Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスケット封止された燃料電池膜電極組立体を製造する方法であって、
ｉ）流体輸送層シート材料を選択するステップと、
ｉｉ）前記流体輸送層シート材料のＣｔ％を選択するものであって、その際、Ｃ％を、未圧縮の厚さの割合としての前記流体輸送層シート材料の厚さの圧縮とし、Ｃｔ％を、燃料電池膜電極組立体の前記流体輸送層シート材料を使用する際の目標レベルのＣ％であるとするステップと、
ｉｉｉ）前記流体輸送層シート材料がＣｔ％の圧縮を達成する圧力Ｐｔを測定するステップと、
ｉｖ）
ａ）外縁部分を有するアノード面、外縁部分を有するカソード面、および外側の周縁部を有する高分子電解質膜と、
ｂ）前記高分子電解質膜のアノード面の少なくとも一部分と接触するアノード触媒材料と、
ｃ）前記高分子電解質膜のカソード面の少なくとも一部分と接触するカソード触媒材料と、
ｄ）前記流体輸送層シート材料を含むアノード側流体輸送層であって、該アノード側流体輸送層が、前記アノード触媒材料の層と接触しており、かつ前記高分子電解質膜のアノード側の外縁部分を越えて延在していないアノード側流体輸送層と、
ｅ）前記流体輸送層シート材料を含むカソード側流体輸送層であって、該カソード側流体輸送層が、前記カソード触媒材料の層と接触しており、かつ前記高分子電解質膜のカソード側の外縁部分を越えて延在していないカソード側流体輸送層と、
を含んでなる膜電極組立体をプレス機のプラテンの間に配置するステップと、
ｖ）ガスケット材料を、前記高分子電解質膜のアノード面およびカソード面の外縁部分に置くステップと、
ｖｉ）前記膜電極組立体を、Ｐｔの９０％〜１１０％の間にある押圧圧力Ｐｐまで圧縮するステップと、
ｖｉｉ）前記ガスケット材料を、ガスケット封止された燃料電池膜電極組立体を形成するように実質的に固定するステップと、
を含んでなる、方法。
【請求項２】
ｖｉｉｉ）前記プレス機の一方または両方のプラテンと前記ガスケット材料との間に、浮彫り隆起部微細構造化接触パターンのネガ型レリーフを有する１個もしくは２個のパターニング・プレートを配置するステップをさらに含んでなるとともに、前記浮彫り隆起部微細構造化接触パターンが、接合点で交じりあう隆起部を含んでなり、３つ以下の隆起部が、いずれか１つの接合点で交じりあう、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ガスケット封止された燃料電池膜電極組立体であって、
ａ）外縁部分を有するアノード面、外縁部分を有するカソード面、および外側の周縁部を有する高分子電解質膜と、
ｂ）前記高分子電解質膜のアノード面の少なくとも一部分と接触するアノード触媒材料と、
ｃ）前記高分子電解質膜のカソード面の少なくとも一部分と接触するカソード触媒材料と、
ｄ）流体輸送層シート材料を含むアノード側流体輸送層であって、該アノード側流体輸送層が、前記アノード触媒材料の層と接触しており、かつ前記高分子電解質膜の外側の周縁部に延在していないアノード側流体輸送層と、
ｅ）前記流体輸送層シート材料を含むカソード側流体輸送層であって、該カソード側流体輸送層が、前記カソード触媒材料の層と接触しており、かつ前記高分子電解質膜の外側の周縁部に延在していないカソード側流体輸送層と、
ｆ）前記高分子電解質膜のアノード側の外縁部分を越えて延在している、接触面を有するアノード側ガスケットと、
ｇ）前記高分子電解質膜のカソード側の外縁部分を越えて延在している、接触面を有するカソード側ガスケットと、
を含んでなり、
前記流体輸送層シート材料が目標圧縮Ｃｔ％によって特徴づけられ、その際、Ｃ％を、未圧縮の厚さの割合としての材料の厚さの減少とし、Ｃｔ％を、燃料電池膜電極組立体の前記流体輸送層シート材料を使用する際の目標レベルのＣ％であるとし、
各々のガスケットのその接触面下での平均厚さＴｇが、｛Ｔｆ×（１００％−Ｃｔ％）｝の９０％〜１１０％の間にあり、ここで、Ｔｆが、それぞれの同じ側の流体輸送層の平均厚さである、燃料電池膜電極組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力システムにおいて用いられる電気回路であって、
電気的に直列に接続された複数のウルトラキャパシタと、
該複数のウルトラキャパシタに電気的に直列に接続された充電電流リミッタと、
該充電電流リミッタに電気的に並列に接続され、該充電電流リミッタをバイパスする経路を提供するように動作可能なバイパス素子と
を備えた、電気回路。
【請求項２】
前記バイパス素子は、バイパスダイオードである、請求項１に記載の電気回路。
【請求項３】
前記複数のウルトラキャパシタのそれぞれに対して、該複数のウルトラキャパシタのそれぞれ１つに電気的に並列に接続された複数のサージダイオードをさらに備え、該複数のサージダイオードのうちの１つは、ツェナーダイオードである、請求項１または請求項２に記載の電気回路。
【請求項４】
前記複数のウルトラキャパシタと前記充電電流リミッタとに電気的に並列に接続されたリバース電流防止ダイオードをさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の電気回路。
【請求項５】
前記充電電流リミッタは、リニアモード充電電流リミッタである、請求項１〜４のいずれかに記載の電気回路。
【請求項６】
前記リニアモード充電電流リミッタは、
一対のアクティブ端子と制御端子とを含む充電電流制限トランジスタであって、該アクティブ端子は、充電電圧が閾値電圧を超えたことに応答して該複数のウルトラキャパシタに充電電流を通すように前記複数のウルトラキャパシタに電気的に直列に接続されている、充電電流制限トランジスタと、
該充電電流を閾値電流に制限するように該充電電流制限トランジスタを制御するように電気的に接続されたフィードバックトランジスタと
を含む、請求項５に記載の電気回路。
【請求項７】
前記充電電流リミッタは、
一対のアクティブ端子と制御端子とを含む充電電流制限トランジスタであって、該アクティブ端子は、前記複数のウルトラキャパシタに電気的に直列に接続されており、該制御端子は、電力バスに並列に接続されている、充電電流制限トランジスタと、
ターンオン電圧を設定するように、該電力バスの一部と該充電電流制限トランジスタの該制御端子との間に電気的に並列に接続されたツェナーダイオードと、
一対の制御端子を含むフィードバックトランジスタであって、該一対の制御端子は、該第１のトランジスタのアクティブ端子を通る電流の流れを制限するように、該充電電流制限トランジスタの該制御端子に電気的に接続されている、フィードバックトランジスタと
を含む、請求項５に記載の電気回路。
【請求項８】
前記充電電流リミッタは、
第１の損失制限トランジスタと、
第２の損失制限トランジスタと
をさらに備え、
該第１の損失制限トランジスタおよび該第２の損失制限トランジスタは、前記充電電流制限トランジスタと前記ツェナートランジスタとの間にダーリントン配置で電気的に接続されている、請求項５に記載の電気回路。
【請求項９】
前記充電電流リミッタは、
過電圧ツェナーダイオードと、
一対のアクティブ端子と制御端子とを有する過電圧トランジスタであって、該一対のアクティブ端子は、前記フィードバックトランジスタの前記アクティブ端子のそれぞれに電気的に接続されており、該制御端子は、前記電力バスにかかる電圧が過電圧閾値を上回る場合に該充電電流を遮断するように、該過電圧ツェナーダイオードを介して該電力バスの一部に電気的に接続されている、過電圧トランジスタと
