【事件の表示】
　特願２００６−２００５９２「半導体表面上に金属バンプを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月　７日出願公開、特開２００６−３３２６９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，平成１４年３月４日に特許出願した特願２００２−５６９９７号（以下，「原出願」という。）の一部を平成１８年７月２４日に新たな特許出願としたものであって，平成２１年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２２月３月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，平成２０年１２月２日付け拒絶理由通知書に記載したものであって，その一つは，以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１．特開平５−３３５３１３号公報
　２．特開２００１−９３９２８号公報
　３．特開２００１−２５７２１０号公報
　４．特開平１１−１６３０１９号公報
　５．特開平６−３７０９３号公報　」
　また，上記拒絶理由通知書には，以下の記載があるから，特開平６−３７０９３号公報をいわゆる主引用例とする場合の進歩性欠如についても示されているといえる。
「・請求項１，２，６
・引用例５，２，３
・備考
　引用例５（特に０００９〜００１９段落参照）には，絶縁膜の材料がポリマーであるか否か不明であるが，引用例２，３にも記載されるように絶縁膜としてポリマーを使用することは従来周知の技術である。そして，本願の出願当初明細書の記載を検討してもポリマーを選択する臨界的な意味は無いから，引用例５の絶縁膜をポリマーとすることは当業者が容易になし得ることである。」
　上記刊行物のうち，特開平６−３７０９３号公報，特開２００１−９３９２８号公報，特開２００１−２５７２１０号公報を，以下，それぞれ「引用例１」，「引用例２」，「引用例３」という。
　
第３．平成２２年３月１日付け手続補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年３月１日付け手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の概要
　本件補正は，平成２１年４月６日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するもので，請求項１については，補正前に
　「シリコン基板；
　前記シリコン基板を覆う金属接触パッド；
　前記シリコン基板を覆うポリマー層，ここで，前記ポリマー層中の開口が前記金属接触パッドの上方にある；および
　前記金属接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって，前記金属バンプが，
　前記金属接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層，
　前記金属層上でありかつ前記金属接触パッドを覆う銅ピラー，ここで，前記銅ピラーは１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する，
　前記銅ピラーの直上でありかつ前記金属接触パッドを覆うニッケル含有層，ここで，前記ニッケル含有層は前記銅ピラーの前記厚さより小さい厚さを有する，および
　前記ニッケル含有層上でありかつ前記金属接触パッドを覆うはんだ，ここで，前記はんだは前記ニッケル含有層の頂面を完全に被覆しており，前記はんだは前記開口を通して前記金属接触パッドと接続されている，
を含む，前記集積回路素子。」
とあるのを
　
　「シリコン基板；
　前記シリコン基板を覆う金属接触パッド；
　前記シリコン基板を覆うポリマー層，ここで，前記ポリマー層中の開口が前記金属接触パッドの上方にある；および
　前記金属接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって，前記金属バンプが，
　前記金属接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層，
　前記金属層上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆う銅ピラー，ここで，前記銅ピラーは１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する，
　前記銅ピラーの直上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆うニッケル含有層，ここで，前記ニッケル含有層は前記銅ピラーの前記厚さより小さい厚さを有する，および
　前記ニッケル含有層上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆うはんだ，ここで，前記はんだは前記ニッケル含有層の頂面を完全に被覆しているが前記銅ピラーの第一の側壁は覆っておらず，前記はんだは前記開口を通して前記金属接触パッドと接続されている，
を含む，前記集積回路素子。」
と補正するものである。
　
