【事件の表示】
　特願２００６−　９３０１２「磁気ディスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６５５８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１８年３月３０日の出願であって、平成２１年８月１４日付け拒絶理由通知に対し、同年１０月２６日付けで特許請求の範囲及び明細書について手続補正がされ、同年１１月２４日付けで最後の拒絶の理由が通知されたが、これに対しては何らの応答もなかったので、前記最後の拒絶の理由により平成２２年３月１９日付けで拒絶査定され、これに対して同年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　ここで、原査定の拒絶の理由となった平成２１年１１月２４日付けの最後の拒絶の理由は、平成２１年１０月２６日付けでした手続補正が特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとして通知されたものであるが、同時に、
「なお、上記補正の適否に関わらず、先の拒絶理由通知書に記載の理由Ａ〜Ｃによって、本願発明は、特許を受けることができないと考えていることを付言しておく。」
と、実質的に平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知の内容も援用するとともに、さらに(i)ないし(v)の指摘も追加的に併せて記載されていたので、前記１７条の２第３項に規定する要件のみならず、平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知書に記載の理由Ａ〜Ｃについても、実質的に、再度、通知されていたと解されるものである。
　したがって、審判請求人には、平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知書に記載の理由Ａ〜Ｃについても、前記の指摘(i)ないし(v)も考慮した上で、さらに意見を述べ、又再び手続補正を行う等の機会があったのであり、さらには、審判請求人は審判請求書の請求の理由において、【本願発明が特許されるべき理由】の項で、前記平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知で引用された刊行物及び先願発明に言及して主張を行っている等の経緯を総合的に判断すると、原査定の拒絶の理由には、平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知書に記載の理由Ａ〜Ｃも実質的に含まれ、請求人には、前記理由Ａ〜Ｃに対しても、反論及び手続補正を行う機会が十分与えられ、実際、審判請求の理由において、実質的に反論を尽くしたと解されるので、当審において改めて拒絶の理由を通知することなく、以下、平成２１年８月１４日付けの拒絶理由通知書に記載の理由Ｂについて検討することとする。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２１年１０月２６日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
　基板上に磁性層と保護層と潤滑層を順に備える、ロードアンロード方式であって、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下である磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクの製造方法であって、
　前記基板上に前記磁性層を形成し、その上に前記保護層として水素化炭素系保護層を０．５〜３．０ｎｍの膜厚に形成した後、前記保護層を常圧下での窒素ガス、酸素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス中で発生させたプラズマに曝し、しかる後、前記保護層上に、分子の末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて前記潤滑層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０１９１７６号（国際公開日２００６年２月２３日。以下、「引用例」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）
「
The present invention relates to a magnetic recording medium used in a magnetic disk drive
and a production process thereof.
（第１頁第６行−同頁第８行）
ア仮訳）
「
本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
　
イ）
「
The ramp load method has also come to be used practically in recent years in addition to the CSS (Contact Start Stop) method. The lamp load method refers to a method that employs a mechanism by which a head evacuation area is provided near the outer periphery of the disk, and the head is then housed in that evacuation area when rotation of the disk is stopped.
（第４頁第１３行−第５頁第２行）
イ仮訳）
「
ＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式のほかに、近年、ランプロード方式も実用化させている。ランプロード方式とは、ディスク外周の近傍にヘッドの退避箇所を準備しておき、ディスクの回転停止時には、ヘッドがこの退避箇所に格納されるような機構を持った方式である。
　
ウ）
「Fig. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a magnetic recording medium of the present invention.
　
A magnetic recording medium of the present embodiment is composed by sequentially laminating
a magnetic layer 4 and a protective film layer 5 on a non-magnetic substrate 1, and providing a lubricant layer 6 on the uppermost layer.
（第１４頁第１３行−同頁第１９行）
ウ仮訳）
「図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。
　
本実施形態の磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、
磁性層４、保護膜層５が順次積層され、最上層に潤滑剤層６が設けられて構成される。
　
エ）
「A carbon-based material such as amorphous carbon, 
hydrogen-containing carbon
can be used for protective film layer 5.
Since the durability of protective film layer 5 decreases if its thickness is excessively thin, while loss during recording and playback increases if its thickness is excessively thick, the film thickness of protective film layer 5 is set to 10 to 150 Å (1 to 15 nm) , and preferably set to 20 to 60 Å (2 to 6 nm). Protective film layer 5 is subjected to surface treatment using a gas (treatment gas) activated by plasma to be described later.
