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【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
活性物質および／または活性成分を含む組成物、より特には、フィルム、層、および／またはコーティングを形成するための組成物を製造する方法であって、
（ａ）適当なキャリアー分子に少なくとも１つの活性物質および／または活性成分を担持
させる工程；
（ｂ）必要に応じて適当な溶媒または分散剤を存在させて、工程（ａ）で担持させられたキャリアー分子と適当なゾル／ゲル前駆物質との均一な混合物を調製する工程；
（ｃ）活性物質および／または活性成分を担持させたキャリアー分子が組み込まれた、好ましくは多孔性であるゾル／ゲルマトリックスを形成するために、ゾル／ゲルプロセスを、工程（ｂ）で調製した混合物中で実施する工程；
（ｄ）存在する溶媒または分散剤を除去するために、且つ活性物質および／または活性成分を担持させたキャリアー分子が組み込まれた、好ましくは多孔性であるゾル／ゲルガラスマトリックスを、好ましくはポリケイ酸、シリケート、ボレート、および／またはアルミン酸塩をベースとして形成するために、工程（ｃ）で形成したゾル／ゲルマトリックスを必要に応じて加熱する工程
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
活性物質および／または活性成分を担持させたキャリアー分子を組み込んだ形態で含む好ましくは多孔性であるゾル／ゲルマトリックスで被覆されたキャリアー表面を熱処理に付して、存在する溶媒または分散剤を除去し、且つ、好ましくはシリケート、ポリケイ酸、ボレートおよび／またはアルミン酸塩をベースとする好ましくは多孔性であるゾル／ゲルガラスマトリックスであって、活性物質および／または活性成分を担持させたキャリアー分子を、組み込んだ形態にて、好ましくは当該分子がマトリックス中に均一に分散された状態で含むゾル／ゲルガラスマトリックスで被覆されたキャリアー表面を形成することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
分子キャビティ、ボイド、ポア、またはチャンネル等に組み込まれ及び／又は錯化された活性物質および／または活性成分分子を有するキャリアー分子を、好ましくはマトリックス全体にわたって均一に分散させて組み込むためのフィルム、カバリング、層および／またはコーティングであって、ポリケイ酸、シリケート、ボレート、および／またはアルミン酸塩をより特にはベースとする、好ましくは多孔性であるゾル／ゲルガラスマトリックスを好ましくは有するフィルム、カバリング、層および／またはコーティング。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
請求項２３または請求項２４に記載のフィルム、カバリング、層および／またはコーティングが塗布されている、表面、より特には不活性な物質の表面。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明はまた、本発明の方法により得られる活性物質および／または活性成分を含む組成物であって、より特には、フィルム、カバリング、層および／またはコーティングを形成するための組成物に関し、また、当該組成物で形成されたフィルム、カバリング、層および／またはコーティングに関する。フィルム、カバリング、層および／またはコーティングは、特に、分子キャビティ、ボイド、ポア、またはチャンネル等に組み込まれ及び／または錯化された活性物質および／または活性成分分子を有するキャリアー分子を、好ましくはマトリックス全体にわたって均一に分散させて組み込むためのフィルム、カバリング、層および／またはコーティングであって、ポリケイ酸、シリケート、ボレート（borate）、および／またはアルミン酸塩をより特にはベースとする、好ましくは多孔性であるゾル／ゲルガラスマトリックスを好ましくは有するものである。上述したように、本発明の目的のためには、フィルム、カバリング、層またはコーティング等の厚さは、１００ｎｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、より特には１０００ｎｍ〜２ｍｍが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月16日(2005.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
配列番号２、４、６、８、１０、１２、１６、１８、２１、２３、２５、２７、３１、３３、３５、３７、３９、４１、４３、４５、４７、４９、５１、５３、５５、５７、５９、６１、６３、６５、６７、６９、７１、７３、７５、７７、７９、８１、８３、８５、８７、８９、９１、９３、９５、９７、９９、１０１、１０３、１０５、１０７または１０９のアミノ酸配列に対して少なくとも８０％の配列同一性を含むアミノ酸配列を含む単離Ｍｒｇポリペプチド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
配列番号１４、１９または２９のアミノ酸配列に対して少なくとも８０％の配列同一性を含むアミノ酸配列を含む単離ｄｒｇ−１２ポリペプチド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
配列番号２、４、６、８、１０、１２、１６、１８、２１、２３、２５、２７、３１、３３、３５、３７、３９、４１、４３、４５、４７、４９、５１、５３、５５、５７、５９、６１、６３、６５、６７、６９、７１、７３、７５、７７、７９、８１、８３、８５、８７、８９、９１、９３、９５、９７、９９、１０１、１０３、１０５、１０７または１０９のアミノ酸配列を含むポリペプチドからなる群から選択される少なくとも１つのＭｒｇポリペプチドと少なくとも４０％の配列同一性を示す単離ポリペプチドであって、かつ定量可能な生物活性を示す単離ポリペプチド。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
配列番号１４、１９および２９のアミノ酸配列を含むポリペプチドからなる群から選択される少なくとも１つのｄｒｇ−１２ポリペプチドと少なくとも３５％のアミノ酸配列同一性を示す単離ポリペプチドであって、かつ定量可能な生物活性を示す単離ポリペプチド。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８５】
哺乳動物において請求項１６に記載のポリペプチドの発現を増加させる作用物質を含む、哺乳動物における知覚障害を治療するための医薬組成物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８６】
前記知覚障害は、疼痛である、請求項８５に記載の医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８１】
【表１】
2003533101.tif 000001
現ブロックが複数オブジェクト（ＭＯ）ブロックである場合、２つ以上のオブジェクトがブロックに現れる。現ブロックに現れる各オブジェクトは、上記単一ブロックに現れるオブジェクトの構造および複雑性を有しうる。これを表２に示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８２】
【表２】
2003533101.tif 000002
