Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
（表３）ポリマー装飾のための典型的なサブユニット
2006501485.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
（表４）直接ポリマーイメージングのための典型的なサブユニット
2006501485.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
下記の図面は、本明細書の一部を形成し、本発明で開示された態様の一定の様相をさらに明示するために含まれる。本発明の態様は、本明細書に提示された特定の態様の詳細な説明と組み合わせて、1つ以上のこれらの図面を参照することによって、より良好に理解される。
【図１】コード化プローブ130を整列するための模範的な方法を例示し、各々は、表面100に、プローブ分子に接着した1つ以上のナノバーコードを含む。（A）コード化プローブ130を含む溶液110内への表面100の浸漬。（B）整列したコード化プローブ130を含む表面100の溶液110からの除去。
【図２】コード化プローブ230を表面220に整列するための代替の模範的な方法を例示する。（A）コード化プローブ230を含む溶液210の滴が、カバースリップ200とガラススライド220との間に挟まれる。カバースリップ200が適所に保持される間に、スライド220が動かされ、結果としてコード化プローブ230が整列される。
【図３】コード化プローブ340を表面300に整列するための別の代替の模範的な方法を例示する。
【図４】プローブ分子410に接着したナノバーコード420を含む模範的なコード化プローブ400を例示する。個別のナノバーコード420は、下記により詳細に検討されるように、1つ以上の部分から構成されてもよい。
【図５】コード化プローブの合成のための典型的なスキームを示す図である。（A）典型的なナノタグ要素をR1およびR2官能基を含む二官能価分子に転換する。（B）一方の官能基を保護し、他方を活性化する。（C）制御された重合で構成単位を段階的に加える。
【図６】主鎖介在ナノバーコード合成のための一般的なスキームを示す図である。（A）タグユニットの一官能化。（B）アミノ酸類似物への転換。（C）ヌクレオチド類似物への転換。
【図７】コード化プローブに組み込むための二官能価フラーレンジオールの典型的な修飾を示す図である。
【図８】コード化プローブ合成に使用される二官能価フラーレンの典型的な構造を示す図である。
【図９】原子間鏡検法によって得られた消化ラムダDNAの典型的な画像を示す図である。
【図１０】マイクロ流体分子コーミング（MMC）によって整列されたDNA分子の例を示す図である。
【図１１】マイクロ流体分子コーミング（MMC）によって整列されたDNA分子の別の例を示す図である。
【図１２】一緒にハイブリッド形成された個別のオリゴヌクレオチド鎖13個から構成された典型的なオリゴヌクレオチドに基づくナノバーコードを示す図である。
【図１３】図12のナノバーコードの個別のオリゴヌクレオチドの構成要素を示す図である。図12に示されるように、ナノバーコードの上部鎖を作るために使用され、図14に表される配列の下線部に相当する（配列番号：3〜11）、9個のフラグメント（順に、PT1からPT9へラベル付けられる）と、下部鎖（配列番号：12〜15）を作るために使用された4個のフラグメント（#1から#4へラベル付けられる）とがあることに注意されたい。PT1は、配列番号:3の1〜30残基に相当する。PT2は、配列番号:4の11〜40残基に相当する。PT3は、配列番号:5の21〜60残基に相当する。PT4は、配列番号:6の11〜40残基に相当する。PT5は、配列番号:7の21〜60残基に相当する。PT6は、配列番号:8の11〜40残基に相当する。PT7は、配列番号:9の21〜60残基に相当する。PT8は、配列番号:10の11〜40残基に相当する。PT9は、配列番号:11の22〜61残基に相当する。ハイブリッド形成されたナノバーコードは、走査型プローブ鏡検法によって検出可能な分岐点を呈する。
【図１４】分岐点を含むPT1からPT9の完全配列を記載する。
【図１５】原子間鏡検法によってイメージングされた、図12および図13のナノバーコードを示す図である（矢印、図の右上）。また、比較のために、2.8kbの線形化したプラスミドDNAが示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】追加
【補正の内容】
【配列表】
2006501485000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月13日(2006.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料に取り付けられた電極アレイと、
前記電極アレイに取り付けられた少なくとも１つのミクロ微粒子強磁性材料を有するカンチレバー配置に構成されたナノチューブアレイと、
前記電極アレイとプローブ部とを結合する電気回路と、
を含むミクロ次元プローブ。
【請求項２】
前記ナノチューブはピエゾ抵抗を示す、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項３】
前記ナノチューブはカーボンナノチューブである、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項４】
前記ナノチューブは、少なくとも１つのＹ字またはＶ字形態のチューブルを有する、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項５】
前記ナノチューブは多層形態である、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのチューブルが、１ナノメートル〜１００ナノメートルの範囲の直径を有する、請求項４に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項７】
前記強磁性材料は少なくとも１つの遷移金属を含む、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項８】
前記遷移金属は、鉄、コバルト、ニッケル、それらの混合物、およびそれらの合金から成る群から選択される、請求項１０に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項９】
ミクロ次元プローブがミクロ画像装置の一部である、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項１０】
前記ミクロ画像装置は、ＭＦＭまたはＭＲＦＭ装置である、請求項９に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項１１】
ミクロ次元プローブがナノスケール寸法を有する、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項１２】
ミクロ次元プローブがナノスケール分解能で検出を行う、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項１３】
