【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記のものからなる群から選択される構造を有する化合物：
【化１】
2002522446.tif 000001
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は各々独立して水素を含む誘導基である。
【請求項２】  Ｒ１が下記の一般構造を有する反応性基で終わるアルキル及び芳香族基からなる群から選択される請求項１記載の化合物：
（Ｐ）ｎＡ
式中、Ｐはアルキル、枝分れしたアルキル、芳香族基、誘導された芳香族基及びそれらの組合せからなる群から選択され、ｎは１〜１００の範囲の整数であり、Ａは活性化学部分である。
【請求項３】  ｎが２〜５０の範囲の整数である請求項２記載の化合物。
【請求項４】  ｎが３〜７の範囲の整数である請求項２記載の化合物。
【請求項５】  Ａが求核試薬と反応することができる請求項２記載の化合物。
【請求項６】  前記求核試薬がアミノ及びヒドロキシ基からなる群から選択される請求項３記載の化合物。
【請求項７】  Ａが前記求核試薬との化学結合を形成するように設計され、前記結合がエーテル結合、エステル結合、アミド結合、ホスホネート結合、カルバメート結合、及びスルホン結合からなる群から選択される請求項５記載の化合物。
【請求項８】  Ａが活性エステルである請求項５記載の化合物。
【請求項９】  ＡがＮ−ヒドロキシスクシンイミド、ハロゲノアシル、ビニルスルホン、イソチオシアネート、シアネート、クロロメチルケトン、イオドアセトアミジル、イオドアルキル、ブロモアルキル及び活性ホスフェート基からなる群から選択される請求項５記載の化合物。
【請求項１０】  Ｒ２及びＲ３が各々独立して水素、メチル、ハロゲン、及び下記構造を有する不飽和部分からなる群から選択される請求項１記載の化合物：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ
式中、ｍは１〜６の範囲の整数であり、Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基及び前記水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基で終わる芳香族基からなる基から選択される。
【請求項１１】  Ｒ４がアルキル及び芳香族基からなる群から選択される請求項１記載の化合物。
【請求項１２】  Ｒ５が水素及びペプチド合成におけるアミノ酸の保護に有用なアミノ保護基からなる群から選択される請求項１記載の化合物。
【請求項１３】  前記アミノ保護基がトリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、４−トルエンスルホニルエチルオキシカルボニル、メチルスルホニルエチルオキシカルボニル、２−シアノ−ｔ−ブチルオキシカルボニル、クロロアセチル、アセトアセチル及び２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニルからなる群から選択される請求項１２記載の化合物。
【請求項１４】  下記のものからなる群から選択される構造を有する化合物：
【化２】
2002522446.tif 000002
【化３】
2002522446.tif 000003
式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ１２は各々独立して誘導基である。
【請求項１５】  Ｒ６がヒドロキシル基、ＯＲ９及びアミノ基ＮＲ１０からなる群から選択される化学官能基であり、Ｒ９が独立して酸化学変化しやすい保護基及び塩基化学変化しやすい保護基からなる群から選択され、Ｒ１０が独立して窒素保護基である請求項１４記載の化合物。
【請求項１６】  前記酸化学変化しやすい保護基がトリフェニルメチル、ｐ−アニシルジフェニルメチル、ジ−ｐ−アニシルジフェニルメチル、ｐ−ジメトキシトリチル、ホルミル、ｔ−ブチルオキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、２−クロロベンジルオキシカルボニル、４−クロロベンゾイルオキシカルボニル、２，４−ジクロロベンジルオキシカルボニル、フルフリルカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、アダマンチルオキシカルボニル、２−フェニルプロピル−（２）−オキシカルボニル、２−（４−ビフェニル）プロピル−（２）−オキシカルボニル、２−ニトロフェニルスルフェニル及びジフェニルホスフィニルからなる群から選択される請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】  前記塩基化学変化しやすい保護基がトリフルオロアセチル、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、４−トルエンスルホニルエチルオキシカルボニル、メチルスルホニルエチルオキシカルボニル、２−シアノ−ｔ−ブチルオキシカルボニル、シリルエーテル、及び２，２，２−トリクロロエチルカーボネートからなる群から選択される請求項１５記載の化合物。
