【事件の表示】
　特願２００６−５２０２００「化学気相成長反応装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月　３日国際公開、ＷＯ２００５／０１０２２７、平成１９年１１月　１日国内公表、特表２００７−５３１２５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２００４年６月２９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００３年７月１５日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年２月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１７日付けで意見書並びに特許請求の範囲及び明細書を補正する手続補正書が提出されたが、同年１２月１６日付けで拒絶査定がなされ、平成２２年４月３０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされると共に特許請求の範囲及び明細書を補正する手続補正書が提出され、同年５月２４日付けで審判請求書を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年３月３日付けで審尋がなされ、それに対して同年５月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２２年４月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　１　本件補正は、特許請求の範囲について、本件補正前の請求項１を削除し、請求項の番号を繰り上げて、本件補正前の請求項２を新たな請求項１とするものである。
　
　２　本件補正は、明細書について、段落【００２７】及び【００４３】を削除し、段落【００２８】における「別の側面によれば、」を「本発明は特に、従来技術に関連する上述の欠点を解決および軽減する。さらに特に、一側面によれば、」に補正するものである。
　段落【００２８】において補正された記載は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２７】に記載されている。
　
　３　したがって、本件補正は、請求項の削除を目的とするものに該当し、また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　よって、本件補正は、適法な補正である。
　
第３　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年４月３０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認める。
　
 「【請求項１】
　反応装置のチャンバ内において層流が促進されるように、シールにより、その周囲で前記チャンバに対してシールされている回転可能なウエハキャリヤを備え、
　前記ウエハキャリヤが、前記シールの上部表面と略連続な上部表面を有する化学気相成長反応装置。」
　
第４　刊行物の記載
　１　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平４−２０９７９４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（１ａ）「【請求項１】　成長炉内に導いた原料ガスを成長炉外へ吸引排気する際に、回転するサセプタに載せた基板に原料ガスを垂直に吹き付けて膜を成長させる気相膜成長装置において、サセプタ面の略延長面上の成長炉壁に、基板に垂直に吹き付けられて吸引排気される原料ガスを、その排気流量を制御しつつサセプタの径方向外方に導いて水平に吐き出す排気整流部を設けたことを特徴とする気相膜成長装置。」（第２ページ第１欄第２〜９行）
（１ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体結晶等の成長膜を製造する気相膜成長装置に係り、特に膜厚の均一性を改善したもので、例えば有機金属気相成長装置（ＭＯＣＶＤ）に適用できる。」（第２ページ第１欄第２０〜２４行）
（１ｃ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際の高速回転型の縦型ＭＯＣＶＤでは、図４に示すように排気口が成長炉２０の下方に設けられているので、サセプタ２５の外周辺へ向かう原料ガス流４２が曲げられて下方へ排気されることになり、その曲げられた部分で「エッジ効果」が生じ、サセプタ２５周辺部のガス流境界層４３が薄くなる。その結果、通常の低速回転型成長炉ほどではないが、周辺部のエピタキシャル膜厚が厚くなって均一性が悪くなるという問題があった。
