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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１シリコンゲルマニウム層を含む基板を提供するステップと、
前記第１シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を形成するステップと、
前記歪みシリコン層上に第２シリコンゲルマニウム層を、前記歪みシリコン層に関して単一の連続的な原位置のたい積プロセスで形成するステップと、を含み、
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層は、前記歪みシリコン層の引張歪みを維持し、前記歪みシリコン層中にミスフィット転位が形成されるのを抑制する、
歪みシリコン層を形成する方法。
【請求項２】
前記第１シリコンゲルマニウム層は、組成Si1-xGexを有しており、前記xは０．１から０．４の範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記xは約０．３であり、前記歪みシリコン層の厚みは１４０Åより厚い、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層は、前記歪みシリコン層との各接合部において略等しいゲルマニウム量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記歪みシリコン層は、前記第１シリコンゲルマニウム層のゲルマニウム量によって決定される臨界膜厚よりも厚い、請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１シリコンゲルマニウム層を含む基板を提供するステップと、
前記第１シリコンゲルマニウム層中に浅いトレンチ分離を形成するステップと、
前記第１シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を形成するステップと、
前記歪みシリコン層上に第２シリコンゲルマニウム層を、前記歪みシリコン層に関して単一の連続的な原位置のたい積プロセスで形成するステップと、を含み、
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層は、前記歪みシリコン層の引張歪みを維持し、前記歪みシリコン層中にミスフィット転位が形成されるのを抑制する、
半導体デバイスを形成する方法。
【請求項７】
前記歪みシリコン層は、前記第１シリコンゲルマニウム層のゲルマニウム量によって決定される臨界膜厚よりも厚い、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層は、組成Si1-xGexを有しており、前記xは０．１から０．４の範囲にある、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層はそれぞれ、約３０％のゲルマニウム量を有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記歪みシリコン層の厚みは１４０Åより厚い、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記第１シリコンゲルマニウム層および第２シリコンゲルマニウム層は、前記歪みシリコン層との各接合部において略等しいゲルマニウム量を有する、請求項６記載の方法。
【請求項１２】
前記第２シリコンゲルマニウム層を除去するステップと、
前記浅いトレンチ分離の間の前記歪みシリコン層を含む、半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を形成するステップとをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項１３】
前記第２シリコンゲルマニウム層を除去する前に、歪みシリコン層を冷却する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記歪みシリコン上にＭＯＳＦＥＴを形成するステップは、
前記歪みシリコン層上にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上にゲート導電層を形成するステップと、
ゲート絶縁膜を被覆するゲートを形成するように、前記ゲート導電層および前記ゲート絶縁層をパターン化するステップと、
浅いソースおよびドレイン拡張部を注入するステップと、
深いソースおよびドレイン領域を注入するステップと、
シリサイド・ソースおよびドレインコンタクトと、シリサイドゲートコンタクトとを形成するステップと、を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記シリサイド・ソースおよびドレインコンタクトと、前記シリサイドゲートコンタクトは、ニッケルを含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記浅いソースおよびドレイン拡張部を注入する前に、前記ゲートおよび前記ゲート絶縁膜の周りに第１スペーサを形成する、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記深いソースおよびドレイン領域を注入する前に、前記第１スペーサの周りに第２スペーサを形成し、前記第２スペーサは、前記深いソースおよびドレイン領域を注入する間のインプラントマスクとしての役割を果たす、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
注入されたドーパントを活性化するように、アニーリングするステップをさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
前記浅いソースおよびドレイン拡張部を注入する前に、ソースおよびドレイン拡張部が形成されるべき端部の下のチャンネル領域の方に拡張するハロー領域であり、前記ソースおよびドレイン拡張部のドーパントの導電型と反対の導電型を有するドーパントを含んだハロー領域を注入する、請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
前記歪みシリコン層を形成する前に、前記浅いトレンチ分離の上表面よりも前記第１シリコンゲルマニウム層の上表面が低くなるように、前記シリコンゲルマニウム層の一部を除去する、請求項６記載の方法。
【請求項２１】
第１シリコンゲルマニウム層と、
前記第１シリコンゲルマニウム層上に形成された歪みシリコン層と、
前記歪みシリコン層上に形成された第２シリコンゲルマニウム層と、を含み、
前記第１シリコンゲルマニウム層と前記第２シリコンゲルマニウム層は、前記歪みシリコン層中の引張歪みを維持し、前記歪みシリコン層中にミスフィット転位が形成されるのを抑制する、
半導体構造。
【請求項２２】
前記歪みシリコン層は、前記第１シリコンゲルマニウム層のゲルマニウム量によって決定される臨界膜厚よりも厚い、請求項２１記載の半導体構造。
【請求項２３】
