【事件の表示】
　特願２００７−　３５７８９「マイクロインダクタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月３０日出願公開，特開２００７−２２１１４５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　この出願は，平成１９年２月１６日（パリ条約による優先権主張　平成１８年２月１６日（中華人民共和国），同日（同国），同日（同国），同日（同国），同年１１月２７日（大韓民国））に出願されたものであって，平成２１年１１月１８日付け拒絶の理由に対し，平成２２年２月２４日に手続補正がなされたが，同年３月１２日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされたものであり，これに対し，平成２２年７月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされると共に，同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後，当審において平成２３年１０月２８日付けで審尋がなされたが，前記審尋に対する回答はなかった。
　
第２　本願発明
　
　この出願の特許請求の範囲に記載された請求項１の発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２２年７月１５日に補正された特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなり，ナノメートル単位の微細結晶が形成された磁性コアと，
　前記磁性コアを巻く形態で製造されたコイルと，
　前記磁性コア及び前記コイルの間に位置する絶縁体と，　
　前記磁性コア及び前記コイルを保持する基板と，
　前記基板上に位置し，前記コイルと連結される複数のパッドとを含み，　
　前記コイルは，　
　前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターンと，　
　前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターンと，　
　前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビアとを含むことを
特徴とするマイクロインダクタ。」
　
第３　刊行物の記載事項
　
１　文献１
　この出願の優先日前に頒布された刊行物であり，原査定の拒絶の理由で引用された特開２００２−１００７３３号公報（以下，「文献１」という。）には，図面と共に以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付したものである。
　
　(1) 「【０００９】［作用］本発明では，
第１の配線層により構成される第１の金属細片と第２の配線層により構成される第２の金属細片とを直列に螺旋状に接続してコイルの巻線を構成し，その中に磁芯となる環状の磁性体膜を配置することでインダクタを構成
【００１０】
【発明の実施の形態】次に，本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１（ａ）は，本発明の第１の実施の形態を示す斜視図であり，図１（ｂ）は，その断面図である。
半導体基板１上に形成された第１の絶縁膜２上に，第２の絶縁膜４を挟んで，クランク状の複数の第１の導体層３とクランク状の複数の第２の導体層５とを配置し，これらをビアホール６にて直列に接続することでインダクタの巻線７を構成し，この巻線の中に環状の磁性体膜８を磁芯として挿入する
【００１１】本実施の形態では，巻線７により発生する図示しない磁束のほとんどが透磁率の高い磁性体膜８内を通過し，さらに磁性体膜８が環状であるために，その磁束は磁性体膜８内部に閉じ込められる。そのために半導体基板１を通過する磁束がほとんどなくなり，誘導電流の発生が抑えられ，結果として，高周波損失を低減することが可能となる。」
　(2) 「【００２２】
【実施例】次に，本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１５（ａ）は，本発明の一実施例を示す斜視図であり，図１５（ｂ）は，その断面図である。増幅素子としてＭＯＳトランジスタ（図示なし）が形成された
Ｓｉ基板１１上に第１のＳｉＯ
2
膜１２を形成
その上に，幅１０μｍ，長さ３０μｍの長方形の両端に幅１０μｍ，長さ２０μｍの長方形を配した形状の第１のＡｌ層１３を形成
その上に，内部に幅２０μｍ，膜厚１．５μｍの環状のＮｉ薄膜１８を有する第２のＳｉＯ
2
膜１４を４μｍの膜厚に形成し
第２のＳｉＯ
2
膜１４を貫通する８μｍ角のビアホール１６を形成
ビアホールを介して第１のＡｌ層１３と接続される第２のＡｌ層１５を，第１のＡｌ層１３と同様の形状に第２のＳｉＯ
2
 膜１４上に形成し
内部に磁芯としてＮｉ薄膜１８を有する巻線１７を形成
【００２３】本実施例は，基板としてＳｉ，導体層にＡｌ，絶縁膜にＳｉＯ2，磁性体膜にＮｉを使用した例であり，Ａｌで形成した巻線により発生する磁束のほとんどが透磁率の高い
