【事件の表示】
　平成　９年特許願第　７３６４７号「圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月２３日出願公開、特開平１０−　２２５１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年３月２６日（パリ条約による優先権主張１９９６年３月２８日，仏国）の出願であって，平成１９年３月１６日付けの拒絶理由通知に対して，同年９月２０日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１２月１１日に拒絶査定がされ，これに対し，平成２０年３月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年４月１７日付けで手続補正がされ，その後当審において平成２２年４月５日付けで審尋がされ，同年１０月２６日に回答書が提出され，さらに，同年１１月１９日付けで審尋がされ，平成２３年５月２４日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年４月１７日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２０年４月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の請求項１を，本件補正後の請求項１とする補正（以下「本件補正事項」という。）を含むものであって，本件補正前後の請求項１は，次のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１
「自由に選択されるドーピング型を有する半導体材料から作られる少なくとも１つの歪みゲージの支持体として作用し，単結晶からなる構造体からなる，圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサにおいて，歪みゲージがその圧電抵抗係数を改善するように決定された結晶学的平面に沿って作られた要素であり，前記構造体がそのエツチングを改善するように決定された結晶学的平面にエツチングされた要素であり，前記歪みゲージが前記センサを得るように結合手段により前記構造体上に結合されたことを特徴とする歪みゲージセンサ。」
（２）本件補正後の請求項１
「半導体材料から作られる少なくとも１つの歪みゲージの支持体として作用し，単結晶からなる構造体に，前記歪みゲージが結合手段により結合して構成される，圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサにおいて，
　前記歪みゲージが，前記構造体の支持体に結合して支持され，かつ，自由に選択されるドーピング型を有する半導体材料からなり，選択されたドーピング型に応じてその圧電抵抗係数を改善する結晶学的平面に沿って作られた要素であり，
　前記構造体の支持体が，そのエツチングを改善するように決定された結晶学的平面にエツチングされた要素であることを特徴とする歪みゲージセンサ。」
　
２　新規事項の追加の有無，及び補正目的の適否について
　本件補正事項は，語順の入れ替えのほかは，補正前の請求項１における「その圧電抵抗係数を改善するように決定された結晶学的平面に沿って作られた要素」との事項を，補正後の請求項１における「選択されたドーピング型に応じてその圧電抵抗係数を改善する結晶学的平面に沿って作られた要素」と限定するものであり，当該限定のために付加された「選択されたドーピング型に応じて」との事項は，本願の願書に最初に添付された明細書の【００３１】〜【００３２】に基づくものである。
　したがって，本件補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正事項は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
　
３−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記１（２））。
　
３−２　引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開昭６３−２３７４８２号公報（以下「引用例」という。）には，第１，７，８図とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　歪みゲージと圧力センサについて
「（従来の技術）
　機械的応力を加える事によってピエゾ抵抗効果によりその抵抗値が変化することを利用して，単結晶シリコン基板の一部の肉厚を薄くしダイヤフラムを形成し，その
ダイヤフラムに歪ゲージを拡散層等で形成して，ダイヤフラムに加わる圧力により歪ゲージを変形させ，ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサ
　
イ　第１の単結晶シリコン基板について
