【事件の表示】
　特願２００１−５７７３０４「欠陥検出のための二次分散プロット技術」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月２５日国際公開、ＷＯ０１／８０１８２、平成１６年　５月２７日国内公表、特表２００４−５１５８３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０００年（平成１２年）８月２日の国際出願（パリ条約による優先権主張１９９９年（平成１１年）８月２日、米国）であって、平成２２年１月１４日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年５月１９日付けで手続補正がなされたが、同年８月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２４日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２２年１２月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１２月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
　１．補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ウェーハから取り込まれた第１の画像を第２の画像と関係づける方法であって、
（ａ）欠陥検査システムの位置合わせ手法によって、前記第１の画像を前記第２の画像と位置合わせする過程と、
（ｂ）前記欠陥検査システムのプロセッサによって、位置合わせした画素位置すべてにつき前記第１の画像からの画素のグレーレベルを前記第２の画像からの対応の画素のグレーレベルに対してプロットする過程と、
　前記プロセッサによって、前記過程（ｂ）において形成されたプロットに少なくとも一つの閾値窓をプロットする過程と、
を含み、
　前記少なくとも一つの閾値窓の外側の領域は、前記ウェーハの欠陥を示す、方法。」
と補正された。
　
　２．補正の適否
　上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明の「第１の画像」を「ウェーハから取り込まれた」ものであることを限定し、「欠陥」を「ウェーハの欠陥」に限定するものであるから、発明を特定するために必要な事項を限定するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
　（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記第２の１．に記載した事項により特定されるとおりのものである。　
　
　（２）先願発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１０−１１０３８３号（特開平１１−３０４７１８号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、次のア〜コの事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検査パターンの欠陥を検出する外観検査に係り、特に
半導体ウェハ
における被検査パターンの欠陥検査方法及びその装置に関するものである。
　
イ　「【００１０】本発明の目的は、上記従来の技術課題を解決すべくなされたもので、
明るさの異なるパターンも比較検査可能にし、つねに高感度で、欠陥を信頼性高く検査することができる被検査パターンの欠陥検査方法を提供することにある。
　
ウ　「【０１４１】差分抽出回路４９では、f1とg1の差画像sub(x,y)を求める。式で表すと次のようになる。
【０１４２】
【数２１】
sub(x,y)=g1(x,y)-f1(x,y)
【０１４３】しきい値演算回路４８では、遅延回路４６、４７を経た画像信号f1、g1および、α、βを用いて、sub(x,y)の値に応じて欠陥候補か否かを判定する二つのしきい値thH(x,y)とthL(x,y) を算出する。 thH(x,y)はsub(x,y)の上限を規定するしきい値であり、 thL(x,y)はsub(x,y)の下限を規定するしきい値である。しきい値演算回路４８の構成を図２０に示す。演算の内容を式で表すと次のようになる。」
　
エ　「【０１５６】欠陥判定回路５０では、差分抽出回路４９の出力sub(x,y)および、しきい値演算回路４８の出力thL(x,y)、thH(x,y)を用いて、
【０１５７】
【数２８】
