【手続補正書】
【提出日】平成18年5月31日(2006.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに第１プロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップであって、前記統合計測データは処理装置に統合された計測装置を用いて取得したデータを含み、前記統合計測データを取得するステップは、前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップと、統合計測データを取得するために前記半導体ウェハを特定するステップと含むものであるステップと、
前記統合計測データに基づいて、統合計測データフィードフォワードプロセスを実行するステップであって、前記統合計測データフィードフォワードプロセスは、前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの少なくとも一つの誤差を特定し、前記誤差を補償するために前記ウェハに実行されるべき第２プロセスに対して調整プロセスを実行するものであるステップと、
前記調整プロセスに基づいて、前記半導体ウェハに前記第２プロセスを実行するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップは、統合された計測装置を用いて計測データを取得するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
統合計測データフィードフォワードプロセスを実行するステップは、
前記半導体ウェハの前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップと、
計測分析のために前記半導体ウェハを特定するステップと、
前記統合された計測装置を用いて、前記特定された半導体ウェハの統合計測データを取得するステップとをさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの少なくとも一つの誤差を特定するステップは、
前記統合計測データを所定の許容誤差範囲と比較するステップと、
前記統合計測データと前記所定の許容誤差範囲との前記比較に基づいて、前記統合計測データに関連する少なくとも一つのパラメータが前記所定の許容誤差範囲外にあることの決定に応答して、誤差が存在することを決定するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記誤差を補償するために前記ウェハに実行されるべき第２プロセスに対して調整プロセスを実行するステップは、
前記第１プロセスに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定するステップと、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップと、
前記補償要素に基づいて、前記第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正するステップと、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハの前記第２プロセスを実行するステップとをさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップは、修正されたエッチング時間、修正された化学機械研磨時間および修正された照射薬量のうちの少なくとも一つを計算するステップをさらに含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
処理装置を用いて、半導体ウェハに第１プロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップであって、前記統合計測データは前記処理装置に統合された計測装置を用いて取得したデータを含み、前記統合計測データを取得するステップは、前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップを含むものであるステップと、
前記第１プロセスに関連する前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定するステップと、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップと、
前記補償要素に基づいて、前記半導体ウェハに実行されるべき第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正するステップと、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハの第２プロセスを実行するステップとを含む、方法。
【請求項８】
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連する前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定するステップは、
前記統合計測データを所定の許容誤差範囲と比較するステップと、
前記統合計測データと前記所定の許容誤差範囲との前記比較に基づいて、前記統合計測データに関連する少なくとも一つのパラメータが前記所定の許容誤差範囲外にあることの決定に応答して、誤差が存在することを決定するステップとをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップは、修正されたエッチング時間、修正された化学機械研磨時間および修正された照射薬量のうちの少なくとも一つを計算するステップをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
半導体ウェハを処理する処理装置と、
前記処理装置に統合された、統合計測データを取得するための統合計測装置と、
