Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
新規の赤血球産生刺激タンパク質（NESP）とメチオニンとを含み、改善された安定性を示し、及びヒト血清アルブミンを含まない、医薬組成物。
【請求項２】
前記メチオニンが約0.5mM〜50mMの濃度で存在する、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
前記NESPが、配列番号2に示されるアミノ酸配列を有する、請求項1又は2に記載の組成物。
【請求項４】
約5〜約7のpH範囲を提供するpH緩衝剤をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項５】
約0.001％〜0.1％（w/v）の濃度で存在する、安定化する量のソルビタンモノ-9-オクタデセノエートポリ（オキシ-1,2-エタンジイル）誘導体をさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項６】
新規の赤血球産生刺激タンパク質（NESP）、保存剤及びメチオニンを含み、改善された安定性を示し、及びヒト血清アルブミンを含まない、頻回投与医薬組成物。
【請求項７】
前記メチオニンが約0.5mM〜50mMの濃度で存在する、請求項6に記載の組成物。
【請求項８】
前記NESPが配列番号2に示されるアミノ酸配列を有する、請求項6又は7に記載の組成物。
【請求項９】
前記保存剤が、約0％から2％（w/v）の濃度で存在するベンジルアルコールである、請求項6に記載の組成物。
【請求項１０】
約5〜約7のpH範囲を提供するpH緩衝剤をさらに含む、請求項6〜9のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１１】
約0.001％〜0.1％（w/v）の濃度で存在する、安定化する量のソルビタンモノ-9-オクタデセノエートポリ（オキシ-1,2-エタンジイル）誘導体をさらに含む、請求項6〜10のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１２】
新規の赤血球産生刺激タンパク質（NESP）を含む医薬組成物を安定化する方法であって、前記NESPの酸化を抑制するのに十分な量のメチオニンを該組成物に加えることを含み、該組成物がヒト血清アルブミンを含まない、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子状の炭素性材料と、
ヘテロ原子を含む導電性ポリマーと、
金属と、
を含む組成物であって、該導電性ポリマーは、該炭素性材料にグラフトされている、組成物。
【請求項２】
前記炭素性材料は、カーボンブラックを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記炭素性材料は、グラファイト、ナノカーボン、フラーレン、フラーレン材料、微細粉砕カーボンまたはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記炭素性材料は、前記組成物の約９８％未満である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記炭素性材料は、前記組成物の約５０％〜約８０％である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリピロール、またはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記導電性ポリマーは、ポリフラン、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、またはその混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記へテロ原子は、Ｎ、ＯまたはＳである、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記へテロ原子は、ＸＰＳデータによれば前記組成物の約０．２〜１５％である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記導電性ポリマーは、前記組成物の約０％より多く、かつ、約１００％より少ない、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記導電性ポリマーは、前記組成物の約２％から約５０％で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記導電性ポリマーは、前記組成物の約２０％から約５０％で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記ポリマーは、炭素性材料の存在下で前記導電性ポリマーのモノマーを酸化的に重合させることによって、同時に形成およびグラフト化される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記金属は白金を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記組成物の約２％〜約８０％は金属である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１６】
前記組成物の約２％〜約６０％は金属である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物の約２０％〜約４０％は金属である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
前記金属は、前記組成物の表面に均一に分配される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
導電性を増強した炭素組成物を調製するための方法であって、粒子状の炭素材料と一緒にしてヘテロ原子を含む導電性ポリマーのモノマーを酸化的に重合して、導電性ポリマーグラフト化炭素性材料を形成する工程、および、次いで該導電性ポリマーグラフト化炭素性材料を金属化する工程を包含する、方法。
【請求項２０】
前記炭素性材料は、グラファイト、ナノカーボン、フラーレン、フラーレン材料、微細粉砕カーボンまたはそれらの混合物を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記炭素性材料は、カーボンブラックを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記導電性ポリマーのモノマーは、アミノアリールまたは窒素複素環を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記酸化的重合は、酸化剤の存在下で行われる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記酸化的重合は、酸化剤を、前記炭素性材料と前記導電性ポリマーのモノマーとの混合物に加える工程を包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記炭素性材料と前記導電性ポリマーの前記モノマーとの混合物は、酸溶媒をさらに含み、それによって該混合物がわずかに酸性の環境である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記わずかに酸性の環境は、７未満のｐＨである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記わずかに酸性の環境は、約３〜約４のｐＨである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記酸化剤が過硫酸アンモニウム、塩化鉄、塩化アルミニウム、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム、塩素酸カリウム、またはそれらの酸化剤の組み合わせを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフラン、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、またはその混合物を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
