【事件の表示】
　特願２００５−　５９３８０「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月１４日出願公開，特開２００６−２４５３１７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年３月３日の出願であって，平成２０年９月１７日付けの拒絶理由通知に対して，同年１１月２６日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２１年１０月１４日に拒絶査定がされ，これに対し，平成２２年１月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正書が提出されたものである。
　その後，平成２３年８月１６日付けで当審より審尋がなされ，同年１０月１３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１月２７日付けの手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって，そのうち特許請求の範囲については，本件補正の前後で以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「　【請求項１】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって，
　III-V族窒化物半導体からなる半導体層と，
　前記半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と，
　前記ゲート電極を覆い，前記ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置。
　　【請求項２】
　前記半導体層として，
　キャリアが走行するキャリア走行層と，
　キャリアを供給するキャリア供給層と，
　前記キャリア供給層を保護する保護層とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記保護層表面に形成されている請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記半導体層として，
　キャリアが走行するキャリア走行層と，
　キャリアを供給するキャリア供給層とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記キャリア供給層表面に形成されている請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記キャリア走行層としてＧａＮからなる半導体層を備え，
　前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備え，
　前記保護層としてＧａＮからなる半導体層を備える請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記キャリア走行層としてＧａＮからなる半導体層を備え，
　前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備える請求項３記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記絶縁膜は，ＳｉＮであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記ゲート電極は，
　前記ゲート絶縁膜の凹部に形成されている請求項１乃至６のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置の製造方法であって，
　III-V族窒化物半導体からなる半導体層を形成する工程と，
　前記半導体層表面にゲート絶縁膜を形成する工程と，
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と，
　前記ゲート電極を覆い，前記ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜を形成する工程とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】
　前記半導体層として，
　キャリアが走行するキャリア走行層を形成する工程と，
　キャリアを供給するキャリア供給層を形成する工程と，
　前記キャリア供給層を保護する保護層を形成する工程とを備え，
　前記ゲート絶縁膜を，
　前記保護層表面に形成する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記半導体層として，
　キャリアが走行するキャリア走行層を形成する工程と，
　キャリアを供給するキャリア供給層を形成する工程とを備え，
　前記ゲート絶縁膜を，
　前記キャリア供給層表面に形成する請求項８記載の半導体装置の製造方法。」
〈補正後〉
「　　【請求項１】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって，
　III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層と，
　前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と，
　前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置。
　　【請求項２】
　前記キャリア走行層としてＧａＮからなる半導体層を備え，
　前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備える請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記ゲート電極は，
　前記ゲート絶縁膜の凹部に形成されている請求項１または２記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置の製造方法であって，
　III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層を形成する工程と，
　前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜を形成する工程と，
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と，
