(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造設備を提供する。【解決手段】帯状の基材２と、帯状の基材に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子３とを備える有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、有機ＥＬ素子のそれぞれが形成される素子形成領域ごとに対応して基材に識別記号４をそれぞれ形成する識別記号形成工程と、有機ＥＬ素子のそれぞれを素子形成領域ごとに基材に形成する有機ＥＬ素子形成工程と、を備え、有機ＥＬ素子形成工程においては、識別記号をそれぞれ読み取る読取と、読取で読み取られた識別記号に対応して有機ＥＬ素子形成工程で実行された処理条件を取得する処理条件取得とを実行する、有機ＥＬデバイスの製造方法。【選択図】図１
2017004724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の基材と、前記帯状の基材に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子とを備える有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子のそれぞれが形成される素子形成領域ごとに対応して前記基材に識別記号をそれぞれ形成する識別記号形成工程と、
前記素子形成領域ごとに前記有機ＥＬ素子のそれぞれを前記基材に形成する有機ＥＬ素子形成工程と、を備え、
前記有機ＥＬ素子形成工程においては、
前記識別記号をそれぞれ読み取る読取と、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子形成工程で実行された処理条件を取得する処理条件取得とを実行する、有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子形成工程が、
前記基材を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された前記基材に前記有機ＥＬ素子を蒸着する蒸着工程とを有し、
前記洗浄工程及び前記蒸着工程のそれぞれにおいて、
前記識別記号を読み取る読取と、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記洗浄工程及び前記蒸着工程のそれぞれの処理条件を取得する処理条件取得とを実行する、請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子形成工程によって形成された前記有機ＥＬ素子を検査する検査工程と、
前記処理条件の設定を変更する設定変更工程とをさらに備え、
前記検査工程においては、
前記識別記号を読み取る読取と、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子の検査結果を取得する検査結果取得とを実行し、
前記設定変更工程においては、
前記有機ＥＬ素子形成工程において前記識別記号に対応して取得された処理条件と、前記検査工程において前記識別記号に対応して取得された検査結果とに基づいて、前記処理条件の設定を変更する、請求項１または２に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項４】
帯状の基材と、前記帯状の基材に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子とを備える有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造設備であって、
前記有機ＥＬ素子のそれぞれが形成される素子形成領域ごとに対応して前記基材に識別記号をそれぞれ形成する識別記号形成装置と、
前記素子形成領域ごとに前記有機ＥＬ素子のそれぞれを前記基材に形成する有機ＥＬ素子形成装置と、
前記識別記号をそれぞれ読み取る読取装置と、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子形成装置で実行された処理条件を取得する処理条件取得装置とを備えた、有機ＥＬデバイスの製造設備。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子形成装置が、
前記基材を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部で洗浄された前記基材に前記有機ＥＬ素子を蒸着する蒸着部とを有しており、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記洗浄部及び前記蒸着部のそれぞれの処理条件を取得する処理条件取得装置とを備えた、請求項４に記載の有機ＥＬデバイスの製造設備。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子形成装置で形成された前記有機ＥＬ素子を検査する検査装置と、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子の検査結果を取得する検査結果取得装置と、
前記識別記号に対応して取得された前記有機ＥＬ素子形成装置の処理条件と、前記識別記号に対応して取得された前記検査装置の検査結果とに基づいて、前記処理条件の設定を変更する設定変更装置とをさらに備えた、請求項４または５に記載の有機ＥＬデバイスの製造設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造方法および製造設備に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の低消費電力の発光表示装置に用いられるデバイスとして有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えたものが注目されている。有機ＥＬ素子は、互いに反対の極性を有する第１および第２の電極層と、これらの電極層の間に配された有機ＥＬ層とを有し、基材の表面に形成されている。有機ＥＬ素子は、第１および第２の電極層に、それぞれ対応した電流が供給（通電）されることによって、第１および第２の電極層と重なり合っている有機ＥＬ層が発光する。
【０００３】
この種の有機ＥＬデバイスでは、ロール状に巻回された可撓性を有する帯状の基材を繰り出し、繰り出された基材の表面に、第１の電極層、有機ＥＬ層、および第１の電極層とは反対の極性を有する第２の電極層が、この順に、所望の形状の有機ＥＬ素子となるように形成されている。また、基材の表面には、複数の有機ＥＬ素子が連続して形成されている（特許文献１）。第１の電極層、有機ＥＬ層、および第２の電極層は、蒸着により形成されている。なお、以下では、第１の電極層、有機ＥＬ層、および第２の電極層を蒸着層と呼ぶ場合がある。
【０００４】
ところで、この種の有機ＥＬデバイスでは、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件等にバラツキが生じる場合がある。そのため、有機ＥＬ素子ごとに形成する際の処理条件等（蒸着厚さ等）を把握できることが望ましい。
【０００５】
