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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文脈サーチを実行するための規則プロセッサであって、
複数の入力ペイロード用のサーチ・レジスタと、
前記複数のサーチ・レジスタに連結されており、１つ又は複数のパターン・サーチを指定し、１つ又は複数のパターンを前記サーチ・レジスタのコンテンツに提示する１つ又は複数のサーチ命令の実行に呼応して、並列パターン照合により前記サーチ・レジスタの前記コンテンツに対して１つ又は複数の文脈サーチを実行するサーチ実行エンジンと
を含む規則プロセッサ。
【請求項２】
前記１つ又は複数のサーチ命令のフィールドが、前記複数のサーチ・レジスタと前記サーチ実行エンジンに連結された請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項３】
前記１つ又は複数のサーチ命令の少なくとも１つが、前記複数のサーチ・レジスタ内の前記コンテンツに対してサーチされるべきパターンと、０又はそれ以上のサーチパラメータとを指定する請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項４】
１つのパラメータが、前記パターンの部分集合を前記サーチ・レジスタ内の前記コンテンツに対してサーチできるようにするために、マスクされるべき前記パターンの部分を指定する請求項３に記載の規則プロセッサ。
【請求項５】
前記マスクされるべきパターンの前記部分が、前記パターン内の特定バイトをマスク・オフするようにマスク・ベクトルによって指定される請求項４に記載の規則プロセッサ。
【請求項６】
前記サーチ実行エンジンが、前記サーチ・レジスタ内の前記コンテンツのサーチに成功したことを示す少なくとも１つの結果出力を生成する請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの結果出力が、前記命令の少なくとも１つで指定されたパターンと、前記複数のサーチ・レジスタ内の前記コンテンツとの間で一致が生じた、前記複数のサーチ・レジスタ内の場所の指示を含む請求項４に記載の規則プロセッサ。
【請求項８】
少なくとも１つのサーチ命令が、前記サーチを制御するために使用するパラメータ又は前記サーチを制御するために前記パラメータを記憶するメモリ内へのポインタを指定する、フィールドを含む請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項９】
前記サーチ・レジスタ内のデータに適用されるべき１つ又は複数のサーチ命令を記憶するためのメモリをさらに含む請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項１０】
前記サーチ命令が、前記サーチ・レジスタ内の前記コンテンツで任意の長いパターンに対するサーチを前記サーチ実行エンジンに実行させる請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項１１】
１つ又は複数のサーチ命令を前記サーチ実行エンジンに適用するための命令シーケンサをさらに含む請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項１２】
前記サーチ実行エンジンが、
前記複数の入力ペイロード・サーチ・レジスタに連結されており、前記複数のサーチ・レジスタのコンテンツが複製され、記憶されるサーチ・アレイと、
１つ又は複数のサーチ命令によって指定された情報に呼応して、前記１つ又は複数のオペレーションを実行するために前記サーチ・アレイに連結されたソータと
を含む請求項１に記載の規則プロセッサ。
【請求項１３】
前記サーチ・アレイがＭ個の一致ラインを含み、前記Ｍ個の一致ラインのそれぞれが、前記サーチ・アレイに記憶された一群のデータに関連付けられており、前記１つ又は複数のサーチ命令の１つによって指定されたパターンが、前記サーチ・アレイに記憶された、それに関連付けられた一群のデータと一致するか否かを示す請求項１２に記載の規則プロセッサ。
【請求項１４】
前記ソータが、前記一致ラインの１つ又は複数が一致するか否かを示す第１の出力と、前記１つ又は複数のオペレーションを実行した結果を示す第２の出力とを有する請求項１２に記載の規則プロセッサ。
【請求項１５】
前記ソータが、
前記パターンと、前記サーチ・アレイの一方の側に関して前記サーチ・アレイに記憶されたデータとの間の一致の第１の発生に対応した前記Ｍ個の一致ラインに対応する、前記サーチ・アレイ内の場所を示すための、優先順位エンコーダをさらに含む請求項１２に記載の規則プロセッサ。
【請求項１６】
前記ソータが、
前記パターンと、前記サーチ・アレイの最上位側に関して前記サーチ・アレイに記憶されたデータとの間の一致の第１の発生に対応した前記Ｍ個の一致ラインに対応する、前記サーチ・アレイ内の場所を示すための昇順優先順位エンコーダと、
前記サーチ・アレイの末尾側に関して前記サーチ・アレイに記憶されたデータと前記パターンとの間の一致の第１の発生に対応した前記Ｍ個の一致ラインに対応する、前記サーチ・アレイ内の場所を示すための降順優先順位エンコーダと、
前記Ｍ個の一致ラインの範囲における一致数を特定するためのカウンタと、
前記昇順優先順位エンコーダ、前記降順優先順位エンコーダ、前記カウンタに連結されており、第１の出力を有し、前記昇順優先順位エンコーダ、前記降順優先順位エンコーダ、前記カウンタのいずれか１つの出力を前記ソータの前記第１の出力として選択するよう動作可能なセレクタと
をさらに含む請求項１２に記載の規則プロセッサ。
【請求項１７】
一組の入力ペイロード・サーチ・レジスタにコンテンツをロードするステップと、
前記サーチ・レジスタでサーチされるべきサーチ命令によって示されたパターンを提示するステップと、
前記パターンと前記サーチ・レジスタに記憶された前記コンテンツとの間でパターン照合を実行するステップと、
前記パターン照合を実行した結果の指示を出力するステップと
を含む処理。
【請求項１８】
前記サーチ・アレイの数行に関連付けられた複数の一致ラインを生成するステップであって、前記複数の一致ラインの一致ラインが、前記パターンと前記一致ラインに関連付けられた１行との間で一致が生じたか否かを示すステップと、
前記サーチ命令が指定する情報に応じて、少なくとも一組の前記一致ラインに対して前記１つ又は複数のオペレーションを実行するステップと、
前記一致ラインの１つ又は複数が、前記パターンと前記１つ又は複数のオペレーションを実行した結果と一致するか否かに関する指示を出力するステップと
をさらに含む請求項１７に記載の処理。
【請求項１９】
１行に対するデータが、シフトされた形式で隣接行に記憶されるように、データを記憶し、複製し、インタリーブするために、前記サーチ・レジスタをローディングするステップが実行される請求項１７に記載の処理。
【請求項２０】
コードを一連のサーチ命令に変換するステップと、
パターン照合が前記複数のサーチ命令のそれぞれに対して実行されるように、前記一連のサーチ命令を連続した周期で実行するステップと
