【事件の表示】
　特願２００６−２７７９７８「集積インダクター」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年４月２６日出願公開、特開２００７−１１０１２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月１１日（優先権主張　２００５年１０月１２日、台湾）の特許出願であって、平成２１年４月１６日付けの拒絶理由通知に対して同年６月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年１月６日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年５月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年９月１６日付けで審尋がなされ、同年１２月２８日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年５月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年５月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
集積回路の中に形成されるインダクターであって、
金属層パターンと、
再配置層に形成され、金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、
金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含むことを特徴とするインダクター。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクターであって、
金属層パターンと、
導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、
前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含むことを特徴とするインダクター。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項３、５、７、８、１０〜２０、２２及び２５を削除するとともに、それに伴って請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「集積回路の中に形成されるインダクターであって、」を、「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクターであって、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「再配置層に形成され、金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」を、「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１の「金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含む」を、「前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含む」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項２の「前記金属層パターンと再配置層パターンはコイルパターンであり、両者が実質的に重なり合っている」を、「前記金属層パターンと前記再配置層パターンはコイルパターンであり、前記金属層パターンと前記再配置層パターンが実質的に重なり合っている」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項４の「前記ビア層パターンはコイルパターンであり、ビア層パターンは金属層パターン及び再配置パターンと実質的に重なり合っている」を、「前記ビア層パターンはコイルパターンであり、前記ビア層パターンは前記金属層パターン及び前記再配置パターンと実質的に重なり合っている」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項５の従属請求項であった補正前の請求項６を、補正後の請求項１の従属請求項に変更するとともに、「前記金属層パターンは銅を材料とすることと、前記再配置層パターンとビア層パターンはアルミニウムを材料とすることを特徴とする請求項１記載のインダクター。」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（８）補正事項８
　補正前の請求項９の「請求項９記載のインダクター」を、「請求項１記載のインダクター」と補正して、補正後の請求項５とすること。
　
（９）補正事項９
　「前記金属層パターンは最上部金属層であることを特徴とする請求項１記載のインダクター。」という補正後の請求項６を追加すること。
　
（１０）補正事項１０
　補正前の請求項２１の「集積回路の中に形成されるインダクターであって、」を、「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクターであって、」と補正して、補正後の請求項７とすること。
　
（１１）補正事項１１
　補正前の請求項２１の「再配置層に形成され、金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」を、「導電の媒介としてボンドパッドの上に形成する再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」と補正して、補正後の請求項７とすること。
　
（１２）補正事項１２
　補正前の請求項２１の「金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続される接続層パターンとを含む」を、「前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続される接続層パターンとを含む」と補正して、補正後の請求項７とすること。
　
（１３）補正事項１３
　補正前の請求項２３の「集積回路の中に形成される非ボンドパッドであるレイアウトパターンであって、」を、「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成される非ボンドパッドであるレイアウトパターンであって、」と補正して、補正後の請求項８とすること。
　
（１４）補正事項１４
　補正前の請求項２３の「再配置層に形成され、金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」を、「導電の媒介としてボンドパッドの上に形成する再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、」と補正して、補正後の請求項８とすること。
