(57)【要約】【課題】温度センサを有する水晶発振器の周波数精度を向上させることを目的とする。【解決手段】水晶振動片２０と、前記水晶振動片２０を発振させるための発振回路３２１と、前記発振回路３２１に接続され、前記水晶振動片２０の側の面に設けられた第１バンプ３４３と、を有する半導体チップ３０と、前記第１バンプ３４３に接合された温度センサデバイス４０と、を有する水晶発振器１を提供する。また、前記半導体チップ３０は、前記水晶振動片２０の側の面における前記第１バンプ３４３の両側に設けられた複数のワイヤボンディング用パッド３５を有するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動片と、
前記水晶振動片を発振させるための発振回路と、前記発振回路に接続され、前記水晶振動片の側の面に設けられた第１バンプと、を有する半導体チップと、
前記第１バンプに接合された温度センサと、
を有する水晶発振器。
【請求項２】
前記半導体チップは、前記水晶振動片の側の面における前記第１バンプの両側に設けられた複数のワイヤボンディング用パッドを有する、
請求項１に記載の水晶発振器。
【請求項３】
前記半導体チップは、前記水晶振動片の側の面に設けられた第２バンプをさらに有し、
前記水晶発振器は、前記第２バンプに接合されたヒーターをさらに有する、
請求項１又は２に記載の水晶発振器。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記温度センサを覆う位置に前記水晶振動片を固定するための導電性接続部をさらに有する、
請求項１から３のいずれか１項に記載の水晶発振器。
【請求項５】
前記半導体チップの前記第１バンプが設けられた面の反対側の面に設けられた断熱性部材をさらに有する、
請求項１から４のいずれか１項に記載の水晶発振器。
【請求項６】
半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハに複数の第１バンプを形成する工程と、
前記半導体ウェハを、それぞれが前記第１バンプを含む複数の半導体チップに分割する工程と、
前記第１バンプに温度センサを接合させる工程と、
前記温度センサを接合させる工程の後に、前記温度センサを覆う位置に水晶振動片を固定する工程と、
を有する水晶発振器の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェハの、前記複数の第１バンプが形成された面に第２バンプを形成する工程と、
前記第２バンプにヒーターを接合させる工程と、
をさらに有する、
請求項６に記載の水晶発振器の製造方法。
【請求項８】
前記半導体ウェハの前記複数の第１バンプが形成された面の反対側の面に断熱性部材を形成する工程をさらに有する、
請求項６又は７に記載の水晶発振器の製造方法。
【請求項９】
前記半導体ウェハの１つの面に断熱性部材を形成する工程をさらに有し、
前記複数の第１バンプを形成する工程において、前記断熱性部材を形成した面と反対側の面に前記複数の第１バンプを形成する、
請求項６又は７に記載の水晶発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振器及び水晶発振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶振動片を備えた水晶発振器として、水晶振動片と、温度センサ及び温度補償回路を有するＴＣＸＯ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ；温度補償型水晶発振器）が知られている。また、水晶振動片、温度センサ、ヒーター回路、及び温度制御回路を有するＯＣＸＯ（Ｏｖｅｎ  Ｃｏｎｔｒоｌｌｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ；恒温槽付水晶発振器）も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図９は、従来の水晶発振器８００の断面図である。従来の水晶発振器８００は、パッケージ８１０内に、水晶振動片８２０、半導体チップ８３０が封入されている。水晶振動片８２０は、導電性接続部８５０によってパッケージ８１０に固定されている。半導体チップ８３０は、その内部に、温度センサデバイス８４０、発振回路８３２を含む内部回路８３１を有している。