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【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともひとつのミッションコンピュータを含む複数の軍事末端システムおよび民間末端システムを統合し、戦術データリンクネットワークまたはJTIDS、MIDSそしてMILSTARのようなネットワーク化された戦術データリンク無線、またはVDR、SDU、HFDRおよびモードSのような民間ネットワークを含み、異なる異種の軍事および民間ネットワークを介してメッセージを、スマートブリッジと通信する少なくともひとつのインターフェースシステムを含む選択された末端システムに戦術的に経路指定する方法であって
ａ）民間メッセージおよび軍事メッセージを送信および受信する手段および末端システム物理インターフェース規則およびメッセージフォーマットを備える少なくとも１つの末端システムを前記軍事末端システムおよび民間末端システムから提供するステップと、
ｂ）前記ネットワーク化された戦術データリンク無線とホストコンピュータ間の物理インターフェースを経て前記メッセージを送受信するステップと、各前記ネットワーク化された戦術データリンク無線はネットワーク無線物理インターフェース規則およびメッセージフォーマットを含み、
ｃ）前記選択された末端システムへの、または前記選択された末端システムからの配信のために前記メッセージをフォーマットするステップと、前記フォーマットするステップは、
i) 複数の利用可能な末端システムを決定するステップと、
ii) 複数の利用可能なネットワーク化された戦術データリンク無線を決定するステップと、
iii) いずれの末端システムが前記メッセージを送信または受信を要求しているか決定し、そして前記メッセージを正しいメッセージフォーマットへ変換するステップと、を備え、
ｄ）各前記異なる異種の軍事および民間ネットワークのための戦術経路指定基準に基づく前記選択された末端システムへの、または前記選択された末端システムからの前記メッセージを経路指定するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
民間末端システムメッセージを軍事末端システムフォーマットに変換し、かつ軍事端末システムメッセージを民間末端システムフォーマットに変換するステップと、および／または特定メッセージおよび／または前記決定するステップの構築に使用するため前記民間および軍事メッセージから情報を抽出するステップと、各利用可能な末端システムのタイプと各利用可能な末端システムの作業状況とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記戦術経路指定基準は、優先順位、セキュリティ、緊急度、サイズ、および帯域幅を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記選択された末端システムへの、または前記選択された末端システムからの前記メッセージを経路指定するステップは、前記利用可能なネットワークからの選択されたネットワークが誤作動した場合、前記メッセージを代替ネットワークに経路指定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくともひとつのミッションコンピュータを含む複数の軍事および民間末端システムを統合し、戦術データリンクネットワークまたはJTIDS、MIDSそしてMILSTARのようなネットワーク化された戦術データリンク無線、またはVDR、SDU、HFDRおよびモードSのような民間ネットワークを含み、異なる異種の軍事および民間ネットワークを介してメッセージを、スマートブリッジと通信する少なくともひとつのインターフェースシステムを含む選択された末端システムに戦術的に経路指定するスマートブリッジであって、
前記軍事末端システムおよび民間末端システムからの少なくともひとつの末端システムと、各前記末端システムは、
民間メッセージおよび軍事メッセージを送信および受信する手段と、
末端システム物理インターフェース規則およびメッセージフォーマットと、を備えており、
データリンクネットワーク化された戦術データリンク無線とホストコンピュータ間の前記メッセージを送受信するための物理インターフェースと、各前記ネットワーク化された戦術データリンク無線は、
ネットワーク無線物理インターフェース規則およびメッセージフォーマットを備えており、
選択された末端システムへの、または前記選択された末端システムからの配信のために前記メッセージをフォーマットする手段と、前記フォーマットする手段は、
複数の利用可能な末端システムを決定する手段と、
複数の利用可能なネットワーク化されたデータリンク無線を決定する手段と、
いずれの末端システムが前記メッセージを送信または受信を要求しているか決定し、そして前記メッセージを正しいメッセージフォーマットへ変換する手段と、を備えており、
各前記異なる異種の軍事および民間ネットワークのための動的経路指定基準に基づく前記選択された末端システムへの、または前記選択された末端システムからの前記メッセージを経路指定するルータと、
を含むスマートブリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月1日(2005.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３人の参加者間のテレビ会議セッションにおいて非公開会話チャネルを提供する方法であって、
非公開会話に加わるよう誘う非公開招待を送信するステップと、
前記非公開招待に応答した非公開受諾を受信するステップと、
前記非公開会話のメンバでない者を、前記非公開会話に対応する非公開メッセージを受信できないように除外するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記除外するステップが、前記メンバのうちの１人から前記メンバのうちの他の少なくとも１人に直接に非公開メッセージを送信するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非公開会話の前記メンバの間だけで前記非公開メッセージを交換するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非公開会話に追加のメンバを加えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記追加のメンバを加えるステップが、前記非公開会話に前記追加のメンバが加わることを示す更新メッセージを前記メンバに送信するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記更新メッセージが、前記追加のメンバのインターネット・プロトコル（ＩＰ）アドレスを少なくとも含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記更新メッセージが、前記追加のメンバのユーザー識別子を少なくとも含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記非公開招待を表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記非公開受諾を表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも３人の参加者間のテレビ会議セッションにおいて非公開会話チャネルを提供するシステムであって、
