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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間誘電体を形成するための方法であって、
半導体トポグラフィの上に窒化酸化シリコン層を形成するステップと、
前記窒化酸化シリコン層のベークを行なうステップと、
前記窒化酸化シリコン層の上に直接酸化物層を形成し、それによって層間誘電体を形成するステップとを含み、前記酸化物層の形成は、前記ベークを行なうステップの後に続く、方法。
【請求項２】
前記窒化酸化シリコン層を形成するステップは、前記半導体トポグラフィ内にトランジスタを最初に形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トランジスタを形成するステップは、
半導体基板上に、誘電的に間隔を空けたゲート導体を形成するステップと、
前記ゲート導体の対向する側壁の表面上に誘電体スペーサを形成するステップと、
ソースおよびドレインが形成されるように、前記ゲート導体および前記側壁スペーサに自己整合されたドーパント不純物分布を導入するステップと、
前記誘電体スペーサを除き、前記ゲート導体、ソースおよびドレインの上表面上にシリサイド領域を形成するステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記窒化酸化シリコン層を形成するステップは、約２００℃から約５００℃の範囲の堆積温度を用いて化学蒸着するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記化学蒸着するステップは、窒素含有化学物質および酸素含有化学物質でシランを反応させるステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記窒素含有化学物質は窒素を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸素含有化学物質は亜酸化窒素を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記化学蒸着するステップは、
複数の基板実装位置を有する堆積チャンバの第１の基板実装位置へ前記半導体トポグラフィを装填するステップと、
前記堆積温度が予め定められた程度の精度に維持されるまで前記半導体トポグラフィを加熱するステップと、
前記窒化酸化シリコン層の一部が堆積されるように、予め定められた時間の間前記堆積チャンバ内に反応ガスを導入するステップと、
前記窒化酸化シリコン層の別の部分の堆積のために、前記堆積チャンバ中の隣接する実装位置に前記半導体トポグラフィを移動するステップとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体トポグラフィを加熱するステップは、前記反応ガスを導入するステップの前に前記加熱するステップの持続時間を増大させるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ベークを行なうステップは、約３５０℃から約４５０℃の範囲のベーク温度を用いて前記半導体トポグラフィを加熱するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱するステップは、不活性雰囲気内で加熱するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記不活性雰囲気内で加熱するステップは、窒素雰囲気内で加熱するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記加熱するステップは、
加熱チャンバの基板実装位置へ前記半導体トポグラフィを装填するステップを含み、前記加熱チャンバは、１つ以上の堆積チャンバへ１つ以上の真空弁を用いて接続され、前記加熱するステップはさらに、
約３０秒から約２分の範囲の時間の間前記ベーク温度まで前記半導体トポグラフィを加熱するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化物層を形成するステップは、約３００℃から約８００℃の範囲の堆積温度を用いて、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）を分解するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記分解するステップは、
複数の基板実装位置を有する堆積チャンバの第１の基板実装位置へ前記半導体トポグラフィを装填するステップと、
前記堆積温度が予め定められた程度の精度に維持されるまで前記半導体トポグラフィを加熱するステップと、
前記酸化物層の一部が堆積されるように、予め定められた時間の間前記堆積チャンバに前記ＴＥＯＳを導入するステップと、
前記酸化物層の別の部分の堆積のために、前記堆積チャンバ中の隣接する実装位置に前記半導体トポグラフィを移動するステップとを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
層間誘電体を形成するための方法であって、
複数の基板実装位置を有する窒化酸化物堆積チャンバの第１の基板実装位置へ半導体基板を装填するステップと、
温度が予め定められた程度の精度に維持されるまで、約２００℃から約５００℃の範囲の温度まで前記半導体基板を加熱するステップと、
窒化酸化シリコン層の一部が堆積されるように、予め定められた時間の間前記窒化酸化物堆積チャンバに反応ガスを導入するステップと、
完全な窒化酸化シリコン層が堆積されるように、各基板実装位置における前記窒化酸化シリコン層の別の部分の堆積のために、前記窒化酸化物堆積チャンバ中の残りの実装位置の各々に前記半導体基板をシーケンシャルに移動するステップと、
前記半導体基板を加熱チャンバにその後に装填するステップとを含み、前記加熱チャンバは、前記窒化酸化物堆積チャンバに１つ以上の真空弁を用いて接続され、前記方法はさらに、
約３０秒から約２分の範囲の時間の間約３５０℃から約４５０℃の範囲のベーク温度まで前記半導体基板を加熱するステップと、
複数の基板実装位置を有するＴＥＯＳ堆積チャンバの第１の基板実装位置に前記半導体基板をその後に装填するステップとを含み、前記ＴＥＯＳ堆積チャンバは、前記窒化酸化物堆積チャンバおよび前記加熱チャンバに１つ以上の真空弁を用いて接続され、前記方法はさらに、
ＴＥＯＳ温度が予め定められた程度の精度に維持されるまで、約３００℃から約８００℃の範囲のＴＥＯＳ温度まで前記半導体基板を加熱するステップと、
ＴＥＯＳ酸化物層の一部が前記窒化酸化シリコン層の上に直接堆積されるように、予め定められた時間の間前記堆積チャンバにテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）を導入するステップと、
完全なＴＥＯＳ酸化物層が前記窒化酸化シリコン層の上に直接堆積されるように、各基板実装位置における前記ＴＥＯＳ酸化物層の別の部分の堆積のために、前記ＴＥＯＳ堆積チャンバ中の残りの実装位置の各々に前記半導体基板をその後に移動するステップ、およびそれにより、層間誘電体を形成するステップとを含む、方法。
