【事件の表示】
　特願２００３−５４４７８９「電子顕微鏡用測定デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２２日国際公開，ＷＯ０３／４３０５１，平成１７年　４月１４日国内公表，特表２００５−５０９８６４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は，平成１４年１１月１２日（ パリ条約による優先権主張　平成１３年１１月１２日，スウェーデン国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年１１月１８日付けで拒絶理由通知書が出され，平成２１年２月２３日付けで手続補正がなされたが，同年９月１５日付けで拒絶査定がなされ，これに対して，同年１２月１５日付けで拒絶査定不服審判が請求されると共に，同日付で手続補正がなされたものである。
　これに対し，当審において平成２３年１月２７日付けで拒絶理由を通知したところ（発送日：同年２月２日)，指定された応答期間内である同年５月１９日付けで発明の詳細な説明の段落【０００１】を補正することを内容とする手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本件請求項１〜１５に係る発明は，平成２１年１２月１５日付け手続補正及び平成２３年５月１９日付け手続補正で補正された特許請求の範囲及び明細書の記載からみて，その請求項１〜１５に記載された事項により特定される発明と認められる。そして，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次の事項により特定される発明である。
「【請求項１】
　調査対象のサンプル（４）を保持するためのサンプル・ホルダー（３）と，
　前記サンプル・ホルダー（３）の近くに配置されている硬質の材料でできているナノインデンテーション・チップ（５）と，
　前記ナノインデンテーション・チップ（５）を前記サンプル（４）の表面に接触させ，力を加えるように配置される位置決めデバイス（７）と，
からなり，
　それにより前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用が測定されるように構成される，電子顕微鏡（２）で使用するための測定デバイス（１）であって，
　さらに，前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を直接測定するように配置されている力センサ（６）を備え，
　前記ナノインデンテーション・チップ（５）と前記サンプル（４）の視覚化は前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の前記相互作用の期間に実行される，
ことを特徴とする測定デバイス。」
　
第３　引用刊行物
　平成２３年１月２７日付けの当審の拒絶理由に引用され，本願優先権主張日前に頒布された刊行物であるA.M.Minor and J.W.Morris, Jr., “Quantitative in situ nanoindentation in an electron microscope”, APPLIED PHYSICS LETTERS, 10 SEPTEMBER 2001, Vol.79, No.11, p.1625-1627（以下，「刊行物１」という。），及び，特開平７−７１９５１号公報（以下，「刊行物２」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
　なお，下線は当審にて付記したものである。また，翻訳は当審にて翻訳したものである。
１　刊行物１記載の事項
（刊１−ア）“In nanoindentation, a material surface is indented with a small diamond pyramid that has a tip radius in the range 50-400nm. This method of hardness testing has become an important tool for both scientific research and materials characterization.”（第１６２５頁左欄第１−５行）
（翻訳）
「ナノインデンテーションでは，５０−４００ｎｍのレンジのチップ半径を有する小さなダイアモンドピラミッドによって，物質表面は圧刻される。硬度を試験するこの方法は，科学的研究及び材料の評価の双方にとって，重要なツールとなった。」
　
