【事件の表示】
　特願２００４−５１４５４３「層配置物および層配置物の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月３１日国際公開，ＷＯ２００４／００１８４２，平成１７年１１月１０日国内公表，特表２００５−５３４１６８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年６月３日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理，２００２年６月２０日，ドイツ国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年２月１３日付けで拒絶理由通知がされ，同年８月１３日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年１０月３０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２１年２月２日に審判請求がされ，同年３月４日に手続補正書が提出されたものである。
　その後，当審において，平成２２年１１月８日付けで審尋がなされたが，請求人からの応答はなかった。
　
第２　平成２１年３月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定。
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
（１）本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，本件補正前後の特許請求の範囲は，次のとおりである。
　　ア　補正前の特許請求の範囲
「　【請求項１】
　半導体層配置物であって，
　該半導体層配置物は，
　基板と，
　該基板の上に配置された層であって，該層は，分解性物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，層と，
　該分解性物質および相互配線を含む層の上にある被覆層であって，誘電体物質から作製された被覆層と，
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間にある導電性の不活性化層と，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性物質を除去することによって作製された空気ギャップと
　を備える，半導体層配置物。
　　【請求項２】
　前記基板と前記分解性物質および相互配線を含む層との間に中間層を有し，該中間層は，誘電体物質から作製される，請求項１に記載の半導体層配置物。
　　【請求項３】
　前記基板は，ケイ素を含む，請求項１または２に記載の半導体層配置物。
　　【請求項４】
　前記被覆層および／または前記中間層は，以下の物質
　酸化ケイ素と，
　窒化ケイ素と，
　ＳｉＬＫと，
　多孔性ＳｉＬＫと，
　オキサゾールと，
　多孔性オキサゾールと，
　ブラックダイヤモンドと，
　コーラルと，
　ナノガラスと，
　ＪＳＲ　ＬＫＤと，
　ポリベンゾオキサゾールと，
　ポリベンゾイミダゾールと，
　ポリイミドと，
　ポリキノリンと，
　ポリキノキサリンと，
　ポリアリーレンと，
　ポリアリーレンエーテルと
　のうちの一つまたはこれらの物質の組合せを含む，請求項２または３に記載の半導体層配置物。
　　【請求項５】
　前記被覆層は，分解した分解性物質に対して透過性であるように設計されている，請求項１〜４の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項６】
　前記相互配線は，導電性物質から作製されている，請求項１〜５の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項７】
　前記相互配線は，
　銀，
　銀合金，
　タングステン，
　ケイ化タングステン，
　アルミニウム，
　アルミニウム合金，
　銅，および／または
　銅合金
　を含む，請求項６に記載の半導体層配置物。
　　【請求項８】
　前記相互配線は，誘電体物質から作製されている，請求項１〜５の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項９】
　前記相互配線は，
　二酸化ケイ素，
　窒化ケイ素，および／または
　セラミック物質
　を含む，請求項８に記載の半導体層配置物。
　　【請求項１０】
　前記分解性物質は，熱分解性である，請求項１〜９の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１１】
　前記分解性物質は，
　ポリエステルと，
　ポリエーテルと，
　ポリエチレングリコールと，
　ポリプロピレングリコールと，
　ポリエチレンオキシドと，
　ポリプロピレンオキシドと，
　ポリアクリレートと，
　ポリメタクリレートと，
　ポリアセタールと，
　ポリケタールと，
　ポリカーボネートと，
　ポリウレタンと，
　ポリエーテルケトンと，
　脂環式重合体と，
　ポリノルボルネンと，
