【事件の表示】
　特願２００４−５６０９４１「厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月　８日国際公開、ＷＯ２００４／０５７９１９、平成１８年　３月３０日国内公表、特表２００６−５１１０４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。 
　　国際出願日　　　　　：平成１５年１２月　１日  
　（優先権主張の日　　　：平成１４年１２月２０日、米国）  
　　国内書面　　　　　　：平成１７年　６月１７日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　６月１０日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１２月１０日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　１月　５日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　５月１２日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　５月１２日  
　　補正の却下の決定　　：平成２３年　６月２８日（起案日）
　　拒絶理由通知（最初）：平成２３年　６月２８日（起案日）
　　手続補正　　　　　　：平成２３年１１月　７日
　　意見書　　　　　　　：平成２３年１１月　７日
　　　
第２　本願発明について  
　本願の請求項２２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１１月　７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項２２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
　　　　　
「【請求項２２】
　厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイの副構造体であって、
　ガラス基板と、
　金または銀合金を含む下部電極と、
　バリア層と、
　厚膜誘電体層とを順に備え、
　前記バリア層は、前記下部電極及び前記厚膜誘電体層に関して化学的に不活性であり、前記基板からの化学種が前記バリア層を通って前記厚膜誘電体層に拡散することを抑制し、かつ、前記厚膜誘電体層からの化学種が前記バリア層を通って前記基板に拡散することを抑制していることを特徴とする副構造体。」
　　　　　　
第３　引用例
　当審で通知した平成２３年　６月２８日付けの拒絶理由で引用した、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−１５８０９４号公報（以下「引用例」という。公開日：平成１４年　５月３１日）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　　
（ａ）「【００３９】図１は本発明の薄膜ＥＬ素子の構造図である。本発明の薄膜ＥＬ素子は電気絶縁性を有する基板（１１）上に、所定のパターンを有する下部電極層（１２）と、その上にバッファ層（１０）を介して溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことによって形成された多層状誘電体層（１３）と、さらに誘電体層上に薄膜絶縁体層（１７）、発光層（１４）、薄膜絶縁体層（１５）、透明電極層（１６）が積層された構造である。尚、薄膜絶縁体層（１７）および薄膜絶縁体層（１５）は省略しても良い。
【００４０】本発明の薄膜ＥＬ素子はバッファ層の効果により下部電極層上で誘電体層におけるクラックの発生を抑えることができる。このため、欠陥の原因は製造工程に起因するゴミやパターンエッジ部であるが、このようなゴミなどによる欠陥の発生は十分少なく、また、それらの欠陥による絶縁耐圧欠陥部も溶液塗布焼成法を繰り返すことにより抑制することが可能となる。従って、絶縁破壊の原因となる局所的な絶縁耐圧の低い箇所の発生を極めて少なくできる。」
　　　
（ｂ）「【００４１】基板は電気絶縁性を有しその上に形成される下部電極層、誘電体層を汚染することなく、所定の耐熱強度を維持できるもので有れば特に限定されるものではない。
【００４２】具体的な材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英ガラス（ＳｉＯ2）、マグネシア（ＭｇＯ）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ベリリア（ＢｅＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等のセラミック基板や結晶化ガラスや、高耐熱ガラス、青板ガラス等を用いてもよく、またホウロウ処理を行った金属基板等も使用可能である。
