【事件の表示】
　特願２００５−１８５４９５「有機発光表示装置の単位画素」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月２３日出願公開、特開２００６−　５３５３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本件審判事件の手続の概要は、以下のとおりである。
　
　平成１７年　６月２４日　特許出願（パリ条約による優先権主張２００４年８月１３日（以下、「優先日」という。）、大韓民国）
　平成２１年　５月２８日　拒絶理由通知（同年６月２日発送）
　平成２１年　９月　１日　意見書・手続補正書
　平成２１年１１月　２日　平成２１年９月１日付け手続補正についての補正の却下の決定（同年１１月１０日送達）・拒絶査定（同年１１月１０日送達）
　平成２２年　３月　５日　本件審判請求・手続補正書（以下、「補正１」という。）
　平成２３年　１月３１日　審尋（同年２月１日発送）
　平成２３年　４月２７日　回答書
　平成２３年　８月３１日　当審拒絶理由通知（同年９月６日発送）
　平成２３年１２月　６日　意見書・手続補正書（以下、「補正２」という。）
　
２．当審の拒絶理由
　
　当審拒絶理由通知において指摘した拒絶理由の概要は、 
　
　この出願の補正１によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００３−２０２８３３号公報に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
というものである。 
　
３．本願発明 
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、補正２によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。 
「データラインと第１ノード間に接続され、ダイオード機能を有し、第１しきい値電圧を有し、前記データラインに印加されるデータ電圧と前記第１しきい値電圧間の差を前記第１ノードに供給する第１トランジスタと、
　前記第１ノードに接続され、第２選択信号により初期化電圧を前記第１ノードに供給する第２トランジスタと、
　前記第１ノードと第２ノード間に接続され、第１選択信号により前記第１ノードに供給された前記初期化電圧を前記第２ノードに供給する第３トランジスタと、
　前記第２ノードにゲート端子が接続され、前記第１しきい値電圧と同一な第２しきい値電圧を有し、電源電圧と前記データ電圧により決定される駆動電流を有機発光ダイオードに供給する第４トランジスタと、
　前記電源電圧と前記有機発光ダイオードとの間に前記第４トランジスタと共に挿入され、かつ前記第４トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、初期化動作中に前記第４トランジスタから前記有機発光ダイオードに電流が流れることを防止する第５トランジスタと
　を備え、
　前記第４トランジスタのソース端子は前記電源電圧と直接連結され、前記第４トランジスタのドレイン端子は前記第５トランジスタのソース端子と直列に連結され、前記第５トランジスタのドレイン端子は前記有機発光ダイオードと連結され、前記第５トランジスタのゲート端子と前記第３トランジスタのゲート端子には前記第１選択信号が供給され、前記第３トランジスタ及び前記第５トランジスタは前記第１選択信号により同時に制御される
　ことを特徴とする有機発光表示装置の単位画素。」
　
４．引用発明 
（１）引用刊行物の記載事項 
　当審の拒絶理由に引用され、本願の優先日前である平成１５年７月１８日に頒布された刊行物である特開２００３−２０２８３３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、「半導体装置およびその駆動方法」（発明の名称）の発明に関して、以下の事項が記載されている。  
 　  
 ＜記載事項１＞  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタを有する半導体装置の構成に関する。本発明はまた、ガラス、プラスチック等の絶縁体上に作製される薄膜トランジスタ(以後、ＴＦＴと表記する)を有する半導体装置を含むアクティブマトリクス型発光装置の構成に関する。また、このような発光装置を用いた電子機器に関する。」
　
 ＜記載事項２＞  
「【００３７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の構成の場合、容量手段２２０９、２２１０の容量値がばらついた場合には、ＴＦＴ２２０６のドレイン電流ＩDSがばらついてしまうことになる。そこで、本発明においては、容量値のばらつきの影響を受けることのない構成によって、ＴＦＴのしきい値電圧のばらつきを補正することの出来る半導体装置を画素に用いた発光装置を提供することを目的とする。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明の動作原理を、図２９を用いて説明する。図２９（Ａ）（Ｂ）のような回路を考える。スイッチ素子２９０１、２９０３、２９１１、２９１３は、それぞれSignal１、Signal２によって制御される素子であり、ＴＦＴ等によってＯＮ、ＯＦＦが出来るもので良い。ここで、単一方向にのみ電流が流れる素子を、整流性素子と定義する。整流性素子としては、ダイオードや、ゲート・ドレイン間を接続（このような接続をダイオード接続と表記する）したＴＦＴが挙げられる。
【００３９】図２９（Ａ）（Ｂ）に示すように、スイッチ素子２９０１、２９１１、整流性素子２９０２、２９１２、スイッチ素子２９０３、２９１３を接続した回路を考える。
【００４０】ここで、回路の一端より、ある信号が入力され、回路の他端は、ある一定電位が与えられているとする。図２９（Ａ）の場合、入力される信号をＶX、一定電位をＶSS（≦ＶX−|ＶthＰ|：ＶthＰはＴＦＴのしきい値電圧）とし、図２９（Ｂ）の場合、入力される信号をＶX、一定電位をＶDD（≧ＶX＋|ＶthＮ|：ＶthＮはＴＦＴのしきい値電圧）とする。
