(57)【要約】【課題】有機半導体膜を有する半導体装置において、有機半導体膜を良好に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の縦型トランジスタが備えられるセル領域１ａと、セル領域１ａの外側に位置する外周領域１ｂとを有する基板１を用意する。そして、セル領域１ａおよび外周領域１ｂにそれぞれ複数のリブ２を形成し、溶液２０を塗布することによってリブ２の一側面上に形成した親液膜５ａ上に有機半導体膜６を形成する。この際、外周領域１ｂには、セル領域１ａに形成したリブ２の間よりも溶液２０が入り込み易くなるように複数のリブ２を形成し、溶液２０を外周領域１ｂからセル領域１ａの順に塗布する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表層が絶縁体とされた基板（１）と、
前記基板の上に、側面および上面を有し、少なくとも表面が絶縁体で構成されたリブ（２）と、
前記リブの一側面に形成されたゲート電極（３）と、
前記ゲート電極上を含んで形成された絶縁膜（４）と、
前記絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成された親液膜（５ａ）と、
前記親液膜を介して前記ゲート電極上に形成された有機半導体膜（６）と、
前記有機半導体膜と電気的に接続される一対の電極（７、８）と、を有し、
前記ゲート電極に所定の電圧が印加されることにより、前記一対の電極の間に電流を流す縦型トランジスタが複数備えられた半導体装置の製造方法において、
複数の前記縦型トランジスタが備えられるセル領域（１ａ）と、前記セル領域の外側に位置する外周領域（１ｂ）とを有する前記基板を用意することと、
前記セル領域に前記リブを形成することと、
前記リブの一側面に前記ゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極上を含むように前記絶縁膜を形成することと、
前記絶縁膜を介して前記ゲート電極上に前記親液膜を形成することと、
前記有機半導体膜を構成する有機半導体材料を溶かした溶液（２０）を前記基板の平面方向における一方向に沿って順に塗布することにより、前記親液膜上に前記有機半導体膜を形成することと、
前記有機半導体膜と電気的に接続される前記一対の電極を形成することと、を行うことにより、前記セル領域に前記縦型トランジスタを複数形成し、
前記リブを形成することでは、前記外周領域にも複数の前記リブを形成すると共に、当該外周領域に形成する複数の前記リブを、前記有機半導体膜を形成することの際、前記一方向に沿った隣接する前記リブの間に、前記セル領域に形成した前記一方向に沿った隣接する前記リブの間よりも前記溶液が入り込み易くなるように形成し、
前記有機半導体膜を形成することでは、前記外周領域から前記セル領域の順に前記溶液を塗布する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜を形成することでは、前記外周領域に形成されたリブ上にも前記絶縁膜を形成し、
前記親液膜を形成することでは、前記外周領域に形成された前記絶縁膜における表面の全面にも前記親液膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記外周領域に複数の前記リブを形成することでは、前記セル領域における前記一方向に沿った隣接する前記リブの間隔より、当該外周領域における前記一方向に沿った隣接するリブの間隔の方が長くなるように、前記外周領域に複数の前記リブを形成する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記外周領域に複数の前記リブを形成することでは、前記セル領域から離れるほど、前記一方向に沿った隣接するリブの間隔が長くなるように、前記外周領域に複数の前記リブを形成する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機半導体膜を有する半導体装置として、例えば、特許文献１のように、有機半導体膜を有するものが提案されている。具体的には、この半導体装置は、基板上に第１電極が形成されており、第１電極の側面から基板に渡って有機半導体膜が形成されていると共に、有機半導体膜上に適宜第２、第３電極が形成されることで構成されている。