【事件の表示】
　特願２００８−２１３８５５「ＬＥＤランプ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月１３日出願公開、特開２００８−２７７８７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年１２月２０日に出願した特願２００２−３６９０９２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年８月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年３月５日及び同年１１月２７日付けで手続補正がなされ、平成２２年６月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年８月１５日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年９月２７日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板と、該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有する発光ダイオードが、樹脂で封止され、光を基板側から取り出すＬＥＤランプにおいて、該基板の半導体層を積層する表面が傾斜側面を有する凹凸状に加工され、該傾斜側面の基板面に対する角度θが３０°＜θ＜６０°であり、該基板自体の裏面がミラー状であり、発光ダイオードは電極が下になるフリップチップ型にマウントされ、前記樹脂がシリコーン樹脂であることを特徴とするＬＥＤランプ。」（以下「本願発明」という。）
　
　
第２　引用刊行物の記載事項
１　引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第０１／４１２２５号（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（なお、和訳をかっこ書きした。）。
　
（１）「
Field of the Invention
　This invention relates to light emitting diodes and more particularly to new structures for enhancing their light extraction.」（第１頁第１０〜１３行）
　（
発明の分野
　
（２）「
SUMMARY OF THE INVENTION
　The present invention provides new LEDs having light extraction structures that are disposed on an exposed surface or within the LED to increase the probability of light escaping from the LED; thereby increasing the LED's light extraction and overall efficiency. The new LED is easy to manufacture and provides numerous new options and combinations for extracting light.」（第６頁第２６〜３３行）
　（
発明の概要
　
（３）「The light extraction structures are preferably either arrays of light extraction elements (LEEs) or disperser layers. In those embodiments having an LEE array on an exposed surface, the array is formed from a material that has a higher index of refraction than the LED's encapsulating material. The LEEs can be shaped using many different methods and provide many different surfaces for otherwise trapped light to escape.」（第７頁第２３〜３０行）
　（光取出し構造体は、好ましくは、光取出し要素（ＬＥＥ）アレイ、あるいは分散体層のいずれかである。露出表面にＬＥＥアレイをもつ実施形態においては、このアレイはＬＥＤ封止材料より屈折率の大きい材料で形成される。様々な方法を用いてこのＬＥＥを形作ることができ、これがなければ捕捉される光が出て行けるような多くの異なる表面を提供する。）
　
（４）「
First Embodiment
　FIG. 1 shows one embodiment of the new LED 10 constructed in accordance with the present invention. The new LED has a LED structure 12 which consists of a active layer 13 sandwiched between two oppositely doped layers 14,15. In the preferred LED structure 12, the top layer 14 is p-type and the bottom layer 15 is n-type, although opposite doping in the layers 14,15 will also work. The new LED has a first spreading layer 16 that is made of a conductive material which spreads current from a first contact pad 18 to the LED structure's bottom layer 15. The first contact pad 18 is also referred to as the n-contact pad because in the preferred embodiment the bottom layer 15 is n-type. A second spreading layer 20 of conducting material is also included on the LED structure's top layer 14 to spread current from a second contact 22 to the top layer 14. The second contact 22 is also referred to as the p-contact because in the preferred LED structure 12 the top layer 14 is p-type. The LED structure, spreading layers and contacts are formed on a substrate 24 with the first spreading layer adjacent to the substrate 24. 
　The substrate 24 can be made of many materials and can be electrically conductive.
・・・
　The new LED 10 is preferably made from AlInGaN materials. 
