【事件の表示】
　特願２００４−　　７３２５「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２８日出願公開、特開２００５−２０３５２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年１月１４日の出願であって、平成２１年８月３１日付け及び平成２２年１月８日付けで手続補正がなされ、平成２２年４月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１１日に拒絶査定不服審判請求がされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２３年６月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年９月５日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項２に係る発明は次のとおりである。
　
「　アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層（０＜Ｙ１＜０．２および０＜Ｚ１＜０．５）からなる井戸層、アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層（０＜Ｙ２＜０．２および０＜Ｚ２＜０．５）からなるバリア層、及びＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層（０＜Ｙ３＜０．２および０＜Ｚ３＜０．５）からなるバリア層を含む発光領域と、
　ｐ型ドーパント添加の第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層と、
　前記発光領域上に堆積されており、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層と、
　前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層に接して設けられたｐ型コンタクト層と、
　III族窒化物から成る支持基体と
を備え、
　前記発光領域は、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、及び前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層を含む多重量子井戸構造を有し、前記多重量子井戸構造において、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層に接しており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層に接しており、
　前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく、
　前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく、
　前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層、および前記ｐ型コンタクト層は、前記支持基体上にこの順に配置され、
　前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層の厚さは、５ｎｍ以上であり５０ｎｍ以下であり、
　前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層は、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層と前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層との間に設けられ、
　前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層上に堆積され、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層上に堆積され、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、
　前記第２のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と前記発光領域との間の境界におけるｐ型ドーパント濃度が３×１０１８ｃｍ−３より小さく、前記発光領域は前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層を介して到達したｐ型ドーパントを含み、
　前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層との境界におけるｐ型ドーパント濃度が１×１０１９ｃｍ−３より大きく、
　前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層におけるｐ型ドーパントプロファイルは、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記発光領域に向かって単調に減少している、半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第０２／０９７９０４号（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（なお、かっこ書きで和訳を付した。）。
　
（１）「
Field of the Invention
　This invention relates to microelectronic devices and fabrication methods therefor, and more particularly to structures which may be utilized in Group III nitride semiconductor devices, such as light emitting diodes (LEDs). 」（第１頁第１２〜１５行）
　（
発明の分野
　本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイスおよびその製造方法に関し、より詳細には、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）のようなＩＩＩ族窒化物半導体デバイスに用いることができる構造に関する。）
　
（２）「　Embodiments of the present invention will be described with reference to Figure 1 that illustrates a light emitting diode (LED) structure 40. The LED structure 40 of Figure 1 includes a substrate 10, which is preferably 4H or 6H n-type silicon carbide. Substrate 10 may also comprise sapphire, bulk gallium nitride or another suitable substrate. Also included in the LED structure 40 of Figure 1 is a layered semiconductor structure comprising gallium nitride-based semiconductor layers on substrate 10. Namely, the LED structure 40 illustrated includes the following layers: a conductive buffer layer 11, a first silicon-doped GaN layer 12, a second silicon doped GaN layer 14, a superlattice structure 16 comprising alternating layers of silicon-doped GaN and/or InGaN, an active region 18, which may be provided by a multi-quantum well structure, an undoped GaN and/or AlGaN layer 22, an AlGaN layer 30 doped with a p-type impurity, and a GaN contact layer 32, also doped with a p-type impurity. The structure further includes an n-type ohmic contact 23 on the substrate 10 and a p-type ohmic contact 24 on the contact layer 32. 
・・・
　In certain embodiments of the present invention, the active region 18 may comprise a single or multi-quantum well structure as well as single or double heterojunction active regions. In particular embodiments of the present invention, the active region 18 comprises a multi-quantum well structure that includes multiple InGaN quantum well layers separated by barrier layers (not shown in Figure 1). 
