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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の移動体無線局が、各無線チャネルが１セットの拡散コードの１つに対応する無線チャネルを介して、対応する地理的領域内に位置する１つ又は複数の無線基地局と通信する符号分割多重接続（ＣＤＭＡ）移動通信システムにおける、無線局であって、
四相拡散コードを選択的に提供するコード発生器であって、前記四相拡散コードが、異なる初期シフトレジスタの状態から作成されるシーケンスである、各々に２が掛けられた２つの２進シーケンスと１つの４進シーケンスとのモデュロ−４加算によって発生する４進拡散コードのＳ(2)集合から決定され、最小相互相関を有する最大数の４進拡散コードを有して、コード長を２のべき乗するコードシンボルにより前記Ｓ(2)の４進拡散コードの長さを拡張し、前記ＣＤＭＡ移動通信システムにおけるマルチ速度の通信を支援する、前記コード発生器と、
無線局に割り振られた前記四相拡散コードの１つを使用して無線局によって伝送すべき情報信号を拡散して、拡散信号を提供する拡散器と、 
無線搬送波で前記拡散信号を変調する変調器と、を備えることを特徴とする無線局。
【請求項２】  無線搬送波から受信したＣＤＭＡ信号を復調する復調器と、 
前記１つの四相拡散コードを使用して前記受信したＣＤＭＡ信号を逆拡散して、受信した情報信号を提供する逆拡散器と、を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の無線局。
【請求項３】  伝送すべき情報信号が実数データストリームと虚数データストリームとに割り振られ、 
前記無線局は、
実数チャネル化コードを使用して実数データストリームを拡散する実数チャネル拡散器と、 
虚数チャネル化コードを使用して虚数データストリームを拡散する虚数チャネル拡散器と、 
実数チャネル拡散器及び虚数チャネル拡散器からの出力を組み合わせて、複素数信号を生成する合成器と、を更に備え、 
前記拡散器が、移動体無線に割り振られた前記１つの四相拡散コードを使用して複素数信号を拡散することを特徴とする請求項１に記載の無線局。
【請求項４】  複数の通信デバイスが、各通信チャネルが１セットのＣＤＭＡ拡散コードの１つに対応する、割り振られた通信チャネルを使用して通信する符号分割多重接続（ＣＤＭＡ）通信システムにおける方法であって、 
異なる初期シフトレジスタの状態から作成されるシーケンスである、各々に２が掛けられた２つの２進シーケンスと１つの４進シーケンスとのモデュロ−４加算によって、各々が所定の長さを有するオリジナルのＳ(2)の４進拡散コード族を生成する生成工程と、 
ＣＤＭＡ拡散コード族を生成するために、コード長を２のべき乗するコードシンボルにより、前記オリジナルのＳ(2)の４進拡散コード族からオリジナルのＳ(2)の４進拡散コードの長さを拡張する拡張工程と、を有することを特徴とする方法。
【請求項５】  前記拡張工程は、 
オリジナルのＳ(2)の４進拡散コードの１つの末尾を検出する検出工程と、 
オリジナルのＳ(2)の４進拡散コードの１つの末尾にコードシンボルを追加する追加工程と、を更に有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記オリジナルのＳ(2)の４進拡散コード族が四相コードであり、オリジナルのＳ(2)の４進拡散コードを拡張するために使用される各追加コードシンボルが４つの取り得る値を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】  ＣＤＭＡ拡散コードを提供するＣＤＭＡコード発生器であって、 
ｍを整数としてｍ段を有する１つ又は複数のフィードバック・シフトレジスタであって、最終段の出力が第１段の入力にフィードバックされ、前記１つ又は複数のフィードバック・シフトレジスタの出力が長さＬ＝２m−１のＳ(2)の４進拡散コード族の１つに対応する、１つ又は複数のフィードバック・シフトレジスタと、 
２つの２進シーケンスに２を掛ける手段と、前記２つの２進シーケンスと１つの４進シーケンスとをモデュロ−２加算する手段とを含み、前記Ｓ(2)の４進拡散コード族のコードを発生するコード発生手段と、
１つのＳ(2)の４進拡散コードに追加コードシンボルを追加し、ＣＤＭＡ拡散コードの１つに対応する拡張されたＳ(2)の４進拡散コードを提供する電子回路と、を備えることを特徴とするＣＤＭＡコード発生器。
【請求項８】  １つのＳ(2)の４進拡散コードの末尾を検出し、１つのＳ(2)の４進拡散コードの前記末尾に前記追加コードシンボルを追加するため電子回路に信号を与える比較器を更に備えることを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡコード発生器。
【請求項９】  前記フィードバック・シフトレジスタに各々の初期状態が設定されるように、拡張されたコード周期の終了時にカウンタ出力を生成するカウンタを更に備えることを特徴とする請求項７に記載のＣＤＭＡコード発生器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バッテリー装置から所定の電力を出力させる電力制御システムであって、
（ｉ）前記のバッテリー装置からの電力を負荷へ送る出力手段と、
（ｉｉ）前記のバッテリー装置に接続され、バッテリー装置の予め選択された動作パラメータを検知し、第１動作モードのとき及び第２動作モードのとき、前記バッテリー装置から前記の出力手段へ電力を供給する制御手段と、
（ｉｉｉ）前記の制御手段とバッテリー装置の間に接続され、前記制御手段が第１動作モードのとき予め決められた電力量を蓄積し、前記の制御手段が第２動作モードになったとき、前記の制御手段からの指令信号に応答してその蓄積電力量を前記のバッテリー装置へ供給する第１キャパシタ手段と、
（ｉｖ）前記の制御手段と出力手段の間に接続され、前記制御手段が第１動作モードのとき予め決められた電力量を蓄積し、前記の制御手段が第2動作モードになったとき、前記の制御手段からの指令信号に応答してその蓄積電力量を前記の出力手段へ供給する第２キャパシタ手段とから成る、電力制御システム。
【請求項２】  前記の第１と第２のキャパシタ手段が、バッテリーから送られる電力の５０パーセント未満を蓄積する、請求項１記載の電力制御システム。
【請求項３】  前記の制御手段が、電力の出力手段への供給開始の後、所定の時間間隔をおいて前記の第１キャパシタ手段と第２キャパシタ手段とに指令信号を送る、請求項１記載の電力制御システム。
【請求項４】  前記の制御手段が、前記バッテリー内の分極レベルを検知し、そのバッテリー内での分極レベルが所定限度を下回ると、前記の第１キャパシタ手段と第２キャパシタ手段へ制御信号が送られる、請求項１記載の電力制御システム。