温度センサデバイス８４０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド保護膜を挟んで水晶振動片８２０と熱結合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２４３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＣＸＯ及びＯＣＸＯ等のように、温度センサで検出した温度に基づいて発振回路を制御する水晶発振器においては、発振周波数の精度を向上させるために、水晶振動片付近の温度をできるだけ高い精度で測定することが求められる。しかしながら、従来の水晶発振器８００では、温度センサデバイス８４０と水晶振動片８２０の間に複数種の熱伝達が悪い物質が構成されているために熱伝達モデルが複雑になり、水晶振動片付近の温度の検出精度を向上させることが困難であった。その結果、周波数温度補償の誤差が拡大するので、発振信号の周波数精度が低下するという問題が生じていた。
【０００６】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、温度センサを有する水晶発振器が出力する発振信号の周波数精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様においては、水晶振動片と、前記水晶振動片を発振させるための発振回路と、前記発振回路に接続され、前記水晶振動片の側の面に設けられた第１バンプと、を有する半導体チップと、前記第１バンプに接合された温度センサと、を有する水晶発振器を提供する。
【０００８】
前記半導体チップは、前記水晶振動片の側の面における前記第１バンプの両側に設けられた複数のワイヤボンディング用パッドを有していてもよい。
【０００９】
前記半導体チップは、前記水晶振動片の側の面に設けられた第２バンプをさらに有し、前記水晶発振器は、前記第２バンプに接合されたヒーターをさらに有していてもよい。
【００１０】
前記半導体チップは、前記温度センサを覆う位置に前記水晶振動片を固定するための導電性接続部をさらに有していてもよい。
【００１１】
前記水晶発振器は、前記半導体チップの前記第１バンプが設けられた面の反対側の面に設けられた断熱性部材をさらに有していてもよい。
【００１２】
本発明の第２の態様においては、半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハに複数の第１バンプを形成する工程と、前記半導体ウェハを、それぞれが前記第１バンプを含む複数の半導体チップに分割する工程と、前記第１バンプに温度センサを接合させる工程と、前記温度センサを接合させる工程の後に、前記温度センサを覆う位置に水晶振動片を固定する工程と、を有する水晶発振器の製造方法を提供する。
【００１３】
前記水晶発振器の製造方法においては、前記半導体ウェハの、前記複数の第１バンプが形成された面に第２バンプを形成する工程と、前記第２バンプにヒーターを接合させる工程と、をさらに有していてもよい。
【００１４】
前記水晶発振器の製造方法においては、前記半導体ウェハの前記複数の第１バンプが形成された面の反対側の面に断熱性部材を形成する工程をさらに有していてもよい。
【００１５】
前記水晶発振器の製造方法においては、前記半導体ウェハの１つの面に断熱性部材を形成する工程をさらに有し、前記複数の第１バンプを形成する工程において、前記断熱性部材を形成した面と反対側の面に前記複数の第１バンプを形成してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、水晶振動片と温度センサ及びヒーターデバイス間の熱結合が向上し、水晶発振器の周波数精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。
【図２】温度センサデバイス４０周辺部の拡大図である。
【図３】第２の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。
【図４】ヒーターデバイス６０周辺部の拡大図である。
【図５】第３の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。
【図６】第４の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。
【図７】第４の実施形態の変形例に係る水晶発振器１の内部構成図（その１）である。
【図８】第４の実施形態の変形例に係る水晶発振器１の内部構成図（その２）である。
【図９】従来の水晶発振器８００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜第１の実施形態＞
