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　特願２００６−２９４０６０「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月１５日出願公開、特開２００８−１１２８１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本件発明
　本願は平成１８年１０月３０日の出願であって、同２３年５月１２日付拒絶理由通知に対して同２３年７月１３日付で意見書と手続補正書が提出されたが、同２３年９月２６日付で拒絶査定がなされたものである。これに対し、本件審判が平成２３年１２月２２日に請求され、当審による同２４年５月１５日付拒絶理由通知に対して同２４年７月２１日付で意見書と手続補正書が提出されている。
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２４年７月２１日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体基板の回路形成面に複数の半導体素子を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、
　封止金型に前記半導体基板をその回路形成面側の外周縁部を押さえ込んだ状態で収納した後に、前記半導体基板の回路形成面側に封止樹脂を注入して、前記半導体ウェハの前記外周縁部を除く領域に封止層を形成する工程と、
　前記半導体ウェハの前記封止層側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させる工程と、
　前記吸着ステージに吸着させた半導体ウェハの裏面を、前記円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、前記半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削する工程と、
　前記裏面を研削した半導体ウェハを、分割用のブレードで切断して個片に分割する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．当審の拒絶理由の概要
　当審が平成２４年５月１５日付で通知した拒絶理由は、概略、本願の請求項１ないし３にかかる発明が、本願の出願前に頒布された以下の刊行物に記載された発明または事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　刊行物１：　特開２００２−３６７９３３号公報
　刊行物２：　特開２０００−２９４５１９号公報
　
３．刊行物記載の発明または事項
　上記刊行物には、それぞれ以下の記載が認められる。
　
3.1　刊行物１
ａ．（特許請求の範囲、請求項１）
「【請求項１】　チャック面が円錐状に形成され該チャック面の頂点を回転中心として自転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハに該チャック面の頂点から外周部に向かう半径領域において研削を施す回転可能な研削砥石を備えた研削手段とを少なくとも具備する研削装置を用い、表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない切削溝が形成された半導体ウェーハを裏面を上にして該チャックテーブルに保持し、該半導体ウェーハの裏面を該半径領域において研削して該切削溝を表出させることにより、該半導体回路ごとに半導体チップに分離する半導体ウェーハの分離方法であって、
　該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハの裏面を研削する際に、該研削砥石を該チャック面の該頂点から該外周部に向かう方向に回転させて研削する半導体ウェーハの分離方法。」
ｂ．（発明の詳細な説明、段落１１）
「【００１１】このように構成される本発明によれば、研削砥石をチャックテーブルのチャック面の頂点から外周部に向かう方向に回転させて研削することとしたため、外周部から頂点の方向に回転させる場合より砥石片が半導体ウェーハＷに接触する際の衝撃力が緩和され、裏面側において切削溝が表出して半導体チップに分離された際も、個々の半導体チップが割れたり飛散したりすることが減少する。」
ｃ．（同、段落２０〜２２）
「【００２０】第一の研削手段１７の直下に位置付けられた半導体ウェーハＷの表面には、図３に示すように、切削溝３７が形成されている。そして、切削溝３７が形成された面に保護テープＴが貼着され、半導体ウェーハＷは、チャックテーブル１５ａにおいて裏面を上にして保持され、まず第一の研削手段１７によって粗研削が行われる。
【００２１】ここで、図４に示すように、チャックテーブル１５ａ、１５ｂ、１５ｃのチャック面４０は、研削途中において半導体ウェーハＷに研削焼けや割れが生じるのを防止すべく、頂点４１を中心とする円錐状に形成されており、この面に倣って半導体ウェーハＷも吸引保持される。なお、図４においてはチャック面４０の勾配を誇張して描いているが、実際には０．００１度程度の僅かな勾配である。
【００２２】図４に示すように、第一の研削手段１７を構成する研削砥石２５は、ホイール基台２６の下部に固着された各砥石片２６ａが半導体ウェーハＷの斜面に平行になるように調整されており、この状態でホイール基台２６を回転させながら第一の研削手段１７を下降させ、頂点４１と外周部４２との間の領域である半径領域４０ａにおいて、回転する砥石片２６ａを半導体ウェーハＷに接触させることにより粗研削を行う。」
