【事件の表示】
　特願２０００−１９５２１３「半導体デバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年２月９日出願公開、特開２００１−３６０３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月２８日（パリ条約に基づく優先権主張　１９９９年６月２８日、大韓民国）の特許出願であって、平成２１年１２月３日付けの拒絶理由通知に対して平成２２年３月８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月３１日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年８月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１１月１６日付けで審尋がなされ、平成２４年２月２２日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１９を補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７とする補正を含む明細書の全文についての補正を行うものであり、補正前後の請求項１及び１１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　メモリセルに使用する半導体デバイス製造方法において、
　ａ）トランジスタと上記トランジスタの周辺に形成された絶縁層を備える能動基板を準備するステップと、
　ｂ）上記絶縁層上に形成され、第１電極、ＰＮＺＴからなるキャパシタ薄膜及び第２電極を含むキャパシタ構造体を形成するステップと、
　ｃ）金属相互接続層を形成し、上記トランジスタを上記キャパシタ構造体に電気的に接続させるために金属相互接続層を所定の形状にパターンニングするステップと、を含み、
　上記ＰＮＺＴからなるキャパシタ薄膜を形成するステップは、
　ｂ２１）プリーカーソル（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ）Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ２２）Ｐ１を脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に、脱水化反応されたＰ１を溶解（ｄｉｓｓｏｌｖｅ）させるステップと、
　ｂ２３）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｂ２４）不活性ガス雰囲気で、上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｂ２５）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流（ｒｅｆｌｕｘ）させるステップと、
　ｂ２６）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｂ２７）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップと、
　ｂ２８）上記第１電極上に上記ゾルゲルコーティング溶液をスピンコーティングして上記キャパシタ薄膜を形成するステップと
　を含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
　「【請求項１１】
　強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　メモリセルに使用する半導体デバイス製造方法において、
　ａ）トランジスタと上記トランジスタの周辺に形成された絶縁層を備える能動基板を準備するステップと、
　ｂ）上記絶縁層上に形成され、第１電極、ＰＮＺＴからなるキャパシタ薄膜及び第２電極を含むキャパシタ構造体を形成するステップと、
　ｃ）金属相互接続層を形成し、上記トランジスタを上記キャパシタ構造体に電気的に接続させるために金属相互接続層を所定の形状にパターンニングするステップと、を含み、
　上記ＰＮＺＴからなるキャパシタ薄膜を形成するステップは、
　ｂ２１）プリーカーソル（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ）Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ２２）Ｐ１を脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に、脱水化反応されたＰ１を溶解（ｄｉｓｓｏｌｖｅ）させるステップと、
　ｂ２３）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｂ２４）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｂ２５）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流（ｒｅｆｌｕｘ）させるステップと、
　ｂ２６）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｂ２７）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップと、
　ｂ２８）上記第１電極上に上記ゾルゲルコーティング溶液をスピンコーティングして上記キャパシタ薄膜を形成するステップと
　を含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
　「【請求項１１】
