【事件の表示】
　特願２００７−１５７８０３「基板吸着支持部材及び基板支持方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月２５日出願公開、特開２００８−３１１４２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１９年６月１４日の特許出願であって、平成２３年２月２４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年４月２６日に意見書とともに特許請求の範囲及び明細書について手続補正書が提出されたが、同年１１月１８日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、平成２４年１月１０日に本件審判の請求がされるとともに特許請求の範囲及び明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年１月１０日付けの手続補正について
１　補正の内容
　平成２４年１月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をするとともに、それに関連して明細書の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
　　【請求項１】
　基板及び前記基板に形成された素子を備えた素子形成基板を真空吸着するための複数の溝部と、前記複数の溝部の間に設けられ、前記素子形成基板と接触する複数の基板支持部と、真空引き用管路を介して、真空装置と接続され、前記複数の溝部を真空引きするための複数の貫通孔と、を有した基板吸着支持部材であって、
　前記複数の貫通孔を、前記複数の基板支持部の一方の側面と前記複数の基板支持部の他方の側面との間に位置する部分の前記複数の基板支持部を貫通するように設け、
　前記素子形成基板と接触する部分の前記複数の基板支持部の角部を、ラウンド形状にし、
　前記複数の溝部及び前記複数の基板支持部は、平面視リング形状とされて同心円状に配置され、
　前記複数の基板支持部は、導電性材料により構成され、
　前記素子形成基板の厚さは、４００μｍ以下であることを特徴とする基板吸着支持部材。
　　【請求項２】
　前記素子形成基板は、前記素子と電気的に接続された前面電極を有し、
　前記基板は、前記素子が形成された側とは反対側に裏面電極形成用拡散層が形成される拡散層形成領域を有することを特徴とする請求項１記載の基板支持部材。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載の基板支持部材により、前記素子が形成された側の前記素子形成基板を真空吸着することを特徴とする基板支持方法。
　
（２）補正後
　　【請求項１】
　基板及び前記基板に形成された素子を備えた素子形成基板を真空吸着するための複数の溝部と、前記複数の溝部の間に設けられ、前記素子形成基板と接触する複数の基板支持部と、真空引き用管路を介して、真空装置と接続され、前記複数の溝部を真空引きするための複数の貫通孔と、を有した基板吸着支持部材
を用いた基板支持方法
　前記複数の貫通孔を、前記複数の基板支持部の一方の側面と前記複数の基板支持部の他方の側面との間に位置する部分の前記複数の基板支持部を貫通するように設け、
　前記素子形成基板と接触する部分の前記複数の基板支持部の角部を、ラウンド形状にし、
　前記複数の溝部及び前記複数の基板支持部は、平面視リング形状とされて同心円状に配置され、
　前記複数の基板支持部は、導電性材料により構成され
る基板吸着支持部材により、前記素子が形成された側の前記素子形成基板の面を真空吸着し、
方法
　
２　補正の目的
　補正前の請求項１に係る発明は、「基板吸着支持部材」という物の発明であるのに対して、補正後の請求項１に係る発明は、「基板支持方法」という方法の発明である。
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明を限定的に減縮した発明ではなく、補正前の請求項１に関する限りでは、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。　　
　そこで、補正後の請求項１に係る発明と同様に「基板支持方法」に関する発明である補正前の請求項３に係る発明に着目すると、当該請求項３のうち請求項１を引用する発明は、実質的に補正後の請求項１に係る発明と同一である。　
　そうしてみると、本件補正は、補正前の請求項１及び請求項２を削除するとともに、請求項３のうち請求項２を引用するものを削除したものであるとみるのが相当であり、特許法第１７条の２第５項に規定する請求項の削除を目的とするものである。
　
第３　本件出願の発明
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、上記第２の１（２）に示すとおりの「基板支持方法」であると認める。
　
第４　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１６２１０８号公報（以下「刊行物１」という。）、特開２００１−１７６９５７号公報（以下「刊行物２」という。）及び特開平９−２６０４７１号公報（以下「刊行物３」という。）の記載内容は、それぞれ以下のとおりである。
　
１　刊行物１
（１）刊行物１記載の事項　
