【事件の表示】
　特願２００９−５２５８２６「量子ドットの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月　８日国際公開、ＷＯ２００９／１２２４５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯  
　本願は、２００８年（平成２０年）３月３１日を国際出願日とする出願であって、平成２１年１０月２７日及び平成２２年１月７日に手続補正がなされたが、同年３月２３日付けで同年１月７日になされた手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２３年６月２９日付けで平成２２年６月１７日になされた手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年９月１日に手続補正がなされたものである。
　 
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年９月１日になされた手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　  
「シリコンまたはゲルマニウムからなる量子ドットの製造方法であって、
　Ｎ２Ｏガスと、シリコンまたはゲルマニウムを含む材料ガスとを用いて非晶質相からなり、かつ、シリコンまたはゲルマニウムが酸素よりも多く含まれるシリコン酸化膜またはゲルマニウム酸化膜を基板上に堆積する第１の工程と、
　前記第１の工程において堆積された前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を設定温度に加熱して前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜が前記設定温度に加熱された段階で前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜中に結晶粒を生成する第２の工程と、
　前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を前記設定温度で熱処理し、かつ、前記熱処理後、前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を冷却し、前記結晶粒から前記量子ドットを形成する第３の工程とを備える、量子ドットの製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　  
３　刊行物の記載
（１）当審拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、F. Iacona, et. al., Formation and evolution of luminescent Si nanoclusters produced by thermal annealing of SiOx films J. Appl. Phys. (2004) Vol. 95 No.7 p.3723-3732（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（訳文をかっこ書で付した。また、下線は、審決で付した。以下同じ）。
　  
　ア　「I. INTRODUCTION
　　Si nanocrystals (nc) embedded in a SiO2 matrix are currently attracting much interest as a candidate system to solve the physical inability of bulk Si, due to its indirect energy band gap, to act as an efficient light emitter. Indeed, the band gap of Si nc is enlarged with respect to the bulk material due to quantum confinement effects, and an intense visible photoluminescence (PL) at room temperature is obtained. Recently, the interest towards this material is greatly increased due to the observation of light amplification in Si nanostructures,1-6 as well as to the demonstration of the feasibility of efficient light emitting devices based on Si nc.7-15 Indeed, both of these points open the route towards the development of a Si-based optoelectronics.
　　Si nc in SiO2 are produced by several different techniques, namely, ion implantation, chemical vapor deposition, sputtering, and laser ablation.16-20 In particular, the formation of Si nc embedded in SiO2 from high temperature annealed substoichiometric silicon oxide (SiOx) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition exhibits a lot of advantages.21-23 Indeed, by using this process, the Si nc size can be controlled by playing on the annealing temperature as well as on the silicon excess in the SiOx film;23 it has also been observed that by increasing the Si nc mean size a redshift of the PL peak is obtained, in qualitative agreement with the quantum confinement model.
　　A key point for a full understanding of the optical properties of this system is the availability of a clear picture of its structural properties and their evolution upon thermal annealing.　・・・
