【事件の表示】
　特願２００３−３２３９８２「面発光型半導体レーザー及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月　７日出願公開、特開２００５−　９３６３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年９月１７日の出願であって、平成２１年８月１０日付けで手続補正がなされ、平成２２年５月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１９日に拒絶査定不服審判請求がされ、その後、当審において平成２３年６月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年９月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年９月９日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「少なくとも半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射部材と、エッチストップ層と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、コンタクト層とが順次積層され、該コンタクト層上に形成された誘電体層よりなる第一反射部材と、第一及び第二クラッド層のいずれかの層中若しくは層間に存在する電流狭窄層と、コンタクト層と電気的に接続した第一オーミック電極とを有する面発光型半導体レーザーにおいて、コンタクト層上には開口を有する不純物高添加領域が設けられ、前記開口内は不純物が添加されていない領域となっており、該開口の外径が前記電流狭窄層の電流狭窄領域の外径以下であることを特徴とする面発光型半導体レーザー。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２０２５２９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光変調器および半導体発光装置および波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システムに関する。」
　
　イ　「【０１１２】＜実施例５＞図５は本発明に係る半導体発光装置の他の構成例を示す図であり、図５の半導体発光装置は、面型半導体発光装置（光変調器集積型面発光半導体レーザ装置）として構成されており、面発光型半導体レーザと電界吸収型半導体光変調器とが積層方向にモノリシックに集積されたものとなっている。すなわち、レーザ光強度を変調する電界吸収型半導体光変調器は、面発光半導体レーザにおける共振器構造の途中に挿入されている。
【０１１３】具体的に、図５において、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上には、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１、ｎ型ＧａＡｓ下部スペーサ層２０２、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３、第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１、ｐ型ＡｌＡｓ層５０１、第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３、多重量子井戸構造５０６、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓの上部ＤＢＲ１１０４が順次に積層されている。
・・・
【０１１６】ｎ型ＤＢＲ２０１とｎ型上部ＤＢＲ１１０４にはさまれた領域が、面発光半導体レーザ素子の共振器構造を構成している。・・・
【０１１７】図５において、このように順次に積層された積層構造は、２段の階段状にドライエッチングされて、柱状構造が形成されている。上から１段目は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３の表面が露出するように形成されており、２段目はｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１に達する深さまでエッチングされている。
【０１１８】また、柱状構造周辺部のｐ型ＡｌＡｓ層５０１は、エッチングにより露出した側面から選択的に酸化されて、ＡｌＯx絶縁領域５０３が形成されている。これにより、電流を１段目のメササイズよりも狭い領域に狭窄して、閾電流を低減させている。
【０１１９】・・・そして、エッチングによりｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３表面が露出した１段目のテラス面には、ｐ側共通電極１１０が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、レーザ駆動用のｎ側電極１１１が形成されている。
【０１２０】図５の構成では、面発光半導体レーザにおいて、ｐ側電極１１０とｎ側電極１１１に順方向バイアスを印加することにより、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３にキャリアが注入される。このとき、選択酸化で形成したＡｌＯx絶縁領域５０３によって、電流は柱状構造よりも狭い領域に狭窄される。ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３に注入されたキャリアは発光再結合して、ＧａＩｎＮＡｓ井戸層のバンドギャップに対応した１．３μｍ帯の光が放射される。そして、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３で発生した光は、ｎ型ＤＢＲ２０１と、ｎ型上部ＤＢＲ１１０４とで構成された共振器内で共振してレーザ発振する。レーザ光は、ＧａＡｓ基板１０１に対して垂直上方から取り出される。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「面発光型半導体レーザと電界吸収型半導体光変調器とが積層方向にモノリシックに集積され、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１、ｎ型ＧａＡｓ下部スペーサ層２０２、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３、第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１、ｐ型ＡｌＡｓ層５０１、第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３、多重量子井戸構造５０６、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓの上部ＤＢＲ１１０４が順次に積層されている面型半導体発光装置であって、
　このように順次に積層された積層構造は、２段の階段状にドライエッチングされて、柱状構造が形成されており、上から１段目は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３の表面が露出するように形成されており、２段目はｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１に達する深さまでエッチングされており、
