Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶を行う方法であって、複数のアクティブなファイルシステムの維持を含み、
上記アクティブなファイルシステムの各々が、当初は上記アクティブなファイルシステムの中のもう１つのアクティブなファイルシステムと共有するデータにアクセスし、
上記アクティブなファイルシステムの各々に加えられた変更が、上記変更されたアクティブなファイルシステムが上記データを共有する上記アクティブなファイルシステムに反映されない方法。
【請求項２】
第２のアクティブなファイルシステムが第１のアクティブなファイルシステムに基づいて作成されたとき、上記第１のアクティブなファイルシステムおよび上記第２のアクティブなファイルシステムが、当初はデータを共有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第１のアクティブなファイルシステムに変更が加えられたとき、変更されたデータが、上記第１のアクティブなファイルシステム内の上記第２のアクティブなファイルシステムとは共有されない場所に記録される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記第２のアクティブなファイルシステムに変更が加えられたとき、変更されたデータが、上記第２のアクティブなファイルシステム内の上記第１のアクティブなファイルシステムとは共有されない場所に記録される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
複数のスナップショットが上記複数のアクティブなファイルシステムの１つから作成され、上記スナップショットの各々が、過去の１整合点でのそのアクティブなファイルシステムのイメージを形成する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各スナップショットが、上記複数のアクティブなファイルシステムのためのアクティブなファイルシステムデータから分離した、ファイルシステムデータのための完全な階層を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記スナップショットの少なくとも１つが、新しいアクティブなファイルシステムに変換される請求項５に記載の方法。
【請求項８】
上記スナップショットの１つが、上記スナップショットの１つを書き込み可能にすることにより変換される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
いずれかの上記アクティブなファイルシステムから上記新しいアクティブなファイルシステムへのスナップショットポインタが切断される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数のアクティブなファイルシステムを作成する方法であって、
第１のアクティブなファイルシステムの、当初は上記第１のアクティブなファイルシステムとデータを共有するスナップショットを作成するステップ；および
上記スナップショットを書き込み可能にすることにより、上記スナップショットを第２のアクティブなファイルシステムに変換するステップを含み、
ここに、上記第１のアクティブなファイルシステムに加えられた変更が上記第２のアクティブなファイルシステムに反映されず、上記第２のアクティブなファイルシステムに加えられた変更が上記第１のアクティブなファイルシステムに反映されない
方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、さらに
上記第１のアクティブなファイルシステムの、当初は上記第１のアクティブなファイルシステムとデータを共有する新しいスナップショットを作成するステップ；および
上記新しいスナップショットを書き込み可能にすることにより、上記新しいスナップショットを第３のアクティブなファイルシステムに変換するステップを含み、
ここに、上記第１のアクティブなファイルシステムまたは上記第２のアクティブなファイルシステムに加えられた変更が上記第３のアクティブなファイルシステムに反映されない
方法。
【請求項１２】
上記第１のアクティブなファイルシステムまたは上記第２のアクティブなファイルシステムに変更が加えられたとき、変更されたデータが、上記第３のアクティブなファイルシステムとは共有されない場所に記録される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コンピュータシステム上で実行された時、上記コンピュータシステムに請求項１から請求項１２のいずれか１つのステップをもたらすプログラムコード手段を含むコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
少なくとも１つの記憶装置；
情報を送受信する少なくとも１つのコンピュータ・デバイスまたはネットワークへのインタフェース；および
上記記憶装置内の上記情報の記憶および取り出しを制御し、プログラム制御下で動作して請求項１から請求項１２のいずれか１つのステップを実行するコントローラ
を含む記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのベースチップ、特にシステムベースチップを用いて、少なくとも１つのアプリケーションを対象としシステムと関連付けられた少なくとも１つのマイクロコントローラユニットの動作を監視する方法であって、
前記マイクロコントローラユニットのリセットが、少なくとも１つの特殊なシーケンス、特にリセット動作に割り当てられた少なくとも１つのドライブまたはアクセスシーケンスが前記ベースチップへ供給されるときに引き起こされる方法。
【請求項２】