　脂肪族ポリアミドと，
　ノボラックと，
　ポリビニルフェノールと，
　エポキシ化合物と，
　これらの化合物の二元共重合体と，
　これらの化合物の三元共重合体と
　のうちの一つまたはこれらの組み合せを含む，請求項１〜１０の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１２】
　前記分解性物質は，感光性である，請求項１〜１１の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１３】
　前記基板と前記被覆層との間に配置された前記層中に少なくとも一つの支持構造物が作製されている，請求項１〜１２の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１４】
　環境の影響から前記相互配線を保護するために前記基板の横方向の境界線に沿って作製された保護構造物であって，少なくとも２つの金属トラックを備える保護構造物を備える，請求項１〜１３の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１５】
　少なくとも部分的に前記相互配線を囲む不活性化層を備える，請求項１〜１４の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項１６】
　層配置物を製造する方法であって，
　該方法は，
　基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，ことと，
　該分解性物質および相互配線を含む層の上に被覆層を作製することと，
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間に導電性の不活性化層を作製することと，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性物質を除去することによって，相互配線間に空気ギャップを作製することと
　を包含する，方法。
　　【請求項１７】
　前記分解性物質は，熱分解によって前記層配置物から除去される，請求項１６に記載の方法。
　　【請求項１８】
　前記相互配線は，銅から作製され，
　該相互配線は，不活性化層によって少なくとも部分的に覆われ，
　該不活性化層は，
　無電解メッキ法によってコバルト−タングステン−リン，コバルト−タングステン−ホウ素，コバルト−リンまたはルテニウムから作製されるか，または
　化学気相成長法によって，タンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステン，窒化タングステンまたは炭化タングステンから作製される，請求項１６または１７に記載の方法。
　　【請求項１９】
　前記分解性物質および相互配線を含む層は，
　分解性物質を堆積させてパターニングし，
　相互配線の物質を堆積させ，
　このようにして作製した層シーケンスの表面を平面化する
　ことによって，作製される，請求項１６〜１８の一つに記載の方法。
　　【請求項２０】
　前記分解性物質および相互配線を含む層は，
　相互配線の物質を堆積させてパターニングし，
　分解性物質を堆積させ，
　このようにして作製した層シーケンスの表面を平面化する
　ことによって，作製される，請求項１６〜１８の一つに記載の方法。
　　【請求項２１】
　前記被覆層の上に少なくとも一つのさらなる層スタックが作製され，該さらなる層スタックは，分解性物質および相互配線を備えるさらなる層の上にさらなる被覆層を有する，請求項１６〜２０の一つに記載の方法。
　　【請求項２２】
　被覆層で相互に隔てられた相互配線は，該被覆層中に作製され導電性物質で満たされた少なくとも一つのコンタクトホールによって相互に結合される，請求項２１に記載の方法。」
　
　　イ　補正後の特許請求の範囲（下線は補正箇所を示す。）
「　【請求項１】
　半導体層配置物であって，
　該半導体層配置物は，
　基板と，
　該基板の上に配置された層であって，該層は，分解性
かつ光パターニング性の
　該分解性
かつ光パターニング性の
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間にある導電性の不活性化層と，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性
かつ光パターニング性の
　を備える，半導体層配置物。
　　【請求項２】
　前記基板と前記分解性
かつ光パターニング性の
　　【請求項３】
　前記基板は，ケイ素を含む，請求項１または２に記載の半導体層配置物。
　　【請求項４】
　前記被覆層および／または前記中間層は，以下の物質
　酸化ケイ素と，
　窒化ケイ素と，
　ＳｉＬＫと，
　多孔性ＳｉＬＫと，
　オキサゾールと，
　多孔性オキサゾールと，
　ブラックダイヤモンドと，
　コーラルと，
　ナノガラスと，
　ＪＳＲ　ＬＫＤと，
　ポリベンゾオキサゾールと，
　ポリベンゾイミダゾールと，
　ポリイミドと，
　ポリキノリンと，
　ポリキノキサリンと，
　ポリアリーレンと，
　ポリアリーレンエーテルと
