【事件の表示】
　特願２００４−２９６９６１「電極構造およびその形成方法、固体撮像素子，その製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２０日出願公開、特開２００６−１０８５９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１０月８日の出願であって，平成２２年１２月１０日付けで拒絶理由が通知され，これに対して平成２３年２月１０日に手続補正されたが，同年２月２４日付けで拒絶査定がされ，それに対して同年５月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正がされ，その後，平成２４年２月１６日付けで審尋がされ，同年３月１３日に回答がされたものである。
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年５月２５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２３年５月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８と補正し，それにともなって発明の名称，発明の詳細な説明を補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。
　
（１）補正前
「【請求項１】
　 複数の電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造において、
　 前記絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　 該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜とを有し、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造。
　　【請求項２】
　 複数の電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造において、
　 前記絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　 該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜のみからなり、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造。
　　【請求項３】
　前記酸化防止膜はＳｉＮ膜である請求項１または２に記載の電極構造。
　　【請求項４】
　前記下層電極上の層間絶縁膜はＳｉＯ２膜である請求項１または２に記載の電極構造。
　　【請求項５】
　前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を更に設けた請求項１に記載の電極構造。
　　【請求項６】
　 前記酸化防止膜上の層間絶縁膜はＨＴＯ（ハイテンパラチュアオキサイト）である請求項５に記載の電極構造。
　　【請求項７】
　前記酸化防止膜上の層間絶縁膜の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項５または６に記載の電極構造。
　　【請求項８】
　 前記酸化防止膜上の層間絶縁膜は膜堆積法で堆積されて設けられている請求項１、４〜７のいずれかに記載の電極構造。
　　【請求項９】
　 前記下層電極はポリシリコン膜であり、該下層電極上の層間絶縁膜は該ポリシリコン膜が酸化されて構成されている請求項１、２または４に記載の電極構造。
　　【請求項１０】
　 前記上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている請求項１または２に記載の電極構造。
　　【請求項１１】
　 前記基板部表面のゲート絶縁膜を、前記上層電極および前記下層電極と該基板部との間のゲート絶縁膜として共用する請求項１または２に記載の電極構造。
　　【請求項１２】
　 前記酸化防止膜は、前記下層電極の形成後に生じる前記上層電極下のゲート絶縁膜の膜減り相当分の膜厚に設定されている請求項１〜３および１１のいずれかに記載の電極構造。
　　【請求項１３】
　 複数の電極の両端部を順次オーバーラップさせた状態で該複数の電極を一方向に並べて
配設した電極構造の形成方法において、
　 基板部上に、相互に所定間隔を隔てて複数の下層電極を一方向に並べて形成する下層電極形成工程と、
　 該下層電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
　 該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって酸化防止膜を形成する酸化防止膜形成工程と、
　 該酸化防止膜上に、隣接する該下層電極の端部と一部重なり、かつ、相互に所定間隔を隔てて複数の上層電極を形成する上層電極形成工程とを有し、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造の形成方法。
　　【請求項１４】
　前記酸化防止膜としてＳｉＮ膜を形成する請求項１３に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項１５】
　 前記酸化防止膜を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚に形成する請求項１３または１４に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項１６】
　前記下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する請求項１３に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項１７】
