【事件の表示】
　特願２００７−５３３８０９「圧力センサパッケージ及び電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月２６日国際公開、ＷＯ２００７／０８３７４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１月１９日（優先権主張平成１８年１月１９日、平成１８年９月２１日、いずれも日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年３月１０日付け（送達日　同年同月１７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると共に、明細書、特許請求の範囲又は図面について平成２１年５月１８日に手続補正（以下、「補正１」という。）がなされたものある。
　その後、当審は、平成２２年１１月２９日付け（送達日　同年１２月１４日）で補正１を却下すると共に、同日付け（発送日　同年同月３０日）で拒絶理由を通知したところ、平成２３年１月３１日に明細書及び特許請求の範囲について手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされると共に、意見書（以下、「意見書」という。）の提出があった。
　
２　当審拒絶理由
　当審において通知した上記拒絶理由の概要は、
　
「本願の請求項１ないし８に係る発明（本願発明１ないし８）は、本願の最先の優先日前に日本国内又は外国において頒布された以下の刊行物に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（１）特開２００２−１５８３６２号公報　　　（以下「引用刊行物１」という。）
（２）国際公開第２００４／０６８０９６号公報（以下「引用刊行物２」という。）
（当審注：上記「国際公開第２００４／０６８０９６号公報」は、
　　　　　　　「国際公開第２００４／０６８０９６号」の誤記である。）
（３）特許２００２−８２００９号公報　　　　（以下「引用刊行物３」という。）
（当審注：上記「特許２００２−８２００９号公報」は、
　　　　　　　「特開２００２−８２００９号公報」の誤記である。）
（４）特開昭６３−１２１７８号公報　　　　　（以下「引用刊行物４」という。）
（５）特開平３−１３１０６９号公報　　　　　（以下「引用刊行物５」という。）
（６）特開平８−２１０９３５号公報　　　　　（以下「引用刊行物６」という。）
　
説明
・本願発明１について
（１）引用刊行物１を主引用例とした場合
　……引用刊行物１には、
「半導体基板１の一面において、……を備えてなる半導体圧力センサパッケージ。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
………
［相違点２について］
　半導体圧力センサの技術分野において、半導体基板の厚みを２００〜５００μｍとすることは周知技術（以下「周知技術２」という。）である。例えば、引用刊行物４の第２ページ右下欄第１６〜１８行の「受圧ダイヤフラム１は２００〜５００μｍ厚のセラミック基板よりなり」との記載や、引用刊行物５の第３ページ左上欄第５〜６行の「基板１０は通常円盤状をなし、その厚さは数百μｍ（２００〜５００μｍ）である。」との記載を、参照されたい。
………
　よって、本願発明１は、引用発明１及び各周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）引用刊行物６を主引用例とした場合
　……引用刊行物６には、
「シリコン基板６の一面において、……を備えてなる圧力センサ１。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
………
　したがって、本願発明1と引用発明２とは、………以下の点で相違する。
　
［相違点３］
　本願発明１の半導体基板は、
「外縁域における半導体基板の厚さをＤ１と定義したとき、該Ｄ１が２００μｍ以上５００μｍ以下である」のに対し、
　引用発明2のシリコン基板６の厚さは、何ら定義されていない点。
　
　しかしながら、上記のとおり、半導体圧力センサにおいて、半導体基板の厚みを２００〜５００μｍとすることは周知技術（周知技術２）である。
　
　したがって、引用発明２のシリコン基板６に、半導体基板の厚みを２００〜５００μｍとする上記周知技術２を適用して、上記相違点３に係る本願発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　そして、本願発明１によってもたらされる効果も、引用刊行物６の記載及び上記周知技術２から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものではない。
　
　よって、本願発明１は、引用発明２及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
……（後略）」というものである。
　
３　本願発明
　本願の請求項１ないし１５に係る発明は、本件補正によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
　