　強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ｂ２４）不活性ガス雰囲気で、上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、」を、「ｂ２４）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１１の「ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、」を、「ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、」と補正して、補正後の請求項１１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１６及び１７を削除するとともに、当該削除と整合するように請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１８の「ｄ）ステップ以後に、上記稀釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティングするためのステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の半導体デバイス製造方法。」を、「ｄ）ステップで、上記Ｐ３及びＰ４を混合した後、キールレーティングすることを特徴とする請求項１５記載の半導体デバイス製造方法。」と補正して、補正後の請求項１６とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の発明の詳細な説明を補正して、補正後の発明の詳細な説明とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面を「当初明細書等」という。）の００１９段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　次に、補正事項１の目的について検討する。
　補正事項１により、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ｂ２４）不活性ガス雰囲気で、上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」における「不活性ガス雰囲気で」という事項が削除されている。
　したがって、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項においてなされていた技術的限定を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正事項１と同様に、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではあるが、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすが、同法同条第４項に規定する要件を満たさない。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に掲げる要件を満たす。
　また、補正事項３が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことが明らかである。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は、当初明細書の００１９段落等に記載されているものと認められるから、補正事項４は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４は、補正前の請求項１８について、補正事項１及び３と整合するように補正を行うとともに、より明瞭な記載に修正したものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項４は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項５
　補正事項５は、補正前の明細書の発明の詳細な説明に含まれていた当初明細書等に記載されていない事項（新規事項）を削除するとともに、誤記の訂正及びより分かりやすい表現へ修正を行い、併せて最新の特許請求の範囲の記載と整合させたものであり、補正により修正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項５は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（６）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおり、本件補正の各補正事項は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすが、本件補正のうちの補正事項１及び２は同法同条第４項に規定する要件を満たさない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすが、同法同条第４項に規定する要件を満たさない。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）はじめに
　上記３．において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　しかしながら、補正事項１及び２が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、本件補正が同法同条同項に規定する要件を満たすものであると仮定した場合において、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについても、一応検討する。
　
（２）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜１７に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１１に記載されている事項により特定される、上記１．に補正後の請求項１１として記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１１】
　強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
（３−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平６−２１３９２号公報（以下「引用例」という。）には、図１と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般には半導体デバイスを製造するための方法に関連し、より詳細には、ゾル−ゲル溶液を半導体サブストレートに塗布して形成される無水ＰＺＴ強誘電性薄膜を有する半導体デバイスを製造するための方法に関連する
　
ｂ．「【０００７】
【実施例】
