【事件の表示】
　特願２００４−５７１４１１「放射線撮像デバイスのための電導性接着剤で結合された半導体基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１１日国際公開、ＷＯ２００４／０９７９３８、平成１８年９月２１日国内公表、特表２００６−５２１６８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００３年４月２８日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理　２００３年３月２７日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１８年３月２８日に手続補正書が提出され、その後、平成２１年７月２４日付けの拒絶理由通知に対して同年１０月２７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年１月２２日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年５月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年９月１６日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年５月１４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年５月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜９を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
　Ｘ線及びガンマ線放射エネルギー撮像デバイスにおいて、それが：
　検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持ち、かつ電極表面に衝突する前記放射エネルギーを電荷に変換するように配置されており、画素表面が複数の画素及びその上に電荷を集めるために画素と組み合わされた画素コンタクトを持ち、画素コンタクトが画素コンタクトパターンで配置されており；
　更に検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板を含み、複数の画素信号回路が読出し表面上に配置されており、信号回路がそれぞれ信号コンタクトパターンで読出し表面上に加工された信号コンタクトを持ち、信号コンタクトがＡＳＩＣ読出し基板の信号回路に入力されるものであり；かつ
　更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、これらのボンドが本質的に電導性接着剤からなる；
ことを特徴とする放射エネルギー撮像デバイス。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　Ｘ線及びガンマ線放射エネルギー撮像デバイスにおいて、それが：
　検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持ち、かつ電極表面に衝突する前記放射エネルギーを電荷に変換するように配置されており、画素表面が複数の画素及びその上に電荷を集めるために画素と組み合わされた画素コンタクトを持ち、画素コンタクトが画素コンタクトパターンで配置されており；
　更に検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板を含み、複数の画素信号回路が読出し表面上に配置されており、信号回路がそれぞれ信号コンタクトパターンで読出し表面上に加工された信号コンタクトを持ち、信号コンタクトがＡＳＩＣ読出し基板の信号回路に入力されるものであり；かつ
　更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、これらのボンドが本質的に等方電導性接着剤からなる；
ことを特徴とする放射エネルギー撮像デバイス。」
　
２．本件補正による補正事項
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項３〜５及び７〜９を削除すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、これらのボンドが本質的に電導性接着剤からなる；」を、「更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、これらのボンドが本質的に等方電導性接着剤からなる；」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正前の請求項６の「更に電導性接着剤を画素コンタクト及び信号コンタクトからなる群から選ばれたコンタクトの組の少なくとも一つに適用する段階」及び「更に電導性接着剤により加熱及び圧力の適切な条件下で検出器基板の画素コンタクトを半導体読出し基板上の対応する信号コンタクトに電導的に接着させて請求項１の放射エネルギー撮像デバイスを製造する段階」を、各々「更に等方電導性接着剤を画素コンタクト及び信号コンタクトからなる群から選ばれたコンタクトの組の少なくとも一つに適用する段階」及び「更に等方電導性接着剤により加熱及び圧力の適切な条件下で検出器基板の画素コンタクトを半導体読出し基板上の対応する信号コンタクトに電導的に接着させて請求項１の放射エネルギー撮像デバイスを製造する段階」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「これらのボンドが本質的に等方電導性接着剤からなる」という構成に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　