Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（ａ）少なくとも1つのパルス磁力（ＰＭＦ）エネルギを少なくとも１つのワークピースの少なくとも一部分へ移行して、該部分内に強力な磁気圧を誘導し、
（ｂ）ＰＭＦエネルギと少なくとも部分的に共通の広がりをもつ補助エネルギをワークピースの少なくとも一部分へ移行して、ＰＭＦおよび補助エネルギを結合して、物理的変化を得ることを含む、少なくとも１つの金属ワークピースにおける物理的変化を誘導する方法であって、
補助エネルギが、前記少なくとも１つの金属ワークピースの前記少なくとも一部分において振動を誘導する機械的エネルギである方法。
【請求項２】  前記機械的エネルギが、それと関係付けられたＰＭＦ生成コイルを振動するように誘導される振動導波管によって誘導される請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記機械的エネルギが、それと関係する流体放電（ＤＩＦ）デバイスを振動するように誘導される振動導波管によって誘導される請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記機械的エネルギが超音波エネルギ源によって誘導される請求項１記載の方法。
【請求項５】  ２つの金属ワークピースを互いに溶接する方法であって、
（ａ）第１の期間中に、一次電流を一次ワーキングコイルを通して放電することによって一次パルス磁力（ＰＭＦ）を生成して、２つの金属ワークピースの第１の金属ワークピースの少なくとも一部分に強力な磁気圧を誘導して、前記部分を第２の金属ワークピースの少なくとも１つの他の一部分へ向かって移動し、衝撃を与え、
（ｂ）第２の期間中に、２つの金属ワークピースの少なくとも一方へ、前記一次ＰＭＦエネルギ以外の機械的エネルギを移行し、前記第１の期間および前記第２の期間は、前記第１または前記第２の期間の一方の少なくとも実質的な部分において互いにオーバーラップして、前記機械的エネルギをＰＭＦエネルギと組合せて、少なくとも２つの部分を互いに溶接することを含む方法。
【請求項６】  前記機械的エネルギが、一次電流の放電と同時に開始される請求項５記載の方法。
【請求項７】  前記機械的エネルギが、一次電流を放電する前または後に開始される請求項５記載の方法。
【請求項８】  前記機械的エネルギが、２つの金属ワークピースの少なくとも一方において迅速な動作を誘導することによって伝えられる請求項５乃至７のいずれか1項記載の方法。
【請求項９】  機械的エネルギが、導波管と関係付けられたワーキングコイルを通して電流を放電することによって生成されるＰＭＦによってワークピースの１つと接触している機械的導波管を通して加えられる請求項８記載の方法。
【請求項１０】  機械的エネルギが、流体放電（ＤＩＦ）デバイス内の流体中に埋め込まれた少なくとも２つの電極間の電流の放電によって、該デバイス内で生成された衝撃波によってワークピースの１つと接触している機械的導波管を通して加えられる請求項８記載の方法。
【請求項１１】  前記機械的エネルギが超音波エネルギである請求項８記載の方法。
【請求項１２】  （ａ）それを通る電流を放電して、金属ワークピースの少なくとも一部分に強力な磁気圧を誘導するフォーミングコイルを備えた少なくとも1つのＰＦＭユニットと、
（ｂ）フォーミングコイルを通る電流の放電と少なくとも部分的に共通の広がりをもって、補助エネルギをワークピースの少なくとも一部分へ移行し、前記圧力および補助エネルギが相乗に作用して前記物理的変化を得る少なくとも1つの補助エネルギ源とを含む、少なくとも1つの金属ワークピースにおける物理的変化を誘導する装置であって、
前記第２のエネルギ源が、前記少なくとも１つのワークピースの前記少なくとも一部分において振動を誘導する機械的エネルギ源である装置。
【請求項１３】  前記少なくとも一部分の形成、切断、または穿孔の少なくとも1つか、あるいは前記少なくとも一部分を別の金属ワークピースに接合または溶接することを含む物理的変化を誘導する請求項１２記載の装置。
【請求項１４】  前記第２のエネルギ源が、補助ＰＭＦ回路を含む請求項１２または１３記載の装置。
【請求項１５】  前記機械的エネルギ源が、機械的エネルギ波を前記ワークピースへ伝える固体部材を含むデバイスであり、前記部材が、前記部材の振動を誘導する補助ＰＭＦユニットのワーキングコイルと関係付けられている請求項１２記載の装置。
【請求項１６】  前記機械的エネルギ源が、機械的エネルギ波を前記ワークピースへ伝える固体部材を含むデバイスであり、前記部材が流体放電（ＤＩＦ）デバイスと関係付けられていて、電流放電回路に接続され、該デバイス内の流体に埋め込まれた少なくとも２つの電極間で電流を放電することによって、衝撃波を生成することができる請求項１２記載の装置。
【請求項１７】  ２つの金属ワークピースを互いに溶接する装置であって、
装置の動作サイクルの第１の期間中に、パルス磁力（ＰＭＦ）を生成して、２つの金属ワークピースの第１の金属ワークピースの少なくとも一部分を、２つの金属ワークピースの第２の金属ワークピースの少なくとも一部分へ向かって移動させるように構成されている一次ワーキング回路をもつ一次放電回路と、
（ｉ）装置の動作サイクルの第２の期間中に機械的エネルギを生成し、（ｉｉ）この機械的エネルギを２つの金属ワークピースの少なくとも一方へ移行するように構成されているデバイスであって、前記第１の期間と前記第２の期間が前記第１または前記第２の期間の一方の少なくとも実質的な部分において互いにオーバーラップして、前記機械的エネルギがＰＭＦエネルギと組み合わされて、少なくとも２つの部分を互いに溶接するデバイスとを含む装置。
【請求項１８】  補助エネルギを生成するデバイスが、補助ＰＭＦ回路を含む請求項１７記載の装置。
【請求項１９】  前記デバイスが、ワークピースの少なくとも一方に機械的衝撃波または振動を誘導するデバイスを含む請求項１７記載の装置。
【請求項２０】  前記デバイスが機械的導波管を含む請求項１９記載の装置。
【請求項２１】  前記デバイスが、前記導波管内の機械的波を誘導するＰＭＦに対する導波管に関係付けられたワーキングコイルを含む請求項２０記載の装置。
【請求項２２】  導波管が流体放電（ＤＩＦ）デバイスと関係付けられ、ＤＩＦデバイスが流体を含んでいて、前記流体を通して電極間で電流を放電する放電電極をもつチャンバを備え；前記チャンバが導波管と接触して、電流が電極間で放電されるときに、衝撃波が、導波管へ送られる流体内で生成される請求項２０記載の装置。
【請求項２３】  前記流体が水溶液である請求項２２記載の装置。
