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　特願２００３−３４９７９０「プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開、特開２００５−１１６８２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月８日の出願であって、平成２０年１２月１２日付けの拒絶理由の通知がなされ、平成２１同年２月１２日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年５月２７日付けで拒絶査定がなされ、同年８月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けの手続補正書の提出がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年８月２６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２１年８月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
 　 
［理　由］
１．補正前及び補正後の本願発明 
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、特許請求の範囲の請求項１については、補正前の
　
「【請求項１】
　プラズマによって処理される部材が載置される載置台と、
　プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と、
　プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え、
　前記高周波電力供給部は、最初に、壁面からのパーティクルの剥離を抑制し、かつプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記高周波電力を増加し前記部材の処理に必要なプラズマを生成し、壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加するように、制御されるプラズマ処理装置。」
　
を、
　
「【請求項１】
　プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と、
　プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と、
　プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え、
　前記高周波電力供給部は、最初に、壁面からのパーティクルの剥離を抑制し、かつプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記高周波電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成し、壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加するように、制御されるプラズマエッチング処理装置。」
　
と補正するものである。
 　 
　本件補正は、請求項１において、補正前の「プラズマによって処理される部材」、「処理に必要なプラズマを生成し」及び「プラズマ処理装置」を、それぞれ補正後の「プラズマエッチング処理される部材」、「プラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成し」及び「プラズマエッチング処理装置」とするものであり、プラズマ処理において「プラズマエッチング」との特定事項を付加するものであり、プラズマ処理の観点でさらに限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　
２．引用刊行物
　本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３１８５５２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面とともに以下のとおりの事項が記載されている。
　
刊行物１：特開平６−３１８５５２号公報
（１ａ）「【００１４】そこで本発明は、真空容器内にプラズマ処理用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で放電電力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で処理対象基体表面に目的とする処理を行うプラズマ処理方法及び装置であって、各種の問題を引き起こす原因となるパーティクルの発生を抑制しつつプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供することを課題とする。」（【００１４】）
　
（１ｂ）「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解決するため研究を重ねたところ、プラズマを生成するために高電圧を印加開始すると、その電力の多くがパーティクル発生に費やされ、放電開始時に多量のパーティクルが発生し成長すること、このパーティクルは、放電開始時の印加電圧が大きく、反射電力が大きいほど多量に発生することを見出した。」（【００１５】）
　
（１ｃ）「【００１６】本発明はこの研究に基づくもので、前記課題を解決するために、真空容器内にプラズマ処理用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で放電電力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で処理対象基体表面に目的とする処理を行うプラズマ処理方法において、前記放電電力印加開始時に投入する電力を、前記目的とする処理に要求される放電電力より低い放電電力とし、該低放電電力を一定時間印加したのち、次第に前記要求される放電電力印加へ切り換えていくことを特徴とするプラズマ処理方法を提供するものである。
・・・・