前記処理装置に動作可能に結合され、統合計測フィードフォワード処理を実行するためのプロセス制御装置であって、当該統合計測フィードフォワード処理が、
半導体の第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップであって、前記統合計測データは前記処理装置に統合された計測装置を用いて取得されたデータを含み、前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップと、統合計測データを取得するために前記半導体ウェハを特定するステップとを含むステップと、
前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定するステップと、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップと、
前記補償要素に基づいて、前記ウェハに実行されるべき第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正するステップと、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハに第２プロセスを実行するステップとを含む、プロセス制御装置と、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記統合計測データを受信する統合計測データ記憶ユニットと、
前記プロセス制御装置および前記統合計測データ記憶ユニットに動作可能に結合され、前記半導体ウェハの前記プロセスに関連する少なくとも一つの誤差を特定するのに応答して、前記フィードフォワード機能を実行するフィードフォワードユニットとを備えることを特徴とするシステム。
【請求項１１】
前記フィードフォワードユニットに動作可能に結合され、前記フィードフォワード処理を実行するために補償要素の計算を少なくとも一つ実行するコンピュータシステムと、
前記コンピュータシステムに動作可能に結合され、少なくとも一つの制御入力パラメータ信号を生成し、修正するための製造モデルと、
前記製造モデルおよび前記処理装置に動作可能に結合され、前記製造モデルからプロセスレシピを受信可能であるマシンインターフェイスと、
前記マシンインターフェイスから少なくとも一つの制御入力パラメータ信号を受信して、半導体ウェハを処理する処理装置と、
前記処理装置に統合され、前記統合計測データを取得し、前記統合計測データを前記統合計測データ記憶ユニットに送信する統合計測装置とをさらに備えることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記コンピュータシステムが、前記フィードフォワード処理に応答して、前記製造モデルの少なくとも一つのパラメータを修正するための修正データを生成可能である、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記統合計測装置は、前記処理装置内に配置されている、請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
処理装置を用いて、半導体ウェハに第１プロセスを実行する手段と、
統合計測データ装置を用いて、前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得する手段であって、前記統合計測データは前記処理装置に統合された計測装置を用いて取得したデータを含み、前記統合計測データの取得は、前記第１プロセスが完了した旨の通知の受信と、統合計測データを取得するための前記半導体ウェハの特定とを含む手段と、
前記第１プロセスに関連する前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定する手段と、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算する手段と、
前記補償要素に基づいて、前記半導体ウェハに実行されるべき第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正する手段と、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハの第２プロセスを実行する手段とを備える装置。
【請求項１５】
コンピュータ読み取り可能なプログラム記録媒体であって、コンピュータによって実行されたときに以下のステップを含む方法を実行する命令によってエンコードされたプログラム記録媒体。
処理装置を用いて、半導体ウェハに第１プロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップであって、前記統合計測データは前記処理装置に統合された計測装置を用いて取得したデータを含み、前記統合計測データを取得するステップは、前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップと、統合計測データを取得するために前記半導体ウェハを特定するステップと含むものであるステップと、
前記統合計測データに基づいて、統合計測データフィードフォワードプロセスを実行するステップであって、前記統合計測データフィードフォワードプロセスは、前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの少なくとも一つの誤差を特定し、前記誤差を補償するために前記ウェハに実行されるべき第２プロセスに対して調整プロセスを実行するものであるステップと、
前記調整プロセスに基づいて、前記半導体ウェハに前記第２プロセスを実行するステップ。
【請求項１６】
前記方法の前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得するステップは、統合された計測装置を用いて計測データを取得するステップを含む、請求項１５記載のプログラム記録媒体。
【請求項１７】
前記方法の統合計測データフィードフォワードプロセスを実行するステップは、
