【手続補正書】
【提出日】平成17年11月24日(2005.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電構造体を形成する処理と、
前記第１導電構造体の上に第１絶縁層を形成する処理と、
前記第１絶縁層において、前記第１導電構造体の少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第１開口部を形成する処理と、
シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部に打ち込む、ち密化イオン注入処理を実行することによって前記側壁部をち密化する処理とを含む方法。
【請求項２】
前記開口部に、前記第１導電構造体の少なくとも一部に接触する金属構造体を形成する処理と、
前記第１導電構造体および前記金属構造体をアニーリングして相互接続を形成する処理とをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１絶縁層の下に第２絶縁層を形成する処理と、
前記第２絶縁層に第２開口部を形成する処理と、
前記第１開口部内に前記第１導電構造体を形成する処理と、
前記第１絶縁層を平坦化する処理とをさらに含み、前記第１絶縁層を形成する処理は、誘電率が最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第１絶縁層を形成する処理を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記金属構造体の少なくとも一部分の上にマスク層開口部を設けるために、前記第１絶縁層の上にマスク層を形成し、パターン化する処理をさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記第２絶縁層を形成する処理は、
誘電率が最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第２絶縁層を形成する処理と、
化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）プロセス、プラズマ・エンハンスドＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスおよびスピン・オン・コーティングプロセスのうちのいずれか１つを用いて前記第２絶縁層を形成する処理を含む請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記第１絶縁層内に前記第１開口部を形成する処理は、フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つを使用して前記第１絶縁層に前記第１開口部を形成する処理を含み、前記フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つは前記第１絶縁層の上に形成され、パターン化される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つの使用は、窒化シリコンから形成されたハードマスク層の使用を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記金属構造体を形成する処理は、銅の電気化学的堆積法を使用して前記金属構造体を形成する処理を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記銅の電気化学的堆積法の使用は、前記銅の電気化学的堆積の前に、前記第２開口部内に少なくとも一つのバリア層および銅シード層を形成する処理と、前記銅の電気化学的堆積の後に、化学機械研磨を用いて前記銅を平坦化する処理とを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
構造体層の上に第１絶縁層を形成する処理と、
前記第１絶縁層に第１開口部を形成する処理と、
前記第１絶縁層の上および前記第１開口部のなかに第１銅層を形成する処理と、
前記第１絶縁層上の第１銅層の一部を除去し、前記第１開口部のなかに銅の構造体を残すことによって、銅の構造体を形成する処理と、
前記第１絶縁層の上、および前記銅の構造体の上に、第２絶縁層を形成する処理と、
前記第２絶縁層において、前記銅の構造体の少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第２開口部を形成する処理と、
シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記第２開口部の側壁部に打ち込む、ち密化イオン注入処理を実行することによって前記第２開口部の前記側壁部をち密化する処理とを含む方法。
【請求項１１】
前記第２絶縁層の上および前記第２開口部のなかに、前記銅の構造体の少なくとも一部の上に配置される第２銅層を形成する処理と、
前記第２絶縁層上の第２銅層の一部を除去し、前記第２開口部のなかに銅の相互接続を残すことによって、銅の相互接続を形成する処理と、
前記銅の相互接続をアニーリングする処理とをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第２絶縁層を平坦化する処理をさらに含み、
前記第２絶縁層を形成する処理は、誘電率が最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第２絶縁層を形成する処理を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記銅の相互接続の少なくとも一部分の上にマスク層の開口部を設けるために前記第２絶縁層の上にマスク層を形成し、パターン化する処理をさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁層を形成する処理は、
誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第１絶縁層を形成する処理と、
