【事件の表示】
　特願２００５−１９２７２７「ＣＰＰ−ＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法、ならびにシード層」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月２６日出願公開、特開２００６−　２４３４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年６月３０日（パリ条約に基づく優先権主張２００４年７月７日、米国）に出願したものであって、平成２１年８月３日付で通知した拒絶の理由に対し、平成２２年２月４日付で手続補正されたが、同年３月２日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年７月１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明について
　（１）本願発明
　本願の請求項１乃至１４に係る発明は，平成２２年２月４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至１４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項９に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）により構成された下部シールド層と、
　シード層と、
　イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）により構成された反強磁性ピンニング層と、
　第１のピンド層と、
　反強磁性結合層と、
　第２のピンド層と、
　非磁性スペーサ層と、
　フリー層と、
　保護層と、がこの順に積層された積層構造を有しており、
　前記シード層が、
　タンタル（Ｔａ）により構成されていると共に０．３ｎｍ以上１ｎｍ以下の範囲内の厚さを有する第１のシード層と、
　ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）により構成されていると共に３ｎｍ以上６ｎｍ以下の範囲内の厚さを有する第２のシード層と、がこの順に積層された積層構造を有している
　ことを特徴とするＣＰＰ−ＧＭＲ再生ヘッド。」　
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日（優先権主張の日）前に頒布された刊行物である、特開２００３−２１８４２８号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型の磁気検出素子に係り、
「【００３５】
図１に示す符号１０は、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部シールド層１０である。
【００３６】
前記上部シールド層１０の上には非磁性材料で形成された下地層１１が形成されている。前記下地層１１が下部ギャップ層を兼ねている。前記下地層１１は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。前記下地層１１は例えば５０Å以下程度の膜厚で形成される。
【００３７】
次に前記下地層１１の上にはシードレイヤ１２が形成される。前記シードレイヤ１２を形成することで、前記シードレイヤ１２上に形成される各層の膜面と平行な方向における結晶粒径を大きくでき、耐エレクトロマイグレーションの向上に代表される通電信頼性の向上や抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上などをより適切に図ることができる。
【００３８】
前記シードレイヤ１２はＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金やＣｒなどで形成される。
【００３９】
次に前記シードレイヤ１２上には反強磁性層１３が形成される。前記反強磁性層１３は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
【００４０】これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２４との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また前記反強磁性層１３は８０Å以上で３００Å以下の膜厚で形成されることが好ましい。
【００４１】次に前記反強磁性層１３の上には固定磁性層２０が形成されている。この実施形態では前記固定磁性層２０は５層構造で形成されている。
【００４２】
前記固定磁性層２０を構成する符号１４の単層、および符号１９の多層は磁性層であり、前記第２磁性層１４と第１磁性層１９との間に、Ｒｕなどで形成された非磁性中間層１５が介在し、この構成により、前記第２磁性層１４と第１磁性層１９の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる積層フェリ構造と呼ばれる。なおこの明細書においては、積層フェリ構造において、非磁性材料層２１と接する側の磁性層を第１磁性層と、もう一方の磁性層を第２磁性層と呼ぶ。
「【００４６】
前記固定第１磁性層１９の上には非磁性材料層２１が形成されている。
【００４７】
次に前記非磁性材料層２１の上にはフリー磁性層２６が形成される。
【００４８】
前記フリー磁性層２６の上には、非磁性材料で形成された保護層２５が形成されている。
　
　上記記載事項および図面の記載を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部シールド層、
　Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成され５０Å以下程度の膜厚の下地層、
　ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金やＣｒなどで形成されたシードレイヤ、
