【事件の表示】
　特願２００８−５１００１８号「エッチングおよび灰化後のフォトレジスト残渣およびバルクのフォトレジストを除去するための組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月１６日国際公開、ＷＯ２００６／１２１５８０号、平成２０年１１月２０日国内公表、特表２００８−５４１４２６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、２００６年４月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年５月６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年４月７日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年４月１２日）、これに対し、同年５月１８日に拒絶査定不服の審判の請求がなされるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明について 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年５月１８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「以下の成分（ａ）〜（ｃ）から成り、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン、ヒドロキシルアミンおよび強塩基を含まない、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための組成物：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水。」
　
３．刊行物について
　原査定の拒絶の理由において提示された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１１−６７７０３号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
ア．「【請求項１】
（Ａ）
リン酸と
（Ｂ）含フッ素化合物と
（Ｃ）水溶性又は水混和性有機溶剤とを含有する水溶液からなる
イ．「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ケイ素（シリコン）を用いた半導体素子の製造工程において、ドライエッチング処理の際生じる堆積ポリマーの除去、即ち、１）特に絶縁膜層（層間絶縁膜ともいう）に形成されるヴィアホール（絶縁膜の下層に配線用に形成される金属導電膜層と前記絶縁膜の上層に形成される金属導電膜層とを接続するために絶縁膜に形成される接続孔）内部及びその周辺に生成付着した堆積ポリマーの除去、又は２）金属導電膜層を配線形成した後、側壁部などに生成付着した堆積ポリマーの除去に際し、これらの堆積ポリマーを好適に除去すると同時に半導体素子中に積層されている平坦化絶縁膜（ＳＯＧ膜）や金属膜などの材料に対する腐食性が極めて低い洗浄液に関するものである。
　【従来の技術】近年ＬＳＩ素子の高集積化、高速化を図る為、多層配線構造を備えたものが増えつつある。配線が多層化するにつれて、より急峻な段差が生じ、その上に上層配線を形成することは困難となるが、下層配線と上層配線の層間絶縁膜を平坦化することで解決が図られている。この平坦化絶縁膜は、例えばシラノールからなるスピンコート剤を回転塗布し、引き続き熱処理によりスピンコート剤をガラス化する方法、即ち、スピンオンガラス（ＳＯＧ）法によって作成される。次いで、この多層膜に回路パターンが形成されるが、この形成法としてはドライエッチング法が主流をなしている。このドライエッチング処理においては、形成されたパターン周辺部にドライエッチングガス、レジスト及び被加工膜などに起因する堆積ポリマーが生成する。この堆積ポリマーはそのまま残存すると高抵抗化を招いたり、電気的に短絡を生じたりする為、好ましくない事態を招来する。この為、従来堆積ポリマーの除去にはフッ化水素酸やフッ化水素酸とフッ化アンモニウムを含有する処理液などを用いて洗浄することにより達成されてきた。しかしながらこの従来の
フッ素化合物による処理方法では平坦化絶縁膜であるＳＯＧ膜を腐蝕し
ウ．「【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような状況下で、半導体素子の製造工程において、ドライエッチング処理の際に生じる堆積ポリマーの除去、特にヴィアホール内部及びその周辺に生成付着した堆積ポリマー、あるいは金属導電膜層を配線形成した後に側壁部などに生成付着した
堆積ポリマーの除去を容易に行うことができ、しかもＳＯＧ膜及び金属膜を腐蝕することのない半導体素子製造用洗浄液を提供することを目的とする
エ．「【発明の実施の形態】（Ａ）成分として使用されるホウ酸は、・・・一方、
リン酸としてはオルトリン酸
　次に、
（Ｂ）成分として使用される含フッ素化合物として
（ａ）
フッ化水素酸
　また、本発明の洗浄液は
（Ｃ）成分として、水溶性又は水混和性の有機溶剤
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
オ．「【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　実施例１
図１に示したプラズマ処理によって堆積ポリマーが付着された状態の半導体素子を、フッ化アンモニウム１重量％、ホウ酸０．３重量％、ジメチルホルムアミド６９重量％及び水２９．７重量％からなる洗浄液を用い、２３℃にて１０分間洗浄処理を実施したのち、水洗後、乾燥した。この状態を図２に示した。図２から本発明の洗浄液を用いることにより、パターン形成の為に実施したプラズマ処理によって生成した堆積ポリマーが完全に除去、清浄化され、更には、ＳＯＧ膜および金属膜は何ら腐蝕していないことが分かる。表１に洗浄液組成を示した。洗浄処理を２３℃で１０分間行った後、水洗乾燥し、堆積ポリマーの除去性、ＳＯＧ膜及び金属膜の腐蝕抑制能については下記の判断基準に従って評価した。この結果を表３に示した。
◎：堆積ポリマーが完全に除去され、ＳＯＧ膜および金属膜の腐蝕が完全に抑制されている。
○：堆積ポリマーの残存がわずかに認められ、ＳＯＧ膜及び金属膜の腐蝕がわずかに認められる。
×：堆積ポリマーの残存が認められ、ＳＯＧ及び金属膜の腐蝕が認められる。
　実施例２〜１０
