【事件の表示】
　特願２００２−３３０１５０「固体撮像素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１０日出願公開，特開２００４−１６５４６２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年１１月１４日の出願であって，平成２１年９月４日に手続補正書が提出されたが，平成２２年６月１６日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年９月２１日に審判の請求がされるとともに，同日付で手続補正書が提出されたものである。
　その後，当審において平成２３年１２月２日付けで審尋がなされたが，回答書は提出されていない。
　
第２　補正の却下の決定
　
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２２年９月２１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
 　 
〔理由〕
　１　本件補正
　（１）補正の内容
　平成２２年９月２１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，明細書の全文を補正するものであって，補正前の特許請求の範囲（請求項１〜１８）を，補正後の特許請求の範囲（請求項１）に補正する補正内容を含むものであるところ，補正前後の請求項１の記載は，次のとおりである。
　
　　ア　補正前の【請求項１】
　「半導体基板上に設けられた光電変換部を含む複数の画素と，前記画素によって生成された信号電荷を電荷検出部に転送する転送部と，前記複数の画素の光電変換部の近傍に設けられ，前記光電変換部から隣接素子への電荷の移動を防止するチャネルストップ部とを有する固体撮像素子の製造方法であって，
　前記チャネルストップ部を，注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程によって，前記半導体基板の深さ方向に不純物領域を複数層形成することで構成し，
　前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成する，
　ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。」
　
　　イ　補正後の【請求項１】
　「半導体基板上に設けられた光電変換部を含む複数の画素と，前記画素によって生成された信号電荷を電荷検出部に転送する転送部と，前記複数の画素の光電変換部の近傍に設けられ，前記光電変換部から隣接素子への電荷の移動を防止するチャネルストップ部とを有する固体撮像素子の製造方法であって，
　前記チャネルストップ部を，注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程によって，前記半導体基板の深さ方向に多段階の不純物領域を形成することで構成し，
　前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成し，
前記複数回の不純物イオン注入工程において，注入エネルギーが相対的に高い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度は，注入エネルギーが相対的に低い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度より低い
　ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。」
　
　（２）特許請求の範囲についての本件補正の内容の整理
　　ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「前記チャネルストップ部を，注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程によって，前記半導体基板の深さ方向に不純物領域を複数層形成することで構成し」を，「前記チャネルストップ部を，注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程によって，前記半導体基板の深さ方向に多段階の不純物領域を形成することで構成し」として，補正後の請求項１とする。
　
　　イ　補正事項２
　補正前の請求項１の「前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成する」を，「前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成し，前記複数回の不純物イオン注入工程において，注入エネルギーが相対的に高い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度は，注入エネルギーが相対的に低い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度より低い」として，補正後の請求項１とする。
　
　　ウ　補正事項３
　補正前の請求項２ないし１８を削除する。
　
　２　新規事項の追加の有無，及び補正の目的の適否について 
　（１）補正事項１について 
　補正事項１により補正された事項は，本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００１７】及び本願の願書に最初に添付した図面の図１ないし図５に記載されているものと認められるから，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１の「不純物領域を複数層形成すること」を，補正後の請求項１の「多段階の不純物領域を形成すること」と補正するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
　（２）補正事項２について 