をさらに含む、請求項８に記載の電気回路。
【請求項１０】
前記充電電流リミッタは、
ツェナーダイオードと、
一対のアクティブ端子と制御端子とを含む過電圧トランジスタであって、該アクティブ端子は、前記フィードバックトランジスタの前記アクティブ端子のそれぞれに電気的に接続されており、該制御端子は、前記電力バスの一部に電気的に接続されている、過電圧トランジスタと、
一対のアクティブ端子と制御端子とを含む電圧設定トランジスタであって、該アクティブ端子は、該過電圧トランジスタの制御端子と該電力バスの別の部分との間に電気的に接続されており、該制御端子は、該ツェナーダイオードを介して前記複数のウルトラキャパシタに電気的に接続されている、電圧設定トランジスタと
をさらに含む、請求項８に記載の電気回路。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージを製造する方法であって、
(i)少なくとも1つのシリコーン堆積物を形成するために半導体ウェハの活性面の少なくとも一部分にシリコーン組成物を印刷するステップであって、
前記活性面が少なくとも1つの集積回路を備え、
各集積回路が複数のボンドパッドを有し、各ボンドパッドの少なくとも一部分が前記シリコーン堆積物によって覆われず、
前記シリコーン組成物が、
(A)1分子当たり平均で少なくとも2個の珪素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、
(B)前記組成物を硬化するのに充分な濃度で、1分子当たり平均で少なくとも2個の珪素結合水素原子を含有する有機珪素化合物と、
(C)25m2/g未満の表面積を有する有効量の無機フィラーと、
(D)触媒量のヒドロシリル化触媒と、
任意選択で、(E)ヒドロシリル化触媒阻害剤と、
任意選択で、(F)本質的にR33SiO1/2シロキサンユニットおよびSiO4/2シロキサンユニットからなるオルガノポリシロキサン樹脂であって、各R3が、1〜20個の炭素原子を有する1価の炭化水素基および1価のハロゲン化炭化水素基から独立して選択され、オルガノポリシロキサン樹脂中のR33SiO1/2ユニットとSiO4/2ユニットのモル比が0.65〜1.9であるオルガノポリシロキサン樹脂とを含む
ステップと、
(ii)硬化シリコーン部材を形成するのに充分な時間にわたってシリコーン堆積物を加熱するステップと
を含み、前記部材が、-40〜150℃の間で60〜280μm/m℃の線膨張係数を有し、かつ25℃で1〜300MPaの弾性率を有する方法。
【請求項２】
前記ウェハがさらにストリートを備える請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記硬化シリコーン部材が10〜200μmの厚さを有する請求項1に記載の方法。
【請求項４】
成分(B)の濃度が、成分(A)中のアルケニル基1個当たり0.8〜1.5個の珪素結合水素原子を提供するのに充分なものである請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記無機フィラーが0.25〜10m2/gの表面積を有する請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記無機フィラーが溶融シリカである請求項1に記載の方法。
【請求項７】
成分(C)の濃度が、成分(A)100重量部当たり100〜600重量部である請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒドロシリル化触媒が白金を含む請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記硬化シリコーン部材が、硬化シリコーン層または硬化シリコーンドームから選択される請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記印刷ステップが、ステンシル印刷またはスクリーン印刷を使用して行われる請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコーン堆積物を加熱するステップが、90〜200℃の温度で5〜60分間行われる請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、各ボンドパッドに取り付けられた近位端、および前記硬化シリコーン部材の表面上にある遠位端とを有する金属トレースを形成するステップを含む請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル層を成長する反応炉中で半導体ウェーハを保持するためのサセプタであって、
ベース板およびスリーブを有し、高温で低熱伝導率を有する材料製であるベース構造であって、前記ベース板が１つまたは複数の板孔を有するベース構造と、
それぞれが前記１つまたは複数の板孔のそれぞれの１つの中に収納されており、熱を前記半導体ウェーハに伝達するように高温で高熱伝導率を有する材料製である１つまたは複数の熱伝達プラグと
を備えることを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
前記ベース板に取り付けられた面板をさらに備え、前記面板が１つまたは複数の面板貫通孔を有し、前記１つまたは複数の面板貫通孔のそれぞれが、前記板貫通孔のそれぞれの１つと位置合わせされていることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
前記面板が、赤外線透過性でありかつエッチングで洗浄できる材料製であることを特徴とする請求項２に記載のサセプタ。
【請求項４】
前記面板が、石英、炭化珪素、サファイア、シリコン、被覆グラファイト、グラファイト、およびタングステンから成るグループからの材料製であることを特徴とする請求項２に記載のサセプタ。
【請求項５】
前記１つまたは複数の熱伝達プラグが、グラファイトまたは、炭化珪素で被覆されたグラファイト製であることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項６】
前記１つまたは複数の熱伝達プラグのそれぞれが、前記ウェーハに近接した各前記プラグの表面に円形の隆起部を含むことを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項７】
前記ベース構造が、窒化硼素、溶融石英、窒化アルミニウム、およびセラミックから成るグループからの材料製であることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項８】
底部に加熱要素を有する、エピタキシャル層成長用反応炉中に取り付けられ、前記加熱要素の上に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項９】
前記加熱要素からの熱が、主に前記熱伝達プラグを通して前記ウェーハに伝えられることを特徴とする請求項８に記載のサセプタ。
【請求項１０】
エピタキシャル層を成長する反応炉中で半導体ウェーハを保持するためのサセプタであって、
熱を前記半導体ウェーハに伝達するように前記ウェーハの下にある高温で高熱伝導率の材料と、
