【事件の表示】
　特願２００６−　４５７６０号「コイル部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年９月６日出願公開、特開２００７−２２７５６６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年２月２２日の出願であって、平成２１年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１２月１日）、これに対し、平成２２年１月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。 
　 
第２　平成２２年１月２２日付け手続補正についての補正却下の決定 
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２２年１月２２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。　  
　  
〔理由〕  
　１　本願補正発明  
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２１年２月１７日）に、 
「【請求項１】
　絶縁体と、前記絶縁体に対して積層され、螺旋状に形成されたスパイラル部を有するコイル導体とを備えたコイル部品であって、
　前記スパイラル部の最内周及び最外周の導体幅は、前記スパイラル部の他の部分の導体幅よりも大きく、
　前記スパイラル部の導体幅は、前記スパイラル部の導体高さよりも小さいことを特徴とするコイル部品。」 
　とあったものを、 
　  
「【請求項１】
　絶縁体と、前記絶縁体に対して積層され、螺旋状に形成されたスパイラル部を有するコイル導体とを備えたコイル部品であって、
　前記スパイラル部の最内周及び最外周の導体幅は、前記スパイラル部の他の部分の導体幅よりも大きく、
　前記スパイラル部の導体幅は、前記スパイラル部の導体高さよりも小さ
く、
　
前記絶縁体は樹脂材料からなり、
　
前記コイル導体は、前記絶縁体上に下地層を形成し、前記下地層の表面に導体めっきを施した後、エッチングにより前記導体めっきの不要部分及び前記下地層を除去することにより形成されている、
　と補正（下線は補正箇所を示し、当審で付した。）するものである。 
　 
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書の段落【００１４】及び【００２７】を根拠として「絶縁体」について「樹脂材料からなり」と限定し、同【００２８】及び【００３０】を根拠として「コイル導体」について「前記絶縁体上に下地層を形成し、前記下地層の表面に導体めっきを施した後、エッチングにより前記導体めっきの不要部分及び前記下地層を除去することに
より形成されている」と限定するものであり、かつ、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。  
　  
　２　刊行物 
（１）刊行物１ 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された実願昭５７−７０４号（実開昭５８−１０５１０９号）のマイクロフィルム（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。なお、以下において「ボンディング」の後ろの「ン」は小文字である。  
　 
　ア　「この考案はスパイラルインダクタに関する。
　スパイラルインダクタはＵＨＦ帯あるいはマイクロ波帯のハイブリット集積回路およびモノリシック集積回路の基本構成素子として重要であり、増幅器、発振器等多くの回路に使用されている。
　第１図は従来のスパイラルインダクタの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。同図で１および２は入出力端子、３はスパイラルインダクタを構成する導体線路、４はクロスオーバを実現するためのボンディング線、５は絶縁性あるいは高抵抗基板である。インダクタにおいては、損失が小さいことが非常に重要である。スパイラルインダクタの場合損失を小さくするには導体線路３の線路幅を広くする必要がある。しかしながら線路幅を広くすると単位長さ当りのインダクタンスが減少するため、同一インダクタンス値を得るに要するインダクタの面積が増大する。面積の増大は電気的には高周波特性の劣化の原因となり、また回路の大形化に基づく、製造価格の上昇をもたらす。」（第１頁第８行〜第２頁第１０行） 
　 
　イ　「この考案の目的は面積の増大を最小限に抑えて、しかも損失が十分に小さいスパイラルインダクタを提供することにある。
　この考案によれば少なくとも３ターン以上の巻数を有し、最内周および最外周の線路幅が他の部分の線路幅より広いことを特徴とするスパイラルインダクタが得られる。」（第２頁第１１行〜１７行） 
