【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、次の（化１）式を有する化合物を発光要素として組み込んだ発光装置。
（化１）      核−［デンドライト（−Ｑ）ａ］ｎ
ここで、核は、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、ジビニルチオフェン、フルオレン、ジビニルベンゼン、ジスチリエレチレン、ジビニルピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジビニルチオフェン、オキシジアゾール、コロネーン、又はランスアニド、イリジウム複合物若しくは金属燐光体を含む蛍光染料、マーカー化合物若しくは金属発光団の１又はそれ以上の部分から選択され、ｎは最小１の整数を表し、Ｑは陽子又は、ｔ−ブチルを含む分岐及び非分岐状アルキル、分岐及び非分岐状アルコキシ、ヒドロキシ、アルキルシラン、カルボキシ、カルバルコキシ及びビニル、更なる反応性アルケン、（メス）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基、スルフォニル基、ポリエチル基、ｔ−ブチルを含むＣ1からＣ15までのアルキル基、アミノ基、モノ−、ジ−若しくはトリＣ1からＣ15までのアルキルアミン基、ＣＯＯＲ基（ここで、Ｒは水素又はＣ１からＣ１５までのアルキル）、ＯＲ基（ここで、Ｒは水素、アリール、又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、Ｏ2ＳＲ基（ここで、ＲはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、−ＳＲ基（ここで、Ｒはアリール、Ｃ１からＣ１５までのアルキル若しくはアルケニル）、−ＳｉＲ3基（ここで、Ｒ基は同一又は異なり、水素又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、又はＳＲ’基（Ｒ’はアリール又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、アリール、又はヘテロアリールから選ばれる表面基を表し、少なくとも１つのＱは表面基であり、ａは整数を表す。デンドライトは、ｎが２以上のとき、同じか異なり、アリール基又はヘテロアリール基のＳＰ2混成環の原子間の結合によって互いに結合したアリール基及び／又はヘテロアリール基を含む共役樹枝分岐状構造を表す。核は、２以上の共役樹枝状分岐が付着している（ヘテロ）アリール基のＳＰ2混成環原子に結合している最初の単一結合において終結する。ここで、同原子はデンドライトの一部を構成し、核及び／又はデンドライトは冷光放射性である。ただし、同化合物は次のものではない。
【化２】
2004534865.tif 000001
【請求項２】
少なくとも次の（化３）式を有する化合物を発光要素として組み込んだ発光装置であって、
（化３）      核−［デンドライト（−Ｑ）ａ］ｎ
ここで、核は、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、ジビニルチオフェン、フルオレン、ジビニルベンゼン、ジスチリエレチレン、ジビニルピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジビニルチオフェン、オキシジアゾール、コロネーン、又はランスアニド、イリジウム複合物若しくは金属燐光体を含む蛍光染料、マーカー化合物若しくは金属発光団の１又はそれ以上の部分から選択され、ｎは最小１の整数を表し、Ｑは陽子又は、ｔ−ブチルを含む分岐及び非分岐状アルキル、分岐及び非分岐状アルコキシ、ヒドロキシ、アルキルシラン、カルボキシ、カルバルコキシ及びビニル、更なる反応性アルケン、（メス）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基、スルフォニル基、ポリエチル基、ｔ−ブチルを含むＣ1からＣ15までのアルキル基、アミノ基、モノ−、ジ−若しくはトリＣ1からＣ15までのアルキルアミン基、ＣＯＯＲ基（ここで、Ｒは水素又はＣ１からＣ１５までのアルキル）、ＯＲ基（ここで、Ｒは水素、アリール、又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、Ｏ2ＳＲ基（ここで、ＲはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、−ＳＲ基（ここで、Ｒはアリール、Ｃ１からＣ１５までのアルキル若しくはアルケニル）、−ＳｉＲ3基（ここで、Ｒ基は同一又は異なり、水素又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、又はＳＲ’基（Ｒ’はアリール又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、アリール、又はヘテロアリールから選ばれる表面基を表し、少なくとも１つのＱは表面基であり、ａは整数を表す。デンドライトは、ｎが２と同じか異なり、アリール基又はヘテロアリール基のＳＰ2混成環の原子間の結合によって互いに結合したアリール基及び／又はヘテロアリール基を含む共役樹枝分岐状構造を表す。核は、１又はそれ以上の共役樹枝状分岐が付着している（ヘテロ）アリール基のＳＰ2混成環の原子に結合している最初の単一結合において終結する。ここで、同原子はデンドライトの一部を構成し、核及び又はデンドライトは冷光放射性である。
【請求項３】
少なくとも１つのデンドライトは、アリール基又はヘテロアリール基のＳＰ2混成環の原子間の結合によって互いに結合したアリール基及び／又はヘテロアリール基を含む共役樹枝分岐状構造で表わされる請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも１つのデンドライトは、アリールリンカーによって１またはそれ以上のフェニル分岐基に結合するフェニル分岐基を含む請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記発光要素が溶液プロセスによって積層される請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
発光要素のデンドライトの末端アリール基が、表面基であり、同一又は異なる基であるＱの１又はそれ以上によって置換されている請求項１ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
発光要素のホモ−ルモ（ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ）エネルギーギャップが末端のアリール基から核に向かって減少する請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
発光要素の核が冷光放射性ではない請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記発光要素がコンバージャント型の成長によって形成されている請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