非公開会話に加わるよう誘う非公開招待を送信する手段と、
前記非公開招待に応答して非公開受諾を送信する手段と、
前記非公開会話のメンバでない者を、前記非公開会話に対応する非公開メッセージを受信できないように除外する手段と、
を備える、前記システム。
【請求項１１】
前記除外する手段が、前記メンバのうちの１人から前記メンバのうちの他の少なくとも１人に直接に非公開メッセージを送信する手段を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記非公開会話の前記メンバの間だけで前記非公開メッセージを交換する手段を備える、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記非公開会話に追加のメンバを加える手段を備える、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記加える手段が、前記非公開会話に前記追加のメンバが加わることを示す更新メッセージを前記メンバに送信する手段を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記更新メッセージが、前記追加のメンバのインターネット・プロトコル（ＩＰ）アドレスを少なくとも含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記更新メッセージが、前記追加のメンバのユーザー識別子を少なくとも含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記非公開招待を表示する手段を備える、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
前記非公開受諾を表示する手段を備える、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テレビ会議セッションにおいて非公開会話チャネルを提供する方法およびシステム
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル変調信号のパルスオーバーラップ前置変調方法であって、
時系列の信号パルスを受け、
前記信号パルスを変調して第１時系列の変調パルスを発生させ、
第１時系列の変調パルスを復調して第１時系列の復調パルスを発生させ、
第１時系列の復調パルスと時系列の信号パルスとを結合して第１時系列のエラーパルスを発生させ、
第１時系列のエラーパルスを変調して第１時系列の変調エラーパルスを発生させ、
第１時系列の変調エラーパルスと第１時系列の変調パルスとを結合して第１時系列の補償済みパルスを発生させるステップより成る前置補償方法。
【請求項２】
第１時系列の補償済みパルスを復調して第２時系列の復調パルスを発生させ、
第２時系列の復調パルスと時系列の信号パルスとを結合して第２時系列のエラーパルスを発生させ、
第２時系列のエラーパルスを変調して第２時系列の変調エラーパルスを発生させ、
第２時系列の変調エラーパルスと第１時系列の補償済みパルスとを結合して第２時系列の補償済みパルスを発生させるステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項３】
デジタル変調信号のパルスオーバーラップ前置変調方法であって、
時系列のパルスを受け、
前記パルスを変調して時系列の変調パルスを発生させ、
変調パルスを蓄積し、
非連続対の変調パルスを用いて時系列の一次エラー項を発生させ、
時系列の一次エラー項を蓄積し、
一次エラー項の各々を変調パルスのうちのうち対応するパルスから減算して第１の補償済み信号を発生させるステップより成る前置変調方法。
【請求項４】
非連続対の一次エラー項を用いて時系列の二次エラー項を発生させ、
時系列の二次エラー項を蓄積し、
二次エラー項の各々を第１の補償済み信号中の対応パルスに加算して第２の補償済み信号を発生させるステップをさらに含む請求項３の方法。
【請求項５】
デジタル変調信号のパルスオーバーラップ前置変調装置であって、
時系列の信号パルスを受ける入力と、
前記信号パルスを変調して第１時系列の変調パルスを発生させる第１の変調器と、
第１時系列の変調パルスを復調して第１時系列の復調パルスを発生させる第１の復調器と、
第１時系列の復調パルスと時系列の信号パルスとを結合して第１時系列のエラーパルスを発生させる第１の結合器と、
第１時系列のエラーパルスを変調して第１時系列の変調エラーパルスを発生させる第２の変調器と、
第１時系列の変調エラーパルスと第１時系列の変調パルスとを結合して第１時系列の補償済みパルスを発生させる第２の結合器とより成る前置補償装置。
【請求項６】
第１時系列の補償済みパルスを復調して第２時系列の復調パルスを発生させる第２の復調器と、
第２時系列の復調パルスと時系列の信号パルスとを結合して第２時系列のエラーパルスを発生させる第３の結合器と、
第２時系列のエラーパルスを変調して第２時系列の変調エラーパルスを発生させる第３の変調器と、
第２時系列の変調エラーパルスと第１時系列の補償済みパルスとを結合して第２時系列の補償済みパルスを発生させる第４の結合器とをさらに備えた請求項５の装置。
【請求項７】
デジタル変調信号のパルスオーバーラップ前置変調装置であって、
時系列のパルスを受ける入力と、
前記パルスを変調して時系列の変調パルスを発生させる第１の変調器と、
変調パルスを蓄積する第１の蓄積器と、
非連続対の変調パルスを用いて時系列の一次エラー項を発生させる第１の結合器と、
時系列の一次エラー項を蓄積する第２の蓄積器と、
一次エラー項の各々を変調パルスのうちのうち対応するパルスから減算して第１の補償済み信号を発生させる第２の結合器とより成る前置変調装置。
【請求項８】
非連続対の一次エラー項を用いて時系列の二次エラー項を発生させる第３の結合器と、
時系列の二次エラー項を蓄積する第３の蓄積器と、
二次エラー項の各々を第１の補償済み信号中の対応パルスに加算して第２の補償済み信号を発生させる第４の結合器とをさらに備えた請求項７の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の概要】
本発明は、デジタル変調信号のパルスオーバーラップ前置変調方法であって、時系列の信号パルスを受け、前記信号パルスを変調して第１時系列の変調パルスを発生させ、第１時系列の変調パルスを復調して第１時系列の復調パルスを発生させ、第１時系列の復調パルスと時系列の信号パルスとを結合して第１時系列のエラーパルスを発生させ、第１時系列のエラーパルスを変調して第１時系列の変調エラーパルスを発生させ、第１時系列の変調エラーパルスと第１時系列の変調パルスとを結合して第１時系列の補償済みパルスを発生させるステップより成る前置補償方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月6日(2005.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
