【事件の表示】
　特願２００７−２１５７１５「光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月　５日出願公開、特開２００９−　４９２７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明  
　本願は、平成１９年８月２２日の出願であって、平成２２年２月１７日付けで手続補正がなされ、平成２３年５月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２６日付けで手続補正がなされ、同年９月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年１２月２６日付けで拒絶査定不服審判請求がなされたものである。  
 　  
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年７月２６日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。  
 　  
　「一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、
　前記光電変換部は、前記一対の電極のうち一方の電極と前記光電変換層の間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の前記一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、前記一対の電極のうち他方の電極と前記光電変換層の間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の前記他方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第２の電荷ブロッキング層と、を含み、
　更に、少なくとも１つの前記光電変換部が上方に積層された半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、前記光電変換部の前記光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、
　前記光電変換部の前記一対の電極のうちの前記電荷を取り出すための電極と前記電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部と、
　前記半導体基板内に積層させて形成され、前記光電変換部の前記光電変換層を透過した光を吸収し、該光に応じた電荷を発生してこれを蓄積する複数のフォトダイオードであって、それぞれ、異なる色の光を吸収する複数のフォトダイオードと、を備え、
　前記一対の電極間に外部から印加される電圧を前記一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
　前記光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
　前記フラーレン類がフラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ７０であり、
　該ｐ型有機半導体に対する前記フラーレン類の混合比が２：１より小さい光電変換素子。」（以下「本願発明」という。）  
 　 
 　 
２　引用刊行物の記載事項  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−１２３７０７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。  
 　 
 　 
（１）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光電変換膜、該光電変換膜を有する光電変換素子、及び固体撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子に関する。」  
 　 
（２）「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　本発明の目的は、光電変換効率が高い光導電膜、光電変換素子を有する撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】　
　本発明は下記の手段により解決された。
（１）ｐ型半導体とｎ型半導体から成る光電変換膜を一対の電極で挟んだ光電変換素子を含有する撮像素子において、該光電変換膜にフラーレン又はフラーレン誘導体を含有することを特徴とする撮像素子。
（２）前記光電変換膜がｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、該ｐ型半導体層とｎ型半導体層の少なくともいずれかにフラーレン又はフラーレン誘導体を用いることを特徴とする（１）に記載の撮像素子。
（３）前記フラーレン又はフラーレン誘導体をｎ型半導体として用いることを特徴とする（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）前記ｐ型半導体として、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域に分光極大吸収を有する有機半導体を用いることを特徴とする（１）〜（３）に記載の撮像素子。
（５）前記光電変換膜がｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、該ｐ型半導体およびｎ型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有することを特徴とする（１）〜（４）に記載の撮像素子。
