【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７７８３４９号発明「窒化ガリウム系化合物半導体の電極」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７７８３４９号（以下「本件特許」という。平成１０年５月８日登録、登録時の請求項の数は４であるが、後記第２（１）のとおり、平成１１年８月１８日付け訂正請求による訂正後の請求項の数は２である。）の請求項１に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
（１）本件特許の訂正に係る経緯は次のとおりである。
平成１１年　１月２２日　特許異議申立（平成１１年異議第７０１６６号）
平成１１年　８月１８日　訂正請求（訂正後の請求項の数は２である。）
平成１１年　９月１０日　手続補正（訂正請求）
平成１１年１０月　１日　異議決定
　上記異議決定の結論は、
「　訂正を認める。
　特許第２７７８３４９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。」
というものである。
　
（２）本件審判の経緯は、以下のとおりである。
平成２３年　９月　７日　審判請求
平成２３年１２月２０日　審判事件答弁書提出（被請求人）
平成２４年　３月１４日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　３月１５日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　３月２９日　口頭審理
　
第３　本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。なお、上記第２、（１）の訂正後のものである。）は、次のとおりのものと認められる。
「マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗なｐ型となっている、一般式ＧａｘＡｌ１−ｘＮ （０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。」
　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法 
　１　無効理由
　本件発明は、甲第１号証に記載された発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
 　　 　  
　２　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
　
（１）甲第１号証　特公昭４８−３９８６５号公報
（２）甲第２号証　東京高裁平成１２年（行ケ）第３１０号判決
（３）甲第３号証　特許第２７８０６９１号公報
（４）甲第４号証　特開平６−１７７４２３号公報
（５）甲第５号証　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｖｏｌ．３１、Ｎｏ．２Ｂ、Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１９９２、Ｌ１３９〜１４２頁、中村修二氏らによる論文「Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｆｉｌｍｓ」
（６）甲第６号証　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ、Ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｌａｙｅｒｅｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ、Ｎｏｖｅｍｂｅｒ、１９９０、１６５〜１６８頁、天野浩氏及び赤崎勇氏による論文「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＧａＮ　Ｐ−Ｎ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＬＥＤ」
（７）甲第７号証　応用物理　１９９１．０２　Ｖｏｌ．６０　Ｎｏ．２（１９９１年２月１０日発行）１６３〜１６６頁、天野浩氏及び赤崎勇氏による論文「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」
（８）甲第８号証　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．２８、Ｎｏ．１２、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ　１９８９、Ｌ２１１２〜２１１４頁、天野浩氏らによる論文「Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｔｒｅａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｌｏｗ−Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ（ＬＥＥＢＩ）」
（９）甲第９号証　特開昭５４−７８６５号公報
　
第５　被請求人の主張の概要
　甲第１号証の技術に周知技術を適用しても本件発明を導くことはできない。
　
第６　無効理由についての当審の判断
　１　甲号証の記載
（１）甲第１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特公昭４８−３９８６５号公報）には、以下の記載がある。