【００４１】今、図２９（Ｃ）においてiで示される期間で、スイッチ素子２９０３、２９１３が導通する。すると、図２９（Ａ）において、整流性素子（ここでは整流性素子にダイオード接続ＴＦＴを用いたものとする。）であるＴＦＴ２９０２のドレイン電極およびゲート電極の電位が低下する。図２９（Ｂ）においては、ＴＦＴ２９１２の第２の電極およびゲート電極の電位が上昇する。整流性素子２９０２、２９１２のいずれも、両電極間の電圧がしきい値電圧の絶対値を上回るため、ＴＦＴ２９０２、２９１２はともにＯＮする。ただしこのとき、スイッチ素子２９０１、２９１１は共にＯＦＦしており、電流は流れない。
【００４２】その後、図２９（Ｃ）においてiiで示される期間で、スイッチ素子２９０１、２９０３、２９１１、２９１３が導通する。この期間で、ＴＦＴ２９０２、２９１２のゲート・ソース間電圧はそれぞれ、ＶSS−ＶX、ＶDD−ＶXとなり、それぞれのＴＦＴのしきい値電圧の絶対値を上回り、ＶX→ＶSSへ、ＶDD→ＶXへ電流が流れる。
【００４３】続いて、図２９（Ｃ）においてiiiで示される期間で、スイッチ素子２９０１、２９１１が導通し、かつスイッチ素子２９０３、２９１３が非導通となる。このとき、ＴＦＴ２９０２、２９１２のソース電位はＶXである。今、ＴＦＴ２９０２、２９１２のゲート・ソース間電圧はそのしきい値電圧の絶対値を上回っており、ＴＦＴ２９０２、２９１２はＯＮ状態であるため、電流が流れつづける。これにより、ＴＦＴ２９０２のドレイン電位は上昇し、ＴＦＴ２９１２のドレイン電位は下降する。やがて、ＴＦＴ２９０２、２９１２のゲート・ソース間電圧は、そのしきい値電圧に等しくなり、ＴＦＴ２９０２、２９１２はともにＯＦＦする。このとき、ＴＦＴ２９０２、２９１２のドレイン電位はそれぞれ、ＶX−|ＶthＰ|、ＶX＋|ＶthＮ|となる。つまり、ＴＦＴ２９０２、２９１２によって、入力される信号の電位ＶXに、それぞれのしきい値電圧を上乗せする動作が行われる。ＴＦＴ２９０２、２９１２のゲート電極の電位をそれぞれ、ＶG2902、ＶG2912とすると、上記の動作において、ＶG2902、ＶG2912はそれぞれ、図２９（Ｄ）に示すような電位をとる。
【００４４】本発明においては、ソース信号線より画素に入力される映像信号は、図２９（Ａ）（Ｂ）において２９０２、２９１２で示したような、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴを経て、ＥＬ素子に電流を供給するためのＴＦＴのゲート電極に所望の電位が印加される。ここで、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴにおいて、そのソース・ドレイン間には、ＴＦＴのしきい値電圧に等しい電位差が生ずる。よって、駆動用ＴＦＴのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧分だけオフセットをかけた電位を印加するようにする。
【００４５】なお、ＴＦＴ２９０２、２９１２は、図２９（Ｅ）に示すように、それぞれダイオード２９２２、２９３２を用いても良い。
【００４６】また、スイッチ素子２９０３、２９１３についても、図２９（Ｆ）に示すように、ダイオード２９２３、２９３３を用い、図２９（Ｃ）における区間iiiの動作で、ＶDDもしくはＶSSの電位を変化させることによってＶG2902、ＶG2912に同様の振る舞いをさせることも出来る。
【００４７】ここで用いるダイオードには、通常のＰＮ接合を有するダイオードの他、前述のダイオード接続ＴＦＴを用いても良い。
【００４８】また、スイッチ素子２９０１、２９１１は共に省略しても良い。つまり、整流性素子２９０２、２９１２の第１の電極に、信号ＶXが入力されても良い。
【００４９】ここでは、発光装置におけるＴＦＴのしきい値電圧のばらつきを補正し、ＥＬ素子の輝度ばらつきを低減することを課題とし、それに対する解決方法として述べているが、本発明の動作原理は、発光装置におけるＴＦＴのしきい値電圧のばらつきを補正するためだけにとどまらず、他の電子回路にももちろん応用が可能である。」
　
＜記載事項３＞  
「【００８２】
【発明の実施の形態】[実施の形態１]図１(Ａ)に、本発明の第１の実施形態を示す。ソース信号線１０１、第１、第２のゲート信号線１０２、１０３、ＴＦＴ１０４〜１０７、ＥＬ素子１０９、電流供給線１１０、リセット用電源線１１１、電源線１１２を有する。さらに、映像信号を保持するための容量手段１０８を設けても良い。
【００８３】ＴＦＴ１０４のゲート電極は、第１のゲート信号線１０２に接続され、第１の電極は、ソース信号線１０１に接続され、第２の電極は、ＴＦＴ１０５の第１の電極に接続されている。ＴＦＴ１０５のゲート電極と第２の電極とは互いに接続され、ＴＦＴ１０６の第１の電極および、ＴＦＴ１０７のゲート電極に接続されている。ＴＦＴ１０６のゲート電極は、第２のゲート信号線１０３に接続され、第２の電極は、リセット用電源線１１１に接続されている。ＴＦＴ１０７の第１の電極は、電流供給線１１０に接続され、第２の電極は、ＥＬ素子１０９の第１の電極に接続されている。ＥＬ素子１０９の第２の電極は、電源線１１２に接続され、電流供給線１１０とは互いに電位差を有している。容量手段１０８を設ける場合には、ＴＦＴ１０７のゲート電極と、電流供給線１１０等の定電位を得られる部位との間に設ければ良い。また、ＴＦＴ１０４の第２の電極と、電流供給線１１０等の定電位との間に設けても良いし、保持容量の値を大きくしたい場合等には、両方に設けても良い。
【００８４】図１(Ｂ)は、第１、第２のゲート信号線に入力するパルスのタイミングを示している。図１(Ｂ)および図２を用いて、動作について説明する。なお、ここではＴＦＴ１０４、１０６はＮチャネル型として構成しているので、ゲート信号線の電位がＨレベルのときにＴＦＴがＯＮし、ＬレベルのときにＴＦＴがＯＦＦするものとしているが、ＴＦＴ１０４、１０６は単にスイッチング素子として機能するものであり、その極性は問わない。