（６）前記光電変換膜がｐ型半導体層とｎ型半導体層で形成されるｐｎ接合層の繰り返し構造を２つ以上有する構造を持つことを特徴とする（１）〜（４）に記載の撮像素子。
（７）前記ｐ型半導体及びｎ型半導体のいずれもが有機半導体であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の撮像素子。
（８）前記光電変換膜が、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の撮像素子。光電変換膜は有機層からなる層の合計である。
（９）（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換膜を含み、光電変換膜が２層以上積層されたことを特徴とする撮像素子。」  
 　 
（３）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】　
　本発明においては、光電変換膜にフラーレン又はフラーレン誘導体を含有する光電変換素子を用いる。これらの化合物は有機ｐ型半導体、有機ｎ型半導体、またはこれらの有機半導体と電極間に積層される電子ブロック材料、正孔ブロック材料のいずれとして用いても良いが、好ましくは有機ｎ型半導体として用いる場合である。
【００１４】
　本発明のフラーレンとは、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８０、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９６、フラーレンＣ２４０、フラーレン５４０、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブを表し、フラーレン誘導体とはこれらに置換基が付加された化合物のことを表す。」
　
（４）「【００５２】
［電圧印加］
　本発明の光電変換膜に電圧を印加した場合、光電変換効率が向上する点で好ましい。印加電圧としては、いかなる電圧でも良いが、光電変換膜の膜厚により必要な電圧は変わってくる。すなわち、光電変換効率は、光電変換膜に加わる電場が大きいほど向上するが、同じ印加電圧でも光電変換膜の膜厚が薄いほど加わる電場は大きくなる。従って、光電変換膜の膜厚が薄い場合は、印加電圧は相対的に小さくでも良い。光電変換膜に加える電場として好ましくは、１０−２Ｖ／ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１０Ｖ／ｃｍ以上、さらに好ましくは１×１０３Ｖ／ｃｍ以上、特に好ましくは１×１０４Ｖ／ｃｍ以上、最も好ましくは１×１０５Ｖ／ｃｍ以上である。上限は特にないが、電場を加えすぎると暗所でも電流が流れ好ましくないので、１×１０１０Ｖ／ｃｍ以下が好ましく、さらに１×１０７Ｖ／ｃｍ以下が好ましい。
【００５３】
〔一般的要件〕
　本発明において好ましくは、少なくとも光電変換素子が２層以上、さらに好ましくは３層又は４層、特に好ましくは３層積層した構成を用いる場合である。
　本発明においては、これらの光電変換素子を撮像素子、特に好ましく固体撮像素子として好ましく用いることができる。また、本発明においては、これらの光電変換膜、光電変換素子、及び、撮像素子に電圧を印加する場合が好ましい。
　本発明における光電変換素子として好ましくは、１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する場合である。また、好ましくは、ｐ型及びｎ型半導体のうち少なくとも一方は有機化合物を含む場合であり、さらに好ましくはｐ型及びｎ型半導体の両方とも有機化合物を含む場合である。
【００５４】
〔バルクへテロ接合構造〕
　本発明においては、１対の電極間に、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、該ｐ型半導体とｎ型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該ｐ型半導体およびｎ型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜（感光層）を含有する場合が好ましい。このような場合、光電変換膜において、有機層にバルクへテロ接合構造を含有させることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。
　なお、バルクへテロ接合構造については、特願２００４−０８０６３９号において詳細に説明されている。
【００５５】
〔タンデム構造〕
　本発明において、１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層で形成されるｐｎ接合層の繰り返し構造（タンデム構造）の数を２以上有する構造を持つ光電変換膜（感光層）を含有する場合が好ましい。また、前記繰り返し構造の間に、導電材料の薄層を挿入しても良い。導電材料としては銀または金が好ましく、銀が最も好ましい。ｐｎ接合層の繰り返し構造（タンデム構造）の数はいかなる数でもよいが、光電変換効率を高くするために好ましくは２以上１００以下であり、さらに好ましくは２以上５０以下であり、特に好ましくは５以上４０以下であり、最も好ましくは１０以上３０以下である。
　本発明において、タンデム構造をもつ半導体としては無機材料でもよいが有機半導体が好ましく、さらに有機色素が好ましい。
　なお、タンデム構造については、特願２００４−０７９９３０号において詳細に説明されている。
【００５６】
［積層構造］