【請求項１７】
前記半導体基板内にトランジスタを形成するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記反応ガスを導入するステップは、シラン、窒素含有ガス、および酸素含有ガスを導入するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて第１プロセッサユニット（１２）に付随する第１データベース（１０２）を第２プロセッサユニット（１４）に付随する第２データベース（１０８）に同期させるための同期方法であり、前記第１プロセッサユニット（１２）が前記第２データベース（１０８）に記憶されたデータを取り出す第１ステップと、前記第１プロセッサユニット（１２）が前記第１ステップで取り出した前記データに対して同期手順を実行する第２ステップとを含む同期方法であって、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第２プロセッサユニット（１４）に付随する変更カウンタの現在値を取り出し、前記第２データベース（１０８）に記憶されたデータを取り出す前記第１ステップの前に前記現在値を記憶する第３ステップと、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第１ステップで取り出された前記データに対して同期手順を実行する前記第２ステップの後、前記変更カウンタの新しい現在値を取り出す第４ステップと、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記変更カウンタの前記現在値と前記変更カウンタの前記新しい現在値との間に差異があるかどうかを判定する第５ステップと、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第５ステップで判定された結果に応じて後続の手順を実行する第６ステップと、
をさらに含むことを特徴とする同期方法。
【請求項２】
前記第１プロセッサユニット（１２）は、同期エンジン（１０４）を含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項３】
前記第２プロセッサユニット（１４）は、同期エンジンを含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項４】
前記第１及び第２プロセッサユニット（１２，１４）は、複数の並列プロセッサ（１２，１４）を含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項５】
前記第２プロセッサユニット（１４）が、前記第２データベース（１０８）に記憶された前記データの変更に対して前記変更カウンタを増分させる第７ステップと、
前記第２プロセッサ・ユニット（１４）が、前記第４ステップで取り出されたデータと異なる新しいデータが前記第２データベース（１０８）に記憶されたかどうかを判定する第８ステップと、
前記新しいデータが前記第２データベース（１０８）に記憶されている場合、前記新しいデータを識別する一義的な識別子を前記第１プロセッサユニット（１２）へ送信する第９ステップと、
前記変更カウンタの前記新しい現在値を前記第１プロセッサユニット（１２）へ送信する第１０ステップと、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項６】
前記変更カウンタの前記現在値と前記変更カウンタの前記新しい現在値との間に前記差異がある場合、前記第１プロセッサユニット（１２）が前記変更カウンタを更新するために使用する変更ログ（１１０）を前記第２プロセッサユニット（１４）から取り出す第１１ステップと、
前記差異がない場合、前記第１プロセッサユニット（１２）が前記第２プロセッサユニット（１４）から取り出した前記新しい現在値で前記変更カウンタを更新する第１２ステップと、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項５に記載の同期方法。
【請求項７】
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第２データベース（１０８）中の前記第４ステップで取り出されたデータと異なる前記新しいデータのどれかが処理されていないかどうかを判定する第１３ステップと、
前記第４ステップで取り出されたデータと異なる前記新しいデータが処理されている場合、前記第１プロセッサ・ユニット（１２）が、前記変更ログ（１１０）からの現在値で前記変更カウンタを更新する第１４ステップと、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項６に記載の同期方法。
【請求項８】
前記第２データベース（１０８）に記憶された前記データをクリアする第１５ステップと、
前記変更カウンタを初期値に設定する第１６ステップと、
前記第２データベース（１０８）に関連する変更ログ（１１０）中のエントリをすべてクリアする第１７ステップと、
前記第２データベースに記憶されたデータを識別するために、前記第２データベース（１０８）に関連する識別子を発生させる第１８ステップと、
前記第２データベース（１０８）に新しいデータを記憶する第１９ステップと、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項９】
前記第１データベース（１０２）に、前記第１データベース（１０２）に付随する第１識別子を記憶する第２０ステップと、
前記第２データベース（１０８）に、前記第２データベース（１０８）に付随する第２識別子を記憶する第２１ステップと、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第２プロセッサユニット（１４）から変更ログ（１１０）を取り出す第２２ステップと、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第２２ステップで取り出された前記変更ログ（１１０）が前記第２識別子を含んでいるかどうかを判定する第２３ステップと、
前記第２２ステップで取り出された変更ログ（１１０）が前記第２識別子を含んでいない場合、前記第１プロセッサ・ユニット（１２）が、前記第１および第２データベース（１０２，１０８）のすべてのエントリが比較される低速同期手順として前記同期手順を実行する第２４ステップと、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の同期方法。
【請求項１０】
通信システムにおいてプロセッサユニット（１２，１４）を同期させるための同期システムであって、第１のプロセッサユニット（１２）と、前記第１プロセッサ・ユニット（１２）に付随する第１データベース（１０２）と、第２プロセッサ・ユニット（１４）、前記第２プロセッサユニット（１４）に付随する第２データベース（１０８）と、前記第１プロセッサユニット（１２）を前記第２プロセッサユニット（１４）に相互接続する手段とを含み、
前記第１プロセッサユニット（１２）が、前記第２データベース（１０８）に記憶されたデータを取り出し、取り出された前記データに対して同期手順を実行する手段を含む同期システムであって、