本発明の製造方法は、半導体デバイス中にＰＺＴ強誘電性薄膜を形成するためのゾル−ゲル溶液を与える。このＰＺＴ強誘電性薄膜は、鉛とジルコニウム及びチタンのうちの一方又は両方とを含む金属酸化物である。またＰＺＴ薄膜は更にランタン、ニオブ、鉄、アルミニウムなどのドーパントを含んでいてもよい。ＰＺＴ薄膜はゾル−ゲル溶液を半導体のサブストレート上にスピンコーティングすることによってこのサブストレート上に形成される。本発明に従ったゾル−ゲル溶液を得るために、新規な無水製造手順において無水状態の鉛アセテートを用いる。こうして得られる無水ゾル−ゲル溶液は貯蔵寿命が長くなり、また空気中の湿気を原因とする劣化に対する耐性が高い。更に、無水ゾル−ゲル溶液より形成される結晶ＰＺＴ薄膜は結晶粒の寸法が一様であり、焼結を行うことによってほとんどがペロブスカイト相に遷移する。
【０００８】本発明の一つの具体例によって得られる鉛−ジルコニウム−チタン（ＰＺＴ）ゾル−ゲル溶液は、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびチタン（Ｔｉ）の化学組成（化学量論的量：ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ  ａｍｏｕｎｔｓ）が変化する。このゾル−ゲル組成は通常、一般式ＰｂＺｒｘＴｉｙＯ３によって表される。この一般式において下付き添字には、ｘ＋ｙ＝１．０という関係がある。従ってこの下付き添字は、Ｚｒ及びＴｉのモル数を表す。本発明の手順に従うと、Ｚｒのモル数がｘ＝０．２０〜０．６５の範囲、Ｔｉのモル数がｙ＝０．３５〜０．８０の範囲の値を持つＰＺＴゾル−ゲル溶液が得られる。
【０００９】更に、多くの用途では、この組成よりも多くのＰｂを加えて生成するのが望ましい。この過剰のＰｂは、結晶化の前に行われる液相の焼結プロセスを強化するために、及び熱処理を行うときに揮発されるＰｂを置換するために加えられる。上の組成は、０〜２０モル％の範囲の過剰のＰｂによって得られた。ここで言う「過剰」というのは、理想的な式ＰｂＺｒＴｉＯ３で示される化学組成の要件を満たすのに必要とされるモル量を超える任意のモル量を指している。」
　
ｃ．「【００１０】
本発明の無水ゾル−ゲル溶液の組成を得て塗布するための準備手順を、図面の一枚の図に概略的に例示する。この手順は、空気中の湿気を排除するために窒素雰囲気中で行うのが望ましい。例えば、溶液の全ての準備と取り扱いのステップを、窒素で清浄化したグラブボックス（ｇｌｏｖｅ  ｂｏｘ）内で実行することができる。準備を開始するにあたり、所定の体積の２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）を約９０〜１００℃に予め加熱する。予め定めた量の無水鉛（ＩＩ）アセテート（Ｐｂ−Ａｃ  ａｎｈｙ）を予め加熱した２−ＭＯＥに溶解させて鉛前駆体溶液を作り、これを溶液Ａとする。本発明に基づき、金属アルコキシド、金属β−ジケトネート、又は金属アセテートなどの金属を含んだ化合物を加えることによって、別の金属組成を２−ＭＯＥに加えることができる。例えばランタンイソプロポキシドを２−ＭＯＥにを加えて鉛ランタン前駆体溶液を得ることができる。あるいは、ランタンを含む化合物として無水ランタンアセテート又は無水ランタンアセチルアセトネートを用いることができる。更に金属の塩化物、硝酸塩などの金属塩を用いることができる
【００１１】金属前駆体を加えた後は、溶質である全ての材料を完全に溶かすとともに進行中の反応を促進させるために、溶液Ａを十分な時間にわたって沸騰させる。沸騰中に、全体の溶液の体積の約５〜１０％が揮発する。前駆体を完全に溶解させるのに加え、この沸騰段階は前駆体と２−ＭＯＥとの間の反応を誘起する。
無水状態の鉛アセテートを用いるので、鉛アセテートから水を除去する脱水ステップが必要ないことが注目される。更に無水鉛アセテートは、ゾル−ゲル製造プロセスにおいて用いられる他の前駆体との高い反応性を示す。このことは本発明の明らかな利点である。脱水ステップが行われていた従来技術の製造方法では、前駆体の化合物から完全に水を除去できない。
【００１２】
続いて、本発明のプロセスは、ＺｒおよびＴｉのアルコキシドを予め定めた量の２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの溶液を用意し、これを図に例示したように溶液Ｂとする。好ましいアルコキシドはジルコニウムｎ−ブトキシドブタノール錯体（ｃｏｍｐｌｅｘ）およびチタンイソプロポキシドであるが、別のアルコキシド化合物としてチタンエトキシド、チタンブトキシド、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムプロポキシドなどを用いることも可能である。
【００１３】
Ｚｒ及びＴｉの前駆体だけではく、ゾル−ゲルで製造される無水ＰＺＴ薄膜の物理的、電気的な特性を変えるために、溶液Ｂにドーパント原子を導入してもよい。ドーパントとして、ＰＺＴ薄膜の強誘電特性に影響を与える材料を用いることができる。このドーパントとしてＺｒ／Ｔｉの前駆体溶液に溶解させるものとして好ましいのは、Ｍ（ＯＲ）ｘという化学式で表されるニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）、ランタン（Ｌａ）、アルミニウム（Ａｌ）のアルコキシド化合物である。
【００１４】一般に、各前駆体の溶液を最大の均質度に維持するために、Ｐｂ溶液又はＺｒ／Ｔｉ溶液に、原子のサイズおよびドーパント原子の原子価を考慮してドーパントの化合物が加えられる。例えば、Ｌａ原子はＰＺＴ薄膜の最終的なペロフスカイト格子においてＰｂと入れ換わるので、Ｐｂ溶液にはＬａが加えられる。
これに対応しては、Ｚｒ／Ｔｉ前駆体溶液にはＦｅ、Ａｌ、Ｎｂが加えられるが、これはこれらの原子サイズおよび原子価がＰｂよりもＺｒおよびＴｉにより密接に対応しているからである。各前駆体の溶液に相対的な原子サイズに従ってドーパント原子を加えることによって、各薄膜の成分が一様な密度となる、より均一なＰＺＴ薄膜が得られる
　
ｄ．「【００１８】
前駆体溶液ＡおよびＢが用意されたら、溶液ＡおよびＢを一緒に混合させることによって無水ゾル−ゲル溶液となり、これを沸騰させて溶液Ｃとする。
（途中略）
【００２１】
本発明の別の具体例では、開放した状態の沸騰方法を用いるのではなく、溶液Ａ及びＣ（審決注：「溶液Ａ及びＢ」の誤記）をその目的のために設計された装置の中で還流させることができる。
【００２２】
ゾル−ゲル溶液を最低約３時間そのまま置いた後は、これを通常のスピンコーティング法によって半導体サブストレート上に塗布することができる。
　
