【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の官能基を有する重量平均分子量５００００ダルトン未満の第一のポリ（イミド）前駆体を、第二の官能基を有する重量平均分子量５００００ダルトン未満の第二のポリ（イミド）前駆体とカップリングさせて、重量平均分子量が５００００ダルトンを超える高分子量ポリ（イミド）を形成することを含んでなる、高分子量ポリ（イミド）の製造方法。
【請求項２】
高分子量ポリ（イミド）の重量平均分子量が６００００ダルトンを超える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
高分子量ポリ（イミド）が次の式（Ｉ）の構造単位を含む、請求項１記載の方法。
【化１】
2005508422.tif 000001
式中、Ｖは（ａ）炭素原子数５〜５０の置換又は非置換飽和、不飽和又は芳香族単環式もしくは多環式基、（ｂ）炭素原子数１〜３０の置換又は非置換線状又は枝分れ飽和又は不飽和アルキル基及び（ｃ）これらの組合せからなる群から選択される四価リンカー（ただし、置換基はエーテル、エポキシド、アミド、エステル又はこれらのいずれか１種以上を含む組合せである）であり、Ｒは（ａ）炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、（ｂ）炭素原子数２〜２０の直鎖又は枝分れアルキレン基、（ｃ）炭素原子数３〜２０のシクロアルキレン基及び（ｄ）次の式（IV）の二価基からなる群から選択される置換又は非置換二価有機基であり、ａは分子量が５００００ダルトンを超えるポリイミドを与えるのに十分な整数である。
【化２】
2005508422.tif 000002
式中、Ｑは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、ＣyＨ2y−（ただし、ｙは１〜１０の整数である）及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される二価残基である。
【請求項４】
Ｖが以下の式（II）の四価芳香族基及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【化３】
2005508422.tif 000003
式中、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、ＣyＨ2y、ＣyＦ2y−（ただし、ｙは１〜１０の整数である）及び式−Ｏ−Ｚ−Ｏ−の基からなる群から選択される二価残基であり、−Ｏ−又は−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基の二価結合は３，３′位、３，４′位、４，３′位、又は４，４′位にあり、Ｚは以下の式（III）の二価基からなる群から選択される。
【化４】
2005508422.tif 000004
【請求項５】
高分子量ポリ（イミド）が次の式（Ｖ）の構造単位を含む、請求項１記載の方法。
【化５】
2005508422.tif 000005
式中、Ｔは−Ｏ−又は式−Ｏ−Ｚ−Ｏ−の基であり、−Ｏ−又は−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基の二価結合は３，３′位、３，４′位、４，３′位、又は４，４′位にあり、Ｚは以下の式（III）の二価基からなる群から選択される。
【化６】
2005508422.tif 000006
【請求項６】
高分子量ポリ（イミド）が次の式（VI）のポリイミド構造単位を含む、請求項１記載の方法。
【化７】
2005508422.tif 000007
式中、Ｒは（ａ）炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、（ｂ）炭素原子数２〜２０の直鎖又は枝分れアルキレン基、（ｃ）炭素原子数３〜２０のシクロアルキレン基、及び（ｄ）次の式（IV）の二価基からなる群から選択される置換又は非置換二価有機基であり、
【化８】
2005508422.tif 000008
（式（IV）中、Ｑは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＳＯ2−、ＣyＨ2y−及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される二価残基部分であり、ｙは１〜５の整数である。）、Ｍは以下の式（VII）の１以上の基である。
【化９】
2005508422.tif 000009
【請求項７】
前駆体ポリ（イミド）が、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、２，２−ビス［４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、４，４′−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物、４，４′−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，４′−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物、４，４′−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４′−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニル−２，２−プロパン二無水物、４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４′−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物、４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４′−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４′−