前記金属化は、金属含有材料を前記導電性ポリマーグラフト化炭素性材料に加えることを包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
前記金属化は、還元剤を加えることをさらに包含する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記還元剤は、ホルムアルデヒド、ホウ素水素ナトリウム、水素、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、またはそれらの還元剤の混合物を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記金属含有材料は、塩化白金酸、硝酸白金、白金ハライド、白金シアニド、白金スルフィド、有機白金塩、またはこれらの混合物を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記金属化は白金化を包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３５】
請求項１９に記載の方法で作製された組成物。
【請求項３６】
粒子状の炭素性材料と、ヘテロ原子を含む導電性ポリマーとを含有する組成物を含む燃料電池、バッテリー、またはキャパシタのデバイスであって、該導電性ポリマーは、該炭素性材料にグラフトされており、該組成物は、燃料電池、バッテリーまたはキャパシタのデバイス中に存在する、デバイス。
【請求項３７】
前記組成物が、さらに金属を含む、請求項３６に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記金属が白金を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記金属が前記デバイスの２−８０％を占める、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４０】
さらに、電解質膜を含む、請求項３６に記載のデバイス。
【請求項４１】
前記電解質膜がＮａｆｉｏｎ（登録商標）である、請求項４０に記載のデバイス。
【請求項４２】
前記デバイスが、燃料電池である、請求項３６に記載のデバイス。
【請求項４３】
アノード、カソードおよびプロトン交換膜を備える燃料電池であって、該アノードおよび／またはカソードは、
ａ．粒子状の炭素性材料と、
ｂ．ヘテロ原子を含む導電性ポリマー
とを含有する組成物を含み、該導電性ポリマーは、該炭素性材料にグラフトされている、燃料電池。
【請求項４４】
前記組成物が、金属をさらに含有する、請求項４３に記載の燃料電池。
【請求項４５】
前記金属が、白金を含む、請求項４４に記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン化粒子状炭素性材料を含む、燃料電池またはバッテリーデバイス。
【請求項２】
前記炭素性材料は、カーボンブラックを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記炭素性材料は、グラファイト、ナノカーボン、フラーレン、フラーレン材料、微細粉砕カーボンまたはそれらの混合物を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、前記スルホン化炭素性材料が、表面に結合した複数の一般式−ＳＯ３Ｍのスルホネート置換基を含み、ここで、Ｍは水素またはカチオン種であり、該表面結合ＳＯ３Ｍ部分に存在するイオウの表面原子濃度は、ＸＰＳによって測定され、該表面原子濃度は、該炭素性材料の全表面原子濃度に対して約０．２５％以上である、デバイス。
【請求項５】
前記イオウの表面原子濃度が、約０．２５％〜約５．０％の範囲である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記イオウの表面原子濃度が、約０．３５％〜約５．０％の範囲である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
Ｍがナトリウム、カリウム、リチウムまたはアンモニウムのカチオン種である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
前記炭素性材料が、組成物の約９８％未満である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記炭素性材料が、組成物の約５０％〜約８０％である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
導電性ポリマーをさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記導電性ポリマーがヘテロ原子を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフラン、ポリチオフェンまたはそれらの混合物を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフラン、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）、ポリ（ｐ−フェニレンスルフィド）、それらの置換導電性ポリマーまたはそれらの混合物を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記へテロ原子は、Ｎ、ＯまたはＳである、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記へテロ原子は、ＸＰＳデータによれば組成物の約０．２〜約１５％である、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記導電性ポリマーは、組成物の約０％より多く、かつ、約１００％より少ない、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記導電性ポリマーは、組成物の約２％から約５０％である、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記導電性ポリマーは、組成物の約２０％から約５０％である、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ポリマーは、前記粒子状スルホン化炭素性材料にグラフト化されている、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記ポリマーが、前記スルホン化炭素性材料を被覆する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項２１】
