【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドープをドープ加工場（１４）へ送出する前に、三元転相ポリマーマスタードープを予定温度より高くない温度に熱操作することを、制御するシステム（１０）であって、容器とポンプと加熱手段とを備えており、
容器（１２）は、三元転相ポリマーマスタードープを収容するものであり、ドープは、第１ドープ温度メモリーを確立するために、ポリマーと溶媒と非溶媒との溶解及び平衡の混合を生じさせるのに必要な温度より高くない混合温度に、晒されており、容器とその中に収容されているドープは、混合温度より名目上低い温度に維持されており、そのような温度は、混合温度から冷却した後の混合物を安定させ且つ維持するのに充分であり、
ポンプ（２４）は、容器（１２）に作動的に連結しており、ドープの一部を容器（１２）からドープ加工場（１４）へ増加的に輸送するものであり、
加熱手段は、ポンプ（２４）及びドープ加工場（１４）に作動的に連結しており、容器（１２）から及び加熱手段を通して増加的に輸送されているドープの少なくとも一部の温度を、可能な多数の異なった予定温度の内のいずれか一つまで上昇させるものであり、加熱手段を通して増加的に輸送されている各ドープ部分は、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーの内のいずれか一つを確立するために、可能な多数の異なった予定温度の内の選択された一つの約±０．２℃内の温度に上昇させられるものであり、各予定温度は、加工されているドープと形成された膜に結果として得られた孔サイズとの関係を示す目盛付の特性曲線から選択されているシステム。
【請求項２】  請求項１のシステムであって、更に冷却手段を備えており、該冷却手段（４１）は、加熱手段とドープ加工場（１４）との間に作動的に配置されており、ドープを、予定温度から、微孔性転相膜として加工するのに充分な粘度まで、冷却するシステム。
【請求項３】  請求項１のシステムであって、加熱手段が更に第１加熱手段と第２加熱手段とからなっており、
第１加熱手段（２６）は、ポンプ（２４）と作動的に連結しており、それを通って増加的に輸送されるドープの少なくとも一部の温度を、予定温度より約２℃低い温度内の温度に上昇させるものであり、
第２加熱手段（３２）は、第１加熱手段（２６）と作動的に連結しており、それを通って増加的に輸送されるドープの少なくとも一部の温度を、予定温度の約±０．２℃内より高くない温度まで更に上昇させるシステム。
【請求項４】  請求項３のシステムであって、第２加熱手段（３２）が、それを通って増加的に輸送されるドープの温度を、予定温度の約±０．１５℃内より高くない温度まで更に上昇させるシステム。
【請求項５】  請求項１のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、ドープ加工場に作動的に配置され且つ加熱手段に作動的に連結しており、ドープキャスティング中にドープの厚さを制御するシステム。
【請求項６】  請求項１のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、ドープキャスティング場に作動的に配置され且つ加熱手段に作動的に連結しており、ドープキャスティング中にドープのコーティング重量を制御するシステム。
【請求項７】  請求項１のシステムであって、容器に収容されたマスタードープが更に、転相膜ポリマーと溶媒と溶けた非溶媒とからなっているシステム。
【請求項８】  請求項７のシステムであって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）、ヘキサメチレンジアミンとセバシン酸とのコポリマー（ナイロン６１０）、ポリカプロラクタムのホモポリマー（ナイロン６）、及びテトラメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン４６）からなる群から選択されているシステム。
【請求項９】  請求項８のシステムであって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）からなっているシステム。
【請求項１０】  請求項８のシステムであって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約４：１から約８：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択されているシステム。
【請求項１１】  請求項８のシステムであって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約５：１から約７：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択されているシステム。
【請求項１２】  請求項６のシステムであって、転相膜ポリマーが、約１５０００から約４２０００（数平均分子量）の範囲内の分子量を有しているシステム。