「第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例を示す断面図であって，その製造工程を順に説明する。
　まず，第１図（ａ）において，
１は（１００）面の第１の単結晶シリコン基板
水酸化カリウム（ＫＯＨ）等による異方性のエツチング液を用いてエツチングし，同図（ｂ）に示すような凹部３を形成する
　
ウ　ピエゾ抵抗層について
「一方，同図（ｃ）に示すように，例えば，その比抵抗が３〜５ΩｃｍのＮ型導電型であって，
結晶面が（１００）あるいは（１１０）の第２の単結晶シリコン基板５の主表面上の所定領域に，シリコン酸化膜６を形成し，そのシリコン酸化膜６をマスクとしてボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を高濃度に拡散しピエゾ抵抗層７を，＜１１０＞方向に形成する
　
エ　ＢＰＳＧ層による接着について
「引き続き，シリコン酸化膜６を除去した後に，同図（ｄ）に示すように第２の単結晶シリコン基板５の主表面上の全面にＬＰＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により
膜厚が０．１〜２．０μｍのシリコン窒化膜（Ｓｉ
3
Ｎ
4
）８を形成し，さらにこのシリコン窒化膜８上にＢＰＳＧ膜９を形成する
　そして，同図（ｅ）に示すように，第１の単結晶シリコン基板１の主表面上に，上下のパターンが設定通り重なるように例えば赤外顕微鏡で位置合せを行い第２の単結晶シリコン基板５に形成されたＢＰＳＧ膜９を配置する。
　ここで，本実施例においては第１，第２の単結晶シリコン基板１，５（あるいはそれらのウェハ）の周辺部を真空中でレーザにより溶融接着して仮止めを行う。しかる後に真空炉内に入れ約１０００℃〜１１００℃に加熱し，
ＢＰＳＧ膜９を溶融し第１，第２の単結晶シリコン基板１，５の両者の接着を行う
　
オ　ピエゾ抵抗層と半導体圧力センサの構成について
「そして，同図（ｆ）に示すように，第１の単結晶シリコン基板１の他主面（裏面）をワックス等で覆い（図示はしない），第２の単結晶シリコン基板５の他主面（裏面）側より，例えばエチレンジアミン（２６０ｍｌ），ピロカテコール（４５ｇ），水（１２０ｍｌ）を主成分とする
異方性エツチング液により第２の単結晶シリコン基板５をエツチング除去する
絶縁膜としてのシリコン窒化膜８上に単結晶のピエゾ抵抗層７が形成される
本実施例の半導体圧力センサを構成する
　
カ　ダイヤフラムについて
「又，本実施例の場合，
シリコン窒化膜８とＢＰＳＧ膜９とで構成されるダイヤフラムは，凹部３の上部，及び凹部３の周辺である第１の単結晶シリコン基板１上にわたってほぼ平滑に形成されており
　
キ　シリコン基板の面方位について
「又，本実施例ではレーザビームにより貫通孔４を形成したが
第７図に示すようにシリコンの（１１０）面を用いて第８図に示す方位に貫通孔パターンを形成して，ＫＯＨ溶液等の異方性エツチングを行なえば（１１１）面を側壁としてシリコン基板１に貫通孔４を形成できる
　
ク　第１図について
　第１図（ｇ）によれば，第１の単結晶シリコン基板１の凹部３が形成された面上に，上記凹部３の上に，上記ＢＰＳＧ膜９とシリコン窒化膜８を介して，ピエゾ抵抗層７がパターニング形成されていることが見て取れる。
　
（２）以上を整理すると，引用例には次の事項が記載されている。
・第１図（ｇ）及び上記（１）エ〜オから，引用例には，「第１の単結晶シリコン基板１」と，上記シリコン基板上に「ＢＰＳＧ膜９」によって接着された「ピエゾ抵抗層７」とで構成された「半導体圧力センサ」が記載されている。
・上記（１）カから，引用例には，「シリコン窒化膜８とＢＰＳＧ膜９」が，「第１の単結晶シリコン基板１」に形成された「凹部３」の上部においてダイヤフラムを構成することが記載されている。また，第１図（ｇ）から，引用例の「ピエゾ抵抗層７」が当該ダイヤフラム上に形成されたものであることが見て取れる。これらの事項と，上記（１）アの説明を併せて読むと，引用例には，「ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサ」が記載され，引用例の「ピエゾ抵抗層７」は「歪みゲージ」であることが理解できる。
・上記（１）ウから，引用例には，結晶面が（１００）あるいは（１１０）の単結晶シリコンの主表面上の＜１１０＞方向に，Ｐ型の「ピエゾ抵抗層７」を形成することが記載されている。
・上記（１）イから，引用例の「第１の単結晶シリコン基板１」は，異方性のエッチング液を用いたエッチングにより凹部３が形成されたものであることが記載されている。
　
（３）上記（２）によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「第１の単結晶シリコン基板１と，前記基板１上にＢＰＳＧ層９によって接着された歪みゲージであるピエゾ抵抗層７とで構成された，ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサにおいて，
