【事件の表示】
　特願２００６−　７５０３７「半導体基板を材料除去処理するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２８日出願公開、特開２００６−２６１６８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年３月１７日（パリ条約による優先権主張２００５年３月１７日、ドイツ国）の出願であって、平成２１年６月９日付けで手続補正がなされ、同年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２２年２月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、これと同時に特許請求の範囲を補正対象とする手続補正（以下、同手続補正を「本件補正」という。）がなされ、平成２３年５月１９日に当審から拒絶理由の通知がなされ、同年１０月２０日付けの意見書が提出されたものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める（以下、これを「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　半導体基板を材料除去処理するための方法であって、基板ホルダ上で保持された半導体基板と、この半導体基板に向き合うといし車とを互いに独立して回転させ、この際に、といし車を半導体基板に対して横方向にずらして配置して、半導体基板の軸方向中心をといし車の作業領域にもたらし、この際に、といし車を送り速度で半導体基板に向かって移動させ、それによってといし車と半導体基板とを相互に侵入させ、この間に半導体基板とといし車とを互いに平行な軸線を中心にして回転させることによって、半導体基板の表面を研削し、この際に、所定の材料除去が得られてからといし車を戻し案内速度で戻し案内する方法において、
　半導体基板の１回転中に、といし車と半導体基板とをストローク０．０３〜０．１μｍだけ侵入運動させ、かつ粒度♯２０００又はそれよりも微細な粒度を有するといし車を使用することを特徴とする、半導体基板を材料除去するための方法。」
　
第３．引用刊行物
１．引用刊行物１
　当審からの拒絶の理由に引用された特開平７−３２２５２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに次のような記載がある。
　
ア．【発明の名称】
「ワーク自転型研削加工方法、ワーク自転型研削盤及びシリコンウェハ並びにセラミック基板」
　
イ．【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項３】
「【請求項１】ワークを自転させ、該ワークの加工対象面に回転するカップ型砥石の作業面が接触し、加工を行なうワーク自転型研削加工方法において、前記ワークの自転の回転数ｘを０＜ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎとして前記ワークを研削することを特徴とするワーク自転型研削加工方法。
【請求項２】ワークを自転させ、該ワークの加工対象面に回転するカップ型砥石の作業面が接触し、加工を行なうワーク自転型研削加工方法において、前記ワークの自転の回転数ｘを１≦ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎとして前記ワークを研削することを特徴とするワーク自転型研削加工方法。
【請求項３】ワークを支持するワーク回転軸と、該ワーク回転軸を回転させるワーク回転用モータと、前記ワークを研削加工するカップ型砥石と、該カップ型砥石が装着される研削砥石軸と、該研削砥石軸を回転させる研削砥石軸用モータと、該研削砥石軸を該ワークの被加工面の法線方向へ往復運動する切り込みテーブルと、該切り込みテーブルを駆動するための切り込みテーブル用モータとを有するワーク自転型研削盤において、
前記ワークを回転するための前記ワーク回転軸の回転数ｘが０＜ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎで安定して回転するように１００ｒ／ｍｉｎ以下の低速用モータを設けたことを特徴とするワーク自転型研削盤。」
　
ウ．【０００９】〜【００１０】
