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　特願２００３−５２３７２３「多結晶装置の製造方法、薄膜トランジスタを具える装置の製造方法及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月　６日国際公開、ＷＯ０３／１８８８２、平成１７年　８月２５日国内公表、特表２００５−５２５６８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１４年８月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年８月２７日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年７月２２日に手続補正書が提出され，同年１２月５日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２１年３月６日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。その後，当審において，平成２３年７月８日付けで，平成２１年３月６日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに拒絶理由が通知され，これに対して，平成２３年１０月１１日に手続補正書とともに意見書が提出されたものである。
　
２．平成２３年７月８日付けの拒絶理由通知について
　平成２３年７月８日付け通知された拒絶理由の概要は，平成２０年７月２２日に提出された手続補正書による補正は，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず，また，特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不備のため，特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしておらず，さらに，請求項１〜２２に係る発明は，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　
３．平成２３年１０月１１日に提出された意見書の概要
　当審における，上記平成２３年７月８日付けの拒絶理由通知に対する意見書（（以下，単に「意見書」という。）の概要は，旧請求項１，３，１１の削除及び旧請求項９の「１つ以上の能動チャネル領域」との記載から「１つ以上の」との記載を削除したこと，旧請求項５及び１１を削除したこと，並びに，旧請求項６及び１２を削除したことにより，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由は解消され，また，旧請求項１の削除及び旧請求項１５へ旧請求項１７及び１８を追加して新請求項５としたこと，新請求項１及び新請求項５の「周期的な長い粒界の周期構造」との記載から，粒界の個数は変化するものではなく，長い粒界が周期的に配列されることから，同じ数の粒界を有することを意味すること，並びに，旧請求項１の削除及び旧請求項１５の「２つ以上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの１つ以上の能動チャネル領域の少なくとも一部分」との記載を，「各薄膜トランジスタが前記多結晶シリコン薄膜上に配置された幅Ｗの能動チャネル領域を有し」との記載に変更したことにより，特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由は解消され，さらに，トランジスタの電流の観点から，引用文献１の「結晶化不良領域（Ｒ’）」は，本願の「長い粒界」に相当するとはいえないことから，特許法第２９条第２項に係る拒絶理由は当たらない，というものである。
　
４．本願発明について
　本願の発明は，平成２３年１０月１１日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項５に係る発明は以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「　【請求項５】
　２つ以上の多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する装置であって，この装置が，
　（ａ）１又は２方向で周期的な長い粒界の周期構造を有する多結晶シリコン薄膜であって，前記周期構造は前記長い粒界間の間隔λにより規定される当該多結晶シリコン薄膜と，
　（ｂ）２つ以上の薄膜トランジスタであって，各薄膜トランジスタが前記多結晶シリコン薄膜上に配置された幅Ｗの能動チャネル領域を有し，当該能動チャネル領域は前記多結晶シリコン薄膜の前記周期構造に対し角度θで傾いており，この角度θは式Ｗ・ｓｉｎ（θ）＝ｍλから得られ，この式中のｍは変数であり，前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである当該２つ以上の薄膜トランジスタとを具える装置。」
　
５．本願の請求項５の記載に関する３６条４項及び６項２号についての検討
（１）平成２３年７月８日付けの通知された拒絶理由通知の４（２）においては，平成２０年７月２２日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１，１５（意見書の記載に倣って，以下「旧請求項１」，「旧請求項１５」という。）に記載の「長い粒界の個数を同一に保つ」の「長い粒界の個数」の計数方法について，本願明細書の段落【００１０】の「電流の流れに対し垂直な方向の長い粒界の個数」との記載を参照しても，電流の流れる場所によって角度を持って交差する長い粒界の個数は変わりうるものであるから，前記「個数」の計数方法は不明であり，特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていないとした。
