【事件の表示】
　特願２００４−　９６８４８「半導体研磨用組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８６０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　この出願は、平成１６年３月２９日の特許出願であって、同２２年６月１５日付で拒絶の理由が通知され、同２２年８月１０日に意見書が提出されたが、同２２年１１月４日付で拒絶をすべき旨の査定がされたものである。これに対し、同２３年２月８日に本件審判が請求されるとともに、同日付で特許請求の範囲に対して手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
２．本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
2.1　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は、以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「ヒュームドシリカの水分散液であって、粒径１００ｎｍ以下のヒュームドシリカの含有量が、ヒュームドシリカ全量の１５体積％以上で
ある
(２)　補正後の請求項１
「ヒュームドシリカの水分散液であって、粒径１００ｎｍ以下のヒュームドシリカの含有量が、ヒュームドシリカ全量の１５体積％以上で
あり、
　
ヒュームドシリカの体積基準の粒度分布において、極大頻度の粒径が１１５ｎｍ以下の範囲に存在する
　なお、下線は補正箇所を明瞭にする目的で当審が付したものである。
　
2.2　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、ヒュームドシリカの体積基準の粒度分布において、極大頻度の粒径が１１５ｎｍ以下の範囲に存在するという限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
2.3　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記2.1(２)に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
24　刊行物記載事項
　この出願前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００４／４０２１７号明細書（以下「刊行物１」という。）及び特開平９−１９３００４号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
2.4.1　刊行物１
　刊行物１の翻訳文として、刊行物１に対応する和文刊行物である、特開２００４−１４６７８０号公報の記載を援用する。
(ア)　段落［０００２］
「[0002]　本発明は研磨液組成物、該研磨液組成物を用いる研磨方法、半導体基板の平坦化方法、並びに半導体装置の製造方法に関するものである。更に詳しくは、本発明は特に薄膜を形成した表面に凹凸を有する半導体基板を平坦化する際に有用な研磨液組成物、およびこの研磨液組成物を用いて半導体基板を平坦化する研磨方法、この研磨液組成物を用いる半導体基板の平坦化方法並びにこれらを用いて半導体基板を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。」
(イ)　段落［０００５］　
「[0005]　上記製造工程で用いられるＣＭＰ用研磨液としては、一例として水に研磨粒子を分散させたものが用いられる。従来、この研磨粒子にはヒュームドシリカ、あるいはアルミナなどが使用されている。中でも安価で高純度なことからヒュームドシリカが多用されているが、製造過程で凝集粒子（二次粒子）を形成していることからスクラッチを誘発しやすい欠点がある。その一方でコロイダルシリカと称されるシリカ砥粒は、粒子の表面形状が比較的球状であり、かつ単分散に近く凝集粒子を形成し難いため、低スクラッチ化を期待できることで使用され始めているが一般に研磨速度が低いという欠点がある。」
(ウ)　段落［００３５］〜［００３９］
「[0035]　態様１及び２において、前記研磨粒子としては、例えば無機粒子が挙げられる。金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は周期律表の３Ａ、４Ａ、５Ａ、３Ｂ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８Ｂ族に属するものが挙げられる。その例として、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、二酸化マンガン、炭化ケイ素、酸化亜鉛、ダイヤモンド及び酸化マグネシウムが挙げられる。
[0036]　これらの中でも好ましくは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウムであり、スクラッチ低減の観点から、二酸化ケイ素がより好ましい。この具体例として、二酸化ケイ素としては、コロイダルシリカ粒子、フュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等；酸化アルミニウムとしては、α―アルミナ粒子、γ―アルミナ粒子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒子、無定型アルミナ粒子、その他の製造法の異なるフュームドアルミナやコロイダルアルミナ等；酸化セリウムとしては、酸化数が３価又は４価のもの、結晶系が、六方晶系、等軸晶系又は面心立方晶系のもの等が挙げられる。
