(57)【要約】      （修正有）【課題】アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板を提供する。【解決手段】樹脂基板１と、樹脂基板１上に配列された複数のデータ線２ａと、複数の走査線４ａと、データ線２ａ及び走査線４ａと電気的に接続され、複数のデータ線２ａ及び複数の走査線４ａが交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴ１０とを有するＴＦＴ基板１００である。複数のＴＦＴ１０は、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴ１０を有し、位置決め用ＴＦＴ１０のソース電極２とドレイン電極３との間の領域の形状であるチャネル形状が、他のＴＦＴ１０のチャネル形状と同一の形状であり、他のＴＦＴ１０のチャネル形状の向きが、データ線２ａに対して第１の方向であるとき、位置決め用ＴＦＴ１０のチャネル形状の向きが、第１の方向とは異なる第２の方向である。【選択図】図１
2017017120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、前記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の前記データ線と交差して配列された複数の走査線と、前記データ線および前記走査線と電気的に接続され、複数の前記データ線および複数の前記走査線が交差する複数の交点に配置された複数の薄膜トランジスタとを有する薄膜トランジスタ基板であって、
複数の前記薄膜トランジスタは、少なくとも４つの位置決め用薄膜トランジスタを有し、
前記位置決め用薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の前記薄膜トランジスタの前記チャネル形状と同一の形状であり、
他の前記薄膜トランジスタの前記チャネル形状の向きが、前記データ線に対して第１の方向であるとき、前記位置決め用薄膜トランジスタの前記チャネル形状の向きが、前記第１の方向とは異なる第２の方向であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
樹脂基板と、前記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の前記データ線と交差して配列された複数の走査線と、前記データ線および前記走査線と電気的に接続され、複数の前記データ線および複数の前記走査線が交差する複数の交点に配置された複数の薄膜トランジスタとを有し、複数の前記薄膜トランジスタは、少なくとも４つの位置決め用薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板を製造する薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記樹脂基板上に、ソース電極およびドレイン電極を配置するソースドレイン電極配置工程と、
前記ソースドレイン電極配置工程の後に、パターン状の機能層を描画する描画工程とを有し、
前記ソースドレイン電極配置工程では、前記位置決め用薄膜トランジスタの前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の前記薄膜トランジスタの前記チャネル形状と同一の形状であり、他の前記薄膜トランジスタの前記チャネル形状の向きが、前記データ線に対して第１の方向であるとき、前記位置決め用薄膜トランジスタの前記チャネル形状の向きが、前記第１の方向とは異なる第２の方向となるように前記ソース電極と前記ドレイン電極とが形成され、
前記描画工程では、前記位置決め用薄膜トランジスタの前記チャネル形状をアライメントマークとして前記機能層を形成する工程であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能な薄膜トランジスタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、我々が身近に使用している薄型テレビ、携帯電話等には、液晶表示装置が用いられている。液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板およびカラーフィルタ基板の間に配置された液晶組成物の配向を制御することにより、光透過度を調整して所望の画像を表示させる装置である。以下、薄膜トランジスタをＴＦＴ（Thin Film Transistor）と略して説明する場合がある。また、このようなＴＦＴ基板は、電子ペーパーや有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置においても用いられている。
【０００３】
このようなＴＦＴ基板は、複数の画素を有しており、各画素にはＴＦＴが設けられている。具体的には、基板上に配列された複数のデータ線と、当該データ線と交差して配列された複数の走査線との複数の交点に、各ＴＦＴが配置されている。このようなＴＦＴは、通常、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極等の機能層から構成されており、ソース電極がデータ線と電気的に接続され、ゲート線が走査線と電気的に接続された構成をなす。また、ＴＦＴを構成する各機能層は、主にフォトリソグラフィ法により形成される。ここで、各機能層を形成するにあたり、先に形成された一の機能層上に他の機能層を形成する場合には、一の機能層に対する位置決めが必要となる。そこで、従来のＴＦＴ基板においては、非画素領域に、機能層の形成工程において位置決めを行うためのアライメントマークが形成されており、当該アライメントマークを基準とすることにより位置精度の高い各機能層の形成を可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−８６９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、ＴＦＴ基板に用いられる基板としてガラス基板が用いられてきたが、ＴＦＴ基板の耐久性の向上を目的として、ガラス基板に替えて樹脂基板の使用が広がっている。しかしながら、樹脂基板を用いたＴＦＴ基板においては、ＴＦＴを構成する各機能層の形成工程において、熱により樹脂基板に寸法変動が生じるという問題がある。このような問題に対しては、例えば、特許文献１に記載されているように、熱による寸法変動が生じにくいガラス基板や金属基板上に樹脂基板を積層する技術が提案されているが、この場合、ＴＦＴ基板の重量や厚みが増加してしまい、広面積なＴＦＴ基板の製造が困難になってしまう。
【０００６】
