Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月15日(2006.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗片頭痛薬と式（Ｉ）：
【化１】
2005518439.tif 000001
［式中、
Ｘは、ＣＨ2または酸素であり、
Ｒ1は、水素またはアルキルであり、そして
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、独立して、水素または低級アルキルであり、そしてＸが
ＣＨ2の時には、Ｒ4とＲ5が連結してベンゼン環を形成しているアルケン基であってもよく、そしてＸが酸素の時には、Ｒ2とＲ3および／またはＲ4とＲ5が一緒になって下記の式（ＩＩ）：
【化２】
2005518439.tif 000002
（式中、
Ｒ6およびＲ7は、同一もしくは異なり、水素、低級アルキル、またはアルキルでありそして連結してシクロペンチルもしくはシクロヘキシル環を形成している）で表されるメチレンジオキシ基であってもよい］
で表される化合物の片頭痛の治療用組み合せ物を提供するための使用。
【請求項２】
式（Ｉ）で表される化合物がトピラメートである請求項１記載の使用。
【請求項３】
トピラメートの量を１日当たり約１０から約６５０ｍｇにする請求項２記載の使用。
【請求項４】
抗片頭痛薬が抗痙攣薬、抗鬱薬、ベータブロッカー、カルシウムチャネル遮断薬、非ステロイド系抗炎症薬、セロトニン受容体拮抗薬、セロトニン再取込み阻害薬、セロトニンノルアドレナリン再取込み阻害薬、鎮痛薬、抗嘔吐薬、麦角誘導体、トリプタン、神経ペプチド拮抗薬およびリボフラビンから成る群から選択される請求項１記載の使用。
【請求項５】
抗片頭痛薬がトリプタンである請求項４記載の使用。
【請求項６】
抗片頭痛薬と式（Ｉ）：
【化３】
2005518439.tif 000003
［式中、
Ｘは、ＣＨ2または酸素であり、
Ｒ1は、水素またはアルキルであり、そして
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、独立して、水素または低級アルキルであり、そしてＸが
ＣＨ2の時には、Ｒ4とＲ5が連結してベンゼン環を形成しているアルケン基であってもよく、そしてＸが酸素の時には、Ｒ2とＲ3および／またはＲ4とＲ5が一緒になって下記の式（ＩＩ）：
【化４】
2005518439.tif 000004
（式中、
Ｒ6およびＲ7は、同一もしくは異なり、水素、低級アルキル、またはアルキルでありそして連結してシクロペンチルもしくはシクロヘキシル環を形成している）で表されるメチレンジオキシ基であってもよい］
で表される化合物の片頭痛の頭痛に伴う吐き気、光恐怖症または音声恐怖症の治療用組み合せ物を提供するための使用。
【請求項７】
式（Ｉ）で表される化合物がトピラメートである請求項６記載の使用。
【請求項８】
抗片頭痛薬と式（Ｉ）：
【化５】
2005518439.tif 000005
［式中、
Ｘは、ＣＨ2または酸素であり、
Ｒ1は、水素またはアルキルであり、そして
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、独立して、水素または低級アルキルであり、そしてＸが
ＣＨ2の時には、Ｒ4とＲ5が連結してベンゼン環を形成しているアルケン基であってもよく、そしてＸが酸素の時には、Ｒ2とＲ3および／またはＲ4とＲ5が一緒になって下記の式（ＩＩ）：
【化６】
2005518439.tif 000006
（式中、
Ｒ6およびＲ7は、同一もしくは異なり、水素、低級アルキル、またはアルキルでありそして連結してシクロペンチルもしくはシクロヘキシル環を形成している）で表されるメチレンジオキシ基であってもよい］
で表される化合物の片頭痛の予防用組み合せ物を提供するための使用。
【請求項９】
前記式（Ｉ）で表される化合物がトピラメートである請求項８記載の使用。
【請求項１０】
抗片頭痛薬が抗痙攣薬、抗鬱薬、ベータブロッカー、カルシウムチャネル遮断薬、非ステロイド系抗炎症薬、セロトニン受容体拮抗薬、セロトニン再取込み阻害薬、セロトニンノルアドレナリン再取込み阻害薬、鎮痛薬、抗嘔吐薬、麦角誘導体、トリプタン、神経ペプチド拮抗薬およびリボフラビンから成る群から選択される請求項８記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月7日(2006.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ−誘導免疫抑制を阻害するのに有効な量の免疫反応調整化合物を含む、ＵＶ−誘導免疫抑制を軽減するための医薬組成物であって、処置領域に投与される、前記組成物。
【請求項２】
免疫反応調整化合物を含む、ＵＶ−誘導免疫抑制を治療するための医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口腔及び/又は咽頭腔における疼痛の治療用医薬組成物を製造するための、アンブロキソール又は薬理学的に許容され得るそれらの塩の一つの使用であって、その疼痛が、急性咽頭炎、アフタ、歯肉炎、歯周疾患、補綴により生じる圧痛点、口咽頭処置後の疼痛、口腔及び咽頭腔における粘膜上の病変及び口腔及び咽頭腔における単純ヘルペスから選ばれる、上記使用。
【請求項２】
アンブロキソール又は薬理学的に許容され得るそれらの塩の一つ及び、防腐剤、ビタミン、コルチコイド、消炎剤、抗生物質、抗菌剤及びタンパク分解酵素から選ばれる一つ又はそれより多い有効成分を含む、医薬組成物。
【請求項３】
アンブロキソール又は薬理学的に許容され得るそれらの塩の一つ及び、塩酸リゾチーム、グリチルリチン酸二カリウム、グリチルリチン酸アンモニウム、塩化セチルピリジニウム、マレイン酸クロルフェニラミン、ノスカピン、塩化デクアリニウム、デキストロメトルファン、フェノールフタリネート、グアヤコールスルホン酸カリウム、dl-塩酸メチルエフェドリン、塩酸クロルヘキシジン及びクレゾールスルホン酸カリウムからなる群より選ばれる一つ又はそれより多い有効成分を含む医薬組成物。
【請求項４】
アンブロキソール、ブロムヘキシンまたは薬理学的に許容され得るそれらの塩及びそれらの医薬賦形剤からなる医薬組成物。
【請求項５】
単回投与量がアンブロキソール15〜50mgを含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の組成物の、固形の、なめることが可能か又はゆっくりと溶解する製剤。
【請求項７】
ゲルの形態にある、請求項２〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物の半固体製剤。
【請求項８】
口腔及び/又は咽頭腔における疼痛の治療用薬剤を製造するための、請求項２〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用であって、その疼痛が、急性咽頭炎、アフタ、歯肉炎、歯周疾患、補綴により生じる圧痛点、口咽頭処置後の疼痛、口腔及び咽頭腔における粘膜上の病変及び口腔及び咽頭腔における単純ヘルペスから選ばれる、上記使用。
【請求項９】
塩酸アンブロキソール、矯味矯臭剤、滑沢剤、マトリックス材料、甘味剤及びポリエチレングリコールからなる医薬組成物の、口腔及び/又は咽頭腔における疼痛の治療用薬剤を製造するための使用であって、その疼痛が、急性咽頭炎、アフタ、歯肉炎、歯周疾患、補綴により生じる圧痛点、口咽頭処置後の疼痛、口腔及び咽頭腔における粘膜上の病変及び口腔及び咽頭腔における単純ヘルペスから選ばれる、上記使用。
