Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式ＩＡ：
【化１】
2005521723.tif 000001
｛式中、Ｒ1は、水素又は、１〜５のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキルである；
Ｒ2は、水素又は、１〜５のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキルである；及び
Ｒ3は、（Ｃ1−Ｃ6）アルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、フェニル、フェニル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、又はフェニル−Ｎ（Ｈ）−である、ここで、上記アルキル基のそれぞれは１〜５のフッ素原子で場合により置換され、及びここで、前記フェニルのそれぞれは、クロロ、フルオロ、アミノ、ニトロ、シアノ、（Ｃ1−Ｃ3）アルキルアミノ、１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキル及び１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルコキシから独立に選ばれる１〜３の置換基で場合により置換される；
但し、Ｒ1が水素であるとき、Ｒ2は水素ではない。｝で表される化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項２】
以下の式ＩＡ−１：
【化２】
2005521723.tif 000002
｛式中、Ｒ3は、（Ｃ1−Ｃ6）アルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、フェニル、フェニル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、又はフェニル−Ｎ（Ｈ）−である、ここで、上記アルキル基のそれぞれは１〜５のフッ素原子で場合により置換され、及びここで、前記フェニルのそれぞれは、クロロ、フルオロ、アミノ、ニトロ、シアノ、（Ｃ1−Ｃ3）アルキルアミノ、１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキル及び１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルコキシから選ばれる１〜３の置換基で場合により置換される。｝で表される、請求項１に記載の化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項３】
以下の式ＩＡ−２：
【化３】
2005521723.tif 000003
｛式中、Ｒ1は、水素又は、１〜５のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキルである；
Ｒ2は、水素又は、１〜５のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキルである；及び
Ｒ3は（Ｃ1−Ｃ6）アルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル、（Ｃ3−Ｃ6）シクロアルキル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、フェニル、フェニル−（Ｃ1−Ｃ3）アルキル、又はフェニル−Ｎ（Ｈ）−である、ここで、上記アルキル基のそれぞれは１〜５のフッ素原子で場合により置換され、及びここで、前記フェニルのそれぞれは、クロロ、フルオロ、アミノ、ニトロ、シアノ、（Ｃ1−Ｃ3）アルキルアミノ、１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルキル及び１〜３のフッ素原子で場合により置換される（Ｃ1−Ｃ3）アルコキシから独立に選ばれる１〜３の置換基で場合により置換される；
但し、Ｒ1が水素であるとき、Ｒ2は水素ではない。｝で表される、請求項１に記載の化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項４】
以下の：
３−アミノ−５−メチル−オクタノン酸；
３−アミノ−５−メチル−ノナノン酸；
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−５−メチル−ヘプタノン酸；
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−５−メチル−オクタノン酸；
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−５−メチル−ノナノン酸；
３−アミノ−７−シクロペンチル−５−メチル−ヘプタノン酸；
３−アミノ−７−シクロヘキシル−５−メチル−ヘプタノン酸；
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−７−シクロペンチル−５−メチル−ヘプタノン酸；
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−７−シクロヘキシル−５−メチル−ヘプタノン酸；
３−アミノ−５−メチル−７−フェニル−ヘプタノン酸；
３−アミノ−５−メチル−７−（２，４−ヂフルオロ−フェニル）−ヘプタノン酸；
３−アミノ−８−（２，３−ヂフルオロ−フェニル）−５−メチル−オクタノン酸；及び
３−アミノ−８−（２，４−ヂフルオロ−フェニル）−５−メチル−オクタノン酸；
から選ばれる化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物又は医薬として許容されるその塩の治療的有効量、及び医薬として許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項６】
３−アミノ−５−メチル−オクタノン酸である化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項７】
請求項６に記載の化合物又は医薬として許容されるその塩の治療的有効量、及び医薬として許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項８】
（３Ｓ，５Ｒ）−３−アミノ−５−メチル−オクタノン酸である化合物又は医薬として許容されるその塩。
【請求項９】
請求項８に記載の化合物又は医薬として許容されるその塩の治療的有効量、及び医薬として許容される担体を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子が、長さ２μm〜５mm、幅２μm〜２mm、厚さ５０nm〜１．５μmを有し、長さ対厚さの比が少なくとも２：１であり、粒子が、二つの実質的に平行な面を有するコアＳDを有し、それらの面の間の距離が前記コアの最短軸であり、場合によっては、これら平行な面又は全表面に適用された層ＱZ及び／又はＤMを有する顔料であって、
・前記コアＳDが、２０〜３５０nmの厚さを有し、ケイ素を５０〜９７原子％含み、このケイ素が、ケイ素１００原子％あたり３〜９５原子％の酸素に結合しており、
・場合によっては、厚さ０〜５００nmの層ＱZが存在し、この層がコアＳDに適用され、ケイ素を１７〜５１原子％含み、このケイ素が、ケイ素１００原子％あたり９５原子％を超える酸素に結合しており、
・場合によっては、厚さ０〜３００nmの層ＤMが存在し、この層が、粒子の最大可視反射の波長で５０〜１００％の透明度及び複素屈折率：
【数１】
2005521760.tif 000001
（ただし、条件：
【数２】
2005521760.tif 000002