特殊な動作モード、特に前記ベースチップのフラッシュモードが、前記ベースチップと関連付けられた少なくとも１つの監視モジュールへのアクセスを前記マイクロコントローラユニットの通常の動作モードよりも簡単化された形で可能にさせることにより、前記特殊なシーケンス後、かつ、前記リセット動作後に作動させることができることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
特殊な動作モードの間に、前記監視モジュールのための通常の動作モードとは異なる特殊なトリガコードまたは特殊なトリガ信号が利用され、
前記マイクロコントローラユニットの新たなリセットが、特殊なモードから再度抜け出すことができるようにするため、通常のトリガコードまたは通常のトリガ信号によって引き起こされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マイクロコントローラユニットの動作に関連して異なるリセット事象を区別することが可能であり、
これらの異なるリセット事象が異なるレジスタエントリーを用いて少なくとも１つのレジスタユニットにおいて適切に記録され公表されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのアプリケーションを対象とした少なくとも１つのマイクロコントローラユニットの動作を監視するベースチップ、特にシステムベースチップであって、
前記マイクロコントローラユニットにリセットユニットが接続され、前記マイクロコントローラユニットをリセットする少なくとも１つのリセットユニットと、
前記マイクロコントローラのリセットに割り当てられた少なくとも１つの特殊なシーケンス、特にドライブまたはアクセスシーケンスと、
を備えている、ベースチップ。
【請求項６】
前記マイクロコントローラユニットと関連付けられた少なくとも１つの監視モジュールと、
異なるリセット事象を可能にするため設けられ、異なるリセットレジスタエントリーを用いて異なるリセット事象を記録し公表する少なくとも１つのレジスタユニットと、
を備えていることを特徴とする請求項５に記載のベースチップ。
【請求項７】
前記監視モジュールが特に少なくとも１つのインタフェースユニットを用いてトリガ可能であり、および／または、
前記監視モジュールへの特定のアクセスを区別するため、異なるリセット事象が異なるトリガコードまたはトリガ信号によってマークされ得ることを特徴とする請求項６に記載のベースチップ。
【請求項８】
前記監視モジュールと前記マイクロコントローラユニットとの間に、前記マイクロコントローラユニットの通常の動作モードとは異なる少なくとも１つのトリガコードまたはトリガ信号を伝達する少なくとも１つの信号ラインが設けられることを特徴とする請求項７に記載のベースチップ。
【請求項９】
少なくとも１つのアプリケーションを対象とする少なくとも１つのマイクロコントローラユニットと、
請求項５から８のいずれか一項に記載の少なくとも１つのベースチップと、
を備えているシステム、特に制御システム。
【請求項１０】
車両のエレクトロニクス、特に自動車のエレクトロニクスにおいて、少なくとも１つのアプリケーションを対象とする少なくとも１つのマイクロコントローラユニットの動作を監視するために、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法および／または請求項５から８のいずれか一項に記載の少なくとも１つのベースチップの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月28日(2006.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層上に三次元最終表面パターンを有するユニットを形成する方法（「リフト−オフ法」）であって、第１の処理ステップにおいて、該ベース層上にフォトレジスト層を発生させるためにフォトレジストを適用し、第２の処理ステップにおいて、予め定められた最終表面パターンに適合されたマスキング露光を該フォトレジスト層に施し、第３の処理ステップにおいて、該フォトレジスト層の一部を現像除去することで、犠牲層領域としてのフォトレジストサブ領域を有する初期表面パターンを得、第４の処理ステップにおいて、得られた初期表面パターンを覆うコーティングを適用し、第５の処理ステップにおいて、犠牲層領域を不安定化させるために該初期表面パターンにエネルギーを適用し、第６の処理ステップにおいて、予め定められた処理温度において該初期表面パターンに高圧液体ジェットを作用させ、該犠牲層領域を覆うコーティングの少なくとも一部を、該最終表面パターンを形成するために機械的に除去し、又は少なくともこじ開け、該第６の処理ステップにおいて、該高圧液体ジェットの液体は、操作温度において、適用中、該ユニットの材料および／または有機の流体シール手段に対し、測定限界未満の無視し得る化学反応速度および／または物理溶解速度を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
第４の処理ステップにおいて、得られた初期表面パターンを覆う前記コーティングを交代層として適用する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第７の処理ステップにおいて、該犠牲層領域のアクセスできる部分から材料を除去するために溶剤を適用する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該溶剤として、１％〜２０％の体積濃度を有する水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液を使用する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該溶剤を該高圧液体ジェットと同時に適用する、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
