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　特願２００３−１５１２０９「単結晶引上げ装置、超電導磁石および単結晶引上げ方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１９日出願公開、特開２００４−　５１４７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年５月２８日（優先権主張　平成１４年５月３１日）の出願であって、平成２０年９月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月３０日に拒絶査定に対する拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１２月１日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２３年５月１６日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年７月１４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年１２月１日付けの手続補正について
　平成２０年１２月１日付けの手続補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１３は、以下のように補正された。
【請求項１】　半導体用単結晶材料を溶融させる坩堝を引上げ炉に内蔵し、前記引上げ炉の外部に配設した超電導コイルへの通電により前記単結晶に磁場を印加して、前記溶融した単結晶材料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置において、前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする単結晶引上げ装置。
【請求項２】　前記超電導コイルのコイル直径ｄを、前記ボア寸法Ｄに対して０．３５〜０．５５倍に設定したことを特徴とする請求項１記載の単結晶引上げ装置。
【請求項３】　半導体用単結晶材料を溶融させる坩堝を引上げ炉に内蔵し、前記引上げ炉の外部に配設した超電導コイルへの通電により前記単結晶に磁場を印加して、前記溶融した単結晶材料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置において、前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器
の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルのコイル直径ｄを、前記ボア寸法Ｄに対して０．３５〜０．５５倍に設定したことを特徴とする単結晶引上げ装置。
【請求項４】　前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする請求項３記載の単結晶引上げ装置。
【請求項５】　円筒形の冷却用容器内に超電導コイルを内蔵した超電導磁石であって、前記超電導コイルは、前記冷却用容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記冷却用容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記冷却用容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記冷却用容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする超電導磁石。
【請求項６】　前記超電導コイルのコイル直径ｄを、前記ボア寸法Ｄに対して０．３５〜０．５５倍に設定したことを特徴とする請求項５記載の超電導磁石。
【請求項７】　円筒形の冷却用容器内に超電導コイルを内蔵した超電導磁石であって、前記超電導コイルは、前記冷却用容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記冷却用容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記冷却用容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルのコイル直径ｄを、前記ボア寸法Ｄに対して０．３５〜０．５５倍に設定したことを特徴とする超電導磁石。
【請求項８】　前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記冷却用容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする請求項７記載の超電導磁石。
【請求項９】　前記超電導コイルを４個以上の偶数個で構成したことを特徴とする請求項４、５、６、７および８のいずれか１項記載の超電導磁石。
【請求項１０】　前記超電導コイル形状を前記冷却用容器の軸方向に長いレーストラック型・楕円型もしくは矩形型としたことを特徴とする請求項１、３、５、７のいずれか１項記載の超電導磁石。
