Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
分離および/または後続の測定のために、分離媒体を、誘電性または導電性の担体、例えば、ガラス、石英またはプラスチック、金属酸化物および金属に対して塗布することができる。ＵＶ放射を反射する材料、例えば研磨された金属プレートまたは金属被覆されたプラスチックプレートが、この目的のために特に適している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
構成要素（ｅ）は、不都合なバックグラウンド放射光および/または散乱放射光を除くための光学フィルタであってもよく、フィルタは、プレート（８）とＵＶ検出器との間の光線経路上に配置される。励起光の波長を設定するためおよびＵＶ光源から発生した不都合な放射光を除くために、光学フィルタを使用することもできる。この構成要素は、偏光または励起光の集光のためのミラー、プリズムまたは回折エレメントであってもよい。放射光を導くまたは収束させるために用いられるレンズまたはレンズシステムも適している。球面レンズは、レーザ光線を拡大するために用いることができる。感度を増大させるための光増幅器（残留光増幅器）を用いることもできる。規定された時間間隔での照射を可能にする制動エレメントも、ＵＶ光源とプレート（８）との間に配置することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
周波数多重化の原理を利用した、様々な波長に対して市販されているＵＶレーザを、有利に本発明の方法に対して用いることができる。このレーザは、連続レーザまたはパルスレーザであってもよい。パルスレーザは、特に異なるパルス長のものが適しており、マイクロ秒〜フェトム秒の範囲であってもよく、公知である。励起された蛍光放射は、個々のパルス間に本質的に存在する寿命を有しており、ＵＶ検出器にわずかな励起放射しか当たらない、または励起放射が当たらないということを意味することから、フェトム秒の範囲にある短いパルス長が、特に有利である。励起放射は、９０°よりも小さな角度でプレート（８）の面に対して放射されると有利である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施例２：感度の測定
実施例１に記載の装置を使用した。Invitrogen １Ｄゲルプレート（カールスルーエ、ドイツ、NOVEX１２％トリスグリシンゲル、孔数（well）１２または１０、厚み１mm、No. EC60052またはEC6005）（様々な分子量のたんぱく質を装填）（リゾチーム（１４．６kDa、トリ）、ウシ・アンヒドラーゼ（２９kDa）、ＧＡＰＤＨ（ウサギ、３６kDa）、ＢＳＡ（ウシ、６６kDa）およびホスホリラーゼ（ウサギ、９７．４kDa））［小腔（lacuna）］）を用いた。ゲルへの装填後、５００、２５０、１００、５０、２５、１０、５および１ngが、帯域ごと（たんぱく質ごと）に存在するように、これらのたんぱく質を同量混合し、ＳＤＳバッファ（ＮＯＶＥＸトリスグリシンＳＤＳ変性試料バッファＬＣ２６７６）で希釈した。分離は、［Laemmli U.K.、1970、Nature 227、680〜685］にしたがって行った（泳動バッファはＮＯＶＥＸトリスグリシンＳＤＳ泳動バッファＬＣ２６７５）。試料は、５０Ｖの一定電圧で１０分間で移動させ、溶媒前面（試料バッファ中に存在するブロモフェニルブルー）が低いほうのゲル端部に到達するまで、ゲルを移動させることができた（１４５Ｖ一定で、約１．５時間）。
分離後、たんぱく質を、実施例１に記載したようにゲル中で固定させた。さらに、測定前に、ゲルを４５分間、３回蒸留した水５０ml中で洗浄し、鋼製プレート上に配置し、石英ガラスプレートでカバーした。
分離後、分離された領域を、実施例１に記載の手順にしたがって、ならびに銀標識化の方法およびクマシーブルーによる染色方法にしたがって視覚化し、比較した。実施例１に記載の手順にしたがって得られた感度では、１〜５ngの検出限界が得られ、これは、銀標識化法による検出限界に匹敵する。クマシーブルーを使用した方法では、検出限界は１０〜５０ngであった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整合面を有する集積回路と、
前記整合面上に堆積された磁気遮蔽層であって、前記集積回路により生成される電磁信号を吸収する磁気遮蔽層と、
前記集積回路と実質的に整列するように、前記磁気遮蔽層上に堆積された磁気検知層と、
を含む磁気検知装置。
【請求項２】
前記整合面上に堆積された前記磁気遮蔽層は、約１００〜５００オングストロームの厚みを有するパーマロイ（商標）材料の層である、請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項３】
前記整合面上に堆積された前記磁気遮蔽層は、約１００〜５００オングストロームの厚みを有するミューメタル材料の層である、請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項４】
前記磁気遮蔽層上に堆積された前記磁気検知層は、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）膜である、請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項５】
前記磁気遮蔽層上に堆積された前記磁気検知層は、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）膜である、請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項６】
前記磁気遮蔽層上に堆積された前記磁気検知層は、２００オングストロームより小さい厚みを有する、請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項７】
前記集積回路と前記磁気検知層との間に堆積された誘電体層を、
さらに含む請求項１に記載の磁気検知装置。
【請求項８】
前記磁気検知層が、前記集積回路の真上にくるように前記磁気遮蔽層上に堆積されている、請求項１に記載の磁気検知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置のタッチ面へのタッチ位置を決定するのに使用するための薄面容量性タッチ画面であって、
誘電体裏当て層と、
複数のセンサバーを備え、前記誘電体裏当て層に配置された容量性タッチセンサ回路と、
タッチ表面を備えた薄い誘電体膜であって、０．７５ｍｍ（０．０３０インチ）以下の厚さであり誘電体裏あて層と反対側のセンサ回路層に配置された薄い誘電体膜と、
を備える薄面容量性タッチ画面。
【請求項２】
前記センサバーがほぼ平行に配置される、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項３】
