【事件の表示】
　特願２００６−　　３３０４「発光装置および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月２６日出願公開、特開２００７−１８８６５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　　特許出願　　　　　　：平成１８年　１月１１日  
　　拒絶理由通知（最初）：平成２１年　９月　７日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２１年１０月２６日  
　　拒絶理由通知（最後）：平成２１年１２月　９日（起案日）  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　２月１０日  
　　補正の却下の決定　　：平成２２年　３月　５日（起案日）
　　拒絶査定　　　　　　：平成２２年　３月　５日（起案日）  
　　拒絶査定不服審判請求：平成２２年　６月　４日  
　　手続補正　　　　　　：平成２２年　６月　４日  
　　審尋　　　　　　　　：平成２３年　３月２４日（起案日）  
　　回答書　　　　　　　：平成２３年　５月２５日  
　　　 
第２　平成２２年６月４日付け手続補正についての補正の却下の決定 
〔補正の却下の決定の結論〕 
　平成２２年６月４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
〔理由〕 
１　本件補正の目的
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、その補正は、平成２１年１０月２６日付け手続補正により補正された請求項１の、  
「【請求項１】
　基板と、
　基板上に配置され、第１の発光領域において発光する第１の発光素子と、
　前記第１の発光素子に接続された第１のトランジスタと、
　基板上に配置され、第２の発光領域において発光する第２の発光素子と、
　前記第２の発光素子に接続された第２のトランジスタと、
　前記基板と対向し、第１光透過部及び第２光透過部を有する遮光層と、
　絶縁材料から形成され、前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光領域を確定する第１開口部と前記第２発光領域を画定する第２開口部とを有する隔壁と、
　前記第１光透過部に設けられ、前記第１の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第１色変換層と、
　前記第２光透過部に設けられ、前記第２の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第２色変換層と、
を備え、
　前記第１光透過部は、前記第１開口部に重なるとともに、前記第１開口部よりも狭く、
　前記第２光透過部は、前記第２開口部に重なるとともに、前記第２開口部よりも狭く、
　前記第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積と同じであり、
　前記第１のトランジスタのサイズは、前記第２のトランジスタのサイズと同じである、
ことを特徴とする発光装置。」
　なる記載を、
　本件補正後の請求項１の、
「【請求項１】
　基板と、
　基板上に配置され、第１の発光領域において発光する第１の発光素子と、
　前記第１の発光素子に接続された第１のトランジスタと、
　基板上に配置され、第２の発光領域において発光する第２の発光素子と、
　前記第２の発光素子に接続された第２のトランジスタと、
　前記基板と対向し、第１光透過部及び第２光透過部を有する遮光層と、
　絶縁材料から形成され、前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光領域を確定する第１開口部と前記第２発光領域を画定する第２開口部とを有
し、前記第１及び第２の発光素子の発光層の下層に設けられた
　前記第１光透過部に設けられ、前記第１の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第１色変換層と、
　前記第２光透過部に設けられ、前記第２の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第２色変換層と、
　
前記発光層及び前記隔壁の下層に設けられ前記第１の発光素子を構成する第１の画素電極と、
　
前記発光層及び前記隔壁の下層に設けられ前記第２の発光素子を構成する第２の画素電極と、
　
前記発光層の上層に設けられた共通電極と、
　
前記共通電極の上層に設けられた補助配線と、
を備え、
　前記第１光透過部は、前記第１開口部に重なるとともに、前記第１開口部よりも狭く、
　前記第２光透過部は、前記第２開口部に重なるとともに、前記第２開口部よりも狭く、
　前記第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積と同じであり、
　前記第１のトランジスタのサイズは、前記第２のトランジスタのサイズと同じであり、
　
前記第１開口部及び第２開口部の外側であって前記隔壁、前記発光層及び前記陰極が重なる領域に、前記補助配線が設けられ、
　
前記遮光層は前記補助配線と重なり、前記遮光層の幅が前記補助配線の幅よりも広い
　という記載にすることを含むものである。
　