による）を有し、実質的に炭素、有機化合物、金属、誘電体又はそれらの混合物からなり、前記コアＳD上にあるか、又は層ＱZが存在するならば、その層ＱZによって前記コアＳDから隔てられている顔料。
【請求項２】
厚さ２〜２５０nm、好ましくは１０〜１００nmの、ｎD≦１．６の無機誘電体のさらなる層によってさらに包囲されている、請求項１記載の顔料。
【請求項３】
前記さらなる層の誘電体が、場合によっては部分的又は完全に加水分解されていてもよい酸化ケイ素である、請求項２記載の顔料。
【請求項４】
高分子量有機材料と、前記高分子量有機材料に基づいて０．０１〜８０重量％、好ましくは０．１〜３０重量％の請求項１、２又は３記載の顔料とを含む組成物。
【請求項５】
化粧品調製物又は配合物の全重量に基づいて０．０００１〜９０重量％の請求項１、２又は３記載の顔料と、１０〜９９．９９９９重量％の化粧品に適したキャリヤ材料とを含む化粧品調製物又は配合物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃エンジン（Ｍ）、特に自動車（Ｖ）へ装備される内燃エンジンの排気ガス（Ｇ）を浄化する微粒子フィルタ（Ｆ）を加熱によって逆洗する方法であって：
前記エンジン（Ｍ）が予め定められた下側スレッショルド（Ｃbottom）未満のエンジン・トルクを伝えているときに、前記フィルタ（Ｆ）の加熱手段（１）の開始がコマンドされ、前記加熱手段が直接接触によって、前記フィルタ（Ｆ）の本体に堆積した粒子を加熱する点火器を備え、かつ前記加熱手段が、３〜６秒内に１０００℃の温度まで到達するようになっていることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記下側スレッショルド（Ｃbottom）が、前記エンジン（Ｍ）の最大エンジン・トルク（Ｃmax）の１０％に等しいかそれ未満とすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加熱手段（１）の起動が、少なくとも予め定められた時間にわたって前記エンジン（Ｍ）が上側スレッショルド（Ｃtop）を超えるエンジン・トルクを伝達した後にコマンドされることを特徴とする、先行する何れかの請求項に記載の方法。
【請求項４】
前記上側スレッショルド（Ｃtop）が、前記エンジン（Ｍ）の最大エンジン・トルク（Ｃmax）の３０％に等しいかそれを超えることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
【請求項５】
前記予め定められた時間が、１分より長いかそれに等しいことを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱手段（１）の起動が、前記フィルタ（Ｆ）および／または前記エンジン（Ｍ）が、それぞれのスレッショルド温度を超える温度にあるときに限ってコマンドされることを特徴とする、先行する何れかの請求項に記載の方法。
【請求項７】
前記加熱手段（１）の起動が、前記エンジン（Ｍ）が前記下側スレッショルド（Ｃbottom）未満のエンジン・トルクを伝達し始めてから少なくとも１分後にコマンドされることを特徴とする、先行する何れかの請求項に記載の方法。
【請求項８】
前記加熱手段（１）の起動が、前記エンジン（Ｍ）が前記下側スレッショルド（Ｃbottom）未満のエンジン・トルクの伝達を開始した直後にコマンドされることを特徴とする、先行する何れかの請求項に記載の方法。
【請求項９】
前記加熱手段（１）が、ＭｉｎｉＩｇｎｉｔｅｒ（登録商標）タイプの点火器を含む先行する何れかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】
先行する何れかの請求項に適合する逆洗方法を実施する、前記フィルタ（Ｆ）を加熱するための加熱手段（１）、前記加熱手段をコントロールするためのコントロール手段（５）、および前記コントロール手段（５）を管理するためのコンピュータ（７）を含むデバイスであって：
前記エンジン（Ｍ）による予め定められた下側スレッショルド（Ｃbottom）未満のエンジン・トルクの伝達を検出する検出手段（９，１０）を含み、前記コンピュータ（７）が前記検出に応答して前記加熱手段（１）の起動をコマンドし、かつ前記加熱手段（１）が、前記フィルタ（Ｆ）の本体に堆積した粒子に直接接触して加熱するようになっており、かつ３〜６秒内に１０００℃の温度まで到達することのできる少なくとも１つのセラミック点火器を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
前記加熱手段（１）のホット・チップが、前記フィルタ本体内に配置されるか、あるいは前記フィルタ本体の外側側面（２）上に、好ましくは前記表面（２）からの突出を伴わずに配置されることを特徴とする請求項１０に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月20日(2006.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の組の締結要素を含む第１の層と、
第２の組の締結要素を含む第２の層とを備え、前記第１および第２の組の締結要素が係合されることにより前記第１の層が前記第２の層に結合され、前記第１または第２の層のうちの一方の一部分が光導波路を形成し、該光導波路は、全反射により光を伝送する実質的に透明な光導波路材料を有する、締結装置。
【請求項２】
係合された前記第１及び第２の組の締結要素が、前記第１および第２の層の間の移動距離を協働して規定する複数のフック状要素を備え、該移動距離が０．０１センチメートルから１センチメートルの範囲にある、請求項１に記載の締結装置。
【請求項３】
前記第１および第２の層が両方とも、全反射により光を伝送する実質的に透明な光導波路材料を有する光導波路である、請求項１に記載の締結装置。
【請求項４】
前記第１の層を照明するために配置された第１の光源と、前記第２の層を照明するために配置された第２の光源とをさらに備え、それにより光が、全反射により前記第１の層を通って伝送され、全反射により前記第２の層を通って伝送される、請求項３に記載の締結装置。
【請求項５】
前記第１の光源が第１の色の光を発光するとともに前記第２の光源が第２の色の光を発光し、前記第１および第２の層が第１の位置で係合されたときは前記第１および第２の色の光は実質的に加法伝送されず、前記第１および第２の層が第２の位置で係合されたときに前記第１および第２の色の光が実質的に加法伝送される、請求項４に記載の締結装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３は、２つの締結要素の側断面図である。また締結要素はフック形状を有するように図示されているが、ほかの形状を有してもよい。締結要素がフック形状を有する場合は、締結要素はフック１８Ａ、１８Ｂを基部１７に結合するステム１６Ａ、１６Ｂを含む。ステム１６Ａと１６Ｂとの間の距離（Ｘ）は０．２５センチメートル程度であってもよいが、本発明はこの点において必ずしも限定されない。締結要素の高さ（Ｙ）は０．０１センチメートル〜１センチメートルの範囲であってもよいが、本発明はこの点において必ずしも限定されない。締結要素幅（Ｚ）は０．０１センチメートル〜１センチメートルであってもよいが、本発明はこの点において必ずしも限定されない。これらの形状およびサイズはスイッチアレイ内の用途に対する例示である。他の用途に対しては、形状およびサイズは異なってもよい。例えば上記に概説したものより１０倍大きいサイズは様々な他の用途に有用である。より小さいサイズも実施可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月4日(2006.