(57)【要約】【課題】載置台からのフォーカスリングの剥離性を向上すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理基板を収容する減圧された収容室と、該収容室内に配置されて被処理基板を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、被処理基板の周縁部を囲うように載置台に載置される環状のフォーカスリングとを備える。プラズマ処理装置は、載置台とフォーカスリングとの間に、熱伝導性シリコーンシートを配置している。熱伝導性シリコーンシートは、ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して熱伝導性粒子を１００〜２０００重量部含む熱伝導性シリコーンシートである。熱伝導性シリコーンシートは、固化層と、固化層の両面に貼り付けられた粘着層とを有する。粘着層と載置台との界面、及び粘着層とフォーカスリングとの界面の夫々において、接着状態が保持され、粘着層と固化層との界面において、粘着状態が保持される。【選択図】図３
2017017054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容する減圧された収容室と、該収容室内に配置されて前記被処理基板を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、前記被処理基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記載置台と前記フォーカスリングとの間に、熱伝導性シリコーンシートを配置しており、前記熱伝導性シリコーンシートは、ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して熱伝導性粒子を１００〜２０００重量部含む熱伝導性シリコーンシートであり、
前記熱伝導性シリコーンシートは、固化層と、前記固化層の両面に貼り付けられた粘着層とを有し、
前記粘着層と前記載置台との界面、及び前記粘着層と前記フォーカスリングとの界面の夫々において、接着状態が保持され、
前記粘着層と前記固化層との界面において、粘着状態が保持される
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記粘着層に関して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーが１０以上であり、
前記固化層に関して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーが０である
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は、例えば、表面処理装置やエッチング装置などの半導体製造装置に広く用いられている。プラズマ処理装置においては、処理チャンバ内にウエハ等の被処理基板を載置する載置台が設置されている。また、例えば、特許文献１には、載置台と、フォーカスリングとの間に、熱伝導性シリコーンシートを介在させることで、載置台とフォーカスリングとの間の熱伝導性を向上させたプラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９０８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、真空高温の条件の下で熱伝導性シリコーンシートを用いた場合、熱伝導性シリコーンシートと載置台又はフォーカスリングとの間の界面が化学反応によって接着状態となるため、載置台からのフォーカスリングの剥離性が低下するという問題がある。フォーカスリングの剥離性の低下は、フォーカスリングの交換に要する時間を増加させるので、好ましくない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
開示するプラズマ処理装置は、１つの実施態様において、被処理基板を収容する減圧された収容室と、該収容室内に配置されて前記被処理基板を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、前記被処理基板の周縁部を囲うように前記載置台に載置される環状のフォーカスリングとを備えたプラズマ処理装置であって、前記載置台と前記フォーカスリングとの間に、熱伝導性シリコーンシートを配置しており、前記熱伝導性シリコーンシートは、ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して熱伝導性粒子を１００〜２０００重量部含む熱伝導性シリコーンシートであり、前記熱伝導性シリコーンシートは、固化層と、前記固化層の両面に貼り付けられた粘着層とを有し、前記粘着層と前記載置台との界面、及び前記粘着層と前記フォーカスリングとの界面の夫々において、接着状態が保持され、前記粘着層と前記固化層との界面において、粘着状態が保持されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
開示するプラズマ処理装置の１つの態様によれば、載置台からのフォーカスリングの剥離性を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、基板載置装置の構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の一実施例に用いられるプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施例の装置におけるフォーカスリングと静電チャックとの取付構造の詳細を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の熱伝導性シリコーンシート（すなわち、粘着層及び固化層の夫々）は、例えば、下記組成のコンパウンドをシート成形して架橋させることによって、製造される。
