【事件の表示】
　特願２００６−１６２６６４「電界発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２８日出願公開、特開２００７−１６５８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
平成１８年　６月１２日：特許出願
（優先日　平成１７年１２月１２日　大韓民国）
平成２１年　７月１３日：拒絶理由
平成２１年１０月２１日：意見及び手続補正
平成２１年１１月１０日：拒絶査定
平成２２年　３月１５日：審判請求及び手続補正
平成２３年　２月　７日：審尋
平成２３年　４月２１日：回答
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は（以下「本願発明」という。）は，下記のとおりのものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　第１基板上に，２つの電極の間に配置され，かつ有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と，
　前記第１基板に対向配置された第２基板上に，前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と，
　前記トランジスタ部のドレインから電気的かつ機械的に延びた接続電極と，
　前記２つの電極のうちのいずれか一つ及び前記接続電極と面接触する電気接触部と
　を備え，
　前記電気接触部が，前記２つの電極のうちのいずれか一つと前記接続電極との間の接続領域内に形成されていることを特徴とする電界発光素子。
　
第３　引用例
　本願の優先日よりも前に頒布された刊行物である特開平１１−８０６５号公報（拒絶理由通知の引用文献２，以下「引用例」という。）には，各図とともに以下の事項が記載されている。
　
記載事項ア　
「【００３１】（実施例１）この実施例によるＥＬ素子の製造法においては，まず，図１に示すように，表面凹凸形成した単結晶Ｓｉ（シリコン）基板１１を陽極化成（陽極酸化）することにより多孔質Ｓｉ層１２を形成する。この陽極化成法による多孔質Ｓｉ層１２の形成方法はよく知られており（例えば，応用物理第５７巻，第１１号，第１７１０頁（１９８８）），例えば，電流密度を３０ｍＡとし，陽極化成溶液としてＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１を用いた場合，得られる多孔質層Ｓｉ１２の厚さは５〜５０μｍ，多孔度（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）は１０〜５０％である。この多孔質Ｓｉ層１２の厚さは，単結晶Ｓｉ基板１１を繰り返し使用する観点からは，この単結晶Ｓｉ基板１１の厚さの減少を少なくし，使用可能回数を多くするために，可能な限り薄くすることが望ましく，好適には５〜１５μｍ，例えば約１０μｍに選ばれる。また，単結晶Ｓｉ基板１１は，陽極化成によりその上に多孔質Ｓｉ層１２を形成する観点からはｐ型であることが望ましいが，ｎ型であっても，条件設定によっては多孔質Ｓｉ層１２を形成することが可能である。
【００３２】単結晶Ｓｉ基板１の表面凹凸は，例えばＥＬ表示に適用した際の画素の大きさ，密度に対応させればよい。また，カラーＥＬ素子に適用する場合には，凸部のピッチを３倍長に設定すればよい。
【００３３】また，凸部の高さは，多孔質Ｓｉ１２の膜厚の数値より大きい数値，好ましくは２倍〜２０倍程度に設定される。
【００３４】次に，図１の多孔質Ｓｉ１２の上に，図２のＩＴＯ膜２１を蒸着法により１００ｎｍ厚で成膜した。
【００３５】次に，このＩＴＯ膜２１を設けたＳｉ基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダに固定して，モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル〔１，１′−ビフェニル〕−４−４′−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ，また違うモリブデン製ボートに４，４′−ビス（２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空層を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後，ＴＰＤ入りの上記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し，ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓでＳｉ基板上に蒸着して，図３の膜厚６０ｎｍの正孔注入層３１を成膜した。このときの基板温度は室温であった。これを真空槽から取り出すことなく，正孔注入層３１の上に，もう一つのボートよりＤＰＶＢｉを発光層３２として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃であり，蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ，基板温度は室温であった。