【手続補正書】
【提出日】平成18年2月21日(2006.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
テレコミュニケーション・トランスミッタ・レーザーは、高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）光通信システムの中で使用され、複数の異なるデータ・ストリームが単一の光ファイバ内に同時に存在し、各データ・ストリームの変調が異なるチャネル上に出現する。各データ・ストリームは、特定のチャネル波長で作動するトランスミッタ・レーザーに対応する出力ビームに変調され、半導体レーザからの変調出力が、それぞれのチャネルの送信のために単一の光ファイバに纏められる。国際電気通信連合（ＩＴＵ）による良く知られた設定は、現在約０．４ナノメートル、即ち約５０ＧＨｚのチャネルセパレーションを定めている。このチャネルセパレーションに依れば、現在利用可能なファイバおよびファイバ・アンプの帯域幅の範囲内において、単一の光ファイバによって少なくとも１２８のチャネルを伝搬する事が可能である。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】ＥＰ  ０９５１１１２  Ａ２
【特許文献２】ＷＯ  ００／４９６８９  Ａ１
【特許文献３】ＷＯ  ０１／０８２７７  Ａ１
【特許文献４】ＰＣＴ／ＵＳ  ０２／２１４１５
【特許文献５】ＵＳ  ４，４１０，９９２
【特許文献６】ＵＳ  ４，４６０，９７７
【特許文献７】ＵＳ  ４，８４７，８５３
【特許文献８】ＵＳ  ５，１２４，９９３
【特許文献９】ＵＳ  ５，１６３，０６３
【特許文献１０】ＵＳ  ５，１８１，２１４
【特許文献１１】ＵＳ  ５，４１４，２８０
【特許文献１２】ＵＳ  ５，４１８，８００
【特許文献１３】ＵＳ  ５，４２８，７００
【特許文献１４】ＵＳ  ５，４４４，７２４
【特許文献１５】ＵＳ  ５，６７３，１２９
【特許文献１６】ＵＳ  ５，７５１，７５０
【特許文献１７】ＵＳ  ５，７７７，７７３
【特許文献１８】ＵＳ  ５，８１２，７１６
【特許文献１９】ＵＳ  ５，８４８，０９２
【特許文献２０】ＵＳ  ５，８７２，８８１
【特許文献２１】ＵＳ  ５，９１７，１８８
【特許文献２２】ＵＳ  ６，０４０，９５０
【特許文献２３】ＵＳ  ６，０４４，０９５
【特許文献２４】ＵＳ  ６，０６４，５０１
【特許文献２５】ＵＳ  ６，０８１，５３９
【特許文献２６】ＵＳ  ６，１１５，１２１
【特許文献２７】ＵＳ  ６，１８１，７１７
【特許文献２８】ＵＳ  ６，２１５，８０２
【特許文献２９】ＵＳ  ６，２２９，８３５
【特許文献３０】ＵＳ  ６，２５９，７１２
【特許文献３１】ＵＳ  ６，３０１，２８０
【特許文献３２】ＵＳ  ２００２／００４８２９７  Ａ１
【特許文献３３】ＵＳ  ６，４０４，５３８
【特許文献３４】ＵＳ  ２００２／０１３６１０４  Ａ１
【特許文献３５】ＵＳ  ５，０５０，１７９
【特許文献３６】ＵＳ  ５，２１８，６１０
【特許文献３７】ＵＳ  ５，３２７，４４７
【特許文献３８】ＵＳ  ５，３３１，６５１
【特許文献３９】ＵＳ  ５，６５１，０１８
【特許文献４０】ＵＳ  ６，０４３，８８３
【特許文献４１】ＵＳ  ６，１１５，４０１
【特許文献４２】ＵＳ  ６，２４３，５１７
【特許文献４３】ＵＳ  ６，３２１，０１１
【特許文献４４】ＵＳ  ６，３２４，２０４
【特許文献４５】ＵＳ  ５，２６３，０３７
【特許文献４６】ＵＳ  ６，３０１，２７４
【特許文献４７】ＵＳ  ６，４６３，０８５
【特許文献４８】ＵＳ  ５，８６２，１６２
【特許文献４９】ＵＳ  ６，３１４，１１５
【特許文献５０】ＵＳ  ６，０２６，１００
【特許文献５１】ＵＳ  ５，３４９，４３９
【特許文献５２】ＵＳ  ４，９４７，３９８
【特許文献５３】ＵＳ  ５，９４３，３５２
【特許文献５４】ＵＳ  ６，３０４，５８６  Ｂ１
