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　特願２００６−　４５９５５「光電変換素子、固体撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２７５７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１８年２月２２日に特許出願したものであって、平成１９年２月６日及び平成２３年６月２２日に手続補正がなされ、同年７月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２３年１０月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１０月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２３年１０月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項６（引用形式）を以下のように補正して新たな補正後の請求項１（独立形式）とすることを含むものである。
「光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子であって、
　前記光電変換素子は、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層と、前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記光電変換層の表面の凹凸を緩和する平滑層とを含む光電変換部を有し、
　前記光電変換素子は、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部とを有し、
　前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備え、
　前記平滑層は、トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１００〜２００ｎｍであり、
　前記光電変換層が多結晶の有機材料からなり、
　前記有機材料がキナクリドン骨格の材料を含み、
　前記第二電極が光入射側の電極であり、
　前記平滑層が、前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられ、
　前記第一電極を電子取り出し用の電極とし、前記第二電極を正孔取り出し用の電極とした固体撮像素子。」
　
２　補正の目的
　本件補正は、補正前（平成２３年６月２２日になされた手続補正後のもの）の請求項６において、平滑層の厚みを「１０〜３００ｎｍ」から「１００〜２００ｎｍ」に限定し、
「正孔輸送性材料からな」り、「前記正孔輸送性材料がトリフェニルアミン構造を有する材料」であって「有機のアモルファス材料からなる」平滑層を、「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる」平滑層に補正するものであるが、補正前に「アモルファス材料」であったものを、「アモルファス材料」との限定を削除する補正であり、「アモルファス材料」以外の材料に拡張する補正であるから、本件補正は、本件補正前の前記記載について、特許請求の範囲の減縮を目的として行ったものとはいえないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正の目的は、同法第１７条の２第４項第１号、第３号、第４号の、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本件補正後における特許要件について
　なお、以下のとおり、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許を受けることができないものであるから、本件補正を受け入れる余地はない。
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記１において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２００４−１３４９３３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
（ア）「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像部分に
有機イメージセンサ
【０００３】上記ハロゲン化銀感光材料システムの欠点を解消するシステムの一つとして、近年、デジタルスチルカメラを用いた撮影システムが急速に発展してきている。このデジタルスチルカメラは、通常、無機系材料（例えば、シリコン系）から成るフォトダイオードを光電変換部にＣＣＤイメージセンサーまたはＣＭＯＳイメージセンサーといわれる固体撮像素子を搭載している。しかしながら、ハロゲン化銀感光材料システムを用いたレンズ付きフィルム等に比較すると、低価格帯のデジタルスチルカメラでさえ、桁違いに高価である。また、該固体撮像素子の進歩から、デジタルスチルカメラの画質レベルは目覚ましい進歩が見られるが、撮影可能な光量のダイナミックレンジが狭く、かつ暗部のつぶれや明部の白飛びが生じやすい等の欠点も有している。この要因は、固体撮像素子の熱ノイズ、光電変換部の電荷の飽和の為であり、固体撮像素子が製造コストの観点から、いわゆる半導体プロセスルールに従って小型化に向かう限り、その解消は難しい状況である。・・・
【０００９】【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、撮像素子として有機イメージセンサを用いて、ハロゲン化銀写真感光材料を用いた撮影システム、無機系材料の固体撮像素子を用いたデジタルスチルカメラシステムの各欠点を解消した、高感度、高ダイナミックレンジで低コストな新たなデジタルスチルカメラ及びその作製方法を提供することである。」
