【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基体、
ｂ）基体上の、３．０よりも小さい誘電定数を有する頂部部分を含む誘電体スタック、
ｃ）誘電体スタックの上の、銅を除去するように設計されている化学的機械的研磨システムによるエロージョンに対して耐性であり、そして誘電体スタックの頂部部分に対してエッチ選択性を有する第一マスク層、
ｄ）第一マスク層の上の、第一マスク層に対してエッチ選択性を有し、そして誘電体スタックの頂部部分のエッチ特性と同様のエッチ特性を有する第二のマスク層及び
ｅ）第二マスク層の上の、第二マスク層に対してエッチ選択性を有し、そして第一マスク層のエッチ特性と同様のエッチ特性を有する第三マスク層を含んでなる物品。
【請求項２】
誘電体スタックが底部有機誘電体層、頂部有機誘電体層及びこれらの層の間の無機エッチストップ層を含む請求項１に記載の物品。
【請求項３】
有機誘電体層が多孔質である請求項２に記載の物品。
【請求項４】
有機誘電体層が有機マトリックス材料内の分離領域中に熱的置換活性ポラゲンを含む請求項２に記載の物品。
【請求項５】
第一マスク層及び第三マスク層が無機質であり、そして第二マスク層が有機質である請求項２に記載の物品。
【請求項６】
エッチストップ層が第一マスク層及び第三マスク層の少なくとも一つと同じものである請求項５に記載の物品。
【請求項７】
誘電体スタックの頂部部分に対する第一ハードマスク層のエッチ選択性比が７：１よりも大きい請求項１に記載の物品。
【請求項８】
誘電体スタックの頂部部分に対する第二ハードマスク層のエッチ選択性比が３：１よりも小さい請求項１に記載の物品。
【請求項９】
第一ハードマスク層に対する第三マスク層のエッチ選択性比が３：１よりも小さい請求項１に記載の物品。
【請求項１０】
エッチストップに対する第一ハードマスクの選択性比が３：１よりも小さい請求項２に記載の物品。
【請求項１１】
誘電体スタック内にトレンチ及びビアを形成する方法であって、
（ａ）誘電体スタックが、底部部分及び同様のエッチ特性を有する頂部部分並びに底部部分及び頂部部分と相対的なエッチ選択性を有する、底部部分と頂部部分との間のエッチストップ層を含んでなる請求項１〜１０の何れか１項に記載の物品を用意する工程、
（ｂ）トレンチパターンに従って第一マスク層をパターン形成する工程、
（ｃ）ビアパターンでエッチストップ層をパターン形成する工程、
（ｄ）誘電体スタックの頂部部分の中にトレンチパターンをエッチングして、少なくとも１個のトレンチを形成し、そして誘電体スタックの底部部分の中にビアパターンをエッチングして少なくとも１個のビアを形成する工程、
（ｅ）ビア及びトレンチ内に金属を付着させる工程、
（ｆ）過剰の金属を研磨除去する工程を含んでなり、
第一マスク層は研磨ストップとして機能し、第三マスク層の少なくとも実質的部分は第一マスク層又はエッチストップ層のパターン形成の間に除去され、そして第二マスク層の少なくとも実質的部分は誘電体スタックのエッチングの間に除去される方法。
【請求項１２】
トレンチが形成される頂部部分及びビアが形成される底部部分を有する単一層を含んでなる誘電体スタック内にトレンチ及びビアを形成する方法であって、
（ａ）請求項１及び請求項７〜１０のいずれか１項に記載の物品を用意する工程、
（ｂ）研磨工程の間にストップとして作用し、誘電体層に対してなエッチ選択性を有する第一マスク層を適用する工程、
（ｃ）第一マスク層に対してエッチ選択性を有する第二マスク層を適用する工程、
（ｄ）第二マスク層に対してエッチ選択性を有し、そして第一マスク層のエッチ特性と同様のエッチ特性を有する第三マスク層を適用する工程、
（ｅ）トレンチパターンに従って第二マスク層及び第三マスク層をパターン形成する工程、
（ｆ）ビアパターンに従って第一マスク層をパターン形成する工程、
（ｇ）誘電体層の中への路の一部にビアパターンをエッチングする工程、
（ｈ）第二マスク層及び第三マスク層内に作製されたトレンチパターンに従って第一マスク層をパターン形成し、そして同時に、第三マスク層の実質的部分を除去する工程、
（ｉ）誘電体層のエッチングを続け、それによって誘電体層の底部部分内に少なくとも一つのビアを形成し、そして誘電体層の頂部部分内に少なくとも一つのトレンチを形成する工程、
（ｊ）第三マスク層が第一マスク層又はエッチストップ層のパターン形成の間に実質的に除去され、そして第二マスク層が誘電体スタックのエッチングの間に実質的に除去され、
（ｋ）ビア及びトレンチ内に金属を付着させる工程、