例えば、特許文献２には、基材の長手方向に沿って形成される蒸着層間に読取契機部を蒸着により形成する有機ＥＬデバイスの製造方法が開示されている。かかる有機ＥＬデバイスの製造方法によれば、該読取契機部の存在と蒸着層の蒸着状態との両者を読み取り可能な読取装置で各読取契機部の存在を読み取った後、各読取契機部に対応する各蒸着層の蒸着状態を該読取装置で読み取ることにより、各蒸着層の蒸着状態を把握することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８７９９６号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の有機ＥＬデバイスの製造方法では、有機ＥＬ素子を蒸着すると同時に読取契機部を形成するため、この読取契機部を形成する際に、有機ＥＬ素子への異物の混入や有機ＥＬ素子の損傷が発生し、これらに起因した発光不良が生じるおそれがある。
また、上記製造方法では、単に読取契機部によって蒸着層の蒸着状態を把握できるだけであり、基材に連続して複数形成される有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子ごとに識別し、識別した有機ＥＬ素子ごとに形成する際の処理条件等を把握することはできない。
特に、有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件等によって発光不良が生じる場合があるため、該処理条件等を十分に把握する必要がある。
【０００８】
上記事情に鑑み、本発明は、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造設備を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、
帯状の基材と、前記帯状の基材に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子とを備える有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子のそれぞれが形成される素子形成領域ごとに対応して前記基材に識別記号をそれぞれ形成する識別記号形成工程と、
前記素子形成領域ごとに前記有機ＥＬ素子のそれぞれを前記基材に形成する有機ＥＬ素子形成工程と、を備え、
前記有機ＥＬ素子形成工程においては、
前記識別記号をそれぞれ読み取る読取と、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子形成工程で実行された処理条件を取得する処理条件取得とを実行する。
【００１０】
かかる構成によれば、有機ＥＬ素子を形成する前に、基材に識別記号を形成することによって、有機ＥＬ素子が存在していない状態で基材に識別記号を形成することができるため、識別記号を形成する際に発生した異物が有機ＥＬ素子に混入することや、識別記号を形成する際に有機ＥＬ素子に損傷が発生することを抑制し得る。これにより、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号を形成する場合や、有機ＥＬ素子形成後に識別記号を形成する場合よりも、異物の混入や損傷の発生を抑制し得る。
また、識別記号に対応した有機ＥＬ素子形成工程での処理条件を取得することによって、該有機ＥＬ形成工程での処理条件を十分に把握し得る。
従って、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る。
【００１１】
上記構成の有機ＥＬデバイスの製造方法においては、
前記有機ＥＬ素子形成工程が、
前記基材を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された前記基材に前記有機ＥＬ素子を蒸着する蒸着工程とを有し、
前記洗浄工程及び前記蒸着工程のそれぞれにおいて、
前記識別記号を読み取る読取と、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記洗浄工程及び前記蒸着工程のそれぞれの処理条件を取得する処理条件取得とを実行することが好ましい。
【００１２】
かかる構成によれば、識別記号を形成した後、有機ＥＬ素子を形成する前に基材を洗浄することによって、有機ＥＬ素子への異物の混入を、より抑制し得る。
【００１３】
上記構成の有機ＥＬデバイスの製造方法においては、
前記有機ＥＬ素子形成工程によって形成された前記有機ＥＬ素子を検査する検査工程と、
前記処理条件の設定を変更する設定変更工程とをさらに備え、
前記検査工程においては、
前記読取で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子の検査結果を取得する検査結果取得とを実行し、
前記設定変更工程においては、
前記有機ＥＬ素子形成工程において前記識別記号に対応して取得された処理条件と、前記検査工程において前記識別記号に対応して取得された検査結果とに基づいて、前記処理条件の設定を変更することが好ましい。
【００１４】
かかる構成によれば、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号に対応して取得された処理条件と、検査工程において識別記号に対応して取得された検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更することができ、これにより、より適切な処理条件で有機ＥＬ素子形成工程を行うことができる。従って、品質低下がより抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造設備は、
帯状の基材と、前記帯状の基材に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子とを備える有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造設備であって、
前記有機ＥＬ素子のそれぞれが形成される素子形成領域ごとに対応して前記基材に識別記号をそれぞれ形成する識別記号形成装置と、
前記素子形成領域ごとに前記有機ＥＬ素子のそれぞれを前記基材に形成する有機ＥＬ素子形成装置と、
前記識別記号をそれぞれ読み取る読取装置と、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子形成装置で実行された処理条件を取得する処理条件取得装置とを備える。
【００１６】
かかる構成によれば、有機ＥＬ素子を形成する前に、基材に識別記号を形成することができるため、有機ＥＬ素子が存在していない状態で基材に識別記号を形成することが可能となる。これにより、識別記号を形成する際に発生した異物が有機ＥＬ素子に混入することや、識別記号を形成する際に有機ＥＬ素子に損傷が発生することを抑制し得る。よって、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号を形成する場合や、有機ＥＬ素子形成後に識別記号を形成する場合よりも、異物の混入や損傷の発生を抑制し得る。
また、識別記号に対応した有機ＥＬ素子形成装置の処理条件を取得することによって、該処理条件を十分に把握し得る。
従って、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る。
【００１７】
上記構成の有機ＥＬデバイスの製造設備においては、
前記有機ＥＬ素子形成装置が、