他の全ての部分における高温で低熱伝導率の材料とを備えることを特徴とするサセプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む基板上に材料犠牲層を形成する過程と、
前記犠牲層を除去するためのウェットエッチングプロセスを実行する過程と、
前記犠牲層が除去された後、前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程と、を有し、かつ、
前記基板上に複数のゲート絶縁層を形成するための熱酸化プロセスを実行する過程であって前記フッ素が注入された前記基板の選択された部分の上に形成された前記ゲート絶縁層は、フッ素が注入されていない前記基板部分に形成された前記ゲート絶縁層よりも層厚が大きいものである過程と、を有する
方法。
【請求項２】
シリコンを含む基板上に材料犠牲層を形成する過程は、シリコンを含む基板に二酸化シリコンを含む犠牲層を形成する過程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
シリコンを含む基板に材料犠牲層を形成する過程は、シリコンを含む前記基板上に二酸化シリコンを含む犠牲層を熱的に成長させる過程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記犠牲層を除去するためのウェットエッチングプロセスを実行する過程は、前記犠牲層を除去するための希フッ化水素酸ウェットエッチングプロセスを実行する過程を含む、
請求項１記載の方法。  
【請求項５】
前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程は、前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程を含み、前記フッ素原子は、おおよそ５Ｅ１４〜５Ｅ１５ions／cm２ の量で注入される、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程は、
前記基板上にフォトレジスト材料のパターン層を形成する過程と、
前記犠牲層が除去された後に、フォトレジスト材料の前記パターン層をマスクとして用いて前記基板にフッ素原子を注入する過程と、を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
基板上に複数のゲート絶縁層を形成するための熱酸化プロセスを実行する過程であって前記フッ素が注入された前記基板の選択された部分の上に形成された前記ゲート絶縁層は、フッ素が注入されていない前記基板部分に形成された前記ゲート絶縁層よりも層厚が大きいものである過程では、前記層厚の差は、約０．１〜１．０ｎｍである、
請求項１記載の方法。
【請求項８】
更に、前記複数のゲート絶縁層の各々に一ゲート電極構造を形成する過程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
熱酸化プロセスを実行する過程は、約６００℃から１０００℃までの温度で熱酸化プロセスを実行する過程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１０】
シリコンを含む基板上に二酸化シリコンを含む犠牲層を形成する過程を有し、
前記犠牲層を除去するために希フッ化水素酸ウェットエッチングプロセスを実行する過程を有し、
二酸化シリコンを含む前記犠牲層が除去された後、前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程を有し、かつ、
前記基板に複数のゲート絶縁層を形成するために熱酸化プロセスを実行する過程であって前記基板の前記フッ素が注入された選択部分上に形成された前記ゲート絶縁層は、フッ素が注入されていない前記基板部分上に形成された前記ゲート絶縁層よりも層厚が大きくされる過程を有する、
方法。
【請求項１１】
シリコンを含む基板に二酸化シリコンを含む犠牲層を形成する過程は、シリコンを含む前記基板上に二酸化シリコンを含む犠牲層を熱的に成長させる過程を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程はで、、前記フッ素原子は、おおよそ５Ｅ１４〜５Ｅ１５ions／cm２の量で注入される、
請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程は、
前記基板上にフォトレジスト材料のパターン層を形成する過程と、
前記犠牲層が除去された後に、フォトレジスト材料の前記パターン層をマスクとして用いて前記基板にフッ素原子を注入する過程と、を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記基板に複数のゲート絶縁層を形成するために熱酸化プロセスを実行する過程であって前記基板の前記フッ素が注入された選択部分上に形成された前記ゲート絶縁層は、フッ素が注入されていない前記基板部分上に形成された前記ゲート絶縁層よりも層厚が大きくされる過程では、前記層厚の差は約０．１ｎｍ〜１．０ｎｍである、
請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
更に、前記複数のゲート絶縁層の各々にゲート電極構造を形成する過程を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
熱酸化プロセスを実行する過程は、約６００℃から１０００℃までの温度で熱酸化プロセスを実行する過程を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
シリコンを含む前記基板上に二酸化シリコンを含む犠牲層を熱的に成長させる過程と、
前記犠牲層を除去するために希フッ化水素酸ウェットエッチングプロセスを実行する過程と、
二酸化シリコンを含む前記犠牲層が除去された後、前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程と、
前記基板上にフォトレジスト材料のパターン層を形成する過程と、
前記犠牲層が除去された後に、前記フォトレジスト材料の前記パターン層をマスクとして用いて前記基板にフッ素原子を注入する過程と、
前記基板に複数のゲート絶縁層を形成するために熱酸化プロセスを実行する過程であって、前記基板の前記フッ素が注入された選択部分上に形成された前記ゲート絶縁層は、フッ素が注入されていない前記基板部分上に形成された前記ゲート絶縁層よりも層厚が大きくされる過程と、を有し、前記層厚の差は約０．１ｎｍ〜１．０ｎｍである、
方法。
【請求項１８】
前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程は、前記犠牲層が除去された後で前記基板の選択された部分にフッ素原子を注入する過程を含み、前記フッ素原子は、おおよそ５Ｅ１４〜５Ｅ１５ions／cm２ の量で注入される、
請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
更に、前記複数のゲート絶縁層の各々にゲート電極構造を形成する過程を含む、
請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
熱酸化プロセスを実行する過程では、約６００℃から１０００℃までの温度で熱酸化プロセスが実行される、