「主な構造を以下に説明する。ワーク（ワーク）６を支持するワーク回転軸（ワーク回転軸）７と、ワーク回転軸（ワーク回転軸）７を回転させるワーク回転用モータ（ワーク回転軸用モータ）８と、ワーク（ワーク）６を研削加工するカップ型砥石（ダイヤモンド砥石）１と、カップ型砥石（ダイヤモンド砥石）１が装着される研削砥石軸２と、研削砥石軸２を回転させる研削砥石軸用モータ３と、研削砥石軸２をワーク（ワーク）６の被加工面の法線方向へ往復運動する切り込みテーブル４と、切り込みテーブル４を駆動するための切り込みテーブル用モータ５とを有する。
　加工部の拡大図を図２、図３に示す。ワーク自転型インフィード研削では、研削砥石１の作業面（加工に関与する砥石面）がワーク回転軸７の回転中心上を通る構造となっており、加工面積の大きいワーク６を加工する場合、ワーク回転軸７の回転中心にワーク６を取り付けて加工を行う。」
　
エ．【００１６】
「即ち、ワーク自転型インフィード研削加工法では、加工したワーク表面において、ワーク軸の回転中心部分に数μｍから１０μｍの深さの窪み（原因については後述する）が生じるため、形状精度が悪くなる。従来のセラミックス加工では研削により粗加工をした後、ラッピング（ポリッシング）により表面を仕上げることを前提として、仕上げ加工であるラッピング，ポリッシングの加工代を大きくしていたため、この中心部の窪みに対しては要求精度が高くなく、問題はなかったが、サブミクロンオーダ及び数十ナノメートルオーダの形状精度が要求される場合には、この窪みによる形状精度の劣化は大きな問題となる。」
　
オ．【００１９】〜【００２２】
「本発明の第１の目的は、ワークの加工面の平面度をサブミクロンオーダにするワーク自転型研削加工方法を提供することにある。
　本発明の第２の目的は、ワークの加工面の平面度をサブミクロンオーダとし、かつ高能率のワーク自転型研削加工方法を提供することにある。
　本発明の第３の目的は、ワーク自転型インフィード研削盤において、セラミックス基板の研削加工時に生じるワーク軸の回転中心部の窪みを簡単な構成により抑制する研削盤を提供することにある。
　本発明の第４の目的は、加工面中心部に窪みの極めて小さく、高い平面度を有するシリコンウェハを提供することを目的とする。」
　
カ．【００２５】〜【００２６】
「上記第１の目的を達成するため、ワークを自転させ、該ワークの加工対象面に回転するカップ型砥石の作業面が接触し、加工を行なうワーク自転型研削加工方法において、前記ワークの自転の回転数ｘを０＜ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎとして前記ワークを研削するようにした。
　また、工具として高い形状精度でワークを加工することができるカップ型メタルボンドダイヤモンド砥石を用いた。そして、表面粗さを向上するため、上記砥石の砥粒切れ刃高さを高精度に揃えるツルーイング法（特開平５−１６０７０号公報）を用いた。」
　
キ．【００２９】
「上記第４の目的を達成するため、本発明のワーク自転型回転研削方法を用いてウェハを研削加工し、前記シリコンウェハの研削加工時にその中心部に生じる窪みの深さｈを０＜ｈ≦１００ｎｍとした。」
　
ク．【００３１】〜【００３２】
「【作用】ワーク自転型の研削盤においてワークの加工面の中心部に生じる窪み深さは、研削加工時の研削面の法線方向の研削力によって生じるカップ型砥石のボンド材の弾性変形量に起因し、窪み深さはボンド材の弾性変形量に比例する。そのため、加工時の研削力がワークの内周部に比較し外周部ほど大きくなるワーク自転型研削盤ではワークの外周部を研削する砥石のボンド材の弾性変形量が大きく加工したワークの中心部に窪みを生じる。このワークの外周部と中心部の加工面の法線方向の研削力はワーク回転軸の回転数が大きいほど拡大するためである。
　従って、ワーク自転型研削加工方法において、前記ワークの自転の回転数ｘを０＜ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎとして前記ワークを研削することで、ワークの外周部と中心部との研削力の差を小さくしてワークの中心部に生じる窪みを小さくした。また、ワークの自転の回転数ｘを１≦ｘ≦４０ｒ／ｍｉｎとして前記ワークを研削することにより、ワークの外周部と中心部との研削力の差を小さくすると共に、ワークの加工能率を向上させることができる。」
　
ケ．【００３７】〜【００３９】
「外周部の研削力の大きさの違いについて図２，図３，図４を用いて説明する。
