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【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン含有コポリカーボネートの製造方法であって、
（ａ）ヒドロキシ末端ポリカーボネートオリゴマーをシロキサンビスクロロホルメートと界面反応条件下で接触させてシリコーン含有ポリカーボネート中間体を生じさせる段階、
（ｂ）上記中間体を、１種以上のビスフェノール、１種以上の末端封鎖剤及びホスゲンと界面反応条件下で反応させてシリコーン含有コポリカーボネートを得る段階
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記ヒドロキシ末端ポリカーボネートオリゴマーが５００〜１５０００ダルトンの重量平均分子量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ヒドロキシ末端ポリカーボネートオリゴマーの末端封鎖率が２５％以下である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ヒドロキシ末端ポリカーボネートオリゴマーが１種以上のジヒドロキキシ芳香族化合物に由来する構造単位を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ジヒドロキキシ芳香族化合物が、ヒドロキノン、レゾルシノール、メチルヒドロキノン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、４−メチルレゾルシノール及び５−メチルレゾルシノールからなる芳香族ジオールの群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記ジヒドロキキシ芳香族化合物が次の構造Ｉのビスフェノールである、請求項４記載の方法。
【化１】
2005535761.tif 000001
式中、各Ｒ1は独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6〜Ｃ20アリール基であり、ｎ及びｍは独立に０〜４の整数であり、Ｗは結合、酸素原子、硫黄原子、ＳＯ2基、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族基、Ｃ6〜Ｃ20芳香族基、Ｃ6〜Ｃ20脂環式基又は次の基である。
【化２】
2005535761.tif 000002
式中、Ｒ2及びＲ3は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であるか、或いはＲ2とＲ3とが一体としてＣ4〜Ｃ20脂環式環を形成するもので、該Ｃ4〜Ｃ20脂環式環は１個以上のＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ5〜Ｃ21アラルキル基、Ｃ5〜Ｃ20シクロアルキル基又はこれらの組合せで適宜置換されていてもよい。
【請求項７】
前記ビスフェノールが次の構造Ｉを有する、請求項１記載の方法。
【化３】
2005535761.tif 000003
式中、各Ｒ1は独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6〜Ｃ20アリール基であり、ｎ及びｍは独立に０〜４の整数であり、Ｗは結合、酸素原子、硫黄原子、ＳＯ2基、Ｃ1〜Ｃ20脂肪族基、Ｃ6〜Ｃ20芳香族基、Ｃ6〜Ｃ20脂環式基又は次の基である。
【化４】
2005535761.tif 000004
式中、Ｒ2及びＲ3は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であるか、或いはＲ2とＲ3とが一体としてＣ4〜Ｃ20脂環式環を形成するもので、該Ｃ4〜Ｃ20脂環式環は１個以上のＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ5〜Ｃ21アラルキル基、Ｃ5〜Ｃ20シクロアルキル基又はこれらの組合せで適宜置換されていてもよい。
【請求項８】
構造Ｉのビスフェノールが、ビスフェノールＡ、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、４，４′−ジヒドロキシ−１，１−ビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチル−１，１−ビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジオクチル−１，１−ビフェニル、４，４′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４′−ジヒドロキシジフェニルチオエーテル、１，３−ビス（２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル）ベンゼン、１，３−ビス（２−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−プロピル）ベンゼン、１，４−ビス（２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル）ベンゼン及び１，４−ビス（２−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−プロピル）ベンゼンからなる群から選択される、請求項６又は請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記シロキサンビスクロロホルメートが次の構造IIからなる、請求項１記載の方法。
【化５】
2005535761.tif 000005
式中、各Ｒ4は独立に、１個以上のＣ1〜Ｃ10アルキル若しくはアリール基で適宜置換されていてもよいＣ1〜Ｃ10アルキレン基、酸素原子、オキシアルキレンオキシ基−Ｏ−（ＣＨ2）t−Ｏ−又はオキシアルキレン基−Ｏ−（ＣＨ2）t−であり（ただし、ｔは２〜２０の整数である。）、Ｒ5及びＲ6は各々独立にハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はＣ6〜Ｃ10アリールであり、ｚ及びｑは独立に０〜４の整数であり、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は各々独立にＣ1〜Ｃ6アルキル、アリール、Ｃ2〜Ｃ6アルケニル、シアノ、トリフルオロプロピル又はスチレニルであり、ｐは１〜１００の整数である。
【請求項１０】
シリコーン含有コポリカーボネートの製造方法であって、
（ａ）重量平均分子量１０００〜３０００ダルトンのヒドロキシ末端ビスフェノールＡポリカーボネートオリゴマーを次の構造IIIのオイゲノールシロキサンビスクロロホルメートと界面反応条件下で接触させてシリコーン含有ポリカーボネート中間体を生じさせる段階
【化６】
2005535761.tif 000006
（式中ｐは１〜１００の整数である。）、及び
