【事件の表示】
　特願２００１−　９６２６３「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　９日出願公開、特開２００２−２９６６０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年３月２９日の出願であって、平成２３年１月１８日付けで手続補正がなされたところ、同年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後当審により平成２４年３月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年５月１７日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項によって特定されるものと認められる。
　
「基板上にマトリクス配置された複数の信号線と前記信号線と交差する複数の走査線と、前記信号線と走査線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に層間絶縁膜を介して接続された画素電極と、を有し、
　前記複数の信号線への入力が、前記基板の対向する両側に交互に配置された各信号線端子から行われる構造を有する液晶表示装置において、
　前記各信号線端子は、金属膜からなる信号線端子部と、前記層間絶縁膜を介して前記信号線端子部に接続する透明導電膜からなる接続電極から構成され、
　前記透明導電膜は、前記金属膜との接続部で、前記透明導電膜の格子が前記金属膜との接続部に到達するような結晶状態を有し、
　前記各信号線端子における前記透明導電膜と前記金属膜とのコンタクト抵抗同士の差が１５００Ω以下であることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審における拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１７０９３３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係り、たとえばアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置に関する。」
　
　イ　「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置の一実施例について図面を用いて説明をする。
【００１７】まず、図２は、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の構成の概略を示した平面図である。
【００１８】同図において、透明基板１があり、この透明基板１の周辺を除く中央部は表示領域（図中一点鎖線Ａで囲まれる領域）となっている。
【００１９】なお、この表示領域は他の透明基板（図示せず）との間に液晶が介在される領域となっており、かつ、この液晶は図中一点鎖線Ａに沿って形成されるシール材によって封入されるようになっている。
【００２０】そして、前記表示領域には、図中ｘ方向に延在し、かつ、ｙ方向に並設される走査信号線２が形成され、また、この走査信号線２と絶縁されてｙ方向に延在し、かつ、ｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、これら、走査信号線２と映像信号線３とで囲まれた各領域は、それぞれ画素領域を構成するようになっている。
【００２１】すなわち、前記表示領域は、マトリックス状に配置された各画素領域の集合体によって形成されることになる。
【００２２】各画素領域は、その詳細を図３に示すように、該走査信号線２からの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して前記映像信号線３からの映像信号が供給される画素電極４が形成されている。…
【００２３】そして、この画素領域の具体的な構成の一実施例として、その平面図を図４に、また、図４のＶ−Ｖ線における断面図を図５に、ＶＩ−ＶＩ線における断面図を図６に示している。
【００２４】図４に示すように、まず、透明基板１の表面において、図中ｘ方向に延在しｙ方向に当間隔で並設される走査信号線２が形成されている。…
【００２５】また、後述する映像信号線３が形成される部分において、該映像信号線３よりも幅広で、しかも、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域（図中点線Ｂで囲まれる領域）を回避し前記走査信号線２と物理的に分離された状態で遮光膜５が形成されている。…
【００２６】そして、このように走査信号線２および遮光膜５が形成された透明基板１の表面の全域には、該走査信号線２と後に詳述する映像信号線３との層間絶縁を図るための絶縁膜６がたとえばシリコン窒化膜によって形成されている（図４、図５参照）。
【００２７】また、前記走査信号線２と後に詳述する映像信号線３とで囲まれる画素領域の一角（図中点線Ｂで囲まれる領域）における前記絶縁膜４の上面には薄膜トランジスタＴＦＴが形成されるようになっている。
…
【００３３】…映像信号線３が、図中ｙ方向に延在されｘ方向に等間隔に並設されて形成され、この際、映像信号線３から延在された延在部によってドレイン電極３Ｄが形成され、また、このドレイン電極３Ｄと離間された状態でソース電極３Ｓが形成されるようになっている。
【００３４】また、ソース電極３Ｓは後に詳述する画素電極４の形成領域にまで延在されて形成され、この延在部において前記画素電極４とのコンタクトがとれるように構成されている。
【００３５】ここで、映像信号線３は走査信号線２と同一の材料から形成され、ＭｏとＣｒとの合金層によって形成されている。