前記薄い誘電体膜がポリカーボネート材料を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項４】
前記薄い誘電体膜がアクリル材料を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項５】
前記薄い誘電体膜がポリエステル膜を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項６】
前記薄い誘電体膜が、スプレーによってセンサ回路上に配置されるように適合される誘電体化合物を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項７】
前記薄い誘電体膜が、直接塗布、接合、積層、スプレー、スパッタリング、およびゾル・ゲル法のうちの選択された１つによってセンサ回路上に配置される、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項８】
前記画面がほぼ透明である、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項９】
前記画面がほぼ不透明である、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項１０】
前記薄い誘電体膜が、反射防止コーティング、まぶしさ防止コーティング、および着色のうちの選択された１つをさらに含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項１１】
前記誘電体裏当て層が表示面の一部を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項１２】
前記誘電体層が二酸化けい素を含む、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項１３】
前記容量性タッチセンサ回路は、
（ａ）前記センサ回路のバーへ印加するための電界を受け、
（ｂ）前記タッチを受け、
（ｃ）少なくとも１つのセンサバーへの前記タッチに起因する電界の変調を表す信号を発生し、
（ｄ）信号を戻す
タスクを実行するように動作し、前記信号は前記タッチ位置を決定するために使用するのに適当である、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【請求項１４】
さらにそこを通し見ることができる表示装置を有する、請求項１に記載の薄面容量性タッチ画面。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層を備える限定再生式光媒体であって、
（ａ）第１基板層（２２）と、
（ｂ）データ層（２５）と、
（ｃ）反射層（２４）、
（ｄ）還元状態と酸化状態を有する色素を含有し、さらに前記色素を酸化状態から還元状態に転換する作用をなす還元剤を酸化形態で含有する反応性層（２３；３２，３３）と、
（ｅ）第２基板層（２１）と
をこの順で備え、
還元状態の色素が光媒体の読み取りに用いる波長の光に実質的に透明であり、酸化状態の色素が光媒体の読み取りに用いる波長の光を吸収し、反射層（２４）が酸化形態の還元剤による有意な酸化を受けない金属又は金属合金から形成されている、限定再生式光媒体。
【請求項２】
還元状態の色素がロイコメチレンブルーである、請求項１記載の光媒体。
【請求項３】
還元剤が２−エチルヘキサン酸錫（ＩＩ）である、請求項１又は請求項２記載の光媒体。
【請求項４】
反射金属層が金又は銀から形成されている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光媒体。
【請求項５】
第１及び第２基板がポリカーボネートを含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の光媒体。
【請求項６】
反応性層が接着剤を含有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光媒体。
【請求項７】
反応性層が、色素を含有する反応性被膜（３３）と接着剤層（３２）との２つの層を含む、請求項６記載の光媒体。
【請求項８】
反射層を構成する金属又は金属合金の酸化還元電位が、使用した酸化形態の還元剤の酸化還元電位と０．３５Ｖ以上異なる、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の光媒体。
【請求項９】
金属又は金属合金から形成された反射層と、還元状態と酸化状態を有する色素を含有し、さらに前記色素を酸化状態から還元状態に転換する作用をなす還元剤を酸化形態で含有する反応性層とを備える限定再生式光媒体の保存寿命を延長する方法であって、
前記金属又は金属合金を酸化形態の還元剤による有意な酸化を受けない金属及び金属合金から選択する、光媒体の保存寿命を延長する方法。
【請求項１０】
金属又は金属合金から形成された反射層を備える限定再生式光媒体を、反射層からの初期反射率が７０％以上、好ましくは７５％以上となるように製造する工程を含む、限定再生式光媒体の再生時間を長くする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１に、従来周知のタイプの無制限再生式ＤＶＤの層構造を示す。ＤＶＤは第１及び第２外側ポリカーボネート層１及び２（当業界でＬ０及びＬ１と称することもある）、接着剤層３及びアルミニウム層４を有する。ディスクの再生時には、レーザ光がポリカーボネート層Ｌ０（１）から入射し、アルミニウム層３で反射される。
【特許文献】  米国特許第５８１５４８４号明細書
【特許文献】  米国特許第６０１１７７２号明細書
【特許文献】  米国特許第６３３８９３３号明細書
【特許文献】  米国特許第６３４３０６３号明細書
【特許文献】  米国特許出願公開第２００１／００４６２０４号明細書
【特許文献】  国際公開第２００２／０３９４４２号パンフレット
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
- 光ディスクに対して回転軸を定める回転手段と、
- 光ビームで光ディスクを走査するための光走査手段と、を有し、当該光走査手段が、前記光ビームを、当該光ディスク上に合焦させるための変位可能な対物レンズを有し、当該対物レンズが、軸方向に変位可能であり、かつ、光ディスクのタンジェンシャル方向を向いた軸の周りに回動可能である光ディスク・ドライブ装置内の前記光ディスクの測定場所におけるチルトを測定するための方法であって、
前記方法が、
前記対物レンズを回動させ、そして、軸方向に変位させることによって、当該対物レンズを、第1の合焦測定場所にもたらして、前記光ビームを、当該測定場所と実質的に等しい角度座標φを持ち、かつ、当該測定場所から小さな半径方向距離Dr1にある第1のアンカー点に合焦させるステップと、