　また、柱状構造周辺部のｐ型ＡｌＡｓ層５０１は、エッチングにより露出した側面から選択的に酸化されて、ＡｌＯx絶縁領域５０３が形成されている。これにより、電流を１段目のメササイズよりも狭い領域に狭窄して、閾電流を低減させており、
　エッチングによりｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３表面が露出した１段目のテラス面には、ｐ側共通電極１１０が形成されており、また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、レーザ駆動用のｎ側電極１１１が形成されている面型半導体発光装置。」
　
（２）引用刊行物２
　同じく、IEEE　PHOTONICS　TECHNOLOGY　LETTERS　Vol.13,　No.4,　pp.266-268（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（なお、和訳をかっこ書きした。）。
　
　ア　「Ｉ．INTRODUCTION
　VERTICAL-CAVITY surface-emitting lasers(VCSELs)[1],[2]have become important light sources for the optical data communication and optical interconnects,・・・.・・・In this letter,we report that a VCSEL with a higher order mode absorber formed by shallow Zn diffusion operated at single-mode over the entire drive current range with a minimum threshold current of 〜0.8mA and a maximum mode suppression ratio of 40dB. The Zn diffused region was formed selectively outsaide the 5X5 μm2 masked area  similar to the previous work[9] but with a much shallower diffusion depth(＜0.3μm). This corresponds to less than 3 DBR pairs minimizing the optical loss for the fundamental mode, while preserving the absorption and forming an effective absorber of the higher order modes.」（２６６頁左欄１４行〜右欄２４行）
（Ｉ．導入
　垂直共振面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）［１］、［２］は・・・光データ通信や光接続のための重要な光源となっっている。・・・この論文において、浅いＺnの拡散によって形成された高次モード吸収体を備えたＶＣＳＥＬが、約０．８ｍＡの最小閾値電流を含む全駆動電流範囲にわたり、４０ｄＢの最大モード圧縮比でシングルモード駆動されたことを報告する。Ｚｎが拡散された領域は、以前の研究［９］と同様に５×５μｍ２のマスク領域の外側に選択的に形成されたが、拡散深さはもっと浅かった（＜０．３μｍ）。これは、基本モードに対する光学的損失を最小化する３ＤＢＲ対よりも小さく、吸収を維持するとともに高次モードを有効に吸収する吸収体を形成するものに対応する。）
　
　イ　「ＩＩ．DEVICE STRUCTURE AND FABRICATION
 The epilayer is s typical structure for oxide confined VCSELs, consisting of three GsAs-AlGaAs multiquantum wells(MQW)sandwiched by a 30-pair n-type and a 20-pair p-type Al0.12Ga0.88As-Al0.9Ga0.1As layers with an Al0.98Ga0.02As layer just above the MQW for the oxidation. The completed device shown in Fig.1 was fabricated in the following way: First a Si3n4 mask with 5X5 and 10X10μm2 squares were formed on the sample, then the masked sample with a Zn2As3 source was sealed in an evacuated quartz ampoule and heated to 650OC for only 1-8 min.This resulted in a Zn diffused region with a shallow diffusion depth(0.2-0.5μm)outside the Si3N4 masked area which forms a higher order mode absorber.After the Zn diffusion, the sample was etched with a solution of K2Cr2O7:CH3COOH:HBr(1:1:1) to form mesa/moat structure. The moats were etched with 〜1μm deeper than the MQW active layer to expose the Al0.98Ga0.02As layer, and isolate the devices electrically. Then, the sample was put in a 415OC furnace with 90OC H2O vapor flowing to oxidize the exposed Al0.98Ga0.02As to form a current confined active region. Following the oxidation, a 2000 Å SiO2 film was deposited over the entire sample, and a 30X30 μm2 square window was opened on the top of mesa. At the final step, a Cr-Au film with a 15X15 μm2 window was deposited on the top and a Ge-Au film was deposited on the backside of the sample to form a p- and n-type contact, respectively.」（２６６頁右欄２５行〜２６７頁左欄１６行）
（ＩＩ．デバイスの構造と製造