前記第２シリコンゲルマニウム層と前記歪みシリコン層とを貫通して前記第１シリコンゲルマニウム層中に広がる浅いトレンチ分離をさらに含む、請求項２１記載の半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ダイ・アタッチ材料によって前記基板に取り付けられた第１の表面を有するダイとを有し、
前記ダイの外縁の少なくとも一部分は前記ダイ・アタッチ材料によるウェッティングに抵抗する、半導体デバイス。
【請求項２】
パッケージ基板と、
はんだ組成物によって前記パッケージ基板に取り付けられた第１の表面を有するダイとを有し、
前記ダイの前記第１の表面の外縁の少なくとも一部分は、その上に配置されたディウェッティング剤を有する、半導体デバイス。
【請求項３】
半導体ダイを設けるステップと、
ディウェッティング剤が前記半導体ダイの外縁の周りに広がるように前記半導体ダイ上に前記ディウェッティング剤を配置することによって、処理されたダイを形成するステップと、
前記処理されたダイの上にはんだ組成物を配置するステップと、から成る、半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
その上に配置されたビアを有する半導体基板を設けるステップと、
金属が前記半導体基板の外縁の周りに広がり、かつ前記ソース接続と電気的に接続するように、前記半導体基板上に前記金属の層を配置するステップと、
前記金属を酸化するステップと、
前記半導体基板上にはんだ組成物を配置するステップと、から成る、半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作動中、所定の作動電圧が印加されるレーザダイオードインゴットを有するレーザダイオード構成素子において、レーザダイオードインゴットには、橋絡要素が並列接続されており、該橋絡要素は、所属のレーザダイオードインゴットに所定作動電圧が印加した時に、レーザダイオードインゴットよりも少ない電流を導通し、又は、電流を導通せず、前記橋絡要素は、前記レーザダイオードインゴットでの電圧降下が所定の作動電圧を所定の電圧値だけ超過すると即座に、前記レーザダイオードインゴットが橋絡されるように低オーム状態に切り替えられることを特徴とするレーザダイオード構成素子。
【請求項２】
橋絡要素に印加される電圧が、所属のレーザダイオードインゴットの所定の作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高くなると即座に、橋絡要素は、レーザダイオードインゴットを橋絡する状態に切り換えられる請求項１記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項３】
橋絡要素は、少なくとも１つのダイオードを有しており、該ダイオードは、所属のレーザダイオードインゴットに所定の作動電圧が印加された場合に、順方向に極性付けられ、前記レーザダイオードインゴットの拡散電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高い請求項１又は２記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項４】
橋絡要素は、ＡｌＧａＡｓ半導体材料のベース上にダイオードを有する請求項２又は３記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項５】
橋絡要素は、複数ダイオードの直列接続を有する請求項２又は３記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項６】
直列接続は、３つのＳｉダイオードを有する請求項５記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項７】
橋絡要素は、少なくとも１つのツェナーダイオードを有しており、該ツェナーダイオードの降伏電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍｖ高い請求項２記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項８】
橋絡要素は、トライアックであり、該トライアックの切換電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高い請求項２記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項９】
各レーザダイオードインゴット及び所属の橋絡要素は、共通のヒートシンク上に堆積されており、前記橋絡要素は、第１の結合手段を用いてヒートシンク上に取り付けられており、前記レーザダイオードインゴットは、第２の結合手段を用いて前記ヒートシンク上に取り付けられており、前記第１の結合手段の溶融点は、前記第２の結合手段の溶融点よりも高い温度である請求項１から８迄の何れか1記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項１０】
第１の結合手段は、ハードソルダリングであり、第２の結合手段は、ソフトソルダリングである請求項９記載のレーザダイオード構成素子。
【請求項１１】
直列接続の作動中、各々所定の作動電圧が印加される相互に直列接続された多数のレーザダイオードインゴットを有する回路装置において、
各レーザダイオードインゴットには、橋絡要素が並列接続されており、該橋絡要素は、所属のレーザダイオードインゴットに所定作動電圧が印加した時に、レーザダイオードインゴットよりも少ない電流を導通し、又は、電流を導通せず、前記橋絡要素は、前記レーザダイオードインゴットでの電圧降下が所定の作動電圧を所定の電圧値だけ超過すると即座に、前記レーザダイオードインゴットが橋絡されるように低オーム状態に切り替えられることを特徴とする回路装置。
【請求項１２】
橋絡要素に印加される電圧が、所属のレーザダイオードインゴットの所定の作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高くなると即座に、橋絡要素は、レーザダイオードインゴットを橋絡する状態に切り換えられる請求項１１記載の回路装置。
【請求項１３】
橋絡要素は、少なくとも１つのダイオードを有しており、該ダイオードは、所属のレーザダイオードインゴットに所定の作動電圧が印加した際に、順方向に極性付けられ、該ダイオードの拡散電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高い請求項１１又は１２記載の回路装置。
【請求項１４】
橋絡要素は、ＡｌＧａＡｓ半導体材料のベース上にダイオードを有している請求項１２又は１３記載の回路装置。
【請求項１５】
橋絡要素は、複数ダイオードの直列接続を有している請求項１２又は１３記載の回路装置。
【請求項１６】
直列接続は、３つのＳｉダイオードを有している請求項１５記載の回路装置。
【請求項１７】
橋絡要素は、少なくとも１つのツェナーダイオードを有しており、該ツェナーダイオードの降伏電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高い請求項１２記載の回路装置。
