【事件の表示】
　特願２００８−　７９８９１「有機電界発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月　８日出願公開、特開２００９−　　４３５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年３月２６日（優先権主張２００７年６月１９日、韓国）の出願であって、平成２２年８月３１日付けで手続補正書が提出され、同年１０月７日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年１２月２８日付けで意見書が提出されたが、平成２３年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、同年１０月３１日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２４年１月３１日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２３年６月２７日付けの手続補正の補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２３年６月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２３年６月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「少なくとも一つの薄膜トランジスターが形成された基板と、
　前記薄膜トランジスターと電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極上に形成されて前記第１電極を部分的に露出させる開口部を含む画素定義膜と、
　前記第１電極上に形成される有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成される第２電極を含む有機電界発光素子と、
　前記有機電界発光素子を密封する封止手段と、
　前記画素定義膜と少なくとも部分的に対応する封止手段の一側に形成されるスペーサと、
を含み、
　前記スペーサは、吸湿物質からなり、前記画素定義膜と対応する封止手段の内側面に形成され、前記第２電極から離間し、
　前記吸湿物質は、酸化カリウム、硫酸リチウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト、硫酸ガリウム、硫酸チタン、塩化カルシウム、硝酸カルシウム、酸化マグネシウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物、硫酸リチウム、金属硫酸塩、金属過塩素酸塩、五酸化リン、及び硫酸ニッケルからなる群より選ばれるいずれかひとつであることを特徴とする、有機電界発光表示装置。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
（１）引用文献１：米国特許出願公開第２００６／０２９０２７６号明細書
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された上記引用文献１には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「［００１６］FIG. 1  is a cross section of a top-emitter OLED device having spacer elements according to one embodiment of the present invention;」
（訳）「［００１６］図１は、本発明によるスペーサ要素を有するトップエミッション型ＯＬＥＤの１実施例の断面図；」
　
（ｂ）「［００２３］FIG. 8  is a more detailed cross section of a top-emitter OLED device having spacer elements as shown in  FIG. 1  according to one embodiment of the present invention.」
（訳）「［００２３］図８は、図１に示した本発明によるスペーサ要素を有するトップエミッション型ＯＬＥＤの１実施例のより詳細な断面図。」
　
（ｃ）「［００２５］Referring to  FIG. 1 , in accordance with one embodiment of the present invention, an organic light-emitting diode (OLED) device comprises a substrate  10 ; one or more OLEDs  11  formed on the substrate  10  comprising a first electrode  14  formed over the substrate, one or more layers of organic material  16 , one of which is light emitting, formed over the first electrode  14 , and a second electrode  18  formed over the one or more layers of organic material  16 ; a cover  12  provided over the OLED  11  and spaced apart from the OLED  11  to form a gap  32 ; and one or more color filter elements  21 ,  24  located in the gap to filter the light. A layered combination of a portion of filter element  21  and filter element  24  forms spacer elements  22  having a thickness greater than the thickness of another portion of filter element  21  located in the gap  32 . In the embodiment of  FIG. 1 , a gap  23  separates the filter element  24  from the OLED  11 .・・・」
（訳）「［００２５］この発明の１実施例である図１を参照すると、ＯＬＥＤ素子は、基板１０；基板１０の上に形成された第１電極１４を含む１以上のＯＬＥＤ１１、第１電極１４上に形成された、その１つは光放出層である、１以上の層からなる有機材料１６、１以上の層からなる有機材料１６の上に形成された第２電極１８；ＯＬＥＤ１１上にＯＬＥＤ１１との間に隙間３２を形成するように設けられたカバー１２；その隙間に配置され光にフィルターをかける１以上の色フィルター要素２１，２４を含む。隙間３２内に配置されたフィルター要素２１とフィルター要素２４の部分的な層の組合せが、フィルター要素２１の他の部分の厚さよりも厚みのあるスペーサ要素２２を形成する。図１の実施例では、隙間２３がフィルタ要素２４とＯＬＥＤ１１を隔てている。・・・」