パーシャルエンコーダ３２６の符号化パフォーマンスおよび部分符号化処理３０８を最適化するために、現ブロックの構造が識別され、次に、現ブロックがその構造に基づいて処理される。可能な異なるすべてのシナリオにおいて良好な符号化パフォーマンスを提供するために、処理は、ブロックに現れるタイルに応答して適合される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基地局及び１つ以上の移動端末を備えるＣＤＭＡ通信システムの資源を利用する方法において、
前記基地局が、使用していない容量（ＵＵＣＢＮ）の指示を前記１つ以上の移動端末に対して与えるステップと、
前記移動端末のうちの１つ以上のものが、そのデータ速度又は電力出力を、前記基地局から受信された使用していない容量の指示に依存して変更又は一定に維持するステップと
を備える方法。
【請求項２】
移動端末が通信している全ての基地局が使用していない容量を有することを前記全ての基地局が指示する場合のみ、前記移動端末にそのデータ速度を増大させるステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
全てのグループの基地局が使用していない容量を有することを指示する前記全てのグループの基地局と通信している前記移動端末の一部のみがそれらのデータ速度を増大するようにさせられるような競合解決ステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
使用していない容量を有する各基地局は、移動端末とデータ通信している移動端末の数に関連した第１の値を送信するよう配置され、
各移動端末は、前記値に関連し且つ選択判定基準に適合する確率を有する第２の値をランダムに発生するよう配置され、
移動端末により発生された第２の値が前記判定基準に適合するその移動端末のみが、それらのデータ速度を増大するのを可能にされる
請求項３記載の方法。
【請求項５】
使用していない容量にアクセスする過剰な数の移動端末の確率をどの移動端末も使用していない容量にアクセスしない確率と均衡させるようある係数のためある値が選択されるそのある係数を用いて、前記第１の値が前記の移動端末の数から導出される請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第１の値（ＵＣＡＣＮ）＝Ｋ×Ｘ／Ｍｐであり、
ここで、Ｋは、使用していない容量にアクセスする過剰な数の移動端末の確率をどの移動端末も使用していない容量にアクセスしない確率と均衡させるよう選択され、
Ｘはある数であり、
Ｍｐは、前記基地局とデータ通信している移動端末の数である
請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第１の値（ＵＣＡＣＮ）＝Ｋ×（ａ／Ｍｐ+ｂ／Ｍｐ＋ｃ／Ｍｐ…）であり、
ここで、Ｋは、使用していない容量にアクセスする過剰な数の移動端末の確率をどの移動端末も使用していない容量にアクセスしない確率と均衡させるよう選択され、
係数ａ，ｂ，ｃ…は申し込み有線順位重み付け係数を表す
請求項６記載の方法。
【請求項８】
各移動端末により発生された第２の値（ＡＡＮ）は、前記選択判定基準に適合する確率１／ＵＣＡＮを有し、
ここで、ＵＣＡＮは、前記基地局により発生される第１の値である
請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の値（ＡＡＮ）が、より低いデータ速度のユーザに対する選択判定基準を満たす一層良い機会を与えるアルゴリズムにより発生される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
移動端末により発生される前記第２の値（ＡＡＮ）は、前記移動端末がソフト・ハンドオフしている基地局の数と関連する請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の値（ＡＡＮ）は、前記移動端末のユーザに与えられた優先アクセスのレベルと関連する請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
多すぎる移動端末が前記競合解決ステップで成功である場合、前記基地局が１つ以上の移動端末をランダムに選択する更なるステップが実行される請求項４から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
基地局がそのアップリンク容量が過剰の干渉により影響されていることを指示する場合、１つ以上の移動端末にそれらのデータ速度を低減させるステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記基地局に影響を与えている前記移動端末のうちのどの移動端末がそれらのデータ速度を低減するかを選択する競合解決ステップを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ソフト・ハンドオフ状態にあり、且つ過剰の干渉を指示する前記基地局により電力制御されてない移動端末が、それらの既存のデータ速度を維持するよう優先的に許可されている請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
基地局の使用していない容量の指示は、隣接の又は近くの基地局が高く又はフルにロードされている請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
第１の複数の基地局及び１つ以上の移動端末を備えるＣＤＭＡ通信ネットワークにおいて、
各基地局は、その基地局が通信している前記移動端末又は各移動端末に対して、使用していない容量を指示するよう適合されており、
前記移動端末が、それらのデータ速度又は電力出力を、前記基地局から受信された使用していない容量の指示に依存して変更又は維持するよう適合されている
ＣＤＭＡ通信ネットワーク。
【請求項１８】
競合解決手段を含む請求項１７記載のＣＤＭＡ通信ネットワーク。
【請求項１９】
移動通信ネットワークのための基地局において、
前記基地局が無線通信している移動端末に対していずれの使用していないアップリンク容量を指示する手段を含む基地局。
【請求項２０】
前記基地局とデータ通信している移動端末の数に関連した値を発生し且つ送信する手段を更に含む請求項１９記載の基地局。
【請求項２１】
使用していないアップリンク容量の指示が隣接基地局容量の知識に依存している請求項１９又は２０記載の基地局。
【請求項２２】
可変データ速度を有するＣＤＭＡ通信システム用移動端末において、
前記移動端末が通信しているいずれの基地局から使用していないアップリンク容量の指示を受信する手段と、
前記移動端末のデータ速度又は電力出力を、前記基地局から受信された使用していない容量の指示に従って維持又は変更する手段と
を備える移動端末。
【請求項２３】
全ての基地局がそれらが使用していない容量を有することを指示する場合のみ移動端末のデータ速度を変更するよう適合されている請求項２２記載の移動端末。
【請求項２４】
競合解決手段を含む請求項２３記載の移動端末。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１種類の第１触媒ネットおよび少なくとも１種類の第２触媒ネットから成り、前記の少なくとも１種類の第１触媒ネットが白金ロジウムネットである、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼するための触媒系を使用した、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼する際に形成される酸化二窒素の還元法において、酸化二窒素の還元及びアンモニアの酸化のために使用される前記の少なくとも１種類の第２であって下流の触媒ネットが、少なくとも９２質量％をパラジウムで、２〜４質量％をロジウムで、残りを白金で占めるパラジウムロジウムネットであることを特徴とする、酸化二窒素の還元法。
