Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶湯から単結晶または多結晶を引き上げるためのダイであって、溶湯内に浸漬される本体の下面（５３）と、一本の毛管チャネルまたは複数の毛管チャネルを通して湯から供給される液体を支持するための本体の上面（５５）と、の間に配置されている少なくとも一本の長手方向の毛管チャネル（５９）を持つ本体（５１）を備え、前記上面（５５）は、前記一本の毛管チャネルまたは複数の毛管チャネル（５９）が露出している少なくとも一つの平らな面（６３）を含み、前記の平らな面が、前記一本の毛管チャネルまたは複数の毛管チャネルの長手方向軸線に対して９０度未満の角度θを形成するダイ。
【請求項２】  請求項１に記載のダイにおいて、断面が円形、正方形、または長方形の一本の毛管チャネルを備えるダイ。
【請求項３】  請求項１に記載のダイにおいて、断面が円形のクラウンである一本の毛管チャネルを備えるダイ。
【請求項４】  請求項１に記載のダイにおいて、前記上面の下で、断面が長方形の一本の毛管チャネル内に接続される数本の毛管チャネルを備えるダイ。
【請求項５】  請求項１から請求項４までの何れか１項に記載のダイにおいて、前記角度θが４５度に等しいことを特徴とするダイ。
【請求項６】  請求項１から請求項５までの何れか１項に記載のダイにおいて、前記ダイの上面（５５）の平らな面（６３）上の前記毛管チャネルの開口部（６１）の縁部が、前記平らな面に対して９０度未満の角度を持つダイ。
【請求項７】  請求項１から請求項５までの何れか１項に記載のダイにおいて、一本の毛管チャネル（５９）と、その一部だけが、前記毛管チャネルの長手方向軸線に対して、９０度未満の角度θを持つ前記平らな面（６３）を形成している上面（５５）とを備え、前記毛管チャネル（５９）が、前記チャネルの長手方向軸線に対して傾斜している部分（６５）を通して前記平らな面上に露出しているダイ。
【請求項８】  請求項７に記載のダイにおいて、前記部分（６５）が、前記毛管チャネルの残りの部分より小さな断面を持つダイ。
【請求項９】  請求項８に記載のダイにおいて、前記部分（６５）が、前記ダイの前記上面の前記平らな面（６３）上に露出する前記開口部（６１）の縁部が、前記平らな面に対して９０度未満の角度を持つダイ。
【請求項１０】  請求項１から請求項９までの何れか１項に記載のダイにおいて、前記毛管チャネル（５９）の前記開口部（６１）の縁部が、前記ダイの前記上面の前記平らな面（６３）に対して４５度の角度を持つダイ。
【請求項１１】  請求項１から請求項１０までの何れか１項に記載のダイであって、モリブデンから製造されるダイ。
【請求項１２】  多結晶材料または単結晶材料からなるある製品の製造方法であって、請求項１から請求項１１までの何れか１項に記載のダイ（３）を介して引き上げることにより、溶融材料の浴から前記製品を製造することと、前記毛管チャネルから供給される前記溶融材料をシード（９）と接触させて結晶にすることからなり、前記シードおよび／または前記ダイが、引き上げ方向に垂直な面内で少なくとも一回の並進運動および／または回転運動を受け、前記溶融材料の前記結晶化界面（１１）が、引き上げ方向に対して９０度未満の角度θを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性の抗菌組成物であって、
ヨウ素分子を含んだ有効ヨウ素を１２質量％以下の量で含み、
下記式で表される非イオン性界面活性剤を３０質量％以下の量で含み、
Ｒ（ＣＨＲ’- ＣＨＲ’- Ｏ）n ‐Ｈ
（式中、Ｒは活性水素または水酸化物を含む有機化合物の残基を、Ｒ’は水素またはＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基を、ｎは３〜２１２の整数を表す。）
塩化物イオン、臭化物イオンおよびこれらの混合物からなる群から選択されるハロゲン化物イオンをある量で含み、
前記ハロゲン化物イオンと、有効ヨウ素と、の割合が、０．２：１超、５．８：１以下であり、
前記有効ヨウ素、前記非イオン性界面活性剤および前記ハロゲン化物イオンが前記水性の組成物中に存在し、
前記組成物のｐＨが−１〜７である抗菌組成物。
【請求項２】
希釈可能な濃縮物である請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項３】
使用形態の溶液である請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項４】
前記非イオン性界面活性剤が１〜３０質量％の濃度で存在する請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項５】
前記濃度が５〜２５質量％である請求項４に記載の抗菌組成物。
【請求項６】
前記ハロゲン化物イオンが０．１〜３０質量％の濃度で存在する請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項７】
前記ハロゲン化物イオンが塩化物イオンであり、０．１〜１２質量％の濃度で存在する請求項６に記載の抗菌組成物。
【請求項８】
前記ハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、０．５〜２５質量％の濃度で存在する請求項６に記載の抗菌組成物。
【請求項９】
酸源（ａｃｉｄ  ｓｏｕｒｃｅ）含んだ請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１０】
ある量のポリビニルピロリドンを含んだ請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１１】
緩衝剤を含んだ請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１２】
緩和剤を含んだ請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１３】
前記ハロゲン化物イオンが、塩化ナトリウム、塩化水素酸、臭化ナトリウムおよび臭化水素酸からなる群から選択されるイオン源から得られる請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１４】
ある量のヨウ化物イオンを含んだ請求項１に記載の抗菌組成物。
【請求項１５】
前記ヨウ化物イオンが０．０１〜２０質量％の濃度で存在する請求項１４に記載の抗菌組成物。
【請求項１６】
前記非イオン性界面活性剤がポリエトキシル化されたポリオキシプロピレンブロック共重合体、Ｃ4 〜Ｃ12のアルキル基を有するアルキルフェノールエトキシレート、エトキシル化された脂肪族アルコールおよび脂肪酸およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の抗菌組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月19日(2005.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電力発生プラント又は化学プラントからの煙道ガスを処理して、煙導ガスからの酸性不純物を、実質的に固体の沈殿がない水に基づく溶液中に吸収させる、新しいスクラバー装置であって、
