【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４０９７２８１号「非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造及びこれを構成する接続方法」の特許無効審判事件についてされた平成２３年　３月　９日付け審決に対し，東京高等裁判所において審決取消の判決（平成２３年（行ケ）第１０１４９号　平成２３年１２月２２日判決言渡）があったので，さらに審理のうえ，次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第４０９７２８１号の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は，被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　経緯
　本件は，特許第４０９７２８１号（発明の名称「非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造及びこれを構成する接続方法」，平成２０年３月２１日設定登録）の請求項１ないし４（本件の登録時の請求項５は，後記のとおり，平成２１年３月２３日の訂正請求により削除され，確定した。）に記載された発明についての特許を無効とするとの審決を求めるものである。
　その経緯概要は，次のとおりである。
平成１８年　４月　６日　特許出願（特願２００６−１０５１７７号）
平成２０年　３月２１日　設定登録（特許第４０９７２８１号）
平成２０年１０月　３日　無効審判請求書
平成２０年１２月２６日　訂正請求書（第１回）・答弁書（第１回）
平成２１年　２月１２日　弁駁書（第１回）
平成２１年　２月２０日　補正許否の決定
　（弁駁書による請求の理由の補正を認める旨の決定）
平成２１年　３月２３日　訂正請求書（第２回）・答弁書（第２回）
平成２１年　４月２３日　弁駁書（第２回）
平成２１年　６月　４日　口頭審理陳述要領書（請求人）
平成２１年　６月　４日　口頭審理陳述要領書（被請求人）
平成２１年　６月　８日　口頭審理陳述要領書（被請求人）
平成２１年　６月１８日　口頭審理
平成２１年　７月　２日　上申書（被請求人，第１回）
平成２１年　７月　３日　上申書（請求人，第１回）
平成２１年　８月１８日　審決（「訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」以下，「1次審決」という。）
平成２１年　８月２９日（審決送達日）
平成２１年　９月２５日　知的財産高等裁判所出訴（請求人原告，平成２１年（行ケ）第１０２９５号）
平成２２年　５月２６日　判決言渡（１次審決取消。以下，「１次判決」という。）
平成２２年　６月１４日　訂正請求申立書
平成２２年　７月１５日　訂正請求書（第３回）
平成２２年　８月２０日　弁駁書（第３回）
平成２２年　９月２４日　答弁書（第３回）
平成２２年１０月２２日　訂正拒絶理由通知
平成２２年１１月２２日　意見書・手続補正書
平成２２年１２月２２日　上申書（請求人）
平成２３年　３月　９日　審決（「訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」以下，「２次審決」という。）
平成２３年　３月２９日（審決送達日）
平成２３年　４月２８日　知的財産高等裁判所出訴（請求人原告，平成２３年（行ケ）第１０１４９号。）
平成２３年１２月２２日　判決言渡（２次審決取消。以下，「２次判決」という。）
　
２　判決言渡（平成２３年１２月２２日）以降の経緯
　上記のとおり，平成２３年１２月２２日に，平成２３年（行ケ）第１０１４９号事件について，「特許庁が無効２００８−８００１９６号事件について平成２３年３月９日にした審決を取り消す。」旨の判決（２次判決）が言渡され，同判決は確定した。
　その後，特許法１３４条の３第１項に規定された期間が経過したが，被請求人から，同規定に基づく申立てはなかった。
　また，平成２４年３月２２日付けで，請求人から上申書が提出された。その内容は，上記裁判事件において，請求人から提出された証拠（甲１０号証ないし甲１５号証）の写しを提出するものである。
　
第２　訂正の適否
　平成２２年７月１５日付け訂正請求（以下，「本件訂正請求」という。）の可否について検討する。
　
１　訂正の内容について
（１）本件訂正請求の内容は，特許請求の範囲，明細書及び図面の記載を，平成２２年７月１５日付けの訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであり，その内容は以下のとおりである。ただし，同訂正請求書の訂正事項は，平成２２年１１月２２日付け手続補正書によって補正された。
　なお，本件登録時の請求項５及び明細書の段落【００１６】，【００２１】を削除する訂正は，１次審決の謄本が送達された平成２１年８月２９日に確定した。
　
ア　特許請求の範囲の訂正
（ア）本件訂正前の特許請求の範囲請求項１ないし４の記載は，次のとおりである。（以下，本件訂正前の請求項１ないし４に係る発明を，順に「本件発明１」ないし「本件発明４」といい，総称して「本件発明」という。）
「【請求項１】　
　銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造。　
【請求項２】　
　銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルをＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から加熱しながら加圧し，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。　
【請求項３】　
　前記加熱しながら加圧する操作を傍熱型抵抗溶接によって行うこととした請求項２の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。　
【請求項４】　
　前記加熱しながら加圧する操作に於ける加熱温度及び加圧力を，それぞれ，前記巻線型コイルと前記ＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように実験的に決定する請求項２又は３の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」　
　
（イ）本件訂正後の特許請求の範囲請求項１ないし４の記載は，次のとおりである（ただし，平成２２年１１月２２日付け手続補正後のものである。）。（下線は，訂正部分である。以下，本件訂正後の請求項１ないし４に係る発明を，順に「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明４」といい，総称して「本件訂正発明」という。
「【請求項１】
　
線径６０〜７０μｍの
厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜
該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧することによって，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに
【請求項２】
　
線径６０〜７０μｍの
厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜
該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリア
【請求項３】
　前記加熱しながら加圧する操作を傍熱型抵抗溶接によって行うこととした請求項２の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。
【請求項４】
　前記加熱しながら加圧する操作に於ける加熱温度及び加圧力を，それぞれ，前記巻線型コイルと前記ＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように実験的に決定する請求項２又は３の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」　
　
イ　明細書の訂正
　本件訂正は，本件発明に係る明細書について，次の訂正事項を含むものである。（以下，本件発明に係る明細書を「本件明細書」と，また，本件訂正発明に係る明細書を「本件訂正明細書」という。）
（ア）段落【００１２】の
「本発明の１は，銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造である。」との記載を，
「本発明の１は，線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子とを，該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧することによって，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造である。」とする訂正。
　
（イ）段落【００１３】の
「本発明の２は，銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルをＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から加熱しながら加圧し，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」との記載を，
「本発明の２は，線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルをＩＣチップの最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」とする訂正。
　
（ウ）段落【００１７】の
「本発明の１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造によれば，巻線型コイルとＩＣチップの接続端子とを，前者と後者の最外層のＡｕ膜との界面付近に形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接続するものであるため，その高い機械的強度の接続を確保し，かつ良好な電気的接続を確保することができる。先に述べた半田付けその他を用いた接合の場合の諸問題の発生の余地がないのは云うまでもない。」との記載を，
「本発明の１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造によれば，線径６０〜７０μｍの巻線型コイルとＩＣチップの最外層が厚さ１０〜１５μｍのＡｕ膜である接続端子とを，該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧し，巻線型コイルと接続端子の最外層のＡｕ膜とを，両者の界面全体の少なくとも１／２を越えるエリアに形成させたＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接続するものであるため，その高い機械的強度の接続を確保し，かつ良好な電気的接続を確保することができる。先に述べた半田付けその他を用いた接合の場合の諸問題の発生の余地がないのは云うまでもない。」とする訂正。
　
（エ）段落【００１８】の
「本発明の２の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法によれば，巻線型コイルとＩＣチップの接続端子の最外層のＡｕ膜との界面付近に容易かつ確実にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成することが可能であり，これによって低コストで良好に本発明の１の非接触ＩＣカード用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を作製することができる。」との記載を，
「本発明の２の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法によれば，線径６０〜７０μｍの巻線型コイルとＩＣチップの接続端子の最外層の厚さ１０〜１５μｍのＡｕ膜との界面付近に該界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアに容易かつ確実にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成することが可能であり，これによって低コストで良好に本発明の１の非接触ＩＣカード用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を作製することができる。」とする訂正。
　
（オ）段落【００２２】の