（刊１−イ）“The interpretation of nanoindentation data is not always clear. For example, since most metals form native oxides,yielding under the nanoindenter may be governed by a fracture of the oxide film rather than the onset of plastic deformation in the material itself. It is difficult to resolve such issues when the microstructure of the material can only be studied after the fact. However, the recent development of a unique in situ stage for transmission electron microscopy (TEM) has made it possible to image nanoindentation in real time. The force-displacement relation can be measured simultaneously with a calibrated piezoceramic control element.”（第１６２５頁左欄第１１−２２行）
（翻訳）
「ナノインデンテーションデータの解釈は，いつも明りょうであるとは限らない。例えば，ほとんどの金属が自然の酸化物を形成するので，ナノ圧刻子の下での降伏は，材料自体中の塑性変形によるものではなく酸化膜の破砕によって引き起こされているかもしれない。その材料の微細構造が，その降伏の後にのみ研究され得るような場合には，そのような問題の解決は困難である。しかし
，近年のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）のユニークなその場での観察の発展は，リアルタイムでのナノインデンテーションイメージを作成することを可能とした。
　
（刊１−ウ）“During in situ nanoindentation, as we practice it, a three-sided diamond pyramid indenter approaches the sample in a direction normal to the electron beam (Fig.1). ”（第１６２５頁左欄第２３−２５行）
（翻訳）
　「その場でのナノインデンテーションの間中，電子ビームに直角な方向に，三側面をもつダイアモンドピラミッド圧刻子(indenter)は，サンプルに近づく（Fig.1参照）。」
　
（刊１−エ）“The indenter is mounted on a piezoceramic actuator, which both controls its position and forces it into the edge of the sample. The piezoceramic actuator is also used to measure the force developed as a function of both voltage and displacement during the test. Both the displacement of the indenter and the voltage applied to the piezoceramic actuator can be measured experimentally, and after determining the relationship between them, the force can be calculated directly.The actuator characteristic must be calibrated in order to do this.”（第１６２５頁左欄第３２行−同頁右欄第８行）
（翻訳）
「圧刻子（indenter）は，圧電セラミックアクチュエータに搭載され，
該アクチュエータは，その位置とサンプルエッジへの力をコントロールする。圧電セラミックアクチュエータは，テストの間中，電圧および変位の関数として生じるところの力を測定するようにも用いられる。
　
（刊１−オ）“In the present work, the voltage-force-displacement characteristic of the actuator was found by bending microscale silicon cantilevers in situ in the TEM. Conveniently, for a given voltage, the force on the actuator is linearly related to the displacement. Thus, during a nanoindentation test, the voltage on the actuator is measured electronically, the displacement is measured by direct observation in bright-field TEM, and the force is computed from the actuator characteristic. ”（第１６２５頁右欄第８行−同頁右欄第１６行）
