(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性が良好で表面実装が容易な高周波半導体装置及び電子機器を提供する。【解決手段】高周波半導体装置５は、入力リード部１０と、出力リード部２０と、高周波半導体素子３０と、接地リード部４０と、封止樹脂層６０とを有する。接地リード部は、第１および第２領域４２−４５と、ダイパッド部４６と、を有する。封止樹脂層は、入力インナーリード部１１と出力インナーリード部２１と高周波半導体素子とマウント面４６ａとを覆う。第１の面７０は、ダイパッド部の露出面と封止樹脂層の表面とを含む。第２の面７２は、入力インナーリード部の表面と、出力インナーリード部の表面と、第１領域のインナーリード部の平坦部と、第２領域のインナーリード部の平坦部とを含む。第３の面７４は、入力アウターリード部１２の平坦部と出力アウターリード部２２の平坦部と、第１領域のアウターリード部の平坦部と、第２領域のアウターリード部の平坦部とを含む。【選択図】図１
2017208377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力インナーリード部と入力アウターリード部とを有し、第１の直線に沿って延在する入力リード部と、
出力インナーリード部と出力アウターリード部とを有し、前記第１の直線に沿って延在する出力リード部と、
前記入力インナーリード部および前記出力インナーリード部にそれぞれ接続された高周波半導体素子と、
前記入力リード部に平行な第１領域と、前記出力リード部に平行な第２領域と、前記高周波半導体素子が接合されるマウント面を有するダイパッド部と、を有し、前記高周波半導体素子の接地電極に電気的に接続される接地リード部であって、前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って延在する、接地リード部と、
前記入力インナーリード部と、前記出力インナーリード部と、前記高周波半導体素子と、前記ダイパッド部のうちの前記マウント面の側と、を覆う封止樹脂層であって、前記入力アウターリード部と前記出力アウターリード部とは互いに反対の方向に突出し、前記接地リードの前記第１領域と前記第２領域とは互いに反対方向に突出した、封止樹脂層と、
を備え、
第１の面は、前記マウント面とは反対の側となる前記ダイパッド部の露出面と、前記露出面の周囲に設けられた前記封止樹脂層の表面と、を含み、
第２の面は、前記第１の面から後退した入力インナーリード部の表面と、前記第１の面から後退した出力インナーリード部の表面と、前記第１の面から後退した前記第１領域のインナーリード部の平坦部の表面と、前記第１の面から後退した前記第２領域のインナーリード部の平坦部の表面と、を含み、
第３の面は、前記封止樹脂層の外部において、前記第２の面から前記第１の面とは反対の側に向かって折り曲げられた前記入力アウターリード部の平坦部の表面と、前記第２の面から前記第１の面とは反対の側に向かって折り曲げられた出力アウターリード部の平坦部の表面と、前記第１領域のアウターリード部の平坦部の表面と、前記第２領域のアウターリード部の平坦部の表面と、を含み、実装基板への取り付け面とされる、高周波半導体装置。
【請求項２】
前記接地リード部の前記第１領域および前記第２領域は、前記第１の直線に関して、対称に設けられた２つをそれぞれ含む請求項１記載の高周波半導体装置。
【請求項３】
前記高周波半導体素子は、電界効果トランジスタである請求項１または２に記載の高周波半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂層に覆われたバイアスインナーリード部と、前記封止樹脂層から突出したバイアスアウターリード部とを有し、前記第１の直線に平行に延在するバイアスリード部をさらに備え、
前記高周波半導体素子は、電界効果トランジスタを含むマイクロ波集積回路であり、
前記バイアスインナーリード部は前記電界効果トランジスタに接続され、
前記第２の面は、前記第１の面から後退した前記バイアスインナーリード部の平坦部の表面をさらに含み、
前記第３の面は、前記第２の面から前記第１の面とは反対の側に向かって折り曲げられた前記バイアスアウターリード部の平坦部の表面をさらに含む、請求項１または２に記載の高周波半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の高周波半導体装置と、
前記高周波半導体装置が取り付けられた実装基板と、
