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　特願２００６−３１４５１０「半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月　５日出願公開、特開２００８−１３０８３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１１月２１日の出願であって、平成２２年５月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２３日に手続補正がなされたが、平成２３年３月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものと認められる。
　
「第１導電型の略単一のＡｌ組成を有するＡｌＧａＮよりなるクラッド層と、
　前記クラッド層上に形成された、略単一のＩｎ組成を有するＩｎsＧａ1-sＮ（０≦ｓ＜１）よりなる中間層と、
　前記中間層上に形成された、略単一のＩｎ組成を有するＩｎtＧａ1-tＮ（０≦ｔ＜０．５）よりなる緩衝層と、
　前記緩衝層上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層とを備え、
　前記量子井戸発光層はＩｎ濃度が相対的に高いＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ＜０．５）よりなる井戸層と、Ｉｎ濃度が相対的に低いＩｎvＧａ1-vＮ（０≦ｖ＜ｕ）よりなる障壁層とを有し、
　前記緩衝層のＩｎ濃度は前記中間層のＩｎ濃度よりも高く、かつ前記井戸層のＩｎ濃度は前記緩衝層のＩｎ濃度よりも高く、
　ＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦１）よりなる基板をさらに備え、
　前記クラッド層は前記基板の一方の主面上に形成されることを特徴とする、半導体発光素子。」
　　
２．刊行物の記載
（１）刊行物１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２９９５３２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、活性層、ｐ型ガイド層及びｐ型クラッド層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記ｎ型及び／又はｐ型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Ａｌ組成が少なくなるように組成傾斜されているＡｌaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）を有する第１の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、ＩｎbＧａ1-bＮ（０≦ｂ＜１）を含んでなる量子井戸構造であり、前記ｎ型及び／又はｐ型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Ｉｎの組成が多くなるように組成傾斜され、但しＩｎの組成が活性層の井戸層のＩｎの組成より少ないようにされているＩｎdＧａ1-dＮ（０≦ｄ＜１）を有する第２の窒化物半導体を含んでなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子、太陽電池、光センサー等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）素子に関し、特に、光閉じ込めが良好な青色（およそ４００ｎｍ付近）よりも長波長のレーザ光の得られる窒化物半導体レーザ素子に関する。」
　
ウ　「【０００７】…、本発明の目的は、ガイド層や活性層等の結晶性を向上させ、長波長のレーザ光を得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。」
　
エ　「【００１２】…、本発明は、…、窒化物半導体を用いて長波長のレーザ光の発振を達成しようとする場合に生じる結晶性の著しい低下という窒化物半導体における特有の問題点を、クラッド層やガイド層の組成を傾斜させることで格子定数の差を徐々に変化させ結晶にかかる歪みを緩和することにより解決するものである。本発明において、組成傾斜されている層としては、ｎ型及びｐ型クラッド層の少なくとも一方と、ｎ型及びｐ型ガイド層の少なくとも一方とが組成傾斜されていればよいが、好ましくは、ｎ型又はｐ型クラッド層と、ｎ型及びｐ型ガイド層が組成傾斜され、より好ましくはｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、ｐ型クラッド層及びｐ型ガイド層が組成傾斜されていると、結晶性の向上の点で好ましい。」　
　
オ　「【００６２】
【実施例】以下に本発明の一実施の形態である実施例を示す。しかし本発明はこれに限定されない。
【００６３】［実施例１］実施例１として、図１に示される本発明の一実施の形態である窒化物半導体レーザ素子を製造する。また発明の詳細な説明に記載したように、Ｉｎ組成比の理論値の計算式の値と、量子井戸構造をとる量子準位の形成による短波長へのシフトなどによる実際の発振波長とは異なるために、実施例の活性層のＩｎ組成比は近似的な値である。