また、ＴＦＴ基板の製造にあたっては、ＴＦＴ基板の非表示領域にアライメントマークを設け、当該アライメントマークを用いることにより、ＴＦＴ基板を構成する各部材の位置決めを行うことが可能となる。しかしながら、例えば、ＴＦＴ基板に用いられる基板として樹脂基板を用いる場合、アライメントマークをＴＦＴ基板の非表示領域に設けると、樹脂基板の寸法変動に十分に対応した位置決めを行うことが困難になってしまうという問題がある。このような問題に対しては、例えば、アライメントマークをＴＦＴ基板の表示領域に設けることが考えられるが、高精細または高密度なＴＦＴ基板を形成しようとする場合には、ＴＦＴ基板の表示領域にアライメントマークを別途設けることは困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った。まず、本発明の発明者等は、非表示領域にアライメントマーク基板を別途設けずに、ＴＦＴ基板におけるＴＦＴのいずれかの構成をアライメントマークとして利用する方法について検討を行った。具体的には、ＴＦＴ基板における複数のＴＦＴのうち、いくつかのＴＦＴの構成等を、その他のＴＦＴの構成等と異ならせることで、それらの差異をアライメントマークとして利用する方法について検討を行った。しかしながら、ＴＦＴ基板における複数のＴＦＴの構成に差異が生じると、ＴＦＴ基板の性能が低下する等の不具合が生じるおそれがある。
そこで、本発明の発明者等はさらに検討を重ねた。その結果、ＴＦＴ基板において、各ＴＦＴのチャネル形状を同一とすることにより、ＴＦＴ基板の構成の差異によるＴＦＴ基板の性能の低下を抑制することができるという知見を得た。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。
【０００９】
すなわち、本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の上記データ線と交差して配列された複数の走査線と、上記データ線および上記走査線と電気的に接続され、複数の上記データ線および複数の上記走査線が交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴとを有するＴＦＴ基板であって、複数の上記ＴＦＴは、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有し、上記位置決め用ＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状と同一の形状であり、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記データ線に対して第１の方向であるとき、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記第１の方向とは異なる第２の方向であることを特徴とするＴＦＴ基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制しつつ、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板とすることができる。
【００１１】
また、本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の上記データ線と交差して配列された複数の走査線と、上記データ線および上記走査線と電気的に接続され、複数の上記データ線および複数の上記走査線が交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴとを有し、複数の上記ＴＦＴは、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有するＴＦＴ基板を製造するＴＦＴ基板の製造方法であって、上記樹脂基板上に、ソース電極およびドレイン電極を配置するソースドレイン電極配置工程と、上記ソースドレイン電極配置工程の後に、パターン状の機能層を描画する描画工程とを有し、上記ソースドレイン電極配置工程では、上記位置決め用ＴＦＴの上記ソース電極と上記ドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状と同一の形状であり、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記データ線に対して第１の方向であるとき、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記第１の方向とは異なる第２の方向となるように上記ソース電極と上記ドレイン電極とが形成され、上記描画工程では、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状をアライメントマークとして上記機能層を形成する工程であることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制しつつ、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制しつつ、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板とすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のＴＦＴ基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明におけるチャネルの形状を説明するための説明図である。
【図３】本発明におけるチャネル形状の向きを説明するための説明図である。
【図４】本発明のＴＦＴの一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明における描画工程を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のＴＦＴ基板、およびＴＦＴ基板の製造方法について説明する。
【００１６】
Ａ．ＴＦＴ基板
本発明のＴＦＴ基板は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の上記データ線と交差して配列された複数の走査線と、上記データ線および上記走査線と電気的に接続され、複数の上記データ線および複数の上記走査線が交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴとを有するＴＦＴ基板であって、複数の上記ＴＦＴは、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有し、上記位置決め用ＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状と同一の形状であり、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記データ線に対して第１の方向であるとき、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記第１の方向とは異なる第２の方向であることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明のＴＦＴ基板について、図を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明のＴＦＴ基板の一例を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ１０を拡大した拡大図である。本発明のＴＦＴ基板１００は、樹脂基板１と、樹脂基板１上に配列された複数のデータ線２ａと、複数のデータ線２ａと交差して配列された複数の走査線４ａと、データ線２ａおよび走査線４ａと電気的に接続され、複数のデータ線２ａおよび複数の走査線４ａが交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴ１０とを有する。また、複数のＴＦＴ１０は、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有し、位置決め用ＴＦＴのソース電極２およびドレイン電極３との間の領域の形状であるチャネル形状が、他のＴＦＴのチャネル形状と同一の形状であり、さらに、他のＴＦＴのチャネル形状の向きが、データ線２ａの延伸方向に対して第１の方向であるとき、位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、第１の方向と異なる第２の方向であることを特徴とする。図１（ａ）においては、破線で囲ったＴＦＴが、位置決め用ＴＦＴである。