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。その代表例として、図１に示す平行平板型のプラズマＣＶＤ装置及び該装置による成膜方法について説明する。該プラズマＣＶＤ装置は、図６に示す従来例の高周波電源３２の代わりにＲＦアンプ３５及びファンクションジェネレータ（任意波形発生器）３６が設けられ、これらがマッチングボックス３１に接続されたものである。任意波形発生器３６で形成した波形はアンプ３５で増幅され、マッチングボックス３１を介して電極３に供給される。高周波電力印加のオン、オフ及びオン時間、オフ時間の設定、制御、並びに投入電力の大きさの制御は任意波形発生器３６で行える。
【００２３】その他の構成は図６の従来装置と同様である。この平行平板型プラズマＣＶＤ装置によると、成膜対象基板Ｓ１が真空容器１内の電極２のサセプタ２２上に設置され、・・・・、ガス供給部４からノズル３４及び電極板３３のガス供給孔を介して成膜ガスが導入される。また、高周波電極３にファンクションジェネレータ３６で形成した波形がアンプ３５で増幅されて印加され、それによって導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望の膜が形成される。
【００２４】但し、この実施例では、電極３への高周波電力印加にあたり、当初、換言すれば電力印加開始にあたって、先ず、望ましくはプラズマ生成に必要最低限の放電開始電圧を印加し、そのあと、次第に成膜に要求される放電電力へ増加させる。これによって、当初から成膜に要求される放電電力を印加すれば電力の多くがパーティクル発生、成長に費やされ、多量のパーティクルが生成するという事態を避けることができる。」（【００１６】〜【００２４】）
　
（１ｄ）「【００３４】以上、プラズマＣＶＤ法及び装置について説明したが、本発明はプラズマエッチング法及び装置にも適用できる。」（【００３４】）
　
　上記の摘記事項（１ｃ）について検討する。
（ア）摘記事項（１ｃ）における「成膜対象基板Ｓ１」（【００２３】）は、プラズマＣＶＤ装置に使用される被処理対象基体であるが、摘記事項（１ｄ）の「以上、プラズマＣＶＤ法及び装置について説明したが、本発明はプラズマエッチング法及び装置にも適用できる。」との記載によれば、プラズマエッチング装置に適用した場合には、「ブラズマエッチング処理される部材」であると解される。
　
（イ）摘記事項（１ｃ）の「高周波電源３２の代わりにＲＦアンプ３５及びファンクションジェネレータ（任意波形発生器）３６が設けられ、」（【００２２】）及び「高周波電極３にファンクションジェネレータ３６で形成した波形がアンプ３５で増幅されて印加され、それによって導入されたガスがプラズマ化され」（【００２３】）との記載から、ＲＦアンプ３５及びファンクションジェネレータ３６は、プラズマ生成用の高周波電力をガスに供給する高周波電力印加手段であることは明らかである。
　
（ウ）摘記事項（１ｃ）の「この実施例では、電極３への高周波電力印加にあたり、当初、換言すれば電力印加開始にあたって、先ず、望ましくはプラズマ生成に必要最低限の放電開始電圧を印加し、・・・・ 」（【００２４】）との記載における「プラズマ生成に必要最低限の放電開始電圧を印加」する事項が、「プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力を印加」することであることは、前記「電極３への高周波電力印加にあたり、当初、換言すれば電力印加開始」との記載から明らかであり、また、当該放電開始電力の印加により最小限プラズマが生成されることも明らかである。
　よって、刊行物１には「最初に、プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成」する事項が記載されている。
　
（エ）摘記事項（１ｃ）の「そのあと、次第に成膜に要求される放電電力へ増加させる。」（【００２４】）との記載における「成膜」は、それに前記する「このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望の膜が形成される。」（【００２３】）との記載から、プラズマ処理であると解することができ、また、「成膜に要求される放電電力」とは、「成膜に必要なプラズマを生成する放電電力」であることは明らかである。
　それゆえに、刊行物１には、「その後放電電力を増加し基板Ｓ１のプラズマ処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加している」事項が記載されている。
　そして、前記（ア）で述べたように、成膜対象基板Ｓ１は、プラズマＣＶＤに代えて、プラズマエッチング処理に適用可能なものであるから、結局のところ、刊行物１には、「その後放電電力を増加し部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加する」事項が記載されているといえる。
　
　したがって、摘記事項（１ｃ）を本願補正発明の記載ぶりに則して整理すると、刊行物１には、
「プラズマエッチング処理される部材が載置されるサセプタ２２と、
　プラズマ生成用のガスを導入するガス供給部４と、
　プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力印加手段とを備え、
　前記高周波電力印加手段は、最初に、プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記放電電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加するように、制御されるプラズマエッチング装置。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
　
３．対比・判断
（１）対比
　次に、本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
 　 
　刊行物１発明における「サセプタ２２」、「ガス供給部４」、「高周波電力印加手段」、「必要最低限の放電開始電力」、「放電電力」及び「プラズマエッチング装置」は、本願補正発明における「載置台」、「ガス導入部」、「高周波電力供給部」、「必要な最小限の高周波電力」、「高周波電力」及び「プラズマエッチング処理装置」にそれぞれ相当する。
　
　そうすると、両者は、
 「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と、
　プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と、
　プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え、
　前記高周波電力供給部は、最初に、プラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記高周波電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加するように、制御されるプラズマエッチング処理装置。」で一致し、次の点で相違する。
　
　
［相違点１］ 
「最初に、プラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成」する点につき、本願補正発明では「壁面からのパーティクルの剥離を抑制」するためであるのに対し、刊行物１発明では、パーティクルの発生を抑制するためであること。
　
［相違点２］ 
「高周波電力を増加し部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加する」点につき、本願補正発明は、「壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加する」のに対し、刊行物１発明では、イオンシースに関する記載がないこと。
　
（２）判断
　これら相違点について検討する。 
（２−１）相違点１について 
　刊行物１発明におけるパーティクルの発生について、プラズマ生成開始時に、チャンバ内壁などに堆積した生成物が剥離してパーティクルが発生することは、下記周知文献１ないし３に記載されたように従来から周知の事項である。また、刊行物１の前記摘記事項（１ｂ）に「放電開始時に多量のパーティクルが発生し成長すること、このパーティクルは、放電開始時の印加電圧が大きく、反射電力が大きいほど多量に発生することを見出した。」と記載されるように、このパーティクルの発生は、反射電力が１つの原因であるところ、本願明細書の段落【００４０】に「・・・・通常のシーケンスによると、高周波の反射波Ｒをみて分るように、最初のステップで大きいプラズマポテンシャルが生成されるため、プラズマが不安定な状態で多くのパーティクルが剥離してしまうからである。」と記載されるように、高周波の反射波によりパーティクルが剥離することから、刊行物１発明におけるパーティクルには、壁面からの剥離より発生したものも含まれるといえる。
　そして、パーティクル発生の抑制手段について、刊行物１発明は、摘記事項（１ｃ）の「この実施例では、電極３への高周波電力印加にあたり、当初、換言すれば電力印加開始にあたって、先ず、望ましくはプラズマ生成に必要最低限の放電開始電圧を印加し、そのあと、次第に成膜に要求される放電電力へ増加させる。これによって、当初から成膜に要求される放電電力を印加すれば電力の多くがパーティクル発生、成長に費やされ、多量のパーティクルが生成するという事態を避けることができる。」（【００２４】）と記載されるように、「最初に、プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力をガスに供給し最小限プラズマを生成」することによって「パーティクルの発生」を抑制するのであるから、その時点では、「壁面からのパーティクルの剥離」も抑制されていることは明らかである。
　よって、相違点１は、実質的な相違点であるとはいえない。
　
　
周知文献１：特開平６−１９６４２１号公報
（周１−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマを利用して半導体素子または電子材料を加工するプラズマ装置に関する。」（【０００１】）
　
（周１−２）「【０００９】またベルジャに堆積した生成物及び防着板に付着された生成物は、プラズマ加工の開始時及び終了時の温度変化によって剥離し、パーティクルを発生するといった問題があった。」（【０００９】） 
　
　
周知文献２：特開２００３−６８７０８号公報（なお、下線は当審で付した。） 
（周２−１）「【００２８】図１４は、・・・・エッチング処理開始直後の時点において発生したパーティクルの挙動を示す写真である。同図からは、半導体基板（ウエハ）の周辺部から飛び上がるように発生したパーティクルが観測される。これらのパーティクルは、
チャンバ内部品
　 
（周２−２）「【００５１】・・・・図１４を参照して説明した観測結果のように、特に半導体基板の周辺部から飛来してきたパーティクルが、半導体基板へ付着するのを防止することができる。すなわち、前述した観測結果から、最初のステップの高周波電力の印加開始時に、半導体基板の周囲に接地された絶縁物上の薄膜にマックスウエルの応力が加わり、剥離してパーティクルとなって飛び上がるので、上述のようになだらかに増加する補助ステップ２４を挿入することにより、薄膜に加わる応力の変動をなだらかにして剥離を防止し、パーティクルの発生を減少させることができる。」（【００５１】）　
　
　
周知文献３：特開平１１−１２１４３５号公報（なお、下線は当審で付した。） 
（周３−１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置、特にドライエッチング装置等、処理チャンバ内で基板（ウェーハ等）に高周波電力を印加し、プラズマを利用して基板を処理する装置、及びそれにより基板を処理する方法に関する。」（【０００１】）
　
（周３−２）「【０００９】尚、
処理チャンバ内でプラズマ照射を開始すると、処理チャンバ内壁に付着している反応生成物が温度変化により剥離し易くなり、パーティクルが発生する。
一方、基板に高周波電力を印加している間は、パーティクルはイオンシースの上層部（ゼロ電位に近い箇所）に浮遊するから、基板への付着は僅少となる。
　
　
（２−２）相違点２について
　プラズマ処理において、高周波電力印加により生成されたイオンシースによってパーティクルがトラップされること、及び、パーティクルがイオンシースによってトラップされるためには、一定以上の高周波電力の印加が必要であることは、上記周知文献３、下記周知文献４及び５に記載されたように周知事項である。また、イオンシースの電位差が、印加される高周波電力に依存するものであって、一定以上の高周波電力の印加により、一定以上の電位差を有するイオンシースが発生することは、下記周知文献６ないし８に記載されたように周知事項である。