　ワーク自転型インフィード研削では、図２に示すようにワーク軸の回転中心にカップ型研削砥石１の作業面の中心が当たる。図２において、砥石作業面の両端の円弧をａ，ｂとする。図３は、軸方向から見た加工の概念図である。実際にはワーク６が回転するが、ワーク６を固定したと仮定すると、ある微小時間Δｔの間に、カップ型研削砥石１の作業面は１から２に移動する。この時のカップ型研削砥石１の角度をθとすると、微小時間Δｔが一定の場合、θはワーク回転軸の回転数に比例する。
　次に、微小時間Δｔの間にカップ型研削砥石１が加工したワーク６の表面を考えると、円弧ａと円弧ｂ’に挾まれた面積である。図４は、微小時間Δｔの間に研削砥石が除去するワーク表面の概念図である。前述したように、微小時間Δｔの間にワーク６の表面は円弧ａと円弧ｂ’に挾まれた面積だけ加工される。ワーク軸の回転中心から半径方向Ｘの位置にｄＸの微小長さを考える。円弧ａと円弧ｂ’に挾まれたＸ＋ｄＸの位置の円弧をＹとすると、微小面積Ｓ２はＹとｄＸの積になる。微小面積Ｓ２は、半径方向Ｘの位置の微小時間Δｔの間に加工される面積である。そして、Ｓ２はＸに比例することがわかる。また、Ｓ２はθに比例するため、ワーク回転軸の回転数ｎに比例することがわかる。これに対し、砥石の作業面に常に当たるワーク回転中心部の面積Ｓ１（直径は砥石幅Ｂ）は、θが変化しても一定であるため、ワーク回転軸の回転数ｎに比例しないことがわかる。」
　
コ．【００４９】
「本発明は、上記した窪みの発生メカニズムの解明による知見に基づきなされたものであり、ワーク自転型インフィード研削加工法において、ワーク軸の回転数を４０ｒ／ｍｉｎ以下の低速回転に設定し、ワークを加工することにより、上記回転中心部に生じる窪みを１００ｎｍ以下に抑制したものである。したがって、この方法により加工すれば、サブミクロンオーダの平面度にワークを加工することができる。また、ワーク軸の回転数によっては、数十ナノメートルオーダの平面度にワークを加工することもできる。」
　
サ．【００６６】〜【００７３】
「実施例４：シリコンウェハの鏡面研削加工
　シリコンウェハの素子形成面の加工を次のように行った。内周スライサによりインゴットから切りだされたシリコンウェハ（直径６ｉｎｃｈ：φ１５２．４ｍｍ）をワークホルダ（材質：アルミナ系セラミックス　φ１８０ｍｍ）にワックスで貼り付け、実施例１，２で使用した横型ワーク自転型インフィード研削盤により研削加工を行った。加工条件を下記に示す。ただし、研削砥石のツルーイングに関しては、特許（特開平５−１６０７０号公報）記載のツルーイング法を行い、砥粒切れ刃高さを揃えた砥石により加工した。
　・加工機　　横型ワーク自転型インフィード研削盤
　・研削砥石　カップ型メタルボンドダイヤモンド砥石
　　　　　　　ＳＤ１５００Ｎ７５Ｍ（φ１６０ｍｍ、砥石幅２ｍｍ）
　・研削砥石軸回転数　５０００ｒ／ｍｉｎ
　・ワーク軸回転数　　５ｒ／ｍｉｎ
　・切り込み速度　　　１０，１μｍ／ｍｉｎ
　・ワーク　シリコンウェハ（直径６ｉｎｃｈ：φ１５２．４ｍｍ)
　研削加工後、シリコンウェハをワークホルダから取り外し、今度は加工した面を接着面としてワークホルダにワックスで貼り付ける。このとき、ワックスの厚みムラができないように、スピンコートを用いてワックスの厚みを均一にする。
　接着後、上記加工条件によりシリコンウェハの未加工面を研削加工する。この時の研削加工後のシリコンウェハの精度として、表面粗さ１５ｎｍＲｍａｘ，平面度３００ｎｍ（０．３μｍ），中心部の窪み深さ４０ｎｍを得た。
　次に、ワークホルダに取り付けたままで洗浄を行い、表面のゴミを取り除く。そして、上記加工面をワークホルダに取り付けたまま片面ポリッシングを行った。片面ポリッシングの加工条件を下記に示す。
　・加工機　片面ポリッシング盤
　・クロス　ベルエース
　・研磨剤　コロイダルシリカ
　・定盤回転数　５０ｒ／ｍｉｎ
　・研磨圧力　　１０ｋＰａ
　・研磨量　　　０．５μｍ
　研磨加工後、上記片面ポリッシングを行うことで、研削加工で生じる加工変質層を取り除いた。
　加工後のシリコンウェハの精度として、表面粗さ２〜３ｎｍＲｍａｘ，平面度３８０ｎｍ（０．３８μｍ）を得た。このように、本加工工程を行えば、サブミクロンオーダの平面度を得ることができる。
　以上説明したように、ワークの加工面に生じるワーク回転中心部の窪みを１００ｎｍ以下に低減するためには、ワーク軸の回転数を４０ｒ／ｍｉｎ以下に設定すればよいが、回転数の下限値としては以下のごとく考えられる。
