【事件の表示】
　特願２００３−３５６３２９「磁電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１２日出願公開、特開２００５−１２３３８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月１６日の出願であって、平成２２年２月１２日に手続補正がなされ、同年７月２６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２３年１２月８日付けで審尋がなされ、平成２４年２月７日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年１１月１日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２２年１１月１日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１及び明細書を補正するものであって、そのうちの補正前後の請求項１は以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　リードフレームが、少なくとも２つ以上の厚さで、第１の厚さの領域と第２の厚さの領域を有し、前記第１の厚さの方が前記第２の厚さより厚くなっており、前記リードフレーム上に感磁部と内部電極とを有するペレットが固着され、該ペレットを固着する部分の前記リードフレームが２つ以上に分割され、該リードフレームと前記内部電極とが金属細線により電気的に接続され、少なくとも前記ペレットと前記リードフレームとを電気的に接続した部分は、樹脂で封止され、前記第１の厚さの領域の前記リードフレームの接続面が露出して外部との電気的な接続用端子となっており、前記第１の厚さから前記第２の厚さの前記リードフレームの断面が側面に露出しており、前記ペレットを固着する部分の裏面領域に前記第２の厚さの領域を有する部分が存在することを特徴とする磁電変換素子。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　リードフレームが、少なくとも２つ以上の厚さで、第１の厚さの領域と第２の厚さの領域を有し、前記第１の厚さの方が前記第２の厚さより厚くなっており、前記リードフレーム上に感磁部と内部電極とを有するペレットが固着され、該ペレットを固着する部分の前記リードフレームが２つ以上に分割され、該リードフレームと前記内部電極とが金属細線により電気的に接続され、少なくとも前記ペレットと前記リードフレームとを電気的に接続した部分は、樹脂で封止され、前記第１の厚さの領域の前記リードフレームの接続面が露出して外部との電気的な金属被膜された接続用端子となっており、前記第１の厚さから前記第２の厚さの前記リードフレームの断面が側面に露出しており、前記ペレットを固着する部分の裏面領域に前記第２の厚さの領域を有する部分が存在することを特徴とする磁電変換素子。」
　
（２）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（２−１）補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「外部との電気的な接続用端子」について、「外部との電気的な金属被膜された接続用端子」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−２）そして、「金属被膜された」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３３】の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）はじめに
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし５に係る発明は、平成２２年１１月１日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物
（３−３−１）特開２００２−３５３３９５号公報
（３−３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前である平成１４年１２月６日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００２−３５３３９５号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１、２とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである。（以下同様。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームの製造方法、リードフレーム、及び半導体装置に関する。」
「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るリードフレームの製造方法について示す平面図である。まず最初に、