【請求項２】  少なくとも１種類の第１触媒ネットおよび少なくとも１種類の第２触媒ネットから成り、前記の少なくとも１種類の第１触媒ネットが白金ロジウムネットである、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼するための触媒系を使用した、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼する際に形成される酸化二窒素の還元法において、酸化二窒素の還元及びアンモニアの酸化のために使用される前記の少なくとも１種類の第２であって下流の触媒ネットが、８２〜８３質量％をパラジウムで、２.５〜３.５質量％をロジウムで、残りを白金で占めるパラジウムロジウムネットであることを特徴とする、酸化二窒素の還元法。
【請求項３】  パラジウムロジウムネットが、ロジウム含有量２.５〜３質量％およびパラジウム含有量８２.５質量％である、請求項２記載の方法。
【請求項４】  パラジウムロジウムネットが、少なくとも１種類の第３ネットにより、白金ロジウムネットから距離を置いている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  第３ネットが耐熱鋼から成る、請求項４記載の方法。
【請求項６】  少なくとも１種類の第１触媒ネットおよび少なくとも１種類の第２触媒ネットから成り、前記の少なくとも１種類の第１触媒ネットが白金ロジウムネットである、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼するための触媒系を使用した、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼する際に形成される酸化二窒素を還元するための装置において、酸化二窒素の還元及びアンモニアの酸化のために使用される前記の第２であって下流の触媒ネットが、少なくとも９２質量％をパラジウムで、２〜４質量％をロジウムで、残りを白金で占めるパラジウムロジウムネットであることを特徴とする、酸化二窒素を還元するための装置。
【請求項７】  少なくとも１種類の第１触媒ネットおよび少なくとも１種類の第２触媒ネットから成り、前記の少なくとも１種類の第１触媒ネットが白金ロジウムネットである、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼するための触媒系を使用した、アンモニアと酸素とから窒素酸化物へと触媒燃焼する際に形成される酸化二窒素を還元するための装置において、酸化二窒素の還元及びアンモニアの酸化のために使用される前記の第２であって下流の触媒ネットが、８２〜８３質量％をパラジウムで、２.５〜３.５質量％をロジウムで、残りを白金で占めるパラジウムロジウムネットであることを特徴とする、酸化二窒素を還元するための装置。
【請求項８】  パラジウムロジウムネットが、ロジウム含有量２.５〜３質量％およびパラジウム含有量８２.５質量％を有する、請求項７記載の装置。
【請求項９】  パラジウムロジウムネットが、少なくとも１種類の第３ネットにより、白金ロジウムネットから距離を置いている、請求項６から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】  第３ネットが耐熱鋼から成る、請求項６から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】  酸化二窒素を還元するための、特に、アンモニアと酸素とからの窒素酸化物への触媒燃焼の際に酸化二窒素を還元するための、請求項６から１０までのいずれか１項記載の装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生膜に対称性平衡磁場を印加して興奮性膜を安定化し、かつそれによって慢性的機能不全多様式疼痛受容体（求心性Ｃ−繊維およびＡデルタ繊維）の自発的ペースメーカーファイアリングに関連する疼痛を軽減するために、膜の物理的電気的完全性の機能的安定化と共に生膜上の電荷分布を変化させる方法。
【請求項２】
膜の物理的電気的完全性の機能的安定化と共に生膜上の電荷分布を変化させる装置であって、
（ａ）哺乳動物感覚ニューロンの活動電位ファイアリングを抑制するために、磁気影響範囲が全ての隣接する極に及ぶ距離のみ磁極が離れている交番極性の四個の磁石アレイにおける、超顕微鏡的、四極子、円形、中心荷電エネルギー対称性保持磁気装置と、
（ｂ）磁極の頂部と底部との間の実質的中間に配備された外周上の四磁石アレイを囲む磁束収束リングと、
（ｃ）前記磁束を戻し、かつそれによって、前記膜と接触している三次元急勾配磁場の中心電荷対称性および均一性を変化させることなく、強度および勾配を変化させるための、前記膜の表面から離れている磁束戻りリングと、
を備えた装置。
【請求項３】
前記装置は、様々な障害の治療用の磁場を製造する静磁気装置を提供する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
二つの磁石の軸が４５度から９０度の角度を成すように収束磁石が極の彎曲側を向くように、同様の極性を有する静磁極を磁石の四極各々に隣接した前記磁束収束リングの外側表面上に備え、障害の治療用の磁場を製造する静磁気装置をさらに提供する、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
磁束収束および磁束戻りリングを含む移植可能な四極子装置をさらに備えた、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記装置は、臓器提供用のヒト器官を治療および輸送するために利用される、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記装置は創傷治癒を促進しながら疼痛および腫脹の負の作用を打ち消す、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
興奮性膜を安定化させることによって激しい損傷、炎症、または手術に関連した疼痛および浮腫を軽減し、かつ創傷治癒時間を短縮するために、人体に対し収束し対称性を保つ、対称四極子三次元磁束磁場を印加するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
各極が円錐の準線で結合し、２個の円錐の頂点が円形準線の垂直軸に有る２個の円錐型である、交番四極子アレイをさらに提供する、請求項２に記載の装置。
【請求項１０】
創傷治癒を促進しながら慢性疼痛の負の作用を打ち消す手段をさらに提供する、請求項２に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電素子において、すなわち、ドーピングされた１つまたは複数の半導体の少なくとも1つのｎ層と少なくとも１つのｐ層とを備え、このｎ層とｐ層は少なくとも１つのｐｎ接合を形成しながら配置され、少なくとも１つのｎ層と少なくとも１つのｐ層が電気的に選択接触されており、温度勾配が、少なくとも１つのｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向（ｘ方向）に設けられまたは取り出される上記の熱電素子において、少なくとも１つのｐｎ接合が、本質的にｎ層（１）およびｐ層（２）の広がり全体に沿って、したがって本質的に境界層（３）の全体にそって、形成されていることを特徴とする、上記の熱電素子。
【請求項２】