「半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記第１導電部には個別に、その上に配置され電気的に接続される第１バンプと、を備えてなる圧力センサパッケージであって、
　前記半導体基板は平板状かつ矩形状のＳｉから成り、前記外縁域における半導体基板の厚さをＤ１と定義したとき、該Ｄ１が２００μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする圧力センサパッケージ。」（以下、「本願発明」という。）
　
４　引用刊行物６に記載の事項・引用発明
　当審拒絶理由で引用された引用刊行物６（特開平８−２１０９３５号公報）には、「圧力センサ」（発明の名称）に関して、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧力センサに係り、詳しくはセンサチップの実装に関するものである。」
　
（ｂ）「【００１３】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜図６に従って説明する。図1に示すように、圧力センサ１には、プリント配線板２が設けられている。プリント配線板２は、ガラスエポキシ樹脂やセラミックにより形成された基板であって、その上面には、所定の形状の配線パターン３が形成されている。また、プリント配線板２の上面には、長方形状の凹部４が形成されており、その凹部４を跨ぐようにセンサチップ５が配置されている。」
　
（ｃ）「【００１４】図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、センサチップ５は、シリコン基板６よりなり、その内部には円板状の基準圧力室７が密封して形成されている。その基準圧力室７とシリコン基板６の外部とを区画する上部の隔壁部８の上面には、拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が形成されている。拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４は、一列に配列され、隔壁部８のたわみに応じてその抵抗値がそれぞれ変化する位置に形成されている。」
　
（ｄ）「【００１５】また、シリコン基板６上面には配線パターン９とパッド１０が形成されている。拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４は、配線パターン９によりブリッジ接続され、それぞれの抵抗値の変化に応じた電気信号をパッド１０を介して出力するようになっている。パッド１０上には、バンプ１１が形成され、そのバンプ１１を介して拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４とプリント配線板２上の配線パターン３とが接続されている。即ち、センサチップ５は、バンプ１１により拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が形成された面を下にした、所謂フェースダウンボンディングによりプリント配線板２に固定されるとともに、そのバンプ１１を介して拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４と配線パターン３とが電気的に接続されている。」
　
（ｅ）「【００１８】また、圧力センサ１には、外部端子１５が設けられ、その外部端子１５は、プリント配線板２上に形成された配線パターン３に電気的に接続されている。このように構成された圧力センサ１により圧力（例えば、気体の圧力）を測定する場合、圧力を測定しようとする気体を導入孔１３からキャップ１２内へ導入する。気体の圧力は、シリコンゲル１４を介してプリント配線板２に形成された凹部４から回り込んでセンサチップ５の隔壁部８に印加される。すると、隔壁部８は、印加された圧力に応じてたわみ、隔壁部８に形成された各拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４は、隔壁部８のたわみに応じてその抵抗値が変化する。そして、各拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４の抵抗値の変化に応じた電圧は、配線パターン３及び外部端子１５を介して出力される。」
　
　そして、上記記載事項（ａ）ないし（ｅ）、図２（ａ）、図２（ｂ）から、以下の技術事項（ア）ないし（ケ）をそれぞれ読み取ることができる。
　
・（ｃ）及び図２（ｂ）から、
（ア）基準圧力室７が、シリコン基板６の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行に広がっている点。
　
・（ｅ）及び図２（ｂ）から、
（イ）隔壁部８が、基準圧力室７の上部に位置して印加された応力に応じてたわむものである点。
　
・（ｃ）及び図２（ｂ）から、
（ウ）拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が、隔壁部８の上面に形成される点。
　
・（ｄ）、図２（ａ）及び図２（ｂ）から、
（エ）パッド１０が、シリコン基板６の一面において、隔壁部８の外側の領域に設けられ、拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４と電気的に接続されている点。