　本件補正後の請求項１に係る補正は、平成２１年１０月２６日付け手続補正により補正された請求項１について、電極及び配線の構造について限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。  
 　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。  
　　　　　
２　本件補正発明 
　本件補正発明は、上記「１　本件補正の目的」で検討した、本件補正後の請求項１に記載のとおりのものである。 
　 　　
３　引用例 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、国際公開第２００５／０９８８０２号（以下「引用例」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。 
　　 
（ａ）「[0012]
　図１は、本発明の一実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す図である。
　有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子が形成されている基板側から光を取り出すボトムエミッション型の表示装置の実施形態である。
　有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子１０と色変換部材２０を、透光性媒体３０を介して結合した構成をしている。
[0013]
　有機ＥＬ素子１０は、透光性媒体３０上に下部電極１１、発光層１２、上部電極１３をこの順に積層した構成を有している。１つの有機ＥＬ素子１０と隣接する有機ＥＬ素子（図示せず）間には層間絶縁膜１４が形成されている。
　下部電極１１、上部電極１３は、両電極間に電圧を印加することによって、発光層１２に電荷（電子又は正孔）を供給する。発光層１２は、電子と正孔の再結合によって光を発生する層である。
[0014]
　色変換部材２０は、透光性基板２１上に、色変換層２２（遮光層開口領域２４）と遮光層２３を形成したものである。
　透光性基板２１は、色変換層２２と遮光層２３を支持する基板であり、色変換層２２は、有機ＥＬ素子１０で発生した光を調節及び／又は波長変換等し、任意の色の光とする層であり、遮光層２３は、隣接する素子の混色を防止するものである。
[0015]
　有機ＥＬ表示装置１では発光層１２のうち、層間絶縁膜１４で挟まれた領域が発光領域４１となる。発光領域４１からの光は、下部電極１１、透光性媒体３０を透過して、色変換部材２０に到達する。
　色変換部材２０に到達した光は、色変換層２２に入射し、調節及び／又は変換されて任意の色に発光する。色変換層２２を通過した光は、透光性基板２１から外部に取り出され、表示光として視認される。
[0016]
　本実施形態では、遮光層の端部２３−１が、有機ＥＬ素子の発光領域の端部４１−１より開口領域２４の中央側に位置している。即ち、遮光層の端部２３−１が発光領域４１の一部を覆い、重なり部Ｘを形成している。
　このような構成とすることにより、色変換層２２（遮光層開口領域２４）を通過して有機ＥＬ表示装置１内部に入射する外光の量を低減でき、外光が装置内部で反射、散乱することを抑制できる。また、素子内部で外光の反射光、散乱光が発生しても、遮光層２３により遮光されるため、反射光、散乱光が色変換層２２に再入射し、表示光として素子外部に放射されることを抑制できる。このため、有機ＥＬ表示装置１の発光に起因しない発光を抑制できるので、有機ＥＬ表示装置のコントラストが高くなる、即ち、視認性が向上する。
　尚、本実施形態では、層間絶縁膜１４の端部が有機ＥＬの発光領域４１の端部となっているが、これに限らず、例えば、層間絶縁膜を使用しない場合には、下部電極、上部電極の端部が発光領域４１の端部となる（下部及び上部電極で狭持された部分が発光領域になる）。」
　　　　　
（ｂ）「[0018]
　図２は、本発明の他の有機ＥＬ表示装置を示す図である。
　有機ＥＬ表示装置２は、有機ＥＬ素子が形成されている基板の反対側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置の実施形態である。
　尚、上述した実施形態と同じ部位には、共通の番号を付し、その説明は省略する。
　有機ＥＬ表示装置２は、有機ＥＬ素子１０’と、色変換部材２０を透光性媒体３０で結合した構成をしている。
　有機ＥＬ素子１０’は基板５０上に、下部電極１１、発光層１２、上部電極１３をこの順に積層した構成をしている。その他については、上述した第一の実施形態と同じである。
[0019]
　この有機ＥＬ表示装置２では、光を基板５０の反対側から取り出すため、例えば、ＥＬ素子を駆動するため、基板５０上に形成されるＴＦＴ等が、素子からの発光を遮ることがない。従って、発光効率の高い表示装置となる。」
　　　　
（ｃ）「[0037]
（２）上部電極
　上部電極は、有機ＥＬ素子の構成に応じて、陽極層又は陰極層に該当する。陽極層に該当する場合には、正孔の注入を容易にするため、仕事関数の大きい材料、例えば、４．０ｅＶ以上の材料を使用することが好ましい。また、陰極層に該当する場合には、電子の注入を容易にするため、仕事関数の小さい材料、例えば４．０ｅＶ未満の材料を使用することが好ましい。
[0038]