【請求項１８】
橋絡要素は、トライアックを有しており、該トライアックの切換電圧は、所属のレーザダイオードインゴットの作動電圧よりも少なくとも２００ｍＶ高い請求項１２記載の回路装置。
【請求項１９】
各レーザダイオード及び所属の橋絡要素は、共通のヒートシンク上に堆積されており、橋絡要素は、第１の結合手段を用いて前記ヒートシンク上に取り付けられており、前記レーザダイオードインゴットは、第２の結合手段を用いて前記ヒートシンク上に取り付けられており、前記第１の結合手段の溶融点は、前記第２の結合手段の溶融点よりも高い温度である請求項１１から１８迄の何れか１記載の回路装置。
【請求項２０】
第１の結合手段は、ハードソルダリングであり、第２の結合手段は、ソフトソルダリングである請求項１９記載の回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月11日(2006.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
MAGに結合して中和し、かつ以下のCDRの1つまたは複数を含む、変更された抗体またはその機能的フラグメント。
2006512899.tif 000001
【請求項２】
CDRH1、CDRH2およびCDRH3から選択される1つまたは複数のCDRを含む重鎖可変ドメイン、ならびに/またはCDRL1、CDRL2およびCDRL3から選択される1つまたは複数のCDRを含む軽鎖可変ドメインを含む、変更された抗体またはその機能的フラグメント。
【請求項３】
配列中に超可変領域CDRH1、CDRH2およびCDRH3を含む重鎖可変ドメイン(VH)
ならびに/または、
配列中に超可変領域CDRL1、CDRL2およびCDRL3を含む軽鎖可変ドメイン(VL)
を含む、変更された抗Mag抗体またはその機能的フラグメント。
【請求項４】
モノクローナル抗体である、請求項3に記載の抗体。
【請求項５】
ヒト化抗体である、請求項4に記載の抗体。
【請求項６】
以下のアミノ酸配列のうち1つを含む重鎖可変領域を含む、請求項5に記載の抗体またはその機能的フラグメント。
2006512899.tif 000002
【請求項７】
アミノ酸配列番号16、配列番号17、配列番号18または配列番号19を含む軽鎖可変領域をさらに含む、請求項6に記載の抗体またはその機能的フラグメント。
2006512899.tif 000003
2006512899.tif 000004
【請求項８】
配列番号13、配列番号14または配列番号15を含む重鎖可変フラグメントおよびヒト重鎖の定常部分またはそのフラグメントと、
配列番号16、配列番号17、配列番号18または配列番号19を含む軽鎖可変フラグメントおよびヒト軽鎖の定常部分またはそのフラグメントと、
を含む、請求項6または7に記載の抗体。
【請求項９】
配列番号13を含む重鎖可変領域および配列番号16を含む軽鎖可変領域;
配列番号13を含む重鎖可変領域および配列番号17を含む軽鎖可変領域;
配列番号13を含む重鎖可変領域および配列番号18を含む軽鎖可変領域;
配列番号13を含む重鎖可変領域および配列番号19を含む軽鎖可変領域;
配列番号14を含む重鎖可変領域および配列番号16を含む軽鎖可変領域;
配列番号14を含む重鎖可変領域および配列番号17を含む軽鎖可変領域;
配列番号14を含む重鎖可変領域および配列番号18を含む軽鎖可変領域;
配列番号14を含む重鎖可変領域および配列番号19を含む軽鎖可変領域;
配列番号15を含む重鎖可変領域および配列番号16を含む軽鎖可変領域;
配列番号15を含む重鎖可変領域および配列番号17を含む軽鎖可変領域;
配列番号15を含む重鎖可変領域および配列番号18を含む軽鎖可変領域;
配列番号15を含む重鎖可変領域および配列番号19を含む軽鎖可変領域、
を含む抗体から選択される、請求項1〜8のいずれか1項に記載のヒト化抗体。
【請求項１０】
配列番号15を含む重鎖可変領域をコードする、以下のポリヌクレオチド。
2006512899.tif 000005
【請求項１１】
アミノ酸配列番号14をコードする、以下のポリヌクレオチド配列。
2006512899.tif 000006
【請求項１２】
アミノ酸配列番号15をコードする、以下のポリヌクレオチド配列。
2006512899.tif 000007
2006512899.tif 000008
【請求項１３】
アミノ酸配列番号16をコードする、以下のポリヌクレオチド。
2006512899.tif 000009
【請求項１４】
アミノ酸配列番号17をコードする、以下のポリヌクレオチド配列。
2006512899.tif 000010
【請求項１５】
アミノ酸配列番号18をコードする、以下のポリヌクレオチド。
2006512899.tif 000011
【請求項１６】
アミノ酸配列番号15をコードする、以下のポリヌクレオチド。
2006512899.tif 000012
【請求項１７】
薬学的に許容される希釈剤または担体と共に、請求項1〜8のいずれか1項に記載の変更された抗MAG抗体またはその機能的フラグメントを含む、医薬組成物。
【請求項１８】
脳卒中および他の神経学的疾患/障害の治療または予防のための医薬の調製における、変更された抗体またはその機能的フラグメントを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の抗MAG抗体の使用。
【請求項１９】
脳卒中および他の神経学的疾患/障害に罹患しているか、またはその発症の危険性があるヒト患者において、神経変性を阻害するための医薬および/または機能回復を促進するための医薬の調製における、変更された抗体またはその機能的フラグメントを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の抗MAG抗体の使用。
【請求項２０】
in vitroで、ヒト軸索を、請求項1〜8のいずれか1項に記載の抗MAG抗体と接触させるステップを含む、軸索発芽を促進する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月16日(2006.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３９２】
実施例７
末端システイン結合によるdAbの二量体化
概要
dAbの二量体化のために、タンパク質のC末端に遊離システインを作製した。そのタンパク質は、発現されると、二段階精製法によって精製されうる二量体を形成する。
TAR1-5-19CYS二量体のPCR構築物
dAb三量体を記載する実施例8を参照されたい。三量体プロトコルにより、単量体、二量体および三量体の混合物が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面の反対側の第２の主面とを含む基板と、
前記基板の前記第１の主面に取り付けられたＲＦＩＤアンテナであって、緻密化金属粉末を含むアンテナと、
を含む改竄表示用ＲＦＩＤ装置。
【請求項２】