　エピ層は、酸素が制限されたＶＣＳＥＬの典型的な構造であり、ＶＣＳＥＬは、３０対のｎ型そして２０対のｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８８Ａｓ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層に挟まれた３つのＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱＷ）と、酸化のために設けられ、ＭＱＷのすぐ上のＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を含む。図１に示された完成されたデバイスは、以下のようにして製造された：まず、５×５及び１０×１０μｍ２の正方形のＳｉ３Ｎ４マスクが試料の上に形成され、次にマスクされた試料をＺｎ２Ａｓ３源とともに空の石英のアンプルに入れて封止し、６５０℃で１〜８分だけ加熱した。この結果、Ｓｉ３Ｎ４によりマスクされた領域の外側に高次モードを吸収する浅い拡散深さ（０．２〜０．５μｍ）のＺｎ拡散領域が形成された。Ｚｎの拡散後、試料はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：ＣＨ３ＣＯＯＨ：ＨＢｒ（１：１：１）溶液によりエッチングされて、メサ／堀構造が形成された。堀は、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層が露出するようにＭＱＷの活性層よりも約１μｍ深くエッチされ、複数のデバイスを電気的に分離した。そして、試料は、露出したＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を酸化して電流の制限された活性領域を形成すべく、９０℃の水蒸気の流れる４１５℃の炉内に置かれた。酸化に続き、２０００ÅのＳｉＯ２フィルムが試料全体に堆積され、３０×３０μｍ２の正方形の窓がメサの上に形成された。最後の段階で、１５×１５μｍ２の窓を有するＣｒ−Ａｕフィルム、及びＧｅ−Ａｕフィルムが、それぞれ、試料の上及び裏側に堆積され、ｐ型及びｎ型のコンタクトが形成された。）
　
　ウ　図１には、「Schematic diagram of a VCSEL consisting of an absorber with an aperture d formed by selective Zn diffusion and an active region with a width D formed by oxidation.」（選択的なＺｎ拡散により形成され、開口ｄを有する吸収体と、酸化により形成され、幅Ｄを有する活性領域とを含むＶＣＳＥＬの模式図）と記載されており、当該記載及び上記イを踏まえて図１をみると、選択的なＺｎ拡散により形成された吸収体の開口ｄは、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を酸化することにより形成された電流の制限された活性領域の幅Ｄよりも狭いこと、が見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「３０対のｎ型そして２０対のｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８８Ａｓ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層に挟まれた３つのＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱＷ）と、酸化のために設けられ、ＭＱＷのすぐ上のＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を含む垂直共振面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）であって、
　まず、５×５及び１０×１０μｍ２の正方形のＳｉ３Ｎ４マスクが試料の上に形成され、次にマスクされた試料をＺｎ２Ａｓ３源とともに空の石英のアンプルに入れて封止し、６５０℃で１〜８分だけ加熱し、この結果、Ｓｉ３Ｎ４によりマスクされた領域の外側に高次モードを吸収する浅い拡散深さ（０．２〜０．５μｍ）のＺｎ拡散領域が形成され、Ｚｎの拡散後、試料はＫ２Ｃｒ２Ｏ７：ＣＨ３ＣＯＯＨ：ＨＢｒ（１：１：１）溶液によりエッチングされて、メサ／堀構造が形成され、堀は、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層が露出するようにＭＱＷの活性層よりも約１μｍ深くエッチされ、複数のデバイスを電気的に分離し、そして、試料は、露出したＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を酸化して電流の制限された活性領域を形成すべく、９０℃の水蒸気の流れる４１５℃の炉内に置かれ、酸化に続き、２０００ÅのＳｉＯ２フィルムが試料全体に堆積され、３０×３０μｍ２の正方形の窓がメサの上に形成され、最後の段階で、１５×１５μｍ２の窓を有するＣｒ−Ａｕフィルム、及びＧｅ−Ａｕフィルムが、それぞれ、試料の上及び裏側に堆積され、ｐ型及びｎ型のコンタクトが形成され、
　選択的なＺｎ拡散により形成された吸収体の開口ｄは、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を酸化することにより形成された電流の制限された活性領域の幅Ｄよりも狭く、
　高次モードを有効に吸収する吸収体を形成した垂直共振面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「面型半導体発光装置」は、「面発光型半導体レーザと電界吸収型半導体光変調器とが積層方向にモノリシックに集積され」たものであって、その「ｐ型ＡｌＡｓ層５０１」は、「『第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１』及び『第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２』」に挟まれ、「エッチングにより露出した側面から選択的に酸化されて、ＡｌＯx絶縁領域５０３が形成され・・・これにより、電流を１段目のメササイズよりも狭い領域に狭窄して、閾電流を低減させて」いるものであるから、
　ア　引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ基板１０１」、「ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１」、「ｎ型ＧａＡｓ下部スペーサ層２０２」、「ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３」、「『第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１』及び『第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２』」、「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３」、「（『第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１』及び『第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２』に挟まれ、側面から選択的に酸化されて、ＡｌＯx絶縁領域５０３が形成され・・・これにより、電流を１段目のメササイズよりも狭い領域に狭窄して、閾電流を低減させる）ｐ型ＡｌＡｓ層５０１」及び「面型半導体発光装置」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「半導体層よりなる第二反射部材」、「第二クラッド層」、「活性層」、「第一クラッド層」、「コンタクト層」、「（第一及び第二クラッド層のいずれかの層中若しくは層間に存在する）電流狭窄層」及び「面発光型半導体レーザー」に相当し、