【００８５】今、ソース信号線１０１の電位がＶDD、電流供給線の電位がＶDD、リセット用電源線の電位がＶReset(＜ＶDD−|Ｖth|)であるとし、ＴＦＴ１０５については、ゲート(Ｇ)、ソース(Ｓ)、ドレイン(Ｄ)を図２(Ａ)のように定義する。まず、第２のゲート信号線１０３にパルスが入力されてＴＦＴ１０６がＯＮする。よって、図２(Ａ)に示すように、ＴＦＴ１０５のドレイン電位が低下して、ＴＦＴ１０５のゲート・ソース間電圧ＶGS＜０となり、さらにしきい値電圧Ｖthの絶対値を上回って、ＴＦＴ１０５がＯＮする。同時に、ＴＦＴ１０７のゲート・ソース間電圧もまたしきい値電圧の絶対値を上回るため、ＯＮする。
【００８６】続いて、ＴＦＴ１０６がＯＦＦし、第１のゲート信号線１０２にパルスが入力されてＴＦＴ１０４がＯＮする。ここで、ソース信号線には映像信号が出力されてきており、その電位がＶData(ＶReset＜ＶData＜ＶDD)となっているため、ＴＦＴ１０５のソース電位がＶDataへと上昇する。すると、ＴＦＴ１０５を経て、ＴＦＴ１０７のゲート電極の電位、すなわちＴＦＴ１０５のゲート電極の電位も上昇する。その電位がＶData−|Ｖth|となったところで、ＴＦＴ１０５のゲート・ソース間電圧がそのしきい値電圧に等しくなるので、ＴＦＴ１０５がＯＦＦし、ＴＦＴ１０７のゲート電極の電位、すなわちＴＦＴ１０５のゲート電極の電位の上昇が停止する(図２(Ｂ))。
【００８７】続いて、ＴＦＴ１０４がＯＦＦし、発光期間に移る。今、ＴＦＴ１０７のゲート電極には、所望の映像信号の電位に、しきい値電圧を上乗せした電位が印加されており、図２(Ｃ)に示すように、それに見合った電流が電流供給線１１０よりＴＦＴ１０７を経てＥＬ素子１０９に流れ、発光する。ところで、実際には、図２(Ａ)の初期化の段階でＴＦＴ１０７のゲート電極には、しきい値電圧の絶対値を上回る電位が印加されてＯＮし、最大輝度で発光しているが、第１、第２のゲート信号線が選択される期間は、実際の発光期間に比べて十分に短く、いかなる場合にも同様に発光するため、相対的な輝度のばらつきに影響することはない。
【００８８】以上のような動作によって、画素の制御を行う。このとき、ＴＦＴ１０７を流れるドレイン電流ＩDSは、式(８)にて表される。
【００８９】
【数８】
【００９０】仮に画面内の画素において、ＴＦＴのしきい値電圧のばらつきが生じた場合にも、１つの画素を構成するＴＦＴ、具体的にはＴＦＴ１０５、１０７のしきい値電圧が等しければ、その項は相殺され、ＩDSはしきい値電圧の項を含まなくなる。つまり、しきい値電圧に関係なく、ＩDSを決定することが出来、しきい値電圧のばらつきの影響を排除することが出来る。」
　 
＜記載事項４＞
「【０１０１】[実施の形態３]実施の形態２において、消去期間においての動作は、ＴＦＴ９０７のゲート・ソース間電圧を０としてＯＦＦさせることによって、ＥＬ素子９０９への電流の供給を遮断している。この他の方法を用いた例を図１０（Ａ）に示す。実施の形態２においては、消去用ＴＦＴ９１４はＴＦＴ９０７のゲート電極と、電流供給線９１０との間に設けられていたのに対し、本実施形態においては、消去用ＴＦＴ９１４は、ＴＦＴ９０７とＥＬ素子９０９との間に設けられている。
【０１０２】初期化および映像信号の入力の動作については、実施の形態１と同様である。消去用ＴＦＴ９１４は、サステイン（発光）期間のみＯＮしている。初期化、映像信号の入力、および消去期間においてはＯＦＦし、ＥＬ素子９０９への電流を遮断する。
【０１０３】実施の形態２と動作面で異なる点としては、実施の形態２の場合は、一度消去用ＴＦＴ９１４をＯＮし、ＴＦＴ９０７のゲート・ソース間電圧を０とすれは、以後はＥＬ素子９０９が発光しないため、図１１に示すように、消去期間の開始するタイミングで、短いパルスを入力すれば良いが、本実施形態においては、消去用ＴＦＴは、サステイン期間を通じてＯＮしている必要があるため、第３のゲート信号線９１３には、図１２に示すように、サステイン（発光）期間と同じ長さのパルスを入力する。
【０１０４】このようなパルスを生成するのには、特別な回路は必要とせず、図２８（Ａ）に示すような、クロックドインバータ２８０２、インバータ２８０３等からなるＤ−フリップフロップ回路２８０１を複数段用いてなるシフトレジスタを用いて、外部より入力するスタートパルスの長さを変更することによって、図２８（Ｂ）に示すように、出力されるパルスの長さを変更して生成すれば良い。サステイン（発光）期間に合わせるための微調整は、パルス幅調整回路等を用いて容易に行うことが出来る。
【０１０５】なお、図９および図１０において、消去用ＴＦＴ９１４はＮチャネル型ＴＦＴを用い、第３のゲート信号線がＨレベルのときにＯＮし、ＬレベルのときにＯＦＦするが、特にその極性は問わない。
【０１０６】本実施形態にて用いている消去用ＴＦＴ９１４は、他の実施形態における構成と組み合わせて用いることも出来る。」
　
＜記載事項５＞
「【０１２１】[実施の形態６]実施の形態１にて示した構成の接続を一部変更したものを図３（Ａ）に示す。実施の形態１においては、図１に示したように、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ１０５は、ＴＦＴ１０４の第２の電極と、ＴＦＴ１０７のゲート電極との間に設けられていたが、本実施形態の構成によると、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ３０５は、ソース信号線３０１と、ＴＦＴ３０４の第１の電極との間に設けられている。また、映像信号を保持するために、容量手段３０８等を設ける場合には、ＴＦＴ３０４の第２の電極と、電流供給線３１０等の定電位との間に設ければ良い。」
　 
＜記載事項６＞
「【０１２７】[実施の形態７]実施の形態６にて示した構成の接続を一部変更したものを図４（Ａ）に示す。実施の形態６においては、図３（Ａ）に示したように、ＴＦＴ３０４は、ＴＦＴ３０５の第２の電極と、ＴＦＴ３０６の第１の電極との間に設けられていたが、本実施形態の構成によると、ＴＦＴ４０４は、ＴＦＴ４０６の第１の電極と、ＴＦＴ４０７のゲート電極との間に設けられている。また、映像信号を保持するために、容量手段４０８を設ける場合には、ＴＦＴ４０７のゲート電極と、電流供給線４１０等の定電位を得られる部位との間に設ければ良い。また、ＴＦＴ４０５の第２の電極と、電流供給線４１０等の定電位との間に設けても良いし、保持容量の値を大きくしたい場合等には、両方に設けても良い。
