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　特願２００９−　３２３１０「電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月２１日出願公開、特開２００９−１１１４２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１５年６月２７日に出願した特願２００３−１８５９１８号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２１年２月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年６月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年９月２０日に拒絶査定不服審判の請求と、明細書を補正する手続補正とが同時にされたものである。
　
第２　平成２３年９月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　〔補正の却下の決定の結論〕
　
　平成２３年９月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　
１．本件補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲は、
　
「【請求項１】
　セラミック材料から成る絶縁層を有する配線基板と、
　前記配線基板に実装された電子部品素子と、
　前記電子部品素子を覆っているとともに、前記配線基板の上に設けられた樹脂材と、
　前記配線基板の外周部に位置し、前記配線基板と同時に焼成されてなるグランド電極パターンと、
　樹脂および導電性粒子を含んでなり、前記樹脂材の上面に設けられているシールド層とを備え、
　
前記配線基板は、多数個取りすることが可能な大型基板を前記グランド電極パターンが設けられた状態で分割して得られたものであり、
　前記シールド層の外周部は、前記樹脂材の側面を経て前記配線基板の外周部に位置する前記グランド電極パターン上まで延在されているとともに、該延在部で前記グランド電極パターンと電気的に接続されて
おり、
　
前記シールド層は、前記樹脂材の側面と接する領域の外側表面が、前記配線基板の側面よりも内側に位置して
　
　上記補正は、請求項１についてみると、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である配線基板について、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３４】の記載に基づき、「
前記配線基板は、多数個取りすることが可能な大型基板を前記グランド電極パターンが設けられた状態で分割して得られたものであり
前記シールド層は、前記樹脂材の側面と接する領域の外側表面が、前記配線基板の側面よりも内側に位置して
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用刊行物
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物及びその記載事項は、次のとおりである。
　
　引用例１：特開２００３−７８１０３号公報（原審における平成２２年１２月１日付け拒絶理由通知の「（理由２）」の「引用文献３」）
　
　引用例１（特開２００３−７８１０３号公報）には、「回路基板」に関して、次の事項が図面とともに記載されている。
ア）「【００１３】図１は、本発明に係る回路基板の断面図であり、図２は本発明の回路基板の特徴的な製造工程における平面図である。尚、絶縁基板１は、例えば５層の誘電体（絶縁）層１ａ〜１ｅが積層した多層構造の基板を例として説明するが、単板状の基板や表面にキャビティを形成した容器状の基板であっても構わない。
【００１４】図において、１０は回路基板であり、回路基板１０は、積層構造の絶縁基板１の表面に表面配線層４及び回路構成部品６を有し、さらに封止用絶縁樹脂層７が被覆形成され、さらに、導電性樹脂層８が被覆されて形成されている。尚、絶縁基板１が積層構造であるため、絶縁基板１内には内部配線層２、ビアホール導体３が形成されている。また、絶縁基板１の裏面側には、端子電極をかねるグランド導体膜５が形成されている。