なお、図１（ａ）、（ｂ）においては、ＴＦＴ１０を構成する部材として、ソース電極２、ドレイン電極３およびゲート電極４を示したが、その他の構成については省略している。また、図１（ａ）、（ｂ）におけるＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造について図示している。
【００１８】
ここで、「位置決め用ＴＦＴ」とは、本発明のＴＦＴ基板に少なくとも４つ含まれるＴＦＴであり、他のＴＦＴのチャネル形状の向きが第１の方向であるとき、チャネル形状の向きが第１の方向とは異なる第２の方向となるＴＦＴである。したがって、位置決め用ＴＦＴは、製造工程においてアライメントマークとして用いることが可能なＴＦＴを指す。
また、「他のＴＦＴ」とは、本発明のＴＦＴ基板に配置された位置決め用ＴＦＴ以外のＴＦＴであり、チャネル形状の向きがデータ線に対して第１の方向であるＴＦＴである。なお、通常、他のＴＦＴは同一の形状を有する。
さらに、「チャネル形状」とは、例えば、図２（ａ）、（ｂ）において符号Ｃで示した領域の形状を指し、ＴＦＴの駆動電流が流れる領域をいう。
さらにまた、「チャネル形状の向き」とは、例えば、図３（ａ）、（ｂ）において、実線の矢印で示した向きを指し、ＴＦＴの駆動電流が流れる向きをいう。
【００１９】
本発明によれば、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制しつつ、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板とすることができる。
具体的には、まず、複数のＴＦＴのチャネル形状の向きが、データ線に対して第１の方向であるとき、位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、第１の方向と異なる第２の方向であることにより、位置決め用ＴＦＴにおけるチャネル領域をアライメントマークとして用いることが可能となる。すなわち、従来のように、アライメントマークを別途設ける必要がなくなり、高精細または高密度なＴＦＴ基板においても適用することが可能である。
また、このようなアライメントマークを用いることにより、熱による樹脂基板の寸法変動応じた機能層の形成が可能となる。したがって、本発明においては、樹脂基板の歪み等の寸法変動に応じたより精度の高い位置決めが可能となる。
さらに、本発明においては、複数のＴＦＴのチャネル形状の向きが、データ線に対して第１の方向であるとき、複数のＴＦＴのうち、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、第１の方向と異なる第２の方向であることにより、位置決め用ＴＦＴにおけるチャネル領域をアライメントマークとして用いている。通常、複数あるＴＦＴのチャネル領域の構成に差異がある場合、ＴＦＴ基板の性能が低下してしまうという課題がある。しかしながら、本発明においては、位置決め用ＴＦＴとその他のＴＦＴとのチャネル形状を同一とすることにより、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制することが可能となる。
【００２０】
本発明においては、ＴＦＴ基板に配置された複数のＴＦＴにおいて、位置決め用ＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他のＴＦＴのチャネル形状と同一の形状であれば特に限定されない。ここで、「チャネル形状が同一の形状である」とは、例えば、位置決め用ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長が、他のＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長と同一であることをいう。なお、チャネル幅とは、図２（ａ）、（ｂ）における符号Ｗで示す距離をいい、チャネル長とは、図２（ａ）、（ｂ）における符号Ｌ、Ｌ１、Ｌ２で示す距離をいう。また、図２（ａ）に示すようなチャネル形状である場合、チャネル長Ｌ１およびＬ２は、通常同じとなる。
【００２１】
本発明においては、複数のＴＦＴのチャネル幅Ｗが同じであれば良い。ここで、「Ｗが同じ」とは、複数のＴＦＴのＷが完全に一致することを指すだけではなく、複数のＴＦＴのＷの最小値と最大値との差が、例えば、±２０％以下であることも包含する。本発明においては、中でも、複数のＴＦＴのＷの最小値と最大値との差が、例えば、±１０％以下であることが好ましく、特に±５％以下であることが好ましいが、複数のＴＦＴのＷが完全に一致することが最も好ましい。各ＴＦＴのＷに差異が生じることによるＴＦＴ基板の性能の低下を抑制することができるからである。
【００２２】
本発明においては、複数のＴＦＴのチャネル長Ｌが同じであれば良い。ここで、「Ｌが同じ」とは、複数のＴＦＴのＬが完全に一致することを指すだけではなく、複数のＴＦＴのＬの最小値と最大値との差が、例えば、±２０％以下であることも包含する。本発明においては、中でも、複数のＴＦＴのＬの最小値と最大値との差が、例えば、±１０％以下であることが好ましく、特に±５％以下であることが好ましいが、複数のＴＦＴのＬが完全に一致することが最も好ましい。各ＴＦＴのＬに差異が生じることによるＴＦＴ基板の性能の低下を抑制することができるからである。
【００２３】
また、本発明のＴＦＴ基板としては、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有していれば特に限定されないが、本発明においては、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴが、ＴＦＴ基板の四方に配置されていることが好ましい。中でも、ＴＦＴ基板において配置されるデータ線の延伸方向と、データ線に交差するように配置される走査線の延伸方向とに４×４で配置された計１６つの位置決め用ＴＦＴが配置されることが好ましい。
さらに、位置決め用ＴＦＴは、ＴＦＴ基板上において、チャネル形状の向きが第１の方向となる他のＴＦＴの６０個おき〜５００個おきに配置されていることが好ましく、中でも、６０個おき〜３００個おきに配置されていることが好ましく、特に、６０個おき〜２００個おきに配置されていることが好ましい。
