【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  低誘電率材料を作るための先駆物質で、sp2C-F結合と超共役sp3C-F結合のうちの少なくとも一つを持つ過フッ化成分を含み、その上（1）フッ素化シラン、（2）フッ素化シロキサン及び（3）HF2C-C6H4-CF2H以外の過フッ化炭化水素のうちの少なくとも一つを含む先駆物質。
【請求項２】  (C6H5-nFn)m-SiH4-mを含む請求項1の先駆物質、但しmは1、2及び3の群から選択される整数、またnは1、2、3、4及び5の群から選択される整数。
【請求項３】  (C6H5-nFn)m-Si(OCH3)4-mを含む請求項1の先駆物質、但しmは1、2及び3の群から選択される整数、またnは1、2、3、4及び5の群から選択される整数。
【請求項４】  (CH3-nFn)-(C6H4-pFp)-(CH3-mFm)を含む請求項1記載の先駆物質、但しnとmは1、2及び3からなる群から選択される整数、またpは1、2、3、及び4からなる群から選択される整数。
【請求項５】  下記のステップを含み、低い誘電率と高い熱安定度の薄膜を作るための方法：
sp2C-F結合と超共役sp3C-F結合のうちの少なくとも一つを含む先駆物質を選択することと、
薄膜を蒸着するために熱プロセス、プラズマ増速プロセス、高密度プラズマプロセス、光子介在プロセス及び光子-プラズマ介在プロセスからなる群から選択される、輸送重合（TP）プロセスと化学蒸着（CVD）プロセスのうちの少なくとも一つで先駆物質を処理すること。
【請求項６】  選択ステップが、nは1、2、3、4及び5からなる群から選択される整数、またmは1、2、3及び4からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-SiH4-mを含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップがSiH4の主要Si発生源で熱CVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】  選択ステップが、nは1、2、3、4及び5からなる群から選択される整数、またmは1、2、及び3からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-Si(OCH3)4-mを含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップがプラズマ増速CVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項８】  選択ステップが、nとmは1、2、及び3からなる群から選択される整数として、CH3-nFn-C6F4-CH3-mFmを含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップがSiH4の主要Si発生源でプラズマ増速CVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項９】  処理ステップがさらに酸化体の使用を含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】  選択ステップがシランとシロキサンのうち一つを選択することを含む請求項５記載の方法。
【請求項１１】  選択ステップが、nは1、2及び3からなる群から選択される整数として、(C6F5)n-CF4-nを含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップが高密度プラズマCVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項１２】  選択ステップがC6F5-CF=CF2を含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップが高密度プラズマCVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項１３】  処理ステップが主要炭素発生源としてCH4の使用を含む請求項12記載の方法。
【請求項１４】  選択ステップが、nとmは1、2、及び3からなる群から選択される整数、pは0、1、2、3、および4からなる群から選択される整数として、(CH3-nFn)-(C6H4-pFp)-(CH3-mFm)を含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップが熱と光子介在CVDプロセスのうちの一つで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項１５】  選択ステップがCF3-C6F4-CF3を含む先駆物質を選択することを含み、また処理ステップが光子介在CVDプロセスで先駆物質を処理することを含む請求項５記載の方法。
【請求項１６】  処理ステップが、約3.0以下の誘電率、約２から約３までの弾性率、及び約300℃の分解温度で薄膜を蒸着する請求項５記載の方法。
【請求項１７】  酸化体がNO2又はH2O2からなる群から選択される請求項９記載の方法。
【請求項１８】  フッ素化芳香族成分を含む先駆物質から作られた、厚みが約500Åから約5μm、誘電率が約2から約3.0、及び約200℃より高い温度での熱プロセス、プラズマ増速プロセス、光子介在プロセス及び光子-プラズマ増速プロセスのうちの一つで処理可能な皮膜付きの集積回路チップ。
【請求項１９】  先駆物質から作られた重合体で、その先駆物質がsp2C-F結合と超共役sp3C-F結合のうち少なくとも一つの付いたフッ素化成分を含み、またさらに（1）フッ素化シラン、（2）フッ素化シロキサン及び（3）過フッ化炭化水素のうち少なくとも一つを含むもの。
【請求項２０】  先駆物質が、nは1、2、3、4、及び5からなる群から選択される整数、またmは1、2及び3からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-SiH4-mを含む請求項19記載の重合体。
【請求項２１】  先駆物質が、nは1、2、3、4、及び5からなる群から選択される整数、またmは1、2及び3からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-Si(OCH3)4-mを含む請求項19記載の重合体。
【請求項２２】  先駆物質が、nとmは1、2、及び3からなる群から選択される整数、またpは1、2、3及び4からなる群から選択される整数として、CH3-nFn-C6H4-pFp-CH3-mFmを含む請求項19記載の重合体。
【請求項２３】  先駆物質から作られた厚みが約500Åから約5μmの皮膜で、その先駆物質にsp2C-F結合と超共役sp3C-F結合のうち少なくとも一つの付いたフッ素化成分が含まれ、その上（1）フッ素化シラン、（2）フッ素化シロキサン及び（3）HF2C-C6H4-CHF2以外の過フッ化炭化水素のうち少なくとも一つが含まれるもの。
【請求項２４】  先駆物質が、nは1、2、3、4、及び5からなる群から選択される整数、またmは0、1、2、3、及び4からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-SiH4-mを含む請求項23記載の薄膜。
【請求項２５】先駆物質が、nは1、2、3、4、及び5からなる群から選択される整数、またmは0、1、2、及び3からなる群から選択される整数として、(C6H5-nFn)m-Si(OCH3)4-mを含む請求項23記載の薄膜。
【請求項２６】  先駆物質が、nとmは1、2、及び3からなる群から選択される整数、またpは0、1、2、3、及び4からなる群から選択される整数として、CH3-nFn-C6H4-pFp-CH3-mFmを含む請求項23記載の薄膜。
【請求項２７】  下記のステップを含み、誘電率が約3.0以下で分解温度が約300℃以上の薄膜を作る方法：
sp2C-F結合と超共役sp3C-F結合のうち少なくとも一つを含む、HF2C-C6H4-CHF2以外の先駆物質を選択すること；及び
輸送重合（TP）システムと化学蒸着（CVD）システムのうちの一つで先駆物質を処理すること、但し当該システムは薄膜を蒸着するために熱蒸着プロセス、プラズマ増速プロセス、高密度プラズマ・プロセス及び光子介在プロセスのうちの一つを含む。
【請求項２８】  熱プロセスがさらに触媒の使用を含む請求項27記載の方法。
【請求項２９】  さらに脱水素化触媒、改質触媒及び酸化脱水触媒を含む請求項28記載の触媒。