　前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜を形成する工程とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１，１０の「III-V族窒化物半導体からなる半導体層」との事項を，本件補正後の請求項１，４の「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層」と補正する。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１，１０の「前記半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜」との事項を，本件補正後の請求項１，４の「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜」と補正する。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項１，１０の「前記ゲート電極を覆い，前記ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜」との事項を，本件補正後の請求項１，４の「前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」と補正する。
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項４の「前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備え，前記保護層としてＧａＮからなる半導体層を備える」との事項を，本件補正後の請求項２の「前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備える」と補正する。
（５）補正事項５
　本件補正前の請求項２，３，５，６，９，１０を削除し，請求項を繰り上げる。
　
３．新規事項の追加の有無及び補正目的の適否について
　本件補正事項が，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合するか否か，及び，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）各号に掲げる事項を目的とするものであるか否かについて，以下で検討する。
　
（１）補正事項１における，補正後の「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層」との事項は，補正前の請求項１３及び１４，本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の００１３段落〜００１４段落，及び図１，図２に示されているから，補正事項１は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，「III-V族窒化物半導体からなる半導体層」を「キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える」と限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項１は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２における，補正後の「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜」との事項は，当初明細書の００１３段落〜００１４段落，及び図１，図２に示されているから，補正事項２は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，「前記半導体層表面に形成された」を「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成された」とする補正は，補正事項１により半導体層がＧａＮ保護膜を備えるとされたことに伴い，より具体的にゲート絶縁膜の構成を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項２は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項３における，補正後の「前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」との事項は，補正前の請求項４，当初明細書の００１３段落〜００１４段落，及び図１，図２に示されているから，補正事項３は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって，補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３の，「ゲート電極を覆い，ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜」を「ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」とする補正は，絶縁膜が露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，その材料がＳｉＮからなることとし，より具体的にゲート絶縁膜の構成・材料を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。よって，補正事項３は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（４）補正事項４における，補正前の請求項４の「前記キャリア供給層としてＡｌＧａＮからなる半導体層を備え，前記保護層としてＧａＮからなる半導体層を備える」から「前記保護層としてＧａＮからなる半導体層を備える」を削除する補正は，補正後の請求項１の「ＧａＮ保護層とを備える」の記載との重複を避けるもので，特許請求の範囲の明りょうでない記載の釈明を目的とするものといえる。よって，補正事項４は特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し，同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項５における，請求項数の補正は，請求項の削除に伴う補正であり，特許請求の範囲の明りょうでない記載の釈明を目的とするものといえる。よって，補正事項５は特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し，同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