デジタルプロセッサーの主メモリに直接ロードすることができるコンピュータプロダクトであって、該プロダクトをデジタルプロセッサー上にて作動させる際に請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法を実行するソフトウエアコード部分を含んだ前記コンピュータプロダクト。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電子装置を形成する方法であって、
基板の第１の領域上に第１の物体を形成する工程、そしてそれに引き続いて
第２の組成物の液体を前記第１の物体に接触して蒸着することにより、前記第１の領域に隣接した前記基板の第２の領域上に前記第１の物体とは接触せずに第２の物体を形成する工程、及び
前記第２の組成物の液体を蒸着するのに先だって、前記第２の組成物の前記液体をはじくように、前記第１の物体の表面を準備する工程、を備え、
前記第１及び第２の物体の間の最短距離が、前記電子装置の臨界形状の寸法を規定する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１の物体の前記表面を準備する工程は、その表面が前記第２の組成物の前記液体をはじくように前記第１の物体の組成物を選択する工程を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記電子装置は、電界効果トランジスタであり、前記臨界形状は当該電界効果トランジスタのチャンネル長である、請求項１または２に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
電子装置を形成する方法であって、
基板の第１の領域上に第１の物体を形成する工程、そしてそれに引き続いて
第２の組成物の液体を前記第１の物体に接触して蒸着することにより、前記第１の領域に隣接した前記基板の第２の領域上に前記第１の物体と接触して第２の物体を形成する工程、を備え、
前記第１の物体は非導電性又は半導体性の表面領域を有しており、当該表面領域の厚さは前記電子装置の臨界形状の寸法を規定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギ蓄積装置用電極であって、前記電極は、
自然酸化層を形成する少なくとも１つの金属からなる基板と、
前記自然酸化層から前記基板上に形成された処理層とを含み、前記処理層の抵抗は自然酸化層の抵抗よりも低い、エネルギ蓄積装置用電極。
【請求項２】
前記処理層は１つ以上のドーパントを含む、請求項１に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項３】
前記１つ以上のドーパントは少なくとも任意の１つのハロゲン化物を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項４】
前記１つ以上のドーパントは少なくともフッ化物を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項５】
前記１つ以上のドーパントは、少なくとも、前記金属またはＯを除く任意の１つの元素を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項６】
前記少なくとも１つの金属は、主に前記少なくとも１つの金属と少なくとも１つの他の物質とからなる合金であり、前記１つ以上のドーパントは、少なくとも、前記少なくとも１つの他の物質を少なくとも実質的になくした前記少なくとも１つの金属またはＯを除く任意の１つの元素を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項７】
前記１つ以上のドーパントは、少なくとも、主にイオン結合を形成する任意の１つの化学種を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項８】
前記１つ以上のドーパントは少なくとも任意の１つの金属イオンを含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項９】
前記１つ以上のドーパントは、少なくとも、ＩＵＰＡＣ周期表の３〜１２族からの任意の１つの「遷移金属」を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１０】
前記１つ以上のドーパントは少なくとも１つの四価のイオンを含み、前記四価のイオンは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、ＰｒおよびＴｂのうち少なくとも１つである、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのドーパントは、少なくとも１つの、主にイオン結合を形成する四価のイオンを含み、前記主にイオン結合を形成する四価のイオンは、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、ＰｒおよびＴｂのうち少なくとも１つである、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１２】
前記１つ以上のドーパントは、少なくとも、周期表の４族からの任意の１つの元素を含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１３】
前記１つ以上のドーパントは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうち少なくとも１つを含む、請求項２に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１４】
前記処理層は、前記自然酸化層より小さい厚みを有する、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１５】
前記処理層の厚みはおよそ．１ｎｍと３０ｎｍとの間である、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの金属は単一の金属である、請求項１、２、３、４、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの金属は合金である、請求項１、２、３、４、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１８】
前記処理層は前記自然酸化層よりも高い密度を有する、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項１９】
前記電極は、前記処理層に適用される炭素コーティングを含む、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項２０】
前記炭素コーティングは、少なくとも、表面積の大きい炭素と、導電性の高い炭素と、結合材とを含む、請求項１９に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項２１】