請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上への材料の膜の堆積中に使用するサセプタの支持プレートの平面性を改良する方法であって：
シャフトの中空コア内の圧力を大気圧未満のレベルへ低減するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を前記基板上への前記材料の膜の堆積に必要なレベルへ低減するステップと；
を含み、
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力が、前記シャフトへ接続されて前記シャフトの前記中空コアと界面を成す前記支持プレートの下面に作用し、前記堆積チャンバ内の前記圧力が、前記基板を支持するように適合された前記支持プレートの上面に作用し、よって平面性を改良する方法。
【請求項２】
前記シャフトの前記中空コア内の圧力を低減するステップは：
前記シャフトの前記中空コアを大気圧から封止する工程と；
前記シャフトの前記中空コアへ負圧源を適用し、よって前記中空コア内の圧力を低減する工程と；
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記中空コアは、前記負圧源と接続するように適合されるシャフト真空コネクターハウジングによって封止される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、前記負圧源へ接続されるように適合された接続具を備え、前記負圧は前記接続具を介して前記中空コアへ与えられる、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記上面は、上部で前記基板を支え、貫通した複数の開口を更に備え、前記方法は、
前記シャフトの中空コアを通過する真空ラインを介して前記複数の開口を通して真空を前記基板に適用するステップと；
前記上面に前記基板を付着するように前記複数の開口で流体接続するステップと；
を更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記シャフトの前記中空コア内で生成される負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内で生成される負圧を制御するステップを更に備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記チャンバ圧力は０．５トル乃至６トルである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は２００トル未満に低減される、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は０．５トル乃至２００トルへ低減される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力は、前記堆積チャンバ内部の圧力と等しい、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
基板上へ材料の膜を堆積するために堆積チャンバ内で使用するサセプタであって：
中空コアを有するシャフトに搭載された支持プレートであって、前記支持プレートは基板を支持するように適合された上面と、前記シャフトへ接続されて前記中空コアと界面を成す下面とを有し、前記中空コアは大気圧から封止される、前記支持プレート；および、
前記中空コア内側に負圧を与え、そして前記基板支持プレートの前記下面と界面を成す入口部；
を備えるサセプタ。
【請求項１２】
前記中空コアを大気圧から封止するように配置されたシャフト真空コネクターハウジングを更に備える、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１３】
前記シャフト真空コネクターハウジングは、上に配置された前記入口部を有する、
請求項１２記載のサセプタ。
【請求項１４】
前記基板支持プレートは、前記上面を貫通し前記シャフトの前記中空コアを通過する真空ラインに流体接続する複数の開口を更に備え、前記上面は前記基板を付着するように適合されている、請求項１１記載のサセプタ。
【請求項１５】
前記シャフトの前記中空コア内側に発生されて前記支持プレートの前記下面と界面を成す前記負圧に依存しない、前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段を更に備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１６】
前記複数の開口へ接続された前記真空ライン内に生成される前記負圧を制御する手段は、前記シャフトの前記中空コア内側の負圧を発生させる入力部に接続された真空源に依存しない真空源を備える、請求項１４記載のサセプタ。
【請求項１７】
基板上へ材料の膜を堆積する方法であって：
堆積チャンバ内で動作できるように位置決めされた、請求項１５のサセプタの支持プレートの上面へ前記基板を付着するステップと；
前記堆積チャンバ内の圧力を堆積圧力へ低減するステップと；
前記サセプタのシャフトの中空コア内側の圧力を大気圧未満へ低減するステップであって、前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は前記サセプタの前記支持プレートの下面へ与えられる、前記ステップと；
少なくとも１種の前駆体ガスを前記堆積チャンバ内へ流入させるステップと；
前記基板上へ膜を堆積するステップであって、前記膜はその少なくとも一部が、少なくとも１種の前駆体ガスから生成される、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１８】
前記堆積チャンバ内側の前記温度を少なくとも３００℃にするステップを更に含む、
請求項１７記載の方法
【請求項１９】
前記温度は４００℃乃至４５０℃である、請求項１８記載の方法
【請求項２０】
前記堆積チャンバ内の前記圧力は０．５トル乃至６トルである、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は２００トル未満へ低減される、
請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記シャフトの前記中空コア内の前記圧力は、前記堆積チャンバ内の前記圧力に等しい、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記堆積圧力、および前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を監視するステップと；
前記シャフトの前記中空コア内側記圧力が前記堆積チャンバ内の圧力に対する所定値範囲外の値を超える場合に、前記シャフトの前記中空コア内側の圧力を調節するステップと；
を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記膜が上に堆積されることになる前記基板の表面の平面性を監視するステップ；および、
前記基板の前記表面が完全な平面から所定の許容量を超えて変形すると、前記シャフトの前記中空コア内側の前記圧力を調節することによって前記サセプタおよび前記基板を平面性の許容限度内に回復させるステップ；を更に含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２５】