（翻訳）
「本研究では，
アクチュエータの電圧−力−変位の特性は，ＴＥＭ下で，その場で，マイクロスケールのシリコンのカンチレバーの撓みによって求められる。便利なことに，与えられた電圧において，アクチュエータに作用する力は，変位に対して線形な関係がある。よって，ナノインデンテーションのテスト中，アクチュエータに印加される電圧は，電子的に測定され，変位は，明視野のＴＥＭでの直接観察によって測定され，そして，力は，アクチュエータの特性から計算される
　
　ここで，摘記事項（刊１−オ）に，「本研究では，アクチュエータの電圧−力−変位の特性は，ＴＥＭ下で，その場で，マイクロスケールのシリコンのカンチレバーの撓みによって求められる。便利なことに，与えられた電圧において，アクチュエータに作用する力は，変位に対して線形な関係がある。よって，ナノインデンテーションのテスト中，アクチュエータに印加される電圧は，電子的に測定され，変位は，明視野のＴＥＭ（当審注：「ＴＥＭ」は，透過電子顕微鏡を意味する。）での直接観察によって測定され，そして，力は，アクチュエータの特性から計算される。」と記載されており，アクチュエータの特性，すなわち，アクチュエータの電圧−力−変位の特性から，力，すなわち，サンプルと圧刻子との間に生じる力が計算されていることが理解される。
　
（刊行物１記載の発明）
　前記摘記（刊１−ア）〜（刊１−オ）からみて，刊行物１には，次の発明（以下，「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
「調査対象のサンプルと，
　前記サンプルの近くに配置されているダイヤモンドでできているナノインデンテーション圧刻子であって，圧電セラミックアクチュエータに搭載され，前記圧電セラミックアクチュエータは，その位置とサンプルエッジへの力をコントロールするよう構成された，圧刻子と，
　それにより前記サンプルと前記圧刻子との間の力と変位を測定するために，あらかじめ前記圧電セラミックアクチュエータの電圧−力−変位の特性を求めておき，前記圧電セラミックアクチュエータに電圧を加えその位置とサンプルエッジへの力をコントロールし，前記圧電セラミックアクチュエータに印加される電圧を電子的に測定し，変位を明視野の透過電子顕微鏡での直接観察で，前記圧刻子と前記サンプルの間に生じる力を，前記アクチュエータの電圧−力−変位の特性から計算する透過電子顕微鏡で使用する手段を有し，
　前記圧刻子と前記サンプルの視覚化は，リアルタイムで実行されることを特徴とする測定デバイス。」
　
２　刊行物２記載の事項
　刊行物２には，以下の事項が記載されている。
（刊２−ア）「【０００６】
【作用】以上のように構成された制御方法により
走査型探針顕微鏡
カンチレバーの自由端のたわみ量の変化，すなわち探針と物質表面との間に働く力の変化を測定する
さらに，試料表面の各測定点において，探針を試料表面に接触した状態で，探針と物質表面との間に生じる力を変化させ，物質表面の変位量を測定することにより，物質表面の硬度
原子・分子レベルで測定される
　
（刊２−イ）「【０００７】
【実施例】＜第１の実施例＞本発明の走査型探針顕微鏡の制御方法の第１の実施例を図１を用いて説明する。図１において，探針１は窒化シリコンで形成され，ピラミッド形状をしている。この探針１は，長さ２００μｍ，ばね定数０．０３Ｎ／ｍのカンチレバー２の自由端２ａ近傍に取り付けられている。カンチレバー２はその固定端２ｂにおいて支持フレーム等（図示せず）に固定されている。試料３は，
Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸の３方向にそれぞれ変位可能な圧電体４，５，６により構成されたチューブ型の微動機構５０
試料３
垂直方向の位置制御
により行う。カンチレバー２の自由端２ａのたわみ量は，
半導体レーザー９から出射されたレーザー光をレンズ１０によりカンチレバー２の自由端２ａの背面２ｃに集光し，背面２ｃからの反射光を２分割フォトダイオード１１により検出する光てこを用いて測定する。
　
（刊２−ウ）「【００１２】なお，
探針１としてダイヤモンドの小片
カンチレバー２の固定端２ｂを試料３に相対的に接近させ，探針１が試料３から斥力を受けカンチレバー２の自由端２ａに発生するたわみ量に相当する２分割フォトダイオード１１
Ｚ軸方向の圧電体６を駆動し
探針１が試料３の表面に接触した位置（図４中，２３で示す）までの接近距離と，探針１が試料３の表面に接触した後のカンチレバー２の自由端２ａのたわみ量
それぞれ測定し
測定結果を画像化した
図５
