【事件の表示】
　特願２００７−５５７７４７「表示装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置、テレビジョン受像機」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月１６日国際公開、ＷＯ２００７／０９１３６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
国際特許出願　　：平成１８年１１月３０日
（優先権主張　平成１８年２月６日，同年９月１３日　日本国）
国内書面　　　　：平成２０年　６月１９日
拒絶理由　　　　：平成２１年　３月１１日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　５月１８日
拒絶理由（最後）：平成２１年　６月２６日（起案日）
意見及び手続補正：平成２１年　８月３１日
補正の却下の決定：平成２１年１０月２６日（起案日）
拒絶査定　　　　：平成２１年１０月２６日（起案日）
審判請求　　　　：平成２２年　２月　４日
補正書　　　　　：平成２２年　２月　４日
審尋　　　　　　：平成２２年１２月２０日（起案日）
回答書　　　　　：平成２３年　２月１６日
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２２年２月４日付けの手続補正（以下［本件補正］という。）は，特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり補正するものである。
(1)　補正事項１
　本件補正前の「画素」を「トランジスタを介してデータ信号線および走査信号線に接続された第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素」と限定して減縮する。
(2)　補正事項２
　本件補正前の「表示装置」を「液晶表示装置」と限定して減縮する。
(3)　補正事項３
　本件補正前の「第１副画素電極」について「上記データ信号線に重ならないように設けられている」と限定して減縮する。
　
　そうしてみると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下，単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）について，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か，すなわち，本件補正後発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを以下で検討する。
　
２　本件補正後発明
　本件補正後発明は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　トランジスタを介してデータ信号線および走査信号線に接続された第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に，該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とすることで第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする液晶表示装置であって，
　第２副画素電極は平面的に視て内周および外周を有する形状であって，かつ第２副画素電極の内周の内側に第１副画素電極が配されていることにより，中間調を表示する時に第２輝度領域が第１輝度領域を取り囲み，
　上記第１副画素電極は，上記データ信号線に重ならないように設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
　
３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開平８−３２８０４３号公報（拒絶理由通知の引用文献１，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有する非線型抵抗素子（以下ＭＩＭ素子と呼ぶ）や薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ素子と呼ぶ）等のスイッチング素子と液晶駆動電極とを含んで構成される液晶表示装置に関する。」
　
記載事項イ　
「【０００２】【従来の技術】図２に従来のＭＩＭ素子を形成した液晶表示装置の１表示画素の構造を示す。（ａ）はこの従来の液晶表示装置の平面図であり，（ｂ）は断面図である。ここでＭＩＭ素子とは，例えばＴａ（タンタル）−タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等のような第１導電体−絶縁体−第２導電体の３層構造で構成される非線型抵抗素子をいう。この場合，第２導電体としては，ＩＴＯに限らず，例えばＣｒ又はＣｒを成分とする合金を用いる事ができる。
