【事件の表示】
　特願２００４−２５６６８７「センサーパッケージおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月１６日出願公開、特開２００６−　７３８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月３日の出願であって、平成２２年６月２８日に手続補正がなされ、同年９月１７日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２３年１２月２６日付けで審尋がなされ、平成２４年２月２１日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年１２月１７日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２２年１２月１７日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうちの補正前後の請求項は以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　センサーと、該センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材と、センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、センサーを貫通し両面の所望の前記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、を有するとともに、裏面の配線は外部端子を有し、該外部端子には外部端子凸部材を備え、前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間の前記空隙部は、前記封止部材により設定されていることを特徴とするセンサーパッケージ。
　　【請求項２】
　前記空隙部の厚みは、１〜２０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項３】
　前記センサーは、イメージセンサーであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項４】
　前記センサーは、ＭＥＭＳセンサーであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項５】
　前記保護材は、赤外線カットフィルターであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項６】
　前記表裏導通ビアは、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項７】
　前記保護材は、ガラスであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項８】
　前記外部端子と前記外部端子凸部材の間に、応力緩和導電層が介在することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項９】
　前記応力緩和導電層は、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものであることを特徴とする請求項９に記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項１０】
　ウエハを多面付けに区画し、各面付け毎にセンサーを作製する工程と、
　各面付け毎に前記センサー表面のアクティブ面の外側の領域に複数の微細貫通孔を形成し、該微細貫通孔に導電材料を配設して表裏導通ビアを形成し、該表裏導通ビアと接続する配線を各面付け毎にセンサーの両面に形成し、センサー裏面に前記配線に接続した外部端子を形成する工程と、
　各面付け毎に前記センサー裏面の前記外部端子に外部端子凸部材を形成する工程と、
　多面付けの前記センサーのアクティブ面と対向するように、ウエハサイズの保護材を、各面付け毎に配設した封止部材に固着させて、前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間に前記封止部材の高さで設定される所定の空隙部を形成する工程と、
　多面付けの前記ウエハと前記保護材をダイシングする工程と、を有することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
　　【請求項１１】
　半硬化の状態の前記封止部材に前記保護材を押圧して前記センサーのアクティブ面との間に所定の大きさの空隙部が確保された状態で、前記封止部材を硬化させて前記保護材と前記封止部材とを固着することを特徴とする請求項１０に記載のセンサーパッケージの製造方法。　　　　　　　
　　【請求項１２】
　前記外部端子上に応力緩和導電層を形成し、該応力緩和導電層上に前記外部端子凸部材を形成することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のセンサーパッケージの製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　センサーと、該センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材と、センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、センサーを貫通し両面の所望の前記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、を有するとともに、裏面の配線は外部端子を有し、該外部端子には外部端子凸部材を備え、前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間の前記空隙部は、前記封止部材により設定されており、前記表裏導通ビアは、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものであることを特徴とするセンサーパッケージ。