【００１５】絶縁基板１絶縁基板１を構成する絶縁層１ａ〜１ｅは、１層あたり例えば、５０〜３００μｍ程度の厚みを有し、その材質としては、セラミック材料、低温焼成化が可能な酸化物、低融点ガラス材料などが用いられる。具体的には、セラミック材料として、例えば、Ａ１2Ｏ3、ＢａＯ−ＴｉＯ2系、ＣａＯ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系などが、また、低温焼成化が可能な酸化物としては、例えば、ＢｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3などが選ばれる。
【００１６】絶縁層１ａ〜１ｅの各層の厚み方向に貫くビアホール導体３が形成されている。また、絶縁層１ａ〜１ｅの層間には、容量を形成する容量電極、インダクタンス成分を形成する導体、ストリップ線路を形成する導体など所定回路網を形成する内部配線層２が形成されている。また、絶縁層１ａの表面には、回路構成部品６を搭載するための電極パッドや外部回路と接続する接続端子を含む表面配線層４が形成されている。さらに、絶縁層１ｅの裏面には、絶縁基板１をマザーボードに接合するための端子電極や、グランド電位となるグランド導体５が形成されている。
【００１７】そして、内部配線層２、ビアホール導体３、表面配線層４、グランド導体５は、所定回路網を構成すべく、互いに接続されている。（以下省略）
【００１８】回路構成部品６は、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗器、ＳＡＷ素子、インダクタンス素子、半導体素子など各種電子部品が例示される。
【００１９】また、表面配線層４及び回路構成部品６を被覆するように、絶縁基板１表面に封止用絶縁樹脂層７が形成されている。封止用絶縁樹脂層７は、表面配線層４及び回路構成部品６の端子部分を被覆していれば、絶縁基板１表面全体に形成されなくても良い。
【００２０】封止用絶縁樹脂層７は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリコン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂などの熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂などが例示できる。特にナフタレン骨格を含むエポキシ系樹脂やフェノール系樹脂を用いると、加熱硬化温度での曲げ弾性率が高く、熱硬化収縮率及び加熱硬化温度から室温までの熱収縮率が小さく、且つ吸湿率が小さくなるため好ましい。また、その厚みは、少なくとも絶縁基板１の表面に実装する回路構成部品６を充分に被覆し得る厚みを有し、例えば、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。
【００２１】本発明の回路基板１０の特徴的なことは、このような封止用絶縁樹脂層７をさらに被覆するように金属粉末が混入された導電性樹脂層８が被覆されている。しかも、導電性樹脂層８はグランド電位に接続されている。尚、図１では、絶縁基板１の端面（角部）に形成されたスルーホール導体１３を介してグランド電位に接続されているが、図示していないが最も簡単な接続構造は、絶縁基板１の表面に形成した表面配線層４のうち、グランド電位の表面配線層を、封止用絶縁樹脂層７から露出するようにして、このグランド電位の表面配線層に導電性樹脂層８が直接被着するようにすればよい。
【００２２】ここで、導電性樹脂層８は、金属粉末としてニッケル、銅などの金属微粉末を用い、その金属微粉末を、例えば封止用絶縁樹脂層７と同じ成分の樹脂中に５〜９０％、好ましくは約２０％前後の割合で混入する。
【００２３】（省略）
【００２４】また、導電性樹脂層８とグランド導体膜５は、絶縁基板１に形成されたスルーホール導体１３によって電気的に接続されてなる。このスルーホール導体１３についても、絶縁基板１の端部（辺部分及び角部）に形成する以外に、回路構成部品６や表面配線導層４が形成される領域の一部でスルーホール導体１３を形成しても構わない。
【００２５】尚、最も好ましくは、スルーホール導体１３は、絶縁基板１の角部を利用して絶縁基板１の厚み方向に貫くように形成することである。即ち、これにより、絶縁基板１の回路構成部品６や表面配線層４の形成領域を縮小するような妨げにはならない。」
　
イ）「【００２６】上述の回路基板１０の製造方法について説明する。
【００２７】絶縁基板１となる誘電体材料、例えば、ガラス−誘電体セラミック材料から成るグリーンシートを形成する。なお、このグリーンシートは、絶縁基板１となる複数の基板領域からなる大型グリーンシートである。
【００２８】次に、グリーンシート上の各基板領域毎に、ビアホール導体３となる所定径の貫通孔をパンチングによって形成する。
