Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  不安（ａｎｘｉｅｔｙ）の治療または予防に使用する医薬品の製造における、背根神経節（ｄｏｒｓａｌ  ｒｏｏｔ  ｇａｎｇｌｉｏｎ）細胞における過分極活性化陽イオン電流を阻害するための、５より大きいｐＩＣ５０を有する、Ｉｈチャネルインヒビターの使用であって、前記インヒビターが式（Ｄ）の化合物ではなく、
【化１】
2003510242.tif 000001
上式で、Ｒ１’およびＲ２’が同じであるかまたは異なっており、それぞれがＣ６〜１２アリール、Ｃ２〜１４ヘテロアリール、Ｃ６〜１２アリールＣ１〜６アルキル、Ｃ２〜１４ヘテロアリールＣ１〜６アルキル（アルキル、アリールまたはヘテロアリール部分は任意に、Ｃ１〜６アルコキシ、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ３〜６シクロアルキル、Ｃ４〜６シクロアルケニル、Ｃ６〜１２アリール、Ｃ２〜１４ヘテロアリール、ハロゲン、アミノ、ヒドロキシ、ハロＣ１〜６アルキル、ニトロ、Ｃ１〜６アルキルチオ、スルホンアミド、Ｃ１〜６アルキルスルホニル、ヒドロキシＣ１〜６アルキル、Ｃ１〜６アルコキシカルボニル、カルボキシル、カルボキシＣ１〜６アルキル、カルボキシアミドおよびＣ１〜６アルキルカルボキシアミドから選択された１つまたは複数の置換基で置換されることが可能である）、水素、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ３〜６シクロアルキル、Ｃ３〜６シクロアルキルＣ１〜６アルキル、Ｃ４〜６シクロアルケニル、Ｃ２〜６アルケニル、Ｃ２〜６アルキニル、およびＣ１〜６アルコキシＣ１〜６アルキル（アルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルケニル、アルキニル、またはアルコキシアルキル部分は任意に、アミノ、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ１〜６アルキルカルボキシアミド、カルボキシアミド、カルボキシ、Ｃ１〜６アルコキシカルボニル、Ｃ１〜６アルキルカルボキシおよびカルボキシＣ１〜６アルキルから選択された１つまたは複数の置換基で置換されることが可能である）から選択されているか、あるいはＲ１’およびＲ２’の一方が上記に定義された通りでかつもう一方がヒドロキシであり、
Ｒ３’およびＲ４’は、同じであるかまたは異なっており、それぞれがＣ６〜１２アリール、Ｃ２〜１４ヘテロアリール、Ｃ６〜１２アリールＣ１〜６アルキル、Ｃ２〜１４ヘテロアリールＣ１〜６アルキル（アルキル、アリールまたはヘテロアリール部分は任意にＣ１〜６アルコキシ、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ３〜６シクロアルキル、Ｃ４〜６シクロアルケニル、Ｃ６〜１２アリール、Ｃ２〜１４ヘテロアリール、ハロゲン、アミノ、ヒドロキシ、ハロＣ１〜６アルキル、ニトロ、Ｃ１〜６アルキルチオ、スルホンアミド、Ｃ１〜６アルキルスルホニル、ヒドロキシＣ１〜６アルキル、Ｃ１〜６アルコキシカルボニル、カルボキシル、カルボキシＣ１〜６アルキル、Ｃ１〜６アルキルカルボキシアミドおよびカルボキシアミドから選択された１つまたは複数の置換基で置換されることが可能である）、水素、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ３〜６シクロアルキル、Ｃ３〜６シクロアルキルＣ１〜６アルキル、Ｃ４〜６シクロアルケニル、Ｃ２〜６アルケニル、Ｃ２〜６アルキニル、Ｃ１〜６アルコキシＣ１〜６アルキル、ハロＣ１〜６アルキル、ハロＣ２〜６アルケニル、ハロＣ２〜６アルキニル、シアノ、カルボキシル、Ｃ１〜６アルキルカルボキシおよびカルボキシＣ１〜６アルキル（アルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルケニル、アルキニル、またはアルコキシアルキル部分は任意にアミノ、ヒドロキシ、Ｃ１〜６アルキルカルボキシアミド、カルボキシアミド、カルボキシ、Ｃ１〜６アルコキシカルボニル、Ｃ１〜６アルキルカルボキシおよびカルボキシＣ１〜６アルキルから選択された１つまたは複数の置換基で置換されることが可能である）から選択されているか、あるいはＲ３’またはＲ４’の１つがＲ１’またはＲ２’の１つおよび結合しているＮ原子と一緒になって、５員環または６員環の複素環を形成しており、
Ｒ５’は、ハロゲン、水素、Ｃ１〜６アルキルおよびＣ１〜６アルコキシから選択された１つまたは複数の環置換基を表しており、
Ｒ６’は、下記の式の単環置換基を表しており、
【化２】
2003510242.tif 000002
上式で、点線は任意の結合を表しており、Ｙは酸素または−ＮＲ８’（式中Ｒ８’は水素またはＣ１〜６アルキルである）であって、Ｒ７’は水素、ハロゲン、ハロＣ１〜６アルキル、Ｃ１〜６アルキルおよびＣ１〜６アルコキシから選択された１つまたは複数の置換基を表していることを特徴とする前記使用。
【請求項２】  ｐＩＣ５０が６から９の範囲である請求項１に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施例１
次章では、
Ａ）ラットの背根神経節（ｄｏｒｓａｌ  ｒｏｏｔ  ｇａｎｇｌｉｏｎ：ＤＲＧ）細胞において過分極活性化内向き陽イオン電流Ｉｈを阻害する化合物の効力を測定すること、この効力はＩｈ活性化速度の減少として測定され、５０％効果濃度（ＩＣ５０）またはこのＩＣ５０のマイナス対数（ｐＩＣ５０として知られている）として表される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月5日(2006.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光ファイバープレフォームの製造方法であって、
（ａ）第１の材料で形成されたターゲットロッドを準備する工程と、
（ｂ）プラズマトーチによって、第１の濃度で提供された第１ドーパントでドープされた第１のシリカ層を前記ターゲットロッドに、所定の第１の厚さまで、同時に、蒸着して焼結する工程と、
（ｃ）前記第１のシリカ層を蒸着した前記ターゲットロッドを所定の第１の直径まで引いて、それによって、ドープされたシリカロッドを形成する工程と、
（ｄ）（ｄ１）所定の回数にわたり、
（ｄ２）前記第１の材料が前記ドープされたシリカロッドの所定の割合を含むまで、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とを繰り返す工程と、
（ｅ）第２の濃度で提供された第２のドーパントでドープされたシリカを含む第２の層を前記ドープされたシリカロッド上に所定の第２の厚さまで蒸着して、それによって、中間構造体を形成する工程と、