なお、このような半導体装置における有機半導体膜は、有機半導体材料を溶かした溶液をノズルから塗布することで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６９３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような有機半導体膜が形成されたものを複数備える半導体装置とする場合、隣接する第１電極間の間隔を短くすることで小型化を図ることが望まれる。この場合、単純に塗布法によって有機半導体膜を形成しようとすると、隣接する電極の間に溶液が入り込まない可能性がある。つまり、溶液を塗布した際、当該溶液が隣接する電極の間に空気を閉じ込めた状態で配置されてしまう可能性がある。そして、このように溶液が塗布されてしまうと、電極の側面や、隣接する電極の間に位置する基板上に有機半導体膜が形成されないという問題が発生する。
【０００５】
本発明は上記点に鑑み、有機半導体膜を有する半導体装置において、有機半導体膜を良好に形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１では、複数の縦型トランジスタが備えられるセル領域（１ａ）と、セル領域の外側に位置する外周領域（１ｂ）とを有する基板を用意することと、セル領域にリブ（２）を形成することと、リブの一側面にゲート電極（３）を形成することと、ゲート電極上を含むように絶縁膜（４）を形成することと、絶縁膜を介してゲート電極上に親液膜（５ａ）を形成することと、有機半導体膜（６）を構成する有機半導体材料を溶かした溶液（２０）を基板の平面方向における一方向に沿って順に塗布することにより、親液膜上に有機半導体膜を形成することと、有機半導体膜と電気的に接続される一対の電極（７、８）を形成することと、を行うことにより、セル領域に縦型トランジスタを複数形成し、リブを形成することでは、外周領域にも複数のリブを形成すると共に、当該外周領域に形成する複数のリブを、有機半導体膜を形成することの際、一方向に沿った隣接するリブの間に、セル領域に形成した一方向に沿った隣接するリブの間よりも溶液が入り込み易くなるように形成し、有機半導体膜を形成することでは、外周領域からセル領域の順に溶液を塗布するようにしている。
【０００７】
これによれば、外周領域では隣接するリブの間まで溶液が入り込み易くしており、外周領域の後にセル領域に溶液を塗布することにより、溶液が外周領域の塗布状態を維持しようとするために、セル領域でも隣接するリブの間まで溶液が入り込み易くなる。したがって、リブの一側面や基板上に有機半導体膜が形成されないという不具合が発生することを抑制でき、有機半導体膜を良好に形成できる。
【０００８】
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）は図２（ａ）に示す工程の全体断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に示す工程の全体断面図である。
【図６】（ａ）は図３（ｃ）に示す工程の全体断面図、（ｂ）は図４（ｂ）に示す工程の全体断面図である。
【図７】（ａ）は、親液膜上に溶液を塗布した際の模式図、（ｂ）は、撥液膜上に溶液を塗布した際の模式図である。
【図８】セル領域から溶液を塗布した際に発生し得る状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１１】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。まず、第１実施形態における複数の縦型トランジスタを有する半導体装置の構成について図１を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１に示されるように、半導体装置は、ガラスやプラステックフィルム等のように少なくとも表面（すなわち、表層）が絶縁体とされた絶縁性基板によって構成される基板１を有し、基板１の上に複数のリブ２が形成されている。なお、各リブ２は、基板１よりもヤング率が小さくて変形し易い材質で構成されており、例えば、フォトレジストとして用いられるＳＵ−８やＰＤＭＳ等の絶縁材料で構成される。本実施形態では、各リブ２は、断面形状が四角形とされていると共に、上面形状も四角形とされた四角柱状とされている。
【００１３】