をさらに含む請求項１７に記載の処理。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月24日(2006.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチ・パス処理技法を使用して自然言語理解（ＮＬＵ）トレーニング・テキスト・コーパスからＮＬＵ解釈情報を決定するステップであって、１つのパスを変更すると後続のパスに関する入力が自動的に変更され、前記ＮＬＵ解釈情報は前記ＮＬＵトレーニング・テキスト・コーパスの少なくとも一部の解釈を指定するものである、ＮＬＵ解釈情報を決定するステップと、
前記ＮＬＵ解釈情報をデータベース（２０５）内に格納するステップと、
グラフィカル・エディタ（３１０）内で、ＮＬＵ解釈情報の選択された項目（３３０）を提示するステップ、および前記ＮＬＵ解釈情報に対するユーザ指定の編集を受け取るステップであって、前記提示するステップが、
前記ＮＬＵ解釈情報を、データ項目を表す終端ノードおよび非終端ノードからなる意味ツリーとして提示するステップと、
前記意味ツリーの一部分が正しいかどうかを示す確率を決定するステップと、
前記確率が所定のしきい値確率を超えない場合、前記意味ツリーの前記部分を視覚的に識別するステップと、
をさらに有する、提示するステップおよび受け取るステップと、
を有する、自然言語理解（ＮＬＵ）アプリケーションを開発する方法。
【請求項２】
前記ＮＬＵ解釈情報からの前記意味ツリーの選択されたノードの交差を決定するステップと、
前記選択されたノードの交差を、追加のノードを前記意味ツリーに追加するための選択肢として提示するステップと、
前記意味ツリーの前記選択されたノードより上にノードを追加するステップであって、前記追加されるノードは前記選択肢から選択されるものである、ノードを追加するステップと、
をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ユーザ・コマンドに応答して、前記意味ツリーの追加ノードを作成するステップであって、前記ノードは追加のデータ項目を表すものである、追加ノードを作成するステップと、
前記ノードを記述に関連付けるステップと、
をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記意味ツリーのノードが選択され、前記方法は、
ユーザの要求に応答して、前記ノードおよび前記ノードのパラメータを表示するための複数の列を有するディクショナリ・ビューを表示するステップをさらに有し、前記ディクショナリ・ビューは、ハイライト表示されたノードによって表されるデータ項目を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
データ項目のディクショナリおよびテキスト解釈を指定するモデルからなるグループから選択された所定のＮＬＵ解釈情報に従って、前記意味ツリーを自動的に完了するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記自動的に完了するステップが、
前記データ項目のディクショナリからの単一のデータ項目が、前記ＮＬＵトレーニング・テキスト・コーパスの単語に関連付けられているかどうかを判定するステップと、
関連付けられている場合、前記データ項目を前記単語に自動的に割り当てるステップと、
を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記提示するステップが、文ビュー内に個々のテキスト句に関連する前記ＮＬＵ解釈情報を提示するステップをさらに有し、前記ＮＬＵ解釈情報は、注釈状況、句のカウント、指定された句の用法、句のコレクション情報、正確さの確率、および正確さのランクからなるグループから選択されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記提示するステップが、
前記ＮＬＵ解釈情報を複数の意味ツリーとして分割画面ビュー内に提示するステップをさらに有し、前記分割画面ビューは、少なくとも、第１の意味ツリーを表示するための第１のウィンドウと、第２の意味ツリーを表示するための第２のウィンドウを有するものである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のウィンドウに前記第１の意味ツリーを表示しながら、ユーザの要求に応答して前記第２のウィンドウに前記意味ツリーの異なるツリーを提示するステップをさらに有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項１から９のうちのいずれかに記載の方法の各ステップを実行させるためのコンピュータ・プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本明細書で開示された発明は、独立請求項に記載されたような自然言語理解（ＮＬＵ）アプリケーションを構築するための、方法、システム、およびマシン読取り可能ストレージに関する。具体的に言えば、本明細書で開示された発明は、統計モデルを構築するための総合開発ツールをユーザに提供することができる。本発明は、一連のテキスト・ファイル、テキスト・エディタ、およびキーボード・マクロを使用して、テキストのコーパスの解釈、意味、または構造を指定する解釈情報を指定するのではなく、データベースならびに多彩なグラフィック編集ツールおよび可聴ツールを利用して、解釈情報を指定することができる。本発明は、ユーザ編集の同期化およびラベル付け機能を含む本発明のデータベース機能により、特にネットワークまたはワークグループ環境での使用に好適なものとなっている。結果として、本発明はより多くの機能を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マークアップ言語文書のテキスト要素内の一つ以上の文字を編集するようにとのコンピュータシステムのユーザからの要求に応答して、該コンピュータシステムのブラウザにより表示されたマークアップ言語文書を編集するための方法であって、
前記ユーザにより要求された編集操作とは異なる前記一つ以上の文字の代用編集要求を生成すること、
前記代用編集要求に従って前記ブラウザに前記文書を修正させるために、前記ブラウザに代用編集要求を供給すること、
前記ブラウザによる修正の後に前記文書のオブジェクトモデルにアクセスすること、
前記ユーザ編集要求の目的を達成するために、前記修正されたオブジェクトモデルを編集することとを備える方法。
【請求項２】
前記ユーザ編集要求は、前記一つ以上の文字のフォントパラメータを変更するための要求である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ユーザ編集要求は、フォントサイズを変更するための要求である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記代用編集要求は、前記一つ以上の文字を所定の色で表示するための要求である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
