【事件の表示】
　特願２００４−５６５７５２「集積回路の製造および動作」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２２日国際公開、ＷＯ２００４／０６１６３４、平成１８年　４月１３日国内公表、特表２００６−５１２６８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許出願（以下、「本願」という。）は、平成１５年１２月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００２年１２月３１日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年２月２２日付け拒絶理由通知に対して、同年７月１日付けで手続補正がされたが、同年１２月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２１年３月２３日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月１５日付けで手続補正がされた。
　その後、平成２３年４月１３日付けで前置報告書を利用した審尋を行ったところ、同年８月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年４月１５日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年４月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．本件補正
　平成２１年４月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前に
　
（ａ）「【請求項１】
　マイクロプロセッサを動作させる方法であって、
　前記マイクロプロセッサのための所望の動作周波数を、動作電圧とは別に、決定するステップと、
　前記マイクロプロセッサに特化された情報を入手するステップであって、前記情報は、前記所望の動作周波数で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するために使用され、前記最適電圧は、前記マイクロプロセッサの特性に基づいているところのステップと、
　前記最適電圧で前記マイクロプロセッサを動作させるステップと
を含み、前記情報が集積回路パッケージ内で符号化され、そして、前記集積回路パッケージ内で、パッケージされた前記マイクロプロセッサとは別個であることを特徴とする方法。
　　【請求項２】
　前記マイクロプロセッサの前記特性が、前記マイクロプロセッサの温度測定を含み、そして、前記温度測定を、情報を入手する前記ステップを行う位置の最も近くで実施する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記最適電圧で動作している間、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記情報が、１以上の組の周波数−電圧動作点を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　マイクロプロセッサの製造方法であって、
　指定周波数における電力制限に合致するために、前記マイクロプロセッサに必要な電圧を、製造中に決定するステップと、
　前記電圧の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含み、前記コンピュータ可読媒体が前記マイクロプロセッサとは別個であることを特徴とする方法。
　　【請求項６】
　マイクロプロセッサの製造方法であって、
　複数の指定周波数の各々で動作させるために、前記マイクロプロセッサに必要な最適電圧を、製造中に決定して、電圧−周波数の複数の関係を生成するステップと、
　前記複数の関係の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含み、前記コンピュータ可読媒体が前記マイクロプロセッサとは別個であることを特徴とする方法。
　　【請求項７】
　前記情報が、前記マイクロプロセッサの共通パッケージ内に記憶され、または、前記情報が、前記マイクロプロセッサのパッケージの外部に記憶される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記電圧が前記指定周波数下において決定される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項９】
　電圧を決定する前記ステップが複数の温度下で実行される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記情報が、周波数−電圧特性の少なくとも２つの関係のうちの１つへのマッピングを含み、そして、前記情報が、前記マイクロプロセッサに特化された、周波数−電圧の関係を含む、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１１】