【０００３】次に，この従来のＭＩＭ素子を形成した液晶表示装置の製造方法を説明する。
【０００４】まず，第１基板２０１上にスパッタ法によりＴａ膜が形成される。次に，このＴａ膜がフォトエッチングによりパターニングされ配線電極を兼ねたＭＩＭ素子２０８の第１導電体２０３が形成される。そして，陽極酸化法により第１導電体２０３の表面が酸化され，絶縁体２０４が形成される。次に，スパッタ法によりＩＴＯ膜が形成される。そして，このＩＴＯ膜はフォトエッチングによりパターニングされ，ＭＩＭ素子２０８の第２導電体を兼ねた液晶駆動電極２０５が形成される。第１基板２０１と対向する様に第２基板２０２を設ける。第２基板２０２には，スパッタ法によりＩＴＯ膜が形成される。そして，このＩＴＯ膜はフォトエッチングにより，ストライプ状にパターニングされたデータ線２０６が，第１基板２０１の配線電極と直交するように形成される。第１基板２０１と第２基板２０２の間には，液晶層２０７を充填して液晶表示装置が構成されている。この液晶表示装置でカラー表示を必要とする場合は，第２基板２０２とデータ線２０６の間，あるいはデータ線２０６と液晶層２０７の間にカラーフィルター層を設置する。
【０００５】またスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた場合は第１基板２０１側に複数の走査線とこれら走査線と直交する様に複数のデータ線を設け，ＴＦＴ素子を走査線とデータ線の各交点に設置する。この際ＴＦＴ素子のゲート電極は走査線に接続され，ソース電極はデータ線に，液晶駆動電極はドレイン電極に接続される。第２基板２０２側には対向電極が設けられている。走査線に選択状態の電位が与えられたときにのみＴＦＴのソース・ドレイン間は低インピーダンスのオン状態と化し，データ線とオン状態のＴＦＴを通じて表示信号に対応する電位が液晶駆動電極に与えられ，第２基板２０２側の対向電極と液晶駆動電極との間に挾持された液晶の光学状態を変化させる。ＴＦＴに制御される液晶駆動電極はマトリクス状に配置されており，これにより情報の表示が可能となる。」
　
記載事項ウ　
「【００４２】〔実施例１〕図１は本発明による実施例を示し，図１（ａ）は上視図，図１（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ’における断面図である。
【００４３】ガラス等の第１基板１０１上にＴａをスパッタ法により形成し，フォトエッチングによりパターニングし，ＭＩＭ素子の第１導電体１０３を設ける。第１導電体１０３は，走査配線を兼ねた形状に加工し，例えばその膜厚は１０００〜６０００Åとする。次に第１導電体１０３の表面を陽極酸化法により酸化し，ＭＩＭ素子の絶縁体１０４を２００〜８００Åの膜厚となる様に形成する。例えば陽極酸化は０．０１〜１％程度の濃度のクエン酸あるいは酒石酸アンモニウムの水溶液中に，陰極として白金を用い，陽極が第１導電体１０３となる様に配線し，１０〜４５Ｖの直流を印加して，３０分〜４時間酸化する。次に絶縁体１０４を３００〜５００℃で焼成し，絶縁体１０４を緻密な膜にし，非線型特性を向上させる。次にＭＩＭ素子の第２導電体を兼ねた液晶駆動電極の第一画素電極１０５と第二画素電極１０６を形成する。第一画素電極１０５には第一ＭＩＭ素子１１１が接続され，第二画素電極１０６は第一画素電極１０５の周囲を囲む様に形成され，第二ＭＩＭ素子１１０が接続されている。第一画素電極１０５と第二画素電極１０６は例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）に代表される透明導電体をスパッタ法により３００〜４０００Åの厚さに成膜し，フォトエッチングによりパターニングする。ＭＩＭ素子の第２導電体と液晶駆動電極は一体で形成する必要はなく，例えば第２導電体としてＣｒやＮｉＣｒＴａ，Ｔｉ等の金属あるいは合金を用い，液晶駆動電極としてはＩＴＯ等の透明導電体を用いて，其々別々に形成してもよい。次に第１基板１０１と，液晶層１０９を介して対向する様に第２基板１０２を設ける。第２基板１０２には，ＩＴＯ等の透明導電体をストライプ状に加工したデータ線１０８を形成し，走査配線と直交する様に設ける。図１は簡単のためにモノクロ液晶表示装置について説明したが，染料により染色した有機層あるいは顔料を分散させた有機層を第２基板１０２とデータ線１０８の間，あるいはデータ線１０８と液晶層１０９の間，あるいは液晶駆動電極１０５，１０６と液晶層１０９の間，あるいは液晶駆動電極１０５，１０６と第１基板１０１の間のいずれかの位置に設置する事により容易にカラー液晶表示装置とする事ができる。
