【事件の表示】
　特願２００４−１７５８４７「イオン注入装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日出願公開、特開２００５−３５３５３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年６月１４日の出願であって、平成２２年６月１８日付けで手続補正がなされた後に通知された平成２２年８月２５日付け拒絶理由（最後）に対し、同年１０月２８日付けで手続補正がなされたものの、平成２３年４月２０日付けで、前記１０月２８日付け手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２３年７月２６日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、当該請求と同時に手続補正がなされた。なお、当該請求と同時になされた手続補正については、平成２３年８月１０日付けで方式上の補正がなされている。その後、当審において平成２４年１月２６日付けで前置報告書の内容について意見を求めるための審尋が行われ、同年３月２７日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２３年７月２６日付け手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
　平成２３年７月２６日付け手続補正を却下する。
　
[理由]
１　補正の内容と目的
　平成２３年８月１０日付けで方式上の補正がなされた平成２３年７月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書の記載を補正するものであって、その特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１（平成２２年６月１８日付けで補正。）に記載された発明特定事項である「測定装置」が測定する対象に「にじみ角度」を付加するとともに、「にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化についても管理可能」とするという事項を追加することによって特許請求の範囲を減縮して、
「イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、イオンビームの径を集束させた後に平行化させて半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
　前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度
とにじみ角度
ると共に、にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化についても管理可能とし
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２　本件補正発明、及び、追加された発明特定事項
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものであって、上記１で検討したとおり、本件補正発明の「にじみ角度を測定する」こと（以下「特定事項１」という。）及び、「にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化についても管理可能」とすること（以下「特定事項２」という。）は、本件補正によって発明特定事項として追加された事項である。
　
３　追加された発明特定事項の技術的意義についての検討
（１）発明の詳細な説明又は図面に記載された事項
　　上記特定事項１，２に関連して、本願の発明の詳細な説明又は図面には以下の記載がある。
（ａ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】以下、従来のイオン注入装置の問題点を図８及び図９を用いて説明する。図８及び図９は、従来のイオン注入装置の問題点を説明するための、基板近傍におけるイオンビームの注入の状態を示す側面図である。
【０００８】ところで、…（中略）…それぞれのイオンは、設計軌道を中心に、設計軌道に垂直な平面内において、微小振動を行いながら、即ち、設計軌道を中心にビーム径が収束、発散しながら、設計軌道を走査する。
【０００９】従って、図８に示すように、ウェハー等の基板１６０に対して、ある発散角度（以下、単に「発散角」という場合がある。）で注入されるイオンが存在し、平行入射部分１６０ａよりも周縁部が広がる、いわゆる「にじみ」部分１６０ｂが発生する。