　電圧を決定する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行され、そして、情報を記憶する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１２】
　マイクロプロセッサと、
　前記マイクロプロセッサに結合され、そして、前記マイクロプロセッサとは別個の不揮発性記憶装置の少なくとも１つのビットとを備え、
　前記不揮発性記憶装置が、前記マイクロプロセッサの周波数−電圧特性の情報を含む集積回路モジュール。
　　【請求項１３】
　前記情報が、周波数−電圧特性の１以上の組へのマッピングを含む、請求項１２に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１４】
　前記マイクロプロセッサが、前記マイクロプロセッサの動作状態を示す値を提供し、前記値が、前記マイクロプロセッサの温度を含む、請求項１２または１３に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１５】
　前記値が、前記マイクロプロセッサの所望の動作周波数を含み、または、不揮発性記憶装置の前記少なくとも１つのビットが、リセット不能であり、または、前記情報が、メモリ集積回路に記憶される、請求項１４に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１６】
　１組の周波数−電圧特性を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造であって、
　前記１組の周波数−電圧特性が、マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
　前記組の個々の周波数−電圧特性が、前記マイクロプロセッサに特化されており、そして、前記データ構造が、前記マイクロプロセッサの外部に存在するところのデータ構造。
　　【請求項１７】
　前記データ構造が、温度依存動作電圧情報を更に含む、請求項１６に記載のデータ構造。
　　【請求項１８】
　マイクロプロセッサと、
　前記マイクロプロセッサに結合され、前記マイクロプロセッサの集積回路に選択可能電圧を供給するための電圧源と、
　前記マイクロプロセッサに結合され、前記マイクロプロセッサの動作電圧を最適化する方法を実施するための命令を含むメモリ空間と
を備え、前記メモリ空間が前記マイクロプロセッサの外部に存在するところのコンピュータであって、前記方法が、
　前記マイクロプロセッサのための所望の動作周波数を決定するステップと、
　前記マイクロプロセッサに特化された情報を入手するステップであって、前記情報は、前記所望の動作周波数で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するために使用され、前記最適電圧は、前記マイクロプロセッサの特性に基づいているところのステップと、
　前記電圧源に、前記最適電圧を前記マイクロプロセッサに供給させるステップとを含むコンピュータ。
　　【請求項１９】
　１組の周波数−電圧特性を含むメモリ空間を更に備え、
　前記１組の周波数−電圧特性が、マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
　前記組の個々の周波数−電圧特性が、前記マイクロプロセッサに特化されている、請求項１８に記載のコンピュータ。
　　【請求項２０】
　前記情報が、前記周波数−電圧動作点の１以上の組へのマッピングを含む、請求項１８または１９に記載のコンピュータ。
　　【請求項２１】
　前記メモリ空間が、温度依存動作電圧情報を更に含み、そして、前記コンピュータが、前記マイクロプロセッサの温度を測定するための手段を更に備えた、請求項１８から２０のいずれか１つに記載のコンピュータ。
　　【請求項２２】
　前記マイクロプロセッサの集積回路の動作電圧を最適化する前記方法が、
　前記マイクロプロセッサの温度を入手するステップと、
　前記温度依存動作電圧情報を入手して、前記所望の動作周波数および前記マイクロプロセッサの前記温度で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するステップと
を更に含む、請求項１８から２１のいずれか１つに記載のコンピュータ。
　　【請求項２３】
　複数の電圧での動作が可能であり、更に、複数の周波数での動作が可能であるマイクロプロセッサと、
　特別に測定された前記マイクロプロセッサの電圧−周波数の関係を記憶するメモリであって、前記電圧−周波数の関係が電圧−周波数の複数の対からなり、各対が、関連する周波数に対する最適電圧を指示するところのメモリと、
　前記メモリを使用して対応する電圧を決定し、更に、所望の動作周波数および前記対応する電圧で前記マイクロプロセッサを動作させるために、所望の動作周波数を入手するための、前記メモリ及び前記マイクロプロセッサに結合された論理と
を備え、前記メモリが、前記マイクロプロセッサとは別個のデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
　　【請求項２４】