【００２９】次に、グリーンシート上の各基板領域毎に、スクリーン印刷により、上述の貫通穴にＡｇ系導電性ペーストを充填するとともに、内部配線層２となる導体膜などを形成する。また、さらに、最外層に位置するグリーンシート上に、表面配線層４となる導体膜、各種電極パッドとなる導体膜を形成する。
【００３０】このように各導体膜が形成されたグリーンシートを、積層順に応じて積層一体化して、複数の基板領域からなる未焼成状態の大型回路基板を形成する。その後、必要に応じて、各回路基板の形状に応じて、分割溝１２を形成する。
【００３１】次に上述の未焼成状態の基板を大気雰囲気や中性雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。
【００３２】脱バインダ過程は、例えば６００℃以下の温度領域で行われる。また、焼成過程は、ピーク温度８５０〜１０５０℃にて行われる。
【００３３】この工程で、絶縁基板１となる各基板領域には、回路機能素子を含む内部配線層２、ビアホール導体３が形成され、絶縁基板１表面には表面配線層４が形成された大型回路基板１１が得られることになる。
【００３４】その後、必要に応じて、表面配線層４に接続する厚膜抵抗素子や所定形状の絶縁保護膜を形成する。
【００３５】次に、絶縁基板１表面に形成された表面配線層４上に、回路構成部品６を半田や熱硬化型導電性ペーストによる接合、ワイヤボンディング接合などにより電気的に接続する。
【００３６】次に、絶縁基板１表面を封止用絶縁樹脂層７で被覆する。なお、封止の方法は、液状封止材を用いて注型法により封止する方法、あるいは常温では固形の封止材を用いて、トランスファーモールド法により封止する方式を用いることができる。
【００３７】次に、封止用絶縁樹脂層７上に分割溝１２を再度形成する。このとき、分割溝１２成形用の金型のサイズを調節することにより、スルーホール導体１３が大型回路基板１１表面に露出するようにする。
【００３８】次に、封止用絶縁樹脂層７表面を金属入り樹脂層８で封止する。なお、封止の方法は、封止用絶縁樹脂層７の場合と同様の方法である。このとき、スルーホール導体１３が表面に露出している部分に導電性樹脂層８がまたがるようにし、導電性樹脂層８とスルーホール導体１３が電気的に接続するようにする。
【００３９】最後に、分割溝１２に沿って、各基板領域毎に大型回路基板１１を分離し、図１に示す回路基板１０が完成する。」
　
ウ）「【００４８】また、導電性樹脂層とグランド導体膜をビアホール導体により接続するようにしても良い。このことにより、焼成後の大型回路基板の状態で封止樹脂が裏面に回り込むことがないため、グランド導体とビアホール導体を直接接続できる。すなわち、一旦内部配線層側に引き回す必要がないため、デッドスペースをさらに小さくできる。」
　
エ）図１から、導電性樹脂層８は、前記封止用絶縁樹脂層７の側面と接する領域の外側表面が、絶縁基板１の側面と略同一面を形成していることが看取できる。
　
　これらの記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「セラミック材料から成る絶縁層１ａ〜１ｅを有する絶縁基板１と、
　前記絶縁基板１に実装された回路構成部品６と、
　前記回路構成部品６を覆っているとともに、前記絶縁基板１の上に設けられた封止用絶縁樹脂層７と、
　前記絶縁基板１の外周部に位置するスルーホール導体１３と、
　前記絶縁基板１と同時に焼成され、前記スルーホール導体１３と接続される内部配線層２及びビアホール導体３と、
　前記絶縁基板１の裏面側に形成され、前記ビアホール導体３と接続するグランド導体膜５と、
　樹脂および金属粉末を含んでなり、前記封止用絶縁樹脂層７の上面に設けられている導電性樹脂層８とを備え、
　前記絶縁基板１は、複数の基板領域からなる大型回路基板を前記内部配線層２、ビアホール導体３及び表面配線層４が設けられた状態で分割して得られたものであり、
　前記導電性樹脂層８の外周部は、前記封止用絶縁樹脂層７の側面を経て前記絶縁基板１の外周部に位置するスルーホール導体１３上まで延在されているとともに、該延在部で前記スルーホール導体１３と電気的に接続されており、
　前記導電性樹脂層８は、前記封止用絶縁樹脂層７の側面と接する領域の外側表面が、前記絶縁基板１の側面と略同一面を形成している回路基板１０。」
　
３．対比
　
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、その機能又は構成からみて、後者の「絶縁層１ａ〜１ｅ」は前者の「絶縁層」に相当し、以下同様に、「絶縁基板１」は「配線基板」に、「回路構成部品６」は「電子部品素子」に、「封止用絶縁樹脂層７」は「樹脂材」に、「金属粉末」は「導電性粒子」に、「導電性樹脂層８」は「シールド層」に、「複数の基板領域からなる大型回路基板」は「多数個取りすることが可能な大型基板」に、「回路基板１０」は「電子装置」に、それぞれ相当する。
