【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、上側パッケージは、裏返しにされ、且つ、前記上側及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されるマルチパッケージモジュール。
【請求項２】
裏返しにされ、第一パッケージの上に積み重ねられた第二パッケージを有し、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを備え、前記第二パッケージの基板及び前記第一パッケージの基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記第一パッケージは、ボールグリッドアレイパッケージであるマルチパッケージモジュール。
【請求項３】
第一パッケージの上に積み重ねられる裏返しにされた第二パッケージを有し、該積み重ねられたパッケージは、ワイヤボンドにより電気的に相互接続され、前記パッケージの少なくとも一つは、電気シールドを備えるマルチパッケージモジュール。
【請求項４】
積み重ねられた第一及び第二パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、前記第二パッケージは、裏返しにされ、第一及び第二の基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記第一パッケージは、上向きダイ構造のフリップチップを有するフリップチップボールグリッドアレイパッケージを備えるマルチパッケージモジュール。
【請求項５】
積み重ねられた第一及び第二パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、前記第二パッケージは、裏返しにされ、前記第一及び第二基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記第一パッケージは、下向きダイ構造のフリップチップを有するフリップチップボールグリッドアレイパッケージを備えるマルチパッケージモジュール。
【請求項６】
積み重ねられた下側及び上側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、第二パッケージは、裏返しにされ、且つ、前記上側及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記パッケージの少なくともいずれか一つは、積み重ねられたダイを有するパッケージを備えるマルチパッケージモジュール。
【請求項７】
積み重ねられた上側及び下側パッケージを備え、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイを有し、前記第二パッケージは、裏返しにされ、前記上側及び下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記裏返しにされた第二パッケージは、バンプチップキャリアパッケージを備えるマルチパッケージモジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のマルチパッケージモジュールを備えるコンピュータ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のマルチパッケージモジュールを備える家庭用電化製品。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のマルチパッケージモジュールを備える携帯通信機器。
【請求項１１】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
第一パッケージ基板の上に少なくとも一つのダイを含む第一パッケージを供給し、
第二パッケージ基板の上に少なくとも一つのダイを含む裏返しにされた第二パッケージを前記第一パッケージの上に配置し、
前記第一及び第二基板間においてワイヤボンドＺ軸相互接続を形成するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１２】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
第一パッケージ基板を備えるボールグリッドアレイ第一パッケージを供給し、
第二パッケージ基板を備える第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、裏返しにされた第二パッケージを第一パッケージの上に積み重ね、
前記第一及び第二基板をワイヤボンド接続することにより、前記第一及び第二パッケージを電気的に相互接続するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１３】
第一パッケージの上に積み重ねられた第二パッケージを備えるマルチパッケージモジュールの形成方法であって、
シールドを有する第一パッケージを供給し、
第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、裏返しにされた第二パッケージを前記シールドの略平坦な上側表面に積み重ね、
前記第一及び第二パッケージをワイヤボンドにより電気的に相互接続するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１４】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
第一パッケージ基板を有する上向きダイフリップチップ第一パッケージを供給し、
