【事件の表示】
　特願２００２−２３３７０８「化合物半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７９５７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１． 手続の経緯  
　本願は、平成１４年８月９日の出願であって、平成２１年３月６日付けで手続補正がなされ、同年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２２年２月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。  
　  
２．　本願発明  
　本願の請求項１〜３に係る発明は，平成２１年３月６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　  
（本願発明） 
「【請求項１】　化合物半導体基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層を（この順序で）ＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、
　前記ベース層を、３族元素としてＧａ、Ａｌ、Ｉｎのうちの少なくとも一種を含み５族元素としてＡｓを含むｐ型化合物半導体薄膜層として、成長速度が５族ガス流量供給律速成長となる条件で成長させると共に、前記ベース層のキャリア濃度の調整をハロゲン化メタンの流量で制御するようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。」
　  
３．　引用例に記載された発明  
（１）　引用例１に記載された発明 
　本願の出願前に国内において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開平７−２２３４４号公報（以下「引用例１」という。）には，図１とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　  
　ア　「【０００２】
【従来の技術】近年、
III-Ｖ族化合物結晶からなる半導体薄膜
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）では、超高速動作のために不純物を高濃度にドーピングしたｐ型ベース層作製技術
　 
　イ　「【０００６】または、同じＭＰＶＰＥ法で、
III 族元素であるガリウムの供給源であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）と、Ｖ族元素である砒素の供給源であるアルシン（ＡｓＨ
3
 ）との成膜を行う成長室への供給比（Ｖ/III比）を変えることにより、ＧａＡｓエピタキシャル層へのカーボン混入量を制御する試もある。
ＴＭＧのメチル基を炭素源としている
四塩化炭素（ＣＣｌ
4
 ）を炭素供給源として用いる研究も存在する
【０００７】これらは、それぞれ何れの場合においても、炭素濃度１０19atoms/ｃｍ3以上の高濃度ドープ法が確立されている。このように、
成長法によって、種々の炭素ドーピングが試みられているが、量産性の観点からは、現時点で有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法が有利であると本発明者は考えている。
　
　ウ　「【００１３】この発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、
炭素濃度が
III-Ｖ族化合物半導体が、再現性良く形成できるようにすることを目的
　 
　エ　「【００１６】
【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明する。図１は、成長温度４５０℃におけるＧａＡｓへの炭素混入量のＶ/III比依存性を示した相関図である。
成長に用いた原料は、ＴＭＧとＡｓＨ
3
であり、
【００１７】従来では、
ＭＯＶＰＥ法では成長させる結晶
　
　オ　「【００１９】一方、
Ｖ/III比が１以下の領域では、Ａｓソースガスの分解で気相に生成したＡｓほとんどが成長に寄与している。いわゆるＡｓ供給律速の領域であるため、成長界面での実質的なＶ/III比がＶ/III＝１の状態を保持していると考えられる。
炭素ドープエピタキシャル層を作製すれば、気相中のＶ/III比が多少変動しても炭素混入量は変化しない
【００２０】そこで、
２インチ径半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ＴＭＧとＡｓＨ
3
 を用いてＶ/III比を０．７５に設定し、成長温度４５０℃でＧａＡｓ層を１μｍ成長
　
　カ　オによれば，ＧａＡｓ基板上にＴＭＧとＡｓＨ3 を用いてＧａＡｓ層を形成させていることから，基板の形状と同じウェーハ形状のものができていることは当業者にとって明らかであるから，引用例１には「ＧａＡｓ基板上」に「ＧａＡｓ」層を形成させた「ＧａＡｓウェーハの製造方法」が記載されていると認められる。
　
　以上総合すると，引用例１には以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。 　
「ＧａＡｓ基板上にｐ型ベース層を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）でＨＢＴ用のＧａＡｓウェーハの製造方法であって，ｐ型ベース層は，III族元素であるガリウムとＶ族元素である砒素で，Ａｓ供給律速の領域で成長させ，原料のトリメチルガリウム（ＴＭＧ）のメチル基を炭素源として炭素ドープしたＧａＡｓウェーハの製造方法。」