　Layer 22 is provided on active region 18 and is preferably undoped GaN or AlGaN between about 0 and 120 A thick inclusive. As used herein, undoped refers to a not intentionally doped. Layer 22 is preferably about 35 A thick. If layer 22 comprises AlGaN, the aluminum percentage in such layer is preferably about 10-30% and most preferably about 24%. The level of aluminum in layer 22 may also be graded in a stepwise or continuously decreasing fashion. ・・・
　An AlGaN layer 30 doped with a p-type impurity such as magnesium is provided on layer 22. The AlGaN layer 30 may be between about 0 and 300 A thick inclusive and is preferably about 130 A thick. A contact layer 32 of p-type GaN is provided on the layer 30 and is preferably about 1800 A thick. Ohmic contacts 24 and 25 are provided on the p-GaN contact layer 32 and the substrate 10, respectively. 」（第９頁第１６行〜第１１頁第３１行）
　（　発光ダイオード（ＬＥＤ）構造４０を示す図１を参照して、本発明の実施形態を説明する。図１のＬＥＤ構造は基板１０を含む。基板１０は、好ましくは４Ｈまたは６Ｈのｎ型炭化ケイ素である。また基板１０は、サファイア、バルク状窒化ガリウム、または他の好適な基板からなっていてもよい。また図１のＬＥＤ構造４０に含まれているのは、基板１０上の窒化ガリウム系半導体層をベースとする層状の半導体構造である。すなわち、示されたＬＥＤ構造４０には、以下の層が含まれている：導電性バッファ層１１、第１のシリコンドープＧａＮ層１２、第２のシリコンドープＧａＮ層１４、シリコンドープＧａＮおよび／またはＩｎＧａＮの交互層を含む超格子構造１６、多重量子井戸構造として与えることができる活性層１８、アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０、やはりｐ型不純物がドープされたＧａＮコンタクト層３２。この構造にはさらに、基板１０上のｎ型オーミックコンタクト２３と、コンタクト層３２上のオーミックコンタクト２４とが含まれる。
・・・
　本発明のある実施形態においては、活性領域１８は、単一または多重の量子井戸構造とともに、単一または二重のヘテロ接合活性領域からなっていてもよい。本発明の特定の実施形態においては、活性領域１８は、バリア層によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層からなる多重量子井戸構造からなる（図１では示さず）。
　層２２は活性領域１８上に設けられており、好ましくは、約０と１２０Åとの間の厚み（０と１２０も含めて）のアンドープのＧａＮまたはＡｌＧａＮである。本明細書では、アンドープというのは、意図的にドープされているわけではないことを示す。層２２は好ましくは約３５Åの厚みである。層２２がＡｌＧａＮからなる場合、このような層におけるアルミニウムの割合は好ましくは、約１０〜３０％であり、最も好ましくは約２４％である。また層２２内のアルミニウムレベルは、段階的にまたは連続的に減少するように、勾配がつけられていてもよい。・・・
　マグネシウムのようなｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０を、層２２上に設ける。ＡｌＧａＮ層３０は、約０と３００Åとの間の厚み（０と３００も含めて）であってもよく、好ましくは約１３０Åの厚みである。ｐ型ＧａＮのコンタクト層３２は、層３０上に設けられ、好ましくは、約１８００Åの厚みである。オーミックコンタクト２４と２５とを、ｐ型ＧａＮコンタクト層３２と基板１０との上に、それぞれ設ける。）
　
（３）「　Figure 2 illustrates further embodiments of the present invention incorporating a multi-quantum well active region. The embodiments of the present invention illustrated in Figure 2 include a layered semiconductor structure 100 comprising gallium nitride-based semiconductor layers grown on a substrate 10. As described above, the substrate 10 may be SiC, sapphire or bulk gallium nitride. As is illustrated in Figure 2, LEDs according to particular embodiments of the present invention may include a conductive buffer layer 11, a first silicon-doped GaN layer 12, a second silicon doped GaN layer 14, a superlattice structure 16 comprising alternating layers of silicon-doped GaN and/or InGaN, an active region 125 comprising a multi-quantum well structure, an undoped GaN or AlGaN layer 22, an AlGaN layer 30 doped with a p-type impurity, and a GaN contact layer 32, also doped with a p-type impurity. 