さらにまた、位置決め用ＴＦＴは、ＴＦＴ基板上において、２ｃｍおき〜１５ｃｍおきに配置されていることが好ましく、中でも、２ｃｍおき〜１０ｃｍおきに配置されていることが好ましく、特に、２ｃｍおき〜５ｃｍおきに配置されていることが好ましい。
位置決め用ＴＦＴが上述のような所定の位置に配置されていることにより、樹脂基板の熱による寸法変動に応じた位置決めを、位置決め用ＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとすることにより高い精度で行うことができる。
【００２４】
さらに、本発明のＴＦＴ基板としては、データ線に対する位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、他のＴＦＴのチャネル形状の向きである第１の方向と異なる第２の方向であれば特に限定されない。ここで、本発明においては、位置決め用ＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとして用いるといった観点から、第２の方向が、第１の方向と所定以上異なっていることが好ましい。ここでの「所定以上」とは、位置決め用ＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとして用いることができる程度以上であることを指す。具体的には、第２の方向が、第１の方向と、６０°〜１２０°の範囲内で異なることが好ましく、中でも、８０°〜１００°の範囲内で異なることが好ましく、特に、８５°〜９５°の範囲内で異なることが好ましい。なお、上述した数値範囲は、アライメントマークとして用いられる位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、他のＴＦＴのチャネル向きに対してどの程度傾いたかを示す指標である。したがって、例えば、図３（ａ）の矢印で示すチャネル形状の向きを他のＴＦＴのチャネル形状の向き、すなわち第１の方向とし、図３（ｂ）の実線の矢印で示すチャネル形状の向きをアライメントマークとして用いる位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向き、すなわち第２の方向とした場合、図３（ｂ）におけるθ１で示される傾きを指す。なお、図３（ｂ）ではθ１が９０°である場合を図示している。
【００２５】
位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きを、第１の方向とは異なる第２の方向とする方法としては、チャネル形状の向きを画定させるソース電極およびドレイン電極の向きを、樹脂基板と平行に上述のような所定の角度で傾ける方法が挙げられる。具体的には、図２（ａ）に示すように、ソース電極２がコの字形状であり、ドレイン電極３が直線形状である場合や、図２（ｂ）に示すように、ソース電極２およびドレイン電極３が直線形状である場合には、それぞれの形状を維持したまま、所定の角度傾けることにより、チャネル形状の向きを第２の方向とすることができる。
【００２６】
さらにまた、本発明においては、ＴＦＴ基板における位置決め用ＴＦＴと他のＴＦＴとの寄生容量が同じであることが好ましい。ここで、「寄生容量が同じ」とは、位置決め用ＴＦＴと他のＴＦＴとの寄生容量が完全に一致することだけではなく、位置決め用ＴＦＴと他のＴＦＴとの寄生容量の最小値と最大値との差が、例えば、±２０％以下であることも包含する。本発明においては、中でも、位置決め用ＴＦＴと他のＴＦＴとの寄生容量の最小値と最大値との差が、例えば、±１０％以下であることが好ましく、特に±５％以下であることが好ましいが、位置決め用ＴＦＴと他のＴＦＴとの寄生容量が完全に一致することが最も好ましい。各ＴＦＴの寄生容量に差異が生じることによるＴＦＴ基板の性能の低下を抑制することができるからである。また、ＴＦＴの寄生容量は、平面視上、ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とが重なる領域の大きさにより調整することができる。
【００２７】
以下、本発明のＴＦＴ基板におけるＴＦＴ、データ線、走査線および樹脂基板について詳細に説明する。
【００２８】
１．ＴＦＴ
本発明におけるＴＦＴは、データ線および走査線と電気的に接続され、複数のデータ線および複数の走査線が交差する複数の交点に複数配置されるものである。
【００２９】
本発明におけるＴＦＴは、通常、樹脂基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する。このようなＴＦＴの構造は特に限定されないが、例えば、ボトムゲートトップコンタクト構造、ボトムゲートボトムコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、およびトップゲートボトムコンタクト構造等が挙げられる。
以下、各構造のＴＦＴについて、図を参照しながら説明する。
【００３０】
図４（ａ）は、ボトムゲートトップコンタクト構造のＴＦＴの一例を示す概略断面図である。図４（ｂ）は、ボトムゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴの一例を示す概略断面図である。図４（ｃ）は、トップゲートトップコンタクト構造のＴＦＴの一例を示す概略断面図である。図４（ｄ）は、トップゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴの一例を示す概略断面図である。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、例えば、ボトムゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０は、樹脂基板１と、樹脂基板１上に配置されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うように配置されたゲート絶縁層６と、ゲート絶縁層６上に、ゲート電極４と平面視上重なるように配置された半導体層５と、半導体層５上に、所定の間隔を空けて配置されたソース電極２およびドレイン電極３とを有する。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、例えば、ボトムゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０は、樹脂基板１と、樹脂基板１上に配置されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うように配置されたゲート絶縁層６と、ゲート絶縁層６上に、所定の間隔を空けて配置されたソース電極２およびドレイン電極３と、ソース電極２およびドレイン電極３の間に設けられた所定の間隔を覆い、ソース電極２およびドレイン３に接触するように配置された半導体層５とを有する。
【００３３】