　また、上取出型の有機ＥＬ表示装置では上部電極を介して光を取り出すため、上部電極は透明性を有する必要がある。従って、上部電極が陽極層に該当する場合、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム銅（ＣｕＩｎ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ4、Ｓｂ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の一種単独、又は、二種以上の組合せを用いることができる。
[0039]
　尚、本発明では、透明性を損なわない範囲で、上部電極の低抵抗化を図るため、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ等の金属を一種単独、又は、二種以上組合せて添加することも好ましい。」
　　　
（ｄ）「[0060]
（２）色変換層
　有機ＥＬ素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層としては、ａ．カラーフィルタ単独の場合、ｂ．蛍光媒体単独の場合、又は、ｃ．カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせた場合の三通りの場合が挙げられる。
　カラーフィルタは、光を分解又はカットして色調整又はコントラストを向上させる機能を有する。
　蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有する。
　色変換層は、蛍光媒体を含むことが好ましい。蛍光媒体を含むと、本来の有機ＥＬ光にない発光色を創出したり、弱い色の光を強めることが可能になり、有機ＥＬ表示装置の発光効率を向上（消費電力を低減）することができる。
[0061]
　上記ａ〜ｃのうち、ｃ．カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせた場合が、三原色の各色を発光させるにあたり、低消費電力で輝度の向上を図ることができ、さらに、表示の色純度が良く、又色バランスの向上を図ることもできるので特に好適である。
　カラーフィルタ及び蛍光媒体の構成、形成方法等については公知のものが使用できる。例えば、特願２００２−３０１８５２号等に記載されているものを使用できる。」
　　　
（ｅ）「[0069]
実施例１
（１）有機ＥＬ表示装置の作製
　・・・(中略)・・・
[0075]
　次に、透光性媒体（平坦化膜）としてアクリル系熱硬化性樹脂（Ｖ２５９ＰＨ：新日鉄化学社製）を先の基板上にスピンコートし、２００℃でベークして、平坦化膜（膜厚５μｍ）を形成した。
　次に、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）をスパッタリングにより２００ｎｍ膜厚で成膜した。
　次に、この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士オーリン製）をスピンコートし、陰極の取り出し部と９０μｍライン、２０μｍギャップのストライプ状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークした。
　次に、５％蓚酸水溶液からなるＩＺＯエッチャントにて、露出している部分のＩＺＯをエッチングした。次に、レジストを、エタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、ＩＺＯパターン（下部電極：陽極、ライン数９６０本）を得た。
[0076] 
　次に、第一の層間絶縁膜として、ネガ型レジスト（Ｖ２５９ＰＡ：新日鉄化学社製）をスピンコートし、格子状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像した。次に、２００℃でベークして、ＩＺＯのエッジを被覆した（ＩＺＯの開口部、即ち有機ＥＬの発光領域（Ｂ）が７０×２９０μｍ）層間絶縁膜を形成した。」
　　　
（ｆ）「[0085]
実施例２
（１）有機ＥＬ表示装置の作製
　１１２ｍｍ×１４３ｍｍ×１．１ｍｍの支持基板（ＯＡ２ガラス：日本電気硝子社製）上に、緑色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｇ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、緑色カラーフィルタ（膜厚１．０μｍ）のパターンを形成した。
[0086]
　次に、赤色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｒ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、緑色カラーフィルタに隣接（１１０μｍピッチずらして）するように位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、赤色カラーフィルタ（膜厚１．０μｍ）のパターンを形成した。
[0087]
　次に、遮光層（ブラックマトリックス：ＢＭ）の材料としてＶ２５９ＢＫ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、格子状のパターン（開口部６０×２８０μｍ）になるようなフォトマスクを用い、各カラーフィルタ間に遮光層が形成できるように位置合わせをして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、ブラックマトリックス（膜厚１２μｍ）のパターンを形成した。