ダイ及び第二パッケージ基板を有する第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、裏返しにされた第二パッケージを前記第一パッケージの上に積み重ね、
前記第一パッケージ基板と第二パッケージ基板とをワイヤボンド接続することにより、前記第一及び第二パッケージを電気的に相互接続するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１５】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
第一パッケージ基板を有する下向きダイフリップチップ第一パッケージを供給し、
ダイ及び第二パッケージ基板を有する第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、裏返しにされた第二パッケージを前記第一パッケージの
上に積み重ね、
前記第一パッケージ基板と第二パッケージ基板とをワイヤボンド接続することにより、前記第一及び第二パッケージを電気的に相互接続するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１６】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
積み重ねられたダイを有する第一パッケージを供給し、
第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、第二パッケージを第一パッケージの上に積み重ね、
ワイヤボンディングにより前記第一パッケージ及び第二パッケージ間の電気的相互接続を形成するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【請求項１７】
マルチパッケージモジュールの形成方法であって、
積み重ねられたダイを有する第一パッケージを供給し、
バンプチップキャリアの第二パッケージを供給し、
前記第二パッケージを裏返し、第二パッケージを第一パッケージの上に積み重ね、
ワイヤボンディングにより前記第一パッケージ及び第二パッケージ間の電気的相互接続を形成するマルチパッケージモジュールの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１Ｂは、ＢＧＡの構造を説明する断面図であり、該ＢＧＡは、モールド１１７がダイ及びワイヤボンドだけでなく、基板をも完全にカバーすることを除き、図１Ａに示されたＢＧＡ１１と概ね同様である。図１Ｂのモールドの構造は、モールドコンパウンドを多くのＢＧＡのアレイの上に施し、モールドを硬化させ、それから、カプセル化されたパッケージを、例えばソー（のこぎり）シンギュレーション（singulation；個片化）により分離することによって形成される。一般に、そのようなパッケージ中のモールドは、パッケージの端部に垂直の壁を有する。そのようなパッケージでは、図１ＡのようなＢＧＡとは異なり、基板１２の上側わずかな部分も露出せず、従って、電気のトレースが基板の上側表面の上に露出しない。多くの小さなパッケージ、ここではソーシンギュレートされた（saw singulated；個々に分割された、個片化された）パッケージは、しばしば“チップスケールパッケージ”と称される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図４は、４０で一様に示された既知の２−スタックに折り畳まれたフレキシブル基板ＭＰＭの例の構造を説明する断面図である。図４の構造のボトムパッケージは、ダイが小さなビームを介して基板の第一金属層にボンドされる二層の金属層のフレキシブル基板を有する。ボトムパッケージ基板の第二金属層は、マザーボード（図示しない）などの下にある回路との接続のために、はんだボールを有する。基板は、パッケージの頂部を超えて折り曲げるのに十分大きく、従って、トップパッケージのはんだボールの配列によって（以下に例示するように）トップパッケージに接続可能なように電気的相互接続ラインが上向きになる。ダイの周りとダイと上で折り畳まれた基板の間の空間は、保護と剛性を与えるためにカプセル４７化される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
特に、図８Ｂを参照すると、マルチパッケージモジュール８２のボトムＢＧＡパッケージ３００は、（例えば銅などの）金属のヒートスプレッダーを備えており、該ヒートスプレッダーは、ダイを取り囲み、さらに、下側ＢＧＡのダイからの電磁放射を電気的に封じ込めるための電気シールドとして機能し、その結果、上側パッケージのダイとの干渉を予防する。ヒートスプレッダーの下側平坦部３０４は、基板３４２の上で脚若しくは側壁３０５によって支持される。接着剤の点又は線３０６は、ボトムパッケージ基板の下側表面にヒートスプレッダー支持体３０５を取り付ける役目を果たす。接着剤は、導電性の接着剤とすることができ、そして、基板３４２の下側金属層３５３、特に、回路のグラウンド層に、電気的に接続されることができ、その結果、電気シールドとしてのヒートスプレッダーを確立する。また、接着剤は、導電性を有しない接着剤とすることができ、かかる構成においては、ヒートスプレッダーは、熱拡散装置としてのみ機能する。代わりに、上方を向くボトムパッケージダイを取り囲んでいるシールドは、はんだボールがモジュールの取り付けの間に接続をするためにリフローされるのと同時に、プリント基板（又は、モジュール用の他の設置面）に、はんだ付けされるか、接着剤を用いて取り付けられ得る。かかる配置は、熱伝達のためのさらなるパスを提供することができ、ある適用例で要望され得るように、取り付けボードにさらにシールドの電気的な接続を提供することができる。ヒートスプレッダーの支持部３０５及び下側平坦部３０４は、ダイ３４４を取り囲み、処理操作を容易にするため、周囲や機械的なストレスから、特に、次に行われるＭＰＭのアセンブリ前のテストの間、これらの構造を保護する役目をする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