図４（ｃ）に示すように、例えば、トップゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０は、樹脂基板１と、樹脂基板１上に配置された半導体層５と、半導体層５上に、所定の間隔を空けて配置されたソース電極２およびドレイン電極３と、半導体層５、ソース電極２およびドレイン電極３を覆うように配置されたゲート絶縁層６と、ゲート絶縁層６上に、ソース電極２およびドレイン電極６の間に設けられた所定の間隔と平面視上重なるように配置されたゲート電極４とを有する。
【００３４】
図４（ｄ）に示すように、例えば、トップゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０は、樹脂基板１と、樹脂基板１上に所定の間隔を空けて配置されたソース電極２およびドレイン電極３と、ソース電極２およびドレイン電極３の間に設けられた所定の間隔を覆うように配置された半導体層５と、半導体層５、ソース電極２およびドレイン電極３を覆うように配置されたゲート絶縁層６と、ゲート絶縁層６上に、ソース電極２およびドレイン電極６の間に設けられた所定の間隔と平面視上重なるように配置されたゲート電極４とを有する。
【００３５】
ここで、図４（ａ）〜（ｄ）における「所定の間隔」とは、少なくとも半導体層５が、ゲート電極４と平面視上重なる領域であり、当該領域がチャネル領域となる。したがって、図４（ａ）〜（ｄ）に示すＴＦＴのチャネル領域は、ソース電極２およびドレイン電極３により画定される。なお、図４（ａ）〜（ｄ）においては、チャネル領域を符号Ｒで示す。
【００３６】
本発明においては、他のＴＦＴのチャネル形状の向きが、データ線に対して第１の方向であるとき、位置決め用ＴＦＴのチャネル形状の向きが、第１の方向と異なる第２の方向であることにより、位置決め用ＴＦＴにおけるチャネル領域をアライメントマークとして用いることができる。具体的には、例えば、図４（ａ）に示すようなボトムゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向であるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ＴＦＴ形成後に、ＴＦＴ上に配置される任意の部材の位置決めを行うことができる。また、図４（ｂ）に示すようなボトムゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向であるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置された半導体層５等の位置決めを行うことができる。さらに、図４（ｃ）に示すようなトップゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向であるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置されたゲート絶縁層６やゲート電極４等の位置決めを行うことができる。さらにまた、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向であるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置された半導体層５やゲート絶縁層６およびゲート電極４等の位置決めを行うことができる。
【００３７】
以下、本発明におけるＴＦＴを構成する各部材について詳細に説明する。
【００３８】
（１）ソース電極、ドレイン電極
本発明におけるソース電極およびドレイン電極は、ＴＦＴにおけるチャネル領域を画定する部材であり、チャネル形状の向きを調整することができる部材である。
【００３９】
ソース電極およびドレイン電極は、チャネル領域を画定する部材であるため、それぞれの間に所定の間隔が設けられる。この所定の間隔の大きさ、すなわち、チャネル領域の大きさとしては、通常、チャネル領域の長さ方向に１００μｍ〜１０ｍｍの範囲内であることが好ましいため、上記範囲内でチャネル領域を画定するように、ソース電極およびドレイン電極が配置されることが好ましい。
【００４０】
ソース電極およびドレイン電極に用いられる材料としては、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に一般的に用いられる導電性材料であれば特に限定されない。
【００４１】
ソース電極およびドレイン電極の厚みとしては、ＴＦＴの構造や用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定することができる。
【００４２】
また、ソース電極およびドレイン電極は、ＴＦＴ基板上に配置された複数のＴＦＴの寄生容量が同じとなるように形成されることが好ましい。具体的には、例えば、本発明におけるＴＦＴが図４（ａ）に示すようなボトムゲートトップコンタクト構造である場合や、図４（ｂ）に示すようなボトムゲートボトムコンタクト構造である場合には、先に形成されたゲート電極の形状や形成位置等に応じて、所定の寄生容量となるようにソース電極およびドレイン電極を形成することが好ましい。
【００４３】
このようなソース電極およびドレイン電極の形成方法としては、本発明におけるＴＦＴの構造により適宜選択されるものであり特に限定されないが、例えば、それぞれの形成材料を成膜し、その後、所望のパターン形状にパターニングする方法が挙げられる。
【００４４】
ソース電極およびドレイン電極の成膜方法については、用いられる材料等に応じて適宜選択され特に限定されない。
トップコンタクト構造のように、ソース電極およびドレイン電極を半導体層上に形成する場合、ソース電極およびドレイン電極の形成方法としては、例えば、ＤＣスパッタリング法、対向ターゲット式スパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、塗布法等が挙げられる。
一方、ボトムコンタクト構造のように、半導体層を形成する前にソース電極およびドレイン電極を形成する場合、ソース電極およびドレイン電極の形成方法としては、例えば、低温ＣＶＤ法や、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法が挙げられる。
【００４５】
上記方法によるソース電極およびドレイン電極の形成材料の成膜後のパターニング方法としては、用いられる材料等に応じて適宜選択され特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法が挙げられる。また、フォトレジストパターンをマスクとしてソース電極およびドレイン電極をエッチングする際、エッチング方法としては、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれも適用することができる。
【００４６】
（２）半導体層
本発明における半導体層は、上述したソース電極およびドレイン電極の間に形成される部材である。
【００４７】
半導体層を構成する材料としては、ＴＦＴの半導体層として一般的に用いることができる材料であれば特に限定されない。例えば、シリコン、酸化物半導体、有機半導体が挙げられる。
【００４８】
半導体層の厚みとしては、ＴＦＴの構造や用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内とすることができる。なお、半導体層の厚みとは、半導体層の基板側表面から、半導体層の基板とは反対側の表面までの距離のうち最大の距離を指す。