磁性体であるＮｉ薄膜
高周波損失を低減することが可能
導体層のＡｌ
絶縁膜のＳｉＯ
2
磁性体膜のＮｉを
Ｆｅ，Ｃｏに変更しても同様の効果を得ることができる
　なお，段落００２２の「
第２の第２の
第２の
　
　以上の記載及び図面の記載から，文献１には以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体基板上に巻線を構成し，この巻線の中に環状の磁性体膜を磁心として挿入するインダクタにおいて，
　Ｓｉ基板１１上に絶縁膜の第１のＳｉＯ2膜１２を形成し，
　その上に，幅１０μｍ，長さ３０μｍの長方形の両端に幅１０μｍ，長さ２０μｍの長方形を配した形状の導体層の第１のＡｌ層１３を形成し，
　その上に，内部に幅２０μｍ，膜厚１．５μｍの磁性体膜の環状のＮｉ薄膜１８を有する絶縁膜の第２のＳｉＯ2膜１４を
４μｍの膜厚に
　次に，第２のＳｉＯ2膜１４を貫通する８μｍ角のビアホール１６を形成し，このビアホール１６を介して第１のＡｌ層１３と接続される導体層の第２のＡｌ層１５を，第１のＡｌ層１３と同様の形状に第２のＳｉＯ2 膜１４上に形成して，内部に磁芯として磁性体膜のＮｉ薄膜１８を有する巻線１７を形成し，
　前記磁性体膜のＮｉを，Ｆｅ，Ｃｏに変更しても同様の効果を得ることができる，
インダクタ。」
　
２　文献２
　この出願の優先日前に頒布された刊行物であり，原査定の拒絶の理由で引用された特開平９−０１７６２３号公報（以下，「文献２」という。）には，図面と共に以下の事項が記載されている。なお，下線は当審で付したものであり，摘記に際し，英数字を日本工業規格Ｘ０２０８号の文字（いわゆる全角文字）としている。
　
　(1) 「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，各種トランス，ノイズフィルタ用チョ−クコイル等の各種磁性部品に用いられる特に高い透磁率を示すナノ結晶合金磁心およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ナノ結晶合金は，通常液相や気相から急冷し非晶質合金とした後，これを熱処理により微結晶化することにより作製されている
気相から急冷する方法としては，スパッタ法，蒸着法，イオンプレ−ティング法等が知られている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作製した非晶質合金を微結晶化したもの
　(2) 「【００１２】本願発明に係わる合金は，一般式：（
Ｆｅ
Ａ
ｘ
Ｍ'
ｙ
Ｍ''
ｚ
Ｓｉ
ｃ
Ｂ
ｄ
式中ＭはＣｏ，Ｎｉから選ばれた少なくとも１種の元素を，Ａは
Ｃｕ
Ｍ'は
Ｎｂ
Ｍ''はＣｒ
０≦ａ
０≦ｂ
【００１３】本願発明に係わる合金において
Ｃｕ
【００１４】また，
Ｍ'は
Ｎｂ
Ｃｕ
との複合添加により結晶粒を微細化し，軟磁気特性を改善する効果を有する
これらの元素の中でＮｂを添加した場合特に結晶粒が細かくなりやすく，軟磁気特性も優れたものが得られる
【００１５】Ｃｕ，ＡｕとＦｅの相互作用パラメータは正であり，分離する傾向があるため，非晶質状態の合金（膜）を加熱するとＦｅ原子同志またはＣｕ，Ａｕ原子同志が寄り集まり，クラスターを形成するため組成ゆらぎが生ずる。このため部分的に結晶化しやすい領域が多数でき，そこを核として多数の微細結晶粒が形成される。この結晶粒はＦｅを主成分とするものであり，ＦｅとＣｕ，Ａｕの固溶度はほとんどないため，結晶粒周辺のＣｕ，Ａｕ濃度が高くなる。また，この結晶粒の周辺はＳｉ等が多くＴｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ及びＷ等が存在する場合結晶化しにくいため結晶粒は成長しにくいと考えられる。このため結晶粒は微細化されると考えられる。このように結晶粒が微細化されることにより，結晶磁気異方性がみかけ上相殺されること，結晶相がｂｃｃ構造のＦｅ固溶体が主体であり磁歪が小さく，内部応力−歪による磁気異方性が小さくなること等により，軟磁気特性が改善され，高透磁率が得られると考えられる。
【００１６】
Ｍで表される添加元素であるＣｒ
は耐食性を改善したり，磁気特性を改善する，又は磁歪を調整する等の効果を有する
【００１７】本発明に係わる合金において，Ｘで表されるＣ，Ｇｅ，Ｇａ，ＡｌおよびＰからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を１０原子％以下含み得る。これらの元素は非晶質化に有効な元素であり，Ｓｉ，Ｂと共に添加することにより合金の非晶質化を助けると共に，磁歪やキュリー温度調整に効果がある。
【００１８】
Ｓｉ及びＢは，合金の微細化に特に有用な元素である。本発明のＦｅ基軟磁性合金膜は好ましくは，一旦Ｓｉ，Ｂの添加効果により非晶質合金膜とした後で熱処理により微細結晶粒を形成させることにより得られる
【００１９】
残部は不純物を除いて実質的にＦｅが主体である