　これに対し，旧請求項１５が平成２３年１０月１１日に提出された手続補正書によって補正されたものである請求項５においては，「長い粒界の個数」について，「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」と記載されているので，この記載について検討する。
　
（２）上記「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」における「長い粒界の個数」の計数方法が，以下の理由により，依然として不明りょうである。
　上記「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数」との記載は，その文言自体からは，「能動チャネル領域」に存在する「長い粒界」がいくつあるかを指すものとも解されるが，そのように解すると，当該「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」との記載の文意は，「２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し」て，「能動チャネル領域の長い粒界の個数」が「同じである」ということになる。
　しかしながら，これは，本願明細書における記載を参照しても，その意味するところが明らかではない。すなわち，本願明細書には，「【００２０】　ＴＦＴの能動チャネル領域を，処理した薄膜の周期的なミクロ構造に対して故意に傾けると，
垂直な又は長い粒界の個数の広がりが少なくなり，装置同士の均一性を高める
あらゆる装置も１つの垂直粒界を有する
　したがって，明細書の記載に照らして，請求項５の「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」との記載について，その文意以外に，どのように上記「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数」を解すべきかは不明であるといわざるを得ない。
　
（３）請求人は意見書において，「新請求項１及び新請求項５の「周期的な長い粒界の周期構造」との記載から明らかなように，粒界の個数は変化するものではなく，周期的に配列されるものであります。そして，上記補正により追加された「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」との記載は，例えば段落〔００２３〕に記載されているように，多結晶シリコン薄膜トランジスタをいかに並進させても１つの垂直粒界を有することを意味するものであります。粒界が周期的であることにより，１つの垂直粒界を有するとは，同じ数の粒界を有することを意味します。よって，粒界の個数については，粒界が周期的であることから特定できます。」と主張する。
　しかしながら，上記（２）で述べたとおり，段落【００２３】において言及されている図３ａにおいてはチャネル領域の対角を結ぶように１本の長い粒界があるのに対して，図３ｂにおいては，チャネル領域を横切る２本の長い粒界があることから，「２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し」て，「能動チャネル領域の長い粒界の個数」が「同じである」という解釈とは整合しないことは明らかであり，「同じ数の粒界を有することを意味」するとは言えないから，上記主張は採用できない。
　よって，本願の請求項５の記載は，特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていないものである。
　
６．本願発明の容易想到性についての検討
（１）引用例の記載及び引用発明
　・　特開平９−３２１３１０号公報
　平成２３年７月８日付けの拒絶理由通知において引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−３２１３１０号公報には，図１〜８とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置，特に，液晶表示装置（ＬＣＤ：liquidcrystaldisplay）であって，
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thinfilmtransistor）を表示部及び周辺部に形成した周辺駆動回路一体型ＬＣＤの製造方法に関する
　
・「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図７は，図４の装置により実現される
エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）
【０００９】この基板（１）に対して，ａ−Ｓｉを多結晶化してｐ−Ｓｉとするために，ＥＬＡが施される。ＥＬＡは図４に示される光学系により実現されるラインビームの照射及びその走査であり，その被照射領域のエッジラインを図７の破線Ｃで示すような，各レーザーパルスを所定量ずらしていくことにより走査が行われる。ところが，
このＥＬＡにより形成されたｐ−Ｓｉ膜には，グレインサイズが十分に大きくならない等，結晶性の悪い線状領域が，ライン長方向に生じる問題がある。
