【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップを有し、
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップであって、前記格子構造は複数のゲート・スタックを含むものであるステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造に光を照射するステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造から反射される光を測定して、前記形成された格子構造の光学特性トレースを生成するステップを有し、
前記生成された光学特性トレースと前記目標光学特性トレースとを比較するステップを有する方法。
【請求項２】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップは、
複数のゲート・スタックを含む複数の格子構造の複数の光学特性トレースを生成するステップと、
少なくとも１つの半導体デバイスの電気試験データを生成するステップと、
前記複数の光学特性トレースの少なくとも１つと前記電気試験データとを相関させて、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応する目標光学特性トレースを決定するステップと、を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの前記比較の結果に基づいて、今後処理されるウェハにゲート・スタックを形成するための少なくとも１つのプロセスのパラメータの少なくとも１つを調整するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの逸脱に基づいて、前記提供された前記基板に対して実施しようとしている少なくとも１つのプロセス操作のパラメータの少なくとも１つを調整するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、前記基板のスクライブ線に形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、基板であって前記基板に形成されている生産ダイに形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、複数の格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記提供された基板の上部に形成されている前記格子構造は、約１００×１２０μｍの寸法の領域に形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの所望の電気性能特性は、駆動電流および動作周波数の少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップを有し、
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップであって、前記格子構造は複数のゲート・スタックを含むものであるステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造に光を照射するステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造から反射される光を測定して、前記形成された格子構造の光学特性トレースを生成するステップを有し、
前記生成された光学特性トレースと前記目標光学特性トレースとを比較するステップを有し、
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの前記比較の結果に基づいて、今後処理されるウェハにゲート・スタックを形成するための少なくとも１つのプロセスのパラメータの少なくとも１つを調整するステップをさらに有する方法。
【請求項１１】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップは、
複数のゲート・スタックを含む複数の格子構造の複数の光学特性トレースを生成するステップと、
少なくとも１つの半導体デバイスの電気試験データを生成するステップと、
前記複数の光学特性トレースの少なくとも１つと前記電気試験データとを相関させて、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応する目標光学特性トレースを決定するステップと、を有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの逸脱に基づいて、前記提供された前記基板に対して実施しようとしている少なくとも１つのプロセス操作のパラメータの少なくとも１つを調整するステップをさらに有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、前記基板のスクライブ線に形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、基板であって前記基板に形成されている生産ダイに形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、複数の格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記提供された基板の上部に形成されている前記格子構造は、約１００×１２０μｍの寸法の領域に形成されている請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの所望の電気性能特性は、駆動電流および動作周波数の少なくとも１つを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップを有し、
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップであって、前記格子構造は複数のゲート・スタックを含むものであるステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造に光を照射するステップを有し、
前記基板の上部に形成された前記少なくとも１つの格子構造から反射される光を測定して、前記形成された格子構造の光学特性トレースを生成するステップを有し、
前記生成された光学特性トレースと前記目標光学特性トレースとを比較するステップを有し、
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの逸脱に基づいて、前記提供された前記基板に対して実施しようとしている少なくとも１つのプロセス操作のパラメータの少なくとも１つを調整するステップを有する方法。
【請求項１９】
複数のゲート・スタックを含む格子構造の少なくとも１つの目標光学特性トレースを含むライブラリを提供するステップであって、前記目標光学特性トレースは、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応するものであるステップは、
複数のゲート・スタックを含む複数の格子構造の複数の光学特性トレースを生成するステップと、
少なくとも１つの半導体デバイスの電気試験データを生成するステップと、
前記複数の光学特性トレースの少なくとも１つと前記電気試験データとを相関させて、少なくとも１つの所望の電気性能特性を有する半導体デバイスに対応する目標光学特性トレースを決定するステップと、を有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記生成されたトレースと前記目標光学特性トレースとの前記比較の結果に基づいて、今後処理されるウェハにゲート・スタックを形成するための少なくとも１つのプロセスのパラメータの少なくとも１つを調整するステップをさらに有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、前記基板のスクライブ線に形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、基板であって、前記基板に形成されている生産ダイに形成された少なくとも１つの格子構造を有する基板を提供するステップを有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップは、複数の格子構造がその上部に形成されている基板を提供するステップを有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記提供された基板の上部に形成されている前記格子構造は、約１００×１２０μｍの寸法の領域に形成されている請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの所望の電気性能特性は、駆動電流および動作周波数の少なくとも１つを含む請求項１８に記載の方法。