【００４４】従来技術と本実施例の大きな相違点は，液晶駆動電極を第一非線型抵抗素子の一種で有る第一画素電極１０５と第二非線型抵抗素子の一種で有る第二画素電極１０６の２つに分け，第一画素電極１０５の周辺部に第二画素電極１０６を形成し，更にそれぞれ独立した第一ＭＩＭ素子１１１と，第二ＭＩＭ素子１１０で駆動する事で液晶表示装置の視角特性を向上させた事である。」
　
記載事項エ　
「【００４５】Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．ｏｆ  ｔｈｅ  Ｉｎｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，ｐｐ．７０７−７１０  Ｄｅｃ．１９８０にＭＩＭ素子の容量ＣMIMと液晶層の容量ＣLCの比，ＣLC／ＣMIMが大きくなると液晶層に印加される実効電圧が大きくなる事が示されている。第一画素電極１０５で駆動される液晶層１１２の容量ＣLC1と第一ＭＩＭ素子１１１の容量ＣNL1の比と，第二画素電極１０６で駆動される液晶層１１３の容量ＣLC2と第二ＭＩＭ素子１１０の容量ＣNL2の比が異なる様にすれば，液晶層１１２と液晶層１１３に印加される実効電圧が変わり，視角特性が向上する。
【００４６】ここで第一ＭＩＭ素子１１１の面積をＳNL1，第二ＭＩＭ素子１１０の面積をＳNL2，絶縁体１０４の膜厚をｔNL，絶縁体１０４の比誘電率をεNL，真空の誘電率をεOとするとＣNL1，ＣNL2はそれぞれ，
ＣNL1＝εO・εNL・ＳNL1／ｔNL…（１）
ＣNL2＝εO・εNL・ＳNL2／ｔNL…（２）
となる。一方第一画素電極１０５の面積をＳLC1，第二画素電極１０６の面積をＳLC2，液晶層１１２，１１３の厚さ，すなわち第１基板１０１と第２基板１０２のギャップをｔLC，液晶の比誘電率をεLCとするとＣLC1，ＣLC2はそれぞれ
ＣLC1＝εO・εLC・ＳLC1／ｔLC…（３）
ＣLC2＝εO・εLC・ＳLC2／ｔLC…（４）
となる。
【００４７】１例として視角特性を向上させるために，
ＣLC1／ＣNL1＞ＣLC2／ＣNL2…（５）
の関係を満たす様にすると，液晶層１１２に印加される実効電圧は，液晶層１１３に印加される実効電圧に比べ大きくなり，正面から見たときのコントラスト比は，液晶層１１２により十分に大きくなり，斜めから見たときのコントラスト比は，液晶層１１３により補償され，視野角の広い液晶表示装置となる。特に中間調表示の画面を斜めから見たときに，画面のネガポジ反転（白黒反転）を防止するのに大きな効果がある。式（５）に式（１）〜（４）を代入して整理すると，
ＳLC1／ＳNL1＞ＳLC2／ＳNL2…（６）
となり，単に面積比を変えれば上記の効果が得られる事が分かる。これは従来技術に比べ，構造やプロセスを複雑にする事なく，単に液晶駆動電極をパターニングする際のフォトマスクを変更する事のみで実現できるので有る。加えて本実施例では第二画素電極１０６が完全に第一画素電極を囲んでいる為，どの方向から本実施例記載の液晶表示装置を見てもコントラスト比は液晶層１１３により補償され，視野角が広くなる。更に本実施例では欠陥補修が可能となっている。例えば第二ＭＩＭ素子１１０の絶縁膜１０４にピンホールがあって第一導電体１０３と第二画素電極１０６が短絡している場合，第二画素電極１０６の電位は常に走査配線の電位と同じになってしまうが，第一ＭＩＭ素子１１１も同時に不良でない限り正常に情報表示する第一画素電極１０５によりこの液晶駆動電極領域は点欠陥にはならないので有る。反対に第一ＭＩＭ素子１１１が不良で第一画素電極１０５が動作しない場合でも，第二ＭＩＭ素子１１０と第二画素電極１０６の正常動作によりこの液晶駆動電極領域は点欠陥にはならない。こうした欠陥補修との観点からは第一画素電極１０５の面積と第二画素電極１０６の面積が等しい事が好ましい。もし何方か一方の画素電極面積が他方の画素電極面積よりも著しく大きければ，大きい画素電極に接続するＭＩＭ素子が不良となったとき，生き残っている正常なＭＩＭ素子に接続する画素電極が著しく小さくなり，その為に欠陥補修が効果的に行われないからで有る。又液晶表示装置は多くの場合正面から眺める時間が長く，最適コントラストは正面に合わせられる。本実施例では第一画素電極１０５上の液晶層１１２が正面からの視点を作り，それらを囲む第二画素電極１０６上の液晶層１１３が上下，左右方向からの視野角を補償している。こうした点からも第一画素電極１０５と第二画素電極１０６の面積が等しい事が望まれる。この場合一つの液晶駆動電極の約５０％は正面からのコントラスト向上に寄与し，約２５％が左右方向の視野角を広げる事に寄与し，残りの約２５％が上下方向の視野角を広げる役割を演ずる事となる。無論本実施例で第一画素電極面積を広く取り，正面からのコントラストを優先させる事も可能で有る。反対に第一画素電極の面積を４０％程度と小さくし，第二画素電極の内で上下に走る帯部の面積を左右それぞれ２０％程度の計４０％程度とし，第二画素電極の内で左右に走る帯部の面積を上下それぞれ１０％程度の計２０％程度とすれば正面からのコントラストは多少劣るものの左右方向の視野角が著しく改善される。正面からの画質を重視する場合は第一画素電極の面積を比較的大きく取り，視野角を優先する場合は第二画素電極の面積を比較的大きくするので有る。しかしながら広視野角と高画質を両立し，更に効果的に欠陥補修できるとの観点からは第一画素電極面積ＳLC1と第二画素電極面積ＳLC2は等しい事が好ましい。
