【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【書類名】  明細書
【発明の名称】  ガラスあるいはガラスセラミックの溶融又は清澄装置 
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １．１ 実質的に水平に配置し、ガラス溶融物のための入口及び出口を有するチャネル（３，３０）を備え、
１．２ 該チャネル（３，３０）が、冷却媒体に接続することができる複数の金属パイプ（３．１−３．７；３０．１−３０．６）から成るスカルポットタイプとして構成され、  １．３ 高周波エネルギーを溶融物に導入するためにＨＦコイル（１，１０，１００）がチャネル（３，３０）に設けられたガラスあるいはガラスセラミックの溶融又は清澄装置。          
【請求項２】  金属パイプ（３．１−３．７；３０．１−３０．６）とＨＦコイル（１，１０，１００）の巻線とは、少なくともエネルギー導入領域において互いに角度を有して延びていることを特徴とする請求項１に記載の装置。 
【請求項３】  金属パイプ（３．１−３．７；３０．１−３０．６）は、チャネル（３，３０）の長さの少なくとも一部にわたって、実質的にガラス溶融物の流れの方向に延びていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の装置。 
【請求項４】  金属パイプ（３．１−３．７；３０．１−３０．６）は、互いに短絡されていることを特徴とする請求項３に記載の装置。 
【請求項５】  金属パイプ（３．１−３．７）はＵ型に構成されかつ互いに並んで配置し、それによって、前記パイプは頂上が開口した鳥かご型スカルチャネル（３）を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の装置。 
【請求項６】  前記Ｕ型金属パイプの端部は互いに、短絡を形成するために、導電性を有して結合されていることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】  チャネル（３，３０）は炉の上部空間で断熱されていることを特徴とする請求項６に記載の装置。 
【請求項８】  上部炉空間に補助加熱ユニット（５．１−５．４）を備えたことを特徴とする請求項６又は請求項７のいずれかに記載の装置。 
【請求項９】  補助加熱ユニット（５．１，５．４）は、溶融物（８）の表面に直接作用するように構成され配置されたことを特徴とする請求項８に記載の装置。 
【請求項１０】  補助装置（５．３）により加熱され、溶融物（８）の表面に熱を付与するセラミックカバープレート（７）を、補助加熱装置（５．３）と溶融物（８）の表面との間に備えたことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】  並列に接続した複数のフラットコイル（１，１０，１００）がチャネル（３，３０）に設けられたことを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の装置。 
【請求項１２】  コイル間の移行領域に補助加熱装置（５．１、５．２）を備えたことを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の装置。 
【請求項１３】  ガラスあるいはガラスセラミック、特に請求項７から請求項１２のいずれかに記載の装置を用いたガラスのの溶融又は清澄方法であって、多価イオンの酸化還元比が還元側になるように、バーナーのガス／空気又はガス／酸素比が調整されて還元空気を生成することを特徴とするガラスの溶融又は清澄方法。 
【請求項１４】  Ｆｅ3+／Ｆｅ2+比は還元体（Ｆｅ2+）に大きくシフトしたことを特徴とする請求項１２又は１３のいずれかに記載のガラスの溶融又は清澄方法。 