【００１０】従来のイオン注入装置では、このイオンビームのにじみ部分１６０ｂも含んだ平均値としてのビームの平行度のみをモニターしてイオン注入を行い、にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化については管理していなかった。従って、従来のイオン注入装置では、イオン源の状態変化によりエミッタンスが変化し、注入プロファイルも連動して変化する可能性があり、安定した高精度で均一なイオン注入が困難であるという問題を抱えていた。
【００１１】また、図９に示すように、基板１６０上にゲート１６２を形成してイオン注入を行った場合、イオンビームが垂直面に対して所定の発散角度をもって注入された場合、シャドー部分１６２ａが発生して、均一なイオン注入が困難になるという問題も抱えている。」
（ｂ）「【００３３】エミッタンスは、ビーム径方向距離をｘを横軸に、ビームの発散角度αを縦軸に描いた位相図の面積をπで除したものであるから、ビーム断面のＸ軸各点におけるＸ方向の運動量分布を測定できれば算出することができる。
【００３４】図４に示すように、イオンビームの走査方向に垂直に２枚の可動スリットＳ１、Ｓ２を距離Ｌ１だけ離して配置することによりエミッタンスが測定できる。即ち、第１のスリットＳ１により位置ｘを定め、第２のスリットＳ２を動かして位置ｘにおける運動量分布Ｍを電流検出板Ｄ１により測定し、第１のスリットＳ１を動かすことにより各位置ｘにおける運動量分布Ｍを測定すれば、位置ｘと発散角αの位相図が得られ、エミッタンスを算出することができる。」
（ｃ）「【００３７】ところで、この従来のエミッタンス測定装置を用いると、イオンビームの発散角度α、エミッタンスの他に、次式（１）で定義されるイオンビームの位置Ｒにおける平行度θ（Ｒ）を算出することができる。
　Ｔａｎθ（Ｒ）＝ｄ（Ｒ）／Ｌ　　　　　　　　・・・・・　　（１）
ここで、ｄ（Ｒ）は、位置Ｒにおけるスリットの中心軸からビーム強度のピーク位置の変位であり、Ｌは、分割スリットＳｂから可動式ファラデーカップＦｃまでの距離である。
【００３８】また、この従来のエミッタンス測定装置では、イオンビームのにじみ角度φも次式（２）により算出できる。
　Ｔａｎφ　＝（ｆ−ｗ）／（２Ｌ）　　　　　　・・・・・　　（２）
ここで、ｆは、ピークＰの半値幅、ｗはスリットの幅である。
【００３９】従って、エミッタンス測定装置を利用すれば、イオンビームの発散角度αの他に、イオンビームの平行度θやイオンビームのにじみ角度φも測定できることが理解される。」
（ｄ）「【００５０】従って、本実施の形態のイオン注入装置１０によると、適宜、イオンビームの発散角度、及び、平行度の測定、設定値内への制御を行うので、イオンビームのエミッタンスの変動等のイオンビームの状態が変化した場合でも、にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化について管理でき、かつ、設定値内への制御が可能となり、均一で高精度のイオン注入を安定して行えることになる。」
（ｅ）「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｆ）「【図８】　　　　　　　　　【図９】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（２）「にじみ」についての検討
　上記（特に（ａ））の記載からして、「にじみ」とは、エミッタンスとして知られている「α」で表される発散角度をもって注入されるイオンの存在により、平行入射部分よりも周縁部が広がることを意味し、当該「にじみ」は、設計軌道に垂直な平面内において、イオンが設計軌道を中心として微小振動するため、イオンが、そのビーム径を収束、発散させつつ設計軌道を走査することによって「変化する」ものと理解でき、さらに、上記（特に（ｃ））の記載からして、「にじみ角度φ」は、イオンビームの平行度θ、発散角度αとは別に測定されるものであって、従来のエミッタンス測定装置を用いて、
Ｔａｎφ　＝（ｆ−ｗ）／（２Ｌ）により、測定できるものと理解できる。
　そして、エミッタンスとして知られている「発散角度」そのものによる「にじみ」が、「イオン注入のプロファイル」と関係することは、当業者の技術常識に属する事項であるといえる。
　しかしながら、前記した「変化する」「にじみ」、ならびに、「にじみ角度φ」あるいは「にじみ量」の「変化」が、「イオン注入のプロファイル変化」とどのように関連していて、それらを測定することによって、どのようにして「イオン注入のプロファイル変化について管理する」かについて、本願の発明の詳細な説明又は図面には、何ら具体的に記載されていない。
　
（３）技術的意義についての検討・判断