強磁性材料が磁気フィールドセンサー材料である、請求項１に記載のミクロ次元プローブ。
【請求項１４】
請求項１に記載のミクロ次元プローブを用いてミクロ環境または構造を感知または操作する方法であって、
電流を前記ミクロ次元プローブに流す工程と、
試料表面からの撓みにおけるピエゾ抵抗の変化を測定することにより前記ミクロ次元プローブ内に流れる前記電流により発生するカンチレバー先端の運動を検出する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既知の量のサンプル溶液を隔離する方法であって、
（ｉ）密封手段を備えた第１のチャンバと、第２のチャンバとを有し、第１のチャンバと第２のチャンバがダクトを介して連結されている装置を用意してサンプル溶液を装置の第１のチャンバ内へ集める段階と、
（ｉｉ）予め決定された既知の量のサンプル溶液を装置の第２のチャンバ内へ圧送する段階とを有し、
サンプル溶液が、核酸標的物質を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
装置は、直立したとき、ダクトは、第１のチャンバの底部の入口から第２のチャンバの頂部の入口まで上方外方に延びていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
装置は、成形された弾性変形可能なプラスチックで作られていることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
装置の第１のチャンバの容積は、約１ｍｌ〜約５００ｍｌ、好ましくは約１０ｍｌ〜約１００ｍｌ、より好ましくは約２０ｍｌ〜約５０ｍｌであることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項５】
前記装置の第２のチャンバの容積は、約１ｍｌ〜約１００ｍｌ、好ましくは約２ｍｌ〜約５０ｍｌ、より好ましくは約５ｍｌ〜約３０ｍｌであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項６】
ダクトの容積は、約０．１ｍｌ〜約５ｍｌ、好ましくは約１ｍｌ〜約３ｍｌであることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項７】
第２のチャンバ内に隔離されるサンプル溶液の量は、第２のチャンバ内において約１ｍｌ〜約５０ｍｌ、好ましくは約２ｍｌ〜約３０ｍｌ、より好ましくは約５ｍｌ〜約２０ｍｌであるよう予め決定されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
第２のチャンバ内に隔離されるサンプル溶液の量は、前記所定容積の約１０％以内、好ましくは約５％以内、より好ましくは約１％以内の精度であることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
装置の第１のチャンバは、漏斗と一体であることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１０】
装置は、使い捨てであることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１１】
既知の量のサンプル溶液を隔離する方法であって、
（ｉ）密封手段を備えた第１のチャンバと、第２のチャンバとを有し、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバがダクトにより連結されている装置を用意し、サンプルを前記装置の第２のチャンバ内へ入れる段階と、
（ｉｉ）前記サンプルを溶解させ又は希釈するのに適した溶媒を前記装置の第１のチャンバ内へ入れる段階と、
（ｉｉｉ）予め決定された既知の量の前記溶媒を前記装置の第１のチャンバから前記第２のチャンバに圧送する段階と、
（ｉｖ）前記溶媒が前記サンプルを溶解させ又は希釈できるようにする段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項１２】
サンプルは、固形又は粘性液体サンプルであることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
既知の量のサンプル溶液を隔離する装置であって、
（ｉ）開口部を備えた第１のチャンバと、
（ｉｉ）開口部を備えた第２のチャンバと、
（ｉｉｉ）前記第１のチャンバを密封する手段と、
（ｉｖ）前記第２のチャンバを密封する手段とを有し、
前記手段（ｉｖ）は、円錐形を逆さまにした形状のものであり、第１のチャンバは、ダクトにより第２のチャンバに連結されていることを特徴とする装置。
【請求項１４】
既知の量のサンプル溶液を隔離する装置であって、
（ｉ）開口部を備えた第１のチャンバと、
（ｉｉ）開口部を備え、更に機能性試薬を有する第２のチャンバと、
（ｉｉｉ）前記第１のチャンバを密封する手段とを有し、第１のチャンバは、ダクトにより第２のチャンバに連結されていることを特徴とする装置。
【請求項１５】
機能性試薬は、細菌を溶解できる予め投入された試薬ビーズであることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
機能性試薬は、カオトロピズム塩を含むことを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
機能性試薬は、対照核酸塩基配列を含むことを特徴とする請求項１４又は１５記載の装置。
【請求項１８】
既知の量のサンプル溶液を隔離するキットであって、
（ｉ）（ａ）開口部を備えた第１のチャンバ、（ｂ）開口部を備えた第２のチャンバ、（ｃ）前記第１のチャンバを密封する手段を有し、第１のチャンバがダクトにより第２のチャンバに連結された装置と、
（ｉｉ）機能性試薬とを有することを特徴とするキット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収束ウェッジを形成する２つの軌道の間に摩擦接触して位置するローラを含むことで、前記２つの軌道間の運動を伝達する遊星牽引駆動装置のためのウェッジ負荷機構であって、
前記ローラは可撓取付部を含み、該可撓取付部は、前記ローラの有効支持剛性ＫＳと、前記ローラが前記２つの軌道の一方に接触する接点Ａ及び前記ローラが前記２つの軌道の他方に接触する接点Ｂにおける有効接触剛性ＫＲとの間に差を発生することを特徴とするウェッジ負荷機構。
【請求項２】
負荷ローラリングをさらに含み、前記可撓取付部は、支持軸と、弾性インサートと、軸受とを含むことを特徴とする請求項１に記載のウェッジ負荷機構。
【請求項３】
前記負荷ローラリングが接点Ａ及びＢにおける摩擦力Ｆによって前記２つの軌道間の収束ウェッジ内へ駆動されるとき、垂直接点力Ｎと支持力Ｆ０は、
【数１】
2006501414.tif 000001
によって特徴付けられ、
ここで、ｌは負荷ローラリングの中心が前記接点Ａ及びＢにおける摩擦力に応答して前記収束ウェッジ内を移動する距離であり、δは前記接点で計測された前記２つの軌道の間のウェッジ角であることを特徴とする請求項２に記載のウェッジ負荷機構。
【請求項４】
接点における動作摩擦係数がμ０であり、静的均衡条件下の支持力が
【数２】
2006501414.tif 000002
によって特徴付けられることを特徴とする請求項３に記載のウェッジ負荷機構。