【請求項１０】
マトリックス材料として糖アルコールをベースとした、アンブロキソールを含有する、なめることが可能な錠剤の、口腔及び/又は咽頭腔における疼痛の治療のための使用であって、その錠剤が医薬的に許容され得る積層シリケート及びポリエチレングリコールを、所望により他の医薬賦形剤、矯味又は矯味矯臭剤と一緒に含むことを特徴とし、疼痛が、急性咽頭炎、アフタ、歯肉炎、歯周疾患、補綴により生じる圧痛点、口咽頭処置後の疼痛、口腔及び咽頭腔における粘膜上の病変及び口腔及び咽頭腔における単純ヘルペスから選ばれる、上記使用。
【請求項１１】
疼痛軽減効果が、投与後、少なくとも3時間持続する医薬組成物を製造するための、請求項１に記載のアンブロキソールの使用。
【請求項１２】
疼痛軽減効果が、投与後少なくとも3時間持続する医薬組成物を製造するための、請求項２〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特に好ましい医薬組成物は、単回投与量がアンブロキソール15〜50mg、好ましくはアンブロキソール20mgを含むものである。
さらに、本発明は、固形の、なめることが可能か又はゆっくりと溶解する形態の医薬組成物であって、アンブロキソール及び、防腐剤、ビタミン、コルチコイド、抗炎症剤、抗生物質、抗菌剤及びタンパク分解酵素から選ばれる一つ又はそれより多い有効成分を含む、上記組成物に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧＧＩＧＤＧＧ［配列番号２］の配列からなる単離ペプチド。
【請求項２】
少なくとも１つの、ＧＧＩＧＤＧＧ［配列番号２］の配列を含むペプチドと、前記少なくとも１つのペプチド以外の少なくとも１つの血管新生増殖因子とを含有する血管新生組成物。
【請求項３】
少なくとも１つの、ＧＧＩＧＤＧＧ［配列番号２］の配列を含むペプチドと、マトリクス材料とを含有する、細胞増殖促進条件下で細胞遊走および／または血管新生を促進するための組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つのペプチド以外の少なくとも１つの血管新生増殖因子をさらに含有することを特徴とする請求項３記載の組成物。
【請求項５】
前記マトリクス材料が細胞増殖促進マトリクスであることを特徴とする請求項３記載の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１つの血管新生増殖因子が、骨由来血管新生タンパク質（ＢＤＡＰｓ）、血管内皮細胞増殖因子（ＶＥＧＦ）、塩基性繊維芽細胞増殖因子（ｂＦＧＦ）、アンジオゲニン、内皮増殖因子（ＥＧＦ）、血小板由来増殖因子（ＰＤＧＦ）、形質転換増殖因子α（ＴＧＦ−α）、形質転換増殖因子β（ＴＧＦ−β）および腫瘍壊死因子α（ＴＮＦ−α）より成る群から選択されることを特徴とする請求項２または４記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１つの血管新生増殖因子が、組み換え血管新生増殖因子を含むことを特徴とする請求項２または４記載の血管新生組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１つの血管新生増殖因子が骨由来血管新生タンパク質（ＢＤＡＰｓ）を含むことを特徴とする請求項２または４記載の組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１つの血管新生増殖因子が血管内皮細胞増殖因子（ＶＥＧＦ）を含むことを特徴とする請求項２または４記載の組成物。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの血管新生増殖因子が、ＩＧＤ［配列番号１］、ＧＧＩＧＤＧＧ［配列番号２］、ＩＧＤＩＧＤ［配列番号３］、環状ＩＧＤＩＧＤ［配列番号４］、ＩＧＤＳ［配列番号５］およびＩＧＤＱ［配列番号６］より成る群から選択される配列からなる少なくとも１つのペプチドを含むことを特徴とする請求項２または４記載の組成物。
【請求項１１】
生理学的に受容可能な担体を含むことを特徴とする請求項２または３記載の組成物。
【請求項１２】
前記生理学的に受容可能な担体がポリビニルピロリジノンを含むことを特徴とする請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
前記生理学的に受容可能な担体が塩酸を含むことを特徴とする請求項１１記載の組成物。
【請求項１４】
注射可能な溶液を含むことを特徴とする請求項２または３記載の組成物。
【請求項１５】
前記注射可能な溶液がポリビニルピロリジノンを含むことを特徴とする請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
前記注射可能な溶液が塩酸を含むことを特徴とする請求項１４記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月10日(2006.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式を有する化合物：
【化１】
2005518403.tif 000001
ここで、Ｒは、Ｈおよびアルキルからなる群から選択される、化合物。
【請求項２】
ＲがＣＨ３である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
哺乳動物においてアンドロゲンレセプター部位をブロックするための組成物であって、有効用量の３−（５−メトキシヘプチル）−２−シクロヘキセノンを含む、組成物。
【請求項４】
前記組成物が局所投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が経口投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が内部投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が挫瘡に罹患した哺乳動物への投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物がケロイドに罹患した哺乳動物への投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物が雄性パターン禿に冒された哺乳動物への投与のために適合されている、請求項３に記載の組成物。
【請求項１０】
３−（５−メトキシヘプチル）−２−シクロヘキセノンを含む、哺乳動物に投与するための組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの別の処方を含む経口医薬組成物であって：
一般式Ｉを有する２−［４−（ジフェニルメチル）−１−ピペラジニル］−酢酸及びそれらのアミドから選ばれた活性化合物を含む第一の処方
【化１】
2005518405.tif 000001
式中、
Ｒ１は−ＣＯＯＨ基又は−ＣＯＮＨ２基であり、
Ｘ１及びＸ２は、独立して、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、直鎖又は分枝Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基又はトリフルオロメチル基並びにそれらの医薬品的に許容できる塩、幾何学的異性体、鏡像異性体、ジアステレオマ及びそれらの混合物であり、その第一の処方が、ポリオールと式Ｉの活性化合物の１０を超すモル比で、３００未満の分子量のポリオールを含まない；及び
