【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ワークピースの静電クランピングを行う装置であって，
ワークピースを収容するための，電気的に絶縁するクランピング表面を画成するプラテン組立体であって，前記クランピング表面から電気的に絶縁され，その下方に位置する電極，および該電極と前記クランピング表面との間の誘電性層を含む，ところプラテン組立体と，
前記クランピング表面上の固定した位置に，ワークピースを静電的にクランピングするために，クランピング電圧を前記電極に印加するためのクランピング制御回路と，
を含み，
前記誘電性層が，クランピング表面の境界を形成する，丸い第一のエッジ，およびワークピースから離れた第二のエッジを画成するために傾斜した周囲を有する，ところの装置。
【請求項２】請求項１に記載の装置であって，
前記誘電性層の傾斜した周囲は，前記クランピング表面上に配置されるワークピースに関して，約10度より小さい角度を形成する傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項３】請求項１に記載の装置であって，
前記第二のエッジは，少なくとも約0.0102cmだけ前記クランピング表面上のワークピースから離れている，ところの装置。
【請求項４】請求項１に記載の装置であって，
前記誘電性層の傾斜した周囲は，前記電極から外に位置している傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項５】請求項１に記載の装置であって，
前記誘電性層は，アルミナ，シリコンカーバイドおよび窒化アルミニウムのグループから選択された材料からなる，ところの装置。
【請求項６】請求項１に記載の装置であって，
前記誘電性層はアルミナからなる，ところの装置。
【請求項７】請求項６に記載の装置であって，
前記プラテン組立体はさらに，前記アルミナで覆われ，前記クランピング表面を画成する，低摩擦で，高硬度の誘電性コーティングを含む，ところの装置。
【請求項８】請求項６に記載の装置であって，
前記プラテン組立体はさらに，前記アルミナの上方に位置し，前記クランピング表面を画成する，ダイヤモンドのようなカーボンコーティングを含む，ところの装置。
【請求項９】請求項８に記載の装置であって，
前記カーボンコーティングは約0.5マイクロメートルから約5.0マイクロメートルの範囲の厚さを有する，ところの装置。
【請求項１０】請求項８に記載の装置であって，
前記誘電性層は前記クランピング表面に隣接した側面を有し，前記カーボンコーティングは前記誘電性層の側面を覆う，ところの装置。
【請求項１１】請求項８に記載の装置であって，
前記電極はニオビウムからなる，ところの装置。
【請求項１２】ワークピースの静電クランピングを行う装置であって，
ワークピースを収容するための，電気的に絶縁するクランピング表面を画成するプラテン組立体であって，前記クランピング表面から電気的に絶縁され，その下方に位置する電極，該電極の各々と前記クランピング表面との間の，比較的厚い誘電性層，および前記誘電性層の下方に位置し，前記クランピング表面を形成する，比較的薄く，低摩擦で高硬度の誘電性コーティングを含む，ところプラテン組立体と，
前記クランピング表面上の固定した位置に，ワークピースを静電的にクランピングするために，クランピング電圧を前記電極に印加するためのクランピング制御回路と，
を含むところの装置。
【請求項１３】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層は，アルミナ，シリコンカーバイドおよび窒化アルミニウムのグループから選択された材料からなる，ところの装置。
【請求項１４】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層はアルミナからなる，ところの装置。
【請求項１５】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層は数千分の一インチの厚さをもつ，ところの装置。
【請求項１６】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層は前記クランピング表面に隣接した側面を有し，前記誘電性コーティングは前記誘電性層の側面を覆う，ところの装置。
【請求項１７】請求項１２に記載の装置であって，
前記電極はニオビウムからなる，ところの装置。
【請求項１８】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層は数千分の一インチの厚さをもち，前記電極はニオビウムからなる，ところの装置。
【請求項１９】請求項１２に記載の装置であって，
前記誘電性層は，クランピング表面の境界を形成する，丸い第一のエッジ，およびワークピースから離れた第二のエッジを画成するために傾斜した周囲を有する，ところの装置。
