【事件の表示】
　特許第６２９６１７７号発明「インジウムリン基板、およびインジウムリン基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２９６１７７号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし４について訂正することを認める。
　特許第６２９６１７７号の請求項１，２及び４に係る特許を維持する。
　特許第６２９６１７７号の請求項３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２９６１７７号（以下、その特許明細書を「本件明細書」という。）の請求項１ないし４に係る特許についての出願は，平成２７年（２０１５年）１２月７日（優先権主張　平成２７年２月９日）を国際出願日とする特許出願であって，平成３０年３月２日にその特許権の設定登録がされ，同年３月２０日に特許掲載公報が発行された。その後，本件特許に対して２件の特許異議の申立てがあり，特許異議の申立ての経緯は，次のとおりである。
　平成３０年　８月２８日　　　特許異議申立人　特許業務法人藤央特許事
　　　　　　　　　　　　　　　務所（以下、単に「特許異議申立人」とい
　　　　　　　　　　　　　　　う。）による請求項１及び２に係る特許に
　　　　　　　　　　　　　　　対する特許異議の申立て（以下，その特許
　　　　　　　　　　　　　　　異議の特許異議申立書を「特許異議申立書
　　　　　　　　　　　　　　　１」という。）
　平成３０年　９月１８日　　　特許異議申立人による請求項３及び４に係
　　　　　　　　　　　　　　　る特許に対する特許異議の申立て（以下，
　　　　　　　　　　　　　　　その特許異議の特許異議申立書を「特許異
　　　　　　　　　　　　　　　議申立書２」という。）
　平成３０年１２月２６日付け　取消理由通知書
　平成３１年　３月　４日付け　特許権者による意見書及び訂正請求書の提
　　　　　　　　　　　　　　　出
　平成３１年　４月　８日付け　特許異議申立人による意見書の提出（以下
　　　　　　　　　　　　　　　，その意見書を「意見書１」という。）
　平成３１年　４月　９日付け　特許異議申立人による意見書の提出（以下
　　　　　　　　　　　　　　　，その意見書を「意見書２」という。）
第２　訂正の適否について
１　訂正の内容
　本件訂正の請求による訂正の内容は、次のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４に，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、」と記載されているのを，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、」と訂正する。
（３）訂正事項３
　願書に添付した明細書の【発明の名称】に記載された「インジウムリン基板、インジウムリン基板の検査方法、およびインジウムリン基板の製造方法」を「インジウムリン基板、およびインジウムリン基板の製造方法」に訂正する。
２　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は，訂正前の特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は，特許請求の範囲の請求項４に記載された「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、」について，「平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり」から「平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり」と変更するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，本件明細書段落【００３５】に記載されているから，新規事項の追加に該当せず，「平均値ｍ２」の数値範囲を狭めるものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は，上記訂正事項１に係る訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と明細書の【発明の名称】の記載との整合を図るための訂正であるから，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり，新規事項の追加に該当せず，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
３　小括
　以上のとおりであるから，訂正事項１ないし３による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって，明細書，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正明細書，訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１ないし４について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された（ただし，請求項３は削除された。）請求項１，２および４に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」，「本件発明２」および「本件発明４」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１，２および４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板であって、
　前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、
　前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である、
　インジウムリン基板。
　　【請求項２】
　前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上である、
　請求項１に記載のインジウムリン基板。
　　【請求項３】
（削除）
　　【請求項４】
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板の製造方法であって、
　前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、
　前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下であり、
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、
　前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、
　両面研磨した前記インジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、
　片面仕上げ研磨した前記インジウムリンウエハを洗浄する工程とを備る、
　インジウムリン基板の製造方法。」
第４　取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし４に係る特許に対して，当審が平成３０年１２月２６日に特許権者に通知した取消理由（以下，「取消理由」という。）の要旨は，次のとおりである。
（１）請求項１及び２並びに４に係る発明は，引用文献１に記載された発明に，引用文献２ないし８に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）請求項３に係る発明は，引用文献３に記載された発明に，引用文献１に記載された技術を組み合わせることにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）よって，請求項１ないし４に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，取り消されるべきものである。
第５　引用文献，引用文献に記載された発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　取消理由で通知した特開２００３−２１８０３３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長方法に関し、特に、エピタキシャル層表面への不純物の汚染を有効に防止する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光素子や受光素子等等の半導体素子の用途には、有機金属気相成長法（以下、ＭＯＶＰＥ法と称する）によりＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させたウェハが広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技術により、
ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層を順次成長させた場合、
格子状欠陥が現れる
ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層と、ＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させる
【０００４】
【課題を解決するための手段】以下に本発明を完成するに至った経緯について簡単に説明する。まず、本発明者等は、ＩｎＰ層表面にクロスハッチが発生したエピタキシャルウェハについて調査した。その結果、Ｘ線回折測定によりＩｎＰピーク近傍にＡｓ汚染に伴うピークが観察されたことから、ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染が発生していることが分かった。これより、
ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層を成長させる際の原料ガスであるＡｓがＩｎＰ層を成長させる際に取り込まれてＩｎＰ層中にＡｓ汚染が発生し、その結果、ＩｎＰ層の格子定数がＡｓ汚染のないＩｎＰ層の格子定数とは異ってしまうためにＩｎＰ層表面にクロスハッチ状の欠陥が現れると考えた。
【０００５】また、Ｘ線回折測定の結果、基板周縁部にいくに従ってＡｓ汚染の程度は増加する傾向にあり、Ａｓ汚染の程度によって基板周縁部のみにクロスハッチが発生する場合と、基板全面にクロスハッチが発生する場合があることがわかった。さらに、基板周縁部には応力緩和によるスリップ状欠陥やマイクロクラックの発生もあわせて起こる場合もあった。
【０００６】そこで、本発明者等は、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層を順次エピタキシャル成長させた場合に、ＩｎＰ層にＡｓ汚染が発生するメカニズムについて検討した。そして、得られたエピタキシャルウェハについて調査を行った結果、基板裏面がひどく荒れていることに気付いた。このことから、基板裏面の周縁部は基板の反りや面取加工のために基板支持具（基板支持台）との間に空隙が生じてしまい、この空隙にＡｓが回り込むことが推測できた。具体的には、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層を成長させる際に基板と基板支持具との間の空隙に原料ガスが回り込むと、基板裏面から揮発性元素であるＰが抜ける一方、原料ガスであるＡｓの析出がおこり、その後ＩｎＧａＡｓ層上にＩｎＰ層を成長させる際に前記析出したＡｓが再蒸発し、ＩｎＰ層に取り込まれてＡｓ汚染が発生すると考えた。
【０００７】以上の推論に基づいて検討した結果、本発明者等は
半導体基板裏面へのガスの回り込みを抑制することにより、ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止できるという知見を得
「【００１１】また、
前記半導体基板と基板支持具との間に空隙が形成されなくする方法としては、
半導体基板裏面の表面粗さ
を小さくすることにより、密着性を良くするのも効果的である。
「【００２１】以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、前記半導体基板と基板支持具との間に空隙が形成されなくする方法として、真空排気により前記半導体基板裏面と前記基板支持具との間の空隙を物理的になくすようにしてもよい。さらに、
半導体基板裏面の表面粗さ
を小さくすることにより、密着性を良くするのも効果的である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板を基板支持具により保持させ、有機金属気相成長法により、前記半導体基板上に元素Ａ，Ｂ，ＣまたはＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄからなる第１の化合物半導体層を形成する工程と、次いで、元素Ａ，Ｄからなる第２の化合物半導体層を形成するヘテロ接合形成工程と、を含むエピタキシャル成長方法において、裏面側の反りが２０μｍ以下である半導体ウェハを前記半導体基板として用いることにより、前記半導体基板の裏面と基板支持具との間の空隙を小さく、望ましくは空隙が形成されないようにしたので、基板裏面側に原料ガスが回り込むのを抑制でき、Ａｓ汚染によりエピタキシャルウェハにクロスハッチ等の欠陥が生じるのを防止できる。したがって、発光素子や受光素子等の半導体素子の用途に適したエピタキシャルウェハを製造することができるという効果を奏する。」
（２）引用発明
　上記記載から，引用文献１には以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる過程において，
　ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制し，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として，
　ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くした，
　ＩｎＰ基板。」
２　引用文献２
（１）引用文献２の記載