【請求項１１】　前記超電導コイルの冷却手段は、冷媒容器内に収容した液体冷媒中への当該コイルの浸漬、もしくは当該コイルと冷凍機の低温部との接続、もしくは当該コイルへの液体冷媒容器の接続、または前記各手段の併設により構成し、前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記冷却用容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする請求項１、３、５、７のいずれか１項記載の超電導磁石。
【請求項１２】　前記超電導コイルの冷却手段は、冷媒容器内に収容した液体冷媒中への当該コイルの浸漬、もしくは当該コイルと冷凍機の低温部との接続、もしくは当該コイルへの液体冷媒容器の接続、または前記各手段の併設により構成したことを特徴とする請求項１、３、５、７のいずれか１項記載の超電導磁石。
【請求項１３】　半導体用単結晶材料を溶融させる坩堝を引上げ炉に内蔵し、前記引上げ炉の外部に配設した超電導コイルへの通電により前記単結晶に磁場を印加して、前記溶融した単結晶材料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ方法において、前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定することを特徴とする単結晶引上げ方法。
　
　上記補正は、補正前の請求項１３を削除し、補正前の請求項１４を補正後の請求項１３として繰り上げたものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
３．本願発明について
　平成２０年１２月１日付けの手続補正は、上記のとおり適法なものであるので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　半導体用単結晶材料を溶融させる坩堝を引上げ炉に内蔵し、前記引上げ炉の外部に配設した超電導コイルへの通電により前記単結晶に磁場を印加して、前記溶融した単結晶材料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置において、前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し、前記超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定したことを特徴とする単結晶引上げ装置。
　
（１）引用例の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の他の出願であって、その出願後に公開された特願２００１−１８６８２９号（特開２００３−７５２６号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、以下の点が記載されている。
（ア）「中央部に大気空間を有する２重筒状の真空容器と、
該真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイルと、
各超電導コイルを冷却するための低温冷凍機とを含み、
前記少なくとも２対の超電導コイルは、各対の超電導コイルが前記大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置されていることを特徴とする冷凍機冷却型超電導磁石装置。」（【請求項１】）
（イ）「【発明の属する技術分野】本発明は冷凍機冷却型の超電導磁石装置に関し、特に溶融シリコンから単結晶半導体を製造する単結晶成長装置における溶融シリコンに磁界を与えるための磁場発生装置に適した冷凍機冷却型超電導磁石装置に関する。
【従来の技術】シリコン単結晶製造において、多結晶シリコンを溶融して単結晶種結晶に結晶成長させるチョクラルスキー法（ＣＺ法）が知られている。溶融シリコンは坩堝内で溶融するために熱対流が発生して生成する単結晶の品質が低下する場合がある。そこで、生成した単結晶の品質向上などを目的に、溶融シリコンに磁界を印加し電磁制動により対流を抑制する方法が知られている。この方法は、磁界印加式チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）と呼ばれている。磁界の印加方向としては、溶融シリコンの液面に対して垂直方向の垂直磁場、水平方向の水平磁場、カスプ磁場を印加する３種類がある。
　一方、磁界印加手段としては常電導磁石、超電導磁石が利用されている。また、例えば水平磁場を発生させるコイル形状としては、２つのソレノイド状コイルを間隔をあけて縦にして対向配置するスプリットコイル、もしくは一対の鞍型コイルが使われている。
【発明が解決しようとする課題】
　しかし、磁界印加手段として常電導磁石を用いた場合には・・・一方、液体ヘリウム浸漬型の超電導磁石を用いた場合には以下のような問題点がある。液体ヘリウム冷却が必要なため、装置が複雑、大型化する。液体ヘリウムの取り扱いが煩雑で、操作員の熟練が必要である。液体ヘリウムの補給が必要で、液体ヘリウム費用が大きい。