【請求項５】  前記の第１キャパシタ手段内に蓄積された電力が、前記の制御手段により検知される、バッテリー装置の内部抵抗値に比例する比率でバッテリー装置の電極を励起するような逆電荷又は逆パルスを誘発する、請求項１記載の電力制御システム。
【請求項６】  前記システムのバッテリーが鉛酸蓄電池である、バッテリー装置の管理のために使用される請求項１記載の電力制御システム。
【請求項７】  前記の鉛酸蓄電池が、螺旋巻腺電極と高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る、請求項６記載の電力制御システム。
【請求項８】  前記の鉛酸蓄電池が、高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る圧縮板電極から成る、請求項６記載の電力制御システム。
【請求項９】  前記の鉛酸蓄電池が、バイポーラ式セル構造をもつ、請求項６記載の電力制御システム。
【請求項１０】 少なくとも１対の電極をもち、分極の影響を受けやすい少なくとも１個のセルを有するバッテリーの管理システムであって、
（ｉ）分極レベルを示す少なくとも１つの前記セルの所定パラメータをモニターする手段と、
（ｉｉ）前記のバッテリーに入出力される電力の所定量を蓄積する手段と、
（ｉｉｉ）前記の分極の損失を削減できるよう、分極レベルに従って、逆電荷又は逆パルスを誘発する手段と、
（ｉｖ）前記の逆電荷又は逆パルスを誘発する手段が該逆電荷又は逆パルスを誘発しているときに、蓄積された電力を負荷へ供給するバッテリー以外の手段
から成るバッテリー管理システム。
【請求項１１】  前記の所定パラメータが、少なくとも１つの前記セルの内部抵抗値である、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項１２】  前記の逆電荷又は逆パルスが、少なくとも１つの前記セルの内部抵抗値および／またはエネルギー流量のレベルに比例した比率で誘発される、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項１３】  前記のバッテリーが複数のセルを有し、前記のモニター手段が各セルの所定パラメータをモニターし、前記の逆電荷又は逆パルスが各セルに誘発される、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項１４】  さらに、前記のバッテリーが接続されたバッテリー充電器を特定する手段と、その特定されたバッテリー充電器が未認定のバッテリーを充電しないよう前記バッテリーを特定する手段とを備える、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項１５】  前記のバッテリーが、ニッケル金属水酸化物バッテリーである、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項１６】  前記のニッケル金属水酸化物バッテリーが、螺旋巻腺電極と高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る、請求項１５記載のバッテリー管理システム。
【請求項１７】  前記のニッケル金属水酸化物バッテリーが、圧縮板電極と高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る、請求項１５記載のバッテリー管理システム。
【請求項１８】  前記のバッテリーがレドックス−ゲル型電池である、請求項６記載のバッテリー管理システム。
【請求項１９】  前記のレドックス−ゲル型電池が、螺旋巻腺電極と高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る、請求項１８記載のバッテリー管理システム。
【請求項２０】  前記のレドックス−ゲル型電池が、圧縮板電極と高エネルギー伝送容量電解質媒体から成る、請求項１８記載のバッテリー管理システム。
【請求項２１】  前記の所定パラメータが、少なくとも１つの前記セルの電圧値、電流値、温度、圧力値、内部抵抗値、又は内部インピーダンス値から選択される、請求項１０記載のバッテリー管理システム。
【請求項２２】  前記の請求項１０記載のバッテリー管理システムを備えたバッテリー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  細胞培養物であって、該細胞培養物は、以下：
（ａ）多能性中枢神経系（ＣＮＳ）神経幹細胞の増殖を誘導するのに有効な１以上の予め決定された増殖因子を含む培養培地；および
（ｂ）該培養培地中に懸濁された、ヒト多能性ＣＮＳ神経幹細胞
を含み、ここで、
（ｉ）該ヒト多能性ＣＮＳ神経幹細胞の集団が、ネスティンに対して陽性として染色する細胞を含み；
（ｉｉ）分化誘導条件下で、該細胞が、ニューロン、星状細胞、またはオリゴデンドロサイトへと分化する子孫細胞を産生し；
ここで、該細胞は、３０日間よりも速い該培養培地中での倍加速度を有する、
細胞培養物。
【請求項２】  前記細胞が、５〜１０日である倍加速度を有する、請求項１に記載の細胞培養物。
【請求項３】  前記培養培地が、ＬＩＦを含む、請求項１または２に記載の細胞培養物。
【請求項４】  前記培養培地が、無血清であるか、または血清が減損している、請求項１〜３にいずれかに記載の細胞培養物。
【請求項５】  １０％よりも多いニューロンを有する分化したヒトＣＮＳ神経幹細胞の培養物を産生するための方法であって、ここで、存在するニューロンのうち、少なくとも２０％が、ＧＡＢＡ陽性であり、該方法が、以下：
（ａ）請求項１に記載の細胞培養物を増殖させる工程；および
（ｂ）該増殖した細胞を、分化誘導培養培地に接触させて、１０％を超えるニューロンを有する分化した細胞の培養物へと、該神経幹細胞をインビトロ分化することを誘導する工程であって、ここで、存在するニューロンのうち、少なくとも２０％が、ＧＡＢＡ陽性である、工程
を包含する、方法。
【請求項６】  請求項１に記載の細胞培養物を分化条件に曝すことによって、分化した細胞を産生する方法であって、該方法は、以下：
（ａ）該細胞培養物から１以上の増殖因子を取り出す工程；
（ｂ）該細胞が接着し得る基材を提供する工程；および
（ｃ）１％血清およびイオン電荷の供給源を提供する工程
を包含する、方法。
【請求項７】  請求項６に記載の方法であって、ここで、工程（ｃ）が、ＰＤＧＦ、ＣＮＴＦ、ＩＧＦ−１、ＬＩＦ、フォルスコリン、Ｔ−３およびＮＴ−３を含む増殖因子の混合物を提供する工程をさらに包含する、方法。
【請求項８】  請求項７に記載の方法であって、ここで、工程（ｃ）において、規定培地が提供され、該規定培地が、標準規定培養培地、１％血清、およびＰＤＧＦ  Ａ／Ｂ、ＣＮＴＦ、ＩＧＦ−１、フォルスコリン、Ｔ３、ＬＩＦ、およびＮＴ−３を含む増殖因子の混合物を含む、方法。
【請求項９】  生物学的因子の効果を決定するための方法であって、該方法は、
請求項１〜４のいずれかに記載の細胞培養物または請求項５〜８のいずれかに記載の方法によって産生された分化細胞と、生物学的因子を接触させる工程を包含し、