・・・
　Sapphire, A1N, SiC, or GaN can be used as the substrate 24, with SiC and GaN being conductive and A1N and sapphire being insulating. 」（第１０頁第１３行〜第１２頁第５行）
　（
第１の実施形態
　多くの材料で基板２４をつくることができ、また基板２４は電気導電体でありうる。
・・・
　新規なＬＥＤ１０は、好ましくはＡｌＩｎＧａＮ材料でつくられる。
・・・
　基板２４として、サファイア、ＡｌＮ、ＳｉＣ、あるいはＧａＮを用いることができ、ＳｉＣおよびＧａＮは導電性であり、ＡｌＮおよびサファイアは絶縁体である。）
　
（５）「
Third Embodiment
　FIG. 4 shows a third embodiment of the new LED 60 constructed in accordance with the present invention. It also has a LED structure 62, first spreader layer 64, substrate 66, n-contact 68, second spreader 70, and p- contact 72, all disposed similarly to those in LEDs 10 and 20. However, in this embodiment, the LEEs 74 are formed in an array that is internal to the LED device, preferably at the interface between the substrate 66 and first spreader 64. The LEE material must be of a different index of refraction, n2, than the second spreader material, nl, to provide reflections and refractions that can redirect normally trapped light into a direction that allows the light to escape from the LED 60.」（第１４頁第２８行〜第１５頁第１０行）
　（
第３の実施形態
　
（６）「
Sixth Embodiment
　FIG. 7 shows a sixth embodiment of the new LED 100 having the same layers as the above described LEDs. In this embodiment, the LEEs 102 are placed in an array at the interface between the substrate 104 and the first spreader 106, but within the substrate 104. The LEEs 102 are formed directly into the substrate 104 by etching the substrate through a mask with wet chemical or dry etching techniques. The LEEs are then grown in the etched areas and the remaining layer of the LED are grown over the LEEs by MOCVD, VPE, or MBE. The LEEs may be voids left in the substrate after regrowth of the epitaxial material or epitaxial material filled into the etched regions.」（第１６頁第２７行〜第１７頁第６行）
　（
第６の実施形態
　
（７）「
Flip-chip Embodiments
　Finally, in all embodiments listed above, the devices can be mounted using flip-chip bonding techniques. FIG. 14 shows a new LED 170 bonded in such a configuration. The LED structure 172 is coated with a conductive reflective layer 175 and a second spreader layer 189 is affixed to the reflective layer 175 by a conductive bonding media. A submount 176 is then mounted on the second spreader layer 189. A p-contact 188 is included on a submount 176 and is bonded to the second spreader layer 189. Current applied to the p-contact 188 spreads into the second spreader layer and into the LED structure's top layer. 
