【事件の表示】
　特願２００３−５６２９９８号「ダイのせん断応力を減少すべく、ダイアタッチ・フィレットの高さを制御する方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月３１日国際公開、ＷＯ０３／６３２３９、平成１７年　６月　２日国内公表、特表２００５−５１６３９９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本件出願は、２００２年１２月１７日（パリ条約による優先権主張２００２年１月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年４月３日付けで拒絶査定がされ、この査定に対し、平成２１年８月６日に本件拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正（前置補正）がなされたものである。  
　
２．平成２１年８月６日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　　平成２１年８月６日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
（１）本願補正発明について 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　ダイ接着領域を有する半導体チップパッケージ・ベースと、
　少なくとも一つの面および少なくとも一つの端部を有するダイであって、前記ダイは、本質的にシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）および砒化ガリウム（GaAs）を含む群から選択された半導体材料を含んでおり、前記少なくとも一つの面のそれぞれは、厚みおよび幅を有するものと、
　前記ダイおよび前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される、制御された量のダイアタッチ材料
と、を備え、
　前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分は、前記ダイの前記少なくとも一つの面上に、少なくとも一つのメニスカスを形成しており、前記少なくとも一つのメニスカスは、前記ダイアタッチ材料を硬化させることで、少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成しており、
　前記少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、少なくとも一つの制御された高さを有しており、前記少なくとも一つの制御された高さは、
前記ダイの中の
　パッケージ化された半導体チップ。」 
と補正された。 
　上記補正は、平成２１年３月１６日付け手続補正書の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を上記下線部の記載のように限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
（２）原査定の拒絶の理由に引用した文献等の記載 
　本願の優先権主張日前に頒布され、原審で引用文献１として引用された特開２０００−３４９１９９号公報（以下「引用例」という）には、半導体装置及びその製造方法に関して、図面とともに次の(ア)〜(カ)の事項が記載されている。 
　 
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特に基板に形成された小径の開口部に半田ボール等の外部接続端子が配設される半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の小型化・高密度化に伴い、これに対応しうるファインピッチＢＧＡ(Ball Grid Array) が多用されるようになってきている。
【０００３】このファインピッチＢＧＡは、基板の表面側に半導体チップ及びこれをオーバーモールドする樹脂パッケージが形成されており、また背面側には外部接続端子となる半田ボールが配設されている。
【０００４】よって、更なる半導体装置の小型化・高密度化を図るためには、半田ボールのボールピッチをより狭める必要がある。また、半導体装置には高い信頼性が要求されており、このように半田ボールの狭ピッチ化を図っても、所定の信頼性を維持させる必要がある。」
　
（イ）「【０１１８】図２０は本発明の第４実施例である半導体装置２０Ｄの要部を拡大して示す断面図である。また、同図は、半導体装置２０Ｄを実装基板５０に実装した状態を示している。
【０１１９】本実施例に係る半導体装置２０Ｄは、半導体チップ２３を基板２２に搭載する際にダイ付け材として用いる接着剤２４Ｂの厚さ（図中、矢印Ｗで示す）を１００μｍ〜１５０μｍと厚い寸法に設定したことを特徴とするものである。
