【事件の表示】
　特願２００５−５０５３２８「フォトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２１日国際公開、ＷＯ２００４／０９０６３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年４月９日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１５年４月９日）の国際出願（特願２００５−５０５３２８号）であって、平成２１年１月１９日付けで手続補正がなされ、同年６月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２１年９月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２１年１月１９日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１(以下「本件補正前の請求項１」という)に記載の、
　
「透光性基板（１）上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有するクロムパターン（２１）が形成されたフォトマスクの製造方法において、
　前記透光性基板（１）上に、前記クロムパターンを形成するためのクロム膜（２）、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）、及びレジスト膜（４）を少なくとも有するフォトマスクブランク（１１）を準備する工程と、
　前記レジスト膜に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン（４１）を形成する工程と、
　前記レジストパターン（４１）をマスクとして前記エッチングマスク用膜にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン（３１）を形成する工程と、
　前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記クロム膜にドライエッチングを施して前記クロムパターン（２１）を形成する工程と、
　を含み、
　前記クロム膜（２）のドライエッチングは、ラジカル主体のドライエッチングと比較して、イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」が、
　
「透光性基板（１）上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有するクロムパターン（２１）が形成されたフォトマスクの製造方法において、
　前記透光性基板（１）上に、前記クロムパターンを形成するためのクロム膜（２）、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）、及びレジスト膜（４）を少なくとも有するフォトマスクブランク（１１）を準備する工程と、
　前記レジスト膜に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン（４１）を形成する工程と、
　前記レジストパターン（４１）をマスクとして前記エッチングマスク用膜にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン（３１）を形成する工程と、
　前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記クロム膜にドライエッチングを施して前記クロムパターン（２１）を形成する工程と、
　を含み、
　
前記無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）は、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ及びＳｉＯＮの何れかから選択された材料からなり、
　前記クロム膜（２）のドライエッチングは、ラジカル主体のドライエッチングと比較して、イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」と補正された。（補正された箇所に下線を付した。）
　
　そして、この補正は、本件補正前の請求項１に記載された、「無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）」について、その材料を限定する補正事項からなるものであり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正事項であるといえる。
　すなわち、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２１年９月２５日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記「第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「［理由］１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許第６４７２１０７号明細書（以下「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている（日本語訳を記載する。また、後述の「イ　引用例１に記載された発明の認定」における発明の認定に直接関係する記載に下線を付した。）。
