【事件の表示】
　特願２００６−３３６６２４「液晶表示素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開、特開２００８−　　９３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１２月１４日（パリ条約による優先権主張　２００６年６月２９日　韓国）に特許出願したものであって、平成２２年６月１７日及び同年１１月１５日に手続補正がなされ、平成２３年１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２３年５月１１日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
２　平成２２年８月２日付け拒絶理由通知の概要
　平成２２年８月２日付け拒絶理由通知の概要は、以下のとおりである。
（１）理由１
　請求項１において「前記保護膜をパターニングし、前記画素電極パターン間で前記層間絶縁膜を露出させる」と補正し、請求項７において「前記層間絶縁膜は、前記画素電極パターン間で露出する」と補正しようとしている点に関して、出願当初の図３Ｆ、図４には、層間絶縁膜１１２が画素電極パターン１２０間で露出しているように見える液晶表示素子が記載されている。
　一方、出願当初の明細書には、図３Ｆ、図４の説明として、「図３Ｆに示すように、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する」（［００４０］）と記載されているのみであって、保護膜１１６をパターニングする旨は一切記載されていない。
　また、出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面中には、保護膜をパターニングすることの技術上の意義について、何ら記載されていない。
　したがって、請求項１において「前記保護膜をパターニングし、前記画素電極パターン間で前記層間絶縁膜を露出させる」と補正し、請求項７において「前記層間絶縁膜は、前記画素電極パターン間で露出する」と補正する点は、補正前の明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から自明な事項ではなく、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
（２）理由２
　請求項１には「前記保護膜をパターニングし、前記画素電極パターン間で前記層間絶縁膜を露出させる」と記載され、請求項７には「前記層間絶縁膜は、前記画素電極パターン間で露出する」と記載されている。しかし、当該構成とすることの発明の技術上の意義が理解できない。なお、出願人は意見書において、当該構成とすることの発明の技術上の意義について主張しているが、当該技術上の意義は、出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面中に記載されたものではなく、出願時の技術常識を参酌しても明らかではない。（特に、画素電極がアンダーカットされることについては、図３Ｆ、図４にも記載されていない。）よって、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１〜９に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
３　特許法第１７条の２第３項について
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、
「前記第１基板の全面にバッファ層を形成する工程と、
　前記バッファ層上にアクティブ層を形成する工程と、
　前記アクティブ層を含む第１基板の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート電極を含む第１基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の所定領域にコンタクトホールを形成する工程と、
　前記コンタクトホールを通して前記アクティブ層に連結されるソース電極及びドレーン電極を形成する工程と、
　前記ソース電極及びドレーン電極を含む基板全面に、前記ドレーン電極を露出させるコンタクトホールを備えた保護膜を形成する工程と、
　前記保護膜上に前記保護膜に備わったコンタクトホールを通して前記ドレーン電極に連結される画素電極用電極層を形成する工程と、
　前記画素電極用電極層上に所定の配向膜パターンを形成する工程と、
　前記配向膜パターンをマスクにして前記画素電極用電極層をパターニングし、画素電極パターンを形成する工程と、
　前記配向膜をパターンをマスクにして前記保護膜をパターニングし、前記画素電極パターン間で前記層間絶縁膜を露出させる工程と、を含み、
　前記所定の配向膜パターンを形成する工程は、
　前記画素電極用電極層上に光反応性高分子物質を形成する工程と、
　所定のマスクパターンを用いて前記光反応性高分子物質に光を照射する工程と、
　光の照射された光反応性高分子物質を現像して配向膜パターンを完成する工程と、を含んで構成されることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。」を
「前記第１基板の全面にバッファ層を形成する工程と、
　前記バッファ層上にアクティブ層を形成する工程と、
　前記アクティブ層を含む第１基板の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート電極を含む第１基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の所定領域にコンタクトホールを形成する工程と、
　前記コンタクトホールを通して前記アクティブ層に連結されるソース電極及びドレーン電極を形成する工程と、
