【手続補正書】
【提出日】平成18年1月11日(2006.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）前記プローブの端部上の残余を緩和するための材料を含む研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式１を有するシリコーン樹脂、
【化１】
2005515645.tif 000001
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式２を有する化合物、
【化２】
2005515645.tif 000002
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式３を有する化合物、
【化３】
2005515645.tif 000003
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化４】
2005515645.tif 000004
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式１のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式２のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式３のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きい、プローブ洗浄装置。
【請求項２】
前記研磨基板層が、遷移金属、金属合金、複合化合物、または自然発生する材料から選択された材料である、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３】
前記材料が、粉体、粒子、細粒、または結晶体の形状をなしている、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４】
前記研磨基板層が同種または異種である、請求項３に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５】
前記研磨基板層が、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、レニウム、ロジウムおよびコバルトからなる群から選択される遷移金属から構成される、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項６】
前記研磨基板層が、パラジウム／コバルト、モリブデン／クロムおよびチタン／タングステンからなる群から選択される金属合金から構成される、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項７】
前記研磨基板層が、炭化タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化クロム、および窒化チタンからなる群から選択される複合化合物から構成される、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項８】
前記研磨基板層が、シリカ、アルミナ、ダイアモンド、ダイアモンド状炭素からなる群から選択される自然発生する材料から構成される、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項９】
前記研磨基板層が、粗面処理、めっき、エッチング、スタンピング、基板表面の研削、成形またはスパッタリングのうちの一つ以上から得られる表面磨耗を有する、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１０】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式５を有するシリコーン樹脂、
【化５】
2005515645.tif 000005
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式６を有する化合物、
【化６】
2005515645.tif 000006
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式７を有する化合物、
【化７】
2005515645.tif 000007
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化８】
2005515645.tif 000008
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式５のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式６のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式７のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きくなっており、
前記粘着性のゲル層と研磨表面とが交互領域をさらに備える、プローブ洗浄装置。
【請求項１１】
前記粘着性のゲル層の前記交互領域が前記研磨基板層の表面に載置され、または前記粘着性のゲル層の前記交互領域が前記研磨基板層に部分的に埋込まれている、請求項１０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１２】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）樹木状パターンの磨耗を含む研磨表面を備える研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式９を有するシリコーン樹脂、
【化９】
2005515645.tif 000009
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式１０を有する化合物、
【化１０】
2005515645.tif 000010
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式１１を有する化合物、
【化１１】
2005515645.tif 000011
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化１２】
2005515645.tif 000012
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式９のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式１０のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式１１のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きい、プローブ洗浄装置。
【請求項１３】
前記樹木状パターンの磨耗が、前記研磨基板層と同じ材料で、前記材料が遷移金属である、請求項１２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１４】
前記遷移金属が銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、レニウム、ロジウムおよびコバルトからなる群から選択される、請求項１３に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１５】
前記遷移金属が銅である、請求項１４に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１６】
樹木状パターンの磨耗がより硬い材料の被膜をさらに備え、前記被膜が、樹木状パターンの磨耗と同じ構成を有する、請求項１４に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１７】
前記より硬い材料が炭化タングステン、窒化チタン、またはダイアモンドから選択される、請求項１６に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１８】
式１のシリコーンベース樹脂では、ｍおよびｎの合計は約１０〜１０００である、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項１９】
Ｄが酸素ある、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２０】
Ｒ３がビニルである、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２１】