（ａ）垂直方向に液体を流すデミスターによって水平軸に沿って少なくとも２つの区画に分割されており、且つ前記煙道ガスが流通する、基本的に長方形の断面を有する水平容器、
（ｂ）それぞれの前記区画に配置されている、液体収集液溜め、及び
（ｃ）前記区画に配置されているそれぞれの前記液溜めから、同じ区画に配置されている少なくとも２つのスプレーノズルに液体を分配して、ガス流れに対して垂直な「落下カーテン」を作り、液が落下して前記液溜めに戻るようにする、ポンプ、
を有し；
１つの区画からの過剰な液体が、液体の逆流の可能性なく前の区画にオーバーフローし、且つ第１の区画の液溜めからの液体が、収集タンクにオーバーフローするようにして、それぞれの区画の前記液溜めが配置されており、また水又はプロセス溶液が最後の区画に導入され、それによって濃度が増加していく溶液を、それぞれの区画からのオーバーフローで得、且つ濃度が増加した最終的な溶液を、前記第１の区画の液溜めで得るようにされており；且つ
前記水平容器の一方の端部に入って他方の端部から出る前記煙道ガスを、それぞれの前記区画の様々な制御された濃度の水溶液と、前記一連の区画において十分に接触させる；
新しいスクラバー装置。
【請求項２】  前記水平軸が、いずれかの方向に湾曲若しくは曲がっている、請求項１に記載のスクラバー装置。
【請求項３】  それぞれの前記デミスターが、前記区画間の少なくとも１つの「網−柵」によって作られており、ガス流れを前記水平軸に垂直な断面の領域全体に広げ、且つ煙道ガスの流れによる前記区画間の液体の移動を最少に維持する、請求項１に記載のスクラバー装置。
【請求項４】  前記区画の数が３〜７である、請求項１に記載のスクラバー装置。
【請求項５】  前記水平容器を通るガスの流速が３〜１２ｍ／ｓである、請求項１に記載のスクラバー装置。
【請求項６】  結合された冷却塔回路からの冷却された水を、最後の区画に導入し、且つ任意の中間の区画から再循環させて冷却水にする、請求項１に記載のスクラバー装置。
【請求項７】  反応体を少なくとも１つの区画に導入する、請求項１に記載のスクラバー装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
［例３］
１，０００ｐｐｍ（容積）のＳＯ２及び１０％（容積）の水を含有する１５０℃の煙道ガス１，７５０，０００Ｎｍ３／ｈを、本発明の新しい設計の６つの区画のスクラバーに導入する。１５％アンモニア溶液（１７，７００ｋｇ／ｈ）を、入り口ガスと混合して、このガスを１３５℃に冷却する。７２℃の第１の区画からの溶液のオーバーフローは、４，８９０ｋｇ／ｈの３０％亜硫酸アンモニウムからなる。２８℃の冷却水を最後の区画において加えて出口ガスを４０℃に冷却し、供給物中のＳＯ２の１．５％未満及び１０ｐｐｍ（容積）未満のアンモニアを含有するようにする。第１の区画への非常に少量のオーバーフローを除いて、第２の区画から水を取り出して結合された冷却塔に再循環させる。
本発明の態様としては下記の態様を挙げることができる：
（１）電力発生プラント類又は化学プラント類からの煙道ガスを処理して、ＳＯ２、ＳＯ３、ＨＣｌ、亜酸化窒素、ＣＯ２等を包含する問題のある酸性不純物を、固体が実質的に沈殿しない水に基づく溶液中に吸収させる新しいスクラバー装置であって、
（ａ）垂直断面全体を覆い、垂直方向に液体を流すデミスターによって、水平軸に沿って複数の区画に分割された基本的に長方形の垂直断面を有する水平容器、
（ｂ）それぞれの前記区画の、任意の便利な方向に傾斜させることができる浅い液体収集液溜め、並びに
（ｃ）制御された流量で、それぞれの前記液溜めから同じ区画の一連のスプレーノズルに液体を分配するポンプであって、ガス流れに対して垂直であり且つ前記垂直断面全体を覆う３〜５の垂直な「落下カーテン」を作り、液滴が落下して前記液溜めに戻るようにする、ポンプ、
を有し、
それぞれの区画の液溜めを、１つの区画からの過剰な液体のオーバーフローが前の区画に入り、液体の逆流の可能性がないように配置し；第１の区画の液溜めからの液体を収集タンクにオーバーフローさせ；水又はプロセス溶液を最後の区画に導入し；濃度が増加している溶液をそれぞれの区画からのオーバーフローで得て、濃度が増加した最終的な溶液を得るようにし；
片方の端部に入って他方の端部で出るガスを、様々な制御された濃度の液体と一連の区画において十分に接触させる；
新しいスクラバー装置。
（２）前記水平軸が、配置に関する制約に便利なように、いずれかの方向に湾曲若しくは曲がっており、又は環状若しくは蹄鉄状に向きが完全に変わってさえいる、上記（１）項に記載のスクラバー装置。
（３）前記区画間の前記デミスターが「網−柵」タイプのものであり、ガス流路を前記垂直断面の領域全体に完全に広げること及び前記区画間の滴の同伴を最少に維持することを確実にする、上記（１）項に記載のスクラバー装置。
（４）前記区画の数が３〜７である、上記（１）項にに記載のスクラバー装置。
（５）塩基性反応体をいずれかの区画に導入する、上記（３）項に記載のスクラバー。
（６）前記塩基性反応体を、複数の区画で分ける又は導入される高温煙道ガスに噴霧する、上記（５）項に記載のスクラバー装置。
（７）容器を通るガスの平均線速度が３〜１２ｍ／ｓである、上記（１）項に記載のスクラバー装置。
（８）結合された冷却塔回路からの冷却された水を、最後の区画に導入し、且つ任意の中間の区画から前記冷却塔に再循環させる、上記（１）項に記載のスクラバー装置。
（９）中間区画のうちの１つでの溶液のフィードバック連続解析によって、反応体の付加を制御する、上記（１）項に記載のスクラバー装置。
（１０）固体が実質的に沈殿しない水に基づく溶液中に、問題のある不純物を吸収させる、電力発生プラント類又は化学プラント類からの煙道ガスを処理するスクラバー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  トルクトランスデュサーが長手方向軸線をもつシャフトを含み、前記シャフトが第１と第２の実質上剛性のトルク入力部材を含み、前記入力部材はねじれ撓み性の継手によって連結され、それによって前記継手は第１トルク入力部材の第２トルク入力部材に対する相対的な角度的撓みを、前記シャフト中のトルクの大きさの関数として、生じることができ、前記シャフトは更に、第１トルク入力部材に取り付けられ又はそれと一体をなす第１格子素子と、第２トルク入力部材に取り付けられ又はそれと一体をなす第２格子素子を含み、前記２つの格子素子の表面は隣接しかつ前記シャフト中のトルクの関数として、相対的に変位することができて成るトルクトランスデュサーの格子素子の表面上に格子パターンを作る方法において、該方法が、
第１と第２のトルク入力部材及び夫々の格子素子を前記ねじれ撓み性の継手に回転及び軸方向移動をしないよう固定することによって組立体を形成する第１工程を含み、
前記組立体を機械中に据え付ける第２工程を含み、前記機械は、２つのトルク入力部材のゼロトルク整列状態に関してそれらの２つのトルク入力部材間に予定の相対的角度的変位が維持されている間に、２つの格子素子の隣接する表面の領域を照射するよう配置された放射線源を含んでおり、
