【事件の表示】
　特願２０００−１１３０８１「フリップチップ実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月２５日出願公開、特開２００２−３１３８４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は，平成１２年４月１４日の出願であって，平成２３年３月１７日付けの拒絶理由通知（いわゆる最後の拒絶理由通知）に対して同年５月１２日付けで特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたが，同年５月２５日付けで同手続補正を却下する決定がなされるとともに拒絶査定がなされ，これに対し，同年８月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，以下のとおりのものと認める。
　「この出願の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１．特開平１１−６７８３６号公報
　２．特開２０００−２１９３５号公報
　３．特開平１１−３０７５８４号公報
　４．特開平１１−１６３０４８号公報
　５．国際公開第９８／３００７３号
　６．特開平３−１６１４７号公報
　７．特開平８−３３７６３５号公報」
　
第３．平成２３年８月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２３年８月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の概要
　本件補正は，平成２２年４月２日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するもので，請求項１については，補正前に
「【請求項１】バンプを有する半導体チップのバンプを，基板に圧着するか，またはバンプを有しない半導体チップを，表面にバンプおよび／もしくは配線パターンのための微細な凹凸を有する基板に圧着して，封止剤によって該半導体チップと該基板の間を封止するフリップチップ実装方法において，
（Ａ）基板を乾燥する工程；ならびに
（Ｂ）未硬化の封止剤を，基板表面の，少なくとも該バンプを圧着する部位，および／または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程；及び
（Ｃ）該半導体チップと該基板との温度差が，２００Ｋ以内である温度条件を維持しつつ，圧着および封止剤の硬化を行う工程；
を含み，
　圧着および封止剤の硬化を行う工程の所要時間が，０．１〜２０秒であることを特徴とする実装方法。」
とあるのを，次のとおりに補正するものである。
　
「【請求項１】バンプを有する半導体チップのバンプを，基板に圧着するか，またはバンプを有しない半導体チップを，表面にバンプおよび／もしくは配線パターンのための微細な凹凸を有する基板に圧着して，封止剤によって該半導体チップと該基板の間を封止するフリップチップ実装方法において，
（Ａ）基板を乾燥する工程；ならびに
（Ｂ）未硬化の封止剤を，基板表面の，少なくとも該バンプを圧着する部位，および／または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程；および
（Ｃ）該半導体チップと該基板との温度差が，２００Ｋ以内である温度条件を維持しつつ，圧着および封止剤の硬化を行う工程；
を含み，
　圧着および封止剤の硬化を行う工程の所要時間が，０．１〜２０秒であり，
　未硬化の封止剤が，圧着・硬化温度で揮発する成分が０．６〜１．０重量％であることを特徴とする実装方法。」
　
　請求項１の補正は，補正前の発明特定事項である「未硬化の封止剤」について，「圧着・硬化温度で揮発する成分が０．６〜１．０重量％である」ことを特定したものであり，産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものではない。
　したがって，少なくとも請求項１の補正に関する限り，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３０７５８４号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　１ａ）「【請求項１】表面にバンプ電極が形成された半導体チップを熱硬化型樹脂を介して回路基板上にフリップチップ接続する半導体装置の製造方法であって，
前記回路基板の配線が形成されている接続面に前記熱硬化型樹脂を供給する熱硬化型樹脂供給工程と，
前記半導体チップを裏面から半導体チップ吸着用ツールで吸着して前記回路基板上に移送した後，前記バンプ電極と前記配線とが略対向するように前記半導体チップを前記回路基板上に位置決めする半導体チップ位置決め工程と，