Ｒ４およびＲ５のいずれかまたは両方がメチルである、請求項２０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２２】
架橋化合物が式２である、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２３】
シリコーンベース樹脂が式１を有し、Ｒ３がビニルである、請求項２２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２４】
式１のシリコーンベース樹脂では、Ｒ４およびＲ５のいずれか、または両方がメチルである、請求項２２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２５】
シリコーンベース樹脂が式１を有し、Ｄが酸素である、請求項２２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２６】
架橋化合物が式３を有し、ｐおよびｑの合計が約０〜８００である、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２７】
Ｔが単結合である、請求項２６に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２８】
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１がメチルである、請求項２６に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項２９】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）前記プローブの端部上の残余を緩和するための材料を含む研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）粘度が約２０００〜１０，０００ｃｐｓのビニルシロキサン含有シリコーンベース樹脂と、
（ｂ）ビニル基を含有しない、粘度が約２〜１０００ｃｐｓのヒドロシロキサン含有架橋化合物と、
（ｃ）触媒と、を備える、プローブ洗浄装置。
【請求項３０】
前記研磨基板層が、遷移金属、金属合金、複合化合物または自然発生する材料から選択された材料からなる、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３１】
前記材料が、粉体、粒子、細粒、または結晶体の形状をなしている、請求項３０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３２】
前記研磨基板層が同種または異種である、請求項３１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３３】
前記研磨基板層が、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、レニウム、ロジウムおよびコバルトからなる群から選択される遷移金属から構成される、請求項３０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３４】
前記研磨基板層が、パラジウム／コバルト、モリブデン／クロムおよびチタン／タングステンからなる群から選択される金属合金から構成される、請求項３０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３５】
前記研磨基板層が、炭化タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化クロムおよび窒化チタンからなる群から選択される複合化合物から構成される、請求項３０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３６】
前記研磨基板層が、シリカ、アルミナ、ダイアモンドおよびダイアモンド状炭素からなる群から選択される自然発生する材料から構成される、請求項３０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３７】
前記研磨基板層が、粗面処理、めっき、エッチング、スタンピング、基板表面の研削、成形またはスパッタリングのうちの一つ以上から得られる表面磨耗を有する、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項３８】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）粘度が約２０００〜１０，０００ｃｐｓのビニルシロキサン含有シリコーンベース樹脂と、
（ｂ）ビニル基を含有しない、粘度が約２〜１０００ｃｐｓのヒドロシロキサン含有架橋化合物と、
（ｃ）触媒と、
前記粘着性のゲル層と研磨表面との交互領域とをさらに備える、プローブ洗浄装置。
【請求項３９】
前記粘着性のゲル層の前記交互領域が前記研磨基板層の表面に載置され、または前記粘着性のゲル層の前記交互領域が前記研磨基板層に部分的に埋込まれている、請求項１０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４０】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）樹木状パターンの磨耗を含む研磨表面を備える研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）粘度が約２０００〜１０，０００ｃｐｓのビニルシロキサン含有シリコーンベース樹脂と、
（ｂ）ビニル基を含有しない、粘度が約２〜１０００ｃｐｓのヒドロシロキサン含有架橋化合物と、
（ｃ）触媒と、を備える、プローブ洗浄装置。
【請求項４１】
前記樹木状パターンの磨耗が前記研磨基板層と同じ材料で、前記材料が遷移金属である、請求項４０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４２】
前記遷移金属が、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、レニウム、ロジウムおよびコバルトからなる群から選択される、請求項４１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４３】
前記遷移金属が銅である、請求項４２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４４】
樹木状パターンの磨耗がより硬い材料の被膜をさらに備え、前記被膜が樹木状パターンの磨耗と同じ構成である、請求項４０に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４５】
前記より硬い材料が、炭化タングステン、窒化チタンまたはダイアモンドから選択される、請求項４４に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４６】
前記研磨基板層が同種で、研磨表面を有する単一材料を含む、請求項２に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項４７】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式１３を有するシリコーン樹脂、
【化１３】
2005515645.tif 000013
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式１４を有する化合物、
【化１４】
2005515645.tif 000014
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式１５を有する化合物、
【化１５】
2005515645.tif 000015
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化１６】
2005515645.tif 000016
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式１３のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式１４のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式１５のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きくなっており、
前記研磨基板層が、保護基板上部に設けられている、プローブ洗浄装置。
【請求項４８】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式１７を有するシリコーン樹脂、
【化１７】
2005515645.tif 000017