分子量が３０００未満の１つ又はそれ以上の固体ポリオールを含み、如何なる薬物も含まない第二の処方、
を含む経口医薬組成物。
【請求項２】
第一の処方が、ラクトースは例外として、ポリオールをポリオールと式Ｉの活性化合物の１０を超すモル比で、分子量９５０未満のポリオールを含まない請求項１記載の組成物。
【請求項３】
第一の処方が、ポリオールと式Ｉの活性化合物の５を超すモル比で、分子量３００未満のポリオールを含まない請求項１記載の組成物。
【請求項４】
第一の処方が、分子量３００未満のポリオールを含まない請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
第一の処方が、ラクトースは例外として、ポリオールと式Ｉの活性化合物の５を超すモル比で、分子量９５０未満のポリオールを含まない請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
第一の処方が、ラクトースは例外として、分子量９５０未満のポリオールを含まない請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
処方が粉末、顆粒、溶液又は懸濁液の形で調製される請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
第二の処方中のポリオールがマンニトールである請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
第二の処方中のポリオールが多糖類である請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも１つの処方が、更にアルカリ化剤を含む請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
アルカリ化剤がクエン酸ナトリウムである請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
第一の処方が、サイクロデキストリン、コロイド状無水シリカ、微結晶セルロース、ステアリン酸マグネシウム、フレーバー又は着色剤から選ばれた１つ又はそれ以上の賦形剤を更に含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
第一の処方が、アセサルフエームＫ、アスパルテーム、サッカリン、サッカリンナトリウム又はシクラメートのような非ポリオール甘味剤を更に含む請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
第一の処方の活性化合物がセチリジンジハイドロクロライド、レボセチリジンジハイドロクロライド又はエフレトリジンジハイドロクロライドである請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
チューインガム、錠剤又は沸騰錠剤の形である請求項１〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１６】
各層が処方の１つから調製される多層錠剤の形である請求項１５記載の組成物。
【請求項１７】
不活性層が２つの処方から調製された層を隔てる多層錠剤の形である請求項１６記載の組成物。
【請求項１８】
処方の１つから調製された内部コアを有し、他の処方から調製される外部殻を有する錠剤である請求項１５記載の組成物。
【請求項１９】
第一の処方から作られ、更にガム基材を含むコア、及び
第二の処方から作られたコーティング、
を含むチューインガムである請求項１５記載の組成物。
【請求項２０】
第二の処方から作られ、更にガム基材を含むコア、及び
第一の処方から作られたコーティング、
を含むチューインガムである請求項１５記載の組成物。
【請求項２１】
１つの型の顆粒が、第一の処方の閉め固めで作られ、他の型の顆粒が、第二の処方の閉め固めで作られる、２つの型の顆粒の混合物から調製された乾燥シロップである請求項１〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか一項に記載の組成物を製造する方法であって、第一の処方と第二の処方を別々に調製し、２つの処方を組み合わせることによる製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月20日(2005.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療用途のためのランダムコポリマーにおいて、該コポリマーがモノマー状単位
2005518469.tif 000001
ここで、
＊はもう１つのモノマー単位への結合を表す；
Xは芳香基を含む部分を表す；
Yはアルキレン部分である；
Zはアルキレン又はアルケニレン部分を表す；
ｎは１〜２５０の範囲の整数を表す；及び
ｍは２〜１６の範囲の整数を表す、
を含むランダムコポリマー。
【請求項２】
モノマー単位AおよびCの合計重量割合が０．１〜１の範囲であるところの、請求項１に記載のコポリマー。
【請求項３】
モノマー状単位Cの数及びモノマー状単位Dの数の和の合計重量割合が０．０１〜１であるところの、請求項１又は２のいずれか１項に記載のコポリマー。
【請求項４】
Xがフェニル基であるところの、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコポリマー
【請求項５】
Yがエチレン、プロピレン、ブチレン、及びそれらの組み合わせの群から選択されるところの、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコポリマー。
【請求項６】
Ｚがエテニレン、プロピレン、ブチレン、へキシレン、及びオクチレンの群から選択されるところの、請求項１〜５のいずれか１項に記載のコポリマー。
【請求項７】
１０，０００〜５００，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコポリマー
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のコポリマーを含む医療用デバイス。
【請求項９】
インビトロで組織を培養するためのスキャフォルド、制御された医薬品の放出のためのマトリックス、組織修復のための代替物、縫合糸、骨スクリュー、縫合アンカー、テーパー付ピン又はテーパーのないピン、又はステープルであるところの、請求項８に記載の医療用デバイス。
【請求項１０】
組織修復のための医薬の製造にため又はコントロールされた医薬品の放出のために、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコポリマーを使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内因性エストロゲン、特にエストラジオールの合成を阻害する薬物による治療中にエストロゲン欠乏に関連する愁訴を示す女性の当該愁訴の治療における、医薬の製造のためのチボロンの使用。
【請求項２】
エストロゲン欠乏に関連する愁訴が更年期障害を含むことを特徴とする、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
エストロゲン欠乏に関連する愁訴が骨粗鬆症を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】
