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　特願２００５−１６４１５０「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月１４日出願公開、特開２００６−３３９５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年６月３日の出願であって、平成２３年３月３日付けの拒絶査定に対し同年６月３日に審判請求がされたものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　半導体からなる基板と、
　前記基板上に形成され、かつ前記基板側の表面である第１の面とは反対側の表面である第２の面から前記第１の面に向けて延びるように形成された溝を有するｎ型層と、
　前記溝の底部に配置された絶縁体と、
　前記溝の側壁に接触するように形成された、前記ｎ型層とショットキー接触可能な金属膜と、
　前記ｎ型層の前記第２の面上に形成された第１の電極と、
　前記基板に接触して配置された第２の電極とを備え、
　前記第１の電極と前記第２の電極との間を前記溝の延びる方向に沿って電流が流れ、
　前記ｎ型層と前記金属膜とがスーパージャンクション構造におけるｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えた構造を構成する、半導体装置。」
　
２．引用例の記載と引用発明
（１）引用例１：特開平６−１２０４８０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−１２０４８０号公報（以下「引用例１」という。）には、「ショットキーバリア半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図４とともに次の記載がある（下線は当合議体において付加したものである。以下同じ。）。
　
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
　本発明は、ショットキーバリアダイオード等のショットキーバリア型の半導体装置の製造方法に関する。」
・「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
　本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、逆耐圧特性及び順方向特性に優れた
ショットキーバリア半導体装置
・「【００１６】
【実施例】
　図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は本発明の一実施例によるショットキーバリアダイオードの製造方法を説明する断面図である。以下、図１に従ってこのショットキーバリアダイオード１の製造工程を説明する。まず、高キャリア濃度の
ｎ
+
−ＧａＡｓ層２ａの上に
ｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂをエピタキシャル成長させて半導体基板２を形成した後、ｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂの上面の突起部３を形成しようとする位置に
オーミック接触金属膜４を形成
ｎ
+
−ＧａＡｓ層２ａの下面全体にオーミック電極７を形成
【００１７】ついで、オーミック接触金属膜４をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法やＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）法等によりｎ-−ＧａＡｓ層２ｂを例えば３〜５μｍの深さまでエッチングし、
オーミック接触金属膜４の下にｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂからなる突起部３を形成
・「【００１９】この後、ＣＶＤ法等により、
オーミック接触金属膜４の上からｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂの全面に窒化シリコン（ＳｉＮ
X
）からなる緩衝膜８を形成
【００２０】この後、エッチング調整層９と緩衝膜８とのエッチング比が１：１となるように条件を設定し、ＲＩＥ法により上方からエッチング調整層９及び緩衝膜８をエッチングし、
オーミック接触金属膜４及び突起部３を完全に露出させ、突起部以外の領域の表面にのみ緩衝膜８が残った状態
・「【００２３】最後に、オーミック接触金属膜４及び緩衝膜８の上からｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの全面にショットキー接触金属膜５を蒸着させ、図１（ｆ）に示すようなショットキーバリアダイオード１を製作する。
