(57)【要約】【課題】各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が最接近したとしても、ＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制できる半導体装置及びモータ装置を提供する。【解決手段】モータ装置のコントローラは、各ＭＯＳＦＥＴ１５が実装されている基板１４と、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を放熱するように各ＭＯＳＦＥＴ１５及び基板１４と対向するように設けられるヒートシンク４０とを備えている。各ＭＯＳＦＥＴ１５における対向面１５ｂには絶縁部１５ａがそれぞれ設けられている。ヒートシンク４０における対向面４０ａにはヒートシンク４０から各ＭＯＳＦＥＴ１５における絶縁部１５ａに向けて突出する突出部４２がそれぞれ設けられている。そして、各絶縁部１５ａと各突出部４２との間には、上記第１の隙間４４よりも小さい第２の隙間４５を設けるようにしている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップが実装されている基板と、
前記ＩＣチップから発生する熱を放熱するように前記基板における前記ＩＣチップ及び前記基板と対向するように設けられるヒートシンクと、
を備える半導体装置において、
前記ＩＣチップにおける前記ヒートシンクと対向する面には前記ヒートシンクに対し絶縁状態となる絶縁部が設けられており、
前記ヒートシンクにおける前記ＩＣチップと対向する面には前記ヒートシンクから前記絶縁部に向けて突出する突出部が設けられており、
前記突出部と前記絶縁部との間には、前記ＩＣチップと前記ヒートシンクとの間の隙間よりも小さい隙間が設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板には、前記ＩＣチップとして複数のＩＣチップが実装されており、
前記複数のＩＣチップのうち少なくとも２つのＩＣチップには、前記絶縁部がそれぞれ設けられており、
前記突出部は、前記少なくとも２つのＩＣチップのそれぞれの前記絶縁部に向けて突出する少なくとも２つの突出部を含むものである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のＩＣチップの全てには、前記絶縁部がそれぞれ設けられており、
前記突出部は、前記複数のＩＣチップのそれぞれの前記絶縁部に向けて突出する前記複数のＩＣチップと同数の突出部を含むものである請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板における前記ＩＣチップ側の面と反対側の面には、前記ＩＣチップの熱が前記基板を経由して伝達される前記ヒートシンクとは別のヒートシンクが取り付けられている請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置により駆動制御されることにより回転動作するモータと、
前記半導体装置及び前記モータを収容するハウジングと、を備えてなるモータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びモータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータ装置のコントローラ等に用いられる半導体装置として、ＩＣチップが実装された基板と、その基板におけるＩＣチップ側の面と反対側の面に設けられたヒートシンクと、を備えたものが知られている。こうした半導体装置では、ＩＣチップの熱が基板を経由してヒートシンクに伝達され、その後にヒートシンクから外気に放出される。
【０００３】
ところで、半導体装置では、大型化を招くことなくＩＣチップの放熱性を高めることが要望されており、そうした要望に対応すべく基板におけるＩＣチップ側の面にも同ＩＣチップの熱を放出するためのヒートシンクを設けるようにしている（特許文献１参照）。このヒートシンクは、基板におけるＩＣチップ側の面に接する接触部を備えており、基板上のＩＣチップを覆うように設けられている。そして、ヒートシンクの上記接触部が基板に接した状態のもとで、そのヒートシンクとＩＣチップとの対向面間には隙間が存在しており、その隙間を埋めるよう上記対向面に放熱材（放熱グリス等）が設けられている。
【０００４】