　
（イ）「【００８０】請求項１３に係る発明のデジタルスチルカメラにおいては、
有機イメージセンサの光電変換部が、粒径０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の有機顔料を含
【００８１】本発明で用いることのできる
有機顔料として
例えば、・・・キナクリドン系、・・・等の縮合多環顔料、・・・等を挙げることができ
　
（ウ）「【０１０９】請求項１７に係る発明のデジタルスチルカメラにおいては、有機イメージセンサの光電変換部が、正孔輸送材料を含むことを特徴とする。
【０１１０】
正孔輸送材料として好ましく用いられる化合物としては、例えば、トリフェニルアミン系化合物
等を挙げることができ
【０１１６】以上の電子輸送材料または正孔輸送材料は、・・・各化合物と同じ層で用いてもよいし、また別層で用いてもよい。・・・
【０１１８】以上の
正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いられる材料は、単独で各層を形成することができ
　
（エ）「【０１２４】図７は、有機半導体を有する有機イメージセンサの一例を示す断面図である。図７に示す
有機イメージセンサには、入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）７０１が設けられ
この第１層７０１は、電磁波入射側から、隔膜７０２、透明電極膜７０３、正孔伝導層７０４、電荷発生層７０５、電子伝導層７０６、導電層７０７が設けられ
　
（オ）「【０１３０】図７の
第２層７０８には、第１層７０１で得られた電気エネルギーの蓄積及び蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う（発生電荷処理部）層が形成され
第２層７０８は、第１層７０１で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ７０９と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ７１０を用いて構成されてい
【０１３１】トランジスタ７１０は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に用いられている無機半導体系のものでもよく、有機半導体を用いてもよく、また、プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴであることも好ましい構成である。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国Ａｌｉｅｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社で開発しているＦＳＡ（Ｆｌｕｉｄｉｃ　Ｓｅｌｆ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。さらに、Ｓｃｉｅｎｃｅ２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。このように、本発明に用いられるスイッチング素子としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいのは、発生電荷処理部に有機半導体で構成されたＴＦＴを用いることである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコン等の無機半導体を用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷法やインクジェット法を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから、熱に弱いプラスチック基板状にも形成できる。」
　
（カ）「【０１３９】前述の図７において、
スイッチング素子であるトランジスタ７１０には、第１層７０１で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサ７０９の一方の電極となる収集電極７１１が接続され
このコンデンサ７０９には第１層７０１で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ７１０を駆動することで読み出され
すなわちスイッチング素子を駆動することで、画素毎の信号を生成することができ
【０１４０】図７において、トランジスタ７１０は、ゲート電極７１２、ソース電極（ドレイン電極）７１３、ドレイン電極（ソース電極）７１４、有機半導体層７１５、絶縁層７１６で構成されている。」
　
（キ）「【０１４４】図１０は、イメージセンサ１００の構成を示しており、イメージセンサ１００には
照射された光の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極１０１が２次元配置されており、この収集電極１０１がコンデンサ１０８の一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサ１０８に蓄えられる
　 
（ク）上記（ア）〜（キ）を踏まえて第７図をみると、下記ａないしｇの点が認められる。
ａ　透明電極膜と導電層は対向する。
ｂ　電荷発生層は透明電極膜と導電層との間に設けられる。
ｃ　正孔伝導層は透明電極膜と電荷発生層の間に設けられる。
ｄ　第１層は第２層の上方に積層される。
ｅ　コンデンサとトランジスタは第２層内に形成される。
ｆ　透明電極膜は電磁波（光）入射側の電極である。
ｇ　導電層は電子取り出し用の電極であり、透明電極膜は正孔取り出し用の電極である。
　
　また、第７図は、次のものである。
　
　