該溶剤を該高圧液体ジェットの直後に適用する、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項７】
該溶剤を該高圧液体ジェットの直後に、該高圧液体ジェットから独立した供給システムによって適用する、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項８】
第５の処理ステップにおいて適用される不安定化エネルギーが、ＵＶ−フラッド露光である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
第５の処理ステップにおける不安定化エネルギー適用として、無視できる化学反応速度を有する過熱蒸気を使用する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第５の処理ステップにおける不安定化エネルギー適用のために、該ユニットをこのユニットを攻撃しない液体によって煮沸する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
第５の処理ステップにおける不安定化エネルギー適用のために、加熱するマイクロ波放射を使用する、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
第５の処理ステップにおける不安定化エネルギー適用後に急冷を行う、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
フォトレジストとして、０．１μｍ〜１０μｍの間の層厚を有する、いわゆるイメージ反転レジストを使用し、第２の処理ステップにおいてマスキング露光の後に、該フォトレジスト層を加熱し、次に中間ステップにおいて、近紫外領域の強い露光で２回目の露光を行う、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
該フォトレジストを露光するために光ビームが使用され、フォトレジスト層のより深い位置にある領域を、表面近傍の領域よりも局所的により少なく露光するように、前記光ビームの強度推移がフォトレジスト層の内部で、光ビームがフォトレジスト層の上側上に合焦されることによりフォトレジスト内で著しく発散して広がるように、変形される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
交代層システムとしてのコーティングが、周期律のグループＩＶＡ、ＩＶＢ、ＶＢからなる群の少なくとも２つの異なる酸化物または酸窒化物を含む少なくとも１つの高屈折率材料と少なくとも１つの低屈折率材料を含み、０．５μｍ〜５μｍの間の厚みを有し、かつ第４の処理ステップの間該ユニットの温度が１２０℃より低く維持される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
パターン化された前側が同時に洗浄され、従って次の処理ステップのための準備ができるように、１００バール〜１８０バールの間の圧力の高圧液体ジェットのための液体がＤＩ水（脱塩濾過水）である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法で製造された、光学ユニット上のパターン化された誘電体フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月10日(2006.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライナ層と、微粒子状触媒金属を含む同延の触媒層とを含むダイカットされた触媒デカールであって、４辺を有する平行四辺形以外の形状である周囲を有するダイカットされた触媒デカール。
【請求項２】
流体輸送層と、微粒子状触媒金属を含む同延の触媒層とを含むダイカットされた電極であって、４辺を有する平行四辺形以外の形状である周囲を有するダイカットされた電極。
【請求項３】
ライナ層と、触媒層とを含む、触媒デカール材料のウェブを、ダイカットする工程を含む、請求項１に記載のダイカットされた触媒デカールを製造する方法。
【請求項４】
流体輸送層と、触媒層とを含む、電極材料のウェブを、ダイカットする工程を含む、請求項２に記載のダイカットされた電極を製造する方法。
【請求項５】
第１および第２の面を有するポリマー電解質膜と、
隣接したパターニングされた触媒層セグメントが互いに接触しないように、前記膜の前記第１の面上に積層された複数の第１のパターニングされた触媒層セグメントと、
隣接したパターニングされた触媒層セグメントが互いに接触しないように、前記膜の前記第２の面上に積層された複数の第２のパターニングされた触媒層セグメントとを含む、複数の膜電極アセンブリを含む膜であって、
前記第１のパターニングされた触媒層セグメントの各々が、周囲を有し、前記第２のパターニングされた触媒層セグメントの各々が、対向する第１のパターニングされた触媒層セグメントの周囲と正確に位置合せされた周囲を有する、膜。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１タップと第２タップとの間に存在する複数のタップの少なくとも１つのカラムを有する少なくとも１つの抵抗体を備え、
ここにおいて、
使用時に、少なくとも２つのタップが第１および第２基準入力電位源にそれぞれ接続可能であり、
且つ、前記複数のタップの少なくとも１つのカラムの各タップが、関係するタップに接続される接触エリアを介して出力電位を出力するために用いられうる、
ものにおいて、
