【手続補正書】
【提出日】平成18年1月16日(2006.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）以下の式のつなぎ留められた（tethered）アミンタンタル錯体と、
【化１】
2002501075.tif 000001
（式中、ｘは２または３であり、各Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選される）；
（ｉｉ）以下の式のβ−ジイミンと、
ＴａＧｘＱ５−ｘ
（式中、Ｇはβ−ジイミノ配位子であり、各Ｑは、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、アリールおよびＣ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルからなる群から選択され、ｘは１〜４の整数である）；
（ｉｉｉ）以下の式のタンタルジアミド錯体と、
Ｔａ（Ｎ（Ｒ１）（ＣＨ２）ｘＮ（Ｒ２））ｙ（ＮＲ３Ｒ４）５−２ｙ
（式中、ｘは１または２であり、ｙは１または２であり、各Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、アリール、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される）；
（ｉｖ）以下の式のタンタルアミド化合物と、
Ｔａ（ＮＲＲ’）５
（式中、各ＲおよびＲ’は、独立して、各ＮＲＲ’基においてＲ≠Ｒ’という条件に従って、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される）；
（ｖ）以下の式のβ−ケトイミンと、
【化２】
2002501075.tif 000002
（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、独立して、Ｈ、アリール、Ｃ１〜Ｃ６アルキルおよびＣ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルから選択される）；
（ｖｉ）以下の式のタンタルシクロペンタジエニル化合物と、
【化３】
2002501075.tif 000003
（式中、各Ｒは独立にトリメチルシリルである）；
（ｖｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔｉ（ＮＲ１Ｒ２）ｘＮＲ３Ｒ４）４−ｘ
（式中、各Ｒ１およびＲ２は、独立して、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキルからなる群から選択され、各Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
（ｖｉｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１）ＮＲ２Ｒ３）３
（式中、Ｒ１は、Ｈ、Ｃ５〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキルあるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランから選択される珪素含有基からなる群から選択され、
各Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
（ｉｘ）以下の式の化合物と、
Ｔｉ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）４−ｘ
（式中、ｘは１〜４であり、各Ｒ１〜５は、独立して、Ｒ４およびＲ５が、それぞれ、メチルであるとき、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３がすべてトリメチルシリルであるとはかぎらないという条件に従って、Ｈ、Ｍｅ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ｉＰｒ、ＣＦ３、ＳｉＨ３、ＳｉＭｅ３、Ｓｉ（ＣＦ３）３、Ｓｉ（Ｅｔ）３、Ｓｉ（ｉＰｒ）３、Ｓｉ（ｔＢｕ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３およびＳｉ（ＳｉＭｅ３）ｘ（Ｍｅ）３−ｘからなる群から選択され、ここでｘは０〜３である）；
（ｘ）以下の式の化合物と、
（Ｃｐｎ）Ｔａ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）４−ｘ／（Ｃｐｎ）２Ｔｉ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）（ＮＲ４Ｒ５）
（式中、ｘは０〜４であり、各Ｒ１〜５は、独立して、Ｈ、Ｍｅ、Ｅｔ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ｉＰｒ、ＣＦ３、ＳｉＨ３、ＳｉＭｅ３、Ｓｉ（ＣＦ３）３、Ｓｉ（Ｅｔ）３、Ｓｉ（ｉＰｒ）３、Ｓｉ（ｔＢｕ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、Ｓｉ（ＳｉＭｅ３）ｘ（Ｍｅ）３−Ｘからなる群から選択され、ＣｐｎはＣ５ＨｘＭｅ（５−ｘ）（ここでｘ＝０〜５）である）；
（ｘｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１Ｒ２）ｘ（ＮＲ３Ｒ４）５−ｘ
（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシラン、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択され、ここで、ｘは０〜５である）；
（ｘｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）５−ｘ
（式中、ｘは０〜５であり、各Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｍｅ、Ｅｔ，ｔＢｕ、Ｐｈ、ｉＰｒ、ＣＦ３、ＳｉＨ３、ＳｉＭｅ３、Ｓｉ（ＣＦ３）３、Ｓｉ（Ｅｔ）３、Ｓｉ（ｉＰｒ）３、Ｓｉ（ｔＢｕ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３およびＳｉ（ＳｉＭｅ３）ｘ（Ｍｅ）３−ｘからなる群から選択され、ここで、ｘは０〜３である）；
（ｘｉｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１）（ＮＲ２Ｒ３）３
（式中、Ｒ１は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアルールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択され、
各Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ３〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
からなる群から選択される少なくとも１種のタンタルおよび／またはチタン化学種を含む供給源試薬組成物。
【請求項２】
前記タンタルおよび／またはチタン化学種用の溶媒をさらに含む、請求項１に記載の供給源試薬組成物。
【請求項３】
前記溶媒が、Ｃ６〜Ｃ１０アルカン類、Ｃ６〜Ｃ１０芳香族化合物類およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２に記載の供給源試薬組成物。
【請求項４】
前記溶媒がヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエンおよびキシレンからなる群から選択される、請求項２に記載の供給源試薬組成物。
【請求項５】
前駆物質から基板上にＴａまたはＴｉ材料を形成する方法であって、
前記前駆物質を蒸発させて前駆物質の蒸気を形成する工程と、
前記ＴａまたはＴｉ材料を前記基板上に形成するように、前記基板と前記前駆物質の蒸気を接触させる工程と、を含み、
前記前駆物質が、請求項１に記載の少なくとも１種のタンタルおよび／またはチタン化学種を含む方法。
【請求項６】
前記基板上に形成される前記材料が、ＴａＮであり、前記前駆物質が、請求項１に記載のタンタル化学種から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記前駆物質用の溶媒をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記溶媒が、Ｃ６〜Ｃ１０アルカン類、Ｃ６〜Ｃ１０芳香族化合物類およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記溶媒が、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエンおよびキシレンからなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記前駆物質の液体送出（delivery）化学蒸着を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
化学蒸着、補助化学蒸着、イオン注入、分子線エピタキシーおよび急速熱処理からなる群から選択される技術によって、前記基板上にＴａおよび／またはＴｉを蒸着することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前駆物質から基板上にＴａまたはＴｉ材料を形成する方法であって、
前記前駆物質を蒸発させて前駆物質の蒸気を形成するステップと、
前記ＴａまたはＴｉ材料を前記基板上に形成するように、前記基板と前記前駆物質の蒸気を接触させるステップと、を含み、
前記前駆物質が、請求項１に記載の少なくとも１種のタンタルおよび／またはチタン化学種を含み、
前記基板は、マイクロエレクトロニクス素子構造体を含む、方法。
【請求項１３】
ＴａＮまたはＴａＳｉＮを前記基板上に蒸着し、その後前記基板を銅で金属化する、あるいは強誘電性薄膜と一体化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ＴａＮを前記基板上に蒸着し、その後前記基板を銅で金属化する、あるいは強誘電性薄膜と一体化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前駆物質から基板上にタンタル材料を形成する方法であって、
前記基板上にＴａＮを形成するように、前記前駆物質の液体送出化学蒸着を含み、前記前駆物質を蒸発させて前駆物質の蒸気を形成するステップと、前記前駆物質の蒸気を前記基板と接触させて、前記基板上に前記ＴａＮを形成するステップと、その後に、前記基板を銅で金属化する、あるいは強誘電性薄膜と一体化するステップと、を含み、
前記前駆物質が、請求項１に記載の少なくとも１種のタンタル化学種を含む、方法。
【請求項１６】
以下の式:
Ｔａ（ＮＲ１）ＮＲ２Ｒ３）３
（式中、Ｒ１は、Ｈ、Ｃ５〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシラン、およびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択され、
各Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）
を有する少なくとも１種のタンタル化学種を含む供給源試薬組成物。
【請求項１７】
前記タンタル化学種用の液体溶媒をさらに含む、請求項１６に記載の供給源試薬組成物。
【請求項１８】
前記溶媒が、Ｃ６〜Ｃ１０アルカン類、Ｃ６〜Ｃ１０芳香族化合物類、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１６に記載の供給源試薬組成物。
【請求項１９】
前記溶媒が、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエンおよびキシレンからなる群から選択される、請求項１６に記載の供給源試薬組成物。
【請求項２０】
（ａ）以下の式：
Ｔａ（ＮＲ１）ＮＲ２Ｒ３）３
を有する少なくとも１種のタンタル化学種と、
（式中、各Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
（ｂ）液体溶媒と、
を含む供給源試薬組成物。
【請求項２１】
前記液体溶媒が、Ｃ６〜Ｃ１０アルカン類、Ｃ６  〜Ｃ１０芳香族化合物類およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２０に記載の供給源試薬組成物。
【請求項２２】
前駆物質から基板上にＴａまたはＴｉ材料を形成する方法であって、
前記前駆物質を蒸発させて、前駆物質の蒸気を形成するステップと、前記基板上に前記ＴａまたはＴｉ材料を形成するように、前記前駆物質の蒸気を前記基板と接触させるステップと、を含み、
前記前駆物質が、請求項１６に記載の少なくとも１種のタンタルおよび/またはチタン化学種を含む、方法。
【請求項２３】
前駆物質から基板上にＴａ材料を形成する方法であって、
前記前駆物質を蒸発させて、前駆物質の蒸気を形成するステップと、前記基板上に前記Ｔａ材料を形成するように、前記前駆物質の蒸気を前記基板と接触させるステップと、を含み、
前記前駆物質が、請求項１６に記載の少なくとも１種のタンタルおよび/またはチタン化学種を含む、方法。