　上記（ア）〜（ク）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「照射された光の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極が２次元配置されており、この収集電極がコンデンサの一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサに蓄えられる有機イメージセンサであって、
　有機イメージセンサには、入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）が設けられ、この第１層は、電磁波入射側から、隔膜、透明電極膜、正孔伝導層、電荷発生層、電子伝導層、導電層が設けられ、
　第２層には、第１層で得られた電気エネルギーの蓄積及び蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う（発生電荷処理部）層が形成され、第２層は、第１層で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサと、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタを用いて構成されていて、
　スイッチング素子であるトランジスタには、第１層で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサの一方の電極となる収集電極が接続され、このコンデンサには第１層で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタを駆動することで読み出され、すなわちスイッチング素子を駆動することで、画素毎の信号を生成することができ、
　前記透明電極膜と前記導電層は対向し、前記電荷発生層は前記透明電極膜と前記導電層との間に設けられ、前記正孔伝導層は前記透明電極膜と前記電荷発生層の間に設けられ、前記第１層は前記第２層の上方に積層され、前記コンデンサと前記トランジスタは前記第２層内に形成され、前記透明電極膜は電磁波（光）入射側の電極であり、前記導電層は電子取り出し用の電極であり、前記透明電極膜は正孔取り出し用の電極であり、
　有機イメージセンサの光電変換部が、粒径０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の有機顔料を含み、有機顔料として、例えば、キナクリドン系等の縮合多環顔料等を挙げることができ、
　正孔輸送材料として好ましく用いられる化合物としては、例えば、トリフェニルアミン系化合物等を挙げることができ、
　正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いられる材料は、単独で各層を形成することができる有機イメージセンサ。」
　
イ　本願の出願前に頒布された、特開平１０−２２８９８２号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【００３４】本発明の有機発光素子の製造の具体例として、透明ガラス基板５上に、ＩＴＯから、蒸着法、スパッタ法等により透明な陽電極４を形成し、陽電極４上に、真空下の抵抗加熱法等の加熱法により”化５”のトリフェニルアミン４量体と、”化６”又は”化７”の色素化合物を同時に蒸着させ、アモルファス薄膜のホール輸送層２を形成する。ホール輸送層２の厚みは、４０〜２００ｎｍ程度の薄い膜が適当である。本発明においては、ホール輸送層２が発光層として利用される。
【００３５】ホール輸送層２上には、さらに、電子輸送層として、同様に、抵抗加熱蒸着により電子輸送化合物、例えば、トリス（８ーキノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）の蒸着膜が形成される。電子輸送層の厚みは、３５〜１００ｎｍ程度の薄い皮膜が採用される。」
（イ）「【００５４】・・・陽電極４の第２層であるホール注入用電極層４１は、ガラス基板５上の第一層の上、有機インジウム塩化物又は有機スズ塩化物の溶液を塗布した後乾燥し、基板ごと焼付けて表面平滑な酸化物として作成される。・・・
【００５５】一般的にＩＴＯ透明電極は低い電気抵抗を利用するものであったが、第１層４２は、低抵抗が好ましいので、従来の方法で形成してもよい。材料は、酸化インジウム、酸化すず、酸化アンチモン、酸化亜鉛から選ばれた１種の単独若しくは２種以上を複合化して形成される。第１層は、ガラス基板上にスパッタリング、電子ビーム蒸着等で作成し、そのあとで熱処理を行う。パターニングは、これら蒸着などの工程で行うことができる。スパッタリングや電子ビーム蒸着を行う場合は第１層の電極表面が荒れて凹凸が激しくなりそのまま使用すると黒点の発生要因を増大させる。第２層４１は、第１層４２上にコーティングされて、その表面の凹凸を少なくする点においても有効である。」
　
ウ　本願の出願前に頒布された、国際公開第０２／３０１５９号（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「また、本発明のトリアリール誘導体は、分子中に３級アリールアミン基を含有しているために、正孔輸送性があり、正孔輸送材料として適している他、本発明以外の正孔輸送材料と積層させることにより、電子輸送材料としての利用も可能である。
正孔注入層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点又はＴｇが高く、融点としては少なくとも２５０℃以上、Ｔｇとしては１００℃以上が要求されるが、本発明で使用するトリアリールアミン誘導体は、これらの要求を満たしており、正孔注入材料としても適している。
・・・なお、本発明で使用するトリアリールアミン誘導体を含有する層の膜厚であるが、通常５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。このように薄い層を作るには、蒸着法が好ましいが、必要により、バインダー樹脂を添加し、溶剤に溶解させ、塗布溶液を調整し、スピンコート法等の方法により塗布し、乾燥させ、製膜することもできる。