前記第１プロセッサユニット（１２）は、前記第２データベース（１０８）に記憶されている前記データを取り出す前に、前記第２プロセッサユニット（１４）に付随する変更カウンタの現在値を取り出し記憶する手段を含み、
前記第１プロセッサ・ユニット（１２）は、前記同期手順を実行した後で前記変更カウンタの新しい現在値を受信し、前記現在値と前記新しい現在値との間に差異があるかどうかを判定し、前記判定に従って後続の手順を実行する手段を含む
ことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
前記第１プロセッサ・ユニット（１２）は、同期エンジン（１０４）を含んでいる
ことを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２プロセッサ・ユニット（１４）は、同期エンジンを含んでいる
ことを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
前記プロセッサユニット（１２，１４）は、複数の並列プロセッサ（１２，１４）を含んでいる
ことを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる屈折率を有する少なくとも２種類の異なる材料を含む光学的反復ユニットの誘電積層体であって、前記積層体内で伝播する光が前記積層体と空気との界面において内部全反射を生じる臨界角を有する誘電積層体と、
前記誘電積層体に光学的に結合されて、第１表面に入射する光の少なくとも一部を、前記臨界角を超える伝播角度で前記誘電積層体に結合するように選択的に処理された第１表面と、
前記誘電積層体に光学的に結合され、前記誘電積層体内を伝播する光の少なくとも一部を、前記臨界角を超える角度で前記積層体から離して選択的に処理された第２表面と、
を含み、
前記臨界角を超える伝播角度で前記積層体に光を結合するか、または前記積層体から離して光を結合するための前記第１および第２表面の少なくとも一方の結合効率が、前記誘電積層体の異なる領域において異なることを特徴とする誘電反射器。
【請求項２】
屈折率が異なる少なくとも２種類の異なる材料を含む光学的反復ユニットの誘電積層体であって、第１角度未満の伝播角度で前記積層体内を伝播する特定波長の光の第１反射特性と、第２角度を超える伝搬角度で前記積層体内を伝播する特定波長の光の第２反射特性とを有し、前記第２角度が前記第１角度以上である誘電積層体と、
前記誘電積層体に光学的に結合されて、特定波長の光の少なくとも一部を、前記第２角度を超える前記誘電積層体内における伝播角度で前記誘電積層体に結合するように選択的に処理された第１表面と、
前記特定波長の光であって、前記第２角度を超える伝播角度で前記積層体内を伝播する光の少なくとも一部を前記積層体から離して結合するように選択的に処理された第２表面と、
を備え、
前記第１表面および第２表面の少なくとも一方の結合効率が、前記誘電積層体の異なる領域において異なることを特徴とする誘電反射器。
【請求項３】
第１表面と第２表面とを有する多層誘電積層体であって、前記多層誘電積層体は予め決められた帯域幅内の光を実質的に反射し、前記帯域幅の帯域端部が、前記第１表面に直接入射する光に関して前記誘電積層体を貫通する伝播の最大角度により画定される多層誘電積層体と、
前記予め決められた帯域幅内の光が、前記最大角度を超える伝播角度で前記誘電積層体に入射することを可能にするように、前記第１表面の少なくとも一部上に形成された入力層と、
前記第２表面の少なくとも一部に形成された出力層であって、光が、前記入力層および出力層に対応する位置で誘電積層体を選択的に透過するように、前記最大角度を超える伝播角度で前記誘電積層体を貫通して伝播する光の内部全反射を防止する出力層と、
を含むことを特徴とする誘電反射器。
【請求項４】
前記誘電積層体が、少なくとも２種類のポリマー材料の層を含み、少なくともひとつのポリマー材料が歪誘発複屈折を示すことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の誘電反射器。
【請求項５】
前記誘電反射器が反射偏光子を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の誘電反射器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像形成装置において溶融装置あるいは中間転写部材として使用される装置であって、
使用の際、それを支持するのに不十分な厚さを有し、２つの円形端部プレート間に固定され、かつ、支持されずに、前記装置に装着される円筒構造体を形成する円筒部材と、
前記円筒構造体内に組み込まれる液体と、
前記液体を加熱して、そこから蒸気を形成するヒータと、
を備え、
前記蒸気は、使用の際、前記円筒部材を支持する十分な圧力である、装置。
【請求項２】  前記円筒部材は、画像をシートに溶融する溶融要素である請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記円筒部材は、可視画像を第１の表面から第２の表面に転写する中間転写装置である請求項１に記載の装置。
【請求項４】  印刷装置であって、
可視画像が形成される画像形成面と、
前記印刷装置に装着され、前記画像形成面から前記画像を受けて、それを別の表面に転写する請求項３に記載の中間転写部材と、
を備える印刷装置。
【請求項５】  前記画像は、液体トナー像である請求項４に記載の印刷装置。
【請求項６】  前記画像は、粉末トナー像である請求項５に記載の印刷装置
。
【請求項７】  前記ヒータは、約摂氏１１０度と約摂氏１４０度との間の温度に、前記液体と前記円筒部材とを加熱する前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】  前記ヒータは、前記円筒構造体の内側に配置される放射ヒータである前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】  前記ヒータは、前記円筒構造体の前記液体のプールに配置される伝導ヒータである前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】  前記圧力は、約２気圧と約３気圧との間である前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】  前記液体は、水を含んでいる前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】  ガスが前記円筒構造体の外側からその内側に延びることを可能とする一方向弁を備えている前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】  前記液体は、油を含んでいる前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】  前記液体は、異なる液体の混合物を含んでいる前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】  