【請求項２４】  前記アセンブリが、超音波を生成し、この超音波を２つのワークピースの少なくとも一方へ送るように構成されている請求項１９記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】触媒が液体状態での酸で含浸され、次いで、該含浸された触媒が200℃より高い温度で還元又は酸化されることを特徴とする、不定形のシリカ−アルミナ担体上の少なくとも１種の貴金属を含む触媒を再生する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の触媒を再生する方法は、該触媒は不定形のシリカ−アルミナ担体上の少なくとも１種の貴金属を含む触媒である触媒を、液体状態での酸で含浸すること、次いで、該含浸された触媒を、200℃より高い温度で還元又は酸化することを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体上にロジウムを含んでなる三元触媒組成物であって、
前記担体が白金およびパラジウムを含まないものであり、
前記担体が、（ａ）、（ｂ’）及び（ｂ’’）の総重量に対して、
（ａ）５２〜８８％のジルコニアと、
（ｂ’）１０〜４０％のセリアと、及び
（ｂ’’）２〜８％の酸化ランタンとを含んでなり、
前記担体上の前記ロジウムの濃度が、前記ロジウムと前記担体の総重量に対して０．０３５〜０．３５％であり、
前記触媒が、（ａ）、（ｂ’）及び（ｂ’’）の合計において１．２〜４．０ｇ／ｉｎ３（７３〜２４４×１０−３ｇ／ｃｍ３）で含有してなり、
（ａ）、（ｂ’）及び（ｂ’’）が前記担体の９０〜１００重量％を構成してなる、三元触媒組成物。
【請求項２】
前記担体が、（ａ）、（ｂ’）及び（ｂ’’）の総重量に対して、
（ａ）７２〜８２％のジルコニアと、
（ｂ’）１５〜２５％のセリアと、及び
（ｂ’’）３〜５％の酸化ランタンとを含んでなる、請求項１に記載の三元触媒組成物。
【請求項３】
１〜２５ｇ／ｆｔ３（３５．３〜８８２．９ｇ／ｍ３）のロジウムを含有する、請求項１又は２に記載の三元触媒組成物。
【請求項４】
Ｈ２Ｓ抑制材料をさらに含んでなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の三元触媒組成物。
【請求項５】
粒子状酸化物をさらに含んでなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の三元触媒組成物。
【請求項６】
前記粒子状酸化物が、アルミナとランタンの酸化混合物である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の三元触媒組成物。
【請求項７】
前記担体に、白金及び／又はパラジウムをさらに含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の三元触媒組成物。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の三元触媒組成物を包含してなる、キャリアーであって、
前記キャリアーが、ハニカムモノリス、ペレット床又は発泡材料である、キャリアー。
【請求項９】
酸化窒素を窒素へ還元することを含んでなる化学反応を触媒するための方法であって、
酸化窒素を、請求項１〜７のいずれか一項に記載の三元触媒組成物と接触させることを含んでなる、方法。
【請求項１０】
酸化窒素を窒素へ還元し、一酸化炭素を二酸化炭素へ酸化し、及び／又は炭化水素を二酸化炭素と水へ酸化する為の請求項１〜７のいずれか一項に記載の三元触媒組成物の使用であって、
前記酸化窒素、前記一酸化炭素及び前記炭化水素が、石油（ガソリン）内燃機関の化学量論的運転における排ガス中に存在するものである、使用。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の三元触媒組成物又は請求項８に記載のキャリアーを包含してなる内燃機関の為の排気機構。
【請求項１２】
請求項１１に記載の排気機構を包含してなる、内燃機関。
【請求項１３】
前記内燃機関が、石油（ガソリン）内燃機関である、請求項１２に記載の内燃機関。
【請求項１４】
エンジンと、請求項１２又は１３に記載の内燃機関を備えてなる、車両。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月7日(2006.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ０．５ｅＶ以下のバンドギャップを有する半導体材料である第１材料の層と、この第１材料の層と共にヘテロジャンクションを形成する第２材料の層と、
前記ヘテロジャンクションの第１の側に設けられた第１ゲート電極と、前記第１の側の反対側である前記ヘテロジャンクションの第２の側に設けられた第２ゲート電極と、
前記第１材料の層に平行に延在する面に沿って、前記ヘテロジャンクションの第１の端、第２の端に、それぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極とを含み、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間に電圧を印加することで、前記第１材料の層内の一点の価電子帯の上領域が前記第１材料の層内の別の点の伝導帯の底領域よりも高く強制されることができるように、前記第１材料の層の価電子帯と伝導帯が十分に類似したエネルギー・レベルを有している、電界効果型単一電子トランジスタ。
【請求項２】  前記ヘテロジャンクションが、前記第２材料の単一層近くの前記第１材料の単一層として設けられている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】  前記ヘテロジャンクションが、前記第２材料の２つの層の間に前記第１材料の単一層として設けられている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】  前記第１材料の層が、ＩｎＳｂ、ＣｄxＨｇ1-xＴｅの材料のうちの１つである、請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項５】  前記第２材料が、ＩｎＡｌＳｂ、ＣｄxＨｇ1-xＴｅ、ＣｄＴｅの材料のうちの１つである請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項６】  前記第２ゲート電極が、少なくとも１つの絶縁体の層により、ヘテロジャンクションを形成している材料から絶縁されている、請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項７】  １又は２以上の側部ゲートが設けられている、請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項８】  前記側部ゲートが、ヘテロジャンクション上の第１材料又は第２材料の１つの側部に沿って延長された領域を含んでいる、請求項７に記載のトランジスタ。
