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　特願２００５−３５１２４０「半導体ウェハの研磨装置及び半導体ウェハの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２１日出願公開、特開２００７−１５８０２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、平成１７年１２月５日の特許出願であって、同２３年６月８日付けで拒絶の理由が通知され、同２３年８月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同２３年９月５日付けで拒絶の査定がなされたものである。
　その後、平成２３年１２月１３日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされ、その後、同２４年３月７日付けで当審より拒絶の理由が通知され、同２４年５月１１日に意見書及び手続補正書が提出された。
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし９に係る発明は、平成２４年５月１１日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲及び明細書、願書に添付した図面の記載からみて、上記特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「　【請求項１】
　円盤状のウェハの外周縁側を研磨する研磨部と、
　前記ウェハを保持するウェハ保持部と、
　前記ウェハの表面に向かってガスを吐出し、前記ウェハ上の空間を前記研磨部により前記ウェハが研磨される研磨領域と、前記ウェハのうち前記研磨領域以外の領域である通常領域とに前記ガスのカーテンで仕切るガス吐出部と、を備え、
　前記ウェハ保持部が下記（ｉ）又は（ｉｉ）で示す機構を有し、
　前記ガス吐出部が、前記通常領域と前記研磨領域との間に前記ガスを吐出することを特徴とする半導体ウェハの研磨装置。
（ｉ）前記ウェハを下面側から固定するウェハチャック機構
（ｉｉ）前記ウェハの外周縁を複数のローラで支持するローラ機構」
　
２　各引用刊行物記載の発明・事項
　これに対して、当審での平成２４年３月７日付けの拒絶の理由に引用された、本件出願前である平成１１年１２月２１日に頒布された特開平１１−３４７９０２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の発明が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン半導体ウェーハ等の薄板の外縁部を加工する方法および装置に関するものである。」
イ　段落【００１８】〜【００２０】
「【発明の実施の形態】図１には本発明に係る薄板の加工装置としてウェーハの研削機が示されている。この研削機１０においては、ウェーハＷの下方に該ウェーハＷを真空吸着するための吸着盤（保持手段）１１が設けられている。この場合、吸着盤１１の表面は水平の方が、純水の流速の均等化のために好ましい。・・・
　また、この研削機１０においては、吸着盤１１の隣には砥石２０が設けられている。・・・
　さらに、この研削機１０においては、ウェーハＷの表裏面（上下面）を研削作業領域およびウェーハＷの保持部を除いて覆うカバー３０，３１が設けられている。このカバー３０，３１は、特に限定はされないが、テフロン、ＰＶＣ等のプラスチックによって構成されている。このカバー３０，３１のうち上側に位置するカバー３０は例えば上下に動作可能に構成され、上方に動作させた状態で、ウェーハＷの吸着盤１１への装着・離脱ができるようになっている。なお、カバー３０，３１の間にはウェーハＷが設置され、ウェーハＷの表裏面との間に所定の隙間を形成しなければならないので、カバー３０，３１の少なくとも一方に他方に当接するストッパ（図示せず）を設けておくことが好ましい。」
ウ　段落【００２１】