前記高周波半導体装置の前記ダイパッド部の前記露出面に接合された放熱板と、
を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、高周波半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上に高周波半導体装置を表面実装すると、電子機器を小型化するとともに量産性を高めることができる。
【０００３】
この場合、リードが設けられた面から実装基板を経由して放熱すると、半導体装置とヒートシンク間の熱抵抗が高くなる。このため、高出力化にとって不利となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８２３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
放熱性が良好で表面実装が容易な高周波半導体装置およびこれを用いた電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の高周波半導体装置は、入力リード部と、出力リード部と、高周波半導体素子と、接地リード部と、封止樹脂層と、を有する。前記入力リード部は、入力インナーリード部と入力アウターリード部とを有し、第１の直線に沿って延在する。前記出力リード部は、出力インナーリード部と出力アウターリード部とを有し、前記第１の直線に沿って延在する。前記高周波半導体素子は、前記入力インナーリード部および前記出力インナーリード部にそれぞれ接続される。前記接地リード部は、前記入力リード部に平行な第１領域と、前記出力リード部に平行な第２領域と、前記高周波半導体素子が接合されるマウント面を有するダイパッド部と、を有し、前記高周波半導体素子の接地電極に電気的に接続される接地リード部であって、前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１の直線に平行な第２の直線に沿って延在する。前記封止樹脂層は、前記入力インナーリード部と、前記出力インナーリード部と、前記高周波半導体素子と、前記ダイパッド部のうちの前記マウント面の側と、を覆う封止樹脂層であって、前記入力アウターリード部と前記出力アウターリード部とは互いに反対の方向に突出し、前記接地リードの前記第１領域と前記第２領域とは互いに反対方向に突出する。実施形態の高周波半導体装置は３層からなり、１層目の第１の面は、前記マウント面とは反対の側となる前記ダイパッド部の露出面と、前記露出面の周囲に設けられた前記封止樹脂層の表面と、を含む。すなわち、前記ダイパッド部の前記マウント面とは反対の側となる面は前記封止樹脂層の表面から露出している。２層目の第２の面は、前記第１の面から後退した入力インナーリード部の表面と、前記第１の面から後退した出力インナーリード部の表面と、前記第１の面から後退した前記第１領域のインナーリード部の平坦部の表面と、前記第１の面から後退した前記第２領域のインナーリード部の平坦部の表面と、を含む。３層目の第３の面は、前記封止樹脂層の外部において、前記第２の面から前記第１の面とは反対の側に向かって折り曲げられた前記入力アウターリード部の平坦部の表面と、前記第２の面から前記第１の面とは反対の側に向かって折り曲げられた出力アウターリード部の平坦部の表面と、前記第１領域のアウターリード部の平坦部の表面と、前記第２領域のアウターリード部の平坦部の表面と、を含み、実装基板への取り付け面とされる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、図１（ｄ）は模式側面図、である。
【図２】図２（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置に用いるリードフレームの模式平面図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
【図３】図３は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置の製造工程を説明する模式図であり、図３（ａ）はリードフレームの模式断面図、図３（ｂ）は高周波半導体素子をダイパッド部に接合した後の模式断面図、図３（ｃ）は高周波半導体素子電極とリード部とをワイヤボンディングした後の模式断面図、図３（ｄ）は樹脂モールド後の模式断面図、図３（ｅ）はリード曲げ加工を行った後の模式断面図、である。