　のうちの一つまたはこれらの物質の組合せを含む，請求項２または３に記載の半導体層配置物。
　　【請求項５】
　前記被覆層は，分解した分解性物質に対して透過性であるように設計されている，請求項１〜４の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項６】
　前記相互配線は，導電性物質から作製されている，請求項１〜５の一つに記載の半導体層配置物。
　　【請求項７】
　前記相互配線は，
　銀，
　銀合金，
　タングステン，
　ケイ化タングステン，
　アルミニウム，
　アルミニウム合金，
　銅，および／または
　銅合金
　を含む，請求項６に記載の半導体層配置物。
　　【請求項８】
　前記分解性
かつ光パターニング性の
７
　　【請求項９】
　前記分解性
かつ光パターニング性の
　ポリエステルと，
　ポリエーテルと，
　ポリエチレングリコールと，
　ポリプロピレングリコールと，
　ポリエチレンオキシドと，
　ポリプロピレンオキシドと，
　ポリアクリレートと，
　ポリメタクリレートと，
　ポリアセタールと，
　ポリケタールと，
　ポリカーボネートと，
　ポリウレタンと，
　ポリエーテルケトンと，
　脂環式重合体と，
　ポリノルボルネンと，
　脂肪族ポリアミドと，
　ノボラックと，
　ポリビニルフェノールと，
　エポキシ化合物と，
　これらの化合物の二元共重合体と，
　これらの化合物の三元共重合体と
　のうちの一つまたはこれらの組み合せを含む，請求項１〜
８
　　【請求項１０】
　前記基板と前記被覆層との間に配置された前記層中に
該被覆層を支持するための
９
　　【請求項１１】
　環境の影響から前記相互配線を保護するために前記基板の横方向の境界線に沿って作製された保護構造物であって，少なくとも２つの金属トラックを備える保護構造物を備える，請求項１〜
１０
　　【請求項１２】
　少なくとも部分的に前記相互配線を囲む不活性化層を備える，請求項１〜
１１
　　【請求項１３】
　層配置物を製造する方法であって，
　該方法は，
　基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性
かつ光パターニング性の
　該分解性
かつ光パターニング性の
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間に導電性の不活性化層を作製することと，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性
かつ光パターニング性の
　を包含する，方法。
　　【請求項１４】
　前記分解性
かつ光パターニング性の
１３
　　【請求項１５】
　前記相互配線は，銅から作製され，
　該相互配線は，不活性化層によって少なくとも部分的に覆われ，
　該不活性化層は，
　無電解メッキ法によってコバルト−タングステン−リン，コバルト−タングステン−ホウ素，コバルト−リンまたはルテニウムから作製されるか，または
　化学気相成長法によって，タンタル，窒化タンタル，窒化チタン，タングステン，窒化タングステンまたは炭化タングステンから作製される，請求項
１３
１４
　　【請求項１６】
　前記分解性
かつ光パターニング性の
　分解性物質を堆積させてパターニングし，
　相互配線の物質を堆積させ，
　このようにして作製した層シーケンスの表面を平面化する
　ことによって，作製される，請求項
１３
１５
　　【請求項１７】
　前記分解性
かつ光パターニング性の
　相互配線の物質を堆積させてパターニングし，
　分解性物質を堆積させ，
　このようにして作製した層シーケンスの表面を平面化する
　ことによって，作製される，請求項
１３
１５
　　【請求項１８】
　前記被覆層の上に少なくとも一つのさらなる層スタックが作製され，該さらなる層スタックは，分解性物質および相互配線を備えるさらなる層の上にさらなる被覆層を有する，請求項
１３
１７
　　【請求項１９】
　被覆層で相互に隔てられた相互配線は，該被覆層中に作製され導電性物質で満たされた少なくとも一つのコンタクトホールによって相互に結合される，請求項
１８
　
（２）補正内容のまとめ
　　ア　補正前の請求項８，９，１２を削除し，請求項１０，１１，１３〜２２を繰り上げて補正後の請求項８〜１９とする。また，これに伴い，各請求項が引用する請求項の番号を補正する。
　　イ　補正前の請求項１，２，１０，１１，１６，１７，１９，２０について，「分解性物質」を「分解性かつ光パターニング性の物質」と限定し，補正後の請求項１，２，８，９，１３，１４，１６，１７とする。
　　ウ　補正前の請求項１３の，「少なくとも一つの支持構造物」を，「該被覆層を支持するための少なくとも一つの支持構造物」と限定し，補正後の請求項１０とする。
　
２　補正目的の適否
　以上によれば，特許請求の範囲についての補正は，請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
３　独立特許要件についての検討