全ての代用編集要求が同じタイプの編集操作を伴うように、全てのユーザ文書編集要求が変更される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記モデルを編集することは、前記代用編集要求に対応する前記修正されたモデルの少なくとも一部分を識別することと、その識別された少なくとも一部分を前記文書編集要求に対応する別の少なくとも一部分と置き換えることとを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
マークアップ言語文書のテキスト要素内の一つ以上の文字を編集するようにとのコンピュータシステムのユーザからの要求に応答して、該コンピュータシステムのブラウザによ
り表示されたマークアップ言語文書を編集するためのプログラムを内部に組み込んだコンピュータ可読媒体であって、前記プログラムは、
前記ユーザにより要求された編集操作とは異なる前記一つ以上の文字の代用編集要求を生成するように動作するプログラムコードと、
前記代用編集要求に従って前記ブラウザに前記文書を修正させるために、前記ブラウザに代用編集要求を供給するように動作するプログラムコードと、
前記ブラウザによる修正の後に前記文書のオブジェクトモデルにアクセスするように動作するプログラムコードと、
前記ユーザ編集要求の目的を達成するために、前記修正されたオブジェクトモデルを編集するように動作するプログラムコードとを備えるプログラム。
【請求項８】
コンピュータシステムのブラウザにおいて動作するように設定された文書編集プログラムであって、前記ブラウザは、マークアップ言語文書のオブジェクトモデルを生成する能力を有し、前記コンピュータシステムは、プロセッサ、編集される文書を前記コンピュータシステムのユーザに対して表示するためのディスプレイ装置、および前記プログラムにテキストおよびコマンドを供給するためのユーザのデータ入力装置を有しており、前記プログラムは、
マークアップ言語文書と、少なくとも一つのテキスト編集ツールと、ユーザが前記文書内に表示されるテキストを入力することが可能であるような、少なくとも一つのテキストボックスとを同時に表示するための手段と、
テキストボックス内の一つ以上のテキスト文字を編集するようにとのユーザからの要求に応答して、前記ユーザにより要求された編集操作とは異なる前記一つ以上の文字の代用編集要求に従って前記ブラウザに前記文書を修正させるために、前記ブラウザに該代用編集要求を供給する手段と、
前記ブラウザによる修正の後に前記文書のオブジェクトモデルにアクセスする手段と、
前記ユーザ編集要求の目的を達成するために、前記修正されたモデルを編集する手段とを備えるプログラム。
【請求項９】
コンピュータシステムのブラウザにおいて動作するように設定された文書編集プログラムを内部に組み込んだコンピュータ可読媒体であって、前記ブラウザは、マークアップ言語文書のオブジェクトモデルを生成する能力を有し、前記コンピュータシステムは、プロセッサ、編集される文書を前記コンピュータシステムのユーザに対して表示するためのディスプレイ装置、および前記プログラムにテキストおよびコマンドを供給するためのユーザのデータ入力装置を有しており、前記媒体は、
マークアップ言語文書と、少なくとも一つのテキスト編集ツールと、ユーザが前記文書内に表示されるテキストを入力することが可能であるような、少なくとも一つのテキストボックスとを同時に表示するためのプログラムコードと、
テキストボックス内の一つ以上のテキスト文字を編集するようにとのユーザからの要求に応答して、前記ユーザにより要求された編集操作とは異なる前記一つ以上の文字の代用編集要求に従ってブラウザに前記文書を修正させるために、前記ブラウザに該代用編集要求を供給するプログラムコードと、
前記ブラウザによる修正の後に前記文書のオブジェクトモデルにアクセスするプログラムコードと、
前記ユーザ編集要求の目的を達成するために、前記修正されたモデルを編集するプログラムコードとを備えるコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記ユーザ編集要求は前記一つ以上の文字のフォントパラメータを変更するための要求である、請求項７または９に記載の媒体。
【請求項１１】
前記代用編集要求は、前記一つ以上の文字を所定の色で表示するための要求である、請求項７または９に記載の媒体。
【請求項１２】
全ての代用編集要求が同じタイプの編集操作を伴うように、全てのユーザ
文書編集要求が変更される、請求項７または９に記載の媒体。
【請求項１３】
前記モデルを編集するプログラムコードは、前記代用編集要求に対応する前記修正されたモデルの少なくとも一部分を識別し、その識別された少なくとも一部分を前記文書編集要求に対応する別の少なくとも一部分と置き換えるプログラムコードを含む、請求項７または９に記載の媒体。
【請求項１４】
前記ユーザ編集要求は前記一つ以上の文字のフォントパラメータを変更するための要求である、請求項８に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記代用編集要求は、前記一つ以上の文字を所定の色で表示するための要求である、請求項８に記載のプログラム。
【請求項１６】
全ての代用編集要求が同じタイプの編集操作を伴うように、全てのユーザ文書編集要求が変更される、請求項８に記載のプログラム。
【請求項１７】
前記モデルを編集する手段は、前記代用編集要求に対応する前記修正されたモデルの少なくとも一部分を識別し、その識別された少なくとも一部分を前記文書編集要求に対応する別の少なくとも一部分と置き換える手段を含む、請求項８に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造過程にある製品（workpiece）上に部品を配置するためのピックアンドプレース機械であって、該ピックアンドプレース機械が、
前記部品を離脱可能に保持するための少なくとも１つのノズルを有する配置ヘッド、
前記配置ヘッドと前記製造過程にある製品との間の相対移動を発生するためのロボットシステム、
前記部品の配置前に、予定された配置場所の第１の観察の事前像を取得し、前記部品の配置後に、予定された配置場所の第１の観察の事後像を取得するように配置された第１の像取得装置、および
前記部品の配置前に、予定された配置場所の第２の観察の事前像を取得し、前記部品の配置後に、予定された配置場所の第２の観察の事後像を取得するように配置された第２の像取得装置からなり、
前記第１および第２の観察は、予定された配置場所の立体視検査を提供するために離れているピックアンドプレース機械。
【請求項２】
さらに、前記予定された配置場所上に構造照明を直射するように構成された構造照明からなり、前記第１および第２の像取得装置のうちの少なくとも１つが、部品の配置後に前記予定された配置場所の構造照明像を取得する請求項１の機械。
【請求項３】
さらに、前記予定された配置場所上に構造照明を直射するように構成された構造照明装置からなり、前記第１および第２の像取得装置のうちの少なくとも１つが、部品の配置前に前記予定された配置場所の構造照明の像を取得する請求項１の機械。
【請求項４】
ピックアンドプレース機械内で用いられるための像取得装置であって、
検出器アレイ、