（ｆ）  前記中間構造体に第３の層を所定の第３の厚さまで蒸着して、それによって、プレフォーム構造体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  （ｇ）前記プレフォーム構造体の上にジャケット層を付ける工程を更に含み、前記ジャケット層は、本質的に純粋シリカからなり、且つ、所定の第４の厚さまで付けられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記工程（ｆ）の後であって、且つ前記工程（ｇ）の前に、所定の第３の直径まで前記プレフォーム構造体を引く工程を更に含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記第１の材料が、シリカ、および、ドーパントでドープされたシリカからなる群から選ばれたものの一つであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記ドーパントが、Ｆ、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＴｉＯ2、および、Ａｌ2Ｏ3からなる群から選ばれたものの一つである屈折率変更材料であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記工程（ｅ）において、前記第２の濃度が、前記第１の濃度と相違しており、
前記方法は、さらに、
前記第２のシリカ層を蒸着しているときに、前記第２の濃度を一定の値に維持する工程を含み、これによって、ドープされたシリカロッド、および、第２のシリカ層の階段状の屈折率のプロファイルを形成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記第２のシリカ層を蒸着しているときに、第２の濃度を変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記第２のドーパントはフッ素であり、前記第２の濃度は、最初に第２のシリカ層が蒸着されたときの最小値から、前記第２のシリカ層の蒸着がほとんど完了するときの最大値まで変化することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記第２の濃度は、前記第２のシリカ層が最初に蒸着されたときの最大値から、前記第２のシリカ層の蒸着がほとんど完了するときの最小値まで変化することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記第２の濃度の最大値は、前記第１の濃度と実質的に等しいことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記工程（ｆ）において蒸着された前記第３の層は、プラズマ外側蒸着によって蒸着されたクラッド層であって、前記クラッド層は、本質的に、前記最小値で前記第２のドーパントでドープされたシリカからなることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記工程（ｆ）において蒸着された前記第３の層は、プラズマ外側蒸着によって蒸着されたクラッド層であって、前記クラッド層が、本質的に、フッ素でドープされたシリカからなることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  前記工程（ｆ）において蒸着された前記第３の層は、プラズマ外側蒸着によって蒸着されたクラッド層であって、前記クラッド層が、本質的に、フッ素でドープされたシリカからなることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  （ｇ）前記プレフォーム構造体にジャケット層を付ける工程を更に含み、前記ジャケット層は、実質的に純粋シリカからなり、且つ、所定の第４の厚さまで付けられることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】  前記工程（ｆ）の後であって、且つ前記工程（ｇ）の前に、所定の第３の直径まで前記プレフォーム構造体を引く工程を更に含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記工程（ｂ）、前記工程（ｅ）および前記工程（ｆ）のうちの少なくとも１つの工程が、プラズマ外側蒸着によって行われ、
コイル軸を中心にした複数の巻き線を有するコイルを備えた高周波プラズマトーチを準備する工程を備え、前記プラズマトーチは、ターゲットを前記コイルから３０ｍｍから５５ｍｍの間隔だけ離した状態で、前記ターゲットの長さに沿って、選択的に位置決め可能であり、
さらに、ヒドロキシルの含有量が２ｐｐｍ未満であるプラズマガスをプラズマトーチの中に導入してプラズマを形成する工程と、
少なくともＳｉＣｌ4と、ドーパントとを含み、ヒドロキシルの含有量が０．５ｐｐｍ未満である原料ガスを前記プラズマと連通する領域の中に導入する工程と、
前記ターゲットと前記コイルとの間の間隔を維持しながら、前記プラズマと前記原料ガスとの反応生成物の少なくとも１つをターゲットに蒸着する工程と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記コイルの軸線方向におけるプラズマの速度がゼロである前記プラズマトーチの箇所のすぐ上方に、前記原料ガスを導入することを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記ターゲットは、前記ターゲットに最も近い巻き線から、前記間隔だけ離れていることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  プラズマガスを前記プラズマトーチの中に導入する前に、プラズマガスを乾燥する工程を更に含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】  前記第１のドーパントと前記第２のドーパントが同じであり、前記第１の濃度と前記第２の濃度が同じであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  個体における癌の増殖を予防または抑制する方法であって、その必要性がある個体に治療的に有効な量の柑橘類リモノイド含有組成物を投与することを含む前記癌の増殖予防または抑制方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下式(I)
【化１】
2002522435.tif 000001
