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　特願２００５−　９３２３２「半導体レーザ装置および光ピックアップ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日出願公開、特開２００６−２７８５７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１７年３月２８日に特許出願したものであって、平成２２年８月２７日に手続補正がなされ、平成２３年５月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年８月１２日付け手続補正による補正後の明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子を備え、
　前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板上に、凸部及び該凸部の下方の領域から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成される第１の電極とを備え、
　前記第２の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成される第２の電極とを備え、
　前記第３の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成される第３の電極とを備え、
　前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の半導体層に前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の半導体層および前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の半導体層が対向するように前記第１の半導体レーザ素子上に前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子が積層され、
　前記第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離よりも小さく、
　前記第１の電極上に第１の絶縁膜が形成され、
　前記第３の電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の電極上に積層されており、
　前記第１の電極と前記第２の電極と前記第３の電極とが互いに絶縁され、
　前記第１の絶縁膜上に第４の電極が形成され、
　前記第１の半導体層の上面には、前記凸部の側面及び前記凸部の両側に第２の絶縁膜が形成され、該第２の絶縁膜上に第５の電極が形成され、
　前記第４の電極は、前記第３の電極に電気的に接続され、
　前記第５の電極は、前記第２の電極に電気的に接続され、
　前記第１の電極と前記第４の電極と前記第５の電極は、互いに電気的に分離され、それぞれ前記第１の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子を駆動するためのワイヤがボンディングされていることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００４−２０７４８０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する
半導体レーザ装置
　
イ　「【００１８】本発明はこうした従来の問題点に鑑みてなされたものであり、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】また、容易に製造することができ、また、レーザ光の発光点間隔が高精度で制御された半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　
ウ　「【００２６】図１（ａ）（ｂ）において、この半導体レーザ装置１は、短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子２と、それより長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子３とが、接着層としての導電性を有する融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。
【００２７】
第１の発光素子２は、例えば窒化物系III−Ｖ族化合物半導体から成る半導体基板ＳＵＢ１上に形成されており、ストライプ形状のリッジ導波路６を有したレーザ発振部５と、リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の上面を被覆する絶縁層７と、リッジ導波路６に電気的に接続すると共に絶縁層７上に積層されたオーミック電極層８とを備えて構成され
【００２８】また、オーミック電極層８と、接合層としての融着金属層４とが電気的且つ機械的に接合し、半導体基板ＳＵＢ１の下端にオーミック電極Ｐ１が形成されている。・・・
【００３０】
第２の発光素子３は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のいずれかを含むIII−Ｖ族化合物半導体が複数積層された構造を有しており、ストライプ形状のリッジ導波路１０を有するレーザ発振部９と、リッジ導波路１０を除くレーザ発振部９の融着金属層４側の全面を絶縁する絶縁層１１と、リッジ導波路１０に電気的に接続すると共に絶縁層１１上に積層されたオーミック電極層１２とを備えて構成され
【００３４】
オーミック電極Ｐ１，Ｐ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層８，１２及び半導体基板ＳＵＢ１中を流れると共に、リッジ導波路６のストライプ形状に沿ってレーザ発振部５中の上述の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生する。更にリッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路６のストライプ形状に沿って導波される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、上述の短波長のレーザ光が劈開面から出射され
　
エ　「【０１５６】このように本実施形態の半導体レーザ装置１によれば、図９（ａ）に示したように、極めて薄い厚さの融着金属層４の介在によってレーザ発振部９，１４を固着することが可能であることから、発光点間隔を大幅に小さくすることができる。具体的には、融着金属層４の厚さを約１μｍ以下にすることができ、発光点間隔もほぼ１μｍ程度にすることができる。