【００４３】これらの中でも特に結晶化ガラスや、高耐熱ガラス、また、形成する誘電体層の焼成温度との整合が取れれば青板ガラスがその低コスト性、表面性、平坦性、大面積基板作製の容易さから好ましい。」
　　　
（ｃ）「【００４４】下部電極層は、複数のストライプ状のパターンを有するように形成され、その線幅が１画素の幅となりライン間のスペースは非発光領域となるため極力ライン間のスペースを小さくしておくことが望ましく、目的とするディスプレーの解像度にもよるが、例えば線幅２００〜５００μｍ、スペース２０μｍ程度が必要である。
【００４５】下部電極層の材質としては、高い導電性が得られ、かつ誘電体層形成時にダメージを受けず、さらに誘電体層や発光層と反応性が低い材質が望ましい。このような下部電極層材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｇ等の貴金属や、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ等の貴金属合金や、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ等の貴金属を主成分とし非金属元素を添加した電極材料が誘電体層焼成時の酸化雰囲気に対する耐酸化性が容易に得られるため望ましい。またＮｉ，Ｃｕ等の卑金属を用い、誘電体層を焼成するときの酸素分圧をこれらの非金属が酸化されない範囲に設定して用いることもできる。下部電極層の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、めっき法等の公知の技術を用いればよい。」
　　　
（ｄ）「【００４６】本発明では誘電体層をバッファ層を介して溶液塗布焼成法により多層状誘電体層に形成する。
【００４７】誘電体層は、高誘電率で高耐圧の材質で構成することが望ましい。ここで、誘電体層と発光層の比誘電率をそれぞれｅ１、ｅ２とし、膜厚をｄ１、ｄ２とし、上部電極層と下部電極層間に電圧Ｖｏを印加した場合、発光層に印加される電圧Ｖ２は次式で示される。
Ｖ２／Ｖｏ＝（ｅ１×ｄ２）／（ｅ１×ｄ２＋ｅ２×ｄ１）  ------  （１）
発光層の比誘電率をｅ２＝１０、膜厚をｄ２＝１μｍと仮定した場合、
Ｖ２／Ｖｏ＝ｅ１／（ｅ１＋１０×ｄ１）  -------  （２）
発光層に実効的にかかる電圧は少なくとも印加電圧の５０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上であることから上式より
５０％以上の場合、ｅ１≧１０×ｄ１  --------  （３）
８０％以上の場合、ｅ１≧４０×ｄ１  --------  （４）
９０％以上の場合、ｅ１≧９０×ｄ１  --------  （５）
すなわち、誘電体層の比誘電率は少なくとも単位をμｍで表したときの膜厚の少なくとも１０倍以上、好ましくは４０倍以上、より好ましくは９０倍以上が必要となる。例えば、誘電体層の膜厚が５μｍであれば、その比誘電率は５０〜２００〜４５０以上が必要である。
【００４８】このような高誘電率材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、（ＢａxＣａ1-x）ＴｉＯ3、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）3等のペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｉ2/3）Ｏ3等に代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料や、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9等に代表されるビスマス層状化合物、（ＳｒxＢａ1-x）Ｎｂ2Ｏ6、ＰｂＮｂＯ6等に代表されるタングステンブロンズ型強誘電体材料が用いられる。この中でも、ＢａＴｉＯ3やＰＺＴ等のペロブスカイト構造を持った強誘電体材料が、比誘電率が高く比較的低温での合成が容易であるため好ましい。」
　　　
（ｅ）「【００４９】前記誘電体層はゾルゲル法やＭＯＤ法等の溶液塗布焼成法により形成される。ゾルゲル法とは、一般には溶媒に溶かした金属アルコキシドに所定量の水を加え、加水分解、重縮合反応させてできるＭ−Ｏ−Ｍ結合を持つゾルの前駆体溶液を基板に塗布し焼成させることによって膜形成をする方法である。また、ＭＯＤ（Metallo-Organic Decomposition ）法とは、Ｍ−Ｏ結合を持つカルボン酸の金属塩などを有機溶媒に溶かして前駆体溶液を形成し、基板に塗布し焼成させることによって膜形成をする方法である。