　
（１５）補正事項１５
　補正前の請求項２３の「金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続される接続層パターンとを含む」を、「前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続される接続層パターンとを含む」と補正して、補正後の請求項８とすること。
　
（１６）補正事項１６
　補正前の請求項２４の「前記金属層パターンは第一コイルパターンであり、前記再配置層パターンは第二コイルパターンであり、前記第一コイルパターンと前記第二コイルパターンが実質的に重なり合っていることを特徴とする請求項２３記載の非ボンドパッドであるレイアウトパターン。」を、「前記金属層パターンと前記再配置層パターンはコイルパターンであり、前記金属層パターンと前記再配置層パターンが実質的に重なり合っていることを特徴とする請求項８記載の非ボンドパッドであるレイアウトパターン」と補正して、補正後の請求項９とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２及び３について
　補正事項２及び３は関連するものであるから、まとめて検討する。
　補正事項２及び３により補正された事項は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した図面を「当初図面」といい、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の００１１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２及び３は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２及び３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２及び３は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「再配置層パターン」について、「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項１の記載について、内容を変えることなく、より明瞭な記載とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）補正事項５について
　補正事項５は、補正前の請求項２の記載について、内容を変えることなく、より明瞭な記載とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項５が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（５）補正事項６について
　補正事項６は、補正前の請求項４の記載について、内容を変えることなく、より明瞭な記載とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項６は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項６が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（６）補正事項７について
　補正事項７は、補正前の請求項５の従属請求項であった補正前の請求項６を、補正後の請求項１の従属請求項と変更するものであって、形式的な変更にすぎないものであるから、実質的な補正ではない。
　
（７）補正事項８について
　補正事項８は、明らかな誤記（自請求項を引用している）であった補正前の請求項９の記載を正しく修正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項８は、特許第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項８が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（８）補正事項９について
　補正事項９により補正された部分は、当初明細書の０００９段落〜００１１段落に記載されているものと認められるから、補正事項９は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項９は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　しかしながら、補正事項９により追加された補正後の請求項６は、補正前の対応する請求項が存在しないから、補正事項９は、請求項を追加するものであって、特許第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項９は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
　なお、これに関連して、審判請求人は審判請求書の「【請求の理由】」の「２）［２］理由１、２について　（ａ）特許請求の範囲および明細書の補正について」において、「旧請求項２を補正請求項６に補正し、」と主張している
　しかしながら、補正前の請求項２（旧請求項２）は、「前記金属層パターンと再配置層パターンはコイルパターンであり、両者が実質的に重なり合っていることを特徴とする請求項１記載のインダクター。」であって、補正後の請求項６（補正請求項６）の「前記金属層パターンは最上部金属層であることを特徴とする請求項１記載のインダクター。」と無関係であり、補正前の請求項２が補正後の請求項６と対応していないことは明らかであるから、審判請求人の主張は採用できない。
　さらにいえば、仮に審判請求人の主張を採用した場合には、補正後の請求項２に対応する補正前の請求項が存在しないこととなるから、補正事項５が特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないこととなる。
　
（９）補正事項１０及び１１について
　補正事項１０及び１１は、補正事項２及び３と同様の理由で、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（１０）補正事項１２について
　補正事項１２は、補正事項４と同様の理由で、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（１１）補正事項１３及び１４について
　補正事項１３及び１４は、補正事項２及び３と同様の理由で、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（１２）補正事項１５について