内因性エストロゲンの合成を阻害する薬物がアロマターゼ阻害薬であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一つに記載の使用。
【請求項５】
アロマターゼ阻害剤が、アミノグルテチミド、アナストロゾール、レトロゾール、エクセメスタン、及びホルメスタンからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一つに記載の使用。
【請求項６】
チボロンが０．４から２．５ｍｇの一日量で投与されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一つに記載の使用。
【請求項７】
有効量のチボロンを女性患者に投与することにより、内因性エストロゲンの合成を阻害する薬物による治療中にエストロゲン欠乏に関連する愁訴を示す前記患者の当該愁訴を治療するための医薬組成物。
【請求項８】
エストロゲン欠乏に関連する愁訴が更年期障害を含む、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
エストロゲン欠乏に関連する愁訴が骨粗鬆症を含む、請求項７又８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
内因性エストロゲンの合成を阻害する薬物がアロマターゼ阻害剤である、請求項７から９のいずれか一つに記載の医薬組成物。
【請求項１１】
アロマターゼ阻害剤が、アミノグルテチミド、アナストロゾール、レトロゾール、エクセメスタン、及びホルメスタンからなる群から選択される、請求項７から１０のいずれか一つに記載の医薬組成物。
【請求項１２】
チボロンが０．４から２．５ｍｇの一日量で投与される、請求項７から１１のいずれか一つに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式Ｉ
【化１】
2005518472.tif 000001
（式中、Ｌｎはランタニドを表し、
Ｃｈ-は、少なくとも１個のＵＶ吸収性二重結合を含む、負に帯電した配位子であり、
ｎは３又は４を表し、ｍは１〜４の数を表し、
ｎが３である場合、ｍは１〜４の数を表し、Ｌは、２，２′−ビピリジルを除き、中性の単座又は多座の窒素、酸素又は硫黄含有ＵＶ吸収性配位子であり、ｎが４である場合、ｍは１を表し、Ｌは、１個の電荷を有するカチオンである）
の化合物、及び
（ｂ）液体インクキャリヤ
を含有するインク組成物。
【請求項２】
成分（ａ）として、式Ｘ、XI、XII、XIII、XIV又はXV：
【化４】
2005518472.tif 000002
の化合物を含有する、請求項１記載のインク組成物。
【請求項３】
（ｃ）バインダー樹脂をさらに含有する、請求項１記載のインク組成物。
【請求項４】
（ｄ）１種以上の着色剤をさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項記載のインク組成物。
【請求項５】
ＵＶ露光下でのみ出現することができる隠しマークで物品をマーキングするためのシステムであって、前記マークを前記物品に印刷するための印刷手段を含み、前記印刷手段が、請求項１〜４のいずれか１項記載のインク組成物を用いるシステム。
【請求項６】
物体に隠しマークを付ける方法であって、請求項１〜４のいずれか１項記載のインク組成物を前記物体に塗布することと、前記インクキャリヤのすべて又は実質すべてを蒸発又は前記物体中への吸収によって除去することとを含む方法。
【請求項７】
前記物体が織物材料である、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置合わせ縁部と該位置合わせ縁部に対して規定された堆積パターンとを含むアパーチャマスクと、
少なくとも３つの接点を含み、該接点のうちの厳密に３つが前記アパーチャマスクの前記位置合わせ縁部と接触して堆積プロセスのために前記パターンを位置合わせする位置合わせ具とを含む堆積システム。
【請求項２】
第１のアパーチャマスクの位置合わせ縁部および堆積基板の位置合わせ縁部を厳密に３つの接点と接触させて位置決めすることにより、前記堆積基板に対して前記第１のアパーチャマスクの第１のパターンを位置合わせするステップと、
前記第１のアパーチャマスクの前記パターンを介して前記基板上に材料を堆積するステップとを含む方法。
【請求項３】
堆積基板と、
前記堆積基板に隣接して形成されたパターン化第１電極層と、
前記第１電極層に隣接して形成されたパターン化有機半導体層と、
前記有機半導体層に隣接して堆積された第２パターン化電極層とを含み、各パターン化層が再配置可能なアパーチャマスクにより規定される集積回路。
【請求項４】
第１パターン化導電層と、
前記堆積導電層上に形成されたパターン化誘電層と、
前記堆積誘電層上に形成されたパターン化有機半導体層と、
前記堆積有機半導体層上に形成された第２パターン化導電層とを含み、各パターン化層が再配置可能なアパーチャマスクにより規定されるトランジスタ。
【請求項５】
結晶ウエハと、
前記結晶ウエハ内に形成されるとともに直線縁部を規定するアパーチャであって、前記アパーチャの直線縁部が前記結晶ウエハの劈開面と位置合わせされていないアパーチャとを含むアパーチャマスク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーと複数の研磨粒子とを含む研磨物品であって、
研磨粒子の少なくとも一部が所与の研磨粒子の全重量を基準にして、少なくとも６５．０重量パーセントの焼結された多結晶質ジルコニアを含む研磨粒子であり、
研磨物品が塗布研磨物品、結合研磨物品、不織研磨物品及び研磨ブラシからなる群から選択されるものである、
研磨物品。
【請求項２】
（ｉ）研磨粒子前駆体を加熱して、研磨粒子の全重量を基準にして、少なくとも６５．０重量パーセントの多結晶質ジルコニアを含む研磨粒子を提供する工程であって、加熱が研磨粒子の融点よりも下で行われる工程；及び
（ii）バインダーと複数の研磨粒子とを含む研磨物品を提供する工程であって、研磨粒子の少なくとも一部が工程（ｉ）において調製された研磨粒子である工程；
を包含する研磨物品の製造方法であって、
研磨物品が塗布研磨物品、結合研磨物品、不織研磨物品及び研磨ブラシからなる群から選択されるものである、
研磨物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前述は典型的な梳綿操作についで記述した。しかしながら、むしろウェブを形成することよりも繊維ボールが形成されるように、当該操作は修正される。この点では、図２が言及され、先に論じたそのような部分は主要部が示されるほかには、同様に番号が付けられる。塊又は繊維ボールを作る装置１０’はメーンシリンダ１２’を含み、それは右回り方法で回転する。クロージング１４’は、梳綿の中で使用されるのと同方向である。リッカーインロール１６’及び送りロール２０’は、前述されたのと同じ方法で作動する。しかしながら、それらはポリエステルで作られた任意のステープル繊維２２’をミクロデニール（例えば、１デニールあるいはより小さい寸法に）に供給するのに貢献する。最終製品の感触を改善するために、繊維もシリコーン化されてもよいことに注意すべきである。先に論じたようにストリップロール２４’は同じく操作する。しかしながら、ワーカーロール２６’は逆に回転して、先に論じられたその上のクロージングも逆に回転する。しかしながら、装飾ロール２８’は同じく操作し、ドッファロール３０’は逆に操作され、その上のクロージングも逆に回転する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005518483.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含んでなる芳香族ポリカーボネートの製造方法。