金属をさらに含む、請求項１または１０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記金属が白金を含む、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
組成物の約２％〜約８０％が前記金属である、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
組成物の約２％〜約６０％が前記金属である、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２５】
組成物の約２０％〜約４０％が前記金属である、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記金属が、前記材料の表面上に均一に分布している、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２７】
電解質膜をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記電解質膜がＮａｆｉｏｎ（登録商標）である、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項２９】
アノード、カソードおよびプロトン交換膜を備える燃料電池であって、該アノードおよび／またはカソードは、スルホン化粒子状炭素性材料を含む組成物を含む、燃料電池。
【請求項３０】
前記組成物が、導電性ポリマーをさらに含む、請求項２９に記載の燃料電池。
【請求項３１】
前記組成物が、金属をさらに含む、請求項３０に記載の燃料電池。
【請求項３２】
前記金属が白金を含む、請求項３１に記載の燃料電池。
【請求項３３】
組成物を含むキャパシタデバイスであって、
スルホン化粒子状炭素性材料、および
導電性ポリマー
を含む、デバイス。
【請求項３４】
組成物であって、
スルホン化粒子状炭素性材料、および
導電性ポリマー
を含む、組成物。
【請求項３５】
金属をさらに含む、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３６】
前記金属が白金を含む、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３７】
前記炭素性材料は、カーボンブラックを含む、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３８】
前記炭素性材料は、グラファイト、ナノカーボン、フラーレン、フラーレン材料、微細粉砕カーボンまたはそれらの混合物を含む、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３９】
電気伝導性およびプロトン伝導性が増大した粒子状炭素性材料組成物を調製する方法であって、粒子状炭素性材料をスルホン化する工程、次いで導電性ポリマーをスルホン化粒子状炭素性材料上にコーティングするか、導電性ポリマーをスルホン化粒子状炭素性材料と混合するか、または導電性ポリマーをスルホン化粒子状炭素性材料にグラフト化する工程を包含する、方法。
【請求項４０】
前記炭素性材料は、グラファイト、ナノカーボン、フラーレン、フラーレン材料、微細粉砕カーボンまたはそれらの混合物を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記炭素性材料は、カーボンブラックを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
請求項３９に記載の方法によって製造される生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声情報を無線で送信する方法であって、
音声情報を表すデジタルのビットストリームを生成するステップと、
前記デジタルのビットストリームを複数のデータフレームを有するように形式化するステップと、
それぞれのフレームに関するエラー訂正ビットを生成し、それぞれのフレームにエラー訂正ビットを埋め込むステップと、
データフレームをインターリーブするステップと、
前記ビットストリームをＥＦＭコード化し、ＥＦＭ信号を生成するステップと、
前記ＥＦＭ信号を調整し、正弦波変調トーンを有する調整された信号を生成するステップと、
前記調整されたＥＦＭ信号を用いてキャリア信号を変調するステップと
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
非音声デジタルデータを受信するステップと、
前記非音声デジタルデータをデータフレームのサブコードブロックに埋め込むステップとを更に有し、
前記エラー訂正ビットが受信ユニットによってエラー検出のために用いられる方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記埋め込むステップが、前記非音声デジタルデータを所定の数のデータフレームに埋め込むことを有する方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記受信するステップが、複数の受信ユニットのうちの特定の１つに関連付けられた宛先ＩＤを含む非音声デジタルデータを受信することを有する方法。
【請求項５】
無線チャネルを介して送信される音声情報を受信し、処理する方法であって、
無線チャネルを介して音声信号を受信するステップと、
前記受信された音声信号を復調し、周波数制限されたＥＦＭ信号を回復するステップと、
前記ＥＦＭ信号をデコードし、複数のデータフレームを有するデータのビットストリームを生成するステップと、
前記データフレームのデータを逆インターリーブし、複数の逆インターリーブされたデータフレームを生成するステップと、
それぞれのデータフレームに含まれるエラー訂正コードに応じてエラー訂正を実行するステップと、
前記逆インターリーブされたデータフレームをＡ／Ｄ変換し、実質的に送信障害のないアナログ出力信号を生成するステップと
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月9日(2006.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
複数の集積回路端子と、
それぞれが無修正の状態マシンを有する複数の再使用可能なモジュールと、   
前記各無修正の状態マシンおよび前記複数の集積回路端子に結合され、前記集積回路端子の第１の部分を前記無修正の状態マシンの少なくとも１つに結合する第１の構成を有し、前記集積回路端子の第２の部分を前記無修正の状態マシンの少なくとも１つに結合する第２の構成を、スイッチ制御信号に基づいて選択的に受け取るように結合された制御ロジックと、
を有する集積回路。
【請求項２】
集積回路であって、
複数の集積回路端子と、
第１の無修正の状態マシンを有する第１の再使用可能なモジュールと、
第２の無修正の状態マシンを有する第２の再使用可能なモジュールと、
前記第１および第２の無修正の状態マシンおよび前記複数の集積回路端子に結合されたスイッチ回路と、