【０１２８】図４（Ｂ）〜（Ｄ）を用いて、動作について説明する。なお、ここではＴＦＴ４０４、４０６はＮチャネル型として構成しているので、ゲート信号線の電位がＨレベルのときにＴＦＴがＯＮし、ＬレベルのときにＴＦＴがＯＦＦするものとしているが、ＴＦＴ４０４、４０６は単にスイッチング素子として機能するものであり、その極性は問わない。
【０１２９】今、ソース信号線４０１の電位がＶDD、電流供給線の電位がＶDD、リセット用電源線の電位がＶReset(＜ＶDD−|Ｖth|)であるとし、ＴＦＴ４０５については、ゲート(Ｇ)、ソース(Ｓ)、ドレイン(Ｄ)を図４(Ｂ)のように定義する。
【０１３０】まず、第１、第２のゲート信号線４０２、４０３にパルスが入力されてＴＦＴ４０４、４０６がＯＮする。すると、図４（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ４０５のドレイン電位が低下して、ＴＦＴ４０５のゲート・ソース間電圧ＶGS＜０となり、さらにしきい値電圧Ｖthの絶対値を上回って、ＴＦＴ４０５がＯＮする。これにより、初期化が完了する。なお、ここではＴＦＴ４０４はＯＦＦしていても構わない。
【０１３１】続いて、映像信号の入力が行われる。第２のゲート信号線４０３がＬレベルとなってＴＦＴ４０６がＯＦＦし、第１のゲート信号線４０２がＨレベルとなってＴＦＴ４０４がＯＮする。よって、ＴＦＴ４０７のゲート・ソース間電圧もまたしきい値電圧の絶対値を上回ってＯＮする。今、ソース信号線の電位はＶDDからＶDataとなっており、それに伴ってＴＦＴ４０７のゲート電極に印加される電位は、（ＶData−Ｖth）に落ち着く。
【０１３２】続いて、発光期間に移る。ＴＦＴ４０７がＯＮした時点で発光が始まるが、映像信号が入力された後、ＴＦＴ４０７のゲート電位が（ＶData−Ｖth）となって初めて、所望の電流がＥＬ素子４０９に流れる。同時に、第１のゲート信号線がＬレベルとなってＴＦＴ４０４がＯＦＦする。」
　 
　また、図４から、引用刊行物に記載された実施の形態７のアクティブマトリクス型発光装置の画素構成に関して、以下の事項（以下、「事項１」という。）が読み取れる。
・ＴＦＴ４０５は、その第１の電極に、ソース信号線４０１が接続され、そのゲート電極とその第２の電極がともに、ＴＦＴ４０４の第１の電極とＴＦＴ４０６の第１の電極の接続点（以下、「接続点１」という。）に接続されている。
・ＴＦＴ４０６は、その第１の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極が第２のゲート信号線４０３に接続され、その第２の電極がリセット用電源線４１１に接続されている。
・ＴＦＴ４０４は、その第１の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極が第１のゲート信号線４０２に接続され、その第２の電極がＴＦＴ４０７のゲート電極との間の接続点（以下、「接続点２」という。）に接続されている。
・ＴＦＴ４０７は、その第１の電極が電流供給線４１０に接続され、そのゲート電極が接続点２に接続され、その第２の電極がＥＬ素子４０９に接続されている。
　
（２）引用刊行物に記載された発明 
　引用刊行物の段落【０１２７】〜【０１３２】や、図４に記載された実施の形態７に基づいて、引用発明を認定する。
　なお、認定するに際し、
・実施形態７を説明する段落【０１２７】に「実施の形態６にて示した構成の接続を一部変更したものを図４（Ａ）に示す。実施の形態６においては、図３（Ａ）に示したように、ＴＦＴ３０４は、ＴＦＴ３０５の第２の電極と、ＴＦＴ３０６の第１の電極との間に設けられていたが、本実施形態の構成によると、ＴＦＴ４０４は、ＴＦＴ４０６の第１の電極と、ＴＦＴ４０７のゲート電極との間に設けられている。また、映像信号を保持するために、容量手段４０８を設ける場合には、ＴＦＴ４０７のゲート電極と、電流供給線４１０等の定電位を得られる部位との間に設ければ良い。また、ＴＦＴ４０５の第２の電極と、電流供給線４１０等の定電位との間に設けても良いし、保持容量の値を大きくしたい場合等には、両方に設けても良い。」と記載され、
・実施の形態６を説明する段落【０１２１】に「実施の形態１にて示した構成の接続を一部変更したものを図３（Ａ）に示す。実施の形態１においては、図１に示したように、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ１０５は、ＴＦＴ１０４の第２の電極と、ＴＦＴ１０７のゲート電極との間に設けられていたが、本実施形態の構成によると、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ３０５は、ソース信号線３０１と、ＴＦＴ３０４の第１の電極との間に設けられている。また、映像信号を保持するために、容量手段３０８等を設ける場合には、ＴＦＴ３０４の第２の電極と、電流供給線３１０等の定電位との間に設ければ良い。」と記載されていることから、
・実施の形態７のＴＦＴ４０５は、実施の形態１のＴＦＴ１０５及び実施の形態６のＴＦＴ３０５に対応し、
・実施の形態７のＴＦＴ４０６は、実施の形態１のＴＦＴ１０６及び実施の形態６のＴＦＴ３０６に対応し、
・実施の形態７のＴＦＴ４０４は、実施の形態１のＴＦＴ１０４及び実施の形態６のＴＦＴ３０４に対応し、
・実施の形態７のＴＦＴ４０７は、実施の形態１のＴＦＴ１０７及び実施の形態６のＴＦＴ３０７に対応するものとして、実施の形態１及び実施の形態６の記載を参酌することとする。
　
（２−１） 
　上記記載事項１には、「【０００１】・・・本発明はまた、ガラス、プラスチック等の絶縁体上に作製される薄膜トランジスタ(以後、ＴＦＴと表記する)を有する半導体装置を含むアクティブマトリクス型発光装置の構成に関する。」と記載され、また、上記記載事項３には、「【００８８】以上のような動作によって、画素の制御を行う。」と記載されている。 
