【事件の表示】
　特願２００３−１８３６７６「単結晶の製造方法及び単結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開、特開２００５−　１５２８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年６月２７日の出願であって、平成１９年９月１４日付けで拒絶理由が起案され、同年１１月２６日付けで意見書と手続補正書が提出され、平成２１年２月２７日に拒絶理由が起案され、同年４月２３日付けで意見書と手続補正書が提出され、同年５月２６日付けで拒絶査定の起案がなされ、同年７月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審から平成２３年１１月８日付けで拒絶理由が起案され、同年１２月２６日付けで意見書と補正書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年１２月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
１．補正却下の決定の結論
　平成２３年１２月２６日付けの手続補正を却下する。
　
２．理由
（１）平成２３年１２月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という場合がある。）は、補正前の平成２１年４月２３日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１である、
「　【請求項１】　チョクラルスキー法によって単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表したとき、該結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化を、単結晶引上げ中に前記原料融液を加熱するヒーターの位置を変更することにより制御して、引上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。」を
「　【請求項１】　チョクラルスキー法によって単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表したとき、該結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化を、前記原料融液を加熱するヒーターの位置を結晶温度勾配Ｇが小さくなるような領域では前記ヒーターの発熱中心位置と前記原料融液面との相対距離が増大するように、結晶温度勾配Ｇが大きくなるような領域では前記相対距離が減少するように単結晶引上げ中に変更することにより制御して、引上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。」
と補正することを含むものである。
　この特許請求の範囲の請求項１に係る補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。
　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて次に検討する。
　
（２）引用文献
（２−１）引用文献１
　本願出願前に頒布された特開２０００−１５９５９４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項８】チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整することにより、同法によるシリコン単結晶バルクの引き上げ速度を変化させることと同等の効果を得る方法。」（特許請求の範囲の請求項８）
（イ）「ここで、「Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）」はチュクラルスキー法における引き上げ速度、「Ｇ（℃／ｍｍ）」はシリコン融点（約１４１２℃）から１３５０℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値・・・・・・である。・・・・・・シリコン融点が何℃であろうと、「シリコン融点から１３５０℃までの温度範囲」であれば、本発明の範囲に含まれる。」（【００１１】）
（ウ）「【発明を実施するための形態】・・・・・・。
・・・・・・
本発明に係るシリコン単結晶バルク製造装置において特徴的なことは、熱遮蔽体２５を動かし、当該熱遮蔽体２５の先端部分とシリコン融液１２の液面からの距離ｈを調整することによって、本発明遂行のポイントとなるＶ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）やＧｏｕｔｅｒ／Ｇｃｅｎｔｅｒを調整することである。実際に、距離ｈを調整することによってヒータ１４やシリコン融液１２の液面からシリコンバルク２７への熱の遮蔽量が変化するのと同時に、シリコンバルク２７表面を流れる不活性ガスの量や速度が微妙に変化するので、これによって本発明ではシリコンバルク２７表面における結晶引上げ軸方向の結晶内温度勾配、ひいてはその中心部分における結晶引上げ軸方向の結晶内温度勾配との比を調整することができるものと考えられている。
・・・・・・
また、本発明においては、距離ｈの調整は、例えば総合電熱解析のようなシュミレーション解析による計算結果に基づいて行うようにしてもよく、実測値に基づいたフィードバック制御などによって行うようにしてもよい。
・・・・・・
本発明に係る方法もしくは装置により製造されたシリコン単結晶バルクは、先行する宝来らの発明によって得られるシリコン単結晶バルクよりも、成長欠陥を含まない領域が得られる確実性が高く、しかもその量的な割合も多い。・・・・・・」（【００２１】〜【００３４】）
（エ）「【実施例３】この実施例は・・・・・・成長中における結晶内温度勾配の変化のために徐々に最適な成長条件からずれていってしまったときに、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離の変化を与えることにより、無欠陥結晶を得ることができるということを示すためのものである（表３）。