２つのトルク入力部材間に予定の角度的変位が維持されている間に、２つの格子素子の隣接した表面の領域を同時に照射する第３工程を含み、
それによって、このゼロトルク整列状態のために相互に精密に整列させられている組立体の２つの格子素子の表面上に格子パターンを生ぜしめること、
を特徴とするトルクトランスデュサーの格子素子の表面上に格子パターンを作る方法。
【請求項２】  前記機械は前記シャフトの長手方向軸線の回りに前記組立体を回転させるための据え付け部を提供し、更に第３工程は前記組立体を回転させ、そして前記組立体の予定角度の回転位置で隣接した表面の領域を連続的に照射することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記組立体は前記連続回転の間に実質上１回りの回転をなすことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記組立体は前記連続照射のうちの少なくとも１つの照射の間回転せずに止まっていることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記組立体は前記連続照射のうちの少なくとも１つの照射の間回転していることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記組立体は第３工程の間機械中に静止状態に据え付けられていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  第１又は第２の格子素子のうちの少なくとも一方の素子の表面は実質上円筒形で、その中心軸線は前記シャフトの長手方向軸線と同一線上にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  第１又は第２の格子素子のうちの少なくとも一方の素子の表面は実質上平らで、前記シャフトの長手方向軸線に対して径方向に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  各格子パターンは所定の入射電磁放射線について高と低の反射性又は透過性の交互配列する領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  放射線に関して不透明なマスクが放射線源と格子素子間に介在し、前記マスクの幾何学的形態が前記パターンの形状と配列を決定することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  放射線源は格子素子の表面を照射するレーザを含み、前記パターンの形状と配列は格子素子上のレーザビームの焦点及び／又は衝撃位置を制御することによって決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  放射線源は格子素子の表面を照射するレーザを含み、前記パターンの形状と配列は格子素子とレーザの相対的位置を制御することによって決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  ２つのトルク入力部材間に維持された予定の相対的角度変位は実質上ゼロであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  照射は材料を除去し又は格子素子の隣接した表面の領域の物理的又は化学的性質を変化させ、それによってこれらの領域の反射性又は透過性を増大又は減少させることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ミキサからの出力は、続いて次々に、スイッチ１１３を通り低域通過フィルタ１１５へ供給され、これが高周波時間変化成分を除去する。このピーク振幅値は、次にアナログ/デジタル・コンバータ１１７によりアナログ値からデジタル値へ変換され、マイクロプロセッサ１１９へ送られ、これが、これらのデジタル値に逆正接 (arc-tangent) 関数を使用することにより、レゾネータ基板９の回転角を決定する。（破線１２１および１２３で表わされるように、マイクロプロセッサ１１９はスイッチ１１３の切換、およびデジタル波形生成器１０３により生成される信号も制御する。）この技術に精通した者は理解するであろうように、マイクロプロセッサ１１９は、シャフト角度１２０°にわたりレゾネータ基板の回転角を明確に決定することができる。従がって、この位置エンコーダは、単に９０°だけ回転するエンジンのスロットル弁の角度位置を決定するために適するであろう。代替として、マイクロプロセッサ１１９が周期を計数する場合、レゾネータ基板９の回転が、連続してトラッキングされることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  重量で、１．５ないし４．５％の炭素、１．５ないし４．５％のケイ素、１．２％ないし６．５％のモリブデン、任意にニッケルおよび／または銅、ここで（％モリブデン＋％ニッケル＋％銅）は６．５％を越えず、０％を越え０．０４％未満のマグネシウムを含有し、クロム、マンガン、バナジウム、および希土類金属は、不純物レベルを越えずに存在し、残部の鉄および付随的不純物を含有する球状黒鉛鋳鉄合金。
【請求項２】  前記炭素は、１．５ないし３．８％の量で存在する請求項１記載の鉄合金。
【請求項３】  前記炭素は、３．０ないし３．５％の量で存在する請求項１または２に記載の鉄合金。
【請求項４】  前記ケイ素は、１．９ないし２．５８％の量で存在する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項５】  前記モリブデンは、１．２ないし３．０％の量で存在する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項６】  前記ニッケルは、０．１ないし３．５％の量で存在する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項７】  前記銅は、０．１ないし３．５％の量で存在する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項８】  ニッケルは、存在しないまたは付随的不純物量のみで存在する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項９】  銅は、存在しないまたは付随的不純物量のみで存在する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項１０】  重量で、３．５ないし３．７％の炭素、２．４ないし２．７％のケイ素、１．２ないし３．０％のモリブデン、０％を越え０．０４％未満のマグネシウム、残部の鉄および付随的不純物を含有する請求項１に記載の鉄合金。
【請求項１１】  重量で、３．５ないし３．７％の炭素、３．８ないし４．０％のケイ素、１．２ないし１．６％のモリブデン、０％を越え０．０４％未満のマグネシウム、残部の鉄および付随的不純物を含有する請求項１に記載の鉄合金。
【請求項１２】  付随的不純物の重量パーセンテージは０．８％を越えない請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の鉄合金。