【００５０】ゾルゲル法とＭＯＤ法は、完全に別個の方法ではなく、相互に組み合わせて用いることが一般的である。例えばＰＺＴの膜を形成する際、Ｐｂ源として酢酸鉛を用い、Ｔｉ，Ｚｒ源としてアルコキシドを用いて溶液を調整することが一般的である。また、ゾルゲル法とＭＯＤ法の二つの方法を総称してゾルゲル法と呼ぶ場合もあるが、いずれの場合も前駆体溶液を基板に塗布し、焼成することによって膜を形成することから本明細書では溶液塗布焼成法とする。また、サブμｍの誘電体粒子と誘電体の前駆体溶液を混合した溶液であっても本発明の誘電体の前駆体溶液に含まれ、その溶液を基板に塗布焼成する場合であっても本発明の溶液塗布焼成法に含まれる。
【００５１】溶液塗布焼成法は、ゾルゲル法、ＭＯＤ法いずれの場合も、誘電体を構成する元素がサブμｍ以下のオーダーで均一に混合されるため、厚膜法による誘電体形成のような本質的にセラミックス粉体焼結を用いた手法と比較して、極めて低温で誘電体を合成することが可能である。
【００５２】例えば、ＢａＴｉＯ3やＰＺＴ等のペロブスカイト構造強誘電体を例に取ると、通常のセラミックス粉体焼結法では９００〜１０００℃以上の高温プロセスが必要であるが、溶液塗布焼成法を用いれば、５００〜７００℃程度の低温で形成可能であるこのように、溶液塗布焼成法により誘電体層を形成することにより、従来の厚膜法では耐熱性の観点で使用不可能であった高耐熱ガラスや結晶化ガラス、また青板ガラス等の使用が可能になる。
【００５３】また、多層状誘電体層を構成する各層の膜厚を等しく形成しても良く、あるいは各層を異なった膜厚で形成しても良い。そして、この各層は同一の材質から構成されても良く、あるいは異なった材質から構成されても良い。」
　　　
（ｆ）「【００５４】バッファ層はそれ自体が金属電極上でクラックを発生せず、かつ十分な機械的クランプ効果を持たせることが必要である。そのため、バッファ層の形成時や、バッファ層形成後の溶液塗布焼成法による焼成過程においてもバッファ層に過度な体積収縮が起こらず、かつ金属電極と比較して十分堅く、かつ適当な膜厚を持つことが必要である。このようなバッファ層の形成方法としては、バッファ層を形成したその時点でバッファ層の密度が十分高く、バッファ層形成後の溶液塗布焼成層の焼成時にバッファ層の体積収縮が小さく、電極層のクランプ効果が発揮できる方法がよい。すなわちバッファ層の形成方法としては、上述した溶液塗布焼成法のような所期の構造を形成する過程で大幅な体積収縮が生じる方法は好ましくなく体積収縮を生じることなく緻密な膜形成法が必要とされる。
【００５５】このような膜形成法としては、真空蒸着法や、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の方法を用い、目的組成物の組成と密度に近い膜を後熱処理等を経ずに直接基板上に形成できる成膜方法が必要である。この内、スパッタリング法は、ターゲット組成と同組成の薄膜を容易に形成できるため特に好ましい形成方法であり、結晶化状態の薄膜で密度９５％以上、アモルファス状態の薄膜でも密度８０％以上の薄膜を容易に形成することが可能である。
【００５６】次に、バッファ層の比誘電率の影響に関して説明する。誘電体層とバッファ層の比誘電率をそれぞれｅ３、ｅ４とし、膜厚をｄ３、ｄ４とした場合の誘電体層とバッファ層複合体の実効比誘電率ｅ５は次式で示される。
ｅ５＝ｅ３×１／[１＋（ｅ３／ｅ４）×（ｄ４／ｄ３）]    -------  （６）
バッファ層の挿入による誘電体層/バッファ層複合層の実効的な比誘電率の低下は、前記の誘電体層と発光層との比誘電率と発光層に印加される実効電圧との関係から考えて、少ないことが必要であり、複合層の比誘電率は少なくとも誘電体層単独の場合の９０％以上、好ましくは９５％以上であることが望まれる。従って、（６）式より
９０％以上の場合、ｅ３／ｄ３≦９×ｅ４／ｄ４           --------  （７）
９５％以上の場合、ｅ３／ｄ３≦１９×ｅ４／ｄ４         --------  （８）
例えば誘電体層の比誘電率を１０００、膜厚を８μmと仮定すると、バッファ層の比誘電率と膜厚の比率は、１１２５以上、好ましくは２３７５以上となる。従って、バッファ層の膜厚を０．１μmと仮定すると、比誘電率は１１２．５〜２３７．５以上が必要となり、バッファ層の膜厚を０．０１μmと仮定すれば比誘電率は１１．２５〜２３．７５以上が必要となる。
