(57)【要約】【課題】画質の劣化を抑制する。【解決手段】表示装置１０は、自発光層を有する副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列され、第１の数の副画素を有する低密度画素を有する低密度領域５４と、第１の数よりも大きい第２の数の副画素を有する高密度画素を有する高密度領域５２と、自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する。【選択図】図１
2017058671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光層を有する副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列され、
第１の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第１の数よりも大きい第２の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する、表示装置。
【請求項２】
前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記低密度領域は、さらに、前記点灯駆動回路の駆動を制御するための駆動制御回路を有し、前記高密度領域は、前記駆動制御回路を有さない、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動制御回路は、前記画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記点灯駆動回路は、前記駆動制御回路と同層に設けられている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記高密度領域は、前記画像表示面の中央に設けられており、
前記低密度領域は、前記画像表示面内であって、前記高密度領域の両端部に設けられている、請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画像表示面は、所定の方向に沿って、画像表示パネルの全域を占める、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動制御回路は、前記自発光層を点灯させるために前記副画素を順番に選択する走査回路である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記低密度領域は、前記高密度領域内に点在して設けられている、請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動制御回路は、前記画像表示パネルの駆動を制御するためのセンサを有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記低密度画素の副画素の面積は、前記高密度画素の副画素の面積よりも大きい、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記低密度画素に出力するための出力信号を、サブピクセルレンダリング処理を行うことにより生成する信号処理部を更に有する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記信号処理部は、前記高密度領域内の一部分の領域であって、前記低密度領域に隣接する所定の範囲の領域である境界領域内の前記高密度画素について、点灯する副画素の数を、前記低密度領域に向かうに従って徐々に減らすスムージング処理を行う、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列される画像表示パネルを有する表示装置であって、
前記副画素は、前記画像表示パネルの前面からの光を反射する反射部を有し、
前記画像表示パネルは、前記反射部が反射した前記前面からの光により画像を表示し、第１の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第１の数よりも大きい第２の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、を有し、前記反射部よりも前記前面と反対側である背面側に、光を照射する光源部を有さない、表示装置。
【請求項１５】
前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記反射部よりも下方に設けられている、請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話及び電子ペーパー等のモバイル電子機器向け等の表示装置の需要が高くなっている。表示装置では、１つの画素が複数の副画素を備え、当該複数の副画素がそれぞれ異なる色の光を出力し、当該副画素の表示のオン及びオフを切り換えることで、１つの画素で種々の色を表示させている。この表示装置において、従来の赤、緑、青の副画素に第４の副画素である白画素を加える技術がある（例えば、特許文献１）。この技術は、白画素を加えることにより、画質を向上させることができる。
【０００３】
また、例えば特許文献１には、赤、緑、青の副画素からなる領域と、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域とに分けて、画質を向上させつつ設計費用を最小化させる液晶表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−９４０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域は、各副画素を駆動させるための配線等が、赤、緑、青の副画素からなる領域よりも多くなる。例えば特許文献１では、バックライトから光を照射して、画像を表示している。従って、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域の開口率は、配線の分だけ、赤、緑、青の副画素からなる領域よりも小さくなる。そのため、この場合、領域毎に画像の明るさが異なり、画質が劣化するおそれがある。さらに、画質劣化が進みやすくなると、表示装置の寿命が短くなる恐れが生じる。また、赤、緑、青、及び白の４種の副画素からなる表示装置は、各種回路が配置されている画像表示面の周囲の領域が、３種の副画素からなる表示装置に比べて広くなる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、画質の劣化を抑制し、表示装置の寿命の短縮を抑制し、さらに、画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置は、自発光層を有する副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列され、第１の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第１の数よりも大きい第２の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図２は、走査回路の構成を説明するブロック図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の点灯駆動回路を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、高密度画素の副画素の配列を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、低密度画素の副画素の配列を示す図である。
【図５】図５は、低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。
【図６Ａ】図６Ａは、高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。
【図７】図７は、第１実施形態に係る信号処理部の構成を説明するブロック図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、彩度と伸長係数との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、第２実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。
【図１１】図１１は、第３実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。
【図１２】図１２は、第４実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。
【図１３】図１３は、第４実施形態に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。
【図１４】図１４は、第４実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。
【図１６】図１６は、第４実施形態に係る信号処理部の構成を模式的に説明するブロック図である。
【図１７】図１７は、本実施形態の他の例に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。
【図１８】図１８は、第４実施形態の他の例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。
【図１９】図１９は、第４実施形態の他の例に係る低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。
【図２０】図２０は、第４実施形態の他の例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、第１変形例に係る高密度画素の副画素配列を示す図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、第１変形例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。
【図２２】図２２は、第１変形例に係る信号処理部の構成を示すブロック図である。
【図２３】図２３は、第１変形例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。
【図２４】図２４は、レンダリング処理の一例を説明するための説明図である。
【図２５】図２５は、スムージング処理を説明するための説明図である。
【図２６】図２６は、第１変形例の信号処理部による出力信号の生成処理の工程を説明するフローチャートである。
【図２７】図２７は、高密度画素の副画素配列の他の例を示す図である。
【図２８】図２８は、第２変形例に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２９】図２９は、第２変形例に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の駆動回路を示す図である。
【図３０Ａ】図３０Ａは、第２変形例における高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。
【図３０Ｂ】図３０Ｂは、第２変形例における低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。
【図３１】図３１は、第１実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３２】図３２は、第１実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、第１実施形態の表示装置１０は、信号処理部２０と、信号出力回路３１と、走査回路３２と、電源回路３３と、画像表示パネル４０とを有する。信号出力回路３１と、走査回路３２と、電源回路３３とは、画像表示パネル駆動部３０を構成する。信号処理部２０と、画像表示パネル駆動部３０とは、画像表示パネル４０の内部に組み込まれている。信号処理部２０は、制御装置１１の画像出力部１２からの入力信号が入力され、入力信号に所定のデータ処理を加えて生成した信号を表示装置１０の各部に送る。画像表示パネル駆動部３０は、信号処理部２０からの信号に基づいて画像表示パネル４０の駆動を制御する。画像表示パネル４０は、画像表示パネル駆動部３０からの信号に基づいて画素の自発光体を点灯させて画像を表示する自発光型の画像表示パネルである。
【００１１】
（画像表示パネル駆動部の構成）
画像表示パネル駆動部３０は、画像表示パネル４０の制御装置であって、上述のように、信号出力回路３１、走査回路３２及び電源回路３３を備えている。信号出力回路３１は、信号線ＤＴＬによって画像表示パネル４０内の各画素４８が有する副画素４９と電気的に接続されている。信号出力回路３１は、入力された画像出力信号を保持し、順次、画像表示パネル４０の各副画素４９に出力する。走査回路３２は、走査線ＳＣＬによって画像表示パネル４０の各副画素４９と電気的に接続されている。走査回路３２は、画像表示パネル４０における各副画素４９を選択し、副画素４９の動作（発光強度）を制御するためのスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：ＴＦＴ））のオン及びオフを制御する。電源回路３３は、電源線ＰＣＬを介して、後述する各点灯駆動回路４５へ、各副画素４９を発光させるための電力を供給する。
【００１２】
図２は、走査回路の構成を説明するブロック図である。より具体的には、走査回路３２は、図２に示すように、シフトレジスタ部３４とラインバッファ部３５とを有している。シフトレジスタ部３４は、走査出力線ＳＣＬＸに走査信号を出力する回路であり、所定の走査出力線ＳＣＬＸに出力された走査信号を、順次次の行の走査出力線ＳＣＬＸに転送する。ラインバッファ部３５は、走査出力線ＳＣＬＸを介してシフトレジスタ部３４に接続されており、走査線ＳＣＬを介して各行の副画素４９に接続されている。ラインバッファ部３５は、シフトレジスタ部３４から出力された走査信号を増幅して、各行の副画素４９に出力する。ラインバッファ部３５は、例えば、複数のトランジスタを有し、それぞれのトランジスタが、各行の走査出力線ＳＣＬＸに接続される。シフトレジスタ部３４から行ごとに順次出力されてくる走査信号は、このラインバッファ部３５のトランジスタで順次増幅され、各行の副画素４９に順次出力される。このように、走査回路３２は、シフトレジスタ部３４及びラインバッファ部３５により、行方向（Ｙ方向）に沿って順番に副画素４９を選択する。
【００１３】
（画像表示パネルの構成）
図１に示すように、画像表示パネル４０は、Ｘ方向（行方向）が短くＹ方向（列方向）が長い矩形状である。ただし、画像表示パネル４０の形状はこれに限られず任意である。画像表示パネル４０は、枠部４１、４２と、画像表示面５０とを有する。枠部４１、４２は、画素４８を有さず画像を表示しない箇所である。枠部４１、４２は、例えば画像表示パネル４０の表面と異なる材料によって覆われていてもよいし、画像表示パネル４０の表面と同じ材料であって、ブラックマトリックスで遮光されていてもよい。画像表示面５０は、画素４８が配置されて画像を表示する面である。画像表示面５０は、Ｘ方向に沿って、画像表示パネル４０の全域を占めている。また、画像表示面５０は、Ｙ方向の両端でそれぞれ枠部４１、４２と隣接している。
【００１４】
枠部４２の内部には、信号処理部２０及び信号出力回路３１が組み込まれている。ただし、信号処理部２０及び信号出力回路３１の少なくともいずれか１つは、枠部４１に組み込まれていてもよい。
【００１５】