【図４】図４（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置が搭載された電子機器の模式断面図、図４（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式平面図、である。
【図５】図５（ａ）は比較例にかかる高周波半導体装置が搭載された電子機器の模式断面図、図５（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、図１（ｄ）は模式側面図、である。
高周波半導体装置５は、入力リード部１０と、出力リード部２０と、高周波半導体素子３０と、接地リード部４０と、封止樹脂層６０と、を有する。
【０００９】
入力リード部１０は、入力インナーリード部１１と入力アウターリード部１２とを有し、第１の直線９０に沿って延在する。
【００１０】
出力リード部２０は、出力インナーリード部２１と出力アウターリード部２２とを有し、第１の直線９０に沿って延在する。
【００１１】
高周波半導体素子３０は、ボンディングワイヤＢＷ１、ＢＷ２を介して、入力インナーリード部１１および出力インナーリード部２１にそれぞれ接続される。
【００１２】
接地リード部４０は、入力リード部１０に平行な第１領域４２と、出力リード部２０に平行な第２領域４４と、高周波半導体素子３０が接合されるマウント面４６ａを有するダイパッド部４６と、を有し、高周波半導体素子３０の接地電極に接続される。第１領域４２と第２領域４４とは、第１の直線９０に平行な第２の直線９１に沿って互いに反対方向に向かって延在する。なお、平面視において、第１領域４２の幅および第２領域４４の幅を、入力リード部１０の幅および出力リード２０の幅よりも広くすることにより、接地インダクタンスが低減される。このため、周波数帯域をマイクロ波まで広げることができる。
【００１３】
封止樹脂層６０は、入力インナーリード部１１と、出力インナーリード部２１と、高周波半導体素子３０と、ダイパッド部４６のうちのマウント面４６ａの側と、を覆う。入力アウターリード部１２と、出力アウターリード部２２と、は互いに反対の方向に封止樹脂層６０から外側に向かって突出する。接地リード部４０の第１領域４２と第２領域４４とは互いに反対方向に突出する。
【００１４】
高周波半導体装置５の第１層は高周波半導体素子３０が接合されるマウント面４６ａと封止樹脂層の表面から露出しヒートシンクに放熱する露出面４６ｂとを有する。高周波半導体装置５の第１の面７０は、マウント面４６ａとは反対の側となるダイパッド部４６の露出面４６ｂと、露出面４６ｂの周囲に設けられた封止樹脂層６０の表面と、を含む。
【００１５】
高周波半導体装置５の第２層は第１の面７０から後退しかつ入力リード部１０のうち封止樹脂層６０に埋め込まれた入力インナーリード部１１と、第１の面７０から後退しかつ出力リード部２０のうち封止樹脂層６０に埋め込まれた出力インナーリード部２１と、第１の面７０から後退しかつ第１領域４２の接地インナーリード部４２ａ、４２ｂ、第２領域４４の接地インナーリード部４４ａ、４４ｂを有する。高周波半導体装置５の第２の面７２は、第１の面７０から後退しかつ入力リード部１０のうち封止樹脂層６０に埋め込まれた入力インナーリード部１１の表面と、第１の面７０から後退しかつ出力リード部２０のうち封止樹脂層６０に埋め込まれた出力インナーリード部２０の表面と、第１の面７０から後退しかつ第１領域４２の接地インナーリード部４２ａ、４２ｂの表面と、第２領域４４の接地インナーリード部４４ａ、４４ｂの表面と、を含む。
【００１６】
高周波半導体装置５の第３層は高周波半導体装置５の封止樹脂層６０の外部において、第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた入力アウターリード部１２と、第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた出力アウターリード部２２と、第１領域４２の接地アウターリード部４２ｃ、４２ｄと、第２領域４４の接地アウターリード部４４ｃ、４４ｄを有する。第３の面７４は、封止樹脂層６０の外部において、第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた入力アウターリード部１２の表面と、第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた出力アウターリード部２２の表面と、第１領域４２の接地アウターリード部４２ｃ、４２ｄと、第２領域４４の接地アウターリード部４４ｃ、４４ｄの表面と、を含み、実装基板への取り付け面とされる。