したがって、補正事項２は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正により修正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の００３５段落及び００４１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「更に電導性接着剤を画素コンタクト及び信号コンタクトからなる群から選ばれたコンタクトの組の少なくとも一つに適用する段階」及び「更に電導性接着剤により加熱及び圧力の適切な条件下で検出器基板の画素コンタクトを半導体読出し基板上の対応する信号コンタクトに電導的に接着させて請求項１の放射エネルギー撮像デバイスを製造する段階」に対して各々技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　したがって、補正事項３は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正により修正された部分は、当初明細書の００３５段落及び００４１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　「【請求項１】
　Ｘ線及びガンマ線放射エネルギー撮像デバイスにおいて、それが：
　検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持ち、かつ電極表面に衝突する前記放射エネルギーを電荷に変換するように配置されており、画素表面が複数の画素及びその上に電荷を集めるために画素と組み合わされた画素コンタクトを持ち、画素コンタクトが画素コンタクトパターンで配置されており；
　更に検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板を含み、複数の画素信号回路が読出し表面上に配置されており、信号回路がそれぞれ信号コンタクトパターンで読出し表面上に加工された信号コンタクトを持ち、信号コンタクトがＡＳＩＣ読出し基板の信号回路に入力されるものであり；かつ
　更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、これらのボンドが本質的に等方電導性接着剤からなる；
ことを特徴とする放射エネルギー撮像デバイス。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−１８８３８６号公報（「以下「引用例」という。）には、図１〜５、８及び９と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線等の放射線、可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出器と、その製造方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】
従来より、放射線の二次元画像検出器として、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半導体センサを二次元状に配置し、これらセンサにそれぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチを順次オンにして各列毎にセンサの電荷を読み出すものが知られている。
【０００３】以下、上記従来の放射線二次元画像検出器の構成と原理について説明する。
【０００４】
図１０は、上記放射線二次元画像検出器の構造を模式的に示した図である。また図１１は、１画素当たりの構成断面を模式的に示した図である
【０００５】
上記放射線二次元画像検出器は、図１０および図１１に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５等が形成されたアクティブマトリクス基板を備えている。また、上記アクティブマトリクス基板上には、そのほぼ全面に光導電膜５６、誘電体層５７および上部電極５８が形成されている
【０００６】上記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電極６０とが、絶縁膜６１を介して対向している構成である。
【０００７】上記光導電膜５６は、Ｘ線等の放射線が照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体材料が用いられるが、上記文献によれば、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルファスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。上記光導電膜は、真空蒸着法によって３００〜６００μｍの厚みで形成されている。
【０００８】また、上記アクティブマトリクス基板は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリクス基板を流用することが可能である。例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電極、電荷蓄積容量を備えた構造になっている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放射線二次元検出器用のアクティブマトリクス基板として利用することが容易である。」
　
ｂ．「【０００９】次に、上記構造の放射線二次元画像検出器の動作原理について説明する。