　An n-contact layer 178 is also included on the submount 176 and is coupled to the first spreader layer 180 through a second conductive bonding layer 182. Current from the n-contact 178 passes through the layer 182 to the first spreader 180 and into the LED structure's bottom layer. LEEs 186 are formed on the bottom surface of substrate 184. 
　Light emits from LED 170 primarily through its substrate 184 and light extraction from this structure can be improved over the conventional bonding structures, depending on the type of LEE array or disperser used. Here, the redirected light can escape the chip on the first pass through the LEEs 186, reducing any chance of optical loss of light having to come back through the substrate after being redirected.」（第２０頁第２５行〜第２１頁第１９行）
　（
フリップ−チップ実施形態
　ｎ−コンタクト層１７８もまたサブマウント１７６に含まれ、第２導電性結合層１８２を通じて第１スプレッダ層１８０と結合する。ｎ−コンタクト１７８からの電流は層１８２を通じて第１スプレッダ１８０に、そしてＬＥＤ構造体の最下層へと流れる。ＬＥＥ１８６は、基板１８４の下側表面上に形成されている。
　ＬＥＤ１７０から光は、主にその基板１８４を通して放出され、またＬＥＥアレイあるいは用いられる分散体のタイプに応じて、この構造体からの光取出しを従来のボンディング構造体を超えて向上させることができる。ここで、方向を変えられた光は、ＬＥＥ１８６を通して第１の経路でチップを出て行くことができ、方向を変えられた後、基板を通して元に戻らざるを得ない光による光学損失のいかなる発生も低下させている。）
　
（８）前記（２）、（４）及び図１に照らして前記（６）及び図７をみると、図７に示された「ＬＥＤ１００」は、以下のア〜カの事項を備えるものといえる。
　ア　「基板１０４」上に「第１スプレッダ層１０６」を形成すること
　イ　前記「第１スプレッダ層１０６」の上の一部に、それぞれ「第１コンタクトパッド（ｎ−コンタクトパッド）」及び「（逆にドープされた２つの層に挟まれた活性層からなる）ＬＥＤ構造体」を形成すること
　ウ　前記「ＬＥＤ構造体」の上の一部に「第２コンタクト（ｐ−コンタクト）」を形成すること
　エ　「ＬＥＤ１００」から光が出て行く確率を増加させる光取出し構造（ＬＥＥ（光取り出し要素）１０２）をもち、それにより「ＬＥＤ１００」の光取出しおよび全効率を増大されること
　オ　「基板１０４」として「サファイア」を用いることができること
　カ　「ＬＥＤ１００」は、「ＡｌＩｎＧａＮ材料」でつくられること
　
（９）前記（６）に照らして図７をみると、「ＬＥＥ（光取出し要素）１０２」は、「基板１０４」に傾斜側面を有する凹部を直接形成したものであるといえる。
　
（１０）前記（７）の「前記に列挙されたすべての実施形態において、フリップ−チップボンディング技術を用いてデバイスを実装することができる。・・・ＬＥＤ１７０から光は、主にその基板１８４を通して放出され・・・」との記載に照らして、図７に示された「ＬＥＤ１００」は、「（活性層からの光が主に基板１０４を通して放出される）フリップ−チップボンディング技術」を用いて実装することができるものであるといえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板１０４上に第１スプレッダ層１０６を形成し、前記第１スプレッダ層１０６の上の一部に、それぞれ第１コンタクトパッド（ｎ−コンタクトパッド）及び（逆にドープされた２つの層に挟まれた活性層からなる）ＬＥＤ構造体を形成し、前記ＬＥＤ構造体の上の一部に第２コンタクト（ｐ−コンタクト）を形成し、ＬＥＤ１００から光が出て行く確率を増加させる光取出し構造（ＬＥＥ（光取り出し要素）１０２）をもち、それによりＬＥＤの光取出しおよび全効率を増大されるＬＥＤ１００であって、
　前記基板１０４としてサファイアを用いることができ、
　ＬＥＤ１００は、ＡｌＩｎＧａＮ材料でつくられ、
　基板１０４と第１スプレッダ１０６の間の境界面ではあるが基板１０４内に、前記ＬＥＥ１０２がアレイとして配置されており、ＬＥＥ１０２は、マスクを用いてウェット化学あるいはドライエッチング技術により基板をエッチングすることにより、基板１０４に傾斜側面を有する凹部を直接形成し、エッチングされた領域にＬＥＥを成長し、残りの層はＭＯＣＶＤ、ＶＰＥ、あるいはＭＢＥによりＬＥＤのＬＥＥの上に成長され、
