【事件の表示】
　特願２００１−２５０７８「透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年８月１４日出願公開、特開２００２−２２６９６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年２月１日の出願であって、平成２３年３月３日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１３日付けで手続補正がされ、同年５月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２７日付けで手続補正がされ、同年８月１日付けで拒絶査定がされ、この査定を不服として、同年１０月２８日に審判請求がされるとともに手続補正がされたものである。
　その後、当審において、平成２４年３月９日付けで前置報告書に基づく審尋がされ、同年５月１５日付けで回答書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の発明は、平成２３年１０月２８日付け手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが全量固溶していることを特徴とする透明電極膜。」（以下、「本願発明」という。）
　
第３　原査定の理由の概要
　本願発明についての原審の拒絶査定の理由１及び２の概要は、次のとおりのものである。
　
＜理由１＞
「本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平２−３０９５１１号公報（以下、「引用文献１」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。」（以下、「原査定の理由１」という。）
　
＜理由２＞
「本願発明は、本願出願前に日本国内又は外国において頒布された引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」（以下、「原査定の理由２」という。）
　
第４　当審の判断
１　引用文献１の記載事項（下線は当審において付与したものであり、「・・・」は記載の省略を表す。）
　
［１ａ］「酸化インジウム（In2O3）を主成分とする透明導電膜において、In2O3に対してZrO2、Nb2O5、Ta2O5の少なくとも１種を
　ZrO2　ｘｍｏｌ％
　Nb2O5　ｙｍｏｌ％
　Ta2O5　ｚｍｏｌ％
含み、
０≦ｘ≦２０
０≦ｙ≦１７
０≦ｚ≦１６．５
ｘ＋２ｙ＋２ｚ≧２
ｘ＋１．２ｙ＋１．２ｚ≦２０
を満たす範囲を特徴とする透明導電膜。」（特許請求の範囲）
　
［１ｂ］「本発明者はある金属酸化物にその金属と異なる価数の金属元素を添加すると原子価制御により半導体化することに着目し、酸化インジウムの場合は４価以上の金属の添加により低抵抗化することになるが、この際、３価のインジウムイオン半径に近い金属イオンを添加することにより
酸化インジウムの結晶格子の歪を増大させることがない様な金属元素の添加につき種々検討した結果、本発明に到った
　
［１ｃ］「これは、過剰の添加物が格子間に入り、格子を歪ませ、電子移動度が低下し、抵抗値が高くなるためと考えられる。・・・
　これに対し、本発明は、
ZrO
2
の添加量が少ない領域で原子価制御による半導体化であるため、格子歪を小さくでき
　
［１ｄ］「実施例１〜７、比較例１〜４
　In2O3に対しZrO2を添加するものにつき、表・１に示す組成になる様に、In2O3とZrO2とを秤量し、エタノールを加え５０％スラリー濃度にてナイロン製ボールミルで４８時間湿式混合した。得られたスラリーを６０℃にて乾燥し、１４００℃で大気中で１０時間仮焼した。次に、それをナイロン製ボールミルにて２４時間乾式粉砕した。この粉砕粉に対し、２．５％ＰＶＡ水溶液を２０ｗｔ％加えて、スプレードライヤにて、平均粒径２０μに造粒した。この顆粒を１ton/cm2で加圧成形し、直径７０mmφ、厚さ１０mmの成形体を得た。
　この成形体を大気中にて
１４５０℃で１５時間焼成
　このターゲットを高周波マグネトロンスパッタリング装置にセットし、1×10-5Ｔｏｒｒまで真空に引いた後、酸素とアルゴンガスをmol比で１：９の割合で5×102Ｔｏｒｒまで導入し、スライドグラス（寸法76 × 26 × 1 mm）基板を３００℃に加熱し、成膜速度３Å／ｓｅｃの条件で透明導電膜を作成した。
　得られた透明導電膜の膜厚、光透過率、比抵抗の特性を測定し、それらを表・１に併記した。」
　
［１ｅ］表・１：
「
」（審決注：表・１における比抵抗の単位は、「（×10
-
　
２　引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、［１ａ］によると、「酸化インジウム（In2O3）を主成分とする透明導電膜において、In2O3に対してZrO2をｘｍｏｌ％含み、２≦ｘ≦２０を満たす透明導電膜。」が記載されており、［１ｄ］及び［１ｅ］によると、実施例・１として、In2O3：ZrO2が９８．０：２．０（mol％）である透明導電膜が記載されている。
　
　以上によると、引用文献１には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「酸化インジウム（In2O3）中にZrO2２．０mol％を含有している透明導電膜。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「ZrO2」及び「透明導電膜」は、本願発明の「酸化ジルコニウム」及び「透明電極膜」に相当し、引用発明１のIn2O3中にZrO2２．０
