【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ構造物を作製する方法であって、
シリコン含有エラストマーの表面にパターンを形成する工程；
前記パターンを酸化する工程；
酸化されたパターンを基板と接触させる工程；及び
前記酸化されたパターンと前記基板を、それらが不可逆的に取付けられるように結合する工程；
を含む前記方法。
【請求項２】
酸化する工程が、パターンを紫外線及び酸素に曝露させることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
パターンを基板と接触させる前に、基板を紫外線及び酸素に曝露させる工程を更に含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
結合する工程が、パターンと基質との間の接触を少なくとも16時間維持することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
結合する工程が、パターン及び基質を少なくとも70℃の温度にて少なくとも20分間維持することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
結合する工程が、シリコン含有エラストマーを紫外線に少なくとも30分間曝露させることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
シリコン含有エラストマーが、ポリシロキサン、ポリシロキサンのセグメントを含むブロック共重合体及びシリコン改変エラストマーからなる群より選択されるメンバーを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
基板が、ケイ素、酸化ケイ素、石英、ガラス、ポリマー及び金属からなる群より選択されるメンバーを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
パターン形成する工程が、
マスターパターン上にエラストマー前駆体を堆積すること；
前記エラストマー前駆体をシリコン含有エラストマーに固化させること；及び
前記シリコン含有エラストマーをマスターから取外すこと；
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
エラストマー前駆体が、モノマー、ポリマー及び非架橋ポリマーからなる群より選択されるメンバーを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
パターンを酸化する工程に先立って、シリコン含有エラストマーを転写パッドに取外し可能に取付ける工程を更に含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
取外し可能に取付ける工程が、
シリコン含有エラストマーを酸化すること；
酸化されたエラストマーに接着調節剤を施すこと；及び
前記酸化されたエラストマーを転写パッド材料に接触させること；
を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
接着調節剤が、イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、有機置換基を含むシラン化合物、及び有機置換基を含むシロキサン化合物からなる群より選択されるメンバーを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
接着調節剤が、3〜20の炭素原子及び1〜41のフッ素原子を有するフッ化有機置換基を含有するトリクロロシランを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
取外し可能に取付ける工程が、シリコン含有エラストマーと転写パッドとの間に刺激応答性接着剤を施すことを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
シリコン含有エラストマーと転写パッドとの間の接着の強度が、温度、照射及び電場からなる群より選択される特性の変化によって減少する、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
刺激応答性接着剤がフォトレジスト材料である、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
シリコン含有エラストマーがポリシロキサンを含む、請求項１〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
シリコン含有エラストマーがポリ(ジメチルシロキサン)を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
パターン及び基板にエッチング剤を施して、パターンによって覆われていない基板部分を取り除く工程；及び
パターンを取り除く工程；
を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項２１】
パターン及び基板の上に材料を堆積する工程；及び
前記パターンを取外して、堆積された材料を含む第２のパターンを提供する工程；
を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
基板が平面でない、請求項１記載の方法。
【請求項２３】
