【事件の表示】
　特願２００５−５１５４２９「導電性ペーストおよび多層セラミック基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月２６日国際公開、ＷＯ２００５／０４８６６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯及び本件発明
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う２００４年（平成１６年）１１月１０日（優先日：２００３年（平成１５年）１１月１４日、出願番号：特願２００３−３８４７３９号）を国際出願日とする出願であって、平成１８年２月７日付けの国内書面が提出され、平成２１年３月６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年９月２日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１０月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年１月５日付けで再度の最後の拒絶理由が通知され、同年３月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月７日付けで平成２２年３月２４日付けの手続補正書による手続補正を却下する補正の却下のの決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２日に拒絶査定に対する審判が請求されると同時に、同日付けで明細書を補正する手続補正書が提出され、その後、当審において平成２３年１０月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものであって、その請求項１ないし５に係る発明は、平成２３年１２月２０日付けの手続補正書により補正された明細書及び特許請求の範囲並びに国際出願の際の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　積層された複数のセラミック層と前記セラミック層に関連して設けられた配線導体とを備える、多層セラミック基板において、前記配線導体を形成するために用いられ、かつ前記セラミック層を焼結させるための焼成工程において共焼成される、導電性ペーストであって、
　金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含有し、
　前記金属粉末の粒子表面上には、前記焼成工程において前記セラミック層を焼結させ得る焼結温度では焼結しない無機成分が粉末の状態で配置され、前記無機成分は、Ａｌ、Ｓｉ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも１種を含む酸化物であり、
　前記ガラスフリットは、前記焼結温度より１５０〜３００℃低い軟化点を有しており、
　前記無機成分の含有量は、前記金属粉末および前記無機粉末の合計重量に対して０．５〜８重量％であり、
　前記ガラスフリットの含有量は、当該導電性ペースト全体に対して１〜１０重量％である、
導電性ペースト。」
　
　
【２】引用文献物記載の発明
（１）当審の拒絶理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−８１６８３号公報（平成１５年３月１９日出願公開。以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　（ア）「【請求項１】　セラミック基材と、その基材の表面に形成された表面導体膜と、その表面に隣接する面に形成された側面導体膜とを備えるセラミック電子部品を製造する方法であって、
(a).セラミック基材に第一の導体ペーストを用いて表面導体膜を形成する工程と、
(b).セラミック基材に第二の導体ペーストを用いて側面導体膜を形成する工程とを包含し、
前記第一の導体ペースト及び第二の導体ペーストは、Ａｇ又はＡｇ主体の合金から実質的に構成されたＡｇ系金属粉末を主成分として含んでおり、そのＡｇ系金属粉末の表面はＡｌ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｙ，Ｃａ，Ｍｇ及びＺｎから成る群から選択されるいずれかを構成要素とする有機系金属化合物又は金属酸化物によってコーティングされており、その第二の導体ペーストは、第一の導体ペーストと比較して、
