【手続補正書】
【提出日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐをドープされている、またはｎをドープされている、半導体基板で始まって、集積化可能な半導体部品、特にトランジスタ、ダイオード、および論理ゲートを製造する方法であって、
周縁部によって定められている窓を限るために前記半導体基板の上にマスクを付着する工程と、
ｐをドープされている内部領域またはｎをドープされている内部領域が前記半導体基板の表面上に確実に留まっているようにするエネルギーを用いて、前記マスクを通じてイオンを注入することにより、ｐをドープされている前記半導体基板中にｎをドープされている溝を、またはｎをドープされている前記半導体基板中にｐをドープされている溝を、形成することによって、ｎをドープされている前記溝の縁部領域またはｐをドープされている前記溝の縁部領域が、前記半導体基板の前記表面まで延びる工程と、
ｐをドープされている前記内部領域内またはｎをドープされている前記内部領域内に、および前記半導体部品の構造を形成するｎをドープされている前記溝の前記縁部内またはｐをドープされている前記溝の前記縁部内に、ｎをドープされている追加の領域とｐをドープされている追加の領域とのうちの少なくともいずれか一方を形成する工程と、
を有する、集積化可能な半導体部品の製造方法。
【請求項２】  ＮＰＮトランジスタを形成する前記構造を製造するために、前記半導体基板のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域を、前記トランジスタのベースを形成しているｐをドープされている前記内部領域と、前記トランジスタのエミッタをを形成しているｎをドープされている領域とにより囲まれているｐをドープされている領域と一緒に、ｐをドープされている前記内部領域内に製造することにより、ｎをドープされている前記溝が前記トランジスタのコレクタを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記エミッタを形成しているｎをドープされている前記領域は、ｎをドープされている前記溝のドーピングよりも高濃度にドーピングされている、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記溝よりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている接合領域が、前記溝のｎをドープされている縁部領域内に製造され、ｐをドープされている前記内部領域により囲まれているｐをドープされている前記領域のドーピング濃度よりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域が、ｐをドープされている前記内部領域によって囲まれている、ｐがドープされている領域内に製造される、請求項２または３記載の方法。
【請求項５】  ＰＮＰトランジスタを形成する構造を製造するために、ｐをドープされている前記内部領域により囲まれているｎをドープされている領域が、ｐをドープされている内部領域内に製造されて、前記トランジスタの前記ベースを形成し、ｎをドープされている前記領域内に前記トランジスタの前記エミッタを形成するｐをドープされている領域が製造されることにより、ｐをドープされている前記内部領域が前記トランジスタの前記コレクタを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記トランジスタの前記エミッタを形成しているｐをドープされている前記領域は、前記半導体基板のドーピングよりも高濃度にドーピングされている、請求項５記載の方法。
【請求項７】  前記溝のｎをドープされている前記縁部領域内に、前記溝のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域が、製造され、前記ベースを形成するｎをドープされている前記領域内に、前記ベースを形成しているｎをドープされている前記領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域が製造され、かつｐをドープされている前記内部領域内にｐをドープされている前記内部領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域が製造される、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】  高い利得を持つＮＰＮトランジスタを形成する前記構造を製造するために、ｐをドープされている前記内部領域内に前記トランジスタの前記エミッタを形成するｎをドープされている領域が製造されることにより、ｐをドープされている前記領域が、前記トランジスタの前記ベースを形成し、かつｎをドープされている前記溝が前記トランジスタの前記コレクタを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項９】  前記溝のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域と、前記エミッタを形成するｎをドープされている領域内で前記エミッタを形成している前記領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域、およびｐをドープされている前記内部領域内でｐをドープされている前記内部領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域が、ｎをドープされている前記溝の縁部領域内で製造される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  ｎをドープされている前記溝の前記縁部領域をｐをドープされている前記内部領域に接合するｎをドープされている領域と、 Ｉ2 