これを真空槽から取り出して，上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し，再び基板ホルダに固定した。次に，モリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ3）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに，モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボンを１ｇ入れ，また違うタングステン製のバスケットに銀ワイヤを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後，真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧してから，Ａｌｑ3の入ったボートを２３０℃まで加熱し，Ａｌｑ3層３３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。
【００３６】この結果，多孔質Ｓｉ１２の上に，透明電極となるＩＴＯ膜２１上にＥＬ層３となる正孔注入層３１，発光層３２とＡｌｑ3層３３との積層体が形成された。
【００３７】さらに，銀を０．０１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により，もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極をＥＬ層３の上に１５０ｎｍの厚さで積層蒸着し，図４の対向電極４１とした。この素子を乾燥窒素中にて，０ｖから１０ｖ，０ｖから−１０ｖへ０．５ｖ間隔で５秒ずつで印加し，エージングを行なった。」
　
記載事項イ　
「【００３９】接着性電気接続体５３は，エポキシ系又はフェノール系熱硬化接着剤又は紫外線若しくは電子性硬化性接着剤中にカーボン粒子，銀粒子や銅粒子の様な導電性粒子が分散含有された導電性接着剤を用い，これをスクリーン印刷法，オフセット印刷法又はディスペンサー塗布法などの採用によって，ストライプ状金属電極５３の上に塗布，乾燥させることによって得られる。
【００４０】上述の導電性接着剤中には，界面接着力を増強するために，Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン，Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン，３−アミノプロピルトリメトキシシラン，３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン，３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤を含有させることができる。」
　
記載事項ウ　
「【００４６】次いで，図６に図示するもう１枚の対向貼合せ基板６１を乾燥窒素チャンバ内にセットした。この対向貼合せ基板６１には，剥離後の貼合せ基板５１上の研磨された透明電極ＩＴＯ膜２１の位置が対向する位置で，前述のストライプ形状金属膜５２のストライプ長手方向と交差する様に，ストライプ形状のＩＴＯ膜が予め設けられている。
【００４７】さらに，この対向貼合せ基板６１の周囲には，封用接着剤となるエポキシ系接着剤やフェノール系接着剤がスクリーン印刷法又はディスペンサー塗布法などによって事前に塗布されている。」
　
記載事項エ　
「【００６１】（実施例５）前記実施例１において図４に図示する単結晶Ｓｉ基板と同一のものを作成し，これを乾燥窒素チャンバ内にアームに載せて搬入させた。該チャンバ内には，予め図１１に図示する貼合せ基板１１１がセットされている。
【００６２】この貼合せ基板１１１には，単結晶Ｓｉ基板の凸部と対応する位置に透孔１１２が設けられている。そして，これら透孔１１２毎に接着剤性電気接続体となる導電ペースト剤１２１が上下とも図１２の如く山なり状に注入配置されている。
【００６３】透孔１２１（当審注：「透孔１２１」は「透孔１１２」の誤記である。）と対向電極４１とが相対向する様に，この貼合せ基板１１１と図４に図示する単結晶Ｓｉ基板とを重ね合せ，両基板を圧着加熱した。
【００６４】次いで，貼合せ基板１１１を単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質Ｓｉ膜１２から剥離し，貼合せ基板１１１の側に透明電極ＩＴＯ膜２１，ＥＬ３と対向電極４１との積層物を転写させた。
【００６５】次いで，同一の乾燥窒素チャンバ内に装填しておいた図１３−図１６のＴＦＴ基板のドレイン電極パッド毎に接着性電気接続体１３１を設けた。このＴＦＴ基板上の接着性電気接続体１３１と上述の貼合せ基板１１１の下面１２２上の導電ペースト剤１２１とが相対向する様に，貼合せ基板１１１とＴＦＴ基板とを重ね合せ圧着加熱し，両基板を接着性電気接続体１３１を通して固着した。
【００６６】次いで，やはり同一チャンバ内に図６に図示する貼合せ基板６１と同一のものを装填しておいた。この貼合せ基板６１の周囲には封止用接着剤１１７が塗布されており，この貼合せ基板６１上のストライプ状ＩＴＯ膜６２とＴＦＴ基板に貼合せた貼合せ基板１１１の上面１２３側に転写された積層物の透明電極ＩＴＯ膜２１とが相対向する様に，両基板を重ね合せ圧着加熱して固定封止した。
