【事件の表示】
　特願２０００−　３３１７０「プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１７日出願公開、特開２００１−２２３４６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯　　
　
　本件出願は、平成１２年２月１０日を出願日とする出願であって、平成２１年１１月１６日付けで拒絶理由が通知され、これに対して平成２２年１月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年４月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２２年８月１０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされると同時に、同日付けの手続補正書によって明細書を補正する手続補正がなされ、その後、当審における平成２３年６月１３日付けの書面による審尋がなされ、これに対して平成２３年８月１９日付けで回答書が提出されたものである。　
　
　
第２．平成２２年８月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定　
　
［補正却下の決定の結論］　
　平成２２年８月１０日付けの手続補正を却下する。　
　
１．本件補正の内容　　
　平成２２年８月１０日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に関してみれば、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２２年１月２２日付けの手続補正書により補正された）下記（１）に示す請求項１を、下記（２）に示す請求項１へと補正するものである。　
　
（１）本件補正前の請求項１　
「【請求項１】　 少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：　
（ａ）コア材の両面に、樹脂絶縁層を積層し、コア基板を形成する工程；　
（ｂ）前記コア基板に、レーザにより貫通孔を形成する工程；　
（ｃ）前記コア基板に、粗化面を形成する工程；　
（ｄ）前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　
（ｅ）前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程；　
（ｆ）前記全表面上に電解めっき膜が形成されたコア基板の両面に感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程；　
（ｇ）前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程。」　　
　　
（２）本件補正後の請求項１　
「【請求項１】　 少なくとも以下（ａ）〜（
ｌ
（ａ）コア材の両面に、樹脂絶縁層を積層し、コア基板を形成する工程；　
（ｂ）前記コア基板に、レーザにより貫通孔を形成する工程；　
（ｃ）前記コア基板に、粗化面を形成する工程；　
（ｄ）前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　
（ｅ）前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程；　
（ｆ）前記全表面上に電解めっき膜が形成されたコア基板の両面に感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程；　
（ｇ）前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程
；
（ｈ）前記スルーホールに樹脂を充填する工程；
（ｉ）前記工程を経た基板両面にシクロオレフィン系樹脂からなる層間絶縁層を形成する工程；
（ｊ）前記層間絶縁層にバイアホールを形成する工程；
（ｋ）前記工程を経た基板両面にソルダーレジスト層を形成する工程；
（ｌ）前記ソルダーレジスト層に開口を設け、前記開口に半田バンプを形成する工程
　　
（なお、下線は補正箇所を示す。）　
　
２．本件補正の適否についての判断　
　
２．−１　本件補正の目的　
（１）請求項１に関する補正事項について　
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に「
（ｈ）前記スルーホールに樹脂を充填する工程；
（ｉ）前記工程を経た基板両面にシクロオレフィン系樹脂からなる層間絶縁層を形成する工程；
（ｊ）前記層間絶縁層にバイアホールを形成する工程；
（ｋ）前記工程を経た基板両面にソルダーレジスト層を形成する工程；
（ｌ）前記ソルダーレジスト層に開口を設け、前記開口に半田バンプを形成する工程
　しかしながら、本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１のいずれの発明特定事項をも限定するものとはいえず、特許請求の範囲の限定的減縮に該当しない。　
　そして、本件補正は、請求項の削除、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正のいずれかを目的とするものでもないことは自明である。　
　
（２）むすび　