【０１５７】また、融着金属層４及びオーミック電極層８，１２は、レーザ発振部９，１４に駆動電流を供給するためのいわゆる共通電極（コモン電極）としての機能を発揮するので、駆動電流供給用の電極の数を低減することができる。・・・
【０１６０】また、本実施形態の半導体レーザ装置１を、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載することとすると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子２Ａ，３Ａの各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸に高精度で位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【０１６２】次に、図９（ｂ）に示す半導体レーザ装置を説明する。当該半導体レーザ装置は、熱伝導率が高く電気的絶縁性を有したセラミック等の支持基板（サブマウント）２０００に、図９（ａ）に示した半導体レーザ装置１を固着した構造となっている。
【０１６３】支持基板２０００の上面には、Ｃｕ等の金属から成るパターニングされた電極層Ｐ11とＰ31が蒸着等によって形成されている。
【０１６４】電極層Ｐ11には、第２の発光素子３Ａのレーザ発振部９が電気的且つ機械的に固着され、電極層Ｐ31には、導電性スペーサーとしての融着金属層ＳＰＣを介して、オーミック電極層１２の露出部分が電気的且つ機械的に固着され、更に半導体基板ＳＵＢ２の露出端に、オーミック電極Ｐ２が形成されている。また、電極層Ｐ11とオーミック電極Ｐ２と電極層Ｐ31に、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ２，Ｌ31が接続されている。」
　
オ　「【０１７２】図１１（ａ）に示されている半導体レーザ装置１は、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯のレーザ光を出射する第１の発光素子２Ｂと、波長７００ｎｍ帯〜８００ｎｍのレーザ光を出射する第２の発光素子３Ｂとが導電性を有する融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。・・・
【０１７６】
第２の発光素子３Ｂは、ストライプ形状のリッジ導波路１５を有するレーザ発振部１４と、リッジ導波路１５を除いてレーザ発振部１４の上面を被覆する絶縁層１６と、リッジ導波路１５に電気的に接続すると共に絶縁層１６上に積層されたオーミック電極層１７とを備えて構成されている。また、オーミック電極層１７と融着金属層４とが電気的且つ機械的に接合し、レーザ発振部１４の上端にオーミック電極Ｐ２が形成され
【０１７８】以上の説明から明らかなように、図１１（ａ）に示した本第３の実施形態に係る半導体レーザ装置１は、図９（ａ）に示した第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１と同様の構造を有している。ただし、図１１（ａ）中の第２の発光素子３Ｂは、図９（ａ）中の第１の発光素子２Ａから半導体基板ＳＵＢ２が除去されたのと同じ構造を有し、図１１（ａ）中の第１の発光素子２Ｂは、図９（ａ）中の第２の発光素子３Ａに半導体基板１３が設けられている構造となっている。」
　
カ　「【０２０７】〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置を図１３及び図１４を参照して説明する。図１３（ａ）は、本実施形態の半導体レーザ装置の構造を表した縦断面図、図１３（ｂ）は、本実施形態の変形した形態に係る半導体レーザ装置の断面構造を表した図、図１４は、図１３（ａ）に示す半導体レーザ装置の製造工程を表した図である。尚、図１３及び図１４において、図１、図２、図９及び図１１と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０２０８】図１３（ａ）に示されている半導体レーザ装置１は、波長の異なる３つのレーザ光を出射する３波長レーザであり、
波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ（より具体的には、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子Ｘと、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯（より具体的には、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子Ｙと、波長７００ｎｍ帯〜８００ｎｍ（より具体的には、波長７８０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第３の発光素子Ｚとが導電性を有する融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有し
【０２０９】第１の発光素子Ｘは、図１（ｂ）に示した例えば窒化物系III−Ｖ族化合物半導体から成る半導体基板ＳＵＢ１上に形成された発光素子２と同じ構造を有するＧａＮ系レーザ等であり、第２の発光素子Ｙは、図１（ｂ）に示した発光素子３と同様の構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系レーザ等であり、第３の発光素子Ｚは、図１１（ａ）に示した発光素子３Ｂと同様の構造を有するＡｌＧａＡｓ系レーザとなっている。
【０２１０】そして、半導体基板ＳＵＢ１の下端と、発光素子Ｙを構成しているレーザ発振部９の上端と、発光素子Ｚを構成しているレーザ発振部１４の上端に、オーミック電極Ｐ１，Ｐ21，Ｐ22がそれぞれ形成されている。
【０２１１】更に、第２，第３の発光素子Ｙ，Ｚの外側に露出している融着金属層４の露出部にオーミック電極Ｐ３が形成されている。
【０２１２】ここで、融着金属層４に固着されている第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５の専有面積に較べて、融着金属層４に固着されている第２，第３の発光素子Ｙ，Ｚのレーザ発振部９，１４の専有面積が小さくなっており、それらの専有面積の違いによって、融着金属層４の一部分が外部に露出している。
【０２１３】
オーミック電極Ｐ１とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路６の長手方向の両端に形成されている劈開面により構成されているレーザ共振器によって、波長４０５ｎｍ帯のレーザ光が出射され
【０２１４】