【請求項５】
静的均衡条件下において、ＫＳとＫＲとの間の有効剛性率は、
【数３】
2006501414.tif 000003
によって特徴付けられ、
ここで、μは前記接点における最大可能摩擦係数であることを特徴とする請求項４に記載のウェッジ負荷機構。
【請求項６】
剛性比率が負の値を有する状態では、力Ｆ０に方向変化があり、前記支持軸が前記負荷ローラリングを前記収束ウェッジ内に押し込んでいることを示すことを特徴とする請求項５に記載のウェッジ負荷機構。
【請求項７】
前記剛性比率が、
【数４】
2006501414.tif 000004
のように適切に選択されている限り、
前記遊星牽引駆動装置に組み込まれた当該ウェッジ負荷機構は、牽引駆動装置を最大可能摩擦係数μで或いはその近傍で動作させながらも、いかなる小さなウェッジ角δでも動作され得ることを特徴とする請求項６に記載のウェッジ負荷機構。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの活性領域；
前記の少なくとも２つの活性領域の間の電気的接続を与える電気導電性のドープされたチャネル； 
前記電気導電性チャネルの第１部分に対して設けられた１導電性層； 
前記電気導電性チャネルの第２部分に対して設けられた第２導電性層であって、前記第１導電性層と前記第２導電性層とは互いに距離を置いている、第２導電性層；及び
前記第１導電性層と前記第２導電性層との間の前記電気導電性のドープされたチャネルの露出された第３部分；
から構成されることを特徴とする半導体接続。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体接続であって、前記第１導電性層及び前記第２導電性層はシリサイド層である、ことを特徴とする半導体接続。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体接続であって、前記電気導電性のドープされたチャネルは：
前記の少なくとも２つの活性領域の第１の一に隣接する第１のドープされたチャネル領域；
前記の少なくとも２つの活性領域の第２の一に隣接する第２のドープされたチャネル領域；及び
前記第１のドープされたチャネル領域と前記の第２のドープされたチャネル領域との間に設けられた第３のドープされたチャネル領域；
から構成される、ことを特徴とする半導体接続。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体接続であって、前記第１のドープされたチャネル領域、前記第２のドープされたチャネル領域及び前記第３のドープされたチャネル領域は、前記第３のドープされたチャネル領域が擬似チャネルブロック構造であるように、同じタイプの導電性を有する、ことを特徴とする半導体接続。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体接続であって、前記の少なくとも２つの活性領域は第１ドーピング濃度を有し、前記第３のドープされたチャネル領域は第２ドーピング濃度を有し、前記の第２ドーピング濃度は前記の第１ドーピング濃度より濃度が小さい、ことを特徴とする半導体接続。
【請求項６】
形成された複数の導電性チャネルを有する集積回路であって：
関連するチャネルをブロックされたチャネルが導電性でないようにする、関連するチャネルブロックを各々有する前記の複数の導電性チャネルの選択された一と；
関連する導電性チャネルをブロックされた擬似チャネルが導電性でないようにしない、関連する擬似チャネルブロックを各々有する前記の複数のチャネルの他の一と；
を有する集積回路であり、
前記のチャネルをブロックされたチャネルは、リバースエンジニアリング技術を適用する間に集積回路が平面図的にみられるとき、前記チャネルをブロックされたチャネルはアーチファクトの存在により前記導電性チャネルをブロックされた擬似チャネルを偽装し、前記アーチファクトエッジ間の何れの材料により覆われていない；
ことを特徴とする集積回路。
【請求項７】
困難であるリバースエンジニアリングを行う方法であって：
少なくとも２つの活性領域間に電気導電性のドープされたチャネルを形成する段階；
前記電気導電性のドープされたチャネルの第１部分に対して第１導電性層を設ける段階；
前記電気導電性のドープされたチャネルの第２部分に対して第２導電性層を設ける段階；及び
前記第１導電性層が前記第２導電性層に電気的に接続しないようにシリサイドブロックマスクを変更する段階；
を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記の電気導電性のドープされたチャネルを形成する段階は、前記の電気導電性のドープされたチャネルにおいてチャネルブロック構造の画像を生成する手順と含み、それにより、前記の電気導電性のドープされたチャネルは、リバースエンジニアにはチャネルブロックされたか又はチャネルブロックされた可能性があるようにみえるが、前記の電気導電性のドープされたチャネルはチャネルブロックされていない、ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記チャネルブロック構造は、前記の少なくとも２つの活性領域を生成するために用いられるドーパント濃度より低いドーパント濃度を用いて生成されている、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、前記第１導電性層及び前記第２導電性層はシリサイド層である、ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
集積回路デザインを保護する方法であって：
チャネルをブロックされた非導電性のチャネルに関連する導電性層のエッジを規定する段階；及び
前記のチャネルをブロックされた非導電性のチャネルのために前記導電性層の前記エッジと同じ相対位置に導電性チャネルをブロックされた擬似チャネルに関連する導電性層のエッジを、前記エッジが互いに電気的に接続されないようにシリサイドブロックマスクを変更することにより、位置付ける段階；
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記導電性層はシリサイドである、ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
困難であるリバースエンジニアリングを行う方法であって：
少なくとも２つの活性領域間に電気導電性のドープされたチャネルを形成する段階；
前記電気導電性のドープされたチャネルの第１部分に対して第１導電性層を設ける段階；並びに
前記電気導電性のドープされたチャネルの第２部分に対して第２導電性層を設ける段階であって、前記第１導電性層及び前記第２導電性層は互いに距離を置いて離れている、段階；
を有する方法であり、
前記第１導電性層と前記第２導電性層との間の前記電気導電性のドープされたチャネルの一部は露出されている；