該方法は、該生物学的因子が、該細胞の増殖、分化、または生存に対する効果を有するか否かを決定する工程を包含する、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、ここで、前記細胞が、ヒト中枢神経系（ＣＮＳ）神経幹細胞から誘導された分化細胞を含み、ここで、１０％を超える該分化した細胞が、ニューロンであり、かつ、ここで、存在するニューロンのうち少なくとも２０％が、ＧＡＢＡ陽性である、方法。
【請求項１１】  前記細胞培養物は、少なくとも２０％のニューロンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  神経変性疾患または神経変性障害の処置のため、または、患者における罹患した損傷または失った組織を置き換えるための医薬品の製造における、請求項１に記載の細胞培養物の使用。
【請求項１３】  請求項１に記載の細胞培養物における使用のため培養培地であって、該培地は、細胞生存量および細胞増殖有効量の成分を含み、該成分は、以下の（ａ）〜（ｆ）：
（ａ）標準規定基礎培地；
（ｂ）グルコースのような補助炭水化物；
（ｃ）ＭＯＰＳ、ＨＥＰＥＳ、またはＴｒｉｓのような補助緩衝液；
（ｄ）補助薬剤であって、ここで、該薬剤は、インスリン、トランスフェリン、プロゲストロン、セレン、プトレスシン、およびそれらの組合せからなる群より選択される、補助薬剤；
（ｅ）神経幹細胞の増殖を刺激する１以上の増殖因子；および
（ｆ）白血球阻害因子（ＬＩＦ）
である、培養培地。
【請求項１４】  ヘパリンをさらに含む、請求項１３に記載の培地。
【請求項１５】  請求項１３または１４に記載の培地であって、ここで、前記炭水化物が、０．２％重量／体積（ｗ／ｖ）と１．０％重量／体積（ｗ／ｖ）との間の濃度で存在する、培地。
【請求項１６】
前培地のｐＨが、ｐＨ６とｐＨ８との間である、請求項１３〜１５のいずれかに記載の培地。
【請求項１７】
前記増殖因子が、０．２ｎｇ／ｍｌと２００ｎｇ／ｍｌとの間の濃度で存在する、請求項１３〜１６のいずれかに記載の培地。
【請求項１８】
前記ＬＩＦが、０．１ｎｇ／ｍｌと５００ｎｇ／ｍｌとの間の濃度で存在する、請求項１３〜１７に記載の培地。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  成熟ヒトＢＰＩのアミノ酸残基１０〜１９３からなり、ここで、１３２位のシステイン残基は、異なるアミノ酸で置換されている、殺菌性／透過性増加タンパク質（ＢＰＩ）欠失アナログ。
【請求項２】  前記システイン残基を置換する前記アミノ酸が、アラニンおよびセリンからなる群より選択される非極性アミノ酸である、請求項１に記載のＢＰＩ欠失アナログ。
【請求項３】  前記１３２位のシステイン残基が、アラニンで置換される、請求項１に記載のＢＰＩ欠失アナログ。
【請求項４】  請求項１に記載のＢＰＩ欠失アナログをコードするポリヌクレオチド。
【請求項５】  請求項３に記載のＢＰＩ欠失アナログをコードするポリヌクレオチド。
【請求項６】  ＢＰＩの２７アミノ酸のリーダー配列をさらに含む、請求項４に記載のポリヌクレオチド。
【請求項７】  ＤＮＡである、請求項４に記載のポリヌクレオチド。
【請求項８】  請求項７に記載のＤＮＡを含む発現ベクター。
【請求項９】  宿主細胞において前記ポリペプチド欠失アナログの発現を可能にする様式で、請求項７に記載のＤＮＡによって安定に形質転換またはトランスフェクトされた宿主細胞。
【請求項１０】  請求項９に従う、真核生物宿主細胞。
【請求項１１】  ＣＨＯ細胞である、請求項１０の宿主細胞。
【請求項１２】  ＢＰＩ欠失アナログポリペプチドを産生するための方法であって、該方法は、請求項９に記載の宿主細胞を適切な培養培地中で増殖させる工程、および該宿主細胞または該培養培地から該ポリペプチドを単離する工程を包含する、方法。
【請求項１３】  請求項１２に記載の方法のポリペプチド産物。
【請求項１４】  請求項１に記載のＢＰＩ欠失アナログおよび薬学的に受容可能な賦形薬、アジュバント、またはキャリアを含む組成物。
【請求項１５】  請求項３に記載のＢＰＩ欠失アナログおよび薬学的に受容可能な賦形薬、アジュバント、またはキャリアを含む組成物。
【請求項１６】  請求項１３に記載のＢＰＩ欠失アナログおよび薬学的に受容可能な賦形薬、アジュバント、またはキャリアを含む組成物。
【請求項１７】  被験体への投与に適切な医薬の製造のための、請求項１４に記載の組成物の使用。
【請求項１８】  被験体への投与に適切な医薬の製造のための、請求項１５に記載の組成物の使用。
【請求項１９】  被験体への投与に適切な医薬の製造のための、請求項１６に記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  鋳型の配列の分析方法であって、
（ａ）鋳型を捕捉し、
（ｂ）捕捉した鋳型を、プライマーに対する相補性の領域についてプライマー−ポリメラーゼ複合体を用いてスキャニングし、
（ｃ）鋳型−ホモロジーに依存した伸長反応により１またはそれ以上のヌクレオチド残基によりプライマーを伸長し、ついで
（ｄ）伸長したプライマーを検出する
ことを含み、その際、伸長したプライマーの検出が該プライマーに対する相補性の１またはそれ以上の領域の捕捉した鋳型中での存在を示すことを特徴とする方法。
【請求項２】  該プライマーが３〜７塩基のポリヌクレオチドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  鋳型についてシグナルパターンが得られるように請求項１に記載の工程をプライマー−ポリメラーゼ複合体のアレイに対して繰り返す、請求項１に記載の鋳型核酸の配列の分析方法。
【請求項４】  該アレイがシークエンス試薬のアレイであり、各シークエンス試薬が
（i）捕捉残基、
（ii）スペーサー残基、および
（ii）プライマー領域
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  シークエンス試薬が固相表面に固定化されている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  該固相表面がガラスまたはプラスチックである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  該固相表面が、ガラスプレート、水晶ウェーハー、ナイロン膜、ニトロセルロース膜またはシリコンウェーハーである、請求項５に記載の方法。
【請求項８】  該固相表面が珪酸塩ガラスである、請求項５に記載の方法。
【請求項９】  該固相表面がポリスチレンプラスチックである、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】  該シークエンス試薬がさらに付着残基を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】  該付着残基がシークエンス試薬の５'末端またはその近傍に位置する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  該付着残基がアミノ基、チオール基、ジスルフィド基、またはビオチン基である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  該捕捉残基が第一の試薬にあり、該プライマー領域が第二の試薬にある、請求項４に記載の方法。