　元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される反強磁性層、
　第２磁性層、非磁性中間層、第１磁性層の順に積層されてなる固定磁性層、
　非磁性材料層、
　フリー磁性層、
　保護層がこの順に形成されてなるＣＰＰ型の磁気検出素子。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１０１１０２号公報（以下、「第２引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。　
　
「【請求項１】  
下からシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤの下には、Ｔａ
で形成された下地層が形成されており、前記シードレイヤは、Ｃｒと元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｆｅ、Ｎｉ
）とを有して形成され、前記Ｃｒの組成比は８０ａｔ％以上であり、前記シードレイヤの膜厚は２０Å以上で１３０Å以下であることを特徴とする交換結合膜。
「【請求項５】  
前記元素Ｘは、Ｎｉ、Ｆｅ
から１種以上選択されて成る請求項１ないし４のいずれかに記載の交換結合膜。
「【請求項２１】  
下からシードレイヤ、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、およびフリー磁性層の順に積層され、前記フリー磁性層の磁化が前記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられた磁気検出素子において、前記シードレイヤ、反強磁性層及び固定磁性層が請求項１ないし２０のいずれかに記載された交換結合膜により形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
　
　（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部シールド層」に関し、「ＮｉＦｅ合金」以外の磁性材料が具体的に示されていないことから、引用発明の「ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部シールド層」は、本願発明の「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）により構成された下部シールド層」に相当するといえる。
　引用発明の「下地層」、「シードレイヤ」、「反強磁性層」、「非磁性材料層」、「フリー磁性層」、「保護層」、「ＣＰＰ型の磁気検出素子」は、
　本願発明の、「第１のシード層」、「第２のシード層」、「反強磁性ピンニング層」、「非磁性スペーサ層」、「フリー層」、「保護層」、「ＣＰＰ−ＧＭＲ再生ヘッド」に相当する。
　
　本願発明の「第１のピンド層と、反強磁性結合層と、第２のピンド層」に関し、「ピンド層２０は、反強磁性ピンニング層２２により磁化方向が固定されたものである。このピンド層２０は、反強磁性ピンニング層２２に近い側から順に、下部ピンド層１３（反平行強磁性層（第１のピンド層）＝ＡＰ２）と、反強磁性結合層１４と、上部ピンド層１５（反平行強磁性層（第２のピンド層）＝ＡＰ１）とが積層された積層構造（３層構造）を有しており、いわゆるシンセティック反強磁性ピンド層である。」（本願の発明の詳細な説明の段落【００４３】）と記載されており、引用発明の「第２磁性層、非磁性中間層、第１磁性層の順に積層されてなる固定磁性層」に関し、「この構成により、前記第２磁性層１４と第１磁性層１９の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる積層フェリ構造と呼ばれる。」（段落【００４２】）と記載されていることから、引用発明の「第２磁性層、非磁性中間層、第１磁性層の順に積層されてなる固定磁性層」は、本願発明の「第１のピンド層と、反強磁性結合層と、第２のピンド層」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）により構成された下部シールド層と、
　シード層と、
　反強磁性ピンニング層と、
　第１のピンド層と、
　反強磁性結合層と、
　第２のピンド層と、
　非磁性スペーサ層と、
　フリー層と、
　保護層と、がこの順に積層された積層構造を有しており、
　前記シード層が、
　第１のシード層と、
　第２のシード層と、がこの順に積層された積層構造を有しているＣＰＰ−ＧＭＲ再生ヘッド。」
　
　一方、次の点で相違する。
　
　相違点
　[相違点１]
　本願発明は、「第１のシード層」の材料が「タンタル（Ｔａ）」に限定されているのに対し、引用発明の「下地層」の材料は、「Ｔａ」以外にも「Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成され」たもの（Ｔａを除く。）を包含している点。
　
　[相違点２]
　本願発明は、「反強磁性ピンニング層」の材料が「イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）」に限定されているのに対し、引用発明の「反強磁性層」の材料は、「元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料」であって「イリジウムマンガン合金」以外の反強磁性材料である場合を包含している点。
　
　[相違点３]
　本願発明は、「第２のシード層」の材料が「ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）」であるのに対し、引用発明の「シードレイヤ」の材料は、「ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金やＣｒなど」である点。
　
　[相違点４]
　引用発明の「下地層」の「膜厚」は、「５０Å以下程度」（当審注：「５ｎｍ以下程度」と同義である。）であるのに対し、本願発明の「第１のシード層」は、「０．３ｎｍ以上１ｎｍ以下の範囲内の厚さ」に限定されている点。