　
　ア　「ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムの窒化物、燐化物、砒化物、アンチモン化物を意味するIII−V族化合物半導体は一般に互に混合してＢａＡｌｂＧａｃＩｎｄＮｅＰｆＡｓｇＳｂｈの一般式を有する多元III−V族化合物半導体を形成する。ここで添字ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈは０から１までの数で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１であり、また、各添字のうち少くとも３個は０より大きな数を表わしている。この多元化合物半導は接合装置の製造に用いることがきるが、この材料に満足するＰＮ接合を作ることは困難である。ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムの中の２種と、窒素、燐、砒素、アンチモンの中の１種とから形成された上記化合物半導体の亜種はそれに亜鉛を拡散させてダイオードのＰ型領域を形成することによつて、電場発光ダイオードを製造するのに用いられてきた。このようにして満足すべき電場発光ダイオードは製造されてきたが、このダイオードは効率を改善する必要があつた。
　この発明によれば、単一の両性的導電型変更不純物を融液に添加した融液成長法により結晶性多元III−V化合物半導体材料のエピタキシヤルの内部に整流性障壁を含む半導体装置が製造される。この様式で、エピタキシヤル被着半導体材料として、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムの中の２元素と、窒素、燐、砒素、アンチモンの中の１元素および両性的導電型変更不純物としてのシリコンまたはゲルマニウムとから形成される３元化合物を用いることにより進歩した電場発光ダイオードが製造される。両性的導電型変更不純物はエピタキシヤル層の被着直前に融液中に溶解させることが望ましい。」（１頁第２欄２５行〜２頁第３欄２０行）
　
　イ　「次に添付図面を参照しつつこの発明をその実施例について詳細に説明する。
例　１
　第１図において、被着材料をボート１１の一方の端に入れる。この例における被着材料はガリウム砒素約５ｇｒと、アルミニウム約２５〜２００ｍｇと、両性的導電型変更不純物としてのシリコン約１０ｍｇと、溶媒としてのガリウム約２５ｇｒとから成る。」（２頁第３欄２１行〜２９行）、
「被着材料を毎分約０．５〜１０゜Ｃの速度で冷却すると、被着材料に溶けていた混合成分の半導体材料の一部が被着材料から析出し始め、ウエハ表面１２にエピタキシヤル成長する。エピタキシヤル半導体層の第１の部分１５（第３図）はこのようにしてウエハ表面１２に成長させたもので、この層１５にはこれがＮ型になるようにシリコンが結晶格子に入つている。この例では、このようにして被着された混合成分の半導体材料は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓから成る。ここでｘは１以下の値である。
　溶融した被着材料が冷却するに従つて、混合成分の半導体材料の第２の部分すなわち層１６が第１の層１５の上にエピタキシヤル成長する。しかし、温度が低いため層１６の結晶格子の中に入るシリコンの位置が変わり、層１６はＰ型になる。始めに被着した層１５と後で被着した層１６との間の境界すなわち界面１７はＰＮ接合型の整流性障壁を構成する。・・・
　溶融した充填材料１３の温度が約４００゜Ｃまで下った後、濾心管１４を再び傾け、溶融した被着材料の残部を流し去る。」（２頁第４欄２１行〜３頁第５欄１１行）、
「次に構体を約５５０゜Ｃまで真空中で加熱し、初めの母材１０の残り１００の表面に数ミクロンの厚さに錫の層１８（第５図）を蒸着により被着する。さらに構体を無電界ニツケルメツキ槽中で処理して錫層１８の上にニツケル層１９を被着すると同時にニツケル層２１をエピタキシヤル層１６の上に被着する。無電界ニツケルメツキ層１９，２１の厚さは数ミクロンが適当である。次に構体を金メツキ槽に浸しニツケル層１９，２１の上にそれぞれ金の層２０，２２を被着する。次に構体を切断または劈開して１辺約１３０〜２５０μの正方形のペレツトを作る。各ペレツトの対向両主面上の金属層はオーム性接触として働く。
　次に第６図において、上記ペレツトの１個２３をその一面の金属層（図示せず）によってコバールのヘツダ２５のモリブデン基台２４の一方の面に接合する。ヘツダ２５はその下面から突出する導線２６とガラス・ビード２８によってヘツダから電気的に絶縁された他の導線２７とを含んでいる。金線２９を導線２７とペレツト２３と外側の面とにハンダ付けする。透明なガラスレンズ３１を有する金属製容器３０をヘツダに封着する。このダイオードに順方向のパルスを印加すると、ペレツトのエピタキシヤル層の接合から光が放出され、装置の透明なレンズすなわち上蓋３１を通して矢印で示す方向に進む。」（３頁第５欄２６行〜第６欄７行）
　
　ウ　「例　３
　上記の例では、エピタキシヤル成長させた半導体層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓから成つていたが、この例ではエピタキシヤル成長させた半導体層がＩｎｘＧａ１−ｘＰから成るものである。ここでｘは１以下の値である。