　活性層からの光が主に基板１０４を通して放出されるフリップ−チップボンディング技術を用いて実装することができる、ＬＥＤ１００。」
　
２　引用刊行物２
　同じく、特開平１１−２７４５６８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関するものであり、とりわけ、改良されたＧａＮベースのＬＥＤに関するものである。」
　
（２）「【００１１】
【発明の実施の形態】本発明がその利点を実現する方法は、ＧａＮベースＬＥＤの略断面図である図１を参照することによってより容易に理解することができるであろう。ＬＥＤ１０は、サファイア基板１２に２つのＧａＮ層を成長させることによって、基板上に組立られる。第１の層１３は、ｎ形になるようにドープされ、第２の層１４は、ｐ形になるようにドープされる。発光領域１８は、これら２つの層の間に挟まれている。一般に、発光領域は、正孔及び電子が再結合して、光を発生する発光層と、この層のそれぞれの側に位置するクラッド層を含むいくつかの層から構成される。光は、ｐ−ｎダイオード層から注入される正孔と電子の再結合によって発光層内で発生する。・・・
【００１２】透明電極１５が、ｐタイプ層の表面に配置されている。第２の電極１６は、層１３までエッチ・バックされたＧａＮ層の一部に堆積させられて、ｎ接点を形成する。
【００１３】上述のように、発光領域において生じた光の大部分は、ＧａＮの屈折率が高いためにＧａＮ層内に捕捉される。屈折率が高いので、臨界角が小さくなる。臨界角よりも大きい角度で表面に当たる光は、ＧａＮ表面によって全反射される。この光は、１７で示すように、電極１５とサファイア／ＧａＮ層の表面の間で跳ね返って行ったり来たりする。この光の大部分は、最終的に吸収され、従って、有用な出力が得られない。
【００１４】本発明によれば、上述の導波路を杜絶させることによってＧａＮベースのＬＥＤの結合効率が改善される。サファイア／ＧａＮ層間の界面の表面及び／またはＧａＮ層の表面を変更することによって、導波路を杜絶させることができる。
【００１５】本発明では、導波路効果を杜絶する４つの方法が、個別にあるいは組み合わせて、利用される。第１の方法では、サファイア／ＧａＮ界面に粗面仕上げを施すことが必要になる。この方法は、ＧａＮのエピタキシャル成長またはｐ−ｎダイオードの発光効率の妨げにならないように、ＧａＮエピタキシャル成長の前に、粗面仕上げを施すことができるという驚くべき結果に基づくものである。・・・」
　
（３）「【００１６】次に、ＧａＮベースのＬＥＤ１１０の断面図である図２を参照する。図１に示す構成要素と同じ機能を果たす図２に示す構成要素には、同じ表示が施されているので、これ以上の説明は行わない。粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、その結果、ＧａＮ／電極／空気、または、エポキシ界面の臨界角より小さい角度で、光の一部が反射するようにする特徴１１８及び１１９が形成される。上部表面の臨界角内に含まれる円錐内に散乱する光は、１１１で示すように、上部表面を通ってＬＥＤから脱出する。浅い角度で散乱する光１１７は、ＧａＮ層の上部表面から反射されて、もう一度基板表面に当たる。この光の一部は、１１２で示すように、ＬＥＤの上部表面からの脱出を可能にする角度で散乱することになる。浅すぎる角度で散乱する光は、もう一度上部表面で跳ね返り、該プロセスが繰り返される。
【００１７】サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、ＬＥＤによって生じる光のＧａＮにおける波長より大きいか、あるいは、ほぼその程度であることが望ましい。特徴が光の波長よりあまりにも小さいと光は有効に散乱しない。特徴がＧａＮ層の厚さに対し相対的に大きくなると、粗面仕上げによって、ＧａＮの上部表面に欠陥を生じる可能性がある。これらの制限内において、ＬＥＤ表面の特徴を変更しなくても、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上する。
【００１８】粗面仕上げは、いくつかあるうちの任意の技法によって実施することが可能である。例えば、比較的粗い研磨粗粒を用いて研磨することによって、機械的に表面の粗面仕上げを施すことが可能である。例えば、砥石車に付着させた金属パックにサファイア・ウェーハを取り付けることが可能である。次に、ダイヤモンド研磨粗粒を用いて、所望の粗さになるようにサファイアに「かき傷」がつけられる。３〜５ミクロンの範囲のダイヤモンド粗粒サイズで十分であることが分かっている。
・・・
【００２０】エッチングで、表面に粗面仕上を施して、サファイア表面の反射率を変更することも可能である。・・・このエッチングは、フォトレジストを用いて、リソグラフィ技法で開口部を形成し、さらに、フォトレジストをエッチング・マスクとして利用することによって実施可能である。エッチングは、イオン・エッチング、イオン・ミリング、または、Ｈ３ＰＯ４などのいくつかある従来方法から任意の方法を選んで実施することが可能である。」
　
（４）「【００２１】基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であることが分かっている。こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される。」
