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　特願２００６−５２０５２４「ブースト回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　２日国際公開、ＷＯ２００４／１０５２４３、平成１８年１１月１６日国内公表、特表２００６−５２６３７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００４年４月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年５月１６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年７月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２３年１２月２２日付けで審尋がなされ、平成２４年３月１９日に回答書が提出されたものである。
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年１１月２２日付けの手続補正により補正された請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
「無線周波数（ＲＦ）入力信号を受けるように構成した無線周波数スイッチ素子と、
　第１のＤＣ供給電圧を受けるように構成した第１の電圧源端子と、
　前記ＲＦ入力信号および前記第１のＤＣ供給電圧を受けるとともに、それらに応答して、ＤＣ出力電圧、すなわち前記ＲＦ入力信号が前記スイッチ素子の経路を通るようにするＤＣ出力電圧であって零ボルト以上の前記第１のＤＣ供給電圧よりも大きいＤＣ出力電圧を生ずるように構成したブースト回路と
を含み、前記ブースト回路が、
　前記ＲＦ入力信号を受けるように接続した第１の端子を有する第１のキャパシタと、
　前記第１のキャパシタの第２の端子および前記第１の電圧源端子に接続され、前記ＲＦ入力信号および前記第１のＤＣ供給電圧に応答して前記ＤＣ出力電圧を生ずるように構成された整流回路であって、前記第１の電圧源端子と前記第１のキャパシタの前記第２の端子との間に直列接続で接続した第１のダイオードおよび第１の抵抗器を含む前記整流回路と
を含むスイッチシステム。」
　
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−８４２６７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
イ．「【００３６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は、ＲＦ信号経路に直列に介在する半導体素子（Ｊ１）によって上記信号経路をオン／オフするＲＦスイッチ（１）であって、上記ＲＦ信号経路からスイッチ（１）に入力されるＲＦ信号（Ｖｉｎ）の一部を検波することにより上記ＲＦ信号（Ｖｉｎ）の波高に比例する直流電圧（ＶＤ）を生成する検波回路（１Ａ）と、この検波回路（１Ａ）が生成する直流電圧（ＶＤ）を上記半導体素子（Ｊ１）に制御電圧として印加するバイアス回路（１Ｂ）とを備えたものであり、これにより、電源電圧を越える大振幅のＲＦ信号が入力されても、その大振幅のＲＦ信号を確実にオフまたはオンさせられるだけの高い制御電圧を自動的に生成して半導体素子に与えることができる。」（４頁６欄〜５頁７欄）
　
ロ．「【００４５】図１は本発明の技術が適用されたＲＦスイッチの概略構成を示す。
【００４６】同図に示すＲＦスイッチ１は、ＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１、バイアス抵抗ＲＧ，ＲＢ、入力コンデンサＣｉｎ、出力コンデンサＣｏｕｔ、検波用ダイオードＤ１，Ｄ２、検波入力コンデンサＣ３などにより構成される。Ｃ１，Ｃ２はそれぞれＦＥＴＪ１の電極間容量である。