オーミック電極Ｐ21とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１０の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され
【０２１５】
オーミック電極Ｐ22とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１５の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射され
　
キ　「【０２３５】次に、図１３（ｂ）に示す半導体レーザ装置を説明する。当該半導体レーザ装置は、熱伝導率が高く電気的絶縁性を有したセラミック等の支持基板（サブマウント）４０００に、図１３（ａ）に示した半導体レーザ装置１を固着した構造となっている。
【０２３６】
支持基板４０００の上面には、Ｃｕ等の金属から成るパターニングされた電極層Ｐ11，Ｐ31，Ｐ４が蒸着等によって形成されてい
【０２３７】
電極層Ｐ11には、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９が電気的且つ機械的に固着され、電極層Ｐ４には、第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４が電気的且つ機械的に固着され、電極層Ｐ31には、導電性スペーサーとしての融着金属層ＳＰＣを介して、融着金属層４の露出部分が電気的且つ機械的に固着されている。
【０２３８】そして、リード線Ｌ31とオーミック電極Ｐ１を通じて駆動電流を供給すると、第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５から、例えば波長４０５ｎｍ帯のレーザ光が出射され、リード線Ｌ11とＬ31を通じて駆動電流を供給すると、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９から、例えば波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され、電極層Ｐ４に接続されているリード線（図示略）とリード線Ｌ31を通じて駆動電流を供給すると、第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４から、例えば波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０２３９】本半導体レーザ装置によれば、支持基板４０００に、第１〜第３の発光素子Ｘ，Ｙ，Ｚが固着されているので、レーザ発振部５，９，１４の発光に際して生じる熱を効率良く放熱することができる。」
　
ク　上記ア〜キを踏まえて図１３（ｂ）をみると、下記（ア）〜（エ）の点が認められる。
（ア）リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の下面を被覆する絶縁層７は、レーザ発振部５の下面に、リッジ導波路６のストライプ形状の側面及び前記リッジ導波路６のストライプ形状の両側に絶縁層７が形成される点。
（イ）第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５に第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９および第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４が対向するように第１の発光素子Ｘの下に第２の発光素子Ｙおよび第３の発光素子Ｚが積層される点。
（ウ）リッジ導波路６のストライプ形状に沿った方向に直交する方向の面内において、「リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われ」る点と「リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われ」る点との間の距離が、前記「リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われ」る点と「リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われ」る点との間の距離よりも小さい点。
（エ）オーミック電極層８の下に融着金属層４が形成され、オーミック電極層１７は前記融着金属層４を介して、前記オーミック電極層８の下に積層されており、オーミック電極層８とオーミック電極層１２とオーミック電極層１７とが互いに電気的に接合され、融着金属層４は第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５と第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９と第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４を駆動するための共通電極とされ、第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９及び第３の発光素子Ｚのオーミック電極層Ｐ２、Ｐ11及びＰ31にそれぞれ、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ２，Ｌ31が接続されている点。
　
　ここで、図１３は次のものである。
　
　
ケ　引用発明
　上記カの段落【０２０７】の記載を踏まえると、上記ア〜クによれば、図１３（ｂ）に示される形態に係る、次の半導体レーザ装置（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ（より具体的には、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子Ｘと、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯（より具体的には、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子Ｙと、波長７００ｎｍ帯〜８００ｎｍ（より具体的には、波長７８０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第３の発光素子Ｚとが導電性を有する融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有し、
　オーミック電極Ｐ１とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路６の長手方向の両端に形成されている劈開面により構成されているレーザ共振器によって、波長４０５ｎｍ帯のレーザ光が出射され、