また、リブ２の一側面（すなわち、図１中の右側側面）には、導電層として、例えば、ＡｕとＣｒとが順に積層されることで構成されるゲート電極３が形成されている。特に限定されるものではないが、本実施形態では、Ａｕを６０ｎｍ、Ｃｒを３ｎｍの厚みで成膜することでゲート電極３が構成されている。
【００１４】
基板１の表面、リブ２の表面、およびゲート電極３の表面には、アルミナ、パリレン（登録商標）、ＳｉＯ２、もしくは有機材料等の絶縁材料によって構成された絶縁膜４が形成されている。本実施形態では、絶縁膜４は４５０ｎｍの厚みで形成されている。なお、絶縁膜４のうちのゲート電極３上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。
【００１５】
そして、絶縁膜４のうちのゲート絶縁膜として機能する部分上、つまり絶縁膜４を介したゲート電極３上には、親液膜５ａが形成されている。言い換えると、絶縁膜４のうちのリブ２の一側面に形成された部分上から、リブ２の上面上および基板１におけるリブ２が形成されていない部分上に渡って親液膜５ａが延設されている。また、絶縁膜４のうちの親液膜５ａが形成されていない部分上には、撥液膜５ｂが形成されている。
【００１６】
親液膜５ａ上には、有機半導体膜６が形成されている。つまり、有機半導体膜６は、親液膜５ａを介して、絶縁膜４のうちのリブ２の一側面に形成された部分上から、リブ２の上面上および基板１におけるリブ２が形成されていない部分上に延設されている。言い換えると、有機半導体膜６は、絶縁膜４および親液膜５ａを介してゲート電極３上に形成されている。なお、有機半導体膜６は、例えば、高分子有機材料や低分子有機材料、もしくはそれらの積層構造等からなる有機半導体材料にて構成されている。
【００１７】
そして、有機半導体膜６のうち、基板１上においてリブ２が形成されていない位置に配置された部分の上に、Ａｕ等の電極材料で構成された底部電極層７が当該有機半導体膜６と電気的に接続されるように形成されている。また、有機半導体膜６のうち、基板１上においてリブ２が形成されている位置に配置された部分上を含むように、Ａｕ等の電極材料で構成された頂部電極層８が有機半導体膜６と電気的に接続されるように形成されている。これら底部電極層７および頂部電極層８は、一対の電極層であり、離間して配置されることで電気的に分離されている。そして、底部電極層７および頂部電極層８のうちの一方がドレイン電極、他方がソース電極を構成する。本実施形態では、底部電極層７をソース電極、頂部電極層８をドレイン電極として適用する場合を想定しているが、これらが逆であってもよい。
【００１８】
なお、本実施形態では、これら底部電極層７および頂部電極層８は、例えば、２０ｎｍの厚みで形成されている。また、頂部電極層８は、リブ２上からリブ２におけるゲート電極３が形成される側の一側面と反対側の一側面（すなわち、図１中紙面左側の側面）に渡って形成されている。
【００１９】
以上のようにして、本実施形態では、複数の縦型トランジスタを有する半導体装置が構成されている。このような半導体装置では、ゲート電極３に対して所定のゲート電圧が印加されると、有機半導体膜６のうちドレイン電極とソース電極の間に位置する部分においてチャネル領域が形成される。これにより、チャネル領域を通じてドレイン−ソース間、つまりリブ２の側面に電流が流れる。
【００２０】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。次に、このような半導体装置の製造方法について図２〜図７を参照しつつ説明する。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示されるように、ガラス等の絶縁性基板によって構成された基板１を用意する。但し、基板１としては、図５（ａ）に示されるように、セル領域１ａと、セル領域１ａの外側に位置する外周領域１ｂとを有する基板１を用意する。なお、図１および図２は、セル領域１ａを示す断面図である。
【００２２】
そして、図２（ｂ）に示されるように、基板１上に、ＳＵ−８等の絶縁材料であってヤング率が基板１よりも小さな材料で構成される絶縁層を、例えば、スピンコート法等によって５０μｍ程度の厚さとなるように形成する。そして、フォトエッチング等で絶縁層をパターニングし、上記形状のリブ２を形成する。なお、リブ２の形成方法はこれに限定されるものではなく、印刷法等によって形成してもよい。