画像表示面５０は、画素４８が、Ｐ０×Ｑ０個（行方向にＰ０個、列方向にＱ０個）、２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。図１に示すように、画像表示面５０は、高密度領域５２と、低密度領域５４Ａ、５４Ｂとに区分されている。高密度領域５２は、Ｘ方向における画像表示面５０の中央に位置している。低密度領域５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ高密度領域５２のＸ方向における両端部に位置し、高密度領域５２に隣接している。具体的には、高密度領域５２は矩形である。低密度領域５４Ａは、高密度領域５２のＸ方向側の一方の辺に、その一方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Ｙ方向に沿って隣接している。低密度領域５４Ｂは、高密度領域５２のＸ方向側の他方の辺に、その他方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Ｙ方向に沿って隣接している。高密度領域５２と、低密度領域５４Ａ、５４Ｂとは、画素４８が有する副画素４９の数が異なるが、詳しくは後述する。以下、低密度領域５４Ａ、５４Ｂを区別しない場合は、低密度領域５４と記載する。
【００１６】
図３は、第１実施形態に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の点灯駆動回路を示す図である。画素４８は、複数の副画素４９を含み、図３に示す副画素４９の点灯駆動回路４５が２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。図３に示すように、点灯駆動回路４５は、制御用トランジスタＴｒ１と、駆動用トランジスタＴｒ２と、電荷保持用コンデンサＣ１とを含む。制御用トランジスタＴｒ１のゲートが走査線ＳＣＬに接続され、ソースが信号線ＤＴＬに接続され、ドレインが駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。電荷保持用コンデンサＣ１の一端が駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに接続され、他端が駆動用トランジスタＴｒ２のソースに接続されている。駆動用トランジスタＴｒ２のソースが、電源線ＰＣＬと接続されており、駆動用トランジスタＴｒ２のドレインが、自発光体である有機発光ダイオードＥ１のアノードに接続されている。有機発光ダイオードＥ１のカソードは、例えば基準電位（例えばアース）に接続されている。なお図３では制御用トランジスタＴｒ１がｎチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタＴｒ２がｐチャネル型トランジスタの例を示しているが、それぞれのトランジスタの極性はこれに限定されない。必要に応じて、制御用トランジスタＴｒ１及び駆動用トランジスタＴｒ２それぞれの極性を決めればよい。
【００１７】
次に、画素４８内における副画素４９の配列について説明する。図４Ａは、高密度画素の副画素の配列を示す図である。図４Ｂは、低密度画素の副画素の配列を示す図である。高密度領域５２中の画素４８である高密度画素４８Ａは、副画素４９の数が、低密度領域５４中の画素４８である低密度画素４８Ｂより多い。すなわち、高密度画素４８Ａが有する副画素４９の数（第２の数とする）は、低密度画素４８Ｂが有する副画素４９の数（第１の数とする）より多い。言い換えれば、高密度領域５２は、低密度領域５４よりも、同一の面積内における副画素４９の数が多い。図４Ａに示すように、高密度画素４８Ａは、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとを有する。第１副画素４９Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２副画素４９Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３副画素４９Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。第４副画素４９Ｗは、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色としての白色を表示する。ただし、第１色、第２色、第３色、第４色は、それぞれ赤色、緑色、青色、白色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。なお、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素４９という。
【００１８】
図４Ａに示すように、高密度画素４８Ａは、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとが、２行２列で配列している。高密度画素４８Ａは、１行目の１列目に第１副画素４９Ｒを有し、１行目の２列目に第２副画素４９Ｇを有し、２行目の１列目に第４副画素４９Ｗを有し、２行目の２列目に第３副画素４９Ｂを有する。言い換えれば、高密度画素４８Ａは、第１副画素４９Ｒが、第２副画素４９Ｇに行方向（Ｘ方向）で隣接し、第４副画素４９Ｗに列方向（Ｙ方向）で隣接している。また、第２副画素４９Ｇは、第３副画素４９Ｂに列方向（Ｙ方向）で隣接している。また、第４副画素４９Ｗは、第３副画素４９Ｂに行方向（Ｘ方向）で隣接している。
【００１９】
図４Ｂに示すように、低密度画素４８Ｂは、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとを有する。低密度画素４８Ｂは、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとが、Ｘ方向に沿ってストライプ状に配列している。なお、低密度画素４８Ｂの面積は、高密度画素４８Ａの面積と略同一に形成されている。従って、低密度画素４８Ｂが有する各副画素４９の面積は、高密度画素４８Ａが有する各副画素４９の面積よりも大きい。なお、略同一とは、一般的な公差範囲でのずれを許容した同一の範囲である。
【００２０】
高密度画素４８Ａ及び低密度画素４８Ｂの副画素配列は、以上のような構成であるが、高密度画素４８Ａ及び低密度画素４８Ｂの副画素配列は、高密度画素４８Ａが有する副画素４９の数が、低密度画素４８Ｂが有する副画素４９の数より大きいものであれば、以上に説明したものに限られない。
【００２１】
また、高密度領域５２は、高密度画素４８Ａを有して低密度画素４８Ｂを有さないものであれば、その面積及び形状は任意である。また、低密度領域５４は、低密度画素４８Ｂを有して高密度画素４８Ｂを有さないものであれば、その面積及び形状は任意である。また、高密度領域５２中の高密度画素４８Ａの数と、低密度領域５４中の低密度画素４８Ｂの数とは、それぞれ複数であることが好ましいが、数はそれぞれ任意である。また、高密度領域５２の面積は、低密度領域５４の面積より大きいことが好ましい。言い換えれば、画像表示パネル４０が有する高密度画素４８Ａの数は、低密度画素４８Ｂの数より多いことが好ましい。
【００２２】
低密度領域５４は、さらに、画像表示パネル４０の駆動を制御するための駆動制御回路６０を有する。本実施形態における駆動制御回路６０は、走査回路３２及び電源回路３３である。ただし、駆動制御回路６０は、点灯駆動回路４５の動作を制御するための回路であればよく、例えば走査回路３２のみを有していてもよい。例えば、駆動制御回路６０は、どの点灯駆動回路４５を動作させるかを選択したり、点灯駆動回路４５が副画素４９に印加する電力量を制御したりする。以下、低密度領域５４における駆動制御回路６０の配置を説明する。
【００２３】
図５は、低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図５に示すように、画像表示パネル４０は、Ｙ方向に沿って複数の信号線ＤＴＬが配列している。信号線ＤＴＬは、信号出力回路３１と接続されており、信号出力回路３１から、副画素４９に所定の色を表示させるための画像出力信号が入力される。また、信号線ＤＴＬは、同じ列に配列する各副画素４９と接続されている。
【００２４】
画像表示パネル４０は、Ｘ方向に沿って複数の走査線ＳＣＬ（ＳＣＬ１、ＳＣＬ２、ＳＣＬ３、ＳＣＬ４、・・・）が配列している。走査線ＳＣＬは、駆動制御回路６０（走査回路３２）からＸ方向に沿って延在している。駆動制御回路６０は、駆動制御回路６０は、各走査線ＳＣＬにＹ方向に沿って走査信号を順番に出力する。なお、図５では、電源線ＰＣＬの記載は省略している。
【００２５】
走査線ＳＣＬは、点灯駆動回路４５を介して、副画素４９に接続される。具体的には、走査線ＳＣＬ１は、同じ行に配列する低密度画素４８Ｂの第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂと、同じ行に配列する高密度画素４８Ａの第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇとに接続されている。走査線ＳＣＬ２は、同じ行に配列する高密度画素４８Ａの第４副画素４９Ｗ及び第３副画素４９Ｂに接続されている。走査線ＳＣＬ３は、同じ行に配列する低密度画素４８Ｂの第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂと、同じ行に配列する高密度画素４８Ａの第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇとに接続されている。走査線ＳＣＬ４は、同じ行に配列する高密度画素４８Ａの第４副画素４９Ｗ及び第３副画素４９Ｂに接続されている。駆動制御回路６０は、各副画素４９に対応する点灯駆動回路４５を介して、各行の副画素４９にＹ方向に沿って順番に走査信号を出力する。すなわち、駆動制御回路６０は、各行の副画素４９をＹ方向に沿って順番に選択する。
【００２６】
なお、点灯駆動回路４５は、副画素４９毎に１つずつ設けられている。以下、第１副画素４９Ｒの点灯駆動回路４５を、点灯駆動回路４５Ｒとし、第２副画素４９Ｇの点灯駆動回路４５を、点灯駆動回路４５Ｇとし、第３副画素４９Ｂの点灯駆動回路４５を、点灯駆動回路４５Ｂとし、第４副画素４９Ｗの点灯駆動回路４５を、点灯駆動回路４５Ｗとする。
【００２７】
ここで、各副画素４９は、副画素４９を駆動するための信号が流れる各配線（走査線ＳＣＬ及び信号線ＤＴＬ）、点灯駆動回路４５、及び駆動制御回路６０よりも画像表示面５０に対して上方に設けられている。言い換えれば、各配線（走査線ＳＣＬ及び信号線ＤＴＬ）及び点灯駆動回路４５は、各副画素４９よりも画像表示面５０に対して下方に設けられている。駆動制御回路６０は、低密度領域５４において、低密度画素４８Ｂの各副画素４９よりも画像表示面５０に対して下方に設けられている。以下、図６Ａ、図６Ｂを用いて具体的に説明する。
【００２８】
図６Ａは、高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図６Ｂは、低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図６Ａは、図５に示す断面Ａにおける断面図である。図６Ｂは、図５に示す断面Ｂにおける断面図である。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、画像表示パネル４０は、基板７１と、絶縁層７２、７３と、反射層７４と、下部電極７５と、自発光体としての自発光層７６と、上部電極７７と、絶縁層７８と、絶縁層７９と、色変換層としてのカラーフィルタ８１と、遮光層としてのブラックマトリクス８２と、基板７０とを備えている。基板７１は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、上述した点灯駆動回路４５などを形成又は保持している。絶縁層７２は、上述した点灯駆動回路４５などを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。下部電極７５は、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとにそれぞれ設けられており、上述した有機発光ダイオードＥ１のアノード（陽極）となる導電体である。下部電極７５は、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。絶縁層７３は、バンクと呼ばれ、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとを区画する絶縁層である。反射層７４は、自発光層７６からの光を反射する金属光沢のある材料、例えば銀、アルミニウム、金などで形成されている。
【００２９】
上部電極７７は、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお本実施形態では、透光性導電材料の例としてＩＴＯを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物（Indium  Zinc  Oxide：ＩＺＯ）等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。上部電極７７は、有機発光ダイオードＥ１のカソード（陰極）になる。絶縁層７８は、上述した上部電極７７を封止する封止層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。絶縁層７９は、バンクにより生じる段差を抑制する平坦化層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。基板７０は、画像表示パネル４０全体を保護する透光性の基板であり、例えば、ガラス基板を用いることができる。なお、図５においては、下部電極７５がアノード（陽極）、上部電極７７がカソード（陰極）の例を示しているが、これに限定されない。下部電極７５がカソード及び上部電極７７がアノードであってもよく、その場合は、下部電極７５に電気的に接続されている駆動用トランジスタＴｒ２の極性を適宜変えることも可能であり、また、キャリア注入層（ホール注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（ホール輸送層及び電子輸送層）、発光層の積層順を適宜変えることも可能である。
【００３０】
画像表示パネル４０は、カラー表示パネルであり、自発光層７６の発光成分のうち、副画素４９と画像観察者との間に、副画素４９の色に応じた色の光を通過させるカラーフィルタ８１が配置されている。画像表示パネル４０は、赤色、緑色、青色、及び白色に対応する色の光を発光することができる。なお、白色に対応する第４副画素４９Ｗと画像観察者との間にカラーフィルタ８１が配置されていないようにしてもよい。また、画像表示パネル４０は、自発光層７６の発光成分がカラーフィルタ８１などの色変換層を介さず、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ、第４副画素４９Ｗの各々の色を発光することもできる。例えば画像表示パネル４０は、第４副画素４９Ｗには、色調整用のカラーフィルタ８１の代わりに透明な樹脂層が備えられていてもよい。このように画像表示パネル４０は、透明な樹脂層を設けることで、第４副画素４９Ｗに大きな段差が生じることを抑制することができる。
【００３１】
なお、本実施形態において、各副画素４９は、下部電極７５と、自発光層７６と、上部電極７７と、カラーフィルタ８１とを有する。点灯駆動回路４５は、副画素４９の自発光層７６に点灯させるための回路であり、副画素４９には含まれない。また、副画素４９の面積とは、カラーフィルタ８１のブラックマトリクス８２よりも内側の領域のことをいう。ただし、カラーフィルタ８１を有さない場合は、副画素４９の面積とは、下部電極７５の面積であるということができる。