　　【請求項２】
　前記空隙部の厚みは、１〜２０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項３】
　前記センサーは、イメージセンサーであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項４】
　前記センサーは、ＭＥＭＳセンサーであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項５】
　前記保護材は、赤外線カットフィルターであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項６】
　前記保護材は、ガラスであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のセンサーパッケージ。　　　　　
　　【請求項７】
　前記外部端子と前記外部端子凸部材の間に、応力緩和導電層が介在することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項８】
　前記応力緩和導電層は、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものであることを特徴とする請求項７に記載のセンサーパッケージ。
　　【請求項９】
　ウエハを多面付けに区画し、各面付け毎にセンサーを作製する工程と、
　各面付け毎に前記センサー表面のアクティブ面の外側の領域に、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす複数の微細貫通孔を形成し、該微細貫通孔に導電材料を配設して表裏導通ビアを形成し、該表裏導通ビアと接続する配線を各面付け毎にセンサーの両面に形成し、センサー裏面に前記配線に接続した外部端子を形成する工程と、
　各面付け毎に前記センサー裏面の前記外部端子に外部端子凸部材を形成する工程と、
　多面付けの前記センサーのアクティブ面と対向するように、ウエハサイズの保護材を、各面付け毎に配設した封止部材に固着させて、前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間に前記封止部材の高さで設定される所定の空隙部を形成する工程と、
　多面付けの前記ウエハと前記保護材をダイシングする工程と、を有することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
　　【請求項１０】
　半硬化の状態の前記封止部材に前記保護材を押圧して前記センサーのアクティブ面との間に所定の大きさの空隙部が確保された状態で、前記封止部材を硬化させて前記保護材と前記封止部材とを固着することを特徴とする請求項９に記載のセンサーパッケージの製造方法。
　　【請求項１１】
　前記外部端子上に応力緩和導電層を形成し、該応力緩和導電層上に前記外部端子凸部材を形成することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のセンサーパッケージの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）補正前の請求項１の「前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間の前記空隙部は、前記封止部材により設定されている」を、補正後の請求項１の「前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間の前記空隙部は、前記封止部材により設定されており、前記表裏導通ビアは、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものである」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項６を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項１０の「各面付け毎に前記センサー表面のアクティブ面の外側の領域に複数の微細貫通孔を形成し、該微細貫通孔に導電材料を配設して表裏導通ビアを形成し、該表裏導通ビアと接続する配線を各面付け毎にセンサーの両面に形成し、センサー裏面に前記配線に接続した外部端子を形成する工程と、」を、補正後の請求項９の「各面付け毎に前記センサー表面のアクティブ面の外側の領域に、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす複数の微細貫通孔を形成し、該微細貫通孔に導電材料を配設して表裏導通ビアを形成し、該表裏導通ビアと接続する配線を各面付け毎にセンサーの両面に形成し、センサー裏面に前記配線に接続した外部端子を形成する工程と、」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「 表裏導通ビア」について、「裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものである」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものである」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【０００８】及び【００１０】の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。
　