　補正事項１５は、補正事項４と同様の理由で、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（１３）補正事項１６について
　補正事項１６は、補正前の請求項２４の記載について、内容を変えることなく、より明瞭な記載とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１６は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１６が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（１４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　しかしながら、本件補正は、補正事項９という特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない補正を含むものであるから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
４．独立特許要件について
（１）はじめに
　上記３．において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　しかしながら、仮に、本件補正が当該要件を満たすものであった場合において、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについても、一応検討する。
　
（２）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜９係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　「【請求項１】
ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクターであって、
金属層パターンと、
導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターンと、
前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含むことを特徴とするインダクター。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
（３−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００５−２１０１２１号公報（「以下「引用例」という。）には、図１〜２０及び３４〜３９と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
ａ．「【０００１】
　
本発明は、一般的に、ボンディング・パッド（bond pad）と共に高性能銅（Ｃｕ）インダクタを集積化することに関し、より詳細には、グローバル（global）相互接続および、Ａｌボンディング・パッドかＣｕボンディング・パッドかのどちらかと共に高性能銅インダクタを集積化することに関する。
さらに、積層（laminate）インダクタを形成するように隣り合う配線層またはレベル（level；これ以降で層とよぶ）を重ね合わせて、インダクタを製造することができ、金属層はバー・ビア（barvia）によって相互接続される
【背景技術】
【０００２】
　銅インダクタは、ＲＦ（無線周波数）集積回路でますます盛んに使用されるようになっている。
Ｃｕインダクタの性能は、Ｃｕの厚さを最大にすることで最高になる。
　
ｂ．「【０００９】
　図１は、スパイラルＣｕインダクタ１０に関する本発明の第１の実施例の平面図を示し、このスパイラルＣｕインダクタ１０は、Ａｌ（アルミニウム）ボンディング・パッド１２、スパイラルＣｕインダクタの外側端部に結合されたＣｕ線端子１４、およびスパイラルＣｕインダクタの内側端部に結合されたＣｕ線端子１６を有する。
【００１０】
　図１の実施例は、ボンディング・パッドと高性能銅インダクタの集積化を実現し、この実施例では、高い最終金属層の銅インダクタがＡｌボンディング・パッドと共に集積化される。さらに、この高い銅インダクタは、最終金属層と最終金属層より１つ上層での（last metal + 1）隣り合った配線層を重ね合わせて接続することによって形成することができ、各金属層は金属インダクタと同じ形を有するバー・ビアで相互接続されている。
【００１１】
　図２〜９は、図１に示すようなＡｌボンディング・パッドを有するスパイラルＣｕインダクタに関する本発明の第１の実施例を形成する一連のステップａ〜ｈを示す。
【００１２】
　
図２（ステップａ：最終金属Ｃｕの形成）は、誘電体ＦＳＧ（fluorosilicate glass：フッ化ケイ酸塩ガラス）の堆積、トレンチ１８の形成、ＴａＮまたはＴｉＮであり得るライナ（liner）２０の堆積、Ｃｕの堆積、およびＣＭＰ（化学機械的研磨）の従来処理ステップを使用して、ＦＳＧ誘電体中に最終金属層のダマシンＣｕ相互接続を形成した後の構造を示す。「最終金属層」は、ボンディング・パッド層の下の最終金属層として従来から知られており、この用語は本明細書で維持される
【００１３】
　図３（ステップｂ：ＳｉＮ／ＳｉＯ２／ＳｉＮパッシベーションの堆積）は、Ｓｉ３Ｎ４（図ではＳｉＮとして示す）の２つの層およびＳｉＯ２パシベーションの中間層をＣＶＤ（化学的気相堆積法）で堆積した後の構造を示し、３つの層の各々は、１０から５００ｎｍであり、好ましくは２００ｎｍである。」
　
ｃ．「【００１４】
　図４（ステップｃ：端子ビアのパターン形成）は、リソグラフィおよびＲＩＥ（フッ素Ｆをベースにしたエッチングを用いた反応性イオン・エッチング）で端子ビアをパターン形成した後の構造を示す。
本発明では、高いＣｕスパイラル・インダクタは、チップ・パシベーションの上の厚いＣｕ層を使用して作られるか、または、この層と下の配線層をスパイラル金属インダクタと同じスパイラルの形をした中間金属バー・ビアで相互接続して形成される。この中間金属バー・ビアは、中央のビア１１および見かけ上右のビア１３として示し、これらのビアは、スパイラル・インダクタ１０の一部を形成する１つのスパイラル・バー・ビアの一部である
【００１５】
　図５（ステップｄ：Ａｌボンディング・パッド、ＴａＮバリア、Ｃｕシードをパターン形成）は、ボンディング・パッド用多層金属すなわちＰＶＤ（物理的気相堆積法）またはＣＶＤによるＴａＮ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮの下から上までの連続した４つの層を堆積し、ここでＴａＮおよびＴｉＮが１０から５０ｎｍで好ましく５０ｎｍであり、Ａｌが５００から２０００ｎｍで好ましくは１０００ｎｍであり、Ｓｉ３Ｎ４層をＣＶＤで２０から１００ｎｍで好ましくは５０ｎｍ堆積し、リソグラフィおよびＲＩＥ（フッ素Ｆ−および塩素Ｃｌ−をベースにしたエッチング）でＳｉＮ、ＴｉＮ、Ａｌをパターン形成し、Ｃｕシード層３０をＰＶＤで２０から５００ｎｍ好ましくは２００ｎｍ堆積した後の構造を示す。