【請求項９】  ２つの側部ゲートが設けられている、請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項１０】  前記２つの側部ゲートが同一面内にあり、これらの側部ゲートの２つの領域の間の当該面内にギャップが存在する、請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】  第２ゲート電極が前記側部ゲートの上に絶縁されて設けられている、請求項７乃至１０のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項１２】  第２ゲート電極が側部ゲート間のギャップ上に延びた主要部分を含んでいる、請求項８に直接又は間接に従属した請求項１乃至１１のうちいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項１３】  ヘテロジャンクションが第１材料のストリップと第２材料の層との間に設けられている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１４】  ゲート電極が設けられて第１材料のストリップ上に横たわっている、請求項１３に記載のトランジスタ。
【請求項１５】  基板内にＶ形状の切込み、すなわち溝を含んでいる、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１６】  第２材料の層が前記溝を内張りするよう設けられている、請求項１５に記載のトランジスタ。
【請求項１７】  内張りされた溝の切込みのＶ部に第１材料の領域が設けられた、請求項１６に記載のトランジスタ。
【請求項１８】  非平面の表面を持った第２材料の層を有しその上に量子線が製造されている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１９】  基板が、結晶格子の平坦面から離れた軸で切断された段付きの表面を有する、請求項１８に記載のトランジスタ。
【請求項２０】  リッジ成長された量子線を少なくとも１つ含んでいる、請求項１に記載のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも第１の半導体によって形成されている少なくとも１つの、実質的に一次元の細長い導電手段を有するトランジスタであって、
上記導電手段は、第２の半導体によって実質的に取り囲まれ且つソース電極とドレイン電極との間に伸びており、
上記細長い導電手段のある領域内に少なくとも１つのさらなる電極が設けられており、
上記細長い導電手段は、前記第２の半導体内の溝の中に形成されており、
上記溝は、該溝の少なくとも一方の壁が、前記第１の半導体の成長速度が実質的にゼロである結晶面とおおよそ平行な、実質的に平らな表面であるように構成された
ことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】  前記溝は、２つの壁の交差によって形成され、
各壁は、上記第１の半導体の成長速度が実質的にゼロである結晶面とおおよそ平行な、実質的に平らな表面である
ことを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】  上記第１の半導体は、上記交差領域内に設けられている
ことを特徴とする、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】  基体内に形成されている溝
を備え、上記溝は、上記溝の側上に設けられて上記溝を裏張りしている第２の半導体の領域を有している
ことを特徴とする、請求項１乃至３の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項５】  上記第１の半導体及び上記基体は、実質的に同一の材料である
ことを特徴とする、請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】  上記導電手段が、上記第２の半導体の底領域内の上記第１の半導体の細長い領域からなり、上記第２の半導体の底領域は、上記裏張りされた溝の底領域、又は上記溝の底領域である
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項７】  上記溝は、メサ構造のトップ領域内に設けられている
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項８】  １つより多くの導電手段が設けられている
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項９】  上記導電手段のある領域に沿って、量子ドットが設けられている
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１０】  上記少なくとも１つの更なる電極は、使用中に、閉じ込めを与えて、上記量子ドットを形成するようになっている
ことを特徴とする、請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】  上記導電手段に沿って、複数の量子ドットが設けられている
ことを特徴とする、請求項９又は１０に記載のトランジスタ。
【請求項１２】  上記１つの又は複数の電極は、上記導電手段内の電荷キャリアのための三次元閉じ込めを与えるように配列され、二次元内のハード閉じ込めが、上記導電手段内に電荷キャリアを保持する
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１３】  上記１つの又は複数の電極は、上記導電手段を実質的に横切っている
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１４】  上記１つの又は複数の電極は、使用中に、上記導電手段の上記第１の半導体のエネルギバンド内にピークを生じさせることができる
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１５】  上記導電手段の一部分は、三日月形断面を有している
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１６】  上記第１の半導体はガリウム砒素（ＧａＡｓ）である
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１７】  上記第２の半導体はアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）である
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１８】  上記トランジスタは単一電子トランジスタである
ことを特徴とする、先行請求項の何れか１つに記載のトランジスタ。
【請求項１９】  トランジスタを製造する方法であって、