　以上のとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮、請求項の削除、誤記の訂正、あるいは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものではなく、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　よって、結論のとおり決定する。　
　
２．−２　独立特許要件　
　本件補正が、仮に、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。　
　
（１）刊行物　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−８７８６５号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面とともに、例えば、次の事項が記載されている。　
　　
　（ア）「【０００１】　
【発明の属する技術分野】本発明は、主として積み上げ方式やラミネート方式で製造されるプリント配線板とその製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）　　
　　
　（イ）「【００１０】・・・（前略）・・・従来公知のセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法等により配線層を形成することができるので、例えば配線層の幅や間隔が１００μｍ以下、特に６０μｍ以下といった、より微細かつ正確な配線層を形成できる。」（段落【００１０】）　
　　
　（ウ）「【００１３】ここでいう耐熱性樹脂からなる絶縁基板（コア基板）としては、公知の材質、構造を有するものが制限なく使用される。代表的なものを挙げると、ガラス基材―ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）レジン樹脂基板、ガラス基材―エポキシ樹脂基板、ガラス基材―ポリイミド樹脂基板、紙基材―フェノール樹脂基板、紙基材―エポキシ樹脂基板、紙基材―テフロン基板、コンポジット樹脂基板や、鉄、アルミニウム、銅などを金属芯にして、ポリイミド、エポキシ、テフロン等の絶縁層を形成した金属芯基板、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフレキシブル基板、あるいはアルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミック等のセラミック基板等が挙げられるが、これらの材質に限定されるものではない。もちろん、これらの基板は単層基板に限らず、多層基板であってもよい。該耐熱性絶縁基板に貫通穴が必要ならば、ドリル、レーザ、プラズマ等の既存の穴あけ技術が利用できる。」（段落【００１３】）　
　
　（エ）「【００３３】　
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図面とともに説明する。　
（実施形態１）図２（ｂ）は本発明の実施形態１に係るプリント配線板１００の断面図である。この配線基板１００は、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂−ガラス複合材からなる絶縁基板１の上下面に厚み２５μｍの易粗化性のエポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２が形成されている。被覆層２および貫通穴３の内壁面には薄膜層７および電解銅めっき層８からなる配線層９、９が形成されている。この配線層９は薄膜層７と電解銅めっき層８とを併せて、厚みが１８μｍに形成されている。プリント基板１００の上下面に形成された配線層９、９は貫通穴内の配線層（貫通穴内導体１０）を介して互いに導通している。　
【００３４】次に、このプリント基板１００の製造方法について、図１乃至図２を参照しつつ説明する。図１（ａ）に示すように、銅張り層を有しないＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂―ガラス複合材からなる絶縁基板１の表面にロールコータを用いて易粗化性のエポキシ絶縁樹脂を厚み３２μｍで印刷した後、１５０℃で２時間キュアして、易粗化性樹脂の被覆層２を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、ドリルを用いて貫通穴３を形成する。続いて、絶縁基板１上の被覆層２の表面をその厚みが２５μｍになるように研磨して整面した後、貫通穴３の内壁面を洗浄する。　
【００３５】続いて、被覆層２の表面を過マンガン酸カリウム溶液（４５ｇ／ｌ）で粗化する。次に、Ｓｎ−Ｐｄコロイド溶液（奥野製薬製；ＯＰＣ−８０）に浸漬してＰｄ触媒核を吸着させる。ついで、図１（ｃ）に示すように、無電解銅めっき（奥野製薬製；ビルドカッパー）により易粗化性樹脂からなる被覆層２と貫通穴３を含む絶縁基板１の表面全体に０．５〜１．０μｍの薄膜層４を形成する。　
【００３６】そして、図１（ｄ）に示すように、ホットラミネータを用いて厚さ２５μｍの感光性ドライフィルムレジストＤＦ１（日本合成化学製；ＮＩＴ−２２５）を薄膜層４上にラミネートして、レジスト層５を形成する。ついで、フォトマスク６を介して上下面の配線層のパターンを露光し、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、図２（ａ）に示すように、配線用開口パターン７を形成する。　