【請求項１３】  ０．１％未満のニッケルを含有する請求項１に記載の鉄合金。
【請求項１４】  ０．１％未満の銅を含有する請求項１に記載の鉄合金。
【請求項１５】  請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の鉄合金の製造方法であって、
ａ）鉄、ケイ素、炭素、モリブデン、および任意に銅および／またはニッケルを含有する溶融物を与える工程；および
ｂ）フェロシリコン合金の一部としてマグネシウムを前記溶融物に加える工程；および
ｃ）前記溶融物を鋳造する工程
を具備する方法。
【請求項１６】  工程（ａ）は、鋳鉄または鋼、フェロシリコン合金、加炭材およびフェロモリブデン合金を溶融する工程を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  重量で、１．５ないし４．５％の炭素、１．５ないし４．５％のケイ素、１．２％ないし６．５％のモリブデン、任意にニッケルおよび／または銅、ここで（％モリブデン＋％ニッケル＋％銅）は６．５％を越えず、０％を越え０．０４％未満のマグネシウムを含有し、クロム、マンガン、バナジウム、および希土類金属は、不純物レベルを越えずに存在し、残部の鉄および付随的不純物を含有する球状黒鉛鋳鉄合金の鋳造物としての使用。
【請求項１８】  前記モリブデンが１．２ないし３．０％の量で存在する請求項１７に記載の球状黒鉛鋳鉄合金の鋳造物としての使用。
【請求項１９】  前記鉄合金は、重量で、３．５ないし３．７％の炭素、２．４ないし２．７％のケイ素、１．２％ないし３．０％のモリブデン、０％を越え０．０４％未満のマグネシウム、残部の鉄および付随的不純物を含有する請求項１７に記載の球状黒鉛鋳鉄合金の鋳造物としての使用。
【請求項２０】  前記鉄合金は、重量で、３．５ないし３．７％の炭素、３．８ないし４．０％のケイ素、１．２％ないし１．６％のモリブデン、０％を越え０．０４％未満のマグネシウム、残部の鉄および付随的不純物を含有する請求項１７に記載の球状黒鉛鋳鉄合金の鋳造物としての使用。
【請求項２１】  ディスクブレーキローターである請求項１７ないし２０のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  方向性けい素鋼板の製造方法であって、質量％で、
2.5〜4.0％のＳｉ、
0.01〜0.10％のＣ、
0.30％以下のＣｕ、
0.15％以下のＭｎ、
0.060％以下のＳ、
0.065％以下のＡｌ、
0.015％以下のＮ、
0.10％以下のＰ、
必要に応じて、それぞれ０．２質量％以下のＡｓ、Ｓｎ、Ｓｂ、ＴｅおよびＢｉの１種以上、及び
残部の鉄及び不可避不純物を含む鋼の溶湯を形成し、
前記溶湯を厚さ25〜100 mmの鋳片に連続鋳造し、前記鋳片を、凝固時に 700℃を超える温度まで冷却し、その後ただちに薄いスラブに切断し、
次に前記薄いスラブを、インライン均熱炉に連続して送り、1170℃以下の温度に再加熱し、この温度での滞留時間は最大で６０分であり、
次にインライン多重スタンド式熱間圧延機で連続的に厚さ0.5〜3.0mmの熱間ストリップに圧延し、最初の成形パスを、1150℃以下の圧延材料の温度で少なくとも２０％の圧下率で行い、
その後前記熱間ストリップを巻き取り、
その後再結晶化の中間焼なましを伴う１又は複数の工程で冷間圧延して0.15〜0.50mmの最終厚さとし、
次にこの冷間ストリップを、焼なまし処理で再結晶化及び脱炭させ、主成分としてＭｇＯを含む焼鈍分離剤を付与し、その後にゴス型集合組織になるように最終的な焼なまし処理を施し、
電気絶縁層で被覆し、焼なましで応力を緩和する方向性けい素鋼板の製造方法。
【請求項２】  熱間圧延において、中間厚さが40mm以下でかつ８mm以上の圧延材料を、高圧冷却装置を用いて、最大で２つの連続する成形パスの中で1000℃以下の温度に冷却し、そして仕上厚さに圧延することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】  炭素、マンガン及び硫黄を次の含有量範囲、
0.01〜0.050 ％のＣ、
0.05〜0.10％のＭｎ、
0.015 〜0.035 ％のＳ、
で含む以外は、請求項１に記載した組成を有する溶鋼を、薄いスラブに鋳造し、均熱焼なましの後に 0.7〜1.3 mmの最終厚さに熱間圧延し、ストリップを、最終的な冷間圧延工程での圧下率が45％〜75％の範囲であるように冷間圧延することを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  前記熱間ストリップを、800 〜1100℃において焼なましを行うか、又は900 ℃以下の温度において巻き取ることを特徴とする、請求項３記載の方法。
【請求項５】  質量％で、
2.5 〜4.0 ％のＳｉ、
0.03〜0.1 ％のＣ、
0.05〜0.10％のＭｎ、
0.015 〜0.035 ％のＳ、
0.05〜0.3 ％のＣｕ、
0.015 〜0.065 ％のＡｌ、
0.005 〜0.015 ％のＮ、及び
残部の鉄及び不可避不純物を含む溶湯を、熱間ストリップに鋳造し、そして均熱焼なましの後に0.5〜3.0mmの厚さに熱間圧延し、950 〜1150℃において30〜300 秒の析出焼なましを行い、引き続いて20K/秒を超える冷却速度で急速に冷却し、上記焼なましを、圧下率が70％〜90％である冷間圧延成形の最終工程の前に行うことを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項６】  組成が、
最大 0.010％のＳ、
最大 0.010％のＣｕ、
最小 0.015％のＡｌ、
最小 0.005％のＮ、
を含む以外は請求項１に記載した鋼の溶湯を、薄いスラブに鋳造し、0.5〜3.0mmの厚さに熱間圧延し、熱間ストリップを1000℃〜1150℃において30〜300 秒の析出焼なましを行い、引き続いて20K/秒を超える冷却速度で急速に冷却し、冷間圧延成形の最終工程を圧下率が45％〜90％で行うことを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項７】  前記溶鋼が液相線温度より最大で２５Ｋの過熱温度で鋳造されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  最大で100 nmの粒子サイズを有し、ＡｌＮ粒子を、仕上ストリップ上に冷間圧延されたストリップの窒化によって追加的に生成させることを特徴とする、請求項５又は６のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  負荷を通電するためにバッテリから放電される全電流を測定するための電気回路であって、
（ａ）負荷とバッテリとに直列に結合される一端部を有する抵抗器であって、負荷を通電するためにバッテリによって供給される電流が、前記抵抗器を流れ、前記抵抗器を横切って現れた電圧が、電流の大きさを示す抵抗器と、
