【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１、第２の表面を備え、第１、第２の表面を分離する材料層を有し、第１の表面が第１の電荷を保持するように設けられ、第２の表面が第２の電荷を保持するように設けられた要素と、
上記要素の少なくとも一部を横断して電界を与える手段であって、上記手段が、要素の第１の表面に第１の電荷を与える手段と、要素の第２の表面に第２の電荷を与え、第２の電荷が第１の電荷と異なっていて複数の電子が要素を経て第１又は第２の表面に対して実質的に垂直な方向に移動するようになした手段とから構成された上記手段とを備えた電子伝導デバイスにおいて、
材料の層が第１又は第２の表面に垂直な方向に所定の結晶方位を有する単結晶材料を用い，不純物濃度を１０14ｃｍ-3未満とすることにより、材料の層内における電子の散乱を減少させるように設けられ、
材料の層は少なくとも第１、第２の表面に対してほぼ垂直な方向に厚みを有し、その厚みが０．２μｍ以下である、ことを特徴とする電子伝導デバイス。
【請求項２】  材料の層が、シリコン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、砒化ガリウム、燐化イリジウム、アンチモンインジウム、砒化インジウム、砒化アルミニウム、テルル化亜鉛、窒化シリコン又は窒化シリコンあるいはそれらの組合せ等の半導体材料によって構成されている請求項１記載の電子伝導デバイス。
【請求項３】  材料の層が、所定の不純物濃度となるようにドーパントを材料の層内にドーピングして製作されている請求項１又は２記載の電子伝導デバイス。
【請求項４】  ドーパントが、リン、リチウム、アンチモニ、砒素、ボロン、アルミニウム、タンタル、ガリウム、インジウム、ビスマス、シリコン、ゲルマニウム、硫黄、スズ、テルル、セレン、カーボン、ベリリウム、マグネシウム、亜鉛、カドミウム又はそれらの組み合わせからなる請求項３記載の電子伝導デバイス。
【請求項５】  第１の表面に第１の電荷を与える手段は少なくとも一部が導電性の第１の材料又は材料系で構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の電子伝導デバイス。
【請求項６】  第２の表面に第２の電荷を与える手段は少なくとも一部が導電性の第２の材料又は材料系で構成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の電子伝導デバイス。
【請求項７】  少なくとも部分的に導電性を有する第１の材料又は材料系は各々が第１、第２の表面を有する層によって構成され、第２の表面は操作上、電荷リザーバの第１の端子に接続され、第１の表面は要素の材料の層の第１の表面に直接に接続されている請求項５記載の電子伝導デバイス。
【請求項８】  少なくとも部分的に導電性を有する第２の材料又は材料系は各々が第１、第２の表面を有する薄層によって構成され、第１の表面は操作上、電荷リザーバの第２の端子に接続され、第２の表面は要素の材料の層の第２の表面に直接に接続されている請求項６記載の電子伝導デバイス。
【請求項９】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金属又は１×１０17ｃｍ-3を越える高レベルでドーピングした高ドーピング半導体材料で構成されている請求項５ないし８のいずれかに記載の電子伝導デバイス。
【請求項１０】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金、クロム、プラチナ、アルミニウム、銅、セシウム、ルビジウム、ストロンチウム、インジウム、プラセオジウム、サマリウム、イッテリウム、フランシウム又はユーロピウムあるいはこれらの組合せから構成されている請求項９記載の電子伝導デバイス。
【請求項１１】  伝導される電子が準弾道電子である請求項１ないし１０のいずれに記載の電子伝導デバイス。
【請求項１２】  材料の層が１０13ｃｍ-3未満又は１０12ｃｍ-3未満の不純物濃度を有する請求項１ないし１１のいずれかに記載の電子伝導デバイス。
【請求項１３】  第２の表面に第２の電荷を与える手段は伝導される電子の少なくとも一部が材料の層によって移動されるように設けられている請求項１ないし１２のいずれかに記載の電子伝導デバイス。