【請求項１３】  請求項６のシステムであって、転相膜ポリマーが、約３００００（数平均分子量）以上の分子量を有するポリヘキサメチレンアジポアミド（ナイロン６６）であるシステム。
【請求項１４】  ポリマーと非溶媒と溶媒とが予定比率に配合されたドープの三元転相ポリマーマスターバッチの混合温度を、第１ドープ温度メモリーを確立するために、目的配合混合温度の約±１．０℃内より高くない温度で、連続して制御する、システムであって、貯蔵容器とポンプ手段とドープ輸送手段とを備えており、
貯蔵容器は、ドープの三元転相ポリマーマスターバッチを、制御された最大貯蔵温度に維持するものであり、貯蔵温度は、目的配合混合温度より名目上低いものであり、
ポンプ手段は、貯蔵容器に作動的に連結しており、貯蔵容器からドープ加工場にドープの一部を連続して輸送するものであり、
ドープ輸送手段は、ポンプ手段とドープ加工場との間に作動的に配置されており、容器から輸送されているドープの少なくとも少量部の温度を、該少量部を加熱手段を通して移動させながら、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーの内のいずれか一つを確立するために、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．２℃内より高くない温度まで、増大させるシステム。
【請求項１５】  請求項１４のシステムであって、更に冷却手段を備えており、該冷却手段は、加熱手段とドープ加工場との間に作動的に配置されており、加熱手段を出るドープの少量部の温度を、微孔性転相膜として加工するのに充分な粘度まで、減少させるシステム。
【請求項１６】  請求項１４のシステムであって、ドープのマスターバッチが、特定のポリマーローディングのために、ポリマーと非溶媒と溶媒とが最大比率で配合されているシステム。
【請求項１７】  請求項１４のシステムであって、加熱手段が更に第１加熱手段と第２加熱手段とからなっており、
第１加熱手段が、ポンプ手段とドープ加工場との間に作動的に配置されており、ドープの少量部の温度を、該少量部を第１加熱手段を通して移動させながら、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つより約２℃低い温度まで、増大させるものであり、
第２加熱手段が、第１加熱手段とドープ加工場との間に作動的に配置されており、ドープの少量部の温度を、該少量部を第２加熱手段を通して移動させながら、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．２℃内より高くない温度まで、増大させるシステム。
【請求項１８】  請求項１７のシステムであって、第２加熱手段が、ドープの少量部の温度を、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．１５℃内より高くない温度まで、増大させるシステム。
【請求項１９】  請求項１４のシステムであって、更に手段を備えており、 該手段は、ドープ輸送手段に作動的に連結しており、ドープ加工場にて加工中にドープの厚さを制御するシステム。
【請求項２０】  予定の最小孔サイズを有しており、該最小孔サイズが、ドープをドープ加工場へ送出する前に、微孔性転相膜における性能で微孔性転相膜における多数の異なったサイズの孔の内のいずれか一つを形成するものであるところの、単一三元転相ポリマーマスタードープバッチを連続して加工する方法であって、収容工程と、晒す工程と、維持工程と、温度上昇工程と、更なる温度上昇工程とを備えており、
収容工程は、三元転相ポリマーマスタードープを容器に収容するものであり、
晒す工程は、第１ドープ温度メモリーを確立するために、三元転相ポリマーマスタードープを混合温度に晒すものであり、第１ドープ温度メモリーは、ポリマーと溶媒と非溶媒との溶解及び平衡の混合を生じさせるのに必要な温度より高くないものであり、
維持工程は、容器及びそれに収容されたドープを、混合温度より名目上低い温度に維持するものであり、そのような温度は、混合温度から冷却した後の混合物を安定させ且つ維持するのに充分であり、
温度上昇工程は、三元転相ポリマーマスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、予定温度より約２℃低い温度内より高くない温度まで増加的に上昇させるものであり、
更なる温度上昇工程は、予定温度より約２℃低い温度より高くない温度まで前段で上昇されたドープの部分の温度を、予定温度の約−０．２℃内より高くない温度まで更に増加的に上昇させる方法。
【請求項２１】  請求項２０の方法であって、更なる温度上昇工程において、ドープの温度を予定温度の約−０．１５℃内より高くない温度まで上昇させる方法。
【請求項２２】  請求項２０の方法であって、制御された最大温度にてマスタードープバッチを制御可能に配合する工程を更に備えている方法。
【請求項２３】  請求項２０の方法であって、特定のポリマーローディングのために三元転相ポリマーと非溶媒と溶媒とを最大比率で有するマスタードープバッチを制御可能に配合する工程を更に備えている方法。