【請求項２０】請求項１９に記載の装置であって，
前記傾斜した周囲は，前記クランピング表面上に配置されるワークピースに関して，約10度より小さい角度を形成する傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項２１】請求項１９に記載の装置であって，
前記傾斜した周囲は，前記電極から外に位置している，ところの装置。
【請求項２２】半導体ウエーハの静電クランピングを行う装置であって，
プラテンベース上に取り付けられた複数のセクタ組立体を含むプラテンであって，該セクタ組立体が半導体ウエーハを収容するための，実質的に円形で，電気的に絶縁するクランピング表面を画成する，ところのプラテンであって，
前記クランピング表面上の固定した位置に，半導体ウエーハを静電的にクランピングするために，クランピング電圧を前記電極に印加するためのクランピング制御回路と，
を含み，
前記セクタ組立体のそれぞれは，前記クランピング表面から電気的に絶縁され，その下方に位置する伝導性電極，該電極と前記クランピング表面との間の上方誘電性層，および前記電極と前記プラテンベースとの間の下方誘電性層を含み，前記上方誘電性層は，クランピング表面の境界を形成する，丸い第一のエッジ，および半導体ウエーハから離れた第二のエッジを画成するために傾斜した周囲を有する，ところの装置。
【請求項２３】請求項２２に記載の装置であって，
前記上方誘電性層の傾斜した周囲は，前記クランピング表面上に配置される半導体ウエーハに関して，約10度より小さい角度を形成する傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項２４】請求項２２に記載の装置であって，
前記第二のエッジは，少なくとも約0.0102cmだけ前記クランピング表面上の半導体ウエーハから離れている，ところの装置。
【請求項２５】請求項２２に記載の装置であって，
前記上方誘電性層の傾斜した周囲は，前記電極から外に位置している傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項２６】請求項２２に記載の装置であって，
前記上方誘電性層はアルミナからなる，ところの装置。
【請求項２７】請求項２６に記載の装置であって，
前記セクタ組立体のそれぞれはさらに，前記上方誘電性層の上方に位置し，前記クランピング表面を画成するダイヤモンドのようなアモルファスカーボンコーティングからなる，ところの装置。
【請求項２８】請求項２７に記載の装置であって，
前記カーボンコーティングは約0.5マイクロメートルから約5.0マイクロメートルの範囲の厚さを有する，ところの装置。
【請求項２９】請求項２７に記載の装置であって，
前記セクタ組立体のそれぞれは，前記クランピング表面に隣接した側面を有し，前記カーボンコーティングは前記セクタ組立体の側面を覆う，ところの装置。
【請求項３０】請求項２７に記載の装置であって，
前記電極はニオビウムからなる，ところの装置。
【請求項３１】請求項２７に記載の装置であって，
前記カーボンコーティングは約1.5マイクロメートルの厚さをもつ，ところの装置。
【請求項３２】請求項２３に記載の装置であって，
前記傾斜した周囲は，前記クランピング表面上に配置される半導体ウエーハに関して，約5度の角度を形成する傾斜表面を画成する，ところの装置。
【請求項３３】請求項２３に記載の装置であって，
前記丸いエッジは，前記傾斜した表面と前記クランピング表面との間のスムーズな遷移部を形成するために融合され，磨かれている，ところの装置。
【請求項３４】請求項２２に記載の装置であって，
前記セクタ組立体のそれぞれは，低デュロメータ接着剤で，前記プラテンベースに取り付けられている，ところの装置。
【請求項３５】請求項２２に記載の装置であって，
前記プラテンベースは，パーティクルが蓄積する凹所を避ける形状となっている，ところの装置。
【請求項３６】半導体ウエーハの静電クランピングを行う装置であって，
プラテンベース上に取り付けられた複数のセクタ組立体を含むプラテンであって，該セクタ組立体が半導体ウエーハを収容するための，実質的に円形で，電気的に絶縁するクランピング表面を画成する，ところのプラテンであって，
前記クランピング表面上の固定した位置に，半導体ウエーハを静電的にクランピングするために，クランピング電圧を前記電極に印加するためのクランピング制御回路と，
を含み，
前記セクタ組立体のそれぞれは，前記クランピング表面から電気的に絶縁され，その下方に位置する伝導性電極，前記電極のそれぞれと前記クランピング表面との間の比較的厚い上方誘電性層，前記上方誘電性層の上方に位置する，比較的薄い，低摩擦で，高硬度の誘電性コーティング，および前記電極と前記プラテンベースとの間の下方誘電性層を含み，
前記誘電性コーティングは，約0.5マイクロメートルから約5.0マイクロメートルの範囲の厚さをもつ,ところの装置。