シリコン含有エラストマーから転写パッドを分離する工程をさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項２４】
転写パッドが、シリコン含有エラストマーの表面層と連続する第二のシリコン含有エラストマーのバルク部分を含み；かつ
分離する工程が、前記バルク部分と前記表面層との間の凝集破壊を誘導することを含む；
請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
転写パッド材料が第二のシリコン含有エラストマーを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項２６】
酸化されたエラストマーを転写パッドに接触させることが、第二のシリコン含有エラストマーをシリコン含有エラストマーの第二表面上に形成することを含む、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
形成することが、第二表面上にエラストマー前駆体を堆積させること、及び、そのエラストマー前駆体を固化させることを含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
基板、その基板上にパターニングされたシリコン含有エラストマー、及びシリコン含有エラストマーを含有する上層を含むミクロ構造物であって、
前記パターニングされたシリコン含有エラストマーが、前記基板と前記上層との間に配置されており、
前記基板と前記上層との間に空のチャネルを含み、
前記上層が100 nm〜500 μmの厚さを有する、前記ミクロ構造物。
【請求項２９】
上層が500 nm〜100 μmの厚さを有する、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３０】
パターニングされたシリコン含有エラストマーの最小フィーチャーサイズが1 nm〜500 μmである、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３１】
パターニングされたシリコン含有エラストマーの最小フィーチャーサイズが10 nm〜100 μmである、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３２】
パターニングされたシリコン含有エラストマーが不連続パターンを含む、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３３】
上層とシリコン含有エラストマーを含む第二の上層との間に配置されているパターニングされた第二シリコン含有エラストマーを更に含む、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３４】
基板が平面でない、請求項２８記載のミクロ構造物。
【請求項３５】
基板が湾曲している、請求項３４記載のミクロ構造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（実施例７：他の基板上におけるパターニング）
先に記述及び例示するパターニング技術、結果として得られる付加リソグラフィ、減算リソグラフィ及びミクロ流体加工は、種々の他の基板に対しても応用され得る。厚さ1.4 μmの熱酸化物基板上にPDMSレジストを形成した。このレジストは直径75 μmを有する円形の穴を含んでおり、前記熱酸化物を四フッ化炭素/酸素プラズマでエッチングし、続いて1 M TBAF/THFで処理することによってPDMS層を取外した。これらと同様の技術を厚さ0.8 μmの熱酸化物基板と共に用いて、PDMSレジストを作製し、続いてパターン形成した酸化物を作製した。
PDMSパターンを金基板上にも形成した。この金/エラストマー結合に対しては、金を酸化されたエラストマーと接触させ不可逆的に結合する前に、(チオールプロピル)トリメトキシシランを金と酸化されたエラストマーとの間に堆積させた。(チオールプロピル)トリメトキシシランは酸化されたエラストマー上には施すことができるが、金表面には施せない。
PDMSパターンを、ポリスチレン基板上にも施した。本実施例におけるポリスチレン基板は、酸化されたエラストマーと接触させ不可逆的に結合する前に、酸素プラズマで処理した。
（本発明の好ましい実施態様）
本発明の好ましい実施態様としては、例えば以下のものが挙げられる。
［実施態様１］
ミクロ構造物を作製する方法であって、
シリコン含有エラストマーの表面にパターンを形成する工程；
前記パターンを酸化する工程；
酸化されたパターンを基板と接触させる工程；及び
前記酸化されたパターンと前記基板を、それらが不可逆的に取付けられるように結合する工程；
を含む前記方法。
［実施態様２］
酸化する工程が、パターンを紫外線及び酸素に曝露させることを含む、実施態様１の方法。
［実施態様３］
パターンを基板と接触させる前に、基板を紫外線及び酸素に曝露させる工程を更に含む、実施態様２の方法。
［実施態様４］
結合する工程が、パターンと基質との間の接触を少なくとも16時間維持することを含む、実施態様１の方法。
［実施態様５］
結合する工程が、パターン及び基質を少なくとも70℃の温度にて少なくとも20分間維持することを含む、実施態様１の方法。
［実施態様６］
結合する工程が、シリコン含有エラストマーを紫外線に少なくとも30分間曝露させることを含む、実施態様１の方法。
［実施態様７］
シリコン含有エラストマーが、ポリシロキサン類、ポリシロキサンのセグメントを含むブロック共重合体類及びシリコン改変エラストマー類からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様１の方法。