構成情報を前記スイッチ回路に与えるように結合されたスイッチ更新レジスタと、前記スイッチ回路は、前記構成情報に基づいて、前記複数の集積回路端子の少なくとも一部を前記第１および第２の無修正の状態マシンの少なくとも一方に結合させることと、
を有する集積回路。
【請求項３】
複数の集積回路端子を有する集積回路において、集積回路を構成する方法であって、
第１の複数の入力部を有する第１の再使用可能なモジュールの無修正の状態マシンを提供すること、
第２の複数の入力部を有する第２の再使用可能なモジュールの無修正の状態マシンを提供することであって、前記第１の複数の入力部と前記第２の複数の入力部は、複数の無修正の状態マシン入力をと共に構成することと、
前記複数の集積回路端子の第１の部分を、前記複数の無修正の状態マシン入力の第１の部分に結合する第１の構成を提供すること、
前記第１および第２の再使用可能なモジュールの無修正の状態マシンを修正することな
く前記第１の構成を置き換えるとともに、第２の複数の集積回路端子を複数の無修正の状態マシン入力の第２の部分に結合する第２の構成を提供すること、
から成る方法。
【請求項４】
複数の集積回路端子を有する集積回路において、集積回路を構成する方法が、
第１の複数の入力を有する第１の再使用可能なモジュールを提供すること、
第２の複数の入力を有する第２の再使用可能なモジュールを提供することであって、前記前記第１の複数の入力と前記第２の複数の入力は共に複数の再使用可能なモジュールを構成することと、
前記複数の集積回路端子の第１の部分を前記複数の再使用可能なモジュール入力の第１の部分に結合する第１の構成を提供すること、
符号を判定すること、
前記符号を事前設定の符号と比較すること、
比較結果に応答して、前記第１の構成を置き換えるとともに、第２の複数の集積回路端子を複数の再使用可能なモジュール入力の第２の部分に結合する第２の構成を選択的に提供すること、
から成る方法。
【請求項５】
集積回路であって、
集積回路の少なくとも一部の構成を制御信号に基づいて選択的に更新するように結合された構成用回路と、
前記構成用回路に結合された制御回路と、
を有し、前記制御回路が、
事前設定の符号レジスタと、
符号を受け取るように結合された符号収集レジスタと、
前記事前設定の符号レジスタおよび前記符号収集レジスタに結合され、前記制御信号の基になる比較結果を与える出力部を有する比較器と、
を有する集積回路。
【請求項６】
集積回路であって、
集積回路の少なくとも一部の構成を制御信号に基づいて選択的に更新するように結合された構成用回路と、
入力データを受け取る入力部と、修正データを前記入力データに基づいて与える出力部とを有する制御回路と、を有し、前記制御回路が、
拡張部分を受け取るために複数の集積回路端子の少なくとも１つに結合された命令拡張レジスタと、
前記複数の集積回路端子の少なくとも１つおよび前記命令拡張レジスタに結合され、受け取ったデータ入力および制御信号の基になる拡張部分を、修正された入力データとして選択的に提供する選択回路と、
を有する集積回路。
【請求項７】
符号を生成する方法であって、
状態マシンを提供すること、
前記状態マシンをトラバースし、前記状態マシンがトラバースしている間に状態マシン情報を収集して符号を生成すること、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月6日(2006.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５２】
請求項５１記載の方法において、
前記結合は容量によって増大されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
図１は、従来のフラッシュメモリセル１００の断面図を示す。メモリセル１００は、基体１０２、ソース１０４、制御ゲート１０８、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の絶縁膜１００によって電気的に絶縁されたフローティングゲート１０６、及びドレイン１１２を有する。従って、メモリセル１００は、基本的に、フローティングゲートが付加されたｎチャネルトランジスタである。フローティングゲート１０６に対する電気的アクセスは、フローティングゲート１０６を囲むＳｉＯ2膜と、ソース１０４、ドレイン１１２、チャネル１０５及び制御ゲート１０８との間に接続されたキャパシタを通じて行われる。フローティングゲート１０６に与えられた電荷は、Ｓｉ−ＳｉＯ2における固有のエネルギー障壁によって保持され、これがメモリセルの不揮発性の性質をもたらしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開放構造基材（１００）上に多孔質コーティング（１３０）を焼結させる方法であって、
第１の面（１０２）及び第２の面（１０４）を有し、所望の寸法の開口（１０６）を有する前記開放構造基材を選択するステップと、
コーティング材料（１２２）をバインダ（１２４）と混合して、前記開放構造基材の前記開口から滴ることがないほど十分に高い粘性を有するペーストを形成するステップと、
前記開放構造基材の前記第１の面に前記ペーストを適用して、所望の厚さのペースト層（１２０）を形成するステップと、
前記ペースト層を、ある一定時間、焼結温度で加熱して、前記開放構造基材上に多孔質コーティングを形成するステップと、
を包含する方法。
【請求項２】
前記開放構造基材が、金属、炭素、金属−セラミック混合物、ガラス、セラミック、及びプラスチックフィルムから成る群から選択され、前記コーティング材料が、金属粉末、炭素、シリコン、及びセラミックから成る群から選択され、前記バインダが、グリコール及びワックスから成る群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多孔質コーティング上に触媒作用を示すコーティング（１４０）を付着させるステップをさらに包含する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒作用を示すコーティング材料が、Ｐｔ、Ｐｔ−Ｒｕ、及びＰｔ−Ｒｕ−Ｏｓから成る群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記触媒作用を示すコーティングを、電気めっき法、無電界めっき法、又は原子層蒸着法によって付着させる請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記コーティング材料が、被覆層により被覆されたコア粒子からなり、
前記コア粒子と前記被覆層とがそれぞれ溶融温度を有し、
前記被覆層の前記溶融温度が前記コア粒子の前記溶融温度よりも低く、且つ
前記焼結温度が、前記被覆層の前記溶融温度よりも高いが前記コア粒子の前記溶融温度よりも低い請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ペーストが、ゾルゲルの形態で調製される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法によって製造される多孔質コーティングを有する開放構造基材。
【請求項９】
開放構造基材（１００）上に多孔質コーティング（１３０）を焼結させる方法であって、  
第１の面（１０２）と第２の面（１０４）を有し、所望の寸法の開口（１０６）を有する開放構造基材を選択するステップと、
コーティング材料（１２２）をバインダ（１２４）と混合して、前記開放構造基材の前記開口から滴ることがないほど十分に高い粘性を有するペーストを形成するステップと、