　(3) 「【００２８】（実施例３）表３に示す組成の合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し，幅５０ｍｍ厚さ１５μｍのアモルファス合金薄帯を得た。次にこの薄帯を幅２ｍｍにスリットした後，この合金薄帯を外径９ｍｍ内径５ｍｍに巻回し，トロイダル磁心を作製した。次に図３に示す熱処理パタ−ンで熱処理を行った。比較のため第２の熱処理を行わない従来の熱処理パタ−ンで熱処理した試料も作製した。結晶化温度以上での熱処理時には磁路と垂直方向にＨ＝３６０ＫＡ・ｍ−１の磁場を印加した。磁気特性を測定した結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】本発明磁心は小径でありながら，高い透磁率を示している。これに対して，従来の熱処理パタ−ンでは小径の磁心の透磁率は本発明磁心より低い。」
　なお，摘記した「表３」の「本発明例」の上から７番目には，「
Ｆｅ
Ｃｕ
Ｎｂ
Ｃｒ
Ｓｉ
Ｂ
　
第４　対比及び判断
１　対比
　(1) 引用発明の「インダクタ」は本願発明の「インダクタ」に相当する。
　すると，引用発明の「磁心」は本願発明の「磁性コア」に相当し，引用発明の「巻線」は本願発明の「コイル」に相当し，引用発明の「巻線の中に環状の磁性体膜を磁心として挿入」された「巻線」は本願発明の「磁性コアを巻く形態で製造されたコイル」に相当する。
　よって，引用発明と本願発明は，「インダクタ」であって，「磁性コア」を備え，「前記磁性コアを巻く形態で製造されたコイル」を備える点で一致する。
　(2) ここで，「コイル」について検討すると，引用発明の「導体層の第１のＡｌ層１３」，「導体層の第２のＡｌ層１５」及び「第１のＡｌ層１３と」「第２のＡｌ層１５」とを「接続」する「第２のＳｉＯ2膜１４を貫通する８μｍ角のビアホール１６」は，図１５の記載を参照すると，それぞれ，本願発明の「前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターン」，「前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターン」及び「前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビア」に相当する。
　よって，引用発明と本願発明は，「前記コイルは，」「前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターンと，」「前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターンと，」「前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビアとを含む」点で，一致する。
　(3) 引用発明の「絶縁膜」と本願発明の「絶縁体」は，その機能において共通する。
　そして，引用発明の「磁性体膜の環状のＮｉ薄膜１８」は引用発明の「磁心」を構成するものであり，引用発明の「絶縁膜の第２のＳｉＯ2膜１４」は，図１５を参照すると「磁心」である「磁性体膜の環状のＮｉ薄膜１８」の外側に存在し，かつ，巻線の内側に存在するものであるから，本願発明同様，「絶縁体」が「前記磁性コア及び前記コイルの間に位置する」構成となっている。
　よって，引用発明と本願発明は，「前記磁性コア及び前記コイルの間に位置する絶縁体」を備える点で，一致する。
　(4) 引用発明の「Ｓｉ基板１１」は，「巻線」及び「磁心」を保持していることが明らかであるから，本願発明の「基板」に相当し，引用発明と本願発明は，「前記磁性コア及び前記コイルを保持する基板」を備える点で，一致する。
　(5) 引用発明の構成要素は「μｍ」の単位で構成されているから，本願発明の「マイクロ」に相当する大きさであることは明らかである。
　よって，引用発明と本願発明は，「マイクロインダクタ」である点で一致する。
　
２　一致点及び相違点
　以上より，本願発明と引用発明は以下の点で一致する。
　
「磁性コアと，
　前記磁性コアを巻く形態で製造されたコイルと，
　前記磁性コア及び前記コイルの間に位置する絶縁体と，　
　前記磁性コア及び前記コイルを保持する基板とを含み，　
　前記コイルは，　
　前記基板と前記磁性コアとの間に位置する下部コイルパターンと，　
　前記磁性コアの上側に位置する上部コイルパターンと，　
　前記下部コイルパターンと前記上部コイルパターンとを連結させるビアとを含むことを
特徴とするマイクロインダクタ。」
　
　そして，以下の点で相違する。
　
相違点１　本願発明は「前記基板上に位置し，前記コイルと連結される複数のパッドと」を有するのに対し，引用発明は「パッド」を有しているかは不明である点。
　
相違点２　本願発明の「磁性コア」は，「ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなり，ナノメートル単位の微細結晶が形成された」ものであるのに対し，引用発明の「磁心」である「磁性体膜」は，「Ｎｉ薄膜」である点。
　
３　相違点についての判断
　(1) 相違点１について，パッド，すなわち「第１及び第２パッド２３１，２３２は，外部電源から印加される電気信号をコイル２２０に伝達する役割を果たす。」（この出願の発明の詳細な説明の段落００２１参照。）のような，電気的接続を果たす部分は，２端子電気回路素子であるインダクタを使用可能なものとする上で当然設けられなければならないものであり，引用発明に明記がなくとも，当然，設けられているというべき程度のものであり，相違点１は格別のものではない。
