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　特願２００５−　２６７３４「半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１７日出願公開、特開２００６−２１６６９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　 
　本願は、平成１７年２月２日に特許出願したものであって、平成２２年１０月２１日に手続補正がなされ、同年１１月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年２月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２３年２月２１日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
　
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「【請求項１】
　前端面から直線偏光したレーザ光を出射する単一縦モード半導体レーザ素子と、
　前記レーザ光が入射する入射偏光子を具備し、前記レーザ光を一方向にのみ通過させる光アイソレータと、
　前記レーザ光が前記入射偏光子の入射面で反射された反射光を受光し、前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
　前記光検出部を主面上に載置する基台とを有し、
　前記光アイソレータは、前記入射偏光子の前記入射面が前記主面に垂直であり、かつ、前記入射偏光子の入射面が前記レーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で、かつ、前記入射偏光子の偏光方向が前記レーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定され、
　前記単一縦モード半導体レーザ素子から出射される前記レーザ光の偏光方向と、前記入射偏光子の偏光方向とが、ともに前記主面に略平行であることを特徴とする半導体レーザモジュール。」を、
「【請求項１】
　前端面から直線偏光したレーザ光を出射する単一縦モード半導体レーザ素子と、
　前記レーザ光が入射する入射偏光子を具備し、前記レーザ光を一方向にのみ通過させる光アイソレータと、
　前記レーザ光が前記入射偏光子の入射面で反射された反射光を受光し、前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
　前記光検出部を、前記レーザ光の光軸と平行な主面上に載置する基台とを有し、
　前記光アイソレータは、前記入射偏光子の前記入射面が前記主面に垂直であり、かつ、前記入射偏光子の入射面が前記レーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で、かつ、前記入射偏光子の偏光方向が前記レーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定され、
　前記単一縦モード半導体レーザ素子から出射される前記レーザ光の偏光方向と、前記入射偏光子の偏光方向とが、ともに前記主面に略平行であることを特徴とする半導体レーザモジュール。」
に補正する内容を含むものである（以下「本件補正」という。）。
　
（２）補正の適否についての判断
　本件補正は、補正前の請求項１の「光検出部を主面上に載置する基台」につき、当該「主面」が「前記レーザ光の光軸と平行な」ものであるとの限定を行うものである（以下「補正１」という。）から、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか否か）について検討する。
ア　本願補正発明の認定
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、上記２（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２０００−３１５７８号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載ａないしｇがある。（下線は、審決で付した。以下同じ。）
ａ　「【請求項１】  波長安定化レーザ装置であって、
　半導体レーザ（１；１０１）を有し、
　調整装置を有し、該調整装置は、
　第１の光学検出器（１２；１１２；２１２）を含み、該第１の光学検出器（１２；１１２；２１２）には前記半導体レーザ（１；１０１）から出力分離される第１の部分ビーム（１０）が供給され、
　光学フィルタ（１４；１１４、１１４’、１１４”；２１４）を含み、
　第２の光学検出器（１３；１１３；２１３）を含み、該第２の光学検出器（１３；１１３；２１３）には前記半導体レーザ（１；１０１）から出力分離され前記光学フィルタ（１４；１１４、１１４’、１１４”；２１４）によってフィルタリングされた第２の部分ビーム（１１’；１１１’；２１１’）が供給され、