【００５７】バッファ層の膜厚としては、電極層と誘電体層との相互作用による誘電体層形成時のクラック発生を抑制する効果が得られればよく、電極のクランプ効果という点では膜厚が大きければよりその効果が顕著になることが予想され、本発明者の実験的検討によれば、スパッタリング法によって形成した酸化物薄膜の場合、膜厚としては１０ｎｍ以上からクラック抑制効果は十分に認められ、膜厚が増大するにつれてクラック抑制効果が向上し、１００ｎｍ以上になると、電極上のクラックが完全に無くなることが明らかになった。従って、必要とされる膜厚は、少なくとも１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上である。この効果は約１μｍの厚さまで同様に認められるがそれ以上の厚さでは後述するようにオーバーハングを生じるおそれがある。このため、上限は好ましくは１μｍ以下、より好ましくは電極層厚の１／２以下であるバッファ層の材質としては、アルミナ（比誘電率８）、ジルコニア（比誘電率約１０）、Ｔａ2Ｏ5（比誘電率約２５）等の絶縁性材料を用いることができるが、前述の比誘電率と膜厚の関係と、クラック抑制効果、誘電体層との反応性の点から、好ましくは高誘電率材料、例えばＴｉＯ2（比誘電率約８０）等の材料、特に好ましくは１００以上の比誘電率を持つ高誘電率材料、例えば、Ｐｂ2-x（Ｚｒ1-yＴｉy)2Ｏ6-z等のパイロクロア型誘電体、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9等に代表されるＢｉ層状化合物型誘電体等の材料、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）等のペロブスカイト型高誘電率材料を形成する組成物や、これらの混合体、固溶体組成（（Ｂａ1-xＳｒx）ＴｉＯ3、ＰＺＴ等）、ペロブスカイト型リラクサー酸化物が好適である。この中でも特に、ＢａＴｉＯ3やＰＺＴ等のペロブスカイト構造を持った強誘電体材料が、比誘電率が高く比較的低温での合成が容易であるため好ましい。このような材料はバッファ層として好適な比誘電率を１００以上とすることが容易である。
【００５８】また、溶液塗布焼成法で形成する誘電体層と同一の結晶構造の材料を用いることで、誘電体層とバッファ層の反応や誘電体層の異相の形成等を容易に避けることができる。さらに同一組成とすれば、バッファ層を用いることによる、バッファ層／誘電体層複合層の実効的な比誘電率の低下を完全になくすことが可能であり、発光層に印加させる実効電圧値の低下を避けることができる。
【００５９】通常これらの材料は成膜後熱処理を行うことで高い誘電率を得ることができる。本発明では溶液塗布焼成法により誘電体層を形成する工程で５００〜７００℃程度の熱処理を行う。この熱処理工程はバッファ層に対しても熱処理の効果を与えることができる。このためバッファ層を形成後あらかじめ熱処理を行っても良いが熱処理を行っていなくても溶液塗布焼成法における熱処理工程によりバッファ層を高誘電率を有するものとすることができる。」
　　　
（ｇ）「【００６０】さらに、本発明の作用を明確に説明するため、誘電体層を本発明によるバッファ層を介して溶液塗布焼成法により多層状誘電体層に形成せず、スパッタリング法により形成した場合について電子顕微鏡写真を用いて説明する。図７は３μｍの下部電極層を形成し、パターニングした基板上に、スパッタリング法でＢａＴｉＯ3薄膜を８μｍ形成した場合の電子顕微鏡写真である。図６より明らかなように、スパッタリング法によって誘電体層を形成した場合、誘電体膜の表面は基板の段差を強調する形で形成されるため、誘電体表面は著しい凹凸とオーバーハングが発生する。このような表面形状の凹凸現象は、スパッタリング法以外にも蒸着法で誘電体層を形成した場合も同じように認められている。このような誘電体層上には、ＥＬ発光層のような機能性薄膜を形成し使用することは全く不可能である。
【００６１】すなわち、本発明は下部電極層上にバッファ層を介して溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことによって形成することにより、従来下部電極上で発生していた誘電体層第１層のクラックもバッファ層の効果により抑制できるとともに従来のスパッタリング法等の手法で形成した誘電体層では不可能であった下部電極層の段差やゴミ等による欠陥を溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことによって完全に被覆し、さらに誘電体層表面が平坦化され、かつ絶縁耐圧の弱い部分を極めて少なくすることができる。」
　　　
（ｈ）「【００６２】本発明者による詳細な実験の結果、上記の効果は、以下の条件において特に効果が認められた。