［実施態様８］
シリコン含有エラストマーがポリシロキサンを含む、実施態様１の方法。
［実施態様９］
シリコン含有エラストマーがポリ(ジメチルシロキサン)を含む、実施態様８の方法。
［実施態様１０］
酸化する工程が、該表面を紫外線及び酸素に曝露させることを含む、実施態様９の方法。
［実施態様１１］
曝露が1分間〜4分間行われる、実施態様１０の方法。
［実施態様１２］
曝露が2分間〜3分間行われる、実施態様１０の方法。
［実施態様１３］
基板が、ケイ素、酸化ケイ素、石英、ガラス、ポリマー及び金属からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様１の方法。
［実施態様１４］
パターン形成する工程が、
マスターパターン上にエラストマー前駆体を堆積すること；
前記エラストマー前駆体をシリコン含有エラストマーに固化させること；及び
前記シリコン含有エラストマーをマスターから取外すこと；
を含む、実施態様１の方法。
［実施態様１５］
エラストマー前駆体が、モノマー類、ポリマー類及び非架橋ポリマー類からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様１４の方法。
［実施態様１６］
パターンを酸化する工程に先立って、シリコン含有エラストマーを転写パッドに取外し可能に取付ける工程を更に含む、実施態様１の方法。
［実施態様１７］
取外し可能に取付ける工程が、
シリコン含有エラストマーを酸化すること；
酸化されたエラストマーに接着調節剤を施すこと；及び
前記酸化されたエラストマーを転写パッド材料に接触させること；
を含む、実施態様１６の方法。
［実施態様１８］
接着調節剤が、イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、有機置換基を含むシラン化合物、及び有機置換基を含むシロキサン化合物からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様１７の方法。
［実施態様１９］
接着調節剤が、3〜20の炭素原子及び1〜41のフッ素原子を有するフッ化有機置換基を含有するトリクロロシランを含む、実施態様１７の方法。
［実施態様２０］
シリコン含有エラストマーを酸化する工程が、エラストマーを紫外線及び酸素に曝露させることを含む、実施態様１７の方法。
［実施態様２１］
取外し可能に取付ける工程が、シリコン含有エラストマーと転写パッドとの間に刺激応答性接着剤を施すことを含む、実施態様１６の方法。
［実施態様２２］
シリコン含有エラストマーと転写パッドとの間の接着の強度が、温度、照射及び電場からなる群より選択される特性の変化によって減少する、実施態様２１の方法。
［実施態様２３］
刺激応答性接着剤がフォトレジスト材料である、実施態様２１の方法。
［実施態様２４］
シリコン含有エラストマーがポリシロキサンを含む、実施態様１６の方法。
［実施態様２５］
シリコン含有エラストマーがポリ(ジメチルシロキサン)を含む、実施態様２４の方法。
［実施態様２６］
パターン及び基板にエッチング剤を施して、パターンによって覆われていない基板部分を取り除く工程；及び
パターンを取り除く工程；
を更に含む、実施態様１の方法。
［実施態様２７］
パターン及び基板の上に材料を堆積する工程；及び
前記パターンを取外して、堆積された材料を含む第２のパターンを提供する工程；
を更に含む、実施態様１の方法。
［実施態様２８］
基板が平面でない、実施態様１の方法。
［実施態様２９］
ミクロ構造物を作製する方法であって、
シリコン含有エラストマーを含むフィルムの第一表面を酸化する工程、ここで、前記第一表面はパターンを含み、また前記フィルムは転写パッドに取付けられており；
前記パターンを基板に接触させる工程；
前記パターンと前記基板とを、それらが不可逆的に取付けられるように結合する工程；及び
前記フィルムから転写パッドを分離する工程；
を含む前記方法。
［実施態様３０］
転写パッドが、フィルムと連続するシリコン含有エラストマーのバルク部分を含み；
フィルムがシリコン含有エラストマーの表面層であり；かつ
分離する工程が、前記バルク部分と前記フィルムとの間の凝集破壊を誘導することを含む；
実施態様２９の方法。
［実施態様３１］
酸化する工程が、表面を紫外線及び酸素に曝露させることを含む、実施態様３０の方法。
［実施態様３２］
表面が、ケイ素、酸化ケイ素、石英、ガラス、ポリマー及び金属からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様３０の方法。
［実施態様３３］
シリコン含有エラストマーがポリシロキサンを含む、実施態様３０の方法。
［実施態様３４］
シリコン含有エラストマーがポリ(ジメチルシロキサン)を含む実施態様３３の方法。
［実施態様３５］
フィルムと転写パッドが、
フィルムの第二表面を酸化すること、前記第二表面を接着調節剤で処理すること、及び、前記第二表面を転写パッドに接触させること、
によって形成された結合を介して、取外し可能に取付けられる、実施態様２９の方法。
［実施態様３６］
転写パッドが第二のシリコン含有エラストマーを含む、実施態様３５の方法。
［実施態様３７］
第二表面を転写パッドに接触させることが、第二のシリコン含有エラストマーを第二表面上に形成することを含む、実施態様３６の方法。
［実施態様３８］
形成することが、第二表面上にエラストマー前駆体を堆積させること、及び、そのエラストマー前駆体を固化させることを含む、実施態様３７の方法。