【００１７】
入力アウターリード部１２、出力アウターリード部２２、接地リード部４０の第１領域４２、接地リード部４０の第２領域４４は、第３の面７４において実装基板に半田材などを用いて表面実装が可能である。他方、第１の面７０はダイパッド部４６の露出面４６ｂを含むので、放熱板に接合できる。すなわち、第１の実施形態にかかる高周波半導体装置５は、第２の面７２に関して、実装基板を介することなく放熱板を経由して発生熱を外部に排出できる。
【００１８】
また、接地リード部４０は、第１の直線９０に関して、第１領域４２に対称に設けられた第１領域４３、および第２領域４４に対称に設けられた第２領域４５をさらに有することができる。
【００１９】
また、高周波半導体装置５は、第１の直線９０に対して平行に設けられ、インナーリード部とアウターリード部とを有するバイアスリード部５０、５１、５２、５３をさらに有することができる。バイアスインナーリード部の平坦部５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａの一方の端部は、電界効果トランジスタなどの高周波半導体素子３０の電極に接続され電圧または電流をする。バイアスアウターリード部の平坦部５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂは、封止樹脂層６０から外部に向かって突出する。
【００２０】
たとえば、高周波半導体素子３０がＨＥＭＴ（High  Electron  Mobility  Transistor）などの能動素子、キャパシタ、インダクタンス、マイクロストリップ線路などを含むＭＭＩＣ（Microwave  Monolithic  Integrated  Circuit）であるものとする。ＭＭＩＣは、入力電極３０ａ、出力電極３０ｂ、バイアス印加用電極３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ、接地電極３０ｇなどを有することができる。
【００２１】
接地電極３０ｇは、接地リード部４０にボンディングワイヤＢＷ３などを介して接続される。なお、ＭＭＩＣ（または電界効果トランジスタなど）の裏面にバイアホール（図示せず）などを介して接地電極を設けると、ボンディングワイヤＢＷ３を設けなくともよい。なお、バイアスリード部の数は４つに限定されず、ＭＭＩＣの構成により選択すればよい。
【００２２】
図２（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置に用いるリードフレームの模式平面図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
リードフレーム８０には、図２（ａ）に表される領域が、たとえば、数十個配列されている。１つの領域は、入力リード部１０、出力リード部２０、および接地リード部４０を少なくとも有する。本図において、接地リード部４０は、第１領域４２、４３と、第２領域４４、４５と、ダイパッド部４６と、を有する。
【００２３】
なお、リードフレームの素材となる金属薄板からリード部の不要部分が切り取られて、開口部８０ａが形成される。リードフレームの素材は、銅や銅合金などとすることができる。また、その厚さは、０．２〜０．５ｍｍなどとすることができる。
【００２４】
図２（ｂ）に表すように、入力リード部１０および出力リード部２０は、ダイパッド部４６よりも後退した面とされる。また、図２（ｃ）に表すように、リードフレーム状態において、接地リード部４０の第１領域４３は、折り曲げ部４３ａおよび平坦部４３ｂを有し、接地リード部４０の第２領域４５は、折り曲げ部４５ａおよび平坦部４５ｂを有する。
【００２５】
入力リード部１０の表面、出力リード部２０の表面、接地リード部４０の第１領域４３の平坦部４３ｂの表面、および接地リード部４０の第２領域４５の平坦部４５ｂの表面は、第２の面７２を構成する。
【００２６】
図３は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置の製造工程を説明する模式図である。すなわち、図３（ａ）はリードフレームの模式断面図、図３（ｂ）は高周波半導体素子をダイパッド部に接合した後の模式断面図、図３（ｃ）は高周波半導体素子の電極とリードとをワイヤボンディングした後の模式断面図、図３（ｄ）は樹脂モールド後の模式断面図、図３（ｅ）はリード曲げ加工を行った後の模式断面図、である。