本発明の有機電界発光素子に使用される他の正孔注入材料及び正孔輸送材料については、光導伝材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されているものや、有機電界発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、・・・４，４’，４’’−トリス｛Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン、・・・などが挙げられる。本発明の有機電界発光素子において、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子注入材料などの使用材料としては、好ましくはＴｇが８０℃以上のもの、より好ましくはＴｇが１００℃以上のものである。
なお、本発明の有機電界発光素子における正孔注入層及び正孔輸送層は、上記の化合物の１種以上を含有する複数の層を積層したものであってもよい。」（１６頁１４行〜１８頁１４行）
（イ）「本発明の有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に制限はなく、素材の性質に応じて選定することができる。通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲で選定される。なお、トリフェニルアミン誘導体を薄膜化する方法としては、均質な膜が得やすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から蒸着法を適るのが好ましい。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、フェナントレン誘導体の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造及び会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃、真空度１〜１０Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で選定することが望ましい。」（２０頁３〜１４行）
　
エ　本願の出願前に頒布された、特開２００２−１９８１７１号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【００２８】＜有機層の平坦性＞まず有機層の平坦性について説明する。トリフェニルアミン多量体を主成分とする有機層は、上述のように正孔輸送層として用いることができるが、これを主成分とする有機層は、形成温度が高くなると表面荒さＲａが減少する。一方、発光層や電子輸送層には、キノリノールアルミ錯体を主成分とした有機層を用いることができるが、この有機層は形成温度が高くなると表面荒さＲａが増加し、特に、７０℃以上の条件で急激に増加する傾向を示すことがわかった。
【００２９】従って、このような傾向を示す両有機層の積層構造を平坦に保つためには、トリフェニルアミン多量体を主成分とする有機層を平坦化するためにある程度形成温度を高くし、かつキノリノールアルミ錯体を主成分とする有機層の表面荒さがあまり増加しないような形成温度に抑えておく必要がある。
【００３０】そこで、本実施形態では、有機層の形成温度を６０℃以上で８０℃以下に設定する。このような温度設定で有機層を蒸着形成すれば、トリフェニルアミン多量体を主成分とする有機層の表面荒さＲａを常温で形成した場合の９０％以下にまで平坦化しつつ、キノリノールアルミ錯体を主成分とした有機層の表面荒さＲａを常温で形成した場合の１２０％以下に抑えることが可能となる。これにより有機層の総合的な平坦性の指針としてトリフェニルアミン多量体を主成分とする有機層の表面荒さＲａと、キノリノールアルミ錯体を主成分とする有機層の表面荒さＲａとの積を、常温で形成した場合の９５％以下に抑えることができる。この結果、界面荒さが原因となる素子駆動にともなる輝度低下を抑えることができ、有機電界発光素子の長寿命化が可能となる。」
（イ）「【００３４】【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図１は、実施例１として作製した有機ＥＬ素子の構造を示している。この素子は、ガラス基板１０の上に、第１電極（ホール注入電極：陽極）１２、有機層２０、第２電極（電子注入電極：陰極）１８が積層された構造である。有機層２０は、正孔注入層２２として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層２４としてトリフェニルアミン４量体（ＴＰＴＥ）、発光層２６としてキノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ3）の積層構造とした。第１電極１２として透明導電膜であるＩＴＯを用い、第２電極１８には、Ａｌを用いた。また第２電極１８と有機層（発光層２６）との層間には電子注入層１４としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いた。各層の厚さは、ＩＴＯ：１５０ｎｍ、銅フタロシアニン：１０ｎｍ、トリフェニルアミン４量体：５０ｎｍ、キノリノールアルミ錯体：６０ｎｍ、フッ化リチウム：０．５ｎｍ、アルミ：１００ｎｍとした。」
　
オ　本願の出願前に頒布された、特開平７−２４０５３０号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００５】【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため鋭意検討した結果、光活性層が結晶型の電子供与性有機顔料を結晶微粒子状に分散した層上に電子受容性有機顔料層を真空蒸着した構造とすることにより、より安価で高効率な有機太陽電池が得られること、そしてさらに電子受容性のバインダー樹脂を用いて電子供与性有機顔料の増感を行うことにより、光電変換効率が大幅に向上することを見いだし、本発明を完成するに至った。すなわち本発明の有機太陽電池は、透明電極基板上に、電子供与性有機物層、電子受容性有機物層および対向電極を順次積層したものであって、該電子供与性有機物層がバインダー樹脂中に結晶微粒子状に分散された電子供与性有機顔料を含有してなる層であり、該電子受容性有機物層が電子受容性有機顔料の蒸着膜であることを特徴とする。・・・」
