２１），正孔注入層，正孔輸送層，発光層などを含む有機化合物層（６２３），ＭｇＡｇやＬｉＦなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属などの材料を用いて形成される陰極（６２４）とから成っていて，
Ｅ　バンク（６２２）はポリイミドやアクリルなどの有機樹脂で，１μm程度の厚さで，その端部をテーパー形状となるように，ＴＦＴの配線と陽極（６２１）の端部を覆うように形成され，この部分で陰極（６２４）と陽極（６２２）とがショートすることを防ぐために設けた
Ｆ　アクティブマトリクス駆動方式の発光装置において，
Ｇ　ポリイミドなど有機樹脂の吸湿とガスの再放出を防ぐために，
Ｈ　陽極（６２１）を形成した後，バンク（６２２）を形成し，その後，スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法で窒化珪素膜からなるガスバリア層（６３０）を形成し，
Ｉ　窒化珪素膜は最初全面に形成されるので，エッチング処理により陽極（６２１）の表面を露出させ，その後，有機化合物層（６２３），陰極（６２４）を形成することにより有機発光素子（６５６）が完成し，
Ｊ　更に陰極（６２４）上には窒化酸化珪素又はＤＬＣ膜で保護膜を形成し，
Ｋ　有機発光素子はアルカリ金属を一部に含み，窒化珪素または酸化窒化珪素またはＤＬＣ膜から成る保護膜と，窒化珪素または炭素を主成分とする絶縁膜から成るガスバリア層とで囲まれ，外部から酸素やＨ2Ｏが浸入することを防ぐ構造を有している，
Ｌ　アクティブマトリクス駆動方式の発光装置。
　
第４　周知文献
１　周知例１
　特開２００３−２８２２４１号公報（平成１５年１０月３日公開，以下「周知例１」という。）には，以下の事項が記載されている。
「【０００４】【発明が解決しようとする課題】この有機ＥＬ素子は，大気に晒されると，水分，酸素などのガス，その他の使用環境中のある種の分子の影響を受けて劣化し易い，特に有機ＥＬ素子の電極と有機機能層の界面では特性劣化が顕著であり，輝度，色彩などの発光特性が低下する問題がある。これを防止するために，有機ＥＬ表示パネルにおいて，酸化シリコンなどの無機物単一層の保護膜で有機ＥＬ素子を封止してその劣化を抑制する方法が考えられるが，これは十分なバリア性を有していない。すなわち，無機バリア膜ではピンホール発生を回避できないからである。保護膜にピンホールがあるとその部分から水分，酸素などが侵入し，有機ＥＬ素子の発光しない部分いわゆるダークスポットが拡大してしまう。
【０００５】そこで，本発明は，有機機能層又は電極に対する酸素及び水分などに対する遮蔽性が高く発光特性が劣化しにくい有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示パネルを提供することを目的とする。」
「【００１６】【発明の実施の形態】発明者は，無機バリア膜だけの有機ＥＬ素子封止は不充分であるので，有機ＥＬ素子において有機ＥＬ素子に直接接する高分子化合物膜とその上の無機バリア膜の２層封止構造とする実験をした。高分子化合物膜として光硬化性のエポキシ樹脂などを用いた実験をしたが，得られた有機ＥＬ素子を高温保存した場合，樹脂中の光重合開始剤の残査や，樹脂中の不純物，反応に寄与しない副生成物などからのアウトガスが生じ，これらが有機ＥＬ素子を攻撃して黒点の拡大や輝度劣化を引き起こす。そこで，多層保護膜の成膜順を窒化シリコンなどの無機物膜そして，高分子化合物膜，無機物膜，高分子化合物膜の順とする。このように多層保護膜の有機ＥＬ素子と接する部分にアウトガス発生の心配に無い無機物膜を付けることにより，黒点の拡大しない，かつ外部から酸素や水分などの侵入の無い，信頼性の高い有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。」
　
２　周知例２
　特開２００３−２９７５５４号公報（平成１５年１０月１７日公開，以下「周知例２」という。）には，以下の事項が記載されている。
「【００２０】本発明の発光素子に用いられる基板は，水蒸気バリア性の材料を主材料として形成される。水蒸気バリア性の材料のみで基板を形成できないのは，以下の理由による。すなわち，水蒸気バリア性の材料で薄膜を作ると，この薄膜はわずかではあるがピンホールを有している。このため，ピンホールを通って，大気中の水分や酸素が電極に侵入し，ダークスポットの発生や成長の原因となる。一方，水蒸気バリア性の材料で作った薄膜の厚みを増していくと，薄膜は可撓性を失う。このため，基板は外的な力により容易にクラックを生ずる。このクラックから侵入した酸素や水分の進入を完全に防ぐことができない。
