【事件の表示】
　特願２００４−　２７９０２「半導体装置および表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１８日出願公開、特開２００５−２２３０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年２月４日の出願であって、平成２１年１０月２２日付けの拒絶理由通知に対して、同年１２月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年２月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年５月３１日に拒絶査定不服審判がされるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年９月１６日付けで審尋がなされ、同年１１月２１日に回答書が提出された。
　
第２　平成２２年５月３１日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２２年５月３１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　本件補正の内容
  本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６と補正するとともに、明細書の発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前後の請求項１及び請求項２は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、を備えた半導体装置であって、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面が前記半導体層から露出して形成されており、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面と前記半導体層の上面を覆う絶縁膜を更に備え、
　前記絶縁膜が前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面と接して形成されており、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成れるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、
　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止することを特徴とする半導体装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、を備えた半導体装置であって、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面が前記半導体層から露出して形成されており、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面と前記半導体層の上面を覆う絶縁膜を更に備え、
　前記絶縁膜が前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極の表面と接して形成されており、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止し、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極は、前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、
　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、
　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止し、
　前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極は、前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、
　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなることを特徴とする半導体装置。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１及び請求項２に、「前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極は、前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなる」との記載をそれぞれ付加する。
　
［補正事項２］
　補正前の請求項４を削除する。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項５〜７を、それぞれ請求項４〜６として項番号を繰り上げるとともに、各請求項が引用する請求項の項番号を補正する。
　
［補正事項４］
　補正前の明細書の段落【００１０】、【００１１】、【００１４】及び【００１５】を補正するとともに、補正前の明細書の段落【００１８】及び【００１９】を削除する。
　
　以下、補正事項１ないし４について検討する。
ア　補正事項１について
　補正事項１により補正された事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の段落【００６５】に記載されているから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項１は、補正前の「第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極」について、「前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなる」という構成を追加して「第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極浮遊ゲート電極」を限定する補正であり、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。  
　
イ　補正事項２及び補正事項３について
　補正事項２及び補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項２及び補正事項３が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
ウ　補正事項４について
　補正事項４により補正された事項は、当初明細書の段落【００６５】に記載されており、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
エ　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下において検討する。 
 
（２）独立特許要件について 
ア　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項２に係る発明は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
 　　　 
イ　引用例の記載と引用発明 
