【事件の表示】
　特願２００５−　　６７７９号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２７日出願公開、特開２００６−１９６７０１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は，平成１７年１月１３日の出願であって，平成２３年１月２８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年４月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。 
　
第２．原査定 
　原査定における拒絶の理由は，以下のとおりのものと認める。
　「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　１.特開２００１−２７４１８２号公報
　２.特開２００２−１３４６６２号公報
　３.特開２００１−３４５２８７号公報
　４.特開２００２−２２４８７８号公報
　５.特開２００４−１０３７３８号公報
　上記刊行物のうち，特開２００１−２７４１８２号公報を，以下「引用例１」といい，特開２００２−１３４６６２号公報を，以下「引用例２」という。
　
第３．当審の判断 
１．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は，平成２２年１１月１９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである（以下「本願発明」という）。 
　「表面に複数のチップ領域と前記チップ領域間の境界領域とを有する半導体ウエハの前記チップ領域上に突起電極を形成する工程と，
　前記半導体ウエハ表面と前記突起電極とを覆うように表面側保護部材を形成する工程と，
　前記境界領域に対応する前記半導体ウエハを除去し，前記表面側保護部材を露出させる溝部を形成する工程と，
　前記溝部を充填するが前記半導体ウエハの裏面は被覆しない裏面側保護部材を形成する工程と，
　前記表面側保護部材を研磨することによって前記突起電極の表面を露出させる工程と，
　露出した前記突起電極の表面に半田ボールを形成する工程と，
　前記表面側保護部材と前記溝部に充填された前記裏面側保護部材とが切断面に残るように，前記溝部の幅よりも細い幅で，前記半導体ウエハの表面側から裏面側に向かって切断して前記半導体ウエハを前記境界領域で分割する工程と，を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
　
２．引用刊行物記載事項
（１）本願の出願日前に頒布された刊行物である引用例１には，電子部品の製造方法に関し，図面とともに次の事項が記載されている。
　１ａ）「【００１１】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照して本発明の一実施形態による電子回路の製造方法について詳細に説明する。図１は，本発明の一実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。
【００１２】まず，プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ上にポストを形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。図２は，プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハの一例を示す斜視図である。図２に示されたように，ウェハ１０の表面には，半導体素子１２が形成されている。通常，１つのウェハ１０上には同一の電子回路が形成された半導体素子１２が複数形成されている。ウェハ１０の厚みは，０．４ｍｍ以上である。半導体素子１２各々の表面は，例えばシリコン酸化膜等による絶縁膜が形成されているが，半導体素子１２に形成された電子回路と外部の電子回路とを接続する電極パッドが形成された箇所は，シリコン酸化膜がエッチング等により除去されて剥き出しになっている。
【００１３】上記ポストはシリコン酸化膜がエッチング等に除去されて剥き出しになっている箇所に形成される。図３は，ウェハ１０の断面図である。図３に示されたように，ウェハ１０の半導体素子１２には複数のポスト１４が形成されている。」
　１ｂ）「【００１４】ポスト１４が形成されると，次にポスト１４が形成された面に溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１１）。図４は，ポスト１４が形成された面に溝を形成する工程を説明するための図であり，ウェハ１０に関しては図３と同様に断面を示している。図４において，１５は溝を形成するためのダイシング装置であり，本実施形態においては，例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有する溝を形成するものが用いられる。前述したように，１つのウェハ１０上には半導体素子１２が多数形成されているため，上記溝は個々の半導体素子の周囲を取り囲むように形成される。」