この場合、ＩＣチップの熱は、基板におけるＩＣチップ側の面と反対側の面に設けられたヒートシンクだけでなく、放熱材を介してＩＣチップ側の面のヒートシンクにも伝達される。従って、ＩＣチップの熱を基板の両面から放出することができ、それによってＩＣチップの放熱性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１３５８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、放熱材によって埋められたヒートシンクとＩＣチップとの対向面間の上記隙間の大きさを小さくするほど、ＩＣチップから放熱材を介してヒートシンクに熱を伝達する際の伝達効率が高くなるため、ＩＣチップの放熱性を高める観点では、上記隙間を可能な限り小さくすることが好ましい。ちなみに、上記隙間の大きさ、すなわちＩＣチップとヒートシンクとの対向面間の距離は、ＩＣチップやヒートシンクの製造ばらつき、及びヒートシンクの熱膨張の大きさによって変わってくる。
【０００７】
上記隙間の大きさについては、製造ばらつき及び熱膨張の大きさの各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が最接近しても、それら対向面同士がショート（接触）しないと考えられる大きさに定めるようにしている。ただし、上述した各種ばらつきを考慮したとしても、上記隙間を小さくしすぎると、ＩＣチップとヒートシンクとの対向面が最接近して対向面間の放熱グリスが流動した場合に、ＩＣチップとヒートシンクとがショートする可能性がある。なお、こうした問題は、モータ装置のコントローラ以外に用いられる半導体装置においても、概ね共通したものとなっている。
【０００８】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が最接近したとしても、ＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制できる半導体装置及びモータ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する半導体装置は、ＩＣチップが実装されている基板と、ＩＣチップから発生する熱を放熱するように基板におけるＩＣチップ及び基板と対向するように設けられるヒートシンクとを備えている。そして、ＩＣチップにおけるヒートシンクと対向する面にはヒートシンクに対し絶縁状態となる絶縁部が設けられており、ヒートシンクにおけるＩＣチップと対向する面にはヒートシンクから絶縁部に向けて突出する突出部が設けられており、突出部と絶縁部との間にはＩＣチップとヒートシンクとの間の隙間よりも小さい隙間が設けられるようにしている。
【００１０】
上記構成によれば、ＩＣチップとヒートシンクとの間の隙間の大きさが、ＩＣチップやヒートシンクの製造ばらつき、及びヒートシンクの熱膨張の大きさといった各種ばらつきが原因で変わってくる。そして、上述した各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が接近した場合、ヒートシンクの突出部がＩＣチップに設けられる絶縁部に接触することにより、ＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制することができる。
【００１１】
上記半導体装置において、基板には、ＩＣチップとして複数のＩＣチップが実装されており、複数のＩＣチップのうち少なくとも２つのＩＣチップには、絶縁部がそれぞれ設けられており、突出部は、少なくとも２つのＩＣチップのそれぞれの絶縁部に向けて突出する少なくとも２つの突出部を含むものであることが好ましい。
【００１２】
上記構成によれば、上述した各種ばらつきが原因で何れかのＩＣチップとヒートシンクとの対向面が接近した場合であっても、少なくとも２つのＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制することができ、基板に複数のＩＣチップが実装されている場合の抑制効果を高めることができる。
【００１３】
また、上記半導体装置において、複数のＩＣチップの全てには、絶縁部がそれぞれ設けられており、突出部は、複数のＩＣチップのそれぞれの絶縁部に向けて突出する複数のＩＣチップと同数の突出部を含むものであることが好ましい。
【００１４】
上記構成によれば、上述した各種ばらつきが原因で何れのＩＣチップとヒートシンクとの対向面が接近した場合であっても、複数のＩＣチップにそれぞれ対向して設けられる突出部が絶縁部に接触することにより、何れのＩＣチップにおいてもヒートシンクとの間でショートすることを抑制することができる。
【００１５】
また、上記半導体装置において、基板におけるＩＣチップ側の面と反対側の面には、ＩＣチップの熱が基板を経由して伝達されるヒートシンクとは別のヒートシンクが設けられていることが好ましい。
【００１６】
上記構成によれば、ＩＣチップから発生する熱を放熱するように基板におけるＩＣチップ及び基板と対向するように設けられるヒートシンクは、半導体装置の大型化を抑制しつつＩＣチップの放熱性を高めることを目的として設けられたものであって、そうしたヒートシンクにおいてＩＣチップとのショートを回避することができる。
【００１７】