【００２７】
図３（ａ）〜（ｃ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面を表す。リードフレーム８０の表面に金メッキや銀メッキを行うと、チップマウントやワイヤボンディングが容易となる（図３（ａ））。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に表すように、ＨＥＭＴやＭＭＩＣなどの高周波半導体素子３０をダイパッド部４６のマウント面４６ａに、ＡｕＳｎ半田材（融点：約２８２℃）などを用いて接合する。高周波半導体素子３０には、たとえば、入力電極３０ａや出力電極３０ｂが設けられている。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に表すように、高周波半導体素子３０の入力電極３０ａと、入力リード部１０と、をボンディングワイヤＢＷ１で接続する。さらに、高周波半導体素子３０の出力電極３０ｂと、出力リード部２０と、をボンディングワイヤＢＷ２で接続する。
【００３０】
次に、図３（ｄ）に表すように、リードフレームを金型に挿入し熱硬化性のエポキシ樹脂などを用いて成型し熱硬化する。なお、図３（ｄ）、（ｅ）は、リードフレーム８０の上下を反転して表されている。ダイパッド部４６の露出面４６ｂが、封止樹脂層６０から露出するように樹脂が成型される。ダイパッド部４６の露出面４６ｂを、高周波半導体装置５の第１の面７０とする。露出面４６ｂを囲む封止樹脂層６０の表面を第１の面７０と共通にすると、放熱板の取り付けが容易となる。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に表すように、入力リード部１０と、出力リード部２０と、接地リード部４０のそれぞれのアウターリード部を折り曲げて第３の面７４を形成する。第３の面７４は、第２の面７２から第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた入力アウターリード部１２の平坦部１２ｂの表面と、第２の面７２から第１の面７０とは反対の側に向かって折り曲げられた出力アウターリード部２２の平坦部２２ｂの表面と、第１領域４２のアウターリード部の平坦部４２ｄの表面と、第２領域４４のアウターリード部の平坦部４４ｄの表面と、を含む。このようにすると、第３の面７４を実装基板へ表面実装可能な取り付け面とすることができる。
【００３２】
図４（ａ）は第１の実施形態にかかる高周波半導体装置が搭載された電子機器の模式断面図、図４（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式平面図、である。
図４（ａ）は、Ｂ−Ｂ線に沿った模式断面図である（但し、放熱板９９を除く）。本実施形態の電子機器は、第１の実施形態の高周波半導体装置５と、高周波半導体装置５が取り付けられた実装基板１００と、高周波半導体装置５のダイパッド部４６の露出面４６ｂと接合された放熱板９９と、を有する。
【００３３】
図４（ｂ）に表すように、実装基板１００は、誘電体層１０２と、入力導電層１０４、出力導電層１０６と、上面接地導電層１０８、下面接地導電層１１０と、を有する。また、実装基板１００は、誘電体層１０２に設けられたスルーホール１０２ａ内に充填され、上面接地導電層１０８および下面接地導電層１１０にそれぞれ接続された金属層１０５（図４（ｂ）では４つの領域を含む）をさらに有してもよい。
【００３４】
ダイパッド部４６に接続された第１領域４２のアウターリード部の平坦部４２ｄ、４３ｄは、実装基板１００の上面接地導電層１０８に半田材１０９などで接合され、さらに金属層１０５を介して下面接地導電層１１０に接続される。また、ダイパッド部４６に接続された第２領域４４のアウターリード部の平坦部４４ｄ、４５ｄは、実装基板１００の上面接地導電層１０８に半田材１０９などで接合され、さらに金属層１０５を介して下面接地導電層１１０に接続される。このため、ダイパッド部４６は、電子機器の接地電位となる。
【００３５】
すなわち、高周波半導体装置５の接地リード部４０と、電子機器の接地面となる実装基板１００の下面接地導電層１１０と、の間の距離を短縮できる。また、実装基板１００にはマイクロストリップ線路を含む整合回路などを設けることができる。このため、高周波半導体装置５の接地インダクタンスが十分に低減され、マイクロ波特性の低下が抑制可能である。入力アウターリード部１２の平坦部１２ｂは、実装基板１００の入力導電層１０４に接続され、出力アウターリード部２２の平坦部２２ｂは、実装基板１００の出力導電層１０６に接続される。
