【事件の表示】
　特願２００５−３１９７０８「アバランシェフォトダイオードの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月２４日出願公開、特開２００７−１２９０３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１７年１１月２日の出願であって、平成２２年５月６日付けで拒絶査定がなされ、同年８月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたが、特許法第１６２条の規定による審査において、平成２３年３月２９日付けでさらに拒絶理由が通知され、同年６月２４日に手続補正がなされたものである。（以下、平成２３年６月２４日になされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許法第１７条の２第１項第３号の場合においてする補正であって、本願特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前の
「【請求項１】
　半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層が順に積層され、前記窓層内に受光部とガードリング部となるｐｎ接合を形成したアバランシェフォトダイオードの製造方法において、
前記半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層を順に結晶成長する工程と、
前記窓層の表面に拡散制御層を成膜する工程と、
前記拡散制御層に第１の開口部を設ける工程と、
前記拡散制御層上に、前記拡散制御層の第１の開口部を含み、第１の開口部より大きい第２の開口部を有する拡散マスタを成膜する工程と、
前記拡散マスタを経て、前記窓層に不純物を拡散し、受光部とガードリング部とを同時に形成する工程とを含み、
前記拡散制御層の前記不純物に対する拡散係数は、前記窓層の前記不純物に対する拡散係数と異なる、アバランシェフォトダイオードの製造方法。」
を
「【請求項１】
　半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層が順に積層され、前記窓層内に受光部とガードリング部となるｐｎ接合を形成したアバランシェフォトダイオードの製造方法において、
前記半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層を順に結晶成長する工程と、
前記窓層の表面に拡散制御層を成膜する工程と、
前記拡散制御層に第１の開口部を設ける工程と、
前記拡散制御層上に、前記拡散制御層の第１の開口部を含み、第１の開口部より大きい第２の開口部を有する拡散マスタを成膜する工程と、
前記拡散マスタを経て、前記窓層に不純物を拡散し、受光部とガードリング部とを同時に形成する工程とを含み、
前記拡散制御層の前記不純物に対する拡散係数は、前記窓層の前記不純物に対する拡散係数と異な
り、
前記拡散制御層の厚さが０．５μm以上１．０μm以下とした
アバランシェフォトダイオードの製造方法。」
と補正するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　本願の出願前に頒布され、平成２３年３月２９日付けの拒絶理由に引用された特開昭５７−９３５８５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。（下線は当審が付した。）
　
「本発明は
アバランシェフォトダイオード型半導体受光素子（以下ＡＰＤという。）
　
「以下、本発明の好ましい一実施例について、図面を参照しつゝ、その構成をその製作工程とともに説明し、本発明の構成特有の効果とを更に明らかにする。」（第３頁左上欄第１３〜１６行）
　
「第１の工程は本発明に必須な工程ではないがその実施が望ましい工程であり、１０１８個／ｃｍ３程度にＮ型不純物を含有する
インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる基板
　第２の工程は、前記
基板上に
結晶格子整合の上、
光吸収層を
形成する工程
　第３の工程は、
光吸収層上に
結晶格子整合の上、
中間層を
形成する工程
　第４の工程は、
中間層上に
インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる増倍層を
形成する工程
　第４の工程（当審注；「第５の工程」の誤記と思われる。）は、
増倍層上に
マスク層
を形成する工程
このマスク層は後になされる拡散工程において、拡散深さに段差を設けるため一種のマスクとして使用されるものであり、その厚さはその拡散工程において形成されることが望まれるＰＮ接合の段差によって決定され
　第５の工程（当審注；「第６の工程」の誤記と思われる。）は、
マスク層の上に
受光部に対応する領域以外の領域上に露光済みフォトレジストの薄膜を形成する工程
１は基板
３は光吸収層
４は中間層
５は倍増層
６はマスク層
７はフォトレジスト薄膜
　第６の工程（当審注；「第７の工程」の誤記と思われる。）は、
フォトレジスト薄膜７をマスクとして、受光部に相当する領域にあるマスク層６を選択的に除去する工程
　第７の工程（当審注；「第８の工程」の誤記と思われる。）は、
