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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の電極と、
軸周りにある円筒の外管と、
軸周りにある円筒の内管と、
内管と外管との間に設置された複数対の電極と、
前記内管と前記外管との間に封入され、前記電極に充分な電圧が印加されたときにガス放電電流を生成する為の適切な成分及び圧力を有したガスから成り、
作動中に内管の内側に放電が発生しない、円柱軸を有したガス放電装置。
【請求項２】
放電電流が、実質的に、管の長手方向に沿った軸と平行に流れる、請求項１に記載のガス放電装置。
【請求項３】
内管の内側が外周部に開放された、請求項１又は請求項２に記載のガス放電装置。
【請求項４】
内管の内側がその両端部において外周部に開放された、請求項３に記載のガス放電装置。
【請求項５】
内管と外管との間を一端において密封する第１の端部の密封部と、
内管と外管との間をもう一端において密封する第２の端部の密封部を含み、
各対の電極の中の一方の電極を第１の端部に隣接して配置し、各対の電極の中のもう一方の電極を第２の端部に隣接して配置した、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項６】
内管と外管との間を一端において密封する第１の端部の密封部と、
内管と外管との間に位置した中間管と、
内管と外管との間をもう一端において密封するが中間管を密封しない第２の密封部を含み、
各対の電極の中の一方の電極を内管と中間管との間の第１の端面に隣接して配置し、各対の電極の中のもう一方の電極を中間管と外管との間の第１の端面に隣接して配置した、請求項１から請求項４のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項７】
１本の管の第２の面と向かい合う面であって、１本の管の第１の面に取り付けられたバンプを含み、前記バンプを管の間のスペースに固定して備えた、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項８】
放電電流が殆ど減少しないように、バンプが充分に小さく且つ遠く離れて配置された、請求項７に記載のガス放電装置。
【請求項９】
異なった対の２個の電極間に配置された少なくとも１つの障壁であって、異なった対の前記電極間に流れる放電電流を減少させる障壁を含んだ、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項１０】
障壁が放電の略全長に平行に延在した、請求項９に記載のガス放電装置。
【請求項１１】
障壁が内管及び外管の一方又は両方の管から放射状に延在した、請求項９又は請求項１０に記載のガス放電装置。
【請求項１２】
障壁が管の１本から延在し且つ隣接した管と接した、請求項１１に記載のガス放電装置。
【請求項１３】
障壁が隣接した管の間に部分的にのみ延在した、請求項１１に記載のガス放電装置。
【請求項１４】
放電が、２つの障壁の間で第１の軸方向に流れる電流から成り、２つの隣接した障壁の間のスペースを経由して戻る、請求項９から請求項１３のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項１５】
内側と外側の円筒管の断面が円形である、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項１６】
管の少なくとも１本の断面が円形でない、請求項１から請求項８のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項１７】
断面が円形でない少なくとも１本の管の断面がひだ状である、請求項１６に記載のガス放電装置。
【請求項１８】
ひだ先端が少なくとも１本の隣接した管と接した、請求項１７に記載のガス放電装置。
【請求項１９】
その接触が密封部を成す、請求項１８に記載のガス放電装置。
【請求項２０】
ひだ先端が少なくとも１本の隣接した管と接触していない、請求項１７に記載のガス放電装置。
【請求項２１】
ひだを内管で形成した、請求項１７から請求項２０のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２２】
ひだを外管で形成した、請求項１７から請求項２１のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２３】
ひだを内管と外管の中間にある管で形成した、請求項１７から請求項２２のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２４】
放電が、２つのひだの間で第１の軸方向に流れる電流から成り、２つのひだの間のスペースを経由して戻る、請求項１７から請求項２３のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２５】
所望の放電経路に沿って配置された金属部材を有する、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２６】
所望の放電経路に沿い且つ隣接した密封放電の外側に配置された金属部材を有する、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２７】
少なくとも１本の管の少なくとも一面を、放電によって生成された放射線を所望の波長又は複数の波長を有した光に変換する燐光体でコーティングした、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２８】
内管の軸方向に位置した、前記放電を発生させる為の電子機器を含んだ、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【請求項２９】
前記電子機器に電力を供給するねじ込みソケットをその一端に含んだ、請求項２８に記載のガス放電装置。
【請求項３０】
異なる対の電極間で生成された放電の間に障壁がない、請求項１から請求項８のいずれか、及び、請求項１から請求項８のいずれかに従属する請求項に記載のガス放電装置。
【請求項３１】
各電極対用の別々のバラストを含んでいる、前記請求項のいずれかに記載のガス放電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表側表面と裏側表面とを有する半導体ウェーハ上でエピタキシャルシリコン層を成長させる化学蒸着法の間に半導体ウェーハを支持する受容体であって、
この受容体は、
上記受容体に支持された半導体ウェーハの裏側表面にほぼ平行に対向し、上記受容体を介して上記半導体ウェーハの裏側表面にガスの流れを接触させる多孔面を有し、
上記多孔面は１平方センチメートルあたり約０．２個から約４個の割合で開口部を有する開口密度を備えており、
上記受容体はまた、上記受容体の周囲を囲む縁リングを備えている受容体。
【請求項２】  表側表面と裏側表面とを有する半導体ウェーハ上でエピタキシャルシリコン層を成長させる化学蒸着法の間に半導体ウェーハを支持する受容体であって、
この受容体は、
上記受容体に支持された半導体ウェーハの裏側表面にほぼ平行に対向し、上記受容体を介して上記半導体ウェーハの裏側表面にガスの流れを接触させる多孔面を有し、
上記多孔面は１平方センチメートルあたり約０．２個から約４個の割合で開口部を有する開口密度を備えており、
上記多孔表面における全開口領域の割合が約０．５％と約４％の間である受容体。
【請求項３】  上記多孔面における全開口領域の割合が約１％と約３％の間である請求項２に記載の受容体。
