【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】  図６Ａ及び図６Ｂと以下の説明では、正確な高さ測定がどのように本発明によって実行されるかについて説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、平面から伸びるピラーを示す。図６Ａは、θＬ＝−３°のビームチルトで撮られたピラーの画像であり、一方、図６Ｂは平面に垂直の軸に対してθＲ＝＋３゜のビームチルトで撮られたピラーの画像である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】  ピラーの頂部と底面の間の高さ差Δhを決定するため、特徴部分が各々レベルのために配置されなければならない。ピラーの頂部では、フレークの右の端部が、第１の特徴部分として用いられた。底面上では、粒子の端部が、第２の特徴部分として用いられた。両画像により、２つの特徴部分の間におけるＸ方向に関する距離（図６ＡにおけるＰ１及び図６ＢにおけるＰ２）が測定される。次いで距離Ｐ１と距離Ｐ２の間の差Ｐ（Ｐ＝Ｐ１−Ｐ２、Ｐは視差と呼ばれる）が、ピラーの頂部と底部表面の間の高さ差Δhを計算するために用いられる。高さ差Δhは、次の式によって与えられΔh=P*((sinθR * sinθL)/(sinθR - sinθL))小さい角度近似のために (θR, θL ＜＝ 5°) 、高さの差は次によって与えられΔh = P/(2*sin((θR - θL)/2))図６Ａ及び６Ｂ内に示される例では、距離Ｐ１が０．５４６μｍに相当し、一方距離Ｐ２は、０．４３３μｍに相当する。したがって、ピラーの頂部と底部表面の間の高さ差Δhは、この例では１．０７９μmである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】  トレンチないし孔の深さ又はラインの高さがわかった後、この情報は更なる興味深い機能を決定するために用いることができる。例えば、接点孔の深さを知ることによって、その底部でコンタクトホールの真の幅を決定するために、本発明の別の具体例を用いることができる。図７Ａ及び図７Ｂは、平面から下方へ伸びるコンタクトホールを示す。図７ＡはθＬ＝−３゜のビームチルトで撮られたコンタクトホールの画像であり、一方、図７Ｂは平面に垂直な軸に対してθＲ＝＋３゜のビームチルトで撮られたコンタクトホールの画像である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】  本発明の更なる具体例によれば、ラインの高さを知ることにより、このラインの一対の立体画像は、その底部でラインの真の幅を決定するために用いることができる。図８Ａ（左図）及び図８Ｂ（右図）は、平面から上方へ伸びているラインを示す。図８Ａは平面に垂直な軸に対してθＬ＝−３゜のビームチルトで撮られたラインの画像であり、一方、図８Ｂは、平面に垂直な軸に対してθＲ＝＋３゜のビームチルトで撮られたラインの画像である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  荷電粒子のビームを用いて、試料を検査するための方法であって、  ａ）ビームを第１の入射角で試料の表面に当て、試料上でビームを走査して、第１の画像をつくるステップと、  ｂ）ビームをティルト（傾斜）させ、またこのティルトしたビームに相当する位置に試料を移動させて、ビームを第２の入射角で試料の表面に当てて、ビームのティルトにより生じたビームの位置ズレを基本的に補正するステップであって、ビームのティルトは、対物レンズの光軸から離れるようにビームを偏向させる操作と試料上へビームを集光する操作との組み合わせにより実現される前記ステップと、  ｃ）ビームを第２の入射角で試料の表面に当て、試料上でビームを走査して、第２の画像をつくるステップとを有する方法。    【請求項２】  ビームの偏向が、ビームが前記対物レンズの場の前でなされる、請求項１に記載の方法。    【請求項３】  ビームの偏向が、前記対物レンズの場においてなされる、請求項１に記載の方法。    【請求項４】  ビームの偏向が、試料の表面の色収差が最小となるように互いに調整された２段階の偏向処理によってなされる、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。    【請求項５】  第１段階の偏向処理がビームが前記対物レンズの場に入る前になされ、第２段階の偏向処理が前記対物レンズの場の中でなされる、請求項４に記載の方法。    【請求項６】  前記両画像を、前記試料上における高さ差を測定するのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項７】  前記両画像を、前記試料の表面に掘られた溝や穴のような形状の底における幅を測定するのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項８】  前記両画像を、前記試料から突出する形状の底における幅を測定するのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項９】  前記両画像を、前記試料の表面の立体的な画像を集めて三次元的に認識できるようにするのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項１０】  前記両画像を、前記試料の形状を三次元的に表示するのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項１１】  前記両画像を、前記試料の形状の端部の幅を測定するのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項１２】  前記両画像を、前記試料の形状の側壁プロファイルを集めるのに用いる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。    【請求項１３】  正確な入射角を決定するための参照ターゲットを供給する、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。    【請求項１４】  荷電粒子のビームを、所定の入射角で試料の表面へ案内する方法であって、  ａ）荷電粒子のビームを供給するステップと、  ｂ）試料の表面の色収差が最小となるように互いに調整された２段階の偏向処理によってビームを対物レンズの光軸から離れるように偏向するステップと、  ｃ）ビームが所定の入射角で試料の表面に当たるようにビームを試料の表面に集光するステップとを有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。    