　本発明の一つの好ましい態様として、光電変換膜に電圧を印加しない場合は、少なくとも２つの光電変換膜が積層している場合が好ましい。積層撮像素子は特に制限はなく、この分野で用いられているものは全て適用できるが好ましくは、ＢＧＲ３層積層構造であり、ＢＧＲ積層構造の好ましい例を図１に示す。
　つぎに、本発明に係る固体撮像素子は、例えば、本実施の態様で示されるような光電変換膜を有する。そして、図１に示されるような固体撮像素子は、走査回路部の上に積層型光電変換膜が設けられる。走査回路部は、半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成や、あるいは、撮像素子としてＣＣＤを有する構成を適宜採用することができる。
　例えばＭＯＳトランジスタを用いた固体撮像素子の場合、電極を透過した入射光によって光電変換膜の中に電荷が発生し、電極に電圧を印加することにより電極と電極との間に生じる電界によって電荷が光電変換膜の中を電極まで走行し、さらにＭＯＳトランジスタの電荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積される。電荷蓄積部に蓄積された電荷は、ＭＯＳトランジスタのスイッチングにより電荷読出し部に移動し、さらに電気信号として出力される。これにより、フルカラーの画像信号が、信号処理部を含む固体撮像装置に入力される。
　これらの積層撮像素子については、特開昭５８−１０３１６５号公報の第２図及び特開昭５８−１０３１６６号公報の第２図等で代表される固体カラー撮像素子も適用できる。」  
 　  
（５）「【００５８】
（光電変換素子）
　以下に本発明の好ましい態様の光電変換素子について説明する。
　本発明の光電変換素子は電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる。
　本発明において電磁波吸収／光電変換部位は、少なくとも青光、緑光、赤光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも２層の積層型構造を有する。青光吸収層（Ｂ）は少なくとも４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率は５０％以上である。緑光吸収層（Ｇ）は少なくとも５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率は５０％以上である。赤光吸収層（Ｒ）は少なくとも６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率は５０％以上である。これらの層の序列はいずれの序列でも良く、３層積層型構造の場合は上層（光入射側）からＢＧＲ、ＢＲＧ、ＧＢＲ、ＧＲＢ、ＲＢＧ、ＲＧＢの序列が可能である。好ましくは最上層がＧである。２層積層型構造の場合は上層がＲ層の場合は下層が同一平面状にＢＧ層、上層がＢ層の場合は下層が同一平面状にＧＲ層、上層がＧ層の場合は下層が同一平面状にＢＲ層が形成される。好ましくは上層がＧ層で下層が同一平面状にＢＲ層である。このように下層の同一平面状に２つの光吸収層が設けられる場合には上層の上もしくは上層と下層の間に色分別できるフィルタ−層を例えばモザイク状に設けることが好ましい。場合により４層目以上の層を新たな層としてもしくは同一平面状に設けることが可能である。
　本発明における電荷蓄積／転送／読み出し部位は電磁波吸収／光電変換部位の下に設ける。下層の電磁波吸収／光電変換部位が電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねることは好ましい。
　本発明において電磁波吸収／光電変換部位は有機層または無機層または有機層と無機層の混合よりなる。有機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成していても良いし無機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成していても良い。好ましくは有機層と無機層の混合である。この場合、基本的には有機層が１層の時は無機層は１層または２層であり、有機層が２層の時は無機層は１層である。有機層と無機層が１層の場合には無機層が同一平面状に２色以上の電磁波吸収／光電変換部位を形成する。好ましくは上層が有機層でＧ層であり、下層が無機層で上からＢ層、Ｒ層の序列である。場合により４層目以上の層を新たな層として、もしくは同一平面状に設けることが可能である。有機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成する場合には、その下に電荷蓄積／転送／読み出し部位を設ける。電磁波吸収／光電変換部位として無機層を用いる場合には、この無機層が電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねる。
【００５９】
　本発明において、上記で説明した素子のなかで特に好ましい一つの態様は以下の通りである。
　少なくとも２つの電磁波吸収／光電変換部位を有し、これらのうち少なくとも一つの部位が本発明の光電変換素子（撮像素子用）の場合である。
　さらに、少なくとも２つの電磁波吸収／光電変換部位が少なくとも２層の積層型構造を有する素子の場合が好ましい。さらに、上層が緑光を吸収し光電変換することができる部位からなる素子である場合が好ましい。
　また、特に好ましくは、少なくとも３つの電磁波吸収／光電変換部位を有し、これらのうち少なくとも一つの部位が本発明の光電変換素子（撮像素子用）の場合である。