(1).該有機系金属化合物又は金属酸化物のコーティング量が少ないこと、及び／又は、(2). 副成分として第一の導体ペーストには含まれない少なくとも一種の無機酸化物粉末を含有すること又は第一の導体ペーストにも含まれる無機酸化物粉末の含有率が高いこと、を特徴とするセラミック電子部品製造方法。
　・・・（中略）・・・
【請求項７】　セラミック基材と、その基材の表面に形成された表面導体膜と、その表面に隣接する面に形成された側面導体膜とを有するセラミック電子部品であって、
前記表面導体膜及び側面導体膜は、Ａｇ又はＡｇ主体の合金から実質的に構成されたＡｇ系金属と、その金属をコーティングするＡｌ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｙ，Ｃａ，Ｍｇ及びＺｎから成る群から選択されるいずれかを構成要素とする金属酸化物とを含み、その側面導体膜は、表面導体膜と比較して、
(1).該金属酸化物の含有率が少ないこと、及び／又は、(2). 表面導体膜には含まれない該金属酸化物とは異なる少なくとも一種の無機酸化物を含有すること又は表面導体膜にも含まれる無機酸化物の含有率が高いこと、を特徴とするセラミック電子部品。
　・・・（中略）・・・
【請求項１０】　請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法によって製造されたセラミック電子部品。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項１０】）
　
　（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】　本発明は、セラミック基板等のセラミック基材上に導体膜を形成する用途に用いられる導体ペーストに関する。」（段落【０００１】）
　
　（ウ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】　上記公報に記載のＡｇペーストは、導体膜形成用途のＡｇペーストに望まれる一般的な物性のいくつかを向上させたものではあるものの、図１に示すようなセラミック電子部品の表面導体膜と側面導体膜の各々に個別具体的に着目して開発されたものではない。このため、従来のＡｇペーストを創意工夫することなくそのまま使用した場合には、セラミック基材と同時焼成される表面導体膜に対して特に要求される品質向上（例えば接着強度の向上、過大な焼成収縮応力の防止）と、かかる焼成後に塗布されてその後に焼き付けられる側面導体膜に対して特に要求される品質向上（例えば半田くわれの抑制、半田耐熱性の向上）とを、共に高次元で実現させることは困難であった。また、一つのベースとなるＡｇペーストを適宜組成変更（主成分たる金属粉末の含有比率の変更や副成分として添加する物質の選択等）しつつ表面導体膜形成用途と側面導体膜形成用途とに使い分ける工夫も十分ではなかった。
【０００７】そこで、本発明は、セラミック基材への塗布時期及び焼成時期が異なるこれら二種類の導体膜（表面導体膜と側面導体膜）に対してそれぞれ要求される品質の向上を実現し得るＡｇペーストの開発、及び、かかる品質向上を実現するためのＡｇペーストの使用方法（組成の異なるペーストの使い分けを含む）の開発を目的に創出されたものである。本発明は、そのようなＡｇペースト及び該ペーストの使用（使い分け）方法を提供することを目的の一つとし、そのようなＡｇペーストを表面導体膜及び側面導体膜の形成に使用し、電気的特性及び／又は機械的特性の向上を実現したセラミック電子部品ならびに該電子部品の製造方法を提供することを目的の一つとする。」（段落【０００６】及び【０００７】）
　
　（エ）「【００１６】
【発明の実施の形態】  以下、本発明に関する好適な実施形態について詳細に説明する。本発明に係るＡｇペーストは、Ａｇ系金属粉末を主成分とすることで特徴付けられる導体膜（電極、配線等）形成用ペーストであり、上記目的を達成し得る限りにおいて他の副成分の内容や組成に特に制限はない。Ａｇ系金属粉末は、Ａｇ若しくはＡｇ主体の合金（例えばＡｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金）から成る微粒子で構成される。かかるＡｇベースの微粒子としては、導電性付与の観点から、Ａｇ単体または比抵抗値が概ね１．８〜５．０×１０−６Ω・ｃｍ（好ましくは１．９〜３．０×１０−６Ω・ｃｍ、例えば２．２×１０−６Ω・ｃｍ）の合金から成るものが適当である。また、特に限定するものではないが、緻密構造の焼成膜を形成するという観点からは平均粒径が２．０μｍ以下（好ましくは０．３〜１．０μｍ）の微粒子が好ましい。また、そのような比較的微小な平均粒径を有し且つ粒径１０μｍ以上（特に好ましくは粒径５μｍ以上）の粒子を実質的に含まないような、粒度分布の比較的狭いＡｇ系金属粉末が特に好ましい。」（段落【００１６】）