【００２３】
ここで、基板１は、上記のように、セル領域１ａと外周領域１ｂとを有しているが、この工程では、図５（ｂ）に示されるように、隣接するリブ２の間隔がセル領域１ａより外周領域１ｂの方が長くなるように、セル領域１ａおよび外周領域１ｂにそれぞれ複数のリブ２を形成する。本実施形態では、外周領域１ｂにおいて、隣接するリブ２の間隔がセル領域１ａ側よりセル領域１ａ側と反対側の方が長くなるように、複数のリブ２を形成する。さらに詳述すると、外周領域１ｂでは、セル領域１ａ側からセル領域１ａ側と反対側に向かって隣接するリブ２の間隔が順に長くなるように、複数のリブ２を形成する。
【００２４】
なお、このようなリブ２は、フォトエッチングの際のマスクの形状を適宜変更することによって容易に形成される。また、ここでの隣接するリブ２の間隔とは、後述する溶液２０の塗布方向に沿った方向に隣接するリブ２の間隔のことである。
【００２５】
続いて、図２（ｃ）に示されるように、リブ２の表面を含む基板１の表面に、スパッタ等によってＡｕとＣｒをそれぞれ６０ｎｍ、３ｎｍの厚みで形成し、これらをパターニングすることでゲート電極３を形成する。この際、リブ２の側面が垂直であるため、基板１に対して垂直方向からゲート電極３の構成材料を成膜すると、リブ２の側面にはゲート電極３が形成され難い。したがって、この工程では、ゲート電極３の構成材料を斜めにスパッタする等により、リブ２の側面にもゲート電極３を形成し易くすることが好ましい。
【００２６】
次に、図２（ｄ）に示されるように、パリレン（登録商標）、ＳｉＯ２、アルミナまたは有機材料等の絶縁材料を成膜することにより、絶縁膜４を、例えば、４５０ｎｍの厚みで形成する。この工程では、例えば、トリメチルアルミニウムを原料にしたＡＬＤ（電子層成長）法等を行うことにより、９０℃程度の低温プロセスで絶縁膜４を成膜することができる。このような低温プロセスを適用すると、耐熱性が十分ではないリブ２等を高温に晒す必要がなくなるため、リブ２を高温から保護することが可能となる。また、基板１をガラス基板で構成すれば耐熱性に優れているが、基板１を絶縁性の樹脂基板等で構成することもできる。このような樹脂基板を用いる場合には、耐熱性が十分ではないため、低温プロセスで絶縁膜４を成膜することは有効である。
【００２７】
続いて、図３（ａ）に示されるように、基板１上からＵＶ光を照射し、絶縁膜４を洗浄すると共に絶縁膜４の表面に水酸基を出現させる。
【００２８】
その後、図３（ｂ）に示されるように、絶縁膜４上の全面に撥液膜５ｂを形成する。この撥液膜５ｂは、例えば、オクタデシルホスホン酸等の撥液ＳＡＭ（すなわち、Self-Assembled Monolayer）を溶かした溶媒に、図３（ａ）の工程まで行ったものを浸漬することによって形成される。
【００２９】
続いて、図３（ｃ）および図６（ａ）に示されるように、フォトマスクを用いて直線ＶＵＶ光を照射し、有機半導体膜６の形成予定箇所に形成されている撥液膜５ｂを分解する。具体的には、セル領域１ａでは、絶縁膜４のうちのリブ２の一側面に形成された部分上から、リブ２の上面上および基板１におけるリブ２が形成されていない部分上に形成された撥液膜５ｂを分解する。また、外周領域１ｂでは、絶縁膜４の表面の全面に形成された撥液膜５ｂを分解する。なお、リブ２の一側面上に形成された撥液膜５ｂは、直線ＶＵＶ光を照射することにより、当該直線ＶＵＶ光が酸素と反応することによって形成されるオゾン等によって分解される。
【００３０】
次に、図４（ａ）に示されるように、撥液膜５ｂを分解した部分に親液膜５ａを形成する。この親液膜５ａは、例えば、３−フェニルプロピルホスホン酸の親液ＳＡＭを溶かした溶媒に、図３（ｃ）の工程まで行ったものを浸漬することによって形成される。これにより、セル領域１ａにおいては、絶縁膜４のうちのリブ２の一側面に形成された部分上から、リブ２の上面上および基板１におけるリブ２が形成されていない部分上に渡って親液膜５ａが延設される。また、外周領域１ｂにおいては、図３（ｃ）の工程にて、撥液膜５ｂを全て分解しているため、絶縁膜４の全表面に親液膜５ａが形成される。
【００３１】
なお、図３（ｂ）の撥液膜５ｂを形成する工程、および図４（ａ）の親液膜５ａを形成する工程の順番を逆にすることも考えられる。しかしながら、親液膜５ａを形成した後に撥液膜５ｂを形成する場合、溶液に浸漬させて撥液膜５ｂを構成するために親液膜５ａ上にも撥液膜５ｂが形成されることが想定される。このため、上記のように、撥液膜５ｂを形成した後に親液膜５ａを形成することが好ましい。