【請求項１４】  該第一の試薬が固相上で該第二の試薬に隣接している、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  該捕捉残基が８〜２４のシステイン残基の配列を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１６】  該捕捉残基がＰＣＲプライマーまたはその一部に相補的な配列を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】  該スペーサー領域が少なくとも１０オングストロームの長さである、請求項４に記載の方法。
【請求項１８】  該スペーサー領域が、ヌクレオチド塩基またはそのアナログのランダムな配列、偽ランダムな配列または非ランダムな配列を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１９】  ヌクレオチド残基が非鎖停止性のヌクレオチドまたはヌクレオチドアナログである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  ヌクレオチド残基がデオキシヌクレオシド三リン酸塩基またはリボヌクレオシド三リン酸塩基である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  ヌクレオチド残基が鎖停止性のヌクレオチドアナログである、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  該鎖停止性のヌクレオチドアナログがジデオキシヌクレオチドである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  ヌクレオチド残基が検出可能に標識されている、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】  該検出可能な標識が蛍光標識である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  該検出可能な標識が放射性同位体である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】  該検出可能な標識が電子密度の高い分子である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】  伸長したプライマーが質量の変化により検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】  アレイ中のシークエンス試薬の密度が少なくとも１０００要素／ｃｍ２である、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの突然変異を含むアデノ随伴ウイルス（ＡＡＶ）の構造タンパク質であって、該突然変異した構造タンパク質が粒子形成することができ、該突然変異がウイルスの感染性を上昇させることを特徴とする、前記構造タンパク質。
【請求項２】  突然変異（単数又は複数）がウイルス表面に局在することを特徴とする、請求項１記載の構造タンパク質。
【請求項３】  突然変異（単数又は複数）が構造タンパク質のＮ−末端に局在することを特徴とする、請求項１又は２に記載の構造タンパク質。
【請求項４】  突然変異した構造タンパク質がタンパク質−細胞膜受容体相互作用の変化を惹起することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項５】  細胞膜受容体が約１５０ｋＤの糖タンパク質及び／又は硫酸ヘパラン−プロテオグリカンであることを特徴とする、請求項４記載の構造タンパク質。
【請求項６】  突然変異したＶＰ１、突然変異したＶＰ２及び／又は突然変異したＶＰ３から選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項７】  ＡＡＶ２、ＡＡＶ３、ＡＡＶ４、ＡＡＶ５及び／又はＡＡＶ６に由来することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項８】  突然変異（単数又は複数）が点突然変異（単数又は複数）、幾つかのアミノ酸の突然変異（単数又は複数）、１つ以上の欠失及び／又は１つ以上の挿入であるか、又はこれらの突然変異の組み合わせであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項９】  挿入が細胞膜受容体−リガンド、Ｒｅｐ−タンパク質若しくはペプチド、免疫抑制タンパク質若しくはペプチド、及び／又は外来遺伝子の二本鎖合成シグナルを有するタンパク質若しくはペプチドであることを特徴とする、請求項８記載の構造タンパク質。
【請求項１０】  リガンドがインテグリン、サイトカイン、又はサイトカイン、インテグリン若しくは成長因子の受容体結合ドメイン、細胞表面受容体に結合する一本鎖抗体、細胞表面構造、抗体結合構造若しくはエピトープに対する抗体から、並びにそれらの電荷、特徴的なアミノ酸組成の性質及び／又はそれらの特異的なグリコシル化及び／又はリン酸化を介して細胞表面分子に結合するリガンドから選択されることを特徴とする、請求項９記載の構造タンパク質。
【請求項１１】  突然変異（単数又は複数）がＶＰ１コーディング核酸のＸｈｏＩ切断部位における１つ以上の挿入によって生ずることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項１２】  突然変異（単数又は複数）がＶＰ１コーディング核酸のＢｓｒＢＩ切断部位における１つ以上の挿入によって生ずることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項１３】  突然変異（単数又は複数）がＶＰ１コーディング核酸のＢｓｒＢＩ−ＨｉｎｄＩＩ切断部位間における１つ以上の欠失と、１つ以上の挿入とによって生ずることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項１４】  ＶＰ３における１つ以上の挿入が、ＹＫＱＩＳ  ＳＱＳＧＡ、ＹＬＴＬＮ  ＮＧＳＱＡ、ＹＹＬＳＲ  ＴＮＴＰＳ、ＥＥＫＦＦ  ＰＱＳＧＶ、ＮＰＶＡＴ、ＥＱＹＧＳ、ＬＱＲＧＮ  ＲＱＡＡＴ、ＮＶＤＦＴ  ＶＤＴＮＧから選択された配列における少なくとも１つのアミノ酸の前及び／又は後に局在することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項１５】  突然変異（単数又は複数）がＶＰ１コーディング核酸のＸｈｏＩ−ＸｈｏＩ切断部位間における１つ以上の欠失によって生ずることを特徴とする、請求項８記載の構造タンパク質。