　
　（オ）「【００１９】次に、Ａｇ系金属粉末をコーティングする材料について説明する。Ａｇ系金属粉末のコーティングに使用する有機系金属化合物としては、最終的（焼成後）にＡｇ系金属粉末の表面に本発明の目的の実現に適う金属（金属酸化物又はその還元物を含む）の被膜（即ち当該表面を被覆する付着物）を形成し得るものであれば特に制限はないが、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎから成る群から選択されるいずれかの元素を構成元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物が好適に用いられる。例えば、好適な金属アルコキシドとしては、テトラプロポキシチタン(Ti(OC3H7)4)等のチタン(IV)アルコキシド、アルミニウムエトキシド(Al(OC2H5)3)、アルミニウムt-ブトキシド(Al(OC(CH3)3)3)、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アセトアルコキシアルミニウムエチルアセトアセテート、アセトアルコキシアルミニウムアセチルアセトネート等のアルミニウムアルコキシド、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムブトキシド等のジルコニウムアルコキシドの他、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ等を中心金属原子（イオン）とする種々の多核アルコラト錯体が挙げられる。また、好適なキレート化合物としては、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ等を中心金属原子（イオン）とするエチレンジアミン(en)錯体、エチレンジアミンテトラアセタト(edta)錯体等が挙げられる。或いは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｍｇ等の金属（イオン）とキレートを形成した所謂キレート樹脂も、本発明に係る有機系金属化合物（キレート化合物）として好適である。
【００２０】また、Ａｇ系金属粉末のコーティングに使用する有機系金属化合物として他の好適なものは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎから成る群から選択されるいずれかの元素を構成金属元素とする有機酸金属塩である。特にＡｌ又はＺｒを主構成金属元素とする有機酸金属塩が好適である。特に好適な有機酸金属塩は、上記列挙した元素を主構成金属元素とするカルボン酸塩である。例えば、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｙ又はＺｒと各種脂肪酸（例えばナフテン酸、オクチル酸、エチルヘキサン酸）、アビエチン酸、ナフトエ酸等の有機酸との化合物が挙げられる。特に好適な有機酸金属塩は、Ａｌ又はＺｒとカルボン酸（特に脂肪酸）との化合物である。
【００２１】このような有機系金属化合物でコーティングされたＡｇ系金属粉末を熱処理（典型的には３５０〜７００℃）すると当該有機系金属化合物の酸化物である金属酸化物（アルミナ、ジルコニア等）の被膜がＡｇ系金属粉末（微粒子）の表面に形成される。もっとも、セラミック基材と共にコーティングＡｇ系金属粉末を焼成することによって、かかる金属酸化物が生成し得る。従って、有機系金属化合物でコーティングされたＡｇ系金属粉末（即ちそれを含むペースト）をセラミック基材に付着させる前に予め熱処理しておくことは、必須の処理ではない。
【００２２】あるいは、有機系金属化合物に代えて、種々の酸化物ゾル（典型的にはアルミナゾル、ジルコニアゾル等）を本発明のＡｇ系金属粉末のコーティング材料として使用してもよい。この場合には、Ａｇ系金属粉末の表面は、アルミナ、ジルコニア等の金属化合物（酸化物）で直接コーティングされたものとなる。
【００２３】而して、上記のような組成の有機系金属化合物又はその金属の酸化物によってコーティングされたＡｇ系金属粉末によって形成された導体膜は、焼成後（有機系金属化合物をコーティングした場合はその金属の酸化物が生じた後）において、特に高い半田耐熱性や接着強度を実現する。従って、本発明に係るＡｇペーストを用いると、Ｐｄ等の高価な貴金属を大量に使用せずに且つ煩雑なメッキ処理を行うことなく、実用上充分なレベルの半田耐熱性や接着強度を有する導体膜（表面導体膜、側面導体膜、内部導体膜）をセラミック基材に形成することができる。」（段落【００１９】ないし【００２３】）