第１の半導体から成る実質的に一次元の細長い導電手段を設け、上記導電手段を第２の半導体材料によって実質的に取り囲むステップ
を含み、溝の少なくとも一方の壁が、上記第１の半導体の成長速度が実質的にゼロである結晶面におおよそ平行で、実質的に平らな表面であるように第２の半導体の該溝を作りその後、該溝内に上記第１の半導体を設けることにより、上記細長い導電手段を形成し、
上記導電手段の第１の端領域にソース電極を設け、上記導電手段の第２の端領域にドレイン電極を設けるステップと、
上記導電手段の領域内に、少なくとも１つの更なるゲート電極を設けるステップと
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】  異方性エッチングを遂行することによって、上記溝を設ける
ことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  上記溝は、基体上に成長されたｎ+表層内に設けられる
ことを特徴とする、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】  上記基体及び上記第１の半導体は、実質的に同一の材料である
ことを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  上記溝は、上記ｎ+表層のトップ領域内に設けられているｐ―ドープされた領域内に設けられる
ことを特徴とする、請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】  上記第２の半導体の溝を、溝を該第２の半導体を用いて裏張りすることにより形成する
ことを特徴とする請求項１９乃至２３の何れか１つに記載の方法。
【請求項２５】  上記第１の半導体は、上記裏張りされた溝の底領域内に成長される
ことを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】 上記第１の半導体が設けられると、第２の半導体の層を設けることにより、該第１の半導体を該第２の半導体によって取り囲む
ことを特徴とする、請求項１９乃至２５の何れか１つに記載の方法。
【請求項２７】  上記第１の材料はＧａＡｓである
ことを特徴とする、請求項１９乃至２６の何れか１つに記載の方法。
【請求項２８】  上記第２の半導体はＡｌＧａＡｓである
ことを特徴とする、請求項１９乃至２７の何れか１つに記載の方法。
【請求項２９】  上記溝は、上記溝の壁が実質的に上記半導体の（１１１）面に沿って横たわるように配列されている
ことを特徴とする、請求項１９乃至２８の何れか１つに記載の方法。
【請求項３０】  上記基体内の上記溝は、上記半導体の複数の面から僅かに離軸して形成されている
ことを特徴とする、請求項１９乃至２９の何れか１つに記載の方法。
【請求項３１】 量子ドットは、上記離軸した溝による上記導電手段の厚みの変化によって生ずる停止の付近において、上記導電手段に沿って設けられている
ことを特徴とする、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】  上記トランジスタは、単一電子トランジスタ（ＳＥＴ）である
ことを特徴とする、請求項１９乃至３１の何れか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン製の半導体本体の表面にゲート酸化膜およびゲート電極を形成し、ゲート電極の両側にて半導体本体内にソース領域およびドレイン領域を形成し、ゲート電極のエッジに隣接する前記ソース領域およびドレイン領域の一部をより低いドーピング濃度にし、ゲート電極の両側にて半導体本体の表面に絶縁膜を設け、半導体本体を熱酸化することによって、半導体本体の表面に隣接する絶縁膜の部分を形成し、ゲート電極の両側にスペーサを設け、その後、イオン打ち込みにより半導体本体を適当なドーピング原子でドーピングすることにより、ソース領域およびドレイン領域の高濃度にドープされた部分を形成する、ＭＯＳトランジスタを含む半導体デバイスの製造方法において、第１工程において、第２のイオン打ち込みの後にほぼすべてのドーピング原子が絶縁膜に位置するように条件設定された第２のイオン打ち込みにより絶縁膜を適当なドーピング原子によってドーピングすることによって、ソース領域およびドレイン領域のより高濃度にドープされた部分を形成し、第２工程において、半導体本体内に絶縁膜からドーピング原子の一部を拡散し、この結果、ソース領域およびドレイン領域のより低濃度にドープされた部分を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
ゲート酸化膜と同時に絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
熱酸化によりゲート電極の両側にてゲート酸化膜を厚くすることにより、絶縁膜を形成することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
絶縁膜の厚みを２〜２０ｎｍの範囲、好ましくは２〜１０ｎｍの範囲に選択することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
第２のイオン打ち込みの流速を１０１４〜１０１６ａｔ／ｃｍ２の範囲に選択し、打ち込みエネルギーを０.１〜５ｋｅＶの範囲に選択することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
スペーサを設ける前に第２のイオン打ち込みを実行し、その後、第１のイオン打ち込みを実行することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
スペーサを設け、第１のイオン打ち込みを実行した後に、再びスペーサを除去し、その後、第２のイオン打ち込みを実行し、その後、好ましくはスペーサを新しく設けることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
ＮＭＯＳトランジスタの製造方法であって、第１のイオン打ち込みにおいてヒ素イオンを使用し、第２のイオン打ち込みにおいてリンイオンを使用することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
第１のイオン打ち込み中に半導体本体へ導入されたドープ元素の活性化および第２のイオン打ち込み中に絶縁膜に導入されたドープ元素の一部の半導体本体における拡散を、半導体本体の単一の熱処理、好ましくは高速の熱アニール処理で実行することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の製造方法に従って得られたＭＯＳトランジスタを含む半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマを用いる反応性イオン・エッチングによってシリコン基板をエッチングする段階を含む、シリコン基板のエッチングの間にシリコン・絶縁体界面でのアンダカットを防止する方法であって、イオン密度が低減され、それによって、エッチング中に形成される側壁の垂直エッチングが行われる方法。