【請求項４】  上記受容体は、上記半導体ウェーハを上記受容体の多孔面の少なくとも一部と間隔をあけて支持するように、形成されている請求項２に記載の受容体。
【請求項５】  上記受容体にリフトピンを貫通させるために、上記多孔面に複数のリフトピン用の孔を有する請求項２に記載の受容体。
【請求項６】  上記開口部は約０．１ミリメートルと約３ミリメートルの間の径を有する請求項２に記載の受容体。
【請求項７】  上記開口部は約０．１ミリメートルと約１ミリメートルの間の径を有する請求項２に記載の受容体。
【請求項８】  上記開口部は約０．５ミリメートルと約１ミリメートルの間の径を有する請求項２に記載の受容体。
【請求項９】  上記開口部は約２ミリメートルと約２センチメートルの距離をあけて設けられている請求項２に記載の受容体。
【請求項１０】  上記多孔面は１平方センチメートルあたり約０．８個から約１．７５個の割合で開口部を有する請求項２に記載の受容体。
【請求項１１】  上記受容体は、上記受容体に支持された半導体ウェーハが上記多孔面に直接載るように形成されている請求項２に記載の受容体。
【請求項１２】  チャンバであって、内部空間と、上記チャンバ内の内部空間にガスを導入するガス入口と、上記チャンバの内部空間から上記ガスを排出するガス出口とを備えたものとともに使用され、
上記チャンバの内部空間内で半導体ウェーハを支持する大きさと形状を有し、
上記多孔面が、上記半導体が支持されている間、上記多孔面を介してガスを内側に向けて流して上記半導体ウェーハの裏側表面に接触させるとともに上記多孔面を介してガスを外側に流して上記ガス出口を通じて上記チャンバから排出するように上記チャンバ内に露出されている請求項２の受容体。
【請求項１３】  多孔面が上記チャンバの内部空間の中を流れるガスに実質的に露出するように上記チャンバの内部空間で支持部によって支持されている請求項１２に記載の受容体。
【請求項１４】  上記支持部が、上記受容体を回転するために、上記チャンバの内部空間の中で回転可能である請求項１３に記載の受容体。
【請求項１５】  内部空間を形成する蒸着チャンバであって、上記チャンバの内部空間にガスを導入するガス入口と上記チャンバの内部空間からガスを排出するガス出口を有するものと、
上記チャンバの中で受容体を支持する受容体支持部であって、上記受容体の第２の側が上記チャンバの内部に露出して上記受容体の多孔面を介して上記ガスを内側にほぼ自由に流して上記半導体ウェーハの裏側表面に接触させるとともに上記受容体の多孔面を介して上記ガスを外側に流して上記ガス出口を通じて上記チャンバから排出するものとともに使用される請求項２に記載の受容体。
【請求項１６】  表側表面と裏側表面とを有する半導体ウェーハの上記裏側表面をガスで処理する方法であって、
チャンバの内部空間に配置された受容体にウェーハを載せる積載工程であって、上記受容体は該受容体の第１の側から第２の側へ伸びる複数の開口部を備えた多孔部を有し、上記積載工程は上記ウェーハの裏側表面が上記受容体の多孔部の第１の側に対向するように上記ウェーハを上記受容体に乗せることを含む工程と、
上記受容体の第２の側が上記チャンバの内部空間に露出するように上記チャンバの内部に上記受容体を支持する工程と、
上記チャンバの内部空間にガスを流し、上記受容体の多孔面を介して上記ガスの自由な流れを内側に向けて上記半導体の裏側表面に接触させて上記裏側表面を処理するとともに上記受容体の多孔面を介して上記ガスの流れを外側に向けて上記チャンバの内部空間に戻す工程と、
上記チャンバの内部空間からガスを排出する工程を有する方法。
【請求項１７】  上記チャンバの内部空間で上記受容体を回転し、その間、上記ガスが上記チャンバの内部空間に向けて流される工程を有する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  ガスをチャンバの内部空間に流す行程は、
上記半導体ウェーハを収容するチャンバの内部空間にクリーニングガスを導入する工程であって、上記クリーニングガスが上記表側表面と裏側表面に平行に流れ、上記半導体ウェーハの表側表面に接触するとともに上記半導体ウェーハの裏側表面のほぼ全体に接触して、上記半導体ウェーハの表側表面と裏側表面からもともとの酸化物層を除去する工程と、
シリコン含有のソースガスをチャンバの内部空間に導入して上記半導体ウェーハの表側表面にエピタキシャルシリコン層を成長させるとともに、チャンバの内部空間にパージガスを導入して上記半導体ウェーハの裏側表面から外方拡散したドーパント原子を上記半導体ウェーハの表側表面から取り除く工程とを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  上記エピタキシャル層は約０．１ミクロンメートルと約２００ミクロンメートルの厚みを有する請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタを含む基端部と、
前記基端部と接合され、少なくとも針カニューレの一部を覆う細長いキャビティを形成する末端部であって、前記細長いキャビティは細長いキャビティ開口部を有する末端部と、
前記末端部と接合され、前記細長いキャビティ開口部から前記細長いキャビティ内に伸びる針カニューレロック部材であって、比較的堅いベース部と、該ベース部に接合された複数の比較的屈折可能な端部とを含む針カニューレロック部材と、
を具えることを特徴とする針シールド。
【請求項２】
前記ロック部材のベース部は前記端部よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の針シールド。
【請求項３】
前記ロック部材は前記キャビティ開口部と内面とに面する外面を含み、前記内面及び外面はほぼ平らで前記キャビティ開口部から外方向に延在することを特徴とする請求項１に記載の針シールド。
【請求項４】
前記内面および外面は前記ロック部材の自由端を形成するために収束していることを特徴とする請求項３に記載の針シールド。
【請求項５】
前記ロック部材の端部のそれぞれは、他のそれぞれと隙間によって分離されていることを特徴とする請求項１に記載の針シールド。
【請求項６】
前記末端は一対の対向する側壁を備え、前記ベース部は前記側壁の一方から延在し、前記細長いキャビティ開口部から外側に角度つけられていることを特徴とする請求項１に記載の針シールド。
【請求項７】
前記端部は、ベース部が延在する側壁と反対の側壁に接触する程度に十分に屈折することを特徴とする請求項６に記載の針シールド。
【請求項８】
基端と末端とそれらの間のルーメンとを有する針カニューレと、
前記針カニューレが接続される針支持部と、
前記針支持部とヒンジ結合された針シールドであって、細長いキャビティと該細長いキャビティを縁取る一対の対向する側壁と、キャビティ開口部とを含む針シールドと、
前記側壁の一つと接続され、前記細長いキャビティ内へ前記キャビティ開口部から延在するロック部材であって、前記ロック部材が接続された側壁の一方から離れる方向で収束する内面と外面と、前記側壁の一方と隣接するベース部と、該ベース部と隣接し、前記ベース部に比べて比較的屈折可能な端部とを有するロック部材とを具え、
前記ロック部材の屈折可能な端部は前記針シールドが前記針カニューレを保護するために前記閉じた位置に向かって移動されたときに前記針カニューレによって前記ベース部に対して屈折されることが可能であり、前記針シールドが前記閉じた位置から開口位置に向かって移動されると、前記針カニューレは前記ロック部材の内面によって前記側壁の一方に向かって誘導されることを特徴とする針シールド組立て品。
【請求項９】
前記端部は前記側壁の一方に対向する側壁と接触する程度まで屈折可能であることを特徴とする請求項８に記載の針シールド組立て品。
【請求項１０】
