【事件の表示】
　特願２００６−　４９４４８「フォトレジストの剥離及び清浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２７８１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年（２００６年）２月２７日を出願日とする特願２００６−４９４４８号であって、平成２３年４月７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１３日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、同年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２４年５月１４日付けで、回答の期限を定めて、前置報告書の内容について請求人に事前に意見を求める審尋を行なったが、期限が過ぎても回答書の提出はなされなかった。
　
第２　平成２３年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１２月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２３年６月１３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載の、
　
「基板に塗布された感光性フォトレジストに対し、波長が１７２ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の紫外光を照射しつつ、３０℃〜５５℃に加温されたオゾン濃度が２５ｐｐｍ以上の高濃度オゾン水をかけることを特徴とするフォトレジストの剥離及び洗浄方法。」が　
　
「基板に塗布された感光性フォトレジストに対し、
ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光である
照度３ｍＷ／ｃｍ
２
以上６ｍＷ／ｃｍ
２
以下
４５℃
７５ｐｐｍ以下
　
　そして、この補正は、「紫外光」について、補正前に「波長が１７２ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の紫外光」とあったのを、「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光である紫外光」と限定する補正事項、紫外光の照射について、その照度を「３ｍＷ／ｃｍ２以上６ｍＷ／ｃｍ２以下」と限定する補正事項、高濃度オゾン水の温度について、補正前に「３０℃〜５５℃」とあったのを「３０℃〜４５℃」と限定する補正事項、及び、高濃度オゾン水のオゾン濃度について「２５ｐｐｍ以上」とあったのを「２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下」と限定する補正事項からなり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正であるといえる。
　すなわち、本件補正における請求項１に係る発明の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２３年１２月１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−１５０１６５号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
本発明は、極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成されたレジストを除去することができるオゾン水噴射ノズルに関する。」
　
「【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、極めて高い効率で、かつ、均一に基板の処理面に形成されたレジストを除去することができるオゾン水噴射ノズルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のオゾン水噴射ノズルは、
オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射ノズルであって、前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができる複数の噴射孔と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることができる紫外線照射手段とを有する
以下に本発明を詳述する。」
　
「【００４３】
（実施例１）
パーフルオロアルコキシ樹脂製の直径１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍで円板状の本体部に、炭酸ガスレーザを用いて直径０．５ｍｍの噴射孔を縦方向に２．５ｍｍ間隔、横方向に５ｍｍ間隔で形成した。
次に、横方向に隣接する噴射孔の間に炭酸ガスレーザを用いて噴射孔の縦方向の列に平行な溝を形成し、石英ガラス製ランプケースで保護したＵＶランプを接着剤を介して固定してオゾン水噴射ノズルを作製した（図１参照）。
【００４４】
作製したオゾン水噴射ノズルの噴射孔より噴射させた水流について、噴射孔から３０ｃｍ離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約０．５ｍｍであった。このことから、この噴射孔から噴射させた水流は棒流であることがわかった。
【００４５】
作製したオゾン水噴射ノズルを従来公知のレジスト除去装置に取り付け、表面に厚さ０．５μｍのレジストが形成されたＳｉウエハを処理基板とし、
紫外線強度３．１ｍＷ／ｃｍ
２
、オゾン水濃度１２７ｐｐｍ、
オゾン水温６０℃
膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いてレジストの残厚を測定した。
その結果、レジスト除去開始後４５秒でレジストが完全に除去された。」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載を総合すれば、引用例１には、
「オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射ノズルであって、前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができる複数の噴射孔と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることができる紫外線照射手段とを有するオゾン水噴射ノズルを用いたレジスト除去方法であって、
　照射する紫外線の紫外線強度が３．１ｍＷ／ｃｍ２、
　オゾン水濃度が１２７ｐｐｍ、
　オゾン水温が６０℃であるレジスト除去方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−２６６５３４号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
「【０００１】
本発明は、マスク基板のレジスト、とりわけマスク基板の側面の四隅に形成されるような極端に厚いレジストを高効率に除去することができるマスク基板用レジスト除去装置に関する。」
　
「【０００９】
本発明は、オゾン水を用いてマスク基板のレジストを除去するマスク基板用レジスト除去装置であって、前記マスク基板の側面の略全面に前記オゾン水を噴射する複数のノズルが設置されているマスク基板用レジスト除去装置である。」
　
「【００２０】
ノズル１２の大きさとしては特に限定されないが、その直径の好ましい上限は１．０ｍｍ、より好ましい上限は０．５ｍｍである。１．０ｍｍを超えると、レジストの除去に必要となるオゾン水量が多くなり、また、オゾン水のオゾン濃度を高くすることができず、レジストの除去速度を早くすることができなくなることがある。」
　
「【００３７】
本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。
更に、本発明のレジスト除去装置は、装置内を加圧する手段を有することが好ましい。装置内を加圧することにより、過飽和のオゾン水を生成させることができ、このような高濃度のオゾン水を用いることにより、更に高い効率でレジスト除去を行うことができる。
【００３８】
また、本発明のレジスト除去装置は、紫外線を照射する手段が付加されていてもよい。本発明のレジスト除去装置によりマスク基板表面のレジストを除去する際、紫外線を照射することにより、オゾンの分解速度が促進され、それに伴いレジストの除去効果を上げることができる。従って、オゾン水と紫外線照射とを併用することによって、より高いレジスト除去効果を得ることができる。
上記紫外線を照射する手段としては特に限定されず、例えば、ＵＶランプ等が挙げられる。照射される紫外線の波長は、オゾンが吸収する２５４ｎｍ近辺であることが好ましい。」
　
「【００４２】
５０℃に調整した５０ｐｐｍの酢酸アンモニウム水溶液にオゾンガスを溶解してオゾン溶液を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は約８５ｐｐｍであった。
ポンプを用いて得られたオゾン水を管状部材の一方の端部から、その内部に流通させるとともに、オゾン水供給手段の上面用ノズルに供給し、マスクブランクスの側面及び上面の略全面に対して垂直方向から到達時の線速度が４８０ｃｍ／ｓｅｃとなるように連続的に１分間、及び、３分間噴射してマスクブランクスのレジストを除去した。レジスト除去処理後のマスクブランクスを純水にて洗浄した後、乾燥させた。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「基板表面のレジスト」が、本願補正発明の「基板に塗布された感光性フォトレジスト」に相当し、引用発明の「紫外線」と、本願補正発明の「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光である紫外光」とは、「紫外光」である点で一致し、引用発明の「オゾン水濃度が１２７ｐｐｍ」の「オゾン水」と、本願補正発明の「オゾン濃度が２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下の高濃度オゾン水」とは、「高濃度オゾン水」である点で一致するから、引用発明の「オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射ノズルであって、前記基板の処理面の略全表面に略均一にオゾン水を噴射させることができる複数の噴射孔と、前記基板の処理面の略全表面に略均一に紫外線を照射させることができる紫外線照射手段とを有するオゾン水噴射ノズルを用いたレジスト除去方法」と、本願補正発明の「基板に塗布された感光性フォトレジストに対し、ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光である紫外光を」「照射しつつ」、「オゾン濃度が２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下の高濃度オゾン水をかける」「フォトレジストの剥離及び洗浄方法」とは、「基板に塗布された感光性フォトレジストに対し、紫外光を照射しつつ、高濃度オゾン水をかけるフォトレジストの剥離及び洗浄方法」である点で一致する。
　
