【事件の表示】
　特願２００５−１８６９６８「有機薄膜トランジスタ及び液晶表示装置用基板並びにそれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月３０日出願公開、特開２００６−　８６５０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年６月２７日（パリ条約による優先権主張２００４年９月１５日，大韓民国）の出願であって、平成２１年２月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１日に意見書及び手続補正書が提出され、同年５月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年８月２７日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年９月１５日付けで同年８月２７日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、平成２２年１月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年４月２０日付けで審尋がなされ、それに対する回答はなされなかった。
　
第２　平成２２年１月２７日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年１月２７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２７（平成２１年５月１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２７）を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２３と補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
基板上に形成された第１の厚さを有するゲート電極と、
　前記基板及び前記ゲート電極上に形成され、前記基板上では第２の厚さを有し、前記ゲート電極上では２０００Åないし５０００Åの第３の厚さを有する有機絶縁層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成される半導体層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成され、前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極と
　を含み、
　前記第１の厚さは、５０００Å以上であり、
　前記有機絶縁層は、２.６ないし４程度の誘電率を有し、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル、ポリビニールフェノール中、一つでなる
　ことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板上に形成された第１の厚さを有するゲート電極と、
　前記基板及び前記ゲート電極上に形成され、前記基板上では第２の厚さを有し、前記ゲート電極上では２０００Åないし５０００Åの第３の厚さを有する有機絶縁層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成される半導体層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成され、前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極と
　を含み、
　前記第１の厚さは、５０００Å以上であり、
　前記有機絶縁層は、２.６ないし４程度の誘電率を有し、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル、ポリビニールフェノール中、一つでなり、
　前記第２の厚さは、９０００Å以上であり、
　前記ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の空間領域に完全に覆われている
　ことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１、９、１７及び２２に、「前記第２の厚さは、９０００Å以上であり、前記ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の空間領域に完全に覆われている」との記載をそれぞれ付加する補正をする。
［補正事項２］
　補正前の請求項２、１０、１８及び２３を削除する。
［補正事項３］
　補正前の請求項３〜９、１１〜１７、１９〜２２及び２４〜２７を、それぞれ請求項２〜８、９〜１５、１６〜１９及び２０〜２３として、項番号を繰り上げる。また、これにともない、各請求項が引用する請求項の項番号を補正する。
［補正事項４］
　発明の詳細な説明の段落【００１９】〜【００２２】を補正する。
　
　以下、補正事項１ないし４について検討する。
ア　補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１、９、１７及び２２に係る発明の発明特定事項である「前記基板及び前記ゲート電極上に形成され、前記基板上では第２の厚さを有し、前記ゲート電極上では２０００Åないし５０００Åの第３の厚さを有する有機絶縁層」について、「前記第２の厚さは、９０００Å以上であり」という構成を追加して技術的に限定するとともに、補正前の請求項１、９、１７及び２２に係る発明の発明特定事項である「基板上に形成された第１の厚さを有するゲート電極」について、「前記ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の空間領域に完全に覆われている」という構成を追加して技術的に限定する補正であり、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