「本発明は，図３及び図４に示すように，銅製の巻線型コイル１とＩＣチップ２の最外層がＡｕ膜（金膜）３ａで構成された接続端子３とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造，並びに，図１に示すように，銅製の巻線型コイル１をＩＣチップ２の最外層がＡｕ膜３ａで構成された接続端子３に直接接合して該接属構造を作製する非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」との記載を，
「本発明は，図３及び図４に示すように，線径６０〜７０μｍの銅製の巻線型コイル１とＩＣチップ２の最外層が厚さ１０〜１５μｍのＡｕ膜（金膜）３ａで構成された接続端子３とを，両者の界面付近に，その界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアに加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造，並びに，図１に示すように，銅製の巻線型コイル１をＩＣチップ２の最外層がＡｕ膜３ａで構成された接続端子３に直接接合して該接属構造を作製する非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」とする訂正。
　
（カ）段落【００２３】の
「なお，該接続方法に於ける接続は，図１に示すように，巻線型コイル１を接続端子３上に載せた上で，前者の上から加熱しながら加圧する操作で行うものであり，これによって両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させることにより，前記接続構造を作製し，巻線型コイル１と接続端子３との確実な接続を確保するものである。」との記載を，
「なお，該接続方法に於ける接続は，図１に示すように，巻線型コイル１を接続端子３上に載せた上で，該巻線型コイルの上から，その絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイル１に生じる圧痕６が該接続端子３の最外層の金膜３ａの上面を越えない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイル１の該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧する操作で行うものであり，これによって両者の界面付近に，前記のように，その界面全体の少なくとも１／２を越えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させることにより，前記接続構造を作製し，巻線型コイル１と接続端子３との確実な接続を確保するものである。」とする訂正。
　
（キ）段落【００２８】の
「前記加熱しながら加圧する操作は，前記巻線型コイル１の所定部位を接続端子３上に載せた上で，図１に示すように，前者の上から行うものであり，これによって，図３及び図４に示すように，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させることができる手段を自由に採用することができる。」との記載を，
「前記加熱しながら加圧する操作は，前記巻線型コイル１の所定部位を接続端子３上に載せた上で，図１に示すように，前者の上から行うものであり，これによって，図３及び図４に示すように，両者の界面付近に，その界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させる。」とする訂正。
　
（ク）段落【００２９】の
「例えば，この手段として，図１に示すように，傍熱型抵抗溶接を採用し，その電極４で，これに，矢印ａ１に示すように電流を流して発熱させ，その熱を矢印ａ２に示すように該電極４から巻線型コイル１及びこれを介した接続端子３に伝えながら，矢印ａ３に示すように，該電極４で該巻線型コイル１を加圧する方法を採用することができる。これを採用した場合は，電極４を高抵抗で耐熱性の良い，例えば，タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の金属で適切に構成すれば，実用レベルの電流で，所望の高温度を容易に発生し得，ＩＣチップ２の接続端子３上に配した巻線型コイル１に必要な加熱及び加圧を行うことができる。」との記載を，
「例えば，この手段として，図１に示すように，傍熱型抵抗溶接を採用し，その電極４で，これに，矢印ａ１に示すように電流を流して発熱させ，その熱を矢印ａ２に示すように該電極４から巻線型コイル１及びこれを介した接続端子３に伝えながら，矢印ａ３に示すように，該電極４で該巻線型コイル１を加圧する方法を採用することができる。これを採用した場合は，電極４を高抵抗で耐熱性の良い，例えば，タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の金属で適切に構成すれば，実用レベルの電流で，所望の高温度を容易に発生し得，ＩＣチップ２の接続端子３上に配した巻線型コイル１に必要な加熱及び加圧を行い，図２〜図４に示すように，圧痕６を形成することができる。」とする訂正。
　
（ケ）段落【００３２】の
「また前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させる「界面付近」は，銅製の巻線型コイル１の所定部位と接続端子３との当接面の範囲の観点からは，その全面積の内の少なくとも１／２以上の面積を占めるエリアであり，このエリアはできるだけ広いことが望ましい。該当接面の両側の範囲の観点からは，当接界面から数原子層から数十原子層の厚さの範囲であり，この範囲で前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５が形成されれば実用上十分な接着強度が得られる。」との記載を
「また前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させる「界面付近」は，前記したように，銅製の巻線型コイル１の所定部位と接続端子３との当接面の範囲の観点からは，その全面積の内の少なくとも１／２以上の面積を占めるエリアであり，このエリアはできるだけ広いことが望ましい。該当接面の両側の範囲の観点からは，当接界面から数原子層から数十原子層の厚さの範囲であり，この範囲で前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５が形成されれば実用上十分な接着強度が得られる。」とする訂正。
　
（コ）段落【００３７】の
「従って本発明の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造，並びに，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法によれば，巻線型コイル１とＩＣチップ２の接続端子３とについて，前者の銅芯線１ｂと後者の最外層のＡｕ膜３ａとの界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成することにより，低コストで高い接着強度の機械的接続を確保し，かつ電気的にも良好な接続を確保することができる。より具体的に述べれば，巻線型コイル１とＩＣチップ２の接続端子３との接合部の融点が，その界面付近に形成したＡｕ−Ｃｕ全率固溶体の合金層５により，１０００℃を越え，該接合部の半田を介した接続の欠点である，低い使用可能温度域の問題や脆い化合物層形成の問題も回避されるので，その信頼性は著しく高いものとなる。」との記載を，
「従って本発明の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造，並びに，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法によれば，巻線型コイル１とＩＣチップ２の接続端子３とについて，前者の銅芯線１ｂと後者の最外層のＡｕ膜３ａとの界面付近に，その界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成することにより，低コストで高い接着強度の機械的接続を確保し，かつ電気的にも良好な接続を確保することができる。より具体的に述べれば，巻線型コイル１とＩＣチップ２の接続端子３との接合部の融点が，その界面付近に形成したＡｕ−Ｃｕ全率固溶体の合金層５により，１０００℃を越え，該接合部の半田を介した接続の欠点である，低い使用可能温度域の問題や脆い化合物層形成の問題も回避されるので，その信頼性は著しく高いものとなる。」とする訂正。
　
（サ）段落【００５０】の
「１　　巻線型コイル
１ａ　絶縁膜
１ｂ　銅芯線
２　　ＩＣチップ
３　　接続端子
３ａ　Ａｕ膜（金膜）
３ｂ　中間層
３ｃ　最下層
４　　電極
５　　Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層
ａ１　電流の流れる方向を示す矢印
ａ２　熱の伝達方向を示す矢印
ａ３　加圧方向を示す矢印」との記載を，
「１　　巻線型コイル
１ａ　絶縁膜
１ｂ　銅芯線
２　　ＩＣチップ
３　　接続端子
３ａ　Ａｕ膜（金膜）
３ｂ　中間層
３ｃ　最下層
４　　電極
５　　Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層
６　　圧痕
ａ１　電流の流れる方向を示す矢印
ａ２　熱の伝達方向を示す矢印
ａ３　加圧方向を示す矢印」とする訂正。
　
ウ　図面の訂正
　本件訂正は，添付された図面について，図１ないし図５を，圧痕の位置を示すために図面番号を付した図１ないし図５とする訂正を含むものである。
　
（２）本件訂正の内容
　上記（１）によれば，本件訂正は，以下の訂正事項よりなるものである。
[訂正事項１]
　請求項１，２の「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」を，「線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」とする訂正。
[訂正事項２]
　請求項１，２の「最外層が金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」を，「最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」とする訂正。
[訂正事項３]
　請求項１の「加熱加圧」及び請求項２の「加熱しながら加圧」を，それぞれ「該巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，塑性変形後の巻線形コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧」（請求項１）及び「該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧」（請求項２）とする訂正。
[訂正事項４]
　請求項１の「両者の界面付近に・・・形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」及び請求項２の「両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成」を，それぞれ「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」（請求項１）及び「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」（請求項２）とする訂正。
[訂正事項５]
　発明の詳細な説明を，上記訂正事項１ないし訂正事項４の訂正事項に整合させる訂正。
[訂正事項６]
　上記訂正事項４に伴い，「圧痕」の位置を示すための図面及び明細書の訂正。
　
２　訂正の適否について　
（１）訂正の目的の適否
ア　訂正事項１ないし訂正事項４の目的
　訂正事項１は，請求項１，２の「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」を，線径６０〜７０μｍのものに限定するものである。
　訂正事項２は，請求項１，２の「最外層が金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」を厚さ１０〜１５μｍの金膜のものに限定するものである。
　訂正事項３は，請求項１，２の「加熱加圧」あるいは「加熱しながら加圧」を，「巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲」で加熱し，「塑性変形後の巻線形コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力」で加圧するものに限定するものである。
　訂正事項４は，請求項1，２の，「両者の界面付近に・・・形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」あるいは「両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成」を，「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに」（請求項１）あるいは「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアに」（請求項２）形成したものに限定するものである。