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
　
「【０００３】・・・。図５において、１は例えば円板状の半導体基板である。２は支軸２ａの先端に半導体基板１の裏面を減圧吸着して保持する基板吸着部２ｂを有し支軸２ａを中心軸として高速回転する半導体基板保持具（以下、チャックと称する）である。３はチャック２により保持された半導体基板１の表面の回転中心に向けてホトレジスト等の塗布材料４を吐出する薬液ノズルである。
【０００４】チャック２には、支軸２ａの中心を通り基板吸着部２ｂで多数に分岐して基板吸着面に吸着口として開放した吸引用通路２ｃが設けられている。・・・。」
　
「【００１２】
【発明の実施の形態】・・・。図１において、１は例えば円板状の半導体基板である。２は支軸２ａの先端に半導体基板１の裏面を減圧吸着して保持する基板吸着部２ｂを有し支軸２ａを中心軸として回転するチャックである。３はチャック２により保持された半導体基板１の表面の回転中心に向けてホトレジスト等の塗布材料４を吐出する薬液ノズルであり、半導体基板１の中心とチャック２の支軸２ａの中心とを結ぶ線上に鉛直方向に向けて配置されている。
【００１３】チャック２には、支軸２ａの中心を通り基板吸着部２ｂで多数に分岐して基板吸着面に吸着口として開放した吸引用通路２ｃが設けられている。・・・。」
　
「【００２１】・・・。図２および図３にそれぞれ示すチャック２の接触面積は同一とし、図２の方は接触点数が少なく１点毎の接触面積が大きい例を示し、図３の方は接触点数が多く１点毎の接触面積が小さい例を第２の実施の形態として示す。図２に示す例では、接触点の間隔が広すぎ、裏面からの吸引により半導体基板１に大きな歪みが生じて、塗布膜の厚さ均一性に悪影響を及ぼすことがある。これに対し、図３に示す例では、接触点の間隔が狭く、１点毎の接触面積が小さいので、裏面からの吸引により半導体基板１の歪はごく小さいものとなり、塗布膜の厚さ均一性に悪影響を及ぼすことはない。したがって、半導体基板１を吸着するするチャック２としては、図３に示すような接触点数が多く１点毎の接触面積が小さいものを使用することが望ましい。」
　
　基板吸着部２ｂは、平面視リング形状とされて同心円状に配置された複数の溝部と、前記複数の溝部の間に設けられ、半導体基板１と接触する複数の基板支持部とを有しており、前記複数の溝部を減圧するために、複数の基板支持部の表面に半径方向の溝が設けられており、また、複数の基板支持部の底部に基板支持部の一方の側面と他方の側面とを貫通するように通路が設けられていること。（特に、【図３】（ａ），（ｂ）参照のこと。）
　
（２）刊行物１記載の発明
　刊行物１記載の事項を技術常識を考慮しながら本件出願の発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認めることができる。
　
　半導体基板１を減圧吸着するための複数の溝部と、前記複数の溝部の間に設けられ、前記半導体基板１と接触する複数の基板支持部と、吸引用通路２ｃを介して、減圧装置と接続され、前記複数の溝部を減圧するための、複数の基板支持部の表面に設けられた半径方向の溝と、複数の基板支持部の底部に基板支持部の一方の側面と他方の側面とを貫通するように設けられた通路と、を有した半導体基板保持具であるチャック２を用いた基板支持方法であって、
　前記複数の溝部及び前記複数の基板支持部は、平面視リング形状とされて同心円状に配置され、
　前記複数の基板支持部は、チャック２により、半導体基板１を減圧吸着する基板支持方法。
　
２　刊行物２
　刊行物２には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエハやガラス等の平板を吸着保持し、加工時の固定や搬送などに用いることができる吸着プレート及び真空吸引装置に関するものである。」
　
「【００２４】ａ）まず、本実施例の吸着プレートを備えたポリッシングマシンの全体構成について説明する。図１に示す様に、ポリッシングマシン１は、半導体ウエハであるシリコンウエハ３に対して、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置であり、主として、回転可能に配置されたプラテン５と、その上面側に配置された真空吸引装置である研磨ヘッド７とから構成されている。」
　
「【００２６】前記研磨ヘッド本体１３は、その内部の減圧空間１９が、真空ポンプ（図示せず）に接続されて、真空引きされる構成となっている。この研磨ヘッド本体１３の下端には、その外周から外側に向かって鍔状に突出する取付部２１が設けられ、この取付部２１にて吸着プレート１７がネジ（図示せず）により固定されている。つまり、前記吸着プレート１７は、研磨ヘッド本体１３の下方の吸引口１５を覆うように装着されている。」
　
「【００２８】以下詳細に説明する。図４に平面を示す様に、吸着プレート１７は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０ｍｍの円盤状の基板１７ａを有し、その基板１７ａの吸着面Ｋ側に多数の突起部２１が格子状に配置され、その突起部２１の周囲を囲む様に環状に突出した土手であるシール部２３が形成されている。尚、ここでは、基板表面のうち、シール部２３で囲まれた表面を吸着面Ｋとするが、この吸着面Ｋの直径は、φ１９８ｍｍである。
