【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１および第２の対向する主表面を有する誘電体基板と；
所定の検出周波数範囲内のある周波数における電磁エネルギーにさらされると共振するもので、前記誘電体基板の前記主表面の１つに形成された少なくとも１つの導電層を具備し、前記導電層が、電気的な開路を形成するギャップを有しているところの共振回路と；
前記ギャップの直近に位置するヒューズ片を有するヒューズ構造と；
前記ヒューズ構造を前記導電層に接続する電気的コネクタであって、その結果前記コネクタと前記ヒューズ構造とが前記ギャップを電気的に閉じるものであり、前記ヒューズ構造を流れる、所定のレベルを超える電流により前記ヒューズ片が溶融し、それにより、前記共振回路がもはや前記所定の検出周波数範囲内の周波数で共振しないように前記共振回路の共振周波数が変更されるところの電気的コネクタと；
を具備する共振タグ。
【請求項２】  前記電気的コネクタが、それぞれ前記ギャップの対向する側にある前記導電層と、前記ヒューズ構造とに結線された第１および第２のワイヤとを具備している、請求項１に記載の共振タグ。
【請求項３】  前記ヒューズ構造と前記ワイヤ結線部とを被覆する封止材をさらに具備する、請求項２に記載の共振タグ。
【請求項４】  前記封止材が紫外線硬化封止材を包含する、請求項３に記載の共振タグ。
【請求項５】  前記ギャップが前記共振回路の誘導コイル内に形成されている、請求項１に記載の共振タグ。
【請求項６】  前記ヒューズ構造が前記ギャップ内に配置され、かつ前記基板に固定されている、請求項５に記載の共振タグ。
【請求項７】  前記ヒューズ構造が封止材により前記基板に固定されている、請求項６に記載の共振タグ。
【請求項８】  前記ヒューズ構造が前記ギャップの一方の側面の側にある前記導電層上に固定されている、請求項５に記載の共振タグ。
【請求項９】  前記ヒューズ構造が封止材により前記導電層に固定されている、請求項８に記載の共振タグ。
【請求項１０】  前記ヒューズ片を溶融させることにより、前記共振回路に、前記回路の共振を阻止する電気的開路状態が生じるところの、請求項１の共振タグ。
【請求項１１】  前記ギャップが前記共振回路の誘導コイル内に形成されており、前記ヒューズ構造が前記ギャップの一方の側の前記導電層上に封止材により固定されており、前記電気的コネクタが、それぞれ前記ギャップの対向する側にある前記導電層と、前記ヒューズ構造とに結線された第１および第２のワイヤを包含しており、前記タグが、前記ヒューズ構造と前記ワイヤ結線部とを被覆する紫外線硬化封止材をさらに包含しており、前記ヒューズ片を溶融させることにより、前記共振回路に、前記回路の共振を阻止する電気的開路状態が生じる、請求項１に記載の共振タグ。
【請求項１２】  前記共振回路が誘導コイルとコンデンサとを具備しており、前記誘導コイルが前記基板上の前記少なくとも１つの導電層により形成され、前記コンデンサが前記ヒューズ構造の一部分であり、前記コンデンサが前記ヒューズ片と直列に電気的に接続されている、請求項１に記載の共振タグ。
【請求項１３】  前記誘導コイルが全体的に、前記基板の外側縁部直近にある第１の外側端部と前記基板の中央領域直近にある第２の内側端部とを有するらせんの形状に形成されており、前記ギャップが、前記コイル外側端部から前記ギャップまで延びる第１のコイル領域と前記ギャップから前記コイル内側端部まで延びる第２のコイル領域とを形成する前記共振回路の前記誘導コイル内に形成されており、前記コンデンサが前記第１のコイル領域に接続され、前記ヒューズ片が前記第２のコイル領域に接続されている、請求項１２に記載の共振タグ。
【請求項１４】  前記ヒューズ構造が：
支持体と；
前記支持体の表面上に位置する少なくとも１個のヒューズ片と；
前記少なくとも１個のヒューズ片のそれぞれの対向する端部に接続された第１および第２のボンディングパッドと；
を具備する、請求項１に記載の共振タグ。
【請求項１５】  前記支持体が半導体材料を包含している、請求項１４の共振タグ。
【請求項１６】  前記半導体材料がシリコンを包含している、請求項１５の共振タグ。
【請求項１７】  前記支持体が不導体材料を包含している、請求項１４の共振タグ。
