【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキル亜鉛化合物におけるアルファ−オレフィンの触媒性連鎖生長反応を介したアルキル亜鉛連鎖生長生成物の調製方法であって、アルファオレフィン及びアルキル亜鉛化合物を連鎖生長触媒システムと接触させることからなり、このシステムは３−１０族の遷移金属錯体、又は３族の典型金属錯体、又はランタニド又はアクチニド錯体、及び状況に応じて活性化剤を採用して、アルキル亜鉛連鎖生長生成物を形成し、前記触媒システムに採用された亜鉛に対する遷移金属の比率が１×１０−７及び１×１０−１の範囲であるアルキル亜鉛連鎖生長生成物の調製方法。
【請求項２】
前記触媒システムに採用された亜鉛に対する遷移金属の比率が１×１０−７及び１×１０−２の範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルキル亜鉛化合物がＲ’Ｒ”ＣＨ−Ｚｎ又はＲ’Ｒ”Ｃ−Ｚｎ成分を含む核種又は核種の混合物からなり、ここでＲ’及びＲ”は水素、ヒドロカルビル、シリル及び置換ヒドロカルビルから個別に選択され、そしてつながって環状核種を形成し得、但しＲ’Ｒ”Ｃ−Ｚｎの場合はＺｎへ結合するＣは不飽和である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
アルキル亜鉛化合物が式ＲｍＺｎＨｎを有し、ここでｍは１又は２及びｎは０又は１、ｍ＋ｎ＝２、及び各Ｒは個別にＣ１−Ｃ３０アルキルである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
アルキル亜鉛化合物がジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジ−ｎ−ブチル亜鉛、ジ−ｎ−ヘキシル亜鉛、ジベンジル亜鉛、ジ−ｎ−デシル亜鉛、ジ−ｎ−ドデシル亜鉛、ジ−フェニル−Ｚｎ及び（Ｃ５Ｈ５）ＺｎＥｔから選択される請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
アルファ−オレフィンがＣ２−Ｃ１６の直鎖状アルファ−オレフィンから選択される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
連鎖生長触媒システムがメタロセンからなり、これは少なくとも一つのシクロペンタジエニル−ベースの環状リガンドを含み得る請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
メタロセン触媒成分が一般式（Ｃｐ）ｍＭＲｎＲ’ｐによって表され、ここにおいて少なくとも一つのＣｐは置換されていない又は置換されたシクロペンタジエニル環と、インデニル成分、ベンズインデニル成分、フルオレニル成分等の置換された又は置換されていない環状システムと、η−５結合の可能なその他の如何なるリガンドとから選択され；Ｍは４，５又は６族の遷移金属、ランタニド又はアクチニドから選択され；Ｒ及びＲ’はハロゲン、ヒドロカルビル基、及び１乃至２０の炭素原子を有するヒドロカルボキシル基又はそれらの組合せから個別に選択され；ｍ＝１−３、ｎ＝０−３、ｐ＝０−３、及びｍ＋ｎ＋ｐの総計はＭの酸化状態と等しい請求項７記載の方法。
【請求項９】
メタロセン触媒成分が式：
（Ｃ５Ｒ’ｍ）ｐＲ”ｓ（Ｃ５Ｒ’ｍ）Ｍ＊Ｑ３−ｐ−ｘ、及び
Ｒ”ｓ（Ｃ５Ｒ’ｍ）２Ｍ＊Ｑ’
から選択され、
ここにおいてＭ＊は４，５又は６族の遷移金属、ランタニド又はアクチニドであり；少なくとも一つのＣ５Ｒ’ｍは置換シクロペンタジエニルであり；各Ｒ’は、同じ又は異なっていて良く、水素、又は１乃至２０の炭素原子か互いに連結し置換された又は置換されていない環の一部或いは４乃至２０の炭素原子を有する環を形成する２つの炭素原子かを有するアルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルラジカルであり；Ｒ”は２つの（Ｃ５Ｒ’ｍ）環を架橋するか、又は１つの（Ｃ５Ｒ’ｍ）環とＭ＊とを架橋するかのいずれか一方のＣ−、Ｇｅ−、Ｓｉ−、Ｐ−又はＮ−含有ラジカルの少なくとも一つであり；各Ｑは、同じ又は異なっていて良く、アリール、アルキル、アルケニル、アルキルアリール又は１乃至２０の炭素原子を有するアリールアルキルラジカル、ハロゲン又はアルコキシドから選択され；Ｑ’は１−２０の炭素原子を有するアルキリデンラジカルであり；ｓは０又は１で、ｓが０のときｍは５でｐは０，１又は２であり、ｓが１のとき、ｍは４でｐは１であり；ｐ＝０のとき、ｘ＝１で、それ以外は「ｘ」は常に０と等しい請求項８記載の方法。