前記ロック部材の内面と外面はほぼ平らであることを特徴とする請求項８に記載の針シールド組立て品。
【請求項１１】
前記ロック部材は前記ベース部から延在する複数の屈折可能な端部を含むことを特徴とする請求項８に記載の針シールド組立て品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月20日(2006.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面である支持面上で用いるためのアイロンであって、
下面を有するソールプレート、
前記支持面から少なくとも１/２インチ(１.２７ｃｍ)上に前記ソールプレートを保持するための少なくとも１本の脚、および
前記ソールプレートを支持面から離して上げる第１の状態と、前記ソールプレートを支持面と接触させる第２の状態との間で、前記少なくとも１本の脚を動かすためのリフト機構、を含むことを特徴とするアイロン。
【請求項２】
前記ソールプレートの頂部に結合したハウジングをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載のアイロン。
【請求項３】
前記少なくとも１本の脚が、支持面から少なくとも１インチ(２．５４ｃｍ)上に前記ソールプレートを保持することを特徴とする請求項１または２記載のアイロン。
【請求項４】
前記少なくとも１本の脚が、支持面にほぼ平行な面内に前記ソールプレートを保持することを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のアイロン。
【請求項５】
前記少なくとも１本の脚が、少なくとも２本の脚からなることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載のアイロン。
【請求項６】
前記少なくとも１本の脚が、前記ソールプレートにある穴を通って延びていることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載のアイロン
【請求項７】
前記アイロンが側面を有し、アイロンが横倒しになったとき、前記少なくとも１本の脚がソールプレートガードとして作用することを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載のアイロン。
【請求項８】
前記少なくとも１本の脚が、上方へ引き込み可能であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載のアイロン。
【請求項９】
前記アイロンがハンドルを有し、前記リフト機構が、使用者が該ハンドルを握ったときを検知可能なセンサーを備えることを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載のアイロン。
【請求項１０】
前記センサーが、熱センサー、導電率スイッチ、感圧スイッチ、力センサー、容量センサー、マッチングされたエミッタ−ディテクタ対、およびアイロンを握ると遮断される、光もしくは信号エミッタ−とレシーバーからなる群より選択されるセンサーであることを特徴とする請求項９記載のアイロン。
【請求項１１】
前記少なくとも１本の脚が、アイロンがひっくり返るのを防ぐように構成されていることを特徴とする請求項１から１０いずれか１項記載のアイロン。
【請求項１２】
前記リフト機構が、前記少なくとも１本の脚に結合したリフトプレートを備え、該リフトプレートが、そのリフトプレートに作用する少なくとも１つのばねにより下方に付勢されていることを特徴とする請求項１１記載のアイロン。
【請求項１３】
前記リフト機構がモーターを含むことを特徴とする請求項１２記載のアイロン。
【請求項１４】
前記リフト機構が、前記リフトプレートに結合したギア付きのステッピングモーターを含み、該ギア付きのステッピングモーターが、前記リフトプレートに作用する前記ばねの力に打ち勝って前記リフトプレートを上方へ動かすことができることを特徴とする請求項１３記載のアイロン。
【請求項１５】
前記少なくとも１本の脚の伸びたり引っ込んだりした状態が、前記アイロンの作動状態の目に見えるキューを提供することを特徴とする請求項１から１４いずれか１項記載のアイロン。
【請求項１６】
前記アイロンがテール部分を有し、そのテール部分が所定のアイロンがけに適合したものであることを特徴とする請求項１から１５いずれか１項記載のアイロン。
【請求項１７】
平面である支持面上で用いるためのアイロンであって、
ソールプレート、
前記支持面上の該支持面の表面にほぼ平行な面内に前記ソールプレートを保持する少なくとも１本の脚、および
前記ソールプレートを支持面から離して上げる第１の状態と、前記ソールプレートを支持面と接触させる第２の状態との間で、前記少なくとも１本の脚を動かすことが可能なリフト機構、を含むことを特徴とするアイロン。
【請求項１８】
前記ソールプレートの頂部に結合したハウジングをさらに含むことを特徴とする請求項１７記載のアイロン。
【請求項１９】
前記少なくとも１本の脚が、支持面から少なくとも１/２インチ(１.２７ｃｍ)上に前記ソールプレートを保持することを特徴とする請求項１７または１８記載のアイロン。
【請求項２０】
前記少なくとも1本の脚が、支持面から少なくとも１インチ(２．５４ｃｍ)上に前記ソールプレートを保持することを特徴とする請求項１９記載のアイロン。
【請求項２１】
ハンドルと、使用者が該ハンドルを握ったときを検知できるセンサーとをさらに備えることを特徴とする請求項１７から２０いずれか１項記載のアイロン。
【請求項２２】
使用者が前記ハンドルを握ったことを前記センサーが検知すると、前記少なくとも1本の脚が引っ込められることを特徴とする請求項２１記載のアイロン。
【請求項２３】
アイロンを操作する方法であって：
ソールプレート、支持面の上に前記ソールプレートを保持するための少なくとも１本の脚、前記ソールプレートを支持面から離して上げる第１の状態と、前記ソールプレートを支持面と接触させる第２の状態との間で、前記少なくとも１本の脚を動かすためのリフト機構、および使用者がアイロンを握ったときを検知し、それによって前記リフト機構を作動させることが可能なセンサーを含むアイロンを提供し；
前記アイロンを握って、前記センサーを起動させ、それによって、前記ソールプレートを前記支持面に接触させるように前記少なくとも１本の脚を動かす前記リフト機構を作動させる；
前記アイロンを離して、それによって、前記ソールプレートを前記支持面から離して上げるように前記少なくとも１本の脚を動かす前記リフト機構を作動させる；工程を含む方法。
【請求項２４】
前記アイロンを離して、それによって、前記ソールプレートを前記支持面から離して上げるように前記少なくとも１本の脚を動かす前記リフト機構を作動させる工程が、前記支持面の上の該支持面の表面にほぼ平行な面内に前記ソールプレートを上げることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記アイロンを離して、それによって、前記ソールプレートを前記支持面から離して上げるように前記少なくとも１本の脚を動かす前記リフト機構を作動させる工程が、前記支持面から少なくとも１/２インチ(１.２７ｃｍ)上に前記ソールプレートを上げることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
伝熱プレートの第１の端部に配置され、２つの流体のそれぞれのための少なくとも一つのポート（１、４）を備えた第１のポート部（Ａ）と、
前記伝熱プレートの第２の端部に配置され、前記流体の各々のための少なくとも一つのポート（２、３）を備えた第２のポート部（Ｂ）と、
前記ポート部（Ａ、Ｂ）の間に配置された伝熱部とを備え、