　したがって，訂正事項１ないし訂正事項４は，訂正前の発明を特定するための事項を，その下位概念のものに訂正するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
イ　訂正事項５，訂正事項６の目的
　訂正事項５及び訂正事項６は，訂正事項１ないし訂正事項４の訂正に伴い，特許請求の範囲の記載と，発明の詳細な説明及び図面の記載を整合させるためのものであるから，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２）新規事項の追加の有無
ア　特許明細書の記載事項
（ア）本件特許がされた明細書（以下，「本件特許明細書」という。）及び図面には以下のとおり記載されている。　
　「【００１１】本発明は、以上の観点から、非接触ＩＤ識別装置用アンテナコイルとして、銅電線を巻線する方法で作成されたコイル抵抗のばらつきの少ない巻線型コイルを採用し、更にＩＣチップの接続端子として保管中の劣化の少ない最外層がＡｕであるメタライゼーションを備えたそれを用い、コストの低い直接法による相互の接続を選択し、かつこれを改良して電気的及び機械的に良好な接続を確保することのできる非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造、並びにこれを容易かつ確実に作製することのできる非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法を提供することを解決の課題とする。」
　「【００１２】本発明の１は，銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造である。」
　「【００１３】本発明の２は，銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルをＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から加熱しながら加圧し，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」
　「【００２２】本発明は，図３及び図４に示すように，銅製の巻線型コイル１とＩＣチップ２の最外層がＡｕ膜（金膜）３ａで構成された接続端子３とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造，並びに，図１に示すように，銅製の巻線型コイル１をＩＣチップ２の最外層がＡｕ膜３ａで構成された接続端子３に直接接合して該接属構造を作製する非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法である。」　
　「【００３２】また前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させる「界面付近」は，銅製の巻線型コイル１の所定部位と接続端子３との当接面の範囲の観点からは，その全面積の内の少なくとも１／２以上の面積を占めるエリアであり，このエリアはできるだけ広いことが望ましい。該当接面の両側の範囲の観点からは，当接界面から数原子層から数十原子層の厚さの範囲であり，この範囲で前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５が形成されれば実用上十分な接着強度が得られる。」
　「【００３３】前記加熱しながら加圧する操作に於ける加熱温度及び加圧力は，それぞれ，前記巻線型コイル１と前記ＩＣチップ２の接続端子３との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させ得るように，実験的に決定する。より具体的には，前記加熱温度は，前記傍熱型抵抗溶接に於ける電極４を含む加熱加圧手段を接続端子３上の巻線型コイル１に当接し，その熱を該巻線型コイル１→接合面→Ａｕ膜３ａと伝達した場合に，加圧された該巻線型コイル１の銅芯線１ｂをＡｕ膜３ａに対して相対的に塑性流動させ得る温度とすべきものであり，絶縁膜１ａを溶融させてＡｕ膜３ａと銅芯線１ｂとの界面で金と銅との原子を直接接触させ得る温度とすべきものである。一方，銅芯線１ｂの表面を酸化させたり，ＩＣチップ２に損傷を与えることのない温度とすべきでもある。また前記加圧力は，同様の場合に，十分に塑性流動させ得ると共に，ＩＣチップ２に損傷を与えることのないそれとすべきである。」　
　「【００３４】前記加熱温度は，以上のように制御すべきものであるが，前記のように，傍熱型抵抗溶接法を用いる場合は，これに供給する電流及び供給時間を制御し，これによって発生する熱量を制御し，それによって得られた接合結果からより適切な電流値及び供給時間を決定するというやり方が適当である。またこのような電流の制御は通常電圧を制御することによって行うことになる。それ故，加熱温度の制御は，多くの場合，直接的には，電極４に加える電圧及び印加時間を適切な加熱温度に対応する電圧及び印加時間に制御することで行うことになる。」
　「【００３５】電線の元の線径φＤに対する塑性変形後の厚さｔの割合は，接合部の信頼性を左右する重要なパラメータであることが知られている。Ａｕ膜３ａ及び銅芯線１ｂの融点より著しく低い温度で接続が行われる本発明の接続方法では特に重要である。これは，材料の種類，組み合わせ，材料の性質に左右されるが，本件の最外層がＡｕ膜３ａである接続端子３と銅製の巻線型コイル１との組み合わせについては，図５に示すように，ｔ／Ｄ（電線の元の線径φＤに対する塑性変形後の厚さｔの比率）は０．１を越え，かつ０．８以下の広い範囲で安定した接合強度が得られている。」
　「【００３６】前記加圧力は，各々の融点以下の比較的低い温度（実験結果からは５００℃以下の界面温度と推定される）での金と銅の原子の相互拡散をその界面近傍に於ける塑性流動によって助長・促進させるためには，前記のような塑性変形の範囲内になるように設定すべきものである。もっともｔ／Ｄが０．１に近づくと接続端子３を介してＩＣチップ２にストレスがかかり，チップ不良率が若干高くなる傾向があるので，近づきすぎないようにするのが好ましい。」　
　「【実施例１】【００３８】図１に示すように，巻線型コイル１として銅芯線１ｂに絶縁膜１ａを施した銅電線で作製したそれを採用し，該巻線型コイル１の所定部位をＩＣチップ２の接続端子３の最外層のＡｕ膜３ａ上に載置した上で，その巻線型コイル１の上から電極４を当接させ，該電極４に電流を流して発熱させつつ加圧した。」
　「【００３９】＜接合対象＞
　巻線型コイル１の線径：φ７０μｍ±３μｍ（絶縁膜１ａ：ポリウレタン皮膜）　ＩＣチップ２：□１０００μｍ，Ｔｉ−Ｗ−Ａｕ（接続端子３，Ａｕ膜３ａの厚さ１０μｍ）
　＜加熱・加圧手段＞
　電極４：Ｗ（タングステン）製，傍熱型
　＜溶接条件＞
　溶接電圧：１．８Ｖ
　通電時間：０．５秒
　加圧力　：８０ｇ」
　「【００４０】以下の表１に示すように，この実施例１によって接合したＩＣチップ２の接続端子３と巻線型コイル１との接合には，従来の半田付け，熱圧着及び超音波溶接によって接合した場合と比較して，いずれにも劣らない十分に強力な接着強度が得られ，かつ温度サイクル不良率も極めて低く，これによって本発明の有効性が理解される。」
　「【実施例２】【００４４】巻線型コイル１として銅芯線１ｂに絶縁膜１ａを施した銅電線で作製したそれを採用し，該巻線型コイル１の所定部位とＩＣチップ２の接続端子３との接合を，実施例１と同様の操作で行った。」
　「【００４５】＜接合対象＞
　巻線型コイル１の線径：φ６０μｍ±３μｍ（絶縁膜１ａ：ポリウレタン被膜）ＩＣチップ２：□９００μｍ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｕ（接続端子３，Ａｕ膜３ａの厚さ１５μｍ）
　＜加熱・加圧手段＞
　電極４：Ｍｏ（モリブデン）製，傍熱型
　＜溶接条件＞
　溶接電圧：１．１Ｖ
　通電時間：０．９秒
　加圧力　：７０ｇ」
　「【００４６】以下の表２に示すように，この実施例２によって接合したＩＣチップ２の接続端子３と巻線型コイル１との接合には，実施例１のそれと同様に，十分な接着強度が得られ，かつ温度サイクル不良率も極めて低い。これによって更に本発明の有効性が理解される。」
　
（イ）上記記載事項から，本件特許明細書には，次のことが記載されている。
ａ　本件発明は，非接触ＩＤ識別装置用アンテナコイルとして，コイル抵抗のばらつきの少ない巻線型コイルを採用し，ＩＣチップの接続端子として保管中の劣化の少ない最外層が金であるメタライゼーションを備えたそれを用い，電気的及び機械的に良好な接続を確保することのできる非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造等を提供することを課題とするものである（【００１１】）。
ｂ　本件発明１は，銅製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が金で構成された接続端子とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接合した非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造であり，本件発明２は，ＩＣチップの最外層が金で構成された接続端子の上に銅製の巻線型コイルを載せ，かつ，巻線型コイルの上から加熱しながら加圧し，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした接続方法である（【００１２】，【００１３】）。
ｃ　巻線型コイルの線径を７０μｍ±３μｍとし，金膜の厚さを１０μｍとする実施例１と，巻線型コイルの線径を６０μｍ±３μｍとし，金膜の厚さを１５μｍとする実施例２では，いずれの場合も，従来の半田付け，熱着圧又は超音波溶接による接合に劣らない十分に強力な接着強度が得られ，かつ，温度サイクル不良率も極めて低く，本件発明の有効性が理解される（【００３８】〜【００４０】，【００４４】〜【００４６】）。
　
イ　新規事項の追加の有無についての検討
（ア）訂正事項１について
　本件特許明細書には，本件特許明細書には，線径７０μｍの巻線型コイルを接続端子のＡｕ膜上に載置し，加熱加圧することにより全率固溶体を生成し，巻線型コイルと接続端子を接続する実施例（「実施例１」。【００３８】〜【００４０】），及び線径６０μｍの巻線型コイルを接続端子のＡｕ膜上に載置し，加熱加圧することにより全率固溶体を生成し，巻線型コイルと接続端子を接続する実施例（「実施例２」。【００４４】〜【００４６】）が示されている。
　本件特許明細書には，線径が６０μｍないし７０μｍの間の数値の巻線型コイルについては，直接的な記載はないものの，上記各実施例の記載からすると，本件明細書に接した当業者にとっては，巻線型コイルの線径が６０μｍないし７０μｍの間の数値の場合についても，各実施例と同様の作用効果を奏することは自明であるということができるから，本件明細者には，巻線型コイルの線径が６０μｍないし７０μｍの間の数値の場合についても，実質的に示されているといえる。
　したがって，「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」を，「線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」とする訂正は，願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり，新規事項を追加するものではない。
　
（イ）訂正事項２について
ａ　本件特許明細書には，本件発明について，概略，次の記載がある。
（ａ）本件発明は，非接触ＩＤ識別装置用アンテナコイルとして，コイル抵抗のばらつきの少ない巻線型コイルを採用し，ＩＣチップの接続端子として保管中の劣化の少ない最外層が金であるメタライゼーションを備えたそれを用い，電気的及び機械的に良好な接続を確保することのできる非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造等を提供することを課題とするものである（【００１１】）。
（ｂ）本件発明１は，銅製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が金で構成された接続端子とを，両者の界面付近に加熱加圧によって形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接合した非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造であり，本件発明２は，ＩＣチップの最外層が金で構成された接続端子の上に銅製の巻線型コイルを載せ，かつ，巻線型コイルの上から加熱しながら加圧し，両者の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした接続方法である（【００１２】〜【００１３】）。
