Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月16日(2006.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるタイプのメディアコンテンツを用いて動作するシステムであって、ユーザが第１タイプの第１コンテンツを用いることを可能にするように備えられたシステムであり：
前記ユーザが第２タイプの第２コンテンツを同時に用いることを確認する確認手段であって、前記第２コンテンツは前記第１コンテンツと関係していない、確認手段；及び
前記第２コンテンツを前記第１コンテンツと関連付ける関連付け手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記の関連付けられた第１コンテンツ及び第２コンテンツに関連する情報を有するメタデータを記憶するように備えられた記憶手段を更に有する、ことを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記コンテンツを選択するように備えられた選択手段を更に有する、ことを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のシステムであって、前記選択手段は、前記の関連付けられた第２コンテンツの選択のときに前記第１コンテンツを確認し、及び／又は前記メタデータに記憶された前記情報を用いて、前記の関連付けられた第１コンテンツの選択のときに前記第２コンテンツを確認するように更に備えられている、ことを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムであって、前記選択手段は、前記選択手段を用いて、前記の関連付けられた第１コンテンツ及び第２コンテンツの一のユーザ操作可能選択のとき前記の関連付けられた第１コンテンツ又は第２コンテンツを推薦するための推薦器として機能するように更に備えられている、ことを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステムであって、前記の関連付けられた第２コンテンツ及び第１コンテンツを同時に出力するように備えられた出力手段を更に有する、ことを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項２又は３に記載のシステムであって、前記選択手段は前記メタデータをユーザが操作可能にして修正するように更に備えられている、ことを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、前記確認手段は、第２タイプ又は他のタイプの第３コンテンツのユーザによる使用を確認するように備えられており、前記使用は前記第１コンテンツの前記のユーザによる使用と同時的であり、前記第３コンテンツは前記第１コンテンツと関連していない、システムであり、前記関連付け手段は前記第３コンテンツと前記第１コンテンツとを関連付けるように備えられ、前記システムは、前記第１コンテンツの前記第２コンテンツ及び／又は前記第３コンテンツの前記関連付けをレーティングするように備えられたレーティング手段を更に有する、ことを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、複数の装置を有し、各々の装置は、前記メディアコンテンツの少なくとも１つのタイプを出力するように備えられた出力手段及び／又は前記メディアコンテンツの少なくとも１つのタイプを得るように備えられた入力手段を有する、ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれ一項に記載のシステムであって、前記第１コンテンツ及び前記第２コンテンツは映像コンテンツ及び音声コンテンツに対応する、ことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
メディアコンテンツの異なるタイプを用いて操作する方法であって、第１タイプの第１コンテンツのユーザによる使用を確認する段階を有する方法であり：
前記ユーザが第２タイプの第２コンテンツを同時に用いることを確認する段階であって、前記第２コンテンツは前記第１コンテンツと関係していない、段階；及び
前記第２コンテンツを前記第１コンテンツと関連付ける段階；
を有することを特徴とする方法。
【請求項１２】
コンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムを実行するとき、プログラム可能装置が請求項１に記載のシステムとして機能することを可能にするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1オブジェクト及び第２オブジェクトを有するグラフィカル・ユーザ・インタフェース・ディスプレイにおいてオブジェクトを移動するための方法であって、
ａ）第1オブジェクトに関する第1の予め定められた座標位置が、第２オブジェクトに関する第２の予め定められた座標位置と実質的に同一場所に配置されるように、第２オブジェクトに対して第1オブジェクトを位置付けるステップと、
ｂ）移動の経路を決定するステップと、
ｃ）前記移動の間、第１オブジェクトが第２オブジェクトと、実質的に同一場所に配置されることを維持するように、前記決定された経路に従って第１オブジェクト及び第２オブジェクトを移動するステップと、
ｄ）第２オブジェクトに対する第１オブジェクトの位置を変えるステップと、
ｅ）移動を終了するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
複数の予め定められた座標位置が第２オブジェクトに関連し、該座標位置が第２オブジェクトの境界を構成する方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記境界が第２オブジェクトの状況依存領域を取り囲む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
第２オブジェクトは複数のオブジェクトの１つであり、該複数のオブジェクトは、単一のオブジェクトとして移動されるように関連する方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
第１オブジェクトはデータを有し、該データは、少なくとも部分的には、前記移動の経路を決定するために使用される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
第１オブジェクトは方向付け可能なグラフィックシンボルを有し、該方向は、少なくとも部分的には、前記移動の経路を決定するために使用される方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
予め定められた規則が、少なくとも部分的には、前記移動の経路を決定するために使用される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記移動の経路は、第２オブジェクトの基準座標と第２オブジェクトに関する第２の予め定められた座標位置とを有する直線として決定される方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記移動の経路は第２オブジェクトの基準座標を含む方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の方法であって、