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記の電気導電性のドープされたチャネルを形成する段階は、前記の電気導電性のドープされたチャネルにおいてチャネルブロック構造の画像を生成する手順と含み、それにより、前記の電気導電性のドープされたチャネルは、リバースエンジニアにはチャネルブロックされたか又はチャネルブロックされた可能性があるようにみえるが、前記の電気導電性のドープされたチャネルはチャネルブロックされていない、ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記チャネルブロック構造は、前記の少なくとも２つの活性領域を生成するために用いられるドーパント濃度より低いドーパント濃度を用いて生成されている、ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、前記第１導電性層及び前記第２導電性層はシリサイド層である、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項４記載のシステムであって、
前記第１の表面が実質的に前記第２の表面を取り囲む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップとボードに、対応するパッドを取付けるための接触パッドを画定するチップ取付け表面とボード取付け表面とを有する基板を含み、前記ボード取付け表面が、前記チップ取付け表面に取付けられたときに、前記チップの少なくとも１つのコーナー近傍の前記チップ取付け表面領域の反対側に幾何学的不連続性のない少なくとも１つの領域を含み、前記ボード取付け表面が誘電体材料を含む積層フリップチップ相互接続パッケージ。
【請求項２】
チップとボードに、対応するパッドを取付けるための接触パッドを画定するチップ取付け表面とボード取付け表面とを有する基板を含み、前記ボード取付け表面が、前記チップ取付け表面に取付けられたときに、前記チップの少なくとも１つのコーナー近傍の前記チップ取付け表面領域の反対側に幾何学的不連続性のない少なくとも１つの領域を含み、前記ボード取付け表面が金属を含む積層フリップチップ相互接続パッケージ。
【請求項３】
前記金属が、はんだマスクおよびカバーレイ材料から選択される材料の層で覆われている、請求項１又は２に記載の積層フリップチップ相互接続パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗器の製造方法であって、
（ａ）フレキシブル基板（１０）（２８）の表面の一領域を活性化し、もって活性化領域（１２）（３４）を形成する段階と、
（ｂ）活性化領域（１２）（３４）に金属層（１４）（３６）を堆積させて活性化領域（１２）（３４）に反応を生起させ、その結果として抵抗層（１６）（３８）を形成することによって、活性化領域（１２）（３４）に抵抗層（１６）（３８）を形成する段階と、
（ｃ）抵抗層（１６）（３８）の少なくとも一部に１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）を堆積させる段階と、
（ｄ）１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）をパターン化して抵抗器の端子（２４、２６）（４４、４６）を形成する段階と
を含んでなる方法。
【請求項２】
段階（ａ）が、フレキシブル基板（１０）（２８）の表面にイオンエッチングを施す段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
段階（ａ）が、ポリイミド基板（１０）（２８）の表面の一領域を活性化する段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
金属層（１４）（３６）を堆積させる段階が、活性化領域（１２）（３４）にチタン層（１４）（３６）を堆積させて活性化領域（１２）（３４）に反応を生起させ、その結果として炭化チタン層（１６）（３８）を形成する段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
段階（ｃ）が、金属層（１４）（３６）の少なくとも一部に銅層（１８）（４０）を堆積させる段階を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
抵抗器の製造方法であって、
（ａ）フレキシブル基板（１０）（２８）の表面を活性化して活性化層（１２）（３４）を形成する段階と、
（ｂ）活性化層（１２）（３４）の表面に第一の金属層（１４）（３６）を堆積させることで活性化層に反応を生起させ、その結果として抵抗層（１６）（３８）を形成する段階と、
（ｃ）第一の金属層（１６）（３８）に１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）を堆積させる段階と、
（ｄ）１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）及び第一の金属層（１６）（３８）の各々を抵抗層に達するまでエッチングして端子（２４、２６）（４４、４６）を形成する段階と、
（ｅ）抵抗層をパターン化して端子（２４、２６）（４４、４６）間に接続された抵抗器を形成する段階と
を含んでなる方法。
【請求項７】
抵抗器の製造方法であって、
（ａ）フレキシブル基板（２８）の表面にマスキング層（３０）を堆積させる段階と、
（ｂ）マスキング層（３０）に開口（３２）を形成することで、開口を通してフレキシブル基板の一部分を露出させる段階と、
（ｃ）フレキシブル基板の露出部分を活性化して活性化領域（３４）を形成する段階と、
（ｄ）フレキシブル基板の表面からマスキング層（３０）を除去する段階と、
（ｅ）活性化領域（３４）に金属層（３６）を堆積させて活性化領域（３４）に反応を生起させ、その結果として抵抗層（３８）を形成することによって、活性化領域（３４）に抵抗層（３８）を形成する段階と、
（ｃ）抵抗層（３８）の少なくとも一部に１以上の相互接続層（４０、４２）を堆積させる段階と、
（ｄ）１以上の相互接続層（４０、４２）をパターン化して抵抗器の端子（４４、４６）を形成する段階と
を含んでなる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ＬＥＤのような半導体デバイスの静電損傷の可能性を最小にするための一つの機構は、高値ブリード抵抗器を組み込んで電荷放散のための放電路を設けることである。しかし、可撓性基材上に製造された半導体デバイスに関しては、抵抗器の製造はある種の問題を引き起こすことがある。多くの場合、ポリイミドのような可撓性基材上に１００キロオーム〜１メガオームの範囲内の小さい高値薄膜抵抗器を製造することは困難である。窒化タンタル（ＴａＮ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）及びケイ化クロム（ＣｒＳｉ）のような通常使用される抵抗器フィルムは、１００〜３００オーム／平方の範囲内のシート抵抗値を有している。これらの値では、１００キロオーム〜１メガオームの範囲内の抵抗器は一般に蛇状構造物としてパターン化され、そのため非常に大きい面積を占めることがある。可撓性基材上に製造される半導体デバイスに関しては、高抵抗薄膜抵抗器を製造するために使用する大きい蛇状構造物は実施不可能な場合がある。さらに、ポリイミドフィルムのような可撓性基材上での加工には、フィルムが構造上の健全性を維持するようにするため、一般に比較的低い温度（＜２００℃）が要求される。可撓性基材上での加工のために必要な低い温度では、半導体デバイスに高値抵抗器を製造するために通例使用される材料の多くは使用できない。その理由は、これらの材料が２００℃を超える加工温度を要求することにある。