（ａ）芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルから溶融エステル交換法によって遊離末端ＯＨ基を有するポリカーボネートを製造する段階、及び
（ｂ）遊離末端ＯＨ基を有するポリカーボネートに、ポリカーボネートの遊離末端ＯＨ基を封鎖するのに十分な量の次式の末端封鎖剤を添加して、封鎖又は封止ヒドロキシ基の割合の向上したポリカーボネートを生成させる段階。
【化１】
2005518460.tif 000001
式中、Ｒ1はフェニル、フェノキシ、ベンジル又はベンジルオキシであり、Ｒ2はＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ6〜Ｃ30アリール、Ｃ6〜Ｃ30アリールオキシ、Ｃ7〜Ｃ30アラルキル及びＣ7〜Ｃ30アラルキルオキシからなる群から選択される。
【請求項２】
遊離ヒドロキシル基を有する芳香族ポリカーボネート中の遊離ヒドロキシル基を末端封止する方法であって、遊離ヒドロキシル基を有する芳香族ポリカーボネートに、ポリカーボネートの遊離末端ＯＨ基を封鎖するための次式の末端封鎖剤を添加して、封鎖又は封止ヒドロキシ基の割合の向上したポリカーボネートを生成させる段階を含んでなる方法。
【化２】
2005518460.tif 000002
式中、Ｒ1はフェニル、フェノキシ、ベンジル又はベンジルオキシであり、Ｒ2はＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ6〜Ｃ30アリール、Ｃ6〜Ｃ30アリールオキシ、Ｃ7〜Ｃ30アラルキル及びＣ7〜Ｃ30アラルキルオキシからなる群から選択される。
【請求項３】
Ｒ2のアリール、アラルキル又はアリールオキシ基が、Ｃ1〜Ｃ24アルキル、Ｃ1〜Ｃ24アルコキシ、フェニルカルボニル、フェノキシカルボニル、ベンジルカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、２−（フェニルカルボニル）フェニルオキシカルボニル、２−（フェノキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル、２−（ベンジルカルボニル）フェニルオキシカルボニル、２−（ベンジルオキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル、２−（フェニルカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ、２−（フェノキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ、２−（ベンジルカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ及び２−（ベンジルオキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基又はこれらの混合物からなる群から選択される基で置換されている、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
Ｒ1がフェノキシ又はベンジルオキシである、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項５】
Ｒ2が、ステアリル、フェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、フェノキシ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ、ｐ−オクチルフェノキシ、ｐ−ノニルフェノキシ、ｐ−ドデシルフェノキシ、３−ペンタデシルフェノキシ、ｐ−オクタデシルフェノキシ、ｐ−クミルフェノキシ又はこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項６】
末端封鎖剤を、添加時のポリカーボネートの遊離末端ＯＨ基１モル当量を基準にして０．１〜１．５モルの量で添加する、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項７】
末端封鎖剤を、添加時のポリカーボネートの遊離末端ＯＨ基１モル当たり０．８〜１．３モル当量の量で添加する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
さらに、ビス−アルキルサリチルカーボネート、ビス−フェニルサリチルカーボネート、ビス−ベンジルサリチルカーボネート、ビス（２−ベンゾイルフェニル）カーボネート、ＢＰＡ−ビス−２−アルコキシカルボニルフェニルカーボネート、ＢＰＡ−ビス−２−フェノキシカルボニルフェニルカーボネート、ＢＰＡ−ビス−２−ベンジルオキシカルボニルフェニルカーボネート、ＢＰＡ−ビス−２−ベンゾイルフェニルカーボネート及びこれらの混合物からなる群から選択されるカップリング剤を溶融条件下でポリカーボネートに添加する段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
生成ポリカーボネートに含まれる、末端封止反応で生成したオルト置換フェノール含量が５００ｐｐｍ以下である、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
生成ポリカーボネートに含まれる末端封鎖剤含量が５００ｐｐｍ以下である、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学反応中に反応中間体を観察する方法であって、該反応に曝されたイオン感応電界効果トランジスタからの電気信号出力を検知することと、化学反応中に起こっている反応中間体を示す、電気信号における部分的変動を区別するために、検知された電気信号をモニタリングすることからなる方法。
【請求項２】
化学反応はＤＮＡ合成であり、電気信号における部分的変動はジデオキシヌクレオチド３リン酸（ｄｄＮＴＰ）とデオキシヌクレオチド３リン酸（ｄＮＴＰ）の取り込みを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＤＮＡまたはｍＲＮＡをシーケンシングするために、変動が起こる時期と変動の大きさをモニタリングする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
サーモサイクリングを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
信号対雑音比を向上するために反応ステップと、検出およびモニタリングステップを複数回繰り返してなる、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
トランジスタが曝された化学反応に反応して電気出力信号を発生するように設計されたイオン感応電界効果トランジスタと、電気信号における部分的変動を区別する手段とを備え、部分的変動が化学反応中に起こっている反応中間体を示す、検出装置。
【請求項７】
イオン感応電界効果トランジスタに、窒化ケイ素層が設けられる、請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