予定された配置場所の面に関してある角度で当該予定された配置場所を観察するための光学的軸を有し、前記検出器アレイ上の前記予定された配置場所の像の焦点を合わせるように構成された光学系からなり、
前記検出器アレイが前記光学的軸に関してある角度で配置される像取得装置。
【請求項５】
ピックアンドプレース機械内の多数の像を捕らえる方法であって、その方法が
感光アレイのフォトサイトをリセットすること、
前記フォトサイト上で第１の像を捕らえること、
前記第１の像を前記アレイの非感光領域に転送すること、
前記第１の像を消去するために前記感光アレイの前記フォトサイトをリセットすること、および
前記第１の像が前記アレイの非感光領域から完全に読まれる前に、第２の像を捕らえるために制御された露出を生成することからなる方法。
【請求項６】
部品配置を確かめるために、ピックアンドプレース機械内の予定された配置場所の多数の像を処理する方法であって、その方法が、
予定された配置場所の配置前および後配置後の像を捕らえること、
前記配置前および配置後の像内の対象領域を選択すること、
前記事前像と前記事後像との間の差に基づいて異なる像を生成すること、
バイナリ差分像を生み出すために前記異なる像を閾値化すること、
像の特徴値を取得するために前記バイナリ差分像の接続解析を実行すること、および
部品配置を確かめるるために、前記像の特徴値を期待されるオブジェクト特徴値と比較することからなる方法。
【請求項７】
さらに、前記事前および事後像を変更するための少なくとも１つの既知の領域をマスキングすることからなる請求項６の方法。
【請求項８】
さらに、前記異なる像を取得する前に、前記事前像と前記事後像を整列することからなる請求項６の方法。
【請求項９】
前記整列ステップが相関を適用することを含む請求項８の方法。
【請求項１０】
部品配置を確かめるために、ピックアンドプレース機械内の予定された配置場所の多数の像を処理する方法であって、その方法が、
予定された配置場所の配置前および配置後の像を捕らえること、
前記配置前および配置後の像内の対象領域を選択すること、
前記事前像と前記事後像との間の差に基づいて異なる像を生成すること、
バイナリ差分像を生み出すために前記異なる像を閾値化すること、
前記予定された配置場所のピクセル変化カウントを計算すること、
トータルピクセルカウントを計算すること、および
部品配置を確かめるために、前記予定された配置場所の前記ピクセル変化カウントを前記トータルピクセルカウントと比較することからなる方法。
【請求項１１】
部品配置を確かめるために、ピックアンドプレース機械内の予定された配置場所の多数の像を処理する方法であって、その方法が、
予定された配置場所の配置前および配置後の像を捕らえること、
前記配置前および配置後の像内の対象領域を選択すること、
前記事前像と前記事後像との間の差に基づいて異なる像を生成すること、
前記予定された配置場所の差分強度合計を計算すること、
トータルピクセル差分強度合計を計算すること、および
部品配置を確かめるために、前記予定された配置場所の前記ピクセル差分強度合計を前記トータルピクセル差分強度合計と比較することからなる方法。
【請求項１２】
製造過程にある製品上に部品を位置決めするためのピックアンドプレース機械であって、その機械が
ＣＣＤアレイを有する像取得システム、
予定された配置場所の多数の像を、前記ＣＣＤアレイ上に同時に収束するための多数の像の光路を含む光学系からなり、
前記像取得システムが、前記部品が位置決めされる前に前記予定された配置場所の多数の配置前の像を捕らえ、前記部品が位置決めされた後に前記予定された配置場所の多数の配置後の像を捕らえ、かつ
部品配置を確かめるために、前記像取得装置に結合されたホストコントローラが、前記配置前の像を前記配置後の像と比較する方法。
【請求項１３】
ピックアンドプレース機械内の軸外（off-axis）像システムを較正する方法であって、その方法が、
予定された配置場所内に既知のターゲットを位置決めすること、
前記既知のターゲットの軸外像を捕らえること、
前記捕らえられた像から前記既知のターゲット上にある既知の加工品の初期位置を決定すること、および
変換マトリックスを計算することからなる方法。
【請求項１４】
さらに、軸外像を捕らえるステップの後に、
Ｚ軸に沿った異なる位置で前記既知のターゲットを提示すること、
前記既知のターゲットの少なくとも１つの追加の像を前記異なる位置で捕らえること、および
前記少なくとも１つの追加の像から前記既知のターゲット上の既知の加工物の調整された位置を決定すること、および
前記変換マトリックスを改良するために前記初期位置を前記調整された位置と比較することからなる請求項１３の方法。
【請求項１５】
ピックアンドプレース機械内の多数の像取得装置を較正する方法であって、その方法が、
予定された配置場所内に既知のターゲットを位置決めすること、
各像取得装置で前記既知のターゲットの像を捕らえると、
前記捕らえられた像から前記既知のターゲット上の既知の加工物の位置を決定すること、および
深さの較正のために、前記決定された位置を各捕らえられた像と比較することからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１のデジタル複信タイプの前記品質レベルは、プライマリ共通制御物理チャネルの受信信号コードパワーに基づき、
前記第２のデジタル複信タイプの前記品質レベルは、ＷＴＲＵによって提供された前記第２のデジタル複信タイプのカバレージ範囲に関する情報に基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備すること、
式Ｍ1q（Ｏ）x（ＯＲ1）y（式Ｉ）で表される少なくとも１の前駆体化合物と式Ｍ2（ＮＲ2）w（ＮＲ3Ｒ4）z（式ＩＩ）で表される少なくとも１の前駆体化合物を供給すること、
および蒸着法を用いて、前記両前駆体化合物を前記基板上に接触させることにより、金属酸化物層を形成することを含む、基板上に金属酸化物層を形成する方法であって、
前記蒸着法は、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法である方法；
前記式において、
Ｍ1およびＭ2は同じ金属であり、
それぞれのＲ1は互いに独立して有機基であり、
Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4はそれぞれ互いに独立して水素または有機基であり、
ｘは０から４であり、
ｙは１から８であり、
ｗは０から４であり、
ｚは１から８であり、
ｑは１または２であり、
ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは、Ｍ1およびＭ2の酸化状態に依存する。
【請求項２】