　以上のとおり，補正前の請求項１６の「分解性物質」を「分解性かつ光パターニング性の物質」と限定し，補正後の請求項１３とする本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，補正後の請求項１３に係る発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立要件を満たすかどうか）について，以下，検討する。
（１）本願補正発明
　補正後の請求項１３に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
　【請求項１３】
「　層配置物を製造する方法であって，
　該方法は，
　基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性かつ光パターニング性の物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，ことと，
　該分解性かつ光パターニング性の物質および相互配線を含む層の上に被覆層を作製することと，
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間に導電性の不活性化層を作製することと，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性かつ光パターニング性の物質を除去することによって，相互配線間に空気ギャップを作製することと
　を包含する，方法。」
　
４　引用例とその記載内容
（１）引用例１の記載事項と引用発明
（１−１）引用例１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である，特開平８−８３８３９号公報（以下「引用例１」という。）には，「金属導線の間に空隙を備えた半導体装置とその製造法」（発明の名称）に関し，図１ないし図４とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ）。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，全体的にいえば，
半導体装置の製造
金属導線の間に誘電率の小さな材料として空隙を用いる
・「【０００３】導電体の間の静電容量値は，これらの導電体を分離するのに用いられる絶縁体，すなわち，誘電体に大いに依存している。従来の半導体製造法は，通常，誘電体として二酸化シリコンを用いている。この二酸化シリコンの誘電率は約３．９である。考えられる可能な最低の誘電率，すなわち，理想的な誘電率は１．０である。この理想的な誘電率１．０は真空の誘電率であり，一方，空気の誘電率は１．００１より小さい。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】金属導線の間に空隙を備えた半導体装置と，その製造法が開示される。この半導体装置の導線の間の複合誘電率は小さく，例えば，約１．２５であり，それにより，
回路の中の導線の間の静電容量的結合は大幅に小さくなる
【０００５】本発明は，半導体装置の金属導線の間に空隙を作成する方法と，この方法により製造される半導体装置とに関する。金属層が基板の上に沈着される。この金属層にエッチングが行われて，金属導線が作成される。除去可能な固体層が，これらの金属導線の間に沈着される。この除去可能な固体層と金属導線との上に，多孔質誘電体層が沈着される。この多孔質誘電体層の下の金属導線の間に空隙を作成するために，除去可能な固体層が多孔質誘電体層を通して除去される。」
・「【００１３】図１Ａは，半導体ウエハの横断面図であって，この半導体ウエハの上で本発明の好ましい第１実施例が実施される。半導体ウエハ１０は基板１２を有する。基板１２は，当業者にはよく知られているように，例えば，トランジスタ，ダイオードおよび他の半導体素子（図示されていない）を有することができる。
基板１２はまた，金属相互接続層を有する
金属相互接続層は，エッチングされた線，すなわち，金属導線１６を形成するために，エッチングにより予め定められたパターンに作成される
【００１４】図１Ｂは，
金属導線１６と第１酸化物層１４との上に，除去可能な固体層１８が沈着され
除去可能な固体層１８はポリマであり，そしてフォトレジストである
金属導線１６の少なくとも頂部を露出するために，除去可能な固体層の頂部が（例えば，再び行われるエッチングにより）除去される。除去可能な固体層１８の上に，多孔質誘電体層２０が沈着され
除去可能な固体層１８に用いることができる材料が，酸素（この酸素は，例えば，空気，または酸素を含む他の雰囲気，または酸素プラズマまたはオゾンを含む他の雰囲気であることができる）の中で分解する
【００１５】多孔質誘電体層２０が平坦化されるであろう。その後，
除去可能な固体層１８が，多孔質誘電体層２０を通して除去され，図１Ｅに示されているような空隙２２が作成される。除去可能な固体層１８のこの除去は，フォトレジストを蒸発させるために，すなわち，フォトレジストを焼き払うために，ウエハを高い温度（典型的には１００℃以上の温度）の酸素または酸素プラズマに晒すことにより行われることが好ましい。酸素は多孔質誘電体層２０を通って移動して除去可能な固体層１８に到達し，そして固体層１８を気体に変換し，そしてこの気体が多孔質誘電体層２０を逆方向に移動して外に排出される。