ｐｎ接合が本質的にｎ層（１）とｐ層（２）のもっとも長い広がり全体に沿って形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項３】
ｎ層とｐ層（１、２）の選択的接触のため、接点は少なくともその一部が、個々の層の直接接触部（４、５）として形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の熱電素子。
【請求項４】
ｎ層とｐ層（１、２）の選択的接触のため、接点は少なくともその一部が、合金接合されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項５】
熱電素子の少なくとも１つのパラメーターが、境界層（３）と平行する方向において変化することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項６】
熱電素子の物理的パラメーターが、その素材構成、そのドーピング、その層厚さおよび／またはその幅であることを特徴とする、請求項５に記載の熱電素子。
【請求項７】
熱電素子の物理的パラメーターが、境界層（３）に平行する方向において、温度勾配（Ｔ1、Ｔ2）の方向（ｘ方向）に変化することを特徴とする、請求項５または６に記載の熱電素子。
【請求項８】
設けられる温度勾配（Ｔ1、Ｔ2）が高温末端では、低温末端におけるより扁平に経過する（図１０）ことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項９】
高温末端では、低温末端におけるより熱伝導度が高い素材を使用することを特徴とする、請求項８に記載の熱電素子。
【請求項１０】
温度勾配の方向を横切る方向に、そして境界層と平行する方向において測定された熱電素子の幅（ｙ）が、低温末端に近づくにつれて飛躍的に減少する（図１１）ことを特徴とする、請求項９に記載の熱電素子。
【請求項１１】
温度勾配の方向を横切る方向に、そして境界層と平行する方向において測定された熱電素子の幅（ｙ）が、低温末端に近づくにつれてその直前で飛躍的に減少する（図１１）ことを特徴とする、請求項１０に記載の熱電素子。
【請求項１２】
熱電素子の低温末端領域で電流を取り出すため、選択的接触（４、４′；５）を行うことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１３】
素材として化合物半導体を用いることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１４】
化合物半導体がＢｉ2Ｔｅ3、ＰｂＴｅまたはＳｉＧｅであることを特徴とする、請求項１３に記載の熱電素子。
【請求項１５】
素材として３成分および／または４成分化合物を用いることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１６】
１０18ｃｍ-3およびそれ以上の高度ドーピングを用いることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１７】
２つまたはそれ以上のｐｎ接合を備え、ｎ層とｐ層は連続して交代する（図１２）ことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１８】
熱電素子が、熱的には並列かつ電気的には直列に接続された２つまたはそれ以上の個別の素子から構成されている（図１３）ことを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１９】
低温末端および高温末端にある個別の素子が、それぞれ良好な熱伝導体（８、９）を経由して、熱的に結合されていることを特徴とする、請求項１８に記載の熱電素子。
【請求項２０】
熱伝導体（８、９）がセラミックスの熱伝導体であることを特徴とする、請求項１９に記載の熱電素子。
【請求項２１】
低温末端および高温末端にある個別の素子が、それぞれ良好な熱伝導体（８、９）に固定されていることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の熱電素子。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれかに記載の熱電素子を、温度差を電流に変換する熱電発電機として用いること。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれかに記載の熱電素子を、電流を加えることによって一方の末端が高温に、他方の末端が低温になる冷却エレメントとして用いること。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月1日(2006.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化物膜が少なくとも約１０１７アクセプタ／ｃｍ３の正味のアクセプタ濃度を有する、基板上の酸化物膜。
【請求項２】  膜が、基板上に形成された半導体デバイスにおける層であるｐ型ドーパントをさらに含有する請求項１に記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項３】  酸化物膜がＺｎＯを含んでなり、ＺｎＯ膜が少なくとも約１０１８アクセプタ／ｃｍ３の正味のアクセプタ濃度および約１オーム−ｃｍ以下の抵抗率を有する請求項１または２に記載の酸化物膜。
【請求項４】  ｐ型ドーパントを有し、少なくとも約１０１５アクセプタ／ｃｍ３の正味のアクセプタ濃度、約１オーム−ｃｍ〜約１０−４オーム−ｃｍの抵抗率、および約０．１ｃｍ２／Ｖｓ〜約５０ｃｍ２／Ｖｓのホール移動度を有する、基板上の酸化物膜。
【請求項５】  酸化物膜はＺｎＯである請求項１〜４のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項６】 基板は、サファイアまたはＺｎＯからなる群から選択されたものである請求項１〜５のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項７】  酸化物膜は半導体膜である請求項１〜６のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項８】  正味のアクセプタ濃度が少なくとも約１０１８アクセプタ／ｃｍ３である請求項１〜７のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項９】  正味のアクセプタ濃度が約１０１８アクセプタ／ｃｍ３〜約１０２１アクセプタ／ｃｍ３である請求項１〜８のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１０】  ｐ型ドーパントは、１族、１１族、５族および１５族の元素からなる群から選択される元素である、請求項２〜９のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１１】  ｐ型ドーパントはヒ素である、請求項２〜１０のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１２】  膜の厚さは約０．５マイクロメートル〜約３マイクロメートルである請求項１〜１１のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１３】  酸化物膜および基板は、発光ダイオード、レーザーダイオード、ｐ−ｎ−ｐトランジスタ、ｎ−ｐ−ｎトランジスタ、電界効果型トランジスタ、ｐ−ｎ結合、光検出ダイオード、トランスデューサーダイオード、および発光デバイスからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる請求項１〜１２のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１４】  膜は、デバイス内の材料に対して格子整合するために基板材料としてデバイスに組み込まれる請求項１〜１３のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜。