　オーミック電極Ｐ21とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１０の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され、
　オーミック電極Ｐ22とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１５の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射され、
　支持基板４０００の上面には、Ｃｕ等の金属から成るパターニングされた電極層Ｐ11，Ｐ31，Ｐ４が蒸着等によって形成されていて、電極層Ｐ11には、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９が電気的且つ機械的に固着され、電極層Ｐ４には、第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４が電気的且つ機械的に固着され、電極層Ｐ31には、導電性スペーサーとしての融着金属層ＳＰＣを介して、融着金属層４の露出部分が電気的且つ機械的に固着されていて、
　第１の発光素子２は、例えば窒化物系III−Ｖ族化合物半導体から成る半導体基板ＳＵＢ１上に形成されており、ストライプ形状のリッジ導波路６を有したレーザ発振部５と、リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の上面を被覆する絶縁層７と、リッジ導波路６に電気的に接続すると共に絶縁層７上に積層されたオーミック電極層８とを備えて構成され、
　第２の発光素子３は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のいずれかを含むIII−Ｖ族化合物半導体が複数積層された構造を有しており、ストライプ形状のリッジ導波路１０を有するレーザ発振部９と、リッジ導波路１０を除くレーザ発振部９の融着金属層４側の全面を絶縁する絶縁層１１と、リッジ導波路１０に電気的に接続すると共に絶縁層１１上に積層されたオーミック電極層１２とを備えて構成され、
　第２の発光素子３Ｂは、ストライプ形状のリッジ導波路１５を有するレーザ発振部１４と、リッジ導波路１５を除いてレーザ発振部１４の上面を被覆する絶縁層１６と、リッジ導波路１５に電気的に接続すると共に絶縁層１６上に積層されたオーミック電極層１７とを備えて構成され、また、オーミック電極層１７と融着金属層４とが電気的且つ機械的に接合し、レーザ発振部１４の上端にオーミック電極Ｐ２が形成され、
　オーミック電極Ｐ１，Ｐ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層８，１２及び半導体基板ＳＵＢ１中を流れると共に、リッジ導波路６のストライプ形状に沿ってレーザ発振部５中の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生し、更にリッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路６のストライプ形状に沿って導波される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、短波長のレーザ光が劈開面から出射され、
　第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５に第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９および第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４が対向するように第１の発光素子Ｘの下に第２の発光素子Ｙおよび第３の発光素子Ｚが積層され、
　リッジ導波路６のストライプ形状に沿った方向に直交する方向の面内において、リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われる点とリッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われる点との間の距離が、前記リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われる点とリッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われる点との間の距離よりも小さく、
　リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の下面を被覆する絶縁層７は、レーザ発振部５の下面に、リッジ導波路６のストライプ形状の側面及び前記リッジ導波路６のストライプ形状の両側に絶縁層７が形成され、
　オーミック電極層８の下に融着金属層４が形成され、オーミック電極層１７は前記融着金属層４を介して、前記オーミック電極層８の下に積層されており、オーミック電極層８とオーミック電極層１２とオーミック電極層１７とが互いに電気的に接合され、融着金属層４は第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５と第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９と第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４を駆動するための共通電極とされ、第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９及び第３の発光素子Ｚのオーミック電極層Ｐ２、Ｐ11及びＰ31にそれぞれ、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ２，Ｌ31が接続されている半導体レーザ装置。」
　
（２）本願の出願前に頒布された、特開２００１−３３２８０５号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
「【００２０】更に、前記サブマウント(100)の上部面に形成されるDVD-ROMディスクの再生の際一般に用いられる短波長である650nmの第1レーザーダイオード(110)と、CD-ROMディスクの再生に用いる長波長である780nmの第2レーザーダイオード(120)をメタル(AU-SN、SN、IN)やエポキシ(EPOXY)樹脂から成る接合層(140a)(140b)により接着する。この場合、前記第1及び第2発光点(160)(170)が実質的に前記サブマウント(100)の平面(上部面)に対して垂直な軸上に位置付けるよう積層接合する。この際、前記第1及び第2発光点(160)(170)の離隔範囲は約50〜150nm程で、これにより、従来のように第1及び第2発光点(160)(170)の間隙を狭められないために必要とされる二個のフォトダイオードの如きの別途の調整部品が不要になる。