第２オブジェクトの前記基準座標が、ウィンドウズ（登録商標）グラフィカル・ユーザ・インタフェースに従って決められる第２オブジェクトの原点である方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかの方法を実行するソフトウェアを有する記録担体。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の方法を実行するソフトウェア。
【請求項１３】
データプロセッサを含むコンピュータ装置であって、
前記データプロセッサは、請求項１２に記載のソフトウェアによって、該プロセッサの動作を指示されるコンピュータ装置。
【請求項１４】
グラフィカル・ユーザ・インタフェースディスプレイを生成し、該グラフィカル・ユーザ・インタフェースディスプレイにおけるオブジェクトのユーザ指示による動作に対応する装置であって、
ａ）位置データを出力する、ユーザ操作されるポインティング・デバイスと、
ｂ）前記ユーザ操作されるポインティング・デバイスから位置データを受け取る入力ポートと、
ｃ）ディスプレイと、
ｄ）ＣＰＵ、及びプログラムとデータのための記憶装置を有するデータ処理装置と、
を有し、
前記入力ポート、ディスプレイ及びデータ処理装置は、データバスにより相互接続されている装置において、
前記データ処理装置が、
I）前記ディスプレイ上のグラフィカル・ユーザ・インタフェースを表し、
II）前記グラフィカル・ユーザ・インタフェースディスプレイ内でカーソルアイコンであって、ナビゲーションオブジェクト及びポインティングオブジェクトを有する該カーソルアイコンを表し、
III）位置データを読み、及びデコードし、
IV）前記位置データに基づいて前記カーソルアイコンの前記ポインティングオブジェクトを位置付け、
V）前記ナビゲーションオブジェクトに対する前記ポインティングオブジェクトの前記位置付けに従って、グラフィカル・ユーザ・インタフェースディスプレイ内で経路に沿って、前記カーソルアイコンを移動する
装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の装置であって、
前記カーソルアイコンが更に、
グラフィカル・ユーザ・インタフェースディスプレイにおける前記カーソルアイコンの現在の座標位置示す位置オブジェクトを有する装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置であって、
前記カーソルアイコンが更に、少なくとも１つの選択オブジェクトを有する装置において、該オブジェクトは、グラフィカル・ユーザ・インタフェースアプリケーションの状況依存領域によって認識可能な、予め定められた機能をエミュレートし、
前記カーソルアイコンが、前記位置オブジェクトによって示される状況依存領域に重ねて位置付けられる際に、前記ポインティングオブジェクトが前記予め定められた機能を引き出すために、前記選択オブジェクトに重ねて位置付けられる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニタアドレスを示す関連するアドレスオペランドを有する第１命令を有する第１スレッドを含む複数のスレッドを実行する複数の実行手段と、
前記第１スレッドの実行をサスペンドするサスペンド手段と、
前記モニタアドレスへのメモリアクセスに応答して前記第１スレッドを再開させるモニタ手段とを有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】
請求項１記載のプロセッサであって、前記メモリアクセスが前記メモリアドレスへの実際的または潜在的書き込みを示す場合にのみ、前記モニタ手段は前記メモリアクセスに応答して再開させることを特徴とするプロセッサ。
【請求項３】
請求項１または２記載のプロセッサであって、さらに、
前記メモリアクセス以外のイベントに応答して前記第１スレッドを再開させるイベント検出論理を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項４】
請求項１乃至３何れか一項記載のプロセッサであって、前記関連するアドレスオペランドは所定のレジスタに格納された非明示的オペランドであることを特徴とするプロセッサ。
【請求項５】
請求項１乃至４何れか一項記載のプロセッサであって、前記サスペンド手段は第２命令に応答して前記第１スレッドの実行をサスペンドし、前記第１命令は前記モニタ手段をイネーブル状態にし、前記第２命令は前記モニタ手段により合図されるイベントを表面化することを特徴とするプロセッサ。
【請求項６】
請求項１乃至５何れか一項記載のプロセッサであって、さらに、
コヒーレンシー領域内のキャッシュが変更または排他的状態において前記モニタアドレスにおける情報を格納しないことを保証するコヒーレンシー手段を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項７】
請求項１乃至６何れか一項記載のプロセッサであって、さらに、
前記モニタアドレスへの書き込み処理を該書き込み処理を配信することなく他のエージェントが実行することを回避するよう該プロセッサにバスサイクルを生成させる手段を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項８】
請求項１乃至７何れか一項記載のプロセッサであって、さらに、
他のバスエージェントによる前記モニタアドレスの情報の読み出しに応答してヒット信号をアサートする手段を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項９】
請求項１乃至８何れか一項記載のプロセッサであって、さらに、
前記関連するアドレスオペランドを物理的アドレスである前記モニタアドレスに変換するアドレス変換論理を有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項１０】
請求項１乃至９何れか一項記載のプロセッサであって、さらに、
複数のスレッドがアクティブ状態であるとき、前記複数のスレッドの各アクティブ状態のスレッドに各分割可能リソースの一部を提供するよう分割される複数の分割可能リソースを有し、
前記サスペンド手段は前記第１スレッドの実行のサスペンドに応答して、前記第１スレッドに提供された前記複数の区画の何れかを放棄し、前記モニタ手段は前記モニタアドレスへのメモリアクセスに応答して前記第１スレッドの実行を受け入れるよう前記複数の分割可能リソースを再分割させることを特徴とするプロセッサ。
【請求項１１】
請求項１０記載のプロセッサであって、さらに、
前記複数のスレッドの何れにも利用可能であり、複数の実行手段と、キャッシュと、スケジューラとを有する複数の共有リソースと、
前記複数のスレッドのそれぞれに対して複製され、複数のプロセッサ状態変数と、命令ポインタとを有する複数の複製リソースとを有し、
前記分割可能リソースは、命令キューと、リオーダーバッファと、レジスタプールと、複数のストアバッファとを有することを特徴とするプロセッサ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１何れか一項記載のプロセッサと、
前記複数のスレッドに対する命令を格納するメモリとを有することを特徴とするシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載のシステムであって、さらに、