抵抗ラダー回路のような抵抗回路において、前記抵抗体が複数のサブ抵抗体を備え、
ここにおいて、
各サブ抵抗体はタップのカラムに接続され、
且つ、前記サブ抵抗体相互間の電気接続部のみが前記サブ抵抗体に接続されたタップを介しての電気接続部である
ことを特徴とする抵抗回路。
【請求項２】
各サブ抵抗体がタップの少なくとも１つのカラムを備え、タップのカラムの各タップは関連するサブ抵抗体に接続されるＴ型またはＳ型の突起のような端部であることを特徴とする請求項１に記載の抵抗回路。
【請求項３】
第１サブ抵抗体のタップの第１カラムの複数のタップが第２サブ抵抗体のタップの第２カラムの複数のタップに接続され、
ここにおいて、
前記第１カラムの複数のタップの各タップが前記第２カラムの複数のタップの１つのタップのみに接続され、
且つ、前記第２カラムの複数のタップの各タップが前記第１カラムの複数のタップの１つのタップのみに接続されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の抵抗回路。
【請求項４】
前記第１カラムの各タップがその第１カラムのタップが接続される第２カラムのタップのカラム位置に関して少なくとも１つのカラム位置分だけシフトされていることを特徴とする請求項３に記載の抵抗回路。
【請求項５】
タップを有するサブ抵抗体相互間の各接続部が各タップに関して異なる任意の位置における抵抗回路の製造中に作られることを特徴とする請求項３または４に記載の抵抗回路。
【請求項６】
抵抗回路が半導体回路であり、
ここにおいて、
各サブ抵抗体が多数の抵抗層を備え、各半導体抵抗層が少なくとも２つのタップを備え、
且つ、前記半導体抵抗層がタップを介して相互結線されている
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の抵抗回路。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の抵抗回路を備えたことを特徴とする、アナログ入力信号に基づいてディジタル出力信号を生成するＡ／Ｄ変換器。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の抵抗回路を備えた、ディジタル入力信号に基づいてアナログ出力信号を生成するＤ／Ａ変換器。
【請求項９】
抵抗ラダー回路のような抵抗回路を製造する方法において、
少なくとも１つのカラムを有する抵抗体を備えた抵抗回路を製造するステップを備え、ここにおいて、複数のタップは第１タップと第２タップとの間に存在しているものにおいて、
さらに、
前記抵抗体を形成するために、多数のサブ抵抗体を製造するステップであり、ここにおいて、多数のサブ抵抗体は相互に電気的に絶縁され、且つ、各サブ抵抗体はタップを備えた少なくとも１つのカラムに接続されている、ステップと、
第１サブ抵抗体のタップの第１カラムの複数のタップを第２サブ抵抗体のタップの第２カラムの複数のタップに接続するステップと、
を備え、
ここにおいて、
前記第１カラムの複数のタップの各タップが前記第２カラムの複数のタップの１つのタップのみに接続され、
且つ、前記第２カラムの複数のタップの各タップが前記第１カラムの複数のタップの１つのタップのみに接続される、
ことを特徴とする抵抗回路を製造する方法。
【請求項１０】
前記第１カラムの各タップがその第１カラムのタップが接続される第２カラムのタップのカラム位置に関して少なくとも１つのカラム位置分だけシフトされていることを特徴とする請求項９に記載の抵抗回路を製造する方法。
【請求項１１】
タップを有する接続部が異なる任意の位置に作られることを特徴とする請求項９または１０に記載の抵抗回路を製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005529494.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水性電解質と、アノードと、カソード組立体とを含み、前記電解値は溶媒を含み、前記カソード組立体は２つの主面を有する金属カソード電流コレクタ及び前記２つの主面の少なくとも一方の上に配置されたカソード被覆を含み、該被覆は二硫化鉄を含み、前記アノードは金属リチウムを含み、前記アノード対カソードのインプット比が、１．０以下であり、
前記アノード対カソードのインプット比が、
アノード対カソードのインプット比＝2.54cm長さあたりのアノード容量/2.54cm長さあたりのカソード容量、
として決定されるようになっており、
この場合、
前記2.54cm長さあたりのアノード容量＝(箔厚さ)×(界面電極幅)×(2.54cm長さ)×(20℃におけるリチウム箔の密度)×(リチウムエネルギー密度、3861.7mAh/g)及び
前記2.54cm長さあたりのカソード容量＝(最終カソード被覆厚さ)×(界面電極幅)×(2.54cm長さ)×(カソードドライミックス密度)×(最終カソード充填百分率)×(乾燥重量パーセントFeS2)×(パーセント純度FeS2)×(FeS2エキルギー密度、893.58mAh/g)
であることを特徴とする電池。
【請求項２】
前記金属リチウムが、アルミニウムと合金されていることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記金属リチウムが、１．０重量パーセントより少ないアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項４】
前記金属リチウムが、０．１重量パーセントから０．９重量パーセントまでの間のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項３に記載の電池。
【請求項５】
前記金属リチウムが、０．５重量パーセントのアルミニウムを含むことを特徴とする請求項４に記載の電池。