・・・（略）・・・
【０００７】本発明の目的は、半無限平面と同様なガス流状態を強制的に作ることによって、上述した従来技術の欠点を解消し、成長膜の均一性に優れ、しかも原料利用効率の高い膜を成長できる気相膜成長装置を提供することにある。」（第２ページ第２欄第１〜１９行）
（１ｄ）「【００１２】
【作用】サセプタ周辺の径方向外方の空間でガス流が下方に曲がると、その影響を受けてサセプタ面上のガス流がサセプタ面と平行にならず、特にサセプタ周辺部では外側に向かって斜め下方に速度ベクトルを持った流れとなる。従って、サセプタ周辺部のガス流境界層は中心部に比べて薄くなり、形成膜厚は中心部に比べ厚くなってしまう。これがいわゆる「エッジ効果」といわれるものであり、膜厚の均一性を悪くする。この原因は、サセプタ周辺部でガス流が下方に曲げられるためであり、これは排気口がサセプタより下方にあることに起因する。
【００１３】従って、これを解決するためには、サセプタ面上を中心から外方に向かって流れるガス流から見て、その速度ベクトルの行先がサセプタ面と平行な径方向外方にあるようにすればよい。
【００１４】即ち、図１に示すように排気整流部３０がサセプタ１５面の延長面外方上の成長炉壁に設けられていれば、サセプタ１５上のガス流１２はサセプタ１５、即ち基板１４上をこの面に平行に中心から外方に流れる。さらに、その排気流量が制御されれば原料ガス流の均一性が確保され、周辺部でも厚くならず均一なガス流境界層１３ができる。
【００１５】このように基板１４上の原料ガス流をサセプタ１５面に平行に外周へ吐き出すことにより、回転型の特徴である原料利用効率の向上を損なうことなく成長膜の均一性を大幅に向上させることができる。」（第２ページ第２欄第４５行〜第３ページ第３欄第２０行）
（１ｅ）「【００２１】次に、上記した縦型ＭＯＣＶＤの具体例について図５及び図６を用いて説明する。
【００２２】円盤状のサセプタ５１の下面側にヒータ５２を設け、・・・（略）・・・成長炉６０は天井部内壁がフラットタイプの円筒体で構成されている。導入された原料ガスは成長炉６０に設けた複数の排気管５５から炉外へ排気される。排気管５５は、トレイ５８面の延長面上の成長炉壁にサセプタ５１の回転中心軸６３に対して回転対称の位置に放射状に設けられている。図示例では８本設けた場合を示している。原料ガスを炉外へ吸引排気するために成長炉内の圧力は２０torr〜大気圧とした。
【００２３】上記した排気管５５の設置場所は、より正確にはサセプタ５１上のトレイ５８に載った基板５９面と平行で、その延長面と交わる炉壁６４上に描いた円よりやや上方に設けられる。この排気管５５の排気経路上に排気整流部６１が介設され、これは上流側から下流側に向って設けられたオリフィス５３と、逆流防止網５４と、ニードルバルブ６８と、流量制御計６９とから構成される。
【００２４】基板５９に垂直に吹き付けられた原料ガスを水平方向外方に案内して、排気管５５に排出させるオリフィス５３が形成されている。このオリフィス５３は排気流速を上げるためにガス流路を狭くすることにより形成されている。オリフィス５３の出口側にはダスト等の逆流を防ぎ排気を放射状に均一に行うための網５４が設けられる。なお、網５４はオリフィス５３の入口側に設けてもよい。
【００２５】排気管５５内には上流側に排気流量を調節するためのニードルバルブ６８と、下流側に排気流量を監視してその監視結果に応じてニードルバルブ６８の弁体を制御して排気流量を調節するための流量制御計６９とが介設される。これらにより各排気管５５から排気される排気流量は個別に調節され得るようになっている。このオリフィス５３と網５４との存在により、ガス流は基板５９に対して平行に流れ、オリフィス５３、網５４を通過した後に成長炉外へ排気される。また、ニードルバルブ６８と流量制御計６９との存在により、成長炉外へ排気される排気流量の均一化が図れ、基板５９上のガス流境界層が均一になる。なお、排気ガス流を基板５９に平行に流すために成長炉６０の天井部内壁も水平にしておくことは重要である。」（第３ページ第４欄第１５行〜第４ページ第５欄第１７行）
　
　２　周知文献の記載事項
　本願の優先日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平８−１８１０７６号公報（以下、「周知文献１」という。）及び特表平１１−５１０５６２号公報（以下、「周知文献２」という。）には、それぞれ、図面とともに以下の事項が記載されている。
（１）周知文献１（特開平８−１８１０７６号公報）
・「【請求項１】　原子層エピタキシャル成長法において、
反応炉内に配設された第１および第２のガス流路に、第１の元素を含む第１の原料ガスと、第２の元素を含む第２の原料ガスとが、それぞれ供給排出され、第１および第２のガス流路に沿って、第１および第２のガス流が形成されるとともに、