前記処理層のドーパント対酸素全体すなわちＯＨおよびＯの比は１未満である、請求項１、２、３、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１３に記載の電極。
【請求項２２】
２つ以上の電極を有するエネルギ蓄積装置であって、前記電極のうち少なくとも１つは、自然酸化層を形成する少なくとも１つの金属からなる基板と、前記自然酸化層から前記基板上に形成された処理層とを含み、前記処理層の抵抗は自然酸化層の抵抗よりも低く、前記装置の１０００時間の動作後のＥＳＲは、前記装置の初期ＥＳＲのおよそ２００％未満である、エネルギ蓄積装置。
【請求項２３】
２つ以上の電極を有するエネルギ蓄積装置であって、前記電極のうち少なくとも１つは
、自然酸化層を形成する少なくとも１つの金属からなる基板と、前記自然酸化層から前記基板上に形成された処理層とを含み、前記処理層の抵抗は自然酸化層の抵抗よりも低く、前記装置の６００時間の動作後のＥＳＲはおよそ１．４０Ω．ｃｍ2未満である、エネルギ蓄積装置。
【請求項２４】
前記装置はおよそ１Ｖと３Ｖとの間に維持される、請求項２２または２３に記載のエネルギ蓄積装置。
【請求項２５】
エネルギ蓄積装置であって、
少なくとも２つの電極を含み、前記少なくとも２つの電極のうち少なくとも１つは、自然酸化層を形成する少なくとも１つの金属からなる基板を有し、前記エネルギ蓄積装置はさらに、
少なくとも１つの処理層を含み、前記処理層は前記自然酸化層を変性したものである、エネルギ蓄積装置。
【請求項２６】
前記処理層は、前記自然酸化層とは異なる１つ以上の物理特性および１つ以上の化学特性を有する、請求項２５に記載のエネルギ蓄積装置。
【請求項２７】
前記１つ以上のドーパントは少なくともフッ化物を含む、請求項２６に記載のエネルギ蓄積装置。
【請求項２８】
前記１つ以上のドーパントは少なくとも任意の１つの金属イオンを含む、請求項２６に記載のエネルギ蓄積装置。
【請求項２９】
抵抗の低い金属であって、
自然酸化層を形成する少なくとも１つの金属からなる基板と、
前記自然酸化層から前記基板上に形成された処理層とを含み、前記処理層の抵抗は自然酸化層の抵抗よりも低い、金属。
【請求項３０】
前記電極は、前記処理層に適用される炭素コーティングを含む、請求項２９に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【請求項３１】
前記コーティングと前記自然酸化層との間の接着力と比べて、前記コーティングと前記処理層との間にはより大きい接着力がある、請求項３０に記載のエネルギ蓄積装置用電極。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月25日(2005.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
オブジェクトに基づく符号化システムにおいてビデオ画像を符号化するための記録可能な媒体に記憶されたプログラムであって、
前景オブジェクトプレーンにおける前景形状を符号化するステップと、
背景オブジェクトプレーンにおける、前記前景形状に関連するデータから決定されるマスクされたエリアをパディングするステップと、
前記背景オブジェクトプレーンを符号化するステップと、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月2日(2005.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置への設定パラメータの入力を補助する方法であって、
ディジタル・ビデオ・データを受信するステップと、
前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換するステップと、
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間にメニュー・データを挿入するステップとを含み、
前記メニュー・データは、前記装置に結合されたディスプレイ装置が、前記メニュー・データを利用して、前記装置への設定パラメータの入力のための設定メニューを表示することを可能にする、前記方法。
【請求項２】
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線期間にメニュー・データを挿入するステップが、読み出し専用ブート・メモリに記憶されたディジタル・メニュー・データを読み出すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間にメニュー・データを挿入するステップが、
前記アナログ・ビデオ信号の前記垂直帰線消去期間に字幕メニュー・データおよび文字放送メニュー・データのうちの１つから成るメニュー・データを挿入するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ディジタル・ビデオ・データを受信する手段と、
前記ディジタル・ビデオ・データを受信する手段に結合された、前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換する手段と、
前記装置への設定パラメータの入力を補助するためのパラメータ設定メニューとして、ディスプレイ装置により表示可能なメニュー・データを生成する手段と、
前記メニュー・データを生成する手段および前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換する手段に結合された、前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間に前記メニュー・データを挿入する手段と、を有する、装置への設定パラメータの入力を補助する装置。
【請求項５】
メニュー・データ生成手段が、前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間に、字幕メニュー・データおよび文字放送メニュー・データのうちの１つから成るメニュー・データを挿入する動作を行う、請求項４に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装置への設定パラメータの入力を補助する方法および装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
他の形態では、本発明は、装置に設定パラメータの入力を補助する方法に関する。前記方法は、（ａ）受信したディジタル・ビデオ・データを受信するステップと、（ｂ）ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換するステップと、（ｃ）装置に結合されたディスプレイ装置が、装置への設定パラメータの入力用の設定メニューを表示するために利用可能なメニュー・データを、アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間に挿入するステップとを含んでいる。
特許請求の範囲と実施例との対応関係を実施例で使われている参照番号を用いて示すと以下の通りである。
（請求項１）
装置（１２）への設定パラメータの入力を補助する方法であって、