（３−３）補正事項ｃは、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「複数の微細貫通孔」について、「裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【０００８】及び【００１０】の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２２年１２月１７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前である平成１４年３月２９日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００２−９４０８２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし７及び９とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである。（以下同様。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光素子及びその製造方法並びに電子機器に関する。」
「【００３７】（実施形態１．）図１は本発明の第１実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図、図２は本実施形態の受光素子の第１の製造方法の説明図で、ベースとなる半導体ウエハ５とこれに貼り付けられる光学ガラス９（光透過性部材）との関係を示している。なお、図２では、光透過性部材として光学ガラス９を使用する例を示すが、光透過性部材の材料は、ガラスの他に例えば樹脂（プラスチック）などを使用してもよい。」
「【００４０】図１のように、
受光素子１は、受光部１３と、受光部１３と電気的に接続された電極２と、を有する半導体チップ６からなる。半導体チップ６は、受光部１３が形成された第１の面Ｂと、第１の面Ｂに対向する第２の面Ａを有する。
【００４１】
半導体チップ６は、第１の面Ｂから第２の面Ａを貫通する貫通穴４を有する。そして、半導体チップ６の貫通穴４の内壁面を含み、第１の面Ｂに形成された電極２から第２の面Ａにかけて導電層８が形成されている。
【００４２】受光素子１は、半導体チップ６の第２の面Ａにおける貫通穴４の周縁の導電層８上に形成された外部電極となるハンダボール２４を有してもよい。また、受光素子１は、半導体チップ６の第１の面Ｂに、透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１などにより貼り付けられた光学ガラス９ａ又は光学ガラスチップ９ｂを有してもよい。
【００４３】電極２には、絶縁膜１０を介して貫通穴４と連通する穴１２が形成されている。導電層８は、電極２の少なくとも一部に積層して形成されている。貫通穴４の内側において、導電層８の下には絶縁膜１０が形成され、半導体チップ６の内部に形成された回路との電気的接続を遮断している。そして、導電層８によって、半導体チップ６の第１の面Ｂと第２の面Ａとの間の電気的な接続が図られている。
【００４４】光学ガラス９ａ又は光学ガラスチップ９ｂは、ここでは全面が受光部１３に貼り付けられているが、これに限るものでなく、例えばその周辺部が受光部１３を囲むように貼り付けてもよい。」
「【００８９】（実施形態２．）図９は本発明の第２実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図であり、図中、前述の第１実施形態の図１と同一部分には同一符号を付してある。なお、説明にあたっては、前述の図２〜図７（Ｇ）を参照するものとする。
【００９０】本実施形態に係る受光素子１００も、そのパッケージングをウエハレベルで行ったものであってもよい。また、受光素子１００は、光学ガラス１０９ａ（光透過性部材）を貼り付け後の各半導体素子３（図２参照）を個片に切断して得られたものであってもよく、あるいは、良品と判定された各半導体素子３に光学ガラスチップ１０９ｂを貼り付けた後に、良品のいずれかの半導体素子３（図５参照）を個片に切断して得られたものであってもよい。なお、光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）は、半導体チップ６の受光部１３を覆うためのカバーガラスであってもよい。
【００９１】
受光素子１００は、図９のように受光部１３が形成された第１の面Ｂに、受光部１３と電気的に接続された電極２を有する半導体チップ６からなる。
【００９２】
受光素子１００は、半導体チップ６の第２の面Ａに部分的に形成された応力緩和層２０を有する。そして、導電層８は、貫通穴４の内壁面を含み、電極２から応力緩和層２０の上にかけて形成されている。受光素子１００は、導電層８のうち、応力緩和層２０上に形成された部分にハンダボール２４を有してもよい。
導電層８のうち、応力緩和層２０の上に形成された部分は、外部電極となるハンダボール２４を設けるための台座２２となる。
受光素子１００は、第２の面Ａの保護や防湿性の向上を目的として
透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により半導体チップ６の第１の面Ｂに貼り付けられた光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）と、を有してもよい。なお、ここでも光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）は、全面が受光部１３に貼り付けられているものを例に挙げているが、これに限るものでなく、例えばその周辺部が受光部１３を囲むように貼り付けてもよい。それ以外の構成については、前述の図１で説明した内容を適用することができる。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「受光部１３が形成された第１の面Ｂと、前記第１の面Ｂに対向する第２の面Ａを有し、受光部１３が形成された前記第１の面Ｂに、前記受光部１３と電気的に接続された電極２を有する半導体チップ６と、