前記半導体チップを加熱した状態で前記バンプ電極が前記配線に接触するように前記半導体チップを前記回路基板上に加圧する半導体チップ加圧工程と，
前記半導体チップを加圧しつつその加熱温度を段階的に変更して前記熱硬化型樹脂を硬化させて，前記半導体チップを前記回路基板上に接続するフリップチップ接続工程と，
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　１ｂ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の公報記載の半導体装置の製造方法は，パルスヒートにより熱硬化型樹脂を硬化させる場合に，短時間の加熱により硬化を行わせているので，熱硬化型樹脂内にボイドが発生し易くなって，フリップチップ接続の信頼性が低下する，という問題がある。すなわち，従来では，短時間で熱硬化型樹脂を硬化させるために，短時間で硬化反応が終了するような大きな熱量を熱硬化型樹脂に加えるので，急激に硬化反応が生ずるようになって樹脂が発泡する。また，その熱量が過度になると，熱硬化型樹脂自身が沸騰するようになって発泡する場合もある。そして，発泡により生じた気泡がチップと回路基板との接続部等に閉じ込められることにより，ボイドとなる。ボイドが存在すると，熱硬化型樹脂に未硬化部が形成されるようになるので，熱硬化型樹脂の収縮力が低下するため，接続が不十分になる。」
　１ｃ）「【０００９】この発明は，上述の事情に鑑みてなされたもので，フリップチップ接続を行うにあたり，パルスヒートによる熱硬化型樹脂の硬化時に，ボイドの発生を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。」
　１ｄ）「【００１７】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照して，この発明の実施の形態について説明する。説明は，実施例を用いて具体的に行う。
◇第１実施例
図１乃至図５は，この発明の第１実施例である半導体装置の製造方法を示す工程図，また，図６は同半導体装置の製造方法の熱硬化型樹脂の硬化時に適用される加熱時間と加熱温度との関係を示す加熱温度分布図である。以下，図１乃至５を参照して，同半導体装置の製造方法を工程順に説明する。まず，図１に示すように，例えば銅からなる配線２が形成された回路基板１を用いて，次に，図２に示すように，配線２の一部を含む接続面に，スクリーン印刷法，ディスペンサ塗布法等で例えばエポキシ樹脂からなる熱硬化型樹脂３を供給する。エポキシ樹脂は一般に，硬化収縮率が熱膨張率より大きいので，チップを回路基板上にフリップチップ接続するとき，剥がれにくくて良好な接続を行うことができるという優れた性質を備えている。
【００１８】次に，図３に示すように，表面にバンプ電極６が形成されたチップ４を用いて，同チップ４を裏面からチップ吸着用ツール５で吸着して回路基板１上に移送した後，バンプ電極６と配線２とが略対向するようにチップ４を回路基板１上に位置決めする。チップ４のバンプ電極６は，例えば金線を用いたワイヤボンディング技術によって形成することができる。この位置決め時に，チップ吸着用ツール５にパルス電流を流してチップ４を略６０℃に加熱する。これと同時に，回路基板１を支持しているステージに備えられているヒータ（図示せず）によって，回路基板１も略６０℃に加熱する。これらの加熱温度は，熱硬化型樹脂３の特性によって決定され，樹脂の粘度が略最低になる温度に設定する。この例のように，熱硬化型樹脂３としてエポキシ樹脂を用いた場合は，略６０℃が望ましい温度になる。この温度は，他の熱硬化型樹脂を用いた場合でも，一般に１００℃以下に設定される。他のエポキシ樹脂としては，シリコーン樹脂，フェノール樹脂，ウレタン樹脂等があげられる。
【００１９】次に，図４に示すように，チップ４を加熱した状態でバンプ電極４が配線２に接触するようにチップ４をチップ吸着用ツール５により回路基板１上に加圧しつつ，同チップ吸着用ツール５に流すパルス電流を増加してチップ４の加熱温度分布を，図６に示すように段階的に変更する。同図の加熱温度分布は，略６０℃で５秒間加熱する第１段階Iと，略１５０℃で略５秒間加熱する第２段階IIと，略２００℃で略１０秒間加熱する第３段階　IIIとを含んでいる。また，チップ吸着用ツール５による加圧量は，１個のバンプ電極６当たり略３０ｇに設定した。
【００２０】このような加熱温度分布により，第１段階Iでは，熱硬化型樹脂３の粘度が最低になっている状態で加圧されるので，熱硬化型樹脂３はチップ４のバンプ電極６の形成面全体に濡れ広がるので，気泡が熱硬化型樹脂３内に閉じ込められずに外側に押し出されるため，ボイドは形成されなくなる。また，加圧により押し出される樹脂４によりチップ４の側面付近にフィレットが形成されるが，樹脂の粘度が低くなっているので樹脂が良好に盛り上がるので，そのフィレットの形成も良好に行われる。