（ア）引用例１：特開平２−７４０７５号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−７４０７５号公報（以下「引用例１」という。）には、「電界効果型トランジスタ」（発明の名称）に関して、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。 
 
（ａ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、薄膜型の電界効果型トランジスタに関するものである。」（第１頁左下欄第９〜１１行）
　
（ｂ）「本発明の電界効果型トランジスタは
ガラス基板４上に金を蒸着して
ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄが形成
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの距離は１０μｍ
この間には、有機半導体であるポリチオフェン膜が電導層１として形成
ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び電導層１上には、ラングミュア・ブロジェット（Langmuir・Blodgett）膜の絶縁層５が形成
絶縁層５の上には、ゲート電極Ｇが設けられている
　このような薄膜型の電界効果型トランジスタの製造方法は、
まずガラス基板４上に蒸着によってソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを形成し、この電極Ｓ、Ｄをアノード、白金電極（図示せず）をカソードとして
電解重合を行なう
重合させると
ポリチオフェン膜を形成することができる
次に、これを研磨して金のソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを露出させる。その後、これを基板として通常のラングミュア・ブロジェット（Langmuir・Blodgett）法によりステアリン酸カドミウムを３０層、累積
　
（ｃ）引用例１には、まずガラス基板４上に蒸着によってソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを形成した後、ポリチオフェン膜を電導層１として形成し、次に、これを研磨してソース電極Ｓ、トレイン電極Ｄを露出させ、その後、これを基板としてラングミュア・ブロジェット法により層を累積して絶縁層５を形成する旨が記載されているから、絶縁層５は「ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと電導層１を覆う」ものであるといえる。
　
（イ）引用発明
　以上、第１図及び第２図を参酌してまとめると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ガラス基板４と、
　前記ガラス基板４上に、１０μmの距離を有して配置されたソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、該ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に形成された有機半導体であるポリチオフェン膜からなる電導層１と、
　前記ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと電導層１を覆う絶縁層５と、
　前記絶縁層５上に形成されたゲート電極Ｇと、を備え、
　ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、金よりなる電界効果型トランジスタ。」
　
（ウ）引用例２：米国特許出願公開第２００４／００１２０１８号明細書
　本願の出願前に外国において頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００４／００１２０１８号明細書（以下「引用例２」という。）には、「ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE」（発明の名称）に関して、ＦＩＧ．１ないしＦＩＧ．８とともに以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「[0001]  1. Field of the Invention 
[0002]  The present invention relates to an organic semiconductor device which comprises an organic semiconductor layer of an organic compound. 」
「［０００１］　１．発明の属する技術分野
［０００２］本発明は、有機化合物からなる有機半導体層を備えた有機半導体素子に関する。」（審決注：優先権主張の基礎となる特願２００２−２０８２１２号の公開特許公報（特開２００４−５５６５４）に基づいて翻訳。以下同じ。）
　
（ｂ）「[0016]   
FIG. 1  shows a bottom-contact type organic transistor which uses a P-type organic semiconductor according to the embodiment of the invention
a gate electrode  14
a substrate  10
a gate insulator layer  12
an organic semiconductor layer  13  formed thereon which is made of organic compound having hole carrier mobility such as pentacene which is a P-type organic semiconductor
a source electrode  11  as a first electrode and a drain electrode  15  as a second electrode
The substrate  10  is made of material having an insulating property
　
[0017]   FIG. 2  shows a top-contact type organic transistor according to another embodiment of the invention. Structure of the top-contact type organic transistor is the same as that of the bottom-contact type shown in  FIG. 1  except for the configuration in which the organic semiconductor layer  13  is firstly deposited, thereafter the source electrode  11  and the drain electrode  15  are formed thereon. 
　
[0018]  
The organic semiconductor layer  13  is made of an organic compound that has a capability to transport holes or electrons when a voltage is applied thereto