（３−２）ここにおいて、０００７段落、００１０段落〜００１３段落、００１８段落、００２１段落及び００２２段落の記載を勘案すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体デバイス中にＰＺＴ強誘電性薄膜を形成するためのＰＺＴゾル−ゲル溶液を製造する方法において、
　無水鉛（ＩＩ）アセテートを予め加熱した２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）に溶解させて鉛前駆体溶液である溶液Ａを作る工程であって、金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程、
　Ｚｒ及びＴｉのアルコキシドを２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂを作る工程、
　溶液Ａ及びＢを還流させ、半導体サブストレート上にスピンコーティングされるゾル−ゲル溶液を得る工程、
　を備え、
　ＰＺＴ薄膜は、更にランタン、ニオブ、鉄、アルミニウムなどのドーパントを含んでいてもよい、
　半導体デバイスを製造するための方法。」
　
（４）補正発明と引用発明との対比
（４−１）引用発明の「ＰＺＴゾル−ゲル溶液」は、「半導体サブストレート上にスピンコーティングされる」ためのものであるから、引用発明の「半導体デバイス中にＰＺＴ強誘電性薄膜を形成するためのＰＺＴゾル−ゲル溶液を製造する方法」は、補正発明の「強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法」に相当する。
　
（４−２）引用発明の「無水鉛（ＩＩ）アセテート」、「『Ｚｒ』『のアルコキシド』」、「Ｔｉのアルコキシド」は、各々補正発明の「プリーカーソルＰ１」、「『プリーカーソル』『Ｐ３』」、「『プリーカーソル』『Ｐ４』」に相当する。
　また、引用発明の「金属アルコキシド」は、補正発明の「『プリーカーソル』『Ｐ２』」に相当する。
　そして、引用発明において、「無水鉛（ＩＩ）アセテート」、「金属アルコキシド」、「『Ｚｒ』『のアルコキシド』」及び「Ｔｉのアルコキシド」を予め準備する工程を備えていることは自明であるから、補正発明と引用発明とは、「ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップ」を備えている点で一致する。
　
（４−３）引用発明の「無水鉛（ＩＩ）アセテートを予め加熱した２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）に溶解させ」る工程と補正発明の「ｂ）Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させるステップ」とは、「『ｂ）』『２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に』『Ｐ１を溶解させるステップ』」である点で一致する。
　
（４−４）引用発明の「溶解させて鉛前駆体溶液である溶液Ａを作る工程であって、金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程」と補正発明の「ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップ」とは、「『ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−『別の金属』の『溶液を得るステップ』」である点で一致する。
　
（４−５）引用発明の「Ｚｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂ」は、補正発明の「Ｚｒ−Ｔｉ溶液」に相当する。
　また、引用発明の「２−ＭＯＥに溶解させる」ことは、補正発明の「希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）」することに相当する。
　したがって、引用発明の「Ｚｒ及びＴｉのアルコキシドを２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂを作る工程」と補正発明の「ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」とは、「『ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）』し『混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ』」である点で一致する。
　
（４−６）引用発明の「溶液Ａ及びＢを還流させ」る工程と補正発明の「ｅ）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップ」とは、「『ｅ）上記Ｐｂ−『別の金属』の『溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップ』」である点で一致する。
　
（４−７）引用発明の「半導体サブストレート上にスピンコーティングされるゾル−ゲル溶液を得る工程」は、補正発明の「ゾルゲルコーティング溶液を得るステップ」に相当する。
　また、引用発明の「半導体デバイスを製造するための方法」が補正発明の「半導体デバイス製造方法」に相当することは明らかである。
　
（４−８）したがって、補正発明と引用発明とは、
　
　「強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）にＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−別の金属の溶液を得るステップと、
　ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）し混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−別の金属の溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
　である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）
　「ｂ）２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）にＰ１を溶解させるステップ」において、補正発明では、「
Ｐ
１
を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、