図１（ａ）に示すように、リード１２と、ダイパッド１３と、該ダイパッド１３と一体化して成るサポートバー１１とを金属帯条１０に形成する。この加工工程はプレスによる抜き加工により行われ、また、金属帯条１０は例えば銅から成る。
【００２０】
図示の如く、ダイパッド１３は、それと一体化して成るサポートバー１１毎に複数片に分割されている。
【００２１】しかる後、
図１（ｂ）に示すように、斜線で示されるコイニング領域にコイニング加工を施す。ここでは、コイニング領域の全域に金型（不図示）が押し当てられて、ダイパッド１３がサポートバー１１よりも薄厚になる。かかるコイニング加工はダイパッド１３を薄厚にすべく行われるから、コイニング領域は分割された全てのダイパッド１３を包含するものであれば良く、サポートバー１１の先端部位にもコイニングが施されても構わない。
【００２２】コイニング領域は、コイニング加工で薄厚となった分だけ伸張するが、既にダイパッド１３が分割されて互いに離間しているので、ダイパッド１３間のスペースＳに伸張を逃がすことができ、ダイパッド１３やサポートバー１１に歪みが生じることが無い。更に、高価なハーフエッチングによってではなく、安価なコイニング加工によってダイパッド１３を薄厚にしているので、リードフレームの製造コストが安価になるという利点が本発明にはある。
【００２３】図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線による断面図であるが、それに示されるように、元々約０．２ｍｍの厚みを有していたコイニングエリアが、コイニング加工により、約０．０５〜０．１０ｍｍ程度にまで薄厚にされる。但し、これは本発明がこの値に限定されることを言うのではない。金属帯条１０の厚みや、コイニング加工による加工深さは、諸般の事情を考慮して任意に設定して良い。
【００２４】また、図示の例では、ダイパッド１３の２つの主面１３ｃ、１３ｄのうち、一方の主面１３ｃ側から金型が押し当てられて、該一方の主面１３ｃのみにコイニング加工が施されているが、場合によっては両主面１３ｃ、１３ｄにコイニング加工を施しても良い。しかる後は、
必要個所にめっきを施す等の公知の工程を行い、本実施形態に係るリードフレームを完成させる。
「【００２８】
リードフレームを完成させた後は、公知の工程を経て、図２（ａ）に示される様な半導体装置１４を完成させる。図２（ａ）は、上記製造方法により製造されたリードフレームに半導体素子１５を搭載して成る半導体装置１４の平面図である。図２（ａ）に示すように、この半導体装置１４では、分割されたダイパッド１３の上に半導体素子１５が固着されている。
【００２９
】図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線による断面図であるが、それに示されるように、半導体素子１５の電極端子（不図示）は、ボンディングワイヤ１６を介してリード１２の先端部位と電気的に接続されている。
これら半導体素子１５とボンディングワイヤ１６とは、封止体１７により封止されており、外気に曝されるのが防がれている。封止体１７は、例えば樹脂やセラミック等から成る。
【００３０】そして、
リード１２に着目すれば、それは曲げ加工されること無しに、その一方の主面が半導体装置１４の裏面に露出している。露出している主面は、半導体装置１４の外部接続端子部として供す。
【００３１】
図２（ｃ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線による断面図である。これに示すように、半導体素子１５は、ダイパッド１３の２つの主面１３ｃ、１３ｄのうち、コイニング加工が施されていない側の主面１３ｄ上に固着されている。そして、コイニング加工が施された側の主面１３ｃが封止体１７で封止されて、ダイパッド１３が半導体装置１４の外部に露出しない構造となっている。
　
（３−３−１−２）引用刊行物１の実施の形態に記載された「リードフレーム」は、「リード１２」、「ダイパッド１３」及び「サポートバー１１」から構成されていることは明らかである。そして、引用刊行物１の「図１（ａ）に示すように、リード１２と、ダイパッド１３と、該ダイパッド１３と一体化して成るサポートバー１１とを金属帯条１０に形成する。この加工工程はプレスによる抜き加工により行われ、また、金属帯条１０は例えば銅から成る。」（【００１９】）及び「図１（ｂ）に示すように、斜線で示されるコイニング領域にコイニング加工を施す。ここでは、コイニング領域の全域に金型（不図示）が押し当てられて、ダイパッド１３がサポートバー１１よりも薄厚になる。」（【００２１】）という記載から、「リード１２」及び「サポートバー１１」は、コイニング加工前の「金属帯条１０」の厚さである第１の厚さを有し、「ダイパッド１３」は、第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有していることは明らかである。
　