【００６４】異種基板として、図３に示すようにステップ状にオフアングルされたＣ面を主面とし、オフアングル角θ＝０．１５°、ステップ段差およそ２０オングストローム、テラス幅Ｗおよそ８００オングストロームであり、オリフラ面をＡ面とし、ステップがＡ面に垂直であるサファイア基板を用意する。このサファイア基板を反応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮよりなる低温成長のバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させ、１０５０℃になったら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、アンドープのＧａＮからなる高温成長のバッファ層を５μｍの膜厚で成長させる。次に、高温成長のバッファ層を積層したウェーハ上にストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置によりストライプ幅１８μｍ、窓部の幅３μｍのＳｉＯ2よりなる保護膜を０．１μｍの膜厚で形成する。保護膜のストライプ方向はサファイアＡ面に対して垂直な方向である。保護膜形成後、ウェーハを反応容器に移し、１０５０℃にて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなる窒化物半導体層を１５μｍの膜厚で成長させＥＬＯＧ基板１とする。得られたＥＬＯＧ基板１上に以下の素子構造を積層成長させる。
【００６５】（アンドープｎ型コンタクト層）［図１には図示されていない］
ＥＬＯＧ基板１上に、１０５０℃で原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスを用いアンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層を１μｍの膜厚で成長させる。
（ｎ型コンタクト層２）次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガス（ＳｉＨ4）を用い、Ｓｉを３×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層２を３μｍの膜厚で成長させる。成長されたｎ型コンタクト層２には、微細なクラックが発生しておらず、微細なクラックの発生が良好に防止されている。また、ＥＬＯＧ基板１に微細なクラックが生じていても、ｎ型コンタクト層２を成長させることで微細なクラックの伝播を防止でき結晶性の良好な素子構造を成長さることができる。結晶性の改善は、ｎ型コンタクト層２のみの場合より、上記のようにアンドープｎ型コンタクト層を成長させることによりより良好となる。
【００６６】（クラック防止層３）次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びアンモニアを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなるクラック防止層３を０．１５μｍの膜厚で成長させる。
【００６７】（ｎ型クラッド層４）次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ0.15Ｇａ0.86Ｎよりなる第１の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなる第３の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１４０回繰り返して第１の窒化物半導体と第３の窒化物半導体を積層し、総膜厚７０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド層４を成長させる。但し、２回目以降の第１の窒化物半導体のＡｌ組成は、徐々に少なくなるように原料ガスのＴＭＡの流量を調整して、１４０回目の第１の窒化物半導体には、Ａｌ組成が含まれないＧａＮとなるようにＡｌ組成が組成傾斜されている。
【００６８】（ｎ型ガイド層５）次に、温度を８５０℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＩｎdＧａ1-dＮよりなる第２の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＩを止め、アンドープのＧａＮよりなる第４の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ４０回繰り返して第２の窒化物半導体と第４の窒化物半導体を積層し、総膜厚２０００オングストロームの多層膜層よりなるｎ型ガイド層を成長させる。但し、第２の窒化物半導体のＩｎ組成比を示すｄの値を、１回目は０とし、２回目以降は徐々に値を大きくしていき、活性層に最も接近している第２の窒化物半導体のｄの値が０．１となるように、Ｉｎ組成が組成傾斜されている。
【００６９】（活性層６）次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させる。続いて、シランガスを止め、アンドープのＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を４回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚６２０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させる。」
　
（２）刊行物２
　同じく、特開２００３−２２９６３８号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【００２７】…。本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子１０は、図１に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｎ型ＧａＮ第１光ガイド層１６、ＩｎＧａＮ活性層１８、ｐ型ＩｎＧａＮ第２光ガイド層２０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２４を、順次、積層した積層構造を備えている。」
　
「【００３１】実施形態例２