　また、補正事項１により補正をされた事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の段落【００２８】、【００３７】、【００４２】及び【００４６】、並びに図３に記載されており、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　
イ　補正事項２及び補正事項３について
　補正事項２及び補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項２及び補正事項３が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
ウ　補正事項４について
　補正事項４により補正された事項は、当初明細書の段落【００２８】、【００３５】、【００３７】、【００４２】及び【００４６】〜【００４８】、並びに図３に記載されており、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
ウ　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。 
　
（２）独立特許要件について
ア　本件補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりである。
　
イ　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１２８４６９号公報（以下「刊行物１」という。）には、「電界効果トランジスタ」（発明の名称）に関して、図１ないし図９とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体を用いた電界効果トランジスタに関する。」
「【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して本発明の電界効果トランジスタの実施の形態を詳細に説明する。
【００２８】
本発明の電界効果トランジスタは、絶縁体層と、この絶縁体層により隔離されたゲート電極及び有機半導体層と、この有機半導体層に接するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを、絶縁性支持基板上に有するもの
【００２９】
本発明においては、このような電界効果トランジスタにおいて、
絶縁性支持基板１
絶縁体層３は
ポリビニルフェノール
「【００３１】
絶縁体層を構成する
ポリビニルフェノール
【００３２】
絶縁体層を構成する材料として好ましいのは、ポリスチレン、
ポリビニルフェノール
ポリビニルフェノール
ポリビニルフェノール
「【００３６】
このような
絶縁体層の厚みは０．１μｍから４μｍが好ましく
「【００４６】
これら
ゲート電極
厚みは０．０１μｍから２μｍが好ましく
　
　以上、図１〜図９を参酌してまとめると、刊行物１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「絶縁性支持基板１上に形成されたゲート電極２と、
　前記絶縁性支持基板１及び前記ゲート電極２上に形成され、厚みは０．１μｍから４μｍであり、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアノ基を有する炭化水素樹脂及びフェノール樹脂、並びにこれらの樹脂を構成する単量体成分を含む共重合樹脂からなる群から選ばれる１種又は２種以上の樹脂を主成分とする樹脂組成物で構成される絶縁体層３と、
　前記絶縁体層３の上部に形成される有機半導体層４と、
　前記絶縁体層３の上部に形成され、前記有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６と
　を含み、
　ゲート電極２の厚みは、０．０１μｍから２μｍである
　有機半導体を用いた電界効果トランジスタ。」
　
ウ　対比
　本件補正後の請求項１に係る発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「絶縁性支持基板１」、「有機半導体層４」は、それぞれ補正発明の「基板」、「半導体層」に相当する。
ｂ　引用発明の「ポリビニルフェノール」は補正発明の「ポリビニールフェノール」に相当するから、引用発明の「ポリスチレン、
ポリビニルフェノール
ｃ　引用発明の「前記有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６」は、補正発明の「前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極」に相当する。
ｄ　引用発明の「電界効果トランジスタ」は、「絶縁性支持基板１上」に薄膜状に形成されたものであり、しかも、「有機半導体を用いた電界効果トランジスタ」であるから、引用発明の「有機半導体を用いた電界効果トランジスタ」は、補正発明の「有機薄膜トランジスタ」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「基板上に形成されたゲート電極と、
　前記基板及び前記ゲート電極上に形成された有機絶縁層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成される半導体層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成され、前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極と
　を含み、
　前記有機絶縁層は、２.６ないし４程度の誘電率を有し、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル、ポリビニールフェノール中、一つでなる
有機薄膜トランジスタ。」の点で一致し、以下の３点で相違する。
　
（相違点１）
　「ゲート電極」について、補正発明は、「第１の厚さを有するゲート電極」であって、「前記第１の厚さは、５０００Å以上」であるのに対し、引用発明は、「ゲート電極２の厚みは、０．０１μｍから２μｍ」である点。