【請求項１０】
メタロセン触媒成分がビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ハフニウムジクロライド、ビス（テトラメチルシクロぺンタジエニル）ジルコニウムジクロライド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムトリクロライド、（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ｔ−ブチルアミド）（ジメチルシラン）チタニウムジメチル、及び（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライドから選択される請求項７記載の方法。
【請求項１１】
連鎖生長触媒システムが式（Ｉ）：
【化１】
2004537584.tif 000001
の錯体からなり、
ここにおいて、ＭはＹ［ＩＩ］，Ｙ［ＩＩＩ］，Ｓｃ［ＩＩ］，Ｓｃ［ＩＩＩ］，Ｔｉ［ＩＩ］，Ｔｉ［ＩＩＩ］，Ｔｉ［ＩＶ］，Ｚｒ［ＩＩ］，Ｚｒ［ＩＩＩ］，Ｚｒ［ＩＶ］，Ｈｆ［ＩＩ］，Ｈｆ［ＩＩＩ］，Ｈｆ［ＩＶ］，Ｖ［ＩＩ］，Ｖ［ＩＩＩ］，Ｖ［ＩＶ］，Ｎｂ［ＩＩ］，Ｎｂ［ＩＩＩ］，Ｎｂ［ＩＶ］，Ｎｂ［Ｖ］，Ｔａ［ＩＩ］，Ｔａ［ＩＩＩ］，Ｔａ［ＩＶ］，Ｃｒ［ＩＩ］，Ｃｒ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＶ］，Ｆｅ［ＩＩ］，Ｆｅ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＶ］，Ｃｏ［ＩＩ］，Ｃｏ［ＩＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩＩ］，Ｎｉ［ＩＩ］，Ｐｄ［ＩＩ］であり、Ｘは遷移金属Ｍに共有結合又はイオン結合した原子又は官能基を表し、Ｙ１はＣ又はＰ（Ｒｃ）であり；Ｙ２は−Ｏ（Ｒ７），−Ｏ（この場合ＯからＭへの結合が共有結合である），−Ｃ（Ｒｂ）＝Ｏ，−Ｃ（Ｒｂ）＝Ｎ（Ｒ７），−Ｐ（Ｒｂ）（Ｒｄ）＝Ｎ（Ｒ７）又は−Ｐ（Ｒｂ）（Ｒｄ）＝Ｏであり；Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒ５及びＲ７は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はＳｉＲ’３から各々個別に選択され、ここで各Ｒ’は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから個別に選択され、そして隣接した如何なるものも互いに連結して環を形成し得；ＧはＹ１及びＹ２の間の直接結合か、架橋基かの何れか一方であり、これはｑが１のときＭとつながる第三の原子を状況に応じて含み；ＬはＭと供与結合する官能基であり；ｎは０乃至５であり；ｍは１乃至３で、ｑは１又は２である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
連鎖生長触媒システムが式（ＩＩ）：
【化２】
2004537584.tif 000002
の錯体からなり、