前記基板はシリコンウエハーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属酸化物層は誘電体層である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記式において、Ｍ1およびＭ2は、３、４、５、６、７、１３、１４族、およびランタノイドからなる金属の群から選択される、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記式において、Ｍ1およびＭ2は、Ｙ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、およびＡｌからなる金属の群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記金属酸化物層の厚さは３０Åから８０Åである、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記式において、それぞれのＲ1は互いに独立して（Ｃ１〜Ｃ６）有機基であり、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4はそれぞれ互いに独立して水素または（Ｃ１〜Ｃ６）有機基である、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記式において、ｘは０から２であり、ｙは２から６である、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記式において、ｗは０から２であり、ｚは２から６である、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記両前駆体化合物は不活性のキャリアガスの存在下で気化される、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物層は、原子層堆積法中のそれぞれの堆積サイクル中に、前記両前駆体化合物を交互に導入することにより形成される、請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板の温度は、２５℃から４００℃である、請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板は、圧力が１０-4トールから１トールの堆積チャンバ内にある、請求項１〜１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の方法を用いて基板上に金属酸化物層を形成することを含む、半導体構造の製造方法であって、前記基板は半導体基板または基板アセンブリである方法。
【請求項１５】
前記半導体基板または基板アセンブリはシリコンウエハーである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体基板または基板アセンブリは堆積チャンバ内にあり、
前記方法は、前記両前駆体化合物を気化することにより、気化した両前駆体化合物を形成すること、
および前記気化した両前駆体化合物を、前記半導体基板または基板アセンブリに供給することにより、該半導体基板または基板アセンブリの１または２以上の表面上に金属酸化物の誘電体層を形成することを含む、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の方法を用いて基板上に金属酸化物層を形成することを含む、メモリデバイス構造の製造方法であって、前記基板はその上に第１の電極を有し、
前記方法は、前記両前駆体化合物を気化することにより、気化した両前駆体化合物を形成すること、
該気化した両前駆体化合物を、前記基板に供給することにより、該基板の前記第１の電極上に金属酸化物の誘電体層を形成すること、
および該誘電体層上に第２の電極を形成することを含む方法。
【請求項１８】
内部に基板を配置した蒸着チャンバと、
式Ｍ1q（Ｏ）x（ＯＲ1）y（式Ｉ）で表される１または２以上の前駆体化合物を含む１または２以上の容器と、
式Ｍ2（ＮＲ2）w（ＮＲ3Ｒ4）z（式ＩＩ）で表される１または２以上の前駆体化合物を含む１または２以上の容器を備える蒸着装置であって、
前記前駆体化合物の気化および供給は、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積法を用いて達成される装置；
前記式において、
Ｍ1およびＭ2は同じ金属であり、
それぞれのＲ1は互いに独立して有機基であり、
Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4はそれぞれ互いに独立して水素または有機基であり、
ｘは０から４であり、
ｙは１から８であり、
ｗは０から４であり、
ｚは１から８であり、
ｑは１または２であり、
ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは、Ｍ1およびＭ2の酸化状態に依存する。
【請求項１９】
前記基板はシリコンウエハーである、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記前駆体を前記蒸着チャンバへと移動させる不活性のキャリアガスの１または２以上の発生源をさらに備える、請求項１８又は１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１ａは、図１に示されるように、プラグコネクタ１０２が、直角プラグコネクタであるよりもむしろ垂直プラグコネクタであることを除いて、図１と同様の基板対基板装置である。この実施例は、２つの平行の電気装置１１０及び１１３間に、電気接続をなす。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源であって、
発光半導体デバイスを有し、
半導体デバイスを支持する全体として平らな反射面を備えた支持基体を有し、発光半導体デバイスは、支持基体を介して放熱し、
凹状反射面を備えた湾曲レフレクタを有し、発光半導体デバイスは、全体として平らな反射面と凹状反射面との間に配置され、支持基体と湾曲レフレクタは協働して、発光半導体デバイスにより生じた光を通過させる光アパーチュアを構成していることを特徴とする光源。
【請求項２】
平らな反射面と凹状反射面は協働して発光半導体デバイスにより生じた光を反射し、前記光は、平らな反射面及び凹状反射面のうち一方に差し向けられ、そして凹状の表面の光軸に全体として平行な方向に沿って光アパーチュアに差し向けられることを特徴とする請求項１記載の光源。
【請求項３】
凹状の表面の光軸は、平らな反射面と一致していることを特徴とする請求項１又は２記載の光源。
【請求項４】
発光半導体デバイスは、凹状の表面の光学焦点に心出しされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光源。
【請求項５】
発光半導体デバイスは、第１の縁部が凹状の表面の光学焦点と実質的に整列した状態で位置決めされ、発光半導体デバイスは、(i)光アパーチュアから、又は、(ii)凹状の表面の光軸に沿って光学焦点から遠ざかって第１の縁部から延びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光源。
【請求項６】
湾曲レフレクタは、
発光半導体デバイス及び全体として平らな反射面の少なくとも一部を封入する光透過性封入材を有し、封入材は、凸状の全体として放物形封入材表面を有し、