【００２４】こうして製作された図１（ｆ）のような構造のショットキーバリアダイオード１にあっては、アノード電極６はオーミック接触金属膜４とショットキー接触金属膜５とからなり、オーミック接触金属膜４は突起部３の上面においてｎ-−ＧａＡｓ層２ｂとオーミック接触しており、
ショットキー接触金属膜５は突起部３の側面においてｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂとショットキー接触しており、ショットキー接触金属膜５から突起部３内へは空乏層１０が広がっている
【００２５】図２（ａ）（ｂ）は図１（ｆ）のような構造を有するショットキーバリアダイオード１の逆方向電圧印加時及び順方向電圧印加時の状態を示す断面図である。
逆方向電圧印加時においては、図２（ａ）に示すように、ショットキー接触金属膜５によって突起部３の側面から突起部３内に空乏層１０が広がるので、オーミック接触金属膜４とオーミック電極７との間の電流通路は空乏層１０によって閉鎖され、逆方向電流が遮断される
順方向電圧印加時には、
図２（ｂ）に矢印で示すようにアノード電極６のオーミック接触金属膜４からオーミック電極７へ向けて順方向電流Ｉｓが流れる
【００２６】本発明によるショットキーバリアダイオード１では、空乏層１０による電圧降下がないので、ＧａＡｓ基板を用いた場合でも順方向降下電圧がシリコン基板を用いた従来のショットキーバリアダイオードよりも小さくなる。この結果、順方向電流Ｉｓを流しているときの電力損失が小さくなる。
【００２７】一方、ショットキー接触金属膜５の底面とｎ-−ＧａＡｓ層２ｂとの間には緩衝膜８が介在しているので、ショットキー接触金属膜５の底面とｎ+−ＧａＡｓ層２ａとの間に電流が流れなくなり、
逆方向電圧印加時には
なだれ降伏電圧が大きくなる
パンチスルー降伏が起こりにくくなる
この結果、
降伏電圧が高くなる
【００２８】また、緩衝膜８の形成されている高さではｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの水平断面積が小さくなるためにｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの上下方向の抵抗が大きくなり、ショットキー接触金属膜５の底の部分のエッジでは、下方への電圧勾配ができ、エッジにおける電界集中が少なくなり、
逆耐圧が向上
【００２９】こうして、
本発明によるショットキーバリアダイオード１では、
逆耐圧が高くなる
こうして逆耐圧が高くなれば、ｎ
-
−ＧａＡｓ層２ｂを厚くする必要がなくなるので、ショットキーバリアダイオード１の順方向電流電圧特性も良好になる
・「【００３５】
【発明の効果】
　本発明の方法によって製造されるショットキーバリア半導体装置によれば、低い順方向電圧で順方向電流を流すことができ、順方向電流電圧特性を向上させることができる。また、絶縁性ないし高抵抗の緩衝膜によって逆方向電圧印加時に降伏電流が流れにくくなり、逆方向電圧印加時の降伏電圧が高くなる。さらに、ショットキー接触領域のエッジにおける電界の集中を軽減でき、素子のブレークダウンを防止し、逆耐圧を向上させることができる。この結果、順方向電流電圧特性に加えて逆耐圧も向上させることができ、順方向における特性と逆方向における特性のいずれもが優れたショットキーバリア半導体装置を得ることができる。」
　
（２）引用発明
　以上、図１ないし図４を参酌してまとめると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ｎ+−ＧａＡｓ層２ａと、
　前記ｎ+−ＧａＡｓ層２ａ上に形成され、かつ突起部３が形成されたｎ-−ＧａＡｓ層２ｂと、
　ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３以外の領域の表面にのみ形成された窒化シリコン（ＳｉＮX）からなる緩衝膜８と、
　突起部３の側面においてｎ-−ＧａＡｓ層２ｂとショットキー接触しているショットキー接触金属膜５と、
  ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３の上面に形成されたオーミック接触金属膜４と、
　ｎ+−ＧａＡｓ層２ａの下面全体に形成されたオーミック電極７とを備え、
　順方向電圧印加時において、オーミック接触金属膜４からオーミック電極７へ向けて順方向電流Ｉｓが流れ、