　また、後者の「スルーホール導体１３」と前者の「前記配線基板と同時に焼成されてなるグランド電極パターン」とは、「前記配線基板に形成されたグランド電極」である限りにおいて一致するから、本願補正発明の用語を用いて表現すると、両者は、
「セラミック材料から成る絶縁層を有する配線基板と、
　前記配線基板に実装された電子部品素子と、
　前記電子部品素子を覆っているとともに、前記配線基板の上に設けられた樹脂材と、
　前記配線基板の外周部に位置し、前記配線基板に形成されたグランド電極と、
　樹脂および導電性粒子を含んでなり、前記樹脂材の上面に設けられているシールド層とを備え、
　前記配線基板は、多数個取りすることが可能な大型基板を前記グランド電極パターンが設けられた状態で分割して得られたものであり、
　前記シールド層の外周部は、前記樹脂材の側面を経て前記配線基板の外周部に位置する前記グランド電極上まで延在されているとともに、該延在部で前記グランド電極と電気的に接続されている電子装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点１
　本願補正発明の「前記配線基板に形成されたグランド電極」は、「前記配線基板と同時に焼成されてなるグランド電極パターン」であるのに対して、引用発明の「前記配線基板に形成されたグランド電極」は、「スルーホール導体１３」であり、絶縁基板１と同時に焼成されているか否かも、不明である点。
　
・相違点２
　本願補正発明のシールド層は、「前記樹脂材の側面と接する領域の外側表面が、前記配線基板の側面よりも内側に位置している」のに対して、引用発明の導電性樹脂層８は、「前記封止用絶縁樹脂層７の側面と接する領域の外側表面が、前記絶縁基板１の側面と略同一面を形成している」点。
　
４．判断
　
（１）相違点１の検討
　引用例１の上記「２．引用刊行物」の「ア）」に摘記した段落【００２１】には、「図１では、絶縁基板１の端面（角部）に形成されたスルーホール導体１３を介してグランド電位に接続されているが、図示していないが最も簡単な接続構造は、絶縁基板１の表面に形成した表面配線層４のうち、グランド電位の表面配線層を、封止用絶縁樹脂層７から露出するようにして、このグランド電位の表面配線層に導電性樹脂層８が直接被着するようにすればよい。」との記載があり、また、同「イ）」に摘記した段落【００２９】に「最外層に位置するグリーンシート上に、表面配線層４となる導体膜、各種電極パッドとなる導体膜を形成する。」、続く段落【００３０】に「このように各導体膜が形成されたグリーンシートを、積層順に応じて積層一体化して、複数の基板領域からなる未焼成状態の大型回路基板を形成する。」及び、更に続く段落【００３１】に「次に上述の未焼成状態の基板を大気雰囲気や中性雰囲気で焼成処理する。」との記載があるから、引用発明の「スルーホール導体１３」に代えて、上記「グランド電位の表面配線層」を採用して、他の表面配線層４と同様に当該「グランド電位の表面配線層」を絶縁基板１と同時に焼成することにより、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になしえたことである。
　したがって、相違点１に係る本願補正発明の構成は、引用発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）相違点２の検討
　引用例１の上記「２．引用刊行物」の「ア）」に摘記した段落【００１９】には、「封止用絶縁樹脂層７は、表面配線層４及び回路構成部品６の端子部分を被覆していれば、絶縁基板１表面全体に形成されなくても良い。」との記載があり、同段落【００２４】には、「スルーホール導体１３についても、絶縁基板１の端部（辺部分及び角部）に形成する以外に、回路構成部品６や表面配線導層４が形成される領域の一部でスルーホール導体１３を形成しても構わない。」との記載がある。
　そして、回路基板の電磁シールドを構成する導電性樹脂層を、基板の端部より内側に形成することは、例えば、特開平１０−２１４９２３号公報の図１０及び図１１、特開平７−１１１２９９号公報の図１及び図２、特開２００２−３６３３８３号公報の図１、並びに特開平１１−４０７０９号公報の図１に記載されているように、周知の技術であるから、引用発明において、封止用絶縁樹脂層７を表面配線層４及び回路構成部品６の端子部分を被覆しつつ被覆範囲を小さくすることにより、導電性樹脂層８の、前記封止用絶縁樹脂層７の側面と接する領域の外側表面が、前記絶縁基板１の側面よりも内側に位置するようにすることは、当業者が容易になしえたものである。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の構成は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３）本願補正発明の作用効果の検討
