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　特願２００３−１５６９９９「フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２４日出願公開、特開２００４−３６１５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許出願（以下「本願」という。）は、平成１５年６月２日の出願であって、平成２１年６月２４日付けで手続補正がなされ、同年８月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年３月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月２３日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされ、これに対して、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２３年４月１３日付けで審尋がなされ、同年６月１７日付けで当該審尋に対する回答書が提出され、その後、同年７月２０日付けで平成２２年６月２３日付け手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶の理由が通知され、同年９月２６日付けで意見書が提出されたものである。
　
　
　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１乃至７に係る発明は、平成２１年６月２４日付け手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「　設計データに対し図形演算を行なうことによって第１と第２描画デー
タをそれぞれ作成する工程と、
　第１フォトマスク描画装置を用いて、前記第１描画データに従ってフォトマスク上の第１領域に第１パターンを形成する工程と、
　前記第１フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第２フォトマスク描画装置を用いて、前記第２描画データに従って前記フォトマスク上の第２領域に第２パターンを形成する工程と、
　を備えたフォトマスクの製造方法。」
　
　
　
３．引用発明
３−１．刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−２６２３１９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている（後述の「３−２．引用発明の認定」において引用した記載に下線を付した）。
　
記載事項ａ．第１頁右下欄第２行乃至第１８行
「（産業上の利用分野）
　本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にパターン精度の異なる領域が共存する
半導体装置のパターン形成方法
（従来の技術）
　近年、集積回路の高密度・高集積化のため、ますます微細で大規模なパターンを形成することが要求されている。この高解像度を要求されるパターンは、電子線露光による直接描画によって形成されている。しかしながら、高解像度を要求される部分とそうでない部分が混在している１枚の半導体基板全体を電子露光により直接描画する場合は極めて露光時間が長くなる。特に電源線等の幅広いパターンを描画する場合には、露光スポット数も多くなる。従って、１枚の半導体基板の処理について電子線露光装置を占有する時間が長くなり量産性の低下を招く。」
　
記載事項ｂ．第３頁左下欄第４行乃至第７行
「次に、この半導体基板１及び多結晶シリコン膜４上に高感度で高解像性を有する
ポジ型のレジストであるＰＭＭＡ８
　
記載事項ｃ．第３頁左下欄第１５行乃至右下欄第１６行
「　第４図は、本発明の第４の実施例のパターン形成方法である。
半導体基板１上には高解像度を要する領域２と高解像度を要しない領域３が存在している
半導体基板１上の全面にＰＭＭＡ８を塗布する
　次に、最終的に残置させたい所を除いた部分に
所定のパターンデータに従って電子ビームを照射し現像する
このＰＭＭＡ８をマスクにしてエッチングを行なう
　次に、
このＰＭＭＡ８を除去し、半導体基板１
上に
第２のフォトレジスト７を塗布する
　次に、
高解像度を要しない領域３について、スループットの高い光ステッパ
を用いてパターンを露光、現像し第２のフォトレジスト７をパターニングする
この第２のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なう
　次に、この第２のフォトレジストを除去し所定のパターニングを完了する。（第４図(e)）」
　
記載事項ｄ．第４図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　
３−２．引用発明の認定
　引用例１の「半導体装置のパターン形成方法」は「電子ビームを照射」することを含むのであるから、引用例１の「半導体装置のパターン形成方法」が何らかの“電子ビーム照射装置”を用いていることは明らかである。
　記載事項ｃ及び記載事項ｄの記載内容から、引用例１の「半導体装置のパターン形成方法」において、「電子ビームを照射し現像する」こと、及び、「ＰＭＭＡ８をマスクにしてエッチングを行なう」ことにより、「半導体基板１上」の「高解像度を要する領域２」に“所定のパターンを形成している”と認められる。
　記載事項ｃ及び記載事項ｄの記載内容から、引用例１の「半導体装置のパターン形成方法」において、「半導体基板１上」の「高解像度を要しない領域３について」、「光ステッパ」「を用いてパターンを露光、現像し第２のフォトレジスト７をパターニングする」こと、及び、「この第２のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なう」ことにより、「半導体基板１上」の「高解像度を要しない領域３」に“前記所定のパターンとは異なるパターンを形成している”と認められる。
　記載事項ａの「高解像度を要求されるパターンは、電子線露光による直接描画によって形成されている」という記載、及び、記載事項ｃの「高解像度を要しない領域３について、スループットの高い光ステッパを用いてパターンを露光」するとの記載から、引用例１の「光ステッパ」が、前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低いことは明らかである。
