【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
基板に複数のトレンチを形成し、
前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを酸素拡散バリア層で覆い、
前記複数トレンチのうち少なくとも１つのトレンチを前記酸素拡散バリア層で覆う一方で、前記複数のトレンチのうちの１つあるいはそれ以上のトレンチの酸化性の内部表面部分上に熱酸化物２１０Ｂを選択的に形成し、
前記複数トレンチを充てんするために熱酸化物を選択的に形成する前に前記基板上に絶縁層をデポジットするステップを含む、
方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つのトレンチを覆う前記酸素拡散バリア層を除去し、
前記予め覆われたトレンチの酸化性の内部表面部分を熱的に酸化する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記酸素拡散バリア層を除去し、
前記第二酸素拡散バリア層によって覆われた前記少なくとも一つのトレンチのサイドウォールにおける更なる酸化物の成長を実質的に回避するために少なくとも前記１あるいはそれ以上のトレンチの１つを第二非酸化性マスク層で覆う、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記複数トレンチの前記１あるいはそれ以上の酸化性の内部表面部分上に熱的酸化物を選択的に形成する前に前記複数トレンチの少なくとも幾つかの酸化性の内部表面部分上に熱的酸化物を形成する、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記複数トレンチのうち前記１つあるいはそれ以上の酸化性の内部表面部分上に熱的酸化物を選択的に形成した後に前記複数トレンチの少なくとも幾つかの酸化性の内部表面部分上に熱的酸化物を形成する、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記複数のトレンチの前記１つあるいはそれ以上内に熱的酸化物を選択的に形成する前に前記複数トレンチの酸化性の内部表面部分上に熱的酸化物を形成し、誘電酸化材料で前記複数のトレンチを充てんすることを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記複数トレンチを充てんした後で、かつ、前記複数トレンチの前記１つあるいはそれ以上に熱的酸化物を選択的に形成する前に、熱的酸化物を形成する、
請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記誘酸化層の密度を高めるために不活性雰囲気における前記基板を熱処理する、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
トレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
基板に複数のトレンチを形成し、
前記複数のトレンチを絶縁材料で充てんし、
前記複数のトレンチを充てんした後、前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを酸素拡散バリア層２２１で覆い、
前記複数のトレンチを充てんした後、前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを前記酸素拡散バリア層で覆う一方で、前記複数のトレンチのうちの１つあるいはそれ以上のトレンチの酸化性の内部表面部分上に熱酸化物を選択的に形成し、
前記少なくとも一つのトレンチを覆う前記酸素拡散バリア層を除去し、前記予め覆われたトレンチの酸化性の内部表面部分を熱的に酸化する、方法。
【請求項１０】
前記絶縁材料の密度を高めるために、不活性雰囲気において前記基板を熱処理する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記酸素拡散バリア層は、非酸化性材料を含む、
請求項１又は９記載の方法。
【請求項１２】
前記非酸化性材料は、シリコン窒化物及びシリコンオキシナイトライドのうち少なくとも１つを含む、
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記酸素拡散バリア層は、酸化性材料を含む、
請求項１又は９記載の方法。
【請求項１４】
前記酸素拡散バリア層の膜厚は、前記熱酸化物の形成中、前記酸化性材料の完全な酸化を実質的に回避するために選択される、
請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
トレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
基板に複数のトレンチを形成し、
前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを酸素拡散バリア層で覆い、
前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを前記酸素拡散バリア層で覆う一方で、前記複数のトレンチのうちの１つ以上のトレンチの酸化性の内部表面部分上に熱酸化物を選択的に形成し、
前記少なくとも１つのトレンチを覆う前記酸素拡散バリア層を除去し、前記予め覆われたトレンチの酸化性の内部表面部分を熱的に酸化する、
方法。
【請求項１６】
前記酸素拡散バリア層は、非酸化性材料を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１７】
前記非酸化性材料は、シリコン窒化物及びシリコンオキシナイトライドのうち少なくとも１つを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記酸素拡散バリア層は、酸化性材料を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記酸素拡散バリア層の膜厚は、前記熱酸化物の形成中、前記酸化性材料の完全な酸化を実質的に回避するために選択される、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
トレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
基板に複数のトレンチを形成し、
前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを第一酸素拡散バリア層で覆い、
前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを前記第一酸素拡散バリア層で覆う一方で、前記複数のトレンチのうちの１つあるいはそれ以上のトレンチの酸化性の内部表面部分上に熱酸化物を選択的に形成し、
前記第一酸素拡散バリア層を除去し、前記第二酸素拡散バリア層によって覆われた前記少なくとも一つのトレンチのサイドウォールにおける更なる酸化物の成長を実質的に回避するために、前記１つあるいはそれ以上のトレンチのうちの少なくとも１つのトレンチを非酸化性の第二酸素拡散バリア層で覆う、
方法。
【請求項２１】
前記第一酸素拡散バリア層は、非酸化性材料を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記第一酸素拡散バリア層は、酸化性材料を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記第一酸素拡散バリア層の膜厚は、前記熱酸化物の形成中、前記酸化性材料の完全な酸化を実質的に回避するように選択される、請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
半導体デバイスにおけるトレンチ絶縁構造のコーナー部丸め度合いをコントロールするための方法であって、
絶縁材料で充てんされた第二の絶縁トレンチを犠牲酸素拡散バリア層で覆う一方で、絶縁材料で充てんされた第一絶縁トレンチの内部表面部分を熱的に酸化し、
前記第一トレンチ部分を熱的に酸化した後、前記酸素拡散バリア層を除去し、前記第一及び第二トレンチ内に熱的酸化層を形成する、
方法。
【請求項２５】
前記第一トレンチ部分を熱的に酸化する前に第一及び第二トレンチ内に熱的酸化層を形成する、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第一および第二トレンチの誘電酸化物の密度を高めるために、不活性雰囲気において前記トレンチ絶縁構造を熱処理する、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記絶縁材料の密度を高めるとともに前記第一および第二トレンチ内に熱酸化物を形成するために、酸化雰囲気において前記トレンチ絶縁構造を少なくとも一定の時間間隔の間熱処理する、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
前記酸素拡散バリア層は、非酸化性材料を含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
前記酸素拡散バリア層は酸化性材料を含む、請求項２４記載の方法。
【請求項３０】
前記酸素拡散バリア層の膜厚は、前記熱酸化物の形成中、前記酸化性材料の完全な酸化を実質的に回避するために選択される、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
半導体デバイスにおけるトレンチ絶縁構造のコーナー部丸め度合いをコントロールするための方法であって、
絶縁材料で充てんされた第二の絶縁トレンチを犠牲酸素拡散バリア層で覆う一方で、絶縁材料で充てんされた第一絶縁トレンチの内部表面部分を熱的に酸化し、
前記犠牲酸素拡散バリア層を除去し、前記第一トレンチを覆うために第二酸素拡散バリア層を形成し、前記第２トレンチの表面部分を熱的に酸化する、
方法。
【請求項３２】
前記第一トレンチ部分を熱的に酸化する前に第一及び第二トレンチ内に熱的酸化層を形成する、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記第１および第２トレンチにおいて、前記誘電酸化物の密度を高めるために、不活性雰囲気において前記トレンチ絶縁構造を熱処理する、請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
前記絶縁材料の密度を高めるとともに前記第一および第二トレンチ内に熱酸化物を形成するために、酸化雰囲気において前記トレンチ絶縁構造を少なくとも一定の時間間隔の間熱処理する、請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
前記第一および第二トレンチの各々が酸化雰囲気に曝される合計時間は、第一および第二の設計厚さに従い、前記第一トレンチにおいて前記第一熱酸化物層が第一の膜厚を、および、前記第二トレンチにおいて前記第二酸化物層が第二の膜厚を得るようにコントロールされる、請求項３１記載の方法。
【請求項３６】
前記犠牲酸素拡散バリア層は、非酸化性材料を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３７】
前記犠牲酸素拡散バリア層は、酸化性材料を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３８】
トレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
基板に複数のトレンチを形成し、
前記複数のトレンチを絶縁材料で充てんし、
前記複数のトレンチを充てんした後、前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを第一酸素拡散バリア層で覆い、
前記複数のトレンチを充てんした後、前記複数のトレンチのうち少なくとも１つのトレンチを前記第一酸素拡散バリア層で覆う一方で、前記複数のトレンチのうち１つあるいはそれ以上の酸化性の内部表面部分上に熱酸化物を選択的に形成し、
前記第二酸素拡散バリア層によって覆われた前記少なくとも一つのトレンチのサイドウォールにおける更なる酸化物の成長を実質的に回避するために、前記第一酸素拡散バリア層を除去し、前記１つあるいはそれ以上のトレンチのうちの少なくとも１つのトレンチを非酸化性の第二酸素拡散バリア層で覆う、
方法。