【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面に係合させ、
第１および第２電極をミクロ電子基板の表面に近接し且つそこから間隔を隔てて位置決めし、表面が磨きパッドの磨き表面に係合させている間、電解流体を表面と電極との間に配置することによってミクロ電子基板の導電物質を電位源に電気的に結合し、電極は互い且つ電解流体と流体連通し、
電流を電位源から導電物質に通すことによって導電物質の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質の一部を除去することよりなることを特徴とするミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法。
【請求項２】
第１および第２電極の両方をミクロ電子基板の表面の方に向け、電極のうちの一方は陽極を構成し、他方の電極は陰極を構成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電流を導電物質に通すことは少なくとも約１００ボルトまでの電位で電流を通すことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電流を通すことは約１アンペアから約１０アンペアまでの電流を通すことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
導電物質を通る電流の特性を制御することによって導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
導電物質を通る電流の周波数および振幅のうちの少なくとも一方を制御することによって導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
導電物質を通る電流の流れを停止することによってミクロ電子基板からの導電物質の除去を停止することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
別個の研磨要素を有さないように電解流体を選択し、
別個の研磨要素を有さないように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度を有する塩化物イオンを含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
磨き表面に少なくとも近接して磨きパッドに固定的に取付られた複数の研磨要素を有するように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
複数の懸濁された研磨要素を含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ロジウム、イリジウム、金、白金、銅、タンタル、タングステンおよびチタンのうちの少なくとも１つを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
導電物質と磨きパッドの磨き表面との間に液体を配置し、この液体は(ＮＨ4)2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4、Ｋ2ＳＯ4、ＭｇＳＯ4およびＨ3ＰＯ4のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ミクロ電子基板からの物質の除去は物質を磨きパッドの磨き表面に対して概ね横方向に異方的に除去することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
導電物質はミクロ電子基板のバリア層に隣接して配置された導電物質を含み、方法が
導電物質の少なくとも一部を除去した後、ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
バリア層を電位源に電気的に結合し、
電流を電位源からバリア層に通すことによってバリア層の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板からバリア層の少なくとも一部を除去することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
電解流体中の塩化物イオンの濃度を制御することによってミクロ電子基板から物質を除去する速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
電解流体中のアルコールの濃度を制御することによってミクロ電子基板から物質を除去する速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
半導体物質を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ポリシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
リンまたはホウ素でドープされたポリシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
ミクロ電子基板から導電物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板の表面を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
磨きパッドの磨き表面に隣接して液体を配置し、この液体は(ＮＨ4)2ＳＯ4、Ｋ2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4、ＭｇＳＯ4、Ｈ3ＰＯ4およびクエン酸アンモニウムのうちの少なくとも１つを含み、
導電物質を電位源に電気的に結合し、
磨き表面がミクロ電子基板と係合されている間、ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させてミクロ電子基板の表面から物質を除去することよりなることを特徴とするミクロ電子基板から導電物質を除去する方法。
【請求項２３】
第１および第２電極をミクロ電子基板の表面から間隔を隔てて且つ液体と流体連通して位置決めし、
電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合することを更に含み、電極のうちの一方は陽極を構成し、他方は陰極を構成することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度を有する塩化物イオンを含むように液体を選択し、磨きパッドの磨き表面とミクロ電子基板の表面との間に液体を配置することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
別個の研磨要素を有さないように液体および磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
約１Ｍから約５.５Ｍまでの濃度を有する(ＮＨ4)2ＳＯ4を含むように磨きパッドの磨き表面に隣接した液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
約０．５Ｍまでの濃度を有するＨ2ＳＯ4を含むように磨きパッドの磨き表面に隣接した液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
導電物質に隣接した環境のｐＨを、導電物質が白金を含む場合、約１から約１４までであるように、導電物質がタングステンを含む場合、約３未満または約４より大きいように、導電物質が銅を含む場合、約６未満または約８より大きいように制御することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