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１は、集積回路構造からの回折信号を測定するために集積回路作製システムに連結された計測システムを示している。計測ツールを含む計測システム２１は、ＩＣ作製システム２９に接続される。該ＩＣ作製システムは、リソグラフィ・ユニットもしくは食刻ユニットとすることができる。計測システム２１は、ＩＣ作製システム２９に対してインラインとされるか又は遠隔的に接続することができる。計測システム２１はＩＣ作製システム２９から、測定されるべきサンプルもしくはウェハに関する情報を受信する。計測システム２１により測定が実施されたなら、測定された信号はプロフィル適用サーバ２３に送信される。プロフィル適用サーバ２３に対しては、回折信号および関連プロフィルのライブラリ２７が接続される。プロフィル適用サーバ２３はライブラリ２７からのデータに基づき、測定された回折信号に関連するプロフィルを決定し、かつ、プロフィル・データを計測システム２１および／またはＩＣ作製システム２９に対して戻し送信する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｂ】
2005521891.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性陽イオンを汚染除去溶液から取り除く方法であって、
汚染物質を前記汚染除去溶液に浸漬する工程と、
放射性陽イオンを含む前記汚染除去溶液を、電気化学イオン交換セルの中央室であって、陽極を有する陽極室から第１イオン交換膜により分離される中央室を通過させる工程と、
前記汚染除去溶液を再利用して前記浸漬工程で再使用する工程と、
陰極と陽極に電圧を印加する工程と、
前記放射性陽イオンを前記陰極に収集する工程と、
前記放射性陽イオンを放射性金属粒子として前記陰極に堆積させる工程と、
陰極液を陰極全体に注いで前記放射性金属粒子を脱離させる工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記放射性陽イオンを前記中央室の陽イオン交換樹脂中に捕捉する工程をさらに含む、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項３】
前記放射性金属粒子を沈殿タンクの前記陰極液から分離する工程と、
前記陰極液を前記陰極室に再循環させる工程と、を含む、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項４】
前記収集工程において前記陰極に付着する前記金属粒子は水力輸送に適するサイズである、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項５】
前記放射性金属粒子を前記沈殿タンクから取り出すために前記放射性金属粒子を流体化する工程をさらに含む、請求項３記載の取り除く方法。
【請求項６】
再利用工程を実施する前に、汚染除去溶液を前記中央室から流出させる工程をさらに含み、前記イオン交換セルは、前記中央室を前記陰極室から分離する第２イオン交換膜を含む、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項７】
再利用工程を実施する前に、前記汚染除去溶液を前記陰極室から流出させる工程をさらに含む、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項８】
前記汚染除去溶液は１リットル当たり５０ミリモル未満の濃度の酸である、請求項１記載の取り除く方法。
【請求項９】
前記酸はホウフッ化水素酸である、請求項８記載の取り除く方法。
【請求項１０】
放射性陽イオンを汚染除去溶液から取り除くシステムであって、
中央室、陽極を有する陽極室、陰極を有する陰極室、前記中央室を前記陽極室から分離する第１イオン交換膜を含む電気化学イオン交換セルと、
前記陰極と前記陽極に電圧を印加する電圧源と、
廃棄物回収容器と、
前記陰極室から前記廃棄物回収容器に流れて放射性金属粒子を前記陰極から前記廃棄物回収容器に移動させる陰極液と、を備え、
前記放射性陽イオン及び前記汚染除去溶液は前記中央室に流入し、前記放射性陽イオンは前記陰極に放射性金属粒子として堆積し、前記放射性金属粒子は前記陰極から取り除かれて前記廃棄物回収容器に回収されるシステム。
【請求項１１】
前記電気化学イオン交換セルの前記中央室に陽イオン交換樹脂材料をさらに備える、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記陽イオン交換樹脂は水素形状のスルホン酸系を含む、請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
放射性金属粒子を前記汚染除去溶液から取り除くフィルタをさらに備える、請求項１０記載のシステム。
【請求項１４】
前記フィルタは逆方向に通水することによりクリーニングされる、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
クリーニング中に前記フィルタによって取り除かれる物質は放射性金属粒子である、請求項１０記載のシステム。
【請求項１６】
前記汚染除去溶液が１リットル当たり５０ミリモル未満の濃度の酸である請求項１０記載のシステム。
【請求項１７】
放射性陽イオンを汚染除去溶液から取り除く装置であって、
前記汚染除去溶液を含む中央室と、陽極室と、陰極液を含む陰極室と、前記陰極室に取り付けられる陰極に接続される陰極リード及び前記陽極室に取り付けられる陽極に接続される陽極リードを有する電圧源と、前記中央室を前記陽極室から分離するイオン交換膜と、を有する電気化学イオン交換セル、及び
前記陰極室に流体連通により接続される廃棄物回収容器であって、この流体連通により前記陰極液が前記陰極室から前記廃棄物回収容器に流れるようになる廃棄物回収容器
を備え、
前記放射性陽イオンを含む前記汚染除去溶液は、前記電気化学イオン交換セルの前記中央室に流入し、前記放射性陽イオンは前記陰極室に移動し、放射性陽イオンは前記陰極に放射性金属粒子として堆積し、前記放射性金属粒子は前記陰極から取り除かれ、前記廃棄物回収容器に移動する装置。
【請求項１８】
さらに、前記汚染除去溶液が、１リットル当たり５０ミリモル未満の濃度の酸である請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
さらに、放射性粒子を汚染除去溶液から取り除くフィルタを備える、請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
さらに、前記電気化学イオン交換セルの前記中央室に陽イオン交換樹脂を備える、請求項１７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り外し可能に結合するタスクモジュールを保持モジュールから分離するための保管ポートであって、前記保持モジュールおよび保管ポートが機械の異なる相対的可動部分に配置されており、
タスクモジュールと係合するための部材と、
機械的効果によってプローブ本体から前記タスクモジュールを分離するための機構と、
を具え、前記保管ポートに対する前記保持モジュールの物理的移動が前記機構を作動させることにより、前記保持モジュールから前記タスクモジュールを分離させるようにするとともに、前記機構がチルト動作を行うことにより、回転運動を伴いながら前記タスクモジュールが前記保持モジュールから分離するようにした保管ポート。
【請求項２】
前記機構がレバー作動によって前記タスクモジュールおよび保持モジュールを分離させる請求項１に係る保管ポート。
【請求項３】
前記部材が前記機構の部分である請求項２に係る保管ポート。
【請求項４】