前記アンテナが信号に応答し、前記改竄表示用ＲＦＩＤアンテナが２５ｍｍ以下の半径で曲げられた後には、前記改竄表示用ＲＦＩＤアンテナが前記信号に応答しない請求項１に記載の改竄表示用ＲＦＩＤ装置。
【請求項３】
前記改竄表示用ＲＦＩＤアンテナから１５ｃｍを超える距離で前記信号が送信される請求項２に記載の改竄表示用ＲＦＩＤ装置。
【請求項４】
前記アンテナが導電性パターンを含み、前記アンテナが２５ｍｍ以下の半径で曲げられた後には前記導電性パターンが剥離する請求項１に記載の改竄表示用ＲＦＩＤ装置。
【請求項５】
前記基板が、紙、および少なくとも約１０％圧縮可能である材料からなる群より選択される請求項１に記載の改竄表示用ＲＦＩＤ装置。
【請求項６】
第１の主面と前記第１の主面の反対側の第２の主面とを含む基板と、
前記基板の前記第１の主面に取り付けられたＲＦＩＤアンテナであって、緻密化金属粉末を含むアンテナと、
前記アンテナに取り付けられた第１の集積回路と、
前記基板に取り付けられた第１の接着剤層と、
を含む改竄表示用ＲＦＩＤステッカー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
導電率および抵抗性は反比例の関係にある。回路または緻密化金属層中の抵抗が高いことは、導電率が低いことを示しており、回路または緻密化金属層に対して同程度の機能を果たしているといえる。したがって、通常は抵抗の顕著な増加は、導電率の顕著な低下を意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５ｂは、再帰反射材料層４２を含むさらに別のＲＦＩＤステッカー５０を示している。ＲＦＩＤステッカー５０は、改竄表示機構に関して前述したＲＦＩＤステッカー２０と同様に機能する。再帰反射層４２は、第２の接着剤層５２によって、緻密化金属層１２の反対側の基板１４の第２の主面１８に取り付けられるように図示されている。前述したように、第２の接着剤層５２は、前述の第１の接着剤層１９のすべての特性を有することができる。たとえば、第２の接着剤５２は、異なる接着強度を有する種々の部分を含むことができるし、ストライプコーティングまたはあるパターンのコーティングを行うこともできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６〜２５アミノ酸長のペプチドを含む組成物であって、当該ペプチドがクラスＩ ＭＨＡＣ分子に結合し、以下：
ＫＦＩＫＳＬＦＨＩ；
ＶＦＬＩＦＦＤＬＦ；
ＹＥＮＤＩＥＫＫＩ；
ＹＦＩＬＶＮＬＬ；及び
ＹＹＧＫＱＥＮＷ
からなる群より選ばれる配列を含む、前記組成物。
【請求項２】
１以上の追加のクラスＩ ＭＨＣ結合ペプチドを更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
１以上のクラスＩＩ ＭＨＣ結合ペプチドを更に含む、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも２つのＭＨＣ結合ペプチドがスペーサー分子によって連結され、ヘテロポリマー又はホモポリマーを形成する、請求項２又は３記載の組成物。
【請求項５】
ＭＨＣ標的配列を更に含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
請求項１記載のペプチドをコードする組換え核酸配列を含む組成物。
【請求項７】
前記組換え核酸配列が、１以上の追加のクラスＩ又はＩＩ ＭＨＣ結合ペプチドを更にコードする、請求項６記載の組成物。
【請求項８】
前記組換え核酸配列が、ＭＨＣ標的配列を更にコードする、請求項６又は７記載の組成物。
【請求項９】
担体を更に含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１０】
脂質を更に含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１１】
リポソームを更に含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２】
活性成分を含む医薬組成物であって、当該活性成分が請求項１〜８のいずれか１項記載の組成物を含む、前記組成物。
【請求項１３】
活性成分を含むワクチン組成物であって、当該活性成分が１〜８のいずれか１項記載の組成物を含む、前記組成物。
【請求項１４】
プラスモジウム（Plasmodium）感染の予防のための、請求項１〜１３のいずれか１項記載の予防組成物。
【請求項１５】
プラスモジウム感染の治療のための、請求項１〜１３のいずれか１項記載の治療組成物。
【請求項１６】
請求項１又は６記載の組成物を含む診断試薬。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＡＲ−２を活性化することができるＰＡＲ−２活性化剤の１種又は２種以上の有効成分、及び薬学的に許容される担体からなる腎疾患の予防及び治療用医薬組成物。
【請求項２】
腎疾患が一次性及び二次性腎炎である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
腎疾患が一次性腎炎である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
一次性腎炎が、急速進行性糸球体腎炎症候群または半月体（管外性）形成性糸球体腎炎である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ＰＡＲ−２活性化剤が、ＰＡＲ−２リガンド、ＰＡＲ−２リガンド誘導体、トリプシン、トリプターゼ、ティッシュファクター／ＶＩＩａ因子、Ｘａ因子、アクロシン、トリプシン様セリンプロテアーゼである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
被検物質のＰＡＲ−２活性化作用をスクリーニングすることからなる、腎疾患の予防及び治療用の有効成分をスクリーニングする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月25日(2006.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然生体膜および天然タンパク質の環境を模倣したブロックコポリマー・マトリックス、および
膜／タンパク質複合体を形成するように前記マトリックス内に組み込まれた膜タンパク質
を有して成る生体模倣膜。
【請求項２】
膜／タンパク質複合体は、組み込まれた膜タンパク質の機能を有するデバイスを構成する、請求項１に記載の膜。
【請求項３】
タンパク質の機能には、バルブ、チャンネル、センサー、検出器、ポンプおよびエネルギー変換器が含まれる、請求項２に記載の膜。
【請求項４】
前記膜タンパク質は、水分子のみを輸送するように選択されており、そのため、前記生体模倣膜が水フィルターとなる、請求項１に記載の膜。
【請求項５】
前記膜タンパク質はタンパク質のアクアポリンファミリーから選択されている、請求項４に記載の膜。
【請求項６】
前記マトリックスはトリブロックコポリマーから形成されている、請求項５に記載の膜。
【請求項７】
