【事件の表示】
　特願２００６−１３２４７１「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月２２日出願公開、特開２００７−３０５７７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，平成１８年５月１１日の出願であって，平成２３年５月６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年８月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，以下のとおりのものと認める。
　「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１．特開２００５−００５６３８号公報
　２．特開平１１−０８７５７３号公報」
　
第３．平成２３年８月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２３年８月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の概要
　本件補正は，平成２３年４月４日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するもので，請求項１３については，補正前に
「上面と下面を有し，上面から下面までの厚さが１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下の金属ブロックの上面に半導体素子を接合するする接合工程と，
　前記金属ブロックの下面を外部に露出し，前記金属ブロックに接続され，厚さが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のリード端子を外部に引き出した状態で封止して樹脂パッケージを形成する封止工程と，
　プラズマ溶射法により，多数のセラミックス微粒子を接合させたセラミックス層による絶縁層を形成する絶縁層形成工程と，
　を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
とあるのを，次のとおりに補正するものである。
　
「上面と下面を有し，上面から下面までの厚さが１．０ｍｍより大きく４．０ｍｍ以下の金属ブロックの上面に半導体素子を接合するする接合工程と，
　前記金属ブロックの下面を外部に露出し，前記金属ブロックに接続され，厚さが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のリード端子を外部に引き出した状態で封止して樹脂パッケージを形成する封止工程と，
　プラズマ溶射法により，多数のセラミックス微粒子を接合させたセラミックス層による絶縁層を形成する絶縁層形成工程と，
　を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　請求項１３の補正は，金属ブロックの上面から下面までの厚さを「１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下」から「１．０ｍｍより大きく４．０ｍｍ以下」に限定したものであり，この補正が産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものでないことは明らかである。
　したがって，本件補正は，少なくとも請求項１３の補正に関する限り，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１３に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−５６３８号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　１ａ）「【請求項５】
１または複数の回路素子を搭載し，樹脂によって封止され，形成された半導体モジュールの製造方法において，
予め成形加工されたリードフレームに回路素子を接合する第１工程と，
回路素子とリードフレームとをボンディングワイヤにより接続する第２工程と，
回路素子およびリードフレームを覆う成形樹脂を一方の面に形成する第３工程と，
溶射法により粒子セラミックスを他方の面に溶射して，成形樹脂およびリードフレームを覆うセラミックス絶縁層を形成する第４工程と，
を有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。」
　１ｂ）「【０００３】
一方，製造コストを低減するために，トランスファー成形方式により製造されるフルモールド半導体モジュールが用いられている（例えば，特許文献１参照）。フルモールド半導体モジュールは，リードフレーム，ヒートシンクとを固定的に連結するとともに，電気的絶縁を確保している。
【０００４】
図５に，このような従来のフルモールド半導体モジュールの第１例を示す。リードフレーム２１の上には，パワー半導体２２，駆動ＩＣ２３が実装され，ボンディングワイヤ２４，２５により相互に接続されている。これらの部品を金型にセットして，成形樹脂２６を流し込むことにより，フルモールド半導体モジュールを構成する。
【０００５】
図６に従来のフルモールド半導体モジュールの第２例を示す。図５に示したフルモールド半導体モジュールの構成に加え，さらにその下部にヒートシンク２７を設けたものである。以下，図５，図６で示すように，リードフレームおよび回路素子が全て成型樹脂で覆われるようなフルモールド半導体モジュールを説明の便宜上のため，特に通常フルモールド半導体モジュールという。」