（Ａ）ベースポリマー成分
本発明のベースポリマー成分は、１分子中に平均２個以上かつ分子鎖両末端のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有する直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、脂肪族不飽和結合を有しない分岐状のシリコーンレジンであり、Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び／又はＳｉＯ４／２単位（Ａ２）を含む。
【０００９】
（Ａ１）成分
本発明の（Ａ１）成分は、一分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上含有するオルガノポリシロキサンであり、本発明のシリコーンゴム組成物における主剤である。このオルガノポリシロキサンは、アルケニル基として、ビニル基、アリル基等の炭素原子数２〜８、特に２〜６の、ケイ素原子に結合したアルケニル基を一分子中に２個有する。粘度は２５℃で１０〜１００００００ｍＰａ・ｓ、特に１００〜１０００００ｍＰａ・ｓであることが作業性、硬化性などから望ましい。
【００１０】
具体的には、下記一般式（化１）で表される１分子中に平均２個以上かつ分子鎖末端のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンを使用する。側鎖はトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状オルガノポリシロキサンである。２５℃における粘度は１０〜１００００００ｍＰａ・ｓのものが作業性、硬化性などから望ましい。なお、この直鎖状オルガノポリシロキサンは少量の分岐状構造（三官能性シロキサン単位）を分子鎖中に含有するものであってもよい。
【００１１】
【化１】
2017017054.tif 000003
【００１２】
式中、Ｒ１は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換一価炭化水素基であり、Ｒ２はアルケニル基であり、ｋは０又は正の整数である。
【００１３】
ここで、Ｒ１の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えば、炭素原子数１〜１０、特に１〜６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、並びに、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、シアノエチル基等が挙げられる。Ｒ２のアルケニル基としては、例えば炭素原子数２〜６、特に２〜３のものが好ましく、具体的にはビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。
【００１４】
一般式（１）において、ｋは、一般的には0≦ｋ≦10000を満足する０又は正の整数であり、好ましくは5≦ｋ≦2000、より好ましくは10≦ｋ≦1200を満足する整数である。
【００１５】
（Ａ２）成分
ベースポリマーに加える成分（Ａ２）は、脂肪族不飽和結合を有しない分岐状のシリコーンレジンであり、Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び／又はＳｉＯ４／２単位を含む。平均単位式で示すと（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（ＸＯ１／２）ｅで表されるポリオルガノシロキサンであることが好ましい。式中、Ｒ１は、脂肪族不飽和結合を除く、同じか又は異なる置換もしくは非置換の１価炭化水素基である。Ｒ１としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；並びにこれらの基の炭素原子に結合する水素原子の少なくとも一部がフッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子やシアノ基等で置換された基、例えばクロロメチル基、２−ブロモエチル基、３−クロロプロピル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基、シアノエチル基等のハロゲン置換アルキル基、シアノ置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等が挙げられる。特に、メチル基が好ましい。Ｘは、水素原子又はアルキル基である。アルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特にメチル基が好ましい。また、ａは０又は正数であり、ｂは０又は正数であり、ｃ又はｄの少なくともいずれか一方は正数であり、ｅは０又は正数であり、０≦ａ／（ｃ＋ｄ）＜４であり、０≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜２であり、０≦ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＜０．４となる数である。（Ａ２）は、１種単独でも、２種以上を併用してもよい。
【００１６】
（Ａ１）成分と（Ａ２）成分とは、重量基準で（Ａ１）／（Ａ２）は６０／４０〜９０／１０となる量割合が好ましい。前記の範囲であれば、好ましい低ブリード性と熱伝導性充填剤の高充填化が満足され、さらにはゲル状又は軟質ゴム状硬化物の良好な物性が得られる。