（ｌ）過剰の金属を研磨除去する工程（ここで、第一マスク層は研磨ストップとして機能する）を含んでなる方法。
【請求項１３】
全ての層を溶媒コーティングすることによって適用する請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
誘電体層が誘電体マトリックス材料内の分離領域中に熱的置換活性ポラゲンを含み、そしてポラゲンを少なくとも一つのハードマスク層の適用後に加熱によって除去する請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１５】
ポロゲン又はポラゲンの熱分解生成物が少なくとも一つのハードマスク層を通って拡散する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第一ハードマスク層が光定義可能であり、そして放射線への画像様露光及び現像によってパターン形成される請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１７】
第一ハードマスク層内にトレンチパターンを形成する工程が、ホトレジストを第三ハードマスク層の上に適用すること、このホトレジストをトレンチパターンで画像形成し、現像すること、トレンチパターンを第三ハードマスク層の中にエッチングすること、トレンチパターンを第二ハードマスク層の中にエッチングすること及びトレンチパターンを第一ハードマスク層の中にエッチングすることを含んでなる請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
トレンチパターンを第一ハードマスク層の中にエッチングする前に、第二ホトレジスト材料を適用し、第二ホトレジストをビアパターンで画像形成し、現像し、このビアパターンを第一ハードマスク層の中にエッチングし、次いで誘電体スタックの頂部部分の中にエッチングし、次いでエッチストップ及び第一ハードマスクを同時にエッチングして、第一ハードマスク層の中にトレンチパターンを形成させ、そしてエッチストップ層の中にビアパターンを形成する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第三ハードマスク層が光定義可能である請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項２０】
第一ハードマスク層及び第三ハードマスク層が５：１よりも小さい、お互いに対するエッチ選択性を有する請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項２１】
誘電体スタックの頂部部分に対する第一ハードマスク層のエッチ選択性比が７：１よりも大きい請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項２２】
エッチストップに対する第一ハードマスクのエッチ選択性比が３：１よりも小さい請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
第一ハードマスク層及び第三ハードマスク層の少なくとも一方が光定義可能である請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項２４】
第一マスク層内にトレンチパターンを形成し、第二マスク層及び第三マスク層内にビアパターンを形成し、誘電体層の中への通路の一部にビアパターンをエッチングし、次いで第三マスク層を除去し、そして誘電体層のエッチングを続けることによって誘電体層の底部部分内に少なくとも一つのビアを形成し、誘電体層の頂部部分内に少なくとも一つのトレンチを形成し、誘電体スタックのエッチングの間に第二マスク層を実質的に除去する請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
第一ハードマスク層が光定義可能であり、そしてこの層を活性化波長の放射線に露光し、この層を現像することによってトレンチパターンを形成する請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
誘電体層が誘電体マトリックス材料内の分離領域中に熱的置換活性ポラゲンを含み、少なくとも１個のハードマスク層を適用した後にこのポラゲンを加熱することにより、ポラゲン又はポラゲンの熱分解生成物が少なくとも一つのハードマスク層を通って拡散させて除去する請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
第三マスク層が光定義可能ではない請求項１１又は１２に記載の方法。