【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｎドープ半導体層（２）と少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層（３）と、該活性層（３）のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層（８）に隣接するトンネル接合（７）とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、
第１のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）上に、ｎドープ遮断層（６、６ａ）が形成され、次いで、該ｎドープ遮断層（６、６ａ）が、アパーチャ（１０）の形成のために部分的に除去され、そして
第２のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合（７）のために設けられる層が、前記遮断層（６、６ａ）及び前記アパーチャ（１０）上に形成されること
を特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記遮断層（６、６ａ）の層厚（ｄ）は、０＜ｄ≦λ／２の範囲から選択されること、ここに、ｄは前記遮断層（６、６ａ）の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の２つの極小間の距離を表す、
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記遮断層（６、６ａ）は、ＩｎＧａＡｓＰ又はＩｎＧａＡｓから形成され、かつ前記隣接するｐドープ半導体層（４、５）はＩｎＰから形成されること
を特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記活性層（３）は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合（７）は、前記アパーチャ（１０）の領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記トンネル接合（７）は、前記アパーチャ（１０）の領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されること
を特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
第１のｎドープ半導体層（２）と少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層（３）と、該活性層（３）のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層（８）に隣接するトンネル接合（７）とを有する面発光型半導体レーザであって、
前記トンネル接合（７）のために設けられる層と前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）との間に、アパーチャ（１０）を形成する領域を除き、ｎドープ遮断層（６、６ａ）を有すること
を特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
前記アパーチャ（１０）の領域内では、前記トンネル接合（７）は、前記ｐドープ半導体層（４、５）上に直接配されること
を特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ。
【請求項８】
前記遮断層（６、６ａ）の層厚（ｄ）は、０＜ｄ≦λ／２であること、ここに、ｄは前記遮断層（６、６ａ）の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の２つの極小間の距離を表す、
を特徴とする請求項６又は７に記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記遮断層は、ＩｎＧａＡｓから形成され、かつ前記隣接するｐドープ半導体層（４、５）はＩｎＰから形成されること
を特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
前記活性層（３）は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合（７）は、前記アパーチャ（１０）の領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されること
を特徴とする請求項６〜９の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
前記トンネル接合（７）は、前記アパーチャ（１０）の領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されること
を特徴とする請求項６〜１０の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１２】
前記トンネル接合（７）に隣接する前記第２のｎドープ半導体層（８）には、更なるｎドープコンタクト層（９）が少なくとも部分的に隣接すること
を特徴とする請求項６〜１１の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１３】
前記トンネル接合（７）に隣接する前記第２のｎドープ半導体層（８）には、誘電体ミラー（１２）が少なくとも部分的に隣接すること
を特徴とする請求項６〜１２の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１４】
前記第１のｎドープ半導体層（２）は、ｎドープエピタキシャルブラッグミラーとして形成されること
を特徴とする請求項６〜１３の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）として、ｐドープＩｎＰ層又はｐドープＩｎＡｌＡｓ層（４）を有すること
を特徴とする請求項６〜１４の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）として、ｐドープＩｎＡｌＡｓ層（４）と、ｐドープＩｎＰ層又はｐドープＩｎＧａＡｓ層（５）を有すること
を特徴とする請求項６〜１５の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１７】
前記トンネル接合（７）のために提供される層は、それぞれ１つの高ｐドープＩｎＧａＡｓ層及び高ｎドープＩｎＧａＡｓ層から形成されること
を特徴とする請求項６〜１６の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１８】
前記トンネル接合（７）に隣接する前記第２のｎドープ半導体層は、ＩｎＰから形成されること
を特徴とする請求項６〜１７の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項１９】
前記コンタクト層（９）は、高ｎドープＩｎＧａＡｓから形成されること