【００１７】
（Ｂ）架橋成分
（Ｂ）成分は、一般式：Ｒ２Ｓｉ（ＯＳｉＲ３２Ｈ）３で表される。式中、Ｒ２は、炭素原子数１〜４のアルキル基またはフェニル基である。Ｒ２としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、フェニル基が挙げられる。特に、合成し易いことから、メチル基又はフェニル基が好ましい。Ｒ３は、炭素原子数１〜４のアルキル基である。Ｒ３としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基が挙げられる。特に、材料の得やすさ、合成のし易さからメチル基が好ましい。（Ｂ）成分は、上記一般式で表されるシロキサンを１種単独で用いることが好ましい。
【００１８】
（Ｃ）成分
（Ｃ）成分は、本組成物の硬化を促進させる成分である。（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒を用いることができる。例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。Ａ成分に対して重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍ添加する。
【００１９】
（Ｄ）成分
（Ｄ）成分の熱伝導性粒子は、Ａ成分＋Ｂ成分合計１００重量部に対して１００〜２０００重量部添加する。これにより熱伝導シートの熱伝導率を０．２〜５Ｗ／ｍ・Ｋ、硬度が５〜６０の範囲とすることができる。熱伝導粒子としては、アルミナ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化アルミ、窒化ホウ素、水酸化アルミ及びシリカから選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。形状は球状，鱗片状，多面体状等様々なものを使用できる。アルミナを使用する場合は、純度９９．５重量％以上のα−アルミナが好ましい。熱伝導性粒子の比表面積は０．０６〜１０ｍ２／ｇの範囲が好ましい。比表面積はＢＥＴ比表面積であり、測定方法はＪＩＳ  Ｒ１６２６にしたがう。平均粒子径を用いる場合は、０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。粒子径の測定はレーザー回折光散乱法により、５０％粒子径を測定する。この測定器は例えば堀場製作所製社製のレーザー回折／散乱式粒子分布測定装置ＬＡ−９５０Ｓ２がある。
【００２０】
熱伝導性粒子は平均粒子径が異なる少なくとも２つの無機粒子を併用するのが好ましい。このようにすると大きな粒子径の間に小さな粒子径の熱伝導性無機粒子が埋まり、最密充填に近い状態で充填でき、熱伝導性が高くなるからである。相対的に平均粒子径の小さな無機粒子は、Ｒ（ＣＨ３）ａＳｉ（ＯＲ’）３−ａ（Ｒは炭素数６〜２０の非置換または置換有機基、Ｒ’は炭素数１〜４のアルキル基、ａは０もしくは１）で示されるシラン化合物、もしくはその部分加水分解物で表面処理するのが好ましい。Ｒ（ＣＨ３）ａＳｉ（ＯＲ’）３−ａ（Ｒは炭素数６〜２０の非置換または置換有機基、Ｒ’は炭素数１〜４のアルキル基、ａは０もしくは１）で示されるシラン化合物（以下単に「シラン」）は、一例としてヘキシルトリメトキシラン，ヘキシルトリエトキシシラン，オクチルトリメトキシシラン，オクチルトリエトキシラン，デシルトリメトキシシラン，デシルトリエトキシシラン，ドデシルトリメトキシシラン，ドデシルトリエトキシシラン，ヘキサドデシルトリメトキシシラン，ヘキサドデシルトリエトキシシシラン，オクタデシルトリメトキシシラン，オクタデシルトリエトキシシシラン等がある。前記シラン化合物は、一種又は二種以上混合して使用することができる。ここでいう表面処理とは共有結合のほか吸着なども含む。前記相対的に平均粒子径の大きな無機粒子は、例えば平均粒子径が２μｍ以上のものをいい、粒子全体を１００重量％としたとき５０重量％以上添加するのが好ましい。
【００２１】
（Ｅ）その他の成分
本発明の組成物には、必要に応じて前記以外の成分を配合することができる。例えばベンガラなどの無機顔料、フィラーの表面処理等の目的でアルキルトリアルコキシシランなどを添加してもよい。
【００２２】
本発明の熱伝導性シリコーンシートの熱伝導率は０．２〜５Ｗ／ｍ・Ｋの範囲である。好ましくは０．５〜３Ｗ／ｍ・Ｋ、さらに好ましくは１〜２Ｗ／ｍ・Ｋである。また当該熱伝導シリコーンシートの硬度は５〜６０、さらに好ましくは５〜４０である。前記の範囲であれば、発熱体と放熱体との間に介在させて効率よく熱伝導させることができる。
【００２３】
（プラズマ処理装置）
以下に、図面を適宜参照して、上述の熱伝導性シリコーンシートが配置される本発明のプラズマ処理装置の一例について説明する。なお、本発明のプラズマ処理装置は、以下に説明する構成に限定されるものではない。
【００２４】
プラズマ処理装置は、被処理基板を収容する減圧された収容室と、収容室内に配置されて被処理基板を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、被処理基板の周縁部を囲うように載置台に載置される環状のフォーカスリングとを備える。ここで、プラズマ処理装置において、載置台とフォーカスリングとの間に、上述の熱伝導性シリコーンシートが配置される。また、プラズマ処理装置において、熱伝導性シリコーンシートは、固化層と、固化層の両面に貼り付けられた粘着層とを有する。さらに、粘着層と載置台との界面、及び粘着層とフォーカスリングとの界面の夫々において、接着状態が保持され、粘着層と固化層との境界において、粘着状態が保持される。
【００２５】
