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【手続補正書】
【提出日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1種類の裸の抗癌胎児性抗原（抗CEA）モノクローナル抗体(MAb)またはその断片と、少なくとも1種類の治療薬とを含んでなる組成物であって、
(i)  前記抗CEA MAbが、通常の交差反応性抗原(NCA)および胎便抗原(MA)とは反応せず、IgG1ヒト定常領域を有する裸のヒト化またはヒト抗体であり、かつ
(ii)  前記裸のヒト化またはヒト抗CEA MAbおよび治療薬が、同時にまたは逐次に投与される、組成物。
【請求項２】
前記抗CEA MAbまたはその断片が完全ヒトMAbであり、該完全ヒトMAbが、ネズミ抗CEA MAbの抗CEA結合特異性を実質的に保持している、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗CEAモノクローナル抗体またはその断片がMN-14抗体またはその断片である、請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
前記MN-14モノクローナル抗体またはその断片が、ネズミMN-14モノクローナル抗体の相補性決定領域(CDR)を含んでなり、(1) 該MN-14抗体の軽鎖可変領域のCDRがアミノ酸配列KASQDVGTSVAを含んでなるCDR1、アミノ酸配列WTSTRHTを含んでなるCDR2、およびアミノ酸配列QQYSLYRSを含んでなるCDR3を含んでなり、(2) 前記MN-14抗体の重鎖可変領域のCDRがTYWMSを含んでなるCDR1、EIHPDSSTINYAPSLKDを含んでなるCDR2、およびLYFGFPWFAYを含んでなるCDR3を含んでなるか、または前記MN-14抗体が(1)および(2)の両方のCDRを含んでなる、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記ヒト化MN-14抗体またはその断片の軽および重鎖可変領域の枠組構造領域(FR)が、ネズミMN-14モノクローナル抗体の相当するFRから置換された少なくとも1種類のアミノ酸を含んでなる、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記ヒト化MN-14抗体またはその断片が、ネズミの重鎖可変領域(KLHuVhAIGA)のアミノ酸残基24、28、30、48、49、74および94からなる群から選択される、前記ネズミMN-14抗体の相当するFR由来の少なくとも１種類のアミノ酸を含んでなる、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ヒト化MN-14抗体またはその断片が、図13Aまたは図15Aまたは図16Aに示される軽鎖可変領域と、KLHuVhAIGAと称される図14A-Cまたは図15B (hMN-14)または図16Bに示される重鎖可変領域とを含んでなる、請求項４に記載の組成物。
【請求項８】
前記断片がF(ab')2、Fab'、Fab、FvおよびscFvからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
【請求項９】
前記治療薬が、裸の抗体、細胞傷害性物質、または薬剤、あるいはそれらの組合せであって、所望により薬学上許容可能なビヒクル中に処方されたものからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
【請求項１０】
前記それらの組合せが、ビンクリスチン、ドキソルビシン、DTIC、およびシクロホスファミドを含んでなる、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記治療薬が裸の抗体である、請求項9に記載の組成物。
【請求項１２】
前記裸の抗体が、EGP-1、EGP-2、MUC-1、MUC-2、MUC-3、MUC-4、PAM-4、KC4、TAG-72、EGFR、EGP-2、HER2/neu、BrE3、Le-Y、A3、A33、Ep-CAM、AFP、Tn、Thomson-Friedenreich抗原、腫瘍壊死抗原、VEGF、テネイシン、フィブロネクチン、腫瘍血管新生抗原、Ga733、またはそれらの組合せと反応性であるモノクローナル抗体またはその断片からなる群から選択されるヒト化、キメラ、ヒト、またはネズミモノクローナル抗体またはその断片を含んでなる、請求項11に記載の組成物。
【請求項１３】
前記治療薬がDTICではない、請求項1に記載の組成物。
【請求項１４】
同一または異なる抗原に対して少なくとも1種類のCEA結合部位および少なくとも1種類の他の結合部位を含んでなる抗体融合タンパク質であって、
前記抗CEA MAbが、通常の交差反応性抗原(NCA)および胎便抗原(MA)とは反応せず、IgG1ヒト定常領域を有する裸のヒト化またはヒト抗体である、抗体融合タンパク質。
【請求項１５】
前記融合タンパク質の一方のアームがCD66eをターゲッティングするクラスIIIの抗CEA mAbであり、前記融合タンパク質のもう一つのアームがCD66a-dをターゲッティングする別の抗CEA交差反応性抗体由来である、請求項１４に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項１６】
NCA50/90に結合する一つのアームと、CEAのクラスIIIエピトープに結合する第二のアームとを含んでなる、請求項１４に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項１７】
NCA-50/90アームがhMN-3抗体から得られ、CEAのクラスIIIエピトープに結合する第二のアームがhMN-14から得られる、請求項１６に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項１８】
前記融合タンパク質が顆粒球からのサイトカイン放出の活性化を防止するためのFc-ドメインを欠き、または補体固定およびADCCを防止するように変更されているFc-ドメインを有する、請求項１７に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項１９】
1種類のhMN-15アームと少なくとも１種類のhMN14アームとを含んでなる、請求項１４に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項２０】
少なくとも1種類のhMN-14アームと少なくとも1種類のMN-6アームとを含んでなる、請求項１４に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項２１】
治療薬をさらに含んでなる、請求項１４に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項２２】
前記治療薬がサイトカインである、請求項２１に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項２３】
前記サイトカインがGM-CSFまたはG-CSFである、請求項２２に記載の抗体融合タンパク質。
【請求項２４】