[0088]
　次に、青色カラーフィルタの材料として、Ｖ２５９Ｂ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、緑色カラーフィルと赤色カラーフィルタとの間に、青色カラーフィルタ（膜厚１２μｍ）のパターンを形成した。
[0089]
　次に、緑色蛍光体層の材料として、０．０４ｍｏｌ／ｋｇ（対固形分）となる量のクマリン６をアクリル系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）に溶解させたインキを調製した。
　このインキを、先の基板上にスピンコートし、カラーフィルタの形成に用いたフォトマスクを、緑色カラーフィルタ上に重なるように位置あわせ後、紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、緑色蛍光体層のパターン（膜厚１１μｍ）を形成した。
[0090]
　次に、赤色蛍光体層の材料として、クマリン６：０．５３ｇ、ベーシックバイオレット１１：１．５ｇ、ローダミン６Ｇ：１．５ｇ、アクリル系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）：１００ｇに溶解させたインキを調製した。
　このインキを、先の基板上にスピンコートし、カラーフィルタの形成に用いたフォトマスクを、赤色カラーフィルタ上に重なるように位置あわせ後、紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、赤色蛍光体層のパターン（膜厚１１μｍ）を形成した。
　その後、基板表面をラッピング研磨して表面を平滑にした色変換部材を得た。
　次に、透光性媒体（平坦化膜）としてアクリル系熱硬化性樹脂（Ｖ２５９ＰＨ：新日鉄化学社製）を先の基板上にスピンコートし、２００℃でベークして、平坦化膜（膜厚８．１μｍ）を形成した。
[0091]
　次に、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）をスパッタリングにより２００ｎｍ膜厚で成膜した。
　この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士オーリン製）をスピンコートし、陰極の取り出し部と９０μｍライン、２０μｍギャップのストライプ状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークした。
　次に、５％蓚酸水溶液からなるＩＺＯエッチャントにて、露出している部分のＩＺＯをエッチングした。次に、レジストを、エタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、ＩＺＯパターン（下部電極：陽極、ライン数９６０本）を得た。
[0092]
　以下、実施例１と同一の条件で、第一、二の層間絶縁膜及び有機ＥＬ素子の各層等を形成し、有機ＥＬ表示装置を作製した。
　この有機ＥＬ表示装置の垂直距離ｈは８．３μｍ、重なり部Ｘは５．０でありＸ／ｈ値は０．６０となった。」
　　　
（ｇ）「[0096]
実施例５
（１）ＴＦＴ基板の作製
　図６（ａ）〜（ｉ）は、ポリシリコンＴＦＴの形成工程を示す図である。また、図７は、ポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図であり、図８はポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
　まず、１１２ｍｍ×１４３ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板３１（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、減圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，　ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層３２を積層した（図６（ａ））。
・・・（中略）・・・
[0099] 
　次に、ＣｒとＩＴＯを順次、スパッタリングにより、それぞれ２０００Å、１３００Åで成膜した。この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士フィルムアーチ製）をスピンコートし、９０μｍ×３２０μｍのドット状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークし、レジストパターンを得た。
[0100]
　次に、４７％臭化水素酸からなるＩＴＯエッチャントにて、露出している部分のＩＴＯをエッチングし、次に硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液（ＨＣＥ：長瀬産業製）にて、Ｃｒをエッチングした。次に、レジストをエタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、Ｃｒ／ＩＴＯパターン（下部電極：陽極）を得た。
　この際、Ｔｒ２　５６と下部電極１１が開口部５９を介して接続された。
[0101] 
　次に、第二の層間絶縁膜として、ネガ型レジスト（Ｖ２５９ＰＡ：新日鉄化学社製）をスピンコートし、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像した。次に、２００℃でベークして、Ｃｒ／ＩＴＯのエッジを被覆した（ＩＴＯの開口部、即ち有機ＥＬの発光領域７０μｍ×２００μｍ）層間絶縁膜を形成した（図示せず）。