・・・
　The active region 125 comprises a multi-quantum well structure that includes multiple InGaN quantum well layers 120 separated by barrier layers 118. The barrier layers 118 comprise InxGal-xN where 0lt;Xlt;1. Preferably the indium composition of the barrier layers 118 is less than that of the quantum well layers 120, so that the barrier layers 118 have a higher bandgap than quantum well layers 120. The barrier layers 118 and quantum well layers 120 may be undoped (i. e. not intentionally doped with an impurity atom such as silicon or magnesium). ・・・
　In further embodiments of the present invention, the barrier layers 118 comprise AIXInYGa1-X-YN where 0＜X＜1, 0≦Y＜1 and X+Y≦1. By including aluminum in the crystal of the barrier layers 118, the barrier layers 118 may be lattice- matched to the quantum well layers 120, thereby providing improved crystalline quality in the quantum well layers 120, which increases the luminescent efficiency of the device. 」（第１１頁第３２行〜第１３頁第３行）
　（　図２に、多重量子井戸活性領域を取り入れた本発明のさらなる実施形態を示す。図２に示した本発明の実施形態は、基板１０上に成長させた窒化ガリウム系半導体層を含む層状の半導体構造１００を含む。前述したように、基板１０は、ＳｉＣ、サファイア、またはバルク状窒化ガリウムであってもよい。図２に示したように、本発明の特定の実施形態によるＬＥＤは、導電性バッファ層１１、第１のシリコンドープＧａＮ層１２、第２のシリコンドープＧａＮ層１４、シリコンドープＧａＮおよび／またはＩｎＧａＮの交互層からなる超格子構造１６、多重量子井戸構造を含む活性領域１２５、アンドープＧａＮまたはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０、同様にｐ型不純物がドープされたＧａＮコンタクト層３２を含んでいてもよい。
・・・
　活性領域１２５は、バリア層１１８によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層１２０からなる多重量子井戸構造からなる。バリア層１１８は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなる。好ましくは、バリア層１１８のインジウム組成は、量子井戸層１２０のそれよりも低い。その結果、バリア層１１８は、量子井戸層１２０よりもバンドギャップが大きい。バリア層１１８と量子井戸層１２０とは、アンドープ（すなわち、シリコンまたはマグネシウムなどの不純物原子が意図的にドープされているわけではない）であってもよい。・・・
　本発明のさらなる実施形態においては、バリア層１１８は、ＡｌＸＩｎＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（ここで０＜Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、Ｘ＋Ｙ≦１）からなる。バリア層１１８の結晶中にアルミニウムを含むことによって、バリア層１１８は、量子井戸層１２０と格子整合することができる。その結果、量子井戸層１２０の結晶品質が向上し、デバイスの発光効率が上がる。）
　
（４）図２に示された「アンドープＧａＮまたはＡｌＧａＮ層２２」は、活性領域１２５上に設けられたものであり、また、図１に示された「アンドープのＧａＮまたはＡｌＧａＮ層２２」と同じ符号を付したものであるから、図１のものと同様、「好ましくは、約０と１２０Åとの間の厚み（０と１２０も含めて）」のものであるといえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「バルク状窒化ガリウムからなっていてもよい基板１０上に、導電性バッファ層１１、第１のシリコンドープＧａＮ層１２、第２のシリコンドープＧａＮ層１４、シリコンドープＧａＮおよび／またはＩｎＧａＮの交互層を含む超格子構造１６、多重量子井戸構造を含む活性領域１２５、アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０、やはりｐ型不純物がドープされたＧａＮコンタクト層３２、及びコンタクト層３２上にオーミックコンタクト２４とが含まれる半導体構造１００であって、
　活性領域１２５は、バリア層１１８によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層１２０からなる多重量子井戸構造からなり、バリア層１１８は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなり、好ましくは、バリア層１１８のインジウム組成は、量子井戸層１２０のそれよりも低く、その結果、バリア層１１８は、量子井戸層１２０よりもバンドギャップが大きく、バリア層１１８と量子井戸層１２０とは、アンドープであってもよく、さらなる実施形態においては、バリア層１１８は、ＡｌＸＩｎＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（ここで０＜Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、Ｘ＋Ｙ≦１）からなり、
　層２２は、活性領域１２５上に設けられており、好ましくは、約０と１２０Åとの間の厚み（０と１２０も含めて）のアンドープのＧａＮまたはＡｌＧａＮであり、層２２がＡｌＧａＮからなる場合、このような層におけるアルミニウムの割合は好ましくは、約１０〜３０％である、半導体構造１００。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「（バルク状窒化ガリウムからなっていてもよい）基板１０」、「（ｐ型不純物がドープされた）ＧａＮコンタクト層３２」及び「半導体構造１００」は、それぞれ、本願発明の「（III族窒化物から成る）支持基体」、「（前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層に接して設けられた）ｐ型コンタクト層」及び「半導体発光素子」に相当する。
（２）引用発明は、「・・・基板１０上に、・・・多重量子井戸構造を含む活性領域１２５、アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０、やはりｐ型不純物がドープされたＧａＮコンタクト層３２・・・とが含まれる」ものであり、引用発明の「アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２」は、「活性領域１２５」上に堆積され、「ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０」よりもｐ型ドーパント濃度が小さいといえるから、引用発明の「ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０」及び「アンドープＡｌＧａＮ層２２」は、それぞれ、本願発明の「（ｐ型ドーパント添加の）第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層」及び「（前記発光領域上に堆積されており、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する）第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層」に相当する。