【請求項２】  少なくとも1つのポリマー形成化合物をプラズマに導入することによる重合段階をさらに含み、シリコンの露出された表面上に化合物が付着し、それによって一時的なコーティング層が形成される、請求項1記載の方法。
【請求項３】  反応性イオン・エッチングおよび重合が循環的であり繰り返される、請求項2記載の方法。
【請求項４】  以下の段階を含む、シリコン基板のエッチングの間にシリコン・絶縁体界面でのアンダカットを防止する方法：
a）反応性エッチングガスをシリコンに接触させ、シリコンの表面から材料を除去し、エッチングされた表面を製造することによる異方性プラズマ・エッチング段階；
b）少なくとも1つのポリマー形成化合物を重合し、シリコンの露出された表面上に付着させ、それにより、この化合物をプラズマに導入することによって一時的なコーティング層を形成する段階；および
c）シリコンの表面に衝突する反応性イオンがプラズマ中に生じる、約109イオン／cm3より少ない低減されたイオン密度を有する反応性イオン・エッチング段階。
【請求項５】  エッチング（a）が、プラズマ中に実質的にポリマー形成化合物を含まずに行われる、請求項4記載の方法。
【請求項６】  エッチング（a）によって形成された横方向に画定された凹部構造に付着（b）時に塗布されたポリマーが、反応性イオン・エッチング（c）中に部分的にエッチングされる、請求項4記載の方法。
【請求項７】  反応性エッチングガスが、六フッ化イオウとアルゴンの混合物である、請求項4記載の方法。
【請求項８】  第1のエッチング段階が、シリコンの表面から材料をある深さまで除去し、かつ該第1のエッチング段階が、エッチング深さを与える期間にわたって行われる、請求項4記載の方法。
【請求項９】  反応性イオン・エッチング（c）で使用される反応性イオンが、F2、SiF4、C2F6、MoF5、WF6、XeF2、SF6、C3F8、NF3、CHF3、およびCF4から成る群より選択される、請求項4記載の方法。
【請求項１０】  シリコン表面が、プラズマ・エッチングの前にパターン化される、請求項4記載の方法。
【請求項１１】  エッチング（a）および付着（b）が、反応性イオン・エッチング（c）を行う前に交互に繰り返される、請求項4記載の方法。
【請求項１２】  反応性イオン・エッチングの後に追加の重合段階をさらに含む、請求項4記載の方法。
【請求項１３】  追加の重合段階および反応性イオン・エッチング段階が循環的であり繰り返される、請求項12記載の方法。
【請求項１４】  約109イオン／cm3より少ないイオン密度を実現するのに十分なイオン速度、イオン密度、イオン質量、バイアス、電力、および圧力でのシリコン基板の反応性イオン・エッチング段階を含む、シリコン基板のアンダカットを回避するエッチング方法。
【請求項１５】  供給される電力が約5ワットから500ワットの範囲である、シリコン基板に低密度電源を印加する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項１６】  供給される電力が約5ワットから500ワットの範囲である、反応性イオン・エッチング（c）の間にシリコン基板に低密度電源を印加する段階をさらに含む、請求項4記載の方法。
【請求項１７】  エッチングの間に使用されるガスの流量が約100sccmから200sccmであり、かつ重合の間に使用されるガスの流量が約0sccmから100sccmである、請求項1または4記載の方法。
【請求項１８】  エッチング段階、重合段階、および反応性イオン・エッチング段階の圧力が約1mTから500mTである、請求項1または4記載の方法。
【請求項１９】  段階の温度が約15℃から25℃である、請求項1または4記載の方法。
【請求項２０】  低減されたイオン密度においてプラズマを用いる反応性イオン・エッチングによってシリコン基板をエッチングする段階を含む、シリコン基板のアンダカットを回避するエッチング方法。
【請求項２１】  少なくとも1つのポリマー形成化合物をプラズマに導入することによって重合させる段階をさらに含む方法であって、化合物を、シリコンの露出された表面上に付着させ、それにより、一時的なコーティング層を形成する、請求項20記載の方法。
【請求項２２】  反応性イオン・エッチング段階および重合段階が循環的な様式で実施される、請求項21記載の方法。
【請求項２３】  イオン密度が約109イオン／cm3以下である、請求項20記載の方法。
【請求項２４】  供給される電力が約5ワットから500ワットの範囲である、シリコン基板に低密度電源を印加する段階をさらに含む、請求項20記載の方法。
【請求項２５】  エッチングの間に使用されるガスの流量が約100sccmから200sccmであり、かつ重合の間に使用されるガスの流量が約0sccmから100sccmである、請求項21記載の方法。
【請求項２６】  エッチング段階、重合段階、および反応性イオン・エッチング段階の圧力が約1mTから500mTである、請求項21記載の方法。
【請求項２７】  段階が、約15℃から25℃の温度で行われる、請求項20記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも２つの機器を含む第１のネットワークにおける通信方法であって、
第１の機器はインターネットアプリケーションを含み、第２の機器はインターネットに接続する手段を含み、
上記方法は、
上記第２の機器によって、上記第１の機器と上記第２の機器との間でコネクションをオープンするために、上記第２の機器によってサポートされる複数のプロトコルの中で選択されたプロトコルに対応し、上記第１の機器とインターネットサーバとの間で情報を交換するために使用されるべきインターネットアプリケーションプロトコルを識別するインターネットアプリケーションプロトコル識別子を含む要求を上記第１の機器から受信する段階と、
上記第２の機器によって、上記第１の機器から上記インターネットアプリケーションプロトコルの形式でインターネットプロトコル要求を受信する段階と、
上記第２の機器から上記インターネットサーバへ上記インターネットプロトコル要求をフォワードする段階と、