（３−３−１−３）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「リードフレームに半導体素子１５を搭載して成る半導体装置１４であって、
　前記リードフレームが、第１の厚さを有するリード１２及びサポートバー１１と、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有するダイパッド１３から構成されており、
　前記ダイパッド１３は、それと一体化して成る前記サポートバー１１毎に複数片に分割されており、
　分割された前記ダイパッド１３の上に半導体素子１５が固着されており、
　前記半導体素子１５の電極端子が、ボンディングワイヤ１６を介してリード１２の先端部位と電気的に接続されており、
　前記半導体素子１５と前記ボンディングワイヤ１６とは、樹脂から成る封止体１７により封止されており、
　前記リード１２の一方の主面が、前記半導体装置１４の裏面に露出しており、前記露出している主面は、前記半導体装置１４の外部接続端子部として供されている、
　半導体装置。」
　
（３−３−２）特開平１１−１２１８３０号公報
（３−３−２−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前である平成１１年４月３０日に日本国内で頒布された刊行物である特開平１１−１２１８３０号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１、２とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホール素子とその製造方法に関し、特に極めて薄型で、かつ高感度のホール素子とその製造方法に関する。」
「【００２２】
【実施例】
実施例１
本発明による薄型で、かつ、高感度のホール素子の実施例の構造を図１および図２に示す。図１は平面図、図２は側面図であるが、ホール素子の構造の理解のために、上層または手前側の構成要素を輪郭のみ示し、いわば平面透視図および側面透視図として示している。
リードフレーム１のアイランド部１ａには高透磁率フェライト基板２、磁気に感ずる半導体薄膜３および磁気集束用高透磁率フェライトチップ４からなる半導体装置５が載せられている。半導体薄膜３は高透磁率フェライト基板２と磁気集束用高透磁率フェライトチップ４に挟まれており、感磁部３ａ、配線部３ｂおよび電極部３ｃからなり、電極部３ｃにはボンディング用電極６が形成されている。ボンディング用電極６とリードフレーム１はボンディングワイヤーである金線７によって接続され、リードフレーム１は外部実装用電極の役割を果たしている。８はモールド樹脂である。
　
（３−４）対比・判断
（３−４−１）刊行物発明の「第１の厚さを有するリード１２及びサポートバー１１」は、補正後の発明の「第１の厚さの領域」に相当し、刊行物発明の「第２の厚さを有するダイパッド１３」は、補正後の発明の「第２の厚さの領域」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の「電極端子」を有する「半導体素子１５」と補正後の発明の「感磁部と内部電極とを有するペレット」は、「内部電極」「を有するペレット」という点で共通する。
　
（３−４−３）刊行物発明の「ボンディングワイヤ１６」は、補正後の発明の「金属細線」に相当する。そして、刊行物発明の「リード１２」は「リードフレーム」の構成部分であるから、刊行物発明において、「リードフレーム」と「半導体素子１５の電極端子」とが電気的に接続されていることは明らかである。
　
（３−４−４）刊行物発明において、「半導体素子１５」と「リード１２」とを接続した部分は、「樹脂から成る封止体１７により封止されて」いることは明らかである。
　
（３−４−５）刊行物発明の「半導体装置１４の裏面に露出し」た「リード１２の一方の主面」は、補正後の発明の「露出し」た「第１の厚さの領域の」「リードフレームの接続面」に相当する。そして、刊行物発明の「半導体装置１４の外部接続端子部」と補正後の発明の「外部との電気的な金属被膜された接続用端子」は、「外部との電気的な」「接続用端子」という点で共通する。
　
（３−４−６）刊行物発明の「半導体装置」と補正後の発明の「磁電変換素子」は、「素子」という点で共通する。
　
（３−４−７）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「リードフレームが、少なくとも２つ以上の厚さで、第１の厚さの領域と第２の厚さの領域を有し、前記第１の厚さの方が前記第２の厚さより厚くなっており、前記リードフレーム上に内部電極を有するペレットが固着され、該ペレットを固着する部分の前記リードフレームが２つ以上に分割され、該リードフレームと前記内部電極とが金属細線により電気的に接続され、少なくとも前記ペレットと前記リードフレームとを電気的に接続した部分は、樹脂で封止され、前記第１の厚さの領域の前記リードフレームの接続面が露出して外部との電気的な接続用端子となっており、前記ペレットを固着する部分の裏面領域に前記第２の厚さの領域を有する部分が存在することを特徴とする素子。」