４．独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし，同法第１７条の２第４項に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）否かについて，以下で検討する。
　
４−１．本願補正発明
　本願補正発明は，平成２２年１月２７日付けの手続補正により補正された願書に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって，
　III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層と，
　前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と，
　前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置。」
　
４−２．引用例に記載された事項と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−３２４８１３号公報（以下「引用例」という。）には，図３とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，オン状態のゲートリーク電流の低減と大きな論理振幅および大きな最大ドレイン電流を実現するヘテロ構造電界効果トランジスタに関するものである。」
　
イ　「【００２５】
【発明が解決しようとする課題】このように，従来，ショットキー接合によりゲート電極を形成した場合，ショットキーバリア障壁高さにより，トランジスタ動作可能なゲート電圧の上限値が制限されるという課題があった。
【００２６】本発明はこのような課題を解決するためのものであり，ゲートリーク電流を抑制して，高いゲート電圧でトランジスタ動作可能であって，最大ドレイン電流が大きく，パワー特性に優れたヘテロ構造電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために本発明のヘテロ構造電界効果トランジスタは，基板上にバッファ層，チャネル層，スペーサ層，キャリア供給層等の半導体層を順次堆積させ，さらに，その上に単数または複数の半導体層をエピタキシャル成長させた半導体多層構造の表面にソース電極，ドレイン電極，ゲート電極が形成されているヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて，前記ゲート電極と前記半導体多層構造の表面との間に絶縁層，あるいは絶縁層と金属層を配置したことに特徴を有している。」
　
ウ　「【００５０】（実施例３）図３は，本発明に係る第３実施例を示す説明図である。同図において，
サファイア（０００１）基板３−０上にＡｌＮ（４０ｎｍ）のバッファ層３−１，ＧａＮ（３μｍ）のチャネル層３−２，Ａｌ
0.25
Ｇａ
0.75
Ｎ（３ｎｍ）のスペーサ層３−３，所定の濃度のＳｉドナをドープしたＡｌ
0.25
Ｇａ
0.75
Ｎ（８ｎｍ）キャリア供給層３−４
ＧａＮ（４ｎｍ）のショットキー層３−５が順次エピタキシャル成長（例えば，ＭＯＣＶＤやＲＦＭＢＥ等）され，半導体多層構造が形成されている
【００５１】このようにして作製された多層構造の表面には，例えば
Ｔｉ／Ａｌを局所的に堆積し熱処理する事によるソース電極３−８，ドレイン電極３−９のオーミックコンタクト領域
ショットキー層３−５上に，高誘電体材料からなる絶縁層３−１１
ゲート電極３−１２
【００５２】本実施例においては，
ゲート電極３−１２直下に絶縁層３−１１を形成している
【００５３】また，本実施例においては，ゲート容量はスペーサ層３−３からショットキー層３−５に至る各層と絶縁層３−１１から構成される。絶縁層３−１１に比誘電率が大なる高誘電材料を用いているので，ゲート容量の値が，従来構造と比較して著しく低下することはない。
【００５４】例えば，絶縁層３−１１の高誘電体材料の比誘電率が１０，その厚さが５ｎｍの場合に，本実施例のゲート容量は，図９に示した第３の従来構造に置き換えると，スペーサ層９−３からショットキー層９−５にかけての層厚の総和が２０ｎｍの場合のゲート容量にほぼ一致し，優れたトランジスタ特性を実現するために十分大きな値となる。高誘電体材料の比誘電率が１０よりも大きい場合は，ゲート容量は更に増加する。
【００５５】更に，本実施例におけるゲートリーク電流は絶縁層３−１１の効果により抑制されるのであるから，所定のしきい値を実現する範囲で，本実施例におけるスペーサ層３−３，キャリア供給層３−４，ショットキー層３−５の更なる薄層化が可能である。従って，ゲート容量の更なる増加，それに伴う相互コンダクタンスの向上などトランジスタ特性の更なる改善も可能である。」
エ　「【００７５】
第１〜第６実施例における前記絶縁層１〜６−１１は，高誘電体材料として
酸化ハフニウム（ＨｆＯ
2
）
酸化ランタン（Ｌａ
2
Ｏ
3
）
酸化タンタル（Ｔａ
2
Ｏ
5
）
酸化イットリウム（Ｙ
2
Ｏ
3
）
からなる群から選ばれるいずれかの材料から形成される
　
　ここで，図３を参照すると，ＧａＮからなるショットキー層３−５は，Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎからなるキャリア供給層３−４を被覆していること，及び，キャリア供給層３−４の上のショットキー層３−５にソース電極・ドレイン電極が形成されていることが見て取れる。
　
（２）以上を総合すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「サファイア（０００１）基板３−０上にＡｌＮ（４０ｎｍ）のバッファ層３−１，ＧａＮ（３μｍ）のチャネル層３−２，Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ（３ｎｍ）のスペーサ層３−３，所定の濃度のＳｉドナをドープしたＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ（８ｎｍ）キャリア供給層３−４，ＧａＮ（４ｎｍ）のショットキー層３−５が順次エピタキシャル成長された半導体多層構造が形成されることにより，
　ショットキー層３−５はキャリア供給層３−４を被覆しており，
　ショットキー層３−５上にＴｉ／Ａｌを局所的に堆積し熱処理する事によってソース電極３−８，ドレイン電極３−９が形成され，
　ショットキー層３−５上に，高誘電体材料からなる絶縁層３−１１と，絶縁層３−１１上のゲート電極３−１２が形成され，