【００１０】上記光導電膜５６に放射線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正孔）が発生する。図１０および図１１に示すように、光導電膜５６と電荷蓄積容量５５は電気的に直列に接続された構造になっているので、上部電極５８とＣｓ電極５９との間に電圧を印加しておくと、光導電膜５６で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量５５に電荷が蓄積される。なお、光導電膜５６と電荷蓄積容量５５の間には、薄い絶縁層からなる電子阻止層６２が形成されており、これが一方側からの電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を果たしている。
【００１１】
上記の作用で、電荷蓄積容量５５に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎの入力信号によってＴＦＴ５４をオープン状態にすることでソース電極Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取り出すことが可能である。ゲート電極５２とソース電極５３、ＴＦＴ５４および電荷蓄積容量５５等は、すべてＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査することで、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる
【００１２】なお、上記二次元画像検出器は、使用する光導電膜５６がＸ線等の放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用する。」
　
ｃ．「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の構成では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅを用いている。しかし、該ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量５５を十分に充電してからでないと情報を読み出すことができない。
（途中略）
【００１６】
このような、Ｘ線に対する感度が優れた光導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等が知られている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号を５０とすると、約６．９倍の感度の向上が期待できる。
【００１７】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法として真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常温で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上への成膜が容易であった。一方、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅは、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法やＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法による成膜法が知られており、特に大面積基板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。
【００１８】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温が要求される。
【００１９】一般に、アクティブマトリクス基板に形成されている前述のＴＦＴ５４は、半導体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程度の成膜温度で水素（Ｈ２）を付加しながら成膜されている。このようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化する。
【００２０】したがって、上述のアクティブマトリクス基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難であった。」
　
ｄ．「【００２１】
そこで、アクティブマトリクス基板と、光導電層(半導体層)を予め別々の基板に形成し、その後、両基板を貼り合せることにより、これらの問題を解決する方法が考えられる。この際、隣り合う画素同士のクロストークを防ぐために、以下の二つの貼り合わせの方法が考えられる。
また、第二の方法としては、画素毎に独立して設けられた導電性材料を用いて両基板を貼り合わせることが考えられる
【００２２】これらの方法によって、従来、半導体の成膜温度とアクティブマトリクス基板の耐熱性の関係で、アクティブマトリクス基板上に直接成膜できなかったＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等の半導体材料を、上記二次元画像検出器に使用することが可能になる。
【００２３】しかしながら、これらの方法には、以下のような問題点が発生する。
（途中略）
【００３４】そこで、本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、その第一の目的は、同一基板上に形成された複数の突起電極の表面高さが均一な突起電極を具備した二次元画像検出器の製造方法を提供するものであり、また、第二の目的は、二次元画像検出器を構成する半導体層の接続面に、画素を形成する二次元画像検出器の製造方法を提供するものである。」
　
ｅ．「【００５０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下に説明する。
【００５１】
（実施の形態１）図１は、本発明の二次元画像検出器の構成断面図である。アクティブマトリクス基板１と対向基板２が異方導電性材料である異方導電性接着剤３で貼り付けることによって構成されている。
【００５２】