真空の脱水化反応された
　
（相違点２）
　「別の金属」が、補正発明は「Ｎｂ」であるのに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）
　「ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）し混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」において、補正発明では、「上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）
した後、上記希釈されたＰ
３
及びＰ
４
をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合して
　
（相違点４）
　補正発明は、「ゾルゲルコーティング溶液を得る」ために、「ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップ」及び「ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加」するステップを備えているのに対して、引用発明は、そのようなステップを備えていない点。
　
（５）相違点についての当審の判断
（５−１）相違点１について
　引用例には、「ｂ）２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）にＰ１を溶解させるステップ」に関連して、「無水状態の鉛アセテートを用いるので、鉛アセテートから水を除去する脱水ステップが必要ないことが注目される。更に無水鉛アセテートは、ゾル−ゲル製造プロセスにおいて用いられる他の前駆体との高い反応性を示す。このことは本発明の明らかな利点である。脱水ステップが行われていた従来技術の製造方法では、前駆体の化合物から完全に水を除去できない。」（００１１段落）と記載されており、当該記載を見た当業者であれば、引用発明において、「無水状態の鉛アセテート」を用いる代わりに無水状態でないものを用い、脱水ステップを経て「２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）」に溶解させても、引用発明と比較して水を完全に除去できない点で不利ではあるもの、「溶液Ａ」の代替として利用可能であることは直ちに察知し得たことである。
　一方、補正発明は、「Ｐ１」、「Ｐ２」、「Ｐ３」及び「Ｐ４」がどのような物質であるのかさえ特定されておらず（「Ｐ１」又は「Ｐ２」のいずれがＰｂを含み、いずれがＮｂを含むのかさえ不明）、本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させ」ることにより、引用発明において、「無水状態の鉛アセテート」を用いる代わりに無水状態でないものを用い、脱水ステップを経て「２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）」に溶解させた場合と比較して、格別の効果を奏すると当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明において、「無水状態の鉛アセテート」を用いる代わりに無水状態でないものを用い、脱水ステップを経て「２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）」に溶解させるようにすること、すなわち、補正発明のように、「Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させ」ることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　引用発明は、「ＰＺＴ薄膜は、更にランタン、ニオブ、鉄、アルミニウムなどのドーパントを含んでいてもよい」のであるから、引用発明に接した当業者であれば、「ＰＺＴゾル−ゲル溶液」に換えて、更にＮｂをドーピングした「ＰＺＴゾル−ゲル溶液」（ＰＮＺＴゾル−ゲル溶液）を製造することは、適宜なし得たことである。
　そして、引用例の００１４段落には、「これに対応しては、Ｚｒ／Ｔｉ前駆体溶液にはＦｅ、Ａｌ、Ｎｂが加えられるが、これはこれらの原子サイズおよび原子価がＰｂよりもＺｒおよびＴｉにより密接に対応しているからである。各前駆体の溶液に相対的な原子サイズに従ってドーパント原子を加えることによって、各薄膜の成分が一様な密度となる、より均一なＰＺＴ薄膜が得られる。」と記載されているから、当該記載を見た当業者であれば、引用発明において、「溶液Ａ」ではなく「溶液Ｂ」に「Ｎｂ」を加えた方が、得られる薄膜（ＰＮＺＴ薄膜）の均一性の点でより好ましいが、「溶液Ａ」に「Ｎｂ」を加えた場合、すなわち、引用発明において、「金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程」における「金属」として「Ｎｂ」を選択した場合であっても、均一性の点では不利ではあるものの、ＰＮＺＴ薄膜が得られることは直ちに察知し得たことである。
　一方、補正発明は、「Ｐ１」、「Ｐ２」、「Ｐ３」及び「Ｐ４」がどのような物質であるのかさえ特定されておらず（「Ｐ１」又は「Ｐ２」のいずれがＰｂを含み、いずれがＮｂを含むのかさえ不明）、本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップ」を採用すること、すなわち、「Ｐ３及びＰ４」ではなく、「Ｐ１」の方に「Ｎｂ」を加える構成とすることにより、引用発明において、「金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程」における「金属」として「Ｎｂ」を選択した場合と比較して、格別の効果を奏すると当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明において、「無水鉛（ＩＩ）アセテートを予め加熱した２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）に溶解させて鉛前駆体溶液である溶液Ａを作る工程であって、金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程」における「金属」として「Ｎｂ」を選択し、補正発明のように、「上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップ」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）相違点３について