　　In this work we will investigate the complete evolution of SiOx films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), from the as deposited to the high temperature (1250℃) annealed status.　・・・」（３７２３頁左欄〜右欄１行、１８〜２１行）
（Ｉ．序文 
　ＳｉＯ２マトリックス中に埋め込まれたＳｉナノ結晶（ｎｃ）は、バルクＳｉが間接エネルギーバンドギャップであるため、効率のよい発光体として作用するのに物理的無能力であることを解決する候補のシステムとして、現在、多くの興味を集めている。実際、
Ｓｉナノ結晶のバンドギャップは、量子閉じ込め効果のため、バルク材料に関してより大きくされ、室温で強い可視のフォトルミネッセンス（ＰＬ）が得られる
　ＳｉＯ２中のＳｉナノ結晶は、いくつかの異なる技術、すなわち、イオン注入、化学気相成長、スパッタリング、レーザ・アブレーションにより作製される16-20。特に、
プラズマ化学気相成長法により用意された、高温アニールされた非化学量論的な酸化シリコン（ＳｉＯ
ｘ
）膜からの、ＳｉＯ
２
中に埋め込まれたＳｉナノ結晶の形成
この製法を用いることによって、Ｓｉナノ結晶のサイズは、ＳｉＯ
ｘ
膜中のシリコン過剰だけでなくアニーリング温度に影響を与えることによって制御され得る
　このシステムの光学特性の十分な理解のためのキーポイントは、その構造特性及び熱アニーリングにおける進展の明確な描写が利用できることである。・・・
　本研究において、
プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）により用意されたＳｉＯ
ｘ
膜
高温（１２５０℃）でアニール
　 
　イ　「II. EXPERIMENT 
　　SiOx thin films have been prepared by using a parallel plate PECVD system・・・ The substrates, consisting of 6 in. (100) Czochralski Si wafers, have been heated at 300℃ during the deposition. The source gases used are high purity (99.99% or higher) SiH4 and N2O; the N2O/SiH4 flow ratio has been set to give SiOx films with a total Si concentration of 46 at.%, as determined by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) measurements. ・・・　After deposition, the SiOx films have been annealed for 1 h at temperatures between 900 and 1250℃ in ultrapure N2 atmosphere using a horizontal furnace, to induce the separation between the Si and the SiO2 phases and the formation of Si nanoclusters embedded in SiO2.」（３７２４頁左欄６〜２５行）
（ＩＩ．実験
　
ＳｉＯ
ｘ
薄膜は、平行平板型ＰＥＣＶＤシステムを用いて用意された
シリコン・ウェハからなる基板
堆積
供給ガス
ＳｉＨ
４
及びＮ
２
Ｏである
Ｎ
２
Ｏ／ＳｉＨ
４
の流量比は、全Ｓｉ濃度が
４６ａｔ．％のＳｉＯ
ｘ
膜を与えるべく調節された
堆積後、ＳｉＯ
ｘ
膜は、Ｓｉ相とＳｉＯ
２
相の間の分離及びＳｉＯ
２
に埋め込まれたＳｉナノクラスターの形成を引き起こすべく
９００〜１２５０℃の温度で１時間アニールされた
　 
　ウ　「III. RESULTS AND DISCUSSION 
A. Structural analysis 
・・・　The first step to obtain an energy filtered image is the use of the electron energy loss spectroscopy (EELS) to collect an energy loss spectrum. Figure 1 reports the EELS spectra coming from SiOx films as deposited and annealed at 1250℃.　・・・　On the other hand, the spectrum relative to the sample annealed at 1250℃ presents two well resolved components, whose energies correspond to the Si and SiO2 plasmon losses. This is clear evidence of the extensive phase separation between Si and silica matrix induced by the high temperature annealing in SiOx films.　・・・
　　・・・　Figure 2 reports the plan view EFTEM images obtained by using the above described method from SiOx samples as deposited and annealed at 900, 1000, and 1100℃.　・・・
　　・・・　This means that clustering effects are already visible at 900℃, even if the analysis of the image seems to suggest the formation of a Si network instead of isolated clusters. The occurrence of phase separation between Si and SiO2 becomes much more evident by increasing the annealing temperature, and well defined Si clusters embedded in the oxide matrix are clearly visible in samples annealed at 1000 and 1100℃ [see Figs.2(c) and 2(d)].
