【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層の表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する第１の半導体層と、
該第１の層の該表面の上に位置する組成的に均一なキャップ層であって、実質的に緩和した組成的に均一なキャップ層と
を含む、半導体構造。
【請求項２】
前記組成的に均一なキャップ層の格子定数は、前記第１の層の格子定数とは異なる、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記組成的に均一なキャップ層の上に位置する歪んだ半導体層をさらに含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記歪んだ半導体層は、引張られ歪んでいる、請求項３に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記歪んだ半導体層は、圧縮され歪んでいる、請求項３に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記組成的に均一なキャップ層は、ＩＩ族要素、ＩＩＩ族要素、ＩＶ族要素、Ｖ族要素およびＶＩ族要素の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記組成的に均一なキャップ層は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記組成的に均一なキャップ層の厚さは、およそ０．５μｍ〜およそ３．０μｍの範囲にわたる、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記組成的に均一なキャップ層と前記第１の層との間に位置する組成的に勾配した層をさらに含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記勾配した層は、ＩＩ族要素、ＩＩＩ族要素、ＩＶ族要素、Ｖ族要素およびＶＩ族要素の少なくとも１つを含む、請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記勾配した層は、シリコンおよびゲルマニウムを含む、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記勾配した層は、およそ５％Ｇｅ／μｍより大きい勾配率を有する、請求項１１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記勾配した層は、およそ５０％Ｇｅ／μｍより小さい勾配率を有する、請求項１２に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記勾配した層は、およそ１０％Ｇｅより大きい濃度に勾配される、請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１５】
前記勾配した層の厚さは、およそ０．５μｍ〜およそ１０．０μｍの範囲にわたる、請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１６】
前記第１の層は、前記勾配した層の初期部分を含み、該初期部分は、該勾配した層の少なくとも１つのその後に続く部分より低い局部勾配率を有し、前記スレッディング転位は、該初期部分において均一に分布する、請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１７】
前記勾配した層は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の半導体構造。
【請求項１８】
局部勾配率における差異は、およそ５％Ｇｅ／μｍより大きい、請求項１７に記載の半導体構造。
【請求項１９】
前記緩和し勾配したバッファ層の初期部分の勾配率は、およそ１０％Ｇｅ／μｍを超えない、請求項１７に記載の半導体構造。
【請求項２０】
前記初期部分と前記緩和し勾配した層の少なくとも１つのその後に続く部分との間の界面でのＧｅ含量における不連続性は、およそ１０％Ｇｅを超えない、請求項１７に記載の半導体構造。
【請求項２１】
前記初期部分と前記緩和し勾配したバッファ層の少なくとも１つのその後に続く部分との間の界面でのＧｅ含量における不連続性は、およそ５％Ｇｅを超えない、請求項２０に記載の半導体構造。
【請求項２２】
前記第１の層は、該第１の層の前記表面に近接して位置するシード層を含み、前記スレッディング転位は、該シード層において均一に分布する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項２３】
前記シード層は、組成的に均一である、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項２４】
前記シード層は、組成的に勾配している、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項２５】
前記シード層の厚さは、その平衡臨界厚さの２倍より大きい、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項２６】
前記シード層の厚さは、その平衡臨界厚さの５倍より小さい、請求項２５に記載の半導体構造。
【請求項２７】
前記シード層の少なくとも一部分は、およそ８５０℃より高い成長温度での成長によって形成される、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項２８】
前記シード層は、およそ１０ｎｍ〜およそ１０００ｎｍの範囲にわたる厚さを有する、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項２９】
前記キャップ層は、およそ１／ｃｍより小さい転位パイルアップの密度を有する、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項３０】
