【事件の表示】
　特願２００６−１７６９７０「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開、特開２００８−　１０５００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は平成１８年６月２７日の出願であって、同２２年１０月２５日付拒絶理由通知に対して同２２年１２月１５日付で意見書と手続補正書が提出されたが、同２３年５月２６日付で拒絶査定がなされたものである。これに対して本件審判が平成２３年８月１１日に請求され、同日付で明細書と特許請求の範囲を補正対象とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされた。その後、当審の平成２３年１２月１３日付審尋に対し、同２４年２月１３日に回答書が提出されている。
　
２．本件補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　
　　本件補正を却下する。　
　
［理由］　
2.1　本件補正の内容　
2.1.1　本件補正により、特許請求の範囲が以下のとおり補正された。　
（１）補正前
「　【請求項１】
　サセプタにより吸着された半導体基板を所定の温度に加熱して、前記半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、
　前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側の第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着し、
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝及び第３の吸着用溝を形成し、
　前記第１の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を通過する直線状の溝であり、前記第２の吸着用溝は、前記第１の吸着用溝の端部から延在する直線状の溝であり、前記第３の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であり、
　前記第２の吸着用溝の一方の端部は、前記第１の吸着用溝と接続し、前記第２の吸着用溝の他方の端部は、前記第３の吸着用溝と接続し、
　前記第１、前記第２、及び前記第３の吸着用溝は、連続する溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第４の吸着用溝を形成し、
　前記第４の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝で、前記第１の吸着用溝と連続する溝であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　サセプタにより吸着された半導体基板を所定の温度に加熱して、前記半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、
　前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側の第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着し、
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝を形成し、
　前記第１及び前記第２の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（２）補正後
「　【請求項１】
　サセプタにより吸着された
厚さ２７３μｍ〜４００μｍの
　前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側の第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着し、
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝及び第３の吸着用溝を形成し、
　前記第１の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を通過する直線状の溝であり、前記第２の吸着用溝は、前記第１の吸着用溝の端部から延在する直線状の溝であり、前記第３の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であり、
　前記第２の吸着用溝の一方の端部は、前記第１の吸着用溝と接続し、前記第２の吸着用溝の他方の端部は、前記第３の吸着用溝と接続し、
　前記第１、前記第２、及び前記第３の吸着用溝は、連続する溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第４の吸着用溝を形成し、
　前記第４の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝で、前記第１の吸着用溝と連続する溝であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　サセプタにより吸着された
厚さ２７３μｍ〜４００μｍの
　前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側の第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着し、
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝を形成し、
