【事件の表示】
　特願２００６−２８１５２７「磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月２４日出願公開、特開２００８−　９７７８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１８年１０月１６日に出願したものであって，平成２２年６月３０日付で通知した拒絶の理由に対し，同年８月１９日付で手続補正され，同年１０月１日付で通知した最後の拒絶の理由に対し，同年１１月２５日付で手続補正されたが，平成２３年１月２１日付で，前記平成２２年１１月２５日付の手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対し，平成２３年４月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付で手続補正がなされたものである。
　その後，平成２３年１２月２１日付で，審査官の作成した前置報告書を利用した審尋を行ったところそれに対し，平成２４年１月２４日付で回答書が提出されたものである。
　
２．平成２３年４月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成２３年４月１９日付の手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）補正後の本願発明
　平成２３年４月１９日付の手続補正（以下，「本件補正」という。）により，特許請求の範囲の請求項１は，
　
　「基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、前記カーボンナノチューブの表面及び管内を、
過酸化水素水
電気めっきにより
と補正された。
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「酸化剤」を「過酸化水素水」に限定し，「磁性材料を充填する」を「電気めっきにより磁性材料を充填する」と限定するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願の出願日前に頒布された刊行物である，特開２００６−２７７８４３号公報（以下，「第１引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付した。
　
「【請求項５】
  
基板上に
アルミニウム層を生成する工程と、生成したアルミニウム層を陽極酸化法によりアルマイトナノホールを含むアルマイト層を生成する工程と、前記アルマイト層表面並びに前記アルマイトナノホール内壁及び底部にカーボンをコーティングする工程と
前記カーボンが被覆された前記アルマイトナノホールに磁気記録層用磁性材を充填する工程と
を含んで成る垂直磁気記録パターンドメディアの製造方法
「【０００４】
  図５は特許文献１等に提案されている従来の垂直磁気記録媒体の構成を示す図である。図５に示すように従来の垂直磁気記録媒体は、ガラス、アルミニウム、Ｓｉ基板などで構成された基板５１の上にＭｇＯ膜などから成る下地層５２を備え、さらにその下地層５２の上にアルマイトナノホール(ポアともいう)に強磁性金属６０が充填されたアルマイト層５３を備えて構成される。
陽極酸化の場合、図６に示すようにアルマイトポア５４が膜面に垂直方向に細長く（高アスペクト比で）成長し、その中に磁性材料、すなわち強磁性金属６０を充填すると、形状異方性効果により垂直方向に磁化するため垂直磁気記録膜として使用できる
「【実施例１】
【００１２】
  図１は、本発明の実施形態に係る垂直磁気記録パターンドメディアの基本的構成を示す図である。図１において基板１１は、例えばＳｉ基板から成り、基板１１の上にソフトフェライトＳＵＬ膜１２が形成される。ソフトフェライトＳＵＬ膜１２は、アルマイトポア内にカーボン膜を形成するときにＳＵＬ膜表面荒れが生じることを抑えることができる材料で構成される。これについては後述する。ソフトフェライトＳＵＬ膜１２の上に、
カーボン膜２０が被覆されたアルマイトポア内に強磁性、例えばＣｏ３０が充填されてＣｏナノピラー(pillar)３６から成る垂直磁気記録層を有するアルマイト（Al2O3）層１３が形成される
「【００１６】
  
図２（ｃ）及び図３（ｃ）は、上記アルマイトポア及びアルマイト層表面にカーボンを被覆する工程を示している。すなわち、アルマイト層１３の表面並びにアルマイトポア１４の内壁及び底部に対し、ＣＶＤ法によりカーボン２０でコーティングを行った
「【００１８】
  
