【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透明部分と透明部分とを備えるスタンピングツールを使用して、基板上に成形面を形成する方法であって、
前記基板上の成形可能材料の層に、前記スタンピングツールを押圧する工程と、
前記スタンピングツールを通じて硬化刺激を与える工程であって、前記成形可能材料は、前記半透明部分に対応する部分が硬化され、前記透明部分に対応する部分が硬化されない、工程と、
前記成形可能材料の未硬化部分を除去する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
前記押圧工程および前記付与工程を繰り返し行い、複数の硬化された成形面を形成する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成形面上の少なくとも一部に接触構造体を形成する工程をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記スタンピングツールが歯を備え、この歯が前記透明部分と前記半透明部分とを有し、
前記透明部分が、前記成形可能材料内に形成される、前記基板表面への開口に対応し、
前記半透明部分が前記成形面に対応する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スタンピングツールはさらに、
各々が透明部分と不透明部分とを有する複数の歯と、
互いに隣接する前記歯同士を分離する、さらに別の透明部分と、
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記硬化刺激が紫外線である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記成形可能材料の硬化部分の少なくとも一部に、接触構造体を形成する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数の導電性接触部材を備える電子部品上に、複数の導電性接触構造体を形成する方法であって、各接触構造体は、各接触部材に接続される土台と、梁とをそれぞれ備え、
前記電子部品上に、成形可能材料の層を成膜する工程と、
複数の突出領域と、複数の凹凸領域と、複数のくぼみ領域とを備えるスタンピングツールを提供する工程であって、各前記突出領域は、各前記接触構造体の土台を画定するとともに、前記電子部品上の各前記接触部材と対応し、各前記凹凸領域は、各前記接触構造体の梁を画定し、各前記くぼみ領域は、互いに隣接する前記接触構造体間の分離を画定する、工程と、
前記スタンピングツールの突出領域を、前記電子部品の前記接触部材に位置合わせする工程と、
前記成形可能材料に前記スタンピングツールを押圧する工程であって、前記複数の突出領域が、前記接触構造体の土台の前記成形可能材料内に、モールドを形成し、また、前記複数の凹凸領域が、前記接触構造体の梁の前記成形可能材料内に、梁用のモールドを形成する、工程と、
前記梁モールドおよび前記土台モールド内へ、接触構造体材料を堆積させる工程と、
を備える、方法。
【請求項９】
前記電子部品上に成形可能材料の層を成膜する工程が、
モールド内に前記電子部品を置く工程と、
前記モールド内へ前記成形可能材料を射出する工程と、
をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子部品上に成膜した前記成形可能材料の層を平坦化する工程をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記成形可能材料に前記スタンピングツールを押圧する工程の間、前記スタンピングツールを加熱する工程をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記スタピングツールを加熱後、前記成形可能材料に押圧しながら前記スタンピングツールを冷却する工程をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記成形可能材料に押圧しながら前記スタンピングツールを冷却する工程をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも一つの前記凹凸領域がリブ付きの表面を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの前記凹凸領域が波形表面を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一つの前記凹凸領域がＶ字形、Ｕ字形、または二股形からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記成形可能材料に前記スタンピングツールを押圧後、前記スタンピングツールを除去するとともに、前記成形可能材料上に、導電性の材料のシード層を成膜する工程と、
前記シード層上でマスキング材料の層をパターニングする工程であって、前記マスキング材料内のパターンは、前記梁モールドと土台モールドとの対に対応する、工程と、
を備え、
前記マスキング材料内のパターンを介して前記シード層上に前記接触材料を堆積することにより、前記モールド内へ前記接触材料を成膜する、
請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記マスキング材料および前記成形可能材料を除去する工程を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記スタンピングツールはさらに、前記成形可能材料内に複数のリップを形成するために配された複数の再進入歯を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
前記成形可能材料が弾性を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
接触構造体材料を成膜する工程は、無電界成膜プロセスを使用して前記接触構造体材料を成膜する工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
前記電子部品が、半導体ウェハを構成する、互いに切り離されていない複数のダイを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
前記接触部材が前記ダイの端子である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記成形可能材料が、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、ＡＢＳプラスチック、フォトレジスト、ノボラック樹脂、エポキシ、およびワックスからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項２５】
前記成形可能材料が、ポリメチルメタクリレート、フォトポリマー、ノボラック樹脂、およびエポキシからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項２６】
前記成形可能材料が熱可塑性材料である、請求項８に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも半透明部分を有するスタンピングツールを使用して、基板上に成形面を形成する方法であって、
前記基板上の成形可能材料の層に前記スタンピングツールを押圧する工程と、
前記スタンピングツールの半透明部分を通じて、硬化刺激を付与する工程であって、前記成形可能材料の少なくとも一部が硬化される、工程と、
前記成形可能材料の少なくとも一部に、複数の導電性接触構造体を形成する工程と、