【００３６】このように加工された透明基板１の表面の全域には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接な接触を回避させるため、たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜８が形成され、この保護膜８には前記ソース電極３Ｓの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール８Ａが形成されている。
【００３７】そして、この保護膜８の上面における画素領域内にはたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる画素電極４が形成され、この画素電極４は前記コンタクトホール８Ａを通して前記ソース電極３Ｓと電気的接続が図れるようになっている。
…
【００３９】なお、図５に示すように、上記のように加工された透明基板１は、液晶ＬＣを間にして他の透明基板１’が配置され、この透明基板１’の液晶ＬＣ側の面にはカラーフィルタ６’とともに各画素領域に共通な共通電極４’がたとえばＩＴＯ膜によって形成されている。
…
【００４１】また、図２に示すように、各走査信号線２の一端部は近接するシール材（図中一点鎖線Ａに沿って形成される）の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において走査信号端子部２Ａを構成している。
【００４２】同様に、たとえば奇数番目の各映像信号線３の一端部（図中上側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ａを構成し、偶数番目の各映像信号線３の一端部（図中下側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ｂを構成している。
【００４３】このように、各映像信号線３における映像信号端子部３Ａ、３Ｂを交互に異なる側から（図中上下の側から）取り出しているのは、たとえば、各映像信号線３におけるそれらの間隔が比較的狭く、仮に一方の側に全て各映像信号端子部を取り出した場合に、後述する駆動ＩＣの配置に裕度がなくなるのを回避せんがためである。
…
【００４９】ここで、図１に示すように、走査信号線端子部２Ａとこれに対向配置される端子部２Ｔ、映像信号線端子部３Ａ、３Ｂとこれらに対向配置される端子部３Ｔは、それぞれ同一の距離を保って並設されているように記載したものであるが、これは概略的に記載したもので、たとえば図２の点線Ｃで囲まれた領域の具体的な構成は図９に示すようになっている。
【００５０】すなわち、図９において、ボンディング配置される一つの駆動ＩＣ２０Ｂに対して、たとえば１１本の映像信号線端子３Ｂがそれぞれ隣接され、また６本の端子部３Ｔがそれぞれ隣接されて配置されている。
【００５１】そして、この実施例では、各映像信号線端子３Ｂの上面には前記画素電極４の形成時に同時に形成されるＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）が積層されているとともに、各映像信号線端子３Ｂの隣接する他の映像信号線端子３Ｂとの間には、それら各映像信号線端子３Ｂと電気的に絶縁されて前記画素電極４の形成時に同時に形成されるＩＴＯ膜（電食防止用電極４Ｃ）が各映像信号線端子３Ｂの延在方向に沿って形成され、…。」
　
　ウ　上記イ（【００３６】及び【００５１】）に照らして図１をみると、「映像信号線端子３Ｂ」の上面には、「保護膜８」を介して、「耐腐食電極４Ａ」が積層されていることがみてとれる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明基板１の周辺を除く中央部は表示領域となっており、この表示領域は他の透明基板との間に液晶が介在される領域となっており、かつ、この液晶はシール材によって封入されるようになっており、前記表示領域には、ｘ方向に延在し、かつ、ｙ方向に並設される走査信号線２が形成され、また、この走査信号線２と絶縁されてｙ方向に延在し、かつ、ｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、これら、走査信号線２と映像信号線３とで囲まれた各領域は、それぞれ画素領域を構成するようになっており、各画素領域は、該走査信号線２からの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して前記映像信号線３からの映像信号が供給される画素電極４が形成されてなる液晶表示装置であって、
　映像信号線３はＭｏとＣｒとの合金層によって形成されており、透明基板１の表面の全域には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接な接触を回避させるため、たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜８が形成され、この保護膜８には前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極３Ｓの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール８Ａが形成されており、この保護膜８の上面における画素領域内にはたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極４が形成され、この画素電極４は前記コンタクトホール８Ａを通して前記ソース電極３Ｓと電気的接続が図れるようになっており、
　奇数番目の各映像信号線３の一端部（上側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ａを構成し、偶数番目の各映像信号線３の一端部（下側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ｂを構成しており、
