【事件の表示】
　特願２００６−５５０２９１「有機発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月　４日国際公開、ＷＯ２００５／０７１７７１、平成１９年　７月１２日国内公表、特表２００７−５１９１９６、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年１月２５日（パリ条約による優先権主張　２００４年１月２６日　英国）を国際出願日とするの国際出願（特願２００６−５５０２９１号）であって、平成２１年６月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２４日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされ、平成２２年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで誤訳訂正がなされたものである。
　その後、平成２３年４月２８日付けで前置報告書の内容について請求人の意見を事前に求める審尋がなされ、同年１１月１０日付けで回答書が提出された。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１４に係る発明（以下、順に「本願発明１」ないし「本願発明１４」という。）は、平成２１年１２月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
電気導電性アノードと電気導電性カソードの間の発光層を有する基板、前記カソードを通じて発光するように構成されたダイオード、前記ダイオードの発光波長の光を透過する前記カソードを含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であって前記カソードは前記発光波長の光が前記カソードを透過するのを増加するように構成される光学的干渉構造を含み、前記カソードは異なる屈折率を有する第１層と第３層の間に配置される光学干渉層を含み、前記光学干渉層は前記発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さを有し、前記第１層は電子を前記発光層に注入する電子注入層を含み、前記第３層は電気導電層を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項２】
前記電子注入層が３０ｎｍ以下の厚さを有する請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項３】
前記電気導電層のシート抵抗が１００オーム／□以下である請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項４】
前記電気導電層が５０ｎｍ以下の厚さを有する請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項５】
前記光学干渉層は実質的に前記発光波長の１／４の光学厚さを有する請求項１に記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項６】
前記発光波長は前記発光層の発光波長のピーク又は中心に実質的に等しい請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項７】
前記電気導電層は金属層を含む請求項１に記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項８】
前記金属層は金、銀またはアルミニウムを含む請求項７記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項９】
前記光学干渉層は広いバンドギャップの半導体、好ましくは亜鉛セレナイド又はガリウムナイトライドを含む請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項１０】
前記光学干渉層は透明導電体、好ましくはインジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を含む請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項１１】
前記光学干渉層は絶縁性材料を含む請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項１２】
前記電子注入層は金属層を含む請求項１記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項１３】
前記電子注入層はカルシウムまたはバリウムを含む請求項１２記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含むディスプレイ装置。」
　
第３　原審の拒絶理由等の概要
１　平成２１年６月１７日付けの拒絶理由
（１）理由１
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１，２，４−６，８，９，１２−１４に係る発明について、特願２００３−１２７４７４号（特開２００４−３３５２０７号）の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないとするものである。
（２）理由２
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１−４，６−９，１１−１４に係る発明について、特開平１０−２９４１８２号公報に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないとするものである。
（３）理由３