　
　（カ）「【００２４】次に、Ａｇ系金属粉末表面への有機系金属化合物又はその金属酸化物のコーティング方法について説明する。本発明の製造方法を実施するにあたっては、Ａｇ系金属粉末の表面に満遍なくほぼ均等に有機系金属化合物又はその金属酸化物がコーティングされるのが好ましいが、そのコーティング方法に特に制限はない。例えば、従来知られている金属粒子への有機物コーティング方法をそのまま適用することができる。一例を挙げると、先ず、トルエン、キシレン、各種アルコール等の適当な有機溶剤に所望の有機系金属化合物を溶解若しくは分散する。次いで、得られた溶液若しくは分散液（ゾル）にＡｇ系金属粉末を添加し、分散・懸濁する。この懸濁液を所定時間静置又は撹拌することによって、当該懸濁液中のＡｇ系金属粉末の表面を目的の有機系金属化合物でコーティングすることができる。このとき、特に限定するものではないが、好ましくは有機系金属化合物又はその金属酸化物のコーティング量が酸化物換算でＡｇ系金属粉末の０．０１〜２．０wt％（典型的には０．０１２５〜１．０wt％）に相当する量となるように所望する有機系金属化合物をＡｇ系金属粉末にコーティングする。かかるコーティング量が酸化物換算でＡｇ系金属粉末の０．０１wt％に相当する量よりも少なすぎる場合には、コーティングの効果が希薄であり、本発明に関する上記目的を達成し難い。他方、かかるコーティング量が酸化物換算でＡｇ系金属粉末の２．０〜３．０wt％に相当する量よりも過剰に多い場合には、Ａｇ系金属粉末本来の電気的特性等の諸機能が損なわれる虞があるため好ましくない。」（段落【００２４】）
　
　（キ）「【００２７】次に、本発明に係るＡｇペーストに含ませ得る副成分として好適なものについて説明する。本発明に係るＡｇペーストの副成分として、上記金属粉末を分散させておく有機媒質（ビヒクル）が挙げられる。本発明の実施にあたっては、かかる有機ビヒクルは金属粉末を分散させておくものであればよく、従来の導体ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。例えば、エチルセルロース等のセルロース系高分子、エチレングリコール及びジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ミネラルスピリット、ブチルカルビトール、ターピネオール等の高沸点有機溶媒が挙げられる。
【００２８】また、本発明に係るＡｇペーストには、当該ペースト本来の導電性（低抵抗率）、半田濡れ性、半田耐熱性、接着強度等を著しく損なわない限りにおいて種々の無機添加剤を副成分として含ませることができる。例えば、かかる無機添加剤としては、無機酸化物粉末、種々のフィラー等が挙げられる。特に、無機酸化物粉末は、セラミック基材と導体膜との間の接着強度の向上に寄与する。また、導体膜の焼成時に過大な焼成収縮が生じるのを防止し得る。このため、製造目的とするセラミック電子部品の精度や機械的強度を実用上高レベルに維持することに寄与し得る。そのような無機酸化物として、酸化銅、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン等の金属酸化物粉末が特に好ましい。これらのうちでも酸化銅、酸化鉛、酸化ビスマスが特に好適な酸化物である。なかでも酸化ビスマスは、Ａｇ系金属粉末の焼結を促進するとともに、Ａｇペーストの粘度を低下させてセラミック基材（アルミナ等）との濡れ性を向上させ得るため、特に好適な無機酸化物である。また、酸化銅は基板との密着性を向上させ得る。これら金属酸化物粉末を副成分として添加する場合には、ペーストの充填率や分散性を適切化するという観点から、平均粒径が５μｍ以下（典型的には１〜５μｍ、特に好ましくは１μｍ以下）の粉末が好ましい。また、比表面積については、少なくとも０．５ｍ2／ｇである粉体が好ましく、１．０ｍ2／ｇ以上（典型的には１．０〜２．０ｍ2／ｇ、特に好ましくは２．０〜１００ｍ2／ｇ）である粉体が特に好ましい。」（段落【００２７】及び【００２８】）
　
　（ク）「【００２９】また、上記金属酸化物粉末の他、
Ａｇペーストの副成分として好ましい無機酸化物粉末として、種々の酸化物ガラス粉末が挙げられる。酸化物ガラス粉末は、セラミック基材上に付着したペースト成分を安定的に焼き付き・固着させること（即ち接着強度の向上）に寄与する無機成分（無機結合材）となり得る。後述する焼成温度との関係から、軟化点が概ね８００℃以下のものが好ましい。