（５−３−１）一般に、誘電体膜の形成に用いる溶液作成のプロセスにおいて、原料として用いる金属アルコキシドの安定化を図るために、キレーティング（キールレーティング）することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１及び２にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開昭６０−２００４０３号公報
　上記周知例１には、次の記載がある。
　「本発明の薄膜誘電体の製造方法において、誘電体形成前駆体溶液に用いる有機チタニウム化合物および有機ジルコニウム化合物は、前記有機溶媒に可溶性の化合物であればよく、たとえば、下記一般式（３）
　　　　　Ｍ（ＯＲ）４ 　　　　・・・・・・・・・・（３）
（ここに、ＭはＴｉまたはＺｒ
　　　　　Ｒは１価の炭化水素基の異種同種を表す。）
で表されるアルコキシド類、その加水分解により生成する、下記一般式（４）
　　　　　ＯＲ
　　　　　｜
　　−（−ＭＯ−）−　　　　　・・・・・・・・・・（４）
　　　　　｜
　　　　　ＯＲ
（審決注：上記周知例１においては、「（」及び「）」と「−」とが重ねて記載されている。）
（ここに、ＭおよびＲは、前記と同じ意味を表す。）
を繰り返しの単位とする重合度２ないし２０の重合体類、
アルコキシドまたはその重合体のアルコキシ基の一部または全部を２個の官能基を有するキレート化剤の残基で置換した化合物類などを例示することができる
　「本発明の薄膜誘電体の製造方法において、誘電体形成前駆体溶液は、前記した有機溶媒に、前記した金属化合物の２種以上の混合物または反応生成物を、金属の複合酸化物に換算して５ないし２０重量％の濃度に溶解した溶液である。
　本発明の薄膜誘電体の製造方法において、前記した誘電体形成前駆体溶液の基板への塗布、乾燥および仮焼または本焼の繰り返し回数は、少なくとも２回、好ましくは３回以上である。」（４ページ右上欄９行〜１７行）
　
　ここにおいて、Ｍ（ＯＲ）４ が金属アルコキシドであることは当業者にとって明らかであるから、上記周知例１には、誘電体薄膜の形成に用いる溶液作成のプロセスにおいて、金属アルコキシドのアルコキシ基の一部または全部を２個の官能基を有するキレート化剤の残基で置換した化合物類を用いること、すなわち、金属アルコキシドをキレーティングすることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開平１１−６０２１１号公報
　上記周知例２には、次の記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に強誘電体膜を形成するための強誘電体膜形成用溶液およびそれを用いた強誘電体膜の形成法に関する。
　「【０００４】
強誘電体膜の形成には、一般に強誘電体の成分となる金属の金属アルコキシドなどの有機金属化合物を有機溶剤中で反応させた後、溶液の安定性を改善するためにキレート剤を添加した溶液もしくは加水分解した溶液が広く用いられている
　
　したがって、上記周知例２には、強誘電体膜の形成に用いる溶液作成のプロセスにおいて、金属アルコキシドなどの有機金属化合物を有機溶剤中で反応させた後、溶液の安定性を改善するためにキレート剤を添加すること、すなわちキレーティングを行うことが記載されているものと認められる。
　
（５−３−２）したがって、引用発明に接した当業者にとって、「Ｚｒ及びＴｉのアルコキシド」の混合に先立ってキレーティングを行うようにすること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　一方、補正発明は、「Ｐ１」、「Ｐ２」、「Ｐ３」及び「Ｐ４」がどのような物質であるのかさえ特定されておらず、本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）」することにより格別の効果を奏すると当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明において、補正発明のように、「上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得」るようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−４）相違点４について
（５−４−１）一般に、誘電体膜の形成に用いる溶液作成のプロセスにおいて、加水分解のための触媒としてアンモニア（ＮＨ４ＯＨ）を添加すること、及び安定化のためにエチレングリコールを用いることは、いずれも例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例３にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例３：特開平１０−２５８２５２号公報
　上記周知例３には、次の記載がある。
　「【００１３】
すなわち本発明は、Ｂｉ、Ａ金属元素（ただし、ＡはＢｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋおよび希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種の金属元素である）、およびＢ金属元素（ただし、ＢはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素である）の各金属アルコキシドを含み、かつ、これら各金属アルコキシドのいずれか２種以上が複合金属アルコキシドを形成してなる複合金属アルコキシド類を含有することを特徴とする、Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用塗布液に関する
【００１４】ここで、（１）上記複合金属アルコキシド類を、水または水と触媒を用いて加水分解することによって得られる有機金属化合物を含有する、
（２）上記複合金属アルコキシド類を、水または水と触媒で加水分解した後、安定化剤と反応させることによって得られる有機金属化合物を含有する、
上記安定化剤としては、無水カルボン酸類、ジカルボン酸モノエステル類、β−ジケトン類、およびグリコール類の中から選ばれる少なくとも１種