・・・（略）・・・化学的気相成長法により原子層成長を行うようにしたことを特徴とする薄膜形成方法。」（第２ページ第１欄第２〜１９行）
・「【００１０】望ましくは、前記第１および第２の流路内で第１および第２のガス流が層流をなすようにガスを供給排出する。」（第３ページ第４欄第１８〜２０行）
・「【００５８】この原子層成長装置は、図２に示すように、サセプタ４上に搭載される基板３の表面を境界面として上下２層に分け、上層側は前記第１の実施例と同様に３つの流路に区分し、下層側の流路９には水素を上層側と同程度の圧力で流し、サセプタの周縁の隙間から、ガスが流出するのを防止している。ここで２１は第１の仕切り板、２２は第２の仕切り板である。８は回転軸７を回転せしめるモータである。」（第７ページ第１１欄第１８〜２５行） 
　
（２）周知文献２（特表平１１−５１０５６２号公報）
・「本発明は、化学気相成長又は半導体ウェーハの他のプロセス等のプロセスチャンバに関し、特に、高温、低圧プロセスに関係する応力に耐え、ウェーハ温度の均一さ及びガスフロー特性を改善することができるプロセスチャンバに関するものである。」（第１７ページ第４〜７行）
・「図８に示すように、開口４４は、サセプタ及び該サセプタを囲む温度補償リング７２を収容するように寸法決めされている。サセプタ７０は、静止リング７２内で回転するように適合されており、好適には、約０．５ｍｍから１．０ｍｍの小さな環状のギャップを横切って前記リングから距離を隔てて配置される。」（第２９ページ第２０〜２３行）
・「図９に示す他の実施形態において、改良した温度補償リング７２’は、支持プレート４０における面取りされた矩形の開口４２とよく一致するように、外側に設けられている。このように、リング７２’は、チャンバ１０の上部領域６６及び下部領域６８を互いに実質的にシールする。この形態において、上部領域６６内の反応ガスは、リング７２’及び開口４２の間に形成されるギャップを通ることができず、ウェーハ上の均一な流れを乱すことがない。」（第３５ページ下から第１行〜第３６ページ第６行）
　
　３　引用刊行物１記載の発明
　上記１の記載事項（１ａ）（以下、「摘記１ａ」という。（１ｂ）〜（１ｅ）についても同様。）及び摘記１ｂによると、有機金属気相成長装置の成長炉内において、基板に垂直に吹き付けられる原料ガスを、回転可能なサセプタの径方向外方に導いて水平に吐き出すように、サセプタ面の略延長面上の成長炉壁に排気整流部を設けたものが記載されている。
　摘記１ｅによると、成長炉６０内の回転可能なサセプタ５１上のトレイ５８に基板５９を載せたものが記載されている。
　したがって、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
 「有機金属気相成長装置の成長炉６０内において、基板５９を載せるトレイ５８がその上にあり回転可能なサセプタ５１に吹き付けられた原料ガスを、サセプタ５１の径方向外方に導いて水平に吐き出すように、サセプタ面の略延長面上の成長炉壁６４に排気整流部６１を設けた、有機金属気相成長装置。」
　
第５　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「有機金属気相成長装置」は、本願発明の「反応装置」及び「化学気相成長反応装置」に相当し、引用発明の「成長炉６０」は、本願発明の「チャンバ」に相当し、引用発明の「サセプタ５１」及び「トレイ５８」は、本願発明の「ウエハキャリヤ」に相当する。
　
　よって、両者は、次の点で一致する。
 ＜一致点＞ 
　反応装置のチャンバ内において、回転可能なウエハキャリヤを備えた、化学気相成長反応装置。
　
　そして、両者は、次の点で相違する。
＜相違点＞ 
　本願発明は、ウエハキャリヤが、層流が促進されるように、シールにより、その周囲でチャンバに対してシールされており、シールの上部表面と略連続な上部表面を有するのに対して、引用発明は、そのような特定がないこと。
　
第６　相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　
　１　本願発明は、「高いアンモニアの雰囲気ガス中において高圧および高温でＧａＮを成長させる場合、熱対流が発生し、気流が望ましくない乱流となる傾向がある。」（本願明細書段落【００２０】）、「熱対流の望ましくない効果の影響を実質的に受けず、スループットを増大させるために容易に且つ経済的に拡大され得る反応装置を提供すること」（同段落【００２５】）を技術的課題としている。