　 
　ウ　「第２図はこの考案によるスパイラルインダクタの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。同図で１１および１２は入出力端子、１３はスパイラルインダクタを構成する導体線路であり、図から明らかなように最内周および最外周の線路幅が他の部分の線路幅より広くなっている。１４はクロスオーバを実現するためのボンディング線、１５は絶縁性あるいは高抵抗基板である。」（第２頁第１８行〜第３頁第５行） 
　 
　エ　「以上を要約するに、すべての線路幅が等しい従来のスパイラルインダクタでは最内周および最外周線路の損失が支配的であり、それ以外の線路での損失の寄与は比較的少ないと結論できる。したがってスパイラルインダクタの損失を低減させる場合、すべての線路幅を広くする必要はなく、この考案のごとく最内周および最外周の線路幅のみを広くすることが極めて有効であることがわかる。
　以上、図を用いて詳細に説明したようにこの考案によれば面積の増大を最小限に抑えて、しかも損失が十分に小さいスパイラルインダクタを提供することができ実用上の効果が大きい。なお説明では角形スパイラルインダクタを用いたが、本発明はこれに限定されず、円形スパイラルインダクタにも適用しうることはいうまでもない。」（第５頁第３行〜１７行） 
　
　オ　第２図（ａ）には、スパイラルインダクタが入出力端子１１，１２、ボンディング線１４及び導体線路１３からなり、当該導体線路１３が螺旋状に形成されたスパイラル部を有すること、導体線路１３のスパイラル部の最内周および最外周の線路幅が他の部分の線路幅より広くなることが示されている。
　
　カ　第２図（ｂ）には、絶縁性基板１５に導体線路１３が積層されること、当該導体線路１３の線路幅がその高さよりも大きく描かれている。
　 
　これらの記載事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１に記載された発明」という。）が記載されている。  
　 
「絶縁性基板１５と、前記絶縁性基板１５に対して積層され、螺旋状に形成されたスパイラル部を有する導体線路１３とを備えたスパイラルインダクタであって、
　前記スパイラル部の最内周および最外周の線路幅が他の部分の線路幅より広くなっており、
　前記スパイラル部の線路幅は、前記スパイラル部の高さよりも大きいスパイラルインダクタ。」   
　  
（２）刊行物２ 
　次に、本願の出願前に頒布された特開２００４−２６００１７号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。  
　 
　ア　「【００２６】
前記磁性基板１，１１は焼結フェライト、複合フェライト等であり、絶縁層２，４，６，８，１０はポリイミド樹脂，エポキシ樹脂等の絶縁性に優れ，加工性の良い材料である。」 
　 
　イ　「【００２７】
スパイラル形状コイル導体パターンである第１コイル導体層５と第２コイル導体層７の導体幅と伝送信号の減衰特性の関係は図３に示す通りである。図３中、曲線ａは導体幅４５μｍ、導体間スペース２０μｍ、曲線ｂは導体幅３６μｍ、導体間スペース１３μｍ、曲線ｃは導体幅１２μｍ、導体間スペース１２μｍの場合のディファレンシャルモード減衰特性（ｄＢ）の周波数特性であり、スパイラル形状導体幅が細くなることでデータ伝送減衰特性が向上している。また、図３から、伝送信号のカットオフ周波数（減衰−３ｄＢ）を２．４ＧＨｚ（８００ＭＨｚ伝送×３）以上とする為には導体幅を３６μｍ以下に細くすることが有効となる。従って、第１及び第２コイル導体層５，７の導体幅Ｗ１が
Ｗ１≦３６μｍ
である事が高速伝送化にとって大きな効果があるといえる。
【００２８】
また、この時導体幅の減少で直流抵抗増加が発生するが、その減少を抑えるため導体厚を増加する必要がある。導体厚を増加するためには、真空成膜／エッチング工法では導体厚さＴの２倍のサイドエッチングが発生し、導体厚を厚くした場合、導体間スペースがＴ×２以上となり現実的に導体を厚くすることは困難である（導体間スペースが広くなり、スパイラル形成面積が広域である必要がある）。」
　 
　ウ　「【００３０】
上記条件のスパイラル形状のコイル導体層５，７をめっきで形成する手順は以下の通りである。
【００３１】
図４（Ａ）のように、絶縁層４，６上に真空成膜法（スパッタ等）で下地導体膜２０を成膜する。この時、下地導体膜２０は絶縁層４，６の樹脂との密着性及び後の電気めっきを考慮するとＣｒ／Ｃｕ（下層がＣｒ、上層がＣｕ）又はＴｉ／Ｃｕが好ましい。
【００３２】
その膜上にフォトレジスト２１を塗布する。この時のフォトレジスト２１はこの後に電気めっきするスパイラル形状導体厚より厚く塗布することが好ましい。
【００３３】