（ｂ）上記中間体をビスフェノールＡ、ｐ−クミルフェノール及びホスゲンと界面反応条件下で反応させて、シロキサン単位を０．１〜１０重量％含むシリコーン含有コポリカーボネートを得る段階
を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式Ｒ4ＣＨ＝ＣＨ2（但し、Ｒ4が、水素又は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基である。）の１−オレフィンを懸濁液、溶液又は気相で重合することによって１−オレフィンの単独重合体と共重合体を製造するためのチーグラー触媒であって、
前記触媒が、マグネシウムアルコキシド（成分ａ）と、チタン化合物（成分ｂ）及び有機金属化合物（成分ｃ）並びに化学式
Ｍ−ＲX
（但し、Ｍが周期表のＩＶ族の主族の元素であり、Ｒが、ハロゲンである。）の化合物を含む追加成分（ｄ）との反応生成物を含む、チーグラー触媒。
【請求項２】
成分（ｄ）中のＲ基が同一であり、成分（ｄ）に存在する周期表ＩＶ族の主族元素が、珪素又はゲルマニウムである請求項１に記載のチーグラー触媒。
【請求項３】
成分（ｄ）中のＲ基が同一でなく、取り得る種々の意味を有するＲ基を相互に組み合わせ、そして成分（ｄ）に存在する周期表ＩＶ族の主族元素が、好ましくは珪素又はゲルマニウムである請求項１に記載のチーグラー触媒。
【請求項４】
成分（ａ）が、化学式Ｍｇ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（但し、Ｒ1とＲ2が同一又は異なるものであり、及びそれぞれが１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、特にＭｇ（ＯＣＨ3）2、Ｍｇ（ＯＣ2Ｈ5）2、Ｍｇ（ＯｉＣ3Ｈ7）2、Ｍｇ（ＯｎＣ4Ｈ9）2、Ｍｇ（ＯＣＨ3）（ＯＣ2Ｈ5）、Ｍｇ（ＯＣ2Ｈ5）（ＯｎＣ3Ｈ7）である。）のマグネシウムアルコキシドであるか、又は化学式Ｍｇ（ＯＲ）nＸm（但し、Ｘ＝ハロゲン、（ＳＯ4）1/2、ＯＨ、（ＣＯ3）1/2、（ＰＯ4）1/3、又はＣｌであり、ＲがＲ1又はＲ2と同義であり、ｎ＋ｍ＝２である。）のマグネシウムアルコキシドである請求項１〜３の何れか１項に記載のチーグラー触媒。
【請求項５】
成分（ｂ）が、ＴｉＣｌ4、又はＴｉ（ＯＲ）4等のＴｉ化合物、ＺｒＣｌ4、Ｚｒ（ＯＲ）4、又はＺｒＣｌ2（ＯＣＯＣ6Ｈ5）2等のＺｒ化合物、ＶＣｌ4、又はＶＯＣｌ3等のＶ化合物、又はＣｒＯ2Ｃｌ2等のＣｒ化合物等の遷移金属化合物である請求項１〜４の何れか１項に記載のチーグラー触媒。
【請求項６】
Ｒ基が、塩素、又は臭素原子、又は１〜６個の炭素原子、好ましくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、１〜６個の炭素原子、好ましくは１〜４個の炭素原子を有するオキシアルキル基、５又は６個の炭素原子を有するシクロアルキル基、又はフェニル基である化学組成を、成分（ｄ）が好ましくは有する請求項１〜５の何れか１項に記載のチーグラー触媒。
【請求項７】
成分（ｃ）が周期表の１族、２族又は１３族の金属の有機金属化合物、好ましくは有機アルミニウム化合物、特に好ましくは、化学式Ｒ32ＡｌＣｌのジアルキルアルミニウムモノクロリド、又は化学式Ｒ33Ａｌ2Ｃｌ3のアルキルアルミニウムセスキクロリド（但し、各式中のＲ3が１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基である。）等の塩素含有有機アルミニウム化合物である請求項１〜６の何れか１項に記載のチーグラー触媒。
【請求項８】
成分（ａ）のマグネシウムアルコキドと、成分（ｂ）の有機金属化合物とを、不活性炭化水素の存在下で、２０〜１００℃、好ましくは６０〜９０℃の温度範囲で攪拌させながら反応させ、且つ１モルのマグネシウムアルコキシドにつき、０．０５〜５モルの成分（ｂ）、好ましくは、１モルのマグネシウムアルコキシドにつき０．１〜３．５モルの成分（ｂ）が使用される請求項１〜７の何れか１項以上に記載されたチーグラー触媒の製造方法であって、金属Ｍを含む追加成分（ｄ）が加えられることを特徴とするチーグラー触媒の製造方法。
【請求項９】
成分（ｄ）が、不活性炭化水素の存在下で、２０〜１２０℃、好ましくは６０〜１００℃の温度範囲で、攪拌しながら加えられ、且つマグネシウムアルコキシド１モルにつき、０．０５〜５モルの成分（ｄ）、好ましくはマグネシウムアルコキシド１モルにつき、０．１〜３．５モルの成分（ｄ）が使用される請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
反応時間が０．５〜８時間、好ましくは２〜６時間である、請求項８又は請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
続いて、成分（ａ）、成分（ｂ）及び成分（ｄ）の反応生成物を、成分（ｃ）すなわち塩素含有有機アルミニウム化合物と反応させる請求項８〜１０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
化学式Ｒ4ＣＨ＝ＣＨ2（但し、Ｒ4が、水素又は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基である。）の１−オレフィンを、懸濁液、溶液又は気相で、請求項１〜７の何れかに記載の触媒の存在下において重合することによって１−オレフィンの単独重合体と共重合体を製造する方法であって、
触媒を、−３０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１２０℃の温度範囲の攪拌容器において重合前に、又は２０〜２００℃の温度範囲の重合容器において直接的に、共触媒と組み合わせ、重合が溶液、懸濁液又は気相において、連続的に、又はバッチで、一段階以上にて、２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃の温度範囲で、そして０．５〜５０バール、好ましくは１．５〜３０バールの圧力範囲で実施される製造方法。
【請求項１３】
２段階で共触媒の添加が実施され、触媒が、重合反応前に、共触媒の第１の部分で、−３０〜１５０℃の温度範囲で予備活性化され、そして、同一の共触媒の他の部分、又は他の共触媒が、２０〜２００℃の温度範囲で重合容器に添加される、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
触媒がプレポリマー化された状態で重合反応に導入される請求項１２又は請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、又は１−オクテン、特に好ましくはエチレンを単独で、又は少なくとも５０質量％のエチレンと、５０質量％以下である前記化学式の他の１−オレフィンとの混合物のエチレンを重合し、そして重合体のモル質量が好ましくは水素によって調整される請求項１２〜１４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