【請求項２４】  請求項２２の方法であって、マスタードープバッチの形成中に、温度を約２１℃から約３４℃の温度に制御する方法。
【請求項２５】  請求項２４の方法であって、マスタードープバッチの配合中に、温度を約２８℃に制御する方法。
【請求項２６】  請求項２０の方法であって、更なる温度上昇工程後のドープをドープキャスティング作業のために充分な粘度まで冷却する工程を更に備えている方法。
【請求項２７】  請求項２０の方法であって、ドープキャスティング場でのドープキャスティング中にドープの厚さを制御する工程を更に備えている方法。
【請求項２８】  請求項２０の方法であって、ドープキャスティング場でのキャスティング中にドープのコーティング重量を制御する工程を更に備えている方法。
【請求項２９】  単一三元転相ポリマーマスタードープの少なくとも一部を、多数の異なった予定の孔サイズの内のいずれか一つを有する微孔性転相膜を造るために、連続して加工する方法であって、配合工程と温度上昇工程とを備えており、
配合工程は、ポリマーと非溶媒と溶媒とが予定比率を有している三元転相ポリマーマスタードープを、第１ドープ温度メモリーを確立するために、特定の混合温度にて配合するものであり、
温度上昇工程は、上昇した温度でのドープの少なくとも一部が、ドープ加工場で加工された時に、予定の孔サイズに実質的に相当している孔が形成された微孔性転相膜を造るように、マスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーを確立するために、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約−０．２℃内より高くない特定配合混合温度より高い温度まで、増加的に上昇させる方法。
【請求項３０】  請求項２９の方法であって、ドープ温度を、予定温度から、微孔性転相膜をキャスティングするのに充分な温度まで、減少させる工程を更に備えている方法。
【請求項３１】  請求項２９の方法であって、単一マスタードープが、特定のポリマーローディングのために特定温度にてポリマーと非溶媒と溶媒とが最大比率を有するよう配合されている方法。
【請求項３２】  請求項２９の方法であって、温度上昇工程において、ドープ温度を予定のドープ温度の約−０．１５℃内より高くない温度まで上昇させる方法。
【請求項３３】  請求項２９の方法であって、温度上昇工程が更に、温度上昇工程と更なる温度上昇工程とからなっており、
温度上昇工程が、マスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、予定温度より約２℃低い温度内より高くない温度まで、上昇させるものであり、
更なる温度上昇工程が、予定温度より約２℃低い温度内より高くない温度まで既に上昇されているマスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、予定温度の約−０．２℃内より高くない温度まで、更に上昇させる方法。
【請求項３４】  請求項２９の方法であって、更なる温度上昇工程が、マスタードープバッチの一部の温度を、予定温度の約−０．１５℃内より高くない温度まで、上昇させる方法。
【請求項３５】  請求項２９の方法であって、ドープキャスティング場でのドープキャスティング中にドープの厚さを制御する工程を更に備えている方法。
【請求項３６】  請求項２９の方法であって、ドープキャスティング場でのドープ加工中にドープのコーティング重量を制御する工程を更に備えている方法。
【請求項３７】  請求項２９の方法であって、ドープ配合工程が、混合温度を制御しながらポリマーと非溶媒と溶媒とを混合する工程を更に備えている方法。
【請求項３８】  請求項３７の方法であって、マスタードープが、転相膜ポリマーと溶媒と非溶媒とを更に備えている方法。
【請求項３９】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）、ヘキサメチレンジアミンとセバシン酸とのコポリマー（ナイロン６１０）、ポリカプロラクタムのホモポリマー（ナイロン６）、及びテトラメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン４６）からなる群から選択される方法。
【請求項４０】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）からなっている方法。
【請求項４１】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約４：１から約８：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択される方法。
【請求項４２】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約５：１から約７：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択される方法。