前記液体は、それに溶解される材料に影響を及ぼす蒸気圧を有し、前記材料は、前記液体の蒸気圧と温度との間の関係を修正するのに効果的である前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】  前記円筒部材に取付けられたブランケットを備えている前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】  前記ブランケットは、少なくとも１つの固体エラストマー層を備えている請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】  前記ブランケットは、スポンジ材料を備えていない請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項１９】  前記ブランケットは、外面を備え、前記外面が、前記円筒構造体内で摂氏１００度の温度に加熱されるとき、前記円筒部材は、前記外面の温度より、摂氏３０度よりも高くない温度である請求項１６から１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】  前記円筒部材は、５０マイクロメートルと２５０マイクロメートルとの間の厚さを有する膜である前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】  前記膜の厚さは、１００マイクロメートルと２００マイクロメートルとの間である請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】  前記円筒構造体の内側は、中空であり、前記液体は、中空部全体に充填されない前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】  前記中空部は、半分未満が、前記液体で充填されている請求項２２に記載の中間転写部材。
【請求項２４】  前記中空部は、２５％未満が、前記液体で充填されている請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】  前記中空部は、約５％が、前記液体で充填されている請求項２２に記載の装置。
【請求項２６】  前記液体は、前記円筒部材の内面と接触している前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】  前記部材が回転するとき、前記液体が、フィルムとして前記内面に沿って運ばれる請求項２６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報信号の所定の位置に補足データサンプルを埋め込むステップを有する、補足データを情報信号に埋め込む方法において、
前記情報信号が、少なくとも2つの信号チャネルを有し、
この方法が、当該チャンネルの対応する位置に同じ前記補足データサンプルを埋め込むステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記チャンネルが、ステレオ音声信号の左および右音声信号コンポーネントであって、各チャンネルを各ビットストリームにコード化しかつ当該ビットストリームの対応するビット位置に同じ補足データビットを埋め込むステップを有する請求項1に記載の方法。
【請求項３】
情報信号の所定の位置で、補足データサンプルを埋め込む手段を有する情報信号に補足データを埋め込む装置において、
前記情報信号が、少なくとも2つの信号チャネルを有し、
当該埋め込み手段が、当該チャンネルの対応する位置で同じ補足データサンプルを埋め込むように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項４】
前記チャンネルが、ステレオ音声信号の左および右音声信号コンポーネントであって、各チャンネルを各ビットストリームにコード化しかつ当該ビットストリームの対応するビット位置に同じ補足データビットを埋め込む手段を有する請求項3に記載の装置。
【請求項５】
各々が、所定の信号サンプル位置に埋め込まれている同一の補足データサンプルを有する、少なくとも第一および第二チャンネルを有する情報信号から補足データを抽出する方法において、
- 信号サンプルの数分、離間されている所定の第一チャンネル信号サンプルの第一シーケンスを、第二チャンネル信号サンプルの対応する第二シーケンスと比較するステップと、
- 一つのサンプル位置分当該第一および第二シーケンスを変位させ、そして前記シーケンスが同一でない限り、当該変位した第一および第二シーケンスに対して当該比較ステップを繰り返すステップとを有する方法。
【請求項６】
比較されている前記シーケンスにおいて同一である前記信号データサンプルを格納するステップを更に有する請求項5に記載の方法。
【請求項７】
各々が、所定の信号サンプル位置に埋め込まれている同一の補足データサンプルを有する、少なくとも第一および第二チャンネルを有する情報信号から補足データを抽出する装置において、
- 所定の第一チャンネル信号サンプルの第一シーケンスを、第二チャンネル信号サンプルの対応する第二シーケンスと比較する手段と、
- 一つのサンプル位置分当該第一および第二シーケンスを変位させ、そして前記シーケンスが同一でない限り、当該変位した第一および第二シーケンスに対して当該比較ステップを繰り返す手段とを有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月8日(2006.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  到来する信号を受信するアンテナ（３０５）と、
増幅器（３２０）に接続され、受信された信号を複素ベースバンド信号であるＩおよびＱの２つのチャンネルに変換するダウンコンバータ（３３０，３６０）と、
を備える受信機であって、
前記ダウンコンバータに接続され、前記Ｉチャンネルまたは前記Ｑチャンネルの何れか一方のチャンネルの構成要素の電源を切り、前記信号の強度測定値を導出するため残りの一方のチャンネルを処理する信号処理プロセッサ（３９０）を更に備え、前記Ｉチャンネルと前記Ｑチャンネルは同じ受信電力レベルを有する、ことを特徴とする受信機。
【請求項２】  前記信号処理プロセッサは、前記信号の強度測定値を決定するため、数式
2002530923.tif 000001
を計算し、ここでＮはサンプルの数であり、Ｉ（ｎ）およびＱ（ｎ）は測定されたＲＳＳＩレベルを表す、ことを特徴とする請求項１に記載の受信機。
【請求項３】  前記Ｉチャンネルの前記構成要素は、
前記ダウンコンバータの出力に接続された増幅器と、
前記増幅器の出力に接続されたアナログ・ディジタル変換器と、
を更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の受信機。
【請求項４】  前記Ｑチャンネルの前記構成要素は、
前記ダウンコンバータの出力に接続された増幅器と、
前記増幅器の出力に接続されたアナログ・ディジタル変換器と、
を更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の受信機。
【請求項５】  到来する信号を受信する（３０５）ステップと、
受信された信号を、ＩチャンネルとＱチャンネルを有する複素ベースバンド信号に変換する（３３０，３６０）ステップと、
