【事件の表示】
　特願２００６−１４７２０８「低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月　７日出願公開、特開２００６−２３２６６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、特許法第４１条の規定に基づく優先権主張を伴い、平成１３年１２月１７日（優先日　平成１２年１２月１８日　優先権主張番号　特願２０００−３８４３４６号）に出願した特願２００１−３８２９７３号（以下、「原出願」という。）の一部を、同法第４４条の規定に基づき、平成１８年５月２６日に新たな出願としたものであって、平成２２年２月１２日付けの拒絶理由通知に対して同年４月２１日に手続補正がされ、同年５月１４日付けで拒絶査定がされ、この査定を不服として、同年８月１０日付けで審判請求がされるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　そして、当審において、平成２３年８月２２日付けで前置報告書に基づく審尋をしたところ、同年１０月５日付けで回答書が提出されている。
　
第２　平成２２年８月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年８月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［決定の理由］
Ｉ　本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項の記載を、以下の（Ａ）から（Ｂ）とする補正事項を含む。
　
（Ａ）
「　　【請求項１】
　グロー放電質量分析法による窒素濃度が１５ｐｐｍ以下であり、大気と遮断した状態で保管された、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる、低窒素濃度黒鉛材料。
　　【請求項２】　〜　【請求項４】　（略）」 
　
（Ｂ）
「　　【請求項１】
　グロー放電質量分析法による窒素濃度が１５ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）であり、大気と遮断した状態で保管された、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる、低窒素濃度黒鉛材料。
　　【請求項２】　（略）」 
　
ＩＩ　本件補正の適否についての判断 
１　補正の目的について 
　上記補正事項は、補正前の請求項１において特定された低窒素濃度黒鉛材料の窒素濃度を、「１５ｐｐｍ以下」から「１５ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）」へと限定して新たな請求項１とする補正を含む。
　したがって、新たな請求項１とする補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「旧法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、特許請求の範囲が減縮された新たな請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（旧法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）　本願補正発明
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、上記「Ｉ　（Ｂ）」に【請求項１】として記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（２）　本願の優先権主張について
　本願の優先権主張の基礎とされた特願２０００−３８４３４６号の明細書又は図面には、低窒素濃度黒鉛材料の窒素濃度を１５ｐｐｍ以下とすることについては何ら記載されていないから、本願補正発明についての特許法第２９条の２本文の規定の適用については、原出願の出願日である平成１３年１２月１７日がその判断基準日となる。
　
（３）　先願明細書及びその記載事項
　原審における拒絶査定（以下、「原査定」という。）の拒絶の理由に引用され、本願の出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願２００１−２７４３４９号（特開２００３−８６５１８号）（以下、「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、以下の事項が記載されている。
　なお、先願の発明者は本願の発明者と同一ではなく、また本願の出願の時において、先願の出願人は本願の出願人と同一でもない。
　
［ａ］「【請求項１】  反応容器の内部に、窒素密度が１×１０17ｃｍ-3以下のグラファイトサセプターを挿入する工程と、
前記グラファイトサセプターを真空ベークする工程と、
