【事件の表示】
　特願２００６−５１３０８３「ＭＥＭＳ構造体に質量を付加する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１１日国際公開、ＷＯ２００４／０９７８９５、平成１８年１１月　９日国内公表、特表２００６−５２５１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１６年４月１６日（優先権主張、平成１５年４月２９日アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年３月１９日に手続補正がなされ、平成２２年４月７日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年７月１３日に手続補正がなされたが、平成２２年８月１９日付けで拒絶をすべき旨の査定がされた。
　これに対し、平成２２年１２月２２日に本件審判の請求とともに手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、当審において平成２３年３月３１日付けで審尋がなされ、平成２３年８月５日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「プルーフマスの製造方法において、
　基板
（１０１）
　第１の材料からなる基部
（１０７）
（１０９）
（１１１）
側
　第２の材料
（１１７）
　第１の材料及び第２の材料は異なることとからなる方法。」
　
（２）補正後
「プルーフマスの製造方法において、
　基板を設ける工程と、
　第１の材料からなる基部と、軸部を介して基部に取り付けられる付属部とを備えるプルーフマスを基板上に区画形成するプルーフマス区画形成工程と、軸部は、
基部の主面上に鉛直方向に形成されており、
底
　第２の材料を付属部上に堆積する第２材料堆積工程と、
　第１の材料及び第２の材料は異なることとからなる方法。」
　
２．補正の適否　　　
　請求人が回答書における（２）で主張するとおり、補正前の請求項１における「付属部の側面」は誤訳であり、正しくは「付属部の面」であると認める。
　よって、本件補正の特許請求の範囲の請求項１についての補正は、「軸部」について「基部の主面上に鉛直方向に形成されており」なる事項を付加するとともに、「付属部の面」を「付属部の底面」とするものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書、図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
　これに対し、原査定の拒絶理由で引用され、本件優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−８８８７８号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落００２０〜００２５
「【００２０】
【発明の実施の形態】［第１の実施形態］以下、本発明を具体化した一実施形態のエアバッグシステム用加速度スイッチ１を図１〜図６に基づき詳細に説明する。
【００２１】図１に示されるように、この加速度スイッチ１はシリコンチップ２と基板３とを張り合わせてなるものである。シリコンチップ２としては、本実施形態では直方体状をした面方位（１１０）のｐ型単結晶シリコンチップ２が使用されている。その厚さは５００μm 〜６００μm 程度である。また、その長辺の長さは２００μｍ〜１０００μｍ、短辺の長さは１００μｍ〜５００μｍ程度である。同シリコンチップ２の表面には、ｎ型単結晶シリコンからなる第１のエピタキシャル成長層４が全体的に積層されている。第１のエピタキシャル成長層４は、二層構造のエピタキシャル成長層を構成する層のうち内層側に位置するものである。第１のエピタキシャル成長層４の厚さは約１５μｍに設定されている。第１のエピタキシャル成長層４上には、ｎ型単結晶シリコンからなる第２のエピタキシャル成長層５が全体的に積層されている。第２のエピタキシャル成長層５は、二層構造のエピタキシャル成長層を構成する層のうち外層側に位置するものである。第２のエピタキシャル成長層５の厚さは約１５μｍに設定されている。即ち、エピタキシャル成長層４，５の二層分の厚さは３０μｍ程度となっている。説明の便宜上、これらのエピタキシャル成長層４，５は、実際のものよりも相当厚く図示されている。また、このシリコンチップ２の表面側には、長方形状の空洞部６が形成されている。空洞部６の深さは、エピタキシャル成長層４，５の二層分の厚さよりも若干（約１０μｍほど）大きい。
【００２２】そして、前記空洞部６内には、第１慣性錘７、第１梁としてのトーションバー８、第２慣性錘９及び第２梁としてのビーム１０からなる可動部分Ｍ1 が収容されている。