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１−１４に係る発明について、特開平１０−２９４１８２号公報及び特開２００１−０５２８７８号公報に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとするものである。
（４）理由４
　特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができないとするものである。
（５）理由５
　特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができないとするものである。
　
２　原査定（平成２２年２月２３日付けの拒絶査定）
　本願は平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２及び理由３により拒絶すべきものであるとするものである。
　
３　平成２３年４月２８日付けの審尋が基とした前置報告書に記載された内容
（１）本願の請求項１−１４に係るは、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないとするものであるとするもので、その理由として次のことが記載されている。
「発光層の上部にある透明導電膜の厚みを５０ｎｍ程度とすることは特開２００３−３０３６８３号公報に記載されており、また、光干渉構造を構成する光干渉層の光学厚みを対象光のλ/4に設定することは、例示するまでもなく反射防止層等の分野において一般的に知られたことであり、引用文献１に記載された発明において、光学干渉層の光学厚さを発光波長の１／３と１／５とすることは当業者が容易に想到するものである。」
（２）また、本願の請求項１−１４に係る発明が、特願２００２−２８８３６０号（特開２００４−１２７６３９号）の明細書に記載された発明と実質的に同一であることが付記されている。
　
第４　原審の拒絶理由等において提示された引用例
（１）平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２及び３において提示された特開平１０−２９４１８２号公報（以下「引用例１」という。）には次の事項が記載されている。
ａ「【０００９】本発明の第１の目的は、上記従来技術の課題を解決し、発光を素子の陰極側からも取り出すことができるとともに、高精細な表示装置に利用できる有機ＥＬ素子を提供することにある。本発明の第２の目的は、第１の目的を達成するとともに、高精細な表示装置の作製が容易であるとともに耐久性（耐湿熱性）に優れる有機ＥＬ素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、陰極を構成する透明導電膜の外側に低抵抗の金属薄膜を配置することにより、低抵抗かつ高透明の陰極を有する有機ＥＬ素子が得られることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成させたものである。
【００１１】すなわち、本発明の要旨は以下のとおりである。
〔１〕．陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、陰極が、有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率１×１０−５Ω・cm以下の金属薄膜の順で積層されてなるとともに、陰極の外側に透明薄膜層が形成されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
・・・以下略・・・・」
ｂ「【００１９】上述の酸化物は、薄膜にすることで透明導電膜として利用可能となる。このときの膜厚は、概ね３〜３０００ｎｍとするのが好ましい。それは、３ｎｍ未満では導電性が不十分となりやすく、３０００ｎｍを超えると光透過性が低下したり、有機ＥＬ素子を製造する過程や製造後において故意又は不可避的に有機ＥＬ素子を変形させたときに透明導電膜にクラック等が生じやすくなる。透明導電膜の特に好ましい膜厚は５〜１０００ｎｍであり、更に好ましい膜厚は１０〜８００ｎｍである。」
ｃ「【００６６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。　
〔実施例１〕
＜有機ＥＬ素子の作製＞２５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯを１００ｎｍの膜厚で製膜したもの（ジオマティックス社製）を基板上に導電性薄膜（陽極）が成膜してあるものとして使用した。次に、これをイソプロピルアルコール中に浸漬し、超音波洗浄を行った後、サムコインターナショナル製の紫外線照射機ＵＶ−３００を用いて紫外線とオゾンとを併用して３０分間洗浄した。
【００６７】次いで、このＩＴＯ薄膜付きガラス基板を、市販の真空蒸着装置の中に入れ、この装置に設置されている基板ホルダーに取り付け、真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した。なお、あらかじめ真空蒸着装置の抵抗加熱ボートには、Ｃｕ配位のフタロシアニン（以下、ＣｕＰｃと略記する。）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと略記する。）及び８−キノリノールアルミニウム錯体（アルミニウムトリスオキシン、以下、Ａｌｑと略記する。）をそれぞれ２００ｍｇずつ入れ、また抵抗加熱フィラメントにはアルミニウム−リチウム合金（Ｌｉ含量：２重量％）を入れておいた。これらのボートおよびフィラメントを順次加熱することにより、それぞれの成分を蒸着した。
【００６８】まず、正孔注入輸送層としてＣｕＰｃをＩＴＯ薄膜付きガラス基板に２５ｎｍ蒸着し、次に第２の正孔注入輸送層としてＴＰＤを４０ｎｍ蒸着し、更に発光層としてＡｌｑを６０ｎｍ蒸着した。次に、形成された積層体の上にマスクを設置し、アルミニウム−リチウム合金を７ｎｍ蒸着して電子注入電極層を形成させた。