受信時に、上記第１のネットワークで、上記インターネットサーバからの応答を上記第２の機器を通じて上記第１の機器へ転送する段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  上記第１の機器による上記要求は、上記第１のネットワークでのコネクションのために、上記第１の機器によってメッセージ受信に割り付けられるメッセージバッファサイズを含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】  上記第２の機器によるコネクションのオープンについての上記要求の応答は、上記第２の機器によって上記第１のネットワークの上記コネクションに割り付けられるメッセージバッファサイズを含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】  送信側機器は、受信側機器へ送信されるデータを、上記受信側機器のメッセージバッファのサイズよりも小さいサイズのメッセージへ分割することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】  上記第２の機器によって、上記第１の機器から要求を受信したときに、上記第２の機器によってサポートされるインターネットアプリケーションプロトコルのリストを送信する段階を更に含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】  上記第２の機器によって、上記第１の機器から上記第１の機器の関数のアドレスを受信する段階を更に含み、上記第２の機器は、インターネット応答を上記関数の呼出しのパラメータとして上記第１の機器へ送信する、請求項１記載の方法。
【請求項７】  上記第２の機器は、上記第１の機器によって要求されるコネクションにコネクション識別子を属させ、上記コネクション識別子は、上記コネクションのオープンについての上記要求の受信の確認として上記第１の機器から上記第２の機器へ送信される、請求項１記載の方法。
【請求項８】  上記第１の機器及び上記第２の機器は、上記第１の機器による上記第２の機器への関数の呼出し、又は、上記第２の機器による上記第１の機器への関数の呼出しのためのパラメータとして、上記コネクション識別子を系統的に使用する、請求項７記載の方法。
【請求項９】  第１のネットワーク及びインターネットに接続し、ＩＰプロトコルスタックを含む機器であって、
インターネットアプリケーションプロトコルに従って要求及び応答をフォワードする複数のインターネットアプリケーションプロトコルと、
上記第１のネットワークのクライアント機器のインターネットアプリケーションが、インターネットプロトコル識別子を指定することにより、クライアント機器とインターネットサーバとの間で使用される上記インターネットアプリケーションプロトコルのうち１つを選択することを可能にするアプリケーションプログラマブルインタフェースとを含む機器。
【請求項１０】  第１のネットワークに接続される少なくとも２つの機器を含む第１のネットワークにおける通信方法であって、
第１の機器はインターネットアプリケーションを含み、第２の機器はインターネットに接続する手段を含み、
上記方法は、上記第１の機器のレベルで、
上記第１の機器と上記第２の機器との間でコネクションをオープンするために、上記第２の機器によってサポートされる複数のプロトコルの中で上記第１の機器によって選択されたプロトコルに対応し、上記第１の機器とインターネットサーバとの間で情報を交換するために使用されるべきインターネットアプリケーションプロトコルを識別するインターネットアプリケーションプロトコル識別子を含む要求を送信する段階と、
上記インターネットアプリケーションプロトコルの形式でインターネットプロトコル要求を上記第２の機器に送信する段階と、
上記第２の機器から上記インターネットサーバへ上記インターネットプロトコル要求をフォワードする段階と、
上記インターネットサーバからの応答に従い、上記第２の機器から応答を受信する段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】  上記第２の機器からサポートされているインターネットアプリケーションプロトコルのリストを要求する段階を更に含む、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークを動作する方法において、顧客端末において検出されたようにネットワークローディングに依存して、顧客端末によるネットワーク使用に対するタリフを顧客端末において自動的に変更することを含む方法。
【請求項２】
顧客端末においてネットワークローディングに依存するネットワーク動作パラメータを検出することと、ネットワーク動作パラメータに依存してタリフを変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ネットワークがパケットネットワークであり、ネットワーク動作パラメータがデータ源と顧客端末との間の伝送中に損失したパケット数である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
顧客端末において輻輳信号を検出し、該輻輳信号に応答してタリフを変更する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
顧客端末において受け取られたデータパケットから顧客端末における輻輳信号を読み取ることを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ルータにおける輻輳の検出に応答してネットワーク内のルータにおいて輻輳信号を生成することを含む請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項７】
最初に輻輳が検出されたときに、最初のタリフの増加を行い、輻輳が持続する場合には、少なくとも１つのさらなる大きいタリフの増加を行う請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
ユーザが判断する価格基準で顧客端末において決定エージェントをプログラムし、前記料金基準でタリフを使用して計算された価格を比較することを含む請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
通信ネットワークを介して複数の端末へタリフアルゴリズムを配送し、各端末においてこのタリフを使用して、端末によるネットワーク使用に対する料金を計算することを含む請求項１ないし請求項８の何れか1項に記載の方法。
【請求項１０】
ネットワークオペレータによって実行される段階として、
顧客端末とネットワークとの間のトラヒックを断続的にサンプリングし、このサンプリングの一部として、顧客端末に影響を与えるネットワークローディングを記録することと、
サンプリングされたトラヒックに関して、顧客端末によって計算される料金と予想される料金とを比較して、不一致を検出すること、
とをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
顧客端末が、データ源からネットワークを介して顧客端末へ送られるデータにおける輻輳を検出するとき、顧客端末が輻輳通知信号をデータ源へ戻す請求項１ないし請求項１０の何れか1項に記載の方法。
【請求項１２】
顧客端末において、タリフが固定される期間を選択し、前記期間の継続期間に依存して割り増しを支払う請求項１ないし請求項１１の何れか1項に記載の方法。