前記部材がピボットにまわりに回転可能であり、前記保管ポートに対する前記保持モジュールの上方への移動に応じて前記タスクモジュールも上方に引き上げられるようにすることで、前記ピボットのまわりの前記部材ないし前記タスクモジュールの回転を生じさせて、チルト動作を伴いながら前記タスクモジュールおよび前記保持モジュール間の接触が断たれるようにした請求項３に係る保管ポート。
【請求項５】
前記部材が前記タスクモジュールを受容するための切り込みを有する請求項１ないし請求項４のいずれかに係る保管ポート。
【請求項６】
前記切り込みにはばね性のある指部が設けられ、前記部材の所定位置に前記タスクモジュールが保持されるようにした請求項５に係る保管ポート。
【請求項７】
前記ばね性のある指部が前記部材と一体である請求項６に係る保管ポート。
【請求項８】
前記タスクモジュールが磁気的手段により前記部材の所定位置に保持される請求項５に係る保管ポート。
【請求項９】
ダンパが設けられて前記部材の円滑で制御された移動が確保されるようにした請求項３ないし請求項８のいずれかに係る保管ポート。
【請求項１０】
前記ダンパは、前記部材および前記保管ポートの表面の一方にほぼ平行に隣接して前記部材および前記表面の他方に取り付けられるダンピングプレートを具え、粘性物質を前記ダンピングプレートと前記部材および前記表面の前記一方との間に設けて、前記部材の移動時に、前記ダンピングプレートが前記部材および前記表面の前記一方に対して移動するようにした請求項９に係る保管ポート。
【請求項１１】
前記ダンピングプレートが隣接する前記部材および前記表面の一方に対し前記ダンピングプレートを押すバイアス手段が設けられている請求項１０に係る保管ポート。
【請求項１２】
可撓性の物質で作成された前記ピボットによって前記ダンピングが行われるようにした請求項９に係る保管ポート。
【請求項１３】
取り外し可能に結合するタスクモジュールを保持モジュールから分離するための保管ポートであって、前記保持モジュールおよび保管ポートが機械の異なる相対的可動部分に配置されており、
タスクモジュールと係合するための部材と、
機械的効果によってプローブ本体から前記タスクモジュールを分離するための機構と、
を具え、前記保管ポートに対する前記保持モジュールの物理的移動が前記機構を作動させることにより、前記保持モジュールから前記タスクモジュールを分離させるようにするとともに、
前記機構は、前記タスクモジュールと係合するための前記部材と、前記保持モジュールと係合するための第２部材と、前記タスクモジュールおよび前記保持モジュールが前記保管ポートに位置する場合、当該２つの部材を、前記機械および前記保持モジュールの上方への移動時に分離する手段と、を含む保管ポート。
【請求項１４】
前記２つの部材を分離する手段は、前記２つの部材間に配置されるカムを具え、前記保持モジュールが前記保管ポートに位置する場合、前記保持モジュールの上方への移動時に前記カムの回転が生じて、前記２つの部材が引き離されるようにした請求項１３に係る保管ポート。
【請求項１５】
前記保持モジュールの上方への移動時に前記カムの回転を生じさせるために、ラック・ピニオン構成が用いられている請求項１４に係る保管ポート。
【請求項１６】
前記部材および前記第２部材を互いに接近させるようバイアスするバイアス手段が設けられている請求項１３ないし請求項１５のいずれかに係る保管ポート。
【請求項１７】
前記部材および前記第２部材を実質的平行な配置に維持するガイド手段が設けられている請求項１３ないし請求項１６のいずれかに係る保管ポート。
【請求項１８】
取り外し可能に結合するタスクモジュールを保持モジュールから分離するための保管ポートであって、前記保持モジュールおよび保管ポートが機械の異なる相対的可動部分に配置されており、
相対的に固定された部材と、
タスクモジュールに係合可能な相対的移動部材であって、前記相対的に固定された部材に対しピボットのまわりに回転することで前記タスクモジュールをチルトさせる相対的移動部材と、
を具え、前記タスクモジュールが前記移動部材に係合するときに、前記保管ポートに対する前記保持モジュールの直線移動が前記移動部材および前記タスクモジュールの前記ピボットのまわりの回転を生じさせることで、前記チルトの動作を伴って前記タスクモジュールおよび前記保持モジュールの接触が断たれるようにした保管ポート。
【請求項１９】
取り外し可能に結合するタスクモジュールを保持モジュールから分離するための保管ポートであって、前記保持モジュールおよび保管ポートが機械の異なる相対的可動部分に配置されており、
タスクモジュールと係合可能な部材と、
前記タスクモジュールおよび前記保持モジュールが前記保管ポートに位置する場合、前記タスクモジュールおよび前記保持モジュール間に位置する回転可能なカムと、
を具え、該カムの回転により前記保持モジュールから前記タスクモジュールが分離するようにした保管ポート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月15日(2006.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低イオン含量を有し、長さに沿って個々の成分繊維に少なくとも部分的に分割される連続多成分繊維から構成されたスパンボンド不織布の製造方法であって、該イオンが、Ｎａ、Ｌｉ、ＮＨ４、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｌ、Ｃｌ、ＮＯ４、ＰＯ４およびＳＯ４からなる群から選択され、該イオンが、試験法ＩＥＳＴ-ＲＰ-ＣＣ-００４ §６.１.２によって試験したときに約１０,０００ｐｐｂ未満で該不織布に存在し、下記の工程を含んでなる方法：
(ａ) 長さに沿って個々の成分繊維に少なくとも部分的に分割される連続多成分繊維から構成されたスパンボンド不織布を供給する工程；
(ｂ) 任意に、スパンボンド不織布を空気衝突表面処理に付す工程；
(ｃ) 任意に、スパンボンド不織布の表面に化学物質を適用する工程；
(ｄ) スパンボンド不織布を脱イオン水濯ぎに付す工程；および
(ｅ) スパンボンド不織布を乾燥する工程。
【請求項２】
スパンボンド不織布製造工程とインラインで、スパンボンド不織布を脱イオン水濯ぎに付す請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオンが、試験法ＩＥＳＴ-ＲＰ-ＣＣ-００４ §６.１.２によって試験したときに約５,０００ｐｐｂ未満で不織布に存在する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
連続多成分繊維が５デニール未満の繊維サイズを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
個々の成分繊維が１デニール未満の繊維サイズを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
スパンボンド不織布が繊維から構成され、該繊維が、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリアラミド、ポリウレタン、ポリ乳酸およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
スパンボンド不織布がポリオレフィンから構成され、該ポリオレフィンが、ポリプロピレン、ポリエチレンおよびそれらの組合せからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スパンボンド不織布がポリエステルから構成され、該ポリエステルが、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリフェニレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびそれらの組合せからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項９】