【００１６】
　図６（ステップｅ：インダクタのためのレジスト・パターン及びＣｕメッキ）は、Ｃｕインダクタ１０のためのレジスト２２を堆積しパターン形成し（レジスト厚さ＝１〜５０μｍ）、インダクタ領域にＣｕを選択的に形成するように電解メッキで１から５０μｍ好ましくは１０μｍのＣｕを堆積した後の構造を示す。
【００１７】
　図７（ステップｆ：レジスト剥離、Ｃｕエッチング、ＴａＮエッチング、ＣｏＷＰ選択的堆積）は、有機溶剤または低温（＜１００℃、好ましくは８０℃）低パワーＯ２プラズマを使用してレジストを剥離し、Ｃｕシードをスパッタ・エッチングでエッチングし（以下で説明するように、オプション１または２または３）、ＲＩＥ（Ｆ−をベースにした）でＴａＮをエッチングし、無電解メッキを使用してＣｕインダクタ上に１０から５０ｎｍ好ましくは２０ｎｍのＣｏＷＰ（好ましくは９２％Ｃｏ、２％Ｗ、６％Ｐ）を選択的に堆積し、任意選択で（随意−図３４〜３９を参照されたい）追加のＳｉＮパシベーションをＣＶＤで堆積した後の構造を示す。」
　
ｄ．「【００１８】
　図８（ステップｇ：ポリイミド塗布、最終ビアの開口形成）は、基板にポリイミド２４（１から５０μｍ、好ましくは５μｍ）を塗布し、ボンディング・パッドへの開口を形成した後の構造を示す。
【００１９】
　
図９（ステップｈ：ＳｉＮエッチング、バリア堆積、Ｃ４半田バンプ形成）は、ボンディング・パッド上のＳｉＮ層をエッチングし、５０〜５００ｎｍ好ましくは１００ｎｍのＴｉＷのようなＢＬＭ（barrier layer metallurgy：バリア層金属）を堆積し、さらにＣ４半田ボールを形成した後の構造を示す。完成した高いＣｕスパイラル・インダクタ１０は、パシベーションの上にＣｕ層１７を備え、Ｃｕビア１９が下にある最終Ｃｕ金属層１５のＣｕ配線への接続を形成している。異なる実施例では、高いＣｕスパイラル・インダクタ１０は、最終Ｃｕ金属層１５のような下にあるスパイラルＣｕ配線層と相互接続されかつ重ね合わされたパシベーション１７の上のＣｕ層（審決注：「パシベーションの上のＣｕ層１７」の誤記）を備える。この下のスパイラルＣｕ配線層は、中間スパイラルＣｕバー・ビア１９と接続され、全て相互接続され重ね合わされて、またＡｌボンディング・パッドを有する高い積層スパイラルＣｕインダクタ１０を形成している
　
ｅ．「【００２０】
  
図１０は、スパイラルＣｕインダクタに関する本発明の第２の実施例の平面図を示し、このスパイラルＣｕインダクタは、Ｃｕ（銅）ボンディング・パッドを持つこと以外は、図１のスパイラルＣｕインダクタに似ている
【００２１】
 
 本発明の第２の実施例を形成するための一連のステップａ〜ｃおよびｅ〜ｈは、第１の実施例を形成するためのステップａ〜ｃおよびｅ〜ｈと実質的に同じである。さらに、第２の実施例のステップａ〜ｃは、図２〜４に十分に示されているので、ステップａ〜ｃの説明は繰り返さない。そして、ステップｄ〜ｈの説明は、図１１〜１５において行う
【００２２】
  その上、様々な特定の層および特定の材料の厚さおよび好ましい厚さについて上で指定したパラメータ、合金の例示の組成、材料の例、および温度のような他の指定されたパラメータは、以下で説明する実施例に等しく適用することができるので、以下の説明で繰り返さない。
【００２３】
  
第２の実施例の形成におけるステップａ〜ｃは、図２〜４に関連して図示し説明したので、第２の実施例の説明は図１１に示したステップｄから始める
【００２４】
  
図１１（ステップｄ：ＴａＮバリア堆積）は、ＰＶＤでＴａＮバリアを堆積し、ＰＶＤでＣｕシード層を堆積した後の構造を示す
　
ｆ．「【００３２】
　
図１６は、隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０を有するスパイラルＣｕインダクタに関する本発明の第３の実施例（図２０）の平面図を示す
【００３３】
　
また、第３の実施例は相互接続配線５２を示し、この相互接続配線５２は、チップ間配線用のグローバル相互接続を含むことができる。
【００３４】
　
本発明の第３の実施例を形成するための一連のステップａ〜ｄおよびｆ〜ｈは、第２の実施例を形成するためのステップａ〜ｄおよびｆ〜ｈと実質的に同じである。さらに、第２の実施例のステップａ〜ｄは、図２〜４および図１１に十分に説明されているので、ステップａ〜ｄの説明は繰り返さない。そして、ステップｅ〜ｈの説明は、図１７〜２０において行う
【００３５】
　
図１７（ステップｅ：インダクタ用のレジスト・パターンおよびＣｕメッキ）は、５０の隆起ボンディング・パッド、５６のＣｕインダクタおよび５８の相互接続配線のためのレジスト５４を堆積しパターン形成し、電解メッキでＣｕを堆積し、マスクされていない領域にＣｕを選択的にパターン形成した（以下で説明するようなオプション１または２または３）後の構造を示す
【００３６】
　図１８（ステップｆ：レジスト剥離、ＴａＮエッチング、ＣｏＷＰ選択堆積）は、有機溶剤または低温Ｏ２プラズマを使用してレジストを剥離し、スパッタ・エッチングでＣｕシードをエッチングし（以下で説明するようなオプション１または２または３）、ＲＩＥ（Ｆ−をベースにした）でＴａＮをエッチングし、無電解メッキを使用してＣｕインダクタ、端子および相互接続配線上にＣｏＷＰを選択的に堆積し、任意選択で追加のＳｉＮパシベーションをＣＶＤによって堆積した（図３４〜３９を参照されたい）後の構造を示す。
【００３７】
　図１９（ステップｇ：ポリイミド塗布、最終ビアの開口）は、基板にポリイミド６０を塗布し、ボンディング・パッドへのビア開口６２を形成した後の構造を示す。
【００３８】
　
図２０（ステップｈ：ＳｉＮエッチング、バリア堆積、Ｃ４半田バンプ形成）は、ＳｉＮをエッチングし、ＢＬＭ（バリア層金属）を堆積し、さらにＣ４半田ボールを形成した後の構造を示す
　
（３−２）ここにおいて、００３２段落〜００３８段落に記載された「第３の実施例」に注目すると、００３４段落の「本発明の第３の実施例を形成するための一連のステップａ〜ｄおよびｆ〜ｈは、第２の実施例を形成するためのステップａ〜ｄおよびｆ〜ｈと実質的に同じである。さらに、第２の実施例のステップａ〜ｄは、図２〜４および図１１に十分に説明されているので、ステップａ〜ｄの説明は繰り返さない。」という記載、及び「第２の実施例」の実施例についての００２１段落の「本発明の第２の実施例を形成するための一連のステップａ〜ｃおよびｅ〜ｈは、第１の実施例を形成するためのステップａ〜ｃおよびｅ〜ｈと実質的に同じである。さらに、第２の実施例のステップａ〜ｃは、図２〜４に十分に示されているので、ステップａ〜ｃの説明は繰り返さない。」という記載を総合すると、「第３の実施例」においては、００１２段落〜００１４段落の「第１の実施例」におけるステップａ〜ｃについての記載事項、００２４段落の「第２の実施例」における「ステップｄ」についての記載事項、及び「第１の実施例」におけるステップｈに関する記載である００１９段落の記載事項が適用されることが明らかである。