　
　上記事項及び記載事項ａ乃至記載事項ｄから、引用例１には、
「　電子ビーム照射装置を用いて、半導体基板１上の全面にポジ型レジストであるＰＭＭＡ８を塗布し、所定のパターンデータに従って電子ビームを照射し現像し、このＰＭＭＡ８をマスクにしてエッチングを行なうことにより、半導体基板１上の高解像度を要する領域２に所定のパターンを形成し、
　このＰＭＭＡ８を除去し、半導体基板１上に第２のフォトレジスト７を塗布し、半導体基板１上の高解像度を要しない領域３について、前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いてパターンを露光、現像し第２のフォトレジスト７をパターニングし、この第２のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なうことにより、半導体基板１上の高解像度を要しない領域３に前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する、
　半導体装置のパターン形成方法。」
（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　
　
４．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　本願発明の「フォトマスク上の第１領域」及び「フォトマスク上の第２領域」とは、それぞれ、フォトマスク上の“所定の領域”及び“前記所定の領域とは異なる領域”であるといえる。一方、引用発明の「半導体基板１上の高解像度を要する領域２」は半導体基板上の所定の領域であり、「半導体基板１上の高解像度を要しない領域３」が前記「半導体基板１上の高解像度を要する領域２」とは異なる領域であることは明らかである。よって、引用発明の「半導体基板１上の高解像度を要する領域２」と本願発明の「フォトマスク上の第１領域」とは、「第１領域」である点で一致し、同様に、引用発明の「半導体基板１上の高解像度を要しない領域３」と本願発明の「フォトマスク上の第２領域」とは、「第２領域」である点で一致する。
　引用発明の「所定のパターン」は、「半導体基板１上の高解像度を要する領域２に」「形成」されるパターンであるから、前記一致点における関係も考慮すれば、引用発明の「所定のパターン」は本願発明の「第１パターン」に相当し、以下同様に、引用発明の「所定のパターンデータ」は、「半導体基板１上の高解像度を要する領域２に所定のパターンを形成」するために用いられるものであるから、本願発明の「第１描画データ」に相当し、引用発明の「前記所定のパターンとは異なるパターン」は、「半導体基板１上の高解像度を要しない領域３に」「形成」されるパターンであるから、本願発明の「第２のパターン」に相当し、引用発明の「電子ビーム照射装置」は、「半導体基板１上の高解像度を要する領域２に所定のパターンを形成」するために用いられるものであるから、引用発明の「電子ビーム照射装置」と本願発明の「第１フォトマスク描画装置」とは、「第１描画装置」である点で一致し、引用発明の「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパ」は、「半導体基板１上の高解像度を要しない領域３に前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ために用いられるものであるから、引用発明の「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いて」いることと本願発明の「前記第１フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第２フォトマスク描画装置を用いて」いることとは、「前記第１描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第２装置を用いて」いることである点で一致する。
　
　したがって本願発明と引用発明とは、　
「　第１描画装置を用いて、第１描画データに従って第１領域に第１パターンを形成する工程と、
　前記第１描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第２装置を用いて、第２領域に第２パターンを形成する工程と、
　を備えた製造方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　第１パターンを形成するための第１描画データ及び第２パターンを形成するための第２描画データを、本願発明では「設計データに対し図形演算を行なうことによって」作成しているのに対し、引用発明ではどのようにして作成しているのか不明である点。
　
（相違点２）
　第２領域に第２パターンを形成するのに際し、本願発明では「第２」「描画装置を用いて」いるのに対し、引用発明では「光ステッパを用いて」いる点。
　
（相違点３）
　本願発明が「フォトマスクの製造方法」であるのに対し、引用発明は「半導体装置のパターン形成方法」であり、またそれに付随して、加工される対象が、本願発明では「フォトマスク」であるのに対し、引用発明では「半導体基板１」である点。
　
　
　
５．判断
５−１．相違点１について
　本願明細書の段落【００２６】乃至【００２８】並びに図１乃至４等の記載内容を参酌すると、本願発明における「設計データに対し図形演算を行なうことによって第１と第２描画データをそれぞれ作成する」こととは、設計データに対して複数回の変形を施すことにより、異なる加工精度の複数のパターンに対応する複数のデータを作成することであると理解できるが、そのような技術思想は本願出願前に周知である（例えば、特開２００１−１０９１２８号公報（【００４４】、図３等参照））。
　よって、引用発明において、上記周知技術を採用し、「所定のパターンを形成」するためのデータ及び「前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ためのデータとを、設計データに対し図形演算を行うことによって作成するとして、相違点１に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
５−２．相違点２について
　本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３１８４５５号公報（以下「引用例２」という。）には、レジストにパターンを形成する方法において、要求される微細度が低いパターンの形成に際し、要求される微細度が高いパターンの形成に用いられる描画装置よりも加工精度が低い描画装置を用いる工程を備えた発明が記載されていると認められる（【００３１】、【００３８】乃至【００４２】、【００６１】、【００６９】参照）。