Ｌ素子を形成する前記構造を製造するためにｐをドープされている前記内部領域内に、少なくとも１つの、ｎをドープされている領域が製造され、それによりｐをドープされている前記内部領域が多重コレクタ・トランジスタの前記ベースを形成し、ｐをドープされている前記内部領域により囲まれている少なくとも１つのｎをドープされている領域が、前記トランジスタの個々の前記コレクタを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】  ｎをドープされている前記溝の前記縁部領域を、ｐをドープされている前記内部領域に接合する、ｎをドープされている前記領域内に、ｐをドープされている領域が、挿入される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  前記半導体基板のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域と、ｐをドープされている前記内部領域により囲まれている少なくとも１つの前記ｎをドープされている領域内でｎをドープされている前記領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域とが、ｐをドープされている前記内部領域内で製造される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  電界効果トランジスタを形成する構造を製造するために、前記トランジスタのゲートを形成するｎをドープされている領域が、ｐをドープされている前記内部領域内に形成され、それはｐをドープされている前記内部領域を２つの区域に区画し、前記区域の１つが前記トランジスタの前記ドレインを形成し、他の区域が前記トランジスタのソースを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１４】  ｐをドープされている前記内部領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｐをドープされている領域が、前記ドレインおよびソースをそれぞれ形成しているｐをドープされている前記内部領域の区域内に挿入される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記ゲートを形成しているｎをドープされている前記領域のドーピングよりも高濃度にドーピングされているｎをドープされている領域が、前記ゲートを形成しているｎをドープされている前記領域内に挿入される、請求項１３または１４記載の方法。
【請求項１６】  個々の半導体部品のための能動領域の分離のために、各能動領域を囲んでいるｎをドープされている領域が半導体基板内に製造される、請求項１記載の方法。
【請求項１７】  前記能動領域を囲んでいるｎをドープされている領域が、前記半導体基板のｎをドープされている前記溝まで延びている、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】  イオン注入の前に、前記半導体基板内の個々の半導体部品の能動領域の分離のために、各能動領域を囲んでいるマスクが、前記半導体基板に当てられ、そのマスクを当てた後でイオン注入により前記半導体基板内にｎをドープされている前記溝が形成され、したがって、その溝はマスクの下側の領域内に引き上げられる、請求項１記載の方法。
【請求項１９】  ｎをドープされている前記溝の引き上げられた前記領域まで延びているｎをドープされている領域が、半導体基板内で製造される、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  前記半導体基板内の酸化物層が、その酸化物の下まで上方に到達するｎをドープされている前記溝の領域を生ずる、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】  個々の前記半導体部品のための能動領域は、トレンチにより前記半導体基板内で分離されている、請求項１記載の方法。
【請求項２２】  前記半導体部品を形成している前記構造の製造のためのｎをドープされている領域またはｐをドープされている領域が、前記能動領域内で製造される、請求項１６ないし２１のいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】  ｎをドープされている前記溝の前記縁部に光電ダイオードを形成する前記構造の製造のために、最初の端子が製造され、かつｐをドープされている前記内部領域に第２の端子が製造される、請求項１記載の方法。
【請求項２４】  ｎをドープされている前記溝の外側で前記半導体基板内に光電ダイオードを形成する前記構造の製造のために、ｐをドープされている領域が注入され、それにより、前記半導体基板内に注入されたｐをドープされている前記領域に前記第１の端子が製造され、かつ、ｎをドープされている前記溝の前記縁部に前記第２の端子が製造される、請求項１記載の方法。
【請求項２５】  ｎをドープされている領域がｐをドープされている前記内部領域内に注入されることにより、ｎをドープされている前記溝の前記縁部領域に前記コレクタを形成する前記端子と、ｐをドープされている前記内部領域内に注入されているｎをドープされている前記領域に前記エミッタを形成する前記端子が製造される、フォトトランジスタを形成する構造を製造する方法。
【請求項２６】  ｐをドープされている前記半導体基板またはｎをドープされている前記半導体基板が、低濃度にｐをドープされている，または低濃度にｎをドープされている半導体基板である、請求項１ないし２５のいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】  前記半導体基板のｎをドープされている前記溝またはｐをドープされている前記溝内に横形トランジスタを製造するために、前記トランジスタの第２のダイアクティブ（ｄｉａｃｔｉｖｅ）ベースがイオン注入により製造される、請求項１記載の方法。