　ゲート電極３−１２直下の絶縁層３−１１は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），及び酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含む群から選ばれるいずれかの高誘電体材料からなるヘテロ構造電界効果トランジスタ。」
　
４−３．本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明のヘテロ構造電界効果トランジスタは，チャネル層及びキャリア走行層は，それぞれIII-V族窒化物半導体であるＧａＮ及びＡｌＧａＮからなっている。また，ヘテロ構造電界効果トランジスタが半導体装置であることは明らかであるから，引用発明は，III-V族窒化物半導体からなる半導体装置といえる。
　
（２）引用発明における「ＧａＮ（３μｍ）のチャネル層３−２」，及び「所定の濃度のＳｉドナをドープしたＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ（８ｎｍ）キャリア供給層３−４」は，各々本願補正発明における「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層」，及び「キャリアを供給するキャリア供給層」に相当する。
　
（３）引用発明の「ソース電極３−８，ドレイン電極３−９」は，本願補正発明の「ソース，ドレイン」に相当する。
　そして，引用発明の「ＧａＮ（４ｎｍ）のショットキー層３−５」は「キャリア供給層３−４を被覆して」おり，「キャリア供給層３−４」を保護しているものといえるから，本願補正発明と引用発明とは，「前記キャリア供給層を保護し，ソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層」を備える点で共通する。
　
（４）引用発明の「ＡｌＮ（４０ｎｍ）のバッファ層３−１，ＧａＮ（３μｍ）のチャネル層３−２，Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ（３ｎｍ）のスペーサ層３−３，所定の濃度のＳｉドナをドープしたＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ（８ｎｍ）キャリア供給層３−４，ＧａＮ（４ｎｍ）のショットキー層３−５が順次エピタキシャル成長された半導体多層構造」と，本願補正発明の「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層」とは，「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護するＧａＮ保護層とを備える半導体層」である点で共通する。
　
（５）引用発明の「ゲート電極３−１２」は，本願補正発明の「ゲート電極」に相当する。
　
（６）本願補正発明においては，ゲート絶縁膜の材料は複数材料から選択することとされているから，引用発明における，「ショットキー層３−５上」で「ゲート電極３−１２直下に」「形成された」「酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），及び酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含む群から選ばれるいずれかの高誘電体材料からなる」「絶縁層３−１１」は，本願補正発明の「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜」であって，「　Ｔａ（タンタル）酸化物，　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，　Ｌａ（ランタン）酸化物，　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる」ものとは，「ＧａＮ保護膜上に形成されたゲート絶縁膜であって，　Ｔａ（タンタル）酸化物，　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，　Ｌａ（ランタン）酸化物，　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる」ものである点で共通する。
　
　
（７）そうすると，引用発明及び本願補正発明は次の点で一致する。
＜一致点＞
「III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって，
　III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，ソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層と，
　ＧａＮ保護膜上に形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置。」
　
（８）一方，両者は次の各点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明における「ＧａＮ保護層」は，「キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成された」ものであるのに対して，引用発明においては「ソース電極３−８，ドレイン電極３−９」を備えるものの，「ショットキー層３−５」すなわち「ＧａＮ保護層」は，複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたものではない点。
＜相違点２＞
　本願補正発明においては，「ゲート絶縁膜」は「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成され」ているのに対して，引用発明においては，「ゲート絶縁膜」は「ＧａＮ保護膜上に形成され」てはいるものの，「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成され」てはいない点。
＜相違点３＞
　本願補正発明は「前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」を備えているのに対し，引用発明はそのようなものを備えない点。
　
４−４．相違点についての判断
《相違点１について》
　表面を被覆するＧａＮ半導体層に開口部を形成し，開口内にそれぞれソース，ドレインを形成することは以下の周知例１にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　
・周知例１：国際公開第２００４／００８４９５号
