【事件の表示】
　特願２０００−２４９５７６「半導体チップ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２８日出願公開、特開２００２−　６４１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１２年８月２１日の出願であって、平成２２年９月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２０日に審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成２２年１２月２０日付の手続補正についての補正却下の決定 
　［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１２月２０日付手続補正を却下する。
　
　［理由］
　
（１）補正後の請求項１に記載された発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。
　
「【請求項１】　ジンケート処理を施したアルミニウム電極パッド側の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層に形成され該電極パッドへ接続してバンプを搭載する銅めっきを充填して成るビアと、が形成された半導体チップであって、
　前記絶縁層が、２以上の絶縁膜からなり、半導体チップ側の絶縁膜の熱膨張率が外部基板側の絶縁膜より相対的に低く、外部基板側の絶縁膜の熱膨張率が半導体チップ側の絶縁膜より相対的に高く、
　前記ビアと接触する前記絶縁層の表面は粗化処理が施されていることを特徴とする半導体チップ。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「電極パッド」ついて、「ジンケート処理を施したアルミニウム電極パッド」と限定するとともに、「電極パッドを外部基板へ接続するためのビア」について、「電極パッドへ接続してバンプを搭載する銅めっきを充填して成るビア」と限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例 
　
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−２２０５２号公報（平成１２年１月２１日公開、以下、「引用例１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「【０００５】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態における半導体装置の実装構造の断面図を示したものである。半導体装置２１は平面方形状のシリコン基板２２を備えている。シリコン基板２２の下面の外周部には複数の接続パッド２３が形成されている。接続パッド２３の中央部を除くシリコン基板２２の下面全体には絶縁膜２４が形成され、接続パッド２３の中央部が絶縁膜２４に形成された開口部２５を介して露出されている。この露出された接続パッド２３の下面から絶縁膜２４の下面にかけて配線（下地金属層）２６が形成されている。この場合、配線２６は、接続パッド２３下に形成された接続部２６ａと、絶縁膜２４の下面の所定の箇所に形成された接続パッド部２６ｂと、その間に形成された引き回し線２６ｃとからなっている。接続パッド部２６ｂの下面には銅や金等からなる柱状電極２７が形成されている。
【０００６】柱状電極２７を除く絶縁膜２４の下面には封止膜２８が形成されている。封止膜２８は、絶縁膜２４側から順に、エポキシ樹脂２９ａ中にシリカ粒子２９ｂを混入してなる下側封止膜２９、エポキシ樹脂３０ａ中にシリカ粒子３０ｂを混入してなる中間封止膜３０、エポキシ樹脂のみからなる上側封止膜３１の３層構造となっている。この場合、シリカ粒子２９ｂ、３０ｂは熱膨張係数を低下させるためのものであり、その径は同じであるが、シリカ粒子２９ｂのエポキシ樹脂２９ａ中への混入率がシリカ粒子３０ｂのエポキシ樹脂３０ａ中への混入率よりも大きくなっている。これにより、下側封止膜２９の熱膨張係数はシリコン基板２２の熱膨張係数に近い値となっている。また、中間封止膜３０の熱膨張係数は、エポキシ樹脂の熱膨張係数よりも小さく且つ下側封止膜２９の熱膨張係数よりも大きい値となっている。この場合、封止膜２８が３層構造であるので、中間封止膜３０の熱膨張係数は、下側封止膜２９の熱膨張係数と上側封止膜３１の熱膨張係数との中間の値となっている。さらに、上側封止膜３１の熱膨張係数は、エポキシ樹脂のみからなるので、後述する配線基板３３を構成する例えばガラスエポキシの熱膨張係数に近い値となっている。」
　
　この記載によると、引用例１には、
　
　「シリコン基板の下面の外周部に形成された複数の接続パッドの中央部を除くシリコン基板の下面全体に形成された絶縁膜の下面に形成された封止膜と、接続パッドを含む配線に形成された銅や金等からなる柱状電極と、が形成された半導体装置であって、封止膜は、絶縁膜側から順に、エポキシ樹脂中に熱膨張係数を低下させるためのシリカ粒子を混入してなる下側封止膜、エポキシ樹脂中に熱膨張係数を低下させるためのシリカ粒子を混入してなる中間封止膜、エポキシ樹脂のみからなる上側封止膜の３層構造となっており、下側封止膜の熱膨張係数はシリコン基板の熱膨張係数に近い値となっており、中間封止膜の熱膨張係数は、下側封止膜の熱膨張係数と上側封止膜の熱膨張係数との中間の値となっており、上側封止膜の熱膨張係数は、配線基板の熱膨張係数に近い値となっている半導体装置。」の発明（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２−２）また原査定において提示された特開２０００−１７４０５２号公報（平成１２年６月２３日公開、以下「引用例２」という。）には、「半導体チップ及び半導体チップの製造方法」に関する発明が開示されており、そこには、図面とともに次の事項が記載されている。 
　