　さらに、上層が緑光を吸収し光電変換することができる部位からなる素子である場合が好ましい。さらに、３つのうち少なくとも２つの電磁波吸収／光電変換部位が無機層（好ましくはシリコン基盤内に形成されている）の場合である。
【００６０】
（電極）
　本発明の有機層からなる電磁波吸収／光電変換部位は１対の電極に挟まれており、各々が画素電極と対向電極を形成している。好ましくは下層が画素電極である。
　対向電極は正孔輸送性光電変換膜または正孔輸送層から正孔を取り出すことが好ましく、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができる材料である。画素電極は電子輸送性光電変換層または電子輸送層から電子を取り出すことが好ましく、電子輸送性光電変換層、電子輸送層などの隣接する層との密着性や電子親和力、イオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。・・・」 
 　 
（６）「【００６３】
　本発明の有機電磁波吸収／光電変換部位の電極についてさらに詳細に説明する。有機層の光電変換膜は、画素電極膜、対向電極膜により挟まれ、電極間材料等を含むことができる。画素電極膜とは、電荷蓄積／転送／読み出し部位が形成された基板上方に作成された電極膜のことで、通常１ピクセルごとに分割される。これは、光電変換膜により変換された信号電荷を電荷蓄積／転送／信号読出回路基板上に１ピクセルごとに読み出すことで、画像を得るためである。
　対向電極膜とは、光電変換膜を画素電極膜と共にはさみこむことで信号電荷と逆の極性を持つ信号電荷を吐き出す機能をもっている。この信号電荷の吐き出しは各画素間で分割する必要がないため、通常、対向電極膜は各画素間で共通にすることができる。そのため、共通電極膜（コモン電極膜）と呼ばれることもある。
【００６４】
　光電変換膜は、画素電極膜と対向電極膜との間に位置する。光電変換機能は、この光電変換膜と画素電極膜及び対向電極膜により機能する。
　光電変換膜積層の構成例としては、まず基板上に積層される有機層が一つの場合として、基板から画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換膜、対向電極膜（透明電極膜）を順に積層した構成が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　さらに、基板上に積層される有機層が２つの場合、例えば、基板から画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換膜、対向電極膜（透明電極膜）、層間絶縁膜、画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換膜、対向電極膜（透明電極膜）を順に積層した構成が挙げられる。」
　
（７）「【００６６】
（無機層）
　電磁波吸収／光電変換部位としての無機層について説明する。この場合、上層の有機層を通過した光を無機層で光電変換することになる。無機層としては結晶シリコン、アモルファスシリコン、ＧａＡｓなどの化合物半導体のｐｎ接合またはｐｉｎ接合が一般的に用いられる。積層型構造として米国特許第５９６５８７５号に開示されている方法を採用することができる。すなわちシリコンの吸収係数の波長依存性を利用して積層された受光部を形成し、その深さ方向で色分離を行う構成である。この場合、シリコンの光進入深さで色分離を行っているため積層された各受光部で検知するスペクトル範囲はブロードとなる。しかしながら、前述した有機層を上層に用いることにより、すなわち有機層を透過した光をシリコンの深さ方向で検出することにより色分離が顕著に改良される。特に有機層にＧ層を配置すると有機層を透過する光はＢ光とＲ光になるためにシリコンでの深さ方向での光の分別はＢＲ光のみとなり色分離が改良される。有機層がＢ層またはＲ層の場合でもシリコンの電磁波吸収／光電変換部位を深さ方向で適宜選択することにより顕著に色分離が改良される。有機層が２層の場合にはシリコンでの電磁波吸収／光電変換部位としての機能は基本的には１色で良く、好ましい色分離が達成できる。
【００６７】
　無機層は好ましくは、半導体基板内の深さ方向に、画素毎に複数のフォトダイオードが重層され、前記複数のフォトダイオードに吸収される光によって各フォトダイオードに生じる信号電荷に応じた色信号を外部に読み出す構造である。好ましくは、前記複数のフォトダイオードは、Ｂ光を吸収する深さに設けられる第１のフォトダイオードと、Ｒ光を吸収する深さに設けられる第２のフォトダイオードの少なくとも１つとを含み、前記複数のフォトダイオードの各々に生じる前記信号電荷に応じた色信号を読み出す色信号読み出し回路を備えることが好ましい。この構成により、カラーフィルタを用いることなく色分離を行うことができる。又、場合によっては、負感度成分の光も検出することができるため、色再現性の良いカラー撮像が可能となる。又、本発明においては、前記第１のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約０．２μｍまでの深さに形成され、前記第２のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約２μｍまでの深さに形成されることが好ましい。
　無機層についてさらに詳細に説明する。無機層の好ましい構成としては、光伝導型、ｐ−ｎ接合型、ショットキー接合型、ＰＩＮ接合型、ＭＳＭ（金属−半導体−金属）型の受光素子やフォトトランジスタ型の受光素子が挙げられる。本発明では、単一の半導体基板内に、第１導電型の領域と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域とを交互に複数積層し、前記第１導電型及び第２導電型の領域の各接合面を、それぞれ異なる複数の波長帯域の光を主に光電変換するために適した深さに形成してなる受光素子を用いることが好ましい。単一の半導体基板としては、単結晶シリコンが好ましく、シリコン基板の深さ方向に依存する吸収波長特性を利用して色分離を行うことができる。