・・・・・・
表３に示すように、引き上げ速度一定の条件下で、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を、結晶の長さの変化に追従させて変化させることにより、無欠陥結晶を得ることができた。ここで、この実施例３によって、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を変化させれば、引き上げ速度を変化させた場合（・・・・・・）と同じ効果が得られることがわかる。そしてこのことから、無欠陥結晶を得るという観点からすれば、シリコン単結晶バルク製造装置においてシリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を変化させることは、引き上げ速度を変化させることと等価の効果が得られるということが明らかになった。」（【００４４】〜【００４６】）　
　
（２−２）引用文献２
　本願出願前に頒布された特開２００１−２６１４９５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
（カ）「また、Ｇは引き上げ最中に刻々と変化する動的なものであるが、引き上げ中にＧを変化させる要因としては、結晶の長さの変化による熱バランスの変化、ルツボとヒータの相対位置の変化による熱バランスの変化、融液の量の変化などを挙げることができる。・・・・・・」（【００３１】）
（キ）「・・・・・・結晶側面の軸方向温度勾配（Ｇ）の調整は、熱遮蔽体とシリコン融液の間の距離の調整、引き上げられている結晶を囲繞するクーラーやヒーターの設置、ボトムヒータ出力の調整、或いはこれらの組み合せによって行うことができる。」（【０１０７】）
　
（３）引用文献１に記載された発明
ア　引用文献１の上記（ア）には、「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整することにより、同法によるシリコン単結晶バルクの引き上げ速度を変化させることと同等の効果を得る方法」が記載されている。
イ　上記アの方法における「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整することにより」とは、引用文献１の上記（ウ）の「熱遮蔽体２５を動かし、当該熱遮蔽体２５の先端部分とシリコン融液１２の液面からの距離ｈを調整することによって、本発明遂行のポイントとなるＶ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）・・・・・・を調整することである。実際に、距離ｈを調整することによって・・・・・・本発明ではシリコンバルク２７表面における結晶引上げ軸方向の結晶内温度勾配・・・・・・を調整することができるものと考えられている」との記載をみると、「Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）」、実際には「シリコンバルク２７表面における結晶引上げ軸方向の結晶内温度勾配」を調整することといえる。
　また、引用文献１の上記（イ）によれば、「「Ｇ（℃／ｍｍ）」はシリコン融点（・・・・・・）から１３５０℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値であ」るから、「シリコンバルク２７表面における結晶引上げ軸方向の結晶内温度勾配」を調整するとは、「Ｇ（℃／ｍｍ）を調整すること」に他ならない。
　なお、同（イ）の記載によれば、「Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）」はチュクラルスキー法における引き上げ速度である。
　よって、上記「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整すること」は、「Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）におけるＧ（℃／ｍｍ）を調整すること」であると認める。
ウ　引用文献１の上記（エ）に「成長中における結晶内温度勾配の変化のために徐々に最適な成長条件からずれていってしまったときに、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離の変化を与えることにより、無欠陥結晶を得ることができる・・・・・・無欠陥結晶を得るという観点からすれば、シリコン単結晶バルク製造装置においてシリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を変化させることは、引き上げ速度を変化させることと等価の効果が得られるということが明らかになった。」と記載されていることからみて、上記アの方法における「同法によるシリコン単結晶バルクの引き上げ速度を変化させることと同等の効果」とは、「結晶成長中における結晶内温度勾配、すなわち、Ｇ（℃／ｍｍ）の変化のために徐々に最適な成長条件からずれていってしまったときに、無欠陥結晶を得る」ことといえる。
エ　上記ア〜ウの検討を踏まえ、引用文献１の（ア）〜（エ）の記載を補正後発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整することによって、Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）はチュクラルスキー法における引き上げ速度、Ｇ（℃／ｍｍ）はシリコン融点から１３５０℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値と表したとき、Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）におけるＧ（℃／ｍｍ）を調整し、結晶成長中におけるＧ（℃／ｍｍ）の変化のために徐々に最適な成長条件からずれていってしまったときに、無欠陥結晶を得る方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（４）補正後発明と引用発明との対比・判断