　
　（ケ）「【００３１】次に、本発明に係るＡｇペーストの調製について説明する。このＡｇペーストは、上述したように有機系金属化合物又はその金属酸化物でコーティングされたＡｇ系金属粉末（典型的にはＡｇ単体）と有機媒質（ビヒクル）を混和することによって容易に調製することができる。このとき、必要に応じて上述したような添加剤を添加・混合するとよい。例えば、三本ロールミルその他の混練機を用いて、Ａｇ系金属粉末及び各種添加剤を有機ビヒクルとともに所定の配合比で直接混合し、相互に練り合わせる。
【００３２】特に限定するものではないが、好ましくは、一種又は二種以上の有機系金属化合物又はその金属酸化物でコーティングされた
Ａｇ系金属粉末の含有率がペースト全体の６０〜９５wt％となるように各材料を混練するのがよく、
【００３４】また、
無機酸化物粉末として上述の金属酸化物粉末及び／又は酸化物ガラス粉末を加える場合には、Ａｇ系金属粉末重量の５．０wt％以下（より好ましくは２．０wt％以下）程度の量を添加するのが好ましい。
　
　（コ）「【００３６】例えば、上述した図１に示す作業処理工程を行うことにより、図２及び図３に模式的に示すような多層セラミック配線基板２０（例えば携帯電話機等で共振回路部を構成する高周波用セラミック電子部品）を製造することができる。すなわち、複数のセラミック基材（グリーンシート）２１ａ，２１ｂ，２１ｃに所定の導体ペーストを塗布することによって、多層配線基板２０の内部配線パターンとなる導体膜（内部導体膜）２５を形成する。また、必要に応じてビアホール導体膜（図示せず）を形成する。なお、かかる内部導体膜２５の形成に上述したような表面導体膜形成用ペーストを用いてもよい。そして、導体膜が形成された複数のグリーンシート２１ａ，２１ｂ，２１ｃを積層・圧着する。次いで、得られた積層体２１の表面に表面導体膜形成用ペーストを塗布することによって表面導体膜２３を形成する。なお、積層前に最外層となるグリーンシート２１ａ，２１ｃの表面に予め表面導体膜２３を形成しておいてもよい。次いで、表面導体膜２３の付着している積層体２１を、典型的にはＡｇの融点を越えない所定の温度域で焼成する。焼成後、側面導体膜形成用Ａｇペーストを塗布することによって側面導体膜２４を形成し、所定の温度域まで加熱して当該側面導体膜２４を焼き付ける。なお、特に限定するものではないが、本発明に係るＡｇペーストを用いると従来よりも半田耐熱性や接着強度に優れる導体膜２３，２４，２５を形成することができる。このため、膜厚が１０〜３０μｍ程度の導体の形成のみならず、１０μｍ以下の比較的薄い膜厚の導体を形成することができる。」（段落【００３６】）
　
　（サ）「【００５６】＜試験例１＞本発明に関連する試験例１として、有機金属塩のコーティング量及び／又は焼成温度と焼成収縮率との関係について考察した。・・・（中略）・・・それらペーストを、上記＜Ａｇペーストの性能評価＞の項で説明したのと同様の方法で、アルミナ製セラミックシートの表面に塗布し、４００℃〜９００℃の温度条件で焼成処理を行い、収縮率（％）を求めた。その結果を図８に示す。上記コーティング量の範囲では、コーティング量が増加する程、収縮率が減少した。特にコーティング量が０．１％以上のものは、８００℃又は９００℃の温度条件での焼成処理によっても低い収縮率を維持し得ることが確認された。」（段落【００５６】）
　
（２）ここで、上記（１）の（ア）ないし（サ）並びに図面の記載からみて、次のことがわかる。
　
　（シ）上記（１）の（ア）、（エ）、（オ）、（コ）及び図１ないし３からみて、多層セラミック配線基板２０は、積層された複数のセラミック基材２１a，２１b，２１cと、前記セラミック基材２１a，２１b，２１cに関連して設けられた導体膜２５及びビアホール導体膜とを備えることがわかる。
　また、Ａｇペーストは、前記導体膜２５及びビアホール導体膜を形成するために用いられ、前記セラミック基材２１a，２１b，２１cを焼結させるための焼成工程において共焼成されるものといえる。
　
　（ス）上記（１）の（ア）、（エ）、（キ）及び（ク）からみて、Ａｇペーストは、Ａｇ系金属粉末と酸化物ガラス粉末と有機ビヒクルとを含有していることがわかる。
　
　（セ）上記（１）の（ア）及び（エ）ないし（カ）からみて、Ａｇペースト中のＡｇ系金属粉末の粒子表面上には、金属酸化物がコーティングの状態で配置され、当該金属酸化物は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ等から選択されるいずれかの元素を含む酸化物であることがわかる。