　
　半導体基板の表面に複数の半導体素子が形成された半導体チップが、１枚の半導体ウェーハに複数形成されることは、当業者間の常識であるから、半導体ウェーハには、半導体基板の表面に複数の半導体素子が形成されているということができる。そこで、上記記載事項を、本件発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。
「半導体基板の表面に複数の半導体素子を形成した半導体ウェーハを半導体チップに分割して形成する半導体ウェーハの分離方法において、
　前記半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着する工程と、
　前記半導体ウェーハの前記保護テープ側を、保持面を円錐面としたチャック面に吸引保持させる工程と、
　前記チャック面に吸引保持させた半導体ウェーハの裏面を、前記半導体ウェーハの斜面と平行に砥石片を配置した研削砥石を、前記チャック面の中心から外周縁に向けて回転させて、砥石片が半導体ウェーハに接触する際の衝撃力を緩和しつつ研削する工程と、
を備える半導体ウェーハの分離方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　
3.2　刊行物２
ａ．（特許請求の範囲、請求項８）
「【請求項８】　半導体ウェハの主面上に電極パッドを形成する工程と、
　前記電極パッドと接続される配線を形成する工程と、
　前記半導体ウェハの主面および前記配線を樹脂封止する工程と、
　前記樹脂表面から溝を形成し、前記半導体ウェハの所定の深さまで到達させる工程と、
　前記半導体ウェハの裏面を該半導体ウェハが所定の厚さとなるまで研磨する工程と、
　前記半導体ウェハの溝形成部をブレーキングさせ個々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。」
ｂ．（発明の詳細な説明、段落１２，１３）
「【００１２】半導体素子1の主面には所定箇所にアルミ電極パッド2が形成されている。半導体素子上にはCuによる配線3が形成されている。配線3の高さは50μmである。また配線3はアルミ電極パッド2に電気的に接続している。
【００１３】半導体素子1の主面（回路形成面）および配線3は樹脂4によって封止されている。樹脂4の厚さは配線3と同様50μmである。樹脂4の上には突起電極5が形成されている。本実施の形態では樹脂4の表面に露出した配線3の上に半田などによるバンプ電極5が形成されている。」
ｃ．（同、段落２３，２４）
「【００２３】まず半導体ウェハ30の主面（回路形成面）上に電気メッキ等により、高さ約50μmのCuの配線31を形成する（図3-A）。この配線31はウェハ30上に形成された電極パッド（図示していない）に電気的に接続されている。
【００２４】その後、半導体ウェハ30の主面および配線31に対して樹脂32を充填する（図3-B）。樹脂充填の方法はトランスファモールド法、ポッティング法、印刷法等で行う。」
　
　上記において、半導体ウェハの主面すなわち回路形成面側を封止する樹脂が封止層を形成することは自明であるから、刊行物２には次の事項が記載されているということができる。
「半導体ウェハを個々の半導体装置に分割して形成する半導体素子の製造方法において、
　半導体基板の回路形成面側にトランスファモールド法によって封止樹脂を充填して、封止層を形成する工程の後、
　前記半導体ウェハの前記封止層側を吸着ステージに吸着させること。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。）
　
４．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、以下のとおりである。
　後者の「半導体ウェーハ」、「半導体チップ」及び「半導体ウェーハの分離方法」が、前者の「半導体ウェハ」、「個片」及び「半導体装置の製造方法」にそれぞれ相当することは明白である。
　後者の「半導体基板の表面」が前者の「半導体基板の回路形成面」を意味することは明白である。
　後者の「吸引保持」は「吸着」と同義であるから、後者の「保持面」及び「チャック面」が前者の「吸着面」及び「「吸着ステージ」にそれぞれ相当することは明白である。
　後者の「保護テープ」は保護層である限りにおいて前者の「封止層」と共通するから、後者において保護テープを貼着する工程は、半導体ウェハの回路形成面側に保護層を形成するものである限りで、前者において樹脂を注入して封止層を形成する工程と共通する。
　また、後者の「半導体ウェーハの斜面と平行に砥石片を配置した研削砥石」と、後者の「円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石」とは実質的に同一であり、後者において「研削砥石を、前記チャック面の中心から外周縁に向けて回転させ」ることは、前者において「砥石を、前記半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させ」ることと実質的に同一であることは、容易に理解される。
　そうすると、本件発明と刊行物１記載の発明とは、以下の点で一致及び相違するということができる。