【０１２０】本実施例では、このように厚い寸法を有する接着剤２４Ｂを形成するのに、チップ搭載工程において次に述べる方法を用いている。即ち、図２１（Ａ）に示すように、先ずディスペンサー４５を用いて接着剤２４Ｂを基板２２上のチップ搭載位置に配設する。
【０１２１】この際、後述するように接着剤２４Ｂは通常用いている接着剤よりも高粘度でかつ高チクソ性を有したものを用いているため、広く拡がることはなく、所定の厚さに配設される。尚、この接着剤２４Ｂを配設する際、基板２２上に予めダム５１（図中、一点鎖線で示す）を設け、接着剤２４Ｂの広がりを防止する構成としてもよい。
【０１２２】上記のように接着剤２４Ｂの配設処理が終了すると、続いて接着剤２４Ｂ上に半導体チップ２３を搭載する。そして、接着剤２４Ｂを硬化させるため加熱処理を行なうが、本実施例ではこの熱処理を実施する際、図２１（Ｂ）に示すように、基板２２に対し半導体チップ２３が下部に位置する向きで加熱処理を行なうことを特徴としている。」
　
（ウ）「【０１２８】ここで、接着剤２４Ｂに形成されるフィレット４７Ａに注目し、以下説明する。フィレット４７Ａとは、接着剤２４Ｂにより半導体チップ２３を基板２２に搭載した際、接着剤２４Ｂが半導体チップ２３の側面部分に形成する湾曲形状部分をいう（図２２参照）。
【０１２９】本実施例では、半導体チップ２３の側面２３Ａの高さをＴとし、また接着剤２４Ｂが形成するフィレット４７Ａの半導体チップ２３の側面下端からの高さをｔ１とした場合、このフィレット４７Ａの高さｔ１が、（０．２×Ｔ）≦ｔ１＜（０．６×Ｔ）となるよう構成したことを特徴としている。上記のように、フィレット４７Ａの高さｔ１を（０．２×Ｔ）≦ｔ１＜（０．６×Ｔ）の条件を満たすように設定することにより、半導体装置２０Ｄの小型化を図ることができる。以下、この理由について説明する。
【０１３０】接着剤２４Ｂのフィレット４７Ａの高さｔは、基板２２上における接着剤２４Ｂの配設面積と関係を有する。即ち、図２２に示されるように、フィレット４７Ａは基板２２の表面２２Ａ上から半導体チップ２３の側面２３Ａに向け湾曲した形状（袴状）で形成されるため、フィレット４７Ａの半導体チップ２３の側面下端からの高さｔ１が大きい程この湾曲形状は長く形成され、よって基板２２上において半導体チップ２３の外周にはみ出す接着剤２４Ｂのはみ出し量（図２２に矢印Ｘ１で示す量）は大きくなる。
【０１３１】また、基板２２上において接着剤２４Ｂが配設された部位には他の構成要素（例えば、電極膜やワイヤ等）を配設することはできない。よって、接着剤２４Ｂのフィレット４７Ａの高さｔが大きくなると、半導体装置２４Ｄが大型化してしまう。
【０１３２】しかるに本実施例では、フィレット４７Ａの半導体チップ２３の側面下端からの高さｔ１を上記のように、（０．２×Ｔ）≦ｔ１＜（０．６×Ｔ）と小さく設定している。このため、接着剤２４Ｂが半導体チップ２３の外周にはみ出すはみ出し量Ｘ１は小さくなるため、よって基板２２の小型化、延いては半導体装置２０Ｄの小型化を図ることができる。」 
　 
（エ）図２０には、半導体チップ２３は樹脂パッケージ２８でパッケージ化された半導体装置２０Ｄが示されている。 
　 
（オ）上記記載事項や図２１、図２２の記載を参照すると、基板２２は半導体チップ２３を接着する領域を有していること及び半導体チップ２３には面および端部を有し、さらに面には厚みおよび幅を有することが明らかである。 
　
（カ）上記記載事項や図２０〜図２２の記載を参照すると、フィレット４７Ａは半導体チップ２３の側面２３Ａの全幅にわたって形成されているといえる。　 
　
　《引用発明》 
　上記引用例の記載事項(ア)〜(カ)及び図２０〜図２２、図２９に示された内容を総合すると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
「半導体チップ２３を接着する領域を有する基板２２と、面および端部を有する半導体チップ２３であって、半導体チップ２３の前記面のそれぞれは、厚みおよび幅を有するものと、前記半導体チップ２３および前記基板２２の間に配置される、１００μｍ〜１５０μｍと厚い寸法に設定した接着剤２４Ｂとを備え、
　前記接着剤２４Ｂは、前記接着剤２４Ｂを加熱処理で硬化させることで、フィレット４７Ａを形成しており、
　前記フィレット４７Ａは、制御された高さを有しており、前記制御された高さは、半導体装置２０Ｄの小型化を図るために、半導体チップ２３の側面２３Ａの全幅にわたって、半導体チップ２３の側面２３Ａの高さをＴ、接着剤２４Ｂが形成するフィレット４７Ａの半導体チップ２３の側面下端からの高さをｔ１とした場合、このフィレット４７Ａの高さｔ１が、（０．２×Ｔ）≦ｔ１＜（０．６×Ｔ）となるよう形成されている半導体装置２０Ｄ。」  　 　 
（３）対比 
　本願補正発明と引用発明を対比する。 