　
（ｄ）「［００２７］Referring to  FIG. 8 , a more detailed cross-section of one light emitting element of an OLED device having active-matrix driving circuitry according to one embodiment of the present invention is shown. Over the substrate  10 , a semiconducting layer  80  is formed and patterned. Preferred materials for the semiconducting layer include polysilicon. A gate-insulating layer  86  is formed over the semiconductor layer. Over the gate-insulating layer, a gate conductor layer  82  is formed. Typical materials used to form the gate-insulating layer  86  are silicon dioxide or silicon nitride. The semiconductor layer  80  is then doped to form source and drain regions on either sides of the gate (not shown). A first interlayer insulator layer  84  is formed over the gate conductor layer  82 . Typical materials used to form the first interlayer insulator layer  84  are silicon dioxide or silicon nitride. Over the first interlayer insulator layer  84 , a second conductor layer is deposited and patterned forming the power lines  88  and the data lines  70 . A second interlayer insulator layer  72  is formed over the second conductor layers. The second interlayer insulator layer  72  preferably is leveled or of a planarizing type material which smooth the device topography. These portions of the semiconductor layer and gate conductor together function as a thin-film transistor. This thin-film transistor as well as the power and data lines make up a portion of the active-matrix circuitry. Additional active-matrix circuitry components such as select lines, additional transistors, and capacitors which are not shown may also be employed to drive the OLED as is known in the art. Over the second interlayer insulator layer  72 , the first electrode  14  is formed. Each first electrode is patterned so as to be isolated from other first electrodes of other neighboring OLEDs. For a top-emitting device, the first electrode  14  is typically formed of a material which is both conductive and reflective, such as for example, aluminum (Al), silver (Ag), or molybdenum (Mo), gold (Au), or platinum (Pt). Around the edges of the first electrodes, an inter-pixel insulating film  54  is formed to reduce shorts between the electrodes  14  and  18 .・・・」
（訳）「［００２７］図８には、この発明の１実施例であるアクテイブマトリックス駆動回路を有するＯＬＥＤ素子の、より詳細な断面図が記載されている。基板１０の上に半導体層８０がパターン形成されている。半導体層の好ましい材料は多結晶シリコンである。ゲート絶縁層８６が半導体層上に形成されている。ゲート絶縁層の上にゲート導電層８２が形成されている。ゲート絶縁層８６に用いられる典型的な材料は酸化シリコンや窒化シリコンである。半導体層８０はそれからソースとドレイン領域を形成するようにゲートの両側からドープされる（図示せず）。第１の中間絶縁層８４がゲート導電層８２上に形成される。第１の中間絶縁層８４に用いられる典型的な材料は酸化シリコンや窒化シリコンである。第１の中間絶縁層８４の上に、第２導電層が配置されパターン形成され電力線８８とデータ線７０が構成される。第２の中間絶縁層７２が第２導電層上に形成される。第２の中間絶縁層７２は好ましくは、素子の形状を滑らかにするために均一化または平坦化される材料である。これらの半導体層及びゲート導電層の部分が一緒になって薄膜トランジスタとして動作する。薄膜トランジスタは、電力線及びデータ線と同様にアクテイブマトリックス回路の一部を構成する。・・・第２の中間絶縁層７２の上に第１電極１４が形成される。どの第１電極も、隣り合う他のＯＬＥＤの第１電極同志と絶縁されるようにパターン形成されている。トップエミッション型素子では、第１電極１４は典型的に、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）等の導電性かつ光反射性の材料で形成される。第１電極の縁の周囲に電極１４と１８がショートするのを防ぐためにピクセル間絶縁膜５４が形成される。・・・」
　
