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　特願２００４−　９６８４９「半導体研磨用組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８６０４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、平成１６年３月２９日の特許出願であって、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、上記請求項１ないし請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、次のとおりである。
　
「ヒュームドシリカの水分散液であって、粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０万個／ｍｌ以下であり、かつ粒径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０００個／ｍｌ以下であることを特徴とする半導体研磨用組成物。」
　
第２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２７７１０６号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開２００１−２７１０５８号公報（以下「刊行物２」という。）の記載内容はそれぞれ以下のとおりである。
　
１　刊行物１
（１）刊行物１記載の事項
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨剤として砥粒分散液を使用した新規な研磨方法及び研磨装置に関する。詳しくは、砥粒分散液を使用した研磨方法において、高い研磨速度で且つスクラッチを極めて効果的に防止することが可能な方法及び研磨装置である。」
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に使用する砥粒分散液は、公知のものが特に制限なく使用される。例えば、砥粒としては、シリカ、ジルコニア、アルミナ、セリア、酸化マンガン、窒化ケイ素、炭化珪素、ダイヤモンド、樹脂微粒子等が挙げられる。
【００１５】そのうち、半導体デバイスの研磨においては、シリカ、アルミナ、セリア等の砥粒が用いられる。上記シリカの中でも、特にヒュームドシリカを用いた砥粒分散液は、層間絶縁膜用や金属膜用砥粒分散液として使用されることが多い。また、シリコンウェハの研磨においては、コロイダルシリカが多用されている。
【００１６】また、本発明の砥粒分散液は、上記の砥粒を溶媒に分散させ、更に研磨を促進するための各種の添加剤を配合した組成が一般に使用される。
【００１７】上記溶媒としては、水が一般的である。
【００１８】また、砥粒の濃度は、従来から研磨において採用される濃度を特に制限なく採用することができる。砥粒分散液中の砥粒の代表的な濃度としては、０．１〜２０重量％が一般的である。」
　
「【００５７】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではない。
【００５８】以下の方法によって、砥粒分散液を分析、評価した。
【００５９】１．平均粒子径
平均粒子径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布計（ベックマン・コールター社製、ＬＳ２３０）を用いて測定した。ここでは、体積基準の平均粒子径を採用した。
【００６０】２．粗粒子濃度
凝集粒子濃度は、パーティクルカウンター方式の粒度解析装置（パーティクルサイジングシステムズ社製、アキュサイザー７７０）を用いて測定した。凝集粒子濃度は、シリカ濃度１．５重量％に純水で希釈した砥粒分散液５０μｌ中に含まれる０．５μｍ以上の凝集粒子の個数と定義した。
【００６１】３．ｐＨの測定
砥粒分散液のｐＨは、ｐＨメーター（堀場製作所製、Ｆ−２２）を用いて、２５℃で測定した。
【００６２】４．粘度の測定
砥粒分散液の粘度は、Ｂ型粘度計（トキメック製、ＢＬ型）を用いて、２５℃で測定した。
【００６３】５．光散乱指数（ｎ）の測定
砥粒分散液のスペクトルは、分光光度計（日本分光製、Ｕｂｅｓｔ−３５型）を用いて測定した。まず、光路長１０ｍｍのセルを用い、参照セルと試料セルにそれぞれイオン交換水を満たし、全波長範囲にわたってゼロ点校正を行った。次に、シリカ分散液の濃度が１．５重量％になるように砥粒分散液をイオン交換水で希釈し、試料セルに該希釈液を入れて波長（λ）４６０〜７００ｎｍの範囲の吸光度（τ）を１ｎｍ毎に２４１個測定した。ｌｏｇ（λ）とｌｏｇ（τ）をプロットし、前述した式（２）を用いて直線の傾き（−ｎ）を最小二乗法で求めた。この時のｎを光散乱指数とした。
【００６４】６．研磨試験（研磨速度）
絶縁膜用の研磨用試料には、厚さ約１μｍの熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）付きの４インチのシリコンウェハを用いた。研磨装置にはエンギス社製、ＥＪ−３８０ＩＮ−Ｓを用い、荷重５００ｇ／ｃｍ２、定盤の回転速度４０ｒｐｍ、砥粒分散液の供給速度８０ｍｌ／ｍｉｎの条件で研磨試験を行った。研磨パッドにはロデ−ル製のＩＣ１０００／Ｓｕｂａ４００を用いた。研磨速度は、エリプソメーターを用いて研磨前後のＳｉＯ２膜の厚み変化を測定することによって求めた。」
　
「【００６８】実施例１
比表面積が９０ｍ２／ｇのヒュームドシリカを固形分濃度が１３重量％になるように純水と混合すると共に、ｐＨが１１になるようにアンモニア水を加えて分散処理することによって砥粒分散液を調製した。