前記薬剤が、有糸分裂阻害剤、アルキル化剤、代謝拮抗物質、血管新生阻害因子、アポトーシス因子、アルカロイド、COX-2阻害薬、抗生物質、およびそれらの組合せからなる群から選択される医薬特性を有する、請求項９に記載の組成物。
【請求項２５】
前記裸のヒト化MN-14抗体またはその断片を注入用量当たり100-600mgタンパク質の投薬量で投与する、請求項４に記載の組成物。
【請求項２６】
前記裸のヒト化MN-14抗体またはその断片を注入用量当たり300-400mgタンパク質の投薬量で投与する、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
前記細胞傷害性物質がCPT-11、オクサリプラチンまたは5-フルオロウラシル/ロイコボリンである、請求項９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
複合材料、例えばＮｉ／ＹＳＺ（酸化イットリウムで安定化された酸化ジルコニウム）またはＮｉＯ／ＹＳＺから粉末技術的賦形法で製造される基材は、機械的に非常に安定性がないという欠点を有している。加熱溶射法によって高温燃料電池のためのかゝる層系を製造する場合には、基材中に不利な過度の熱応力が発生しそして基材を破壊する恐れがある大きな温度変化が一般に生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
担体構造物自体は、特に燃料電池要素の製造のために特に以下の性質を示す金属粉末を溶射することによって製造される。通例の燃料電池要素に適する膨張係数、即ち約１０〜１３×１０-6／Ｋを有しているのが有利だそうである。更に表面上に高温のもとで酸化条件のもとで、電導性を有する酸化物皮膜が形成されべきである。この用途のためには、クロム−またはマンガン酸化物被覆を形成するフェライト鋼が有利である。場合によってはクロムを基礎とする合金、例えばＣｒＦｅＹ−合金もこの目的に使用される。担体構造物は、ガスの透過に対して過度な抵抗を生じないように高い（特に１５％より多い）解放多孔度を有しているべきである。相応する多孔度は熱的被覆によって容易に達成できる。特に、前もってコールドスプレー条件で、即ち金属粒子の部分溶融状態で使用される比較的に粗い粉末（粒度＞５０μｍ）を用いるのが有利である。多孔度の追加的増加は加熱溶射の間に、有機成分（例えばポリエステル）または炭素または他の適当なスペース保持剤を含むことによって可能である。この有機成分またはスペース保持剤は後で加熱処理によって容易に除くことができる。担体構造物のための有効な層厚は特に好ましくは０．３〜３ｍｍの間にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
実施例：
Ｆ４-バーナーを用いての大気プラズマ溶射によってＣｒ５ＦｅＹ−合金をポリマーで被覆されたＳＴ３７スチール製基材に溶射する。溶射の際の有機系添加成分としてポリエステルを使用する。コールド法パラメータ（約４０ｋＷの出力、１２０ｍｍの溶射距離）をポリエステル添加と組合せて用いることが、ポリエステルの焼去後に明らかに３０％以上の多孔度に調整することを可能とする。層厚は約１ｍｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これに続いて、懸濁物大気プラズマ溶射によってカソード官能性層をきめの細かい多孔質層（多孔度＞２５％）として析出させる。使用した懸濁物は約２５重量％の固形分含有量の La0.65Sr0.3MnO3/YSZよりなる。この層の厚さは３０μｍである。溶射距離は、４７ｋＷのＦ４−バーナー出力のもとで７０ｍｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生装置において、
サブオーディオデータが別途に付加されたメインストリームデータ及び前記サブオーディオデータを再生する再生部を含み、前記再生部は、
前記サブオーディオデータを再生するのに利用されるカウンタを含むことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記カウンタは、
前記サブオーディオデータをデパケット化するのに利用されるサブオーディオ用ＡＴＣカウンタを含むことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記カウンタは、
前記デパケット化されたサブオーディオデータをデコードするのに利用されるサブオーディオ用ＳＴＣカウンタをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記メインストリームデータは静止画像データを含むことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項５】
再生装置において、
静止画像データを含むメインストリームデータを再生するための目的のクロックを利用して前記メインストリームデータを再生するメインストリーム再生部と、
前記メインストリームデータに別途に付加されたサブオーディオデータを再生するための目的のクロックを利用して前記サブオーディオデータを再生するサブオーディオ再生部とを含むことを特徴とする再生装置。
【請求項６】
前記メインストリーム再生部は、
前記メインストリームデータをデパケット化するメインストリームデパケッタイザと、
前記メインストリームデータをデパケット化するのに利用されるクロックを前記メインストリームデパケッタイザに提供するメインストリーム用ＡＴＣカウンタとを含み、
前記サブオーディオ再生部は、
前記サブオーディオデータをデパケット化するサブオーディオデパケッタイザと、
前記サブオーディオデータをデパケット化するのに利用されるクロックを前記サブオーディオデパケッタイザに提供するサブオーディオ用ＡＴＣカウンタとを含むことを特徴とする請求項５に記載の再生装置。
【請求項７】
前記メインストリーム再生部は、
前記メインストリームデパケッタイザから受信されたメインストリームデータをデコードするメインストリームデコーダと、
前記メインストリームデータをデコードするのに利用されるクロックを前記メインストリームデコーダに提供するメインストリームＳＴＣカウンタとをさらに含み、
前記サブオーディオ再生部は、
前記サブオーディオデパケッタイザから受信されたサブオーディオデータをデコードするサブオーディオデコーダと、
前記サブオーディオデータをデコードするのに利用されるクロックを前記サブオーディオデコーダに提供するサブオーディオＳＴＣカウンタとをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の再生装置。
【請求項８】
再生方法を行うためのプログラムが記録された記録媒体において、
前記再生方法は、
メインストリームデータに別途に付加されたサブオーディオデータを、前記サブオーディオを再生するためのクロックを用いて再生する段階を含むことを特徴とする記録媒体。
【請求項９】
再生方法を行うためのプログラムが記録された記録媒体において、
前記再生方法は、
ａ）静止画像データを含むメインストリームデータを再生するためのクロックを用いて前記メインストリームデータを再生する段階と、
ｂ）前記メインストリームデータに別途に付加されたサブオーディオデータを再生するためのクロックを用いて前記サブオーディオデータを再生する段階とを含むことを特徴とする記録媒体。
【請求項１０】
記録媒体に記録されたビデオ及びオーディオデータストリームを再生する再生装置において、