　補正事項２により補正された事項は，本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２５】等に記載されているものと認められるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。 
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「複数回の不純物イオン注入工程」について技術的限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
 　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
　（３）補正事項３について
　補正事項３は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。 
　したがって，補正事項３は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。また，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことも，明らかである。
　
　（４）新規事項の追加の有無，及び補正の目的の適否についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定を満たすものである。 
　
　３　独立特許要件について
　上記したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明（以下，補正後の請求項１に係る発明を「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
　（１）本願補正発明
　本願補正発明は，上記１（１）イの請求項１の記載のとおりである。
　
　（２）引用例の記載と引用発明
　（２−１）引用例の記載
 　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２２７９８８号公報（以下「引用例」という。）には，「固体撮像装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図７〜図９とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同様。）。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は
固体撮像装置およびその製造方法
【０００２】
【従来の技術】図８はインターライン型ＣＣＤ撮像装置の概略を示すブロック図である。
インターライン型ＣＣＤ撮像装置は撮像領域１，水平ＣＣＤレジスタ２，電荷検出部（出力部）３からなる。撮像領域１には，単位画素がマトリックス状に複数個配置されている。各単位画素４は，垂直ＣＣＤレジスタ５と，フォトダイオード６と，フォトダイオード６から垂直ＣＣＤレジスタ５へ信号電荷を読み出すための読出しゲート７，およびそれ以外の領域の素子分離領域８からなる
【０００３】図６（ａ）は，撮像領域の単位画素４を示す平面図，図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。Ｎ型シリコン基板９の一主面側にＰ型のウェル１０が形成され，ウェル１０内に，フォトダイオードを構成するＮ型領域１３が形成されている。また，ウェル１０内にはさらに垂直ＣＣＤレジスタを構成するＰ型のウェル１４が形成されその表面側にＮ型の埋込みチャネル層１５が形成されている。素子分離領域８の表面にはＰ+ 型領域１６ａが形成されており，Ｎ型領域１３の表面にはノイズを減らすためにＰ+ 型表面層１７が形成されている。
【０００４】さて，最近の撮像装置の小型化に伴い画素サイズも縮小されている。例えば，１／４インチフォーマット３８万画素ＮＴＳＣ方式の撮像装置では，画素サイズは４．８μｍ（Ｈ）×５．６μｍ（Ｖ）であり，２／３インチフォーマット２００万画素撮像装置では画素サイズは５．０μｍ（Ｈ）×５．０μｍ（Ｖ）である。画素サイズが縮小されるとフォトダイオードの面積も縮小されるため，必然的に感度が低下してしまう。単位面積あたりの光電変換効率を向上させるには，フォトダイオードのＰＮ接合位置を基板の深い位置に設けることが有効である。これを実現するため，フォトダイオードを構成するＰ型のウェル層１０およびＮ型領域１３を高エネルギーイオン注入により深い位置に形成することがなされている。
【０００５】図７（ａ）〜（ｃ）を参照して，従来の製造方法の一例について説明する。図７（ａ）に示すように，Ｎ型シリコン基板９にマスク１２を用いてボロンを１〜２ＭｅＶの高エネルギーでイオン注入し，活性化処理しておよそ５．０×１０14ｃｍ-3〜５．０×１０15ｃｍ-3の不純物濃度を有するウェル１０を形成する。つぎにリンを４００〜５００ｋｅＶの高エネルギーでイオン注入し，活性化処理をして，図７（ｂ）に示すように，およそ１．０×１０16ｃｍ-3〜１．０×１０17ｃｍ-3の不純物濃度を有するＮ型領域１３を形成し，さらにウェル層１４，埋込みチャネル層１５をそれぞれイオン注入により形成する。その後，
素子分離領域を以下のように２回のイオン注入により形成する。まず，幅０．６μｍの開口１８を有し，厚さ約１μｍの薄いレジスト膜１９を形成する。ボロンを２０ｋｅＶ程度のエネルギーでイオン注入し，活性化処理をして，およそ１．０ｘ１０
17
から１．０ｘ１０
18
ｃｍ
-3
の不純物濃度を有するＰ
+ 
型領域１６を形成する。図７（ｃ）に示すように，幅０．６μｍの開口２０を有し，厚さ約２μｍの厚いレジスト膜２１を形成し，ボロンを１００〜２００ｋｅＶのエネルギーでイオン注入し，活性化処理をして，基板深さ０．２μｍから１．０μｍにかけて，およそ５．０ｘ１０
15
から５．０ｘ１０
16
ｃｍ
-3
の不純物濃度を有するＰ型領域２２を形成する。これにより，Ｐ型領域２２，Ｐ
+ 
型領域１６ａでなる素子分離領域８が完成する