　１ｃ）「【００３２】次に，半導体素子１２内部に形成された電子回路と，外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程においては，所定の径を有するハンダボールを，封止樹脂１８表面に表れているポスト１４上に搭載する（図１１参照）。」
　１ｄ）「【００３３】最後に，電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１１は，半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。図１１において，４６は，ダイシング装置であり，電子部品５６を形成するには，ダイシング装置４６を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。ダイシング装置４６によって切断を行う際には，工程Ｓ１１において形成した溝１３のほぼ中央部を切断する。つまりこの工程においては，封止樹脂１８のみを切断することによって電子部品５６を得ている。このようにして得られた電子部品は，上下及び４側面が全て封止樹脂１８と４０によって封止されたものとなる。尚，切断は通常のダイシング装置を用いることができるが，レーザを用いたレーザ切断装置を用いても良い。尚，ダイシング装置４６の切断刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって，溝の幅より薄いものである。図１２は，電子部品５６の斜視透視図である。」
　１ｅ）「【００３６】次に，本発明の他の実施形態について説明する。図１３は，本発明の他の実施形態による電子回路の製造方法の工程手順を示す図である。図１３に示した本発明の他の実施形態による電子部品の製造方法と図１に示した本発明の一実施形態による電子部品の製造方法とが異なる点は，図１３においては図１に示した工程Ｓ１１が省略され，図１中の工程Ｓ１８の次の工程に工程Ｓ１９を設けた点が異なる。尚，図１３と図１とを比較すると，図１３には工程Ｓ２１の処理が設けられ，図１には工程Ｓ２０の処理が設けられているが，これらの処理は実質的に同一の処理である。
【００３７】以下，本発明の他の実施形態について詳細に説明する。尚，以下の説明においては，図１に示した処理と重複する部分については説明を省略する。まず，プレーナ技術により電子回路が形成されたウェハ１０（図２参照）上にポスト１４を形成する工程が行われる（工程Ｓ１０）。ポスト１４が形成された後のウェハ１０の断面は図２に示したものと同様である。
【００３８】次に，ポスト１４を形成した面を封止樹脂を用いて印刷する処理が行われる（工程Ｓ１２）。」
　１ｆ）「【００３９】次に，工程Ｓ１２において印刷した樹脂を硬化する工程が行われ（工程Ｓ１４），次いで，ウェハ１０に対して封止樹脂１８が印刷された面を研磨して，封止樹脂１８に埋もれたポスト１４を磨き出す工程が行われる（工程Ｓ１６）。」
　１ｇ）「【００４１】以上の工程が終了すると，研磨後のウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に印刷した封止樹脂１８に至る溝を形成する工程が行われる（工程Ｓ１９）。」
　１ｈ）「【００４３】工程Ｓ１９において，溝１３，１３，…が形成されると，次に，溝１３，１３，…を形成した面に樹脂を塗布する工程が行われる（工程Ｓ２１）。」
　１ｉ）「【００４５】以上の工程を行うことにより，電子部品の表面及び裏面に硬化した封止樹脂１８及び封止樹脂４０が形成されるのでウェハ１０の強度が高まる。次に，半導体素子１２内部に形成された電子回路と，外部のマザーボード（図示省略）に形成された電子回路とを電気的に接続するための接続ボールを形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。この工程は前述した本発明の一実施形態と同様である。
【００４６】最後に，電子部品を切断することにより半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２６）。図１９は，本発明の他の実施形態において，半導体素子１２を個々に分離して電子部品５６を形成する工程を説明する図である。この工程では，図１１に示したダイシング装置４６と同様の装置を用いて切断によって半導体素子１２を個々に分離する。図１９から分かるように，最終的に形成される電子部品５６は，図１１及び図１２に示した電子部品と同様の電子部品である。」
　１ｊ）図１４を参照すると，封止樹脂１８がウェハ１０の表面とポスト１４とを覆うように形成されていることが看取できる。
　１ｋ）図１８を参照すると，封止樹脂４０は溝１３に充填され，ウェハ１０の裏面を被覆するように形成されていることが看取できる。
　
　上記記載事項１ａないし１ｋ及び図面の記載によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　「複数の半導体素子１２を有するウェハ１０の前記半導体素子１２上にポスト１４を形成する工程と，
　前記ウェハ１０表面と前記ポストとを覆うように封止樹脂１８を形成する工程と，
　前記封止樹脂１８を研磨することによって前記ポスト１４を磨き出す工程と，