を含む、ホモダイン受信機で信号強度測定を行う方法であって、
前記Ｉチャンネルまたは前記Ｑチャンネルの何れか一方のチャンネルの構成要素の電源を切る（３９０）ステップと、前記信号の強度測定値を導出するため残りの一方のチャンネルを処理するステップと、を更に含み、前記Ｉチャンネルと前記Ｑチャンネルは同じ受信電力レベルを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項６】  前記信号の強度測定値を決定するため、数式
2002530923.tif 000002
を計算するステップを更に含み、ここでＮはサンプルの数であり、Ｉ（ｎ）およびＱ（ｎ）は測定されたＲＳＳＩレベルを表す、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記電源を切るステップは、
前記Ｑチャンネル内で、ダウンコンバータの出力に接続された増幅器の電源を切るステップと、
前記Ｑチャンネル内で、増幅器の出力に接続されたアナログ・ディジタル変換器の電源を切るステップと、
を更に含む、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記電源を切るステップは、
前記Ｉチャンネル内で、ダウンコンバータの出力に接続された増幅器の電源を切るステップと、
前記Ｉチャンネル内で、増幅器の出力に接続されたアナログ・ディジタル変換器の電源を切るステップと、
を更に含む、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】  前記受信するステップは、
前記Ｉチャンネルおよび前記Ｑチャンネルの双方のチャンネルに等しい電力を供給するため変調信号を受信するステップを更に含む、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１０】  前記受信するステップは、
変調ｐｎシーケンスを受信するステップを更に含む、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記受信するステップは、
ＧＭＳＫ変調信号を受信するステップを更に含む、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多重レベルのデータ依存型電圧バイアス・レベルを含む離散出力信号を作る回路であって、前記回路が、容量結合によって回路の周波数応答にもたらされるゼロを少なくともほぼ相殺する機能を含む集積回路。
【請求項２】  ディジタル電圧出力信号を生成する方法であって、
ディジタル電圧出力信号をサンプルするステップと、
前記サンプル信号を、前記サンプルされたディジタル電圧出力信号の少なくとも一部に依存して、電圧バイアス信号に変換するステップと、
直流電圧値として電圧バイアス信号を有するディジタル出力信号を生成するステップと
を含むディジタル電圧出力信号を生成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
搬送波周波数の集合によって多重搬送波信号を形成し、前記搬送波周波数の集合の部分集合によってソースシンボルを搬送するときに、それぞれが同じソースシンボルを搬送するデータフローが供給される少なくとも２つの受信経路を利用し、該経路のそれぞれが、評価された経路値及び対応する経路信頼度情報要素を各受信したソースシンボルに関連づける評価手段を含む前記多重搬送波信号を受信するための装置であって、
前記評価された経路値から、前記経路信頼度情報を考慮して該評価された経路値に重みを付けて得られる適応された評価値と、
前記経路信頼度情報要素の関数としての適用された信頼度情報要素と
を送出する前記評価された経路値を結合させるための手段と、
前記適応された評価値によって供給される重み付き入力復号化手段と
を含んでなることを特徴とする受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
搬送波周波数の集合によって多重搬送波信号を形成し、前記搬送波周波数の集合の部分集合によってソースシンボルを搬送するときに、それぞれが同じソースシンボルを搬送するデータフローが供給された少なくとも２つの受信経路を利用し、該経路のそれぞれが、評価された経路値及び対応する経路信頼度情報要素を各受信したソースシンボルに関連づける評価段階を有する前記多重搬送波信号を受信するための方法であって、
前記評価された経路値から、前記経路信頼度情報を考慮して該評価された経路値に重みを付けて得られる適用された評価値と、
前記経路信頼度情報要素の関数としての適用された信頼度情報要素と
を送出する前記評価された経路値を結合するステップと、
前記適応された評価値によって供給される重み付き入力復号化するステップと
を含んでなることを特徴とする受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンを画像信号に変換する画像捕捉装置と、
前記画像信号をビューファインダディスプレイの上に表示するためのビューファインダとを含み、
該ビューファインダは、カメラオペレータが前記ビューファインダディスプレイ上に最適な視野を有することを可能にするために、少なくとも１つのモータを含む位置調節メカニズムを有し、
前記位置調節メカニズムの前記少なくとも１つのモータは、前記ビューファインダディスプレイが前記カメラオペレータに自動的に向けられるよう、前記カメラオペレータに取り付けられる送信装置からの信号を受信するための受信器によって制御される、
スタジオカメラ。
【請求項２】
画像捕捉装置からの画像信号を表示するためのビューファインダディスプレイと、
カメラオペレータが前記ビューファインダディスプレイ上に最適な視野を有することを可能にするために、少なくとも１つのモータを含む位置調節メカニズムとを有し、
前記位置調節メカニズムの前記少なくとも１つのモータは、前記ビューファインダディスプレイが前記カメラオペレータに自動的に向けられるよう、前記カメラオペレータに取り付けられる送信装置からの信号を受信するための受信器によって制御される、
スタジオカメラ用ビューファインダ。
【請求項３】
請求項１に従ったスタジオカメラと、該スタジオカメラの前記受信器（ＲＥＣ）と協働する送信装置とを含む、スタジオカメラシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月24日(2006.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  本質的に垂直な回転軸線（ｘ）を中心として回転可能な遠心ロータ（１）であって、作動中に開くことが可能であり、かつある量の分離物を断続的に排出するように配置されている少なくとも１つの放出口（３）を周囲に有している遠心ロータ（１）と、
前記遠心ロータ（１）を取り囲むケーシング（４）と、
前記遠心ロータ（１）と、前記遠心ロータ（１）の周囲に広がっており、かつ前記ケーシング（４）の一部を形成している壁の内面とによって形成されている空間（６）であって、前記開くことが可能な放出口（３）から前記分離物を受け入れるように構成されている空間（６）と、
