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　特願２００１−　２７３５６「マイクロメカニック式のキャップ構造及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月　２日出願公開、特開２００１−２６９９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、平成１３年２月２日（優先権主張、平成１２年２月４日ドイツ連邦共和国）の特許出願であって、平成２３年１月２８日付けで拒絶の理由が通知され、同年６月３日に手続補正がなされ、同年７月７日付けで拒絶をすべき旨の査定がされた。
　これに対し、平成２３年１０月２８日に本件審判の請求とともに手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、同年１２月２７日付け当審からの審尋に対して平成２４年５月８日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、明細書の特許請求の範囲について補正をするものであって、補正後の請求項１は、請求人が審判請求理由の３．で主張するとおり、補正前の請求項８に対応している。補正前後の記載は、以下のとおりである。
　
（１）補正前
「【請求項８】ウェハ（１０）の形をしたサブストレートを、該サブストレートに設けられた空洞（Ｋ）と共に有し、該空洞（Ｋ）が１つの基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対（Ａ１，Ａ２；Ａ３，Ａ４）とを有しているマイクロメカニック式のキャップ構造を製造するための方法において、以下の（イ）、（ロ）のステップ：
（イ）　空洞（Ｋ）が、少なくとも１つの、前記基面を補強する壁区分である安定化壁区分（ＳＫ１，ＳＫ２；Ｓ１−Ｓ４）を有し、該安定化壁区分（ＳＫ１，ＳＫ２；Ｓ１−Ｓ４）が２つの側壁区分を互いに結合するような構造でサブストレートの上にハードマスクを形成すること、
（ロ）　第１の異方性エッチングステップをサブストレートにてハードマスクにて実施すること、
を特徴とする、マイクロメカニック式のキャップ構造を製造する方法。」
　
（２）補正後
「【請求項１】
Ｓｉ−保護キャップ
該空洞（Ｋ）は前記サブストレートに異方性のマイクロメカニック式エッチングによって形成され、前記
（イ）　空洞（Ｋ）が、少なくとも１つの、前記基面を補強する壁区分である安定化壁区分（ＳＫ１，ＳＫ２；Ｓ１−Ｓ４）を有し、該安定化壁区分（ＳＫ１，ＳＫ２；Ｓ１−Ｓ４）が２つの側壁区分を互いに結合するような構造でサブストレートの上にハードマスクを形成すること、
（ロ）　第１の異方性エッチングステップをサブストレートにてハードマスクにて実施すること、
を特徴とする、マイクロメカニック式のキャップ構造を製造する方法。」
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲の補正後の請求項１についての補正は、「ウエハの形をしたサブストレート」を「Ｓｉ−保護キャップウェハの形をしたサブストレート」とし、「空洞」について「サブストレートに異方性のマイクロメカニック式エッチングによって形成され」ることを特定するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
ア．刊行物１
　これに対し、拒絶理由で引用された刊行物である特開平８−３１６４９７号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）段落０００１
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、機能素子を覆う保護キャップを有する半導体装置の製造方法に関するものである。」
　
（イ）段落００２２〜００２３
「【００２２】図１は、本実施例の可動ゲートＭＯＳトランジスタ型加速度センサの平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３には図１のＢ−Ｂ断面を示す。
【００２３】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１上にはフィールド酸化膜２が形成されるとともにその上に窒化シリコン膜３が形成されている。又、Ｐ型シリコン基板１上には、フィールド酸化膜２および窒化シリコン膜３の無い長方形状の領域４が形成されている。又、領域４におけるＰ型シリコン基板１の上にはゲート絶縁膜５が形成されている。窒化シリコン膜３の上には、領域４を架設するように両持ち梁構造の可動ゲート電極６が配置されている。この可動ゲート電極６は帯状にて直線的に延びるポリシリコン薄膜よりなる。又、フィールド酸化膜２および窒化シリコン膜３よりＰ型シリコン基板１と可動ゲート電極６とが絶縁されている。」
　
（ウ）段落００３０〜００３１
「【００３０】キャップ２２は四角形状のシリコン基板よりなり、このキャップ２２の下面に環状の脚部２３が設けられている。この脚部２３はシリコン基板を局所的にエッチングすることにより形成したものである。脚部２３の先端面（下面）には、接合層２４が形成されている。・・・。
【００３１】このように、接合枠２１に対して接合層２４を形成したキャップ２２を接合することにより、シリコン基板１の表面においてキャップ２２内の空隙２５にセンサ素子（可動ゲートＭＯＳトランジスタ）が封止された構造となっている。」
　
（エ）段落００３９〜００４０