　
　これらの記載によれば、引用刊行物には、「アクティブマトリクス型発光装置の画素」の発明が記載されている。 
　
（２−２） 
　上記記載事項２には、「【００３８】・・・整流性素子としては、ダイオードや、ゲート・ドレイン間を接続（このような接続をダイオード接続と表記する）したＴＦＴが挙げられる。」と記載され、また、上記記載事項６には、「【０１３０】まず、第１、第２のゲート信号線４０２、４０３にパルスが入力されてＴＦＴ４０４、４０６がＯＮする。すると、図４（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ４０５のドレイン電位が低下して、ＴＦＴ４０５のゲート・ソース間電圧ＶGS＜０となり、さらにしきい値電圧Ｖthの絶対値を上回って、ＴＦＴ４０５がＯＮする。これにより、初期化が完了する。なお、ここではＴＦＴ４０４はＯＦＦしていても構わない。【０１３１】続いて、映像信号の入力が行われる。第２のゲート信号線４０３がＬレベルとなってＴＦＴ４０６がＯＦＦし、第１のゲート信号線４０２がＨレベルとなってＴＦＴ４０４がＯＮする。よって、ＴＦＴ４０７のゲート・ソース間電圧もまたしきい値電圧の絶対値を上回ってＯＮする。今、ソース信号線の電位はＶDDからＶDataとなっており、それに伴ってＴＦＴ４０７のゲート電極に印加される電位は、（ＶData−Ｖth）に落ち着く。」と記載されている。
　また、図４からは、引用刊行物に記載された実施の形態７のアクティブマトリクス型発光装置の画素構成に関して、事項１として、「・ＴＦＴ４０５は、その第１の電極に、ソース信号線４０１が接続され、そのゲート電極とその第２の電極がともに、ＴＦＴ４０４の第１の電極とＴＦＴ４０６の第１の電極の接続点（以下、「接続点１」という。）に接続されている。」ことが読み取れる。
　
　これらの記載及びこの事項によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型発光装置の画素」は、「その第１の電極がソース信号線４０１に接続され、その第２の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極とその第２の電極とがダイオード接続され、しきい値電圧Ｖthを有し、ソース信号線４０１の電位ＶDataとしきい値電圧Ｖthとの差（ＶData−Ｖth）をその第２の電極から接続点１に供給するＴＦＴ４０５」を備えるものである。
　
（２−３）
　上記記載事項６には、「【０１２９】今、ソース信号線４０１の電位がＶDD、電流供給線の電位がＶDD、リセット用電源線の電位がＶReset(＜ＶDD−|Ｖth|)であるとし、ＴＦＴ４０５については、ゲート(Ｇ)、ソース(Ｓ)、ドレイン(Ｄ)を図４(Ｂ)のように定義する。【０１３０】まず、第１、第２のゲート信号線４０２、４０３にパルスが入力されてＴＦＴ４０４、４０６がＯＮする。すると、図４（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ４０５のドレイン電位が低下して、ＴＦＴ４０５のゲート・ソース間電圧ＶGS＜０となり、さらにしきい値電圧Ｖthの絶対値を上回って、ＴＦＴ４０５がＯＮする。これにより、初期化が完了する。」と記載されている。
　また、図４からは、引用刊行物に記載された実施の形態７のアクティブマトリクス型発光装置の画素構成に関して、事項１として、「・ＴＦＴ４０６は、その第１の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極が第２のゲート信号線４０３に接続され、その第２の電極がリセット用電源線４１１に接続されている。・ＴＦＴ４０４は、その第１の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極が第１のゲート信号線４０２に接続され、その第２の電極がＴＦＴ４０７のゲート電極との間の接続点（以下、「接続点２」という。）に接続されている。」ことが読み取れる。
　
　この記載及びこの事項によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型発光装置の画素」は、「その第１の電極が接続点１に接続され、その第２の電極がリセット用電源線４１１に接続され、第２のゲート信号線４０３に入力されるパルスにより前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを接続点１に供給するＴＦＴ４０６」と、「その第１の電極が接続点１に接続され、その第２の電極が接続点２に接続され、第１のゲート信号線４０２に入力されるパルスにより、前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを接続点２に供給するＴＦＴ４０４」とを備えるものである。
　
（２−４）
　上記記載事項３には、「【００８８】以上のような動作によって、画素の制御を行う。このとき、ＴＦＴ１０７を流れるドレイン電流ＩDSは、式(８)にて表される。
【００８９】
【数８】
【００９０】仮に画面内の画素において、ＴＦＴのしきい値電圧のばらつきが生じた場合にも、１つの画素を構成するＴＦＴ、具体的にはＴＦＴ１０５、１０７のしきい値電圧が等しければ、その項は相殺され、ＩDSはしきい値電圧の項を含まなくなる。つまり、しきい値電圧に関係なく、ＩDSを決定することが出来、しきい値電圧のばらつきの影響を排除することが出来る。」と記載され、また、上記記載事項６には、「【０１２９】今、ソース信号線４０１の電位がＶDD、電流供給線の電位がＶDD、リセット用電源線の電位がＶReset(＜ＶDD−|Ｖth|)であるとし、ＴＦＴ４０５については、ゲート(Ｇ)、ソース(Ｓ)、ドレイン(Ｄ)を図４(Ｂ)のように定義する。・・・【０１３２】続いて、発光期間に移る。ＴＦＴ４０７がＯＮした時点で発光が始まるが、映像信号が入力された後、ＴＦＴ４０７のゲート電位が（ＶData−Ｖth）となって初めて、所望の電流がＥＬ素子４０９に流れる。同時に、第１のゲート信号線がＬレベルとなってＴＦＴ４０４がＯＦＦする。」と記載されている。