　
（５）前記（２）及び図１に照らして、前記（３）及び図２をみると、図２に示された「ＬＥＤ１１０」は、以下のア〜ウの事項を備えるものといえる。
　ア　「サファイア基板１１２」に２つのＧａＮ層を成長させることによって、基板上に組立られるものであること
　イ　「第１の層１３」は、ｎ形になるようにドープされ、「第２の層１４」は、ｐ形になるようにドープされ、「発光領域１８」は、これら２つの層の間に挟まれていること
　ウ　「透明電極１５」が、ｐタイプ層の表面に配置されており、「第２の電極１６」は、「第１の層１３」までエッチ・バックされたＧａＮ層の一部に堆積させられてｎ接点を形成すること
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
　「サファイア基板１１２に２つのＧａＮ層を成長させることによって、基板上に組立られるＬＥＤ１１０であって、
　第１の層１３は、ｎ形になるようにドープされ、第２の層１４は、ｐ形になるようにドープされ、発光領域１８は、これら２つの層の間に挟まれており、透明電極１５が、ｐタイプ層の表面に配置されており、第２の電極１６が、第１の層１３までエッチ・バックされたＧａＮ層の一部に堆積させられてｎ接点を形成しており、
　サファイア／ＧａＮ界面に粗面仕上げを施し、粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上させ、
　粗面仕上げは、いくつかあるうちの任意の技法によって実施することが可能であり、例えば、比較的粗い研磨粗粒を用いて研磨することによって、機械的に表面の粗面仕上げを施すことが可能であり、例えば、砥石車に付着させた金属パックにサファイア・ウェーハを取り付けることが可能であり、次に、ダイヤモンド研磨粗粒を用いて、所望の粗さになるようにサファイアにかき傷がつけられ、
　エッチングで、表面に粗面仕上を施して、サファイア表面の反射率を変更することも可能であり、
　基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であり、こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される、ＬＥＤ１１０。」
　
　
第３　引用発明１との対比、判断
１　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「ＬＥＤ１００」は、「基板１０４上に第１スプレッダ層１０６を形成し、前記第１スプレッダ層１０６の上の一部に、それぞれ第１コンタクトパッド（ｎ−コンタクトパッド）及び（逆にドープされた２つの層に挟まれた活性層からなる）ＬＥＤ構造体を形成し、前記ＬＥＤ構造体の上の一部に第２コンタクト（ｐ−コンタクト）を形成し」たものであって、「前記基板１０４としてサファイアを用いることができ」、「ＡｌＩｎＧａＮ材料でつくられ」るものであるから、引用発明１の「（サファイアを用いることができる）基板１０４」、「活性層」、「『第１スプレッダ層１０６』及び『（逆にドープされた２つの層に挟まれた活性層からなる）ＬＥＤ構造体』」、「第２コンタクト（ｐ−コンタクト）」及び「ＬＥＤ１００」は、それぞれ、本願発明の「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板」、「（該基板上に形成された）発光層」、「（該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる）半導体層」、「（該半導体層上に形成された）電極」及び「発光ダイオード」に相当する。
　
（２）引用発明１の「ＬＥＤ１００」は、「ＬＥＤ１００から光が出て行く確率を増加させる光取出し構造（ＬＥＥ（光取り出し要素）１０２）をもち、それによりＬＥＤの光取出しおよび全効率を増大される」ものであり、「基板１０４と第１スプレッダ１０６の間の境界面ではあるが基板１０４内に、前記ＬＥＥ１０２がアレイとして配置されており、ＬＥＥ１０２は、マスクを用いてウェット化学あるいはドライエッチング技術により基板をエッチングすることにより、基板１０４に傾斜側面を有する凹部を直接形成し、エッチングされた領域にＬＥＥを成長」するものであるから、引用発明１は、本願発明の「該基板の半導体層を積層する表面が傾斜側面を有する凹凸状に加工され」との事項を備える。
　
（３）引用発明１の「ＬＥＤ１００」は、「活性層からの光が主に基板１０４を通して放出されるフリップ−チップボンディング技術を用いて実装することができる」ものであるから、引用発明１は、本願発明の「光を基板側から取り出す」との事項、及び、「発光ダイオードは電極が下になるフリップチップ型にマウントされ」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板と、該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有する発光ダイオードであって、光を基板側から取り出し、該基板の半導体層を積層する表面が傾斜側面を有する凹凸状に加工され、発光ダイオードは電極が下になるフリップチップ型にマウントされる、発光ダイオード。」