【請求項６】
前記カソード被覆が、４３パーセントより少ない空隙容量をさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項７】
前記空隙容量が、３６パーセントから４２パーセントまでであることを特徴とする請求項６に記載の電池。
【請求項８】
前記カソード被覆が、合成黒鉛をさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項９】
前記合成黒鉛が、高度に結晶性の合成黒鉛であることを特徴とする請求項８に記載の電池。
【請求項１０】
前記高度に結晶性の合成黒鉛が、３．０μｍから１１．０μｍまでの平均粒度、３．０ｍ2／ｇから１１．０ｍ2／ｇまでのＢＥＴ表面積、及び１６０パーセントから２００パーセントまでのＤＢＰを有することを特徴とする請求項９に記載の電池。
【請求項１１】
前記カソード被覆が、アセチレンブラックをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１２】
前記カソード被覆が、微粉化ポリテトラフルオロエチレン粉末をさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１３】
前記カソード被覆が、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン・ブロック・コポリマーをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１４】
前記カソード被覆が、ヒュームド・シリカをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１５】
前記カソード被覆が、該カソード被覆の全固形分に基づいて、合計７．０パーセントから１１．０パーセントまでの合成黒鉛及びアセチレンブラックをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１６】
前記合成黒鉛及び前記アセチレンブラックが、合わせて、前記カソード被覆の前記全固形分のうちの１０．０体積パーセントから１０．５体積パーセントまでの間を構成すること特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１７】
前記合成黒鉛の固形分体積パーセントが、前記アセチレンブラックの固形分体積パーセントの少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の電池。
【請求項１８】
前記電池が、前記カソード組立体及び前記アノードからなる電極組立体をさらに備え、少なくとも該カソード組立体が湾曲していることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【請求項１９】
前記アノードが湾曲していることを特徴とする請求項１８に記載の電池。
【請求項２０】
前記カソード組立体及び前記アノードが、螺旋状巻き付け構成であることを特徴とする請求項１９に記載の電池。
【請求項２１】
前記カソードは、前記カソード被覆内の全固形分の総重量に基づく対応量で、次の成分、すなわち９０．０パーセントから９４．０パーセントまでの二硫化鉄、１．０パーセントから３．０パーセントまでのアセチレンブラック、３．０パーセントから６．０パーセントまでの合成黒鉛、０．２パーセントから０．６パーセントまでのポリテトラフルオロエチレン、０．２パーセントから０．６パーセントまでのシリカ、及び１．５パーセントから３．０パーセントまでのＳＥＢＳブロック・コポリマーを含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月25日(2006.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極（106又は106'、108、108'）と、
前記電極（106又は106'、108、108'）に第１の反応物質パルスを供給し、その第１の反応物質パルスによる未消費反応物質を前記電極（106又は106'、108、108'）の実質的な部分から排除するバッファガスパルスを供給し、そのバッファガスパルスによって前記第１の反応物質パルスによる前記未消費反応物質が前記電極（106又は106'、108、108'）の前記実質的な部分から排除された後に、第２の反応物質パルスを供給する反応物質システム（112又は112'、112"、114、114'）とを含む燃料電池システム。
【請求項２】
前記電極が燃料極（106又は106'）を含み、前記反応物質が燃料を含む請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記バッファガスが、水蒸気又は空気、酸素のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記電極が空気極（108又は108'）を含み、前記反応物質が酸化剤を含む請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
前記電極が燃料極（106'）及び空気極（108'）を含み、前記反応物質が燃料と酸化剤の混合物を含む請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項６】
前記燃料極（106又は106'）が、燃料入口と燃料出口を含む燃料通路（132又は132'）に隣接して配置され、前記空気極（108又は108'）が、酸化剤入口と酸化剤出口を含む酸化剤通路（140）に隣接して配置され、前記反応物質システム（112/114又は112'/114'、112"）が、各パルス後に前記入口と前記出口を閉じる請求項５に記載の燃料電池システム。
【請求項７】