　前記歪みゲージであるピエゾ抵抗層７が，Ｐ型であり，結晶面が（１００）あるいは（１１０）の単結晶シリコンの主表面上の＜１１０＞方向に形成されたものであり，
　前記第１の単結晶シリコン基板１が，異方性のエッチング液を用いたエッチングにより凹部３が形成されたものであることを特徴とする半導体圧力センサ。」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」は，補正発明における「歪みゲージ」に相当する。また，上記３−２（１）ウで摘記した記載から，引用発明の「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」は，「半導体材料から作られる」ものであるといえる。
（２）引用発明における「ＢＰＳＧ層９によって接着」することは，補正発明における「結合手段により結合」することに，それぞれ相当する。
（３）引用発明における「第１の単結晶半導体シリコン基板１」は，その上に「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」が形成されるものであることから，「歪みゲージの支持体として作用」するものであるといえ，同様にして，引用発明における「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」が，「第１の単結晶シリコン基板１」に「支持される」ものであるといえる。また，「第１の単結晶半導体シリコン基板１」が「単結晶からなる構造体」であることは明らかである。
（４）引用発明の「半導体圧力センサ」は，「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」を用いたセンサであり，また，「ピエゾ抵抗効果」が「圧電抵抗作用」の一種であることは技術常識であるから，引用発明における「ピエゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力を測定する半導体圧力センサ」は，補正発明における「圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサ」に相当する。
（５）平成２３年５月２４日に提出された回答書によれば，補正発明における「前記構造体の支持体が，そのエッチングを改善するように決定された結晶学的平面にエッチングされた要素である」との事項は，「前記構造体の支持体が，結晶学的平面を異方性エッチングしてなる要素である」と理解できるところ，引用発明の「単結晶シリコン基板１」も，構造体の支持体であり，異方性エッチングにより凹部３が形成されたものであるから，補正発明と引用発明とは，「前記構造体の支持体が，そのエッチングを改善するように決定された結晶学的平面にエッチングされた要素である」点で一致する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「半導体材料から作られる少なくとも１つの歪みゲージの支持体として作用し，単結晶からなる構造体に，前記歪みゲージが結合手段により結合して構成される，圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサにおいて，
　前記歪みゲージが，前記構造体の支持体に結合して支持され，かつ，半導体材料からなる要素であり，
　前記構造体の支持体が，そのエツチングを改善するように決定された結晶学的平面にエツチングされた要素であることを特徴とする歪みゲージセンサ。」
である点。
＜相違点＞
　補正発明では，「歪みゲージ」が「自由に選択されるドーピング型を有」し「選択されたドーピング型に応じてその圧電抵抗係数を改善する結晶学的平面に沿って作られた要素」であるのに対し，引用発明では，「歪みゲージであるピエゾ抵抗層７」がそのようなものであることが特定されていない点。
　
３−４　相違点についての判断
　引用発明は，Ｐ型のピエゾ抵抗層７を「結晶面が（１００）あるいは（１１０）の単結晶シリコンの主表面上の＜１１０＞方向に形成」したものであるところ，次の周知例１〜４に示すとおり，Ｐ型のピエゾ抵抗層の場合，結晶面が（１００）又は（１１０）の単結晶シリコンの＜１１０＞方向に形成したとき抵抗変化が最大となり，Ｎ型のピエゾ抵抗層の場合，結晶面が（１００）の単結晶シリコンの＜１００＞方向に形成したとき抵抗変化が最大となることは，当業者に周知の事項である。
・周知例１：特開昭４９−７６４８９号公報
　本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である上記周知例１には，次の記載がある。