　
　（ソ）上記（１）の（ア）、（ク）、（サ）及び図８からみて、Ａｇペースト中の酸化物ガラス粉末は、焼成温度の最大９００℃に対して、概ね８００℃以下の軟化点を有していることがわかる。
　
　（タ）上記（１）の（ア）、（カ）及び上記（セ）からみて、Ａｇペースト中のＡｇ系金属粉末の粒子表面上にコーティングの状態で配置されている金属酸化物のＡｇ系金属粉末および前記金属酸化物の合計重量に対しての含有量は、次のとおりであるといえる。
　すなわち、金属酸化物の重量をｘ、Ａｇ系金属粉末の重量をｙとすると、「金属酸化物のコーティング量が酸化物換算でＡｇ系金属粉末の０．０１〜２．０wt％・・・（中略）・・・に相当する量」（上記（１）（カ）参照。）であるから、この記載を式にすると、
　（ｘ÷ｙ）×１００＝０．０１〜２．０（wt％）
となり、この式から、
　ｘ＝（０．０１〜２．０）×１０−２×ｙ　…(1)
となる。金属酸化物のＡｇ系金属粉末および前記金属酸化物の合計重量に対しての含有量をｚ（wt％）とし、これを式で表すと、
　ｚ＝ｘ÷（ｘ＋ｙ）×１００　　　　　　…(2)
となるから、(2)式に(1)式を代入すると、
　ｚ＝０．００９８〜２．０（wt％）　　　…(3)
となる。
　したがって、金属酸化物のＡｇ系金属粉末および前記金属酸化物の合計重量に対しての含有量は、０．００９８〜２．０（wt％）、すなわち、０．００９８〜２．０（重量％）といえる。
　
　（チ）上記（１）の（ア）、上記（ク）及び（ケ）からみて、無機酸化物粉末として金属酸化物粉末以外に酸化物ガラス粉末を加える場合には、酸化物ガラス粉末の含有量は最下げも、Ａｇ系金属粉末重量の５．０wt％以下程度であり、Ａｇ系金属粉末の含有率がＡｇペースト全体の６０〜９５wt％となることから、Ａｇペースト全体に対しての酸化物ガラス粉末の含有量を算出すると、
　（６０〜９５）÷１００×５．０÷１００以下×１００＝（３．０〜４．８）以下（wt％）、すなわち、４．８重量％以下
となることがわかる。
　
（３）上記（１）及び上記（２）並びに図面の記載を総合すると、引用文献には、次の発明（以下、「引用文献記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「積層された複数のセラミック基材２１a，２１b，２１cと前記セラミック基材２１a，２１b，２１cに関連して設けられた導体膜２５及びビアホール導体膜とを備える、多層セラミック配線基板２０において、前記導体膜２５及びビアホール導体膜を形成するために用いられ、かつ前記セラミック基材２１a，２１b，２１cを焼結させるための焼成工程において共焼成される、Ａｇペーストであって、
　Ａｇ系金属粉末と酸化物ガラス粉末と有機ビヒクルとを含有し、
　前記Ａｇ系金属粉末の粒子表面上には、金属酸化物がコーティングの状態で配置され、前記金属酸化物は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ等から選択されるいずれかの元素を含む酸化物であり、
　前記酸化物ガラス粉末は、前記焼成温度の最大９００℃に対して、概ね８００℃以下の軟化点を有しており、
　前記金属酸化物の含有量は、前記Ａｇ系金属粉末および前記金属酸化物の合計重量に対して０．００９８〜２．０重量％であり、
　前記酸化物ガラス粉末の含有量は、当該Ａｇペースト全体に対して４．８重量％以下である、
Ａｇペースト。」
　
　
【３】対比
　本件発明と引用文献記載の発明とを対比すると、引用文献記載の発明における「セラミック基材２１a，２１b，２１c」は、その機能、構造又は技術的意義からみて、本件発明における「セラミック層」に相当し、以下同様に、「導体膜２５及びビアホール導体膜」は「配線導体」に、「多層セラミック配線基板２０」は「多層セラミック基板」に、「Ａｇペースト」は「導電性ペースト」に、「Ａｇ系金属粉末」は「金属粉末」に、「酸化物ガラス粉末」は「ガラスフリット」に、「有機ビヒクル」は「有機ビヒクル」に、「金属酸化物」は「無機成分」及び「無機粉末」のそれぞれに、「焼成温度」は「焼結温度」に、それぞれ相当する。
　また、引用文献記載の発明における「Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ等から選択されるいずれかの元素」は、その機能、構造又は技術的意義からみて、本件発明における「Ａｌ、Ｓｉ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも１種」に包含される。