（３）引用発明の「活性領域１２５」は、「バリア層１１８によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層１２０からなる多重量子井戸構造からなり」、「バリア層１１８」は、「ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなり」、「好ましくは、バリア層１１８のインジウム組成は、量子井戸層１２０のそれよりも低く、その結果、バリア層１１８は、量子井戸層１２０よりもバンドギャップが大きく、バリア層１１８と量子井戸層１２０とは、アンドープであってもよ」いから、
　ア　引用発明の「ＩｎＧａＮ量子井戸層１２０」は、本願発明の「アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層（０＜Ｙ１＜０．２および０＜Ｚ１＜０．５）からなる井戸層」と、「アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層」である点で一致し、
　イ　引用発明の「（ＩｎＧａＮ量子井戸層１２０の基板１０側の、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなる）バリア層１１８」は、本願発明の「アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層（０＜Ｙ２＜０．２および０＜Ｚ２＜０．５）からなるバリア層」と、「アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層」である点で一致し、
　ウ　引用発明の「（ＩｎＧａＮ量子井戸層１２０のＡｌＧａＮ層２２側の、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなる）バリア層１１８」は、本願発明の「ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層（０＜Ｙ３＜０．２および０＜Ｚ３＜０．５）からなるバリア層」と、「III族窒化物半導体層からなるバリア層」である点で一致し、
　エ　引用発明の「（バリア層１１８によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層１２０からなる多重量子井戸構造からなる）活性領域１２５」は、本願発明の「アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層（０＜Ｙ１＜０．２および０＜Ｚ１＜０．５）からなる井戸層、アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層（０＜Ｙ２＜０．２および０＜Ｚ２＜０．５）からなるバリア層、及びＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層（０＜Ｙ３＜０．２および０＜Ｚ３＜０．５）からなるバリア層を含む発光領域」と、「アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層、及びIII族窒化物半導体層からなるバリア層を含む発光領域」である点で一致する。また、
　オ　引用発明の「活性領域１２５は、バリア層１１８によって分離された複数のＩｎＧａＮ量子井戸層１２０からなる多重量子井戸構造からなり、バリア層１１８は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（ここで０≦Ｘ＜１）からなり、好ましくは、バリア層１１８のインジウム組成は、量子井戸層１２０のそれよりも低く、その結果、バリア層１１８は、量子井戸層１２０よりもバンドギャップが大きく、バリア層１１８と量子井戸層１２０とは、アンドープであってもよく」との事項と、本願発明の「前記発光領域は、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、及び前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層を含む多重量子井戸構造を有し、前記多重量子井戸構造において、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層に接しており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層に接しており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく」との事項とは、「前記発光領域は、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層、及び前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層を含む多重量子井戸構造を有し、前記多重量子井戸構造において、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層は前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層に接しており、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層は前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層に接しており、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層のバンドギャップは前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層のバンドギャップより小さく、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層のバンドギャップは前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層のバンドギャップより小さく」との点で一致する。
（４）引用発明の「層２２」は、「約０と１２０Åとの間の厚み（０と１２０も含めて）のアンドープのＧａＮまたはＡｌＧａＮであ」るから、引用発明は、本願発明の「前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層の厚さは、５ｎｍ以上であり５０ｎｍ以下であり」との事項を備える。
（５）上記（１）及び（２）を踏まえると、引用発明の「基板１０上に、・・・多重量子井戸構造を含む活性領域１２５、アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０、やはりｐ型不純物がドープされたＧａＮコンタクト層３２・・・とが含まれる」との事項と、本願発明の「前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層、および前記ｐ型コンタクト層は、前記支持基体上にこの順に配置され」との事項とは、「前記アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、前記III族窒化物半導体層からなるバリア層、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層、および前記ｐ型コンタクト層は、前記支持基体上にこの順に配置され」との点で一致する。