【００１０】基板（１）上に形成されたＴＦＴは，図８に示すように，島状に形成されてなるｐ−Ｓｉ（１１）のチャンネル領域（ＣＨ）上に，ゲート絶縁膜を挟んでゲート電極（１３）が配されてなっている。チャンネル領域（ＣＨ）の両側は，ｐ−Ｓｉ中に不純物が低濃度及び高濃度にドーピングされたＬＤ領域（ＬＤ），更にその外側はソース及びドレイン領域（Ｓ，Ｄ）となっている。前述のライン長方向に線状に延びる結晶化不良領域は，ＴＦＴの島状に形成されたとき，チャンネル長方向（Ｌ）またはチャンネル幅方向（Ｗ）に位置することになる。特に，このような結晶化不良領域がチャンネル幅方向（Ｗ）に位置した場合，図８のＲに示すように，ソース・ドレイン（Ｓ，Ｄ）間を結ぶキャリアの移動経路を完全に縦断する如くに残る確率が高くなる。結晶化不良領域（Ｒ）は高抵抗であるため，このように，ソース・ドレイン（Ｓ，Ｄ）間に存在していると，ＯＮ電流を低下させ，画素部においてはコントラスト比の低下，駆動回路部においては誤動作等の問題を招く。」
　
・「【００１６】ラインビームの走査により実現された高スループットのレーザーアニールにおいて，ラインビームの強度分布の不均一な部分による生じる線状の結晶化不良領域が，チャンネル領域を縦断する如くに位置することが無くなるので，電荷移動経路に高抵抗が介在されることが無く，当該半導体素子のＯＮ電流が減少することが防がれる。
【００１７】前記
ラインビームのライン長方向は，前記チャンネル長方向あるいはチャンネル幅方向と４５°の角度を成す構成である。
ラインビーム強度の不均一により生成される線状の結晶化不良領域が，電荷移動経路に対して，常に４５°の角度で位置することになり，島状の多結晶半導体層を縦断することが無くなり，結晶化不良領域が電荷移動経路を完全に分断して抵抗が増大するといったことが防がれる。
【発明の実施の形態】図１は，本発明の実施の形態である，ＥＬＡにおける被処理基板と，ラインビームの照射及び走査方向の関係を示す平面図である。被処理基板（１）は，普通の無アルカリガラス基板であり，その表面には，ａ−Ｓｉが形成されている。基板（１）は，表示画素がマトリクス状に配置形成される画素部（２）と，画素部（２）周辺に配置形成されるゲートドライバー（３）及びドレインドライバー（４）からなるＬＣＤを構成するアクティブマトリクス基板（５）を６枚含んだマザーガラス基板である。画素部（２）では，液晶を駆動する画素キャパシタの一方の電極である表示電極がマトリクス状に配置され，これらに各々ＴＦＴが接続形成されることになる。ゲートドライバー（３）は主にシフトレジスタからなり，ドレインドライバー（４）は，主に，シフトレジスタ及びサンプル・ホールド回路からなっている。これらドライバーは，ＣＭＯＳ等のＴＦＴのアレイにより形成されている。
【００１９】この
基板（１）に対して，ａ−Ｓｉを多結晶化してｐ−ＳｉとするためにＥＬＡが施される。ＥＬＡは図４に示される光学系により実現されるラインビームの照射及びその走査である。被照射領域はそのエッジラインを破線Ｃ’で示す如く基板の垂直方向（Ｖ）あるいは水平方向（Ｈ）のいずれとも４５°の角度を成す方向（Ｓ１）あるいはこれに直角な（Ｓ２）に延びる帯形のライン状である。このラインビームは各照射パルスを所定量のオーバーラップをもってずらしていくことで矢印で示す方向に走査される。【００２０】これら方向（Ｓ１，Ｓ２）に沿ってラインビームを照射した時，図９に示された光強度の大きく変化した部分（Ａ，Ｂ）が通過して，グレインサイズが十分に大きくならなかった結晶化不良領域（Ｒ’）は，基板（１）上の斜め４５°の方向に生じることになる。一方，基板（１）上に形成される各ＴＦＴは，図２に示されるように，島状に形成されたｐ−Ｓｉ（１１）中に，ノンドープのチャンネル領域（ＣＨ），ライトドープのＬＤ領域（ＬＤ）及びヘビードープのソース・ドレイン領域（Ｓ，Ｄ）が形成され，チャンネル領域（ＣＨ）上には，ゲート絶縁膜を挟んで，ゲート電極（１３）が配されている。」
・「【００２２】このようなＴＦＴは，基板（１，５）において，そのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向が垂直方向（Ｖ）あるいは平行方向（Ｈ）になるように形成されている。
図１に示す如く，ラインビームの被照射領域のエッジライン（Ｃ’）方向（Ｓ１，Ｓ２）を設定することで，図２において，被照射領域のエッジラインあるいはこれにライン長方向に延びる結晶化不良領域（Ｒ’）は，ＴＦＴのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向に対して，いずれも４５°の角度を成して位置することになる。このため，ラインビームの強度が大きく変化して生じる結晶化不良領域（Ｒ’）は，チャンネル領域（ＣＨ）及びＬＤ領域（ＬＤ）を挟んだソース・ドレイン領域（Ｓ，Ｄ）を結ぶキャリア移動経路を４５°の角度をもって斜めに通過することになる。
　
・「【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く，本発明で，絶縁性基板上に形成された非晶質半導体層をレーザーアニールにより再結晶化して得られる多結晶半導体層を用いた半導体装置の製造方法において，
レーザー光の被照射領域のエッジラインが被処理基板の垂直方向あるいは水平方向に対して，非直角，特に４５°になるようにしたことにより，エッジラインに平行に生じる線状の結晶化不良領域が，半導体素子に用いられる島状領域のチャンネル長あるいはチャンネル幅方向に対して，斜め方向をもって位置するようになる。このため，ソース・ドレイン間を結ぶ電荷移動経路のうち，結晶化不良領域を通過しない経路が確保され，この経路が高抵抗を介在せずにソース・ドレイン間を結ぶために，ソース・ドレイン間に抵抗の増大が抑えられ，画素部におけるコントラスト比の低下や周辺駆動回路部における誤動作等の問題が防がれる