実施例１で用いた図１の半導体素子に対し、表１に示す組成の洗浄液を用いて、実施例１と同じ条件で洗浄処理を施したのち、水洗後乾燥し、堆積ポリマーの除去性、ＳＯＧ膜及び金属膜の腐食抑制能について実施例１と同じ基準に従って評価した。結果を表３に示す。」（段落【0010】〜【0012】）
カ．「【発明の効果】本発明の半導体素子製造用洗浄液は、半導体素子の製造工程において、ドライエッチング処理の際に生じる堆積ポリマーの除去、特にヴィアホール内部及びその周辺に生成付着した堆積ポリマーの除去をＳＯＧ膜や金属膜を腐蝕することなく容易に行うことができる。これにより清浄な配線形成を達成でき、高品質の信頼度の高い半導体素子が得られる。」（段落【0017】）
キ．上記イ、エの記載事項、及び、【図1】〜【図2】の図示内容によると、
半導体素子は、シリコン基板１上にヴィアホールを有する
　
　上記ア〜カの摘記事項、上記キの認定事項、【表1】〜【表3】の表示内容、及び、【図1】〜【図2】の図示内容を総合勘案すると刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「堆積ポリマーの除去を容易に行うことができ、しかもＳＯＧ膜及び金属膜を腐蝕することのない半導体素子製造用洗浄液を提供することを目的として、
　以下の(A)〜(C)を含有する水溶液からなる、シリコン基板１上にヴィアホールを有する半導体素子製造用洗浄液組成：
(A)リン酸としてのオルトリン酸と、
(B)含フッ素化合物としてのフッ化水素酸と、
(C)水溶性又は水混和性有機溶剤としてのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明（以下「前者」という。）の「シリコン基板１上にヴィアホールを有する半導体素子製造用洗浄液組成」は、ヴィアホールという極微細構造をシリコン基板１上に有するものであるから、本願発明（以下「後者」という。）の「マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための組成物」に相当する。
　ここで、前者の「(A)リン酸としてのオルトリン酸と、(B)含フッ素化合物としてのフッ化水素酸と、(C)水溶性又は水混和性有機溶剤としてのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを含有する水溶液からな（る）半導体素子製造用洗浄液組成」と、後者の「成分（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、（ｃ）水から成（る）」「組成物」とを対比する。
　前者における「リン酸としてのオルトリン酸」は、後者における「少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸」に相当し、前者における「水溶性又は水混和性有機溶剤としてのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」は、後者における「少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒」に相当する。
　また、前者における「半導体素子製造用洗浄液組成」は、「水溶液」からなるものであり、水をその組成に含んでいることから、後者における「（ｃ）水」を含むものである。
　そうすると、両者は、「成分（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、（ｃ）水を含む組成物」である点で共通する。
　そして、前者の「半導体素子製造用洗浄液」は、「ジメチルアセトアミド」、「オルトリン酸」、「フッ化水素酸」、及び、「水」を含むものであり、「無機リン含有酸成分を中和する有機アミン」、「ヒドロキシルアミン」、及び、「強塩基」を含まないものであるから、後者の「無機リン含有酸成分を中和する有機アミン、ヒドロキシルアミンおよび強塩基を含まない」「組成物」に相当する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「以下の成分（ａ）〜（ｃ）を含み、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン、ヒドロキシルアミンおよび強塩基を含まない、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための組成物：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水。」
　
［相違点］
　組成物として、本願発明では、含フッ素化合物としてのフッ化水素酸を含まないのに対して、刊行物に記載された発明では、含フッ素化合物としてのフッ化水素酸を含む点。
　
５．当審による判断
　上記相違点について検討する。
　半導体洗浄の技術分野において、フッ化水素酸（フッ酸）がＳＯＧ膜や、金属膜を腐蝕する機能を有することは、本願の優先権の主張の日前に周知の技術事項である（例えば、刊行物の摘記事項イや、特開２００１−４４１６１号公報の段落【0005】〜【0006】を参照。）。
　また、同じく、半導体洗浄の技術分野において、金属配線材料に対する腐食を小さくする作用を有する洗浄液として、リン酸を含むが、フッ化水素酸を含まない洗浄液を用いることは、本願の優先権の主張の日前に周知の技術事項である（例えば、上記特開２００１−４４１６１号公報の段落【0005】〜【0010】、【表1】〜【表3】や、特開２００７−５０３１１５号公報の段落【0006】、【0027】、【表8】を参照。）。
　さらに、刊行物に記載された発明において、半導体素子製造用洗浄液の酸成分として、リン酸とフッ化水素酸のうち、いずれの酸を含ませるのかは、被洗浄物の材料や、堆積ポリマーの除去速度等を考慮して当業者が適宜決定すべき技術事項である（例えば、特開平９−２７５０８４号公報の段落【0016】を参照。）。
　してみると、堆積ポリマーの除去を容易に行うことができ、しかもＳＯＧ膜及び金属膜を腐蝕することのない半導体素子製造用洗浄液を提供することを目的とした刊行物に記載された発明において、半導体素子製造用洗浄液成分として、(A)リン酸としてのオルトリン酸と(B)含フッ素化合物としてのフッ化水素酸のうち、ＳＯＧ膜及び金属膜に対する腐蝕作用の少ないオルトリン酸を用いるが、ＳＯＧ膜及び金属膜に対する腐蝕作用の大きいフッ化水素酸を用いないことは、当業者が容易になし得たものである。
　また、本願発明の効果についてみても、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　
６．むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。