　
[0019]  An elemental metal normally used for electrode such as Al, Cu, Ni or Cr, or an alloy thereof is used for the gate electrode  14 , when the gate electrode is configured to apply a voltage via the gate insulator layer  12 . 
　
[0020]  As shown in  FIG. 3 , 
it is required that a work function of material used for the source electrode  11  is close to or higher than an ionization potential of the organic semiconductor layer  13 , in order to decrease carriers
 injection barrier between the source electrode and the organic semiconductor
It is required that a work function of material used for the drain electrode  15  is lower than the ionization potential of the organic semiconductor layer  13 , in order to decrease the carriers
 injection barrier between the drain electrode and the organic semiconductor
　
[0021]  
The source electrode  11  as the first electrode has a higher work function than the drain electrode  15  as the second electrode
The ionization potential Ip represents energy measured between the vacuum level and a High Occupied Molecular Orbital (HOMO) level corresponding to a highest level of a valence band VB
　
[0022]  
Material having a higher work function WfA is preferable for the source electrode  11  that corresponds to the first electrode for the P-type organic semiconductor device
　
[0023]  When, for example, 
pentacene that is a carrier transporting material exhibiting high hole mobility
　
[0024]  On the other hand, 
a metal or a compound having a lower work function WfC than WfA
　
[0025]  
When the carriers within the organic semiconductor layer are holes, material having a hole transporting property
such that the holes can be moved therethrough
In this instance, the P-type device having a hole transporting property
when the carriers are electrons, electron transporting material
such that the electrons can be moved therethrough
When an N-type organic semiconductor layer comprising the electron transporting material is formed
as shown in  FIG. 4
an N-type device having an electron transporting property can be provided
Material
having a work function close to the electron affinity of the organic semiconductor is used for the source electrode  11  corresponding to the first electrode for the N-type device
Material
having a work function higher than the electron affinity of the organic semiconductor is used for the drain electrode  15  corresponding to the second electrode for the N-type device
electrons are injected from the source electrode  11  into the N-type organic semiconductor layer
 
「［００１６］　
図１は実施形態のｐ型有機半導体を用いたボトムコンタクト型有機トランジスタを示す
基板１０
ゲート電極１４
ゲート絶縁膜１２
ｐ型有機半導体のペンタセンなどのキャリア（正孔）移動性を有する有機化合物からなる有機半導体層１３
ソース電極１１（第１電極）及びドレイン電極１５（第２電極）
基板１０は
絶縁性材料からなる
　
［００１７］　図２は他の実施形態のトップコンタクト型有機トランジスタを示す。トップコンタクト型素子は、有機半導体層１３が先に成膜され、その上にソース電極１１及びドレイン電極１５が形成される以外、図１のボトムコンタクト型と同じ構成を有する。
　
［００１８］　
有機半導体層１３は電圧印加によって正孔又は電子の輸送能力を発揮する有機化合物からなる
　
［００１９］　ゲート電極１４はゲート絶縁膜１２を介して電圧を印加する場合は、電極材料として一般に用いられるＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、及びそれらの合金などが用いられる。
　
［００２０］　図３に示すように、
ソース電極１１の材料には、有機半導体とのキャリア注入障壁を低くするため、仕事関数が有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルに近いあるいは大きいことが求められる
ドレイン電極１５の材料には、有機半導体とのキャリア注入障壁を低くするため、仕事関数が有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルより小さいことが求められる