【特許文献５５】ＷＯ  ９８／０５１０５
【特許文献５６】ＷＯ  ０１／０４９９９  Ａ１
【特許文献５７】ＷＯ  ０２／０７８１３７  Ａ１
【特許文献５８】ＷＯ  ０３／００５５００  Ａ２
【特許文献５９】ＷＯ  ０３／００５５０１  Ａ２
【特許文献６０】ＷＯ  ０３／００５５１２  Ａ２
【特許文献６１】ＵＳ  ６，１０８，３５５  Ａ
【特許文献６２】ＵＳ  ６，２８２，２１５  Ｂ１
【特許文献６３】ＵＳ  ６，５２６，０７１  Ｂ１
【特許文献６４】ＵＳ  ６，２０５，１５９  Ｂ１
【特許文献６５】ＵＳ  ６，３６６，５９２  Ｂ１
【特許文献６６】ＵＳ  ６，３６６，６８９  Ｂ１
【特許文献６７】ＵＳ  ６，３６６，５９２  Ｂ１
【特許文献６８】ＵＳ  ６，０１８，５３５  Ａ
【特許文献６９】ＵＳ  ５，６７３，１２９
【特許文献７０】ＵＳ  ６，０３４，７９９  Ａ
【特許文献７１】ＵＳ  ６，２０５，１５９  Ｂ１
【特許文献７２】ＵＳ  ６，５３２，０９１  Ｂ１
【特許文献７３】ＵＳ  ６，２４９，３６５  Ｂ１
【特許文献７４】ＵＳ  ６，３３７，６６０  Ｂ１
【特許文献７５】ＵＳ  ６，４４１，９３３  Ｂ１
【特許文献７６】ＵＳ  ６，２８２，２１５
【特許文献７７】ＵＳ  ６，１０８，３５５
【特許文献７８】ＵＳ  ２００２／０１２６３４５
【特許文献７９】ＵＳ  ６，３６６，６８９
【特許文献８０】ＷＯ  ００４９６８９
【特許文献８１】ＵＳ  ３，９６７，２１１
【特許文献８２】ＵＳ  ４，３０９，６７１
【特許文献８３】ＵＳ  ４，５０４，９５０
【特許文献８４】ＵＳ  ４，５６０，２４６
【特許文献８５】ＵＳ  ４，５８３，２２７
【特許文献８６】ＵＳ  ４，７７０，０４７
【特許文献８７】ＵＳ  ４，８３９，６１４
【特許文献８８】ＵＳ  ４，８４３，２３３
【特許文献８９】ＵＳ  ４，８７０，２６９
【特許文献９０】ＵＳ  ４，９３２，７８２
【特許文献９１】ＵＳ  ４，９９４，６７７
【特許文献９２】ＵＳ  ５，０２８，３９５
【特許文献９３】ＵＳ  ５，０５８，１２４
【特許文献９４】ＵＳ  ５，１０３，４５７
【特許文献９５】ＵＳ  ５，１１５，６７７
【特許文献９６】ＵＳ  ５，１４１，３１６
【特許文献９７】ＵＳ  ５，１７２，１８５
【特許文献９８】ＵＳ  ５，１８１，０７８
【特許文献９９】ＵＳ  ５，１８５，６４３
【特許文献１００】ＵＳ  ５，２２５，９３０
【特許文献１０１】ＵＳ  ５，２７０，７９１
【特許文献１０２】ＵＳ  ５，３０５，３３０
【特許文献１０３】ＵＳ  ５，３１９，６６８
【特許文献１０４】ＵＳ  ５，３２１，７１７
【特許文献１０５】ＵＳ  ５，３３１，６５１
【特許文献１０６】ＵＳ  ５，３４７，５２７
【特許文献１０７】ＵＳ  ５，３４９，４３９
【特許文献１０８】ＵＳ  ５，３４９，４４０
【特許文献１０９】ＵＳ  ５，３７３，５１５
【特許文献１１０】ＵＳ  ５，３８７，９７４
【特許文献１１１】ＵＳ  ５，４１２，４７４
【特許文献１１２】ＵＳ  ５，４２０，６８７
【特許文献１１３】ＵＳ  ５，４２８，７００
【特許文献１１４】ＵＳ  ５，４３８，５７９
【特許文献１１５】ＵＳ  ５，４５０，２０２
【特許文献１１６】ＵＳ  ５，４７３，６２５
【特許文献１１７】ＵＳ  ５，５４３，９１６
【特許文献１１８】ＵＳ  ５，５８３，６３８
【特許文献１１９】ＵＳ  ５，５９４，７４４
【特許文献１２０】ＵＳ  ５，６０６，４３９
【特許文献１２１】ＵＳ  ５，６３１，７３６
【特許文献１２２】ＵＳ  ５，７１２，７０４
【特許文献１２３】ＵＳ  ５，７１９，６７４
【特許文献１２４】ＵＳ  ５，７３７，１０９
【特許文献１２５】ＵＳ  ５，７６０，３９１
【特許文献１２６】ＵＳ  ５，８０２，０８５
【特許文献１２７】ＵＳ  ５，８２５，７９２
【特許文献１２８】ＵＳ  ５，８８６，７８５
【特許文献１２９】ＵＳ  ５，９４６，３３１