　そこで、「第３の実施例」において、００１９段落に記載された「異なる実施例では、高いＣｕスパイラル・インダクタ１０は、最終Ｃｕ金属層１５のような下にあるスパイラルＣｕ配線層と相互接続されかつ重ね合わされたパシベーションの上のＣｕ層１７を備える。この下のスパイラルＣｕ配線層は、中間スパイラルＣｕバー・ビア１９と接続され、全て相互接続され重ね合わされ」るという構造を採用したもの（以下においては、そのようなものを「第３の実施例」という。）についてみると、第３実施例に係るインダクタは、「最終Ｃｕ金属層」に形成された「スパイラルＣｕ配線層」、「スパイラルＣｕ配線層」の上に形成された「Ｃｕバー・ビア」、及び「Ｃｕバー・ビア」の上に形成された「Ｃｕ層１７」からなり、「スパイラルＣｕ配線層」、「Ｃｕバー・ビア」及び「Ｃｕ層１７」は相互接続され重ね合わされている構造となっているものと認められる。
　
（３−３）００３５段落及び図１７等の記載から、「第３の実施例」においては、「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」の部分と「Ｃｕスパイラル・インダクタ」の部分とが同一の製造方法によって製造されているから、００１２段落の記載を勘案すれば、「第３の実施例」における「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」は、「Ｃｕビア」を介して、「最終Ｃｕ金属層」に形成された「ダマシンＣｕ相互接続」に接続されているものと、換言すれば、「第３の実施例」に係るインダクタは、「Ｃｕビア」を介して、「最終Ｃｕ金属層」に形成された「ダマシンＣｕ相互接続」に接続される「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」を有する集積回路の中に形成されるものであると認められる。
　また、「第３の実施例」においては、「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」の部分と「Ｃｕスパイラル・インダクタ」の部分とが同一の製造方法によって製造されているから、「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」と「Ｃｕスパイラル・インダクタ」における「Ｃｕ層１７」とが同一の層に形成されていることは明らかである。
　さらに、００３８段落及び図２０の記載から、「第３の実施例」においては、「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」の上に（ＢＬＭ（バリア層金属）を介して）「Ｃ４半田ボール」が設けられていることが明らかである。
　
（３−４）したがって、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｃｕビアを介して、最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続に接続される隆起Ｃｕボンディングパッド５０を有する集積回路の中に形成されるインダクタであって、
　前記最終Ｃｕ金属層に形成されたスパイラルＣｕ配線層と、
　前記スパイラルＣｕ配線層の上に形成されたＣｕバー・ビアと、
　前記Ｃｕバー・ビアの上に形成されたＣｕ層１７とからなり、
　前記スパイラルＣｕ配線層、前記Ｃｕバー・ビア及び前記Ｃｕ層１７は相互接続され重ね合わされており、
　前記隆起Ｃｕボンディングパッド５０と前記Ｃｕ層１７とは同一の層に形成され、
　前記隆起Ｃｕボンディングパッド５０上にＣ４半田ボールが設けられているインダクタ。」
　
（４）補正発明と引用発明との対比
（４−１）まず、補正発明の「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクター」と引用発明の「Ｃｕビアを介して、最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続に接続される隆起Ｃｕボンディングパッド５０を有する集積回路の中に形成されるインダクタ」とを対比する。
　一般に、ボンディングパッド（「ボンドパッド」、「電極パッド」、あるいは単に「パッド」などともいう。）とは、集積回路において、バンプ電極をはじめとする外部電極やボンディングワイヤ等と接続するために設けられた導電部材のことを指すものであるが、引用発明のように、半導体チップの表面に設けられた導電部材（引用発明の「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」）の上に中継部材（引用発明の「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」）を設け、当該中継部材に（直接、又は更に他の部材を介して）外部電極（引用発明の「Ｃ４半田ボール」）を設ける構造の集積回路においては、引用発明のように中継部材（「隆起Ｃｕ（銅）ボンディング・パッド５０」）をボンディングパッドと称することもあれば、集積回路チップの表面に設けられた導電部材をボンディングパッドと称することも、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された下記周知例１及び２にも記載されているとおり、当業者において普通に行われていることである。
　
ａ．周知例１：特開２００３−１７８９４８号公報
　上記周知例１には、図７と共に次の記載がある。
　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、図７に示すような、集積回路が形成された半導体装置の小型化を狙いとして、半導体チップ２０１を樹脂２０３でモールドし、
半導体チップ２０１上に形成されたパッド部２０２に樹脂２０３と同一の厚さ（数十μｍから１００μｍ程度）の溝を形成し、この溝の途中まで、数十μｍ程度の高さＦの金属柱２０４を金属メッキで形成し、この金属柱２０４が露出するまで樹脂２０３を削除し、この露出した金属柱２０４の表面にはんだボール２０５を形成して
　「【００１３】（途中略）