前記マトリックスは不透水性であり、前記膜タンパク質が、加圧下で水分子を通すことができるように選択されている、請求項５に記載の膜。
【請求項８】
前記マトリックスが水精製デバイス内で支持され、前記デバイスが第１チャンバーと第２チャンバーとに分けられており、前記膜タンパク質によって、前記チャンバー間で水だけが流れることができる、請求項７に記載の膜。
【請求項９】
前記膜タンパク質はアクアポリンである、請求項８に記載の膜。
【請求項１０】
前記マトリックスは、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリルアミド）およびゾル−ゲルから選択される生体適合性ポリマーである、請求項９に記載の膜。
【請求項１１】
前記膜タンパク質は、天然の生体タンパク質である、請求項１に記載の膜。
【請求項１２】
２種類の異なる膜タンパク質が、前記マトリックス内に組み込まれている、請求項１１に記載の膜。
【請求項１３】
前記膜タンパク質が、エネルギー変換タンパク質である、請求項１２に記載の膜。
【請求項１４】
前記マトリックスは、薄いファブリック内に組み込まれている、請求項１に記載の膜。
【請求項１５】
前記膜タンパク質は、光エネルギーが電気エネルギーに変換されるように、前記マトリックス内に埋設されたバクテリオロドプシンおよびシトクロムオキシダーゼを含む、請求項１４に記載の膜。
【請求項１６】
前記マトリックスは、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリルアミド）およびゾル−ゲルから成る群から選択される生体適合性ポリマーである、請求項１５に記載の膜。
【請求項１７】
前記電気エネルギーを受けるように、前記ファブリックの対向する面に第１電極および第２電極を更に含む、請求項１５に記載の膜。
【請求項１８】
前記マトリックスは、バイオソーラーセルが形成されるように、配向されたバクテリオロドプシンおよびシトクロムオキシダーゼを受容している、請求項１に記載の膜。
【請求項１９】
前記マトリックスの対向する側面に電極を更に含む、請求項１８に記載の膜。
【請求項２０】
前記マトリックスは、プロトンに対して不透性を有する生体適合性ポリマーである、請求項１８に記載の膜。
【請求項２１】
コポリマー・マトリックス、および
前記マトリックスに埋設された相互に異なる第１膜タンパク質および第２膜タンパク質
を有して成るハイブリッド有機／無機電源。
【請求項２２】
薄いファブリック材料を更に含んでおり、前記マトリックスが前記ファブリック内に埋設されている、請求項２１に記載の電源。
【請求項２３】
前記膜タンパク質は、天然の生体タンパク質である、請求項２２に記載の電源。
【請求項２４】
前記タンパク質は、光エネルギーが電気エネルギーに変換されるように、バクテリオロドプシンおよびシトクロムオキシダーゼを含んで成る、請求項２３に記載の電源。
【請求項２５】
前記電気エネルギーを受けるように、前記ファブリックの対向する面に電極を更に含む、請求項２４に記載の電源。
【請求項２６】
生体膜を形成する方法であって、
ブロックコポリマー・マトリックスを形成すること、および
前記マトリックスに、天然の膜タンパク質または遺伝子操作された膜タンパク質を挿入すること
を含んで成る方法。
【請求項２７】
前記膜タンパク質を前記マトリックス内で配向させることを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
対応する膜機能が生じるように、前記タンパク質を選択することを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記マトリックス内に２種類の異なる膜タンパク質を挿入することを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記マトリックスに光を当て、電気エネルギーを前記マトリクスに発生させることを更に含む、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中の低分子量夾雑物から組換えヒト血清アルブミン（ｒＨＳＡ）を分離する方法であって、
（ａ）ベースマトリックスに結合したアニオン交換リガンドからなる分離媒体を準備する工程、及び
（ｂ）上記液体を分離媒体と接触させてリガンドにｒＨＳＡを吸着させる工程、
を含む方法。
【請求項２】
前記リガンドの官能基が、弱陰イオン交換基、好ましくは第二アミンである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記分離媒体のリガンド密度が、約５０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、好ましくは約１００μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、最も好ましくは約１６０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上である、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ベースマトリックスが多孔性の実質的に球状の多糖類粒子からなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記低分子量夾雑物がＨＳＡ分解生成物である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記低分子量夾雑物が分子量６７ｋＤａ未満、例えば約１０〜４６ｋＤａの夾雑物である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
リガンドからｒＨＳＡを解離させる溶液の添加によって分離媒体からｒＨＳＡを溶出する後工程を含む、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
吸着工程と溶出工程の間に、緩衝液で媒体を洗浄する中間工程を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記液体が培養ブロスである、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
組換えヒト血清アルブミン（ｒＨＳＡ）を含む培養ブロスを脱色する方法であって、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法の工程を含む方法。
【請求項１１】
組換えヒト血清アルブミン（ｒＨＳＡ）を含む培養ブロス中の低分子量夾雑物の量を低下するための陰イオン交換分離媒体の使用であって、該分離媒体が、ｒＨＳＡが吸着される弱陰イオン交換基を有する、使用。
【請求項１２】
組換えヒト血清アルブミン（ｒＨＳＡ）を含む培養ブロスを脱色するための陰イオン交換分離媒体の使用であって、該分離媒体が、ｒＨＳＡが吸着される弱陰イオン交換基を有する、使用。
【請求項１３】