　前記酸化防止膜形成工程と前記上層電極形成工程との間に、前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を更に形成する工程を有する請求項１３に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項１８】
　 前記酸化防止膜上の層間絶縁膜としてＨＴＯ（ハイテンパラチュアオキサイト）を形成する請求項１７に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項１９】
　前記酸化防止膜上の層間絶縁膜を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚に形成する請求項１７または１８に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２０】
　 前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を膜堆積法で堆積する請求項１３、１７〜１９のいずれかに記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２１】
　 前記下層電極としてポリシリコン膜を形成し、該下層電極上の層間絶縁膜を、該ポリシリコン膜を酸化することにより形成する請求項１３または１６に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２２】
　 前記上層電極としてポリシリコン膜を形成し、該ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成する請求項１３に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２３】
　 前記基板部表面のゲート絶縁膜を、前記上層電極および前記下層電極と該基板部との間のゲート絶縁膜として共用する請求項１３に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２４】
　 前記酸化防止膜を、前記下層電極形成工程後の工程にて生じる前記上層電極下のゲート絶縁膜の膜減り相当分の膜厚に形成する請求項１３〜１５および２３のいずれかに記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項２５】
　 請求項１〜１２の何れかに記載の電極構造を有する転送ゲート部が設けられた固体撮像素子。
　　【請求項２６】
　 請求項１３〜２４の何れかに記載の電極構造の形成方法を転送ゲート部の形成方法として用いた固体撮像素子の製造方法。」
　
（２）補正後
「【請求項１】
　上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造において、
　該絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜とを有し、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であり、
　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。
　　【請求項２】
　上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造において、
　該絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜のみからなり、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であり、
　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。
　　【請求項３】
　前記下層電極上の層間絶縁膜はＳｉＯ２膜である請求項１または２に記載の電極構造。
　　【請求項４】
　前記酸化防止膜はＳｉＮ膜である請求項３に記載の電極構造。
　　【請求項５】
　前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を更に設け、該酸化防止膜上の層間絶縁膜はＨＴＯ（ハイテンパラチュアオキサイト）であって、該酸化防止膜上の層間絶縁膜の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項４に記載の電極構造。
　　【請求項６】
　上層電極と下層電極の両端部を順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設した電極構造の形成方法において、
　基板部上に、相互に所定間隔を隔てて複数の該下層電極を一方向に並べて形成する下層電極形成工程と、
　該下層電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
　該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって酸化防止膜を形成する酸化防止膜形成工程と、
　該酸化防止膜上に、隣接する該下層電極の端部と一部重なり、かつ、相互に所定間隔を隔てて複数の該上層電極を形成する上層電極形成工程とを有し、
　該酸化防止膜としてＳｉＮ膜を１ｎｍ以上６ｎｍ未満の膜厚に形成し、
　該上層電極としてポリシリコン膜を形成し、該ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成し、該下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する電極構造の形成方法。
　　【請求項７】