【００６７】図１３は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬ素子の概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む，４端子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して選択され，ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００％に近いデュティサイクルで動作することを許容する。」
　
記載事項オ　
「【００７１】図１４は，本発明のＴＦＴ基板１４１の代表例を示す平面図である。ＴＦＴ１は図１３のＴ１に対応し，ＴＦＴ２は図１３のＴ２に対応し，コンデンサ１４２は図１３のＣｓに対応し，ドレイン電極パッド１４３は図１３の各ＥＬ毎のＴ2のドレイン接続電極に対応している。
【００７２】図１５は，図１４のＡ−Ａ′断面図である。図１６は，図１４のＢ−Ｂ′断面図である。
【００７３】本発明で用いたＴＦＴ１及びＴＦＴ２としては，ガラス基板１５６上のソースバス１５１をｎ+ ポリシリコンに接続し，ドレインをｎ+ ポリシリコンに接続し，Ｉ型ポリシリコン膜をはさんで配置したゲート絶縁膜にＰＥＣＶＤ（プラズマ増強ＣＶＤ）１５２−ＳｉＯ2 膜１５４を配置し，ゲートバス１５３をｎ+ ポリシリコンに接続したトランジスタ構造を採用した。さらに，パシベーション膜１５５がドレイン電極パッド１４３の接続部位以外を覆って配置された。
【００７４】本発明は，上述したトランジスタ構造に限定されることなく，アモルファスシリコンＣ微結晶シリコン半導体を用いたスタガー構造又はコプレナー構造の何れをも適用することができる。
【００７５】また，本発明は，結晶シリコンを用いたＳＯ１（シリコン・オン・インシュレータ）構造（当審注：「ＳＯ１」は「ＳＯＩ」の誤記である。）のＭＯＳトランジスタに適用することができる。
【００７６】コンデンサＣｓは，図１６の一対のコンデンサ電極１６１と１６２及び該一対のコンデンサ電極間に設けたＳｉＯ2 膜１５４によって形成される。コンデンサ電極は，Ａｌ等によって成膜され，グランドバスと接続配線され，コンデンサ電極１６２はｎ+ ポリシリコン膜によって成膜され，ＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００７７】ゲートバス１５３及びソースバス１５１は，クロム／アルミ積層配線が好ましく用いられる。
【００７８】パシベーション１５５としては，プラズマＣＶＤによってチッ化シリコン膜が適している。
【００７９】ドレイン電極パット１４３としては，反射性能を持たせるために，アルミニウム，銀などの金属膜を用いることができるが，ＩＴＯやＺｎＯの様な透明導電膜であってもよい。
【００８０】図１７は，本実施例で作成したＴＦＴを用いたＥＬ装置の断面図を表わしている。」
　
　これら記載事項及び各図を考慮して，引用例に記載された発明（実施例１において図４に図示する単結晶Ｓｉ基板（１１）及び図６に図示する対向貼合せ基板（６１）を用いてなる実施例５の発明）を分説して記載すると，下記のとおりとなる（以下，この発明を「引用発明」といい，また，分説された構成を「構成要件Ａ」などという。）。
　
Ａ　表面凹凸形成した単結晶Ｓｉ基板（１１）を陽極化成することにより多孔質Ｓｉ層（１２）を形成し，多孔質Ｓｉ層（１２）の上に，ＩＴＯ膜（２１）を蒸着法により１００ｎｍ厚で成膜し，ＩＴＯ膜（２１）上にＥＬ層（３）となる正孔注入層（３１），発光層（３２）とＡｌｑ3層（３３）との積層体を形成し，マグネシウムと銀の混合金属電極をＥＬ層（３）の上に１５０ｎｍの厚さで積層蒸着して対向電極（４１）とし，
Ｂ　貼合せ基板（１１１）には，単結晶Ｓｉ基板（１１）の凸部と対応する位置に透孔（１１２）が設けられ，これら透孔（１１２）毎に接着剤性電気接続体となる導電ペースト剤（１２１）が上下とも山なり状に注入配置され，
Ｃ　透孔（１１２）と対向電極（４１）とが相対向する様に，この貼合せ基板（１１１）と単結晶Ｓｉ基板（１１）とを重ね合せ，両基板を圧着加熱し，貼合せ基板（１１１）を単結晶Ｓｉ基板（１１）上の多孔質Ｓｉ層（１２）から剥離し，貼合せ基板（１１１）の側にＩＴＯ膜（２１），ＥＬ層（３）と対向電極（４１）との積層物を転写させ，
Ｄ　ＴＦＴ基板（１４１）のドレイン電極パッド（１４３）毎に接着性電気接続体（１３１）を設け，ＴＦＴ基板（１４１）上の接着性電気接続体（１３１）と貼合せ基板（１１１）の下面（１２２）上の導電ペースト剤（１２１）とが相対向する様に，貼合せ基板（１１１）とＴＦＴ基板（１４１）とを重ね合せ圧着加熱し，両基板を接着性電気接続体（１３１）を通して固着し，
Ｅ　対向貼合せ基板（６１）上のストライプ状ＩＴＯ膜（６２）とＴＦＴ基板（１４１）に貼合せた貼合せ基板（１１１）の上面（１２３）側に転写された積層物のＩＴＯ膜（２１）とが相対向する様に，両基板を重ね合せ圧着加熱して固定封止してなり，
Ｆ　ＴＦＴ基板（１４１）は，論理ＴＦＴ（Ｔ１），電力ＴＦＴ（Ｔ２），コンデンサ（１４２）を含み，ドレイン電極パッド（１４３）は各ＥＬ毎の電力ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン接続電極に対応している，
Ｇ　ＥＬ素子。
　