　
　ここで，引用文献１の図１を参照すると，レーザー光のラインビームを走査しながら照射することにより，ラインビームの被照射領域のエッジライン（Ｃ’）が，基板（１）上の斜め４５°の方向に周期的に形成されることが見て取れる。
　
　よって，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ａ−Ｓｉを多結晶化してｐ−Ｓｉとするために，基板（１）の垂直方向（Ｖ）あるいは水平方向（Ｈ）のいずれとも４５°の角度を成す方向（Ｓ１）に延びる帯形のライン状で，エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）が施され，
　前記エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）は，ラインビームの各照射パルスを所定量のオーバーラップをもってずらしていくことで走査されて，グレインサイズが十分に大きくならなかった結晶化不良領域（Ｒ’）が，基板（１）上の斜め４５°の方向に周期的に形成され，
　基板（１）上に形成される各ＴＦＴは，そのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向が，前記垂直方向（Ｖ）あるいは前記平行方向（Ｈ）になるように形成されて，前記結晶化不良領域（Ｒ’）は，キャリア移動経路であるチャンネル領域（ＣＨ）を４５°の角度をもって斜めに通過することになる，薄膜トランジスタのアレイ。」
　
（２）対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明においては「ａ−Ｓｉを多結晶化してｐ−Ｓｉ」とされ，また，「チャンネル領域」が「チャンネル長（Ｌ）方向」及び「チャンネル幅（Ｗ）」を有している。また，「ラインビームの各照射パルスを所定量のオーバーラップをもってずらしていくことで走査されて，グレインサイズが十分に大きくならなかった結晶化不良領域（Ｒ’）が，基板（１）上の斜め４５°の方向に周期的に形成され」るから，「結晶化不良領域（Ｒ’）」も「基板（１）の垂直方向（Ｖ）あるいは水平方向（Ｈ）」（すなわち，前記垂直方向（Ｖ）あるいは前記平行方向（Ｈ）になるように形成されている各ＴＦＴのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向）「のいずれとも４５°の角度を成す方向（Ｓ１）」の，一定周期を有する周期構造となっていることは明らかである。
　したがって，引用発明の「薄膜トランジスタのアレイ」，「結晶化不良領域（Ｒ’）が，基板（１）上の斜め４５°の方向に周期的に形成され」た「ｐ−Ｓｉ」，「チャンネル幅（Ｗ）」を有する「チャンネル領域」が，それぞれ，
本願発明の「２つ以上の多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する装置」，「１又は２方向で周期的な長い粒界の周期構造を有する多結晶シリコン薄膜であって，前記周期構造は前記長い粒界間の間隔λにより規定される当該多結晶シリコン薄膜」，「周期構造に対し角度θで傾いて」いる「幅Ｗの能動チャネル領域」に相当する。
　
イ　そうすると，両者は，
「　２つ以上の多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する装置であって，この装置が，
　（ａ）１又は２方向で周期的な長い粒界の周期構造を有する多結晶シリコン薄膜であって，前記周期構造は前記長い粒界間の間隔λにより規定される当該多結晶シリコン薄膜と，
　（ｂ）２つ以上の薄膜トランジスタであって，各薄膜トランジスタが前記多結晶シリコン薄膜上に配置された幅Ｗの能動チャネル領域を有し，当該能動チャネル領域は前記多結晶シリコン薄膜の前記周期構造に対し角度θで傾いている当該２つ以上の薄膜トランジスタと
を具える装置。」
である点で一致する。
　
ウ　一方両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明においては，「角度θは式Ｗ・ｓｉｎ（θ）＝ｍλから得られ，この式中のｍは変数であ」るのに対して，引用発明においてはこのような関係は特定されていない点。
《相違点２》
　本願発明においては，「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」が，引用発明においては，このような特定はされていない点。
　
（３）判断
　上記各相違点について検討する。
　《相違点１》について
　本願発明における式「Ｗ・ｓｉｎ（θ）＝ｍλ」において，「式中のｍは変数であ」るとされるものの，「ｍ」については何ら限定されていないから，「ｍλ」の値についても何ら限定されず，任意の値をとりうることは明らかである。そうすると，前記式は，「Ｗ・ｓｉｎ（θ）」と「ｍλ」が等しいことを規定しているものの，「ｍλ」の値が任意であるから，結局，「能動チャネル領域」の「幅Ｗ」，「能動チャネル領域」の「前記多結晶シリコン薄膜の前記周期構造に対」する「角度θ」，及び「長い粒界間の間隔λ」の各値の間に特定の関係を有することを規定するものではない。したがって，前記式は引用発明においても当然に満足するから，相違点１は実質的な相違点ではない。
　
　《相違点２》について