　
The uppermost lubricant layer 6 contains a polymer of a polymerizeable unsaturated group-containing perfluoropolyether compound.
　A magnetic recording and playback device of the present embodiment is provided with the aforementioned magnetic recording medium having protective film layer 5 on which surface treatment has been carried out with the aforementioned treatment gas, and a magnetic head that records and plays back information on said magnetic recording medium.
　The following provides an explanation of an example of a production process of a magnetic recording medium of the present embodiment.
　
First, after forming
magnetic layer 4 and a protective film layer on non-magnetic substrate 1, surface treatment is performed on this protective film layer using a gas that has been activated by plasma generated under pressure in the vicinity of atmospheric pressure to form protective film layer 5. Next, lubricant layer 6 is formed on
this protective film layer 5.
　A plasma generation unit capable of stable generation of plasma at a pressure in the vicinity of atmospheric pressure, and which uses a sine wave high-frequency power supply for the power supply that generates the plasma, can be used for the surface treatment device used here for surface treatment.
　Examples of devices that can be used include a normal pressure plasma surface modification device (Esquare) and an atmospheric pressure plasma cleaning head (Matsushita Electric Works) .
　A pressure in the vicinity of atmospheric pressure refers to pressure of 1.3 x 10 4  to 13 x 10 4  Pa. In particular, the use of a pressure in the vicinity of atmospheric pressure of 9.9 x 10 4  to 10.3 x 10 4  Pa is preferable since it facilitates pressure regulation and simplifies the device constitution.」
（第１６頁第１３行−第１８頁第１５行）
エ仮訳）
「
保護膜層５としては、
含水素カーボン
を用いることができる
保護膜層５の膜厚は、薄いと耐久性が低下し、厚いと記録再生時の損失が大きくなるため、１０〜１５０Å（１〜１５ｎｍ）、好ましくは２０〜６０Å（２〜６ｎｍ）に設定される。保護膜層５には、後述のプラズマによって活性化されたガス（処理ガス）を用いる表面処理が施されたものである。
　
最上層である潤滑剤層６は、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物の重合物を含むものである。
　本実施形態の磁気記録再生装置は、上記処理ガスにより表面処理が施された保護膜層５を有する上記実施形態の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとが備えられてなるものである。
　本実施形態の磁気記録媒体の製造方法の例について説明する。
　
最初に、非磁性基板１上に
磁性層４、保護膜層を形成後に、この保護膜層に大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガスを用いる表面処理が施されて保護膜層５を形成する。次に、この保護膜層５上に潤滑剤層６を形成する。
　ここでの表面処理に用いられる表面処理装置としては、大気圧近傍付近の圧力下で安定にプラズマを発生することができる、プラズマを発生させる電源に正弦波の高周波電源を用いるプラズマ発生ユニットを用いることができる。　
　例えば、常圧プラズマ表面改質ユニット（イースクエアー製）や大気圧プラズマクリーニングヘッド（松下電工製）などを用いることができる。
　大気圧近傍付近の圧力下とは、１．３×１０４〜１３×１０４Ｐａの圧力を指す。とりわけ、大気圧付近の９．９×１０４〜１０．３×１０４Ｐａの圧力とすることが、圧力調整が容易であり、装置構成が簡便になるので好ましい。」
　
オ）
「Nitrogen, oxygen, argon or a mixture thereof is preferably used for 
the gas
nitrogen, oxygen or a mixed gas of nitrogen and oxygen is used
（第２１頁第１９行−同頁第２４行）
オ仮訳）
「電極板２１ａ，２１ｂ間に供給される
ガスとしては、
窒素、酸素または、窒素と酸素の混合ガスを用いる
　
カ）
「[Examples 1 to 17]
　After adequately washing and drying an aluminum alloy substrate having an NiP plated film (diameter: 95 mm, inner diameter: 25 mm, thickness: 1.27 mm), it was irradiated with a laser from a' radius of 17 mm to 19 mm (CSS zone) to form bumps having a height of 10 nm. Subsequently, the substrate was placed in a DC Magnetron Sputtering System (Model C3010, Anelva) After evacuating the air to an attainable vacuum of 2 x 10-7 Torr (2.7 x 10-5 Pa), the substrate was heated to 250 ℃.