（ｂ）はカンチレバー２の自由端２ａの接近距離に対する変化量，すなわち試料３の表面の硬度分布像に相当する。（ａ）に示す凹凸像からは，べん毛フック，べん毛繊維とも高さが約２００オングストローム程度であり，見分けがつかなかったが，（ｂ）に示す硬度分布像を同時に観察することにより，それぞれの材料を特定することが可能であった
　
（刊２−エ）【図１】
　
（刊２−オ）「【００１１】＜第２の実施例及びそれに関する実験例＞次に，本発明の走査型探針顕微鏡の制御方法の第２の実施例に関して，ガラス基板上に固定されたバクテリアべん毛の形状観察および硬さ測定を行った場合における，具体的な制御方法について説明する。なお，本実施例では上記実施例１と同様に，図１に示した走査型探針顕微鏡本体の構成をそのまま利用している。図４に，ガラス基板部分，ベん毛フック部分とベん毛繊維部分の各部分を測定点とし，カンチレバー２の固定端２ｂを試料３に接近させた場合における，カンチレバー２の自由端２ａのたわみ量の変化を示す。縦軸はカンチレバー２の自由端２ａのたわみ量，すなわち探針１と試料３の表面との間に働く力，横軸はカンチレバー２の固定端２ｂを試料３の側へ相対的に接近させた距離である。カンチレバー２の固定端２ｂを試料３の表面に相対的に接近させると，カンチレバー２の自由端２ａには小さな引力によりたわみ（図４中，２１で示す）が発生する。その後，
探針１と試料３の表面とが接触し，斥力によるたわみ（図４中，２２で示す）が現れる。試料表面の材料の差異により，探針１が試料３の表面に接触した後のカンチレバー２の自由端２ａのたわみ量の接近距離に対する変化量が異なる。
　
（刊２−カ）【図４】
　
　摘記（刊２−ア）に「試料表面の各測定点において，探針を試料表面に接触した状態で，探針と物質表面との間に生じる力を変化させ，物質表面の変位量を測定することにより，物質表面の硬度や弾性率が原子・分子レベルで測定される」と記載されているから，探針と試料表面は接触しており，更に，探針と物質表面との間に生じる力が変化されることで，硬度や弾性率が測定されることが理解される。
　摘記（刊２−イ）「半導体レーザー９から出射されたレーザー光をレンズ１０によりカンチレバー２の自由端２ａの背面２ｃに集光し，背面２ｃからの反射光を２分割フォトダイオード１１により検出する光てこを用いて測定する。」及び摘記（刊２−ア）「カンチレバーの自由端のたわみ量の変化，すなわち探針と物質表面との間に働く力の変化を測定する」との記載事項が刊行物２にある。
　以上のことから，刊行物２には，次の発明（以下，「刊行物２発明」という。）が記載されていると認められる。
「探針と試料表面を接触させ，探針と物質表面との間に生じる力が変化されることで，硬度や弾性率測定する走査型探針顕微鏡の力センサであって，半導体レーザー９から出射されたレーザー光をレンズ１０によりカンチレバー２の自由端２ａの背面２ｃに集光し，背面２ｃからの反射光を２分割フォトダイオード１１により検出する光てこを用いて，カンチレバー２の自由端２ａのたわみ量を測定し，カンチレバーの自由端のたわみ量の変化，すなわち探針と物質表面との間に働く力の変化を測定する力センサ。」
　
第４　対比
　本願発明と刊行物１発明を対比する。
１　刊行物１発明の「ダイヤモンド」及び「ナノインデンテーション圧刻子」は，それぞれ本願発明の「硬質の材料」及び「ナノインデンテーション・チップ（５）」に相当する。
　よって，刊行物１発明の「前記サンプルの近くに配置されているダイヤモンドでできているナノインデンテーション圧刻子」と，本願発明の「前記サンプル・ホルダー（３）の近くに配置されている硬質の材料でできているナノインデンテーション・チップ（５）」とは，「硬質の材料でできているナノインデンテーション・チップ」という点で共通する。
　刊行物１発明の「圧電セラミックアクチュエータは，その位置とサンプルエッジへの力をコントロールするよう構成され」ているから，その機能および構造からみて，本願発明の「前記ナノインデンテーション・チップ（５）を前記サンプル（４）の表面に接触させ，力を加えるように配置される位置決めデバイス（７）」に相当する。
　
２　刊行物１発明の「透過電子顕微鏡」は，本願発明の「電子顕微鏡」に包含される。
　刊行物１発明は，「前記圧刻子と前記サンプルの間に生じる力を，前記アクチュエータの電圧−力−変位の特性から計算する」ものであり，かかる前記圧刻子と前記サンプルの間に生じる力は，本願発明の「前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用」に包含される。
　また，刊行物１発明の「測定デバイス」は，透過電子顕微鏡で使用するものである。
　そうすると，刊行物１発明が，本願発明の「それにより前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用が測定されるように構成される，電子顕微鏡（２）で使用するための測定デバイス（１）」に相当する構成を具備することは明らかである。