【００４８】ＳLC1＝ＳLC2…（７）
このとき第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積ＳNL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積ＳNL2の関係を
ＳNL1＜ＳNL2…（８）
とすれば，
ＳLC1／ＳNL1＞ＳLC2／ＳNL2…（６）
の関係を満たし，上述の効果を実現できる。（６）式を満たした状態で，第一画素電極面積ＳLC1の第一画素電極と第二画素電極を合わせた面積ＳLC1＋ＳLC2に対する比をκ1とすると
κ1＝ＳLC1／（ＳLC1＋ＳLC2）…（９）
高画質と広視野角を両立させる好ましいκ1の値は０．１から０．９で有り，より好ましくは０．２から０．８，更に好ましくは０．３から０．７で，理想的には０．４から０．６の間で有る。
【００４９】視野角特性は前述の（５）式を満たす関係，或いは（６）式を満たす関係に有るときに向上する。
【００５０】
ＣLC2／ＣNL2＝ｍ1（ＣLC1／ＣNL1）…（１０）
上記（１０）式にて係数ｍ1を定義すると（５）式（６）式は
ｍ1＜１…（１１）
と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造，画素電極構造を考慮して好ましいｍ1の値の範囲は０．００１から０．９９９で有り，より好ましくは０．０１から０．９９，更に好ましくは０．１から０．９で有り，理想的には０．２から０．８の間で有る。」
　
記載事項オ　
「【００５１】本実施例の様に液晶駆動電極を複数の画素電極に分割する場合，画素電極間の分離距離ｄが高画質を得るのに重要な役割を演ずる。図１にｄで示す画素電極間の分離距離が大きいと，コントラストの低下や光漏れ現象と言った問題が生ずるからで有る。分離距離ｄが十分に小さいときにはこれらの問題は生じない。と言うのは液晶表示装置が所望の情報を表示している状態で第一画素電極１０５と第二画素電極１０６には殆ど同じ電位が与えられており，為に液晶層１１２と液晶層１１３の液晶偏光状態は殆ど同じとなるからで有る。液晶の粘性係数はゼロでないので分離距離ｄが小さければ，この分離領域上の液晶層１１４は液晶層１１２と液晶層１１３に引きずられる形で応答し，偏光状態を変えるので有る。その結果コントラストの低下や光漏れが生じない訳で有る。もう少し正確に言うと，前述の様に第一画素電極１０５と第二画素電極１０６とには視野角特性を改善する為に異なった電位が与えられ，相応して液晶層１１２と液晶層１１３の偏光状態は異なった物となる。このとき分離距離ｄが小さければ分離領域上の液晶層１１４は液晶層１１２の偏光状態と液晶層１１３の偏光状態を結ぶ中間的な偏光状態と化する。所が，分離距離ｄが大きければ液晶層１１２の偏光状態や液晶層１１３の偏光状態とは関係なくして，分離領域上の液晶層１１４は常に液晶駆動電極電位がゼロに相応する偏光状態となってしまうので有る。出願人らはこうした観点に則り分離距離ｄの許される値を調査した所，分離距離ｄが１０μｍ以下で有ればコントラストの低下は殆ど問題にならず，７μｍ以下ではコントラストの低下は全く認められなかった。更に５μｍ以下ではノーマリー白表示モードで黒表示させたときの光漏れも全く認められなかった。即ち分離距離ｄが１０μｍ以下で有れば実用上殆ど問題はなく，５μｍ以下では分離領域上の液晶層１１４も正確に応答しているので有る。ここではスイッチング素子としてＭＩＭ素子を用いて説明したが，同じ事情はＴＦＴ素子等他のスイッチング素子を用いた場合にも無論適応可能で有る。ＴＦＴ素子をスイッチング素子として用い，一つの液晶駆動電極を複数の画素電極に分割する場合も画素電極間の分離距離ｄは１０μｍ以下が好ましく，より好ましくは７μｍ以下，更に好ましくは５μｍ以下で有る。」
　
記載事項カ　
「【００５２】他の一例としては上述と反対の場合も有効で有る。
【００５３】ＣLC1／ＣNL1＜ＣLC2／ＣNL2…（１２）
すなわち
ＳLC1／ＳNL1＜ＳLC2／ＳNL2…（１３）
とすれば上記とは逆に，液晶層１１２により視角を補償でき，上述と全く同様の効果が得られる。第一画素電極面積ＳLC1と第二画素電極面積ＳLC2を等しくした場合，
ＳLC1＝ＳLC2…（７）