次に、スパイラル形状導体パターンとするために必要なパターンを有したフォトマスクを使用して露光し、レジスト２１を現像することにより、図４（Ｂ）のレジストパターンが形成される。つまり、スパイラル形状に合致させて下地導体膜２０を露出させる。
【００３４】
次に、図４（Ｃ）のように、既に成膜した下地導体膜２０を電極とし厚付け導体２２の電気めっきを行う。この時レジスト２１のパターンがダムとなり、スパイラル形状に電気めっきが形成される。
【００３５】
次に、図４（Ｄ）のように、電気めっき後不要となったレジストを剥離し、さらに図４（Ｅ）のようにスパイラル形状めっき部で形成された厚付け導体２２以外の下地導体膜２０をエッチングにより除去する。これにより、スパイラル形状のコイル導体層５，７が完成する。
【００３６】
この厚付け導体に使用する電気めっき金属は、めっき性、コスト、電気伝導度等を考慮するとＣｕが好ましい。」
　 
　エ　図４（Ｆ）には、厚付け導体２２の導体幅を導体厚Ｔよりも小さくすることが示されている。 
　 
（３）刊行物３ 
　また、本願の出願前に頒布された特開平１０−１４４５５２号公報（以下「刊行物３」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。  
　 
　ア　「【００１７】つぎに、本発明の薄膜導電パターンの形成方法を、図２（ａ）〜（ｆ）に示す概略断面図を参照して説明する。
【００１８】まず図２（ａ）に示すように、基板６上全面にメッキ用の通電膜７を形成する。基板６はＧａＡｓ半導体基板上に層間絶縁膜や下層導電パターンおよび接続孔等が形成されたものである。ＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴ等の能動素子が予め作り込まれたものでもよい。また通電膜７はＴｉ／Ａｕからなる積層膜を蒸着やスパッタリングで薄く形成したものであり、その厚さは例えばＴｉ５０ｎｍ、Ａｕ２００ｎｍである。Ｔｉは下地の層間絶縁膜等と薄膜導電パターンとの密着性を高めるための層である。
【００１９】つぎに図２（ｂ）に示すように、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜８をプラズマＣＶＤ等により約５μｍ堆積する。この後、レジスト膜を例えば１．２μｍの厚さにスピンコートし、ライン幅例えば０．８μｍ、スペース幅が例えば４μｍのラインアンドスペースパターンの高解像度レジストマスク９を形成する。
【００２０】この後、例えば平行平板型ＲＩＥ装置とＣＦ４／Ｏ２混合ガスを用い、高解像度レジストマスク９をエッチングマスクとして絶縁膜８を異方性エッチングする。このときエッチング選択比として約５以上は容易に得られる。下地通電膜７表面のＡｕはＳｉＯ２エッチング用のＣＦ４／Ｏ２混合ガスとは反応せずにエッチングストッパとして機能するので、オーバーエッチングを加えることにより、絶縁膜８の残渣を生じることなく、通電膜７を均一に露出して絶縁膜８のステンシルを形成することが可能である。この状態を図２（ｃ）に示す。
【００２１】つぎに通電膜７を電極とし、図２（ｄ）に示すようにＡｕメッキによる薄膜導電パターン５を５μｍの厚さに形成する。図２（ｃ）に示したＲＩＥの終了段階で高解像度レジストマスク９が残存している場合には、Ａｕメッキ工程の前後いずれかの段階で剥離する。
【００２２】この後、絶縁膜８のステンシルを除去する。抜きパターンの方法は、希フッ酸等によるウェットエッチング、あるいはフッ素系ガスを用いた等方性モードの強いドライエッチングを用いる。この抜きパターン工程ではＡｕからなる薄膜導電パターン５や露出する通電膜７は反応しない。この状態を図２（ｅ）に示す。
【００２３】続けて、Ａｒガスを用いたイオンミリングやスパッタエッチング等で、露出した通電膜７を除去する。通電膜７は薄いので、これら物理的なエッチングで容易に除去することができる。パターニング終了後の薄膜導電パターン５を図２（ｆ）に示す。この薄膜導電パターン５の平面形状は、例えば図１（ａ）に示した通りである。この後、必要に応じてさらに上層の層間絶縁膜やパシベーション膜を薄膜導電パターン５上に形成する。これら層間絶縁膜やパシベーション膜の材料として、フッ素を含む酸化シリコン（ＳｉＯＦ、比誘電率３．２〜３．７）やテフロン、サイトップ（いずれも商品名）等フッ素系高分子（比誘電率約２）を用いることにより、寄生容量を低減した高速動作、低発熱の薄膜インダクタを形成することができる。」 
　 
　イ　「【００２４】本実施の形態例によれば、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍのラインアンドスペース状の薄膜導電パターンを制御性高く形成することができる。したがって、厚膜レジストマスクをステンシルに用いる従来の方法では不可能であった、小型、省占有面積で、かつ高周波特性であるＱ値に優れた薄膜インダクタ等が実現できる。」
　 