【請求項１５】  膜は、基板の１つの構成成分と同じ元素であるｐ型ドーパント元素を含む基板上の酸化物膜。
【請求項１６】  請求項１〜１５のいずれかに記載の、基板上の酸化物膜を成長させる方法であって、
基板を清浄すること；
パルスレーザー堆積チャンバー内の温度を約２００℃〜約１０００℃に調節すること；
エキシマーパルスレーザービームを、ｐ型ドーパントを含む圧縮ＺｎＯ粉末ペレットに向けることによって基板上にｐ型ＺｎＯ膜を成長させ、基板上に少なくとも約１ｘ１０１５アクセプタ／ｃｍ３のアクセプタを有するｐ型ＺｎＯ膜を成長させること
を含んでなる方法。
【請求項１７】  エキシマーパルスレーザービームを、ｎ型ドーパント元素を含む圧縮粉末ペレットに向けることによってｐ型ＺｎＯ膜の頂部上にｎ型膜を成長させ、基板上のｐ型ＺｎＯ膜上にｎ型膜を成長させ、ｐ−ｎ接合を形成することをさらに含んでなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  エキシマーパルスレーザービームを、ｎ型ドーパント元素を含む圧縮粉末ペレットに向けることによって基板の頂部上にｎ型膜を成長させ、基板上にｐ型ＺｎＯ膜を成長させる前に基板上にｎ型膜を成長させ、ｐ−ｎ接合を形成する請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  ｎ型膜がＺｎＯを含んでなる請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】  温度を約３００℃〜約４５０℃に調節する請求項１６〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】  ｎ型膜は厚さが約０．５マイクロメートル〜約３マイクロメートルであり、ｐ型膜は厚さが約０．５マイクロメートル〜約３マイクロメートルである請求項１６〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】  ｎ型ドーパント元素がアルミニウムである請求項１６〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】  ｐ−ｎ接合が、ｐ型膜がヒ素およびＺｎＯからなり、ｎ型膜がｎ型ドーパント元素およびＺｎＯからなるホモエピタキシャルｐ−ｎ接合である請求項１７〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】  ｐ−ｎ接合が、ｐ型膜がヒ素およびＺｎＯからなり、ｎ型膜がｎ型ドーパント元素を含有し、およびＺｎと異なったエネルギーバンドギャップを有する請求項１７〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】  パルスエキシマーレーザーを使用したパルスレーザー堆積チャンバーにおいて基材を清浄する請求項１６〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】  ｐ型ＺｎＯ膜および基板の正味のアクセプタ濃度が少なくとも約１ｘ１０１５アクセプタ／ｃｍ３である、ｐ型ドープ基板上のｎ型ＺｎＯ膜およびｐ型ＺｎＯ膜を有するｐ−ｎ接合を製造する方法であって、
パルスレーザー堆積チャンバー内の温度を約２００℃〜約１０００℃に調節すること；
エキシマーパルスレーザービームを、ｐ型ドーパントを含む圧縮ＺｎＯ粉末ペレットに向けることによって基板上にｐ型ＺｎＯ膜を成長させ、基板上に少なくとも約１ｘ１０１５アクセプタ／ｃｍ３のアクセプタを有するｐ型ＺｎＯ膜を成長させること；
エキシマーパルスレーザービームを、ｎ型ドーパント元素を含む圧縮粉末ペレットに向けることによってｐ型ＺｎＯ膜の上にｎ型膜を成長させ、ｐ型基板上のｐ型ＺｎＯ膜上にｎ型膜を成長させること
を含んでなる方法。
【請求項２７】  膜を基板上に成長させる前にチャンバー内で基板を清浄する方法であって、
基板をチャンバー内に入れて、チャンバー内の温度を約４００℃〜約５００℃に調節すること；
チャンバーを水素で満たして、チャンバー内の圧力を約０．５Ｔｏｒｒ〜約３Ｔｏｒｒにすること；
チャンバー内の金属シャッターと基板との間の距離を約３センチメートル〜約６センチメートルに調節すること；および
約２０ｍＪ〜約７０ｍＪの強度および約１０Ｈｚ〜約３０Ｈｚの反復性を有するエキシマーパルスレーザービームをチャンバー内に約５分間〜約３０分間にわたって向け、金属シャッターを照射して、基板を清浄すること
を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月16日(2006.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線部分を有する樹脂で包囲された略矩形のコイルと、
中に画定された矩形のコアウインドウを有するアモルファス金属製のコアと、を備え、
前記コイル及び前記コアは、前記コイルの直線部分の形状が前記コアウインドウの形状に適合するような寸法及び形状であり、前記コイルの前記直線部分は、前記コア及び前記コアが組み立てられて配電変圧器を形成するとき前記コアウインドウに配置される乾式配電変圧器。
【請求項２】
導電性コイル巻き線と前記コイルの隣接する同心的な層の間に電気的な絶縁を提供する絶縁材料とを有する複数の矩形の同心層と、前記コイルを包囲する樹脂層と、を有する請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項３】
前記コイルは、前記複数の同心層の隣接する同心層の間に画定される複数の冷却ダクトを有し、前記冷却ダクトは、前記矩形のコイルの周りで周縁的に非連続的であり、前記直線部分を含まない前記コイルの一部に配置されている請求項２の乾式配電変圧器。
【請求項４】
前記コイル巻き線は、アルミニウム及び銅から成る材料のグループから選択された材料から成る請求項２の乾式配電変圧器。
【請求項５】
前記樹脂層は、低粘度のエポキシ樹脂である請求項２の乾式配電変圧器。
【請求項６】
前記低粘度樹脂はビスフェノールＡエポキシ樹脂である請求項５の乾式配電変圧器。
【請求項７】
前記コアは巻かれたコアである請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項８】
前記コアは、化学式Ｍ６０−９０、Ｔ０−１５、Ｘ１０−２５を有するアモルファス金属合金からつくられ、ここで、Ｍは、鉄、コバルト、ニッケル成分の少なくとも１つの成分であり、Ｔは少なくとも１つの遷移金属成分であり、Ｘは、燐、ボロン、炭素成分のうちの少なくとも１つのメタロイド成分であり、炭素、燐及び/又はボロンの８０パーセントまでは、アルミニウム、アンチモニ、ベリリウム、インジウム、シリコン、及びスズによって置換される請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項９】
前記コアウインドウは、約３．５対１より大きいアスペクト比を画定する請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項１０】
前記コアウインドウは、３．５対１と４．５対１との間のアスペクト比を画定する請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項１１】