＜一致点＞
「半導体基板の回路形成面に複数の半導体素子を形成した半導体ウェハを個片に分割して形成する半導体装置の製造方法において、
　前記半導体ウェハの回路形成面側に保護層を形成する工程と、
　前記半導体ウェハの前記保護層側を、吸着面を円錐面とした吸着ステージに吸着させる工程と、
　前記吸着ステージに吸着させた半導体ウェハの裏面を、前記円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、前記半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて研削する工程と、を備える半導体装置の製造方法。」である点。
＜相違点１＞
　保護層を形成する工程が、前者では封止金型に半導体基板をその回路形成面側の外周縁部を押さえ込んだ状態で収納した後に、半導体基板の回路形成面側に封止樹脂を注入して、半導体ウェハの外周縁部を除く領域に封止層を形成するものであるのに対し、後者では保護テープを貼着するものである点。
＜相違点２＞
　前者は裏面を研削した半導体ウェハを、分割用のブレードで切断して個片に分割する工程を備えるのに対し、後者はこのような工程を備えない点。
　
５．当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
5.1　＜相違点１＞について
　刊行物２には、保護層として半導体基板の回路形成面側に封止樹脂を充填して封止層を形成することが記載されており、「樹脂を充填」することは「樹脂を注入」することにほかならない。
　刊行物２に記載されたようにトランスファモールド法によって回路形成面側に封止樹脂を注入する場合、半導体基板の回路形成面側を封止金型に収納せねばならず、しかも、樹脂を注入する空間を密閉するためには、封止金型で回路形成面側の一部を押さえ込んだ状態とせざるを得ないことは、当業者にとって自明である。そして、回路形成面側のほぼ全域に封止層を形成するために、回路形成面側の外周縁部を封止金型で押さえ込んだ状態で半導体基板を封止金型に収納して、回路形成面側に封止樹脂を注入し、その結果、半導体ウェハの外周縁部を除く回路形成面側のほぼ全域の領域に封止層を形成することは、当業者が容易に設計し得る事項である。
　刊行物２記載の事項は刊行物１記載の発明と同じく半導体ウェハを個々の半導体装置に分割して形成する半導体素子の製造方法に関するものであるから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用し、回路形成面側に保護テープを貼付することに代えて、封止樹脂を注入して封止層を形成することは、当業者が容易に想到し得るものであり、その際、封止金型に半導体基板をその回路形成面側の外周縁部を押さえ込んだ状態で収納した後に、半導体基板の回路形成面側に封止樹脂を注入して、半導体ウェハの外周縁部を除く領域に封止層を形成することは、当業者にとっては設計事項にすぎない。
　
5.2　＜相違点２＞について
　半導体ウェハを個片に分割するうえで、裏面を研削した半導体ウェハを、分割用のブレードで切断して個片に分割することは、半導体装置の製造において従来周知の技術であるから、刊行物１に記載されたように裏面研削に先立って分割用の溝を切削する代わりに、裏面研削後に分割用のブレードで切断するように変更することは、当業者が容易になし得る。
　
5.3　まとめ
　本件発明の作用効果には、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基づいて普通に予測される範囲を超える格別のものを見出すこともできないから、本件発明は刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は平成２４年７月２１日付意見書において、刊行物１にも刊行物２にも、封止層が形成されないため吸着ステージに吸着されにくく、かつ剛性が低い半導体ウェーハの外周縁部が、半導体ウェーハの裏面を研削する時に巻き上げられることによって欠けや割れ等の損傷が生じやすくなることを防ぐという課題が存在することについて記載がない旨の主張をしている。
　しかしながら、刊行物１記載の発明は、半導体ウェハの裏面を、吸着ステージの円錐面の一の稜と平行に研削面を配置した砥石を、半導体ウェハの中心から外周縁に向けて回転させて、砥石片が半導体ウェーハに接触する際の衝撃力を緩和しつつ研削するものであり、半導体ウェハの外周縁部では砥石片が半導体ウェハから径方向に離れるように移動するため、砥石が半導体ウェハの外周縁から中心に向けて回転する場合に比べて外周縁部での欠けや割れ等の損傷が生じにくくなることは、当業者が容易に理解し得るものであるから、半導体ウェハの裏面研削において外周縁部の欠けや割れ等の損傷を防止する課題は、明記されていなくても、示唆されているというべきである。本件発明のように、半導体ウェハの外周縁部に封止層が形成されていない場合は、外周縁部の欠けや割れ等の損傷がより生じやすくなることは自明であるから、上記課題の解決のために刊行物１記載の発明を採用することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は本願の出願前に頒布された刊行物に記載された発明または事項及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　.