【事件の表示】
　特願２００７−　　２３９４「有機発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　３月１３日出願公開、特開２００８−　５８９２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願の手続の経緯は、概要次のとおりである。  
　　特許出願　　　　　　：平成１９年　１月１０日  
　（パリ条約に基づく優先権主張の日：平成１８年８月３１日、韓国）
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　７月２９日（起案日）  
　　意見書　　　　　　　：平成２１年１１月　４日  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１１月　４日  
　　拒絶理由通知（最後）：平成２２年　４月２８日（起案日）  
　　意見書　　　　　　　：平成２２年　８月　５日  
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年１１月　９日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２３年　３月１６日  
　　手続補正　　　　　　：平成２３年　３月１６日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　８月２３日（起案日） 
　　回答書　　　　　　　：平成２３年１１月３０日  
　  　
第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年３月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。  
　　  
「【請求項１】
　半導体層と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上部に形成されるゲート電極と、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極の上部に形成されるソース電極およびドレーン電極とを含み、基板の表示領域に備えられる駆動回路部;
　第１電極および第２電極とこれらの電極の間に配置された有機発光層とを含み、前記表示領域内で前記駆動回路部の上部に形成される有機発光素子部;および
　前記表示領域外側に備えられたＣＯＧ領域の下部に備えられ、前記駆動回路部または有機発光素子部に互いに異なる信号を伝達する信号線を備える配線部を含み、
　前記配線部の信号線は、隣接する他の信号線との短絡を防止するために、互いに異なる信号を伝達する隣接信号線の間で高低差が維持されるように二つ以上の互いに異なる層上にそれぞれ配置され、
　前記配線部における信号線のうち一部の信号線は前記ゲート電極と同じ物質で前記ゲート絶縁膜上に形成され、残りの信号線は前記ソース電極およびドレーン電極と同じ物質で前記層間絶縁膜上に形成される、有機発光表示装置。」
　　　　　　　  
第３　引用例  
１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１１５７１号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　  
（１ａ）「【００３９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化したボトムエミッション構造よりなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１実施形態を、図１〜図３を用いて説明する。
【００４０】
図１は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、表示パネル２を有し、この表示パネル２の図中下側には、フレキシブル配線板３が接続されている。
【００４１】
表示パネル２の略中央には、画像を表示する表示領域４が形成されている。表示領域４には、行方向に延びる多数の走査線が形成されているとともに、列方向に延びる多数のデータ線が形成されている。そして、表示領域４において、各走査線と各データ線との交差部に対応した位置に、有機エレクトロルミネッセンス素子や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる画素回路（以下、画素という）１０がマトリクス状に多数配置されている。表示領域４の左右両側には、前記各走査線を駆動する走査線駆動回路５が形成され、表示領域４の下側には、前記各データ線を駆動するデータ線駆動回路６が形成されている。
【００４２】
フレキシブル配線板３には制御用ＩＣ７が実装されている。制御用ＩＣ７は、フレキシブル配線板３を通して、表示パネル２上の走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６との間で、各種信号や電源を送受可能になっている。なお、本実施形態では、制御用ＩＣ７をフレキシブル配線板３上に実装したが、制御用ＩＣ７の機能の全部又は一部は、表示パネル２上に備えられていてもよい。一方、表示パネル２上にある走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部又は一部は、制御用ＩＣ７に含まれていてもよい。
【００４３】