イオン感応電界効果トランジスタに、酵素結合層が設けられる、請求項６または７に記載の検出装置。
【請求項９】
酵素結合層が窒化ケイ素層にわたって設けられる、請求項７または８に記載の検出装置。
【請求項１０】
酵素結合層がポリメラーゼを備える、請求項９に記載の検出装置。
【請求項１１】
イオン感応電界効果トランジスタが、エポキシ樹脂でほぼ覆われている集積回路の一部として設けられ、該電界効果トランジスタそのものはエポキシ樹脂で覆われていない、請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１２】
化学反応はＤＮＡ合成であり、イオン電荷の部分的変動はジデオキシヌクレオチド３リン酸（ｄｄＮＴＰ）とデオキシヌクレオチド３リン酸（ｄＮＴＰ）の取り込みを示す、請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１３】
ＤＮＡまたはｍＲＮＡをシーケンシングするために、部分的変動が起こる時期と局所変動の大きさをモニタリングするように設計されたモニタリング手段をさらに備える、請求項１２に記載の検出装置。
【請求項１４】
イオン感応電界効果トランジスタが、ピロリン酸塩加水分解反応に応じて電気出力信号を発生するように構成される、請求項１２または１３に記載の検出装置。
【請求項１５】
イオン感応電界効果トランジスタが、ｐＨが７未満の試薬混合溶液中に配置される、請求項１４に記載の検出装置。
【請求項１６】
イオン感応電界効果トランジスタが、ｐＨが６．８の試薬混合溶液中に配置される、請求項１５に記載の検出装置。
【請求項１７】
試薬混合溶液がマグネシウムを含有する、請求項１５または１６に記載の検出装置。
【請求項１８】
第一のトランジスタには酵素結合層が設けられており、第二のトランジスタには非酵素結合層が設けられている２つのイオン感応電界効果トランジスタと、電気出力信号を提供するために、第一および第二トランジスタによって発生された電気信号間の差を決定するための手段とを備える、請求項６ないし１７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１９】
第一および第二トランジスタが第一および第二演算増幅器に連結されており、演算増幅器の出力が電気出力信号を提供する差動増幅器に送られる、請求項１８に記載の検出装置。
【請求項２０】
電気出力信号が、第一および第二トランジスタに印加される電圧を一定のレベルに保つために、試薬混合溶液中に配置された電極に送られる、請求項１９に記載の検出装置。
【請求項２１】
第一および第二トランジスタが、それぞれ、第一および第二演算増幅器の一部を形成するように設計されている、請求項１９または２０に記載の検出装置。
【請求項２２】
弱反転領域において作動するように設計された少なくとも１つのＰＭＯＳトランジスタを含む、請求項６ないし２１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２３】
弱反転領域において作動するように設計された少なくとも１つのＮＭＯＳトランジスタを含む、請求項６ないし２２のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２４】
２つのイオン感応電界効果トランジスタの両方が、弱反転領域において作動するように設計されたＰＭＯＳトランジスタである、請求項１８ないし２１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２５】
２つのイオン感応電界効果トランジスタの両方が、弱反転領域において作動するように設計されたＮＭＯＳトランジスタである、請求項１８ないし２１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２６】
イオン消費またはイオン分離に応じて電気出力信号を発生するように構成される、請求項６ないし２５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２７】
化学反応の反応中間体をモニタリングするのに十分な速度で電気出力信号を変更できるように構成される、請求項６ないし２６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２８】
１０ミリ秒より速い速度で電気出力信号を変更できるように構成される、請求項２７に記載の検出装置。
【請求項２９】
３ミリ秒より速い速度で電気出力信号を変更できるように構成される、請求項２８に記載の検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素の相互依存による歪みを除去する方法であって、
第２の輝度制御レベルにある少なくとも１つの隣接する画素に起因して、第１の輝度制御レベルにある第１の画素に及ぼされる、画素の相互依存の影響を推定するステップと、
前記推定するステップに応答して、前記第１の画素の前記第１の輝度制御レベルを変更して、前記画素の相互依存の影響を補償するステップと、
から成る、前記方法。
【請求項２】
前記推定するステップが、前記画素の相互依存の影響の無いときに前記第１の画素の実際の輝度を生じる、画素の輝度制御レベルの推定値を計算するステップを含み、それが前記画素の相互依存の影響の有るときに前記第１の画素の輝度制御レベルから生じる輝度と等しい、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記推定するステップが、前記第１の画素の輝度制御レベルを、１行内にある前記第１の画素の直前および直後に現れる隣接画素の輝度制御レベルと比較するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記推定するステップが、前記第１の画素と前記少なくとも１つの隣接画素の輝度制御レベルの差を計算するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記推定するステップが、画素の相互依存関数により前記差をスケール化するステップを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記画素の相互依存関数が、１次単関数である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記推定するステップと前記変更するステップを繰り返すステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
画像形成装置において隣接する画素ドライブ相互依存に起因する、画素の相互依存誤差を除去するためのシステムであって、
第２の輝度制御レベルにある少なくとも１つの隣接画素に起因して、第１の輝度制御レベルにある第１の画素に及ぼされる、画素の相互依存の影響を推定する推定器と、
前記推定器に応答し、前記第１の画素の前記第１の輝度制御レベルを変更して前記画素の相互依存の影響を補償する相互作用調節段と、
から成る、前記システム。
【請求項９】
前記推定器が、前記画素の相互依存の影響の無いときに前記第１の画素の実際の輝度を生じる画素の輝度制御レベルの推定値を計算し、それが前記画素の相互依存の影響の有るときに前記第１の画素の輝度制御レベルから生じる輝度と等しい、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記推定器が、第１の画素の輝度制御レベルを、１行内にある前記第１の画素の直前および直後に現れる隣接画素の輝度制御レベルと比較する、請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記推定器が、前記第１の画素と前記少なくとも１つの隣接画素の輝度制御レベルの差を計算する、請求項９記載のシステム。