　してみると、摘記事項（１ａ）に記載されるように、刊行物１発明の目的がパーティクルの発生を抑制することであることを考慮すれば、刊行物１発明において、パーティクルをイオンシース中にトラップするために、つまり、パーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制するために、「一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加すること」は容易に想到するものであり、そのことによる作用効果も予測し得るものにすぎない。
　
　
周知文献４：特開２０００−２８６２４９号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周４）「【００７８】・・・・プラズマ装置（処理装置１００）内では、高周波電力がかかっているとき、すなわちプラズマが存在するとき、処理チャンバ１１内の電子密度は、図１１に示すようになっている。具体的には、電極の近傍、すなわち、イオンシースの中では、電子密度が非常に小さく、プラズマ中では、イオン密度が非常に高い状態になっている。また、プラズマ装置内に生成されたプラズマの電位ポテンシャルは、図８の右側（又は図６の右側）に示すようになっている。以上のように
高周波電力が印加されてプラズマが生成されている場合、イオンシース内にトラップされているパーティクルは、イオン流の流れ込みによって正に帯電する。そして、正のプラズマポテンシャルからの反発力によって、イオンシース内にトラップされる。
高周波電力を徐々に下げていくと、高周波電力が所定値以下となった時に重力と静電気力の釣り合いが崩れ、パーティクルは重力によってイオンシースからプラズマ中へと落ちていく。
　
周知文献５：特開２００３−２３４３３９号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周５）「【００５６】・・・・、クリスタル電極１３と被処理基板２６との間では、細孔１７を通して処理室内に導入されたガスがプラズマ化される。そして、プラズマが存在する領域を取り囲むように、高密度の陽イオンが存在する領域（イオンシース）が形成される。これは、上部電極１４や被処理基板２６が、プラズマの存在する領域（バルク）の電位との関係で陽イオンを引寄せるからである。
【００５７】
上部電極１４近傍のイオンシースでは、この陽イオンにより、処理容器１１の内壁や上部電極１４に成長した膜の剥離物などを由来として浮遊するフレーク３０１が正に帯電する。
【００５８】これらの力により、
フレーク３０１は、イオンシース中で上下に振動（浮遊）しつつイオンシース中に閉じ込められる。
　
周知文献６：特開平１１−１３５５２２号公報
（周６）「【０１２２】・・・・ただし平行平板型ＲＩＥでは結晶面を露出するため、第２の実施の形態で述べたように高周波電力を弱めイオンシース電圧を下げ、損傷を少くする必要がある。・・・・」（【０１２２】）
　
周知文献７：特開２００１−３５８３９号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周７）「【０００５】・・・・通常の平行平板型高周波放電プラズマ源の場合は、装置の生産性を上げるために投入する高周波電力を増やすと高周波を印加するカソード電極表面に大きいシース電圧が形成され易いため、・・・・。ここでシース電圧とは、プラズマ空間の平均電位に対する基板表面の電位をいう。」（【０００５】）
　
周知文献８：特開平４−１２５２７号公報（なお、下線は当審で付した。）
（周８−１）「本発明は、反応性ガスを用いる平行平板型プラズマエッチング装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１４〜１５行）
　
（周８−２）「同様に高周波電圧を低くすることによってシース電圧を低くできるがエッチング時間がかかる。」（第４頁左下欄第１８〜２０行）
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、刊行物１発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることはできない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２１年８月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成２１年２月１２日付けの手続補正書により補正された請求項１ないし１８に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　プラズマによって処理される部材が載置される載置台と、
　プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と、
　プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え、
　前記高周波電力供給部は、最初に、壁面からのパーティクルの剥離を抑制し、かつプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記高周波電力を増加し前記部材の処理に必要なプラズマを生成し、壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加するように、制御されるプラズマ処理装置。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由で引用された刊行物及びその記載事項は前記「第２　［理由］２．」に記載したとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本願補正発明から、プラズマ処理について「プラズマエッチング」であるとの限定を解除したものに相当する。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含む本願補正発明が前記「第２　［理由］３．」に記載したとおり、刊行物１発明及び周知事項に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび 
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２ないし１８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。