第１のポート部（Ａ）のポート（１、４）が、前記プレートの長手方向（Ｌ）と本質的に平行である第１の幾何学線（ＬＡ；ＬＡ１−ＬＡ２）に沿って配置され、
第２のポート部（Ｂ）のポート（２、３）が、前記プレートの長手方向（Ｌ）と本質的に平行である第２の幾何学線（ＬＢ；ＬＢ１−ＬＢ２）に沿って配置されているプレート式熱交換器用の伝熱プレートであって、
フローリミッタ（５）が、第２のポート部（Ｂ）に最も近接して配置されている前記ポートのうちの少なくとも一つに隣接して少なくとも第１のポート部（Ａ）に配置され、
フローリミッタ（５）は、前記ポートと、反対側のポート部（Ｂ）に配置されているポートとの間に伸びるようにデザインされ、同じ流体のための各直線状の幾何学線が、前記フローリミッタ（５）を通って伸びるように広がっており、
フローリミッタ（５）が、前記ポートと、第２のポート部（Ｂ）との間に配置されていることを特徴とする伝熱プレート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004522931.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004522931.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための少なくとも１種のプロセスガスを第１室中で生成し、プロセスガスを引き続き基板処理室に導入することにより、基板、殊に半導体基板を処理する方法において、第１室が燃焼室であり、水蒸気及び水素から成る第１プロセスガスの生成のために、酸素を燃焼室中で超過化学量論的水素富化環境で燃焼させることを特徴とする、基板、殊に半導体基板を処理する方法。
【請求項２】
燃焼室の下流で未燃焼酸素の存在を検出する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
燃焼室の下流で未燃焼酸素を検出する場合には、方法を中断する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
燃焼室の下流で未燃焼酸素を検出する場合には、不活性ガスをプロセスガス中に導入する、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
燃焼室の下流で水素をプロセスガス中に導入する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
酸素の燃焼前に燃焼室に純水素を充填し、酸素を燃焼の開始時に初めて導入する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第２酸素富化プロセスガスの生成のために、燃焼室中の酸素対水素の比率を燃焼の間に変化させる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
水素富化プロセスガス生成と酸素富化プロセスガス生成との交換の際に、酸素及び水素の化学量論的燃焼を予め決められた時間実施する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
酸素富化プロセスガスの生成後に、燃焼室の下流で付加的な酸素を導入する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
燃焼室中で水素富化プロセスガスを生成させる場合には、燃焼室の下流で酸素導入管を閉鎖する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
燃焼室中で酸素富化プロセスガスを生成させる場合には、燃焼室の下流で水素導入管を閉鎖する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
燃焼室の下流で、もう１種の流体をプロセスガス中に導入する、請求項１から１１までの０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
酸素を水素貧化環境で燃焼させることによって、燃焼室で先ず酸素富化プロセスガスを生成させ、燃焼室中の酸素対水素比率を酸素の燃焼のために水素富化環境に変化させる、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
酸素富化プロセスガス生成の間に、燃焼室の下流で未燃焼水素の存在を検出する、請求項８から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
燃焼室の下流で未燃焼の水素を検出する場合には、方法を中断する、請求項８又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
燃焼室の下流で未燃焼の水素を検出する場合には、不活性ガスをプロセスガス中に導入する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
水素貧化環境中での酸素の燃焼から水素富化環境への交換の際に、予め決められた時間で、酸素及び水素の化学量論的燃焼を実施する、請求項８から１６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
燃焼室を燃焼過程前に不活性ガスでフラッシする、請求項１から１７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
プロセスガスを少なくとも１種の半導体ウエハの熱処理に使用し、処理サイクル内で水素富化プロセスガスと酸素富化プロセスガスとを交換する、請求項１から１８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
プロセスガスを少なくとも１種の半導体ウエハの熱処理に使用し、連続する熱処理サイクルの際に、水素富化プロセスガスと酸素富化プロセスガスとを交換する、請求項１から１９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
プロセスガス中の水素又は酸素の濃度を熱処理サイクルの間に変える、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
基板、殊に半導体基板を処理し、基板を処理するためのプロセスガスを製造するための装置であり、基板を熱処理するための少なくとも１個の処理室（３２）、燃焼室（５）を有する炉（１）、燃焼室（５）中への少なくとも１本の酸素導入管（１２）及び少なくとも１本の水素導入管（８）、燃焼室（５）中での酸素/水素−混合物の点火のための点火装置（１７）、及び水蒸気及び水素から成るプロセスガスの生成のために、酸素を超過化学量論的水素富化環境中で点火させ、完全に燃焼させるように制御可能である制御ユニット（３４）および少なくとも１個の処理室（３２）と結合している炉の排出管（２４）を有する装置。
【請求項２３】
炉（１）の排出管（２４）中の酸素−及び/又は水素センサーを有する、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
炉（１）の排出管（２４）と結合した水素導管（６３）を有する、請求項２２又は２３に記載の装置。
【請求項２５】
炉（１）の排出管（２４）と結合している酸素導管（５９）を有する、請求項２２から２４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項２６】
酸素導管及び水素導管は相互に閉鎖している、請求項２４又は２５に記載の装置。
【請求項２７】
燃焼室（５）中の燃焼は、水素富化燃焼から酸素富化燃焼へ変化される、請求項２２から２６のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板上のマイクロストリップ入力および出力ポートのためのコプレーナ・ウェーブガイド・カプラを持つマイクロ波回路において、
