【事件の表示】
　特願２００６−１１０５３３「気相成長装置及び気相成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月２３日出願公開、特開２００７−２１０８７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年４月１３日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１７年７月２９日、平成１８年１月１３日）の出願であって、平成２２年１月２２日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月２５日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年９月２８日付けの拒絶査定に対して、同年１２月２１日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付けで手続補正がされ、平成２４年２月２９日付けで特許法第１６４条第３項で規定する報告書を引用した審尋がなされたところ、同年４月２７日付けで回答書が提出されたものである。 
 　 
第２　平成２２年１２月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
１　補正却下の決定の結論
　平成２２年１２月２１日付けの手続補正を却下する。
 　　 
２　理由
（１）　補正の内容 
　平成２２年１２月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項８の記載を、補正後の特許請求の範囲の請求項７に、以下のＡからＢとする補正事項を含む（下線は補正部分を示す。）。 
 　 
Ａ：「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置において、
　前記支持台には、凹み有する第１の凹部と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２の凹部が設けられ、前記第２の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
　前記支持台は、前記第２の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、
　前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第２の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成されることを特徴とする気相成長装置。」
 　 
Ｂ：「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置において、
　前記支持台には、凹み有する第１の凹部と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２の凹部が設けられ、前記第２の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
　前記支持台は、前記第２の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、
　前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第２の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成され、
　
前記第２の凹部の底面には、滑りとめ加工が施されている
 　  
（２）　補正の目的
　上記の補正事項は、支持台に設けられる第２の凹部の底面に関して、「滑りとめ加工が施されている」ことを限定するものであるから、上記の補正事項を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正により特許請求の範囲が減縮された補正後の請求項７に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
 　 
（３）　独立特許要件 
ア　本願補正発明 
　本件補正後の請求項７に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、上記Ｂに記載された事項により特定されるとおりのものである。 
 　 
イ　引用文献及びその記載事項 
　原審における拒絶査定（以下、「原査定」という。）の拒絶理由において引用した特開２００４−３２７７６１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 　 
［１ａ］「【０００５】
・・・エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ  ）に代表されるパワーデバイスがある。パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハの製造では、エピタキシャル成長膜の厚みが厚く、１００μｍ程度に達することも少なくない。このような厚膜形成では、サセプタ上のウエーハが凹部内に収容されているにもかかわらず、サセプタ内周面とウエーハ外周面との間が、ブリッジと呼ばれる両者に跨がった析出物によりスティックする現象が発生しやすい。この現象が生じると、エピタキシャル成長後にサセプタからウエーハを取り出すときに、スティック部分の成長膜を剥がさなければならず、その際にウエーハの外周部分に相当の力が付加されるために、しばしばウエーハにクラックが発生し、割れに至ることもある。
・・・
【００１０】
後で詳しく述べるが、水平円盤型サセプタにおけるスティッキングの原因の一つは、サセプタの凹部内でウエーハが径方向にスライドすることによりウエーハの外周面が凹部の内周面に局部的に接触し、その接触部でブリッジが形成されやすくなることである。
・・・
【００１２】
本発明の目的は、凹部内に水平に収容されたウエーハのスティッキングを効果的に防止できるエピタキシャル成長用サセプタを提供することにある。」
 　 
［１ｂ］「【００２０】
ここにおけるエピタキシャル成長装置は、シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置である。この装置は、図１及び図２に示すように、チャンバー１内に水平に設置された横型の反応管２を有している。反応管２内には、水平円盤型のサセプタ３が長手方向の中央部に位置して設けられると共に、サセプタ３を長手方向の前後から挟むようにして水平な仕切り板６，６が設けられている。
【００２１】
サセプタ３は、反応管２内に下方から挿入された支持軸４により水平に支持されており、支持軸４の回転により中心部の垂直軸回りに回転駆動される。・・・仕切り板６，６はサセプタ３と共同して反応管２内をサセプタ２より上側の空間と下側の空間とに区画し、上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させる。
【００２２】