第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積ＳNL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積ＳNL2の関係を
ＳNL1＞ＳNL2…（１４）
とすれば（１３）式の関係は満たされ，広視野角と高画質は両立し，更に効果的に欠陥補修も可能となる。（１３）式を満たした状態で，第二画素電極面積ＳLC2の第一画素電極と第二画素電極を合わせた面積ＳLC1＋ＳLC2に対する比をκ2とすると
κ2＝ＳLC2／（ＳLC1＋ＳLC2）…（１５）
高画質と広視野角を両立させる好ましいκ2の値は０．１から０．９で有り，より好ましくは０．２から０．８，更に好ましくは０．３から０．７で，理想的には０．４から０．６の間で有る。
【００５４】視野角特性は前述の（１２）式を満たす関係，或いは（１３）式を満たす関係に有るときに向上する。
【００５５】
ＣLC1／ＣNL1＝ｍ2（ＣLC2／ＣNL2）…（１６）
上記（１６）式にて係数ｍ2を定義すると（１２）式（１３）式は
ｍ2＜１…（１７）
と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造，画素電極構造を考慮して好ましいｍ2の値の範囲は０．００１から０．９９９で有り，より好ましくは０．０１から０．９９，更に好ましくは０．１から０．９で有り，理想的には０．２から０．８の間で有る。」
　
記載事項キ　
「【０１２４】
【発明の効果】本発明により液晶駆動電極を第一画素電極と，この第一画素電極の周辺を囲む様に構成した第二画素電極にて分割し，それぞれに独立して設けた第一ＭＩＭ素子，第二ＭＩＭ素子で駆動する事により，あらゆる方向からの視角特性が向上し，欠陥補修が可能となる。又，第一画素電極，第二画素電極，第一ＭＩＭ素子，第二ＭＩＭ素子のそれぞれの面積をＳLC1，ＳLC2，ＳNL1，ＳNL2とし，ＳLC1／ＳNL1とＳLC2／ＳNL2の比を変える事により，第一画素電極により駆動される液晶層の実効電圧と，第二画素電極により駆動される液晶層の実効電圧を別々に制御でき，視角特性が向上できる。更に，
ＳLC1／ＳNL1＞ＳLC2／ＳNL2の関係を満たす事により，液晶表示装置を正面から見たときのコントランストを第一画素電極で確保し，斜めから見たときのコントラストを第二画素電極で確保し，画面を斜めから見たときのネガポジ反転を防止でき，表示品位の高い液晶表示装置を実現できる。（１０）式の係数ｍ1や（１６）式の係数ｍ2の値を限定する事に依り視野角特性は著しく向上する。又，（７）式と（８）式，あるいは（７）式と（１４）式を満たす事に依り高視野角と高画質を両立し，更に効果的に欠陥補修出来る。（９）式のκ1や（１５）式のκ2を数値限定する事に依り高視野角と高画質が両立する。
【０１２５】ＳLC1／ＳNL1＜ＳLC2／ＳNL2の関係を満たす事により，液晶表示装置を正面から見たときのコントラストを第二画素電極で確保し，斜めから見たときのコントラストを第一画素電極で確保し，視野角の広い液晶表示装置を実現できる。これらは単に面積比を変える事により上記効果が得られ，構造やプロセスを複雑化する事なく，フォトマスクを変更するという簡単な手段で実現できる。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して引用例に記載された発明を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明１」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ａ　ガラス等の第１基板（１０１）上にＴａをスパッタ法により形成し，フォトエッチングによりパターニングし，ＭＩＭ素子の第１導電体（１０３）を設け，
Ｂ　第１導電体（１０３）の表面を陽極酸化法により酸化し，ＭＩＭ素子の絶縁体（１０４）を２００〜８００Åの膜厚となる様に形成し，
Ｃ　ＭＩＭ素子の第２導電体を兼ねた液晶駆動電極の第一画素電極（１０５）と第二画素電極（１０６）を形成し，
Ｄ　第１基板（１０１）と，液晶層（１０９）を介して対向する様に第２基板（１０２）を設けた液晶表示装置であって，
Ｅ　第１導電体（１０３）は，走査配線を兼ねた形状に加工し，
Ｆ　第２基板（１０２）には，ＩＴＯ等の透明導電体をストライプ状に加工したデータ線（１０８）を形成し，走査配線と直交する様に設け，
Ｇ　第一画素電極（１０５）には第一ＭＩＭ素子（１１１）が接続され，第二画素電極（１０６）は第一画素電極（１０５）の周囲を囲む様に形成され，第二ＭＩＭ素子（１１０）が接続され，
Ｈ　第一画素電極（１０５）で駆動される液晶層（１１２）の容量ＣLC1と第一ＭＩＭ素子（１１１）の容量ＣNL1の比と，第二画素電極（１０６）で駆動される液晶層（１１３）の容量ＣLC2と第二ＭＩＭ素子（１１０）の容量ＣNL2の比を
ＣLC1／ＣNL1＞ＣLC2／ＣNL2…（５）