　
「　図５に本発明のブランクフォトマスクが記載されている。記載されているようにブランクフォトマスク３０は略１／４インチの厚さの石英基板２を備える。
石英基板２に接して９００〜１０００Åの厚さのＣｒ遮光層４が積層されている。Ｃｒ遮光層４上にＣｒＯ　ＡＲ（反射防止）層６が積層されている。ＣｒＯ ＡＲ層６上にはハードマスク層１８が積層されている。
　ブランクフォトマスク３０から、
改善されたＣＤ及び反射防止特性を備えた最終製品のフォトマスクを作成する製造工程
最初に、ハードマスク層１８、ＣｒＯ ＡＲ層６及び Ｃｒ遮光層４に形成されるべきパターンがブランクフォトマスク３０の感光レジスト層８上にレーザースキャン露光システム又は同等のシステム(例えば、ベクトルスキャンツール)によって走査(scan)される。感光レジスト層の、電子ビーム又はレーザビームにさらされた部分は溶け出す一方で、さらされていない部分は溶けないままでいる
露光システムが感光レジスト層上の所望の形状を走査(scan)した後、溶けた感光レジストが公知の手段で取り除かれ、ハードマスク層１８の一部を露出させ、溶けずにくっついたまま残っている感光レジストが覆っているハードマスク層１８の他の部分は露出されない。
　図６のフォトマスク３２は、
次に、露出したハードマスクを取り除く第１エッチング工程に入る。
プラズマガス
Ｃｒ遮光層及びＣｒＯ ＡＲ層の内、感光レジスト層１０やハードマスク層１８の下にない部分が露出される。
　図７のフォトマスク３４は、
次に、Ｃｒ及びＣｒＯ層を取り除く第２エッチング工程に入る。
第２エッチング工程は塩素と酸素ガスが注入されたチャンバー内で行われる。チャンバーの陽極と陰極の間に電界が形成され、反応性ガスプラズマが発生し、反応性ガスプラズマの正イオンがフォトマスクに向かって加速され
それは陰極と同じポテンシャルにあり、
それは石英基板の表面が電界に対して垂直方向にあるのと同様の方向に向けられる。
　塩素の酸素に対する比を修正して改善することによって、ハードマスクに対して第２エッチング工程を長く及ぼさせることができる。すなわち、第２エッチング工程は、マクロローディングの影響を克服することによって長引かせることができる。言い換えれば、
多くの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれるフォトマスク３４の領域と、少しの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料のみが取り除かれるフォトマスク３４の領域
実質的に全てのＣｒやＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれたことを確認できるまで長引かせることができる。
　図８に示されるように、第２エッチング工程の結果、最初に感光レジスト材料に対して走査（scan）されて生じたパターンに対応する石英基板の部分のみが露出される。第２エッチング工程前に感光レジスト材料が取り除かれていないならば、その後、従来から周知の手法で完全に取り除かれる。その結果、図８に示されるように、
ＣＤの均一性が改善された
　あるいはまた、図９に示される本発明の第２実施例のように、ハードマスク層１８はウエット又はドライエッチングの手法で取り除いてもよい。例えば、水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンハードマスク層を取り除くことができる。」（第３欄第６０行〜第５欄第５８行）
　
「
　
　
　
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載（図面の記載も含む。）を総合勘案すると、引用例１には、
「石英基板２上に、多くの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれるフォトマスク３４の領域と、少しの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料のみが取り除かれるフォトマスク３４の領域を備えたフォトマスクであって、均一性が改善されたＣＤを備えた最終製品のフォトマスクを作成する製造工程において、
　石英基板２に接してＣｒ遮光層４が積層され、Ｃｒ遮光層４上にＣｒＯ　ＡＲ（反射防止）層６が積層され、ＣｒＯ ＡＲ層６上にはハードマスク層１８が積層され、
　ハードマスク層はＳｉ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２又はスピンオンガラス（spin-on-glass）からなり、これにより実質的に全てのＣｒやＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれたことを確認できるまで長引かせることができ、
　最初に、ハードマスク層１８、ＣｒＯ ＡＲ層６及び Ｃｒ遮光層４に形成されるべきパターンがブランクフォトマスク３０の感光レジスト層８上にレーザースキャン露光システム又は同等のシステムによって走査(scan)され、その結果、感光レジスト層の、電子ビーム又はレーザビームにさらされた部分は溶け出す一方で、さらされていない部分は溶けないままであり、