前記反応物質システム（112又は112'、112"）が、前記燃料パルスの間に少なくとも１つのバッファパルスを前記燃料極（106又は106'）に供給する請求項５に記載の燃料電池システム。
【請求項８】
前記反応物質システム（114又は114'、112"）が、前記酸化剤パルスの間に少なくとも１つのバッファパルスを前記空気極（108又は108'）に供給する請求項５に記載の燃料電池システム。
【請求項９】
電極（106又は106'、108、108'）に第１の反応物質パルスを供給するステップと、
前記第１の反応物質パルスで供給された前記反応物質の少なくとも一部分を消費するステップと、
前記電極に第２の反応物質パルスを供給する前に、前記電極（106又は106'、108、108'）の実質的な部分から未消費反応物質をバッファガスによって除去するステップと、
前記電極（106又は106'、108、108'）に前記第２の反応物質パルスを供給するステップと
を含む燃料電池の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月29日(2006.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アブストラクト位置コーディング・パターンの一部を構成する、位置コーディング・パターンをベースとして用いて位置データを検出するように適合された、作図装置から、コンピューター・システムにおけるアプリケーションに、情報を転送するための、コンピューター・システムにおける、方法において、
ａ）作図装置から生ずる位置データをコンピューター・システム内のメモリーに格納するステップ（４０３）と；
ｂ）アブストラクト位置コーディング・パターンにおける位置データの位置に基づいて、コンピューター・システムにおけるどのアプリケーションが受信されたデータを利用すべく登録されているかを判定するステップ（４０５）と；
ｃ）前記位置データをメモリーから前記アプリケーションへ転送するステップ（４０７）と
を特徴とする方法。
【請求項２】
ステップｂ）における判定が、どのアプリケーションが位置コーディング・パターンの種々の部分を利用するかについての情報を含む、レジスターにおける詳細に基づいてなされる請求項１に記載された通りの方法。
【請求項３】
ステップｂ）における判定が、アブストラクト位置コーディング・パターンにおける到来データのページ証明に基づいてなされる請求項２に記載された通りの方法。
【請求項４】
ステップｂ）における判定が、ページ記述ファイルにおける詳細に基づいてなされる請求項１に記載された通りの方法。
【請求項５】
前記ページ記述ファイルは、アブストラクト位置コーディング・パターンにおける到来位置データの位置に対応し且つ関連するサービスについての詳細を有し、そして、前記判定も、どのアプリケーションが種々のサービスに関連付けられているかの情報を含む、レジスターにおける詳細に基づいてなされる請求項４に記載された通りの方法。
【請求項６】
ステップｂ）において、もしもアプリケーションが受信されたデータを利用すべく登録されていると見出されると、該アプリケーションは、メモリーにおける新たなデータの存在について通知される先行する請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された通りの方法。
【請求項７】
ステップｃ）において、前記アプリケーションは、メモリーから前記位置データを取り込む請求項６に記載された通りの方法。
【請求項８】
前記位置データは、受信されたデータに関連するベースの構造についての情報を含むページ記述ファイルの内容に基づいて取り込まれる請求項７に記載された通りの方法。
【請求項９】
位置コーディング・パターンにおける位置を検出するように適合された、作図装置からの情報をコンピューター・システムにおけるアプリケーションに転送するための、コンピューター・システムにおける、コンピューター・プログラムにおいて、該プログラムが：
ａ）作図装置から生ずる位置データをコンピューター・システム内のメモリーに格納するステップと；
ｂ）位置コーディング・パターンにおける前記位置データの位置に基づいて、コンピューター・システムにおけるどのアプリケーションが受信されたデータを利用すべく登録されているかを判定するステップと；
ｃ）前記位置データをメモリーから前記アプリケーションへ転送するステップと
の各ステップに対応する命令を含むことを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載された通りのコンピューター・プログラムを備えるディジタル記憶媒体。
【請求項１１】
コンピューター・システムにおけるアプリケーションを登録する方法であって、アブストラクト位置コーディング・パターンの一部であり、該部分がベースにプリントされる部分、を作図装置が通されたときに生成される、コンピューター・システムにおける、位置データ、を受信するようにアプリケーションが適合されている方法において、少なくとも一つのサービスに関連付けられているものとして、前記アプリケーションを登録するステップであって、アブストラクト位置コーディング・パターンの一部が、前記サービスに関連付けられているものとしてコンピューター・システムに登録されているステップを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記アプリケーションは、基本サービスおよび付加的なサービスに関連付けられているとして登録されており、そして前記付加的なサービスは、少なくとも前記基本サービスの全ての機能性を備えている請求項１１に記載された通りの方法。
【請求項１３】