（ｃ）巻線型コイルの線径を７０μｍ±３μｍとし，金膜の厚さを１０μｍとする実施例１と，巻線型コイルの線径を６０μｍ±３μｍとし，金膜の厚さを１５μｍとする実施例２では，いずれの場合も，従来の半田付け，熱着圧又は超音波溶接による接合に劣らない十分に強力な接着強度が得られ，かつ，温度サイクル不良率も極めて低く，本件発明の有効性が理解される（【００３９】【００４０】【００４５】【００４６】）。
ｂ　訂正事項２は，本件発明の請求項１，２の「最外層が金（Ａｕ）で構成された接続端子」を，「最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」と訂正するものである。
　本件特許明細書には，金膜の厚さを１０μｍと１５μｍの間の数値とした場合についての実施例等の記載はないものの，１０μｍ又は１５μｍの厚さの金膜で構成されたＩＣチップの接続端子の場合には，いずれもＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して巻線型コイルと接合したという上記各実施例についての記載からすると，本件特許明細書に接した当業者にとっては，金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍの間の数値とした場合についても，上記実施例と同様の作用効果を奏することは自明であるということができる。
　したがって，訂正事項２の訂正は，本件特許明細書に記載された事項の範囲内での訂正であり，新規事項の追加に当たるものとは認められない。
　
（ウ）訂正事項３について
　本件特許明細書には，加熱温度及び加圧力に関し，加圧された該巻線型コイルの銅芯線をＡｕ膜に対して相対的に塑性流動させ得る温度であって，絶縁膜を溶融させてＡｕ膜と銅芯線との界面で金と銅との原子を直接接触させ得る温度とすべきものであること（【００３３】），及び，電線の元の線径φＤに対する塑性変形後の厚さｔの割合として，ｔ／Ｄ（電線の元の線径φＤに対する塑性変形後の厚さｔの比率）は０．１を越え，かつ０．８以下の広い範囲で安定した接合強度が得られることが記載されている（【００３５】，【００３６】）。
　したがって，「加熱加圧」を，「該巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，塑性変形後の巻線形コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧」（請求項１）あるいは「該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧」（請求項２）とする訂正は，願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり，新規事項を追加するものではない。
　
（エ）訂正事項４について
ａ　「圧痕」について
　本件特許明細書には，「加圧された該巻線型コイル１の銅芯線１ｂをＡｕ膜３ａに対して相対的に塑性流動させ」（【００３３】），「電線の元の線径φＤに対する塑性変形後の厚さｔの割合は，接合部の信頼性を左右する重要なパラメータ」（【００３４】）と記載されている。ここで，図３を参照すれば，元の線径Ｄと塑性変形後の厚さｔが図示されており，巻線型コイルに形成された凹部の底面と接続端子の最外層までの厚さがｔであることから，当該凹部は巻線型コイルの銅と接続端子のＡｕを塑性流動させるための加熱加圧によって生じたものであることが理解でき，本件発明における「圧痕」の用語が，上記凹部の呼称であることは，特許請求の範囲の記載から明らかである。
ｂ　「圧痕」が形成される範囲について
　また，本件特許明細書には，「圧痕」が形成される範囲については，明示されていないものの，圧痕は，上記のとおり，巻線型コイルの銅と接続端子のＡｕを塑性流動させるための加熱加圧によって生じるものであって，図面，特に図３，図４を参照すれば，接続端子のＡｕ／Ｃｕ全率固溶体は接続端子の最外層の金膜上面内に形成されていることから，実質的に，「接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲」又は「接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲」に形成されていると認められる。
　したがって，本件特許明細書及び図面の記載を総合すれば，「圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され」（請求項１）又は「圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され」（請求項２）は，本件特許明細書又は図面に記載された範囲内のものである。
ｃ　Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体を「該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成」について
　本件特許明細書には，「また前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５を形成させる「界面付近」は，銅製の巻線型コイル１の所定部位と接続端子３との当接面の範囲の観点からは，その全面積の内の少なくとも１／２以上の面積を占めるエリアであり，このエリアはできるだけ広いことが望ましい。該当接面の両側の範囲の観点からは，当接界面から数原子層から数十原子層の厚さの範囲であり，この範囲で前記Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体の合金層５が形成されれば実用上十分な接着強度が得られる。」（【００３２】）と記載されていることから，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が「界面付近」，すなわち「巻線型コイルと接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリア」に形成されることは明らかである。
ｄ　以上のことから，「両者の界面付近に形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」を，「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」（請求項１）あるいは「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体」（請求項２）とする訂正は，願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてするものであり，新規事項を追加するものではない。
　
（オ）訂正事項５及び訂正事項６について
　訂正事項５は，発明の詳細な説明を上記訂正事項１ないし訂正事項４の訂正事項に整合させるための訂正であって，新規事項を追加するものではない。
　また，訂正事項６は，上記訂正事項４に伴い，「圧痕」の位置を示すための図面及び明細書の訂正であるから，訂正事項６と同様の理由により，新規事項を追加するものではない。
　
（３）拡張・変更の存否
　上記（１）（２）のとおり，各訂正事項は，特許請求の範囲を減縮する訂正，又は特許請求の範囲の減縮に伴い，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を整合させるための訂正であって，特許請求の範囲を実質上拡張したり変更するものではない。
　
３　訂正の適否についての請求人の主張
（１）審判請求人は，平成２２年８月２０日付け審判事件弁駁書及び平成２２年１２月２２日付け上申書において，上記訂正事項は，以下の理由により，訂正要件を満たしていない旨主張している。
ア　訂正事項１に対する主張
　本件特許明細書には，巻線型コイルの線径として「φ７０μｍ±３μｍ」と「φ６０μｍ±３μｍ」がそれぞれ別個に記載されているものの，「線径６０〜７０μｍ」の数値範囲，すなわち，巻線型コイルの線径の数値範囲の下限値が６０μｍであり，かつ上限値が７０μｍであることが記載されているとはいえず，さらに，巻線型コイルの線径として６０μｍと７０μｍの間の数値の線径を含むことについても記載されていない。
　したがって，訂正事項１は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてするものではなく，新規事項を追加するものであり，特許法１３４条の２第５項で準用する特許法１２６条３項の要件に反する。
　
イ　訂正事項２に対する主張
　本件特許明細書には，Ａｕ膜の厚さとして「１０μｍ」と「１５μｍ」がそれぞれ別個に記載されているものの，「厚さ１０〜１５μｍ」の数値範囲，すなわち，Ａｕ膜の厚さの数値範囲の下限値が１０μｍであり，かつ上限値が１５μｍであることは記載されておらず，さらに，Ａｕ膜の厚さとして１０μｍと１５μｍの間の数値の厚さを含むことについても記載されていない。
　したがって，訂正事項２は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてするものではなく，新規事項を追加するものであり，特許法１３４条の２第５項で準用する特許法１２６条３項の要件に反する。
　
ウ　訂正事項４に対する主張
（ア）本件特許明細書には，「圧痕」又はそれに関する文言がなく，本件特許明細書の記載を参酌しても，「圧痕」の技術的意味，定義を理解することができない。したがって，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を参酌しても，被請求人が追加した符号「６」が指す部位が「圧痕」であるか否かを理解することができない。
（イ）「圧痕」なる文言を用いて本件請求項１に係る発明の「加圧力」を限定することは，新たな技術的事項を導入するものである。訂正事項４の根拠する図面の図３を参照すれば，「圧痕」が巻線コイルに形成される凹部全体とすれば，「圧痕」が金膜上面外にはみ出ており，図３は訂正の根拠となり得ない。
（ウ）本件特許明細書の段落【００３２】の記載によれば，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体は「巻線型コイルの所定部位と接続端子３との当接面の１／２以上のエリア」に形成されることは記載されているものの，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が「界面全体の１／２以上のエリア」に形成されることは記載されておらず，また自明な事項ともいえない。
　
（２）上記請求人の主張について検討する。
ア　訂正事項１について
　訂正事項１については，上記２（２）イ（ア）のとおりであり，請求人の主張は，理由がない。
　
イ　訂正事項２について
（ア）請求人は，訂正事項２について，訂正事項２の訂正が新規事項の追加に当たらないとするには，本件特許明細書から，１０μｍと１５μｍとがＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の生成との関係で金膜の厚さの下限，上限の境界値を示していることが読み取れることが必要である旨主張する。
　しかしながら，訂正事項２の訂正が新規事項の追加に当たるか否かは，これが明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であるかを判断すれば足り（特許法１３４条の２第５項，１２６条３項），１０μｍと１５μｍとがＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の生成との関係で金膜の厚さの範囲の下限値，上限値であることが本件特許明細書に明示されていることを要するものではない。
（イ）また，請求人は，訂正事項２の訂正の適否については，本件訂正発明１において把握される巻線型コイルの線径と金膜の厚さとの組合せが，本件特許明細書に記載された事項の範囲内であるか否かについても検討されるべきである旨主張する。
　しかしながら，巻線型コイルについては，訂正事項１により，「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」から「線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイル」と訂正されているところ，上記１の本件特許明細書の各実施例の記載からすると，本件特許明細書に接した当業者にとっては，巻線型コイルの線径が６０μｍないし７０μｍの間の数値の場合についても，各実施例と同様の作用効果を奏することは自明であるということができるから，本件特許明細書には，金膜の厚さが１０μｍないし１５μｍの範囲にあり，かつ，巻線型コイルの線径が６０μｍないし７０μｍの範囲にある両者の組合せについては，いずれもＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接合するとの事項が示されているといえる。