　他方，刊行物１発明は，「前記圧刻子と前記サンプルの間に生じる力を，前記アクチュエータの電圧−力−変位の特性から計算する」ものであって，直接力を測定するものではない。
　そうすると，刊行物１発明の「それにより前記サンプルと前記圧刻子との間の力と変位を測定するために，あらかじめ前記圧電セラミックアクチュエータの電圧−力−変位の特性を求めておき，前記圧電セラミックアクチュエータに電圧を加えその位置とサンプルエッジへの力をコントロールし，前記圧電セラミックアクチュエータに印加される電圧を電子的に測定し，変位を明視野の透過電子顕微鏡での直接観察で，前記圧刻子と前記サンプルの間に生じる力を，前記アクチュエータの電圧−力−変位の特性から計算する透過電子顕微鏡で使用する手段を有」することと，本願発明の「それにより前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用が測定されるように構成される，電子顕微鏡（２）で使用するための測定デバイス（１）であって，
さらに，前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を直接測定するように配置されている力センサ（６）を備え」ることとは，「それにより前記サンプルと前記チップとの間の相互作用が測定されるように構成される，電子顕微鏡で使用するための測定デバイスであって，前記サンプルと前記チップとの間の相互作用による力を測定する手段を備え」る点で共通する。
　
３　刊行物１発明における「前記圧刻子と前記サンプルの視覚化は，リアルタイムで実行」することについて，摘記事項（刊１−オ）に「よって，ナノインデンテーションのテスト中，アクチュエータに印加される電圧は，電子的に測定され，変位は，明視野のＴＥＭでの直接観察によって測定され，そして，力は，アクチュエータの特性から計算される。」と記載されているから，リアルタイムとは，サンプルに圧刻子が圧刻するナノインデンテーションのテスト中，すなわち，両者が相互作用をなしている期間に透過電子顕微鏡での視角化がなされているものである。
　そうすると，「前記圧刻子と前記サンプルの視覚化は，リアルタイムで実行されることを特徴とする測定デバイス」は，本願発明の「前記ナノインデンテーション・チップ（５）と前記サンプル（４）の視覚化は前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の前記相互作用の期間に実行される，ことを特徴とする測定デバイス」に相当する。
　
　以上のことを総合すると，両発明との間には，次の（一致点）並びに（相違点１）及び（相違点２）がある。
　
（一致点）
「硬質の材料でできているナノインデンテーション・チップと
　前記ナノインデンテーション・チップを前記サンプルの表面に接触させ，力を加えるように配置される位置決めデバイスと，からなり，
　それにより前記サンプルと前記チップとの間の相互作用が測定されるように構成される，電子顕微鏡で使用するための測定デバイスであって，前記サンプルと前記チップとの間の相互作用による力を測定する手段を備え，
　前記ナノインデンテーション・チップと前記サンプルの視覚化は前記サンプルと前記チップとの間の前記相互作用の期間に実行される，ことを特徴とする測定デバイス。」
　
（相違点１）
　本願発明が「測定デバイスがサンプル・ホルダー」を備えているのに対して，刊行物１発明は，サンプル・ホルダを備えているか不明であり，ナノインデンテーション・チップが，本願発明では「サンプル・ホルダーの近く」に配置されているのに対し，刊行物１発明は，サンプル・ホルダーを備えているか不明であって，圧刻子との配置関係が不明な点。
　
（相違点２）
　前記サンプルと前記チップとの間の相互作用による力を測定する手段が，本願発明では「前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を直接測定するように配置されている力センサ（６）」であるのに対して，刊行物１発明は，サンプルと圧刻子の間に生じる力を直接測定するように配置されている力センサを具備しておらず，本願発明の位置決めデバイスに相当する圧電セラミックアクチュエータに印加される電圧を電子的に測定し，変位を明視野の透過電子顕微鏡での直接観察で，前記圧電セラミックアクチュエータの電圧−力−変位の特性から計算する手段である点。
　
第５　検討・判断
１　相違点１について
　刊行物１発明は，摘記事項（刊１−ウ）及び（刊１−エ）に記載のように，透過電子顕微鏡の下で，圧刻子とサンプルの間に生じる力の測定を行うものである。ナノインデンテーション及びＴＥＭ（透過電子顕微鏡）において，サンプルをサンプル・ホルダーで保持して，試験や観察を行うことは常套手段であって，特に圧刻子とサンプルの間に生じる力の測定は，サンプルが保持されないとサンプルがずれて測定が困難になることから，刊行物１発明において，サンプルが保持されている，すなわち，サンプル・ホルダを備えることは明白である。