　取消理由において引用した特開２００７−１０３４６３号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光素子、電子素子、半導体センサなどの半導体デバイスの基板などに用いられるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面を化学機械的にポリシングするためのポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面処理方法、およびかかる表面処理方法により得られるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＧａＡｓ結晶、ＩｎＰ結晶などのＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、発光素子、電子素子、半導体センサなどの半導体デバイスの基板を形成するための材料として非常に有用なものである。
【０００３】
　かかる半導体デバイスの基板として用いられるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の外周に形状形成加工を施した後に所定の厚さにスライスし、表面をグラインディング（研削、以下同じ）またはラッピングすることによって得られるが、かかるスライス、グラインディングまたはラッピングによって、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面側領域に加工変質層（結晶表面の加工によって結晶の表面側領域に形成される結晶格子が乱れた層をいう、以下同じ）が形成され、またＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面粗さが大きくなる。
【０００４】
　この
Ｇａ
x
Ｉｎ
1-x
Ａｓ
y
Ｐ
1-y
結晶基板の
表面粗さが大きくなるほど基板表面の品質が低下し、このＧａ
x
Ｉｎ
1-x
Ａｓ
y
Ｐ
1-y
結晶表面上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶層の表面は凹凸が大きくなりまた結晶性が低下する。そのため、良質な半導体デバイスを形成することができない。
【０００５】
　このため、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶からＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板を形成する方法として、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶を所定の厚さにスライスし、表面をグラインディングまたはラッピングした後に、さらに表面を化学的機械的にポリシングすることにより、ＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の加工変質層を除去し、表面粗さを低減することが広く行なわれていた。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　本発明は、高いポリシング速度で効率的にＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶の表面処理方法、およびかかる表面処理方法により得られるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板を提供することを目的とする。」
「【００４１】
　（実施形態３）
　本発明にかかるＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）は、実施形態２の表面処理方法により得られたものである。実施形態２の表面処理方法により、効率よく表面粗さの小さいＧａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y結晶基板が得られる。ここで、表面粗さを示す指標としては、表面粗さＲｙと表面粗さＲａがある。表面粗さＲｙとは、粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角（１０μｍ×１０μｍ＝１００μｍ2、以下同じ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から最も高い山頂までの高さと最も低い谷底までの深さとの和をいう。また、
表面粗さＲａとは、粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から測定曲面までの偏差の絶対値を合計してそれを基準面積で平均した値をいう。
「【００４４】
　（実施例１）
　（Ａ−１）ＧａＡｓ結晶のラッピング
　ＶＢ（垂直ブリッジマン）法により成長させたＧａＡｓ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスして、直径５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのＧａＡｓ結晶基板を得た。このＧａＡｓ結晶基板の（１００）面を以下のようにしてラッピングした。
ラッピング装置に配置された直径３００ｍｍの定盤上にラッピングパッドを配置し、Ａｌ
2
Ｏ
3
砥粒が分散されたラッピングスラリーをラッピングパッドに供給しながら、結晶ホルダに固定されたＧａＡｓ結晶基板の（１００）面を定盤に押し付けながら、定盤およびＧａＡｓ結晶基板を回転軸をずらして互いに回転させた。ここで、ラッピングパッドとしては、不織布パッド（ニッタ・ハース株式会社製Ｓｕｂａ８００）を用い、定盤としてはステンレス定盤を用いた。
「【００５７】
　（実施例８）
　（Ｂ−１）
ＩｎＰ結晶のラッピング
　
ＬＥＣ（液体封止引き上げ）法により成長させたＩｎＰ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスして、直径５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのＩｎＰ結晶基板を得た。このＩｎＰ結晶基板の（１００）面を、実施例１の（Ａ−１）と同様にして、ラッピングした。
【００５８】
　（Ｂ−２）
ＩｎＰ結晶の化学機械的ポリシング（ＣＭＰ）
　
上記ラッピング後のＩｎＰ結晶基板の（１００）面を、１次粒子の平均粒径ｄ1が９０ｎｍ、２次粒子の平均粒径ｄ
2
が２２０ｎｍ、ｄ
2
／ｄ
1
比が２．４のコロイダルシリカ（ＳｉＯ
2
）（扶桑化学工業株式会社製クォートロンＰＬ１０Ｈ）（ＳｉＯ
2
固形分２４質量％）を水に希釈して、ＳｉＯ
2
固形分を１０質量％とし、クエン酸および酸化剤であるトリクロロイソシアヌル酸（ＴＣＩＡ）を用いてポリシングスラリーのｐＨを４、ＯＲＰを１２００ｍＶに調整したポリシングスラリーを用いて、ポリシング圧力を２９．４ｋＰａ（３００ｇ／ｃｍ
2
）、ポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数を５０回／ｍｉｎとした以外は、実施例１と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のＣＭＰを行った。
ＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表３にまとめた。
【００５９】
　（実施例９〜１１、比較例４〜６）
　
上記（Ｂ−２）において、砥粒として表２に示す１次粒子の平均粒径ｄ
1
、２次粒子の平均粒子径ｄ
2
およびｄ
2
／ｄ
1
比を有するコロイダルシリカ砥粒を含むポリシングスラリーを用いた以外は、実施例８と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のラッピング、ＣＭＰを行なった。得られたＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表３にまとめた。
「【００６１】
【表３】
【００６２】
　比較例４〜６に示すように、会合していない球形のコロイダルシリカ砥粒を含むポリシングスラリーを用いてポリシングすると、砥粒の粒径を大きくするほど、ポリシング速度が高くなるが、表面粗さＲｙおよびＲａがいずれも大きくなり、ＩｎＰ結晶基板の表面品質が低下する。
【００６３】
　これに対し、実施例８〜１１に示すように、１次粒子（平均粒径ｄ1）が会合した２次粒子（平均粒径ｄ2）であり、ｄ2／ｄ1比が１．６以上１０以下、ｄ2が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるコロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨの値ｘとＯＲＰの値ｙ（ｍＶ）とが−５０ｘ＋１０００≦ｙ≦−５０ｘ＋１９００の関係を満たし、ｐＨが５以下のポリシングスラリーを用いて、ポリシング圧力が２９．４ｋＰａ（３００ｇ／ｃｍ2）、ポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数が５０回／ｍｉｎの条件でＣＭＰを行なうことにより、高いポリシング速度で
表面粗さＲｙおよびＲａが小さい表面を有するＩｎＰ結晶基板が得られた。
【００６４】
　（実施例１２〜１５）
　
表４に示すｐＨ、ＯＲＰを有するポリシングスラリーを用いて、表４に示すポリシング圧力ならびにポリシングパッドおよびＩｎＰ結晶の回転数の条件とした以外は、実施例８と同様にして、ＩｎＰ結晶基板のラッピング、ＣＭＰを行った。得られたＩｎＰ結晶基板の表面粗さＲｙおよびＲａを測定した。結果を表４にまとめた。
「【００６６】
【表４】
【００６７】
　実施例１２〜１４に示すように、１次粒子（平均粒径ｄ1）が会合して２次粒子（平均粒径ｄ2）となり、比ｄ2／ｄ1が１．６以上１０以下で、ｄ2が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以上のコロイダルシリカ砥粒を含み、ｐＨの値ｘとＯＲＰの値ｙ（ｍＶ）とが−５０ｘ＋１０００≦ｙ≦−５０ｘ＋１９００の関係を満たし、ｐＨが５以下のポリシングスラリーを用いてＣＭＰを行なうことにより、高いポリシング速度で
表面粗さＲｙおよびＲａが小さいＩｎＰ結晶基板が得られた。
（２）引用文献２記載事項
　上記記載から，引用文献２には以下の事項（以下，「引用文献２記載事項１」および「引用文献２記載事項２」という。）が記載されている。
引用文献２記載事項１
「ＩｎＰ結晶基板の結晶表面上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶層の結晶性が低下しないために，
　ＩｎＰ結晶を、（１００）面に平行な面でスライスし，このＩｎＰ結晶基板の（１００）面をラッピングし，化学機械的ポリシング（ＣＭＰ）を行ったＩｎＰ結晶基板について，
　ＩｎＰ結晶基板の粗さ曲面から、その平均面の方向に基準面積として１０μｍ角だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均面から測定曲面までの偏差の絶対値を合計してそれを基準面積で平均した値である表面粗さＲａを０．１４ｎｍから０．３２ｎｍとすること。」
引用文献２記載事項２
「ＩｎＰ結晶基板をラッピングする際に，ラッピングパッドとして不織布パッド（ニッタ・ハース株式会社製Ｓｕｂａ８００）を用いること。」
３　引用文献３
（１）引用文献３の記載
　取消理由において引用した特開２０１４−１５７９７９号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、ＩＩＩ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ＩＩＩ族窒化物複合基板、ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法に関する。」
「【００１９】
　［実施形態１：ＩＩＩ族窒化物複合基板］
　図１を参照して、本発明の一実施形態であるＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１と、厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ未満のＩＩＩ族窒化物膜１３と、が貼り合わされた直径が７５ｍｍ以上のＩＩＩ族窒化物複合基板１であって、
支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍ
S
が０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍ
S
に対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓ
S
の比ｓ
S
／ｍ
S
が０．００５以上０．４以下である。
【００２０】
　本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造するためのＩＩＩ族窒化物層の成長の際に
主面上における温度の分布（すなわちバラツキ）が小さいため、結晶品質の高いＩＩＩ族窒化物層を成長させることができ、このため高い歩留で高品質のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造することができる。
【００２１】
　図１および３を参照して、本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１上にＩＩＩ族窒化物膜１３が貼り合わされた構造を有しており、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを製造する際に、
昇温装置を備えるサセプタ（図示せず）の主面にＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側に相当する支持基板１１側の主面１１ｎが対向するように配置して、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表（おもて）面側に相当するＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる。
【００２２】
　本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、その直径が７５ｍｍ以上であり、その支持基板１１上に貼り合わされたＩＩＩ族窒化物膜１３の厚さが５０ｎｍ以上１０μｍ未満であり、
支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍ
S