【００３７】その後、配線用開口パターン７内の薄膜層４上のレジスト残さを酸性脱脂により除去し、露出した薄膜層４の表面を硫酸―過酸化水素系エッチング液（奥野製薬製；ＯＰＣ−４００）により活性化する。これにより薄膜層４と次述する電解銅めっき層８との密着性を向上できる。ついで、図２（ｂ）に示すように、薄膜層４を通じて硫酸銅系の電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する。　
【００３８】そして、図２（ｃ）に示すように、残っためっきレジスト層５を剥離する。その後、過硫酸塩系エッチング剤（荏原コージライト製；ＰＢ−２２８）により、電解銅めっき層８から露出する薄膜層４、および電解銅めっき層８の表層近傍をソフトエッチングして除去して、図２（ｄ）に示すように、電解銅めっき層８とその下方の薄膜層４からなる第１層目の配線層９、および貫通穴３内の配線層である貫通穴内導体１０を形成する。」（段落【００３３】ないし【００３８】）　　
　　
　（オ）「【００４５】上記において、本発明の実施形態１および２にかかるプリント配線板１００および２００のうち、本発明の特徴部分である第１層目について説明したが、各プリント配線板の第２層目以上について説明する。　
（実施形態３）図５（ａ）に示すように、第１層目の配線層９および貫通穴内導体１０の形成、接続を完了した図２（ｄ）の貫通穴３に絶縁性樹脂を穴埋め印刷した後、１５０℃で２時間キュアして、充填層３０を形成する。　
【００４６】その後、図５（ｂ）に示すように、プリント配線板１００の第１層目の配線層９、充填層３０および粗化済みの被覆層２の表面にロールコータを用いてＢＴ樹脂からなる絶縁樹脂を厚み６０μｍで塗布した後、１５０℃で２時間キュアして、ＢＴ樹脂の絶縁層２１を形成する。絶縁層２１は、ＢＴ樹脂からなるため、絶縁性に優れる反面、表面粗化が困難である。　
【００４７】続いて、図５（ｃ）に示すように、粗化が容易でないＢＴ樹脂の絶縁層２１の表面に易粗化性のエポキシ絶縁樹脂を厚み３２μｍで印刷した後、１５０℃で２時間キュアして、易粗化性樹脂の表面被覆層２２を形成する。そして、エキシマレーザを用いて、図６（ａ）に示すように留め穴ビア用の開口パターン２３形成し、配線層４の一部を露出させる。　
【００４８】続いて、表面被覆層２２および絶縁層２１に形成した留め穴ビア用の開口パターン２３の内壁面を過マンガン酸カリウム溶液（４５ｇ／ｌ）で粗化する。次に、Ｓｎ−Ｐｄコロイド溶液（奥野製薬製；ＯＰＣ−８０）に浸漬してＰｄ触媒核を吸着させる。その後、無電解銅めっき（奥野製薬製；ビルドカッパー）により露出した配線層９の上面および留め穴ビア用の開口パターン２３の内壁面に０．５〜１．０μｍの薄膜層２４を形成した。そして、ホットラミネータを用いて厚さ２５μｍの図示しない感光性ドライフィルムレジストＤＦ１（日本合成化学製；ＮＩＴ−２２５）を無電解銅めっきの薄膜層２４上にラミネートして、レジスト層を形成する。ついで、フォトマスクを介して上下面の配線層パターンを露光し、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、配線用開口パターンを形成する。次いで、薄膜層２４を通じて硫酸銅系の電解めっきを行い、露出した薄膜層２４の上に厚さ約２２μｍの電解銅めっき層２８を形成する。そして、残っためっきレジスト層を剥離した後、過硫酸塩系エッチング剤（荏原コージライト製；ＰＢ−２２８）で露出した薄膜層２４と電解銅めっき層２８の表層近傍をソフトエッチングして除去して、図６（ｂ）に示すように、第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５の形成し、プリント配線板３００を得る。」（段落【００４５】ないし【００４８】）　
　　
（２）上記（１）（ア）ないし（オ）及び図面の記載より分かること　　
　（ａ）上記（エ）及び図１の記載より、絶縁基板１の両面に、エポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２を積層し、積層体を形成していることが分かる。　
　　
　（ｂ）上記（ウ）及び（エ）並びに図１の記載より、貫通穴３はレーザによっても形成できることが分かる。　
　
　（ｃ）上記（ア）ないし（オ）並びに図面の記載より、　
　絶縁基板１の両面に、エポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２を積層する工程；　
　前記絶縁基板１の両面に被覆層２を積層したものに、貫通穴３を形成する工程；　
　前記積層したものに、粗化面を形成する工程；　
　前記貫通穴３内面および前記積層したものの全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　
　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　
　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　
　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程；　
　前記貫通穴内導体１０に絶縁性樹脂を穴埋め印刷する工程；　
　前記工程を経た基板両面にＢＴ樹脂からなるからなる絶縁層２１を形成する工程；　
　前記絶縁層２１に第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５を形成する工程；　