【請求項１５】  使用されるガラスが燐酸塩ガラスあるいはフルオロ燐酸塩ガラスであることを特徴とする請求項１３又は請求項１４のいずれかに記載のガラスの溶融又は清澄方法。 
【請求項１６】  ＳＯ42-／Ｓ2-比、ＳｅＯ32-／Ｓｅ2-比、及び／又は、ＴｅＯ32-／Ｔｅ2-比が、還元体（Ｓ2-、Ｓｅ2-、Ｔｅ2-）にシフトしていることを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載のガラスの溶融又は清澄方法。 
【請求項１７】  ガラスがアルカリ（アルカリ土類）亜鉛（ホウ素）珪酸塩ガラスを含むことを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載のガラスの溶融又は清澄方法。 
【請求項１８】  還元条件をバーナーによって調整せず、還元ガス、又は、化成ガス、Ｈ2、ＣＯ、ＣＯ2等の気体から成る混合気体によって調整ないことを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載のガラスの溶融又は清澄方法。 
【発明の詳細な説明】 
【０００１】 
【発明の属する技術分野】 本発明は、ガラスあるいはガラスセラミックの清澄のための装置に関するものである。 
【０００２】 
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 このような装置はいわゆる“スカルポット（skull pot）”の構成で知られる。これらはポット壁を備える。これは通常円筒型である。これは垂直な金属パイプのクラウンから成る。隣接するパイプの間にはスロットがある。ポットの底も金属パイプから成ってもよい。また、それは耐熱材料から成ってもよい。端部は冷却剤の導入又は冷却剤の放出のために垂直パイプにつながっている。 
【０００３】 加熱は、ポット壁を囲繞し、かつ、ポットの内容物に高周波エネルギーを導入できる誘導コイルによって行う。 
【０００４】 このようなスカルポットは、例えば、独国特許第3,316,546号公報によって周知である。 
【０００５】 スカルポットは以下のように作用する：ポットを新規のガラスバッチ又は廃棄ガラス又はその混合を充填する。ガラス又は溶融物はまず、所定の最小導電率を得るために予備加熱しなければならない。予備加熱は主にバーナー加熱によって行われる。高周波エネルギー導入の温度に達すると、高周波エネルギーの照射によってエネルギー導入を行うことができる。作動の間、高周波エネルギー加熱に加えて、溶融物も、その頂部から作用するバーナーによって、又は熱いオフガスによって加熱される。これは清澄の際にスカルポットを使用する場合に特に必要である。すなわち、表面層が冷たくかつそれに対応して粘性が高い場合には、泡が溶融物から出るのを防ぎ、又は泡立つが生ずる。 
【０００６】 通常、スカルポットは立設されている。そして通常それは不連続に作動する。
【０００７】 日本国特許昭和５７年第９５，８３４号公報には、水平に配置したクォーツチャネルを有する装置が記載されている。 
【０００８】 クォーツチャネルには円筒型コイルを含む高周波発振回路が設けられている。円筒型コイルはクォーツチャネルに巻かれている。クォーツチャネルは実際には冷却される。しかしながら、高い長期安定性及び高い破壊強度を有さない。さらに、溶融物面の特別の加熱はできない。実際には、表面領域において丈夫なスキンの形成につながりうる冷却が生ずる。このようなチャネルは清澄装置として使用すると、泡は妨害されずに溶融物から出てきたり、溶融物から放出されたりできない。従って、チャネルは清澄に対して使用することはできない。チャネルを溶融に対して使用し、かつ溶融物が予め揮発性成分を含むならば、チャネルの上方の冷却された構造で固まる危険がある。これは、こぶ、膨れ、又は、筋の形のガラス欠陥につながりうる。コイル材料の腐食が生ずると、これはコイルの材料に依存するガラスの変色につながる。これは特に光学ガラスの場合には受け入れがたい。 