　請求項１の補正は，銅ピラー，ニッケル含有層及びはんだがそれぞれ金属接触パッドを「覆う」形態を「垂直に覆う」ものに限定するとともに，はんだと銅ピラーとの関係について，「はんだは銅ピラーの第一の側壁は覆っておらず」との限定を付したものである。そして，請求項１の補正が，産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものでないことは明らかである。
　したがって，少なくとも請求項１の補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用刊行物
（１）原出願の出願前に頒布された刊行物である引用例１には，バンプ電極の形成方法に関し，図面とともに，次の事項が記載されている。
　１ａ）「【００１０】まず，シリコン（Ｓｉ）等から成る半導体基板（ウェハ）（１）の上面全体にアルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着した後，これを選択的にエッチングしてバンプ電極形成予定領域に図１に示す約２μｍ（マイクロメータ）の厚みを有するアルミニウム層（２）を形成する。
【００１１】次に，周知のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって半導体基板（１）の上面全体に二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成した後，選択的にエッチングし，図２に示すように，バンプ電極形成予定領域に開口（４）を有する絶縁膜（３）を形成する。アルミニウム層（２）の中心側は開口（４）から露出し，周辺側は絶縁膜（３）に被覆される。
【００１２】続いて，図３のように，半導体基板（１）の上面全体にクロム（Ｃｒ）と銅（Ｃｕ）を連続的に真空蒸着して約４，５００オングストロームの厚さのクロム層（５）と約３μｍの厚さの銅層（６）を形成する。アルミニウム層（２），クロム層（５）及び銅層（６）は導電層を形成し，クロム層（５）と銅層（６）は中間金属層を形成する。
【００１３】更に，銅層（６）の上面全体にフォトレジストを形成してこの一部を選択的にエッチング除去し，図４に示すように開口（７）を有するフォトレジスト膜（８）を形成する。銅層（６）の一部は，バンプ電極形成予定領域に設けられた開口（７）から露出する。続いて，開口（７）内及びその周辺のフォトレジスト膜（８）上に厚さ３０〜４０μｍの銅メッキ層（９）を突起状電極層として形成する。銅メッキ層（９）の断面形状は開口（７）を通じて銅層（６）に直接接触する支持部（９ａ）と，開口（７）の近傍のフォトレジスト膜（８）の上面に延在する頭部（９ｂ）とを備えた茸形状となる。したがって，銅メッキ層（９）の支持部（９ａ）は開口（７）内に埋設され，頭部（９ｂ）は支持部（９ａ）の側部及び開口（７）の周縁から外側に張出している。
【００１４】次に，図４のフォトレジスト膜（８）を除去した後，半導体基板（１）を所定のエッチング液中に浸漬させて，図５に示すように銅メッキ層（９）の支持部（９ａ）よりも外側に延在したクロム層（５）と銅層（６）を部分的に除去する。エッチングの際に銅メッキ層（９）がマスクとなるため，支持部（９ａ）の下方とその近接部分にクロム層（５ａ）と銅層（６ａ）が残存する。本実施例では，中間金属層を構成するクロム層（５）と銅層（６）の各周縁部は頭部（９ｂ）より内側に位置する。」
　１ｂ）「【００１８】次に，図７の半導体基板（１）にニッケル（Ｎｉ）メッキを施して，銅メッキ層（９）の頭部（９ｂ）上面に０．５μｍ程度の厚みのニッケルメッキ層（１２）を金属膜として形成する。フォトレジスト（１０ａ）（１１ａ）によって被覆された頭部（９ｂ）の下面，支持部（９ａ），クロム層（５ａ）及び銅層（６ａ）の側面にはニッケルメッキ層（１２）が形成されない。特に，フォトレジスト（１０ａ）（１１ａ）は，クロム層（５ａ）及び銅層（６ａ）に対するニッケルメッキ層（１２）の付着を有効に阻止する。二酸化珪素からなる絶縁膜（３）は，フォトレジスト（１０ａ）（１１ａ）によってニッケルメッキ層（１２）と完全に分断されているから，これにはニッケルメッキは付着しない。
【００１９】最後に，図９に示すように，銅メッキ層（９）の上面にニッケルメッキ層（１２）を介して鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）を成分とする半田をメッキ等によって選択的に付着させて半球状の半田層（１３）を形成し，バンプ電極を完成する。ニッケルメッキ層（１２）の厚みは，機械的応力の低減のために１μｍ以下が望ましいが，銅メッキ層（９）と半田層（１３）間の金属成分の相互拡散を十分に抑制するため，０．３μｍ以上が良い。」
　１ｃ）図８及び図９を参照すると，クロム層（５ａ）及び銅層（６ａ）の周縁は絶縁層（３）の上側に位置することが看取できる。
　
　上記記載事項１ａ〜１ｃ及び図面の記載によれば，引用例１には以下の発明が記載されているといえる（以下，「引用発明」という。）。　