接着剤１１により、前記半導体チップ６の前記第１の面Ｂに貼り付けられた光学ガラス１０９ａと、
前記半導体チップ６の前記第１の面Ｂから前記第２の面Ａを貫通する貫通穴４と、
前記貫通孔４の内壁面を含み、前記第１の面Ｂに形成された前記電極２から前記第２の面Ａにかけて形成された導電層８と、
前記半導体チップ６の前記第２の面Ａに部分的に形成された応力緩和層２０を有し、
前記導電層８のうち、前記応力緩和層２０上に形成された部分にハンダボール２４を有する、
受光素子。」
　
（４−４）対比・判断
（４−４−１）刊行物発明の「半導体チップ」及び「受光素子」は、各々補正後の発明の「センサー」及び「センサーパッケージ」に相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「受光部１３が形成された第１の面Ｂ」及び「光学ガラス１０９ａ」は、各々補正後の発明の「センサーの表面のアクティブ面」及び「保護材」に相当するから、刊行物発明の「接着剤１１により、」「半導体チップ６の」「第１の面Ｂに貼り付けられた光学ガラス１０９ａ」と補正後の発明の「センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材」とは、「センサーの表面のアクティブ面に」「固着された保護材」という点で共通する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「導電層８」は、「半導体チップ」の「第１の面Ｂ」及び「第２の面Ａ」にも形成されていることは明らかであるから、刊行物発明の「導電層８」のうち、「第１の面Ｂ」及び「第２の面Ａ」に形成された部分は、補正後の発明の「センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線」に相当する。
　
（４−４−４）「半導体チップ６の」「第１の面Ｂから」「第２の面Ａを貫通する貫通穴４」が複数存在することは、例えば、引用刊行物の図９からも明らかであるから、刊行物発明の「導電層８」のうち、「半導体チップ６の」「第１の面Ｂから」「第２の面Ａを貫通する貫通穴４」「の内壁面」に形成された部分は、補正後の発明の「センサーを貫通し両面の所望の」「配線に接続した複数の表裏導通ビア」に相当する。
　
（４−４−５）刊行物発明の「導電層８のうち、」「応力緩和層２０上に形成された部分」は、補正後の発明の「外部端子」に相当する。
　
（４−４−６）刊行物発明の「導電層８のうち、」「応力緩和層２０上に形成された部分」に形成された「ハンダボール２４」は、補正後の発明の「外部端子凸部材」に相当する。
　
（４−４−７）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「センサーと、
該センサーの表面のアクティブ面に固着された保護材と、
センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、
センサーを貫通し両面の所望の前記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、
を有するとともに、
裏面の配線は外部端子を有し、
該外部端子には外部端子凸部材を備えた、
センサーパッケージ。」である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明の「保護材」は、「センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着され」ているのに対し、刊行物発明の「光学ガラス１０９ａ」は、「接着剤１１により、」「半導体チップ６の」「第１の面Ｂに貼り付けられ」ている点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「センサーのアクティブ面と」「保護材との間の」「空隙部は、」「封止部材により設定されて」いるのに対し、刊行物発明では、そもそも、「半導体チップ６の」「第１の面Ｂ」と「光学ガラス１０９ａ」との間に空隙部が存在しない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「表裏導通ビアは、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものである」のに対し、補正後の発明の「微細貫通孔」に相当する刊行物発明の「貫通孔８」には、そのような特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１及び２について
　 引用刊行物には、「【００９２】・・・なお、ここでも光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）は、全面が受光部１３に貼り付けられているものを例に挙げているが、これに限るものでなく、例えばその周辺部が受光部１３を囲むように貼り付けてもよい。・・・」と記載されており、また、受光部に保護材が形成された固体撮像素子において、受光部と保護材との間に空隙部ができるように保護材を封止部材で貼り付けることは、以下の周知例１及び２に記載されるように、従来から周知のことである。そして、このような空隙部は、封止部材により、設定されていることは明らかである。
　
（周知例１）特開２００２−３２９８５２号公報には、図９ないし１１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、
マイクロレンズを備えた固体撮像素子をパッケージ化した固体撮像装置とその製造方法とに関する。