図２は、上記アクティブマトリクス基板１の１画素当りの構成断面図の模式図である。アクティブマトリクス基板１は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能である。具体的に説明すれば、ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電極５とソース電極６）、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（図示せず）（ＴＦＴ）、電荷蓄積容量（Ｃｓ）等が形成されている。
【００５３】次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜８をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で約３５００Å成膜して形成する。該絶縁膜８は、ゲート絶縁膜あるいは、電荷蓄積容量（Ｃｓ）として作用する。なお絶縁膜８として、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけでなく、ゲート電極５とＣｓ電極７を陽極酸化した陽極酸化膜を併用する場合もある。
【００５４】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）９と、ソース・ドレイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）を、ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜した後、所望の形状にパターニングする。
【００５５】
次に、ＴａやＡｌ等の金属膜からなるソース電極６とドレイン電極（画素電極１０にも兼用）を形成する。なお、画素電極１０とドレイン電極を別々に形成しても良く、画素電極１０にＩＴＯ（Indium Thin Oxide）などの透明電極を使用することも可能である。ソース電極６と画素電極１０は、スパッタ蒸着で約３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニングする
【００５６】
更にその後、画素電極１０の開口部以外の領域を絶縁保護する目的で絶縁保護膜１１を形成する。
【００５７】なお、ここでは、ＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタガ構造のＴＦＴを用いたが、これに限定されるものではなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にしても良い。」
　
ｆ．「【００５８】
また、図３は、上記対向基板２の構成断面図である。該対向基板２は、支持基板１２と、該支持基板１２上に成膜されている半導体層１３によって主に構成されている。
【００５９】まず、図４（ａ）では、上記支持基板１２の一方面のほぼ全面に、Ａｕ（金）、ＩＴＯ等の導電膜によって上部電極１４を形成する。但し、可視光に対する画像検出器に用いる場合は、可視光に対して透明なＩＴＯ電極を用いる必要がある。
次に、この上部電極１４上にＭＯＣＶＤ法を用いて、半導体層１３としてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を約０．５ｍｍの厚みで形成する。
更にその上に、同様の成膜方法でＣｄＳを約１μｍ成膜する。ＣｄＳは、上記ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅとヘテロ接合を形成し、一方のキャリアの進入を阻止するキャリア阻止層１５として作用する。
また更にその上に、Ｃｒ（クロム）やＡｕ、ＩＴＯ等の導電膜からなる接続電極１６をスパッタ蒸着で約２０００Å成膜する
　
ｇ．「【００６０】
次に、図４（ｂ）では、上記対向基板２の表面（後にアクティブマトリクス基板１と接続する面）に、開口部１７を有するマスク１８を形成する。マスク材料には適度な弾力性を有するフォトレジストを用い、フォトリソグラフィ技術によってパターニングを行う。この時、後にアクティブマトリクス基板１を対向基板２と接続する際、アクティブマトリクス基板１上の画素電極１０に対向する場所のレジストを残し、他の格子状の領域を開口させるようにする。また、格子のピッチは画素ピッチに合わせて１５０μｍに設定する
【００６１】
次に、図４（ｃ）では、開口部１７を有するマスク１８が形成された上記の対向基板２に研削粒子１９を吹き付ける、いわゆるサンドブラスト加工を施す。研削粒子１９には、５〜２０μｍの径を有するセラミック粒子を用いる。この結果、マスク１８が存在する部分は弾力性を有するレジストによって基板表面が保護され、開口部１７の基板表面のみ削られるので、基板表面にレジスト開口パターンに応じた格子状の溝２０が形成される。
【００６２】
最後に、図４（ｄ）で、上記マスク１８を、有機溶剤やアルカリ剥離液を用いて除去することで、表面に格子状の溝２０が形成された対向基板２が完成する。そして、マスク１８によって研削されずに残った部分が突起形状を有する電極（突起電極２１）となる
【００６３】なお、表１は、深さ２０μｍの格子状の溝を得るためのサンドブラスト加工条件の一例である。また、図５は、表１に示した加工条件で形成した格子状突起部分を上面から見た拡大写真である。
【００６４】
【表１】
上記の工程によって形成された両基板（アクティブマトリクス基板１と対向基板２）を、図１に示すように、画素電極１０と接続電極１６が各々対向するように向かい合わせ、その間隙に異方導電性接着剤３を充填し圧着することで本発明の二次元画像検出器が構成される。
　
ｈ．「【００７３】
（実施の形態４）図８は、他の構造を有する対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１では、ガラス基板等の支持基板１２上に半導体層１３を形成した構造の対向基板２を用いたが、図８に示すようにＸ線に対して光導電性を有する半導体基板２４を直接支持基板として用いることも可能である