　を少なくとも備えるプリント配線板の製造方法であることが分かる。　
　　
（３）刊行物に記載された発明　　
　したがって、上記（１）及び（２）を総合すると、刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる（以下、「刊行物に記載された発明」という。）。　
　　
「　少なくとも以下の工程を備えるプリント配線板の製造方法：　
　絶縁基板１の両面に、エポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２を積層し、積層体を形成する工程；　
　前記積層体に、レーザにより貫通穴３を形成する工程；　
　前記積層体に、粗化面を形成する工程；　
　前記貫通穴３内面および前記積層体全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　
　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　
　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　
　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程；　
　前記貫通穴内導体１０に絶縁性樹脂を穴埋め印刷する工程；　
　前記工程を経た基板両面にＢＴ樹脂からなるからなる絶縁層２１を形成する工程；　
　前記絶縁層２１に第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５を形成する工程。」　　
　
（４）対比　　
　本件補正発明と刊行物に記載された発明とを対比すると、刊行物に記載された発明における「絶縁基板１」、「エポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２」、「積層体」、「貫通穴３」、「第１層目の配線層９」、「貫通穴内導体１０」、「絶縁性樹脂」、「穴埋め印刷」及び「第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５」は、その機能、構造又は技術的意義からみて、本件補正発明における「コア材」、「樹脂絶縁層」、「コア基板」、「貫通孔」、「導体回路」、「スルーホール」、「樹脂」、「充填」及び「バイアホール」に、それぞれ相当する。　　
　また、刊行物に記載された発明における「薄膜層４」は、無電解銅めっきにより形成されるものであるから、本件補正発明における「金属膜」に相当し、また、刊行物に記載された発明における「電解銅めっき層８」は、その機能又は技術的意義からみて、本件補正発明における「電解めっき膜」に相当する。　
　さらに、刊行物に記載された発明における「ＢＴ樹脂からなるからなる絶縁層２１」は層間を絶縁する層であるから、「樹脂からなる層間絶縁層」という限りにおいて、本件補正発明における「シクロオレフィン系樹脂からなる層間絶縁層」に相当する。　　
　
　してみると、本件補正発明と刊行物に記載された発明とは、　
「　少なくとも以下の工程を備えるプリント配線板の製造方法：　
　コア材の両面に、樹脂絶縁層を積層し、コア基板を形成する工程；　
　前記コア基板に、レーザにより貫通孔を形成する工程；　
　前記コア基板に、粗化面を形成する工程；　
　前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　
　金属膜および電解めっき膜からなる導体回路及びスルーホールを形成する工程；　
　前記スルーホールに樹脂を充填する工程；　
　前記工程を経た基板両面に樹脂からなる層間絶縁層を形成する工程；　
　前記層間絶縁層にバイアホールを形成する工程。」の点で一致し、次の点で相違する。　
　　
＜相違点１＞　　
　導体回路及びスルーホールの形成が、　
　本件補正発明においては、「前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程；　前記全表面上に電解めっき膜が形成されたコア基板の両面に感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程；　前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程」であるのに対し、　
　刊行物に記載された発明においては、本件補正発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成が、「前記貫通穴３内面および前記積層体全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程」である点（以下、「相違点１」という。）。　　
　　
＜相違点２＞　　
　スルーホールに樹脂を充填する工程の後、　
　本件補正発明においては、「基板両面にシクロオレフィン系樹脂からなる層間絶縁層を形成する工程；　前記層間絶縁層にバイアホールを形成する工程；　前記工程を経た基板両面にソルダーレジスト層を形成する工程；　前記ソルダーレジスト層に開口を設け、前記開口に半田バンプを形成する工程。」を有しているのに対し、　