　前記メモリが不揮発性メモリであり、または、前記メモリが不揮発性メモリであり、そして、前記不揮発性メモリがリセット不能であり、または、電圧−周波数の前記関係が、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に測定される、請求項２３に記載のデバイス。」
　
とあったものを、
　
（ｂ）「【請求項１】
　
特化された個々の
　
特化された個々の
　
特化された個々の
特化された個々の
特化された個々の
　前記最適電圧で
特化された個々の
、特化された個々の
　　【請求項２】
　前記マイクロプロセッサの前記特性が、
特化された個々の
む
　　【請求項３】
　前記最適電圧で動作している間、前記マイクロプロセッサを前記所望の動作周波数で動作させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記情報が、１以上の組の周波数−電圧動作点を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　
特化された個々の
　指定周波数における電力制限に合致するために、
特化された個々の
　前記電圧の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含み、前記コンピュータ可読媒体が
特化された個々の
り、そして、
　
前記コンピュータ可読媒体が、前記製造の後に、特化された個々の前記マイクロプロセッサに前記情報を提供するように構成されている
ことを特徴とする方法。
　　【請求項６】
　
特化された個々の
　複数の指定周波数の各々で動作させるために、
特化された個々の
　前記複数の関係の情報をコンピュータ可読媒体に記憶するステップと
を含み、前記コンピュータ可読媒体が
特化された個々の
り、そして、
　前記コンピュータ可読媒体が、前記製造の後に、特化された個々の前記マイクロプロセッサに前記情報を提供するように構成されている
ことを特徴とする方法。
　　【請求項７】
　前記情報が、前記マイクロプロセッサの共通パッケージ内に記憶され、または、前記情報が、前記マイクロプロセッサのパッケージの外部に記憶される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記電圧が前記指定周波数下において決定される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項９】
　電圧を決定する前記ステップが複数の温度下で実行される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記情報が、周波数−電圧特性の少なくとも２つの関係のうちの１つへのマッピングを含み、そして、前記情報が、前記マイクロプロセッサに特化された、周波数−電圧の関係を含む、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１１】
　電圧を決定する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行され、そして、情報を記憶する前記ステップが、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に実行される、請求項５または６に記載の方法。
　　【請求項１２】
　
特化された個々の
そして、
　
特化された個々の
特化された個々の
　前記不揮発性記憶装置が、
特化された個々の
　　【請求項１３】
　前記情報が、周波数−電圧特性の１以上の組へのマッピングを含む、請求項１２に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１４】
　前記マイクロプロセッサが、前記マイクロプロセッサの動作状態を示す値を提供し、前記値が、前記マイクロプロセッサの温度を含む、請求項１２または１３に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１５】
　前記値が、前記マイクロプロセッサの所望の動作周波数を含み、または、不揮発性記憶装置の前記少なくとも１つのビットが、リセット不能であり、または、前記情報が、メモリ集積回路に記憶される、請求項１４に記載の集積回路モジュール。
　　【請求項１６】
　１組の周波数−電圧特性を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造であって、
　前記１組の周波数−電圧特性が、
特化された個々の
　前記組の個々の周波数−電圧特性が、
特化された個々の
特化された個々の
　　【請求項１７】
　前記データ構造が、温度依存動作電圧情報を更に含む、請求項１６に記載のデータ構造。
　　【請求項１８】
　
特化された個々の
　
特化された個々の
特化された個々の
　
特化された個々の
特化された個々の
を備え、前記メモリ空間が
特化された個々の
　
特化された個々の
　
特化された個々の
特化された個々の
特化された個々の
　前記電圧源に、前記最適電圧を
特化された個々の
　　【請求項１９】
　１組の周波数−電圧特性を含むメモリ空間を更に備え、