（ｅ）「［００３１］The spacer elements  22  may be formed from portions of the color filters  21  positioned over light-emitting areas of the OLEDs themselves, for example by employing a black, light-absorbing color filter in combination with a color selective filer, or by employing a combination of different color filters. Additionally, the spacer elements  22  may include other materials, for example desiccating materials and may be black in color. As disclosed in the present invention, the spacer elements  22  must be thicker than the color filters  21 . Referring to  FIG. 7 a, this may be achieved by coating an additional color filter layer  24  over a color filter  21 , by overlapping one color filter  21  with another to form an additional layer  24  as shown in  FIG. 7 b, or by forming a separate color filter spacer element  22  thicker than the other color filters as shown in  FIG. 7 c. Preferably, the spacer element is more than 500 nm thicker than the other individual color filters, and more preferably one micron thicker or more.」
（訳）「［００３１］スペーサ要素２２はＯＬＥＤの光放射領域上に配置された色フィルター２１の一部分から形成され、例えば黒、色選択フィルターと組み合わせて用いられる光吸収色フィルターあるいは異なる色フィルターの組合せなどが用いられる。くわえて、スペーサ要素２２は、例えば乾燥剤のような他の材料を含んでいてもよいし黒い材料でもよい。この発明に開示されているとおり、スペーサ要素２２は色フィルター２１よりも肉厚でなければならない。それは、図７ａのように、色フィルター２１の上に追加の色フィルター層２４を重ねることにより達成できる。図７ｂに見るように、色フィルター２１を他のフィルターに重ね合わせて追加の色フィルター層２４を形成することもできる。また、図７ｃに見るように、他の色フィルターよりも肉厚の分離した色フィルタースペーサ要素２２を形成することにより達成することもできる。好ましくは、スペーサ要素は他のそれぞれの色フィルターよりも５００ｎｍ以上肉厚であり、より好ましくは１ミクロン以上肉厚である。」
　
（ｆ）「［００３６］The encapsulating cover  12  may or may not have a cavity forming the gap  32 . If the encapsulating cover does have a cavity, the cavity may be deep enough to contain the spacer elements  22  so that the periphery of the encapsulating cover  12  may be affixed to the substrate, as shown in  FIG. 1 . The spacer elements  22  may be in contact with only the inside of the encapsulating cover  12  (if applied to the cover) or be in contact with only the OLED  11  (if applied to the OLED), or to both the OLED  11  and the inside of the encapsulating cover  12 . If the spacer elements  22  are in contact with both the OLED  11  and the inside of the encapsulating cover  12  and the encapsulating cover  12  is affixed to the substrate  10 , the cavity in the encapsulating cover  12  should have a depth approximately equal to the thickness of the spacer elements  22 .・・・」
（訳）「［００３６］覆いカバー１２は隙間３２を形成する空洞を有しても有さなくてもよい。覆いカバー１２が空洞を有する場合、図１に見るように、その空洞はスペーサ要素２２を包含するに十分な深さであり、その結果、覆いカバー１２の周囲の縁は基板に密着する。スペーサ要素２２は（カバーに付けられれば）覆いカバー１２の内側のみに接触し、（ＯＬＥＤに付けられれば）ＯＬＥＤ１１のみと接触し、もしくはＯＬＥＤ１１と覆いカバー１２の内側の両方と接触する。スペーサ要素２２がＯＬＥＤ１１と覆いカバー１２の内側の両方と接触し覆いカバー１２が基板１０と密着する場合は、覆いカバー１２内の空洞はスペーサ要素２２の厚さとほぼ同等の深さを有することになる。・・・」
　
（ｇ）「［００４２］Most OLED devices are sensitive to moisture or oxygen, or both, so they are commonly sealed in an inert atmosphere such as nitrogen or argon, along with a moisture-absorbing desiccant such as alumina, bauxite, calcium sulfate, clays, silica gel, zeolites, barium oxide, alkaline metal oxides, alkaline earth metal oxides, sulfates, or metal halides and perchlorates. The spacer elements  22  may have desiccating properties and may include one or more of the desiccant materials.・・・」
（訳）「［００４２］ほとんどのＯＬＥＤ素子は湿気や酸素またはその両方に敏感であるため、窒素やアルゴンのような不活性雰囲気中に、アルミナ、ボーキサイト、硫化カルシウム、粘土、シリカゲル、ゼオライト、酸化バリウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩のような湿気を吸収する乾燥剤とともに封止される。スペーサ要素２２は１以上の乾燥剤を含み乾燥させる性質を持つ。・・・」