【００３２】
高密度領域５２においては、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ、第４副画素４９Ｗが配置されている。そして、高密度領域５２においては、絶縁層７２に、点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ、４５Ｗが設けられている。また、絶縁層７２には、副画素４９を駆動するための信号が流れる不図示の各配線（走査線ＳＣＬ、信号線ＤＴＬ及び電源線ＰＣＬ）が設けられている。高密度領域５２には、駆動制御回路６０が設けられていない。点灯駆動回路４５は、対応する副画素４９の下部電極７５と電気的に接続されている。点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ、４５Ｗ、及び各配線は、高密度画素４８Ａの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられている。なお、点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ、４５Ｗ、及び各配線は、高密度画素４８Ａの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられていれば、絶縁層７２に設けられていることに限られない。なお、図６Ａは、第１副画素４９Ｒ及び第４副画素４９Ｗのみを記載しているが、他の副画素４９の断面も同じ形状である。
【００３３】
低密度領域５４においては、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、及び第３副画素４９Ｂが配置されており、第４副画素４９Ｗは配置されていない。そして、低密度領域５４においては、絶縁層７２に、点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂと、駆動制御回路６０と、副画素４９を駆動するための信号が流れる不図示の各配線（走査線ＳＣＬ、信号線ＤＴＬ及び電源線ＰＣＬ）が設けられている。点灯駆動回路４５は、対応する副画素４９の下部電極７５と電気的に接続されている。また、本実施形態においては、駆動制御回路６０は、各点灯駆動回路４５に配線を介して電気的に接続されている。
【００３４】
点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ、各配線、及び駆動制御回路６０は、低密度画素４８Ｂの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられている。より詳しくは、駆動制御回路６０は、点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ及び各配線と同層に設けられている。ただし、駆動制御回路６０は、点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ及び各配線と別の層に設けられていてもよい。点灯駆動回路４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ、駆動制御回路６０、及び各配線は、低密度画素４８Ｂの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられていれば、絶縁層７２に設けられていることに限られない。なお、図６Ｂは、第１副画素４９Ｒのみを記載しているが、他の副画素４９の断面も同じ形状である。
【００３５】
また、上述のように、低密度画素４８Ｂの面積は、高密度画素４８Ａの面積と同一であるが、低密度領域５４は、点灯駆動回路４５Ｗが設けられていない。従って、低密度領域５４は、点灯駆動回路４５Ｗの分だけ、高密度領域５２よりもスペースに余裕がある。駆動制御回路６０は、低密度領域５４中の、点灯駆動回路４５Ｗが配置されずにスペースに余裕がある箇所に設けられる。
【００３６】
以上が、駆動制御回路６０の配置である。なお、上述の自発光層７６は、有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。
【００３７】
（ホール輸送層）
正孔を発生する層としては、例えば、芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層を用いることが好ましい。ここで、芳香族アミン化合物とは、アリールアミン骨格を有する物質である。芳香族アミン化合物の中でも特に、トリフェニルアミンを骨格に含み、４００以上の分子量を有するものが好ましい。また、トリフェニルアミンを骨格に有する芳香族アミン化合物の中でも特にナフチル基のような縮合芳香環を骨格に含むものが好ましい。トリフェニルアミンと縮合芳香環とを骨格に含む芳香族アミン化合物を用いることによって、発光素子の耐熱性が良くなる。芳香族アミン化合物の具体例としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，２’，３，３’−テトラキス（４−ジフェニルアミノフェニル）−６，６’−ビスキノキサリン（略称：Ｄ−ＴｒｉＰｈＡＱｎ）、２，３−ビス｛４−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：ＮＰＡＤｉＢｚＱｎ）等が挙げられる。また、芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す物質について特に限定はなく、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等を用いることができる。
【００３８】
（電子注入層、電子輸送層）
電子輸送性物質について特に限定はなく、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質について特に限定はなく、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。また、リチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれた物質を、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質として用いても構わない。
【００３９】
（発光層）
例えば、赤色系の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン等、６００ｎｍから６８０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また緑色系の発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、青色系の発光を得たいときは、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。以上のように、蛍光を発光する物質の他、ビス［２−（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（ＦＩｒ（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。
【００４０】
（信号処理部の構成）
次に、信号処理部２０の構成について説明する。信号処理部２０は、制御装置１１から入力される入力信号を処理して出力信号を生成する。信号処理部２０は、赤色（第１色）、緑色（第２色）、青色（第３色）の色を組み合わせて表示させる入力信号の入力値を、赤色（第１色）、緑色（第２色）、青色（第３色）及び白色（第４色）で再現される拡大色空間（第１実施形態ではＨＳＶ色空間）の再現値（出力信号）に変換して生成する。そして、信号処理部２０は、生成した出力信号を画像表示パネル駆動部３０に出力する。拡大色空間については後述する。なお、第１実施形態において、拡大色空間はＨＳＶ色空間であるが、これに限られずＸＹＺ色空間、ＹＵＶ空間その他の座標系でもよい。
【００４１】
図７は、第１実施形態に係る信号処理部の構成を説明するブロック図である。図７に示すように、信号処理部２０は、領域情報取得部２１と、出力信号生成部２２とを有する。領域情報取得部２１は、画像表示パネル４０中の全画素４８のうち、どの画素４８が高密度画素４８Ａであるかを記憶している。出力信号生成部２２は、制御装置１１から入力信号を取得し、領域情報取得部２１からどの画素４８が高密度画素４８Ａであるかの情報を取得する。出力信号生成部２２は、高密度画素４８Ａの各副画素４９に対応する入力信号について伸長処理を行って、出力信号を生成する。また、出力信号生成部２２は、低密度画素４８Ｂの各副画素４９に対応する入力信号について通常処理を行って（伸長処理を行わず）、出力信号を生成する。出力信号の生成処理は、後述する。なお、領域情報取得部２１は、どの画素４８が低密度画素４８Ｂであるかを記憶してもよい。
【００４２】
（表示装置の処理動作）
次に、信号処理部２０による処理動作について説明する。信号処理部２０は、表示する画像の情報である入力信号が制御装置１１から入力される。入力信号は、各画素に対して、その位置で表示する画像（色）の情報を入力信号として含んでいる。具体的には、第（ｐ，ｑ）番目の画素（但し、１≦ｐ≦Ｉ，１≦ｑ≦Ｑ０）に対して、信号値がｘ１−（ｐ，ｑ）の第１副画素の入力信号、信号値がｘ２−（ｐ，ｑ）の第２副画素の入力信号、及び、信号値がｘ３−（ｐ，ｑ）の第３副画素の入力信号が含まれる信号が信号処理部２０に入力される。最初に、信号処理部２０は、領域情報取得部２１が記憶している情報に基づき、高密度画素４８Ａに伸長処理を行い、低密度画素４８Ｂに通常処理を行うことを決定する。
【００４３】
信号処理部２０は、入力信号を処理することで、第１副画素４９Ｒの表示階調を決定するための第１副画素の出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ））、第２副画素４９Ｇの表示階調を決定するための第２副画素の出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ））、第３副画素４９Ｂの表示階調を決定するための第３副画素の出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ））を生成し、画像表示パネル駆動部３０に出力する。また、信号処理部２０は、入力信号を処理することで、高密度画素４８Ａの第４副画素４９Ｗの表示階調を決定するための第４副画素の出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ））を生成し、画像表示パネル駆動部３０に出力する。以下、高密度画素４８Ａに対する出力信号の生成処理（伸長処理）を具体的に説明する。
【００４４】
図８Ａは、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。図８Ｂは、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。表示装置１０は、高密度画素４８Ａに第４色（白色）を出力する第４副画素４９Ｗを備えることで、図８Ａに示すように、再現される色空間（第１実施形態では、ＨＳＶ色空間）における明度のダイナミックレンジが広げられている。つまり、図８Ａに示すように、表示装置１０が再現する拡大色空間は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂで表示できる円柱形状の色空間の上に、彩度が高くなるほど明度の最大値が低くなる、彩度軸と明度軸とを含む断面における形状が、斜辺が曲線となる略台形形状となる立体が載っている形状となる。第４色（白色）を加えることで拡大された拡大色空間（第１実施形態では、ＨＳＶ色空間）における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、信号処理部２０に記憶されている。つまり、信号処理部２０は、図８Ａに示す拡大色空間の立体形状について、彩度と色相の座標（値）毎に明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）の値を記憶している。ここで、入力信号は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの入力信号で構成されているため、入力信号の色空間は、円柱形状、つまり、拡大色空間の円柱形状部分と同じ形状となる。
【００４５】
最初に、信号処理部２０は、出力信号生成部２２により、高密度画素４８Ａにおける副画素４９の入力信号値に基づき、高密度画素４８Ａにおける彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求め、伸長係数αを算出する。伸長係数αは、高密度画素４８Ａ毎に設定される。
【００４６】
ここで、彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）は、Ｓ＝（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ｍａｘ及びＶ（Ｓ）＝Ｍａｘで表される。彩度Ｓは０から１までの値をとることができ、明度Ｖ（Ｓ）は０から（２ｎ−１）までの値をとることができ、ｎは表示階調ビット数である。また、Ｍａｘは、画素への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値の３つの副画素の入力信号値の最大値である。Ｍｉｎは、画素への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値の３つの副画素の入力信号値の最小値である。
【００４７】
一般に、第（ｐ，ｑ）番目の画素において、円柱のＨＳＶ色空間における入力色の彩度（Saturation）Ｓ（ｐ，ｑ）、明度（Value）Ｖ（Ｓ）（ｐ，ｑ）は、第１副画素の入力信号（信号値ｘ１−（ｐ，ｑ））、第２副画素の入力信号（信号値ｘ２−（ｐ，ｑ））及び第３副画素の入力信号（信号値ｘ３−（ｐ，ｑ））に基づき、次の式（１）及び式（２）より求めることができる。
【００４８】
Ｓ（ｐ，ｑ）＝（Ｍａｘ（ｐ，ｑ）−Ｍｉｎ（ｐ，ｑ））／Ｍａｘ（ｐ，ｑ）・・・（１）
Ｖ（Ｓ）（ｐ，ｑ）＝Ｍａｘ（ｐ，ｑ）・・・（２）
【００４９】
ここで、Ｍａｘ（ｐ，ｑ）は、（ｘ１−（ｐ，ｑ）、ｘ２−（ｐ，ｑ）、ｘ３−（ｐ，ｑ））の３個の副画素４９の入力信号値の最大値であり、Ｍｉｎ（ｐ，ｑ）は、（ｘ１−（ｐ，ｑ）、ｘ２−（ｐ，ｑ）、ｘ３−（ｐ，ｑ））の３個の副画素４９の入力信号値の最小値である。
【００５０】
出力信号生成部２２は、高密度画素４８Ａについて、それぞれ伸長係数αを算出する。伸長係数αは、高密度画素４８Ａ毎に設定される。出力信号生成部２２は、伸長係数αを、入力色の彩度Ｓに応じて値が変化するように算出する。より詳しくは、出力信号生成部２２は、伸長係数αを、入力色の彩度Ｓが大きくなるに従って小さくなるように算出する。図８Ｃは、彩度と伸長係数との関係を示すグラフである。図８Ｃの横軸は、入力色の彩度Ｓであり、縦軸は伸長係数αである。出力信号生成部２２は、図８Ｃの線分α１に示すように、彩度Ｓがゼロである場合に伸長係数αを２とし、彩度Ｓが大きくなるに従って伸長係数αを小さくし、彩度Ｓが１である場合に伸長係数αを１とする。また、図８Ｃの線分α１に示すように、伸長係数αは、彩度が大きくなるに従って、直線的に小さくなる。ただし、出力信号生成部２２は、線分α１に従って伸長係数αを算出することに限られず、伸長係数αを、入力色の彩度Ｓが大きくなるに従って小さくなるように算出するものであればよい。例えば、出力信号生成部２２は、図８Ｃの線分α２に示すように、彩度が大きくなるに従って、伸長係数αを二次曲線的に小さくするものであってもよい。また、彩度Ｓがゼロである場合の伸長係数αは、２に限られず、例えば第４副画素４９Ｗの輝度に基づいた設定等により、任意に設定することができる。さらに、出力信号生成部２２は、伸長係数αを、入力色の彩度によらず一定としてもよい。