（上式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は同一であるか又は相異なり、Ｈ、Ｃ1-8アルキル、Ｃ2-8アルケニル、Ｃ2-8アルキニル、シクロアルキル、アリール、複素環、ハロゲン、ＣＮ、アジド、ＮＲＲ’、Ｃ1-8アルキルアミノ、アリールアミノ、Ｃ1-8アルキルオキシ、アリールオキシ、ＣＯＯＲ、ＣＯＮＲＲ’からなる群より選ばれ、Ｒ及びＲ’はＨ、Ｃ1-8アルキル、シクロアルキル、アリール、複素環、アリールＣ1-8アルキルからなる群より選ばれ、
Ｑは単結合、Ｃ1-8アルキル、Ｃ2-8アルケニル、Ｃ2-8アルキニル、シクロアルキル、ＣＯ、ＣＯＮＲ、ＮＲからなる群より選ばれ、Ｒは上記規定と同じであり、
ＷはＨ、Ｃ1-8アルキル、Ｃ2-8アルケニル、Ｃ2-8アルキニル、シクロアルキル、トリフルオロメチル、Ｃ1-8アルコキシ、Ｃ1-8アルコキシ−Ｃ1-8アルキル、アリールＣ1-8アルキル、アリール、アリールオキシ、アリールアミノ、Ｃ1-8アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アリールカルボキシ、アリールカルボキシアミド、ハロゲン、ＣＮ、ＮＲＲ’、Ｃ1-8アルキルアミノ、複素環からなる群より選ばれ、ここでアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリール、複素環は置換していてもよく、
ｎは１〜４の間の整数である）
で表される化合物、及びその医薬上許容される塩又はエステルの製造方法であって、
下式
【化２】
2002522435.tif 000002
（上式中、Ｒ3及びＲ4は上記の規定と同じである）
のチオアミド３を下式２
【化３】
2002522435.tif 000003
（上式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ5は上記の規定と同じである）
のビニルケトンによりＮ−アルキル化して下式
【化４】
2002522435.tif 000004
（上式中、すべての置換基は上記規定と同じである）
の対応する化合物４を与え、これを硫黄原子においてメチル化し、下式
【化５】
2002522435.tif 000005
（上式中、すべての置換基は上記規定と同じである）
の塩５を与え、これを塩基と直接反応させて所望の化合物(I)を得ることを含む方法。
【請求項２】  化合物２と化合物３の間の反応を、強力ではあるが非求核性塩基の存在下において、有機溶媒中で行う、請求項１記載の方法。
【請求項３】  環化の最終工程を、強力ではあるが非求核性塩基の存在下において、有機溶媒中で行う、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  前記塩基がＫ2ＣＯ3／18-クラウン-6又はジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）である、請求項２記載の方法。
【請求項５】  前記塩基がジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）である、請求項３記載の方法。
【請求項６】  前記溶媒がＴＨＦである、請求項２記載の方法。
【請求項７】  メチル化剤がジメチルスルフェートであり、溶媒が還流温度のトルエンである、請求項１又は３記載の方法。
【請求項８】  総反応時間が30分〜１時間である、請求項７記載の方法。
【請求項９】  式(I)の化合物が、2,3,5,6-テトラヒドロ-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-8-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-4-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,8-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-1-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,4-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-6-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-6-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-6,8-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-4,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,6,8-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-1,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,4,6-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-5-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-5-メチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-5,8-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,5-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5,8-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-1,5-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,4,5-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-5,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-5,6-ジメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-5,6,8-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5,6-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5,6-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、2,3,5,6-テトラヒドロ-1,5,8-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、8-クロロ-2,3,5,6-テトラヒドロ-1,5,6-トリメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オン、又は2,3,5,6-テトラヒドロ-4,5,6,8-テトラメチル-(1H)-ベンゾ[c]キノリジン-3-オンである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  少なくとも１種の乳酸菌はストレプトコッカス  テルモフィルス（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｔｈｅｒｍｏｐｈｉｌｕｓ）、ラクトコッカス  ラクチス  ラクチス亜種（Ｌａｃｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｌａｃｔｉｓ．ｓｕｂｓｐ．ｌａｃｔｉｓ）、およびラクトコッカス  ラクチス  ラクチス亜種  ジアセチラクチス次亜種（Ｌａｃｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｌａｃｔｉｓ  ｓｕｂｓｐ．ｌａｃｔｉｓ  ｂｉｏｖａｒ  ｄｉａｃｅｔｙｌａｃｔｉｓ）から成る群から選択する、請求項１から５のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  ストレプトコッカス  テルモフィルス（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｔｈｅｒｍｏｐｈｉｌｕｓ）、ラクトコッカス  ラクチス  ラクチス亜種（Ｌａｃｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｌａｃｔｉｓ．ｓｕｂｓｐ．ｌａｃｔｉｓ）、およびラクトコッカス  ラクチス  ラクチス亜種  ジアセチラクチス次亜種（Ｌａｃｔｏｃｏｃｃｕｓ  ｌａｃｔｉｓ  ｓｕｂｓｐ．ｌａｃｔｉｓ  ｂｉｏｖａｒ  ｄｉａｃｅｔｙｌａｃｔｉｓ）から成る群から選択した少なくとも１種の乳酸菌菌株を含む、請求項１４から１９のいずれか１項に記載の口内保健用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月9日(2006.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医薬として許容し得る合成限局ヒドロゲルバリアを形成する方法であって：  それぞれ少なくとも１の水溶性及び分解可能な領域、及び統計的に１モノマーあたり１以上の重合化可能な領域を有するモノマーを含んだ、薬学的に受容可能な合成第一及び第二成分を提供する工程、該第一成分及び第二成分を注入して被覆を形成する工程、外部給源からの適用エネルギーなしで該第一及び第二成分をインサイチュで重合して、限局的に癒着する生物分解可能なヒドロゲルバリアを形成する工程を含む方法。
【請求項２】
前記第一マクロマが、前記第二マクロマ上の求核性の官能基と反応して共有結合を形成する、求電子性の官能基を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
医薬として許容し得る合成限局ヒドロゲルバリアを形成する方法であって：  第一成分を注入して内部の被覆を形成して、該第一成分が、統計的に１分子あたり１以上の重合可能な領域を有する、医薬的に許容し得る水溶性の合成生物分解可能マクロマを有する工程；  該第一成分に接触する第二成分を注入して、該第二成分が、過酸化物、過硫酸塩、アゾ開始剤、熱開始剤及びレドックス開始剤を含み、インサイチュにおける該マクロマの重合を開始して、限局的に癒着する生物分解可能なヒドロゲルバリアを外部給源からのエネルギー適応なく形成する工程を含む。
【請求項４】
少なくとも一つのマクロマが、ポリエチレングリコール、アクリレート、一級アミン、又はＮ−ヒドロキシスクシンイミドエステル及びスクシンイミドの群から選択された求電子性官能基を含む、請求項１〜３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記第一及び第二成分を同時に、連続的に、別々に注入する工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
ヒドロゲルを、実質的に均衡水和レベル又は実質的に等張水和レベルで形成する工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記ヒドロゲルが１ＭＰa以下の引張強度を有する工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
組織癒着性ヒドロゲルを、１か月、２か月、又は６か月の任意の所定の期間内で生物分解する工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
前記ヒドロゲルが、治療的利益を提供する生物活性分子を更に含む、請求項１〜８のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
前記生物活性分子が、抗炎症剤、抗生物質、抗菌剤、抗凝血剤、抗アレルギー剤、抗癌剤、化学療法、麻酔薬、抗ヒスタミン剤、免疫抑制剤、抗凝血剤、止血剤、心・血管作動薬及び血管形成阻害薬を含む群から選択された薬品を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記第一成分又は前記第二成分が色指示薬を含む、請求項１〜１０のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
前記ヒドロゲルが、患者の体内で、エステル結合の加水分解によって分解可能である、請求項１〜１１のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
医薬として許容可能な合成第一及び第二成分を含む、医薬として許容可能な合成限局ヒドロゲルを形成するためのキットであって：該第一及び第二成分が、１マクロマあたり少なくとも１の水溶性及び分解可能な領域及び統計的に１以上の重合可能な領域を持つマクロマを含み、該第一マクロマが、該第二マクロマ上の求核性官能基と反応して共有結合するための求電性官能基を含む、前記キット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  長期の無痛覚を生成するための薬学的組成物を調製するための治療物質を含むリポソーム組成物であって、該治療物質が鎮痛薬であり、該組成物が、以下：
（ｉ）鎮痛薬を含む溶液からの該鎮痛薬の沈澱が防止されるｐＨにおいて、リポソームの外側よりも該リポソームの内側により高いアンモニウムイオン濃度を有するリポソームの懸濁液とともに、該溶液をインキュベートする工程、および
（ｉｉ）カプセル化されていない薬物を除去する工程、
によって調製される、リポソーム組成物。
【請求項２】  長期の無痛覚を生成するための薬学的組成物を調製するための治療物質を含むリポソーム組成物であって、該治療物質が鎮痛薬であり、該組成物が、以下：