サセプタ３の上面には、座ぐりと呼ばれる複数の凹部７，７・・が設けられている。複数の凹部７，７・・は、ウエーハ８を水平に収容する構成になっており・・・。各凹部７の底面外周部には、図３（ａ）（ｂ）に示すように、環状の凸部９が設けられている。凸部９は、その内側の正規レベルの水平な底面１０から上方へ直角に突出している。凸部９の外周側は、凹部７の内周面１１と一体化している。
【００２３】
凸部９の内径Ｄはウエーハ８の直径以上、（凹部７の内径−１ｍｍ）以下に設定されており、その深さｄはウエーハ８の厚みの０．２〜０．４倍に設定されている。」 
 　 
［１ｃ］「【００３５】
また、上述の実施形態では、水平円盤型のサセプタ３は上面に複数の凹部７を有しているが、１つの凹部７を有するものであってもよい。即ち、本発明は１の凹部を有する水平円盤型のサセプタにも適用可能である。」 
 　 
ウ　引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、［１ｂ］の【００２０】、【００２２】によれば、シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置において、チャンバー内にサセプタが設けられ、前記サセプタに設けられた複数の凹部にウエーハを収容することが記載され、［１ｂ］の【００２１】によれば、チャンバー内の反応管上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させることが記載され、［１ｂ］の【００２２】、【００２３】によれば、サセプタの凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられていること、当該凸部の内径がウエーハの直径以上であり、その深さがウエーハの厚みの０．２〜０．４倍に設定されていることが記載され、［１ｂ］の【００２１】によれば、サセプタが回転駆動されることが記載されている。
　ここで、反応管上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させるために、原料ガスを供給する第１の流路とガスを廃棄する第２の流路がチャンバに接続されていることが明らかであるから、以上の記載及び認定を本願補正発明の記載ぶりに沿って整理すると、引用文献１には以下の発明が記載されていると認められる。
　
「チャンバー内には、サセプタ上に載置されたウエーハが収容され、前記チャンバーには成膜するための原料ガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続されたシリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置において、
　前記サセプタには、凹部と、前記凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられ、前記環状の凸部の深さは、前記ウエーハの厚みの０．２〜０．４倍に構成され、
　前記サセプタは、前記凸部の内径がウエーハの直径以上であると共に回転し、
　前記サセプタが回転している状態で前記ウエーハ上にエピタキシャル膜が形成される、
　シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置。」（以下、「引用発明」という。）
 　 
エ　本願補正発明と引用発明との対比 
　引用発明の「チャンバー」、「サセプタ」、「ウエーハ」及び「シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置」は、それらの機能を考慮すれば、それぞれ本願補正発明の「チャンバ」、「支持台」、「基板」及び「気相成長装置」に相当する。
　また、引用発明のサセプタに関する、「凹部と、前記凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられ」る構造は、本願補正発明の「凹み有する第１の凹部と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２の凹部が設けられ」る構造に相当するし、引用発明の「前記環状の凸部の深さは、前記ウエーハの厚みの０．２〜０．４倍に構成され」ることは、本願補正発明の「前記第２の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され」ることに相当する。
　そして、引用発明において、「凸部の内径がウエーハの直径以上である」ことは、本願補正発明の「第２の凹部」の内径が基板の直径以上であることを意味しているから、当該第２の凹部の底面で基板の裏面と接触して前記基板を支持していることは明らかである。
　そうすると、両者は、
「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置において、
　前記支持台には、凹み有する第１の凹部と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２の凹部が設けられ、前記第２の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
　前記支持台は、前記第２の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に回転し、
　前記支持台が回転している状態で前記第２の凹部の底面で支持された前記基板上にエピタキシャル膜が形成される、
　気相成長装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、支持台が基板面の中心線を軸に回転するのに対して、引用発明は、支持台が基板面の中心線を軸に回転することが特定されていない点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、エピタキシャル膜材料がシリコンであるのに対して、引用発明は、エピタキシャル膜材料が特定されていない点。
　
相違点３：
　本願補正発明は、第２の凹部の底面に滑りとめ加工が施されているのに対して、引用発明は、第２の凹部の底面性状が特定されていない点。
　
オ　相違点についての判断
（ア）　相違点１について
　引用文献１の［１ｃ］には、「１つの凹部７を有するものであってもよい」と記載されており、これはサセプタ、すなわち支持台の上面に設けられる凹部が１つであってもよいことを意味するから、この場合、支持台上に載置される基板は１枚となる。そして、１枚の基板にエピタキシャル膜を形成する気相成長装置において、支持台の回転軸を基板面の中心線とすることは、例えば、特開平９−１９４２９６号公報の【００１１】、【図１】、特開平１０−１６３１１７号公報の【０００６】、【図８】に記載されているようにごく一般的な態様にすぎないから、引用発明において、支持台の回転軸を基板面の中心線とすることに格別の困難性は見いだせない。
　したがって、引用発明において上記一般的な態様を勘案することで、相違点１に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者の容易に推考し得るところということができる。