本実施形態例は、第２の発明に係る窒化物系化合物半導体発光素子を窒化物系半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図３は窒化物系半導体レーザ素子の断面図である。本実施形態例の窒化物系半導体レーザ素子４０は、図３に示すように、ｐ側電極４２が、ｐ型コンタクト層２４上に延在し、更に絶縁膜２８を介して高密度欠陥領域３０上まで延在していること、及びｎ側電極４４がｎ型ＧａＮ基板１２の高密度欠陥領域１２ａ間の低密度欠陥領域上に設けられていることを除いて、実施形態例１の窒化物系半導体レーザ素子１０と同じ構成を備えている。」
　
　そして、図１及び図３には、ｎ型ＧａＮ基板１２の一方の主面上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｎ型ＧａＮ第１光ガイド層１６、ＩｎＧａＮ活性層１８が順次積層された構造の窒化物系半導体レーザ素子が図示されている。
　なお、図１及び図３は、次のものである。
　
３．引用発明
（１）上記２．（１）アによれば、刊行物１には、
「基板上に、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記ｎ型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Ａｌ組成が少なくなるように組成傾斜されているＡｌaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）を有する第１の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、ＩｎbＧａ1-bＮ（０≦ｂ＜１）を含んでなる量子井戸構造であり、前記ｎ型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Ｉｎの組成が多くなるように組成傾斜され、但しＩｎの組成が活性層の井戸層のＩｎの組成より少ないようにされているＩｎdＧａ1-dＮ（０≦ｄ＜１）を有する第２の窒化物半導体を含んでなる窒化物半導体レーザ素子。」
が記載されているものと認められる。
　
（２）また、同オには、実施例として、【００６４】に前記基板がＥＬＯＧ基板であり、【００６７】に前記ｎ型クラッド層がＡｌ0.15Ｇａ0.86ＮからＧａＮまで、すなわち、ａ＝０．１５から０までの組成傾斜であり、【００６８】に前記ｎ型ガイド層がＧａＮからＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎまで、すなわち、ｄ＝０から０．１までの組成傾斜であり、【００６９】に活性層がＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層とＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層の多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層である旨記載されている。
　
（３）以上によれば、刊行物１には
「ＥＬＯＧ基板上に、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記ｎ型クラッド層が、活性層に接近するにつれて、Ａｌ組成が少なくなるように組成傾斜されているＡｌaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）を有する第１の窒化物半導体を含んでなり、前記活性層が、ＩｎbＧａ1-bＮ（０≦ｂ＜１）を含んでなる量子井戸構造であり、前記ｎ型ガイド層が、活性層に接近するにつれて、Ｉｎの組成が多くなるように組成傾斜され、但しＩｎの組成が活性層の井戸層のＩｎの組成より少ないようにされているＩｎdＧａ1-dＮ（０≦ｄ＜１）を有する第２の窒化物半導体を含んでなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記ｎ型クラッド層のＡｌ組成ａは、ａ＝０．１５から０までの組成傾斜であり、
　前記ｎ型ガイド層のＩｎ組成ｄは、ｄ＝０から０．１までの組成傾斜であり、
　前記活性層は、Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層とＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層の多重量子井戸構造の活性層である窒化物半導体レーザ素子。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
４．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ｎ型クラッド層」と本願発明の「クラッド層」は、「第１導電型のＡｌＧａＮよりなるクラッド層」の点で一致する。
　引用発明の「ｎ型ガイド層」と本願発明の「緩衝層」は、「Ｉｎ組成を有するＩｎtＧａ1-tＮ（０≦ｔ＜０．５）よりなる層」の点で一致する。
　また、引用発明の「ｎ型ガイド層」は、上記２．（１）エ【００１２】に記載されるように「結晶にかかる歪みを緩和する」機能を有するものであるから、「緩衝層」といえる。
　引用発明の「活性層」は、「ｎ型ガイド層」の上に形成されており、「Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層とＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層」からなるから、本願発明と同様に「緩衝層上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層」といえる。