ア　「シリコン融液」は、「原料融液」とみることができるから、引用発明の「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置」は、「チョクラルスキー法によって単結晶を原料融液から引上げて製造する方法」に用いるものである。
イ　引用発明の「シリコン融点から１３５０℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値」である「Ｇ（℃／ｍｍ）」は、本願明細書の【００２５】〜【００２６】の「【発明の実施形態】・・・・・・固液界面近傍のシリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇ」なる記載を考慮すると、補正後発明の「固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）」といえるから、引用発明の「Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）」は、補正後発明の「引上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）」に相当する。
ウ　引用発明において、「Ｇ（℃／ｍｍ）を調整」することは、「Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）」を調整することであり、「Ｖ／Ｇ値（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）」の値によって所望の結晶欠陥を有する単結晶が得られることは技術常識であって、引用発明の「無欠陥結晶を得る」は、補正後発明の「所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御する」に含まれるから、上記アの検討を併せみると、引用発明の「無欠陥結晶を得る方法」は補正後発明の「単結晶の製造方法」に他ならない。
　そして、引用発明の「結晶成長中におけるＧ（℃／ｍｍ）の変化のために徐々に最適な成長条件からずれていってしまったとき」とは、本願発明の「結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化」であることは明らかである。
エ　そうすると、両者は、
「チョクラルスキー法によって単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表したとき、該結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化を制御して、引上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御する単結晶の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化を、補正後発明では、「原料融液を加熱するヒーターの位置を結晶温度勾配Ｇが小さくなるような領域では前記ヒーターの発熱中心位置と前記原料融液面との相対距離が増大するように、結晶温度勾配Ｇが大きくなるような領域では前記相対距離が減少するように単結晶引上げ中に変更することにより制御して」いるのに対し、引用発明では「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整することによって」制御している点。
オ　そこで、この相違点１について検討する。
カ　引用文献２の（カ）には、結晶引き上げ中にＧは変化すること、このＧの変化は「ルツボとヒータの相対位置の変化による熱バランスの変化」によるものであることが記載されている。結晶引上げ中には融液界面を高さ一定に維持しているとして、この記載をみると、この記載は、融液界面を一定の高さに維持すべくルツボを上昇させることにより、ヒータと融液界面の高さ位置関係は変わらないが、ルツボとヒータとの位置関係が変わって熱バランスが変化し、Ｇが変化するということを記載したものと解される。
　そうすると、ヒータと融液界面との位置関係は変わらなくても熱バランスが変化してＧが変化するということであるから、ヒータと融液界面との位置関係が変化すれば、熱バランスが変化してＧが変化するとの教示をこの（カ）から得られることは明らかである。
　また、上記の熱バランスが変化してＧが変化することは、同（キ）の「Ｇの調整は、引き上げられている結晶を囲繞するクーラーやヒーターの設置、ボトムヒータの出力を調整することによって可能である」旨の記載からも予想できることでもある。
キ　ところで、Ｇは結晶の温度勾配であるから、融液界面から上方の温度低下が少なければ、Ｇは小さくなることは明らかである。
　一方、上記のヒータの発熱中心が融液界面近くにあれば、融液界面に多量の熱が供給され、融液界面から上方の温度低下が少ないから、Ｇは小さくなり、逆に、ヒータの発熱中心が融液界面から離れると、融液界面から上方の温度低下が大きくなるから、Ｇは大きくなることは自明である。
ケ　よって、単結晶の成長が進むにつれて生じる結晶温度勾配Ｇの変化を、原料融液を加熱するヒーターの位置を結晶温度勾配Ｇが小さくなるような領域では前記ヒーターの発熱中心位置と前記原料融液面との相対距離が増大するように、結晶温度勾配Ｇが大きくなるような領域では前記相対距離が減少するように単結晶引上げ中に変更すること、すなわち、上記相違点１に係る補正後発明の特定事項をなすことは当業者であれば困難なくなし得ることである。