懸濁液、又は溶液において実施される請求項１２〜１５の何れか１項に記載の製造方法であって、触媒が、遷移金属に対して、分散媒体１デシ立方メートル当たり０．０００１〜１ミリモル、好ましくは０．００１〜０．５ミリモルの遷移金属濃度で使用され、そして重合が、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素、及び酸素、硫黄化合物及び湿分が入念に除去されたガソリン留分、及び水素化ディーゼル油留分から成る群から選ばれる不活性分散媒体において実施される製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月19日(2006.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５〜５００μｍの粒子径を有する単分散のゲル状イオン交換体を製造する方法であり、
ａ）  非架橋単分散シードポリマー（０．５〜２０μｍの粒子径を有する）を、非水性溶媒の存在下でモノエチレン性不飽和化合物のラジカル開始重合により製造し、
ｂ）  活性化スチレン含有のモノマー混合物をフィードとしてこのシードポリマーに添加し、前記モノマー混合物を、前記シードに浸透膨潤させ、前記混合物を高温で重合させ、上記のモノマー混合物の添加、浸透膨潤、及び重合の段階を、適宜、１回以上繰り返し、最終添加中の前記モノマー混合物は架橋剤２〜５０重量％を含有し、
ｃ）  結果として生じたポリマーを官能化によりイオン交換体に変換する
ことを特徴とする、５〜５００μｍの粒子径を有する単分散のゲル状イオン交換体を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記リポソーム製剤が、約０．０５Ｍ  ＫＣｌ溶液中で約ｐＨ７．５で室温で正のゼータポテンシャルを有するリポソームから成る、請求項１６から２３に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレビジョンチャネルを同調するテレビジョン信号を受信し、
前記テレビジョンチャネルの周波数帯外において周波数を減衰し、シリコン内に設けられる複数のフィルタ（２２５）と、
フィルタリングされたテレビジョン信号を前記フィルタから受信し、ベースバンド映像信号を生成するために結合された同相−直角位相（「Ｉ、Ｑ」）復調回路（２３６，２３８，２４０，２４８，２５０）と、
前記Ｉ、Ｑ復調回路から前記ベースバンド映像信号を受信し、前記ベースバンド映像信号の帯域上において実質的に直線状に前記ベースバンド映像信号を減衰するために結合されたポスト・ナイキスト・フィルタ（２５２）と、を有するテレビジョンチャネルを同調する回路。
【請求項２】
前記ポスト・ナイキスト・フィルタ（２５２）は、バイクワッド・フィルタ（２５２）から成る請求項１記載の回路。
【請求項３】
前記ポスト・ナイキスト・フィルタは、以下で定義される伝達関数を有する請求項１記載の回路。
【数５】
2005535161.tif 000001
ここで、
【数６】
2005535161.tif 000002
【請求項４】
前記フィルタ（２２５）は、前記テレビジョンチャネルのための前記テレビジョン信号から映像信号のコンテンツと音声信号のコンテンツを抽出する請求項１記載の回路。
【請求項５】
前記テレビジョンチャネルのための前記テレビジョン信号から映像信号のコンテンツと音声信号のコンテンツを抽出する帯域通過フィルタ（２１５、２２０）を前記フィルタ（２２５）は有する請求項４記載の回路。
【請求項６】
前記フィルタ（２２５）は、前記テレビジョン信号における隣接チャネルを減衰させるノッチ・フィルタ（２０５，２１０，２１５）から成る請求項１記載の回路。
【請求項７】
前記フィルタ（２２５）は、バイクワッド相互コンダクタンス・フィルタ（２０５，２１０，２１５，２２０）から成る請求項１記載の回路。
【請求項８】
無線周波数（「ＲＦ」）テレビジョン信号から中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号へ前記テレビジョン信号をコンバートするためのダウンコンバーター回路（２０２，２０３，２０７，２０９，２１２，２１４，２１６，２３２，２３４）を有する請求項１記載の回路。
【請求項９】
前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号から前記ベースバンド映像信号へ前記テレビジョン信号をダウンコンバージョンするための前記テレビジョン信号チャネルの搬送周波数を同期させる前記Ｉ、Ｑ復調回路（２３６，２３８，２４０，２４８，２５０）を有する請求項８記載の回路。
【請求項１０】
無線周波数（「ＲＦ」）テレビジョン信号から中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号へ前記テレビジョン信号をコンバートするためのダウンコンバーター回路と、
前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号を受信し、テレビジョンチャネルの周波数帯外において周波数を同調させるために減衰し、シリコン内に設けられる複数のフィルタ（２２５）と、
フィルタリングされた中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号を前記フィルタから受信し、前記テレビジョン信号を前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号からベースバンドへダウンコンバージョンし、ベースバンド映像信号を生成するために結合された同相−直角位相（「Ｉ、Ｑ」）復調回路（２３６，２３８，２４０，２４８，２５０）と、
前記Ｉ、Ｑ復調回路から前記ベースバンド映像信号を受信し、前記ベースバンド映像信号の帯域上において実質的に直線状に前記ベースバンド映像信号を減衰するために結合されたポスト・ナイキスト・フィルタ（２５２）と、を有するテレビジョン受信機。
【請求項１１】
前記ポスト・ナイキスト・フィルタ（２５２）は、バイクワッド・フィルタ（２５２）から成る請求項１０記載のテレビジョン受信機。
【請求項１２】
前記ポスト・ナイキスト・フィルタは、以下で定義される伝達関数を有する請求項１０記載のテレビジョン受信機。
【数５】
2005535161.tif 000003
ここで、
【数６】
2005535161.tif 000004
【請求項１３】
前記フィルタ（２２５）は、映像信号のコンテンツと音声信号のコンテンツを抽出する請求項１０記載のテレビジョン受信機。
【請求項１４】
前記テレビジョン信号から映像信号のコンテンツと音声信号のコンテンツを抽出する帯域通過フィルタ（２１５、２２０）を前記フィルタ（２２５）は有する請求項１３記載のテレビジョン受信機。
【請求項１５】
前記フィルタ（２２５）は、前記テレビジョン信号における隣接チャネルを減衰させるノッチ・フィルタ（２０５，２１０，２１５）から成る請求項１０記載のテレビジョン受信機。