【００５１】
伸長係数αを算出した後、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗを算出する。本実施形態では、出力信号生成部２２は、第１副画素の入力信号（信号値ｘ１−（ｐ，ｑ））、第２副画素の入力信号（信号値ｘ２−（ｐ，ｑ））、及び第３副画素の入力信号（信号値ｘ３−（ｐ，ｑ））と、伸長係数αと、補正値ＷＲ、ＷＧ、ＷＢとに基づき、第４副画素最小値Ｗを算出する。補正値ＷＲ、ＷＧ、ＷＢは、ターゲットとなるホワイトポイント（白色）を表示するための補正値である。ターゲットとなるホワイトポイントは、色温度Ｄ６５、Ｄ９３等を基準に予め設定されており、補正値ＷＲ、ＷＧ、ＷＢも、予め設定される値である。より具体的には、出力信号生成部２２は、次の式（３）に基づき、第４副画素最小値Ｗを算出する。
【００５２】
Ｗ＝Ｍｉｎ（ＷＲ・ｘ１−（ｐ，ｑ），ＷＧ・ｘ２−（ｐ，ｑ），ＷＢ・ｘ３−（ｐ，ｑ））・α  ・・・（３）
【００５３】
すなわち、出力信号生成部２２は、第１副画素の入力信号値ｘ１−（ｐ，ｑ）と補正値ＷＲとの積と、第２副画素の入力信号値ｘ２−（ｐ，ｑ）と補正値ＷＧとの積と、第３副画素の入力信号値ｘ３−（ｐ，ｑ）と補正値ＷＢとの積と、の内の最小値を算出し、その最小値と伸長係数αとの積を、第４副画素最小値Ｗとする。
【００５４】
次に、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗの値に基づき、第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を算出する。具体的には、所定値βを以下の式（４）に示す値とするとき、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗが所定値β以上の値である場合、第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を式（５Ａ）に基づき算出する。
【００５５】
β＝Ｍｉｎ（ＷＲ，ＷＧ・，ＷＢ）・χ  ・・・（４）
Ｘ４−（ｐ，ｑ）＝２ｎ−１  ・・・（５Ａ）
【００５６】
ここで、χは表示装置１０に依存した定数である。白色を表示する第４副画素４９Ｗには、カラーフィルタが配置されていない。第４色を表示する第４副画素４９Ｗは、同じ光源点灯量で照射された場合、第１色を表示する第１副画素４９Ｒ、第２色を表示する第２副画素４９Ｇ、第３色を表示する第３副画素４９Ｂよりも明るい。第１副画素４９Ｒに第１副画素４９Ｒの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第２副画素４９Ｇに第２副画素４９Ｇの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第３副画素４９Ｂに第３副画素４９Ｂの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの、画素４８又は画素４８の群が備える第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体の輝度をＢＮ１−３とする。また、画素４８又は画素４８の群が備える第４副画素４９Ｗに、第４副画素４９Ｗの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの第４副画素４９Ｗの輝度をＢＮ４としたときを想定する。すなわち、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体によって最大輝度の白色が表示され、この白色の輝度がＢＮ１−３で表される。すると、χを表示装置１０に依存した定数としたとき、定数χは、χ＝ＢＮ４／ＢＮ１−３で表される。
【００５７】
具体的には、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体に、次の表示階調の値を有する入力信号として、信号値ｘ１−（ｐ，ｑ）＝２５５、信号値ｘ２−（ｐ，ｑ）＝２５５、信号値ｘ３−（ｐ，ｑ）＝２５５が入力されたときにおける白色の輝度ＢＮ１−３に対して、第４副画素４９Ｗに表示階調の値２５５を有する入力信号が入力されたと仮定したときの輝度ＢＮ４は、例えば、１．５倍である。すなわち、第１実施形態にあっては、χ＝１．５である。
【００５８】
また、第１実施形態ではｎ＝８である。すなわち、表示階調ビット数を８ビット（表示階調の値を０から２５５の２５６階調）とした。
【００５９】
上述の式（４）に示すように、所定値βは、補正値ＷＲ、ＷＧ、ＷＢの内の最小値とχとの積である。上述の式（５Ａ）に示すように、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗが所定値β以上の値である場合、第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を、最大階調値（本実施形態では２５５）とする。
【００６０】
出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗが所定値βより小さい値である場合、次の式（５Ｂ）に基づき第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を算出する。
【００６１】
Ｘ４−（ｐ，ｑ）＝Ｗ／χ  ・・・（５Ｂ）
【００６２】
出力信号生成部２２は、以上のように、第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を算出する。第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を算出した後、出力信号生成部２２は、少なくとも第１副画素の入力信号（信号値ｘ１−（ｐ，ｑ））及び自身の高密度画素４８Ａの伸長係数αに基づいて、第１副画素の出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ））を算出する。また、出力信号生成部２２は、少なくとも第２副画素の入力信号（信号値ｘ２−（ｐ，ｑ））及び自身の高密度画素４８Ａの伸長係数αに基づいて第２副画素の出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ））を算出する。また、出力信号生成部２２は、少なくとも第３副画素の入力信号（信号値ｘ３−（ｐ，ｑ））及び自身の高密度画素４８Ａの伸長係数αに基づいて第３副画素の出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ））を算出する。
【００６３】
具体的には、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗが所定値β以上の値である場合、次の式（６Ａ）、（７Ａ）、（８Ａ）に基づき、第１副画素の出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）、第２副画素の出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）及び第３副画素の出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）を算出する。
【００６４】
Ｘ１−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ１−（ｐ，ｑ）・ＷＲ−β）／ＷＲ・・・（６Ａ）
Ｘ２−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ２−（ｐ，ｑ）・ＷＧ−β）／ＷＧ・・・（７Ａ）
Ｘ３−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ３−（ｐ，ｑ）・ＷＢ−β）／ＷＢ・・・（８Ａ）
【００６５】
また、出力信号生成部２２は、第４副画素最小値Ｗが所定値βより小さい値である場合、次の式（６Ｂ）、（７Ｂ）、（８Ｂ）に基づき、第１副画素の出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）、第２副画素の出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）及び第３副画素の出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）を算出する。
【００６６】
Ｘ１−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ１−（ｐ，ｑ）・ＷＲ−Ｗ）／ＷＲ・・・（６Ｂ）
Ｘ２−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ２−（ｐ，ｑ）・ＷＧ−Ｗ）／ＷＧ・・・（７Ｂ）
Ｘ３−（ｐ，ｑ）＝（α・ｘ３−（ｐ，ｑ）・ＷＢ−Ｗ）／ＷＢ・・・（８Ｂ）
【００６７】
このように、信号処理部２０は、以上説明した伸長処理により、高密度画素４８Ａの各副画素４９の出力信号を生成する。次に、第（ｐ，ｑ）番目の高密度画素４８Ａにおける出力信号である信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）、Ｘ２−（ｐ，ｑ）、Ｘ３−（ｐ，ｑ）、Ｘ４−（ｐ，ｑ）の求め方（伸長処理）のまとめを説明する。次の処理は、（第１副画素４９Ｒ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第１原色の輝度、（第２副画素４９Ｇ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第２原色の輝度、（第３副画素４９Ｂ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第３原色の輝度の比を保つように行われる。しかも、色調を保持（維持）するように行われる。さらには、階調−輝度特性（ガンマ特性、γ特性）を保持（維持）するように行われる。また、いずれかの画素４８又は画素４８の群において、入力信号値のすべてが０である場合又は小さい場合、このような画素４８又は画素４８の群を含めることなく、伸長係数αを求めればよい。
【００６８】
（第１工程）
まず、信号処理部２０は、複数の高密度画素４８Ａにおける副画素４９の入力信号値に基づき、これらの複数の高密度画素４８Ａにおける彩度Ｓ及び明度Ｖを求め、高密度画素４８Ａ毎に伸長係数αを算出する。
【００６９】
（第２工程）
次いで、信号処理部２０は、上述の式（３）に基づき、第４副画素最小値Ｗを算出する。
【００７０】
（第３工程）
信号処理部２０は、第４副画素最小値Ｗの値に基づき、第４副画素の出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を算出する。具体的には、信号処理部２０は、第４副画素最小値Ｗが所定値β以上の値である場合、式（５Ａ）に示すように、出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）を最大階調値（ここでは２５５）とする。また、信号処理部２０は、第４副画素最小値Ｗが所定値βより小さい値である場合、式（５Ｂ）に示すように、出力信号値Ｘ４−（ｐ，ｑ）をＷ／χとする。
【００７１】
（第４工程）
その後、信号処理部２０は、第４副画素最小値Ｗが所定値β以上の値である場合、式（６Ａ）、（７Ａ）、（８Ａ）に基づき、第１副画素の出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）、第２副画素の出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）及び第３副画素の出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）を算出する。また、信号処理部２０は、第４副画素最小値Ｗが所定値βより小さい値である場合、式（６Ｂ）、（７Ｂ）、（８Ｂ）に基づき、第１副画素の出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）、第２副画素の出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）及び第３副画素の出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）を算出する。
【００７２】
信号処理部２０は、以上の工程で伸長処理を行い、高密度画素４８Ａの各副画素４９の出力信号を生成する。
【００７３】
次に、通常処理による低密度画素４８Ｂの出力信号の生成について説明する。通常処理は、低密度画素４８Ｂの第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの入力信号値を、そのまま第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの出力信号値とする処理である。すなわち、通常処理では、第１副画素４９Ｒの出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）の値は、第１副画素４９Ｒの入力信号値ｘ１−（ｐ，ｑ）の値のままであり、第２副画素４９Ｇの出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）の値は、第２副画素４９Ｇの入力信号値ｘ２−（ｐ，ｑ）の値のままであり、第３副画素４９Ｂの出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）の値は、第３副画素４９Ｂの入力信号値ｘ３−（ｐ，ｑ）の値のままである。
【００７４】
以上説明したように、第１実施形態に係る表示装置１０は、自発光層７６を有する副画素４９を複数有する画素４８が２次元マトリクス状に配列されている。すなわち、表示装置１０は、自発光型の表示装置である。そして、表示装置１０は、低密度画素４８Ｂを有する低密度領域５４と、高密度画素４８Ａを有する高密度領域５２と、自発光層７６を点灯させる点灯駆動回路４５と、を有する。高密度画素４８Ａは、副画素４９の数が低密度画素４８Ｂより多い。
【００７５】
高密度画素４８Ａは、低密度画素４８Ｂよりも、副画素４９の数が多い。従って、高密度領域５２の配線数は、低密度領域５４よりも多くなる。一方、この表示装置１０は、自発光型のディスプレイであるため、背面から光を照射することなく、副画素自身が発光することにより、画像を表示する。そのため、この表示装置１０は、配線により光が遮断されないため、高密度領域５２の開口率の低下を抑制し、高密度領域５２と低密度領域５４との開口率の差を小さくすることができる。さらに詳しく説明すると、ここでの開口率とは、１つの副画素４８の開口面積ということができる。従って、例えばバックライト型の液晶表示装置の場合、配線数の多い高密度画素４８Ａ内の副画素４９は、配線によって遮断される面積が大きくなり、低密度画素４８Ｂ内の副画素４９よりも、開口面積が低下する。また、上述のように、高密度画素４８Ａ内の副画素４９の面積は、低密度画素４８Ｂ内の副画素４９の面積より小さい。従って、高密度画素４８Ａ内と低密度画素４８Ｂとの副画素４９同士の開口面積の差は、さらに大きくなる場合がある。しかし、この表示装置１０は、配線により光が遮断されないため、配線数の多い高密度画素４８Ａと低密度画素４８Ｂとの副画素４９同士の開口面積（開口率）の差が大きくなることを抑制することができる。従って、この表示装置１０は、領域毎に画像の明るさが異なることを抑制し、画質の劣化を抑制する。また、この表示装置１０は、自発光型のディスプレイであるため、画質の劣化の抑制に伴い、寿命の短縮も抑制することができる。また、この表示装置１０は、低密度画素４８Ｂを含むため、全ての画素４８が高密度画素４８Ａである表示装置１０に比べて、配線数を少なくして画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制することができる。