前記対物レンズを変位させ、そして、回動させることによって、当該対物レンズを、第2の合焦測定場所にもたらして、前記光ビームを、当該測定場所と実質的に等しい角度座標φを持ち、かつ、当該測定場所から小さな半径方向距離Dr2にある第2のアンカー点に合焦させるステップとを有し、
当該第1および第2のアンカー点が、当該測定場所に関して互いに反対側に置かれていて、
当該対物レンズの当該2つの合焦測定場所の前記座標から、当該測定場所におけるチルトを計算するステップを、さらに有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
- 光ディスクに対して回転軸を定める回転手段と、
- 光ビームで光ディスクを走査するための光走査手段と、を有するタイプの光ディスク・ドライブ装置であって、当該光走査手段が、前記光ビームを、当該光ディスク上に合焦させるための変位可能な対物レンズを有し、当該対物レンズが、軸方向に変位可能であり、かつ、光ディスクのタンジェンシャル方向を向いた軸の周りに回動可能である前記光ディスク・ドライブ装置の前記対物レンズの動作回動角をセットするための方法であって、
[a] 初期回動オフセットを選択するステップと、
[b] 前記対物レンズを、初期合焦位置(x0, 0, z0, Ψ0)にもたらすステップと、
[c] 当該初期合焦位置(x0, 0, z0, Ψ0)に対して、位置(x0, 0, z0, Ψ0-ΔΨ1)まで、相対的に半径の小さくなる方向に、第1の角度にわたって、前記対物レンズを回動させるステップと、
[d] 第1の軸方向距離にわたって、前記対物レンズを軸方向に変位させて、前記光ビームを、前記ディスク上に再合焦させるステップと、
[e] 当該初期合焦位置(x0, 0, z0, Ψ0)に対して、位置(x0, 0, z0, Ψ0+ΔΨ2)
まで、相対的に半径の大きくなる方向に、第2の角度にわたって、前記対物レンズを回動させるステップであって、前記第2の角度が、当該第1の角度に等しいステップと、
[f] 第2の軸方向距離にわたって、前記対物レンズを軸方向に変位させて、前記光ビームを、前記ディスク上に再合焦させるステップと、
[g] 当該第1の軸方向距離を、当該第2の軸方向距離と比較するステップと、
[h1] 当該第1の軸方向距離が、一定の限度内で、当該第2の軸方向距離に実質的に等しくなければ、前記回動オフセットを再調整し、そして、ステップ[b]〜[g]を繰り返すステップと、
[h2] 当該第1の軸方向距離が、当該第2の軸方向距離に実質的に等しければ、前記回動オフセットの前記現在値に基づいて、前記対物レンズの前記動作回動角をセットするステップと、を有する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
- 光ディスクに対して回転軸を定める回転手段と、
- 光ビームで光ディスクを走査するための光走査手段と、を有するタイプの光ディスク・ドライブ装置であって、当該光走査手段が、前記光ビームを、当該光ディスク上に合焦させるための変位可能な対物レンズを有し、当該対物レンズが、軸方向に変位可能であり、かつ、光ディスクのタンジェンシャル方向を向いた軸の周りに回動可能である前記光ディスク・ドライブ装置の前記対物レンズの動作回動角をセットするための方法であって、
[a] 初期回動オフセットを選択するステップと、
[b] 前記対物レンズを、初期合焦位置(x0, 0, z0, Ψ0)にもたらすステップと、
[c] 当該初期合焦位置(x0, 0, z0, Ψ0)に対して、前記ディスクに向かって、1つの軸方向距離にわたって、前記対物レンズを軸方向に変位させるステップと、
[d] 位置(x0, 0, z0+Δz, Ψ0-ΔΨ1)まで、相対的に半径の小さくなる方向に、第1の回動角にわたって前記対物レンズを回動させて、前記光ビームを、前記ディスク上に再合焦させるステップと、
[e] 位置(x0, 0, z0+Δz, Ψ0+ΔΨ2)まで、相対的に半径の大きくなる方向に、第2の回動角にわたって前記対物レンズを回動させて、前記光ビームを、前記ディスク上に再合焦させるステップと、
[f] 当該第1の回動角を、当該第2の回動角と比較するステップと、
[g1] 当該第1の回動角が、一定の限度内で、当該第2の回動角に実質的に等しくなければ、前記回動オフセットを再調整し、そして、ステップ[b]〜[f]を繰り返すステップと、
[g2] 当該第1の回動角が、当該第2の回動角に実質的に等しければ、前記回動オフセットの前記現在値に基づいて、前記対物レンズの前記動作回動角をセットするステップと、を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
２００ｍｍのウェハを加工するためにデザインされた単一ウェハプロセスチャンバー１２のトータル容積キャパシティは、例えば、好ましくは、およそ３０リットル未満、より好ましくはおよそ２０リットル未満、さらに好ましくはおよそ１０未満である。図に示されるチャンバー１２は、およそ７．５リットルの最大容積（ｃａｐａｃｉｔｙ）を有する。しかしながら、図に示されるチャンバー１２は、ディバイダ３６、３８、ウェハホルダー２０、リング３２及びチューブ２６から流れるパージガスによって分割されるため、それを通るプロセスガスの有効容積は、総容積のおよそ半分である（図に示される実施態様においておよそ３．７７リットル）。もちろん、チャンバー１２が適合するようにデザインされたウェハのサイズによって、単一ウェハプロセスチャンバー１２の容積は異なると理解される。例えば、図に示されたタイプの単一ウェハプロセスチャンバー１２は、３００ｍｍウェハ用であるが、好ましくはおよそ１００リットル未満、より好ましくはおよそ６０リットル未満、さらに好ましくはおよそ３０リットル未満の最大容積を有する。１つの３００ｍｍウェハプロセスチャンバーは、およそ２４リットルの総容積を有し、およそ１１．８３リットルの有効加工ガス最大容積を有する。そのようなチャンバーの比較的小さな容積は、望ましくは、下記の循環するプロセスの相（ｐｈａｓｅｓ）間の迅速なチャンバーの排気又はパージを可能にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005534181.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号（１８）により、下部しきい値（ｉ1）に到達した場合にはスイッチオンし、上部しきい値（ｉ2）に到達した場合にはスイッチオフ可能な電気的に駆動可能なアクチュエータの制御要素の位置（ｘ）を決定するプロセスであって、前記下部しきい値（ｉ1）、前記上部しきい値（ｉ2）、および前記制御要素の前記位置（ｘ）に応じた前記アクチュエータの前記電気的スイッチング動作の関数としてオン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）を決定し、オン周期（ｔon）またはオフ周期（ｔoff）と、オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、の商の比較、ならびに、前記オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、対応する保存されている基準データと、の比較から前記制御要素の前記位置（ｘ）を決定するプロセス。