「【００５１】（第３の実施の形態）第３の実施の形態に係る固体撮像装置は、図９及び図１０に示すように、固体撮像素子、配線等を含む回路部が形成された半導体基板１２を含む略矩形状の半導体チップ８８を備えている。半導体基板１２は、回路部が形成された表面がシリコン酸化膜等の絶縁性の酸化膜８４で覆われ、且つ裏面が絶縁性の酸化膜８６で覆われている。なお、図９は透明基板６４、接着剤６２及び絶縁膜４３を通して見た固体撮像装置の平面図である。
【００５２】酸化膜８４の両側には、半導体チップ８８の対向する短辺に沿って略矩形状の電極パッド９０が所定間隔で複数（図９では１０個）配設されている。半導体基板１２には、該半導体基板１２を貫通するように、側面が絶縁性の酸化膜８６で覆われたスルーホール９２が設けられ、該スルーホール９２に金属が充填されて、埋め込み配線９４が形成されている。半導体チップ８８の裏面には、酸化膜８６を介して裏面電極９６が設けられている。そして、各電極パッド９０は、半導体基板１２に形成された回路部の図示しない配線に電気的に接続されると共に、埋め込み配線９４によって裏面電極９６に電気的に接続されている。
【００５３】酸化膜８４及び電極パッド９０は、例えばシリコンナイトライド等で構成された透明な絶縁膜４３により覆われて保護され、半導体チップ８８の表面が平坦化されている。固体撮像素子の受光領域上にはフィルタ部９８が設けられており、フィルタ部９８上にはマイクロレンズ５０が複数個（図９では１６個）配置されている。図１１はこの部分の部分拡大図である。図１１に示すように、半導体チップ８８の絶縁膜４３上には、透明な平坦化膜４４を介して、赤色（Ｒ）フィルタ４６Ｒ、緑色（Ｇ）フィルタ４６Ｇ及び青色（Ｂ）フィルタ４６Ｂを備えた色フィルタアレイ４６が形成されている。Ｒフィルタ４６Ｒ、Ｇフィルタ４６Ｇ及びＢフィルタ４６Ｂは、個々のフォトダイオード１４に対応して、所定のパターンで配置されている。色フィルタアレイ４６上には、平坦化膜４８を介して、複数のマイクロレンズ５０を備えたマイクロレンズアレイが形成されている。マイクロレンズ５０は、個々のフォトダイオード１４に対応して配列されている。なお、原色のカラーフィルタに代えて補色のカラーフィルタを使用することもできる。
【００５４】
マイクロレンズ５０が配置された領域７０に対向するように透明基板６４が配置されている。フィルタ部９８が形成された半導体チップ８８表面の領域７０の周囲に在る領域７２において、接着剤６２により半導体チップ８８が透明基板６４に貼り付けられて、透明基板６４が半導体チップ８８に固定されている。
【００５５】
接着剤６２の厚さは、フィルタ部９８の厚さにマイクロレンズ５０の高さを加えた値より大きく設定されており、このため半導体チップ８８と透明基板６４との間には僅かな空間６６が形成され、該空間６６が接着剤６２により封止される。
　
（周知例２）特開２００１−３５１９９７号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光センサーの実装構造体およびその使用方法に関する。詳しくは、本発明は、半導体受光素子を応用した受光センサー、特にビデオカメラ、ディジタルカメラなどの映像機器（以下、機器という）に広く利用されるＣＣＤやＣ−ＭＯＳなどの半導体受光センサーの実装構造体およびその使用方法に関するものである。」
「【００１５】
【発明の実施の形態】図１のａには本発明の第一実施例の断面図を示し、また、図１のｂにはその平面図を示す。
【００１６】ここで１は切断済みのチップ状半導体ウエハー（チップ）、５ｂは貫通電極、４ａは受光センサー、４ｂは受光センサー上に設けられたマイクロレンズである。マイクロレンズにより受光センサーの集光効率が向上する。
【００１７】
板ガラスなどの光透過性保護部材６は、受光センサー、及びマイクロレンズには触れないように、封止剤７を介してチップ上に接着固定する
　
　そうすると、刊行物発明において、上記周知の技術を適用することにより、補正後の発明のように、「センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材」「を有」し、「前記センサーのアクティブ面と前記保護材との間の前記空隙部は、前記封止部材により設定されて」いる構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１及び２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点３について
　一般に、半導体装置の貫通電極において、裏面側の開口径が、表面側の開口径よりも広いテーパ状となるように形成することは、以下の周知例３及び４に記載されるように、従来から周知のことである。
　
（周知例３）特開２００４−５７５０７号公報には、図１ないし３とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、コンピュータ断層像撮影装置（ＣＴ）に用いられるＸ線検出装置、貫通電極の製造方法及びＸ線断層撮影装置に関する。
「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の形態を参照して詳細に説明する。
【００２０】図１は、本発明の一実施の形態である断層像撮影装置としてのＸ線ＣＴ装置を概略的に示す構成図である。
【００２１】図中１は患者（被検体）で、この患者（被検体）は検査時に移動されてガントリ２内に挿入される。ガントリ２はＸ線ビームを投射するＸ線投射手段としてのＸ線源３を備え、このＸ線源３には患者１を中心として対象的にＸ線検出装置としてのＸ線検出器Ｋが配置されている。
【００２２】Ｘ線検出器Ｋは、コリメータ４と検出器アレイ５とを組み合わさせて構成されている。検出器アレイ５は複数の検出器モジュール６によって構成され、被検体１を透過する投射Ｘ線を各検出器モジュール６によって感知する。各検出器モジュール６は入射するＸ線ビームの強さ、及び被検体１を透過したＸ線ビームの減衰を表す電気信号を出力する。」
