【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の表面を清浄にする方法であって、
ａ．前記物体を圧力チャンバ内の支持領域上に配置する工程と、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧する工程と、
ｃ．清浄化プロセスを実施する工程であって、清浄化用化学薬品を前記圧力チャンバ内で再循環させる工程と、
ｄ．前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品の少なくとも一部を押し出して、前記圧力チャンバ内に希釈された化学物質を形成する工程と、
ｅ．前記圧力チャンバ内の圧力が超臨界圧力より高く保たれたまま前記希釈された化学物質に対して一連の減圧サイクルを実施する工程と、
ｆ．前記圧力チャンバをベントする工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記物体が、金属、セラミック、半導体、ガラス及びそれらの複合混合物から成る群から選ばれる基材であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記圧力チャンバ内の前記支持領域の温度が、前記物体上への凝縮を最低限に抑えるように保たれることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記圧力チャンバを加圧する工程が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧することを含み、前記圧力チャンバ内の前記支持領域の温度が前記二酸化炭素の温度よりも高いことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記圧力チャンバ内の前記支持領域の温度が約６５℃に保たれることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記物体の表面がフォトレジスト残留物を担持していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記物体の表面が、残留エッチング反応物／副生成物を担持していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記圧力チャンバを加圧する工程が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧する工程が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で２５００ｐｓｉに加圧することを含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
清浄化プロセスを実施する工程が、
ａ．清浄化用化学薬品を前記圧力チャンバ内に注入する工程と、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記圧力チャンバを加圧する工程が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧する工程を含むことを特徴とする請請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧する工程が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で２８００ｐｓｉに加圧する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記圧力チャンバ内で前記清浄化用化学薬品を再循環させる工程が、前記圧力チャンバ内で前記清浄化用化学薬品を前記物体の表面から汚染物を除去するのに十分な時間再循環させることを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
時間が約３分間に等しいことを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
時間が約２分間に等しいことを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品を押し出す工程が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品を押し出すことを含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧する工程が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で３０００ｐｓｉに加圧する工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
一連の減圧サイクルを実施する工程が、少なくとも２回の減圧サイクルを実施することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
一連の減圧サイクルを実施する工程が、それら減圧サイクルの各々が約２９００ｐｓｉから始まって約２５００ｐｓｉに減少するように一連の減圧サイクルを実施する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２０】
フォトレジスト、フォトレジスト残留物、残留エッチング反応物／副生成物、及びそれらの組合せから成る群から選ばれる物質の少なくとも一部を物体の表面から除去する方法であって、
ａ．前記物体を圧力チャンバ内の支持領域上に配置する工程と、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧する工程と、
ｃ．清浄化プロセスを実施する工程であって、前記圧力チャンバ内で前記清浄化用化学薬品を再循環させる工程と、
ｄ．前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品の少なくとも一部を押し出して、前記圧力チャンバ内に希釈された化学物質を形成する工程と、
ｅ．前記圧力チャンバ内の圧力が超臨界圧力より高く保たれたまま前記希釈された化学物質に対して一連の減圧サイクルを実施する工程と、
ｆ．前記圧力チャンバをベントする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
物体の表面から汚染物を除去する方法であって、
ａ．前記物体を圧力チャンバ内の支持領域上に配置する工程と、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧する工程と、
ｃ．清浄化用化学薬品を使用して清浄化プロセスを実施する工程と、
ｄ．前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから清浄化用化学薬品の少なくとも一部を押し出して前記圧力チャンバ内に希釈された化学物質を形成する工程と、