【００７６】
また、副画素４９は、副画素４９を駆動するための信号が配線（走査線ＳＣＬ、信号線ＤＴＬ及び電源線ＰＣＬ）を介して入力される。この配線は、画像表示面５０に対して、自発光層７６よりも下方に設けられている。従って、この表示装置１０は、自発光層７６から外部へ向かう光は、配線に向かわない。そのため、この表示装置１０は、配線により光が遮断されることをより好適に抑制し、画質の劣化をより好適に抑制する。
【００７７】
また、低密度領域５４には、点灯駆動回路４５の駆動を制御するための駆動制御回路６０が設けられている。そして、高密度領域５２には、駆動制御回路６０が設けられていない。低密度画素４８Ｂは、副画素４９の数が高密度画素４８Ａよりも少ない。従って、低密度領域５４は、副画素４９を駆動させるための配線や点灯駆動回路等が、高密度領域５２よりも少ない。言い換えれば、低密度領域５４は、高密度領域５２によりもスペースに余裕がある。本実施形態に係る表示装置１０は、従来画像表示面５０に配置できなかった駆動制御回路６０を、画像表示が可能な低密度領域５４に配置する。従って、本実施形態に係る表示装置１０は、画像表示パネル４０のなかで、画像表示面５０が占める割合を大きくすることができ、相対的に画像表示面５０を大きくすることができる。
【００７８】
また、駆動制御回路６０は、画像表示面５０に対して、自発光層７６よりも下方に設けられている。従って、表示装置１０は、駆動制御回路６０により光が遮断されることを抑制し、画質の劣化を抑制しつつ、相対的に画像表示面５０を大きくすることができる。また、本実施形態において、駆動制御回路６０は、自発光層７６を点灯させるために副画素４９を順番に選択する走査回路３２を有している。この表示装置は、走査回路３２を低密度領域５４に配置させることができるため、相対的に画像表示面５０を大きくすることができる。なお、本実施形態では、駆動制御回路６０は走査回路３２及び電源回路３３であったが、駆動制御回路６０は、点灯駆動回路４５とは別の回路であり、かつ画像表示パネル４０の駆動を制御するものであれば、任意に選択することができる。
【００７９】
また、高密度領域５２は、画像表示面５０の中央に設けられており、低密度領域５４は、画像表示面５０内であって、高密度領域５２の両端部に設けられている。低密度領域５４は、高密度領域５２の両端部に設けられているので、表示装置１０は、低密度領域５４に設けられた駆動制御回路６０により、高密度領域５２及び低密度領域５４中の副画素４９を適切に制御することができる。なお、低密度領域５４の位置は、これに限られず任意である。例えば低密度領域５４は、高密度領域５２の一方の端部にのみ設けられていてもよい。すなわち、低密度領域５４は、例えば、低密度領域５４Ａのみで、低密度領域５４Ｂを有さなくてもよい。
【００８０】
また、画像表示面５０は、Ｘ方向（所定の方向）に沿って、画像表示パネル４０の全域を占める。すなわち、画像表示パネル４０は、Ｘ方向の両端が画像表示面５０であり、Ｘ方向の両端に画像を表示しない枠部を有さない。画像表示面５０は、この表示装置１０は、例えば複数の画像表示パネル４０を並べて１つの画像を表示するタイルドディスプレイにおいて、Ｘ方向における画像の境界が認識されることを抑制し、視認性を向上させることができる。なお、本実施形態では、Ｘ方向は行方向でＹ方向は列方向であったが、Ｘ方向及びＹ方向は任意な方向であってよく、例えば、Ｘ方向が列方向でＹ方向が行方向であってもよい。
【００８１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態に係る表示装置１０ａは、画像表示面がＸ方向において画像表示パネル４０の全域を占めていない点で、第１実施形態とは異なる。第２実施形態の第１実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
【００８２】
図９は、第２実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図９に示すように、表示装置１０ａの有する画像表示パネル４０ａは、画像表示面５０ａと、枠部４３Ａ、４３Ｂを有する。画像表示面５０ａは、Ｘ方向において、画像表示パネル４０ａの中央に位置しており、枠部４３Ａ、４３Ｂは、それぞれＸ方向における画像表示面５０ａの両端部に隣接して設けられている。画像表示面５０ａは、第１実施形態と同様に、高密度領域５２ａと、低密度領域５４Ａａ、５４Ｂａとを有する。
【００８３】
枠部４３Ａ、４３Ｂは、画素４８を有さず画像を表示しない箇所である。枠部４３Ａ、４３Ｂは、例えば画像表示パネル４０の表面と異なる材料によって覆われていてもよいし、画像表示パネル４０の表面と同じ材料であって、ブラックマトリックスで遮光されていてもよい。枠部４３Ａ、４３Ｂの内部には、走査回路３２ａ及び電源回路３３が組み込まれている。ここで、走査回路３２ａは、第１実施形態に係る走査回路３２から、ラインバッファ部３５を除いた回路である。すなわち、走査回路３２ａは、シフトレジスタ部３４を有する。
【００８４】
低密度領域５４ａは、駆動制御回路６０として、ラインバッファ部３５を有する。駆動制御回路６０としてのラインバッファ部３５の配置は、第１実施形態と同様であり、低密度画素４８Ｂの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられている。なお、低密度領域５４ａは、画像表示パネル４０の駆動を制御するものであれば、ラインバッファ部３５以外の任意の回路を有していてもよい。
【００８５】
以上第２実施形態で示したように、画像表示面５０ａは、Ｘ方向において画像表示パネル４０の全域を占めていなくてもよい。また、低密度領域５４ａ（低密度領域５４Ａａ、５４Ｂａ）は、例えば走査回路３２の一部であるラインバッファ部３５を有するなど、画像表示パネル４０の駆動を制御するものであれば任意の回路を有していてもよい。
【００８６】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態に係る表示装置１０ｂは、低密度領域の位置、及び低密度領域に回路を有していない点で、第２実施形態とは異なる。第３実施形態の第２実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
【００８７】
図１０は、第３実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図１０に示すように、表示装置１０ｂの有する画像表示パネル４０ｂは、画像表示面５０ｂと、枠部４３Ａｂ、４３Ｂｂとを有する。画像表示面５０ｂは、Ｘ方向において、画像表示パネル４０ｂの中央に位置しており、枠部４３Ａｂ、４３Ｂｂは、それぞれＸ方向における画像表示面５０ｂの両端部に隣接して設けられている。
【００８８】
枠部４３Ａｂ、４３Ｂｂの内部には、走査回路３２及び電源回路３３が組み込まれている。すなわち、第３実施形態に係る枠部４３Ａｂ、４３Ｂｂは、第２実施形態とは異なり、ラインバッファ部３５も有している。
【００８９】
画像表示面５０ｂは、高密度領域５２ｂと、低密度領域５４Ａｂ、５４Ｂｂとに区分されている。高密度領域５２ｂは、Ｘ方向及びＹ方向における画像表示面５０の中央に位置している。低密度領域５４Ａｂ、５４Ｂｂは、それぞれ高密度領域５２ｂのＹ方向における両端部に位置し、高密度領域５２ｂに隣接している。具体的には、高密度領域５２ｂは矩形である。低密度領域５４Ａｂは、高密度領域５２ｂのＹ方向側の一方の辺に、その一方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Ｘ方向に沿って隣接している。低密度領域５４Ｂｂは、高密度領域５２のＹ方向側の他方の辺に、その他方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Ｘ方向に沿って隣接している。低密度領域５４ｂ（低密度領域５４Ａｂ、５４Ｂｂ）は、第２実施形態とは異なり、駆動制御回路６０を有していない。
【００９０】
図１１は、第３実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図１１に示すように、低密度領域５４ｂは、各配線（信号線ＤＴＬ、走査線ＳＣＬ）及び低密度画素４８Ｂを有する。低密度領域５４ｂには、駆動制御回路６０は配置されていない。また、高密度領域５２ｂは、各配線（信号線ＤＴＬ、走査線ＳＣＬ）及び高密度画素４８Ａを有する。
【００９１】
このように、低密度領域５４ｂは、低密度画素４８Ｂを有するものであれば、駆動制御回路６０を有していなくてもよい。このような場合においても、表示装置１０ｂは、配線により光が遮断されないため、高密度領域５２ｂの開口率の低下を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。表示装置１０ｂは、例えばスマートフォンに適用されることが好ましい。例えばスマートフォンにおいて、画像表示面５０ｂにおける低密度領域５４ｂは、時刻や電池消費量を示すステータスバー等が表示される。これらの表示は、一般的に、固定されたパターンやアイコンを長時間表示するものである。従って、このような固定された表示がなされる低密度領域５４ｂでは、一定値の電流が流れ続けるなどの理由により、画素の劣化が進みやすく、画素の寿命が短くなるおそれがある。ここで、高開口率の低密度画素４８Ｂは、同じ輝度で照射する場合の駆動時の消費電流を、低開口率の画素よりも低く抑えることができる。従って、高開口率の低密度画素４８Ｂは、消費電流を少なくすることができ、高寿命であるということができる。表示装置１０ｂは、画素の寿命が短くなる低密度領域５４ｂに、高寿命の低密度画素４８Ｂを適用している。そのため、表示装置１０ｂは、寿命の低下を抑制することが可能となる。
【００９２】
なお、本実施形態においては、低密度領域５４ｂは、Ｙ方向における両端部に位置しているが、さらに、Ｘ方向における両端部にも配置されていてもよい。この場合、Ｘ方向における両端部に配置された低密度領域５４ｂには、第１実施形態と同様に、駆動制御回路６０が設置される。このような構成によると、Ｙ方向における両端部に位置した低密度領域５４ｂにより、上述のように寿命の低下を抑制しつつ、Ｘ方向における両端部に配置された低密度領域５４ｂにより、相対的に画像表示面５０を大きくする（画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制する）ことが可能となる。
【００９３】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態に係る表示装置１０ｃは、低密度領域の配置、及び低密度領域にセンサが配置されている点で、第３実施形態とは異なる。第４実施形態の第３実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
【００９４】
図１２は、第４実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図１２に示すように、表示装置１０ｃが有する画像表示パネル４０ｃは、枠部４１、４２、４３Ａｂ、４３Ｂｂ、及び画像表示面５０ｃを有する。画像表示面５０ｃの配置は、第３実施形態の画像表示面５０ｂと同じである。
【００９５】
図１２に示すように、画像表示パネル４０ｃは、高密度領域５２ｃと、低密度領域５４ｃとを有する。低密度領域５４ｃは、高密度領域５２ｃ内に配置されている。さらに詳しくは、高密度領域５２ｃは、画像表示面５０ｃの全域にわたって配置されており、枠部４１、４２、４３Ａｂ、４３Ｂｂと隣接する。低密度領域５４ｃは、高密度領域５２ｃ中に所定の距離をおいて複数設けられており、高密度領域５２ｃ中を点在している。ただし、低密度領域５４ｃは、高密度領域５２ｃ内に配置されているものであれば、その領域の形状、面積及び個数は任意である。
【００９６】
図１３は、第４実施形態に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。低密度領域５４ｃが有する低密度画素４８Ｂｃは、副画素４９の配列が第３実施形態とは異なる。図１３に示すように、第４実施形態に係る低密度画素４８Ｂｃは、第１行目に、第１副画素４９Ｒと第３副画素４９Ｂとが隣接して配置されている。また、低密度画素４８Ｂｃは、第２行目に、第２副画素４９Ｇが配置されている。第２副画素４９Ｇは、第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂよりも面積が大きく、列方向（Ｙ方向）において第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂに隣接している。低密度画素４８Ｂｃの副画素４９の配列は、この配列に限られず、任意である。例えば、低密度画素４８Ｂｃは、第１実施形態に係る低密度画素４８Ｂと同じ副画素配列であってもよい。
【００９７】
低密度領域５４ｃは、それぞれが駆動制御回路６０ｃを有する。図１４は、第４実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図１４は、低密度領域５４ｃが、１つの低密度画素４８Ｂｃを有している例を示している。図１４に示すように、高密度領域５２ｃは、各配線（信号線ＤＴＬ、走査線ＳＣＬ）及び高密度画素４８Ａを有する。また、低密度領域５４ｃは、低密度画素４８Ｂｃと、駆動制御回路６０ｃとを有する。駆動制御回路６０ｃは、配線ＳＬ１、ＳＬ２と、センサ６２とを有する。駆動制御回路６０ｃ（配線ＳＬ１、ＳＬ２と、センサ６２）は、第１実施形態に係る駆動制御回路６０と同様に配置されており、低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられている。
【００９８】
図１５は、本実施形態に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。駆動制御回路６０ｃは、センサ６２により、周囲の副画素４９の自発光層７６の劣化を検出する回路である。図１５に示すように、本実施形態において、センサ６２は、副画素４９の有機発光ダイオードＥ１の発光を検出するフォトダイオードである。センサ６２は、発光ダイオードＥ１の発光量に応じた大きさの電流を発生させる。配線ＳＬ１は、信号処理部２０ｃが有するセンサ情報取得部２４と接続されている。配線ＳＬ２は、配線ＳＬ１に設けられたスイッチのオンとオフとを切り替える。なお、図１４では、配線ＳＬ１は、信号線ＤＴＬに沿って設けられており、配線ＳＬ２は、走査線ＳＣＬに沿って設けられているが、配線ＳＬ１、ＳＬ２の取り回しは任意である。
【００９９】
センサ６２からの電流は、配線ＳＬ１を介してセンサ情報取得部２４に出力される。信号処理部２０ｃは、センサ情報取得部２４に入力されたセンサ６２からの電流量に基づき、センサ６２の周囲の副画素４９の有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを算出する。信号処理部２０ｃは、有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いの算出結果から、例えば出力信号の信号値を大きくするなどの補正処理を行って、出力信号を生成する。以下、この処理を具体的に説明する。
【０１００】