［第１の実施形態に係る水晶発振器１の構成］
図１は、第１の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。図１（ａ）は、第１の実施形態に係る水晶発振器１の配置図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１９】
第１の実施形態に係る水晶発振器１は、ＴＣＸＯ（温度補償型水晶発振器）である。水晶発振器１は、パッケージ１０内に、水晶振動片２０、半導体チップ３０、及び温度センサデバイス４０が封入されている。水晶振動片２０は、導電性接続部５０によってパッケージ１０に固定されている。
【００２０】
半導体チップ３０は、温度センサデバイス４０が検出した温度に基づいて定められる周波数で水晶振動片２０を発振させる回路を有する半導体のベアチップである。温度センサデバイス４０は、周囲の温度を検出し、検出した温度を示すデータを出力するデバイスであり、例えば、サーミスタである。温度センサデバイス４０は、半導体チップ３０の上面中央部に固定されている。温度センサデバイス４０は、水晶振動片２０に面した位置に固定されており、水晶振動片２０の近傍の温度を測定する。
【００２１】
以下、半導体チップ３０の構造、及び半導体チップ３０と温度センサデバイス４０との接続形態について詳細に説明する。半導体チップ３０は、Ｓｉ基板３１と、内部回路３２と、保護層３３と、第１接続部３４と、複数のワイヤボンディング用パッド３５とを有する。
【００２２】
Ｓｉ基板３１は、シリコン（Ｓｉ）により形成されたベース基板である。内部回路３２は、Ｓｉ基板３１をベース基板として形成されており、発振回路３２１及び温度検出回路３２２を含んでいる。発振回路３２１は、水晶振動片２０を発振させる発振信号を生成するための回路である。温度検出回路３２２は、温度センサデバイス４０が検出した温度に基づいて、発振回路３２１が出力する発振信号の周波数を制御するための温度補償機能を有する。
【００２３】
保護層３３は、Ｓｉ基板３１の表面に形成されており、ＩＣ絶縁性保護膜（例えばＳｉＮ）及び保護樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる。第１接続部３４は、内部回路３２と温度センサデバイス４０とを接続する。第１接続部３４は、半導体チップ３０の中央付近に設けられている。第１接続部３４の詳細については、後述する。
【００２４】
複数のワイヤボンディング用パッド３５は、内部回路３２と、パッケージ１０に設けられた外部端子とを接続するワイヤを固定するための端子である。図１（ａ）に示すように、複数のワイヤボンディング用パッド３５は、水晶振動片２０の側の面における第１接続部３４の両側に設けられている。
【００２５】
図２は、図１（ｂ）の温度センサデバイス４０周辺部の拡大図である。図２に示すように、保護層３３は、ＳｉＯ２絶縁膜３３１及び保護膜３３２を有する。第１接続部３４は、パッドメタル３４１、パッド開口部３４２及び第１バンプ３４３を有する。温度センサデバイス４０は、温度センサ４０１及び温度センサ接続端子４０２を有する。
【００２６】
ＳｉＯ２絶縁膜３３１は、金属配線３２３及びパッドメタル３４１を覆うように形成されている。保護膜３３２は、例えば、ＳｉＮ又はＳｉＮ上にポリイミドを重ねた構造をしており、ＳｉＯ２絶縁膜３３１を覆うように形成されている。
【００２７】
パッドメタル３４１は、金属配線３２３と第１バンプ３４３との間に形成され、金属配線３２３と第１バンプ３４３とを電気的に接続するための金属製の端子である。パッド開口部３４２は、保護層３３に形成された開口である。第１バンプ３４３は、例えば、Ａｕ等の金属であり、半導体チップ３０上の水晶振動片２０側の面に設けられている。第１バンプ３４３は、パッド開口部３４２内に設けられており、温度センサデバイス４０とパッドメタル３４１とを電気的に接続する。
【００２８】
温度センサ４０１は、周囲の温度を検出し、検出した温度を示すデータを出力する素子である。温度センサ接続端子４０２は、温度センサ４０１に設けられている金属製の接続端子である。温度センサ４０１は、温度センサ接続端子４０２、第１バンプ３４３、パッドメタル３４１、金属配線３２３を介して温度検出回路３２２と接続されている。温度センサ接続端子４０２を第１バンプ３４３に接合する場合、温度センサ接続端子４０２をワイヤボンディング用パッド３５にワイヤボンディング接合する場合に比べて、温度センサデバイス４０を半導体チップ３０上に接合する際の実装面積を減らすことができる。また、温度センサデバイス４０と半導体チップ３０との間の配線を短くすることができることから、電気的特性を向上させることができる。