「続いて、カバー３０，３１の構造を図２および図３に基づいて説明すれば、カバー３０の形状は、平面的に見た場合に、ほぼ「Ｄ」字状に構成されていて、砥石２０に対向する部分が直線状に構成されている。これは、ウェーハＷの一部をその直線部から露出させるためのものである。また、このカバー３０の下側には、平面的に見た場合、ほぼ「Ｄ」字状に構成された凹部３２が形成されると共に、この凹部３２よりも砥石２０寄りの位置に他の凹部３３が形成されている。そして、この凹部３２，３３によって２つのポート３２ａ，３３ａが構成されている。これらポート３２ａ，３３ａは、吸着盤１１によって保持されるウェーハＷの内側領域に構成されている。このようにすることで、ウェーハＷの外縁部では、ウェーハＷとカバー３０の隙間が狭くなり流速が大きくなる。また、流速を均等化する効果もあり、研削屑による汚染防止にとって好ましいものとなる。一方、カバー３１は、平面的に見た場合、吸着盤１１を外周方向で囲繞するように環状に構成されていて、砥石２０に対向する部分が直線状に構成されている。これは、ウェーハＷの一部をその直線部から露出させるためのものである。また、このカバー３１の下側には、平面的に見た場合、吸着盤１１を外周方向で取り囲む馬蹄状の凹部３４が形成されると共に、この凹部３４よりも砥石２０寄りの位置に他の凹部３５が形成されている。そして、この凹部３４，３５によって２つのポート３４ａ，３５ａが構成されている。これらポート３４ａ，３５ａは、吸着盤１１によって保持されるウェーハＷの内側領域に構成されている。このようにすることで、ウェーハＷの外縁部では、ウェーハＷとカバー３１の隙間が狭くなり流速が大きくなる。また、流速を均等化する効果もあり、研削屑による汚染防止にとって好ましいものとなる。なお、ポート３２ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａには純水供給装置４０の純水供給パイプが連結されている。さらに、カバー３１と吸着盤１１との間にはパッキン等のシール材３６が介装され、これによりカバー３１と吸着盤１１との隙間を閉塞し、純水が全てウェーハＷの外縁部に向けて流れるようにしている。」
エ　段落【００２４】
「このように構成された研削機１０によれば、ウェーハＷの表裏面を研削作業領域およびウェーハＷの保持部を除いてカバー３０，３１で覆っているので、このカバー３０，３１によって、飛散した研削屑がウェーハＷの表裏面に付着するのを効果的に防止できる。また、研削作業領域から離れた位置でウェーハＷの表裏面とカバー３０，３１との間に純水を供給し、図４に示すように、該純水をポート３３ａ，３５ａから砥石２０に向けて集中して噴出させているので、砥石２０の回転に伴う研削屑のウェーハＷへの付着を極力防止できることになる。また、研削作業領域には、ポート３３ａ，３５ａから純水が十分に供給されるので、研削屑や研削熱が効果的に除去できる。一方、ポート３２ａ，３４ａから放射状に噴出させているので、より研削屑のウェーハＷへの付着を防止できることになる。」
オ　段落【００３５】
「【発明の効果】以上のように本発明では薄板の面取り加工およびサンプリング加工において、いずれも研削屑等でウェーハの表裏面を汚染することなく、ウェーハの外縁部に研削加工を施すことができる。」
カ　ここで、ウェーハＷが円盤状であることは明らかである。また、図面の図１、図２、図３を参照すると、ウェーハＷの表裏面に向かって純水を噴出しているのが見て取れる。
キ　引用刊行物記載の発明
　以上アないしオの記載事項、及びカの認定事項から、引用刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
「円盤状のウェーハＷの外縁部に研削加工を施す砥石２０と、
　前記ウェーハＷを下方から吸着する吸着盤１１と、
　前記ウェーハＷの表裏面に向かって純水を噴出し、ウェーハＷの表裏面を研削作業領域およびウェーハＷの保持部を除いて覆うカバー３０、３１と、を備え、
　ウェーハＷの研削作業領域及びウェーハＷの保持部を除いてウェーハＷの表裏面に純水を噴出して研削屑のウェーハＷへの付着を防止するウェーハＷの研削機１０。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「ウェーハＷ」は、本願発明の「半導体ウェハ」に相当する。
　引用発明の「研削」及び「砥石２０」は、「材料除去加工」及び「材料除去加工部」という限りで、本願発明の「研磨」及び「研磨部」と共通する。
　引用発明の「ウェーハＷを下方から吸着する吸着盤１１」は、吸着することは保持することであるので、本願発明の「ウェハを保持する保持部」に相当し、また、「ウェハを下面側から固定するウェハチャック機構」と言えるものである。
　引用発明の「ガス」は、「流体」という限りで、本願発明の「純水」と共通し、また、引用発明の「表裏面」、「噴出」は、本願発明の「表面」、「吐出」に相当し、さらに、引用発明の「ウェーハＷの表裏面を研削作業領域およびウェーハＷの保持部を除いて覆うカバー３０、３１」は、「ウェハ上の空間を材料除去加工部によりウェハが材料除去加工される材料除去加工領域とそれ以外の領域に仕切る仕切り部」という限りで、本願発明の「ウェハ上の空間を研磨部により前記ウェハが研磨される研磨領域と、前記ウェハのうち前記研磨領域以外の領域である通常領域とにガスのカーテンで仕切るガス吐出部」と共通する。