前記グラファイトサセプターを室温近傍の温度にし、且つ前記グラファイトサセプターを大気に曝さないようにして、前記グラファイトサセプターに基板を配置する工程と、
前記反応容器の内部を減圧状態に制御して、前記グラファイトサセプターを前記ベーキング温度よりも高温の成長温度まで加熱し、前記基板上に、炭化珪素膜を気相エピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素膜のＣＶＤ方法。」
　
［ｂ］「【００２８】・・・このグラファイト製のサセプター（以下において「グラファイトサセプター」という。）２には、図２及び図３に示すようにＳｉＣ基板（ウェハ）３１が搭載される。」
　
［ｃ］「【００４５】なお、厚さが１０μｍのn-ＳｉＣエピ層５２をＬＰＣＶＤ法で堆積した後、そのn-ＳｉＣエピ層５２の表面をＳＩＭＳで測定した結果を図７（ａ）に示す。図７（ａ）は、窒素密度が異なる複数個のグラファイトサセプター２を用意し、この複数のグラファイトサセプター２を用いた場合のＬＰＣＶＤ成長で得られた成長膜中の窒素密度とグラファイトサセプター中の窒素密度との関係を示す。グラファイトサセプター２中の窒素密度を１×１０17ｃｍ-3以下とすると、グラファイトサセプター２に由来する成長膜中の窒素密度は１×１０14ｃｍ-3以下となる。これは高純度n-ＳｉＣエピ層５２の制御不純物密度に対して３％以下である。・・・
【００４６】次に、アルミニウム（Ａｌ）密度が異なる複数個のグラファイトサセプター２を用意し、この複数のグラファイトサセプター２を用いて厚さが７μｍのn-ＳｉＣエピ層５２をＬＰＣＶＤ法で堆積した後、そのn-ＳｉＣエピ層５２の表面をＳＩＭＳで測定した結果を図７（ｂ）に示す。窒素の密度は１×１０16ｃｍ-3に制御している。・・・
【００４７】図７（ｂ）に示すように、ＳｉＣコートがない場合にはグラファイトサセプター２中のＡｌ密度と成長膜中のＳＩＭＳで測定したＡｌ密度の比は３：１である。したがって、グラファイトサセプター２中のＡｌ密度を３×１０14ｃｍ-3以下にすれば、高純度n-ＳｉＣエピ層５２中のＡｌ密度は１×１０14ｃｍ-3以下となる。この場合成長膜中の制御不純物密度が１×１０16ｃｍ-3なので、補償比が０．０１となる。・・・
【００４８】次に、ボロン（Ｂ）密度が異なる複数個のグラファイトサセプター２を用意し、この複数のグラファイトサセプター２を用いて厚さが７μｍのn-ＳｉＣエピ層５２をＬＰＣＶＤ法で堆積した後、そのn-ＳｉＣエピ層５２の表面をＳＩＭＳで測定した結果を図７（ｃ）に示す。窒素の密度は１×１０16ｃｍ-3に制御している。
【００４９】図７（ｃ）に示するように、成長膜中の不純物密度はグラファイトサセプター２中のＢ密度低下とともに急激に下がることが分かる。グラファイトサセプター２中のＢ密度を１×１０15ｃｍ-3以下とすれば、n-ＳｉＣエピ層５２中のＢ密度は１×１０14ｃｍ-3以下となることが分かる。この場合n-ＳｉＣエピ層５２中の制御不純物密度が１×１０16ｃｍ-3なので、補償比が1％程度であり、移動度の変化は数％以内であり、素子全体の抵抗上昇は数％以内と実用的なレベルに抑えられる。」 
　
［ｄ］「【００７７】（第７の実施の形態）本発明の第７の実施の形態に係るＣＶＤ方法においては、ＳｉＣ基板５１として、(0001)Cの４Ｈ-ＳｉＣ基板を用いる場合について説明する。
【００７８】・・・
【００７９】通常の窒素密度のグラファイトサセプター２を用いた場合には、(0001)Ｃ面では窒素の取り込まれ効率が高いために意図せずに添加した窒素密度が１×１０15ｃｍ-3程度あり、不純物密度の制御性に影響がある。しかし、窒素密度が１×１０17ｃｍ-3以下のグラファイトサセプター２を用いることで、窒素密度が１×１０14ｃｍ-3まで下がる。このような低密度になっても補償比が小さいために、１×１０14ｃｍ-3以上のキャリア密度領域においては、バックグラウンドの窒素密度を勘案することで制御性良く、１×１０14ｃｍ-3以上のキャリア密度を制御することが出来る。」
　
［ｅ］「【図面の簡単な説明】
・・・
【図１３】不純物密度が異なる１０個のグラファイトサセプターを用意し、この１０個のグラファイトサセプター中の不純物密度と成長膜中の不純物密度と対応関係を各不純物元素に付いて比較する表である。」
　
［ｆ］「【図１３】
」
　
（４）　本願補正発明についての当審の判断
（ア）　先願明細書に記載された発明の認定