　「半導体装置のバンプ電極であって，シリコンからなる半導体基板（１）の上面の所定領域にアルミニウム層（２）が形成され，アルミニウム層（２）の周辺側を含めて半導体基板（１）の上面を被覆するように，アルミニウム層（２）の中心側に対応した開口（４）を有する二酸化珪素の絶縁膜（３）が形成され，アルミニウム層（２）の上面にクロム層（５ａ）及び銅層（６ａ）からなる中間金属層が形成され，中間金属層の周縁は絶縁層（３）の上側に位置し，さらに，銅層（６ａ）の上面に厚さ３０〜４０μｍの銅メッキ層（９）が突起状電極層として形成され，銅メッキ層（９）の上面に，厚さ０．５μｍのニッケルメッキ層（１２）を介して，半球状の半田層（１３）が形成されてなるバンプ電極。」
　
（２）原出願の出願前に頒布された刊行物である引用例２には，半導体装置及びその製造方法に関し，次の事項が記載されている。
　２ａ）「【００７１】図４（ｅ）のようにパッシベーション膜４２を形成する。パッシベーション膜４２としては，ＳｉＮ，ＳｉＯ２等の無機膜，またはポリイミド，ＢＣＢ，エポキシ樹脂等の有機膜，あるいはこれらの複合膜を用いる。」
　
（３）原出願の出願前に頒布された刊行物である引用例３には，半導体集積回路装置に関し，次の事項が記載されている。
　３ａ）「【００２７】表面保護膜１０は，半導体チップ６上に形成された絶縁膜のうちの最終絶縁膜である。下地金属ＢＬＭ下の表面保護膜１０は，下層から順に無機絶縁膜１０ａおよびＰＩＱ膜１０ｂが積層されて構成されている。無機絶縁膜１０ａの厚さは，例えば０. ５〜３μｍ程度であり，ＰＩＱ膜１０ｂの厚さは，その接着性および段差緩和等から決められるが，２〜１０μｍ程度である。
【００２８】ここで，無機絶縁膜１０ａはＰＩＱ膜１０ｂで覆われており，スルーホール１１ｃの内部側壁もＰＩＱ膜１０ｂによって構成されており，下地電極ＢＬＭが無機絶縁膜１０ａと接するのを防いでいる。」
　３ｂ）「【００３０】ＰＩＱ膜１０ｂは，有機現像液を用いることのできる感光性ＰＩＱからなり，無機絶縁膜１０ａを加工した後にパターン形成を可能とする。」
　３ｃ）「【００４２】（実施の形態２）本発明の他の実施の形態である表面保護膜の構造を図６に示した半導体基板の要部断面図を用いて説明する。
【００４３】図６に示すように，金属層９ａ〜９ｃによって構成された下地金属ＢＬＭは，表面保護膜１０に穿孔されたスルーホール１１ｃを通じて，半導体チップ６の最上層配線である引き出し電極１２と電気的に接続されている。
【００４４】しかし，半導体チップ６上に形成された絶縁膜のうちの最終絶縁膜であり，引き出し電極１２の上層に形成される表面保護膜１０は，ＰＩＱ膜１０ｂのみによって構成されている。さらに，引き出し電極１２の下層には，層間ＰＩＱ膜１３が形成されている。
【００４５】このように，本実施の形態２によれば，表面保護膜１０をＰＩＱ膜１０ｂのみで構成し，さらに引き出し電極１２下に層間ＰＩＱ膜１３を設けることによって，層間ＰＩＱ膜１３の下層の無機絶縁膜に加わるＣＣＢバンプ５および／または下地金属ＢＬＭの応力を低減して，上記無機絶縁膜の破断を防ぐことができる。」
　
３．対比・判断  
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体基板（１）」，「アルミニウム層（２）」，「中間金属層」，「銅メッキ層（９）」，「ニッケルメッキ層（１２）」，「半田層（１３）」は，それぞれ本願補正発明の「シリコン基板」，「金属接触パッド」，「金属層」，「銅ピラー」，「ニッケル含有層」，「はんだ」に相当し，引用発明の「半導体基板（１）」，「アルミニウム層（２）」，「バンプ電極」等は，本願補正発明の「集積回路素子」に相当する。
　引用発明の「二酸化珪素の絶縁膜（３）」は，本願補正発明の「ポリマー層」と機能が共通し，その意味で前者は後者に相当する。両者の機能が共通する理由を以下に述べる。
　本願明細書の段落【００３５】に「ボンディング・パッドまたは導体パッドをチップの表面上に作製した後，ボンディング・パッドの表面を覆うようにパシベーション層を付着させることによってボンディング・パッドまたは導体パッドを不動態化し，電気的に絶縁する。パシベーション層は，ＣＶＤによって付着される酸化ケイ素／窒化ケイ素（ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４）を含有してよい。このパシベーション層をパターン焼き付け及びエッチングして，パシベーション層にボンディング・パッドまたは導体パッドのための開口を作製し，その後に第２の比較的厚いパシベーション層を付着させて，さらなる絶縁，ならびに湿気や汚染物からの，またチップ集成時における機械的損傷からのチップ表面のさらなる保護を果たすことができる。」とある記載によれば，パシベーション層は，絶縁または表面の保護のために設けられるものである。また，段落【００３６】には，「パシベーション層の作製に対しては種々の材料が使用されている。パシベーション層は，ＣＶＤによって付着させた酸化ケイ素／窒化ケイ素（ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４）を含有してよく，感光性ポリイミドの層であってもよく，あるいは窒化チタンを含んでもよい。パシベーション層に対して使用されることの多い他の材料はリンをドーピングした二酸化ケイ素であり，一般には，低温ＣＶＤ法を使用して，アルミニウム相互接続物の最終層上に付着させる。近年，パシベーション層の作製に対しては，感光性ポリイミドが使用されることが多い。」と記載されているところ，本願補正発明の「ポリマー層」は，請求人が審判請求書において主張するように，上記記載中の「感光性ポリイミド」に基づくものであるから，本願補正発明の「ポリマー層」は，パシベーション層の具体例であって，上記のとおり，絶縁または表面の保護のために設けられるものといえる。そして，段落【００３６】において，パシベーション層の具体例として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）も挙げられていることからも明らかなように，引用発明の「二酸化珪素の絶縁膜（３）」は，本願補正発明の「ポリマー層」と同様に，絶縁層または保護層（以下，「絶縁／保護層」という。）として機能し得るものである。