【０００９】 また、フッ素、燐酸塩又は他の攻撃的成分の割合が高い非常に多くの光学ガラスがある。これらはコイルの材料も攻撃しうる。腐食は、冷却水の放出が発生してしまうほど強いこともあるので、プラントを安全に作動する保証はない。 
【００１０】 通常、光学に応用するガラスの清澄は、貴金属で内側を覆ったいわゆる水平清澄チャネルで行われる。管壁の直接的又は間接的加熱によって熱が導入される。こうして、ガラス溶融物−管壁界面で最大温度となる。大きな腐食及びそれに起因した光スペクトルの減衰は回避することができない。 
【００１１】 本発明の目的は、誘導加熱の技術の利点を利用し、作動における信頼性が高く、溶融物の清澄に適しており、質が非常に高いガラスを製造する装置を提供することである。 
【００１２】 この目的は請求項１の特徴によって成就される。 
【００１３】 本発明によれば、高周波技術を用いるだけでなく、スカル技術も用いる。スカルポットに類似した構造を有するチャネルを使用する。 
【００１４】 本発明では、パワーは高周波によって直接ガラス溶融物に導入する。さらに、管壁及びガラス溶融物は管壁の近傍で非常に冷却されるので、ガラス溶融物の腐食攻撃は極端に抑制される。管壁の近傍で起こりうる失透が冷却による腐食防止効果を高める。というのは、それは、粘性の増加によって対流が低減され、溶融物と壁との間での材料の置換を低減するからである。 
【００１５】 管壁での大きな冷却とそれによる高温の勾配とによって、水平清澄チャネル内で自然対流によって生成する大きな電流が得られ、隆起点はガラス浴の表面近傍におけるチャネルのほぼ中心で見つけられる。ガラス溶融物の混合をかなり改良することによって、実質的に清澄効果（泡の除去）を改良しかつガラス溶融物の均質性を改良する。 
【００１６】 どんな場合にも、水平清澄チャネルは、端部でかなり冷却されるセラミック又は金属パイプを備える。加熱に必要なエネルギーは、１００ｋＨｚから１０ＭＨｚの周波数領域の高周波放射によって溶融物材料に直接導入される。 
【００１７】 しかしながら、本発明は本発明者らが認識する以下のされなる利点を含んでいる。 
【００１８】 スカル装置の水冷却金属パイプがガラスフラックスの方向に延びていて、固化した冷たいガラス絶縁層が非常に薄いならば、高い溶融温度では、ガラス溶融物とスカルチャネルの金属パイプとの間でフラッシュオーバーが生じうる。これは、結果としてスカルフレームの破壊を有しうるスカルチャネルと溶融物との間のアーキングにつながりうる。アークの形成は金属パイプで誘導される高周波電圧によって行うことができることが仮定されている。 
【００１９】 本発明による実施形態では、水冷却金属パイプは、ガラス流の方向ではなく、ガラス流の方向に対して垂直に延びる。このように、金属パイプと溶融物との間のアーク形成は大きく回避される。 
【００２０】 本発明の他の実施形態では、フラッシュオーバーへの傾向−例えば、アークを形成する傾向−は十分抑制され、金属パイプのＵ型片の端部は、短絡ブリッジ（分路）を形成するように互いに電気的に結合する。 
【００２１】 本発明の他の重要な利点は、隆起点がチャネルに生ずることである。ガラスは高周波エネルギー導入と上方へ流れさせる力に関わる中心での温度上昇とによって上方へ流れるようになる。このように、清澄泡はうまく溶融物面に届くようになる。古典的な浴では、このような上方への流れは清澄領域で主に一つの壁によって強制され、それによってガラス流は上方に向く。この壁はＨＦ（高周波）加熱チャネルの場合には省略することができる。ここでは、この効果のために供給する“自然流”がある。シミュレーション計算は、スカルチャネルにおける流れ隆起点は基本的に、古典的に使用してきた壁より清澄についてはより効果的である。改良された清澄に加えて、壁の摩耗は起きないという利点もある 
【００２２】 本発明は、以下の別な利点を有する： 
