【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
１つの実施形態で、合計内部反射（以下、「全反射」と同義）で、基板の頂部表面から反射する主要な伝搬方向において、基板中で入射光信号が伝搬している光学基板を有する集積光学装置が提供される。集積光学装置は、さらに多数の別々に間隔を置かれた部材（光学的透明材料から形成されている）を有し、かつ、基板の頂部表面上に配置されている回折光学要素を有し、前記入射光信号は、適切な伝搬方向に沿って基板中で反射される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
反射コーティングの代りに、以下では、HOE及び基板は、合計内部反射で光学基板中で移動する光に影響するよう構成される。合計内部反射（TIR）は、非常に低い損失の光学現象であり、記載される装置で高い効率作用に結びつく。HOE自体の回折オブジェクトは、好ましくは合計内部反射が損失を最小になる手段により光を回折する。さらに、記載されるHOEは、１つの回折モードが存在することを単に可能にすることを示し、さらに損失を減少する。HOEは、全面的な効率が１００％に接近することを可能にして、反射されるｍ＝０モードを抑制するホログラム相として好ましくは構築される。TIR（多数のHOEが光学的に高い全面的な装置の効率と関係のあることを可能にする）で基板中で反射光がさらに伝搬するように、移動する入射光を反射するために、HOEは光学基板と連携する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
入射角θは、法線から頂部表面１０６へ測定され、基板１０２へ伸びる図１中で示される。空気によって囲まれるサファイア基板１０２について、境界角度は約35°であり、θがこの角度またはこの角度以上でTIR伝搬となる。すなわち、光ビーム１０４は、臨界角を超える角度で頂部表面１０６上の入射になり、また、HOE１００作用を促進する。好ましい実施形態で、空気が頂部表面１０６上に配置されている一方、これらの材料がTIR条件を確立するために基板１０２の屈折率未満の屈折率を有している限り、他の材料は、基板１０２上に配置されてもよい。さらに、基板１０２の頂部表面１０６及び底部表面１０７からのTIRは、最小のコストである最大効率設計を提供する一方、光ビーム１０４を反射するために、これに代えて頂部表面１０６でTIRを有しており、底部表面１０７で反射コーティング又はミラーを使用することもできる。同様に、底部表面１０７以下にクラッド層を使用してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図示する実施形態において、部材１０８は、光学的透明材料から形成されている。これらの部材１０８は、傾けられたミラーの機能を実行するHOEを形成している。部材１０８の配列は、HOE100の特性及び作用に影響する。図１の実施形態は、同様に、わずかに頂部表面１０６上でストリップ１０８は配置されていることができるが、部材が、頂部表面１０６との直接の物理的な接触で形成されているストリップ１０８であることを示す（図８参照）。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ストリップ１０８は、さらに、１又は０．５μｍのマイクロ電気機械システム（MEMS）処理技術を使用して、処理することができる単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、アルミナ、サファイア、シリコン亜硝酸塩、ゲルマニウム珪酸又は他の光学的透明材料から形成されてもよい。適切な作用の周波数で透明であり、容易にMEMSプロセスで処理することができ、高い屈折率を有するので、好ましい材料はポリシリコンである。わずかなストリップ１０８が例示的に示されるが、実施において、通常は光ビーム１０４がHOE１００の一部に確実に入射するように、多数のストリップが存在する。さらに、ストリップ１０８は断面図で示されているが、実際には図２で記載されるように、図の内外に延びている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