【特許文献１】米国特許第３９６６５７８号明細書
【特許文献２】米国特許第５２５０３８８号明細書
【特許文献３】米国特許第５７５３５２３号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０３８８８８８号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
更に正確には、図２ｂに示す例において、第２の勾配は、漸次的且つ連続的に上昇する傾きを有しており、この傾きは、連続して以下の値、すなわち１０−１５−２５−５０℃／秒という値になる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月15日(2006.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の非導電層と、
前記非導電層および前記第１の導電層の上方にあり、かつ前記第１の導電層と電気的に結合された、第２の導電層とを有する導電構造を有し、
前記導電構造は、一定の長さの前記導電構造に沿って一定時間に単一の電流を伝えるべく形成されており、
前記単一の電流の第１の部分は前記第１の導電層を通じて伝搬し、
前記単一の電流の第２の部分は前記第２の導電層を通じて伝搬し、
前記単一の電流の前記第１の部分および前記第２の部分は、実質的に同時に前記導電構造の末端の所定の目的箇所に到達する、導電性電子部品。
【請求項２】
導電性電子部品において、
基板と、
前記基板の上方の導電構造とを有し、前記導電構造は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層のほぼ全長にわたり、前記第１の導電層に接触している第２の導電層と、
前記第１の導電層および前記第２の導電層に接触している非導電層とを有し、
電流は前記第１の導電層および前記第２の導電層を同時に通じて伝搬し、
前記第２の導電層は前記第１の導電層の上方にある、導電性電子部品。
【請求項３】
第１の導電層と、前記第１の導電層に接触している非導電層とを有する、導電構造を形成するステップと、
前記第１の導電層の上方の前記非導電層のある部分を保持する間に、前記第１の導電層のある部分を露出するため前記非導電層をパターン形成するステップと、
前記第１の導電層のほぼ全長にわたり、前記非導電層の前記部分の上方にあり、かつ前記第１の導電層の前記部分と電気的に結合された、第２の導電層を形成するステップとを備え、
電流は前記第１の導電層および前記第２の導電層を同時に通じて伝搬する、導電性電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月11日(2006.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層上に形成されるポリシリコン層、および前記このポリシリコン層上に形成される多結晶シリコンゲルマニウム層がその上に形成される半導体基板であって、シリコンゲルマニウムの層の上に重なる歪みシリコン（ストレインド・シリコン）の表層を含む半導体基板、を提供するステップと、
前記ゲート絶縁層を覆うゲートであって、下側のポリシリコン部分と上側の多結晶シリコンゲルマニウム部分とを含むゲートを形成すべく、前記多結晶シリコンゲルマニウム層および前記ポリシリコン層をパターン化するステップと、
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の歪みシリコンチャネル領域を形成すべく、このＭＯＳＦＥＴのソースおよびドレイン領域から前記歪みシリコン層を除去するステップと、
前記ゲートの前記上側の多結晶シリコンゲルマニウム部分と接触すると共に、前記ソースおよびドレイン領域中の前記シリコンゲルマニウム層と接触するニッケルの層を形成するステップと、
前記ゲート上および前記シリコンゲルマニウム・ソースおよびドレイン領域上にニッケルゲルマノシリサイドコンタクトを形成すべく、熱処理を実行するステップと、を含む、
ＭＯＳＦＥＴを形成する方法。
【請求項２】
前記ニッケルゲルマノシリサイドは、ニッケルモノシリサイドを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ニッケルゲルマノシリサイドの形成によって消費されないニッケルを除去するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記熱処理は、３５０℃から７００℃の間の温度で実行される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ポリシリコンおよび多結晶シリコンゲルマニウムがその場で（in situ）形成される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記多結晶シリコンゲルマニウム層は、組成Si1-xGexを有しており、前記Ｘは、０．１から０．３の範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記Ｘは、約０．２である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ニッケルの層を形成するステップの前に、
浅いソースおよびドレイン拡張部を注入するステップと、
前記ゲートの周りにスペーサを形成するステップと、
深いソースおよびドレイン領域を注入するステップと、を実行する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ニッケルの層を形成するステップの前に、
前記ゲートと前記ソースおよびドレイン領域の上に保護層を形成するステップを実行する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
シリコンゲルマニウムの層を含む半導体基板と、
前記シリコンゲルマニウム層中に形成されるソースおよびドレイン領域と、
前記シリコンゲルマニウム層上に形成され、前記ソースおよびドレイン領域の間に伸びる歪みシリコンチャネル領域と、
前記チャネル領域に重なるゲート絶縁膜と、
前記シリコンゲルマニウム・ソースおよびドレイン領域上に形成されるニッケルゲルマノシリサイドコンタクトと、を含む、
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイス。
【請求項１１】
前記ニッケルゲルマノシリサイドは、ニッケルモノシリサイドを含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
前記多結晶シリコンゲルマニウム層は、組成Si1-xGexを有しており、前記Ｘは、０．１から０．３の範囲にある、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１３】
前記Ｘは、約０．２である、請求項１２記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ゲート絶縁膜に重なるポリサイドゲートであって、下側のポリシリコン部分、上側の多結晶シリコンゲルマニウム部分、および前記ゲートの前記上側の多結晶シリコンゲルマニウム部分上に形成されるニッケルゲルマノシリサイドコンタクトを含むポリサイドゲートをさらに含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１５】