（ｉ）該リポソームが、少なくとも１０００ｎｍのサイズを有すること；
（ｉｉ）該リポソームが、多重で、非同心性で、より小さい小胞を含むこと；
（ｉｉｉ）該リポソームが、少なくとも０．５％の脂質に対する薬物のモル比を有すること；および
（ｉｖ）該リポソームが、予め調製されたリポソームとともに、該鎮痛薬をインキュベートすることによって調製されること
により特徴付けられる、リポソーム組成物。
【請求項３】  前記鎮痛薬が、ブピバカインである、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】 前記リポソーム鎮痛薬組成物中の、脂質に対するカプセル化された鎮痛薬のモル比が少なくとも１．０：１．０である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項５】  前記リポソーム鎮痛薬組成物中の、脂質に対するカプセル化された鎮痛薬のモル比が少なくとも１．５：１．０である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項６】  前記リポソームが、少なくとも約１０００ｎｍのサイズを有するＧＭＶリポソームである、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】  請求項１または２の組成物であって、ＧＭＶリポソームは、脂質フィルムを硫酸アンモニウムの水溶液とともにボルテックスすること、生成した懸濁液をホモジナイズして、小さい単層小胞（ＳＵＶ）の懸濁液を形成すること、およびＳＵＶの該懸濁液を液体窒素中で、次に水中で、繰り返し凍結融解することによって調製される、組成物。
【請求項８】  ＧＭＶリポソームを調製する方法であって、（ａ）水性媒体とともに脂質フィルムをボルテックスする工程、（ｂ）生成した懸濁液をホモジナイズして、小さい単層小胞（ＳＵＶ）の懸濁液を形成する工程、および（ｃ）ＳＵＶの該懸濁液を液体窒素中で、次に水中で、繰り返し凍結融解する工程、を包含する、方法。
【請求項９】  前記凍結融解工程が少なくとも５回繰り返される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記水性媒体が硫酸アンモニウムの水溶液である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  前記ＧＭＶリポソームの懸濁液を治療物質の溶液とともにインキュベートすることによって、前記リポソーム内に、該治療物資をカプセル化する工程をさらに包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】  前記治療物質は弱い塩基性であり、そして前記ＧＭＶリポソームの懸濁液が前記リポソームの外側よりも前記リポソームの内側により高いアンモニウムイオン濃度を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】  前記物質はブピバカインであり、そして前記インキュベートする工程は、前記溶液からの該ブピバカインの沈澱が防止されるｐＨにおいて行われる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  核酸ベクターとトランスフェクション率を増大させる調製剤とを有する共凍結乾燥された複合体であって、
核酸ベクターを有する溶液と調製剤を有する溶液とが混合されて、共凍結乾燥の前に凍結乾燥溶液が形成され、また、調製剤はポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ＰＶＰ−ＰＶＡコポリマー、ポロキシマー及びポロキサミンから成る群から選択される複合体。
【請求項２】  前記調製剤は、核酸と混合される前に中性のｐＨを有するポリビニルピロリドンである請求項１に記載の複合体。
【請求項３】  前記核酸ベクター及び前記ポリビニルピロリドンは、約１：１７の重量対重量比で前記共凍結乾燥された複合体内に存在している請求項２に記載の複合体。
【請求項４】  前記核酸ベクター及び前記ポリビニルアルコールが、約１：１０の重量対重量比で前記共凍結乾燥された複合体内に存在している請求項１に記載の複合体。
【請求項５】  前記凍結乾燥溶液が、約３．５から約９、好ましくは、約６．５から約８のｐＨを有している請求項１に記載の複合体。
【請求項６】  前記核酸ベクター及び前記調製剤が、再水和溶液の添加によって医薬上許容しうる配合物をもたらす単一バイアル配合物内で共凍結乾燥される請求項１から５のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項７】  再水和溶液が０．９％のＮａＣｌを有する請求項６に記載の複合体。
【請求項８】  再水和溶液は医薬上許容しうる配合物にトランスフェクション最適化ｐＨを付与するバッファを有する請求項６に記載の複合体。
【請求項９】  前記再水和溶液は約３−４のｐＨを有する請求項８に記載の複合体。
【請求項１０】  前記調製剤は、中性のｐＨでポリビニルピロリドンであり、前記バッファは医薬上許容しうる配合物に酸性のｐＨを付与する請求項８に記載の複合体。
【請求項１１】  前記医薬上許容しうる配合物は約５％のポリビニルピロリドンと、約４のｐＨを有する約２５ｍＭのＮａ−シトラートバッファとを有する請求項１０に記載の複合体。
【請求項１２】  一つ又は複数の以下の追加成分、すなわち、抗菌剤、塩、酸化防止剤、バッファ及び凍結防止剤をさらに有する請求項１から１１のいずれか一項に記載の複合体。
【請求項１３】  前記抗菌剤が塩化ベンザルコニウム、ベンジルアルコール、クロロクレゾール、硝酸フェニル水銀及びアセテートから成る群から選択される請求項１２に記載の複合体。
【請求項１４】  前記酸化防止剤がアスコルビン酸、ブチルヒドロキシアニソール(BHA)、システイン、硫酸水素ナトリウム及びグルタチオンから成る群から選択される請求項１２に記載の複合体。
【請求項１５】  前記バッファが酢酸及び塩、琥珀酸及びホウ酸ナトリウム、ホルマート及びＨＣｌ、及びＮａ−シトラートバッファから成る群から選択される請求項１２に記載の複合体。
【請求項１６】  前記凍結防止剤が乳糖、ショ糖、マンニトール、トレハロース及びポリビニルピロリドンから成る群から選択される請求項１２に記載の複合体。
【請求項１７】  前記核酸ベクターがｈＧＨ、ＶＥＧＦ、ＥＰＯ、ＩＧＦ−１、ＴＰＯ、ファクターＩＸ、ＩＦＮ−α、ＩＦＮ−β、ＩＬ−２及びＩＬ−１２から成る群から選択されるタンパク質をコード化している請求項１から１６のいずれか一項に記載の複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】心線維症を治療するための組成物であって、次式、
【化１】
2002522462.tif 000001