【請求項１８】  前記第１および第２のボンディングパッドが、前記支持体の前記表面に配置された導電材料のそれぞれの略三角形状の層を介して前記少なくとも１個のヒューズ片と接続されている、請求項１４の共振タグ。
【請求項１９】  前記ヒューズ構造が約0.254ｍｍ（0.01インチ）平方よりも小さいものである、請求項１４に記載の共振タグ。
【請求項２０】  所定の検出周波数範囲内のある周波数における電磁エネルギーにさらされると共振する共振回路を有する共振タグとともに使用するためのヒューズ構造であって：
支持体と；
前記支持体の表面上に位置する少なくとも１個のヒューズ片と；
前記少なくとも１個のヒューズ片のそれぞれの対向する端部に接続された第１および第２のボンディングパッドと；
を具備するヒューズ構造。
【請求項２１】  前記支持体が半導体材料を包含している、請求項２０のヒューズ構造。
【請求項２２】  前記半導体材料がシリコンを包含している、請求項２１のヒューズ構造。
【請求項２３】  前記支持体が不導体材料を包含している、請求項２０のヒューズ構造。
【請求項２４】  前記第１および第２のボンディングパッドが、前記支持体の前記表面に配置された導電材料のそれぞれの略三角形状の層を介して前記少なくとも１個のヒューズ片と接続されている、請求項２０のヒューズ構造。
【請求項２５】  前記ヒューズ構造が約0.254ｍｍ（0.01インチ）平方よりも小さい、請求項２０に記載のヒューズ構造。
【請求項２６】  前記ヒューズ片の長さが約3.0ミクロンで幅が約1.50ミクロンである、請求項２５に記載のヒューズ構造。
【請求項２７】  前記少なくとも１個のヒューズ片が２個のヒューズ片を包含している、請求項２０に記載のヒューズ構造。
【請求項２８】  前記少なくとも１個のヒューズ片が複数のヒューズ片を包含しており、前記ヒューズ片の各々が、前記支持体の前記表面に配置された導電材料の対向する三角形状の層によって前記第１および第２のボンディングパッドと接続されている、請求項２０に記載のヒューズ構造。
【請求項２９】  所定の検出周波数範囲内のある周波数における電磁エネルギーを利用して監視区域内のセキュリティタグの存在を検出するための手段を有する電子保安システムに用いられる動作化可能／不動作化可能の共振タグであって：
第１および第２の対向する主表面を有する誘電体基板と；
前記所定の検出周波数範囲内のある周波数で共振可能な、前記基板上に配置された少なくとも１個の共振回路であって、前記基板の前記主表面の１つに少なくとも部分的に形成されたインダクタを有しており、電気的開路状態を形成するギャップを有することを特徴とする共振回路と；
支持体の表面上に配置され、かつ導電材料のそれぞれのウェッジによって前記支持体の第１および第２のボンディングパッドに接続された少なくとも１個のヒューズ片を包含し、前記ギャップの直近に配置されたヒューズ構造と；
それぞれ前記第１および第２の支持体ボンディングパッドと前記共振回路とに接続された第１および第２のワイヤであって、前記第１および第２のワイヤと前記ヒューズ構造とが前記ギャップを電気的に閉じるようになっており、前記ヒューズ構造を流れる、所定レベルより大きい電流により前記ヒューズ片が溶融し、それにより、前記共振回路の前記共振周波数が変更されることを特徴とする第１および第２のワイヤと；
を具備する共振タグ。
【請求項３０】  前記ギャップと前記ヒューズ構造と前記第１および第２のワイヤとを被覆する封止材をさらに具備する、請求項２９の動作化可能／不動作化可能の共振タグ。
【請求項３１】  前記ヒューズ片を溶融させることにより、前記共振タグの前記共振周波数が変更され、前記共振回路が前記所定の検出周波数範囲内のある周波数で共振するようになるところの、請求項２９の動作化可能／不動作化可能の共振タグ。
【請求項３２】  前記ヒューズ片を溶融させることにより、前記共振タグの前記共振周波数が変更され、前記共振回路が前記所定の検出周波数範囲外のある周波数で共振するようになるところの、請求項２９の動作化可能／不動作化可能の共振タグ。
【請求項３３】  前記ヒューズ構造が、前記ヒューズ片と直列に電気的に接続された少なくとも１個のコンデンサをさらに具備する、請求項２９の動作化可能／不動作化可能の共振タグ。