マルチスレッドオペレーティングシステムと、
マルチメディアインタフェースとを有することを特徴とするシステム。
【請求項１４】
実行の第１スレッドにおいてモニタアドレスを示す関連するアドレスオペランドを有する第１オペコードを受信するステップと、
前記第１スレッドをサスペンドするステップと、
前記モニタアドレスへのメモリアクセスを検出するステップと、
前記モニタアドレスへのメモリアクセスの検出に応答して前記第１スレッドを再開するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、前記第１スレッドのサスペンドは、該第１スレッドにおいて第２命令を受信し、該第２命令に応答して前記第１スレッドをサスペンドすることからなることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５記載の方法であって、前記メモリアクセスを検出するステップは、外部バス処理からサイクル情報を受信し、前記モニタアドレスへの書き込みを検出することからなることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６何れか一項記載の方法であって、さらに、
前記モニタアドレスへのメモリアクセス以外のイベントに応答して前記第１スレッドを再開するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７何れか一項記載の方法であって、さらに、
前記第１オペコードに関するリニアアドレスを物理的アドレスに変換するステップと、
他のバスエージェントが前記物理的アドレスを読み出す場合ヒットを合図するステップとを有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバと、
基板を処理するために前記処理チャンバ内部のプロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にする電源と、
前記処理チャンバ内で基板を支持する基板支持体であって、上面を有する基板支持体と、
前記基板支持体を囲む上部リングであって、基板が前記基板支持体上に配置されるときに前記基板の下に延びる部分を有する上部リングと、
前記基板支持体を囲む結合リングであって、前記結合リングの高さを調節し前記上部リングと前記基板との間のギャップを調節するために、第２のリングに対して回転可能な第１のリングを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記結合リングは、前記上部リングの下に配置され、前記基板の下面と前記第２のリングに対する前記第１のリングの回転によって前記基板の下に延びる前記上部リングの前記部分の上面との間の距離を調節するように動作することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記上部リングは、ホットエッジリングであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２のリングは、複数の階段状の表面を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記結合リングは、
前記リングの軸に平行な方向に前記リングから延びる少なくとも３つの突起部を有する第１のリングと、
前記少なくとも３つの突起部の各々を受けるように構成された少なくとも３セットの複数のステップを有する第２のリングと、
を備え、前記第１、第２のリングの厚さの合計は、前記第２のリングに対する前記第１のリングの回転によって調整可能であることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ステップは、それぞれ約０.００１インチの高さを有することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記基板支持体は、静電チャックを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
プラズマ処理装置中の基板とエッジリングとの間のギャップを調節するための調整機構であって、
第１のリングであって、前記第１のリングの軸に平行な方向に前記第１のリングから延びる少なくとも３つの突起部を有する第１のリングと、
前記少なくとも３つの突起部の各々を受けるように構成された少なくとも３セットの複数のステップを有する第２のリングと、
を備え、前記第１、第２のリングの厚さの合計は、前記第２のリングに対する前記第１のリングの回転によって調整可能であることを特徴とする調整機構。
【請求項９】
前記ステップは、それぞれ約０.００１インチの高さを有することを特徴とする請求項８に記載の調整機構。
【請求項１０】
プラズマ処理システム中の基板支持体上のポリマーの堆積を減少させる方法であって、
プラズマ処理装置中の基板とエッジリングとの間のギャップを調節するための請求項８に記載の調整機構を準備する工程と、
前記調整機構の前記第２のリングに対して前記第１のリングを回転させることによって前記基板と前記エッジリングとの間の前記ギャップを調節する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記エッジリングは、ホットエッジリングであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記調整機構は、フォーカスリングと前記ホットエッジリングとの間に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１、第２のリングは、石英から作られていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１、第２のリングは、石英から作られていることを特徴とする請求項８に記載の調整機構。
【請求項１５】
前記基板支持体は、ＲＦパワーが供給されるチャックを備え、
前記上部リング及び前記結合リングは、前記基板が前記基板支持体上に配置されたときに、前記装置内に生成されたプラズマに前記基板を通してＲＦ結合を向けるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２のリングのステップの各セットが段階的なステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のリングは、前記第２のリングと接触していることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のリングは、一定の高さの突起部を有し、
前記第２のリングは、高さが段階的に変化するステップを有することを特徴とする請求項８に記載の調整機構。
【請求項１９】
前記第１のリングは、前記第２のリングと接触していることを特徴とする請求項８に記載の調整機構。
【請求項２０】