　
［００２１］　
ソース電極１１（第１電極）はドレイン電極１５（第２電極）より大なる仕事関数を有する
イオン化ポテンシャルＩｐは、真空準位と価電子帯ＶＢの最高準位に対応する最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位との間を測定したエネルギーである
　
［００２２］　本実施形態の
ｐ型有機半導体素子で使用するソース電極１１（第１電極）の材料としては、仕事関数ＷｆＡがなるべく大きなものがよく
　
［００２３］　例えば、
高い正孔移動度を示すキャリア輸送性材料であるペンタセン
　
［００２４］　一方、
ドレイン電極１５（第２電極）の材料としては、その仕事関数ＷｆＣがＷｆＡより小さな金属又は化合物
　
［００２５］　
有機半導体層におけるキャリアが正孔の場合には、正孔が移動できる正孔輸送性材料
正孔輸送性のｐ型素子
キャリアが電子の場合には、電子が移動できる電子輸送材料
図４に示すように
電子輸送材からなるｎ型有機半導体層を用いた場合、電子輸送性のｎ型素子を実現できる
ｎ型素子のソース電極１１（第１電極）には、その仕事関数が有機半導体の電子親和力に近い材料
ｎ型素子のドレイン電極１５（第２電極）にはその仕事関数が有機半導体の電子親和力より大きい材料
電子はソース電極１１よりｎ型有機半導体層に注入
　
（ｃ）「[0034]  This application is based on a Japanese patent application No. 2002-208212 which is herein incorporated by reference.」
　
「［００３４］　この出願は、ここに参照として併合される日本国特許出願特願２００２−２０８２１２号を基礎とする。」
　
（ｄ）「[0011]　FIG. 3  is a figure showing an energy level of an organic semiconductor device」
「［００１１］　図３は、有機半導体素子のエネルギー準位を示す図である。」
　
ウ　対比
　本件補正後の請求項２に係る発明（以下「補正発明」という。）と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ガラス基板４上」、「ソース電極Ｓ」、「ドレイン電極Ｄ」、「有機半導体であるポリチオフェン膜からなる電導層１」、及び「電界効果型トランジスタ」は、それぞれ補正発明の「絶縁性基板の表面」、「第１のソース／ドレイン電極」、「第２のソース／ドレイン電極」、「有機物からなる半導体層」及び「半導体装置」に相当する。
　
（イ）上記「イ（ア）引用例１」の（ｂ）の記載内容を参照すると、引用例１には、ガラス基板４上に蒸着によってソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを形成する旨が記載されているから、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは「ガラス基板４の表面」に配置されたものであるといえる。
　
（ウ）引用発明の「ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄ」は、「１０μmの距離を有して配置」されたものであるから、補正発明と引用発明は、「所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極」を備える点で一致する。
　
（エ）上記「イ（ア）引用例１」の（ｂ）の記載内容を参照すると、引用例１には、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの距離は１０μｍであり、電極Ｓ、Ｄをアノード、白金電極をカソードとして電解重合を行い、ポリチオフェン膜を形成する旨記載されているから、ポリチオフェン膜は「ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に充填された」ものであるといえる。
　したがって、引用発明の「該ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に形成された有機半導体であるポリチオフェン膜からなる電導層１」は、補正発明の「該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層」に相当するといえる。
　
（オ）上記「イ（ア）引用例１」の（ｂ）の記載内容を参照すると、引用例１に記載された電界効果型トランジスタにおいて、所定の距離を有して配置されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ並びに電導層１上に絶縁層５が形成され、かつ、絶縁層５の上にはゲート電極Ｇが設けられていることから、引用発明の「絶縁層５」は本願発明の「ゲート絶縁膜」に相当するといえる。
　
（カ）上記（オ）において検討したことからも、引用例１に記載された電界効果型トランジスタはいわゆるＭＯＳＦＥＴであることが明らかであるといえる。そして、ＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、ソース電極・ドレイン電極間に流れる電流、すなわちドレイン電流がゲート電圧に対応して変化することは、ＭＯＳＦＥＴの基本的動作原理であり技術常識であるから、当業者には明らかなことである。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化」するものである点で一致するといえる。
　
（キ）上記（ア）〜（オ）において検討したことから、引用発明は補正発明と同様に「絶縁性基板と、　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極」という構成を備える半導体装置であるといえるから、引用発明も補正発明のように、「ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止する」という機能を備えているものと認められる。
　
（ク）よって、補正発明と引用発明とは、 
「絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、
　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止する半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
（相違点） 
　「前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極」について、補正発明では、「前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極は、前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなる」のに対し、引用発明では、「前記第１のソース／ドレイン電極（ソース電極Ｓ）および前記第２のソース／ドレイン電極（ドレイン電極Ｄ）」は、「金よりなる」点。
　
エ　判断
　以下、上記相違点について検討する。
　
（ア）引用例２に記載された有機半導体素子のうち、有機半導体層１３がｐ型である場合について検討する。
