【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体加工チャンバ中でウェハを加工する方法であって、
チャンバ中に取り付けられたウェハホルダー上にウェハを配置すること；
ウェハホルダーから間隔を空けて配置される少なくとも１つの温度センサーの温度を検知すること；
センサーの温度を第一安定温度に変化させること；
センサーが第一安定温度に変化するよりも速くウェハの温度を第二安定温度に変化させること；
センサーの温度を変化させ及びウェハの温度を変化させながらセンサーの温度をコントローラで制御すること；及び
センサーの温度が第一安定温度に達する前の第二安定温度にてウェハ処理を開始することを包含する方法。
【請求項２】ウェハの温度の変化させることが、センサーが第一安定温度に変化するよりも５秒超速くウェハ温度を第二安定温度に変化させることを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項３】ウェハの温度の変化させることが、センサーが第一安定温度に変化するよりも２５秒超速くウェハ温度を第二安定温度に変化させることを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項４】ウェハの温度の変化させることが、センサーが第一安定温度に変化するよりも４０秒超速くウェハ温度を第二安定温度に変化させることを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項５】センサー温度の制御がＰＩＤコントローラを用いて制御することを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項６】センサーが熱電対を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】所望の処理時間の間ウェハにわたり均一に第一安定温度に維持するためにウェハから間隔を空けて配置される複数の分散された周辺熱電対の温度を制御することをさらに包含する請求項１に記載の方法。
【請求項８】ウェハが第二安定温度に変化するよりもゆっくりと周辺熱電対の温度を複数の第３温度に変化させることをさらに包含する請求項７に記載の方法。
【請求項９】複数の熱電対の各々が独立した温度コントローラで制御される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】ウェハホルダーの熱質量がウェハの熱質量の５倍未満の熱質量である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】センサーが第一安定温度に達する前にウェハの温度を第二安定温度から第３温度に変化させることをさらに包含する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】ウェハが第二安定温度に達したときウェハ処理を開始することをさらに包含する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】ウェハ処理の開始がエピタキシャルデポジション反応ガスを導入することを包含する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】第二安定温度が±３−４℃内で安定である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】温度センサーがウェハホルダーから０．０１０インチを超えて離れている請求項１に記載の方法。
【請求項１６】温度センサーがウェハホルダーから０．０３０インチと０．０７０インチの間離れている請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】半導体加工チャンバ中でウェハを加工する方法であって、
半導体加工チャンバ中にウェハを支えること；
ウェハから間隔を空けて配置される少なくとも１つの温度センサーの温度を測定すること；
センサーの温度をコントローラセットポイント曲線及びセンサー補償条件に応じてコントローラを用いて変化させること；及び
センサーが安定第二温度に達する前に定常状態温度でウェハ処理を開始することを包含する方法。
【請求項１８】ウェハ処理をコントローラセットポイントが第二安定温度に達した後１０秒未満で開始する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】ウェハ処理をコントローラセットポイントが第二安定温度に達した後５秒未満で開始する請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】ウェハ処理をコントローラセットポイントが第二安定温度に達した後３秒未満で開始する請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】熱電対が安定第二温度に達する前にウェハ処理を終了することをさらに包含する請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】ウェハを支持することがウェハをウェハの熱質量の５倍未満の熱質量を有するウェハホルダー上に配置することを包含する請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】定常状態温度でウェハにわたり均一な温度分布を維持するためにウェハから間隔を空けて配置される複数の分散された温度センサーの温度を制御することをさらに包含する請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】複数の温度センサーがウェハの下に間隔をあけた１つの中央熱電対とウェハ端の周りに間隔をあけた複数の周辺熱電対を含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】半導体加工チャンバ中でウェハを加工する方法であって、
反応チャンバ内に温度センサーから離れて配置されるウェハを配置すること；
センサーの温度を温度コントローラを用いて傾斜させること；及び
センサーの温度を傾斜させながら安定なウェハ温度でウェハ処理を開始することを包含する方法。
【請求項２６】傾斜時間内にウェハを安定温度に傾斜させる方法であって、ウェハに緩やかに熱的に結合された温度センサの温度を制御するためにＰＩＤコントローラを用いること、及び、センサーの温度を傾斜させながら安定なウェハ温度でウェハ処理を開始することを包含する方法。
【請求項２７】ウェハ及び温度センサが傾斜時間の０．３倍よりも大きい特徴的な時間定数を有する請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】ウェハ及び温度センサが傾斜時間の０．５倍よりも大きい特徴的な時間定数を有する請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】ウェハがウェハの熱質量の５倍未満の熱質量を有するウェハホルダー上に支持される請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】温度センサがウェハホルダーから０．０３０インチと０．０７０インチの間の距離で温度を検知する請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】ウェハホルダーがウェハの熱質量の３倍未満の熱質量を有する請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】ウェハホルダーがウェハの熱質量の０．５倍と２倍の間の熱質量を有する請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】ウェハが加工チャンバ内に輻射加熱に影響されやすいウェハホルダーを用いることなく支えられている請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】ウェハから間隔を空けて配置される複数の熱電対が独立したＰＩＤコントローラを用いて制御される請求項２６に記載の方法。
【請求項３５】半導体加工装置であって、
加工チャンバ；
加工チャンバ内でウェハを支えるための支持構造；
加工チャンバ内でウェハを加熱するために配置された複数の発熱体；
ウェハが加工チャンバ内で支えられるときウェハに緩やかに熱的に結合されるように配置された温度センサー；及び
温度傾斜中に温度センサーの温度を制御するために発熱体及び温度センサーの少なくとも１種と接続された温度コントローラを有する装置。
【請求項３６】支持構造が石英スパイダーを含む請求項３５に記載の半導体加工装置。
【請求項３７】支持構造がさらにウェハの熱質量の５倍未満の熱質量を有するウェハホルダーを含む請求項３６に記載の半導体加工装置。
【請求項３８】温度センサーがウェハホルダーから０．０３０インチと０．０７０インチの間の距離で温度を検知する請求項３７に記載の半導体加工装置。
【請求項３９】ウェハ及び温度センサーが傾斜時間の０．３倍よりも大きい特徴的な時間定数を有する請求項３５に記載の半導体加工装置。
【請求項４０】ウェハが加工チャンバ内に支えられるとき温度センサーがウェハの下に離れて配置される請求項３５に記載の半導体加工装置。
【請求項４１】ウェハにわたり均一な温度分布を維持するために複数の周辺温度センサー及び周辺コントローラをさらに包含する請求項４０に記載の半導体加工装置。
【請求項４２】加工チャンバが石英チャンバを含み、発熱体が加工チャンバ外の輻射熱ランプ位置を含む請求項３５に記載の半導体加工装置。