前記第１のリングは、前記第２のリングに対して手動で回転するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の調整機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は、静電チャック１４'と、フォーカスリング１６’、結合リング４０及びホットエッジリング４２を含む周辺リングの外側部分の拡大断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ホットエッジリング１０８は、調整可能なＲＦ結合リング１０６の上に被せられる。ホットエッジリング１０８は、静電チャック１０２を囲む犠牲エッジリング（sacrificial edge ring）である。ホットエッジリング１０８は、基板処理中に熱くなりやすい取替え可能な部品であるため、ホットエッジリングと呼ぶ。ホットエッジリング１０８は、ＳｉＣ、シリコン等の伝導性の電極材料又は石英等の誘電体材料から作られうる。エッジリング材料を変更することによって、プラズマを通した結合の度合は、処理基板の外側部分において所望の局所的な「エッジ」エッチング速度を提供するように調整されうる。ＳｉＣは、より低い容量性インピーダンスを有し、シリコンよりも速いエッジエッチング速度を一般に作り出す。石英及び他の誘電体は、エッジエッチング速度に対する影響がより少ない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）エラストマーポリマー結合剤と、
（ｂ）前記結合剤中に分散された電気導電性希釈剤と、
（ｃ）前記結合剤中に分散された複数の電気化学的活性な金属粒子と、
（ｄ）前記粒子、前記電気導電性希釈剤、および前記結合剤の間の接着力を促進する定着剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）と、
を含むアノード組成物。
【請求項２】
（ａ）フルオロエラストマー結合剤と、
（ｂ）前記結合剤中に分散された電気導電性希釈剤と、
（ｃ）前記結合剤中に分散された複数の電気化学的活性な金属粒子と、
を含むアノード組成物であって、
前記粒子が、（ｉ）アノード組成物がリチウム電池に混入されて周囲温度において少なくとも１回の全充電−放電サイクルにかけられる時に非晶質のままである、周囲温度において非晶質混合物の形態の少なくとも１つの電気化学的不活性な金属および少なくとも１つの電気化学的活性な金属と、（ｉｉ）前記粒子の各々を部分的に覆う電気導電層と、から本質的に成り、
前記粒子が、前記粒子、前記電気導電性希釈剤、および前記結合剤の間の接着力を促進する定着剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）で処理された表面を有する、アノード組成物。
【請求項３】
（Ａ）
（ａ）エラストマーポリマー結合剤と、
（ｂ）前記結合剤中に分散された電気導電性希釈剤と、
（ｃ）前記結合剤中に分散された複数の電気化学的活性な金属粒子と、
（ｄ）前記粒子と、前記電気導電性希釈剤と、前記結合剤との間の接着力を促進する定着剤と、
を含むアノードと、
（Ｂ）カソードと、
（Ｃ）前記アノードと前記カソードとを隔てる電解質と、
を含むリチウムイオン電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの書き込み可能な層と少なくとも２つの欠陥管理領域とを有する光ディスクであって：
前記の少なくとも２つの欠陥管理領域の第１の一は、第１の径方向位置に前記の少なくとも２つの書き込み可能な層の第１の一に位置決めされていて；
前記の少なくとも２つの欠陥管理領域の第２の一は、前記の第１の径方向位置とは異なる第２の径方向位置に前記の少なくとも２つの書き込み可能な層の第２の一に位置決めされている；
ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項２】
請求項１に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって、前記の少なくとも２つの欠陥管理領域の前記第１の一の前記の径方向の位置において、他の欠陥管理領域は位置決めされていない、ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項３】
請求項１に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって、前記の少なくとも２つの欠陥管理領域は、前記ディスクの径方向位置に対して一様に広がっている、ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって、
１つの欠陥管理領域は前記の少なくとも２つの書き込み可能な層の各々の一に位置決めされている、ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項５】
請求項１に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって、前記の第１の径方向位置は前記ディスクの内側であり、前記の第２の径方向位置は前記ディスクの外側である、ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項６】
請求項１に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって；
前記の第１の径方向位置は前記ディスクの内側であり；
前記の少なくとも２つの欠陥管理領域の第３の一は前記ディスクの外側に対応する径方向位置における書き込み可能な層の前記の第１の一において存在し、前記の第２の径方向位置は前記の第１の径方向位置と前記の第３の径方向位置との間にある；
ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項７】
請求項１に記載の少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスクであって：
複数の前記の少なくとも２つの欠陥管理領域は、複数の異なる一様に分布した第１の径方向位置の第１の層において位置決めされ；
複数の前記の少なくとも２つの欠陥管理領域は、複数の異なる一様に分布した第２の径方向位置の第２の層において位置決めされ；
前記の第１の径方向と前記の第２の径方向は径方向において連続する検出管理領域間で実質的に等しい径方向距離を得るように選択される；
ことを特徴とする少なくとも２つの欠陥管理領域を有する光ディスク。
【請求項８】
異なる径方向位置において少なくとも２つの書き込み可能な層の異なる層に位置決めされた少なくとも２つの欠陥管理領域と前記の少なくとも２つの書き込み可能な層とを有する光ディスクにアクセスするための装置であって：
前記光ディスクの方に方向付けられた光ビームを生成するため、及び回転している間に前記光ディスクにより反射された反射光ビームを受けるための光要素；並びに
前記の２つの書き込み可能な層の一に前記光ビームをフォーカシングするためのフォーカス回路；
を有することを特徴とする装置。
【請求項９】
少なくとも２つの書き込み可能な層を有する光ディスクにおいて欠陥管理領域を位置決めする方法であって、異なる放射方向位置において少なくとも２つの書き込み可能な層の異なる層に少なくとも２つの欠陥管理領域を位置決めする段階を有することを特徴とする欠陥管理領域を位置決めする方法。
【請求項１０】
情報を記録するためのコンピュータプログラムであって、前記プログラムは、処理器が請求項９に記載の方法を実行するようにするために有効である、ことを特徴とする
コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月3日(2006.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを形成する方法であって、
工作物を提供することと、