スパンボンド不織布がポリアミドから構成され、該ポリアミドが、ナイロン６、ナイロン６,６およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
スパンボンド不織布がポリエステルおよびナイロン６,６から構成されている請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
スパンボンド不織布がポリエステルおよびナイロン６,６から構成され、該ポリエステルがスパンボンド不織布の約６５％を構成し、該ナイロン６,６がスパンボンド不織布の約３５％を構成する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法による生成物。
【請求項１３】
低イオン含量を有し、長さに沿って個々の成分繊維に少なくとも部分的に分割される連続多成分繊維から構成されたスパンボンド不織布であって、該イオンが、Ｎａ、Ｌｉ、ＮＨ４、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｌ、Ｃｌ、ＮＯ４、ＰＯ４およびＳＯ４からなる群から選択され、該イオンが、試験法ＩＥＳＴ-ＲＰ-ＣＣ-００４ §６.１.２によって試験したときに約１０,０００ｐｐｂ未満で該不織布に存在するスパンボンド不織布。
【請求項１４】
イオンが、試験法ＩＥＳＴ-ＲＰ-ＣＣ-００４ §６.１.２によって試験したときに約５,０００ｐｐｂ未満で該不織布に存在する請求項１３に記載のスパンボンド不織布。
【請求項１５】
多成分繊維が５デニール未満の繊維サイズを有することを特徴とする請求項１３に記載のスパンボンド不織布。
【請求項１６】
個々の成分繊維が１デニール未満の繊維サイズを有することを特徴とする請求項１３に記載のスパンボンド不織布。
【請求項１７】
スパンボンド不織布が、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリアラミド、ポリウレタン、ポリ乳酸およびそれらの組合せからなる群から選択される繊維から構成されている請求項１３に記載のスパンボンド不織布。
【請求項１８】
繊維がポリオレフィンであり、該ポリオレフィンが、ポリプロピレン、ポリエチレンおよびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１７に記載のスパンボンド不織布。
【請求項１９】
繊維がポリエステルであり、該ポリエステルが、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリフェニレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１７に記載のスパンボンド不織布。
【請求項２０】
繊維がポリアミドであり、該ポリアミドが、ナイロン６、ナイロン６,６およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１７に記載のスパンボンド不織布。
【請求項２１】
ポリエステルおよびナイロン６,６から構成されている請求項２０に記載のスパンボンド不織布。
【請求項２２】
ポリエステルおよびナイロン６,６から構成され、該ポリエステルがスパンボンド不織布の約６５％を構成し、該ナイロン６,６がスパンボンド不織布の約３５％を構成する請求項２１に記載のスパンボンド不織布。
【請求項２３】
スパンボンド不織布が複合材料に組み込まれ、該複合材料において、１つまたはそれ以上のスパンボンド不織布層が１つまたはそれ以上のポリマーフィルム層と貼り合わされている請求項１３に記載のスパンボンド不織布。
【請求項２４】
複合材料が、１つまたはそれ以上の織布または編布の層をさらに含んでなる請求項２３に記載のスパンボンド不織布。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形物品を染色する方法であって、
（ｉ）該物品の少なくとも一部を、９０〜９９℃に維持された染料浴に浸漬する工程、
（ii）染料が該物品の内部に拡散するのに十分な時間、該一部を該浴中に保持する工程
（iii）浴から物品を取り出す工程
を含んでなり、成形物品は、（コ）ポリエステル、（コ）ポリカーボネート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、アリルジグリコールカーボネート及びスチレンコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つの重合体樹脂を含んでなり、該浴は、
（ａ）浴質量に対し、５０〜９０質量％の水、
（ｂ）０．１〜１５質量％の染料、
（ｃ）２．５〜２０質量％の、式：
【化１】
2005521804.tif 000001
（式中、Ｒ'は、エチル、プロピル又はブチル基、ｍは２、３又は４、及びｎは１、２又は３であり、Ｒ'がブチルの場合、ｍは２又は４である。）
で示される、少なくとも１種の可塑剤、
（ｄ）５〜３０質量％の、式：
【化２】
2005521804.tif 000002
（式中、ｍは２、３又は４、及びｎは１、２又は３である。）
で示される、少なくとも１種の均染剤
を含む方法。
【請求項２】
浴がさらに界面活性剤を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
樹脂成分、染料、可塑剤及び均染剤を含んでなる組成物であって、樹脂成分は、（コ）ポリエステル、（コ）ポリカーボネート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、アリルジグリコールカーボネート及びスチレンコポリマーからなる群から選択される少なくとも１つの樹脂を含み、該可塑剤は、式：
【化３】
2005521804.tif 000003
（式中、Ｒ'は、エチル、プロピル又はブチル基、ｍは２、３又は４、及びｎは１、２又は３であり、Ｒ'がブチルの場合、ｍは２又は４である。）
で示される可塑剤であり、該均染剤は、構造的に式：
【化４】
2005521804.tif 000004
（式中、ｍは２、３又は４、及びｎは１、２又は３である。）
で示される均染剤である組成物。
【請求項４】
さらに界面活性剤を含む請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
請求項１に記載の方法により製造された浸染物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
米国特許第４８１２１４２号は、少なくとも３５０°Ｆの沸点を有する染料溶媒中、２００°Ｆ以上の温度で染色したポリカーボネート物品を開示し、米国特許第３５１４２４６号は、脂肪族炭化水素溶媒及び水に溶解した水不溶性染料、油溶性界面活性剤を含む乳化された染料液体中にポリカーボネート成形物品を浸漬することを開示する。界面活性剤をポリ（オキシメチレン）誘導体に置き換えて方法を繰り返しても、同様の結果が得られた。米国特許第３５３２４５４号は、アルコキシアルキルベンジルエーテル、アルキレングリコールジベンジルエーテル、安息香酸アルコキシアルキルエステル又はフェノキシ酢酸−アルコキシアルキルエステルの少なくとも１種を含む染料組成物によりポリカーボネート繊維を染色することを開示する。米国特許第３６３０６６４号は、特定の式に相当するカーボネート、即ちエチル−ベンジル−カーボネートの存在を必要とする染料浴を開示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