　本願補正発明の作用効果について、審判請求人は、審判請求の理由の「（３）本願発明が特許されるべき理由」の「（ｃ）理由２について」において、
「本願請求項１に記載の電子装置は、シールド層の外側表面、具体的には、樹脂材の側面と接する領域の外側表面を配線基板の側面よりも内側に位置させているため、多数個取りの手法によって配線基板を分割する際にシールド層に対してカッター等が直接当たってしまう可能性は低く、シールド層を内側の樹脂材に対して良好に被着させておくことができるという顕著な効果も奏します。」と主張しているが、　
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、そのような効果に関する記載はない。
　仮に、審判請求人が主張するような効果が、明細書又は図面の記載から自明な事項であるとしても、引用例１には、上記「２．引用刊行物」の「イ）」に摘記した段落【００３７】に「封止用絶縁樹脂層７上に分割溝１２を再度形成する。」、続く段落【００３８】に「次に、封止用絶縁樹脂層７表面を金属入り樹脂層８で封止する。」、更に続く段落【００３９】に「最後に、分割溝１２に沿って、各基板領域毎に大型回路基板１１を分離し、図１に示す回路基板１０が完成する。」と記載されており、引用発明の大型回路基板１１は分割溝１２に沿って分離されるものであるから、分離する工具に応じて分離溝１２の幅をどのようにするかは当業者が適宜設計し得たものである。また、切断工具が当接しないように、切断部にスペースを設けることも技術分野を問わず、広く行われていることであるから、当該効果は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が予測し得た程度のものである。
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、他の補正事項について検討するまでもなく、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明の内容
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年５月９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　セラミック材料から成る絶縁層を有する配線基板と、
　前記配線基板に実装された電子部品素子と、
　前記電子部品素子を覆っているとともに、前記配線基板の上に設けられた樹脂材と、
　前記配線基板の外周部に位置し、前記配線基板と同時に焼成されてなるグランド電極パターンと、
　樹脂および導電性粒子を含んでなり、前記樹脂材の上面に設けられているシールド層とを備え、
　前記シールド層の外周部は、前記樹脂材の側面を経て前記配線基板の外周部に位置する前記グランド電極パターン上まで延在されているとともに、該延在部で前記グランド電極パターンと電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、その記載事項、及び引用発明は、上記「第２　平成２３年９月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、実質的に、上記「第２　平成２３年９月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定」で検討した本願補正発明の配線基板についての「前記配線基板は、多数個取りすることが可能な大型基板を前記グランド電極パターンが設けられた状態で分割して得られたものであり」との限定、及びシールド層についての「前記シールド層は、前記樹脂材の側面と接する領域の外側表面が、前記配線基板の側面よりも内側に位置している」との限定を削除して拡張したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の特定事項をすべて含み、さらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年９月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　よって、結論のとおり審決する。