　前記１組の周波数−電圧特性が、マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
　前記組の個々の周波数−電圧特性が、前記マイクロプロセッサに特化されている、請求項１８に記載のコンピュータ。
　　【請求項２０】
　前記情報が、前記周波数−電圧動作点の１以上の組へのマッピングを含む、請求項１８または１９に記載のコンピュータ。
　　【請求項２１】
　前記メモリ空間が、温度依存動作電圧情報を更に含み、そして、前記コンピュータが、前記マイクロプロセッサの温度を測定するための手段を更に備えた、請求項１８から２０のいずれか１つに記載のコンピュータ。
　　【請求項２２】
　前記マイクロプロセッサの集積回路の動作電圧を最適化する前記方法が、
　前記マイクロプロセッサの温度を入手するステップと、
　前記温度依存動作電圧情報を入手して、前記所望の動作周波数および前記マイクロプロセッサの前記温度で前記マイクロプロセッサを動作させるための最適電圧を決定するステップと
を更に含む、請求項１８から２１のいずれか１つに記載のコンピュータ。
　　【請求項２３】
　複数の電圧での動作が可能であり、更に、複数の周波数での動作が可能である、
特化された個々の
　特別に測定された、
特化された個々の
　前記メモリを使用して対応する電圧を決定し、更に、所望の動作周波数および前記対応する電圧で
、特化された個々の
特化された個々の
を備え、前記メモリが、
特化された個々の
　　【請求項２４】
　前記メモリが不揮発性メモリであり、または、前記メモリが不揮発性メモリであり、そして、前記不揮発性メモリがリセット不能であり、または、電圧−周波数の前記関係が、前記マイクロプロセッサのパッケージング後に測定される、請求項２３に記載のデバイス。」
　
としようとするものである。
　
　本件補正は、次の補正事項を含む。
（ア）補正前の請求項１、２、５、６、１２、１６、１８、２３に係る発明が備える「マイクロプロセッサ」、及び、「前記マイクロプロセッサ」について、それぞれ、「
特化された個々の
特化された個々の
　
（イ）補正前の請求項２に係る発明が備える「温度測定を含み、そして、前記温度測定を、情報を入手する前記ステップを行う位置の最も近くで実施する」について、明りょうでない記載の釈明を目的として、「温度測定を含
む
　
（ウ）補正前の請求項５、６に係る発明が備える「コンピュータ可読媒体」について、
「
そして、
　
前記コンピュータ可読媒体が、前記製造の後に、特化された個々の前記マイクロプロセッサに前記情報を提供するように構成されている
　
２．独立特許要件について
　補正事項（ア）は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定する要件を満たすか）を、請求項１６に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、以下に検討する。
　なお、本願補正発明の「前記組」は、文脈からみて、「前記１組」の誤記と解される。
　
３．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２０００−１７２３８３号公報（平成１２年６月２３日公開。以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロプロセッサを搭載した半導体集積装置及びマイクロプロセッサの動作を制御するマイクロプロセッサ制御方法に関する。特には、温度変化の大きな環境でもダイナミックにマイクロプロセッサの動作電圧を変化させることができる半導体集積装置及びマイクロプロセッサ制御方法に関する。」
　
イ．「【００１５】図１は、本発明の半導体集積装置の構成の一形態を示す図である。この半導体集積装置は、所定のアプリケーションやプログラムを実行し、また、当該装置内の各構成を制御するマイクロプロセッサ１と、チップ温度を検出する温度検出装置２と、マイクロプロセッサ１からの温度−電圧特性情報に基づいて温度検出装置２からの温度情報を監視する比較装置３と、
温度、電圧及び周波数の関係を示す温度−電圧−周波数特性テーブルを記憶する記憶装置４
【００１６】ここで、
記憶装置４としては、不揮発性の記憶装置であればよく、例えば、マスクＲＯＭやフラッシュメモリを用いるとよい
フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された特性をマイクロプロセッサ１で書き込むことができる
【００１７】
図２は、記憶装置４に記憶されている温度−電圧−周波数特性テーブルの一例を示す図である
【００１８】図３は、本発明の半導体集積装置における温度変化に対応した動作を示すフローチャートである。以下、図１〜図３に基づいて、本発明の半導体集積装置における温度変化に対応した動作について説明する。
【００１９】まず、
マイクロプロセッサ１は、記憶装置４に記憶されている温度−電圧−周波数特性テーブル（図２）を読み込む
【００２０】〜【００２３】（省略）
【００２４】マイクロプロセッサ１は、比較装置３から温度変化の通知を受けると、温度−電圧−周波数特性テーブルを参照し、現在のチップ温度と現在の動作クロックの周波数に基づいて、動作条件に見合った電圧になるように電源制御装置５へ制御信号を出力する（ステップ３０６）。