（相違点２）
　補正発明においては、「有機絶縁層」について、「前記基板上では第２の厚さを有し」、「前記第２の厚さは、９０００Å以上」であるのに対し、引用発明においては、「絶縁体層３」について、「厚みは０．１μｍから４μｍ」である点。
（相違点３）
　補正発明においては、「有機絶縁層」について、「前記ゲート電極上では２０００Åないし５０００Åの第３の厚さを有する」のに対し、引用発明においては、「ゲート電極２」上での「絶縁体層３」の厚さについて特定されていない点。
　
エ　判断
（ア）相違点に関連する本願の明細書の記載事項
　相違点１〜相違点３を検討するに当たり、本願の明細書において、「ゲート電極」の厚さ、並びに「有機絶縁層」の基板上での厚さ及びゲート電極上での厚さに関連した事項が記載されている事項を整理すると次のとおりである（下線は当審で付加したもの。）。
　
「【００１５】
　・・・。
ゲート絶縁膜６０は、有機絶縁物質で構成され、コーティングして形成される。この時、前記コーティングによって形成された有機絶縁物質のゲート絶縁膜６０は
９０００Å以上の第２の厚さｔ２を有する
このように厚い第２の厚さｔ２で形成される理由は、
コーティングによって形成される有機絶縁物質は、粘性が高いからである。
「【００２７】
　
ゲート電極１５４は
５０００Å以上の第１の厚さｔ１で形成
「【００２８】
　
基板１５１上に位置するゲート絶縁膜１６０
９０００Å以上の第２の厚さｔ２で形成
　本発明の最も特徴的な部分は、
ゲート電極１５４の上部に位置するゲート絶縁膜１６０の第２部分が第３の厚さｔ３
第３の厚さｔ３が、２０００Åないし５０００Åの厚さである
【００２９】
　ここで、ゲート電極１５４の上部のゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３と薄膜トランジスタＴのオン(ｏｎ)電流の特性との関係を説明する。
　薄膜トランジスタＴのドレイン電極１７４に流れる電流Ｉdsは、下記のとおりである。
　　　Ｉds＝μ(ＷＣ／２Ｌ)ｄＶg2　　　（１）
【００３０】
　なお、μは移動度(mobility)、ＷはチャンネルＣＨの幅、Ｃはゲート電極１５４とチャンネルＣＨ間の電気容量(以下、これをチャンネルＣＨの電気容量と称する)、ＬはチャンネルＣＨの長さ、Ｖgはゲート電圧、ｄＶg2 はゲート電圧の変化量を示している。
【００３１】
　前述した式（１）によると、ドレイン電極１７４に流れる電流、すなわち、薄膜トランジスタのオン電流Ｉdsは、他の条件が一定であるとすると、チャンネルＣＨの電気容量Ｃに比例する。
【００３２】
　この時、前記チャンネルＣＨの電気容量Ｃは、下記のように示すことができる。
　　　Ｃ＝ε(Ａ／ｄ)　　　（２）
　なお、εはゲート絶縁膜１６０の誘電率、ＡはチャンネルＣＨの面積、ｄはゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３である。
【００３３】
　式（２）によると、前記チャンネルの電気容量Ｃは、誘電率が大きいほど、絶縁膜の第３の厚さｔ３が薄いほど、大きくなる。
　
従って、前述した式（１）、（２）によると、他の条件が一定である時、薄膜トランジスタＴのオン電流Ｉ
ds
値を高めるためには、チャンネルの電気容量Ｃを高めなければならなく、このためには、ゲート絶縁膜１６０の厚さｔ３、換言するに、ゲート電極１５４とチャンネルＣＨを形成する半導体層１６５間のゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を薄く形成しなければならない。
【００３４】
　薄膜トランジスタＴのオン電流値を大きくする理由は、液晶表示装置の解像度が増加するほど、ゲート電極１５４をオン(ｏｎ)させる時間、すなわち、走査時間が短くなるが、このように短い走査時間に薄膜トランジスタＴをオンさせるための十分な電圧を供給するためには、オン電流Ｉds値をできるだけ大きくすることが有利であるためである。この時、付加して前記第３の厚さｔ３が薄くなることによって、図面には示してないが、ストレージキャパシターの容量も増加させる効果がある。
【００３５】
　本発明は、例えば、液晶表示装置のアレイ基板において、誘電率が６.７程度の無機絶縁物質である酸化シリコンＳｉＯ2を、通常の厚さの４０００Åの厚さでゲート絶縁膜１６０を形成する時の前記ゲート電極１５４と半導体層１６５間の電気容量と類似するように形成している。本発明に利用される有機絶縁物質であるベンゾシクロブテンＢＣＢと、フォトアクリル(photo acryl)、ポリビニールフェノール(poly vinyl phenol)ＰＶＰは、２.６ないし４程度の誘電率を有しており、これを
無機絶縁物質の電気容量と同様な水準に形成するためには、前述した式（２）により、望ましくは、１５００Åないし３０００Åの厚さで形成する。
【００３６】
　ところが、ゲート電極１５４と対応するゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を薄くすると、チャンネルＣＨの電気容量Ｃ値が高くなり、ゲート電極１５４に連結されたゲート配線(図示せず)における信号遅延の問題が発生する。
従って、前述した薄膜トランジスタＴのオン電流の大きさの向上及び信号遅延を共に適正な水準に維持するためには、ゲート電極１５４と半導体層１６５間の有機絶縁物質で構成されたゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を、最も望ましくは、２０００Åなしい５０００Åの厚さで構成することが必要である。
【００３７】
　本発明によるフレキシブルな液晶表示装置用アレイ基板の有機薄膜トランジスタＴに、有機絶縁物質を使用したゲート絶縁膜１６０を構成する際、
前記有機絶縁物質が９０００Å以上の厚い第２の厚さｔ２で形成
ゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を２０００Åないし５０００Åの厚さで形成して、半導体層１６５のチャンネルＣＨとゲート電極１５４間の電気容量の大きさを適正水準に維持させるためには、ゲート電極１５４の厚さｔ１を５０００Å以上になるように構成する
「【００４２】
　図６に示したように、前記第１の厚さｔ１のゲート電極１５４が形成された基板１５１上に、有機絶縁物質、例えば、・・・等のコーティング装備(図示せず)を利用して、全面に第２の厚さｔ２及び第３の厚さｔ３を有して、その表面が下部の段差に影響なしに平坦な構造を有するゲート絶縁膜１６０を形成する。この場合、
前記コーティング装備(図示せず)の特性及び有機絶縁物質の粘性により前記第２の厚さｔ２が９０００Å以上になる
「【００４４】
　
本発明で最も重要な部分は、ゲート電極１５４の厚さｔ１を厚く形成することによって、前記ゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３が２０００Åないし５０００Åになるようにする
　前述した有機絶縁物質とコーティング装備(図示せず)によりコーティングすることによって、形成される
ゲート絶縁膜１６０の第２の厚さｔ２は
予め予測することができる
ゲート電極１５４の形成時、追って形成されるゲート絶縁膜１６０の厚さを前もって反映することによって、前記ゲート電極１５４の上部に形成されるゲート絶縁膜１６０の厚さ、すなわち、第３の厚さｔ３を２０００Åないし５０００Åになるように形成する
「【００５３】
　本発明の実施の形態２の
第１の厚さｔ１、第２の厚さｔ２及び第３の厚さｔ３は、実質的に、本発明の実施の形態１の第１の厚さｔ１、第２の厚さｔ２及び第３の厚さｔ３と同様である。すなわち、本発明の実施の形態２では、第１の厚さｔ１は５０００Å以上、第２の厚さｔ２は９０００Å以上、第３の厚さｔ３は２０００Åないし５０００Åの厚さを有する
　従って、本発明の実施の形態１での有機薄膜トランジスタと実質的に同様な電気的特性を有する。」
「【００５７】
　次に、図１４に示したように、ゲート電極２５４が形成された基板２５１上に、有機絶縁物質をコーティング装備(図示せず)を利用して、全面に第２の厚さｔ２及び第３の厚さｔ３を有して、その表面が下部の段差に影響しない平坦な構造を有するゲート絶縁膜２６０を形成する。この場合、
第２の厚さｔ２を９０００Å以上、第３の厚さｔ３を２０００Åないし５０００Åになるように形成する
　
　これらの記載を踏まえつつ、以下、上記相違点１〜相違点３について検討する。
  
（イ）相違点１について
　引用発明の「ゲート電極２」の厚さは「０．０１μｍから２μｍ」すなわち「１００Åから２００００Å」であるから、引用発明の「ゲート電極２」の厚さは、補正発明の「ゲート電極」の厚さである「５０００Å以上」と数値範囲が重なる。
　本願明細書には、ゲート電極の厚さｔ１について、段落【００３７】には、「半導体層１６５のチャンネルＣＨとゲート電極１５４間の電気容量の大きさを適正水準に維持させるためには、ゲート電極１５４の厚さｔ１を５０００Å以上になるように構成する」と、段落【００４４】には、「本発明で最も重要な部分は、ゲート電極１５４の厚さｔ１を厚く形成することによって、前記ゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３が２０００Åないし５０００Åになるようにする」と記載されているが、上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、補正発明において、ゲート電極の厚さｔ１の下限値を「５０００Å」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「５０００Å」という下限値に臨界的意義は認められない。
　したがって、引用発明において、「ゲート電極２」の厚さを、補正発明のように「５０００Å以上」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（ウ）相違点２について
　引用発明の「絶縁体層３」の厚さは「０．１μｍから４μｍ」すなわち「１０００Åから４００００Å」であるから、引用発明の「絶縁体層３」の厚さは、補正発明の「第２の厚さ」である「９０００Å以上」と数値範囲が重なる。
　本願明細書には、基板上での有機絶縁層の厚さｔ２について、段落【００１５】には、「ゲート絶縁膜６０は、有機絶縁物質で構成され、コーティングして形成される。この時、前記コーティングによって形成された有機絶縁物質のゲート絶縁膜６０は、・・・、９０００Å以上の第２の厚さｔ２を有する。このように厚い第２の厚さｔ２で形成される理由は、・・、コーティングによって形成される有機絶縁物質は、粘性が高いからである。」と、段落【００４２】には、「全面に第２の厚さｔ２及び第３の厚さｔ３を有して、その表面が下部の段差に影響なしに平坦な構造を有するゲート絶縁膜１６０を形成する。この場合、前記コーティング装備(図示せず)の特性及び有機絶縁物質の粘性により前記第２の厚さｔ２が９０００Å以上になる。」と記載されているが、上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、補正発明において、基板上での有機絶縁層の厚さｔ２の下限値を「９０００Å」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「９０００Å」という下限値に臨界的意義は認められない。
　したがって、引用発明において、「絶縁体層３」の厚さを、補正発明のように「９０００Å以上」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（エ）相違点３について
　上記（イ）及び（ウ）において検討したとおり、引用発明において、「ゲート電極２」の厚さを「５０００Å以上」とし、「絶縁体層３」の厚さを「９０００Å以上」とすることは、当業者が容易になし得たことである。そこで、例えば、これら２つの部材の厚さを、各々５０００Å及び９０００Åとした場合には、「ゲート電極２」上での「絶縁体層３」の厚さは４０００Åとなり、補正発明の「第３の厚さ」の数値範囲である「２０００Åないし５０００Å」の範囲に含まれるから、引用発明において、「ゲート電極２」上での「絶縁体層３」の厚さを「２０００Åないし５０００Å」とすること自体に、格別の困難性がないことは明らかである。