【００２１】また，第２段階IIでは，熱硬化型樹脂３のゲル化を促進するのに望ましい温度に設定されているので，樹脂３のゲル化が良好に行われるため，特に低分子の反応が十分に進行するようになる。これにより，低分子樹脂が残らないので，この低分子が残ることに起因する樹脂３の沸騰が防止されるので，ボイドは発生しなくなる。
【００２２】また，第３段階IIIでは，ボイドの発生原因が全て排除された後に，ゲル化の進んだ熱硬化型樹脂３の硬化が行われるのに望ましい温度に設定されているので，樹脂３の硬化が円滑に促進される。すなわち，従来のように，急激な硬化反応は行われないので，硬化時に樹脂３が発泡することはない。
【００２３】次に，図５に示すように，半導体チップ４をチップ吸着用ツール５から開放することにより，チップ４が回路基板１上にフリップチップ接続された半導体装置７が製造される。」
　１ｅ）「【００２７】◇第３実施例
図８は，この発明の第３実施例である半導体装置の製造方法において熱硬化型樹脂の硬化時に適用される加熱時間と加熱温度との関係を示す加熱温度分布図である。この第３実施例の半導体装置の製造方法の構成が，上述の第１実施例のそれと大きく異なるところは，チップの加熱温度において，第１段階Iと第２段階IIとを統合して，チップのマウント時間を短縮するようにした点である。すなわち，この例の半導体装置の製造方法は，加熱温度分布を，図８に示すように，略１００℃で略５秒間加熱する第４段階IV（第１実施例の第１段階Iと第２段階IIとを統合したものに相当している）と，略２２０℃で略５秒間加熱する第５段階V（第１実施例の第３段階IIIに相当している）とを含んでいる。
【００２８】このような加熱温度分布により，第４段階IVでは，熱硬化型樹脂３をチップ４のバンプ電極６の形成面全体に濡れ広げるとともに，ゲル化を促進する加熱を行い，第５段階Vでは，熱硬化型樹脂の硬化を促進する加熱を行う。この例によれば，チップ３のマウント時間を第１実施例及び第２実施例に比べて，略半分に短縮することができる。しかしながら，熱硬化型樹脂３の硬化を行う全体の熱量が不足するので，フリップチップ接続工程の後で，その熱量不足を補うために略１５０℃で略１時間のベーク処理を行うことが望ましい。」
　１ｆ）「【００３０】以上，この発明の実施例を図面により詳述してきたが，具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく，この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあってもこの発明に含まれる。例えば，チップの加熱温度及び時間は一例を示したものであり，目的，用途等に応じて変更が可能である。また，チップのバンプ電極の材料，回路基板の配線の材料は，金，銅等に限らず，銀，アルミニウム，半田等の導電性に優れたものを選ぶことができる。また，熱硬化型樹脂はエポキシ樹脂に限らず，シリコーン樹脂，フェノール樹脂，ウレタン樹脂等の他の材料を用いることができる。また，上述の第１実施例では，第１段階の温度を略６０℃に設定したが，これに限らず，６０℃以上１００℃以下の設定温度であれば，第１実施例で述べたと略同様の効果を得ることができる。」
　
　上記記載事項１ａ〜１ｆ及び図面の記載によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　「表面にバンプ電極６が形成された半導体チップ４を熱硬化型樹脂３を介して回路基板１上にフリップチップ接続する半導体装置の製造方法であって，回路基板１の配線２が形成された接続面にディスペンサ塗布法を用いてエポキシ樹脂からなる熱硬化型樹脂３を供給し，半導体チップ４を裏面からチップ吸着用ツール５で吸着して回路基板１上に移送した後，バンプ電極６と配線２とが対向するように半導体チップ４を回路基板１上に位置決めし，この位置決め時に，チップ吸着用ツール５にパルス電流を流して半導体チップ４を略６０℃に加熱するとともに，回路基板１を支持するステージに備えられたヒータにより回路基板１も略６０℃に加熱して，熱硬化型樹脂３の粘度が略最低になるようにし，その後，半導体チップ４を加熱した状態でバンプ電極６が配線２に接触するように半導体チップ４を回路基板１上に加圧しつつ，チップ吸着用ツール５に流すパルス電流を増加して半導体チップ４の加熱温度を段階的に変更するもので，該加熱温度の段階的変更は，略６０℃で５秒間加熱して熱硬化型樹脂３をチップ４のバンプ電極６の形成面全体に濡れ広げる段階と，略１５０℃で５秒間加熱して熱硬化型樹脂３のゲル化を促進する段階と，略２００℃で１０秒間加熱して熱硬化型樹脂３の硬化を促進する段階とからなるものとするか，あるいは，略１００℃で５秒間加熱して熱硬化型樹脂３を濡れ広げるとともにゲル化を促進する段階と，略２２０℃で５秒間加熱して熱硬化型樹脂３の硬化を促進する段階とからなるものとする半導体装置の製造方法。」