[0037]　さらにこれらの中でもより好ましくは、コロイダルシリカ粒子である。コロイダルシリカ粒子は形状が比較的球形であり、一次粒子の状態で安定に分散でき凝集粒子を形成し難いため被研磨表面に対してスクラッチを低減できる。コロイダルシリカ粒子は、ケイ酸ナトリウム等のケイ酸アルカリ金属塩を原料とする水ガラス法またはテトラエトキシシラン等を原料とするアルコキシシラン法で得ることができる。これらの研磨粒子は、単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
[0038]　態様１において用いる研磨粒子は、粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子を５０体積％以上含有するものである。前記粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子の含有量は、平坦化特性やスクラッチ低減の観点から、７０体積％以上が好ましく、より好ましくは８５体積％以上であり、特に好ましくは９５体積％以上であり、最も好ましくは１００体積％である。
[0039]　態様１において前記粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子は、その全量中、粒子径が２〜５８ｎｍ未満の小粒径研磨粒子を４０〜７５体積％、粒子径が５８〜７５ｎｍ未満の中粒径研磨粒子を０〜５０体積％、粒子径が７５〜２００ｎｍの大粒径研磨粒子を１０〜６０体積％、それぞれ含有するものである。」
(エ)　TABLE 1
　研磨粒子として、平均粒子径が１１〜１６０ｎｍの範囲内のコロイダルシリカが使用されていることが理解される。
(オ)　段落［００６６］
「[0066]　本発明の研磨液組成物を得るために、表１記載のシリカ粒子および水を用いて、表２及び表３に記載の研磨粒子濃度を有する研磨液組成物（残部は水）を調製した。（以下省略）」
(カ)　TABLE 3
　研磨粒子中の粒子径の体積％が示されており、例えば、実施例１では、粒子径２〜５８ｎｍ未満の研磨粒子を研磨粒子全量中に７０．０体積％含有していることが理解される。
　
　上記において、摘記事項(ウ)及び（エ）より、平均粒子径１１〜１６０ｎｍのコロイダルシリカと水を用いて調整していることから、上記平均粒子径１１〜１６０ｎｍが一次平均粒子径を意味することは推認可能であり、そして、上記摘記事項(ウ)より、コロイダルシリカは、一次粒子の状態で安定に分散でき凝集粒子を形成し難いことから、上記(カ)の粒子径５８ｎｍ未満とは、コロイダルシリカの一次粒子径が５８ｎｍ未満であることを意味すると解される。
　以上のとおりであるので、刊行物１には、次の事項が記載されていると認める。
「コロイダルシリカの研磨液組成物であって、一次粒子径が粒径２〜５８ｎｍ未満のコロイダルシリカの含有量が、コロイダルシリカ全量の７０．０体積％である研磨液組成物。」（以下「刊行物１記載の発明」という。）。
　
2.4.2　刊行物２
(ア)　発明の詳細な説明、段落１
「【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンに代表される半導体ウェハーの研磨やＩＣ製造工程中での絶縁膜の研磨（以下、ＣＭＰ研磨とも言う）等に好適に使用される新規な研磨剤に関する。詳しくは、水系溶媒にヒュームドシリカ粒子を分散させたシリカ分散液よりなり、高純度で且つ研磨性能及び保存安定性に優れた研磨剤である。」
(イ)　５欄４９行−６欄３４行
「【００３１】本発明の研磨剤においては、上記光散乱指数（ｎ）が３以上であると共に、シリカ分散液中に分散したヒュームドシリカの平均二次粒子径が３０〜１００ｎｍ、特に３０〜９０ｎｍであることが、被研磨面での傷の発生を抑えると共に、良好な保存安定性を得るために必要である。」
　上記摘記事項より、刊行物２には、次の事項が記載されていると認める。
「水系溶媒にヒュームドシリカを分散してなるシリカ分散液において、平均二次粒子径を３０〜９０ｎｍとすること。」（以下「刊行物２記載の技術的事項」という。）。
　
2.5　対比
　補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「研磨液組成物」は、補正発明の「水分散液」及び「半導体研磨用組成物」に相当しており、刊行物１記載の発明の「コロイダルシリカ」と補正発明の「ヒュームドシリカ」とは、シリカであることに限り一致している。
　また、シリカの粒径について、刊行物１記載の発明の「５８ｎｍ未満」が「１００ｎｍ以下」であり、この範囲の粒径のシリカの含有量がシリカ全量に占める比率についても、刊行物１記載の発明の「７０．０体積％」が「１５体積％以上」であることは明らかである。
　以上より、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認める。
＜一致点＞
「シリカの水分散液であって、粒径１００ｎｍ未満のシリカの含有量が、シリカ全量の１５体積％以上である半導体研磨用組成物。」である点。
＜相違点１＞
　補正発明では、シリカがヒュームドシリカであり、本件出願の明細書の記載（段落５７，６３〜６９参照）より粒径が二次粒子径を意味するものと認められるのに対し、刊行物１記載の発明では、シリカがコロイダルシリカであり、粒径が一次粒子径である点。