【請求項１６】  突然変異（単数又は複数）がＶＰ１コーディング核酸のＢｓｒＢＩ−ＨｉｎｄＩＩ切断部位間における１つ以上の欠失によって生ずることを特徴とする、請求項８記載の構造タンパク質。
【請求項１７】  ＡＡＶ粒子の形態、特にＡＡＶキャプシドの形態である請求項１〜１６のいずれかに記載の構造タンパク質。
【請求項１８】  請求項１〜１６のいずれかに記載の構造タンパク質をコードする核酸。
【請求項１９】  請求項１８記載の核酸を含む細胞。
【請求項２０】  請求項１〜１６のいずれかに記載の構造タンパク質の製造方法であって、請求項１９記載の細胞を培養し、場合によっては、発現した構造タンパク質を単離することを特徴とする前記方法。
【請求項２１】  請求項１〜１７のいずれかに記載の構造タンパク質、請求項１８記載の核酸及び／又は請求項１９記載の細胞を含む薬物。
【請求項２２】  請求項１〜１７のいずれかに記載の構造タンパク質、請求項１８記載の核酸及び／又は請求項１９記載の細胞を含む診断薬。
【請求項２３】  ＡＡＶのトロピズムを変化させるため、細胞を形質転換させるため、診断のため、有効性検査のため、遺伝子治療のため及び／又はゲノム・ターゲッティングのための請求項１〜１７のいずれかに記載の構造タンパク質の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
当業者ならば、X線結晶学によって求められた一組の構造座標が標準誤差内にはないことがわかるであろう。本発明の目的では、タンパク質主鎖原子(N、α-C、CおよびO)の標準偏差(root mean square deviation)が、主鎖原子を用いて表１に挙げた構造座標に重ね合わせた場合に0.75Å未満であるヒトIII型3a-HSDまたはヒトIII型3a-HSD変異体に関するいずれの構造座標セットも同一であるものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
A. NADPとの複合体におけるヒトIII型3a-HSDの構造
本発明ははじめてポリエチレングリコール溶液からNADPの存在下で成長させたヒトIII型3a-HSDの結晶を提供する。この結晶は斜方六面体空間群対称を有し、0.5 x 0.5 x 0.2mmに達した。この結晶の単位格子は以下の寸法：a=b=c=108.5+/-1Å、α=β=γ=85.1°+/-1°である。結晶性ヒトIII型3a-HSDのX線結晶学によって決定されるヒトIII型3a-HSD 3α-HSDも構造座標は表１に示されている。結晶充填からはヒトIII型3a-HSDが単一のダイマーとして結晶化することが明らかである(表１のデータはダイマーに関するものである)。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明のヒトIII型3a-HSDと結合する化合物のデザインは一般に２つの因子を考慮する必要がある。１つには、その化合物がヒトIII型3a-HSDと物理的かつ構造的に会合しなければならない。ヒトIII型3a-HSDとその基質との会合において重要な非共有結合分子相互作用としては水素結合、ファンデルワールスおよび疎水性相互作用がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
RT-PCRはGeneAmp PCR System 9700 (PE Appliad Biosystems)にて行う。第一鎖cDNA合成を45℃30分間の1サイクルで行った後、94℃2分間RT変性を行う。PCRは94℃15秒間の変性、55℃30秒間のプライマーアニーリング、および68℃2分間のプライマー伸長の40サイクルの後、72℃10分間の最終伸長1回で行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
NMRスクリーニング
NMR分光光度法を用いるとIII型3a-HSDの阻害剤を発見およびデザインすることができる。これはリガンドおよび標的タンパク質間の相互作用を、たとえその相互作用が弱いものでしかなくとも、ミリモル範囲の親和性しか持たない場合でも検出できるというNMRの周知の能力によるものである(Diercks, T.; Coles, M.; Kessler, H. Applications of NMR in drug discovery. Curr. Opin. Chem. Biol. 2001, 5, 285-291; Hajduk, P. J.; Meadows, R. P.; Fesik, S. W. NMR-based screening in drug discovery. Q. Rev. Biophys. 1999, 32, 211-240; Pellecchia, M.; Sem, D. S.; Wuthrich, K. NMR in drug discovery. Nature Reviews Drug Discovery 2002, 1, 211-219)。この目的で、化合物の混合物に3a-HSD溶液を加え、化合物のNMR特性(緩和率など)を測定し、3a-HSDの存在下と不在下で比較する。緩和率の上昇は3a-HSDとその化合物の間の結合親和性を示す。この作用は、3a-HSDの側鎖がTEMPO(2,2,6,6-テトラメチルピペラジン-N-オキシル)またはPROXYL(2,2,5,5-テトラメチルピロリジン-N-オキシル)などの常磁性中心でスピンラベルされていれば約15倍増強させることができる(Jahnke, W.; Ruedisser, S.; Zurini, M. Spin Label Enhanced NMRスクリーニングing. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 3149-3150; Jahnke, W. Spin labels as a tool to identify and characterize protein - ligand interactions by NMR spectroscopy. ChemBioChem 2002, 3, 167-173)。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