［実施態様３９］
エラストマー前駆体が、モノマー類、プレポリマー類及び非架橋ポリマー類からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様３８の方法。
［実施態様４０］
接着調節剤が、イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、有機置換基を含むシラン化合物、及び有機置換基を含むシロキサン化合物からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様３５の方法。
［実施態様４１］
接着調節剤が、3〜20の炭素原子及び1〜41のフッ素原子を有するフッ化有機置換基を含むトリクロロシランを含む、実施態様３５の方法。
［実施態様４２］
第一表面を酸化すること及び第二表面を酸化することが、第一表面及び第二表面を紫外線及び酸素に曝露させることを含む、実施態様３５の方法。
［実施態様４３］
基板が、ケイ素、酸化ケイ素、石英、ガラス、ポリマー及び金属からなる群より選択されるメンバーを含む、実施態様３５の方法。
［実施態様４４］
シリコン含有エラストマーがポリ(ジメチルシロキサン)を含む、実施態様３５の方法。
［実施態様４５］
フィルムと転写パッドが、刺激応答性接着剤の層を介して取外し可能に取付けられている、実施態様２９の方法。
［実施態様４６］
パターン及び基板にエッチング剤を施して、パターンで被覆されていない基板部分を取り除く工程；及び
パターンを取外す工程；
を更に含む、実施態様２９の方法。
［実施態様４７］
パターン及び基板の上に材料を堆積すること；及び、パターンを取り除き、堆積された物質を含む第二パターンを提供すること；を更に含む、実施態様２９の方法。
［実施態様４８］
基板が平面でない、実施態様２９の方法。
［実施態様４９］
基板と、その基板上にパターニングされたシリコン含有エラストマーとを含むミクロ構造物であって、
シリコン含有エラストマーを酸化すること；
酸化エラストマーを基板と接触させること；及び
酸化エラストマーと基板とを、それらが不可逆的に取付けられるように結合すること；
によって形成されている前記ミクロ構造物。
［実施態様５０］
パターニングされたシリコン含有エラストマーの最小フィーチャーサイズが1 nm〜500 μmである、実施態様４９のミクロ構造物。
［実施態様５１］
パターニングされたシリコン含有エラストマーの最小フィーチャーサイズが10 nm〜100 μmである、実施態様４９のミクロ構造物。
［実施態様５２］
パターニングされたシリコン含有エラストマーが不連続パターンを含む、実施態様４９のミクロ構造物。
［実施態様５３］
パターニングされたシリコン含有エラストマーが、基板とシリコン含有エラストマーを含む上層との間に配置されている、実施態様４９のミクロ構造物。
［実施態様５４］
パターニングされたシリコン含有エラストマーが、基板と上層との間に空のチャネルを更に含む、実施態様５３のミクロ構造物。
［実施態様５５］
上層が100 nm〜500 μmの厚さを有する、実施態様５３のミクロ構造物。
［実施態様５６］
上層が500 nm〜100 μmの厚さを有する、実施態様５３のミクロ構造物。
［実施態様５７］
上層とシリコン含有エラストマーを含む第二の上層との間に配置されているパターニングされた第二シリコン含有エラストマーを更に含む、実施態様５３のミクロ構造物。
［実施態様５８］
基板が平面でない、実施態様４９のミクロ構造物。
［実施態様５９］
基板が湾曲している、実施態様５８のミクロ構造物。
［実施態様６０］
実施態様４９のミクロ構造物にエッチング剤を施して、パターニングされたシリコン含有エラストマーによって覆われていない基板部分を取り除くことを含む、ミクロ構造物を作製する方法。
［実施態様６１］
パターニングされたシリコン含有エラストマーを取外すことを更に含む、実施態様６０の方法。
［実施態様６２］
基板が平面でない、実施態様６０の方法。
［実施態様６３］
実施態様４９のミクロ構造物上に物質を堆積すること；及び
パターニングされたシリコン含有エラストマーを取り除いて、堆積した物質のパターンを提供すること；
を含む、ミクロ構造物を作製する方法。
［実施態様６４］
基板が平面でない、実施態様６３の方法。
［実施態様６５］
基板、その基板上にパターニングされたシリコン含有エラストマー、及びシリコン含有エラストマーを含有する上層を含むミクロ構造物であって、
前記パターニングされたシリコン含有エラストマーが、前記基板と前記上層との間に配置されており、
前記基板と前記上層との間に空のチャネルを含み、
前記上層が100 nm〜500 μmの厚さを有する、前記ミクロ構造物。
［実施態様６６］
上層が500 nm〜100 μmの厚さを有する、実施態様６５のミクロ構造物。
［実施態様６７］
基板とシリコン含有エラストマーを含む第二の上層との間に配置されているパターニングされた第二シリコン含有エラストマーをさらに含む、実施態様６５のミクロ構造物。
［実施態様６８］
基板が平面でない、実施態様６５のミクロ構造物。
本発明は、具体的な発明の実施態様を参照して記載及び説明されるが、本発明がそれらの請求項に限定されることを意図するものではない。当業者であれば、請求項に規定される本発明の真の範囲及び意義から離れることなく変形及び改変が行われ得ることを認識するであろう。従って、請求項の範囲及びその均等の範囲に含まれる全ての変形及び改変を本発明の範囲内に含むことを意図する。