　また、水平磁場を発生させるためのコイルとして、これまでのスプリットコイルを用いた場合、形状が単純で製作が容易であるが、必要な空間への磁界発生効率が悪い。」（段落【０００１】〜【０００６】）
（ウ）「そこで、本発明の課題は、超電導コイルを低温冷凍機のみで伝導冷却する、いわゆるヘリウムフリー超電導磁石装置を利用し、水平磁界を発生するコイル形状として、少なくとも２対のソレノイド状超電導コイルを配置する構成とすることにより、操作が簡単で、装置の小型化の可能な水平磁場発生用の超電導磁石装置を提供することにある。」（段落【０００８】）
（エ）「【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明による冷凍機冷却型超電導磁石装置の概要について説明する。図１において、この超電導磁石装置は、中央部に大気空間を有する２重円筒状の真空容器１０と、真空容器１０内に縦に配置されて水平磁場を発生するための２対のソレノイド状の超電導コイル１１ａ〜１１ｄと、各超電導コイルを冷却するための極低温冷凍機（後述する）とを含む。
本形態では特に、２対の超電導コイル１１ａ〜１１ｄを、一方の対の超電導コイル１１ａと１１ｂ、他方の対の超電導コイル１１ｃと１１ｄがそれぞれ大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイル１１ａと１１ｂの中心を結ぶ線分Ｌ１と他方の対の超電導コイル１１ｃと１１ｄの中心を結ぶ線分Ｌ２との間の角度（以下、配置角と呼ぶ）θが４０°≦θ≦９０°となるように隣接させて固定配置する点に特徴を有する。
　次に、図２〜図７を参照して、本発明をＭＣＺ法による単結晶引き上げ用磁場発生装置に適用した場合の実施の形態について説明する。図２において、この実施の形態による冷凍機冷却型超電導磁石装置は、図示しない単結晶成長装置の周囲に配置され、図１で述べたように、磁界を発生するための２対の超電導コイル１１ａ〜１１ｄを収容した密閉構造の真空容器１０と、真空容器１０の上面側から内部に配置され、各超電導コイルを冷却するための４つの極低温冷凍機（以下、冷凍機と呼ぶ）１２ａ〜１２ｄとを備えている。なお、極低温冷凍機の設置台数は冷凍能力に応じて決まり、４台に限定されるものではない。」（段落【００１７】〜【００１９】）
（オ）「図３に戻って、真空容器１０は単結晶成長装置の周囲を囲むことのできる二重円筒構造を有しており、単結晶成長装置は真空容器１０の内側に形成される大気空間に配置される。この単結晶成長装置は、従来のものと同じであるので、図示、説明は省略する。２対の超電導コイル１１ａ〜１１ｄは、単結晶成長装置の坩堝内の溶融シリコンに対して水平磁界を与える。
　更に、２対の超電導コイル１１ａ〜１１ｄ及びこれらを支持している構造体１３は、スリーブ２３の下部と共に、真空容器１０内に配置された二重円筒型の熱輻射シールド体１５に収容されている。この熱輻射シールド体１５は、輻射熱の侵入を防止するためのものである。スリーブ２３は、熱輻射シールド体１５の上部を貫通して下方に延びている。熱輻射シールド体１５とスリーブ２３との間の熱収縮による応力発生を防止するために、スリーブ２３の中間伝熱部材２３−２と熱輻射シールド体１５との間は、網線や多層板による可撓性伝熱体２５ａで連結されている。」（段落【００２６】、【００２７】）
（カ）「超電導コイル１１ａ〜１１ｄは、酸化物系のみならず、金属系の超電導線材で形成されても良い。・・・超電導コイル１１ａ〜１１ｄは、ソレノイド状に巻線された４つのコイルを真空容器１０内の円周上に配置したものである。隣り合う超電導コイルの配置角θは、小さいとコイル直径を小さくせざるを得なくなり、大気空間の中心で必要な磁界を発生するためには超電導コイルの経験磁界が超電導状態を破るほど大きくなってしまう。一方、配置角θが大きいと、大気空間の中心に発生させる磁界の発生効率が悪くなってしまう（１個の超電導コイルが装置中心に発生する磁場をＢ１とすると、４個の超電導コイルを組み合わせて中心に発生できる水平磁場Ｂ０は、Ｂ０＝４×Ｂ１×ｃｏｓ（θ／２）となる）。そのため、経験磁界をあまり大きくせず、中心への磁場発生効率をあまり下げない条件として、配置角θを４０゜≦θ≦９０゜の範囲内とする。」（段落【００３８】）
　
（２）先願明細書に記載された発明の認定
　先願明細書には、記載事項（ア）に「中央部に大気空間を有する２重筒状の真空容器と、該真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイルと、各超電導コイルを冷却するための低温冷凍機とを含み、前記少なくとも２対の超電導コイルは、各対の超電導コイルが前記大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置されていることを特徴とする冷凍機冷却型超電導磁石装置」が記載されている。