【００６９】上記の砥粒分散液を数週間貯蔵後、その一部を高圧ホモジナイザー（ナノマイザー製、ナノマイザーＬＡ−３１）を用いて分散処理し、そのまま研磨試験に供した。なお、上記高圧ホモジナイザーは孔径１５０μｍのダイヤモンド製の絞り機構を使用し、該絞り機構の入口側と出口側との差圧は７０ＭＰａになるように調整した。
【００７０】また、上記高圧ホモジナイザーによる分散処理から約１時間以内に、砥粒分散液の物性も測定した。
【００７１】これらの結果を表１に示す。
【００７２】比較例１
実施例１において、分散機による砥粒分散液の分散処理を、タービンステーター型のホモジナイザー（イカ製、ウルトラタラックスＴ−５０）による約２０分間の処理に代えた以外は同様にして研磨試験を行った。
【００７３】また、上記タービンステーター型のホモジナイザーによる分散処理後１時間以内に、砥粒分散液の物性も測定した。
【００７４】これらの結果を表１に示す。
【００７５】実施例２
実施例１において、高圧ホモジナイザーによる分散処理に代えて、超音波ホモジナイザー（ブランソン社製、ソニファイア２５０）による分散処理を施し、分散処理後そのまま研磨試験に供した。
【００７６】また、上記超音波ホモジナイザーによる分散処理から１時間以内に、砥粒分散液の物性も測定した。
【００７７】結果を表１に示す。」
　
【００７８】の【表１】には「凝集粒子数（個）」について以下の記載がある。 
　実施例１：　９，１００
　比較例１：３１，０００
　実施例２：１１，３００
　
「【００７９】以上の結果が示すように、実施例１及び実施例２は、高圧ホモジナイザーを使用することにより、比較例1に比べて砥粒分散液の平均粒子径は小さい方にシフトし、粗粒子数も減少することがわかった。また、シリカの分散状態を示す光散乱指数（ｎ）は大きくなることがわかった。
【００８０】上記高圧ホモジナイザーを使用した場合と同様に、実施例３（当審注：実施例２の誤記と考えられる。）の超音波ホモジナイザーを使用した場合もシリカの分散状態は格段に向上することがわかった。従って、高圧ホモジナイザーや超音波ホモジナイザーで処理することによってシリカの分散状態を向上させ、更に砥粒分散液中の凝集粒子数を低減させることによって、被研磨面のスクラッチの発生を抑制することが可能となった。  また、上記処理によって、研磨速度も向上することがわかった。」
　
（２）刊行物１記載の発明
　刊行物１記載の事項を、特に、砥粒としてヒュームドシリカを採用し、砥粒を分散させる溶媒として水を採用するとともに、刊行物１の段落【００７８】【表１】の実施例１及び実施例２の記載に着目して、本件出願の発明に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認めることができる。
　
「ヒュームドシリカの水分散液であって、砥粒分散液５０μｌ中に含まれる０．５μｍ以上の凝集粒子数が９，１００個又は１１，３００個である半導体研磨用組成物。」
　
２　刊行物２
　刊行物２には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、電子部品の製造工程で使用する研磨スラリーの製造方法に関するものである。」
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、シリカ粒子等の砥粒を水系媒体中に分散されて得られる水性分散体を高圧ホモジナイザーで分散処理する工程と、得られたシリカの水性分散体に増粘剤を添加混合する工程と、を包含する。高圧ホモジナイザーで水性分散体を処理する工程は、シリカ粒子が水系媒体中に分散された水性分散体を互いに向かい合う状態で高圧で衝突させことにより、シリカ粒子を分散させる工程を包含し得る。
【００１５】上記水性分散体を得るには、シリカ粒子を水系媒体中に混合し、混練機やディスパー等の高速攪拌機、ビーズミル等を用いて予備分散すれはよい。シリカ粒子の濃度は好ましくは３〜７０重量％であり、さらに好ましくは１０〜５０重量％である。シリカ粒子の濃度が低すぎると、分散効率が悪いため得られた水性分散体が不安定になりやすい。濃度が高すぎると、予備分散工程での水系媒体が少なすぎるため、また水性分散体が極端に増粘したりゲル化して流動化しなくなることがある。
【００１６】本発明で使用される水系媒体は、水、エタノール、メタノール等、およびこれらの混合溶媒が使用できるが、好ましくは脱イオンされた純水である。
【００１７】また、本発明で好ましく使用されるシリカ粒子は、通常、乾式法、湿式法、ゾル−ゲル法等で製造されたシリカ粒子があげられ、中でも乾式法の中の一つであるヒュームド法シリカの粒子が高純度である点で好ましい。分散に供するシリカ粒子は一般に粉体であり、小さな粒子（一次粒子）の凝集体（二次粒子）として存在している。この一次粒子の平均粒子径は通常０．００５〜１μmである。」
　
「【００３９】また研磨スラリーの粒度分布は、以下の通りである。
【００４０】０．５mlの水性分散体中における、１μm以上の粒径を有するシリカ粒子が０〜１００，０００個であり、２μm以上の粒径を有するシリカ粒子が０〜３，０００個であり、３μm以上の粒径を有するシリカ粒子が０〜１,０００個であり、５μm以上の粒径を有するシリカ粒子が０〜５００個であり、１０μm以上の粒径を有するシリカ粒子が０〜１００個であり、さらに増粘剤を０．００１〜１重量％含有する。
【００４１】上記範囲を外れる場合には、ウエハ表面へのスクラッチが大きくなる傾向にある。」
　
「【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、擬集粗大粒が原因で起こすスクラッチの発生がない研磨スラリーを提供することができる。得られた研磨スラリーは、例えば半導体ウエハ表面の研磨用に使用することができる。」