　「にじみ」について、本願の発明の詳細な説明の記載から理解できる事項は上記のとおりであるから、「にじみ角度」あるいは「にじみ量」を測定することについて理解することができ、さらに、「にじみ」が「イオン注入のプロファイル」と関係することを理解できたとしても、その測定された「変化する」「にじみ角度」あるいは「にじみ量」の「変化」が、どのようにイオン注入のためのビームプロファイルと関連するのか、当業者といえども理解することはできない。
　そうすると、本願の発明の詳細な説明の記載をもって、「変化する」「にじみ角度」あるいは「にじみ量」の「変化」に関する測定値を用いて、どのようにイオン注入のプロファイル変化を管理するかについて理解できないばかりでなく、イオン注入のプロファイル変化を管理することにより、どのような有利な作用効果が生じるのかも理解することができないから、本件補正発明の特定事項１及び２が、従来技術と比較して、どのような技術的貢献をなすための事項であるのか、当業者といえども理解できない。
　ところで、特許法第３６条第４項第１号が委任省令（経済産業省令）要件を定めた趣旨は、発明の技術上の意義を明らかにして特許審査や技術調査等に役立てるというものではあるが、発明が新しい技術的思想の創作であることに鑑みれば、出願時の技術水準に照らして当該発明がどのような技術上の意義（技術的貢献）を有するかを理解することができなければ、当該発明によって創作された新しい技術的思想がどのようなものであるか理解できないことは明らかである。そして、特許制度は、新しい技術を開発して公開した者に対し、一定期間、一定条件下に特許権という独占権を付与することにより発明の保護を図り、他方、第三者に対しては、この公開により発明の技術内容を知らしめて、その発明を利用する機会を与える制度である。
　これらに照らすと、技術上の意義（技術的貢献）について理解することができない発明に対して特許権を付与するならば、何らの新しい技術的思想を公開しない発明に独占権が付与されることとなり、権利者と第三者の間で著しく公平を欠く結果となることは明らかである。
　してみると、本願の発明の詳細な説明の記載が、本件補正発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものであるとはいえず、本願が、特許法第３６条第４項第１号の規定に違反するものである以上、本件補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができる発明であるということはできない。
　
６　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１に係る補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるものの、本件補正後の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年７月２６日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、イオンビームの径を集束させた後に平行化させて半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
　前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定する基板近傍に設けた測定装置と、イオンビームの平行度及び発散角度を所望の設定値の範囲内になるように制御する制御機能を備えたことを特徴とするイオン注入装置。」
　
２　刊行物
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２０８８６９号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（１ａ）「【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態によるイオン注入装置およびイオン注入方法は、上述したように、イオン源手段として多価イオン源と大電流イオン源とが同一の質量分離部に接続されており、多価イオン源と大電流イオン源との何れか一方をここで選択し、引き出されるイオンを質量分離して、同一の加速部へ導き得るようにしたものである。
【００２２】図１は本発明のイオン注入装置の構成の一例を概略的に示す図であるが、図１に示すように、イオン注入装置１の全体は高電圧ターミナル１０Ａ、ビームライン部１０Ｂ、エンドステーション１０Ｃとからなる真空系である。高電圧ターミナル１０Ａには高エネルギーでのイオン注入が可能な多価イオン源１Ａと、高ド−ズでのイオン注入が可能な大電流イオン源１Ｂが設置されており、それぞれは質量分離部２に接続されている。そして、多価イオン源１Ａと大電流イオン源１Ｂとの何れか一方を選択してイオン注入が行われる。