【００４９】
半導体層の形成方法としては、一般的な半導体層の形成方法と同様とすることができ、半導体層を構成する材料の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、本発明におけるＴＦＴが図４（ｂ）に示すようなボトムゲートボトムコンタクト構造である場合や、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造である場合には、チャネル領域をアライメントマークとして用いて、描画露光方法により半導体層を形成することができる。なお、描画露光方法についての詳しい説明は、後述する「Ｂ．ＴＦＴ基板の製造方法」の項で説明するため、ここでの記載は省略する。さらに、上記以外の半導体の形成方法としては、例えば、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の種々の印刷法が挙げられる。
【００５０】
（３）ゲート電極
本発明におけるゲート電極は、ソース電極およびドレイン電極の間に設けられた所定の間隔と、平面視上重なるように配置される部材である。
【００５１】
ゲート電極に用いられる材料は、ＴＦＴのゲート電極として一般的に用いることができる導電性材料であれば特に限定されない。
【００５２】
ゲート電極の厚みとしては、ＴＦＴの構造や用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定することができる。
【００５３】
また、ゲート電極は、ＴＦＴ基板上に配置された複数のＴＦＴの寄生容量が同じとなるように形成されることが好ましい。具体的には、例えば、本発明におけるＴＦＴが図４（ｃ）に示すようなトップゲートトップコンタクト構造である場合や、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造である場合には、先に形成されたソース電極およびドレイン電極の形状や形成位置等に応じて、所定の寄生容量となるようにゲート電極を形成することが好ましい。
【００５４】
このようなゲート電極の形成方法としては、本発明におけるＴＦＴの構造により適宜選択されるものであり特に限定されない。例えば、本発明におけるＴＦＴが図４（ｃ）に示すようなトップゲートトップコンタクト構造である場合や、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造である場合には、チャネル領域をアライメントマークとして用いて、描画露光方法によりゲート電極を形成することができる。この場合、後述するゲート絶縁層を介してチャネル領域をアライメントマークとして認識する必要があるため、ゲート絶縁層が光透過性を有することが好ましい。なお、描画露光方法についての詳しい説明は、後述する「Ｂ．ＴＦＴ基板の製造方法」の項で説明するため、ここでの記載は省略する。
【００５５】
さらに、それ以外のゲート電極の形成方法としては、例えば、導電性材料を成膜し、その後、所望のパターン形状にパターニングする方法が挙げられる。
導電性材料の成膜方法としては、導電性材料等に応じて適宜選択され特に限定されるものではない。例えば、低温ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法等を用いることができる。
【００５６】
上記方法によるゲート電極の形成材料の成膜後のパターニング方法としては、用いられる材料等に応じて適宜選択され特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法が挙げられる。また、フォトレジストパターンをマスクとしてゲート電極をエッチングする際、エッチング方法としては、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれも適用することができる。
【００５７】
（４）ゲート絶縁層
本発明におけるゲート絶縁層は、ゲート電極と、ソース電極、ドレイン電極および半導体層との間に配置される部材である。
【００５８】
ゲート絶縁層を構成する材料としては、ＴＦＴにおけるゲート絶縁層として一般的に用いられる材料であれば特に限定されず、所望の絶縁性を有する材料であることが好ましい。
【００５９】
ゲート絶縁層の厚みとしては、ＴＦＴの構造や用途に応じて適宜選択されるものであり、例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度で設定することができる。
【００６０】
ゲート絶縁層の形成方法としては、本発明におけるＴＦＴの構造により適宜選択されるものであり特に限定されない。例えば、本発明におけるＴＦＴが図４（ｃ）に示すようなトップゲートトップコンタクト構造である場合や、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造である場合には、チャネル領域をアライメントマークとして用いて、描画露光方法によりゲート絶縁層を形成することができる。なお、描画露光方法についての詳しい説明は、後述する「Ｂ．ＴＦＴ基板の製造方法」の項で説明するため、ここでの記載は省略する。
【００６１】
また、それ以外のゲート絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁性材料を成膜し、その後、所望のパターン形状にパターニングする方法が挙げられる。
絶縁性材料を成膜する方法としては、絶縁性材料の種類に応じて適宜選択されるものであり特に限定されない。例えば、低温ＣＶＤ法や、スパッタリング法等のＰＶＤ法等のドライプロセス、および、塗布法等のウェットプロセスが挙げられる。
【００６２】
上記方法によるゲート絶縁層の絶縁性材料の成膜後のパターニング方法としては、用いられる材料等に応じて適宜選択され特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法が挙げられる。また、絶縁性材料が感光性を持たない場合には、フォトレジストパターンをマスクとしてゲート絶縁層をエッチングする方法が挙げられる。この際、エッチング方法としては、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれも適用することができ、絶縁性材料に応じて適宜選択される。
【００６３】
（５）その他の部材
本発明におけるＴＦＴは、上述した部材の他にも、必要に応じてその他の部材を有していても良い。例えば、ＴＦＴがボトムゲート構造である場合、半導体層を覆うように形成され、空気中に存在する水分や酸素の作用による半導体層の劣化を防止するパッシベーション層や、各部材が配置された表面を平坦面とするオーバーコート層等が挙げられる。
【００６４】
（ｉ）パッシベーション層
パッシベーション層を構成する材料としては、空気中の水分や酸素を透過しにくく、上記半導体層の劣化を所望の程度に防止できるものであれば特に限定されるものではない。
【００６５】
パッシベーション層は遮光性を有していることが好ましい。半導体層への光の入射による誤作動を抑制でき、ＴＦＴのスイッチ特性に優れたものとすることができるからである。