・・・
　　The direct comparison between energy filtered and dark field images is shown in Fig. 3 for samples annealed at higher temperatures (1150 and 1250℃) than those reported in Fig. 2.　・・・
　　A first qualitative analysis of the TEM images shown in Figs. 2 and 3 allows us to define some aspects of the Si nc nucleation from annealed SiOx films. As deposited SiOx films are homogeneous and fully amorphous materials, without any evidence of phase separation between Si and SiO2 .　・・・　The first stages of the phase separation between Si and SiO2 become visible at 900℃, but well defined and amorphous Si clusters are formed only at 1000℃. At 1100℃ the amorphous nanoclusters (na) begin to become crystalline. We note that this general behavior has to be considered valid for any SiOx composition; on the other hand, the clustering and crystallization temperatures we have determined (1000 and 1100℃, respectively) apply in a rigorous way only to the Si concentration used for the experiments reported in the present article (46 at.%), since lower temperatures are expected when dealing with SiOx films characterized by higher Si concentrations.23,27」（３７２４頁左欄下から４〜３行、右欄７〜１１行、３７２５頁左欄７〜１２行、２１〜２４行、右欄１０〜１７行、下から１７〜１４行、３７２６頁左欄２〜６行、１２〜２３行）
（ＩＩＩ．結果及び検討 
Ａ．構造解析 
・・・エネルギー選別像を得る最初の段階は、エネルギー損失スペクトルを集めるために電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）を用いることである。図１は、堆積直後及び１２５０℃でアニールされたＳｉＯｘ膜から得られるＥＥＬＳスペクトルを伝える。・・・一方、
１２５０℃でアニールされたサンプルに関するスペクトルは、二つのよく分離された成分を示し
高温アニーリングによりＳｉＯ
ｘ
膜に引き起こされたＳｉとシリカ・マトリックスの間の広範囲の相分離
　・・・図２は、上述の方法を用いて、堆積直後、９００℃、１０００℃、及び１１００℃でアニールされたＳｉＯｘサンプルから得られた平面図のＥＦＴＥＭ像を伝える。・・・ 
　・・・これは、たとえ
像の解析が分離されたクラスターのかわりにＳｉネットワークの形成を示しているように思われるとしても、９００℃で集合効果がすでに見られる
Ｓｉクラスター
・・・ 
　エネルギー選別像と暗視野像の直接の比較は、図２で報告されたものよりも高温（１１５０℃及び１２５０℃）でアニールされたサンプルについて図３に示されている。・・・ 
　図２及び３に示されたＴＥＭ像の最初の定性的な解析により、アニールされたＳｉＯｘ膜からのＳｉナノ結晶の核形成のいくつかの面が明確にされる。
堆積直後のＳｉＯ
ｘ
膜
アモルファスの物質で
　 
　エ　「C. Correlation between optical and structural properties
　　Figure 9 reports the PL spectra taken at room temperature from SiOx films having a total Si concentration of 46 at.% by pumping with the 488 nm line of an Ar+ laser, after thermal annealing processes performed at temperatures ranging from 1000 to 1250℃. As deposited SiOx films exhibit only broad and very weak PL signals, possibly related to the presence of radiative defects in the matrix. On the other hand, the figure shows that the annealed SiOx samples exhibit a strong room temperature PL peak; the wavelength corresponding at the maximum of the emission is of about 900 nm, almost independent of the annealing temperature. For samples annealed at T≧1100℃ it has already been demonstrated that the appearance of such a strong room temperature PL is due to the formation of Si nc.23,38　・・・」（３７２９頁右欄下から１６〜３行）