【００２３】高電圧ターミナル１０Ａにはイオンを所定のエネルギーに加速する加速部３が取り付けられており、その後段のビームライン部１０Ｂには、口径可変アパーチャ４、焦点位置変更レンズ５、ビームスキャナ６、コリメーターレンズ７が設けられている。そして、エンドステーション１０Ｃには、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１９によってＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向へ移動可能とした基板保持部１８に半導体基板Ｗが固定されおり、半導体基板Ｗの上方に近接して配置される注入領域制限マスク１２を介して半導体基板Ｗにイオン注入が行われる。」
（１ｂ）「【００２８】質量分離部２に続く加速部３において、イオンは所定のエネルギーまで加速されるが、一般的には直流タイプの加速管が使用される。
【００２９】ビームライン部１０Ｂにおいては、イオンビームは口径可変アパーチャ４によって所定の径とされる。例えば、高精度の注入を行うための低から中のドーズレベルのイオンビームは通常的には直径３〜５ｍｍφとされるが、勿論、これより大径としてもよい。また、高ドーズレベルのイオンビームは通常的には直径２０〜３０ｍｍφとされるが、勿論、これより小径としてもよい。
【００３０】焦点位置変更レンズ５は、低から中のドーズレベルのイオンビームを、後述の図６に示すように、エンドステーション１０Ｃ内の半導体基板Ｗ上に収束させ、高ドーズレベルのイオンビームを、後述の図７に示すように、下流側のコリメーターレンズ７の焦点領域に収束させるものである。従って、低から中のドーズレベルのイオンビームはほぼその径を保ったまま直進するが、高ドーズレベルのイオンビームは一旦収束された後にデフォーカスされる。この焦点位置変更レンズ５には静電気的または磁気的な四重極レンズが使用される。
【００３１】ビームスキャナ６は、図６を参照して、低から中のドーズレベルのイオンビームを半導体基板Ｗに近接して配置される注入領域制限マスク１２上でスキャンさせるものである。高ドーズレベルのイオンビームが使用される場合には、ビームスキャナ６は休止される。このビームスキャナ６には静電気的または磁気的な四重極スキャナが使用される。
【００３２】コリメーターレンズ７は、ビームスキャナ６でスキャンされ半導体基板Ｗに収束される低から中のドーズレベルで小径のイオンビームはほぼそのままの状態で平行化させ、高ドーズレベルのイオンビームは、上述したように、その焦点からデフォーカスさせて平行化させ、それぞれ半導体基板Ｗに対して垂直化させる。このコリメーターレンズ７には静電気的または磁気的なレンズが使用されるがトロイダルコイルによるものとしてもよい。」
（１ｃ）「【００３３】エンドステーション１０Ｃにおいては、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１９上の基板保持部１８に半導体基板Ｗが保持されており、Ｘ−Ｙ面内での移動とＺ方向への移動が可能とされている。また半導体基板Ｗの上方に極く僅かの間隔Ｇをあけて注入領域制限マスク１２が半導体基板Ｗに対して位置合わせ可能に配設されている。…（中略）…
【００３４】また、エンドステーション１０Ｃ内においては、注入領域制限マスク１２の上流側にビームモニター１５が待機位置とイオンビームを遮る位置との間で移動し得るように設置される。すなわち、ビームモニター１５はイオン注入に先立ってイオンビームを遮るように挿入され、イオンビームの平行度および密度分布が測定される。そして、平行度および密度分布が許容限度の範囲を超えている場合には、ビームライン部１０Ｂの焦点位置変更レンズ５または口径可変アパーチャ４を調整するか、またはビームスキャナ６のスキャン速度を変調して適正化される。ビームモニター１５は電流計または検流計を二次元に並べた平面アレイによって構成し得るが、小さいファラディカップを二次元に並べたものが好適であり、アスペクト比の大きいファラディカップを使用すればイオンビームの平行度を高精度で検出することができる。」
（１ｄ）「【００３８】実施の形態のイオン注入装置１は以上のように構成されるが、次にそのイオン注入装置１によるイオン注入方法について説明する。図６は図１に示したイオン注入装置１…（中略）…によって半導体基板Ｗにイオン注入する場合を説明する図である。…（中略）…
【００３９】高電圧ターミナル１０Ａ内で多価イオン源１Ａが起動され、…（中略）…質量分離部２で質量分離され、加速部３へ導かれてエネルギー１ＭｅＶに加速される。そして、加速されたイオンビームは口径可変アパーチャ４によってビーム径４ｍｍφとされ、次いで焦点位置変更レンズ５によってエンドステーション１０Ｃ内の半導体基板Ｗ上に収束するように調整される。そして、コリメーターレンズ７及びビームスキャナ６が起動されることにより、イオンビームはコリメーターレンズ７によって平行化されて、注入領域制限マスク１２上を均一にスキャンされる。そして、イオンビームがスキャンされた状態にある時に、ビームモニター１５を待機位置からイオンビームを遮る位置へ移動させて、イオンビームの平行度と密度分布が測定され、要すれば可変アパーチャ４、焦点位置変更レンズ５及びビームスキャナ６の何れか又は２つ又は３つが調整されて、所定の範囲内にあることが確認されると、ビームモニター１５は待機位置へ戻され、図２のＡに示した注入領域制限マスク１２の開孔１３ａを通過するイオンビームによって半導体基板Ｗへのイオン注入が開始される。」