（イ）「【０００８】・・・本発明に適用可能な電子供与性有機顔料としては・・・キナクリドン系顔料等が挙げられる・・・」
　
カ　本願の出願前に頒布された、特開２００２−２２２９７０号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、光照射により起電力を発生する光電変換素子及びその製造方法に関する。本発明の光電変換素子は、例えば、太陽電池、光センサ及び光演算素子等に用いられる。」
（イ）「【０００７】更に、太陽電池に有用とされる有機顔料は、結晶形によって異なる光電特性（起電力特性）を有し、有機顔料は特定の結晶形においてのみ優れた光電特性を示すことが知られている。しかし、蒸着法による成膜工程では結晶形を選択することが困難であるため、高い光電特性を有する所望の結晶形の顔料からなる半導体層を得ることは難しいという問題もあった。」
（ウ）「【００２１】有機ｐ型半導体微粒子Ｐpは、微粒子分散した場合にも安定してｐ型半導体特性を示すｐ型半導体であればよく、・・・キナクリドン系顔料などが挙げられる。前述のように有機顔料を用いる場合にはその顔料の持つ結晶形が重要であり、高い光電特性を示す結晶形にする必要がある。」
　
（３）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「有機イメージセンサ」は、引用文献１に「デジタルスチルカメラは、通常、無機系材料（例えば、シリコン系）から成るフォトダイオードを光電変換部にＣＣＤイメージセンサーまたはＣＭＯＳイメージセンサーといわれる固体撮像素子を搭載している。・・・該固体撮像素子の進歩から、デジタルスチルカメラの画質レベルは目覚ましい進歩が見られるが、撮影可能な光量のダイナミックレンジが狭く、かつ暗部のつぶれや明部の白飛びが生じやすい等の欠点も有している。この要因は、固体撮像素子の熱ノイズ、光電変換部の電荷の飽和の為であり、固体撮像素子が製造コストの観点から、いわゆる半導体プロセスルールに従って小型化に向かう限り、その解消は難しい状況である。・・・そこで、本発明の目的は、撮像素子として有機イメージセンサを用いて、ハロゲン化銀写真感光材料を用いた撮影システム、無機系材料の固体撮像素子を用いたデジタルスチルカメラシステムの各欠点を解消した、高感度、高ダイナミックレンジで低コストな新たなデジタルスチルカメラ及びその作製方法を提供することである。」（ 上記（２）ア（ア））と記載されているように、従来技術である「（無機系材料（例えば、シリコン系）から成る）固体撮像素子」の各欠点を解消するものであって、「有機イメージセンサの光電変換部が、粒径０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の有機顔料を含み、有機顔料として、例えば、キナクリドン系等の縮合多環顔料等を挙げることができ」るものであるところ、本願補正発明も「前記光電変換層が多結晶の有機材料からなり、前記有機材料がキナクリドン骨格の材料を含」むものであるから、両者は同様の「（キナクリドン系の）有機イメージセンサ」であるといえるから、引用発明は、本願補正発明の「前記光電変換層が有機材料からなり、前記有機材料がキナクリドン骨格の材料を含」むとの構成を備える。
　そうすると、本願補正発明でいうところの「固体撮像素子」は、引用発明の「有機イメージセンサ」を含むと認められるから、引用発明の「有機イメージセンサ」は、本願補正発明の「固体撮像素子」に相当するといえる。
　
（イ）引用発明の「有機イメージセンサ」は、「照射された光の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極が２次元配置されて」いるものであるところ、「照射された光の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極」は、単に電極だけが備わっているのではなく、引用発明の「収集電極」は、「コンデンサの一方の電極とされて」、「有機イメージセンサには、入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）が設けられ」、「第２層は、第１層で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ」が形成されるものであって、収集電極の上には「入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）」が設けられ、「コンデンサ」が「画素毎に」「第１層（光電変換部）」で生成された電気エネルギーを蓄えるものであることに照らして、本願補正発明の「光電変換素子」に相当する、「画素」に対応する「入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）」が設けられていることは明らかであって、かつ、「２次元配置されて」いるから、本願補正発明の「光電変換素子をアレイ状に多数配置」する構成に相当する。
　したがって、上記（ア）での検討に照らして、引用発明は、本願補正発明の「光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子」との構成を備える。
　