　そして，その場合，サンプル・ホルダーの近くに，圧刻子が，配置されているのは，当然のことである。
　したがって，相違点１は，実質的に相違点とはいえない。
　
２　相違点２について
　相違点２に記載の本願発明の特定事項にかかる「直接測定するように配置」されている力センサについて，その意味するところを検討する。　
（１）本件明細書及び図面から把握される力センサの配置及び測定の態様について
　本願発明の「前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を直接測定するように配置されている力センサ（６）」のの解釈について，本件明細書及び図面を参酌すると，本件明細書及び図面には，次のような記載がある。
（本−ア）「【００１０】本発明によれば，力センサ６は，サンプル４とインデンテーション・チップ５との間のインデンテーションのエリアの近くに設置される。
この力センサ６は，その間の相互作用によるチップとサンプルとの間の力を直接測定するように配置される。
　本質的には，力センサ６は，図１および図２に示すように，カンチレバーのような柔軟な構造１０，またはチップ５またはサンプル４に機械的に接触している膜（例えば，以下にさらに詳細に説明する図４に示すような）を備える。そのため，
チップ５またはサンプル４が加えるすべての力は，上記柔軟な構造１０に移動する
力センサ６は，また，柔軟な構造１０に加わる力を測定するように配置されていて，それによりチップ５とサンプル４との間の相互作用による力を直接測定することができる力測定素子９を備える。
　また，本件明細書の段落【００１３】及び図５に，本願発明の「力センサ（６）」の具体例として，次のような記載がある。
（本−イ）「【００１３】図５を参照しながら，力センサ６の第２の実施形態について以下に説明する。この実施形態の場合には，光ファイバのような光導波管２０が測定デバイス内部に配置される。光導波管の一方の端部２０’には，光源２１および干渉分析装置２２が配置されている。光導波管の他方の端部２０”は，上記柔軟な構造１０の近く，しかしある距離を置いて配置されている。この配置は，上記光導波管からの光が，本質的に上記柔軟な構造１０により反射され，光導波管２０内に再度入るようになっている。光導波管の端部２０”と柔軟な構造１０との間の距離および光源が発生する光の波長により，元の光ビームと反射した光ビームにより干渉パターンが形成されるが，このパターンは，光導波管の端部２０”と柔軟な構造１０との間の距離により異なる。チップ５とサンプル４との間の力の相互作用により柔軟な構造が移動すると，
柔軟な構造１０と光導波管の端部２０”との間の距離が変化し，この変化は干渉分析装置２２により検出されるが，これは相互作用の力の測定値である
（本−ウ）　【図５】
　
ア　本願発明の力の測定の態様について
　摘記（本−ア）から，チップ５またはサンプル４が加えるすべての力は，柔軟な構造１０に移動すること，及び，力センサ６は，柔軟な構造１０に加わる力を測定するものであることが把握できる。
　摘記（本−イ）及び（本−ウ）から，チップ５とサンプル４との間の力の相互作用により柔軟な構造１０と光導波管の端部２０”との距離が変化することが理解される。光導波管の端部２０”の位置は変化することはないから，柔軟な構造１０の位置が変化，すなわち，移動することで，距離が変化するものといえる。そして，摘記（本−イ）及び（本−ウ）から，力の測定の態様は，柔軟な構造の距離の変化を，力の測定値として測定している態様が理解され，これが本願発明の「直接測定」に包含されていることは明白である。
　
イ　本願発明の力センサの配置の態様について
　本願発明の「
前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，
配置され
　
（２）刊行物２発明の力センサの配置及び測定の態様について
ア　刊行物２発明の力センサの測定の態様について
　刊行物２発明は，たわみ量の変化，すなわち，柔軟な構造であるカンチレバー２ａの変位を，探針と物質表面との間に働く力の変化として測定する測定手段であるということができる。
　
イ　刊行物２発明の力センサの配置の態様について
　摘記（刊２−エ）からも明らかなように，カンチレバーの自由端２ａには，探針１が設けられており，カンチレバーの裏面にはレーザーが集光されている。そうすると，柔軟な構造であるカンチレバーの自由端２ａの裏面にレーザー光が照射されているものである。
　
（３）本願発明と刊行物２発明との対比
　刊行物２発明の「カンチレバー２の自由端２ａ」は，たわむから，柔軟な構造ということができる。
　また，刊行物２発明の「探針」は，摘記（刊２−オ）に「探針１と試料３の表面とが接触し，斥力によるたわみ（図４中，２２で示す）が現れる。試料表面の材料の差異により，探針１が試料３の表面に接触した後のカンチレバー２の自由端２ａのたわみ量の接近距離に対する変化量が異なる。」と記載され，図４（摘記（刊２−カ））によると，べん毛繊維，べん毛フックは，ガラスよりも近接距離に対するたわみ量の変化が小さい。これは，探針１がべん毛繊維やべん毛フックに食い込んでいることを意味する。