　
（ｈ）「図１
」
　
（ｉ）「図８
」
　
（ｊ）図１を参照すると、ＯＬＥＤ１１は第１電極１４、有機材料１６及び第２電極１８を含んで構成されていることが見て取れる。
　
（ｋ）上記摘記事項（ｄ）及び図８を参照すると、どの第１電極１４も、隣り合う他のＯＬＥＤ１１の第１電極同志と絶縁されるように第１電極の縁の周囲にピクセル間絶縁膜５４が形成されていることがわかる。
　
（ｌ）図１及び図８を参照すると、スペーサ要素２２は、隣り合う第１電極同志を絶縁するピクセル間絶縁膜５４に対応する位置に形成されていることが見て取れる。
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
「基板（１０）の上に薄膜トランジスタが形成され、
　その上に第１電極（１４）が形成され、
　第１電極上に形成された１以上の層からなる有機材料（１６）と、
　有機材料の上に形成された第２電極（１８）と、
　第１電極、有機材料及び第２電極を含んで構成されている１以上のＯＬＥＤ（１１）と、
を有し、
　どの第１電極も、隣り合う他のＯＬＥＤの第１電極同志と絶縁されるように第１電極の縁の周囲にピクセル間絶縁膜（５４）が形成されており、
　さらに、隣り合う第１電極同志を絶縁するピクセル間絶縁膜に対応する位置に形成されているスペーサ要素（２２）と、
　ＯＬＥＤ上にＯＬＥＤとの間に隙間を形成し、その周囲の縁が基板に密着するように設けられた覆いカバー（１２）と、
を有し、
　スペーサ要素は覆いカバーに付けられ、覆いカバーの内側のみに接触し、硫化カルシウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物のような湿気を吸収する１以上の乾燥剤を含み乾燥させる性質を持つ、
ＯＬＥＤ素子。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
（あ）引用発明の「基板」、「薄膜トランジスタ」、「第１電極」、「第２電極」及び「スペーサ要素」は、それぞれ、補正発明の「基板」、「薄膜トランジスタ」、「第１電極」、「第２電極」及び「スペーサ」に相当する。
　ここで、引用発明の第１電極と薄膜トランジスタが電気的に接続されていることは、当業者にとって自明の事項である。
　また、引用発明の「第１電極上に形成された１以上の層からなる有機材料」は、補正発明の「第１電極上に形成される有機薄膜層」に相当する。
　同様に、「有機材料及び第２電極を含んで構成されている１以上のＯＬＥＤ」は、「有機薄膜層上に形成される第２電極を含む有機電界発光素子」に相当する。
（い）引用発明の「ピクセル間絶縁膜」は、「どの第１電極も、隣り合う他のＯＬＥＤの第１電極同志と絶縁されるように第１電極の縁の周囲に形成されて」いるから、補正発明の「画素定義膜」に相当する。
　ここで、引用発明のピクセル間絶縁膜が「第１電極上に形成されて前記第１電極を部分的に露出させる開口部を含む」ことは、当業者にとって自明の事項である。
（う）引用発明の「ＯＬＥＤ上に」、「その周囲の縁が基板に密着するように設けられた覆いカバー」は、補正発明の「封止手段」に相当する。
（え）引用発明において、スペーサ要素が「隣り合う第１電極同志を絶縁するピクセル間絶縁膜に対応する位置に形成されて」おり、「覆いカバーに付けられ、覆いカバーの内側のみに接触し、硫化カルシウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属ハロゲン化物のような湿気を吸収する１以上の乾燥剤を含み乾燥させる性質を持つ」構成は、補正発明において「画素定義膜と少なくとも部分的に対応する封止手段の一側に形成されるスペーサを含み、前記スペーサは、吸湿物質からなり、前記画素定義膜と対応する封止手段の内側面に形成され、前記第２電極から離間し、硫酸カルシウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物及び金属ハロゲン化物からなる群より選ばれるいずれかひとつである」という構成と一致する。
（お）引用発明の「ＯＬＥＤ素子」は、補正発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　
　してみると両者は、 
　「少なくとも一つの薄膜トランジスターが形成された基板と、
　前記薄膜トランジスターと電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極上に形成されて前記第１電極を部分的に露出させる開口部を含む画素定義膜と、
　前記第１電極上に形成される有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成される第２電極を含む有機電界発光素子と、
　前記有機電界発光素子を密封する封止手段と、
　前記画素定義膜と少なくとも部分的に対応する封止手段の一側に形成されるスペーサと、
を含み、
　前記スペーサは、吸湿物質からなり、前記画素定義膜と対応する封止手段の内側面に形成され、前記第２電極から離間し、
　前記吸湿物質は硫酸カルシウム、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物及び金属ハロゲン化物からなる群より選ばれるいずれかひとつである、有機電界発光表示装置。」
の点で一致し、相違点はない。
　
４．判断 
　したがって、補正発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　なお、審判請求人が上記回答書（前記「第１　手続の経緯」参照）に添付した補正案の内容を参酌しても、上記判断に変わりはない。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２３年６月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２２年８月３１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「少なくとも一つの薄膜トランジスターが形成された基板と、
　前記薄膜トランジスターと電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極上に形成されて前記第１電極を部分的に露出させる開口部を含む画素定義膜と、
　前記第１電極上に形成される有機薄膜層と、
　前記有機薄膜層上に形成される第２電極を含む有機電界発光素子と、
　前記有機電界発光素子を密封する封止手段と、
　前記画素定義膜と少なくとも部分的に対応する封止手段の一側に形成されるスペーサと、
を含み、
　前記スペーサは、吸湿物質からなり、前記画素定義膜と対応する封止手段の内側面に形成され、前記第２電極から離間していることを特徴とする、有機電界発光表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から、吸湿性物質を特定する限定を削除することにより拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用文献１に記載された発明であるから、本願発明も、同様の理由により、引用文献１に記載された発明である。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。