ここにおいて、ＭはＹ［ＩＩ］，Ｙ［ＩＩＩ］，Ｓｃ［ＩＩ］，Ｓｃ［ＩＩＩ］，Ｔｉ［ＩＩ］，Ｔｉ［ＩＩＩ］，Ｔｉ［ＩＶ］，Ｚｒ［ＩＩ］，Ｚｒ［ＩＩＩ］，Ｚｒ［ＩＶ］，Ｈｆ［ＩＩ］，Ｈｆ［ＩＩＩ］，Ｈｆ［ＩＶ］，Ｖ［ＩＩ］，Ｖ［ＩＩＩ］，Ｖ［ＩＶ］，Ｎｂ［ＩＩ］，Ｎｂ［ＩＩＩ］，Ｎｂ［ＩＶ］，Ｎｂ［Ｖ］，Ｔａ［ＩＩ］，Ｔａ［ＩＩＩ］，Ｔａ［ＩＶ］，Ｃｒ［ＩＩ］，Ｃｒ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＶ］，Ｆｅ［ＩＩ］，Ｆｅ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＶ］，Ｃｏ［ＩＩ］，Ｃｏ［ＩＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩＩ］，Ｎｉ［ＩＩ］，Ｐｄ［ＩＩ］であり、Ｘは遷移金属Ｍに共有結合又はイオン結合した原子又は官能基を表し；Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｘ及びＲ５は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はＳｉＲ’３から各々個別に選択され、ここで各Ｒ’は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから個別に選択され、そして隣接した如何なるものも互いに連結して環を形成し得；ＬはＭと供与結合する官能基であり；ｎは０乃至５であり；ｍは１乃至３で、ｑは１又は２である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
連鎖生長触媒システムが式（ＩＩＩ）：
【化３】
2004537584.tif 000003
の錯体からなり、
ここにおいて、ＭはＣｒ［ＩＩ］，Ｃｒ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＶ］，Ｆｅ［ＩＩ］，Ｆｅ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＶ］，Ｃｏ［ＩＩ］，Ｃｏ［ＩＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩＩ］，Ｎｉ［ＩＩ］，Ｐｄ［ＩＩ］，Ｃｕ［Ｉ］，Ｃｕ［ＩＩ］であり、Ｘは遷移金属Ｍに共有結合又はイオン結合した原子又は官能基を表し、Ｒａ及びＲｂは水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はＳｉＲ’３から各々個別に選択され、ここで各Ｒ’は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから個別に選択され、そしてＲａ及びＲｂは互いに連結して環を形成し得；Ｒ５及びＲ７は各々上記にて規定された通りであり；そしてＬはＭと供与結合する官能基であり；ｎは０乃至５であり；ｍは１乃至３で、ｑは１又は２である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
連鎖生長触媒システムが式（ＩＶ）：
【化４】
2004537584.tif 000004
の錯体からなり、
ここにおいて、Ｍ［Ｔ］はＴｉ［ＩＩ］，Ｔｉ［ＩＩＩ］，Ｔｉ［ＩＶ］，Ｚｒ［ＩＩ］，Ｚｒ［ＩＩＩ］，Ｚｒ［ＩＶ］，Ｈｆ［ＩＩ］，Ｈｆ［ＩＩＩ］，Ｈｆ［ＩＶ］，Ｖ［ＩＩ］，Ｖ［ＩＩＩ］，Ｖ［ＩＶ］，Ｎｂ［ＩＩ］，Ｎｂ［ＩＩＩ］，Ｎｂ［ＩＶ］，Ｎｂ［Ｖ］，Ｔａ［ＩＩ］，Ｔａ［ＩＩＩ］，Ｔａ［ＩＶ］，Ｃｒ［ＩＩ］，Ｃｒ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩ］，Ｍｎ［ＩＩＩ］，Ｍｎ［ＩＶ］，Ｆｅ［ＩＩ］，Ｆｅ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩ］，Ｒｕ［ＩＩＩ］，Ｒｕ［ＩＶ］，Ｃｏ［ＩＩ］，Ｃｏ［ＩＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩ］，Ｒｈ［ＩＩＩ］，Ｎｉ［ＩＩ］，Ｐｄ［ＩＩ］であり；Ｘは遷移金属Ｍに共有結合又はイオン結合した原子又は官能基を表し；Ｔは遷移金属Ｍの酸化状態でありそしてｂは原子又は官能基Ｘの価数であり；Ｙ１はＣ又はＰ（Ｒｃ）であり、Ａ１乃至Ａ３は各々個別にＮ又はＰ又はＣＲであるが、ただし少なくとも一つはＣＲであり；そしてＲ，Ｒｃ，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びＲ７は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はＳｉＲ’３から各々個別に選択され、ここで各Ｒ’は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから個別に選択された請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