【００２３】本実施形態の第１慣性錘７は矩形状であって、約２３μｍの厚さを有している。トーションバー８は、第１慣性錘７を挟んで一対設けられている。これらのトーションバー８の一端は、空洞部６の側壁に対して連結されている。図１（ａ），（ｃ）に示されるように、トーションバー８の他端は、第１慣性錘７の側面において重心Ｐ1 より左側方向に偏心した位置に対して連結されている。つまり、一対のトーションバー８は、第１慣性錘７を回動可能に支持する役割を果たしている。第１慣性錘７の回動時においては、回動軸である一対のトーションバー８には捩れが生じる。本実施形態のトーションバー８の厚さは、第２のエピタキシャル成長層５の半分の厚さに相当し、具体的には約７．５μｍである。
【００２４】ビーム１０の一端は、第１慣性錘７の右側面中央部に対して連結されている。ビーム１０の他端は、円形状をした第２慣性錘９の側面に対して連結されている。つまり、このビーム１０は、第２慣性錘９を第１慣性錘７に支持する役割を果たしている。本実施形態におけるビーム１０及び第２慣性錘９の厚さは、ともに第２のエピタキシャル成長層５の半分の厚さに相当し、具体的には約７．５μｍである。
【００２５】図１（ａ），（ｃ）に示されるように、第２慣性錘９の外形寸法は、第１慣性錘７の外形寸法の数分の１以下となるように設定されている。これに加えて、第２慣性錘９の肉厚は、第１慣性錘７の肉厚の１／３程度に設定されている。従って、第２慣性錘９は第１慣性錘７よりも相対的に軽量になっている。また、このような第２慣性錘９の表面には、円形状をした第１の接点としての電極パターン１１が形成されている。」
　
イ．段落００３７
「【００３７】次に、高濃度ｐ型シリコン層形成工程を経たシリコンチップ２を酸素中または空気中で加熱することにより、その上下両面に図示しない酸化膜を形成しておく。この状態で、酸化膜上へのＡｌのスパッタリングまたは真空蒸着を行った後、フォトリソグラフィを行う。その結果、後に第２慣性錘９となるべき領域の表面に、第１の電極パターン１１を形成する（図４参照）。なお、本実施形態では、電極パターン１１中に大きな応力を残留させないような物理的成膜条件をあらかじめ設定している。その理由は、ここでは電極パターン１１を湾曲させることを意図していないからである。」
　
ウ．図１
　シリコンチップ２に空洞部６が形成されていることが看取でき、空洞部６以外のシリコンチップ２の外周本体部分は「基部」ということができる。
　第１慣性錘７がトーションバー８を介して基部から分離されているように、第１慣性錘７を第１慣性錘７の面の一部においてのみ基部に取り付けていること、が看取できる。
　
　これらの事項を、図面を参照しつつ、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
　
「加速度スイッチ１の製造方法において、
　基板３を設ける工程と、
　単結晶シリコンからなる基部と、トーションバー８を介して基部に取り付けられる第１慣性錘７と、第１慣性錘７にビーム１０を介して支持される第２慣性錘９とを備えるシリコンチップ２を基板３上に張り合わせる工程と、トーションバー８は、第１慣性錘７がトーションバー８を介して基部から分離されているように、第１慣性錘７を第１慣性錘７の面の一部においてのみ基部に取り付けていることと、
　Ａｌを第２慣性錘９上にスパッタリングする工程と、
　からなる方法。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「加速度スイッチ１」は、「第１慣性錘７、第１梁としてのトーションバー８、第２慣性錘９及び第２梁としてのビーム１０からなる可動部分Ｍ1」（上記（２）ア．の【００２２】）を有するものであるから、「プルーフマス」ということができる。
　刊行物１発明の「単結晶シリコン」は、補正発明の「第１の材料」に相当し、同様に、「トーションバー８」は「軸部」に、「張り合わせる」は「区画形成する」に、「Ａｌ」は「第２の材料」に、「スパッタリングする」は「堆積する」に、それぞれ相当する。
　刊行物１発明の「第１慣性錘７と、第１慣性錘７にビーム１０を介して支持される第２慣性錘９」と、補正発明の「付属部」とは、「作動部」である限りにおいて、一致する。
　刊行物１発明の「シリコンチップ２」は、錘を有する「作動部」が形成されるものであるから、「プルーフマス」ということができる。
　また、刊行物１発明において、「単結晶シリコン」と「Ａｌ」が異なることは、明らかである。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「プルーフマスの製造方法において、
　基板を設ける工程と、