【００６３】第１に、誘電体層を下部電極層上にバッファ層を介して溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことによって形成することである。この効果は前記したとおりであり、特に問題となる誘電体層第１層のクラック発生の問題を解決できる。さらに繰り返し回数を３回以上とした場合、単層の誘電体層にゴミ等の原因によって発生した欠陥部の膜厚が、少なくとも多層状誘電体層の平均膜厚の２/３以上にすることが可能である。通常誘電体層の絶縁耐圧の設計値としては、予定印加電圧の５０％程度の余裕を見込むため、上記の欠陥によって発生した局所的な耐圧低下部でも絶縁破壊等の問題を回避することが可能となる。
【００６４】第２にバッファ層を高誘電率膜、特に好ましくは比誘電率を１００以上の物質とすることである。バッファ層を高誘電率膜とすることでバッファ層の介在による誘電体層の実効的な比誘電率低下を防ぎ、特に比誘電率を１００以上とすることで、誘電体層の実効的な比誘電率低下を無視できる範囲まで減少させることが可能となる。特に好ましくはバッファ層を前記高誘電率膜をペロブスカイト構造を有する誘電体膜で構成することである。バッファ層をペロブスカイト構造を有する誘電体膜とすることで容易に比誘電率を１００以上とすることができる。
【００６５】第３にバッファ層をスパッタリング法で形成することである。スパッタ法により高密度のバッファ層が形成できるため、膜厚が１０ｎｍと非常に薄い領域から金属電極の機械的クランプ効果が発生し、溶液塗布焼成法による誘電体第１層のクラック発生を抑制することができる。このように膜厚が薄いバッファ層を用い、かつ高誘電率を用いることで、バッファ層が介在することによる誘電体層の実効的な比誘電率の低下を最小限に抑えることが可能となる。
【００６６】第４に多層状誘電体層の膜厚を４μｍ以上、１６μｍ以下とすることである。本発明者の検討によれば、通常のクリーンルーム内での工程で発生するゴミ等のパーティクルサイズは０．１〜２μｍ、特に１μｍ前後に集中しており、平均膜厚を４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上とすることでゴミ等の欠陥による誘電体層欠陥部の絶縁耐圧を平均耐圧の２/３以上とすることが可能である。
【００６７】膜厚が１６μｍ以上になると溶液塗布焼成法の繰り返し回数が多くなりすぎるためコストの増大となる。さらに、式（３）〜（５）に示されるように、誘電体層の膜厚を大きくすると誘電体層の比誘電率自体を大きくする必要があり、例えば膜厚が１６μｍ以上の場合、必要とされる比誘電率は、１６０〜６４０〜１４４０以上となる。しかし、一般に溶液塗布焼成成法を用いて比誘電率１５００以上の誘電体層を形成することは技術的困難が大きい。また、本発明では耐圧が高く欠陥の無い誘電体層が容易に形成可能であるため、１６μｍ以上の誘電体層を形成する必要が無い。このため、膜厚の上限は１６μｍ以下、好ましくは１２μｍ以下である。
【００６８】また、誘電体層の膜厚が下部電極層の膜厚の４倍以上とすることで、下部電極層のパターニングによって生じるパターンエッジ部の被覆性と誘電体層表面の平坦性を十分に改善できる。
【００６９】多層状誘電体層上に薄膜絶縁体層（１７）は、前記したように省略しても良いがこれを有することが好ましい。この薄膜絶縁体層は抵抗率として、１０8Ωｃｍ以上、特に１０10〜１０18Ωｃｍ程度が好ましい。また、比較的高い比誘電率を有する物質であることが好ましく、その比誘電率εとしては、好ましくはε＝３〜１０００程度である。この薄膜絶縁体層の構成材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ニオブ酸鉛（ＰｂＮｂ2Ｏ6）等を用いることができる。また、薄膜絶縁体層は多層状誘電体層と同じ物質で構成することが好ましい。薄膜絶縁体層を形成する方法としては、スパッタ法や蒸着法を用いることができる。また、薄膜絶縁体層の膜厚としては、好ましくは５０〜１０００ｎｍ、特に好ましくは５０〜５００ｎｍ程度である。
　　・・・中略・・・
【００７５】なお、上記した薄膜ＥＬ素子は単一発光層のみを有するが、本発明の薄膜ＥＬ素子は、このような構成に限定されるものではなく、膜厚方向に発光層を複数積層しても良いし、マトリックス状にそれぞれ種類の異なる発光層（画素）を組み合わせて平面的に配置するような構成としても良い。
　　・・・中略・・・
【００７８】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に示しさらに詳細に説明する。
（実施例１）９９．６％純度のアルミナ基板およびソーダライムベース高耐熱ガラス基板（軟化点８２０℃）を用い、この基板上にスパッタリング法により微量添加物を添加したＡｕ薄膜を１．２μｍの厚さに形成し、７００℃で熱処理を行って安定化した。このＡｕ薄膜をフォトエッチング法を用いて幅３００μｍ、スペース３０μｍの多数のストライプ状にパターニングした。