図２は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル２上に形成された画素１０の断面図であり、図３はその上面図である。両図ではマトリクス状に配置された多数の画素１０のうち、第ｍ列、第ｎ行にある一の画素１０のみを主に示している。ここで、図３は、平坦化膜を形成前までの状態を示しているが、その後に形成される画素電極と有機化合物層の形状を、二点鎖線で示している。図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、一の画素１０に、２つのＴＦＴ３１，３２と１つのキャパシタ３３とを有している。ＴＦＴ３２（スイッチング用ＴＦＴ）は、走査線１５ａからの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線１８ａからのデータ信号がキャパシタ３３に書き込まれるようになっている。また、ＴＦＴ３１（駆動用ＴＦＴ）は、キャパシタ３３に書き込まれたデータ信号に基づいてオン状態となり、そのデータ信号、即ちキャパシタ３３に書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を有機エレクトロルミネッセンス素子３０に供給する。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、供給される駆動電流に応じた輝度で発光する。なお、図２では、２つのＴＦＴ３１，３２のうち、駆動用ＴＦＴ３１のみを図示している。
【００４４】
図２に示すように、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の上面には、ＴＦＴ３１，３２を形成するための、ポリシリコンからなる島状の半導体膜１２が形成され、さらに基板１１の上面には、半導体膜１２を覆うようにシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３の上面には、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４が形成され、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面には、第一の配線１５が形成されている。第一の配線１５は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ゲート電極１４と導通可能に接合されている。また、図３に示すように、第一の配線１５は走査線１５ａ等の配線に用いられる。
【００４５】
ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面には、シリコン酸化膜や窒化膜等からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６が形成されている。半導体膜１２のソース領域及びドレイン領域の上面には、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７がゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６を貫通して形成されており、その下面は半導体膜１２と導通可能に接合されている。層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７の上面には、第二の配線１８が形成されている。第二の配線１８は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ソース／ドレイン電極１７と導通可能に接合されている。なお、ソース／ドレイン電極１７が、後述する画素電極２０のみに接続される場合には、そのソース／ドレイン電極１７上には第二の配線１８はなくてもよい。また、図３に示すように、第二の配線１８は、データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられる。
【００４６】
層間絶縁膜１６及び第二の配線１８の上面には、ポリイミドやアクリル等の光透過性を有する樹脂からなる平坦化膜１９が形成されている。平坦化膜１９とは、その下面に配線等の凹凸があっても、その上面が平坦に形成される絶縁膜である。平坦化膜１９の上面には、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２０が形成されており、その一部はソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８のいずれかと導通可能に接合されている。さらに、平坦化膜１９の上面には、画素電極２０を囲むように、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１が形成され、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上には、正孔輸送層及び発光層の２層からなる有機化合物層２２が形成されている。有機化合物層２２及び隔壁２１の上面には、カルシウムやリチウム等の金属薄膜とアルミニウム等の光反射性を有する金属とからなる陰極２３が形成されている。ここで、画素電極２０、陰極２３及びこれらに挟まれた有機化合物層２２とで、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成する。なお、本実施形態では、陰極２３は、表示領域４のすべての画素１０に共通の電位を供するものであるため、表示領域４の全面を覆うように形成されており、すべての画素１０で共有される。
【００４７】
陰極２３の上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４が形成されている。
ここで、半導体膜１２と、その上方に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４及びソース／ドレイン電極１７を有する領域Ｚ１（図２参照）は、駆動用ＴＦＴ３１を構成する。図２では図示していないスイッチング用ＴＦＴ３２も同様の構成からなる。