2-アセチルベンゾフランは3a-HSDと弱くしか結合しないが、進歩的な化合物であり、すなわち、これは化学修飾を受けやすい、非常に小さく可溶性であって「薬物様」の化合物であるのでその効力を向上させることができる。これをNMRにより達成するにはいくつかの方法がある。１つの可能性としては、部分構造または類似性検索により化合物を選択し、それらをNMRで試験することである。もう１つの可能性としては、NMRスクリーニングによって2-アセチルベンゾフランの近傍で結合する別の化合物を同定し、両化合物を化学的に結合させて高親和性リガンドを得ることである(Shuker, S. B.; Hajduk, P. J.; Meadows, R. P.; Fesik, S. W. Discovering high-affinity ligands for proteins: SAR by NMR. Science 1996, 274, 1531-1534; Jahnke, W.; Florsheimer, A.; Blommers, M.; Paris, C.G.; Heim, J.; Nalin, C.M.; Perez, L.B. Second-site NMR screening and linker design. Current Topics in Medicinal Chemistry 2002, 2, 1337-1348 (in press))。しかし、3a-HSDの結晶構造から座標を得ることができれば、一番良い方法は、NMRスクリーニングから得られた結果を実施例３に記載のようなin silico GOLDドッキングと合成することである。2-アセチルベンゾフランのようなNMRスクリーニングヒットはGOLDドッキング実験のインプットとなり、in silicoでドッキングされた化合物を選択の指標となる。ドッキング自体、またその結果のスコアリングは完全に信頼できるものではないので、ドッキングの結果はNMRにより実験的にバリデートする必要がある。従って、NMRおよびドッキングは化合物の効力の劇的な向上をもたらす反復サイクルとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）個別の全能性、ほぼ全能性、または多分化能の幹細胞、またはそれらに由来する細胞、またはその細胞の集団を、開放または密閉した一つまたは複数の分離したウエル、そのウエルは同じまたは異なる装置内にある、に分配する：
（ｂ）該分離したウエルの細胞を１またはそれ以上の候補分化誘導条件に同時にまたは連続して暴露する：そして
（ｃ）該個別の細胞または細胞の集団の分化のマーカーを検出するために該個別の細胞または細胞の集団をスクリーニングする：
を含む、１またはそれ以上の化学的または生物学的物質または物理的条件に応答する全能性、ほぼ全能性、または多分化能の幹細胞、またはそれらに由来する細胞の分化を評価する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月28日(2006.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これまでの疾病管理企業は、生理学的データの実時間送信を行ってはいない。彼等が収集するＥＫＧおよび血圧のような情報は記録され、何時間か後に医師に送られる。  
【特許文献１】米国特許出願第 2001/0056226号
【特許文献２】米国特許第 6,820,057号
【特許文献３】米国特許第 6,804,656号
【特許文献４】米国特許第 6,738,798号
【特許文献５】米国特許第 6,681,003号
【特許文献６】米国特許第 6,442,432号
【特許文献７】米国特許第 6,381,577号
【特許文献８】米国特許第 6,364,834号
【特許文献９】米国特許第 5,987,519号
【特許文献１０】米国特許第 5,553,609号
【特許文献１１】米国特許第 5,441,047号
【特許文献１２】米国特許第 6,599,250号
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射側面の逆側に位置された光再方向変換側面を含む導光板本体であって、当該導光板本体は前記光再方向変換側面と前記光出射側面との間に延在する光入射側面および該光入射側面の逆側に位置された末端側面も含む導光板本体と、
前記導光板本体の前記光出射側面の近傍に配置された複数の長く延びるプリズムであって、各プリズムはそれらの長さに沿い相互に対して並置されて延在し、各プリズムは該プリズムの高さを画成する上縁部を含み、該上縁部は当該プリズムの長さに沿い延在し、且つ、前記上縁部は異なる大きさの傾斜を有する複数の縁部セグメントを含む、複数の長く延びるプリズムと、
前記導光板本体の前記光再方向変換側面の近傍に配置されて前記導光板本体を通して全内反射により光を導向する略平坦な複数の第1表面であって、前記導光板本体の前記光入射側面から前記導光板本体の前記末端側面に移動するにつれて略平坦な当該各第1表面は漸進的に高位に位置され乍ら略平坦な当該各第1表面は異なる高さに位置される、略平坦な複数の第1表面と、
前記導光板本体の前記光再方向変換側面の近傍に配置されて前記導光板本体の前記光出射側面に向けて光を反射する導出器斜面であって、該導出器斜面は前記略平坦な第1表面に対して傾斜角度にて整列され、且つ、該導出器斜面は前記略平坦な各第1表面間の高度差の少なくとも一部を提供する導出器斜面と、
を備えて成る、導光板。
【請求項２】
前記導光板本体の前記光再方向変換側面は高所面部を画成する略平坦な第2表面を各々が有する長く延びる突出部を含み、
前記各長く延びる突出部は前記略平坦な第1表面により分離され、
前記略平坦な第1表面は低所面部を画成すべく前記高所面部に対して凹状形成され、且つ、
前記導出器斜面は前記高所面部から前記低所面部まで延在する、請求項１記載の導光板。
【請求項３】
前記導光板本体は略楔形状である、請求項１記載の導光板。
【請求項４】
前記縁部セグメントは谷部を画成し、且つ、各プリズムの前記谷部の少なくとも数個は異なる深度を有する、請求項１記載の導光板。
【請求項５】
前記長く延びる突出部は蛇行パターンで湾曲する、請求項２記載の導光板。
【請求項６】
前記導出器斜面および前記略平坦な第1表面は20〜40°の範囲の角度を画成する、請求項１または２に記載の導光板。
【請求項７】
前記導出器斜面および前記略平坦な第1表面は20°未満の角度を画成する、請求項１または２に記載の導光板。
【請求項８】
前記導光板の前記光入射側面に対して光を提供する光源と、
前記導光板の前記光出射側面の前方に位置された光ゲート・デバイスと、
を備えて成る、請求項１から７のいずれか一項に記載の導光板を含むディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
依然として図１４を参照すると、ひとつの溝201の深度210も示される。深度210は、下縁部212により画成される(図１３参照)。上縁部204と同様に下縁部212は好適に、異なる傾斜変化率を有する複数の縁部セグメントを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図１６は、本発明の原理に係る例示的なワンパス型バックライト式ディスプレイ10bを示している。ディスプレイ10bは、導光板14とゲート・デバイス16との間に位置されたプリズム型反転フィルム41を含む。ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング社により販売されているこのような反転フィルムは、視認に対して好適な角度範囲へと光を再導向すべく用いられる(たとえば反転フィルムは、ゲート・デバイス16に対して更に直角に入射すべく光を導向し得る)。好適には前記反転フィルムは、下方を向いて突出部50に平行な方向に延在するプリズム43を有する。(鏡面反射ミラーなどの)反射要素38は、導光板の光再方向変換側面22を通り流出した光を再捕捉すべく導光板14の背後に位置して示される。先に記述された如くこの種の用途に対し、後側斜面58は好適には20°未満の角度αを画成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１および第２の電極の間に配置され、発光ポリマーが内部に配置された非晶質、非重合の有機母材を含む発光層と、を含む、エレクトロルミネセンス素子。