・「【００１７】有機物ポリマは，第１酸化物層１４の表面または金属導線１６の側面部分に結合していないことが好ましいので，これらの表面は不活性化されていなであろう。そしてこれらの表面により，漏洩電流に対する経路として作用することが可能な活性表面を得ることができる。図４Ａは，本発明の第３実施例の図である。この実施例では，（例えば整合した）不活性化層２６は，第１酸化物層１４の露出した表面を不活性化することと，導線間の漏洩を防止することとの両方の機能を行う。第４実施例（図４Ｂ）では，金属導線をガスに対して露出させて反応させ，そして
金属導線１６の周りにのみ不活性化層が形成される
・表１には，図面の素子「１６」，好ましい例または特定の例「アルミニウム」，通常の用語「金属導線」に対応する行に，また別の他の例または説明として「ＴｉＮ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮの３層。Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉの合金。ポリシリコン，ケイ化物，窒化物，炭化物。ＴｉまたはＴｉＮの下の層を有するＡｌＣｕ合金。金属相互接続層。」の記載がある。
　
（１−２）引用発明
　以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「基板１２に，エッチングにより予め定められたパターンに作成された金属導線１６を形成し，
金属導線１６の周りに不活性化層を形成し，
金属導線１６と第１酸化物層１４との上に，除去可能な固体層１８であるフォトレジストを沈着し，
金属導線１６の少なくとも頂部を露出するために，除去可能な固体層１８の頂部が除去され，
除去可能な固体層１８の上に，多孔質誘電体層２０が沈着され，
高い温度の酸素または酸素プラズマに晒すことにより除去可能な固体層１８が分解し，多孔質誘電体層２０を通して除去されて空隙２２が作成される，
金属導線の間に誘電率の小さな材料として空隙を用いて回路中の導線間の静電容量的結合を大幅に小さくなるようにした半導体装置の製造法。」
　
（２）引用例２の記載事項
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−２８４４５３号公報（以下「引用例２」という。）には，図１とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に，相互接続用の低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置に関し，詳細には，
拡散バリアとして機能し，かつ続いて付着させる層との接着を向上させる２重層低誘電性バリア
・「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目的は，銅導体上にバリア層を形成する方法であって，従来の銅バリア層の欠点または短所を持たない方法を提供することにある。」
・「【００３８】本発明の新規な方法を組み込んだプロセスの次の段階は，
無電解付着させたＣｏ−Ｗ−Ｐキャップ層４４の適用である。Ｃｏ−Ｗ−Ｐキャップ層４４は，金属トレンチ３４の上にだけ選択的に付着される。キャップ層４４は，誘電体層５０中への金属３８の外方拡散ならびに続く処理によるトレンチ金属３４の汚染を防ぐ。
　
（２−２）以上によれば，引用例２には，「Ｃｏ−Ｗ−Ｐキャップ層４４が，金属トレンチ３４の上に無電解付着され，誘電体層５０中への金属３８の外方拡散ならびに続く処理によるトレンチ金属３４の汚染を防ぐ技術。」が開示されている。
　ここで，上記「Ｃｏ−Ｗ−Ｐキャップ層」は，本願明細書の段落【００４１】に例示されている不活性化層の材料の一つからなるものであり，本願補正発明の「導電性の不活性化層」に相当する。
　
５　本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点
（１）本願補正発明と引用発明の対比
　　ア　引用発明の「金属導線１６」，「多孔質誘電体層２０」，「半導体装置の製造法」は，それぞれ，本願補正発明の「相互配線」，「被覆層」，「層配置物を製造する方法」に相当する。
　　イ　引用発明において，「除去可能な固体層１８であるフォトレジスト」は，その後の工程から明らかなように「分解性」であり，かつ，その用語から感光性を有し，光によってパターニング可能な性質を有する材料と認められるから，本願補正発明の「分解性かつ光パターニング性の物質」に相当するものと認められる。
　なお，請求人は，審判請求書の請求の理由の３．２．１において，図１の１８の部材は，エッチバックされるものであり，光パターニング性であるとの教示も示唆もない旨主張するが，「フォトレジスト」が，感光性を有し，露光・現像によりパターニングを行うことが可能なレジスト材料を意味することは，当該技術分野の技術常識にすぎない。そして，「光パターニング性の」とは，光によってパターニング可能であるという「物質」の性質を限定する用語と解され，光（露光・現像）によってパターニングされたことを特定するものとは認められないから，引用例１の「フォトレジスト」がエッチバックされているからといって，これが光パターニング性であるとの示唆がないとする，請求人の主張は失当と言わざるを得ない。