【００２９】図５に拡大して示す様に、前記突起部２１は、高さ０．１〜０．５ｍｍ、頂上部の直径０．１５〜０．５ｍｍの円錐台の形状をしており、１ｍｍの間隔（ピッチ）で多数が配置されている。特に、突起部２１の頂上部２５の角部２７は、Ｒ半径が０．０１〜０．０５ｍｍのＲ面取りが施されて、滑らかな面取り部２９となっている。尚、この突起部２１は、吸着時にその先端が被加工物であるシリコンウエハ３と接して、シリコンウエハ３の平面度を保持するためのものである。」
　
「【００４２】
【発明の効果】以上詳述した様に、請求項１の発明では、吸着プレートの吸着面に形成された突起部の頂上部の角部に所定の面取り部が設けられているので、吸着プレートにてシリコンウエハ等の被加工物を吸着した場合でも、被加工物を傷つけることがない。また、突起部の頂上部の角部が破損しにくく、よってその破片に起因する被加工物の面精度の悪化を防止できる。」
　
　これらの事項を整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認めることができる。
「シリコンウエハ等の被加工物の真空吸引装置において、被加工物を傷つけることがないように、被加工物と接触する複数の突起部の角部に面取り部を備えること。」（以下「刊行物２事項）という。）
　
３　刊行物３
　刊行物３には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板（ウエハ）やアルミナ、石英等の薄板状基板を吸着固定に好適に用いられる真空チャックに関するものである。」
　
「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記課題を解決するために、真空チャックホルダは、焼結炭化硅素基体上に、非酸化性雰囲気下で減圧化学蒸着によって同種炭化硅素膜を形成した、セラミックス複合体で構成する。本発明において、真空チャックホルダに用いられる好ましい複合体材料構成としては、基体にα型、または、β型焼結炭化硅素を用い、成膜された膜は、結晶化したβ型構造の炭化硅素が挙げられる。」
　
「【００１４】また、本発明に用いる焼結炭化硅素複合体は導電性を有する。すなはち、本発明の真空チャックホルダでは、セラミックス焼結体の持つ、高剛性　軽量、高硬度という特性に、導電性という特性が付加される。したがって、耐摩耗性が向上すると共に、被保持物との接触部分における静電気の発生が防止され、ごみの付着が低減される。」
　
「【００２８】・・・。α型炭化硅素焼結体は導電性であるので静電気の発生による真空チャックホルダへのごみの付着は生じない。仮にごみが付着したとしても容易に除去することができ、真空チャックホルダの清掃が簡単である。・・・。」
　
　これらの事項を整理すると、刊行物３には以下の事項が記載されていると認めることができる。
「半導体ウエハ用真空チャックにおいて、ごみの付着を低減するため、真空チャックホルダを導電性材料により構成すること。」（以下「刊行物３事項）という。）
　
第５　対比
　本件出願の発明と刊行物１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　刊行物１記載の発明の「半導体基板１」は、基板という限りで、本件出願の発明の「基板及び前記基板に形成された素子を備えた素子形成基板」と共通している。
　刊行物１記載の発明の「減圧吸着する」、「吸引用通路２ｃ」、「減圧装置」は、それぞれ、本件出願の発明の「真空吸着する」又は「真空引きする」、「真空引き用管路」、「真空装置」に相当する。
　刊行物１記載の発明の「複数の基板支持部の底部に基板支持部の一方の側面と他方の側面とを貫通するように設けられた通路」は、本件出願の発明の「複数の基板支持部の一方の側面と前記複数の基板支持部の他方の側面との間に位置する部分の前記複数の基板支持部を貫通するように設け」られた「貫通孔」に相当する。
　刊行物１記載の発明の「半導体基板保持具であるチャック２」は、基板吸着支持部材であるという限りで、本件出願の発明の「基板吸着支持部材」と共通している。
　
　したがって、本件出願の発明と刊行物１記載の発明とは、以下の点で一致しているということができる。
　
［一致点］　
　基板を真空吸着するための複数の溝部と、前記複数の溝部の間に設けられ、前記基板と接触する複数の基板支持部と、真空引き用管路を介して、真空装置と接続され、前記複数の溝部を真空引きするための複数の貫通孔と、を有した基板吸着支持部材を用いた基板支持方法であって、
　前記複数の貫通孔を、前記複数の基板支持部の一方の側面と前記複数の基板支持部の他方の側面との間に位置する部分の前記複数の基板支持部を貫通するように設け、
　前記複数の溝部及び前記複数の基板支持部は、平面視リング形状とされて同心円状に配置され、
　前記複数の基板支持部は、基板吸着支持部材により、基板を真空吸着する基板支持方法である点。
　
　そして、本件出願の発明と刊行物１記載の発明とは、以下の５点で相違している。
　
１　相違点１　        
　真空吸着される基板が、本件出願の発明では、「基板及び前記基板に形成された素子を備えた素子形成基板」であって、「前記素子が形成された側の前記素子形成基板の面を真空吸着」するのに対して、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。　
　
２　相違点２