　刊行物に記載された発明においては、「基板両面にＢＴ樹脂からなるからなる絶縁層２１を形成する工程；　前記絶縁層２１に第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５を形成する工程。」を有するものの、本件補正発明の層間絶縁層に相当する絶縁層２１がシクロオリフィン系樹脂からなること、及び絶縁層２１に本件補正発明のバイアホールに相当する第２層目の配線層２９および留め穴めっき導体２５を形成する工程を経た基板両面にソルダーレジスト層を形成する工程；前記ソルダーレジスト層に開口を設け、前記開口に半田バンプを形成する工程を有してことが明らかでない点（以下、「相違点２」という。）。　
　
（５）判断
　上記相違点について検討する。　
　　
＜相違点１＞について　　
　上記２．−２（１）（イ）にあるように、刊行物には「従来公知のセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法等により配線層を形成することができる」と記載されており、刊行物に記載された発明において、本件補正発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成に、いずれの形成法による工程を採用するかは、当業者が必要に応じて適宜決定し得る事項である。さらに、配線基板の技術分野において、配線層を、「貫通孔内面および基板全表面に、金属膜を形成する工程、前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程、前記全表面上に電解めっき膜が形成された基板の両面にドライフィルムを貼り付け、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程、前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程」により形成することも、本件出願前に広く一般に知られた周知の技術（例えば、特開昭６３−１１０７９４号公報［特に、第２図］及び特開昭６４−４９２９９号公報［特に、第２図］等参照。以下、以下、「周知技術１」という。）であり、感光性ドライフィルムにフォトマスクフィルムを載置させることも慣用的に行われていることである（例えば、特開平７−３２１４６１号公報［特に、図４及び５］及び特開２０００−２２３３４号公報［平成１２年１月２１日出願公開。特に、段落【００６５】］等参照。以下、「慣用技術」という。）。　
　したがって、刊行物に記載された発明において、本件補正発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成として、「前記貫通穴３内面および前記積層体全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程」に代えて上記周知技術１及び慣用技術を採用し、本件補正発明の上記相違点１に係る発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。　
　
＜相違点２＞について　　
　配線基板の技術分野において、スルーホールに樹脂を充填する工程の後に、「スルーホールに樹脂を充填する工程を経た基板両面に層間絶縁層を形成する工程；前記層間絶縁層にバイアホールを形成する工程；前記工程を経た基板両面にソルダーレジスト層を形成する工程；前記ソルダーレジスト層に開口を設け、前記開口に半田バンプを形成する工程。」を備えることは、本件出願前に周知の技術（例えば、特開２０００−２２３３９号公報［平成１２年１月２１日出願公開。特に、段落【００４２】ないし【００６２】及び特開平１１−３０７９３２号公報［特に、段落【００２７】ないし【００５２】］等参照。以下、「周知技術２」という。）であり、また、シクロオレフィン系樹脂からなる層間絶縁層も本件出願前に周知（例えば、特開平８−２５９７８４号公報［特に、【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項３】並びに段落【０００１】及び【００２１】］等参照。以下、「周知技術３」という。）のものである。　
　したがって、刊行物に記載された発明において、本件補正発明におけるスルーホールに相当する貫通穴内導体１０に絶縁性樹脂を充填する工程の後に、上記周知技術２及び３を適用して、本件補正発明の上記相違点２に係る発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。　
　
　そして、本件補正発明は、全体としてみても、刊行物に記載された発明及び周知技術１ないし３並びに慣用技術から予測される以上の格別な効果を奏するものではない。　　
　
　したがって、本件補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術１ないし３並びに慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
（６）むすび　　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　よって、結論のとおり決定する。　
　
　
第３．本願発明について　
　
１．手続の経緯及び本願発明　
　平成２２年８月１０日付けの手続補正は前述したとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２２年１月２２日付けの手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付された図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２．の１．（１）に記載したとおりのものである。　