　信号処理装置（１５ａ）を含み、該信号処理装置（１５ａ）には前記第１の光学検出器（１２；１１２；２１２）の出力信号（Ｉ1）及び前記第２の光学検出器（１３；１１３；２１３）の出力信号（Ｉ2）が供給され、前記信号処理装置（１５ａ）は両方の出力信号（Ｉ1、Ｉ2）から実際値信号（ＩＳＴ（λ））を算出し、該実際値（ＩＳＴ（λ））は瞬時のレーザ波長λを表わしかつレーザ出力には依存せず、
　比較装置（１５ｂ）を含み、該比較装置（１５ｂ）は前記実際値信号（ＩＳＴ（λ））を目標波長λ0を示す予め設定される目標値信号（ＳＯＬＬ）と比較し、
　制御装置（１５ｃ）を含み、該制御装置（１５ｃ）は制御信号（Ｃ）を発生し、該制御信号（Ｃ）は、安定化される前記波長λを制御する前記半導体レーザの動作パラメータを、前記実際値信号（ＩＳＴ（λ））が基本的に前記目標値信号（ＳＯＬＬ）と一致するように調整する、波長安定化レーザ装置において、
　前記半導体レーザのビーム路（２、１０２、２０２）には光アイソレータ（５；１０５；２０５）が設けられており、該光アイソレータ（５；１０５；２０５）は、　第１の偏光子（６；１０６；２０６）を有し、
　該第１の偏光子（６；１０６；２０６）に後置接続された光偏光面を回転するための装置（７；１０７；２０７）を有し、
　前記光偏光面を回転するための装置（７；１０７；２０７）に後置接続された第２の偏光子（８；１０８；２０８）を有し、
　さらに、両方の偏光子（６；１０６；２０６；８；１０８；２０８）のうちの少なくとも１つが前記第１の又は第２の部分ビーム（１０；１１０；２１０；１１；１１１；２１１）を出力分離するためのビームスプリッタとして使用されることを特徴とする、波長安定化レーザ装置。」
　
ｂ　「【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体レーザのビーム路には光アイソレータが設けられており、この光アイソレータは、第１の偏光子を有し、第１の偏光子に後置接続された光偏光面を回転させるための装置を有し、この光偏光面を回転させるための装置に後置接続された第２の偏光子を有し、さらに、両方の偏光子の少なくとも１つが第１の又は第２の部分ビームを出力分離するためのビームスプリッタとして使用されることによって解決される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のレーザ装置は波長安定化装置も光アイソレータも有し、従って特にＷＤＭモードにおける高いデータレートの伝送に適している。本発明によれば、この場合、波長安定化のために必要とされる部分ビームのうちの少なくとも１つが光アイソレータの偏光子を介して出力分離（auskoppeln）される。従って、この偏光子は同時に２つの機能を満たす。つまり光アイソレータにおける偏光子の機能及び波長安定化回路におけるビームスプリッタの機能である。これによって付加的な構成要素としてのビームスプリッタは節減され、簡素でコンパクトな全体構造が得られる。」
　
ｃ　「【００２２】図１によれば、本発明の実施例は半導体レーザ１を有し、この半導体レーザ１はレーザ光束２を放出する。このレーザ光束２は、１つ又は複数のレンズから構成される光学系によってコリメートされるか又は光ファイバ４の入射面に集束される。後者の場合にはこの光学系はここに図示されているように例えば２つのレンズ（又はレンズ群）３ａ、３ｂから構成される。この第１のレンズ３ａは近似的にコリメートされたレーザ光束を発生し、このレーザ光束は第２のレンズ３ｂによって集束される。
【００２３】レンズ３ａの後方のビーム路には光アイソレータ５が設けられている。この光アイソレータ５は第１の偏光子６、ファラデー回転子７及び第２の偏光子８から構成されている。
【００２４】光アイソレータはこのようなものとして従来技術において周知であり、半導体レーザ１への反射光の望ましくない帰還を抑圧するために使用される。光アイソレータ５’の原理的な構造及び作動方法が図２に詳しく示されている。光アイソレータ５’は第１の偏光子６’、ファラデー回転子７’及び第２の偏光子８’を有する。第１の偏光子６’は直線偏光されたレーザ光束２’を発生する。このレーザ光束２’の偏光方向は第１の偏光子６’の偏光面によって決定され、図２に示されている電界強度Ｅのベクトル６ａ’によって示されている。」
　
ｄ　「【００２６】本発明の装置では、偏光子６、８のうちの少なくとも１つが又は図１に図示されているように有利には両方の偏光子６、８が第１の部分ビーム１０及び第２の部分ビーム１１をレーザ光束２から出力分離するために利用される。このために
偏光子６、８の法線はレーザ光束２のビーム軸に対して傾斜される
　
ｅ　「【００４５】半導体レーザ１が
エッジエミッタであ
エッジで放出されるレーザビーム