ａ）マイクロストリップ入力および出力ラインを前記基板上の一方の表面上に配置すること、
ｂ）コプレーナ・ウェーブガイド・カプララインおよびグラウンド導体を前記基板の他方の表面上に配置すること、および
ｃ）前記一方の表面上の前記マイクロストリップ入力および出力ラインを、他方の表面上の前記コプレーナ・ウェーブガイド・カプララインと相互接続すること
を特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ｃ）のステップは、フィードスルーバイアの使用を含む方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、コプレーナ・ウェーブガイド・カプララインは、間隔が置かれ平行に配置されたインターディジテイティッドＵ字型の第１および第２金属ラインを含む方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
ｄ）前記一方の表面上に、前記コプレーナ・カプラの前記第１および第２金属ラインを横切るように伸び、それらから間隔を置かれたバイアス電圧金属ラインを提供すること
をさらに備える方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
ｄ）前記一方の表面上に、前記コプレーナ・カプラの前記第１および第２金属ラインを横切るように伸び、それらから間隔を置かれたバイアス電圧金属ラインを提供すること
をさらに備える方法。
【請求項６】
マイクロストリップ入力および出力ポートと共に用いるコプレーナ・ウェーブガイド・カプラであって、
ａ）上部および底部表面を持つプリント回路基板、
ｂ）前記上部表面上に形成された第１および第２金属入力ポート、
ｃ）前記上部表面上に形成された第１および第２金属出力ポート、
ｄ）マイクロ・ストリップとしての前記入力ポートおよび前記出力ポートに対するグラウンドプレーンとして機能する前記底部表面上の金属層であって、前記金属層は、前記金属入力および出力ポートおよびそれらの間に広がる部分のうちの少なくとも一部の下のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ領域において取り除かれている、金属層、
ｅ）前記入力および出力ポートについてコプレーナ・ウェーブガイド・カプラとして機能する前記カプラ領域内の前記底部表面上にあるインターディジテイティッドＵ形状の第１および第２金属ライン、および
ｆ）一方の入力ポートおよび一方の出力ポートを第１の金属ラインに接続し、他方の入力ポートおよび他方の出力ポートを前記第２金属ラインに接続する電気的コネクタ
を備えるコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項７】
請求項６に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラであって、
コプレーナ・ウェーブガイド・カプラの第１および第２金属ラインを横断して延び、それらから間隔が置かれる上部表面上のバイアス電圧金属ライン、
をさらに備える、コプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項８】
前記第１および第２金属ラインが、間隔が置かれた平行配置される、請求項６に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項９】
前記電気的コネクタが、基板内のフィードスルー・バイアである、
請求項８に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１０】
前記基板がセラミックである、請求項９に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１１】
前記金属が、金、銀、および銅からなるグループから選択される、請求項１０に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１２】
コプレーナ・ウェーブガイド・カプラの第１および第２金属ラインを横切るようにして伸び、それらから間隔を置かれた上部表面上のバイアス電圧金属ラインをさらに備える、請求項１１に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１３】
前記電気的コネクタが、基板内のフィードスルー・バイアである、
請求項６に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１４】
前記基板が、セラミックである、請求項１３に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【請求項１５】
前記金属が、金、銀、銅からなるグループから選択される、請求項１４に記載のコプレーナ・ウェーブガイド・カプラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｂ】
2004522378.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004522378.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物の治療による処置の方法において使用するための組成物の製造における一般式ＩまたはＩＡの化合物あるいはその塩の使用：
【化１】
2004522781.tif 000001
（ここで、ＸはＨであり；
Ｙは、脱離基であり；
Ｒ1は、−Ａｒ、−ＮＨ2、またはＲ8であり；
Ｒ2およびＲ3は、各々独立して、Ｈ、Ｃ1-4アルキル、−ＯＨ、Ｃ1-4アルコキシ、−ＣＮ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＮＨＣＯＲ9、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨＲ10、−ＮＨＣＯＯＲ10および−ＣＯＯＲ10から選択され；
Ｒ4は、Ｈ、Ｃ1-4アルキル、ＣＮ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ2、ＮＨ2、−ＮＨＣＯＲ9、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨＲ10、−ＮＨＣＯＯＲ10および−ＣＯＯＲ10から選択され；
Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、独立して、Ｃ1-4アルキル、必要に応じて置換されたフェニル、Ｃ7-12−アラルキル、必要に応じて置換されたヘテロアリールおよびリガンドから選択され；
Ａｒは、
【化２】
2004522781.tif 000002
から選択され（ここで、Ｂは、ＮまたはＣＲ14であり；
ＺはＯ、Ｓ、−ＣＨ＝ＣＨ−、またはＮＨであり；
各Ｒ11は、ＯＨ、Ｃ1-4アルコキシ、Ｃ1-4アルキル、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＮＨＲ17、−ＮＲ172、−Ｎ+Ｒ173、−ＣＮ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＮＨＣＯＲ15、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨＲ16、ＮＨＣＯＯＲ16およびＣＯＯＲ16から選択され；
ｎは０〜４の範囲の整数であり；
Ｒ12は、Ｈ、−ＣＯＡｒ1、−ＣＯＮＨ2、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＲ16または−ＣＯＯＲ16であり；