凸状の全体として放物形封入材表面に被着された反射層を有し、反射層と封入材との間のインタフェースは、湾曲レフレクタの凹状の全体として放物形の表面に対応していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光源。
【請求項７】
光透過性封入材は、光アパーチュアと一致した光透過性屈折面を有し、屈折面は、発光半導体デバイスにより生じた光が光アパーチュアを通過する際にかかる光を屈折させることを特徴とする請求項６記載の光源。
【請求項８】
光透過性屈折面は、光アパーチュアを通過した光を焦点に合焦させるレンズを構成していることを特徴とする請求項７記載の光源。
【請求項９】
光透過性屈折面は、全体として平らであり、光透過性屈折面の面法線は、レフレクタの光軸に対し０ではない角度をなして配置されていることを特徴とする請求項７記載の光源。
【請求項１０】
複数の発光半導体デバイスを更に有し、各発光半導体デバイスは湾曲リフレクタを有し、各発光半導体デバイス及び各湾曲レフレクタは、発光モジュールを構成し、光源は、支持基体上に配置された複数の発光モジュールを有することを特徴とする請求項１記載の光源。
【請求項１１】
発光半導体デバイス、湾曲レフレクタ及び支持基体は、発光モジュールを構成し、光源は、支持構造体と、支持構造体上に配置され、支持構造体から第１の角度をなして遠ざかって差し向けられる光を放出する複数の第１の発光モジュールと、支持構造体上に配置され、第１の角度とは異なる第２の角度をなして支持構造体から遠ざかって差し向けられる光を放出する複数の第２の発光モジュールとを更に有し、第２の発光モジュールは、第１の発光モジュールの間に散在して配置されていることを特徴とする請求項１記載の光源。
【請求項１２】
車両用のヘッドライトであって、
支持面と、
複数の発光モジュールとを有し、
各発光モジュールは、放物形インタフェースのところで互いに接合された平らな部分と放物形部分を含む反射カップを有し、放物形部分の開口端部は、光出力開口部を構成し、各発光モジュールは、反射カップの平らな部分に取り付けられていて、反射カップの放物形部分に差し向けられた光を生じさせるよう配向された発光半導体ダイを更に有し、発光モジュールは、各反射カップの平らな部分が支持面に平行に位置し、しかも複数の発光モジュールが累積光ビームを生じさせるよう反射カップの光出力開口部が配置された状態で支持面上に配置され、
発光モジュールは、放物形インタフェースの放物面軸線に対しロービーム角度で差し向けられた光を生じさせるロービーム発光モジュールと、放物形インタフェースの放物面軸線に対しハイビーム角度で差し向けられた光を生じさせるハイビーム発光モジュールとを含み、ハイビーム角度は、ロービーム角度よりも小さいことを特徴とするヘッドライト。
【請求項１３】
各ロービーム発光モジュールの発光半導体ダイは、反射カップの放物形部分の焦点と整列した縁部を有し、前記発光半導体ダイは、反射カップの平らな部分に沿って光出力開口部から側方に遠ざかって延びていることを特徴とする請求項１２記載のヘッドライト。
【請求項１４】
各ハイビーム発光モジュールの発光半導体ダイは、反射カップの放物形部分の焦点に心出しされていることを特徴とする請求項１２又は１３記載のヘッドライト。
【請求項１５】
各発光モジュールは、反射カップを満たす光透過性封入材を更に有し、光透過性材料は、光出力開口部のところに設けられた光透過面を有し、光透過面は、ハイビーム発光モジュールに関し、反射カップの平らな部分と直交しており、光透過面は、ロービーム発光モジュールに関し、反射カップの平らな部分に対する垂線から下方に傾斜していることを特徴とする請求項１２記載のヘッドライト。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月12日(2006.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体蓄積メモリセルであって、
基板と、
前記基板の上に位置し、第１の相対誘電率を有する第１誘電体層と、
前記第１誘電体層の上に位置し、データ値を表す電荷を蓄積する電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上に位置し、前記第１の相対誘電率よりも大きい第２の相対誘電率を有する第２誘電体層と、
前記電荷蓄積層と前記第２誘電体層との間に介在し、第２誘電体層におけるダングリングボンドを安定化させる、１０オングストローム未満の厚さを有するオキシナイトライド界面層と、
前記第２誘電体層の上に位置し、当該誘電体蓄積メモリセルの制御電極を形成するゲート電極と、
前記基板内において前記ゲート電極の下の領域のすぐ近くに形成される第１電流電極および第２電流電極とを備え、
前記第１誘電体と比べて第２誘電体の相対誘電率が大きいことによって、前記ゲート電極と、蓄積電荷を含む電荷蓄積層内の場所との間の容量結合が増大されるとともに、前記ゲート電極から前記電荷蓄積層への電荷の漏洩が低減される、誘電体蓄積メモリセル。
【請求項２】
誘電体蓄積メモリセルを形成する方法であって、
基板を設ける工程と、
前記基板の上に位置し、第１の相対誘電率を有する第１誘電体層を設ける工程と、
前記第１誘電体層の上に位置し、データ値を表す電荷を蓄積する電荷蓄積層を設ける工程と、
前記電荷蓄積層の上に位置し、前記第１の相対誘電率よりも大きい第２の相対誘電率を有する第２誘電体層を設ける工程と、
前記第２誘電体層を、前記電荷蓄積層と前記第２誘電体層の間に位置し、１０オングストローム未満の厚さを有する界面層を形成する環境に露出させる工程と、
当該誘電体蓄積メモリセルのゲート電極であって、前記第２誘電体層の上に位置するゲート電極を形成する工程と、
前記基板内において前記ゲート電極の下の領域のすぐ近くに第１電流電極および第２電流電極を形成する工程とを備える方法。
【請求項３】
誘電体蓄積メモリセルであって、
基板と、
前記基板の上に位置し、第１の相対誘電率を有する第１誘電体層と、
前記第１誘電体層の上に位置し、データ値を表す電荷を蓄積する電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上に位置するオキシナイトライド層と、
前記オキシナイトライド層上に位置する第２誘電体層であって、前記第１の相対誘電率よりも大きい第２の相対誘電率を有して、第２誘電体層によって容量結合を制御することと、第２誘電体層によって電荷の漏洩を低減することとの少なくとも一方を行ない、第２誘電体層のダングリングボンドは前記オキシナイトライド層によって安定化されている、第２誘電体層と、
前記第２誘電体層の上に位置し、該誘電体蓄積メモリセルの制御電極を形成するゲート電極と、