【請求項１６】
前記フィルタ（２２５）は、バイクワッド相互コンダクタンス・フィルタ（２０５，２１０，２１５，２２０）から成る請求項１０記載のテレビジョン受信機。
【請求項１７】
テレビジョンチャネルを同調するテレビジョン信号を受信し、
無線周波数（「ＲＦ」）テレビジョン信号から中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号へ前記テレビジョン信号をダウンコンバージョンし、
同調するためのチャネルを決定し、
前記チャネルの周波数帯外において前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号の周波数を減衰し、
同相−直角位相（「Ｉ、Ｑ」）復調のための前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号を受信し、
前記同相−直角位相（「Ｉ、Ｑ」）復調における前記中間周波数（「ＩＦ」）テレビジョン信号をダウンコンバージョンし、
前記同相−直角位相（「Ｉ、Ｑ」）復調におけるベースバンド映像信号を生成し、
ポスト・ナイキスト・フィルタにおいて前記ベースバンド映像信号をフィルタリングし、前記ベースバンド映像信号の帯域上において実質的に直線状に前記ベースバンド映像信号を減衰するテレビジョン信号を処理する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記誘導結合プラズマエッチング装置のコイルに接続されている同調コンデンサの電気容量をゼロ動作容量に近い値に固定する動作と、
前記コイル上のノードの位置を決定する動作であって、前記ノードは、前記同調コンデンサが前記ゼロ動作容量に近い値に固定された際に前記コイル上に存在する定在ＲＦ波のノードに対応している、動作と、
前記ノードの位置に実質的に近い接続位置で、前記コイルを金属シールドに電気的に接続する動作と、
前記金属シールドにおいて所要の電圧を得るために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記所要の電圧は、エッチング工程に適した電圧である、動作と、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記同調コンデンサの調整は、前記同調コンデンサに係合しているモータ駆動を制御することによって実施される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記金属シールドにかかる前記電圧の適切さを決定するために、前記エッチング工程をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、エッチング副生成物の堆積の存在を検出することを含む、動作と、
前記金属シールドにかかる適切な電圧を維持するために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記適切な電圧は、エッチング副生成物の堆積を阻止するのに足る、動作と、
を備える方法。
【請求項４】
請求項１に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記金属シールドにかかる前記電圧の適切さを決定するために、前記エッチング工程をモニタする動作であって、前記電圧の前記適切さは、エッチング工程の要件に基づく、動作と、
前記金属シールドにかかる適切な電圧を維持するために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記適切な電圧は、エッチング工程の要件を満たすのに足る、動作と
を備える方法。
【請求項５】
請求項１に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記誘導結合プラズマエッチング装置は、ウエハをエッチングするためのチャンバを含み、前記チャンバは、上端の開口部に窓を有し、前記窓は、外表面と、前記チャンバの内側の領域に面する内表面とを有し、
前記コイルは、前記窓の前記外表面の上方に配置され、
前記金属シールドは、前記窓の前記外表面の上方に定められ、前記金属シールドは、前記コイルと前記窓の前記外表面との間に両者から離れた状態で配置される、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
複数のエッチング工程段階を実施する動作であって、前記複数のエッチング工程段階は、前記金属シールドにおいてそれぞれ異なる電圧を必要とする可能性がある、動作と、
前記金属シールドにおいて前記所要の電圧を得るために、エッチング工程段階間に前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記所要の電圧は、後続のエッチング工程段階に適した電圧である、動作と
を備える方法。
【請求項７】
請求項６に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記複数のエッチング工程段階を実施する前記動作およびエッチング工程段階間に前記同調コンデンサを調整する前記動作は、所定の設定にしたがって自動的に実施される、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
エッチング副生成物の堆積を検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、前記複数のエッチング工程段階の各段階中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるエッチング副生成物の堆積を阻止する、動作と
を備える方法。
【請求項９】
請求項８に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
スパッタリングを検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタリングは、前記複数のエッチング工程段階の各段階中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるスパッタリングを阻止する、動作と
を備える方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記エッチング工程を実施する動作と、
エッチング副生成物の堆積を検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、前記エッチング工程中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるエッチング副生成物の堆積を阻止する、動作と
を備える方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記エッチング工程を実施する動作と、
