【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置のシリコン部品を形成する方法において、
切断中に、銅又は銅合金を含むワイヤソーから少なくとも銅を含む金属不純物が除去されてシリコン板の切断面に付着するように前記ワイヤソーを使ってシリコン材料から前記シリコン板を切断することと、
前記切断面を含む表面領域から少なくとも一部の銅を除去するために、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理することと、
前記処理されたシリコン板を酸素雰囲気中で熱処理して酸素を前記シリコン板に導入することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属不純物は、亜鉛、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル及びアルカリ金属より成る群から選択された少なくとも１つの元素を更に含み、前記処理後の前記シリコン板の少なくとも前記切断面上の銅又は前記少なくとも１つの元素の濃度は、約１００ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記処理後の前記シリコン板の少なくとも前記切断面上の銅の濃度は、約１０ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ワイヤソーは、実質的に銅又は銅合金からなる外側被覆を含み、前記銅は、前記外側皮膜から除去されて、前記切断中に前記シリコン板の少なくとも前記切断面に付着することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記処理は、前記シリコン板の少なくとも前記切断面を、前記付着した金属不純物を含有する前記シリコン板の一部を除去するために効果的な酸性溶液又は塩基性溶液と接触させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
実質的に全ての酸性溶液又は塩基性溶液を前記シリコン板から除去するために、処理後の前記シリコン板をリンスすることを更に含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
半導体処理装置のシリコン部品を形成する方法において、
切断中に、銅又は銅合金を含むワイヤソーから少なくとも銅を含む金属不純物が除去されてシリコン板の切断面に付着するように前記ワイヤソーを使ってシリコン材料から前記シリコン板を切断することと、
前記切断面を含む表面領域から少なくとも一部の銅を除去するために、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理することと、
前記処理されたシリコン板をオプションとして熱処理することと、
を含み、前記処理において、前記シリコン板の表面は、少なくとも銅を含む前記金属不純物が前記シリコン板の前記表面領域から内部に拡散するのに十分な時間を有する前に前記溶液で処理され、前記表面領域は、１００ミクロン以下の厚さを有し、前記処理は、前記表面領域の少なくとも銅を含む金属不純物を除去することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記シリコン部品はリングであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シリコン材料は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
半導体処理装置のシリコン電極を形成する方法において、
切断中に、銅又は銅合金を含むワイヤソーから少なくとも銅を含む金属不純物がシリコン板の切断面に付着するようにシリコン材料から前記シリコン板を切断することと、
前記切断面を含む表面領域から少なくとも一部の銅を除去するために、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理することと、
前記処理されたシリコン板を酸素雰囲気中で熱処理して酸素を前記シリコン板に導入することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記シリコン電極は平面状シャワーヘッド電極又は段付きシャワーヘッド電極であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記処理されたシリコン板を熱処理することと、
支持部材及び前記処理されたシリコン板の対向面を結合するために結合材料を提供することと、
前記支持部材と前記処理されたシリコン板との間に結合部を形成するために前記結合部材を硬化させることと、
を更に含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
請求項１０の方法によって形成されたシリコン電極。
【請求項１４】
半導体処理装置の反応チャンバ内で半導体ウェハを処理する方法において、
半導体処理装置内のチャンバ内に請求項１０の方法によって形成されるシリコン電極を配置することと、
処理ガスを前記チャンバ内に導入することと、
前記シリコン電極に高周波電力を供給し前記処理ガスをプラズマ状態に励起することによって前記処理ガスからプラズマを発生させることと、
前記チャンバ内の半導体基板を前記プラズマで処理することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記シリコン電極を含む前記チャンバ内の複数の半導体基板を処理することを更に含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記金属不純物は、亜鉛、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル及びアルカリ金属より成る群から選択された少なくとも１つの元素を更に含み、前記処理後の前記シリコン板の少なくとも前記切断面上の銅又は前記少なくとも１つの元素の濃度は、約１００ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記処理後の前記シリコン板の少なくとも前記切削面上の銅の濃度は、約１０ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
切断面を含むシリコン板を含む、半導体処理装置のシリコン電極であって、前記シリコン板の前記切断面上の銅、亜鉛、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル及びアルカリ金属より成る群から選択された少なくとも１つの元素の濃度が、約１００ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とするシリコン電極。
【請求項１９】
前記切断面上の銅の濃度は、約１０ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記シリコン電極は平面状シャワーヘッド電極又は段付きシャワーヘッド電極であることを特徴とする請求項１８記載のシリコン電極。
【請求項２１】
請求項１８記載のシリコン電極を具備するシリコン電極アセンブリ。
【請求項２２】
エラストマ結合で前記シリコン板に結合される支持部材を更に具備することを特徴とする請求項２１記載のシリコン電極アセンブリ。
【請求項２３】
前記ワイヤソーが実質的に金属からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
前記ワイヤソーが実質的に金属からなることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項２５】
半導体処理装置のシリコン電極を形成する方法において、
切断中に、少なくとも銅を含む金属不純物がシリコン板の切断面に付着するように、銅又は銅合金を含むワイヤソーを使ってシリコン材料から前記シリコン板を切断することと、
前記切断面を含む表面領域から少なくとも一部の銅を除去するために、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理することと、
前記処理されたシリコン板をオプションとして熱処理することと、
を含み、前記処理において、前記シリコン板は、銅が前記表面領域から前記シリコン板の内部に拡散するのに十分な時間を有する前に前記溶液で処理され、前記表面領域は、１００ミクロン以下の厚さを有し、前記処理は、前記表面領域の銅を除去することを特徴とする方法。
【請求項２６】
前記シリコン板は、約０．３インチから１インチの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項２７】
前記シリコン板は、約０．４インチから１インチの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
半導体処理装置のシリコン電極を形成する方法において、
切断中に、銅又は銅合金の外側被覆を含むワイヤソーから少なくとも銅を含む金属不純物が除去されてシリコン板の切断面に付着するように、前記ワイヤソーを使ってシリコン材料から前記シリコン板を切断することと、
前記切断面を含む表面領域から少なくとも銅を除去するために、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理することと、
前記処理されたシリコン板を酸素雰囲気中で熱処理して酸素を前記シリコン板に導入することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
前記処理後の前記シリコン板の少なくとも前記切断面上の銅の濃度は、約１０ｘ１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低いことを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記シリコン板は、約０．３インチから１インチの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３１】
前記シリコン板は、約０．４インチから１インチの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項３０記載の方法。