前記基板内において前記ゲート電極の下の領域のすぐ近くに形成される第１電流電極および第２電流電極とを備える誘電体蓄積メモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域上に形成され、high-k誘電体を有するゲート絶縁層を有する電界効果トランジスタであって、前記high-k誘電体の前記ゲート絶縁層に垂直方向の誘電率は、前記ゲート絶縁層に平行方向の誘電率よりも高い、電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート絶縁層に垂直方向の前記誘電率と前記ゲート絶縁層に平行方向の前記誘電率との比率は１．２よりも高い、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート絶縁層のキャパシタンス等価厚は２ｎｍ未満である、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート絶縁層は少なくとも１つの金属酸化物、金属シリケート、及び強誘電体材料を有する、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート絶縁層は二酸化チタンを有する、請求項４記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記二酸化チタンはルチル形である、請求項５記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記ゲート絶縁層は前記活性領域と前記high-k誘電体との間に設けられるバリア層を有する、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記バリア層は二酸化シリコン、窒化シリコンあるいはケイ酸ジルコニウムのうちの少なくとも１つを有する、請求項７記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
基板上にhigh-kゲート絶縁層を形成する方法であって、
第一方向沿いに第一誘電率を有するとともに第二方向沿いに前記第一誘電率よりも高い第二誘電率を有する異方性誘電材料をエピタキシャル成長させ、
少なくとも１つのプロセスパラメータを制御して、前記第二方向を前記基板の表面に実質的に垂直となるよう調整する、方法。
【請求項１０】
前記基板（３０１）をアニールし、前記誘電体材料の結晶性を制御する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記異方性誘電体はチタン酸化物を有する、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記異方性誘電体のエピタキシャル成長は、約７００−９００℃の範囲の温度で実施される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
high-k誘電体ゲート絶縁層を形成する方法であって、該方法は、
活性半導体領域が形成された基板を用意し、
誘電体層を形成するために異方性誘電体材料を蒸着し、
前記基板をアニールし、かつ
前記基板の蒸着またはアニールのうちの少なくとも一方の少なくとも１つのプロセスパラメータを制御して、前記誘電体層に平行である第一誘電率が、前記誘電体層に垂直である第二誘電率より低くなるように、結晶方向を調整する、方法。
【請求項１４】
前記誘電体がチタン酸化物を有する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記異方性誘電体の蒸着が約７００−９００℃の範囲の温度で実施される、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記アニールが約６００−８００℃の範囲の温度で実施される、請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
約２ｎｍ未満のキャパシタンス等価厚を有するゲート絶縁層を形成する方法であって、該方法は、
少なくとも相異なる２方向で異なる誘電率を有した結晶性誘電体を選択し、
高誘電率に対応する方向が、前記基板の表面に実質的に垂直になるように、前記基板に前記結晶性誘電体を形成するためにプロセスパラメータの設定を決定し、かつ、
前記パラメータの設定に合わせて前記結晶性誘電体を形成する、方法。
【請求項１８】
前記プロセスパラメータの設定が、蒸着パラメータまたはアニールパラメータのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第一誘電率に対する前記第二誘電率の比率が１．２以上である、請求項１３記載の方法。
【請求項２０】
high-k誘電体ゲート絶縁層を形成する方法であって、
活性半導体領域が形成された基板を用意し、
誘電体層を形成するために異方性誘電体材料を蒸着し、前記異方性誘電体の蒸着が約７００−９００℃の範囲の温度で実施され、
約６００−８００℃の範囲の温度で前記基板をアニールし、かつ、
前記基板の蒸着またはアニールのうちの少なくとも一方の１つのプロセスパラメータを制御して、前記誘電体層に平行である第一誘電率が、前記誘電体層に垂直である第二誘電率より低くなるように、結晶方向を調整する、方法。
【請求項２１】
前記誘電体がチタン酸化物を有する、請求項２０記載の方法。  
【請求項２２】
前記第一誘電率に対する第二誘電率の比率が１．２以上である、請求項２０記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従って、ゲート絶縁層を生成する材料として、特に極薄の二酸化シリコンゲート層に対して、二酸化シリコンに取って代わる材料が検討されている。考えられる代替材料としては、十分に高い誘電率を示す材料が挙げられ得る。ここでいう十分に高いとは、二酸化シリコンゲート層に比較して、対応して形成されるゲート絶縁層の厚みが物理的により高くなる一方で、極薄の二酸化シリコン層により得られる容量結合に対応する値が得られるに十分なまでに誘電率が高いことを意味する。一般に、二酸化シリコンとの特定の容量結合を達成するために必要とされる厚みは、キャパシタンス等価厚（capacitance equivalent thickness：ＣＥＴ）と称される。従って、一見すると、単純に二酸化シリコンをhigh-k材料と交換することは、１ｎｍあるいはそれ未満の範囲の等価厚を得るためには、簡単な方法をいえるであろう。この点での一つの手法は、窒素を二酸化シリコン層へ導入することであり、これにより、誘電率が増加する。しかしながら、極薄の二酸化シリコン層内に、その下層のチャネル領域に侵入させることなく、窒素を確実に配置する必要から、これはそれほど確実ではないものとなっている。更に、二酸化シリコンに窒素を導入するので、バンドギャップが低減され、所定の最大のリーク電流に対して、ゲートキャパシタンス増加は中程度に止まるに過ぎないであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
安全な送信に関する方法であって、その方法は、以下を具備する：
送信のためにメッセージに関するショートタームキーを決定することであって、ショートタームキーは、ショートタームキーアイデンティファイアを有し；
メッセージに関するアクセスキーを決定することであって、アクセスキーは、アクセスキーアイデンティファイアを有し；
ショートタームキーでメッセージを暗号化し；
ショートタームキーアイデンティファイアを具備するインターネットプロトコルヘッダを形成し；及び
