【事件の表示】
　特願２００６−５０９２８８「超接合デバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月１４日国際公開、ＷＯ２００４／０８８７１７、平成１８年　９月２１日国内公表、特表２００６−５２１７０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００４年３月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年３月２５日、米国、２００４年３月２４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年８月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、前置審査において、平成２３年５月１１日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もなかったものである。
　
２．前置審査における拒絶の理由
　前置審査において、平成２３年５月１１日付けで通知した拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
　
　この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１及び２号に規定する要件を満たしていない。
　
３．本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２２年１２月１７日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　パワーデバイスを製造する方法であって、
　半導体基板を準備するステップと、
　前記半導体基板上に第１の導電型の第１の半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、
　前記第１の半導体層の空いている表面上を覆うマスクであり、前記半導体層の一部を露出させる複数の窓を含み、注入を阻止する能力を備えた前記マスクを形成するステップと、
　前記注入窓の下にある前記第１の半導体層に、複数の縦方向に隣接した第２の導電型の領域を形成するため、前記注入窓を通して一連の注入を実行するステップと、
　前記第１の導電型の前記第１の半導体層を覆うよう前記第１の導電型の第２の半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、
　前記第２の半導体層の空いている表面上を覆う第２のマスクであり、前記第２の半導体層の一部を露出させる複数の窓を含み、注入を阻止する能力を備えた前記第２のマスクを形成するステップと、
　前記第２のマスクの前記注入窓の下であって、前記第１の半導体層における前記第２の導電型の前記縦方向に隣接した領域の上にある前記第２の半導体層に、複数の縦方向に隣接した第２の導電型の領域を形成するため、前記第２のマスクの前記注入窓を通して一連の注入を実行するステップと、
　前記第１の半導体層および前記第２の半導体層に前記第２の導電型の縦向き領域を形成するため、前記第２の導電型の前記領域を連結する拡散促進を適用するステップと、
　前記第２の半導体層の上に前記第２の導電型のチャネル領域を形成するステップと、
　前記チャネル領域によって複数のＭＯＳゲート構造を形成するステップと、
　各ＭＯＳゲート構造に隣接してソース領域を形成するステップと、
　前記基板上に第１の電気的コンタクトを形成するステップと、
　少なくとも前記ソース領域と電気的に接触した第２の電気的コンタクトを形成するステップと、
を含み、
　前記第２の導電型の前記連結された縦向き領域が前記第１の半導体層および前記第２の半導体層と実質的に電荷がバランスするようにした、方法。
　　【請求項２】
　前記注入窓の幅が０．２５〜２．０ミクロンである、請求項１記載の方法。
　　【請求項３】
　前記第２の導電型の前記縦向き領域の幅が５ミクロン未満である、請求項１記載の方法。
　　【請求項４】
　前記チャネル領域が前記第２の導電型のエピタキシャル半導体層を成長させることによって形成される、請求項１記載の方法。
　　【請求項５】
　前記チャネル領域が前記第２の導電型のドーパントを前記エピタキシャル半導体層へ注入することにより形成される、請求項１記載の方法。
　　【請求項６】
　前記第１の電気的コンタクトがドレインコンタクトであり、前記第２の電気的コンタクトがソースコンタクトである、請求項１記載の方法。
　　【請求項７】
　前記半導体基板が第１の導電型である、請求項１記載の方法。
　　【請求項８】
　前記マスクが、酸化物、フォトレジストおよび窒化物からなる群より選択される物質からなる、請求項１記載の方法。
　　【請求項９】
　前記エピタキシャル半導体層の成長、前記マスクの形成、前記一連の注入の実行、及び前記拡散促進の適用が３回以上繰り返される、請求項１記載の方法。」
　
４．当審の判断
（４−１）特許法第３６条第６項第１号違反について
（４−１−１）請求項９に係る発明は、上記３．本願発明の請求項９として記載したとおりのものである。
　
（４−１−２）一方、本願明細書の「【００２２】
　[0026]図４ａ〜４ｅは、本発明によるＭＯＳＦＥＴの製造のプロセスを例示する。
　【００２３】
　[0027]図４ａを参照すると、
第１の導電型（たとえば、Ｎ型）の第１のエピタキシャルシリコン１８’の層が第１の導電型のシリコン基板２０上で成長する。
　【００２４】
　[0028]その後、
マスク３０が第１のエピタキシャルシリコン１８’の層の上に形成される。
　【００２５】
　[0029]注入窓３２の幅は、望ましい絶縁破壊電圧と、その中を通って受けられる注入の深さとに応じて選択される。好ましくは、注入窓３２の幅は０．２５〜２．０μｍである。注入窓３２は、縞状でもよく、又はセル型、たとえば、六角形でもよい。
　【００２６】
　[0030]次に、
一連の高エネルギーホウ素の注入が第１のエピタキシャルシリコン１８’で実行される。
　【００２７】
　[0031]一連の注入を実行するため、高エネルギー注入装置が利用される。高エネルギー注入装置は、典型的に、１０ｋｅＶ〜３．０ＭｅＶのエネルギーで、４ミクロンの深さまでホウ素を注入することが可能である。一連の注入中の各注入物のドーズ量の典型的な値は、１．０×１０１１〜１．０×１０１３イオン／ｃｍ２である。
　【００２８】
　[0032]多数の注入の結果として、第２の導電型の狭く深いゾーン（各ゾーンは縦方向に隣接した注入領域３４のスタックを含む）が第１のエピタキシャルシリコン１８’に形成され、それらの上面付近からシリコン基板２０に隣接した底面付近まで広がる。その後、マスク３０が除去される。
　【００２９】
　[0033]本発明の第１の実施形態において、
マスク３０が除去された後、第２のエピタキシャルシリコン１８’’層が図４ｂに示されるように第１のエピタキシャルシリコン１８’層上に成長する。
第２のエピタキシャルシリコン１８’’は同様に、高エネルギー注入を素子する能力を備えたマスク３１によって覆われる。
　【００３０】
　[0034]その後、
一連の高エネルギーのホウ素注入が複数の縦方向に隣接した注入領域３４を、第１のエピタキシャルシリコン１８’層の注入領域３４の上方の第２のエピタキシャルシリコン１８’’層に形成するため実行される。マスク３１が次に除去され、拡散促進が注入物を動かすために適用され、それによって、注入領域３４はドリフト領域１８に領域２８を形成するように接合される。
「【００３５】
　[0039]本発明によるデバイスを形成するために２層のエピタキシャルシリコン層が必要ではないことに注意すべきである。たとえば、より低電圧のデバイスでは、チャネル領域１２が形成される前に第１のエピタキシャル層１８’だけを準備することが可能である。更に、より高電圧のデバイスが望まれるならば、
３層以上のエピタキシャルシリコン層を形成し、本発明に従って処理してもよい。
　
　よって、請求項９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　
（４−２）特許法第３６条第６項第２号違反について
（４−２−１）請求項１の第２２行に記載された「前記チャネル領域によって複数のＭＯＳゲート構造を形成するステップ」の意味が不明りょうである。
　
（４−２−２）請求項１の第１５〜１６行に記載された「前記第１の半導体層における前記第２の導電型の前記縦方向に隣接した領域」と、同じく第８〜９行に記載された「前記第１の半導体層における前記第２の導電型の前記縦方向に隣接した領域の上にある前記第２の半導体層」の表現の整合性がとれておらず、全体として不明りょうな記載である。
　
　よって、請求項１及び当該請求項を引用する請求項２ないし９に係る発明は明確でない。
　
５．むすび
　以上の次第で、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１及び２号の規定を満たさないから、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。