【００６９】次に、上記真空蒸着装置に連結されている別の真空槽の基板ホルダーに基板を移送しセットした。なお、この間真空度は保たれたままである。上記、別の真空槽はＤＣマグネトロンスパッタリングによりＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を形成できるように設備されている。Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を形成させるためのターゲットは、Ｉｎ２ Ｏ３ とＺｎＯとからなる焼結体であり、Ｉｎの原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕は０．６７である。この真空槽のアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス（体積比で１０００：２．８）を３×１０−１1Ｐａとなるまで導入し、スパッタリング出力を２０Ｗ、基板温度を室温に設定して膜厚１００ｎｍの非晶質透明導電膜を形成させた。なお、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜が非晶質であることは、ＩＴＯ薄膜が蒸着されていないガラス基板を用いて上記と同様の方法により積層体を形成し、Ｘ線回折により確認した。
【００７０】次に、雰囲気ガスをアルゴンとし、その圧力を３×１０−１Ｐａとし、スパッタリング出力を１０Ｗ、基板温度を室温に設定してＤＣマグネトロンスパッタリングにより、銀（Ａｇ）を５ｎｍ積層した。その後更に、上記と同じ条件によりＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を１００ｎｍ積層し、有機ＥＬ素子を作製した。
【００７１】＜光透過率および面抵抗値の評価＞前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ＩＴＯ薄膜付きガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を積層した積層体を作成し、分光光度計を用いて波長４６０ｎｍの光の透過率を計測したところ、６０％と高透明のものであった。更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、その上にＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を積層して、この酸化物膜表面の面抵抗値を、三菱油化社製のロレスタＦＰを用いて測定したところ、１０Ω／□であった。
【００７２】＜有機ＥＬ素子の評価＞次に、ＩＴＯ薄膜を陽極とし、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を７Ｖ印加したところ、２．８ｍＡ／ｃｍ２ の電流密度となり、陰極側より観測したところ、６０ｃｄ／ｍ２ の発光があった。発光は、Ａｌｑより生じた緑色発光であった。更に、この素子を大気中、７０％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気に１００時間放置したところ、無発光点は肉眼では観測されず、素子の発光性能も維持されていた。」
ｄ「【００７７】〔実施例２〕
＜有機ＥＬ素子の作製＞実施例１において、最後に形成したＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物薄膜に代えて、ＩＴＯ薄膜を、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより膜厚１００ｎｍとなるように形成させた以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ素子を作製した。ＩＴＯ薄膜は、ＩＴＯターゲットをアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス（体積比で１０００：２．８）を３×１０−１Ｐａとなるまで導入し、スパッタリング出力を２０Ｗ、基板温度を室温に設定して膜厚１００ｎｍの薄膜を形成させた。
＜光透過率および面抵抗値の評価＞前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ＩＴＯ薄膜付きのガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、ＩＴＯ膜を積層した積層体を作成し、波長４６０ｎｍの光の透過率を計測したところ、８０％と高透明のものであった。更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、その上にＩＴＯ膜を積層して、このＩＴＯ膜表面の面抵抗値を、実施例１と同様にして測定したところ、５Ω／□であった。
【００７８】＜有機ＥＬ素子の評価＞次に、ガラス基板に直接積層されたＩＴＯ薄膜を陽極とし、最後に積層したＩＴＯ膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を６Ｖ印加したところ、２．５ｍＡ／ｃｍ２ の電流密度となり、陰極側より観測したところ、６０ｃｄ／ｍ２ の発光があった。発光は、Ａｌｑより生じた緑色発光であった。更に、この素子を大気中、７０％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気に１００時間放置したところ、無発光点は肉眼では観測されず、素子の発光性能も維持されていた。
【００７９】［実施例３］