　一方、本願明細書には、ゲート電極上での有機絶縁層の厚さｔ３について、段落【００２９】〜【００３４】で、ゲート電極１５４の上部のゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３と薄膜トランジスタＴのオン電流Ｉdsの特性との関係の説明するとともに、段落【００３３】には、「従って、前述した式（１）、（２）によると、他の条件が一定である時、薄膜トランジスタＴのオン電流Ｉds値を高めるためには、チャンネルの電気容量Ｃを高めなければならなく、このためには、ゲート絶縁膜１６０の厚さｔ３、換言するに、ゲート電極１５４とチャンネルＣＨを形成する半導体層１６５間のゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を薄く形成しなければならない。」と、段落【００３５】には、「無機絶縁物質の電気容量と同様な水準に形成するためには、前述した式（２）により、望ましくは、１５００Åないし３０００Åの厚さで形成する。」と、段落【００３６】には、「従って、前述した薄膜トランジスタＴのオン電流の大きさの向上及び信号遅延を共に適正な水準に維持するためには、ゲート電極１５４と半導体層１６５間の有機絶縁物質で構成されたゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３を、最も望ましくは、２０００Åなしい５０００Åの厚さで構成することが必要である。」と、段落【００４４】には、「本発明で最も重要な部分は、ゲート電極１５４の厚さｔ１を厚く形成することによって、前記ゲート絶縁膜１６０の第３の厚さｔ３が２０００Åないし５０００Åになるようにする特徴がある。・・・、ゲート電極１５４の形成時、追って形成されるゲート絶縁膜１６０の厚さを前もって反映することによって、前記ゲート電極１５４の上部に形成されるゲート絶縁膜１６０の厚さ、すなわち、第３の厚さｔ３を２０００Åないし５０００Åになるように形成することである。」と記載されているが、上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、補正発明において、ゲート電極上での有機絶縁層の厚さｔ３の数値範囲を「２０００Åないし５０００Å」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「２０００Å」という下限値及び「５０００Å」という上限値に臨界的意義は認められない。
　したがって、引用発明において、「ゲート電極２」上での「絶縁体層３」の厚さを、補正発明のように「２０００Åないし５０００Å」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（オ）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１〜相違点３は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
オ　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
３　補正却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成２２年１月２７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下され、平成２１年８月２７日提出された手続補正書による補正は原審において却下されているので、本願の請求項１ないし２７に係る発明は、平成２１年５月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
基板上に形成された第１の厚さを有するゲート電極と、
　前記基板及び前記ゲート電極上に形成され、前記基板上では第２の厚さを有し、前記ゲート電極上では２０００Åないし５０００Åの第３の厚さを有する有機絶縁層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成される半導体層と、
　前記有機絶縁層の上部に形成され、前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極と
　を含み、
　前記第１の厚さは、５０００Å以上であり、
　前記有機絶縁層は、２.６ないし４程度の誘電率を有し、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル、ポリビニールフェノール中、一つでなる
　ことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。」
　
第４　刊行物に記載された発明 
　刊行物１に記載されている事項及び刊行物１に記載された発明（引用発明）は、「第２　２（２）イ　刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。 
 　 
第５　対比 
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者の一致点は、「第２　２（２）ウ」に記載のとおりであり、両者は、前記（相違点１）の点で相違する。
 　 
第６　当審の判断 
　以下、相違点について検討すると、「第２　２（２）エ（イ）相違点１について」で検討したとおりである。 
 　 
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
第７　むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項２７に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。