【請求項２４】
前駆物質から基板上にＴａ材料を形成する方法であって、前記前駆物質を蒸発させて、前駆物質の蒸気を形成するステップと、前記基板上に前記Ｔａ材料を形成するように、前記前駆物質の蒸気を前記基板と接触させるステップと、を含み、前記前駆物質が、請求項２０に記載の少なくとも１種のタンタルおよび/またはチタン化学種を含む、方法。
【請求項２５】
前駆物質から基板上にＴａまたはＴｉ材料を形成する方法であって、
前記前駆物質を蒸発させて、前駆物質の蒸気を形成するステップと、前記基板上に前記ＴａまたはＴｉ材料を形成するように、前記前駆物質の蒸気を前記基板と接触させるステップと、を含み、
前記前駆物質が、
（ｉ）以下の式のつなぎ留められた（tethered）アミンタンタル錯体と、
【化１】
2002501075.tif 000004
（式中、ｘは２または３であり、各Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選される）；
（ｉｉ）以下の式のβ−ジイミンと、
ＴａＧｘＱ５−ｘ
（式中、Ｇはβ−ジイミノ配位子であり、各Ｑは、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、アリールおよびＣ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルからなる群から選択され、ｘは１〜４の整数である）；
（ｉｉｉ）以下の式のタンタルジアミド錯体と、
Ｔａ（Ｎ（Ｒ１）（ＣＨ２）ｘＮ（Ｒ２））ｙ（ＮＲ３Ｒ４）５−２ｙ
（式中、ｘは１または２であり、ｙは１または２であり、各Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、アリール、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される）；
（ｉｖ）以下の式のタンタルアミド化合物と、
Ｔａ（ＮＲＲ’）５
（式中、各ＲおよびＲ’は、独立して、各ＮＲＲ’基においてＲ≠Ｒ’という条件に従って、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される）；
（ｖ）以下の式のβ−ケトイミンと、
【化２】
2002501075.tif 000005
（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、独立して、Ｈ、アリール、Ｃ１〜Ｃ６アルキルおよびＣ１〜Ｃ６パーフルオロアルキルから選択される）；
（ｖｉ）以下の式のタンタルシクロペンタジエニル化合物と、
【化３】
2002501075.tif 000006
（式中、各Ｒは、独立して、トリメチルシリルである）；
（ｖｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１Ｒ２）ｘ（ＮＲ３Ｒ４）５−ｘ/Ｔｉ（ＮＲ１Ｒ２）ｘＮＲ３Ｒ４）４−ｘ
（式中、Ｒ１およびＲ２が、それぞれメチルのとき、Ｒ３およびＲ４が双方ともプロピルではないという条件に従って、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択され、タンタル化合物においてｘは０〜５であり、チタン化合物においてｘは１〜４である）；
（ｖｉｉｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１）ＮＲ２Ｒ３）３
（式中、Ｒ１は、Ｈ、Ｃ５〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキルあるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランから選択される珪素含有基からなる群から選択され、
各Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
（ｉｘ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）５−ｘ/Ｔｉ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）４−ｘ
（式中、タンタル化合物においてｘは０〜５であり、チタン化合物においてｘは１〜４であり、各Ｒ１〜５は、独立して、Ｒ４およびＲ５が、それぞれ、メチルであるとき、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３がすべてトリメチルシリルであるとはかぎらないという条件に従って、Ｈ、Ｍｅ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ｉＰｒ、ＣＦ３、ＳｉＨ３、ＳｉＭｅ３、Ｓｉ（ＣＦ３）３、Ｓｉ（Ｅｔ）３、Ｓｉ（ｉＰｒ）３、Ｓｉ（ｔＢｕ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３およびＳｉ（ＳｉＭｅ３）ｘ（Ｍｅ）３−ｘからなる群から選択される）；
（ｘ）以下の式の化合物と、
（Ｃｐｎ）Ｔａ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘ（ＮＲ４Ｒ５）４−ｘ／（Ｃｐｎ）２Ｔｉ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）（ＮＲ４Ｒ５）
（式中、ｘは０〜４であり、各Ｒ１〜５は、独立して、Ｈ、Ｍｅ、Ｅｔ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ｉＰｒ、ＣＦ３、ＳｉＨ３、ＳｉＭｅ３、Ｓｉ（ＣＦ３）３、Ｓｉ（Ｅｔ）３、Ｓｉ（ｉＰｒ）３、Ｓｉ（ｔＢｕ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、Ｓｉ（ＳｉＭｅ３）ｘ（Ｍｅ）３−Ｘからなる群から選択され、ＣｐｎはＣ５ＨｘＭｅ（５−ｘ）（ここでｘ＝０〜５）である）；
（ｘｉ）以下の式の化合物と、
Ｔａ（ＮＲ１）（ＮＲ２Ｒ３）３
（式中、Ｒ１は、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオルアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアルールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択され、各Ｒ２およびＲ３は、独立して、Ｈ、Ｃ３〜Ｃ８アルキル、アリール、Ｃ１〜Ｃ８パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される）；
からなる群から選択される少なくとも１種のタンタルおよび／またはチタン化学種を含む、方法。