第４　対比及び判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　
(1)　第１ピクセル部
　構成要件Ａ及びＥからみて，引用発明の「対向貼合せ基板（６１）」，「ＩＴＯ膜（２１）」，「発光層（３２）」，「対向電極（４１）」及び「ＥＬ層（３）」は，それぞれ，本願発明の「第１基板」，「２つの電極（の一方）」，「有機発光層」，「２つの電極（の他方）」及び「発光部」に相当する。
　そして，引用発明の「積層物（が設けられた領域）」と本願発明の「第１ピクセル部」は，「第１基板上に，２つの電極の間に配置され，かつ有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部」の点で一致する。
　
(2)　トランジスタ部
　構成要件ＢないしＦからみて，引用発明の「ＴＦＴ基板（１４１）」は本願発明の「第２基板」に相当する。
　そして，引用発明の「電力ＴＦＴ（Ｔ２）（が設けられた領域）」と本願発明の「トランジスタ部」は，「前記第１基板に対向配置された第２基板上に，前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部」の点で一致する。
　
(3)　接続電極
　構成要件Ｄ及びＦからみて，引用発明の「ドレイン電極パッド（１４３）」及び「接着性電気接続体（１３１）」を併せてなるものと本願発明の「接続電極」は，（後述の相違点を除いた）「前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びた接続電極」の点で共通する。
　
(4)　電気接触部
　構成要件ＢないしＤからみて，引用発明の「導電ペースト剤（１２１）」と本願発明の「電気接触部」は，「前記２つの電極のうちのいずれか一つ及び前記接続電極と面接触する電気接触部」の点で一致する。
　
(5)　接続領域
　構成要件ＢないしＥからみて，引用発明の「透孔（１１２）」に対応する領域は「導電ペースト剤（１２１）」が配置される領域であって，「対向電極（４１）」と「接着性電気接続体（１３１）」との間に位置する。
　そうしてみると，引用発明の「透孔（１１２）」に対応する領域は本願発明の「接続領域」に相当し，引用発明と本願発明は，「前記電気接触部が，前記２つの電極のうちのいずれか一つと前記接続電極との間の接続領域内に形成されている」という構成を備える点で一致する。
　
(6)　電界発光素子
　以上の対比結果及び構成要件ＡないしＧからみて，引用発明の「ＥＬ素子」と本願発明の「電界発光素子」は，「電界発光素子」の点で一致する。
　
　そうしてみると，本願発明と引用発明は，
「　第１基板上に，２つの電極の間に配置され，かつ有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と，
　前記第１基板に対向配置された第２基板上に，前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と，
　前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びた接続電極と，
　前記２つの電極のうちのいずれか一つ及び前記接続電極と面接触する電気接触部と
　を備え，
　前記電気接触部が，前記２つの電極のうちのいずれか一つと前記接続電極との間の接続領域内に形成されている，
　電界発光素子。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明の「接続電極」は，前記トランジスタ部のドレインから電気的「かつ機械的」に延びたものであるのに対して，引用発明の「ドレイン電極パッド（１４３）」及び「接着性電気接続体（１３１）」を併せてなるものは，これが明らかではない点。
　
２　判断
　引用例の図１７からみて明らかなおとり，引用発明の「接着性電気接続体（１３１）」は所定の高さを備えた接続体であって「ドレイン電極パッド（１４３）」及び「導電ペースト剤（１２１）」とともにＥＬ装置の基板同士を電気的に接続するためのものであるところ，ＥＬ装置の基板同士を電気的に接続するための接続体であって所定の高さを備えたものとして，樹脂等で作成した突起の表面に電極を電気的かつ機械的に延ばしてなるものは周知である（必要ならば，特開２００５−９３３３５号公報，特開２００５−１０７２９４号公報，特開２００４−２００１６７号公報を参照。）。また，引用発明は，既に電力ＴＦＴ（Ｔ２）のドレインから電気的かつ機械的に延びたドレイン電極パッド（１４３）を備えるものであるから，周知技術を適用することに好適なものである。
　そうしてみると，引用発明の「接着性電気接続体（１３１）」を周知技術の構成に置き換え，あるいは，引用発明の「接着性電気接続体（１３１）」と周知技術の構成を併用して基板同士を電気的に接続するために必要な所定の高さを確保することは当業者が容易にできることであり，そのようにしてなるものは相違点に係る構成を備えたものである。
　また，本願発明の効果は，引用発明及び周知技術から予測できる範囲内のものである。
　
３　小括
　以上のとおり，本願発明は引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　総括
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。