（Ｃ．　光学特性と構造特性の相関
　図９は、
１０００℃〜１２５０℃の温度範囲でなされた熱アニーリング処理の後、全Ｓｉ濃度が４６ａｔ．％のＳｉＯ
ｘ
膜から
室温で得られた、ＰＬスペクトル
アニールされたＳｉＯ
ｘ
サンプルが強い室温ＰＬピークを示すことを表している
　 
（２）同じく、K. Koukos, et. al., Effect of Annealing Conditions on Photoluminescence Properties of Low-Pressure Chemical Vapour Deposition-Grown Silicon Nanocrystals Jpn. J. Appl. Phys. (2008) Vol.47 No.1 p.130-132（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。 
　 
　「For the purposes of this work, 180-360-nm-thick SiOx films of six different compositions, were fabricated by LPCVD at 750℃ and 300 mTorr. N2O and SiH4 were used as precursors, with ratios (N2O/SiH4) ranging from 6 to 2.5. The resulting silicon in excess varies from 6 to 17 ± 0.5% as measured by depth profiling in X-ray photoelectron spectroscopy (XPS),10) which also showed the good homogeneity of the composition profiles. A two-step thermal treatment (RTA and conventional annealing) was carried out after deposition to form the Si nanocrystals.　・・・
　We will first discuss the RTA step. As reported in the literature for implanted samples,11) the role of this step is to favour nucleation under limited diffusion conditions and thus provide control over the initial stages of the growth process.　・・・　Hence, RTA results in a very large number of defects, yet these defects can be passivated by further thermal treatment, namely, conventional annealings. We were then interested in investigating how annealing conditions influence optical properties. We studied the effect of RTA temperature on the photoluminescence properties of our samples, for a fixed annealing time of 90 s and temperature ramps of around 200°C/s.」（１３０頁右欄３〜１２行、２３〜２７行、１３１頁左欄９〜１６行）
（本研究の目的のために、六つの異なる組成の、１８０−３６０ｎｍ厚のＳｉＯｘ膜が、７５０℃、３００ｍＴｏｒｒでＬＰＣＶＤによって製造された。Ｎ２Ｏ及びＳｉＨ４が前駆体として用いられ、Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４比は６〜２．５の範囲であった。結果として生じる過剰のシリコンは、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）の深さプロファイリングにより測定されたように10)、６〜１７±０．５％で変化し、組成プロファイルの良い均質性も示した。Ｓｉナノ結晶を形成するために堆積後、二段階熱処理（ＲＴＡ及び通常のアニーリング）が実施された。・・・ 
　まず、
ＲＴＡ手段
注入されたサンプルについての論文で報告されているように
11)
、本手段の役割は、限定された拡散条件下での核形成に有利に働くことであり、したがって、成長過程の最初の段階における制御を提供することである
約２００℃／ｓの温度勾配
　 
４　引用発明  
　上記３（１）アないしエによれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。  
　  
「シリコン・ウェハからなる基板に、ＳｉＯｘ膜がＰＥＣＶＤにより堆積され、使用される供給ガスはＳｉＨ４及びＮ２Ｏであり、Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４の流量比は、全Ｓｉ濃度が４６ａｔ．％の、シリコン過剰のＳｉＯｘ膜を与えるべく調節され、堆積直後のＳｉＯｘ膜は、アモルファスの物質であり、堆積後、ＳｉＯｘ膜は、高温でアニールされ、Ｓｉ相とＳｉＯ２相の間の分離、Ｓｉクラスターの形成、さらにＳｉＯ２に埋め込まれたＳｉナノクラスターの形成が引き起こされる、非化学量論的なＳｉＯｘ膜から量子閉じ込め効果を有するＳｉナノ結晶を形成する製法。」（以下「引用発明」という。）  