前記基材を洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部で洗浄された前記基材に前記有機ＥＬ素子を蒸着する蒸着部とを有し、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記洗浄部及び前記蒸着部のそれぞれの処理条件を取得する処理条件取得装置とをさらに備えることが好ましい。
【００１８】
かかる構成によれば、識別記号を形成した後、有機ＥＬ素子を形成する前に基材を洗浄することができるため、有機ＥＬ素子への異物の混入を、より抑制し得る。
【００１９】
上記構成の有機ＥＬデバイスの製造設備においては、
前記有機ＥＬ素子形成装置で形成された前記有機ＥＬ素子を検査する検査装置と、
前記読取装置で読み取られた前記識別記号に対応して前記有機ＥＬ素子の検査結果を取得する検査結果取得装置と、
前記識別記号に対応して取得された前記有機ＥＬ素子形成装置の処理条件と、前記識別記号に対応して取得された前記検査装置の検査結果とに基づいて、前記処理条件の設定を変更する設定変更装置とをさらに備えることが好ましい。
【００２０】
かかる構成によれば、識別記号に対応して取得された有機ＥＬ素子形成装置の処理条件と、識別記号に対応して取得された検査装置の検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更することができ、これにより、より適切な処理条件で有機ＥＬ素子を形成することができる。従って、品質低下がより抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、有機ＥＬ素子を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法および製造設備が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法および製造設備に用いる有機ＥＬデバイスを模式的に示す平面図であり、図１（ａ）は基材の表面に識別記号が形成された例を、図１（ｂ）は基材の側面に識別記号を備えた例を、図１（ｃ）は基材の裏面に識別記号を備えた例を、それぞれ示す。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図であって、図２（ａ）は基材の表面に識別記号を備えた例を、図２（ｂ）は基材の側面に識別記号を備えた例を、図２（ｃ）は基材の裏面に識別記号を備えた例を、それぞれ示している。
【図３】本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の配置を模式的に示す平面図である。
【図４】本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造設備を模式的に示す断面図である。
【図５】本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造設備のシステムの概要を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造設備の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本明細書では、有機ＥＬ素子３が形成される基材２の面を表面と呼び、有機ＥＬ素子３が形成されない基材２の面を、裏面と呼ぶ。
【００２４】
まず、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造設備で製造される有機ＥＬデバイス１について説明する。
【００２５】
図１〜図３に示すように、有機ＥＬデバイス１は、可撓性を有する帯状の基材２と、該基材２に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子３とを備え、基材２には、有機ＥＬ素子３のそれぞれを識別する識別記号４が形成されている。
また、有機ＥＬデバイス１は、有機ＥＬ素子３を覆うプレバリア層８と、該プレバリア層８を覆うバリア層９とを、さらに備える。
【００２６】
基材２は、ステンレス等の金属材料から形成されて基材２の主体をなす支持基材２ａと、絶縁材料から形成されて支持基材２ａ上に積層された絶縁層２ｂとの積層体によって形成されている。また、基材２の絶縁層２ｂ上に、長手方向に沿って有機ＥＬ層３が形成される素子形成領域６０を複数有している。絶縁層２ｂの露出面は、基材２の表面２１に相当する。
基材２の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、５〜２００μｍとされ得る。
なお、支持基材２ａがＳＵＳで形成されている場合、該支持基材２ａの表面は、予めスリットコーターノズルなどを用いて塗工されたレジストを全面に有している。
【００２７】
基材２には、有機ＥＬ素子３ごとに対応して識別記号４が形成されている。
なお、基材２の形成材料は、基材２が可撓性を有するように、且つ、識別記号４が形成され得るように適宜設定されればよい。
ただし、後述するように、レーザーを用いて基材２に識別記号４を刻印する場合には、基材２の形成材料が樹脂であると、レーザー照射によって基材２が焦げたりして識別記号４を形成し難くなり、また、識別記号４と樹脂との反射率の差が小さいため、読み取り難いおそれがある。これに対し、基材２の少なくとも識別記号４が形成される面の形成材料が金属であると、レーザー照射によって基材２が焦げ難くなって識別記号４を形成し易くなり、また、識別記号４と金属との反射率の差が大きくなるため、識別記号４を読み取り易くなる。
この点を考慮すれば、レーザーによって識別記号４を形成する場合には、基材２の少なくとも識別番号４が形成される面側が金属材料から形成されることが好ましい。
【００２８】
識別記号４は、個々の有機ＥＬ素子３を識別することが可能な記号である。
識別記号４には、有機ＥＬ素子３を個別に特定できる情報（Ｌｏｔ番号等）が書き込まれている。
識別記号４は、有機ＥＬ素子３ごとに対応して、基材２の表面２１（図１（ａ）及び図２（ａ）参照）、基材２の側面２２（図１（ｂ）及び図２（ｂ）参照）、または基材２の裏面２３（図１（ｃ）及び図２（ｃ）参照）の所定の位置に形成される。
識別記号４としては、例えば、基材２の表面２１に印字されたバーコードが挙げられる。バーコードとしては、例えば、二次元バーコードであるＤａｔａ  Ｍａｔｒｉｘ（登録商標）が挙げられる。Ｄａｔａ  Ｍａｔｒｉｘは、Ｌ字状のアライメントパターンと、該アライメントパターンと組み合わされて矩形領域を形成するように配されたＬ字状且つ点線状のタイミングセルと、前記矩形領域に形成されたデータセルとを有する。アライメントパターンは、Ｄａｔａ  Ｍａｔｒｉｘの向きを特定し、タイミングセルは、データセルを認識され易くする。Ｄａｔａ  Ｍａｔｒｉｘは、数字のみで３１１６文字、英数字のみで２３３５文字と極めて多くのデータをコード化でき、かつ小型に設計できるという利点を有する。
バーコードは、例えば、レーザーマーカ（ＭＤ−Ｖ９９００、キーエンス社製）を用いて、レーザー出力２０％にて印字され得る。
なお、基材２の側面２２に識別記号４を設ける場合、基材２の厚さが数百μｍ以下程度と極めて薄いことを考慮すれば、識別記号４としてバーコードが印字されることは難しい。このような場合、例えば、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、基材２の側面の一部を切り欠くことによって、識別記号４が形成され得る。また、切り欠きの組み合わせを有機ＥＬ素子３ごとに変更することによって、有機ＥＬ素子３ごとに対応した識別記号３が形成され得る。