図１（ｄ）の工程の後、図示しないが、フォトリソグラフィーを用いて、この１００μｍ程度の厚い膜厚のフォトレジスト膜７を、例えば、ボンディングパッド上のみフォトリソグラフィを用いて開口し、この開口部のボンディングパッド上に、金属メッキなどを用いて、数十μｍの金属柱を形成する。その後、フォトレジスト膜７を除去し、さらに、露出しているシード層（メッキ用の電極なる金属膜で半導体ウエハ全体を覆っているもの：図７ではボンディンパッド上シード層は省略されている）を除去して、金属柱同志がシード層で電気的に接続しないようにする。その後、金属柱がボンディングパッド上に形成された半導体ウエハを切断し半導体チップとし、この半導体チップを樹脂モールドし、樹脂を削って金属柱を露出させ、この露出面にはんだボールを形成して、図７のようなＣＳＰの半導体装置を製作することができる
　
　したがって、上記周知例１には、半導体チップ２０１の表面に設けられた金属部分から金属柱２０４を介してハンダボール２０５を設けてなる構造において、半導体チップ２０１の表面に設けられた金属層を「パッド部」又は「ボンディングパッド」と称することが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開２００２−３７３９０８号公報
　上記周知例２には、図１及び２とともに次の記載がある。
　「【００２２】まず、この電子デバイスのバンプ構造の構成について説明する。図１、図２において、１は半導体チップであり、
２は半導体チップ１のボンディングパッドであるＡｌパッド、３はＡｌパッド２上に形成された下地金属層である。下地金属層３はチタン（Ｔｉ）又はチタン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ）等のチタン合金のいずれかと、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）のうちのいずれか一つとを順に積層したＡｕ−Ａｌの相互拡散を防ぐ金属層であり、その厚みは例えば６０００Åである。４は下地金属層３上に電氣メッキによって形成された例えば約１５μｍの厚さの第１バンプとしてのＡｕを主成分とするメッキバンプであり、５はメッキバンプ４上に接合して形成された突起電極である第２バンプとしてのＡｕを主成分とするスタッドバンプである
　
　したがって、上記周知例２には、半導体チップ１の表面に設けられたＡｌの部分から下地金属層及び第１バンプを介して突起電極であるスタッドバンプを形成する構造において、半導体チップ１の表面に設けられたＡｌの部分を「ボンディングパッド」と称することが記載されているものと認められる。
　
（４−２）一方、本願の明細書の００１１段落の「注意すべきは、一般のプロセスでは、再配置層１８は、金属層の銅材料を露出させないように導電の媒介としてボンドパッドの上に形成するものである。」という記載、及び本願の図面の図１の記載から、補正発明の「集積回路」は、半導体チップの表面に形成された「金属層の銅材料」からなる「ボンドパッド」の上に「再配置層」を設け、当該「再配置層」に（直接、又は更に他の部材を介して）外部電極やボンディングワイヤ等を設ける構造となっていることが明らかである。
　したがって、上記（４−１）において検討した事項を念頭に置きつつ補正発明の「ボンドパッド」と引用発明の「Ｃｕビアを介して、最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続に接続される隆起Ｃｕボンディングパッド５０」とを対比すると、引用発明の「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」が補正発明の「ボンドパッド」に相当するものと認められる。
　また、引用発明の「インダクタ」が補正発明の「インダクター」に相当することは、当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明の「Ｃｕビアを介して、最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続に接続される隆起Ｃｕボンディングパッド５０を有する集積回路の中に形成されるインダクタ」は、補正発明の「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクター」に相当する。
　
（４−３）引用発明の「前記最終Ｃｕ金属層に形成されたスパイラルＣｕ配線層」は、補正発明の「金属層パターン」に相当する。
　
（４−４）引用発明の「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が、導電の媒介として「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」の上に形成されていることは明らかであるから、引用発明の「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層と補正発明の「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される再配置層」とは、「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される導電層」である点で一致する。
　そして、引用発明の「前記Ｃｕバー・ビアの上に形成されたＣｕ層１７」が形成される層と「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層は同一であるとともに、当該「前記Ｃｕバー・ビアの上に形成されたＣｕ層１７」が「スパイラルＣｕ配線層」のより上の層に形成されていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記Ｃｕバー・ビアの上に形成されたＣｕ層１７」と、補正発明の「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される再配置層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される再配置層パターン」とは、「導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される導電層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される導電層パターン」である点で一致する。
　
（４−５）引用発明は、「前記最終Ｃｕ金属層に形成されたスパイラルＣｕ配線層と、　前記スパイラルＣｕ配線層の上に形成されたＣｕバー・ビアと、　前記Ｃｕバー・ビアの上に形成されたＣｕ層１７とから」なるものであるから、引用発明の「前記スパイラルＣｕ配線層の上に形成されたＣｕバー・ビア」が、「スパイラルＣｕ配線層」と「Ｃｕ層１７」の間に形成されていることは明らかである。
　また、引用発明においては、「前記スパイラルＣｕ配線層、前記Ｃｕバー・ビア及び前記Ｃｕ層１７は相互接続され」ているのであるから、引用発明の「前記スパイラルＣｕ配線層の上に形成されたＣｕバー・ビア」が、「スパイラルＣｕ配線層」と「Ｃｕ層１７」とに導電的に接続されていることは自明である。