　前記酸化防止膜形成工程と前記上層電極形成工程との間に、前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を更に形成する工程を有し、該酸化防止膜上の層間絶縁膜としてＨＴＯ（ハイテンパラチュアオキサイト）を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚に形成する請求項６に記載の電極構造の形成方法。
　　【請求項８】
　請求項１から５の何れかに記載の電極構造を有する転送ゲート部が設けられた固体撮像素子。」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
（１）　補正事項１
　補正前の請求項１の「複数の電極」，「複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造。」を，それぞれ補正後の請求項１の「上層電極と下層電極」，「上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であり、　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。」と補正すること。
　
（２）　補正事項２
　補正前の請求項１の「前記絶縁膜」を，補正後の請求項１の「該絶縁膜」と補正すること。
　
（３）　補正事項３
　補正前の請求項２の「複数の電極」，「複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造。」を，それぞれ補正後の請求項２の「上層電極と下層電極」，「上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であり、　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。」と補正すること。
　
（４）　補正事項４
　補正前の請求項２の「前記絶縁膜」を，補正後の請求項２の「該絶縁膜」と補正すること。
　
（５）　補正事項５     
　補正前の請求項４を，補正後の請求項３とし，補正前の請求項１，２を引用する補正前の請求項３を，補正後の請求項３を引用する補正後の請求項４と補正すること。
　
（６）　補正事項６
　補正前の請求項５，６を削除し，補正前の請求項１を引用する補正前の請求項５を，更に引用する補正前の請求項６を，更に引用する補正前の請求項７を，引用する請求項の番号を整理して補正後の請求項４を引用する補正後の請求項５と補正すること。
　
（７）　補正事項７
　補正前の請求項８〜１２を削除すること。
　
（８）　補正事項８
　補正前の請求項１３を削除し，補正前の請求項１３を引用する請求項１４を補正後の請求項６に繰り上げるとともに，補正前の請求項１３の「複数の電極」，「一方向に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造の形成方法。」を，それぞれ補正後の請求項６の「上層電極と下層電極」，「一方向に交互に並べて配設された電極構造」，「該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満の膜厚に形成し、　該上層電極としてポリシリコン膜を形成し，該ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成し，該下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する電極構造の形成方法。」と補正すること。
　
（９）　補正事項９
　補正前の請求項１３の「複数の下層電極」，「複数の上層電極」を，それぞれ補正後の請求項６の「複数の該下層電極」，「複数の該上層電極」と補正すること。
　
（１０）　補正事項１０
　補正前の請求項１５〜１８を削除すること。
　
（１１）　補正事項１１
　補正前の請求項１３を引用する補正前の請求項１７を，更に引用する引用する補正前の請求項１８を，更に引用する請求項１９を，引用する請求項の番号を整理して補正後の請求項６を引用する補正後の請求項７と補正すること。
　
（１２）　補正事項１２
　補正前の請求項２０〜２４を削除すること。
　
（１３）　補正事項１３
　補正前の請求項１〜１２の何れかを引用する補正前の請求項２５を，引用する請求項の番号を整理して，補正後の請求項１〜５の何れかを引用する補正後の請求項８と補正すること。
　　
３　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）新規事項の追加の有無について　
ア　補正事項１，３
　補正後の請求項１，２の「上層電極と下層電極」，「上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）に「複数の上層電極６ａと下層電極３ａとが交互に配設されてその端部が互いに一部重なって一方向に並べられて配置された信号電荷転送用の転送ゲート部１０」（段落【００８２】）と記載されている。
　また，補正後の請求項１，２の「上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造」は，当初明細書に「ポリシリコンからなる上層電極６ａが相互に間隔を隔てて設けが（審決注：「設けら」の誤記と認める。以下同様。）れており、更に上層電極６ａ上には、上層電極６ａを熱酸化した層間絶縁膜７が設けられている。」（段落【００７２】）と記載されており，補正事項１，３は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
イ　補正事項２，４
　補正事項２，４は「前記」という記載を「該」と他の記載とひょうそくを合わせるべく記載を改めたものであるから，当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
ウ　補正事項５，６，１１，１３
　補正事項５は，さらに下位の請求項を引用することとし引用関係を整理したものであり，補正事項６，１１，１３は請求項の削除に伴い引用関係を整理したものであるから，当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