「更に，他の半導体装置を同一ウエフア上に組み込むのが極めて好適であるため感圧素子は［１１０］結晶面に沿って切り出したＰ導電型単結晶珪素とする。他の用途に対しては，例えば［１００］結晶面に沿って切り出したＮ導電型単結晶珪素を選択するのが有利であることもある。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第６行）
・周知例２：特開平６−１１２１２１号公報
　本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。
「ここで，シリコンのピエゾ抵抗効果はｎ型とｐ型とでその効果が最大となる結晶方位が異なっている。すなわち，（１００）面のシリコンにおいては，ｎ型シリコンの場合は電流方向を＜１００＞方向にした場合にピエゾ抵抗効果が最大になる。これに対して，（１００）面のシリコンでｐ型シリコンの場合には＜１１０＞方向にしたときにピエゾ抵抗効果は最大になる。」（段落【００３１】）
・周知例３：特開平７−８６６１８号公報
　本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である上記周知例３には，次の記載がある。
「格子面（１００）の単結晶シリコン基板１を使用したＰ型拡散抵抗層の「感度」は，図７に示すＰ型拡散抵抗層の格子面（１００）のピエゾ抵抗効果の状態図の如く，拡散抵抗層（シリコン基板）の結晶軸の方向に対する応力の方向により異なり，＜１１０＞に対して最大となる。」（段落【０００９】）
・周知例４：特開平７−２５３３６４号公報
　本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である上記周知例４には，図８，１０とともに次の記載がある。
「【００２７】このような製造工程を経て作成された半導体素子３の平面は，図８に示す拡大図の如く構成されている。図８において，Ｓｉ基板の面方位は（１１０）が用いられ，４つのピエゾ抵抗素子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄにてブリッジ回路が構成されている。このうちの１対のピエゾ抵抗素子２５ａと２５ｂは〈１１０〉方向に電流が流れるよう配置され，圧縮応力に対して抵抗値がピエゾ抵抗効果により増加する。残りの１対のピエゾ抵抗素子２５ｃと２５ｄは〈１００〉方向に配置され，圧縮応力に対して抵抗値変化しない。この原理は，Ｓｉの結晶異方性によるもので，ー般にＰ型Ｓｉ（１１０）面における圧縮応力に対する抵抗値変化量を各方向毎に示した図１０のようになることは周知である。」
　そうすると，引用発明が，Ｐ型において抵抗変化最大の方向を選択したものに当たることは，引用例に接した当業者が上記周知事項から直ちに察知し得たことである。
　また，抵抗変化の最大化は，センサ効率改善のために当業者が普通に考慮する事項であるから，引用発明においてピエゾ抵抗層の導電型をＮ型に変更する場合に，抵抗変化が最大となるように，（１００）結晶面の＜１００＞方向を形成方向に選択することは，上記周知事項からみて自然な選択であるといえる。
　さらに，上記３−１（１）イ，ウ，キの摘記から，引用例には，第１の単結晶シリコン基板とピエゾ抵抗層（第２の単結晶基板）として互いに異なる面方位の単結晶シリコンを選択することが開示されていると理解できるから，引用発明において，単結晶シリコン基板１の面方位とは独立に，上記周知事項に基づいてピエゾ抵抗層７の抵抗変化が最大となる結晶方向に形成することは，当業者が普通になし得たことである。
　したがって，引用発明において，いずれのドーピング型の半導体材料に対しても，それぞれに抵抗変化が最大となる結晶方向を選択してピエゾ抵抗層を形成すること，換言すれば，「選択されたドーピング型に応じてその圧電抵抗係数を改善する結晶学的平面に沿って作られた要素」とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
　よって，補正発明は，周知の事項を勘案し引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
  以上のとおり，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年４月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１７に係る発明は，平成１９年９月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２で検討したように，補正発明は，実質的に，本件補正前の請求項１の「その圧電抵抗係数を改善するように決定された結晶学的平面に沿って作られた要素」について，「選択されたドーピング型に応じて」との点を限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，上記第２，３において検討したとおり，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。