【請求項１４】  第２の表面に第２の電荷を与える手段は伝導される電子の少なくとも一部を移動させる薄フィルムの層によって構成されている請求項１３記載の電子伝導デバイス。
【請求項１５】  電子を伝導する方法であって、その方法が、
第１、第２の表面を有する要素を与える手順であって、第１の表面が第１の電荷を保持するように設けられ、第２の表面が第２の電荷を保持するように設けられ、第１の表面が第２の表面に対して実質的に平行をなし、上記要素が材料又は材料系内における電子散乱を減少するように設けられ、要素少なくとも第１、第２の表面に対してほぼ垂直な方向に厚みを有し、その厚みが０．２μｍ以下であり、材料の層は第１又は第２の表面に垂直な方向に所定の結晶方位を有する単結晶材料を用いることによって材料の層内に電子の弾道移動又は準弾道移動のための軌跡が与えられるように設けられるとともに、材料の層は不純物濃度を１０14ｃｍ-3未満とすることにより材料の層内における電子の散乱を減少させるように設けられているところの上記要素を与える上記手順と、
上記要素の第１の表面に第１の電荷を与える手段を設ける手順と、
上記要素の第２の表面に第２の電荷を与える手段を設ける手順であって、第２の電荷が第１の電荷と異なっていて電子が第１又は第２の表面に対して実質的に垂直な方向に移動するようになした手段を設ける上記手順と、
複数の電子を、第１又は第２の表面に対してほぼ垂直な方向において弾道又は準弾道軌跡に沿って材料の層内を移動させる手順と、
を備えたことを特徴とする電子伝導方法。
【請求項１６】  材料の層が、シリコン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、砒化ガリウム、燐化イリジウム、アンチモンインジウム、砒化インジウム、砒化アルミニウム、テルル化亜鉛、窒化シリコン又は窒化シリコンあるいはそれらの組合せ等の半導体材料によって構成されている請求項１５記載の電子伝導方法。
【請求項１７】  材料の層が、所定の不純物濃度となるようにドーパントを材料の層内にドーピングして製作されている請求項１５又は１６記載の電子伝導方法。
【請求項１８】  ドーパントが、リン、リチウム、アンチモニ、砒素、ボロン、アルミニウム、タンタル、ガリウム、インジウム、ビスマス、シリコン、ゲルマニウム、硫黄、スズ、テルル、セレン、カーボン、ベリリウム、マグネシウム、亜鉛、カドミウム又はそれらの組み合わせからなる請求項１７記載の電子伝導方法。
【請求項１９】  所定のドーピングレベルが１×１０18ｃｍ-3よりも小さい、例えば１×１０16ｃｍ-3よりも小さい、１×１０14ｃｍ-3よりも小さい、１×１０13ｃｍ-3よりも小さい、１×１０12ｃｍ-3よりも小さい請求項１７記載の電子伝導方法。
【請求項２０】  第１の表面に第１の電荷を与える手段は少なくとも一部が導電性の材料又は材料系で構成されている請求項１５ないし１９のいずれかに記載の電子伝導方法。
【請求項２１】  第２の表面に第２の電荷を与える手段は少なくとも一部が導電性の材料又は材料系で構成されている請求項１５ないし１９のいずれかに記載の電子伝導方法。
【請求項２２】  少なくとも部分的に導電性を有する第１の材料又は材料系は第１、第２の表面を有する薄層によって構成され、第２の表面は操作上、電荷リザーバの第１の端子に接続され、第１の表面は要素の材料の層の第１の表面に直接に接続されている請求項２０記載の電子伝導方法。
【請求項２３】  少なくとも部分的に導電性を有する第２の材料又は材料系は第１、第２の表面を有する薄層によって構成され、第１の表面は操作上、電荷リザーバの第２の端子に接続され、第２の表面は要素の材料の層の第２の表面に直接に接続されている請求項２１記載の電子伝導方法。
【請求項２４】  電荷リリザーバの第１、第２の端子間の電位差が２Ｖ以上である請求項２２又は２３記載の電子伝導方法。
【請求項２５】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金属又は１×１０17ｃｍ-3を越える高レベルでドーピングした高ドーピング半導体材料で構成されている請求項２０ないし２３のいずれかに記載の電子伝導方法。