　各映像信号線端子３Ｂの上面には、保護膜８を介して、前記画素電極４の形成時に同時に形成されるＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）が積層されている、液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、特開平１０−１３３２１６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。」
　
　イ　「【００１８】（実施形態１）図１は本発明の第１実施形態を示すアクティブマトリクス型液晶表示装置のドレン端子部の断面図である。図１において、透明絶縁基板１０は表示パネルの一構成要素としてほぼ平板上に形成されており、この透明絶縁基板１０の中央部には表示領域１２が形成され、端部周辺部にはドレン端子部１４が形成されている。透明絶縁基板１０の表示領域１２上にはシール剤１６を介してカラーフィルタ基板１８が装着されており、透明絶縁基板１０上にはデータ信号線としてのドレン配線２０が複数本分散して実装されている。…
【００１９】一方。ドレン端子部１４には、ＣＯＧ方式により、駆動回路チップ２２、端子配線２４、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃａｂｌｅ）２６が実装されている。駆動回路チップ２０にはシフトレジスタ等の回路素子を備え、画像データを発生する画像データ発生手段の１要素として構成されている。そして駆動回路チップ２２の底部両側に金製のバンプが形成されており、一方のバンプが異方性導電膜（ＡＣＦ）２８を介してドレン配線２０のパット部３０に接続され、他方のバンプが異方性導電膜３２を介して端子配線２４のパッド部３４に接続されている。…
【００２０】パッド部３０は、図２に示すように、酸化インジウムすず膜（以下、ＩＴＯ膜と称する）４２、保護膜４４を備えており、ドレン配線２０を被覆する保護膜４２の端部に形成された開口部４５を介してＩＴＯ膜４２とドレン配線２０とが接続されている。ドレン配線２０は、後述するように、ＣｒとＭｏとの合金で形成されており、この合金によるドレン配線２０とＩＴＯ膜４２とを接続することで、信号伝送路を構成する要素と要素との接続部のコンタクト抵抗を小さくすることができる。…」
　
　ウ　「【００３５】（実施形態４）次に、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト特性およびＣｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタクト特性について説明する。
【００３６】まず、よく洗浄したガラス基板上にＣｒ膜とＣｒ−（５０ＷＴ％）Ｍｏ合金膜を枚葉式ＤＣマグネトロンスパッタ法で堆積する。このとき基板温度を２００℃、膜厚を２００ｎｍとした。この膜をホトリソグラフィによって多数の配線パターンに加工し、線幅を３０μｍとし、先端部には測定用端針を立てるためのパッドを形成した。Ｃｒ膜とＣｒ−（５０ｗｔ％）Ｍｏ合金膜とも硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエットエッチング法によって加工した。そしてレジストを剥離した後、メタル配線パターン上に層間絶縁膜のＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。このとき基板温度を３００℃、膜厚を３５０ｎｍとした。次に、ホトリソグラフィによって、メタル配線上のＳｉＮ膜にスルーホールパターンを形成した。ＳｉＮ膜のスルーホールはＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いたドライエッチング法によって加工した。次にレジストを剥離した後、ＩＴＯ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法（本工程では従来型のインライン式を利用）で堆積した。
【００３７】次に、基板温度を２００℃とし、スパッタガスにＡｒとＯ２の混合ガスを用いた場合と、基板温度を室温とし、スパッタガスにＡｒとＨ２Ｏの混合ガスを用いた場合の２種類について検討した。前者の場合は、堆積した状態で多結晶のＩＴＯ膜（以下、ｐ−ＩＴＯと称する）、後者の場合には、堆積した状態では非晶質（アモルファス）のＩＴＯ膜（以下ａ−ＩＴＯと称する）になっている。非晶質の場合には、後の工程で最高２４０℃程度の熱が加わるため、結晶化して最終的には多結晶となる。また膜厚はどちらの場合にも１４０ｎｍとした。続いて、ホトリソグラフィによって、ＩＴＯ膜をパターンニングし、ＳｉＮ膜のスルーホールを介してメタル配線膜と十字上に交差するコンタクト抵抗の評価パターンを作成した。そしてＣｒからＩＴＯに対して電流を流し、４端針法によって、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部と、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタクト部における電圧降下Ｖをそれぞれ測定し、この測定結果から比コンタクト抵抗を求めた。この結果を次の表３に示す。
【００３８】
【表３】
　
【００３９】表３から、メタル膜としてＣｒ−Ｍｏ合金膜を用いた場合には、ＩＴＯが多結晶、非晶質によらず比コンタクト抵抗がＣｒの場合よりも低いことが分かる。後述するが、パッド部３０、３４、３８におけるコンタクト部では比コンタクト抵抗が１×１０５Ωμｍ２以下である必要が分かった。したがって、Ｃｒ膜の場合には、コンタクト特性が不十分であることが分かる。」
　
（３）引用刊行物３
　同じく、特開平１０−４８６７０号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画素電極と対向電極間に基板とほぼ平行な電界を印加する横電界方式により液晶を駆動させるに好適な、アクティブマトリクス基板とその製法およびそれを用いた液晶表示装置に関する。」