【００２９】
このように、温度センサデバイス４０が半導体チップ３０に第１バンプ３４３を介して接合されていることにより、水晶振動片２０と温度センサデバイス４０は、パッケージ１０内部の充填ガスを介して互いに近接することができる。この結果、従来よりも水晶振動片２０の温度を精度良く計測することが可能となり、水晶発振器１の周波数精度の向上に寄与することができる。
【００３０】
［第１の実施形態に係る水晶発振器１の製造方法］
以下、水晶発振器１を製造する方法について説明する。まず、半導体ウェハを準備し、内部回路３２、保護層３３、パッドメタル３４１及びパッド開口部３４２等を形成した半導体ウェハに複数の第１バンプ３４３を形成する。次に、半導体ウェハを、それぞれが第１バンプ３４３を含む複数の半導体チップ３０に分割し、第１バンプ３４３に温度センサデバイス４０を接合させる。例えば、第１バンプ３４３に温度センサデバイス４０を載置した後に、超音波を印加しつつ温度センサデバイス４０を押す力を印加することにより、第１バンプ３４３に温度センサデバイス４０を接合させることができる。又は、第１バンプ３４３を形成した半導体ウェハに温度センサデバイス４０を接合した後に半導体チップ３０に分割する方法もある。
【００３１】
そして、第１バンプ３４３に温度センサデバイス４０を接合させた後に、パッケージ１０に半導体チップ３０を接合して、ワイヤボンディング用パッド３５にワイヤボンディングを行い、温度センサデバイス４０を覆う位置に水晶振動片２０を固定する。したがって、本製造方法によれば、バンプ接合工程を利用して温度センサデバイス４０と半導体チップ３０を電気的に接続することが可能であり、標準的なプロセスフローで製造した半導体チップで第１の実施形態に係る水晶発振器１を製造することができる。
【００３２】
［第１の実施形態に係る水晶発振器１による効果］
以上説明したように、第１の実施形態に係る水晶発振器１は、温度センサデバイス４０が半導体チップ３０の上面において、第１バンプ３４３により接合されている。この結果、水晶振動片２０と温度センサデバイス４０は近接し、従来よりも水晶振動片２０の温度を精度良く測定することが可能となり、周波数精度の向上に寄与することができる。また、温度センサデバイス４０を半導体チップ３０に対してバンプを用いて接合することにより、水晶発振器１を小型化することができる。
【００３３】
＜第２の実施形態＞
図３は、第２の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。図３（ａ）は、第２の実施形態に係る水晶発振器１の配置図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００３４】
第２の実施形態に係る水晶発振器１は、ＯＣＸＯ（恒温槽付水晶発振器）である。第２の実施形態に係る水晶発振器１は、第１の実施形態に係る水晶発振器１の構成と比べて、水晶発振器１が、ヒーター回路３２４、第２接続部３６、ヒーターデバイス６０を有する点で異なる。
【００３５】
ヒーター回路３２４は、内部回路３２に含まれており、ヒーターデバイス６０の温度を制御するための回路である。第２接続部３６は、内部回路３２とヒーターデバイス６０とを接続する。図３に示す例においては、２つの第２接続部３６が、第１接続部３４の両側に設けられている。第２接続部３６の詳細については、後述する。
【００３６】
ヒーターデバイス６０は、熱を発することにより周囲の温度を制御するデバイスであり、例えば、抵抗である。図３に示す例においては、水晶発振器１が、それぞれ第２接続部３６に接合された２つのヒーターデバイス６０を有しており、２つのヒーターデバイス６０は、半導体チップ３０の上面における、温度センサデバイス４０の両側に固定されている。ヒーターデバイス６０は、水晶振動片２０に面した位置に固定されており、水晶振動片２０の近傍の温度を制御する。
【００３７】
図４は、図３（ｂ）のヒーターデバイス６０周辺部の拡大図である。第２接続部３６は、第１接続部３４と同様の構成であり、パッドメタル３４１、パッド開口部３４２、第２バンプ３６１を有する。ヒーターデバイス６０は、ヒーター６０１とヒーター接続端子６０２を有する。
【００３８】