第１カウンタに基づいて第１データストリームを再生する第１再生器と、
第２カウンタに基づいて第２データストリームを再生する第２再生器とを含むことを特徴とする再生装置。
【請求項１１】
前記第１カウンタ及び第２カウンタは互いに影響を与えずに独立的に調整されることを特徴とする請求項１０に記載の再生装置。
【請求項１２】
前記第１カウンタは第１ＡＴＣカウンタ及び第１ＳＴＣカウンタを含み、前記第２カウンタは第２ＡＴＣカウンタ及び第２ＳＴＣカウンタを含み、
前記第１及び第２のＳＴＣカウンタは、前記第１及び第２のデータストリーム内のＰＣＲ情報に基づいて初期化されることを特徴とする請求項１０に記載の再生装置。
【請求項１３】
前記第１再生器は、
前記第１データストリームをキャプチャする第１バッファと、
前記第１ＡＴＣカウンタのカウントに基づいて前記第１データストリームをデパケット化する第１ソースデパケッタイザと、
前記デパケット化された第１データストリームをデマルチプレクスするデマルチプレクサと、
前記第１ＳＴＣカウンタのカウントに基づいて前記デマルチプレクスされた第１データストリームをデコードする第１デコーダとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の再生装置。
【請求項１４】
前記第１データストリームはメインストリームデータを含み、前記第２データストリームはサブオーディオデータを含むことを特徴とする請求項１３に記載の再生装置。
【請求項１５】
前記メインストリームデータは静止画像データを含むことを特徴とする請求項１４に記載の再生装置。
【請求項１６】
前記メインストリームデータはブラウザブルスライドショーを含むことを特徴とする請求項１４に記載の再生装置。
【請求項１７】
前記第１デコーダは、
オーディオデータをデコードするオーディオデコーダと、
サブピクチャーデータをデコードするサブピクチャーデコーダと、
ビデオデータをデコードするビデオデコーダとを含むことを特徴とする請求項１４に記載の再生装置。
【請求項１８】
前記メインストリームデータがブラウザブルスライドショーを含む時、前記オーディオデコーダは非活性化されることを特徴とする請求項１７に記載の再生装置。
【請求項１９】
前記第２再生器は、
前記第２データストリームをキャプチャする第２バッファと、
前記第２ＡＴＣカウンタのカウントに基づいて前記第２データストリームをデパケット化する第２ソースデパケッタイザと、
前記第２ＳＴＣカウンタのカウントに基づいて前記デマルチプレクスされた第２データストリームをデコードする第２デコーダとを含むことを特徴とする請求項１３に記載の再生装置。
【請求項２０】
前記第１データストリームはメインストリームデータを含み、前記第２データストリームはサブオーディオデータを含むことを特徴とする請求項１９に記載の再生装置。
【請求項２１】
前記第２データストリームは、前記第１データストリームの再生と関係なく再生されるサブオーディオデータを含むことを特徴とする請求項１９に記載の再生装置。
【請求項２２】
前記第２データストリームは、記録ディスクにおいて前記第１データストリームに別途に付加されることを特徴とする請求項１９に記載の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月28日(2006.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
そのそれぞれが濡れた多孔性床の形で固相物質を保持することを意図する微小反応空間(１０４ａ〜ｈ)を備える、一つ、二つもしくはそれ以上のマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)を備える微小流体装置であって、当該一つ、二つもしくはそれ以上のマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)のそれぞれが床の保存活性を有する一つもしくはそれ以上の化合物を含む床の保存剤を含む、乾燥状態の固相物質を含むことを特徴とする、微小流体装置。
【請求項２】
当該一つもしくはそれ以上の化合物の少なくとも一つがａ)非イオン性であり得るかもしくはあり得ない親水性基を示し、そしてｂ)水溶性であることを特徴とする、請求項１に記載の微小流体装置。
【請求項３】
当該一つもしくはそれ以上の化合物の少なくとも一つがポリオールであることを特徴とする、請求項１〜２のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項４】
当該一つもしくはそれ以上の化合物の少なくとも一つが多糖類構造もしくはオリゴ糖類構造のような、炭水化物構造を示すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項５】
当該一つもしくはそれ以上の化合物の少なくとも一つが二糖類、好ましくはトレハロース、であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項６】
当該化合物の少なくとも一つがマイクロキャビティーの密着剤であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項７】
当該乾燥状態が非揮発性の緩衝剤、例えば多分カリウムイオンを対イオンとして持つリン酸塩緩衝剤、を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項８】
当該乾燥状態が微小流体装置内で達成されたことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の微小流体装置であって、当該乾燥状態が水性液体で飽和されている多孔性床から減圧下に、例えば、液体の凝固点以上でもしくは以下で、または水で飽和されている多孔性床を環境大気圧で加温して又はしないで乾燥することにより得られたことを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１０】
ａ)当該固相物質が多孔性のもしくは非多孔性の粒子の形であり、そして
ｂ)多孔性床がこれらの粒子の充填床である
ことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項１１】
当該固相物質が膨潤可能であるかもしくは膨潤可能でないことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の微小流体装置であって、当該一つ、二つもしくはそれ以上のマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)のそれぞれが微小反応空間(１０４ａ〜ｈ)に接続されている容積計量ユニット(１０６ａ〜ｈ、１０８ａ〜ｈ)を持つ入り口装置(１０２、１０３ａ〜ｈ)を備えることを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の微小流体装置であって、装置がマイクロチャネル構造の一つ、二つもしくはそれ以上のグループ(１００)に分割される、二つもしくはそれ以上のマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)を備えて、それぞれのグループが
ａ)グループ(１００)の全てのマイクロチャネル構造に共通であり、そして
ｂ)
(i)共通の入口(１０５ａ〜ｂ)、および