　
・（ｃ）、（ｄ）から、センサチップ５は、「シリコン基板６」、「基準圧力室７」、「隔壁部８」、「拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４」及び「パッド１０」を備えるものであるから、上記（ア）〜（エ）を総合すると、
（オ）センサチップ５は、
「シリコン基板６の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行に広がる基準圧力室７が形成され、該基準圧力室７の上部に位置して印加された圧力に応じてたわむ隔壁部８を有し、該隔壁部８の上面に拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が形成され、前記一面において、前記隔壁部８の外側の領域に設けられ、前記拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４と電気的に接続されたパッド１０を備えたもの」（以下、「感圧素子要素」という。）を備える点。
　
・（ｄ）、図２（ａ）及び図２（ｂ）から、
（カ）バンプ１１は、パッド１０上に個別に配置され電気的に接続されている点。
　
・（ｄ）及び上記（オ）、（カ）から、
（キ）センサチップ５は、感圧素子要素とバンプ１１とを備えてなる点。
　
・（ｂ）から、センサチップ５は、圧力センサ１を構成するものであるから、
（ク）センサチップ５は、感圧素子としてのセンサチップである点。
　
・（ｃ）及び図２から、
（ケ）シリコン基板６は、平板状かつ矩形状のシリコンから成る点。
　
　したがって、以上の技術事項（ア）ないし（ケ）を総合勘案すると、引用刊行物６には、次の発明が記載されていると認められる。
「シリコン基板６の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行に広がる基準圧力室７が形成され、該基準圧力室７の上部に位置して印加された圧力に応じてたわむ隔壁部８を有し、該隔壁部８の上面に拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が形成され、前記一面において、前記隔壁部８の外側の領域に設けられ、前記拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４と電気的に接続されたパッド１０を備えた感圧素子要素と、前記パッド１０には個別に、その上に配置され電気的に接続されるバンプ１１と、を備えてなる感圧素子としてのセンサチップ５であって、
　前記シリコン基板６は平板状かつ矩形状のシリコンから成る、感圧素子としてのセンサチップ５。」（以下、「引用発明２」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明２とを比較する。
　
（ア）引用発明２の「シリコン基板６」は、本願発明の「半導体基板」に相当し、以下同様に、「基準圧力室７」は「空間」に、「拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４」は「感圧素子」に、「パッド１０」は「第１導電部」に、「感圧素子要素」は「圧力センサ」に、「バンプ１１」は「第１バンプ」に、「感圧素子としてのセンサチップ５」は「圧力センサパッケージ」に、「シリコン」は「Ｓｉ」に、それぞれ相当する。
　
（イ）引用発明２の「隔壁部８」は、「印加された応力に応じてたわ」むものである点と図２（ｂ）を考慮すれば、薄板状であることは明らかであるから、引用発明２の「隔壁部８」は、本願発明の「薄板化された領域」である「ダイアフラム部」に相当する。
　
（ウ）上記（ア）の相当関係から、
　引用発明２の「シリコン基板６の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行に広がる基準圧力室７が形成され」は、
　本願発明の「半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え」に相当する。
　
（エ）上記（ア）（イ）の相当関係から、
　引用発明２の「該基準圧力室７の上部に位置して印加された圧力に応じてたわむ隔壁部８を有し」は、
　本願発明の「該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし」に相当する。
　
（オ）上記（ア）の相当関係から、
　引用発明２の「該隔壁部８の上面に拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４が形成され」は、
　本願発明の「該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり」に相当する。
　
（カ）引用発明２において、隔壁部８の外側の領域とは、隔壁部を除いた領域であることは明らかである。ゆえに、上記（ア）の相当関係から、
　引用発明２の「前記一面において、前記隔壁部８の外側の領域に配置され、前記拡散歪みゲージＲ１〜Ｒ４と電気的に接続されたパッド１０を備えた感圧素子要素」は、
　本願発明の「前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサ」に、相当する。