　そして、記載事項（イ）によれば、上記「冷凍機冷却型超電導磁石装置」は、坩堝内で溶融した溶融シリコンから単結晶半導体を製造する単結晶成長装置において、坩堝内の溶融シリコンに磁界を印加し電磁制動により対流を抑制する磁界印加式チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）に用いる磁場発生装置に適したものである。
　さらに、記載事項（イ）によれば、磁界の印加方向としては、溶融シリコンの液面に対して垂直方向の垂直磁場、水平方向の水平磁場、カスプ磁場を印加する３種類があることから、上記「冷凍機冷却型超電導磁石装置」において発生する「水平磁場」とは、溶融シリコンの液面に対して水平方向の磁界を印加することによる磁場を意味するといえる。
　さらに、記載事項（エ）によれば、上記「冷凍機冷却型超電導磁石装置」は、単結晶成長装置の周囲に配置され、磁界を発生するための２対の超電導コイルを収容した密閉構造の真空容器と、各超電導コイルを冷却するための低温冷凍機（以下、冷凍機と呼ぶ）とを備えるといえ、上記「一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度θ」は、「配置角」と呼ばれることがある。
　以上の記載事項を本願発明に則して整理し直すと、先願明細書には、
「坩堝内で溶融した溶融シリコンから単結晶半導体を製造する単結晶成長装置の周囲に配置され、坩堝内の溶融シリコンに対して水平磁界を印加し電磁制動により対流を抑制する磁界印加式チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）に用いる磁場発生装置に適した冷凍機冷却型超電導磁石装置であって、中央部に大気空間を有する２重筒状の真空容器と、該真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイルと、各超電導コイルを冷却するための冷凍機とを含み、前記少なくとも２対の超電導コイルは、各対の超電導コイルが前記大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度（配置角）θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置されている冷凍機冷却型超電導磁石装置」の発明（以下「先願明細書発明」という。）が記載されていると認める。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と先願明細書発明とを対比すると、先願明細書発明の「シリコン」は、記載事項（イ）によれば、溶融して単結晶に成長させるものであるから、本願発明の「半導体用単結晶材料」に相当し、先願明細書発明の「坩堝内で溶融した溶融シリコンから単結晶半導体を製造する単結晶成長装置」は、その周囲に冷凍機冷却型超電導磁石装置が配置されることから、本願発明の「引上げ炉」に相当する。
　つぎに、本願発明の「筒状容器」は、本願明細書の段落【００４２】に「筒形容器としての真空容器１９」と記載され、筒状の真空容器であるから、先願明細書発明の「２重筒状の真空容器」は、本願発明の「筒状容器」に相当する。
　つぎに、先願明細書発明の「超電導コイル」は、少なくとも２対あることから、超電導コイルが４以上の偶数個あるといえるのに対して、本願発明の「超電導コイルを４以上」について、本願明細書の段落【００４０】に「本実施形態の超電導磁石３０においては、円形のコイル２個１対を互いに向き合わせて２対、同一容器内に配置し」と記載されるとともに、段落【００４４】に「このように、コイル数を６以上の偶数個に設定することにより、さらに均一性を高めることができる」と記載され、本願発明の「超電導コイル」は、４以上の偶数個であることが明らかであるから、先願明細書発明の「少なくとも２対の超電導コイル」は、本願発明の「超電導コイルを４以上」に相当する。
　つぎに、先願明細書発明の「真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイル」について、記載事項（カ）に「超電導コイル１１ａ〜１１ｄは、ソレノイド状に巻線された４つのコイルを真空容器１０内の円周上に配置したものである。」と記載され、このことは、平面図示された図１（ｂ）及び図２から読み取ることができる。
　さらに、上記「（２）先願明細書に記載された発明の認定」において検討したように、記載事項（イ）によれば、「水平磁場」とは、溶融シリコンの液面に対して水平方向の磁界を印加することによる磁場を意味することから、上記「少なくとも２対の超電導コイル」は、水平方向の磁界を印加する必要があり、断面図示された図３及び図６を参照することにより、対向する超電導コイル１１ａと１１ｂの位置関係をみると、両コイルは、真空容器内に垂直に配置されるとともに、両コイルの中心を結ぶ線分は水平であることが見て取れる。
　これらのことから、先願明細書発明の「真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイル」は、本願発明の「前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置する」に相当するといえる。