正孔又は電子輸送層を含む１又はそれ以上の他の材料の層共に前記発光要素の層を含む請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）である請求項１〜１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
デンドリマーが他のデンドリマー及び／又は高分子及び／又は分子化合物と混合されている請求項１〜１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
請求項１又は２に記載される化合物、及び／又は薄板を提供するための１又は２以上の薄膜を提供する工程、前記薄膜又は薄板の表面をＩＴＯを含む実質的に透明な電極で覆う工程、及びアルミニウム、マグネシウム銀合金及びカルシウムを含む群から選ばれる金属電極を前記薄膜又は薄板の他方の面に積層させる工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１又は２に記載される化合物から形成される厚さ２０ｎｍから２００ｎｍまで、好ましくは５０ｎｍから１５０ｎｍまでの薄膜。
【請求項１５】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光装置を１又はそれ以上包含する画素を含むカラー表示装置。
【請求項１６】
本来的に実質的に白または中間色を発光する前記化合物の１又は２以上によって、実質的に白または中間色の背景色が提供される請求項１５に記載のカラー表示装置。
【請求項１７】
請求項１又は２に記載の発光装置を使用した光ダイオード、太陽電池、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）又は固体３極管を含む半導体装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
（化４）        核−［デンドライト（−Ｑ）ａ］ｎ
この式において、核はベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、ジビニルチオフェン、フルオレン、ジビニルベンゼン、ジスチリエレチレン、ジビニルピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジビニルチオフェン、オキシジアゾール、コロネーン、又はランスアニド、イリジウム複合物若しくは金属燐光体を含む蛍光染料、マーカー化合物若しくは金属発光団の１又はそれ以上の部分から選択され、ｎは最小１の整数を表し、Ｑは陽子又は、ｔ−ブチルを含む分岐及び非分岐状アルキル、分岐及び非分岐状アルコキシ、ヒドロキシ、アルキルシラン、カルボキシ、カルバルコキシ及びビニル、更なる反応性アルケン、（メス）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基、スルフォニル基、ポリエチル基、ｔ−ブチルを含むＣ1からＣ15までのアルキル基、アミノ基、モノ−、ジ−若しくはトリＣ1からＣ15までのアルキルアミン基、ＣＯＯＲ基（ここで、Ｒは水素又はＣ１からＣ１５までのアルキル）、ＯＲ基（ここで、Ｒは水素、アリール、又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、Ｏ2ＳＲ基（ここで、ＲはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、−ＳＲ基（ここで、Ｒはアリール、Ｃ１からＣ１５までのアルキル若しくはアルケニル）、−ＳｉＲ3基（ここで、Ｒ基は同一又は異なり、水素又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、又はＳＲ’基（Ｒ’はアリール又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、アリール、又はヘテロアリールから選ばれる表面基を表し、少なくとも１つのＱは表面基であり、ａは整数を表す。デンドライトは、ｎが２以上のとき同じか異なり、アリール基又はヘテロアリール基のＳＰ2混成環の原子間の結合によって互いに結合したアリール基及び／又はヘテロアリール基を含む共役樹枝分岐状構造を表す。核は、２以上の共役樹枝状分岐が付着している（ヘテロ）アリール基のＳＰ2混成環の原子に結合している最初の単一結合において終結する。ここで、同原子はデンドライトの一部を構成し、核及び又はデンドライトは発光性である。ただし、同化合物は次のものではない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
（化６）        核−［デンドライト（−Ｑ）ａ］ｎ
この式において、核は、核はベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、ジビニルチオフェン、フルオレン、ジビニルベンゼン、ジスチリエレチレン、ジビニルピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジビニルチオフェン、オキシジアゾール、コロネーン、又はランスアニド、イリジウム複合物若しくは金属燐光体を含む蛍光染料、マーカー化合物若しくは金属発光団の１又はそれ以上の部分から選択され、ｎは最小１の整数を表し、Ｑは陽子又は、ｔ−ブチルを含む分岐及び非分岐状アルキル、分岐及び非分岐状アルコキシ、ヒドロキシ、アルキルシラン、カルボキシ、カルバルコキシ及びビニル、更なる反応性アルケン、（メス）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基、スルフォニル基、ポリエチル基、ｔ−ブチルを含むＣ1からＣ15までのアルキル基、アミノ基、モノ−、ジ−若しくはトリＣ1からＣ15までのアルキルアミン基、ＣＯＯＲ基（ここで、Ｒは水素又はＣ１からＣ１５までのアルキル）、ＯＲ基（ここで、Ｒは水素、アリール、又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、Ｏ2ＳＲ基（ここで、ＲはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、−ＳＲ基（ここで、Ｒはアリール、Ｃ１からＣ１５までのアルキル若しくはアルケニル）、−ＳｉＲ3基（ここで、Ｒ基は同一又は異なり、水素又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、又はＳＲ’基（Ｒ’はアリール又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、アリール、又はヘテロアリールから選ばれる表面基を表し、少なくとも１つのＱは表面基であり、ａは整数を表す。デンドライトは、ｎが２以上のとき同じか異なり、アリール基又はヘテロアリール基のＳＰ2混成環の原子間の結合によって互いに結合したアリール基及び／又はヘテロアリール基を含む共役樹枝分岐状構造を表す。核は、２以上の共役樹枝状分岐が付着している（ヘテロ）アリール基のＳＰ2混成環の原子に結合している最初の単一結合において終結する。ここで、同原子はデンドライトの一部を構成し、核及び／又はデンドライトは冷光放射性である。