前記工作物の上にＩＬＤ（レベル間誘電体）層を被着させることと、
前記ＩＬＤ層中に、前記ＩＬＤ層の範囲内で第１の深さを有する第１パターンを形成することと、
前記ＩＬＤ層中に、前記ＩＬＤ層の範囲内で前記第１の深さよりも深い第２の深さを有する第２パターンを形成することと、
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンの上に、第１導電層を配設することと、
前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの上に、第２導電層を配設することと、
少なくとも前記第２導電層の上に第１誘電体層を配設することと、
前記第１誘電体層の上に、第３導電層を配設することとを含み、前記第２パターンの上の前記第２導電層、第１誘電体層、および第３導電層が、第１のＭＩＭキャパシタが形成する、方法。
【請求項２】
第１パターンを形成することが、メタライゼーション層中に複数の導電ライン用のパターンを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２パターンを形成することが、ビア層中にＭＩＭキャパシタ用のパターンを形成することを含み、前記第２パターンを形成することが、導電ラインの下の前記ビア層中に少なくとも１つのビアを形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１パターンを形成することおよび第２パターンを形成することが、デュアル・ダマシン・プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンの上に第１導電層を配設することが、
前記ＩＬＤ層の上にフォトレジストを形成することと、
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンの上から前記フォトレジストを除去することと、
前記第１導電層を被着させることとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの上に第２導電層を配設する前に、前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの上から前記フォトレジストを除去することをさらに含み、前記第２導電層を配設することが、前記第１パターンの上に前記第２導電層を配設することを含み、前記第１誘電体層を配設することが、前記第１パターンの上に前記第１誘電体層を配設することを含み、前記第３導電層を配設することが、前記第１パターンの上に前記第３導電層を配設することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ＣＭＰ（化学機械研磨）プロセスを利用して、前記ＩＬＤ層の上面の上から、前記第１導電層、第２導電層、第１誘電体層、および第３導電層を除去することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＩＬＤ層の上にフォトレジストを形成する前に、前記ＩＬＤ層の上に第４導電層を配設することと、
前記第１導電層を被着させる前に、前記ＩＬＤ層の少なくとも前記第２パターンの上に第２誘電体層を配設することとをさらに含み、前記第２パターンの上の前記第４導電層、第２誘電体層、および第２導電層が、第２のＭＩＭキャパシタを形成する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ＣＭＰ（化学機械研磨）プロセスを利用して、前記ＩＬＤ層の上面の上から、前記第４導電層、第２誘電体層、第１導電層、第２導電層、第１誘電体層、および第３導電層を除去することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第４導電層が導電バリア・ライナを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第４導電層がシード層をさらに含み、第１導電層を配設することが、前記シード層の上に前記第１導電層を電気メッキすることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のＭＩＭキャパシタと前記第２のＭＩＭキャパシタが並列に接続されるように、前記第３導電層を前記第４導電層に結合することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタであって、
工作物と、
前記工作物の上に被着させたＩＬＤ（レベル間誘電体）層とを備え、前記ＩＬＤ層が、第１の深さの第１パターンと、前記第１の深さよりも深い第２の深さの第２パターンとを含み、前記ＭＩＭキャパシタがさらに、
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンの上に配設した第１導電層と、
前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの上に配設した第２導電層と、
前記第２導電層の上に配設した第１誘電体層と、
前記第１誘電体層の上に配設した第３導電層とを備え、前記ＩＬＤ層の第２パターンの上の前記第２導電層、第１誘電体層、および第３導電層が、第１のＭＩＭキャパシタを形成する、ＭＩＭキャパシタ。
【請求項１４】
前記第１のＭＩＭキャパシタの少なくとも一部が、前記ＩＬＤ層のビア層中に存在する、請求項１３に記載のＭＩＭキャパシタ。
【請求項１５】
前記ＩＬＤ層の第１パターンおよび前記ＩＬＤ層の第２パターンが、デュアル・ダマシン・プロセスで形成される、請求項１３に記載のＭＩＭキャパシタ。
【請求項１６】
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンおよび前記第２パターンの上に配設した第４導電層と、
前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの前記第２導電層と前記第４導電層の間に配設した第２誘電体層とをさらに備え、前記第２パターンの上の前記第４導電層、第２誘電体層、および第２導電層が、第２のＭＩＭキャパシタを形成する、請求項１３に記載のＭＩＭキャパシタ。
【請求項１７】
前記第４導電層が、下にある導電ラインに結合する、請求項１６に記載のＭＩＭキャパシタ。
【請求項１８】
前記ＩＬＤ層の前記第１パターンおよび前記第２パターンの上に配設した少なくとも１つの第５導電層と、
前記ＩＬＤ層の前記第２パターンの上に配設した少なくとも１つの第３誘電体層とをさらに備え、前記第２パターンの上の前記少なくとも１つの第５導電層、前記少なくとも１つの第３誘電体層、および下にある第４または第５導電層が、少なくとも第３のＭＩＭキャパシタを形成する、請求項１６に記載のＭＩＭキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの抵抗状態を有するメモリ（１０）であって、
メモリセル（１４）と、
第１基準メモリセル（２８）と、
基準電圧選択回路であって、第１基準電圧が印加される第１入力と、第２基準電圧が印加される第２入力と、制御信号（ＴＥＳＴ）が印加される第３入力と、前記第１基準電圧または第２基準電圧のうちの一方を前記制御信号に基づいて供給する出力とを有する基準電圧選択回路（１８）と、
第１導電型の第１トランジスタであって、前記メモリセルに接続される第１電流電極と、第２電流電極と、前記基準電圧選択回路（１８）の出力に接続され、前記第１基準電圧または第２基準電圧のうちの一方が印加される制御電極とを有する第１導電型の第１トランジスタ（１６）と、