【００４８】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を構成する画素電極２０と有機化合物層２２は、平坦化膜１９上に形成されているため、配線１５，１８やＴＦＴ３１，３２等の上方にも形成可能である。図３において２点鎖線で示したように、有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の駆動用ＴＦＴ３１や、隣接する画素（第ｍ列、第ｎ＋１行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等と重なる位置に形成される。同様に、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等の上方には、図示しない隣接する画素（第ｍ列、第ｎ−１行）の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成される。」 
　　　 
（１ｂ）「【００６２】
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
　・・・（中略）・・・
・前記第１及び第２実施形態では、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４の上面に、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第一の配線１５を形成した。このゲート電極１４及び第一の配線１５を、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電部材を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。これにより、製造の簡略化が可能となる。
・前記第１及び第２実施形態では、層間絶縁膜１６の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第二の配線１８を形成し、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７に接続させた。このソース／ドレイン電極１７と第二の配線１８を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一の材料として、同時に形成してもよい。」
　　　　　　
（１ｃ）図１
（１ｄ）図２
（１ｅ）図３
　　　
〔引用例に記載された発明〕　  
　これらの記載事項からして、引用例１には、  
「半導体膜１２と、半導体膜１２を覆うように形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３の上面に、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電部材を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料で形成されたゲート電極１４及び第一の配線１５と、
　ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４及び第一の配線１５の上面に形成された層間絶縁膜１６と、
　チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一の材料で形成された、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６を貫通するソース／ドレイン電極１７、及び、層間絶縁膜１６の上面の第二の配線１８と、
　を含むＴＦＴからなる画素回路１０が基板１１の上面の表示領域４に配置され、
　画素電極２０と、画素電極２０上に形成された正孔輸送層及び発光層からなる有機化合物層２２と、有機化合物層２２の上面に形成された陰極２３とを含み、表示領域４内の画素回路１０の上部に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子３０を備え、
　表示領域４は表示パネル２を構成する基板１１の上面の略中央に形成され、
　第一の配線１５は、走査線１５ａ等の配線に用いられ、
　第二の配線１８は、データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられ、
　走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部が制御用ＩＣ７に含まれており、制御用ＩＣ７の機能の全部が表示パネル２上に備えられている有機エレクトロルミネッセンス表示装置。」 
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
　  
２　引用例２ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００６−２０８９０３号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。  
　　　 
（２ａ）「【００１６】
　一方、第１基板１０のうち第２基板２０と対向する面には第１配線５１が形成される。この第１配線５１は、第１基板１０のうちシール領域Ａsの内周縁よりも内側（画素領域Ａg側）の領域Ａaに形成される。第１配線５１は、画素Ｐのスイッチング素子のゲート電極や走査線１１と同一の材料からなる配線であり、これらの要素と共通の工程において単一の膜体から形成される。すなわち、第１配線５１は、第１基板１０の全面を覆う導電性の膜体をフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって選択的に除去するときにゲート電極や走査線１１とともに一括的に形成される。
【００１７】
　図３に示されるように、第１配線５１が形成された第１基板１０は第１絶縁層６１によって覆われる。この第１絶縁層６１は、画素Ｐのスイッチング素子のゲート電極とソース電極やドレイン電極との間に介挿される層間絶縁層と一体をなす膜体である。この第１絶縁層６１の面上には複数の第２配線５２が形成される。この第２配線５２は、画素Ｐのスイッチング素子のソース電極およびドレイン電極やデータ線１３と同一の材料によって共通の工程にて形成される。