　前記第１及び前記第２の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
2.1.2　また、明細書の段落【００２３】が以下のとおり補正された。　
（１）補正前
「本発明の一観点によれば、サセプタ（４１）により吸着された半導体基板（２２）を所定の温度（Ｔｘ）に加熱して、前記半導体基板（２２）に膜（２３）を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、前記サセプタ（４１）は、前記半導体基板（２２）の中心から前記半導体基板（２２）の半径（Ｒ１）の１／２よりも内側の第１の領域（Ｄ）に対応する前記半導体基板（２２）と、前記第１の領域（Ｄ）よりも外側の第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）とを吸着し、前記第１の領域（Ｄ）に対応する前記半導体基板（２２）と接触する前記サセプタ（４１）に第１の吸着用溝（４２）を形成し、前記第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）と接触する前記サセプタ（４１）に第２の吸着用溝（４３）及び第３の吸着用溝（３６）を形成し、前記第１の吸着用溝（４２）は、前記サセプタ（４１）の中心位置を通過する直線状の溝であり、前記第２の吸着用溝（４３）は、前記第１の吸着用溝（４２）の端部から延在する直線状の溝であり、第３の吸着用溝（３６）は、前記サセプタ（４１）の中心位置を中心とするリング状の溝であり、前記第２の吸着用溝（４３）の一方の端部は、前記第１の吸着用溝（４２）と接続し、前記第２の吸着用溝（４３）の他方の端部は、前記第３の吸着用溝（３６）と接続し、前記第１、前記第２、及び前記第３の吸着用溝は、連続する溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
　また、本発明の一観点によれば、サセプタ（５５）により吸着された半導体基板（２２）を所定の温度に加熱して、前記半導体基板（２２）に膜（２３）を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、前記サセプタ（５５）は、前記半導体基板（２２）の中心から前記半導体基板（２２）の半径（Ｒ１）の１／２よりも内側の第１の領域（Ｄ）に対応する前記半導体基板（２２）と、前記第１の領域（Ｄ）よりも外側の第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）とを吸着し、前記第１の領域（Ｄ）に対応する前記半導体基板（２２）と接触する前記サセプタ（５５）に第１の吸着用溝（４７）を形成し、前記第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）と接触する前記サセプタ（５５）に第２の吸着用溝（３６）を形成し、前記第１及び前記第２の吸着用溝（４７、３６）は、前記サセプタ（５５）の中心位置を中心とするリング状の溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。」
（２）補正後
「本発明の一観点によれば、サセプタ（４１）により吸着された
厚さ２７３μｍ〜４００μｍの
　また、本発明の一観点によれば、サセプタ（５５）により吸着された
厚さ２７３μｍ〜４００μｍの
（なお、下線は補正箇所を明確化する目的で当審にて付したものである。）
　
2.2　本件補正の適法性の検討　
　特許請求に範囲に対する補正は、請求項１及び３において、発明を特定する事項である「半導体基板」について、「厚さ２７３μｍ〜４００μｍの」という限定を加えるものであって、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものに該当する。
　また、明細書の段落【００２３】に対する補正は、特許請求の範囲に対する補正との整合を図ることを目的とする、形式的なものということができる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法(以下、単に「改正前の特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に合致しているか、について以下に検討する。　
　
2.3　補正発明　
　補正発明は、上記2.1.1（２）の、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。　
　
2.3　刊行物記載の発明　
　本件出願前に頒布された刊行物であって、原査定の拒絶理由に引用された次の刊行物には、以下の事項が記載されている。
　刊行物：　特開２００１−１１０７９６号公報
ａ．（発明の詳細な説明、段落５〜８）
「【０００５】図５は、前記膜質蒸着のときに広く使用されてきた従来のサセプターシステム構造を示した平面図で、図６は、図５のＸ−Ｘ’切断面構造を示す断面図である。図５及び図６に示すように、従来のサセプターシステムは大きく、下段部にはヒーター（図示せず）が置かれ、その上に円筒状のＳｉＣ材質のサセプター１０が置かれ、前記サセプター１０内には真空吸着方式によりウェハ２０をサセプター１０上に留める役割をする真空供給ライン１８が形成される構造でなっている。