　上記「イ　（ウ）引用例２」の（ｂ）に記載した内容を参酌すると、引用例２には、有機半導体層１３がｐ型有機半導体のペンタセンなどの正孔移動性を有する有機化合物からなる正孔輸送性のｐ型有機半導体素子において、ソース電極１１の材料には、有機半導体とのキャリア注入障壁を低くするため、仕事関数が有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルに近いあるいは大きいことが求められ、ドレイン電極１５の材料には、有機半導体とのキャリア注入障壁を低くするため、仕事関数が有機半導体層１３のイオン化ポテンシャルより小さいことが求められるので、ソース電極１１はドレイン電極１５より大なる仕事関数を有するものとすることが開示されている。
　
（イ）次に、引用例２に記載された有機半導体素子のうち、有機半導体層１３がｎ型である場合について検討する。
　「イ　（ウ）引用例２」の（ｂ）の特に段落［００２５］に記載した内容を参酌すると、引用例２には、有機半導体層１３として、電子輸送材からなるｎ型有機半導体層を用いた場合、ソース電極１１にはその仕事関数が有機半導体の電子親和力に近い材料を、ドレイン電極１５にはその仕事関数が有機半導体の電子親和力より大きい材料を用いることが開示されている。そして、当該開示の内容、並びに引用例２のＦＩＧ．３及び「イ　 （ウ）引用例２」の（ｂ）の段落［００２１］のＦＩＧ．３についての記載内容を勘案すると、引用例２には、有機半導体層１３として、ｎ型有機半導体層を用いた場合、ソース電極１１の仕事関数がドレイン電極１２の仕事関数よりも小さくなるようなものを用いることが記載されているものと認められる。
　
（ウ）ところで、一般に、有機半導体層を備えた電界効果トランジスタにおいて、特性を向上するために、キャリアの注入効率をできるだけ大きくすることは当業者が常に念頭においている課題の一つであるから、引用発明において、キャリアの注入効率を向上させることは当業者であれば当然になし得たことである。
　そして、ソース電極と有機半導体との間のキャリア注入障壁を低くすることがキャリアの注入効率の向上に資するものであることは、当業者の技術常識である。
　したがって、引用発明及び引用例２に接した当業者であれば、ソース電極と有機半導体とのキャリア注入障壁を低くするために、引用発明に対して、引用例２に記載された技術を適用し、有機半導体がｐ型の場合には、ソース電極１１の仕事関数がドレイン電極１５の仕事関数よりも大なるものとし、ｎ型の場合には、ソース電極１１の仕事関数がドレイン電極１２の仕事関数よりも小さくなるようなものとすること、すなわち、補正発明のように、「前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極は、前記半導体層がｐ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも大きくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなり、　前記半導体層がｎ型半導体である場合は、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちソース電極として機能する電極の材料の仕事関数が、前記第１のソース／ドレイン電極および前記第２のソース／ドレイン電極のうちドレイン電極として機能する電極の材料の仕事関数よりも小さくなるような互いに仕事関数が異なる材料よりなる」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（エ）以上のとおりであるから、補正発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
オ　独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項２に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２１年１２月２２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項２に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項２】
　絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、
　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止することを特徴とする半導体装置。」
　
第４　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−７４０７５号公報（再掲）には、「電界効果型トランジスタ」（発明の名称）に関して、第１図及び第２図とともに、上記「第２　２（２）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されている。 
　よって、引用例１には上記「「第２　２（２）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの以下の引用発明が記載されている。
　
「ガラス基板４と、
　前記ガラス基板４上に、１０μmの距離を有して配置されたソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、該ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に形成された有機半導体であるポリチオフェン膜からなる電導層１と、
　前記ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと電導層１を覆う絶縁層５と、
　前記絶縁層５上に形成されたゲート電極Ｇと、を備え、
　ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、金よりなる電界効果型トランジスタ。」
  
第５　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　上記「第２　２（２）ウ　対比」の（ア）ないし（キ）に記載した事項を勘案すると、本願発明と引用発明とは、
「絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板の表面に、所定の間隙を有して配置された第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と、該第１のソース／ドレイン電極と第２のソース／ドレイン電極との間に充填された有機物からなる半導体層と、
　前記第１のソース／ドレイン電極および第２のソース／ドレイン電極と半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、
　前記ゲート電極に印加されるゲート電圧が閾値電圧を越えてオンの状態では、前記第１のソース／ドレイン電極と前記第２のソース／ドレイン電極との間の前記半導体層に形成されるチャネルを流れるドレイン電流量がゲート電圧に対応して変化し、
　ゲート電圧が前記閾値電圧以下のオフの状態では、前記絶縁膜により、リーク電流を防止する半導体装置。」
　である点で一致し、相違する点はない。
  
第６　当審の判断
　以上のとおりであるから、本願発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明と同一ということとなる。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。