【事件の表示】
　特願２００１−５４５３７９号「ＯＬＥＤデバイスの品質向上のために改善された透明電極材料」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２１日国際公開、ＷＯ０１／４５１８２、平成１５年　５月２０日国内公表、特表２００３−５１７１８３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明　
　本願は、平成１１年１２月１７日を国際出願日とする出願であって、平成２２年７月２９日付けで手続補正がなされ、平成２２年８月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２２年１２月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。　
　　　
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年７月２９日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。　
　　　
「デバイス領域を備えた基板；および
デバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスにおいて、
このＯＬＥＤスタックが
第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０２０ｃｍ−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、
第２の電極として役立つ導電性層および
第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えており、
透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであることを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス。」
　
２．引用例　
　原査定の拒絶理由に引用された特開平５−３３４９２３号公報（以下「引用例１」という。）及び特開平５−３０６４５７号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（引用例１については、後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）　
　　　
ａ．引用例１　
記載事項ア．
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成法によって基板上に透明導電薄膜を製造する方法において、該薄膜形成法を、亜酸化窒素を１〜６０体積％含有するガスの存在下で行うことを特徴とする方法。
　
記載事項イ．
「【０００７】
本発明において薄膜形成法とは、スパッタ法、
等を包含する慣用の薄膜作成法を意味する。
　
記載事項ウ．
「【００１３】
本発明の方法によって製造された透明導電膜は、
エレクトロルミネセンス、
ＥＬ等の表示素子用途
で使用することができる。
　
記載事項エ．
「【００１４】
【作用】本発明の方法は、酸素ガスを用いないので、酸素ガスを用いたときの不都合が回避される。したがって、酸素空孔を安定して作り出すことができるので、得られた膜の抵抗率を低くすることができ、かつ制御性も良好である。また、酸素負イオンの生成が少ないため、高速成膜を実施しても膜への損傷が少なく、抵抗率の低い膜を形成することが可能である。」
　
記載事項オ．
「【００１５】
【実施例】以下の実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１〜４および比較例１〜６
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴということがある）基板上に、直流プレーナー型マグネトロンスパッタ装置（基板自公転型、ＵＬＶＡＣ社製）を使用して、初期真空度：２×１０
−６
Ｔｏｒｒ、スパッタガス圧：１０×１０
−３
Ｔｏｒｒ、基板温度３０℃の条件にて成膜を行った。ターゲットとして、Ｉｎ
２
Ｏ
３
とＳｎＯ
２
粉末の焼結ターゲット（重量比９０：１０）を用いた。なお、スパッタガスは、実施例においてはＡｒ＋Ｎ
２
Ｏを
用いた（ガスの組成は表１に示した）。
【００１６】
かくして基板上に、ＩＴＯ膜（膜厚１５００オングストローム）を形成した。この膜について、抵抗率、
キャリア濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００１７】なお、抵抗率は四端子法により、移動度およびキャリア濃度はファン　デルポウ（ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ）法により測定した。また、可視光透過率は波長を固定（６８０ｎｍ）した簡易な装置で測定し、ＰＥＴ基板での吸収を差し引いた値である。
【００１８】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　　
　上記記載事項ア．〜オ．の記載内容からして、引用例１には、　
「スパッタガスＡｒ＋Ｎ２Ｏの存在下でスパッタ法によって基板上に形成したＩＴＯ透明導電薄膜を用いたエレクトロルミネセンス表示素子であって、当該ＩＴＯ透明導電薄膜のキャリア濃度及び抵抗率が、（１）キャリア濃度５．５×１０２１ｃｍ−３、抵抗率３．２×１０−４Ω・ｃｍ、（２）キャリア濃度５．２×１０２１ｃｍ−３、抵抗率３．１×１０−４Ω・ｃｍ、（３）キャリア濃度４．６×１０２１ｃｍ−３、抵抗率３．１×１０−４Ω・ｃｍ、（４）キャリア濃度３．９×１０２１ｃｍ−３、抵抗率３．２×１０−４Ω・ｃｍの何れかであるＩＴＯ透明導電薄膜を用いたエレクトロルミネセンス表示素子。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。　
