【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  プロトン交換膜であって：
スルホン化ポリスルホン共重合体であって、ポリスルホンのスルホン官能基に隣接した非活性化芳香環上に少なくとも１個のスルホネート部分を有する、スルホン化ポリスルホン共重合体、および
無機ヘテロポリ酸、
を含有する、プロトン交換膜。
【請求項２】  前記無機ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸、リンモリブデン酸およびリン酸水素ジルコニウムからなる群から選択される、請求項１に記載のプロトン交換膜。
【請求項３】  前記無機ヘテロポリ酸が、約１０重量％〜約６０重量％の範囲の量のリンタングステン酸である、請求項１に記載のプロトン交換膜。
【請求項４】  プロトン交換膜であって：
重合体であって、芳香環部分上にスルホネート基を含む少なくとも１個のモノマーを有する、重合体、および
無機ヘテロポリ酸、
を含有する、プロトン交換膜。
【請求項５】  前記無機ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸、リンモリブデン酸およびリン酸水素ジルコニウムからなる群から選択される、請求項４に記載のプロトン交換膜。
【請求項６】  前記無機ヘテロポリ酸が、約１０重量％〜約６０重量％の範囲の量のリンタングステン酸である、請求項４に記載のプロトン交換膜。
【請求項７】  前記ポリマーが、ポリスルホンである、請求項４に記載のプロトン交換膜。
【請求項８】  プロトン交換膜であって：
ヘテロポリ酸；および
以下の化学構造を有するスルホン化共重合体：
【化１】
2004509224.tif 000001
または以下の化学構造を有するスルホン化ポリイミド：
【化２】
2004509224.tif 000002
を含有し、ここで、ｎ／ｎ＋ｍは、約０．００１〜約１の範囲である、
プロトン交換膜。
【請求項９】  前記ｎ／ｎ＋ｍが、約０．３〜約０．６の範囲である、請求項８に記載のプロトン交換膜。
【請求項１０】  前記無機ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸、リンモリブデン酸およびリン酸水素ジルコニウムからなる群から選択される、請求項８に記載のプロトン交換膜。
【請求項１１】  前記無機ヘテロポリ酸が、約１０重量％〜約６０重量％の範囲の量のリンタングステン酸である、請求項８に記載のプロトン交換膜。
【請求項１２】  プロトン交換膜であって：
無機ヘテロポリ酸；および
以下の化学構造を有するスルホン化共重合体：
【化３】
2004509224.tif 000003
を含有し、
ここで、
ｎ／ｎ＋ｍは、約０．００１〜約１の範囲であり；
Ｙは、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｃ（Ｏ）、Ｐ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）およびそれらの組合せからなる群から選択され；そして
Ｚは、直接炭素−炭素単結合、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）（Ｃ６Ｈ５）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２およびＰ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）からなる群から選択される、
プロトン交換膜。
【請求項１３】  前記無機ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸、リンモリブデン酸およびリン酸水素ジルコニウムからなる群から選択される、請求項１２に記載のプロトン交換膜。
【請求項１４】  前記無機ヘテロポリ酸が、約１０重量％〜約６０重量％の範囲の量のリンタングステン酸である、請求項１２に記載のプロトン交換膜。
【請求項１５】  前記ｎ／ｎ＋ｍが、約０．３〜約０．６の範囲である、請求項１２に記載のプロトン交換膜。
【請求項１６】
プロトン交換膜であって：
以下の化学構造を有するスルホン化共重合体：
【化４】
2004509224.tif 000004
を含有し、
ここで、
ｎ／ｎ＋ｍは、約０．００１〜約１の範囲であり；
Ａｒは、フェニル、ナフチル、およびテルフェニルからなる群から選択される芳香族であり；
Ｙは、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｃ（Ｏ）、Ｐ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）およびそれらの組合せからなる群から選択され；そして
Ｚは、直接炭素−炭素単結合、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）（Ｃ６Ｈ５）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２およびＰ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）からなる群から選択される、