　また、図４からは、引用刊行物に記載された実施の形態７のアクティブマトリクス型発光装置の画素構成に関して、事項１として、「・ＴＦＴ４０７は、その第１の電極が電流供給線４１０に接続され、そのゲート電極が接続点２に接続され、その第２の電極がＥＬ素子４０９に接続されている。」ことが読み取れる。
　
　これらの記載及びこの事項によれば、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型発光装置の画素」は、「そのゲート電極が接続点２に接続され、前記しきい値電圧Ｖthと同じしきい値電圧を有し、その第１の電極が電流供給線４１０に接続され、その第２の電極がＥＬ素子４０９に接続され、電流供給線４１０の電位ＶDDと前記ソース信号線４０１の電位ＶDataにより決定されるドレイン電流ＩDSを前記ＥＬ素子４０９に供給するＴＦＴ４０７」を備えている。
　また、引用刊行物に記載された「アクティブマトリクス型発光装置の画素」は、「前記ＴＦＴ４０７の第１の電極は電流供給線４１０に直接接続され、前記ＴＦＴ４０７の第２の電極が前記ＥＬ素子４０９に接続されている」ものとも言える。
　
（２−５）
　（２−１）〜（２−４）によれば、引用刊行物には、以下の発明が記載されているものと認める。  
「その第１の電極がソース信号線４０１に接続され、その第２の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極とその第２の電極とがダイオード接続され、しきい値電圧Ｖthを有し、前記ソース信号線４０１の電位ＶDataと前記しきい値電圧Ｖthとの差（ＶData−Ｖth）をその第２の電極から前記接続点１に供給するＴＦＴ４０５と、
　その第１の電極が前記接続点１に接続され、その第２の電極がリセット用電源線４１１に接続され、第２のゲート信号線４０３に入力されるパルスにより前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを前記接続点１に供給するＴＦＴ４０６と、
　その第１の電極が前記接続点１に接続され、その第２の電極が接続点２に接続され、第１のゲート信号線４０２に入力されるパルスにより、前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを前記接続点２に供給するＴＦＴ４０４と、
　そのゲート電極が前記接続点２に接続され、前記しきい値電圧Ｖthと同じしきい値電圧を有し、その第１の電極が電流供給線４１０に接続され、その第２の電極がＥＬ素子４０９に接続され、前記電流供給線４１０の電位VDDと前記ソース信号線４０１の電位ＶDataにより決定されるドレイン電流ＩDSを前記ＥＬ素子４０９に供給するＴＦＴ４０７と
　を備え、
　前記ＴＦＴ４０７の第１の電極は電流供給線４１０に直接接続され、前記ＴＦＴ４０７の第２の電極が前記ＥＬ素子４０９に接続されている
　アクティブマトリクス型発光装置の画素。」（以下、「引用発明」という。）
　
５．対比 
 　本願発明と引用発明とを比較する。  
 　 
（１）
　引用発明の「アクティブマトリクス型発光装置」は、本願発明の「有機発光表示装置」に相当し、以下同様に、「画素」は「単位画素」に、「ソース信号線４０１」は「データライン」に、「ソース信号線４０１の電位ＶData」は「データラインに印加されるデータ電圧」に、「接続点１」は「第１ノード」に、「しきい値電圧Ｖth」は「第１しきい値電圧」に相当する。
　また、引用発明の「そのゲート電極とその第２の電極とがダイオード接続されている」ことは、本願発明の「ダイオード機能を有する」ことに相当する。
　
　よって、引用発明の「その第１の電極がソース信号線４０１に接続され、その第２の電極が接続点１に接続され、そのゲート電極とその第２の電極とがダイオード接続され、しきい値電圧Ｖthを有し、前記ソース信号線４０１の電位ＶDataと前記しきい値電圧Ｖthとの差（ＶData−Ｖth）をその第２の電極から前記接続点１に供給するＴＦＴ４０５」は、本願発明の「データラインと第１ノード間に接続され、ダイオード機能を有し、第１しきい値電圧を有し、前記データラインに印加されるデータ電圧と前記第１しきい値電圧間の差を前記第１ノードに供給する第１トランジスタ」に相当する。
　
（２）
　引用発明の「第２のゲート信号線４０３に入力されるパルス」は、本願発明の「第２選択信号」に相当し、引用発明の「リセット用電源線４１１の電位ＶReset」は本願発明の「初期化電圧」に相当する。
　
　よって、引用発明の「その第１の電極が前記接続点１に接続され、・・・第２のゲート信号線４０３に入力されるパルスにより前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを前記接続点１に供給するＴＦＴ４０６」は、本願発明の「前記第１ノードに接続され、第２選択信号により初期化電圧を前記第１ノードに供給する第２トランジスタ」に相当する。
　
（３）
　引用発明の「接続点２」は、本願発明の「第２ノード」に相当し、引用発明の「第１のゲート信号線４０２に入力されるパルス」は、本願発明の「第１選択信号」に相当する。
　
　よって、引用発明の「その第１の電極が前記接続点１に接続され、その第２の電極が接続点２に接続され、第１のゲート信号線４０２に入力されるパルスにより、前記リセット用電源線４１１の電位ＶResetを前記接続点２に供給するＴＦＴ４０４」は、本願発明の「前記第１ノードと第２ノード間に接続され、第１選択信号により前記第１ノードに供給された前記初期化電圧を前記第２ノードに供給する第３トランジスタ」に相当する。
　
（４）
　引用発明の「電流供給線４１０の電位ＶDD」は、本願発明の「電源電圧」に相当し、引用発明の「ＥＬ素子４０９」は、本願発明の「有機発光ダイオード」に相当する。
　よって、引用発明の「前記電流供給線４１０の電位ＶDDと前記ソース信号線４０１の電位ＶDataにより決定されるドレイン電流ＩDS 」は、本願発明の「電源電圧と前記データ電圧により決定される駆動電流」に相当する。