また、上記半導体装置は、半導体装置により駆動制御されることにより回転動作するモータと、半導体装置及びモータを収容するハウジングと、を備えてなるモータ装置にて具体化することができる。
【００１８】
上記構成によれば、上述した各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が接近した場合であっても、ＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制することができるので、上述した各種ばらつきに対する耐性に優れたモータ装置を構築することができる。そして、このモータ装置では、モータの駆動制御を安定化させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、各種ばらつきが原因でＩＣチップとヒートシンクとの対向面が最接近したとしても、ＩＣチップとヒートシンクとがショートすることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】モータ装置の概略構成を示す分解斜視図。
【図２】モータ装置についてヒートシンクの構成を示す正面図。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面構造であって、特に図１に示す範囲Ｒの拡大断面構造を示す断面図。
【図４】ヒートシンクについてその突出部の構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、半導体装置及びモータ装置の一実施形態を説明する。
図１に示すように、本実施形態のモータ装置１０は、モータ軸、ロータ、ステータ等を有するモータ２０と、モータ２０の回転動作を駆動制御するインバータ回路等を有する半導体装置（以下、「コントローラ」という）３０とをユニット化したものである。なお、本実施形態のモータ装置１０は、例えば、車両における電動パワーステアリング装置に搭載される。電動パワーステアリング装置は、モータ装置１０を制御することによりユーザーのステアリング操作を補助するものである。
【００２２】
モータ装置１０は、長方形状の開口部１１ａを有するアルミ等の金属材料からなるハウジング１１を備えている。開口部１１ａには、当該開口部１１ａを塞ぐように合成樹脂等の樹脂材料からなるカバー１２が取り付けられている。ハウジング１１及びカバー１２の内部には、モータ２０及びコントローラ３０が収容されることによりユニット化されている。
【００２３】
ハウジング１１は、モータ２０を収容する円筒状のモータ収容部１１ｂと、コントローラ３０を外部（例えば、車両の電源や制御装置）と電気的に接続する複数の円筒状のコネクタ部１３を取り付けるための取付部１１ｃとを有している。モータ収容部１１ｂは、カバー１２が取り付けられる側と反対側に延びている。取付部１１ｃは、モータ収容部１１ｂに対してハウジング１１の長手方向側に隣接して設けられている。
【００２４】
ハウジング１１の開口部１１ａには、モータ収容部１１ｂ及び取付部１１ｃに跨る大きさの長方形状をなす基板１４が、ねじ等の固定部材１４ａによりカバー１２側から固定されている。
【００２５】
基板１４には、ＩＣチップとして、複数（本実施形態では９つ）の電界効果トランジスタ（以下、「ＭＯＳＦＥＴ」という）１５や、ＭＯＳＦＥＴ１５の動作を制御する複数（本実施形態では３つ）のＣＰＵ１６が実装されている。また、基板１４には、各ＭＯＳＦＥＴ１５及び各ＣＰＵ１６以外に例えば、コンデンサ等の複数の電子部品が実装されている。本実施形態において、基板１４、当該基板１４に実装されている各ＭＯＳＦＥＴ１５や各ＣＰＵ１６や複数の電子部品はコントローラ３０を構成している。
【００２６】
各ＭＯＳＦＥＴ１５は、基板１４における取付部１１ｃに対向する側に寄った領域に固定されている。各ＣＰＵ１６は、基板１４におけるモータ収容部１１ｂに対向する側に寄った領域に固定されている。
【００２７】
基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５及び各ＣＰＵ１６の間の領域には、当該基板１４とモータ２０とを電気的に接続するモータバスバー１７が挿入されている。基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５に対して各ＣＰＵ１６が設けられている領域と反対側の領域には、当該基板１４と各コネクタ部１３とを電気的に接続する接続端子１８や電源バスバー１９が挿入されている。なお、各ＭＯＳＦＥＴ１５、各ＣＰＵ１６、モータバスバー１７、接続端子１８、電源バスバー１９等は、基板１４上に設けられている銅板等の配線により電気的に接続されている。
【００２８】