基板１０２の頂部で、ともにストリップ１０８間の間隔「ｃ」は、インターフェース層１１０（空気基板インターフェース層である）を形成している。光ビーム１０４が、合計内部反射で基板１０２中で移動するので、光ビーム１０４の部分は、合計内部反射でインターフェース層１１０で回折される。すなわち、光ビーム１０４の第１部分は、空気基板インターフェース層１１０で入射され、ストリップ１０８間の間隔の反射行為によって回折される。これらの間隔が、入射光の波長のオーダーであるので、回折が平面波反射ではなくて生じる。HOE１００上に入射する光ビーム１０４の別の部分は、ストリップ１０８下の頂部表面１０６の部分上に入射される。ここで、ストリップ１０８は、基板から光エネルギーを吸収し、より低い屈折率の材料（好ましい実施形態の空気）によって、頂部表面１１２及び側面上で跳ね返させる低損失導波管共鳴装置のように作用する。したがって、基板１０２中でTIR伝搬と同様にストリップ１０８中でTIR反射がある。定常波は、ストリップ１０８で本質的に形成され、また、吸収された光は、ストリップ１０８を出射し、インターフェース層１１０によって反射される光から変化する基板１０２相を再び入れる。もしストリップ１０８は、基板１０２より高い屈折率を有しているならば、定常波はさらにより低い屈折率への推移で、より低い表面によって跳ね返されるので、効率はさらに改善される。ストリップ１０８及びインターフェース層１１０の効果は、基板１０２中で伝搬するｍ＝−１モードへ集合的に光ビーム１０４を回折することである。光線１１６はこの反射信号を表す。なお、ストリップ１０８の影響がない場合は、パス１１４が基板１０２内の光ビーム１０４の光路となる。弱め合う干渉が出力を最小にするところで、パス１１４は、さらにHOE回析パターンのｍ＝０モードと一致する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
ストリップの厚さは、インターフェース層１１０から回折される光と共鳴装置ストリップ１０８からの光との間の相変化を確立する。好ましい実施形態では、すべてのストリップの厚さが同一である。さらに、厚さは光パス１１６へ反射される入射光１０４の量を最大にするために選択される。グラフは、HOE効率対シリコンのストリップの厚さが示されているグラフが図４で示される。この典型的なグラフにおいて、基板がサファイアから形成され、入射ビームはTE偏光される（「ａ」＝１．５μｍ、λ＝１．５５μｍ、θ＝４５°及びφ＝６５．３°）。示されるように、非常に高い効率を生産する多数のストリップの厚さがある。効率ピークが、約１．５５μｍ、１．８４μｍ及び２．１５μｍに生じる。このグラフは、しかしながら、単に代表的であり、また、より低い厚さが使用されてもよい。例えば、ストリップ１０８の厚さが、吸収光に適切な相変化を与えるために選択されることになるので、特別の厚さの複合の倍振動は、同じ相変化を与えて、したがって、使用される。MEMSプロセスで作り上げられるポリシリコンからなるストリップの好ましい厚さは、０．５μｍ〜３μｍである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
HOE１００及び集積基板１０２は、様々な光学機能を実行するために、様々な用途で使用される。１つは、HOE１００がデマルチプレクサーとして役割をする図５で例証される。HOEは、作用において波長に依存する。したがって、入力光ビーム１２０が密集波長分裂多重（DWDM）システムで多数の経路を運ぶビームのように、１以上の波長の光を含んでいるならば、異なる波長は、異なる角度でHOE１００によって回折される。この現象は、伝搬パス１２２ａ、１２２ｂ及び１２２ｃとして典型的に示される異なる成分に入力光ビーム１２０の異なる波長を分けるために使用される。異なる各伝搬パス１２２ａ−ｃが、各平面が伝搬パス１０４の平面に異なる角度である個別の平面にある。伝搬パス１２２ａ−ｃの全ては、それにもかかわらず、本質的に合計内部反射で基板１０２で好ましくは移動する。HOE１００は、例えば、異なる出力ファイバーへ様々な伝搬パス１２２ａ−ｃを連結することにより、デマルチプレクサーとして作用するために形成される。図５に示されるHOE１００は、出力ファイバーへ適切な伝搬パスのみを追い出す波長ファイバーとして使用される。したがって、集積基板及び回折光学要素（HOE１００の形状をして）は、波長に依存する異なる反射パスへ信号を反射する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図８は、上述したものに代替のHOEを示す。図１は、基板との物理的な接触でHOEを示すが、図８は、基板３０２上に（つまり、物理的な接触でない）HOE３００が置かれることを示す（基板３０２によって光３０４がパスする）。光ビーム３０４は、TIRで基板３０２中で伝搬する。上述されたように、基板３０２中でTIR伝搬は、基板へ光の連結から達成されてもよい。さらに、図１で、好ましくはTIRは両方の表面３０６、３０７で生じるが、基板の底部表面３０７に鏡または反射層を用いて、基材３０２の頂部表面３０６にTIRが確立されさえすれば十分である。