【請求項２】
前記アクチュエータの前記制御要素は、電磁石の電機子（１４）である請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記制御要素は、バルブ（４２）を作動させる請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記しきい値（ｉ1、ｉ2）は、事前設定可能であり、特に、保存されているプログラムによって選択および／または制御可能である請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記しきい値（ｉ1、ｉ2）への到達の監視、スイッチ（１８）のトリガ、および、前記基準データとの比較は、マイクロコントローラによって実行される請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記しきい値（ｉ1、ｉ2）への到達を監視するべく、前記アクチュエータに直列接続された抵抗器Ｒ1上の電圧信号を評価する請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記アクチュエータが接続された際に、前記保持電流を減少させる請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記アクチュエータをスイッチングする際に、前記回路電流を定格電流よりも増大させる請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
制御信号（１８）により、下部しきい値（ｉ1）に到達した場合にはスイッチオンし、上部しきい値（ｉ2）に到達した場合にはスイッチオフ可能な電気的に駆動可能なアクチュエータの制御要素の位置（ｘ）を決定する回路システム（２４）であって、前記下部しきい値（ｉ1）、前記上部しきい値（ｉ2）、および前記制御要素の前記位置（ｘ）に応じた前記アクチュエータの前記電気的スイッチング動作の関数としてオン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）を取得し、前記オン周期（ｔon）またはオフ周期（ｔoff）は、電子コンピュータユニット（２０）による計測技術手段によって取得可能であり、前記電子コンピュータユニット（２０）により、オン周期（ｔon）またはオフ周期（ｔoff）と、オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、の商の比較、ならびに、前記オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、対応する保存されている基準データと、の比較から前記制御要素の前記位置（ｘ）を決定可能である回路システム。
【請求項１０】
装置（１２）であって、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のプロセスを適用するための回路システム（２４）であって、制御信号（１８）により、下部しきい値（ｉ1）に到達した場合にはスイッチオンし、上部しきい値（ｉ2）に到達した場合にはスイッチオフ可能な電気的に駆動可能なアクチュエータの制御要素の位置（ｘ）を決定する回路システム（２４）であって、前記下部しきい値（ｉ1）、前記上部しきい値（ｉ2）、および前記制御要素の前記位置（ｘ）に応じた前記アクチュエータの前記電気的スイッチング動作の関数としてオン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）を取得し、前記オン周期（ｔon）またはオフ周期（ｔoff）は、電子コンピュータユニット（２０）による計測技術手段によって取得可能であり、前記電子コンピュータユニット（２０）により、オン周期（ｔon）またはオフ周期（ｔoff）と、オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、の商の比較、ならびに、前記オン周期（ｔon）およびオフ周期（ｔoff）の和（ｔon＋ｔoff）と、対応する保存されている基準データと、の比較から前記制御要素の前記位置（ｘ）を決定可能である回路システム（２４）、を有し、前記コンピュータユニット（２０）は、集積回路の形式であって、前記装置（１２）と組み合わせられて１つの構造的なユニットを形成している装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図３は、下部または上部しきい値ｉ1またはｉ2の領域における図２の電流変動ｉ（ｔ）の拡大図を示している。この図示の動作点においては、オン周期ｔonとオフ周期ｔoffとが得られる。これらの値を制御装置１６（図４）の電子コンピュータユニット２０によって取得し評価することにより、まず、オン周期ｔonと、オン周期ｔonおよびオフ周期ｔoffの和ｔon＋ｔoffと、の商を形成する。そして、この商を制御装置１６内の電子ストレージ手段２２内のファイル上の基準データと比較する。なお、この保存されている基準データは、関連する装置１２の設計特性を示す１つまたは複数の標本から経験的に決定されたものである。この基準データは、永久保存するか、あるいはプログラミングによって変更可能である。例えば、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）またはプログラム可能な読出し専用メモリ（ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ）を制御装置１６に組み込んだり、あるいは着脱自在に挿入することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005534189.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ(1)を提供し、
このウェハの１表面上に第１の導電型を有する第１の層(2)を形成し、
その第１の層上に真性層である第２の層(3)を形成し、
各光検出器に対して、第１の層の前記表面と反対側の第２の層の表面に第１の領域(9A)を形成し、この形成された第１の領域は第２の導電型を有しており、
このウェハを薄くするステップを含んでいるｐ-真性-ｎ型光検出器(7)のアレイ(20)を形成する方法。
【請求項２】
開口(6)を第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成し、この開口を通って第１の電気コンタクト(9B,13B,15)と第１の層を電気的に接触させるステップをさらに含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項３】