　「【００２５】本発明の塗布液では、上記複合金属アルコキシド類を、水または水と触媒を用いて加水分解することによって、例えば（−Ｔａ−Ｏ−Ｓｒ−Ｏ−Ｂｉ−）のような、酸素を介しての金属元素の結合（メタロキサン結合）が形成され、単独金属元素の析出（偏析）、焼失をより抑制することができ、好ましい。また、さらに、被膜の無機性を高めることができるので好ましい。
【００２６】
加水分解反応は、塗布液中に水または水と触媒を添加し、２０〜５０℃で数時間〜数日間撹拌して行われる。触媒としては、金属アルコキシドの加水分解反応用として公知のもの、例えば
アンモニア
などを挙げることができる
　「【００３０】なお、上記加水分解処理は、上記複合金属アルコキシド類を安定化剤と反応させた後に行ってもよい。また、安定化剤は、該複合金属アルコキシド類と反応させてもよいし、加水分解した後の複合金属アルコキシド類と反応させてもよい。
【００３１】
上記安定化剤は、塗布液の保存安定性を向上させるためのものであり、特に加水分解後の塗布液の増粘、ゲル化を抑制するものであるが、本発明においては
グリコール類の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる
　「【００４２】
本発明で用いられるグリコール類としては、具体的には、エチレングリコール
等を例示的に挙げることができる。
　
　したがって、上記周知例３には、強誘電体薄膜形成用塗布液作成のプロセスにおいて、加水分解のための触媒としてアンモニア（ＮＨ４ＯＨ）を添加すること、及び安定化のためにエチレングリコールを用いることが記載されているものと認められる。
　
（５−４−２）したがって、引用発明に接した当業者にとって、加水分解のための触媒としてアンモニア（ＮＨ４ＯＨ）を添加すること、及び安定化のためにエチレングリコールを用いること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　一方、補正発明は、「Ｐ１」、「Ｐ２」、「Ｐ３」及び「Ｐ４」がどのような物質であるのかさえ特定されておらず、本願の明細書及び図面を精査しても、補正発明において、「ゾルゲルコーティング溶液を得る」ために、「ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップ」及び「ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加」するステップを備えることにより格別の効果を奏すると当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明において、加水分解のための触媒としてアンモニア（ＮＨ４ＯＨ）を添加すること、及び安定化のためにエチレングリコールを用いること、すなわち、補正発明のように、「ゾルゲルコーティング溶液を得る」ために、「ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップ」及び「ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加」するステップを備える構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−５）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点１〜４については以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、また、たとえ本件補正が当該要件を満たすと仮定した場合であっても、本件補正は、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明についての検討
１．本願発明
　平成２２年８月６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１９に係る発明は、平成２２年３月８日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．に補正前の請求項１１として記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１１】
　強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）Ｐ１を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）に真空の脱水化反応されたＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−Ｎｂ溶液を得るステップと、
　ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−Ｎｂ溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップと、
　ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加してゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平６−２１３９２号公報（引用例）には、上記第２．４．（３）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　引用発明を再掲すると次のとおりである。
　
　「半導体デバイス中にＰＺＴ強誘電性薄膜を形成するためのＰＺＴゾル−ゲル溶液を製造する方法において、
　無水鉛（ＩＩ）アセテートを予め加熱した２−メトキシエタノール（２−ＭＯＥ）に溶解させて鉛前駆体溶液である溶液Ａを作る工程であって、金属アルコキシドを加えることにより別の金属組成を２−ＭＯＥに加えたものである前記溶液Ａを作る工程、
　Ｚｒ及びＴｉのアルコキシドを２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂを作る工程、
　溶液Ａ及びＢを還流させ、半導体サブストレート上にスピンコーティングされるゾル−ゲル溶液を得る工程、
　を備え、
　ＰＺＴ薄膜は、更にランタン、ニオブ、鉄、アルミニウムなどのドーパントを含んでいてもよい、
　半導体デバイスを製造するための方法。」
　
３．本願発明と引用発明との対比