【００７４】
例えば、半導体基板２４として、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半導体を用いる。該半導体基板２４の厚みは約０．５ｍｍである。これら半導体基板２４はブリッジマン法やグラディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法等によって、容易に結晶基板を形成することが可能である。該半導体基板２４の一方面のほぼ全面に、Ａｌ等のＸ線を透過しやすい金属によって上部電極１４を形成する。また他方の面には、実施の形態１と同様にキャリア阻止層１５と、接続電極１６を略全面に形成した後、図４に示した方法と同様のプロセスで対向基板２を形成することができる
　
ｈ．「【００７５】
（実施の形態５）図９は、本発明の他の構造の二次元画像検出器の構成を示す断面図である。ここでは、アクティブマトリクス基板１と対向基板２の接続に、図１に示す異方導電性接着剤３ではなく、画素毎にパターニングされた導電性接続材２５を用いることにより構成されている。その他の構成は、本実施の形態１の図１と同様である
【００７６】導電性接続材２５としては、感光性樹脂に導電性の顔料が分散されたものを用いて、フォトリソグラフィー技術によって画素毎にパターニングできるものが相応しい。例えば、アクリル系の感光性樹脂にカーボン微粒子を分散させたものを用いることができる。
また、これ以外にも導電性接着ペーストを印刷によってパターン配置する方法なども適用できる
【００７７】図９に示す二次元画像検出器は、例えば、以下のようにして構成することができる。
【００７８】
まず、アクティブマトリクス基板１と対向基板２は、本実施の形態１〜４と同様にして作製する。
【００７９】その後、画素電極のパターンに対応したフォトマスクを介して、感光性導電性樹脂を露光して、現像液による現像処理により露光パターンに基づいて不要部分の感光性導電性樹脂が基板から取り除かれる。以上により、画素電極のパターンに対応した導電性接続材２５を形成することができる。この導電性接続材２５の形状は、円柱状などの任意の形状を作製することができる。
【００８０】
そして、導電性接続材２５が形成されたアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを接着性のシール材（図示せず）を介して、画素電極１０と接続電極１６が各々対応するように向かい合わせて貼り合わせることにより、図９に示す二次元画像検出器を構成することができる
【００８１】
本実施の形態５においては、接続材料に異方導電性接着剤を用いていないが、対向基板の接続面が実施の形態１〜４と同様にサンドブラスト法で画素が形成（格子状に分離）されているので、接続電極およびキャリア阻止層で隣接画素間でのクロストークが発生しないといった効果が生ずる
　
（２−２）ここにおいて、００７５段落以降に記載された「実施の形態５」に注目する。さらに、００７８段落の「まず、アクティブマトリクス基板１と対向基板２は、本実施の形態１〜４と同様にして作製する。」という記載から、「実施の形態５」においては、「アクティブマトリクス基板１」及び「対向基板２」が「実施の形態１」〜「実施の形態４」のいずれの方法を用いて作成してもよいことが明らかであるが、以下においては、そのうちの「実施の形態４」で作成した場合（「支持基板２」を用いない場合）について注目することとする。
　００７４段落の「該半導体基板２４の一方面のほぼ全面に、Ａｌ等のＸ線を透過しやすい金属によって上部電極１４を形成する。また他方の面には、実施の形態１と同様にキャリア阻止層１５と、接続電極１６を略全面に形成した後、図４に示した方法と同様のプロセスで対向基板２を形成することができる。」という記載から、「実施の形態４」の「半導体基板２４」の「他方の面」には、００５９段落〜００６３段落に記載された方法で、「突起電極２１」が作成されていることが明らかである。
　
（２−３）そして、引用例においては、「半導体基板２４」の「他方の面」に設けられた凸状の電極（突起電極）について、「接続電極１６」（図９）及び「突起電極２１」（図４）の２とおりの呼称が用いられているので、以下においては、凸状になる前の電極を「接続電極１６」と記述し、凸状になった後の電極を「突起電極２１」と記述することとすると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｘ線等の放射線の二次元画像検出器において、
　ＣｄＴｅ若しくはＣｄＺｎＴｅを用いた光導電性を有する半導体基板２４の一方面のほぼ全面に、Ａｌ等のＸ線を透過しやすい金属によって上部電極１４が形成され、他方の面には、接続電極１６を略全面に形成した後、フォトレジストを用い、フォトリソグラフィ技術によってパターニングを行って、後にアクティブマトリクス基板１と接続する際における前記アクティブマトリクス基板１上の画素電極１０に対向する場所のレジストを残し、他の格子状の領域を開口させ、サンドブラスト加工を施して基板表面にレジスト開口パターンに応じた格子状の溝２０を形成し、研削されずに残った部分に突起形状を有する突起電極２１が形成された対向基板２と、
　ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１とを備え、
　前記画素電極１０と前記突起電極２１が各々対応するように向かい合わされ、異方導電性接着剤ではなく、画素毎にパターン配置された導電性接着ペーストを用いて、前記アクティブマトリクス基板１と前記対向基板２を接続した、