各領域を、第２の電気コンタクトの関連したもの(12,13A)と電気的に接触させ、その場合に第１および第２の電気コンタクトがアレイの同じ放射線を受けない面上に配置されるステップを含んでおり、ここで、それぞれを電気的に接触させるステップは、インジウムバンプ(13A,13B)を形成するステップを含み、さらにこのアレイを読出し集積回路(30)と混成するステップを含んでいる請求項２記載の方法。
【請求項４】
ウェハの表面上に第１の層を形成するステップは、ドープされたエピタキシャル層をこのウェハの表面上で成長させるステップおよびこのウェハの面中に第１の層を注入するステップの一方を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項５】
開口を第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成するステップは、その開口の側壁上に第１の導電型を有する第２の領域を形成し、第１の領域および第２の領域を形成するステップは、所望の化学種を第２の層中に注入するステップと所望の化学種を第２の層中に拡散するステップの少なくとも一方を含んでいる請求項２記載の方法。
【請求項６】
第１の層上に第２の層を形成するステップは、第１の層上に真性エピタキシャル層を成長させるステップを含んでおり、ここで、薄くするステップは機械的にウェハを薄くするステップおよび化学的にウェハを薄くするステップの少なくとも一方を含んでおり、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である請求項１記載の方法。
【請求項７】
薄くされた基板(1)と、
この基板の１表面上に配置された第１の導電型を有する第１の層(2)と、
その第１の層上に配置された真性層である第２の層(3)と、
各光検出器単位セルに対して第１の層の前記表面の反対側である第２の層の表面に形成された第１の領域(9A)とを具備し、この形成された領域は第２の導電型を有しており、下方の前記第１の層と共に、前記第２の真性層を介してｐ-真性-ｎ型検出器を形成し、
さらに、第２の層から少なくとも第１の層まで貫通するように形成された少なくとも１つの開口(6)と、およびこの開口を通って第１の層と電気的に接触する第１の電気コンタクト(9B,15,13B)とを具備しているｐ-真性-ｎ型光検出器単位セル(7)のアレイ(20)。
【請求項８】
さらに、各領域に対して第２の電気コンタクトの関連したもの(12,13A)を備えており、アレイを読出し集積回路に電気的に結合するために第１および第２の電気コンタクトがアレイの同じ放射線を受けない面上に配置されている請求項７記載のアレイ。
【請求項９】
前記第１の層は、前記基板の表面上で成長されたドープされたエピタキシャル層と前記基板の表面に注入された層の一方を備えている請求項７記載のアレイ。
【請求項１０】
前記第２の層は、前記第１の層上で成長させられた真性のエピタキシャル層で構成され、前記基板はシリコンウェハの薄くされた部分から成り、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である請求項７記載のアレイ。
【請求項１１】
さらに、個々の光検出器単位セルをそれぞれ取り囲む電気的に空乏にされた格子(14)を備えている請求項７記載のアレイ。
【請求項１２】
前記第１の電気コンタクトは、前記真性層の中の注入された領域または第１の導電型を有する前記真性層中の拡散された領域の一方を含んでいる請求項７記載のアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改質物流れの中の一酸化炭素の優先酸化のための装置であって、
改質物流れのための流路を画成する反応器と、
前記流路に沿って配置された少なくとも一つの触媒層と、
前記少なくとも一つの触媒層に酸素供給源から酸素を分配するための分配器と、
を備えており、
分配器は、前記少なくとも一つの触媒層の上流とその内部の一方または両方に配置された導管を備えており、この導管は、その導管の内部から前記少なくとも一つの触媒層へと酸素の流れが透過できる側壁を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
複数の孔が前記側壁を貫通して配置され、それによって、この側壁は酸素の流れが透過できることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記側壁は、酸素が選択的に透過できる材料を備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記導管は、入口と、出口と、これらの間に画成された長さとを有し、前記側壁は、出口においてよりは入口において酸素のより大きな透過性を有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記酸素の透過性は、前記入口から前記出口へと低下することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記導管は、前記流路に実質的に平行に配列されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記導管は、前記少なくとも一つの触媒層を通過することを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記導管は、前記流路に実質的に平行に配列された少なくとも二つの導管を備えることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、冷却剤を運ぶための少なくとも一つの付加的な導管をさらに備えており、この少なくとも一つの付加的な導管は、触媒層を通過しており、前記流路に実質的に平行に配置されることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記反応器は、前記流路を画成する内側シェルと、この内側シェルと外側シェルの間に環状冷却剤流路を画成するように内側シェルの周りに配置された外側シェルとを備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの触媒層は、互いの間に間隙を画成するように互いに間隔を置くとともに前記流路に沿って配置された少なくとも二つの触媒層を備えており、前記装置は、前記間隙の中へ水を注入するように配置された水注入口をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも一つの触媒層は、上流面を画成するように前記流路に沿って配置され、前記導管は、この面に実質的に平行な平面内に配列されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１３】