　１ｃ）「【０００９】
【特許文献１】
特開平９−１３９４６１号公報（段落番号００３８，図１）」
　１ｄ）「【００３４】
本実施形態の半導体モジュール１００は，図１で示すように，リードフレーム１，パワー半導体２，駆動ＩＣ３，ボンディングワイヤ４，５，成形樹脂６，セラミックス絶縁層７を備える。
このリードフレーム１の上には，回路素子の一具体例であるパワー半導体２，回路素子の一具体例である駆動ＩＣ３が実装され，ボンディングワイヤ４，５により相互に接続されている。これらリードフレーム１，パワー半導体２，駆動ＩＣ３，ボンディングワイヤ４，５を覆うように一方の側（図１では上側）で成形樹脂６が形成され，さらに他方の側（図１では下側）に成形樹脂６およびリードフレーム１を覆うようにセラミックス絶縁層７が形成される。」
　１ｅ）「【００４４】
続いて，半導体モジュール１００の製造方法について図を参照しつつ説明する。図２は，本実施形態の半導体モジュール１００の製造方法の説明図である。
（１）０．３〜１．０ｍｍ程度の銅板を，プレス加工により打ち抜いて，所定の回路パターンが形成されたリードフレーム１を製作する（図２（ａ））。
【００４５】
（２）リードフレーム１にパワー半導体２および駆動ＩＣ３をはんだ付けにより接合する
（図２（ｂ））。」
　１ｆ）「【００４７】
（３）ボンディングワイヤ４，５による接続を行う（図２（ｃ））。リードフレーム１の回路とパワー半導体２とを接続するボンディングワイヤ４は，線径が１２５〜５００μｍのＡｌワイヤを使用して超音波接合する。リードフレーム１の回路と駆動ＩＣ３とを接続するボンディングワイヤ５は，線径が１０μｍ程度のＡｕワイヤを使用して超音波接合する。
【００４８】
（４）図２（ｃ）に示した部品を，トランスファー成形機に取り付けられた金型にセットする（図示せず）。金型は１７０〜１８０℃程度に保温されており，予熱後にタブレット状の樹脂をプランジャーにて金型内に流し込む。
この樹脂は，マトリクス（主剤）としてエポキシ樹脂を用い，フィラー（添加物）として酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化ホウ素（ＢＮ）の中の１または２以上を選択的に組み合わせたセラミック粉末を添加したものであり，熱伝導率は２〜５Ｗ／ｍ・Ｋとなる。
【００４９】
（５）樹脂の注入を行うと数十秒で硬化するので，直ぐに金型から取り出し，恒温槽で後硬化を行って封止を完了し，成形樹脂６を形成する（図２（ｄ））。
なお，このようにして形成したセラミックス絶縁層形成前の半導体モジュールの底面は，リードフレーム１および成形樹脂６が下側に露出するが，同一平面となるように形成されている（理由は後述する）。従来技術ではリードフレーム１の下側にも成型樹脂を充填する必要があり，未充填部が発生するおそれがあったが，本実施形態ではリードフレーム１の下側に成形樹脂を充填させないため従来技術のような未充填部が発生する事態をなくし，また，充填性を考慮する必要もなくしている。
【００５０】
（６）恒温槽から取り出したセラミックス絶縁層形成前の半導体モジュールの底面へマスク８をあてて，プラズマ溶射法にセラミックス絶縁層７を形成する（図２（ｅ））。プラズマ溶射法は，加熱によりセラミックス粉末を溶融もしくは軟化させて微粒子状の粒子セラミックスとして加速し，セラミックス絶縁層形成前の半導体モジュールの底面に衝突させて，微粒子を凝固・堆積させて積層し，セラミックス絶縁層７を形成するというものである。」
　１ｇ）「【００５２】
（７）セラミックス絶縁層７が形成された後にマスク８を外して半導体モジュール１００を完成させる（図２（ｆ））
このように（１）〜（７）の工程を経て，半導体モジュール１００が製造されることとなる。」
　１ｈ）図１及び図２を参照すると，リードフレーム１は，回路素子２，３が搭載される回路と，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続される回路とを有し，後者の回路は，その一部が成形樹脂６から外部に引き出されていることが看取できる。
　
　上記記載事項１ａ，１ｄ〜１ｈ及び図１〜２によれば，引用例１には，次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　「パワー半導体等の複数の回路素子２，３を搭載し，樹脂によって封止される半導体モジュールの製造方法であって，厚さ０．３〜１．０ｍｍの銅板をプレス加工により打ち抜いて所定の回路パターンが形成されたリードフレーム１を製作し，該リードフレーム１に回路素子２，３をはんだ付けにより接合するとともに，リードフレーム１の所定の回路と回路素子２，３とをボンディングワイヤ４，５により接続し，その後，回路素子２，３及びリードフレーム１を覆う成形樹脂６を一方の面に形成し，リードフレーム１及び成形樹脂６が露出する他方の面に，微粒子セラミックスをプラズマ溶射法により積層してセラミックス絶縁層７を形成するもので，リードフレーム１は，回路素子２，３が搭載される回路と，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続される回路とを有し，後者の回路は，その一部が成形樹脂６から外部に引き出されたものである半導体モジュールの製造方法。」
　