【０００６】ここで，素子分離領域を形成するためにイオン注入を２回に分けて行う理由を説明する。図９に素子分離領域８の基板の深さ方向の１次元不純物分布をしめす。横軸は原点を基板の表面とする深さ，縦軸は不純物濃度を示している。Ｐ型のウェル１０は高エネルギーイオン注入で形成されているため，不純物濃度のピークは基板の深い位置に存在する。Ｐ+ 型領域１６ａは低いエネルギーのイオン注入で形成されているため，不純物濃度のピークはほぼ基板表面に存在する。したがって，素子分離領域がＰ+ 型領域１６ａのみで構成されている場合，図９中深さＤの近傍でＰ型不純物濃度が極端に低くなり，素子分離機能をはたさなくなる可能性がある。そこで，深さＤの近傍に不純物濃度のピークが存在するＰ型領域２２を，Ｐ+ 型領域１６ａの形成に用いたイオン注入よりも高いエネルギーで形成している。
これにより素子分離が確実になされる
　  
　（２−２）引用発明
　　ア　引用例には，固体撮像装置およびその製造方法が記載されており，段落【０００２】及び図８を参照すると，固体撮像装置は，水平ＣＣＤレジスタ２と，電荷検出部３と，単位画素４とを有し，各単位画素４は垂直ＣＣＤレジスタ５と，フォトダイオード６と，読出しゲート７，およびそれ以外の領域の素子分離領域８からなる。
　
　　イ　段落【０００５】及び図７，図９の記載から，引用例では，素子分離領域を２回のイオン注入により形成すること，すなわち，ボロンを２０ｋｅＶ程度のエネルギーでイオン注入し，活性化処理をして，およそ１．０ｘ１０17から１．０ｘ１０18ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ+ 型領域１６を形成し，また，ボロンを１００〜２００ｋｅＶのエネルギーでイオン注入し，活性化処理をして，基板深さ０．２μｍから１．０μｍにかけて，およそ５．０ｘ１０15から５．０ｘ１０16ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ型領域２２を形成することが，明らかである。これにより，Ｐ型領域２２とＰ+ 型領域１６ａでなる素子分離領域８が完成する。
　
　　ウ　したがって，引用例には，次の方法の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　「Ｎ型シリコン基板９のＰ型ウェル１０に設けられた，水平ＣＣＤレジスタ２と，電荷検出部３と，単位画素４とを有し，各単位画素４は垂直ＣＣＤレジスタ５と，フォトダイオード６と，読出しゲート７，およびそれ以外の領域の素子分離領域８からなる固体撮像装置の製造方法であって，
　素子分離領域８を２回のイオン注入により形成し，Ｐ型領域２２とＰ+ 型領域１６ａを形成することで構成し，
　２回のイオン注入は，ボロンを２０ｋｅＶ程度のエネルギーでイオン注入し，およそ１．０ｘ１０17から１．０ｘ１０18ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ+ 型領域１６の形成と，ボロンを１００〜２００ｋｅＶのエネルギーでイオン注入し，基板深さ０．２μｍから１．０μｍにかけて，およそ５．０ｘ１０15から５．０ｘ１０16ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ型領域２２の形成からなる，
　固体撮像装置の製造方法。」 
　
　（３）本願補正発明と引用発明との対比
　　ア　本願補正発明と引用発明を対比すると，引用発明の「固体撮像装置」は，本願補正発明の「固体撮像素子」に相当する。
　そして，引用発明の「Ｎ型シリコン基板９」，「単位画素４」，「フォトダイオード６」，「垂直ＣＣＤレジスタ５」と「水平ＣＣＤレジスタ２」，及び「素子分離領域８」は，本願補正発明の「半導体基板」，「画素」，「光電変換部」，「画素によって生成された信号電荷を電荷検出部に転送する転送部」，及び「チャネルストップ部」にそれぞれ相当する。なお，引用発明の「素子分離領域８」も，「フォトダイオード６」の近傍に設けられており，隣接素子への電荷の移動を防止することは明らかである。
　
　　イ　引用発明の素子分離領域８を形成する「２回のイオン注入」は，２０ｋｅＶ程度のエネルギーと，１００〜２００ｋｅＶのエネルギーで行われるから，本願補正発明の「注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程」に相当する。
　また，引用発明において，「素子分離領域８を」，「Ｐ型領域２２とＰ+ 型領域１６ａを形成することで構成」することは，本願補正発明において，「チャネルストップ部を」，「半導体基板の深さ方向に多段階の不純物領域を形成することで構成」することに相当する。
　
　　ウ　引用発明の「２回のイオン注入」は，２０ｋｅＶ程度のエネルギーのイオン注入が「１．０ｘ１０17から１．０ｘ１０18ｃｍ-3の不純物濃度」となり，１００〜２００ｋｅＶのエネルギーのイオン注入が「５．０ｘ１０15から５．０ｘ１０16ｃｍ-3の不純物濃度」となるから，本願補正発明の「注入エネルギーが相対的に高い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度は，注入エネルギーが相対的に低い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度より低い」ことに相当する。
　
　　エ　したがって，上記ア〜ウによれば，本願補正発明と引用発明とは，
　「半導体基板上に設けられた光電変換部を含む複数の画素と，前記画素によって生成された信号電荷を電荷検出部に転送する転送部と，前記複数の画素の光電変換部の近傍に設けられ，前記光電変換部から隣接素子への電荷の移動を防止するチャネルストップ部とを有する固体撮像素子の製造方法であって，
　前記チャネルストップ部を，注入エネルギーを変えた複数回の不純物イオン注入工程によって，前記半導体基板の深さ方向に多段階の不純物領域を形成することで構成し，
前記複数回の不純物イオン注入工程において，注入エネルギーが相対的に高い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度は，注入エネルギーが相対的に低い不純物イオン注入工程における不純物イオン濃度より低い
　ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
〈相違点〉
　本願補正発明は，「前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成」しているのに対して，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
　
　（４）相違点についての検討
　　ア　引用例（段落【０００６】）の記載によれば，引用発明において，素子分離領域を形成するためにイオン注入を２回に分けて行う理由は，基板（ウェル）の内部においても素子分離が確実になされるようにするためである。
　　イ　ここで，固体撮像素子において，チャネルストップ部（素子分離領域）を光電変換部の底の深さより深くなるように形成することは，以下の周知例１〜３に記載されているように，周知の技術である。
　
　周知例１：特開２０００−１５０８５２号公報
　上記周知例１には，図１，図２とともに，以下の記載がある。
・「【００２７】またこの垂直シフトレジスタ３に沿って，この垂直シフトレジスタ３と受光素子１との間に垂直方向に連続的に配されたチャンネルストップ領域である水平分離領域４は図１に示す如く，このＰ型ウエル１１上に不純物濃度がＰ+ のＰ型領域により形成する如くする。
【００２８】本例においては，
図１に示す如く，このチャンネルストップ領域４に沿って，このチャンネルストップ領域４の深さ方向の下側のＰ型ウエル１１中に不純物濃度がＰ
+ 
のＰ型領域より成るチャンネルストップ領域４と同様のチャンネルストップ領域４ａを形成する
【００２９】この図１，図３，図４，図６において，１３及び１４は夫々転送電極で，例えばポリシリコンの２層構造により形成する如くする。
【００３０】斯かる本例によれば
チャンネルストップ領域４に沿って，このチャンネルストップ領域４より深い所にチャンネルストップ領域４ａを形成した
・図１には，チャンネルストップ領域４より深い所にチャンネルストップ領域４ａを形成し，全体として光電変換領域１Ｎよりも深く形成されたチャンネルストップ領域が見て取れる。
　
　周知例２：特開平９−２１３９２５号公報
　上記周知例２には，図１〜図８とともに，「隣接する画素間には，Ｐ+ 層からなる分離部としてのチャネルストップ１７が形成されている。」（段落【００１２】）との記載があり，図１には，受光部２を構成する電荷蓄積部１２よりも，深く形成されたチャネルストップ１７が見て取れる。
　
　周知例３：特開平１０−３２１５５０号公報
　上記周知例３には，図２〜図４とともに，「図４は，ＣＣＤ１５０における１画素の受光部近傍の構造の一例を示す断面図である。このＣＣＤ１５０では，オーバーフローバリア層１２２上のチャネルストップ領域１２５の図中左隣にＮ+ 層からなる電荷蓄積部１２７が形成され，この電荷蓄積部１２７上には，Ｐ+ 層からなるバーチャルゲート１２８が形成される。」（段落【００２２】）との記載があり，図４には，受光部１３４の電荷蓄積部１２７よりも，深く形成されたチャネルストップ領域１２５が見て取れる。
　
　　ウ　そして，チャネルストップ部（素子分離領域）は，基板の深い領域まで形成する方が，隣接する画素間での電荷の漏洩等をより防止でき，素子間分離をより確実になし得ることは明らかであり，また，上記周知例１に記載されるように，チャンネルストップ領域４，４ａを深く形成することにより，Ｐ型ウエル１１に移動した正孔（ホール）がチャンネルストップ領域４を通して受光部の周辺部の接地されている部分１５を介してグランドへ流れ，これにより過大光量入射における飽和信号量Ｑs の増加を抑えることができるとの作用・効果を奏することも，当業者において良く知られた技術的事項である。
　　エ　したがって，引用発明においても，素子間分離をより確実に行い，また，過大光量入射における飽和信号量Ｑs の増加を抑えることができるように，上記周知の技術を適用することは，当業者が直ちに想到し得ることである。
　　オ　そうすると，引用発明において，本願補正発明のように「前記チャネルストップ部の最下層の底が，前記光電変換部の底の深さより深くなるように形成」することは，当業者が容易になし得たことである。
　
　（５）小括
　したがって，本願補正発明は，引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　４　補正の却下についてのむすび
　以上のとおり，本願補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，請求項１についての補正を含む本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　したがって，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　上記のとおり，本件補正は却下されたので，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，前記第２，１（１）アに摘記したとおりのものである。
　
　２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載及び引用発明は，前記第２，３（２）で認定したとおりである。
　
　３　対比・判断
　前記第２，２で検討したように，本願補正発明は，本件補正前に記載した発明特定事項を更に限定するものである。 
　そうすると，本願発明の構成要素をすべて含み，これを更に限定したものである本願補正発明が，前記第２，３で検討したように，引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，この限定をなくした本願発明も，同様の理由により，引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明（請求項１に係る発明）は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。