【００７９】次にこの基板にＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＴｉＯ2薄膜をスパッタ法により形成し、バッファ層とした。
【００８０】ＢａＴｉＯ3薄膜の形成条件として、マグネトロンスパッタ装置を用い、ＢａＴｉＯ3セラミックスをターゲットとして、Ａｒガス３Ｐａの圧力で、１３．５６Ｍｚ高周波電極密度２Ｗ／ｃｍ2の条件で成膜を行った。このとき成膜速度は約５ｎｍ／ｍｉｎであり、スパッタリング時間を調整することで膜厚５〜１００ｎｍのバッファ層を得た。このとき形成されたＢａＴｉＯ3薄膜はアモルファス状態であり、膜密度は８０〜９０％であった。また、スパッタリングされた膜の比誘電率は約２０であり、この膜を６００℃で熱処理したところ、比誘電率４００の値が得られた。また、熱処理をしたＢａＴｉＯ3薄膜はペロブスカイト構造を有することがＸ線回折法により確認された。本実施例では６００℃の温度で熱処理を行ったが５００〜７００℃の温度で熱処理を行っても効果は同等であった。
　　・・・中略・・・
【００８３】この基板に溶液塗布焼成法を用いて誘電体層を形成した。溶液塗布焼成法による誘電体層の形成方法として、以下の方法で作製したＰＺＴのゾルゲル液を準備し溶液塗布焼成法前駆体溶液として用いた。焼成方法は、バッファ層が形成された基板に前駆体溶液をスピンコーティング法にて塗布し、７００℃１５分間焼成することを所定回繰り返した。
【００８４】基本的なＰＺＴゾルゲル液の作製方法は、８．４９ｇの酢酸鉛三水和物と４．１７ｇの１．３プロパンジオールを約２時間、加熱攪拌し、透明な溶液を得た。これとは別に３．７０ｇのジルコニウム・ノルマルプロポキシド７０ｗｔ％１−プロパノール溶液と１．５８ｇのアセチルアセトンを乾燥窒素雰囲気中で３０分間加熱攪拌し、これに３．１４ｇのチタニウム・ジイソプロポキシド・ビスアセチルアセトネート７５ｗｔ％２−プロパノール溶液と２．３２ｇの１．３プロパンジオールを加え、更に２時間加熱攪拌した。これら２つの溶液を８０℃で混合し、乾燥窒素雰囲気中で２時間加熱攪拌し、褐色透明な溶液を作製した。この溶液を１３０℃で数分間保持することにより副生成物を取り除き、更に３時間加熱攪拌することによりＰＺＴ前駆体溶液を作製した。
【００８５】ＰＺＴゾルゲル液の粘度調整は、ｎ−プロパノールを用いて希釈することにより行った。単層当たりの誘電体層の膜厚は、スピンコーティング条件及びゾルゲル液の粘度を調整することにより、１層０．４μｍ、０．７μｍとした。上記ゾルゲル液をＰＺＴ前駆体溶液としてスピンコーティング及び焼成を繰り返すことにより表１に示す誘電体層を形成した。続いてそれぞれの試料を所定の個数ずつ耐圧を評価し平均耐圧を求めた。
【００８６】
【表１】
【００８７】表１中の膜構造とは膜厚×積層回数を表す。例えば試料４の膜構造は０．７μｍを６層積層した構造である。表１から明らかなように、本発明のバッファ層を介して誘電体層を形成した試料はバッファ層を形成することなく同じ構造の誘電体層を形成した比較例に対して高い平均耐圧を有している。また、多層状誘電体層の膜厚が４μｍ未満の試料３は平均耐圧が低く、下部電極膜厚に対し多層状誘電体層の膜厚が４倍以上無い試料４は平均耐圧が十分に得られていないことがわかる。また、この実施例ではバッファ層を形成後あらかじめ熱処理を行った後、溶液塗布焼成法により誘電体層を形成したが、あらかじめ熱処理を行うことなく溶液塗布焼成法により誘電体層を形成したものも誘電率ならびに耐圧は同等であった。このことは溶液塗布焼成法の工程における熱処理はバッファ層に対しても熱処理の効果が与えられことによる。
　　・・・中略・・・
【００９０】次に、第２薄膜絶縁体層としてＳｉ3Ｎ4薄膜と上部電極層としてＩＴＯ薄膜をスパッタリング法により順次形成することにより薄膜ＥＬ素子とした。その際、上部電極層のＩＴＯ薄膜はメタルマスクを成膜時に用いることにより幅１ｍｍのストライプ上にパターニングした。発光特性は、得られた素子構造の下部電極、上部透明電極から電極を引き出し、１ｋＨｚのパルス幅５０μｓにて発光輝度が飽和するまでの電界を印加して測定した。また、それぞれの薄膜ＥＬ素子を所定の個数ずつ作製し評価した。
【００９１】その結果、試料３を用いた薄膜ＥＬ素子は、発光敷居値付近（１４０〜１６０Ｖ）の電圧を印加した時点で約半数の試料において絶縁破壊を起こし破壊した。また、試料４は作製した試料の約１割において最高輝度に達する前に絶縁破壊を起こした。この原因として平均耐圧が低かったことが考えられる。これに対し、その他の試料上に形成された薄膜ＥＬ素子は何れも最高輝度６０００〜１００００ｃｄ／ｍ2が得られ、かつその時の印加電圧でも絶縁破壊が発生しなかった。」