が０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下で、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍ
S
に対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓ
S
の比ｓ
S
／ｍ
S
が０．００５以上０．４以下であることから、昇温されたサセプタの主面から大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるため、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱される。これにより、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になることから、大口径のＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一な大口径のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができるため、特性の高いＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを歩留よく製造できる。
「【００２７】
　（支持基板側の二乗平均平方根粗さ）
　図１および２を参照して、本実施形態のＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSが０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSが０．００５以上０．４以下である。
【００２８】
　ＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である支持基板１１側の主面１１ｎについて、ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層を成長させる観点から、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSは、２０ｎｍ以下が必要であり、１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対するその二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSは、０．４以下が必要であり、０．３以下が好ましく、０．２以下がより好ましい。
【００２９】
　また、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である支持基板１１側の主面１１ｎについて、かかる主面１１ｎの表面処理コストを抑制する観点から、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSは、０．３ｎｍ以上が必要であり、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましく、その二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対するその二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSは、０．００５以上が必要であり、０．０１以上が好ましく、０．０５以上がより好ましい。
【００３０】
　ここで、
図２を参照して、ＩＩＩ族窒化物複合基板１の支持基板１１側の主面１１ｎの二乗平均平方根粗さの平均値ｍ
S
および標準偏差ｓ
S
は、それぞれ、支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐにおいて測定した二乗平均平方根粗さから算出した平均値および標準偏差である。図２に示す支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐは、支持基板１１の直径の大小にかかわらず、１つの中心点Ｐ
C
と、その中心点Ｐ
C
から互いに直角な４方向上でかつ外縁から５ｍｍ内側にある４つの外側点Ｐ
O
と、１つの中心点Ｐ
C
と４つの外側点Ｐ
O
との中間に位置する４つの点および４つの外側点Ｐ
O
の互いの中間に位置する４つの点をあわせた８つの中間点Ｐ
M
とで構成される。ここでいう標準偏差とは、不偏分散の正の平方根を意味する。
【００３１】
　また、
図２に示す支持基板１１の主面１１ｎ上の１３点の測定点Ｐにおいて測定した二乗平均平方根粗さとは、その測定点Ｐを中心とする８５μｍ×８５μｍ角の大きさの測定領域内の各点から標準平面を算出し、基準平面からの各点までの距離の二乗の平均の正の平方根の値をいい、
【図１】
【図２】
（２）引用文献３記載事項
　上記記載から，引用文献３には以下の事項（以下，「引用文献３記載事項」という。）が記載されている。
「昇温装置を備えるサセプタの主面にＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側に相当する支持基板１１側の主面１１ｎが対向するように配置し，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表（おもて）面側に相当するＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる際に，
　支持基板１１の主面１１ｎについて，支持基板１１の主面１１ｎ上の１つの中心点ＰCと，その中心点ＰCから互いに直角な４方向上でかつ外縁から５ｍｍ内側にある４つの外側点ＰOと，１つの中心点ＰCと４つの外側点ＰOとの中間に位置する４つの点および４つの外側点ＰOの互いの中間に位置する４つの点をあわせた８つの中間点ＰMとで構成される１３点の測定点Ｐの二乗平均平方根粗さの平均値ｍSを０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし，二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下とすることにより，
　昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができること。」
４　引用文献４
（１）引用文献４の記載
　取消理由において引用した特許第５３７０３９３号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
・・・　中　略　・・・
【請求項７】
　３００ｃｍ-2以上１０００ｃｍ-2未満の転位密度と１×１０3Ωｃｍ以上の比抵抗と１００ｍｍ以上で２００ｍｍ以下の直径を有し、鉄がドープされていることを特徴とする半絶縁性リン化インジウム基板。
【請求項８】
　鉄が１×１０15ｃｍ-3以上添加されていることを特徴とする請求項７に記載の半絶縁性リン化インジウム基板。
【請求項９】
　
１５０ｍｍ以上の直径を有することを特徴とする請求項７または８に記載の半絶縁性リン化インジウム基板
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）などの光電子分野やトランジスタなどの電子分野に利用されるＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶、またはＣｄＴｅやＺｎＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶の基板に関するものである。」
「【００４７】
　本発明では、融液を過冷却状態にしてリン化インジウム結晶を育成することにより、平均転位密度が１０００ｃｍ-2未満、さらに良好なものでは５００ｃｍ-2未満、最も良好なものでは３００ｃｍ-2未満の低転位密度で比抵抗が１×１０3Ωｃｍ以上の鉄ドープ半絶縁性リン化インジウム基板を得ることができる。さらに、低転位密度化が困難な直径１５０ｍｍ以上さらには直径２００ｍｍ以上の大口径基板においても、平均転位密度が１０００ｃｍ-2未満、さらに良好なものでは５００ｃｍ-2未満、最も良好なものでは３００ｃｍ-2未満の低転位密度で比抵抗が１×１０3Ωｃｍ以上の鉄ドープ半絶縁性リン化インジウム基板を得ることができる。」
（２）上記記載から，引用文献４は以下の事項（以下，「引用文献４記載事項」という。）が記載されている。
「半絶縁性リン化インジウム基板の直径を，１５０ｍｍ以上とすること。」
５　引用文献５
（１）引用文献５の記載
　取消理由において引用した特開昭６３−７６４１３号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「
産業上の利用分野
　本発明は，半導体ウエハ及びその製造方法に関するものであり，特には裏面に裏面識別用のエッチビット等のエッチングパターンを具備する両面鏡面研磨加工した半導体ウエハ及びその製造方法に関する。本発明は，Ｓｉ，Ｇｅのような単体半導体，ＧａＡｓ，
ＩｎＰ
「本発明に従えば，半導体ウエハは，従来から実施されてきた単結晶インゴット製造工程，スライス工程，エツチング工程，ラッピング工程及びエツチング工程を経由した後、一次画面研磨により表裏両面を鏡面加工し，平行度及び平坦度を共に５μｍ以下，好ましくは１〜３μｍとし，続いて表裏識別を目的とするエツチングを行い，次いで表面を最終仕上げする二次片面研磨が行われ，そして洗浄・乾燥が実施される。矩形ウエハの製造の為には，この後矩形へき開工程が行われる。これら工程を７０−として示すと次の通りとなる：
ラッピング工程
　　　↓
エツチング工程
　　　↓
一次研磨工程
　　　↓
エツチング工程
　　　↓
二次研磨工程
　　　↓
（
矩形へき開工程
　　　↓
半導体ウエハ
（２）上記記載から，引用文献５は以下の事項（以下，「引用文献５記載事項」という。）が記載されている。
「ＩｎＰ等からなる半導体ウエハを製造する際に，スライス工程を経た半導体ウエハに，ラッピング工程，エッチング工程，一次研磨工程（両面研磨），エッチング工程（表裏識別パターンの形成），二次研磨（片面研磨）を順に行うこと。」
６　引用文献６
（１）引用文献６の記載
　取消理由において引用した特開２００７−２３４９５２号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハに関し、より特定的には、表面の不純物濃度を低減できる化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハに関する。」
「【００９４】
　[実施例４]
　本発明の化合物半導体基板の表面処理方法の効果を確認するべく、以下のような試料を準備して、試料表面の不純物（シリコン）濃度を測定した。
【００９５】
　（実施例４における試料の作製）
　実施例３における試料は、基本的には実施例２と同様である。具体的には、
基板準備工程（Ｓ１０）では、引き上げ法で合成した６インチＩｎＰ単結晶基板をＧＣ砥粒を用いてワイヤーソースライスした。その後、基板の外周を面取りし、外周の方位を示す目印として、Ｖ型の切り欠きであるＶノッチを加工した。この基板を平面研削機にて両面を研削したのち、コロイダルアルミナに酸化剤を添加した研磨剤を用いて両面研磨した。その後、片面を臭素−メタノール溶液にて研磨して水洗した。
（２）上記記載から，引用文献６は以下の事項（以下，「引用文献６記載事項」という。）が記載されている。
「ＩｎＰ単結晶基板をＧＣ砥粒を用いてワイヤーソースライスし，
　基板の外周を面取りし，外周の方位を示す目印とし，
　基板を平面研削機にて両面を研削したのち，コロイダルアルミナに酸化剤を添加した研磨剤を用いて両面研磨し，
　片面を臭素−メタノール溶液にて研磨して水洗すること。」
７　引用文献７
（１）引用文献７の記載
　取消理由において引用した特開２００１−１０２３３７号公報（以下，「引用文献７」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体結晶ウエハの研磨方法及び半導体結晶ウエハに関するものである。」
「【０００５】一般に、化合物半導体結晶ウエハは次のような手順で製造されている。
【０００６】　化合物半導体結晶インゴットの製造
まず、化合物半導体結晶インゴットを結晶成長装置等により製造する。
【０００７】　化合物半導体結晶インゴットのスライス
次に、その化合物半導体結晶インゴットをスライス装置によりスライスして化合物半導体結晶ウエハとする。
【０００８】　化合物半導体結晶ウエハのラッピング研磨
次に、その化合物半導体結晶ウエハを＃８００〜３０００クラスの粗さのアルミナ砥粒系研磨剤を用いてラッピング研磨する。
【０００９】このラッピング研磨ではソーマークを除去するように研磨し、その平坦性を高める。
【００１０】　
メカノケミカル研磨
次に、
ラッピング研磨した化合物半導体結晶ウエハはメカノケミカル研磨を行い、鏡面とする。
【００１１】このメカノケミカル研磨の研磨液としては次亜塩素酸系水溶液、次亜塩素酸水溶液と砥粒との混合液等を用いる。ここにおいて砥粒としてはシリカ、アルミナ、ジルコニア等が用いられる。
【００１２】また、
研磨布としては表面に多孔質層を有する布が用いられる。
【００１３】さて、研磨布メーカより購入したままの研磨布はそのまま鏡面研磨に供せられない。これは化合物半導体結晶ウエハを研磨布メーカより購入したままの研磨布を用いて鏡面研磨したときには、得られる鏡面研磨化合物半導体結晶ウエハの高度な平坦度が出ないからである。
【００１４】そこで研磨布メーカより購入した研磨布は、必ずドレッシングを行ってから鏡面研磨へ供せられるようになっている。
【００１５】従来、この研磨布メーカより購入した
研磨布
【００１６】このドレッシング効果は次のように説明される。
【００１７】化合物半導体結晶ウエハを研磨布を介して研磨するときには、その用いる研磨布の全面に研磨液が浸透し、それにより化合物半導体結晶ウエハの表面を均一に研磨し、その結果化合物半導体結晶ウエハの平坦度を高めることができる。つまり前述した研磨布の表面多数の細孔のどれにも研磨液が均一に入れば、研磨する化合物半導体結晶ウエハを均一に研磨でき、それによって化合物半導体結晶ウエハの平坦度を高めることができるのである。」
「【００２９】また、
化合物半導体としては、III−Ｖ族
用いることができる。III−Ｖ族化合物半導体としては、
ＩｎＰ
がある。
（２）上記記載から，引用文献７は以下の事項（以下，「引用文献７記載事項」という。）が記載されている。
「ラッピング研磨したＩｎＰ等の化合物半導体結晶ウエハに，メカノケミカル研磨を行う際に，研磨布として多孔質層を有する布を用いること。」