第２導電型の第２トランジスタであって、前記第１トランジスタの第２電流電極に接続される第１電流電極と、第１電圧端子に接続される第２電流電極と、制御電極とを有する第２導電型の第２トランジスタ（２０）と、
第１導電型の第３トランジスタであって、前記第１基準メモリセルに接続される第１電流電極と、前記第１基準電圧が印加されるように接続される制御電極と、第２電流電極とを有する第１導電型の第３トランジスタ（２６）と、
第２導電型の第４トランジスタであって、前記第３トランジスタの第２電流電極に接続される第１電流電極と、前記第４トランジスタの第１電流電極及び前記第２トランジスタの制御電極に接続される制御電極と、前記第１電圧端子に接続される第２電流電極とを有する第２導電型の第４トランジスタ（２２）と、を備え、
前記基準電圧選択回路（１８）は、前記第２基準電圧値を選択的に変更して、前記第１トランジスタ（１６）の制御電極に供給するための変更済み第２基準電圧値を生成するメモリ。
【請求項２】
請求項１記載のメモリは、更に、
第２基準メモリセル（９４）と、
第１導電型の第５トランジスタであって、前記第２基準メモリセルに、かつ、前記第３トランジスタの第１電流電極に接続される第１電流電極と、前記第３トランジスタの制御電極に接続される制御電極と、第２電流電極とを有する第１導電型の第５トランジスタ（９２）と、
第２導電型の第６トランジスタであって、前記第５トランジスタの第２電流電極に接続される第１電流電極と、前記第４トランジスタの制御電極に接続される制御電極と、前記第１電圧端子に接続される第２電流電極とを有する第２導電型の第６トランジスタ（８４）と、を備えるメモリ。
【請求項３】
少なくとも２つの抵抗状態を有するメモリ（１０）をテストする方法であって、前記メモリは、前記少なくとも２つの抵抗状態のうちのいずれかの抵抗状態に書込み可能な一つのメモリセル（１４）と、第１トランジスタであって、前記メモリセルに接続される第１電流電極と、電圧端子に接続される第２電流電極と、制御電極とを有する第１トランジスタ（１６）と、所定の抵抗値に書き込まれる基準メモリセル（２８）と、第２トランジスタであって、前記基準メモリセルに接続される第１電流電極と、前記電圧端子に接続される第２電流電極と、制御電極とを有する第２トランジスタ（２６）と、を含み、
前記少なくとも２つの抵抗状態のうちの第１抵抗状態を前記メモリセル（１４）に書き込むこと、
第１基準電圧値を前記第２トランジスタ（２６）の制御電極に供給し、前記第１基準電圧値とは異なる第２基準電圧値を前記第１トランジスタ（１６）の制御電極に供給すること、
前記第１基準電圧値及び第２基準電圧値を供給した後に、前記メモリセル（１４）が前記少なくとも２つの抵抗状態のうちの第１抵抗状態に書き込まれているかどうかを判定すること、を備え、方法は更に、
前記第２基準電圧値を変更して変更済み第２基準電圧値を生成すること、
前記第１基準電圧値とは異なる前記変更済み第２基準電圧値を前記第１トランジスタ（１６）の制御電極に供給すること、
前記変更済み第２基準電圧値を供給した後に、前記メモリセル（１４）が前記少なくとも２つの抵抗状態のうちの第１抵抗状態に書き込まれているかどうかを判定することを備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法は更に、
前記少なくとも２つの抵抗状態のうちの第２抵抗状態を前記メモリセル（１４）に書き込むこと、
前記第１基準電圧値を前記第２トランジスタ（２６）の制御電極に供給すること、
前記第１及び第２基準電圧値とは異なる第３基準電圧値を前記第１トランジスタ（１６）の制御電極に供給すること、
前記第１及び第３基準電圧値を供給した後に、前記メモリセル（１４）が前記少なくとも２つの抵抗状態のうちの第２抵抗状態に書き込まれているかどうかを判定することを、備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域を備えたハイブリッド構造体において、
ａ．前記第１領域は、選択的に検索可能なデータを、該データの次々の量子の第１トラックに記憶し、該記憶されたデータの各量子は、前記ハイブリッド構造体において、細長い顕微鏡的な三次元の主特徴部により表わされ、該主特徴部は、前記第１トラックに沿った第１の長手方向寸法と、該第１の長手方向寸法に直角で且つ第１平面内でそれと同一平面である第１の横断方向寸法と、前記第１平面に直角な第１の垂直方向寸法とを有し、
ｂ．前記第２領域は、第２トラックを備え、該第２トラックは、第２の長手方向寸法と、該第２の長手方向寸法に直角で且つ第２平面内でそれと同一平面である第２の横断方向寸法と、前記第２平面に直角な第２の垂直方向寸法とを有し、前記第２の横断方向寸法及び前記第２の垂直方向寸法は、各々、その程度が顕微鏡的であり、
ｃ．前記第２の横断方向寸法の程度は、前記第１の横断方向寸法の程度を越えると共に、前記第１の垂直方向寸法の程度は、前記第２の垂直方向寸法の程度を越える、
というように構成されたハイブリッド構造体。
【請求項２】
第１領域及び第２領域を備えた親のハイブリッドディスク構造体において、
ａ．前記第１領域は、選択的に検索可能なデータを、該データの次々の量子の第１トラックに記憶し、該記憶されたデータの各量子は、前記ハイブリッド構造体において、前記第１トラックの細長い顕微鏡的な三次元の主特徴部により表わされ、該主特徴部は、前記第１トラックに沿った第１の長手方向寸法と、該第１の長手方向寸法に直角で且つ第１平面内でその第１の長手方向寸法と同一平面である第１の横断方向寸法と、前記第１平面に直角な第１の垂直方向寸法とを有し、
ｂ．前記第２領域は、第２トラックを備え、該第２トラックは、第２の長手方向寸法と、該第２の長手方向寸法に直角で且つ第２平面内でその第２の長手方向寸法と同一平面である第２の横断方向寸法と、前記第２平面に直角な第２の垂直方向寸法とを有し、前記第２の横断方向寸法及び前記第２の垂直方向寸法は、各々、その程度が顕微鏡的であり、
ｃ．前記第２の横断方向寸法の程度は、前記第１の横断方向寸法の程度より大きく、
ｄ．前記第１の垂直方向寸法の程度は、前記第２の垂直方向寸法の程度より大きく、
ｅ．前記親構造体は、そこから最終的なハイブリッド構造体を製造できるように構成され、この最終的なハイブリッド構造体は、
（１）対応する主特徴部により表わされたデータの量子を各々表わす二次特徴部であって、該データは、前記最終的なハイブリッド構造体から選択的に検索できるものであるような二次特徴部と、
（２）更に別のデータの量子を表わす三次特徴部を選択的に記録できると共に、前記更に別のデータを選択的に検索できるところのガイドトラックと、
を含むものである親のハイブリッドディスク構造体。
【請求項３】
第１領域及び第２領域を備えたハイブリッド構造体の製造方法であって、前記第１領域は、選択的に検索可能なデータを、該データの次々の量子の第１トラックに記憶し、該記憶されたデータの各量子は、前記ハイブリッド構造体において、細長い顕微鏡的な三次元の主特徴部により表わされ、該主特徴部は、前記第１トラックに沿った第１の長手方向寸法と、該第１の長手方向寸法に直角で且つ第１平面内でそれと同一平面である第１の横断方向寸法と、前記第１平面に直角な第１の垂直方向寸法とを有し、前記第２領域は、第２トラックを備え、該第２トラックは、第２の長手方向寸法と、該第２の長手方向寸法に直角で且つ第２平面内でそれと同一平面である第２の横断方向寸法と、前記第２平面に直角な第２の垂直方向寸法とを有し、前記横断方向及び垂直方向寸法は、各々、その程度が顕微鏡的であり、前記第２の横断方向寸法の程度は、前記第１の横断方向寸法の程度より大きく、そして前記第１の垂直方向寸法の程度は、前記第２の垂直方向寸法の程度より大きく、前記方法は、