　つぎに、先願明細書発明の「少なくとも２対の超電導コイル」は、「各対の超電導コイルが前記大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度（配置角）θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置され」ており、先願明細書発明の「配置角」を本願発明の「配設角度θ」に換算すると１８０°−９０°≦θ≦１８０°−４０°すなわち、９０°≦θ≦１４０°の範囲に設定していることになるから、先願明細書発明の「一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度（配置角）θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置され」と、本願発明の「超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し」とは、配設角度θを所定の範囲に設定した点で、共通するといえる。
　つぎに、記載事項（イ）によれば、先願明細書発明の「坩堝内で溶融した溶融シリコンから単結晶半導体を製造する単結晶成長装置」及び「冷凍機冷却型超電導磁石装置」は、全体としてみると、磁界印加式チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）を用いて単結晶種結晶を成長させる装置であるから、本願発明の「単結晶引上げ装置」に相当するといえる。
　以上のことから、両者は、
「半導体用単結晶材料を溶融させる坩堝を引上げ炉に内蔵し、前記引上げ炉の外部に配設した超電導コイルへの通電により前記単結晶に磁場を印加して、前記溶融した単結晶材料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置において、前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを所定の範囲に設定した単結晶引上げ装置。」点で一致し、以下の点で一応相違している。
　［相違点１］本願発明は、「超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し」ているのに対し、先願明細書発明は、「一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度（配置角）θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置され」ている点。
　［相違点２］本願発明は、「超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定した」のに対し、先願明細書発明は、かかる設定がなされていない点。
　
（４）判断
　［相違点１］について
　本願発明において、「前記超電導コイルを４以上とし、前記引上げ炉の周囲に同軸的に設けた筒形容器内の平面上に配置するとともに、その配置された各超電導コイルを前記筒形容器の軸心を介して対向する向きに設定し、かつ前記超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θを１００゜〜１３０゜の範囲に設定し」た意義についてみると、本願明細書の段落【００１３】に「図２０は、上述した従来の超電導磁石３０の磁場分布を示している。この図２０に示すように、従来の超電導磁石３０においては、互いに向き合った１対の超電導コイル４ａ、４ｂが配置されていることから、各コイル配置方向（Ｘ方向）では両側に向って磁場が次第に大きくなり、これと直交する方向（Ｙ方向）では上下方向に向って次第に磁場が小さくなる。このような従来の構成では図２０に示すようにボア範囲の磁場勾配が大きすぎるため、溶融液に発生する熱対流抑制が不均衡になっており、かつ磁場効率が悪い。」と従来技術の問題点が記載され、段落【００１５】及び【００１６】の記載によれば、本願発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、ボア内部に磁場勾配が少なく、高均一の横磁場を発生させることができる超電導磁石を用いて高品質の単結晶体を歩留りよく引上げることができる単結晶引上げ装置を提供することを目的としてなされたものといえる。
　そして、上記目的を達成するために、従来技術では１対（２個）だった超電導コイルを、本願発明では４（２対）以上とし、かつ、４以上の超電導コイルの配設角度θを所定の範囲としたものとみることができる。
　より具体的には、段落【００３８】〜【００４０】の記載によれば、図５〜図９において図示されるように、超電導コイルを４個とした場合、配設角度θを１００°〜１３０°の範囲に設定した場合に、磁場分布において、中心磁場が十分に広い領域に亘って均一に配置されるのに対し、配設角度θが９０°と小さい場合には、中心磁場のＹ方向の幅が極端に狭くなり、また図１１に示したように、配設角度θが１４０°と大きい場合には、中心磁場のＸ方向の幅が極端に狭くなることが見て取れる。