を特徴とする請求項６〜１８の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の課題は、独立請求項に記載の面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法及び独立請求項に記載の面発光型半導体レーザによって解決される。即ち、
上記の課題を解決するために、本発明の第１の視点により、第１のｎドープ半導体層と少なくとも１つのｐドープ半導体層とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層と、該活性層のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層に隣接するトンネル接合とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法が提供される。この製造方法において、第１のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層上に、ｎドープ遮断層が形成され、次いで、該ｎドープ遮断層が、アパーチャの形成のために部分的に除去され、そして、第２のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合のために設けられる層が、前記遮断層及び前記アパーチャ上に形成されることを特徴とする（形態１・基本構成１）。
更に、上記の課題を解決するために、本発明の第２の視点により、面発光型半導体レーザが提供される。この面発光型半導体レーザは、第１のｎドープ半導体層と少なくとも１つのｐドープ半導体層とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層と、該活性層のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層に隣接するトンネル接合とを有すると共に、前記トンネル接合のために設けられる層と前記少なくとも１つのｐドープ半導体層との間に、アパーチャを形成する領域を除き、ｎドープ遮断層を有することを特徴とする（形態６・基本構成２）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のとりわけ従属請求項から導き出される更なる実施形態を、後述する実施例と関連して説明する。尤も、本発明を以下の具体的な実施例に限定して解すべきではない。
なお、ここに、本発明の好ましい実施の形態をまとめて示すが、形態２〜５、７〜１９は従属請求項の対象でもある。
（形態１）  上記基本構成１参照。
（形態２）  上記形態１の製造方法において、前記遮断層の層厚（ｄ）は、０＜ｄ≦λ／２の範囲から選択されること、ここに、ｄは前記遮断層の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の２つの極小間の距離を表す、ことが好ましい。
（形態３）  上記形態１又は２の製造方法において、前記遮断層は、ＩｎＧａＡｓＰ又はＩｎＧａＡｓから形成され、かつ前記隣接するｐドープ半導体層はＩｎＰから形成されることが好ましい。
（形態４）  上記形態１〜３の製造方法において、前記活性層は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合は、前記アパーチャの領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されることが好ましい。
（形態５）  上記形態１〜４の製造方法において、前記トンネル接合は、前記アパーチャの領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されることが好ましい。
（形態６）  上記基本構成２参照。
（形態７）  上記形態６の面発光型半導体レーザにおいて、前記アパーチャの領域内では、前記トンネル接合は、前記ｐドープ半導体層上に直接配されることが好ましい。
（形態８）  上記形態６又は７の面発光型半導体レーザにおいて、前記遮断層の層厚（ｄ）は、０＜ｄ≦λ／２であること、ここに、ｄは前記遮断層の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の２つの極小間の距離を表す、ことが好ましい。
（形態９）  上記形態６〜８の面発光型半導体レーザにおいて、前記遮断層は、ＩｎＧａＡｓから形成され、かつ前記隣接するｐドープ半導体層はＩｎＰから形成されることが好ましい。
（形態１０）  上記形態６〜９の面発光型半導体レーザにおいて、前記活性層は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合は、前記アパーチャの領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されることが好ましい。
（形態１１）  上記形態６〜１０の面発光型半導体レーザにおいて、前記トンネル接合は、前記アパーチャの領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されることが好ましい。
（形態１２）  上記形態６〜１１の面発光型半導体レーザにおいて、前記トンネル接合に隣接する前記第２のｎドープ半導体層には、更なるｎドープコンタクト層が少なくとも部分的に隣接することが好ましい。
（形態１３）  上記形態６〜１２の面発光型半導体レーザにおいて、前記トンネル接合に隣接する前記第２のｎドープ半導体層には、誘電体ミラーが少なくとも部分的に隣接することが好ましい。
（形態１４）  上記形態６〜１３の面発光型半導体レーザにおいて、前記第１のｎドープ半導体層は、ｎドープエピタキシャルブラッグミラーとして形成されることが好ましい。
（形態１５）  上記形態６〜１４の面発光型半導体レーザにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層として、ｐドープＩｎＰ層又はｐドープＩｎＡｌＡｓ層を有することが好ましい。
（形態１６）  上記形態６〜１５の面発光型半導体レーザにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層として、ｐドープＩｎＡｌＡｓ層と、ｐドープＩｎＰ層又はｐドープＩｎＧａＡｓ層を有することが好ましい。
（形態１７）  上記形態６〜１６の面発光型半導体レーザにおいて、前記トンネル接合のために提供される層は、それぞれ１つの高ｐドープＩｎＧａＡｓ層及び高ｎドープＩｎＧａＡｓ層から形成されることが好ましい。
（形態１８）  上記形態６〜１７の面発光型半導体レーザにおいて、前記トンネル接合に隣接する前記第２のｎドープ半導体層は、ＩｎＰから形成されることが好ましい。
（形態１９）  上記形態６〜１８の面発光型半導体レーザにおいて、前記コンタクト層は、高ｎドープＩｎＧａＡｓから形成されることが好ましい。
（形態２０）  上記形態１又は２の製造方法において、遮断層として、隣接するｐドープ半導体層に対して選択的にエッチング可能な材料が選択されることが好ましい。
（形態２１）  上記形態６〜８の面発光型半導体レーザにおいて、前記遮断層は、前記隣接するｐドープ半導体層に対して選択的にエッチング可能な材料から形成されることが好ましい。