【００２３】 それは連続作動に対して特に適している。そのため、非常に経済的に作動できる。 
【００２４】 他の利点を以下に示す： 
【００２５】 横にした状態の誘導コイルの構成及び配置によって、チャネルは頂部で開いている。溶融物のレベルは露出している。溶融物の表面は、補助加熱装置、例えば、ガスバーナーあるいは電気加熱装置の装備のために自由にアクセス可能である。この頂部加熱は、チャネルを清澄集合体として利用する場合には特に利点がある。高い表面温度を得ることができ、そのため、泡の破裂が表面領域で保証される。 
【００２６】 上からの加熱は高周波エネルギーが失敗したときには役に立つ。このようにして、少なくともガラス輸送が保証できる。また、溶融温度は、高周波加熱が始まるときに再結合が可能となる値に維持することができる。 
【００２７】 また、水冷却コイルパイプ上での蒸発生成物の凝結の危険はない。というのは、溶融物のレベルの上ではそれら蒸発生成物はないからである。 
【００２８】 また、チャネルを覆うセラミックプレートを含む本発明によるスカルチャネルの場合には、複雑な超構造を備えている。 
【００２９】 セラミックプレートはバーナーによって上側を加熱することができる。プレートは下部側でガラス表面上に熱を放射し、ガラスを間接的に加熱する。これは、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のような非常に蒸気になりやすい成分を含有するガラスの場合に、強く乱れた空気の干渉がガラス溶融物のレベル以下では直接は生じないという利点を有する。このような干渉は容易に揮発性成分を浮遊して運び、ガラス組成物の修飾につながる。フィルタ装置のガラス溶融物のすぐ上で強く乱れた空気流は生じないという利点がある。これによって生ずるフィルタ装置の早期妨害も回避される。 
【００３０】 本発明によるスカルチャネルの他の利点は、補助加熱はセラミックカバーがあろうがなかろうがバーナーによって行われると、還元空気を形成することができる。断熱ガラス又は高い紫外線（ＵＶ）透過性を有する断熱ガラスの製造に対して必要なことである。ここで、Ｆｅ3+／Ｆｅ2+比は還元体のＦｅ2+に対してできる限り大きくシフトする。Ｆｅ2+は、赤外線（ＩＲ）で吸収する熱放射（耐熱ガラス）に対して使用され、一方、紫外線（ＵＶ）を吸収するＦｅ3+は高い紫外線（ＵＶ）透過性を有する断熱ガラスの場合に可能な限り回避しなければならない。ガラスはしばしば燐酸塩又はフルオロ燐酸塩なので、セラミックカバープレートの使用は重要である。同様な議論は最初のガラスの製造に適用される。ここで、冷却に要するカルコゲニドは少なくとも一部は還元体（Ｓ2-、Ｓｅ2-、Ｔｅ2- ）で存在する。ここで、セラミックカバープレートの使用によって、色成分の場合には、蒸発を最小にするという利点もある。 
【００３１】 還元状態は、対応する還元ガス、又は、混合気体（化成ガス、Ｈ2、ＣＯ／ＣＯ2及び他の気体）によって上からの電気加熱を用いて形成してもよいが、還元空気（不完全な気体燃焼、例えば、より少量の空気／酸素）を生成するための調整バーナーを使用する方が通常コストが安い。 
【００３２】 述べてきたチャネルシステムは、フランジによって、従来加熱される白金又は石材チャネルに結合してもよい。石材チャネルに結合するとき、石材チャネル−スカル移行領域の冷却が重要である。作動においては、通常水冷却チャネルを石材材料に接触させるだけで十分である。石材チャネルは焼戻し中に延伸するので、加熱中は、ＨＦチャネルに対して石材チャネルの動きの自由が保証されなければならない。このとき、水冷却ＨＦチャネルはその幾何学的配置を保持している。焼戻しした場合、それを熱い状態にした後に、石材チャネルをＨＦチャネルに結合するのが最適であることがわかっている。