化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）プロセス、プラズマ・エンハンスドＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスおよびスピン・オン・コーティングプロセスのうちのいずれか１つを用いて前記第１絶縁層を形成する処理とを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁層内に前記第２開口部を形成する処理は、フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つを使用して前記第２絶縁層に前記第２開口部を形成する処理を含み、前記フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つは前記第２絶縁層の上に形成され、パターン化される、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つの使用は、窒化シリコンから形成されたハードマスク層の使用を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記第２銅層を形成する処理は、銅の電気化学的堆積法を使用して前記第２銅層を形成する処理を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
前記銅の電気化学的堆積法の使用は、前記銅の電気化学的堆積の前に、前記第２開口部内に少なくとも一つのバリア層および銅シード層を形成する処理を含み、前記第２銅層の一部を除去する処理は、前記銅の電気化学的堆積の後に、化学機械研磨を用いて前記銅を平坦化する処理を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
構造体層の上に第１絶縁層を形成する処理と、
前記第１絶縁層に第１開口部を形成する処理と、
前記第１開口部のなかに銅のビアを形成する処理と、
前記第１絶縁層の上、および前記銅のビアの上に、第２絶縁層を形成する処理と、
前記第２絶縁層において、前記銅のビアの少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第２開口部を形成する処理と、
シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記第２開口部の側壁部に打ち込む、ち密化イオン注入処理を実行することによって前記第２開口部の前記側壁部をち密化する処理とを含む、銅の相互接続を形成する方法。
【請求項２０】
前記第２開口部のなかに、前記銅のビアの少なくとも一部の上に配置される銅のラインを形成する処理と、
前記銅のラインおよび前記銅のビアをアニーリングして銅の相互接続を形成する処理とをさらに含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記第２絶縁層を平坦化する処理をさらに含み、
前記第２絶縁層を形成する処理は、誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第２絶縁層を形成する処理を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記第２銅構造体の少なくとも一部分の上にマスク層の開口部を設けるために前記第２絶縁層の上にマスク層を形成し、パターン化する処理をさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１絶縁層を形成する処理は、
誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第１絶縁層を形成する処理と、
化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）プロセス、プラズマ・エンハンスドＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスおよびスピン・オン・コーティングプロセスのうちのいずれか１つを用いて前記第１絶縁層を形成する処理とを含む請求項１９記載の方法。
【請求項２４】
前記第２絶縁層内に前記第２開口部を形成する処理は、フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つを使用して前記第２絶縁層に前記第２開口部を形成する処理を含み、前記フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つは前記第２絶縁層の上に形成され、パターン化される、請求項１９記載の方法。
【請求項２５】
フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つの使用は、窒化シリコンから形成されたハードマスク層の使用を含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第２銅層を形成する処理は、銅の電気化学的堆積法を使用して前記第２銅層を形成する処理を含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２７】
前記銅の電気化学的堆積法の使用は、前記銅の電気化学的堆積の前に、前記第２開口部内に少なくとも一つのバリア層および銅シード層を形成する処理と、前記銅の電気化学的堆積の後に、化学機械研磨を用いて前記銅を平坦化する処理とを含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
構造体層の上に第１絶縁層を形成する処理と、
前記第１絶縁層に第１開口部を形成する処理と、
前記第１絶縁層の上および前記第１開口部のなかに第１銅層を形成する処理と、
前記第１絶縁層上の第１銅層の一部を除去し、前記第１開口部のなかに銅のビアを残すことによって、銅のビアを形成する処理と、
前記第１絶縁層上、および前記銅のビアの上に、第２絶縁層を形成する処理と、
前記第２絶縁層において、前記銅のビアの少なくとも一部の上に、側壁部を持つ第２開口部を形成する処理と、
シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記第２開口部の側壁部に打ち込む、ち密化イオン注入処理を実行することによって前記第２開口部の前記側壁部をち密化する処理とを含む、銅の相互接続を形成する方法。
【請求項２９】
前記第２絶縁層の上および前記第２開口部のなかに、前記銅のビアの少なくとも一部の上に配置される第２銅層を形成する処理と、
前記第２絶縁層上の前記第２銅層の一部を除去し、前記第２開口部のなかに銅の相互接続を残すことによって、銅の相互接続を形成する処理と、