　したがって，引用発明の「二酸化珪素の絶縁膜（３）」は，本願補正発明の「ポリマー層」と機能が共通する。引用発明の「開口（４）」は，本願補正発明の「ポリマー層中の開口」に相当する。
　引用発明は，銅メッキ層（９）の厚さが３０〜４０μｍであるのに対して，ニッケルメッキ層（１２）の厚さが０．５μｍであるから，本願補正発明における「ニッケル含有層は銅ピラーの厚さより小さい厚さを有する」との要件を備える。
　引用発明は，銅メッキ層（９）の上面にニッケルメッキ層（１２）を介して半球状の半田層（１３）が形成されるものであるから，本願補正発明における「はんだはニッケル含有層の頂面を完全に被覆しているが銅ピラーの第一の側壁は覆っておらず」との要件を備えることは明らかである。
　
　以上のことから，本願補正発明と引用発明は，本願補正発明の表記にしたがえば，
　「シリコン基板；
　前記シリコン基板を覆う金属接触パッド；
　前記シリコン基板を覆う絶縁／保護層，ここで，前記絶縁／保護層中の開口が前記金属接触パッドの上方にある；および
　前記金属接触パッド上及び前記絶縁／保護層上の金属バンプを含む集積回路素子であって，前記金属バンプが，
　前記金属接触パッド上及び前記絶縁／保護層上の金属層，
　前記金属層上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆う銅ピラー，ここで，前記銅ピラーは３０マイクロメートル〜４０マイクロメートルの厚さを有する，
　前記銅ピラーの直上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆うニッケル含有層，ここで，前記ニッケル含有層は前記銅ピラーの前記厚さより小さい厚さを有する，および
　前記ニッケル含有層上でありかつ前記金属接触パッドを垂直に覆うはんだ，ここで，前記はんだは前記ニッケル含有層の頂面を完全に被覆しているが前記銅ピラーの第一の側壁は覆っておらず，前記はんだは前記開口を通して前記金属接触パッドと接続されている，
を含む，前記集積回路素子。」  
である点で一致し，以下の点で相違する。ここで，引用発明の銅メッキ層の厚さの範囲（３０〜４０μｍ）が本願補正発明の銅ピラーの厚さの範囲（１０マイクロメートル〜１００マイクロメートル）に含まれる以上，本願補正発明の銅ピラーの厚さの下限が１０マイクロメートルであり，上限が１００マイクロメートルであることは，引用発明との相違点とはならない。
　
［相違点］
　本願補正発明の絶縁／保護層はポリマーからなるのに対して，引用発明の絶縁／保護層は二酸化珪素からなる点。
　
　上記相違点について検討する。引用例２には，シリコン基板に形成するパッシベーション膜として，二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機膜やポリイミド等の有機膜を用いることが記載されている（記載事項２ａ参照）。また，引用例３には，半導体チップに形成される絶縁膜ないし表面保護膜を，ＰＩＱ，すなわちポリイミドから構成することが記載されている（記載事項３ａ〜３ｃ参照）。引用発明の絶縁／保護層を二酸化珪素からポリマーの一種であるポリイミドに変更することは，引用例２または引用例３を参酌することにより，当業者が容易に想到し得たことである。
　
　したがって，本願補正発明は，引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるので，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２１年４月６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下「本願発明」という。「第３」の「１．本件補正の概要」参照。）。
　
第５．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は，前記「第３」の「２．引用刊行物」に記載したとおりである。
　
第６．対比・判断
　本願発明は，本願補正発明から，前記「第３」の「１．本件補正の概要」に記載した限定を外したものである。
　してみると，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記「第３」の「３．対比・判断」に記載したとおり，引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由で当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。