　
　イ　「【００２４】ＩＴＯには、非晶質ＩＴＯと結晶質ＩＴＯがあるが、ソース電極、コモン配線、ゲート配線、ドレイン配線のコンタクト抵抗を低くするためには、結晶質ＩＴＯ膜の使用が好ましい。」
　
　ウ　「【００３８】〔実施例  １〕図１に本発明のアクティブマトリクス基板の画素部の要部断面図、図２に平面図を示す。
【００３９】透明基板１上にスパッタリング法によりＣｒ膜を２００ｎｍの厚さに成膜した。次いで、ホトリソグラフィ法によりゲート配線２、コモン配線３に加工した。…
【００４０】次に上記のゲート配線２、コモン配線３を形成した基板１を、プラズマＣＶＤ装置中に設置し、ゲート絶縁膜４としてＳｉＮ膜を３５０ｎｍ、半導体膜５としてａ−Ｓｉ膜を２００ｎｍ、さらにコンタクト層６としてｎ(+)ａ−Ｓｉ膜を３０ｎｍの厚さに形成した。
…
【００４２】次いで、ホトリソグラフィ法によりｎ(+)ａ−Ｓｉ，ａ−Ｓｉを島状に加工しＴＦＴ部を形成した。
【００４３】次に、スパッタリング法によりＣｒ膜を２００ｎｍの厚さに成膜し、ホトリソグラフィ法により、ドレイン配線７、ソース電極８に加工した。…その後、チャネル部のｎ(+)ａ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより除去した。この上に保護性絶縁膜９（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により成膜した。
【００４４】さらに、ホトリソグラフィ法でゲート絶縁膜４、保護性絶縁膜９のＳｉＮに、ソース電極８およびコモン配線３に達するコンタクトホール１０を、ドレイン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部のコンタクトホールを形成した。
【００４５】さらに、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により基板温度２２０℃で結晶質ＩＴＯ膜を２００ｎｍの厚さに成膜した。ホトリソグラフィ法によりＩＴＯ膜を加工し、画素電極１１および対向電極１２、ドレイン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部を形成した。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「液晶表示装置」は、「透明基板１の周辺を除く中央部は表示領域となっており、この表示領域は他の透明基板との間に液晶が介在される領域となっており、かつ、この液晶はシール材によって封入されるようになっており、前記表示領域には、ｘ方向に延在し、かつ、ｙ方向に並設される走査信号線２が形成され、また、この走査信号線２と絶縁されてｙ方向に延在し、かつ、ｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、これら、走査信号線２と映像信号線３とで囲まれた各領域は、それぞれ画素領域を構成するようになっており、各画素領域は、該走査信号線２からの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して前記映像信号線３からの映像信号が供給される画素電極４が形成されてなる」ものであって、「透明基板１の表面の全域には、…たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜８が形成され、この保護膜８には前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極３Ｓの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール８Ａが形成されており、この保護膜８の上面における画素領域内にはたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極４が形成され、この画素電極４は前記コンタクトホール８Ａを通して前記ソース電極３Ｓと電気的接続が図れるようになって」いるものであるから、
　ア　引用発明の「透明基板１」、「（ｙ方向に延在し、かつ、ｘ方向に並設される）映像信号線３」、「（ｘ方向に延在し、かつ、ｙ方向に並設される）走査信号線２」、「薄膜トランジスタＴＦＴ」、「保護膜８」、「（保護膜８の上面に形成され、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極３Ｓと電気的接続が図られる）画素電極４」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「（複数の）信号線」、「（前記信号線と交差する複数の）走査線」、「（前記信号線と走査線に接続される）スイッチング素子」、「層間絶縁膜」、「（前記スイッチング素子に層間絶縁膜を介して接続される）画素電極」及び「液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「基板上にマトリクス配置された複数の信号線と前記信号線と交差する複数の走査線と、前記信号線と走査線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に層間絶縁膜を介して接続された画素電極と、を有し」との事項を備える。
　