８　引用文献８
（１）引用文献８の記載
　取消理由において引用した特開２００３−２５７８９９号公報（以下，「引用文献８」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、
傷のより少ない半導体ミラーウエハーを製造する方法に関する。ここでは半導体ウエハーというのは
ＩｎＰウエハー
など単体のバルク単結晶が得られる半導体のウエハーを意味する。
「【００１２】
最終仕上げ面はデバイス作製面となるので無傷で凹凸がなく平滑であることが必要である。ここでは簡単に平坦平滑性ということにする。最終仕上げ面でない裏面はそれほど平坦平滑性が要求されない。最終仕上げ面でない面というと煩鎖であるから、ここでは「非仕上げ面」と呼ぶ。「最終仕上げ面」は単に「仕上げ面」ということもある。
「【００３０】図８は
研削後のウエハー
【００３１】
次の研磨によってウエハーの両面を平坦平滑に研磨する。一次研磨は硬質の研磨布で、二次研磨は軟質の研磨布で行う。
（２）上記記載から，引用文献８は以下の事項（以下，「引用文献８記載事項１」及び「引用文献８記載事項２」という。）が記載されている。
引用文献８記載事項１
「傷のより少ないＩｎＰウエハーを得る際に，研削後のウエハーの両面を平坦平滑に研磨するために，硬質の研磨布を用いて一次研磨を行い，暗室の研磨布を用いて二次研磨を行うこと。」
引用文献８記載事項２
「ＩｎＰウエハーのデバイス作製面となる最終仕上げ面は無傷で凹凸がなく平滑であることが必要であり，最終仕上げ面でない裏面はそれほど平坦平滑性が要求されないこと。」
９　甲第１号証
（１）甲第１号証の記載
　異議申立書１及び２において引用された特許第３４５６２５４号公報（以下，「甲第１号証」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】ＩｎＰ結晶を基板としたヘテロ接合ホール素子、特にＧａＩｎＡｓとのヘテロ接合からなるＧａＩｎＡｓヘテロ接合ホール素子に関する。」
「【０００５】また、基板として使用される
ＩｎＰ結晶の表面、即ち緩衝層や感磁層を堆積する側の結晶表面は、平坦性に優れた成長層を得るために、平坦に精密研磨されている。一方ＩｎＰ基板結晶の裏面側は、通常は表面側程平滑には研磨を施されてはいない。
（２）上記記載から，甲第１号証には以下の発明が記載されている。
「ＩｎＰ基板結晶の緩衝層や感磁層を堆積する側の結晶表面は、平坦性に優れた成長層を得るために、平坦に精密研磨され，
　ＩｎＰ基板結晶の裏面側は、表面側程平滑には研磨を施されてはいない，
　ＩｎＰ基板結晶。」
１０　甲第７号証
　異議申立書１及び２において引用された特願２０１３−２６７２４８号（特開２０１５−１２６００３号公報）（以下，「甲第７号証」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、化合物半導体ウェハの製造方法に関する。」
「【００１０】
　したがって、本発明は、能動層の表面に異常が発生しにくい化合物半導体ウェハを製造することができる化合物半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明は、上記目的を達成するために、下記の［１］〜［５］を提供する。
［１］化合物半導体から形成されたインゴットからウェハを切り出す工程と、
　前記ウェハにラップ処理を施す工程と、
　前記ラップ処理が施された前記ウェハを、エキポシ樹脂を含む材料から形成されたキャリアの開口部内に配置して前記ウェハの両面に化学的機械研磨を施す第１の研磨工程と、
　前記第１の研磨工程で前記ウェハの前記キャリアと接触する面に付着した付着物をエッチングにより取り除く工程と、
　前記付着物を取り除く工程の後、前記ウェハの片面又は両面に化学的機械研磨を施す第２の研磨工程と、
　を含む化合物半導体ウェハの製造方法。
［２］前記付着物を取り除く工程は、前記ウェハをエッチング槽の中で周方向に回転させながら前記ウェハをエッチングする、
　前記［１］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。
［３］前記付着物を取り除く工程は、アンモニア水、過酸化水素水及び水を混合させたエッチャントを用いる、
　［１］又は［２］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。
［４］前記付着物を取り除く工程は、硫酸、過酸化水素水及び水を混合させたエッチャントを用いる、
　前記［１］又は［２］に記載の化合物半導体ウェハの製造方法。
［５］前記化合物半導体は、ＧａＡｓである、
　前記［１］から［４］のいずれかに記載の化合物半導体ウェハの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
　本発明によれば、能動層の表面に異常が発生しにくい化合物半導体ウェハを製造することができる。」
「【００１６】
　まず、図１に示すインゴットを作製する工程（Ｓ１）において
、化合物半導体の一例であるＧａＡｓ単結晶から形成された
「【００１９】
　次に、
第１の研磨工程（Ｓ４）において、ウェハの両面を研磨する。
「【００２２】
　キャリア１０は、エキポシ樹脂を含む材料、例えばガラス繊維、アラミド繊維又はテトロン繊維により補強されたエキポシ樹脂を用いることができる。両面研磨機１によりウェハ２０を研磨布で挟んだ状態でキャリア１０をウェハ２０の周方向に自転及び公転させることにより、ウェハ２０がキャリア１０の回転に伴って回転してウェハ２０の両面が研磨される。
研磨されたウェハは、両面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が２〜３ｎｍの範囲の鏡面になる。
「【００２６】
　次に、
第２の研磨工程（Ｓ６）において、片面研磨機を用いてウェハの片面を研磨する。
研磨されたウェハは、表面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．２〜０．４ｎｍの範囲の鏡面になる。
「【００２８】
（実施の形態の効果）
　本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）ウェハの両面を研磨した後にウェハをエッチングすることにより、両面研磨したときウェハの周面に付着した付着物を除去することができる。これにより、完成した化合物半導体ウェハに能動層を形成するとき、付着物が能動層の成長を阻害することを少なくすることができる。
（２）ウェハをエッチング槽内で周方向に回転させながらエッチングすることにより、ウェハの表面を均一にエッチングすることができる。これにより、ウェハの周面に付着した付着物を除去するとともに、ウェハ主面の変形を抑制することができる。
（３）両面研磨した後のウェハにアンモニア水又は硫酸と、過酸化水素水と、超純水とを混合させたエッチャントを用いたエッチングを施し、ウェハごと削り取ることにより、ウェハの周面に付着した付着物を除去することができる。」
「【００４３】
［他の実施の形態］
　なお、本発明の実施の形態及び実施例は、上記実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で種々に変形、実施が可能である。例えば、本発明は、ＧａＡｓの他、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＰ
（２）上記記載から，甲第７号証には以下の発明が記載されている。
「両面を研磨することにより，一方の面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が２〜３ｎｍの範囲の鏡面とし，
　さらに，片面研磨をすることにより，他方の面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．２〜０．４ｎｍの範囲の鏡面とした，
　ＩｎＰウェハ。」
第６　当審の判断
１　取消理由について
（１）本件発明１について
ア　本件発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＩｎＰ基板」，「ＩｎＰ基板」の「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面，「ＩｎＰ基板裏面」は，それぞれ，本件発明１「インジウムリン基板」，「第１の主面」，「第２の主面」に相当する。
（イ）そうすると，本件発明１と引用発明とは以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板。」
［相違点１］
　本件発明１が，「前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面の表面粗さについて具体的に記載されていない点。
［相違点２］
　本件発明１が，「前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」面の表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載されていない点。
[相違点３]
　本件発明１が，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＰ基板裏面」の表面粗さについて具体的に記載されていない点。
［相違点４］
　本件発明１が，「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」であるのに対して，引用発明は，「ＩｎＰ基板裏面」の表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載されていない点。
イ　相違点についての当審判断
（ア）［相違点３］及び［相違点４］について
　引用発明は，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制し，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くするものであるが，取消理由で通知した各引用文献には，ＩｎＰ層中へのＡｓ汚染を防止することを目的として，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくし，ＩｎＰ基板と基板支持具との密着性を良くするために，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係について具体的に記載したものはない。
　なお，引用文献３記載事項にあるように，引用文献３には，基板の裏面の表面粗さ，表面粗さと標準偏差の関係を，それぞれ，平均値ｍSを０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし，二乗平均平方根粗さの平均値ｍSに対する二乗平均平方根粗さの標準偏差ｓSの比ｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下とすることが記載されているものの，この構成は，「昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させること」を目的としており，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することを目的とはしていない。
　そして，本件特許の優先権主張日前に，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することに対して，ＩｎＰ基板裏面の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係についてどのような範囲にすることが適切であるかについては明らかになっていないのだから，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制する引用発明に対して，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制できるかが明らかとなっていない引用文献３記載事項の表面粗さや，表面粗さと標準偏差の関係を採用することには，動機付けがない。
　加えて，引用発明はＩｎＰ基板を対象としており，支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３を貼り合わせたＩＩＩ族窒化物複合基板１を対象とする引用文献３記載事項を適用することにも，動機づけがあるとはいえない。
　そうすると，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が［相違点３］及び［相違点４］に記載された構成を容易になし得たとはいえない。
（イ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は，意見書１及び２において，［相違点３］及び［相違点４］について，基板表面の粗さの平均値に対する標準偏差の比がｓS／ｍSを０．００５以上０．４以下の範囲内において，熱伝導性が向上することは公知であり，表面加工性と熱伝導性に関する公知技術に基づいて，本件発明１における表面粗さと表面粗さと標準偏差との関係を［相違点３］及び［相違点４］の関係とすることに格別の創作性を有するものであるとはいえない旨主張している。
　しかしながら，上記（ア）で述べたように，引用発明のＩｎＰ基板裏面の表面粗さを小さくすることは，ＩｎＰ基板裏面へのガスの回り込みを抑制することを目的としており，引用文献３記載事項の「昇温されたサセプタの主面からＩＩＩ族窒化物複合基板１の裏面側である二乗平均平方根粗さの平均および分布が小さな支持基板１１側の主面１１ｎの全体に均一に熱が伝わるようにし，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の全体が均一に加熱され，これにより，ＩＩＩ族窒化物複合基板１の表面側であるＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上における温度の分布が小さく均一になり，ＩＩＩ族窒化物複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３側の主面１３ｍ上に結晶品質が高く均一なＩＩＩ族窒化物層２０を成長させることができること」を目的とした引用文献３記載事項を適用することには，動機づけがない。
　そうすると，特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