　溶けた感光レジストが公知の手段で取り除かれ、ハードマスク層１８の一部を露出させ、溶けずにくっついたまま残っている感光レジストが覆っているハードマスク層１８の他の部分は露出されない状態で、プラズマガスを用いて露出したハードマスクを取り除く第１エッチング工程に入り、
　その結果、Ｃｒ遮光層及びＣｒＯ ＡＲ層の内、感光レジスト層１０やハードマスク層１８の下にない部分が露出され、この状態で、Ｃｒ及びＣｒＯ層を取り除く第２エッチング工程に入り、
　第２エッチング工程は塩素と酸素ガスが注入されたチャンバー内で行われ、チャンバーの陽極と陰極の間に電界が形成され、反応性ガスプラズマが発生し、反応性ガスプラズマの正イオンが陰極と同じポテンシャルにあるフォトマスクに向かってフォトマスク表面の垂直方向に加速されるフォトマスクの製造方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　原査定の備考において引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−６９０６４号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下記の「（４）当審の判断」の「ア」の「（イ）相違点２について」において直接参照した記載に下線を付した。）
　
「【００１６】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の実施の形態を詳細に説明するが、その前に本発明の概要について述べる。
【００１７】第１の本発明では、モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、ＣＤと位相差を極力独立に制御できＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスクを得る方法を提供する。
【００１８】一般に、ドライエッチングの制御パラメーターとしては、主にガス種、圧力、ＲＦパワーがあり、その組み合わせにより種々の条件設定が可能で、目的に応じた最適条件が存在する。
【００１９】
ラジカルが反応のメインであるものは、反応機構としてはウエットエッチングの場合と同じように図２で示すようにエッチングの進行は等方的である。
【００２０】
一方、イオンがエッチング反応のメインである場合は、イオンの直進性を利用しているためマスク転写性に優れ、図３に示すように異方性エッチングになる。
【００２１】図４には、ガスとしてＣＦ４ ／Ｏ２ ＝９５／５ｓｃｃｍを用い、かつＲＦパワーが１００Ｗにおいて、圧力を変化させたときのＭｏＳｉＮ（窒化されたモリブデン及びシリコン）と石英基板（ＱＺ）のエッチング速度変化を、また図５にはサイドエッチング量の圧力依存性を示す。両図から明らかなように、圧力が高いときは、ＭｏＳｉＮのエッチング速度は速く石英は遅くなり、
等方的なエッチングとなって、エッチング時間を延長したときのサイドエッチング量増加率が大きくなる。逆に、
異方的なエッチングとなって、エッチング時間を延長してもサイドエッチング量の増加率が小さい
【００２２】したがって、上記のような性質を応用すれば、ＣＤと位相差をほぼ独立に制御することが可能となる。すなわち、最初にある程度異方性の条件にて石英基板の掘れ量も計算に入れてエッチングを行い、この工程でＣＤが設計値よりも細ければ石英の掘れ量が少なくサイドエッチング量の大きい等方性の条件にてエッチングを追加すれば位相差はそのままでＣＤのみを調整でき、反対にＣＤは設計値通りで位相差が若干低めのときは、逆にそのままの条件でエッチングを追加すればＣＤはほとんど変わらずに石英を堀り込んで位相差を調整することができる。
【００２３】上記の圧力を低く設定して異方性を強くするエッチング条件では、レジストのエッチングが進み選択比が落ちる傾向になるため、他の方法として、圧力は一定で、ガス種を変えるようにしてもよい。上記ＣＦ４ に比べ堆積性の強い例えばＣＨＦ３ 等を添加ガスとして用いれば、側壁保護効果によってサイドエッチング量すなわちＣＤはほぼ一定とすることができる。図６にはサイドエッチング量のＣＨＦ３ 添加量依存性を示す。
【００２４】また、上述の技術の関連として、第２の本発明では、ＣＤと位相差の両方が許容範囲に入らないときに、その両方を調整して両方が許容範囲内におさまるようにすることかできる。すなわち、最初のエッチング工程の結果、ＣＤが設計値よりも細く、かつ位相差が低めのときに、それらの両方が調整されるような条件でエッチングを追加すれば、ＣＤと位相差の両方を調整して両方とも許容範囲内とすることができる。」
　
「【図２】
　
　【図３】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
エ　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−３３９４０号公報（以下「引用例３」という。）には、以下の事項が記載されている。（下記の「（４）当審の判断」の「ア」の「（ア）相違点１について」において直接参照した記載に下線を付した。）
　
「【００４３】次に、前記第１及び第２実施形態のブランクマスクを使用する位相シフトマスクの製造方法を説明する。