　以上のことから、本願発明の「超電導コイルの相互に隣接する１対ずつのもの同士が前記筒形容器の内側に向く配設角度θ」は、１１５°を中心として±１５°の範囲に設定した場合に、磁場分布において、中心磁場が十分に広い領域に亘って均一に配置されるとみることができる。
　これに対して、先願明細書発明において、「真空容器内に縦に配置されて水平磁場を発生するための少なくとも２対の超電導コイルと、各超電導コイルを冷却するための冷凍機とを含み、前記少なくとも２対の超電導コイルは、各対の超電導コイルが前記大気空間を間にして対向し合い、かつ一方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分と他方の対の超電導コイルの中心を結ぶ線分との間の角度θが水平面上で４０°≦θ≦９０°となるように隣接して配置され」る意義について先願明細書をみると、記載事項（イ）に「例えば水平磁場を発生させるコイル形状としては、２つのソレノイド状コイルを間隔をあけて縦にして対向配置するスプリットコイル、もしくは一対の鞍型コイルが使われている。・・・一方、液体ヘリウム浸漬型の超電導磁石を用いた場合には以下のような問題点がある。液体ヘリウム冷却が必要なため、装置が複雑、大型化する。液体ヘリウムの取り扱いが煩雑で、操作員の熟練が必要である。・・・また、水平磁場を発生させるためのコイルとして、これまでのスプリットコイルを用いた場合、形状が単純で製作が容易であるが、必要な空間への磁界発生効率が悪い。」と従来技術の問題点が記載され、記載事項（ウ）に「本発明の課題は、超電導コイルを低温冷凍機のみで伝導冷却する、いわゆるヘリウムフリー超電導磁石装置を利用し、水平磁界を発生するコイル形状として、少なくとも２対のソレノイド状超電導コイルを配置する構成とすることにより、操作が簡単で、装置の小型化の可能な水平磁場発生用の超電導磁石装置を提供することにある」と発明が解決しようとする課題が記載されている。
　そして、上記課題を解決するために、従来技術では２つ（１対）だったソレノイド状の超電導コイルを、先願明細書発明では、少なくとも２対とし、かつ、少なくとも２対の超電導コイルの配置角θを所定の範囲としたものとみることができる。
　より具体的には、記載事項（カ）に、「隣り合う超電導コイルの配置角θは、小さいとコイル直径を小さくせざるを得なくなり、大気空間の中心で必要な磁界を発生するためには超電導コイルの経験磁界が超電導状態を破るほど大きくなってしまう。一方、配置角θが大きいと、大気空間の中心に発生させる磁界の発生効率が悪くなってしまう（１個の超電導コイルが装置中心に発生する磁場をＢ１とすると、４個の超電導コイルを組み合わせて中心に発生できる水平磁場Ｂ０は、Ｂ０＝４×Ｂ１×ｃｏｓ（θ／２）となる）。そのため、経験磁界をあまり大きくせず、中心への磁場発生効率をあまり下げない条件として、配置角θを４０゜≦θ≦９０゜の範囲内とする。」と記載されている。
　そして、上記「（３）対比」で検討したように、先願明細書発明の「配置角θを４０゜≦θ≦９０゜の範囲内とする」を本願発明の「配設角度θ」に換算すると９０°≦θ≦１４０°の範囲に設定していることになるから、先願明細書発明では、配設角度θは、１１５°を中心として±２５°の範囲内にすると、経験磁界をあまり大きくせず、中心への磁場発生効率をあまり下げない条件を満足するといえる。
　そこで、両者の【発明が解決しようとする課題】及び【課題を解決するための手段】を対比すると、両者ともに、坩堝内の溶融液に対して水平磁界を印加し電磁制動により対流を抑制する磁界印加式チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）において、溶融液に発生する熱対流を抑制し、かつ磁場効率が悪いという従来技術の問題点の解消を課題とし、上記課題を解決するために、従来技術では１対（２個）だった超電導コイルを少なくとも２対（４個）とし、かつ、少なくとも２対の超電導コイルの配設角度θを所定範囲に設定するようにしているものとみることができる。
　そして、両者の配設角度θの範囲をみると、中心の角度は、ともに１１５°で共通するが、本願発明は中心の角度から±１５°の範囲内であるのに対して、先願明細書発明の中心の角度からの範囲は、本願発明よりも上限値及び下限値がそれぞれ１０°ずつ広がりを持つことがわかる。
　そして、両者の配設角度θの範囲における上限値及び下限値の相違は、中心磁場の発生条件としてどの程度まで許容するかによるものといえ、本願発明の配設角度θの上限値である１３０°及び下限値である１００°に臨界的な意義は見出せない。
　してみると、先願明細書発明の配設角度θの範囲９０°≦θ≦１４０°は、本願発明と中心の角度が同一の１１５°であるとともに、その上限値及び下限値もそれぞれ１０°ずつ広げたものであり、本願発明の配設角度θの範囲を完全に包含し、しかも、その上限値及び下限値に臨界的意義があるとはいえないから、両者の配設角度θの範囲をみても実質的な差異は見当たらない。
　したがって、相違点１は、実質的な相違点とはいえない。
　
　［相違点２］について