　
　[相違点５]
　本願発明は、「第２のシード層」が「３ｎｍ以上６ｎｍ以下の範囲内の厚さを有する」ものに限定されているのに対し、引用発明の「シードレイヤ」は、厚さに関する限定を有していない点。
　
　（４）判断
　
　[相違点１]について
　本願の発明の詳細な説明には、「第１のシード層」の材料に関し「タンタル（Ｔａ）」に限定する理由や、他の材料とした場合と比較した結果が具体的に記載されていないため、該限定をしたことにより当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されていることを確認することができる具体的な根拠を見いだせないことを勘案すると、引用発明において「下地層」の材料を単に「Ｔａ」に限定する程度のことは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　[相違点２]について
　本願発明の「反強磁性ピンニング層」の材料に関し「イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）」に限定する理由や他の材料とした場合と比較した結果が具体的に発明の詳細な説明に記載されていないため該限定をしたことにより当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されていることを確認することができる具体的な根拠を見いだせないことを勘案すると、引用発明において単に「反強磁性層」の材料を「イリジウムマンガン合金」に限定する程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
　
　[相違点３]について
　第２引用例には、　下からシードレイヤ、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、およびフリー磁性層の順に積層され、前記フリー磁性層の磁化が前記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられた磁気検出素子、および、該磁気検出素子のシードレイヤの材料に関し、「Ｃｒと元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｆｅ、Ｎｉ」等「から１種以上選択されて成る」ものとすることが記載されている。
　第２引用例に記載されている「磁気検出素子」は、下から「シードレイヤ」、「反強磁性層」、「固定磁性層」、「非磁性材料層」、「フリー磁性層」の順に積層された磁気検出素子である点で、引用発明の「磁気検出素子」と共通する。
　「Ｃｒと元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｆｅ、Ｎｉ」「から１種以上選択されて成る」材料とは具体的にはＣｒＦｅ、ＣｒＮｉ、ＣｒＦｅＮｉであること、および、本願発明の「第２シード層」の材料に関する比較例が記載されていないなど本願の発明の詳細な説明には「第２シード層」の材料を「ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）」に限定したことにより当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されていることを確認することができる具体的な根拠を見いだせないことを勘案すると、第２引用例の記載に基づき、引用発明において「シードレイヤ」の材料を「ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金やＣｒなど」に代えて「ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）」とする程度のことは、当業者であれば容易に着想しうることである。
　
　[相違点４]について
　引用発明の「下地層」の「膜厚」は、「５０Å以下程度」の範囲から選択されるところ、本願発明の「第１のシード層」の厚さに関する比較例が記載されていないなど発明の詳細な説明には「０．３ｎｍ以上１ｎｍ以下の範囲内」に限定したことにより当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されていることを確認することができる具体的な根拠を見いだせないことを勘案すると、引用発明において単に「下地層」の厚さを「０．３ｎｍ以上１ｎｍ以下の範囲内」に限定する程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
　
　[相違点５]について
　第２引用例には、　下からシードレイヤ、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、およびフリー磁性層の順に積層され、前記フリー磁性層の磁化が前記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられた磁気検出素子のシードレイヤに関し、膜厚を「２０Å以上で１３０Å以下」（当審注：２ｎｍ以上で１３ｎｍ以下）とすることが記載されている。
　厚さの好ましい範囲を決定することは当然なすべきことであること、および、本願発明の「第２のシード層」の厚さに関する比較例が記載されていないなど発明の詳細な説明には「３ｎｍ以上６ｎｍ以下の範囲」に限定したことにより当業者に予測できない格別顕著な効果が奏されていることを確認することができる具体的な根拠を見いだせないことを勘案すると、引用発明において「シードレイヤ」の厚さを単に「３ｎｍ以上６ｎｍ以下の範囲」に限定する程度のことは当業者であれば容易になしうることである。
　
　したがって，本願発明は，第１引用例および第２引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項９に係る発明は，第１引用例および第２引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。