エ　補正事項７，１０，１２
　補正事項７，１０，１２は請求項を削除するものであるから，当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
オ　補正事項８
　補正後の請求項６の「複数の電極」，「一方向に並べて配設された電極構造」は，当初明細書に「複数の上層電極６ａと下層電極３ａとが交互に配設されてその端部が互いに一部重なって一方向に並べられて配置された信号電荷転送用の転送ゲート部１０」（段落【００８２】）と記載されている。
　また，補正後の請求項６の「該上層電極としてポリシリコン膜を形成し，該ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成し，該下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する電極構造の形成方法。」は，当初明細書に「ポリシリコンからなる上層電極６ａが相互に間隔を隔てて設けられており、更に上層電極６ａ上には、上層電極６ａを熱酸化した層間絶縁膜７が設けられている。」（段落【００７２】）及び「ポリシリコンからなる下層電極３ａを酸化することにより層間絶縁膜４を形成」（段落【００７７】）と記載されており，ポリシリコンを酸化すればＳｉＯ２となることは当業者にとって自明な事項であるから，補正事項８は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
カ　補正事項９
　補正事項９は，前記されている「上部電極」，「下部電極」を指していることを明示するために「該上部電極」，「該下部電極」と記載を改めたものであるから，当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　
ケ　以上から，本件補正は特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（２）補正の目的の適否について
ア　補正事項１，３
　補正前の請求項１，２の「複数の電極」，「複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造」を，「上層電極と下層電極」，「上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」とする補正は，「複数の電極」を「上層電極と下層電極」と，また「一方向に並べて配設」を「一方向に交互に並べて配設」と技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また「上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造」とする補正は，上層電極の材料を「ポリシリコン」と技術的に限定し，更に「ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている」と「電極構造」を技術的に限定しているものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
イ　補正事項２，４
　補正事項２，４は「前記」という記載を「該」と記載を改めたものであるから，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
ウ　補正事項５
　補正事項５は，補正前の請求項４を補正後の請求項３とし，補正後の請求項４は，補正前の請求項３を補正前の請求項４を引用する形式としたものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
エ　補正事項６，１１，１３
　補正事項６は，補正前の請求項５，６の削除と，補正前の請求項７が引用する請求項を，補正前の請求項１より技術的に限定された補正後の請求項４とするものであり，
　補正事項１１は，補正前の請求項１７，１８の削除と，補正前の請求項１７が引用する請求項を，補正前の請求項１３より技術的に限定された補正後の請求項６とするものであり，
　補正事項１３は，補正前の請求項８〜１２の削除にともない，引用する請求項がより技術的に限定されたものとするものである。
　よって，補正事項６，１１，１３は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
オ　補正事項７，１０，１２
　補正事項７，１０，１２は請求項を削除するものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。
　
カ　補正事項８
　補正前の請求項１３を削除し，請求項１４を繰り上げることは，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当し，補正前の請求項１３の「複数の電極」，「複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造」を，補正後の請求項６の「上層電極と下層電極」，「上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」と技術的に限定するものであり，また補正後の請求項６の「上層電極としてポリシリコン膜を形成し，該ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成し，該下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する電極構造の形成方法」とする補正は，補正前の請求項１３の「上層電極」の材料を補正後の請求項６の「ポリシリコン」と技術的に限定し，更に補正前の請求項１３の「上層電極形成工程」を，補正後の請求項６の「ポリシリコン膜を酸化することにより該上層電極上に層間絶縁膜を形成」する工程を含むように技術的に限定し，補正前の請求項１３の「層間絶縁膜形成工程」を，補正後の請求項６の「下層電極上の層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を形成する」工程と技術的に限定しているものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