　個々の半導体素子１２の周囲を取り囲むように，ウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に形成した封止樹脂１８に至る溝１５を形成する工程と，
　前記溝１５を充填し，前記ウェハ１０の裏面を被覆する封止樹脂４０を形成する工程と，
　前記ポスト１４の表面にハンダボール４４を形成する工程と，
　前記封止樹脂１８と前記溝１５に充填された前記封止樹脂４０とが切断面に残るように，前記溝１５の幅よりも細い幅で切断して前記ウェハ１０を分割する工程と，を具備する電子部品の製造方法。」
　
（２）本願の出願日前に頒布された刊行物である引用例２には，チップ型半導体装置の製造方法に関し，図面とともに次の事項が記載されている。
　２ａ）「【００４６】（実施の形態２）図２に本発明の第２の実施の形態に係わるチップ型半導体装置を示す。すなわち図２において，（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係わるチップ型半導体装置の透視平面図，（ｂ）は（ａ）のＣＣ線断面図である。具体的には，本発明の第２の実施の形態に係わるチップ型半導体装置は，２個のコレクタ電極１９ａ，１９ｂ，ベース電極２０，エミッタ電極２１を備えた４端子チップ型トランジスタである。
【００４７】図示したように，本発明による第２の実施の形態のチップ型半導体装置は，半導体基板２２とＳｉＯ2，プラズマＳｉＮ，ポリイミドの三層からなる保護膜２３，電極１９ａ，１９ｂ，２０，２１，エポキシ樹脂からなる側面被覆樹脂２４を備える。」
　２ｂ）「【００５５】（実施の形態５）次に，本発明のチップ型半導体装置の製造方法の第１の例について説明する。図５の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示されるように，複数の半導体が形成された半導体ウェーハ２９の表面にメタルバンプ等の電極２８を形成する。図６の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示されるように，電極２８を形成した半導体ウェーハ２９の電極面側を，片面にアクリル系からなる接着材のついたポリプロピレン（ＰＰ）からなるシート３０に貼り付ける。半導体ウェーハ２９の厚みをそのままにして（例えば４００μｍ），または裏面を研磨などにより所望の厚み（例えば２５０μｍ）まで薄くした後，図７の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示すように，例えば１００μｍ幅のダイシング用ブレード３１で半導体ウェーハ２９を切断し，半導体基板２２を切り出す。次に，図８の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示すように，エポキシ樹脂からなる粘度１０〜６０Ｐａ・ｓの樹脂３２を滴下または塗布し，切断した半導体基板２２の間隙を埋め，図９の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示すように，スキージ３３またはシートを回転させることにより樹脂厚みを半導体基板２２の厚みとほぼ同一にした後，樹脂３２を硬化する。ここで，硬化温度は約１４０℃，硬化時間は約１０分である。
【００５６】その後，図１０の断面図（ａ），斜視図（ｂ）に示すように，前記切断時に比べて幅の狭い例えば２０μｍ幅のダイシング用ブレード３４にて半導体基板２２の間隙の樹脂３２を切断することにより，半導体チップ側面を被覆する厚さ４０μｍの側面被覆樹脂２４を形成し，チップ型半導体装置３５を得る。この方法により，（実施の形態１），（実施の形態２）に記載のチップ型半導体装置を得ることができる。」
　
３．対比・判断 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体素子１２」，「ウェハ１０」，「ポスト１４」，「封止樹脂１８」，「ポスト１４を磨き出す」，「封止樹脂４０」，「ハンダボール４４」，「電子部品の製造方法」は，それぞれ本願発明の「チップ」，「半導体ウェハ」，「突起電極」，「表面側保護部材」，「突起電極の表面を露出させる」，「裏面側保護部材」，「半田ボール」，「半導体装置の製造方法」に相当する。
　引用発明のウェハ１０表面の半導体素子１２が存在する領域は，本願発明の「チップ領域」に相当し，引用発明のウェハ１０表面の半導体素子１２の周囲を取り囲む領域は，本願発明の「境界領域」に相当する。
　引用発明の溝１５を形成する工程において，溝１５は，ウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に形成した封止樹脂１８に至るように形成されるのであるから，裏面側からウェハ１０を除去することで溝１５が形成され，形成された溝１５によって封止樹脂１８が露出されることは明らかである。したがって，引用発明の「個々の半導体素子１２の周囲を取り囲むように，ウェハ１０の裏面側からポスト１４が形成された面に形成した封止樹脂１８に至る溝１５を形成する工程」は，本願発明の「境界領域に対応する半導体ウエハを除去し，表面側保護部材を露出させる溝部を形成する工程」に相当する。