（ｂ）抵抗器を横切る電圧を検知するために抵抗器に結合される入力部を有する積分器であって、前記積分器は、負荷を通電するためにある時間期間にわたって供給される全電流を示す信号、従って前記時間期間にわたって負荷により消費される電力を示す信号をその出力部で形成し、時間期間の終りで積分器の出力をリセットするスイッチが設けられ、これによって、積分器は、負荷を通電するために供給される電流を連続する複数の時間期間にわたって積分可能である積分器と、
（ｃ）信号を受けるために積分器の出力部に結合されるアナログ・デジタル変換器であって、アナログ・デジタル変換器は、信号をデジタル化して、対応するデジタル値をアナログ・デジタル変換器の出力部で形成するアナログ・デジタル変換器と、
（ｄ）アナログ・デジタル変換器の出力部に結合されるプロセッサであって、前記プロセッサは、各時間期間の終りで積分器をリセットするために積分器に結合されるリセット信号を形成するとともに、アナログ・デジタル変換器によって形成される連続するデジタル値を連続する複数の時間期間にわたって累算することにより、負荷を通電するためにバッテリによって放電される全電流を決定するプロセッサと、
を備える電気回路。
【請求項２】  時間期間が周期的であり、デジタル値が各時間期間の終りでプロセッサによって蓄えられ、連続する複数の時間期間にわたってバッテリから放電される全電流が決定される請求項１に記載の電気回路。
【請求項３】  積分器の入力部に結合される複数の抵抗器を更に備え、前記複数の抵抗器が、積分器の出力部で信号が所定のレベル以上であるように、積分器にバイアスをかける請求項１に記載の電気回路。
【請求項４】  積分器の出力部の信号は、バッテリがライン源供給装置によって充電される時に、０ボルト以上であり、供給装置は、バッテリが充電される間、電気回路および負荷を通電するために電流を供給する請求項３に記載の電気回路。
【請求項５】  抵抗器とバッテリとの間に接続されるスイッチを更に備え、スイッチが、負荷を通電するためにバッテリが電流を供給している時に、導通状態であり、電気回路が較正される時には、周期的に非導通状態に切り換えられる請求項４に記載の電気回路。
【請求項６】  スイッチが、電圧制御された固体デバイスである請求項５に記載の電気回路。
【請求項７】  積分器の出力部とアナログ・デジタル変換器の入力部との間に結合される低域通過フィルタを更に備え、低域通過フィルタは、積分器によって形成された信号の周波数よりも高い周波数を持つノイズを抑制する請求項１に記載の電気回路。
【請求項８】  積分器が、電荷を貯えるコンデンサを有し、積分器の出力をリセットするスイッチが、コンデンサと並列に接続され、積分器の出力をリセットするために、連続する時間期間にわたってスイッチが閉じられてコンデンサが放電される請求項１に記載の電気回路。
【請求項９】  スイッチが、積分器の入力部と出力部との間の抵抗を小さくするために、並列に結合された複数の電気スイッチからなり、これによって、積分器の出力部で信号をリセットするために必要な時間を短くする請求項８に記載の電気回路。
【請求項１０】  プロセッサが、供給装置が電気回路を通電するために使用されているかどうかを示す信号に応じて、スイッチを制御する請求項５に記載の電気回路。
【請求項１１】  プロセッサが、スイッチが非導通状態にある時に、ゼロ電流オフセット値を決定する請求項１０に記載の電気回路。
【請求項１２】  負荷を通電するためにバッテリから放電される一連のパルスとしての全電流を測定するための方法であって、
（ａ）負荷を通電するためにバッテリによって供給される電流の大きさに比例する電圧を検知するステップと、
（ｂ）連続する複数の時間期間にわたって電圧を積分し、各時間期間において、その時間期間にわたって負荷を通電するためにバッテリによって供給される全電流を示すアナログ信号を形成するステップと、
（ｃ）アナログ信号を対応するデジタル信号に変換するステップと、
（ｄ）負荷を通電するためにバッテリから放電される全電流を決定するために、複数の連続する時間期間にわたって形成されたデジタル値を合計するステップと、
からなる方法。
【請求項１３】  連続する複数の時間期間は周期的であり、負荷を通電するためにバッテリから放電される全電流を決定するために、デジタル値の合計が、各時間期間の終りで蓄えられる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  電流がバッテリから放電されていない時に、電圧の積分値を少なくとも所定の値にバイアスするステップを更に備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  バッテリが供給装置によって充電されている時、所定の値が、０以上である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  アナログ信号を対応するデジタル信号に変換する前に、低域通過フィルタを用いてアナログ信号をフィルタリングするステップを更に備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  負荷を通電するためにバッテリが電流を供給していない時に、オフセット修正を決定し、このオフセット修正によって誘導された電流を修正するステップを更に備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  オフセット修正が、予め決められた時間間隔で再決定される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  負荷を通電するバッテリから放電される電流を管理するシステムであって、
（ａ）バッテリと、
（ｂ）時間にわたってバッテリにより放電される全電流を測定するための測定回路と、
（ｃ）バッテリを再充電するために電流を供給する充電回路と、
（ｄ）バッテリの使用を最適化するように、測定回路と充電回路とを制御するプログラムを実行するプロセッサとを具備し、前記測定回路が、バッテリが再充電されている時に、複数の時間間隔でゼロ電流オフセット値を決定し、前記ゼロ電流オフセット値が、前記測定回路内の誘導された誤差をオフセットするために使用されるシステム。
【請求項２０】  バッテリから放電される全電力が所定の限界値を超えると、バッテリを再充電するために充電回路を使用するように、ユーザが警告を受ける請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】  負荷を通電するバッテリから放電される電流を管理するシステムであって、
（ａ）バッテリと、
（ｂ）時間にわたってバッテリにより放電される全電流を測定するための測定回路であって、前記測定回路は、積分器を含み、該積分器は、負荷を通電するためにある時間にわたって供給される全電流を示す信号、従って時間にわたって負荷により消費される電力を示す信号をその出力部で形成する、測定回路と、
（ｃ）バッテリを再充電するために電流を供給する充電回路と、
（ｄ）バッテリの使用を最適化するように、測定回路と充電回路とを制御するプログラムを実行するプロセッサとを具備するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  請求項１−１２のいずれか１項に記載の方法に従って得られるポリプロピレン糸。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アポリポタンパク質Ｅ４の遺伝子を有する大うつ病患者の治療のための医薬の製造におけるミルタザピンの使用。