キ　補正事項９
　補正事項９は，「上部電極」，「下部電極」を指していることを明示するために「該上部電極」，「該下部電極」と記載を改めたものであるから，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
ケ　以上から，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（３）小括 
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。 
　 
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下において更に検討する。 
　
４　独立特許要件について
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜８に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，補正後の請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造において、
　該絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜とを有し、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であり、
　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。」
　
（２）引用例１に記載された発明及び引用例２の記載
　ア　本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特表２０００−５００２９６号公報（以下「引用例１」という。）には，「電荷結合素子及びそのような素子を製造する方法」（発明の名称）に関して，第１図〜第５ｂ図とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様）。
　
（ア）　「
電荷結合素子及びそのような素子を製造する方法
技術分野
  本発明は、電圧が半導体基体において電荷の蓄積及び移送を制御するために使用可能なシリコン電極システムを表面に供給される前記半導体基体を備える電荷結合素子であり、前記
電極は、シリコン酸化物とシリコン窒化物との二重の層を有する誘電体層によって少なくとも局部的に前記表面から分離され
背景技術
  電荷結合素子及び上記で述べられたような種類の手段は、米国特許公報第4,077,112号からとりわけ既知である。
素子は、ここに前記電極が（以後ポリと呼ぶ）多結晶シリコンの２つ以上の層で形成されることが記載されている
　
（イ）　「前記
素子の製造における幾つかの段階は、第２図から５図を参照
この半導体基体１の表面は、例えば６２ｎｍの厚さのシリコン酸化物の層７と約７５ｎｍの厚さのシリコン窒化物の層８とを有する二重の層である誘電体層で被覆される。第１のポリ層（多結晶シリコン）がその上に置かれ、この層はドープされ、電極２，４，６・・・をフォトリソグラフィック手段を用いて形成する。これら電極は、形成すべき窓１３の場所（第２ａ図）では比較的狭く、これら窓の間（第２ｂ図）では比較的広い。電極２，４及び６は次に酸化段階が施され、これによって当該電極の上面及び側部は、シリコン酸化物の層１７で約２００ｎｍの厚さに被覆される。酸化段階中、この酸化物層７の厚さは、窒化物層８の存在のために増加しない又は少なくとも殆ど増加しない。この場合、例えば４０ｎｍの厚さのシリコン窒化物の層１８は、全体の組立品にわたって供給される。この窒化物層は、電極２，４，６・・・の間に既に存在する窒化物層８で干渉性の層を形成するが、窒化物層１８は、電極２，４，６・・・上に別々の層を形成する。第２図はこのステージの素子を示す
  次の
第２のステージにおいて、ドープされたポリ層が供給され、電極３，５・・・は、既に存在する電極２，４・・・の間のポリ層にフォトリソグラフィック手段（第３図）によって供給される
ポリ電極３，５・・・を定めた後、他の酸化段階が実行され、これによって電極３，５は、約２００ｎｍの厚さを持つ酸化物層１９で被覆される。前記プロセスのこのステージは第３図に示される。半導体基体１及び電極２，４，６の表面は、この酸化中に、結合された窒化物層８，１８によって酸化に対しマスクされる
  第４図に示される次のステージにおいて、エッチングマスク２０が適切なフォトレジスト層の形で供給される。このマスクは前記窒化物層に形成すべき開口９を定める開口２１を持つ。このマスク２０は、第４ａ図に見られるように、一方の側面上の電極２−６と重なるので、開口２１はこれら電極の端部と一致するととはないだろう。
もし所望するならば、ポリＩにおける窒化物は前記ＣＣＤチャネル上の電極２，４・・・にわたって保持されてもよい。しかしながら、好ましくはこの窒化物は感光性をよくするためにできる限り多く取り除かれる。
  この後、とりわけ前記層の誘電体の厚さを再び調節するために、前記素子はもう一度酸化処理が施される。エッチングによって導入されるある欠点は、上記酸化段階を用いて取り除くことも可能である。この酸化は、窒化物層８，１８における開口９での酸化層７を成長させ、これによって前記ＬＯＣＯＳ型濃縮１４は、第５図に見られるように、これら開口の領域で形成される。窒化物層１８における開口２３の領域で電極２，４，６上の酸化層１９は、この間に厚くもなるので、ＬＯＣＯＳ型濃縮２４は、第５ｂ図に見られるように形成される。この素子は、通常の他の処理段階、特に前記表面をパッシベーションするために約４５０℃の温度で水素を含有する環境での加熱段階が続いて施されてもよい。これら水素分子は、この間に前記窒化物層における開口９及び２３を通り前記表面に向かい且つ沿って拡散し、前記シリコン結晶のダングリングボンドにそれら自身を装着することができる。
