【事件の表示】
　特願２００５−３５１９３９「基板熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２１日出願公開、特開２００７−１５８０７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１７年１２月６日の出願であって、平成２２年５月２７日付けで手続補正がなされたが、同年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年４月１日に審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年５月２７日付けの手続補正書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
　熱処理プレートと、
　前記熱処理プレートの上面から突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されている支持手段と、
　前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
　前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
　を備え、
　基板は、直径が３００ｍｍの円形であり、
　前記排出孔からの排出により、前記空間内の圧力を−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満とし、
　前記支持手段の間隔は、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることを特徴とする基板熱処理装置。」
　
２．刊行物及びそれに記載された発明
　
　引用文献１：特開平１０−２８４３６０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、以下の記載がある。
　
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を加熱又は冷却する技術に関し、特に半導体装置等製造のリソグラフィ工程に適用して好適な基板温度制御装置及び方法に関する。」
（１ｂ）「【００２３】前記したように突起部を経ての熱伝導が支配的になるため、従来のような気体層を経ての熱伝導が主となる場合に比べて突起部の高さに与える制限が大幅に緩和される。しかし、真空吸着の場合、１ｍｍを越えると吸引される気体の流れに乱れが生じ易くなり、また、１μｍ以下になると密着の場合に問題になった付着異物の影響が出易くなる。従って、突起部の高さの好ましい範囲は、１ｍｍ〜１μｍと設定される。
【００２４】更に、基板を温度制御体の方向に加圧して固定する圧着機構は、特に制限は無いが、例えば真空吸着又は静電吸着による機構を採用することができる。真空吸着機構を採用する場合は、温度制御体の面に、複数の突起部の他、これらを囲む周辺部が設置されるとともに、真空吸引孔が設けられる。周辺部は、突起部と同一の平面をなし、周辺部外側の空気を周辺部内側の空間に流入させない真空封じ（真空シール）となるものである。これらの突起部及び周辺部と基板に囲まれてできる空間を真空吸引孔を用いて負圧に吸引することで半導体ウェハは、温度制御体表面に等距離で固定される。
【００２５】また、静電吸着機構を採用する場合は、温度制御体を絶縁体で形成して絶縁体の中に電極を埋め込み、基板と当該電極の間に静電圧を印加する機構が設けられる。
【００２６】いずれの場合も、形成される圧力が前記接触圧力となるので、所定の値に一定に保たれるよう空間の圧力を制御することが望ましい。真空吸着の場合、圧力の下限を前記１０Ｔorrとし、接触抵抗の形成及び基板の平坦化の観点から上限を７００Ｔorrとすることにより好ましい結果が得られることが判明した。」
（１ｃ）「【００２８】
【実施例】
＜実施例１＞本発明をレジストベーク用半導体ウェハ加熱装置に適用した実施例を図１に示す。同図において、２は、真空配管３とヒータエレメント４を内部に配置した加熱体、２ａは、加熱体２の表面に設けた同一平面をなす複数の突起部、２ｂは、突起部２ａを包含し、かつ、真空シールとなる周辺部を示す。
【００２９】真空配管３の先は、加熱体２の面に設けた複数の吸引孔（図示せず）につながっている。真空配管３には圧力調整弁５が取り付けられており、圧力調整弁５によりウェハ１を吸着する圧力が所望の値に保たれる。また、ヒータエレメント４の発熱量は、加熱体２に埋め込まれた熱電対６と温調器７により制御され、加熱体２を所定の温度に保つように調整される。」
（１ｄ）「【００３１】次に、加熱体２の構造の概要を図２に示す。突起部２ａは、接触部がウェハ１裏面に一様に分布するように配置されている。従って、負圧に吸引される部分も同様に一様に分布するので、ウェハ１が変形を有する場合、変形を精度良く矯正することができ、均一な接触を得ることができる。従って、圧力を圧力調整弁５を用いて一定に保持することで接触熱抵抗ＲCをウェハ１面内で均一に保つことが可能となる。その結果、各突起部から伝達される熱量が均一になり、ウェハ１面内の温度分布を均一にすることができる。また、接触部を一様に分布させることによって温度分布を均一化する効果を高めることができる。」
（１ｅ）「
」
（１ｆ）「
」
（１ｇ）図２からは、加熱体２の表面に設けた複数の突起部２ａが規則的に連続して配置されていることが見て取れる。
（１ｈ）図１及び図２からは、突起部２ａを包含し、かつ、真空シールとなる周辺部２ｂがリング状で、基板の周縁側と当接する構造であることが見て取れる。