油溶性染料として知られている種類の染料は、本発明を実施するのに有用である。この種類には、好ましくは、Solvent Blue 35、Solvent Green 3 及びAcridine Orange Base が含まれる。しかしながら、一般に油溶性染料は分散染料ほど強く着色しない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき浴のボルタンメトリ分析に使用される試験参照電極の電位を較正する方法であって、
金属が作用電極表面にめっきされたのち、前記作用電極表面から陽極ストリッピングされるようなめっき溶液中で、作用電極に印加される時間依存電位に対する電流応答を標準参照電極に対して計測するステップと、
前記めっき溶液中で、前記作用電極に印加される前記時間依存電位に対する電流応答を試験参照電極に対して計測するステップと、
前記電流応答における所定の段階で、印加された作用電極電位を、前記標準参照電極及び前記試験参照電極に対して比較して、前記標準参照電極と前記試験参照電極との電位差を求めるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記標準及び試験参照電極が、銀−塩化銀、飽和カロメル、標準カロメル及び水銀−硫酸水銀からなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記参照電極の少なくとも１個がダブルジャンクションを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記参照電極の少なくとも１個がゲル化電解質を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記めっき浴が、銅、スズ、鉛、銀、カドミウム、亜鉛及びそれらの合金からなる群より選択される金属を付着させるために使用されるタイプである、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記めっき溶液が前記めっき浴の支持電解質である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記作用電極が、白金、イリジウム、金、オスミウム、パラジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウム及びそれらの合金からなる群より選択される不活性金属である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記作用電極が回転円板電極である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記時間依存電位を対電極によって前記作用電極に印加する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記対電極がステンレス鋼によって構成されている、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記対電極が、白金、イリジウム、金、オスミウム、パラジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウム及びそれらの合金からなる群より選択される貴金属によって構成されている、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記対電極が、前記めっき溶液から前記作用電極にめっきされる金属と同じ金属によって構成されている、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記作用電極に印加される前記電位を時間の関数として定速でスキャンする、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記作用電極に印加される前記電位を時間の関数として段階的に変化させる、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記作用電極に印加される前記時間依存電位が、固定負電位と固定正電位との間の複数のサイクルを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記電流応答における前記所定の段階が、金属めっきから金属ストリッピングまでの交差に対応するゼロ電流点である、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記電流応答における前記所定の段階が前記ストリッピング電流のピークである、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記電流応答における前記所定の段階が、前記ストリッピング電流のピークの所定の部分である、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記電流応答における前記所定の段階が所定の陰極電流値である、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
めっき浴のボルタンメトリ分析に使用される試験参照電極の電位を較正する方法であって、
金属が作用電極表面にめっきされたのち、前記作用電極表面から陽極ストリッピングされるようなめっき溶液中で、対電極によって作用電極に印加される時間依存電位に対する電流応答を標準参照電極に対して計測するステップと、
前記めっき溶液中で、対電極によって前記作用電極に印加される前記時間依存電位に対する電流応答を試験参照電極に対して計測するステップと、
金属めっきから金属ストリッピングまでの交差に対応するゼロ電流点で、印加された前記作用電極電位を、前記標準参照電極及び前記試験参照電極に対して比較して、前記標準参照電極と前記試験参照電極との電位差を求めるステップと
を含む方法。
【請求項２１】
めっき浴のボルタンメトリ分析に使用される試験参照電極の電位を較正する方法であって、
（１）金属が作用電極表面にめっきされたのち、前記作用電極表面から陽極ストリッピングされるようなめっき溶液中で、作用電極に印加される時間依存電位に対する電流応答を標準参照電極に対して計測するステップと、
（２）後でステップ（１）を繰り返すステップと、
（３）電流応答における所定の段階で、ステップ（１）で印加された前記作用電極電位と、ステップ（２）で印加された前記作用電極電位とを比較して、試験参照電極の電位の変化を経時的に求めるステップと
を含む方法。
【請求項２２】
めっき浴のボルタンメトリ分析に使用される試験参照電極の電位を較正する方法であって、
金属が作用電極表面にめっきされたのち、前記作用電極表面から陽極ストリッピングされるような第一のめっき溶液中で、作用電極に印加される第一の時間依存電位に対する電流応答を標準参照電極に対して計測するステップと、
金属が前記作用電極表面にめっきされたのち、前記作用電極表面から陽極ストリッピングされるような第二のめっき溶液中で、前記作用電極に印加される第二の時間依存電位に対する電流応答を試験参照電極に対して計測するステップと、
前記電流応答における所定の段階で、印加された作用電極電位を、前記標準参照電極及び前記試験参照電極に対して比較して、前記標準参照電極と前記試験参照電極との電位差を求めるステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月27日(2006.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト対象における膣トリコモナス感染症を検出する方法であって、
該対象由来のサンプルをドライストリップの第一端部のサンプル適用領域に適用するステップにより、該サンプルが毛管現象により該ドライストリップに沿って第二端部へ向かって移動し、これにより、トリコモナスアドへシンタンパク質エピトープに対して特異的な一次モノクローナル抗体を含む反応ゾーンを最初に通過し、