各Ｒ13は、ＯＨ、Ｃ1-4アルコキシ、Ｃ1-4アルキル、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＮＨＲ17、−ＮＲ172、−Ｎ+Ｒ173、−ＣＮ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＮＨＣＯＲ15、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨＲ16、−ＮＨＣＯＯＲ16および−ＣＯＯＲ16から選択され；
ｍは０、１または２であり；
Ｒ14は、ＯＨ、Ｃ1-4アルコキシ、Ｃ1-4アルキル、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＣＮ、Ｃｌ、 Ｂｒ、Ｉ、−ＮＨＣＯＲ15、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨＲ16、−ＣＯＯＲ16、−ＮＨＣＯＯＲ16およびＨから選択され；
Ｒ15は、Ｃ1-4アルキル、必要に応じて置換されたフェニル、必要に応じて置換されたヘテロアリール、Ｃ7-12アラルキル、リガンドおよびＡｒ1から選択され；
Ｒ16は、Ｃ1-4アルキル、必要に応じて置換されたフェニル、Ｃ7-12−アラルキルおよび必要に応じて置換されたヘテロアリールおよびリガンドから選択され；
各Ｒ17は、Ｃ1-4−アルキル、必要に応じて置換されたフェニル、必要に応じて置換されたヘテロアリール（ｈｅｔｅｒａｒｙｌ）およびＣ7-12−アラルキルから選択され；そして
Ａｒ1は、Ａｒと同じ基（ｇｒｏｕｐｓ）から選択される（但し、任意の１つの環における多くとも１つの基Ｒ11またはＲ13が基Ａｒ1を含む）））。
【請求項２】
動物がヒトである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
処置が腫瘍の処置である、請求項１または請求項２に記載の使用。
【請求項４】
Ｙが、−ＯＣＯＯＲ5、−ＯＣＯＮＨＲ6、Ｃｌ、Ｂｒ、および−ＯＳＯＯＲ7（ここで、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、独立して、Ｃ1-4アルキル、必要に応じて置換されたフェニル、Ｃ7-12−アラルキル、および必要に応じて置換されたヘテロアリールから選択される）から選択される、先の請求項のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
治療による動物の腫瘍の処置における使用のための請求項１および４のいずれかにおいて定義される（ｄｅｆｉｎｅｄ）ような一般式Ｉの化合物。
【請求項６】
１−（クロロメチル）−６−ベンゾイル−３−（（５−メトキシ−１Ｈ−インドール−２−イル）カルボニル）−１，２ジヒドロ−３Ｈ−ピロロ［３，２−ｅ］インドール；および
３−（クロロメチル）−１−−［（５−メトキシインドール−２−イル）カルボニル］インドリン（ｉｎｄｏｌｉｎｅ）から選択される、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１および４のいずれかに定義されるような一般式Ｉの化合物ならびに薬学的に許容される賦形剤を含む腫瘍の処置のための薬学的組成物。
【請求項８】
請求項１および４のいずれかに定義されるような式ＩＡの化合物。
【請求項９】
１−（（５−メトキシ−１Ｈ−インドール−２−イル）カルボニル）−４−クロロ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリンである、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
治療による動物の処置における使用のための請求項８または請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
請求項８または請求項９に記載の化合物および薬学的に許容される賦形剤を含む、薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量のトルセミドおよび薬理学的に許容される担体からなる安定な医薬品製剤であって、該トルセミドがトルセミド・モディフィケーションIIであり、該トルセミド・モディフィケーションIIが、少なくとも３か月間、４０℃、相対湿度７５％で貯蔵しても、実質的に、再配列してトルセミド・モディフィケーションＩになることがないことを特徴とする安定な医薬品製剤。
【請求項２】
該トルセミドが実質的に再配列して別の多形相のトルセミドに変わることのないトルセミド・モディフィケーションIIであることを特徴とする請求項１に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項３】
該トルセミドがトルセミド・モディフィケーションIIを９９．５％より多く含むことを特徴とする請求項１または２に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項４】
該薬理学的に許容される担体が低い水分含有量を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項５】
低い水分含有量を有する担体が無水乳糖、クロスポビドン、ポビドン、セルロースおよびステアリン酸マグネシウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項４に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項６】
該製剤が錠剤であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項７】
該トルセミド・モディフィケーションIIが１錠当たり２．５〜２００ｍｇの量で存在することを特徴とする請求項６に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項８】
該トルセミド・モディフィケーションIIが１錠当たり１００ｍｇの量で存在することを特徴とする請求項６に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項９】
該トルセミド・モディフィケーションIIが１錠当たり５ｍｇの量で存在することを特徴とする請求項６に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１０】
該トルセミド・モディフィケーションIIが１錠当たり２．５ｍｇの量で存在することを特徴とする請求項６に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１１】
該トルセミド・モディフィケーションIIが、１００％が２００μｍ未満である粒度分布を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１２】
該トルセミド・モディフィケーションIIが、１００％が１００μｍ未満である粒度分布を有することを特徴とする請求項１１に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１３】
該トルセミド・モディフィケーションIIが、１００％が５０μｍ未満である粒度分布を有することを特徴とする請求項１２に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１４】