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開第２００４／００８４９５号には，Figure１A〜１Ｅとともに次の記載がある。
　
ア「In particular embodiments of the present invention, the first cap layer 22 is thick enough and has a high enough Al composition and doping to induce a significant carrier concentration at the interface between the channel layer 20 and the first cap layer 22 through polarization effects when the first cap layer 22 is buried under ohmic contact metal.」（抄訳：本発明の特定の実施形態において，第１キャップ層２２は，十分厚く，かつ，十分高いＡｌ組成及びドープを有し，第１キャップ層２２が，オーミックコンタクト金属下に埋め込まれたとき，分極効果によって，チャネル層２０と第１キャップ層２２との間の界面に顕著なキャリア濃度を誘発する。）（第８ページ２５−２９行）
　
イ「For　example, the first cap layer 22 may be AlN and the second cap layer 24 may be AlGaN or GaN」（抄訳：　例えば，第１キャップ層２２は，ＡｌＮで，第２キャップ層２４は，ＡｌＧａＮ又はＧａＮでよい。）（第１０ページ１０−１１行）
　
ウ「Figure.1E illustrates removal of the mask 30 and formation of the ohmic contacts 40 in the recesses defined by (i.e.,adjacent) the second cap layer 24. ・・・The ohmic contacts 40 are formed on the first cap layer 22.」（抄訳：図１Eは，マスクを除去して，第２キャップ層によって（即ち，隣接することによって）輪郭が決定される凹部にオーミックコンタクトを形成する工程を示す図である。・・・オーミックコンタクト４０は，第１キャップ層２２上に形成される。）（第１２ページ１１−１４行）
　
　上記アの記載から，第１キャップ層２２がキャリア供給層であることがわかる。また，上記周知例１のFigure１A〜　Figure　１E　において，第２キャップ層２４に開口部を形成し，ソース・ドレイン電極に相当するオーミックコンタクト４０を形成した半導体装置が記載されている。よって，上記ア〜ウの記載より，キャリア供給層上に形成されたＧａＮからなる第２キャップ層２４（すなわち本願補正発明における「ＧａＮ保護層」に相当。）に開口部を形成し，該開口内にそれぞれソース，ドレインを形成することが記載されていることがわかる。
　
　そして，引用発明において，「ソース電極３−８，ドレイン電極３−９」がオーミックコンタクトを形成するものであることは明らかであるから，「キャリア供給層」上に形成された「ショットキー層」，すなわち「ＧａＮ保護層」について上記周知技術を適用し，「ＧａＮ保護層」が「キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成された」ものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　
《相違点２について》
　ソース，ドレイン間に露出する半導体膜を覆うように形成されたゲート絶縁膜は，以下の各周知例にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　
・前記周知例１（国際公開第２００４／００８４９５号）には，さらに次の記載がある。
ア　「In some embodiments, insulating layers such as SiNx, or relatively high quality AlN may be deposited for making a MISHEMT, passivating the surface, and/or encapsulating the second cap layer 24 during future processing.The additional layers 26 may also include a compositionally graded transition layer on the first and/or second cap layers 22 and/or 24. The additional layers 26 may be deposited in the epi reactor directly after formation of the second cap layer 24 which may allow for improved control of the interface and surface states between the second cap layer 24 and the additional layers 26. Furthermore, because the region of the additional layers 26 has the same smaller region patterning as the second cap layer 24, these layers may also benefit from reduced cracking even if the tensile strain is increased by the additional layers 26 .」（抄訳：いくつかの実施形態において，表面を安定化処理することによって，及び／又は，以降の処理の間第２キャップ層２４を密閉することによって，ＭＩＳＨＥＭＴを作るためにＳｉＮｘ又は比較的高品質のＡｌＮなどの絶縁層を蒸着することができる。追加層２６として，第１キャップ層２２上，及び／又は，第２キャップ層２４上で組成的に等級分けした遷移層も挙げることができる。追加層２６は，第２キャップ層２４の形成後直ちに，エピタキシャル成長装置内で蒸着することが可能なので，第２キャップ層２４と追加層２６との間の界面及び表面状態の制御を改善することができる。更に，
追加層２６の領域は，第２キャップ層２４と同一の，より小さいパターン形成された領域を有する