ディジタル・ビデオ・データを受信するステップ（５２）と、
前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換するステップ（５４）と、
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間にメニュー・データを挿入するステップ（５６）とを含み、
前記メニュー・データは、前記装置に結合されたディスプレイ装置が、前記メニュー・データを利用して、前記装置への設定パラメータの入力のための設定メニューを表示することを可能にする、前記方法。
（請求項２）
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線期間にメニュー・データを挿入するステップが、読み出し専用ブート・メモリに記憶されたディジタル・メニュー・データを読み出すステップを含む、請求項１に記載の方法。
（請求項３）
前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間にメニュー・データを挿入するステップ（５６）が、
前記アナログ・ビデオ信号の前記垂直帰線消去期間に字幕メニュー・データおよび文字放送メニュー・データのうちの１つから成るメニュー・データを挿入するステップ（５６）を含む、請求項１に記載の方法。
（請求項４）
ディジタル・ビデオ・データを受信する手段（３２）と、
前記ディジタル・ビデオ・データを受信する手段に結合された、前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換する手段（３６）と、
前記装置への設定パラメータの入力を補助するためのパラメータ設定メニューとして、ディスプレイ装置により表示可能なメニュー・データを生成する手段（６０／６２）と、
前記メニュー・データを生成する手段および前記ディジタル・ビデオ・データをアナログ・ビデオ信号に変換する手段に結合された、前記アナログ・ビデオ信号（３８）の垂直帰線消去期間に前記メニュー・データを挿入する手段と、を有する、装置への設定パラメータの入力を補助する装置（１２）。
（請求項５）
メニュー・データ生成手段（６０／６２）が、前記アナログ・ビデオ信号の垂直帰線消去期間に、字幕メニュー・データおよび文字放送メニュー・データのうちの１つから成るメニュー・データを挿入する動作を行う、請求項４に記載の装置（１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
各メッセージに優先度特性を割り当て、前記メッセージを前記割り当てられた優先度特性と共に移動局に送信し、前記優先度特性を前記移動局において検査し、および前記優先度特性に依存して前記移動局において前記メッセージを処理することを具備する、メッセージソースからセルラシステム内の移動局にメッセージを転送する方法において、
前記メッセージの送信は、前記優先度特性に依存し、前記移動局における前記メッセージの処理は、前記優先度特性に依存して前記メッセージに優先度を割り当て、前記優先度に依存して前記メッセージを記憶することを特徴とする、メッセージソースからセルラシステム内の移動局にメッセージを転送する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記メッセージを記憶することは、前記メッセージの優先度特性に依存して、前記移動局において表示することを具備する、請求項１に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
各メッセージに優先度特性を割り当てる手段と、前記メッセージを前記割り当てられた優先度特性と共に移動局に送信する手段と、前記優先度特性を前記移動局において検査する手段と、および前記優先度特性に依存して前記移動局において前記メッセージを処理する手段を具備する、メッセージソースからセルラシステム内の移動局にメッセージを転送するシステムにおいて、
前記メッセージを送信する手段によるメッセージの送信は、前記優先度特性に依存し、前記移動局における前記メッセージの処理手段は、前記優先度特性に依存して前記メッセージに優先度を割り当てる手段と、前記優先度に依存して前記メッセージを記憶する手段を具備することを特徴とする、メッセージソースからセルラシステム内の移動局にメッセージを転送するシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記メッセージを記憶する手段は、前記メッセージの優先度特性に依存して前記移動局において表示する手段を具備する、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
前記メッセージ内の情報を表示するための表示スクリーンをさらに具備し、前記メッセージは表示情報を含み、および前記コントローラは、前記表示スクリーン上に表示するために前記メッセージを出力し、または次の表示のためのメッセージを記憶することにより前記表示情報に応答するように構成される、請求項２９記載の移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月21日(2005.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を具備する、無線通信を維持させるためのスイッチ：
符号分割多元アクセス（ＣＤＭＡ）プロトコルを使用してＣＤＭＡ無線・アクセス・ネットワーク（ＲＡＮ）と通信するパケット・データ・サービング・ノード（ＰＤＳＮ）の第１のエレメント；および
ＧＳＭプロトコルを使用してＧＳＭコア・インフラストラクチャと通信する第２のエレメント、該第１および第２のエレメントは相互に通信し、これにより該ＧＳＭコア・インフラストラクチャと共に該ＣＤＭＡ  ＲＡＮの使用を促進する。
【請求項２】
該第２のエレメントはサービングＧＰＲＳサービス・ノード（ＳＧＳＮ）エレメントである、請求項１記載のスイッチ。
【請求項３】
該ＳＧＳＮエレメントはゲートウェイＧＰＲＳサービス・ノード（ＧＧＳＮ）と通信する、請求項２記載のスイッチ。
【請求項４】
該ＰＤＳＮエレメントはＣＤＭＡ基地局コントローラ（ＢＳＣ）と通信する、請求項１記載のスイッチ。
【請求項５】
該スイッチは該ＣＤＭＡ  ＲＡＮとＧＳＭコア・インフラストラクチャとの間でコンピュータ・データを転送する、請求項１記載のスイッチ。
【請求項６】
該スイッチは、該ＣＤＭＡ  ＲＡＮからのポイント−ツー−ポイント・プロトコル（ＰＰＰ）フレームィングを終結させ、および該ＣＤＭＡ  ＲＡＮと通信しているＣＤＭＡ移動局のユーザによるインターネット・プロトコル（ＩＰ）の選択に応じてＩＰを該ＧＳＭコア・インフラストラクチャに送出する、請求項１記載のスイッチ。
【請求項７】
下記を具備する、無線データ通信システム：
ＣＤＭＡ  ＲＡＮ；
ＧＳＭコア・インフラストラクチャ；および
該ＣＤＭＡ  ＲＡＮとＧＳＭコア・インフラストラクチャとを相互接続する少なくとも1つのスイッチ、該スイッチはＣＤＭＡプロトコルを使用してコンピュータ・データを該ＣＤＭＡ  ＲＡＮに送受信し、該スイッチはＧＳＭプロトコルを使用してコンピュータ・データを該ＧＳＭコア・インフラストラクチャに送受信する，ここにおいて、該スイッチはＣＤＭＡ  ＲＡＮと通信するパケット・データ・サービング・ノード（ＰＤＳＮ）及びＧＳＭコアー・インフラストラクチャと通信するサービングＧＰＲＳサービス・ノード（ＳＧＳＮ）を有する。