（ウ）以上のとおりであるから，訂正事項２についての請求人の主張は，理由がない。
　
ウ　訂正事項４について
　上記（２）イ（エ）ａのとおり，本件発明における「圧痕」の用語が，請求人が主張する「凹部」の呼称であることは明らかであり，「圧痕」の用語を用いたことにより新たな技術的事項を導入するものとはいえない。
　「圧痕」が生じる範囲について，確かに，図面の図２ないし４のみによってはその範囲が明確とはいえないが，圧痕は，上記（２）イ（エ）ｂのとおり，その技術的意義から，実質的に，「接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲」又は「接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲」に形成されているということができる。また，「圧痕」は，上記のとおり，「凹部」の呼称にすぎず，同用語によって「加圧力」を特定するものとはいえない。
　また，上記（２）イ（エ）ａのとおり，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が「界面付近」，すなわち「巻線型コイルと接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリア」に形成されることは明らかである。
　したがって，訂正事項４についての請求人の主張は，理由がない。
　
４　小結
　以上のとおりであるから，上記各訂正は，特許請求の範囲の減縮を目的とし，願書に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面の記載の範囲においてするものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
　また，他に本件訂正請求を拒絶すべき理由を発見しない。
　したがって，平成２２年７月１５付けの訂正請求によって求められる請求は，特許法１３４条の２第５項の規定によって準用される特許法１２６条３項及び４項の規定に適合する。
　
第３　本件特許の無効事由の有無
１　本件特許発明
　本件特許発明は，上記平成２２年７月１５日付け訂正請求（平成２２年１１月２２日付け手続補正書により補正）によって訂正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された，前記第２の１（１）ア（イ）のとおりのものと認める。
　
２　請求人の主張
　請求人は，本件特許第４０９７２８１号の特許（全請求項数４）を無効とするとの審決を求め，その理由として，本件請求項１から４に係る発明は，甲１ないし甲３号証に記載された発明に基づいて，出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであり，同法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものであると主張し，その証拠方法として，以下の甲１ないし甲３号証を提出している。
・甲１号証：特開２００２−９２５７８号公報（平成１４年３月２９日出願公開）
・甲２号証：特開昭５７−１０９３５１号公報（昭和５７年７月７日出願公開）
・甲３号証：特表平７−５０６９１９号公報（平成７年７月２７日公表）
　
３　被請求人の主張の概要
　被請求人は，本件審判の請求は成り立たないとの審決を求めるものであり，答弁書において，甲１ないし甲３号証によって，本件請求項１ないし４の発明の進歩性（特許法２９条２項）を否定することはできないと主張している。
　
４　各証拠の記載事項
（１）甲１号証（特開２００２−９２５７８号公報）
・記載事項１：
「【発明の属する技術分野】本発明は，非接触式ＩＣカードなどの情報担体に搭載されるＩＣモジュールと当該ＩＣモジュールの製造方法とに関する。」（段落【０００１】）
・記載事項２：
「甲第１号証記載事項８：「【００２４】巻線コイル５は，図２及び図３に示すように，銅線５ａが絶縁被膜５ｂで被覆された被覆導線をもって形成される。銅線５ａの直径は２０μｍ乃至１００μｍ，絶縁被覆５ｂの膜厚は約５μｍであり，これをＩＣチップ１の特性に合わせて１回乃至数十回ターンさせることによって，巻線コイル５が形成される。巻線コイル５の端部は，図２及び図３に示すように，銅線５ａの中心線Ｘ−Ｘを入出力端子２の開口幅Ｗ内に配置して，バンプ４と直接接続される。・・・」
・記載事項３：
「本例のＩＣモジュール製造方法は，バンプ４と巻線コイル５とを溶接することを特徴とするものであって，まず，図４に示すように，巻線コイル５を構成する被覆導線の中心Ｘ−Ｘを入出力端子２の開口幅Ｗ内にして，被覆導線をバンプ４上に設置する。次いで，図５に示すように，当該被覆導線の上方より加熱ヘッド１１を当接し，バンプ４上に被覆導線を固定する。加熱ヘッド１１は，図５に示すように，絶縁部材１２を介して対向に配置された電極１３，１４と，これら各電極１３，１４の先端部に接するように配置された例えばモリブデンテープなどの抵抗発熱体１５とから構成されており，前記抵抗発熱体１５を介して前記各電極１３，１４の先端部が前記被覆導線に当接され，バンプ４と被覆導線との間に所要の押圧力を負荷する。次いで，前記抵抗発熱体１５を介して前記各電極１３，１４間に通電し，前記抵抗発熱体１５を加熱する。この熱によって，被覆導線の絶縁被覆５ｂが局部的に蒸発又は昇華されるため，該部の絶縁被覆５ｂが除去されて導線５ａが露出され，露出された導線５ａと抵抗発熱体１５及びバンプ４とが互いに直接接触する。この状態からさらに押圧力と熱とを加えると，導線５ａとバンプ４の表面に形成された金めっき層４ｂとが溶融して合金化され，電気的に接続される。」（段落【００２８】）
　
（２）甲２号証（特開昭５７−１０９３５１号公報）
・記載事項１：
「銅もしくは銅合金の単体からなる素子配設基材に上面に電極を有する半導体素子をマウントし，かつ該半導体素子の電極と前記素子配設基材とを金もしくは金合金のワイヤで接続したことを特徴とする半導体装置」（特許請求の範囲）
・記載事項２：
「本発明は半導体装置に関し，特に半導体素子がマウントされ，かつ該素子の電極に接続したワイヤがボンデイングされる素子配設基材を改良した半導体装置に係る。」（１頁左下欄１１行〜１４行）
・記載事項３：
「本発明は・・・素子配設基材のポストボンデイング部に銀層を被覆せず，該基材の素地（銅もしくは銅合金の単体）に直接金や金合金のワイヤをボンデイングした半導体装置を提供しようとするものである。」（２頁左下欄１７行〜右下欄２行）
・記載事項４：
「銅製薄片板をプレス加工して銅単体からなるリードフレームを作製する。つづいて複数個のｎｐｎバイポーラトランジスタが形成されたシリコン基板のマウント面に厚さ約６００Åのバナジウム層，厚さ約２０００Åのニツケル層，厚さ約１．０μｍの金・ゲルマニウム（Ｇｅ１２ｗｔ％）合金層及び厚さ１０００Åの金層を順次真空蒸着した後，シリコン基板をその上面（マウント面と反対側の面）よりダイヤモンドスクライブ又はブレードダイサースクライブにより割断して第５図に示す半導体素子１０４を作製する。なお，これら半導体素子は塩化ビニール等で被覆して保管する。次いで，前記リードフレームをＨ２−Ｎ２のフオーミングガス（還元性雰囲気）中で３７０〜４００℃に加熱した状態で，このリードフレームのアイランド部に前記半導体素子を振動を与えずに５０〜８０ｇの加重で押圧してマウントする。その後，マウントされた半導体素子のＡｌ電極に金ワイヤの一端をボンディングし，更に金ワイヤの他端を銅単体のリードフレームのリード部に還元性雰囲気中，３００〜３５０℃下でポストボンディングし，更に樹脂封止を施した後，延出したリード部等を半田浴に浸漬し半田処理を施して第４図に示す半導体装置を造る。」（３頁右上欄７行〜左下欄１１行）
・記載事項５：
「本発明によれば半導体素子１０４上面のＡｌ電極１１０ａ，１１０ｂに一端が接続された金ワイヤ１１１ａ，１１１ｂを銅単体からなるリードフレーム１０１のリード部１０３ａ，１０３ｂに夫々Ａｕ−Ｃｕの全率固溶体を介して良好にボンディングされた半導体素子を得ることができるため，以下に列挙する種々の効果を有するものである。・・・（５）銅単体からなるリードフレームのリード部に金ワイヤをボンディングしたことにより形成された接合層は金と銅の全率形の固溶体で金属間化合物とならない。このため，ボンデイングの接合層に金属間化合物ができないので，電気抵抗が小さく，化学的に安定し，機械的強度の劣化のない高信頼性の半導体装置を得ることができる。」（３頁左下欄１２行〜４頁左上欄１５行）
　
（３）甲３号証（特表平７−５０６９１９号公報）
・記載事項１：
「１．少なくともアンテナコイルと共振コンデンサとを含んで成る共振回路から成る無線周波数検出ラベルを製造する方法であって，絶縁素線から作られたアンテナコイルが用いられ，アンテナ回路の共振コンデンサを含む，他の全ての電気部品がチップ上で集積回路（ＩＣ）として配置され，そしてコイルリードが，ＩＣとコイルリードとを載置するために余分な基板またはリードフレームの介在なしに，電気的接続でもって，集積回路に直接接続されることを特徴とする方法。
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１１．絶縁素線で形成されるアンテナコイルリードが，予め絶縁を裸にされることなしに，接続表面の絶縁を除去し，そして続いてコイルリードと接続表面の接続を達成する加熱された半田ごての先を用いて，ＩＣの接続表面に接続されることを特徴とする請求項１記載の無線周波数検出ラベルの製造方法。
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１３．接続表面が貴金属層を予め備えており，そしてコイルリードが熱圧着溶接を達成するために接続表面に対して強く押付けられることを特徴とする請求項１１記載の方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・
１８．電気的にコード化された同定ラベルとして構成される請求項１７に記載された無線周波数検出ラベル」（請求の範囲）
・記載事項２：
「図６そして図７は，絶縁物質を予め除去することなしに，半田付手法そして熱圧着溶接手法を使用することを模式的に示す。必ずしも最初に銅線から絶縁性物質を除去する必要はないもようである。」（５頁左下欄１０行〜１４行）
・記載事項３：
「図７は熱圧着溶接が行われる模様を模式的に例示する。ＩＣ１１の接続表面１２には好ましくは貴金属の薄い層（たとえば金）である適当な金属層（凸部）３２が提供される。銅線２１は，まだ絶縁性の鞘を保持しながら，接続表面に対して加熱された半田ごての先３１でもって押し当てられる。半田の先は比較的高温度，たとえば５００℃程度を，有する。半田の先は２２において示すように，接続表面１２に素線が若干変形される程度の力をもって押し付けられる。高温度のために，絶縁層２０がこの領域で消失する。絶縁層は半田の先から間隔をおいてそれのいずれかの側に位置２８の方に引離される。裸となった銅線は，前にそうであったように，凸部と一緒になり，そして接点が形成される。」（５頁右下欄６行〜２０行）　
　
５．甲３号証に記載された発明
（１）甲３号証には，上記４（３）の記載事項１のとおり，「少なくともアンテナコイルと共振コンデンサとを含んで成る共振回路から成る無線周波数検出ラベルを製造する方法であって，絶縁素線から作られたアンテナコイルが用いられ，アンテナ回路の共振コンデンサを含む，他の全ての電気部品がチップ上で集積回路（ＩＣ）として配置され，そしてコイルリードが，ＩＣとコイルリードとを載置するために余分な基板またはリードフレームの介在なしに，電気的接続でもって，集積回路に直接接続されることを特徴とする方法」が記載されているところ，当該方法はアンテナコイルリードによって集積回路とアンテナコイルとを接続するものであるから，当該方法は「集積回路とアンテナコイルとの接続構造」を開示しているということができる。そして，アンテナコイルと集積回路によって構成されたものは，「電気的にコード化された同定ラベルとして構成される」ものであるから，「非接触ＩＤ識別装置用のアンテナコイルと集積回路との接続構造」にほかならない。
　
（２）記載事項３によれば，アンテナコイルは銅線からなり，アンテナコイルリードは絶縁性の鞘を有しており，集積回路の接続表面には貴金属の薄い層（たとえば金）が形成されている。
　
（３）記載事項１及び記載事項３によれば，絶縁性の鞘を有する銅線は，集積回路の接続表面に対して加熱された半田ごての先を若干変形される程度の力をもって押し当てられ，熱圧着溶接によって接続されるものである。
　
（４）記載事項２，３によれば，銅線の絶縁層は半田ごての先の高温度のために消失するとされているので，半田ごてはアンテナコイルリードの絶縁層を消失させる温度以上になっている。
　