スパッタリングを検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタリングは、前記エッチング工程中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるスパッタリングを阻止する、動作と
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、かつ第１部分と、前記第１部分よりも軽度にドープされた第２部分とを有するドレイン領域と、
前記半導体基板内にあって、前記ドレイン領域の前記第２部分に隣接したチャンネル領域と、
前記チャンネル領域の上にあり、かつ半導体基板の表面上に位置するゲート電極と、
前記ドレイン領域の前記第１部分の上にあり、かつ半導体基板の表面上に位置するドレイン電極と、
前記ドレイン領域の前記第２部分の上にある導電性シールド構造とを備え、
前記導電性シールド構造は、
前記半導体基板から第１距離にある第１部分と、
前記半導体基板から第２距離にあり、かつゲート電極から第３距離にある第２部分とを有し、
前記導電性シールド構造の少なくとも一部は、ゲート電極の少なくとも一部の上に重なって位置しており、
前記導電性シールド構造の前記第１部分および第２部分は電気的にバイアスされており、
前記第２距離は前記第１距離よりも大きく、
前記第３距離は前記第１距離よりも大きく、
前記ドレイン電極は、前記導電性シールド構造の第１部分よりも前記導電性シールド構造の第２部分の近くにあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、かつ第１部分と、第１部分よりも軽度にドープされた第２部分とを有するドレイン領域と、
前記半導体基板内にあって、前記ドレイン領域の第２部分に隣接したチャンネル領域と、
前記チャンネル領域の上にあるゲート電極と、
前記ドレイン領域の第１部分の上にあるドレイン電極と、
前記ドレイン領域の第２部分の上にある導電性シールド構造であって、前記半導体基板
から第１距離にある第１部分を有すると共に、前記半導体基板から第２距離にある第２部分を有し、第２距離が第１距離よりも大きい、導電性シールド構造とを備え、
前記導電性シールド構造の第１部分と第２部分とは別々にバイアスされ、
前記導電性シールド構造の第１部分は、該電界効果トランジスタのための閾値電圧にほぼ等しい所定電位に電気的に接続され、かつ、
前記導電性シールド構造の第２部分は、大地電位に電気的に接続されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項３】
表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、かつ第１部分と、第１部分よりも軽度にドープされた第２部分とを有するドレイン領域と、
前記半導体基板内にあって、前記ドレイン領域の第２部分に隣接したチャンネル領域と、
半導体基板の表面の上であって、かつ前記チャンネル領域の上にあるゲート電極と、
半導体基板の表面の上であって、かつ前記ドレイン領域の第１部分の上にあるレイン電極と、
第１部分及び第２部分を有する導電性シールド構造と、
前記導電性シールド構造の第１部分および第２部分は電気的にバイアスされており、
前記導電性シールド構造の第１部分は、前記ドレイン領域の第２部分の上にあり、
前記導電性シールド構造の第１部分は、半導体基板の表面から第１距離にあり、
前記導電性シールド構造の第２部分は前記ゲート電極の上にあり、
前記導電性シールド構造の第２部分は前記半導体基板の表面から第２距離にあり、かつ前記ゲート電極から第３距離にあり、
第１距離および第２距離は前記半導体基板の表面に直交する経路に沿って測定されたものであり、
第１距離は第２距離よりも小さく、
第３距離は第１距離よりも大きく、
第３距離は第２距離よりも小さく、
前記ドレイン電極は、前記導電性シールド構造の第１部分よりも前記導電性シールド構造の第２部分の近くにあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項４】
表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、かつ第１部分と、第１部分よりも軽度にドープされた第２部分とを有するドレイン領域と、
前記半導体基板内にあって、前記ドレイン領域の第２部分に隣接したチャンネル領域と、
半導体基板の表面の上であって、かつ前記チャンネル領域の上にあるゲート電極と、
半導体基板の表面の上であって、かつ前記ドレイン領域の第１部分の上にあるレイン電極と、
第１部分及び第２部分を有する導電性シールド構造と、
前記導電性シールド構造の第１部分および第２部分は電気的にバイアスされており、
前記導電性シールド構造の第１部分は、前記ドレイン領域の第２部分の上にあり、
前記導電性シールド構造の第１部分は、半導体基板の表面から第１距離にあり、
前記導電性シールド構造の第２部分は前記ゲート電極の上にあり、
前記導電性シールド構造の第２部分は前記半導体基板の表面から第２距離にあり、かつ前記ゲート電極から第３距離にあり、
第１距離および第２距離は前記半導体基板の表面に直交する経路に沿って測定したものであり、
第１距離は第２距離よりも小さく、
第３距離は第１距離よりも大きく、
第３距離は第２距離よりも小さく、
前記導電性シールド構造の第２部分は、前記導電性シールド構造の第１部分の上にも位置し、
前記ドレイン電極は、前記導電性シールド構造の第１部分よりも前記導電性シールド構造の第２部分の近くにあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項５】
表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、かつ第１部分と、第１部分よりも軽度にドープされた第２部分とを有するドレイン領域と、
前記半導体基板内にあって、前記ドレイン領域の第２部分に隣接したチャンネル領域と、
前記チャンネル領域の上にあり、かつ半導体基板の表面上に位置するゲート電極と、
前記ドレイン領域の第１部分の上にあり、かつ半導体基板の表面上に位置するドレイン電極と、
前記ドレイン領域の第２部分の上にある導電性シールド構造とを備え、
前記導電性シールド構造は、
前記半導体基板から第１距離にある第１部分と、
前記半導体基板から第２距離にあり、かつゲート電極から第３距離にある第２部分とを有し、
前記導電性シールド構造の第１部分と第２部分とは互いに物理的に分離されており、
前記導電性シールド構造の第１部分の一部は、ドレイン領域の第２部分の少なくとも一部の上に重なって位置しており、
前記導電性シールド構造の第２部分の一部は、同導電性シールド構造の第１部分の少なくとも一部の上に重なって位置しており、
前記導電性シールド構造の第２部分の前記一部は、前記ドレイン領域の第２部分の少なくとも一部の上に重なって位置しており、
前記導電性シールド構造の第２部分の別の一部は、前記ゲート電極の少なくとも一部の上に重なって位置しており、