【請求項２６】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金、クロム、プラチナ、アルミニウム、銅、セシウム、ルビジウム、ストロンチウム、インジウム、プラセオジウム、サマリウム、イッテリウム、フランシウム又はユーロピウムあるいはこれらの組合せから構成されている請求項２５記載の電子伝導方法。
【請求項２７】  材料の層が１０13ｃｍ-3未満又は１０12ｃｍ-3未満の不純物濃度を有する請求項１５ないし２６のいずれかに記載の電子伝導方法。
【請求項２８】  電子伝導デバイスを製造する方法であって、その方法が、
第１、第２の表面を有する半導体材料を設ける手順であって、第２の表面が第１の表面に対して実質的に平行をなし、半導体材料の層が少なくとも第１、第２の表面に対してほぼ垂直な方向に厚みを有し、その厚みが０．２μｍ以下であり、半導体材料の層が第１又は第２の表面に垂直な方向に所定の結晶方位を有する単結晶材料を用いることによって材料の層内に電子の弾道移動又は準弾道移動のための軌跡が与えられるように設けられ、半導体材料の層が不純物濃度を１０14ｃｍ-3未満とすることにより材料の層内における電子の散乱を減少させるように設けられているところの上記半導体材料の層を設ける上記手順と、
表面粗さを減少させるように第１、第２の表面を表面処理する手順と、
少なくとも一部に導電性を有する第１の材料又は材料系を設ける手順であって、上記第１の材料又は材料系が第１、第２の表面を有する層を形成し、第２の表面が操作上は電荷リザーバの第１の端子に接続され、第１の表面が要素の材料の層の第１の表面に直接的に接続されるところの上記材料又は材料系を設ける上記手順と、
少なくとも一部に導電性を有する第２の材料又は材料系を設ける手順であって、上記第２の材料又は材料系が第１、第２の表面を有する層を形成し、第１の表面が操作上は電荷リザーバの第２の端子に接続され、第２の表面が要素の材料の層の第２の表面に直接的に接続されるところの上記材料又は材料系を設ける上記手順と、を備えたことを特徴とする電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項２９】  半導体材料がシリコン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、砒化ガリウム、燐化イリジウム、アンチモンインジウム、砒化インジウム、砒化アルミニウム、テルル化亜鉛、窒化シリコン又は窒化シリコンあるいはそれらの組合せによって構成されている請求項２８記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３０】  所定の結晶方位は＜１１１＞、＜１１０＞又は＜１００＞方位である請求項２８又は２９記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３１】  表面処理が光学的研磨である請求項２８ないし３０のいずれかに記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３２】  所定の不純物濃度となるようにドーパントを材料の層内にドーピングする手順を更に含む請求項２８ないし３１の何れかに記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３３】  ドーパントが、燐、リチウム、アンチモン、砒素、硼素、アルミニウム、タンタル、ガリウム、インジウム、ビスマス、シリコン、ゲルマニウム、硫黄、スズ、テルル、セレン、カーボン、ベリリウム、マグネシウム、亜鉛、及びカドミウムの群から選ばれる１又は複数から構成されている請求項３２記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３４】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金属又は１×１０17ｃｍ-3を越える高レベルでドーピングした高ドーピング半導体材料で構成されている請求項２８ないし３３のいずれかに記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３５】  少なくとも部分的に導電性を有する第１、第２の材料又は材料系は金、クロム、プラチナ、アルミニウム、銅又はこれらの組合せから構成されている請求項３４記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３６】  材料の層が１０13ｃｍ-3未満又は１０12ｃｍ-3未満の不純物濃度を有する請求項２８ないし３５のいずれかに記載の電子伝導デバイスの製造方法。