【００２１】前記サブマウント(100)の下部面には前記第1レーザーダイオード(110)から発生する熱を除去する為のヒートシンク(150)を形成することができる。前記ヒートシンク(150)は熱伝達特性を向上するようメタル又はエポキシ樹脂等から成る第3接合層(140c)により前記サブマウント(100)に接合して密着する。
【００２２】従って、前記サブマウント(100)の上側に相対的に短い波長を有しながら熱が多発する比較的低い温度特性を有する650nm波長の第1レーザーダイオード(110)を形成することにより、前記第1レーザーダイオード(110)の動作時に発生する熱を効果的に除去することができる。
【００２３】この際、前記第1レーザーダイオード(110)から発生する熱をより効果的に除去する為に前記第1レーザーダイオード(110)の第1キャップ層(210)が前記サブマウント(100)に隣接するよう形成する。即ち、前記第1発光点(160)から前記第1キャップ層(210)までの距離が前記第1発光点(160)から第1基板(440)までの距離より短い為、上述のとおり前記サブマウント(100)の上側に形成される第1レーザーダイオード(110)の構成を前記第1キャップ層(210)の下部面にヒートシンク(150)を形成されたサブマウント(100)の上側に隣接するよう形成することにより、前記第1発光点(160)から発生する熱を容易に除去することができる。
【００２４】前記のような場合、前記第1発光点(160)とサブマウント(100)との間の距離は約3〜50μm程になる。前記第1レーザーダイオード(110)と前記第2レーザーダイオード(120)との間には前記第1レーザーダイオード(110)と前記第2レーザーダイオード(120)とを電気的に分離する為に絶縁膜(200)を形成し、このような絶縁膜(200)により前記第1及び第2レーザーダイオード(110)(120)を電気的に分離して各々駆動することができる。」
　
（３）本願の出願前に頒布された、特開２００１−１５６３２７号公報（以下「引用文献３という。）には、以下の記載がある。
「【００６４】図６は本発明の第５の実施形態に係る半導体発光装置であって、多波長スタック方式の面発光型レーザ装置の断面構成を表わしている。以下、装置の構成を本装置の製造方法として説明する。
【００６５】（青色レーザ素子部）・・・ｎ型のＧａＮからなる基板３１の上に・・・アンドープのＩｎＧａＮからなる第１多重量子井戸活性層３５を成長させる。・・・
【００７０】以上の工程により青色レーザ素子部５が形成される。
【００７１】（赤色レーザ素子部）次に、赤色レーザ素子部６を説明する。
【００７２】続いて、基板温度を７００℃程度にまで降温し、第１コンタクト層３９上に、膜厚が約０．５μｍで高抵抗のＡｌＡｓからなり、青色レーザ素子部５と赤色レーザ素子部６とを絶縁する第１素子分離層４０と、・・・アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる第２多重量子井戸活性層４４と・・・を順次成長させる。・・・
【００７５】以上の工程により赤色レーザ素子部６が形成される。
【００７６】（赤外レーザ素子部）次に、赤外レーザ素子部７を説明する。
【００７７】続いて、基板温度を７００℃程度にしたまま、第３コンタクト層４８上に、膜厚が約０．５μｍで高抵抗のＡｌＡｓからなり、赤色レーザ素子部６と赤外レーザ素子部７とを絶縁する第２素子分離層４９と、・・・アンドープのＡｌＧａＡｓからなる量子井戸活性層５３と、・・・を順次成長させる。・・・
【００８０】次に、各レーザ素子部５〜７の電極を形成する。・・・
【００８６】以上説明したように、本実施形態に係る面発光型レーザ装置は、ｎ型のＧａＮからなる基板３１上に基板１１の主面側から、それぞれ独立して動作可能な、青色面発光型レーザ装置、赤色面発光型レーザ装置、赤外面発光型レーザ装置が順次積層された多波長スタック型面発光レーザ装置である。・・・
【００９０】このように形成された多波長スタック型レーザ装置を光ディスク装置のピックアップ部に組み込むと、１つの光学系装置で、ＣＤ、ＤＶＤ及び高密度ＤＶＤの３つのディスクを読み出せることを確認している。」
　
（４）本願の出願前に頒布された、特開昭５６−６９８８０号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
ア　「本発明は・・・その目的とするところは、発光波長の異なる複数の半導体発光素子の放射光を同一場所から同時に取り出し得て、光通信の波長多重方式等に有効に使用できる簡易な構成の半導体発光装置を提供することにある。」（１頁右上欄１２〜１７行）
　
イ　「第５図は第８の実施例の概略構造を示す断面模式図である。・・・ＬＥＤ１０、２０の間に透明な絶縁板４０を挟んでＬＥＤ１０、２０を一体化したものである。・・・そして、ＬＥＤ１０、２０にはそれぞれ電極１６、１７及び電極２６、２７を介して各別の電圧が印加されるものとなっている。このような構成によれば・・・前記ＬＥＤ１０、２０を発光駆動する電源等を完全に絶縁することができると云う利点がある。」（３頁左上欄１０行〜右上欄４行）
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「第１の発光素子Ｘ」は、「波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ（より具体的には、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を出射する」ものであり、引用発明の「第２の発光素子Ｙ」は、「波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯（より具体的には、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する」ものであり、引用発明の「第３の発光素子Ｚ」は、「波長７００ｎｍ帯〜８００ｎｍ（より具体的には、波長７８０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する」ものであるところ、本願明細書には、「本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置は、波長約４０５ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）を備える。」