　　ウ　引用発明において，基板上で金属導線１６と除去可能な固体層１８は，製造工程中の除去可能な固体層の頂部が除去された段階（図１Ｃを参照。）において，隣接して配置されて層をなしており，かつ，除去可能な固体層１８が形成された領域を「第一の小区域」，金属導線１６が形成された領域を「第二の小区域」ということができるから，引用発明において，「基板１２に，エッチングにより予め定められたパターンに作成された金属導線１６を形成し」，「金属導線１６と第１酸化物層１４との上に，除去可能な固体層１８であるフォトレジストを沈着し，　金属導線１６の少なくとも頂部を露出するために，除去可能な固体層１８の頂部が除去され」ることは，本願補正発明の「基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性かつ光パターニング性の物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，こと」に相当する。
　　エ　引用発明において，金属導線１６の周りに形成された「不活性化層」は，少なくとも，金属導線１６と多孔質誘電体層２０との間に形成されるものである。
　　オ　引用発明において，除去可能な固体層１８であるフォトレジストが，酸素の中で分解し，多孔質誘電体層２０を通して除去され，空隙２２が作成されるのであって，引用発明の「空隙２２」は本願補正発明の「空気ギャップ」に相当するから，引用発明の「高い温度の酸素または酸素プラズマに晒すことにより除去可能な固体層１８が分解し，多孔質誘電体層２０を通して除去されて空隙２２が作成される」ことは，本願補正発明の「該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性かつ光パターニング性の物質を除去することによって，相互配線間に空気ギャップを作製すること」に相当する。
　
（２）一致点と相違点
　以上より，本願補正発明と引用発明の一致点，相違点は次のとおりである。
　〔一致点〕
「層配置物を製造する方法であって，
　該方法は，
　基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性かつ光パターニング性の物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，ことと，
　該分解性かつ光パターニング性の物質および相互配線を含む層の上に被覆層を作製することと，
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間に不活性化層を作製することと，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性かつ光パターニング性の物質を除去することによって，相互配線間に空気ギャップを作製することと
　を包含する，方法。」
　〔相違点〕
　相互配線と該被覆層との間にある不活性化層が，本願補正発明では，「導電性」であるのに対し，引用発明の不活性化層は，導電性ではない点。
   　
６　判断
（１）相違点についての検討
　　ア　引用例１の実施例においては，金属導線としてアルミニウムを用いることが記載され，また，金属導線の側面及び上面を不活性化層で一様に覆った例が図４に示されている。
　しかしながら，引用例１のアルミニウムは１つの例示にすぎず，表１に記載されるように，引用例１には，金属導線の他の例として，Ｃｕの合金等を用いることや，ＴｉＮ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮの３層を用いることも開示されている。ここで，「ＴｉＮ」は，本願明細書の段落【００４１】に例示されている不活性化層の材料の一つであり，本願補正発明の「導電性の不活性化層」に相当する。
　また，引用例１には，有機物ポリマは，金属導線１６の側面部分に結合していないことが好ましいこと，不活性化層２６は，導線間の漏洩を防止する機能を行うこと等が記載されているから（段落【００１７】），不活性化層２６は，金属導線１６の側面部分を不活性化することを目的とするものであるといえる。さらに，不活性化層２６は，第１実施例（図１）には記載されていないから，設けないことも可能であり，不活性化層２６は任意付加的なものであるといえる。
　　イ　そうすると，引用発明において，金属導線１６としてＴｉＮ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮの３層を用いるとともに，絶縁性の不活性化層２６を用いることなく，金属導線１６の上層を構成するＴｉＮ層を，本願補正発明のごとく，「該相互配線と該被覆層との間」の「導電性の不活性化層」として用いることは，当業者が容易になし得ることである。
　　ウ　また，前記第２，４（２）（２−２）において認定したように，引用例２には，銅導体を前提として，金属の外方拡散ならびにトレンチ金属の汚染を防ぐために，金属配線の上面に「導電性の不活性化層」に相当するＣｏ−Ｗ−Ｐキャップ層を設けることが開示されている。