mol％
重量％
　
　よって、両者は、
「酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有する透明電極膜。」
である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明は、酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが全量固溶しているのに対して、引用発明１は、酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが全量固溶しているかどうか不明である点
　
４　相違点についての判断
　上記［１ｃ］によると、引用発明１は、酸化インジウムに対する
酸化ジルコニウムの添加量が少ない領域での原子価制御による半導体化
格子歪を小さくできたもの
　
　仮に、上記相違点が実質的な相違点であったとしても、上記摘記［１ｂ］に記載されているように、酸化インジウムの結晶格子の歪を増大させることがないように、金属元素を添加することが必要であるのだから、結晶格子の歪みを著しく増大させる酸化ジルコニウム結晶粒又は酸化ジルコニウムリッチ相が発生しないようにすること、すなわち、酸化インジウム中に酸化ジルコニウムを全量固溶させることは、当業者が容易に想到することである。
　
　さらに、本願明細書に記載の実施例１（以下、「前者」という。）及び引用文献１に記載の実施例・１（以下、「後者」という。）の酸化ジルコニウム濃度と焼結条件（温度：時間）は、それぞれ、１１．１mol％（５重量％）で（１６４０℃：４時間）、及び、２．０mol％（０．９０重量％）で（１４５０℃：１５時間）であるところ、前置報告書に基づく審尋に記載の参考文献３（Морозова Л.В. et.al, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В СИСТЕМЕ, ЖУРНАЛ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ, Vol.60 No.6 P.1430-1434 1986）の図１の状態図によると、前者と後者は、焼結時の各温度において、共にＣ相という単一の相状態（固溶状態）であって、後者の焼結条件は、各酸化物粉体の混合状態から安定相に変化する活性化エネルギーを十分超えることは自明であるから（下記補足参照）、前者と同じく後者も、酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが全量固溶しているといえる。
　
（補足）前置報告書に基づく審尋に記載の参考文献１（СОЛОВЬЕВА А. Е. et.al, ТВЕРД ЫЕ РАСТВОРЫ ВСИСТЕМЕ In2O3 - ZrO2, НЕОРГАНИЧЕСКИЕ　МАТЕРИАЛЫ, Vol.18 No.4 1982 p.640-642）の第６４２頁第２２，２３行によると、１４５０℃でアニール後の固溶体は、１７．５ｍｏｌ％のZrO2を含有するとの記載があり、同参考文献２（Y.Sawada et.al, Colors and resistivities of sintered bodies of indium oxide doped with various tetravalent ions, Transactions of the Materials Research of Society of Japan 33[4] 1359-1362, 2008）の第１３６０頁左欄第２２〜第２５及び右欄第２２〜２６」行には、「ペレットをアルミナの皿上に置き、5℃/mimの速度で大気中で加熱し、炉の電源を切る前に、１４５０℃で２時間保持した。」こと及び「その他の相が低ドーピング濃度では検知されなかったことから、酸化インジウム格子に４価イオンの固溶体が形成されていることを示している。・・・ジルコニウム（２原子％）の最大溶解度は、・・・」との記載があって、１４５０℃で１５時間という焼結条件は、２．０mol％の酸化ジルコニウムを含む酸化インジウムが全量固溶体となるのに十分な付与エネルギーであることが把握できる。
　
　なお、請求人は、回答書において、前者と後者では透過率が相違する旨を主張しているが、透過率は膜の厚みによって変化するものであるから（例えば、後者において、膜厚を半分の５２５Åにすると、光透過率は９５％（＝（０．９）１／２×１００）となり、前者の透過率（９４．１％）と実質的に相違しない。）、同一膜厚における対比が必要であるところ、前者には厚みの開示がなく、当該主張は失当である。
　
５　小括
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明である。
　仮にそうでないとしても、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、本願は、原査定の理由１により拒絶すべきものである。
　仮にそうでないとしても、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、原査定の理由２により拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。