【請求項１５】  第１段階の偏向処理が前記対物レンズの場の前でなされ、第２段階の偏向処理が前記対物レンズの場においてなされる、請求項１４に記載の方法。    【請求項１６��  ビームの集光が磁気レンズと静電レンズとの協働によってなされる、請求項１４又は１５に記載の方法。    【請求項１７】  静電気抑制の場が、前記静電レンズと前記試料との間に供給される、請求項１６に記載の方法。    【請求項１８】  荷電粒子のビームを用いて、表面に溝又は穴を有する試料を検査するための方法であって、  ａ）ビームを２つの異なる入射角で試料に当てて、２つの立体的な画像をつくるステップと、  ｂ）前記溝又は前記穴の底における幅を決定するステップとを有する方法。    【請求項１９】  前記２つの画像のうち、第１の画像から、溝又は穴における左側の頂端部と右側の底端部との間の可視の距離を決定し、第２の画像から、溝又は穴の右側の頂端部と左側の底端部との間の可視の距離を決定する、請求項１８に記載の方法。    【請求項２０】  溝又は穴の底における幅を次式によって決定し、       Wb = T1BL/cosθL + T2BR/cosθR + h(tanθL + tanθR) - WtT1BLは、溝又は穴の左側の頂端部と右側の底端部との間で測定された可視の距離であり、T2BRは、溝又は穴の右側の頂端部と左側の底端部との間で測定された可視の距離であり、hは溝又は穴の深さであり、Wtは溝又は穴の最上位の幅であり、θLは第１の画像の視角、θRは第２の画像の視角である、請求項１８又は１９に記載の方法。    【請求項２１】  荷電粒子のビームを用いて、表面に溝又は穴を有する試料を検査するための方法であって、  ａ）傾けた入射角でビームを試料に当てて、溝又は穴の側壁が露わになっている試料の画像を少なくとも１つつくるステップと、  ｂ）溝又は穴の前記側壁の幅を決定するステップとを有する方法。    【請求項２２】  前記画像から、溝又は穴における前記側壁の底端部とその反対側の頂端部との間の可視の距離を決定し、溝又は穴における左側の頂端部と右側の頂端部との間の可視の距離を決定する、請求項２１に記載の方法。    【請求項２３】  前記溝又は穴の左右の前記側壁の幅を次式によってそれぞれ決定し、       WL = Wt - T2BR/cosθR - htanθR WR = Wt - T1BL/cosθL - htanθLT1BLは、溝又は穴の左側の頂端部と右側の底端部との間で測定された可視の距離であり、T2BRは、溝又は穴の右側の頂端部と左側の底端部との間で測定された可視の距離であり、hは溝又は穴の深さであり、Wtは溝又は穴の最上位における幅であり、θRは画像の右の視角、θLは画像の左の視角である、請求項２１又は２２に記載の方法。    【請求項２４】  荷電粒子のビームを用いて、表面から延びる形状を有する試料を検査するための方法であって、  ａ）ビームを２つの異なる入射角で試料に当てて、２つの立体的な画像をつくるステップと、  ｂ）前記形状の底における幅を決定するステップとを有する方法。    【請求項２５】  前記２つの画像のうち、第１の画像から、溝又は穴の左側の底端部と左側の頂端部との間の可視の距離及び溝又は穴の左側の頂端部と右側の頂端部との間の可視の距離を決定し、第２の画像から、溝又は穴の左側の頂端部と右側の頂端部との間の可視の距離及び溝又は穴の右側の頂端部と右側の底端部との間の可視の距離を決定する、請求項２４に記載の方法。    【請求項２６】  形状の底における幅を次式によって決定し、       Wb = (X1X2+X2X3)/cosθL + (Y1Y2+Y2Y3)/cosθR - h(tanθL + tanθR) - WtX1X2は、形状における左側の底端部���左側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、X2X3は、形状における左側の頂端部と右側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、Y1Y2は、形状における右側の底端部と右側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、Y2Y3は、形状における右側の頂端部と左側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、ｈは形状の高さであり、Wtは形状の最上位における幅であり、θＲは画像の右の視角、θＬは画像の左の視角である、請求項２４又は２５に記載の方法。    【請求項２７】  荷電粒子のビームを用いて、表面から延びる形状を有する試料を検査するための方法であって、  ａ）傾けた入射角でビームを試料に当てて、形状の側壁が露わになっている試料の画像を少なくとも１つつくるステップと、  ｂ）前記形状の側壁の幅を決定するステップとを有する方法。    【請求項２８】  前記画像から、前記形状の側壁の底端部と頂端部との間の可視の距離及び前記形状の左側の頂端部と右側の頂端部との間の可視の距離を決定する、請求項２７に記載の方法。    【請求項２９】  前記形状の左右の前記側壁の幅をそれぞれ次式によって決定し、       WR = Y1Y2/cosθR - htanθR WL = X1X2/cosθL - htanθLX1X2は、形状における左側の底端部と左側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、Y1Y2は、形状における右側の底端部と右側の頂端部との間で測定された可視の距離であり、ｈは形状の高さであり、θＲは画像の右視角、θＬは画像の左視角である、請求項２７又は２８に記載の方法。【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図６】
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【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７】
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【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図８】
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【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図９】
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【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１０】
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