（段落【００７５】）及び「赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の波長（約７８０ｎｍ）は、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の波長（約４０５ｎｍ）の略自然数倍（約２倍）である。・・・一方、赤色半導体レーザ素子２のレーザ光の波長（約６５０ｎｍ）は、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の波長の自然数倍と異なる・・・」（段落【０１２７】〜【０１２８】）と記載されていることに照らして、引用発明の「（波長４０５ｎｍ帯のレーザ光を出射する）第１の発光素子Ｘ」、「（波長６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射する）第２の発光素子Ｙ」及び「（波長７８０ｎｍ帯のレーザ光を出射する）第３の発光素子Ｚ」は、本願発明の「（第１の波長の光を出射する）第１の半導体レーザ素子」、「（第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する）第２の半導体レーザ素子」及び「（第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する）第３の半導体レーザ素子」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「（波長４０５ｎｍ帯のレーザ光を出射する）第１の発光素子Ｘ」は、上記アによれば「短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子２」であって、「半導体基板ＳＵＢ１上に形成され」、「ストライプ形状のリッジ導波路６を有したレーザ発振部５」を備え、「リッジ導波路６のストライプ形状に沿ってレーザ発振部５中の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生」し、「リッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路６のストライプ形状に沿って導波される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、短波長のレーザ光が劈開面から出射される」ものであるから、引用発明の「半導体基板ＳＵＢ１」及び「ストライプ形状のリッジ導波路６」は、本願発明の「第１の基板」及び「凸部」に相当し、引用発明の「リッジ導波路６のストライプ形状に沿ってレーザ発振部５中の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生」する「リッジ導波路６のストライプ形状に沿っ」た「レーザ発振部５中」の「活性層」は、本願発明の「凸部の下方の領域から」「第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する」「第１の半導体層」に相当し、引用発明の「（リッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路６のストライプ形状に沿って導波される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、短波長のレーザ光が劈開面から出射される）方向」は、本願発明の「（第１の方向と略平行な）方向」に相当するといえる。
　さらに、引用発明の「第１の発光素子２」は、「リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の上面を被覆する絶縁層７と、リッジ導波路６に電気的に接続すると共に絶縁層７上に積層されたオーミック電極層８とを備えて構成されてい」て、「リッジ導波路６を除いてレーザ発振部５の下面を被覆する絶縁層７は、レーザ発振部５の下面に、リッジ導波路６のストライプ形状の側面及び前記リッジ導波路６のストライプ形状の両側に絶縁層７が形成され」るから、引用発明は、本願発明の「第１の半導体層上に形成される第１の電極」及び「第１の半導体層の上面には、前記凸部の側面及び前記凸部の両側に第２の絶縁膜が形成され」る構成を備える。
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板上に、凸部及び該凸部の下方の領域から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成される第１の電極とを備え」る構成、及び、「第１の半導体層の上面には、前記凸部の側面及び前記凸部の両側に第２の絶縁膜が形成され」るとの構成を備える。
　
ウ　引用発明の「（波長６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射する）第２の発光素子Ｙ」は、上記３（１）ウによれば、「（長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する）第２の発光素子３」であって、引用発明１は「オーミック電極Ｐ21とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１０の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」るものであるから、引用発明の「リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われ」る「波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」る「活性層」は、本願発明の「第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する」「第２の半導体層」に相当し、引用発明の「リッジ導波路１０の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」る方向は、本願発明の「第１の方向と略平行な方向」に相当するといえる。
　また、引用発明の「第２の発光素子３」は、「Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のいずれかを含むIII−Ｖ族化合物半導体が複数積層された構造を有しており、ストライプ形状のリッジ導波路１０を有するレーザ発振部９と、リッジ導波路１０を除くレーザ発振部９の融着金属層４側の全面を絶縁する絶縁層１１と、リッジ導波路１０に電気的に接続すると共に絶縁層１１上に積層されたオーミック電極層１２とを備えて構成され」るから、引用発明の「（III−Ｖ族化合物半導体が複数積層された構造を有しており、ストライプ形状のリッジ導波路１０を有するレーザ発振部９上に積層された）オーミック電極層１２」は、本願発明の「（第２の半導体層上に形成される）第２の電極」に相当する。