thL(x,y)≦sub(x,y)≦thH(x,y)
【０１５８】を満たせば、位置(x,y)の画素は非欠陥候補、満たさなければ位置(x,y)の画素は欠陥候補と判定する。欠陥判定回路５０は、非欠陥候補画素は0、欠陥候補画素は1以上の値を持つdef(x,y)を出力する。」
　
オ　「【０１６４】〔実施の形態  ３〕本発明に係るパターン検査方法および装置の第３の実施の形態を図２３に示す。図２３において、図１及び図２と同様に、
１はイメージセンサであり、被検査パターンである半導体ウエハ４からの反射光の明るさ、すなわち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力するものであり、２はイメージセンサ１から得られる濃淡画像信号をディジタル画像信号９に変換するＡ／Ｄ変換器、３は濃淡画像信号を遅延させる遅延メモリ、
【０１６５】また、
３は、画像信号９を繰り返される１セルまたは複数セルピッチ分を記憶して遅延させる遅延メモリであってもよいし、 画像信号９を繰り返される１チップまたは複数チップピッチ分記憶して遅延させる遅延メモリでもよい。
【０１６６】
１１はディジタル画像信号９及び遅延されたディジタル画像信号１０を位置合わせするものであり、ここでは、画素単位で濃淡差が最小となる位置ずれ量を正規化相関により検出し、この位置ずれ量に基づき一方の画像をシフトして、２枚の画像を位置合わせするものである。
　
カ　「【０１７４】
１３は、明るさの異なる画像信号を、明るさを一致させるべく、双方の画像信号の階調を変換する階調変換部である。
　
キ　「【０１７９】
１２は、明るさの異なる画像信号を、明るさを一致させるべく、双方の画像信号を変換する明るさ変換部である。
【０１８０】そして、
得られた画像信号を比較部１４において比較し、不一致を欠陥として検出するものである。
【０１８１】
２３は、比較する２枚の画像を入力する画像入力部であり、この画像より、散布図作成部２４において散布図を求める。散布図は、縦軸と横軸が、２枚の画像の明るさを示している。２５は、得られた散布図を表示する表示部である。１５は、入力手段であるが、例えば、差画像の絶対値を２値化するしきい値を入力し、入力したしきい値の線分を散布図上にプロットする。この散布図を見れば、入力したしきい値の妥当性が判断しやすい。また、表示された散布図を参照して、画像に適したしきい値を決めることもできる。
　
ク　「【０１９４】
散布図に使用する画像は、比較する２枚の画像であり、例えば画素単位の位置合せ後の画像である。画像処理の各段階で、２枚の画像を画像入力部２３に入力可能である。
【０１９５】図２６及び図２７は、図２３に示した方式に基づき、２枚の画像を処理した例を示したものである。対象は、ライン＆スペースのパターンが、画像の右下部に検出されたものである。左上は、パターンがない領域である。各処理途中での画像のヒストグラム、差の画像の統計量も併せて示している。ヒストグラムからわかるように、
最初の段階では、２枚の画像の明るさは一致していない。まず、これを画像を正規化相関により相関値を求め、この相関値が高い位置を求めることにより、画素の単位で位置合せする。次に、位置合せされた２枚の画像について局所階調変換である局所的明るさ補正を実施する。そして、最後に２枚の画像の明るさを一致させるフィルタリングを施し、画像の明るさの一致度をさらに向上させている。
【０１９６】図２８〜３０は、各処理段階での画像の散布図を示している。
画素の単位で位置合せされた段階では、２枚の画像の明るさが一致していないため、散布図において斜め４５度の直線にのらず、直線からのばらつきがみられる。しかし、本発明による局所階調変換である局所的明るさ補正とフィルタリングの処理の後では、散布図が直線に近いところに分布しており、
　
ケ　「【０１９９】図３４〜図３７は、散布図としきい値の例を示したものである。
図３４は、2枚の画像が異なるため、これを誤検出しないように、しきい値が大きく設定されている。図３５は、本発明による局所階調変換である明るさ補正後の散布図であり、2枚の画像の一致度が高いため、設定されたしきい値が小さい。図３６は、明るさ合わせ後の散布図であり、さらにしきい値が小さくなっている。
【０２００】図３８は、画像単位の階調変換を区分的な線形変換とした例を示したものである。この例では、２つの区分に分けている。
【０２０１】このように、
散布図としきい値は、欠陥検出感度等を決める基準或いは、設定したしきい値の妥当性確認など、はばひろく活用できるものである。
　