　無機半導体として、ＩｎＧａＮ系、ＩｎＡｌＮ系、ＩｎＡｌＰ系、又はＩｎＧａＡｌＰ系の無機半導体を用いることもできる。ＩｎＧａＮ系の無機半導体は、Ｉｎの含有組成を適宜変更し、青色の波長範囲内に極大吸収値を有するよう調整されたものである。すなわち、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）の組成となる。
　このような化合物半導体は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて製造される。Ｇａと同じ１３族原料のＡｌを用いる窒化物半導体のＩｎＡｌＮ系についても、ＩｎＧａＮ系と同様に短波長受光部として利用することができる。また、ＧａＡｓ基板に格子整合するＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰを用いることもできる。
【００６８】
　無機半導体は、埋め込み構造となっていてもよい。埋め込み構造とは、短波長受光部部分の両端を短波長受光部とは異なる半導体で覆われる構成のものをいう。両端を覆う半導体としては、短波長受光部のバンドギャップ波長より短い又は同等のバンドギャップ波長を有する半導体であることが好ましい。
　有機層と無機層とは、どのような形態で結合されていてもよい。また、有機層と無機層との間には、電気的に絶縁するために、絶縁層を設けることが好ましい。
　接合は、光入射側から、ｎｐｎ、又はｐｎｐｎとなっていることが好ましい。特に、表面にｐ層を設け表面の電位を高くしておくことで、表面付近で発生した正孔、及び暗電流をトラップすることができ暗電流を低減できるため、ｐｎｐｎ接合とすることがより好ましい。
　このようなフォトダイオードは、ｐ型シリコン基板表面から順次拡散される、ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層、ｐ型層をこの順に深く形成することで、ｐｎ接合ダイオードがシリコンの深さ方向にｐｎｐｎの４層が形成される。ダイオードに表面側から入射した光は波長の長いものほど深く侵入し、入射波長と減衰係数はシリコン固有の値を示すので、ｐｎ接合面の深さが可視光の各波長帯域をカバーするように設計する。同様に、ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層の順に形成することで、ｎｐｎの３層の接合ダイオードが得られる。ここで、ｎ型層から光信号を取り出し、ｐ型層はアースに接続する。
　また、各領域に引き出し電極を設け、所定のリセット電位をかけると、各領域が空乏化し、各接合部の容量は限りなく小さい値になる。これにより、接合面に生じる容量を極めて小さくすることができる。」
　
（８）「【００７３】
（接続）
　電磁波吸収／光電変換部位と電荷転送／読み出し部位を連結する複数のコンタクト部位はいずれの金属で連結してもよいが、銅、アルミ、銀、金、クロム、タングステンの中から選択するのが好ましく、特に銅が好ましい。複数の電磁波吸収／光電変換部位に応じて、それぞれのコンタクト部位を電荷転送・読み出し部位との間に設置する必要がある。青・緑・赤光の複数感光ユニットの積層構造を採る場合、青光用取り出し電極と電荷転送／読み出し部位の間、緑光用取り出し電極と電荷転送／読み出し部位の間および赤光用取り出し電極と電荷転送／読み出し部位の間をそれぞれ連結する必要がある。」
　
（９）「【００７７】
（本発明の好ましい光電変換素子）
　本発明の好ましい光電変換素子について図２（審決註；図３の誤記と認められる。）により説明する。１３はシリコン単結晶基盤でありＢ光とＲ光の電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねている。通常、ｐ型のシリコン基盤が用いられる。２１、２２、２３はシリコン基盤中に設けられたｎ層、ｐ層、ｎ層を各々示す。２１のｎ層はＲ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＲ光の信号電荷を蓄積する。蓄積された電荷は２６に示したトランジスタを介して１９のメタル配線により２７の信号読み出しパッドに接続される。２３のｎ層はＢ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＢ光の信号電荷を蓄積する。蓄積された電荷は２６に類似のトランジスタを介して１９のメタル配線により２７の信号読み出しパッドに接続される。ここでｐ層、ｎ層、トランジスタ、メタル配線等は模式的に示したが、それぞれが前論で詳述したように、構造等は適宜最適なものが選ばれる。Ｂ光、Ｒ光はシリコン基盤の深さにより分別しているのでｐｎ接合等のシリコン基盤からの深さ、ドープ濃度の選択などは重要である。１２はメタル配線を含む層であり酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層である。１２の層の厚みは薄いほど好ましく５μ以下、好ましくは３μ以下、さらに好ましくは２μ以下である。１１も同様に酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層である。１１と１２の層にはＧ光の信号電荷をシリコン基盤に送るためのプラグが設けられている。