　複数の溝部を真空引きするために、本件出願の発明では、複数の貫通孔を設けているのに対して、刊行物１記載の発明では、複数の貫通孔に加え、「基板支持部の表面に設けられた半径方向の溝」を設けている点。
　
３　相違点３
　本件出願の発明では、「素子形成基板と接触する部分の複数の基板支持部の角部を、ラウンド形状にし」ているのに対して、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。
　
４　相違点４
　基板吸着支持部材が、本件出願の発明では、「導電性材料により構成され」ているのに対して、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。
　
５　相違点５
　本件出願の発明では、「素子形成基板の厚さは、４００μｍ以下」であるのに対して、刊行物１記載の発明では、基板の厚さがどの程度のものであるのか明らかでない点。
　
第６　相違点についての検討
１　相違点１について                            　
　基板及び前記基板に形成された素子を備えた素子形成基板それ自体は、特に例示するまでもなく従来周知である。
　そして、この素子形成基板を真空吸着するに当たって、素子が形成された側の面を真空吸着するか、あるいは、その反対側の面を真空吸着するかは、吸着した基板をどのように処理するか等に応じて適宜選定すればよい事項にすぎない。
　また、素子が形成された側の素子形成基板の面を真空吸着することは、原審の平成２３年２月２４日付け拒絶理由通知書でも「基板の素子形成面を吸着することは、例示するまでもなくよく行われていることである。」と指摘しており、例えば、特開２００４−２２９９７号公報の要約に示されているように従来周知である。
　そうしてみると、これら従来周知の事項を刊行物１記載の発明に適用して本件出願の発明のように構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
２　相違点２について              
　本件出願の発明は、「基板支持部の表面に設けられた半径方向の溝」を設けることを排除していないから、この点は実質的相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、複数の溝と基板支持部とを備えた半導体ウエハ真空チャック、すなわち、基板吸着支持部材において、基板支持部の表面に半径方向の溝を設けることなく溝部を真空引きするように構成することは、例えば、上記刊行物３として挙げた特開平９−２６０４７１号公報の図面に示されているように従来周知である。
　そうしてみると、複数の溝部を真空引きするために、複数の基板支持部の一方の側面と前記複数の基板支持部の他方の側面との間に位置する部分の前記複数の基板支持部を貫通する貫通孔だけを設けるように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところであるということができる。
　
３　相違点３について
　刊行物２事項は、上記のとおりであり、これにより「被加工物を傷つけることがない」という効果が期待される。
　刊行物１発明においても、「被加工物を傷つけることがない」ことは、望ましいことであるから、刊行物２事項を刊行物１記載の発明に適用して、基板と接触する部分の複数の基板支持部の角部を、ラウンド形状に構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
４　相違点４について
　刊行物３事項は、上記のとおりであり、これにより「ごみの付着を低減する」という効果が期待される。
　刊行物１発明においても、「ごみの付着を低減する」ことは、望ましいことであるから、刊行物３事項を刊行物１記載の発明に適用して、基板吸着支持部材を導電性材料により構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
５　相違点５について
　本件出願の発明で「素子形成基板の厚さは、４００μｍ以下」とした点については、明細書の段落００４３に「基板２２の厚さＭ１は、一般的な半導体基板（例えば、厚さ５５０μｍ）と比較して薄板化されている。基板２２の厚さＭ１は、例えば、１８５μｍ〜４００μｍとすることができる」と記載されている。
　すなわち、「素子形成基板」であることにより、一般的な半導体基板と比較して薄いという、一般的事項にすぎない。
　素子形成基板の厚さをどの程度とするかは、その用途等に応じて適宜決定すればよい単なる設計的事項にすぎず、当該厚さを４００μｍ以下に特定したことに格別の困難性はない。
　
６  本件出願の発明の効果について
　本件出願の発明の採用する構成によってもたらされる効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２ないし３記載の事項及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第７　むすび
　したがって、本件出願の発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２ないし３記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができないものである。
　よって、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。