＜有機ＥＬ素子の作製＞実施例１において、最初に形成したＩｎ−Ｚｎ−Ｏ酸化物薄膜の膜厚を２００ｎｍとするとともに、最後に形成したＩｎ−Ｚｎ−Ｏ酸化物薄膜に代えて、ＴｉＯ２ を用い、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより膜厚１００ｎｍの薄膜を形成させた以外は、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ素子を作製した。ＴｉＯ２ 薄膜の形成の際には、雰囲気ガスとしてアルゴンガスを３×１０-1Ｐａとなるまで導入し、スパッタリング出力を２０Ｗ、基板温度を室温に設定して膜厚１００ｎｍの薄膜を形成させた。
【００８０】＜光透過率および面抵抗値の評価＞前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ＩＴＯ薄膜付きガラス基板上に直接、電子注入電極層、非晶質透明導電膜、銀薄膜、ＴｉＯ２ 薄膜を積層した積層体を作成し、波長４６０ｎｍの光の透過率を計測したところ、８５％と高透明のものであった。更に、前記した素子の作製方法と同様の方法を用いて、ガラス基板上に直接、非晶質透明導電膜と銀薄膜を積層し、銀薄膜表面の面抵抗値を、実施例１と同様-にして測定したところ、１０Ω／□であった。
【００８１】＜有機ＥＬ素子の評価＞次に、ＩＴＯ薄膜を陽極とし、銀薄膜から電極リードを取り、両薄膜間に電圧を７Ｖ印加したところ、３．０ｍＡ／ｃｍ２ の電流密度となり、陰極側より観測したところ、８０ｃｄ／ｍ２ の発光があった。発光は、Ａｌｑより生じた緑色発光であった。」
　
（２）平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由３において提示された特開２００１−０５２８７８号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面発光有機発光ダイオードと共に用いるのに特に有効な透明電子注入電極に関する。」
ｂ「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、OLEDにおいて透過性が高く且つ有効な電子注入電極としてはたらく多層構造体を提供することである。」
ｃ「【００１０】本発明の多層カソード及び表面発光OLEDを説明する前に、従来技術の表面発光OLEDの構成の一つを説明する。図に１おいて、有機発光素子１００は、光透過性アノード１０４を上に配置した光透過性基板１０２を有する。アノード１０４とカソード１１０の間に、有機発光構造体１２０が形成されている。有機発光構造体１２０は、順に、有機正孔輸送層１２２、有機発光層１２４、及び有機電子輸送層１２６を含む。カソード構造体１１０は、順に、MgAg薄層１１２とスパッタ堆積したITO 層１１４を含んでなる。アノード１０４とカソード１１０との間に、カソードに対してアノードがより正の電位となるように電位差（示されてない）を印加すると、カソードは電子輸送層１２６に電子を注入し、正孔がアノード１０４から正孔輸送層１２２に注入される。正孔−電子再結合は発光層１２４内で発生し、光としてエネルギーが放出され、光は光透過性アノード１０４と基体１０２を通り、同様にカソード１１０を通って放出される。不透明基体を用い、高仕事関数金属がアノードとしてはたらいている場合は、光は上部カソード１１０からのみ放出される。
【００１１】図２に目を向けると、本発明の多層透明カソード２００は、順に、有効な電子注入層２０２、前記電子インジェクタの上にある電導性半透明金属層２０４、及び前記金属層の上に配置された透明層２０６を有する。この透明層は１．２以上の屈折率を有する。」
ｄ「【００１４】電導性半透明金属層２０４は、銀、金、銅、及びそれらの合金からなる群より選ぶことができる。これらの材料は電気抵抗が小さいので、カソードの面積抵抗を実質的に小さくする。他の金属層の厚みは、連続相を形成し、可視光に対する高透過率を提供するために、５〜４０ｎｍの範囲となる。
【００１５】しかし、この金属層は高反射率であるので、反射率を小さくし、カソードを通る光透過を高めるために、屈折率１．２以上の透明オーバーコート層２０６を使用する必要がある。コンピュータシミュレーションを使用して２つの構造体を通る光移動を測定した。第１の構造体は電子注入層と２０ｎｍ厚の銀層とからなる。第２の構造体は、電子注入層、２０ｎｍ厚銀層、及び５５ｎｍ酸化マグネシウム層からなる。両方の場合とも、電子注入層は０．３ｎｍのLiF 層と０．６ｎｍのA1とから作られている。これら２つの構造体の光学特性を光波長の関数として計算した。」
ｅ「【００１９】図４には、本発明に従って作製される表面発光有機発光ダイオード４００が図示されている。ここで、素子４００は基体４０２を有し、その上にアノードが配置されている。有機発光構造体４２０は、順に、有機正孔輸送層４２２、有機発光層４２４、及び有機電子輸送層４２６を含んでなる。この構造体は、カソード４１０が電子注入薄層４１２、半透明金属層４１４及び少なくとも１．２の屈折率を有する透明層４１６から形成され、フィルム堆積にスパッタリングが使用されていないので、図１の従来技術とは区別される。
【００２０】アノード４０４とカソード４１０の間に、カソードに対してアノードがより正の電位となるように電位差（示されてない）を印加すると、カソード４１０は電子輸送層４２６に電子を注入し、正孔がアノード４０４から正孔輸送層１２２に注入される。正孔−電子再結合は発光層４２４内で発生し、光としてエネルギーが放出され、光は光透過性アノード４０４と基体４０２を通り、同様にカソード４１０を通って放出される。不透明基体を用い、高仕事関数金属がアノードとしてはたらいている場合は、光は上部カソード４１０からのみ放出される。」
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
第５　当審の判断
１　本願発明１について
（１）平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由１、４及び５については、平成２２年１２月２４日付けの手続補正により解消されたものであり、原査定の理由にもなっていない。そこで、当審の判断においては、平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２及び３、並びに、平成２３年４月２８日付けの審尋が基とした前置報告書に記載された理由について検討することとする。