　Ｘ線等の放射線の二次元画像検出器。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「Ｘ線等の放射線の二次元画像検出器」と補正発明の「Ｘ線及びガンマ線放射エネルギー撮像デバイス」とは、「『Ｘ線』を含む放射線の『放射エネルギー撮像デバイス』」である点で一致する。
　
（３−２）引用発明の「対向基板２」は、放射線の検出器として機能していることが明らかであるから、補正発明の「検出器基板」に相当する。
　また、引用発明の「対向基板２」における「半導体基板２４」の「一方面」に対応する側の表面、すなわち「上部電極１４」が形成されている表面が、補正発明の「電極表面」に相当し、引用発明の「対向基板２」における「半導体基板２４」の「他方の面」に対応する側の表面、すなわち「突起電極２１」が形成されている表面が、補正発明の「画素表面」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持」つものである点で一致する。
　また、引用発明の「対向基板２」が、「ＣｄＴｅ若しくはＣｄＺｎＴｅを用いた光導電性を有する半導体基板２４」により、「上部電極１４」が形成されている面に衝突する「Ｘ線等の放射線」の放射エネルギーを電荷に変換するように配置されていることは、引用発明が「Ｘ線等の放射線の二次元画像検出器」であることから自明である。
　
（３−３）引用発明は、「前記画素電極１０と前記突起電極２１が各々対応するように向かい合わされ、・・・前記アクティブマトリクス基板１と前記対向基板２を接続」する構成となっているが、引用発明の「対向基板２」が複数の画素を有していること、及び引用発明の「突起電極２１」が、各画素の電荷を集めるために各画素上に設けられたコンタクトとして機能し、マトリクス状のパターンで配置されていることは、引用例の図１、２、８、９の記載及び図１０（従来技術）の記載からも、また、そのようになっていなければ各画素ごとの放射エネルギーにより生じた電荷を「アクティブマトリクス基板１」に送ることができず、「二次元画像検出器」として機能しないことからも明らかである。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持ち、かつ電極表面に衝突する前記放射エネルギーを電荷に変換するように配置されており、画素表面が複数の画素及びその上に電荷を集めるために画素と組み合わされた画素コンタクトを持ち、画素コンタクトが画素コンタクトパターンで配置されており」という構成を備えている点で一致する。
　
（３−４）引用発明の「アクティブマトリクス基板１」が、「対向基板２」に衝突した「Ｘ線等の放射線」により生じた電荷を読み出すという機能を有していることは、そのような機能を有していなければ放射線の二次元画像検出ができないことからみて明らかであるから、引用発明の「アクティブマトリクス基板１」と補正発明の「ＡＳＩＣ読出し基板」とは、「読出し基板」である点で一致する。
　また、引用発明は、「アクティブマトリクス基板１」における「画素電極１０」が形成された側の表面が、「対向基板２」における「突起電極２１」が形成された側の表面と対向して配置される構成となっているから、引用発明の「アクティブマトリクス基板１」における「画素電極１０」が形成された側の表面が、補正発明の「検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面」に相当する。
　したがって、引用発明の「ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１」と補正発明の「検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板」とは、「『検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つ』『読出し基板』」である点で一致する。
　
（３−５）引用発明の「ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１」における「画素電極１０」が形成された側の表面に、「対向基板２」からの複数の画素の各々に対応した信号を読み出すための「ＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等」からなる複数の回路が形成されていることは、引用例の０００５段落及び００１１段落の従来技術の記載を勘案しつつ、００５２段落〜００５６段落の記載並びに図１、２及び９の記載を参照すれば明らかである。
　したがって、引用発明の「ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１」と補正発明の「検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板」とは、「複数の画素信号回路が読出し表面上に配置されて」いる点で一致する。
　
（３−６）引用発明の「アクティブマトリクス基板１」の「ＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等」からなる複数の回路が、各々「画素電極１０」を備えていることは、引用例の００５２段落及び００５５段落の記載等から明らかである。
　そして、当該「画素電極１０」が、「アクティブマトリクス基板１」の「ＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等」からなる複数の回路に信号を入力するためのコンタクトとして機能し、マトリクス状のパターンで配置されていることは、引用例の図１、２、８、９の記載及び図１０（従来技術）の記載からも、また、そのようになっていなければ、「対向基板２」からの複数の画素の各々に対応した信号を受け取ることができず、「二次元画像検出器」として機能しないことからも明らかである。
　また、引用発明の「画素電極１０」が、引用例の００５２段落〜００５６段落に記載されている一連の加工により、「アクティブマトリクス基板１」の表面に設けられていることも明らかである。
