【手続補正書】
【提出日】平成18年4月25日(2006.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板、
基板の上面に形成された少なくとも１つの能動素子、及び
デバイスを封入する、基板の上面の上の第１のラミネート
からなるデバイス。
【請求項２】  デバイスがＯＬＥＤデバイスからなる請求項１記載のデバイス。
【請求項３】  基板が能動素子を支持する請求項２記載のデバイス。
【請求項４】  基板がフレキシブル基板からなる請求項３記載のデバイス。
【請求項５】  基板材料が、ポリマー、ガラス、セラミック、又は半導体材料からなる材料の群から選択される請求項４記載のデバイス。
【請求項６】  基板が透明な基板からなる請求項３記載のデバイス。
【請求項７】  基板材料が、ポリマー又はガラスからなる材料の群から選択される請求項６記載のデバイス。
【請求項８】  基板が透明なフレキシブル基板からなる請求項３記載のデバイス。
【請求項９】  基板が、ポリマー又はガラスから選択される材料からなる請求項８記載のデバイス。
【請求項１０】  基板が能動素子を支持する請求項１記載のデバイス。
【請求項１１】  基板がフレキシブル基板からなる請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】  基板材料が、ポリマー、ガラス、セラミック、又は半導体材料からなる材料の群から選択される請求項１１記載のデバイス。
【請求項１３】  基板が透明な基板からなる請求項１０記載のデバイス。
【請求項１４】  基板材料が、ポリマー又はガラスからなる材料の群から選択される請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】  基板が透明なフレキシブル基板からなる請求項１０記載のデバイス。
【請求項１６】  基板が、ポリマー又はガラスから選択される材料からなる請求項１５記載のデバイス。
【請求項１７】  さらに基板の底面上に第２のラミネートを有し、その際第２のラミネートが透明なラミネートからなる請求項６，７，８，９，１３，１４，１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】  ラミネートが
ラミネート基板、及び
デバイスに接触する、前記ラミネート基板の表面上のシーラントからなる請求項１７記載のデバイス。
【請求項１９】  ラミネート基板が、処理中に機械的統合を維持するために十分な熱安定性を有する材料からなる請求項１８記載のデバイス。
【請求項２０】  ラミネート基板がプラスチック材料からなる請求項１９記載のデバイス。
【請求項２１】  プラスチックラミネート基板が、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスルホン、ポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（ビニルクロリド）、ポリスチレン、又はポリ（メチルメチレアクリレート）から選択される請求項２０記載のデバイス。
【請求項２２】  シーラントが、ラミネートとデバイスの間の良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項２１記載のデバイス。
【請求項２３】  活性化温度が、デバイスを損傷する温度未満である請求項２２記載のデバイス。
【請求項２４】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項２３記載のデバイス。
【請求項２５】  バリア層が、金属もしくは誘電性材料からなる群から選択される材料からなる請求項２４記載のデバイス。
【請求項２６】  金属材料が銅又はアルミニウムからなりかつ誘電性材料が一酸化シリコン、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓｉ２Ｎ４）又は金属酸化物からなる請求項２５記載のデバイス。
【請求項２７】  シーラントが、ラミネートとデバイスのあいだの良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項２６記載のデバイス。
【請求項２８】  活性化温度が、デバイスを損傷する温度未満である請求項２７記載のデバイス。
【請求項２９】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項１８記載のデバイス。
【請求項３０】  バリア層が、金属もしくは誘電性材料からなる群から選択される材料からなる請求項２９記載のデバイス。
【請求項３１】  さらに基板の底面上の第２のラミネートを有する請求項３，４，５，１０，１１又は１２記載のデバイス。
【請求項３２】  ラミネートが、
ラミネート基板及び
デバイスに接触する、ラミネート基板の表面上のシーラント
からなる請求項３１記載のデバイス。
【請求項３３】  ラミネート基板が、処置中に機械的統合を維持するために十分な熱安定性を有する材料からなる請求項３２記載のデバイス。
【請求項３４】  ラミネート基板がプラスチック材料からなる請求項３３記載のデバイス。
【請求項３５】  プラスチックラミネート基板が、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスルホン、ポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（ビニルクロリド）、ポリスチレン、又はポリ（メチルメチレアクリレート）から選択される請求項３４記載のデバイス。
【請求項３６】  シーラントが、ラミネートとデバイスの間の良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項３５記載のデバイス。
【請求項３７】  活性化温度が、デバイスを損傷する温度未満である請求項３６記載のデバイス。
【請求項３８】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項３７記載のデバイス。
【請求項３９】  バリア層が、金属もしくは誘電性材料からなる群から選択される材料からなる請求項３８記載のデバイス。