　第１の材料からなる基部と、軸部を介して基部に取り付けられる作動部とを備えるプルーフマスを基板上に区画形成するプルーフマス区画形成工程と、軸部は、作動部が軸部を介して基部から分離されているように、作動部を作動部の面の一部においてのみ基部に取り付けていることと、
　第２の材料を作動部上に堆積する第２材料堆積工程と、
　第１の材料及び第２の材料は異なることとからなる方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　相違点１：作動部について、補正発明では「付属部」であるが、刊行物１発明は、「第１慣性錘７と、第１慣性錘７にビーム１０を介して支持される第２慣性錘９」である点。 
　相違点２：補正発明は、軸部は「基部の主面上に鉛直方向に形成されており」、付属部（作動部）は付属部の「底面」の一部においてのみ基部に取り付けているが、刊行物１発明では、第１慣性錘７（作動部）は第１慣性錘７の「面」の一部においてのみ基部に取り付けている点。
　
（４）相違点の検討
　相違点１について検討する。
　補正発明の「付属部」は、発明の詳細な説明を参酌しても、一体的剛体であることを必須とするものではない。
　よって、刊行物１発明の「第１慣性錘７と、第１慣性錘７にビーム１０を介して支持される第２慣性錘９」は、補正発明の「付属部」に含まれるから、この点は、実質的相違点ではない。
　仮に、実質的相違点であるとしても、補正発明のような「付属部」は、審尋で引用した特開平６−２５８３４０号公報の図２、同じく特開２００２−１８１８４５号公報の図１にみられるごとく周知である。
　
　相違点２について検討する。
　軸部が基部の主面上に鉛直方向に形成され、作動部が作動部の底面の一部においてのみ基部に取り付けられるものは、相違点１の検討で示した両公報の同図面にみられるごとく周知である。
　作動方向は、用途、目的により異なるものであるところ、刊行物１発明における「作動部」を、周知技術を踏まえ、基部の主面上に「鉛直方向」とし、作動部の「底面」の一部においてのみ基部に取り付け、相違点２に係るものとすることに困難性は認められない。
　
　さらに、これら相違点を総合しても、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．付記
（１）第２材料の技術的意義について
　補正発明における第２材料を堆積する技術的意義は、発明の詳細な説明の段落００１６によれば、「質量を負荷」し、「感度を増強」するためである。
　刊行物１記載のものにおけるそれは、「電極パターンを形成」（上記第２．２．（２））するためであり、技術的意義が、一応相違している。
　しかし、かかる技術的意義は、請求項１において特定されていない。
　仮に、刊行物１発明として特定されたとしても、「質量を負荷」し、「感度を増強」するために、重量を付加する点は、特開平６−２５８３３８号公報の段落００１４、特開２００３−５０２４９号公報の要約、特開平５−２７３２３０号公報の段落００１１にみられるごとく周知であるから、刊行物１発明においても、補正発明同様の技術的意義を生じることは、明らかである。
　
（２）回答書の補正案について
　請求人は、回答書で補正案を示している。
　補正案には、法的根拠はないが、請求人の便宜のため、一応検討する。
　補正案は、基板と基部を「アンカーを介して」接合することを特定するものである。
　しかし、「アンカーを介して」接合する技術的意義は、本願の発明の詳細な説明には何ら記載されていない。
　一般に、接合形態として「アンカーを介して」接合するものは、周知であるから、この点は、適宜選択すべき設計的事項にすぎない。
　よって、補正案により、審決の結論に変わりはない。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成２２年７月１３日に補正された明細書、図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される。
　ただし、上記第２．２．のとおり、請求項１、１０において、誤訳を正すものとする。
　請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項１に記載されたものにおいて、誤訳を正したものと認める。
　　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本願発明は、上記第２．２．で検討した補正発明において、付加された限定事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明を構成する事項のすべてを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が、上記第２．２．（４）で示したとおり、刊行物１発明、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。