【手続補正書】
【提出日】平成18年7月19日(2006.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスケール配線の電気伝導を制御する方法において、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の複数の制御可能領域を持つナノスケール配線を提供するステップであって、各領域が第1の閾値よりも小さな値の信号で制御された場合、あるいは信号で制御されない場合には、前記領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、ステップと、
前記領域を制御してまたは制御しないで、ナノスケール配線の電気伝導を可能にし、あるいは遮断するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
ナノスケール配線の電気伝導を制御する方法において、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の複数の制御可能領域を持つナノスケール配線を提供するステップであって、各領域が第1の閾値よりも大きな値の信号で制御された場合、前記領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、ステップと、
前記領域を制御してまたは制御しないで、ナノスケール配線の電気伝導を可能にし、あるいは遮断するステップと、
を有する方法。
【請求項３】
ナノスケール配線にはさらに、ナノスケール配線に沿って軸方向に分布する第2の複数の制御可能領域が設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
第2の複数の制御可能領域の各々は、第2の閾値よりも小さなまたは大きな値の信号で制御され、前記第2の閾値は前記第1の閾値よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項５】
第1の複数の制御可能領域および第2の複数の制御可能領域を制御し、または制御しない前記ステップは、複数の制御配線を提供するステップを有し、各制御配線はナノスケール配線の別個の領域に接続され、各制御配線は前記領域を制御する制御信号を伝送することが可能であることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項６】
複数のナノスケール配線の電気伝導を制御する方法において、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の複数の制御可能領域を持つ各ナノスケール配線を提供するステップであって、各領域が第1の閾値よりも小さな値の信号で制御された場合、あるいは信号で制御されない場合には、前記領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、ステップと、
複数の制御配線を提供するステップであって、各制御配線は第1の複数の一連の領域に接続され、前記一連の領域を制御する制御信号を伝送することが可能である、ステップと、
制御配線に沿って制御信号を提供するステップであって、複数のナノスケール配線のうち単一のナノスケール配線は電気伝導を示し、複数のナノスケール配線のうちの残りのナノスケール配線は電気伝導を示さないようにする、ステップと、
を有する方法。
【請求項７】
複数のナノスケール配線の電気伝導を制御する方法において、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の複数の制御可能領域を持つ各ナノスケール配線を提供するステップであって、各領域が第1の閾値よりも大きな値の信号で制御された場合、前記領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、ステップと、
複数の制御配線を提供するステップであって、各制御配線は第1の複数の一連の領域に接続され、前記一連の領域を制御する制御信号を伝送することが可能である、ステップと、
制御配線に沿って制御信号を提供するステップであって、複数のナノスケール配線のうち単一のナノスケール配線は電気伝導を示し、複数のナノスケール配線のうちの残りのナノスケール配線は電気伝導を示さないようにする、ステップと、
を有する方法。
【請求項８】
各ナノスケール配線には、ナノスケール配線に沿って軸方向に分布する第2の複数の制御可能領域が設けられることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項９】
第2の複数の制御可能領域の各々は、第2の閾値よりも小さなまたは大きな値の信号で制御され、前記第2の閾値は前記第1の閾値よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
ナノスケール配線に沿った電気伝導は、前記第2の複数の制御可能領域の制御状態には依存しないことを特徴とする請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
制御される複数のナノスケール配線の各ナノスケール配線は、1組の独立アドレス領域列を有することを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項１２】
ナノスケール配線群は独立してアドレス指定され、配列内のナノワイヤの大部分は、全ナノスケール配線群に含まれることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項１３】
制御される複数のナノスケール配線は、
ナノスケール配線に設けられる制御可能領域の独立列の数を（C）、
各々が同じ制御可能領域列を持つナノスケール配線の数を（B）とし、確率的に選択される複数のナノスケール配線内のナノスケール配線の全数をC×Bとし、
確率的に選択される複数のナノスケール配線を構成するナノスケール配線数を（N）、
としたとき、
C×Bのナノスケール配線からNのナノスケール配線がランダムに選定されるように、確率的に選択されることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項１４】