　・ワーク軸の回転数を０ｒ／ｍｉｎに設定すると、ワークの全面を加工することができない。したがって、ワーク軸の回転数を０ｒ／ｍｉｎに設定してワークを加工することは、原理的に本発明には含まれない。
　・ワーク軸の回転数を下げると、加工能率が低下する。したがって、本発明の加工法を実際の量産加工に適用する場合、加工能率を考慮すると、ワーク軸の回転数が１ｒ／ｍｉｎ以下の条件は実用的ではないと考える。
　・セラミックス等の脆性材料をクラックのないダクタイルモードに加工するためには、切り込み深さを０．１μｍ以下（材料によって多少異なる）にすることが必要である。
　そして、ワーク加工時の切り込み速度を０．１μｍ／ｍｉｎ（設定できる最小の切り込み速度）に設定し、ワーク軸の回転数を１ｒ／ｍｉｎ以下にすると、ワーク１回転当たりのトータルの切り込み量は以下に示すように０．１μｍ以上になる。
　ワーク軸の回転量が 10r/minの場合:砥石トータルの切り込み量0.01μm
　ワーク軸の回転量が　1r/minの場合:砥石トータルの切り込み量0.1μm
　ワーク軸の回転量が0.1r/minの場合:砥石トータルの切り込み量1.0μm。
（切り込み速度0.1μｍ／ｍｉｎの場合)したがって、表面粗さをナノメートルオーダに加工するためには、ワーク軸の回転数を１μｍ／ｍｉｎ以上にしたほうがよいと考えられる。」
　なお、上記摘記事項の末尾の「ワーク軸の回転数を１μｍ／ｍｉｎ以上にしたほうがよいと考えられる。」は、それ以前の記載との整合性からみて、「ワーク軸の回転数を１ｒ／ｍｉｎ以上にしたほうがよいと考えられる。」の誤記と認められる。
　
　さらに、上記ケ．の摘記事項、及び、【図２】〜【図４】の記載によれば、ワーク回転軸と研削砥石軸は、それぞれの軸線が平行に配置されたものであり、ワーク６の回転中心の上にカップ型砥石１の作業面の中心が当たっていることがわかる。
　また、所定の切り込み速度での切削加工後に、切り込みテーブルを複動させて研削砥石軸をワークから離すことは、引用刊行物１に記載がないものの、自明な事項である。
　
　以上によれば、引用刊行物１には、
「シリコンウェハをワークとし、その表面を研削加工するワーク自転型研削盤であって、ワークを支持するワーク回転軸と、該ワーク回転軸を回転させるワーク回転用モータと、前記ワークを研削加工するカップ型メタルボンド砥石と、該カップ型メタルボンド砥石が装着される研削砥石軸と、該研削砥石軸を回転させる研削砥石軸用モータと、ワークの回転中心の上にカップ型メタルボンド砥石の作業面の中心が当たり、該研削砥石軸を該ワークの被加工面の法線方向へ往復運動する切り込みテーブルと、該切り込みテーブルを駆動するための切り込みテーブル用モータとを有し、ワーク回転軸と研削砥石軸は平行に配置されており、所定の切り込み速度で研削加工するとともに、研削加工後に研削砥石軸を複動させる、シリコンウェハ表面を研削加工するワーク自転型研削盤によって、
ワーク加工時の切り込み速度を０．１μｍ／ｍｉｎに設定し、
ワーク１回転当たりのトータルの切り込み量が、
ワーク軸の回転量が１０ｒ／ｍｉｎの場合、０．０１μｍ、
ワーク軸の回転量が　１ｒ／ｍｉｎの場合、０．１μｍ、
であるシリコンウェハの表面を研削加工する方法。」
　との発明（以下、「引用刊行物発明１」という。）が開示されていると認められる。
　
２．引用刊行物２
　同じく、当審からの拒絶の理由に引用された特開平１０−３０９６５７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「ウェーハの研削装置および該装置を用いたウェーハ研削方法」に関して、図面とともに、以下のとおり記載されている。
　
シ．【特許請求の範囲】
「【請求項１】　単結晶インゴットから切り出されたウェーハをチャックテーブルに搭載・固定し、回転する研削ヘッドを下降・当接して、該研削ヘッドの下面外周部に環状配置された多数個の部分砥石からなるカップ型砥石により、ウェーハ表面を研削するウェーハの研削装置において、
　上記カップ型砥石が、上記各部分砥石を、上記研削ヘッドの回転軸を中心に真円配置させたものであるウェーハの研削装置。
　　【請求項２】　上記カップ型砥石の粗さが＃１５００〜＃２５００である請求項１に記載のウェーハの研削装置。
　　【請求項３】　単結晶インゴットから切り出されたウェーハをチャックテーブルに搭載・固定する工程と、
　次いで、回転する研削ヘッドを下降・当接して、該研削ヘッドの下面外周部に真円配置された多数個の部分砥石からなるカップ型砥石により、ウェーハの表面を研削する工程とを備えたウェーハの研削装置を用いたウェーハ研削方法。」