【００３３】 ＨＦチャネルを電気的加熱白金チャネルに接触するとき、ＨＦチャネルの金属成分の間には電気的接触はないか、又は電気的接触が非常によいことのいずれかが保証されなければならない。後者はＨＦ干渉信号は白金システムによって切り離される危険を抑制するが、接触不良を起こしそこで抵抗が増加して火花を発生しやすい。 
【００３４】 スカルチャネルと白金チャネルとの間の完全な電気的絶縁はセラミックの中間部材によって行うことができ、そのとき、、金属部材の間は少なくとも５ｍｍの距離を保証しなければならない。より大きな距離は、電気絶縁強度に対してさらに安全さを提供するが、特に攻撃性溶融物の場合にはシールがより困難になる。クォーツセラミックは絶縁材料として非常に適していることが判明している。 
【００３５】 チャネルは１２００ｍｍ以上の長さを有するので、複数のフラットコイルによって加熱しなければならず、個々のチャネル領域において独立に温度調整をすることができるように、理想的にはフラットコイルは異なるＨＦ発電機によるエネルギーをもつ。隣接フラットコイルの間の距離Ｘは、コイル巻線の高さｄより大きく又は少なくとも等しくあるべきであり、ＨＦ場は互いに影響を与えることはできない。 
【００３６】 ２つのフラットコイルは一方の次にランダムにガイドされることはできないので、非加熱又は非常に弱い加熱領域は、２つのフラットコイルの間の移行領域にある。溶融物はこのゾーンで冷却する。ガラス溶融物の上下加熱はガラスの品質においては、特に、熱の再沸騰の危険のため、望ましくない。フラットな温度プロファイル、又は、チャネル全長にわたって単調に上昇するかあるいは単純に下降する温度プロファイルを保証するため、補助加熱装置を２つのコイルの間の移行領域に装備しなければならない。ここに記載したチャネルタイプでは、補助加熱装置（例えば、シリコンカーバイドロッド又はカンタル針）又はガス発火装置を用いることができる。ガス発火装置の場合には、コイルを使用しかつコイルをチャネルの真下に配置することが有利であることが判明している。 
【００３７】 各金属パイプが鉛直方向に延びかつ流れ方向に垂直に延びた面内に配置した、本発明のチャネルに対して、これまで記載してきた。この場合には、ＨＦコイルの巻線は実質的に水平面内に延びている。 
【００３８】 しかしながら、金属パイプを鉛直面に対して傾斜した面内又は水平に延びた面内に配置し、コイルの巻線を鉛直に配置し又は鉛直に対して傾斜して配置することも可能である。 
【００３９】 
【発明の実施の形態】 本発明を図面をもとにさらに詳細に説明する。 
【００４０】 図１で示したコイル１は、循環ネジ型（螺旋型）に延びる巻線１．１、１．２、１．３を有する。この場合には、巻線は、水平において、正確にガラス流２の方向に延びている。内側巻線の内径は比較的大きい。ガラス流２の方向に垂直な内径の倍数の値でもよい。 
【００４１】 図２で示したコイル１は循環ネジ型であり、巻線１．１、１．２、１．３を有する。はるかに多くの数の巻線も可能であることは理解されたい。コイルは一の面でわずかに曲がっている。ガラス流２の方向に延びる巻線セグメントは、図示しないチャネルの両側に配置する。 
【００４２】 巻線は図３に示したコイルの細分される。巻線セグメントは、ガラス流の方向に平行な直線で延びることが認識される。曲がった巻線セグメントはチャネルの始部及び終部に配置している。巻線の半分はチャネルの下に、また、他の半分はチャネルの上に延びる。このようにして、以下が達成される：金属パイプに誘導されかつ曲がったコイルセグメントによって生成された高周波は、曲がった巻線セグメントの対向流によってかなりキャンセル（補償）される。 
【００４３】 図４はスカルチャネルを示す。それは多数のＵ型金属パイプ３．１−３．７を有する。金属パイプは互いに平行な面上に配置している。完全にＵ型である代わりに、その変形、例えば、ほぼＶ型も可能である。金属パイプは−スカルポットの場合には−水冷却金属パイプである。 
【００４４】 導体４がＵ型要素の自由端に備えられ、これらがＵ型要素の自由端を短絡する。これらの短絡ライン４は空気又は水でも冷却される。 