（ウ）引用発明の「有機イメージセンサ」は、「入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）が設けられ、この第１層は、電磁波入射側から、隔膜、透明電極膜、正孔伝導層、電荷発生層、電子伝導層、導電層が設けられ」、「導電層は電子取り出し用の電極であり、透明電極膜は正孔取り出し用の電極である」ところ、引用発明の「入射する電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第１層（光電変換部）」、「（電磁波入射側の正孔取り出し用の電極である）透明電極膜」、「電荷発生層」、「（電子取り出し用の電極である）導電層」は、本願補正発明の「光電変換部」、「（光入射側の電極であり正孔取り出し用の電極である）第二電極」、「光電変換層」、「（電子取り出し用の電極である）第一電極」にそれぞれ相当するから、引用発明は、本願補正発明の「前記光電変換素子は、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層とを含む光電変換部を有し」、「前記第二電極が光入射側の電極であり」、「前記第一電極を電子取り出し用の電極とし、前記第二電極を正孔取り出し用の電極」とするとの構成を備える。
　
（エ）引用発明の「正孔伝導層」は、「第１層」の「透明電極膜と前記電荷発生層の間に設けられ」、「正孔輸送材料としてトリフェニルアミン系化合物等を挙げることができ」るものであって、「透明電極膜と前記電荷発生層の間に設けられ」るものであることに照らして、透明な層であることは明らかであるから、引用発明の「正孔伝導層」は、本願補正発明の「（前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられ、トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層であり、前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられる）層」に相当する。
　
（オ）引用発明の「第２層」は、「第１層で得られた電気エネルギーの蓄積及び蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う（発生電荷処理部）層が形成され」、「第１層で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサと、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタを用いて構成されてい」るものであり、また、「前記第１層は前記第２層の上方に積層され、前記コンデンサと前記トランジスタは前記第２層内に形成され」るものであるところ、上記（ウ）での検討に照らして、引用発明の「第１層」は本願補正発明の「光電変換部」に相当する。
　また、当該「第１層」は「第２層の上方に積層され」るから、本願補正発明の「（少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された）基板」に相当する。
　そうすると、引用発明の「（第１層で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄える）コンデンサ」及び「（蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子である）トランジスタ」は、本願補正発明の「（前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための）電荷蓄積部」及び「（前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す）信号読み出し部」にそれぞ相当する。
　さらに、引用発明の「収集電極」は、「第１層で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサの一方の電極となる収集電極が接続され、このコンデンサには第１層で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタを駆動することで読み出され」るものであるから、本願補正発明の「（光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する）接続部」に相当する。
　したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記光電変換素子は、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された基板と、前記基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部とを有し、前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備え」るとの構成を備える。
　
　以上によれば、両者は、
「光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子であって、
　前記光電変換素子は、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層と、前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられる層とを含む光電変換部を有し、
　前記光電変換素子は、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された基板と、前記基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部とを有し、
　前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備え、
　前記層は、トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層であり、
　前記光電変換層が有機材料からなり、
　前記有機材料がキナクリドン骨格の材料を含み、