  前記電極からある距離おかれた開口９の配置は、暗電流において４から１０倍ほどの減少を供給することができる。その上、かなりの減少が、ＦＰＮ(fixed pattern noise)で、即ち２から４倍で得られ、ホワイトドットの形式での欠損の数で得られる。
  ここに記載された素子は、フレーム移送型の画像素子の一部を形成してもよいことに留意されたい。既知であるように、このような素子は、上述された感光性マトリックスの側にメモリマトリックスを持つ。画像が結合期間中に吸収され、電荷パケットの二次元パターンに変換された場合、このパターンは前記メモリパターンに素早く移送される。前記情報は、前記メモリ部分におけるラインによってラインを読み出すことができる一方、新規画像は画像部分でキャプチャーされる。このメモリマトリックスは、画像部分と同じやり方で、前記窒化物層における開口も有効に設けられる。しかしながら、もし所望するならば、これら開口は前記メモリ部分に省略されてもよい。これは前記メモリ部分おける高い漏れ電流を生じさせる。この高い漏れ電流（当然高すぎないという条件で）は、主な欠点とは必ずしもならない。というのも、この部品は列内のピクセルに対して同じ値を本質的に有し、これらピクセルは連続的に表示され、電子手段によってこの部品を補償することを可能にするからである。このような補償は、前記画像部分における前記漏れ電流にとってそれほど容易ではない。というのもこの漏れ電流は、原則的に列において異なるピクセルに対し１つの異なる部分となるからである。」（１０ページ最下行〜１３ページ最下行）
　
（ウ）　図３ｂ，４ｂ，５ｂによれば，電極２，４・・・上に電極３，５・・・がシリコン酸化物の層１７及び窒化物層１８を介して一部重なって，すなわちオーバーラップさせた状態で，一方向に交互に並べて形成されていることが読み取れる。
　
　以上総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「電極２，４上に電極３，５がシリコン酸化物の層１７及び窒化物層１８を介してオーバーラップさせた状態で，一方向に交互に並べて形成された電極において，
　電極２，４の上面及び側部は、シリコン酸化物の層１７で当初約２００ｎｍの厚さに被覆され，
　４０ｎｍの厚さのシリコン窒化物の層１８は、全体の組立品にわたって供給され，電極２，４，上に層が形成され，
　ポリ電極３，５は，他の酸化段階が実行され、酸化物層１９で被覆されたものである電極」
　
　イ　本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平６−８５２３４号公報（以下「引用例２」という。）には，「イメージセンサ装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図５〜８とともに以下の記載がある。
　
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
電荷結合素子（Charge Coupled Device ；以下ＣＣＤと称する）形固体撮像素子およびその製造方法
　
（イ）「【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図５から図８を参照してイメージセンサの電荷伝送部であるＣＣＤ構造に具現された本発明の実施例に関して詳しく説明する。図５で、半導体２１上に第１酸化膜２２と第１窒化膜２３を順に積層させ形成する。次いで、全面に導電物質を形成し、通常の写真食刻技術により複数の第１ゲート電極２４を形成する。
【００１９】図５で前記の半導体基板２１はシリコンが主に用いられ、伝導形態によりＰ型またはＮ型のうちいずれか一つである。ＢＣＣＤ構造ではゲート電極に印加される電圧により半導体基板に形成されるチャネル領域が表面から一定深さに形成される。したがって、発生された電荷の伝送効率を向上させた埋没チャネルＣＣＤ（ＢＣＣＤ）構造では半導体基板の表面の真下は反対の伝導形態で形成され得る。また２相動作をするＣＣＤの場合のように電荷伝送方向が決定されるようにゲート電極を一つジャンプして表面の不純物濃度が変化され注入されることもあり得る。
【００２０】図５で、前記第１酸化膜２２は通常シリコン酸化膜であり、１０〜２０００Åの厚さで形成され、
第１窒化膜２３は通常シリコン窒化膜で６０〜２０００Å程度の厚さにＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法やＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced ＣＶＤ）法で蒸着させる
【００２１】次に図６で前記第１ゲート電極２４の上部表面と側壁に第２酸化膜２５を一定の厚さまで形成させた後、第１ゲート電極２４の間に露出されている前記窒化膜２３だけを除去する。前記第２酸化膜２５は熱酸化工程により形成される熱酸化膜で、前記
窒化膜２３が酸化素子（審決注：「阻止」の誤記と認められる。）膜として作用するので熱酸化雰囲気に露出された多結晶シリコンからなる前記第１ゲート電極２４の上部表面と側壁だけに第２酸化膜２５が成長する
【００２２】次いで、前記過度食刻され、汚染されている第１窒化膜２３を第２酸化膜２５に対して高い食刻選択比を有する燐酸により湿式食刻で除去する。このとき、湿式食刻の等方性により第１ゲート電極２４の下部に存在する第１窒化膜２３まで過度に食刻されることを防ぐため前記第１窒化膜２３の一部を乾式食刻により除去した後燐酸で、短時間だけ湿式食刻することもできる。
【００２３】次いで、図７で前記図６の結果物の全面に第２窒化膜２６を蒸着させる。