図２（ｅ）及び図３（ｅ）は、カーボン膜が被覆されたアルマイトポアに記録層用磁性材料を充填する工程を示している。カーボン膜２０が被覆されたアルマイトポア１４に記録層用磁性材料（例えば、Ｃｏ）３０を充填する場合、ＡＣめっき法を用いた
　
　上記記載事項および図面の記載を特に実施例１の記載に着目しつつ総合勘案すると，上記第１引用例には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「基板上にアルミニウム層を生成する工程と、生成したアルミニウム層を陽極酸化法によりアルマイトナノホールを含むアルマイト層を生成する工程と、前記アルマイト層表面並びに前記アルマイトナノホール内壁及び底部にＣＶＤ法によりカーボンをコーティングする工程と、前記カーボンが被覆された前記アルマイトナノホールにＡＣメッキ法により磁気記録層用磁性材を充填する工程と、を含んで成る垂直磁気記録パターンドメディアの製造方法。」
　
　同じく，原査定の拒絶の理由で引用された，本願の出願日前に頒布された刊行物である，特開２００５−３５０３３９号公報（以下，「第２引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付した。
　
「【請求項１】
  カーボンナノチューブの内表面が、金属の連続層で被覆されてなることを特徴とするカーボンナノチューブ複合材料。
【請求項２】
  連続層が電着により形成された請求項１に記載のカーボンナノチューブ複合材料。
【請求項３】
  金属が、磁性金属から選択される請求項１から２のいずれかに記載のカーボンナノチューブ複合材料。」
「【請求項７】
  請求項１から５のいずれかに記載のカーボンナノチューブ複合材料の製造方法であって、
  
金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該金属層面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、及び、該カーボンナノチューブの管内表面を金属の連続層で被覆する連続層被覆工程
【請求項８】
  金属層を溶解させる金属層溶解工程を更に含む請求項７に記載のカーボンナノチューブ複合材料の製造方法。
【請求項９】
  
連続層被覆工程を行う前
において、プラズマを用いてエッチング処理を行うプラズマ処理工程を更に含む
「【００２９】
−カーボンナノチューブ形成工程−
  
前記カーボンナノチューブ形成工程は、前記ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成する工程である
  
前記カーボンナノチューブの形成の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）が好適に挙げられる
  前記ＣＶＤ法（化学的気相成長法）としては、例えば、熱ＣＶＤ（単にＣＶＤとも呼ばれる）、ホットフィラメントＣＶＤ、プラズマエンハンストＣＶＤ（プラズマアシステッドＣＶＤ、プラズマＣＶＤとも呼ばれる）、プラズマエンハンストホットフィラメントＣＶＤ、レーザーエンハンストＣＶＤ（レーザーＣＶＤとも呼ばれる）、などが挙げられる。これらの中でも、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤが好ましい。」
「【００３５】
−連続層被覆工程−
  前記連続層被覆工程は、前記カーボンナノチューブ形成工程において形成した前記カーボンナノチューブの管内表面を、本発明のカーボンナノチューブ複合材料の製造方法の場合には金属の連続層で、本発明の磁性材料の製造方法の場合には前記磁性金属の連続層で、それぞれ被覆する工程である。
【００３６】
  
前記連続層形成工程は
電着法により特に好適に行うことができる
【００３７】
  前記電着法の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記電着法は、具体的には、例えば、前記カーボンナノチューブが前記ナノホール内に形成された前記ナノホール構造体を、本発明の前記カーボンナノチューブ複合材料の場合には金属を含む溶液、本発明の前記磁性材料の場合には磁性金属を含む溶液、のそれぞれ単独液又は混合液中に浸漬させた後、上述した電極層を電極として電圧を印加させることにより、前記カーボンナノチューブの管内表面に、前記金属又は前記磁性金属を析出乃至堆積させることにより、行うことができる。
  なお、前記電着法においては、前記ナノホール構造体を前記金属又は前記磁性金属を含む液中に浸漬させる際に、真空脱泡処理を行うのが好ましい。該真空脱泡処理を行うと、前記カーボンナノチューブの内表面の全体に前記液を接触（浸漬）させることができる点で、有利である。該真空脱泡処理の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。」
「【００４０】
−プラズマ処理工程−
  
前記プラズマ処理工程は
前記カーボンナノチューブの表面の親水性を向上させることができる
【００４１】
  前記プラズマ処理工程は、前記連続層被覆工程を行う前及び後のいずれかにおいて行うのが好ましく、前記連続層被覆工程を行う前に行うのがより好ましい。
  