　前記ソース電極及びドレーン電極を含む基板全面に、前記ドレーン電極を露出させるコンタクトホールを備えた保護膜を形成する工程と、
　前記保護膜上に前記保護膜に備わったコンタクトホールを通して前記ドレーン電極に連結される画素電極用電極層を形成する工程と、
　前記画素電極用電極層上に所定の配向膜パターンを形成する工程と、
　前記配向膜パターンをマスクにして前記画素電極用電極層をパターニングし、画素電極パターンを形成する工程と、
　前記配向
膜パ
画素電極パターンと同一パターン
　前記所定の配向膜パターンを形成する工程は、
　前記画素電極用電極層上に光反応性高分子物質を形成する工程と、
　所定のマスクパターンを用いて前記光反応性高分子物質に光を照射する工程と、
　光の照射された光反応性高分子物質を現像して配向膜パターンを完成する工程と、を含んで構成されることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。」に補正する内容を含むものである。
　
（２）本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、上記（１）のとおりであるところ、これを分説すると、次のとおりである。
Ａ　前記第１基板の全面にバッファ層を形成する工程と、
Ｂ　前記バッファ層上にアクティブ層を形成する工程と、
Ｃ　前記アクティブ層を含む第１基板の全面にゲート絶縁膜を形成する工　　　程と、
Ｄ　前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
Ｅ　前記ゲート電極を含む第１基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
Ｆ　前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の所定領域にコンタクトホールを形成　　する工程と、
Ｇ　前記コンタクトホールを通して前記アクティブ層に連結されるソース電　　極及びドレーン電極を形成する工程と、
Ｈ　前記ソース電極及びドレーン電極を含む基板全面に、前記ドレーン電極　　を露出させるコンタクトホールを備えた保護膜を形成する工程と、　
Ｉ　前記保護膜上に前記保護膜に備わったコンタクトホールを通して前記ド　　レーン電極に連結される画素電極用電極層を形成する工程と、
Ｊ　前記画素電極用電極層上に所定の配向膜パターンを形成する工程と、
Ｋ　前記配向膜パターンをマスクにして前記画素電極用電極層をパターニン　　グし、画素電極パターンを形成する工程と、
Ｌ　前記配向
膜パ
画素電極パターンと同
一パターン
Ｍ　前記所定の配向膜パターンを形成する工程は、
Ｎ　前記画素電極用電極層上に光反応性高分子物質を形成する工程と、
Ｏ　所定のマスクパターンを用いて前記光反応性高分子物質に光を照射する　　工程と、
Ｐ　光の照射された光反応性高分子物質を現像して配向膜パターンを完成す　　る工程と、を含んで構成されることを特徴とする液晶表示素子の製造方　　法。」
　
（３）本件出願当初の明細書及び図面の記載内容
ア　本件出願当初の明細書には
「【００３１】保護膜１１６としては、無機絶縁膜または有機絶縁膜が用いられ、保護膜１１６に備わったコンタクトホールは、ドレーン電極１１４ｂに対応する位置に形成される。保護膜１１６に備わったコンタクトホールを通して、以後の工程で形成される画素電極がドレーン電極１１４ｂに連結される。
【００３２】図３Ａに示した薄膜トランジスタは、本発明が適用されうる一実施形態に係る薄膜トランジスタを示したもので、薄膜トランジスタは、当業界で公知の多様な形態に変更して形成できる。
【００３３】次に、図３Ｂに示すように、上記薄膜トランジスタの保護膜１１６上に画素電極用電極層１２０ａを形成する。
【００３４】画素電極用電極層１２０ａとしては、ＩＴＯが用いられる。
【００３５】次に、図３Ｃに示すように、画素電極用電極層１２０ａ上に配向膜５００ａを形成する。
【００３６】配向膜５００ａとしては、光反応性高分子物質、好ましくは光反応性ポリイミド系物質が用いられる。
【００３７】次に、図３Ｄに示すように、所定のマスクパターン２５０を用いて配向膜５００ａに光を照射する。
【００３８】次に、図３Ｅに示すように、光が照射され、配向膜５００ａを現像して配向膜パターン５００を完成する。すなわち、光が照射された領域の配向膜５００ａは除去され、光が遮断された領域の配向膜５００ａは除去されないので、配向膜パターン５００が完成される。
【００３９】次に、図３Ｆに示すように、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する。
【００４０】
  従来の場合、別途のフォトレジストパターンをマスクとして用いて画素電極パターンを形成したため、フォトレジストパターンの形成工程と、画素電極パターン完成後のフォトレジストパターンの除去工程とが追加される。
【００４１】それに対して、本発明の場合、配向膜パターン５００をマスクとして用いて画素電極パターン１２０を形成するため、フォトレジストパターン形成工程が省略される。また、マスクとして用いる配向膜パターン５００を液晶の初期配向のための配向膜として用いるので、マスクパターンである配向膜パターン５００を除去しない。
【００４２】また、配向膜パターン５００を液晶の初期配向のための配向膜として用いるため、パターニングによって除去された部分においては、液晶の初期配向を制御できなくなる。しかし、パターニングによって除去された部分は、画素電極パターン１２０が形成されてなく、光透過が遮断される部分であるので、画像品質には何ら影響を及ぼさない。」との記載がある。
　また、図３Ｄ、図３Ｅ及び図３Ｆは次のとおりである。
　
　
　
イ　上記アをふまえて図３Ｄ、図３Ｅ及び図３Ｆを見ると、
