【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光信号を受信するためのリッジ導波管ヘテロ構造を含む入力枝路；
分岐点で前記入力枝路に光学的に接続し、第１屈折率の湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第１出力枝路；
前記分岐点で前記入力枝路に光学的に接続し、各々が前記第１屈折率とは異なる順方向にバイアスされた屈折率、逆方向にバイアスされた屈折率、及びバイアスの無い屈折率を持った湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第２出力枝路；及び、
前記順方向にバイアスされた屈折率、前記逆方向にバイアスされた屈折率、及び前記バイアスの無い屈折率の間で前記第２出力枝路の屈折率を変えるために前記第２出力枝路に配置された電極を備える光学スイッチ。
【請求項２】  前記入力枝路、第１出力枝路、第２出力枝路が：
ＩｎＰ基板；
前記基板に配置されたＩｎＰバッファ層；
前記バッファ層に配置されたＩｎＧａＡｓＰ案内層；
前記案内層に配置され、湾曲したリッジ導波管の周りを選択的にエッチングされた、第１ＩｎＰクラッド層；
前記クラッド層に配置されたＩｎＧａＡｓＰエッチング止め層；及び、
前記エッチング止め層に配置された第２ＩｎＰクラッド層を備える、請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項３】  前記第２クラッド層が選択的にＺｎ拡散領域を形成する、請求項２に記載の光学スイッチ。
【請求項４】  前記第２クラッド層が選択的に成長したＰ型半導体を形成する、請求項２に記載の光学スイッチ。
【請求項５】  第１の順方向にバイアスされた屈折率、第１の逆方向にバイアスされた屈折率、及び、第１のバイアスの無い屈折率を持った、光信号を受信するための、湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第１入力枝路；
分岐点で前記第１入力枝路に光学的に接続し、湾曲したリッジ導波管構造を含む第２入力枝路；
前記分岐点で前記第１入力枝路に光学的に接続し、第２のバイアスの無い屈折率の湾曲したリッジ導波管構造を含む第１出力枝路；
前記分岐点で前記入力枝路に光学的に接続し、第２の順方向にバイアスされた屈折率、第２の逆方向にバイアスされた屈折率、及び第３のバイアスの無い屈折率を持った湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第２出力枝路；
前記第１の順方向にバイアスされた屈折率、第１の逆方向にバイアスされた屈折率、及び第１のバイアスの無い屈折率の間で前記第１入力枝路の屈折率を変えるために、前記第１入力枝路に配置された第１電極；及び、
前記第２の順方向にバイアスされた屈折率、第２の逆方向にバイアスされた屈折率、及び第３のバイアスの無い屈折率の間で前記第２出力枝路の屈折率を変えるために、前記第２出力枝路に配置された第２電極を備える光学スイッチ。
【請求項６】  前記第１のバイアスの無い屈折率、前記第２のバイアスの無い屈折率、及び前記第３のバイアスの無い屈折率が実質的に等しい、請求項５に記載の光学スイッチ。
【請求項７】  前記第１入力枝路、前記第２入力枝路、前記第１出力枝路、及び前記第２出力枝路が：
ＩｎＰ基板；
前記基板に配置されたＩｎＰバッファ層；
前記バッファ層に配置されたＩｎＧａＡｓＰ案内層；
前記案内層に配置され、湾曲したリッジ導波管の周りを選択的にエッチングされた、第１ＩｎＰクラッド層；
前記クラッド層に配置されたＩｎＧａＡｓＰエッチング止め層；及び、
前記エッチング止め層に配置された第２ＩｎＰクラッド層を備える、請求項５に記載の光学スイッチ。
【請求項８】  前記第２クラッド層が選択的にＺｎ拡散領域を形成する、請求項５に記載の光学スイッチ。
【請求項９】  前記第２クラッド層が選択的に成長したｐ−型半導体を形成する、請求項７に記載の光学スイッチ。
【請求項１０】  第１の順方向にバイアスされた屈折率、第１の逆方向にバイアスされた屈折率、及び第１のバイアスの無い屈折率を持った、光信号を受信するための、湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第１入力枝路；
分岐点で前記第１入力枝路に光学的に接続し、湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第２入力枝路；
前記分岐点で前記第１入力枝路に光学的に接続し、第２のバイアスの無い屈折率の湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第１出力枝路；
前記分岐点で前記入力枝路に光学的に接続し、前記第２のバイアスの無い屈折率とは異なる第３のバイアスの無い屈折率を持った湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を含む第２出力枝路；及び、
前記第１の順方向にバイアスされた屈折率、前記第１の逆方向バイアスされた屈折率、及び前記第１のバイアスの無い屈折率の間で前記第１入力枝路の屈折率を変えるために、第１入力枝路に配置された第１電極を備える光学スイッチ。
【請求項１１】  前記第１入力枝路、前記第２入力枝路、前記第１出力枝路、及び前記第２出力枝路が：
ＩｎＰ基板；
前記基板に配置されたＩｎＰバッファ層
前記バッファ層に配置されたＩｎＧａＡｓＰ案内層；
前記案内層に配置され、湾曲したリッジ導波管の周りを選択的にエッチングされた、第１ＩｎＰクラッド層；
前記クラッド層に配置されたＩｎＧａＡｓＰエッチング止め層；及び、
前記エッチング止め層に配置された第２ＩｎＰクラッド層を備える、請求項１０に記載の光学スイッチ。
【請求項１２】  前記第２クラッド層が選択的にＺｎ拡散領域を形成する、請求項１１に記載の光学スイッチ。
【請求項１３】  前記第２クラッド層が選択的に成長したｐ−型半導体を形成する、請求項１１に記載の光学スイッチ。
【請求項１４】  半導体の基板を使用して光学スイッチを製造するための方法であって：
リッジ導波管ヘテロ構造を形成するために前記基板にクラッドを適用すること；
選択的な領域拡散によりｐ−ｎ接合を形成すること；
複数の湾曲した枝路を持ったスイッチの分岐点を形成するためにリッジ導波管ヘテロ構造をエッチングすることであって、前記複数の湾曲した枝路の各々の内側の円弧のクラッドを除去することを含むエッチングすること；
前記スイッチの分岐点の表面を平らにすること；及び、
少なくとも１つの電極を形成するために伝導性の金属を蒸着することのステップを含む、光学スイッチを製造するための方法。
【請求項１５】  前記再エッチングの手段が、リッジ導波管の最低の閾値の深さをエッチングするために制御される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による光学スイッチは、光信号を受信し、伝播させるために、湾曲したリッジ導波管ヘテロ構造を提供する。これらの湾曲したリッジ導波管は、湾曲の内部の円弧のヘテロ構造に段差（gap）を生成するために、付加的なエッチングを含む工程を使用して製造される。この工程は、産出率を低下させる付加的なマスキング及び再成長（regrowth）を用いずに導波管をしっかりと結合させ、信号損失を防ぐ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
まとめると、現在入手可能な光学スイッチは大きなチップを要求する。これらの光学スイッチの長さを短くするために、湾曲した導波管が光学スイッチの出力枝路及び（／または）入力枝路に配置される。弱く結合し湾曲した導波管に関連する信号損失及び、しっかりと結合し湾曲した導波管による産出率の低下は、湾曲の内側の円弧のヘテロ構造に段差（gap）を生成するためのエッチング手段によって避けられる。このエッチング手段は、産出率を下げる付加的なマスキングや再成長無しで導波管を結合し、信号損失を防ぐ。