[0102]
（２）有機ＥＬ素子の作製
　（１）で得た層間絶縁膜付きＴＦＴ基板を純水及びイソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、Ａｉｒブローにて乾燥後、ＵＶ洗浄した。
次に、この基板を、有機蒸着装置（日本真空技術製）に移動し、基板ホルダーに固定した。尚、予め、それぞれのモリブテン製の加熱ボートに、正孔注入材料として、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、発光材料のホストとして、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、ドーパントとして、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチリルベンゼン）］（ＤＰＡＶＢ）、電子注入材料及び陰極として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）とＬｉをそれぞれ仕込み、さらに陰極の取出し電極としてＩＺＯ（前出）ターゲットを別のスパッタリング槽に装着した。
[0103]
　その後、真空槽を５×１０−７ｔｏｒｒまで減圧にしたのち、以下の順序で正孔注入層から陰極まで、途中で真空を破らず一回の真空引きで順次積層した。
　まず、正孔注入層としては、ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚６０ｎｍ及び、ＮＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍ、発光層としては、ＤＰＶＢｉとＤＰＡＶＢをそれぞれ蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、蒸着速度０．０３〜０．０５ｎｍ／秒を共蒸着して膜厚５０ｎｍ、電子注入層としては、Ａｌｑを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍ、さらに、陰極として、ＡｌｑとＬｉをそれぞ
れ蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、０．００５ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚を２０ｎｍとした。
　次に、基板をスパッタリング槽に移動し、陰極の取り出し電極としてＩＺＯを、成膜速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で、膜厚２００ｎｍとし、有機ＥＬ素子を作製した。
[0104]
　次に、パッシベーション層（第一の透光性媒体）として、有機ＥＬ素子の上部電極上に透明無機膜としてＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／（Ｏ＋Ｎ）＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ  ｒａｔｉｏ）を低温ＣＶＤにより２００ｎｍの厚さで成膜した。これにより、有機ＥＬ素子基板を得た。
[0105]
（３）色変換部材の作製
　実施例２において、遮光層の開口領域を６０μｍ×１９０μｍとし、平坦化層の膜厚を１μｍとした他は、同一の条件で色変換基板を作製した（平坦化層（第三の透光性媒体）まで）。
[0106]
（４）有機ＥＬ表示装置の作製
　作製した上記有機ＥＬ素子と色変換部材を、乾燥窒素を流通させたドライボックス内に移動し、有機ＥＬ素子基板の表示部周辺にカチオン型光硬化型接着剤（スリーボンド製３１０２）をディスペンサーにて塗布した。
　次に、有機ＥＬ素子と色変換部材を位置合せマークに合せて、光照射にて貼り合わせ、表示部に相当する部分には、予め脱気処理した不活性液体（第二の透光性媒体、フッ化炭化水素：スリーエム製ＦＣ７０）を充填した。
　この時の、有機ＥＬ素子と色変換部材間のギャップを４μｍとした。
[0107]
　このようにして、アクティブ有機ＥＬ表示装置を作製し、その下部電極（ＩＴＯ／Ｃｒ）と上部電極（ＩＺＯ）にＤＣ８Ｖの電圧を印加（下部電極：（＋）、上部電極：（−））したところ、各電極の交差部分（画素）が発光した。
　この有機ＥＬ表示装置の垂直距離ｈは５．４μｍ、重なり部Ｘは５．０であり、Ｘ／ｈ値は０．９３となった。」
　　　　
（ｈ）図２
（ｉ）図７〜８
　　　
〔引用例に記載された発明〕　 
　これらの記載事項からして、引用例には、 
「ガラス基板からなるＴＦＴ基板上の複数の有機ＥＬ素子と色変換部材とを透光性媒体で結合した構造を有し、光をＴＦＴ基板とは反対側から取り出すアクティブ有機ＥＬ表示装置であって、
　有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ基板上に、下部電極、発光層、上部電極がこの順に積層された構造を有し、１つの有機ＥＬ素子と隣接する有機ＥＬ素子との間に層間絶縁膜が形成され、発光層のうち層間絶縁膜で囲まれた領域が発光領域となり、
　下部電極はＣｒ／ＩＴＯパターンで構成され、９０μｍ×３２０μｍのドット状のパターンとなっており、Ｃｒ／ＩＴＯのエッジを層間絶縁膜で被覆して、Ｃｒ／ＩＴＯの開口部、即ち有機ＥＬの発光領域が７０×２００μｍであり、