ウ　本件発明１についてのまとめ
　そうすると，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，取消理由により，請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は，本件発明１に対して，さらに，「前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上である」という技術的事項を追加したものである。よって，上記（１）に示した理由と同様の理由により，本件発明２は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，取消理由により，請求項２に係る特許を取り消すことはできない。
（３）本件発明４について
　本件発明４は，本件発明１の技術的事項を全て備える「インジウムリン基板」の製造方法であって，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、両面研磨した前記インジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、片面仕上げ研磨した前記インジウムリンウエハを洗浄する工程とを備える」「インジウムリン基板の製造方法」である。
　そして，上記（１）で示したように，本件発明１が引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではないと同様の理由により，本件発明４は，引用発明及び引用文献２ないし８に記載された事項から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，取消理由により，請求項４に係る特許を取り消すことはできない。
２　取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許法第２９条の２について
ア　本件発明１について
　特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，甲第７号証（特願２０１３−２６７２４８号（特開２０１５−１２６００３号公報））に記載された発明と同一である旨主張している。
　しかしながら，甲第７号証には，本件発明１の「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは，記載されておらす，又自明の事項であるともいえないから，本件発明１が甲第７号証に記載された発明と同一であるとはいえない。
イ　本件発明４について
　特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，甲第７号証に記載された発明と同一である旨主張している。
　しかしながら，甲第７号証には，本件発明４の「前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは，記載されておらす，又自明の事項であるともいえないから，本件発明４が甲第７号証に記載された発明と同一であるとはいえない。
（２）特許法第２９条第２項について
ア　本件発明１について
　特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，甲第１号証（特許第３４５６２５４号公報）に記載された発明及び引用文献２（特開２００７−１０３４６３号公報），引用文献１（特開２００３−２１８０３３号公報），引用文献７（特開２００１−１０２３３７号公報）に記載された事項から容易想到である旨主張している。
　また，特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明１について，引用文献８（特開２００３−２５７８９９号公報）に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。
　しかしながら，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８には，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板」において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。
　そうすると，甲第１号証に記載された発明及び引用文献８に記載された発明において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」とすることが容易であるとはいえない。
　してみると，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。
イ　本件発明２について
　特許異議申立人は，特許異議申立書１において，本件発明２について，甲第１号証に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７，引用文献４（特許第５３７０３９３号公報）に記載された事項から容易想到である旨主張し，また，本件発明２について，引用文献８に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７，引用文献４に記載された事項から容易想到である旨主張している。
　しかしながら，引用文献４には，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８と同様に，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。
　そすると，上記アと同様の理由により，本件発明２は，甲第１号証及び引用文献１，２，４，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，４，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。
ウ　本件発明４について
　特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，甲第１号証に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。
　また，特許異議申立人は，特許異議申立書２において，本件発明４について，引用文献８に記載された発明及び引用文献２，引用文献１，引用文献７に記載された事項から容易想到である旨主張している。
　しかしながら，甲第１号証並びに引用文献１，２，７，８には，「第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板」において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である」ことは記載されておらず，又「上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。」（本件明細書【００１７】）点についても記載も示唆もされていない。
　そうすると，甲第１号証に記載された発明及び引用文献８に記載された発明において，「前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下」とすることが容易であるとはいえない。
　してみると，本件発明４は，甲第１号証に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでなく，引用文献８に記載された発明及び引用文献１，２，７に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得たものでない。
第７　むすび
　したがって，取消理由通知書に記載した取消理由又は特許異議申立書１及び２に記載された特許異議の申立の理由によっては，請求項１，２及び４に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に請求項１，２及び４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　請求項３に係る特許は，上記のとおり訂正により，削除されたため，請求項３に対して，特許異議申立人による特許異議の申立については，対象となる請求項が存在しない。
　よって，結論の通り決定する。
【異議決定日】
令和１年７月１日（２０１９．７．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
インジウムリン基板
、お
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、インジウムリン基板、インジウムリン基板の検査方法、およびインジウムリン基板の製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　インジウムリン（ＩｎＰ）基板は、発光する特性を持っていること、電子の移動速度が速いことなどにより、半導体レーザ、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）、あるいは高速デバイスなどに広く用いられている。半導体レーザおよびＬＥＤでは、ＩｎＰ基板上にエピタキシャル膜を形成した後にＰＬ強度を測定することで、簡易的に発光性能を検査することができる。このＰＬ発光強度は強い方がよい。また、高速デバイスでは、ＩｎＰ基板とエピタキシャル膜との界面の不純物によるリークが問題になるので、界面にｎ型もしくはｐ型の不純物が少ない方が電気特性が安定する。
　【０００３】
　特許文献１（特開２００７−３１１４９０号公報）には、化合物半導体基板の表面粗さＲｍｓを０．２ｎｍ以下にすることにより、化合物半導体基板の表面の不純物を低減するする技術が開示されている。
　【０００４】
　特許文献２（特開２０１０−２４８０５０号公報）には、インジウムリン基板を硫酸過水およびリン酸で洗浄することにより、基板表面の不純物濃度を低減し、基板上にエピタキシャル層を成形した場合に、ＰＬ特性および電気特性が悪化することを抑制する技術が開示されている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００５】
　【特許文献１】特開２００７−３１１４９０号公報
　【特許文献２】特開２０１０−２４８０５０号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００６】
　特許文献１（特開２００７−３１１４９０号公報）の技術は、化合物半導体基板の表面粗さを規定するが、表面粗さの面内バラツキについて規定していない。したがって、化合物半導体基板の表面積が大きく、表面粗さに面内ばらつきがある場合、基板の表面の不純物濃度を一律に低減することができない。
　【０００７】
　特許文献２（特開２０１０−２４８０５０号公報）の技術は、基板表面の不純物濃度を低減するために、洗浄条件を規定している。基板表面の不純物濃度は、基板の表面粗さにも関係し、基板の表面粗さは、基板の研磨条件の影響を受ける。しかし、特許文献２（特開２０１０−２４８０５０号公報）には、基板の研磨条件により基板の表面粗さを制御することについては開示されていない。
　【０００８】
　本発明は、基板の表裏面粗さが制御され、基板上に成長させるエピタキシャル膜の均一性を良好にし、該エピタキシャル膜を用いたエピタキシャルウエハのＰＬ特性を向上させることのできるインジウムリン基板、ならびに、インジウムリン基板の検査方法、およびインジウムリン基板の製造方法を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００９】
　本発明の一態様に係るインジウムリン基板は、（１）第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板であって、前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である、インジウムリン基板である。
　【００１０】
　（２）前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上であることが好ましい。
　（３）本発明の一態様に係るインジウムリン基板の検査方法は、前記インジウムリン基板の主面の中心、および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所において、１μｍ四方の視野で、０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いてインジウムリン基板の表面粗さを測定する工程を含む、インジウムリン基板の検査方法である。
　【００１１】
　（４）本発明の一態様に係るインジウムリン基板の製造方法は、上記（１）または（２）に記載のインジウムリン基板の製造方法であって、第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、前記両面研磨したインジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、前記片面仕上げ研磨したインジウムリンウエハを洗浄する工程とを備える、インジウムリン基板の製造方法である。
　【発明の効果】
　【００１２】
　上記態様によれば、基板の表裏面粗さが制御され、基板上に成長させるエピタキシャル膜の均一性を良好にし、該エピタキシャル膜を用いたエピタキシャルウエハのＰＬ特性を向上させることのできるインジウムリン基板、ならびに、インジウムリン基板の検査方法、およびインジウムリン基板の製造方法を提供することが可能となる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１３】
　【図１】本発明の一態様にかかるインジウムリン基板を示す斜視模式図である。
　【図２】図１のインジウムリン基板をＡ−Ａ線で切断した断面図である。
　【図３】本発明の一態様にかかるインジウムリン基板を第１の主面側から見た平面図である。
　【図４】本発明の一態様にかかるインジウムリン基板を第２の主面側から見た平面図である。
　【図５】本発明の一態様にかかるインジウムリン基板の製造工程を示すフローチャートである。
　【図６】（ａ）は両面研磨装置の概略図である。（ｂ）はインジウムリンウエハを設置したウエハキャリアの概略平面図である。
　【図７】片面研磨装置の概略図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１４】
　［本発明の実施形態の説明］
