【事件の表示】
　特願２００８−５５９００８「ＳＯＩ基板およびＳＯＩ基板を用いた半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２２日国際公開、ＷＯ２００９／０１１１５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００８年３月２５日（優先権主張２００７年７月１３日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年９月１０日に手続補正がなされ、同年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２２年３月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２３年９月２０日付けで審尋がなされ、同年１１月１７日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２２年３月２９日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年３月２９日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２２年３月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有することを特徴とするＳｉＣ、サファイア、窒化珪素、および窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられた半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のＳＯＩ基板の前記半導体層に半導体素子の少なくとも一部の領域を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を有する素子形成用基板を用意する工程と、直径４００ｍｍの円の面積を超える面積、及び、前記素子形成用基板よりも高い曲げ強度及びヤング率を備え、前記素子形成用基板を支持する基体を用意する工程と、前記素子形成用基板及び前記基体の少なくとも一方に絶縁膜を形成する工程と、前記素子形成用基板と前記基体とを前記絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、貼り合わせた後、前記素子形成用基板を前記基体から機械的に切り離して、ＳＯＩ基板を作成する工程とを有し、切り離された前記素子形成用基板を再利用する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項４】
　請求項３において、前記素子形成用基板の面のうち、少なくとも、前記基体と貼り合わされる面側に、Ｈ(水素)イオン、Ａｒ（アルゴン）イオン、Ｈｅ（ヘリウム）イオン、Ｋｒ（クリプトン）イオン、Ｎｅ（ネオン）イオンのいずれか一種類、或いは、これらの組み合わせによる複数種のイオンを注入する工程を有し、そのイオンの注入後、前記基体と前記素子形成用半導体基板との貼り合わせ工程が行われることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項５】
　請求項３又は４において、前記素子形成用基板材料がシリコンであり、他方、前記基体材料が炭化珪素、サファイア、窒化珪素、及び、窒化アルミニウムの群からなる少なくとも一つを含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項３乃至５のいずれか一項において、前記素子形成用基板及び前記基体上に形成される前記絶縁膜はＳｉＯ２膜及び窒化酸化珪素膜のいずれかであることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項７】
　請求項１においてＳＯＩ基板の形状が四角形であることを特徴とするＳＯＩ基板。
　　【請求項８】
　請求項３において作成されるＳＯＩ基板の形状が四角形であることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項９】
　請求項１に記載の基体であって、１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とするＳｉＣ、及び窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられた半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有すると共に、１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することを特徴とするＳｉＣの基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられ、前記基体の前記曲げ強度および前記ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。
　　【請求項２】
　２００ＭＰａ以上の曲げ強度と１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とする窒化アルミニウムの基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられ、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を備えた半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。
　　【請求項３】
　請求項１又は２に記載のＳＯＩ基板の前記半導体層に半導体素子の少なくとも一部の領域を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】