　・・・温度の低下と共に、後から成長するエピタキシヤル層の部分は初めに成長した部分に対して反対の導電型になる。これによつてエピタキシヤル層内部にＰＮ接合が形成される。このようにして製造したウエハも例１と同様の方式で電場発光ダイオードの製造に利用することができる。
例　４
　この例では、エピタキシヤル成長させた半導体層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓから成る。ここでｘは１以下の値である。
　・・・上記の例と同様に、初め成長したエピタキシヤル層部分はＮ型であるが、低温で次に成長した部分はＰ型である。このようにしてＰＮ接合がエピタキシヤル層内部に形成される。次に半導体ウエハを切断してペレツトを作り、前記同様にダイオードを形成することができる。
例　５
　上記の例では、両性的導電型変更不純物はシリコンであつたが、この例ではこれを等量のゲルマニウムとし、溶媒金属はインジウムとする。・・・ＰＮ接合を含むエピタキシヤル層の成長はその他の点において例１と同様にして行う。ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ここでｘは１以下の値）のエピタキシヤル層等はこのようにして成長させることができる。」（３頁第６欄３１行〜４頁第８欄５行）
　
　エ　「結晶半導体母材をその一方の表面を露出しつつ予め加熱する段階と、上記半導体母材とこの母材上に成長させるべきエピタキシヤル層とに対して電気的に中性な材料および合金より成る群から選択された溶媒と、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、を０から１までの数とし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１としたとき一般式ＢａＡｌｂＧａｃＩｎｄＮｅＰｆＡｓｇＳｂｈで表わされかつこれら添字の中少くとも３個のものが０より大きな数であるような多元半導体化合物と、上記半導体化合物に対してアクセプタまたはドナとして働くことのできる両性的導電型変更不純物とからなる被着材料を調製する段階と、上記被着材料の融点以上で上記母材の融点以下の温度に上記被着材料を別個に予め加熱する段階と、溶融した上記被着材料で上記加熱された母材の露出面を覆う段階と、上記溶融した被着材料と上記母材とを冷却して上記被着材料中の上記半導体材料の第１の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した所定導電型の第１のエピタキシヤル層として上記母材の上記一方の表面に被着する段階と、上記溶融した被着材料と上記母材との冷却を続けて上記被着材料中の上記半導体材料の第２の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した反対導電型の第２のエピタキシヤル層として上記第１のエピタキシヤル層の上に被着しこれによつて上記第１および第２のエピタキシヤル層の間に整流性障壁を形成する段階と、最後に上記溶融した被着材料の残余を傾瀉する段階とから成ることを特徴とする結晶性多元化合物半導体材料のエピタキシヤル層内に整流性障壁を含む半導体装置の製造法。」（特許請求の範囲、４頁第８欄７行〜３９行）
　
（２）甲第５号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５号証（「Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｆｉｌｍｓ」）には、以下の記載がある。
　
「Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ，　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ，ｗｈｉｃｈ　ｗａｓ　ｐｅｒｆｏｒｍｅｄ　ｆｏｒ　Ｍｇ−ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ　ｉｎ　ｏｒｄｅｒ　ｔｏ　ｏｂｔａｉｎ　ａ　ｈｉｇｈｌｙ　ｐ−ｔｙｐｅｄ　ＧａＮ　ｆｉｌｍ，ｉｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｆｉｒｓｔ　ｔｉｍｅ．」（Ｌ１３９頁右欄８行〜１０行。和訳：「この紙面には、高度にｐ型化されたＧａＮ膜を得るためにＭｇがドープされたＧａＮ膜に行われた熱アニーリングが初めて記載されている。」）、
「Ｉｎ　ｓｕｍｍａｒｙ、ｌｏｗ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｂｙ　Ｎ２−ａｍｂｉｅｎｔ　ｏｒ　ｖａｃｕｕｍ−ａｍｂｉｅｎｔ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ａｂｏｖｅ　７００℃、ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｆｉｒｓｔ　ｔｉｍｅ．　Ｂｅｆｏｒｅ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ、ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　Ｍｇ−ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ　ｗａｓ　ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ　１×１０６Ω・ｃｍ．　