　引用発明の「照射する紫外線の紫外線強度」が、本願補正発明の「紫外光」の「照度」に相当し、引用発明の「紫外線強度」の「３．１ｍＷ／ｃｍ２」という値は、本願補正発明の「３ｍＷ／ｃｍ２以上６ｍＷ／ｃｍ２以下」に含まれる値であるから、引用発明の「照射する紫外線の紫外線強度が３．１ｍＷ／ｃｍ２」であることが、本願補正発明の「紫外光を照度３ｍＷ／ｃｍ２以上６ｍＷ／ｃｍ２以下で照射」することに相当する。
　
　引用発明の「オゾン水濃度が１２７ｐｐｍ、オゾン水温が６０℃である」「オゾン水」と、本願補正発明の「３０℃〜４５℃に加温されたオゾン濃度が２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下の高濃度オゾン水」とは、「加温された」「高濃度オゾン水」である点で一致する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「基板に塗布された感光性フォトレジストに対し、紫外光を照度３ｍＷ／ｃｍ２以上６ｍＷ／ｃｍ２以下で照射しつつ、加温された高濃度オゾン水をかけるフォトレジストの剥離及び洗浄方法。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
ウ　相違点
（ア）相違点１
　紫外光に関し、本願補正発明は、「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光」であるのに対し、引用発明は、その点の特定がない点。
　
（イ）相違点２
　加温された高濃度オゾン水の温度が、本願補正発明は、「３０℃〜４５℃」であるのに対し、引用発明は、「６０℃」である点。
　
（ウ）相違点３
　高濃度オゾン水の濃度が、本願補正発明は、「２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下」であるのに対して、引用発明は、「１２７ｐｐｍ」である点。
　
（４）当審の判断
ア　上記各相違点について検討する。
（ア）相違点１について
　紫外線で照射しつつオゾン水を噴射してレジストを除去する方法において、紫外線として「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光」を用いることは、例えば、特開２００３−３３７４３２号公報（【０００７】【００２６】）、特開２００５−７２３０８号公報（【００１０】【００２６】）のも記載されているように周知の技術である。
　そして、紫外線で照射しつつオゾン水を噴射してレジストを除去する方法において紫外線としてどのような紫外線を用いるかは、紫外線のオゾン水への透過性や、オゾンを活性化する作用の大きさ等を勘案して，当業者が適宜選択し得るものであるところ、上記の「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光」を用いる周知技術を適用し、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）相違点２について
　引用例２の【００３７】には、オゾン水の噴射（及び紫外線照射）によるレジスト除去のオゾン水の温度の影響に関して、「本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。」と記載されている。上記記載からもわかるように、オゾン水の温度がレジストの除去速度に影響を与えることは周知技術であり、その温度を具体的にどの程度とするかは、、必要とされる除去速度や操作者への影響等を勘案して、当業者が適宜設定し得る事項に過ぎないから、本願補正発明において「３０℃〜４５℃」としたことに格別の困難性は認められない。
　
（ウ）相違点３について
　引用例２の【００２０】に「オゾン水のオゾン濃度を高くすることができず、レジストの除去速度を早くすることができなくなることがある」と記載されていることからも認められるように、オゾン水のオゾン濃度がレジストの除去速度に影響を与えることは周知技術である。そして、その濃度を具体的にどの程度とするかは、必要とされる除去速度や操作者への影響等を勘案して、当業者が適宜設定し得る事項に過ぎないから、本願補正発明において「２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下」としたことに格別の困難性は認められない。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年１２月１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年６月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２３年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２３年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２３年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、
「紫外光」について、補正前に「波長が１７２ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の紫外光」とあったのを、「ＫｒＣｌによる波長２２２ｎｍのエキシマ光である紫外光」と限定し、紫外光の照射について、その照度を「３ｍＷ／ｃｍ２以上６ｍＷ／ｃｍ２以下」と限定し、高濃度オゾン水の温度について、補正前に「３０℃〜５５℃」とあったのを「３０℃〜４５℃」と限定し、また、高濃度オゾン水のオゾン濃度について「２５ｐｐｍ以上」とあったのを「２５ｐｐｍ以上７５ｐｐｍ以下」と限定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」及び「（４）当審の判断」において記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。