　
（２）同じく，原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−６７８３６号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　２ａ）「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のフリップチップ実装方式においては，図４（ｊ）の如く，半導体チップ部品５の上から加圧加熱治具１４により加圧・加熱して樹脂接着剤１２を硬化させる時，樹脂接着材１２にボイドが発生する場合がある。これは図５（ａ）に示すように基板１１に水分１５が吸着されていると，図５（ｂ）の如く樹脂接着剤１２を盛り，次いで，図５（ｃ）の如く半導体チップ部品５を載置して加熱硬化させるとき基板１１に吸着していた水分が蒸発してボイド１６を発生させるためである。ボイドの発生は半導体装置の耐湿性，耐水性を低下させ信頼性を低下させるという問題がある。
【００１０】本発明は，上記従来の問題点に鑑み，半導体チップをフリップチップ方式で基板に実装する場合の樹脂接着剤に生ずるボイドの発生を防止可能とした半導体チップ実装方法を実現することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の発明は，パッド上にバンプが形成された半導体チップを，該半導体チップを搭載する基板との間に樹脂接着剤を充填し，加圧加熱治具にて加圧・加熱して基板に搭載する半導体チップ実装方法において，基板に半導体チップを実装する前に，予め基板を加熱手段または真空乾燥手段により加熱または乾燥して，基板に吸着されている水分を除去し，実装時の加圧・加熱により樹脂接着剤に生ずるボイドの発生を防止したことを特徴とする。この構成を採ることにより，予め基板の水分を除去した基板に半導体チップ部品を実装するためボイドの発生はない。」
　
（３）同じく，原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平３−１６１４７号公報（以下「引用例３」という。）には，次の事項が記載されている。
　３ａ）「主面より突出した電極を有する半導体チップ（例えばバンプ付ＩＣなど）を配線基板に取付ける方法として，半導体チップの電極とこれらに対応する回路端子が形成された配線基板面との間に接着剤を介し，このＩＣチップと配線基板とを加圧することにより，ＩＣチップの電極と配線基板を導通かつ接着接合することが知られている。」（第２頁左上欄第１０〜１６行）
　３ｂ）「電極上に接着剤を塗布する方式は，接着剤の厚みを均一に制御することが困難であり，接続部に接着剤の過不足や気泡の発生などの現象を生じる結果，十分な接続信頼性を得ることが難かしい。
　さらに接着剤の塗布方式の場合，接着剤が低粘度の液状であることが作業上必要であり，このことから接着剤の材料としては，低分子量物を用いて硬化反応により高分子量化するか，あるいは高分子量物を溶剤等で希釈することが一般的である。
　これらの方法において，前者の場合は低分子量物を急激に高分子化することから，硬化収縮が大きく接続部に残留応力が発生し，耐熱衝撃性が不十分であり，後者の場合は溶剤乾燥時の環境汚染の問題や残留溶剤が接続時の加熱加圧により気化して発泡現象が発生するなどして，各々十分な接続信頼性を得ることが出来ない。」（第２頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第１５行）
　
（４）当審で新たに引用する，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１９９６５０号公報（以下「引用例４」という。）には，次の事項が記載されている。
　４ａ）「【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在，半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード，トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ，超ＬＳＩが主流となっており，この封止樹脂としてエポキシ樹脂は一般に他の熱硬化性樹脂に比べ成形性，接着性，電気特性，機械特性，耐湿性等に優れているため，エポキシ樹脂組成物で上記半導体装置を封止することが多く行われている。