　よって，甲３号証には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「銅製のアンテナコイルリードと集積回路の接続表面を形成する薄い金の層とを，アンテナコイルリードの絶縁層を消失させる温度以上の半田ごてをアンテナコイルリードの銅線が若干変形される程度の力をもって押し当て，アンテナコイルリードと集積回路の接続表面とを熱圧着溶接によって接続した非接触ＩＤ識別装置用のアンテナコイルと集積回路との接続構造。」
　
６　本件訂正発明１について
（１）本件訂正発明１
　平成２２年７月１５日付け訂正請求によって訂正された，本件の請求項１に係る発明（本件訂正発明１）は，前記第２の１（１）ア（イ）の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　再掲すれば，次のとおり。
　「線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子とを，該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧することによって，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造。」
　
（２）対比
　本件訂正発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「アンテナコイル」「集積回路」「絶縁層」は，それぞれ，本件訂正発明１の「巻線型コイル」「ＩＣチップ」「絶縁膜」に相当する。
　引用発明ではアンテナコイルリードを接続する「集積回路の接続表面」は薄い金の層で形成されており，薄い金の層は接続表面の最外層に位置するものであるから，本件訂正発明１の「ＩＣチップの最外層が金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」に相当する。
　引用発明では，半田ごての温度はアンテナコイルリードの絶縁層を消失させる温度以上であるから，本件訂正発明１における「巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上」と実質的に同等のものである。また，引用発明は，熱圧着によってアンテナコイルリードと集積回路の接続表面を接続するものであり，熱圧着とは「複数の部材を融点以下の適当な温度で圧力を加え密着させて，塑性変形を起こさせ，双方の清浄面の接触によって接合する方法」であるから，引用発明の加熱温度は塑性流動を生じさせうる温度範囲のものである。
　引用発明では，半田ごてをアンテナコイルリードの銅線が若干変形される程度の力をもって押し当てているから，本件訂正発明１における「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金属上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，塑性変形後の巻線形コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧」とは，本件訂正発明１においては変形後の形状に限定が付されている点を除き，巻線型コイルが変形する加圧力で加圧する点で共通している。
　引用発明は，熱圧着によってアンテナコイルリードと集積回路の接続表面を接続するものであり，熱圧着とは「複数の部材を融点以下の適当な温度で圧力を加え密着させて，塑性変形を起こさせ，双方の清浄面の接触によって接合する方法」である。そして，本件訂正発明１における加熱加圧によってＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接合する方法も熱圧着の範疇のものであるから，引用発明の「アンテナコイルリードと集積回路の接続表面とを熱圧着溶接によって接続した非接触ＩＤ識別装置用のアンテナコイルと集積回路との接続構造」と，本件訂正発明１の「該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して，接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造」とは，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜とを熱圧着によって接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造である点で共通している。
　
　してみると，本件訂正発明１と引用発明とは，
「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層の金（Ａｕ）膜で構成された接続端子とを，該巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，巻線型コイルが変形する加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜とを熱圧着によって接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
　
相違点Ａ：銅製の巻線コイルの線径が，本件訂正発明１では６０〜７０μｍであるのに対し，引用発明では線径の限定がない点
　
相違点Ｂ：ＩＣチップの接続端子の最外層の金膜の厚さが，本件訂正発明１では１０〜１５μｍであるのに対し，引用発明では厚さの限定がない点
　
相違点Ｃ：巻線コイルを変形させる加圧力が，本件訂正発明１では平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金属上面外にはみ出ることのない範囲に形成され，塑性変形後の巻線形コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力であるのに対し，引用発明では変形後の形状と加圧力との関係が不明である点
　
相違点Ｄ：巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜とを熱圧着によって接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造として，本件訂正発明１では該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成したＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を介して接合されているのに対し，引用発明では接合面の状態が不明である点
　
（３）相違点についての検討
ア　相違点Ａについて（当審の判断）
　本件特許明細書には，本件訂正発明１の巻線型コイルの線径が６０〜７０μｍであることの意義や効果等についての記載はない。そして，例えば甲１号証には，前記４（１）記載事項２のとおり，非接触式ＩＣカードの巻線コイルとして銅線の直径が２０μｍ乃至１００μｍのものが開示されている。
　してみると，本件訂正発明１のような非接触ＩＤ識別装置の巻線型コイルの線径として６０〜７０μｍの銅線を用いることは通常のことにすぎない。
　したがって，相違点Ａは格別のものではない。
　
イ　相違点Ｂについて
（ア）当審の判断
ａ　本件特許出願当時，ＩＣチップの接続端子の金膜の厚さについては，次の技術が知られていた。
（ａ）特表平６−５１０３６４号公報（以下「周知例１」という。）
　また，周知例１には次の記載があり，小型トランスポンダに利用される集積回路チップに対する電磁アンテナ・リード線の取り付けを容易にするための方法及び装置に関し，強化接触パッドは，厚さが約２５μｍになるまで，金または銅の被着が施され，ハンダ付け，熱圧縮ボンディング又は溶接により，細い銅線が取り付けられることが記載されている。
「【請求項１】カプセルに収容された小形トランスポンダの一部を形成する集積回路装置に強化接触パッドを設ける方法において，該装置の表面に絶縁材料の追加層を被着させるステップと，前記絶縁層にホールを開けて，該装置の標準的な回路接触パッドを露出させるステップと，前記絶縁層の上に重なり，前記ホールを介して前記標準的な接触パッドとつながる強化接触パッドを形成して，電気的相互接続リード線を直接接続することが可能なダイ装置を得るステップから構成される強化接触パッドを設ける方法。
【請求項２】前記強化接触パッドが，まず，前記標準的な接触パッドとの電気的接触部にフィールド金属を被着させ，その上に前記強化パッドを直接メッキすることによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記追加絶縁層が，厚さが１０，０００オングストロームを超える窒化珪素の層であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記強化パッドが，金または銅から構成されるグループから選択された，厚さが少なくとも２０ミクロンの金属で製造されることを特徴とする請求項３に記載の方法。」（１頁左欄「特許請求の範囲」）
・「本発明は，一般に，小形電子装置の製造に関するものであり，とりわけ，生きている動物への移植を含む多種多様な用途に用いるのに適した小形トランスポンダに利用される，集積回路チップに対する電磁アンテナ・リード線の取り付けを容易にするための方法及び装置に関するものである。」（２頁右下欄５行〜９行）
・「強化接触パッド２２及び２４は，さらに，厚さが約２５ミクロンになるまで，金または銅の被着が施される。例示の特定の用途の場合，パッド２２及び２４は，長さが約１６ミリ・インチ，幅６ミリ・インチであり，ハンダ付け，熱圧縮ボンディング，または，溶接によって，細い導線１４及び１６を取り付けることを可能にする十分な表面積を提供する。留意すべきは，パッド２２及び２４が回路の活性領域の上に直接メッキされる本発明にとって，窒化珪素層３４の厚さがとりわけ重要であるということである。」（３頁左下欄１１行〜１７行）
・「引き続き，厚さ２５ミクロンの強化パッド２２及び２４が，フィールド金属に
電気メッキされる。・・・リード線１４及び１６は，それぞれ，ハンダ付け，熱圧縮ボンディング，または，溶接によって強化パッド２２及び２４に取り付けられる。」（３頁右下欄９行〜１５行）
　
（ｂ）特表２００６−５０５９３３号公報（以下，「周知例２」という。）
　周知例２には，次の記載があり，基板と信号処理回路とを有する集積回路において（【０００１】），ＩＣには，窒化シリコンを備えた保護層が設けられ，厚みは約１．５μｍであること（【００１６】），ＩＣ内に設けられた表面コンタクトパッドは，チタン・タングステンを備えた約１μｍの厚みの基礎層と，この基礎層上に金（Ａｕ）を備えた主部を有し，保護層上で表面コンタクトパッドが立ち上がる高さは１８μｍであり，この高さは，１５μｍしかなくてもよく，また，この高さは，２０μｍ，２３μｍ又は２５μｍから選ばれてもよいこと（【００１７】），及び各表面コンタクトパッドは，熱圧縮ボンディング処理により線端に直接接続されること（【００１７】）が記載されている。
　
・「この発明は，基板と信号処理回路とを有する集積回路であって，前記信号処理回路は前記基板の表面の近傍の前記基板の領域内に形成され，そして，複数の回路素子と少なくとも一つの第一のコンタクトパッドとを有し，・・・前記第一のコンタクトパッドは，前記集積回路の外部の回路素子の素子コンタクトから前記信号処理回路への電導的接続のためのものであり，・・・そして，各第一のコンタクトパッドに対して，高さが少なくとも１５μｍであり，素子コンタクトへの直接接続のために，そして，対応する孔を介して前記第一のコンタクトパッドまで拡張され，そして，前記第一のコンタクトパッドに電導的に接続され，そして，前記孔を越えて横方向に突出する重複領域により前記保護層上に置かれ，そして，リング状に閉ざされている表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）（バンプ）が設けられている集積回路に関する。」（段落【０００１】）
・「・・・トランスポンダは，この目的のために適する通信局と非接触通信を行うために設けられ，基本的に，ＩＣ１と，これに接続され，物理的な接触無しに動作する伝送手段である伝送コイルとを備え，伝送コイルは複数巻きのコイルと二つの接続コンタクトとを備える。伝送コイルは，この場合，ＩＣ１外部の回路素子を形成し，各々が素子コンタクトを形成する二つのコイル接続コンタクトを有する。伝送コイルは，コイル線の一端においてコイル接続コンタクトの各々が形成されたコイル線がまかれたものとする。・・・」（段落【００１３】）
・「ＩＣ１には，さらに，保護層１２が設けられ，ここでは，保護層１２は窒化シリコン（ＳｉＮ）を備え，厚みは約１．５μｍである。」（段落【００１６】）
・「・・・ここでは，各表面コンタクトパッド１４は，チタン・タングステンを備えて約１μｍの厚み（１．５μｍ又は２μｍの厚みでもよいが）の基礎層１５と，この基礎層１５上に主部１６を有し，これは，ここでは，金（Ａｕ）を備える。保護層１２上で各表面コンタクトパッド１４が立ち上がる高さｈは，ここでは，公称高さの１８μｍである。この高さ，しかし，１５μｍしかなくてもよい。さらに，この高さｈは１８μｍより高く，例えば，２０μｍ又は２３μｍ又は２５μｍから選ばれてもよい。各表面コンタクトパッド１４は，素子コンタクト，即ち，ここでは，線端２に直接接続されるものである。この場合，各表面コンタクトパッド１４と対応する線端２との接続は熱圧縮ボンディング処理により行われる。・・・」（段落【００１７】）