前記銅の相互接続をアニーリングする処理とをさらに含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記第２絶縁層を平坦化する処理をさらに含み、
前記第２絶縁層を形成する処理は、誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第２絶縁層を形成する処理を含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記銅の相互接続の少なくとも一部分の上にマスク層の開口部を設けるために前記第２絶縁層の上にマスク層を形成し、パターン化する処理をさらに含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記第１絶縁層を形成する処理は、
誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第１絶縁層を形成する処理と、
化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）プロセス、プラズマ・エンハンスドＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスおよびスピン・オン・コーティングプロセスのうちのいずれか１つを用いて前記第１絶縁層を形成する処理とを含む請求項２８記載の方法。
【請求項３３】
前記第２絶縁層内に前記第２開口部を形成する処理は、フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つを使用して前記第２絶縁層に前記第２開口部を形成する処理を含み、前記フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つは前記第２絶縁層の上に形成され、パターン化される、請求項２８記載の方法。
【請求項３４】
フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つの使用は、窒化シリコンから形成されたハードマスク層の使用を含む、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記第２銅層を形成する処理は、銅の電気化学的堆積法を使用して前記第２銅層を形成する処理を含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３６】
前記銅の電気化学的堆積法の使用は、前記銅の電気化学的堆積の前に、前記第２開口部内に少なくとも一つのバリア層および銅シード層を形成する処理を含み、前記第２銅層の一部を除去する処理は、前記銅の電気化学的堆積の後に、化学機械研磨を用いて前記銅を平坦化する処理を含む、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて第１絶縁構造体を形成する処理と、
前記第１絶縁層に第１開口部を形成する処理と、
前記第１開口部のなかに第１導電構造体を形成する処理と、
前記第１絶縁層を平坦化する処理と、
誘電率Ｋが最大でおおよそ４である低誘電率（Low-K）の誘電体材料を用いて前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する処理と、
前記第２絶縁層において、前記第１導電構造体の少なくとも一部の上に第２開口部を形成する処理であって、前記第１開口部は側壁部を有する処理と、
シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部に注入することによって、前記第１導電構造体に近接する前記側壁部および前記第１絶縁層の一部をち密化する処理とを含む方法。
【請求項３８】
前記第２開口部に、前記第１導電構造体の少なくとも一部に接触する金属構造体を形成する処理と、
前記金属構造体と前記第１導電構造体とをアニーリングすることによって相互接続を形成する処理とをさらに含む、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記金属構造体の少なくとも一部のうえにマスク層開口部を設けるために、前記第２絶縁層の上にマスク層を形成し、パターン化する処理をさらに含む、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
前記第２絶縁層を形成する処理は、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）プロセス、プラズマ・エンハンスドＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスおよびスピン・オン・コーティングプロセスのうちのいずれか１つを用いて前記第２絶縁層を形成する処理を含む、請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
前記シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つを前記側壁部に注入する処理は、シリコン、二酸化シリコンおよびゲルマニウムのうちの少なくとも１つをおおよそ５乃至５０ＫｅＶの注入エネルギーの範囲で前記側壁部に注入する処理を含む、請求項３７記載の方法。
【請求項４２】
前記第２絶縁層に前記第２開口部を形成する処理は、フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つを使用して前記第２絶縁層に前記第２開口部を形成する処理を含み、前記フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つは前記第２絶縁層の上に形成され、パターン化される、請求項３７記載の方法。
【請求項４３】
フォトレジストのマスクまたはハードマスク層のいずれか１つの使用は、窒化シリコンから形成されたハードマスク層の使用を含む、請求項４２記載の方法。
【請求項４４】
前記金属構造体を形成する処理は、銅の電気化学的堆積法を使用して前記金属構造体を形成する処理を含む、請求項３７記載の方法。
【請求項４５】
前記銅の電気化学的堆積法の使用は、前記銅の電気化学的堆積の前に、前記第２開口部内に少なくとも一つのバリア層および銅シード層を形成する処理と、前記銅の電気化学的堆積の後に、化学機械研磨を用いて前記銅を平坦化する処理とを含む、請求項４４記載の方法。