第２窒化膜２６は通常シリコン窒化膜であり、ＣＶＤ法やＰＥＣＶＤ法等で蒸着させ、蒸着の厚さは前記第１ゲート電極２４の下部にある第１窒化膜２３の厚さと同じになるようにする。
【００２４】一方、第１ゲート電極２４の側壁下部付近の第２酸化膜２５が成長しきっていない脆弱部分２Ａに第２窒化膜２６が充分に蒸着され緩慢な傾斜を保つことにより、後続する蒸着工程の遂行が円滑になるだけではなく絶縁特性を強化させる。図８は第２窒化膜２６上に導電物質を蒸着させた後第２ゲート電極２７を形成したことを示す。
【００２５】前記
導電物質には一般に多結晶シリコンが用いられ、前記第１ゲート電極２４の一部とオーバーラップされるようにパターニングして第２ゲート電極２７を形成させることが素子特性上望ましいが、場合によってはオーバーラップされないようにするか、または一方だけオーバーラップされるように形成させることもできる
【００２６】なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の改変をなし得ることはもちろんである。」
　
（ウ）　図８には，第１ゲート電極２４が設けられていない基板部と第２酸化膜２５上全体にわたって第２窒化膜２６が設けられていることが見て取れる。
　
（３）対比
　以下に，補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「電極２，４」及び「電極３，５」は，それぞれ補正発明の「下部電極」及び「上部電極」に相当し，引用発明の「シリコン酸化物の層１７及び窒化物層１８」は，電極２，４と電極３，５の間に形成されているから，補正発明の「絶縁膜」に相当し，引用発明の「電極２，４」及び「電極３，５」全体で形成された「電極」は，本願発明の「電極構造」に相当する。
　したがって，引用発明の「電極２，４上に電極３，５がシリコン酸化物の層１７及び窒化物層１８を介してオーバーラップさせた状態で，一方向に交互に並べて形成された電極」は，補正発明の「上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造」に相当する。
　
イ　引用発明の「シリコン酸化物の層１７」は，「電極２，４」上に設けられているから，補正発明の「層間絶縁膜」に相当し，引用発明の「窒化物層１８」は，「電極２，４」が設けられていない部分及び「シリコン酸化物の層１７」上に設けられていること，また，（２）ア（イ）によれば「他の酸化段階が実行され、これによって電極３，５は、」「酸化物層１９で被覆され」，「半導体基体１及び電極２，４，６の表面は、この酸化中に、結合された窒化物層８，１８によって酸化に対しマスクされ」ていること，つまり窒化物層により酸化を防止していることが明らかであるから，補正発明の「酸化防止膜」に相当する。
　なお，補正発明は，その実施形態において酸化防止膜が層間絶縁膜上の全体にわたって設けられているの対し，引用発明の窒化物層１８は，その後の工程でのその一部が除去されているが，両者は少なくとも上層電極と下層電極のオーバーラップさせた部分において設けられている点で共通する。
　
ウ　（２）ア（ア）の「（以後ポリと呼ぶ）多結晶シリコン」によれば，「ポリ」が多結晶シリコン，すなわち「ポリシリコン」を意味することは明らかであるから，引用発明の「ポリ電極３，５」は，補正発明の「ポリシリコン」でできている「上層電極」に相当し，また引用発明の「ポリ電極３，５」が「他の酸化段階が実行され、」「酸化物層１９で被覆され」されていることは，補正発明の「上層電極」の「表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている」ことに相当する。
　
（一致点）
　したがって，補正発明と引用発明とは，
　「上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造において、
　該絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって少なくとも上層電極と下層電極のオーバーラップ部分に設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜とを有し、
　該上層電極はポリシリコン膜であり、該ポリシリコン膜表面部が酸化されて層間絶縁膜が構成されている電極構造。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は，「酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満であ」るのに対して，引用発明は，「シリコン窒化物の層１８」の「厚さ」は「４０ｎｍ」である点。
　
（相違点２）
　補正発明は，「上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップ」させており，「層間絶縁膜に対する酸化防止膜」が，「下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられ」ているのに対して，引用発明は「酸化防止膜」が，「層間絶縁膜」上の全体にわたって設けられていない点。
　
（４）判断 
（４−１）相違点１について
ア　膜厚の下限値について
　（２）イ（イ）によれば，引用例２に記載の発明において，酸化防止膜としてシリコン窒化膜（第１窒化膜２３）を６０〜２０００Å（審決注：換算すると６〜２００ｎｍに相当する）程度の厚さ形成することが記載されており，シリコン窒化膜は６ｎｍ程度の厚さで酸化防止という効果が得られていることが分かる。
　そして，酸化防止の効果を得るためには，ある膜厚以上が必要であることは当業者にとって自明であり，目的とする酸化防止の効果が得られる膜厚の下限値を見つけることは，当業者が通常行い得る創作能力の範囲内であるから，酸化防止膜の膜厚を１ｎｍ以上とすることは，当業者ならば適宜なし得たといえる。
　
イ　膜厚の上限値について