【００４７】ＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１は、ＲＦ入力信号Ｖｉｎと負荷ＲＬの間の信号経路に直列に介在している。この場合、入力信号Ｖｉｎは入力コンデンサＣｉｎを直列に介してＪ１のドレインに接続し、負荷ＲＬは出力コンデンサＣｏｕｔを直列に介してＪ１のソースに接続している。また、Ｊ１のドレインとソースにはそれぞれ、バイアス抵抗ＲＢを直列に介して、共通のバイアス電圧ＶＢが印加されるようになっている。
【００４８】ダイオードＤ１，Ｄ２およびコンデンサＣ３は検波回路１Ａを形成する。コンデンサＣ１は、ＲＦスイッチ１に入力されるＲＦ信号Ｖｉｎの一部を分岐してダイオードＤ１，Ｄ２に導く。ダイオードＤ１，Ｄ２は、そのコンデンサＣ３で分岐されたＲＦ信号を整流する。これにより、ＲＦ入力信号Ｖｉｎの一部から、その入力信号Ｖｉｎの波高に応じて電圧が正または負に増大する直流電圧を生成する。
【００４９】抵抗ＲＧはバイアス回路１Ｂを形成する。このバイアス回路は、上記検波回路１Ａが生成する直流電圧（ＶＤ）を上記ＦＥＴＪ１に制御電圧として印加する。すなわち、Ｊ１の制御端子であるゲートには、バイアス抵抗ＲＧを直列に介して直流制御電圧（ＶＤ）が印加されるようになっている。
【００５０】１Ｃはダイオード選択回路で、このダイオード選択回路１Ｃは、外部から与えられる切換制御信号に応じて、検波用ダイオードＤ１，Ｄ２の選択を行う。検波用ダイオードＤ１，Ｄ２は、一方（Ｄ１）が正電圧発生用で、他方（Ｄ２）が負電圧発生用である。ダイオード選択回路１Ｃにより、ＲＦスイッチ１をオンさせる場合は正電圧発生用ダイオードＤ１が選択され、ＲＦスイッチ１をオフさせるときは負電圧発生用ダイオードＤ２が選択されるようになっている。
【００５１】抵抗ＲＢ，ＲＧとコンデンサＣｉｎ，Ｃｏｕｔ，Ｃ１，Ｃ２の各定数については、ＲＢ＞ＲＬ＞ｒon、１／ｊωＣｉｎ＜ＲＬ、１／ｊωＣｏｕｔ＜ＲＬ、１／ｊωＣ１＜ＲＧ、１／ｊωＣ２＜ＲＧのような大小関係となっている。
【００５２】次に、動作について説明する。
【００５３】図２は、図１のＲＦスイッチ１のオン動作時の波形を示す。
【００５４】図１および図２において、ＲＦスイッチ１のオン動作時には、ダイオードＤ１だけがダイオード選択回路１Ｃによりバイアス電圧ＶＢ上に接続され、Ｄ２の方は切り離されている。
【００５５】入力信号ＶｉｎをＥｐ・ｓｉｎωｔとすれば、Ｊ１のドレインでの電圧波形Ｖ（Ａ）は、式（１１）で表すことができる。
【００５６】ここで、ダイオードに非直線性がなく、理想的な検波が行われるとすれば、式（１２）で表すように、入力信号Ｖｉｎの上側波高値（＋Ｅｐ）にバイアス電圧ＶＢが加算された正の直流電圧ＶＤが生成される。そして、この直流電圧ＶＤに入力信号Ｖｉｎを重畳した波形が、ダイオードＤ１のカソードとコンデンサＣ３の接続点に現れる。波形Ｖ（Ｄ）はその重畳波形を示し、これは式（１３）で表すことができる。」（５頁８欄〜６頁９欄）
　
　
　引用例の段落【００５４】【００５６】や図１によれば、零ボルト以上のバイアス電圧ＶＢが供給されており、また電圧の供給に際しては端子を介して行われるのが一般的であることから、引用例においてもこのような端子を有していると考えるのが自然である。
　引用例の段落【００３６】【００５６】によれば、ＲＦ入力信号Ｖｉｎと、バイアス電圧ＶＢを受けて、零ボルト以上のバイアス電圧ＶＢより大きい直流電圧を生成する回路を有し、ＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１をオンし、ＲＦ入力信号が通るようにするのに使われている。そして【００４８】〜【００５６】段落によれば、当該回路は、ＲＦ入力信号Ｖｉｎに一方の端子が接続されたコンデンサＣ３と、当該コンデンサＣ３の他方の端子とバイアス電圧ＶＢが供給される端子との間に接続されたダイオードＤ１を有しており、当該ダイオードＤ１は前記ＲＦ入力信号Ｖｉｎと前記バイアス電圧に応じた直流電圧を生ずるものといえる。
　
　したがって、上記摘記事項、及びこの分野の技術常識によれば、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「ＲＦ入力信号Ｖｉｎを受けるように構成したＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１と、