　上部電極は、透明性を損なわない範囲で低抵抗化を図るため、金属を一種単独、又は、二種以上組合せて添加されており、
　色変換部材は、透光性基板上に色変換層（遮光層開口領域）と遮光層を形成したもので、色変換層は有機ＥＬ素子で発生した光を調節及び／又は波長変換等し、任意の色の光とする層であって、緑色カラーフィルと赤色カラーフィルタとの間に青色カラーフィルタのパターンが形成された構造を有し、緑色カラーフィルタと赤色カラーフィルタとの上にはそれぞれ緑色蛍光体層と赤色蛍光体層が形成されており、遮光層は隣接する素子の混色を防止するものであり、遮光層の端部が有機ＥＬ素子の発光領域の端部より開口領域の中央側に位置している、即ち、遮光層の端部が発光領域４１の一部を覆い、重なり部を形成している、
　アクティブ有機ＥＬ表示装置。」
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　　　　 
４　本件補正発明と引用発明との対比 
　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
　 　　　
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明の「ガラス基板」、「有機ＥＬ素子」、「ＴＦＴ」、「開口領域」、「下部電極」、「上部電極」及び「アクティブ有機ＥＬ表示装置」はそれぞれ、本件補正発明の「基板」、「発光素子」、「トランジスタ」、「光透過部」、「画素電極」、「共通電極」及び「発光装置」に相当する。 
　 　　　
＜対応関係Ｂ＞ 
　技術常識を踏まえると、引用発明の赤色、緑色、青色にそれぞれ対応する「色変換層」を有する「アクティブ有機ＥＬ表示装置」は、各色に対応した画素構造を有するものであるから、引用発明の「緑色カラーフィルタ」及び「緑色蛍光体層」からなる「色変換層」の形成される領域に対応する「有機ＥＬ素子」、当該「有機ＥＬ素子」に対応する「ＴＦＴ」はそれぞれ、本件補正発明の「基板上に配置され、第１の発光領域において発光する第１の発光素子」及び「第１の発光素子に接続された第１のトランジスタ」に相当する。 
　同様に、引用発明の「赤色カラーフィルタ」及び「赤色蛍光体層」からなる「色変換層」の形成される領域に対応する「有機ＥＬ素子」、当該「有機ＥＬ素子」に対応する「ＴＦＴ」はそれぞれ、本件補正発明の「基板上に配置され、第２の発光領域において発光する第２の発光素子」及び「第２の発光素子に接続された第２のトランジスタ」に相当する。
　　　　　
＜対応関係Ｃ＞
　引用発明の「ガラス基板」上に形成される「有機ＥＬ素子」と「透光性媒体で結合」する「色変換部材」の「遮光層」は、緑色、赤色にそれぞれ対応する「色変換層」が設けられる「開口領域」（「遮光層開口領域」）を有するものであるから、本件補正発明の「前記基板と対向し、第１光透過部及び第２光透過部を有する遮光層」に相当する。
　　　　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明において、「発光層」は「ガラス基板」の上に形成されるものであり、また、「発光層のうち層間絶縁膜で囲まれた領域が発光領域」となるものであって、かつ、上記「＜対応関係Ｂ＞」で検討したように、「アクティブ有機ＥＬ表示装置」は緑色と赤色とを含む各色に対応した画素構造を有するものであるので、当然、緑色と赤色に対応する「層間絶縁膜」で挟まれた「発光領域」を有するから、引用発明の「層間絶縁膜」は、本件補正発明の「絶縁材料から形成され、基板上に配置されるとともに、第１発光領域を確定する第１開口部と第２発光領域を画定する第２開口部とを有し、第１及び第２の発光素子の発光層の下層に設けられた隔壁」に相当する。　　　　
　　　
＜対応関係Ｅ＞
　引用発明の「遮光層」の「開口領域」に設けられる「色変換層」のうち、「緑色カラーフィルタ」及び「緑色蛍光体層」からなる「色変換層」、「赤色カラーフィルタ」及び「赤色蛍光体層」からなる「色変換層」はそれぞれ、本件補正発明の「第１光透過部に設けられ、第１の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第１色変換層」、「第２光透過部に設けられ、第２の発光素子からの光を第２の波長領域の光に変換する第２色変換層」に相当する。
　　　
＜対応関係Ｆ＞
　上記「＜対応関係Ｂ＞」で検討したように、引用発明の「アクティブ有機ＥＬ表示装置」は緑色と赤色とを含む各色に対応した画素構造を有するものであり、かつ、引用発明の「下部電極」は「発光層」及び「層間絶縁膜」の下側に位置するから、引用発明における、緑色の画素に対応する「下部電極」、赤色の画素に対応する「下部電極」はそれぞれ、本件補正発明の「発光層及び隔壁の下層に設けられ第１の発光素子を構成する第１の画素電極」、「発光層及び隔壁の下層に設けられ第２の発光素子を構成する第２の画素電極」に相当する。
　　　　　
＜対応関係Ｇ＞
　上記「＜対応関係Ｂ＞」で検討したように、引用発明の「アクティブ有機ＥＬ表示装置」は緑色と赤色とを含む各色に対応した画素構造を有するものであるので、引用発明において、「遮光層は隣接する素子の混色を防止するものであり、遮光層の端部が、有機ＥＬ素子の発光領域の端部より開口領域の中央側に位置している、即ち、遮光層の端部が発光領域４１の一部を覆い、重なり部を形成して」いることは、本件補正発明の「第１光透過部は、第１開口部に重なるとともに、前記第１開口部よりも狭く、第２光透過部は、第２開口部に重なるとともに、前記第２開口部よりも狭く」形成されていることに相当する。