（２）前置報告書において提示され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−１７４５４７号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　２ａ）「リードフレームのアイランドに半導体チップを固着し樹脂封止後，前記封止樹脂体から外部に引出された前記リードフレームの外部リードが平面半田付け用に整形された表面実装型半導体装置において，前記リードフレームのアイランドが外部リードより厚く形成されていることを特徴とする表面実装型電力用半導体装置。」（特許請求の範囲）
　２ｂ）「従来の表面実装型樹脂封止半導体装置は，均一な厚さをもつ金属素材をプレスやエッチングでパターニングして，チップを固着するアイランド部および外部リード部を有するリードフレームを形成し，このリードフレームのアイランドに半導体チップを固着した後，Ａｕ等の細線にて半導体チップ電極とリードフレームの外部リードボンディング部との間を接続した後，トランスファータイプの金型にリードフレームを配置し，熱硬化性樹脂にて外囲器となる樹脂部を形成している。」（第１頁左下欄末行〜右下欄第９行）
　２ｃ）「この従来の表面実装型樹脂封止半導体装置では，外部リードを曲げ加工するため，リードフレームの素材の板厚は０．１〜０．４ｍｍ程度の薄くなっている。この半導体装置の実使用時に，半導体チップから発生する熱が，アイランド部と封止樹脂部で吸収，放熱されるが，厚さ０．１〜０．４ｍｍ程度のアイランドでは放熱特性が不十分で電力用の半導体装置には使用できないという問題があった。」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第３行）
　２ｄ）「本発明の表面実装型樹脂封止半導体装置は，異形条と呼ばれる各部の板厚が同じでないリードフレーム素材を使用することにより，アイランド部を厚く，外部リード部を薄く形成している。通常の異形条の圧延加工によれば，各部の板厚は自由に選定可能であるが，本発明に於いては，アイランド部を０．５〜１．５ｍｍ程度，外部リード部を０．１〜０．４ｍｍ程度にしている。」（第２頁左上欄第５〜１４行）
　２ｅ）「以上説明した様に本発明は，アイランド部の板厚を厚くしているため，熱容量が大きくなり，半導体チップで発生した熱の吸収が良くなり，温度上昇が低減できるという効果を有する。更に本発明では，半導体チップが固着されているアイランドの裏面が，封止樹脂体の表面に露出しているため，この露出部に放熱器となる金属製のフィンを圧着したり，熱伝導性の良い絶縁シートを介して機器の架台に取付けることで，所望の電力を半導体装置に印加することが可能となる。」（第２頁左下欄第７〜１６行）
　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「パワー半導体等の複数の回路素子２，３」，「セラミックス絶縁層７」，「半導体モジュール」は，それぞれ本願補正発明の「半導体素子」，「セラミックス層による絶縁層」，「半導体装置」に相当する。
　引用発明のリードフレーム１が有する回路のうち，回路素子２，３が搭載されるものは，本願補正発明の「金属ブロック」に相当し，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続されるものは，本願補正発明の「リード端子」に相当する。
　引用発明は，回路素子２，３及びリードフレーム１を覆う成形樹脂６を一方の面に形成する時，回路素子２，３が搭載される回路を含めたリードフレーム１が他方の面に露出し，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続される回路は，その一部が成形樹脂６から外部に引き出されるものであるから，本願補正発明における「金属ブロックの下面を外部に露出し」「リード端子を外部に引き出した状態で封止して樹脂パッケージを形成する」との要件を備える。
　引用発明は，厚さ０．３〜１．０ｍｍの銅板をプレス加工により打ち抜いて所定の回路パターンが形成されたリードフレーム１を製作するものであるから，リードフレーム１の厚さは均一であって，回路素子２，３が搭載される回路も，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続される回路も，その厚さは０．３〜１．０ｍｍの範囲であるといえる。
　したがって，本願補正発明と引用発明は，本願発明の表記にしたがえば，
　「上面と下面を有する金属ブロックの上面に半導体素子を接合する接合工程と，前記金属ブロックの下面を外部に露出し，厚さが０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のリード端子を外部に引き出した状態で封止して樹脂パッケージを形成する封止工程と，プラズマ溶射法により，多数のセラミックス微粒子を接合させたセラミックス層による絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを備える半導体装置の製造方法。」
の点で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明の金属ブロックは，上面から下面までの厚さが１．０ｍｍより大きく４．０ｍｍ以下であるのに対して，引用発明における，回路素子２，３に接続されるリードフレーム１の回路は，厚さが０．３〜１．０ｍｍの範囲内の値である点。
［相違点２］