ｅ．前記希釈された化学物質に対して一連の減圧サイクルを実施する工程と、
ｆ．前記圧力チャンバをベントする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
半導体ウェハの表面から汚染物を除去する方法であって、
ａ．前記ウェハを圧力チャンバ内の支持領域上に配置する工程と、
ｂ．前記圧力チャンバを、超臨界流体を形成するのに十分な第１圧力に加圧する工程と、
ｃ．清浄化用化学薬品を前記圧力チャンバ内に注入する工程と、
ｄ．前記圧力チャンバの圧力を第２圧力に増加させる工程と、
ｅ．前記圧力チャンバ内で前記清浄化用化学薬品を再循環させる工程と、
ｆ．前記圧力チャンバの圧力を増加させて前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品の少なくとも一部を押し出して前記圧力チャンバ内に希釈された化学物質を形成する工程と、
ｇ．希釈された化学物質に対して一連の減圧サイクルを実施する工程と、
ｈ．前記圧力チャンバをベントする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
一連の減圧サイクルが、前記圧力チャンバが超臨界圧力を超えたままであるように実施されることを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
物体の表面から汚染物を除去するための装置であって、
ａ．物体のための支持体を備える圧力チャンバと、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧するための手段と、
ｃ．清浄化プロセスを実施するための手段と、
ｄ．一連の減圧サイクルを実施するための手段と、
ｅ．前記圧力チャンバをベントするための手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２５】
前記物体が、金属、セラミック、ガラス及びそれらの複合混合物から成る群から選ばれる基材であることを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
前記物体を支持するための手段の温度が、前記物体上への凝縮を最低限に抑えるように保たれることを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２７】
前記圧力チャンバを加圧するための手段が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧する手段を含み、前記物体を支持する手段の温度が前記二酸化炭素の温度よりも高いことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２８】
前記汚染物がフォトレジスト残留物であることを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２９】
前記汚染物が残留エッチング反応物／副生成物であることを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項３０】
前記圧力チャンバを加圧するための手段が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧するための手段を含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項３１】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧するための手段が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で２５００ｐｓｉに加圧するための手段を含む請求項３０記載の装置。
【請求項３２】
清浄化プロセスを実施するための手段が、
ａ．前記圧力チャンバ内に清浄化用化学薬品を注入する手段と、
ｂ．前記圧力チャンバを加圧する手段と、
ｃ．前記清浄化用化学薬品を再循環させる手段と、
を含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項３３】
前記圧力チャンバを加圧するための手段が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧するための手段を含むことを特徴とする請求項３２記載の装置。
【請求項３４】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧するための手段が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で２８００ｐｓｉに加圧する手段を含むことを特徴とする請求項３３記載の装置。
【請求項３５】
前記清浄化用化学薬品を再循環させるための手段が、前記物体の表面から前記汚染物を除去する時間前記清浄化用化学薬品を再循環させるための手段を含むことを特徴とする請求項３２記載の装置。
【請求項３６】
時間が約３分間に等しい請求項３５記載の装置。
【請求項３７】
時間が約２分間に等しい請求項３５記載の装置。
【請求項３８】
清浄化プロセスを実施するための手段が、前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品を押し出すための手段をさらに含むことを特徴とする請求項３２記載の装置。
【請求項３９】
前記圧力チャンバを加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品を押し出すための手段が、前記圧力チャンバを気体、液体、超臨界又は近超臨界の二酸化炭素で加圧して前記圧力チャンバから前記清浄化用化学薬品を押し出すための手段を含むことを特徴とする請求項３８記載の装置。
【請求項４０】
前記圧力チャンバを二酸化炭素で加圧するための手段が、前記圧力チャンバを二酸化炭素で３０００ｐｓｉに加圧するための手段を含むことを特徴とする請求項３９記載の装置。
【請求項４１】
一連の減圧サイクルを実施するための手段が、少なくとも２回の減圧サイクルを実施するための手段を含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項４２】
一連の減圧サイクルを実施するための手段が、それら減圧サイクルの各々が約２９００ｐｓｉから始まって約２５００ｐｓｉに減少するような一連の減圧サイクルを実施するための手段を含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項４３】
一連の減圧サイクルを実施するための手段が、前記圧力チャンバが超臨界圧力を超えたままであるように一連の減圧サイクルを実施するための手段を含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。