・「【請求項４】  前記半導体チップの電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極であり、前記インナービアは、前記電極パッドにニッケルと銅の複合めっき層を介して銅めっきが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。」
　
・「【請求項１６】  前記ビアに充填された樹脂に可溶性フィラーが含まれ、前記ビアの開口の樹脂が可溶性フィラーを溶解することで粗化されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体チップの製造方法。」
　
（３）対比 
　本願補正発明と引用例１記載の発明を対比すると、後者における「シリコン基板の下面の外周部に形成された複数の接続パッド」は、前者における「電極パッド」に相当し、後者における「シリコン基板の下面の外周部に形成された複数の接続パッドの中央部を除くシリコン基板の下面全体に形成された絶縁膜の下面に形成された封止膜」は、前者における「電極パッド側の表面に形成された絶縁層」に相当する。
　また、後者における「接続パッドを含む配線に形成された銅や金等からなる柱状電極」は、前者における「絶縁層に形成され電極パッドへ接続してバンプを搭載する銅めっきを充填して成るビア」に相当する。
　また、後者において「封止膜は、絶縁膜側から順に、エポキシ樹脂中に熱膨張係数を低下させるためのシリカ粒子を混入してなる下側封止膜、エポキシ樹脂中に熱膨張係数を低下させるためのシリカ粒子を混入してなる中間封止膜、エポキシ樹脂のみからなる上側封止膜の３層構造となっており、下側封止膜の熱膨張係数はシリコン基板の熱膨張係数に近い値となっており、中間封止膜の熱膨張係数は、下側封止膜の熱膨張係数と上側封止膜の熱膨張係数との中間の値となっており、上側封止膜の熱膨張係数は、配線基板の熱膨張係数に近い値となっている」ことは、前者において「絶縁層が、２以上の絶縁膜からなり、半導体チップ側の絶縁膜の熱膨張率が外部基板側の絶縁膜より相対的に低く、外部基板側の絶縁膜の熱膨張率が半導体チップ側の絶縁膜より相対的に高く」なっていることに相当する。
　また、後者における「半導体装置」は、前者における「半導体チップ」に相当する。
　
　したがって、両者は、「電極パッド側の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層に形成され該電極パッドへ接続してバンプを搭載する銅めっきを充填して成るビアと、が形成された半導体チップであって、
　前記絶縁層が、２以上の絶縁膜からなり、半導体チップ側の絶縁膜の熱膨張率が外部基板側の絶縁膜より相対的に低く、外部基板側の絶縁膜の熱膨張率が半導体チップ側の絶縁膜より相対的に高い半導体チップ。」である点で一致し、次の各点において相違する。
　
［相違点１］
　「電極パッド」について、本願補正発明においては、「ジンケート処理を施したアルミニウム電極パッド」であるのに対して、引用例１記載の発明においては、単に「接続パッド」とされている点。
　
［相違点２］
　本願補正発明においては、「ビアと接触する絶縁層の表面は粗化処理が施されている」のに対し、引用例１記載の発明においては、粗化処理が施されていない点。
　
（４）判断 
　相違点１について検討すると、引用例２には、電極パッドをジンケート処理されたアルミニウム電極とすることが記載されており、該構成が当業者にとって格別な構成であるとも認められないので、引用例１記載の発明において、接続パッドをジンケート処理を施したアルミニウム製とすることは、該引用例２の記載より、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　相違点２について検討すると、引用例２には、ビアの開口の樹脂が粗化されているものとすることが記載されており、該構成が当業者にとって格別な構成であるとも認められないので、引用例１記載の発明において、柱状電極と接触する封止膜の表面は粗化処理が施されているものとすることは、該引用例２の記載より、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明、および、引用例２の記載事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明、および引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について 
　
（１）本願発明 
　平成２２年１２月２０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】　電極パッド側の表面に形成された絶縁層と、該絶縁層に形成され該電極パッドを外部基板へ接続するためのビアと、が形成された半導体チップであって、
　前記絶縁層が、２以上の絶縁膜からなり、半導体チップ側の絶縁膜の熱膨張率が外部基板側の絶縁膜より相対的に低く、外部基板側の絶縁膜の熱膨張率が半導体チップ側の絶縁膜より相対的に高く、
　前記ビアと接触する前記絶縁層の表面は粗化処理が施されていることを特徴とする半導体チップ。」
　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、原査定において提示された引用例２とその記載事項は、前記の「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明において、「電極パッド」ついて、「ジンケート処理を施したアルミニウム電極パッド」との限定、「電極パッドを外部基板へ接続するためのビア」について、「電極パッドへ接続してバンプを搭載する銅めっきを充填して成るビア」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１記載の発明、および引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明、および引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、および引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。