【００２９】
識別記号４が形成される位置は、有機ＥＬ素子３を識別可能な位置であれば特に限定されるものではなく、適宜設定され得る。
例えば、識別記号４は、基材２の裏面２３に形成されるのが特に好ましい。これにより、識別記号４を形成する面積を十分に確保することができる。また、表面２１に形成する場合に比べて、素子形成領域６０を広げることができる。
また、識別記号４は、対応する一の有機ＥＬ素子３よりも上流側に形成される有機ＥＬ素子３の下流側から、前記一の有機ＥＬ素子３よりも下流側に形成される有機ＥＬ素子３の上流側までの範囲において基材２の裏面側（裏面２３）に形成されていてもよい。識別記号４をこの範囲に備えれば、識別記号４に対応する一の有機ＥＬ素子３を、より正確に識別することができる。
ここで、複数の有機ＥＬ素子３が形成された帯状の有機ＥＬデバイス１は、個々の有機ＥＬ素子ごとに分かれるように裁断され得る。このように裁断される場合等であってもより確実に、対応する識別記号４が読み取られ得る点を考慮すれば、識別記号４は、基材１の裏面２３において、対応する有機ＥＬ素子３が形成される素子形成領域６０と長手方向において重なる領域の裏面２３側に形成されることが好ましく、対応する有機ＥＬ素子３が形成される素子形成領域６０の裏面２３側に形成されることがより好ましい。
【００３０】
また、図１〜図３の態様では、１つの有機ＥＬ素子３に対して、１つの識別記号４が形成された態様を示すが、複数の識別記号４が形成されてもよい。識別記号４の数量が増える程、該識別記号４が検知される確率が高まる（例えば、識別素子４が２つ形成されていれば、該識別素子４が検知される確率が２倍になる）ため、より確実に、有機ＥＬ素子３を、有機ＥＬ素子３ごとに読み取られ得る。
【００３１】
さらに、１つの有機ＥＬ素子３に対して識別記号４が、基材２の長手方向において複数形成されてもよい。このように、識別素子４が長手方向に複数形成されることによって、上記のように、識別記号４が検知される確率が高まる。
加えて、これにより、以下のような作用効果も奏する。すなわち、ロール状の基材２を、長手方向の位置合わせをすることなく供給部１２に仕掛け、この供給部１２から基材２を繰り出し、位置合わせをせずに有機ＥＬ素子３を形成する場合を考える。このとき、有機ＥＬ素子３に対して１つの識別記号４が形成されていると、形成される各有機ＥＬ素子３に対して、識別記号４がランダムな位置に配置されることになるため、帯状の有機ＥＬデバイス１を有機ＥＬ素子３ごとに切断したとき、切断片としての有機ＥＬデバイス１に、識別記号４が存在しないおそれがある。しかし、基材２の長手方向において複数の識別記号４が形成されていることによって、仮に複数の識別記号４のうちいずれかの識別記号４が、その対応する切断片に存在しなくなっても、残りの識別記号４が該切断片に存在することになる。よって、この点からも、より確実に識別記号４が検知され得る。また、この点を考慮すれば、複数の識別記号４は、長手方向において、素子形成領域６０同士の間隔よりも狭い間隔で長手方向に沿って形成されることが好ましい。
【００３２】
有機ＥＬ素子３は、基材２の表面２１の素子形成領域６０に、第１の電極層５、有機ＥＬ層７、および第２の電極層６が、この順に形成されてなる。第１の電極層５が陽極層である場合、第２の電極層６は陰極層であり、第１の電極層５が陰極層である場合、第２の電極層６は陽極層である。
また、素子形成領域６０は、有機ＥＬ素子３（すなわち、第１の電極層５、有機ＥＬ層７及び第２の電極層６）が形成される基材２上の領域、すなわち、基材２上における有機ＥＬ素子３の各層が形成される領域全てを含む領域に相当する。例えば、第１の電極層５及び第２の電極層６に電流を供給するための各引き出し部分が、これら電極層とは別途、基材２上に形成されている場合には、この各引き出し部分も、素子形成領域６０に含まれる。
【００３３】
この有機ＥＬ素子３は、第１の電極層５、有機ＥＬ層７、および第２の電極層６の重なり合う領域が、有機ＥＬ層７が発光する発光領域Ｌを構成しており、第１および第２の通電領域５ａ、６ａに通電されることによって、発光領域Ｌが発光する。
なお、図１〜図３に示したものは、有機ＥＬ素子３の一例であり、有機ＥＬ素子３の構成はこれらに限定されるものではない。
【００３４】
プレバリア層８は、第１の通電領域５ａおよび第２の通電領域６ａの一部が露出するように有機ＥＬ素子３を覆っている。このプレバリア層８は、蒸着によって形成されている。
また、バリア層９は、第１の通電領域５ａおよび第２の通電領域６ａの一部が露出するように、プレバリア層８をさらに覆っている。このバリア層９は、バリアフィルムによって形成されており、具体的には、バリアフィルムがプレバリア層８に積層されることによって形成されている。
これらプレバリア層８及びバリア層９によって、有機ＥＬ素子３が空気と接触することが抑制される。
【００３５】
上記第１の電極層５、第２の電極層６、および有機ＥＬ層７、プレバリア層８及びバリア層９の形成材料は、特に限定されるものではない。
【００３６】
次に、図４及び図５を参照しながら、上記有機ＥＬデバイス１を製造する製造設備１００について説明する。
【００３７】
本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造設備１００は、帯状の基材２と、前記帯状の基材２に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子３とを備える有機ＥＬデバイス１を製造する設備である。
該製造設備１００は、前記有機ＥＬ素子３のそれぞれが形成される素子形成領域６０ごとに対応して基材２に識別記号４をそれぞれ形成する識別記号形成装置１０と、前記有機ＥＬ素子３のそれぞれを前記素子形成領域６０ごとに前記基材２上に形成する有機ＥＬ素子形成装置７０と、前記有機ＥＬ素子形成装置７０で有機ＥＬ素子３を形成する際に前記識別記号４をそれぞれ読み取る読取装置８１と、前記読取装置８１で読み取られた前記識別記号４に対応して前記有機ＥＬ素子形成装置７０で実行された処理条件を取得する処理条件取得装置８３とをさらに備える。
【００３８】
また、前記有機ＥＬ素子形成装置７０は、前記基材２を洗浄する洗浄部２０と、洗浄後の前記基材２に有機ＥＬ素子３を蒸着する蒸着部３０と、有機ＥＬ素子３を覆うようにプレバリア層８を蒸着する蒸着部４０と、プレバリア層８を覆うようにバリアフィルム５７を積層する積層部５０と、有機ＥＬデバイス１を有機ＥＬ素子３ごとに切断する裁断部９３とを有する。
【００３９】
また、製造設備１００は、帯状の有機ＥＬデバイス１を個々の有機ＥＬ素子３ごとに分けるように裁断する裁断装置９３を備える。
【００４０】
また、製造設備１００は、前記有機ＥＬ素子形成装置７０で形成された前記有機ＥＬ素子３を検査する検査装置８４と、前記検査装置８４で検査する際に前記識別記号４を読み取る読取装置８１と、読取装置８１で読み取られた識別記号４に対応して前記有機ＥＬ素子３の検査結果を取得する検査結果取得装置９５と、識別記号４に対応して取得された有機ＥＬ素子形成装置７０の処理条件と、識別記号４に対応して取得された検査装置８４の検査結果とに基づいて、前記処理条件の設定を変更する設定変更装置９１とをさらに備える