この場合、前記プラズマ処理工程により、前記ナノホール構造体（前記金属層）における前記ナノホール（例えば、アルミナナノホール）の内表面が、親水化され、その後に行う前記連続層被覆工程において用いる前記金属又は前記磁性金属を含む液（例えば、メッキ液）との濡れ性（親水性）が向上し、表面抵抗値が変化し、前記液が前記ナノホール内に染み込み易くなり、その結果、前記金属又は前記磁性金属による連続膜を効率よくかつ十分に（高い充填率で）被覆することができる点で有利である
  なお、前記プラズマ処理工程におけるプラズマ処理の条件等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。」
　
　同じく，原査定の拒絶の理由で引用された，本願の出願日前に頒布された刊行物である，特開２００３−２３８８１６号公報（以下，「第３引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付した。
　
「【請求項２】次の構成要素（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を必須成分とする炭素繊維強化樹脂組成物。
（Ａ）下式で示される、外表面の炭素に対する酸含有割合が２％以上であるカーボンナノチューブ
【数１】
（Ｂ）炭素繊維
（Ｃ）樹脂
【請求項３】次の構成要素（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を必須成分とする炭素繊維強化樹脂組成物。
（Ａ）
親水性のカーボンナノチューブ
（Ｂ）炭素繊維
（Ｃ）樹脂」
「【００２５】さらに、本第３発明の樹脂組成物におけるカーボンナノチューブは親水性であることを特徴とする。ここでの親水性は、水（イオン交換水）に対する分散性を目安とすることができる。例えば、カーボンナノチューブ１０ｍｇに、イオン交換水５０ｍｌを加えて、超音波洗浄機（ＹＡＭＡＴＯ化学製、ＢＲＡＮＳＯＮ３２１０、発信周波数４７ＫＨｚ、出力１３０Ｗ）にて１時間処理後、４８時間静置して得られた試料溶液にて確認することができる。すなわち、溶液全体が均一な黒色透明な溶液であれば親水性と判断できる。かかる、親水性を有するカーボンナノチューブを使用することで、同様に樹脂中へのカーボンナノチューブの分散性が極めて向上する。従って、疎水性の強いカーボンナノチューブは、炭素繊維強化樹脂とした場合、成形品の導電性、力学特性の向上が不十分であったり、成形品表面品位が劣る場合がある。
【００２６】かかる、本第２，
第３発明におけるカーボンナノチューブを得る方法としては特に制限はないが、多層カーボンナノチューブをプラズマ処理する方法が好ましく用いられる。酸含有量を高めるためには、酸化剤を用いて酸化する方法
が知られている
　
　（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「垂直磁気記録パターンドメディア」は，本願補正発明における「磁気記録媒体」を明らかに満足する。
　引用発明における「基板」は，本願補正発明における「基板」に相当する。
　引用発明における「基板上にアルミニウム層を生成する工程」は，本願補正発明における「基板上に金属層を形成し」を満足する。
　引用発明における「アルマイトナノホール」は，「陽極酸化法により」形成したものであり，「陽極酸化の場合、図６に示すようにアルマイトポア５４が膜面に垂直方向に細長く（高アスペクト比で）成長」（段落【０００４】）することを勘案すると，引用発明における「生成したアルミニウム層を陽極酸化法によりアルマイトナノホールを含むアルマイト層を生成する工程」は，本願補正発明における「該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程」を満足する。
　引用発明における「前記アルマイト層表面並びに前記アルマイトナノホール内壁及び底部に」「カーボンをコーティングする工程」は，「ＣＶＤ法により」行われるところ，「ＣＶＤ法」は，本願補正発明で「該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成する」方法として「好適に行うことができる」旨記載されている（本願の発明の詳細な説明の段落【００２２】の記載を参照。）ことから，引用発明における「前記アルマイト層表面並びに前記アルマイトナノホール内壁及び底部にＣＶＤ法によりカーボンをコーティングする工程」は，本願補正発明における「該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程」に相当する。
　引用発明における「前記カーボンが被覆された前記アルマイトナノホールにＡＣメッキ法により磁気記録層用磁性材を充填する工程」は，本願補正発明における「該カーボンナノチューブの管内に電気めっきにより磁性材料を充填する磁性材料充填工程」を満足する。
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
　一致点
　「基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、該カーボンナノチューブの管内に電気めっきにより磁性材料を充填する磁性材料充填工程を含む磁気記録媒体の製造方法。」
　
　一方，次の点で相違する。
　
　相違点
　本願補正発明は，「前記カーボンナノチューブの表面及び管内を、過酸化水素水により親水化させる親水化処理工程」を備えているのに対し，引用発明は，そのような工程を備えていない点。
　
　（４）判断