前記コイルは、低電圧コイルである請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項１２】
前記コイルは高電圧コイルである請求項１の乾式配電変圧器。
【請求項１３】
前記コイルは、低電圧コイルと高電圧コイルとを有する請求項１の乾式配電変圧器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体材料からなる基板および該基板上に配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のピクセルの１つの列を有する光電子工学的表示装置であって、
該基板は各ピクセルから発光される光を制御する活性回路を具備し、
各ピクセルは、少なくとも有機発光材料の１つの層および基板から遠隔の１つの側における有機層に接触する１つの透明の（少なくとも半透明の）電極を具備し、
該電極は、導電性ポリマーであって、基板から最も遠隔の有機層に結合されたガラスまたはプラスチックの薄板体上の被覆として設けられた該導電性ポリマーを具備する、
光電子工学的表示装置。
【請求項２】  該基板は結晶性シリコンからなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】  該基板は平坦な平板状の表面を有する、請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】  該基板は１つ非平板状の表面を有する、請求項１または２記載の表示装置。
【請求項５】  該基板と接触する金属製電極を具備し、該金属製電極はピクセルの背後にある反射鏡としても役立つ、請求項１、２、または３記載の表示装置。
【請求項６】  該基板に隣接する光吸収性の背面層を具備する、請求項１、２、または３記載の表示装置。
【請求項７】  該透明の（少なくとも半透明の）電極は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の層を包含する、請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】  該透明の（少なくとも半透明の）電極は低い仕事関数をもつ金属からなる層を包含する、請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】  該透明の（少なくとも半透明の）電極は高い仕事関数をもつ金属からなる層を包含する、請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】  該酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の層はまた、該薄板体上の被覆として設けられる、請求項１〜９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】  該透明の（少なくとも半透明の）電極は導電性のエポキシ樹脂を基底とする合成樹脂からなる層を包含する、請求項１〜１０のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】  各ピクセルは、導電性ポリマーの層を具備する底部電極を包含する、請求項１〜１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】  各ピクセルは、金属酸化物、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の層を具備する底部電極を包含する、請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】  各ピクセルは、発光材料の層と接触する有機電子伝達の層を包含する、請求項１〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】  各ピクセルは、発光材料の層と接触している有機の正孔伝達の層を包含する、請求項１〜１４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１６】  該導電性ポリマーは、少なくとも１つの非導電性のポリマーを包含するポリマー混合の溶液から沈澱させられたものである、請求項１〜１５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１７】  透明な、酸素および水を滲透させない、包装用の外側の層を具備する、請求項１〜１６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１８】  該発光材料はモノマー状である、請求項１〜１７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１９】  該発光材料はポリマー状である、請求項１〜１８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２０】  各有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は遷移金属のキレート化合物を具備する、請求項１〜１９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２１】  各ピクセルから放出される光のみかけの輝度は、アナログの態様で制御可能である、請求項１〜２０のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２２】  アナログの信号が、各ピクセルの有機発光ダイオードのスイッチオン動作についてのデューティサイクルのマークスペース比を変化させる、請求項２１記載の表示装置。
【請求項２３】  各ピクセルの回路は可変の抵抗要素を具備し、該可変の抵抗要素は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を通る電流を、したがって該有機発光ダイオードの光強度の出力を変化させる、請求項２２記載の表示装置。
【請求項２４】  該可変の抵抗要素は金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のチャンネルを具備する、請求項２３記載の表示装置。
【請求項２５】  各ピクセル回路は、データ信号を該可変抵抗要素へ抵抗値を調整するよう接続する電圧制御されるスイッチを包含する、請求項２３または２４記載の表示装置。
【請求項２６】  該スイッチはトランジスタを具備する、請求項２５記載の表示装置。
【請求項２７】  カラーの映像の形成用の赤色、青色、および緑色を放出する画素の繰返えしの群を具備する、請求項１〜２６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２８】  ３個の光電子工学的表示装置であって各々が請求項１〜２６のいずれかに従い各々が１つの映像を１つの相異なる原色の単一色で表示するもの、および３個の映像を１つのカラーの映像へ組み合わせる光学システム、を具備するカラー表示のユニット。