　バイアス電圧ＶＢを受けるように構成した端子と、
　前記ＲＦ入力信号Ｖｉｎおよび前記バイアス電圧ＶＢを受けるとともに、それらに応答して、直流電圧、すなわち前記ＲＦ入力信号が前記ＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１を通るようにする直流電圧であって、零ボルト以上の前記バイアス電圧ＶＢよりも大きい直流電圧を生ずるように構成した回路と
を含み、前記回路が、
　前記ＲＦ入力信号Ｖｉｎを受けるように接続した一方の端子を有するコンデンサＣ３と、
　前記コンデンサＣ３の他方の端子および前記バイアス電圧ＶＢを受ける端子に接続され、前記ＲＦ入力信号Ｖｉｎおよび前記バイアス電圧ＶＢに応じた直流電圧を生ずるように構成されたダイオードＤ１と
を含むＲＦスイッチ。」
　
　
３．対比
　本願発明を引用発明と対比する。
　引用発明の「ＲＦ入力信号Ｖｉｎ」「ＧａＡｓ・ＭＥＳＦＥＴＪ１」「バイアス電圧ＶＢ」「バイアス電圧ＶＢを受けるように構成した端子」「直流電圧」「前記バイアス電圧ＶＢよりも大きい直流電圧を生ずるように構成した回路」は、本願発明の「無線周波数（ＲＦ）入力信号」「無線周波数スイッチ素子」「第１のＤＣ供給電圧」「第１のＤＣ供給電圧を受けるように構成した第１の電圧源端子」「ＤＣ出力電圧」「第１のＤＣ供給電圧よりも大きいＤＣ出力電圧を生ずるように構成したブースト回路」にそれぞれ相当する。
　引用発明の「コンデンサＣ３」とその「一方の端子」及び「他方の端子」は、それぞれ本願発明の「第１のキャパシタ」「第１の端子」「第２の端子」に相当する。
　引用発明の「ダイオードＤ１」は、後述する点で相違はするものの、本願発明における「整流回路」に対応する。
　また、引用発明の「ＲＦスイッチ」は本願発明における「スイッチシステム」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違する。
　
（一致点）
「無線周波数（ＲＦ）入力信号を受けるように構成した無線周波数スイッチ素子と、
　第１のＤＣ供給電圧を受けるように構成した第１の電圧源端子と、
　前記ＲＦ入力信号および前記第１のＤＣ供給電圧を受けるとともに、それらに応答して、ＤＣ出力電圧、すなわち前記ＲＦ入力信号が前記スイッチ素子の経路を通るようにするＤＣ出力電圧であって零ボルト以上の前記第１のＤＣ供給電圧よりも大きいＤＣ出力電圧を生ずるように構成したブースト回路と
を含み、前記ブースト回路が、
　前記ＲＦ入力信号を受けるように接続した第１の端子を有する第１のキャパシタと、
　前記第１のキャパシタの第２の端子および前記第１の電圧源端子に接続され、前記ＲＦ入力信号および前記第１のＤＣ供給電圧に応答して前記ＤＣ出力電圧を生ずるように構成された整流回路と
を含むスイッチシステム。」
　
（相違点）
　本願発明における「整流回路」は「第１のダイオード」と「第１の抵抗器」を直列接続した構成を有するのに対して、引用発明では「ダイオードＤ１」のみで構成されている点。
　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明においては整流回路を一つのダイオードのみで構成しているが、このような構成であっても整流回路として作用することは明らかである。そして、このダイオードに抵抗器を直列に接続することは、抵抗器を介挿することによって流れる電流を調整したり、あるいは制限したりすることが、回路を設計する際に汎用される一般的な周知技術にすぎないことを踏まえれば、当業者が格別な創意工夫を要することなく容易に想到し発明しうる程度の事項である。
　
　そして本願発明のように構成することによって生じる作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、引用発明と周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。