を備える、方法。
【請求項２８】
前記押圧工程および前記付与工程を繰り返し行い、複数の硬化された成形面を形成する工程をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記スタンピングツールは、第一部分と第二部分とを有する歯を備え、
前記第一部分が、前記成形可能材料内に形成される、前記基板の表面への開口に対応し、
前記第二部分が成形面に対応する、
請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記スタンピングツールがさらに、
各々が第一部分と第二部分とを有する複数の歯と、
互いに隣接する前記歯同士を分離する、さらに別の第一部分と、
を備える、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記硬化刺激が紫外線である、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板が、複数の導電性接触部材を備える電子部品である、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
モールド内に前記電子部品を置く工程と、
前記成形可能材料を前記モールド内へ射出する工程と、
をさらに備える、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
少なくとも一つの前記第二部分が、リブ付き表面を備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
少なくとも一つの前記第二部分が、波形表面を備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】
少なくとも一つの前記第二部分が、Ｖ字形、Ｕ字形、または二股形からなる群から選択される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
前記成形可能材料に前記スタンピングツールを押圧後、前記スタンピングツールを除去するとともに、前記成形可能材料上に、導電性の材料のシード層を成膜する工程と、
前記シード層上でマスキング材料の層をパターニングする工程であって、前記マスキング材料のパターンは、前記複数の導電性接触構造体用のモールドに対応する、工程と、
を備え、
前記マスキング材料内のパターンを介して前記シード層上に前記接触材料を堆積することにより、前記モールド内へ前記接触材料を成膜する、
請求項８に記載の方法。
【請求項３８】
前記接触構造体を形成する工程は、無電界成膜プロセスを使用して接触構造体材料を成膜する工程を備える、請求項２７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004528996.tif 000001
【図２Ａ】
2004528996.tif 000002
【図２Ｂ】
2004528996.tif 000003
【図２Ｃ】
2004528996.tif 000004
【図２Ｄ】
2004528996.tif 000005
【図２Ｅ】
2004528996.tif 000006
【図２Ｆ】
2004528996.tif 000007
【図２Ｇ】
2004528996.tif 000008
【図２Ｈ】
2004528996.tif 000009
【図３Ａ】
2004528996.tif 000010
【図３Ｂ】
2004528996.tif 000011
【図３Ｃ】
2004528996.tif 000012
【図３Ｄ】
2004528996.tif 000013
【図３Ｅ】
2004528996.tif 000014
【図３Ｆ】
2004528996.tif 000015
【図３Ｇ】
2004528996.tif 000016
【図４】
2004528996.tif 000017
【図５Ａ】
2004528996.tif 000018
【図５Ｂ】
2004528996.tif 000019
【図５Ｃ】
2004528996.tif 000020
【図５Ｄ】
2004528996.tif 000021
【図５Ｅ】
2004528996.tif 000022
【図５Ｆ】
2004528996.tif 000023
【図５Ｇ】
2004528996.tif 000024
【図６】
2004528996.tif 000025
【図７】
2004528996.tif 000026
【図８Ａ】
2004528996.tif 000027
【図８Ｂ】
2004528996.tif 000028
【図８Ｃ】
2004528996.tif 000029
【図８Ｄ】
2004528996.tif 000030
【図８Ｅ】
2004528996.tif 000031
【図８Ｆ】
2004528996.tif 000032
【図８Ｇ】
2004528996.tif 000033
【図９】
2004528996.tif 000034
【図１０Ａ】
2004528996.tif 000035
【図１０Ｂ】
2004528996.tif 000036
【図１０Ｃ】
2004528996.tif 000037
【図１０Ｄ】
2004528996.tif 000038
【図１１Ａ】
2004528996.tif 000039
【図１１Ｂ】
2004528996.tif 000040
【図１２Ａ】
2004528996.tif 000041
【図１２Ｂ】
2004528996.tif 000042
【図１２Ｃ】
2004528996.tif 000043
【図１２Ｄ】
2004528996.tif 000044
【図１２Ｅ】
2004528996.tif 000045
【図１２Ｆ】
2004528996.tif 000046
【図１３】
2004528996.tif 000047
【図１４Ａ】
2004528996.tif 000048
【図１４Ｂ】
2004528996.tif 000049
【図１４Ｃ】
2004528996.tif 000050
【図１４Ｄ】
2004528996.tif 000051
【図１５】
2004528996.tif 000052
【図１６Ａ】
2004528996.tif 000053
【図１６Ｂ】
2004528996.tif 000054
【図１６Ｃ】
2004528996.tif 000055
【図１６Ｄ】
2004528996.tif 000056
【図１７】
2004528996.tif 000057
【図１８Ａ】
2004528996.tif 000058
【図１８Ｂ】
2004528996.tif 000059
【図１８Ｃ】
2004528996.tif 000060
【図１８Ｄ】
2004528996.tif 000061
【図１８Ｅ】
2004528996.tif 000062
【図１８Ｆ】
2004528996.tif 000063
【図１９】
2004528996.tif 000064
【図２０Ａ】
2004528996.tif 000065
【図２０Ｂ】
2004528996.tif 000066
【図２０Ｃ】
2004528996.tif 000067
【図２０Ｄ】
2004528996.tif 000068
【図２０Ｅ】
2004528996.tif 000069
【図２１Ａ】
2004528996.tif 000070
【図２１Ｂ】
2004528996.tif 000071
【図２１Ｃ】
2004528996.tif 000072
【図２１Ｄ】
2004528996.tif 000073
【図２２】
2004528996.tif 000074
【図２３Ａ】
2004528996.tif 000075
【図２３Ｂ】
2004528996.tif 000076
【図２３Ｃ】
2004528996.tif 000077