前記導管は、前記面に実質的に隣接することを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも一つの触媒層は、互いに間隔を置くとともに前記流路に沿って配置された複数の触媒層を備えており、それによって各触媒層は、上流面を有し、前記導管は、前記複数の触媒層の上流面に実質的に隣接して配列された複数の導管を備えることを特徴とする請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
前記複数の導管の全てに供給するための単一の酸素入口をさらに備えることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記反応器は、反応器の長さを有し、前記導管は、前記流路への入口から前記長さに沿って、前記長さの約５％と約１００％の間の長さだけ、前記流路の入口から離間した位置まで配置されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１７】
燃料電池スタックへの改質物流れの中の一酸化炭素の優先酸化のためのプロセスであって、
一酸化炭素を含有する改質物流れを提供し、
改質物流れのための流路を画成する反応器と、この流路に沿って配置された少なくとも一つの触媒層と、この少なくとも一つの触媒層に酸素供給源から酸素を分配するための分配器とを提供する、
ステップを含み、
分配器は、前記少なくとも一つの触媒層の上流とその内部の一方または両方に配置された導管を備えており、この導管は、導管の内部から前記少なくとも一つの触媒層へと酸素の流れが透過できる側壁を有しており、
このプロセスは、さらに、
前記流路に沿って改質物の流れを供給し、
前記導管を通して酸素を供給する、
ステップを含み、それによって、酸素が一酸化炭素と接触し、一酸化炭素が酸化されることを特徴とするプロセス。
【請求項１８】
前記改質物流れの供給によって、前記少なくとも一つの触媒層に亘って圧力降下が生じ、前記側壁の透過性は、前記導管に沿った酸素の実質的に一様な分配を提供するように導管に沿って低下するように選択されることを特徴とする請求項１７記載のプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005534156.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月13日(2006.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
同半導体基板を覆い、ランタン、アルミニウム、酸素及び窒素を含む誘電体層と、
同誘電体層を覆う電極層と、を備える半導体構造。
【請求項２】
第１導電層と、
同第１導電層を覆い、ランタン、アルミニウム、酸素及び窒素を含む誘電体層と、
同誘電体層を覆う第２導電層と、を備える半導体構造。
【請求項３】
半導体基板と、
同半導体基板を覆って形成される第１誘電体層と、
ランタン、アルミニウム、酸素及び窒素を含み、前記第１誘電体層を覆って形成される第２誘電体層と、
同第２誘電体層を覆う電極層と、を備える半導体構造。
【請求項４】
半導体基板と、
同半導体基板を覆い、ランタン、アルミニウム及び酸素を含む誘電体構造と、を備える半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
基本自動化部（３３）は、少なくともその都度の作動モード（３４），回転トルク制御（３９）及び回転数制御（４０）から構成されていることを特徴とする請求項６に記載の連続鋳造機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この方法をより多くの動作モードに拡張するという方法技術的な課題は、装置技術的に本発明により、油圧式に操作可能な多数のピストン−シリンダ装置を有する装置の少なくとも一部が曲げ−方向装置の前に又はこの装置の全体が曲げ−方向装置の後に配置されていることによって解決される。これらのピストン−シリンダ装置は、位置又は圧力制御されて動作可能なロールセグメントを伴う。これらのロールセグメントはそれぞれ、少なくとも１つの駆動ロールを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ構造の形成方法であって、
配線金属が堆積されたＣＭＯＳ基板を設ける工程と、
前記基板の上に、シリコン及びシリコン−ゲルマニウム合金から成るグループから選択される材料をプラズマ化学気相成長を使用してＭＥＭＳ構造を形成する工程とを備え、前記材料は約４００℃未満の温度で堆積される、方法。
【請求項２】
前記材料は約３５０℃未満の温度で堆積される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記材料は約３００℃未満の温度で堆積される請求項１記載の方法。
【請求項４】
超小型電気機械変形素子の形成方法であって、
シリコン、酸化シリコン、及び砒化ガリウムから成るグループから選択される第１材料からなる第１表面領域と、酸化シリコン及びポリイミドから成るグループから選択される第２材料からなる第２表面領域とを上面に少なくとも有したＣＭＯＳ基板を設ける工程と、
前記第１及び第２領域の少なくとも一部を覆って延伸し、及びシリコン及びシリコン−ゲルマニウム合金から成るグループから選択された第３材料から成る層を、約４５０℃未満の温度でプラズマ化学気相成長を使用して形成する工程と、
前記第２材料の少なくとも一部を前記第３材料から成る層の下方から除去することにより前記第３材料を含む超小型機械変形素子を形成する工程とを備え、前記第３材料の層は約４００℃未満の温度で形成される、方法。
【請求項５】
ＲＦ  ＭＥＭＳスイッチの形成方法であって、
上面に画定された回路を有し、及びＲＦ  ＭＥＭＳスイッチを支持する基板を設ける工程と、
犠牲層を前記基板の少なくとも一部に設ける工程と、
前記犠牲層の少なくとも一部を覆って延びるＲＦ  ＭＥＭＳスイッチの構造素子を形成する工程と、
プラズマ化学気相成長プロセスを使用して、シリコン及びシリコン−ゲルマニウム合金から成るグループから選択される材料を含む電極を前記構造素子の表面の上に形成する工
程と、
前記犠牲層の少なくとも一部を前記構造素子の下方から除去することにより前記構造素子を切り離す工程とを備え、前記構造素子は約４００℃未満の温度で形成される、方法。
【請求項６】
前記構造素子は約３５０℃未満の温度で形成される請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面とを有する結束ストラップを含むメカニカルファスナ結束ストラップであって、前記第１の面が第１の面と第２の面とを有する熱可塑性フックストリップ材により形成され、前記フックストリップの第１の面が少なくとも部分的に前記結束ストラップの第１の面を形成する直立フック突起の列を有し、前記フックストリップの第２の面が前記フックストリップの第１の面を通して読取可能な印刷ＵＰＣコードが設けられたフィルムを含むメカニカルファスナ結束ストラップ。
【請求項２】
前記ＵＰＣコードが前記フックストリップの前記第２の面に印刷される、請求項１に記載のメカニカルファスナ結束ストラップ。
