【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動的光デバイスと、光検出器とが単一の基板に集積化され、光検出器が能動的光デバイスの出力をモニタリングするよう適合されている、デバイスであって、
前記デバイスは、半導体基板と、光学的能動領域と、光閉じ込め構造と、光検出器構造とを含んでおり、
前記光学的能動領域は、前記半導体基板に形成され、該光学的能動領域上に第１の電気的端子を備えており、これにより、該光学的能動領域内で光子の放出及び／または光子の変調を生じさせ、
前記光閉じ込め構造は、該デバイスを通り、かつ、前記光学的能動領域を通る主要光路を実質上画定し、
前記光検出器構造は、前記半導体基板に形成され、第２の電気的端子を備えており、前記第２の電気的端子は、前記第１の電気的端子から偏位して配置され、実質上、前記第１の電気的端子から電気的に分離され、かつ、前記主要光路の一部分上にあり、これにより、前記放出光子により生じたキャリアを受け、
更に、前記光路内に少なくとも１つのバンドギャップ偏移領域を備えており、
前記バンドギャップ偏移領域は、前記光学的能動領域よりも大きなバンドギャップを有し、
前記第２の電気的端子は、少なくとも部分的に、前記バンドギャップ偏移領域上に配置されている、
デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記光閉じ込め構造は、リニアである、
デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記光閉じ込め構造は、非分岐である、
デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記光閉じ込め構造は、単一の光学モードを有する、
デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記第２の電気的端子は、前記半導体基板上において、前記主要光路の軸から横方向に偏位して配置されている、
デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載されたデバイスであって、
前記第２の電気的端子は、前記半導体基板上において、前記主要光路の軸の真上に配置され、かつ、前記第１の電気的端子から長手方向に間隔を隔てて配置されている、
デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載されたデバイスであって、前記光路の各端部にバンドギャップ偏移領域を備えているデバイス。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載されたデバイスであって、
前記光閉じ込め構造は、リッジ導波路を含む、
デバイス。
【請求項９】
請求項１または７に記載されたデバイスであって、
前記バンドギャップ偏移領域は、相互拡散法を用いて形成される、
デバイス。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかに記載されたデバイスであって、
前記能動的光デバイスは、レーザー装置であり、
前記光閉じ込め構造は、該光閉じ込め構造の一端にミラーを備えており、前記ミラーは、９５％よりも実質上高い反射係数を有する、
デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたデバイスであって、
前記ミラーは、９９．９％以上の反射係数を有する、
デバイス。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れかに記載されたデバイスであって、更に、電気的分離構造を備えており、
前記電気的分離構造は、前記第１の電気的端子と前記第２の電気的端子との間に配置されている、
デバイス。
【請求項１３】
能動的光デバイスと、光検出器とが単一の基板に集積化され、光検出器が能動的光デバイスの出力をモニタリングするよう適合されている、デバイスであって、
前記デバイスは、半導体基板と、光学的能動領域と、非分岐の光閉じ込め構造と、光検出器構造とを含んでおり、
前記光学的能動領域は、前記半導体基板に形成され、該光学的能動領域上に第１の電気的端子を備えており、
前記非分岐の光閉じ込め構造は、該デバイスを通り、かつ、前記光学的能動領域を通る主要光路を実質上画定し、
前記光検出器構造は、前記半導体基板に形成され、第２の電気的端子を備えており、前記第２の電気的端子は、前記第１の電気的端子から偏位して配置され、前記第１の電気的端子から電気的に分離されており、これにより、前記光学的能動領域内の光子により生じたキャリアを受け、
更に、前記光路内に少なくとも１つのバンドギャップ偏移領域を備えており、
前記バンドギャップ偏移領域は、前記光学的能動領域よりも大きなバンドギャップを有し、
前記第２の電気的端子は、少なくとも部分的に、前記バンドギャップ偏移領域上に配置されている、
デバイス。
【請求項１４】
能動的光デバイスと、特徴的端子とが単一の基板に集積化されたデバイスであって、特徴的端子により、該デバイスにおける所定程度のバンドギャップ偏移を検出できるデバイスであり、
前記デバイスは、半導体基板と、光学的能動領域と、バンドギャップ偏移領域と、特徴的端子とを含んでおり、
前記光学的能動領域は、前記半導体基板に形成されており、第１のバンドギャップを有する半導体媒体を含んでおり、該光学的能動領域上に第１の電気的端子を備えており、これにより、該光学的能動領域内で光子の放出及び／または光子の変調を生じさせ、
前記バンドギャップ偏移領域は、前記半導体基板に形成されており、前記第１のバンドギャップから変移された第２のバンドギャップを有する半導体媒体を含んでおり、
前記特徴的端子は、前記半導体基板上に形成され、前記第１の電気的端子から偏位して配置され、かつ、実質上、前記第１の電気的端子から電気的に分離されており、前記特徴的端子の少なくとも一部分が、前記バンドギャップ偏移領域上にある、
デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載されたデバイスであって、
前記特徴的端子は、その全体が前記バンドギャップ偏移領域上にある、
デバイス。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載されたデバイスであって、
前記特徴的端子は、前記第１の電気的端子から横方向に偏位して配置されている、
デバイス。
【請求項１７】
請求項１４、１５または１６に記載されたデバイスであって、
前記特徴的端子は、前記能動的光デバイスの出力面に隣り合うように配置されている、
デバイス。
【請求項１８】
半導体媒体の第１の領域と、半導体媒体の第２の領域との間に生じるバンドギャップ偏移の程度を判定する方法であって、
光デバイスであって、第１の領域と、第２の領域とを含み、第１の領域では半導体媒体が第１のバンドギャップを有し、第２の領域では半導体媒体が前記第１のバンドギャップから変移された第２のバンドギャップを有する光デバイスを、基板上に形成するステップと、
前記光デバイスを動作させるための第１の端子を、前記第１の領域に形成するステップと、
少なくとも部分的に前記第２の領域上にある第２の端子を、形成するステップと、
電気的なバイアスを前記第２の端子に与え、これにより、少なくとも前記第２のバンドギャップの大きさを示すエレクトロルミネセンス信号を、半導体媒体に生じさせるステップとを含む
方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載された方法であって、
前記第２の端子は、前記第１の領域の一部分及び前記第２の領域の一部分の上に形成され、
生じるエレクトロルミネセンス信号は、前記第１のバンドギャップの大きさと、前記第２のバンドギャップの大きさとの差を示す、
方法。
【請求項２０】
半導体媒体の第１の領域と、半導体媒体の第２の領域との間に生じるバンドギャップ偏移の程度を判定する方法であって、
光デバイスであって、第１の領域と、第２の領域とを含み、第１の領域では半導体媒体が第１のバンドギャップを有し、第２の領域では半導体媒体が前記第１のバンドギャップから変移された第２のバンドギャップを有する光デバイスを、基板上に形成するステップと、
前記光デバイスを動作させるための第１の端子を、前記第１の領域に形成するステップと、
少なくとも部分的に前記第２の領域上にある第２の端子を、形成するステップと、
前記第２の領域を光学的に励起し、これにより、半導体媒体にエレクトロルミネセンスを生じさせるステップと、
電気的なバイアスを前記第２の端子に与え、これにより、少なくとも前記第２のバンドギャップの大きさを示す光検出電流を得るステップとを含む
方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載された方法であって、
前記第２の端子は、前記第１の領域の一部分及び前記第２の領域の一部分の上に形成され、
生じる光検出電流は、前記第１のバンドギャップの大きさと、前記第２のバンドギャップの大きさとの差を示す、
方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、１つの態様として、次の構成が提供される。
能動的光デバイスと、光検出器とが単一の基板に集積化され、光検出器が能動的光デバイスの出力をモニタリングするよう適合されている、デバイスであって、
前記デバイスは、半導体基板と、光学的能動領域と、光閉じ込め構造と、光検出器構造とを含んでおり、
前記光学的能動領域は、前記半導体基板に形成され、該光学的能動領域上に第１の電気的端子(first electrical contact)を備えており、これにより、該光学的能動領域内で光子(photons)の放出及び／または光子の変調(modulation)を生じさせ、
前記光閉じ込め構造は、該デバイスを通り、かつ、前記光学的能動領域を通る主要光路(principal optical path)を実質上画定し、
前記光検出器構造は、前記半導体基板に形成され、第２の電気的端子を備えており、前記第２の電気的端子は、前記第１の電気的端子から偏位して配置され、実質上、前記第１の電気的端子から電気的に分離(electrically isolated)され、かつ、前記主要光路の一部分上にあり(overlying a part of)、これにより、前記放出光子(said emitted photons)により生じたキャリアを受け、
更に、前記光路内に少なくとも１つのバンドギャップ偏移領域を備えており、
前記バンドギャップ偏移領域は、前記光学的能動領域よりも大きなバンドギャップを有し、
前記第２の電気的端子は、少なくとも部分的に、前記バンドギャップ偏移領域上に配置されている、
デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明では、もう１つの態様として、次の構成が提供される。
能動的光デバイスと、光検出器とが単一の基板に集積化され、光検出器が能動的光デバイスの出力をモニタリングするよう適合されている、デバイスであって、
前記デバイスは、半導体基板と、光学的能動領域と、非分岐の光閉じ込め構造と、光検出器構造とを含んでおり、
前記光学的能動領域は、前記半導体基板に形成され、該光学的能動領域上に第１の電気的端子を備えており、
前記非分岐の光閉じ込め構造は、該デバイスを通り、かつ、前記光学的能動領域を通る主要光路を実質上画定し、
前記光検出器構造は、前記半導体基板に形成され、第２の電気的端子を備えており、前記第２の電気的端子は、前記第１の電気的端子から偏位して配置され、前記第１の電気的端子から電気的に分離されており、これにより、前記光学的能動領域内の光子により生じたキャリアを受け、
更に、前記光路内に少なくとも１つのバンドギャップ偏移領域を備えており、
前記バンドギャップ偏移領域は、前記光学的能動領域よりも大きなバンドギャップを有し、
前記第２の電気的端子は、少なくとも部分的に、前記バンドギャップ偏移領域上に配置されている、
デバイス。