【００３２】
続いて、図４（ｂ）に示されるように、親液膜５ａ上に有機半導体膜６を形成する。ここで、本実施形態の有機半導体膜６を形成する工程について、具体的に説明する。
【００３３】
この工程では、図６（ｂ）に示されるように、基板１を加熱しつつ、有機半導体材料を溶かした溶液２０をノズル３０から塗布することで親液膜５ａ上に有機半導体膜６を形成する。溶液２０を塗布することによって有機半導体膜６が構成される原理について簡単に説明すると、図７に示されるように、溶液２０を塗布しつつノズル３０を基板１の平面方向に移動させると、塗布した溶液２０はノズルと共に引っ張られる。この際、図７（ａ）に示されるように、親液膜５ａは、溶液２０の親液性が高いため、溶液２０が親液膜５ａ上に残存しようとすることで接触角が小さくなる。このため、溶液（すなわち、溶媒）２０の蒸発速度が大きくなって蒸発することにより、親液膜５ａ上に有機半導体膜６が形成される。一方、図７（ｂ）に示されるように、撥液膜５ｂは、溶液２０の親液性が低いため、溶液２０がそのままノズル３０と共に移動することになり、溶液２０の接触角が大きいままとなる。このため、溶液（すなわち、溶媒）２０の蒸発速度が小さいままとなり、有機半導体膜６が形成されない。
【００３４】
そして、本実施形態では、図６（ｂ）に示されるように、外周領域１ｂ側からセル領域１ａの順に溶液２０が塗布されるように、ノズル３０を移動させる。言い換えると、リブ２の隣接する間隔が長い部分からリブ２の隣接する間隔が短い部分の順に溶液が塗布されるように、ノズル３０を移動させる。
【００３５】
この際、外周領域１ｂでは、隣接するリブ２の間隔が広くされていると共に、絶縁膜４の表面全面に親液膜５ａが形成されている。このため、外周領域１ｂでは、溶液２０が隣接するリブ２の間に入り込み易く、リブ２の間において、空気が溶液２０によって封じ込められる（すなわち、トラップされる）ことが抑制される。そして、隣接するリブ２の間まで溶液２０が入り込んだ状態が安定状態となり、外周領域１ｂからセル領域１ａに溶液２０を塗布する領域が変化したとしても、溶液２０は安定した状態を維持しようとするため、セル領域１ａにおいても溶液２０が隣接するリブ２の間まで入り込んだ状態となり易い。つまり、隣接するリブ２の間に溶液２０が入り込み易い外周領域１ｂに先に溶液２０を塗布し、その後に隣接するリブ２の間に溶液２０が入り込み難いセル領域１ａに溶液２０を塗布することにより、セル領域１ａにおいても溶液２０が隣接するリブ２の間まで入り込み易い状態を維持できる。したがって、リブ２の一側面や基板１上に位置する親液膜５ａ上に有機半導体膜６が形成されないという不具合が発生することを抑制できる。
【００３６】
なお、初めからセル領域１ａに溶液２０を塗布しようとすると、セル領域１ａでは隣接するリブ２の間隔が狭くされているため、図８に示されるように、隣接するリブ２の間に空気を封じ込めた状態で溶液２０が配置されてしまう可能性がある。つまり、隣接するリブ２の間に溶液２０が入り込まない可能性がある。この場合、図８の状態が安定状態となってしまい、ノズル３０を移動させても、隣接するリブ２の間に空気を封じ込めた状態で塗布され続け易い。したがって、リブ２の一側面や基板１上に位置する親液膜５ａ上に有機半導体膜６が形成されないという不具合が発生してしまう可能性がある。
【００３７】
その後は、図４（ｃ）に示されるように、スパッタ法やシャドウマスクを用いた真空蒸着法等により、底部電極層７および頂部電極層８を構成するための電極材料を０．５〜０．８Å／ｓｅｃの成膜速度で２０ｎｍ成膜する。このとき、成膜の方法により有機半導体膜６のうちチャネルとなる部分に電極材料が成膜されないようにすることも可能である。例えば、垂直方向からスパッタや蒸着を行えば、有機半導体膜６のうちの基板１の表面に対して垂直になっている部分の表面、つまりチャネルとなる部分に電極材料が成膜されないようにすることができる。これにより、有機半導体膜６上において、自己整合的（すなわち、セルフアライン）に底部電極層７と頂部電極層８とを分離することが可能となる。
【００３８】