（１ｅ）「【図１】　　　　　　　　【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これら引用例１の記載および図面の図示内容からして、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「イオン源、
　前記イオン源に接続された質量分離部からなる高電圧ターミナル、
　前記高電圧ターミナルに取り付けられ、イオンを所定のエネルギーに加速する加速部、
　前記加速部の後段に取り付けられ、イオンビームを所定の径にするための口径可変アパーチャ、イオンビームを収束させるための焦点位置変更レンズ、イオンビームを注入領域制限マスク上でスキャンさせるためのビームスキャナ、イオンビームを平行化するためのコリメーターレンズ、が設けられているビームライン部、
　前記ビームライン部の後段に設けられ、Ｘ−Ｙ−ＺステージによってＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向へ移動可能とした基板保持部に半導体基板を固定し、その上方に近接して配置される注入領域制限マスクを介してイオン注入を行うためのエンドステーション、
　とからなるイオン注入装置であって、
　前記エンドステーション内において、前記注入領域制限マスクの上流側に、待機位置とイオンビームを遮る位置の間で移動し得るようにビームモニターを設置し、
　イオン注入に先立って、前記ビームモニターを、イオンビームを遮るように挿入することにより、イオンビームの平行度および密度分布を測定し、
　測定した平行度および密度分布が許容限度の範囲を超えている場合には、前記ビームライン部の前記焦点位置変更レンズまたは前記口径可変アパーチャを調整するか、または前記ビームスキャナのスキャン速度を変調して適正化し、平行度および密度分布が所定の範囲内にあることが確認されると、前記ビームモニターが待機位置へ戻され、イオンビームによって半導体基板へのイオン注入が開始される、イオン注入装置。」
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である「電子・イオンビームハンドブック（第３版），日本，日刊工業新聞社，１９９８年１０月２８日，ｐ．４０７−４１０」（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
（２ａ）
「10.2.2　エミッタンスの測定
10.2.2.1　スリットと記録紙法
　基本的には，図10.14(a)に示されるスリットが多数上下に積み重なって配置されており，そしてスクリーン面があり，そこに荷電ビームによるスリットの影（同図(b)）が記録される装置である。各スリットの像に対応する元のスリットの中心座標（ｒ）によって，ビーム全体内での位置が，指定することが出来，またそのスリット像の出来る高さはその位置におけるビームの入射角を反映している。同図(a)左図より，この時の最大および最小となるビームの発散角は，スクリーンの高さｈ１，ｈ２とスリットの上下端の高さｒ１，ｒ２を用いて，次のように求めることができる。
ｒ１’＝（ｈ１−ｒ１）／ｌ
ｒ２’＝（ｈ２−ｒ２）／ｌ
　そして，各スリット高さｒについて，発散角の最大，最小値，ｒ１’，ｒ２’を（ｒ，ｒ’）２次元座標系上に表示したものがエミッタンスとなる（同図(a)右図）。
10.2.2.2　自動化された２スリット法
　上記の多数のスリットの代わりに，１個のスリットに置き換え，また，記録紙の代わりに短冊型の多チャンネル検出器を用い，かつ両者を同時にビームを縦断するように機械的に掃引すると，スリットの位置によって決められたビームの各位置における角度分布が瞬時に測定される（図10.15(a)）。そして掃引したスリット位置を，横軸（ｘ）に取り，縦軸（ｘ’）方向にその時の角度分布を表示すると，図(b)のエミッタンス図が得られる。…（以下略）」
（２ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
３　本願発明と引用発明の対比