ａ．前記主特徴部及び前記第２トラックを課すことのできる構造体を用意するステップと、
ｂ．第１及び第２の光学的手段を設けるステップと、
ｃ．前記主特徴部を前記第１光学的手段により前記ハイブリッド構造体に課するようにするステップと、
ｄ．前記第２トラックを前記第２光学的手段により前記ハイブリッド構造体に課するようにするステップと、
を備えた方法。
【請求項４】
第１領域及び第２領域を備えたハイブリッド構造体の製造装置であって、前記第１領域は、選択的に検索可能なデータを、該データの次々の量子の第１トラックに記憶し、該記憶されたデータの各量子は、前記ハイブリッド構造体において、細長い顕微鏡的な三次元の主特徴部により表わされ、該主特徴部は、前記第１トラックに沿った第１の長手方向寸法と、該第１の長手方向寸法に直角で且つ第１平面内でそれと同一平面である第１の横断方向寸法と、前記第１平面に直角な第１の垂直方向寸法とを有し、前記第２領域は、第２トラックを備え、該第２トラックは、第２の長手方向寸法と、該第２の長手方向寸法に直角で且つ第２平面内でそれと同一平面である第２の横断方向寸法と、前記第２平面に直角な第２の垂直方向寸法とを有し、前記横断方向及び垂直方向寸法は、各々、その程度が顕微鏡的であり、前記第２の横断方向寸法の程度は、前記第１の横断方向寸法の程度より大きく、そして前記第１の垂直方向寸法の程度は、前記第２の垂直方向寸法の程度より大きくされた装置において、
ａ．前記主特徴部及び前記第２トラックを課すことのできる構造体と、
ｂ．第１及び第２の光学的手段と、
ｃ．前記主特徴部を前記第１の光学的手段により前記ハイブリッド構造体に課するようにする手段と、
ｄ．前記第２トラックを前記第２の光学的手段により前記ハイブリッド構造体に課するようにする手段と、
を備えた装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月19日(2006.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリデバイスにおけるリンクモジュールのチェーンにＮ個のデータ項目を蓄積する方法において、
（ａ）インバータまたはラッチのいずれかとして動作するように各々制御可能な少なくともＮ個のリンクモジュールを含むチェーンを設けるステップと、
（ｂ）前記Ｎ個のデータ項目を第１のリンクモジュールとは反対側の端部から前記チェーンにシリアルに入力するステップと、
（ｃ）前記第１のリンクモジュールがラッチとして動作し、かつ全ての介在するリンクモジュールがインバータとして動作するように前記第１のリンクモジュールおよび全ての介在するリンクモジュールを制御しているときに、前記第１のマスタリンクモジュールに第１のデータ項目をラッチするステップと、
（ｄ）次のリンクモジュールがラッチとして動作し、かつ全ての介在するリンクモジュールがインバータとして動作するように前記次のリンクモジュールおよび全ての介在するリンクモジュールを制御しているときに、前記次のリンクモジュールに次のデータ項目をラッチするステップと、
（ｅ）Ｎ個のデータ項目の全てが前記チェーンにモジュールされるまでステップ（ｄ）を反復するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
不揮発性メモリデバイスにおけるリンクモジュールのチェーンに蓄積されているＮ個のデータ項目を読み出す方法において、各リンクモジュールはインバータまたはラッチのいずれかとして動作するように制御可能であり、前記方法は、
（ａ）全てのリンクモジュールがラッチとして動作するように全てのリンクモジュールを制御しているときに、前記第１のリンクモジュールから開始して前記第１のリンクモジュールに蓄積される第１のデータ項目を前記チェーンから読み出すステップと、
（ｂ）前もって読み出されていたリンクモジュールがインバータとして動作し、かつまだ読み出されていないリンクモジュールがラッチとして動作するようにこれらのリンクモジュールを制御しているときに、次のリンクモジュールに蓄積される次のデータ項目を読み出すステップと、
（ｃ）Ｎ個のデータ項目の全てが読み出されるまでステップ（ｂ）を反復するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
個々のデータ項目が読み出されるときに、前記個々のデータ項目を選択的に反転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記チェーンは、さらに２個以上のチェーンに区分されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月26日(2006.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）記録媒体のデータ領域内に欠陥領域が存在するかどうかを検出するステップと、
（ｂ）欠陥領域が検出されると、欠陥領域に記録されているデータを少くとも１つのスペア領域の代替領域に記録するステップと、
（ｃ）前記欠陥領域に関わる欠陥管理情報を記録媒体の少くとも１つの欠陥管理領域に記録するステップと
とから構成され、上記記録媒体上の少くとも１つの欠陥管理領域は記録媒体のデータ領域内の少くとも１つのスペア領域の一部であることを特徴とするデータ領域を含む１回だけ記録可能な記録媒体における欠陥領域の管理方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、（ｄ）データの記録動作中に、データ領域内の記録領域上にデータのクラスタを記録するステップであって、前記それぞれのデータのクラスタは、記録領域内の複数のクラスタのいずれかに記録されるステップを更に含み、
前記（ａ）ステップは、前記それぞれのクラスタ領域に対し、記録されたデータを検査し、前記検査した結果に基づき、当該クラスタが欠陥領域であるか否かを判断することを特徴とする管理方法。
【請求項３】
前記請求項２記載の方法において、（ｂ）ステップでは、仮に当該クラスタが欠陥領域であると判断されると、記録領域内の当該クラスタ内に記録されたデータをスペア領域内の代替クラスタに記録することを特徴とする管理方法。
【請求項４】
前記請求項３記載の方法において、（ｃ）ステップでは、データの記録動作によるステップ（ｂ）が完了した後、記録領域内の全ての欠陥領域に関わる欠陥管理情報を記録媒体上の少なくとも一つの欠陥管理領域に記録することを特徴とする管理方法。
【請求項５】
前記請求項１記載の（ｃ）ステップにおいて、欠陥管理情報は、複数の欠陥リストを含み、前記それぞれの欠陥リストは、データ領域内の複数の記録領域のいずれかに関わっていることを特徴とする欠陥領域の管理方法。
【請求項６】
請求項５において、前記それぞれの欠陥リストは、以前の欠陥リストと現在の欠陥リストを含む、累積的に記録された欠陥リストであることを特徴とする欠陥領域の管理方法。
【請求項７】