前記導電性シールド構造の第１部分および第２部分は電気的にバイアスされており、
第２距離は第１距離よりも大きく、
第３距離は第１距離よりも大きく、
前記ドレイン電極は、前記導電性シールド構造の第１部分よりも前記導電性シールド構造の第２部分の近くにあるか、前記ドレイン電極は前記導電性シールド構造の第１部分の上には存在しないかのいずれかであることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記インクが、インクジェット印刷により付着され、前記インク粘度が、３〜４０ｃＰの範囲である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機電子デバイスを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月27日(2006.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層材を含む基板を用意するステップを有し、
前記上層材上にハードマスクスタックを形成するステップを有し、前記ハードマスクスタックは、前記上層材に接するよう形成されたアモルファスカーボン部と、このアモルファスカーボン部上に形成されたキャッピング層とを備え、前記アモルファスカーボン部は、前記上層材に対するエッチング選択性を強めるようにドーパントを含んだ、ドーピングされたアモルファスカーボン層と、実質的に前記ドーパントを含まないドーピングされていないアモルファスカーボン層と、が交互に形成された層を有するものであり、
前記ハードマスクスタック上にフォトレジストマスクを形成するステップを有し、
前記フォトレジストマスクを初期エッチマスクとして用いて、前記上層材をパターニングするために、前記ハードマスクスタックをエッチングするステップを有する、
半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記上層材をパターニングし、
前記ハードマスクを除去する、
請求項１記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記ハードマスクを灰化プロセスによって除去する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記フォトレジストハードマスクスタックの前記アモルファスカーボン部は、
前記上層材上に形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン最下層と、
前記キャッピング層に接して形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン最上層と、
前記ドーピングされていないアモルファスカーボンの最上層と最下層との間の少なくとも１つのドーピングされたアモルファスカーボン層と、を有する、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記フォトレジストハードマスクスタックのアモルファスカーボン部は、
前記ドーピングされていないアモルファスカーボンの最上層と最下層との間の少なくとも２つのドーピングされたアモルファスカーボン層と、
前記少なくとも２つのドーピングされたアモルファスカーボン層間の少なくとも１つのドーピングされていないアモルファスカーボン層と、を有する、
請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ドーピングされたアモルファスカーボン層とドーピングされていないアモルファスカーボン層は別個の層を有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ドーピングされたアモルファスカーボン層とドーピングされていないアモルファスカーボン層は連続した層を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストマスクの形成では、
前記キャッピング層上にフォトレジストのパターンを形成し、前記フォトレジストのパターンをトリミングする、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ドーピングされたアモルファスカーボンは窒素でドーピングされる、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は半導体基板を有し、前記上層材は前記基板上に形成されたゲート絶縁材上に形成されたゲート導電材である、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
上層材を含む基板を用意するステップを有し、
前記上層材上にハードマスクスタックを形成するステップを有し、前記ハードマスクスタックは、キャッピング材とアモルファスカーボンとが交互に形成された層を有し、この交互に形成された層は、キャッピング上層材とキャッピング下層材と、を少なくとも有し、かつ、前記キャッピング上層材と前記キャッピング下層材との間に形成された少なくとも１つのアモルファスカーボン層を有するものであり、
前記ハードマスクスタック上にフォトレジストマスクを形成するステップを有し、
前記上層材のパターニングのためのハードマスクを形成するように、前記フォトレジストマスクを初期エッチマスクとして用いて、前記ハードマスクスタックをエッチングするステップを有する、
半導体デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記上層材をパターニングし、前記ハードマスクを除去するステップを更に有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ハードマスクスタックは、更に、前記上層材に形成されたアモルファスカーボン下層を有し、前記キャッピング下層材は、前記アモルファスカーボン下層上に形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記上層材から、灰化プロセスによって前記ハードマスクを除去するステップを更に有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アモルファスカーボン下層は、前記上層材に対するエッチング選択性を向上させるようにドーパントを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ドーパントは窒素である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記フォトレジストマスクの形成では、
前記ハードマスクスタック上にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをトリミングする、
請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記基板は半導体基板を有し、前記上層材は前記基板上に形成されたゲート絶縁材上に形成されたゲート導電材である、請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