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物、４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４′−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物又はこれらの混合物と、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、１，１２−ドデカンジアミン、１，１８−オクタデカンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプタメチレンジアミン、４−メチルノナメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、Ｎ−メチル−ビス（３−アミノプロピル）アミン、３−メトキシヘキサメチレンジアミン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、ビス（３−アミノプロピル）スルフィド、１，４−シクロヘキサンジアミン、ビス−（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、２−メチル−４，６−ジエチル−１，３−フェニレンジアミン、５−メチル−４，６−ジエチル−１，３−フェニレン−ジアミン、ベンジジン、３，３′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、１，５−ジアミノナフタレン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（２−クロロ−４−アミノ−３，５−ジエチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，４−ビス（ｂ−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ｐ−ｂ−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−ｂ−メチル−ｏ−アミノフェニル）ベンゼン、ビス（ｐ−ｂ−メチル−ｏ−アミノペンチル）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−イソプロピルベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン又はこれらの混合物との反応で製造されたものである、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前駆体ポリ（イミド）が、フッ素化芳香族二無水物、ピロメリト酸二無水物、オキシジフタル酸無水物、ビスフェノール−Ａ二無水物及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族二無水物と、脂肪族ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、γ−アミノプロピルポリジメチルシロキサン、ｍ−フェニレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン又はこれらの混合物からなる群から選択されるジアミンとの反応で製造されたものである、請求項１記載の方法。
【請求項９】
（ａ）第一の官能基がアミンであり、第二の官能基が無水物、カルボン酸又は酸塩化物であるか、（ｂ）第一の官能基がエステルであり、第二の官能基が脂肪族アミンであるか、（ｃ）第一の官能基が電子豊富ジエンであり、第二の官能基がジエノフィルであるか、或いは（ｄ）第一の官能基がシクロブタンを含む芳香環系であり、第二の官能基が三重結合を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
第一の官能基がアミンであり、第二の官能基が無水物である、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ポリ（イミド）の特殊な用途では、その耐薬品性、選択的ガス透過性、良好な熱酸化安定性、金属との優れた付着性、高い熱性能及び機械的強度のような独特の化学的及び物理的性質が利用される。ポリ（イミド）は、特殊な用途、例えば織物、選択的なガス透過性を有する膜、並びに航空宇宙、航空機、自動車及び関連産業で特に有用である。ある種の物品（特に選択的ガス透過膜）の製造はポリ（イミド）の溶解性及び溶液特性によって左右される。そこで、製造は好ましくは高粘度及び低固形分を有する溶液に基づいて行われる。分子量５００００ダルトンまでのポリ（イミド）が現在使用されているが、高分子量（ポリイミド）は概して凝縮（溶融）相で約０．７５デシリットル／グラムを超える高い固有粘度を有しているので、分子量の非常に高い（特に１０００００ダルトン超の）ポリ（イミド）があればさらに望ましい。しかし、こうした非常に高い粘度のため、低分子量ポリ（イミド）用に開発された技術及び設備装置を用いて高分子量（ポリイミド）を合成・単離するのは極めて困難である。
【特許文献１】米国特許第３８０３０８５号明細書
【特許文献２】米国特許第３８１４８６９号明細書
【特許文献３】米国特許第３８４７８６７号明細書
【特許文献４】米国特許第３８５０８８５号明細書
【特許文献５】米国特許第３８５２２４２号明細書
【特許文献６】米国特許第３８５５１７８号明細書
【特許文献７】米国特許第３９０５９４２号明細書
【特許文献８】米国特許第３９７２９０２号明細書
【特許文献９】米国特許第３９８３０９３号明細書
【特許文献１０】米国特許第３９９８７８６号明細書
【特許文献１１】米国特許第４０１１１９８号明細書
【特許文献１２】米国特許第４０６４１１３号明細書
【特許文献１３】米国特許第４４４３５９１号明細書
【特許文献１４】米国特許第４４５５４１０号明細書
【特許文献１５】米国特許第４５５０１５６号明細書
【特許文献１６】米国特許第５１８９１１５号明細書
【特許文献１７】米国特許第５２６２５１６号明細書