　Following heating, a non-magnetic substrate layer was laminated to a thickness of 5 nm using a target composed of Cr. Moreover, a non-magnetic substrate layer was laminated to a thickness of 5 nm using a target composed of Cr-Mo alloy (Cr: 80 at%, Mo: 20 at%) . Next, a non-magnetic intermediate layer was laminated to a thickness of 2 nm using a target composed of Co-Cr alloy (Co: 65 at%, Cr: 35 at%) . Next, a magnetic layer in the form of a CoCrPtB alloy layer was formed as a magnetic layer at a film thickness of 20 nm using a target composed of Co-Cr-Pt-B alloy (Co: 60 at%, Cr: 22 at%, Pt: 12 at%, B: 6 at%) , and 
a protective film composed of CVD carbon was laminated to a thickness of 5 nm using a plasma CVD system to obtain a treated substrate.
Subsequently, the protective film surface of the treated substrate was surface treated in the manner shown in Fig. 2 using a normal pressure plasma surface modification unit (Esquare) for the plasma generation unit.
N
2
 flow rate, O
2
 flow rate
were changed as shown in Table 1.
　The contact angle of these samples were measured with a water contact gauge. Those results are shown in Table 1.
　Following the aforementioned surface treatment, a lubricant composed of perfluoropolyether was coated onto the protective film layer at a pulling rate of 3 mm/sec by a dipping method after adjusting to 0.05% by weight to obtain a magnetic disk (sample) . Furthermore, fluorine-based solvent AK225 (Asahi Glass) was used for the solvent at this time.」
（第２４頁第１９行−第２６頁第１６行）
カ仮訳）
「[実施例１−１７]
　ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、板厚１．２７ｍｍ）を十分に洗浄し乾燥した後、レーザを用いて半径１７ｍｍから１９ｍｍ（ＣＳＳゾーン）にかけて照射し、高さ１０ｎｍの突起を形成させた。その後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社（日本）製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）まで排気した後、基板を２５０℃に加熱した。
　加熱後、非磁性下地層として、Ｃｒからなるタ−ゲットを用いて厚さ５ｎｍになるように積層した。さらに、非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｍｏ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からタ−ゲットを用いて厚さが５ｎｍになるように積層した。次いで、非磁性中間層としてはＣｏ−Ｃｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて厚さが２ｎｍになるように積層した。次いで、磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏＣｒＰｔＢ合金層を２０ｎｍの膜厚で形成し、
プラズマＣＶＤ装置を用いてＣＶＤカーボンからなる保護膜層を厚さが５ｎｍになるように積層し、被処理基板とした。
その後、プラズマ発生ユニットとしては、常圧プラズマ表面改質ユニット（イースクエアー製）を用いて図２に示す形態で被処理基板の保護膜層を表面処理した。
Ｎ
２
流量、Ｏ
２
流量
を表１に示すように変化させた。
　このサンプルの接触角を水接触計にて測定した。その結果を表１に示す。
　上記表面処理後、保護膜層上にパ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤を０．０５重量％に調整して、ディッピング法により引き上げ速度３ｍｍ/ｓｅｃで塗布し、磁気ディスク（サンプル）を得た。なお、このときの溶媒はフッ素系溶剤ＡＫ２２５(旭硝子製)を使用した。」　
　
キ）
「On the basis of the above results, 
as a result of carrying out plasma surface treatment
on a protective film layer at a pressure in the vicinity of atmospheric pressure,
adhesion of lubricant was also observed to improve.