・引用発明の「半導体装置２０Ｄ」は、本願補正発明の「パッケージ化された半導体チップ」に相当し、以下同様に、「半導体チップ２３」は「ダイ」に、「基板２２」は「半導体チップパッケージ・ベース」に、「１００μｍ〜１５０μｍと厚い寸法に設定した接着剤２４Ｂ」は「制御された量のダイアタッチ材料」に、「フィレット４７Ａ」は「ダイアタッチ・フィレット」に、「半導体チップ２３の側面２３Ａ」は「ダイの少なくとも一つの面」にそれぞれ相当する。 
　 
・引用発明の「半導体チップ２３の側面２３Ａの全幅にわたって」における「半導体チップ２３の側面２３Ａ」は、本願補正発明の「ダイの少なくとも一つの面」に相当している。また、引用発明の「全幅にわたって」とは「少なくとも一つの各端部から」みて幅全長に位置していることであり、本願補正発明の「少なくとも２５％内側に位置する」は各端部間の全長、すなわち幅全長に位置することをも意味していると解されるから、引用発明の「全幅にわたって」は本願補正発明の「少なくとも２５％内側に位置する」に相当しているといえ、引用発明の「半導体チップ２３の側面２３Ａの全幅にわたって」は本願補正発明の「ダイの少なくとも一つの面の、少なくとも一つの各端部から、少なくとも２５％内側に位置する」に相当することになる。
    　 
・引用発明の「フィレット４７Ａは、制御された高さを有しており、前記制御された高さは、」「半導体チップ２３の側面２３Ａの高さをＴ、接着剤２４Ｂが形成するフィレット４７Ａの半導体チップ２３の側面下端からの高さをｔ１とした場合、このフィレット４７Ａの高さｔ１が、（０．２×Ｔ）≦ｔ１＜（０．６×Ｔ）となるよう形成されている」は、半導体チップ２３の側面２３Ａの高さＴは半導体チップ２３の厚みであり、フィレット４７Ａの高さが半導体チップ２３の厚みの２０％以上でおよそ６０％までの範囲であることを意味しており、その数値限定の範囲は本願補正発明の「およそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲」の数値範囲と共通しているから、本願補正発明の「少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、少なくとも一つの制御された高さを有しており、前記少なくとも一つの制御された高さは、」「ダイの少なくとも一つの面の厚みのおよそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲となっている」に相当しているといえる。　 　 
　
　上記の事項を考慮すると、両者は次の点で一致し、 
「ダイ接着領域を有する半導体チップパッケージ・ベースと、
　少なくとも一つの面および少なくとも一つの端部を有するダイであって、前記少なくとも一つの面のそれぞれは、厚みおよび幅を有するものと、
　前記ダイおよび前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される、制御された量のダイアタッチ材料と、を備え、
　前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分は、ダイアタッチ材料を硬化させることで、少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成しており、
　前記少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、少なくとも一つの制御された高さを有しており、前記少なくとも一つの制御された高さは、前記ダイの少なくとも一つの面の、少なくとも一つの各端部から、少なくとも２５％内側に位置する、前記ダイの少なくとも一つの面の厚みのおよそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲となっている、
　パッケージ化された半導体チップ。」 
　 
　以下の点で相違する。 
相違点ａ：本願補正発明は「ダイは、本質的にシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）および砒化ガリウム（GaAs）を含む群から選択された半導体材料を含んでいる」のに対し、引用発明では「半導体チップ２３」の材料は不明である点。 
　 
相違点ｂ：本願補正発明では「ダイアタッチ材料の少なくとも一部分は、前記ダイの前記少なくとも一つの面上に、少なくとも一つのメニスカスを形成しており、前記少なくとも一つのメニスカスは前記ダイアタッチ材料を硬化させることで、少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成して」いるのに対し、引用発明では「接着剤２４Ｂは、前記接着剤２４Ｂを加熱処理で硬化させることで、フィレット４７Ａを形成して」いるが、「メニスカスを形成して」いるかどうか不明である点。 
　
