【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、
第１の有機溶媒中で、ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させることにより、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと、
予め選択された末端基と共に、該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を第２の有機溶媒中で接触させることにより、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと
を包含し、
該第１の還元剤および該第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、０．２４Ｖより大きい酸化電位を有する金属元素であり、該金属元素が、微細に分割された形態である、方法。
【請求項２】
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、
第１の有機溶媒中で、ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させることにより、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと、
予め選択された末端基と共に、該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を第２の有機溶媒中で接触させることにより、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと
を包含し、
該第１の還元剤および該第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、０．２４Ｖより大きい酸化電位を有する１つの金属成分を含む液体合金を含む、方法。
【請求項３】
前記第１の還元剤および前記第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、Ｎａ／Ｋ、Ｈｇ／Ｎａ、Ｈｇ／Ｋ、Ｈｇ／Ｌｉ、Ｈｇ／Ｚｎ、およびＨｇ／Ａｌからなる群より選択される剤を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、
第１の有機溶媒中で、ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させることにより、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと、
予め選択された末端基と共に、該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を第２の有機溶媒中で接触させることにより、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと
を包含し、
該第１の還元剤および該第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、アルカリ金属と相間移動触媒との混合物を含む、方法。
【請求項５】
前記相間移動触媒が、クラウンエーテルである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の還元剤および前記第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、芳香族陰イオン、アルキル金属化合物、またはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、およびＡｌからなる群より選択される金属の金属水素化物を含む、請求項１、２、４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の還元剤および前記第２の還元剤のうちの少なくとも一方が、活性化マグネシウム試薬を含む、請求項１、２、４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、
第１の有機溶媒中で、ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させることにより、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと、
予め選択された末端基と共に、該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を第２の有機溶媒中で接触させることにより、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと
を包含し、
該第１の還元剤と前記第２の還元剤とが、同じである、方法。
【請求項９】
前記第１の有機溶媒および第２の有機溶媒のうちの少なくとも一方が、ＭｅＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＭｅの式のポリエーテルを含む、請求項１、２、４、８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリエーテルが、１，２−ジメトキシエタン（グライム）、２−メトキシエチルエーテル（ジグライム）、およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の有機溶媒および第２の有機溶媒のうちの少なくとも一方が、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ベンゼン、トルエン、またはヘキサンを含む、請求項１、２、４、８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の有機溶媒と第２の有機溶媒とが、同じである、請求項１、２、４、８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記予め選択された末端基が、アルキル末端基、水素化物末端基、アルコキシ末端基、アミノ末端基、またはこれらの混合物を含む、請求項１、２、４、８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、
第１の有機溶媒中で、ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させることにより、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと、
予め選択された末端基と共に、該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を第２の有機溶媒中で接触させることにより、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成するステップと
を包含し、
該予め選択された末端基が、アルキル末端基、水素化物末端基、アルコキシ末端基、アミノ末端基、またはこれらの混合物を含み、かつ、オリゴマー基またはポリマー基である、方法。
【請求項１５】
前記ケイ素ナノクリスタルの少なくとも９５％が、約１ｎｍ〜約８０ｎｍの間の長さを有し、該ケイ素ナノクリスタルの少なくとも８０％が、約１ｎｍ〜約７０ｎｍの間の長さを有する、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ケイ素ナノクリスタルの少なくとも９５％が、約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの間の長さを有し、該ケイ素ナノクリスタルの少なくとも８０％が、約５０ｎｍ〜約７０ｎｍの間の長さを有する、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ケイ素ナノクリスタルの少なくとも８０％が、約１ｎｍ〜約５０ｎｍの間の長さを有する、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ケイ素ナノクリスタルの少なくとも８０％が、約１ｎｍ〜約１０ｎｍの間の長さを有する、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
第１の有機溶媒中で、前記ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させるステップ、ならびに予め選択された末端基と共に前記ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を接触させるステップの少なくとも一方が、周囲の温度および圧力で実施される、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
第１の有機溶媒中で、前記ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させるステップ、ならびに予め選択された末端基と共に前記ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を接触させるステップの両方が、周囲の温度および圧力で実施される、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
第１の有機溶媒中で、前記ハロゲン化ケイ素および第１の還元剤を接触させるステップ、ならびに予め選択された末端基と共に前記ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第２の還元剤を接触させるステップが、同時に１つの反応で実施される、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ケイ素ナノクリスタルの収率が、ハロゲン化ケイ素中のケイ素の重量によって９０％より高い、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の還元剤が、前記予め決定された末端基を提供する、請求項１、２、４、８、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の還元剤が、アルキルリチウムであり、前記予め選択された末端基が、アルキル基である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記アルキルリチウムが、ｎ−ブチルリチウムである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の還元剤が、金属アルコキシド、陰イオン性アミン、または金属水素化物を含む、請求項２３に記載の方法。