　
ｆ　「【００５３】図９は図１に図示された実施例の第４の変形実施形態の部分図の平面図で示されている。図６〜８に図示された変形実施形態に対して、ここでは
第１の及び第２の偏光子２０６及び２０８、ファラデー回転子２０７、フィルタ２１４及び第１の及び第２の検出器２１２及び２１３から成る装置が９０°だけ傾斜され
レーザ光束２０２及び出力分離された部分ビーム２１０、２１１、２１１’はベースプレート２３４に対してパラレルな平面上を経過
ベースプレート２３４は
レーザチップを支持している。
【００５４】図１０は図９の矢印Ｘの方向から見た第４の変形実施形態の側面図を示している。光アイソレータ２０５及びフィルタ２１４は共通の第１の中間担体２３１の上に取り付けられており、他方で検出器２１２、２１３は隣接配置された検出器担体２３２の上に取り付けられている。この検出器担体２３２の上部には偏向プリズム２３０が存在し、この偏向プリズム２３０は両方の部分ビーム２１０及び２１１’をそれぞれの検出器２１２、２１３へと偏向する。偏向角度は有利には９０°からいくらかずれた角度に選択される。これは、検出器２１２、２１３によって反射された光がレーザチップへと逆進しないためである。
【００５５】図９、１０に示された本発明の第４の変形実施形態は、レーザ装置の低い構造的な高さ（基礎プレート２３４より上の高さ）が要求される場合にとりわけ有利である。」
　
ｇ　上記ｆを踏まえて図９および図１０をみると、引用文献の第１の検出器２１２はベースプレート２３４上に載置されていることがみてとれる。
　
（イ）上記（ア）ａないしｇを総合すると、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「波長安定化レーザ装置であって、
　エッジエミッタであってレーザビームをエッジで放出する半導体レーザを有し、
　調整装置を有し、該調整装置は、
　第１の光学検出器を含み、該第１の光学検出器には前記半導体レーザから出力分離される第１の部分ビームが供給され、
　光学フィルタを含み、
　第２の光学検出器を含み、該第２の光学検出器には前記半導体レーザから出力分離され前記光学フィルタによってフィルタリングされた第２の部分ビームが供給され、
　信号処理装置を含み、該信号処理装置には前記第１の光学検出器の出力信号及び前記第２の光学検出器の出力信号が供給され、前記信号処理装置は両方の出力信号から実際値信号を算出し、該実際値は瞬時のレーザ波長λを表わしかつレーザ出力には依存せず、
　比較装置を含み、該比較装置は前記実際値信号を目標波長を示す予め設定される目標値信号と比較し、
　制御装置を含み、該制御装置は制御信号を発生し、該制御信号は、安定化される前記波長λを制御する前記半導体レーザの動作パラメータを、前記実際値信号が基本的に前記目標値信号と一致するように調整する、波長安定化レーザ装置において、
　前記半導体レーザのビーム路には光アイソレータが設けられており、該光アイソレータは、
　第１の偏光子を有し、
　該第１の偏光子に後置接続された光偏光面を回転するための装置を有し、
　前記光偏光面を回転するための装置に後置接続された第２の偏光子を有し、
　さらに、両方の偏光子のうちの少なくとも１つが前記第１の又は第２の部分ビームを出力分離するためのビームスプリッタとして使用され、偏光子の法線はレーザ光束のビーム軸に対して傾斜され、
　第１の及び第２の偏光子、ファラデー回転子、フィルタ及び第１の及び第２の検出器から成る装置が９０°だけ傾斜され、レーザ光束及び出力分離された部分ビームはベースプレートに対してパラレルな平面上を経過し、ベースプレートはレーザチップを支持し、第１の検出器はベースプレート上に載置されている、波長安定化レーザ装置。」
　
ウ　対比
（ア）本願補正発明と引用発明を対比すると、
　引用発明の「エッジ」、「半導体レーザ」、「第１の光学検出器」、「光アイソレータ」、「第１の偏光子」及び「波長安定化レーザ装置」は、
　本願補正発明の「前端面」、「半導体レーザ素子」、「光検出部」、「光アイソレータ」、「入射偏光子」及び「半導体レーザモジュール」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の「半導体レーザ」は、直線偏光したレーザ光を出射するものといえるから、本願補正発明の「（直線偏光したレーザ光を出射する）半導体レーザ素子」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「光アイソレータ」は、本願補正発明の「（レーザ光を一方向にのみ通過させる）光アイソレータ」に相当する。
　
（エ）引用発明は、「両方の偏光子のうちの少なくとも１つが前記第１の又は第２の部分ビームを出力分離するためのビームスプリッタとして使用され」、「第１の光学検出器には前記半導体レーザから出力分離される第１の部分ビームが供給され」るものであるから、引用発明の「第１の光学検出器」は、本願補正発明の「（レーザ光が前記入射偏光子の入射面で反射された反射光を受光する）光検出部」に相当する。
