【手続補正書】
【提出日】平成18年7月5日(2006.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面に第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面に第２のトレンチを形成するステップと、
ｃ）少なくとも１つのデバイス層に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサと、前記第２のデバイス部を含む第２のメサとを定義する分離トレンチを形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記少なくとも１つのデバイス層内に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチを形成するステップと、
ｂ）前記分離トレンチの内部およびこれに沿った部分の前記基板のデバイス面に、前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間まで伸びる第２のトレンチを形成するステップと、
ｃ）前記第２のトレンチに沿って前記基板を切断して、第１の前記基板部および前記第１のデバイス部を含む第１ならびに第２の前記基板部および前記第２のデバイス部を含む第２のダイを形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。
【請求項３】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面において第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面において第２のトレンチを形成するステップであって、
ｃ）前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の前記第２の面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成するステップを含むステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項４】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面において第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面において第２のトレンチを形成するステップを備え、
ｃ）前記第１のトレンチを形成するステップは、前記基板の前記第１の面に前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップを含み、
ｄ）前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップは、前記第１のトレンチが立方体の頂点を有する角錐台を定めるように前記第１のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記少なくとも１つのデバイス層内に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチを形成するステップと、
ｂ）前記分離トレンチの内部およびこれに沿って前記基板の前記デバイス面に、前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に伸ばされる第２のトレンチを形成するステップとを備え、
ｃ）前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチを前記基板のデバイス面内にレーザースクライビングするステップで形成することを特徴とする方法。
【請求項６】
第１および第２のダイを形成し、前記第１のダイは、前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部とを含み、および前記第２のダイは、前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部とを含むように前記第１および第２のトレンチに沿って前記基板を切断するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１、３及び４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）又はそれぞれ第１及び第２のレーザダイオードを含むことを特徴とする請求項２又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記分離トレンチにおいて前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のトレンチに沿って前記第１および第２のメサの露出面と前記基板上とに電気絶縁性のパッシベーション層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項２、５及び８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記分離トレンチを形成するステップは、少なくとも１つのデバイス層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項１、２及び５のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および第２のデバイス部上に、それぞれ第１および第２のコンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のトレンチを形成するステップに先立ち犠牲層を形成するステップと、前記第２のトレンチを形成するステップの後に前記犠牲層を除去するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のトレンチを形成するステップは、ダイス加工、切断加工、エッチング、および／またはレーザースクライビングのうちの少なくとも１つの処理ステップを含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のトレンチを形成するステップは、前記第１のトレンチが立方体の頂点を備えた角錐台を定めるように前記第１のトレンチを切断加工するステップを含むことを特徴とする請求項１、３及び４のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのデバイス層は、第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
ａ）相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の第１の面における第１のトレンチと、
ｄ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の第２の面における第２のトレンチと、
ｅ）少なくとも１つのデバイス層において、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサを定める分離トレンチと
を備えたことを特徴とする半導体基板部材。
【請求項２０】
ａ）相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の前記第２の面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面における第１のトレンチと、
ｄ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面における第２のトレンチとを備え、
ｅ）前記第１のトレンチは、立方体の頂点を有する角錐台を定めることを特徴とする半導体基板部材。