Ａｆｔｅｒ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ａｔ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　ａｂｏｖｅ　７００℃、ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ、ｈｏｌｅ　ｃａｒｒｉｅｒ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｈｏｌｅ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｂｅｃａｍｅ　２Ω・ｃｍ，３×１０１７／ｃｍ３　ａｎｄ　１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．」（Ｌ１４２頁左欄１行〜８行。和訳：「総括すると、低抵抗ｐ型ＧａＮ膜はＮ２雰囲気又は真空雰囲気の７００℃超における熱アニーリングにより、初めて得られた。熱アニーリング前は、ＭｇがドープされたＧａＮ膜の抵抗は約１×１０６Ω・ｃｍであった。７００℃超における熱アニーリング後は、抵抗、正孔キャリア濃度及び正孔可動性はそれぞれ２Ω・ｃｍ、３×１０１７／ｃｍ３及び１０ｃｍ２／Ｖ・秒であった。」）
　
（３）甲第６号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第６号証（「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＧａＮ　Ｐ−Ｎ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＬＥＤ」）には、以下の記載がある。
　
「Ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｃａｎ　ｂｅ　ａｃｈｉｅｖｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　Ｍｇ−ｄｏｐｉｎｇ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｓｕｃｃｅｅｄｉｎｇ　ＬＥＥＢＩ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ．」（１６７頁７行〜８行。和訳：「ｐ型ＧａＮはＭｇドープ及びそれに続くＬＥＥＢＩ処理により達成されることができる。」）
　
（４）甲第７号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第７号証（「ＧａＮ　ｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」）には、以下の記載がある。
　
「最近，われわれはマグネシウム（Ｍｇ）ドープ高抵抗ＧａＮ（ＧａＮ：Ｍｇ）に電子線を照射すると電気的特性が変化し，比抵抗数十Ω・Ｃｍ程度のｐ型結晶となることを見いだした．」（１６３頁右欄８行〜１１行）、
「ＧａＮ：Ｍｇを約０．５μｍ育成したのち，表面から電子線照射処理する．」（１６５頁右欄２行〜３行）
　
（５）甲第８号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第８号証（「Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｔｒｅａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｌｏｗ−Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ（ＬＥＥＢＩ）」）には、以下の記載がある。
　
「Ｔｈｅ　ＧａＮ：Ｍｇ　ｆｉｌｍ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ＬＥＥＢＩ　ｃｌｅａｒｌｙ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈｅ　ｐ−ｔｙｐｅ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｗｉｔｈ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ〜３５Ω・ｃｍ．」（Ｌ２１１３頁１３行〜１５行。和訳：「ＬＥＥＢＩで処理されたＧａＮ：Ｍｇ膜は、３５Ω・Ｃｍの抵抗のｐ型導電性を明らかに示す。」）
　
（６）甲第９号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開昭５４−７８６５号公報）には、以下の記載がある。
　
「（１）　半導体基板上の所定部分に設けられ、前記半導体基板への不純物の拡散を抑制する第１の金属層と、この第１の金属層に連続して前記半導体基板上に設けられ、前記半導体基板と合金接合する第２の金属層を備えたことを特徴とする半導体装置。
（２）　半導体基板はIII−Ｖ族化合物半導体で構成される特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
（３）　第１の金属層としてＴｉ，Ｎｉ，ＭｏまたはＷを用いた特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置。
（４）　第２の金属層としてＡｕまたはＡｇを用いた特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半導体装置。」（１頁左下欄５行〜１８行）、
「半導体基板の材料もＧａＡｓ及びＧａＡｌＡｓとしたが、これに限らずＧａＡｓＰやＩｎＰ等の他のIII−Ｖ族化合物半導体を用いた素子に対しても同様の効果が得られる。」（２頁右下欄１行〜４行）、