【００３６】
他方、第１の面７０を構成するダイパッド部４６の露出面４６ｂには放熱板９９が接続可能であるので発生熱ＨＦが効率よく外部に排出される。
【００３７】
図５（ａ）は比較例にかかる高周波半導体装置が搭載された電子機器の模式断面図、図５（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。
比較例の電子機器は、高周波半導体装置２０５と、高周波半導体装置２０５が取り付けられた実装基板２００と、高周波半導体装置２０５のダイパッド部２４６の露出面２４６ｂと接合された放熱板２９９と、を有する。
【００３８】
高周波半導体装置２０５は、入力リード部２１９と、出力リード部２２１と、高周波半導体素子１３０と、ダイパッド部２４６と、封止樹脂層２６０と、を有する。ダイパッド部２４６の封止樹脂層２６０からの露出面２４６ｂは、実装基板２００の側とされる。ダイパッド部２４６の露出面２４６ｂ、入力リード部２１９、出力リード部２２１、およびバイアスリード部２５０、２５１、２５２、２５３が半田材２２０により実装基板２００に接合される。
【００３９】
実装基板２００は、誘電体層２０２と、入力導電層２０４と、出力導電層２０６と、ダイパッド接続導電層２０７、下面接地導電層２１０と、誘電体層２０２のスルーホール内に充填されダイパッド接続導電層２０７および下面接地導電層２１０にそれぞれ接続された金属層２１４と、を有する。
【００４０】
ダイパッド部２４６は、金属層２１４を介して、実装基板２００の下面接地導電層（電子機器の接地面とされる）２１０に接続可能なので接地リード部が設けられない。
【００４１】
高周波半導体素子１３０における発生熱ＨＦは、実装基板２００の金属層２１４を通り、放熱板２９９から外部に排出される。しかし、誘電体層２０２に設けられるスルーホールのサイズには上限があり、金属層２１４をダイパッド部２４６のサイズよりも大きくすることは困難である。このため、放熱性は、第１の実施形態の高周波半導体装置が搭載された電子機器よりも劣る。
【００４２】
これに対して、本実施形態の電子機器では、封止樹脂層６０から露出するダイパッド部４６の露出面４６ｂは、実装基板１００への取り付け面とされる封止樹脂層６０の反対の側とされる。また、接地リード部４０は２つの段差を有する第１領域４２および第２領域４４を有するので、ダイパッド部４６と実装基板１００の下面接地導電層１１０との間の距離を短縮し接地インダクタンスを低減できる。
【００４３】
本実施形態によれば、放熱性が良好で表面実装が容易な高周波半導体装置が提供される。高周波半導体装置は樹脂成型構造であり、量産性に富む。このため、電子機器の価格低減が可能である。これらの高周波半導体装置は、たとえば、携帯電子機器や携帯電話基地局などに広く用いることができる。
【００４４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
５  高周波半導体装置、１０  入力リード部、１１  入力インナーリード部、１２  入力アウターリード部、２０  出力リード部、２１  出力インナーリード部、２２  出力アウターリード部、３０  高周波半導体素子、３０ｇ  接地電極、４０  接地リード部、４２、４３  第１領域、４４、４５  第２領域、４２ｂ、４３ｂ  インナーリード部の平坦部、４２ｄ、４３ｄ  ４４ｄ、４５ｄ  アウターリード部の平坦部、４３ｂ、４５ｂ  インナーリード部の平坦部、４６  ダイパッド部、４６ａ  マウント面、４６ｂ  露出面、５０、５１、５２、５３  バイアスリード部、５０ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ  バイアスインナーリードの平坦部、５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５２ｄ  バイアスアウターリード部の平坦部、６０  封止樹脂層、７０  第１の面、７２  第２の面、７４  第３の面、９０  第１の直線、９１  第２の直線、９９  放熱板、１００  実装基板
【図１】
2017208377.tif 000003
【図２】
2017208377.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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