陰イオン交換分離媒体のリガンド密度が、約５０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、好ましくは約１００μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、最も好ましくは約１６０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上である、請求項１１又は請求項１２記載の使用。
【請求項１４】
組換えヒト血清アルブミン（ｒＨＳＡ）を含む培養液の脱色用キットであって、ベースマトリックスに結合した弱陰イオン交換基が存在する陰イオン交換分離媒体と、媒体からｒＨＳＡを解離させることができる溶液とを別々の容器に、その使用解説書と共に、備えるキット。
【請求項１５】
前記陰イオン交換分離媒体がクロマトグラフィーカラム内に存在する、請求項１４記載のキット。
【請求項１６】
陰イオン交換分離媒体のリガンド密度が、約５０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、好ましくは約１００μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上、最も好ましくは約１６０μｍｏｌ／ｍｌ媒体以上である、請求項１４又は請求項１５記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面上を流れる流体によって生じる抵抗を低減する露出したパターン化表面を有するバッキング層であって、２種類以上のポリマーのブレンドを含み、前記２種類以上のポリマーのうちの１種類がフッ化ビニリデンの重合単位を含むフルオロポリマーであるバッキング層と、
（ｂ）接着結合層と、
（ｃ）前記バッキング層と前記結合層との間の中間層と、
を含み、強化材を含まないことを特徴とする抵抗低減物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型取り面および裏当て面を有するスタンパと、
前記裏当て面に接触する複数の突出部を有する対向面を備える支持ブロックと、
前記複数の突出部の側部の間に配置され、前記対向面を前記裏当て面に接着する接着剤と、
を具備する型用インサート。
【請求項２】
型用インサートの製造方法であって、
型取り面と裏当て面とを有するスタンパを作製することと、
複数の突出部を有する対向面を備える支持ブロックを作製することと、
前記裏当て面を前記複数の突出部に接触させて配置することと、
前記スタンパを前記支持体に、前記突出部の側部の間に配置された任意量の接着剤により接着することと、
を含む製造方法。
【請求項３】
型取り面および裏当て面を有するスタンパと、
対向面を有する支持ブロックと、
前記裏当て面および前記対向面の少なくとも一方にある複数の突出部であって、該裏当て面および該対向面の他方に接触する複数の突出部と、
前記複数の突出部の側部の間に配置され、前記対向面を前記裏当て面に接着する接着剤と、
を具備する型用インサート。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
この方法は、供給流（１）がメタノール転化装置（２）に入いる図２で実証されている。供給流は水素、一酸化炭素および二酸化炭素を含有しており、これらは主にメタノールに転化されそして少量のより高級なアルコール類、アルデヒド類およびケトン類に転化される。この転化反応は転化装置（２）の中に充填された触媒（３）によって行なわれる。この触媒は慣用のメタノール合成触媒である。転化されたプロセス流（４）は冷却器（５）で２００℃まで、好ましくは１５０℃まで冷却されそして冷却されたプロセス流（６）は、水素化触媒（８）が充填されている水素化装置（７）に流れる。この触媒はアルデヒド類およびケトン類をメタノールおよび更に高級なアルコール類に水素化してメタノールリッチのプロセス流を得るのに有効である。そこにはＣＯも存在している。水素化されたプロセス流（９）は冷却器（１０）、恐らく水冷式冷却器に搬送される。そこにおいて流れ（９）は冷却されそして比較的に高い露点を有する成分と一緒に冷却され凝縮される。冷却され凝縮されたプロセス流（１１）は相分離器（１２）に送られ、そこで気相（１３）が引き出され、（２）に戻してもよい。液相の粗メタノール（１４）は引き出され、蒸留装置（１５）に送られる。装置（１５）において粗メタノールは精製されて化学用メタノール（１６）となる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
アセトンおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）は触媒の存在下で反応して下記反応式に従ってプロパノールおよびブタノールをもたらす：
CH3COCH3+ H2 = CH3CHOHCH3
CH3COC2H5+ H2 = CH3CHOHC2H5
標準のメタノール試験装置を使用した。合成ガスおよび色々な量のケトンを、種々の分圧でのケトン水素化活性を研究するために反応器に供給する。反応器流出物を冷却し、凝縮し、分離しそして液相を低圧化する。液相はガスクロマトグラフィーを使用してケトン類およびアルコール類について分析する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
表３に示した結果は、Ｃｕ，Ａｌ触媒が１５０℃まで下がった温度でアセトンおよびメチルエチルケトンの水素化に有効であることを実証している。
表３：
2006512340.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消化性潰瘍を処置する医薬を製造するためのボツリヌス毒素の使用。
【請求項２】
ボツリヌス毒素がA型、B型、C型、D型、E型、F型およびG型ボツリヌス毒素からなる群より選択される、請求項1に記載の使用。
【請求項３】
消化性潰瘍が胃潰瘍である、請求項1に記載の使用。
【請求項４】
消化性潰瘍が十二指腸潰瘍である、請求項1に記載の使用。
【請求項５】
ボツリヌス毒素がA型ボツリヌス毒素である、請求項1に記載の使用。
【請求項６】
経口摂取によって消化性潰瘍または胃食道逆流疾患を処置する医薬を製造するためのボツリヌス毒素の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月5日(2006.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口腔内微生物の存在下にその静菌および／または殺菌効果が形成される少なくとも１つの物質を含有する歯科材料。
【請求項２】
（ａ）その静菌および／または殺菌効果が口腔内微生物の存在下に形成される０．０１〜１０％の物質、
（ｂ）３〜８０％の重合性化合物、
（ｃ）０．０１〜２５％の通常の開始剤および／または促進剤および／または遅延剤、
（ｄ）０〜５０％の通常の補助剤、
（ｅ）０〜９０％の通常の充填剤、
を含有する、請求項１に記載の歯科材料。
【請求項３】
（ａ）その静菌および／または殺菌効果が口腔内微生物の存在下に形成される０．１〜５％の物質、
（ｂ）３〜８０％の重合性化合物、
（ｃ）０．０１〜２５％の通常の開始剤および／または促進剤および／または遅延剤、