「【００３０】図２は検出器モジュール６の構造を示すものである。
【００３１】検出器モジュール６はＸ線を光に変換する光変換手段としてのシンチレータブロック２１を有し、このシンチレータブロック２１は光を電気に変換する電気変換手段としてのフォトダイオードアレイ２２に光学的に接続されている。
【００３２】
フォトダイオードアレイ２２は、フォトダイオード素子２３が形成された基部としてのシリコン基板３５の一面側から他面側に貫通する貫通電極２４を持ち、半田バンプなどの突起状電極２７を介してセラミックの基板２５に実装される。
【００３３】突起状電極２７は基板２５上の電極２５ａおよび基板２５の内部の配線２６を介してコネクタ２８や、Ｘ線遮蔽領域に実装されているデータ収集装置２９、スイッチＩＣ３０に電気的に接続されている。
【００３４】図３はフォトダイオードアレイ２２の一部を拡大して示す断面図である。
【００３５】フォトダイオードアレイ２２はシリコン基板３５を有し、このシリコン基板３５にはｐｎ接合によりフォトダイオード素子２３が形成されている。フォトダイオード素子２３からは信号を取り出す配線３６が形成され（シリコン基板３５と配線３６との間の絶縁膜は図示せず）、その上層にはＳｉ０２などの保護膜３７が形成されている。
【００３６】
この実施の形態では、シリコン基板３５上の配線３６と例えばセラミックからなる基板２５を貫通電極２４を介して電気的に接続する。貫通電極２４は、テーパ角度が約５４．７度で形成されている。
　
（周知例４）国際公開第０３／９６４２７号には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「技術分野
　本発明は、裏面照射型ホトダイオードアレイ及びその製造方法に関する。」（明細書第１頁第３〜４行）
「発明を実施するための最良の形態
　以下、実施の形態に係る裏面照射型ホトダイオードアレイについて説明する。
なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
　図１Ａ〜図１Ｊは実施の形態に係る裏面照射型ホトダイオードアレイの製造方法を説明するための説明図であり、裏面照射型ホトダイオードアレイの縦断面構成を示す。以下、詳説する。
　この製造方法では、以下の工程（１）〜（１０）を順次実行する。」（明細書第５頁第１１〜１７行）
「工程（６）
　次に、半導体基板１の表面側に所定間隔離隔した複数のｎ型高濃度不純物領域１ｎ’及び複数のｐ型不純物領域１ｐを形成し、更に、半導体基板１の表面側に熱酸化によって酸化膜（ＳｉＯ2）４を形成する（図１Ｆ）。ｎ型高濃度不純物領域１ｎ’は燐を拡散することによって形成される。また、ｐ型不純物領域１ｐはホウ素を基板内に拡散又はイオン注入することによって形成される。かかるｐ型不純物領域１ｐはｎ型の半導体基板１とＰＮ接合を構成することにより、ホトダイオードが構成される。このホトダイオードは半導体基板１の表面側に位置することとなる。また、このホトダイオードはアバランシェホトダイオードやＰＩＮホトダイオードとすることもできる。
　工程（７）
　次に、
半導体基板１の表面側から裏面側に到達する孔Ｈを形成する
　このようなエッチング方法を用いれば、比較的生産性の高いエッチングが可能となるばかりでなく、
孔Ｈの形状はすり鉢状、すなわち、テーパー状となるため、後段の電極形成におけるステップカバレージが向上する。
　工程（８）
　更に、孔Ｈの側面から半導体基板１内にｎ型不純物を添加し、表面側のｎ型高濃度不純物領域１ｎ’と裏面側のｎ型高濃度不純物領域１ｎとを電気的に接続する（図１Ｈ）。この不純物添加領域を符号ｈ１で示す。この不純物添加工程は、上記マスクを残したままで或いは酸化膜４をマスクとして、ｎ型不純物のイオン注入又は拡散を半導体基板１の表面側から行うことにより実行することができる。
　工程（９）
　次に、
直列抵抗を低減するため、孔Ｈの内面上にアルミニウムからなる金属電極膜ｈ２を形成する。これはカソード共通電極を形成し、半導体基板１の表面まで延びている。
　最後に支持基板３をグラインド及びドライエッチングにより完全に除去し、光入射面となる酸化膜２を露出させる。
　次にダイシングにより所定のチップサイズに切り出すことにより、半導体基板の一方の表面側（他方面側）にのみ電極を有する裏面照射型ホトダイオードアレイが完成する（図１Ｉ）。
　工程（１０）
　
このホトダイオードアレイチップは、上下を逆転させて、すなわち、半導体基板１の表面側が回路基板Ｃ側に位置し、光入射面が裏面となるように配置する。
　
　そうすると、刊行物発明の「貫通孔８」に対して、上記の周知技術を適用することにより、補正後の発明のように、「表裏導通ビアは、裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設された」構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得た程度のことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、周知技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２２年１２月１７日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２２年６月２８日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１）に記載したとおりの事項及び（４−３−２）で認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「表裏導通ビア」について、「裏面側の開口径が表面側の開口径より広いテーパー形状をなす微細貫通孔内に配設されたものである」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。