図１６は、第４実施形態に係る信号処理部の構成を模式的に説明するブロック図である。図１６に示すように、信号処理部２０ｃは、出力信号生成部２２ｃと、センサ情報取得部２４と、センサ情報解析部２５とを有する。センサ情報取得部２４は、センサ６２から、発光ダイオードＥ１の発光量に応じた大きさの電流を取得する。センサ情報解析部２５は、センサ情報取得部２４が取得した電流値を解析して、センサ６２の周囲の副画素４９の有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを算出する。例えば、センサ情報解析部２５は、電流値の積算値を算出し、その積算値から有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを算出する。出力信号生成部２２ｃは、センサ情報解析部２５から有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いの情報を取得する。出力信号生成部２２ｃは、有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いの情報に基づき、出力信号に補正処理を行って、画像表示パネル駆動部３０に出力する。例えば、出力信号生成部２２ｃは、有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いに応じて出力信号を大きくする補正処理を行う。これにより、表示装置１０ｃは、例えば有機発光ダイオードＥ１の劣化に起因した焼き付き現象を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。
【０１０１】
以上説明したように、第４実施形態に係る表示装置１０ｃは、低密度領域５４ｃが、高密度領域５２内に点在して設けられている。また、低密度領域５４ｃ中の駆動制御回路６０ｃは、周囲の副画素４９の有機発光ダイオードＥ１の劣化を検出するセンサ６２を有する。表示装置１０ｃは、このセンサ６２によって有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを検出することにより、例えば有機発光ダイオードＥ１の劣化に起因した焼き付き現象を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。
【０１０２】
なお、駆動制御回路６０ｃは、有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを検出するものであれば、以上説明した構成に限られず、例えば図１７に示すような構成であってもよい。図１７は、本実施形態の他の例に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。図１７に示すように、本実施形態の他の例に係る駆動制御回路６０ｃは、有機発光ダイオードＥ１に入力される電圧を検出し、その電圧値により、有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを検出するものである。図１７に示すように、センサ６２は、トランジスタであり、ソースが駆動用トランジスタＴｒ２のドレインと接続されている。また、センサ６２のドレインは、配線ＳＬ１に接続されている。センサ６２のゲートは、配線ＳＬ２に接続されている。センサ６２は、駆動用トランジスタＴｒ２から有機発光ダイオードＥ１に出力される電圧を増幅し、配線ＳＬ１を介してセンサ情報取得部２４に出力する。センサ情報解析部２５は、電圧値の積算値を算出し、その積算値から有機発光ダイオードＥ１の劣化度合いを算出する。
【０１０３】
また、駆動制御回路６０ｃは、画像表示パネルの駆動を制御するためのセンサを有していれば、有機発光ダイオードＥ１の劣化を検出するセンサ６２を有していなくてもよい。駆動制御回路６０ｃは、センサ６２の代わりに、例えば、タッチ検出センサまたは物体近接検出センサであってもよく、この場合、表示装置１０ｃは、いわゆるインセルタイプ（タッチ検出装置が組み込まれた）の表示装置となる。また、駆動制御回路６０ｃは、例えば外光強度を検出するセンサを有していてもよく、この場合、検出した外光強度に基づき、出力信号の信号値を補正することができる。例えば、表示装置１０ｃは、外光強度が所定の値以上である場合に出力信号を所定値だけ大きくし、さらに外光強度が所定の値から大きくなるにつれて、出力信号の上昇率を大きくする。また、駆動制御回路６０ｃは、センサ６２の代わりに、副画素４９の画像出力信号を一時記憶するピクセルメモリを有していてもよい。この場合、表示装置１０ｃは、ピクセルメモリにより、静止画像の表示に対する消費電力を削減することができる。
【０１０４】
また、第４実施形態に係る表示装置１０ｃは、低密度領域５４ｃが、高密度領域５２ｃ中に所定の距離をおいて複数設けられており、高密度領域５２ｃ中を点在している。ただし、低密度領域５４ｃは、高密度領域５２ｃ中に配置されるものであれば、その配置は任意である。図１８は、第４実施形態の他の例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図１８に示すように、低密度領域５４ｃは、Ｘ方向に沿って延在する帯状の領域５５ｃがＹ方向に複数配列し、Ｙ方向に沿って延在する帯状の領域５６ｃがＸ方向に複数延在し、領域５５ｃと領域５６ｃとが互いに交差する形状の領域であってもよい。
【０１０５】
また、第４実施形態において、センサ６２は、低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９（より詳しくは自発光層７６）よりも下方に設けられているが、例えば、センサ６２は、低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同じ層、又は上方に設けられていてもよい。図１９は、第４実施形態の他の例に係る低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図１９に示すように、この例では、センサ６２は、低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同じ層に設けられているが、他の位置関係は、図１４と同様である。
【０１０６】
センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同じ層に設けられている場合、低密度画素４８Ｂｃの副画素配列は、図１３に示したものと異なる。図２０は、第４実施形態の他の例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。図２０は、センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同じ層に設けられている場合の低密度画素４８Ｂｃの副画素配列を示している。図２０に示すように、この場合、低密度画素４８Ｂｃは、第１行目に、第１副画素４９Ｒと第３副画素４９Ｂとが隣接して配置されている。また、低密度画素４８Ｂｃは、第２行目に、第２副画素４９Ｇが配置されている。第２副画素４９Ｇは、第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂと略同一の面積であり、列方向（Ｙ方向）において第１副画素４９Ｒに隣接している。第２副画素４９Ｇは、第３副画素４９Ｂには隣接していない。センサ６２は、第２副画素４９ＧとＸ方向において隣接して設けられている。また、センサ６２は、第３副画素４９ＢとＹ方向に隣接して設けられている。ただし、センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同じ層に設けられている場合の低密度画素４８Ｂｃの副画素配列は、この例に限られず任意である。
【０１０７】
センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９より下方に設けられる構成の場合、センサ６２は、例えば図１５及び図１７で示した有機発光ダイオードＥ１の劣化を検出するセンサ、又はフォトセンサ等であることが好ましい。また、センサ６２の代わりに、例えばピクセルメモリを設けてもよい。すなわち、センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９より下方に設けられる構成の場合、センサ６２は、上方が非透明部材で覆われていても、機能に影響がないものであることが好ましい。
【０１０８】
センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同層に設けられる構成の場合、センサ６２は、タッチ検出センサ、物体近接検出センサ、又は外光強度検出センサであることが好ましい。すなわち、センサ６２が低密度画素４８Ｂｃの各副画素４９と同層の場合、センサ６２が外部に対して露出している（上方が電極などの非透明部材で覆われておらず、例えばＩＴＯなどの透明部材で覆われている）ので、これらのセンサ６２は、適切に外部からの入力を検出することができる。
【０１０９】
（第１変形例）
次に、第１実施形態の第１変形例について説明する。第１変形例の表示装置１０ｄは、低密度画素の副画素の配列が、第１実施形態とは異なる。第１変形例の第１実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
【０１１０】
図２１Ａは、第１変形例に係る高密度画素の副画素配列を示す図である。図２１Ａに示すように、第１変形例に係る高密度画素４８Ａの副画素配列は、第１実施形態（図４Ａ参照）と同様である。以下の説明のため、高密度画素４８Ａが２行２列で配列した４つの高密度画素４８Ａの画素群を、高密度画素群４７Ａとする。
【０１１１】
図２１Ｂは、第１変形例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。図２１Ｂに示すように、第１変形例に係る低密度領域５４ｄは、低密度画素４８Ｂ１ｄと低密度画素４８Ｂ２ｄとが２行２列で配列した低密度画素群４７Ｂｄが、２次元マトリクス状に配列している。低密度画素群４７Ｂｄは、第１行の第１列に低密度画素４８Ｂ１ｄを有し、第１行の第２列に低密度画素４８Ｂ２ｄを有し、第２行の第１列に低密度画素４８Ｂ２ｄを有し、第２行の第２列に低密度画素４８Ｂ１ｄを有する。
【０１１２】
低密度画素４８Ｂ１ｄは、第１副画素４９Ｒと第２副画素４９ＧとがＸ方向に沿ってストライプ状に配列している。低密度画素４８Ｂ２ｄは、第３副画素４９Ｂと第２副画素４９ＧとがＸ方向に沿ってストライプ状に配列している。第１変形例において、低密度画素が有する副画素の数は、第１実施形態よりも少ないため、第１変形例の低密度画素の各副画素４９の面積は、第１実施形態に係る低密度画素の各副画素４９（図４Ｂ参照）の面積より大きい。
【０１１３】
ここで、第１変形例の各低密度画素は、第１副画素４９Ｒ又は第３副画素４９Ｂを間引かれている。そのため、低密度画素群４７Ｂｄは、第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂの数が高密度画素群４７Ａよりも少ない。従って、第１変形例においては、低密度領域５４ｄにおける解像度が、高密度領域５２よりも低下する（画質が荒くなる）。この場合、低密度領域５４ｄと高密度領域５２との境界が視認され、画質の劣化が視認されるおそれがある。第１変形例に係る表示装置１０ｄは、信号処理部２０ｄにより、低密度領域５４ｄにおける解像度を疑似的に高密度領域５２に近づけるため、サブピクセルレンダリング処理（以下、レンダリング処理と記載する）及びスムージング処理を実行する。以下具体的に説明する。
【０１１４】
図２２は、第１変形例に係る信号処理部の構成を示すブロック図である。図２２に示すように、信号処理部２０ｄは、領域情報取得部２１ｄと、出力信号生成部２２ｄと、処理決定部２６と、レンダリング処理部２７と、スムージング処理部２８とを有する。
【０１１５】
領域情報取得部２１ｄは、どの画素４８が高密度画素４８Ａであるかの情報に加え、どの画素４８が境界領域５７に含まれる画素であるかの情報を記憶している。図２３は、第１変形例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。境界領域５７は、高密度領域５２ｄの一部の領域であって、低密度領域５４ｄに隣接する領域である。具体的には、図２３に示すように、境界領域５７Ａは、高密度領域５２ｄの一部の領域であって、低密度領域５４Ａｄに隣接する領域である。境界領域５７Ｂは、高密度領域５２ｄの一部の領域であって、低密度領域５４Ｂｄに隣接する領域である。高密度領域５２ｄは、境界領域５７Ａと境界領域５７Ｂとの間に、領域５８を有する。境界領域５７Ａ、５７Ｂの面積及び形状と、含まれる高密度画素４８Ａの数は任意であるが、予め領域情報取得部２１ｄに記憶されている。なお、境界領域５７Ａ、５７Ｂは、領域５８より面積が小さいことが好ましい。
【０１１６】
処理決定部２６は、領域情報取得部２１ｄから、どの画素４８が高密度画素４８Ａであるかの情報と、どの画素４８が境界領域５７に含まれる画素であるかの情報とを取得し、画像表示パネル４０ｄの全ての画素４８を、低密度画素４８Ｂｄであるか、境界領域５７中の高密度画素４８Ａであるか、領域５８中の高密度画素４８Ａであるかを分類し、それぞれの画素に対する入力信号に、異なる処理を実行して出力信号を生成することを決定する。具体的には、処理決定部２６は、低密度画素４８Ｂｄにレンダリング処理を行い、境界領域５７中の高密度画素４８Ａにスムージング処理を行い、領域５８中の高密度画素４８Ａに伸長処理を行うことを決定する。処理決定部２６は、レンダリング処理を行う低密度画素４８Ｂｄの情報（座標の情報）を、レンダリング処理部２７に出力する。処理決定部２６は、スムージング処理を行う高密度画素４８Ａの情報（座標の情報）を、スムージング処理部２８に出力する。処理決定部２６は、伸長処理を行う高密度画素４８Ａの情報（座標の情報）を、出力信号生成部２２ｄに出力する。出力信号生成部２２ｄは、第１実施形態と同様の伸長処理により、出力信号を生成する。
【０１１７】
レンダリング処理部２７は、処理決定部２６からの情報に基づき、低密度画素４８Ｂｄが有する各副画素４９の入力信号にレンダリング処理を行って、低密度画素４８Ｂｄの各副画素４９に出力するための出力信号を生成する。レンダリング処理とは、低密度画素４８Ｂｄの各副画素４９の入力信号を、自画素内の副画素４９のみならず、自画素の周囲の同じ色の副画素にも重畳させて印加するという画像処理方法であり、低密度画素４８Ｂｄの解像度を疑似的に高密度画素４８Ａに近づけることができる。例えば、レンダリング処理部２７は、所定位置の低密度画素４８Ｂｄ（ｐ，ｑ）の第１副画素４９Ｒの出力信号値Ｘ１−（ｐ，ｑ）を、第１副画素４９Ｒの入力信号値ｘ１−（ｐ，ｑ）と、その周囲の画素４８の第１副画素４９Ｒの入力信号値とを平均することにより算出する。レンダリング処理部２７は、第２副画素４９Ｇの出力信号値Ｘ２−（ｐ，ｑ）、及び第３副画素４９Ｂの出力信号値Ｘ３−（ｐ，ｑ）も、同様の方法で算出する。以下、レンダリング処理の一例を説明する。
【０１１８】