【０００６】このとき、前記真空供給ライン１８は、中央部を垂直貫通するように形成された真空ホール１２と、前記真空ホール１２に対し同心円状に配置されるように前記真空ホール１２の周辺部に沿って形成された複数の真空リング（１４：１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）及び前記真空ホール１２を中央点として真空ホール１２と真空リング１４との空間内でＸ字形状に配置されて、この間を一体に連結する役割をする連結用溝１６と、からなる。この場合、前記複数の真空リング１４と前記連結用溝１６は断面図上で上面が開口した所定厚さの溝形状を有するように設計され、真空供給ライン１８はウェハ２０よりも小さいサイズを有するように形成される。
【０００７】従って、前記サセプターシステムを用いて下記のような方式によりウェハ２０の脱着が行われる。即ち、サセプター１０上にウェハを位置整列すると同時に、真空供給ライン１８を通してエアー（air）を吸入すると、真空吸着方式によりウェハ２０がサセプター１０上に付着され、この状態で真空の供給を中断し、前記真空供給ライン１８内に少量のエアー（例えばＮ2）を供給すると、ウェハ２０がサセプター１０から離れるようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような構造のサセプターシステムを適用してＨＴ−ＵＳＧ材質の高温絶縁膜を形成する場合、素子の製造の際に次のような問題点が発生する。１番目、ＨＴ−ＵＳＧの場合、膜質の蒸着のときに既存ノーマル工程よりも高い温度（約５００℃）が要求されるため、絶縁膜を形成する過程で既存よりもサセプターの温度が高くなり、このときに加えられる熱的ストレスに起因してウェハの縁部が上方に撓む。このようにウェハ２０の縁部が撓む場合、膜質蒸着のための反応ガスの供給時にサセプター１０とウェハ２０の縁部の隙間（図６においてＩで示した部分）に反応ガスが入って反応物（酸化物）が積載されるため、サセプター自体が汚染されるだけでなく、ウェハのバックサイド（back side）側にも膜質蒸着がなされるという問題が発生する。」
ｂ．（図５及び図６）
　サセプター１０がウェハの内側寄りと外側寄りを両方の領域を吸着するものであること、及び、連結用溝１６は、サセプター１０の中心位置を通過する直線状の溝であってウェハの内側寄りから外側寄りまで到達して、その端部において外側寄りに形成された真空リングと接続し、真空リング１４は、前記サセプター１０の外側寄りに設けられた、サセプター１０の中心位置を中心とするリング状の溝であり、連結用溝と真空リングは、連続する溝であること、がそれぞれ理解される。
　
　上記記載事項を補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物には次の発明(以下、「刊行物記載の発明」という。）が記載されているということができる。
「サセプターにより吸着されたウェハを所定の温度に加熱して、前記ウェハに膜質を蒸着する工程を含んだ半導体装置の製造方法に用いるサセプターであって、
　前記サセプターは、前記ウェハの中心から前記ウェハの内側寄りの領域に対応する前記ウェハと、前記内側寄りの領域よりも外側寄りの領域に対応する前記ウェハとを吸着し、
　前記内側寄りの領域に対応する前記ウェハと接触する前記サセプターに連結溝１６を形成し、前記外側寄りの領域に対応する前記ウェハと接触する前記サセプターに連結溝１６及び真空リング１４を形成し、
　前記連結溝１６は、前記サセプターの中心位置を通過する直線状の溝であり、前記真空リング１４は、前記サセプターの中心位置を中心とするリング状の溝であり、
　前記連結溝１６の端部は、前記真空リング１４と接続し、
　前記連結溝１６及び真空リング１４は、連続する溝である、半導体装置の製造方法に用いるサセプター。」
　
2.4　対比
　補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、以下のとおりである。
　後者の「サセプター１０」、「ウェハ」、「膜質を蒸着する工程」が、前者の「サセプタ」、「半導体基板」、「膜を形成する工程」にそれぞれ相当することは明白である。
　後者のウェハの「内側寄りの領域」と「外側寄りの領域」とは、半導体基板の半径の特定部よりも内側及び外側の領域である限りにおいて、前者の「第１の領域」及び「第２の領域」と共通する。
　後者の「連結溝１６」及び「真空リング１４」が吸着用溝であることは当業者にとって明らかであるから、後者の「内側寄りの領域」にある「連結溝１６」が、前者の「第１の吸着用溝」に相当し、同様に、後者の「外側寄りの領域」にある「連結溝１６」及び「真空リング１４」が、前者の「第２の吸着用溝」及び「第３の吸着用溝」にそれぞれ相当するということができ、後者において「第２の吸着用溝」は「第１の吸着用溝の端部から延在する直線状の溝」であって、第２の吸着用溝の一方の端部は、第１の吸着用溝と接続し、第２の吸着用溝の他方の端部は、第３の吸着用溝と接続する。
　前者の「半導体装置の製造方法」は、その発明特定事項を検討すると、実質的には後者と同じく、「半導体装置の製造方法に用いるサセプタ」に係るものであるから、後者も「半導体装置の製造方法」と呼ぶことができる。
　したがって、補正発明と刊行物記載の発明とは、以下の点で一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「サセプタにより吸着された半導体基板を所定の温度に加熱して、前記半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法あって、
　前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の内側寄りの第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側寄りの第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着し、