【請求項１２】
前記推定器が、前記差を画素相互依存関数でスケール化する、請求項１２記載のシステム。
【請求項１３】
前記画素の相互依存関数が、１次単関数である、請求項１３記載のシステム。
【請求項１４】
前記相互作用調節段で、前記画素の相互依存の影響の有るときに第１の画素の輝度を生じる、変更された輝度制御レベルを決定し、それが前記画素の相互依存の影響の無いときに未変更の第１の輝度制御レベルから生じる実際の輝度に一層近似する、請求項９記載のシステム。
【請求項１５】
縦続接続された前記推定器と前記相互作用調節段とを含み、変更された最終的輝度制御レベルを反復的に計算する、請求項９記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画素の相互依存による歪みを除去する方法、および画素相互依存誤差を除去するためのシステム
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に変化可能な変速機（１）用のプッシュベルト（６）の一部として設計される連結要素（１０）を形成するための方法であって、
前記連結要素（１０）の本体表面（１１，１２）の、垂直横方向における底面に位置する前記連結要素（１０）の少なくとも一部で、前記連結要素（１０）の前記本体表面（１１，１２）の水平横方向のほぼ中央に位置している中央部（２３）からの圧力の影響下で、前記中央部（２３）の両側に配置された前記連結要素（１０）の部分の方向に材料を追いやることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法で製造される連結要素であって、傾斜線（１８）の位置で、該連結要素（１０）の縦方向の寸法が前記連結要素（１０）の幅の必須の部分に沿ってほぼ一定であることを特徴とする連結要素。
【請求項３】
請求項１に記載の方法で製造される連結要素であって、傾斜線（１８）の位置で、前記連結要素（１０）の周囲に近い領域の位置での該連結要素（１０）の縦方向の寸法が、前記連結要素（１０）の前記本体表面（１１，１２）の前記中央部（２３）の位置での寸法より大きいことを特徴とする連結要素。
【請求項４】
請求項１に記載の方法に適用する目的で設計される打抜き部材であって、前記方法は連結要素（１０）が薄板状に形成された基礎材料（５０）から切断される打抜き工程であり、
前記打抜き部材は基部（７２）、首部（７３）及び頂部（７４）を垂直方向に連続的に有する形成面よりなり、少なくとも基部（７２）が前記連結要素（１０）の前記本体表面（１１，１２）の前記中央部（２３）から材料を追いやるように設計されることを特徴とする打抜き部材。
【請求項５】
請求項４に記載の打抜き部材であって、前記形成面（７１）に対して高くされ、かつ水平方向においてほぼ中央に位置する部分（１０１）を備えたことを特徴とする打抜き部材。
【請求項６】
請求項５に記載の打抜き部材であって、前記高くされた部分（１０１）が、前記打抜き部材の全高に沿って伸張することを特徴とする打抜き部材。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の打抜き部材であって、前記高くされた部分（１０１）が全首部（７３）よりなることを特徴とする打抜き部材。
【請求項８】
請求項７に記載の打抜き部材であって、前記基部（７２）と前記頂部（７４）との両者の領域で、前記高くされた部分（１０１）の前記水平方向の寸法が前記首部（７３）の領域での寸法より大きいことを特徴とする打抜き部材。
【請求項９】
請求項４に記載の打抜き部材であって、前記基部（７２）が、前記水平方向のほぼ中央に位置する、該水平方向の中央部（７５）の両側に位置する２個の凹部（７６）を備えたことを特徴とする打抜き部材。
【請求項１０】
請求項９に記載の打抜き部材であって、前記２個の凹部（７６）の縦方向の寸法が、前記基部（７２）の周に対して中央部（７５）の方向において減少することを特徴とする打抜き部材。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の打抜き部材であって、前記２個の凹部（７６）の縦方向の寸法が、前記基部（７２）の頂面に対して前記基部（７２）の底面の方向において減少することを特徴とする打抜き部材。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の打抜き部材であって、前記中央部（７５）の前記水平方向における寸法が、前記首部（７３）の前記水平方向における寸法にほぼ等しいことを特徴とする打抜き部材。
【請求項１３】
請求項４に記載の打抜き部材であって、前記首部（７３）が、前記基部（７２）及び前記頂部（７４）に対して高くされていることを特徴とする打抜き部材。
【請求項１４】
請求項１３に記載の打抜き部材であって、前記基部（７２）が、前記水平方向のほぼ中央に位置する、該水平方向の中央部（７５）の両側に位置する２個の凹部（７６）を備えたことを特徴とする打抜き部材。
【請求項１５】
請求項４に記載の打抜き部材であって、前記基部（７２）が、該基部（７２）の底面に配置される、少なくとも１個の比較的高くされた端部（９１）よりなることを特徴とする打抜き部材。
【請求項１６】
請求項１５に記載の打抜き部材であって、前記比較的高くされた端部（９１）が、前記基部（７２）の底面から始まって垂直方向に傾斜していることを特徴とする打抜き部材。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の打抜き部材であって、前記基部（７２）の前記底面が、水平方向のほぼ中央に位置する凹部（７７）を備え、前記基部（７２）が、前記凹部（７７）の両側に配置された比較的高くされた２個の端部（９１）を有することを特徴とする打抜き部材。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の打抜き部材であって、前記水平方向のほぼ中央に位置する中央部（７５）の両側に配置された水平方向の２個の凹部（７６）を備えたことを特徴とする打抜き部材。
【請求項１９】
請求項４に記載の打抜き部材であって、前記形成面（７１）は、前記基部（７２）が、互いに一定の角度で配列される２個の表面を有し、これらの２個の表面の形成は、該２個の表面の交差線の位置に、前記連結要素（１０）上に傾斜線（１８）を形成する目的に基づき、前記交差線が、担持面（１６）と前記連結要素（１０）の本体表面（１１，１２）との間の移行面（１１１）からある距離（Ａ）にある位置に対応する位置に配置され、前記距離（Ａ）が望ましくはできるだけ小さいことを特徴とする打抜き部材。
【請求項２０】
請求項４〜１９のいずれか１項に記載の打抜き部材を少なくとも１個備えたことを特徴とする打抜き装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の伝達角で回転運動を伝達するシャフトにおいて、
複数の直交するトラニオン突起を有するスパイダと、
自身を通る前記軸横断ボアを有するヨークとを備え、前記軸横断ボアは、スパイダの突起が半径方向外側に軸横断ボアに貫入する程度を制限するため、半径方向内側に旋削された周方向の外周を有し、