　
（ｃ）製品仕様書「mifare(R) Standard Card IC MF1 IC S50 05 Bumped Wafer Specification」（翻訳：ｍｉｆａｒｅ（登録商標）スタンダードカードＩＣ　ＭＦ１　ＩＣ　Ｓ５０　０５バンプウエハー仕様書），第３．１版，２００２年１０月，フィリップス　セミコンダクターズ発行（以下，「周知例３」という。）
　周知例３には，次の記載がある。
・「The MF1 ICS 50 05 is a contactless Smart Card IC designed for card IC coils following the MIFARE(R) Card IC Coil Design Guide ・・・」（３頁左欄）
（翻訳：ＭＦ１　ＩＣＳ　５０　０５は，ＭＩＦＡＲＥ（登録商標）カードＩＣコイル設計ガイドに従ってカードＩＣコイル用に設計された非接触スマートカードＩＣであり，・・・）
・「3.5 Au Bump
・  Bump meterial:    99.9% pure Au
　　・・・
・  Bump height:    18μm
・  Bump height uniformity:
    -  within a die:       ±2μm
    -  within a wafer:      ±3μm」（３頁右欄）
（翻訳：３．５　金バンプ
・バンプ材料：９９．９％超の純金
　・・・
・バンプ高：１８μｍ
　　ダイ内：±２μｍ
　　ウエハー内：±３μｍ）
　
ｂ　以上のとおり，周知例１には，集積回路装置の強化接触パッドが少なくとも２０μｍになるまで金の被着が施され，これが熱圧縮等の溶接により，銅線が取り付けられることが示されている。また，周知例２及び周知例３には，ＩＣチップの接続端子の最外層の金膜の厚さについて，これを１５μｍとする例，あるいは１８μｍとする例が示されている。これらの記載からすると，巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造において，ＩＣチップの接続端子の最外層を金膜で構成し，その厚さを１５μｍ程度とすることは，本件特許出願当時の技術常識であったといえる。
　また，本件訂正明細書には，本件訂正発明１の「最外層が金（Ａｕ）膜で構成された接続端子」における金膜の厚さを１０μｍ又は１５μｍとした場合の実施例が記載されているだけで，金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍとすることにより，その数値範囲外のものと比較して，金膜と巻線型コイルの銅との塑性流動や全率固溶体の生成において，格別の作用効果を奏するとの記載がないことからすると，本件訂正発明１において，ＩＣチップの接続端子の最外層の金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍとした点に，銅製の巻線型コイルとの接合において，格別の技術的意義があるとは認められない。
　そうすると，本件訂正発明１において，ＩＣチップの接続端子の最外層の金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍとしたことは，上記技術常識を勘案して，当業者が適宜想到し得たものであるということができる。
　
ｃ　また，「銅もしくは銅合金の単体からなる素子配設基材に上面に電極を有する半導体素子をマウントし，かつ該半導体素子の電極と前記素子配設基材とを金もしくは金合金のワイヤで接続したことを特徴とする半導体装置」の発明が記載された引用例２には，「銅単体からなるリードフレームのリード部に金ワイヤをボンディングしたことにより形成された接合層は，金と銅との全率形の固溶体で金属間化合物とならないため，電気抵抗が小さく，化学的に安定し，機械的強度の劣化のない高信頼性の半導体装置を得ることができる。」との記載があり，金と銅との全率固溶体は，金属間化合物に比べて，電気的，機械的特性が良好であることが開示されているところ，これは金と銅との接合層に関する一般的な知見であると解されるから，接続端子の最外層の厚さを１０μｍないし１５μｍ程度とした金膜と巻線型コイルの熱圧着について，金属間化合物を避け，加熱温度及び加圧力を適切に選択して，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が形成されるようにすることも，当業者において容易に想到することができたものということができる。
　
（イ）被請求人の主張について
　被請求人は，平成２２年７月１５日付けの訂正請求書において，接続端子の最外層の金膜を１０μｍないし１５μｍとすることにより，これに加えることが可能な加圧力により良好に塑性流動し，金膜と導線の銅との相互拡散によるＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の生成を良好にするものであるが，本件特許出願前に，このような塑性流動の観点ないしこれによる全率固溶体の生成の観点から金膜の厚さについて記載した文献はない旨主張している。
　しかしながら，上記ａ，ｂのとおり，巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造において，銅製の巻線型コイルに接続されるＩＣチップの接続端子の最外層を構成する金層の厚さを１０μｍないし１５μｍとすることは，本件特許出願当時，適宜想到することができた事項であり，また，厚さを１０μｍないし１５μｍ程度とした金膜と巻線型コイルとの熱圧着について，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が形成されるようにすることも，当業者において容易に想到することができたものであるから，そうであるにもかかわらず，金膜と巻線型コイルの銅との塑性流動やＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の生成との関係で，金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍとする本件訂正発明１の構成が進歩性を有するとするためには，本件訂正明細書の記載に基づき，金膜の厚さを１０μｍないし１５μｍとすることによる格別の作用効果の有無が検討されるべきであり，１０μｍを下回る厚さや１５μｍを上回る厚さの金膜が接続端子等の下地上に配された場合にも塑性流動することを示す証拠がない以上，本件訂正発明１の上記構成は進歩性を有するとの被請求人の主張は採用できない。
　そして，本件訂正明細書からは，金膜の厚さを１０μｍとした実施例１及び１５μｍとした実施例２において，銅製の巻線型コイルと接続端子の金膜との界面付近で塑性流動が生じてＡｕ／Ｃｕ全率固溶体が生成されたことは読みとることができるものの（【００３３】〜【００３６】【００３９】【００４５】），金膜の厚さを１０μｍから１５μｍの間の数値とした場合に，その範囲外の数値とした場合に比して，金膜と巻線型コイルの銅との塑性流動性やＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の生成において格別の作用効果を奏するとの記載はないから，本件訂正発明１の上記構成が進歩性を有するということはできない。
　
ウ　相違点Ｃについて
（ア）当審の判断
　相違点Ｃに係る構成のうち，「塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力」で加圧する点については，熱圧着においてワイヤ等の変形率がその信頼性等に影響を与えることが，例えば，特開昭５７−０６２５５０号公報，特開２００３−１３３３６４号公報等に記載されていることに鑑みれば，「比率ｔ／Ｄ」の範囲は，当業者が適宜設計し得る範囲内のものである。
　また，「平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面外にはみ出ることのない範囲に形成」については，加熱加圧により巻線型コイルに生じた変形の状態を規定するものであるが，当該構成は，巻線型コイルを接続端子の最外層の金膜の中心に位置あわせし，金膜及び巻線型コイルの中心位置を加熱しながら，当業者が通常採用し得る程度の加圧力で加圧すれば，当然に達せられる構成にすぎない。
　したがって，相違点Ｃに係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことであり，格別のことではない。
　
（イ）被請求人の主張について
　被請求人は，平成２２年７月１５日付けの訂正請求書において，相違点Ｃに係る構成により，適切な加圧力で，ＩＣチップに損傷を与えることなく，接続端子上のきわめて狭い範囲内に極力大きな体積を確保し，巻線型コイル と接続端子の最外層の金膜との境界に良好にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成することができ，これによって高い接続強度を獲得することでき，また，圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成されるか否かは，外観検査で確認可能であり，これによって加圧が適切に行えたかの確認が容易になるとともに，接続端子上に巻線型コイル との所定部位が正確に載っているかの確認も同時に行い得る旨主張している。
　しかしながら，本件訂正明細書には，「比率ｔ／Ｄ」の範囲及び圧痕とＡｕ／Ｃｕ全率固溶体の形成との関係については何ら記載されておらず，また，上記のとおり，熱圧着においてワイヤ等の変形率がその信頼性等に影響を与えることが知られていたこと，また，電極を正確に位置合わせし，適切な加圧力で加圧することは，当業者が当然に考慮することであり，電子機器等の製造において，外観検査により製品の品質をチェックすることが常とう手段であることからすれば，相違点Ｃに係る構成とすることは，当業者が当然になし得る設計事項というべきである。請求人の主張は，採用できない。
　
エ　相違点Ｄについて
（ア）当審の判断
　引用発明において，集積回路の接続表面は金の薄い層で形成されており，銅線とは熱圧着溶接によってＡｕ／Ｃｕ合金を介して接合されているものと認められる。
　ここで，前記４（２）の甲２号証の記載事項５において，金と銅との接合層の特性を全率固溶体と金属間化合物との対比において記載されており，その記載は金と銅との接合層に関する一般的な特性であると解されることからすると，引用発明における，金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，加圧することによって形成された接続構造であるＡｕ／Ｃｕ合金についても，全率固溶体か金属間化合物か，そのいずれかの相であると解することができる。
　また，同記載事項５には，「銅単体からなるリードフレームのリード部に金ワイヤをボンディングしたことにより形成された接合層は金と銅の全率形の固溶体で金属間化合物とならない。このため，ボンデイングの接合層に金属間化合物ができないので，電気抵抗が小さく，化学的に安定化し，機械的強度の劣化のない高信頼性の半導体装置を得ることができる。」と記載されており，全率固溶体は，金属間化合物に比べて電気的特性や機械的強度に優れ，高信頼性の半導体装置を得ることができることが開示されているから，引用発明における接合のＡｕ／Ｃｕ合金についても，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が形成されるようにすることは，当業者であれば，当然に考えることである。
　また，上記記載事項５の記載からも明らかなように，金属端子とワイヤとの接続構造において，接合部の強度に信頼性が要求されることは技術常識であり，接合部を構成する面積が大きいほど接合強度が強くなることは自明のことであり，本件訂正発明１において，その面積を「界面全体の１／２以上のエリア」とした点に，格別の臨界的意義は認められない。
　したがって，引用発明において，加熱温度及び加圧力を適切に選択して，Ａｕ／Ｃｕ全率固溶体が，巻線型コイルと接続端子の最外層の金膜との界面全体の１／２以上のエリアに形成されるように構成することは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（イ）被請求人の主張について
　被請求人は，平成２２年７月１５日付けの訂正請求書において，相違点Ｃに係る構成により，十分な接合強度を得ることができると主張している。