　先願明細書には、［ａ］によれば、炭化珪素膜を気相エピタキシャル成長する工程を含む炭化珪素膜のＣＶＤ方法において、窒素密度が１×１０17ｃｍ-3以下のグラファイトサセプターを使用することが記載されている。また先願明細書には、［ｃ］の【００４６】、【００４８】によれば、かかるグラファイトサセプターの一実施形態として、アルミニウム密度、あるいはボロン密度が異なる複数個のグラファイトサセプターを用いてn-ＳｉＣエピ層を堆積する際には、窒素密度を１×１０17ｃｍ-3以下である１×１０16ｃｍ-3に制御することが記載されており、ここで、上記窒素密度に関して、［ｃ］の【００４７】、【００４９】の、成長膜中の制御不純物密度は窒素を含む全不純物の密度が１×１０16ｃｍ-3である旨の記載や、［ｄ］の【００７９】の、通常の窒素密度のグラファイトサセプターを用いた場合には、(0001)Ｃ面での成長膜に意図せずに添加した窒素密度は１×１０15ｃｍ-3程度であり、不純物密度の制御性に影響を及ぼすとの記載によれば、上記【００４６】、【００４８】に開示された１×１０16ｃｍ-3もの窒素密度は、成長膜における窒素密度ではなく、グラファイトサセプターにおける窒素密度を意味することは明らかである。
　そして、黒鉛材料の比重は２．０〜２．２５である（要すれば、石川敏功等　著、新・炭素工業、株式会社　近代編集社、昭和５５年１０月２０日、第１４２頁〜第１４３頁を参照。）から、上記１×１０17ｃｍ-3以下の窒素密度を質量比（ｐｐｍ）に換算すると、１．０〜１．２ｐｐｍ以下であり、また、先願明細書の［ｂ］に記載されるようにグラファイトサセプターはグラファイト製のサセプターを意味するものであるから、先願明細書には上記グラファイトサセプターに用いられるグラファイトが記載されているといえる。
　以上の記載事項及び認定事項を本願補正発明の記載ぶりに沿って整理すると、先願明細書には、以下の発明が記載されているといえる。
　
「窒素濃度が１．０〜１．２ｐｐｍ以下である、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用グラファイトサセプターに用いられる、グラファイト」（以下、「引用発明１」という。）
　
　また、先願明細書の［ｅ］、図１３には、ＳｉＣエピタキシャル膜製造用のグラファイトサセプターに関して、グラファイト中の窒素密度が１．０×１０18ｃｍ-3、１．４×１０17ｃｍ-3、１．８×１０17ｃｍ-3、あるいは８．０×１０17ｃｍ-3であるサセプタが記載されており（図１３のサセプタ番号♯２、♯３、♯７、♯９、♯１０を参照。）、これらの窒素密度を質量比（ｐｐｍ）に換算すると、それぞれ１０〜１２ｐｐｍ、１．４〜１．７ｐｐｍ、１．８〜２．２ｐｐｍ、あるいは８．０〜９．６ｐｐｍとなる。
　そうすると、先願明細書には、以下の発明も併せて記載されているといえる。
　
「窒素濃度が１０〜１２ｐｐｍ、１．４〜１．７ｐｐｍ、１．８〜２．２ｐｐｍ、及び８．０〜９．６ｐｐｍのいずれかである、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用グラファイトサセプターに用いられる、グラファイト」（以下、「引用発明２」という。）
　
（イ）　本願補正発明と引用発明１、２との対比
　本願補正発明と引用発明１、２とを対比すると、引用発明１、２の「ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用グラファイトサセプター」は、本願補正発明の「ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具」に相当する。
　また、引用発明１におけるグラファイトは、その窒素濃度が１．０〜１．２ｐｐｍ以下であるのだから、１５ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）領域に含まれることは明らかである。
　さらに、引用発明１、２の「グラファイト」は、その窒素濃度において本願補正発明と一致するから、本願補正発明の「低窒素濃度黒鉛材料」に相当する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明１、２とは、
「窒素濃度が１５ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）であり、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる、低窒素濃度黒鉛材料。」で一致し、次の点で一応相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、窒素濃度がグロー放電質量分析法によるものであるのに対して、引用発明１、２は窒素濃度がどのような分析手法によるものか不明である点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、低窒素濃度黒鉛材料が大気と遮断した状態で保管されたものであるのに対して、引用発明１、２は、低窒素濃度黒鉛材料からなるグラファイトサセプターの保管状態が不明である点。
　
（ウ）　相違点１についての判断