【請求項１３】
端末が検出された輻輳に応答して出力を減じない場合にのみタリフが変更される請求項１ないし請求項１２の何れか1項に記載の方法。
【請求項１４】
通信ネットワークにおいて使用する顧客端末において、
使用の際に、顧客端末が接続されているネットワークのローディングを検出する手段と、
前記検出手段に応答し、顧客端末によるネットワーク使用タリフを自動的に変更するように構成された手段とを含む顧客端末。
【請求項１５】
前記検出手段とタリフ変更手段は、
顧客端末が接続されたネットワーク内で資源のローディングを検出する段階と、
顧客端末によるネットワーク使用に対するタリフを検出されたローディングに依存して自動的に変更する段階と、
を連続的に実行するように構成された少なくとも１のプロセッサを備える、請求項１４に記載の顧客端末。
【請求項１６】
顧客端末において局所的にネットワークローディングを検出する手段と、
前記検出手段に応答して、顧客端末によるネットワーク使用に関するタリフを自動的に変更する手段であって、該タリフは該顧客端末に特定のものであるものと、
を含む通信ネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パケットペイロード内でカプセル化されたパケット化データであるパケットを含むトランスポートパケットストリームを処理するデコーダであって、
携帯セキュリティモジュール（３０）から特定の条件付アクセスシステムの識別子（ＣＡ  ＳＹＳＴＥＭ  ＩＤ）を受信する手段（７４）と、
当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を受信すると共に当該トランスポートパケットストリームから当該パケットＩＤを有するパケットを抽出する様に構成されている第１のフィルタリング手段（８５）であって、当該第１のフィルタリング手段は、更に当該トランスポートパケットストリームからプログラムマップテーブル（４１、４２）と条件付きアクセステーブル（４７）を抽出する様に構成されている第１のフィルタリング手段（８５）と、
当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を当該第１のフィルタリング手段（８５）に供給する為の手段（８１）であって、当該供給手段（８１）は、更に当該第１のフィルタリング手段（８５）からプログラムマップテーブル（４１、４２）と条件付きアクセステーブル（４７）を受信すると共に、当該特定の条件付アクセスシステムの識別子（ＣＡ  ＳＹＳＴＥＭ  ＩＤ）、プログラムマップテーブル（４１、４２）及び条件付きアクセステーブル（４７）とを使用して、当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤを決定する様に構成されている供給手段（８１）と、
テーブルヘッダーとテーブルペイロードとからなるテーブルとを含み、当該テーブルヘッダーはテーブルＩＤを含み、当該テーブルペイロードは条件付きアクセスメッセージとメッセージの形式を識別する為の条件付きアクセス特定ヘッダーフィールドを含んでいる、当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を持つ抽出されたパケットのペイロードと、
更に、携帯セキュリティモジュール（３０）からテーブルＩＤの値及び第２のフィルタリング手段（８６）を形成するために必要な条件付きアクセス特定ヘッダーとを含むフィルターデータ（ＦＩＬＴＥＲ  ＤＡＴＡ）を受信する様に構成されている当該受信手段(７４)と、
当該フィルターデータを受信し、且つ当該フィルターデータに応答して当該テーブルＩＤとそれぞれのパケットの条件付きアクセスヘッダーを当該フィルターデータと比較して当該抽出されたパケットのペイロードをフィルタリングする為の第２のフィルタリング手段（８６）、
とから構成されているデコーダ。
【請求項２】  請求項１記載のデコーダと携帯セキュリティモジュールとの組合せ体であって、当該携帯セキュリティモジュールは当該識別子（ＣＡ  ＳＹＳＴＥＭ  ＩＤ）と当該フィルターデータを格納する記憶手段と当該識別子と当該フィルターデータを当該でコーダに送信する為の手段を含んでいる組合せ体。
【請求項３】  パケットペイロード内でカプセル化されたパケット化データであるパケットを含むトランスポートパケットストリームを処理する方法であって、当該方法は、デコーダに於いて、
携帯セキュリティモジュール（３０）から特定の条件付アクセスシステムの識別子（ＣＡ  ＳＹＳＴＥＭ  ＩＤ）を受信する工程と、
当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を第１のフィルタリング手段（８５）に付与する工程と、
当該受信された識別子と対応するパケットヘッダー情報を当該第１のフィルタリング手段（８５）に付与する工程と、
当該第１のフィルタリング手段に於いて、当該トランスポートパケットストリームから当該パケットＩＤを有するパケットを抽出する工程と、
当該第１のフィルタリング手段に於いて、当該トランスポートパケットストリームからプログラムマップテーブル（４１、４２）と条件付きアクセステーブル（４７）を抽出する工程と、
当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を第１のフィルタリング手段（８５）に供給する工程と、
当該供給手段於いて、当該第１のフィルタリング手段から当該プログラムマップテーブル（４１、４２）と条件付きアクセステーブル（４７）を受信する工程と、
当該供給手段に於いて、当該特定の条件付アクセスシステムの識別子（ＣＡ  ＳＹＳＴＥＭ  ＩＤ）、プログラムマップテーブル（４１、４２）及び条件付きアクセステーブル（４７）とを使用して、当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を決定する工程であり、当該特定の条件付アクセスシステムと関連する条件付きアクセスパケットのパケットＩＤ（ＰＩＤ）を持つ抽出されたパケットのペイロードは、テーブルヘッダーとテーブルペイロードとからなるテーブルを含み、且つ当該テーブルヘッダーはテーブルＩＤを含み、当該テーブルペイロードは条件付きアクセスメッセージとメッセージの形式を識別する為の条件付きアクセス特定ヘッダーフィールドを含んでいるものであり、
当該携帯セキュリティモジュールから、テーブルＩＤの値及び第２のフィルタリング手段（８６）を形成するために必要な条件付きアクセス特定ヘッダーとを含むフィルターデータ（ＦＩＬＴＥＲ  ＤＡＴＡ）を受信する工程と、
当該第２のフィルタリング手段に於いて当該フィルターデータを受信する工程と、
当該第２のフィルタリング手段に於いて、当該受信されたフィルターデータに応答して当該テーブルＩＤとそれぞれのパケットの条件付きアクセスヘッダーを当該フィルターデータと比較して当該抽出されたパケットのペイロードをフィルタリングする工程、