　直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を有する素子形成用基板を用意する工程と、直径４００ｍｍの円の面積を超える面積、及び、前記素子形成用基板よりも高い曲げ強度及びヤング率を備え、前記素子形成用基板を支持する、前記素子形成用基板と同等の大きさを有するＳｉＣ又は窒化アルミニウムの基体を用意する工程と、前記素子形成用基板及び前記基体の少なくとも一方に絶縁膜を形成する工程と、前記素子形成用基板と前記基体とを前記絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、貼り合わせた後、前記素子形成用基板を前記基体から機械的に切り離して、ＳＯＩ基板を作成する工程とを有し、切り離された前記素子形成用基板を再利用する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項５】
　請求項４において、前記素子形成用基板の面のうち、少なくとも、前記基体と貼り合わされる面側に、Ｈ(水素)イオン、Ａｒ（アルゴン）イオン、Ｈｅ（ヘリウム）イオン、Ｋｒ（クリプトン）イオン、Ｎｅ（ネオン）イオンのいずれか一種類、或いは、これらの組み合わせによる複数種のイオンを注入する工程を有し、そのイオンの注入後、前記基体と前記素子形成用半導体基板との貼り合わせ工程が行われることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項４又は５において、前記素子形成用基板材料がシリコンであることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項７】
　請求項４乃至６のいずれか一項において、前記素子形成用基板及び前記基体上に形成される前記絶縁膜はＳｉＯ２膜及び窒化酸化珪素膜のいずれかであり、前記絶縁膜は前記素子形成用基板の表裏面だけでなく、側面にも形成されていることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
　　【請求項８】
　請求項１においてＳＯＩ基板の形状が四角形であることを特徴とするＳＯＩ基板。
　　【請求項９】
　請求項４において作成されるＳＯＩ基板の形状が四角形であることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有すると共に、１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することを特徴とするＳｉＣの基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられ、前記基体の前記曲げ強度および前記ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項９を、独立項に書き改めるとともに、補正後の請求項２の
「【請求項２】
　２００ＭＰａ以上の曲げ強度と１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とする窒化アルミニウムの基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられ、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を備えた半導体層を有し、前記基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していないことを特徴とするＳＯＩ基板。」
と補正すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項３を、補正後の請求項４の
「【請求項４】
　直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を有する素子形成用基板を用意する工程と、直径４００ｍｍの円の面積を超える面積、及び、前記素子形成用基板よりも高い曲げ強度及びヤング率を備え、前記素子形成用基板を支持する、前記素子形成用基板と同等の大きさを有するＳｉＣ又は窒化アルミニウムの基体を用意する工程と、前記素子形成用基板及び前記基体の少なくとも一方に絶縁膜を形成する工程と、前記素子形成用基板と前記基体とを前記絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、貼り合わせた後、前記素子形成用基板を前記基体から機械的に切り離して、ＳＯＩ基板を作成する工程とを有し、切り離された前記素子形成用基板を再利用する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
と補正すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項５を、補正後の請求項６の
「【請求項６】
　請求項４又は５において、前記素子形成用基板材料がシリコンであることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
と補正すること。
　
（補正事項ｅ）補正前の請求項６を、補正後の請求項７の
「【請求項７】
　請求項４乃至６のいずれか一項において、前記素子形成用基板及び前記基体上に形成される前記絶縁膜はＳｉＯ２膜及び窒化酸化珪素膜のいずれかであり、前記絶縁膜は前記素子形成用基板の表裏面だけでなく、側面にも形成されていることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
と補正すること。
　
（補正事項ｆ）上記の補正の伴い、補正前の請求項２ないし９の引用関係及び項番を整理すること。
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正事項ａについて