前記半導体ウェハの前記第１プロセスが完了した通知を受信するステップと、
計測分析のために前記半導体ウェハを特定するステップと、
前記統合された計測装置を用いて、前記特定された半導体ウェハの統合計測データを取得するステップとをさらに含む、請求項１６記載のプログラム記録媒体。
【請求項１８】
前記方法の前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの少なくとも一つの誤差を特定するステップは、
前記統合計測データを所定の許容誤差範囲と比較するステップと、
前記統合計測データと前記所定の許容誤差範囲との前記比較に基づいて、前記統合計測データに関連する少なくとも一つのパラメータが前記所定の許容誤差範囲外にあることの決定に応答して、誤差が存在することを決定するステップとをさらに含む、請求項１５記載のプログラム記録媒体。
【請求項１９】
前記方法の前記誤差を補償するために前記ウェハに実行されるべき第２プロセスに対して調整プロセスを実行するステップは、
前記第１プロセスに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を特定するステップと、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップと、
前記補償要素に基づいて、前記第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正するステップと、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハの前記第２プロセスを実行するステップとをさらに含む、請求項１８記載のプログラム記録媒体。
【請求項２０】
前記方法の前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算するステップは、修正されたエッチング時間、修正された化学機械研磨時間および修正された照射薬量のうちの少なくとも一つを計算するステップをさらに含む、請求項１９記載のプログラム記録媒体。
【請求項２１】
半導体ウェハに第１プロセスを実行し、統合計測装置を用いて、前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連した統合計測データを取得する制御装置であって、前記統合計測装置は処理装置に統合されており、前記統合計測データの取得は、前記第１プロセスが完了した旨の通知の受信と、統合計測データを取得するための前記半導体ウェハの特定とを含み、前記半導体ウェハの前記第１プロセスに関連する前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハの誤差を少なくとも一つ特定し、前記誤差を補償するために前記半導体ウェハに実行されるべき第２プロセスに対する修正処理を実行する制御装置を備える装置。
【請求項２２】
前記統合計測装置は処理装置内に配置される、請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
半導体ウェハ製造の際に、フィードフォワード修正を実行するシステムであって、当該システムは、
統合計測フィードフォワード処理を実行するためのプロセス制御装置であって、
半導体ウェハ（４０５）の第１プロセスに関連した統合計測データを取得する手段であって、前記統合計測データは処理装置（４１０ａ，４１０ｂ）に統合された計測装置（３１０）を用いて取得したデータを含み、前記統合計測データを取得する前記手段は、前記第１プロセスが完了した通知を受信する手段と、統合計測データを取得するために前記半導体ウェハ（１０５）を特定する手段とを含むものである手段と、
前記第１プロセスに関連した前記統合計測データに基づいて、前記半導体ウェハ（１０５）の誤差を特定する手段と、
前記特定された誤差の影響を低減するために補償要素を計算する手段と、
前記補償要素に基づいて、前記ウェハ（１０５）に実行されるべき第２プロセスに関連する制御入力パラメータを修正する手段と、
前記修正された制御入力パラメータに基づいて、前記半導体ウェハ（１０５）の第２プロセスを実行する手段とを有するプロセス制御装置と、
前記プロセス制御装置に動作可能に結合され、前記統合計測データを受信するように構成された統合計測データ記憶ユニット（３３０）と、
前記プロセス制御装置および前記統合計測データ記憶ユニット（３３０）に動作可能に結合され、前記半導体ウェハ（１０５）の前記プロセスに関連する少なくとも一つの誤差を特定するのに応答して、前記フィードフォワード機能を実行するフィードフォワードユニット（４８０）とを備えるシステム。
【請求項２４】
前記フィードフォワードユニット（４８０）に動作可能に結合され、前記フィードフォワード処理を実行するために補償要素の計算を少なくとも一つ実行するコンピュータシステム（４３０）と、
前記コンピュータシステム（４３０）に動作可能に結合され、少なくとも一つの制御入力パラメータ信号を生成し、修正するための製造モデル（４４０）と、
前記製造モデル（４４０）に動作可能に結合され、前記製造モデル（４４０）からプロセスレシピを受信可能であるマシンインターフェイス（４１５ａ，４１５ｂ）と、
半導体ウェハ（１０５）の処理が可能であり、前記マシンインターフェイス（４１５ａ，４１５ｂ）に動作可能に結合され、前記マシンインターフェイス（４１５ａ，４１５ｂ）から少なくとも一つの制御入力パラメータ信号を受信する処理装置（４１０ａ，４１０ｂ）と、
前記処理装置（４１０ａ，４１０ｂ）に統合され、前記統合計測データを取得するように構成され、前記統合計測データを前記統合計測データ記憶ユニット（３３０）に送信する統合計測装置（３１０）とをさらに備えることを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２５】
コンピュータによって実行されたときに、請求項１乃至９いずれか１項記載の方法を実行する命令でエンコードされた、コンピュータ読み取り可能なプログラム記憶装置。