　　　　
＜対応関係Ｈ＞
　引用発明において、画素の色とは無関係に「Ｃｒ／ＩＴＯの開口部、即ち有機ＥＬの発光領域が７０×２００μｍ」とされており、緑色の画素と赤色の画素とで「発光領域が７０×２００μｍ」と共通していることは、本件補正発明の「第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積と同じ」であることに相当する。
　　　　　　
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、 
「基板と、
　基板上に配置され、第１の発光領域において発光する第１の発光素子と、
　前記第１の発光素子に接続された第１のトランジスタと、
　基板上に配置され、第２の発光領域において発光する第２の発光素子と、
　前記第２の発光素子に接続された第２のトランジスタと、
　前記基板と対向し、第１光透過部及び第２光透過部を有する遮光層と、
　絶縁材料から形成され、前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光領域を確定する第１開口部と前記第２発光領域を画定する第２開口部とを有し、前記第１及び第２の発光素子の発光層の下層に設けられた隔壁と、
　前記第１光透過部に設けられ、前記第１の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第１色変換層と、
　前記第２光透過部に設けられ、前記第２の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第２色変換層と、
　前記発光層及び前記隔壁の下層に設けられ前記第１の発光素子を構成する第１の画素電極と、
　前記発光層及び前記隔壁の下層に設けられ前記第２の発光素子を構成する第２の画素電極と、
　前記発光層の上層に設けられた共通電極と、
を備え、
　前記第１光透過部は、前記第１開口部に重なるとともに、前記第１開口部よりも狭く、
　前記第２光透過部は、前記第２開口部に重なるとともに、前記第２開口部よりも狭く、
　前記第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積と同じである発光装置。」 
の点で一致し、以下の点で相違する。 
　　 
（相違点１）
　「トランジスタのサイズ」に関して、本件補正発明は「第１のトランジスタのサイズは、第２のトランジスタのサイズと同じ」であるのに対して、引用発明は緑色と赤色を含む各色の画素における「ＴＦＴ」のサイズが明示されていない点。
（相違点２）
　本件補正発明は「共通電極の上層に設けられた補助配線」を有し、「第１開口部及び第２開口部の外側であって隔壁、発光層及び陰極が重なる領域に、補助配線が設けられ、遮光層は補助配線と重なり、遮光層の幅が補助配線の幅よりも広い」構成を有するのに対して、引用発明は「補助配線」を設けていない点。
　　
５　検討・判断 
　上記相違点について検討する。 
　　　
（１）相違点１について
　各色の画素でトランジスタのサイズを共通にすることは、従来からよく行われていることであるから（例えば、特開２００３−２５７６６５号公報（段落【００１８】〜【００１９】及び図１等）を参照されたい。）、引用発明において、そのような従来の構成を採用することは、当業者であれば容易に想到することである。
　また、引用発明は「ＴＦＴ」のサイズを明示していないものの、「ＴＦＴ」のサイズを各色の画素で共通にすることに格別の技術的意味は認められないから、各色の画素で「ＴＦＴ」のサイズを共通のものとすることは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　そうすると、引用発明において、相違点１に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　
（２）相違点２について
　引用発明は、透明性を損なわずに、上部電極の低抵抗化を図るため、上部電極に金属を添加する技術を採用するものであるが、発光装置の技術分野において、透明電極で構成される上部電極（陰極）に対して、発光領域を囲む非発光領域である絶縁膜（隔壁）上の位置で、絶縁膜よりも狭い幅の補助電極（補助陰極）を設けて、上部電極の低抵抗化を行うことは、本願出願前に周知の技術である（例えば、特開２００３−１２３９８８号公報（段落【００３２】、【００４４】、【００５５】及び図４、５（Ｂ）等）、特開２００４−６３３２号公報（段落【００６８】及び図１（Ｂ）等））。
　そうすると、引用発明における上部電極の低抵抗化の手段として、上部電極に金属を添加する技術に代えて、補助電極を用いる上記周知の技術を採用し、引用発明の「発光領域」を挟む「層間絶縁膜」上に「層間絶縁膜」よりも狭い幅の補助電極を設けることは、当業者であれば容易に想到することである。
　そして、そのような補助電極を設けた場合、引用発明の「層間絶縁膜」は「遮光層」よりも幅が狭いものであるから、引用発明の「遮光層」の幅が補助電極の幅よりも広くなるのは当然のことである。
　そうすると、引用発明において、上記周知の技術を採用することで、相違点２に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　　　　　
（３）本件補正発明の作用効果