　
２．刊行物　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の出願前に頒布された刊行物（特開平１１−８７８６５号公報）には、前記第２．の２．−２のとおりのものが記載されている。　
　
３．対比・判断　
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比すると、刊行物に記載された発明における「絶縁基板１」、「エポキシ絶縁樹脂からなる被覆層２」、「積層体」、「貫通穴３」、「第１層目の配線層９」及び「貫通穴内導体１０」は、その機能、構造又は技術的意義からみて、本願発明における「コア材」、「樹脂絶縁層」、「コア基板」、「貫通孔」、「導体回路」及び「スルーホール」に、それぞれ相当する。　　
　また、刊行物に記載された発明における「薄膜層４」は、無電解銅めっきにより形成されるものであるから、本願発明における「金属膜」に相当し、また、刊行物に記載された発明における「電解銅めっき層８」は、その機能又は技術的意義からみて、本願発明における「電解めっき膜」に相当する。　
　してみると、本願発明と刊行物に記載された発明とは、　
「　少なくとも以下の工程を備えるプリント配線板の製造方法：　
　コア材の両面に、樹脂絶縁層を積層し、コア基板を形成する工程；　
　前記コア基板に、レーザにより貫通孔を形成する工程；　
　前記コア基板に、粗化面を形成する工程；　
　前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　
　金属膜および電解めっき膜からなる導体回路及びスルーホールを形成する工程。」の点で一致し、次の点で相違する。　
　　
＜相違点Ａ＞　　
　導体回路およびスルーホールの形成が、　
　本願発明においては、「前記貫通孔内面および前記コア基板全表面に、金属膜を形成する工程；　前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程；　前記全表面上に電解めっき膜が形成されたコア基板の両面に感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程；　前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程」であるのに対し、　
　刊行物に記載された発明においては、本願発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成が、「前記貫通穴３内面および前記積層体全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程」である点（以下、「相違点Ａ」という。）。　
　
　そこで、上記相違点Ａについて検討する。　
　
　上記第２．の２．−２（１）（イ）にあるように、刊行物には「従来公知のセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法等により配線層を形成することができる」と記載されており、刊行物に記載された発明において、本願発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成に、いずれの形成法による工程を採用するかは、当業者が必要に応じて適宜決定し得る事項である。さらに、配線基板の技術分野において、配線層を、「貫通孔内面および基板全表面に、金属膜を形成する工程、前記金属膜の全表面上に電解めっき膜を形成する工程、前記全表面上に電解めっき膜が形成された基板の両面にドライフィルムを貼り付け、露光・現像処理し、レジストのパターンを形成する工程、前記レジストパターン形成により露出した電解めっき膜とその下の金属膜を溶解除去し、前記レジストを剥離除去し、金属膜および電解めっき膜からなる導体回路およびスルーホールを形成する工程」により形成することも、本件出願前に広く一般に知られた周知技術１であり、感光性ドライフィルムにフォトマスクフィルムを載置させることも慣用技術である。　
　したがって、刊行物に記載された発明において、本願発明の「導体回路」及び「スルーホール」にそれぞれ相当する「第１層目の配線層」及び「貫通穴内導体１０」の形成として、「前記貫通穴３内面および前記積層体全表面に、無電解銅めっきにより薄膜層４を形成する工程；　薄膜層４が形成された積層体の両面に感光性ドライフィルムレジストＤＦ１をラミネートして、レジスト層５を形成し、フォトマスク６を介して、露光、現像処理し、配線用開口パターン７を形成する工程；　薄膜層４を通じて電解めっきを行い、露出した薄膜層４の上に電解銅めっき層８を形成する工程；　残ったレジスト層５を剥離除去し、薄膜層４および電解銅めっき層８からなる第１層目の配線層９及び貫通穴内導体１０を形成する工程」に代えて上記周知技術１及び慣用技術を採用し、本願発明の上記相違点Ａに係る発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。　
　
　そして、本願発明は、全体としてみても、刊行物に記載された発明及び周知技術１並びに慣用技術から予測される以上の格別な効果を奏するものではない。　
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術１並びに慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　よって、結論のとおり審決する。