【００４４】（第１の実施形態を用いた位相シフトマスク製造方法）以下、第１の実施形態を用いた位相シフトマスク製造方法、具体的には、透明基板の表面に遮光膜を形成する段階と、前記遮光膜上に保護膜パターンを形成する段階と、前記保護膜パターンをエッチングマスクとして前記遮光膜が露出した部分をエッチングし、前記基板の第１及び第２領域を露出させる段階と、前記基板の第２領域を位相シフト領域に形成する段階とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法を説明する。
【００４５】図１０に示すように、
基板４０上に遮光膜４２及び保護膜４４を順次形成する。
前記遮光膜４２は前記基板４０に入射する光を光学的に実質的に完全に遮光する膜厚を有する物質膜であり、クロム（Ｃｒ）から形成されることが好ましい。
前記保護膜４４は前記遮光膜４２を保護する役割を果たす。すなわち、前記基板４０に位相シフト領域を形成するために溝が形成される工程で前記遮光膜４２の表面が露出してエッチングガスと反応することを防止する役割を果たす。
前記保護膜４４は前記基板４０に溝を形成するために使用するエッチングガスと反応して気化する気化性物質から形成されることが好ましい。また、前記気化性物質はシリコン（Ｓｉ）を含む物質から形成されることが好ましく、ＭｏＳｉＯＮが例として挙げられる。
【００４６】
前記保護膜４４は前記遮光膜４２を保護するのが主な役割である
【００４７】例えば、ＫｒＦを光源として使用する場合、一般に、波長が２４８ｎｍの遠紫外線が露光に使用される。このとき、前記保護膜４４がＭｏＳｉＯＮから形成され、その膜厚が１８００Å程度であれば、前記保護膜４４に入射する光のうち０．２５％〜０．６４％程度だけが前記保護膜４４を透過することになる。従って、前記保護膜４４は前記遮光膜４２のような遮光する役割を果たすとみなせる。すなわち、前記保護膜４４は第２の遮光膜として使用できる。この結果、前記保護膜４４が存在する場合、前記基板４０の遮光領域の遮光効果は一層高まる。
【００４８】次に、前記保護膜４４の表面にレジスト膜を塗布する。前記レジスト膜をパターニングして前記保護膜４４上にレジスト膜パターン４６ａを形成する。電子線を用いる場合は、前記レジスト膜は電子ビーム用として使用できるフォトレジスト膜を使用するがこれに限られるものではなく、使用するパターン描画方法により適当なレジスト膜を使用することが好ましい。前記レジスト膜パターン４６ａが形成されることにより、前記レジスト膜パターン４６ａ間の前記保護膜４４の表面が露出する。ここで、前記保護膜４４の露出した表面の下方に対応する前記基板４０の部分は位相シフトが形成されない領域または位相シフト領域が形成される領域となる。
【００４９】
図１１は、保護膜４４をパターニングして保護膜パターン４４ａが形成された状態を示す図面である。前記レジスト膜パターン４６ａをエッチングマスクとして前記保護膜４４をエッチングすることにより、前記保護膜４４の露出した部分が除去されてその下方の遮光膜４２が露出し、保護膜パターン４４ａが形成される。
【００５０】次に、前記レジスト膜パターン４６ａを除去し、基板を洗浄することにより、図１２に示す状態に基板は形成される。このとき、前記レジスト膜パターン４６ａ及び保護膜パターン４４ａを形成する過程で前記遮光膜４２の露出した部分に形成された残留物が除去され、前記遮光膜４２の露出した部分の表面が浄化される。
【００５１】続いて、図１３に示すように、
前記保護膜パターン４４ａをエッチングマスクとして前記遮光膜４２をエッチングする。前記エッチングは異方性ドライエッチングであることが好ましい
前記ドライエッチングは塩素ガス（Ｃｌ
２
）及び酸素ガス（Ｏ
２
）を含む混合ガスを使って施すことができる
エッチングは前記基板４０が露出するまで実施する。前記エッチングにより、前記遮光膜４２の露出した部分が除去され、前記基板４０の第１領域４８及び第２領域４９が露出し、遮光膜パターン４２ａが形成される。
　
（３）本願補正発明と引用発明の対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（ア）引用発明の「石英基板２」が本願補正発明の「透光性基板（１）」に相当する。
　また、本願明細書の詳細な説明における「尚、前記クロム膜とは、クロムが主体となって構成された膜であることを意味し、Ｃｒ単体の膜に限らず、ＣｒＯ（クロム、酸素を含むことを意味し、それらの含有率を規定するものではない。以下、同様。）、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮなどの単層、複数層、組成傾斜膜等も含むものである。」（平成２１年１月１９日付けで補正された明細書の【００４９】段落）の記載を参酌すれば、引用発明の「Ｃｒ遮光層４」及び「ＣｒＯ　ＡＲ（反射防止）層６」が本願補正発明の「クロム膜（２）」に相当する。
　また、「Ｓｉ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２又はスピンオンガラス（spin-on-glass）からなり、これにより実質的に全てのＣｒやＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれたことを確認できるまで長引かせることができ」る「ハードマスク層１８」が本願補正発明の「クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）」に相当する。