　  
５　対比  
（１）本願発明と引用発明とを対比する。  
　  
　ア　引用発明の「量子閉じ込め効果を有するＳｉナノ結晶」は、本願発明の「シリコンまたはゲルマニウムからなる量子ドット」との事項を備えているといえる。 
　 
　イ　引用発明の、「使用される供給ガス」である「Ｎ２Ｏ」は、本願発明の「Ｎ２Ｏガス」に相当する。 
　また、引用発明の、「使用される供給ガス」である「ＳｉＨ４」は、本願発明の「シリコンまたはゲルマニウムを含む材料ガス」との事項を備えているといえる。 
　 
　ウ　引用発明は、「シリコン・ウェハからなる基板に、ＳｉＯｘ膜がＰＥＣＶＤにより堆積され」るので、本願発明の「シリコン酸化膜またはゲルマニウム酸化膜を基板上に堆積する」との事項を備えているといえる。 
　また、引用発明は、「ＳｉＯｘ膜がＰＥＣＶＤにより堆積され、使用される供給ガス」の「Ｎ２Ｏ／ＳｉＨ４の流量比は、全Ｓｉ濃度が４６ａｔ．％の、シリコン過剰のＳｉＯｘ膜を与えるべく調節され」、当該「ＳｉＯｘ膜」は「非化学量論的な」ものであるから、本願発明の「シリコンまたはゲルマニウムが酸素よりも多く含まれるシリコン酸化膜またはゲルマニウム酸化膜を」「堆積する」との事項を備えているといえる。 
　また、引用発明は、「堆積直後のＳｉＯｘ膜は、アモルファスの物質であ」るので、本願発明の「非晶質相からな」る「シリコン酸化膜またはゲルマニウム酸化膜を」「堆積する」との事項を備えているといえる。 
　 
　エ　引用発明は、「堆積後、ＳｉＯｘ膜は、高温でアニールされ」るので、本願発明の「前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を前記設定温度で熱処理し」との事項を備えているといえる。 
　また、引用発明において、堆積後のＳｉＯｘ膜が所定の高温の温度に加熱され、当該温度でアニールされることは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「堆積された前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を設定温度に加熱して」との事項を備えているといえる。
　さらに、引用発明において、ＳｉＯｘ膜が高温でアニールされた後、冷却されることは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「前記熱処理後、前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を冷却し」との事項を備えているといえる。
　 
　オ　引用発明において、「堆積後、ＳｉＯｘ膜は、高温でアニールされ、Ｓｉ相とＳｉＯ２相の間の分離、Ｓｉクラスターの形成、さらにＳｉＯ２に埋め込まれたＳｉナノクラスターの形成が引き起こされる」ので、引用発明の「Ｓｉクラスター」は、本願発明の「結晶粒」に相当するといえる。 
　そして、引用発明は、本願発明の「前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜中に結晶粒を生成する」及び「前記結晶粒から前記量子ドットを形成する」との事項を備えているといえる。
（２）以上によれば、両者は、
「シリコンまたはゲルマニウムからなる量子ドットの製造方法であって、
　Ｎ２Ｏガスと、シリコンまたはゲルマニウムを含む材料ガスとを用いて非晶質相からなり、かつ、シリコンまたはゲルマニウムが酸素よりも多く含まれるシリコン酸化膜またはゲルマニウム酸化膜を基板上に堆積する第１の工程と、
　前記第１の工程において堆積された前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を設定温度に加熱する第２の工程と、 
　前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を前記設定温度で熱処理し、かつ、前記熱処理後、前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜を冷却し、前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜中に生成された結晶粒から前記量子ドットを形成する第３の工程とを備える、量子ドットの製造方法。」  
である点で一致し、 
本願発明では、「前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜が前記設定温度に加熱された段階で前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜中に結晶粒を生成する」のに対して、引用発明では、そのような構成を有しているのか不明である点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。 
　 
６　判断  
（１）相違点について  
　ア　相違点に係る本願発明の、「前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜が前記設定温度に加熱された段階で前記シリコン酸化膜または前記ゲルマニウム酸化膜中に結晶粒を生成」し、「前記結晶粒から前記量子ドットを形成する」、という事項に関して、本願明細書には、以下の記載がある。
　 
「[0044] 　図３は、図２に示すＲＴＡ装置２００を用いたＲＴＡによる熱処理のタイミングチャートである。 
・・・ 
[0046] 　図３を参照して、第１の熱処理方法が実行される場合、試料３００は、タイミングｔ０からタイミングｔ１までの５秒間で室温ＲＴから１０００℃まで加熱される（直線ｋ１参照）。そして、試料３００は、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの１分間、１０００℃に保持される（直線ｋ２参照）。 