　さらに、金属酸化物が配置される状態について、引用文献記載の発明における「コーティングの状態で」は、「コーティングの状態で」という限りにおいて、本件発明における「粉末の状態で」に相当し、以下同様に、ガラスフリットの軟化点について、「焼成温度の最大９００℃に対して、概ね８００℃以下」は「焼結温度より概ね１５０〜３００℃低い」という限りにおいて「焼結温度より１５０〜３００℃低い」に、無機成分の含有量について、「Ａｇ系金属粉末および金属酸化物の合計重量に対して０．００９８〜２．０重量％」は「金属粉末および無機粉末の合計重量に対して０．５〜２重量％」という限りにおいて「金属粉末および無機粉末の合計重量に対して０．５〜８重量％」に、ガラスフリットの含有量について、「Ａｇペースト全体に対して４．８重量％以下」は「導電性ペースト全体に対して４．８重量％以下」という限りにおいて「導電性ペースト全体に対して１〜１０重量％」に、それぞれ相当する。
　
　したがって、本件発明と引用文献記載の発明は、次の一致点及び相違点を有するものである。
　
　＜一致点＞
　「積層された複数のセラミック層と前記セラミック層に関連して設けられた配線導体とを備える、多層セラミック基板において、前記配線導体を形成するために用いられ、かつ前記セラミック層を焼結させるための焼成工程において共焼成される、導電性ペーストであって、
　金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含有し、
　前記金属粉末の粒子表面上には、無機成分がコーティングの状態で配置され、前記無機成分は、Ａｌ、Ｓｉ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも１種を含む酸化物であり、
　前記ガラスフリットは、前記焼結温度より概ね１５０〜３００℃低い軟化点を有しており、
　前記無機成分の含有量は、前記金属粉末および前記無機粉末の合計重量に対して０．５〜２重量％であり、
　前記ガラスフリットの含有量は、当該導電性ペースト全体に対して４．８重量％以下である、
導電性ペースト。」
　
　＜相違点＞
　なお、（　）内に、本件発明において相当する発明特定事項を示す。
（１）相違点１
　無機成分のセラミック層を焼結させ得る焼結温度との関係に関し、 
　本件発明においては、「焼成工程においてセラミック層を焼結させ得る焼結温度では焼結しない」のに対し、引用文献記載の発明においては、このようになるのか明確でない点（以下、「相違点１」という。）。 
　
（２）相違点２
　金属粉末の粒子表面上に配置される無機成分の状態に関し、 
　本件発明においては、「粉末の状態で」に対し、引用文献記載の発明においては、「コーティングの状態で」あるが、粉末の状態であるのか不明である点（以下、「相違点２」という。）。 
　
（３）相違点３
　ガラスフリットの軟化点に関し、
　本件発明においては、「焼結温度より１５０〜３００℃低い］のに対し、引用文献記載の発明においては、「焼成温度（焼結温度）の最大９００℃に対して、概ね８００℃以下」である点（以下、「相違点３」という。）。
　
（４）相違点４
　無機成分の含有量に関し、
　本件発明においては、「金属粉末および無機粉末の合計重量に対して０．５〜８重量％」であるのに対し、引用文献記載の発明においては、「Ａｇ系金属粉末（金属粉末）および金属酸化物（無機粉末）の合計重量に対して０．００９８〜２．０重量％」である点（以下、「相違点４」という。）。
　
（５）相違点５
　ガラスフリットの含有量に関し、
　本件発明においては、「導電性ペースト全体に対して１〜１０重量％」であるのに対し、引用文献記載の発明においては、「Ａｇペースト（導電性ペースト）全体に対して４．８重量％以下」である点（以下、「相違点５」という。）。
　
　
【４】当審の判断
　上記各相違点について以下に検討する。
（１）相違点１について
　引用文献記載の発明において、「金属酸化物」（無機成分）が、「Ａｇ系金属粉末」（金属粉末）の表面上のコーティング剤としての「金属酸化物」の役割を果たすために、「セラミック基材２１a，２１b，２１c」（セラミック層）の焼成工程にで、「金属酸化物」（無機成分）が焼結していないことは明らかであるから、上記相違点１は実質的な相違となるものとはいえない。
　
（２）相違点２について