また、チャネルとなる部分に電極材料が成膜された場合には、必要に応じてフォトエッチング工程を行って底部電極層７および頂部電極層８をパターニングすればよい。このようにして底部電極層７および頂部電極層８を形成することにより、上記縦型トランジスタを有する半導体装置が製造される。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態では、セル領域１ａおよび外周領域１ｂにそれぞれリブ２を形成すると共に、隣接するリブ２の間隔がセル領域１ａより外周領域１ｂの方が長くなるようにしている。また、外周領域１ｂでは、絶縁膜４の表面全面に親液膜５ａを形成している。つまり、外周領域１ｂでは、セル領域１ａより隣接するリブ２の間に溶液２０が入り込み易くなるようにしている。そして、溶液２０を塗布して有機半導体膜６を形成する際、溶液２０を外周領域１ｂからセル領域１ａの順に塗布している。
【００４０】
このため、溶液２０は、外周領域１ｂの塗布状態を維持しようとするために、セル領域１ａでも隣接するリブ２の間まで入り込み易くなる。したがって、リブ２の一側面や基板１上に位置する親液膜５ａ上に有機半導体膜６が形成されないという不具合が発生することを抑制でき、有機半導体膜６を良好に形成できる。
【００４１】
また、本実施形態では、外周領域１ｂにおいて、隣接するリブ２の間隔は、セル領域１ａ側から離れるほど長くなっている。つまり、セル領域１ａと外周領域１ｂとの境界部分において、隣接するリブ２の間隔が急峻に変化しないようにしている。このため、外周領域１ｂの塗布状態をセル領域１ａにおいても維持し易くできる。
【００４２】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４３】
例えば、上記第１実施形態において、外周領域では、隣接するリブ２の間隔がセル領域１ａに形成された隣接するリブ２の間隔より長いのであれば、一定の間隔とされていてもよい。また、外周領域１ｂでは、絶縁膜４の表面の全面が親液膜５ａとされていることによっても隣接するリブ２の間に溶液２０が入り込み易くなっているため、隣接するリブ２の間隔がセル領域１ａにおける隣接するリブ２の間隔と等しくされていてもよい。
【００４４】
さらに、上記第１実施形態において、溶液２０を塗布した際、外周領域１ｂにおける隣接するリブ２の間の方が、セル領域１ａにおける隣接するリブ２の間よりも溶液２０が入り込み易くなるのであれば、外周領域１ｂでは、親液膜５ａが形成されていなくもよいし、親液膜５ａが部分的に形成されていてもよい。
【００４５】
そして、上記第１実施形態において、溶液２０を塗布した際、外周領域１ｂにおける隣接するリブ２の間の方が、セル領域１ａにおける隣接するリブ２の間よりも入り込み易くなるように、リブ２の高さを外周領域１ｂの方がセル領域１ａよりも低くなるようにしてもよい。
【００４６】
また、上記第１実施形態では、有機半導体膜６の上に底部電極層７および頂部電極層８を形成したトップコンタクト構造のデバイスを例に挙げたが、有機半導体膜６の下に底部電極層７および頂部電極層８を形成したボトムコンタクト構造であってもよい。また、リブ２の上面形状を四角形以外の多角形や他の形状としてもよい。そして、上記第１実施形態では、基板１側からゲート電極３と、ゲート電極３の表面に形成された絶縁膜４と、絶縁膜４上に形成された有機半導体膜６とを有するボトムゲート構造で説明したが、構成が逆になるトップゲート構造のトランジスタ構造でもよい。
【００４７】
そして、縦型トランジスタの構成要素の構成材料についても適宜変更可能であり、例えば基板１としてガラス等を用いたが、例えば、シリコン基板の表面に絶縁膜が形成されたもの等でもよい。また、リブ２についても同様であり、少なくとも表面が絶縁膜で構成されていればよい。さらに、絶縁膜４はＳｉＮ等の窒化物でもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１    基板
１ａ  セル領域
１ｂ  外周領域
２    リブ
３    ゲート電極
４    絶縁膜
５ａ  親液膜
６    有機半導体膜
７    頂部電極層
８    底部電極層
【図１】
2017208488.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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