　イ　引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１、ｎ型ＧａＡｓ下部スペーサ層２０２、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層２０３、第１のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０１、ｐ型ＡｌＡｓ層５０１、第２のＧａＡｓ上部スペーサ層１１０２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３・・・が順次に積層され」との事項と、本願発明の「少なくとも半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射部材と、エッチストップ層と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、コンタクト層とが順次積層され」との事項とは、「少なくとも半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射部材と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、コンタクト層とが順次積層され」との点で一致し、
　ウ　引用発明１は、本願発明の「第一及び第二クラッド層のいずれかの層中若しくは層間に存在する電流狭窄層と有する」との事項を備える。
　
（２）引用発明１の「面型半導体発光装置」は、「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３」の上に「ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓの上部ＤＢＲ１１０４」が形成されてなるものであるから、引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓの上部ＤＢＲ１１０４」と、本願発明の「コンタクト層上に形成された誘電体層よりなる第一反射部材」とは、「コンタクト層上に形成された第一反射部材」である点で一致する。
　
（３）引用発明１は、「エッチングによりｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３表面が露出した１段目のテラス面には、ｐ側共通電極１１０が形成されて」いるから、引用発明１の「ｐ側共通電極１１０」は、本願発明の「コンタクト層と電気的に接続した第一オーミック電極」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「少なくとも半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射部材と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、コンタクト層とが順次積層され、該コンタクト層上に形成された第一反射部材と、第一及び第二クラッド層のいずれかの層中若しくは層間に存在する電流狭窄層と、コンタクト層と電気的に接続した第一オーミック電極とを有する面発光型半導体レーザー。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　第二反射部材と第二クラッド層との間に、本願発明では、エッチストップ層が積層されるのに対し、引用発明１では、エッチストップ層が積層されていない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　コンタクト層上に形成された第一反射部材が、本願発明では、誘電体層よりなるのに対し、引用発明１では、ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ（半導体層）よりなる点（以下「相違点２」という。）。
　ｃ　本願発明は、コンタクト層上には開口を有する不純物高添加領域が設けられ、前記開口内は不純物が添加されていない領域となっており、該開口の外径が電流狭窄層の電流狭窄領域の外径以下であるのに対し、引用発明１は、コンタクト層上にそのような不純物高添加領域が設けられていない点（以下「相違点３」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
相違点１について
　引用発明１は、「２段の階段状にドライエッチングされて、柱状構造が形成されており、・・・２段目はｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１に達する深さまでエッチングされて」いるものであるから、引用発明１において、「ｎ型ＧａＡｓ／Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓのＤＢＲ２０１」の上（の「ｎ型ＧａＡｓ下部スペーサ層２０２」との間）にエッチストップ層を積層することは、当業者が必要に応じ適宜になし得ることである。
　
相違点２について
　面型半導体発光装置の上部反射層を誘電体層で構成することは本願出願時点で周知であるから（例えば、特開２０００−３３２３６３号公報（【００９５】、図１０）、特開平１１−３０７８７６号公報（【００２３】、図１）、特開昭６４−４５１８７号公報（第３頁左下欄第８〜１１行、第３図）参照。）、引用発明１において、「上部ＤＢＲ１１０４」を誘電体層で構成して、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
相違点３について
　上記２（２）によれば、引用文献２には、引用発明２が記載され、「垂直共振面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）」において、「選択的なＺｎ拡散により形成された（高次モード）吸収体の開口ｄ」を「Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を酸化することにより形成された電流の制限された活性領域の幅Ｄよりも狭く」形成することにより、「高次モードを有効に吸収する吸収体を形成」する発明が示されている。しかるところ、引用発明１において、前記引用発明２を適用し、高次モードを有効に吸収させるべく、「ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０３」に、「ｐ型ＡｌＡｓ層５０１」の電流狭窄領域よりも幅の狭い開口領域以外の領域に高次モード吸収不純物を添加して、上記相違点３に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。