　また、引用発明の「第１の光学検出器」は、「信号処理装置には前記第１の光学検出器の出力信号及び前記第２の光学検出器の出力信号が供給され、前記信号処理装置は両方の出力信号から実際値信号を算出し、該実際値は瞬時のレーザ波長λを表わ」すものであり、レーザ光の特性に応じた電気信号を出力するものであるといえるから、引用発明の「第１の光学検出器」は、本願補正発明の「（レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する）光検出部」に相当する。
　よって、引用発明の「第１の光学検出器」は、本願補正発明の「（レーザ光が入射偏光子の入射面で反射された反射光を受光し、前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する）光検出部」に相当する。
　
（オ）引用発明は、「第１の検出器」が「ベースプレート上に載置」されているものであり、該「ベースプレート」は、「第１の検出器」を「半導体レーザ」の光軸と平行な面上に載置するといえるから、引用発明の「ベースプレート」は、本願補正発明の「（光検出部を、前記レーザ光の光軸と平行な主面上に載置する）基台」に相当する。
　
（カ）引用発明は、「（第１の）偏光子の法線」が「レーザ光束のビーム軸に対して傾斜される」ものであり、また、該「（第１の）偏光子」の入射面が、前記「『半導体レーザ』の光軸と平行な面」に対しては垂直であるといえ、さらに、「光アイソレータ」が、「第１の偏光子」の入射面がレーザ光の入射光線に対して所定角度傾いた状態で固定されているといえるから、引用発明は、「光アイソレータは、入射偏光子の入射面が主面に垂直であり、かつ、入射偏光子の入射面がレーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で固定され」たものといえ、この点において、本願補正発明の「光アイソレータは、入射偏光子の入射面が主面に垂直であり、かつ、入射偏光子の入射面がレーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で調芯固定され」との構成と一致する。
　
　以上によれば両者は、
「前端面から直線偏光したレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
　前記レーザ光が入射する入射偏光子を具備し、前記レーザ光を一方向にのみ通過させる光アイソレータと、
　前記レーザ光が前記入射偏光子の入射面で反射された反射光を受光し、前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
　前記光検出部を、前記レーザ光の光軸と平行な主面上に載置する基台とを有し、
　前記光アイソレータは、前記入射偏光子の前記入射面が前記主面に垂直であり、かつ、前記入射偏光子の入射面が前記レーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で固定される半導体レーザモジュール。」
である点で一致し、
　
ａ　「半導体レーザ素子」が、本願補正発明では、「単一縦モード半導体レーザ素子」であるのに対して、引用発明ではそのようなものであるか否かが明らかではない点（以下「相違点１」という。）、
　
ｂ　本願補正発明の「入射偏光子」は「偏光方向がレーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定され」るのに対して、引用発明の「第１の偏光子」はそのように調芯固定されるか否かが明らかではない点（以下「相違点２」という。）、
　
ｃ　本願補正発明は「半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光方向と、入射偏光子の偏光方向とが、ともに主面に略平行である」のに対して、引用発明は「レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光方向と、第１の偏光子の偏光方向とが、ともに主面に略平行である」か否かが明らかではない点（以下「相違点３」という。）、
で相違するものと認められる。
　
エ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。
　「半導体レーザ素子」として「単一縦モード」の半導体レーザ素子は周知であるから、引用発明において、上記周知技術を採用し、相違点１に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
（イ）上記相違点２について検討する。