基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側（図１の上側）には、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を放熱するヒートシンク４０が設けられている。ヒートシンク４０は、アルミ等の金属材料からなる板状をなしている。また、ヒートシンク４０は、各ＭＯＳＦＥＴ１５が設けられている領域を跨ぐように基板１４の長辺間に橋渡しされている。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ１５は、ヒートシンク４０によりカバー１２側から覆われて保護されている。
【００２９】
図１及び図２に示すように、ヒートシンク４０における基板１４、すなわち各ＭＯＳＦＥＴ１５に対向する対向面４０ａには、複数（本実施形態では３本）の円筒状の支柱部４１が設けられている。各支柱部４１は、ヒートシンク４０における長手方向の両側に設けられており、対向面４０ａから各ＭＯＳＦＥＴ１５に向けて延びている。各支柱部４１における軸方向の端面４１ａは、基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の面に当接している。各端面４１ａは、基板１４における配線や電子部品が設けられていない部位に対し絶縁された状態で当接している。各支柱部４１には、それぞれの端面４１ａから軸方向に貫通する貫通孔４１ｂが設けられている。
【００３０】
特に図２に示すように、ヒートシンク４０における対向面４０ａには、当該対向面４０ａから各支柱部４１が延びる方向に突出する複数（本実施形態では、各ＭＯＳＦＥＴ１５と同数の９つ）の突出部４２が設けられている。各突出部４２は、ヒートシンク４０の各支柱部４１の端面４１ａが基板１４に当接した状態において、各ＭＯＳＦＥＴ１５のうちそれぞれ異なるＭＯＳＦＥＴ１５（図２の二点鎖線）に対応付けて配置されている。
【００３１】
図１の説明に戻り、基板１４における各支柱部４１が当接する部位には、各支柱部４１における貫通孔４１ｂに連通するとともに、基板１４を厚み方向に貫通する貫通孔１４ｂがそれぞれ設けられている。各貫通孔１４ｂの径方向外側には、サーマルビアや銅インレイ等の熱逃がし部１４ｃが設けられている。熱逃がし部１４ｃは、基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の反対側の面において、ハウジング１１に当接している。
【００３２】
ヒートシンク４０は、互いに連通する一対の貫通孔４１ｂ，１４ｂに対して、ねじ等の固定部材４３がそれぞれ挿通されることにより、ハウジング１１の開口部１１ａに対してカバー１２側から基板１４と共に固定されている。この場合、ヒートシンク４０へと伝達される各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱は、各支柱部４１から基板１４の熱逃がし部１４ｃを経由してハウジング１１へと伝達され、その後にハウジング１１から外気に放出される。
【００３３】
ここで、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を放熱する構成について詳しく説明する。
図３に示すように、各ＭＯＳＦＥＴ１５は、その全体が合成樹脂等の樹脂材料からなる絶縁部１５ａにより覆われている。各ＭＯＳＦＥＴ１５におけるヒートシンク４０に対向する対向面１５ｂには、放熱のために銅板１５ｃが露出された状態で設けられている。銅板１５ｃは、ヒートシンク４０の対向面４０ａに対して離間した状態で設けられている。ヒートシンク４０の対向面４０ａと、各ＭＯＳＦＥＴ１５の対向面１５ｂに設けられる銅板１５ｃとの間の隙間である第１の隙間４４には、これらの間の隙間の一部を充填するように放熱グリス５０が設けられている。この場合、放熱グリス５０は、ヒートシンク４０と銅板１５ｃの両者の間を絶縁するとともに、当該両者の間で熱を伝達する。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱は、銅板１５ｃから放熱グリス５０を経由してヒートシンク４０へと伝達される。なお、放熱グリス５０は、放熱材の一例である。
【００３４】
また、各ＭＯＳＦＥＴ１５における基板１４側の面には、放熱のために銅板１５ｄが基板１４に対して当接した状態で設けられている。基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の面と反対側の面は、ハウジング１１と離間している。そして、基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の面と反対側の面と、ハウジング１１との間には、各ＭＯＳＦＥＴ１５が存在する位置の隙間の一部を充填するように放熱グリス５１が設けられている。この場合、放熱グリス５１は、ハウジング１１と基板１４の両者の間を絶縁するとともに、当該両者の間で熱を伝達する。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱は、銅板１５ｄから基板１４及び放熱グリス５０を経由してハウジング１１へと伝達される。なお、放熱グリス５１は、放熱グリス５０同様、放熱材の一例である。