　したがって、引用発明の「ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１」と補正発明の「検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板」とは、「『信号回路がそれぞれ信号コンタクトパターンで読出し表面上に加工された信号コンタクトを持ち、信号コンタクトが』『読出し基板の信号回路に入力されるもの』」である点で一致する。
　
（３−７）引用発明の「導電性接着ペースト」は補正発明の「電導性ボンド」に相当する。
　そして、引用発明は、「前記画素電極１０と前記突起電極２１が各々対応するように向かい合わされ、異方導電性接着剤ではなく、画素毎にパターン配置された導電性接着ペーストを用いて、前記アクティブマトリクス基板１と前記対向基板２を接続」するものであるから、引用発明は、「導電性接着ペースト」のそれぞれが、画素パターンとして機能する「前記突起電極２１」と信号コンタクトパターンとして機能する「画素電極１０」とを個別的に連結していることは明らかである。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結」するものである点で一致する。
　
（３−８）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　「Ｘ線を含む放射線の放射エネルギー撮像デバイスにおいて、それが：
　検出器基板を含み、この検出器基板が電極表面と画素表面を持ち、かつ電極表面に衝突する前記放射エネルギーを電荷に変換するように配置されており、画素表面が複数の画素及びその上に電荷を集めるために画素と組み合わされた画素コンタクトを持ち、画素コンタクトが画素コンタクトパターンで配置されており；
　更に検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つ読出し基板を含み、複数の画素信号回路が読出し表面上に配置されており、信号回路がそれぞれ信号コンタクトパターンで読出し表面上に加工された信号コンタクトを持ち、信号コンタクトが読出し基板の信号回路に入力されるものであり；かつ
　更に複数の電導性ボンドを含み、これらのボンドのそれぞれが画素パターンの画素コンタクトを信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結する、
ことを特徴とする放射エネルギー撮像デバイス。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　撮像の対象とする放射線が、補正発明は「Ｘ線及びガンマ線」であるのに対して、引用発明は「Ｘ線等の放射線」であって、「ガンマ線」を対象とすることが特定されていない点。
　
（相違点２）
　「読出し基板」が、補正発明では「ＡＳＩＣ読出し基板」であるのに対して、引用発明では「ガラス基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ、電荷蓄積容量等が形成されるとともに、前記画素電極１０が形成された前記アクティブマトリクス基板１」であって、「ＡＳＩＣ」であることが特定されていない点。
　
（相違点３）
　「電導性ボンド」が、補正発明では「本質的に等方電導性接着剤からなる」ものであるのに対して、引用発明では、「異方導電性接着剤ではなく、画素毎にパターン配置された導電性接着ペースト」である点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）Ｘ線とガンマ線は共に電磁波であって、発生機構により分類されるものであり、両者の波長が一部重複することは当業者の技術常識であるが、引用発明において、「光導電性を有する半導体基板２４」に用いている「ＣｄＴｅ」や「ＣｄＺｎＴｅ」がガンマ線に対しても感度を有することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された下記周知例１にも記載されているように、当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開２００１−２９６３６８号公報
　「【００２３】本発明に関連する半導体ベースのガンマ線カメラおよび医療用イメージングシステム（以下「カメラ」と称する）は、図１に示されており、参照番号１００で参照される。図１および２を同時に参照すると、
本発明に関連するカメラ１００は、ガンマ線検出器２００と、検出器へのガンマ線を検出するためのコリメータのような入射開口またはピンホール２０５と、信号処理装置３００と、データ収集計算機４００と、患者、器官、或は他の被検体１０２に隣接するカメラの位置決め用ガントリー５００とを具備する。検出器２００は、被検体１０２から放出された放射線を検出するための使用される。
　「【０００２５】
（途中略）
［ガンマ線検出器］
本発明に関連するガンマ線検出器２００は、モジュール・ボード２０８に搭載され、稠密に収容された検出モジュール２０６のアレイを具備している
　「【００２９】
（途中略）
　［検出モジュール］図３aは、本発明に関連する１つの検出モジュール２０６の分解斜視図を示す。図３aに描いたように、検出モジュール２０６は、１インチ平方のセラミックまたはプラスチック・担体内に実装した集積回路を具備している。検出モジュール２０６の半導体検出物質、即ちサブ・コンポーネント２１０は、検出素子２１２のアレイを具備する。検出素子２１２は、好適には、８×８アレイに配列される。
本発明の好適な実施態様では、検出素子２１２は、サブ・コンポーネント２１０の底面上に形成された複数のテルル化カドミウム亜鉛（ＣＺＴ）ガンマ線検出領域から構成される。その結晶は、テルル化カドミウム、ヨウ化第二水銀、ゲルマニウム、シリコン、その他Ｘ線またはガンマ線に感応する物質で構成できる