（１）当業者の技術常識に照らすと、引用発明の「イオン源、前記イオン源に接続された質量分離部からなる高電圧ターミナル、前記高電圧ターミナルに取り付けられ、イオンを所定のエネルギーに加速する加速部、前記加速部の後段に取り付けられ、イオンビームを所定の径にするための口径可変アパーチャ、イオンビームを収束させるための焦点位置変更レンズ、イオンビームを注入領域制限マスク上でスキャンさせるためのビームスキャナ、イオンビームを平行化するためのコリメーターレンズ、が設けられているビームライン部、前記ビームライン部の後段に設けられ、Ｘ−Ｙ−ＺステージによってＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向へ移動可能とした基板保持部に半導体基板を固定し、その上方に近接して配置される注入領域制限マスクを介してイオン注入を行うためのエンドステーション、とからなるイオン注入装置」が、本願発明の「イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、イオンビームの径を集束させた後に平行化させて半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置」に相当することは明らかである。
（２）また、引用発明が測定している「密度分布」は、イオンビームの発散によって生じることは明らかであるから、引用発明の「前記エンドステーション内において、前記注入領域制限マスクの上流側に、待機位置とイオンビームを遮る位置の間で移動し得るようにビームモニターを設置し、イオン注入に先立って、前記ビームモニターを、イオンビームを遮るように挿入することにより、イオンビームの平行度および密度分布を測定」するという事項からして、本願発明と引用発明は、「前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散を測定する基板近傍に設けた測定装置」を備えている点で一致する。
（３）そして、引用発明の「測定した平行度および密度分布が許容限度の範囲を超えている場合には、前記ビームライン部の前記焦点位置変更レンズまたは前記口径可変アパーチャを調整するか、または前記ビームスキャナのスキャン速度を変調して適正化し、平行度および密度分布が所定の範囲内にあることが確認されると、前記ビームモニターが待機位置へ戻され、イオンビームによって半導体基板へのイオン注入が開始される」という事項からして、イオンビームの平行度及び密度分布を所望の設定値の範囲内に制御するための制御機能を具備することは明らかであるといえるから、本願発明と引用発明は、「イオンビームの平行度及び発散を所望の設定値の範囲内になるように制御する制御機能を備え」ている点で一致する。
（４）そうすると、本願発明と引用発明は、
「イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、イオンビームの径を集束させた後に平行化させて半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
　前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散を測定する基板近傍に設けた測定装置と、イオンビームの平行度及び発散を所望の設定値の範囲内になるように制御する制御機能を備えたイオン注入装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉
　イオンビームの測定及び制御について、本願発明は「平行度及び発散角度」を測定して「平行度及び発散角度」を制御するのに対し、引用発明は「平行度および密度分布」を測定して「平行度および密度分布」を制御している点。
　
４　相違点についての検討・判断
（１）引用発明の「（イオンビームの）密度分布」は、引用例２の図10.15(a)に図示されているエミッタンス図に相当するものといえる。そして、当該エミッタンス図は、引用例２に記載されているとおり、各位置におけるイオンビームの発散角である角度分散の測定結果を角度分布として表示したものである。
　そうすると、引用発明の「（イオンビームの）密度分布」を測定するためには、「（イオンビームの）発散角度」を測定する必要があることは明らかであるといえる。
　してみると、引用発明の「（イオンビームの）密度分布」を測定して、「（イオンビームの）密度分布」を制御する態様に代え、「（イオンビームの）発散角度」を測定して、「（イオンビームの）発散角度」を制御する態様に変更することは、当業者が適宜なし得る事項であって、そのように変更することによる格別の作用効果を見いだすこともできない。
　したがって、上記相違点に係る構成を得ることは、引用例２に記載された事項に基いて当業者が容易になし得る事項である。
（２）以上検討したとおりであるから、本願発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。