durability enhanced
（第３２頁第３行−同頁第１２行）
キ仮訳）
「以上の結果から、
大気圧近傍の圧力下で保護膜層を
プラズマによって表面処理することにより、
潤滑剤との密着性が向上する
耐久性を高めることができる
　
　前掲ア）ないしキ）の記載事項及び図面からみて、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法であって、
　磁気記録媒体は、非磁性基板上に、磁性層、保護膜層が順次積層され、最上層に潤滑剤層が設けられて構成され、
　プラズマＣＶＤ装置を用いてＣＶＤカーボンからなる保護膜層を厚さが５ｎｍになるように積層し、この保護膜層に大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガスを用いる表面処理を施し、
　ガスとしては、窒素、酸素または、窒素と酸素の混合ガスを用い、
　上記表面処理後、保護膜層上にパ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤を塗布する
　磁気記録媒体の製造方法。」
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「磁気ディスク装置」、「磁気記録媒体」、「非磁性基板」、「磁性層」、「保護膜層」、「潤滑剤層」は、それぞれ、本願発明の「磁気ディスク装置」、「磁気ディスク」、「基板」、「磁性層」、「保護層」、「潤滑層」に相当する。
　
（２）引用発明は、非磁性基板上に、磁性層、保護膜層が順次積層され、最上層に潤滑剤層が設けられた、磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法であるから、本願発明と引用発明とは、「基板上に磁性層と保護層と潤滑層を順に備える、磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクの製造方法」である点で共通している。
　
（３）引用発明の「保護膜層」は、ＣＶＤカーボンからなる保護膜層であるから「炭素系保護層」であるといえる。そして、引用発明では、この「炭素系保護層」に「大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガスを用いる表面処理」を施すものであって、前記「大気圧近傍の圧力下」とは「常圧下」にほかならず、また、前記「プラズマによって活性化されたガス」として「窒素、酸素または、窒素と酸素の混合ガス」を用いることは、「窒素ガス、酸素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス」を用いることにほかならない。
　してみると、引用発明の前記「大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガスを用いる表面処理」は、磁性層の上に形成した「炭素系保護層」を「常圧下での窒素ガス、酸素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス中で発生させたプラズマに曝」す処理であるといえる。
　よって、本願発明と引用発明とは、「基板上に磁性層を形成し、その上に保護層として炭素系保護層を形成した後、前記保護層を常圧下での窒素ガス、酸素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス中で発生させたプラズマに曝し」ている点で共通している。
　
（４）引用発明の「潤滑剤層」は、保護膜層上にパ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤を塗布して形成するものであるから、本願発明と引用発明とは、保護層を形成した「しかる後、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑層を形成する」点で共通している。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、
　
＜一致点＞
「基板上に磁性層と保護層と潤滑層を順に備える磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクの製造方法であって、
　前記基板上に前記磁性層を形成し、その上に前記保護層として炭素系保護層を形成した後、前記保護層を常圧下での窒素ガス、酸素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス中で発生させたプラズマに曝し、しかる後、前記保護層上に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて前記潤滑層を形成する磁気ディスクの製造方法。」
　
　である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
＜相違点１＞
　磁気ディスクを搭載する磁気ディスク装置に関して、本願発明では「ロードアンロード方式であって、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下である」としているのに対して、引用発明では磁気ディスク装置をそのように特定していない点。
　
＜相違点２＞
　炭素系保護層の組成に関して、本願発明では「水素化」炭素系保護層であるのに対して、引用発明では「水素化」炭素系保護層とは特定してない点。
　
＜相違点３＞
　炭素系保護層の膜厚に関して、本願発明では「０．５〜３．０ｎｍ」であるのに対して、引用発明では「５ｎｍ」である点。
　
＜相違点４＞
　パーフルオロポリエーテル系潤滑剤に関して、本願発明では「分子の末端に水酸基を有する」ものであるのに対して、引用発明では「分子の末端に水酸基を有する」とは特定していない点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　
＜相違点１＞について
　引用例では、前掲イ）に示されるように、従来から用いられている磁気ディスク装置として、ＣＳＳ方式のほかに、「ランプロード方式」、すなわち、ロードアンロード方式の磁気ディスク装置も例示している。