【０００３】最近においては，表面実装用の半導体部品を半田付けする際のパッケージクラックを防止するため，吸水量の少ない低ガラス転移温度のエポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂の使用が増大している。このビフェニル型エポキシ樹脂は，粘度が低いため流動性に優れ，また，シリカの高充填化が可能であるという特徴を有している。
【０００４】しかしながら，このビフェニル型エポキシ樹脂を使用したエポキシ樹脂組成物は，封止時のボイド，ブリスター等の成形不良が生じやすく，信頼性に優れた成形物を得ることができなかった。
【０００５】本発明は，上記事情に鑑みなされたもので，良好な流動性を有し，成形性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本発明者は，上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果，エポキシ樹脂，フェノール性硬化剤，無機質充填剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物において，エポキシ樹脂として下記一般式（１）で表わされ，全揮発成分の含有量が２重量％以下であるビフェニル型エポキシ樹脂及び／又はその２量体を配合することにより，流動性に優れ，成形性に優れた硬化物を与え，このエポキシ樹脂組成物で封止することにより，高温放置下でも高い信頼性及び耐湿性を有する半導体装置が得られることを知見した。」
　４ｂ）「【００１８】上記式（１）のビフェニル型エポキシ樹脂及び／又はその２量体は，揮発成分，特に上記式（２）及び（３）で示される揮発成分及び有機溶剤等を含めた全揮発成分の含有量が２重量％以下，特に０〜１．５重量％であることが必要である。またこの場合，式（２）及び（３）で示される揮発成分の合計含有量が１．５重量％以下，好ましくは１．２重量％以下，より好ましくは０〜１．１重量％であることが推奨される。揮発成分の量が多いと，成形性改善の効果がみられず，成形性に優れた硬化物を得ることができない。なお，かかる揮発分の測定値は，スタテイックヘッドスペースガスクロマトグラフィ分析方法による値である。」
　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「バンプ電極６」，「半導体チップ４」，「回路基板１」，「熱硬化型樹脂３」は，それぞれ本願補正発明の「バンプ」，「半導体チップ」，「基板」，「封止剤」に相当する。
　引用発明は，回路基板１の配線２が形成された接続面にディスペンサ塗布法を用いてエポキシ樹脂からなる熱硬化型樹脂３を供給するものであるから，本願補正発明における「未硬化の封止剤を，基板表面の，少なくとも該バンプを圧着する部位，および／または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程」との要件を備える。
　引用発明は，半導体チップ４を回路基板１上に位置決めする際に，半導体チップ４及び回路基板１を略６０℃に加熱しておき，その後，半導体チップ４を回路基板１上に加圧しつつ，半導体チップ４の加熱温度を略６０℃から略２００℃まで，あるいは略１００℃から略２２０℃まで段階的に上昇させて熱硬化型樹脂３の硬化を行うものである。この加熱温度を段階的に上昇させる過程において，半導体チップ４のバンプ電極６と加圧接触し，かつ，硬化のために所定温度以上に上昇することが必要な熱硬化型樹脂３と接触する回路基板１も，その表面温度が上昇すると考えられ，少なくとも，回路基板１の温度が６０℃よりも低くなるとは考えられない。したがって，上記過程において，半導体チップ４と回路基板１との温度差は，１４０℃（＝２００℃−６０℃），あるいは１６０℃（＝２２０℃−６０℃）よりも小さく保たれるといえるから，引用発明は，本願補正発明における「半導体チップと基板との温度差が，２００Ｋ以内である温度条件を維持しつつ，圧着および封止剤の硬化を行う工程」との要件を備える（仮に，回路基板１が約２０℃の常温となる時間帯があるとしても，「２００Ｋ以内」であることに変わりはない）。
　引用発明において，半導体チップ４を回路基板１上に加圧しつつ，半導体チップ４の加熱温度を段階的に変更する工程に要する時間は，２０秒（＝５秒＋５秒＋１０秒）あるいは１０秒（＝５秒＋５秒）であるから，引用発明は，本願補正発明における「圧着および封止剤の硬化を行う工程の所要時間が，０．１〜２０秒である」との要件を備える。
　したがって，本願補正発明と引用発明は，本願補正発明の表記にしたがえば，