　したがって、引用発明は、本願発明の「第２の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成される第２の電極とを備え」る。
　
エ　引用発明の「（波長７８０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第３の発光素子Ｚ」は、上記３（１）エによれば、「（波長７００ｎｍ帯〜８００ｎｍのレーザ光を出射する）第２の発光素子３Ｂ」であって、引用発明は「オーミック電極Ｐ22とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流は融着金属層４を流れ、リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われ、リッジ導波路１５の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」るものであるから、引用発明１の「リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われ」る「波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」る「活性層」は、本願発明の「第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する」「第３の半導体層」に相当し、引用発明の「リッジ導波路１５の長手方向の両端に形成されている劈開面によって構成されているレーザ共振器によって、波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射され」る方向は、本願発明の「第１の方向と略平行な方向」に相当するといえる。
　また、引用発明の「第２の発光素子３Ｂ」は、「ストライプ形状のリッジ導波路１５を有するレーザ発振部１４と、リッジ導波路１５を除いてレーザ発振部１４の上面を被覆する絶縁層１６と、リッジ導波路１５に電気的に接続すると共に絶縁層１６上に積層されたオーミック電極層１７とを備えて構成され」るから、引用発明の「（レーザ発振部１４上に積層された）オーミック電極層１７」は本願発明の「（第３の半導体層上に形成される）第３の電極」に相当する。
　したがって、引用発明は、本願発明の「第３の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成される第３の電極とを備え」る。
　
オ　引用発明は、「第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５に第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９および第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４が対向するように第１の発光素子Ｘの下に第２の発光素子Ｙおよび第３の発光素子Ｚが積層され」るところ、上記アでの検討に照らして、「第１の発光素子Ｘ」、「第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５」、「第２の発光素子Ｙ」、「第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９」、「第３の発光素子Ｚ」及び「第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４」は、本願発明の「第１の半導体レーザ素子」、「第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層」、「第２の半導体レーザ素子」、「第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層」、「第３の半導体レーザ素子」、及び「第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層」にそれぞれ相当するから、引用発明は、本願発明の「第１の半導体レーザ素子の前記第１の半導体層に前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の半導体層および前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の半導体層が対向するように前記第１の半導体レーザ素子上に前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子が積層され」るとの構成を備える。
　
カ　引用発明は、「リッジ導波路６のストライプ形状に沿った方向に直交する方向の面内において、リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われる点とリッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われる点との間の距離が、前記リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われる点とリッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われる点との間の距離よりも小さい」ものであるところ、上記イないしエでの検討にに照らして、引用発明の「リッジ導波路６のストライプ形状に沿った方向に直交する方向の面」、「リッジ導波路６で狭窄された電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することによって発光が行われる点」、「リッジ導波路１５で狭窄された電流がレーザ発振部１４中の活性層に流入することによって発光が行われる点」及び「リッジ導波路１０で狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することによって発光が行われる点」は、それぞれ、本願発明の「第１の方向に直交する第１の面」、「第１の発光点」、「第３の発光点」及び「第２の発光点」に相当するから、引用発明は、本願発明の「第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離よりも小さ」いとの構成を備える。
　
キ　引用発明では、「オーミック電極層８の下に融着金属層４が形成され、オーミック電極層１７は前記融着金属層４を介して、前記オーミック電極層８の下に積層されて」いるところ、単に上下方向が本願発明と逆なだけであるから、本願発明の「第３の電極は、第１の電極上に積層されて」いるとの構成を備える。
　