　第２引用例には金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該金属層面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程を含む点で本願補正発明と一致するカーボンナノチューブ複合材料の製造方法に関し、「カーボンナノチューブ形成工程」と「該カーボンナノチューブの管内表面を金属の連続層で被覆する連続層被覆工程」（本願補正発明の「該カーボンナノチューブの管内に電気めっきにより磁性材料を充填する磁性材料充填工程」に相当する。）との間に、プラズマを用いてエッチング処理を行うプラズマ処理工程を行うと、前記ナノホール構造体における前記ナノホール（例えば、アルミナナノホール）の内表面が、親水化され、その後に行う前記連続層被覆工程において用いる前記金属又は前記磁性金属を含む液（例えば、メッキ液）との濡れ性（親水性）が向上し、表面抵抗値が変化し、前記液が前記ナノホール内に染み込み易くなり、その結果、前記金属又は前記磁性金属による連続膜を効率よくかつ十分に（高い充填率で）被覆することができる点で有利であることが記載されている（請求項７，９，段落【００４１】）。
　第３引用例には親水性のカーボンナノチューブを得る方法に関し、特に制限はないが、プラズマ処理する方法が好ましく用いられること、酸化剤を用いて酸化する方法、酸素ガス存在下で焼成する方法も知られていることが記載されており（請求項３，段落【００２６】），「親水化」にあたり少なくともカーボンナノチューブの酸化の技術分野において周知（特開２００５−１１９９３０号公報の特許請求の範囲，段落【０００５】等，特開２００６−１９３３８０号公報の特許請求の範囲，段落【０００８】，【００１９】等，を参照。）の「過酸化水素水」は，「酸化剤」として適宜使用できると解することが妥当である。
　一方，本願補正発明の「過酸化水素水」に関し発明の詳細な説明（段落【００４６】）には「酸化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ」「過酸化水素水が特に好ましい」と記載されているだけであって酸化剤を「過酸化水素水」に限定する理由が不明であり，他の酸化剤を用いた場合との比較実験もなされていないため，他の酸化剤を用いた場合と比較して「過酸化水素水」を用いた場合には当業者に予測不可能な格別顕著な効果が奏されるとすることができるような事情も何も見いだせない。
　
　したがって，第２引用例の記載を勘案すると，当業者であれば引用発明において「前記カーボンが被覆された前記アルマイトナノホールにＡＣメッキ法により磁気記録層用磁性材を充填する」際に「前記ナノホール（例えば、アルミナナノホール）の内表面」を「親水化」する方法として，第３引用例の記載，および，周知技術に基づいて「過酸化水素水」を用いて酸化する方法を採用する程度のことは容易に想到しうることである。
　
　よって，本願補正発明は，第１引用例乃至第３引用例に記載された発明，および，周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　（５）むすび
　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２３年４月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至５に係る発明は，平成２２年８月１９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
　「　基板上に金属層を形成した後、該金属層に対しナノホール形成処理を行うことにより、該基板面に対し略直交する方向にナノホールを複数形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、該ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、前記カーボンナノチューブの表面及び管内を、酸化剤により親水化させる親水化処理工程、及び、該カーボンナノチューブの管内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。」　
　
　（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例，及びその記載事項は，前記「２．（２）」に記載したとおりである。　
　
　（２）対比・判断
　本願発明は，前記２．で検討した本願補正発明を特定するために必要な事項である「過酸化水素水」をその上位概念である「酸化剤」とし，「電気めっきにより磁性材料を充填する」を「磁性材料を充填する」とするものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに限定したものに相当する本願補正発明が，前記２．（４）に記載したとおり，第１引用例乃至第３引用例に記載された発明，および，周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，第１引用例乃至第３引用例に記載された発明，および，周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　（３）むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，第１引用例１乃至第３引用例に記載された発明，および，周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，その余の請求項について論及するまでもなく，本願は，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。