とから構成されているトランスポートパケットストリームを処理する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ダイアフラム（１１）が、ガラス転移温度を有する物質（１２、１４）によって、基体（１０）に対して間隔を隔てられた所定位置に保持されており、この位置において、ダイアフラム（１１）が平衡状態にあり、ダイアフラム（１１）が平衡状態位置のまわりに動くことができるような所定張力を有する、ダイアフラム（１１）および基体（１０）を有するタイプの微細機械加工トランスデューサの製造方法において、
基体（１０）を設ける段階と、
基体（１０）に対する所定位置にダイアフラム（１１）を保持する段階と、
この所定位置において、物質（１２、１４）を少なくともガラス転移温度まで加熱して、ダイアフラムのビルトイン材料応力を軽減し、
ダイアフラム（１１）を、所定張力を有するように調整する段階と、を包含することを特徴とする方法。
【請求項２】  ガラス転移温度を有する物質（１２、１４）が、ＳｉＯ2であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  ダイアフラム（１１）の張力を測定する段階と、ダイアフラム（１１）の厚さを、所定張力を生じる厚さに調整する段階とを、さらに包含することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  ダイアフラム（１１）の厚さを、ダイアフラム（１１）の表面をエッチングすることによって調整することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】  ダイアフラム（１１）の厚さを、その表面に材料を堆積させることによって調整することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】  ダイアフラム（１１）が、応力特性が異なる少なくとも２枚の層（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を有することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項７】  ダイアフラム（１１）が、多結晶質シリコンからなる中間層（１１ｂ）と、この中間層のそれぞれの側面に設けた、窒化ケイ素からなる外層（１１ａ、１１ｃ）とを有することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】  ダイアフラム（１１）を加圧して撓ませる段階と、ダイアフラム（１１）の撓みを測定する段階と、測定した撓みに基づいてダイアフラム（１１）の張力を算出する段階とを包含することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項９】  光線（１８）をダイアフラム上へ放射し、ダイアフラムから反射させ、ダイアフラムの撓みによって、反射光線（１８）に変化を生じさせ、この光線（１８）の変化に基づいてダイアフラムの撓みを算出することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】  ダイアフラム（１１）を励振して振動させる段階と、ダイアフラム（１１）の共振振動数を測定する段階と、測定した共振振動数に基づいてダイアフラム（１１）の張力を算出する段階とを包含することを特徴とする請求項３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  互いに対面する上部壁と下部壁を有する外部ケーシングであり、前記壁の内の一方が前記ケーシングの内部に手が届くように開口を有している、外部ケーシングと、
前記開口を正常に閉じるように前記開口中に切り離し可能に取り付けられたリッドと、
前記外部ケーシング中に取り付けられた主回路ボードであり、複数の電話構成部品が、前記壁の内の前記一方の壁に面する前記回路ボード上の一方の側に位置付けされ、これによって、前記ボードの所定の領域を露出したままに残し、前記露出領域が、前記開口と整合したバッテリ受容窪みを含み、前記バッテリ受容窪みがバッテリ電力入力部を受容する１対の接点を有する、主回路ボードと、
前記バッテリ受容窪み中に取り外し可能に座している埋込式バッテリであり、前記バッテリが、前記窪み中の前記接点と接触している１対の接点を有し、これによって、前記バッテリを、前記リッドを切り離した後で前記開口を介して取り外しと交換することができる、埋込式バッテリと、
を備える携帯電話。
【請求項２】  前記リッドが外部フェースと内部フェースを有し、前記内部フェースが、前記リッドを開閉した際に前記窪みに対する自動的な挿入と取り外しをするために前記バッテリを本来の位置に保持するように前記バッテリと止まり係合するためのリッジを有する、請求項１に記載の電話。
【請求項３】  前記バッテリが外部ケーシングを持たない角柱状セルである、請求項１に記載の電話。
【請求項４】  前記バッテリの厚さが１０ｍｍ未満である、請求項３に記載の電話。
【請求項５】  前記電話ケーシングの厚さが２０ｍｍ以下である、請求項４に記載の電話。
【請求項６】  前記バッテリ受容窪みが、対応するバッテリ寸法より少し大きい所定の寸法を有する、請求項１に記載の電話。
【請求項７】  前記窪み中と前記バッテリ上にある前記接点が、前記バッテリが前記窪みに対して第１の方位にあるときに整合し、前記バッテリが他の方位にあるときには整合から外れるように前記窪みの中心からオフセットされている、請求項１に記載の電話。
【請求項８】  前記バッテリが、
上部フェースと、
前記窪みに対面して位置付けされた下部フェースと、
正及び負の端子と、
前記正端子にリンクされ、前記バッテリが前記第１の方位にあるときに、前記回路ボード上の前記正接点と整合する正の接点と、
前記負端子にリンクされ、前記第１の方位で前記回路ボード上の前記負の接点と整合する負の接点と、を有し、
前記バッテリが前記第１の方位とは反対の第２の方位にあるときに前記正と負のバッテリ接点がそれぞれ前記ボード上の前記負と正の接点からオフセットされ、これによって前記電話又はバッテリに対する破損を防止する、請求項７に記載の電話。
【請求項９】  前記接点対の内の少なくとも１対がポゴピンを含む、請求項１に記載の電話。
【請求項１０】  前記回路ボードが、前記電話ケーシングのそれぞれの長さと幅に実質的に等しい長さと幅とを有すると共に、長手方向に両側の端を有し、前記バッテリ受容窪みが、前記ボードの一方の長手方向端に隣接して、前記ボードの全幅にわたり延びて配置されている、請求項１に記載の電話。
【請求項１１】  前記回路ボードが長手方向の両端を有し、前記バッテリ受容窪みが前記ボードの前記長手方向端の中間に置かれている、請求項１に記載の電話。