【００２１】本発明の構成によると，水蒸気バリア性の材料を主材料として形成された基板中に，少なくとも１つの樹脂薄膜が基板下面の表面形状に対応させて埋設されているので，樹脂薄膜で分割されている水蒸気バリア部は，厚みが小さい。また，樹脂薄膜も優れた可撓性を有する。この結果，基板に可撓性を与えることができるので，クラックが発生しない。一方，樹脂薄膜で分割されている水蒸気バリア部は，ピンホールを有している。しかし，各水蒸気バリア部の間には樹脂薄膜が介在している。この結果，ピンホールを通って，大気中の水分や酸素が電極に侵入することを有効に抑制できる。なお，樹脂薄膜が基板下面の表面形状に対応させているとは，基板下面が平面であれば樹脂薄膜も平面であり，基板下面が曲面状であれば樹脂薄膜も曲面状であるように，樹脂薄膜の形状が基板下面に対応していることをいう。」
「【００４１】基板を構成する水蒸気バリア性の材料としては，酸化ゲルマニウム，酸化珪素（ＳｉＯ，ＳｉＯ2），酸化モリブデンなどの金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化珪素（ＳｉＯX（当審注：「Ｏ」は「Ｎ」の誤記である。））などの金属窒化物，金属窒酸化物などの公知の水蒸気透過率の低い物質が挙げられる。なお，本発明の発光素子を下面発光させる場合には，水蒸気バリア性薄膜の膜厚を調整すれば透明または半透明の基板を得ることができる。」
「【００８８】（実施例３）・・・図３に示すように，実施例３で用いた基板１には，樹脂薄膜３１が４枚埋設されている。」
　
第５　対比及び判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　
(1)　基板及び画素電極
　構成要件ＡないしＤからみて，引用発明の「基板（６０１）」及び「陽極（６２１）」と本願発明の「基板」及び「画素電極」は，それぞれ，「基板」及び「前記基板上に備えられた画素電極」の点で一致する。
　
(2)　画素定義膜
　構成要件Ｅ，Ｈ及びＩからみて，引用発明の「バンク（６２２）」と本願発明の「画素定義膜」は，（後述の相違点を除いた）「前記画素電極上に位置し，前記画素電極の所定部分を露出する開口部を備え，前記基板上に積層された」「画素定義膜」の点で一致する。
　
(3)　バリア層
　構成要件Ｈからみて，引用発明の「ガスバリア層（６３０）」と本願発明の「バリア層」は，（後述の相違点を除いた）「前記」「画素定義膜の上部に」「備えられたバリア層」の点で一致する。
　
(4)　発光層，対向電極
　構成要件Ｄ及びＩからみて，引用発明の「有機化合物層（６２３）」及び「陰極（６２４）」と本願発明の「発光層」及び「対向電極」は，それぞれ，「前記露出された画素電極上に形成された発光層」及び「前記発光層上に形成された対向電極」の点で一致する。
　
(5)　エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
　以上の対比結果及び構成要件ＡないしＬからみて，引用発明の「アクティブマトリクス駆動方式の発光装置」と本願発明の「エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置」は「エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置」の点で一致する。
　
　そうしてみると，本願発明と引用発明は，
「　基板と，
　前記基板上に備えられた画素電極と，
　前記画素電極上に位置し，前記画素電極の所定部分を露出する開口部を備え，前記基板上に積層された画素定義膜と，
　前記画素定義膜の上部に備えられたバリア層と，
　前記露出された画素電極上に形成された発光層と，
　前記発光層上に形成された対向電極と，
　を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明の画素定義膜は，前記画素電極上に位置し，前記画素電極の所定部分を露出する開口部を備え，前記基板上に積層された「少なくとも二つ以上の」画素定義膜であり，また，本願発明のバリア層は，前記「各々の」画素定義膜の上部に「各々」備えられたバリア層であるのに対し，引用発明のバンク（６２２）及びガスバリア層（６３０）は，ともに一層である点。
　
２　判断
　引用発明のガスバリア層（６３０）は窒化珪素膜であるところ，窒化珪素膜を含む無機バリア膜ではピンホールから水分や酸素が侵入すること，さらに，この問題を解決する手段として，高分子化合物膜及び無機バリア膜を交互に複数設けることは周知である（周知例１，２）。
　そうしてみると，引用発明のガスバリア層（６３０）に対して高分子化合物膜及び無機バリア膜を追加的に設けることは当業者が容易にできることであり，そうしてなるものは，相違点に係る構成を備えるものである。
　また，本願発明の効果は，引用発明及び周知技術から予測できる範囲内のものである。
　
　なお，請求人は審判請求書において引用発明のバリア層と周知例記載のバリア層との機能の相違を主張する。しかしながら，両者は，アウトガス源が相違するとしても酸素等をバリアするという機能においては共通しており，容易に想到できないというほどの相違ではない。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　総括
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。