　
（２）平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２に関して
ア　本願発明１が、引用例１に記載された発明であるかについて検討する。
　引用例１の【００１１】（「第４」の「（１）」の「ａ」参照）から、引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）は「陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子」において「陰極が、有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率１×１０−５Ω・cm以下の金属薄膜の順で積層されてなる」ものである。
　そして、引用発明の「陰極」が本願発明１の「カソード」に相当し、引用発明の「電子注入電極層」と「金属薄膜」が本願発明１の「異なる屈折率を有する第１層と第３層」に相当することは明らかである。
　ところで、本願明細書の発明の詳細な説明（【００１２】【００１３】）の記載から、本願発明１においては、「第１層と第３層の間に配置され」「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」を有すれば、「光学干渉層」であるといえる。そうすると、引用発明の「透明導電膜」は、「電子注入電極層」と「金属薄膜」の間の層であるから、その光学厚さが「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であれば、本願発明の「第１層と第３層の間に配置される光学干渉層」に相当するものであるといえる。そこで、引用例１において「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であることが記載されているかを精査する。
(ａ）引用例１の【００１９】（「第４」の「（１）」の「ｂ」）には、「透明導電膜」の好ましい厚さの具体的数値範囲が記載されているが、「発光波長」との関係は何等記載されていないから、引用例１の【００１９】の記載によって、「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であることが記載されているということはできない。
(ｂ)引用例１の【００６６】〜【００７２】（「第４」の「（１）」の「ｃ」）には、「透明導電膜」は「膜厚１００nm]のであり、「発光波長」については「Ａｌｑより生じた緑色発光」であることが記載されている。そして、「Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜」の屈折率が１．９〜２．２であることが知られているから、「透明導電膜」の光学厚さ(膜厚×屈折率)は１９０〜２２０nmであるといえる。一方、「Ａｌｑより生じた緑色発光」の波長は、５１０nmを中心波長とするものであるから、「発光波長の１／３と１／５の間」は「１７０nmと１０２nmの間」になるから、「透明導電膜」の光学厚さが、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であるとは言い難い。よって、引用例１の【００６６】〜【００７２】に、「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であることが記載されているということはできない。
(ｃ)引用例１の【００７７】〜【００８１】（「第４」の「（１）」の「ｄ」）においても、上記(ii)と同様の考察により、「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であることが記載されているということはできない。なお、引用例１の【００７７】〜【００８１】においては、「透明導電膜」はＩＴＯの膜であり、ＩＴＯの屈折率もＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜の屈折率とほぼ同じであることが知られている。さらに、本願明細書には、【００２１】において、ＩＴＯの屈折率について１．８５と記載されており、その値も含めて検討しても、「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」となることは見出せない。
　
イ　以上のとおり、引用例１において「透明導電膜」が、「発光波長の１／３と１／５の間の光学厚さ」であることが記載されているということができないから、本願発明１が、引用例１に記載された発明であるということはできない。
　よって、平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２によって本願発明１を拒絶することはできない。
　
（３）平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由３に関して
ア　引用例１の【００１０】（「第４」の「（１）」の「ａ」）の記載から、引用例１に記載された発明は「陰極を構成する透明導電膜の外側に低抵抗の金属薄膜を配置することにより、低抵抗かつ高透明の陰極を有する有機ＥＬ素子が得られることを見出した」ことによりなされたものであり、光干渉の原理から透明導電膜の厚さを設定したものではない。また、上記「第４」の「（１）」の「ｂ」〜「ｄ」の記載からも認められるように、引用例１の記載全体を通じて、透明導電膜の厚さを光学干渉から設定することが示唆もされていないことは明らかである。
　