「以上の説明から明らかなように、この発明によれば、金属領域を半導体基板に接触させて電極を形成する際に、半導体基板の例えば注入発光が起るような活性領域には、その不純物が拡散しないような第１の金属層を介して、第２の金属層を半導体基板に接触させるように構成することによって、特性の劣化がなく、しかも電極の接着強度のすぐれた半導体装置を得ることができる。」（２頁右下欄５行〜１２行）
　
　３　甲第１号証に記載された発明
（１）前記２（１）ア及びエによれば、甲第１号証には、「結晶半導体母材をその一方の表面を露出しつつ予め加熱する段階と、上記半導体母材とこの母材上に成長させるべきエピタキシャル層とに対して電気的に中性な材料および合金より成る群から選択された溶媒と、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、を０から１までの数とし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１としたとき一般式ＢａＡｌｂＧａｃＩｎｄＮｅＰｆＡｓｇＳｂｈで表わされかつこれら添字の中少なくとも３個のものが０より大きな数であるような多元半導体化合物と、上記半導体化合物に対してアクセプタまたはドナとして働くことのできる両性的導電型変更不純物とからなる被着材料を調製する段階と、上記被着材料の融点以上で上記母材の融点以下の温度に上記被着材料を別個に予め加熱する段階と、溶融した上記被着材料で上記加熱された母材の露出面を覆う段階と、上記溶融した被着材料と上記母材とを冷却して上記被着材料中の上記半導体材料の第１の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した所定導電型の第１のエピタキシャル層として上記母材の上記一方の表面に被着する段階と、上記溶融した被着材料と上記母材との冷却を続けて上記被着材料中の上記半導体材料の第２の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した反対導電型の第２のエピタキシャル層として上記第１のエピタキシャル層の上に被着しこれによって上記第１及び第２のエピタキシャル層の間に整流性障壁を形成する段階と、最後に上記溶融した被着材料の残余を傾瀉する段階とからなる結晶性多元化合物半導体材料のエピタキシャル層内に整流性障壁を含む半導体装置の製造法。」に係る発明が記載されているものと認められる。
　
（２）そして、前記２（１）イによれば、同号証には、上記（１）の発明における多元半導体化合物ないし半導体材料をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）として「結晶性多元化合物半導体材料のエピタキシャル層内に整流性障壁を含む半導体装置」を製造する例１が記載されており、この例におけるＮ型の層１５及びＰ型の層１６は、それぞれ、上記アの発明における第１のエピタキシャル層及び第２のエピタキシャル層に対応するものと認められる。更に同イによれば、上記「半導体装置」のＰ型の層１６の上にニッケル層２１が被着され、その上に金の層２２が被着され、これらの金属層がオーム性接触として働くダイオードが記載され、このダイオードに順方向のパルスを印加すると、ペレットのエピタキシャル層の接合から光が放出されるとされることに照らして、同ダイオードは発光ダイオードであるものと認められる。
　
（３）以上によれば、甲第１号証には、次の発明が記載されているものと認められる。
「結晶半導体母材をその一方の表面を露出しつつ予め加熱する段階と、上記半導体母材とこの母材上に成長させるべきエピタキシャル層とに対して電気的に中性な材料および合金より成る群から選択された溶媒と、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、を０から１までの数とし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１としたとき一般式ＢａＡｌｂＧａｃＩｎｄＮｅＰｆＡｓｇＳｂｈで表わされかつこれら添字の中少なくとも３個のものが０より大きな数であるような多元半導体化合物と、上記半導体化合物に対してアクセプタまたはドナとして働くことのできる両性的導電型変更不純物とからなる被着材料を調製する段階と、上記被着材料の融点以上で上記母材の融点以下の温度に上記被着材料を別個に予め加熱する段階と、溶融した上記被着材料で上記加熱された母材の露出面を覆う段階と、上記溶融した被着材料と上記母材とを冷却して上記被着材料中の上記半導体材料の第１の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した所定導電型の第１のエピタキシャル層として上記母材の上記一方の表面に被着する段階と、上記溶融した被着材料と上記母材との冷却を続けて上記被着材料中の上記半導体材料の第２の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した反対導電型の第２のエピタキシャル層として上記第１のエピタキシャル層の上に被着しこれによって上記第１及び第２のエピタキシャル層の間に整流性障壁を形成する段階と、最後に上記溶融した被着材料の残余を傾瀉する段階とからなる結晶性多元化合物半導体材料のエピタキシャル層内に整流性障壁を含む半導体装置の製造法により製造された半導体装置であって、上記多元半導体化合物ないし半導体材料がＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）である半導体装置の第２のエピタキシャル層であるＰ型の層の上にニッケル層が被着され、その上に金の層が被着され、これらの金属層がオーム性接触として働く発光ダイオード。」（以下「甲１発明」という。）