（２−１−１）補正前の請求項１における「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有する」を、補正後の請求項１における「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有すると共に、１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する」は、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（２−１−２）補正前の請求項１における「ＳｉＣ、サファイア、窒化珪素、および窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体と、」を、補正後の請求項１における「ＳｉＣの基体と、」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−１−３） 補正前の請求項１における「該絶縁物層上に設けられた半導体層を有し、」を、補正後の請求項１における「該絶縁物層上に設けられ、前記基体の前記曲げ強度および前記ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する半導体層を有し、」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「前記基体の前記曲げ強度および前記ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する」は、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（２−２）補正事項ｂについて
（２−２−１）補正前の請求項９が引用する補正前の請求項１における「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有する」及び補正前の請求項９における「１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する」を、補正後の請求項２における「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する」とする補正については、「２９０ＧＰａ以上のヤング率を有する」という発明特定事項を削除する補正であるから、特許請求の範囲の減縮に該当せず、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれを目的とするものにも該当しない。
　
（２−２−２）補正前の請求項９が引用する補正前の請求項１における「ＳｉＣ、サファイア、窒化珪素、および窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体と、」及び補正前の請求項９における「ＳｉＣ、及び窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体と、」を、補正後の請求項２における「窒化アルミニウムの基体と、」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−２−３）補正前の請求項９が引用する補正前の請求項１及び補正前の請求項９における「該絶縁物層上に設けられた半導体層を有し、」を、補正後の請求項２における「該絶縁物層上に設けられ、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を備えた半導体層を有し、」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を備えた」は、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（２−３）補正事項ｃについて
（２−３−１）補正前の請求項３における「前記素子形成用基板を支持する基体を用意する工程と、」を、補正後の請求項４における「前記素子形成用基板を支持する、前記素子形成用基板と同等の大きさを有するＳｉＣ又は窒化アルミニウムの基体を用意する工程と、」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「前記素子形成用基板と同等の大きさを有するＳｉＣ又は窒化アルミニウムの基体」は、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（２−４）補正事項ｄについて
（２−４−１）補正前の請求項５における「前記素子形成用基板材料がシリコンであり、他方、前記基体材料が炭化珪素、サファイア、窒化珪素、及び、窒化アルミニウムの群からなる少なくとも一つを含む」を、補正後の請求項６における「前記素子形成用基板材料がシリコンである」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−５）補正事項ｅについて
（２−５−１）補正前の請求項６における「前記素子形成用基板及び前記基体上に形成される前記絶縁膜はＳｉＯ２膜及び窒化酸化珪素膜のいずれかである」を、補正後の請求項７における「前記素子形成用基板及び前記基体上に形成される前記絶縁膜はＳｉＯ２膜及び窒化酸化珪素膜のいずれかであり、前記絶縁膜は前記素子形成用基板の表裏面だけでなく、側面にも形成されている」とする補正については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
 　そして、「前記絶縁膜は前記素子形成用基板の表裏面だけでなく、側面にも形成されている」は、本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２−２−１）において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないが、仮に、本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合には、上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、
平成２２年３月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成１３年１２月１１日に頒布された刊行物である特表２００１−５２５９９１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１２〜１５とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「前述の実施形態を基体から材料の薄膜を劈開することに関して説明した。しかしながら、