　最初に本発明の実施態様を列記して説明する。本明細書中においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、“−”（バー）を数字の上につけることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
　【００１５】
　本発明の一態様に係るインジウムリン基板は、（１）第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板であって、前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である、インジウムリン基板である。ここで、前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所とは、前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所であって、オリエンテーションフラット方向（結晶の主面を（１００）とした場合、［０−１−１］方向）を基準にして、９０°の間隔で配置される４箇所を意味する。
　【００１６】
　上記のインジウムリン基板は、第１の主面の表面粗さの平均値が小さく、第１の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面の表面粗さが制御され、第１の主面上に成長させるエピタキシャル膜の均一性を良好にし、該エピタキシャル膜のＰＬ特性を向上させることができる。
　【００１７】
　上記のインジウムリン基板は、第２の主面の表面粗さの平均値が小さく、第２の主面の全面にわたって表面粗さのばらつきが小さいため、基板の第１の主面上にエピタキシャル膜を形成する工程において、基板を支持するサセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わることを抑制できる。このため、当該接触状態の変化に伴って基板の温度分布が偏るといった問題の発生を抑制でき、結果的に膜質の優れたエピタキシャル膜を形成できる。
　【００１８】
　（２）前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上であることが好ましい。
　上記（１）のインジウムリン基板は、第１の主面および第２の主面の表面粗さが、主面全体にわたって制御されているため、最大径が１５０ｍｍ以上の大口径基板であっても、基板表面に均一なエピタキシャル膜を形成できる。また、このようにすれば、大面積の基板を用いることで当該基板に形成できる半導体素子（チップ）の数を増加させることができる。この結果、半導体素子を形成する工程（デバイス工程）での製造コストを低減できるとともに、生産性を改善できる。
　【００１９】
　本発明の一態様に係るインジウムリン基板の検査方法は、（３）前記インジウムリン基板の主面の中心、および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所において、１μｍ四方の視野で、０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いてインジウムリン基板の表面粗さを測定する工程を含む、インジウムリン基板の検査方法である。
　【００２０】
　原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて、０．４ｎｍのピッチで表面粗さを測定することによって、原子オーダーでの凹凸を確実に検出できる。さらに、表面粗さを主面の中心および外縁部４箇所の合計５か所において測定することにより、基板主面の全体における表面粗さのばらつきを算出できる。これにより、主面上にエピタキシャル膜を均一に形成できる基板を選別できる。また、既存のＡＦＭを用いることによって、選別のコストを低減できる。
　【００２１】
　本発明の一態様に係るインジウムリン基板の製造方法は、（４）上記（１）または（２）に記載のインジウムリン基板の製造方法であって、第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、前記両面研磨したインジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、前記片面仕上げ研磨したインジウムリンウエハを洗浄する工程とを備える、インジウムリン基板の製造方法である。
　【００２２】
　これによると、基板の第１の主面と第２の主面の表面粗さの平均値および表面粗さのばらつきを、所望の範囲に制御することができる。
　【００２３】
　［本発明の実施形態の詳細］
　本発明の実施形態にかかるインジウムリン基板、インジウムリン基板の検査方法およびインジウムリン基板の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
　【００２４】
　＜実施の形態１＞
　本発明の一実施の形態におけるインジウムリン基板について、図１〜図４を用いて説明する。図１は、本発明の一態様にかかるインジウムリン基板１０を示す斜視模式図である。図２は、図１のインジウムリン基板１０をＡ−Ａ線で切断した断面図である。図３は、インジウムリン基板１０を第１の主面１１側から見た平面図である。図４は、インジウムリン基板１０を第２の主面１２側から見た平面図である。
　【００２５】
　インジウムリン基板（以下、ＩｎＰ基板とも記す）１０は、インジウムリン（ＩｎＰ）の単結晶からなる。図１に示されるように、ＩｎＰ基板１０は、平面視において略円形である。図２に示されるように、ＩｎＰ基板１０は、第１の主面１１と、第２の主面１２とを含み、第１の主面１１と第２の主面１２とは略平行である。ＩｎＰ基板を用いてエピタキシャル膜を成長させる際には、第１の主面１１上にエピタキシャル膜を成長させる。この際、第２の主面１２は、成膜装置のサセプタに接して載置される。
　【００２６】
　前記第１の主面１１の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面１１の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下である。
　【００２７】
　ここで、表面粗さは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１に規定される算術平均粗さＲａをいい、粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から測定曲線までの距離（偏差の絶対値）を合計し平均した値と定義される。
　【００２８】
　第１の主面１１の中心における表面粗さＲａ１とは、以下の方法で測定した値である。第１の主面１１から、図３の四角で囲まれた１で示される領域のように、第１の主面１１の中心点を含むように、１μｍ四方の視野を抜き取る。該抜き取り範囲を０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いて表面粗さＲａ１を測定する。
　【００２９】
　第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所とは、図３の四角で囲まれた２〜５で示される領域のように、第１の主面の外縁部上で該外縁部を４等分する場所から、第１の主面の中心に向かって、５ｍｍの距離（図３中、ｄ１で示される）内側に位置する４つの領域である。前記４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５とは、以下の方法で測定した値である。第１の主面１１から、前記４箇所を含むように、１μｍ四方の視野を抜き取る。該抜き取り範囲を０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いて表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５をそれぞれ測定する。
　【００３０】
　基板の第１の主面の５箇所における表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は、上述のように０．４ｎｍ以下としているが、好ましくは０．１ｎｍ以上０．３ｎｍ以下である。表面粗さの平均値ｍ１を０．４ｎｍ以下にすることで、基板の第１の主面上に良好なエピタキシャル膜を形成することができる。
　【００３１】
　基板の第１の主面の５か所における表面粗さＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５の標準偏差σ１は前記平均値ｍ１の１０％以下としているが、好ましくは８％以下、より好ましくは６％以下である。このように標準偏差σを前記平均値ｍ１の１０％以下にすることで、基板の第１の主面の表面粗さが制御され、基板表面に均一なエピタキシャル膜を形成できる。
　【００３２】
　第２の主面１２は、前記第２の主面１２の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下であることが好ましい。このように、第１の主面１１に加えて第２の主面１２についても表面粗さが管理されたＩｎＰ基板１０においては、第１の主面１１にエピタキシャル膜を成長させる際に、第２の主面１２と、ＩｎＰ基板１０が搭載された成膜装置のサセプタとの間の接触状態を第２の主面１２全体で均一化することができる。このため、局所的な接触状態のばらつきが発生することに起因するＩｎＰ基板１０での温度分布の発生を抑制できる。このため、形成されるエピタキシャル膜の結晶性や不純物濃度といった膜質の均一性を向上させることができる。この結果、当該エピタキシャル膜の歩留りを向上させることができる。
　【００３３】
　第２の主面１２の中心における表面粗さＲａ６とは、以下の方法で測定した値である。第２の主面１２から、図４の四角で囲まれた６で示される領域のように、第２の主面１２の中心点を含むように、１μｍ四方の視野を抜き取る。該抜き取り範囲を０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いて表面粗さＲａ６を測定する。
　【００３４】
　第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所とは、図４の四角で囲まれた７〜１０で示される領域のように、第２の主面の外延部上で該外縁部を４等分する場所から、第２の主面の中心に向かって、５ｍｍの距離（図４中、ｄ２で示される）内側に位置する４つの領域である。前記４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０とは、以下の方法で測定した値である。第２の主面１２から、前記４箇所を含むように、１μｍ四方の視野を抜き取る。該抜き取り範囲を０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いて表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０をそれぞれ測定する。
　【００３５】
　基板の第２の主面の５箇所における表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、０．４ｎｍ以上３ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、第２の主面における表面粗さの平均値ｍ２が３ｎｍを超えると、エピタキシャル膜の形成工程での、サセプタと基板の第２の主面との接触状態が局所的に変わる（ばらつく）ことから基板の温度分布が不均一となり、結果的に得られるエピタキシャル膜の品質が低下する恐れがある。また、第２の主面の表面粗さの平均値ｍ２を０．２ｎｍ未満にするためには高度な表面処理が必要であり、基板の製造コストが増大するとともに基板の製造工程における生産性が低下する。たとえば、基板裏面の表面粗さの平均値ｍ２を０．２ｎｍ未満にするためには、中性のダイヤモンドスラリーを用いた通常の研磨では難しく、コロイダルシリカとケミカル成分とを用いたＣＭＰ処理などが必要になる。
　【００３６】
　第２の主面の表面粗さの標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下であり、８％以下が好ましく、６％以下がさらに好ましい。このようにすれば、第２の主面とサセプタとの接触状態を第２の主面全体でほぼ均一にすることができ、結果的に第１の主面上に均一なエピタキシャル膜を形成できる。
　【００３７】
　ＩｎＰ基板１０の直径Ｄは、１５０ｍｍ以上であることが好ましく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下がさらに好ましい。ＩｎＰ基板１０は、第１の主面および第２の主面の表面粗さが、主面全体にわたって制御されているため、最大径が１５０ｍｍ以上の大口径基板であっても、基板表面に均一なエピタキシャル成長層を形成できる。また、このようにすれば、大面積の基板を用いることで当該基板に形成できる半導体素子（チップ）の数を増加させることができる。この結果、半導体素子を形成する工程（デバイス工程）での製造コストを低減できるとともに、生産性を改善できる。
　【００３８】
　ＩｎＰ基板１０の厚みは５００μｍ以上８００μｍ以下が好ましい。これによると、ＩｎＰ基板が比較的大型であっても、表裏面粗さが制御され、エピタキシャル層の形成工程や半導体素子の製造工程における歩留まりの低減を抑制できる。
　【００３９】
　＜実施の形態２＞
　本発明の一実施の形態におけるインジウムリン基板の検査方法について、図３および図４を用いて説明する。
　【００４０】
　インジウムリン基板の検査方法は、前記インジウムリン基板の主面の中心、および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所において、１μｍ四方の視野で、０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡を用いてインジウムリン基板の表面粗さを測定する工程を含む。
　【００４１】