【請求項１８】  前記窒素保護基がトリフルオロアセチル、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、４−トルエンスルホニルエチルオキシカルボニル、メチルスルホニルエチルオキシカルボニル、２−シアノ−ｔ−ブチルオキシカルボニル、クロロアセチル、アセトアセチル、及び２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニルからなる群から選択される請求項１５記載の化合物。
【請求項１９】  Ｒ５がアミノ基ＮＲ１０からなる群から選択され、ここでＲ１０が酸化学変化しやすい保護基、及び塩基化学変化しやすい保護基である請求項１４記載の化合物。
【請求項２０】  前記酸化学変化しやすい保護基がトリフェニルメチル、ｐ−アニシルジフェニルメチル、ジ−ｐ−アニシルジフェニルメチル、ｐ−ジメトキシトリチル、ホルミル、ｔ−ブチルオキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、２−クロロベンジルオキシカルボニル、４−クロロベンゾイルオキシカルボニル、２，４−ジクロロベンジルオキシカルボニル、フルフリルカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、アダマンチルオキシカルボニル、２−フェニルプロピル−（２）−オキシカルボニル、２−（４−ビフェニル）プロピル−（２）−オキシカルボニル、ジ−ｐ−アニシルジフェニルメチル、２−ニトロフェニルスルフェニル及びジフェニルホスフィニルからなる群から選択される請求項１５記載の化合物。
【請求項２１】  前記塩基化学変化しやすい保護基がトリフルオロアセチル、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル、４−トルエンスルホニルエチルオキシカルボニル、メチルスルホニルエチルオキシカルボニル及び２−シアノ−ｔ−ブチルオキシカルボニルからなる群から選択される請求項１９記載の化合物。
【請求項２２】  Ｒ７が水素及びＯＲ１１からなる群から選択され、Ｒ１１が化学保護基である請求項１４記載の化合物。
【請求項２３】  前記Ｒ１１保護基が低級アリール及びアルキルエーテルからなる群から選択される請求項２２記載の化合物。
【請求項２４】  前記Ｒ１１保護基がトリフェニルメチル、アセタール、テトラヒドロピラニル、シリルエーテル、トリメチルシリル及びｔ−ブチル−ジメチルシリルからなる群から選択される請求項２３記載の化合物。
【請求項２５】  前記Ｒ１１保護基がヒドロキシル及びアミノ基からなる群から選択される請求項２２記載の化合物。
【請求項２６】  Ｒ８が低級及び複素環式アルキルからなる群から選択される請求項１４記載の化合物。
【請求項２７】  Ｒ８がメチル、イソプロピル、モルホリノ、ピロリジノ及び２，２，６，６−テトラメチルピロリジノからなる群から選択される請求項２６記載の化合物。
【請求項２８】  Ｒ１２がホスフェート保護基である請求項１４記載の化合物。
【請求項２９】  前記ホスフェート保護基がトリクロロエチル、アリル、シアノエチル及びスルホニルエチルからなる群から選択される請求項２８記載の化合物。
【請求項３０】  下記のものからなる群から選択される化合物：
【化４】
2002522446.tif 000004
【化５】
2002522446.tif 000005
式中、ＴＰＯはトリホスフェート基であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立して水素を含む誘導基であり、Ｒ７及びＲ１３は各々独立して水素及びヒドロキシル基からなる群から選択される。
【請求項３１】  Ｒ２及びＲ３が各々独立して水素、メチル、ハロゲン、下記構造を有する不飽和部分からなる群から選択される請求項３０記載の化合物：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ
式中、ｍは１〜６の範囲の整数であり、Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基及び芳香族基からなる群から選択される。
【請求項３２】  Ｒ４がアルキル及び芳香族基からなる群から選択される請求項３０記載の化合物。
【請求項３３】  下記のものからなる群から選択される構造の化合物を合成する方法であって、誘導された塩基を酢酸第二水銀と接触させ、Ｎ−アルキルマレイミドと縮合する工程を含む方法：
【化６】
2002522446.tif 000006
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は各々独立して水素を含む誘導基である。
【請求項３４】  下記のものからなる群から選択される構造の化合物を合成する方法であって：
【化７】
2002522446.tif 000007
（式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ１２は各々独立して水素を含む誘導基である）
下記工程を含む方法：
（ａ）ヌクレオシドを第二水銀塩と接触させ、続いてＮ−アルキルマレイミドと縮合する；
（ｂ）前記ヌクレオシドのアミノ基を保護基で保護する；
（ｃ）前記ヌクレオシドの５′ヒドロキシルを酸化学変化しやすい基で保護する；
（ｄ）アリルホスファーアミデート試薬と縮合する。
【請求項３５】  下記のものからなる群から選択される構造の化合物を合成する方法であって、５′トリホスフェートヌクレオシドを第二水銀塩と接触させ、Ｎ−アルキルマレイミドと縮合する工程を含む方法；
【化８】
2002522446.tif 000008
【化９】
2002522446.tif 000009