図１は、基板載置装置の構成の一例を示す図である。基板載置装置は、例えば、図１に示すように、ウエハ１を載置する載置台２と、この載置台２の外周縁部に配置されるフォーカスリング３とを備えている。
【００２６】
ウエハ１にプラズマ処理を施す場合には、載置台２上にウエハ１を載置した後、処理チャンバを所定の真空度に保持した状態でウエハ１を固定し、載置台２に高周波電圧を印加して、処理チャンバ内にプラズマを発生させる。
【００２７】
ここで、フォーカスリング３は、被処理基板の周縁部におけるプラズマの不連続性を緩和して、被処理基板全面が均一にプラズマ処理されることを目的として設置されるものである。このため、フォーカスリング３を導電体材料とし、かつその上面の高さを被処理基板の処理面とほぼ同一の高さとすることで、被処理基板の縁部においてもイオンが被処理基板の表面に対して垂直に入射するようにし、被処理基板の縁と中央とでイオン密度に差が生じないようにしている。しかし、それにより被処理基板とフォーカスリング３とが略同電位となり、その電界の形に起因してプラズマが被処理基板の端部裏面側に回り込み易くなり、被処理基板の周縁部（エッジ部）の裏面側にＣＦ系ポリマー等からなる付着物（デポジッション）が発生することがある。
【００２８】
また、プラズマ処理においてはウエハ１の温度制御が極めて重要であることから、載置台２内に設けられた冷却機構により、ウエハ１を冷却し所望の温度に調整している。例えば、載置台２の上面から、熱伝導性の良いヘリウムガスをウエハ１の裏面に向けて流し、ウエハ１と載置台２との間の熱伝導率を高めるという方法がある。
【００２９】
また、減圧された収容室内においては、載置台２とフォーカスリング３の間に真空断熱層が形成され、載置台２とフォーカスリング３との間の熱伝導が非常に悪い。それによって、フォーカスリング３が全く冷却されないため、フォーカスリング３の温度が高くなりすぎ、そのためウエハ周辺縁部のプラズマ中のイオン、ラジカルの組成比や密度が変化する。その結果、ウエハ周縁部の例えばエッチングレート、ホール抜け性（エッチングにより所定の深さまで確実に堀り込むことのできる特性）、エッチング膜に対するエッチングマスクのエッチング選択比が低下したり、エッチングのアスペクト比が低下する等、ウエハ周辺縁部のエッチング特性が悪くなる。つまりフォーカスリングの温度の制御性を高くし所望の温度に制御する必要がある。
【００３０】
ここで、本発明に係るプラズマ処理装置では、以下に詳細に説明するように、載置台とフォーカスリングとの間に、上述の熱伝導性シリコーンシートが配置される。
【００３１】
図２は、本発明の一実施例に用いられるプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。プラズマ処理装置は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されており、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる略円筒状のチャンバ（処理容器）４を有している。このチャンバ４は保安接地されている。
【００３２】
プラズマ処理装置は、半導体ウエハ１を収容するチャンバ４を有し、チャンバ４内にはウエハ１を載置する載置台として、静電チャック１２、円柱状のサセプタ５が配置されている。チャンバ４の内壁面とサセプタ５の側面との間に、ガスを排出するための側方排気路６が形成され、この側方排気路６の途中に、多孔板からなる排気プレート７が配されている。排気プレート７は、チャンバ４を上下に区分する仕切り板としての機能を有し、排気プレート７の上部は反応室８となり、下部は排気室９となる。排気室９には、排気管１０が開口し、図示していない真空ポンプにより、チャンバ４内は真空排気される。
【００３３】
載置台は、サセプタ５と静電チャック１２からなり、サセプタ５の上部には、静電電極板１１を内蔵する静電チャック１２が配置されている。静電チャック１２は、下部円盤状部材の上に直径の小さい上部円盤状部材を重ねた形状になっている。上部円盤状部材の上面には誘電体（セラミックス等）の層が形成され、直流電源１３に接続された静電電極板１１に直流高電圧を印加することにより、上部円盤状部材表面に誘電電位が生じ、その上に載置したウエハ１をクローン力又はジョンソン・ラーベック力により吸着保持する。
【００３４】
静電チャック１２は、ネジ固定によりサセプタ５に固定されており、絶縁部材１４とウエハ１の間にフォーカスリング３が取り付けられている。この絶縁部材１４は、プラズマが外周方向に向かって広がり過ぎないようにする作用があり、プラズマが広がり過ぎて、排気プレート７から排気側に漏れてしまうことを防止するように電界を規制する。また、フォーカスリング３の表面は、導電体材料、例えばシリコン、シリコンカーバイドなどから形成されている。フォーカスリング３はウエハ１の外周を覆って、その表面が反応室８の空間に露出しており、反応室内のプラズマをウエハに収束させる機能を有する。なお、フォーカスリング３と静電チャック１２との取付構造については、後述する。
【００３５】
反応室内にプラズマを発生させるのは、反応室８上部のガス導入シャワーヘッド１６に上部高周波電源１７から印加された高周波電力と、サセプタ５に下部高周波電源１８から印加された高周波電力の作用による。ガス導入シャワーヘッド１６には、ガス導入管１９から反応ガスが供給され、更に、バッファ室２０を介して上部電極板２１に設けられた多数のガス孔２２を流通する際にプラズマ化されて、反応室８に供給される。
【００３６】
高温のプラズマに晒されたウエハ１は温度が上がるため、サセプタ５への熱伝導により冷却される。そのため、サセプタ５は熱伝導性の良い金属材料で構成され、その内部に冷媒流路２３を設けて、冷媒供給管１５から水やエチレングリコール等の冷媒を循環して冷却する。また、ウエハ１を吸着する面に多数の熱伝導ガス供給孔２４を設け、ヘリウムをこの孔から流出させて、ウエハ１の裏面を冷却している。
