【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ製作された超音波トランスデューサを製造する方法であって、
シリコンキャリヤウェハを選択し、
酸化物層上に支持された薄いシリコンを有する絶縁体上シリコンウェハを選択し、
前記シリコンウェハ又は前記絶縁体上シリコンウェハの前記シリコン層を熱酸化して、所定の厚さの酸化珪素層を形成し、
所定の大きさと形状の開口部を有するマスクを適用し、前記酸化物層の領域を露出し、
前記露出した開口部の前記酸化物層をエッチング除去して、酸化物壁を画定し、
前記薄いシリコン層が前記シリコンキャリヤウェハに面しそこから間隔をあけるようにして、前記酸化物層により２つのウェハを接合し、それによりセルが形成され、
前記ウェハと前記絶縁体上シリコンウェハの前記酸化物層を除去して、前記酸化珪素層により、前記シリコンキャリヤウェハから間隔をあけて支持された前記薄いシリコン膜を残すステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記酸化物層は、前記シリコンキャリヤウェハ上に形成され、更に、
接合前に、前記支持する酸化物と前記シリコンキャリヤウェハ上に、薄い酸化物層を適用し、
前記酸化物空洞壁の間の前記シリコンキャリヤウェハをエッチングして、底部壁を形作る追加のステップを備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物が、前記絶縁体上シリコンウェハの前記シリコン層上に形成され、更に、
前記ウェハを接合する前に、前記シリコンキャリヤウェハ上に、薄い酸化物層を形成し、
前記酸化物空洞壁の間の前記シリコンキャリヤウェハをエッチングして、底部壁を形作る追加のステップを備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に、酸化物層上に支持された薄いシリコン層を有する追加の絶縁体上シリコンウェハを選択し、
マスキングして前記薄いシリコン層の一部をエッチング除去して、所定の大きさと形状の島を残し、
前記絶縁体上シリコンウェハの前記薄いシリコン層に、前記島を接合し、
前記酸化物とウェハを除去して、異なる厚さの領域を有する薄いシリコン層を有する選択したウェハを残し、その結果できたシリコン膜は異なる厚さの領域を有する追加のステップを備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
所定の大きさと形状のパターン化された酸化物支持体によりキャリヤウェハ上に支持された膜を備える超音波トランスデューサを製造する方法であって、
キャリヤウェハを選択し、
酸化物により支持された薄いシリコン層を有する絶縁体上シリコンウェハを選択し、
所定の厚さの酸化物層を形成し、マスキングとエッチングにより、選択された領域から前記酸化物層を除去し、所定の大きさと形状の壁を有するウェルを与え、
前記絶縁体上シリコンウェハの前記キャリヤ及びシリコン層と、前記酸化物壁とを接合し、
前記支持する酸化物とウェハを除去してシリコン層を残し、所定の大きさと形状の空洞を画定する膜を形成するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項６】
超音波トランスデューサを製造する方法であって、
基板を選択し、
犠牲層により支持された薄膜を含むウェハを選択し、
前記薄膜上又は前記基板上に酸化物層を形成し、
マスキングとエッチングにより、前記酸化物層の選択した部分を除去して、ウェルを形成し、
前記薄膜と、酸化物層と、基板とを接合して、セルを形成し、
前記犠牲層を除去して、前記基板から間隔をあけて支持された前記薄膜を残すステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記薄膜又は基板上に形成される前記酸化物層は、ウィンドーを有するように形成される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記セルは前記ウィンドーに形成される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板はシリコンを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
１つの壁が膜で画定されたセルを有する超音波トランスデューサであって、
空洞の１つの壁を形成する表面を有するシリコン本体と、
前記空洞の側壁を画定するように形作られた酸化珪素層と、
前記酸化珪素の壁により、溶融接合され、前記シリコン本体から間隔をあけて支持された膜とを備え、前記膜と前記シリコン本体とで前記セルを画定することを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項１１】
前記セルの各々で、前記シリコン膜は、異なる厚さの領域を有する請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１２】
各々の前記セルで、前記シリコン本体は、異なる高さの領域を有するように形作られる請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１３】
各々の前記セルで、前記シリコン膜は異なる厚さの領域を有し、前記シリコン本体は、前記空洞の各々で異なる高さの領域を有するように形作られる請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１４】
前記絶縁体上シリコンウェハの前記シリコン層により、単結晶膜が形成される請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１５】
各々の前記セルで、前記シリコン膜は、異なる形状の領域を有する請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１６】
各々の前記セルで、前記シリコン膜は、異なる質量分布の領域を有する請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１７】
前記シリコン膜の形状と大きさは、フォトリソグラフィー技術により画定され、任意の大きさと形状の膜を作る請求項１０に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１８】
マイクロ機械加工された超音波トランスデューサセルを製造する方法であって、
キャリヤウェハを機械加工して、膜の支持壁を有し、選択した大きさと形状の空洞を形成し、
支持構造により支持され、選択した機械特性を有する選択した材料の膜を、前記支持壁に溶融接合し、それによりセルを形成し、
前記支持構造を除去して、前記支持構造により支持された前記膜を残し、前記超音波トランスデューサセルを与えるステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１９】
超音波トランスデューサを製造する方法であって、
支持構造をマイクロ機械加工し、空洞壁を形成して、空洞を画定し、真空下で膜を前記支持構造に溶融接合することにより、空洞をシールし、真空のセルを形成するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２０】
各々の前記セルの前記膜上に、圧電トランスデューサを形成するステップを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
各々の前記セルの前記膜上に、磁気トランスデューサを形成するステップを含む請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記膜の上に導電性電極を形成し、それにより静電的に振動可能である請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記膜は犠牲材料上に支持された層であり、前記犠牲材料は前記溶融接合後に除去される請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記層は犠牲材料の応力のある領域であり、応力のない材料は熱衝撃により除去される請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記膜を振動させるため、静電トランスデューサを形成するステップを含む請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２６】
超音波トランスデューサセルを製造する方法であって、
支持構造を選択し、
薄膜を選択し、選択した大きさと形状のウィンドーを有する所定の厚さの絶縁フィルムを形成し、
前記支持構造と薄膜の間に前記絶縁フィルムを溶融接合して、酸化物上に支持された薄膜を有するセルを形成するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２７】
前記支持構造はシリコン基板であり、前記絶縁フィルムは酸化物フィルムである請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記膜はシリコンフィルムである請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
異なる膜厚又は異なる膜の形状の領域を有する膜を有することを特徴とする超音波トランスデューサ構造。
【請求項３０】
前記膜の異なる領域は、不均一な厚さと、不均一な質量分布を有する請求項２９に記載の超音波トランスデューサ構造。