である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明の「ペレット」は、「感磁部を有する」のに対し、刊行物発明の「半導体素子１５」は、具体的にどのような素子であるのかが特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明の「外部との電気的な」「接続用端子」は、「金属被膜され」ているのに対し、刊行物発明の「外部接続端子部」には、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「第１の厚さから」「第２の厚さの」「リードフレームの断面が側面に露出して」いるのに対し、刊行物発明ではそのような特定はなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明は、「磁電変換素子」であるのに対し、刊行物発明の「半導体装置」は、具体的にどのような装置であるのかが特定されていない点。
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１及び４について
　引用刊行物２には、「リードフレーム１のアイランド部１ａに載せられ、感磁部３ａ配線部３ｂおよび電極部３ｃからなる半導体薄膜３を備え、前記電極部３ｃにはボンディング用電極６が形成され、前記ボンディング用電極６と前記リードフレーム１はボンディングワイヤーである金線７によって接続され、モールド樹脂８で封止されたホール素子」が記載されている。そして、「ホール素子」が磁電変換素子であることは明らかである。
　そうすると、刊行物発明において、「半導体素子１５」として、引用刊行物２に記載された「ホール素子」を採用することにより、  補正後の発明のように、「リードフレーム上に感磁部と内部電極とを有するペレットが固着され」た構成を有する「磁電変換素子」とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１及び４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−２）相違点２について
　リードフレームにおいて、外部との電気的な接続用端子となる部分に金属薄膜を形成することは、以下の周知例１、２に記載されるように、従来から周知のことである。
　
（周知例１）特開２００１−９４０２７号公報には、図１〜６とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１９】
【発明の実施の形態】図１の（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施の形態に係るＱＯＮ型の半導体装置４０を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は下面図、（ｃ）は縦断面図、（ｄ）は（ｃ）中二点鎖線Ｎで囲んだ部分を拡大して示す断面図である。また、図２は、半導体装置４０のリードフレーム５０を示す図である。また、図３は半導体装置４０の要部を示す断面図である。なお、これらの図において、上述した図４〜図６と同一機能部分には同一符号を付した。
【００２０】半導体装置４０は、半導体素子４１が搭載されたベッド５２と、このベッド５２の周囲に配置されたインナリード５３と、このインナリード５３に連設されたアウタリード５４とを備えている。
【００２１】また、半導体素子４１の各端子４２とインナリード５３とはそれぞれ金属ワイヤ４３で接続されている。さらに、図１中４４はモールド樹脂からなる樹脂封止成形部を示しており、ベッド５２の素子搭載面５２ａ、半導体素子４１、金属ワイヤ４３、インナリード５３、アウタリード５４が樹脂封止されている。樹脂封止成形部４４の外形線は、アウタリード５４の先端を結ぶ線とほぼ一致している。なお、ベッド５２の上面５２ｂ及びアウタリード５４は樹脂封止成形部４４から露出している。
【００２２】リードフレーム５０は、図２に示すようにフレーム基部５１と、ベッド５２と、このベッド５２の周囲に設けられたインナリード５３と、このインナリード５３に連設されたアウタリード５４と、隣接するアウタリード５４を支持するタイバー５５とを備えている。このリードフレーム５０は、プレス加工やエッチング加工により成形されている。
【００２３】なお、インナリード５３には銀めっき５３ａが施されており、アウタリード５４には厚さ３０μｍの外装はんだＳがメッキにより施されている。また、図中破線Ｒは樹脂封止成形部４４により封止される範囲を示している。」
　
（周知例２）特開２００２−１２４５９６号公報には、図１０、１１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００４２】（実施の形態２）図１０は、本発明の実施の形態２による半導体装置の断面図、図１１は、図１０の半導体装置の実装説明図、図１２は、図１０の半導体装置における製造工程のフローチャートである。