【請求項４３】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、約１５０００から約４２０００（数平均分子量）の範囲内の分子量を有している方法。
【請求項４４】  請求項３８の方法であって、転相膜ポリマーが、約３００００（数平均分子量）以上の分子量を有するポリヘキサメチレンアジポアミド（ナイロン６６）である方法。
【請求項４５】  予定の最小孔サイズを有しており、該最小孔サイズが、微孔性転相膜における性能で微孔性転相膜における多数の異なったサイズの孔の内のいずれか一つを形成するものであるところの、単一三元転相ポリマーマスタードープバッチを加工するシステムであって、容器と、少なくとも１個のポンプと、手段とを備えており、
容器は、三元転相ポリマーマスタードープを収容するものであり、ドープは、第１ドープ温度メモリーを確立するために、混合温度に、晒されており、容器とその中に収容されているドープは、混合温度より名目上低い温度に維持されており、そのような温度は、混合温度から冷却した後の混合物を安定させ且つ維持するのに充分であり、
少なくとも１個のポンプは、容器に作動的に連結しており、ドープを容器からドープ加工場へ輸送するものであり、
手段は、容器に作動的に連結しており、三元転相ポリマーマスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーの内のいずれか一つを確立するために、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．２℃内より高くない温度まで上昇させるものであり、第２ドープ温度メモリーの内のいずれか一つは第１温度メモリーより高いシステム。
【請求項４６】  請求項４５のシステムであって、ドープの温度を、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．１５℃内より高くない温度まで上昇させるシステム。
【請求項４７】  請求項４５のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、容器に作動的に連結しており、制御された最大温度で、マスタードープバッチを制御可能に配合するシステム。
【請求項４８】  請求項４５のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、特定のポリマーローディングのために、三元転相ポリマーと非溶媒と溶媒とを最大比率で有するマスタードープバッチを制御可能に配合するシステム。
【請求項４９】  請求項４７のシステムであって、マスタードープバッチの形成中に、温度を約２１℃から約３４℃の温度に制御するシステム。
【請求項５０】  請求項４９のシステムであって、マスタードープバッチの配合中に、温度を約２８℃に制御するシステム。
【請求項５１】  請求項４５のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ温度が多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つまで上昇させられた後に、ドープを、ドープ加工作業に充分な粘度まで冷却するシステム。
【請求項５２】  請求項４５のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ加工場でのドープ加工中にドープの厚さを制御するシステム。
【請求項５３】  請求項４５のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ加工場でのドープの加工中にドープのコーティング重量を制御するシステム。
【請求項５４】  単一三元転相ポリマーマスタードープの少なくとも一部を、多数の異なった予定の孔サイズの内のいずれか一つを有する微孔性転相膜を造るために、加工するシステムであって、配合された三元転相ポリマーマスタードープと手段とを備えており、
配合された三元転相ポリマーマスタードープは、第１ドープ温度メモリーを確立するために、特定の混合温度にて、ポリマーと非溶媒と溶媒とを予定比率で有しており、
手段は、マスタードープと作動的に連結しており、上昇した温度でのドープの少なくとも一部が、加工された時に、多数の可能な異なった予定の孔サイズの内のいずれか一つに実質的に相当している孔が形成された微孔性転相膜を造るように、マスタードープバッチの少なくとも一部の温度を、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーを確立するために、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．２℃内より高くないが特定配合混合温度より高い温度まで、上昇させるシステム。
【請求項５５】  請求項５４のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ温度を、予定温度から、微孔性転相膜を形成するのに充分な温度まで、低減するシステム。