コ　先願明細書等の図３４〜３６に記載の散布図としきい値の例には、散布図に原点を通る一点鎖線の直線と２本の実線の直線がそれぞれ記載されており、図３５，３６の散布図における実線は、図３４の散布図の実線と比べて一点鎖線との間隔が短く、また、２本の実線の間の間隔も短い。
　
　以上の記載から、先願明細書等には以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。
　
「明るさの異なるパターンも比較検査可能にし、つねに高感度で、欠陥を信頼性高く検査することができる、半導体ウエハにおける被検査パターンの欠陥検査方法であって、パターン検査を実行する装置は、
　被検査パターンである半導体ウエハ４からの反射光の明るさ、すなわち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力するイメージセンサ１、
　イメージセンサ１から得られる濃淡画像信号をディジタル画像信号９に変換するＡ／Ｄ変換器２、
　濃淡画像信号を繰り返される１セルまたは複数セルピッチ分、あるいは１チップまたは複数チップピッチ分記憶して遅延させる遅延メモリ３、
　ディジタル画像信号９及び遅延されたディジタル画像信号１０を入力し、画素単位で濃淡差が最小となる位置ずれ量を正規化相関により検出し、この位置ずれ量に基づき一方の画像をシフトして、２枚の画像を位置合わせする画素単位位置合わせ部１１、
　明るさの異なる画像信号を、明るさを一致させるべく、双方の画像信号の階調を変換する階調変換部１３、
　明るさの異なる画像信号を、明るさを一致させるべく、双方の画像信号を変換する明るさ変換部１２、
　得られた画像信号を比較し、不一致を欠陥として検出する比較部１４、
　比較する２枚の画像を入力する画像入力部２３、
　この画像より、縦軸と横軸が２枚の画像の明るさを示す散布図を求める散布図作成部２４、
　得られた散布図を表示する表示部２５、
　差画像の絶対値を２値化するしきい値を入力する入力手段１５、
を有し、
　入力したしきい値の線分を散布図上にプロットし、この散布図を見れば、入力したしきい値の妥当性が判断しやすく、また、表示された散布図を参照して、画像に適したしきい値を決めることもできるものであり、
　比較する２枚の画像に対し、画素の単位で位置合せを行い、位置合せされた２枚の画像について局所階調変換である局所的明るさ補正を実施し、最後に２枚の画像の明るさを一致させるフィルタリングを施し、画像の明るさの一致度をさらに向上させることにより、散布図が斜め４５度の直線に近いところに分布するようになり、単に画素の単位で位置合せされた段階における散布図に比べ、設定されたしきい値が小さくなる
　ことを特徴とする被検査パターンの欠陥検査方法。」
　
　（３）対比・判断
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
　
　先願発明は、「イメージセンサ１」で取得される「半導体ウエハ４からの反射光の明るさ、すなわち濃淡に応じた濃淡画像信号」を、「ディジタル画像信号９に変換」した後、「ディジタル画像信号９」と「遅延されたディジタル画像信号１０」を入力して比較を行うものであるから、「ディジタル画像信号９」と「遅延されたディジタル画像信号１０」は「半導体ウエハ４」から取り込まれたものであり、かつ、比較によって２つの画像を関係付けているといえる。
　そのため、先願発明は「ウェーハから取り込まれた第１の画像を第２の画像と関係づける方法」である点で、本願補正発明と一致する。
　
　先願発明は「半導体ウエハにおける被検査パターンの欠陥検査」を行うものであり、先願発明の「画素単位位置合わせ部１１」は、「ディジタル画像信号９及び遅延されたディジタル画像信号１０」を入力して、画素単位で両者の位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量に基づき一方の画像をシフトすることにより、「２枚の画像を位置合わせする」ものであるから、「欠陥検査システムの位置合わせ手法によって、前記第１の画像を前記第２の画像と位置合わせする過程」を有する点で本願補正発明と一致する。
　
　先願発明は、「位置合せされた２枚の画像」、すなわち「ディジタル画像信号９及び遅延されたディジタル画像信号１０」を位置合わせしたものに対して、「局所階調変換である局所的明るさ補正」と「２枚の画像の明るさを一致させるフィルタリング」を行った後、「縦軸と横軸が２枚の画像の明るさを示す散布図」を求めており、この散布図は、「位置合わせした画素位置」につき「前記第１の画像からの画素のグレーレベルを前記第２の画像からの対応の画素のグレーレベルに対してプロット」したものである点で、本願補正発明と一致する。