　
（２）　引用例２に記載された発明 
　本願の出願前に国内において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−４９０９４号公報（以下「引用例２」という。）には，「化合物半導体の製造方法」に関して，図１とともに以下の記載がある。
　
　ア「【０００２】
【従来の技術】
有機金属気相成長法（以下、ＭＯＶＰＥ法と記すことがある。）によって作製されるｐ型伝導を有する炭素を添加したＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓのｐ型半導体エピタキシャル層を作製するドーピング方法
四塩化炭素および四臭化炭素を炭素源として用いる手法が公知である
ｐ型ＧａＡｓ
ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のベース層として用いられる。
　
　イ「【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ＭＯＶＰＥ法によるＧａＡｓ
炭素ドーピングの研究を続けてきた。
ＭＯＶＰＥ装置でも高濃度に炭素を添加可能な高効率の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いる方法を見出し、本発明を完成するに至った。
有機金属気相成長法により製造する方法において、該ｐ型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いる化合物半導体の製造方法
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の化合物半導体の製造方法は、炭素を添加したｐ型半導体エピタキシャル層を少なくとも１層有する化合物半導体を
、ＭＯＶＰＥ法により製造する方法において、該ｐ型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いることを特徴とする。該化合物半導体として、ＧａＡｓ
一臭化三塩化炭素は、化学的に安定な物質
化合物半導体への炭素添加において、安定したドーピング制御を可能にする。
【０００８】本発明において、半導体エピタキシャル層へ添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いると、高いキャリア濃度を得るために供給量を増やす、またはエピタキシャル層の結晶性を上げるため成長温度を上げても、
四塩化炭素、四臭化炭素を用いた場合に比べてエッチング量が抑えられ、エピタキシャル膜厚の制御も改善される
【０００９】また、一臭化三塩化炭素の蒸気圧（３５ｍｍＨｇ／２３℃）は、四塩化炭素（１００ｍｍＨｇ／２３℃）ほど高くないが、室温で液体であり、炭素のエピタキシャル膜中への取り込み効率も四塩化炭素と同程度であり、大型のＭＯＶＰＥ装置でも使用が可能である。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例１
トリメチルガリウム（以下ＴＭＧａと記すことがある。）
アルシン（ＡｓＨ
3
）を原料にＭＯＶＰＥ法により、ＧａＡｓ基板上に
その上に一臭化三塩化炭素を炭素源として炭素を添加したｐ型ＧａＡｓを成長した。
【００１１】上記の条件で成長したｐ型ＧａＡｓの室温でのキャリア濃度および移動度をホール効果測定により、またクエン酸系のエッチャントを用いてｐ型ＧａＡｓの選択エッチングを行い、その成長膜厚を段差計にて評価した。
【００１２】成長温度６３０℃、５族／３族比＝１５の条件で、
一臭化三塩化炭素を炭素源に用いたｐ型ＧａＡｓの室温でのキャリア濃度と炭素源供給量との関係を図１に示す。この図から、一臭化三塩化炭素の供給量を上げると、ｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度は、ほぼ比例して増加することがわかる。このように、一臭化三塩化炭素を炭素源に用いた場合、ｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度が１０
19
／ｃｍ
3
以上でも十分に制御可能であることがわかる。
　 
４．対比・判断 
（１）　対比  
　ＧａＡｓが「化合物半導体」であることは当業者にとって自明であるから，引用発明の「ＧａＡｓ基板」及び「ＧａＡｓウェーハ」は，それぞれ本願発明の「化合物半導体基板」及び「化合物半導体ウェーハ」に相当する。
　また，ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）は，ＭＯＶＰＥ法とも言い，同じ方法を指していることは例えば以下の周知例１にもあるように当業者にとって自明の事項であるから，引用発明の「有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）」は，本願発明の「ＭＯＣＶＤ法」に相当する。
　
周知例１：膜形成技術用語事典編集委員会編「図解　膜形成技術用語事典」工業調査会
　１９９６年５月１５日　初版第１刷発行　３７０ページ第２〜９行
「有機金属気相成長法（metal organic chemical vapor deposition）
　有機金属及び水素化合物を原料として，それらの熱分解を利用して成膜する方法が，
ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法
　この方法は，ＯＭＣＶＤ(organometallic chemical vapor deposition），
ＭＯＶＰＥ（metalorganic vapor phase epitaxy）