　
　(2) 相違点２について
　原査定の拒絶の理由で引用された文献２には，「
Ｆｅ
Ｃｕ
Ｎｂ
Ｃｒ
Ｓｉ
Ｂ
　そして，引用発明は，「前記磁性体膜のＮｉを，Ｆｅ，Ｃｏに変更しても同様の効果を得ることができる」（摘記箇所「第３」１(2) ・段落００２３参照。）とあり，Ｆｅ（鉄）系の材料を含むものであるから，引用発明に，文献２記載の磁性体を採用し，本願発明のようにすることは，当業者であれば特段の困難もなく，容易になし得ることにすぎない。
　(3) そして，引用発明に文献２記載の磁性体を採用し，本願発明のようにすることによって生じる効果が，格別顕著なものであるとは認められない。
　(4) 本件審判請求人の主張についての検討
　本件審判請求人（以下，「請求人」という。）は，文献２の記載について，
『引用文献２には，表３において，ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなる組成の合金について記載されている。しかし，引用文献２においては，その全体を通して，一貫して「合金薄帯」と記載されており，さらにその製造方法においても，単ロール又は双ロール法等の「液体急冷法」により板厚３〜１００μｍ程度のアモルファス合金薄帯として形成すること，この合金薄帯をトロイダル状に成形した後に熱処理して，磁心を作成することしか記載されていない（段落２０及び実施例１〜４）。また，この薄帯に層間絶縁を行うことも記載されているが，この方法としては，やはり，トロイダル状に形成したもの以外の形態で行うことができるもの，つまり，電気泳動により酸化物を付着させる方法，金属アルコキシド溶液を塗布して熱処理スル方法，塩処理により表面に酸化物を被覆する方法，セラミックスの微粉末を流動させてその中に薄帯を通過させて付着させる方法しか記載されていない（段落２１）。
　引用文献２では，ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢは，合金薄帯を構成する材料として用いられているのであり，本発明における基板上に保持された磁性コアに相当する形態を採り得るという記載も示唆もない。
　実際，引用文献２では，内径が１０ｍｍ未満の磁心に有用である旨が記載され（例えば，段落７等），ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢの合金薄帯を用いた実施例３においては，内径５ｍｍに巻回したトロイダル磁心を作製することが記載されているのみである。」（平成２３年８月２４日に補正された審判請求書の請求の理由・３．「２）」参照。）
と主張している。
　しかしながら，文献２には，従来技術として「
ナノ結晶合金は，通常液相や気相から急冷し非晶質合金とした後，これを熱処理により微結晶化することにより作製されている
気相から急冷する方法としては，スパッタ法，蒸着法，イオンプレ−ティング法等が知られている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作製した非晶質合金を微結晶化したもの
　さらに検討すると，この出願の優先日前に頒布された刊行物である特公平２−５４６４１号公報（以下，「文献３」という。）には，「インダクタ」（第１欄第２０行参照。）に用いられる，「組成式が
Ｔ
Ｍ
Ｇ
Ｆｅ
Ｃｒ
Ｎｂ
Ｃｕ
Ｂ
Ｓｉ
０≦ｚ
を満足する非晶質合金から形成された厚さＤが１００Å≦Ｄ≦１００００Åの範囲にある磁性薄膜
非晶質材料を，スパツタ法あるいは蒸着法等の気相成長法によつて充分に薄い薄膜状に形成する
（
Ｆｅ
ａ
　
Ｃｕ
Ｓｉ
Ｂ
Ｍ′
Ｍ″
（ただし，ＭはＣｏ及び／又はＮｉであり，
Ｍ′
Ｎｂ
Ｍ″
Ｃｒ
０≦ａ
１０００Å以下の平均粒径を有する微細な結晶粒
本発明のＦｅ基軟磁性合金はそれ以外にスパツター法等の薄膜化技術を用いて製造することも可能
　そして，文献２，文献３，文献４の記載からすると，この出願の優先日前，本願発明の「ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなり，ナノメートル単位の微細結晶が形成された」磁性体を包含する磁性体をインダクタに用いること，かかる磁性体を薄膜として形成すること，いずれも当業者に周知の技術であり，当業者であれば，引用発明に適宜採用し得る程度のものにすぎない。
　よって，請求人の主張は，採用することができない。
　
４　小括
　以上検討したように，本願発明は，引用発明及び文献２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第５　むすび
　以上のように，本願発明は，引用発明及び文献２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって，この出願については，他の請求項に論及するまでもなく，原査定の拒絶の理由により拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。