プラグは１１と１２の層の間で１６のパッドにより接続されている。プラグはタングステンを主成分としたものが好ましく用いられる。パッドはアルミニウムを主成分としたものが好ましく用いられる。前述したメタル配線も含めてバリア層が設けられていることが好ましい。１５のプラグを通して送られるＧ光の信号電荷はシリコン基盤中の２５に示したｎ層に蓄積される。２５に示したｎ層は２４に示したｐ層により分離されている。蓄積された電荷は２６に類似のトランジスタを介して１９のメタル配線により２７の信号読み出しパッドに接続される。２４と２５のｐｎ接合による光電変換は雑音となるために１１の層中に１７に示した遮光膜が設けられる。遮光膜は通常、タングステン、アルミニウム等を主成分としたものが用いられる。１２の層の厚みは薄いほど好ましく３μ以下、好ましくは２μ以下、さらに好ましくは１μ以下である。２７の信号読み出しパッドはＢ、Ｇ、Ｒ信号別に設ける方が好ましい。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるＣＭＯＳプロセスにより調製できる。
【００７８】
　Ｇ光の電磁波吸収／光電変換部位は６、７、８、９、１０、１４により示される。６と１４は透明電極であり、各々、対向電極、画素電極に相当する。画素電極１４は透明電極であるが、１５のプラグと電気的接続を良好にするために接続部にアルミニウム、モリブデン等の部位が必要な場合が多い。これらの透明電極間には１８の接続電極、２０の対向電極パッドからの配線を通じてバイアスがかけられる。透明対向電極６に対して画素電極１４に正のバイアスをかけて２５に電子が蓄積できる構造が好ましい。この場合７は電子ブロッキング層、８がｐ層、９がｎ層、１０が正孔ブロッキング層であり、有機層の代表的な層の構成を示した。７、８、９、１０から成る有機層の厚みは好ましくは合わせて０．５μｍ以下、より好ましくは０．４μｍ以下、特に好ましくは０．３μｍ以下である。・・・」
　
（１０）「【００８０】
［実施例］
　本発明の実施例及び実施態様例を以下に記載するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００８１】
　洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ｐ型有機色素として下記化合物（Ａ）を３０ｎｍ蒸着し、続いて化合物（Ａ）とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で４５ｎｍ共蒸着し、さらにフラーレンＣ６０を１５ｎｍ蒸着し、光電変換層を作製した。つぎに有機薄膜上にパターニングしたマスク（受光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でアルミニウム１００ｎｍを蒸着し、引き続き乾燥剤を入れ素子を封止し、光電変換素子を作製した（素子１）。」
　
（１１）上記（９）【００７７】、【００７８】及び図３に照らして、Ｇ光の電磁波吸収／光電変換部位（６、７、８、９、１０、１４）は、対向電極６に対して画素電極１４に正のバイアスをかけてｎ層２５に電子が蓄積できる構造であって、対向電極６、画素電極１４、電子ブロッキング層７、ｐ層８、ｎ層９、正孔ブロッキング層１０を有することが理解できる。
　
（１２）上記（９）【００７７】及び図３に照らして、シリコン単結晶基盤１３がＢ光とＲ光の電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねており、シリコン単結晶基盤１３中にｎ層２１、ｐ層２２、ｎ層２３が設けられ、ｎ層２１はＲ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＲ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６を介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ｎ層２３はＢ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＢ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６に類似のトランジスタを介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ここでＢ光、Ｒ光はシリコン基盤の深さにより分別していることが理解できる。
　
（１３）上記（９）【００７７】及び図３に照らして、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２にはＧ光の信号電荷をシリコン基盤に送るためのプラグ１５、１６が設けられ、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２の間でパッド１５、１６により送られるＧ光の信号電荷はシリコン基盤中ｎ層２５に蓄積されることが理解できる。
　
（１４）上記（４）【００５２】から、光電変換膜に加える電場として特に好ましくは１×１０５Ｖ／ｃｍ以上、１×１０７Ｖ／ｃｍ以下であることが理解できる。
　
（１５）上記（３）【００１３】及び（１０）【００８１】から、ＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ｐ型有機色素を蒸着し、続いてｐ型有機色素とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で共蒸着し、さらにフラーレンＣ６０を蒸着して、光電変換層としたことが理解できる。
　
　
３　引用発明 
