【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植込み型医療装置において、
密閉された包囲体と、
該包囲体内に配置された低電力制御回路と、
電気パルス療法を行い得るように包囲体内に配置された高電力出力回路と、
低電力制御回路及び高電力出力回路に給電するように、包囲体内に配置された電源及び回路と、を含み、
前記電源及び回路は、第１の高定格セルと、第１の高定格セルの定格能力以下の定格能力を有する第２の低定格セルと、スイッチング回路と、を含み、
第１及び第２のセルが低電力制御回路及び高電力出力回路に並列に電気的に接続され、
前記スイッチング回路は、高電力出力回路の作動時、第１の高定格セルを低電力制御回路から選択的に切り離し得るように第１の高定格セルと低電力制御回路との間に電気的に接続される植込み型医療装置。
【請求項２】
請求項１の植込み型医療装置において、スイッチング回路は、過渡的高電力パルスの間、高定格セルを低電力制御回路から切り離し得る形態とされる植込み型医療装置。
【請求項３】
請求項１の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは、第２の低定格セルの電極表面積よりも大きい電極表面積を有する植込み型医療装置。
【請求項４】
請求項１の植込み型医療装置において、第１の高定格セル及び第２の低定格セルは単一のケース内に保持される植込み型医療装置。
【請求項５】
請求項４の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは第２の低定格セルにより再充電される植込み型医療装置。
【請求項６】
請求項５の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは陽極及び陰極を有し、第２の低定格セルは陰極リザーバを有し、第１の高定格セルが放電された後、電子が陰極リザーバから陰極に流れて第１の高定格セルを再充電するようにした植込み型医療装置。
【請求項７】
請求項６の植込み型医療装置において、陰極及び陰極リザーバは、酸化銀、酸化バナジウム、銀バナジウム酸化物、二酸化マンガン、酸化銅、銅銀バナジウム酸化物、酸化鉛、一フッ化炭素、酸化クロム、ビスマス含有酸化物、硫酸銅及びその混合体から成る群から選ばれる植込み型医療装置。
【請求項８】
請求項６の植込み型医療装置において、陰極リザーバはペレットである植込み型医療装置。
【請求項９】
請求項８の植込み型医療装置において、第１の高定格セルの陽極及び陰極は、ペレットの周りに巻かれる植込み型医療装置。
【請求項１０】
請求項８の植込み型医療装置において、ペレットは、第１の高定格セルの陽極及び陰極から隔てた位置に配置される植込み型医療装置。
【請求項１１】
請求項６の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは、陰極リザーバと協働する陽極を更に有する植込み型医療装置。
【請求項１２】
請求項１１の植込み型医療装置において、第１の高定格セルの陽極及び第２の低定格セルの陽極はリチウムから形成される植込み型医療装置。
【請求項１３】
植込み型医療装置において、
密閉した包囲体と、
前記包囲体内に配置された低電力制御回路と、
包囲体内に配置された電気パルス療法を行うための高電力出力回路と、
低電力制御回路及び高電力出力回路に給電するため包囲体内に配置された電源と、を含み、
前記電源は、ケースと、該ケース内に配置され且つ第１のセルを画成し得るように組み合わされる第１の陽極及び陰極体と、ケース内に配置され且つ第２のセルを画成し得るように組み合わさる第２の陽極及び陰極体と、ケース内に収容され第１のセル及び第２のセルを共通に作動させる電解質と、を含み、
第１及び第２のセルは低電力制御回路及び高電力出力回路に並列に電気的に接続される植込み型医療装置。
【請求項１４】
請求項１３の植込み型医療装置において、第１のセルは、第２のセルの電極表面積よりも大きい電極表面積を有する植込み型医療装置。
【請求項１５】
請求項１３の植込み型医療装置において、第１のセルは高定格セルであり、第２のセルは第１のセルの定格能力以下の定格能力を有する植込み型医療装置。
【請求項１６】
請求項１５の植込み型医療装置において、第２のセルは中程度定格セルである植込み型医療装置。
【請求項１７】
請求項１５の植込み型医療装置において、第２のセルは低定格セルである植込み型医療装置。
【請求項１８】
請求項１３の植込み型医療装置において、第１のセルは第２のセルにより再充電される植込み型医療装置。
【請求項１９】
請求項１３の植込み型医療装置において、陰極及び陰極リザーバは、酸化銀、酸化バナジウム、銀バナジウム酸化物、二酸化マンガン、酸化銅、銅銀バナジウム酸化物、酸化鉛、一フッ化炭素、酸化クロム、ビスマスを含む酸化物、硫酸銅及びその混合体から成る群から選ばれる植込み型医療装置。
【請求項２０】
請求項１３の植込み型医療装置において、陽極はリチウムから形成される植込み型医療装置。