を有する点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　本願発明は、発光ダイオードが樹脂で封止されたＬＥＤランプであって、当該樹脂がシリコーン樹脂であるのに対し、引用発明１は、そのような樹脂で封止されたＬＥＤランプではない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　基板の半導体層を積層する表面の凹凸状の傾斜側面の基板面に対する角度θが、本願発明では、３０°＜θ＜６０°であるのに対し、引用発明１では、その具体的な値が不明である点（以下「相違点２」という。）。
　ｃ　基板自体の裏面が、本願発明では、ミラー状であるのに対し、引用発明１では、ミラー状であるのか否か明らかではない点（以下「相違点３」という。）。
　
２　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点１について
　ＬＥＤをシリコーン樹脂で封止してＬＥＤランプを構成することは、原出願の出願時点で周知であるから（必要なら、特開２００２−９３４７号公報（【００１４】、図２）、特開２００２−３１９７１２号公報（【００１６】、図５）、特開平８−１６２６７６号公報（【０００８】）、特開平９−１９９７６２号公報（【０００３】）参照。）、引用発明１の「ＬＥＤ１００」をシリコーン樹脂で封止してＬＥＤランプを構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点２について
　本願発明において、基板表面の傾斜側面の基板面に対する角度θを、３０°＜θ＜６０°としたことの技術的意義に関し、本願明細書には以下のような記載がある。
　ア　「【００１２】
  本発明は・・・以下の各項の発明からなる。  ・・・
　（１）基板、半導体層、発光層を有する発光素子において、基板とこれに積層されている半導体層の屈折率が異なり、該基板の半導体層を積層する面に傾斜側面を有する凹凸を形成させ、該傾斜側面の基板面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°としたことを特徴とする発光素子。
　（２）基板、半導体層、発光層を有する発光素子において、積層されている半導体層同士の屈折率が異なり、該半導体層の積層界面に傾斜側面を有する凹凸を形成させたことを特徴とする発光素子。
　（３）凹凸の傾斜側面の基板に対する角度θが、３０°＜θ＜６０°である上記（２）に記載の発光素子
・・・
【００１３】
・・・
【発明の効果】
【００１４】
  本発明の発光素子を用いると、光取り出し効率が最大２倍程度増加するので、ＬＥＤの発光出力、電光変換効率ともに最大２倍程度向上させる事ができる。・・・」
　イ　「【００１６】
・・・
　本発明において、基板等に形成される凹凸構造の代表的なものを模式的に図３の（ａ）〜（ｃ）に示す。・・・図に示すθは、基板面に対する凹凸の傾斜側面の角度である。基板に形成される凹凸の傾斜側面の角度θは４５°が最も好ましいが、３０°＜θ＜６０°の範囲ならば十分に効果がある。」
　ウ　「【００１７】
・・・
　本発明の基板等に凹凸を形成させる方法は、高温処理によるピット形成、選択性エッチングによるストライプ状の凹溝やピットの形成、あるいは研削材を用いたＶ字状溝の形成などがある。ここでＶ字状溝には、底部が平坦となった形状のものや、側面が多少丸みを帯びたものも含むものとする。・・・
  上記の方法で形成される凹凸の傾斜面の角度θは、研削法では多くの場合３０°〜６０°の範囲に入り、・・・」
　上記ア〜ウによれば、本願発明において基板表面の傾斜側面の基板面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°としたことの技術的意義は、ＬＥＤの光取り出し効率を最大２倍程度増加させる点にあるものと認められる。
　一方、引用発明１は、「ＬＥＤ１００から光が出て行く確率を増加させる光取出し構造（ＬＥＥ（光取り出し要素））をもち、それによりＬＥＤの光取出しおよび全効率を増大される」ものであって、「ＬＥＥ１０２は、・・・基板１０４に傾斜側面を有する凹部を直接形成し」たものであるから、引用発明１の「ＬＥＤ１００」は、本願発明と同様に、「基板１０４」に「（傾斜側面を有する凹部からなる）ＬＥＥ（光取り出し要素）」を形成することにより、その光取り出し効率を増加させようとするものである。しかるところ、引用発明１において、「（基板１０４に直接形成された凹部の）傾斜側面」の「基板１０４」面に対する角度θの値をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明１を実施する上で設計上適宜に定めるべき事項であるところ、その光取り出し効率を増加させるために、その具体的な値を「３０°＜θ＜６０°」とすることは、当業者が適宜に定め得る設計的事項である。
　よって、引用発明１において、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
（３）相違点３について
　ＬＥＤのサファイア基板の裏面を研磨により鏡面化（ミラー化）することは原出願の出願時点で周知であるから（例えば、特開平５−１６６９２３号公報（【０００６】〜【００１０】）、特開平１１−１２６７６３号公報（【００３５】）、特開平９−１２９９２８号公報（【００２６】〜【００２８】、図２）、特開平１１−２７４５６７号公報（【００７５】）参照。）、引用発明１において、「（サファイアの）基板１０４」の裏面をミラー化して、上記相違点３に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明１及び上記各周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　引用発明２との対比、判断