　
　先願発明は、入力手段で「しきい値」を入力し、「入力したしきい値の線分を散布図上にプロット」するものである。ここで、「しきい値」とは「差画像の絶対値を２値化する」ものであり、先願明細書等全体の記載からみれば、「差画像」とは比較する２枚の画像の差であることは明らかである。
　また、先願発明の「散布図」は「縦軸と横軸が２枚の画像の明るさを示す」ものであるから、先願明細書等の図３４〜３６にそれぞれ記載の散布図の例によれば、一点鎖線で表された２次元座標の原点を通る斜め４５度の直線が、２枚の画像の明るさが等しい、すなわち「差画像」の値が０となる点の集合を表すものであって、「散布図上にプロット」される「しきい値の線分」は、図３４〜３６において、前記一点鎖線と平行な２本の実線で表されるものと捉えるのが自然である。このことは、散布図としきい値の例を示した図３４〜３６について、「しきい値が大きく設定されている」図３４に比べ、２本の実線と一点鎖線との間隔が短い図３５，３６の散布図について、「しきい値が小さい」とした上記第２の２．（２）ケ、コの事項とも合致するものである。
　更に、先願明細書等の図３４〜３６にそれぞれ記載の散布図において、２本の「しきい値の線分」の間に位置する領域は「差画像の絶対値」がしきい値以下となる領域であり、この領域の外側は「差画像の絶対値」がしきい値より大きい領域であることも明らかであるから、２本の「しきい値の線分」は差画像の絶対値の大きさによって領域を分けるものであって、本願補正発明の「閾値窓」と同一であるといえる。
　それゆえ、先願発明は、「前記第１の画像からの画素のグレーレベルを前記第２の画像からの対応の画素のグレーレベルに対してプロット」する過程において、「差画像の絶対値を２値化する」ための「しきい値」を示す線分を「散布図上にプロット」するのであるから、「前記過程（ｂ）において形成されたプロットに少なくとも一つの閾値窓をプロットする過程」を含む点で本願補正発明と一致する。
　
　そして、先願発明は「半導体ウエハにおける被検査パターンの欠陥検査」を行うものであって、欠陥の判定は「得られた画像信号を比較し、不一致を欠陥として検出する」ことにより行われるものであるところ、「散布図」における２本の「しきい値の線分」の外側の領域は、「差画像の絶対値」がしきい値より大きい領域、すなわち２つの画像の明るさの不一致が顕著な領域であるといえるから、先願発明は、本願補正発明のように「少なくとも一つの閾値窓の外側の領域は、前記ウェーハの欠陥を示す」ものと捉えるのが自然である。このことは、先願明細書等全体の記載から明らかであって、特に上記第２の２．（２）ウ、エによれば、２つの画像の差画像の値sub(x,y)が２つのしきい値の間の値を取れば位置(x,y)の画素は非欠陥候補、２つのしきい値の間の値でなければ位置(x,y)の画素は欠陥候補と判定している。
　
　したがって、本願補正発明と先願発明は、以下の点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
［一致点］
　ウェーハから取り込まれた第１の画像を第２の画像と関係づける方法であって、
（ａ）欠陥検査システムの位置合わせ手法によって、前記第１の画像を前記第２の画像と位置合わせする過程と、
（ｂ）前記欠陥検査システムによって、位置合わせした画素位置につき前記第１の画像からの画素のグレーレベルを前記第２の画像からの対応の画素のグレーレベルに対してプロットする過程と、
　前記過程（ｂ）において形成されたプロットに少なくとも一つの閾値窓をプロットする過程と、
を含み、
　前記少なくとも一つの閾値窓の外側の領域は、前記ウェーハの欠陥を示す、方法。
　
［一応の相違１］
　本願補正発明は「画素のグレーレベル」や「少なくとも一つの閾値窓」の「プロット」を「プロセッサによって」行っているのに対し、先願発明における「プロット」の処理がプロセッサによって行われるものであるか明らかではない点。
　
［一応の相違２］
　本願補正発明は、「画素のグレーレベル」の「プロット」を「位置合わせした画素位置すべてにつき」行っているのに対し、先願発明では「位置合わせした画素位置すべて」に対してプロットが行われているか明らかではない点。
　
　しかしながら、上記の一応の相違１に関しては、先願の出願時期において周知、慣用なプロットの処理を行うものにおいて、プロットの制御をプロセッサによって行うことは、ごく普通に行われる設計的事項にすぎない。
　