【００１８】
　各第１配線５１および各第２配線５２は、シール領域Ａsの内周縁よりも内側の領域Ａa内（特に画素領域Ａg内）内から、シール領域Ａsと当該シール領域Ａsの外周縁よりも外側の領域Ａbとを通過して張出領域Ａ1まで引き廻され、この張出領域Ａ1に至った端部が接続端子１５に導通する。第１配線５１および第２配線５２は、例えば、接続端子１５に入力された信号を走査線１１やデータ線１３に供給する配線、または接続端子１５に印加された電源電位を各ＯＬＥＤ素子に供給する配線である。」
　　　　
第４　本願発明と引用発明との対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　  
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「半導体膜１２」、「ゲート絶縁膜１３」、「ゲート電極１４」、「層間絶縁膜１６」、「ソース／ドレイン電極１７」、「基板１１」、「表示領域４」、「画素回路１０」、「画素電極２０」、「陰極２３」、「正孔輸送層及び発光層からなる有機化合物層２２」、「有機エレクトロルミネッセンス素子３０」及び「有機エレクトロルミネッセンス表示装置。」は、本願発明の「半導体層」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート電極」、「層間絶縁膜」、「ソース電極及びドレーン電極」、「基板」、「表示領域」、「駆動回路部」、「第１電極」、「第２電極」、「有機発光層」、「有機発光素子部」及び「有機発光表示装置」に相当する。  
　  
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「・・・基板１１の上面の略中央に形成され」る「表示領域４に配置され」、「半導体膜１２と、半導体膜１２を覆うように形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３の上面に・・・形成されたゲート電極１４・・・と、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４・・・の上面に形成された層間絶縁膜１６と、・・・層間絶縁膜１６を貫通するソース／ドレイン電極１７・・・を含むＴＦＴからなる画素回路１０」は、本願発明の「半導体層と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上部に形成されるゲート電極と、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極の上部に形成されるソース電極およびドレーン電極とを含み、基板の表示領域に備えられる駆動回路部」に相当する。  
　　  
＜対応関係Ｃ＞  
　引用発明の「画素電極２０と、画素電極２０上に形成された正孔輸送層及び発光層からなる有機化合物層２２と、有機化合物層２２の上面に形成された陰極２３とを含み、表示領域４内の画素回路１０の上部に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子３０」は、本願発明の「第１電極および第２電極とこれらの電極の間に配置された有機発光層とを含み、前記表示領域内で前記駆動回路部の上部に形成される有機発光素子部」に相当する。
　　　　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「走査線１５ａ等の配線に用いられ」る「第一の配線１５」と「データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられ」る「第二の配線１８」は、技術常識からして、「走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部」を含む「制御用ＩＣ７」と「画素回路１０」とを接続する信号線であるから、本願発明の「駆動回路部または有機発光素子部に互いに異なる信号を伝達する信号線」に相当する。
　　　　　
＜対応関係Ｅ＞
　引用発明の「走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部が制御用ＩＣ７に含まれており、制御用ＩＣ７の機能の全部が表示パネル２上に備えられている」ことは、技術常識を踏まえれば、周知慣用のＣＯＧ技術により、走査線駆動回路やデータ線駆動回路の機能を備えた「制御用ＩＣ７」を「表示パネル２を構成する基板１１」上に設けることを意味（示唆）している。
　そして、技術常識からして、
（い）ＣＯＧ技術の半導体チップは表示領域の外側に設けるものであることから、「制御用ＩＣ７」を「表示領域４」の外側に設けることは自明であること。
（ろ）ＣＯＧ技術の半導体チップと配線とは半導体チップの下方で接続されることから、「制御用ＩＣ７」の近傍の下方には、「制御用ＩＣ７」と接続するために「走査線１５ａ等の配線に用いられ」る「第一の配線１５」と「データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられ」る「第二の配線１８」が配置される配線部が存在することは自明であること。
　を参酌すると、引用発明の「走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部が制御用ＩＣ７に含まれており、制御用ＩＣ７の機能の全部が表示パネル２上に備えられている」ことは、本願発明の「表示領域外側に備えられたＣＯＧ領域の下部に備えられ」た「配線部を含」むことに相当する（あるいは、当該構成を当然に有する）。
　　　　　 
　以上の対応関係からして、本願発明と引用発明とは、  
「半導体層と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上部に形成されるゲート電極と、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極の上部に形成されるソース電極およびドレーン電極とを含み、基板の表示領域に備えられる駆動回路部;