　
　これらの記載事項から刊行物２には以下の事項が記載されていると認める。
「ヒュームドシリカの水分散液である半導体研磨用組成物において、スクラッチの発生を低減するために、０．５ｍｌの水分散液中における１μm以上の粒径を有するヒュームドシリカ粒子の粒子数を１００，０００個以下とすること。」
　
第３　対比
　本件出願の発明における粒子数はヒュームドシリカの水分散液１ｍｌ当たりの数であるので、刊行物１記載の発明における砥粒分散液、すなわち、ヒュームドシリカの水分散液５０μｌ中に含まれる０．５μｍ以上の凝集粒子数９，１００個又は１１，３００個を前記水分散液１ｍｌ当たりの数に換算すると、それぞれ以下のとおりである。
　　９，１００個／５０μｌ＝１８２個／μｌ＝１８２×１０３個／ｍｌ
＝１８万２千個／ｍｌ
　１１，３００個／５０μｌ＝２２６個／μｌ＝２２６×１０３個／ｍｌ
＝２２万６千個／ｍｌ
　ちなみに、上記第２の１（１）に摘記した刊行物１記載の発明の実施例１及び実施例２に対する比較例１では、その１ｍｌ当たりの粒子数は以下のようになる。
   ３１，０００個／５０μｌ＝６２０個／μｌ＝６２０×１０３個／ｍｌ
＝６２万個／ｍｌ
　すると、刊行物１記載の発明における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の上限は、「２２万６千個／ｍｌを超え６２万個／ｍｌ未満」にあり、これは本件出願の発明における上限である「６０万個／ｍｌ」を含む。
　また、刊行物１には明記されていないものの、技術常識からみて、刊行物１記載の発明にも粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子より大きい粒径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子が存在していると考えられる。
　
　したがって、本件出願の発明と刊行物１記載の発明とは、以下の一致点と相違点とを有しているということができる。
　
［一致点］
　ヒュームドシリカの水分散液であって、粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６２万個／ｍｌ未満である半導体研磨用組成物。
　
［相違点１］
　粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の上限について、本件出願の発明では、「６０万個／ｍｌ」であるが、刊行物１記載の発明では、「２２万６千個／ｍｌを超え６２万個／ｍｌ未満」である点。
　
［相違点２］　
　粒径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数について、本件出願の発明では「６０００個／ｍｌ以下」であるのに対して、刊行物１記載の発明では具体的範囲が明らかでない点。
                      
第４　相違点についての検討
　相違点１について検討する。
　本願の発明の詳細な説明の段落００２７、段落００７７の表１を参照しても、「６０万個／ｍｌ」と特定したことによる臨界的意義、顕著な効果を見いだすことはできない。
　よって、相違点１は、最適値を選択したにすぎず、格別なものとは認められない。
　
　相違点２について検討する。
　上記第２の２末尾で認定したように、刊行物２には、ヒュームドシリカの水分散液である半導体研磨用組成物において、スクラッチの発生を低減するために、０．５ｍｌの水分散液中における、１μｍ以上の粒径を有するヒュームドシリカ粒子の粒子数を０〜１００，０００個とすること、すなわち、水分散液の１ｍｌ当たりの粒子数に換算すると、０〜２００，０００個／ｍｌとすることが記載されている。
　すなわち、刊行物２記載の事項は、スクラッチの発生を抑えるために、ヒュームドシリカの水分散液中における粒径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子に着目して、その粒子数を適切な範囲に抑えることであるということができる。
　スクラッチの発生は、刊行物１記載の発明においても望まれることであり、そのための手段について、重畳的な採用を試みることに困難性は認められない。
　そこで、この刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用し、粒径１μm以上のヒュームドシリカ粒子にも注目して、その粒子数を抑えるように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　そして、粒径の大きな粒子の粒子数が少ないほどスクラッチの発生が小さいことは技術常識からみて明らかであること、また、粒径１μm以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍｌ以下に限定したことによる臨界的な効果も見当たらないことからみて、粒子数をこのように限定することは、そのために要する費用とそれによってもたらされる効果とを勘案して、当業者が適宜なし得る単なる設計的事項であるということができる。
　請求人は、審判請求理由で「粒径を２段階で制限する」点を主張する。
　しかし、一般に、課題を解決する手段が複数存する際に、より良い解決のため、複数の手段を重畳的に用いることは珍しくなく（例えば、特開２００３−１４５９２９号公報の段落００４０）、このことは、本件においても妥当する。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
第５　むすび
　したがって、本件出願の発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。