　前記５．（１）〜５．（３）で述べたとおり，相違点２に係る「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」との記載は，特に「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数」について不明確なものであるから，少なくとも文面上の差異とはなるものの，実体的な面から見れば，引用発明においても，「結晶化不良領域（Ｒ’）は，キャリア移動経路であるチャンネル領域（ＣＨ）を４５°の角度をもって斜めに通過する」ことから，「前記能動チャネル領域の長い粒界」に相当するものが１個程度はあるといえることを考慮すると，相違点２は格別な相違点とまではいえない。
　そうではなく，仮に，本願の請求項５に記載された「前記能動チャネル領域の長い粒界の個数は，前記２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し同じである」ことが，その文意のとおり，「２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し」て，「能動チャネル領域の長い粒界の個数」が「同じである」ことと解するとしても，相違点２は，引用発明から当業者が適宜になし得たことである。すなわち，本願明細書の記載された「粒子の寸法がＴＦＴのチャネル領域の寸法に匹敵しうるようにな」（段落【０００４】）っていることと同様に，引用発明は，引用例１の図２に示されるように「結晶化不良領域（Ｒ’）」の間隔が「チャンネル領域（ＣＨ）」の同程度の大きさとされており，さらに，引用発明は，本願発明の「能動チャネル領域は前記多結晶シリコン薄膜の前記周期構造に対し角度θで傾いている」ことに相当する構成も備えている。それゆえ，引用発明においても，「結晶化不良領域（Ｒ’）」の間隔と「チャンネル領域（ＣＨ）」の相対的な位置関係により，結果として「２つ以上の薄膜トランジスタの各々に対し」て，「能動チャネル領域の長い粒界の個数」が「同じである」状態となることは，引用発明においても普通に得られる程度のことといえる。
　請求人は，意見書において，「引用例１の段落〔００２２〕に記載されているように，『結晶化不良領域（Ｒ’）』は，オン電流の減少を抑えるものであります。一方，本願の『長い粒界』は，例えば段落〔０００４〕に記載されているように，トランジスタのオフ電流に寄与するものであります。よって，トランジスタの電流の観点から，『結晶化不良領域（Ｒ’）』と『長い粒界』とは逆の役割を有するものであり，引用文献１の『結晶化不良領域（Ｒ’）』は，本願の『長い粒界』に相当するとはいえません。」と主張する。しかしながら，本願明細書の段落【０００４】には，「このことは，ミクロ構造のランダム性，すなわち，粒子，従って，粒界の位置がランダムであることにより生じる。
このような不均一性は，特に電流の流れに対し垂直な方向である場合に，電流障壁として作用するおそれがある
ＯＮ電流を低下させ
　また，結晶化が不良である領域である粒界が，オフ電流の増加をもたらすことは，以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知の課題である。
・周知例１：特開平５−４１５１９号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−４１５１９号公報には以下の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】従来，ＬＣＤのスイッチング素子としてアモルファスシリコン（a-Si)ＴＦＴが用いられてきたが，周辺回路の高集積化をねらってpoly-Ｓi ＴＦＴを用いることが検討され始めている。ところが，従来のpoly-Ｓi ＴＦＴでは，オフ電流がゲ−ト電圧に依存して増大するために，スイッチング素子として用いた場合に映像信号の保持特性が悪くなるという問題があった。
このオフ電流の増大は，ドレイン接合近傍に存在する結晶粒界上の欠陥準位に起因する。すなわち，前記オフ電流の増大は，ドレイン接合付近において，主に結晶粒界上の欠陥準位を介したキャリア発生が強電界により助長されることに起因する
　
・周知例２：特開平１０−１８９９９８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１８９９９８号公報には以下の記載がある。
「【０００４】一方，画素トランジスタは画素に対する画像信号のサンプリング及びホールドに用いられる為，回路トランジスタとは別の電気特性が要求される。即ち，画素トランジスタを導通状態にした時，画素を充電させる為にある程度の駆動電流（オン電流）を供給できることと，画素トランジスタを非導通状態にした時電荷の形でホールドされた画像信号を維持する為極力リーク電流（オフ電流）が流れないことである。特に，液晶セルなどを用いた画素の静電容量は通常数ｐＦ程度の小さな値である為，画素トランジスタが非導通状態の時に僅かでもオフ電流が流れるとドレインの電位即ち画素電極の電位は急激にソースの電位に近づきサンプリングされた画像信号は正しくホールドされなくなってしまう。
多結晶半導体薄膜を用いて画素トランジスタを形成した場合，結晶粒界に多くのトラップ準位が極在している為，このトラップを介してかなり多くのリーク電流が流れてしまう
　
　したがって，「結晶化不良領域（Ｒ’）」と「長い粒界」は，電流に対する作用からみて実質的に同じものと言うことができるから，請求人の前記主張を採用することはできない。
　
　よって，本願発明は，引用例１に記載された発明及び従来周知の事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。