　
（イ）引用発明の「石英基板２上に、多くの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料が取り除かれるフォトマスク３４の領域と、少しの部分のＣr材料及びＣｒＯ ＡＲ材料のみが取り除かれるフォトマスク３４の領域を備えたフォトマスク」が本願補正発明の「透光性基板（１）上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有するクロムパターン（２１）が形成されたフォトマスク」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「最初に、ハードマスク層１８、ＣｒＯ ＡＲ層６及び Ｃｒ遮光層４に形成されるべきパターンがブランクフォトマスク３０の感光レジスト層８上にレーザースキャン露光システム又は同等のシステムによって走査(scan)され、その結果、感光レジスト層の、電子ビーム又はレーザビームにさらされた部分は溶け出す一方で、さらされていない部分は溶けないまま」であり、「溶けた感光レジストが公知の手段で取り除かれ、ハードマスク層１８の一部を露出させ」る段階（工程）が、本願補正発明の「前記レジスト膜に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン（４１）を形成する工程」に相当する。
　
（エ）引用発明の「溶けた感光レジストが公知の手段で取り除かれ、ハードマスク層１８の一部を露出させ、溶けずにくっついたまま残っている感光レジストが覆っているハードマスク層１８の他の部分は露出されない状態で、プラズマガスを用いて露出したハードマスクを取り除く第１エッチング工程」が、本願補正発明の「前記レジストパターン（４１）をマスクとして前記エッチングマスク用膜にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン（３１）を形成する工程」に相当する。
　
（オ）引用発明の「Ｃｒ遮光層及びＣｒＯ ＡＲ層の内、感光レジスト層１０やハードマスク層１８の下にない部分が露出され、この状態で、Ｃｒ及びＣｒＯ層を取り除く第２エッチング工程」であって「塩素と酸素ガスが注入されたチャンバー内で行われ」る工程が、本願補正発明の「前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記クロム膜にドライエッチングを施して前記クロムパターン（２１）を形成する工程」に相当する。
　
（カ）引用発明の「第２エッチング工程は塩素と酸素ガスが注入されたチャンバー内で行われ、チャンバーの陽極と陰極の間に電界が形成され、反応性ガスプラズマが発生し、反応性ガスプラズマの正イオンがフォトマスクに向かって加速される」ことと、本願補正発明の「前記クロム膜（２）のドライエッチングは、ラジカル主体のドライエッチングと比較して、イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行う」こととは、「前記クロム膜のドライエッチングにおいて、エッチャントにイオンが含まれる」ものである点で一致する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「透光性基板上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有するクロムパターンが形成されたフォトマスクの製造方法において、
　前記透光性基板上に、前記クロムパターンを形成するためのクロム膜、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜、及びレジスト膜を少なくとも有するフォトマスクブランクを準備する工程と、
　前記レジスト膜に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングマスク用膜にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターンを形成する工程と、
　前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記クロム膜にドライエッチングを施して前記クロムパターンを形成する工程と、
　を含み、
　前記クロム膜のドライエッチングにおいて、エッチャントにイオンが含まれるフォトマスクの製造方法。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
ウ　相違点
（ア）相違点１
　無機系材料からなるエッチングマスク用膜が、本願補正発明においては「ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ及びＳｉＯＮの何れかから選択された材料からなる」のに対し、引用発明においては、「Ｓｉ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２又はスピンオンガラス（spin-on-glass）からなる」点。