治療上有効な量のトルセミド・モディフィケーションIIを含む安定な医薬品製剤であって、該製剤の生体外溶解速度を、９００ｍＬの水で５０〜９０ＲＰＭで米国薬局方パドル法によって測定したとき、３０分後にトルセミド・モディフィケーションIIの８０質量％以上が放出されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１５】
該生体外溶解速度が時間とともに実質的に変化しないことを特徴とする請求項１４に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１６】
該生体外溶解速度が少なくとも３か月間実質的に変化しないことを特徴とする請求項１５に記載の安定な医薬品製剤。
【請求項１７】
浮腫治療薬を製造するための、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の安定な医薬品製剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は足場１０を示し、その対向する２面は、各々、伸縮自在の梯子構造体１２及び１４から構成されている。足場の残りの対向面は、折畳み可能な門扉１８と横突っ張り３４により形成されている。伸縮自在の梯子構造体１２、１４の横桟２０ｂは、従来の足場に見出され得るものに類似する架台３６を支持している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
足場１０における第４の最後の側面は、横突っ張り３４を、門扉１８と平行に、梯子構造体１２、１４の垂直縦枠１６の間か支持横桟２８の間か何れかに架橋して装入することにより形成されている。横突っ張り３４は、ねじ込みクランプのような従来方法により、これらの何れかに固定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
足場１０を折り畳むためには、支持棒４２、架台３６及び横突っ張り３４を全て取り外す必要がある。その後、ばね荷重式ピンを解除し、そして上方の横桟２０ｂ及び２０ｃを下方向に引くことにより、伸縮自在の縦枠１６を収縮させることが必要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この段階では、部分的に折り畳まれた足場は、格子囲いの幼児用遊び場に類似するように見える。折畳みの最終段階は、伸縮自在の門扉１８が、その蝶番４４に関して、今や部分的に収縮した伸縮自在の引張り棒３８、４０の方向に曲げられることが必要である。上方から見れば、この時点における足場はＭ字形に見えることであろう。門扉１８は、その後、完全に折り畳まれ、そして梯子構造体１２、１４が寄せ集まり、同時に、伸縮自在の引張り棒がそれらの完全に収縮した姿勢をとることになる。この最終姿勢は、非常に高い空間効率性を有し、保管及び輸送を容易にすることに寄与している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
１０：足場
１２、１４：梯子構造体
１６：縦枠
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ：節部
１８：門扉
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ：横桟
２８：支持横桟
３０、３２：筋交い棒
３４：横突っ張り
３６：架台
３８、４０：引張り棒
４２：支持棒
【事件の表示】
　特許第６１１１８２４号発明「硬化性表面コーティング組成物、これを用いた積層ポリエステルフィルム、及び、太陽電池バックシート」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１１１８２４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１１〕について訂正することを認める。
　特許第６１１１８２４号の請求項１〜１１に係る特許を取り消す。
【理　由】
　特許第６１１１８２４号の請求項１〜１１に係る発明は、平成３０年３月９日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　これに対して、平成３０年５月１７日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは応答がなかった。
　そして、上記の取消理由は妥当なものと認められるので、本件請求項１〜１１に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年８月２１日（２０１８．８．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　水酸基を含有する樹脂、ブロックイソシアネート、及び、エポキシ樹脂を含有
し、前記水酸基を含有する樹脂がポリエステル樹脂及びフッ素系樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂であり、前記水酸基を含有する樹脂の水酸基価が１〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、前記ブロックイソシアネートのブロック剤がケトオキシム及びアミン類からなる群から選ばれる１種以上の化合物であり、前記水酸基を含有する樹脂と前記ブロックイソシアネートとは、前記水酸基を含有する樹脂の固形分水酸基当量（ａ）と、前記ブロックイソシアネートの固形分解離イソシアネート当量（ｂ）の比（ａ）／（ｂ）が０．５〜５となる割合で配合され、前記エポキシ樹脂の配合割合は、前記水酸基を含有する樹脂１００重量部あたり５〜２０重量部であ
　【請求項２】
　
水酸基を含有する樹脂、ブロックイソシアネート、及び、エポキシ樹脂を含有し、
り、前記水酸基を含有する樹脂の水酸基価が１〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、前記ブロックイソシアネートのブロック剤がケトオキシム及びアミン類からなる群から選ばれる１種以上の化合物であり、前記水酸基を含有する樹脂と前記ブロックイソシアネートとは、前記水酸基を含有する樹脂の固形分水酸基当量（ａ）と、前記ブロックイソシアネートの固形分解離イソシアネート当量（ｂ）の比（ａ）／（ｂ）が０．５〜５となる割合で配合され、前記エポキシ樹脂の配合割合は、前記水酸基を含有する樹脂１００重量部あたり５〜２０重量部であ
有機溶剤型
　【請求項３】
　
水酸基を含有する樹脂、ブロックイソシアネート、及び、エポキシ樹脂を含有し、前記水酸基を有する樹脂がポリエステル樹脂を含み、
り、前記ブロックイソシアネートを構成するイソシアネートモノマーがヘキサメチレンジイソシアネートであり、前記ブロック剤がケトオキシムであり、前記水酸基を含有する樹脂と前記ブロックイソシアネートとは、前記水酸基を含有する樹脂の固形分水酸基当量（ａ）と、前記ブロックイソシアネートの固形分解離イソシアネート当量（ｂ）の比（ａ）／（ｂ）が０．５〜５となる割合で配合され、前記エポキシ樹脂の配合割合は、前記水酸基を含有する樹脂１００重量部あたり５〜２０重量部であ
　【請求項４】
　
水酸基を含有する樹脂、ブロックイソシアネート、及び、エポキシ樹脂を含有し、前記水酸基を含有する樹脂がフッ素系樹脂を含み、前記水酸基を含有する樹脂の水酸基価が１〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、
り、前記ブロックイソシアネートのブロック剤がケトオキシム及びアミン類からなる群から選ばれる１種以上の化合物であり、前記水酸基を含有する樹脂と前記ブロックイソシアネートとは、前記水酸基を含有する樹脂の固形分水酸基当量（ａ）と、前記ブロックイソシアネートの固形分解離イソシアネート当量（ｂ）の比（ａ）／（ｂ）が０．５〜５となる割合で配合され、前記エポキシ樹脂の配合割合は、前記水酸基を含有する樹脂１００重量部あたり５〜２０重量部である