　　
ｂ．引用例２　
記載事項カ．
「【請求項１】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の酸化物ターゲットを用いて２００℃以上の基板上に、スパッタ法によりＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系の透明導電膜を形成する方法において、スパッタガスとしてＨ２を含む混合ガスを用いることを特徴とする透明導電膜の形成方法。」
　
記載事項キ．
「【００１７】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００１８】先ず、本発明を実施するに際し、用いるスパッタ装置の概要を説明する。
【００１９】スパッタ室内の下方に３台のカソードを並べて設置し、夫々のカソードにはＩｎ２Ｏ３に１０ｗｔ％のＳｎＯ２を混入したＩＴＯ焼結体ターゲットを配設した。また、夫々のカソードにはマグネトロン放電を行うための磁石を設置し、夫々ＤＣ電源に接続した。また、磁石とターゲット間の距離は可変とし、放電インピーダンスを変えられるようにした。
【００２０】スパッタガスは夫々のカソードの近傍からＡｒ、Ｏ２、Ｈ２をマスフローコントローラーと電離真空計により夫々流量と分圧を制御しながら任意に混合した混合ガスとして導入されるようにした。……（略）……」
　
記載事項ク．
「【００２２】次に、前記装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法で透明導電膜（ＩＴＯ膜）の形成の具体的実施例について説明する。
【００２３】成膜条件は、Ａｒガス圧は５×１０−３Ｔｏｒｒとし、各カソードの成膜速度は約８００Å／ｍｉｎとし、また、基板搬送速度を調整して基板上に膜厚約１０００ÅのＩＴＯ膜を形成するようにした。
【００２４】そして、基板上に形成されるＩＴＯ膜の抵抗値について、カソード台数の影響、基板温度の影響、スパッタ電圧の影響との関係を夫々について調べた。
【００２５】１）カソード台数の影響について
スパッタ電圧−２５０Ｖとし、基板温度３５０℃とし、使用するカソード台数を１台、２台、３台と変えてＩＴＯ膜を形成し、夫々の台数における導入Ｏ２分圧、導入Ｈ２分圧とＩＴＯ膜の抵抗率との関係を調べ、その結果を図１に曲線Ａ（カソード１台）、線Ｂ（カソード２台）、曲線Ｃ（カソード３台）として示す。図１から明らかなように、使用するカソード台数の増加に伴い、ターゲット自体の分解により発生する酸素が増加するため、雰囲気が酸素過剰となることが分かる。
【００２６】……（略）……　更に、カソードが３台となるとＯ２を導入しなくとも膜組成が酸素過剰となってＩＴＯ膜の抵抗率が上昇してしまう。この場合はＯ２の代わりにＨ２を導入することによって、最適条件をとることが出来る。このようにカソードを３台用い、Ｈ２を最適条件の１．０×１０−５Ｔｏｒｒ導入して形成されたＩＴＯ膜の抵抗率は、カソード１台でＯ２を導入して形成されたＩＴＯ膜の抵抗率と同等である。」
　
記載事項ケ．
「【００２９】前述のように、スパッタ室内に２００℃以上に加熱した基板と、複数台のＩＴＯ酸化物ターゲットを配設し、スパッタ電圧が３００Ｖ以下の低電圧スパッタ法で基板上にＩＴＯ膜を形成する際、Ａｒガスのみを用いてスパッタを行っても、ターゲット自体の分解により発生する酸素によりスパッタ時の雰囲気が酸素過剰となり、基板上に形成されるＩＴＯ膜の組成が最適組成よりも酸素が過剰な組成になる。そのため、酸素欠損ドナーの低下によりキャリア濃度が低下して低抵抗膜が形成されなくなる。
【００３０】その改善のために、本発明法ではスパッタガスにＨ２を導入することにより、キャリアの密度と移動度を最適化することが出来るため、より低抵抗のＩＴＯ膜が形成されることとなる。
【００３１】本発明法におけるＨ２導入はＡｒのみでスパッタを行った際、ＩＴＯ膜が過酸化状態になる場合にも有効な方法である。……（略）……」
　
記載事項コ．
【図１】
　
　
３．対比　
　本願発明と引用発明を対比する。　
（ａ）引用発明の「エレクトロルミネセンス表示素子」と、本願発明の「有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス」は「ＬＥＤデバイス」である点で共通している。
　
（ｂ）引用発明の「ＩＴＯ透明導電薄膜」は、エレクトロルミネセンス表示素子の電極として用いることは明らかであるから、本願発明の「第１の電極として役立つ透明な導電性層」に相当する。
　また、引用発明の（１）〜（４）のＩＴＯ透明導電薄膜のキャリア濃度及び抵抗率は何れも、本願発明の「少なくとも７×１０２０ｃｍ−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有」するという概念に包含されることは明らかである。
　　　
（ｃ）引用発明の「スパッタガスＡｒ＋Ｎ２Ｏ」と本願発明の「アルゴン水素処理ガス混合物」は、共にアルゴンを含むものであるから、「アルゴン含有処理ガス混合物」である点で共通している。
　また、引用発明の「スパッタガスＡｒ＋Ｎ２Ｏの存在下でスパッタ法によって基板上に形成したＩＴＯ透明導電薄膜」と本願発明の「透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られた」「透明な導電性層」は、「透明な導電性材料を基板上にアルゴン含有処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られた」「透明な導電性層」である点で共通している。
　　　
（ｄ）本願の発明の詳細な説明の段落【０００７】には「ＯＬＥＤスタックは、少なくとも１つの有機官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有する。」と記載されており、該記載を参酌すると、本願発明の「ＯＬＥＤスタック」は、少なくとも１つの有機官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有するものであるといえる。