　また、上記（１）によれば、引用発明の「しきい値電圧Ｖth」は、本願発明の「第１しきい値電圧」に相当するから、引用発明の「前記しきい値電圧Ｖthと同じしきい値電圧」は、本願発明の「前記第１しきい値電圧と同一な第２しきい値電圧」に相当する。
　
　したがって、引用発明の「そのゲート電極が前記接続点２に接続され、前記しきい値電圧Ｖthと同じしきい値電圧を有し、・・・前記電流供給線４１０の電位ＶDDと前記ソース信号線４０１の電位ＶDataにより決定されるドレイン電流ＩDSを前記ＥＬ素子４０９に供給するＴＦＴ４０７」は、本願発明の「前記第２ノードにゲート端子が接続され、前記第１しきい値電圧と同一な第２しきい値電圧を有し、電源電圧と前記データ電圧により決定される駆動電流を有機発光ダイオードに供給する第４トランジスタ」に相当する。
　
（５）
　上記（４）によれば、引用発明の「ＴＦＴ４０７」は、本願発明の「第４トランジスタ」に相当し、引用発明の「電流供給線４１０の電位ＶDD」は、本願発明の「電源電圧」に相当する。
　よって、引用発明の「前記ＴＦＴ４０７の第１の電極」は、本願発明の「前記第４トランジスタのソース端子」に相当し、引用発明の「前記ＴＦＴ４０７の第２の電極」は、本願発明の「前記第４トランジスタのドレイン端子」に相当する。
　
　したがって、引用発明の「前記ＴＦＴ４０７の第１の電極は電流供給線４１０に直接接続される」ことは、本願発明の「前記第４トランジスタのソース端子は前記電源電圧と直接連結される」ことに相当する。
　また、引用発明の「前記ＴＦＴ４０７の第２の電極が前記ＥＬ素子４０９に接続されている」ことと、本願発明の「前記第４トランジスタのドレイン端子は前記第５トランジスタのソース端子と直列に連結され、前記第５トランジスタのドレイン端子は前記有機発光ダイオードと連結されている」こととは、共に、「前記第４トランジスタのドレイン端子が前記有機発光ダイオード側に接続されている」点で共通する。
　
（６）
　したがって、本願発明と引用発明の両者は、  
「データラインと第１ノード間に接続され、ダイオード機能を有し、第１しきい値電圧を有し、前記データラインに印加されるデータ電圧と前記第１しきい値電圧間の差を前記第１ノードに供給する第１トランジスタと、
　前記第１ノードに接続され、第２選択信号により初期化電圧を前記第１ノードに供給する第２トランジスタと、
　前記第１ノードと第２ノード間に接続され、第１選択信号により前記第１ノードに供給された前記初期化電圧を前記第２ノードに供給する第３トランジスタと、
　前記第２ノードにゲート端子が接続され、前記第１しきい値電圧と同一な第２しきい値電圧を有し、電源電圧と前記データ電圧により決定される駆動電流を有機発光ダイオードに供給する第４トランジスタと、
　を備え、
　前記第４トランジスタのソース端子は前記電源電圧と直接連結され、前記第４トランジスタのドレイン端子は前記有機発光ダイオード側に接続されている
　有機発光表示装置の単位画素。」の点で一致し、以下の点で相違する。  
　
[相違点]  
　有機発光ダイオードと第４トランジスタ間の接続に関し、本願発明では「前記電源電圧と前記有機発光ダイオードとの間に前記第４トランジスタと共に挿入され、かつ前記第４トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、初期化動作中に前記第４トランジスタから前記有機発光ダイオードに電流が流れることを防止する第５トランジスタ」を備え、「前記第４トランジスタのドレイン端子は前記第５トランジスタのソース端子と直列に連結され、前記第５トランジスタのドレイン端子は前記有機発光ダイオードと連結されている」のに対し、引用発明ではＴＦＴ４０７がＥＬ素子４０９にそのまま接続されている点。
　これに派生して、本願発明では「前記第５トランジスタのゲート端子と前記第３トランジスタのゲート端子には前記第１選択信号が供給され、前記第３トランジスタ及び前記第５トランジスタは前記第１選択信号により同時に制御される」のに対し、引用発明ではそのような発明特定事項を有していない点。
　
６．判断 
　上記相違点について検討する。
　
　「ＥＬ表示装置の駆動制御」の技術分野において、一般に、画素回路として、「電源供給線にその一方の電極が接続された駆動トランジスタの他方の電極に、その一方の電極が接続され、その他方の電極にＥＬ素子が接続された発光制御用のトランジスタを設け、初期化及び映像信号入力動作中に前記発光制御用のトランジスタをオフとすることにより、前記駆動トランジスタから出力される駆動電流が前記ＥＬ素子に流れることを防止させる」ことは、例えば、 
 ・引用刊行物の、特に、段落【０１０１】〜【０１０６】、図１０に、電流供給線９１０にその第１の電極が接続されたＴＦＴ９０７の第２の電極に、その第１の電極が接続され、その第２の電極にＥＬ素子９０９が接続されたＴＦＴ９１４が、初期化及び映像信号入力期間中にオフとされることが記載されているように、
 ・また、当審拒絶理由通知で引用した特開２００４−１１８１９６号公報（以下、「周知文献１」という。）の、特に、段落【００１６】〜【００３２】、図３〜図６に、バイアス電圧（Ｖｄｄ）にその一端が接続された第４薄膜トランジスタ（Ｔ４）の他端に、その一端が接続され、その他端に有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）が接続された第５薄膜トランジスタ（Ｔ５）が、基準電圧（Ｖref）印加時及びデータ電圧印加時にオフとされることが記載されているように、
 ・また、同拒絶理由通知で引用した特開２００３−２８８０４９号公報（以下、「周知文献２」という。）の、特に、段落【０１１３】〜【０１１６】、図６に、電流供給線４１１にその第１の電極が接続されたＴＦＴ４０６の第２の電極に、その第１の電極が接続され、その第２の電極にＥＬ素子４０９が接続されたＴＦＴ４１５が、初期化及び映像信号入力期間中にオフとされることが記載されているように、
周知・慣用の技術である。  