前記基板を付着するステップは、複数の開口を通して真空を上部に適用する工程であって、前記複数の開口は、前記複数の開口と流体接続する真空ラインを介して前記サセプタの前記上面を備え、前記複数の開口と流体接続する、前記工程を備える、請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ構造を形成する方法であって、
半導体基板（１０）を設ける工程と、
前記半導体基板（１０）を覆って誘電体層（２０）を形成する工程と、
前記誘電体層（２０）にリセス（２０５）を形成する工程と、
前記リセス内に銅を含む第１金属層（３０）を形成する工程と、
前記第１金属層（３０）を陥凹させる工程と、
前記第１金属層（３０）を覆って、前記第１金属層（３０）に対して導電性酸化バリアとなる第２金属層（４０）を形成する工程であって、前記第１金属層（３０）および第２金属層（４０）は、当該ＭＩＭキャパシタ構造の下部電極をなす、工程と、
前記第２金属層（４０）を覆って、絶縁体（５０）を形成する工程と、
前記絶縁体（５０）を覆って、第３金属層（６０）を形成する工程であって、第３金属層（６０）は、当該ＭＩＭキャパシタ構造の上部電極をなす、工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記第１金属層（３０）を形成する工程が、
前記誘電体層（２０）の表面を覆って、前記第１金属層（３０）を成膜する工程と、
前記第１金属層（３０）を平坦化してダマシン構造を形成する工程とをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２金属層（４０）を形成する工程が、
前記第２金属層（４０）を５０〜２０００オングストロームの間の厚さになるように形成する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２金属層（４０）を形成する工程が、
前記誘電体層（２０）の表面及び前記陥凹された第１金属層（３０）を覆うように、前記第２金属層（４０）を成膜する工程と、
前記第１金属層（３０）の前記リセス（２０５）の外側にある前記第２金属層（４０）の全てを除去して、前記第２金属層（４０）の周縁を前記第１金属層（３０）の周縁に自己整合させる工程と、
前記第２金属層（４０）を平坦化して、前記誘電体層（２０）の表面と同一平面にする工程とをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
半導体装置構造を形成する方法であって、
半導体基板（１０）を設け、
前記半導体基板（１０）を覆って、第１の誘電体層（２０）を形成する工程と、
前記第１の誘電体層（２０）にリセス（２０５）を形成する工程と、
前記リセス（２０５）に銅を含む第１金属層（３０）を形成する工程と、
前記第１金属層（３０）を陥凹させる工程と、
前記第１金属層（３０）を覆って、前記第１金属層（３０）に対して導電性酸化バリアとなる第２金属層（４０）を形成する工程と、
前記第２金属層（４０）を覆って、絶縁体（５０）を形成する工程と、
前記絶縁体（５０）を覆って、第３金属層（６０）を形成する工程と、
前記導電性酸化バリア（４０）を覆う絶縁体（５０）内にビア開口を形成する工程と、
前記ビア開口内を導電材料で充填して、前記導電性酸化バリア（４０）へのコンタクトを形成する工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ヒト新生物細胞を照射に対して感作する方法であって、以下の工程：
（ａ）該新生物細胞に有効量のレオウイルスを投与する工程；および
（ｂ）該細胞を有効用量の照射因子に供し、それによって、該新生物細胞の該照射因子に対する感受性が、レオウイルスによって増大される工程を包含する、方法。
【請求項２】
前記レオウイルスが、照射の前に投与される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記新生物細胞が、哺乳動物内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記哺乳動物が、イヌ、ネコ、げっ歯類、ヒツジ、ヤギ、ウシ、ウマ、ブタおよび非ヒト霊長類からなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記照射因子が、電子線、Ｘ線およびγ線からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記照射因子が、γ線である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記レオウイルスが、哺乳動物のレオウイルスである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記哺乳動物のレオウイルスが、ヒトのレオウイルスである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ヒトのレオウイルスが、血清型３のレオウイルスである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記血清型３のレオウイルスが、Ｄｅａｒｉｎｇ株レオウイルスである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
非ヒト被験体中の腫瘍を処置または改善する方法であって：
（ａ）該被験体に、該腫瘍中の細胞のレオウイルスによる感染が生じるような条件で、有効量の該レオウイルスを投与する工程；および
（ｂ）該被験体を有効用量の照射因子で照射する工程、
を包含する、方法。
【請求項１３】
前記レオウイルスが、前記照射の前に投与される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記レオウイルスが、複数の用量で投与される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記被験体が、哺乳動物である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記哺乳動物が、イヌ、ネコ、げっ歯類、ヒツジ、ヤギ、ウシ、ウマ、ブタおよび非ヒト霊長類からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記腫瘍が、固形腫瘍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記固形腫瘍が、肺癌、前立腺癌、結腸直腸癌、甲状腺癌、腎臓癌、副腎癌、肝臓癌、膵臓癌、乳癌ならびに中枢神経系および末梢神経系の癌からなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記レオウイルスが、前記固形腫瘍内または前記固形腫瘍の近傍に投与される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記レオウイルスが、全身的に投与される、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記腫瘍が、造血細胞の腫瘍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記造血細胞の腫瘍が、リンパ腫および白血病からなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記腫瘍が、転移性の腫瘍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