コンピューター・システムにおけるアプリケーションを登録するためのコンピューター・プログラムであって、アブストラクト位置コーディング・パターンの一部であり、該部分がベースにプリントされる部分、を作図装置が通されたときに生成される、コンピューター・システムにおける、位置データ、を受信するようにアプリケーションが適合されているプログラムにおいて、少なくとも一つのサービスに関連付けられているものとして、前記アプリケーションを登録するステップであって、アブストラクト位置コーディング・パターンの一部が、前記サービスに関連付けられているものとしてコンピューター・システムに登録されているステップに対応する命令を特徴とするコンピューター・プログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載された通りのコンピューター・プログラムを備えるディジタル記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月19日(2006.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式Ｉの化合物：
【化１】
2005529920.tif 000001
式中、ＲがＨ、ＮＯ２、ＮＨ２、Ｎ３、ハロゲン、カルボキシル、Ｃ１−１６アルキル基、Ｃ１−１６アルケニル基、Ｃ３−８シクロアルキル基、Ｃ１−８アルコキシル基、アロキシル基、ＣＮ、ＳＯ３Ｈ、Ｃ１−８ハロゲン化アルキル基、（ＣＨ２）ｎＮＲ２７、ヒドロキシル、ＳＨ、ＳＲ８、カルボニル基、ＳｉＲ３１０；Ｃ１−１２アルケニル基、ＣＦ３、ＣＣｌ３、ＣＨ２Ｆ、ＣＨ２Ｃｌ、ＣＨＦ２、ＣＨＣｌ２、ＯＨ、またはＯＲ１２であり、ここで、Ｒ基がそれぞれＡ環の９、１０、１１または１２位に位置する；Ｒ１２がＣ１−８アルキル基、Ｃ１−８アルケニル基、または芳香族基である；Ｒ７がＨまたはＣ１−８アルキル基である；ｎが１〜８の整数である；Ｒ８がＣ１−８アルキル基またはフェニル基である；Ｒ１０がＣ１−４アルキル基である；ＸがＨ、Ｃ１−８アルキル基、Ｃ１−８アルケニル基、Ｃ１−８アルコキシル基、アロキシル基、ＳｉＲ３１１基またはＣＨ２ＮＺＹである；Ｘ１がアルキレン基または芳香族ラジカルであり、かつ、Ｒ１がアルキル基、ハロアルキル基、または芳香族基、またはアセチルサリチル酸エステル、アセメタシン−イルまたはそれらの誘導体である。
【請求項２】
Ｘ１がＡｒ−Ｙ１Ｙ２Ｙ３Ｙ４であり、ここで、Ａｒが芳香族ラジカルであり、かつ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４が同じまたは異なっていて、水素、アルキル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、またはカルボキシル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｙ１、Ｙ２およびＹ３がそれぞれ水素であり、かつ、Ｙ４がアルキル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、またはカルボキシル基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｙ１およびＹ２がそれぞれ、水素であり、かつ、Ｙ３およびＹ４が同じまたは異なっていて、アルキル基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、またはカルボキシル基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
Ｙ１が水素であり、かつ、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４が同じまたは異なっていて、アルキル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、またはカルボキシル基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項６】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４が同じまたは異なっていて、アルキル基、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボニル基またはカルボキシル基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項７】
前記アルキレン基が−ＣＨ２−ｎであり、ｎが１〜１５である、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１に記載の化合物の有効量を含む組成物を投与することを含む哺乳動物の腫瘍または癌の治療方法であって、前記腫瘍または癌が前記組成物に反応性である治療方法。
【請求項９】
腫瘍または癌が肺、乳房、大腸、前立腺、膵臓、胃、肝臓、脳、腎臓、子宮、頚部、卵巣、尿管、直腸管に存在するか、あるいは黒色腫または白血病である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１に記載の化合物を含む組成物を哺乳動物へ投与することによって、生物学的条件下でカンプトテシンのラクトン環を加水分解する原因となる酵素を阻害する方法。
【請求項１１】
酵素がトポイソメラーゼＩである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
カンプトテシン；溶媒；有機酸；および触媒をいかなる順序でも混合することを含む、請求項１に記載のカンプトテシンのカスケードエステルを製造する方法。
【請求項１３】
さらに、前記溶媒に結合剤を混合することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記結合剤がジシクロヘキシルカルボジイミドである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