　ウ　「【００２６】以上本発明の薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜インダクタにつき詳細な説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例によりなんら限定されるものではない。例えば、絶縁膜や薄膜導電パターンあるいは通電膜の材料はＳｉＯ２やＡｕ、あるいはＴｉ／Ａｕの他に各種変更が可能である。例えば薄膜導電パターンとしてＣｕメッキは好適に用いることができる。本発明の薄膜導電パターンの形成方法は、例示した薄膜インダクタの他に、薄膜コイルや薄膜トランス、薄膜磁気ヘッドあるいはマイクロマシンアクチュエータ等にも適用することができる。」 
　 
（４）刊行物４ 
　また、本願の出願前に頒布された特開２００２−３０５３７９号公報（以下「刊行物４」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。  
　 
　ア　「【００２７】次に図１（Ｂ）の下地導体層形成工程で、絶縁基板１両面及びスルーホール２内面に、銅等の良導電性金属の無電解めっきにより、５μｍ以下のめっき用下地導体層３を形成する。
【００２８】その後、図１（Ｃ）の電気めっき工程において、基板１両側の下地導体層３の上に感光性レジストとしての光硬化性ドライフィルム４をラミネーターで貼り付け、ドライフィルム４に対してフォトリソグラフィーの手法を用いて平行露光機で露光、現像し、コア導体層の導体パターンを溝部として作製し、ドライフィルム４の溝部に電気めっきとしての硫酸銅めっきで厚さ１００μｍ程度の電気めっき導体層５を形成する。なお、レジスト露光に際して平行露光機とするのは、これが平行光線をドライフィルム４に垂直に照射でき、散乱光による場合に比べ細幅で側面が垂直に近い溝をパターニングできるからである。また、前記電気めっき導体層５はドライフィルム４の溝部の深さよりも肉厚が多少大きくなるようにめっき処理してもよい。光硬化性ドライフィルムとしては、東京応化社製Ｐ８０１０を用いることができる。
【００２９】図１（Ｄ）のめっき下地層除去工程では、ドライフィルム４を剥離、除去し、下地導体層３を露出させた後、全体をウェットエッチングでエッチング処理して下地導体層３の不要部分を除去し、絶縁基板１の両面に所定パターンで高さ１００μｍ程度のコア導体層６（下地導体層３の上に電気めっき導体層５が積層されたもの）を作製する。ウェットエッチング液としては、例えば過硫酸ソーダを用いることができる。」 
　 
　イ　「【００３７】前記絶縁基板１及び層間絶縁層７の材質はレーザー加工に適した絶縁体、とくに有機絶縁体が好ましい。それら絶縁体の材質には浮遊容量を減少させるために誘電率の小さいものが好ましい。また誘電損失を減らす為にＱの大きいものが好ましい。具体的には、周波数１ＧＨｚにおいて、絶縁基板１及び層間絶縁層７の比誘電率がそれぞれ３以下で、Ｑはそれぞれ２００以上あることがとくに望ましい。絶縁基板１及び層間絶縁層７の材料は使用周波数、目標のＱ値、コストを考慮して例えば以下の表１より選択すればよい。この中でも、有機絶縁体、つまり絶縁樹脂としてビニルベンジルは誘電率、Ｑ、コストのバランスが良く、好ましい材料である。」
　
　３　対比  
　本願補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、後者の「絶縁性基板１５」は前者の「絶縁体」に相当し、以下同様に、「導体線路１３」は「コイル導体」に、スパイラル部の「線路幅」及び「高さ」は「導体幅」及び「導体高さ」に、「前記スパイラル部の最内周および最外周の線路幅が他の部分の線路幅より広くなっており」は「前記スパイラル部の最内周及び最外周の導体幅は、前記スパイラル部の他の部分の導体幅よりも大きく」にそれぞれ相当する。
　
　また、後者の「スパイラルインダクタ」と前者の「コイル部品」とは、「コイル」という限りで共通する。 
　 
　したがって、両者は、  
「絶縁体と、前記絶縁体に対して積層され、螺旋状に形成されたスパイラル部を有するコイル導体とを備えたコイルであって、
　前記スパイラル部の最内周及び最外周の導体幅は、前記スパイラル部の他の部分の導体幅よりも大きいコイル。 」
　である点で一致し、以下の点で相違している。 
　
〔相違点１〕 
　本願補正発明は、「コイル部品」であって、「前記コイル導体は、前記絶縁体上に下地層を形成し、前記下地層の表面に導体めっきを施した後、エッチングにより前記導体めっきの不要部分及び前記下地層を除去することにより形成され」、「前記スパイラル部の導体幅は、前記スパイラル部の導体高さよりも小さ」いのに対し、
　刊行物１に記載された発明は、「スパイラルインダクタ」であって、コイル導体がどのように形成されるのか不明であり、「前記スパイラル部の線路幅は、前記スパイラル部の高さよりも大きい」点。