　引用発明と引用例２に記載の発明とは、レジストにパターンを形成する方法である点で技術分野が共通であり、要求される微細度が異なる２つのパターンを効率よく形成する点で課題も共通するから、引用発明において、「前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ために「半導体基板１上の高解像度を要しない領域３について」行われる「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いてパターンを露光」することに代えて、（「半導体基板１上の高解像度を有する領域２」に「電子ビームを照射」する「電子ビーム照射装置」の加工精度とは）異なる加工精度の描画装置を用いて描画する構成を採用することにより、相違点２に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　以下、平成２３年９月２６日付け意見書における審判請求人の主張について言及する。
（審判請求人の主張１）
「　しかし、特開昭５７−７２３２７号公報には、「第１の露光方式で一部のパターンを露光し、第２の露光方式で残りを露光する」ことが記載されているだけであり、やはり本願発明と同様の方法が記載されているとはいえません。特開昭５７−７２３２７号公報では、あくまで、光露光方式と直接描画の露光方式のような異なる方式の露光方法を使い分けることが記載されており、本願発明のような「同一方式の加工精度の相違」に全く着目していません。このことは、引用文献１，２（当審注：それぞれ本審決における「引用例１」及び「引用例２」）について全く同様です。
　したがって、引用文献１，２および上記周知技術のいずれにも、『「同一方式の加工精度の相違」を上手く利用する』という技術的思想は全く記載されておらず、これらの文献を組み合わせても、独立請求項１に係る本願発明は、容易に得られるものではありません。」
（当審の見解）
　上記したように、引用例２には、要求される微細度に応じて加工精度の異なる２つの描画装置を用いる技術思想が記載されており、当該技術思想は、“同一方式の加工精度の相違を上手く利用する”ことに他ならない。よって審判請求人の上記主張は採用できない。
　
（審判請求人の主張２）
「　さらに、本願発明の属する技術分野の専門家は、「光露光（結像）」と「光描画（集光）」とを明確に区別しており、これらが代替可能であるとは通常は考えないものです。現に、「光露光（結像）」と「光描画（集光）」とが代替可能であることに言及した先行技術は存在しません。
　ところが、審判官殿は、何ら根拠を示すことなく、「光露光（結像）」と「光描画（集光）」とが代替可能であると判断されていますが、これは本願発明の属する技術分野における技術常識を無視した判断であり、決して妥当であるとはいえません。」
（当審の見解）
　技術常識（技術の変遷）から、パターン形成方法において、光露光方式と光描画方式とは代替可能であることは明らかであり（例えば、特開平０８−１１５８６４号公報（【０００２】の第４行乃至第１０行参照）や特開平０８−１６２４７８号公報（【００２１】の第５行乃至第８行参照））、よって審判請求人の上記主張は採用できない。
　
（審判請求人の主張３）
「　その上、審判官殿は、「光露光の方が電子線描画より加工精度が低い」と述べておられますが、電子線描画の加工精度は、電子の加速電圧によって決まり、光露光の加工精度は、露光波長、開口数ＮＡ、開口数比δにより決まり、条件を選べば、光露光の方が電子線描画より高精度となり得ます。したがって、「光露光の方が電子線描画より加工精度が低い」との判断も、技術的観点から正しいものであるとはいえません。」
（当審の見解）
　当審が通知した平成２３年７月２０日付け拒絶理由において、引用発明の認定等で「電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパ」としたのは、あくまで引用発明の「光ステッパ」が同じく引用発明の「電子ビーム照射装置」よりも解像度が低いと述べたものであって、電子線描画の加工精度一般について述べたものではない。そして、「３−２．引用発明の認定」で述べたように、引用発明の「光ステッパ」が引用発明の「電子ビーム照射装置」よりも解像度が低いことは明らかであり、平成２３年７月２０日付け拒絶理由における上記認定に誤りはないから、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
（審判請求人の主張４）
「　また、引用文献１に記載の発明の目的は、パターン形成時間を短縮し、電子線描画装置の利用効率を向上することであり、そのために光ステッパ等を用いたパターンの露光を行っています。
　ところが、この光ステッパ等を用いたパターンの露光を、光描画や低精度の電子線描画といった描画方式に変更しますと、光ステッパ等を用いたパターンの露光を採用する場合と比較して、パターン形成時間が格段に遅くなり、パターン形成時間を短縮することができなくなります。したがって、このような変形は、通常は行わないものであると思料致します。」
（当審の見解）
　先に述べたように、引用例２には、要求される微細度に応じて異なる加工精度、すなわち、異なる処理速度の描画装置を用いることが記載されている（具体的には、精度の要求されない箇所にパターンを
速く
正確に
　
５−３．相違点３について
　半導体装置の製造方法において用いられているのと同じパターン形成方法を、半導体の製造とフォトマスクの製造の両方において採用することは、本願出願前に周知である（例えば、特開昭５７−７２３２７号公報（第３頁左下欄第３行乃至第９行参照））。
　よって、引用発明における半導体装置の製造方法におけるパターン形成方法を、フォトマスクの製造方法に採用することにより、相違点３に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　
　
６．本願発明の効果について
　
　本願発明による効果は、引用発明、引用例２に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず、格別なものとはいえない。
　
　
　
７．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。