　また、上記の一応の相違２に関しても、先願発明は「欠陥を信頼性高く検査すること」を目的とし、２つの画像の比較により被検査パターンの欠陥を検査するものであるから、より信頼性の高い検査結果を得るために、「位置合わせした画素位置」について、すべての画素位置で２つの画像を比較して検査を行うことは、当業者が当然に行う設計的事項にすぎない。すべての画素位置で２つの画像を比較して検査を行う方が、検査対象の画素位置が少ない状態で検査を行うよりも信頼性が高くなるのは明らかである。
　
　以上のとおり、本願補正発明は、先願明細書等に記載された発明と実質的に同一である。
　
　また、本願の発明者は先願の発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時において、本願の出願人は先願の出願人と同一でもない。
　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　 
　なお、請求人は平成２２年１２月２４日付けの審判請求書において、以下のように主張している。 
「引用文献３には、以下のように、新請求項１の上記発明特定事項１は、記載も示唆もされていないものと思料致します。  
　即ち、引用文献３の図３４から図３７は、閾値窓を開示していると思料致しますが、この閾値窓は、ｆ（ｘ、ｙ）がｇ（ｘ、ｙ）とどの程度近似しているかを示すように、散布図の全ての点を囲っているものと思料致します。引用文献３の閾値窓の外側には点が存在しないため、閾値窓の外側の領域は、特定の意味を有しておらず、ましてやウェーハの欠陥を示すという意味は有していないものと思料致します。」 
　しかしながら、図３４〜３７の散布図としきい値の例に関する上記第２の２．（２）ケによれば、「図３４は、2枚の画像が異なるため、
これを誤検出しないように、
欠陥検出感度等
欠陥検出感度等を決める基準
　してみると、図３４〜図３７に閾値窓の外側の点が表現されていないからといって、当該図面の記載のみをもって、先願発明の閾値窓は「散布図の全ての点を囲っている」とか、「閾値窓の外側には点が存在しないため、閾値窓の外側の領域は、特定の意味を有しておらず、ましてやウェーハの欠陥を示すという意味は有していない」とすることはできず、請求人の上記主張は採用できない。
　
　３．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　
 １．本願発明の認定 
　平成２２年１２月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年５月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１から６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「画像処理システムにおいて第１の画像を第２の画像と関係づける方法であって、
（ａ）欠陥検査システムによって、前記第１の画像を第２の画像と位置合わせする過程と、
（ｂ）プロセッサによって、位置合わせした画素位置すべてにつき前記第１の画像からの画素のグレーレベルを前記第２の画像からの対応の画素のグレーレベルに対してプロットする過程と、
　前記プロセッサによって、前記過程（ｂ）において形成されたプロットに少なくとも一つの閾値窓をプロットする過程と、
を含み、
　前記少なくとも一つの閾値窓の外側の領域は、欠陥を示す、方法。」
　
　２．先願発明
 　原査定の拒絶の理由で引用された先願明細書等、及び、その記載事項は、前記第２の２．（２）に記載したとおりである。
　
　３．対比・判断
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明の「第１の画像」を「ウェーハから取り込まれた」ものであるとする限定事項、及び、「欠陥」を「ウェーハの欠陥」とする限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２で判断したとおり、先願発明と実質的に同一であるから、本願発明は同様の理由により先願発明と実質的に同一である。 
　
第４．まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、先願明細書等に記載された発明と同一である。また、本願の発明者は先願の発明者と同一ではなく、本願の出願の時において、本願の出願人は先願の出願人と同一でもない。
　そのため、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。