　しかしながら，上記のとおり，接合部を構成する面積が大きいほど接合強度が強くなることは自明であるとともに，本件訂正明細書には，接合部を界面全体の１／２以上のエリアに形成した場合と，１／２未満のエリアに形成した場合との間に顕著な差異があるとは説明されておらず，接合部の面積を「界面全体の１／２以上のエリア」に特定した点に，当然に予想される以上の格別の技術的意義があるとは認められない。請求人の主張は，採用できない。
　
オ　そして，各相違点を総合的に勘案しても，本件訂正発明１の奏する作用効果は，引用発明，甲２号証に記載された発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。その作用効果も格別顕著なものということはできない。
　
（４）小結
　以上のとおりであるから，本件訂正発明１は，甲２ないし甲３号証に記載された発明，周知技術及び技術常識に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７　本件訂正発明２について
（１）本件訂正発明２
　平成２２年７月１５日付け訂正請求によって訂正された，本件の請求項２に係る発明（本件訂正発明２）は，本件訂正発明１を引用する「方法」のカテゴリーの発明であって，前記第２の１（１）ア（イ）の請求項２に記載されたとおりのものと認める。
　再掲すれば，次のとおり。
　「線径６０〜７０μｍの銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルをＩＣチップの最外層が厚さ１０〜１５μｍの金（Ａｕ）膜で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から該巻線型コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，平面視で，前記線径６０〜７０μｍの巻線型コイルに生じる圧痕が該接続端子の最外層の金膜上面を越えない範囲に形成され，塑性変形後の巻線型コイルの該当部位の厚さｔと変形前の線径Ｄとの比率ｔ／Ｄが，０．１を越え，かつ０．８以下となるように設定した加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜との界面全体の少なくとも１／２を超えるエリアにＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させることにより，直接接合して，請求項１の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」
　
　すなわち，本件訂正発明２は，本件訂正発明１の「接続構造」を引用し，さらに，巻線型コイルを接続端子の「上に載せ，かつ前者（巻線型コイル）の上から」，加熱しながら加圧する点，及び巻線型コイルを接続端子に「直接接合」する点を限定した「接続方法」の発明である。
　
（２）引用発明２
　甲３号証に記載された発明は，前記４（２）の記載事項３及び図面から，アンテナコイルリードを集積回路の接続表面上に載せ，熱圧着溶接することにより，「直接」接続していることは明らかである。
　そうすると，甲３号証に記載された発明を，その記載事項から，「方法」のカテゴリーの発明として表現すれば，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されているということができる。
「銅製のアンテナコイルリードを集積回路の接続表面を形成する薄い金の層上に載せ，アンテナコイルリードの上から，アンテナコイルリードの絶縁層を消失させる温度以上の半田ごてをアンテナコイルリードの銅線が若干変形される程度の力をもって押し当て，アンテナコイルリードと集積回路の接続表面とを熱圧着溶接によって直接接続した非接触ＩＤ識別装置用のアンテナコイルと集積回路との接続方法。」
　
（３）対比
　本件訂正発明２と引用発明２とを対比する。
　本件訂正発明２は，「接続方法」に係る発明であり，カテゴリーは異なるものの，実質的には，本件訂正発明１の接続構造において，巻線型コイルを接続端子の上に載せ，かつ巻線型コイルの上から加熱しながら加圧する点，及び巻線型コイルを接続端子に直接接合する点を限定したものである。
　他方，引用発明２は，上記のとおり，アンテナコイルリードを集積回路の接続表面上に載せ，熱圧着溶接することにより，「直接」接続する構成を含むものである。
　してみると，本件訂正発明２と引用発明２とは，本件訂正発明２が，本件訂正発明１を引用している点を考慮すれば，
「銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層の金（Ａｕ）膜で構成された接続端子に，前者を後者上に載せ，かつ前者の上から該巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱しながら，巻線型コイルが変形する加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜とを熱圧着によって直接接合して，
　銅（Ｃｕ）製の巻線型コイルとＩＣチップの最外層の金（Ａｕ）膜で構成された接続端子とを，該巻線形コイルの絶縁膜を溶融させうる温度以上で金と銅との塑性流動を生じさせうる温度範囲で加熱させつつ，巻線型コイルが変形する加圧力で加圧し，該巻線型コイルと該接続端子の最外層の金膜とを熱圧着によって接合した非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続構造を構成することとした，
　非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」
である点で一致し，前記６（１）の相違点ＡないしＤで相違する。
　
（４）相違点についての当審の判断
　相違点ＡないしＤについての当審の判断は，前記６（２）ウで検討したとおりである。
　そして，各相違点を総合的に勘案しても，本件訂正発明２の奏する作用効果は，引用発明２，甲２号証に記載された発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
（５）小結
　以上のとおりであるから，本件訂正発明２は，本件訂正発明１と同様に，甲２ないし甲３号証に記載された発明，周知技術及び技術常識に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８　本件訂正発明３について
（１）本件訂正発明３
　平成２２年７月１５日付け訂正請求によって訂正された，本件の請求項３に係る発明（本件訂正発明３）は，前記第２の１（１）ア（イ）の請求項３に記載されたとおりのものと認める。
　再掲すれば，次のとおり。
　「前記加熱しながら加圧する操作を傍熱型抵抗溶接によって行うこととした請求項２の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」
　
（２）引用発明２
　甲３号証に記載された発明（引用発明２）は，前記７（２）のとおりである。
　
（３）対比
　本件訂正発明３は，本件訂正発明２を引用していることから，本件訂正発明２と引用発明２とを対比すれば，両者は，前記７で検討した一致点で一致し，相違点ＡないしＤに加え，次の相違点Ｅにおいて相違する。
相違点Ｅ：本件訂正発明３は，加熱しながら加圧する操作を傍熱型抵抗溶接によって行うのに対し，引用発明２は，熱圧着溶接を行うことが特定されているものの，傍熱型抵抗溶接については特定されていない点
　
（４）相違点についての当審の判断
ア　相違点ＡないしＤについて
　相違点ＡないしＤについての当審の判断は，前記７で検討したとおりである。
　
イ　相違点Ｅについて
　本件訂正発明３の発明特定事項である「傍熱型抵抗溶接」について，本件訂正明細書の記載を参酌すれば，「例えば，この手段として，図１に示すように，傍熱型抵抗溶接を採用し，その電極４で，これに，矢印ａ１に示すように電流を流して発熱させ，その熱を矢印ａ２に示すように該電極４から巻線型コイル１及びこれを介した接続端子３に伝えながら，矢印ａ３に示すように，該電極４で該巻線型コイル１を加圧する方法を採用することができる。」（段落【００２９】）と記載されている。
　他方，甲１号証には，前記４（１）の記載事項によれば，非接触式ＩＣカードなどの情報担体に搭載されるＩＣモジュールの製造方法における，バンプと巻線コイルとの溶接に関し，絶縁部材を介して対向配置された電極とこれら各電極の先端部に接するように配置された抵抗発熱体とから構成された加熱ヘッドの先端部を，抵抗発熱体を介して被覆導線に当接し，押圧した状態で各電極間に通電すると，抵抗発熱体の熱によって，導線とバンプの表面に形成された金めっき層とが溶融して合金化され，電気的に接続されることが記載されており，同甲号証に開示された溶接は，上記本件訂正明細書の記載からみて，「傍熱型抵抗溶接」にほかならない。
　なお，被請求人も，甲１号証に記載された溶接が「傍熱型抵抗溶接」であることを，認めている（平成２０年１２月２６日付け答弁書）。
　そうすると，非接触式ＩＣカードの製造方法に係る技術分野において，巻線コイルを加熱しながら加圧し，「傍熱型抵抗溶接」することが，上記のとおり公知であったことに鑑みれば，引用発明２における熱圧着溶接する方法として，「傍熱型抵抗溶接」を採用することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　そして，各相違点を総合的に勘案しても，本件訂正発明３の奏する作用効果は，引用発明２，甲１ないし甲２号証に記載された発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
（５）小結
　以上のとおりであるから，本件訂正発明３は，甲１ないし甲３号証に記載された発明，周知技術及び技術常識に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
９　本件訂正発明４について
（１）本件訂正発明４
　平成２２年７月１５日付け訂正請求によって訂正された，本件の請求項４に係る発明（本件訂正発明４）は，前記第２の１（１）ア（イ）の請求項４に記載されたとおりのものと認める。
　再掲すれば，次のとおり。
　「前記加熱しながら加圧する操作に於ける加熱温度及び加圧力を，それぞれ，前記巻線型コイルと前記ＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように実験的に決定する請求項２又は３の非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとの接続方法。」
　
（２）引用発明２
　甲３号証に記載された発明（引用発明２）は，前記７（２）のとおりである。
　
（３）対比
　本件訂正発明４は，本件訂正発明２及び３を引用していることから，本件訂正発明２と引用発明２とを対比すれば，両者は，前記８で検討した一致点で一致し，相違点ＡないしＥに加え，次の相違点Ｆにおいて相違する。
相違点Ｆ：本件訂正発明４は，加熱しながら加圧する操作に於ける加熱温度及び加圧力を，それぞれ，巻線型コイルとＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように実験的に決定するのに対し，引用発明２は，当該構成について特定されていない点
　
（４）相違点についての当審の判断
ア　相違点ＡないしＥについて
　相違点ＡないしＥについての当審の判断は，前記８で検討したとおりである。
　
イ　相違点Ｆについて
　巻線型コイルと前記ＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように，加熱温度及び加圧力を設定し，非接触ＩＤ識別装置用の巻線型コイルとＩＣチップとを接続することが，甲３号証及び甲２号証に記載された発明，周知技術及び技術常識に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであることは，前記７で検討したとおりである。
　一般に，製造方法における設定条件を実験的に決定することは，常とう手段であり，本件訂正発明２又は本件訂正発明４において，巻線型コイルとＩＣチップの接続端子との相互の界面付近にＡｕ／Ｃｕ全率固溶体を形成させ得るように，加熱温度及び加圧力を実験的に決定することに困難性はない。
　そして，各相違点を総合的に勘案しても，本件訂正発明４の奏する作用効果は，引用発明２，甲１ないし甲２号証に記載された発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
（５）小結
　以上のとおり，本件訂正発明４は，甲１ないし甲３号証に記載された発明，周知技術及び技術常識に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび　
　以上のとおりであるから，訂正された本件特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであり，同法１２３条１項２号の規定に該当し，その特許を無効とすべきものである。　
　審判に関する費用については，特許法１６９条２項で準用する民事訴訟法６１条の規定により，被請求人が負担すべきものとする。　
　よって，結論のとおり審決する。