フォトレジスト薄膜７を一旦すべて除去した後、再びフォトエッチング法を使用して、ウェーハ表面の、受光部とガードリングに対応する領域以外の領域に二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）層を形成する工程
９がこの工程で形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）層
　第８の工程（当審注；「第９の工程」の誤記と思われる。）は、
前工程までに作られたウェーハにＰ型不純物を高濃度に拡散導入して、増倍層５中に、受光部では深くガードリング部では浅くＰＮ接合を形成する工程
　第１０の工程は、
前工程でマスクとして使用した二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）層９とＮ型インジュウム・ガリュウム・砒素（Ｉｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ）よりなるマスク層６を除去した後、増倍層５中に形成されたＰ型インジュウム・燐（ＩｎＰ）層１０の表面の受光部領域上には無反射コート膜としての二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）層を、電極配設領域上を除くガードリング部とその周囲の増倍層５の表面には表面保護層としての二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）層を、夫々、形成する工程
１１が無反射コート膜
１２が表面保護膜
１３が電極配設領域
　第１１の工程は、
電極配設領域１３に負電極を、基板１の下面に正電極を、夫々、形成する工程
ＡＰＤ
１４が負電極
１５が正電極
　
　以上の記載によれば、引用例には、
「インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる基板１上に、結晶格子整合の上、光吸収層３を形成する工程、
　光吸収層３上に、結晶格子整合の上、中間層４を形成する工程、
　中間層４上に、インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる増倍層５を形成する工程、
　増倍層５上に、マスク層６を形成する工程（ここで、このマスク層は後になされる拡散工程において、拡散深さに段差を設けるため一種のマスクとして使用されるものであり、その厚さはその拡散工程において形成されることが望まれるＰＮ接合の段差によって決定されるものである。）、
　マスク層６の上に、受光部に対応する領域以外の領域上に露光済みフォトレジストの薄膜７を形成する工程、
　フォトレジスト薄膜７をマスクとして、受光部に相当する領域にあるマスク層６を選択的に除去する工程、
　フォトレジスト薄膜７を一旦すべて除去した後、再びフォトエッチング法を使用して、ウェーハ表面の、受光部とガードリングに対応する領域以外の領域に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層９を形成する工程、
　前工程までに作られたウェーハにＰ型不純物を高濃度に拡散導入して、増倍層５中に、受光部では深くガードリング部では浅くＰＮ接合を形成する工程、
　前工程でマスクとして使用した二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層９とマスク層６を除去した後、受光部領域上に無反射コート膜１１、電極配設領域１３上を除くガードリング部とその周囲の増倍層５の表面に表面保護層１２を形成する工程、
　電極配設領域１３に負電極１４、基板１の下面に正電極１５を形成する工程
からなるＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード型半導体受光素子）の製造方法。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる基板１」、「光吸収層３」、「中間層４」、「増倍層５」、「受光部」、「ガードリング部」、「ＰＮ接合」及び「ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード型半導体受光素子）」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体基板」、「光吸収層」、「電界緩和層」、「窓層」、「受光部」、「ガードリング部」、「ｐｎ接合」及び「アバランシェフォトダイオード」に相当する。
（２）引用発明の「インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる基板１上に、結晶格子整合の上、光吸収層３を形成する工程、光吸収層３上に、結晶格子整合の上、中間層４を形成する工程、中間層４上に、インジュウム・燐（ＩｎＰ）よりなる増倍層５を形成する工程」は、本願補正発明の「半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層を順に結晶成長する工程」に相当する。
（３）引用発明の「増倍層５上に、マスク層６を形成する工程」は、「マスク層６」が「後になされる拡散工程において、拡散深さに段差を設けるため一種のマスクとして使用されるもの」であることから、本願補正発明の「前記窓層の表面に拡散制御層を成膜する工程」に相当する。