　詳細には、まず、インジウムリン基板１０の主面の中心、および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所において、１μｍ四方の視野を抜き取る。ここで、ＩｎＰ基板１０の主面とは、第１の主面１１および第２の主面１２のいずれでもよい。主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所とは、図３の四角で囲まれた２〜５で示される領域や、図４の四角で囲まれた７〜１０で示される領域のように、主面の外延部上で該外縁部を４等分する場所から、主面の中心に向かって、５ｍｍの距離（図３のｄ１または図４のｄ２で示される距離）の内側に位置する領域である。なお、前記４箇所は、前記第１の主面または前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所であって、オリエンテーションフラット（結晶の（００１）方位）を基準にして、９０°の間隔で配置される４箇所である。インジウムリン基板がノッチ付ウエハの場合は、前記４箇所は以下の通り位置決めする。ノッチから、ノッチと基板の中心とを結ぶ線を、基板の中心を回転軸として４５°回転した線上で、第１の主面または前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側の位置を基準Ａ点とした。基準Ａ点の位置から、基準Ａ点と基板の中心とを結ぶ線を、基板の中心を回転軸として、９０°間隔で回転させた線上で、第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側の位置をＢ点、Ｃ点、Ｄ点とした。基準Ａ点と、Ｂ点、Ｃ点、Ｄ点を前記４箇所とする。測定する視野を合計５箇所とすることによって、ＩｎＰ基板の主面の全面についての表面粗さを測定できるので、ＩｎＰ基板の主面の全面について検査ができる。また、測定する視野を５箇所とすることによって、検査を迅速に行うことができる。視野は１μｍ四方である。
　【００４２】
　次に、上記視野において、０．４ｎｍのピッチで、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（例えば、Ｖｅｅｃｏ社製の「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ３０００」）や走査型プローブ顕微鏡（例えば、Ｂｒｕｋｅｒ　ＡＸＳ社製の「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　ＩＣＯＮ」）を用いてＩｎＰ基板の表面粗さを測定する。
　【００４３】
　以上説明したように、実施の形態２におけるＩｎＰ基板の検査方法によれば、原子オーダーの凹凸を確実に検出できる。また、ＩｎＰ基板の表面について原子オーダーの凹凸を既存の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて測定できるので、コストがかからない。この方法で測定した原子オーダーの凹凸と、エピタキシャル成長を実施したのち、ＳＩＭＳでエピタキシャル膜とＩｎＰ基板との界面の不純物量を評価したところ、原子オーダーでの凹凸と界面の不純物とに関係があることが判明した。この方法によって、コストを低減するとともに、ＩｎＰ基板に成長したエピタキシャル膜と基板との界面の不純物量を減少できる。
　【００４４】
　＜実施の形態３＞
　実施の形態１に記載されたインジウムリン基板の製造方法について、図５を用いて説明する。図５に示されるように、インジウムリン基板の製造方法は、第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程（Ｓ１０）と、前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程（Ｓ２０）と、前記両面研磨したインジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程（Ｓ３０）と、前記片面仕上げ研磨したインジウムリンウエハを洗浄する工程（Ｓ４０）とを備える。
　【００４５】
　インジウムリンウエハ（以下、ＩｎＰウエハともいう）を準備する工程では（Ｓ１０）、まず、ＩｎＰインゴットを準備する。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。
　【００４６】
　次に、準備したインゴットからＩｎＰウエハをスライス加工する。スライス加工する方法は特に限定されない。このＩｎＰウエハは、スライス加工によりダメージ層を含む。
　【００４７】
　次に、スライス加工したＩｎＰウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する（Ｓ２０）。両面研磨は、たとえば、図６（ａ）に示す両面研磨装置６０を用いて行うことができる。両面研磨装置６０は、回転運動する上定盤６１と、上定盤６１と回転軸を共有して回転運動する下定盤６２とを含む。上定盤６１の下面および下定盤６２の上面には、それぞれ第１の研磨布６３が装着されている。また、両面研磨装置６０は、上定盤６１と下定盤６２とによって挟まれるように設けられ、定盤と回転軸を共有して回転運動する、ＩｎＰウエハ６６を保持するウエハキャリヤ６５を含む。上定盤６１には、外部からＩｎＰウエハ６６の研磨面に研磨液を供給するための研磨液注入孔６４が形成されている。両面研磨工程では、ＩｎＰウエハ６６は、第１の主面が上定盤６１に対向し、第２の主面が下定盤６２に対向するように、ウエハキャリヤ６５に保持される。上定盤６１のＩｎＰウエハ６６に対する相対速度は、下定盤６２のＩｎＰウエハ６６に対する相対速度と同じであることが好ましい。
　【００４８】
　図６（ｂ）は、両面研磨装置のウエハキャリア６５にＩｎＰウエハ６６を設置した状態を示す概略平面図である。図６（ｂ）に示されるように、ＩｎＰウエハ６６は、ウエハキャリア６５の保持孔の内部に設置されている。ＩｎＰウエハ６６の厚みがウエハキャリア６５の厚みよりも大きくなるように、ウエハキャリア６５は形成されている。
　【００４９】
　上定盤６１および下定盤６２のサイズは径７５０ｍｍ以上であると、研磨後のＩｎＰウエハ表面の平坦度が向上するため好ましい。第１の研磨布としては、たとえば、不織布の基材にポリウレタンの樹脂を含浸させたものを用いることが好ましい。なお、第１の研磨布は、ＩｎＰウエハを研磨する前に、あらかじめダイヤモンドペレットを用いてドレッシングをしておくことが好ましい。これにより、第１の研磨布の表面の平坦度と表面粗さが均一になる。よって、第１の研磨布を用いて研磨したＩｎＰ基板も、表面粗さが均一になる。
　【００５０】
　両面研磨の条件は、たとえば、取り代の７／１０までは通常の条件で両面研磨を実施した後、取り代の残りの３／１０は、回転数を通常の５０％に落とすことで、研磨速度を１／３にして両面研磨することができる。なお、通常の両面研磨条件とは、例えば、上定盤５〜１０ｒｐｍ（正転方向）、下定盤２０〜３０ｒｐｍ（正転方向）、インターナルギア５〜１０ｒｐｍ（正転方向）、サンギア１０〜１５ｒｐｍ（正転方向）の回転数で各定盤および各ギアを回転させ、面圧８０〜１５０ｇ／ｃｍ２の荷重を負荷し、研磨材（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製の「ＩＮＳＥＣ　ＩＰＰ」）を３００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流しながら研磨する条件である。これによると、基板の表面粗さを効果的に低減することができる。よって、基板の表裏面粗さが制御される。両面研磨は、研磨液および界面活性剤を一定流量で流しながら行うことが好ましい。
　【００５１】
　両面研磨を行った後のＩｎＰウエハの第１の主面および第２の主面の表面粗さの平均値は、それぞれ１．０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、表面粗さの平均値とは、ＩｎＰウエハの主面の中心および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さの平均値である。なお、これらの表面粗さの標準偏差は、０．１ｎｍ以下が好ましい。これによると、後の工程において、ＩｎＰ基板の表面粗さおよびばらつきを所望の範囲に調整することが容易である。
　【００５２】
　次に、両面研磨したウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する（Ｓ３０）。片面仕上げ研磨は、例えば、図７に示す片面研磨装置７０を用いて行うことができる。具体的には、まず、円板状の陶器製の研磨プレート７２の表面に、ワックス７３を用いて、ＩｎＰウエハ７４を複数枚貼り付ける。または、陶器製の円板状の研磨プレート７２の表面にウエハ吸着用のバッキングフィルムを貼り付け、その上に、水の表面張力で、ＩｎＰウエハ７４を複数枚貼り付ける。径が６００ｍｍ以上の円板状の研磨定盤７７上に、第２の研磨布７６を貼り付ける。研磨定盤７７は回転軸７８によって回転可能に支持されている。研磨プレート７２は研磨ヘッド７２０から垂下されたシャフト７２２によって回転可能に保持されている。研磨定盤７７の上方には研磨液供給管７９があり、そこから研磨液７５が第２の研磨布７６の上に与えられる。研磨定盤７７と研磨プレート７２とを順方向に回転させることにより、ＩｎＰウエハ７４を研磨する。
　【００５３】
　第２の研磨布７６としては、不織布タイプの研磨布を用いることが好ましい。研磨液７５としては、公知のＩｎＰ研磨用研磨剤を用いることができる。
　【００５４】
　片面仕上げ研磨の条件は、たとえば、取り代の９／１０までは通常の条件で片面研磨を実施した後、取り代の残りの１／１０は、回転数を通常の５０％に落とすことで、研磨速度を１／２にして片面研磨することができる。なお、通常の片面研磨条件とは、下定盤５０〜８０ｒｐｍ（正転方向）、上定盤５０〜８０ｒｐｍ（正転方向）の回転数で各定盤を回転させ、面圧４０〜１００ｇ／ｃｍ２の荷重を負荷し、研磨材（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製の「ＩＮＳＥＣ　ＳＰ」）を１４０ｍｌ／ｍｉｎの流量で流しながら研磨する条件である。これによると、基板の表面粗さを効果的に低減することができる。よって、基板の表裏面粗さが制御される。片面仕上げ研磨は、研磨液および界面活性剤を一定流量で流しながら行うことが好ましい。
　【００５５】
　片面仕上げ研磨を行った後のＩｎＰウエハの第１の主面の表面粗さの平均値は、０．４ｎｍ以下であることが好ましい。なお、表面粗さの平均値とは、ＩｎＰウエハの主面の中心および、主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さの平均値である。なお、これらの表面粗さの標準偏差は、０．０５ｎｍ以下が好ましい。これによると、後の工程において、ＩｎＰ基板の表面粗さおよびばらつきを所望の範囲に調整することが容易である。
　【００５６】
　次に、片面仕上げ研磨したインジウムリンウエハを洗浄する（Ｓ４０）。洗浄液には、希塩酸、希硫酸、希硝酸、および有機酸の少なくとも１つからなる酸性溶液を用いることができる。洗浄工程では、酸性溶液を用いて、ＩｎＰウエハの主面の原子オーダーでの凹凸を低減して、ＩｎＰ基板の第１の主面の表面粗さの平均値ｍ１を０．４ｎｍ以下にできる。
　【００５７】
　洗浄工程（Ｓ４０）で用いる酸性溶液は、希塩酸、希硫酸、希硝酸、および有機酸の少なくとも１つである。有機酸としては、たとえば蟻酸、酢酸、蓚酸、乳酸、りんご酸、およびクエン酸などを用いることが好ましい。酸性溶液のｐＨは、０〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。希塩酸の濃度は０．００１％〜０．５％、希硫酸の濃度は０．００１％〜０．５％、希硝酸の濃度は０．００１％〜０．５％、有機酸の濃度は０．１％〜１％であることが好ましい。酸性溶液をこの範囲内とすることによって、ＩｎＰ基板の表面粗さをより低減できる。
　【００５８】
　洗浄工程（Ｓ４０）は、酸性溶液に酸化剤を添加して行なわれることが好ましい。酸化剤は、特に限定されず、たとえば過酸化水素水などを用いることができる。酸化剤を添加した酸性溶液を用いてＩｎＰウエハの表面を洗浄することにより、洗浄工程の速度を上げることができる。なお、酸化剤の濃度は、特に限定されないが、たとえば０．５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下が好ましく、１ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下がより好ましい。酸化剤の濃度を０．５ｐｐｍ以上とすることによって、酸性溶液の洗浄能力の低減を抑制できる。酸化剤の濃度を１０ｐｐｍ以下とすることによって、ＩｎＰウエハ表面の酸化物、有機物、または微粒子等と反応することを防止できる。
　【００５９】
　洗浄工程（Ｓ４０）で用いられる酸性溶液の温度は特に限定されないが、室温とすることが好ましい。室温とすることによって、ＩｎＰウエハの表面処理を行なう設備を簡略化できる。
　【００６０】
　また、洗浄時間は特に限定されないが、たとえば１０秒以上３００秒以下が好ましい。この範囲内で洗浄工程（Ｓ４０）を実施すると、酸性溶液の費用を削減でき、生産性の向上を図ることができる。なお、これらの洗浄後には、酸あるいはアルカリ液などの洗浄液を除去するため、純水リンス工程が実施されてもよい。さらに、最終の洗浄工程後の純水リンス工程後には、遠心乾燥等でＩｎＰウエハの水分が除去される。この純水リンス工程時においては、９００〜２０００ｋＨｚの超音波を印加することで、微粒子の付着を防止できる。また、純水リンス時には、ＩｎＰウエハの表面の酸化防止のために、酸素濃度が１００ｐｐｂ以下に脱気された純水が用いられる。以上の工程により、ＩｎＰウエハからＩｎＰ基板が作製される。
　【００６１】
　＜実施の形態４＞
　本実施の形態におけるエピタキシャルウエハについて説明する。エピタキシャルウエハは、実施の形態１におけるＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板の第１の主面上に形成されたエピタキシャル膜とを備えている。エピタキシャル膜は、１層であってもよく、複数層であってもよい。
　【００６２】
　ＩｎＰ基板とエピタキシャル膜との界面において、たとえば、Ｓｉ濃度は１．８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、Ｓ濃度は２×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
　【００６３】
　続いて、本実施の形態におけるエピタキシャルウエハの製造方法について説明する。まず、実施の形態３にしたがって、ＩｎＰ基板を製造する。
　【００６４】