　
（イ）相違点２
　エッチャントにイオンが含まれるクロム膜のドライエッチングにおいて、本願補正発明においては「ラジカル主体のドライエッチングと比較して、イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行う」のに対し、引用発明においては、その点についての限定がない点。
　
（４）当審の判断
ア　上記各相違点について検討する。初めに、相違点２について検討し、その後、相違点１について検討することとする。
（ア）相違点２について
　まず、第１に、引用発明の「Ｃｒ及びＣｒＯ層を取り除く第２エッチング工程」は「反応性ガスプラズマの正イオンが陰極と同じポテンシャルにあるフォトマスクに向かってフォトマスク表面の垂直方向に加速される」ものであるから、引用発明自体も正イオンによるイオン性のエッチングをしている。
　そして、引用例２には、ドライエッチングの一般的技術として「ラジカルが反応のメインであるものは、反応機構としてはウエットエッチングの場合と同じように図２で示すようにエッチングの進行は等方的である一方、イオンがエッチング反応のメインである場合は、イオンの直進性を利用しているためマスク転写性に優れ、図３に示すように異方性エッチングになる」こと、及び、「等方的なエッチング」においてはエッチング時間を延長したときのサイドエッチング量増加率が大きく」、逆に、異方的なエッチングにおいては「エッチング時間を延長してもサイドエッチング量の増加率が小さい」ことが記載されている（「（２）引用例」の「ウ」参照。）。
　したがって、ＣＤの均一性の改善を技術課題とする引用発明において、サイドエッチング量を低減させてＣＤ（シフト量）の変化を抑えるために、異方的なエッチングの直進性（サイドエッチング量が小さいこと）に着目し、また、上記引用例２に記載の「イオンがエッチング反応のメインである場合は、異方性エッチングになる」というドライエッチングの一般的技術を踏まえて、引用発明の正イオンが含まれるクロム膜のドライエッチングに対し、さらに「イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行う」として、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（イ）相違点１について
　上記の「（ア）相違点２について」で検討したように、引用発明の正イオンが含まれるクロム膜のドライエッチングに対し、引用例２に記載のドライエッチングの一般的技術を踏まえて、さらに「イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行う」とすることは当業者が容易に想到し得ることであるが、ここでは、上記の「イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行う」際の、ハードマスクの材質について検討する。
　引用例３には、クロムからなる遮光膜のエッチングにおける当該遮光膜のエッチングマスクであって、遮光膜の表面が露出して、塩素と酸素からなるエッチングガスと反応することを防止する（保護する）ことを主とした役割とする保護膜がＭｏＳｉＯＮからなること、及び、上記のクロムからなる遮光膜のエッチングが異方性ドライエッチングであることが好ましいことが記載されている（「（２）引用例」の「エ」の【００４５】【００４６】【００５１】段落の記載参照）。すなわち、引用例３には、異方性ドライエッチングにおいてクロム膜の保護の（塩素と酸素からなるエッチングガスと反応することを防止する）ためのハードマスク層に「ＭｏＳｉＯＮ」を用いることが記載されているといえる。
　引用例１において、ハードマスク層の材料について、「Ｓｉ，Ｔｉ，ＴｉＷ，Ｗ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２又はスピンオンガラス（spin-on-glass）」に限らない旨が記載されており、クロム層を保護する（塩素と酸素からなるエッチングガスと反応することを防止する）ハードマスク層としての機能を果たす特性を備える材質のものであれば、他の材質も選択し得ることが示唆されているといえるのであるから、引用発明においても、その材質として、上記引用例３に記載された「クロムからなる遮光膜の表面が露出して、塩素と酸素からなるエッチングガスと反応することを防止する（保護する）ことを主とした役割とする保護膜」の材料、すなわち、塩素と酸素からなるエッチングガスとの反応性の低い材料としての「ＭｏＳｉＯＮ」を選択して、上記相違点１に係る本が補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明、引用例２及び引用例３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　なお、平成２２年１０月８日付けで提出された回答書において、請求人は、次の請求項１の補正案を提示した。
「［請求項１］ 
 　透光性基板（１）上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有するクロムパターン（２１）が形成されたフォトマスクの製造方法において、 