　　　　
（ｉ）「（実施例２）ソーダライムベース高耐熱ガラス基板（軟化点８２０℃）を用い、この基板上にスパッタリング法により薄膜下部電極層としてＡｇ／Ｐｄ（３０％）薄膜を０．５μｍの厚さに形成し、７００℃で熱処理を行って安定化した。この薄膜下部電極層をフォトエッチング法を用いて幅５００μｍ、スペース５０μｍの多数のストライプ状にパターニングした。
【００９２】次にこの基板にスパッタリング法によりＳｒＴｉＯ3薄膜を形成し、バッファ層とした。ＳｒＴｉＯ3薄膜の形成条件は実施例１に示した条件と同様とし、５００℃で熱処理したところ、比誘電率２００の値が得られた。また、熱処理をしたＳｒＴｉＯ3薄膜はペロブスカイト構造を有することがＸ線回折法により確認された。
【００９３】この基板に溶液塗布焼成法を用いて誘電体層を形成した。溶液塗布焼成法による誘電体層の形成方法として、以下の方法で形成したゾルゲル液をＢａＴｉＯ3前駆体溶液として基板にディップコーティング法にて塗布し、最高温度７００℃にて１０分間焼成することを所定回繰り返した。このとき１層当たりの誘電体層の膜厚は１．２μｍであった。
【００９４】ＢａＴｉＯ3前駆体溶液の作製方法としては、分子量６３万のＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）を２−プロバノールに完全に溶解し、酢酸及びチタンテトライソプロポキシドを攪拌しながら添加し、透明な溶液を得た。この溶液に純水と酢酸バリウムの混合溶液を攪拌しながら滴下し、この状態で攪拌を続けながら所定時間のエージングを行った。各出発原料の組成比は、酢酸バリウム：チタンテトライソプロポキシド：ＰＶＰ：酢酸：純水：２−プロパノール＝１：１：０．５：９：２０：２０である。これによりＢａＴｉＯ3前駆体溶液が得られた。
【００９５】上記ＢａＴｉＯ3前駆体溶液の塗布と焼成を繰り返すことにより表２に示す誘電体層を形成した。
【００９６】
【表２】
【００９７】表２中の膜構造とは表１と同様に膜厚×積層回数を表す。表２から明らかなように、この実施例においても本発明のバッファ層を形成した後に誘電体層を形成した試料はバッファ層を形成することなく同じ構造の誘電体層を形成した比較例に対して高い平均耐圧を有している。
【００９８】このようにして形成された試料２１〜２５に実施例１と同様に発光層、薄膜絶縁体層、上部透明電極を形成し薄膜ＥＬ素子を作製し、それぞれ所定の個数ずつ発光特性を評価したところいずれの薄膜ＥＬ素子においても最高輝度６０００〜１００００ｃｄ／ｍ2が得られた。」
　　　　　　
（ｊ）図１
〔引用例に記載された発明の認定〕  
　上記摘記事項ａ〜ｊから、引用例には、  
「マトリックス状にそれぞれ種類の異なる発光層（画素）を組み合わせて平面的に配置するような構成を有する薄膜ＥＬ素子を構成する構造であって、
　ソーダライムベース高耐熱ガラス基板と、
　ストライプ状のＡｕ薄膜からなる下部電極層と、
　チタン酸バリウムからなるバッファ層と、
　溶液塗布焼成法によって形成された４μｍ以上１６μｍ以下の膜厚を有する多層状誘電体層であって、膜厚を大きくすることによってゴミ等の欠陥による誘電体層欠陥部の絶縁耐圧を高めることができる多層状誘電体層とを順に備えた構造。」
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　　　　　　　　　　
第４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。  
 　  
＜対応関係Ａ＞
　引用発明の「ソーダライムベース高耐熱ガラス基板」及び「ストライプ状のＡｕ薄膜からなる下部電極層」はそれぞれ、本願発明の「ガラス基板」及び「金または銀合金を含む下部電極」に相当する。
　　　　　　
＜対応関係Ｂ＞
　引用発明の「バッファ層」と本願発明の「バリア層」とは、「下部電極の層と厚膜誘電体層との間に設けられた中間層」である点で共通する。
　　　　　　
＜対応関係Ｃ＞
　引用発明の「溶液塗布焼成法によって形成された４μｍ以上１６μｍ以下の膜厚を有する多層状誘電体層であって、膜厚を大きくすることによってゴミ等の欠陥による誘電体層欠陥部の絶縁耐圧を高めることができる多層状誘電体層」は、いわゆる薄膜成膜技術（例えば、スパッタ、蒸着、原子層エピタキシ等）に比較して相対的に厚膜の成膜を行う「溶液塗布焼成法」を用いて形成される「４μｍ以上１６μｍ以下の膜厚を有する多層状誘電体層であって、膜厚を大きくすることによってゴミ等の欠陥による誘電体層欠陥部の絶縁耐圧を高めることができる」誘電体層であるから、本願発明の「厚膜誘電体層」に相当する（なお、本願明細書の段落【００７３】〜【００７５】の記載からして、本願発明の「誘電体層」も、０．５〜数μｍ程度の膜厚の誘電体層を印刷焼成や塗布焼成の技術を用いて形成し、それらを複数積層させた十数μｍ程度の膜厚の複合厚膜誘電体層を前提としたものである。）。