該空間（６）から延びており、かつ該空間（６）から前記分離物を送り出すように構成されている排出通路（８）と、を有し、
前記内面は、前記開くことが可能な放出口（３）と同じ高さに位置しており、かつ前記遠心ロータ（１）の周囲を前記内面の第２の表面部分（９"）から前記回転軸線（ｘ）に関して上方かつ内方に延びている第１の表面部分（９'）を有し、前記第２の表面部分は前記第１の表面部分の下方に位置している遠心分離機において、
第２の表面部分（９"）は、本質的に回転対称であり、かつ遠心ロータ（１）の周囲を前記回転軸線（ｘ）に関して下方かつ内方に延びていることと、前記排出通路（８）は、前記回転軸線（ｘ）に関して前記第２の表面部分（９"）の最大直径部の下方に位置していることとを特徴とする遠心分離機。
【請求項２】  軸線方向の平面内において前記第１の表面部分（９'）の半径方向最も外側の点と半径方向最も内側の点との間を延びている第１の連結線は、前記回転軸線（ｘ）に対して３０°を超え９０°未満の第１の角度（ｕ）を成している請求項１に記載の遠心分離機。
【請求項３】  前記第１の表面部分（９'）は本質的に円錐形である請求項１または２に記載の遠心分離機。
【請求項４】  前記第２の表面部分（９"）と前記排出通路（８）とは、前記排出通路（８）の開口部の少なくとも一部を形成するエッジ部（１０）を形成している、請求項１から３のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項５】  軸線方向の平面内において前記第２の表面部分（９"）の半径方向最も外側の点と前記エッジ部（１０）の半径方向最も外側の点との間を延びている第２の連結線は、前記回転軸線（ｘ）に対して０°を超え４５°未満の第２の角度（ｖ）を成している請求項４に記載の遠心分離機。
【請求項６】  前記第２の角度（ｖ）は３５°以下である請求項５に記載の遠心分離機。
【請求項７】  前記第２の角度（ｖ）は２°以上である請求項５または６に記載の遠心分離機。
【請求項８】  前記第２の表面部分（９"）は本質的に円錐形である請求項５から７のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項９】  前記回転軸線（ｘ）に関して前記開口部の最も低い点は前記空間（６）の最も低い点と本質的に一致している請求項４から８のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項１０】  前記空間（６）は、前記回転軸線（ｘ）に関して、前記遠心ロータ（１）の最も低い点の下方に延びており、前記開口部の最も高い点は前記遠心ロータ（１）の最も低い点の下方に位置している請求項４から９のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項１１】  前記排出通路（８）の高さに位置し、かつ上方に延びて前記第２の表面部分（９"）の少なくとも一部分に面している面を有し、該一部分と共に前記分離物用の捕捉ポケットを形成するスクリーニング部（１１）を有している請求項１から１０のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項１２】  第１および第２の表面部分（９'，９"）は、それらの交差部に連続境界領域（１２）を形成している請求項１から１１のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項１３】  前記遠心ロータ（１）は前記空間を形成する表面部分を有する外面を有しており、前記放出口（３）は前記表面部分の最大直径領域に位置している請求項１から１２のいずれか１項に記載の遠心分離機。
【請求項１４】  前記開口部の少なくとも最も高い点は、前記表面部分の最大直径の半径方向外側に位置している請求項４および１３に記載の遠心分離機。
【請求項１５】  前記表面部分は前記回転軸線（ｘ）に関して下方に延びている請求項１３または１４に記載の遠心分離機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月3日(2006.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
再生インターバルの実際の終了と開始を決定することにより、エンジン管理のために一連の可能性が開ける。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  導電性ゴム混合物のインサートを有する導電性トレッドの部分を製造する装置であって、該装置は、
ローラと協働する壁を備えた押出し成形オリフィスを備え、未加硫非導電性混合物からなるトレッドを押出し成形するための主ノズルを端部に備えた主押出し成形ヘッドを有する主押出し成形機と、
支持体に取り付けられたマイクロ押出し成形機と、を含み、該マイクロ押出し成形機は、押出し成形ヘッドを有し、該押出し成形ヘッドは、その端部に、所望の輪郭および軌跡を有するインサートを押出し成形するためのノズルを備え、該ノズルは、主押出し成形機の主押出し成形ヘッド内に配置され、該ノズルは、主押出し成形機の上側固定部分と、該主押出し成形機の上側固定部分に対面した主押出し成形機の下側部分との間の空間に配置され、
押出し成形すべき導電性ゴム混合物は、主ノズルを通して押出し成形される前に、非導電性ゴム混合物の流れに流入し、
導電性ゴム混合物と非導電性ゴム混合物は、同じ方向に流れ、インサートを押出し成形するためのノズルの端部は、押出し成形されたインサートが、押出し成形された非導電性ゴム混合物の厚さ全体に亘って延びるように前記下側部分に押しつけられることを特徴とする装置。
【請求項２】  主押出し成形機において、主押出し成形機の下側部分は、主成形機の押出し成形オリフィスの上流側の上方アーチであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  主押出し成形機の上側固定部分は、押出し成形ブレードの上側部分であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】  主押出し成形機の上側固定部分は、主押出し成形機の上方アーチであり、主押出し成形機の下側部分は、押出し成形オリフィスの上流側のローラの壁部であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】  押出し成形ヘッドは、ダイを備え、
ノズルは、環状部分と、ノズルが載置され、マイクロ押出し成形機の押出し成形ヘッドのダイに取り付けられることを可能にする複数の取付け穴とを備え、
ノズルは、中空円筒状直線供給チャンバをさらに備え、該中空円筒状供給チャンバは、その円筒面上に導電性ゴム混合物を押出す押出し成形オリフィスを有し、該押出し成形オリフィスは、前記ノズルの実質的に全高さを占め、前記押出し成形オリフィスの断面形状は、異なる幅をもつ２つのベースを有する形状であり、前記ノズルは、主押出し成形機の上側部分に対面する主押出し成形機の下側部分に接線方向に押しつけられることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】  ノズルは、高さの一部に亘ってスロットが形成され、押出し成形ヘッドと垂直なボアに挿入された可動ダイをさらに備え、ノズルのベースは、押出し成形された導電性混合物の圧力によってローラの壁部と接触したままにされることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項７】  非導電性ゴム混合物からなる少なくとも２つの層を有し、前記少なくとも２つの層は、第１層および第２層を含み、共通の接触面を備えているタイヤにおいて、前記第１層および前記第２層の各々は導電性混合物からなる周方向インサートを有し、該周方向インサートは断面で見て表面Ｓを有し、