【請求項４０】  金属材料が銅又はアルミニウムからなりかつ誘電性材料が一酸化シリコン、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓｉ２Ｎ４）又は金属酸化物からなる請求項３９記載のデバイス。
【請求項４１】  シーラントが、ラミネートとデバイスの間の良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項３２記載のデバイス。
【請求項４２】  活性化温度が、デバイスを損傷する温度未満である請求項４１記載のデバイス。
【請求項４３】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項３２記載のデバイス。
【請求項４４】  バリア層が、金属もしくは誘電性材料からなる群から選択される材料からなる請求項４３記載のデバイス。
【請求項４５】  ラミネートが、
ラミネート基板及び
デバイスに接触する、ラミネート基板の表面上のシーラント
からなる請求項２，３又は１０記載のデバイス。
【請求項４６】  ラミネート基板が、処置中に機械的統合を維持するために十分な熱安定性を有する材料からなる請求項４５記載のデバイス。
【請求項４７】  シーラントが、ラミネートとデバイスの間の良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項４６記載のデバイス。
【請求項４８】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項４７記載のデバイス。
【請求項４９】  シーラントが、ラミネートとデバイスの間の良好なシールを保証するためのシーラントを流動させる活性化温度を有する請求項４５記載のデバイス。
【請求項５０】  ラミネートがラミネート上にバリア層を有し、該バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項４５記載のデバイス。
【請求項５１】  デバイスを製造する方法において、パッケージングする方法が、
上面に形成された少なくとも１つの能動素子を有する基板からなるデバイスを準備し、
基板の上面にラミネートを配置し、かつ
ラミネートをデバイスに付着させるシーラントを活性化するためにデバイスに対してラミネートをプレスする
ことからなることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項５２】  デバイスがＯＬＥＤからなる請求項５１記載の方法。
【請求項５３】  基板がポリマー又はガラスから選択された材料からなる請求項５２記載の方法。
【請求項５４】  デバイスがフレキシブルＯＬＥＤからなる請求項５１記載の方法。
【請求項５５】  基板がポリマー又はガラスから選択される材料からなる請求項５４記載の方法。
【請求項５６】  デバイスがフレキシブルデバイスからなる請求項５１記載の方法。
【請求項５７】  さらにデバイスの底面上に第２のラミネートを配置することよりなり、その際プレスがラミネートをデバイスに付着させるためにシーラントを活性化する請求項５１，５２，５３，５４，５５又は５６記載の方法。
【請求項５８】  シーラントが、デバイスに接触するラミネートの内部表面上に位置する請求項５７記載の方法。
【請求項５９】  さらにシーラントを活性化するためにラミネートを加熱することよりなる請求項５８記載の方法。
【請求項６０】  シーラントを流動させるためにラミネートを加熱する請求項５９記載の方法。
【請求項６１】  ラミネートのプレスが、デバイスをラミネートと一緒に、ラミネートをデバイスに対してプレスするローラを通過させることよりなる請求項６０記載の方法。
【請求項６２】  ローラがラミネートを加熱してシーラントを活性化する請求項６１記載の方法。
【請求項６３】  ラミネートがバリア層を有する請求項６２記載の方法。
【請求項６４】  バリア層が空気又は湿気の拡散を阻止する請求項６３記載の方法。
【請求項６５】  ラミネートがフレキシブルラミネートからなる請求項６４記載の方法。
【請求項６６】  ラミネートのプレスが、デバイスをラミネートと一緒に、ラミネートをデバイスに対してプレスするローラを通過させることよりなる請求項５８記載の方法。
【請求項６７】  ローラがラミネートを加熱してシーラントを活性化する請求項６６記載の方法。
【請求項６８】  ラミネートの加熱がシーラントを流動させる請求項６７記載の方法。
【請求項６９】  ラミネートがフレキシブルラミネートからなる請求項６８記載の方法。
【請求項７０】  ラミネートがバリア層を有する請求項６２記載の方法。
【請求項７１】  シーラントが、デバイスに接触するラミネートの内部表面上に位置する請求項５１，５２，５３，５４，５５又は５６記載の方法。
【請求項７２】  さらにシーラントを活性化するためにラミネートを加熱することよりなる請求項７１記載の方法。
【請求項７３】  ラミネートの加熱がシーラントを流動させる請求項７２記載の方法。
【請求項７４】  ラミネートのプレスが、デバイスをラミネートと一緒に、ラミネートをデバイスに対してプレスするローラを通過させることよりなる請求項７３記載の方法。
【請求項７５】  ローラがラミネートを加熱してシーラントを活性化する請求項７４記載の方法。
【請求項７６】  ラミネートがバリア層を有する請求項７５記載の方法。
【請求項７７】  ラミネートがフレキシブルラミネートからなる請求項７６記載の方法。
【請求項７８】  ラミネートのプレスが、デバイスをラミネートと一緒に、ラミネートをデバイスに対してプレスするローラを通過させることよりなる請求項７１記載の方法。
【請求項７９】  ローラがラミネートを加熱してシーラントを活性化する請求項７８記載の方法。
【請求項８０】  ラミネートの加熱がシーラントを流動させる請求項７９記載の方法。
【請求項８１】  ラミネートがフレキシブルラミネートからなる請求項８０記載の方法。
【請求項８２】  ラミネートがバリア層を有する請求項７１記載の方法。
【請求項８３】  ラミネートのプレスが、デバイスをラミネートと一緒に、ラミネートをデバイスに対してプレスするローラを通過させることよりなる請求項５１記載の方法。
【請求項８４】  ローラがラミネートを加熱してシーラントを活性化する請求項８３記載の方法。
【請求項８５】  ラミネートの加熱がシーラントを流動させる請求項８４記載の方法。