　
(一致点）　  
　以上から，本願発明と引用発明とは， 
「化合物半導体基板上にベース層をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、
　前記ベース層は，３族元素としてＧａ，５族元素としてＡｓを含み，Ａｓガス流量供給律速で成長させたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。」 
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点１）  
　本願発明は，「サブコレクタ層，コレクタ層，ベース層，及びエミッタ層を（この順序で）」成長させてＨＢＴ製造用のウェーハを製造しているのに対して， 
　引用発明は，「ベース層」以外の各層については特定されていない点。 
　 
（相違点２）  
　本願発明は，「ベース層のキャリア濃度の調整をハロゲン化メタンの流量で制御」しているのに対して，
　引用発明は，「原料のトリメチルガリウム（ＴＭＧ）のメチル基を炭素源として炭素ドープ」している点。 
　 
（２）　判断 
（相違点１について） 
　ＨＢＴ用の化合物半導体ウエーハにおいて，「サブコレクタ層，コレクタ層，ベース層，及びエミッタ層を」順に成長させることは，以下の周知例２，３にもあるように周知の技術である。
　したがって，引用発明のＨＢＴ用の化合物半導体ウエーハの製造方法において，サブコレクタ層，コレクタ層，ベース層，及びエミッタ層を順に設けることは，当業者ならば適宜なし得たことである。 
　 
　（ア）　周知例２：特開２００１−３５８１４９号公報 
　周知例１には，「ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ及びＨＢＴ」に関して，図１とともに以下の記載がある。 
　ａ　「【００２２】本発明で用いられる
エミッタ層４は、べース層５
ＨＢＴ
【００２３】エミッタ層４の上には、必要に応じて、例えば、ｎ−ＧａＡｓからなるバラスト層３及びコンタクト層２を順に形成することができる。また、その上に、必要に応じて、例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓ等からなるノンアロイ層１を形成することができる。このノンアロイ層１は、ドーピング濃度を１×１０19ｃｍ-3以上とし、かつ、例えば、ｎ−ＩｎＧａＡｓからなる場合にはＩｎの混晶比を０．４以上とすることが好ましい。これにより、ノンアロイ層１のバンドギャップが小さくなり、エミッタ電極との接触抵抗を小さくすることができるため、合金（アロイ）化熱処理することなくエミッタ電極を形成することができる。
【００２４】本発明で用いられる
コレクタ層６は、べース層５
【００２５】また、
コレクタ層６の下には、必要に応じて、例えば、ドーピング濃度の高いｎ
+
型ＧａＡｓよりなるサブコレクタ層７を形成
【００２６】なお、これら各層は、例えば、混晶比等の異なる複数の半導体層からなるものとすることもできる。また、これら各層は、例えば、
ＭＯＶＰＥ法
　 
　（イ）　周知例３：実願平８−１０７１１６号公報
　周知例２には，「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」に関して，図１とともに以下の記載がある。 
　ａ　「【００１５】
【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明する。図１は、この発明の１実施例である
ＨＢＴの構成
１１はｎ形ＩｎＧａＰからなるエミッタ層、１２はｐ形ＧａＡｓからなるベース層、１３はｎ型ＧａＡｓからなるコレクタ層、１４はｎ型ＧａＡｓからなるサブコレクタ層
　 
（相違点２について） 
　まず３．（１）イによれば，引用例１には，四塩化炭素を炭素供給源とする研究があることが従来例としてあげられており，炭素供給源としてハロゲン化メタンを用いることは，引用発明が発明された時点で既に公知である。
　また，引用例２には，３．（２）ア，イによれば，ＭＯＶＰＥ法（本願のＭＯＣＶＤ法に相当する）を用いて，ＨＢＴ用の化合物半導体に炭素をドープしてｐ型ベース層を製造するために，炭素源として四塩化炭素に変えてエッチング量の少ない一臭化三塩化炭素を用い，その炭素源供給量を制御することによりキャリア濃度を制御できることが記載されている。そして，一臭化三塩化炭素がハロゲン化メタンであることは当業者にとって明らかであり，炭素源供給量を制御することは，一臭化三塩化炭素の流量を制御することにほかならない。
　そして，引用発明も引用例２に記載の発明もどちらもＨＢＴをＭＯＣＶＤ法用いて製造するという技術分野が共通する。そして，引用発明は，引用例１の【００１３】段落に記載されているように「炭素濃度が均一なIII-Ｖ族化合物半導体が、再現性良く形成できるようにすること」を課題とするものであり，また，引用例２に記載された発明は，引用例２の【０００７】段落に記載されたように「化合物半導体への炭素添加において、安定したドーピング制御を可能にする」ことを課題とするものであって，両者はその課題も共通するものであると認められるから，引用発明に対して，引用例２に記載された発明を適用し，本願発明のように「ベース層のキャリア濃度の調整のためにをハロゲン化メタンの流量で制御」することは，当業者ならば容易になし得たことである。 
　 
（４）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　 
５．むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。