各周方向インサートは、第１ベースおよび第２ベースを含む２つのベースを有する表面を備え、
第１層のインサートの第１ベースは、幅Ｅを有し、
第２層のインサートの第１ベースは、幅ｅ′を有し、
幅Ｅは、幅ｅ′の少なくとも１０倍に等しく、
第１層のインサートの第１ベースおよび第２層のインサートの第１ベースは、互いに対面する共通の接触面上にあり、中心軸線は、タイヤの赤道平面と平行であり、赤道平面から距離を隔てており、中心軸線間の距離は、インサート間で円周方向に共通の接触面上に２つの導電性要素間の電気的接続を与える複数の接触点があるように、第１層の第１ベースの幅Ｅのせいぜい１／２に等しいことを特徴とするタイヤ。
【請求項８】  クラウン補強体およびトレッドをさらに備え、
クラウン補強体は、トレッドの半径方向下にあり、クラウン補強体は、導電性ゴム混合物内のカレンダ加工された金属ケーブルを備え、
２つの層は、トレッドの上側部分および下側部分であり、
２つの層の周方向インサートは、地面とクラウン補強体との間の電気的接続手段であることを特徴とする請求項７に記載のタイヤ。
【請求項９】  カーカス補強体と、クラウン補強体と、トレッドとを備え、
前記少なくとも２つの層は、３つの層を含み、第１層は、トレッドの内側部分であり、第２層は、トレッドの外側部分であり、第３層は、カーカス補強体とクラウン補強体の縁部とを分離する三角形の異形要素であり、３つの層の間で相互に電気的接続が確保されることを特徴とする請求項７に記載のタイヤ。
【請求項１０】  前記トレッドの部分の一方には、異なる幅Ｅ、ｅの２つのベースを有する横方向面を備えたインサートが設けられ、他方には、インサートが設けられており、該インサートの横方向面は矩形であり、前記面の２つのベースは等しく、かつｅに等しい幅ｅ′を有していることを特徴とする請求項８に記載のタイヤ。
【請求項１１】  異なる幅の２つのベースを備えたインサートが設けられた部分はトレッドの外側部分であり、矩形の横方向断面をもつインサートが設けられた他方の部分はトレッドの内側部分であることを特徴とする請求項１０に記載のタイヤ。
【請求項１２】  各層と別々に押出し成形することからなるタイヤ用の２つの未硫化導電性層の組立体を製造する方法において、
各層を、ロータリローラと協働する固定壁を備えた押出し成形オリフィスに開口する流れチャンネルが設けられた押出し成形ヘッドを有する主押出し成形機で別々に押出し成形し、
周方向に配置されかつ２つのベースを備えた横方向面を有する未加硫状態の導電性混合物のストリップを、マイクロ押出し成形機のノズルにより、各層内に同時押出し成形により挿入し、前記ノズルを、主押出し成形器のローラの壁に押しつけ、
２つの未加硫層を結合することからなることを特徴とする方法。
【請求項１３】  前記導電性層は、トレッドの内側部分および外側部分であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月17日(2006.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気を導かないゴム混合物からなる少なくとも２つの層を有し、該少なくとも２つのが共通の接触面を備えているタイヤにおいて、各層は、接触面上に周方向軌跡を有する導電性混合物の周方向インサートすなわち条線を有し、第１層のインサートは、前記接触面上に、円形経路および幅ｅをもつ周方向軌跡を有し、第２層のインサートは、前記接触面上に、交差する幅ｅ′の経路をもつ周方向軌跡を有し、該軌跡は、第１層のインサートの円形経路の両側で波形になっており、両経路の間には周方向に沿って、２つの導電性要素間の電気的接続を確保する多数の接触点があり、第２層のインサートの経路は１０ｍｍに等しい最大ピーク対ピーク振幅を有していることを特徴とするタイヤ。
【請求項２】  前記第２層のインサートの周方向軌跡の経路は、振幅ａおよび波長λで定められる周期的経路であり、接触面上での２つの経路の中心軸線は、タイヤの赤道平面に対して平行でありかつタイヤの赤道平面から、周期的経路の振幅の半分ａ／２に殆ど等しい距離だけ分離されていることを特徴とする請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】  前記各層は、断面で見たとき、層の全厚に亘る直線領域を備えたインサートを有していることを特徴とする請求項１記載のタイヤ。
【請求項４】  前記２つの非導電性層はトレッドの内側および外側部分であり、電気的接続は、地面と、導電性が付与されたゴム混合物で被覆された金属ケーブルからなるクラウン補強体との間で確保されることを特徴とする請求項２記載のタイヤ。
【請求項５】  前記非導電性層は、一方ではトレッドの内側および外側部分であり、他方ではカーカス補強体をクラウン補強体の縁部から分離する三角形セクションであり、これらの層間は確実に連結されていることを特徴とする請求項２記載のタイヤ。
【請求項６】  前記円形の周方向経路を備えたインサートが設けられた部分はトレッドの上部であり、周期的な周方向経路を備えたインサートが設けられた他方の部分は、トレッドの下方部分であることを特徴とする請求項４記載のタイヤ。
【請求項７】  周方向かつ周期的経路を備えたインサートが設けられた未加硫ゴム層の製造方法において、
前記ゴム層は、押出しオリフィスに開口する流れチャンネルが設けられた押出しヘッドを備えた押出し成形機で押出し成形され、
セクションが、押出し成形オリフィスから下流側の搬送手段上に配置されかつ切断手段により切断され、
導電性ゴム層のインサートが、可動マイクロ押出し成形機のノズルにより、２つの切断壁間で、未加硫状態で押出し成形および挿入され、前記ノズルは、前記搬送手段の壁の方向に向けられかつ前記壁に平行に周期的に移動され、移動の振幅は少なくとも１０ｍｍであることを特徴とする方法。
【請求項８】  層がタイヤトレッドにあることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】  押出し成形機はローラダイ押出し成形機であり、搬送手段はローラであることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】  周期的経路をもつインサートが設けられた層を製造する装置において、未加硫状態で層を押出し成形するローラダイを備えた押出し成形機を備え、該押出し成形機は、未加硫ゴムを出現させる主押出し成形機を備え、前記押出し成形機は、マイクロ押出し成形機をさらに備え、該マイクロ押出し成形機は、これを３つの主方向に移動させることができる支持体に取り付けられ、マイクロ押出し成形機は押出し成形ヘッドを有し、該押出し成形ヘッドの端部には、所望の輪郭および経路で、周方向インサートを、主押出し成形機から出る未加硫混合層内に押出し成形するように設計されたノズルが設けられていることを特徴とする装置。