（ｄ）０〜５０％の通常の補助剤、
（ｅ）０〜９０％の通常の充填剤、
を含有する、請求項１に記載の歯科材料。
【請求項４】
（ａ）その静菌および／または殺菌効果が口腔内微生物の存在下に形成される０．１〜３％の物質、
（ｂ）３〜８０％の重合性化合物、
（ｃ）０．０１〜２５％の通常の開始剤および／または促進剤および／または遅延剤、
（ｄ）０〜５０％の通常の補助剤、
（ｅ）０〜９０％の通常の充填剤、
を含有する、請求項１に記載の歯科材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許第０６７４８９６Ｂ１号明細書
【特許文献２】独国特許発明第２６２８２６５Ｃ２号明細書
【特許文献３】国際公開第９８／４８７６６号パンフレット
【特許文献４】独国特許発明第１９５１５９７６Ｃ１号明細書
【特許文献５】独国特許発明第１９７０８７８２Ｃ１号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ:
【化１】
2006512363.tif 000001
［式中、
Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立して、水素、ＣＮ、ＣＦ3、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ハロ
ゲン、Ｃ1-4アルキル、Ｃ2-4アルケニル、Ｃ2-4アルキニル、Ｒa、Ｒb、ＳＲa、ＮＲaＲb、ＣＨ2ＮＲaＲb、ＯＲc、またはＣＨ2ＯＲcから選択され、ここでＲa、Ｒb、およびＲc
は、それぞれ独立して、水素、Ｃ1-6アルキル、Ｃ(Ｏ)Ｒd、Ｃ(Ｏ)ＮＨＲd、ＣＯ2Ｒdか
ら選択されるか、またはＲaおよびＲbは一緒になって(ＣＨ2)jＧ(ＣＨ2)kもしくはＧ(ＣＨ2)jＧ（ここでＧは酸素であり、ｊは１、２、３または４であり、ｋは０、１または２である）であってもよく；そしてＲdはそれぞれ独立して、Ｃ1-6アルキルから選択され; 
Ｒ3は、水素またはＣ1-4アルキルであり;
Ｒ6は、水素、ＣＮ、Ｃ1-4アルキルまたはＣ1-4アルコキシであり;
Ｒ7は、水素またはＣ1-4アルキルであり、そして
Ａｒは、フェニルであるか、または１個もしくは２個の位置で、Ｒ4もしくはＲ5（ここでＲ4およびＲ5はそれぞれ独立して、ハロゲン、Ｃ1-4アルコキシまたはハロゲン化Ｃ1-4アルキルから選択される）から独立して選択される部分で置換されたフェニルである]
で表される化合物、その生体内加水分解性プレカーサおよびその製薬的に許容し得る塩。
【請求項２】
式II：
【化２】
2006512363.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ7は請求項１に定義されるとおりである）
で表される請求項１記載の化合物、その生体内加水分解性プレカーサおよびその製薬的に許容し得る塩。
【請求項３】
Ａｒが４−クロロフェニル、４−フルオロフェニル、４−メトキシフェニル、３,４−
ジクロロフェニル、３,４−ジメトキシフェニル、または４−トリフルオロメチルフェニ
ルから選択される、請求項１記載の化合物、その生体内加水分解性プレカーサおよびその製薬的に許容し得る塩。
【請求項４】
Ｒ1が水素、メトキシまたはエチルから選択され;
Ｒ2が水素またはメトキシから選択され;
Ｒ3が水素またはメチルから選択される、
請求項１記載の化合物、その生体内加水分解性プレカーサおよびその製薬的に許容し得る塩。
【請求項５】
生理学的に許容し得る陰イオンを与える無機酸または有機酸を用いて調製される請求項１記載の化合物の製薬的に許容し得る塩。
【請求項６】
無機酸または有機酸が塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、メタンスルホン酸、スルファミン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、クエン酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、フマル酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、サリチル酸またはキニン酸から選択される請求項５記載の化合物の製薬的に許容し得る塩。
【請求項７】
請求項１記載の化合物、その生体内加水分解性プレカーサまたはその製薬的に許容し得る塩および製薬的に許容し得る担体を含有する医薬組成物。
【請求項８】
ＮＫ1レセプターおよびＳＳＲＩ活性のアンタゴニズムが有益である疾患状態を治療するための医薬の製造における、請求項１記載の化合物、その生体内加水分解性プレカーサまたはその製薬的に許容し得る塩の使用。
【請求項９】
哺乳類の高血圧症、ガン患者の鬱病、パーキンソン病患者の鬱病、心筋梗塞後鬱病、軽症の症候性鬱病、不妊女性の鬱病、小児性鬱病、大鬱病、単発性鬱病、再発性鬱病、児童虐待性鬱病、分娩後鬱病、全般性不安障害、広場恐怖症、対人恐怖症、単純恐怖症、心的外傷後ストレス症候群、回避的人格障害、早漏、拒食症、多食症、肥満症、アルコール中毒、コカイン中毒、ヘロイン中毒、フェノバルビタール中毒、ニコチン中毒、またはベンゾジアゼピン中毒；群発性頭痛、偏頭痛、疼痛、アルツハイマー病、強迫障害、パニック障害、痴呆症、健忘障害、加齢による認識衰退、パーキンソン病の痴呆症、神経安定剤によるパーキンソニズム、錐体外路性終末欠陥症候群、高プロラクチン血症、血管痙攣、脳血管痙攣、大脳性運動失調症、胃腸管障害、統合失調症の陰性症状、月経前症候群、線維筋痛症候群、緊張性尿失禁、トゥーレット症候群、抜毛狂、窃盗癖、男性インポテンス、
注意欠陥過活動性障害、慢性発作性頭痛または血管疾患の関係する頭痛から選択され、ここでＮＫ1レセプターおよびＳＳＲＩ活性のアンタゴニズムが有益である障害または症状を治療するための医薬の製造における、請求項１記載の化合物またはその製薬的に許容し得る塩の使用。
【請求項１０】
化合物を製薬的に許容し得る担体と組み合わせて使用する、請求項９記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式（Ｉ）：
【化１】
2006512443.tif 000001
（式中、Ｒ1およびＲ4は独立して３〜１０個の炭素原子を含有するアルキル基であり、Ｒ2およびＲ3は独立してメチルおよびエチルからなる群から選択され、そして（ｘ＋ｙ）＝２〜５０である）、または式（ＩＩ）：
【化２】
2006512443.tif 000002
（式中、ｒおよびｔはそれぞれ独立して１または２であり、（ｎ＋ｍ）＝１〜３０であり、そして（ｐ＋ｑ）＝１〜３０である）の構造を有するアルコキシル化アセチレンジオールと、
（ｂ）ビルダーと、
（ｃ）両性界面活性剤と、
を含み、非苛性および低ＶＯＣである脱脂組成物。
【請求項２】
前記アルコキシル化アセチレンジオールが、式（Ｉ）の構造を有する請求項１に記載の脱脂組成物。
【請求項３】
前記アルコキシル化アセチレンジオールが、式（ＩＩ）の構造を有する請求項１に記載の脱脂組成物。
【請求項４】