[0047] 　その後、タイミングｔ２でランプ２５０がオフされ、冷却水が配管２６０に流される。そして、試料３００は、タイミングｔ２からタイミングｔ３までの３０秒で１０００℃から室温ＲＴまで冷却される（直線ｋ３参照）。 
[0048] 　一方、第２の熱処理方法が実行される場合、試料３００は、第１の熱処理方法と同じ方法によって、室温ＲＴから１０００℃に加熱され、かつ、１０００℃に保持される。そして、タイミングｔ２でランプ２５０がオフされ、試料３００は、タイミングｔ２からタイミングｔ４までの３０分で１０００℃から室温ＲＴまで冷却される（直線ｋ４参照）。 
[0049] 　このように、この発明においては、急速加熱および急速冷却によって試料３００を熱処理するとともに、急速加熱および自然冷却によって試料３００を熱処理する。 
[0050] 　図４は、量子ドットを製造する工程図である。量子ドットを製造する動作が開始されると、シリコン（Ｓｉ）からなる基板１が準備され（図４の工程（ａ）参照）、基板１をＲＣＡ洗浄した後、図１に示すプラズマＣＶＤ装置１００のサンプルホルダー１０３に基板１を設置する。 
[0051] 　そして、ガスボンベ１０９からＮ２Ｏガスを反応室１０１へ供給し、ガスボンベ１１０からＳｉＨ４ガスを反応室１０１へ供給し、表１に示す反応条件を用いてシリコン酸化膜２を基板１上に堆積する（図４の工程（ｂ）参照）。この段階で、シリコン酸化膜２は、結晶流を含まない非晶質相からなる。 
・・・ 
[0053] 　その後、シリコン酸化膜２／基板１からなる試料３００をＲＴＡ装置２００のホルダー２２０上に設置し、上述した方法によって試料３００（＝シリコン酸化膜２／基板１に対してＲＴＡによる熱処理（急速加熱および急速冷却）を施す（図４の工程（ｃ）参照）。その結果、量子ドット２１がシリコン酸化膜２中に生成される。 
[0054] 　図５は、量子ドットを製造する他の工程図である。量子ドットを製造する動作が開始されると、図４の工程（ａ），（ｂ）と同じ工程に従って、　シリコン酸化膜２を基板１上に堆積する（図５の工程（ａ），（ｂ）参照）。 
[0055] 　その後、シリコン酸化膜２／基板１からなる試料３００をＲＴＡ装置２００のホルダー２２０上に設置し、上述した方法によって試料３００（＝シリコン酸化膜２／基板１に対してＲＴＡによる熱処理（急速加熱および自然冷却）を施す（図５の工程（ｃ）参照）。その結果、量子ドット２２がシリコン酸化膜２中に生成される。量子ドット２２は、量子ドット２１よりも直径が大きい。 
[0056] 　図６は、図４に示す工程（ｂ）〜工程（ｄ）における概念図である。図６を参照して、図４に示す工程（ｂ）において堆積されたシリコン酸化膜２は、非晶質相からなる（図６の（ａ）参照）。そして、ＲＴＡによる熱処理において、試料３００（＝シリコン酸化膜２／基板１）が２秒間で室温ＲＴから１０００℃に加熱された段階で結晶粒２０が生成される（図６の（ｂ）参照）。 
[0057] 　その後、試料３００（＝シリコン酸化膜２／基板１）が１０００℃に保持され、かつ、急速冷却されると、結晶粒２０が成長して量子ドット２１が生成される（図６の（ｃ）参照）。 
[0058] 　図７は、図５に示す工程（ｂ）〜工程（ｄ）における概念図である。図５に示す工程（ｂ）においてシリコン酸化膜２が堆積された段階では、図６に示す場合と同様に、シリコン酸化膜２は、非晶質相からなり（図７の（ａ）参照）、５秒間で室温ＲＴから１０００℃まで加熱された段階では、図６に示す場合と同様に、結晶粒２０が生成される（図７の（ｂ）参照）。
[0059] 　その後、試料３００（＝シリコン酸化膜２／基板１）が１０００℃に保持され、かつ、自然冷却されると、結晶粒２０が成長して量子ドット２２が生成される（図７の（ｃ）参照）。 
・・・ 
[0062] 　・・・この発明においては、シリコン酸化膜２は、ＳｉＨ４ガスの流量を基準よりも多くして形成され、所謂、シリコンリッチ酸化膜と呼ばれる。  
・・・ 
[0073] 　上述したシリコン酸化膜を熱処理した後の膜は、Ｓｉドット（半導体量子ドット）と、ＳｉＯ２（絶縁膜）とからなり、・・・ 
[0077] 　また、上記においては、ＲＴＡによる熱処理における昇温レートは、２００℃／ｓであると説明したが、この発明においては、これに限らず、ＲＴＡによる熱処理における昇温レートは、０．２℃／ｓ〜５００℃／ｓの範囲であればよく、一般的には、０．２℃／ｓ（＝基準昇温レート）以上であればよい。」 
　 
　イ　本願明細書の上記アの記載によると、基板上に堆積された、非晶質相からなるシリコンリッチ酸化膜を、０．２℃／ｓ以上という広範囲にわたる昇温レートで加熱することにより、結晶粒が生成されるものと認められる。
　 
　ウ　しかるところ、引用発明において、堆積されたアモルファスのＳｉＯｘ膜が高温でアニールされ、Ｓｉ相とＳｉＯ２相の間の分離、Ｓｉクラスターの形成、さらにＳｉＯ２に埋め込まれたＳｉナノクラスターの形成が引き起こされる際の、当該Ｓｉクラスターの形成時期は、当業者が設計上適宜定め得る事項である。 
　そして、前記３（２）によれば、刊行物２には、ＲＴＡが、核形成に有利に働き、成長過程の最初の段階における制御を提供すること、また、ＲＴＡにおける温度勾配は約２００℃／ｓであることが記載されているところ、当該記載に照らし、引用発明において、所定の高温の温度に加熱する際の温度勾配等を調整し、上記ＳｉＯｘ膜が所定の高温の温度に加熱された段階で、Ｓｉクラスターを生成するようにして、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が何ら困難なくなし得ることというべきである。
　　 
（２）小括  
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び刊行物２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。  
　  
７　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。