前記開放構造基材の前記第１の面に前記ペーストを適用して、所望の厚さのペースト層（１２０）を形成するステップと、
前記ペースト層を、焼結温度で、ある一定時間加熱して、前記基材上に多孔質コーティングを形成するステップと、
前記多孔質コーティング上に触媒作用を示すコーティング（１４０）を付着させるステップと、
を包含し、前記基材が、金属、炭素、金属−セラミック混合物、ガラス、セラミック、及びプラスチックフィルムから成る群から選択され、前記コーティング材料が、金属粉末、炭素、シリコン、及びセラミックから成る群から選択され、前記バインダが、グリコール及びワックスから成る群から選択され、前記触媒作用を示すコーティング材料が、Ｐｔ、Ｐｔ−Ｒｕ、及びＰｔ−Ｒｕ−Ｏｓから成る群から選択される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ及び関連の基板物品を搬送するウェーハエンジンであって、ｘ軸に沿う直線運動をもたらす直線駆動装置と、前記直線駆動装置に取り付けられた状態でこれから延びていて、シータ軸回りに回転する回転駆動装置と、前記回転駆動装置に取り付けられた状態でこれから延びていて、前記シータ軸からずれると共にこれに実質的に平行なｚ軸に沿う直線運動をもたらすｚ軸直線駆動装置と、前記ｚ軸直線駆動装置に着脱自在に取り付けられた状態でこれから延びていて、半径方向軸に沿う直線運動を行う少なくとも１つのエンドエフェクタを有する半径方向駆動装置とを有し、前記シータ軸は、前記シータ軸と前記半径方向駆動装置の中心が互いにずれるように前記半径方向駆動装置を通って延びていることを特徴とするウェーハエンジン。
【請求項２】
前記ｚ軸直線駆動装置は、前記回転駆動装置が前記シータ軸回りに回転すると、ウェーハと実質的に同一の隙間直径にわたり回転することを特徴とする請求項１記載のウェーハエンジン。
【請求項３】
前記回転駆動装置は、（ｉ）ＩＤリーダ、（ｉｉ）計測ツール、（ｉｉｉ）アライナ、（ｉｖ）ノッチ検出器、（ｖ）エッジ検出器、及び（ｖｉ）ウェーハマーキングツールから成る群から選択された少なくとも１つのコンポーネントを有していることを特徴とする請求項１記載のウェーハエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動回路構成部および外周を有する基板と、
前記基板上の複数の相互接続層と、
前記複数の相互接続層上に位置し、銅からなる最終層パッドと複数の相互接続ラインとを有する相互接続最終層と、
前記相互接続最終層上に位置し、前記最終層パッド上に開口部を有するパッシベーション層と、
アルミニウムからなり、前記最終層パッド上に位置するとともに同最終層パッドに電気的に接続するボンドパッドであって、該ボンドパッドは第１領域および第２領域を有し、前記第１領域は第２領域と前記外周との間に位置し、第１領域および第２領域は実質的に重なり合うことなく隣接しており、第１領域はプローブ領域およびワイヤボンド領域の一方として機能し、第２領域はプローブ領域およびワイヤボンド領域のうち第１領域がそれとして機能しないもう一方として機能し、前記ボンドパッドは、能動回路構成部上と、前記ボンドパッドと関係していない相互接続ラインの最終層の相互接続ライン上とに直接配置される、ボンドパッドとを備える集積回路。
【請求項２】
能動回路構成部を有する基板と、
前記基板上の第１の複数の相互接続層と、
前記第１の複数の相互接続層上に位置する銅からなる最終層パッドと、
前記最終層パッドに対応する複数の開口部を有するパッシベーション層と、
前記開口部を通って前記最終層パッドに結合されたアルミニウムからなる複数のボンドパッドであって、前記開口部上に第１の部分を有し、前記パッシベーション層上に第２の部分を有し、前記第２の部分が前記第１の部分より面積が大きいボンドパッドとを備え、前記複数のボンドパッドは、前記能動回路構成部と、前記ボンドパッドと関係していない相互接続ラインの最終層の相互接続ラインとの上に直接延在し、前記第２部分は前記第1部分よりも有意に大きく、第１部分はワイヤボンディング用の領域であり、第２部分はプローブ用の領域である、集積回路。
【請求項３】
能動回路構成部を有する基板と、
前記基板上の複数の相互接続層と、
前記複数の相互接続層上に位置する相互接続最終層であって、前記基板の外周の周りに
位置する複数の最終層パッドと複数の相互接続ラインとを有する相互接続最終層と、
前記相互接続最終層上に位置し、複数の開口部を有するパッシベーション層であって、複数の開口部の各々は前記複数の最終層パッドのうちの一つの最終層パッドに対応し、かつ複数の開口部の各々はそれが対応する最終層パッド上に位置する、パッシベーション層と、
複数のボンドパッドであって、該複数のボンドパッドの各ボンドパッドは前記複数の開口部のうちの一つの開口部に対応し、各ボンドパッドはそれが対応する開口の上に位置し、各ボンドパッドは、第１領域および第２領域を有し、各ボンドパッドの第１領域は各ボンドパッドの第２領域よりも前記基板の外周に近接しており、隣接するボンドパッドの各第１領域はプローブ領域とワイヤボンド領域とを交互になしている、複数のボンドパッドとを備える集積回路。
【請求項４】
能動回路構成部を有する基板を提供する工程と、
前記基板上に複数の相互接続層を形成する工程と、
前記複数の相互接続層上に、前記基板の外周の周囲に複数の最終層パッドを有し、かつ複数の相互接続ラインを有する最終相互接続層を形成する工程と、
前記最終相互接続層上に、複数の開口部を有するパッシベーション層を形成する工程であって、前記複数の開口部のそれぞれが前記複数の最終層パッドの最終層パッドに対応し、前記複数の開口部のそれぞれが、それが対応する最終層パッド上にある工程と、
前記開口部を通って前記最終層パッドに結合する複数のボンドパッドを形成する工程とを備え、前記複数のボンドパッドの各ボンドパッドが、
前記複数の開口部の１個の開口部に対応し、
それが対応する開口部上の第１の部分およびパッシベーション層上の第２の部分を有し、前記第２の部分の方が第１の部分より面積が大きく、
さらに各ボンドパッドは、実質的に重なり合わない第１の領域および第２の領域を有し、各ボンドパッドの前記第１の領域の方が各ボンドパッドの前記第２の領域より前記基板の外周に近く、隣接するボンドパッドの第１の領域がプローブ領域とワイヤボンド領域との間で交互配置されている集積回路の形成方法。
【請求項５】
能動回路構成部および外周を有する基板と、
前記基板上に形成され、最終相互接続層を有する複数の相互接続層と、
前記最終相互接続層上に形成された複数のボンドパッドであって、前記複数のボンドパッドのそれぞれが第１の領域および第２の領域を有し、前記第１の領域がプローブ領域としてのみ使用され、前記第２の領域がワイヤボンド領域としてのみ使用され、前記複数の相互接続層および能動回路構成部が前記複数のボンドパッドの下にあるボンドパッドと、