にて表される群の要素である化合物及び薬学的に許容可能なその塩の薬学的有効量を薬学的に許容可能な担体とともに含み、
式中、
Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり；ｎは１または２である組成物。
【請求項２】前記化合物はハロフジノンである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】心線維症を治療するための薬剤の製造方法であって、次式にて表される群の要素である化合物及び薬学的に許容可能なその塩の薬学的有効量を薬学的に許容可能な担体中に入れる工程を含み、
【化２】
2002522462.tif 000002
式中、
Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり；ｎは１または２である製造方法。
【請求項４】心線維症を実質的に予防するための組成物であって、次式、
【化３】
2002522462.tif 000003
にて表される群の要素である化合物及び薬学的に許容可能なその塩の薬学的有効量を薬学的に許容可能な担体とともに含み、
式中、
Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり；ｎは１または２である組成物。
【請求項５】心線維症を実質的に予防するための薬剤の製造方法であって、次式、
【化４】
2002522462.tif 000004
にて表される群の要素である化合物及び薬学的に許容可能なその塩の薬学的有効量を薬学的に許容可能な担体中に入れる工程を含み、
式中、
Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり；Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり；ｎは１または２である製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化５】
2002522462.tif 000005
式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群からなる群の要素である。これらの化合物群の内、こうした治療においてハロフジノンが特に有効であることが示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【化６】
2002522462.tif 000006
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシからなる群の要素であり、ｎは１または２であるような組成物である。最も好ましくは、この化合物はハロフジノン及び薬学的に許容可能なその塩である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【化７】
2002522462.tif 000007
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシからなる群の要素であり、ｎは１または２である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【化８】
2002522462.tif 000008
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり、ｎは１または２である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【化９】
2002522462.tif 000009
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり、ｎは１または２である。薬学的に許容可能なその塩も更に含まれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【化１０】
2002522462.tif 000010
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり、ｎは１または２である。薬学的に許容可能なその塩も更に含まれる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【化１１】
2002522462.tif 000011
ただし式中、Ｒ1は、水素、ハロゲン、ニトロ、ベンゾ、低級アルキル、フェニル、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ2は、ヒドロキシ、アセトキシ、及び低級アルコキシからなる群の要素であり、Ｒ3は、水素及び低級アルケノキシ−カルボニルからなる群の要素であり、ｎは１または２である組成物。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【化１２】
2002522462.tif 000012
組成物はこの化合物に対する薬学的に許容可能な担体を含むことが好ましい。
上記に述べた化合物のすべてが、この式にて表される化合物自体であるかもしくは薬学的に許容可能なその塩であるかもしくはその両方であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  一般式
Ｒ13Ｐ    （ＩＩ）
の化合物の製造方法であり、一般式
Ｒ1 −Ｈ    （Ｖ）
の化合物を用いて開始し（式中、Ｒ1 は請求項１又は２に定義したとおりである）請求項１〜４の任意の１項の方法を行い、その後結果として生ずる化合物Ｒ1−Ｌｉを、好ましくはそれらを単離しないで、請求項１、３及び４のいずれか１項に定義されたエーテル化合物を含む溶媒中で三塩化燐と反応させる該方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  Ｌが式−ＺＲ’’（式中、Ｚは酸素又は硫黄原子、Ｒ’’基はアルキル基を表す）である請求項６に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  一般式
Ｒ2 Ｐ−Ｘ−ＰＲ2     （Ｉ）
の化合物の製造方法であり、一般式
Ｒ2 Ｐ−Ｌ    （ＩＶ）
の化合物を用いて開始して（式中、Ｒは請求項１０の定義どおりであり、Ｘは２価の架橋基であり、Ｌは請求項６〜８に定義されたとおりである）請求項１０又は１１の方法により一般式ＲL-Ｐ−Ｌｉ  （ＩＸ）の化合物を製造し、続いて一般式Ｈａｌ−Ｘ−Ｈａｌの化合物と反応させる（好ましくは中間化合物Ｒ2Ｐ−Ｌｉを単離しない）該方法（式中、Ｈａｌはハロゲン原子である）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  一般式
Ｒ2 Ｐ+ （Ｌ）−Ｘ−Ｐ+ （Ｌ）Ｒ2   ２Ｈａｌ-     （ＸＩ）