【請求項１１】  前記ノズルは、マイクロ押出し成形機の出口に固定するための接触面を有し、該ノズル接触面は、軸線方向に延長されてノズルヘッドを形成し、該ノズルヘッドは、インサートを成形するための高さおよび幅をもつスロットを備えた中空供給チャンバと、層を分離する切刃（４０９）とを備えることを特徴とする請求項１０記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、非導電性ゴム混合物からなる少なくとも２つの半径方向隣接層を有し、該層が共通の接触面を共有しているタイヤであって、各層が、導電性混合物の周方向インサートを有し、前記接触面上での周方向インサートの軌跡（footprint）は周方向に延びており、これらの層のうちの第１の層のインサートは、前記接触面上に、幅ｅの円形経路の周方向軌跡を有し、第２層のインサートは、前記接触面上に、幅ｅ′の経路をもつ周方向軌跡を有し、該軌跡は、第１層のインサートの円形経路の両側で交差しかつ波形になっており、このため周方向に沿って、２つの経路間には、２つの導電性要素間の電気的接続を確保する多数の接触点があり、第２層のインサートの経路は１０ｍｍに等しい最大ピーク対ピーク振幅有していることを特徴とするタイヤを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
工業的に最も簡単に製造できる第２層のインサートの周方向軌跡の経路は、波形経路、より詳しくは周期的経路である。経路は、周期関数で表される場合には周期的であると呼ばれ、また、例えば波形経路、ジグザグ経路、三角形からなる経路、正弦波経路、または矩形または台形からなる経路と呼ぶこともできる。かくして、前記経路は、周期的運動と同様に、振幅および波長により定義することができる。振幅ａは、層間の接触面の周方向に沿って変えることができるが、一定にするのが好ましい。接触面上の２つの経路の中心軸線は、タイヤの赤道平面に対して平行でかつ赤道平面からせいぜい前記周期的経路の振幅の半分ａ／２に等しい距離を隔てている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３を含むペプチドアナログであって、ここで該ペプチドアナログは、１つ〜４つのアミノ酸の位置での置換に起因して、天然のヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３と配列が異なり、ここで少なくとも１つの置換が、残基１２、１３、１５および１６からなる群から選択される残基で生じる、ペプチドアナログ。
【請求項２】  前記ペプチドアナログが、２つのアミノ酸残基で天然のヒトインスリンＢ鎖と異なる配列を有する、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項３】  前記ペプチドアナログが、３つのアミノ酸残基で天然のヒトインスリンＢ鎖と異なる配列を有する、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項４】  アミノ酸の置換が残基１９で生じる、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項５】  少なくとも１つのアミノ酸の置換が非保存的である、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項６】  残基１２が置換されている、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項７】  残基１２がアラニン残基である、請求項６に記載のペプチドアナログ。
【請求項８】  残基１３が置換されている、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項９】  残基１３がアラニン残基である、請求項８に記載のペプチドアナログ。
【請求項１０】  残基１５が置換されている、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項１１】  残基１５がアラニン残基である、請求項１０に記載のペプチドアナログ。
【請求項１２】  残基１６が置換されている、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項１３】  残基１６がアラニン残基である、請求項１２に記載のペプチドアナログ。
【請求項１４】  残基１９が置換されている、請求項６〜１３のいずれか１項に記載のペプチドアナログ。
【請求項１５】  残基１９がアラニン残基である、請求項１４に記載のペプチドアナログ。
【請求項１６】  ヒトインスリンＢ鎖の残基２４をさらに含む、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項１７】  前記ペプチドアナログが、ヒトインスリンＢ鎖の１８残基以下を含む、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項１８】  前記ペプチドアナログが、ヒトインスリンＢ鎖の１６残基以下を含む、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項１９】  前記ペプチドアナログが、ヒトインスリンＢ鎖の１５残基以下を含む、請求項１に記載のペプチドアナログ。
【請求項２０】  本質的にヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３からなるペプチドアナログであって、ここで該ペプチドアナログが、１つ〜４つのアミノ酸位置での置換に起因して、天然のヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３と配列が異なり、ここで少なくとも１つの置換が、残基１２、１３、１５および１６からなる群から選択される残基で生じる、ペプチドアナログ。
【請求項２１】  本質的にヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２４からなるペプチドアナログであって、ここで該ペプチドアナログが、１つ〜４つのアミノ酸位置での置換に起因して、天然のヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３と配列が異なり、ここで少なくとも１つの置換が、残基１２、１３、１５および１６からなる群から選択される残基で生じる、ペプチドアナログ。
【請求項２２】  生理的に受容可能なキャリアまたは希釈剤との組合せで、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のペプチドアナログを含む、薬学的組成物。
【請求項２３】  ヒトインスリンＢ鎖の残基９〜２３を含むペプチドアナログであって、該ペプチドアナログが、残基１６および残基１９での置換に起因して、天然のヒトインスリンＢ鎖と配列が異なる、ペプチドアナログ。
【請求項２４】  生理的に受容可能なキャリアまたは希釈剤との組合せで、請求項２５に記載のペプチドアナログを含む、薬学的組成物。