相違点ｃ：本願補正発明のダイアタッチ・フィレットの制御された高さは「ダイの中のせん断応力を減少するため」であるのに対し、引用発明のフィレット４７Ａの制御された高さは「半導体装置２０Ｄの小型化を図るため」である点。
　
（４）当審の判断 
　相違点ａに関して、一般に、半導体材料としてシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）、砒化ガリウム（GaAs）を選択することは、半導体分野で周知の技術である。　
　引用発明における半導体チップ２３の材料として、上記周知の材料を適宜選択して本願補正発明の上記相違点ａのごとく「ダイは、本質的にシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）および砒化ガリウム（GaAs）を含む群から選択された半導体材料を含んでいる」構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得るものと認められる。 
　 
　相違点ｂに関して、メニスカスとは半導体チップを基板に接合するときの過程で生じる表面張力によって形成される凹凸形状の輪郭であり、引用発明においても、引用例の図２０に記載されている製造方法で基板２２と半導体チップ２３を接着剤２４Ｂで接合する際、その表面張力によって接着剤２４Ｂの少なくとも一部分は、半導体チップ２３の少なくとも一つの面上に、前記接着剤２４Ｂを加熱処理で硬化させるため、少なくとも一つの凹凸形状の輪郭、すなわち少なくとも一つのメニスカスを形成しているものと認められるから、上記相違点ｂは実質的に相違点とはいえない。
　
　相違点ｃに関して、半導体チップを基板にフィレットを形成して接合するときは、熱応力による界面剥離や半導体チップのクラックの発生を防止することが自明の課題事項であり、引用発明においても半導体装置２０Ｄの小型化を図るという課題とともに、熱応力による界面剥離や半導体チップのクラックの発生を防止するという自明の課題も内包しているものと認められる。
　フィレットの制御された高さは引用発明と本願補正発明とは共通の数値範囲であるところから、引用発明のフィレット４７Ａも本願補正発明のダイアタッチ・フィレットと同様の機能を果たしているものと認められる。
　そうすると、上記相違点ｃは実質的にみて相違点とはいえない。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　 
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
３．本願発明について 
（１）本願発明  
　平成２１年８月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年３月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１に係る本願発明は、次のとおりである。　 
　 
「【請求項１】
　ダイ接着領域を有する半導体チップパッケージ・ベースと、
　少なくとも一つの面および少なくとも一つの端部を有するダイであって、前記ダイは、本質的にシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）および砒化ガリウム（GaAs）を含む群から選択された半導体材料を含んでおり、前記少なくとも一つの面のそれぞれは、厚みおよび幅を有するものと、
　前記ダイおよび前記半導体チップパッケージ・ベースの間に配置される、制御された量のダイアタッチ材料であって、前記ダイアタッチ材料の少なくとも一部分は、前記ダイの前記少なくとも一つの面上に、少なくとも一つのメニスカスを形成しており、前記少なくとも一つのメニスカスは、前記ダイアタッチ材料を硬化させることで、少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットを形成しており、
　前記少なくとも一つのダイアタッチ・フィレットは、少なくとも一つの制御された高さを有しており、前記少なくとも一つの制御された高さは、せん断応力を減少するために、前記ダイの少なくとも一つの面の、少なくとも一つの各端部から、少なくとも２５％内側に位置する、前記ダイの少なくとも一つの面の厚みのおよそ３３％よりも大きくおよそ７５％までの範囲となっている、
　パッケージ化された半導体チップ。」 
　 
（２）刊行物等 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物等、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
　 
（３）判断 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記限定事項を省いたものに相当するものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。