　先願明細書には、グラファイトサセプター中の窒素濃度の分析手法に関して具体的な記載がないことから、とりたてて開示するまでもない、当該技術分野において一般的に用いられている手法が採用されているか、あるいは［ｃ］【００４５】にエピ層に対する分析手法として開示されているＳＩＭＳが採用されているものと解される。ここで、素材の不純物濃度の分析手法として、本願補正発明に係るグロー放電質量分析法は、先願明細書の【００４５】にエピ層に対する分析手法として開示されているＳＩＭＳと並んで広く一般的に用いられる手法であり（必要であれば、特開昭６３−２９５９５３号公報の第１頁右欄第１８行〜第２頁左上欄第３行、特開２０００−３２７４５９号公報の【００４４】を参照。）、また、上記特開昭６３−２９５９５３号公報の第２頁左上欄第２行〜第３行には、これら一般的な微量元素分析法の検出感度がいずれもｐｐｍ以下であることが記載されている点や、グロー放電質量分析法による分析結果が、ＳＩＭＳ、あるいは他の一般的な手法に比して精度や分析値において特異である等の特段の技術常識も認められない点も考慮すれば、引用発明１、２におけるグラファイトの窒素密度は、グロー放電質量分析法による窒素濃度が１５ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）に含まれるものと解される。
　そうすると、上記相違点１は実質的なものではない。
　
（エ）　相違点２についての判断
　本願補正発明は低窒素濃度黒鉛材料という物の発明であるところ、上記「（ウ）」で述べたとおり、本願補正発明と引用発明１、２とは、窒素濃度に差異がないものであるから、低窒素濃度黒鉛材料という物として差異がないものである。
　あわせて、引用発明１、２はグラファイトの窒素濃度が低濃度に制御されたものであるから、その保管が大気と遮断した状態で行われ得ることは技術常識である（必要であれば、特開平２−１９２４１３号公報の第１頁右欄第８行〜第１３行を参照。）。
　そうすると、上記相違点２も実質的なものではない。
　
（オ）　補足　−　回答書の主張に対して
　なお、請求人は、平成２３年１０月５日付け回答書の「（２）本願発明が特許されるべき理由」において、先願明細書に記載の発明と重なる部分（「窒素濃度が１．２ｐｐｍ以下」の範囲）を除外した「除くクレーム」とする補正を行うことで、独立特許要件を満たす旨主張している。
　しかしながら、更なる補正の機会を与えねばならないとする特許法上の規定は存在しないし、仮に回答書で示された補正案による補正を行ったとしても、その請求項１に係る発明は引用発明２と実質的に同一発明となるため、依然として独立特許要件を満たさない。
　したがって、上記請求人の主張は採用できない。
　
（５）　小括 
　したがって、上記「（４）　（イ）」において一応相違しているとした点はいずれも実質的な相違点ではなく、本願補正発明は、引用発明１、２と実質的に同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
ＩＩＩ　むすび 
　以上のとおりであるから、上記補正事項を含む本件補正は、旧法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
 第３　本願発明について
（１）　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の発明は、平成２２年４月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　Ｉ　（Ａ）」に、【請求項１】として示したとおりのものである。
　
（２）　原査定の拒絶の理由
　原査定の理由の一つは、概略、以下のものである。 
　
　本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者が先願の発明者と同一ではなく、また本願の出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
（３）　本願の優先権主張について
　本願の優先権主張の基礎とされた特願２０００−３８４３４６号の明細書又は図面には、低窒素濃度黒鉛材料の窒素濃度を１５ｐｐｍ以下とすることについては何ら記載されていないから、本願発明についての特許法第２９条の２本文の規定の適用については、原出願の出願日である平成１３年１２月１７日が判断基準日となる。
　
（４）　先願明細書の記載事項及び引用発明 
　先願明細書の記載事項は、上記「第２　ＩＩ　２　（３）」に示したとおりであり、先願明細書に記載された引用発明１、２は、上記「第２　ＩＩ　２　（４）　（ア）」に示したとおりのものと認められる。
　
（５）　本願発明と引用発明１、２との対比・判断 
　本願発明は、上記「第２　ＩＩ　２」においてその独立特許要件を検討した本願補正発明に対して、窒素濃度の範囲を広げたものに相当するから、本願補正発明を下位概念として含む発明であるといえる。
　そして、上記の検討のとおり、本願補正発明は引用発明１、２と実質的に同一であるから、本願発明も同様に、引用発明１、２と実質的に同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
 第４　むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。