プロトン交換膜。
【請求項１７】  Ｙが、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）およびそれらの組合せから選択される、請求項１６に記載のプロトン交換膜。
【請求項１８】  Ｚが、直接炭素−炭素単結合、Ｃ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）（Ｃ６Ｈ５）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２およびＰ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）から選択される、請求項１６に記載のプロトン交換膜。
【請求項１９】  前記ｎ／ｎ＋ｍが、約０．３〜約０．６の範囲である、請求項１６に記載のプロトン交換膜。
【請求項２０】  前記スルホン化共重合体が、以下の構造：
【化５】
2004509224.tif 000005
を有する、請求項１６に記載のプロトン交換膜。
【請求項２１】  以下の化学構造：
【化６】
2004509224.tif 000006
を有するスルホン化共重合体であって、
ここで、
Ａｒは、フェニル、ナフチル、およびテルフェニルからなる群から選択され；
ｎ／ｎ＋ｍは、約０．００１〜約１の範囲であり；
Ｙは、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）、Ｐ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）およびそれらの組合せからなる群から選択され；そして
Ｚは、直接炭素−炭素単結合、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）（Ｃ６Ｈ５）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２およびＰ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）からなる群から選択される、
スルホン化共重合体。
【請求項２２】  Ｙが、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）およびそれらの組合せから選択される、請求項２１に記載のスルホン化共重合体。
【請求項２３】  Ｚが、直接炭素−炭素単結合、Ｃ（ＣＦ３）２、Ｃ（ＣＦ３）（Ｃ６Ｈ５）、Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２およびＰ（Ｏ）（Ｃ６Ｈ５）から選択される、請求項２１に記載のスルホン化共重合体。
【請求項２４】  前記ｎ／ｎ＋ｍが、約０．３〜約０．６の範囲である、請求項２１に記載のスルホン化共重合体。
【請求項２５】  前記スルホン化共重合体が、以下の構造：
【化７】
2004509224.tif 000007
を有する、請求項２１に記載のスルホン化共重合体。
【請求項２６】  以下の化学構造：
【化８】
2004509224.tif 000008
を有するスルホン化ポリイミドであって、ここで、ｎ／ｎ＋ｍが、約０．００１〜約１の範囲である、スルホン化ポリイミド。
【請求項２７】  以下の化学構造：
【化９】
2004509224.tif 000009
を有するスルホン化ポリイミドを含有するプロトン交換膜であって、ここで、ｎ／ｎ＋ｍが、約０．００１〜約１の範囲である、プロトン交換膜。
【請求項２８】  スルホン化ポリイミドを製造する方法であって、該方法は、以下：
芳香族ジアミンの芳香環に結合した少なくとも１個のスルホネート部分を有する芳香族ジアミンを二無水物と重合して、スルホン化ポリイミドを形成する工程、
を包含し、
該芳香族ジアミンまたは該二無水物のうちの少なくとも一方が、以下の基準：
ａ）該芳香族ジアミンが、２，５−フェニレンジアミンスルホン酸、２，５−フェニレンジアミンスルホネート、４，４’−ジアミノ−ビフェニル−２，２’−ジスルホン酸および４，４’−ジアミノ−ビフェニル−２，２’−ジスルホネートからなる群から選択されること、ならびに
ｂ）該二無水物が、ヘキサフルオロ二無水物および３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなる群から選択されること、
を満たす、方法。
【請求項２９】  前記重合する工程が、前記芳香族ジアミンとは異なる第二ジアミンを、該芳香族ジアミンおよび前記二無水物と組み合わせて使用する工程を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記第二ジアミンに対する前記芳香族ジアミンの比が、約０．００１：約０．９９９の範囲である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  前記スルホネート基が、塩形態である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】  前記スルホネート基が、スルホン酸基である、請求項２８に記載の方法。