　したがって、引用発明の「前記スパイラルＣｕ配線層の上に形成されたＣｕバー・ビア」と補正発明の「前記金属層パターンと前記再配置層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターン」とは、「前記金属層パターンと前記導電層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記導電層パターンに導電的に接続されるビア層パターン」である点で一致する。
　
（４−６）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　「ボンドパッドを有する集積回路の中に形成されるインダクターであって、
金属層パターンと、
導電の媒介として前記ボンドパッドの上に形成される導電層に形成され、前記金属層パターンのより上の層に形成される導電層パターンと、
前記金属層パターンと前記導電層パターンの間に形成され、前記金属層パターンと前記導電層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含むことを特徴とするインダクター。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　補正発明は、「導電層」が「再配置層」であり、「導電層パターン」が「再配置層パターン」であるのに対して、引用発明は、「導電層」が、「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層であって、「再配置層」であることは特定されておらず、「導電層パターン」が、「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層に形成される「Ｃｕ層１７」であって、「再配置層パターン」であることは特定されていない点。
　
（５）相違点についての当審の判断
（５−１）引用発明においては、半導体チップ上に設けられた「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」に直接外部電極である「Ｃ４半田ボール」を設けるのではなく、「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」を介して「Ｃ４半田ボール」を設ける構成となっているから、当該「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」を介して外部電極が再配置されていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層が、補正発明の「再配置層」に相当し、引用発明の「Ｃｕ層１７」が補正発明の「再配置層パターン」に相当するものと認められる。
　よって、補正発明と引用発明との相違点は実質的な実質的なものではないから、補正発明と引用発明とは同一である。
　
（５−２）補正発明と引用発明との相違点については、以上のとおりであるが、仮に、引用発明の「前記隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層が、補正発明の「再配置層」に相当し、引用発明の「Ｃｕ層１７」が補正発明の「再配置層パターン」に相当するとまではいえず、補正発明と引用発明との相違点が実質的なものであった場合についても予備的に検討する。
　一般に、集積回路をできるだけ小型化しようとすることは、当業者における不断の課題といえるものであるから、引用発明をできるだけ小型化しようとすることは当業者が当然になし得たことであるが、集積回路を小型化するに際し、外部電極のピッチが小さくなりすぎないよう、外部電極のピッチを広げるために、半導体チップ上に設けられた導電部材から、再配置配線を介して当該導電部材よりもピッチが大きくなるように外部電極を設けることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例３及び４にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明を小型化するに際して、外部電極である「Ｃ４半田ボール」のピッチを広げるために、半導体チップ上に設けられた導電部材である「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」から、再配置配線を介して、当該「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」よりもピッチが大きくなるように「Ｃ４半田ボール」を設けることは、適宜なし得たことである。
　
ａ．周知例３：特開２００５−１０８９２９号公報
　上記周知例３には、図１２と共に次に記載がある。
　「【０００３】
  以下、従来技術におけるチップサイズパッケージ構造を適用した半導体装置について、簡単に説明する。
  図１２は、従来技術におけるチップサイズパッケージの構成例を示す概略断面図及び概略平面図である。
  
図１２（ａ）に示すように、従来技術におけるチップサイズパッケージ型の封止構造を適用した半導体装置は、概略、所望の集積回路が形成された半導体基板１１ｐの一面（回路面）側に、該集積回路に電気的に接続されたアルミニウム等からなる複数の接続パッド１２ｐ、１２ｑが形成され、これらの接続パッド１２ｐ、１２ｑの中央部が露出するように開口部が設けられた、酸化シリコンあるいは窒化シリコン等からなるパッシベーション膜１３ｐ、及び、ポリイミド系樹脂材からなる表面保護膜１４ｐが積層形成されている
【０００４】
  
そして、これらの絶縁膜（パッシベーション膜１３ｐ及び表面保護膜１４ｐ）の上面側には、上記開口部を介して、各接続パッド１２ｐ、１２ｑに一端側が電気的に接続された配線層（再配線層）１５ｐ、１５ｑが所定の配線パターンを有するように形成されている。該配線層１５ｐ、１５ｑの他端側の所定箇所には、電気的に接続された柱状電極（ポスト）１６ｐ、１６ｑが設けられ、該柱状電極１６ｐ、１６ｑの上面が露出するように、半導体基板１１ｐの一面側全体が、ポリイミドあるいはエポキシ等からなる封止樹脂１７によって封止されている。ここで、封止樹脂１７から露出した各柱状電極１６ｐ、１６ｑの上面には、図示を省略した配線基板に形成された配線層と電気的に接続するためのハンダボール（ハンダバンプ）１８ｐ、１８ｑが形成されている
　「【０００７】
  
このような構成により、半導体装置の端子数（集積回路の接続パッド数）の増加に伴って、該端子間ピッチが狭くなり、該端子を介して半導体装置と配線基板とを直接接続することが加工精度上困難になった場合においても、柱状電極をアレイ状に再配置することにより端子間ピッチを拡大して、配線基板との接続を容易かつ良好にすることができる
  なお、上述したようなチップサイズパッケージ型の封止構造を適用した半導体装置の具体例については、例えば、特許文献１等に詳しく記載されている。」