（１ｉ）図１及び図２からは、加熱体２がプレート状であることが見て取れる。
　
　これらの記載及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すると、引用文献１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「ウェハ（１）を加熱するレジストベーク用半導体ウェハ加熱装置において、
　プレート状の加熱体（２）と、
　加熱体の表面に設けた接触部がウェハ裏面に一様に分布するように規則的に連続して配置されている同一平面をなす複数の突起部（２ａ）と、
　突起部を包含し、かつ、リング状で、基板の周縁側と当接する構造の真空シールとなる周辺部（２ｂ）と、
　加熱体の面に設けた複数の吸引孔を有し、吸引孔には圧力調整弁（５）が取り付けられた真空配管（３）がつながっており、圧力調整弁によりウェハを吸着する圧力が１０Ｔorr以上７００Ｔorr以下に保たれるレジストベーク用半導体ウェハ加熱装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
（あ）引用発明の「ウェハ」は、本願発明の「基板」に相当する。
（い）以下同様に、
　「レジストベーク用半導体ウェハ加熱装置」は「基板熱処理装置」に、
　「プレート状の加熱体」は「熱処理プレート」に、
　「真空シールとなる周辺部」は「シール手段」に、
　「吸引孔」は「排出孔」に、
それぞれ相当する。
（う）また、引用発明の「突起部」と本願発明「支持手段」は、ともに「熱処理プレートの上面から突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、規則的に連続して配置されている支持手段」である点で共通する。
（え）引用発明の「圧力調整弁によりウェハを吸着する圧力が１０Ｔorr以上７００Ｔorr以下に保たれる」構成は、１０Ｔorr以上７００Ｔorr以下が１．３ｋＰａ以上９３．３ｋＰａ以下に相当するから、本願発明と引用発明は「排出孔からの排出により、空間内の圧力を−４ｋＰａ以上−１．３ｋＰａ以下とし」ている点で一致する。
　
　してみると両者は、
「基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
　熱処理プレートと、
　前記熱処理プレートの上面から突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、規則的に連続して配置されている支持手段と、
　前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
　前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
　を備え、
　前記排出孔からの排出により、前記空間内の圧力を−４ｋＰａ以上−１．３ｋＰａ以下とした基板熱処理装置。」
の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
（相違点１）
　支持手段が、本願発明では「正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されている」のに対して、引用発明ではそのようには配置されていない点。
（相違点２）
　本願発明では「基板は、直径が３００ｍｍの円形であり、支持手段の間隔は、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下である」のに対して、引用発明では、そのような構成を有していない点。
　
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　フォトリソグラフィ分野で、円形の基板をプレートの上面から突出した複数の支持手段で支持する構造の基板処理装置の支持手段を正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されているように構成することは、ごく普通に行われている周知技術である。
　引用発明の支持手段に該周知技術を適用することに、格別の阻害要因も技術的困難性もない。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは当業者が容易になし得る事項である。
（相違点２について）
　フォトリソグラフィ分野において、基板として直径が３００ｍｍの円形のものを用いることは、ごく普通に行われている周知技術である。
　また、基板をプレートの上面から突出した複数の支持手段で支持し、基板を吸引する構造の基板処理装置において、吸引による基板の平坦度の悪化を抑えようとすることは、当業者の技術常識（上記摘記事項（１ｂ）段落【００２６】参照）であり、そのために支持手段の間隔をどの程度に設定するかは、基板の剛性や求められる平坦度、支持手段の高さ等の種々の要素を総合的に勘案して当業者が適宜決定すべき事項である。そして、本願明細書及び図面の記載を参酌しても「３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下である」という間隔が、従来のものと比べて特段のものであるとはいえず、しかも、そのように限定することにより、従来と比べて格別の作用・効果を奏するものでもない。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは、周知技術に基き当業者が容易になし得る事項である。
　
　そして、本願発明の効果も引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。