非ヒト被験体において腫瘍が放射線に対する耐性を発症することを予防する方法であって、該被験体に有効量のレオウイルスを投与する工程を包含する、方法。
【請求項２６】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
新生物細胞を照射に対して感作するための組成物であって、該組成物は、有効量のレオウイルスを含み、該組成物は、該新生物細胞への投与に適しており、該細胞は、有効用量の照射因子に供され、それによって、該新生物細胞の該照射因子に対する感受性が、レオウイルスによって増大されることが意図される、組成物。
【請求項２８】
前記レオウイルスを含む組成物が、照射の前の投与に適切である、請求項２７に記載の組成物。
【請求項２９】
前記新生物細胞が、哺乳動物内にある、請求項２７に記載の組成物。
【請求項３０】
前記哺乳動物が、イヌ、ネコ、げっ歯類、ヒツジ、ヤギ、ウシ、ウマ、ブタ、ヒトおよび非ヒト霊長類からなる群から選択される、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３１】
前記照射因子が、電子線、Ｘ線およびγ線からなる群から選択される、請求項２７に記載の組成物。
【請求項３２】
前記照射因子が、γ線である、請求項２７に記載の組成物。
【請求項３３】
前記レオウイルスが、哺乳動物のレオウイルスである、請求項２７に記載の組成物。
【請求項３４】
前記哺乳動物のレオウイルスが、ヒトのレオウイルスである、請求項３３に記載の組成物。
【請求項３５】
前記ヒトのレオウイルスが、血清型３のレオウイルスである、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３６】
前記血清型３のレオウイルスが、Ｄｅａｒｉｎｇ株レオウイルスである、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３７】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項２７に記載の組成物。
【請求項３８】
被験体中の腫瘍を処置または改善するための組成物であって、該組成物は、有効量のレオウイルスを含み、該組成物は、該腫瘍中の細胞のレオウイルスによる感染が生じるような条件での投与に適しており；そして
該被験体は、有効用量の照射因子で照射されることが意図される、
組成物。
【請求項３９】
前記レオウイルスを含む組成物が、前記照射の前の投与に適切である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４０】
前記レオウイルスを含む組成物が、複数の用量での投与に適切である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４１】
前記被験体が、哺乳動物である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４２】
前記哺乳動物が、イヌ、ネコ、げっ歯類、ヒツジ、ヤギ、ウシ、ウマ、ブタ、ヒトおよび非ヒト霊長類からなる群から選択される、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４３】
前記腫瘍が、固形腫瘍である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４４】
前記固形腫瘍が、肺癌、前立腺癌、結腸直腸癌、甲状腺癌、腎臓癌、副腎癌、肝臓癌、膵臓癌、乳癌ならびに中枢神経系および末梢神経系の癌からなる群から選択される、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４５】
前記レオウイルスを含む組成物が、前記固形腫瘍内または前記固形腫瘍の近傍への投与に適している、請求項４４に記載の組成物。
【請求項４６】
前記レオウイルスを含む組成物が、全身的投与に適している、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４７】
前記腫瘍が、造血細胞の腫瘍である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４８】
前記造血細胞の腫瘍が、リンパ腫および白血病からなる群から選択される、請求項４７に記載の組成物。
【請求項４９】
前記腫瘍が、転移性の腫瘍である、請求項３８に記載の組成物。
【請求項５０】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項３８に記載の組成物。
【請求項５１】
被験体において腫瘍が放射線に対する耐性を発症することを予防するための組成物であって、有効量のレオウイルスを含む、組成物。
【請求項５２】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項５１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
新生物を患っている哺乳動物における疼痛を軽減するための組成物であって、該組成物は、有効量の少なくとも一つの腫瘍崩壊ウイルスを含み、該組成物は、該哺乳動物への投与に適している、組成物。
【請求項２】
少なくとも１つの鎮痛剤をさらに含み、該鎮痛剤の量が、前記哺乳動物において前記腫瘍崩壊ウイルスなしで疼痛を軽減するために必要とされる該鎮痛剤の量よりも少ない量である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記鎮痛剤が、オピオイド鎮痛剤および非オピオイド鎮痛剤からなる群から選択される、請求項２の組成物。
【請求項４】
前記鎮痛剤が、コデイン、フェンタニール、ヒドロモルホン、レボルファノール、メペリジン、メタドン、モルフィン、オキシコドン、オキシモルホン、プロポキシフェン、ブプレノルフィン、ブトルファノール、デゾシン、ナルブフィンおよびペンタゾシンからなる群から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記新生物が、固体新生物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記腫瘍崩壊ウイルスを含む組成物が、前記固体新生物内または該固体新生物付近への注射による投与に適している、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記腫瘍崩壊ウイルスが、レオウイルスである、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記レオウイルスが、哺乳動物レオウイルスおよび鳥類レオウイルスからなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記レオウイルスが、哺乳動物レオウイルスである、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記レオウイルスが、ヒトレオウイルスである、請求項７に記載の組成物。
【請求項１１】