前記最終相互接続層上に形成され、複数の開口部を有するパッシベーション層であって、前記複数の開口部のそれぞれが前記複数のボンドパッドの一つに対応しているパッシベーション層とを備える集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図６では、直接上書き（１０ＤＯＷサイクル分）の平均ジッターＪａｖｇは、Ｌ１記録膜については１１％前後であり、これはグラフ６１から６４により表されている。図１０に示されているように、９％未満のＬ１記録膜のＪａｖｇレベルを達成することも可能である。Ｌ０記録膜のジッターは、９％前後である。Ｌ１記録膜の平均ジッターの値は、Ｌ０記録膜の状態にわずかに影響される。ここで２つの実験を示す。第１の実験では、Ｌ１記録膜に最初に書込みがされ、その後、Ｌ０記録膜に書込みがされる。Ｌ１への書込みは、Ｌ０のパターンによらず常に同一であるので、これにより、読出しの影響が検証される。グラフ６１は、Ｌ０に書込みがされる前のジッター・データの直線フィッティングを表しており、グラフ６２は、Ｌ０に書込みがされた後のジッター・データの直線フィッティングを表している。第２の実験では、Ｌ０に最初に書込みがされ、その後、Ｌ１に書込みがされる。これにより、部分的に書込みをされたＬ０ディスクが書込みおよび読出しの両方に与える影響を、シミュレーションすることができる。グラフ６３は、Ｌ０に書込みがされる前のジッター・データの直線フィッティングを表しており、グラフ６４は、Ｌ０に書込みがされた後のジッター・データの直線フィッティングを表している。図１０でも、後者の方法（Ｌ０が先）が用いられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005527928.tif 000001
【図２】
2005527928.tif 000002
【図３】
2005527928.tif 000003
【図４ａ】
2005527928.tif 000004
【図４ｂ】
2005527928.tif 000005
【図４ｃ】
2005527928.tif 000006
【図５】
2005527928.tif 000007
【図６】
2005527928.tif 000008
【図７】
2005527928.tif 000009
【図８】
2005527928.tif 000010
【図９】
2005527928.tif 000011
【図１０】
2005527928.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月23日(2006.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターネットを含む広域コンピュータネットワーク上で１または複数の飲食サービス施設のためのメニュー注文を管理するための双方向システムであって：
顧客が前記注文を出すための少なくとも１つの無線装置；
前記飲食サービス施設から独立した少なくとも１つの中央サーバコンピュータであって、前記顧客から前記注文を受信し、前記注文を処理し、前記注文を前記飲食サービス施設の各々に転送する中央サーバコンピュータ；
前記注文を前記中央サーバコンピュータから前記飲食サービス施設に送信するための手段；
前記注文の状態及びそれの支払いの各々を追跡するための手段を備え、
前記メニュー注文が食品、飲料、及び他の関連する品目を含み、そして、
前記システムが現金不要支払い媒体を使用して前記顧客注文の支払いを受納する双方向システム。
【請求項２】
前記現金不要支払い媒体がクレジットカード、デビットカード、スマートカード、プリペイドカード、または前記顧客の無線装置ゲートウェイ、インターネット接続業者または第三機関の支払い業者の支払い機構を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記メニュー品目の予め決められたリストから前記メニュー品目を選択することにより、前記注文に前記メニュー注文を追加する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１または２の何れか１つに記載のシステム。
【請求項４】
前記携帯装置を使って前記メニュー品目に一致する品目コードを入力することにより、前記注文に当該メニュー注文を追加する手段を含むことを特徴とする、請求項１、２または３の何れか１つに記載のシステム。
【請求項５】
食事代金の支払いと注文を管理する、団体幹事を識別する手段；及び、
チップ及び心づけの支払いを計算する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１〜４の何れか１つに記載のシステム。
【請求項６】
前記無線装置を使って、顧客がメニュー品目を閲覧し、事前注文できるようにする手段；及び、
前記食品サービス施設において、顧客が自動的に空席状況を検索し、席を予約できる手段を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記顧客宛て、または該顧客が指定した他の宛先に送られる電子領収書を発行する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１〜６の何れか１つに記載のシステム。
【請求項８】
前記注文を仕分けし、前記注文に含まれる個人のメニュー品目を、前記個人のメニュー品目を処理するために最も処理しやすい前記施設の部門に送信する手段；及び、
前記部門によりまだ処理されていない前記個人のメニュー品目を、一括して処理するために、同じグループに分類する手段を含むことを特徴とする、請求項１〜７の何れか１つに記載のシステム。
【請求項９】
各テーブルで、相対する会席を調整する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１〜８の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１０】
前記追跡手段が食品、飲料、及び関連する品目の品質、前記注文を出した前記顧客、前記注文の準備及び調理時間、前記注文の注文時間、前記注文の配達の予定時間、前記注文の実際の配達時間、及び前記注文が出された前記飲食サービス施設を監視することを特徴とする、請求項１〜９の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１１】
前記無線装置がデータを前記飲食サービス施設によって提供されるコンピュータに送信するタッチスクリーン端末であり、前記飲食サービス施設の前記コンピュータが前記注文を前記中央サーバコンピュータに送信することを特徴とする、請求項１〜１０の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１２】
前記無線装置が、顧客が所持する携帯装置であることを特徴とする、請求項１〜１１の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１３】
飲食サービス施設において、顧客がメニュー注文に対する注文を出し、支払いをする双方向システムであって：
少なくとも１つの顧客が所持する無線携帯通信装置；
前記飲食サービス施設から独立した少なくとも１つの中央サーバコンピュータであって、前記顧客から前記注文を受信し、前記注文を処理し、前記注文を前記飲食サービス施設の各々に転送する中央サーバコンピュータ；
前記注文を前記携帯通信装置から前記少なくとも１つのサーバに送信し、前記中央サーバコンピュータが前記注文を前記飲食サービス施設の１または複数の部門に再送信するための手段；
前記注文の情報及び支払い状況を追跡するための手段を備え、
前記メニュー注文が食品、飲料、及び他の関連する品目を含み、
メニュー品目のコードを前記携帯通信装置に入力するか、または前記携帯通信装置に表示されたテキストまたは画像のリストから前記メニュー品目を選択することによって前記注文に前記メニュー品目を追加することにより、前記注文が前記携帯通信装置を介して発注され、