【請求項２９】  白色光を発光するよう配置され、カラーの映像の創出用のフィールド順次のカラーのフィルタが装着されている、請求項１〜２６のいずれかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明並びに本発明の有利な実施形態及び他の構成を、次に図面に表された実施例に基づいて詳しく記載されかつ説明される。発明の詳細な説明及び図面から把握可能な特徴は、各自個々に又は複数が任意の組合せにおいても本発明によって適用されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３は、図１（ａ）による装置の変形を示し、その際ばねワイヤ８の一部分３０は、第２管状構成部分２の一端でロック開口１４に進入する留め金１１′を有する。この構成によってばねワイヤ８の端１２の持ち上げの際にロックのために弾性的に作用するばねワイヤ８の部分が延在し、それによってばね特性の改良が達成される。工具１９の切り換え個所として作用するばねワイヤ８の部分３０は、図１（ａ）による実施形態に対して図３においては第２管状構成部分２の端に移動される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１（ａ）による管状構成部分２のラジアル平面内のばねワイヤ８の支持部の図式的な横断面を示す。図１１（ａ  ）による支持部は、図１（ｂ）の支持部と、支持点１６、２１、２２及びばねワイヤ８の円形の取り囲みに沿う他の支持点によって一致する。ばねワイヤ８の３つの絶縁された支持点１６′、２１′、２２′のみを図１１（ｂ）が示し、その際直径上の支持点２１′、２２′でのばね付勢によって、管状構成部分２へのばねワイヤ８の一定の縦方向の固定が行われる。しかし充分な縦固定は、全ての場合に管状構成部分２の開口１４におけるばねワイヤ８の端１２の固定によって行われる〔図１（ａ）〕。図１１（ｃ）は、最少としてラジアル平面９〔図１（ａ）〕内のばねワイヤ８の２つの支持点１６′′２１′′のみで充分であり、その際ばねワイヤ８の縦方向の固定は完全に開口１４〔図１（ａ）〕によって行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に構造的に接続され、さらに基板上のピクセル制御回路に電気的接続を与える複数の接続パッドと、
複数の接続パッドに構造的、電気的に取り付けられ、接続パッドから延び、基板上方に置かれ、所定の断面高さを有する支持構造と、
支持構造に構造的、電気的に取り付けられ、同じく基板上方に置かれ、所定の断面高さを有する熱分離領域と、
熱分離領域に取り付けられ、ピクセル領域の残部をほぼ占有し、所定の断面高さより低い減少した断面高さを有する応答領域を備える、
ピクセル・アレイ中のピクセルとして使用する微細構造。
【請求項２】
それぞれがピクセル制御回路に電気的に接続可能な、第１の接続パッドと、第２の接続パッドと、
第１の接続パッドに取り付けられ、ピクセル内の第１の所定位置まで延び、所定の抵抗高さを有する第１の抵抗脚と、
第２の接続パッドに取り付けられ、ピクセル内の第２の所定位置まで延び、同じく所定の抵抗高さを有する第２の抵抗脚と、
第１の所定位置で第１の抵抗脚に取り付けられ、第２の所定位置で第２の抵抗脚に取り付けられ、第１の所定位置と第２の所定位置の間に延び、同じく所定の抵抗高さを有する抵抗パスと、
ピクセル領域の残部をほぼ占有し、所定の抵抗高さより低い所定の第２の高さを有する減少した高さの応答領域を備える、
ピクセル・アレイ中に使用する微細構造ピクセル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超小型電子加工物の電気化学的処理装置であって、
前記加工物の表面を処理するための電気化学的処理溶液の流れの液面高さを形成するように作られた流れ出口を備える処理チャンバと、
該処理チャンバの第１電極と、該第１電極と同軸の、前記処理チャンバの第２電極と、前記処理チャンバの誘電構造体とを有し、該誘電構造体の一部が
前記第１電極と前記第２電極との間に位置決めされ、
前記処理チャンバからオーバーフローする処理溶液を受け入れる、前記処理チャンバの外部のオーバーフローコレクタを有する、
電気化学的処理装置。
【請求項２】  前記流れ出口に処理溶液を提供する複数のノズルを備え、これらのノズルは、前記加工物の面に対して半径方向の実質的に一様な垂直流れ成分を生ずるように結合する垂直方向、半径方向の流れ成分を提供するように作られる、請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記複数のノズルのうちの少なくとも何本かは、全体的に水平のスロットである、請求項２記載の装置。
【請求項４】  前記第１電極が第１円形導電部材を有し、前記第２電極が、前記第１円形導電部材と同軸の第２円形導電部材を有する、請求項１又は請求項２記載の装置。
【請求項５】  前記第１円形導電部材がディスクを有し、前記第２円形導電部材が導電リングを有する、請求項４記載の装置。
【請求項６】  前記第１円形導電部材が第１導電リングを有し、前記第２円形導電部材が第２導電リングを有する、請求項４記載の装置。
【請求項７】  前記第１電極が中心電極を有し、前記第２電極が、前記中心電極の周りにリング状電極を有する、請求項１又は請求項２記載の装置。
【請求項８】  加工物ホルダと前記電極のうちの少なくとも１つとの間にフィールド遮蔽体を有し、該フィールド遮蔽体は、前記電極の１つの少なくとも一部から前記か好物の少なくとも一部を遮蔽するように作られている、請求項１、請求項２、請求項４、又は、請求項７記載の装置。
【請求項９】  前記フィールド遮蔽体が、前記加工物ホルダの周囲部と整合された環を有する、請求項１、請求項２、請求項４、請求項７、又は、請求項８記載の装置。
【請求項１０】  前記フィールド遮蔽体が、前記処理チャンバの中心軸線に対して横方向に延びるフランジを有する、請求項８記載の装置。
【請求項１１】  前記フィールド遮蔽体が、外方電極の一部を越えてないほうに延びる水平フランジを有する、請求項８記載の装置。
【請求項１２】  前記第１電極と第２電極が互いに独立して作動される、請求項１、請求項２、請求項４、請求項７、又は、請求項８記載の装置。
【請求項１３】  前記誘電構造体が、前記第１電極及び第２電極を機械的に支持するように作られている、請求項１、請求項２、請求項４、請求項７、請求項８、又は、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】  前記誘電構造体が中央開口部を有し、該中央開口部を通って前記電気化学的処理溶液が前記流れ出口に向かって上方に流れる、請求項１、請求項２、請求項４、請求項７、請求項８、請求項１２又は、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】  前記オーバーフローコレクタが外側容器を有し、前記処理チャンバが前記外側容器に内側容器を有し、前記誘電構造体が、前記第１電極及び第２電極を前記内側容器に支持するように作られた電極支持体を有する、請求項１記載の装置。
【請求項１６】  前記処理溶液の液面高さに対して或る角度で傾けられた流れ差し向け体を有する、請求項１記載の装置。
【請求項１７】  前記流れ差し向け体が、傾斜壁と、該傾斜壁に設けられた開口部とを有する、請求項１６記載の装置。
【請求項１８】  前記加工物の面に対して半径方向の実質的に一様な垂直流れ成分を形成するように作られた流れ部材を有する、請求項１記載の装置。
【請求項１９】  前記処理チャンバに位置決めされるヘッド組立体を有し、該ヘッド組立体が加工物ホルダを備え、該加工物ホルダが、前記加工物の周縁部に係合するように作られた接点組立体を持つ、請求項１記載の装置。
【請求項２０】  前記処理チャンバに位置決めされるヘッド組立体を有し、該ヘッド組立体が前記加工物の周縁部に係合するように作られた接点組立体を備え、
前記加工物を前記ヘッド組立体に対して積み込み、取り出すように作られたロボット加工物処理機構を有する、
請求項１、請求項２、請求項４、請求項７、請求項８、請求項１２、又は、請求項１３記載の装置。