１　対比
　本願発明と引用発明２を対比する。
　
（１）引用発明２の「ＬＥＤ１１０」は、「サファイア基板１１２に２つのＧａＮ層を成長させることによって、基板上に組立られる」ものであって、「第１の層１３は、ｎ形になるようにドープされ、第２の層１４は、ｐ形になるようにドープされ、発光領域１８は、これら２つの層の間に挟まれて」いるものであるから、引用発明２の「サファイア基板１１２」及び「（ｎ形になるようにドープされた第１の層１３とｐ形になるようにドープされた第２の層１４の間に挟まれた）発光領域１８」は、それぞれ、本願発明の「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板」及び「（該基板上に形成された）発光層」に相当する。
　
（２）引用発明２の「『第１の層１３』及び『第２の層１４』」は、「ＧａＮ層」を成長させたものであり、「発光領域１８」が「これら２つの層の間に挟まれて」いるものであるから、引用発明２の「（ＧａＮ層を成長させた）『第１の層１３』及び『第２の層１４』」及び「発光領域１８」は、本願発明の「該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層」に相当する。
　
（３）引用発明２の「ＬＥＤ１１０」は、「サファイア／ＧａＮ界面に粗面仕上げを施し、粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上させ、・・・基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であり、こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される」ものであり、「（粗面仕上げによってサファイア表面に施され、ＧａＮ層が成長される）陥凹部１１９」は、「基板の半導体層を積層する表面が凹凸状に加工され」た部分であるといえるから、前記（１）及び（２）をも踏まえると、
　ア　引用発明２の「上部電極」、「ＬＥＤ１１０」は、それぞれ、本願発明の「（該半導体層上に形成された）電極」、「発光ダイオード」に相当し、
　イ　引用発明２の「『サファイア基板１１２に２つのＧａＮ層を成長させることによって、基板上に組立られるＬＥＤ１１０であって、第１の層１３は、ｎ形になるようにドープされ、第２の層１４は、ｐ形になるようにドープされ、発光領域１８は、これら２つの層の間に挟まれており』、『サファイア／ＧａＮ界面に粗面仕上げを施し、粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、サファイア表面の散乱を生じる特徴は、陥凹部１１９または突出部１１８であり、粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上させ、・・・基板表面の粗面仕上げは、光が基板から出射する幾何学的構造としても有効であり、こうした幾何学的構造において、上部電極は反射材料から形成され、上部電極に当たった光が反射して基板に戻される』」との事項と、本願発明の「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板と、該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有する発光ダイオードが、樹脂で封止され、光を基板側から取り出すＬＥＤランプにおいて、該基板の半導体層を積層する表面が傾斜側面を有する凹凸状に加工され」との事項とは、「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板と、該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有し、光を基板側から取り出す発光ダイオードであって、該基板の半導体層を積層する表面が凹凸状に加工され」との点で一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明２とは、
「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板と、該基板上に形成された発光層を含むＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有し、光を基板側から取り出す発光ダイオードであって、該基板の半導体層を積層する表面が凹凸状に加工された、発光ダイオード。」
を有する点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　本願発明は、発光ダイオードが樹脂で封止されたＬＥＤランプであって、当該樹脂がシリコーン樹脂であるのに対し、引用発明２は、そのような樹脂で封止されたＬＥＤランプではない点（以下「相違点４」という。）。
　ｂ　本願発明は、基板の半導体層を積層する表面の加工された凹凸状が傾斜側面を有し、該傾斜側面の基板面に対する角度θが３０°＜θ＜６０°であるのに対し、引用発明２は、基板（の半導体層を積層する）表面の加工された凹凸状が、そのような角度θの傾斜側面を有するものであるのか否か明らかではない点（以下「相違点５」という。）。