Ｙ１はＣであり、そしてＡ１乃至Ａ３は各々個別にＣＲであるか、Ａ１及びＡ３は両方ともＮでＡ２はＣＲであるか、Ａ１乃至Ａ３のうちの一つがＮで残りが個別にＣＲである請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
Ｙ１はＣであり、Ａ１乃至Ａ３は各々個別にＣＲであり、そしてＲ５は官能基「Ｐ」によって表され、Ｒ７は官能基「Ｑ」によって以下のように表される：
【化５】
2004537584.tif 000005
ここにおいて、Ｒ１９乃至Ｒ２８は水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル又は置換ヘテロヒドロカルビルから個別に選択され；Ｒ１乃至Ｒ４、Ｒ６及びＲ１９乃至Ｒ２８のいずれか２つの又はそれ以上がヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル又は置換ヘテロヒドロカルビルであるとき、前記２つ又はそれ以上が一つ又はそれ以上の環状置換基を形成するようつながることが可能な請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
連鎖生長触媒システムが２，６−ジアセチルピリジンビス（２，４，６トリメチルアニル（ａｎｉｌ））ＦｅＣｌ２及び２，６−ジアセチルピリジンビス（２，６ジイソプロピルアニル（ａｎｉｌ））ＦｅＣｌ２から選択される請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
連鎖生長触媒システムのための活性化剤が有機アルミニウム化合物及びヒドロカルビルホウ素化合物から選択される請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
連鎖生長反応がニートアルキル亜鉛媒体又は炭化水素溶媒希釈剤を利用する請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
アルミノキサン溶液中で約５分間２０℃にてインキュベーションすることによってアルキル亜鉛へ添加する前に触媒が活性化される請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
アルファ−オレフィンの調製方法であって、アルファオレフィン及びアルキル亜鉛化合物を連鎖生長触媒システムと接触させることからなり、このシステムでは３−１０族の遷移金属錯体、又は３族の典型金属錯体、又はランタニド又はアクチニド錯体、及び状況に応じて活性化剤が採用され、アルキル亜鉛連鎖成長生成物を形成し、続いて生長したアルキルをアルキル亜鉛連鎖成長生成物からのアルファ−オレフィンとして置換し、前記触媒システムに採用された亜鉛に対する遷移金属の比率が１×１０−７及び１×１０−１の範囲であるアルファ−オレフィンの調製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の方法によってアルキル亜鉛生成物を形成し、続いて前記アルキル亜鉛生成物を酸化してアルコキシド化合物を形成し、続いてアルコキシドを加水分解して第一アルコールを生成することからなることからなる第一アルコールの調製方法。
【請求項２３】
アルキル亜鉛錯体からなる組成物であって、アルキル基が約２００の炭素原子までの鎖長の実質的にポアソンのような統計的分布をたどるか或いは、約５０，０００の炭素原子までの鎖長の実質的にシュルツ−フローリーのような統計的分布をたどる組成物。