　次に、ＩｎＰ基板の表面上にエピタキシャル膜を形成する。エピタキシャル膜を形成する方法は特に限定されず、ＯＭＶＰＥ（Ｏｒｇａｎｏ　Ｍｅｔａｌｌｉｃ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ：有機金属気相成長）法、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ：ハイドライド気相成長）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシ）法などを採用することができる。
　【００６５】
　なお、所定の構造のエピタキシャル膜をＩｎＰ基板の第１の主面上に形成した後にＩｎＰ基板を個々の素子に分割するために、たとえばダイシングなどを行なう分割工程を行ってもよい。
　【００６６】
　以上の工程を実施することにより、エピタキシャルウエハを製造することができる。
　このように製造されたエピタキシャルウエハは、たとえばリードフレームなどに搭載される。そして、ワイヤボンディング工程などを実施することにより、上記素子を用いた半導体装置を得ることができる。
　【００６７】
　本実施の形態におけるエピタキシャルウエハの製造方法は、実施の形態１のＩｎＰ基板１０を用いている。このため、ＰＬ特性の悪化が抑制されたエピタキシャルウエハを製造することができる。
　【００６８】
　このようなエピタキシャルウエハにおいて、ＩｎＰ基板がＦｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいる場合には、次の効果を有する。
　【００６９】
　ドーパントがＦｅの場合、エピタキシャルウエハは、たとえば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃのドーパント濃度を有し、電気特性は半絶縁性である。この場合、ＩｎＰ基板とエピタキシャル層との界面において、Ｓｉ、Ｓの濃度が高いと電気特性異常（リーク）が発生する。しかし、本実施の形態では、ＩｎＰ基板とエピタキシャル層との界面において、Ｓｉ、Ｓの濃度を低減できるため、エピタキシャルウエハは、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）、ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）などに好適に用いられる。
　【００７０】
　ドーパントがＳの場合、エピタキシャルウエハは、たとえば０．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃのドーパント濃度を有し、電気特性はｎ型である。この場合、ＩｎＰ基板とエピタキシャル膜との界面において、Ｏ、Ｃの濃度が高いと電気特性異常および発光強度低下が発生する。しかし、本実施の形態では、ＩｎＰ基板とエピタキシャル層との界面において、Ｏ、Ｃの濃度を低減できるため、エピタキシャルウエハは、レーザなどに好適に用いられる。また、Ｈａｚｅを低減できる場合には、さらにエピタキシャルウエハの発光強度を向上することができる。
　【００７１】
　ドーパントがＳｎの場合、エピタキシャルウエハは、たとえば１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃのドーパント濃度を有し、電気特性はｎ型である。この場合、ＩｎＰ基板とエピタキシャル膜との界面において、Ｏ、Ｃの濃度が高いと電気特性異常および発光強度低下が発生する。しかし、本実施の形態では、ＩｎＰ基板とエピタキシャル層との界面において、Ｏ、Ｃの濃度を低減できるため、エピタキシャルウエハは、レーザなどに好適に用いられる。また、Ｈａｚｅを低減できる場合には、さらにエピタキシャルウエハの発光強度を向上することができる。
　【００７２】
　ドーパントがＺｎの場合、エピタキシャルウエハは、たとえば３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃのドーパント濃度を有し、電気特性はｐ型である。この場合、ＩｎＰ基板１０とエピタキシャル膜との界面において、Ｓｉ、Ｓの濃度が高いと電気特性異常および発光強度低下が発生する。しかし、本実施の形態では、ＩｎＰ基板とエピタキシャル層との界面において、Ｓｉ、Ｓの濃度を低減できるため、エピタキシャルウエハは、レーザなどに好適に用いられる。また、Ｈａｚｅを低減できる場合には、さらにエピタキシャルウエハの発光強度を向上することができる。
　【実施例】
　【００７３】
　本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
　【００７４】
　＜製造例Ａ〜Ｌ＞
　（ＩｎＰ基板の製造）
　まず、ＩｎＰ単結晶を垂直ブリッジマン法（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｂｒｉｄｇｅｍａｎ法、ＶＢ法）により［１００］方向に結晶成長させて、ＩｎＰインゴット得た。次に、ＩｎＰインゴットをスライス加工して、主面が（１００）から［１１０］方向に２°オフしたＩｎＰウエハを得た。ＩｎＰウエハは、直径が１５３ｍｍ、厚み７８０μｍの円盤状であった。
　【００７５】
　次に、両面研磨装置（定盤サイズ７５０ｍｍ）を用いてＩｎＰウエハの主面の両面を研磨した。研磨布には、不織布の基材にポリウレタンの樹脂を含浸させたもの（ニッタハース社製のＳｕｂａＩＶ）を用いた。なお、研磨布はあらかじめダイヤモンドペレット（（株）フジミインコーポレーテッド社製のＰａｄｌｅｓｓ２００Ｈ）でドレッシングされたものである。表１に示される「（ａ）両面研磨条件」の具体的な内容は以下の通りである。
　【００７６】
　標準：上定盤８ｒｐｍ（正転方向）、下定盤２４ｒｐｍ（正転方向）、インターナルギア７ｒｐｍ（正転方向）、サンギア１１ｒｐｍ（正転方向）の回転数で各定盤、各ギアを回転させ、面圧１００ｇ／ｃｍ２の荷重を負荷し、研磨材（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製の「ＩＮＳＥＣ　ＩＰＰ」）を３００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流しながら研磨する。
　【００７７】
　変更：両面研磨の取り代の７／１０までは、上記の標準の条件で両面研磨を実施する。その後、回転数を通常の５０％に落とすことで、研磨速度を１／３にして取り代の残りの３／１０を両面研磨する。
　【００７８】
　表１に示される「（ａ−１）界面活性剤」の具体的な内容は以下の通りである。
　有：上記の（ａ）両面研磨条件において、取り代の残りの３／１０の厚みを研磨する際に、研磨液とともに、界面活性剤（和光純薬社製のＮＣＷ１００１）を一定の流量で流しながら両面研磨する。
　【００７９】
　無：上記の（ａ）両面研磨条件において、界面活性剤を使用しない。
　表１に示される「（ａ−２）取り代（μｍ）」とは、取り代の厚みを示す。
　【００８０】
　次に、両面研磨後のＩｎＰウエハの片面（第１の主面に該当）を、片面研磨装置（定盤サイズ８３０ｍｍ）を用いて研磨した。研磨布には、不織布（千代田（株）社製のＣＩＥＧＡＬ　ＰＳ８４１０）を用い、研磨材には仕上げ研磨材（（株）フジミインコーポレーテッド社製のＩＮＳＥＣ　ＳＰ）を用いた。表１に示される「（ｂ）片面仕上げ研磨条件」の具体的な内容は以下の通りである。
　【００８１】
　標準：下定盤６０ｒｐｍ（正転方向）、上定盤６０ｒｐｍ（正転方向）の回転数で各定盤を回転させ、面圧８０ｇ／ｃｍ２の荷重を負荷し、研磨材（例えば、（株）フジミインコーポレーテッド製の「ＩＮＳＥＣ　ＳＰ」）を１４０ｍｌ／ｍｉｎの流量で流しながら研磨する。片面仕上げ研磨の取り代は約１μｍである。
　【００８２】
　変更：片面仕上げ研磨の取り代の９／１０までは、上記の標準の条件で片面研磨を実施する。その後、回転数を通常の５０％に落とすことで、研磨速度を１／２にして取り代の残りの１／１０を片面研磨する。
　【００８３】
　表１に示される「（ｂ−１）界面活性剤」の具体的な内容は以下の通りである。
　有：上記の（ｂ）片面仕上げ研磨条件において、取り代の残りの１／１０の厚みを研磨する際に、研磨液とともに界面活性剤（和光純薬社製のＮＣＷ１００１）を一定の流量で流しながら両面研磨する。
　【００８４】
　無：上記の（ｂ）片面仕上げ研磨条件において、界面活性剤を使用しない。
　次に、０．１％のフッ化水素でＩｎＰウエハを洗浄した後、溶存酸素量５０ｐｐｂの超純水でリンスを行い、ＩＰＡ蒸気乾燥機にて乾燥を実施した。これにより、製造例Ａ〜ＬのＩｎＰ基板を得た。
　【００８５】
　（ＩｎＰ基板の測定）
　得られたＩｎＰ基板について、図３および図４に示すように、基板中心および基板の外縁から５ｍｍ内側の４点において、０．２μｍ四方の視野で、それぞれ表面粗さＲａ１〜Ｒａ１０を測定した。具体的には、ＩｎＰ基板の第１の主面および第２の主面について、ＡＦＭ装置（Ｖｅｅｃｏ社製の「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ３０００」）で、各箇所について、０．４０ｎｍのピッチで、１列当たり５１２サンプルで５１２列について表面粗さを測定した。この時、タッピングモードを用いた。表面粗さの測定値から、表面粗さの平均値ｍ１、ｍ２、標準偏差σ１、σ２、σ１／ｍ１、σ２／ｍ２を算出した。結果を表１に示す。
　【００８６】
　（エピタキシャル膜の形成）
　得られたＩｎＰ基板の第１の主面上に、ＯＭＶＰＥ法により３００ｎｍの厚みを有するＩｎＰ膜を形成した。このＩｎＰ膜上に、ＯＭＶＰＥ法により５ｎｍの厚みを有するＩｎＧａＡｓ膜を形成した。このＩｎＧａＡｓ膜上に、ＯＭＶＰＥ法により３００ｎｍの厚みを有するＩｎＰ膜を形成した。これにより、ＩｎＰ基板上にエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルウエハを製造した。エピタキシャル膜形成時のＩｎＰ基板温度は５８０℃であった。
　【００８７】
　＜評価＞
　製造例Ａ〜製造例Ｌのエピタキシャルウエハについて、ＩｎＧａＡｓ膜のＰＬ強度を測定した。ＰＬ測定は、励起光波長５３２ｎｍの半導体レーザを用い、照射ビーム径１００μｍ、測定温度２５℃、励起光強度３００ｍＷの条件で行い、測定波長範囲はＩｎＧａＡｓ層からの発光波長に相当する１２５０ｎｍ〜１５００ｎｍであった。又、ＰＬ強度は、発光波長のピーク強度とした。測定機は、ナノメトリクス社製のＰＬＭ１５０を用いた。結果を表１に示す。
　【００８８】
　【表１】
　【００８９】
　＜評価結果＞
　製造例Ａ〜Ｃ、Ｅ〜Ｇは、第１の主面は、表面粗さの平均値ｍ１が０．４ｎｍ以下であり、表面粗さの標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、第２の主面は、表面粗さの平均値ｍ２が０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、表面粗さの標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である。これらの製造例は、基板の表裏面粗さを面内で制御することで、エピタキシャル成長時の基板温度が面内で均一になり、エピタキシャル成長膜のＰＬ特性が優れていた。
　【００９０】
　製造例Ｄ、Ｈ、Ｌは、第２の主面の表面粗さの平均値ｍ２が４．４ｎｍを超えており、基板の表裏面粗さの面内での制御が不十分で、エピタキシャル成長時の基板温度が面内では十分に均一にならず、エピタキシャル成長膜のＰＬ特性が劣っていた。
　【００９１】
　製造例Ｉ、Ｊ、Ｋは、第１の主面の表面粗さの平均値ｍ１が０．４ｎｍを超えており、エピタキシャル成長膜のＰＬ特性が劣っていた。
　【００９２】
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　【産業上の利用可能性】
　【００９３】
　本発明のインジウムリン基板は、半導体レーザ、ＬＥＤ、光束デバイス等に用いると有益である。
　【符号の説明】
　【００９４】
　１０　インジウムリン基板、１１　第１の主面、１２　第２の主面、６０　両面研磨装置、６１　上定盤、６２　下定盤、６３　研磨布、６４　研磨液注入孔、７０　片面研磨装置、７４　ＩｎＰウエハ、７５　研磨液、７６　第２の研磨布、７７　研磨定盤、７８　回転軸、７９　研磨液供給管、７２０　研磨ヘッド、７２２　シャフト。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板であって、
　前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、
　前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は０．４ｎｍより大きく３ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下である、
　インジウムリン基板。
　【請求項２】
　前記インジウムリン基板は、最大径が１５０ｍｍ以上である、
　請求項１に記載のインジウムリン基板。
　【請求項３】
　
（削除）
　【請求項４】
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリン基板の製造方法であって、
　前記第１の主面の中心における表面粗さＲａ１、ならびに前記第１の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の平均値ｍ１は０．４ｎｍ以下であり、
　前記表面粗さＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４およびＲａ５の標準偏差σ１は、前記平均値ｍ１の１０％以下であり、
　前記第２の主面の中心における表面粗さＲａ６、ならびに前記第２の主面の外縁部から５ｍｍ内側に前記外縁部に沿って等間隔に配置される４箇所における表面粗さＲａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の平均値ｍ２は
０．４ｎｍより大きく
　前記表面粗さＲａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９およびＲａ１０の標準偏差σ２は、前記平均値ｍ２の１０％以下であり、
　第１の主面および第２の主面を含むインジウムリンウエハを準備する工程と、
　前記インジウムリンウエハの第１の主面および第２の主面を第１の研磨布を用いて両面研磨する工程と、
　両面研磨した前記インジウムリンウエハの第１の主面を第２の研磨布を用いて片面仕上げ研磨する工程と、
　片面仕上げ研磨した前記インジウムリンウエハを洗浄する工程とを備る、
　インジウムリン基板の製造方法。