　また、当該「多層状誘電体層」を備える引用発明の「マトリックス状にそれぞれ種類の異なる発光層（画素）を組み合わせて平面的に配置するような構成を有する薄膜ＥＬ素子の構造」は、本願発明の「厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイの副構造体」に相当する。 
 　　 
　そうすると、本願発明と引用発明とは、  
「厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイの副構造体であって、
　ガラス基板と、
　金または銀合金を含む下部電極と、
　下部電極の層と厚膜誘電体層との間に設けられた中間層と、
　厚膜誘電体層とを順に備えた副構造体。」  
　の発明である点で一致し、次の点で相違する。  
　　　　
（相違点）
　「下部電極の層と厚膜誘電体層との間に設けられた中間層」の機能・作用に関して、本願発明は「バリア層は、下部電極及び厚膜誘電体層に関して化学的に不活性であり、基板からの化学種が前記バリア層を通って前記厚膜誘電体層に拡散することを抑制し、かつ、前記厚膜誘電体層からの化学種が前記バリア層を通って前記基板に拡散することを抑制している」と機能・作用を限定しているのに対して、引用発明は「バッファ層」について、そのような機能・作用の限定をしていない点。
　　　
第５　当審の判断  
　上記相違点について検討する。  
　　　　　
（１）引用発明の「バッファ層」の機能・作用についての検討
　引用例の上記摘記事項（ｆ）の段落【００５７】〜【００５８】には、引用発明の「バッファ層」を構成する「チタン酸バリウム」について、誘電体層との反応性の点から好ましい材料の例として例示（段落【００５７】）され、誘電体層とバッファ層との反応を避けることができる旨の記載（段落【００５８】）もなされているから、技術常識からして、当該「バッファ層」は化学的反応性が少ないものといえる。
　そして、誘電体層とガラス基板の間に、化学的反応性が少ない「バッファ層」が設けられれば、技術常識からして、厚膜誘電体層からの化学種がバリア層を通って基板に拡散することを抑制するものと認められる。
　また、本願明細書の【００４５】〜【００４７】に記載された実施形態では、下部電極及び厚膜誘電体層に関して化学的に不活性であり、基板からの化学種が前記バリア層を通って前記厚膜誘電体層に拡散することを抑制するバリア層を得るために、下部電極２６と厚膜誘電体層２８との間に設けるバリア層に「チタン酸バリウム」を含む材料を用いることが記載されており、同じ「チタン酸バリウム」で作られた引用発明の「バッファ層」が同様に化学種の拡散を抑制する機能・作用を奏することは明らかである。
　そうすると、上記相違点は実質的な相違点ではない。
  　　　　　　
（２）容易想到性についての検討
　仮に、上記相違点が実質的な相違点であるとしても、ＥＬ素子の層間での反応防止や層間でのイオン拡散防止等は周知課題であり、その解決目的で基板と下部電極間や下部電極と誘電体層間に中間層を設けることは周知の技術である（例えば、特開２００１−１９６１８７号公報、特開２００１−２２３０７３号公報、特開平７−１４６７８号公報、特開２０００−６８０７２号公報、特開平１１−３０７２６２号公報、特開２００１−２２３０７２号公報等を参照されたい。）から、当該周知技術に基づき、引用発明の「バッファ層」を化学的に安定したものとして、「多層状誘電体層」とガラス基板との間で化学種の移動が抑制されるようにすることは、当業者であれば容易に想到することである。
 　 
（３）本願発明の作用効果についての検討
　本願発明によってもたらされる作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測し得る程度のものである。  
 　  
（４）小括
　したがって、本願発明は、引用発明である、あるいは、引用発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
 　　  
第６　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項２２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
 　　  
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。