【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数１】
2005508062.tif 000001
式中、ｔは基板厚さ、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【請求項２】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数２】
2005508062.tif 000002
式中、ｔは１．２ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項３】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層とを備え、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数３】
2005508062.tif 000003
式中、ｔは０．６ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項４】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリマーは、記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数４】
2005508062.tif 000004
式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【請求項５】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数５】
2005508062.tif 000005
式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０６８、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項６】
複数の層を備えるデータ記憶媒体において、
ａ）ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有し、
前記ポリカーボネートは、最大チルト範囲１．２度で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、データ記憶媒体。
【数６】
2005508062.tif 000006
式中、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０９１、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項７】
積層物品の片側から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
次式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法。
【数７】
2005508062.tif 000007
式中、ｔは物品厚さ、ｒは物品の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【請求項８】
ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（Ｉ）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。
【数８】
2005508062.tif 000008
式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは１．２ｍｍ、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項９】
積層物品の２側面以上から水吸収時の吸水歪を測定する方法であって、
物品の最大チルト範囲及び半径を予め求め、
次式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、積層物品の吸水歪の測定方法。
【数９】
2005508062.tif 000009
式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【請求項１０】
ポリカーボネートを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリカーボネートと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体の吸水歪を測定する方法であって、
次式（II）を用いて吸水歪を計算する
工程を含む、データ記憶媒体の吸水歪の測定方法。
【数１０】
2005508062.tif 000010
式中、最大チルト範囲は１．２度、ｔは１．１ｍｍ、ρは０．０６８、ｒは５３ｍｍ、Δｒｈは２５℃で４０％である。
【請求項１１】
ポリマーを含有する基板層と１以上のデータ層とを備えるデータ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（Ｉ）で求められる吸水歪を有する、ポリマー。
【数１１】
2005508062.tif 000011
式中、ｔは基板厚さ、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【請求項１２】
ａ）ポリマーを含有する１以上の基板層と、
ｂ）基板上の１以上のデータ層と、
ｃ）データ層上の１以上の薄膜層とを備え、
前記薄膜層がポリマーと実質的に同じ物性を有する材料を含有する、データ記憶媒体用のポリマーであって、
記憶媒体の予め求めた最大チルト範囲で、次式（II）で求められる吸水歪を有する、ポリマー。
【数１２】
2005508062.tif 000012
式中、ｔは基板厚さ、ρは薄膜層の厚さ対基板層の厚さの予め求めた厚さ比、ｒは記憶媒体の予め求めた半径、Δｒｈは相対湿度の変化分である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ディスク平坦度を呈する組成物が必要とされている。データ記憶媒体に用いるのに適当な材料とその物性を最適化する方法がいつも求められている。
【特許文献１】米国特許第６０６０５７７号明細書
【特許文献２】米国特許第６１７７５３７号明細書
【特許文献３】米国特許第６２４８８５９号明細書
【特許文献４】米国特許第６００１９５３号明細書
【特許文献５】米国特許第６０２８１６１号明細書
【特許文献６】米国特許第４９５０７３１号明細書
【特許文献７】米国特許第６２２１５５６号明細書
【特許文献８】米国特許第６１７４９８７号明細書
【特許文献９】米国特許第５８２４３８５号明細書
【特許文献１０】特開平０４−３１１８３８号公報
【特許文献１１】特開平０５−２７４７１６号公報
【特許文献１２】特開２０００−１７３１０９公報
【特許文献１３】特開平０９−０９７４５１号公報
【特許文献１４】特開２０００−３２７７６５号公報
【特許文献１５】特開平０９−０５４９８２号公報
【特許文献１６】特開２０００−１７８４３１号公報
【特許文献１７】特開平０５−３０３７６９号公報
【特許文献１８】特開平０９−０３５３３０号公報
【特許文献１９】特開平０４−３２１９５０号公報
【特許文献２０】特開２００１−０６７７２６号公報