の製造方法であり（式中、Ｒは随意に置換されたヒドロカルビル基であり、Ｘは請求項１５の定義どおりであり、Ｈａｌはハロゲン原子、Ｌは請求項７に記載された残基である）、一般式
Ｒ2 Ｐ−Ｌ    （ＩＶ）
の化合物と、一般式
Ｈａｌ−Ｘ−Ｈａｌ    （Ｘ）
の化合物との反応による該方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  一般式
Ｒ12Ｐ+（Ｌ）−Ｘ−Ｐ+ （Ｌ）Ｒ12  ２Ｈａｌ-     （ＸＩ）
の化合物の製造方法であり（式中、Ｒ1 は請求項１又は２の定義どおりである）、一般式
Ｒ1 −Ｌｉ    （ＩＩＩ）
の化合物を用いて開始し、請求項７の方法に続けて請求項１８又は１９の方法による該方法（式中、Ｌ、Ｘ及びＨａｌは請求項２２に述べられたとおりである）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  一般式
Ｒ12Ｐ+（Ｌ）−Ｘ−Ｐ+ （Ｌ）Ｒ12  ２Ｈａｌ-     （ＸＩ）
の化合物の製造方法であり（式中、Ｒ1 は請求項１又は２の定義どおりである）一般式
Ｒ1 −Ｈ    （Ｖ）
の化合物を用いて開始し、請求項１〜４の任意の１項の方法に続けて請求項２０の方法による該方法（式中Ｌ、Ｘ及びＨａｌは請求項１８に述べられたとおりである）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】  一般式
Ｒ2 Ｐ−Ｘ−ＰＲ2     （Ｉ）
の化合物の製造方法であり、一般式
Ｒ2 Ｐ+ （Ｌ）−Ｘ−Ｐ+ （Ｌ）Ｒ2     （ＸＩＩ）
のカチオンの還元による該方法（式中、Ｒ、Ｌ、Ｘ及びＨａｌは請求項１８に述べられたとおりである）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  一般式
Ｒ12Ｐ−Ｘ−ＰＲ12    （Ｉ）
の化合物の製造方法であり（式中、Ｒ1 は請求項１又は２の定義どおりであり、Ｘは請求項１８に述べられたとおりである）一般式
Ｒ1 −Ｌｉ    （ＩＩＩ）
の化合物を用いて開始し、請求項７の方法に続いて請求項２４の方法による該方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧圧縮機を含むガスタービンエンジンであって、
前記高圧圧縮機は、外側ケーシングと前記ガスタービンエンジンのガス流路に水を噴射するノズル構造とを備え、
前記構造は、前記外側ケーシングに固定された複数個のノズルを備え、
各前記ノズルは、空気入口ノズル及び水入口ノズルを有するヘッドと、前記空気入口ノズル及び前記水入口ノズルからの空気及び水がその中を流れるステムと、該ステムから伸び開放端を有する導管と、を備え、
前記ノズルは、前記ガスタービンエンジンのガスの流れに水を噴射し前記高圧圧縮機の出口でほぼ一様な半径方向及び円周方向の温度低下をもたらすように構成され、
前記複数のノズルは、1組の長いノズル及び1組の短いノズルを備え、
前記１組の長いノズルは、前記１組の短いノズルよりも前記外側ケーシングから前記ガス流路に半径方向内側に長く延び、
少なくとも1つの短いノズルが、周方向に配置された2つの長いノズルの間に位置している、ガスタービンエンジン。
【請求項２】
前記短いノズルは、前記ガス流路の円周と大体同一面になるように構成され、
前記長いノズルは、前記ガス流路の中に半径方向で入り込むように構成されている、請求項１に記載のガスタービンエンジン。
【請求項３】
前記ノズルが前記高圧圧縮機の上流側に配置されていて、前記ノズルによってガスの流れの中に噴射された水により、前記高圧圧縮機の出口におけるガスの流れの温度がほぼ一様に低下するようになっている請求項１記載のガスタービンエンジン。
【請求項４】 
低圧圧縮機を更に含み、前記ノズルが該低圧圧縮機の上流側に配置されている請求項３記載のガスタービンエンジン。
【請求項５】
前記短いノズルは、そのノズルの軸線が前記外側ケーシングの面に対して直交し、噴射点が前記外側ケーシングの面から０．５１ｃｍ半径方向内側となるように構成されている、請求項１に記載のガスタービンエンジン。
【請求項６】
前記短いノズル及び前記長いノズルを通る水流の水量比が約５０/５０である請求項１記載のガスタービンエンジン。
【請求項７】
前記高圧圧縮機の入口に於ける温度を求める温度センサを有し、該センサが前記長いノズルのうちの１つと整合している請求項１記載のガスタービンエンジン。
【請求項８】 
前記ガスタービンエンジンのケースに取り付ける取り付けフランジを更に有する請求項１記載のガスタービンエンジン。
【請求項９】
前記ステムが外側管状導管と、該外側導管の中に配置された内側管状導管とで構成されている請求項１記載のガスタービンエンジン。
【請求項１０】
空気が前記外側導管及び前記内側導管の間の環状部分を流れ、水が前記内側導管の中を流れる請求項９記載のガスタービンエンジン。
【請求項１１】
空気及び水が前記ステムから伸びる前記導管の中で混合される請求項１０記載のガスタービンエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路における信号を検出する方法であって、
赤外光線を、集積回路の空乏領域を通って集積回路の半導体基板の背面まで送るステップと、
上記空乏領域内で上記信号を応答してフリー・キャリアを変調することによってフリー・キャリア吸収で赤外光線を振巾変調するステップと、
空乏領域を通り、半導体基板の背面を通過した反射赤外光線の振幅変調を検出するステップとから構成されることを特徴とする検出方法。
【請求項２】  集積回路内の信号を検出するための装置であって、この装置は、
赤外光線を出力するように構成された光源と、
光源と集積回路の間に配置され、光線を、信号に応答して変化する集積回路の空乏領域を通り、半導体基板の背面を通るように送る対物レンズと、
光源と対物レンズの間に配置されたビーム・スプリッタと、
空乏領域を通り、半導体基板の背面を通り、対物レンズを通り、ビーム・スプリッタを通過した反射光線の振幅変調を検出するように配置された検出器とを備え、
上記空乏領域のフリー・キャリアを上記信号に応答して変調し、これによって、光線が空乏領域内での光線のフリー・キャリア吸収から得られた信号に応答して振巾変調されるようにしたことを特徴とする装置。
【請求項３】  集積回路の半導体のバンド・ギャップに近い波長でレーザ・ビームを動作させるステップと、
半導体の背面を通って半導体の能動領域上にレーザ・ビームを集束させるステップと、
能動領域を通り、半導体の背面を通過した反射レーザ・ビームの振幅変調を検出するステップと
を含む集積回路内の電界を検出する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月28日(2006.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  作用流体を入れるチェンバー入口と作用流体を排気する出口とを持ったヒーティングチェンバー、焼却チューブ、および熱源を備えた加熱、焼却装置において、