【００４３】本実施の形態２においては、半導体装置１に設けられた外部電極１０の構成が異なる点以外は前記実施の形態１と同様であるので、相違する点のみを説明し、同様の点については説明を省略する。
【００４４】この半導体装置１に設けられた外部電極１０は、図１０に示すように、パッケージ７における実装面から側面にかけて露出して形成されている。外部電極１０は、電極部１０ａ、およびはんだめっき層（はんだ被膜層）１０ｂから構成されている。
【００４５】電極部１０ａは、インナリード５が延在して形成されている。はんだめっき層１０ｂは、電極部１０ａの全面、すなわちパッケージ７の実装面、ならびに側面から露出した電極１０ａの表面に形成されている。
【００４６】はんだめっき層１０ｂは、浸漬はんだ付け、または無電解めっき法によって形成されたはんだ皮膜である。はんだめっき層１０ｃの厚さは約２０μｍ程度に形成されている。
【００４７】また、浸漬はんだ付けは、はんだをヒータなどにより加熱、溶融させたはんだ槽におろして対象物をはんだと接触させ、一定時間後にその対象物を引き上げる方法である。
【００４８】半導体装置１は、はんだめっき層１０ｂによって充分な初期スタンドオフが確保されるとともに、この外部電極１０の全面に形成されたはんだめっき層１０ｂにより、該外部電極１０のはんだぬれ性を大幅に向上することができる。」
　
　そうすると、刊行物発明において、「半導体装置１４の裏面に露出し」、「半導体装置１４の外部接続端子部として供されている」「リード１２の一方の主面」に対して、金属薄膜を形成することにより、補正後の発明のように、「第１の厚さの領域の」「リードフレームの接続面が露出して外部との電気的な金属被膜された接続用端子となって」いる構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得た程度のことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−３）相違点３について
　引用刊行物１の図２（ｂ）には、「リード１２」の一方の側面が「半導体装置１４」の側面に露出することが図示されている。
　これに対し、本願明細書には、「実施の形態１」として、【００３０】及び【００３２】に、「切断によって露出した第１の厚さａのリードフレーム部４ａの断面が、磁電変換素子の側面に露出して」いると記載されており、補正後の発明の「第１の厚さから」「第２の厚さの」「リードフレームの断面が側面に露出しており」という事項は、第１の厚さのリードフレームの断面が側面に露出する態様を包含しているものと認められる。
　そうすると、相違点３は実質的な相違点ではない。
　なお、仮に、相違点３が実質的な相違点であるとしても、樹脂封止型の半導体素子の外部接続部用のリードの下面に外部接続端子となる突起部を形成することは、以下の周知例３〜５に記載されるように、従来から周知の技術である。ここで、外部接続部用のリードの厚みに着目すると、側面に露出した部分の厚みは、突出部が形成された部分の厚みよりも薄くなっていることは明らかである。
　
（周知例３）特開昭６４−５４７４９号公報には、第１〜３図とともに、以下の事項が記載されている。
「実施例
　第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、第２図Ａは第１図の半導体装置の裏面を示す図、第２図Ｂは第１図に関連して半導体チップの搭載状態を示す図である。第１図から第３図まで共通部分には同一番号を付した。
　第１〜３図において、１は金属のリード、２は樹脂体、３は絶縁基板、４は半導体チップ、６は金属細線、６はリード突出部、７は樹脂体である。なお、金属リード突出部６は最終的には外部端子となるものである。まず、第１図に沿って、本発明の第１の実施例を説明する。一群のリード１の上には絶縁基板３が搭載されており、半導体チップは４は前記絶縁基板３上に接着固定されている。前記半導体チップ４上の電極（第１図では省略した）とリード１とは金属細線５（例えば２５ミクロンの金線）で接続されている。第１図では封止樹脂を樹脂体２と樹脂体７に分けて示したが、両者同一樹脂であってもかまわない。
　第２図は第１図の平面図である。第２図Ａは本発明の半導体装置を裏面から見た図である。金属リード突出部６はここでは外部端子としてその配置、形状、電極ピッチ等はＩＣカードの規格に一致させてある。第２図Ｂは説明の都合上第１図の構造から樹脂体７を省略した図である。リード１の上面に絶縁基板３が搭載されている。前記絶縁基板３上には半導体チップ４が接着・固定され、前記チップ４上の電極（第２図では省略した）とリード１とは金属細線６（例えば２５ミクロンの金線）で接続されている。
　ここではリ−ド１の形状として、下方へのリード突出部６を有する例について説明したが、その他にリードの上面に金属細線接続部としての突出部を有するリード、またリードの上面、下面両方に突出部を有するリードを使用することが考えられる。」（第２頁右下欄第３行〜第３頁左上欄第１８行）