　
ス．【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は、研削のスループットを高められるウェーハの研削装置および該装置を用いたウェーハ研削方法に関する。」
　
セ．【０００３】
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来のウェーハの研削装置においては、以下の課題が生じていた。すなわち、研削ヘッドに設けられたカップ型砥石の形状が、三角のおむすび形や楕円形であったので、研削表面に独特のうねり、すなわち研削痕が発生していた。その結果、この研削痕の発生防止のために、加工速度を低めに設定する必要があり、また、これを除去するためにスパークアウトが長時間必要という理由により、研削に時間がかかり、研削のスループットが低下するという問題点があった。」
　
ソ．【０００６】〜【０００７】
「【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、単結晶インゴットから切り出されたウェーハをチャックテーブルに搭載・固定し、回転する研削ヘッドを下降・当接して、該研削ヘッドの下面外周部に環状配置された多数個の部分砥石からなるカップ型砥石により、ウェーハ表面を研削するウェーハの研削装置において、上記カップ型砥石が、上記各部分砥石を、上記研削ヘッドの回転軸を中心に真円配置させたものであるウェーハの研削装置である。
　研削されるウェーハは、例えばシリコンウェーハ、表面にＳｉＯ２膜が形成されたウェーハ、表面にポリシリコン膜が形成されたウェーハなど、どのような品種のウェーハでも２段研削を前提とした場合は可能である。また、ウェーハは、片面だけを研削しても、両面を研削してもよい。
　また、支持基板用ウェーハ上に活性層用ウェーハを張り合わせた張り合わせ基板でもよい。ここでいう張り合わせ基板は、ウェーハ同士を張り合わせる基板であればその品種に限定されない。例えば、Ｓｉ／Ｓｉ基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板やＳｉＯ２／ＳｉＯ２基板などでもよい。」
　
タ．【０００８】〜【００１０】
「また、研削ヘッドの下降速度は、砥石の相対的な移動距離が３０００〜４０００ｍ／分の場合において、０．０５〜１．０μｍ／ｓｅｃ、特に０．５〜０．８μｍ／ｓｅｃが好ましい。０．０５μｍ／ｓｅｃ未満では、ウェーハの研削面への研削痕は発生しないものの、研削時間が長くなり過ぎる。一方、１．０μｍ／ｓｅｃを超えると、研削時間は短縮されるが、研削痕が大きくなり、研削後の研磨工程におけるウェーハ表面の研磨量が大きくなる。
ウェーハ表面の切り込み深さは、最大値で砥粒の平均粒径の１／３程度が好ましい。すなわち、例えば＃２０００の砥石では、平均粒径が４〜６μｍであるので、この最大切り込み深さは１．３３〜２μｍとなる。ここでいう切り込み深さは、研削ヘッドの下降速度とチャックテーブルの回転速度により決定される。なお、チャックテーブルは、通常、ウェーハを搭載面に真空吸着するが、必ずしもこれに限定されない。なお、これらの事項は、請求項３にも適用される。
　請求項２の発明は、上記カップ型砥石の粗さが＃１５００〜＃３０００である請求項１に記載のウェーハの研削装置である。
　カップ型砥石を構成する各部分砥石の好ましい粗さは、＃１５００〜＃２５００である。＃１５００未満ではウェーハにクラックが発生したり、研削による加工変質層が深くなる。一方、＃３０００を超えると、研削時の摩擦熱により砥石が焼きついてしまう。
　請求項３の発明は、単結晶インゴットから切り出されたウェーハをチャックテーブルに搭載・固定する工程と、次いで回転する研削ヘッドを下降・当接して、該研削ヘッドの下面外周部に真円配置された多数個の部分砥石からなるカップ型砥石により、ウェーハのウェーハ表面を研削する工程とを備えたウェーハの研削装置を用いたウェーハ研削方法である。」
　
チ．【００１３】〜【００１６】
「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお、ここでは張り合わせ基板の活性層用ウェーハの研削を例に説明する。図１はこの発明の一実施例に係るウェーハの研削装置の全体斜視図、図２は研削ヘッドの拡大斜視図、図３は研削ヘッドの拡大底面図、図４は部分砥石によるウェーハ研削工程を示す説明図である。図１において、１０はウェーハの研削装置であり、このウェーハの研削装置１０は、ウェーハの一例である張り合わせ基板１１が搭載・固定されるチャックテーブル１２と、この固定された張り合わせ基板１１の活性層用ウェーハ１１Ａの表面を研削する研削ヘッド１３とを備えている。