　前記第二電極が光入射側の電極であり、
　前記層が、前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられ、
　前記第一電極を電子取り出し用の電極とし、前記第二電極を正孔取り出し用の電極とした固体撮像素子。」
である点で一致し、
　
ａ　「（少なくとも１つの光電変換部が上方に積層された）基板」が、本願補正発明では「半導体基板」であるのに対して、引用発明の「第２層」は、半導体基板であるか明らかではない点（以下「相違点１」という）、
　
ｂ　本願補正発明では、「（第二電極と光電変換層との間に設けられる）層」は、「光電変換層の表面の凹凸を緩和する平滑層」であって、「その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１００〜２００ｎｍであ」るのに対し、引用発明の「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」は、このようなものであるか明らかではない点（以下「相違点２」という）、及び、
　
ｃ　本願補正発明では、「光電変換層」の「有機材料」が「多結晶の有機材料からなり、前記有機材料がキナクリドン骨格の材料を含」むのに対して、引用発明の「電荷発生層」が「粒径０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の有機顔料を含み、有機顔料としては、キナクリドン系等の縮合多環顔料が用いられ」るものであるところ、「（キナクリドン系等の縮合多環顔料が用いられる）有機顔料」が「多結晶」であるか明らかではない点（以下「相違点３」という）、
で相違する。
　
イ　上記相違点について検討する。
（ア）相違点１について 
　引用発明の「第２層」は具体的な素材が明らかではないが、引用発明は「第２層は、第１層で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサと、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタを用いて構成されてい」るところ、引用文献１には「トランジスタ７１０は、ゲート電極７１２、ソース電極（ドレイン電極）７１３、ドレイン電極（ソース電極）７１４、有機半導体層７１５、絶縁層７１６で構成されている。」（上記（２）ア（カ）【０１４０】）と記載されていることに照らせば、引用発明の「第２層」を半導体で構成し、上記相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて容易になし得る程度のものと認められる。
　
（イ）相違点２について
　引用発明の「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」は「電荷発生層」の表面の凹凸を緩和する平滑層として設けられるものではなく、具体的な成膜の方法、表面の平均面粗さ及び厚みが明らかではない。
　しかしながら、「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる層」を蒸着により１００ｎｍ以上成膜することは周知の技術であるから（必要ならば引用文献２または３（上記（２）イないしウ）参照）、引用発明において、「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」を上記周知の技術により蒸着により１００ｎｍ以上成膜することは、当業者が必要に応じて容易になし得る程度のものと認められる。
　そうすると、「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる層」を蒸着により適宜の厚さ以上に成膜した場合は、「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる層」が「平滑」、「均質」ないし「平坦」なものとなるから（必要ならば引用文献２ないし４（上記（２）イないしエ）参照）、引用発明において、「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」を上記周知の技術により蒸着して所定の厚み以上成膜すれば、「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」は「平滑」、「均質」ないし「平坦」なものとなって、結果として「電荷発生層」の表面の凹凸を緩和する平滑層として機能するものとなり（必要ならば引用文献２（上記（２）イ）参照）、その表面粗さも（「平滑」、「均質」ないし「平坦」な範囲において）適宜のものとなるから、引用発明の「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層」に上記周知の技術を適用し、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到できたことであり、その効果も予測し得た程度のものである。
　
（ウ）相違点３について
　引用発明の「電荷発生層」が含む「有機顔料として」の「キナクリドン系等の縮合多環顔料」が「多結晶」であるか否か明らかではないが、「キナクリドン系」の有機物質が結晶性を有し、「キナクリドン系」の「顔料」の層を構成するに際して、「キナクリドン系」の「顔料」の「微結晶」を分散させて層を構成することは周知の技術であるところ（必要ならば引用文献５ないし６（上記（２）オないしカ）参照）、本願補正発明の「多結晶の有機材料」に関して、本願明細書に「ここで、多結晶層とは同一材料で結晶方位の異なる微結晶が集合した層であり、単結晶材料やアモルファス材料に比べて、その表面に比較的凹凸が多く存在する。」（段落【０００７】）と記載されているように、本願補正発明の「多結晶」は「微結晶が集合した層」を意味するから、引用発明において、「有機顔料として」の「キナクリドン系等の縮合多環顔料」を含む「電荷発生層」を構成するに際して、上記周知の技術を適用して、「（キナクリドン系等の縮合多環顔料の）微結晶を分散させた層」、つまり「（キナクリドン系等の縮合多環顔料の）微結晶が集合した（多結晶の）層」となして、上記相違点３に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明および上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