焼却チューブは、ヒーティングチェンバーに向かって伸び、ヒーティングチェンバー内に焼却チューブ入口を有し、ヒーティングチェンバーの外に焼却チューブ出口を有し、
熱源は、ヒーティングチェンバー内にあり、焼却チューブ入口と同軸に配置され、チェンバー内に高温ガスを作り、汚染物質を焼却するに充分な温度にまで焼却チューブ内の温度を上げ、作用流体がヒーティングチェンバーを通る時、低い動作温度になるようにし、
作用流体が高温のガスと混ざらないように、作用流体はチェンバーの入口と出口の間に流れるようにされ、
汚染物質は焼却チューブ出口から出る前に焼却チューブを通って焼却されることを特徴とする加熱、焼却装置。
【請求項２】  請求項１の加熱、焼却装置において、熱源としてガスバーナーを使用することを特徴とする装置。
【請求項３】  請求項１の加熱、焼却装置において、熱源として高圧ガスバーナーを使用し、最低200ft／secの高速焔を作ることを特徴とする装置。
【請求項４】  請求項１の加熱、焼却装置において、熱源として電気ヒートエレメントを使用することを特徴とする装置。
【請求項５】  請求項１の加熱、焼却装置において、焼却チューブ内の温度調整のために、焼却チューブ入口に対して、熱源が軸状に可動であることを特徴とする装置。
【請求項６】  請求項１の加熱、焼却装置において、焼却チューブ温度調整装置が設けられ、焼却チューブ内に温度センサーを備え、温度センサーはコントローラーに接続され、アクチュエーターがコントローラーと熱源に接続され、コントローラーが焼却チューブ内の温度を調整するために熱源を焼却チューブ入口に対して軸状に動かすことを特徴とする装置。
【請求項７】  作用流体を入れるための作用流体入口と、作用流体を外に出すための作用流体出口の付いたサイクロンセパレーター、焼却チューブ、および熱源を備えた加熱、焼却装置において、
サイクロンセパレーターは作用流体を渦状にすることにより、作用流体から特定の物質を取り除くことができ、
焼却チューブはサイクロンセパレーターの方に同軸状で伸びており、
焼却チューブは、サイクロンセパレーターの中に焼却チューブ入口を有し、サイクロンセパレーターの外部に焼却チューブ出口を有し、
熱源はサイクロンセパレーター内で焼却チューブ入口と同軸に並んでそして離れて位置し、
熱源は高温ガスを焼却チューブ入口に吹き付け、焼却チューブの内部を汚染物質を焼却するに充分な温度に加熱し、作用流体がサイクロンセパレーターを通る時低い作業温度になるようにし、
作用流体は高温ガスよりも温度が低く、重く、よって作用流体は外側に振られ、高温ガスは熱く、軽くそのためガスはサイクロンセパレーターの中心に集まり、
作用流体はこのため高温ガスと混じることはなく、焼却チューブを通過する汚染物質は焼却チューブ出口から焼却チューブを通って出て行く前に焼却されることを特徴とする装置。
【請求項８】  請求項７の加熱、焼却装置において、熱源としてガスバーナーを使用する装置。
【請求項９】  請求項７の加熱、焼却装置において、熱源として高圧のガスバーナーを使用し、少なくとも200ft／secの速度を持つ高速焔を作ることを特徴とする装置。
【請求項１０】  請求項７の加熱、焼却装置において、熱源として電気ヒートエレメントを使用することを特徴とする装置。
【請求項１１】  請求項７の加熱、焼却装置において、焼却チューブ内の温度を調整するために、焼却チューブ入口に対して同軸状に熱源を可動にしたことを特徴とする装置。
【請求項１２】  請求項７の加熱、焼却装置において、焼却チューブの温度調整システムを含み、該システムは温度センサーが焼却チューブの中に位置し、コントローラーがそれに付けられ、アクチュエーターがコントローラーと熱源に接続され、コントローラーが、アクチュエーターに働いて焼却チューブ内の温度を調整するために熱源を焼却チューブ入口に対して同軸状に動かすことを特徴とする装置。
【請求項１３】  作用流体を再循環させる加熱部、加熱部に接続されたヒーティングチェンバー、焼却チューブおよび熱源を備えた加熱、焼却装置において、
ヒーティングチェンバーには加熱部から作用流体を受け入れるチェンバー入口と、作用流体を戻すためのチェンバー出口があり、作用流体は加熱部とヒーティングチェンバーの間を循環し、
焼却チューブはヒーティングチェンバーに向かって伸び、ヒーティングチェンバー内に焼却チューブ入口があり、ヒーティングチェンバーの外側に焼却チューブ出口があり、
熱源はヒーティングチェンバー内にあって焼却チューブ入口と同軸状に配置され、高温ガスを作り、
高温ガスは、焼却チューブ入口に向けて噴出され、焼却チューブの内部の温度を汚染物質を焼却するのに充分な高温にし、
作用流体がヒーティングチェンバーを通って流れる時、低い作動温度になるようにし、
作用流体はチェンバー入口とチェンバー出口との間を流れるように向けられるので高温ガスと混合することがなく、汚染物質は焼却チューブ出口から外部に排出される前に焼却チューブ内で焼却されることを特徴とする装置。
【請求項１４】  請求項１３の加熱、焼却装置において、熱源としてガスバーナーを使用することを特徴とする装置。
【請求項１５】  請求項１４の加熱、焼却装置において、更に加熱部温度調整システムが設けられ、加熱部内に温度センサーが位置し、ガスバーナーにバルブが取り付けられ、コントローラーが温度センサーとバルブに接続しており、コントローラーがバルブを調整して加熱部の作動温度を調整することを特徴とする装置。
【請求項１６】  請求項１３の加熱、焼却装置において、熱源として高圧のガスバーナーを使用し、少なくとも200ft／secの速度を持つ高速焔を作ることを特徴とする装置。
【請求項１７】  請求項１３の加熱、焼却装置において、熱源として電気ヒートエレメントを使用することを特徴とする装置。
【請求項１８】  請求項１３の加熱、焼却装置において、焼却チューブ内の温度を調整するために、焼却チューブ入口に対して同軸状に熱源を可動に設置することを特徴とする装置。
【請求項１９】  請求項１３の加熱、焼却装置において、焼却チューブの温度調整システムを更に含み、該システムは温度センサーが焼却チューブの中に位置し、コントローラーがそれに付けられ、アクチュエーターがコントローラーと熱源に接続され、コントローラーがアクチュエーターに働いて焼却チューブ内の温度を調整するために熱源を焼却チューブ入口に対して同軸状に動かすことを特徴とする装置。
【請求項２０】  請求項１３の加熱、焼却装置において、加熱部温度調整システムを更に含み、該システムは加熱部内に温度センサーが位置し、温度センサーと熱源がコントローラーに接続し、加熱部内の作動温度を調整するためにコントローラーが熱源の強さを調整することを特徴とする装置。