　 
〔相違点２〕 
　絶縁体が、本願補正発明では、「樹脂材料からな」るのに対し、
　刊行物１に記載された発明は、不明である点。 
　 
　４　当審の判断 
（１）相違点１ 
　本願補正発明の「コイル部品」とは、本願明細書の段落【０００１】の「本発明は、例えばコモンモードチョークコイル等のコイル部品に関するものである。」との記載からみて、「コモンモードチョークコイル等」のことである。
　
　一方、本願の出願前に、コモンモードチョークコイル等に用いられるスパイラル形状コイル導体パターンにおいて、コイル導体を、絶縁体上に下地層を形成し、下地層の表面に導体めっきを施した後、エッチングにより前記導体めっきの不要部分及び前記下地層を除去することにより形成することは、周知の技術事項（例えば、刊行物２の記載事項ウ、刊行物３の同ア及びウ、刊行物４の同ア参照。）であると共に、コイル導体の導体幅を導体厚さＴよりも小さくすることも、周知の技術事項（例えば、刊行物２の同イ及びエ、刊行物３の同イ参照。）である。
　
　そうしてみると、刊行物１に記載された発明と前記周知の技術事項とは、集積回路の基本素子として用いられるコイルに関する点で共通するから、刊行物１に記載された発明に前記周知の技術事項を適用して、本願補正発明の前記相違点１に係る発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２
　本願の出願前に、コモンモードチョークコイル等のスパイラル形状コイル導体パターンに用いられる絶縁体に樹脂材料を用いることは、周知の技術事項（例えば、刊行物２の同ア、刊行物４の同イ参照。）である。　
　
　そうしてみると、刊行物１に記載された発明と前記周知の技術事項とは、集積回路の基本素子として用いられるコイルに関する点で共通するから、刊行物１に記載された発明と前記周知の技術事項とを組み合わせて、本願補正発明の前記相違点２に係る発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　また、全体としてみても、本願補正発明の奏する効果は、刊行物１に記載された発明と前記周知の技術事項とを組み合わせたものが奏するものであって、格別なものでない。 
　 
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び前記周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　  
　  
　５　むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　  
第３　本願発明  
　１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２１年２月１７日付けの手続補正書の請求項１ないし４に記載された事項により特定されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２〔理由〕１」に補正前の請求項１として記載したとおりのものである。 
　  
　２　刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、その記載事項、及び刊行物に記載された発明は、前記「第２〔理由〕２」に記載したとおりである。  
　  
　３　対比及び当審の判断  
　本願発明は、前記「第２〔理由〕」で検討した本願補正発明において、「絶縁体」についての「樹脂材料からなり」及び「コイル導体」についての「前記絶縁体上に下地層を形成し、前記下地層の表面に導体めっきを施した後、エッチングにより前記導体めっきの不要部分及び前記下地層を除去することにより形成されている」との限定を省いたものである。　  
　  
　そうしてみると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含んだものに相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕３及び４」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び前記周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も刊行物１に記載された発明及び前記周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　　　
　４　むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び前記周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　  
　 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する 。