　してみると、引用発明の磁気記録媒体を、ＣＳＳ方式だけでなくロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載することは当然想定されうることであって、例えば、特開２００５−１４９５５３号公報（特に、【０１３３】参照。）、特開２００５−２２２６３３号公報（特に、【００１０】参照。）、特開２００４−３４５０１８号公報（特に、【００７６】参照。）に示される周知の「ロードアンロード方式であって、磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下である」磁気ディスク装置に搭載することも、当業者であれば任意に為しうるものである。
　
＜相違点２＞について
　引用例では、前掲エ）に示されるように、保護膜層として「含水素カーボン」を用いることができるとしていることから、炭素系保護層として「水素を含む炭素系保護層」を用いることを示唆しているといえ、例えば、「水酸化」炭素系保護層を用いることも、前記特開２００５−１４９５５３号公報（特に、【００７４】参照。）、前記特開２００５−２２２６３３号公報（特に、【００１１】参照。）、前記特開２００４−３４５０１８号公報（特に、【００７３】参照。）に示されるように周知技術であるから、引用発明の炭素系保護層として「水素化」炭素系保護層を用いることは、前掲エ）における前記示唆、並びに前記周知技術に基づいて、当業者であれば任意に為しうる事項である。
　
＜相違点３＞について
　引用例では、前掲エ）に示されるように、炭素系保護層の膜厚に関して「保護膜層５の膜厚は、薄いと耐久性が低下し、厚いと記録再生時の損失が大きくなるため、１０〜１５０Å（１〜１５ｎｍ）、好ましくは２０〜６０Å（２〜６ｎｍ）に設定される」としている。
　してみると、引用例には、炭素系保護層の膜厚に関して、耐久性を維持し、損失の増大を防ぐという観点から膜厚の下限値、上限値を設定することが示唆されているといえ、「好ましくは２０〜６０Å（２〜６ｎｍ）」としているところ、実施例では５ｎｍを選択しているが、同じく前記好ましい範囲内である２〜３ｎｍの膜厚を選択することは任意である（この場合、膜厚は「０．５〜３．０ｎｍ」を満たしていることになる。）。
　さらに、前記特開２００５−１４９５５３号公報（特に、【０１０９】参照。）には、炭素系保護層の膜厚を３ｎｍとすることが開示されていることを参酌しても、２〜３ｎｍの膜厚を選択することが格別のものであるとはいえず、保護層の膜厚として当業者が一般的に選択しうる膜厚であると認められる。
　
　一方、本願の発明の詳細な説明【００２６】−【００３９】には、水素化ＤＬＣを２５Å形成した実施例１及び実施例２、並びに、水素化ＤＬＣを３０Å形成して窒素化ＤＬＣを５Å積層した参考例１及び参考例２が開示されているのみであって、水素化ＤＬＣの膜厚を０．５ｎｍ未満とした場合や、３．０ｎｍを超える場合の実施例、比較例は一切開示されていないため、水素化ＤＬＣの膜厚を「０．５〜３．０ｎｍ」以外の膜厚とした場合に、作用効果がどのように異なるのか明らかではない。
　してみると、本願の発明の詳細な説明を参酌しても、水素化炭素系保護層の膜厚を２．５ｎｍ（窒素化炭素系保護層をさらに積層する場合は３．０ｎｍ）とした場合に良好な特性を示すことは理解されるものの、かかる水素化炭素系保護層の膜厚の下限値を「０．５ｎｍ」とし上限値を「３．０ｎｍ」としている点に格別の臨界的意義は見出せず、これらの下限値、上限値は、膜厚が薄すぎると耐久性が低下し厚すぎるとスペーシングが増大し損失が増えるという引用例に記載の前記示唆と同様な技術事項を考慮して、当業者が適宜設定しうる下限値、上限値にすぎないというべきである。
　
　したがって、引用発明において、炭素系保護層の膜厚として２〜３ｎｍを選択することは任意であるところ、かかる膜厚の範囲を「０．５〜３．０ｎｍ」と設定することは、引用例に記載の前記示唆、すなわち耐久性の維持と薄膜化という保護層であれば当然要求される事項を考慮して、当業者が適宜しうる範囲に過ぎないといえ、この点に格別の創意は認められない。　
　
＜相違点４＞
　パーフルオロポリエーテル系潤滑剤として、「分子の末端に水酸基を有する」パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いることは、前記特開２００５−１４９５５３号公報（特に、【０１２０】参照。）、前記特開２００５−２２２６３３号公報（特に、【００１３】参照。）、前記特開２００４−３４５０１８号公報（特に、【００７４】参照。）に示されるように周知技術であり、引用発明のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤として、このような周知の「分子の末端に水酸基を有する」パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いることは、当業者であれば適宜為しうる事項である。
　
　なお、出願人は、平成２２年６月２２日付けの審判請求書において、本願発明は「薄膜化に耐え得る高い機械的強度と、潤滑層との高い親和性を有す
る保護層を備えた磁気ディスクを得ることができる」のに対して、「引用文献１の発明では、本願発明とは対照的に、主にＣＳＳ方式を前提とした起動時動作性の向上のための媒体表面の静摩擦係数の低減を技術課題とし」ており、「引用文献１は本願発明と共通した課題を認識したものではない」と主張している。
　しかしながら、引用例では、前掲キ）に示されるように、大気圧近傍の圧力下で保護膜層をプラズマによって表面処理することにより、潤滑剤との密着性が向上し、その結果として耐久性を高めることができるとしており、これは「薄膜化に耐え得る高い機械的強度と、潤滑層との高い親和性を有する保護層を備えた磁気ディスクを得ることができる」という本願発明と同等の課題を認識しているといえ、出願人の審判請求書における前記主張は採用できない。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
から、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。