【特許文献１３０】ＵＳ  ５，９９１，０６１
【特許文献１３１】ＵＳ  ６，０６１，３６９
【特許文献１３２】ＵＳ  ６，０８４，６９５
【特許文献１３３】ＵＳ  ６，１０８，３５５
【特許文献１３４】ＵＳ  ６，１９２，０５８
【特許文献１３５】ＵＳ  ６，２０５，１５９
【特許文献１３６】ＵＳ  ６，２４６，４８０
【特許文献１３７】ＵＳ  ６，２４９，３６４
【特許文献１３８】ＵＳ  ６，２５２，７１８
【特許文献１３９】ＵＳ  ６，２８２，２１５
【特許文献１４０】ＵＳ  ６，３０４，５８６
【特許文献１４１】ＵＳ  ６，３３０，２５３
【特許文献１４２】ＵＳ  ６，３３１，８９２
【特許文献１４３】ＵＳＲＥ  ３７，０４４
【特許文献１４４】ＥＰ  ０９２４６２８
【特許文献１４５】ＷＯ  ９８／４４４２４
【非特許文献１】KETELSEN,L.J.P.,"Simple Technique for Measuring Cavity Loss in Semiconductor Laser", Electronics Letters,(August 18,1994), Vol.30, No.17, pp.1422-1424
【非特許文献２】SHTENGEL, G.E.,et al.,"Internal Optical Loss Measurements in 1.3um InGaAsP Lasers,"Electoronic Letters,(July 6,1995),Vol.31,No.14,pp.1157-1159
【非特許文献３】Favre et al.,"External−Cavity Semiconductor Laser With 15 nm Continuous Tuning Range",Electronics Letters, June 19 1986
【非特許文献４】Macleod, H.A. in Thin Film Optical Filters 2nd Edition, McGraw-Hill, 1989, pgs 244-269
【非特許文献５】Mellis et al., "Miniature Packaged External-Cavity Semiconductor Laser With 50Ghz Continuous Electical Tuning Range", Electronics Letters, April 22, 1988
【非特許文献６】Rosenberg, K.P., et al., "Logarithmically Variable Infrared Etalon Filters", SPIE, Vol.2262/223, pgs. 223-232
【非特許文献７】Scobey M. and Stupik P., "Stable Ultra-Narrow Bandpass Filters"SPIE, Vol.2262, pgs. 37-46
【非特許文献８】Siegman A.E.,"An Introduction to Lasers and Masers", McGraw-Hill,Inc., 1971
【非特許文献９】Takahashi,H., "Temperature Stability of Thin-Film Narrow-Bandpass Filters Produced by Ion-Assisted Deposition Applied Optics" Vol.34, No.4, Feb 1 1995
【非特許文献１０】Yoder, Optical Instrument Structural Design, pp.612-619
【非特許文献１１】Zhang, X.X., "An Interference Filter Based External Cavity Laser For Dense Wavelength Division Multiplexing Applications" Corning OCA Corp, pgs 103-108