　【請求項５】
　
水酸基を含有する樹脂、ブロックイソシアネート、及び、エポキシ樹脂を含有し、前記水酸基を含有する樹脂がポリエステル樹脂及びフッ素系樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂であり、前記水酸基を含有する樹脂の水酸基価が１〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、
り、前記水酸基を含有する樹脂と前記ブロックイソシアネートとは、前記水酸基を含有する樹脂の固形分水酸基当量（ａ）と、前記ブロックイソシアネートの固形分解離イソシアネート当量（ｂ）の比（ａ）／（ｂ）が０．５〜５となる割合で配合され、前記エポキシ樹脂の配合割合は、前記水酸基を含有する樹脂１００重量部あたり５〜２０重量部であ
　【請求項６】
　更に、酸化防止剤及び／または紫外線吸収剤を含有する請求項１〜５のいずれか１つに硬化性ポリエステル表面コーティング組成物。
　【請求項７】
　更にポリカーボネート樹脂及び／又はカルボジイミド化合物を含有する請求項１〜６のいずれか１つに硬化性ポリエステル表面コーティング組成物。
　【請求項８】
　請求項１〜７のいずれか１つに記載の硬化性ポリエステル表面コーティング組成物の硬化皮膜がポリエステル樹脂フィルム上に積層された積層ポリエステル樹脂フィルム。
　【請求項９】
　請求項８記載の積層ポリエステル樹脂フィルムを含む太陽電池バックシート。
　【請求項１０】
請求項９に記載の太陽電池バックシートと、封止材とを含む太陽電池モジュール。
　【請求項１１】
　前記封止材がエチレン−酢酸ビニル共重合体を含有する組成物である請求項１０記載の太陽電池モジュール。
【事件の表示】
　特許第６１２３１４５号発明「粘着剤および粘着シート」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１２３１４５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正することを認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本件特許第６１２３１４５号に係る出願（特願２０１６−１２２９５７号、以下「本件」という。）は、出願人東洋インキＳＣホールディングス株式会社により、平成２８年６月２１日になされた出願であり（優先権主張：平成２７年６月２４日、日本国（特願２０１５−１２７０３０号））、平成２９年４月１４日に、発明の名称を「粘着剤および粘着シート」、請求項の数を「５」として、特許権者を東洋インキＳＣホールディングス株式会社及びトーヨーケム株式会社として（以下「特許権者」ということがある。）、特許権の設定登録がなされ、その後、本件特許につき平成２９年１１月１０日付けで特許異議申立人梯七枝（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。
　以後の手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　２月１４日付け：取消理由通知
　平成３０年　４月１６日　　：訂正請求書、意見書の提出（特許権者）
　平成３０年　５月２２日　　：意見書の提出（特許異議申立人）
　平成３０年　６月１４日付け：審尋
　平成３０年　９月　３日付け：取消理由通知（決定の予告）
　平成３０年１０月１５日　　：訂正請求書、意見書の提出（特許権者）
　なお、平成３０年６月１４日付け審尋に対しては、特許権者からは何ら応答はなかった。
　また、平成３０年４月１６日にした訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。
２．訂正の可否についての判断
（１）訂正の内容 
　平成３０年１０月１５日に提出された訂正請求書（以下、「本件訂正請求」という。）による訂正事項は、以下のとおりである。
　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１〜５を削除する。
（２）訂正の適否についての判断
ア　訂正の目的について
　訂正事項１は、本件特許の請求項１〜５(全請求項)を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張又は変更について
　上記「ア」に記載したとおり、訂正事項１は本件特許明細書に記載された事項の範囲内で行われるものであり、また、訂正の前後において請求項に係る発明のカテゴリーや対象、目的を拡張し、又は変更するものではないことも明らかであるから、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　一群の請求項について
　訂正事項１に係る訂正前の請求項１〜５は、請求項２〜５が請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあるから、訂正前において一群の請求項に該当するものである。また、訂正事項１により、請求項１〜５（全請求項）が訂正されるから、訂正事項１は一群の請求項に対して請求されたものといえる。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合するものである。
エ　小括
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに同条第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるから、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正することを認める。
３．特許異議の申立てについて
　上記のとおり、本件特許の請求項１〜５（全請求項）は訂正により削除されたから、本件特許の請求項１〜５に対して申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなった。
　したがって、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成３０年１０月２４日（２０１８．１０．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
（削除）
　【請求項２】
　
（削除）
　【請求項３】
　
（削除）
　【請求項４】
　
（削除）
　【請求項５】
　
（削除）
【事件の表示】
　特許第６２４４６５０号発明「肌用シート及び肌用シートキット」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２４４６５０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
　特許第６２４４６５０号の請求項１ないし８に係る特許は、平成２９年１１月２４日に特許権の設定登録がされ、平成２９年１２月１３日に特許掲載公報が発行された。その後、平成３０年４月１３日に本件特許の請求項１ないし４に対する本件特許異議の申立てがなされた。
　特許第６２４４６５０号の請求項１ないし４に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　これに対して、平成３０年９月４日付けで取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者は応答しなかった。
　そして、上記の取消理由は妥当なものと認められるので、本件請求項１ないし４に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成３０年１１月２９日（２０１８．１１．２９）