　酸化防止膜の膜厚の上限値について検討すると，まず転送ゲート部を縮小化したいという課題は，撮像素子において不断の課題である。そうすると，目標の縮小化されたサイズの転送ゲート部を製造するために，層間絶縁膜及び酸化防止膜の膜厚をそのサイズに応じて決定することは当業者が適宜なし得たことといえる。
　
ウ　また，本願明細書には，酸化防止膜としてシリコン窒化膜を「後工程での酸化を防止することが可能で，かつ，下層電極と上層電極とのオーバーラップ部を最小化することができるように膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲に設定することが好ましい。」（段落【００６１】）（同様の記載は，段落【００７８】【００８５】にもある。）という記載があり，また「酸化防止膜５の膜厚は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり，その膜厚が１ｎｍを下回ると層間絶縁膜４の酸化防止効果に問題が生じ，その膜厚が１０ｎｍを超えると，層間絶縁膜を膜厚制御性良く形成して，転送ゲート部の縮小化を図るという本発明の目的に逆行する。」（段落【００８９】）という記載があり，膜厚は転送ゲート部の縮小化に逆行しない程度にするものであって，酸化防止膜の膜厚の上限を６ｎｍ未満と限定したことによる技術的臨界的意義は認められない。
　
　したがって，引用発明において，周知の技術課題及び引用例２に記載の事項を勘案し，その酸化防止膜の膜厚を「１ｎｍ以上６ｎｍ未満」とすることは，当業者が容易になし得た範囲に含まれる事項である。
　
（４−２）相違点２について
ア　相違点２については，引用発明は，第５ｂ図から，引用発明の実施例としても，上層電極（電極３，５）と下層電極（電極２，４）が，その両端部においては，絶縁層に相当する「シリコン酸化物の層１７」と「シリコン窒化物の層１８」とが積層された状態で，それを介してオーバーラップされていることが分かり，また，酸化防止膜（シリコン窒化物の層１８）が，「下層電極が設けられていない基板」上「および層間絶縁膜上にわたって設けられ」ていることが分かる。
　また，補正発明には，「上層電極と下層電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該上層電極と下層電極を一方向に交互に並べて配設された電極構造において」と記載されており，「絶縁膜」は「オーバーラップさせた」部分で，その存在が特定されており，「酸化防止膜」が「層間絶縁膜」上の全体にわたって設けることは特定されていない。
　そうすると，相違点２については，引用発明の実施例を見ても，文言上，そもそも相違点ではない。
　以下では，仮に，補正発明が「層間絶縁膜」上の全てにわたって「酸化防止膜」が設けられているものであることを意味しているとした場合に，この点を相違点２とし，検討することとする。
　
イ　４（２）イ（イ）及び（ウ）によれば，引用例２に記載の発明では，第２窒化膜２６が，第１ゲート電極２４が設けられていない基板部と第２酸化膜２５上全体にわたって設けられており，窒化膜が酸化阻止膜（本願の酸化防止膜に相当）の機能を有していることも，４（２）イ（イ）にもあるように技術常識である。
　
ウ　また，引用例１の第５図において，感光性をよくするために電極２，４・・・上の窒化物層１８が除去されているが，４（２）ア（イ）の「もし所望するならば、ポリＩにおける窒化物は前記ＣＣＤチャネル上の電極２，４・・・にわたって保持されてもよい。」という記載から，窒化物層１８を電極上において除去しないことも開示されているといえる。
　
エ　そうすると，酸化防止膜としての窒化膜をどの領域に設けるかは，目的とするＣＣＤの特性，その製造方法などによって決まるものであり，「下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設け」るか，下層電極が設けられていない基板部とその端部に設けるかは，目的とする電極構造に応じて当業者が適宜設定しうる設計的事項である。
　
オ　したがって，引用発明において，下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けるようにすることは当業者にとって容易になし得た範囲に含まれる事項である。
　
（４−３）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案し，引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
５　補正却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２６に係る発明は，平成２３年２月１０日に補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は再掲すると，請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　 複数の電極の両端部を絶縁膜を介して順次オーバーラップさせた状態で該複数の電極を一方向に並べて配設された電極構造において、
　 前記絶縁膜は、
　該下層電極上に設けられた層間絶縁膜と、
　 該下層電極が設けられていない基板部および該層間絶縁膜上にわたって設けられた、該層間絶縁膜に対する酸化防止膜とを有し、該酸化防止膜の膜厚は１ｎｍ以上６ｎｍ未満である電極構造。」
　
第４　引用例１に記載された発明及び引用例２の記載 
　引用例１，２には，上記第２，４（２）に記載したとおり，引用発明が記載され，また引用例２の記載がある。 
　
第５　判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２（１）に記載した補正事項１，２についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると第２，４（４）において検討したとおり，補正発明は，引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。