基体は制御された劈開プロセスの前にスチフナ等のようなワークピース上に配置されることができる。
ワークピースは誘電材料（例えば水晶、ガラス、サファイヤ、窒化シリコン、二酸化シリコン）と、導電材料（シリコン、炭化シリコン、ポリシリコン、III／Ｖ族材料、金属）と、プラスティック（例えばポリイミドベースの材料）から作られている。
「２．シリコン・オン・絶縁体プロセス
  本発明によるシリコン・オン・絶縁体基体を製造するプロセスを以下、簡単に概略する。
（１）
（誘電材料で被覆されてもよい）ドナーシリコンウェハを設け、
（２）シリコンフィルムの厚さを限定するため選択された深さまで粒子をシリコンウェハ中に導入し、
（３）
（誘電材料で被覆されてもよい）ターゲット基体材料を設け、
（４）注入された表面をターゲット基体材料に接合することによってドナーシリコンウェハをターゲット基体材料に結合し、
（５）劈開動作（選択的）を開始することなく選択された深さの注入された領域の全般的な応力（またはエネルギ）を増加し、
（６）流体ジェットを使用して、選択された深さにおける制御された劈開動作を開始するために結合された基体の選択された領域に応力（またはエネルギ）を与え、
（７）シリコンウェハ（任意選択的）からシリコンフィルムの厚さを取り除くために制御された劈開動作を維持するように結合された基体に付加的なエネルギを与え、
（８）ドナーシリコンウェハとターゲット基体と完全に結合し、
（９）シリコンフィルムの厚さ表面を研磨する。
  上記のステップのシーケンスは本発明により劈開フロントを形成するために多層基体構造の選択された領域へ与えられるエネルギを使用して、制御された劈開動作を開始するステップを与える。この開始ステップは基体に与えられたエネルギ量を限定することにより制御された方法で劈開プロセスを開始する。さらに劈開動作の伝播は、劈開動作を維持するため基体の選択された領域へ付加的なエネルギを与えることにより、またはさらに劈開動作の伝播を行うために開始ステップからのエネルギを使用することによって行われることができる。このステップのシーケンスは単なる１例であり本発明の技術的範囲を限定するものではない。
さらに前述のステップのシーケンスに関する詳細を図面を参照して以下説明する。
  図１２−１８は本発明によりシリコン・オン・絶縁体ウェハの製造プロセスが行われる基体の簡単な断面図である。このプロセスは図１２で示されているようにシリコンウェハ2100に類似した半導体基体を設けることにより開始する。
基体またはドナーは除去される材料領域2101を含んでおり、これは基体材料から得られた薄くて比較的均一なフィルムである。
任意選択的に誘電層2102（例えば窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン）は基体の上部表面に存在する。
  選択されたエネルギ粒子2109はシリコンウェハの上部表面を通って選択された深さへ注入され、その選択された深さは材料の薄膜と呼ばれる材料領域の厚さを限定する。示されているように、粒子は選択された深さ（ｚ0）において所望の濃度2111を有する。エネルギ粒子をシリコンウェハ中に注入するための種々の技術が使用されることができる。これらの技術は、例えばApplied Material、Eaton Corporation Varian、その他の会社から製造されているビームラインイオン注入装置を使用するイオン注入を含んでいる。代わりに、注入はプラズマ浸潰イオン注入（“ＰＩＩＩ”）技術を使用して行われることもできる。さらに注入はイオンシャワーを使用して行われることができる。勿論、使用される技術は応用に依存している。」（第２０頁第２４行〜第２２頁第１６行）
「プロセスは図１３で示されているように、
注入されたシリコンウェハをワークピースまたはターゲットウェハに接合するステップを使用する。ワークピースは誘電体材料（例えば水晶、ガラス、窒化シリコン、二酸化シリコン）と、導電材料（シリコン、ポリシリコン、III／Ｖ族材料、金属）と、プラスティック（例えばポリイミドベースの材料）から作られている基体のような種々のその他のタィプの基体であってもよい。しかしながら、本発明のこの実施例ではワークピースはシリコンウェハである。
「
ウェハをサンドウィッチ構造2300に結合した後、図１４で示されているように、この方法は絶縁体2305の上に位置する基体材料の薄膜2101をターゲットシリコンウェハ2201に与えるため基体材料を除去する制御された劈開動作を含んでいる。
　制御された劈開は、ドナーおよび／またはターゲットウェハへのエネルギソースの選択的なエネルギの位置付けまたは配置またはターゲティング2301、2303により行われる。例えば、エネルギインパルスは劈開動作の開始に使用されることができる。１つのインパルス（または複数のインパルス）はエネルギソースを使用して与えられ、エネルギソースはとりわけ、機械的ソース、化学的ソース、熱シンクまたはソース、電気的ソースを含んでいる。
  制御された劈開動作は前述の技術およびその他により開始され、図１４により示されている。例えば制御された劈開動作を開始するプロセスは基体の選択された深さ（ｚ0）で制御された劈開動作を開始するために基体の選択された領域にエネルギ2301と2303を与えるステップを使用し、ここで劈開動作は基体から除去される基体材料の一部を自由にするため、伝播する劈開フロントを使用して行われる。特定の実施形態では、この方法は前述したように劈開動作を開始するために単一のインパルスを使用する。その代わりに、この方法は開始インパルスを使用し、これに続いて基体の選択された領域への別のインパルスまたは連続的なインパルスが与えられる。代わりに、この方法は基体に沿って、走査されたエネルギにより維持される劈開動作を開始するためにインパルスを与える。代わりにエネルギは基体の選択された領域を横切って走査されることができ、それによって制御された劈開動作を開始および／または維持する。」（第２４頁第９行〜第２５頁第２行）