また、製造設備１００は、帯状の有機ＥＬデバイス１の複数の有機ＥＬ素子３を連続して検査する検査装置８４として、裁断装置９３よりも上流側に配されて、該帯状の有機ＥＬデバイス１を裁断前に検査する検査装置（裁断前検査装置）８５を備え、また、切断片としての有機ＥＬデバイス１の１つの有機ＥＬ素子３を順次検査する検査装置８４として、裁断装置９３よりも下流側に配された、バーンイン試験装置８７、並びに、品質試験装置としての輝度測定装置８８、寿命評価装置８９、及び、輝度ムラ評価装置９０を備える。
【００４１】
識別記号形成装置１０は、図４に示すように、チャンバ１１と、チャンバ１１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された基材２を繰り出して供給する供給部１２と、繰り出した基材２を巻き取って回収する回収部１３と、供給部１２と回収部１３との間に配されたマーキング部１４とを備える。供給部１２と回収部１３とによって、基材２がロールトゥロールで搬送される。
識別記号形成装置１０では、供給部１２からロール状の基材２を繰り出し、繰り出した基材２を回収部１３で巻き取るまでの間に、マーキング部１４によって基材２に識別記号４を形成する。
なお、図４では、マーキング部１４にレーザーマーカを採用し、基材２上にバーコードを印字する態様を示している。しかし、本発明では、識別記号４の種類、その形成方法は特に限定されるものではなく、基材２の識別記号４が形成される位置も、素子形成領域６０をそれぞれ識別可能であれば、特に限定されるものではない。
ただし、インク等で識別記号４を形成すると、基材２の搬送時に擦れて消えてしまったり、真空条件下で基材２上に蒸着等を行う際に、インクから揮発性のガスが発生し、このガスが有機ＥＬ素子デバイス１を劣化させてしまったりするおそれがある。この点を考慮すれば、レーザーを用いて刻印することによって、識別記号４を形成することが好ましい。
【００４２】
識別記号形成装置１０の処理条件としては、レーザー出力等が挙げられる。基材２に識別記号４をマーキングしている間、所定のレーザー出力に保持される。例えば、レーザーマーカとしては、レーザマーカー（ＭＤ−Ｖ９９００、キーエンス社製）を用いることができ、例えばレーザー出力は、２０％に保持される。
これら処理条件は、基材２に識別記号４を形成している間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００４３】
有機ＥＬ素子形成装置７０の洗浄部２０は、チャンバ２１と、チャンバ２１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された基材２を繰り出して供給する供給部２２と、繰り出した基材２を巻き取って回収する回収部２３と、供給部２２と回収部２３との間に配された洗浄ノズル２４と、洗浄ブラシ２５と、を備えている。供給部２２と回収部２３とによって、基材２がロールトゥロールで搬送される。
洗浄部２０では、供給部２２からロール状の基材２を繰り出し、繰り出した基材２を回収部２３で巻き取るまでの間に、洗浄ノズル２４から水を噴射しつつ、洗浄ブラシ２５を基材２に接触させながら回転させて、基材２の表面２１を洗浄する。
洗浄部２０の処理条件としては、水量、洗浄ブラシ２５の回転数、基材２に対する洗浄ブラシ２５の圧接力等が挙げられる。
これら処理条件は、基材２を洗浄している間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００４４】
蒸着部（第１の蒸着部）３０は、有機ＥＬ素子３の構成層を蒸着するものである。蒸着部３０は、真空チャンバ３１と、真空チャンバ３１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された基材２を繰り出して供給する供給部３２と、繰り出した基材２を巻き取って回収する回収部３３と、供給部３２から回収部３３に基材２を搬送する経路に配されて基材２を支持するキャンローラ３４と、基材２の素子形成領域６０に蒸着原料を蒸着して第１の電極層５、有機ＥＬ層７及び第２の電極層６をこの順に形成して有機ＥＬ素子３を形成する層形成部３５ａ、３５ｂ、３５ｃとを備える。供給部３２と回収部３３とによって、基材２がロールトゥロールで搬送される。
真空チャンバ３１は、所定の真空度に保持する部材である。真空チャンバ３１には図示しない真空ポンプが接続されていて、該真空ポンプによってチャンバ内の圧力は所定の真空度まで降下される。
【００４５】
蒸着部３０では、真空チャンバ３１内の圧力を所定の真空度まで降下させた後、供給部３２から繰り出された基材２をキャンローラ３４で支持しながら回収部３３まで搬送し、その搬送中に、層形成部３５ａ、３５ｂ、３５ｃによって、基材２の表面２１の素子形成領域６０上に第１の電極層５、有機ＥＬ層７、および第２の電極層６をこの順に順次形成する。
蒸着部３０の処理条件としては、真空チャンバ３１内の圧力、各蒸着源の温度、蒸着速度（成膜速度）等が挙げられる。これらの処理条件は、各層を形成している間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００４６】
蒸着部（第２の蒸着部）４０は、図２に示したように、第１の通電領域５ａおよび第２の通電領域６ａの一部が露出するように、第１の電極層５、有機ＥＬ層７、および第２の電極層６を覆うプレバリア層８を蒸着によって形成するようになっている。蒸着部４０は、真空チャンバ４１と、真空チャンバ４１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された基材２を繰り出して供給する供給部４２と、繰り出した基材２を巻き取って回収する回収部４３と、供給部４２から回収部４３に基材２を搬送する経路に配されて基材２を支持するキャンローラ４４と、基材２に形成された有機ＥＬ素子３を覆うように蒸着原料を噴出してプレバリア層８を形成する層形成部４５と、真空チャンバ４１内に窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを供給するための配管４６と、を備える。供給部４２と回収部４３とによって、基材２がロールトゥロールで搬送される。
真空チャンバ３１は、所定の真空度に保持する部材である。真空チャンバ３１には図示しない真空ポンプが接続されていて、該真空ポンプによってチャンバ内の圧力は所定の真空度まで降下される。
【００４７】
蒸着部４０では、真空チャンバ４１内の圧力を所定の真空度まで降下させた後、供給部４２から繰り出された基材２をキャンローラ４４で支持しながら回収部４３まで搬送し、その搬送中に、層形成部４５によって、有機ＥＬ素子３を覆うようにプレバリア層８を形成する。
蒸着部４０の処理条件としては、真空チャンバ４１内の圧力、蒸着源の温度、蒸着速度（成膜速度）、真空チャンバ４１内に供給される不活性ガスの流量等が挙げられる。これらの処理条件は、プレバリア層８を形成している間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００４８】