　
　また、「ＥＬ表示装置の駆動制御」の技術分野において、同一のタイミングで、オンからオフ、または、オフからオンへと移行する複数のトランジスタを制御するにあたり、該複数のトランジスタのゲート端子に同一の制御線から制御信号を供給することも、
上記周知文献１の、特に、段落【００２６】〜【００３２】、図５、図６に、基準電圧（Ｖref）印加時及びデータ電圧印加時にオンされ発光期間にオフされる第２薄膜トランジスタ（T2）と、基準電圧（Ｖref）印加時及びデータ電圧印加時にオフされ発光期間にオンされる第５薄膜トランジスタ(T5)とを制御するにあたり、前記第２薄膜トランジスタ（T2）及び前記第５薄膜トランジスタ(T5)のゲートに、以前のゲートライン（Gq-1）を連結して、以前のゲートライン（Gq-1）を通じて印加されるゲート信号を印加することにより、前記第２薄膜トランジスタ（T2）及び前記第５薄膜トランジスタ(T5)を同時に制御することが記載されているように、
一般的に行われている事項である。
　
　そして、引用刊行物の上記段落【０１０６】には、「本実施形態にて用いている消去用ＴＦＴ９１４は、他の実施形態における構成と組み合わせて用いることも出来る。」と記載されており、引用刊行物に実施の形態７として記載されている引用発明に、消去用トランジスタ（すなわち、上記周知・慣用の技術の発光制御用のトランジスタ）を設けることが示唆されている。
　
　よって、引用発明において、初期化動作及び映像信号入力動作を行っているところ、上記示唆に従って、画素回路に、上記周知・慣用の技術を適用して、駆動トランジスタであるＴＦＴ４０７（本願発明の「第４トランジスタ」に相当する。以下同様。）の第２の電極（ドレイン端子）とＥＬ素子４０９（有機発光ダイオード）との間に、発光制御用のトランジスタ（第５トランジスタ）を設けて、その第１の電極（ソース端子）が前記ＴＦＴ４０７（第４トランジスタ）の第２の電極（ドレイン端子）に接続され、その第２の電極（ドレイン端子）が前記ＥＬ素子４０９（有機発光ダイオード）に接続されるようにし、前記発光制御用のトランジスタ（第５トランジスタ）を初期化動作及び映像信号入力動作中にオフとし、発光期間にオンとすることにより、初期化動作及び映像信号入力動作中に、前記ＴＦＴ４０７（第５トランジスタ）から出力される電流が前記ＥＬ素子４０９（有機発光ダイオード）に流れることを防止させることは、当業者が容易になし得たものである。
　そして、この際、引用発明において、初期化動作及び映像信号入力動作中にオンとされ、発光期間中にオフとされるトランジスタは、ＴＦＴ４０４（第３トランジスタ）であるから、同じタイミングでオンからオフ、オフからオンへ移行するトランジスタである、初期化動作及び映像信号入力動作中にオフとされ、発光期間中にオンとされる前記発光制御用のトランジスタ（第５トランジスタ）と前記ＴＦＴ４０４（第３トランジスタ）の制御信号を同じものとすることは、上記一般的に行われている事項を勘案すれば、当業者が当然に想到し得た事項である。
　
　ここで、本願明細書には、「【００３１】前記第１及び第２選択信号Select１、Select２により、
第２及び第３トランジスタＴ２、Ｔ３が同時にターンオン状態を維持すると、
第２ノードＢ１が初期化電圧Ｖｉｎｔに初期化される。
前記第３トランジスタＴ３がターンオンされた状態で、第２選択信号Select２により第２トランジスタＴ２がターンオフされると、
差電圧Ｖdata−Ｖｔｈ１は、第３トランジスタＴ３を経由して第２ノードＢ１に印加される。
前記第３トランジスタＴ３がターンオフされると、前記第２ノードＢ１に接続された前記第４トランジスタＴ４のゲートにも前記差電圧Ｖdata−Ｖｔｈ１が維持される。
初期化時に有機発光ダイオードＯＬＥＤに高電流が流れる。
初期化のため、第３トランジスタＴ３にローレベルの第１選択信号Select１が印加される時、前記第５トランジスタＴ５に接続された第３選択信号Select３はハイレベルを有する。
　すなわち、引用発明に上記周知・慣用の技術を適用した発明において、発光制御用のトランジスタをいわゆる初期化動作及びいわゆる映像信号入力動作中にオフとすることは、本願発明の第５トランジスタを初期化動作中にオフとすることにほかならない。
　
　したがって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、当業者が引用発明並びに上記周知・慣用の技術及び上記一般的に行われている事項に基づいて容易に想到し得たことである。 
　
　また、本願発明によってもたらされる効果も、引用発明並びに上記周知・慣用の技術及び上記一般的に行われている事項から想定することができない格別のものと認めることもできない。 
　
　したがって、本願発明は、引用発明並びに上記周知・慣用の技術及び上記一般的に行われている事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
　なお、請求人は、平成２３年１２月６日付けの意見書において、周知文献２（特開２００３−２８８０４９号公報）には、第５トランジスタと第３トランジスタで第１選択信号を共用化することが開示されていない旨、主張している。
　しかしながら、当審拒絶理由通知で、「従属請求項である請求項５、９、１５に係る発明特定事項は、周知文献１に記載されている。」と指摘しているように、当審拒絶理由通知においてした、本願発明に相当する補正１後の請求項５に係る発明に関する検討は、周知文献１に基づいたものであって、周知文献２に基づいたものではないから、そもそもの前提が間違っている。そして、上述したように、周知文献１に基づいた検討は、妥当なものである。
　よって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
７．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明並びに上記周知・慣用の技術及び上記一般的に行われている事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。