　逆方向電圧印加時において、ショットキー接触金属膜５によって突起部３の側面から突起部３内に空乏層１０が広がるので、オーミック接触金属膜４とオーミック電極７との間の電流通路は空乏層１０によって閉鎖され、逆方向電流が遮断される、ショットキーバリア半導体装置。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
・引用発明の「ｎ+−ＧａＡｓ層２ａ」及び「ショットキーバリア半導体装置」は、それぞれ本願発明の「半導体からなる基板」及び「半導体装置」に相当する。
・図１（ｂ）及び（ｆ）を参酌すると、引用発明の「前記ｎ+−ＧａＡｓ層２ａ上に形成され、かつ突起部３が形成されたｎ-−ＧａＡｓ層２ｂ」は、突起部３以外の領域は溝とみなせるから、本願発明の「前記基板上に形成され、かつ前記基板側の表面である第１の面とは反対側の表面である第２の面から前記第１の面に向けて延びるように形成された溝を有するｎ型層」に相当する。
・図１（ｆ）を参酌すると、引用発明の「ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３以外の領域の表面にのみ形成された窒化シリコン（ＳｉＮX）からなる緩衝膜８」は、本願発明の「前記溝の底部に配置された絶縁体」に相当する。
・図１（ｆ）を参酌すると、引用発明の「突起部３の側面においてｎ-−ＧａＡｓ層２ｂとショットキー接触しているショットキー接触金属膜５」、「ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３の上面に形成されたオーミック接触金属膜４」、及び「ｎ+−ＧａＡｓ層２ａの下面全体に形成されたオーミック電極７」は、それぞれ本願発明の「前記溝の側壁に接触するように形成された、前記ｎ型層とショットキー接触可能な金属膜」、「前記ｎ型層の前記第２の面上に形成された第１の電極」、及び「前記基板に接触して配置された第２の電極」に相当する。
・引用発明は、「順方向電圧印加時において、オーミック接触金属膜４からオーミック電極７へ向けて順方向電流Ｉｓが流れ」るから、引用例１の図２（ｂ）を勘案すると、本願発明と引用発明とは、「前記第１の電極と前記第２の電極との間を前記溝の延びる方向に沿って電流が流れ」る点で一致する。
　
　以上をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体からなる基板と、
　前記基板上に形成され、かつ前記基板側の表面である第１の面とは反対側の表面である第２の面から前記第１の面に向けて延びるように形成された溝を有するｎ型層と、
　前記溝の底部に配置された絶縁体と、
　前記溝の側壁に接触するように形成された、前記ｎ型層とショットキー接触可能な金属膜と、
　前記ｎ型層の前記第２の面上に形成された第１の電極と、
　前記基板に接触して配置された第２の電極とを備え、
　前記第１の電極と前記第２の電極との間を前記溝の延びる方向に沿って電流が流れる、半導体装置。」
　
＜相違点＞
　本願発明では、「前記ｎ型層と前記金属膜とがスーパージャンクション構造におけるｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えた構造を構成する」のに対し、引用発明では、「順方向電圧印加時において、オーミック接触金属膜４からオーミック電極７へ向けて順方向電流Ｉｓが流れ、逆方向電圧印加時においては、ショットキー接触金属膜５によって突起部３の側面から突起部３内に空乏層１０が広がるので、オーミック接触金属膜４とオーミック電極７との間の電流通路は空乏層１０によって閉鎖され、逆方向電流が遮断される」構造を有している点。
　
４．相違点についての当審の判断
（ア）本願発明における「スーパージャンクション構造におけるｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えた構造」について、本願の明細書又は図面には次のように記載されている。
「【０００３】
　一般に、ダイオード、トランジスタなどの半導体装置において、耐圧を担うドリフト層を構成する材料が同一であれば、所望の耐圧を確保するために必要なドリフト層の厚さおよびキャリア濃度が決定される。その結果、ドリフト層の抵抗も決定される。パワーエレクトロニクス分野の半導体装置においては、高い耐圧が要求されるため、半導体装置の損失に占めるドリフト層の抵抗の割合は大きい。したがって、ドリフト層の抵抗を下げることで、半導体装置の低損失化を図ることができる。ここで、
ドリフト層の厚みを薄く、キャリア濃度を高くすることにより、ドリフト層の抵抗を下げることができるが、それに伴い耐圧は低下
【０００４】
　これに対し、
ドリフト層において薄いｐ型層（導電型がｐ型の材料からなる層）と薄いｎ型層（導電型がｎ型の材料からなる層）とを交互に配置することにより、ｐｎ接合を形成した構造
スーパージャンクション構造
ＳＪ構造を有するドリフト層は高い耐圧を有する