【請求項３】
前記フック間の前記フィルム裏地が、少なくともＵＰＣコードバーの長さに沿ってＵＰＣコードバーに対してある角度の少なくとも隣接フックの帯域に沿って連続して透明である、請求項１または２に記載のメカニカルファスナ結束ストラップ。
【請求項４】
前記帯域が少なくとも２５０μｍの透明間隙を提供し、前記フックストリップの少なくとも一部分に対する前記透明間隙割合が少なくとも２０パーセントである、請求項３に記載のメカニカルファスナ結束ストラップ。
【請求項５】
前記フックストリップの不透明度が５０パーセント未満であり、バーコード走査性が１０パーセントを超える、請求項３に記載のメカニカルファスナ結束ストラップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）上面および底面を有する、炭素繊維強化複合材料を有する本体と、
ｂ）反射面を形成する、前記複合本体の上面および底面をカバーする金属膜と、
ｃ）前記本体の上面および底面をカバーする前記金属膜上に層を形成するガラス繊維エポキシ樹脂と
を含む移送部材を用いる工程を含むことを特徴とする表面による放射熱エネルギー吸収を防ぐためのデバイスの移送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
それ故、以上に述べられた目標および利点を十分に満たす反射面付き移動部材が本発明に従って提供されてきたことは明らかである。本発明は、その具体的な実施形態と結び付けて記載されてきたが、多くの代案、修正および変形が当業者に明らかであることは明白である。従って、添付の特許請求の範囲の精神および広い範囲内に入るすべてのかかる代案、修正および変形を包含することが意図される。
以下に、本明細書に開示される本発明につき列記する。
１．  ａ）上面および底面を有する、炭素繊維強化複合材料を有する本体と、
ｂ）反射面を形成する、前記複合本体の上面および底面をカバーする金属膜と、
ｃ）前記本体の上面および底面をカバーする前記金属膜上に層を形成するガラス繊維エポキシ樹脂とを含む移送部材を用いる工程を含むことを特徴とする表面による放射熱エネルギー吸収を防ぐためのデバイスの移送方法。
２．  前記ガラス繊維エポキシ樹脂層が前記本体の上面および底面上の前記金属膜に保護カバーを提供することを特徴とする前記１．に記載の方法。
３．  前記反射面が感熱材料またはデバイスによる熱エネルギーの吸収を防ぐことを特徴とする前記１．に記載の方法。
４．  前記デバイスがフラットパネル・ディスプレイであることを特徴とする前記３．に記載の方法。
５．  前記金属膜がチタン、銅、アルミニウム、スチール、金、銀、ニッケル、スズ、およびそれらの組合せの少なくとも１つを含むことを特徴とする前記１．または３．に記載の方法。
６．  前記本体の前記炭素繊維−強化複合材が、１０℃／分の昇温速度で２５℃から２５０℃の温度条件を有する１０−５Ｐａの真空度で、３０ｐｐｍ未満の水および５ｐｐｍ未満の水素ガスが発生するほどの不純物を含むことを特徴とする前記１．に記載の方法。
７．  前記ガラス繊維エポキシ樹脂がガラス繊維材料とエポキシ材料との組合せを含むことを特徴とする前記１．に記載の方法。
８．  前記ガラス繊維材料がＳ−ガラス、Ｅ−ガラス、およびＤ−ガラスの群から選択されることを特徴とする前記７．に記載の方法。
９．  前記エポキシ樹脂材料がエピクロロヒドリンとビスフェノール−Ａとの縮合生成物を含むことを特徴とする前記７．に記載の方法。
１０．  前記移動部材が複合本体を形成する３つの層を含み、かつ、前記複合本体の各層が好ましくは厚さ約０．０２ｍｍ〜約１．００ｍｍの範囲であることを特徴とする前記１．に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月31日(2006.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）ポリマー中間層と、（２）少なくとも１枚の板ガラスと、（３）取付手段のための少なくとも１つのレセプターと、（４）少なくとも１つの取付手段とを含み、前記ポリマー中間層が、少なくとも１枚の板ガラスの少なくとも１つの表面上に接合され、前記レセプターが前記取付手段を機械的に受け入れるべく配置されるように、少なくとも１つのレセプターが前記ポリマー中間層によって前記ガラスに接着接合されることを特徴とする直接点取付グレージング（ボルト締めガラス）システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
積層体は、公知および従来のガラス積層技術に従って製造することができ、但し、積層体は、レセプターおよび取付手段を受け入れる孔を有する必要があり、さらに、中間層、レセプター、およびガラス表面が好適な接着力によって接合されるような方法で、熱可塑性中間層がガラス表面およびレセプターと接着結合を形成する必要がある。積層温度は、圧力および積層される材料の種類などの積層条件に依存しうる。本発明の積層体を得るためには、典型的には１００℃を越える温度が必要となりうる。当業者であれば、使用すべき適切な積層条件が分かるであろう。熱可塑性樹脂の製造方法の例では、ニップロールによる予備プレスに続いて、オートクレーブ処理および減圧バギングおよびオートクレーブ処理が行われる。樹脂積層体の例では、成分の液体をせき止めて、液体樹脂を加えた後、紫外線硬化、熱硬化、または触媒誘導硬化が行われる。
以下に本明細書に開示される発明につき列記する。
１．  （１）ポリマー中間層と、（２）少なくとも１枚の板ガラスと、（３）取付手段のための少なくとも１つのレセプターと、（４）少なくとも１つの取付手段とを含み、前記ポリマー中間層が、少なくとも１枚の板ガラスの少なくとも１つの表面上に接合され、前記レセプターが前記取付手段を機械的に受け入れるべく配置されるように、少なくとも１つのレセプターが前記ポリマー中間層によって前記ガラスに接着接合されることを特徴とする直接点取付グレージング（ボルト締めガラス）システム。
２．  前記中間層が、ＡＳＴＭ  Ｄ  ５０２６−９５ａに準拠して測定される１．０Ｈｚおよび２５℃における貯蔵ヤング率が１００〜１，０００ＭＰａ（メガパスカル）である熱可塑性ポリマー組成物を含むことを特徴とする上記１．に記載のボルト締めガラスシステム。
３．  前記中間層がエチレンとメタクリル酸またはアクリル酸とのコポリマーの水不溶性塩から本質的になり、該コポリマーの水不溶性塩が前記酸１４〜２８重量％を含有するとともにナトリウムイオン、または亜鉛イオン、またはマグネシウムイオン、またはその組み合わせで中和された前記酸約２０〜６０重量％を有し、アイオノマー樹脂のメルトインデックスが約０．５〜５０であることを特徴とする上記２．に記載のボルト締めガラスシステム。
４．  前記システムが図１〜１１のいずれかに示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