【請求項２】
有機エレクトロルミネセンス表示又は素子の製造方法であって、
基材および前記基材上に配置された転写層を含むドナーシートを提供する工程であって、前記転写層が非晶質、非重合の有機発光デンドリマー及び電気活性材料を含むものである、工程と、
受容体を提供する工程と、
前記転写層の少なくとも一部分を前記受容体に熱転写する工程と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに固定可能な物品であって、
バッキングと、
該バッキング上に配設された再配置可能な接着剤の層であって、ここで、該再配置可能な接着剤は、該光ディスク上の読取り／書込み表面に対して第１のより高い接着レベルを有し、かつ非標的表面に対して第２のより低い接着レベルを有する、再配置可能な接着剤の層と、
を備える物品。
【請求項２】
前記接着剤が、非標的表面に対して約２３０グラム／インチ未満の第２の接着レベルを有する、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記接着剤が、約８５グラム／インチから約２５５０グラム／インチの間の第１の接着レベルを有する、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
前記接着剤が、室温で１×１０6パスカルよりも大きい貯蔵モジュラスを有する、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
物品を光ディスクに固定しかつそれから除去する方法であって、
再配置可能な接着剤を有するバッキングを光ディスクの読取り／書込み表面に接触させて配設するステップであって、ここで、該再配置可能な接着剤は、該読取り／書込み表面に接触させて配設されるステップと、
該光ディスクから該バッキングを引き剥がすステップであって、ここで、該再配置可能な接着剤の層は、該バッキングに対して該光ディスクに対するよりも高レベルの接着性を有する、引き剥がすステップと、
を含み、前記再配置可能な接着剤が、前記光ディスク上の読取り／書込み表面に対して第１のより高い接着レベルを有し、かつ非標的表面に対して第２のより低い接着レベルを有する、方法。
【請求項６】
前記バッキングの第２の面上にインク受容層を配設するステップと、
前記バッキングの第１の面上に前記再配置可能な接着剤層を配設するステップと、
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２に示されるシート構築体は、インクジェットプリンターまたはレーザージェットプリンターに挿入することができる（図示せず）。参照番号２５により全体的には示される英数字およびグラフィックスは、インク受容層２４上に印刷することができる。プリンター装置は、剥離ライナー２３により接着剤層１２から保護される。シート２０が印刷された後、剥離ライナー２３を廃棄することができる。有利には、剥離ライナー２３は、標準的なシリコーンタイプの剥離ライナーでありうるが、標準的なコピア紙またはプリンター紙のような１枚の紙であってもよい。剥離ライナー２３が標準的な紙である場合、シートを印刷した後、紙を「リサイクル」してプリンターで使用し通常の印刷に供するか、またはシリコーンタイプの剥離ライナーにまつわる環境問題を起こすことなくごみ箱に普通に廃棄することができる。剥離ライナー２３の有用な例には、ポリエチレンコート紙のようなポリオレフィンコート紙およびＰＥやＰＰのフィルムのようなフィルムも包含されうる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体及び露光区別化可能な（ｌｉｇｈｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｂｌｅ）要素を含んでなる導電性パターンの形成のための材料であって、該露光区別化可能な要素がポリアニオン及び置換もしくは非置換チオフェンのポリマーもしくはコポリマーを含有する伝導率強化最外層ならびに場合により該最外層と隣接する第２層を含んでなり；ここで該最外層及び／又は該場合による第２層は露出されると該最外層の非露出部分に対して該最外層の露出部分の伝導率を低下させることができるモノジアゾニウム塩を含有することを特徴とする材料。
【請求項２】
支持体及び露光区別化可能な要素を含んでなる導電性パターンの形成のための材料であって、該露光区別化可能な要素がポリアニオン及び置換もしくは非置換チオフェンのポリマーもしくはコポリマーを含有する１０6Ω／平方より低い表面抵抗を有する最外層ならびに場合により該最外層と隣接する第２層を含んでなり；ここで該最外層及び／又は該場合による第２層は露出されると該最外層の非露出部分に対して該最外層の露出部分の伝導率を低下させることができるモノジアゾニウム塩を含有することを特徴とする材料。
【請求項３】
該モノジアゾニウム塩が
【化３】
2005500650.tif 000001
である請求項１又は２に従う材料。
【請求項４】
−請求項１又は２に従う導電性パターンの形成のための材料を準備し；
−材料を画像−通りに露出し、それにより場合により現像液を用いて非−露出領域に対する露出領域の伝導率の低下を得る
段階を含んでなる支持体上に導電性パターンを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記バイナリデジタル信号（Ｘ）の隣接ビット間にゼロを挿入することによって前記出力信号（Ｙ）の少なくともそれぞれの一部を生成するための回路モジュール（１８）を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の累乗回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
−  前記バイナリ入力信号（Ｘ）の前記第１部分（Ａ）の累乗、及び
−  前記バイナリデジタル信号（Ｘ）の第１部分（Ａ）と第２部分（Ｘ−Ａ）の積（Ａ・（Ｘ−Ａ））
にそれぞれ対応する信号（１８、１７）の一部の和として前記出力信号（Ｙ）を生成するための総和ノード（１９）を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の累乗回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
