【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高純度コバルトのスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットが500ppmより多くない酸素、200ppmより多くないNi含量、それぞれ50ppmより多くないFe、Al及びCr含量、0.5ppmより多くないNa含量、0.5ppmより多くないK含量を含み、かつ該スパッタリングターゲットが該ターゲットの表面に平行な方向における17より小さい透磁率を有する、高純度コバルトのスパッタリングターゲット。
【請求項２】  コバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)が0.5より小さい、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】  コバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)が0である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】  200ppmより多くないNi含量及び50ppmより多くないCr含量を含み、ターゲットのコバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)が0.5より小さい、コバルトスパッタリングターゲット。
【請求項５】  ほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直方向から0〜20°の間で傾斜している、請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】  ほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直方向から20〜45°の間で傾斜している、請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】  コバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)が0である、請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項８】  ほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直方向から0〜20°の間で傾斜している、請求項７に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項９】  ほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直方向から20〜45°の間で傾斜している、請求項７に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１０】  以下の工程を含む、コバルトスパッタリングターゲットを製造する方法；
a)200ppmより多くないNi含量及び50ppmより多くないCr含量を有するコバルトのインゴットを製造する工程；
b)コバルトのインゴットのhcp転移温度より高い温度で該コバルトインゴットを熱間処理する工程；
c)熱間処理したコバルトインゴットを5％より小さくない厚さの減少を伴う冷間処理する工程、ここで該冷間処理はコバルトのインゴットのhcp転移温度より低い温度で行われる。
【請求項１１】  コバルトのインゴットの製造工程が真空キャスチング法又はe−線溶融法のいずれか一方又は双方を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  熱間処理を750〜900℃の温度で行い、かつ冷間処理を300〜422℃の温度で行う、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  複数の冷間処理工程をコバルトのhcp転移温度より低い温度で行い、冷間処理工程の間において中間的な焼き戻しを行い、該中間的な焼き戻しがコバルトのhcp転移温度より低い温度で行われる、請求項１０に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
光学的な容量を測定することによってコバルトのhcp相に対するfcc相の比を得ることは実際上困難である。X−線回折ピークの強さの比を考慮することが工業において一般的になってきたが、これは二相の容量の比に対応するものである。比に使用されるピークはfcc相の(200)及びhcp相の(10 1(上バー)1)ピークである。これらのピークを選択するのは、強力なfcc(111)ピーク及びhcp(0002)回折ピークで重複するからである。
発明者らは高純度コバルトスパッターターゲットの製造方法を開発し、この方法はhcp相のX−線回折ピークの強度に対するfcc相のX−線回折ピークの強度の比率に特徴があり、この比率は常用の方法で処理した高純度コバルトスパッターターゲットよりかなり小さい。本発明の方法は、fcc単一相を有する常用の高純度コバルト材料をそれが溶融するまで加熱する工程、次いでそれを金型に注入する工程及びそれを高温から放冷する工程を含む。この工程はどのような利用可能な溶融手段によっても実施することができる。しかしながら、真空キャスチング法、例えば真空誘導溶融炉（vacuum induction melting furnace）、又はe−線炉（e-beam furnace）を使用することが好ましい。得られたキャストインゴットを次いで室温まで冷却する。そうする代わりに、インゴットを熱間処理する。次いでインゴットを室温まで冷却して、fcc単一相を、hcp相を含むマルテンサイト組織に転移する。次いで、本発明の第二段階において、大部分のfcc相といくらかのhcp相を含む得られた生成物のコバルト材料を冷間処理するが、これによって、hcp転移温度（422℃）より低い温度において、厚さの減少が5％より少なくない結果を得ることが好ましい。冷間処理の結果、圧縮ひずみがコバルト材料に付与され、存在するfcc相の一部がhcp相を含むマルテンサイト組織に転移する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
すべての常用の冷間圧延法、例えば回転、引き出し、スエージング（swaging）、鍛造又は通常のプレス処理を本発明で使用することができる。厚さの減少が10％又はそれより大きくなるまで高純度コバルトを冷間処理することが好ましい。減少を大きくするために、中間で300〜422℃の温度範囲において数時間焼き戻しを行うと、コバルトに行われる冷間処理を実質的に多く（40〜60％）することができることを、本発明者らは見いだした。このような中間的な焼き戻しをしないと、冷延性の限界が20〜25％となることを、本発明者らは見いだした。先に述べた方法で製造した高純度コバルトのX−線回折ピーク強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)は、常法で処理した高純度コバルトと比較して非常に小さい。約10％又はそれより大きい冷間変形を受けた高純度コバルトには、材料中に検出可能なfcc相は存在せず、この場合、強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)は約ゼロとなることを本発明者は見いだした。
コバルトの二つの結晶相は磁気特性において異方性であり、好ましい磁化の方向を有している(1)、図１。先に述べた変形メカニズムによってhcpプリズム軸<0001>がターゲットの垂直から0〜45°の間で傾斜している場合、ターゲットは高いPTF及び良好なスパッタリング特性を有することとなる。  図２は、<0001>hcpプリズム軸<0001>が0〜10°傾斜した(0002)極点図を示す図式であり、図３は、hcpプリズム軸が20〜40°傾斜した(0002)極点図の図式である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
【表１】
表１  高純度コバルト試料の組成
組成（ppm）
2001514325.tif 000001
各試料の強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)をCuKα照射で測定した。試験の結果を表２に示す。このデータは、強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 1(上バー)1)について、本発明に従って処理した試料（試料2〜7）の低い値に比べて常法で処理した試料（試料1）は0.52という値を有していることを示している。試料4、5、6及び7において、比が約ゼロとなるように製造したために、fcc相は検出されなかった。各試料の透磁率及び保磁力を、標準B−Hループ計測値から誘導した。これらの値を、試料表面と平行（x−方向）及び試料表面に垂直（z−方向）の二つの方向において測定した。これらの測定値のz／x比を、磁気的異方性の強度及び方向を表すのに使用する。このz／xの値は透磁率の比と定義される。