　「バンプを有する半導体チップのバンプを，基板に圧着するか，またはバンプを有しない半導体チップを，表面にバンプおよび／もしくは配線パターンのための微細な凹凸を有する基板に圧着して，封止剤によって該半導体チップと該基板の間を封止するフリップチップ実装方法において，未硬化の封止剤を，基板表面の，少なくとも該バンプを圧着する部位，および／または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程；および該半導体チップと該基板との温度差が，２００Ｋ以内である温度条件を維持しつつ，圧着および封止剤の硬化を行う工程；を含み，圧着および封止剤の硬化を行う工程の所要時間が，０．１〜２０秒である実装方法。」
の点で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明は，基板を乾燥する工程を含むのに対して，引用発明は，回路基板１を乾燥する工程を含まない点。
［相違点２］
　本願補正発明は，未硬化の封止剤が，圧着・硬化温度で揮発する成分を０．６〜１．０重量％含有するのに対して，引用発明は，回路基板１に供給される熱硬化型樹脂３が，圧着・硬化温度で揮発する成分をどの程度含むのか不明である点。
　
　相違点１について検討する。
　引用例２には，フリップチップ方式による半導体チップ実装方法において，基板に半導体チップを実装する前に，予め基板を加熱または乾燥して基板に吸着されている水分を除去し，実装時の加圧・加熱により樹脂接着剤に生ずるボイドの発生を防止することが記載されている（記載事項２ａ参照）。この樹脂接着剤は，本願補正発明の「封止剤」に相当する。相違点１に係る本願補正発明の要件は，引用例２を参酌することにより，当業者が容易に想到し得たことである。
　相違点２について検討する。
　引用例３の記載事項３ａ及び３ｂを参照すると，半導体チップの電極とこれに対応する回路端子が形成された配線基板面との間に熱硬化性接着剤を介在させ，半導体チップと配線基板とを加熱加圧して両者を接続する技術において，接着剤を塗布する方式の場合，接着剤は高分子量物を溶剤で希釈することにより低粘度の液状とする必要があること，また，接続時の加熱加圧による気泡の発生を抑えるためには，接着剤に含まれる溶剤を含めた揮発成分を極力少なくする必要があることが理解される。したがって，接着剤塗布時の低粘度を確保しつつ，加熱時の気泡の発生を抑制するためには，揮発成分の含有量を，適当な下限値と上限値の間のものとすべきことも，容易に理解される。そして，その好ましい具体的な数値は，接着剤に含まれる各種成分，半導体チップを基板に接続する際の加熱温度や加熱時間等の条件に応じて異なると考えられ，実験により容易に決めることができるといえる。
　また，引用例４には，良好な流動性を有するとともに，封止時のボイド等の成形不良を防止して成形性に優れた硬化物を与える，半導体装置の封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって，全揮発成分の含有量を０〜１．５重量％としたエポキシ樹脂組成物が記載されている（記載事項４ａ及び４ｂ参照）。
　相違点２に係る本願補正発明の要件は，引用例３に記載された事項または引用例４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。
　以上のことから，本願補正発明は，引用発明及び引用例２ないし引用例４に記載された事項に基づいて，出願前に当業者が容易に発明できたものである。
　なお，本願の明細書では，「圧着・硬化温度で揮発する成分の含有量が，１．０重量％以下であることが好ましく，実質的に含有しないことが特に好ましい。」（段落【００２６】）としており，揮発成分の含有量に上限を設ける思想は記載されているが，下限を設ける思想は記載されていない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２２年４月２日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下，「本願発明」という。「第３」の「１．本件補正の概要」参照。）。
　
第５．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は，前記「第３」の「２．引用刊行物」に記載したとおりである。
　
第６．対比・判断
　本願発明は，本願補正発明から，前記「第３」の「１．本件補正の概要」に記載した限定を外したものである。
　したがって，本願発明と引用発明との相違点は，「第３」の「３．対比・判断」に記載した相違点１及び相違点２のうち，相違点１のみであるから，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，出願前に当業者が容易に発明できたものである。
　
第７．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。