 　前記透光性基板（１）上に、前記クロムパターンを形成するためのクロム膜（２）、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）、及びレジスト膜（４）を少なくとも有するフォトマスクブランク（１１）を準備する工程と、 
 　前記レジスト膜に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン（４１）を形成する工程と、 
 　前記レジストパターン（４１）をマスクとして前記エッチングマスク用膜にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン（３１）を形成する工程と、 
 　前記エッチングマスクパターンをマスクとして、前記クロム膜に塩素系ガスと酸素系ガスの混合ガスからなるドライエッチングガスを用いてドライエッチングを施して前記クロムパターン（２１）を形成する工程と、 
 　前記エッチングマスクパターン（３１）を、前記クロムパターン（２１）形成後に剥離する工程と、 
 　を含み、 
 　前記無機系材料からなるエッチングマスク用膜（３）は、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ及びＳｉＯＮの何れかから選択された材料からなり、 
 　前記エッチングマスク用膜の膜厚が５〜３０ｎｍであり、 
 　前記クロム膜（２）のドライエッチングは、ラジカル主体のドライエッチングと比較して、イオン性を高めることによってドライエッチングの異方性を高めた条件で行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　
　上記の回答書の補正案の請求項１に係るは、本願補正発明に対して、
（１）クロム膜に施すドライエッチングについて「塩素系ガスと酸素系ガスの混合ガスからなるドライエッチングガスを用い」ることを特定すること、
（２）「エッチングマスクパターン（３１）を、前記クロムパターン（２１）形成後に剥離する工程」を追加すること、及び、
（３）エッチングマスク用膜について、その「膜厚が５〜３０ｎｍ」であることを特定すること、
をさらに限定するものである。
　
　しかし、上記（１）については、引用例１に「第２エッチング工程は塩素と酸素ガスが注入されたチャンバー内で行われる」（日本語訳、以下同様）と記載されていること、（２）については引用例１に「ハードマスク層の厚さは、５０〜５００Åの範囲内にあり、好ましくは２５０Åである。」（当審注；１０Å＝１ｎｍ）と記載されていること、（３）については引用例１に「図９に示される本発明の第２実施例のように、ハードマスク層１８はウエット又はドライエッチングの手法で取り除いてもよい。」と記載されていることから、上記（１）ないし（３）の限定事項は、いずれも、引用例１に記載されている事項である。
　よって、上記補正案の請求項１に係る発明についても、本願補正発明と同様に、引用発明、引用例２及び引用例３に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２１年９月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月１９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記「第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「［理由］１　本件補正について」の記載参照。）。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項及び引用発明並びに原査定の備考に引用された刊行物の記載事項については、上記「第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」の「ア」ないし「ウ」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、上記「第２　平成２０年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明の対比」の「ア　対比」において記載したのと同様の対比の手法及び結果により、本願発明と引用発明は、「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明の対比」の「イ　一致点」において記載したのと同じ点で一致し、また、上記「第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明の対比」の「ウ　相違点」における「（イ）相違点２」に相当する相違点（すなわち、上記各相違点において「本願補正発明」を「本願発明」と置き換えたもの）のみで相違する。
　そして、上記相違点については、上記「第２　平成２１年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（４）当審の判断」の「ア」における「（イ）相違点２について」で、検討したとおりであり、また、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項から当業者が予測し得る程度のものであることから、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。