（６）上記（１）及び（２）を踏まえると、引用発明の「基板１０上に、・・・多重量子井戸構造を含む活性領域１２５、アンドープＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ層２２、ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ層３０・・・とが含まれる」との事項と、本願発明の「前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層は、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層と前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層との間に設けられ」との事項とは、「前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層は、前記半導体層からなる井戸層と前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層との間に設けられ」との点で一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「　アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層、及びIII族窒化物半導体層からなるバリア層を含む発光領域と、
　ｐ型ドーパント添加の第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層と、
　前記発光領域上に堆積されており、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層と、
　前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層に接して設けられたｐ型コンタクト層と、
　III族窒化物から成る支持基体と
を備え、
　前記発光領域は、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層、及び前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層を含む多重量子井戸構造を有し、前記多重量子井戸構造において、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層は前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層に接しており、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層は前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層に接しており、
　前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層のバンドギャップは前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる（支持基体側の）バリア層のバンドギャップより小さく、
　前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層のバンドギャップは前記III族窒化物半導体層からなる（第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層側の）バリア層のバンドギャップより小さく、
　前記アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層、前記アンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層、前記III族窒化物半導体層からなるバリア層、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層、および前記ｐ型コンタクト層は、前記支持基体上にこの順に配置され、
　前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層の厚さは、５ｎｍ以上であり５０ｎｍ以下であり、
　前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層は、前記半導体層からなる井戸層と前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層との間に設けられている、半導体発光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　本願発明では、発光領域のアンドープ（III族窒化物）半導体層からなる井戸層がＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ（０＜Ｙ１＜０．２および０＜Ｚ１＜０．５）であり、アンドープ（III族窒化物）半導体層からなるバリア層がＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ（０＜Ｙ２＜０．２および０＜Ｚ２＜０．５）であり、（III族窒化物）半導体層からなるバリア層がＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ（０＜Ｙ３＜０．２および０＜Ｚ３＜０．５）であり、前記発光領域は、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、及び前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層を含む多重量子井戸構造を有しており、前記多重量子井戸構造において、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層に接しており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層に接しており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層のバンドギャップは前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層のバンドギャップより小さく、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層、および前記ｐ型コンタクト層は、前記支持基体上にこの順に配置され、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層は、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層と前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層との間に設けられており、前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層上に堆積され、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層上に堆積され、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されているのに対し、引用発明では、発光領域のアンドープIII族窒化物半導体層からなる井戸層がＩｎＧａＮであり、アンドープIII族窒化物半導体層からなるバリア層がＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦＜Ｘ＜１）であり、III族窒化物半導体層からなるバリア層がＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦＜Ｘ＜１）であり、前記発光領域は前記ＩｎＧａＮ半導体層の多重量子井戸構造からなっており、また、前記井戸層及びバリア層が貫通転位の位置にピットが形成されているのか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　