前記顧客の現金不要支払い媒体の情報を処理のために前記中央サーバコンピュータに転送することによって、前記顧客の前記携帯通信装置ゲートウェイ業者の、前記顧客のアカウントに請求することによって、または第三機関支払い業者を介して支払いを処理することによって前記注文が携帯通信装置を介して支払われる双方向システム。
【請求項１４】
前記現金不要支払い媒体がクレジットカード、デビットカード、スマートカード、またはプリペイドカードを含むことを特徴とする、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
食事代金の支払いと注文を管理する、団体幹事を識別する手段；及び、
チップ及び心づけの支払いを計算する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１３または１４の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１６】
前記携帯通信装置を使って、顧客がメニュー品目を閲覧し、事前注文できるようにする手段；及び、
前記食品サービス施設において、顧客が自動的に空席状況を検索し、席を予約できる手段を含むことを特徴とする、請求項１３、１４または１５の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１７】
前記顧客宛て、または該顧客が指定した他の宛先に送られる電子領収書を発行する手段を更に含むことを特徴とする、請求項１３〜１６の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１８】
前記注文を仕分けし、前記注文に含まれる個人のメニュー品目を、前記個人のメニュー品目を処理するために最も処理しやすい前記飲食サービス施設の部門に送信する手段；及び、
前記人員によりまだ処理されていない前記個人のメニュー品目を、一括して処理するために、同じグループに分類する手段を含むことを特徴とする、請求項１３〜１７の何れか１つに記載のシステム。
【請求項１９】
前記装置に前記飲食サービス施設に対応する固有な識別コードを入力することによって、または予め決められたリストから前記飲食サービス施設を選択することによって、顧客が前記注文を出す前記飲食サービス施設を選択及び識別するための手段を更に含むことを特徴とする、請求項１３〜１８の何れか１つに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号からデータレート１／Ｔでデータシーケンスを取得する受信器であって、
前記アナログ信号を１／Ｔｓのサンプルレートでサンプリングすることにより受信シーケンスを発生させる変換手段であって、該受信シーケンスの該サンプルレート１／Ｔｓをプリセット値により制御可能とする変換手段と、
前記受信シーケンスを処理することにより処理済シーケンスを与えるデジタル処理手段と、
前記処理済シーケンスを前記データレート１／Ｔで等価処理済シーケンスに変換する第１のサンプルレート変換器であって、該等価処理済シーケンスの該データレートを制御信号により制御可能とする第１のサンプルレート変換器と、
前記等価処理済シーケンスからエラー・シーケンスを与えるエラー発生器と、
前記エラー・シーケンスに依存する前記制御信号を発生させる制御信号発生手段と、
前記等価処理済シーケンスから前記データシーケンスを導出する検出器とを備え、
前記プリセット値が、前記サンプルレート１／Ｔと１／Ｔｓとの間の比が実質的に一定となるような値に設定されることを特徴とする受信器。
【請求項２】
前記変換手段が、
前記データレート１／Ｔに対し非同期であるクロックレート１／Ｔｃで前記アナログ信号をサンプリングすることにより、中間受信シーケンスを発生させるアナログ−デジタル変換器と、
前記中間受信シーケンスを１／Ｔｓのサンプルレートで前記受信シーケンスに変換する第２のサンプルレート変換器であって、該受信シーケンスの該サンプルレート１／Ｔｓを前記プリセット値により制御可能とする第２のサンプルレート変換器とを備えていることを特徴とする請求項１記載の受信器。
【請求項３】
前記プリセット値を発生させることにより、前記サンプルレート１／Ｔと１／Ｔｓとの間の前記比を一定に保つロック補助手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１または２記載の受信器。
【請求項４】
前記ロック補助手段が、前記データレート１／Ｔに対する等価受信シーケンスの平均遷移数が実質的に一定となるように、前記プリセット値を発生させることができることを特徴とする請求項３記載の受信器。
【請求項５】
情報担体上の情報トラックから情報を読み出すための装置であって、
前記情報担体から前記情報を取得し、アナログ信号を出力する手段と、
前記アナログ信号からデータレート１／Ｔでデータシーケンスを与える、請求項１から４いずれか１項記載の受信器とを備えていることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項３記載の前記受信器を備え、前記情報トラックが、前記データレート１／Ｔと関連付けられたウォブル周波数を有するウォブルを備え、前記ロック補助手段が、前記ウォブル周波数の関数として前記プリセット値を発生させることができることを特徴とする請求項５記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に延在する絶縁性層の開口部に導電性コンタクトを形成する方法であって、
前記開口部内で前記基板上にチタンシリサイドの層を形成するステップと、
前記チタンシリサイド層上に窒化ホウ素チタンを含む充填剤を形成し、前記開口部を充填するステップと
を有する方法。
【請求項２】
半導体デバイスのシリコン含有基板まで絶縁性層を通して延在する、コンタクト開口部内に配置された窒化ホウ素チタンの層と、
前記開口部内で前記シリコン含有基板上に配置されたチタンシリサイドを含む層上のコンタクトと、
側壁により規定されたコンタクト開口部と、
を有する導電性コンタクト。
【請求項３】
絶縁性コンタクト開口部内に配置された、かつ前記基板内のアクティブエリアと電気的に接触する、少なくとも１つの導電性コンタクトを有する集積回路デバイスであって、少なくとも１つの導電性コンタクトが窒化ホウ素チタンを含む集積回路デバイス。
【請求項４】
前記充填剤を形成するステップが、熱的化学気相堆積によって、四塩化チタン、アンモニア、及びジボランを含むガス混合物を前記開口部内に堆積するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記充填剤を形成するステップが、窒化チタンと窒化ホウ素チタンが交互に重なった層を堆積して、前記開口部を充填するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記充填剤を形成するステップが、四塩化チタン、アンモニア、及びジボランを含むガス混合物、ならびにジボランを含まない、四塩化チタン及びアンモニアを含むガス混合物を用いる化学気相堆積を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記充填剤を形成するステップが、窒化チタン層を形成するために四塩化チタン及びアンモニアを含む第１ガス混合物と、１つ又はそれ以上の窒化ホウ素チタン層を形成するために四塩化チタン、アンモニア、及びジボランを含む第２ガス混合物と、を流すことによる熱的化学気相堆積を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記コンタクトが窒化チタン層の間に置かれた窒化ホウ素チタン層を含む、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項９】