金属を含むようにミクロ電子基板の導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
白金を含むようにミクロ電子基板の導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
ドープされた半導体物質を含むようにミクロ電子基板の導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
ミクロ電子基板からの物質の除去はミクロ電子基板の表面に対して概ね横の方向に異方敵に物質を除去することを含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
ミクロ電子基板の表面から白金を除去する方法において、
ミクロ電子基板の表面の白金部分を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
ミクロ電子基板が磨きパッドと係合されている間、第１および第２電極を表面に近接し且つそこから間隔を隔てて位置決めし、表面と電極との間に電解流体を配置することによって電流を白金部分に出力し、電極の両方は電解流体と流体連通しており、
ミクロ電子基板が磨きパッドと係合されている間、電流を白金部分に出力しながら、ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して異方的に移動させることよりなることを特徴とするミクロ電子基板の表面から白金を除去する方法。
【請求項３４】
別個の研磨要素を有さないように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度を有する塩化物イオンを含むように液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
白金部分への電流の出力は少なくとも約１００ボルトまでの電位で電流を出力することを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】
電流の出力は約１アンペアから約１０アンペアまでの電流を出力することを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】
白金部分に出力される電流の特性を制御することによって白金部分の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３９】
白金部分に出力される電流の周波数および振幅のうちの少なくとも一方を制御することによって白金部分の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４０】
ミクロ電子基板から導電物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板の導電物質を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
ミクロ電子基板が磨きパッドの磨き表面と係合されている間、導電物質に変化する電流を出力しながら、ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させ、
導電物質に隣接した環境のｐＨを、導電物質が白金を含む場合、約１から約１４までであるように、導電物質がタングステンを含む場合、約３未満または約４より大きいように、導電物質が銅を含む場合、約６未満または約８より大きいように制御することよりなることを特徴とするミクロ電子基板から導電物質を除去する方法。
【請求項４１】
導電物質はミクロ電子基板の表面に配置されており、導電物質への電流の出力は第１および第２電極を表面に向けて位置決めし、電極のうちの一方が陽極を構成し、他方の電極が陰極を構成し、表面と第１および第２電極との間に液体を配置することを含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
導電物質の除去は導電物質の少なくとも一部を異方的に除去することを含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
電流の出力は第１および第２電極を導電物質に近接して位置決めし、電極と導電物質との間に電解流体を配置し、第１および第２電極が電解流体と流体連通している状態で少なくとも一方の電極を電位源に結合することを含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】
(ＮＨ4)2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4、ＭｇＳＯ4およびＨ3ＰＯ4のうちの少なくとも１つを含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】
別個の研磨要素を有さないように電解流体および研磨パッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４６】
約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度を有する塩化物イオンを含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４７】
化学酸化剤にさらされると、第１速度で酸化可能である導電物質をミクロ電子基板から除去する方法において、
電流を導電物質に出力することによってミクロ電子基板の導電物質を第１速度より速い第２速で酸化して酸化された物質を形成し、導電物質はミクロ電子基板の表面に位置決めされており、導電物質への電流の出力は第１および第２電極を表面から間隔を隔てて位置決めし、表面と第１および第２電極との間に電解流体を配置して電極の両方が互いと且つ電解流体と流体連通する状態にし、
電流を導電物質に出力しながら、ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させて酸化された物質を除去することよりなることを特徴とする導電物質をミクロ電子基板から除去する方法。
【請求項４８】
導電物質を通る電流の特性を制御することによって導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
導電物質を通る電流の周波数および振幅のうちの少なくとも一方を制御することによって導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
導電物質を通る電流の流れを停止することによってミクロ電子基板からの物質の除去を停止することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５１】
別個の研磨要素を有さないように電解流体を選択し、
別個の研磨要素を有さないように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５２】
約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度を有する塩化物イオンを含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５３】
磨き表面に少なくとも近接して磨きパッドに固定的に取付けされた複数の研磨要素を含むように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５４】