図２４は、レンダリング処理の一例を説明するための説明図である。図２４の上方に記載された低密度領域５４ｄｘは、低密度画素４８Ｂｄが３つの副画素（第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ）から構成されると仮定した場合の副画素配列を示している。図２４の下方に記載された低密度領域５４ｄは、低密度画素４８Ｂｄが第１変形例で説明した副画素配列となっている。ここで、図２４の低密度領域５４ｄ中の低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の第１副画素４９Ｒに対してのレンダリング処理の一例について説明する。レンダリング処理部２７は、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の第１副画素４９Ｒの出力信号値Ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）を、低密度画素４８Ｂｄ（ａ，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋２）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋２）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋２）の第１副画素４９Ｒの入力信号値に基づき算出する。低密度画素４８Ｂｄ（ａ，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋２）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋２）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋２）は、図２４の低密度領域５４ｄｘに示すように、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の周囲の低密度画素である。具体的には、レンダリング処理部２７は、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の第１副画素４９Ｒの出力信号値Ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）を、次の式（９）から算出する。
【０１１９】
Ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）＝０．０６２５・｛（−１）・ｘ１−（ａ，ｂ）＋２・ｘ１−（ａ＋１，ｂ）＋（−１）・ｘ１−（ａ＋２，ｂ）＋２・ｘ１−（ａ，ｂ＋１）＋１２・ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）＋２・ｘ１−（ａ＋２，ｂ＋１）＋（−１）・ｘ１−（ａ，ｂ＋２）＋２・ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋２）＋（−１）・ｘ１−（ａ＋２，ｂ＋２）｝  ・・・（９）
【０１２０】
式（９）に示すように、第１副画素４９Ｒの出力信号値Ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）を、周囲の副画素の入力信号との平均から算出するが、平均処理において、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の入力信号値ｘ１−（ａ＋１，ｂ＋１）にかけられる係数（式（９）では１２）が、周囲の画素の入力信号値にかけられる係数より大きい。これは、平均処理における重みづけがなされていることを意味しており、自身の画素の入力信号値に対する重みづけが、周囲の画素の入力信号値に対する重みづけより大きくなっていることを意味する。同様に、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）にＸ方向又はＹ方向で隣接する低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋１）、４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋２）の入力信号に対する重みづけは、低密度画素４８Ｂｄ（ａ＋１，ｂ＋１）の斜め方向に位置する低密度画素４８Ｂｄ（ａ，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ）、４８Ｂｄ（ａ，ｂ＋２）、４８Ｂｄ（ａ＋２，ｂ＋２）よりも大きくなっている。レンダリング処理部２７は、図２４に示す第３副画素４９Ｂについても同じ方法でレンダリング処理を行うが、図２４に示す第２副画素４９Ｇについては、間引きされていないため、レンダリング処理を行わない。以上説明したレンダリング処理は、一例であり、例えば各入力信号値にかけられる係数も、任意に設定することができる。
【０１２１】
スムージング処理部２８は、処理決定部２６からの情報に基づき、境界領域５７中の高密度画素４８Ａが有する各副画素４９の入力信号に、上述の伸長処理を行って出力信号を生成したあと、スムージング処理（ディザリング処理）を実行する。スムージング処理は、点灯する副画素４９の数を、低密度領域５４ｄに向かうに従って徐々に減らす処理である。以下、スムージング処理の具体例について説明する。
【０１２２】
図２５は、スムージング処理を説明するための説明図である。図２５は、低密度領域５４Ａｄ、高密度領域５２ｄ（境界領域５７Ａ及び領域５８）の各第１副画素４９Ｒを全て点灯させる入力信号が入力された場合において、境界領域５７Ａにスムージング処理を実行した場合における副画素４９の点灯状態を示している。図２５に示すように、低密度領域５４Ａｄにおいては、全ての第１副画素４９Ｒが点灯している。また、スムージング処理をしない領域５８でも、全ての第１副画素４９Ｒが点灯している。上述のように、低密度領域５４Ａｄの低密度画素群４７Ｂｄは、第１副画素４９Ｒの数が領域５８の高密度画素群４７Ａよりも少ない。従って、低密度領域５４Ａｄの第１副画素４９Ｒの点灯数は、領域５８の第１副画素４９Ｒの点灯数よりも少ない。
【０１２３】
ここで、低密度領域５４Ａｄと領域５８との間の境界領域５７Ａでは、スムージング処理が行われている。境界領域５７Ａ中の画素は高密度画素４８Ａであるため、副画素４９の点灯数は領域５８と同じであるが、実際の境界領域５７Ａ中の第１副画素４９Ｒの点灯数は、スムージング処理により、低密度領域５４ｄに向かうに従って徐々に減少している。具体的には、境界領域５７Ａ中の第１副画素４９Ｒの点灯数は、領域５８との境界において、領域５８の第１副画素４９Ｒの点灯数と同じであり、低密度領域５４Ａｄに向かうに従って、徐々に減少する。そして、境界領域５７Ａ中の第１副画素４９Ｒの点灯数は、低密度領域５４Ａｄとの境界において、低密度領域５４Ａｄの第１副画素４９Ｒの点灯数と同じとなる。
【０１２４】
スムージング処理を行わない場合、低密度領域５４Ａｄと高密度領域５２ｄとの境界が視認され、画質の劣化が視認されるおそれがあるが、表示装置１０ｄは、このスムージング処理により、低密度領域５４Ａｄと高密度領域５２ｄとの境界が視認されることを抑制することができる。
【０１２５】
以下、信号処理部２０ｄによる出力信号の生成処理の工程をフローチャートにより説明する。図２６は、第１変形例の信号処理部による出力信号の生成処理の工程を説明するフローチャートである。図２６に示すように、信号処理部２０ｄは、領域情報取得部２１ｄにより、領域情報を取得する（ステップＳ１０）。領域情報とは、どの画素４８が高密度画素４８Ａであるかの情報と、どの画素４８が境界領域５７に含まれる画素であるかの情報である。
【０１２６】
信号処理部２０ｄは、領域情報を取得した後、処理決定部２６により、画素４８が低密度領域５４ｄ中の低密度画素４８Ｂｄであるかを判断する（ステップＳ１２）。信号処理部２０ｄは、画素４８が低密度領域５４ｄ中の低密度画素４８Ｂｄである場合（ステップＳ１２でＹｅｓ）、レンダリング処理部２７により、その画素４８にレンダリング処理を実行する（ステップＳ１４）。また、信号処理部２０ｄは、画素４８が低密度領域５４ｄ中の低密度画素４８Ｂｄでない場合（ステップＳ１２でＮｏ）、その画素４８が境界領域５７中の画素４８であるかを判断する（ステップＳ１６）。信号処理部２０ｄは、画素４８が境界領域５７中の画素４８である場合（ステップＳ１６でＹｅｓ）、スムージング処理部２８により、その画素４８にスムージング処理を実行する（ステップＳ１８）。信号処理部２０ｄは、画素４８が境界領域５７中の画素４８でない場合（ステップＳ１６でＮｏ）、領域５８の画素であると判断し、出力信号生成部２２ｄにより、その画素４８に伸長処理を実行する（ステップＳ２０）。これにより、本処理は終了する。
【０１２７】
以上説明したように、第１変形例に係る信号処理部２０ｄは、低密度画素４８Ｂｄに出力するための出力信号を、解像度を疑似的に高密度画素４８Ａに近づけるためのサブピクセルレンダリング処理を行うことにより生成する。これにより、低密度画素群４７Ｂｄが有する副画素４９の数が、高密度画素群４７Ａが有する同じ色の副画素４９の数より少ない場合であっても、低密度領域５４ｄにおける解像度を疑似的に向上させて、低密度領域５４ｄと高密度領域５２との境界が視認されることを抑制する。
【０１２８】
また、信号処理部２０ｄは、境界領域５７中の高密度画素４８Ａについて、点灯する副画素４９の数を、低密度領域５４ｄに向かうに従って徐々に減らすスムージング処理を行う。これにより、低密度画素群４７Ｂｄが有する副画素４９の数が、高密度画素群４７Ａが有する同じ色の副画素４９の数より少ない場合であっても、境界領域５７で点灯数を徐々に変化させるため、低密度領域５４ｄと高密度領域５２との境界が視認されることを抑制することができる。
【０１２９】
なお、図２４に示す低密度領域５４ｄ、５４ｄｘは、両方とも高密度領域５８よりも副画素の密度が小さいため、駆動制御回路６０を設置できるスペースが高密度領域５８よりも広い。また、低密度領域５４ｄは、低密度領域５４ｄｘよりも副画素の密度が小さいため、駆動制御回路６０を設置できるスペースが低密度領域５４ｄｘよりもさらに広くなる。従って、駆動制御回路６０の規模が大きく、駆動制御回路６０を低密度領域５４ｄｘの領域内へ配置することが困難な場合は、低密度領域５４ｄの副画素配列を採用して、低密度領域５４ｄに駆動制御回路６０を設置することが好ましい。そして、駆動制御回路６０が低密度領域５４ｄｘの領域内への配置可能な程度の大きさである場合は、低密度領域５４ｄｘの副画素配列を採用して、低密度領域５４ｄｘ内に駆動制御回路６０を設置することが好ましい。なお、低密度領域５４ｄの副画素配列を採用する場合、高密度領域５２における副画素配列を、低密度領域５４ｄｘの副画素配列、すなわち第４副画素４９Ｗを含まない配列としてもよい。
【０１３０】
なお、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は、低密度画素群４７Ｂｄが有する第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂの数が、高密度画素群４７Ａと同じである場合は、実行しなくてもよい。例えば、第１実施形態に係る副画素配列の場合、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は実行しなくてもよい。図２７は、高密度画素の副画素配列の他の例を示す図である。また、第１変形例に係る低密度画素群４７Ｂｄの副画素配列であって、図２７に係る高密度画素群４７Ａｅの副画素配列である場合も、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は、実行しなくてもよい。
【０１３１】
図２７に示すように、この例において、高密度画素４８Ａ１ｅと高密度画素４８Ａ２ｅとが２行２列で配列したで配列した高密度画素群４７Ａｅが、高密度領域５２ｅ内で２次元マトリクス状に配列している。高密度画素群４７Ａｅは、第１行の第１列に高密度画素４８Ａ１ｅを有し、第１行の第２列に高密度画素４８Ａ２ｅを有し、第２行の第１列に高密度画素４８Ａ２ｅを有し、第２行の第２列に高密度画素４８Ａ１ｅを有する。
【０１３２】
高密度画素４８Ａ１ｅは、第１実施形態に係る高密度画素４８Ａと同じ副画素配列である。一方、高密度画素４８Ａ２ｅは、第５副画素４９Ｃと、第６副画素４９Ｍと、第７副画素４９Ｙと、第４副画素４９Ｗとを有する。第５副画素４９Ｃは、第５色としてのシアンを表示する。第６副画素４９Ｍは、第６色としてのマゼンダを表示する。第７副画素４９Ｙは、第７色としての黄色を表示する。ただし、第５色、第６色、第７色、それぞれシアン、マゼンダ、黄色に限られず、第１色、第２色、第３色と異なる色であれば、任意に選択することができる。
【０１３３】
図２７に示すように、高密度画素４８Ａ１ｅは、第５副画素４９Ｃと、第６副画素４９Ｍと、第７副画素４９Ｙと、第４副画素４９Ｗとが、２行２列で配列している。高密度画素４８Ａ１ｅは、１行目の１列目に第６副画素４９Ｍを有し、１行目の２列目に第７副画素４９Ｙを有し、２行目の１列目に第４副画素４９Ｗを有し、２行目の２列目に第５副画素４９Ｃを有する。言い換えれば、高密度画素４８Ａ１ｅは、第６副画素４９Ｍが、第７副画素４９Ｙに行方向（Ｘ方向）で隣接し、第４副画素４９Ｗに列方向（Ｙ方向）で隣接している。また、第７副画素４９Ｙは、第５副画素４９Ｃに列方向（Ｙ方向）で隣接している。また、第４副画素４９Ｗは、第５副画素４９Ｃに行方向（Ｘ方向）で隣接している。
【０１３４】
高密度画素群４７Ａｅは、第１副画素４９Ｒ及び第３副画素４９Ｂの数が、低密度画素群４７Ｂｄ（図２１Ｂ参照）と同じである。そのため、上述のように、この場合はサブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理を行わなくてもよい。
【０１３５】
（第２変形例）
次に、第１実施形態の第２変形例について説明する。第２変形例の表示装置１０ｅは、反射型の液晶表示装置である点で、第１実施形態とは異なる。第２変形例において、第１実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。
【０１３６】
図２８は、第２変形例に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図２８に示すように、第２変形例の表示装置１０ｅは、信号処理部２０と、信号出力回路３１と、走査回路３２と、画像表示パネル４０ｅと、光源部１００と、を有する。画像表示パネル４０ｅは、液晶表示パネルである。光源部１００は、画像表示パネル４０ｅの枠部４２の内部に組み込まれている。光源部１００は、画像表示パネル４０ｅの側面から光を照射する光源である。表示装置１０ｅは、外光を画像表示パネル４０ｅで反射させることにより、画像を表示する。さらに、表示装置１０ｅは、外光が十分でない屋外での夜間使用や暗所での使用の場合等には、光源部１００から発光される光を画像表示パネル４０ｅで反射させることによっても、画像を表示することができる。
【０１３７】
図２９は、第２変形例に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の駆動回路を示す図である。第２変形例における副画素４９は、駆動回路４５ｅによって駆動される。駆動回路４５ｅは、第１実施形態に係る点灯回路４５と同様に、２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。図２９に示すように、駆動回路４５ｅは、トランジスタＴｒ３と、液晶容量Ｃ２と、保持容量Ｃ３と、を含む。トランジスタＴｒ３は、例えば、ＴＦＴを用いて形成されたスイッチである。トランジスタＴｒ３は、ゲート電極が複数の走査線ＳＣＬのうち１つに接続され、ソース電極が複数の信号線ＤＴＬのうち１つに接続されている。
【０１３８】
液晶容量Ｃ２は、後述する画素電極１０８と対向電極１１０との間で発生する液晶素子の容量成分をさす。画素電極１０８は、トランジスタＴｒ３のドレイン電極に接続されている。保持容量Ｃ３は、一方の電極が画素電極１０８に、他方の電極が対向電極１１０にそれぞれ接続されている。
【０１３９】