【請求項８】
該ＳＧＳＮエレメントと通信する少なくとも1つのゲートウェイＧＰＲＳサービス・ノード（ＧＧＳＮ）をさらに具備する、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
該ＰＤＳＮエレメントと通信する少なくとも１つのＣＤＭＡ基地局コントローラ(ＢＳＣ)をさらに具備する、請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
該スイッチは、該ＣＤＭＡ  ＲＡＮからのポイント−ツー−ポイント・プロトコル(ＰＰＰ)フレームィングを終結させ、および該ＣＤＭＡ  ＲＡＮと通信しているＣＤＭＡ移動局のユーザによるインターネット・プロトコル(ＩＰ)の選択に応じてＩＰを該ＧＳＭコア・インフラストラクチャに送出する、請求項７記載のシステム。
【請求項１１】
下記を具備する無線通信をさせるためのスイッチ：  ＣＤＭＡプロトコルを使用して符号分割多元アクセス（ＣＤＭＡ）無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）と通信し、インターフェイスする第１のエレメント；及び
ＧＳＭコアーを使用してＧＳＭコアー・インフラストラクチャーと通信し、インターフェイスするサービングＧＰＲＳサービス・ノード（ＳＧＳＮ）エレメント、該第１及びＳＧＳＮエレメントは互いに通信し、インターフェイスする、これにより、ＧＳＭコアー・インフラストラクチャーとともにＣＤＭＡ  ＲＡＮの使用が促進される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの硬質パネルと、電気制御可能な平坦な機能素子（２）と、少なくとも１つの電気伝導性薄膜（５）とを含んで成る積層パネルアッセンブリ（１）であって、該膜（５）が該機能素子（２）の平坦電極を同時に形成し、該機能素子（２）のための電源とは別に、該膜（５）に電圧を供給して、それを加熱できることを特徴とする、積層パネルアッセンブリ。
【請求項２】
温度センサー（１１）から温度コントロール（１０）に送られる温度信号に応じた電圧を自動的に前記膜（５）に供給できることを特徴とする、請求項１に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項３】
前記温度センサー（１１）が、前記機能素子（２）を有する空間において組み合せられ、該機能素子（２）の実温度を測定することを特徴とする、請求項２に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項４】
前記機能素子（２）が、前記膜（５）の表面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項５】
前記膜（５）が、加熱のために供給電圧を送ることを意図した少なくとも２つの導電トラック（７’、８’）と電気伝導接触しており、該トラックが、該膜を覆う前記機能素子（２）の何れかの側に配置されたことを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項６】
前記機能素子（２）が、前記硬質パネル上に直接取り付けられたことを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項７】
前記機能素子（２）が、特定の支持基材上に取り付けられたことを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項８】
少なくとも２つの硬質パネル、及びそれらを互いに接合する中間層を含んで成り、前記機能素子（２）及び前記電気伝導性膜（５）が、該中間層の中に収容されるか、又は該硬質パネルのうち一方の内面上に配置された、請求項１〜７の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項９】
複数の機能素子が、互いに独立して操作されるよう並べて提供され、共通の（接地）電極を含むことを特徴とする、請求項１〜８の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項１０】
少なくとも２つのエレクトロルミネセンス発光素子が、互いに独立して操作されるよう順に重ねて提供され、共通の中間電極を含むことを特徴とする、請求項１〜９の何れか１項に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項１１】
前記共通の中間電極が加熱膜として使用できることを特徴とする、請求項１０に記載の積層パネルアッセンブリ。
【請求項１２】
少なくとも１つの硬質パネルを含んで成り、かつ少なくとも１つの電気伝導性膜（５）を備えている積層パネルアッセンブリ（１）と組み合せた、電気制御可能な特性を有する機能素子（２）の使用方法であって、温度センサー（１１）を用いて測定した該機能素子（２）の実温度が所定の設定温度よりも低い場合に、該機能素子（２）のための電源とは別に、該電気伝導性膜（５）に電圧を供給して、それを加熱できることを特徴とする、電気制御可能な特性を有する機能素子（２）の使用方法。
【請求項１３】
前記機能素子（２）のための電源が、その設定温度が設定されている場合にのみ操作できることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記機能素子の平坦電極に電圧を供給して、該機能素子を加熱することを特徴とする、請求項１２又は請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための、気体吸収物質の集積された堆積物を有する支持体(10;20)であって、機械的支持の機能を有する基板（11；21）、該基板の表面(12;23)上の気体吸収物質(14;25)の連続(13)もしくは不連続（24、24’、...）堆積物および、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスまたはその一部の製造と親和性の物質(16;27)でできている、該気体吸収物質堆積物を完全に覆う層(15;26)を含む支持体。
【請求項２】
該気体吸収物質堆積物(13)が該基板(11)の全表面(12)上に連続している請求項１記載の支持体(10)。
【請求項３】
該気体吸収物質堆積物が、該基板(21)の該表面(23)上に別個の堆積物（24、24’、...）の形態である請求項１記載の支持体(20)。
【請求項４】
該気体吸収物質の連続もしくは不連続堆積物が、0.1〜5μmの範囲内の厚みを有する請求項１記載の支持体。
【請求項５】
請求項１記載の支持体を、マイクロメカニクスデバイス(70)の製造における被覆要素(60)として使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブルアセンブリであって、
第１の端及びその反対側の第２の端を各々が有する複数のワイヤーを備え、
前記ワイヤーの第１の端は、第１の順序配列で互いに確保されており、