−  前記入力モジュール（１２）は、１セットの連続ステップからなる一般的な反復スキームに従って帰還経路（１４１）を接続し、前記抽出モジュール（１３、１４）の入力に、前記反復スキームの前のステップにおいて生成された前記第２部分を、前記反復スキームのさらなるステップにおいて用いられる新たなそれぞれの入力信号（Ｚｎ）として戻し、そして
−  前記シフトモジュール（１５）は、累積要素（１７）に接続され、前記反復スキームの後続ステップにおいて前記シフトモジュール（１９）によって生成された前記出力信号（Ｙ）の新たな一部を累積する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の累乗回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記反復スキームの前記ステップの各々において、前記シフトモジュール（１５）が、前記累積要素（１７）中に累積される前記出力信号（Ｙ）の一部を生成し、前記累積される一部は、前記バイナリデジタル信号（Ｘ）から導出される信号（Ｚｎ）から得られることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の累乗回路。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記反復スキームのステップ数を選択的に制御するための制御回路を特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の累乗回路。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記制御回路が、前記帰還経路（１４１）上に存在する信号を感知でき、また、前記反復スキームの前のステップで生成された前記第２部分がゼロの値に達したときに反復スキームを中断できることを特徴とする請求項８に記載の累乗回路。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記抽出モジュールが、
−  前記それぞれの入力信号（Ｚｎ）を受け取り、かつ、それからそれぞれの出力信号として、前記それぞれの入力信号より小又は等しい２の累乗である信号の前記第１部分を求める抽出ユニット（１３）、及び
−  反対の符号を有した前記それぞれの入力信号（Ｚｎ）と前記それぞれの出力信号（ｍｓｂ（Ｚｎ））を受け取り、かつ、それから信号の前記第２部分（Ｚｎ−ｍｓｂ（Ｚｎ））を求める総和ユニット（１４）
を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の累乗回路。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記累乗が、前記バイナリデジタル信号（Ｘ）の次数２の累乗であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の累乗回路。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
−  前記バイナリ入力信号（Ｘ）の前記第１部分（Ａ）の累乗、及び
−  前記バイナリデジタル信号（Ｘ）の第１部分（Ａ）と第２部分（Ｘ−Ａ）との積（Ａ・（Ｘ−Ａ））
にそれぞれ対応した信号（１８、１７）の一部の和として前記出力信号（Ｙ）を生成するステップ
を特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
−  前記反復スキームの前の抽出ステップで生成された前記第２部分を、前記反復スキームのさらなるステップにおいて用いられるそれぞれの新しい入力信号（Ｚｎ）として戻すステップ、
−  前記それぞれの新しい入力信号（Ｚｎ）から、前記それぞれの新しい入力信号（Ｚｎ）よりすぐ下又は等しい２の累乗である新しい第１部分（ｍｓｂ（Ｚｎ）と、前記それぞれの新しい入力信号と前記新しい第１部分との差に対応した新しい第２部分（Ｚｎ−ｍｓｂ（Ｚｎ））とを抽出するステップ、
−  前記バイナリデジタル信号（Ｘ）から抽出された前記それぞれの新しい入力信号の少なくとも１つに実行されるシフト操作によって前記出力信号（Ｙ）の一部を生成するステップ、及び
−  前記反復スキームの後続ステップにおいて前記出力信号（Ｙ）の前記一部を累積するステップ
を含んだ反復スキームを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リニアイオントラップを備える質量分析計の充填時間の設定方法において、
（ａ）  前記質量分析計を通過モードで動作させる工程、
（ｂ）  前記質量分析計にイオンを供給する工程、
（ｃ）  イオン電流を決定するために、あらかじめ設定された時間にわたり前記質量分析計の少なくとも一部を通過するイオンを検出する工程、
（ｄ）  前記イオントラップに対して望ましい最大電荷密度及び前記イオン電流から、前記イオントラップに対する充填時間を決定する工程、
（ｅ）  前記イオントラップにイオンをトラップするために、前記質量分析計をトラッピングモードで動作させ、前記工程（ｄ）で決定された前記充填時間をかけて前記イオントラップを充填する工程、及び
（ｆ）  前記イオントラップ内にトラップされたイオンから分析スペクトルを得る工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記方法を少なくとも１つの多重極子ロッドセットを備える質量分析計において実施する工程と、前記工程（ａ）において前記多重極子ロッドセットを通過モードで動作させる工程と、所望の範囲のｍ/ｚ値を有するイオンを質量選択するために前記少なくとも１つの多重極子ロッドセットにＲＦ及びＤＣ電圧を印加する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１，第２及び第３の四重極子ロッドセットを備え、前記第３の四重極子ロッドセットがイオントラップとして構成されている３連四重極子型質量分析計で実行される場合に、前記方法が、前記工程（ａ）に対して、前記第１，第２及び第３の四重極子ロッドセットの内の２つを通過モードで動作させる工程及び前記ＲＦ及びＤＣ電圧を前記第１，第２及び第３の四重極子ロッドセットの内の残る１つに印加する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の四重極子ロッドセットに前記ＲＦ及びＤＣ電圧が供給されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１つより多くの四重極子ロッドセットにＲＦ及びＤＣ電圧が供給されることを特徴とする請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
所望のｍ/ｚ比をもつイオンを質量選択するために、前記ＲＦ及びＤＣ電圧を設定する工程を含むことを特徴とする請求項２，３または４に記載の方法。