　
　したがって、上記周知例３には、外部電極であるハンダボール１８ｐ、１８ｑのピッチのピッチを広げるために、半導体チップ表面に設けられた導電部材である接続パッド１２ｐ、１２ｑから、再配置配線である配線層１５ｐ、１５ｑを介して、接続パッド１２ｐ、１２ｑよりもピッチが大きくなるようにハンダボール１８ｐ、１８ｑを設けることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例４：特開２００３−６８８０６号公報
　上記周知例４には、図１２と共に次の記載がある。
　「【００８１】図１２に示すように、本実施形態の半導体チップ４０は、主に、半導体チップ層５０と、この半導体チップ層５０の一主面上に形成された再配線層（パッド再配置層）５１と、この再配線層５１上に配置された複数の半田バンプ５２とを有する構成になっている。」
　「【００８３】
半導体チップ層５０の一主面の中央部には、半導体チップ４０の一主面４０Ｘの長辺方向に沿って配列された複数の電極パッド４３が形成されている。複数の電極パッド４３の夫々は、多層配線層４２の最上層の配線層に形成されている。多層配線層４２の最上層の配線層はその上層に形成された表面保護膜４４で覆われ、この表面保護膜４４には電極パッド４３の表面を露出する開口が形成されている
【００８４】
再配線層５１は、主に、表面保護膜４４上に形成された絶縁層４５と、この絶縁層４５上を延在する複数の配線４６と、この複数の配線４６を覆うようにして絶縁層４５上に形成された絶縁層４７と、絶縁層４７の上層に形成された複数の電極パッド４８及び複数の電極パッド４９とを有する構成になっている
【００８５
】複数の配線４６の夫々の一端側は、絶縁層４５に形成された開口及び表面保護膜４４に形成された開口を通して、複数の電極パッド４３に夫々電気的にかつ機械的に接続されている。複数の配線４６のうち、ほぼ半分の配線４６の夫々の他端側は半導体チップ４０の一主面４０Ｘの互いに対向する二つの長辺のうちの一方の長辺側に引き出され、残りの配線４６の夫々の他端側は他方の長辺側に引き出されている
【００８６】
複数の電極パッド４９の夫々には、再配線層５１上に配置された複数の半田バンプ５２が電気的にかつ機械的に接続されている
【００８７】
再配線層５１は、半導体チップ層５０の電極パッド４３に対して配列ピッチが広い電極パッド４９を再配置するための層であり、再配線層５１の電極パッド４９は、半導体チップ４０が実装される配線基板の接続部の配列ピッチと同一の配列ピッチで配置される
　
　したがって、上記周知例４には、外部電極であるハンダバンプ５２のピッチを広げるために、半導体チップ４０の表面に設けられた導電部材である電極パッド４３から、配線４６を介して、電極パッド４３よりもピッチが大きくなるようにハンダバンプ５２を設けることが記載されているものと認められる。
　
（５−３）そして、引用例の００３２段落の「また、第３の実施例は相互接続配線５２を示し、この相互接続配線５２は、チップ間配線用のグローバル相互接続を含むことができる。」という部分及び図２０には、引用発明の「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」と同一層の「相互接続配線５２」が記載されており、引用発明の「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」を配線として活用できることは当業者にとって自明ともいえる事項であるから、引用発明において、「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」から、再配置配線を介して、当該「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」よりもピッチが大きくなるように「Ｃ４半田ボール」を設けるに際して、「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」を再配置配線として活用することは、当業者であれば直ちに察知し得たことである。
　したがって、引用発明において、引用発明において、「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」から、「隆起Ｃｕボンディングパッド５０」を活用した再配置配線を介して、当該「最終Ｃｕ金属層に形成されたダマシンＣｕ相互接続」よりもピッチが大きくなるように「Ｃ４半田ボール」を設ける構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、そのようにした場合においては、「前記隆起Ｃｕボンディングパッド５０」が形成される層が、補正発明のように「再配置層」となり、「Ｃｕ層１７」が補正発明のように「再配置層パターン」となることは明らかである。
　よって、仮に、補正発明と引用発明との相違点が実質的なものであったとしても、当該相違点は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明と引用発明とは同一であり、また、仮に補正発明と引用発明とが同一であるとまではいえないものであったとしても、補正発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり、また、仮に特許法第２９条第１項第３号に該当するとまではいえないものであったとしても、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものではなく、また、仮に当該要件を満たすものであったとしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年５月７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２５に係る発明は、平成２１年６月２９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００５−２１０１２１号公報（引用例）には、上記第２．４．（３）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明と同一であり、また、仮に引用発明と同一であるとまではいえないものであったとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明も、当然に、引用発明と同一であり、また、仮に引用発明と同一であるとまではいえないものであったとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、仮に特許法第２９条第１項第３号に該当するとまではいえないものであったとしても、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。