　張り合わせ基板１１は、表面にＳｉＯ２膜が形成された支持基板用ウェーハ１１Ｂ上に、単結晶インゴットから切り出されたままの活性層用ウェーハ１１Ａが室温で張り合わされ、その後、張り合わせ熱処理されたものである。もちろん、前述したように、張り合わせ基板１１に代えて、通常の各種１枚ウェーハでもよい。チャックテーブル１２は、図外の駆動モータを内蔵する平面視して円形の回転テーブル１４を有している。回転テーブル１４上には、ウェーハ吸着固定用のリング状のチャック１５が設けられている。この回転テーブル１４の回転方向は、図１において時計回りであり、回転速度は１０〜５０ｒｐｍである。
　研削ヘッド１３は、図外の昇降モータおよび垂直方向へ延びるＬＭガイド１６ａを介して、横行基台１６Ａに昇降可能に設けられている。この横行基台１６Ａは、図外の横行モータおよび水平方向へ延びるＬＭガイド１６ｂを介して、チャックテーブル１２に近接したり離反したりする。回転モータ１７の下向きの出力軸には、肉厚円板の砥石固定部１８が固着されている。この砥石固定部１８の下面外周部に、直径２００ｍｍのカップ型砥石１９が装着されている。
　図２、図３に示すように、カップ型砥石１９は、それぞれ円弧状をした２７個の部分砥石２０を、研削ヘッド１３の回転軸ａを中心に真円配置した環状砥石である。各部分砥石２０は番手＃２０００の粗さであり、砥粒の平均粒径は４〜６μｍである。カップ型砥石の粗さを＃２０００としたので、研削時の活性層用ウェーハ１１Ａのクラックを防止できるとともに、研削加工によるウェーハの変質層を浅くできる。しかも、＃２０００くらいでは研削時にそれほど高い摩擦熱が発生しないので、カップ型砥石１９が焼きつくのも防止できる。なお、砥粒の保持力を高めるために、人造ダイヤにニッケルメッキしたものを採用してもよい。部分砥石２０の寸法は、長さ２０ｍｍ、厚さ２〜４ｍｍである。また、各部分砥石２０間の隙間は１ｍｍである。そして、回転モータ１７による砥石固定部１８の回転方向は、回転テーブル１４とは反対の図１において反時計回りであり、回転速度は５５００ｒｐｍである。なお、カップ型砥石１９の相対的な移動距離は、３０００〜４０００ｍ／分である。」
　
ツ．【００１７】〜【００１９】
「次に、この発明の一実施例に係るウェーハの研削装置１０を用いた張り合わせ基板の活性層用ウェーハ研削方法を説明する。図１に示すように、活性層用ウェーハ１１Ａの研削時には、まずチャックテーブル１２のチャック１５内に、張り合わせ基板１１を支持基板用ウェーハ１１Ｂを下向きにして搭載する。次いで、チャック１５を作動し、張り合わせ基板１１を真空吸着で固定する。
　次いで、ＬＭガイド１６ｂを介して、横行基台１６Ａをチャックテーブル１２側へ移動し、研削ヘッド１３をこのテーブル１２上に配置する。その後、回転モータ１７により砥石固定部１８を回転しながら、ＬＭガイド１６ａを介して、０．５〜１．０μｍ／ｓｅｃの速度で下降する。これにより、回転中のカップ型砥石１９で活性層用ウェーハ１１Ａの表面を研削する（図４参照）。なお、活性層用ウェーハ１１Ａの表面からの各部分砥石２０の切り込み深さは、砥粒の平均粒径（４〜６μｍ）の１／３（１．３３〜２μｍ）以下としている。
　この際、カップ型砥石１９が、研削ヘッド１３の回転軸ａを中心にして、多数個の部分砥石２０を真円配置したものであるので、瞬時的な研削状態の変動が少なく、うねりが発生し難い。そのため、加工速度の維持とスパークアウトの低減が可能となり、従来砥石に比べて研削時間が短くなって、研削のスループットが高まる。実際に部分砥石２０を三角のおむすび形や楕円形に配置して比較実験を行ってみた。その結果、実施例のウェーハの研削装置１０を使った方が、研削時間が短縮され、スループットも１．５倍となった。この発明はこの実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲での設計変更などがあってもこの発明に含まれる。」
　