「【０００８】
　本発明者は、製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置について鋭意検討を行なった。その結果、
従来のＳＪ構造におけるｐｎ接合に代えて、ショットキー障壁を利用した構造
をドリフト層に配置
　
（イ）また、審判請求人は、平成２３年６月３日に提出された審判請求書において、「本願発明は当該ｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えるという上記構成Ｃを採用することにより、製造が容易となっています。つまり、本願発明に係る半導体装置」は、「逆バイアス時にドリフト層において溝側壁に接触する金属膜に挟まれた領域が完全に空乏層化されるという構造、すなわち構成Ｃを有しています。」と主張されている。
（ウ）したがって、本願発明における「スーパージャンクション構造におけるｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えた構造」とは、「ドリフト層において、ｎ型層と、当該ｎ型層とショットキー接触可能な金属層とを交互に配置することにより、ショットキー接合を形成した構造であって、逆バイアス印加時に前記金属層に挟まれた前記ｎ型層の領域が完全に空乏化される構造」と認定できる。
　
（エ）引用発明は、「上面から下方に向けて突起部３が形成されたｎ-−ＧａＡｓ層２ｂ」を備え、引用例１には、図１を参酌すると、「突起部３の側面においてｎ-−ＧａＡｓ層２ｂとショットキー接触しているショットキー接触金属膜５」とが交互に配置された構造が開示されている。
　したがって、引用例１には、「ドリフト層において、ｎ型層と、当該ｎ型層とショットキー接触可能な金属層とを交互に配置することにより、ショットキー接合を形成した構造」が開示されているといえる。
　
（オ）また、ショットキーバリア半導体装置において、逆方向電圧印加時に、逆方向電流が遮断されるためには、電流通路となり得る領域が完全に閉鎖されるものとすることがより望ましいことは当業者には明らかであるといえ、そして、引用発明では、「逆方向電圧印加時において、ショットキー接触金属膜５によって突起部３の側面から突起部３内に空乏層１０が広がるので、オーミック接触金属膜４とオーミック電極７との間の電流通路は空乏層１０によって閉鎖され、逆方向電流が遮断され」るのであるから、オーミック接触金属膜４とオーミック電極７との間の電流通路となり得る領域であるｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３全体に、逆方向電圧印加時に空乏層を広げるようにすることが望ましいことは当業者には明らかである。
　また、引用発明は、ショットキーバリアダイオードの降伏電圧が高くなったものであるから、アノード・カソード間に十分な逆方向電圧を印加することができる構造であるといえる。
　したがって、引用発明において、逆方向電圧印加時に、ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの突起部３を完全に空乏化されるような構成とすることは当業者であれば適宜なし得たことである。
　
（カ）審判請求人は、上記審判請求書において、さらに、「スーパージャンクション構造は、逆バイアス時にドリフト層においてｐ型層とｎ型層とが交互に配置配置された領域を完全に空乏層化することにより電界強度を平準化し、上記引用文献１および２に記載の方策では到達し得ない高い不純物濃度、小さい厚みのドリフト層によって所望の耐圧を確保することにより、順バイアス時の低損失化を図るものです。」と主張されている。
　しかし、上記「２．（１）引用例１」の引用例１の摘記箇所には、本発明によるショットキーバリアダイオード１では、逆方向電圧印加時に逆耐圧が高くなるので、ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂを厚くする必要がなくなる旨が開示されているといえる。
　よって、引用例１には、ｎ-−ＧａＡｓ層２ｂの厚みを小さくするか、あるいはｎ型不純物濃度を高くすることが可能となることが示唆されているといえるので、審判請求人の当該主張は採用できない。
　
（キ）したがって、引用発明において、「逆バイアス印加時に前記金属層に挟まれた前記ｎ型層の領域が完全に空乏化される構造」を採用することで、本願発明のように、「前記ｎ型層と前記金属膜とがスーパージャンクション構造におけるｐｎ接合をショットキー接合にて置き換えた構造を構成する」ものとすることは当業者であれば容易になし得たことである。
　
（ク）したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。