【請求項２】
組織中のアポリポタンパク質Ｅ４の遺伝子の存在を確認するための手段の使用であって、該組織が大うつ病患者から得たものであることを特徴とする前記手段。
【請求項３】
大うつ病の薬物治療応答の指標として組織中のアポリポタンパク質Ｅ４の遺伝子の存在を確認する方法であって、ＤＮＡの核酸配列決定により遺伝子の存在を確認することを特徴とする方法。
【請求項４】
大うつ病の薬物治療応答の指標として組織中のアポリポタンパク質Ｅ４の遺伝子の存在を確認する方法であって、制限アイソタイピング、ハイブリダイゼーションまたはオリゴタイピングにより遺伝子の存在を確認することを特徴とする方法。
【請求項５】
大うつ病の薬物治療応答の指標として組織中のアポリポタンパク質Ｅ４の遺伝子の存在を確認する方法であって、フェノタイピングにより遺伝子の存在を確認することを特徴とする方法。
【請求項６】
組織が血漿である請求項３ないし５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過酸化水素又は反応条件下で過酸化水素を生成し得る化合物を用いる、有機基質の酸化方法であって、
前記酸化方法が、チタンを含みxが0.0001〜0.4である式(I)：xTiO2(1−x)SiO2を有するゼオライト系触媒の存在下におけるカルボニル化合物のアンモキシメーションからなり、
前記触媒が、
直鎖又は分枝であり2〜20の炭素原子総数を有し以下の一般式(II)を有するモノ-、ジ-、トリ-、テトラ-カルボン酸のアンモニウム塩の水溶液及び/又は水性有機溶液で、0.2〜10質量％のアンモニウム塩濃度にて、前記触媒を0.2〜5時間処理すること；
続いて濾過により前記触媒を分離すること；及び
300〜650℃の温度で1〜6時間、前記触媒を焼成すること；
からなる方法によって得られる、前記酸化方法。
【化１】
2004532125.tif 000001
（式中、
R基の一つはカルボキシルであるが、
他のR基は同じであるか又は異なっており、水素、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、アミン基、アミド基、ビニル基、ヒドロ-ハロゲン基、ニトリル基、ヒドロ-スルフィド基、スルホン酸基、リン酸基から選択されてもよく；又は
それらはアルキル基、シクロアルキル基、アルキルシクロアルキル基、芳香族基、アルキル芳香族基、アラルキル基、ヘテロ芳香族基、及びこれらの基が水素、ヒドロキシル、カルボキシル、ハロゲン、アルコキシド、アミン、エステル、アミド、ビニル、ニトリル、ヒドロキシル、ヒドロ-スルフィド、カルボニルより選択される一つ以上の原子又は基で置換された基より選択されてもよく；
一般式(II)の中央の炭素原子は、N、O、Sより選択される一つ以上のヘテロ原子を有するヘテロ芳香族又は非へテロ芳香族であって飽和又は不飽和である環に属しても又は属さなくてもよく、式(II)における環状置換基である場合は、2つの隣接するR基が前記中央の炭素に直接結合し、同時に環に属する。）
【請求項２】
触媒がチタンシリカライトTS-1であり、xが0.001〜0.04である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
xが0.01〜0.03である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
シリカライトTS-1のチタンの一部がホウ素、アルミニウム、鉄又はガリウムによって置換されている、請求項２記載の方法。
【請求項５】
アンモニウム塩が、4.00〜5.15のpKaを有するカルボン酸の塩である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
カルボン酸が4.55〜4.95のpKaを有する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
カルボン酸が酢酸、酒石酸、クエン酸、ヒドロキシ酪酸、アミノ安息香酸、ヘキサヒドロ安息香酸、フタル酸及びピリジンカルボン酸からなる群より選択される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
水溶液及び/又は水性有機溶液のpHが6.6〜7.4である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
pHが6.9〜7.1である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
塩濃度が2〜6％である、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
塩濃度が3〜5％である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
処理が0.5〜3時間行われる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
処理が0.75〜1.5時間行われる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
水性有機溶液の溶媒がアルコール、ケトン、ニトリル、アミドより選択される極性溶媒、又はエステル、エーテル、パラフィン、芳香族化合物より選択される非極性溶媒である、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
触媒が3〜5時間、450〜600℃の温度で焼成される、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
焼成温度が1〜30℃/分の速度で到達される、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
焼成温度が5〜20℃/分の速度で到達される、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
シクロヘキサノンのアンモキシメーションが行われる、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（実施例５）
実施例１の手順に従って調製した触媒を用いる、シクロヘキサノンの連続的アンモキシメーション反応を記述する。
反応は、メカニカルスターラーを備えた1 L 鋼製オートクレーブ；自動レベル制御；サーモスタット調節；定圧で操作するためのデバイス；反応溶媒、シクロヘキサノン及び過酸化水素溶液のための別々の注入口；並びに触媒を反応器内部に保持するのに適切な多孔率を有するフィルター栓を備えた反応溶液の排出口からなる装置で行った。
反応を、必要な濃度のNH3ガスを前もって吸収させた（液相に関して少なくとも2.5％）t-ブチルアルコールと水（88/12 w/w）との共沸混合物からなる反応溶媒、及び実施例１の触媒8.1 g（反応器中の溶液の1.9％に等しい）を0.5 Lに等しく定容量で反応器に供給することによって活性化し、適切な攪拌によって懸濁状態で維持した。