【００３５】
本実施形態において、基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の面と反対側の面に設けられているハウジング１１は、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を放熱するヒートシンク４０とは別のヒートシンクである。そして、ヒートシンク４０は、ハウジング１１だけでなくカバー側からも放熱することによりコントローラ３０の大型化を招くことなく放熱性を高めることを目的として設けられたヒートシンクである。
【００３６】
各ＭＯＳＦＥＴ１５の放熱性を高めるためには、上記第１の隙間４４を可能な限り小さくすることにより、各ＭＯＳＦＥＴ１５から放熱グリス５０を介してヒートシンク４０に伝達される熱の伝達効率を高めることが好ましい。ちなみに、第１の隙間４４の大きさ、すなわち各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面の間の距離は、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との基板１４の厚さ方向についての相対位置によって定められるはずである。しかし実際にこの相対位置は、各ＭＯＳＦＥＴ１５やヒートシンク４０の製造ばらつき、及びヒートシンク４０の熱膨張の大きさの各種ばらつきが原因で変わってくる。
【００３７】
図４に模式的に示すように、本実施形態では、基板１４に対して各支柱部４１を介してヒートシンク４０を固定しているため、製造ばらつきとして次の（Ａ）〜（Ｄ）の製造ばらつきを考慮すればよい。（Ａ）ヒートシンク４０における対向面４０ａの平面度の製造ばらつき。（Ｂ）基板１４における各ＭＯＳＦＥＴ１５側の面の平面度の製造ばらつき。（Ｃ）基板１４の厚さ方向についての各ＭＯＳＦＥＴ１５の高さの製造ばらつき。（Ｄ）基板１４の厚さ方向についてのヒートシンク４０における各支柱部４１の高さの製造ばらつき。
【００３８】
上記第１の隙間４４の大きさについては、上述した各種ばらつきが原因で各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａが最接近しても、それら対向面同士が接触しないと考えられる大きさに定められる。ただし、上述した各種ばらつきを考慮したとしても、上記第１の隙間４４を小さくしすぎると、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面が最接近して対向面間の放熱グリス５０が流動した場合に、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０とがショート（接触）する可能性がある。
【００３９】
次に、こうした各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との接触という問題を回避するための構造について説明する。
図４に模式的に示すように、ヒートシンク４０の各突出部４２は、対応するＭＯＳＦＥＴ１５における絶縁部１５ａに対向するように配置されている。すなわち、各突出部４２は、ヒートシンク４０の対向面４０ａから対向するＭＯＳＦＥＴ１５の絶縁部１５ａに向けて突出するように設けられている。
【００４０】
各突出部４２の先端面４２ａと、各ＭＯＳＦＥＴ１５の対向面１５ｂに設けられる絶縁部１５ａとの間には、上記第１の隙間４４よりも小さい第２の隙間４５が設けられている。すなわち、第１の隙間４４における基板１４の厚さ方向（図４の上下方向）の距離を「Ｘ１」とし、第２の隙間４５における基板１４の厚さ方向の距離を「Ｘ２」とする場合、「Ｘ２＜Ｘ１」の関係が成り立つように第２の隙間４５の大きさが設定されている。
【００４１】
以上に説明した本実施形態によれば、以下に示す作用及び効果を奏する。
（１）各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との間の第１の隙間４４の大きさが、各ＭＯＳＦＥＴ１５やヒートシンク４０の製造ばらつき、及びヒートシンク４０の熱膨張の大きさの各種ばらつきが原因で変わってくる。そして、上述した各種ばらつきが原因で各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａが接近した場合、ヒートシンク４０の各突出部４２が各ＭＯＳＦＥＴ１５に設けられる絶縁部１５ａに接触することにより、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０とがショートすることを回避することができる。
【００４２】