(ii)グループのそれぞれのマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)について、上流方向で共通の入口(１０５ａ〜ｂ)に接続されそして下流方向でマイクロチャネル構造(１０１ａ〜ｈ)の微小反応空間(１０４ａ〜ｈ)に接続されている容積計量ユニット(１０６ａ〜ｈ)
を備える入り口装置(１０２)を備えることを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１４】
請求項１２〜１３のいずれか１項に記載の微小流体装置であって、当該容積計量ユニット(１０６ａ〜ｈ、１０８ａ〜ｈ)のそれぞれの内壁が一旦水性液体がユニット、およびｂ)その出口におけるバルブ(１０９ａ〜ｈ、１１０ａ〜ｈ)、例えば受動性バルブ、に入ったならば、毛管現象により満たされるのに十分な程の親水性を有することを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１５】
それぞれのマイクロチャネル構造(１０１)が構造の少なくとも一部を通って遠心力により液流を駆動させるためにデザインされていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項１６】
固相物質が固定化反応物、典型的には溶質Ｓをアフィニティー捕獲するためのアフィニティー反応物ＡＣＳを含むことを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の微小流体装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の微小流体装置であって、固定化反応物がＬおよびＬに対するアフィニティー相手Ｂを含む固定化アフィニティー対のメンバーである、そしてＡＣＳが溶質Ｓに対するアフィニティー相手である、多孔性床への結合体Ｂ−ＡＣＳの固定化を意図する、固定化リガンドＬであることを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の微小流体装置であって、溶質(Ｓ)および溶質に対するアフィニティー相手(ＡＣＳ)の間の複合体(Ｓ−−ＡＣ)の形成についてのアフィニティー定数(ＫＳ−−ＡＣ)、即ち(ＫＳ−−ＡＣ)＝[Ｓ][ＡＣＳ]／[Ｓ−−ＡＣＳ]がせいぜい１０−６ｍｏｌｅ／ｌであることを特徴とする、微小流体装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の微小流体装置であって、固定化アフィニティー対のアフィニティー定数、即ちＫＬ'−−Ｂ'＝[Ｌ'][Ｂ']／[Ｌ'−−Ｂ']が、
ストレプトアビジンおよびビオチンについての相当するアフィニティー定数よりせいぜい１０３倍さらに大きいことを特徴とし、
好ましくは、アフィニティー対のＬ'ならびにＢ'がビオチン結合化合物およびストレプトアビジン結合化合物からそれぞれ選択される(もしくは逆もまた同様)、微小流体装置。
【請求項２０】
ＢがＬに対して一つもしくはそれ以上の結合部位を有して、そしてＬがＢに対して二つもしくはそれ以上の結合部位を有するか、または逆もまた同様であることを特徴とする、請求項１９に記載の微小流体装置。
【請求項２１】
請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の微小流体装置であって、少なくとも一つのＳおよびＡＣＳならびに／もしくは少なくとも一つのＬ、Ｂ、ＡＣＳおよびＳがポリ／オリゴ−ペプチドを含むペプチド構造およびタンパク質構造、炭水化物構造、核酸構造を含むヌクレオチド構造、ならびに脂質構造の中で選択される構造を含むことを特徴とする、微小流体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波送信機を有する送信装置と、受信機を有する受信装置と、を使用し、両装置の一方は既知の位置に存在する基準装置であり、他方は未知の位置に存在する被試験装置であり、既知の位置に存在する幾つかの反射体を使用する、測位方法であって、
送信機から受信機に反射体を介して又は直接に進行する幾つかの信号成分を有する信号を送信し、
前記受信機内で送信信号の複数の信号成分を受信し、
前記複数の信号成分の到達時刻を測定し、
前記信号成分を、それを反射した反射体と共に識別し、
測定された前記信号成分の到達時刻を、識別された反射体の既知の位置及び前記基準装置の位置に当てはめることによって、未知の位置を計算する、
測位方法。
【請求項２】
前記反射体への信号成分の割当ての可能な複数の順列を試験し、前記信号成分を反射した前記反射体への信号成分の割当ての順列を識別し、前記信号成分の計算された到達時刻の測定された到達時刻への最良の適合を与え、及び／又は前記未知の位置の解を可能とし、及び／又は計算された未知の位置の、あり得べき未知の位置への、最良の適合を与える、請求項１に記載の測位方法。
【請求項３】
信号成分の識別の各可能な順列が反射体と共に順番に試験される、請求項２に記載の測位方法。
【請求項４】
可能な順列の部分集合を選択し、選択された部分集合の順列を順番に試験する、請求項２に記載の測位方法。
【請求項５】
信号成分の到来角度を受信機内で測定し、到来情報の角度に基づいて順列の部分集合を選択する、請求項４に記載の測位方法。
【請求項６】
受信した信号成分の信号強度を測定し、反射体からの信号成分を識別するステップが受信した信号の強度を期待値に当てはめる、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の測位方法。
【請求項７】
信号が無線周波信号である、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の測位方法。
【請求項８】
送信無線周波信号として超広帯域信号を送信する、請求項７に記載の測位方法。
【請求項９】
測定された到達時刻から送信機又は受信機の未知の位置を計算するステップが、
τ０を直接信号成分の測定された到達時刻、
τｉ（ｉ＝１，２，・・・ｎ）をｎ個の間接成分の測定された到達時刻、
（ｘＴ，ｙＴ）を送信機の位置、
（ｘＲ，ｙＲ）を受信機の位置、
（ｘｊ，ｙｊ）（ｊ＝１，２，・・・ｎ）をｉ番目の信号成分と共に識別された反射体の位置、
ｔｃを送信機クロックに対する受信機クロックの未知のクロック差、さらに
ｃを光速として、
連立方程式、
【数１】
2006521533.tif 000001
を、ｉ＝１，・・・ｎに対して解くことによって実行される、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の測位方法。
【請求項１０】
既知の位置に存在する複数の反射体を有する環境内で用いるための測位システムであって、
信号を送信する送信機と、
送信された信号の複数の信号成分を受信する受信機であって、各信号成分を前記送信機から直接又は反射体を介して間接に受信し、信号成分の到達時刻を測定するように構成された受信機と、
ロケーションサーバであって、
前記送信機と受信機のうちの一方のものの既知の位置を記憶し、かつ複数の反射体の既知の位置を記憶する、手段と、  
複数の受信信号成分を、各信号成分を反射する前記反射体に関して識別し、さらに、受信信号成分の到達時刻を記憶された既知の位置に当てはめることにより、前記送信機と受信機のうちの他方のものの未知の位置を計算する、手段と、
を有するロケーションサーバと、