　引用発明において、出力分離された部分ビーム以外のアイソレータの偏光子を通過するレーザ光束が最大限となるように調整することは当業者が当然に考慮することであるから、引用発明において、レーザ光束の通過を最大限許容する状態で、入射偏光子（第１の偏光子）の偏光方向を同一方向とすることで相違点２に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が適宜になし得る設計的事項である。
　
（ウ）上記相違点３について検討する。
　引用発明において、「半導体レーザ素子」から出射されるレーザ光の偏光方向と「第１の偏光子」の偏光方向を、ベースプレート（基台）主面に対して、いかなる角度とするかは、当該引用発明を実施する際に、当業者が適宜に定めるべき設計的事項であるところ、請求人自身が審判請求書４．（１）（ｃ）で「光が界面で反射される場合、ｐ偏光成分のほうが、ｓ偏光成分よりも透過率が高い（例えば、『光学の基礎』左貝潤一著、１９９７年、コロナ社、第１３６−１３７頁参照）。」と指摘しているように、光が偏光子（界面）で反射される場合は、ｐ偏光成分のほうがｓ偏光成分よりも透過率が高いことは周知の事項であって、引用発明を実施して偏光子を調芯固定する際に、偏光子を有する光アイソレータを透過するレーザ光の透過率を高めるべくｐ偏光成分を考慮し、その結果、レーザ光及び入射偏光子の偏光方向の主面に対する角度を、ｐ偏光成分と同じく主面に対して略平行となし、「半導体レーザ素子」から出射されるレーザ光の偏光方向と「第１の偏光子」の偏光方向をベースプレート（基台）主面に対して（略）平行として相違点３に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　なお、請求人は、平成２３年２月２１日付けの審判請求書及び同年１１月７日付けの回答書において、「拒絶査定において、引用文献１における『レーザ光束の偏光方向は上記入射偏光子の偏光面と略平行になるように決定されるものと認められる。』旨が指摘され、これにより本願発明の進歩性が否定されている。しかしながら、仮に上記内容が認められるとしても、レーザ光束の偏光方向と、入射偏光し（審決注：「偏光子」の誤記と認める。）における偏光方向とが単に一致するだけであり、レーザ光束の偏光方向および入射偏光子の偏光方向とが、本願発明のように入射偏光子と垂直な主面と平行になること（すなわち、レーザ光束の偏光成分がｐ偏光成分となること）まで認められるものではない。従って、引用文献１に記載の発明により、本願発明のように入射偏光子におけるレーザ光の透過率を高めるということはできない。」（上記回答書３．（ｃ））及び「本発明・・・による効果は、『レーザ光の偏光成分をｐ偏光成分とし、且つ、レーザ光と入射偏光子の偏光方向とを一致させ、入射偏光子におけるレーザ光の透過率を高めることができる。』というもの」（同回答書３．（ｃ））等と主張する。
　しかしながら、上記エで検討したとおり、引用発明において、単一縦モード半導体レーザ素子から出射されるレーザ光について、光アイソレータを「レーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定」することとなし、その際偏光子を「レーザ光のｐ偏光成分の通過を最大限許容する状態で調芯固定」し、かつ、「半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光方向と、入射偏光子の偏光方向とが、ともに主面に略平行である」ようになすことは当業者が容易になし得ることであって、上記エでの検討に照らして、このことにより奏される効果も当業者が予測可能な程度と認められるから、請求人の上記主張は、上記エの判断を左右するものではない。
　
オ　まとめ
　以上エにおける検討によれば、本願補正発明は、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　上記２で検討したとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年１０月２１日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、２（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、上記「第２　２（２）補正の適否についての判断」で述べた、「補正１」の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに「補正１」の限定を含む本願補正発明が、前記第２、２（３）での検討により、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、前記第２、２（３）での検討と同様の理由により、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明し得るものである。
 
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。