一旦前記反応器を85℃の温度、2.5 atmの圧力にしたら、試験の全継続時間の間Heと共にその状態を維持して、過酸化水素及びシクロヘキサノンの溶液を供給した。
本明細書で記述する試験の管理条件 (regime condition) 下で、t-ブチルアルコール254.4 g/h（反応器中の溶液の59質量％）、水34.7 g/h（8質量％）、NH3 23.9 g/h（5.5質量％）、50.01質量％の力価（H2O2 100％の5.9質量％に等しい）を有するH2O2水溶液50.9 g/h、及びシクロヘキサノン（One）67.2 g/h（15.6質量％）を供給した。
このようにして、溶液中、次のモル分率（RM）が得られる：
RM (H2O2/One)＝1.09；RM (NH3/One)＝2.04；RM (NH3/H2O2)＝1.87。
このような条件下で、いかなる触媒の補給も行わずに、触媒活性が枯渇するまで試験を行って、次の結果が得られた；
試験継続時間                ：310時間
シクロヘキサノン(One)の変換 ：98.6モル％（試験の間）
オキシムに対する選択性      ：99.9モル％
オキシムに対するOneの収率   ：98.5モル％
オキシムに対するH2O2の収率   ：90.4モル％
具体的な触媒消費量          ：0.35 g触媒/Kg生成したオキシム
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電力電線を含む送電系統における送電限界を決定する方法であって、
（ａ）  電線の内の選択されたものについてのモード動的特性を、ある期間にわたっての前記電線での電力系統の電力パラメータの小摂動の測定から導くステップと、
（ｂ）  前記期間にわたって前記電線の内の一部または全てについての電力系統の動作パラメータを測定するステップと、
（ｃ）  ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）により収集されたデータを使用し、前記電線の各々における動的特性と動作パラメータとの間に固定された関係を確立するステップと、
（ｄ）  前記関係の各々から各電線についての送電限界を計算するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
動的特性には、系統のモード減衰、モード周波数またはモード振幅が含まれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導かれた動的特性および対応する動作パラメータは、限定的過渡条件または電圧条件の前の送電系統を表す数学モデルから得られる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
数学モデルは、限定的過渡条件または電圧条件の後の送電系統をも表す請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｃ）は、多変量関係についてのパラメータを導出可能な観測値のマトリクスを形成することによって多変量解析を使用して固定的関係を確立することをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｃ）は、ニューラルネットワークを使用して固定的関係を確立することをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
系統の１つ以上の箇所において、電圧フェーザ、電流フェーザ、電圧フェーザ角度差、電流フェーザ角度差、有効電力値、無効電力値、電圧値、電流値、系統周波数、および各値の発生時刻の内の１つ以上のものについての小摂動を測定することを有する請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
測定された動的特性は、支配的系統条件に関連づけられる請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記測定が所定の間隔で実行される請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記測定が実質的に連続的に実行される請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
送電系統における発振源を特定する方法であって、
（ａ）  系統内の第１および第２の点における有効電力、無効電力、電圧または周波数信号の測定から、モード減衰、モード振幅およびモード周波数の内の１つ以上を導くステップと、
（ｂ）  信号のモード減衰、モード振幅またはモード周波数を比較して、発振源が第１の点と第２の点の内のいずれに近いかを判定するステップと、
（ｃ）  発振源が特定されるまでステップ（ａ）とステップ（ｂ）を繰り返すステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
送電系統における発振源を特定する方法であって、
（ａ）  系統内の第１および第２の点における有効電力、無効電力および電圧信号のモード減衰とモード振幅を導くステップと、
（ｂ）  信号のモード減衰とモード振幅を比較して、発振源が第１の点と第２の点の内のいずれに近いかを判定するステップと、
（ｃ）  発振源が特定されるまでステップ（ａ）とステップ（ｂ）を繰り返すステップと、
を有する方法。
【請求項１３】
複数の電力電線を有する送電系統における送電限界を決定する方法であって、
（ａ）  電線のうちの選択されたものについてのモード減衰値を、ある期間にわたっての前記電線の小摂動の測定から導くステップと、
（ｂ）  前記期間にわたって前記電線における電力フローを測定するステップと、
（ｃ）  ステップ（ａ）およびステップ（ｂ）により収集されたデータを使用し、前記電線の各々におけるモード減衰値と電力フローとの間に固定された関係を確立するステップと、
（ｄ）  前記関係の各々から各電線についての送電限界を計算するステップと、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に高電圧を供給する手段と、
高電圧供給手段が内部に配置されるハウジングと、
を備え、
前記ハウジングが、複数の壁を含み、該壁の１つが非導電性であり、かつスイッチシステムに低電圧電源を供給するための変圧器を含み、該変圧器が、前記壁の第１の側面の第１の挿入体内に配置された一次巻線及びコアと、前記壁の第２の側面の第２の挿入体内に配置された二次巻線及びコアとを有し、これにより前記壁を横切って電力を磁気的に結合することができ、前記第１及び第２の挿入体が、これらの表面上に形成され、かつ前記壁の第１の側面と前記一次巻線及びコアとの間、及び前記壁の第２の側面と前記二次コイル及びコアとの間に配置された導電性コーティングを有し、前記挿入体が電気的応力を最小化するように成形される高電圧装置。
【請求項２】
前記挿入体が環状である請求項１に記載の高電圧装置。
【請求項３】
前記一次巻線及びコアが前記非導電性の壁の外側に配置され、前記二次巻線及びコアが前記非導電性の壁の内側に配置された請求項１又は２に記載の高電圧装置。