本願発明では、第２のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と発光領域との間の境界におけるｐ型ドーパント濃度が３×１０１８ｃｍ−３より小さく、前記発光領域は第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層を介して到達したｐ型ドーパントを含み、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層との境界におけるｐ型ドーパント濃度が１×１０１９ｃｍ−３より大きく、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層におけるｐ型ドーパントプロファイルは、前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記発光領域に向かって単調に減少しているのに対し、引用発明では、第２のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と発光領域との間の境界におけるｐ型ドーパント濃度、及び、第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層と前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層との境界におけるｐ型ドーパント濃度の具体的な値が明らかではなく、発光領域は第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層を介して到達したｐ型ドーパントを含むか否かが明らかではなく、また、前記第２のＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ半導体層におけるｐ型ドーパントプロファイルが前記第１のＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ半導体層から前記発光領域に向かって単調に減少しているのか否かも明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
（１）相違点１について　
　ア　III族窒化物半導体層からなる発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造を構成する量子井戸層及びバリア層をそれぞれＩｎＡｌＧａＮからなる半導体層で構成することは本願の出願時点で周知であるところ（必要なら、国際公開第０３／０６５４６４号（第１０頁第１１行〜第１１頁第１４行）、国際公開第０３／１０３０６２号（第６頁下から３行目〜第７頁第４行）、特開２００３−８６８４０号公報（【００３５】）、特開２００２−３３５０５２号公報（【０１１７】）参照。）、引用発明に当該周知技術を適用し、その「量子井戸層」及び「バリア層」をＩｎＡｌＧａＮからなる半導体層で構成するようになし、その結果、当該「量子井戸層」のバンドギャップが「バリア層」のバンドギャップより小さいものとする等することは、当業者が容易になし得ることである。そして、その際、そのそれぞれのＩｎ比（Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３）及びＡｌ比（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３）の値をどの程度とするかは、当業者が前記周知技術を引用発明に適用する上で設計上適宜に定めるべき事項であり、その値を０＜Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３＜０．２、０＜Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３＜０．５と定めることは当業者が適宜になし得ることである。
　イ　また、本願発明の「前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ２ＡｌＺ２Ｇａ１−Ｙ２−Ｚ２Ｎ半導体層上に堆積され、前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成されており、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層は前記アンドープＩｎＹ１ＡｌＺ１Ｇａ１−Ｙ１−Ｚ１Ｎ半導体層上に堆積され、前記ＩｎＹ３ＡｌＺ３Ｇａ１−Ｙ３−Ｚ３Ｎ半導体層には、貫通転位の位置にピットが形成され」との点に関し、本願明細書には、以下のような記載がある。
　「【００３６】
　ＩｎＡｌＧａＮ半導体層の表面にはピットが存在する。該ピットは貫通転位の位置に形成される。このＩｎＡｌＧａＮ半導体層上に比較的高い濃度のｐ型ドーパントを含むＡｌＧａＮ半導体層を堆積すると、ｐ型ドーパントが、該ピットのためｐ型ＡｌＧａＮ半導体層から発光領域に拡散する。しかしながら、比較的高い濃度のｐ型ドーパントを含むＡｌＧａＮ半導体層に替えて、相対的に低い濃度のＡｌＧａＮ半導体層をＩｎＡｌＧａＮ半導体層上に設けることによって、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層に導入されるｐ型ドーパント数を小さくすることができる。また、発光領域上に低不純物の半導体領域を得ることができると共に、第２のＡｌＧａＮ半導体層には第１のＡｌＧａＮ半導体層からドーパントが拡散されて抵抗が小さい半導体領域を得る。」
　本願明細書の上記記載によれば、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層の表面にはピットが存在し、該ピットは貫通転位の位置に形成されるものと認められる。
　しかるところ、引用発明に上記周知技術を適用したものは、そのバリア層及び量子井戸層がＩｎＡｌＧａＮからなる半導体層で構成されたものであり、本願明細書の上記記載によれば、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層で構成された当該バリア層及び量子井戸層の各表面にも、本願発明と同様に、貫通転位の位置にピットが形成されているものと理解される。したがって、引用発明に上記周知技術を適用したものは、本願発明の上記の点を満たすもの認められる。
　ウ　上記ア及びイを踏まえれば、引用発明に上記周知技術を適用して、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
（２）相違点２について
　引用発明の「活性領域（活性層）１８（１２５）」及び「ＡｌＧａＮ層２２」はアンドープであり、「ＡｌＧａＮ層３０」はｐ型不純物がドープされたものであって、前記「ＡｌＧａＮ層２２」と「活性領域（活性層）１８（１２５）」との間の境界におけるｐ型ドーパント濃度が、「ＡｌＧａＮ層３０」と「ＡｌＧａＮ層２２」との境界におけるｐ型ドーパント濃度より小さいことは明らかであるところ、引用発明において、「ＡｌＧａＮ層３０」のｐ型不純物の濃度をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明を実施する上で適宜に定めるべき設計的事項である。よって、その値を適宜に設定して、その結果、「ＡｌＧａＮ層２２」と「活性領域（活性層）１８（１２５）」との間の境界におけるｐ型ドーパント濃度を３×１０１８ｃｍ−３以下となすとともに、前記「活性領域（活性層）１８（１２５）」が「ＡｌＧａＮ層３０」から前記「ＡｌＧａＮ層２２」を介して到達したｐ型不純物を含むものとなし、前記「ＡｌＧａＮ層３０」と「ＡｌＧａＮ層２２」との境界におけるｐ型不純物濃度を１×１０１９ｃｍ−３より大きいものとなし、さらに、前記「ＡｌＧａＮ層２２」におけるｐ型不純物プロファイルが前記「ＡｌＧａＮ層３０」から前記「活性領域（活性層）１８（１２５）」に向かって単調に減少しているようになして、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
（３）また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
（４）したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。