　
（周知例４）特開平１１−２０４７１５号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その説明を省略する。
【０００５】図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、本願発明の第１実施形態を説明するための図であり、図１（ａ）は、樹脂封止後の断面図、図１（ｂ）は、実装面の平面図、図１（ｃ）は樹脂封止前の平面図を示す。
【０００６】第１実施形態の半導体装置は、その裏面に実装基板などの外部と接続するために部分的に形成された突部６を備えたインナーリード２と、このインナーリードの表面に絶縁樹脂３により固定された半導体チップ１とを備えている。この半導体素子１の回路形成面に形成されている電極パット４は導電材配線５によりインナーリード２と接続されている。この導電材配線５は例えば金やアルミなどが一般的に用いられている。
【０００７】これらインナーリード２、半導体チップ１、導電材配線５は、インナーリード２に形成された突部６を露出させて封止樹脂７により封止されている。ここで、インナーリード２の先端部、すなわち、半導体チップ１を搭載する部分をインナーリードの他の部分に比べて幅広く形成してもよい。その場合、絶縁樹脂３を塗布する面積が増加することにより、インナーリード２と半導体チップ１とを接合する面積が増加し、より安定して半導体チップ１を固定することができる。」
　
（周知例５）特開２０００−１８８３５３号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１０】
【発明の実施の形態】 本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態に係るボールグリッドアレイ型半導体装置の構造を示す断面図であり、図２は図１の底面図である。これらの図において、本実施の形態に係るボールグリッドアレイ型半導体装置１は、ハーフエッチング加工により端子部１０ａが形成され接着テープ１２が設けられたリードフレーム１０上に半導体素子１４が搭載されている。この半導体素子１４はボンディングワイヤ１６によりリードフレーム１０と半導体素子電極とを接続した後、樹脂１８により所定のパッケージ形状になるように封止されている。樹脂封止では端子部１０ａをパッケージ面より凸となるように形成し、半田めっき１９をその端子凸部に施すことによりそのまま端子として使用する構成となっている。
【００１１】端子部１０ａの形状は円柱や角柱型等ハーフエッチング加工により様々な形状とすることが可能であるが、実装後の耐温度サイクル性を考慮すると応力が発生しにくい円柱型が望ましい。またパッケージ面からの端子高さは実装後のフラックス洗浄性を考慮し、０．１〜０．３mm程度が望ましい。更に端子部１０ａに施す半田めっき厚は、従来のクワッド・フラット・パック（ＱＦＰ）型に代表される樹脂封止型半導体装置のアウターリードに施される半田めっき厚：５〜１０μm程度が望ましい。」
　
　 そうすると、刊行物発明に上記周知の技術を勘案することにより、「リード１２」の下面に突起部を設けることは、当業者が容易になし得た程度のことであり、その際、突起部の厚さをどの程度にするかということについては、単なる設計的事項に過ぎない。そして、明細書の記載を参酌しても、補正後の発明においても、「第１の厚さから」「第２の厚さの」「リードフレームの断面が側面に露出して」いるとすることについて、臨界的意義を認めることができないから、刊行物発明に上記周知の技術を勘案することにより、補正後の発明のように、「第１の厚さから」「第２の厚さの」「リードフレームの断面が側面に露出して」いる構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得た程度のことである。
　よって、仮に、相違点３が実質的な相違点であるとしても、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物２に記載された技術思想及び周知技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２２年１１月１日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２２年２月１２日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１−１）及び（３−３−２−１）に記載したとおりの事項及び（３−３−１−３）で認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「外部との電気的な接続用端子」について、「外部との電気的な金属被膜された接続用端子」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２（３）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。