　引用発明の「活性層」は、「Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層とＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層の多重量子井戸構造」であるから、「Ｉｎ濃度が相対的に高いＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ＜０．５）よりなる井戸層と、Ｉｎ濃度が相対的に低いＩｎvＧａ1-vＮ（０≦ｖ＜ｕ）よりなる障壁層とを有」する「量子井戸発光層」といえる。
　また、引用発明の「井戸層」のＩｎ濃度は、０．３で、「ｎ型ガイド層」のＩｎ濃度より高いから、引用発明と本願発明は、「前記井戸層のＩｎ濃度は前記緩衝層のＩｎ濃度よりも高く」の点で一致する。
　また、本願発明と引用発明は、「基板」を備える点及び「半導体発光素子」の点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「第１導電型のＡｌＧａＮよりなるクラッド層と、　
　ＩｎtＧａ1-tＮ（０≦ｔ＜０．５）よりなる緩衝層と、
　前記緩衝層上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層とを備え、
　前記量子井戸発光層はＩｎ濃度が相対的に高いＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ＜０．５）よりなる井戸層と、Ｉｎ濃度が相対的に低いＩｎvＧａ1-vＮ（０≦ｖ＜ｕ）よりなる障壁層とを有し、
　前記井戸層のＩｎ濃度は前記緩衝層のＩｎ濃度よりも高く、
　基板をさらに備える、半導体発光素子。」
である点で一致し、次の（１）及び（２）の点で相違するものと認められる。
　
（１）本願発明は、前記クラッド層が略単一のＡｌ組成を有するものであり、前記クラッド層上に略単一のＩｎ組成を有するＩｎsＧａ1-sＮ（０≦ｓ＜１）よりなる中間層が形成され、前記緩衝層が前記中間層上に形成された略単一のＩｎ組成を有するものであり、前記緩衝層のＩｎ濃度は前記中間層のＩｎ濃度よりも高いのに対し、引用発明は、クラッド層及びガイド層が傾斜組成である点（以下「相違点１」という。）。
　
（２）本願発明は、基板がＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦１）よりなるものであり、前記クラッド層が前記基板の一方の主面上に形成されているのに対し、引用発明は、基板がＥＬＯＧ基板である点（以下「相違点２」という。）。
　
５．判断
（１）相違点１について
　引用発明において、クラッド層及びガイド層を傾斜組成としている理由について、刊行物１には、「本発明の目的は、ガイド層や活性層等の結晶性を向上させ、長波長のレーザ光を得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。」（上記２．（１）ウ【０００７】）と記載され、また、「窒化物半導体を用いて長波長のレーザ光の発振を達成しようとする場合に生じる結晶性の著しい低下という窒化物半導体における特有の問題点を、クラッド層やガイド層の組成を傾斜させることで格子定数の差を徐々に変化させ結晶にかかる歪みを緩和することにより解決するものである。」（上記２．（１）エ【００１２】）と記載されている。
　これら記載によれば、窒化物半導体を用いて長波長のレーザ光の発振を達成しようとして、活性層のＩｎ混晶比を高くすると、クラッド層と活性層の格子定数の差が大きくなることにより、ガイド層や活性層の結晶性が著しく低下するという問題点があるところ、この問題点は、格子定数の差を徐々に変化させ、結晶にかかる歪みを緩和することにより解決されることが理解される。
　してみると、ガイド層や活性層の結晶性を向上させるためには、格子定数の差を徐々に変化させ、結晶にかかる歪みを緩和するようにすればよく、引用発明のようにクラッド層及びガイド層を傾斜組成とまでしなくても、クラッド層から活性層にかけて徐々に結晶の格子定数が大きくなるようにすれば、クラッド層の結晶格子と活性層の井戸層の結晶格子との不整合が緩和され、ガイド層や活性層の結晶性が向上し、発光特性が向上するものと考えられるところであり、クラッド層から活性層にかけて徐々に結晶の格子定数が大きくなるようにするために、（格子定数がガイド層より小さい）略単一のＡｌ組成を有するクラッド層と（格子定数がクラッド層より大きく活性層の井戸層より小さい）略単一のＩｎ組成を有するガイド層との間に、格子定数がこれらの中間にある略単一のＩｎ組成を有するＩｎsＧａ1-sＮ（０≦ｓ＜１）よりなる中間層を設けるようにして、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（２）相違点２について
　上記２．（２）のとおり、刊行物２には、窒化物系半導体レーザ素子において、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｎ型ＧａＮ第１光ガイド層、ＩｎＧａＮ活性層をｎ型ＧａＮ基板の一方の主面上に順次積層したものが記載されるところであり、引用発明におけるＥＬＯＧ基板をｎ型ＧａＮ基板、すなわち、本願発明においてｗ＝０としたＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦１）基板とすることにより、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜になし得る程度のことというべきである。
　
（３）本願発明が奏する効果
　本願発明が奏する効果についてみても、刊行物１及び２に記載された事項に基づいて当業者が予測可能な程度のものであって、格別顕著な効果とはいえない。
　　
６．むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。