を備えている測位システム。
【請求項１１】
送信機又は受信機のいずれか一方の未知の位置を計算するロケーションサーバであって、その計算は、送信機によって送信された信号に基づいた、複数の受信信号成分の、前記受信機における測定到達時刻に基づいてなされる、ケーションサーバであり、
送信機と受信機のいずれか一方の既知の位置を記憶し、かつ、複数の反射体の既知の位置を記憶する、手段と、
複数の受信信号成分を、各信号成分を反射する前記反射体に関して識別し、さらに、受信信号成分の到達時刻を記憶された既知の位置に当てはめることにより、前記送信機と受信機のうちの他方のものの未知の位置を計算する、手段と、
を備えているロケーションサーバ。
【請求項１２】
送信機をさらに備えている請求項１１に記載のロケーションサーバ。
【請求項１３】
受信機をさらに備えている請求項１１に記載のロケーションサーバ。
【請求項１４】
集積回路に組み入れられている請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載のロケーションサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、前記装置は： 内部領域を有する処理チャンバと；
前記チャンバの外部に配置されるプラズマソースと；
前記チャンバの内部表面を洗浄するために、前記プラズマソースを前記チャンバの内部領域へ接続して前記チャンバ内部へ反応性核種を供給する導管と；
前記プラズマソースと前記チャンバの前記内部領域との間に配設されるシャワーヘッドであって、前記シャワーヘッドは、前記チャンバの前記内部領域へ与えられる陽極酸化されていないアルミニウム面を含む、シャワーヘッドと、を備える、基板処理装置。
【請求項２】
基板処理装置であって、前記装置は：内部領域を有する処理チャンバと；
前記チャンバの外部に配置されるプラズマソースと；
前記チャンバの内部表面を洗浄するために、前記プラズマソースを前記チャンバの内部領域へ接続して前記チャンバ内部へ反応性核種を供給する導管と；
前記プラズマソースと前記チャンバの前記内部領域との間に配設されるシャワーヘッドであって、前記シャワーヘッドは、前記チャンバの前記内部領域へ与えられる裸アルミニウム面を含む、シャワーヘッドと、を備える、基板処理装置。
【請求項３】
前記シャワーヘッドの前記アルミニウム面は、電解研磨された表面を含む、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
基板処理装置であって、前記装置は：処理チャンバと；
前記チャンバの外部に配置されるプラズマソースと；
前記チャンバの内部表面を洗浄するために、前記プラズマソースを前記チャンバの内部領域へ接続して前記チャンバ内部へ反応性核種を供給する導管と；
前記プラズマソースと前記チャンバの前記内部領域との間に配設されるシャワーヘッドであって、前記シャワーヘッドは、前記チャンバの前記内部領域へ与えられるフッ素ベースの外層を含む、シャワーヘッドと、を備える、基板処理装置。
【請求項５】
前記フッ素ベースの外層は、アルミニウム材料上に配設される、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記外層はフッ化アルミニウムを含む、請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記外層はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、請求項４記載の装置。
【請求項８】
前記フッ素ベースの外層は、電解研磨されたアルミニウム面上に配設される、請求項４記載の装置。
【請求項９】
前記チャンバは、複数の高周波でパワー供給される電極を含み、前記シャワーヘッドは前記電極の一つとして役を果す、請求項１、２、または４記載の装置。
【請求項１０】
前記シャワーヘッドは、ガス分配機構として役を果す、請求項１、２、または４記載の装置。
【請求項１１】
前記プラズマソースは、フッ素ベースの化合物を含む前駆体ガスソースを含む、請求項１、２、または４記載の装置。
【請求項１２】
前記前駆体ガスソースはフッ化窒素を含む、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
処理チャンバを洗浄する方法であって、前記方法は：前記チャンバの外部で反応性核種を形成するステップと；
前記チャンバの内部領域へ与えられる陽極酸化されていないアルミニウム面を有するシャワーヘッドを経由して、前記チャンバの前記内部領域へ前記反応性核種を供給するステップと、を含む方法。
【請求項１４】
処理チャンバを洗浄する方法であって、前記方法は：前記チャンバの外部で反応性核種を形成するステップと；
前記チャンバの内部領域へ与えられる裸アルミニウム面を有するシャワーヘッドを経由して、前記チャンバの前記内部領域へ前記反応性核種を供給するステップと、を含む方法。
【請求項１５】
処理チャンバを洗浄する方法であって、前記方法は：前記チャンバの外部で反応性核種を形成するステップと；
前記チャンバの内部領域へ与えられるフッ素ベースの不活性化合物を含む外層を有するシャワーヘッドを経由して、前記チャンバの前記内部領域へ前記反応性核種を供給するステップと、を含む方法。
【請求項１６】
反応性核種を形成するステップは、前駆体ガスを活性化するステップを含む、請求項１３、１４、または１５記載の方法。
【請求項１７】
前記前駆体ガスはフッ素ベースの化合物を含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記前駆体ガスはフッ化窒素を含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記反応性核種はフッ素ラジカルを含む、請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  低−ｋ誘電又は銅材料を使用して集積回路から残留物又はフォトレジストを除去するための組成物であって、コリン化合物、水及び有機溶媒を含む組成物。
【請求項２】  前記組成物が、約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  前記組成物が、約１０質量％〜約８０質量％の前記水を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】  前記組成物が、約２０質量％〜約８０質量％の前記有機溶媒を含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】  前記コリン化合物が、水酸化コリン、炭酸水素コリン又は塩化コリンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】  前記コリン化合物が、水酸化コリンである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】  前記有機溶媒が、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、モノメタノールアミン、又はジグリコールアミンを含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】  前記組成物が、さらにヒドロキシルアミンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】  前記組成物が、さらに腐蝕防止剤を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】  低−ｋ誘電又は銅材料を使用して集積回路から残留物又はフォトレジストを除去するための方法であって、前記集積回路を、コリン化合物、水及び有機溶媒を含む組成物と、前記集積回路から前記残留物を除去するのに十分な温度で、かつ十分な時間、接触させる工程を含む方法。