イ　一方で、上記「第４」の「（２）」の記載内容からも認められるように、引用例２に記載された陰極の層構造は、電子注入層、半透明金属層、透明層の順に積層されたものであり、本願発明１や引用例１の陰極の層構造（積層順）とは異なる。よって、引用例１に記載された発明に引用例２に記載された技術的事項を適用しても本願発明１を導出することはできない。
　
ウ　仮に、引用例２の記載から、トップエミッション型の有機ＥＬ装置において、陰極の金属層の反射率を下げることが、周知の技術課題であるということができ、また、多層構造の光反射防止構造において光学干渉層の厚さを当該光の１／４波長とすることが周知の技術的事項であったとしても、上記「ア」でも述べたように、引用例１において「透明導電膜の厚さを光学干渉から設定することが示唆もされて」おらず、引用例1に記載された発明が「陰極を構成する透明導電膜の外側に低抵抗の金属薄膜を配置することにより、低抵抗かつ高透明の陰極を有する有機ＥＬ素子が得られることを見出した」ことによってなされた発明である以上、引用例１において透明導電膜の厚さを変える動機付けがないから、引用例１に記載された発明に上記周知技術を適用することが当業者にとって容易であるということはできない。
　
オ　以上のとおりであるから、平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由３によって本願発明１を拒絶することはできない。
　
（４）平成２３年４月２８日付けの審尋が基とした前置報告書に記載された理由について
ア　上記「（３）」の「ア」でも述べたように、引用例１において「透明導電膜の厚さを光学干渉から設定することが示唆もされて」おらず、引用例1の発明は「陰極を構成する透明導電膜の外側に低抵抗の金属薄膜を配置することにより、低抵抗かつ高透明の陰極を有する有機ＥＬ素子が得られることを見出した」ことによってなされた発明である以上、引用例１において透明導電膜の厚さを変える動機付けはない。
　よって、例え、「発光層の上部にある透明導電膜の厚みを５０ｎｍ程度とすること」が公知の技術的事項であり、また、「光干渉構造を構成する光干渉層の光学厚みを対象光のλ/4に設定することは、例示するまでもなく反射防止層等の分野において一般的に知られたこと」であったとしても、引用例１において透明導電膜を上記の５０ｎｍ程度とすることが当業者にとって容易であるということはできない。
　
イ　付記された理由について
　特願２００２−２８８３６０号（特開２００４−１２７６３９号）の明細書（以下「先願明細書」という。）には、ポリ（ジオクチルジビニレンフロオレン−ｃｏ−アントラセン）（発光波長が４５０ｎｍ程度）からなる発光層上に、電子注入層（本願発明１の第１層に相当）、厚みが５０ｎｍのＩＴＯ膜又はＩＺＯ膜等からなるバリア性導電層、陰極（本願発明１の第３層に相当）を形成した有機ＥＬ画像表示装置に関する発明が記載されている（先願明細書の【００２２】〜【００３１】、【００３８】及び【００４０】参照）が、先願明細書に記載の上記構成においては、陰極もＩＴＯで構成されており（【００２９】参照）、バリア性導電層と陰極の屈折率が同程度であることから、先願明細書に記載された電子注入層、バリア性導電層及び陰極陰極の構造では光学干渉作用を呈しない。また、先願明細書全体を通じて、バリア性導電層が光学干渉の作用を行うことは示唆もされていない。
　したがって、本願発明１は先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるということはできない。
　
ウ　以上のとおりであるから、平成２３年４月２８日付けの審尋が基とした前置報告書に記載された理由によって本願発明１を拒絶することはできない。
　
２　本願発明２ないし１４について
　本願発明２ないし１４は、本願発明１の全ての発明特定事項を備え、さらに、別の発明特定事項を備えたものであるから、本願発明１が原審の審査過程において示されたいずれの引用文献に記載された発明であるということもできず、また、いずれの引用文献に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるすることもできないとする以上、本願発明２ないし１４も同様に、原審の審査過程において示されたいずれの引用文献に記載された発明であるということもできず、また、いずれの引用文献に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるすることもできない。
　また、本願発明１が、当審の審尋において示された先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるということはできない以上、本願発明２ないし１４も同様に、上記先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるということはできない。
　よって、平成２１年６月１７日付けの拒絶理由の理由２又は３によって本願発明２ないし１４を拒絶することはできない。また、平成２３年４月２８日付けの審尋が基とした前置報告書に記載された理由によって本願発明２ないし１４を拒絶することはできない。
　
第６　まとめ
　以上のとおり、本願発明１ないし１４は、原審の審査過程において示されたいずれの引用文献に記載された発明であるということもできず、また、いずれの引用文献に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるすることもできない。
　また、本願発明１ないし１４は、当審の審尋において示された先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるということはできない。
　よって、本願発明１ないし１４が、平成２１年６月１７日付けの拒絶理由により拒絶すべきものであるとする原査定は妥当なものではなく、取消を免れない。
　また、他に本願発明１ないし１４を拒絶する理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。