　よって，刊行物２発明の「探針」は，機能及び構造からみて，本願発明の「インデンテーション・チップ（５）」に相当する。
　
　そうすると，刊行物２発明の「探針と試料表面を接触させ，探針と物質表面との間に生じる力が変化されることで，硬度や弾性率測定する走査型探針顕微鏡の力センサであって，半導体レーザー９から出射されたレーザー光をレンズ１０によりカンチレバー２の自由端２ａの背面２ｃに集光し，背面２ｃからの反射光を２分割フォトダイオード１１により検出する光てこを用いて，カンチレバー２の自由端２ａのたわみ量を測定し，カンチレバーの自由端のたわみ量の変化，すなわち探針と物質表面との間に働く力の変化を測定する力センサ」と，本願発明の「前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置していて，前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を直接測定するように配置されている力センサ（６）」とは，「前記サンプル（４）と前記チップ（５）との間の相互作用による力を測定するように配置されている力センサ（６）」という点で共通する。
　そして，力センサが，本願発明では「前記サンプル（４）および前記チップ（５）の相互作用エリアの近くに位置してい」て，「直接測定するように配置されている」のに対して，刊行物２発明は，直接測定するか否か不明な点で一応相違する。
　しかしながら，本願明細書【００１３】及び図５に記載の本願発明に包含される発明の態様と刊行物２発明を対比すると，
（ｉ）測定の態様
　本願発明は，「第５　２（１）ア　本願発明の力の測定の態様について」で言及したように，力センサは，「柔軟な構造の距離の変化を，相互作用の力の測定値として測定しているものである。
　他方，刊行物２発明は，「第５　２（２）ア　刊行物２発明の力の測定の態様について」で言及したように，「柔軟な構造であるカンチレバー２ａの変位を，探針と物質表面との間に働く力の変化として測定する測定」するものである。
　測定の態様において，両者の間に差異はなく，刊行物２発明の「力センサ」も本願発明でいう力を「直接測定」しているということができる。
　
（ｉｉ）配置の態様
　上記「第５　２（１）イ　本願発明の力センサの配置の態様について」で言及したように，力センサの配置は，柔軟な構造１０のチップ５の反対側，すなわち，裏面に光ビームを照射するものが本願発明に包含されるということができる。
　他方，刊行物２発明は上記「第５　２（２）イ　刊行物２発明の力センサの配置の態様について」で言及したように，柔軟な構造であるカンチレバーの自由端２ａの裏面にレーザー光が照射されているものである。
　配置において，両者の間に差異はない。
　
（４）相違点２についての小括
　相違点２における本願発明の特定事項，すなわち，本願発明に包含される本願明細書記載の実施例の力センサの配置及び測定の態様と，刊行物２発明は，実質的に相違することがない。よって，上記一応の相違点は，単なる表現の差異にすぎず，実質的に相違点ではない。よって，相違点２記載の本願発明の特定事項は，刊行物２に記載されているということができる。
　そして，刊行物１発明も刊行物２発明もインデンテーションチップとサンプルとの間の相互作用による力を測定する手段を有する点で共通しており，相互作用による力を測定する手段として種々の手段が存在することは技術常識であって，その何れを採用するかは当業者が適宜選択し得るものであるから，刊行物１発明において，サンプルとチップとの間の相互作用による力を測定する測定手段を，刊行物２記載の測定手段に置換することにより，相違点２に記載の本願発明の特定事項のごとくすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
３　効果について
　本願発明によってもたらされる効果は，刊行物１及び刊行物２記載の技術的事項から予測される範囲内のものであって，格別顕著なものでない。
　
４　請求人の主張について
　請求人は，平成２３年５月１９日付けの意見書２頁３〜５行において，「刊行物２は画像について開示しておりません。・・・」と主張する。
　しかしながら，刊行物２には「これら一連の操作において，探針１が試料３の表面に接触した位置（図４中，２３で示す）までの接近距離と，探針１が試料３の表面に接触した後のカンチレバー２の自由端２ａのたわみ量の接近距離に対する変化量とをそれぞれ測定し，その
測定結果を画像化した
　よって，請求人の主張は失当である。
　
第６　むすび
　以上のように本願発明は，刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。