前記レオウイルスが、血清型１のレオウイルス、血清型２のレオウイルス、および血清型３のレオウイルスからなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項１２】
前記レオウイルスが、血清型３のレオウイルスである、請求項７に記載の組成物。
【請求項１３】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項７に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物が、１より多くの型の腫瘍崩壊ウイルスを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記組成物が、１より多くの株の腫瘍崩壊ウイルスを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１６】
前記哺乳動物が、ヒトである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、約１〜１０１５のプラーク形成単位のレオウイルスを含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項１８】
前記腫瘍崩壊ウイルスを含む前記組成物が、単回用量での投与に適している、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
前記腫瘍崩壊ウイルスを含む前記組成物が、１より多くの用量での投与に適している、請求項１に記載の組成物。
【請求項２０】
前記新生物が、転移性である、請求項１に記載の組成物。
【請求項２１】
前記新生物が、末期である、請求項１に記載の組成物。
【請求項２２】
有効量の化学療法剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記腫瘍崩壊ウイルスが、放射線療法と一緒での投与に適している、請求項１に記載の組成物。
【請求項２４】
前記腫瘍崩壊ウイルスが、ホルモン療法と一緒での投与に適している、請求項１に記載の組成物。
【請求項２５】
前記腫瘍崩壊ウイルスが、免疫療法と一緒での投与に適している、請求項１に記載の組成物。
【請求項２６】
新生物を患っている哺乳動物における疼痛を軽減するための薬学的組成物であって、該薬学的組成物は、以下：
（ａ）有効量の腫瘍崩壊ウイルスを含む第１の薬学的組成物である、第１成分；および
（ｂ）有効量の鎮痛剤を含む第２の薬学的組成物である、第２成分
の２つの成分を含む、薬学的組成物。
【請求項２７】
前記鎮痛剤が、オピオイド鎮痛剤および非オピオイド鎮痛剤からなる群から選択される、請求項２６に記載の薬学的組成物。
【請求項２８】
前記腫瘍崩壊ウイルスが、レオウイルスである、請求項２６に記載の薬学的組成物。
【請求項２９】
前記レオウイルスが、組換えレオウイルスである、請求項２８に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月3日(2006.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
［実施例９］：重合反応（４）
Ｌ−アスコルビン酸１２．５部の代わりにエリソルビン酸を１２．５部を用いたこと以外は実施例８と同様の操作を行い、重量平均分子量２９，５００の共重合体水溶液（４）を得た。なお、重合反応中、時々、反応生成物をサンプリングしてｐＨを測定したところ、ｐＨ３．２〜３．６の範囲内であった。
［比較例１］：アルキレンオキサイド付加物の製造（比較１）
温度計、撹拌機、窒素及びアルキレンオキサイド導入管を備えたステンレス製高圧反応器に含有水分量が１５０ｐｐｍであるメタノール１１５部、水酸化ナトリウム４部を仕込み、撹拌下に反応容器内を窒素置換し、窒素雰囲気下で９０℃まで加熱した。そして、安全圧下（反応器内の窒素分圧の方がエチレンオキサイド分圧より常に高くなるような条件）で９０℃を保持したままエチレンオキサイド１６０部を５時間で反応容器内に導入した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
なお、本アルキレンオキサイド付加工程における反応前後の容量変化は、４９倍であった。
［比較例２］：エステル化反応（比較１）
温度計、攪拌機、水分離器および還流冷却器を備えた反応器に比較例１で得られたＭＥＯ−５０を１６５００部、メタクリル酸４７４０部、パラトルエンスルホン酸１水和物２３５部、フェノチアジン５部およびシクロヘキサン１０６０部を仕込み、反応温度１１５℃でエステル化反応を行った。
約１８時間でエステル化率が９８％に達したのを確認した後降温し、４９％水酸化ナトリウム水溶液１３５部と水４８９０部を加えてパラトルエンスルホン酸を９０℃以下で中和した後、昇温し、シクロヘキサンを水との共沸で留去後、調整水を添加して、８０％のエステル化物水溶液を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
約１８時間でエステル化率が９８％に達したのを確認した後降温し、４９％水酸化ナトリウム水溶液１３５部と水４８９０部を加えてパラトルエンスルホン酸を９０℃以下で中和した後、昇温し、シクロヘキサンを水との共沸で留去後、調整水を添加して、８０％のエステル化物水溶液を得た。
不揮発分に対して５．２重量％のポリエチレングリコールジメタクリレートが生成していることを液体クロマトグラフィーにより確認した。
［比較例６］：重合反応（比較２）
温度計、攪拌機、滴下漏斗、窒素導入管及び還流冷却器を備えた反応器にイオン交換水８２００部を仕込み、攪拌下で上記反応器内を窒素置換し、窒素雰囲気下８０℃まで昇温した。次に比較例５で得られた８０％のエステル化物水溶液１３１００部に連鎖移動剤として３−メルカプトプロピオン酸９４部を溶解させた溶液を４時間かけて滴下すると同時に、過硫酸アンモニウム１２５部をイオン交換水１０００部に溶解させた水溶液を５時間で滴下した。その後、１時間引き続いて８０℃に温度を維持して重合反応を完結後、降温し、３０％水酸化ナトリウム水溶液で中和しｐＨ７に調整した。重量平均分子量５０，０００の比較共重合体水溶液（２）を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