前記ポリサイドゲートのサイドウォール上に形成される保護スペーサと、
このスペーサの下に伸びる浅いソースおよびドレイン拡張部と、をさらに含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１６】
前記ゲートと前記ソースおよびドレイン領域の上に形成される保護層をさらに含み、
前記ニッケルゲルマノシリサイドコンタクトは、前記シリコンゲルマニウム・ソースおよびドレイン領域上に形成され、前記保護層を貫通して前記ソースおよびドレイン領域まで広がる、請求項１５記載のデバイス。
【請求項１７】
前記ソースおよびドレイン領域と前記チャネル領域は、絶縁層上に形成される半導体本体を含んでおり、これによってシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ＭＯＳＦＥＴが含まれるようになっている、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１８】
シリコンゲルマニウムの層と、前記シリコンゲルマニウムの層の上に重なる歪みシリコン（ストレインド・シリコン）の表層と、前記歪みシリコン上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲート導電体層と、を含む半導体を提供するステップと、
前記ゲート絶縁層を覆うゲートを形成すべく、前記ゲート導電体層をパターン化するステップと、
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の歪みシリコンチャネル領域を形成すべく、このＭＯＳＦＥＴのソースおよびドレイン領域から前記歪みシリコン層を除去するステップと、
前記ソースおよびドレイン領域中の前記シリコンゲルマニウム層と接触するニッケルの層を形成するステップと、
前記シリコンゲルマニウム・ソースおよびドレイン領域上にニッケルゲルマノシリサイドコンタクトを形成すべく、熱処理を実行するステップと、を含む、
ＭＯＳＦＥＴを形成する方法。
【請求項１９】
前記ニッケルゲルマノシリサイドは、ニッケルモノシリサイドを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記ニッケルゲルマノシリサイドの形成によって消費されないニッケルを除去するステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記熱処理は、３５０℃から７００℃の間の温度で実行される、請求項１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月12日(2005.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングするための方法であって、
少なくとも一つの酸化物層を有する基板を備えるステップと、
酸素及び少なくとも第１と第２のガスの混合物に基づくプラズマで前記酸化物層をエッチングするステップとを有し、
前記第１のガスは化学式ＣaＦbを有し、前記第２のガスはＣxＨyＦzを有し、ａ/ｂ≧２/３，ｘ/ｚ≧１/２であり、且つａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚは全て０より大きいことを特徴とする方法。
【請求項２】
基板をエッチングするための方法であって、
基板上に設けられ、誘電体層と半導体層から成るグループから選ばれた第１の層を有する構造体をチャンバ内に配置するステップと、
少なくとも一つの酸化物層を有する基板を備えるステップと、
酸素及び少なくとも第１と第２のガスの混合物に基づくプラズマで前記酸化物層をエッチングするステップとを有し、
化学式ＣaＦbを有する第１のガスと、化学式ＣxＨyＦzを有する第２のガスを有する反応性ガス混合物（ただし、ａ/ｂ≧２/３，ｘ/ｚ≧１/２であり、且つａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚは全て０より大きい）をチャンバに供給するステップと、
エッチングプラズマを確立するために充分なＲＦエネルギーを前記チャンバに供給し、且つ前記基板の面に垂直な関連電界を供給するステップと、
前記電界に実質的に垂直で、前記基板の表面に実質的に平行な磁界をチャンバに与えるステップと、
前記プラズマが前記第１の層の少なくとも一部をエッチングするのを可能にするステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
基板をエッチングするための方法であって、
半導体及び誘電体基板から成るグループから選ばれた基板を備えるステップと、
前記基板を、磁気的に増強された反応性イオンエッチングプロセスを通してエッチングするステップ、前記プロセスは、前記基板に対して反応性ガス混合物のエッチング速度及び選択性から成るグループから選ばれた少なくとも一つのパラメータの値を増加するのに充分な量の水素ラジカルの前記ガス混合物への追加を含んでおり、且つ
前記ガス混合物は、化学式ＣaＦbを有する第１のガスと、化学式ＣxＨyＦzを有する第２のガスを有する反応性ガス混合物（ただし、ａ/ｂ≧２/３，ｘ/ｚ≧１/２であり、且つａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚは全て０より大きい）を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
基板をエッチングするための装置であって、
エッチングされる基板を受け取るのに適合したチャンバと、
前記チャンバと連通する少なくとも一つのリザーバと、
を有し、
前記少なくとも一つのリザーバは、ガス混合物をチャンバへ供給するようにされ、前記ガス混合物は、化学式ＣaＦbを有する第１のガスと、化学式ＣxＨyＦzを有する第２のガス（ただし、ａ/ｂ≧２/３，ｘ/ｚ≧１/２であり、且つａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚは全て０より大きい）を有することを特徴とする装置。
【請求項５】
基板をエッチングするための方法であって、
半導体及び誘電体基板から成るグループから選ばれた基板を備えるステップと、Ｃ4Ｆ6、Ｏ2及びＡrを有するガス状混合物に基づくプラズマの使用によって前記基板をエッチングするステップ、それにより変更された基板を形成し、且つ
Ｃ4Ｆ6、Ｏ2、Ａr及びＣ2Ｈ2Ｆ4を有するガス状混合物に基づくプラズマの使用によって、前記変更された基板を更にエッチングするステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
基板をエッチングするための方法であって、
（ａ）ドープされた酸化物を有する第１の層、及び（ｂ）ドープされない酸化物を有する第２の層を有する基板を備えるステップと、
前記第２の層を通して少なくとも部分的に広がるが、前記第１の層に実質的に広がらない窪みを形成するように、Ｃ4Ｆ6、Ｏ2及びＡrを有する第１のガス状混合物に基づくプラズマの使用によって前記基板をエッチングし、それにより変形された基板を形成するスッテップと、