上層材（８）を含む基板と、
前記上層材（８）上に形成されたハードマスクスタックと、を有し、前記ハードマスクスタックは、前記上層材に接っするよう形成されたアモルファスカーボン部と、前記アモルファスカーボン部上に形成されたキャッピング層と、を有し、前記アモルファスカーボン部は、ドーピングされてエッチング選択性を強めるようにドーパントを含んだアモルファスカーボン層（２２）と、実質的に前記ドーパントを含まないドーピングされていないアモルファスカーボン層（２０）と、が交互に形成された層を有するものである、
半導体デバイスの製造時に形成される構造。
【請求項２０】
前記ハードマスクの前記アモルファスカーボン部は、
前記上層材（８）上に形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン（２０）最下層と、
前記キャッピング層１２に接して形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン層（２０）最上層と、
前記ドーピングされていないアモルファスカーボンの最上層（２０）と最下層最下層との間の少なくとも一つのドーピングされたアモルファスカーボン（２２）層と、を有する、
請求項１９記載の構造。
【請求項２１】
上層材（８）を含む基板と、
前記上層材上に形成されたハードマスクスタックと、を有し、前記ハードマスクスタックは、キャッピング材（４２）とアモルファスカーボン（４０）とが交互に形成された層を有し、この交互に形成された層は、キャッピング上層（４２）とキャッピング下層（４２）と、を少なくとも有し、かつ、前記キャッピング上層材（４２）と前記キャッピング下層材（４２）との間に形成された少なくとも一つのアモルファスカーボン層（４０）を有するものである、
半導体デバイスの製造時に形成される構造。
【請求項２２】
前記ハードマスクは、
前記上層材（８）上に形成されたアモルファスカーボン下層（４０）を有し、前記キャッピング下層材（４２）は、前記アモルファスカーボン下層（４０）上に形成されており、
前記アモルファスカーボン下層（４０）は、前記上層材（８）に対するエッチング選択性を向上させるようにドーパントを含む、請求項２１記載の構造。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年5月1日(2006.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モードロックを有し、
レーザー結晶（１４）を含む共振器（１２）並びに長共振器アーム（１７）並びに短共振器アーム（１６）を規定する複数個の鏡（Ｍ１〜Ｍ７、ＯＣ）を有し、
前記鏡の１つ（Ｍ１）は、ポンプ・ビーム内結合鏡を形成し、他の１つ（ＯＣ）は、レーザー・ビーム外結合器を形成し、
共振器長を増加させかつ共振器アーム（１６、１７）の１つに結合した多重反射望遠鏡（１８）を有し、
前記望遠鏡は、レーザー・ビーム（１５）が残りの共振器に外結合されて戻るまで鏡（２５、２６）の間で複数回往復して前記鏡（２５、２６）の間の空間に結合されたレーザー・ビーム（１５）を反射するために前記鏡（２５、２６）を用いて構成され、前記鏡（２５、２６）上の連続する離心反射点（１〜８、１’〜８’）は、互いに対してオフセットされ、
前記望遠鏡（１８）は、ただ１つの曲面鏡（２６）並びに２つの曲面鏡（２６ａ、２６ｂ）を有する架空の多重反射配置の中央（２５’）に少なくとも実質的に相当する位置を有する平面鏡（２５）を有し、それにより、前記望遠鏡（１８）の前記１つの曲面鏡（２６）は、架空の他の曲面鏡の前記反射点をも含むことを特徴とする短パルス・レーザー装置（１１）。
【請求項２】
前記曲面鏡（２６）は、凹面鏡であることを特徴とする請求項１に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項３】
前記１つの曲面鏡（２６）上において、この鏡の反射点並びに前記架空の他の曲面鏡の反射点は、互いに相当する正確な距離で架空の円周上に、交互に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項４】
合計８個の反射点（１〜８）が、前記１つの曲面鏡（２６）上に与えられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項５】
前記鏡（２５、２６）の間の距離及び曲面凹面鏡（２６）の曲率半径が、関係Ｌ／Ｒ＝１±ＳＱＲＴ（（１＋ｃｏｓα）／２）であり、ただし、
Ｌは、前記曲面鏡（２６）と前記平面鏡との間の距離の２倍であり、
Ｒは、前記曲面鏡（２６）の前記曲率半径であり、
αは、前記１つの曲面鏡に実際に結合しかつ円周上に位置する２つのそれぞれの連続する反射点の間の中央角である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項６】
前記望遠鏡（１８）の前記曲面鏡（２６）は凹面鏡であり、前記凹面鏡に対して、
Ｌ／Ｒ＝１−ＳＱＲＴ（（１＋ｃｏｓα）／２）
が成立することを特徴とする請求項５に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項７】
実質的に前記曲面鏡（２６）と前記平面鏡（２５）との間の中央において、前記レーザー・ビーム（１５）に対する内結合鏡及び外結合鏡（２４、２７）が、これらの２つの鏡の間のビーム・パスの内の１つのパス内に与えられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項８】
前記望遠鏡（１８）は、前記長共振器アーム（１７）に結合されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項９】
受動モードロックが、前記モードロックとして与えられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の短パルス・レーザー装置。
【請求項１０】
共振器長を増加させるための短パルス・レーザー装置（１１）のための多重反射望遠鏡（１８）であって、
前記望遠鏡（１８）は、レーザー・ビーム（１５）が残りのレーザー装置に外結合されて戻るまで鏡（２５、２６）の間で複数回往復して前記鏡（２５、２６）の間の空間に結合されたレーザー・ビーム（１５）を反射するために前記鏡（２５、２６）を用いて構成され、前記鏡（２５、２６）上の連続する離心反射点（１〜８、１’〜８’）は、互いに対してオフセットされ、
前記望遠鏡の鏡としてただ１つの曲面鏡（２６）並びに平面鏡（２５）が与えられ、前記平面鏡（２５）の位置は、２つの曲面鏡（２６ａ、２６ｂ）を有する架空の多重反射配置の中央（２５’）に少なくとも実質的に相当し、それにより、前記望遠鏡（１８）の前記１つの曲面鏡（２６）は、架空の他の曲面鏡の前記反射点をも含むことを特徴とする多重反射望遠鏡。
【請求項１１】