積層部（バリア層形成部）５０は、真空チャンバ５１と、真空チャンバ５１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された基材２を繰り出して供給する供給部５２と、繰り出した基材２を巻き取って回収する回収部５３と、ロール状のバリアフィルムを繰り出す供給部５４と、供給部５２から繰り出された基材２と供給部５４から繰り出されたバリアフィルム５７とを該バリアフィルム５７がプレバリア層８を覆うように積層する一対のラミネートロール５５と、一対のラミネートロール５５で積層された積層体を加熱するヒータ５６とを備える。供給部５２及び供給部５４と回収部２３とによって、基材２及びバリアフィルム５７がロールトゥロールで搬送される。
【００４９】
真空チャンバ５１は、所定の真空度に保持する部材である。真空チャンバ５１には図示しない真空ポンプが接続されていて、該真空ポンプによってチャンバ内の圧力は所定の真空度まで降下される。
【００５０】
積層部５０においては、真空チャンバ５１内の圧力を所定の真空度まで降下させた後、供給部５４からバリアフィルム５７を繰り出すとともに、供給部５２から基材２を繰り出す。そして、供給部５４から繰り出されたバリアフィルム５７に接着剤５８を塗布して、接着剤５８が塗布されたバリアフィルム５７と基材２とを一対のラミネートロール５５で押圧して貼合する。その後、積層体を一対のラミネートロール５５で押圧して、ヒータ５６で乾燥し、回収部５３で有機ＥＬデバイス１として巻き取って回収する。
積層部５０の処理条件としては、真空チャンバ内５１の圧力、基材２に対する押圧力、バリアフィルム５７の張力等が挙げられる。これらの処理条件は、積層を行っている間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００５１】
裁断前検査装置８５は、積層部５０と裁断装置９３との間に配されており、裁断装置９３で裁断される前の帯状の有機ＥＬデバイス１を検査する。該裁断前検査装置８５は、チャンバ８５１と、チャンバ８５１内に所定の間隔を空けて配されて、ロール状に巻回された有機ＥＬデバイス１を繰り出して供給する供給部８５２と、繰り出した有機ＥＬ素子デバイス１を巻き取って回収する回収部８５３と、供給部８５２と回収部８５３との間に配されて検査を実行する検査実行部８５４とを備えている。供給部８５２と回収部８５３とによって、有機ＥＬデバイス１がロールトゥロールで搬送される。
検査実行部８５４は、例えば、帯状の有機ＥＬデバイス１に形成された各有機ＥＬ素子３のパターン精度、基材２に対するバリアフィルム５７の積層精度、各有機ＥＬ素子３の発光外観、各有機ＥＬ素子３の発光における輝度ムラを検査することによって、品質試験を行うようになっている。
裁断前検査装置８５では、供給部８５２からロール状の有機ＥＬデバイス１を繰り出し、繰り出した帯状の有機ＥＬデバイス１を回収部８５３で巻き取るまでの間に、検査実行部８５４によって帯状の有機ＥＬデバイス１を連続して検査する。
裁断前検査装置８５の検査結果は、検査結果取得装置９５に送信されるようになっている。
【００５２】
裁断装置９３は、ロール状に回収された帯状の有機ＥＬデバイス１を繰り出して供給する供給部９３１と、供給された帯状の有機ＥＬデバイス１を裁断するカッタ等の裁断部材９３２とを備える。
裁断装置９３においては、供給部９３１から帯状の有機ＥＬデバイス１を繰り出し、個々の有機ＥＬ素子３に分けるように裁断して、切断片としての有機ＥＬデバイス１を形成する。
裁断装置９３の処理条件としては、裁断刃の押し圧力等が挙げられる。これらの処理条件は、裁断をしている間、所定の範囲に設定される。また、実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信されるようになっている。
【００５３】
バーンイン試験装置８７は、裁断装置９３で裁断された切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、バーンイン試験を行う。
バーンイン試験装置８７は、切断片としての有機ＥＬデバイス１に所定の電流及び温度を、所定の時間かけた際の、該デバイスの輝度や電圧の変化を測定するようになっている。
バーンイン試験装置８７の検査結果は、検査結果取得装置９５に送信されるようになっている。
【００５４】
輝度及び色度測定装置８８は、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、その輝度及び色度を測定することによって品質試験を行う。
輝度及び色度測定装置８８は、切断片としての有機ＥＬデバイス１に電流及び電圧を変えてかけた際の、該デバイスの全方位からの輝度及び色度を測定するようになっている。
輝度及び色度測定装置８８の検査結果は、検査結果取得装置９５に送信されるようになっている。
【００５５】
寿命評価装置８９は、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、寿命測定を行うことによって、品質試験を行う。
ここでは、寿命評価装置８９は、輝度及び色度測定を更に経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、寿命測定を行うようになっている。
寿命評価装置８９は、切断片としての有機ＥＬデバイス１に所定の電流を、所定の時間かけた際の、該デバイスの輝度の変化や電圧の変化を測定するようになっている。
寿命評価装置８９の検査結果は、検査結果取得装置９５に送信されるようになっている。
【００５６】
輝度及び色度ムラ評価装置９０は、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、発光面内の輝度ムラを測定することによって、品質試験を行う。
ここでは、輝度及び色度ムラ評価装置９０は、寿命評価を更に経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、輝度及び色度ムラを測定するようになっている。
輝度ムラ評価装置９０は、切断片としての有機ＥＬデバイス１に電流及び電圧を変えてかけた際の、該デバイスの発光面内の輝度及び色度の分布を測定するようになっている。
輝度及び色度ムラ評価装置寿命評価装置９０の検査結果は、検査結果取得装置９５に送信されるようになっている。
【００５７】
読取装置８１は、識別記号形成装置１０、有機ＥＬ素子形成装置７０の洗浄部２０、蒸着部３０、蒸着部４０、積層部５０、裁断装置９３、連続検査装置８５、バーンイン試験装置８７、輝度及び色度測定装置８８、寿命評価装置８９、及び、輝度及び色度ムラ評価装置９０内に配されて、各装置及び各部で各処理及び各検査を行う際に識別記号４を読み取る装置である。この読取装置８１は、識別記号４を読み取り、読取結果を処理条件取得装置８３に送信する。各処理及び各検査を行う際には、各処理及び検査を行う直前及び直後が含まれる。本実施形態では、読取装置８１は、各装置及び各部内に配された態様を示すが、各装置及び各部の直前（上流側）または直後（下流側）に配されていてもよい。
識別記号４としてバーコードを採用する場合、読取装置８１としては、バーコードリーダーを採用し得る。
【００５８】
処理条件取得装置８３は、有機ＥＬ素子形成装置７０の各部で行われた処理条件を受信する。また、有機ＥＬ素子形成装置７０の各部で各処理を行う際に読取装置８１によって読み取られた読取結果を受信する。そして、個々の有機ＥＬ素子３と、各有機ＥＬ素子３に対応した有機ＥＬ素子形成装置７０の各部の処理条件とを関連付け、これにより、識別記号４ごとに有機ＥＬ素子形成装置７０の各部の処理条件を取得する。