【００６６】
パッシベーションの厚みは、パッシベーション層を構成する材料等に依存して決定されるものであるが、通常、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができる。
【００６７】
（ii）オーバーコート層
オーバーコート層を構成する材料としては、所望の平坦面を形成できるものであれば特に限定されるものではない。
【００６８】
オーバーコート層の厚みは、各部材が配置された表面の段差を平坦化することが可能な厚みであればよく、０．５μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができる。オーバーコート層の形成方法としては、上述した材料を含むオーバーコート層形成用塗工液を、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、上記材料が光硬化型樹脂の場合は紫外線照射後に必要に応じて光硬化させ、熱硬化型樹脂の場合は成膜後そのまま熱硬化させる方法が挙げられる。
【００６９】
２．データ線および走査線
本発明におけるデータ線および走査線は、樹脂基板上に複数配列される部材である。また、複数のデータ線と複数の走査線は交差しており、データ線および走査線が交差する複数の交点に配置されたＴＦＴと電気的に接続される部材である。
【００７０】
本発明においては、図１（ａ）に示すように、データ線２ａが、各ＴＦＴにおけるソース電極２と電気的に接続され、また、走査線４ａが、各ＴＦＴにおけるゲート電極４と電気的に接続される。また、図示はしないが、通常、複数のデータ線は、データ線を駆動するデータ線駆動部に連結され、また、複数の走査線は、走査線を駆動する走査線駆動部に連結される。これにより、各ＴＦＴは、データ線および走査線から信号が供給され、所望の動作をすることが可能となる。
【００７１】
本発明におけるデータ線および走査線の材料としては、一般的なＴＦＴのデータ線および走査線に用いられる材料であれば特に限定されない。
なお、データ線および走査線の線幅等については、一般的なＴＦＴのデータ線および走査線の線幅と同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
【００７２】
データ線および走査線の形成方法としては、例えば、基板上に、スパッタリング法、真空蒸着法、およびＣＶＤ法等により金属層を形成し、その後、当該金属層を所望のパターンにエッチングする方法が挙げられる。また、マスクを用いて、所望のパターンに金属材料を蒸着する方法が挙げられる。
【００７３】
３．樹脂基板
本発明における樹脂基板は、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート電極およびゲート絶縁層を支持する部材である。
【００７４】
樹脂基板としては、例えば、ポリエーテルサルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、または熱可塑性ポリイミド等からなる有機基材およびそれらの複合基材が挙げることができる。本発明においては、中でも、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等を用いることが好ましい。
【００７５】
４．その他
本発明のＴＦＴ基板は、樹脂基板上に複数のＴＦＴを有するものである。ＴＦＴの数は、ＴＦＴ基板の解像度に応じた画素の数に相当し、ＴＦＴ基板の用途等に応じて適宜調整される。本発明においては、例えば、ＴＦＴの数（縦×横）が、１００×１００〜１０００×１０００の範囲内であることが好ましく、中でも、２００×２００〜１０００×１０００の範囲内であることが好ましく、特に、３００×６００〜１０００×１０００の範囲内であることが好ましい。本発明のＴＦＴ基板におけるＴＦＴの数が、上記範囲内であることにより、広面積なＴＦＴ基板とすることができ、位置決め用ＴＦＴにおけるチャネル領域をアライメントマークとして用いて、高精度な位置決めを行うことができるという効果を顕著なものとすることができる。
【００７６】
Ｂ．ＴＦＴ基板の製造方法
本発明のＴＦＴ基板の製造方法は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に配列された複数のデータ線と、複数の上記データ線と交差して配列された複数の走査線と、上記データ線および上記走査線と電気的に接続され、複数の上記データ線および複数の上記走査線が交差する複数の交点に配置された複数のＴＦＴとを有し、複数の上記ＴＦＴは、少なくとも４つの位置決め用ＴＦＴを有するＴＦＴ基板を製造するＴＦＴ基板の製造方法であって、上記樹脂基板上に、ソース電極およびドレイン電極を配置するソースドレイン電極配置工程と、上記ソースドレイン電極配置工程の後に、パターン状の機能層を描画する描画工程とを有し、上記ソースドレイン電極配置工程では、上記位置決め用ＴＦＴの上記ソース電極と上記ドレイン電極との間の領域の形状であるチャネル形状が、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状と同一の形状であり、他の上記ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記データ線に対して第１の方向であるとき、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状の向きが、上記第１の方向とは異なる第２の方向となるように上記ソース電極と上記ドレイン電極とが形成され、上記描画工程では、上記位置決め用ＴＦＴの上記チャネル形状をアライメントマークとして上記機能層を形成する工程であることを特徴とする方法である。
【００７７】
本発明によれば、ＴＦＴ基板の性能の低下を抑制しつつ、アライメントマークを別途設ける必要がなく、樹脂基板の寸法変動応じた高精度な位置決めを行うことが可能なＴＦＴ基板を得ることができる。なお、具体的な効果については、上述した「Ａ．ＴＦＴ基板」の項に記載した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００７８】
以下、本発明のＴＦＴ基板の製造方法について各工程に分けて説明する。
【００７９】
１．ソースドレイン電極配置工程
本発明におけるソースドレイン電極配置工程は、樹脂基板上に、ソース電極およびドレイン電極を配置する工程である。
なお、ソース電極およびドレイン電極の構成や形成方法については、上述した「Ａ．ＴＦＴ基板」の項に記載した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００８０】
２．描画工程
本発明における描画工程は、ソースドレイン電極配置工程の後に、パターン状の機能層を描画する工程である。また、チャネル形状の向きが第２の方向であるＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとして機能層を描画する工程である。
【００８１】