第２バンプ３６１は、第１バンプ３４３と同様のものであり、例えば、Ａｕ等の金属であり、半導体チップ３０上の水晶振動片２０側の面に設けられる。第２バンプ３６１は、パッド開口部３４２内に設けられている。ヒーター６０１は、熱を発することにより周囲の温度を制御する素子である。ヒーター接続端子６０２は、ヒーター６０１に設けられている金属製の接続端子である。ヒーター６０１は、ヒーター接続端子６０２、第２バンプ３６１、パッドメタル３４１、金属配線３２３を介してヒーター回路３２４と接続されている。
【００３９】
［第２の実施形態に係る水晶発振器１の製造方法］
以下、第２の実施形態に係る水晶発振器１を製造する方法について、第１の実施形態に係る水晶発振器１の製造方法と異なる点について説明する。
第２バンプ形成工程においては、半導体ウェハ上に第１バンプ３４３を形成した後に、第１バンプ３４３が設けられた面に第２バンプ３６１を形成する。
【００４０】
ヒーター接合工程においては、例えば複数の半導体チップ３０に設けられた第１バンプに温度センサデバイス４０を接合した後に、第２バンプ３６１にヒーターデバイス６０を接合させる。これに限らず、ヒーター接合工程においては、複数の半導体チップ３０に設けられた第１バンプ３４３に温度センサデバイス４０を接合する前に、第２バンプ３６１にヒーターデバイス６０を接合させてもよい。ヒーター接合工程においては、例えば第２バンプ３６１にヒーターデバイス６０を載置した後に、超音波を印加しつつヒーターデバイス６０を押す力を印加することにより、第２バンプ３６１にヒーターデバイス６０を接合させる。
また、ヒーター接合工程では、半導体ウェハを複数の半導体チップ３０に分割する前に、第２バンプ３６１にヒーターデバイス６０を接合させてもよい。
【００４１】
［第２の実施形態に係る水晶発振器１による効果］
水晶発振器１がこのような構成を有することにより、温度センサデバイス４０により水晶振動片２０の近傍の温度が測定され、かつ、ヒーターデバイス６０により温度の制御がおこなわれる。この結果、水晶振動片２０と、温度センサデバイス４０、及びヒーターデバイス６０間の熱結合が向上し、水晶発振器１の周波数精度を向上させることができる。
【００４２】
＜第３の実施形態＞
図５は、第３の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。図５（ａ）は、第３の実施形態に係る水晶発振器１の配置図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。第３の実施形態に係る水晶発振器１は、ＯＣＸＯである。第３の実施形態に係る水晶発振器１は、第２の実施形態に係る水晶発振器１の構成と比べて、水晶振動片２０は、導電性接続部５０によって半導体チップ３０上に直接固定されている点で異なる。導電性接続部５０は、導電性樹脂で形成されており、水晶振動片２０を半導体チップ３０に固定するとともに、水晶振動片２０を内部回路３２と電気的に接続する。
【００４３】
このような構成とすることにより、パッケージ１０に導電性接続部５０と半導体チップ３０上のパッド電極とを接続するための配線が不要となるため、パッケージ１０のサイズを縮小することができる。この結果、水晶発振器１を小型化させることができる。
【００４４】
＜第４の実施形態＞
図６は、第４の実施形態に係る水晶発振器１の内部構成図である。図６（ａ）は、第４の実施形態に係る水晶発振器１の配置図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。第４の実施形態に係る水晶発振器１は、ＴＣＸＯである。第４の実施形態に係る水晶発振器１は、第１の実施形態に係る水晶発振器１の構成と比べて、断熱性部材としての断熱性膜３７を有する点で異なる。
水晶発振器１は、半導体チップ３０の第１バンプ３４３が設けられた面の反対側の面に設けられた断熱性膜３７を有する。断熱性膜３７は、例えばＳｉＯ２膜である。なお、断熱性膜３７は、他の断熱性素材を使用した膜であってもよい。
【００４５】
このような構成とすることにより、水晶発振器１は、半導体チップ３０と、パッケージ１０とを熱的に分離することができる。この結果、水晶発振器１は、パッケージ１０から外部の熱の影響を受けることなく、水晶振動片２０の温度を精度良く測定することが可能となり、周波数精度を向上することができる。
【００４６】
（変形例１）
以上の説明においては、第１の実施形態に係るＴＣＸＯである水晶発振器１に断熱性膜３７を設けた例について説明した。しかし、これに限らず、第２の実施形態及び第３の実施形態に係るＯＣＸＯである水晶発振器１が、半導体チップ３０の第１バンプ３４３が設けられた面の反対側の面に設けられた断熱性膜３７を有していてもよい。