【請求項１１】  前記組成物が、約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記組成物が、約１０質量％〜約８０質量％の前記水を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記組成物が、約２０質量％〜約８０質量％の前記有機溶媒を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記コリン化合物が、水酸化コリン、炭酸水素コリン又は塩化コリンを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記コリン化合物が、水酸化コリンである請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記集積回路中の銅伝導線上に第１シリコン化合物エッチング停止層を形成する工程、この第１シリコン化合物エッチング停止層上に、第２シリコン化合物バルク誘電体を形成する工程、この第２シリコン化合物バルク誘電体をエッチングして、前記エッチング停止層を露出させる工程、前記集積回路から残留物を除去する工程、前記エッチング停止層をエッチングして、銅伝導線を露出させる工程、及び請求項７に従って前記集積回路から残留物を除去する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】  前記組成物が、さらにヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】  前記組成物が、さらに腐蝕防止剤を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】  集積回路二次加工法であって、前記集積回路中の銅伝導線上に第１シリコン化合物エッチング停止層を形成する工程、この第１シリコン化合物エッチング停止層上に、第２シリコン化合物バルク誘電体を形成する工程、この第２シリコン化合物バルク誘電体をエッチングして、前記エッチング停止層を露出させる工程、前記集積回路から残留物を除去する工程、前記エッチング停止層をエッチングして、前記銅伝導線を露出させる工程、及び有効量のコリン化合物を含有する残留物除去組成物で、前記集積回路から残留物を除去する工程を含む集積回路二次加工法。
【請求項２０】  前記第１シリコン化合物エッチング停止層が、窒化シリコンを含む請求項１９に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２１】  前記第２シリコン化合物エッチング停止層が、酸化シリコンを含む請求項２０に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２２】  前記コリン化合物が、水酸化コリン、炭酸水素コリン又は塩化コリンを含む請求項２１に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２３】  前記コリン化合物が、水酸化コリンである請求項２２に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２４】  前記残留物除去組成物が、さらに水を含む請求項２０に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２５】  前記残留物除去組成物が、約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物を含む、請求項２４に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２６】  前記組成物が、約１０質量％〜約８０質量％の前記水を含む、請求項２５に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２７】  前記組成物が、さらに有機溶媒を含む請求項２４に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２８】  前記有機溶媒が、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、モノメタノールアミン、又はジグリコールアミンを含む、請求項２７に記載の集積回路二次加工法。
【請求項２９】  前記組成物が、さらにヒドロキシルアミンを含む、請求項２７に記載の集積回路二次加工法。
【請求項３０】  前記組成物が、約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物、約１０質量％〜約８０質量％の前記水、及び約２０質量％〜約８０質量％の前記有機溶媒を含む、請求項２７に記載の集積回路二次加工法。
【請求項３１】  前記組成物が、さらに腐蝕防止剤を含む、請求項２７に記載の集積回路二次加工法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フラグと語Ｒがある構造を有し、語Ｒの後にフラグが続くその語Ｒを格納するために利用するビット数を決定するステップと；
１のフラグを有する上記構造中の対応する語Ｒは、次の構造中の前記語Ｒが隣接するようにランの長さの一部を形成することを示す１のフラグを有する構造を指定し、対応する語Ｒがランの長さの最上位部分であることを示す０のフラグを有する構造を指定するステップと；
前記語Ｒのビットの各々が完全に利用された場合でも、前記ビット数によって許容される以上に長いランの長さを、複数の前記構造をまとめてストリング化することによって符号化するステップとから構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】  画像の相違および色チャンネル適応変換からの色チャンネルとサブバンドデータを含む画像データを符号化する方法であって、この方法は、
１組の画像データ用のために変換チャンネルとサブバンドを確認するステップと；
画像データの各チャンネルおよび各サブバンド用に複数のエンコーディングスキーム群の１つを選択するステップと；
選択された前記符号化スキームの１つを、この符号化スキームが選ばれた前記映像データに適用するステップと；
から構成された符号化方法。
【請求項３】  データ値を符号化するための拡張ゼロ・ラン・レングス符号化スキームにおける語Ｒの長さからなるＭビットのグループにそれぞれがセグメント化されたＮビット・カウンタと、
前記カウンタに結合され、かつ、フラグをセットし、前記カウンタから選択された前記Ｍビットのグループの出力をイネーブルにするように構成された論理ネットワークとを備える装置。
【請求項４】  データ・ストリーム内の同じ値のランを、その値から語Ｒとフラグからなる構造を引き出すことによって復号化する方法であって、