【００４５】 この場合には、Ｕ型要素は、ガラス流２の方向に垂直な面に延びる。しかしながら、この方向に対して傾いた面にＵ型要素を配置することも可能である。 
【００４６】 図４は、短絡導体４で囲繞される空間は上方に開放していることを明らかにしている。溶融物は、チャネルの入口及びチャネルの出口での短絡ゾーンを除いて上からアクセス可能である。従って、溶融物上には水冷却成分はなく、先述したような欠点である蒸発生成物の凝結の危険はない。また、ガスバーナーあるいは他の補助加熱装置が溶融物上に配置してもよい。上からの加熱は、チャネルを清澄集合体として使用される場合に有利である。この補助加熱は、溶融物の表面温度を特に高温に導くために必要であってもよく、それによって、泡の破裂及び溶融物から気体の放出が保証される。 
【００４７】 図５は比較的長いスカルチャネル３を示している。複数の平坦コイル１，１０，１００がこのチャネル３に設けられている。また、補助加熱装置５．１及び５．２を備える。補助加熱装置は毎度２つの平坦コイルの間の移行領域に配置される。 
【００４８】 図６は、ガラス流の方向に垂直なセクションでの本発明の装置を示している。図４で示したように、溶融物８はスカルチャネル３を介して流れる。溶融物は極端にゆっくり動く。スカルチャネルは誘導コイル１に囲繞されている。これは図１から図３に示したコイルの配置を有する。 
【００４９】 上部炉空間は耐熱材料の構造６から成る。補助バーナー加熱ユニット５．３はそこに備える。後者は熱を直接溶融物面に伝達する。しかしながら、伝熱は間接的に行ってもよい。ここで示したように、バーナー補助加熱装置で加熱されかつ熱が導入され溶融物面上に均一に分布されるセラミックプレート７を備えてもよい。 
【００５０】 図７による実施形態の形では、セラミックプレート７を代わりに、溶融物面を加熱する補助電気加熱装置５．４を備えてもよい。 
【００５１】 コイルはできるだけ大きな中央開口を有する。コイルはガラス流に平行なチャネルの左右に、チャネルの端部で、チャネルの下で、チャネルの反対側上に延びる。理想的には、巻線の一半分はチャネルの下に延び、かつ、巻線の他の半分は反対側上のチャネルの上に延びる。このようなやり方で、スカルＵ型パイプにおいてこれらのコイル片によって誘導されたＨＦ電圧を対向流回路でかなり中性化することができる。反対側のチャネル側上のコイルフィードバックの領域では、スカルチャネルがチャネルの一側から他の側へ上端で短絡される。短絡は空気又は水で冷却される。 
【００５２】 スカルチャネルは、上端で回路短絡（分路）を有する多くのＵ型セグメントを備える。頂部からの投影では、コイルは螺旋巻き線状矩形加工平坦コイルであり、その狭い側はチャネルの上及び／又は下でガイドされる。コイル片がチャネルの上に沿ってガイドされると、セラミック絶縁体を、例えば、クォーツからなるブリッジの形で溶融物とコイルとの間に導入可能である。 
【００５３】 円筒コイルを有する円筒型チャネルに比較すると、この構成は、チャネルの入口及び出口での短絡ゾーンを除いて、溶融物の上部領域に水冷却成分が存在しないという利点があり、それによって、溶融物はここではより高く、蒸発生成物の凝結の危険はない。また、溶融物の上の領域は、ガス又は電気上部加熱ユニットの絶縁部に自由にアクセス可能である。上部加熱ユニットは、チャネルを清澄集合体として使用する場合に有利である。というのは、より高い表面温度を得ることができ、泡の破裂を保証することができるからである。上部加熱も高周波エネルギーの失敗の場合に効果的である。というのは、少なくともガラスの輸送が保証でき、かつ高周波加熱の再結合がその失敗の後に促進される。 