前記窪みを前記第１の層に実質的に広げるように、Ｃ4Ｆ6、Ｏ2、Ｃ2Ｈ2Ｆ4及びＡrを有する第２のガス状混合物に基づくプラズマの使用によって前記変更された基板をエッチングするステップと、
有することを特徴とする方法。
【請求項７】
物品であって、
基板と、
前記基板上に設けられた第１と第２のゲート構造体と、前記第１と第２のゲート構造体は、約０.２５μｍ未満のギャップによって分離されており、
前記ゲート構造体と前記ギャップ上に設けられた窒化シリコンの層と、
前記窒化シリコンの層上に設けられたドープされた酸化物の層と、
前記ドープされた酸化物の層上に設けされたドープされない酸化物の層と、
を有することを特徴とする物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性絶縁複合材であって、該耐熱性絶縁複合材は
（ａ）中空非孔質粒子及びマトリックスバインダーを含む絶縁基層、及び
（ｂ）赤外線反射剤及び保護バインダーを含む熱反射層
を含み、しかも該耐熱性絶縁複合材は５０ｍＷ／（ｍ・Ｋ）又はそれ以下の熱伝導率を有する耐熱性絶縁複合材。
【請求項２】
絶縁基層が５〜９９ｖｏｌ％の中空非孔質粒子を含む、請求項１に記載の耐熱性絶縁複合材。
【請求項３】
絶縁基層が１〜１０ｍｍの厚さである、請求項１又は２に記載の耐熱性絶縁複合材。
【請求項４】
絶縁基層が、乾燥後に０．５ｇ／ｃｍ3又はそれ以下の密度を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の耐熱性絶縁複合材。
【請求項５】
熱反射層が１ｍｍ又はそれ以下の厚さである、請求項１から４のいずれか一項に記載の耐熱性絶縁複合材。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の耐熱性絶縁複合材を含む基材。
【請求項７】
基材がモーター駆動式の車両又は装置の部品である、請求項６に記載の基材。
【請求項８】
基材がモーター駆動式車両のアンダーボディ又はその一部である、請求項６又は７に記載の基材。
【請求項９】
耐熱性絶縁複合材を製造する方法であって、該方法は
（ａ）中空非孔質粒子及びマトリックスバインダーを含む絶縁基層を基材上に付与し、そして
（ｂ）保護バインダー及び赤外線反射剤を含む熱反射層を該絶縁基層の表面に施用する
ことを含み、しかも該耐熱性絶縁複合材は５０ｍＷ／（ｍ・Ｋ）又はそれ以下の熱伝導率を有する方法。
【請求項１０】
絶縁基層が、吹付けにより基材に施用される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
熱反射層が、吹付けにより絶縁基層の表面に施用される、請求項９又は１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月14日(2006.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも一つのトランジスタと、
ｂ）前記トランジスタに結合されたＲＦ信号入力リード線と、
ｃ）前記トランジスタに結合された接地端子と、
ｄ）前記トランジスタに結合されたＲＦ信号出力リード線と、
ｅ）前記ＲＦ信号出力リード線に結合された出力マッチング回路及びＲＦ及びビデオバイパス回路と、
ｆ）要素ａ）及びｅ）を収容するパッケージで、要素ｂ）、ｃ）、及びｄ）が前記パッケージから延出された状態となるパッケージと
を備えるパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項２】
更に、
ｇ）前記ＲＦ及びビデオバイパス回路を介して前記トランジスタにＤＣバイアス電圧を印加するためのバイアスリード線を含む請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項３】
前記ＲＦ及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記ＲＦバイパス回路においてインダクタンスを提供する請求項２記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項４】
前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記一の容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項３記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項４記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項６】
前記ＲＦ及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記ＲＦバイパス回路においてインダクタンスを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項７】
前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項６記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項８】
前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項７記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項９】
前記少なくとも一つのトランジスタは、ＦＥＴを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも一つのトランジスタは、バイポーラトランジスタを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのトランジスタは、複数のトランジスタを備える請求項１記載のパッケージに収納されたＲＦパワーデバイス。
【請求項１２】
ａ）少なくとも一つのＲＦパワートランジスタをハウジング内に提供するステップと、
ｂ）前記ハウジングを通って延び、前記トランジスタに電気的に結合された入力リード線及び出力リード線を提供するステップと、
ｃ）前記出力リード線に結合された出力マッチング回路を前記ハウジング内に提供するステップと、
ｄ）前記出力マッチング回路に接続され、ＤＣ電力を前記トランジスタに供給する時、ＲＦ及びビデオ電流がＤＣ電源へ流れるのを防止するたＲＦ及びビデオバイパス回路を前記ハウジング内に提供するステップと
を備える広帯域ＲＦパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体信号を符号化する方法であって、
第１の符号化器による、１つ以上の媒体信号サンプルを有する各グループの符号化に応答して該第１の符号化器により生成されるコードシーケンスの範囲を決定する段階と、
前記媒体信号サンプルのグループを第２のコードシーケンスに実際に符号化するよう第２の符号化器を用いる段階と、
マッピング表に従って、各第２のコードシーケンスに、前記第１のコードシーケンスのうちの選択された１つを割当てる段階と、
前記情報信号を表すよう前記選択された第１のコードシーケンスを伝送する段階と、
を有する方法。
【請求項２】