　
（４）ア　請求人は、ａ＝ｄ＝ｆ＝ｇ＝ｈ＝０、ｂ＋ｃ＝１（０＜ｃ＜１）、ｅ＝１の場合には、かかるエピタキシャル層の構成ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）となるから、甲第１号証には、ｐ型となっており、一般式ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表されるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層１６が開示されているものといえ、また、甲第１号証には、ｐ型化合物半導体エピタキシャル層１６の上にニッケル、金の順に被着した二層の金属層を設けること、及びかかる金属層がオーミック接触することが記載されているから、甲第１号証には、
「１ａ　ｐ型となっている、一般式ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層の上に、
１ｂ　ニッケル層を被着させ、ニッケル層上に金層を被着した二層の金属層を有し、オーミック接触させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層の電極。」（以下「甲第１号証発明」という。）
が実質的に開示されている旨主張する（審判請求書７頁〜１０頁）。
　
　イ　しかるところ、前記２（１）アによれば、甲１発明における「ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、を０から１までの数とし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１かつｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１としたとき一般式ＢａＡｌｂＧａｃＩｎｄＮｅＰｆＡｓｇＳｂｈで表わされかつこれら添字の中少くとも３個のものが０より大きな数であるような多元半導体化合物」とは、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムの中の２元素と、窒素、燐、砒素、アンチモンの中の１元素から形成される３元半導体化合物を意図したものと認められ、上記（１）アの発明は、かかる３元化合物において単一の両性的導電型変更不純物を融液に添加した融液成長法によりＰＮ接合型の整流性障壁を構成する方法を提供するものと認められる。
　そして、前記２（１）ウによれば、甲第１号証においては、同発明の実施例として、両性的導電型変更不純物としてシリコンを含み、半導体層をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓからなるものとした例１のほか、ＩｎｘＧａ１−ｘＰからなるものとした例３、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓからなるものとした例４、両性的導電型変更不純物としてゲルマニウムを含み、半導体層をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓからなるものとした例５が説明されていることが認められる。
　
　ウ　しかし、上記アの請求人の主張に係るＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体は、上記３元半導体化合物に該当すると認められるものの、かかる窒化ガリウム系化合物半導体において上記（１）の発明によりＰＮ接合型の整流性障壁を構成することを示す記載は、甲第１号証に見当たらないし、本件各証拠を通じてみても、本件特許出願当時において、同号証の記載に接した当業者が、上記（１）の発明によりＰＮ接合型の整流性障壁を構成する３元半導体化合物としてＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体を把握できると認めるに足る根拠を見いだすことはできない。
　してみれば、甲第１号証に、ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体においてＰＮ接合型の整流性障壁を構成する技術が記載されているものと認めることはできず、「ｐ型となっている、一般式ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層」が記載されているものとも認められない。
　
　エ　また、前記２（１）イのように、多元半導体化合物をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）とした例１におけるＰ型の層１６の上にニッケル層２１が被着され、その上に金の層２２が被着された構成に基づき、窒化ガリウム系化合物半導体におけるＰ型の層の上に設けられるべき金属層を把握することの当否を論じるまでもなく、上記ウのとおり、甲第１号証に、「ｐ型となっている、一般式ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層」が記載されているものと認められない以上、上記アの請求人の主張に係る
「１ａ　ｐ型となっている、一般式ＧａｃＡｌ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層の上に、