前記スパイダが、前記ヨークの真の走行中心で軸横断方向に配置されるシャフト。
【請求項２】
前記スパイダが、相互に対して同軸上に配置された２つの遠位突起として構成された直交するトラニオン突起のうち２つを有し、前記ヨークが更なる軸横断ボアを有して、前記軸横断ボアおよび前記更なる軸横断ボアが相互に対して同軸であり、自身内で前記スパイダの同軸上に配置された前記遠位突起の個々に関連する１つを収容し、更なる軸横断ボアが、スパイダの関連する突起が半径方向外側へと更なる軸横断ボアに貫入する程度を制限するため、半径方向内側に旋削された半径方向外側の周囲を有する、請求項１に記載のシャフト。
【請求項３】
前記軸横断ボアおよび前記更なる軸横断ボアの半径方向内側に旋削された外周は、前記スパイダが軸横断方向に並進しないようゼロ公差状態を達成するよう構成される、請求項２に記載のシャフト。
【請求項４】
前記スパイダの突起上に設置した軸受けキャップが前記ヨークの軸横断ボア内に更に収容される、請求項１に記載のシャフト。
【請求項５】
前記ヨークの軸横断ボア内に設置されたスナップ・リングを設け、旋削された半径方向外側の周は、前記スナップ・リングの周部分と重なるよう更に配置される、請求項４に記載のシャフト。
【請求項６】
前記旋削された半径方向外側の周が、前記スパイダの突起の前記直径に対応する領域を除外するよう構成される、請求項５に記載のシャフト。
【請求項７】
前記シャフトが、外面によって画定されたシャフト基準面を有し、前記ヨークが、機械加工された環状表面によって画定されたヨーク基準面を有し、前記シャフト基準および前記ヨーク基準が、相互に対して所定の空間的関係で配置される、請求項１に記載のシャフト。
【請求項８】
前記シャフト基準および前記ヨーク基準が同軸上に配置される、請求項７に記載のシャフト。
【請求項９】
スパイダの個々の遠位端を受ける貫通ボアを有するヨークをシャフト管の第１端部に設置するステップを含み、さらに、
前記ヨークに対して所定の空間的関係でスパイダを配置するステップと、
前記ヨークの前記材料の一部を、前記スパイダ構成の個々の関連する遠位端と軸方向で重ねるため、前記第１ボアの外縁を第１圧延するステップとを含むプロセスによって形成される回転可能なシャフト。
【請求項１０】
前記シャフト管の第１端部に前記ヨークを設置する前記ステップが、
前記シャフト管上にシャフト基準を画定する更なるステップと、
前記ヨーク上にヨーク基準を画定する更なるステップと、
前記シャフト基準および前記ヨーク基準に応じた空間的関係で、前記シャフト管の第１端部に前記ヨークを設置する更なるステップを含む、請求項９に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１１】
第１圧延する前記ステップが、初期第１圧延の更なるステップを含み、圧延工具構成が浮動して、前記第１ボア上で自身をセンタリングすることができる、請求項９に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１２】
前記圧延工具構成が浮動するのを防止するため、前記圧延工具をロックするステップと、
最終第１圧延するステップとから成り、圧延工具構成により、前記ヨークの材料の一部が軸方向に、前記スライダ構成の個々に関連する遠位端と重なる、請求項１１に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１３】
前記圧延工具構成で測定された軸方向の移動距離に応じて、前記最終第１圧延ステップを終了する請求項１２に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１４】
前記圧延工具構成で測定された軸方向の移動距離の変化率に応じて、前記最終第１圧延ステップを終了するステップを更に提供する、請求項１２に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１５】
加えた軸方向の力に対して前記圧延工具構成で測定された軸方向の移動距離の変化率に応じて、前記最終第１圧延ステップを終了する、請求項１２に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１６】
時間に対して前記圧延工具構成で測定した軸方向の移動距離の変化率に応じて、前記最終第１圧延ステップを終了する、請求項１４に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１７】
所定の期間の経過に応じて、前記最終第１圧延ステップを終了するステップを含む、請求項１２に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１８】
前記スパイダを配置する前記ステップが、軸方向に反作用する支持体を係合させて、前記スパイダと連絡させる更なるステップを含む、請求項９に記載の回転可能なシャフト。
【請求項１９】
前記軸方向に反作用する支持体を係合する前記ステップが、軸方向に反作用する支持体を同期させる更なるステップを含み、これにより前記スパイダが前記ヨークに対して所定の空間的関係に配置される、請求項１８に記載の回転可能なシャフト。
【請求項２０】
外縁を第１圧延するステップを実行する前に、前記スパイダの個々に関連する遠位端と半径方向に重なる第１ボアに、締め付けリングを設置する更なるステップと、前記ヨークの材料の一部を前記締め付けリングと軸方向に重ねるため、第１ボアの外縁を圧延する前記ステップとを含む、請求項９に記載の回転可能なシャフト。
【請求項２１】
第１ボアの外縁を圧延するステップを実行する前に、前記スパイダの個々に関連する遠位端を第１ボア内で回転状態にて支持するため、第１ボア内に軸受けキャップを設置する更なるステップを含む、請求項９に記載の回転可能なシャフト。
【請求項２２】
第２ボアで、前記ヨークに対する所定の空間的関係にて前記スパイダを配置するステップの実行を継続する更なるステップと、
前記ヨークの材料の一部を、前記スパイダ構成の個々に関連する遠位端と半径方向に重ねるため、第２ボアの外縁を第２ローラ形成する更なるステップとを含む、請求項２１に記載の回転可能なシャフト。
【請求項２３】
第２ボアの外縁を圧延するステップを実行する前に、前記スパイダの個々に関連する遠位端を第２ボア内で回転状態にて支持するため、第２ボア内に更なる軸受けキャップを設置する更なるステップを含む、請求項２２に記載の回転可能なシャフト。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するバッキングと、
前記バッキングの前記主面上にあり少なくとも２０重量％の超砥粒を含む研磨コーティングとを含む研磨物品であって、前記研磨コーティングが、
超砥粒と、
連続相と、
５００を超える分子量（Ｍｗ）および検出可能な合計アミン価を有するポリマーを包含する分散剤と、
を含有する研磨スラリーから誘導されるものである、研磨物品。
【請求項２】
前記分散剤が、５００を超える分子量（Ｍｗ）および４．５を越えるＡＶを有するポリマーを含有する、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項３】
超砥粒と、連続相と、分子量（Ｍｗ）が５００を超えＡＶが４．５を超えるポリマーを含む分散剤とを含む研磨スラリーをバッキング上にコーティングするステップであって、前記超砥粒が、前記スラリー中の全固形分の少なくとも２０乾燥重量％を構成するステップと、
前記研磨スラリーを固化させるステップと、
を含む研磨物品の製造方法。