【００２５】電源制御装置５は、マイクロプロセッサ１からの制御信号に応じて、電源装置６へ電圧制御信号を送出する（ステップ３０７）。
【００２６】電源装置６は、電源制御装置５からの電圧制御信号に基づいて出力電圧を変更し、マイクロプロセッサ１へ電源を供給する（ステップ３０８）。」
　
ウ．「【００３２】図４は、周波数−電圧特性を示す図である。図４に示すように、一般に半導体の周波数−電圧特性は、電圧に比例して動作可能な周波数が高くなる。また、この特性は温度変化によって値が変化する。図４において、温度ｔ１の場合の周波数−電圧特性は、曲線ａで示され、温度ｔ２（＞ｔ１）の周波数−電圧特性は、曲線ｂで示すことができる。図４に示すように、マイクロプロセッサ１の動作可能領域（周波数−電圧曲線と電圧軸で囲まれた部分）は、温度ｔ１の場合（曲線ａ）より温度ｔ２（＞ｔ１）の場合（曲線ｂ）の方が狭くなる。
【００３３】図４において、
マイクロプロセッサ１の動作クロックの周波数がｆ１である場合、温度ｔ１の時のデバイスの限界動作電圧はｖ１であり、温度ｔ２の限界動作電圧はｖ２である
　
エ．「【００３４】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の半導体集積装置及びマイクロプロセッサの制御方法によれば、温度−電圧−周波数特性テーブルを予め記憶しておき、この温度−電圧−周波数情報と、チップ温度の変化に基づいて、供給電源の電圧を適宜変化させることができるので、温度変化の大きい環境においても安定して動作することができる。」
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案し、温度−電圧−周波数特性テーブルについてみると、引用例には、次の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されていると認める。
　
「温度、電圧及び周波数の関係を示す温度−電圧−周波数特性テーブルであって、
　前記温度−電圧−周波数特性テーブルは、記憶装置に記憶され、
　前記記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された特性を書き込むことができ、
　前記記憶装置に記憶されている温度−電圧−周波数特性テーブルは、マイクロプロセッサによって読み込まれる
温度−電圧−周波数特性テーブル。」
　
４．対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「温度、電圧及び周波数の関係」は、本願補正発明の「周波数−電圧特性」を備えている。
　
（２）引用発明の「記憶装置」は、「前記記憶装置にフラッシュメモリを用い」、及び、「前記記憶装置に記憶されている温度−電圧−周波数特性テーブルは、マイクロプロセッサによって読み込まれる」からみて、本願補正発明の「コンピュータ可読メモリ」に相当する。
　
（３）引用発明の「温度−電圧−周波数特性テーブル」は、「温度、電圧及び周波数の関係を示す温度−電圧−周波数特性テーブル」、「前記温度−電圧−周波数特性テーブルは、記憶装置に記憶され」、及び、引用例の図２からみて、本願補正発明の「１組の周波数−電圧特性を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造」に相当する。
　
（４）引用発明の「温度−電圧−周波数特性テーブル」は、「前記温度−電圧−周波数特性テーブルは、記憶装置に記憶され」、及び、「前記記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された特性を書き込むことができ」からみて、半導体集積装置の量産時のロット毎に、量産試験で測定された温度−電圧−周波数の特性をテーブルとしたものと解されるから、本願補正発明の「前記組の個々の周波数−電圧特性が、特化された」「前記マイクロプロセッサに特化されており」を備えている。
　
（５）引用発明の「電圧」は、引用例の段落【００３２】、【００３３】からみて、本願補正発明の「マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧」に相当する。
　
（６）引用発明の「温度−電圧−周波数特性テーブル」は、引用例の図２からみて、横軸を温度とし、縦軸を周波数とした、電圧を示すテーブルである。
　すると、引用発明の「温度−電圧−周波数特性テーブル」は、（４）における検討も踏まえると、本願補正発明の「前記１組の周波数−電圧特性が、特化された」「マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し」を備えている。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明との＜一致点＞及び＜相違点＞は、次のとおりである。
　
＜一致点＞
「１組の周波数−電圧特性を備えた、コンピュータ可読メモリ内のデータ構造であって、
　前記１組の周波数−電圧特性が、特化されたマイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定し、更に、