前記導電性コンタクトが大きい縦横比の開口部内に形成される、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１０】
前記開口部が約３：１以上の縦横比を有する、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１１】
前記導電性コンタクトが、局部的相互接続、コンタクト、埋め込みコンタクト、ビア、プラグ、及び充填トレンチからなる群から選択される、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１２】
前記導電性コンタクトが、導電性コンタクトの開口部の側壁からの導電性コンタクトの剥離を実質的になくすように開口部内で絶縁性層に密着させるレベル及び絶縁性層のクラックを実質的になくすような熱ストレスのレベルを導電性コンタクトに与えるために効果的なホウ素と、導電性エリアとの効果的な電気的接触のために所定のレベルでコンタクトの導電性を維持するために効果的な窒素と、を含む、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１３】
前記導電性コンタクトが少なくとも約２００オングストロームの厚さを有し、導電性コンタクトは、側壁からの剥離及び絶縁性層のクラックが実質的にない、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１４】
前記導電性コンタクトが約１０００〜約３０００オングストロームの厚さを有する、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１５】
前記導電性コンタクトが、窒化チタンと窒化ホウ素チタンが交互に重なった層を含む、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１６】
前記導電性コンタクトがメモリセル及び内部回路のアレイに結合される、請求項２に記載の導電性コンタクト。
【請求項１７】
請求項２に記載の導電性コンタクトを含む半導体回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板と、
前記基板上に形成した適合緩衝層と、
前記単結晶適合緩衝層上に形成したテンプレートと、
前記テンプレートを覆って形成した単結晶層とを備え、該単結晶層は、Ｓｉ、ＳｉＣ，Ｇｅ，及びＳｉｙＧｅ１−ｙからなる群から選択された金属を含み、ここでｙは０〜１の範囲にある半導体構造体。
【請求項２】
前記単結晶基板、及び前記適合緩衝層の間に非晶質層を、更に備える請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項３】
前記非晶質層は、厚さが、約０．５〜約５．０ナノメータである請求項２に記載の半導体構造体。
【請求項４】
前記適合緩衝層は、チタン酸アルカリ土類金属、ジルコン酸アルカリ土類金属、ハフニウム酸アルカリ土類金属、タンタル酸アルカリ土類金属、ルテニウム酸アルカリ土類金属、ニオブ酸アルカリ土類金属、及びペロブスカイト型の酸化物からなる群から選択された酸化物を含む請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項５】
前記適合緩衝層は、ＣａｚＳｒ１−ｚＴｉＯ３を含み、ｚは０〜１の範囲にある請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項６】
単結晶基板を提供する工程と、
前記単結晶半導体基板を覆う単結晶適合緩衝層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記単結晶基板と前記適合緩衝層との間に、非晶質層を形成する工程と、
Ｓｉと，ＳｉＣと，Ｇｅと、ＳｉｙＧｅ１−ｙ、とからなる群から選択された材料を含み、ｙは０〜１の範囲にある単結晶層を、前記適合緩衝層を覆うようにエピタキシャル成長させる工程とを備える半導体構造体の製造方法。
【請求項７】
前記単結晶適合緩衝層をエピタキシャル成長させる工程は、ｚの範囲が０〜１のＣａｚＳｒ１−ｚＴｉＯ３を含む前記単結晶適合緩衝層を、エピタキシャル成長させる工程を備
える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記単結晶適合緩衝層、及び前記非晶質層を加熱することにより、前記単結晶適合緩衝層を、非晶質に変化させることを生じる工程を備える請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記単結晶適合緩衝層上に、第一テンプレートを形成する工程を、更に備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記単結晶基板を覆って、テンプレートを形成する工程を、更に備える請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
デバイスに使用される組成物は正の温度係数（positive temperature coefficient：ＰＴＣ）挙動を示し、即ち、これは比較的狭い温度範囲において温度に対し急峻な抵抗率（または抵抗）増加を示す。用語「ＰＴＣ」は少なくとも２．５のＲ１４値および／または少なくとも１０のＲ１００値を有する組成物またはデバイスを意味するものとして用い、組成物またはデバイスは少なくとも６のＲ３０値を有すべきことが好ましい。ここで、Ｒ１４とは１４℃の範囲の最後と最初における抵抗率の比であり、Ｒ１００とは１００℃の範囲の最後と最初における抵抗率の比であり、Ｒ３０とは３０℃の範囲の最後と最初における抵抗率の比である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のデバイスは第１および第２層状電極、好ましくは金属箔電極を含み、層状導電性ポリマー抵抗要素がこれらの間にて、第１電極を層状要素の第１面（即ち第１主面）に固定し、また、第２電極を層状要素の第２面（即ち第２主面）に固定するようにして挟持されている。特に適当な箔電極は、例えば電着による、好ましくは電着ニッケルまたは銅の、微細な凹凸のある（microrough）少なくとも１つの表面（または少なくとも１つのミクロ粗面）を有する。適当な電極が米国特許第４，６８９，４７５号（Matthiesen）、同第４，８００，２５３号（Kleinerら）、および同第５，８７４，８８５号（Chandlerら）、ならびに国際公開第ＷＯ９５／３４０８１号（Raychem Corporation）に開示されている。これらの各開示内容は参照することにより本明細書に組み込まれる。電極は圧縮成形、ニップ・ラミネーションまたは任意の他の適当な技術によって抵抗要素に取り付けられ得る。電極は抵抗要素に直接に取り付けられていてよく、または接着剤もしくは結着剤層によって取り付けられていてよい。あるデバイスでは、第１および第２層状電極は、ＰＴＣ抵抗要素上に直接に金属を堆積させる（または蒸着する）こと、例えばメッキ、スパッタリングまたは化学堆積（chemical deposition）によって形成された金属層を含むことが好ましい。