（２）引用発明は、「奇数番目の各映像信号線３の一端部（上側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ａを構成し、偶数番目の各映像信号線３の一端部（下側の一端部）は近接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ｂを構成」するものであって、「映像信号線３」が「ＭｏとＣｒとの合金層によって形成されて」なり、「各映像信号線端子３Ａ」及び「各映像信号線端子３Ｂ」が「ＭｏとＣｒとの合金層」によって形成されてなるものであることは明らかである。また、引用発明は、「各映像信号線端子３Ｂの上面には、保護膜８を介して、前記画素電極４の形成時に同時に形成されるＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）が積層されて」いるものであって、「各映像信号線端子３Ａ」の上面にも、「保護膜８」を介して「耐腐食電極４Ａ」が積層されているといえることは明らかである。よって、
　ア　引用発明の「（それぞれ、ＭｏとＣｒとの合金層によって形成されてなる）『各映像信号線端子３Ａ』及び『各映像信号線端子３Ｂ』」は、本願発明の「（金属膜からなる）信号線端子部」に相当し、
　イ　引用発明の「（保護膜８を介して各映像信号線端子３Ａ及び各映像信号線端子３Ｂの上面に積層されるＩＴＯ膜からなる）耐腐食電極４Ａ」は、本願発明の「（前記層間絶縁膜を介して前記信号線端子部に接続する透明導電膜からなる）接続電極」に相当し、
　ウ　引用発明の「『各映像信号線端子３Ａ』と、その上面に積層された『耐腐食電極４Ａ』」及び「『各映像信号線端子３Ｂ』とその上面に積層された『耐腐食電極４Ａ』」は、本願発明の「（前記複数の信号線への入力が行われ、前記基板の対向する両側に交互に配置された）各信号線端子」に相当する。また、
　エ　引用発明は、本願発明の「前記複数の信号線への入力が、前記基板の対向する両側に交互に配置された各信号線端子から行われる構造を有する液晶表示装置において、前記各信号線端子は、金属膜からなる信号線端子部と、前記層間絶縁膜を介して前記信号線端子部に接続する透明導電膜からなる接続電極から構成され」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板上にマトリクス配置された複数の信号線と前記信号線と交差する複数の走査線と、前記信号線と走査線に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に層間絶縁膜を介して接続された画素電極と、を有し、
　前記複数の信号線への入力が、前記基板の対向する両側に交互に配置された各信号線端子から行われる構造を有する液晶表示装置において、
　前記各信号線端子は、金属膜からなる信号線端子部と、前記層間絶縁膜を介して前記信号線端子部に接続する透明導電膜からなる接続電極から構成される液晶表示装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　本願発明は、透明導電膜が、金属膜との接続部で、前記透明導電膜の格子が前記金属膜との接続部に到達するような結晶状態を有し、各信号線端子における前記透明導電膜と前記金属膜とのコンタクト抵抗同士の差が１５００Ω以下であるのに対し、引用発明は、透明導電膜（耐腐食電極４Ａ）が、金属膜（各映像信号線端子３Ａ及び各映像信号線端子３Ｂ）との接続部に到達するような結晶状態を有するものであるか否か明らかではなく、また、各信号線端子における透明導電膜と金属膜とのコンタクト抵抗同士の差が１５００Ω以下であるのか否かも明らかでない点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、メタル膜としてＣｒ−Ｍｏ合金膜、ＩＴＯ膜としてｐ−ＩＴＯ（多結晶のＩＴＯ膜）を用いる場合には、ＩＴＯ膜としてａ−ＩＴＯ（アモルファスのＩＴＯ膜）を用いる場合に比べて、両者の比コンタクト抵抗の値を小さくできることが記載され、また、上記２（３）によれば、引用刊行物３には、ＩＴＯとドレイン配線のコンタクト抵抗を低くするためには、非晶質ＩＴＯ膜に比べて結晶質ＩＴＯ膜を使用する方が好ましいことが記載されているから、引用発明において、映像信号端子部３Ａ及び映像信号端子部３Ｂと、当該映像信号端子部３Ａ及び映像信号端子部３Ｂの上面に形成されたＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）とのコンタクト抵抗の値を小さくするために、当該ＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）を結晶質のものとなすことは当業者が容易になし得ることであり、その際、前記ＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）の結晶格子が、それぞれ映像信号端子部３Ａ及び映像信号端子部３Ｂとの接続部にまで到達するような結晶状態となすことに格別の困難があるものとは認められない。また、引用発明において、表示画面にムラが生じないようにするために、ＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）と、それぞれの映像信号端子部３Ａ及び映像信号端子部３Ｂとのコンタクト抵抗同士の差を小さくすべきことは当業者において明らかであるところ、その差を具体的にどの程度の値とするかは、当該引用発明を実施する際に当業者が適宜に定めるべき設計的事項であって、その値を１５００Ω以下とすることが、当業者において格別困難なこととはいえない。
　よって、引用発明において、上記相違点にかかる本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び引用刊行物２及び３に記載された技術事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２及び３に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２及び３に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。