式中、ＴＰＯはトリホスフェート基であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立して水素を含む誘導基であり、Ｒ７及びＲ１３は各々独立して水素及びヒドロキシル基からなる群から選択される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
記載された好ましい例のさらなる特徴によれば、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素、メチル、ハロゲン、及び下記構造を有する不飽和部分からなる群から選択される：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ
式中、ｍは１〜６の範囲の整数であり、Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基及び前記水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基で終わる芳香族基からなる基から選択される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
記載された好ましい例のさらなる特徴によれば、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素、メチル、ハロゲン、下記構造を有する不飽和部分からなる群から選択される：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ
式中、ｍは１〜６の範囲の整数であり、Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基及び芳香族基からなる群から選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
本発明の一つの側面では、下記の構造式を有する、一般に存在するヌクレオシドの蛍光構造的類似体Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｕ及びそれらの誘導体が提供される：
【化２３】
2002522446.tif 000010
【化２４】
2002522446.tif 000011
式中、構造Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ及びＵは誘導基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５を含有する；
Ｒ１は式（Ｐ）ｎＡを有する反応性基で終わるアルキル及び芳香族基であることができる；
Ｐはアルキル、枝分れしたアルキル、芳香族基又は誘導された芳香族基であることができる；
ｎは１〜１００、好ましくは２〜５０、最も好ましくは３〜７の範囲の整数である；
Ａは好ましくは求核試薬、アミノ基、ヒドロキシ基、エステル基、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド、ハロゲンアシル、ビニルスルホン、イソチオシアネート、シアネート、クロロメチルケトン、イオドアセトアミジル、イオドアルキル、ブロモアルキル、活性ホスフェート基などと反応しうる活性化学部分である；
Ｒ２及びＲ３は水素、メチルハロゲン又は下記構造の不飽和部分であることができる：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ；
式中、ｍは１〜６の範囲の整数である；
Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基及び水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、又は電子求引基で終わる芳香族基である；
Ｒ４はアルキル又は芳香族基であることができる；
Ｒ５は水素又はペプチド合成におけるアミノ酸の保護に有用なアミノ保護基、好ましくはトリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、４−トルエンスルホニルエチルオキシカルボニル、メチルスルホニルエチルオキシカルボニル、２−シアノ−ｔ−ブチルオキシカルボニル、クロロアセチル、アセトアセチル又は２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニルであることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
別の例では、本発明は一般に存在するヌクレオシドの蛍光構造的類似体及びそれらの誘導体を提供する。これらの構造Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ及びＪの化合物はトリホスフェート基（ＴＰＯ）、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４誘導基及びＲ７及びＲ１３（それらは水素又はヒドロキシル基であることができる）を含有する。
【化２７】
2002522446.tif 000012
【化２８】
2002522446.tif 000013
式中、Ｒ２及びＲ３は水素、メチル、ハロゲン、又は下記式を有する不飽和部分であることができる：
−（ＣＨ＝ＣＨ）ｍＣＨ２Ｚ；
式中、ｍは１〜６の範囲の整数であり、Ｚは水素、ヒドロキシル、アミン、アミド、ニトロ、電子求引基又は芳香族基であることができ、Ｒ４はアルキル又は芳香族基であることができる。