前記キャップ層は、およそ５×１０５／ｃｍ２より小さいスレッディング転位密度を有する、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項３１】
前記組成的に均一なキャップ層と前記シード層との間に位置する組成的に均一なバッファ層をさらに含む、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項３２】
前記バッファ層および前記シード層の少なくとも１つは、シリコンおよびゲルマニウムを含む、請求項３１に記載の半導体構造。
【請求項３３】
前記バッファ層におけるゲルマニウムの濃度は、前記シード層と該バッファ層との間の界面での該シード層におけるゲルマニウムの濃度とは異なる、請求項３２に記載の半導体構造。
【請求項３４】
前記シード層と前記バッファ層との界面でのＧｅ濃度における不連続性は、およそ２％〜５０％Ｇｅの範囲にわたる、請求項３３に記載の半導体構造。
【請求項３５】
前記シード層と前記バッファ層との界面でのＧｅ濃度における不連続性は、およそ１０％Ｇｅを含む、請求項３４に記載の半導体構造。
【請求項３６】
前記組成的に均一なキャップ層と前記シード層との間に位置する組成的に勾配した層をさらに含む、請求項２２に記載の半導体構造。
【請求項３７】
前記勾配した層および前記シード層の少なくとも１つは、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも１つを含む、請求項３６に記載の半導体構造。
【請求項３８】
前記勾配した層におけるゲルマニウムの濃度は、前記シード層と該勾配した層との間の界面での該シード層におけるゲルマニウムの濃度とは異なる、請求項３６に記載の半導体構造。
【請求項３９】
前記シード層と前記勾配した層との界面でのＧｅ濃度における不連続性は、およそ１０％Ｇｅを含む、請求項３８に記載の半導体構造。
【請求項４０】
前記勾配した層内に位置する少なくとも１つの中間シード層をさらに含む、請求項３６に記載の半導体構造。
【請求項４１】
前記第１の層は、ｓｉｌｉｃｏｎ―ｏｎ―ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基板を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４２】
減少したスレッディング転位パイルアップを有する半導体構造を製造する方法であって、該方法は、
第１の半導体層の表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する第１の半導体層を提供することと、
該第１の半導体層の該表面の上に組成的に均一なキャップ層を形成することであって、該キャップ層は、実質的に緩和しており、該第１の半導体層は、少なくとも該キャップ層における転位パイルアップの形成を抑制する、ことと
を包含する、方法。
【請求項４３】
前記組成的に均一なキャップ層の格子定数は、前記第１の層の格子定数とは異なる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記キャップ層の形成の前に、前記第１の層の上に組成的に均一なバッファ層を形成することをさらに包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
第１の半導体層を提供するステップは、半導体基板の上に少なくとも部分的に緩和したシード層を形成することを包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
前記少なくとも部分的に緩和したシード層を形成するステップは、該シード層の平衡臨界厚さの２倍〜５倍の範囲にわたる厚さに該シード層を成長させることを包含する、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記少なくとも部分的に緩和したシード層を形成するステップは、該シード層を、該シード層の堆積温度より大きい温度で該シード層をアニールすることを包含する、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記第１の半導体層を提供するステップは、該第１の半導体層に種を埋め込むことを包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】
前記第１の半導体層は、シリコンを包含し、前記種は、シリコンを包含する、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記第１の半導体層を提供するステップは、ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ―ｏｎ―ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基板を提供することを包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】
前記第１の半導体層を提供するステップは、スレッディング転位の実質的に均一な分布を有するシリコン基板を提供することを包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項５２】
前記第１の半導体層を提供するステップは、およそ１０2／ｃｍ２を超えるスレッディ
ング転位の密度を有するシリコン基板を提供することを包含する、請求項４２に記載の方法。  
【請求項５３】
前記第１の半導体層を提供するステップは、１Åより大きい平均表面粗さを有するシリコン基板を提供することを包含する、請求項４２に記載の方法。
【請求項５４】
前記キャップ層は、１／ｃｍより小さい転位パイルアップの密度を有する、請求項４２に記載の方法。
【請求項５５】
前記キャップ層を形成する前に、組成的に勾配した層を形成することと、
該組成的に勾配したバッファ層内に少なくとも１つのシード層を形成することと
をさらに包含する、請求項４２に記載の方法。