「ターゲットウェハと材料領域の薄膜との間の最終的な結合ステップが図１５に示されているように幾つかの実施形態にしたがって行われる。１実施形態では、１つのシリコンウェハが二酸化シリコンの被覆層を有し、この層は材料の薄膜を清浄にする前に正面上で熱的に成長したものである。二酸化シリコンは例えば化学蒸気付着のようなその他の種々の技術を使用して形成されることもできる。ウェハ表面との間の二酸化シリコンはこのプロセスで共に熱的に融着する。」（第２６頁第１９〜２４行）
「
ウェハの結合後、シリコン・オン・絶縁体は図１５に示されているように、シリコン材料の被覆フィルムと、ターゲット基体とシリコンフィルムとの間に挟まれた酸化層とを有するターゲット基体を具備する。
「ある実施形態では、酸化物の薄膜2406は図１５で示されているようにターゲットウェハの上に位置する材料のフィルム上に位置する。酸化物層は熱アニールステップ中に形成され、これは材料のフィルムをターゲットウェハに永久に結合することは前述したとおりである。このような実施形態では、仕上げプロセスは第１の除去酸化物に対して選択的に調節され、フィルムは続いてプロセスを完了するために研磨される。勿論、ステップの連続は特定の応用に依存している。」（第２８頁第６〜１１行）
　
（３−３−２）図１５に記載されたターゲットウエハ２２０１は、ワークピースと等価である。そして、ワークピースを構成する材料として、炭化シリコンが記載されている。また、図１５に記載された絶縁体２３０５は、図１２に記載されたシリコンウエハ２１００の上部表面に存在する誘電層２１０２及びターゲットウエハを被覆する誘電材料からなり、誘電層２１０２として、窒化シリコン、酸化シリコンが記載されている。
　
（３−３−３）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「炭化シリコンからなるターゲットウエハと、
前記ターゲットウエハの表面に形成された酸化シリコン、窒化シリコンからなる絶縁体と、
前記絶縁体の上に形成されたシリコンフィルムと、
からなるシリコン・オン・絶縁体。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明の「炭化シリコンからなるターゲットウエハ」、「ターゲットウエハの表面に形成された酸化シリコン、窒化シリコンからなる絶縁体」、「シリコンフィルム」及び「シリコン・オン・絶縁体」は、補正後の発明の「ＳｉＣの基体」、「酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層」、「半導体層」及び「ＳＯＩ基板」に相当する。
　
（３−４−２）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「ＳｉＣの基体と、酸化珪素および窒化珪素の少なくとも一つを含み、前記基体の一表面に設けられた絶縁物層と、該絶縁物層上に設けられた半導体層を有するＳＯＩ基板。」である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「ＳｉＣの基体」が「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有すると共に、１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する」のに対して、刊行物発明では、「炭化シリコンからなるターゲットウエハ」の曲げ強度、ヤング率及び熱伝導率については、特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「半導体層」が「基体の」「曲げ強度および」「ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、前記基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する」のに対して、刊行物発明では、「シリコンフィルム」の曲げ強度、ヤング率及び熱伝導率については、特定されていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していない」のに対して、刊行物発明では、「ターゲットウエハ」及び「シリコンフィルム」の面積、割れ、撓みについて、特定されていない点。
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１について
　炭化ケイ素セラミックスが、「２００ＭＰａ以上の曲げ強度と２９０ＧＰａ以上のヤング率を有する」ことは、以下の周知例１に記載されているように、周知である。また、上記周知例１には、炭化ケイ素セラミックスの熱伝導率が９０〜１７０Ｗ／ｍ・Ｋ（反応焼結の場合）、４２〜１２６Ｗ／ｍ・Ｋ（常圧焼結の場合）であることが記載されているが、炭化ケイ素セラミックスの熱伝導率は、焼成密度、不純物の組成や濃度、原料、焼成温度など製造条件によって変わるものであるから、補正後の発明のような、１８０Ｗ／ｍ・Ｋという値にすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得る程度のことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（ア）周知例１：社団法人日本金属学会編「改訂５版　金属便覧」丸善株式会社，平成２年３月３１日発行，第１０３頁（以下「周知例１」という。）の表１・２４には、炭化ケイ素セラミックスの熱伝導率、ヤング率及び曲げ強さについて、以下の値が記載されている。
　
　・熱伝導率：９０〜１７０Ｗ／ｍ・Ｋ（反応焼結の場合）、４２〜１２６Ｗ／ｍ・Ｋ（常圧焼結の場合）
  ・ヤング率：４２０ＧＰａ（反応焼結の場合）、３９０〜４８０ＧＰａ（常圧焼結の場合）
　・曲げ強さ（ＲＴ）：２５０〜５３０ＭＰａ（反応焼結の場合）、４００〜８７０ＭＰａ
　
（３−５−２）相違点２について