インターネットプロトコルヘッダとともに暗号化されたメッセージを送信する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項５に記載の方法、ここで、ショートタームキーは、アクセスキーでショートタームキーアイデンティファイアを暗号化することによって計算される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法、ここで、ショートタームキーは、アクセスキーでショートタームキーアイデンティファイア及び第２の乱数を暗号化することによって計算される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
請求項１８に記載のインフラストラクチャエレメント、ここで、ユーザ認識ユニットは、複数のアクセスキー及びアクセスキーアイデンティファイアを記憶するための第２のメモリ記憶装置ユニットをさらに具備する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
請求項１８に記載のインフラストラクチャエレメント、ここで、メモリ記憶装置ユニットは、安全なメモリ記憶装置ユニットである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
面発光量子井戸構造（１１）と少なくとも１つの、ポンピング放射（２）を量子井戸構造（１１）の光学的なポンピングのために生成するポンピング放射源（２０）とを有している半導体基体を備えていて、ポンピング放射源（２０）および量子井戸構造（１１）はモノリシックに集積されているという光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法であって、
ａ）  基板（１）を用意し、
ｂ）  基板（１）に、ポンピング放射源（２０）を含んでいる多数の半導体層をエピタキシャル成長させ、
ｃ）  量子井戸構造（１１）に対する多数の半導体層にウィンドウを実現しかつ
ｄ）  ウィンドウに量子井戸構造（１１）をエピタキシャル成長させて、ポンピング放射源（２０）が量子井戸構造（１１）に接するようにする
というステップを有している方法において、
ポンピング放射源（２０）と量子井戸構造（１１）との間にポンピング放射（２）が量子井戸構造（１１）に入力結合されるようにするための切り欠き（１０）を形成する
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
有力な増粘剤は、例えば、アクリル酸、アクリレート、アルキルメタクリレート（Ｃ１０〜Ｃ３０）の官能化されたビニル単位のモノマー単位をベースにした、架橋されたまたは架橋されていないホモポリマーおよびコポリマー、ならびにヒドロキシアルキルグア、キサンタンガム、およびβ−グルコシド結合グルコース単位、即ち、セルロースおよび／または、特に、エチル−、ヒドロキシプロピル−もしくはヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロースエーテルおよびセルロースのグリコール酸エーテルの塩、特にカルボキシメチルセルロースナトリウムなどのセルロース誘導体である。増粘剤は独立しておよび／または他の増粘剤と組み合わせて用いることができる。好ましいものとして、カルボキシメチルセルロース塩および架橋したアクリル酸ポリマーの増粘剤としての使用が挙げられる。カルボキシメチルセルロースのナトリウム塩（Finnfix（登録商標））および架橋したアクリル酸ホモポリマー（Carbomers（登録商標））が特によくこの目的に好適であることが分かっている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５７】
DVDディスクに関連付けられたウェブ・コンテンツを復号化するためのコンピュータが読み取り可能なプログラム・コードがその中で具現化された、コンピュータが使用可能な媒体を有するコンピュータ・プログラム製品であって、
当該コンピュータ・コードが、WebDVDシステムの読み込み可能な格納デバイス内に埋め込まれており、
当該コンピュータ・コードが、
前記DVDディスクにより目標とされているウェブ・サイトからの、前記DVDディスクに関連付けられているウェブ・コンテンツに対する要求であって、前記DVDディスクが、前記WebDVDシステムに含まれているDVDデバイス上を走り、前記DVDデバイスが、通信リンクにより前記ウェブ・サイトにリンクされており、かつ前記DVDディスクが前記DVDデバイス上を走っている場合しか、前記WebDVDシステムが前記ウェブ・コンテンツにアクセスすることができない、ことを特徴とする要求を行い、
前記DVDディスクのデータ・ブロックを指し示すディスク・アドレスの組を前記ウェブ・サイトから受信し、
前記ディスク・アドレスの組と前記範囲により決定される前記データ・ブロックの前記範囲に関連する知識を取得し、
前記データ・ブロックの読み取りを試み、かつ新たなディスク・アドレスを要求する機能が前記WebDVDシステム上で動作可能でありかつ前記データ・ブロックを読み取る当該試みが成功しなかった場合は、前記DVDディスク上の新たなデータ・ブロックを指し示すための、前記予め受信済みのディスク・アドレスの組に代わる新たなディスク・アドレスの組を送信するように前記ウェブ・サイトに指示し、かつ当該試みが成功するまで当該受信、取得、および試みを最大N回（Nは少なくとも1である）繰り返し、かつ、
当該試みが成功した場合は、定義済みの関数により、前記ウェブ・コンテンツを復号化するために前記アルゴリズムが用いることができる復号化鍵に前記データ・ブロックをマッピングする、
ように適合化されたアルゴリズムを有する、
コンピュータ・プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５８】
WebDVDシステムに対して、前記WebDVDシステムが使用可能な情報をウェブ・サイトにより送信して復号化鍵を生成することができる、コンピュータが読み取り可能なプログラム・コード、が中で具現化されている、コンピュータが使用可能な媒体を有するコンピュータ・プログラムであって、
当該コンピュータ・コードが、前記ウェブ・サイトの読み込み可能な格納デバイス内に埋め込まれており、
当該コンピュータ・コードが、
前記WebDVDシステムに含まれているDVDデバイス上で走るDVDディスクに関連付けられているウェブ・コンテンツに対する現在の要求であって、前記DVDデバイスが、通信リンクにより前記ウェブ・サイトにリンクされており、前記ウェブ・サイトが前記DVDディスクにより目標とされており、かつ前記DVDディスクが前記DVDデバイス上を走っている場合にしか前記WebDVDシステムが前記ウェブ・コンテンツにアクセスすることができない、ことを特徴とする要求を前記WebDVDシステムから受信し、
前記DVDディスク上のディスク・アドレスの組であって、前記ディスク・アドレスが、前記DVDディスク上のデータ・ブロックを指し示し、前記データ・ブロックが、定義済みの関数により復号化鍵にマッピングされるように適合化されており、かつ前記復号化鍵が、前記WebDVDシステムにより用いられて前記ウェブ・コンテンツを復号化するように適合化されていることを特徴とするディスク・アドレスの組を決定し、かつ、
前記ディスク・アドレスの組を前記WebDVDシステムに送信する、
ように適合化されたアルゴリズムを有する、コンピュータ・プログラム。