　　エ　そうすると，引用発明においては，金属導線１６としてＣｕの合金等を用いることも想定されているから，金属導線として銅導体を用いた場合には，引用例２に記載された，金属配線の上面にＣｏ−Ｗ−Ｐキャップ層（導電性の不活性化層）を形成する技術を適用し，引用発明において，金属導線の上面の不活性化層，すなわち，「該相互配線と該被覆層との間にある不活性化層」を，「導電性」の不活性化層とすることは，当業者が適宜なし得ることである。
　　オ　したがって，引用発明において，本願補正発明のごとく，「少なくとも該相互配線と該被覆層との間に導電性の不活性化層を作製すること」は，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）請求人の主張について
　　ア　請求人は，審判請求書の請求の理由の３．２．１において，「本願発明が提案する方法というのは，銅を金属として用いる半導体層構造物の生成を意図したものです。なお，銅を異方的にエッチングするのは非常に困難で，十分に小さな幅の銅の導線を生成することができないので，引用文献１に開示された方法で銅を用いることはできないというべきです。少なくとも本願明細書の段落００２７に記載されているように，本願発明が提案する半導体層構造物では，まず誘電体材料がエッチングされます。このようなエッチングにより，正確で十分な分解能での構造を生成することができます。本願発明では，誘電体自身が光パターニング性であるので，誘電体が直接露光および現像されて，誘電体内に所望の構造を形成することができます。このような方法により，さらなるレジストの堆積，レジストマスクを用いた誘電体のエッチング，エッチング後のレジスト除去をせずに済みます。それにより，処理工程を有意に節約でき，それ故，製造コストを節約できます。なお，通常は，誘電体のエッチングは，誘電体を最初に敷き，誘電体の上にレジストのさらなる層を付与し，マスクを介して正確な波長の照射をレジストの層に適用し，その照射されたレジストを現像して，関連した領域をエッチングにより除去して，エッチング後にレジストを取り除くことによって，間接的に誘電体をパターニングすることによって，達成されるものです。このように，本願発明が提案するアプローチは，引用文献１が開示しているアプローチと根本的に異なります。」と主張している。
　　イ　しかしながら，請求人の主張は，本願補正発明として認定した補正後の請求項１３の記載に基づく主張ではない。すなわち，請求人が主張する上記方法に関して，補正後の請求項１３に特定されているのは，「基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性かつ光パターニング性の物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，こと」であるから，請求項には，第一の小区域と第二の小区域のどちらの小区域を先に形成するのか，どのような工程により，第一の小区域と第二の小区域とを作製するのかが全く記載されておらず，また，相互配線をどのような導電材料で形成するのかも特定されていない。
　　ウ　したがって，本願補正発明を，請求人の主張のように限定的に解釈することはできず，請求人が主張する引用発明との相違点を認定することもできないから，請求人の主張を採用することはできない。
　
（３）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
７　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１　以上のとおり本件補正は却下されたので，本願請求項１６に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１６に記載された次のとおりのものである。　
　
 「　【請求項１６】
　層配置物を製造する方法であって，
　該方法は，
　基板の上に層を作製することであって，該層は，分解性物質を含む第一の小区域と，該第一の小区域に隣接して配置された第二の小区域とを備え，該第二の小区域は，非分解性物質を含む相互配線を有する，ことと，
　該分解性物質および相互配線を含む層の上に被覆層を作製することと，
　少なくとも該相互配線と該被覆層との間に導電性の不活性化層を作製することと，
　該被覆層中の拡散によって該層配置物から該分解性物質を除去することによって，相互配線間に空気ギャップを作製することと
　を包含する，方法。」
　
２　本願発明の容易想到性について
　前記第２，２で検討したように，本件補正後の請求項１３の内容は，本件補正前の請求項１６の記載事項を限定的に減縮したものである。
　そうすると本願発明の構成要素をすべて含み，これをより限定した本願補正発明が，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明ついて検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。