　本願補正発明では，リード端子が金属ブロックに接続されるのに対して，引用発明では，ボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続されるリードフレーム１の回路は，回路素子２，３が搭載されるリードフレーム１の回路に接続されるとはいえない点。
　
　相違点１について検討する。
　引用例２には，リードフレームのアイランドを外部リードより厚く形成することにより放熱特性を向上させた樹脂封止半導体装置であって，アイランド部の厚さを０．５〜１．５ｍｍ程度にすることが記載されている。このアイランド部は，本願補正発明の金属ブロックに相当する。相違点１に係る本願補正発明の構成は，引用例２を参酌することにより，当業者が容易に想到し得たことである。
　相違点２について検討する。
　引用例１の図５は，同文献中で従来例として示されたものであるが（記載事項１ｂ参照），同図を参照すると，パワー半導体や駆動ＩＣが搭載されるリードフレームが成形樹脂の外側まで延長され引き出されている。また，引用例１の図６は，同文献中で別の従来例として示されたものであるが（記載事項１ｂ参照），同図を参照すると，パワー半導体や駆動ＩＣが搭載されるリードフレームの回路は，成形樹脂の外側に引き出されたリードフレームの回路にボンディングワイヤを介して接続されている。一方，引用発明を認定する際に参照した図１及び図２を見る限り，パワー半導体等の回路素子２，３が搭載されるリードフレーム１の回路は，成形樹脂６の外側まで延長されていないし，成型樹脂６の外側に引き出されたリードフレーム１の回路に接続もされていない。しかし，図１及び図２には，多数存在するリードフレームの回路の一部のみが現れているに過ぎず，図５や図６に示される形態のリードフレームも存在し得ることが容易に想像されるし，少なくとも，相違点２に係る本願補正発明の構成は，引用例１の図５や図６を参照することにより，当業者が容易に想到し得たというべきである。引用例１において従来技術を示す文献として開示された特開平９−１３９４６１号公報（記載事項１ｂ及び１ｃ参照）にも，ＩＧＢＴ素子４ａや集積回路素子５ａがハンダ付けされるリードフレーム３が絶縁樹脂７の外側まで延長されて外部端子１７を構成することが記載されており，このような技術は，本件の出願前に周知であったといえる。
　以上のことから，本願補正発明は，引用発明，引用例１に記載された事項及び引用例２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．小括
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１３に係る発明は，平成２３年４月４日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１３に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下「本願発明」という。「第３」の「１．本件補正の概要」参照。）。
　
第５．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は，前記「第３」の「２．引用刊行物（１）」に記載したとおりである。
　
第６．対比・判断
　本願発明は，金属ブロックの厚さがちょうど１．０ｍｍであり，かつ，リード端子の厚さもちょうど１．０ｍｍであるものを含む。
　一方，引用発明は，厚さ０．３〜１．０ｍｍの銅板をプレス加工により打ち抜いてリードフレーム１を製作するものであるが，ちょうど１．０ｍｍの銅板を用いた場合は，回路素子２，３が搭載される回路及びボンディングワイヤ４，５により回路素子２，３に接続される回路は，いずれも厚さが１．０ｍｍであるといえる。
　してみると，本願発明と引用発明との相違点は，前記「第３」の「３．対比・判断」に記載した相違点１及び相違点２のうち，相違点２のみである。
　したがって，本願発明は，引用発明及び引用例１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．平成２４年２月２０日付け回答書について
　請求人は，前置報告書の内容を通知する審尋に対し，平成２４年２月２０日付け回答書において，「引用文献１，２の何れにも，『半導体チップが発する熱を金属ブロック内でヒートシンクに向かって縦方向に伝導させるとともに，横方向へも拡散させること』については開示がありません。」と主張するが，金属ブロック（引用発明では，回路素子２，３が搭載されるリードフレーム１の回路）がその厚み方向の一方の面において半導体素子から熱を受け取ると，その受け取った箇所からの距離に応じて金属ブロック内を熱が移動することは明らかで，金属ブロックが厚いほど，金属ブロックの厚みと直交する方向にも熱が拡がって厚み方向の他方の面に到達することも明らかである。本願補正発明の金属ブロックの作用・効果は，アイランド部の厚さが１．０ｍｍより大きい範囲のものを選択した場合の引用例２に記載されたリードフレームを適用したときに，当然に奏する作用・効果に過ぎない。
　請求人は，また，上記回答書において，「半導体素子の面積より大きな面積の金属ブロック」とすることについて，補正の機会を与えて欲しい旨の主張もしているが，そのような構成は引用例１にも記載されている。補正の機会を与えるべき特別な事情は見いだせない。
　
第８．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。