「【００３９】図９，１０に示すように、接合層２４を形成するキャップ形成用シリコンウェハ３３として、センサ等が形成されているシリコンウェハと同サイズのものを用意する。そして、図１１に示すように、キャップ材としてシリコン（１００）面ウェハ３３を用いる場合において、シリコン酸化膜をパターニングマスクとしてアルカリ性エッチング液による異方性エッチングにより脚部２３を形成する。これは、ダイヤフラム型圧力センサ等の製造によく用いられている手法である。又、この脚部２３は接合枠パターンに対応する部位に形成される。
【００４０】次に、脚部２３の底面（先端面）に接合層２４を形成する。より詳しくは、キャップ形成用シリコンウェハ３３に対し、・・・。」
　
（オ）段落００６５
「【００６５】又、半導体加速度センサの他にも、マイクロダイヤフラム圧力センサなどシリコンチップ上に可動部（振動部）を有する半導体装置に具体化したり、さらに、接触子等を備えた装置に具体化できる。」
　
（カ）図１、図２、図１１
　脚部２３の間に空隙２５が形成され、空隙２５が１つの基面と互いに向き合った平行な脚部２３から成る２つの脚部２３対とを有していること。
　
　これらの記載事項を、図面を参照しつつ、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
　
「可動ゲートＭＯＳトランジスタ型加速度センサ、マイクロダイヤフラム圧力センサなどシリコンチップ上に可動部（振動部）を有する半導体装置に適用できる、キャップ形成用シリコンウェハ３３の形をしたサブストレートを、該キャップ形成用シリコンウェハ３３に設けられた空隙２５と共に有し、該空隙２５は前記キャップ形成用シリコンウェハ３３に異方性のエッチングによって形成され、前記空隙２５が１つの基面と互いに向き合った平行な脚部２３から成る２つの脚部２３対とを有しているキャップ構造を製造するための方法において、以下の（イ）、（ロ）のステップ：
（イ）空隙２５が、キャップ形成用シリコンウェハ３３の上にパターニングマスクを形成すること、
（ロ）異方性エッチングステップをキャップ形成用シリコンウェハ３３にてパターニングマスクにて実施する、
キャップ構造を製造する方法。」
　
イ．刊行物２
　同じく特開平８−２７４２０８号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）段落０００１〜０００２
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電共振子を気密封止するためのパッケージの封止構造の改良に関し、特に、セラミックパッケージを封止するために溶接される金属蓋の構造の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】各種電子機器、通信機器に用いられる電子部品としての圧電デバイス（振動子、フィルタ）は、水晶振動子等の圧電共振子をパッケージ内に気密封止した構成を有している。・・・。」
　
（イ）段落０００８
「【０００８】
【発明の目的】本発明は上記に鑑みてなされたものであり、一面が開口したセラミックパッケージの該開口縁に金属製のシールフレームを介して金属蓋をシーム溶接することにより封止されるセラミックパッケージにおいて、金属蓋の強度を低下させることなく該金属蓋の平均的な電気抵抗を高めることにより、金属蓋とシームフレームとの接合部に効率よく電流を流して溶接を確実化するとともに、蓋の発熱を抑えて金属粉のパッケージ内への飛散を防止することができるセラミックパッケージの封止蓋の構造を提供することを目的としている。」
　
（ウ）段落００１０〜００１１
「【００１０】
【発明の実施例】以下、添付図面に示した実施例により本発明を詳細に説明する。図１(a) 及び(b) は本発明の一実施例の金属蓋の一実施例の構成を示す斜視図及び断面図であり、この斜視図は下面側を上向きにして示している（以下、全ての実施例に於て同じ）。セラミックパッケージ及びシールフレームの構造は上記図５に示したものと同様であるので図示を省略する。この第１実施例の金属蓋の特徴的な構成は、０．１ｍｍ程度の肉厚の金属板から成る金属蓋（封止蓋）１０の中央部に矩形（平面形状及び断面形状ともに矩形）の凹所１１を複数個、例えば４個、図示のごときリブ状の突条１２を隔てて形成した点である。凹所１１の深さは、金属蓋１０の肉厚の１／２前後とする。各凹所１１を囲繞する外側環状部１３及び突条１２の肉厚は、金属蓋本来の肉厚である０．１ｍｍに設定してある。外側環状部１３は、シールフレームとの接合を行う部分である為、機械的強度の低下を防止する為に厚肉部となっている。また、突条１２も凹所１１の存在による機械的強度の低下を防止する補強手段としての機能を有する。
【００１１】なお、金属蓋１０としては、コバール（鉄、ニッケル、コバルトの合金）から成る基材上にニッケルメッキを施したものを用い、シールフレームとしてはコバルから成る基材上に金メッキを施したものを用いる。凹所は、エッチング、或はプレス成形等により形成する。」
　
（エ）図１
　突条１２が外側環状部１３の対向する側壁間を互いに結合すること。
　
　これらの記載事項を、図２ないし４を参照しつつ、技術常識を考慮しながら整理すると、刊行物２には以下の発明（以下、「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
　
「電子部品としての圧電デバイスであり、圧電共振子を気密封止するためのパッケージの金属蓋１０の封止構造において、エッチングにより形成された凹所１１の存在による機械的強度の低下を防止する補強手段として、外側環状部１３の対向する側壁間を互いに結合する突条１２を設けたもの。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを、技術常識を踏まえ、対比する。