前記第２の符号化器は、前記第１の符号化器より高い符号化品質を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の符号化器及び／又は前記第２の符号化器は、量子化器であり、
各コードシーケンスは、量子化された信号サンプルである請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１の量子化器は、スカラー量子化器であり、
前記第２の量子化器は、ベクトル量子化器である請求項３記載の方法。
【請求項５】
媒体信号を符号化する装置であって、
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の方法の段階を実施するための回路を有する、装置。
【請求項６】
符号化された情報信号を復号化する方法であって、
第１の復号化器に関連付けられる第１のコードシーケンスを受信する段階と、
マッピング表に従って、前記第１のコードシーケンスを第２のコードシーケンスにより置き換える段階と、
第２の復号化器を用いて、前記第２のコードシーケンスを復号化する段階と、
を有する方法。
【請求項７】
前記第１のコードシーケンス及び／又は前記第２のコードシーケンスは、量子化された信号サンプルであり、
各復号化器は、逆量子化器である請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第１の逆量子化器は、スカラー逆量子化器であり、
前記第２の逆量子化器は、ベクトル逆量子化器である請求項７記載の方法。
【請求項９】
符号化された情報信号を復号化する装置であって、
請求項６乃至８のうちいずれか一項記載の方法の段階を実施するための回路を有する、装置。
【請求項１０】
実行したときに、プログラム可能装置が請求項５又は９に記載の装置として機能することを可能にするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月25日(2006.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機構造を製造するための方法であって、
（ａ）光反応性組成物を基材に付与する工程であって、前記組成物が、
反応種と、
光開始剤系と、
複数の実質的に無機のコロイド粒子であって、前記粒子の平均粒度が約３００ｎｍ未満であるコロイド粒子とを含む、工程と、
（ｂ）前記組成物をフォトパターニングして、構造を規定する工程と、
（ｃ）前記反応種を熱分解し、かつ前記粒子を少なくとも部分的に溶融するのに十分な時間、高温に前記構造を曝す工程とを含む方法。
【請求項２】
無機構造を製造するための方法であって、
（ａ）光反応性組成物を基材に付与する工程であって、前記組成物が、
反応種と、
光開始剤系と、
複数の実質的に無機のコロイド状表面処理シリカ粒子であって、前記粒子の平均粒度が約３００ｎｍ未満である粒子とを含む、工程と、
（ｂ）前記組成物をフォトパターニングして、構造を規定する工程と、
（ｃ）前記反応種を熱分解し、かつ前記粒子を少なくとも部分的に溶融するのに十分な時間、高温に前記構造を曝す工程とを含む方法。
【請求項３】
（ａ）有機反応種と、
（ｂ）光開始剤系と、
（ｃ）複数の実質的に無機のコロイド粒子とを含む光反応性組成物であって、前記粒子が、平均粒度が約３００ｎｍ未満であり、かつ約６５体積％未満で前記組成物中に存在し、前記組成物の粘度が、室温および１Ｈｚの剪断速度において、１５，０００センチポアズより大きい、光反応性組成物。
【請求項４】
請求項２に記載の方法に従って製造された平面光学デバイスであって、前記デバイスが、実質的に無機の多孔性構造を達成するのに十分な時間、５００℃から１０００℃の高温にゆっくり加熱される、平面光学デバイス。
【請求項５】
複数の実質的に無機のコロイド粒子を含む平面光学デバイスであって、前記粒子が、平均粒度が約３００ｎｍ未満であり、かつ少なくとも部分的に溶融されている、平面光学デバイス。
【請求項６】
（ａ）エポキシ樹脂と、
（ｂ）光開始剤系と、
（ｃ）複数の実質的に無機のコロイド状表面処理シリカ粒子とを含むエポキシ配合物であって、前記粒子の平均粒度が約３００ｎｍ未満であり、前記配合物の粘度が、室温および１Ｈｚの剪断速度において、１５，０００センチポアズより大きい、エポキシ配合物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）親水性表面を有するリトグラフ支持体のウェブ提供すること、
（ｉｉ）ウェブの親水性表面上にフェノール樹脂を含んで成る被膜を適用すること、
（ｉｉｉ）被覆されたウェブに熱を供給することにより被膜を乾燥すること、
（ｉｖ）ウェブが外界条件下に維持されるであろう速度より高いが３０℃／秒より高くはない平均冷却速度でウェブ温度が低下される、積極的冷却段階、
（ｖ）コア上に前駆物質を巻くか、もしくは前駆物質をシートに切断すること、
の段階を含んで成る感熱性リトグラフ印刷版前駆物質の製法。
【請求項２】
平均冷却速度が２０℃／秒より高くはない請求項１記載の方法。
【請求項３】
冷却段階の開始時に、ウェブ温度がフェノール樹脂を含んで成る被膜のガラス転移温度、Ｔｇより高く、そして冷却段階中に、ウェブ温度が１０℃／秒より低い平均冷却速度でＴ１からＴ２に低下され、ここでＴ１はＴｇより高く、Ｔ２はＴｇより低い請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
冷却段階中に、ウェブ温度が
−第１相において、少なくとも１０℃／秒の平均冷却速度でＴ１に、
−第２相において、１０℃／秒より低い平均冷却速度でＴ１からＴ２に、
低下される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
冷却段階中に、ウェブ温度が
−第１相において、少なくとも１０℃／秒の平均冷却速度でＴ１に、
−第２相において、１０℃／秒より低い平均冷却速度でＴ１からＴ２に、そして
−第３相において、少なくとも１０℃／秒の平均冷却速度でＴ２からほぼ外界温度に、
低下される請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）親水性表面を有するリトグラフ支持体のウェブ提供すること、
（ｉｉ）ウェブの親水性表面上にフェノール樹脂を含んで成る被膜を適用すること、
（ｉｉｉ）被膜を乾燥すること、
（ｉｖ）ウェブ温度が０．１〜６０秒の期間中、１５０℃より上に維持される加熱段階、
（ｖ）コア上に前駆物質を巻き付けるかもしくは前駆物質をシートに切断すること、
の段階を含んで成る感熱性リトグラフ印刷版前駆物質の製法。
【請求項２】
加熱段階が前駆物質上に熱風もしくは蒸気を吹き付けることにより実施される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
加熱段階が前駆物質を赤外線もしくはマイクロ波放射にさらすことにより実施される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
段階（ｉｖ）と段階（ｖ）の間に冷却段階を更に含んで成る請求項１−３のいずれか１に記載の方法。
【請求項５】
冷却段階中に、ウェブ温度が１０℃／秒より低い平均冷却速度でＴ１からＴ２に低下され、ここでＴ１はＴｇより高く、Ｔ２はＴｇより低く、Ｔｇはフェノール樹脂を含んで成る被膜のガラス遷移温度である請求項４に記載の方法。