【００５４】 さらに、記載の構造は、ガスが流れるチャネルを覆うセラミックプレートから成る複雑な超構造を導入するに際して有利である。これらのセラミックプレートは、上側はバーナーによって加熱され、そして、その下側によってガラス面を照射する。これは、例えば、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のような非常に蒸気になりやすい成分を含有するガラスにおいて、容易に揮発性成分を運びガラス組成物の修飾につながる、ガラス溶融物のすぐ上で強く乱れた空気流は生じないという利点がある。また、これによって生ずるフィルタ装置の早期妨害は回避される。 
【００５５】 選択された構造の他の利点は、バーナーによる補助加熱によって、セラミックカバープレートが使用するとしないとにかかわらず、還元雰囲気を形成することができることである。これは、断熱ガラス又は高い紫外線（ＵＶ）透過性を有する断熱ガラスの製造に対して必要なことである。ここで、Ｆｅ3+／Ｆｅ2+比は還元体のＦｅ2+に対してできる限り大きくシフトする。Ｆｅ2+は、赤外線（ＩＲ）で吸収する熱放射（耐熱ガラス）に対して使用され、一方、紫外線（ＵＶ）を吸収するＦｅ3+は高い紫外線（ＵＶ）透過性を有する断熱ガラスの場合に可能な限り回避しなければならない。ガラスはしばしば燐酸塩又はフルオロ燐酸塩なので、セラミックカバープレートの使用は重要である。同様な議論は最初のガラスの製造に適用される。ここで、冷却に要するカルコゲニドは少なくとも一部は還元体（Ｓ2-、Ｓｅ2-、Ｔｅ2-）で存在する。ここで、セラミックカバープレートの使用によって、色成分の場合には、蒸発を最小にするという利点もある。 
【００５６】 図８による実施形態では、スカルチャネル３０は、水平に延びる多数のパイプ−パイプ３０．１−３０．６参照−によって形成されている。パイプは円形に配置し、それによってそれらが環管を形成している。 
【００５７】 パイプ３０．１−３０．６は、コイル１０の多数の巻線に囲繞されている。巻線は水平に延びる仮想軸の回りに配置している。 
【００５８】 水平に対して傾けて金属パイプ３０．１−３０．６を配置することも可能である。同様に、水平に対してコイル１０の仮想巻線軸を傾けることも可能である。 
【００５９】 ここで図示しない赤外線加熱装置を挿入するように自由空間が形成されるように、コイル１０の巻線を上部領域、例えば、図示しないガラス溶融物の上に配置することも可能である。 
【００６０】 図８の実施形態における金属パイプ３０．１から３０．６の分路（短絡）は特に有利となりうる。発明者は以下を特に観察した： 
【００６１】 位置に依存して、分路は一又は他の方向にＨＦ場の変位につながる。短絡がチャネル３０の終端部で見つかれば、ＨＦ場の変位が上方すなわちチャネル入口で生ずる。これは、溶融物の特に強い加熱がここで生ずることを示している。対照的に、短絡がチャネルの始端部で見つければ、ＨＦ場は下流方向に変位する。これによって、チャネルの出口領域で溶融物を特に強烈に加熱することにつながる。一又は他の構成も好都合である。 
【００６２】 本発明による装置が光学ガラスの清澄に用いることができることは好都合である。 
【図面の簡単な説明】 
【図１】 本発明に係る装置用の誘導コイルの平面図である。 
【図２】 わずかに曲がった誘導コイルの３次元図である。 
【図３】 それぞれわずかに曲がった２つの誘導コイルの３次元図である。 
【図４】 鳥かご型のスカルチャネルを示す図である。 
【図５】 列に並んだ複数の平坦コイルを有するスカルチャネルの概略構成図である。 
【図６】 誘導コイルを有する、ガラス流の流れに対して垂直な断面のスカルチャネルとそれに設けられたバーナーとを示す図である。 
【図７】 図６の主要部と類似するが、補助電気加熱装置を有するものを示す図である。 
【図８】 本発明の第２の実施形態によるスカルチャネルの垂直断面図である。 
【符号の説明】 
１，１０，１００ コイル 
３，３０ チャネル 
３．１−３．７，３０．１−３０．６ パイプ 
５．１−５．４ 補助加熱装置 
７ セラミックカバープレート 
８ 溶融物