（４）引用発明の「マスク層６の上に、受光部に対応する領域以外の領域上に露光済みフォトレジストの薄膜７を形成する工程、フォトレジスト薄膜７をマスクとして、受光部に相当する領域にあるマスク層６を選択的に除去する工程」は、本願補正発明の「前記拡散制御層に第１の開口部を設ける工程」に相当する。
（５）引用発明の「フォトレジスト薄膜７を一旦すべて除去した後、再びフォトエッチング法を使用して、ウェーハ表面の、受光部とガードリングに対応する領域以外の領域に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層９を形成する工程」は、本願補正発明の「前記拡散制御層上に、前記拡散制御層の第１の開口部を含み、第１の開口部より大きい第２の開口部を有する拡散マスタを成膜する工程」に相当する。
（６）引用発明の「前工程までに作られたウェーハにＰ型不純物を高濃度に拡散導入して、増倍層５中に、受光部では深くガードリング部では浅くＰＮ接合を形成する工程」は、本願補正発明の「前記拡散マスタを経て、前記窓層に不純物を拡散し、受光部とガードリング部とを同時に形成する工程」に相当する。
　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明は、
「半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層が順に積層され、前記窓層内に受光部とガードリング部となるｐｎ接合を形成したアバランシェフォトダイオードの製造方法において、
前記半導体基板上に少なくとも光吸収層、電界緩和層、窓層を順に結晶成長する工程と、
前記窓層の表面に拡散制御層を成膜する工程と、
前記拡散制御層に第１の開口部を設ける工程と、
前記拡散制御層上に、前記拡散制御層の第１の開口部を含み、第１の開口部より大きい第２の開口部を有する拡散マスタを成膜する工程と、
前記拡散マスタを経て、前記窓層に不純物を拡散し、受光部とガードリング部とを同時に形成する工程とを含む
アバランシェフォトダイオードの製造方法。」の点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明では、「前記拡散制御層の前記不純物に対する拡散係数は、前記窓層の前記不純物に対する拡散係数と異なり」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
ｂ．本願補正発明では、「前記拡散制御層の厚さが０．５μm以上１．０μm以下」とされているのに対し、引用発明のマスク層６の厚さがこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　相違点ａについて検討するに、引用発明のマスク層６は、Ｐ型不純物を高濃度に拡散導入するに際して、拡散深さに段差を設けるために用いられるものである。
　ここで、この段差を所望の値とするには、増倍層５の不純物に対する拡散係数とマスク層６の不純物に対する拡散係数が等しければ、マスク層６の厚さを前記段差と同じ値とすればよく、また、マスク層６の不純物に対する拡散係数が増倍層５の不純物に対する拡散係数より大きければ、マスク層６の厚さを前記段差より厚くすればよく、また、マスク層６の不純物に対する拡散係数が増倍層５の不純物に対する拡散係数より小さければ、マスク層６の厚さを前記段差より薄くすればよいことが理解されるところである。
　してみれば、マスク層６の不純物に対する拡散係数と増倍層５の不純物に対する拡散係数は、等しいものも異なるものも適宜採用し得ることが明らかであるから、引用発明において、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに困難性は認められない。
　
　相違点ｂについて検討するに、引用発明のマスク層６の厚さは、「拡散工程において形成されることが望まれるＰＮ接合の段差によって決定され」るものであり、この厚さをどの程度とするかは単なる設計事項にすぎないから、この厚さを上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに困難性は認められない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年８月１１日に補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記II．［理由］１．において、本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　なお、平成２２年８月１１日にされた手続補正（審判請求時の手続補正）は、補正前の特許請求の範囲（本願出願当初の特許の請求の範囲）の請求項７を引用する請求項１２及び請求項１２に従属する請求項１３をそれぞれ、新たな請求項１及びこれに従属する請求項２としたものであって、請求項の削除を目的とするものと認められる。
　
２．判断
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものである本願補正発明が、前記II．［理由］２．〜４．において検討したように、引用発明に基いて当業者が容易に発明できたものであることに照らせば、本願発明が引用発明に基いて当業者が容易に発明できたものであることは、明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。