複数のナノスケール配線内のナノスケール配線をアドレス指定する方法であって、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する制御可能領域を持つ各ナノスケール配線を提供するステップと、
大きなナノスケール配線組から複数のナノスケール配線を確率的に選択して、複数のナノスケール配線を構成するステップと、
を有する方法。
【請求項１５】
さらに、複数のナノスケール配線のナノスケール配線上の制御可能領域を制御してまたは制御しないで、複数のナノスケール配線の中から単一のナノスケール配線を選択し、単一のナノスケール配線を独立にアドレス指定するステップを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、複数のナノスケール配線のうち、ナノスケール配線を全く選択しないステップ、あるいは全てのまたはいくつかのナノスケール配線を選択するステップを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
【請求項１７】
ナノスケール配線に沿った一連のドープ領域を繰り返して、前記制御配線と、制御配線幅よりも広い間隔で前記制御配線に接続されたナノスケール配線上の領域との配置のずれに許容性を持たせたことを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項１８】
ナノスケール配線上の前記領域が形成される範囲にマスキングを行わないステップと、
ナノスケール配線内の残りの領域にバルクドーピングを行うステップと、
からなるプロセスで前記領域を製作して、前記制御配線と、制御配線幅よりも広い間隔で前記制御配線に接続されたナノスケール配線上の前記領域との配置のずれに許容性を持たせたことを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項１９】
前記制御可能領域の全長またはプロファイルを設計することにより、前記制御配線と、ミクロスケール配線幅よりも狭い間隔で前記制御配線に接続されたナノスケール配線上の前記領域との配置のずれに許容性を持たせたことを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
【請求項２０】
複数のナノスケール配線であって、各ナノスケール配線は、ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の制御可能領域組を有し、各領域が第1の閾値よりも小さな値の信号で制御された場合、あるいは信号で制御されない場合には、前記制御可能領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、複数のナノスケール配線と、
複数の制御配線であって、各制御配線は、一連の制御可能領域に接続され、該一連の制御可能領域を制御する信号を伝送することの可能な、複数の制御配線と、
を有する装置。
【請求項２１】
複数のナノスケール配線であって、各ナノスケール配線は、ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する第1の制御可能領域組を有し、各領域が第1の閾値よりも大きな値の信号で制御された場合、前記制御可能領域によって、ナノスケール配線に沿った電気伝導が可能となる、複数のナノスケール配線と、
複数の制御配線であって、各制御配線は、一連の制御可能領域に接続され、該一連の制御可能領域を制御する信号を伝送することの可能な、複数の制御配線と、
を有する装置。
【請求項２２】
各ナノスケール配線はさらに、ナノスケール配線の軸方向にそって分布する第2の制御可能領域組を持つことを特徴とする請求項20または21に記載の装置。
【請求項２３】
複数のナノスケール配線内の単一のナノスケール配線を単独でアドレス指定する装置であって、
ナノスケール配線の軸方向に沿って分布する制御可能領域を持つ各ナノスケール配線を提供する手段と、
複数のナノスケール配線から、制御されるナノスケール配線のサブ集合を確率的に選択して、サブ集合を形成する手段と、
ナノスケール配線のサブ集合のナノスケール配線上の制御可能領域を制御して、または制御しないで、ナノスケール配線のサブ集合の中から単一のナノスケール配線を選択する手段と、
を有する装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明においては、ミクロンスケール（またはミクロスケール）という用語は、約０．１μｍから約２μｍの寸法を表す。ナノメートルスケール（またはナノスケール）という用語は、約０．１ｎｍから約５０ｎｍ（０．０５μｍ）の寸法を表すが、好ましい範囲は０．５ｎｍから５ｎｍである。
【特許文献１】米国特許第６，１２８，２１４  Ａ号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２５６，７６７  Ｂ１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，３１４，０１９  Ｂ１号明細書
【特許文献４】米国特許第６，３８３，７８４  Ｂ１号明細書
【特許文献５】米国特許第６，６８２，９５１  Ｂ１号明細書
【特許文献６】米国特許第６，７０６，４０２  Ｂ２号明細書
【特許文献７】米国特許公開第２００２／００２７８１９  Ａ１号明細書
【特許文献８】米国特許公開第２００２／０１７５３９０  Ａ１号明細書
【特許文献９】米国特許公開第２００３／００８９８９９  Ａ１号明細書
【特許文献１０】米国特許公開第２００３／０２００５２１  Ａ１号明細書
【特許文献１１】米国特許公開第２００３／０２０６４３６  Ａ１号明細書
【特許文献１２】米国特許公開第２００４／０１１３１３９  Ａ１号明細書
【特許文献１３】米国特許公開第２００４／０１１３１３８  Ａ１号明細書
【特許文献１４】国際公開公報ＷＯ０２／１０３７５３  Ａ２号明細書
【特許文献１５】国際公開公報ＷＯ０３／０６３２０８  Ａ２号明細書
【特許文献１６】国際公開公報ＷＯ２００４／０３４４６７  Ａ２号明細書
【特許文献１７】国際公開公報ＷＯ２００４／０６１８５９  Ａ２号明細書
【特許文献１８】国際公開公報ＷＯ２００４／０３４４６７  Ａ２号明細書
【特許文献１９】国際公開公報ＷＯ２００４／０６１８５９  Ａ２号明細書
【特許文献２０】米国特許公開第２００１／０２３９８６  Ａ１号明細書