【請求項２１】
請求項１３の植込み型医療装置であって、更に高電力出力回路の作動時、第１のセルを低電力制御回路から選択的に切り離し得るように第１のセルと低電力制御回路との間に電気的に接続されたスイッチング回路を含む植込み型医療装置。
【請求項２２】
請求項１３の植込み型医療装置において、第１のセル及び第２のセルはケース内で並列に接続される植込み型医療装置。
【請求項２３】
請求項１３の植込み型医療装置において、第２のセルはリザーバペレットを有し、第１のセルは巻かれた電極である植込み型医療装置。
【請求項２４】
請求項２３の植込み型医療装置において、第２のセルはリザーバペレットに隣接する位置に配置された陽極体を更に有する植込み型医療装置。
【請求項２５】
請求項２３の植込み型医療装置において、第１のセルはリザーバペレットの周りに巻かれる植込み型医療装置。
【請求項２６】
請求項２３の植込み型医療装置において、第１のセルはリザーバペレットに隣接する位置に配置される植込み型医療装置。
【請求項２７】
植込み型医療装置において、
密閉された包囲体と、
低電力制御回路及び高電力出力回路を有する包囲体内に配置された回路と、
回路に給電するように、包囲体内に配置された電源と、を含み、
前記電源は、第１の高定格セルと、第１の高定格セルの定格能力以下の定格能力を有する第２の低定格セルと、第１のセル及び第２のセルを並列に電気的に接続する回路と、を含み、
第１のセル及び第２のセルは、別個に取り囲まれ且つ回路に電気的に接続され、第１のセル及び第２のセルは独立的に放電可能ではないようにした植込み型医療装置。
【請求項２８】
請求項２７の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは中程度定格セルである植込み型医療装置。
【請求項２９】
請求項２７の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは薄膜電極である植込み型医療装置。
【請求項３０】
請求項２９の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは回路の下方に配置される植込み型医療装置。
【請求項３１】
請求項３０の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは回路に隣接する位置に配置される植込み型医療装置。
【請求項３２】
請求項３１の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは回路及び第１の高定格セルの組み合わさった厚さにほぼ等しい厚さを有する植込み型医療装置。
【請求項３３】
植込み型医療装置において、
密閉した包囲体と、
前記包囲体内に配置された低電力制御回路と、
包囲体内に配置された電気パルス療法を行うための高電力出力回路と、
低電力制御回路及び高電力出力回路に給電するように、包囲体内に配置された電源と、を含み、
前記電源は、陽極と、陰極と、電解質とを含み、陰極の少なくとも４０％が消費される予め選択された電圧系ＥＲＩまで時間に依存する程度が最小である定格能力を特徴とする第１の高定格セルと、第１の高定格セルの定格能力以下の定格能力を有する第２の低定格セルと、を含む植込み型医療装置。
【請求項３４】
請求項３３の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは、ＥＲＩまでの放電深さに依存する程度が最小である定格能力を特徴とする植込み型医療装置。
【請求項３５】
請求項３３の植込み型医療装置において、陰極の少なくとも７５％がＥＲＩにて消費される植込み型医療装置。
【請求項３６】
請求項３３の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは、陽極限定型セルである植込み型医療装置。
【請求項３７】
請求項３６の植込み型医療装置において、ＥＲＩは約２．６５Ｖである植込み型医療装置。
【請求項３８】
請求項３３の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは、ＥＲＩにて約１２秒以下の充電時間であることを特徴とする植込み型医療装置。
【請求項３９】
請求項３３の植込み型医療装置において、第１の高定格セルは、高電力制御回路を作動させ、更に第２の低定格セルは低電力制御回路を作動させる植込み型医療装置。
【請求項４０】
請求項３３の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは中程度定格セルである植込み型医療装置。
【請求項４１】
請求項３３の植込み型医療装置において、第２の低定格セルは低定格セルである植込み型医療装置。
【請求項４２】
請求項３３の植込み型医療装置において、第１の高定格セルはリチウム限定型ＳＶＯセルであり、第２の低定格セルはＳＶＯ／ＣＦＸ複合の陰極中程度定格セルである植込み型医療装置。