【請求項３７】  請求項１３又は１４に記載の電子エミッタを含むパネルディスプレイであって、パネルディスプレイが
電子に露光されると複数の波長の光を放射するように設けられた光放射層であって、上記光放射層が要素の第１、第２の表面に対して実質的に平行をなす平面において１又は複数の表面要素を有する２次元マトリックスを定義し、各表面要素が所定の波長の光を放射するように設けられているところの上記光放射層と、
２次元マトリックス内の１又は複数の表面要素に電子を選択的に与える手段と、を備えたことを特徴とするパネルディスプレイ。
【請求項３８】  複数の波長を放射する光放射層は適切な発光体又は規格のカラーテレビジョンの蛍光体で構成されている請求項３７記載のパネルディプレイ。
【請求項３９】  放射される光が少なくとも３色に対応する少なくとも３つの波長で構成される請求項３７又は３８記載の平面ディスプレイ。
【請求項４０】  いずれの色彩も層から放射された少なくとも３色を組み合わせから演繹される請求項３９記載の平面ディスプレイ。
【請求項４１】  放射光の波長は赤色、黄色、青色又は赤色、緑色、青色に相当する請求項３７ないし４０のいずれかに記載の平面ディスプレイ。
【請求項４２】  電子が準弾道電子である請求項３７ないし４１のいずれかに記載の平面ディスプレイ。
【請求項４３】  選択的手段は第１、第２の表面に対して実質的に平行をなす平面において２次元マトリックスの制御可能なマトリックス要素を定義するようなパターンで構成され、上記パターンは少なくとも一部が導電性を有する材料又は材料系によって構成される請求項３７ないし４２のいずれかに記載の平面ディスプレイ。
【請求項４４】  フィルムを複数の電子に曝す方法であって、その方法が、
請求項１３又は１４に記載の電子エミッタを設ける手順と、
第２の要素が電子エミッタによって放射された電子に曝されるべきフィルムを保持するように設けられるところの上記第２の要素を設ける手順と、
パターン化された吸込み層を第１、第２の要素の間に設ける手順であって、上記吸込み層がパターンによって決まる位置において電子エミッタによって放射された電子を吸込みするように設けられたところ上記吸込み層を設ける上記手順と、
電子エミッタの材料の層の第２の表面に第２の電荷を与える手順であって、第２の電荷は電子が第１の表面から第２の表面に向けて移動するように第１の電荷と比較して逆の極性であるところの上記第２の電荷を与える上記手順と、
パターン化された吸込み層によって吸い込まれように、電子エミッタによって放射された少なくとも幾つかの電子に第２の要素のフィルムを曝す手順と、
を備えたことを特徴とするフィルムの露光方法。
【請求項４５】  第１の電荷が電荷リザーバの第１の端子から電子エミッタの材料の層の第１の表面に与えられる請求項４４記載のフィルムの露光方法。
【請求項４６】  第２の電荷が電荷リザーバの第２の端子から電子エミッタの材料の層の第２の表面に与えられる請求項４４記載のフィルムの露光方法。
【請求項４７】  電荷リザーバの第１、第２の端子間に電位差が２Ｖ以上である請求項４５又は４６に記載のフィルムの露光方法。
【請求項４８】  第２の要素は金属又はシリコン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、砒化ガリウム、燐化イリジウム、アンチモンインジウム、砒化インジウム、砒化アルミニウム、テルル化亜鉛、窒化シリコン又は窒化シリコンあるいはそれらの組合せ等の半導体材料から構成される請求項４４ないし４７のいずれかに記載のフィルムの露光方法。
【請求項４９】  フィルムがレジストからなる請求項４４ないし４８のいずれかに記載のフィルムの露光方法。
【請求項５０】  電子エミッタによって放射された電子が、電子エミッタの材料の層内で準弾道挙動を示す電子である請求項４４ないし４９のいずれかに記載のフィルムの露光方法。