かかる条件取得装置８３としては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）等が挙げられる。
【００５９】
検査結果取得装置９５は、検査装置８４（ここでは裁断前検査装置８５、バーンイン試験装置８７、並びに、品質試験装置としての輝度及び色度測定装置８８、寿命評価装置８９、及び、輝度及び色度ムラ評価装置９０）で行われた検査結果を受信する。また、検査装置８４で検査する際に読取装置８１によって読み取られた読取結果を受信する。そして、個々の有機ＥＬ素子３と、各有機ＥＬ素子３に対応した検査結果とを関連付け、これにより、識別記号４ごとに検査装置８４での検査結果を取得する。
かかる検査結果取得装置９５としては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）等が挙げられる。
本実施形態では、検査結果取得装置９５として、上記した処理条件取得装置８３を用いるが、本発明においては、処理条件取得装置８３とは別途の検査結果取得装置９５を採用してもよい。
【００６０】
設定変更装置９１は、識別記号４に対応して取得された有機ＥＬ素子形成装置７０（ここでは洗浄部２０、蒸着部３０、蒸着部４０及び積層部５０）の処理条件と、識別記号４に対応して取得された検査装置８４（ここでは、裁断前検査装置８５、バーンイン試験装置８７、並びに、品質試験装置としての輝度及び色度測定装置８８、寿命評価装置８９、及び、輝度及び色度ムラ評価装置９０）の検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更する。
かかる設定変更装置９１としては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）等が挙げられる。
本実施形態では、設定変更装置９１として、上記した処理条件取得装置８３を用いるが、本発明においては、処理条件取得装置８３とは別途の設定変更装置９１を採用してもよい。
【００６１】
本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造設備１００によれば、有機ＥＬ素子３を形成する前に、基材２に識別記号を形成することができるため、有機ＥＬ素子３が存在していない状態で基材２に識別記号４を形成することが可能となる。これにより、識別記号４を形成する際に発生した異物が有機ＥＬ素子３に混入することや、識別記号４を形成する際に有機ＥＬ素子３に損傷が発生することを抑制し得る。よって、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号４を形成する場合や、有機ＥＬ素子形成後に識別記号４を形成する場合よりも、異物の混入や損傷の発生を抑制し得る。
また、識別記号４に対応した有機ＥＬ素子形成装置の処理条件を取得することによって、該処理条件を十分に把握し得る。
従って、有機ＥＬ素子３を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイス１を製造し得る。
【００６２】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造設備１００によれば、識別記号４を形成した後、有機ＥＬ素子３を形成する前に基材２を洗浄することができるため、有機ＥＬ素子３への異物の混入を、より抑制し得る。
【００６３】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造設備によれば、識別記号４に対応して取得された有機ＥＬ素子形成装置７０の処理条件と、識別記号４に対応して取得された検査装置８４の検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更することができ、これにより、より適切な処理条件で有機ＥＬ素子３を形成することができる。従って、品質低下がより抑制された有機ＥＬデバイス１を製造し得る。
【００６４】
次に、上記製造設備１００を用いた有機ＥＬデバイス１の製造方法について説明する。
【００６５】
本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法は、帯状の基材２と、帯状の基材２に長手方向に沿って形成された複数の有機ＥＬ素子３とを備える有機ＥＬデバイス１を製造する方法であって、有機ＥＬ素子３のそれぞれが形成される素子形成領域６０ごとに対応して基材２に識別記号４をそれぞれ形成する識別記号形成工程と、前記素子形成領域６０ごとに前記有機ＥＬ素子３のそれぞれを前記基材２に形成する有機ＥＬ素子形成工程と、を備え、前記有機ＥＬ素子形成工程においては、前記識別記号４をそれぞれ読み取る読取と、前記読取で読み取られた前記識別記号４に対応して前記有機ＥＬ素子形成工程で実行された処理条件を取得する処理条件取得とを実行する。
【００６６】
なお、本実施形態では、識別記号形成工程として、基材２の裏面２３に識別記号４としてのバーコードを印字する態様を示す。しかし、本発明では、識別記号４の種類、その形成方法は特に限定されるものではなく、基材２の識別記号４が形成される位置も特に限定されるものではない。
【００６７】
識別記号形成工程では、前述した識別記号形成装置１０を用い、前述したように処理条件を設定して、基材２の裏面２３に識別記号４を形成する。
【００６８】
有機ＥＬ素子形成工程では、有機ＥＬ素子形成装置７０を用いて基材２の表面２１の素子形成領域６０に有機ＥＬ素子３を形成する。
本実施形態では、有機ＥＬ素子形成工程は、基材２を洗浄する洗浄工程と、基材２の表面２１に有機ＥＬ素子３の構成層を形成する蒸着工程と、有機ＥＬ素子３の上からプレバリア層８を形成する蒸着工程と、プレバリア層８の上からバリア層９を形成する積層工程とを備える。
【００６９】
洗浄工程では、前述した洗浄部２０を用い、前述したように処理条件を設定して、識別記号４が形成された基材２の表面２１を洗浄する。
【００７０】
有機ＥＬ素子３の構成層を形成する蒸着工程（第１の蒸着工程）では、前述した蒸着部３０を用い、前述したように処理条件を設定して、基材２の表面２１の素子形成領域６０に有機ＥＬ素子３を形成する。
【００７１】
プレバリア層８を形成する蒸着工程（第２の蒸着工程）では、前述した蒸着部４０を用い、前述したように処理条件を設定して、有機ＥＬ素子３を覆うプレバリア層８を形成する。
【００７２】
積層工程では、前述した積層部５０を用い、前述したように処理条件を設定して、プレバリア層８を覆うバリア層９を形成する。この積層工程を経ることによって、有機ＥＬ素子３を複数有する帯状の有機ＥＬデバイス１が形成される。
【００７３】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法は、帯状の有機ＥＬデバイス１を個々の有機ＥＬ素子３に分けるように裁断する裁断工程を、さらに備える。
【００７４】
裁断工程では、前述した裁断装置９３を用い、前述したように処理条件を設定して、外観検査された帯状の有機ＥＬデバイス１を、１つの有機ＥＬ素子３を有するように裁断して、切断片としての有機ＥＬデバイス１を形成する。
【００７５】
上記各工程では、各工程で実行された処理条件が、処理条件取得装置８３に送信される。