の関係を満たす様にすると，液晶層（１１２）に印加される実効電圧は，液晶層（１１３）に印加される実効電圧に比べ大きくなり，
Ｉ　正面から見たときのコントラスト比は，液晶層（１１２）により十分に大きくなり，斜めから見たときのコントラスト比は，液晶層（１１３）により補償され，視野角の広い液晶表示装置となる，
Ｊ　液晶表示装置。
　
　また，引用例には，下記の発明も記載されている（以下「引用発明２」という。）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
Ｋ　引用発明１において，（５）式に換えて
Ｌ　ＣLC1／ＣNL1＜ＣLC2／ＣNL2…（１２）
として，液晶層（１１２）により視角を補償できる，
Ｍ　液晶表示装置。
　
４　対比
　以下，引用発明１と引用発明２を総称して「引用発明」という。
　
　本件補正後発明と引用発明を対比すると，引用発明の「第一画素電極（１０５）」，「第二画素電極（１０６）」及び「液晶表示装置」は本件補正後発明の「第１副画素電極」，「第２副画素電極」及び「液晶表示装置」に相当する。
　また，構成要件Ｈ及び技術常識からみて，引用発明の「液晶表示装置」と本件補正後発明の「液晶表示装置」は「第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に，該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とする液晶表示装置」の点で一致する。
　さらにまた，構成要件Ｇ及び技術常識からみて，引用発明の「第一画素電極（１０５）」及び「第二画素電極（１０６）」と本件補正後発明の「第１副画素電極」及び「第２副画素電極」は，「第２副画素電極は平面的に視て内周および外周を有する形状であって，かつ第２副画素電極の内周の内側に第１副画素電極が配されている」点で一致する。
　
　そうしてみると，本件補正後発明と引用発明は，
「　第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に，該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とする液晶表示装置であって，
　第２副画素電極は平面的に視て内周および外周を有する形状であって，かつ第２副画素電極の内周の内側に第１副画素電極が配されている，
　液晶表示装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正後発明の液晶表示装置は，画素に中間調を表示する時に，該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とすることで「第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする」ものであって，「中間調を表示する時に第２輝度領域が第１輝度領域を取り囲み」という構成を備えているのに対して，引用発明の液晶表示装置は，一応，これとは構成が異なる点。
　
（相違点２）
　本件補正後発明の画素は，「トランジスタを介してデータ信号線および走査信号線に接続された第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素」であるのに対して，引用発明の画素（液晶駆動電極の領域）は，これとは構成が異なる点。
　
（相違点３）
　本件補正後発明の第１副画素電極は，「上記データ信号線に重ならないように設けられている」のに対して，引用発明の第一画素電極（１０５）は，これとは構成が異なる点。
　
５　判断
（相違点１について）
　引用例の【００４７】及び【００５１】の記載からみて，引用発明は（ＴＮ液晶の）ノーマリホワイト方式を前提とした発明と考えられる。そうしてみると，引用発明２は，第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に，「該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とすることで第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする」液晶表示装置であり，「中間調を表示する時に第２輝度領域が第１輝度領域を取り囲み」の構成を備えたものである。
　また，仮に，引用発明をノーマリブラック方式のものと考えても，引用発明１が，第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素に中間調を表示する時に，「該第１および第２副画素電極を異なる実効電位とすることで第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする」液晶表示装置であり，「中間調を表示する時に第２輝度領域が第１輝度領域を取り囲み」の構成を備えたものとなる。
