【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、上記第１表面（２）と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し、
バンプ（３）の表面上で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターン（８）が配置されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなるとともに、上記第１表面（２）と平行な方向におけるバネ作用を生じさせるような幾何学的造形を有し、
バンプ（３）の内部で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターンが配置されていることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
絶縁層（７、１１）が、少なくとも部分的に第１表面（２）を覆ってバンプ（３）に隣接しており、
導体パターン（４）が、絶縁層上に配置されてバンプ（３）と電子回路との間に導電接合を形成することを特徴とする、請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の表面上で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターン（８）が配置され、
絶縁層（７、１１）が、少なくとも部分的に第１表面（２）を覆ってバンプ（３）に隣接しており、
導体パターン（４）が、絶縁層上に配置されてバンプ（３）と電子回路との間に導電接合を形成し、
上記絶縁層（７、１１）が、少なくとも部分的にバンプ（３）を覆うことを特徴とする電子部品。
【請求項５】
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有する電子部品であって、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されているものにおいて、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の内部で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターンが配置されており、
絶縁層（７、１１）が、少なくとも部分的に第１表面（２）を覆ってバンプ（３）に隣接しており、
導体パターン（４）が、絶縁層上に配置されてバンプ（３）と電子回路との間に導電接合を形成し、
上記絶縁層（７、１１）が、少なくとも部分的にバンプ（３）を覆うことを特徴とする電子部品。
【請求項６】
上記絶縁層（７、１１）が、弾性を有していることを特徴とする、請求項４または５記載の電子部品。
【請求項７】
上記電子部品が半導体部品であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項８】
上記電気接点（１）が、導電層または導電球（５）によって形成されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項９】
電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有し、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されており、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の表面上で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターン（８）が配置されているものであり、
上記バンプ（３）の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする方法。
【請求項１０】
電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有し、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されており、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の内部で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターンが配置されているものであり、
上記バンプ（３）の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする方法。
【請求項１１】
電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有し、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されており、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の表面上で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターン（８）が配置されているものであり、
上記バンプ（３）を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする方法。
【請求項１２】
電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第１表面（２）に電子回路と電気接点（１）とを有し、
第１表面（２）上に、少なくとも１つのバンプ（３）が配置されており、
この少なくとも１つのバンプ（３）上に、少なくとも１つの電気接点（１）が配置されており、
バンプ（３）が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ（３）の内部で、少なくとも１つの電気接点（１）と電子回路との間に回路パターンが配置されているものであり、
上記バンプ（３）を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする方法。
【請求項１３】
上記バンプ（３）が、熱可塑性プラスチックまたは熱硬化性プラスチックからなることを特徴とする、請求項１１または１２記載の方法。
【請求項１４】
上記バンプ（３）の被着後に、バンプ（３）の表面粗面化を、少なくとも後の回路パターン（８）となる領域で、特にレーザを利用して行うことを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
上記バンプ（３）の表面を粗面化した後、かつ、バンプ（３）の表面に回路パターン（８）を形成するための導電材料を被着する前に、バンプ（３）の表面に核の析出が行われることを特徴とする、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
上記の核がパラジウムからなることを特徴とする、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
上記バンプ（３）表面上での回線パターン（８）の形成を、粗面化表面上に導電材料を析出することによって行うことを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
上記電子部品には、少なくとも部分的に第１表面（２）を覆うように、絶縁層（７）が形成されており、
上記絶縁層（７）の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする、請求項９〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
上記電子部品には、少なくとも部分的に第１表面（２）を覆うように、絶縁層（７、１１）が形成されており、
上記絶縁層（７、１１）を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする、請求項９〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
上記電子部品の絶縁層上には、バンプ（３）と電子回路との間に導電接合を形成する導体パターン（４）が形成されており、
上記絶縁層（７、１１）の表面粗面化を、少なくとも、導体パターン（４）の形成領域で、特にレーザを利用して行うことを特徴とする、請求項１８または１９記載の方法。
【請求項２１】
絶縁層（７、１１）の表面を粗面化した後、かつ、絶縁層（７、１１）の表面に回路パターン（８）を形成するための導電材料を被着する前に、絶縁層（７、１１）の表面に核の析出が行われることを特徴とする、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
上記の核がパラジウムからなることを特徴とする、請求項２１記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
第１工程では、弾性材料（例えばシリコーンまたはポリウレタン）からなる軟質バンプ３が、半導体チップ６の第１表面２に被着される。弾性プラスチックの材料特性は、一般に、金属化されないような性質である。この理由から、弾性素子上に、半弾性絶縁層７を被着する。半弾性絶縁層７は、半導体チップ６の第１表面の諸部分にも、弾性バンプ３の表面にも被着される。しかし、図１１からわかるように、軟質バンプ３の１側面には、半弾性絶縁層７がない。この措置は、軟質バンプ３における弾性素子３のバネ作用を支援するために有利である。この側面も絶縁層７で覆われてしまうと、不都合な状況下では、場合によっては、層７が裂けることがあろう。