ク　引用発明では「第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５、第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９及び第３の発光素子Ｚのオーミック電極層Ｐ２、Ｐ11及びＰ31にそれぞれ、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ２，Ｌ31が接続されている」ところ、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ２，Ｌ31の接続としてワイヤをボンディングすることは周知技術であるから、引用発明は、本願発明の「それぞれ前記第１の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子を駆動するためのワイヤがボンディングされている」との構成を備える。
　
　したがって両者は、
「第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子を備え、
　前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板上に、凸部及び該凸部の下方の領域から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成される第１の電極とを備え、
　前記第２の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成される第２の電極とを備え、
　前記第３の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成される第３の電極とを備え、
　前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の半導体層に前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の半導体層および前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の半導体層が対向するように前記第１の半導体レーザ素子上に前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子が積層され、
　前記第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離よりも小さく、
　第３の電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の電極上に積層されており、
　前記第１の半導体層の上面には、前記凸部の側面及び前記凸部の両側に第２の絶縁膜が形成され、
　それぞれ前記第１の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子を駆動するためのワイヤがボンディングされている半導体レーザ装置。」
である点で一致し、
　
　本願発明は「前記第１の電極上に第１の絶縁膜が形成され、
　前記第３の電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の電極上に積層されており、
　前記第１の電極と前記第２の電極と前記第３の電極とが互いに絶縁され、
　前記第１の絶縁膜上に第４の電極が形成され、
　該第２の絶縁膜上に第５の電極が形成され、
　前記第４の電極は、前記第３の電極に電気的に接続され、
　前記第５の電極は、前記第２の電極に電気的に接続され、
　前記第１の電極と前記第４の電極と前記第５の電極は、互いに電気的に分離され」ているのに対して、
　引用発明は、「第１の絶縁膜」ではなく、「融着金属層４」を備え、
「オーミック電極層８の下に融着金属層４が形成され、オーミック電極層１７は前記融着金属層４を介して、前記オーミック電極層８の下に積層されており、オーミック電極層８とオーミック電極層１２とオーミック電極層１７とが互いに電気的に接合され、融着金属層４は第１の発光素子Ｘのレーザ発振部５と第２の発光素子Ｙのレーザ発振部９と第３の発光素子Ｚのレーザ発振部１４を駆動するための共通電極とされ」ている点（以下「相違点」という。）で相違する。
　
（２）上記相違点について検討する。
ア　複数の半導体発光素子が対向する側に絶縁層を設けて互いに絶縁して個別の電極とする構成は、複数の半導体発光素子を積層するときの電極の構成として一般的にみられるものである（必要ならば、引用文献２ないし４（上記３（２）ないし（４））参照）。
　
イ　してみれば、引用発明の、「第１の発光素子Ｘ」、「第２の発光素子Ｙ」及び「第３の発光素子Ｚ」の３つの半導体レーザ素子が対向する側に融着金属層を設けて共通の電極とする構成にかえて、上記一般的にみられる構成を適用して、「第１の発光素子Ｘ」、「第２の発光素子Ｙ」及び「第３の発光素子Ｚ」の３つの半導体レーザ素子が対向する側に絶縁層を設けて互いに絶縁して個別の電極とする構成と成すことは、当業者が設計的に適宜なし得ることである。
　
ウ　そして、引用発明の構成に上記一般的にみられる構成を適用するに際して、「第１の発光素子Ｘ」と「第２の発光素子Ｙ」及び「第３の発光素子Ｚ」を接合する面に別途、電極（第４の電極、第５の電極）と絶縁層（第２の絶縁膜）を設けて、「第１の絶縁膜上に第４の電極を形成し、第２の絶縁膜上に第５の電極を形成し、第４の電極を第３の電極に電気的に接続し、第５の電極を第２の電極に電気的に接続し、前記第１の電極と前記第４の電極と前記第５の電極を互いに電気的に分離」することも、発明を実施するに際して当業者が必要に応じて適宜なし得る事項にすぎない。
　
エ　そして、上記イ、ウのような構成とすることにより得られる効果も、「極めて薄い厚さの融着金属層４の介在によってレーザ発振部９，１４を固着することが可能であることから、発光点間隔を大幅に小さくすることができ・・・本実施形態の半導体レーザ装置１を、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載することとすると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子２Ａ，３Ａの各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸に高精度で位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる」（上記３（１）エ）効果から予測される範囲を超えるものではない。
　
オ　したがって、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜なし得ることである。
　
５　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。