複数の懸濁された研磨要素を含むように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５５】
金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５６】
半導体物質を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５７】
貴金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５８】
ミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
ミクロ電子基板の貴金属物質を電位源に電気的に結合し、
第１および第２電極を表面から間隔を隔てて位置決めし、表面と電極との間に電解流体を配置して電極の両方を互いと且つ電解流体と流体連通する状態にすることによって電位源から導電物質を通る電流で導電物質の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質の一部を除去することよりなることを特徴とするミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法。
【請求項５９】
白金を含むようにミクロ電子基板を選択することを更に含むことを特徴とする請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
ミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質の一部を除去し、
第１および第２電極を表面から間隔を隔てて位置決めし、表面と電極との間に電解流体を配置して電極の両方は互いと且つ磨きパッドの磨き表面と流体連通する状態とすることによって導電物質を電位源に電気的に結合し、
ミクロ電子基板が磨きパッドの磨き表面と係合されている間、導電物質への電流の流れを制御することによってミクロ電子基板から除去される導電物質の量を制御することよりなることを特徴とするミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法。
【請求項６１】
ミクロ電子基板から導電物質を除去する前に電流の流れを導電物質に通すことによってミクロ電子基板から除去された導電物質の部分の少なくとも一部を酸化することを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
電流の流れの制御は電流の流れを選択的に開始したり停止したりすることを含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６３】
電流の流れの制御は所定量の導電物質がミクロ電子基板から除去されたときには電流の流れを停止することを含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６４】
電流の流れの制御は導電物質を通る電流の周波数および振幅のうちの少なくとも一方を制御することによって導電物質の酸化速度を制御することを含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６５】
別個の研磨要素を有さないように電解流体を選択し、
別個の研磨要素を有さないように磨きパッドを選択することを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６６】
第１および第２電極をミクロ電子基板の表面に向けて位置決めすることを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６７】
金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６８】
ポリシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６９】
ミクロ電子基板から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を、磨き表面を有する磨きパッドと、磨き表面に隣接して配置された電解流体とを含む物質除去媒体と係合させ、物質除去媒体は別個の研磨要素を有しておらず、
ミクロ電子基板の導電物質を電位源に電気的に結合し、
電流を電解流体および導電物質に通し、且つミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質を除去することよりなることを特徴とするミクロ電子基板から物質を除去する方法。
【請求項７０】
導電物質を通る電流の特性を制御することにより導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
導電物質を通る電流の周波数および振幅のうちの少なくとも一方を制御することにより導電物質の酸化速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７２】
導電物質を通る電流の流れを停止することによってミクロ電子基板からの物質の除去を停止することを更に含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７３】
ミクロ電子基板は表面を有しており、電位源への導電物質の電気的結合は第１および第２電極をこの表面に向けて位置決めし、導電物質と電極との間に電解流体を配置することを更に含み、電極のうちの一方は陽極を構成し、他方の電極は陰極を構成することを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７４】
金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７５】
ドープされた半導体を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７６】
ミクロ電子基板から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
ミクロ電子基板を約５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの濃度の塩化物イオンを有する液体にさらし、
ミクロ電子基板の導電物質を電位源に電気的に結合し、
電流を導電物質に通しならが、ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることよりなることを特徴とするミクロ電子基板から物質を除去する方法。
【請求項７７】
導電物質はミクロ電子基板の表面に位置決めされており、電位源への導電物質の電気的結合は第１および第２電極を上記表面に向け（電極のうちの一方が陽極を構成し、他方の電極が陰極を構成しており）、上記表面と第１および第２電極との間の液体に、第１および第２電極が互いと且つ液体と流体連通した状態で、電流を通すことを含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項７８】
導電物質は白金を含み、方法が約１００ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでの塩化物イオン濃度を有するように液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項７９】
(ＮＨ4)2ＳＯ4、Ｋ2ＳＯ4、ＭｇＳＯ4、Ｈ3ＰＯ4および/またはＨ2ＳＯ4を含むように液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項８０】