前記ワイヤーの第２の端は、前記第１の配列に基づく第２の順序配列で互いに確保されており、
前記ワイヤーは、前記第１の端と前記第２の端との間に中間部分を有し、前記中間部分は互いに他から切り離されており、そして
全ての前記ワイヤーをゆるく取り囲む内側シールドを含むシースを更に備えていることを特徴とするケーブルアセンブリ。
【請求項２】
前記シールドは、複数の編組ワイヤーを備えることを特徴とする請求項１に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項３】
前記シースは、内側表面で孔を画定する外側部分を含み、前記シールドは前記表面に接触するチューブであることを特徴とする請求項１に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項４】
前記チューブは、前記シールドの選択した部分を部分的にカプセル封じする部分を含むことを特徴とする請求項３に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項５】
前記第１の端及び第２の端は、リボン状になっていることを特徴とする請求項１に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項６】
前記ワイヤーの第１の端は、選択された順序で互いに隣接して平行に配列されており、前記ワイヤーの第２の端は、前記選択された順序で互いに隣接して平行に配列されていることを特徴とする請求項１に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項７】
前記第１の端上に、及び前記第２の端上に、前記順序の最初のワイヤーのそれぞれの端を識別するためのしるしを含むことを特徴とする請求項６に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項８】
複数のセットのワイヤーを含み、前記ワイヤーは各セット内に確保され、前記セットは互いに他から切り離されていることを特徴とする請求項１に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項９】
前記ワイヤーの各セットの各端上に、前記ワイヤーのセットを識別し、そのワイヤーのセットを他のワイヤーのセットから区別するためのしるしを含むことを特徴とする請求項８に記載のケーブルアセンブリ。
【請求項１０】
ケーブルアセンブリを製造する方法であって、
コアを提供し、
前記コアの周りに導電性シールド要素を巻きつけ、
絶縁シース層を適用することにより、シースを形成して、前記シールド要素を取り囲み、
前記シースから前記コアを取り除き、
前記シース内に多数ワイヤーケーブル部品を挿入するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記コアは滑らかなプラスチックシリンダーであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性シールド要素を巻きつけることは、前記コアの周りに複数のワイヤーを巻きつけることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記シースを形成することは、前記シールドの周りにシース層を押出すことを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記シースから前記コアを取り除く前に、前記コアに前記ケーブル部品を取り付けるステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記コアを取り除く前に、前記シース層の端部を取り除き、前記シールドの露出した端部を残りのシース層の上に折り曲げること含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記コアを取り除く前に、前記シースの端部に、歪逃し要素を取付けること含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ケーブル部品は、端部がリボン状で、第１端部と第２端部の間の中間部分は互いに他から切り離された複数のワイヤーを備える請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月22日(2005.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記接着促進剤が、式
【化３】
2005513714.tif 000001
（式中、Ｍｅはメチル基である）の化合物である請求項９の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記一液型オルガノポリシロキサンゴム組成物が、
ａ）２５℃で１0，０００乃至２０，０００センチポアズの粘度をもつヒドロキシル末端ジメチルポリシロキサン液約３０重量％、
ｂ）比重２．２および約１３０ｍ２／ｇまでの表面積をもつ無定形および結晶性ＳｉＯ2 充填剤の混合物約２重量％、
ｃ）メチルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン約２重量％、
ｄ）Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン約１重量％、
ｅ）ジブチルスズジラウレート約０．１重量％、
ｆ）環状ジメチルシロキサン約２９重量％、
ｇ）灰色顔料約０．８重量％、および
ｈ）１３μｍのメジアン粒度を有し、６５．１％のＡｌ２Ｏ３、３４．５％の結合Ｈ２Ｏ、０．３％のＮａ２Ｏ、０．０２％のＣａＯ、０．０１％のＳｉＯ２を含有し、比重２．４２をもつアルミナ三水和物約３５重量％、
からなる請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月5日(2005.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
ドナー基板に化学種を注入して注入領域を形成する工程と、
前記ドナー基板をパターニングしてバルク部とドナーメサを形成する工程であって、前記ドナーメサが前記注入領域の少なくとも一部を含むことと、
前記ドナーメサを介して、前記ドナー基板を受け側空洞を有する受け側基板に接合する工程と、
前記受け側基板に接合された前記ドナー基板の転写層を前記受け側空洞内に残しつつ、前記ドナー基板の前記バルク部を除去する工程と、前記転写層はドナーメサを含むことと、から成る方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記バルク部を除去する工程は、機械的な方法を用いて実施される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記バルク部を除去する工程は、熱的な方法を用いて実施される方法。
【請求項４】
半導体デバイスを形成する方法であって、
メサとバルク部を形成するようにパターニングされている第１半導体基板を設ける工程と、
非平面形状部と受け側空洞を有した第２半導体基板を設ける工程と、
第１半導体基板を第２半導体基板に接合する工程と、前記接合工程は更に前記メサを前記受け側空洞内で接合することから成ることと、