その後、トリコモナスアドへシンタンパク質エピトープに対して特異的な二次モノクローナル抗体を含む検出ゾーンを通過し、
該対象がトリコモナスに感染している場合は抗原−抗体複合体が形成される条件下で、該一次モノクローナル抗体及び該二次モノクローナル抗体が該サンプルを適用する前にテストストリップ上に存在し、該一次モノクローナル抗体及び該二次モノクローナル抗体が同一のトリコモナスアドへシンタンパク質上の異なるエピトープに対して特異的であり、
（ｂ）該複合体の存在を検出することにより、該複合体の存在が該対象のトリコモナス感染を検出するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記一次モノクローナル抗体及び前記二次モノクローナル抗体はＡＰ６５アドへシンタンパク質、ＡＰ５１アドへシンタンパク質、ＡＰ３３アドへシンタンパク質、及びＡＰ２３アドヘシンタンパク質からなる群から選択されるアドヘシンタンパク質のエピトープに対して特異的である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記一次モノクローナル抗体がＤＭ１１６である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記二次モノクローナル抗体がＣ５５である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、女性対象由来の膣スワブサンプルでは８０％を超える信頼性、および男性または女性対象由来の尿サンプルでは４０％を超える信頼性で膣サンプルからトリコモナス感染症を検出するために有効である、請求項１の方法。
【請求項６】
前記サンプルがパップスミアである、請求項１の方法。
【請求項７】
前記サンプルが尿である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記対象が男性である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ヒト対象における膣トリコモナス感染症を検出するためのキットであって、
ドライストリップに適用された液体を該ストリップ内の毛管現象によって吸い上げることのできるドライストリップを含み、該ストリップが第一端部における上流から第二端部における下流方向に、以下の順番で、
（ａ）サンプル適用ゾーン、
（ｂ）反応ゾーン、及び
（ｃ）検出ゾーン
を含み、
該反応ゾーンはさらに移動性のアドヘシンタンパク質−抗体複合体を形成させるために有効なトリコモナスアドヘシンタンパク質のエピトープに対して特異的な非固定化標識一次モノクローナル抗体を含み、
該検出ゾーンは該複合体内のトリコモナスアドヘシンタンパク質のエピトープに対して特異的な固定化二次モノクローナル抗体を含み、
該一次モノクローナル抗体及び該二次モノクローナル抗体は、サンプルを適用する前に該ストリップ上に存在し、
該一次モノクローナル抗体及び該二次モノクローナル抗体は、同一のトリコモナスアドへシンタンパク質上の異なるエピトープに特異的であり、
ここで、体液サンプルを該第一端部の該サンプル適用ゾーンへ適用した後に、
（ｉ）サンプルは該ストリップ上を該反応ゾーンに向かって下流方向に移動し、
（ｉｉ）該サンプル中のアドヘシンタンパク質は該反応ゾーン内にあらかじめ存在する該一次モノクローナル抗体と反応して移動性標識アドヘシンタンパク質−抗体複合体を形成し、
（ｉｉｉ）該移動性標識アドへシンタンパク質−抗体複合体は該第二端部の該検出ゾーンに向かって移動し、
（ｉｖ）該移動性標識アドへシンタンパク質−抗体複合体は該検出ゾーン内にあらかじめ存在する該固定化二次モノクローナル抗体に結合して、それにより該検出ゾーン内で該複合体を固定化する、
キット。
【請求項１０】
前記一次モノクローナル抗体及び前記二次モノクローナル抗体はそれぞれＡＰ６５アドへシンタンパク質、ＡＰ５１アドへシンタンパク質、ＡＰ３３アドへシンタンパク質、及びＡＰ２３アドヘシンタンパク質からなる群から選択されるアドヘシンタンパク質のエピトープに対して特異的である、請求項９のキット。
【請求項１１】
前記一次モノクローナル抗体がＤＭ１１６である、請求項９のキット。
【請求項１２】
前記二次モノクローナル抗体がＣ５５である、請求項９のキット。
【請求項１３】
ヒト対象由来の尿サンプルからトリコモナス感染症を検出するための方法であって、
ａ）該対象がトリコモナスに感染している場合は抗原−抗体複合体が形成される条件下で、該サンプルをトリコモナスアドへシンタンパク質に対して特異的な抗体と接触させるステップ、及び
ｂ）該複合体の存在または不在を検出することにより、該対象におけるトリコモナス感染症の存在または不在を各々検出するステップ、を含む方法。
【請求項１４】
前記抗体がＡＰ６５アドヘシンタンパク質、ＡＰ５１アドヘシンタンパク質、ＡＰ３３アドヘシンタンパク質、ＡＰ２３アドヘシンタンパク質、およびそれらの免疫学的に反応性のフラグメントからなる群から選択されるアドへシンタンパク質に対して特異的である、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記アドヘシンタンパク質がＡＰ６５アドヘシンタンパク質である、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記抗体が抗ＡＰ６５抗体である、請求項１４の方法。
【請求項１７】
（ａ）該対象がトリコモナスに感染している場合は抗原−抗体複合体が形成される条件下で、該サンプルをトリコモナスアドへシンタンパク質に対して特異的な一次抗体と接触させるステップと、
（ｂ）（ａ）で形成された該抗原−抗体複合体をトリコモナスアドへシンタンパク質に対する二次抗体と接触させることによって、該複合体の存在または不在を検出するステップと、
を含む、請求項１３の方法。
【請求項１８】
前記一次抗体及び前記二次抗体がＤＭ１１６及びＣ５５からなる群から選択される、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記一次抗体が検出可能に標識されている、請求項１７の方法。
【請求項２０】
前記二次抗体が検出可能に標識されている、請求項１７の方法。
【請求項２１】
前記抗体がポリクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【請求項２２】
前記抗体がモノクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【請求項２３】
前記一次抗体がポリクローナル抗体であり、前記二次抗体がモノクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【請求項２４】
前記一次抗体がモノクローナル抗体であり、前記二次抗体がポリクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【請求項２５】
前記一次抗体がポリクローナル抗体であり、前記二次抗体がポリクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【請求項２６】
前記一次抗体がモノクローナル抗体であり、前記二次抗体がモノクローナル抗体である、請求項１７の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月11日(2005.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理環境内の基板の温度を測定するための接触温度測定プローブであって、
基板に接触するためにセラミック材料で作られた接触面を有するプローブヘッドと、