前記フラグが１の場合には、その構造内の対応する語Ｒは、次の構造内のＲ値が隣接するようにランの長さの一部を形成するように決定され、
前記フラグが０の場合には、対応する語Ｒがランの長さの最上位部分であるとする復号化の方法。
【請求項５】  生画像データを生成するアレイ中に格納される画素値として表される光を受け取るように構成された光サブシステムと、
フラグと語Ｒがある構造を有し、語Ｒの後にフラグが続くその語Ｒを格納するために利用するビット数を決定するイメージプロセッサと、
上記エンコードされたデータを蓄積する画像メモリとから構成され、上記フラグと語Ｒは上記構造内の対応する語Ｒが次の構造値中の前記語Ｒが隣接するようにランの長さの一部を形成することを示す１のフラグを有する構造を指定すると共に、対応する語Ｒがランの長さの最上位部分であることを示す０のフラグを有する構造を指定し、
前記語Ｒのビットの各々が完全に利用された場合でも、前記ビット数によって許容される以上に長いランの長さを、複数の前記構造をまとめてストリング化することによって符号化することを特徴とするシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年7月18日(2006.7.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１および第２抗磁層を備え、第１非磁性導電層を前記第１および第２抗磁層の間に平行並置する第１反強磁性結合多層構造であって、前記第１抗磁層が第１磁気ベクトルを、前記第２抗磁層が第２磁気ベクトルを有し、前記第１および第２磁気ベクトルが磁界が印加されない場合は逆平行になり、前記第１抗磁層は前記第２抗磁層の前記第２磁気ベクトルとは異なる磁界強度において前記第１磁気ベクトルの方向を切り替えるよう構築される第１反強磁性結合多層構造；
前記第１反強磁性結合多層構造の前記第１および第２磁気ベクトルの一方と平行な磁気ベクトルを有する少なくとも１つの抗磁層を備える第２構造；および
前記第１および第２構造の間に平行並置されて抗磁性トンネル接合部を形成する絶縁材料；
を備える低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セル。
【請求項２】  請求項１に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルにおいて、前記１および第２構造は、１〜５の範囲の長さ／幅の比を有する、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セル。
【請求項３】  請求項１に記載の低切替磁界磁性トンネル接合において、前記１および第２抗磁層は、異なる切替磁界において切り替えるために異なる厚みを有する、低切替磁界磁性トンネル接合。
【請求項４】  請求項１に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルにおいて、前記１および第２抗磁層は、異なる切替磁界において切り替えるために異なる磁化を有する、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セル。
【請求項５】  平坦な表面を有する基板；および
前記基板の前記平坦面上に支持されメモリ・アレイを構築するよう相互接続される、複数の相互接続された低切替磁界抗磁性トンネル接合メモリ・セルであって、前記複数のセルのうち各セルが５未満のアスペクト比と、円形，ひし形または楕円形のいずれかの上面とを有し、各セルが：
第１および第２抗磁層を備え、第１非磁性導電層を前記第１および第２抗磁層の間に平行並置する第１反強磁性結合多層構造であって、前記第１抗磁層が第１磁気ベクトルを、前記第２抗磁層が第２磁気ベクトルを有し、前記第１および第２磁気ベクトルが磁界が印加されない場合は逆平行になり、前記第１抗磁層は前記第２抗磁層の前記第２磁気ベクトルとは異なる磁界強度において前記第１磁気ベクトルの方向を切り替えるよう構築される第１反強磁性結合多層構造；
前記第１反強磁性結合多層構造の前記第１および第２磁気ベクトルの一方と平行な磁気ベクトルを有する少なくとも１つの抗磁層を備える第２構造；および
前記第１反強磁性結合構造と第２構造との間に平行並置されて抗磁性トンネル接合部を形成する絶縁材料；
によって構成される低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セル；
を備える低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルの高密度アレイ。
【請求項６】  請求項５に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルの高密度アレイにおいて、前記１および第２抗磁層は、異なる切替磁界強度において切り替えるために異なる厚みを有する、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルの高密度アレイ。
【請求項７】  請求項５に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルの高密度アレイにおいて、前記１および第２抗磁層は、異なる切替磁界強度において切り替えるために異なる磁化を有する、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルの高密度アレイ。
【請求項８】  低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを作成する方法であって：
平坦な表面を有する基板を設ける段階；
前記基板上に、前記平坦面に平行な好適な磁気軸に沿う磁気ベクトルを有する第１抗磁構造を付着する段階；
前記第１抗磁構造上に絶縁材料の層を付着する段階；および
前記絶縁層上に第２抗磁構造を付着する段階であって：
前記絶縁層上に第１の厚みを有する抗磁性材料の第１層を付着させ、前記好適な軸に沿う磁気ベクトルを伴う前記第１層を設ける段階；
前記抗磁性材料の第１層上に第１非磁性導電層を付着させる段階；および
前記第１非磁性導電層上に前記第１の厚みとは異なる第２の厚みを有する抗磁性材料の第２層を付着し、前記抗磁性材料の第１層の前記磁気軸に平行な前記好適な磁気軸に沿う磁気ベクトルを伴う前記第２層を設ける段階であって、前記抗磁性材料の第１および第２層と前記第１非磁性導電層とが、磁界が印加されない場合に前記第２層の前記磁気ベクトルが前記第１層の前記磁気ベクトルに逆平行になる反強磁性結合多層構造を規定する段階；
を含んで構成される段階；
を備え、前記第１抗磁構造，前記絶縁材料層および前記第２抗磁構造が低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを形成する、方法。
【請求項９】  請求項８に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを作成する方法において、前記１および第２抗磁層を付着する段階は、異なる切替磁界において切り替えるために異なる厚みを有する前記１および第２抗磁層を付着することを含む、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを作成する方法。