　本願発明において、「超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、前記筒形容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定した」意義についてみると、本願明細書の段落【００４１】に「また、ボア寸法Ｄに対し、対向するコイル間距離ｌを１．１〜１．２５倍の範囲に設定した場合、およびコイル直径ｄを０．３５〜０．５５倍に設定した場合には、図４〜図９に示した磁場分布の傾向がさらに確実となる。したがって、これらの要素を配設角度θとともに加味した設定とすることにより、さらに均一性のよい磁場分布を得ることができる。」と記載されるとともに、段落【００４３】に「この単結晶引上げの際には、超電導コイル４の対向するもの同士の離間距離ｌを、真空容器１９のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍に設定することにより、特に高品質の単結晶体を歩留りよく引上げることができる。」と記載されているが、当該数値範囲の有効性については具体的に裏付けられていない。
　そして、平成２３年７月１４日付けの回答書において、請求人は、「引用例１に記載の先願発明において、磁場効率を下げない見地から判断すると、対向する超電導コイルの同士の離間距離ｌ（エル）の筒状容器のボア寸法Ｄに対する比（ｌ／Ｄ）は、物理上１を下回る設定はできないことは当業者に自明であるとしても、離間距離ｌ（エル）とボア寸法Ｄの寸法比（ｌ／Ｄ）が限りなく１に近ければ、引用例１の段落［００３８］に記載のように、磁場強度Ｂ１が上がり、磁場効率が上がることは示されている。
　超電導コイルは、低温の真空容器１０内に内包されるため、容器の板厚（一般的にはボア寸法Ｄの０．００３倍程度）や輻射熱を遮る断熱空間（一般的にはボア寸法Ｄの約０．０２倍程度）が必要であるが、このような容器の板厚や断熱空間が占めるスペースを考慮しても、引用例１の先願発明のように磁場効率優先の装置では、離間距離ｌ（エル）のボア寸法Ｄに対する寸法比（ｌ／Ｄ）は、１．０５程度まで軽減できることが当業者に容易に考え付く程度である。
　しかし、請求項１に係る発明は、筒状容器のボア内に高均一な極磁場を確保し、磁場勾配の少ない水平磁場を得るために、離間距離ｌ（エル）のボア寸法Ｄに対する寸法比（ｌ／Ｄ）を１．１〜１．２５倍に設定したものであり、この寸法比（ｌ／Ｄ）は、当業者が容易に考え付く程度では決してないと思料する。請求項１に係る発明は、離間距離ｌ（エル）に対するボア寸法Ｄの寸法比（ｌ／Ｄ）が、１．０よりも大きく１．１未満であることを回避して１．１〜１．２５倍に設定したものである。」と主張しているので、この点について検討する。
　まず、離間距離ｌの基準となる「ボア寸法Ｄ」についてみると、本願明細書の記載をみても、ボア寸法の具体的な数値は記載されていないが、常識的にみれば、「ボア寸法Ｄ」は、引上げ炉の直径によって、ある程度決まるものと解される。
　そこで、引上げ炉の直径に着目すると、引き上げる単結晶の直径によって、引上げ炉の直径も様々なものが存在するので、「ボア寸法Ｄ」も様々なものが存在することが想定される。
　そうであれば、上記主張において「超電導コイルは、低温の真空容器１０内に内包されるため、容器の板厚（一般的にはボア寸法Ｄの０．００３倍程度）や輻射熱を遮る断熱空間（一般的にはボア寸法Ｄの約０．０２倍程度）が必要である」というが、容器の板厚や輻射熱を遮る断熱空間の厚みと「ボア寸法Ｄ」との比率は、「ボア寸法Ｄ」によって変化することになるので、具体的な「ボア寸法Ｄ」が設定されていなければ、容器の板厚等との比率を議論しても意味がないことになる。
　さらに、上記主張において「請求項１に係る発明は、離間距離ｌ（エル）に対するボア寸法Ｄの寸法比（ｌ／Ｄ）が、１．０よりも大きく１．１未満であることを回避して１．１〜１．２５倍に設定したものである。」というが、「離間距離ｌ（エル）に対するボア寸法Ｄの寸法比（ｌ／Ｄ）が、１．０よりも大きく１．１未満」の場合に、どのような不都合が生じるかについても説明されておらず、数値範囲の下限値を設定した意義が読み取れない。
　そして、先願明細書の記載事項（オ）に「２対の超電導コイル１１ａ〜１１ｄ及びこれらを支持している構造体１３は、スリーブ２３の下部と共に、真空容器１０内に配置された二重円筒型の熱輻射シールド体１５に収容されている。この熱輻射シールド体１５は、輻射熱の侵入を防止するためのものである。」と記載されることから、２重筒状の真空容器の中に構造体１３に支持された超電導コイルを配置するに当たって、単結晶成長装置からの輻射熱に対するシールドを考慮し、余裕を持って配置する観点からすれば、先願明細書発明において、超電導コイルの対向するもの同士の離間距離ｌを、真空容器のボア寸法Ｄに対して１．１〜１．２５倍程度に設定することは、ボア寸法に応じて当然になされる単なる設計事項であって、新たな効果を奏するものではない。
　したがって、相違点２は、実質的な相違点とはいえない。
　
（５）むすび
  以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。