　一方、引用発明のエレクトロルミネセンス表示素子が少なくとも１つの官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有していることは自明であるから、引用発明の上記自明な構成である「少なくとも１つの官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有している」ことと、本願発明の「ＯＬＥＤスタックが」「第２の電極として役立つ導電性層および第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えて」いることとは、「ＬＥＤスタックが」「第２の電極として役立つ導電性層および第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの官能層を備えて」いる点で共通しているといえる。
　また、引用発明のエレクトロルミネセンス表示素子がデバイス領域を備えた基板を有し、デバイス領域中に少なくとも１つの官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有していることも自明であるから、引用発明の上記自明な構成である「デバイス領域を備えた基板を有し、デバイス領域中に少なくとも１つの官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極」を有している「エレクトロルミネセンス表示素子」と、本願発明の「デバイス領域を備えた基板；およびデバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス」とは、「デバイス領域を備えた基板；およびデバイス領域中のＬＥＤスタックからなるＬＥＤデバイス」である点で共通しているといえる。
　
　上記（ａ）〜（ｄ）に記載したことからして、本願発明と引用発明は、
「デバイス領域を備えた基板；および
デバイス領域中のＬＥＤスタックからなるＬＥＤデバイスにおいて、
このＬＥＤスタックが、
第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０２０ｃｍ−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、
第２の電極として役立つ導電性層および
第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの官能層を備えており、
透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン含有処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものである、ＬＥＤデバイス。」
である点で一致し、次の各点で相違する。　
　　
相違点（Ａ）　
　本願発明は、ＬＥＤデバイスが有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスであり、デバイス領域中のＬＥＤスタックがＯＬＥＤスタックからなり、ＯＬＥＤスタックが備えている官能層が有機官能層であるのに対して、引用発明は、ＬＥＤデバイス、ＬＥＤスタック及び官能層が、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス、ＯＬＥＤスタック及び有機官能層であるかどうかが不明である点。
　
相違点（Ｂ）　
　透明な導電性材料を基板上にスパッタリングする際のアルゴン含有処理ガス混合物が、本願発明は、アルゴン水素処理ガス混合物であるのに対して、引用発明は、アルゴンと亜酸化窒素との処理ガス混合物（Ａｒ＋Ｎ２Ｏ）である点。
　　　
４．当審の判断　
　上記各相違点について検討する。　
相違点（Ａ）について　
  引用発明のエレクトロルミネセンス表示素子が、有機官能層を備えた有機エレクトロルミネセンス表示素子か無機官能層を備えた無機エレクトロルミネセンス表示素子の何れかであることは明らかであり、特に引用発明のエレクトロルミネセンス表示素子として有機エレクトロルミネセンス表示素子を採用することができない格別の阻害要因があるものとも認められない。
　そうすると、引用発明のエレクトロルミネセンス表示素子として有機エレクトロルミネセンス表示素子を採用し、上記相違点（Ａ）に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得ることであるといわざるを得ない。
　
相違点（Ｂ）について
　引用例２には、ＩＴＯ透明導電材料を基板上にスパッタ法により形成するのに、スパッタガスとしてアルゴンと水素の処理ガス混合物を用いるとキャリアの密度と移動度を最適化でき、より低抵抗のＩＴＯ透明導電膜を形成できることが記載（記載事項ク、ケ、図１の曲線Ｃ参照）されており、キャリア密度を最適化して、より低抵抗のＩＴＯ透明導電薄膜を形成するために、引用発明のスパッタガスに代えて、引用例２に記載されたアルゴンと水素の処理ガス混合物を採用して、上記相違点（Ｂ）に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　　　
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び引用例２に記載された発明から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。　
　　　
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　　
５．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。