【００４７】
（変形例２）
図７及び図８は、第４の実施形態の変形例に係る水晶発振器１の内部構成図である。図７（ａ）は、第２の実施形態に係る水晶発振器１が断熱性膜３７を有する場合の水晶発振器１の配置図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。図８（ａ）は、第３の実施形態に係る水晶発振器１が断熱性膜３７を有する場合の水晶発振器１の配置図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。図７及び図８における水晶発振器１は、ＯＣＸＯである。図７及び図８における水晶発振器１は、半導体チップ３０の第１バンプ３４３が設けられた面の反対側の面に設けられた断熱性膜３７を有する。
【００４８】
（変形例３）
以上の説明においては、水晶発振器１の半導体チップ３０に断熱性膜３７を形成した例について説明したが、これに限らず、水晶発振器１のパッケージ１０内の底面に断熱性膜３７を形成してもよい。断熱性膜３７は、例えば、半導体チップ３０がパッケージ１０に接合される前に、パッケージ１０内の底面に対して形成される。半導体チップ３０は、パッケージ１０内の底面に形成された断熱性膜３７の上に接合される。また、水晶発振器１のパッケージ１０内の底面に、断熱性を有する板を断熱性部材として接着してもよい。
【００４９】
［第４の実施形態に係る水晶発振器１の製造方法］
以下、断熱性膜３７を有する水晶発振器１を製造する方法について、第１の実施形態及び第２の実施形態に係る水晶発振器１の製造方法と異なる点について説明する。断熱性膜形成工程においては、例えば半導体ウェハに複数の第１バンプ３４３を形成した後に、複数の第１バンプ３４３を形成した面の反対側の面に断熱性膜３７を形成する。断熱性膜形成工程において、例えばＳｉＯ２膜形成装置を用いて、断熱性膜３７としてＳｉＯ２膜を形成する。なお、断熱性膜形成工程において、半導体ウェハに複数の第１バンプ３４３を形成する前に、半導体ウェハの１つの面に断熱性膜３７を形成してもよい。この場合、半導体ウェハの断熱性膜３７を形成した後に、断熱性膜３７を形成した面と反対側の面に、複数の第１バンプ３４３を形成する。
【００５０】
断熱性膜形成工程においては、半導体ウェハを複数の半導体チップ３０に分割した後に、断熱性膜３７を形成してもよい。また、断熱性膜形成工程においては、ＳｉＯ２だけでなく、他の断熱性素材を用いて断熱性膜を形成してもよい。また、さらに、断熱性膜形成工程においては、半導体チップ３０の第１バンプ３４３が設けられた面の反対側の面に、断熱性の板を接着することで、断熱性膜３７としてもよい。
【００５１】
［第４の実施形態に係る水晶発振器１による効果］
このような構成とすることにより、第４の実施形態に係る水晶発振器１は、外部の環境と熱的に分離することで、水晶振動片２０に対するパッケージ１０外部の温度の影響を低減することができるので、水晶発振器１の周波数精度を向上することができる。また、水晶発振器１は、ヒーター６０１が発した熱がパッケージ１０の外部へ放出されることを抑制できるので、効率よく加温することができる。
【００５２】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・水晶発振器
１０・・・パッケージ
２０・・・水晶振動片
３０・・・半導体チップ
３１・・・Ｓｉ基板
３２・・・内部回路
３２１・・・発振回路
３２２・・・温度検出回路
３２３・・・金属配線
３２４・・・ヒーター回路
３３・・・保護層
３３１・・・ＳｉＯ２絶縁膜
３３２・・・保護膜
３４・・・第１接続部
３４１・・・パッドメタル
３４２・・・パッド開口部
３４３・・・第１バンプ
３５・・・ワイヤボンディング用パッド
３６・・・第２接続部
３６１・・・第２バンプ
３７・・・断熱性膜
４０・・・温度センサデバイス
４０１・・・温度センサ
４０２・・・温度センサ接続端子
５０・・・導電性接続部
６０・・・ヒーターデバイス
６０１・・・ヒーター
６０２・・・ヒーター接続端子
８００・・・従来の水晶発振器
８１０・・・パッケージ
８２０・・・水晶振動片
８３０・・・半導体チップ
８３１・・・内部回路
８３２・・・発振回路
８４０・・・温度センサデバイス
８５０・・・導電性接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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