　そして、上記タ．の摘記事項「研削ヘッドの下降速度は、砥石の相対的な移動距離が３０００〜４０００ｍ／分の場合において、０．０５〜１．０μｍ／ｓｅｃ」である点、及び、チ．の摘記事項「この回転テーブル１４の〜回転速度は１０〜５０ｒｐｍである。」点において、回転テーブル１４の１回転中の研削ヘッドの下降量を計算すると、回転速度５０ｒｐｍは、約０．８３３回転／ｓｅｃであり、そのときの研削ヘッドの下降速度が０．０５〜１．０μｍ／ｓｅｃなのであるから、研削ヘッドは回転テーブル１４の１回転中に０．０６〜１．２０μｍ下降することが示されている。
　回転速度４０ｒｐｍについて、同様に計算すると、研削ヘッドは回転テーブル１４の１回転中に０．０８〜１．５０μｍ下降することになる。
　また、【図１】、及び、チ．の摘記事項によれば、「チャックテーブルの回転軸と研削ヘッドの回転軸は互いに平行であって、近接したり離反したりするものである」ことが示されている。
　
　以上によれば、引用刊行物２には、
「ウェーハをチャックテーブルに搭載・固定して回転駆動し、回転する研削ヘッドを下降・当接して、該研削ヘッドの下面外周部に環状配置された多数個の部分砥石からなるカップ型砥石により、ウェーハ表面を研削するウェーハの研削装置において、
　チャックテーブルの回転軸と研削ヘッドの回転軸は互いに平行であって、近接したり離反したりするものであり、
　上記カップ型砥石の粗さが＃１５００〜＃２５００であり、研削ヘッドは回転テーブル１４の１回転中に０．０８〜１．５０μｍ下降するウェーハの研削装置。」
　との発明（以下、「引用刊行物発明２」という。）が開示されていると認められる。
　
第４．対比
　そこで、本願発明と引用刊行物発明１とを比較すると、引用刊行物発明１の「シリコンウェハ」は半導体基板にほかならず、また、引用刊行物発明１がシリコンウェハの表面を研削加工するというのは、研削によりウェハの材料除去を行うものであるから、本願発明の「半導体基板の材料除去する」ものと、基本的に一致している。
　そして、引用刊行物発明１の「ワーク回転軸」は、本願発明の「基板ホルダ」に、同様に、「カップ型砥石」は、「といし車」に、夫々相当していることは明らかである。
　更に、本願発明の「半導体基板とといし車とを互いに平行な軸線を中心にして回転させる」点についてみると、引用刊行物発明１の「ワーク回転軸」と「研削砥石軸」が平行に配置されている点が、ワークと砥石を平行な軸線を中心に回転させているものであり、また、本願発明の「半導体基板の軸方向中心をといし車の作業領域にもたらし」の点についてみると、引用刊行物発明１の「ワークの回転中心の上にカップ型砥石の作業面の中心が当た」る点が、本願発明の「半導体基板の軸方向中心をといし車の作業領域にもたらし」に相当するものということができる。
　また、本願発明が方法の発明として、
「半導体基板とといし車を互いに独立して回転させ、
この際に
この際に
この間に
この際に
　また、引用刊行物発明１の「ワーク１回転当たりのトータルの切り込み」についてみると、ここでいう「切り込み」は、カップ型砥石のワークであるシリコンウェハへの切削であり、本願発明の「半導体基板の１回転中に、といし車と半導体基板とを侵入運動させ」るものと、切り込みについては一致している。
　
　以上のとおりであるから、両者は、
＜一致点＞
「半導体基板を材料除去処理するための方法であって、基板ホルダ上で保持された半導体基板と、この半導体基板に向き合うといし車とを互いに独立して回転させ、この際に、といし車を半導体基板に対して横方向にずらして配置して、半導体基板の軸方向中心をといし車の作業領域にもたらし、この際に、といし車を送り速度で半導体基板に向かって移動させ、それによってといし車と半導体基板とを相互に侵入させ、この間に半導体基板とといし車とを互いに平行な軸線を中心にして回転させることによって、半導体基板の表面を研削し、この際に、所定の材料除去が得られてからといし車を戻し案内速度で戻し案内する方法において、
　半導体基板の１回転中に、といし車と半導体基板とを所定量のストロークだけ侵入運動させる、半導体基板を材料除去するための方法。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　本願発明では、侵入運動のストロークを「０．０３〜０．１μｍ」としているのに対して、引用刊行物発明１の切り込み量は「０．０１μｍ〜０．１μｍ」である点。
　
「＜相違点２＞
　本願発明では、「粒度♯２０００又はそれよりも微細な粒度を有するといし車を使用する」のに対し、引用刊行物発明１のカップ型メタルボンド砥石がそのようなものであるのかは不明である点。
　
第５．判断
＜相違点１＞について