コ　さらに、同（キ）の記載をみると、Ｇの調整は、「結晶側面の軸方向温度勾配（Ｇ）の調整は、熱遮蔽体とシリコン融液の間の距離の調整、引き上げられている結晶を囲繞するクーラーやヒーターの設置、ボトムヒータ出力の調整、或いはこれらの組み合せによって行うことができる」との記載がなされているから、引用発明の「チュクラルスキー法シリコン単結晶製造装置に備え付けられている熱遮蔽体とシリコン融液との間の距離を調整すること」に代えて「引き上げられている結晶を囲繞するヒーターの設置」をすることが引用文献２の（キ）には教示されているといえ、引き上げられている結晶を囲繞するヒーターの設置は、結晶側面への熱量の調整であってヒータの上下動によってももたらされることは明らかであるから、この（キ）の記載に接した当業者は、上記キの検討結果を併せみると、上記相違点１に係る補正後発明の特定事項をなすことは困難なくなし得ることであるともいえる。
サ　なお、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配であるＧにつき、上記イにおいて補正後発明の実施の形態を検討したように、補正後発明は、固液界面近傍のシリコンの融点から１４００℃の間のものであるのに対し、引用発明は、シリコン融点から１３５０℃までの温度範囲である点で相違しているとみたとしても、Ｇを固液界面近傍のシリコンの融点から１４００℃の間の温度範囲とすることは周知技術（要すれば、特開２００３−２７８６号公報、特開２０００−４４３８８号公報、特開２０００−７４９８号公報、特開平１１−７９８８９号公報を参照。）であって、当業者であれば、この温度範囲とすることは適宜なし得ることである。
シ　そして、明細書【００６２】に記載された補正後発明の「単結晶を引上げる際に原料融液を加熱するヒーターの位置を変更することによって結晶温度勾配Ｇを制御することができ、それによって、引上げ速度Ｖに依らずにＶ／Ｇを高精度に制御することができる。したがって、引上げ速度Ｖを低速化させずに一定の値にして所望の欠陥領域を有する単結晶を育成することができ、従来よりも短時間で効率的な単結晶製造を行うことが可能となるし、また単結晶の直径のバラツキも低減できるので、単結晶の製造における生産性や歩留まりを向上させて大幅なコストダウンを図ることができる。」という効果は、引用文献１の上記（エ）の「引き上げ速度一定の条件下で、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を、結晶の長さの変化に追従させて変化させることにより、無欠陥結晶を得ることができた。ここで、この実施例３によって、シリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を変化させれば、引き上げ速度を変化させた場合（・・・・・・）と同じ効果が得られることがわかる。そしてこのことから、無欠陥結晶を得るという観点からすれば、シリコン単結晶バルク製造装置においてシリコン融液と熱遮蔽体との間の距離を変化させることは、引き上げ速度を変化させることと等価の効果が得られるということが明らかになった。」の記載から当業者であれば予想できる程度の事項である。
　よって、補正後発明は引用文献１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
（５）補正却下のむすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３．本願発明
　平成２３年１２月２６日付けの手続補正は却下されたから、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２１年４月２３日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
　
「　【請求項１】　チョクラルスキー法によって単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記単結晶を育成する際に、前記単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、固液界面近傍の引上げ軸方向の結晶温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）で表したとき、該結晶温度勾配Ｇの単結晶の成長が進むにつれて生じる変化を、単結晶引上げ中に前記原料融液を加熱するヒーターの位置を変更することにより制御して、引上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）を所望の欠陥領域を有する単結晶が育成できるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。」
　
第４．当審からの拒絶理由
　当審からの平成２３年１１月８日付けで起案された拒絶理由は、本願発明は引用文献１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものを含むものである。
　
第５．引用文献１〜２の記載
　引用文献１〜２には、上記第２．（２）において摘示した事項がそれぞれ記載されている。
　
第６．対比・判断
　本願発明は、補正後発明の発明特定事項である「前記原料融液を加熱するヒーターの位置を結晶温度勾配Ｇが小さくなるような領域では前記ヒーターの発熱中心位置と前記原料融液面との相対距離が増大するように、結晶温度勾配Ｇが大きくなるような領域では前記相対距離が減少するように単結晶引上げ中に変更することにより制御」することを、「単結晶引上げ中に前記原料融液を加熱するヒーターの位置を変更することにより制御」することと拡張したものであり、本願発明の他の発明特定事項は補正後発明と同じであって、本願発明は補正後発明を概念的に含むものであるから、上記第２．（３）〜（４）で述べたことと同じ理由により、本願発明は特許法第２９条第２項により特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、本願の出願日前に頒布された引用文献１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができないものである。 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。