＜相違点２＞
　補正発明では、シリカの体積基準の粒度分布において、極大頻度の粒径が１１５ｎｍ以下の範囲に存在するのに対し、刊行物１記載の発明では、そのような特定がない点。
　
2.6　判断
　上記各相違点について、以下検討する。
　
2.6.1　相違点１について
　半導体研磨用組成物の砥粒として、2.4.1の（ウ）にも示されるように、コロイダルシリカやヒュームドシリカは、ともに公知であり、互換性をもつものである。
　また、コロイダルシリカが一次粒子の状態で安定に分散でき凝集粒子を形成し難いのに対して、ヒュームドシリカが二次粒子を形成しやすく、そのためコロイダルシリカが主に一次粒子の状態で使用されるのに対してヒュームドシリカが主に二次粒子の状態で使用されること、そしてヒュームドシリカの二次粒子はコロイダルシリカの一次粒子よりもスクラッチを誘発しやすいことも、例えば2.4.1の(イ)に記載されているように従来周知であるので、コロイダルシリカを使用する際には一次粒子径を所定の範囲のものとし、ヒュームドシリカを使用する際には、二次粒子径をコロイダルシリカのそれよりも更に粒子径の小さい所定の範囲のものとすることは、当然になされることである。
　したがって、刊行物１記載の発明において、コロイダルシリカをヒュームドシリカに変更するとともに、その変更に際し、一次粒子径５８ｎｍ未満のコロイダルシリカの含有量をコロイダルシリカ全量の７０．０体積％とする代わりに、５８ｎｍよりも細かい二次粒子径の範囲のヒュームドシリカを採用すること、または、５８ｎｍ未満の二次粒子径のヒュームドシリカの含有量を全量の７０％よりも高めることは、当業者が容易に想到することができたことであり、いずれの場合にも、１００ｎｍ以下の粒径をもつヒュームドシリカの含有量は、ヒュームドシリカ全量の１５体積％以上となる。
　
2.6.2　相違点２について
　上記2.4.2に示すとおり、刊行物２には、水系溶媒にヒュームドシリカを分散してなるシリカ分散液、すなわちヒュームドシリカの水分散液において、平均二次粒子径を３０〜９０ｎｍとすることが記載されているので、上記コロイダルシリカをヒュームドシリカに変更するに際し、刊行物２記載の技術的事項であるヒュームドシリカの水分散液の平均二次粒子径を採用して、ヒュームドシリカの平均二次粒子径を３０〜９０ｎｍとすることに格別の困難性はない。
　また、ヒュームドシリカの平均二次粒子径と、ヒュームドシリカの体積基準の粒度分布における極大頻度の粒径とは、例えば、本件出願の明細書に記載された実施例１ないし３及び比較例１ないし４の平均粒子径と極大頻度の粒径との関係を見る限り、極大頻度の粒径は平均二次粒子径よりも１ないし２割大きい程度であるので、ヒュームドシリカの平均二次粒子径が３０〜９０ｎｍであるヒュームドシリカの体積基準の粒度分布における極大頻度の粒径も、１１５ｎｍ以下の数値となるものと認められる。
　
2.6.3　作用効果について
　上記の２つの相違点の組合せによる相乗効果について検討すると、本件出願の明細書にも図面にも、粒径１００ｎｍ以下のヒュームドシリカの含有量による研磨傷の発生頻度と、極大頻度の粒径による研磨傷の発生頻度とを、区別した試験結果が示されていない、すなわち、粒径１００ｎｍ以下の含有量が１５体積％以上であっても極大頻度の粒径が１１５ｎｍを上回る場合や、極大頻度の粒径が１１５ｎｍ以下であっても粒径１００ｎｍ以下の含有量が１５体積％未満である場合の結果が示されていないため、相乗効果を認めることはできず、補正発明の作用効果とは、各相違点に係る発明特定事項がそれぞれ奏する作用効果の単純な和と認められる。
　したがって、補正発明が奏する作用効果は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項から当業者が予測できる程度のものというべきであって、格別のものではない。
　よって、補正発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の技術的事項及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
2.7　まとめ
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について 
3.1　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１ないし７に係る発明は、願書に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記2.1(１)に示したとおりである。
　
3.2　刊行物記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に上記刊行物１が引用されており、その記載事項は、上記2.4.1に示したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明は、上記2.2で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、上記限定事項が省かれたものであり、本願発明と刊行物１記載の発明との相違点は、上記相違点１のみであり、相違点１については上記2.6.1で検討したとおりである。
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２ないし７に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　.