　引用発明の「ウェーハＷの研削作業領域及びウェーハＷの保持部を除いてウェーハＷの表裏面に純水を噴出して研削屑のウェーハＷへの付着を防止する」ことは、「流体を吐出してウェハの材料除去加工される材料除去加工作業領域及びそれ以外の領域に仕切る」という限りで、本願発明の「ガス吐出部が、前記通常領域と前記研磨領域との間に前記ガスを吐出する」ことと共通する。
　引用発明の「研削機１０」は、「材料除去加工装置」という限りで、本願発明の「研磨装置」と共通する。
　以上の点から、両者は以下の点で一致し、また、以下の点で相違している。
＜一致点＞
「円盤状のウェハの外周縁側を材料除去加工する材料除去加工部と、
　前記ウェハを保持するウェハ保持部と、
　前記ウェハの表面に向かって流体を吐出し、前記ウェハ上の空間を材料除去加工部によりウェハが材料除去加工される材料除去加工領域とそれ以外の領域に仕切る仕切り部と、を備え、
　前記ウェハ保持部が下記（ｉ）で示す機構を有し、
　流体を吐出してウェハの材料除去加工される材料除去加工作業領域及びそれ以外の領域に仕切る半導体ウェハの材料除去加工装置。
（ｉ）前記ウェハを下面側から固定するウェハチャック機構」
＜相違点１＞
　材料除去加工に関し、本願発明では、「研磨」する「研磨部」を有する「研磨装置」であるのに対して、引用発明１では、「研削」する「砥石１０」を有する研削機１０である点。
＜相違点２＞
　ウェハの表面に向かって吐出する流体が、本願発明では、「ガス」であるのに対して、引用発明では、「純水」である点。
＜相違点３＞
　ウェハ上の空間を材料除去加工部によりウェハが材料除去加工される材料除去加工領域とそれ以外の領域に仕切る仕切り部を備え、流体を吐出してウェハの材料除去加工される材料除去加工作業領域及びそれ以外の領域に仕切る構造に関して、本願発明では、「ウェハ上の空間を研磨部により前記ウェハが研磨される研磨領域と、前記ウェハのうち前記研磨領域以外の領域である通常領域とにガスのカーテンで仕切るガス吐出部」を備え、「ガス吐出部が、通常領域と研磨領域との間にガスを吐出する」ものであるのに対して、引用発明では、ウェーハＷの表裏面を研削作業領域およびウェーハＷの保持部を除いて覆うカバー３０、３１と、を備え、ウェーハＷの研削作業領域及びウェーハＷの保持部を除いてウェーハＷの表裏面に純水を噴出して研削屑のウェーハＷへの付着を防止するものである点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）＜相違点１＞について
　半導体ウェハの外周縁側を研磨することは例示するまでもなく従来周知の事項であり、また、半導体ウェハの研削加工に引き続いて研磨加工することも通常行われていることからすれば、引用発明においても、研削加工に代えて研磨する研磨部を有する研磨装置とすることに、格別の困難性を有するものではない。
（２）＜相違点２＞について
　異物の侵入を防ぐ流体としてガスという気体も純水という液体もともに例示するまでもなく従来用いられている流体であることからすれば、引用発明において、流体として純水に代えてガスを用いることは、当業者が容易になし得たものである。
（３）＜相違点３＞について
　流体を噴出・吐出する態様として「カーテン状」のものは、当審における平成２４年３月７日付け拒絶理由において引用した特開平１０−２２９０６２号公報（段落【００５７】〜【００６０】参照。）のほか、例えば、特開平１１−１０４９５７号公報（段落【００１７】参照。）、特許第３０６６８２３号公報（段落【０００８】参照。）に記載されているように従来周知の事項であることからすれば、引用発明においても、噴出する流体である純水をカーテン状のものとすることは、当業者にとって格別の困難性を有するものではない。
　そして、本願発明では、通常領域と研磨領域との間にガスを吐出することにより、ウェハが研磨される研磨領域と、前記ウェハのうち前記研磨領域以外の領域である通常領域とにガスのカーテンで仕切るものであると特定しているが、引用発明においても、純水の噴出が研削屑のウェーハＷへの付着を防止するものであることからすれば、引用発明において、吐出する流体をカーテン状とした場合には、それを材料除去加工される領域とそれ以外の領域との間に流体を噴出して、材料除去加工される領域とそれ以外の領域とに仕切るものとすることは、当然の設計変更に過ぎない。
＜作用ないし効果＞について
　本願発明によってもたらされる作用ないし効果についても、引用発明及び従来周知の事項から予測可能なものでしかない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、請求項２ないし９について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。