　前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝及び第３の吸着用溝を形成し、
　前記第１の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を通過する直線状の溝であり、前記第２の吸着用溝は、前記第１の吸着用溝の端部から延在する直線状の溝であり、前記第３の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であり、
　前記第２の吸着用溝の一方の端部は、前記第１の吸着用溝と接続し、前記第２の吸着用溝の他方の端部は、前記第３の吸着用溝と接続し、
　前記第１、前記第２、及び前記第３の吸着用溝は、連続する溝である半導体装置の製造方法。」である点。
＜相違点１＞
　半導体基板が、前者では厚さ２７３μｍ〜４００μｍであるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点２＞
　第３の吸着用溝が、前者では半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域よりも外側にある第２の領域に形成されるのに対し、後者では第１の領域が半導体基板の半径の１／２よりも内側であるか不明であり、第２の領域が半導体基板の半径の１／２よりも外側にあるのか不明であるため、第３の吸着用溝が半導体基板の半径の１／２よりも外側の領域に形成されているのか不明である点。
　
2.5　相違点の検討
2.5.1　＜相違点１＞について
　本件出願の明細書には半導体基板の厚さを特定することの技術的意義について何ら説明はないが、厚さ２７３μｍ〜４００μｍの半導体基板は、半導体基板の代表的な例であるシリコンウェハーを裏面研削したものにおいて、例えば特開２００４−３２７９８６号公報の【発明の詳細な説明】の【０００４】に背景技術として示されるように、従来より周知かつ慣用のものであって、格別のものではい。
　したがって、半導体基板の厚さを２７３μｍ〜４００μｍに特定することに、当業者にとって格別の困難性はない。
　
2.5.2　＜相違点２＞について
　半導体基板をサセプタにたわみなく均一に吸着するという周知の課題を考慮すると、第３の吸着用溝を半導体基板の周縁の近傍に設ける必要があることは当業者にとって自明であるから、第３の吸着用溝を半導体基板の半径の１／２よりも外側寄りの領域に形成することは、当業者にとっては単なる設計上の選択にすぎない。
　そして、第１の領域と第２の領域との境界を半導体基板の半径のどの部分に設定するかは、当業者が適宜決定し得る事項であり、半径の１／２を境界とし、その外側寄りの、第３の吸着用溝を形成した領域を第２の領域とすることに、何ら困難性はない。
　
2.5.3　補正発明の作用効果について
　補正発明には、刊行物記載の発明及び従来周知の技術事項に基づいて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を認めることはできない。
　
　なお、請求人は審判請求書(４．(５)参照)において、刊行物記載の発明は第２の領域において半導体基板が反ることを前提にしており、半導体基板の下面側の略全体をサセプタ本体に接触させるものではない旨、主張している。しかし、2.5.2にて述べたとおり、半導体基板をサセプタにたわみ、すなわち反りなく均一に吸着することは周知の課題である上、補正発明においても、半導体基板を加熱した際にこれを反らせないように、刊行物記載の発明と比較して格別の配慮がなされているとは認められないため、上記主張を採用することはできない。
　
2.6　まとめ
　以上のとおり、補正発明は刊行物記載の発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきである。
　
３．本件出願の発明について　
3.1　本件発明　
　平成２３年８月１１日付の明細書と特許請求の範囲を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし３に係る発明は、同２２年１２月１５日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、2.1.1(１)の補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
3.2　刊行物記載の発明　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項は、前記「2.3」に記載したとおりである。　
　
3.3　対比と判断　
　本件発明は、前記２．で検討した補正発明の発明特定事項から、「半導体基板（２２）」について、「厚さ２７３μｍ〜４００μｍの」という限定を除いたものである。　
　そうすると、本件発明の構成を全て含む補正発明が、前記「2.6」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同じ理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は平成２４年２月１３日付回答書に補正案を添付しているが、平成２３年１２月１３日付審尋は、その備考に明記したとおり、補正の機会を与えるものではなく、補正に法的な根拠はないため、補正案は採用の限りではない。
　
3.4　むすび　
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２，３に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　.