　一般に、芯材となる粒子表面上への壁材となる物質のコーティングにおいて、マイクロカプセル法を用いることにより、芯材となる粒子表面上に、壁材となる物質を粉末の状態で配置させることは、従来周知の技術（以下、周知技術」という。例えば、当審の拒絶の理由に例示された、特開平６−２４０３０９号公報の特に、段落【００２５】及び【００３０】、以下同様に、近藤保、他編著，「マイクロカプセル（その機能と応用）」，第１版，財団法人日本規格協会，１９９１年３月２０日，第１６ないし２１ページ、高橋芳夫編，「微粒子設計工学」，株式会社粉体工業社，昭和６３年１１月１日，第２３９ないし２４５ページ、近藤保、他著，「マイクロカプセル　−その製法・性質・応用」，三共出版株式会社，１９７７年１０月１５日，第７１ないし８２ページ参照。）である。 
 　また、引用文献の段落【００２４】には、「本発明の製造方法を実施するにあたっては、Ａｇ系金属粉末の表面に満遍なくほぼ均等に有機系金属化合物又はその金属酸化物がコーティングされるのが好ましいが、そのコーティング方法に特に制限はない。例えば、従来知られている金属粒子への有機物コーティング方法をそのまま適用することができる。」と記載されており、芯材である「Ａｇ系金属粉末」の表面上に、壁材となる「有機系金属化合物又はその金属酸化物」を配置させる、すなわち、コーティングさせる方法は、従来知られている「マイクロカプセル法」を適用することができるといえる。 
 　そうすると、引用文献記載の発明において、芯材である「Ａｇ系金属粉末」の表面上に、壁材となる「金属酸化物」をコーティングさせるのに、上記周知技術を転用したものにすぎず、上記相違点２に関し、本件発明と引用文献記載の発明との実質的な差異があるものとはいえない。 
 　仮に、上記相違点２の差異があるとしても、引用文献記載の発明において、上記周知技術を採用し、当該相違点２に係る本件発明の発明特定事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
（３）相違点３について
　ガラスフリットの軟化点について引用文献記載の発明における「焼成温度（焼結温度）の最大９００℃に対して、概ね８００℃以下」は、本件発明における「焼結温度より１５０〜３００℃低い」という数値範囲（以下、「数値範囲１」という。）と重なっている。
　また、上記数値範囲１の根拠、前提となる条件及び上限・下限の臨界的意義は、本件出願の明細書、特許請求の範囲及び図面を見ても、乏しいものである。
　以上のことから、相違点３について、本件発明と引用文献記載の発明との実質的な差異は認められない。
　
（４）相違点４について
　無機成分の含有量については、本件発明の「金属粉末および無機粉末の合計重量に対して０．５〜８重量％」という数値範囲（以下、「数値範囲２」という。）も引用文献記載の発明の「Ａｇ系金属粉末（金属粉末）および金属酸化物（無機粉末）の合計重量に対して０．００９８〜２．０重量％」もいずれも「金属粉末および無機粉末の合計重量に対して０．５〜２重量％」という数値範囲で重なっている。また、無機成分の含有量は、焼結前後で変わらない。
　また、上記数値範囲２の根拠、前提となる条件及び上限・下限の臨界的意義は、本件出願の明細書、特許請求の範囲及び図面を見ても、乏しいものである。
　以上のことから、相違点４について、本件発明と引用文献記載の発明との実質的な差異は認められない。
　
（５）相違点５について
　　ガラスフリットの含有量については、本件発明の「導電性ペースト全体に対して１〜１０重量％」という数値範囲（以下、「数値範囲３」という。）も引用文献記載の発明の「Ａｇペースト（導電性ペースト）全体に対して４．８重量％以下」もいずれも「導電性ペースト全体に対して４．８重量％以下」という数値範囲で重なっている。
　また、上記数値範囲３の根拠、前提となる条件及び上限・下限の臨界的意義は、本件出願の明細書、特許請求の範囲及び図面を見ても、乏しいものである。
　以上のことから、引用文献記載の発明において、酸化物ガラス粉末（ガラスフリット）を添加する場合の酸化物ガラス粉末（ガラスフリット）の含有量をＡｇペースト（導電性ペースト）全体に対して「１〜１０重量％」として、当該相違点５に係る本件発明の発明特定事項とすることは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計上の事項にすぎない。
　
　そして、本件発明を全体として検討しても、本件発明の奏する効果は引用文献記載の発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
【５】むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用文献記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。