　シリコンの曲げ強度は、以下の周知例２，３によれば、７０、８０ＭＰａであり、ヤング率は、同じく周知例４によれば、１３０〜１９８ＧＰａであり、炭化ケイ素のそれよりも小さいことは明らかである。
　また、シリコンの熱伝導率は、以下の周知例５によれば、１４８Ｗ／ｍ・Ｋであるが、上記相違点１で検討したとおり、炭化ケイ素セラミックスの熱伝導率を１８０Ｗ／ｍ・Ｋという値にすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得る程度のことであるから、シリコンの熱伝導率を炭化ケイ素のそれよりも小さくすることも格別のことではない。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（イ）周知例２：特開２００７−１１８５９０号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００４】・・・また、シリコン単結晶ウエハは、曲げ強度が約８０ＭＰａであるが、さらに大きな曲げ強度の方が信頼性の高いものができる。」
　
（ウ）周知例３：特開平１１−２４５４０５号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００８】また、上記接合体を流路部材２２と同材質のシリコンで形成することも考えられるが、シリコンは曲げ強度が７０ＭＰａ程度とセラミックスや金属に比べて小さいことから、熱圧着時に破損したり、ハンドリング中に破損するといった不具合があった。」
　
（エ）周知例４：ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編「シリコンの科学」株式会社リアライズ社，１９９６年６月２８日発行，第９８９頁のＴａｂｌｅ１には、シリコンのヤング率が、２０℃において、１３０〜１９８ＧＰａであることが記載されている。
　
（オ）周知例５：岩波「理化学辞典」第５版，岩波書店，１９９８年２月２０日発行，第４０５頁には、ケイ素の熱伝導率が、１４８Ｗ／ｍ・Ｋであることが記載されている。
　
（３−５−３）相違点３について
　直径４００ｍｍを超えるシリコンウエーハは、以下の周知例６、７に記載されているように、従来から周知であって、ウエハの大口径化は当然の要請にすぎない。また、基体と半導体層を貼り合わせてＳＯＩ基板を製造する際に、割れ、撓みのない基体及び半導体層を用いることは、当業者が当然配慮することである。そうすると、刊行物発明においても、直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みのないシリコンフィルム及び炭化シリコンのターゲットウエハを用いることにより、本願発明のように、「基体及び半導体層が直径４００ｍｍの円の面積を超える面積を備え、割れ、撓みを有していない」構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（カ）周知例６：特開２０００−１２４１１号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超平坦なシリコン半導体ウェーハ及び超平坦な半導体ウェーハの製造方法に関する。超平坦なシリコン半導体ウェーハは、半導体業界での使用、特に０．１３μｍ以下の線幅を含むエレクトロニクス部品の作製、には好適である。」
「【００１２】・・・好ましく製造されるシリコンウェーハは、原則としていかなる直径でもよく、例えば、ウェーハ直径が２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍ、４５０ｍｍ及び６７５ｍｍという２００ｍｍ以上のウェーハ直径が、主として半導体作製（好ましくは０．１３μｍ以下の極めて狭い線幅を含む大規模集積回路の経済的作製）の後加工産業の要求形状なので特に好ましい。・・・」
　
（キ）周知例７：特開２００２−２８９５６２号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの製造方法、例えば３００ｍｍウェーハ，４５０ｍｍウェーハなどの大口径ウェーハの製造に有利な半導体ウェーハの製造方法に関する。」
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が、引用刊行物に記載された発明及び周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。 
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさないものであり、また、仮に、そのような違反がなく、本件補正が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２２年３月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年９月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（３−３−２）において認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「基体」について、「１８０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する」と限定し、同じく補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「ＳｉＣ、サファイア、窒化珪素、および窒化アルミニウムからなる群の少なくとも一つを含む基体」について、「ＳｉＣの基体」と限定し、同じく補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「半導体層」について、「基体の」「曲げ強度および」「ヤング率よりも小さい曲げ強度及びヤング率を備えると共に、」「基体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２（３）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。