上向きダイ構造におけるボトムパッケージ基板の上側表面は、いずれの部分も、ボトムパッケージダイによって占められないので、複数のトップパッケージは、ボトムパッケージ上側表面の複数のパッケージ取り付け領域の上に積み重ねることができる。これは図８Ｄの例示によって説明される。図８Ｄは、本発明の側面に従う、図８Ａ（“上向きダイ”構造の中で設置されたフリップチップ）に概ね例示するようなボトムパッケージの下側表面に取り付けられたプロセッサユニットを有する、一様に８６で示すマルチパッケージモジュールと、ボトムパッケージ基板の上側面に取り付けられた複数の裏返しにされたＬＧＡパッケージとの実施形態の断面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
本発明によると、本発明のマルチパッケージモジュールの中のトップパッケージ又はボトムパッケージのいずれかか、若しくは、それら両方ともが、二つ以上の積み重ねられたチップを含むことができる。図９Ａ及び図９Ｂは、下側ＢＧＡパッケージ４９０及び裏返しにされた上側ＬＧＡパッケージ５９０のそれぞれが二つの積み重ねられたダイを有する本発明の具体例９０，９２を例示する。この例における各パッケージの中の積み重ねられたダイは、それらの各基板にワイヤボンドされ、積み重ねられたダイを有するパッケージの技術において周知のように、隣接するダイは、スペーサーによって隔てられる。十分に理解されるように、他のダイ相互接続を含む他の積み重ねられたダイ構造を有するパッケージは、並んだ複数のダイ配置と同様に、本発明に従うマルチパッケージモジュールの中で用いることができる。特に図９Ａに関して、ボトムパッケージ４９０は、スペーサー４９３によって隔てられた積み重ねられたダイ４９２及び４９４を有し、裏返しにされたトップパッケージ５９０は、スペーサー５９３によって隔てられた積み重ねられたダイ５９２及び５９４を有する。トップ及びボトムパッケージの間のＺ軸相互接続は、トップ及びボトムパッケージ基板の上を向く表面を（順方向若しくは逆方向のいずれのボンディング方法においても）接続するワイヤボンド５９８によって形成される。裏返しにされたトップパッケージ５９０は、接着剤５９５を用いて、ボトムパッケージ４９０の上に取り付けられる。モジュールカプセル体９０７は、ボトムパッケージ基板の上のモジュールの一部を取り囲む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
本出願は、いずれも２００３年８月８日に提出された次の出願；“裏返しにされた第二のパッケージを有するマルチパッケージモジュールを積み重ねた半導体”米国出願番号１０／６８１，５７２、“ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージの上に積み重ねられた裏返しにされたランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）パッケージを有する半導体マルチパッケージモジュール”米国出願番号１０／６８１，７３５、“裏返しにされた第二のパッケージと第一のパッケージと電気的に遮蔽された第一パッケージとを有するマルチパッケージモジュール積み重ねた半導体”米国出願番号１０／６８１，８３３、“下向きダイのフリップチップボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージの上に積み重ねられた第二のパッケージを有する半導体マルチパッケージモジュール”米国出願番号１０／６８１，５８３、“上向きダイのフリップチップボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージの上に積み重ねられ裏返しにされた第二のパッケージを有する半導体マルチパッケージモジュール”米国出願番号１０／６８１，７４７、“裏返しにされた第二のパッケージを有し、さらなるダイ又は第二のパッケージの上に積み重ねられたパッケージを含む半導体マルチパッケージモジュール”米国出願番号１０／６８１，５８４、“裏返しにされたバンプチップキャリアの第二パッケージを有する半導体マルチパッケージモジュール”米国出願番号１０／６８１，７３４、に関係し、いずれも参照することによりここに組み込まれる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ｂ】
2006502596.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ】
2006502596.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｂ】
2006502596.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｃ】
2006502596.tif 000004
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｂ】
2006502596.tif 000005