【請求項１０】  請求項８に記載の低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを作成する方法において、前記１および第２抗磁層を付着する段階は、異なる切替磁界において切り替えるために異なる磁化を有する前記１および第２抗磁層を付着することを含む、低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルを作成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上のポリシリコン層をエッチングする方法であって、次の工程：
ａ）処理チャンバに、ポリシリコン層を有する前記基板を置く工程；及び、
ｂ）臭素含有ガス、塩素含有ガス、無機フッ素化ガス、及び酸素ガスを含む活性化された処理ガスに前記基板を曝す工程、
を含む、前記方法。
【請求項２】  前記臭素含有ガス、塩素含有ガス、無機フッ素化ガス、及び酸素ガスの体積流量比は、前記活性化処理ガスが前記ポリシリコン層の異なるドーパント濃度を有する領域を、実質的に同じエッチング速度でエッチングするように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記臭素含有ガス、塩素含有ガス、無機フッ素化ガス、及び酸素ガスの体積流量比は、前記活性化処理ガスが前記ポリシリコン層をエッチング中に、前記処理チャンバの内部表面に形成されたエッチング残留堆積物を清浄するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記臭素含有ガス、塩素含有ガス、及び酸素ガスの結合体積流量対前記無機フッ素化ガスの体積流量の体積流量比は、約４：１〜約２０：１である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  処理チャンバの基板上のケイ素含有層をエッチングする一方で、同時に前記処理チャンバの内部表面を清浄する方法であって、次の工程：
ａ）前記処理チャンバに、前記ケイ素含有層を有する前記基板を置く工程；
ｂ）第１のエッチング段階で、前記基板上のケイ素含有層をエッチングするエッチングガス、及び前記ケイ素含有層のエッチング中に前記処理チャンバの内部表面に形成された堆積物を清浄する清浄ガスを含む第１の活性化処理ガスを、前記処理チャンバに供給する工程；
ｃ）ポンプ排出段階で、前記第１の処理ガスの流れを止め、前記処理チャンバから前記第１の活性化処理ガスを排出する工程；及び、
ｄ）第２のエッチング段階で、前記基板上の前記ケイ素含有層をエッチングするためのエッチングガスを含み、前記清浄ガスを実質的に含まない第２の活性化処理ガスを、前記処理チャンバに供給する工程、
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーム駆動機構と、
前記アーム駆動機構に接続された第一アームであって、前記アーム駆動機構は前記第一アームを制御可能に移動させるように働くものと、
前記第一アームに接続された複数基板・バッチローダーと、
前記アーム駆動機構に接続された第二アームであって、前記アーム駆動機構は前記第二アームを制御可能に移動させるように働くものであり、そして前記第二のアームは前記第一アームとは独立して働くものと、
前記第二アームに接続された単一面エンド・エフェクタと、
ここで、前記アーム駆動機構は、前記複数基板・バッチローダーと前記単一面エンド・エフェクタのいずれかまたは両方を位置させて前記カセットから基板を引き出すことができるものであり、
以上を具備する、基板保持カセットの開放面に向き合う位置に位置することが可能な、基板取扱いロボット。
【請求項２】
前記複数基板・バッチローダーが、垂直に積み上げられた複数の基板取扱いパドルを有する、請求項１の基板取扱いロボット。
【請求項３】
前記垂直に積み上げられた複数の基板取扱いパドルの各基板取扱いパドルが、真空開口部を有する、請求項２の基板取扱いロボット。
【請求項４】
前記垂直に積み上げられた基板取扱いパドルの各真空開口部から真空信号を受ける真空センサーをさらに含む、請求項３の基板取扱いロボット。
【請求項５】
前記真空センサーに接続され、前記複数基板・バッチローダーが保持する基板数を示す基板装荷数を判定する真空信号インタープリータをさらに含む、請求項４の基板取扱いロボット。
【請求項６】
前記真空信号インタープリータが、前記基板装荷数に応じて、前記第一アームの運動の速度を変える、請求項５の基板取扱いロボット。
【請求項７】
前記第二アームに接続された対象物センサーをさらに含む、請求項１の基板取扱いロボット。
【請求項８】
前記対象物センサーが、前記複数基板・バッチローダーに隣接する前記カセットの中の基板数を査定する、請求項７の基板取扱いロボット。
【請求項９】
前記カセットの中の前記基板数に応じて前記第一アームと前記第二アームとを制御して、前記第一と第二のアームが、基板の数と位置に依存して、前記カセットから基板を所定のシークエンスで除去して、前記複数基板・バッチローダーの完全装荷の使用を最大化するようにする基板装荷シークエンス・コントローラをさらに具備する、請求項８の基板取扱いロボット。
【請求項１０】
保管場所から基板を取り出す方法であって、
単一パドルを用いて保管場所から第一基板を取り出すステップと、
複数のパドルを含む複数基板・バッチローダーを用いて前記保管場所から複数の基板を引き出すステップと、
前記単一パドルと前記複数基板・バッチローダーとを共に異なる箇所へ移動するステップ、
との各ステップを具備する前記方法。
【請求項１１】
前記複数基板・バッチローダーが保持する基板数を示す真空信号を、前記複数基板・バッチローダーから取得するステップを含む、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記複数基板・バッチローダーが完全に装荷されていないとき、前記複数基板・バッチローダーの運動を代えるステップをさらに含む、請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記保管場所にある基板数を査定するステップをさらに含む、請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記複数基板・バッチローダーの完全装荷を促進するため、前記保管場所から個々の基板を取り出すステップをさらに含む、請求項１３の方法。
【請求項１５】
末端と近接端を有するアーム接続器と、ここで前記近接端はアーム駆動機構に結合するように適合され、
前記末端上の第１のスタンドオフと、
前記スタンドオフの上部に載置される第１のパドルと、ここで前記第１のパドルは、第１のスタンドオフ上で端部のスタンドオフとして機能することが可能な第１のパドル台を組み込むものであり、
上記第１のパドル上に整列された複数のパドルと、ここで、各パドルは第１のスタンドオフと整列する端部のスタンドオフとして機能するパドル台を組み込み、そして
パドルの垂直配列を確保するパドルキャップ、
以上を具備する、伸張性の複数基板・バッチローダー。
【請求項１６】
第１のパドル台が別個の高架台部材である請求項１５のバッチローダー。
【請求項１７】
パドルは真空を有する請求項１５のバッチローダー。
【請求項１８】
各パドルは吸入を行い、そして基板をパドルに固定する真空開口を有し、
各パドル台は、内部真空チャンネルを有し、そして
Ｏリングが前記パドル、パドル台、スタンドオフおよびパドルキャップ間の真空チャンネルをシールするものである、請求項１５のバッチローダー。