【請求項５６】  請求項５４のシステムであって、特定のポリマーローディングのために、単一マスタードープを、特定の温度で、ポリマーと非溶媒と溶媒とが最大比率を有するよう配合したシステム。
【請求項５７】  請求項５４のシステムであって、ドープ温度を、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．１５℃内より高くない温度まで上昇させるシステム。
【請求項５８】  請求項５４のシステムであって、温度上昇手段が更に第１手段と第２手段とからなっており、
第１手段は、マスタードープと作動的に連結しており、マスタードープの少なくとも一部の温度を、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つより約２℃低い温度内より高くない温度まで、上昇させるものであり、
第２手段は、第１温度上昇手段と作動的に連結しており、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つより約２℃低い温度内より高くない温度まで既に上昇させられているマスタードープの少なくとも一部の温度を、可能な多数の異なった第２ドープ温度メモリーの内のいずれか一つを確立するために、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．２℃内より高くない温度まで、更に上昇させるシステム。
【請求項５９】  請求項５８のシステムであって、更なる温度上昇手段が、マスタードープバッチの一部の温度を、多数の可能な異なった予定温度の内のいずれか一つの約±０．１５℃内より高くない温度まで、上昇させるシステム。
【請求項６０】  請求項５４のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ加工場でのドープ加工中にドープの厚さを制御するシステム。
【請求項６１】  請求項５４のシステムであって、更に手段を備えており、該手段は、温度上昇手段に作動的に連結しており、ドープ加工場でのドープ加工中にドープのコーティング重量を制御するシステム。
【請求項６２】  請求項５４のシステムであって、ドープ配合手段が更に手段を備えており、該手段は、混合温度を制御しながら、ポリマーと溶媒と非溶媒とを混合するシステム。
【請求項６３】  請求項５４のシステムであって、マスタードープが更に、転相膜ポリマーと溶媒と溶けた非溶媒とからなっているシステム。
【請求項６４】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）、ヘキサメチレンジアミンとセバシン酸とのコポリマー（ナイロン６１０）、ポリカプロラクタムのホモポリマー（ナイロン６）、及びテトラメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン４６）からなる群から選択されるシステム。
【請求項６５】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とのコポリマー（ナイロン６６）からなっているシステム。
【請求項６６】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約４：１から約８：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択されるシステム。
【請求項６７】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、メチレン基（ＣＨ2）とアミド基（ＮＨＣＯ）との比率が約５：１から約７：１の範囲内であるポリアミド樹脂の群から選択されるシステム。
【請求項６８】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、約１５０００から約４２０００（数平均分子量）の範囲内の分子量を有しているシステム。
【請求項６９】  請求項６３のシステムであって、転相膜ポリマーが、約３００００（数平均分子量）以上の分子量を有するポリヘキサメチレンアジポアミド（ナイロン６６）であるシステム。
【請求項７０】  微孔性膜を造るのに用いるドープを加工する方法であって、ドープは、多数の異なった孔サイズを有する多数の膜を造ることができるものであり、できた孔サイズは、加工中のドープの温度と関係を有するものであり、上記方法が、
（ａ）加工するためのドープを供給する工程と、
（ｂ）ドープの温度を、ある温度範囲内の温度に、１回以上変化させる工程と、を備えており、上記温度範囲は、目的温度を越える温度を含んでおらず、目的温度は、孔サイズに相当する関係のものが選択される方法。
【請求項７１】  請求項７０の方法であって、更に、
（ｃ）ドープの温度を、ドープ加工温度まで、低下させる工程、を備えている方法。
【請求項７２】  請求項７０の方法であって、ドープの温度を少なくとも２回上昇させる方法。
【請求項７３】  請求項７０の方法であって、ドープの温度を、まず、目的温度の約２℃内より高くない温度まで上昇させ、次に、目的温度の約０．２℃内より高くない温度まで上昇させる方法。