　上記２（１）ないし（１５）を総合すれば、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
 　 
　「電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる光電変換素子であって、
　有機層からなる電磁波吸収／光電変換部位は１対の電極に挟まれており、各々が画素電極と対向電極を形成しており、
　Ｇ光の電磁波吸収／光電変換部位（６、７、８、９、１０、１４）は、対向電極６に対して画素電極１４に正のバイアスをかけて２５に電子が蓄積できる構造であって、対向電極６、画素電極１４、電子ブロッキング層７、ｐ層８、ｎ層９、正孔ブロッキング層１０を有し、
　シリコン単結晶基盤１３がＢ光とＲ光の電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねており、シリコン単結晶基盤１３中にｎ層２１、ｐ層２２、ｎ層２３が設けられ、ｎ層２１はＲ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＲ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６を介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ｎ層２３はＢ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＢ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６に類似のトランジスタを介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ここでＢ光、Ｒ光はシリコン基盤の深さにより分別しており、
　酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２にはＧ光の信号電荷をシリコン基盤に送るためのプラグ１５、１６が設けられ、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２の間でパッド１５、１６により送られるＧ光の信号電荷はシリコン基盤中ｎ層２５に蓄積され、
　光電変換膜に加える電場は、特に好ましくは１×１０５Ｖ／ｃｍ以上、１×１０７Ｖ／ｃｍ以下であり、
　光電変換膜は、ＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ｐ型有機色素を蒸着し、続いてｐ型有機色素とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で共蒸着し、さらにフラーレンＣ６０を蒸着したものである、光電変換素子。」  
 　 
 　 
４　対比  
　本願発明と引用発明を対比する。  
 　 
ア　引用発明は「電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる光電変換素子であって、有機層からなる電磁波吸収／光電変換部位は１対の電極に挟まれており、各々が画素電極と対向電極を形成して」いるものであるから、引用発明の「『画素電極』と『対向電極』」及び「（画素電極と対向電極との間に位置する）光電変換膜」は、それぞれ、本願発明の「一対の電極」及び「（一対の電極の間に配置された）光電変換層」に相当する。
 　
イ　引用発明の「Ｇ光の電磁波吸収／光電変換部位（６、７、８、９、１０、１４）」は、「対向電極６に対して画素電極１４に正のバイアスをかけて２５に電子が蓄積できる構造であって、対向電極６、画素電極１４、電子ブロッキング層７、ｐ層８、ｎ層９、正孔ブロッキング層１０を有」するから、引用発明の「電子ブロッキング層７」及び「正孔ブロッキング層１０」は、それぞれ、本願発明の「（一対の電極のうち一方の電極と光電変換層の間に設けられ、一対の電極間への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する）第１の電荷ブロッキング層」及び「（一対の電極のうち他方の電極と光電変換層の間に設けられ、一対の電極間への電圧印加時に一対の電極の他方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する）第２の電荷ブロッキング層」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「シリコン単結晶基盤１３がＢ光とＲ光の電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねており、シリコン単結晶基盤１３中にｎ層２１、ｐ層２２、ｎ層２３が設けられ、ｎ層２１はＲ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＲ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６を介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ｎ層２３はＢ光の信号電荷の蓄積部でありｐｎ接合により光電変換されたＢ光の信号電荷を蓄積し、蓄積された電荷はトランジスタ２６に類似のトランジスタを介してメタル配線１９により信号読み出しパッド２７に接続され、ここでＢ光、Ｒ光はシリコン基盤の深さにより分別しており、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２にはＧ光の信号電荷をシリコン基盤に送るためのプラグ１５、１６が設けられ、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする層１１及びメタル配線を含む層１２の間でパッド１５、１６により送られるＧ光の信号電荷はシリコン基盤中ｎ層２５に蓄積され」るものであるから、引用発明の「ｎ層２５」、「プラグ１５」及び「Ｂ光とＲ光の電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位」は、それぞれ、本願発明の「（半導体基板内に形成され、光電変換部の光電変換層で発生した電荷を蓄積するための）電荷蓄積部」、「（光電変換部の一対の電極のうちの電荷を取り出すための電極と電荷蓄積部とを電気的に接続する）接続部」及び「（半導体基板内に積層させて形成され、光電変換部の光電変換層を透過した光を吸収し、該光に応じた電荷を発生してこれを蓄積する複数のフォトダイオードであって、それぞれ異なる色の光を吸収する）複数のフォトダイオード」に相当する。
　
エ　引用発明の「光電変換膜に加える電場は、特に好ましくは１×１０５Ｖ／ｃｍ以上、１×１０７Ｖ／ｃｍ以下であり」との事項は、本願発明の「一対の電極間に外部から印加される電圧を一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり」との事項に一致する。
　
オ　引用発明の「光電変換膜は、ｐ型有機色素を蒸着し、続いてｐ型有機色素とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で共蒸着し、さらにフラーレンＣ６０を蒸着したものである」との事項は、本願発明の「光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、フラーレン類がフラーレンＣ６０（もしくはフラーレンＣ７０）であり」との事項に一致する。
　 
　したがって、両者は、  
 　 
　「一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、
　光電変換部は、一対の電極のうち一方の電極と光電変換層の間に設けられ、一対の電極間への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、一対の電極のうち他方の電極と光電変換層の間に設けられ、一対の電極間への電圧印加時に一対の電極の他方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第２の電荷ブロッキング層と、を含み、
　更に、少なくとも１つの光電変換部が上方に積層された半導体基板と、半導体基板内に形成され、光電変換部の光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、
　光電変換部の一対の電極のうちの電荷を取り出すための電極と電荷蓄積部とを電気的に接続する接続部と、
　半導体基板内に積層させて形成され、光電変換部の光電変換層を透過した光を吸収し、該光に応じた電荷を発生してこれを蓄積する複数のフォトダイオードであって、それぞれ異なる色の光を吸収する複数のフォトダイオードと、を備え、
　一対の電極間に外部から印加される電圧を一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
　光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
　前記フラーレン類がフラーレンＣ６０である、光電変換素子。」 
 　 
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点 
　本願発明は、ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が２：１より小さいのに対し、引用発明は、ｐ型有機色素とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で共蒸着した点。
　
 　 
５　判断  
（１）上記３によれば、引用発明は、光電変換層の少なくとも一部が、ｐ型有機色素として化合物（Ａ）とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０を２：１の割合で共蒸着したものとされるところ、有機アクセプタ材料であるフラーレンと有機ドナー材料との混合比を様々に変化させることは一般に行われることであり（必要であれば、例えば国際公開第２００６／０１７５３０号（特に［００７０］、［００７４］及び図９）を参照。）、例えば、ｎ型有機半導体のフラーレン誘導体とｐ型有機半導体のポリ−３−ヘキシルチオフェンの混合比を６：１４や３：７として、２：１より小さい混合比を採用することも国際公開第２００７／０２９７５０号（特に第２〜４実施例を参照。）に記載されていることに照らせば、所望の光電変換効率を得る等の目的で混合比を最適または好適な値に調節するべく、引用発明のｐ型有機色素である化合物（Ａ）とｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０の割合の２：１に代えて、同混合比を２：１より小さいものとする程度のことに、当業者において格別の困難性はない。 
　
（２）そして、上記相違点に係る本願発明の構成により格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。 
 　 
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
 　 
６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
 　 
　よって、結論のとおり審決する。