【請求項４】
前記非導電性の壁が前記ハウジングの端壁である請求項１から３のいずれかに記載の高電圧装置。
【請求項５】
前記挿入体が、前記非導電性の壁の両側のそれぞれのチャンバ内に密着して受けられる請求項４に記載の高電圧装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の挿入体の各々が、前記第１のコイル及びコアと第２のコイル及びコアの内のそれぞれ一方を受けるためのチャンバを含む請求項４又は５に記載の高電圧装置。
【請求項７】
前記挿入体が、前記導電性コーティングが形成される平坦面と、凹状側壁とを有し、前記側壁と前記平坦面との間の移動が滑らかである請求項１から６のいずれかに記載の高電圧装置。
【請求項８】
前記平坦面上の各導電性コーティングが、実質的に平行である請求項７に記載の高電圧装置。
【請求項９】
前記挿入体が同心である請求項７又は８に記載の高電圧装置。
【請求項１０】
前記導電性コーティングが前記側壁上に広がる請求項７、８、又は９に記載の高電圧装置。
【請求項１１】
前記導電性コーティングが磁性体である請求項１から１０のいずれかに記載の高電圧装置。
【請求項１２】
前記導電性コーティングがニッケルを含む請求項１１に記載の高電圧装置。
【請求項１３】
前記装置がスイッチング装置であり、前記高電圧供給手段がスイッチスタックである請求項１から１２のいずれかに記載の高電圧装置。
【請求項１４】
前記スイッチスタックが、高電圧パルスを前記負荷に供給するためのコンデンサに結合されている請求項１３に記載の高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
各Ｌｉｇが、独立して、以下の式（ＩＶ）を有する負に帯電されたインデニル又はインデニロイド部分である請求項２〜７のいずれか１項に記載の触媒において、2004532346.tif 000001
環炭素原子の一以上は環ヘテロ原子により置換されていてもよく；各Ｑはケイ素又はゲルマニウム原子であり；- - - - として示された結合のどちらか又は両方が、存在しても、又は存在しなくてもよく；各Ｒ1は、同じであるか又は異なっていてもよく、水素、又はＣ1〜20の炭化水素、又はη1配位子であり、少なくとも１つのＲ1は水素以外であり；各Ｒ2は、水素、又は炭素、酸素、ケイ素、燐、ゲルマニウム、窒素、又は硫黄原子を介して５員環に結合された基であり；各Ｒ3は、水素、又は周期表（ＩＵＰＡＣ）の１４、１５、又は１６族の原子、炭素、酸素、ケイ素、ゲルマニウム、窒素、燐又は硫黄原子を介して６員環に結合された基であり；又は同じ環上の隣接する環原子に結合された２以上のＲ2基及び／又は２以上のＲ3基は一緒になって５〜８員の縮合環を構成し；及び場合より１つのＲ2又はＲ3は−Ｌ−Ｚであり、ここでＬは１〜４原子の鎖であり、Ｚは式（ＩＶ）を有する第２の部分であり、１つのＲ2又はＲ3を介してＬに結合され、もし存在するならば、Ｌは両方の部分に共通する全く同一の鎖であり、ａは１〜３の整数であり、ｂは１〜３の整数であり、ａとｂとの合計は４以下であり、ｃは１〜３の整数であり、但し各配位子には１より多い−Ｌ―Ｚ基が存在しないところの、請求項２〜７のいずれか１項に記載の触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
Ｒ3がＨであるところの、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の触媒。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
式（ＩＶ）の化合物2004532346.tif 000002
（ここで環炭素原子の一以上は環ヘテロ原子により置換されていてもよい；各Ｑはケイ素又はゲルマニウム原子である；- - - -として示された結合のどちらか又は両方が、存在しても、又は存在しなくてもよい；各Ｒ1は同じであるか又は異なっていてもよく、水素、又はＣ1〜20の炭化水素、又はη1配位子、例えばσ配位子であり、少なくとも１つのＲ1は水素以外であり、少なくとも１の基（Ｒ１）３ＱＯ−が４位又は７位に存在する；各Ｒ2は、水素、又は周期表（ＩＵＰＡＣ）の１４、１５、又は１６族の原子、炭素、酸素、ケイ素、ゲルマニウム、窒素、又は硫黄を介して５員環に結合された基であり得る；各Ｒ3は、水素、又は周期表（ＩＵＰＡＣ）の１４、１５、又は１６族の原子を介して６員環に結合された基であり得る；又は同じ環上の隣接する環原子に結合された２以上のＲ2基及び／又は２以上のＲ3基は一緒になって５〜８員の縮合環を構成する；及び場合により１つのＲ2又はＲ3は−Ｌ−Ｚであり、ここでＬは１〜４原子の鎖であり、Ｚは式（ＩＶ）を有する第２の部分であり、１つのＲ2又はＲ3を介してＬと結合され、もし存在するならば、Ｌは両方の部分に共通する全く同一の鎖である、ａは１〜３の整数である、ｂは１〜３の整数であり、ａとｂとの合計は４以下である、ｃは整数１〜３である、但し各配位子Ｉｎには、１より多い−Ｌ―Ｚ基が存在しない）及びその塩及び錯体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の荷重を支える為に使用可能な、６０ｐｈｒ（ｐｈｒ：ジエンエラストマーの１００部当りの質量部）以上の量の天然ゴム、充填剤及び少なくとも一種の架橋促進剤を含む硫黄架橋系をベースとした架橋ゴム組成物から成る弾性サスペンションスプリング（１４）であって、前記充填剤が、５５％より多い質量分率で、６００〜９００の範囲のグレードのカーボンブラック（この場合、前記組成物は１０〜６０ｐｈｒの充填剤の合計量を含む）又は不活性白色充填剤（この場合、前記組成物は１０〜３０ｐｈｒの充填剤の合計量を含む）を含み、前記架橋系が０．７〜１．２ｐｈｒの硫黄を含み、硫黄／架橋促進剤の質量比が０．１５〜２．７０で変動する事を特徴とする弾性サスペンションスプリング。
【請求項２】
硫黄／架橋促進剤の前記質量比が０．１５〜０．５０で変動する、請求項１に記載の弾性サスペンションスプリング（１４）。
【請求項３】
前記充填剤が、７０％より多い質量分率で、６００〜９００の範囲のグレードの前記カーボンブラック又は前記不活性白色充填剤を含む、請求項１又は２に記載の弾性サスペンションスプリング（１４）。
【請求項４】
前記架橋系が、架橋活性剤として亜鉛２−エチルヘキサノエートを更に含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性サスペンションスプリング（１４）。
【請求項５】
前記組成物が、７０ｐｈｒ〜１００ｐｈｒの量の天然ゴムと３０ｐｈｒ〜０ｐｈｒの量の合成ポリイソプレンを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性サスペンションスプリング（１４）。
【請求項６】
自動車の荷重を支える為の、弾性サスペンションスプリング（１４）によって一緒に結合されている二つの実質的に円筒形の同心円のアーマチュア（１２、１３）から成る自動車用サスペンションジョイント（２、２′）であって、前記スプリング（１４）が請求項１〜５のいずれか１項に記載のスプリングである事を特徴とするジョイント。