　
（４−１−２）したがって、引用発明の「Ｘ線等の放射線」には「ガンマ線」も含まれるものと解されるので、相違点１は実質的なものではない。
　また、仮に、引用発明の「Ｘ線等の放射線」に「ガンマ線」も含まれるとまではいえず、相違点１が実質的なものであったとしても、引用発明の「二次元画像検出器」を、「Ｘ線」のみならず「ガンマ線」をも対象とするようにすることは、上記技術常識に照らして、当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、当該相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、特定の機能を有する回路を実現するに際し、ＡＳＩＣすなわち特定用途向け集積回路で実現することは、当該回路に求められる性能や費用等に応じて従来から行われてきている当業者の周知技術である。
　Ｘ等の放射線の撮像デバイスにおいても当然例外ではなく、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記周知例２及び３にも記載されているように、ＡＳＩＣが従来から用いられてきている。
　
ａ．周知例２：特表２００１−５２７２９４号公報
　「 【０００１】
    【発明の属する技術分野】
  
本発明は、ハイブリッド・イメージング・デバイス、たとえば、Ｘ線などの、エネルギーが１ｋｅＶを超えている放射線の、高エネルギー放射線イメージングのためのハイブリッド・イメージング・デバイスに関する
（途中略）
　　【０００３】
  
ＡＳＩＣ（特定用途向けＩＣ）のＣＭＯＳプロセスに基づいた、本出願人の国際特許出願ＷＯ９５／３３３３２号に記述されているような半導体ピクセル検出器は高い空間分解能、直接検出、コンパクト性、高い吸収効率およびリアルタイムのイメージングを提供することができる。
　
ｂ．周知例３：国際公開０２／４２７９７号公報
　「（５７）要約：
　
放射線画像診断装置は、放射線を電気信号に変換する検出素子を複数有する放射線検出器（２５）と、検出素子から出力される電気信号を処理するＡＳＩＣ（２６）と、ＡＳＩＣ（２６）に電力を供給する電源（３０，３１）と、電源からＡＳＩＣ（２６）への給電を監視するとともに、電気信号に異常を検知したとき、電源（３０，３１）からＡＳＩＣ（２６）への給電を停止する電源モニタ（２８）とを具備する。
　
（４−２−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明において、「アクティブマトリクス基板１」をＡＳＩＣとすること、すなわち、補正発明のように、「更に検出器基板の画素表面に対向して配置された読出し表面を持つＡＳＩＣ読出し基板を含」む構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点２は当業者が適宜なし得た事項に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
　引用発明の「導電性接着ペースト」が導電性接着剤（電導性接着剤）の一種であることは明らかである。
　そして、導電性接着剤は、等方性のものと異方性のものとに分類されることは当業者の技術常識であるところ、引用発明の「導電性接着ペースト」は「異方導電性接着剤ではな」いのであるから、当該「導電性接着ペースト」が等方導電性接着剤であることは明らかである。
　したがって、引用発明も補正発明と同様に、「これらのボンドが本質的に等方電導性接着剤からなる」ものであって、相違点３は実質的なものではない。
　また、仮に引用発明の「導電性接着ペースト」が等方導電性接着剤であるとまではいえず、相違点３が実質的なものであったとしても、一般に、複数の素子どうしを電気的に接続するための導電性接着剤として、等方性のもの及び異方性のものは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例４にも記載されているように、どちらも当業者において周知のものであり、そのうちのどちらを用いるかは、当業者が適宜選択し得る設計的事項というべきものである。実際、本願の明細書及び図面においても、導電性接着剤として、等方性のものを用いた実施例と、異方性のものを用いた実施例とが並列的に記載されている。
　したがって、仮に相違点３が実質的なものであったとしても、当該相違点３は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ａ．周知例４：特開２０００−３４７５９０号公報
　「【００１３】
次に、ＩＣチップを基板上に実装する方法としては、例えば導電性接着剤を用いる方法及び非導電性接着剤を用いる方法が知られている。導電性接着剤としては、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）、ＡＣＡ（Anisotropic Conductive Adhesive：異方性導電接着剤）、等方性導電ペースト等が考えられる
　
（４−４）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との間の相違点１〜３については以上のとおりであるから、補正発明は、技術常識を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年５月１４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２１年１０月２７日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である２０００−１８８３８６号公報（引用例）には、各々上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。