１ｂ　ニッケル層を被着させ、ニッケル層上に金層を被着した二層の金属層を有し、オーミック接触させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層の電極。」、
すなわち甲第１号証発明が甲第１号証に開示されているものと認めることはできない。
　
　オ　したがって、甲第１号証に記載された発明についての、上記アの請求人の主張は採用できない。
　
　３　本件発明と甲１発明との対比、判断
（１）対比
　本件発明と甲１発明とを対比するに、甲１発明における「多元半導体化合物がＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）である半導体装置の第２のエピタキシャル層であるＰ型の層」と本件発明の「マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗な化合物半導体」とは、「ｐ型となっている化合物半導体」である点において一致する。
　そして、甲１発明において、Ｐ型の層の上に被着されたニッケル層、及び、その上に被着された金の層は、オーム性接触として働くダイオードの電極であるから、甲１発明における「『多元半導体化合物がＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）である半導体装置の第２のエピタキシャル層であるＰ型の層の上』に被着された『ニッケル層』、及び、その上に被着された『金の層』」と本件発明とは、
「ｐ型となっている化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された二層構造を有し、オーミック接触させてなる化合物半導体の電極」
である点において一致し、
「ｐ型となっている化合物半導体が、本件発明では、『マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗なｐ型となっている、一般式ＧａｘＡｌ１−ｘＮ （０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体』であるのに対して、甲１発明では、『上記溶融した被着材料と上記母材との冷却を続けて上記被着材料中の上記半導体材料の第２の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した反対導電型の第２のエピタキシャル層』であって、『上記半導体材料』が『ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘは１以下の値である。）』である点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
（２）相違点について検討するに、前記２（２）ないし（５）によれば、甲第５号証ないし第８号証には、マグネシウムがドープされたＧａＮ、すなわち、窒化ガリウムをアニーリング処理や電子線照射処理することにより低抵抗ｐ型とする技術が記載されていることが認められる。
　しかし、甲１発明における、ｐ型となっている化合物半導体は「上記溶融した被着材料と上記母材との冷却を続けて上記被着材料中の上記半導体材料の第２の部分を上記被着材料から析出させ、上記両性的導電型変更不純物のいくらかを溶解した反対導電型の第２のエピタキシャル層」であるところ、上記各甲号証の記載事項は、かかる「反対導電型の第２のエピタキシャル層」を「マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗なｐ型となっている、一般式ＧａｘＡｌ１−ｘＮ （０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体」とする本件発明の構成とすることを教示するものではないし、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は、本件各証拠を通じてみても、見いだすことができない。
　よって、本件発明は、甲第１号証に記載された発明及び周知慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
（３）請求人は、窒化ガリウム系化合物半導体にマグネシウムをドープし、電子線照射またはアニーリングにより低抵抗のｐ型層とすることは、本件特許の出願日時点において周知慣用技術であった（甲第５号証〜甲第８号証）から、かかる周知慣用技術を甲第１号証発明（前記２（４）アを参照。）に適用することで、甲第１号証発明の窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャル層を電子線照射またはアニーリングにより低抵抗のｐ型層とすることは、当業者にとって極めて容易である旨（審判請求書１１頁〜１４頁）、及び本件発明が奏する効果は当業者にとって甲第１号証発明の構成が当然に備える効果であると認識し得る旨（審判請求書１４頁〜１５頁）主張するが、上記（２）のとおりであって、採用できない。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本件発明が、甲第１号証に記載された発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、請求人が主張する理由によって、本件発明についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。