　前記組の個々の周波数−電圧特性が、特化された前記マイクロプロセッサに特化されるところのデータ構造。」
　
＜相違点＞
（相違点１）
　１組の個々の周波数−電圧特性につき、本願補正発明は、特化された「個々の」マイクロプロセッサが所望の周波数で動作するために必要な最低動作電圧を指定するとの特定を有するのに対し、引用発明は、そのような特定を有しない（さらにいえば、温度−電圧−周波数特性テーブルにおける電圧が、ロット毎のものである）点。
　
（相違点２）
　１組の個々の周波数−電圧特性につき、本願補正発明は、特化された「個々の」前記マイクロプロセッサに特化されているとの特定を有するのに対し、引用発明は、そのような特定を有しない（さらにいえば、温度−電圧−周波数特性テーブルが、ロット毎のものである）点。
　
（相違点３）
　本願補正発明は、「前記データ構造が、特化された個々の前記マイクロプロセッサの外部に存在する」との特定を有するのに対し、引用発明は、そのような特定を有しない点。
　
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１及び２について
　引用発明の「前記記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された特性を書き込むことができる」は、「前記温度−電圧−周波数特性テーブルは、記憶装置に記憶され」からみて、温度−電圧−周波数特性テーブルを記憶する記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された温度−電圧−周波数の特性を温度−電圧−周波数特性テーブルとして書き込むことができるものである。
　一方、半導体集積回路の分野において、チップ毎に特性のばらつきが存在することから、製造時にチップ毎の特性を測定し、測定された特性に基づいて用いることは周知技術（例えば、特開平１１−２１８５６１号公報の段落【０００２】〜【０００６】、特開２００１−２５０９２０号公報の段落【０００５】、特開平８−１６２５１２号公報の請求項１及び段落【０００７】参照。）である。
　すると、引用発明の「前記記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時のロット毎に特性が変化しても、量産試験で測定された特性を書き込むことができる」に、上記周知技術の製造時にチップ毎の特性を測定し、測定された特性に基づいて用いる点を採用して、温度−電圧−周波数特性テーブルを記憶する記憶装置にフラッシュメモリを用い、前記フラッシュメモリは、半導体集積装置の量産時の
チップ
　
（２）相違点３について
　記憶装置をマイクロプロセッサの外側に設けることは、文献を例示するまでもなく、ごく普通に採用されている周知技術である。
　してみれば、引用発明における、温度−電圧−周波数特性テーブルを記憶した記憶装置に、上記周知技術の、記憶装置をマイクロプロセッサの外側に設ける点を採用し、温度−電圧−周波数特性テーブルを記憶した記憶装置をマイクロプロセッサの外側に設けることにより、本願補正発明の「前記データ構造が、特化された個々の前記マイクロプロセッサの外部に存在する」とすることは、当業者が当然になし得ることである。
　
（３）効果について
　本願補正発明の効果は、引用例に記載された発明、及び、周知技術から当業者が十分に予測可能なものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
６．補正却下についてのむすび 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
１．本願発明
　平成２１年４月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２４に係る発明は、平成２０年７月１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］　１．本件補正　（ａ）」に本件補正前の請求項１６として記載したとおりである。
　
２．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、引用例の記載事項、及び、引用発明は、前記「第２［理由］　３．引用発明」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本願補正発明に対して、「特化された個々のマイクロプロセッサ」、及び、「特化された個々の前記マイクロプロセッサ」における「特化された個々の」との限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の特定事項をすべて含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２[理由] ５．当審の判断」に記載したとおり、引用例に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１６に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。