（１）本願発明は、補正発明の「ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を希釈（ｄｉｌｕｔｉｎｇ）した後、上記希釈されたＰ３及びＰ４をキールレーティング（ｃｈｅｌａｔｉｎｇ）し、混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」が、「ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」であるほかは補正発明と同じである点に留意しつつ、本願発明と引用発明とを対比すると、上記「ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」以外のステップについては、上記第２．４．（４）（４−１）〜（４−４）、（４−６）及び（４−７）において検討したとおりである。
　
（２）次に、本願発明の「ｄ）不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」と引用発明の「Ｚｒ及びＴｉのアルコキシドを２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂを作る工程」とを対比すると、引用発明の「Ｚｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂ」は、本願発明の「Ｚｒ−Ｔｉ溶液」に相当するから、両者は、「上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」である点で一致する。
　
（３）したがって、本願発明と引用発明とは、
　
　「強誘電体物質を作るためにゾルゲルコーティング溶液を形成する方法において、
　ａ）プリーカーソルＰ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４を準備するステップと、
　ｂ）２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）にＰ１を溶解させるステップと、
　ｃ）上記溶解された（ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ）Ｐ１及びＰ２を混合（ｍｉｘｉｎｇ）してＰｂ−別の金属の溶液を得るステップと、
　ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップと、
　ｅ）上記Ｐｂ−別の金属の溶液及び上記Ｚｒ−Ｔｉ溶液を還流させるステップと、
　ゾルゲルコーティング溶液を得るステップを含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。」
　
　である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点５）
　「ｂ）２−メトキシエタノール（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）にＰ１を溶解させるステップ」において、本願発明では、「
Ｐ
１
を真空で脱水化反応（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｎｇ）し、
真空の脱水化反応された
　
（相違点６）
　「別の金属」が、本願発明は「Ｎｂ」であるのに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
（相違点７）
　「ｄ）上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得るステップ」において、本願発明では、当該ステップを「不活性ガス雰囲気で」行っているのに対して、引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点８）
　本願発明は、「ゾルゲルコーティング溶液を得る」ために、「ｆ）基本促進条件（ｂａｓｅ−ｃａｔａｌｙｚｅｄ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）のためにＮＨ４ＯＨを添加するステップ」及び「ｇ）乾燥制御化学添加剤（ｄｒｙ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｄｄｉｔｉｖｅ）の一種でエチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｇｌｙｃｏｌ）を添加」するステップを備えているのに対して、引用発明は、そのようなステップを備えていない点。
　
４．相違点についての当審の判断
（１）相違点５について
　相違点５は、相違点１と同じであるから、相違点１と同様に当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点６について
　相違点６は、相違点２と同じであるから、相違点２と同様に当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）相違点７について
　引用例の００１０段落には、「本発明の無水ゾル−ゲル溶液の組成を得て塗布するための準備手順を、図面の一枚の図に概略的に例示する。この手順は、空気中の湿気を排除するために窒素雰囲気中で行うのが望ましい。例えば、溶液の全ての準備と取り扱いのステップを、窒素で清浄化したグラブボックス（ｇｌｏｖｅ  ｂｏｘ）内で実行することができる。」と記載されているから、引用発明において、「Ｚｒ及びＴｉのアルコキシドを２−ＭＯＥに溶解させることによってＺｒ及びＴｉの前駆体溶液である溶液Ｂを作る工程」を窒素ガス雰囲気で行うことは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、窒素が不活性ガスの範疇に属することは当業者の技術常識であるから、引用発明において、本願発明のように、「不活性ガス雰囲気で上記Ｐ３及び上記Ｐ４を混合してＺｒ−Ｔｉ溶液を得る」ようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点７は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４）相違点８について
　相違点８は、相違点４と同じであるから、相違点４と同様に当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）相違点についての判断のまとめ
　本願発明と引用発明との相違点５〜８については以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．本願発明についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。