　そして、本願発明において、ウエハキャリヤが「その周囲で前記チャンバに対してシールされている」ことの技術的意味は、上記の技術的課題を解決するために、「反応ガスが前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外に排出するのを軽減する」（同段落【００６７】）、「ウエハキャリヤの端部におけるガス流の方向の変化が無くなる」（同段落【００８７】）ということにある。図５の「円形のシール１３２」を備えることにより、「ガス注入口１１２からガス排出口１１９への、反応ガスにとってより真直ぐな（即ち曲がりのより少ない）経路がもたらされる。当業者であれば分かるように、反応ガスの経路が真直ぐであり曲がりが少ないほど、流れは乱流が少ない（そしてより層状）であろう。」（同段落【００８６】）という作用がもたらされる。すなわち、反応ガスの経路をガス注入口１１２からガス排出口１１９へ真直ぐなものとすることによって、層状の流れが得られる。
　また、ウエハキャリヤによる上記のシールの程度については、本願明細書に、「ヒータパージ１４６は、円形のシール１３２のそばを通ってウエハキャリヤの真下に漏れ出した任意の反応ガスを排出するようになっている。」（同段落【００９０】）と記載され、さらに本願の図６Ａから、「円形のシール１３２」と「ウエハキャリヤ１１６」との間に間隙が看取されるように、回転するウエハキャリヤとシールとの間には、ある程度の間隙が許容されている。
　
　２　他方、引用発明の装置においては、成長炉６０及びサセプタ５１等の手段が、ガス流を基板に対して平行に流すために、原料ガスをサセプタ５１の径方向外方に導いて水平に吐き出すように構成されている。これは、従来の「サセプタ２５の外周辺へ向かう原料ガス流４２が曲げられて下方へ排気される」ことによって「サセプタ２５周辺部のガス流境界層４３が薄くなる。・・・（略）・・・周辺部のエピタキシャル膜厚が厚くなって均一性が悪くなる」（摘記１ｃの段落【０００５】）ことから生じる問題を解決するための構成であって、サセプタ５１上のガス流が、「サセプタ５１上のトレイ５８」と「成長炉６０」の「炉壁６４」との間隙から下方へ流れることを抑制するものである。そうすると、上記１で述べたシールの程度に照らせば、引用発明の装置におけるサセプタ５１と炉壁６４との間に間隙が存在するとしても、その間隙はシールされた状態にあるといえる。
　
　３　そして、化学気相成長反応装置において、ウエハキャリヤの周囲でガスが流出するのを防止すること、そしてウエハキャリヤの周囲でチャンバに対してシール手段を設けることにより、ウエハキャリヤが当該シール手段の上部表面と略連続な上部表面を有する構成とすることは、上記周知文献１及び２に記載されるように、本願の優先日前に周知の技術（以下、「周知技術」という。）である。
　すなわち、周知文献１（特開平８−１８１０７６号公報）に記載された、図２の（ｂ）において斜線で示される部材は、下層側の流路９における上層側の流路１１、１２、１３と面する部分でかつサセプタ４の周囲に配置されており（上記「第４」２（１）、段落【００５８】参照。）、ウエハキャリヤであるサセプタ４の周縁の隙間からのガス流出を防止するシール手段に相当するものである。また、図２には、サセプタ４が上記部材の上部表面と略連続な上部表面を有している点が示されている。
　周知文献２（特表平１１−５１０５６２号公報）の図９のリング７２’は、チャンバ１０の上部領域６６及び下部領域６８を互いに実質的にシールし、ウェーハ上の均一な流れを乱すことがない旨（上記「第４」２（２）、第３５ページ下から第１行〜第３６ページ第６行参照。）記載されている。また、図８には、ウエハキャリヤであるサセプタ８４が、リング７２の上部表面と略連続な上部表面を有している点が示されている。
　
　４　したがって、引用発明において、「サセプタ５１上のトレイ５８」と「炉壁６４」との間隙から下方へのガスの流れを抑制するために、「サセプタ５１上のトレイ５８」と「炉壁６４」との間にシール手段を設けることは、当業者が容易に想到し得た設計事項である。
　そして、引用発明は、ガス流を基板５９に対して平行に流し、基板５９上のガス流境界層を均一とする（摘記１ｅの段落【００２５】参照。）ものであり、さらに、化学気相成長反応装置において、原料ガスの流れが層流であるのが通常望ましいことである（周知文献１、段落【００１０】参照。）。
　そうすると、「サセプタ５１上のトレイ５８」と「炉壁６４」との間のシール手段に関して、サセプタ上を流れる平行の流れに乱れが生じないよう層流状とするために、シールの上部表面を「サセプタ５１上のトレイ５８」の上部表面と略連続なものとすることは、適宜なし得る設計事項にすぎない。
　
　５　以上のことから、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　また、本願発明を全体としてみても、本願発明のシールにより層流を促進させる効果は、引用発明及び周知技術からみて予想を超える格別なものとはいえない。
　
第７　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。