　ｃ　発光ダイオードが、本願発明では、電極が下になるフリップチップ型にマウントされているのに対し、引用発明２では、フリップチップ型にマウントされているのか否か明らかではない点（以下「相違点６」という。）。
　ｄ　基板自体の裏面が、本願発明では、ミラー状であるのに対し、引用発明２では、ミラー状であるのか否か明らかではない点（以下「相違点７」という。）。
　
２　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点４について
　ＬＥＤをシリコーン樹脂で封止してＬＥＤランプを構成することは、原出願の出願時点で周知であるから（上記第３の２（１）参照。）、引用発明２の「ＬＥＤ１１０」をシリコーン樹脂で封止してＬＥＤランプを構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点５について
　本願発明において、基板の半導体層を積層する表面の加工された凹凸状が傾斜側面を有し、該傾斜側面の基板面に対する角度θが３０°＜θ＜６０°であることに関し、本願明細書には上記第３の２（２）ア〜ウのような記載がある。
　そして、上記第３の２（２）ア〜ウの記載によれば、本願発明において基板表面の傾斜側面の基板面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°としたことの技術的意義は、ＬＥＤの光取り出し効率を最大２倍程度増加させる点にあるものと認められ、また、本願発明において基板に凹凸を形成させる方法としては、選択性エッチングによるストライプ状の凹溝やピットの形成、あるいは研削材を用いたＶ字状溝の形成などがあり、上記の方法で形成される凹凸の傾斜面の角度θは、研削法では多くの場合３０°〜６０°の範囲に入るものと認められる。
　一方、引用発明２は、「サファイア／ＧａＮ界面に粗面仕上げを施し、粗面仕上げによって、界面に当たる光を散乱させ、・・・粗面仕上げによって、光の結合効率が大幅に向上させ」るものであって、「粗面仕上げは、いくつかあるうちの任意の技法によって実施することが可能であり、例えば、比較的粗い研磨粗粒を用いて研磨することによって、機械的に表面の粗面仕上げを施すことが可能であり、例えば、砥石車に付着させた金属パックにサファイア・ウェーハを取り付けることが可能であり、次に、ダイヤモンド研磨粗粒を用いて、所望の粗さになるようにサファイアにかき傷がつけられ、エッチングで、表面に粗面仕上を施して、サファイア表面の反射率を変更することも可能」なものであるから、引用発明２の「ＬＥＤ１１０」は、本願発明と同様に、サファイア基板の表面を研削法あるいはエッチング法を用いて粗面（凹凸）を形成し、光を該基板から取り出すようとするものである。すなわち、引用発明２は、「粗面仕上げ」（凹凸形成）のために本願発明と同様の方法を用いるものといえるから、引用発明２の「ＬＥＤ１１０」も、本願発明の「発光ダイオード」と同様に、「（基板表面の凹凸状の）傾斜側面の基板面に対する角度θが３０°＜θ＜６０°」となるものであると推認される。また、引用発明２において、「サファイア基板１１２表面に施された陥凹部の）傾斜側面」の「サファイア基板１１２」面に対する角度θの値をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明２を実施する上で設計上適宜に定めるべき事項であるところ、その光の結合効率を向上させるために、その具体的な値を「３０°＜θ＜６０°」とすることは、当業者が適宜に定め得る設計的事項である。
　よって、引用発明２において、上記相違点５に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
（３）相違点６について
　引用発明２の「ＬＥＤ１１０」は、「光が基板から出射する幾何学的構造としても有効」なものであるところ、基板から光を出射するＬＥＤを、電極が下になるフリップチップ型にマウントすることは、原出願の出願時点で周知であるから（例えば、前記引用刊行物１（第２０頁第２５行〜第２１頁第１９行、図１４）、前記特開２００２−９３４７号公報（【００１２】、図１、図２）、前記特開２００２−３１９７１２号公報（【０００７】、図１）参照。）、引用発明２の「ＬＥＤ１１０」を、上部電極が下になるフリップチップ型にマウントされたものとして、上記相違点６に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
（４）相違点７について
　ＬＥＤのサファイア基板の裏面を研磨により鏡面化（ミラー化）することは原出願の出願時点で周知であるから（上記第３の２（３）参照。）、引用発明２において、「サファイア基板１１２」の裏面をミラー化して、上記相違点７に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明２及び上記各周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第５　むすび
　上記第３のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記第４のとおり、本願発明は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。