（ア）上記アの「図３Ｄに示すように、所定のマスクパターン２５０を用いて配向膜５００ａに光を照射する。・・・次に、図３Ｅに示すように、光が照射され、配向膜５００ａを現像して配向膜パターン５００を完成する。すなわち、光が照射された領域の配向膜５００ａは除去され、光が遮断された領域の配向膜５００ａは除去されないので、配向膜パターン５００が完成される。」との記載をふまえて、図３Ｅを見ると、光が照射された領域の配向膜５００ａは除去され、光が遮断された領域の配向膜５００ａは除去されないものであって、保護膜１１６と画素電極用電極層１２０ａは除去されていないことがみてとれる。
　
（イ）上記アの「図３Ｆに示すように、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する。・・・従来の場合、別途のフォトレジストパターンをマスクとして用いて画素電極パターンを形成したため、フォトレジストパターンの形成工程と、画素電極パターン完成後のフォトレジストパターンの除去工程とが追加される。・・・それに対して、本発明の場合、配向膜パターン５００をマスクとして用いて画素電極パターン１２０を形成するため、フォトレジストパターン形成工程が省略される。また、マスクとして用いる配向膜パターン５００を液晶の初期配向のための配向膜として用いるので、マスクパターンである配向膜パターン５００を除去しない。・・・また、配向膜パターン５００を液晶の初期配向のための配向膜として用いるため、パターニングによって除去された部分においては、液晶の初期配向を制御できなくなる。しかし、パターニングによって除去された部分は、画素電極パターン１２０が形成されてなく、光透過が遮断される部分であるので、画像品質には何ら影響を及ぼさない。」との記載をふまえて、図３Ｆをみると、画素電極パターン１２０を形成したものであって、マスクパターンである配向膜パターン５００を除去せず、画素電極パターン１２０に対応した保護膜１１６以外の保護膜１１６を除去することがみてとれる。
　
（４）判断
ア　上記（３）イによれば 、上記（３）ア及び図３Ｄ〜図３Ｆには「光が照射された領域の配向膜５００ａは除去され、光が遮断された領域の配向膜５００ａは除去されないものであって、保護膜１１６と画素電極用電極層１２０ａは除去されていない」工程の後、「画素電極パターン１２０を形成したものであって、マスクパターンである配向膜パターン５００を除去せず、画素電極パターン１２０に対応した保護膜１１６以外の保護膜１１６を除去する」工程を備えることが記載されているものと認められるが、画素電極パターン１２０に対応した保護膜１１６以外の保護膜１１６を除去する具体的工程は明細書に記載がない。
　したがって、（３）ア及び図３Ｄ〜図３Ｆの記載をもって、本件出願当初の本件明細書及び図面に「前記配向膜パターンをマスクにして前記保護膜を画素電極パターンと同一パターンでパターニングし、前記画素電極パターン間で前記層間絶縁膜を露出させる工程」（構成Ｌ）を備える本件補正発明が記載されていたものということはできない。
イ　また、「光が照射された領域の配向膜５００ａは除去され、光が遮断された領域の配向膜５００ａは除去されないものであって、保護膜１１６と画素電極用電極層１２０ａは除去されていない」、及び、「画素電極パターン１２０を形成したものであって、マスクパターンである配向膜パターン５００を除去せず、画素電極パターン１２０に対応した保護膜１１６以外の保護膜１１６を除去する」工程に関して、「画素電極パターン１２０に対応した保護膜１１６以外の保護膜１１６を除去する」工程をどのようにするかは、ＩＴＯ等からなる画素電極パターン１２０と無機絶縁膜または有機絶縁膜からなる保護膜１１６とで材質が異なるため、除去するに際して配向膜パターン５００をマスクパターンとして用いるか、画素電極パターン１２０をマスクパターンとして用いるか、あるいは、別途マスクを用いるか等様々な除去工程を用いることが可能であるところ、これらの除去工程のいずれかを特定することを示唆する記載は本件出願当初の本件明細書及び図面にない。
　また、保護膜をパターニングして除去するに際して、「画素電極パターン間で層間絶縁膜を露出させる」技術的意義についても記載がなく、また、技術常識を勘案しても理解することができない
　そうすると、構成Ｌを備える本件補正発明が、本件出願当初の本件明細書又は図面に記載した事項から当業者が自明に理解できるものともいえない。
　
（５）小括
　以上によれば、前記（１）の内容を含む本件補正は、本件出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
４　特許法第３６条第４項第１号について
　本件補正発明は、構成Ｌを要件として備えるものと認められる。
　しかるところ、発明の詳細な説明には、かかる要件を備える構成とすることの技術上の意義が、出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面中に全く記載されておらず、出願時の技術常識を参酌しても明らかではない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１〜６に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　なお、上記構成Ｌは、平成２２年６月１７日になされた手続補正により新たに加えられた構成であって、同年１１月１５日になされた手続補正及び平成２３年５月１１日になされた手続補正を通じて請求項１に記載されたものであるから、上記３及び４の理由は、平成２２年１１月１５日になされた手続補正書による補正と同補正後の明細書についても、当てはまるものである。
　
５　むすび
　したがって、平成２３年５月１１日になされた手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　また、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって結論のとおり審決する。