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式１８を有する化合物、
【化１８】
2005515645.tif 000018
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式１９を有する化合物、
【化１９】
2005515645.tif 000019
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化２０】
2005515645.tif 000020
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式１７のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式１８のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式１９のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きくなっており、
前記研磨基板層が異種で、
（Ａ）材料の第一の層と、
（Ｂ）研磨表面を有する前記第一の層とは異なる材料の第二の層と
を備える、プローブ洗浄装置。
【請求項４９】
前記粘着性のゲル層が、自己回復作用を有する、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５０】
前記粘着性のゲル層が、自己回復作用を有する、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５１】
前記粘着性のゲル層が、約２．０〜５．０ｗｔ％の架橋化合物を含む、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５２】
前記粘着性のゲル層が、約２．０〜３．０ｗｔ％の架橋化合物を含む、請求項５１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５３】
触媒が硬化触媒である、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５４】
前記硬化触媒がプラチナを含有する触媒である、請求項５３に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５５】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式２１を有するシリコーン樹脂、
【化２１】
2005515645.tif 000021
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式２２を有する化合物、
【化２２】
2005515645.tif 000022
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式２３を有する化合物、
【化２３】
2005515645.tif 000023
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化２４】
2005515645.tif 000024
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式２１のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式２２のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式２３のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きくなっており、
前記粘着性のゲル層の表面に設けられる取り外し可能な保護膜をさらに備える、プローブ洗浄装置。
【請求項５６】
前記粘着性のゲル層が、約２．０〜５．０ｗｔ％の架橋化合物を含む、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５７】
前記粘着性のゲル層が、約２．０〜３．０ｗｔ％の架橋化合物を含む、請求項５６に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５８】
触媒が硬化触媒である、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項５９】
前記硬化触媒がプラチナを含有する触媒である、請求項５８に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項６０】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）粘度が約２０００〜１０，０００ｃｐｓのビニルシロキサン含有シリコーンベース樹脂と、
（ｂ）ビニル基を含有しない、粘度が約２〜１０００ｃｐｓのヒドロシロキサン含有架橋化合物と、
（ｃ）触媒と、を備え、
前記粘着性のゲル層の表面に設けられる取り外し可能な保護膜と、をさらに備える、プローブ洗浄装置。
【請求項６１】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）式２５を有するシリコーン樹脂、
【化２５】
2005515645.tif 000025
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素、Ｃｌ−６アルキル、Ｃｌ−６ハロアルキル、ビニルまたはＣｌ−６アクリルオキシアルキルから独立して選択され、少なくともＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうちの一つはビニル基であり、
Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｒＣＨ２Ｏ−、および−Ｏ（ＣＨ２）ｒＣＨ２−、からなる群から選択された二価の結合であって、ｒは０〜１０の整数であり、
ｎおよびｍは、独立して約０〜１０００の整数であり、ｎおよびｍの合計は約１０以上である。）
（ｂ）（ｉ’）式２６を有する化合物、
【化２６】
2005515645.tif 000026
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、ｍ’およびｎ’は、式中においてビニルが存在しておらず、かつ少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｍおよびｎを形成する基から独立して選択される。）、または
（ｉｉ’）式２７を有する化合物、
【化２７】
2005515645.tif 000027
（式中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、式中において少なくとも２つのＳｉ−Ｈ結合を有するという条件で、水素、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから独立して選択され、
ｐおよびｑは、独立して０〜８００の整数であり、そして
Ｔは、単結合、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２−、−（ＣＨ２）ｔＣＨ２Ｏ−、または
【化２８】
2005515645.tif 000028
（式中、
ｔは、０〜１０の整数；Ｒは、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０ハロアルキル、フェニルまたはＣ１−１０アルキルフェニルから選択され；ｓは、０〜８００の整数；
からなる基から選択される）からなる基から選択される。）から選択された架橋化合物、および
（ｃ）触媒を含み、
さらに、
式２５のｍおよびｎの値の合計によって定義されるシリコーンベース樹脂の鎖長は、式２６のｍ’およびｎ’の値の合計によって定義される、あるいは、式２７のｐ、ｑおよびｓの値の合計によって定義される架橋化合物の鎖長よりも常に大きい、プローブ洗浄装置。
【請求項６２】
半導体ウエハのテストに用いられるプローブの端部を洗浄するためのプローブ洗浄装置であって、
（ｉ）研磨基板層と、
（ｉｉ）前記研磨基板層の表面と接触する粘着性のゲル層とを備え、
前記粘着性のゲル層が、
（ａ）粘度が約２０００〜１０，０００ｃｐｓのビニルシロキサン含有シリコーンベース樹脂と、
（ｂ）ビニル基を含有しない、粘度が約２〜１０００ｃｐｓのヒドロシロキサン含有架橋化合物と、
（ｃ）触媒と、を備える、プローブ洗浄装置。
【請求項６３】
前記研磨基板層が磨耗を含み、
前記磨耗の少なくとも２つの間の大きさは、プローブ先端部の幅よりも小さい、請求項１に記載のプローブ洗浄装置。
【請求項６４】
前記研磨基板層が磨耗を含み、
前記磨耗の少なくとも２つの間の大きさは、プローブ先端部の幅よりも小さい、請求項２９に記載のプローブ洗浄装置。