【請求項２１】  超小型電子加工物の電気化学的に処理する方法であって、
前記加工物の表面を処理溶液の流れに接触させ、
前記処理溶液の第１電極に第１電位を与え、
前記処理溶液の第２電極に第２電位を与え、前記第２電極が前記第１電極と同軸であり、
前記加工物の周縁部を、少なくとも第２電極によって作られた電界の一部から遮蔽することを含む、
方法。
【請求項２２】  処理溶液の流れを、前記加工物の面に対して半径方向の実質的に一様な垂直流れ成分を有するように、差し向けることを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】  前記第１電位及び又は前記第２電位を変えることを含む、請求項２１又は請求項２２記載の方法。
【請求項２４】  処理溶液の流れを差し向ける前記工程が、流れを垂直方向、半径方向の流れ成分に沿って差し向けることを含む、請求項２１又は請求項２２記載の装置。
【請求項２５】  加工物の周縁部を遮蔽する前記工程が、前記電界の一部を、前記第２電極を越えて突出するフランジでブロックすることを含む、請求項２１乃至請求項２４のいずれか一項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月30日(2006.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高吸収性重合体の塗布を有する基体の複合物を作るための方法であって、
（ａ）  少なくとも１つの単量体から形成される重合体の水溶液を調製するステップを含み、前記重合体は、放射源からの放射にさらされると高吸収性重合体になることができ、さらに
（ｂ）  前記水溶液を基体に塗布するステップと、
（ｃ）  塗布された前記水溶液を有する前記基体を前記放射源からの放射に十分な時間さらして、前記重合体を高吸収性重合体に変換するステップと、
（ｄ）  前記基体に接着された高吸収性重合体の塗布を有する基体の複合物を入手するステップとを含む、方法。
【請求項２】  前記重合体は、放射にさらされると架橋して前記高吸収性重合体を形成する官能基を有する、請求項１に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項３】  前記高吸収性重合体はカルボン酸単量体およびヒドロキシル単量体から形成される、請求項１に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項４】  前記高吸収性重合体は網目状架橋によって形成される、請求項３に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項５】  前記網目状架橋は網目状架橋剤によって達成される、請求項４に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項６】  前記網目状架橋剤はアルキロールメタクリルアミドである、請求項５に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項７】  前記高吸収性重合体は、カルボン酸単量体、ヒドロキシル単量体およびアクリルアミド単量体から形成される、請求項１に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項８】  前記放射は、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線、ベータ粒子、高エネルギ電子、熱およびその組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の基体の複合物を作るための方法。
【請求項９】  前記放射は熱であり、前記方法は、
（ａ）  少なくとも１つの単量体から形成される重合体の水溶液を調製するステップを含み、前記重合体は加熱されると高吸収性重合体になることができ、さらに前記方法は、
（ｂ）  前記水溶液を基体に塗布するステップと、
（ｃ）  前記水溶液を塗布された前記基体を十分な温度で十分な時間加熱して、前記重合体を高吸収性重合体に変換するステップと、
（ｄ）  前記基体に接着された高吸収性重合体の塗布を有する基体の複合物を入手するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  高吸収性重合体の塗布を有する基体を含む複合物であって、前記重合体は前記基体に接着され、前記高吸収性重合体は、十分な時間放射にさらされて高吸収性重合体に変換した、放射処理された重合体を含む、複合物。
【請求項１１】  前記重合体は、放射にさらされると架橋して前記高吸収性重合体を形成する官能基を有する、請求項１０に記載の複合物。
【請求項１２】  請求項１０に記載の複合物を含む吸収性生成物。
【請求項１３】  前記放射は、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線、ベータ粒子、高エネルギ電子、熱およびその組合せからなる群から選択される、請求項１０に記載の複合物。
【請求項１４】  請求項１３に記載の複合物を含む吸収性生成物。
【請求項１５】  前記生成物は、農業用品、光ファイバケーブル、電力ケーブル、防水テープ、絶縁材、女性用衛生用品、成人用失禁用品、乳児用おむつ、ペーパタオル、コンクリートブロック間の封止用複合物、包帯、外科用スポンジ、肉のトレイおよびバスマットからなる群から選択される、請求項１４に記載の吸収性生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安全カミソリ刃ユニット用の切断部を製造する方法において、
結晶構造の所定の平面にある表面を有する単結晶材料物質のウェハを提供する工程と、
エッチング工程を採用して表面の結晶材料物質を選択的に除去し、前記表面に対して鋭角で傾斜し、略表面で鋭利な刃を有する平坦切断部を形成する工程と、
エッチング工程によって、単結晶材料のウェハから保護部を形成する工程とを備え、
前記保護部は、前記切断部と略平行に配置され、前記切断部から前方に間隙をおいて配置され、相互連結部によって前記切断部に一体で連結されていることを特徴とする安全カミソリ刃ユニット用切断部の製造方法。
【請求項２】
エッチング工程は、異方性湿式化学エッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
エッチング工程は、ドライエッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
エッチング工程の間で、複数の平坦切断部は、前記表面に対して鋭角で傾斜し、略表面で鋭利な刃を有するよう形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数の平坦切断部は、三つの平坦切断部を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記単結晶材料は、シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング工程は、等方性エッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
安全カミソリ刃ユニット用の一体型刃機構において、
鋭利な切断刃を有する切断部と、
切断刃の前方に配置され、切断刃に平行に延在した保護部と、
切断部の両端部に配置されるとともに、保護部と切断部とを相互に連結して一体型刃機構内に切断部を固定して位置決めする支持部とを備え、
前記切断部、前記支持部、および前記保護部は、単結晶材料物質から形成され、一体的に構成されていることを特徴とする安全カミソリ刃ユニット用の一体型刃機構。