【００３７】
図３は、本発明の一実施例の装置におけるフォーカスリング３と静電チャック１２との取付構造の詳細を示す断面図である。図３は、図２のＡ部の拡大図となる。フォーカスリング３は、誘電体材料又は導電体材料からなる環状の部材であり、熱伝導性シリコーンシート２７を介して静電チャック１２上に載置される。言い換えると、静電チャック１２とフォーカスリング３との間に、熱伝導性シリコーンシート２７が配置されている。この熱伝導性シリコーンシート２７は、フォーカスリング３と静電チャック１２との接触面の間に挟んで両者間の熱伝導を促進させるために用いられるもので、柔軟性と熱伝導性に富む高分子材料からなるものである。具体的には、熱伝導性シリコーンシート２７は、ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して熱伝導性粒子を１００〜２０００重量部含む熱伝導性シリコーンシートである。
【００３８】
熱伝導性シリコーンシート２７は、固化層３１と、固化層３１の両面に貼り付けられた粘着層３２，３２とを有する。粘着層３２と静電チャック１２との界面、及び粘着層３２とフォーカスリング３との界面の夫々において、接着状態が保持され、粘着層３２と固化層３１との界面において、粘着状態が保持される。ここで、粘着状態とは、例えば、接合対象となる２つの物体が分子間力によって接合された状態を指す。また、接着状態とは、例えば、接着対象となる２つの物体が水素結合等の化学結合によって接合された状態を指す。
【００３９】
また、粘着層３２に関して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーは、１０以上であり、かつ、固化層３１に関して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の傾斜式ボールタック試験におけるボールナンバーは、０であることが好ましい。なお、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７では、ボール径を１／３２インチの整数倍に設定し、ボール径の分子の数字をボールナンバーとして表す。
【００４０】
また、固化層３１は、粘着層３２と同じ材料の架橋を所定の架橋剤を用いて促進させることによって、生成される。つまり、固化層３１は、粘着層３２よりも架橋点の数が多い。これにより、固化層３１と粘着層３２との間の架橋が抑制され、結果として、粘着層３２と固化層３１との界面において、粘着状態が保持され易くなる。
【００４１】
上述したように、本発明に係るプラズマ処理装置は、被処理基板を収容する減圧された収容室と、収容室内に配置されて被処理基板を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、被処理基板の周縁部を囲うように載置台に載置される環状のフォーカスリング３とを備え、載置台とフォーカスリング３との間に熱伝導性シリコーンシート２７が配置される。熱伝導性シリコーンシート２７は、ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して熱伝導性粒子を１００〜２０００重量部含む熱伝導性シリコーンシートである。熱伝導性シリコーンシート２７は、固化層３１と、固化層３１の両面に貼り付けられた粘着層３２，３２を有する。さらに、粘着層３２と載置台との界面、及び粘着層３２とフォーカスリング３との界面の各々において、接着状態が保持され、粘着層３２と固化層３１との境界において、粘着状態が保持される。
【００４２】
このプラズマ処理装置の構成により、真空高温の条件の下で熱伝導性シリコーンシート２７を用いた場合でも、粘着層３２と固化層３１との界面において、粘着状態が保持される。その結果、載置台からのフォーカスリング３の剥離性を向上することができる。
【００４３】
また、本発明に係るプラズマ処理装置では、載置台からのフォーカスリング３の剥離性が従来の熱伝導性シートを用いた場合の剥離性よりも向上するため、フォーカスリング３の交換に要する時間を短縮することができる。
【００４４】
さらに、本発明に係るプラズマ処理装置では、粘着層３２と固化層３１との界面が容易に分離されるため、フォーカスリング３の交換時に熱伝導性シリコーンシート２７の破損を回避することができる。その結果、フォーカスリング３の交換に伴うゴミの発生を低減させることが可能となる。
【符号の説明】
【００４５】
１          ウエハ
２          載置台
３          フォーカスリング
４          チャンバ
５          サセプタ
８          反応室
１１        静電電極板
１２        静電チャック
１３        直流電源
１４        絶縁部材
１５        冷媒供給管
１６        ガス導入シャワーヘッド
１７        上部高周波電源
１８        下部高周波電源
１９        ガス導入管
２０        バッファ室
２１        上部電極板
２２        ガス孔
２３        冷媒流路
２４        熱伝導ガス供給孔
２７        熱伝導性シリコーンシート
３１        固化層
３２        粘着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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