　
（イ）　相違点２について
　引用発明はシリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置に関する発明であり、シリコンウエーハ上に形成されるエピタキシャル膜としてシリコンのエピタキシャル膜はごく一般的に用いられている膜である。
　また、引用文献１の［１ａ］には、エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、ＩＧＢＴが例示されているところ、シリコンウエーハ上にシリコンのエピタキシャル膜を形成したエピタキシャルウエーハをＩＧＢＴに用いることは、例えば、特開２００１−１９６３０８号公報の請求項１〜６に記載されているように本願の優先日前周知の技術である点も併せて考えれば、引用発明においてエピタキシャル膜をシリコンエピタキシャル膜とすることで、相違点２に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者が容易になし得るものである。
　
（ウ）　相違点３について
　気相成長装置において、基板の滑りを防止するべく支持台の基板載置部に滑りとめ加工を施すことは、例えば、特開２００２−５７２０９号公報の【００３５】、【００４９】、特開平８−８１９８号公報の【０００１】、【０００６】に記載されているように、本願の優先日前周知の技術である。ここで、引用発明は［１ａ］の【００１０】、【００１２】に記載されているように、基板が径方向にスライドすることでサセプタの凹部に接触してスティッキングが生じることを防止することを課題とするものであるから、当該課題をより効果的に解決するために、引用発明において上記周知の技術を適用することで、相違点３に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者が容易になし得るものである。
　
　そして、上記相違点１〜３に基づく本願発明の奏する作用効果も、引用文献１の記載事項と周知技術から予測できる範囲のものであり、格別なものではない。
　 
カ　小括 
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
（４）　まとめ 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２２年１２月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の発明は、平成２２年３月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項８に係る発明は、上記「第２　２　（１）」のＡに示したとおりのものであり、以下、これを「本願発明」という。 
 　 
２　原査定の拒絶理由の概要  
　原査定の理由の一つは、本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された引用文献１に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明に属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとするものである。
 　 
３　引用文献１の記載事項及び引用発明 
　引用文献１の記載事項は、上記「第２　２　（３）　イ」に示したとおりであり、引用文献１に記載された引用発明は、上記「第２　２　（３）　ウ」に示したとおりのものである。
 　 
４　本願発明と引用発明との対比・判断 
　本願発明は、上記「第２　２　（３）」においてその独立特許要件を検討した本願補正発明に対して、「第２の凹部の底面には、滑りとめ加工が施されている」との発明特定事項が除外されたものであるから、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は上記「第２　２　（３）　エ」に示した相違点１、相違点２においてのみ相違し、その余の点で一致する。
　そして、上記相違点１、相違点２についての判断は「第２　２　（３）　オ」で述べたとおりであるから、本願発明も本願補正発明と同様に、引用文献１に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　補足　−　審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成２４年２月２９日付けの審尋に対する同年４月２７日付けの回答書の（３）において、審判請求時の補正後の請求項１、７を基に、独立項となる請求項１、７の内容に「第1の凹部の深さと第２の凹部の深さとを合わせた深さが、基板の厚さよりも小さい」と限定する補正をしたい旨主張し、以下の補正案を提示している。
　
（補正案） 
　【請求項１】　〜　【請求項６】　（略）
　【請求項７】 
　チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置において、 
　前記支持台には、凹み有する第１の凹部と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２の凹部が設けられ、前記第２の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
　前記支持台は、前記第２の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、 
　前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第２の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成され、
　前記第２の凹部の底面には、滑りとめ加工が施され、 
　第1の凹部の深さと第２の凹部の深さとを合わせた深さが、基板の厚さよりも小さいことを特徴とする気相成長装置。 
　
　しかしながら、審尋は拒絶理由通知ではないから補正を行うことはできず、補正ができるのは原査定が維持できず、新たに拒絶理由が通知された場合に限られるところ、本件において原査定が維持できず、新たな拒絶理由を通知すべき事情を見出すことができない。
　したがって本件について、さらなる補正の機会を与えることは相当でないといわざるをえない。
　なお付言するに、仮に回答書に示す補正案を採用した場合でも、引用文献１には凹部の深さ（補正案における第1の凹部の深さと第２の凹部の深さとを合わせた深さ）と基板の厚さとの関係についての記載がなく、当該凹部の深さが基板の厚さよりも小さい場合を排除するものでなく、また、上記「第２　２　（３）　オ　（ア）」において例示した特開平１０−１６３１１７号公報の【０００６】、【図８】には、凹部の深さを基板の厚さよりも小さくする従来技術が記載されている点も考慮すれば、補正案の請求項７に係る発明が一見して特許性を有することが明白であるともいえない。
　以上のとおりであるから、上記審判請求人の主張は採用できない。
　
 第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。