　
（キ）上記（ア）の相当関係から、
　引用発明２の「前記パッド１０には個別に、その上に配置され電気的に接続されるバンプ１１」は、
　本願発明の「前記第１導電部には個別に、その上に配置され電気的に接続される第１バンプ」に、相当する。
　
（ク）引用発明２の「前記シリコン基板６は平板状かつ矩形状のシリコンから成る」と、
　本願発明の「前記半導体基板は平板状かつ矩形状のＳｉから成り、前記外縁域における半導体基板の厚さをＤ１と定義したとき、該Ｄ１が２００μｍ以上５００μｍ以下である」とは、
　「前記半導体基板は平板状かつ矩形状のＳｉから成り」の点で、共通する。
　
　したがって、本願発明と引用発明２の両者は、
「半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記第１導電部には個別に、その上に配置され電気的に接続される第１バンプと、を備えてなる圧力センサパッケージであって、
　前記半導体基板は平板状かつ矩形状のＳｉから成る圧力センサパッケージ」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　半導体基板の外縁域における厚さに関し、
　本願発明では、「前記外縁域における半導体基板の厚さをＤ１と定義したとき、該Ｄ１が２００μｍ以上５００μｍ以下である」のに対し、
　引用発明２のシリコン基板６の外縁域における厚さは、上記のように限定されていない点。
　
６　判断
　通常、シリコン半導体基板を用いた半導体圧力センサにおいて、シリコン半導体基板の外縁域の厚さをどの程度とするかは、基板材料であるシリコンの組成や結晶構造、センサ自体の大きさ、センサの使用条件等の様々な条件に応じて、当業者が設計的に決めうる事項である。
　
　そして、矩形のシリコン半導体基板を用いた半導体圧力センサにおける当該基板の外縁域の厚さとして、２００〜５００μｍという値は、従来から通常用いられている値、もしくは、その近傍の値に過ぎないといえる。
　例えば、本願の最先の優先日前の平成１６年８月４日に公開された、特許第３５５１３３７号公報に、矩形のシリコン基板にダイヤフラム部が形成された半導体圧力センサにおける、シリコン基板の外縁域の厚さが３００μｍであり（【００３０】〜【００３４】、図２（ｂ））、当該公報の全ての記載に照らし、その３００μｍの値は通常用いられている値であるといえる。
　さらに、バンプを有する半導体圧力センサについても、半導体基板の外縁域の厚さとして、２００〜５００μｍという値は、従来から通常用いられている値に過ぎない。
　例えば、当審拒絶理由通知においても提示した国際公開２００４／０６８０９６号（「感圧チップ１は、厚さ２００〜３００μｍ程度のシリコン単結晶からなり」（明細書５ページ１０〜１１行））や、本願の最先の優先日前の平成１６年６月１７日に公開された特開２００４−１７０１４８号公報（「圧力センサ素子１０は、厚み約０．２５ｍ（当審注：「０．２５ｍｍ」の誤記と見られる）（ダイヤフラム１ａの厚みは約１０μｍ）のウエハ１と」（【００２９】））の記載からも裏付けられる。
　また、当審拒絶理由通知においても提示した特開平３−１３１０６９号公報（第３ページ左上欄第１〜６行「結晶方位が（１００）又は（１１０）のＳｉ単結晶の基板１０の下面に、……。なお、基板１０は……、その厚さは数百μｍ（２００〜５００μｍ）である。」）にも、シリコン基板の厚さとして２００〜５００μｍが通常用いられている値であることが、裏付けられる。
　
　以上のとおり、半導体基板を用いた半導体圧力センサの技術分野において、基板厚を２００〜５００μｍとすることは周知技術であるから、上記相違点に係る発明特定事項は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　そして、本願発明が奏する効果も、以下の（１）、（２）のとおり、引用発明２及び周知技術から、当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別なものではない。
（１）基板の外縁域の厚さが「２００〜５００μｍ」である構成に関して、上記のとおり、半導体基板の外縁域の厚さとして「２００〜５００μｍ」という値が従来から広く採用されていた値であることをかんがみれば、上記数値範囲が奏する効果は、当業者にとって十分に知られていた事項、あるいは、十分に予測し得た事項であると言えるし、バンプに対する効果についても、同様のことが言える。
　
（２）本願明細書の記載を参酌しても、「２００〜５００μｍ」という基板の厚さが、顕著な効果を示すものとは、認められない。
　本願明細書の図２１に開示される、基板厚を１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍとした時の熱応力状態の変化を示すグラフは、基板厚の増加にしたがい熱応力が減少することを示しているが、その減少変化は単調に減少していくものであり、２００μｍを境に顕著な変化を示すものではない。してみれば、該グラフが示す事象は、基板厚の増加に伴う基板剛性の増加により外部から作用する熱応力の影響が小さくなる、という、極めて当然の結果を示すものに過ぎない。