前記プローブから出て、処理環境からシールドするためにシールド内を通過するリードワイヤを有する温度センサと、を備え、
前記プローブヘッドが温度センサのリードワイヤによってのみ支持され、かつ前記シールドが前記プローブヘッドに接触しないようにしたことを特徴とする接触測定プローブ。
【請求項２】
前記セラミック材料は、ＡｌＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＢａＴｉＯ3，ＢｅＯ，ＢＮ，ＣａＯ，
ＬａＢ6，ＭｇＯ，ＭｏＳｉ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ3，ＴｉＢ2，ＴｉＮ，
ＴｉＯ2，ＴｉＳｉ2，ＶＢ2，Ｗ2Ｂ3，ＷＳｉ2，ＺｒＢ2，ＺｒＯ2からなるグループおよびこれらのセラミック材料の少なくとも１つを含む組み合わせから選択されることを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項３】
前記プローブヘッドは、モノリス型セラミック材料からなることを特徴とする請求項２記載の接触測定プローブ。
【請求項４】
前記セラミック材料は、約１×１０6Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約１００Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項５】
セラミック材料は、約１×１０10Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約１５０Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項６】
前記セラミック材料は、約１×１０12Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約２００Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項７】
前記接触面は、ＡＩＮからなることを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項８】
前記接触面は、ＢｅＯからなることを特徴とする請求項１記載の接触測定プローブ。
【請求項９】
処理環境内の基板の温度を測定するための接触測定プローブであって、
セラミック材料の単一モノリスからなるプローブヘッドと、
前記プローブヘッドと熱的に連通し、前記処理環境からワイヤをシールドするためのシールド内を通過するリードワイヤを有する温度センサと、を備え、
前記プローブヘッドが温度センサのリードワイヤによってのみ支持され、かつ前記シールドが前記プローブヘッドに接触しないようにしたことを特徴とする接触測定プローブ。
処理環境を特徴とする接触測定プローブ。
【請求項１０】
前記セラミック材料は、ＡｌＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＢａＴｉＯ3，ＢｅＯ，ＢＮ，ＣａＯ，
ＬａＢ6，ＭｇＯ，ＭｏＳｉ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ3，ＴｉＢ2，ＴｉＮ，
ＴｉＯ2，ＴｉＳｉ2，ＶＢ2，Ｗ2Ｂ3，ＷＳｉ2，ＺｒＢ2，ＺｒＯ2からなるグループおよびこれらのセラミック材料の少なくとも１つを含む組み合わせから選択されることを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１１】
前記セラミック材料は、約１×１０6Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約１００Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１２】
セラミック材料は、約１×１０10Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約１５０Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１３】
前記セラミック材料は、約１×１０12Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約２００Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１４】
前記接触面は、ＡＩＮからなることを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１５】
前記接触面は、ＢｅＯからなることを特徴とする請求項９記載の接触測定プローブ。
【請求項１６】
電気伝導体パッドと、
前記パッドの接触面上に配置されるセラミック材料または高分子材料とを備える、接触温度プローブ用のプローブヘッドであって、
前記セラミック材料は、ＡＩＮ、ＢｅＯからなるグループ及び前記ＡＩＮ、ＢｅＯの少なくとも１つのセラミック材料を含む組み合わせから選択され、前記高分子材料は、ポリイミドとポリエーテルエーテルケトンからなるグループから選択されることを特徴とするプローブヘッド。
【請求項１７】
約１×１０6Ω−ｃｍに等しいかまたはそれ以上の電気抵抗を有し、かつ１００℃で約１００Ｗ/ｍ−Ｋに等しいかまたはそれ以上の熱伝導率を有する、セラミック材料または高分子材料から作られる接触面を含んでいるプローブヘッドと、
処理環境からワイヤをシールドするためのシールド内を通過するリードワイヤを有する前記プローブと接触する温度センサと、を備え、
前記プローブヘッドが温度センサのリードワイヤによってのみ支持され、かつ前記シールドが前記プローブヘッドに接触しないようにしたことを特徴とする接触温度測定プローブ。
【請求項１８】
前記セラミック材料は、ＡＩＮ、ＢｅＯからなるグループ及び前記ＡＩＮ、ＢｅＯの少なくとも１つのセラミック材料を含む組み合わせから選択されることを特徴とする請求項１７記載の接触温度測定プローブ。
【請求項１９】
前記高分子材料は、ポリイミドとポリエーテルエーテルケトンからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１７記載の接触温度測定プローブ。
【請求項２０】
イオン源を含む処理環境内の電気バイアスを取り除くための接触温度測定方法であって、
セラミック材料または高分子材料から作られた接触面と、プローブヘッドから伸びて処理環境から保護するためのシールド内を通過するリードワイヤを有する温度センサと、を備える前記プローブヘッドを、所定の電圧ポテンシャルを有する荷電された基板に接触させ、
前記プローブヘッドが前記温度センサのリードワイヤによってのみ支持され、かつ前記シールドが前記プローブヘッドに接触しないように配置されており、
さらに、荷電された基板の温度の関数として、前記温度センサ内に熱電気による電圧を発生させ、この電圧は、前記荷電された基板内の電圧ポテンシャルから電気的に分離され、
前記熱電気による電圧を、前記荷電された基板の温度に変換する、各工程を有することを特徴とする方法。
【請求項２１】
セラミック材料は、ＡＩＮからなることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
セラミック材料は、ＢｅＯからなることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記プローブヘッドは、モノリス型セラミック材料からなることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
前記高分子材料は、ポリイミドとポリエーテルエーテルケトンからなるグループから選択されることを特徴とする請求項２０記載の方法。