本発明における描画方法としては、チャネル形状の向きが第２の方向であるＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとして用いて、所望の機能層を描画することができる方法であれば特に限定されない。例えば、マスクレス露光方法が挙げられる。具体的には、機能層を成膜し、その後、マスクを用いずに露光して所望の形状にパターニングする方法である。
【００８２】
マスクレス露光方法に用いられる装置としては、例えば、ディジタル・マイクロミラー・デバイスが挙げられる。なお、以下、ディジタル・マイクロミラー・デバイスをＤＭＤと略して説明する場合がある。例えば、図５に示すように、ＤＭＤ７は、基板８上を移動しながら描画することができる装置である。
【００８３】
本発明におけるＤＭＤは、まず、位置決め用ＴＦＴのチャネル領域をアライメントマークとして用いて、樹脂基板の歪み等の寸法変動を認識し、その情報により、寸法変動が起きる前の樹脂基板の設計値に補正を行うことにより、樹脂基板の寸法変動に応じた機能層の位置決めを行うことが可能となる。
【００８４】
本発明における機能層とは、ＴＦＴの構造に応じて適宜選択されるものであり、特に限定されない。例えば、図４（ａ）に示すようなボトムゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向となるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ＴＦＴ形成後に、ＴＦＴ上に配置される任意の部材の位置決めを行うことができる。したがって、この場合、当該任意の部材を本発明における機能層とすることができる。
また、図４（ｂ）に示すようなボトムゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向となるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置された半導体層５等の位置決めを行うことができる。したがって、この場合、当該半導体層を本発明における機能層とすることができる。
さらに、図４（ｃ）に示すようなトップゲートトップコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向となるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置されたゲート絶縁層６やゲート電極４等の位置決めを行うことができる。したがって、この場合、当該ゲート絶縁層、ゲート電極を本発明における機能層とすることができる。
さらにまた、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴ１０の場合には、チャネル形状の向きが第２の方向となるチャネル領域をアライメントマークとして用いることにより、例えば、ソース電極２およびドレイン電極３上に配置された半導体層５やゲート絶縁層６およびゲート電極４等の位置決めを行うことができる。したがって、この場合、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極を本発明における機能層とすることができる。
【００８５】
なお、上述したＴＦＴの各部材については、上記「Ａ．ＴＦＴ基板  １．ＴＦＴ」の項に記載した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００８６】
３．その他の工程
本発明においては、上述した工程の他にも、必要に応じてその他の工程を有していても良い。その他の工程としては、ＴＦＴの各部材を形成する工程が挙げられる。なお、ＴＦＴの各部材を形成する形成方法については、上記「Ａ．ＴＦＴ基板  １．ＴＦＴ」の項に記載した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００８７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８８】
以下、本発明について参考例および実施例を挙げて説明する。
【００８９】
[実施例]
Ａ４サイズ（２１０ｍｍ×２９７ｍｍ）のポリエチレンテレフタレート基板を準備した。次に、ポリエチレンテレフタレート基板上に、真空蒸着法により厚みが１００ｎｍのＡｕ薄膜を形成し、次いでフォトリソグラフィ法によりパターニングしてソース電極およびドレイン電極を形成した。このとき、ソース電極およびドレイン電極により画定されたチャネル形状の向きが第１の方向となるように設計し、当該チャネル形状の２００個おきには、チャネル形状の向きが第１の方向とは異なる第２の方向となるチャネル形状を計２０個設けた。続いて、第２の方向を向くチャネル形状をアライメントマークとして用いて、インクジェット法によりチャネル形状上に有機半導体層を形成した。さらに、第２の方向を向くチャネル形状をアライメントマークとして用いて、ＤＭＤを用いたフォトリソグラフィ法によりパターニングしたポジレジストをマスクとして、ドライエッチング法によりパターニングし、有機半導体層上にゲート絶縁層を形成した。最後に、ゲート絶縁層上に、スパッタリング法により厚み１００ｎｍのＡｌ膜を形成し、次いで、第２の方向を向くチャネル形状をアライメントマークとして用いて、ＤＭＤを用いたフォトリソグラフィ法によりパターニングしたポジレジストをマスクとして、ウェットエッチング法によりパターニングし、ゲート電極を形成した。このようにして、図４（ｄ）に示すようなトップゲートボトムコンタクト構造のＴＦＴを形成し、ＴＦＴ基板を得た。なお、上述のように形成したＴＦＴは、ピッチが３００μｍとなるように６００×８００個配置した。また、ＴＦＴを製造した際のプロセス最高温度は１５０℃であった。
【００９０】
[比較例]
第２の方向を向くチャネル形状、すなわち位置決め用ＴＦＴを形成せず、一般的なフォトリソグラフィ法によりＴＦＴの各構成を形成したこと以外は、実施例と同様にＴＦＴ基板を作製した。
【００９１】
[評価]
実施例では、位置決め用ＴＦＴにおける第２の方向を向くチャネル形状をアライメントマークとし、有機半導体層、絶縁層およびゲート電極を形成した。その結果、アライメント精度は５μｍであった。一方、比較例では、一般的なフォトリソグラフィ法によりＴＦＴの各構成を形成した結果、アライメント精度は数十μｍであった。このようなことから、チャネル形状の向きを変えた位置決め用ＴＦＴを設けることにより、ＴＦＴ基板の製造工程において樹脂基板の寸法変動に応じた高精度な位置決めを行うことができることが明らかとなった。
【符号の説明】
【００９２】
１        …樹脂基板
２        …ソース電極
２ａ      …データ線
３        …ドレイン電極
４        …ゲート電極
４ａ      …走査線
５        …半導体層
６        …ゲート絶縁層
１０      …ＴＦＴ
１００    …ＴＦＴ基板
Ｒ        …チャネル領域
Ｗ        …チャネル幅
Ｌ        …チャネル長
【図１】
2017017120.tif 000003
【図２】
2017017120.tif 000004
【図３】
2017017120.tif 000005
【図４】
2017017120.tif 000006
【図５】
2017017120.tif 000007