を意味し、ここでＲ6’及びＲ7’は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、−ＮＲ8’Ｒ9’、−ＯＲ10’、−Ｓ（Ｏ）ｎＲ8’、−Ｓｅ（Ｏ）ｎＲ8’、又はフェニル（Ｃ1〜Ｃ8アルキル又はＣ1〜Ｃ8アルコキシで１〜３回置換されていてよい）を意味し、ただし同時には水素を意味せず、ここでＲ8’及びＲ9’は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ25アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、−ＣＲ3’Ｒ4’−（ＣＨ2）ｍ’−Ｐｈ、Ｒ10’を意味し、ここでＲ10’は、Ｃ6〜Ｃ24アリール、又は飽和若しくは不飽和の環原子５〜７個を含む複素環式基（この環は、炭素原子並びに窒素、酸素及び硫黄からなる群より選択されるヘテロ原子１〜３個からなる）を意味し、ここでＰｈ、アリール基及び複素環式基は、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、又はハロゲンで１〜３回置換されていてよく、あるいはＲ8’及びＲ9’は、−Ｃ（Ｏ）Ｒ11’を意味し、ここでＲ11’は、Ｃ1〜Ｃ25アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、Ｒ10’、−ＯＲ12’又は−ＮＲ13’Ｒ14’であることができ、ここでＲ12’、Ｒ13’及びＲ14’は、Ｃ1〜Ｃ25アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、又は飽和若しくは不飽和の環原子５〜７個を含む複素環式基（この環は、炭素原子並びに窒素、酸素及び硫黄からなる群より選択されるヘテロ原子１〜３個からなる）を意味し、ここでアリール基及び複素環式基は、Ｃ1〜Ｃ8アルキル又はＣ1〜Ｃ8アルコキシで１〜３回置換されていてよく、あるいは−ＮＲ8’Ｒ9’は、５員又は６員の複素環式基（ここではＲ8’とＲ9’とは一緒になって、テトラメチレン、ペンタメチレン、−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−、又は−ＣＨ2−ＣＨ2−ＮＲ5−ＣＨ2−ＣＨ2−、好ましくは−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−を意味する）を意味し、そしてｎ’は、０、１、２又は３を意味する］
で表される蛍光性ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）に関するものである。このＤＰＰ化合物は、インキ、着色剤、コーティング材用の顔料着色されたプラスチック、非衝撃式印刷材料、カラーフィルター、化粧品の製造のために、又はポリマーインキ粒子、トナー、色素レーザー及びエレクトロルミネセンスデバイスの製造のために使用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ25アルキル、Ｃ1〜Ｃ25アルコキシ、−ＣＲ11Ｒ12−（ＣＨ2）ｍ−Ａ5、シアノ、ハロゲン、−ＯＲ10、−Ｓ（Ｏ）ｐＲ13、又はフェニル（Ｃ1〜Ｃ8アルキル又はＣ1〜Ｃ8アルコキシで１〜３回置換されていてよい）を意味し、ここでＲ10は、Ｃ6〜Ｃ24アリール、又は飽和若しくは不飽和の環原子５〜７個を含む複素環式基（この環は、炭素原子並びに、窒素、酸素及び硫黄からなる群より選択されるヘテロ原子１〜３個からなる）を意味し、Ｒ13は、Ｃ1〜Ｃ25アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、−ＣＲ11Ｒ12−（ＣＨ2）ｍ−Ｐｈを意味し、Ｒ15は、Ｃ6〜Ｃ24アリールを意味し、ｐは、０、１、２又は３を意味し、そしてｎは、０、１、２、３又は４を意味する）
を意味しており、
Ａ3及びＡ4は、互いに独立して、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
を意味する場合、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、−ＣＲ11Ｒ12−（ＣＨ2）ｍ−Ａ5、シアノ、クロロ、−ＯＲ10、又はフェニル（Ｃ1〜Ｃ8アルキル若しくはＣ1〜Ｃ8アルコキシで１〜３回置換されていてよい）（ここでＲ10は、Ｃ6〜Ｃ24アリール、例えば、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチルを意味し、Ｒ11及びＲ12は、水素又はＣ1〜Ｃ4アルキルであり、ｍは、０又は１であり、Ａ5は、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチルである）を意味し、そしてここでは以下の式の基：
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
［式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、−ＣＲ11Ｒ12−（ＣＨ2）ｍ−Ａ5、シアノ、クロロ、−ＯＲ10、又はＣ1〜Ｃ8アルキル若しくはＣ1〜Ｃ8アルコキシで１〜３回置換されていてよいフェニルを意味し（ここでＲ10は、Ｃ6〜Ｃ24アリール、例えば、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチルを意味し、Ｒ11及びＲ12は、水素又はＣ1〜Ｃ4アルキルであり、ｍは、０又は１であり、Ａ5は、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチルである）、Ｒ8及びＲ9は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、特にシクロヘキシル、−ＣＲ11Ｒ12−（ＣＨ2）ｍ−Ａ5、Ｃ6〜Ｃ24アリール、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、４−ビフェニル、フェナントリル、テルフェニル、ピレニル、２−若しくは９−フルオレニル又はアントラセニル、好ましくはＣ6〜Ｃ12アリール、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、４−ビフェニルで、非置換でも、又は置換されていてもよく、特にＡ1、あるいは飽和若しくは不飽和の環原子５〜７個を含む複素環式基（この環は、炭素原子並びに、窒素、酸素及び硫黄からなる群より選択されるヘテロ原子１〜３個からなる）を意味する］
を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月26日(2006.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（１）少なくとも１種のエチレン系不飽和モノマーを、重合開始剤及びマクロマーの存在下、かつ、存在するポリマーの全量と比べてヒール中に存在するポリマー量に対し、０．５〜５０重量％のポリマーポリオールヒールの存在下に、ベースポリマー中で重合することにより、種を製造する工程、
（２）工程（１）で得られた種に更にエチレン系不飽和モノマー及び任意に更にポリオールを添加する工程、及び
（３）工程（２）で得られた混合物を重合する工程、
を含むポリマーポリオールの回分式又は半回分式製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
したがって、本発明は、ポリマーポリオールの回分式又は半回分式製造方法に関し、この方法は、（１）少なくとも１種のエチレン系不飽和モノマーを重合開始剤及びマクロマーの存在下、かつ、存在するポリマーの全量と比べてヒール（ｈｅｅｌ）中に存在するポリマー量に対し、０．５〜５０重量％のポリマーポリオールヒールの存在下に、ベースポリマー中で重合することにより、種を製造する工程、
（２）工程（１）で得られた種に更にエチレン系不飽和モノマー及び任意に更にポリオールを添加する工程、及び
（３）工程（２）で得られた混合物を重合する工程、
を含む。
半回分式方法でヒールを使用することは、ＥＰ−Ａ−６９８６２８に記載され、また連続式方法で種を使用することは、ＥＰ−Ａ−７６８３２４に記載されるが、回分式方法又は半回分式方法で、種及びヒールの両方を使用することにより、更に改良されたポリマーポリオールが得られることは知られていなかった。
【発明を実施するための最良の形態】