【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】電気機械式回路要素の製造方法であって、
導電トレースと、基板表面から延び出るサポートとを有した構造体を提供するステップと、
該サポート上にナノチューブ層を提供するステップと、
該ナノチューブ層の部分を選択的に剥離させ、前記導電トレースを横断するそれぞれ１または複数のナノチューブを含んだ複数のナノチューブリボンを形成させるステップと、
を含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】構造体を提供するステップは導電トレースがドープされたシリコントレースである構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】構造体を提供するステップは導電トレースがナノチューブである構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】構造体を提供するステップは導電トレースがナノチューブリボンである構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】構造体を提供するステップはサポートが物質の列で形成され、導電トレースは該列に実質的に平行である構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】導電トレースはサポートとは分離されていることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】導電トレースはサポートと接触することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】導電トレースはサポートとは分離されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】導電トレースはサポートと接触することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】構造体を提供するステップはサポートが窒化ケイ素製である構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】構造体を提供するステップは導電トレースが絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させている構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】構造体を提供するステップは導電トレースがそれぞれ絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させている構造体を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】ナノチューブ層を提供するステップはナノチューブの不織布を提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】不織布は構造体上で成長することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】構造体は導電トレース上に犠牲層を含んでおり、不織布は該犠牲層上で成長することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】構造体は触媒で処理され、不織布の成長が促進されることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１７】犠牲層の上面は触媒で処理され、不織布の成長が促進されることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】選択的に剥離させるステップはナノチューブ層をパターン処理してエッチング処理するステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】選択的に剥離させるステップはナノチューブの不織布をパターン処理及びエッチング処理してリボンを形成するステップを含んでいることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項２０】ナノチューブの成長は構造体の表面上で実質的に規制を受けないことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項２１】パターン処理とエッチング処理は不織布を介して拡散するエチャントを使用することを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２２】ナノチューブ層は実質的に単層であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】ナノチューブ層を提供するステップはナノチューブを構造体に利用するステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】回路要素の製造方法であって、
所定の方向性で少なくとも１つの導電トレースを有した構造体を提供するステップと、
ナノチューブ層を提供するステップと、
該ナノチューブ層の部分を選択的に剥離させ、前記導電トレースを離れた状態で横断するナノチューブリボンを形成させるステップと、
を含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項２５】構造体はサポートを含んでおり、導電トレースと離れた状態でリボンを形成させるステップは該サポートから懸垂されたリボンを創出させることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】選択的に剥離させるステップはナノチューブ層をパターン処理してエッチング処理し、リボンを形成させるステップを含んでいることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２７】回路要素の製造方法であって、
所定の方向性で少なくとも１つの導電トレースを有した構造体を提供するステップと、
ナノチューブの布を提供するステップと、
所定のパターンに従って該ナノチューブ布の部分を選択的に剥離させ、リボンが導電トレースを離れた状態で横断するように少なくとも１つのナノチューブを有したリボンを形成させるステップと、
を含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項２８】構造体はサポートを含んでおり、導電トレースと離れた状態でリボンを形成させるステップは該サポートから懸垂されたリボンを創出させることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】選択的に剥離させるステップはナノチューブ布をパターン処理してエッチング処理し、リボンを形成させるステップを含んでいることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項３０】システムであって、
導電トレースを有した構造体と、
電気接触状態の複数のナノチューブを有し、該導電トレースから離れて横断するように提供されたナノチューブリボンと、
を含んで構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項３１】システムであって、
導電トレースを有した構造体と、
少なくとも１つのナノチューブを有し、所定の形状であり、前記導電トレースから離れて横断するように提供されたナノチューブリボンと、
を含んで構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項３２】電気機械的回路であって、
導電トレースと、基板の表面から延び出るサポートとを有した構造体と、
該導電トレースを横断する該サポートによって懸垂され、それぞれ平坦である複数のナノチューブリボンと、
を含んで構成されていることを特徴とする回路。
【請求項３３】導電トレースがドープされたシリコントレースであることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３４】導電トレースがナノチューブであることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３５】導電トレースがナノチューブリボンであることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３６】サポートが物質の列で形成され、導電トレースは該列に実質的に平行であることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３７】導電トレースはサポートとは分離されていることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３８】トレースはサポートと接触することを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項３９】サポートが窒化ケイ素製であることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項４０】導電トレースが絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させていることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項４１】導電トレースがそれぞれ絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させていることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項４２】リボンがナノチューブの不織布であることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項４３】リボンが実質的にナノチューブの単層であることを特徴とする請求項３２記載の回路。
【請求項４４】電気機械式回路であって、
導電トレースと、基板表面から延び出るサポートとを有した構造体と、
該導電トレースを横断する該サポートで懸垂されたナノチューブリボンと、
を含んで構成され、それぞれのリボンは複数のナノチューブを含んでいることを特徴とする回路。
【請求項４５】導電トレースがドープされたシリコントレースであることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項４６】導電トレースがナノチューブであることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項４７】導電トレースがナノチューブリボンであることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項４８】サポートが物質の列で形成され、導電トレースは該列に実質的に平行であることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項４９】導電トレースはサポートとは分離されていることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５０】トレースはサポートと接触することを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５１】サポートが窒化ケイ素製であることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５２】導電トレースが絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させていることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５３】導電トレースがそれぞれ絶縁材料層上に提供され、導電トレースを互いに絶縁させていることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５４】リボンがナノチューブの不織布であることを特徴とする請求項４４記載の回路。
【請求項５５】リボンが実質的にナノチューブの単層であることを特徴とする請求項４４記載の回路。