導電物質が白金を含む場合、約１から約１４までのｐＨ、導電物質がタングステンを含む場合、約３未何未満または約４より大きいｐＨ、導電物質が銅を含む場合、約６未満または約８より大きいｐＨを有するように液体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項８１】
導電物質を酸化することを更に含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項８２】
ミクロ電子基板から物質の除去を終了する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、ミクロ電子基板は基板物質と、この基板物質に隣接した誘電体と、この誘電体に隣接した導電物質とを有しており、
ミクロ電子基板の導電物質を電位源に電気的に結合し、
ミクロ電子基板が磨きパッドの磨き表面と係合されている間、電流を電位源から導電物質に通すことによって導電物質の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質の一部を除去して誘電体を露出させ、
誘電体を磨きパッドの磨き表面と係合させることによってミクロ電子基板からの物質の更なる除去を停止することよりなることを特徴とするミクロ電子基板から物質の除去を終了する方法。
【請求項８３】
電位源への導電物質の電気的結合は第１および第２電極を導電物質に近接し且つそこから間隔を隔てて位置決めし、電極と導電物質との間に電解流体を配置して電極を電解流体と流体連通した状態にすることを含み、方法が酸化物を含むように誘電体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
金属を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
磨きパッドと係合され、且つ磨きパッドの磨き表面に対して直角な第１力を受けると、ミクロ電子基板から除去されることが可能である導電物質をミクロ電子基板から除去する方法において、
導電物質を電位源に結合し、
ミクロ電子基板が磨きパッドの磨き表面に係合されている間、電流を導電物質に出力することによってミクロ電子基板の導電物質を酸化して酸化された物質を形成し、
磨きパッドの磨き表面と直角な第２力を加えることによって酸化された物質をミクロ電子基板から除去することよりなり、第２力は第１力より弱いことを特徴とする導電物質をミクロ電子基板から除去する方法。
【請求項８６】
導電物質はミクロ電子基板の表面に位置決めされており、電位源への導電物質の電気的結合は第１および第２電極を上記表面から間隔を隔てて位置決めし(電極のうちの一方は陽極を構成し、他方の電極は陰極を構成する)、上記表面と第１および第２電極との間に電解流体を配置して第１および第２電極が互いと且つ電解流体とに流体連通した状態にすることを含むことを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項８７】
第１および第２電極をミクロ電子基板の表面の方に向くように位置決めすることを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項８８】
銅を含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項８９】
多孔性シリカを含むようにミクロ電子基板の基板物質を選択することを更に含み、基板物質は導電物質を支持するように位置決めされていることを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項９０】
約１．５から約３までの誘電定数を有するようにミクロ電子基板の基板物質を選択することを更に含み、基板物質は導電物質を支持するように位置決めされていることを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項９１】
導電物質はミクロ電子基板のバリア層に隣接して配置された導電物質を含み、方法が
導電物質の少なくとも一部を除去した後、ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
バリア層を電位源に電気的に結合し、
電流を電位源からバリア層に通すことによってバリア層の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板からバリア層の少なくとも一部を除去することを更に含むことを特徴とする請求項８５に記載の方法。
【請求項９２】
ミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法において、
ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き表面と係合させ、
陽極および陰極をミクロ電子基板の表面の方に向けてそこから間隔を隔てて位置決めし、ミクロ電子基板と陽極および陰極との間に電解流体を配置して陽極および陰極が互いと且つ電解流体とに流体連通した状態にし、陽極および陰極のうちの少なくとも一方を電位源に結合することによってミクロ電子基板の導電物質を電位源に電気的に結合し、
ミクロ電子基板が磨きパッドの磨き表面と係合されている間、電流を電位源から導電物質に通すことによって導電物質の少なくとも一部を酸化し、
ミクロ電子基板および磨きパッドのうちの少なくとも一方を他方に対して移動させることによってミクロ電子基板から導電物質の一部を除去することよりなることを特徴とするミクロ電子基板の表面から物質を除去する方法。
【請求項９３】
銅、アルミニウム、白金、ロジウム、イリジウム、金、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、窒化タングステン、窒化チタンシリコンおよび窒化タンタルシリコンのうちの少なくとも１つを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項９２に記載の方法。
【請求項９４】
電解流体中の塩化物イオンの濃度を制御することによって導電物質を除去する速度を制御することを更に含むことを特徴とする請求項９２に記載の方法。
【請求項９５】
塩化物イオンの濃度の制御は５０ｐｐｍから約５０００ｐｐｍまでであるように濃度を選択することを含むことを特徴とする請求項９２に記載の方法。
【請求項９６】
ミクロ電子基板から物質を除去する装置において、
ミクロ電子基板に係合するように構成された基板支持体と、
基板支持体に近接して位置決めされた物質除去媒体とを備え、物質除去媒体は作動中、ミクロ電子基板に係合するように位置決めされた磨き表面を有する磨きパッドを備えており、更に物質除去媒体は磨きパッドに配置された液体を含んでおり、更に物質除去媒体は基板支持体に少なくとも近接して位置決めされ、且つ電位源に結合可能である少なくとも１つの電極を有しており、磨きパッドも液体も別個の研磨要素を有しておらず、基板支持体および物質除去媒体がミクロ電子基板に係合すると、物質除去媒体および基板支持体のうちの少なくとも一方が他方に対して移動可能であることを特徴とするミクロ電子基板から物質を除去する装置。
【請求項９７】
液体は(ＮＨ4)2ＳＯ4、Ｋ2ＳＯ4、ＭｇＳＯ4、Ｈ3ＰＯ4およびＨ2ＳＯ4のうちの少なくとも１つを含むように選択されることを特徴とする請求項９６に記載の方法。
【請求項９８】
磨きパッドの磨き表面に近接し且つそこから間隔を隔てて位置決めされた第１および第２電極を更に備えており、第１および第２電極の両方は基板支持体がミクロ電子基板に係合すると、ミクロ電子基板の方に向くことを特徴とする請求項９６に記載の装置。