（２）本実施形態によれば、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａに各突出部４２及び各絶縁部１５ａが設けられている。この場合、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａから突出部が離間して設けられる場合と比較して、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０とがショートすることをより好適に回避することができる。
【００４３】
（３）各ＭＯＳＦＥＴ１５には、絶縁部１５ａがそれぞれ設けられており、各突出部４２は、各ＭＯＳＦＥＴ１５のそれぞれの絶縁部１５ａに向けて突出する各ＭＯＳＦＥＴ１５と同数が設けられるようにしている。
【００４４】
これにより、上述した各種ばらつきが原因で何れのＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａが接近した場合であっても、各ＭＯＳＦＥＴ１５にそれぞれ対向して設けられる突出部４２が絶縁部１５ａに接触することにより、何れのＭＯＳＦＥＴ１５においてもヒートシンク４０との間でショートすることを回避することができる。
【００４５】
（４）ヒートシンク４０は、コントローラ３０の大型化を抑制しつつ各ＭＯＳＦＥＴ１５の放熱性を高めることを目的として設けられたものであって、そうしたヒートシンク４０において各ＭＯＳＦＥＴ１５とのショートを回避することができる。
【００４６】
（５）本実施形態によれば、上述した各種ばらつきが原因で各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａが接近した場合であっても、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０とがショートすることを回避することができるので、上述した各種ばらつきに対する耐性に優れたモータ装置１０を構築することができる。そして、このモータ装置１０では、モータ２０の駆動制御を安定化させることができる。
【００４７】
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
・ハウジング１１をヒートシンクとして機能させなくてもよく、各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を放熱するヒートシンクとしては、ヒートシンク４０のみとしてもよい。この場合、ヒートシンク４０の一部をハウジング１１やカバー１２から露出させ、その露出させた部位から各ＭＯＳＦＥＴ１５から発生する熱を外気に放出させるように構成すればよい。
【００４８】
・上記実施形態では、上述した各種ばらつきが原因で各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０との対向面１５ｂ，４０ａが接近した場合、各ＭＯＳＦＥＴ１５とヒートシンク４０とがショートすることを抑制できていればよく、少なくとも何れかのＭＯＳＦＥＴ１５においてヒートシンク４０との間でショートすることを回避することができていればよい。すなわち、突出部４２は、各ＭＯＳＦＥＴ１５よりも少ない数しか設けられていなくてもよい。例えば、上記実施形態において、突出部４２は、単数であってもよいし、２〜８つの複数であってもよい。
【００４９】
・上記実施形態では、基板１４に実装されるＩＣチップとして電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を例示したが、それ以外のＩＣチップであってもよい。
・放熱材として放熱グリス５０，５１を例示したが、放熱性のある材料であればよい。
【００５０】
・上記実施形態のコントローラ３０は、モータ２０のモータ軸の延出する方向に各コネクタ部１３が延びるように設けるようにしたストレートタイプのモータ装置においても適用可能である。
【００５１】
・上記実施形態の半導体装置は、モータ装置１０に適用する例について説明したが、これに限らず、９つ未満又は９つ以上のＩＣチップが実装されるモータ装置や、ＩＣチップが単数しか実装されないセンサ等、ＩＣチップが実装されている基板を有するものにおいて適用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…モータ装置、１１…ハウジング、１４…基板、１５…ＭＯＳＦＥＴ、１５ａ…絶縁部、対向面…１５ｂ、２０…モータ、３０…コントローラ、４０…ヒートシンク、４０ａ…対向面、４２…突出部、４４…第１の隙間、４５…第２の隙間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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