　
　ここで，Figure１Ｅ及びFigure２を参照すると，第２キャップ層２４はソース・ドレインに相当するオーミックコンタクト４０間に形成され，追加層２６は第２キャップ層２４全体上を覆うように形成されている。
　
・周知例２：国際公開第０３／０３２３９７号
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開第０３／０３２３９７号には，FIG.１とともに次の記載がある。
「 An insulating layer 24 is included on the barrier layer 18 between the contacts 13 and 14. In the embodiment shown, the insulating layer 24 covers the entire barrier layer 18, but in other embodiments (one described below) all of the barrier layer 18 is not covered. The layer 24 can be made of many different materials including but not limited to silicon nitride (SiN) , aluminum nitride (AlN) , silicon dioxide (Si0 2 ) or a combination incorporating multiple layers thereof.」（抄訳：　
絶縁層２４は，ソースおよびドレインコンタクト１３と１４の間のバリア半導体層１８上に設けられている。本実施例１では，絶縁層２４は，バリア半導体層１８の全体を被覆する
　
　ここでFIG.１を参照すると，ＳｉＮゲート絶縁膜２４が，ソース１３，ドレイン１４間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成された構成が示されている。
　
　そして，引用発明において，前記《相違点１について》において示した周知技術とともに，上記の周知技術を採用して，「ゲート絶縁膜」が「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成され」たものとすることは，当業者が適宜になしえたことである。
　
《相違点３について》
　ゲート電極と，露出したゲート絶縁膜全体を覆って，ＳｉＮからなる絶縁膜を設けることは，以下の周知例３にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　
・周知例３：特開２００４−３３５８２８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３には，図２（ｄ）とともに，次の記載がある。
　
「【００２１】
工程４：図２（ｄ）に示すように，ゲート電極１５等を覆うように，例えば窒化シリコンからなるパッシベーション膜１７を形成する。かかる工程で，電界効果トランジスタ１００が完成する。」
　
　ここで図２（ｄ）を参照すると，ゲート電極１５を含む電界効果トランジスタの表面全体を覆うように形成された，窒化シリコン（すなわちＳｉＮ）からなる絶縁膜であるパッシベーション膜１７を備えた構成が記載されている。
　
　また，半導体装置の表面にパッシベーション膜を設けることは，従来より慣用されていた技術であるから，引用発明において，前記《相違点１について》において示した周知技術とともに，上記周知技術を適用して，「ゲート電極」及び，「露出した」「ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
４−５．独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．補正却下の決定についてのまとめ
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２２年１月２７日付けの手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１０に係る発明は，平成２０年１１月２６日付けの手続補正書により補正された願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「　【請求項１】
　III-V族窒化物半導体からなる半導体装置であって，
　III-V族窒化物半導体からなる半導体層と，
　前記半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と，
　前記ゲート電極を覆い，前記ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜とを備え，
　前記ゲート絶縁膜は，
　Ｔａ（タンタル）酸化物，
　Ｈｆ（ハフニウム）酸化物，
　ＨｆＡｌ（ハフニウムアルミニウム）酸化物，
　Ｌａ（ランタン）酸化物，
　又はＹ（イットリウム）酸化物からなる半導体装置。」
　
２．引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２．（２）に記載したとおりのものである。
　
３対比・判断
　前記第２，２．（１）〜（３）で検討したように，本願補正発明は，本願発明について，本件補正前の「III-V族窒化物半導体からなる半導体層」との事項を，本件補正後の「III-V族窒化物半導体からなり，キャリアが走行するキャリア走行層と，キャリアを供給するキャリア供給層と，前記キャリア供給層を保護し，前記キャリア供給層を露出する複数の開口内にそれぞれソース，ドレインが形成されたＧａＮ保護層とを備える半導体層」とする限定を付し，また，本件補正前の「前記半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜」との事項を，本件補正後の「前記ソース，ドレイン間に露出するＧａＮ保護膜全体を覆うように形成されたゲート絶縁膜」とする限定を付し，また，本件補正前の「前記ゲート電極を覆い，前記ゲート絶縁膜より比誘電率の低い絶縁膜」との事項を，本件補正後の「前記ゲート電極，露出した前記ゲート絶縁膜全体を覆い，ＳｉＮからなる絶縁膜」とする限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２「４−３．本願補正発明と引用発明との対比」〜第２「４−５．独立特許要件についてのまとめ」において検討したとおり，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。