　第１電極および第２電極とこれらの電極の間に配置された有機発光層とを含み、前記表示領域内で前記駆動回路部の上部に形成される有機発光素子部;および
　前記表示領域外側に備えられたＣＯＧ領域の下部に備えられ、前記駆動回路部または有機発光素子部に互いに異なる信号を伝達する信号線を備える配線部を含む有機発光表示装置」
　の点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
（相違点１）
　「配線部」の構造に関して、本願発明は、「配線部の信号線は・・・互いに異なる信号を伝達する隣接信号線の間で高低差が維持されるように二つ以上の互いに異なる層上にそれぞれ配置され、前記配線部における信号線のうち一部の信号線はゲート電極と同じ物質で前記ゲート絶縁膜上に形成され、残りの信号線はソース電極およびドレーン電極と同じ物質で層間絶縁膜上に形成される」と限定しているのに対して、引用発明は、「制御用ＩＣ７」の近傍の下方で、「制御用ＩＣ７」と接続するために「走査線１５ａ等の配線に用いられ」る「第一の配線１５」と「データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられ」る「第二の配線１８」が配置される配線部がどのような構造となっているかを限定していない点。
　　　
（相違点２）  
　「配線部」の作用に関して、本願発明は「隣接する他の信号線との短絡を防止する」としているのに対して、引用発明はそのような作用を明示していない点。
　　　
第５　検討・判断  
１　相違点の容易想到性
　上記相違点について検討する。  
　　　　　
（１）相違点１について
　表示領域とその外側とで、走査線やデータ線等の配線を形成する層を変更することなく、そのまま延長した層構造とすることはよく行われていること（慣用的な手段）であるから、引用発明において、「表示領域４」の外側における配線の層構造について、「表示領域４」における「第一の配線１５」を「ゲート絶縁膜１３」上に形成し、「第二の配線１８」を「層間絶縁膜１６」上に形成する層構造をそのまま延長したものとすることは、当業者であれば容易に想到することである。その際、引用発明の「第一の配線１５」及び「第二の配線１８」はそれぞれ、「ゲート電極１４」及び「ソース／ドレイン電極１７」と同一材料で形成されるものであるから、「表示領域４」の外側においても同様の関係となることは当然である。また、配線と電極とを同材料で形成することは、例えば、引用例２に記載されているような周知の技術の付加に過ぎない。
　そして、引用発明の「走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部」が含まれている「制御用ＩＣ７」には、「走査線１５ａ等の配線に用いられ」る「第一の配線１５」と「データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられ」る「第二の配線１８」の両方の配線が共に接続されることになるからして、「表示領域４」の外側で「第一の配線１５」と「第二の配線１８」とを平面視でどのように配置するにしても、「制御用ＩＣ７」の近傍の下方の配線部で両者が隣接する部分が生じることは自明であり、上述のとおり層構造を延長した場合、当該部分でも両者の形成される層は異なることは当然である。
　よって、引用発明の「表示領域４」における配線の層構造を表示領域の外側の配線部まで延長することで、相違点１に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　　
（２）相違点２について
　引用発明において、異なる層に形成された「第一の配線１５」と「第二の配線１８」との層構造は、平面視で隣接したとしても、「層間絶縁膜１６」で隔てられることにより短絡が防止される（生じ難くなっている）作用を有することは明らかであり、上述のように、引用発明の「表示領域４」における配線の層構造を表示領域の外側の配線部まで延長した場合も、当該作用は失われないことも明らかである。
　よって、引用発明の「表示領域４」における配線の層構造を表示領域の外側の配線部まで延長することで、相違点２に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　
　なお、平成２３年１１月３０日付け回答書における補正案についても検討したが、当該補正案は特許性を有さない。補正案の「配線部の信号線と、隣接するほかの信号線とは、交互にかわるがわる配置される」という追加構成に関して、表示領域側の信号配線の配置は、通常、「信号線と、隣接するほかの信号線とは、交互にかわるがわる配置される」ものではないから、表示領域側と配線部とで信号線の配置に食い違いが生じるため、特許を受けようとする発明の構成が不明確であり、また、発明の実施も困難である。さらに、補正案の「配線部の信号線と、隣接するほかの信号線とは、交互にかわるがわる配置される」という追加構成は、特開２００３−２５５３８１号公報（図１２等参照）、特開２００６−７１８６１号公報（図５等参照）に記載されているように、周知の配線部の信号線配置構成に過ぎないので進歩性も認められない。
　　　
２　本願発明の作用効果  
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　　　　  
３　まとめ  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。  
　  
第６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　　　　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。