　刊行物１発明の「キャップ形成用シリコンウェハ３３」は補正発明の「Ｓｉ−保護キャップウェハ（１０）」に相当し、同様に「空隙２５」は「空洞（Ｋ）」に、「脚部２３」は「側壁区分」に、「パターニングマスク」は「ハードマスク」に、「異方性エッチングステップ」は「第１の異方性エッチングステップ」に、それぞれ相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致している。
「Ｓｉ−保護キャップウェハの形をしたサブストレートを、該サブストレートに設けられた空洞と共に有し、該空洞は前記サブストレートに異方性のエッチングによって形成され、前記空洞が１つの基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有しているキャップ構造を製造するための方法において、以下の（イ）、（ロ）のステップ：
（イ）　空洞が、サブストレートの上にハードマスクを形成すること、
（ロ）　第１の異方性エッチングステップをサブストレートにてハードマスクにて実施する、
キャップ構造を製造する方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。
　相違点１：補正発明は、空洞が「マイクロメカニック式」エッチングによって形成され、「マイクロメカニック式の」キャップ構造を製造するものであるが、刊行物１発明は、空洞がエッチングによって形成され、キャップ構造を製造するものであって、「マイクロメカニック式」か否かは不明である点。
　相違点２：「空洞」について、補正発明は「少なくとも１つの、基面を補強する壁区分である安定化壁区分を有し、該安定化壁区分が２つの側壁区分を互いに結合するような構造」であるが、刊行物１発明は「安定化壁区分」を有するものではない点。
　
（４）相違点の検討
　相違点１について検討する。
　刊行物１発明は、「可動ゲートＭＯＳトランジスタ型加速度センサ」、「マイクロダイヤフラム圧力センサ」などシリコンチップ上に可動部（振動部）を有する半導体装置に適用できることから、「マイクロメカニック式」であると解される。
　よって、相違点１は実質的相違点ではない。
　
　相違点２について検討する。
　刊行物２事項は、上記のとおり「電子部品としての圧電デバイス」において「エッチングにより形成された凹所１１の存在による機械的強度の低下を防止する補強手段として、外側環状部１３の対向する側壁間を互いに結合する突条１２を設けたもの」である。
　刊行物２事項を補正発明に照らすと、刊行物２事項の「凹所１１」は補正発明の「空洞」に、「外側環状部１３の対向する側壁間」は「２つの側壁区分」に、「突条１２」は「壁区分である安定化壁区分」に相当する。
　刊行物２事項は「電子部品」に関するものであり、刊行物１発明と技術分野が共通する。
　部材の軽量化を図りつつ、強度を保つことは、一般的課題であり、刊行物１発明の「サブストレート」においても妥当する。
　よって、かかる一般的課題を踏まえ、刊行物１発明に、刊行物２事項を適用し、相違点２に係るものとすることは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　請求人は、刊行物２事項は「マイクロメカニック式」でない旨、主張する。
　しかし、刊行物２事項も「電子部品」であることに変わりはなく、「部材の軽量化を図りつつ、強度を保つ」という課題は、部品の大きさ、可動部の有無により異なるというものではない。
　よって、請求人の主張は根拠がない。
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．補正案について
　請求人は、回答書において補正案を示し、補正案による特許性を主張している。
　しかし、補正案には法的根拠はない。
　一応、検討するに、補正案は、（ア）空洞が「櫛構造に対向し且つバキューム化される」ことを限定、（イ）キャップ構造を「回転値センサ用」に限定、（ウ）安定化壁区分が「空洞輪郭に対し低位に配置」されることを限定するものである。
　（ア）については、櫛構造は周知であり、バキューム化は必要に応じてなしうる程度にすぎない。
　（イ）については、単なる用途限定にすぎない。
　（ウ）については、空洞容積と強度との関係で、適宜選択しうる事項にすぎない。
　よって、補正案を考慮したとしても、結論に変わりはない。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項８に係る発明は、平成２３年６月３日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項８に記載されたとおりである。
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の際にあげられた刊行物１及び２、その記載内容、刊行物１発明、刊行物２事項は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比
　本願発明は、補正発明において付加された事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明も、上記第２．２．（４）と同様の理由により、刊行物１発明、及び刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。