第１半導体基板に接合された前記メサの少なくとも一部を残しつつ、第１半導体基板の前記バルク部を除去する工程と、から成る方法。
【請求項５】
半導体デバイスを形成する方法であって、
ドナー基板に化学種を注入して注入領域を形成する工程と、
前記ドナー基板をパターニングしてバルク部とドナーメサを形成する工程であって、前記ドナーメサが前記注入領域の少なくとも一部を含み、該ドナー基板をパターニングする工程は注入工程の後に行われることと、
前記ドナーメサを介して、前記ドナー基板を受け側基板に接合する工程と、
前記受け側基板に接合された前記ドナー基板の転写層を残しつつ、前記ドナー基板の前記バルク部を除去する工程と、から成る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−光を発生するバーナー素子と、
−前記バーナー素子を固定するランプベースと
を具え、
−前記ランプベースが、リフレクタハウジングにロックするロック手段を有し、前記ロック手段がランプベースから縦方向軸線に交差する横方向に突出し、縦方向軸線の周りの回転によって前記ランプベースが軸線方向にロックされる構成とし、また
−前記ランプベースが、前記バーナー素子に電気的に接続される接点素子を有し、前記接点素子が縦方向軸線に交差する横方向に突出し、ランプベースを回転する際に、これら接点素子が接点手段に掛合する構成とした
ことを特徴とするランプ。
【請求項２】
少なくとも１個の軸線方向に作用するばね素子を設け、ロック手段をクランプするようにした請求項１記載のランプ。
【請求項３】
縦方向軸線に交差する横方向に作用する少なくとも１個のばね素子を設けた請求項１または２記載のランプ。
【請求項４】
ランプベースにランプを回転するためのハンドルを設けた請求項１乃至４のうちのいずれか一項に記載のランプ。
【請求項５】
接点素子は、少なくとも２個の接点突耳を有し、これら接点突耳は、順次に互いに約６０゜の角度をなすように配置した請求項１乃至４のうちのいずれか一項に記載のランプ。
【請求項６】
接点素子を、平面状の突耳とし、これら接点突耳が縦方向軸線に直交する共通平面上に配列される構成とした請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載のランプ。
【請求項７】
ロック素子は接触面を有し、これら接触面は縦方向軸線に直交する共通基準平面上に位置するものとした請求項１乃至６のうちのいずれか一項に記載のランプ。
【請求項８】
−開口を有するリフレクタハウジングと、
−前記開口内に挿入するランプであって、バーナー素子とランプベースとを有し、バーナー素子がリフレクタハウジングの内部に突出するものとしたランプと
を具え、
−前記縦方向軸線に交差する横方向に前記ランプベースから突出するロック手段によって、前記ランプベースがリフレクタハウジングの開口にロックされ、開口に挿入したランプベースを縦方向軸線の周りに回転することにより軸線方向にロックされる構成とし、また
−前記ランプベースは、前記バーナー素子に電気的に接続する接点素子を有し、これら接点素子がリフレクタハウジングに設けた電気的接点手段に電気的に接触する構成とし、また
−前記接点素子をランプの縦方向軸線に交差する横方向に突出して、ランプベースを回転することにより接点手段に掛合するよう構成した
ことを特徴とするヘッドライト。
【請求項９】
前記ランプを請求項１乃至７のうちのいずれか一項に記載の構成とした請求項８記載のヘッドライト。
【請求項１０】
前記ロック手段のロック素子をリフレクタの内面に圧着させた請求項８または９記載のヘッドライト。
【請求項１１】
少なくとも１個のロック素子は、軸線方向に突出するスナップ突起を有するものとした請求項８乃至１０のうちのいずれか一項に記載のヘッドライト。
【請求項１２】
前記リフレクタに設けた接点手段は、ランプの接触素子に弾性的に接触するものとした請求項８乃至１１のうちのいずれか一項に記載のヘッドライト。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの一つの面上に堆積したＢ−ステージ化可能なアンダーフィル材料を有するシリコン・ウエハであって、前記Ｂ−ステージ化可能なアンダーフィルは、二つの化学組成物の組合せを含み、
第１組成物は、アクリル化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、並びにビニルエーテル、ビニルシラン、スチレン系またはシンナミル化合物と組合せたビスマレイミド化合物からなる群から選択されるものであって、１００℃〜１５０℃の範囲内の温度で硬化されており、
第２組成物は、未硬化のエポキシ化合物および１部の１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸無水物と４部の２−フェニル−４−メチルイミダゾールとの錯体、または未硬化のエポキシ化合物および１部の１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸２無水物と２部の２−フェニル−４−メチルイミダゾールとの錯体であり、
第１組成物が、硬化前に、液体、或いは溶媒中に溶解または分散した固体であり、
第２組成物が、第１組成物の硬化の前または後に、室温で固体または半固体材料であって、硬化前の第１組成物が液体であった場合の第１組成物中、或いは硬化前の第１組成物が溶剤中に溶解または分散された固体であった場合の第１組成物のための溶剤中のいずれかに分散性または可溶性であり、
第２組成物を硬化させずに第１組成物が硬化することできるように第１および第２組成物の硬化温度が少なくとも３０℃離れている、
シリコン・ウエハ。
【請求項２】
第１組成物および第２組成物の二つの化学組成物の組合せを含むＢ−ステージ化可能なアンダーフィル組成物であって、
第１組成物は、１００℃〜１５０℃の範囲内の温度で硬化可能な、液体、或いは溶剤中に溶解または分散された固体であり、アクリル化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、並びにビニルエーテル、ビニルシラン、スチレン系またはシンナミル化合物と組合せたビスマレイミド化合物からなる群から選択されるものであり、
第２組成物は、第１組成物が液体である場合の第１組成物中、或いは第１組成物が溶剤中に溶解または分散された固体である場合の第１組成物のための溶剤中のいずれかに分散性または可溶性の、室温で固体または半固体材料であって、そして、エポキシ化合物および１部の１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸無水物と４部の２−フェニル−４−メチルイミダゾールとの錯体、またはエポキシ化合物および１部の１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸２無水物と２部の２−フェニル−４−メチルイミダゾールとの錯体であり、
第２組成物が、第１組成物の硬化温度または硬化温度範囲よりも高い硬化温度または硬化温度範囲を有し、
第２組成物を硬化させずに第１組成物が硬化することできるように双方の硬化温度または硬化温度範囲が十分に離れている、
アンダーフィル組成物。