　さらに、基板厚の上限５００μｍについても、「基板厚（…）は、……上限（最大厚）としては、実装面から５００μｍ程度が実用上、望ましい」（【００６１】）と記載されているように、５００μｍという上限値は実装面から定めた値に過ぎず、熱応力との関係で顕著な効果を示す上限値ではない。
　
　以上から、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７　請求人の主張について
　
（１）請求人は、意見書（６−２）において、「上記のような数字（２００〜５００μｍ）が、半導体基板、特に矩形状のシリコン基板において、直ちに適用できるか否かは容易には判断できず、実際にシリコン基板を用いて試作を行い、かつ作製されたダイヤフラムの評価を行ってみて始めて、半導体基板の適切な板厚を知り得るものであります。」と主張する。
　しかしながら、従来からよく知られている「２００〜５００μｍ」という基板厚さで実際にシリコン基板を用いて試作を行い、ダイヤフラムの評価を行って、試作したものが適切か否かを確認する程度のことは、当業者が通常なし得る試行錯誤の範囲に過ぎず、何ら困難性を有するものではない。
　
（２）請求人は、意見書（６−３）において、当審拒絶理由通知で引用した周知技術を示す刊行物に記載された基板の外縁域の厚さ「２００〜５００μｍ」は、「セラミック基板で見出された板厚」であると主張する。
　しかしながら、上記のとおり、シリコン基板においても２００〜５００μｍの基板の外縁域の厚さが周知であることは、明らかである。
　
（３）請求人は、審判請求書において、「チップ厚：Ｄ１が２００μｍ〜５００μｍの範囲とすることにより、１５０μｍ以下に比べて、Ｄｐ端熱応力を６ＭＰａ以下に抑えることができる。」と主張する。
　また、意見書（６−２）においても「「Ｄｐ端熱応力［ＭＰａ］に着目して研究・開発を鋭意進めた結果、シリコン基板の厚さとして「２００〜５００μｍ」が適切であることを見出した」と、主張する。
　しかしながら、本願明細書には、「図２１からも理解され得るように、200μｍ以上の厚さを有するものでは、バンプ部の亀裂等の不具合は特に生じなかった。しかしながら、150μｍでは３／１０、100μｍでは５／１０、というように不良が生じた。」と記載されている。すなわち、本願明細書では、２００μｍ以上の厚さが、亀裂等の不具合が生じない厚さであると開示されているものの、「Ｄｐ端熱応力を６ＭＰａ以下に抑える」ことができる値であるとは、何ら開示されていない。
　さらに、本願の基板の厚さ（チップ厚）と基板内部の熱応力の最大値との関係を示す図である【図２１】によれば、チップ厚が２００μｍにおける熱応力がおよそ８〜９ＭＰａであることは明らかであるから、上記審判請求書における「Ｄｐ端熱応力を６ＭＰａ以下に抑えることができる」との主張と、矛盾している。
　したがって、請求人の上記審判請求書の主張を採用することはできない。
　
（４）ところで、そもそも請求人は、本願明細書や審判請求書に開示した実験結果から、シリコン基板の厚さとして「２００〜５００μｍ」が適切であることを見出したと主張するが、当該実験自体にも、以下の（ア）、（イ）のとおり実験の開示としては不適切な点が見受けられるので、当該実験データの開示のみから、シリコン基板の厚さとして「２００〜５００μｍ」が適切であるとの結論を得るには、技術的な裏付けが不十分である。
　
（ア）本願明細書に開示される実験に用いた基板の材料について、一切開示されていない。
　本願明細書の段落【００６０】〜【００６１】に開示される実験条件には、どのような基板材料を用いたかは、一切開示されていない。たとえ、本願明細書の段落【００４２】において、基板材料としてシリコンを用いることが示唆されていたとしても、上記実験に用いた基板の材料がシリコンであるとは認定できない。また、実験結果がシリコン特有のものであるとも記載されていないし、上記実験は、基板材料を変えて効果を検証したものでもない。
　してみれば、図１６〜２１に開示した実験結果が、基板の厚さとして２００〜５００μｍが良好な結果を示すものとしても、それが、「シリコン基板」の厚さとして適切である、との保証はない。
　
（イ）本願明細書に開示される実験に用いた基板における、基板自体の外形寸法やダイヤフラムの外形寸法等、厚さ以外の寸法パラメータが、一切開示されていない。
　本願発明において、外縁域βに生じる熱応力が、外縁域βの幅の大きさの影響を受けることは、技術的に見ても明らかである。しかしながら、外縁域βの幅を決定する基板の外形寸法及びダイヤフラムの外形寸法は、本願明細書及び審判請求書に開示される実験の条件として、一切開示されていない。そして、これらの外形寸法が開示されないと、熱応力に関する実験結果の検証は、正しくできないはずである。
　
　してみれば、どのようなセンサ外形寸法において「２００〜５００μｍ」の基板厚が最適だと言えるのか不明であるし、あらゆる外形寸法に対して「２００〜５００μｍ」の基板厚が最適であるとは、保証できない。
　
　なお、請求人は、審判請求書において新たな実験結果を提示して、「ダイヤフラム厚：Ｄ２」や「空孔：Ｄ３」の条件を変えても「２００〜５００μｍ」が最適である旨を主張しているが、これらの実験においても、基板の材料や外形寸法が不明である点に、変わりはない。
　
８　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。