５．  前記システムが図１に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
６．  前記システムが図２に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
７．  前記システムが図３に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
８．  前記システムが図４に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
９．  前記システムが図５に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１０．  前記システムが図６に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１１．  前記システムが図７に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１２．  前記システムが図８に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１３．  前記システムが図９に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１４．  前記システムが図１０に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
１５．  前記システムが図１１に示されるように構成されることを特徴とする上記３．に記載のボルト締めガラスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月7日(2006.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面に貼付可能であり、前記基体の真正性または品質を保証するための転写フィルム式のストリップ形セキュリティー素子であって、間に照明または視角に応じて変化する光学的効果をもたらす少なくとも１つの光学効果層および/または光学効果構造体を備えた少なくとも２つのプラスチック層またはラッカー層を有して成るセキュリティー素子において、
前記光学効果層（１３）および/または光学効果構造体（１５）が、明確に区分され、相互に離間した少なくとも２つの視覚的可変表面領域（１１、１２、１２’）に配され、
前記ストリップ（７、７’）の視覚的可変表面領域の外部が、透明、および/または照明あるいは視角に応じた光学的変化を示さず、および/または使用に際し前記ストリップ（７、７’）が貼付される基体（１、１’）の表面（２、２’）の外観に調和していることを特徴とするセキュリティー素子。
【請求項２】
前記光学効果層が、照明または視角の変化に応じて色彩の変化をもたらす干渉層配列（１３）から成ることを特徴とする請求項１記載のセキュリティー素子。
【請求項３】
前記干渉層配列（１３）が、一部が透明である少なくとも１つの吸収層および少なくとも１つの透明誘電体スペーサー層を有して成ることを特徴とする請求項２記載のセキュリティー素子。
【請求項４】
前記光学効果構造体（１５）が、光の回折効果をもたらす構造体であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項５】
観察方向（１４）から見て、前記光学効果層（１３）または光学効果構造体（１５）の前方に配されている前記プラスチック層またはラッカー層（９）が透明であり、反射強化層が前記光学効果層（１３）または光学効果構造体（１５）の後方に配されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項６】
前記反射強化層が反射金属層であることを特徴とする請求項５記載のセキュリティー素子。
【請求項７】
前記反射強化層が、観察方向（１４）から見て前方に配されている層より屈折率が著しく異なる透明プラスチック層またはラッカー層であることを特徴とする請求項５記載のセキュリティー素子。
【請求項８】
前記ストリップ（７、７’）の視覚的可変表面領域（１１、１２、１２）の外部に模様（１８）が施されていることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項９】
前記ストリップ（７、７’）の前記模様（１８）が、該ストリップ（７、７’）が貼付されている基体（１’）の表面（２’）の模様に一致していることを特徴とする請求項８記載のセキュリティー素子。
【請求項１０】
前記模様（１８）が２つのプラスチック層またはラッカー層（９、１０）間にも施されていることを特徴とする請求項８または９記載のセキュリティー素子。
【請求項１１】
前記模様（１８）が印刷によって施されていることを特徴とする請求項８〜１０いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項１２】
前記セキュリティー素子（６’）を成す前記ストリップ（７’）が前記基体（１’）に貼付された後に、前記模様（１８）が施されることを特徴とする請求項８〜１１いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項１３】
前記模様（１８）が、前記ストリップ（７’）および該ストリップ（７’）を担持している基体（１’）の表面（２’）に同時に施され、前記ストリップ（７’）および前記基体（１’）の表面（２）に連続して延び、前記ストリップ（７’）の少なくとも１つの縁部（８’）において整合していることを特徴とする請求項８、９、１１、または１２記載のセキュリティー素子。
【請求項１４】
前記視覚的可変表面領域（１１、１２）が簡単な幾何学的形状を成していることを特徴とする請求項１〜１３いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項１５】
少なくとも２つの前記視覚的可変表面領域（１１、１２、１２’）が、異なる幾何学的形状を成していることを特徴とする請求項１〜１４いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項１６】
少なくとも１つの前記視覚的可変表面領域（１２’）が、１つの英数字（Ｖ、Ａ、Ｌ、Ｉ、Ｄ）を表わしていることを特徴とする請求項１〜１５いずれか１項記載のセキュリティー素子。
【請求項１７】
全体で１つの概念（ＶＡＬＩＤ）を構成する、それぞれ英数字を示す複数の前記視覚的可変表面領域（１２’）を有して成ることを特徴とする請求項１５または１６記載のセキュリティー素子。
【請求項１８】
請求項１〜１７いずれか１項記載のストリップ形セキュリティー素子（６、６’）を有して成る有価証書であって、前記セキュリティー素子（６、６’）の前記視覚的可変表面領域（１１、１２、１２’）および/または前記模様（１８）が、表面（２、２’）の印刷または別の構成要素（３、４、５）に整合させて貼付されていることを特徴とする有価証書。