前記曲面鏡（２６）は、凹面鏡であることを特徴とする請求項１０に記載の多重反射望遠鏡。
【請求項１２】
前記１つの曲面鏡（２６）上において、この鏡の反射点並びに前記架空の他の曲面鏡の反射点は、互いに相当する正確な距離で架空の円周上に、交互に配置されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の望遠鏡。
【請求項１３】
合計８個の反射点（１〜８）が、前記１つの曲面鏡（２６）上に与えられることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の望遠鏡。
【請求項１４】
鏡（２５、２６）の間の距離及び曲面凹面鏡（２６）の曲率半径が、関係Ｌ／Ｒ＝１±ＳＱＲＴ（（１＋ｃｏｓα）／２）であり、ただし、
Ｌは、前記曲面鏡（２６）と前記平面鏡との間の距離の２倍であり、
Ｒは、前記曲面鏡（２６）の前記曲率半径であり、
αは、前記１つの曲面鏡に実際に結合しかつ円周上に位置する２つのそれぞれの連続する反射点の間の中央角である、
ことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の望遠鏡。
【請求項１５】
前記望遠鏡（１８）の前記曲面鏡（２６）は凹面鏡であり、前記凹面鏡に対して、
Ｌ／Ｒ＝１−ＳＱＲＴ（（１＋ｃｏｓα）／２）
が成立することを特徴とする請求項１４に記載の望遠鏡。
【請求項１６】
実質的に前記曲面鏡（２６）と前記平面鏡（２５）との間の中央において、前記レーザー・ビーム（１５）に対する内結合鏡及び外結合鏡（２４、２７）が、これらの２つの鏡の間のビーム・パスの内の１つのパス内に与えられることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の望遠鏡。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】望ましくは受動モードロックを有する短パルス・レーザ装置及びそのための多重反射望遠鏡
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、望ましくは受動モードロックを有し、長共振器アーム並びに短共振器アームであって、その内の１つはポンプ・ビーム内結合鏡を形成し、他の１つはレーザー・ビーム外結合器を形成する、アームを規定する複数の鏡並びにレーザー結晶を含む共振器を有し、共振器長を増加させ共振器アームの１つに結合された多重反射望遠鏡であって、残りの共振器にレーザー・ビームが外結合されて戻るまで鏡の間で複数回往復して鏡の間の空間に結合されているレーザー・ビームを反射するために鏡を用いて構成されている、望遠鏡を有し、鏡上の連続離心反射点が互いに対してオフセットされている、短パルス・レーザー装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ装置（１０，１００）を製作する方法であって、
第１面（５０，１５０）と第２面（５２，１５２）を有し、かつ第１面に第１パッド（１６，１１６）および第２面に第２パッド（１６，１１６）を有するパッケージ基板（１２）を提供する工程；
第１面に第１集積回路（２２，１２２）および第２面に第２集積回路（３２，１３２）を配置する工程；
第１集積回路を第１パッドに、および第２集積回路を第２パッドに、電気接続する工程；および
第１パッドおよび第２パッドに試験探針（４４，１４４）を適用することにより、第１集積回路と第２集積回路を試験する工程；
から成る方法。
【請求項２】
パッケージ装置（１０，１００）を製作する方法であって、
第１平面に沿った第１表面（５０，１５０）と、第２平面に沿った第２表面（５２，１５２）と、第１平面と第２平面の間のキャビティ（２０，１２０）とを有するパッケージ基板（１２，１１２）を提供する工程；
前記キャビティの中に第１集積回路（２２，１２２）を配置する工程；
前記キャビティの外に第１集積回路に隣接して第２集積回路（３２，１３２）を配置する工程；および
第１集積回路と第２集積回路の上に封止材料（２８，４６，１３８，１４６）を堆積させる工程；
から成る方法。
【請求項３】
パッケージ装置（１０，１００）であって、
第１平面を区画規定する第１表面（５０，１５０）と、第２平面を区画規定する第２表面（５２，１５２）と、第１平面と第２平面の間のキャビティ（２０，１２０）とを有するパッケージ基板（１２，１１２）；
キャビティの中に配置された第１集積回路（２２，１２２）；および
キャビティの外でパッケージ基板に接続された第２集積回路（３２，１３２）；
を備えたパッケージ装置（１０，１００）。
【請求項４】
パッケージ装置（１０，１００）であって、
第１面と第２面を有するパッケージ基板（１２，１１２）；
第１面の第１パッド（１６，１１６）；
第２面の第２パッド（１６，１１６）；
パッケージ基板に実装された第１集積回路（２２，１２２）；
を備え、第１パッドと第２パッドが試験探針（４４，１４４）を受け取るのに有用であることをさらなる特徴とする、パッケージ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
好ましいことに、ウェーハ５８００の面上には余分な凝固材料６１０２が残されない。諸実施形態では、流れ図５７００は、ステップ５７０４の前に実行される、保護材料の層がウェーハの面に付けられるという追加のステップを含むことができる。たとえば保護材料は、回転塗布またはその他の方法でウェーハの面に添加可能な、フォトレジスト材料または他の保護材料とすることができる。したがって一実施形態では、流れ図５７００は、ウェーハの面から保護材料が取り外されるステップを含むこともできる。たとえばウェーハから保護材料を取り外す場合、余分な凝固材料６１０２を硬化した状態または硬化していない状態（すなわちステップ５７０８の前または後）で取り外すことができる。たとえばウェーハ５８００を溶剤に浸すかまたは溶剤を塗布して、ウェーハ５８００の面から保護材料を溶解することができる。保護材料は、当業者に知られた他の方法によってウェーハ５８００から取り外すことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
第２の移動面供給装置５５１０および第２の移動面収集装置５５１２は、図５６に矢印で示されるような方向に移動面１２０２を搬送する。これらの要素はスプールである。しかしながら他の好適な搬送手段も使用可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2005535149.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2005535149.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2005535149.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2005535149.tif 000004