４　まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年６月２２日になされた補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子であって、
　前記光電変換素子は、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層と、前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記光電変換層の表面の凹凸を緩和する平滑層とを含む光電変換部を有し、
　前記光電変換素子は、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部とを有し、
　前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備え、
　前記平滑層は、有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１０〜３００ｎｍである固体撮像素子。」
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　上記第２、３（２）アないしオのとおりである。
　
３　対比・判断
（１）上記第２、３（３）での検討に照らして、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子であって、
　前記光電変換素子は、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された光電変換層と、前記第一電極又は前記第二電極と前記光電変換層との間に設けられる層とを含む光電変換部を有し、
　前記光電変換素子は、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された基板と、前記基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記光電変換部の前記第一電極又は前記第二電極と、前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部とを有し、
　前記多数の光電変換素子の各々の前記電荷蓄積部で蓄積された前記電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備え、
　前記層は、有機の材料からなる透明な層である固体撮像素子。」
である点で一致し、
　
ア　「（少なくとも１つの光電変換部が上方に積層された）基板」が、本願発明では「半導体基板」であるのに対して、引用発明の「第２層」は、半導体基板であるか明らかではない点（以下「相違点４」という）、及び、
　
イ　本願発明では、「（第二電極と光電変換層との間に設けられる）層」は、「光電変換層の表面の凹凸を緩和する平滑層」であって、「有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１０〜３００ｎｍである」のに対し、引用発明の「（透明電極膜と電荷発生層の間に設ける）正孔伝導層」は、このようなものであるか明らかではない点（以下「相違点５」という）、
で相違する。
　
（２）上記相違点について検討する。
ア　相違点４について
　相違点４は相違点１と同じ内容であるから、上記第２、３（３）イ（ア）で検討したとおり、引用発明の「第２層」を半導体で構成し、上記相違点４に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
イ　相違点５について
　相違点５は、相違点２における「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１００〜２００ｎｍであ」る「平滑層」にかえて、「有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが１０〜３００ｎｍである」「平滑層」とするものであって、「アモルファス材料」である点を除き相違点２の構成を全て含むものである。
　しかるところ、引用発明の「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層」が「アモルファス材料」であるか否か明らかではないが、引用発明の「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる透明な層」に上記第２、３（３）イ（イ）で示した周知の技術を採用して蒸着すれば、「トリフェニルアミン構造を有する有機の正孔輸送性材料からなる層」が「平滑」、「均質」ないし「平坦」なものとなることが周知の事項であり（必要ならば引用文献２ないし４（上記第２、３（２）イないしエ）参照）、また「アモルファス性の膜」となることも周知の事項であるから（必要ならば引用文献２（上記第２、３（２）イ）参照）、上記第２、３（３）イ（イ）での検討に照らして、上記相違点５に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
４　まとめ
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明および上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明および上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。