次に、第２変形例における画像表示パネル４０ｅの構造を説明する。図３０Ａは、第２変形例における高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図３０Ｂは、第２変形例における低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図３０Ａは、第１実施形態の図６Ａと同じ箇所での断面図であり、図３０Ｂは、第１実施形態の図６Ｂと同じ箇所での断面図である。図３０Ａ及び図３０Ｂに示すように、画像表示パネル４０ｅは、駆動回路４５ｅと、基板７１と、絶縁層７２と、カラーフィルタ８１と、対向基板１０４と、液晶層１０６と、画素電極１０８と、対向電極１１０と、導光板１１２と、を有する。ここで、画像表示パネル４０ｅの画像を表示する面を前面４０ｅ１とし、前面４０ｅ１と反対側の面を背面４０ｅ２とする。基板７１は、画像表示パネル４０ｅの背面４０ｅ２側に設けられる。基板７１は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、駆動回路４５ｅを形成又は保持する。駆動回路４５ｅは、第１実施形態の点灯駆動回路４５と同様に、副画素４９毎に設けられている。駆動回路４５ｅの回路構成は後述する。絶縁層７２は、基板７１よりも前面４０ｅ１側に設けられ、上述した駆動回路４５ｅなどを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。
【０１４０】
対向基板１０４は、絶縁層７２よりも前面４０ｅ１側に設けられる基板である。対向基板１０４は、例えばガラスなどの透明性を有する基板である。液晶層１０６は、絶縁層７２と対向基板１０４との間に設けられ、内部に液晶素子が封入されている。
【０１４１】
画素電極１０８は、絶縁層７２よりも前面４０ｅ１側、すなわち液晶層１０６側に設けられている。画素電極１０８は、後述するスイッチング素子（トランジスタＴｒ３）を介して信号線ＤＴＬに接続されており、映像信号としての画像出力信号が印加される。画素電極１０８は、例えばアルミニウム又は銀製の反射性を有する部材であり、外光又は光源部１００からの光を反射する。すなわち、画素電極１０８は、反射部を構成する。画素電極１０８、すなわち反射部は、画像表示パネル４０ｅの前面４０ｅ１（画像を表示する側の面）から入射された光を反射して、画像を表示させる。
【０１４２】
カラーフィルタ８１は、対向基板１０４の背面４０ｅ１側の面、すなわち液晶層１０６側の面に設けられている。対向電極１１０は、液晶層１０６に設けられており、カラーフィルタ８１よりも背面４０ｅ２側に設けられている。また、図３０Ｂに示すように、カラーフィルタ８１同士の間には、遮光するブラックマトリックス１１４が設けられている。対向電極１１０は、例えばＩＴＯ、又はＩＺＯ等の透明性を有する導電性材料である。画素電極１０８と対向電極１１０とは対向して設けられているため、画素電極１０８と対向電極１１０との間に画像出力信号による電圧が印加されると、画素電極１０８と対向電極１１０とは、液晶層１０６内に電界を生じさせる。表示装置１０ｅは、液晶層１０６内に生じた電界により複屈折率が変化し、画像表示パネル４０ｅから反射される光量を調整する。画像表示パネル４０ｅは、いわゆる縦電界方式であるが、画像表示パネル４０ｅの表示面に平行な方向に電界を発生させる横電界方式であってもよい。
【０１４３】
カラーフィルタ８１は、画素電極１０８に対応して複数設けられる。画素電極１０８と、対向電極１１０と、カラーフィルタ８１とは、それぞれ副画素４９を構成する。駆動回路４５ｅは、副画素４９を駆動させるための回路であり、副画素４９には含まれない。導光板１１２は、対向基板１０４の前面４０ｅ１側の面に設けられている。導光板１１２は、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体（ＭＳ樹脂）等の透明性を有する板状部材である。導光板１１２は、前面４０ｅ１側の面である上面に、プリズム加工がなされている。
【０１４４】
図３０Ａに示すように、高密度領域５２において、駆動回路４５ｅ、及び各配線は、高密度画素４８Ａの各副画素４９（より詳しくは画素電極１０８）よりも下方（背面４０ｅ２側）に設けられている。図３０Ｂに示すように、低密度領域５４において、駆動回路４５ｅ、各配線、及び駆動制御回路６０は、低密度画素４８Ｂの各副画素４９（より詳しくは画素電極１０８）よりも下方（背面４０ｅ２側）に設けられている。
【０１４５】
光源部１００は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を有する。光源部１００は、副画素４９、より詳しくは画素電極１０８よりも前面４０ｅ１側に設けられている。すなわち、表示装置１０ｅは、画素電極１０８（反射部）よりも背面４０ｅ２側には、光源部１００を有していない。より詳しくは、光源部１００は、導光板１１２の側面に沿って設けられている。光源部１００は、導光板１１２を介して、画像表示パネル４０の前面４０ｅ１から光を照射する。光源部１００は、画像観察者の操作、又は表示装置１０ｅに取付けられて外光を計測する外光センサ等によって、オン（点灯）とオフ（消灯）とが切り替えられる。光源部１００は、オンの場合に光を照射し、オフの場合に光を照射しない。例えば、画像観察者が、画像が暗いと感じた場合は、画像観察者は、光源部１００をオンにして、光源部１００から画像表示パネル４０ｅに光を照射させ、画像を明るくする。また、外光センサが、外光強度が所定の値より小さいと判断した場合には、例えば信号処理部２０は、光源部１００をオンにして、光源部１００から画像表示パネル４０ｅに光を照射させ、画像を明るくする。
【０１４６】
次に、画像表示パネル４０ｅによる光の反射について説明する。図３０Ａ及び図３０Ｂに示すように、画像表示パネル４０ｅには、前面４０ｅ１側から、外光ＬＯ１が入射される。外光ＬＯ１は、導光板１１２内を通って画素電極１０８に入射される。画素電極１０８に入射された外光ＬＯ１は、画素電極１０８に反射され、光ＬＯ２として、導光板１１２内を通って、外部に出射される。また、光源部１００をオンにした場合、光源部１００からの光ＬＩ１は、導光板１１２の側面から導光板１１２内に入射する。導光板１１２内に入射された光ＬＩ１は、導光板１１２の上面で散乱して反射され、一部が光ＬＩ２として、画素電極１０８に照射される。画素電極１０８に照射された光ＬＩ２は、画素電極１０８により反射され、光ＬＩ３として導光板１１２を通って外部に出射する。また、導光板１１２の上面で散乱した光の他の一部は、光ＬＩ４として反射され、導光板１１２内で反射を繰り返す。
【０１４７】
すなわち、画素電極１０８は、画像表示パネル４０ｅの前面４０ｅ１から画像表示パネル４０ｅに入射される外光ＬＯ１又は光ＬＩ２を外部に反射する。外部に反射された光ＬＯ２及びＬＩ３は、液晶層４３及びカラーフィルタ４６を通る。そのため、表示装置１０ｅは、外部に反射される光ＬＯ２，ＬＩ３により、画像を表示することができる。このように、表示装置１０ｅは、サイドライト型の光源部１００を有する反射型の液晶表示装置である。なお、表示装置１０ｅは、光源部１００及び導光板１１２を有さなくてもよい。この場合、表示装置１０ｅは、外光ＬＯ１を反射した光ＬＯ２によって、画像を表示することができる。
【０１４８】
以上説明したように、第２変形例に係る表示装置１０ｅは、副画素４９を複数有する画素４８が２次元マトリクス状に配列される画像表示パネル４０ｅを有する表示装置である。第２変形例における副画素４９は、画像表示パネル４０ｅの前面４０ｅ１からの光を反射する画素電極１０８、すなわち反射部を有する。画像表示パネル４０ｅは、画素電極１０８が反射した前面４０ｅ１からの光により画像を表示する。そして、画像表示パネル４０ｅは、低密度画素４８Ｂを有する低密度領域５４と、高密度画素４８Ａを有する高密度領域５２と、を有する。画像表示パネル４０ｅは、画素電極１０８よりも背面４０ｅ２側に、光を照射する光源部１００を有さない。
【０１４９】
表示装置１０ｅは、画素電極１０８よりも背面４０ｅ２側に光源部１００を有さず、画素電極１０８よりも前面４０ｅ１側からの光を反射することで、画像を表示する。従って、この表示装置１０ｅも、第１実施形態と同様に、配線により光が遮断されないため、高密度領域５２の開口率の低下を抑制し、高密度領域５２と低密度領域５４との開口率の差を小さくすることができる。従って、この表示装置１０は、領域毎に画像の明るさが異なることを抑制し、画質の劣化を抑制する。
【０１５０】
また、副画素４９は、副画素４９を駆動するための信号が配線（走査線ＳＣＬ、信号線ＤＴＬ）を介して入力される。この配線は、画像表示面５０に対して、画素電極１０８よりも下方（背面４０ｅ２側）に設けられている。従って、この表示装置１０は、画素電極１０８から外部へ向かう光が、配線に向かわない。そのため、この表示装置１０ｅは、配線により光が遮断されることをより好適に抑制し、画質の劣化をより好適に抑制する。
【０１５１】
また、第２変形例で説明した反射型の液晶表示装置は、第１実施形態以外の実施形態及び変形例にも適用可能である。すなわち、本開示に係る表示装置は、自発光型の表示装置の代わりに、反射型の液晶表示装置であってもよい。ただし、この場合、光源部１００は、画素電極１０８よりも背面４０ｅ２側に設けられていない。
【０１５２】
（適用例）
次に、図３１及び図３２を参照して、実施形態１で説明した表示装置１０の適用例について説明する。図３１及び図３２は、実施形態１に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。実施形態１に係る表示装置１０は、図３１に示すカーナビゲーションシステム、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、図３２に示す携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施形態１に係る表示装置１０は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、表示装置に映像信号を供給し、表示装置の動作を制御する制御装置１１（図１参照）を備える。なお、本適用例は、実施形態１に係る表示装置１０以外でも、以上説明した他の実施形態及び変形例に係る表示装置にも適用できる。
【０１５３】
図３１に示す電子機器は、実施形態１に係る表示装置１０が適用されるカーナビゲーション装置である。表示装置１０は、自動車の車内のダッシュボード３００に設置される。具体的にはダッシュボード３００の運転席３１１と助手席３１２の間に設置される。カーナビゲーション装置の表示装置１０は、ナビゲーション表示、音楽操作画面の表示、又は、映画再生表示等に利用される。
【０１５４】
図３２に示す電子機器は、実施形態１に係る表示装置１０が適用される携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータまたは通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６２の表面に表示部５６１を有している。この表示部５６１は、実施形態１に係る表示装置１０と外部近接物体を検出可能なタッチ検出（いわゆるタッチパネル）機能とを備えている。
【０１５５】
以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態の内容によりこれらの実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【０１５６】
本開示は、次のような構成を採用することができる。
【０１５７】
（１）自発光層を有する副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列され、
第１の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第１の数よりも大きい第２の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する、表示装置。
【０１５８】
（２）前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、前記表示装置。
【０１５９】
（３）前記低密度領域は、さらに、前記点灯駆動回路の駆動を制御するための駆動制御回路を有し、前記高密度領域は、前記駆動制御回路を有さない、前記表示装置。
【０１６０】
（４）前記駆動制御回路は、前記画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、前記表示装置。
【０１６１】
（５）前記点灯駆動回路は、前記駆動制御回路と同層に設けられている、前記表示装置。
【０１６２】
（６）前記高密度領域は、前記画像表示面の中央に設けられており、
前記低密度領域は、前記画像表示面内であって、前記高密度領域の両端部に設けられている、前記表示装置。
【０１６３】
（７）前記画像表示面は、所定の方向に沿って、前記画像表示パネルの全域を占める、前記表示装置。
【０１６４】
（８）前記駆動制御回路は、前記自発光層を点灯させるために前記副画素を順番に選択する走査回路である、前記表示装置。
【０１６５】
（９）前記低密度領域は、前記高密度領域内に点在して設けられている、前記表示装置。
【０１６６】
（１０）前記駆動制御回路は、前記画像表示パネルの駆動を制御するためのセンサを有する、前記表示装置。
【０１６７】
（１１）前記低密度画素の副画素の面積は、前記高密度画素の副画素の面積よりも大きい、前記表示装置。
【０１６８】
（１２）前記低密度画素に出力するための出力信号を、サブピクセルレンダリング処理を行うことにより生成する信号処理部を更に有する、前記表示装置。
【０１６９】
（１３）前記信号処理部は、前記高密度領域内の一部分の領域であって、前記低密度領域に隣接する所定の範囲の領域である境界領域内の前記高密度画素について、点灯する副画素の数を、前記低密度領域に向かうに従って徐々に減らすスムージング処理を行う、前記表示装置。
【０１７０】
（１４）副画素を複数有する画素が２次元マトリクス状に配列される画像表示パネルを有する表示装置であって、
前記副画素は、前記画像表示パネルの前面からの光を反射する反射部を有し、
前記画像表示パネルは、前記反射部が反射した前記前面からの光により画像を表示し、第１の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第１の数よりも大きい第２の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、を有し、前記反射部よりも前記前面と反対側である背面側に、光を照射する光源部を有さない、表示装置。
【０１７１】
（１５）前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記反射部よりも下方に設けられている、表示装置。
【符号の説明】
【０１７２】
１０  表示装置
２０  信号処理部
３０  画像表示パネル駆動部
４０  画像表示パネル
４８  画素
４８Ａ  高密度画素
４８Ｂ  低密度画素
５２  高密度領域
５４  低密度領域
４９Ｒ  第１副画素
４９Ｇ  第２副画素
４９Ｂ  第３副画素
４９Ｗ  第４副画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
2017058671.tif 000009
【図６Ｂ】
2017058671.tif 000010
【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
2017058671.tif 000013
【図８Ｃ】
2017058671.tif 000014
【図９】
2017058671.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2017058671.tif 000020
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３１】
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【図３２】
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