　そうしてみると，引用発明の液晶表示装置はノーマリホワイト方式かノーマリブラック方式か明確には特定されていないけれども，いずれにせよ，相違点１に係る構成は引用発明（引用発明１又は引用発明２）が備えたものであり，相違点１は相違点ではない。
　
（相違点２及び３について）
　引用発明はスイッチング素子としてＭＩＭ素子を用いたものであるところ，液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴ素子は周知慣用されている。また，引用発明においてスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた場合には，(1)第１基板（１０１）側に複数の走査線とこれら走査線と直交する様に複数のデータ線を設け，(2)ＴＦＴ素子を走査線とデータ線の各交点に設置し，(3)ＴＦＴ素子のゲート電極は走査線に，ソース電極はデータ線に，液晶駆動電極はドレイン電極に接続し，(4)第２基板（１０２）側には対向電極を設ける構成となることは技術的にみて明らかである。
　したがって，引用発明におけるスイッチング素子をＭＩＭ素子からＴＦＴ素子に変更して，引用発明の画素（液晶駆動電力の領域）を「トランジスタを介してデータ信号線および走査信号線に接続された第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素」とすることは，当業者が容易にできることである。
　また，スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合にはデータ線と走査線に囲まれた領域が画素となるから，第二画素電極（１０６）に囲まれた第一画素電極（１０５）はデータ線と重ならないものとなるのが自然である（例えば，特開２００２−３２８３８６号公報の図１において画素電極５ｄに囲まれた画素電極５ａないし５ｃはデータ線と重なっておらず，特開２００１−２２２０２７号公報の図８及び図１１においても第２の画素電極９２に囲まれた第１の画素電極９１はデータ線と重なっていない。）。
　
　以上のとおりであるから，引用発明におけるスイッチング素子をＭＩＭ素子からＴＦＴ素子に変更して本件補正後発明の液晶表示装置の構成とすることは，当業者が容易にできることである。
　また，本件補正後発明の効果は，引用発明から当業者が予測できる範囲を超えないものである。
　
６　小括
　本件補正後発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２２年２月４日付けの手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２１年５月１８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　画素に中間調を表示する時に，該画素内の第１および第２副画素電極を異なる実効電位とすることで第１副画素電極に対応する第１輝度領域を第２副画素電極に対応する第２輝度領域よりも高輝度とする表示装置であって，
　第２副画素電極は平面的に視て内周および外周を有する形状であって，かつ第２副画素電極の内周の内側に第１副画素電極が配されていることにより，中間調を表示する時に第２輝度領域が第１輝度領域を取り囲むことを特徴とする表示装置。
　
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は，「第２　補正の却下の決定」の「３　引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比及び判断
　本願発明は，(1)本件補正後発明の「トランジスタを介してデータ信号線および走査信号線に接続された第１副画素電極と，第２副画素電極とを含む画素」を「画素」と拡張し，(2)本件補正後発明の「液晶表示装置」を「表示装置」と拡張し，(3)本件補正後発明の「第１副画素電極」について「上記データ信号線に重ならないように設けられている」という発明特定事項を削除してなるものである。
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正後発明が「第２　補正の却下の決定」で述べた理由により引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，本願発明も同様に，引用発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４　小括
　以上のとおり，本願発明は引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結論
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。