前記組成物が、無リン酸塩である請求項１に記載の脱脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸または塩基官能基を含む熱可塑性オレフィン系ポリマーと、
酸または塩基官能基を含むポリマー剥離材料と、の混合物を含み、
前記熱可塑性オレフィン系ポリマーの前記官能基と前記ポリマー剥離材料の前記官能基とが酸−塩基相互作用を形成し、
前記熱可塑性オレフィン系ポリマーと前記ポリマー剥離材料とが相溶化ブレンドを形成する、剥離組成物。
【請求項２】
剥離物品であって、
（ｉ）請求項１に記載の剥離組成物を含有する剥離層と、
（ｉｉ）基材と、を含み、前記剥離層が前記基材の少なくとも一部を覆う、剥離物品。
【請求項３】
接着物品であって、
（ａ）第１の表面および第２の表面を有する基材と、
（ｂ）前記基材の前記第１の表面の少なくとも一部を覆う剥離層であって、
請求項１に記載の剥離組成物を含有する剥離層と、
（ｃ）前記基材の前記第２の表面の少なくとも一部を覆う接着剤層と、を含む接着物品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月13日(2006.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記噴射剤が、１，１，２，２−テトラフルオロエタン、１，１−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフルオロエタン、ジフルオロメタン、１，１−ジフルオロ−２，２，２−トリフルオロエタン、又は１，１，１，２−テトラフルオロエタンよりなる群から選ばれる請求項６に記載のタイヤ化粧用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の好ましい実施態様では、シリコーンミクロエマルジョン系は、エアゾール系が所望ならば、更にフルオロカーボン又は炭化水素噴射剤を含有する。このエアゾール系に好ましい噴射剤の例としては、限定されるものではないが、１，１−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフルオロエタン、ジフルオロメタン、１，１−ジフルオロ−２，２，２−トリフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエタン及び１，１，１，２−テトラフルオロエタンが挙げられる。１，１，１，２−テトラフルオロエタンは、エアゾール配合物を使用する環境保護局で承認され、非オゾン破壊性物質として含まれているので、更に好ましい。しかし、１，１，１，２−テトラフルオロエタンが唯一の好適な噴射剤を意味すると解釈すべきではない。環境保護局で承認されていないが、本発明の実施態様では、以上に挙げた他のフルオロカーボン噴射剤も使用できる。実際に、燃焼性が主要な関心事でない所では、本発明の実施態様ではフルオロカーボン噴射剤の他に、或いは代りに炭化水素噴射剤も使用してよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料の少なくとも１つの層を含み、内面と外面とを有する基体本体と、
前記基体本体の少なくとも１つの層に混合された、ポリエチレンオキシドを含む通気性添加物と、を含み、前記ポリエチレンオキシドは、前記材料の重量百分率で約１から７０の量で前記少なくとも１つの層に存在するものであることを特徴とする手袋。
【請求項２】
前記少なくとも１つの層が、１次エラストマー層である請求項１に記載の手袋。
【請求項３】
前記１次エラストマー層がエラストマー・ブロックコポリマーを含む請求項２に記載の手袋。
【請求項４】
前記エラストマー・ブロックコポリマーが、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン・ブロックコポリマー、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロックコポリマー、スチレン−ブタジエン−スチレン・ブロックコポリマー、スチレン−イソプレン・ブロックコポリマー、スチレン−ブタジエン・ブロックコポリマー、及びこれらの混合物からなるグループから選択された請求項３に記載の手袋。
【請求項５】
前記第１のエラストマー層がポリウレタンゴムを含む請求項２に記載の手袋。
【請求項６】
前記少なくとも１つの層が、ドーニング層である請求項１に記載の手袋。
【請求項７】
前記ドーニング層がヒドロゲルポリマーを含む請求項６に記載の手袋。
【請求項８】
前記基体本体の内面に配置された潤滑剤から更に構成される請求項１に記載の手袋。
【請求項９】
前記潤滑剤がシリコーン潤滑剤からなる請求項８に記載の手袋。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの層が、材料の重量百分率で約１から約５０の量でポリエチレンオキシドを含む請求項１に記載の手袋。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの層が、材料の重量百分率で約１から約３０の量でポリエチレンオキシドを含む請求項１に記載の手袋。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの層が、材料の重量百分率で約４から約６の量でポリエチレンオキシドを含む請求項１に記載の手袋。
【請求項１３】
前記手袋が通気性のある手袋である請求項１に記載の手袋。
【請求項１４】
手袋を形成する方法であって
溶媒を準備する段階と、
ポリエチレンオキシドを前記溶媒に付加して溶液を形成する段階と、
前記溶液に弾性材料を付加する段階と、
手袋形のフォーマ上に弾性材料を含む前記溶液の層を形成する段階と、
前記層を乾燥させて前記フォーマ上で手袋を形成する段階と、
を含む方法。
【請求項１５】
前記溶媒がトルエン、キシレン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、塩化メチレン、及びこれらの混合物からなるグループから選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記溶媒にポリエチレンオキシドを付加する前に、前記溶媒を加熱する段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記溶媒が約３０℃から約５０℃の間の温度まで加熱される請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記手袋にドーニング層を形成する段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記手袋に把持層を形成する段階を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記手袋を塩素処理する段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記ポリエチレンオキシドが、前記弾性材料の重量百分率で約７０までの量で前記溶媒に付加されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。