　相違点１について検討すると、相違点１は、ストローク量の上限に関しては、本願発明と引用刊行物発明１に違いはなく、その下限において、本願発明が「０．０３μｍ」としているのに対して、引用刊行物発明１が「０．０１μｍ」としているのみである。
　ストローク量の上限のみが半導体基板の平坦性に関与し、その下限は作業能率を考慮して適宜設定すればよいことは、本願の明細書、及び、引用刊行物１の記載全体を通じて明らかであり、また、本願発明がストローク下限を「０．０３μｍ」とした点に臨界的意義は見いだせない。
　してみれば、相違点１は、引用刊行物発明１に設計的事項を適用したにすぎないものであり、当業者が容易に想到し得たものである。
　
＜相違点２＞について
　相違点２について検討すると、引用刊行物発明２において、カップ型砥石の粗さは＃１５００〜＃２５００であり、砥石の粗さは、砥石の粒度のほかならないから、粒度♯２０００又はそれよりも微細な粒度を有するといし車を使用する点は、引用刊行物発明２の粒度の範囲に重なっている。
　また、半導体基板の１回転中の研削ストロークについてみても、引用刊行物発明２は、引用刊行物発明１のワーク軸の回転量の上限値と同じ４０ｒｐｍにおいて「研削ヘッドは回転テーブル１４の１回転中に０．０８〜１．５０μｍ下降する」のであるから、この点でも本願発明と引用刊行物発明２は重なっている。
　そして、引用刊行物発明２は、引用刊行物発明１と同様に、ウェーハの研削に当たって、ウェーハとカップ型砥石をともに回転駆動し、それぞれの回転軸を平行に配置する点でも共通しているものであり、引用刊行物発明１と引用刊行物発明２を組み合わせるにあたっての阻害要因も見いだせない。
　してみれば、引用刊行物発明１のカップ型砥石の粒度を＃２０００又はそれよりも微細な粒度とすることは、引用刊行物発明１に引用刊行物発明２を適用したにすぎないものであり、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、請求人は、平成２３年１０月２０日付け意見書において、「この引用文献１では、ワーク回転軸の回転数を減じると共に、カップ型砥石の弾性的なボンド材によって、ワークの中心部と外周部との研削力の差を小さくするようにしたものであります。」、「引用文献１のものでは、ワーク回転軸７の回転数を４０ｒ／ｍｉｎ以下の安定した低速回転にすると共に、カップ型砥石の弾性的なボンド材によって、ワークの中心部と外周部との研削力の差を補償するようになっておりますが、本願発明では、半導体基板の１回転中に、といし車と半導体基板とをストローク０．０３〜０．１μｍだけ侵入運動させ、かつ粒度♯２０００又はそれよりも微細な粒度を有するといし車を使用したことによって、半導体基板の表側及び裏側の中心部における平坦性を改善したものであり、弾性的なボンド材を必要とすることはありません。」と述べ、本願発明と引用刊行物発明１との違いを主張している。
　この点について検討すると、まず、本願発明において、といし車に関しては「粒度♯２０００又はそれよりも微細な粒度を有するといし車」との限定
があるのみであり、ボンド材に関しての限定事項は記載されていない。
　また、引用刊行物発明１において使用されているカップ型砥石は、メタルボンドダイヤモンド砥石であって、このようなメタルボンドは、剛性が高く、通常、弾性的なボンド材とは言わないし、引用刊行物発明１は、そのようなメタルボンド砥石を用いても避けることのできないボンド材の弾性ひずみに対処するために、ワーク回転数を低くしたものであって、弾性的なボンド材を積極的に用いたものではないし、「カップ型砥石の弾性的なボンド材によって、ワークの中心部と外周部との研削力の差を小さくするようにしたもの」ではないし、「カップ型砥石の弾性的なボンド材によって、ワークの中心部と外周部との研削力の差を補償する」ものでもない。
　侵入運動の深さについては、相違点１についてで述べたとおりである。
　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
第６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物発明１及び引用刊行物発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項についてみるまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。