請求項１記載の前記少くとも１つのスペア領域は、データ領域の先頭に位置するインナー・スペア領域（ＩＳＡ）であるか、またはデータ領域の末尾に位置するアウター・スペア領域（ＯＳＡ）であることを特徴とする欠陥領域の管理方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記（ｃ）ステップにおいて、前記欠陥管理情報は、複数の欠陥リストを含み、それぞれの欠陥リストは、以前の欠陥リストと現在の欠陥リストを含む累積的な欠陥リストであることを特徴とする記録媒体における欠陥領域の管理方法。
【請求項９】
前記欠陥管理情報は、欠陥領域の位置情報とステップ（ｂ）において用いられたスペア領域内の代替領域の位置情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の記録媒体における欠陥領域の管理方法。
【請求項１０】
（ｅ）記録媒体のリードイン領域上にディスク定義構造（ＤＤＳ）情報を記録し、前記ディスク定義構造（ＤＤＳ）情報には、欠陥管理情報に関わる位置情報を記録するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の記録媒体における欠陥領域の管理方法。
【請求項１１】
前記記録媒体は、１回だけ記録可能なブルーレイディスク（ＢＤ−ＷＯ）であることを特徴とする請求項１に記載の１回だけ記録可能な記録媒体における欠陥領域の管理方法。
【請求項１２】
データ領域を含む記録層と、
データ領域の欠陥領域に書き込まれた代替書込みデータのためにデータ領域の内方および／又は外方部分に割当られた少くとも１つのスペア領域と、
欠陥領域と協働した欠陥リスト情報を書き込むために少くとも１つのスペア領域の一部分に割当られた欠陥管理領域と、
から成ることを特徴とする１回だけ記録可能な記録媒体。
【請求項１３】
少くとも１つのスペア領域を有するデータ領域を含む記録媒体上の欠陥領域を管理する装置であって、この装置は、
（ａ）上記記録媒体に／又はから書き込み／又は読み取りデータ用光学ピックアップと、
（ｂ）上記ピックアップと記録媒体との間を一定の距離を保つためにピックアップを制御し且つピックアップが記録媒体上のトラック上を移動するためのサーボ・ユニットと、
（ｃ）上記サーボ・ユニットとピックアップを制御し、記録媒体のデータ領域内の欠陥領域の存在を検知し、もし欠陥領域が検出されると欠陥領域に書き込まれたデータをスペア領域に書き込み且つ記録媒体のデータ領域内の少くとも１つのスペア領域の一部に割り当てられた少くとも１つの欠陥管理領域上に欠陥領域と関連する欠陥管理情報を書き込むコントローラと、
から構成されることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする方法であって、
第１のエッチング速度で、前記特徴部の第１の深度までエッチングする工程と、
前記第１のエッチング速度より遅い第２のエッチング速度で、前記第１の深度から第２の深度までエッチングする工程と、
前記第２の深度が前記所定の深度に達した時期を光学的に決定する工程と、
前記特徴部のエッチングを停止する工程と、
を備え、
前記ウェーハは、結晶シリコンウェーハであり、
前記特徴部は、前記結晶シリコンウェーハにエッチングされる方法。
【請求項２】
前記第１の深度までエッチングする工程は、前記特徴部の望ましい形状を形成する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の深度から前記第２の深度までエッチングする工程は、前記特徴部の前記望ましい形状を実質的に維持する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１のエッチング深度は、前記所定の深度の約６５乃至８５パーセントの範囲内である、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記特徴部は、トレンチである、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記方法は、浅いトレンチの分離のためのプロセスの一部である、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング深度は、前記方法の全体を通して光学的に決定される、請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
更に、前記第１の深度に達した時期を光学的に決定する工程を備える、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記エッチング速度は、エッチャントの組成を変化させることで変更される、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記層は、関連するエッチング停止インジケータを有していない、請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記層は、エッチング停止層を有していない、請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記光学的決定は、光学終点手法を使用して実施される、請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記光学終点手法は、干渉法終点及び広帯域反射率測定に基づく終点を含んだグループから選択される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は、リセスプロセスの一部である、請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
絶対所定の深度が光学的に決定される、請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
ウェーハのシリコン層において終点を有するトレンチをエッチングする方法であって、
第１のエッチング速度で結晶シリコンウェーハにエッチングする工程と、
前記第１のエッチング速度でのエッチングの後に、前記第１のエッチング速度より低い第２のエッチング速度で前記結晶シリコンウェーハにエッチングする工程と、
現在のエッチング深度を光学的に決定する工程と、
前記トレンチ深度が前記終点に達するようにエッチングを停止する工程と、
を備える方法。
【請求項１７】
第１の速度でエッチングする工程は、望ましいトレンチ形状を形成する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のエッチングでエッチングする工程は、前記望ましいエッチング形状を実質的に維持する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
エッチング速度を変化させる時期を光学的に決定する工程を備える、請求項１６ないし１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
ウェーハの層において所定の深度を有する特徴部をエッチングする装置であって、
前記ウェーハを保持するチャックを含むエッチングツールと、
前記エッチングツールに隣接し、エッチングされるべき前記特徴部のエッチング深度を測定するために位置決めされる光学終点デバイスと、
前記光学終点デバイス及びエッチングツールと通信し、前記所定の深度未満の第１のエッチング深度で前記エッチングツールのエッチング速度を低減させ、前記エッチング深度が前記所定の深度に達するように前記エッチングツールがエッチングするのを停止させるために構成された電子コントローラと、
を備える装置。