【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）の面平行な構造を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素の面平行な構造又はＳｉＯx（０．０３≦ｘ≦０．９５）の面平行な構造を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素の面平行な構造。
【請求項２】
ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層を含む面平行な顔料又はＳｉＯx（０．０３≦ｘ≦０．９５）の面平行な構造を加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層を含む面平行な顔料。
【請求項３】
ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層が前記顔料のコアを形成する、請求項２記載の顔料。
【請求項４】
「高い」屈折率を有する絶縁材料のさらなる層を含む、請求項３記載の顔料。
【請求項５】
前記絶縁材料が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭素、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）、酸化鉄、たとえば酸化鉄（II）／（III）（Ｆｅ3Ｏ4）及び酸化鉄（III）（Ｆｅ2Ｏ3）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化プラセオジム（Ｐｒ6Ｏ11）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、三酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）、三酸化セレン（Ｓｅ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、三酸化タングステン（ＷＯ3）又はこれらの組み合わせ、特にＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｎＯ又はこれらの酸化物の混合物あるいはチタン酸鉄、酸化鉄水和物、亜酸化チタン又はこれらの化合物の混合物もしくは混合相から選択される、請求項４記載の顔料。
【請求項６】
（ａ）ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ）反射層、及び
（ｃ）ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層
をこの順序で含む、請求項２記載の顔料。
【請求項７】
前記顔料が、
（ａ２）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ２）ＳｉＯ1.00-1.80層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ２）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層
をこの順序で含む、又は
前記顔料が、
（ａ３）ＳｉＯ1.00-1.80層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ３）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ３）ＳｉＯ1.00-1.80層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層
をこの順序で含む、請求項２記載の顔料。
【請求項８】
前記顔料が、
（ａ４）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ４）ＳｉＯ1.00-1.8層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ４）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、ならびに
場合によってはさらなる層
をこの順序で含む、又は
前記顔料が、
（ａ５）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ５）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ５）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、ならびに
場合によってはさらなる層
をこの順序で含む、又は
前記顔料が、
（ａ６）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ６）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ６）ＳｉＯ0.70-0.99層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、ならびに
場合によってはさらなる層
をこの順序で含む、又は
前記顔料が、
（ａ７）ＳｉＯ1.00-1.80層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、
（ｂ７）ＳｉＯ0.03-0.69層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、及び
（ｃ７）ＳｉＯ1.00-1.80層を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱することによって得られるケイ素／酸化ケイ素層、ならびに
場合によってはさらなる層
をこの順序で含む、請求項２記載の顔料。
【請求項９】
高分子量有機材料と、前記高分子量有機材料に基づいて０．０１〜８０重量％の、請求項２〜８のいずれか１項記載の顔料とを含む組成物。
【請求項１０】
そのものの全重量に基づいて、請求項１記載のケイ素／酸化ケイ素の面平行な構造又は請求項２〜８のいずれか１項記載の顔料０．０００１〜９０重量％と、化粧品に適したキャリヤ材料１０〜９９．９９９９重量％とを含む化粧品調製物又は配合物。
【請求項１１】
インクジェット印刷における、織物を染色するため、表面コーティング、印刷インク、プラスチック、化粧品、セラミックス及びガラスのためのうわぐすりを着色するための、請求項２〜８のいずれか１項記載の顔料の使用。
【請求項１２】
ケイ素／酸化ケイ素の面平行な構造を製造する方法であって、
ａ）可動支持体に剥離剤を蒸着させて剥離剤層を製造する工程、
ｂ）前記剥離剤層にＳｉＯy層を蒸着させる工程、
ｃ）前記剥離剤層を溶媒に溶解させる工程、
ｄ）前記ＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦１．８）を前記溶媒から分離する工程、及び
ｅ）前記ＳｉＯyを無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱する工程
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
層（ａ３）、（ｂ３）及び（ｃ３）を含む顔料は、
ａ）可動支持体に剥離剤を蒸着させて剥離剤層を製造する工程、
ｂ１）剥離剤層にＳｉＯy（１．０≦ｙ≦１．８）層を蒸着させる工程、
ｂ２）工程（ｂ１）で得られた層にＳｉＯy（０．７０≦ｙ≦０．９９）層を蒸着させる工程、
ｂ３）工程（ｂ２）で得られた金属層にＳｉＯy（１．０≦ｙ≦１．８）層を蒸着させる工程、
ｃ）剥離剤層を溶媒に溶解させる工程、
ｄ）ＳｉＯy／Ａｌ／ＳｉＯy粒子を溶媒から分離する工程、及び
ｅ）ＳｉＯ1.0-1.8／ＳｉＯ0.70-0.99／ＳｉＯ1.0-1.8粒子を無酸素雰囲気中４００℃を超える温度で加熱する工程
を含む方法によって調製される。