　本願発明は，各工程がすべて請求項１に記載された順序で行われる半導体装置の製造方法に限定されるものではなく，例えば，突起電極の表面を露出させる工程は，裏面保護部材を形成する工程よりも前に行われてもよいと解される。
　したがって，本願発明と引用発明は，本願発明の表記にしたがえば，
　「表面に複数のチップ領域と前記チップ領域間の境界領域とを有する半導体ウエハの前記チップ領域上に突起電極を形成する工程と，
　前記半導体ウエハ表面と前記突起電極とを覆うように表面側保護部材を形成する工程と，
　前記境界領域に対応する前記半導体ウエハを除去し，前記表面側保護部材を露出させる溝部を形成する工程と，
　前記溝部を充填する裏面側保護部材を形成する工程と，
　前記表面側保護部材を研磨することによって前記突起電極の表面を露出させる工程と，
　露出した前記突起電極の表面に半田ボールを形成する工程と，
　前記表面側保護部材と前記溝部に充填された前記裏面側保護部材とが切断面に残るように，前記溝部の幅よりも細い幅で，切断して前記半導体ウエハを前記境界領域で分割する工程と，を具備する半導体装置の製造方法。」
の点で一致し，次の点で相違する。
　
 ［相違点１］
　本願発明は，半導体ウエハの裏面を被覆しないように裏面保護部材を形成しているのに対して，引用発明は，半導体ウエハの裏面を被覆するように裏面保護部材を形成している点。
 ［相違点２］
　本願発明は，半導体ウエハを分割する際の切断方向に関し，半導体ウエハを表面側から裏面側に向かって切断しているのに対しで，引用発明は，切断方向が不明な点。
　
　相違点１について検討する。
　引用例２には，半導体チップを被覆する樹脂を半導体基板の裏面には形成しないことが記載されている（指摘事項２ａ，２ｂ，図２，９参照）。引用発明と引用例２に記載の技術とは半導体装置の製造方法という共通の技術分野に属するものである。してみると，引用発明において，裏面に保護部材を有しない半導体装置を製造するために，引用例２に記載の事項を適用し，半導体ウエハの裏面を被覆しないように裏面保護部材を形成することは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　相違点２について検討する。
　引用発明において，半導体ウエハを分割する際の切断方向は，半導体ウエハの表面側から裏面側に向かう方向と，半導体ウエハの裏面側から表面側に向かう方向の２つであるが，どちらの方向で切断しても半導体ウエハを分割することができることは明らかである。
　よって，引用発明において，半導体ウエハを分割する際の切断方向として前記２つの方向のどちらを採用するかは当業者が適宜選択し得る事項であり，半導体ウエハを表面側から裏面側に向かって切断することは，単なる設計事項に過ぎない。
　
　以上のことから，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお，引用例１の段落【００４８】には，「ポストが形成された面のみならず，半導体基板の裏面にも封止樹脂を塗布するようにしているので，半導体基板に反りが生じていない状態で分離工程を行えるので，工程不良率を飛躍的に改善できる。」と記載されており，引用発明においては，半導体ウエハの裏面を被覆するように裏面側保護部材を形成することが欠かすことができない構成であるとも考えられる。しかし，引用例２に記載されているように，半導体ウエハの裏面を裏面保護部材で被覆しない場合であっても分離工程は行えるのであるから，半導体ウエハの裏面を保護部材で被覆するか否かは，半導体ウエハに反りが生じていない状態で分離工程を行うことと，半導体ウエハの裏面に裏面保護部材を有しない半導体装置を製造することとのどちらを優先するかに応じて当業者が適宜選択し得る設計事項である。よって，引用発明の半導体ウエハの裏面を保護部材で被覆しないことにつき格別の阻害要因は存在しないといえる。また，審判請求人は，審判請求書において，「確かに本出願の明細書００３０段落と００４６段落には「切断方向が表面側から裏面側であっても，逆に裏面側から表面側であっても良い」旨の記載がありますが，この記載は単に「切断は表面側からでも裏面側からでも可能」と言っているだけであり，表面側から切断した場合と裏面側から切断した場合の効果が全く同一であるとは言っていません。表面側から切断しますと「半導体ウエハ裏面へのブレードの接触防止」という効果を奏しますが，裏面側から切断しますとこのような効果が得られません。」と主張している。しかし，本願発明は，表面側保護部材と溝部に充填された裏面側保護部材とが切断面に残るように，溝部の幅よりも細い幅で切断するのであるから，半導体ウエハの表面側から裏面側に向かう方向と半導体ウエハの裏面側から表面側に向かう方向のどちらの方向で切断したとしても，ブレードは，表面側保護部材及び裏面側保護部材にのみ接触し，半導体ウエハの裏面には接触しないことは明らかである。したがって，審判請求人の「表面側から切断しますと「半導体ウエハ裏面へのブレードの接触防止」という効果を奏しますが，裏面側から切断しますとこのような効果が得られません。」との主張は失当である。
　
４．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。