【００７６】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法は、有機ＥＬデバイス１を検査する検査工程を備え、この検査工程として、帯状の有機ＥＬデバイス１を検査する検査工程（該デバイスを裁断前に検査する裁断前検査工程）、切断片としての有機ＥＬデバイス１を検査するバーンイン試験工程及び品質試験工程を備える。また、該製造方法は、品質試験工程として、輝度及び色度測定工程、寿命評価工程、及び、輝度及び色度ムラ評価工程を備える。
【００７７】
裁断前検査工程では、前述した裁断前検査装置８５を用い、裁断前の帯状の有機ＥＬデバイス１に形成された各有機ＥＬ素子３のパターン精度、基材２に対するバリアフィルム５７の積層精度、各有機ＥＬ素子３の発光外観、各有機ＥＬ素子３の発光における輝度ムラを検査する。
【００７８】
バーンイン試験工程では、前述したバーンイン試験装置８７を用い、切断片としての有機ＥＬデバイス１に対してバーンイン試験を実施する。
【００７９】
輝度及び色度測定工程では、前述した輝度及び色度測定装置８８を用い、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、その輝度及び色度を測定することによって品質試験を実施する。
【００８０】
寿命評価工程では、前述した寿命評価装置８９を用い、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、寿命測定を行うことによって、品質試験を行う。
ここでは、寿命評価工程を、輝度及び色度測定工程を更に経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して実行する。
【００８１】
輝度及び色度ムラ評価工程では、前述した輝度及び色度ムラ評価装置９０を用い、バーンイン試験を経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して、発光面内の輝度ムラを測定することによって、品質試験を行う。
ここでは、輝度及び色度ムラ評価工程を、寿命評価を更に経た切断片としての有機ＥＬデバイス１に対して実行する。
【００８２】
上記各工程では、各工程で検査した検査結果が、処理条件取得装置８３（すなわち、検査結果取得装置９５）に送信される。
【００８３】
また、上記洗浄工程から品質試験工程までの各工程において、識別記号４の読取を行う。各読取では、基材２の識別記号４を読取装置８１によって読み取り、読み取った識別記号４が、処理条件取得装置８３（すなわち、検査結果取得装置９５）に送信される。
【００８４】
また、上記洗浄工程から積層工程までの各工程において、処理条件取得を行う。各処理条件取得では、読取装置８１から送信された識別記号４と、各工程から送信された処理条件とに基づいて、処理条件取得装置８３によって、識別記号４と、それに対応した処理条件とを関連付け、送信された処理条件を、識別記号４ごとに対応する処理条件として取得する。
【００８５】
また、本実施形態では、裁断前検査工程、バーンイン試験工程及び各品質試験工程において、前述と同様の識別記号４の読取に加えて、該読取で読み取られた識別記号４に対応して各工程の検査結果を取得する検査結果取得を実行し、上記有機ＥＬ素子形成工程において識別記号４に対応して取得された処理条件と、上記検査工程において識別記号４に対応して取得された検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更する設定変更工程を行う。
【００８６】
検査結果取得では、上記裁断前検査工程、バーンイン試験工程及び各品質試験工程において読取装置８１から送信された識別記号４と、上記裁断前検査工程、バーンイン試験工程及び各品質試験工程からそれぞれ送信された検査結果の情報とに基づいて、処理条件取得装置８３（すなわち、検査結果取得装置９５）によって、識別記号４と、それに対応した検査結果とを関連付け、送信された検査結果を、識別記号４ごとに対応する検査結果として取得する。
【００８７】
設定変更工程では、前述した有機ＥＬ素子形成工程において識別記号４に対応して取得された処理条件と、上記裁断前検査工程、バーンイン試験工程及び各品質試験工程において識別記号４に対応して取得された検査結果とに基づいて、処理条件取得装置８３（すなわち、設定変更装置９１）によって、処理条件の設定を変更する。
【００８８】
本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法によれば、有機ＥＬ素子３を形成する前に、基材２に識別記号４を形成することによって、有機ＥＬ素子３が存在していない状態で基材２に識別記号４を形成することができるため、識別記号４を形成する際に発生した異物が有機ＥＬ素子３に混入することや、識別記号４を形成する際に有機ＥＬ素子３に損傷が発生することを抑制し得る。これにより、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号４を形成する場合や、有機ＥＬ素子形成後に識別記号４を形成する場合よりも、異物の混入や損傷の発生を抑制し得る。
また、識別記号４に対応した有機ＥＬ素子形成工程での処理条件を取得することによって、該有機ＥＬ素子形成工程での処理条件を十分に把握し得る。
従って、有機ＥＬ素子３を形成する際の処理条件を十分に把握しながら、品質低下が抑制された有機ＥＬデバイス１を製造し得る。
【００８９】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法によれば、識別記号４を形成した後、有機ＥＬ素子３を形成する前に基材２を洗浄することによって、有機ＥＬ素子３への異物の混入を、より抑制し得る。
【００９０】
また、本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法によれば、有機ＥＬ素子形成工程において識別記号４に対応して取得された処理条件と、検査工程において識別記号４に対応して取得された検査結果とに基づいて、処理条件の設定を変更することができ、これにより、より適切な処理条件で有機ＥＬ素子形成工程を行うことができる。従って、品質低下がより抑制された有機ＥＬデバイス１を製造し得る。
【００９１】
本実施形態の有機ＥＬデバイス１の製造方法及び製造設備１００は、上記の通りであるが、本発明は、上記実施形態に限定されず、本発明の意図する範囲内において適宜設計変更されることが可能である。また、本発明の作用効果も、上記実施形態に限定されるものではない。
即ち、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記の説明ではなく、特許請求の範囲によって示される。また、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９２】
１：有機ＥＬデバイス、２：基材、３：有機ＥＬ素子、４：識別記号、１０：識別記号形成装置、２０：洗浄部、３０：蒸着部、４０：蒸着部、５０：積層部、７０：有機ＥＬ素子形成装置、８３：処理条件取得装置、８４：検査装置、８５：裁断前検査装置、８７：バーンイン試験装置、８８：輝度及び色度測定装置、８９：寿命評価装置、９０：輝度及び色度ムラ評価装置、９１：設定変更装置、９３：裁断装置、９５：検査結果取得装置、１００：製造設備
【図１】
2017004724.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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