　本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　 
　なお、上記相違点２に関して、請求人は請求の理由及び平成２３年３月２９日付けの回答書において、補助配線が設けられた領域における発光を遮光することで輝度ムラが視認されないという作用効果を主張しているが、以下で述べるとおり、当該主張は妥当なものとはいえない。
　第一に、上記「（２）相違点２について」で述べたとおり、引用発明に周知の補助電極を採用した場合、必然的に「遮光層」の幅は補助電極の幅よりも広くなり、補助電極の周囲からの光を遮蔽する作用効果を奏することになるので、請求人の主張する作用効果が仮に実在するとしても、格別のものではない。
　第二に、請求人の主張する作用効果は、本願明細書の発明の詳細な説明中に記載されていない事項であり、請求人が上記回答書で述べる「本願発明は・・・補助配線の近傍で発生する不要な発光を考慮しております」という主張は何ら裏付けのないものである。本願明細書の発明の詳細な説明の段落【０００３】や【００３１】等で、「隔壁」が「発光領域を画定」すること、「隔壁」が「共通電極」と「画素電極」との間を絶縁することが明記されており、本件補正発明が「補助配線の近傍で発生する不要な発光」を考慮したものではないことは明らかである。
　第三に、本件補正発明の発明特定事項において、「絶縁材料から形成され、前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光領域を確定する第１開口部と前記第２発光領域を画定する第２開口部とを有し、前記第１及び第２の発光素子の発光層の下層に設けられた隔壁」とされており、「隔壁」は「発光領域」を「画定」するのに対して、当該「隔壁」の上に位置する「補助配線が設けられた領域」で問題となり得る発光が生ずるという請求人の主張は、「隔壁」は「発光領域」を「画定」しない（できない）と主張しているに等しく、請求人の主張は矛盾している。
　　　
（４）まとめ
　よって、本件補正発明は、当業者が、引用発明及び周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。 
　 
６　本件補正の却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　　　　
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２２年６月４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１０月２６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
　　　　
「【請求項１】
　基板と、
　基板上に配置され、第１の発光領域において発光する第１の発光素子と、
　前記第１の発光素子に接続された第１のトランジスタと、
　基板上に配置され、第２の発光領域において発光する第２の発光素子と、
　前記第２の発光素子に接続された第２のトランジスタと、
　前記基板と対向し、第１光透過部及び第２光透過部を有する遮光層と、
　絶縁材料から形成され、前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光領域を確定する第１開口部と前記第２発光領域を画定する第２開口部とを有する隔壁と、
　前記第１光透過部に設けられ、前記第１の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第１色変換層と、
　前記第２光透過部に設けられ、前記第２の発光素子からの光を第１の波長領域の光に変換する第２色変換層と、
を備え、
　前記第１光透過部は、前記第１開口部に重なるとともに、前記第１開口部よりも狭く、
　前記第２光透過部は、前記第２開口部に重なるとともに、前記第２開口部よりも狭く、
　前記第１発光領域の面積は、前記第２発光領域の面積と同じであり、
　前記第１のトランジスタのサイズは、前記第２のトランジスタのサイズと同じである、
ことを特徴とする発光装置。」
　　　　 
２　引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２」「〔理由〕」「３　引用例」に記載したとおりである。 
　 
３　本願発明と引用発明との対比、検討・判断 
　本願発明は、前記「第２」「〔理由〕」「１　本件補正の目的」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、平成２２年６月４日付け手続補正により導入された「画素電極」、「共通電極」、「補助配線」等に関連する発明特定事項を省いたものに相当するから、本願発明と引用発明とは、上記「第２」「〔理由〕」「４　本件補正発明と引用発明との対比」で述べた本件補正発明と引用発明との一致点で一致し、上記「相違点１」の点でのみ相違する。
　そして、上記「第２」「〔理由〕」「５　検討・判断」「（１）相違点１について」に記載したとおり、引用発明において、上記「相違点１」に係る構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。 
　してみると、本願発明は、当業者が、引用発明に基いて容易に発明をすることができたものである。　 
　　　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。