カンプトテシンに対する前記結合剤のモル比が、約１：２．２である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記溶媒が前記カンプトテシンを溶解することができるが、前記有機酸と反応することができない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記溶媒がヒドロキシ基を含まない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記溶媒がジメチルホルムアミドである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記有機酸が前記カンプトテシンと前記触媒を前記溶媒に接触させる前、最中または後に、前記溶媒と混合される、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記有機酸がアシル化剤である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記有機酸がアセチルサリチル酸である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記触媒がジメチルアミノピリジンである、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月2日(2006.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
代謝物バレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンまたは医薬上許容されるその塩を有効成分とする、血小板凝集を阻害するための薬物。
【請求項２】
代謝物バレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンまたは医薬上許容されるその塩を有効成分とする、血小板凝集により仲介される病状の予防、進行遅延または処置のための薬物。
【請求項３】
血小板凝集により仲介される病状が、急性心筋梗塞、虚血性脳卒中、狭心症、急性冠症候群、ＴＩＡ（一過性脳虚血性発作、または急性脳血管症候群）、心不全、虚血性病因の胸部疼痛、シンドロームＸ、血栓塞栓症、肺高血圧、真性糖尿病、末梢血管疾患、深部静脈血栓症、任意の血管の動脈血栓症、カテーテル血栓閉塞または再閉塞である、請求項２に記載の薬物。
【請求項４】
治療上有効量の代謝物バレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンまたは医薬上許容されるその塩および医薬上許容される担体を含んでなる医薬組成物。
【請求項５】
急性心筋梗塞、虚血性脳卒中、狭心症、急性冠症候群、ＴＩＡ（一過性脳虚血性発作、または急性脳血管症候群）、心不全、虚血性病因の胸部疼痛、シンドロームＸ、血栓塞栓症、肺高血圧、真性糖尿病、末梢血管疾患、深部静脈血栓症、任意の血管の動脈血栓症、カテーテル血栓閉塞または再閉塞のような血小板凝集により仲介される疾患および障害の予防、進行遅延または処置のための薬剤の製造のための、代謝物バレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンまたは医薬上許容されるその塩の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上で引用した特性は、以下の方法により証明された：
血小板凝集、フローサイトメトリー試験、およびカートリッジベース血小板アッセイアナライザーのための血液試料は、既知の血管リスクファクターを有する２０名のボランティアから取得した。試験参加者は、彼らが出血性素因、卒中の病歴、過去６ヶ月における大きな手術または深刻な外傷、および２００／１１０ｍｍを超える高血圧を有する場合、除外された。彼らのうち、アスピリンまたは他の任意の抗血小板剤を投与されているものはいなかった。すべての対象者は、少なくとも３０分間の休息および２時間またはそれ以上の絶食の後に採血された。血液は、あらゆる昼間影響（diurnal influence）を避けるために午前８〜１０時の間に採取し、最初の１.５ｍｌの自然流動血液を廃棄した後に、３.８％ クエン酸ナトリウム（１：９ 容積）を含有する２１−ゲージのバタフライニードルを用いて前腕前部静脈から採取した。１１個のバキュテイナー（Vacutainer）チューブ（４.５ｍｌ）を、それぞれの試験参加者からの全血−クエン酸混合物の全量４９ｍｌのために集めた。１個のチューブを、内部標準として維持し、そしてバッファー溶液とともにインキュベートした。５個のチューブを、１０ｎＭ、１００ｎＭ、１μＭ、１０μＭ、および１００μＭの化合物の最終濃度を達成するために、バルサルタンとともに３７℃で６０分間インキュベートした。残りの５本のチューブを、同様に、１０ｎＭ、１００ｎＭ、１μＭ、１０μＭ、および１００μＭの濃度を達成するために、増加量のバレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンとともにインキュベートした。バルサルタンおよびバレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンの濃度は、バルサルタン治療を受けている患者において観察される治療域以下から著しく治療域を超える血漿レベルまでの範囲であった。バルサルタンピークの血漿濃度は、１６０ｍｇ服用後に７.５μＭに到達し得るが、血漿中のバレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンはバルサルタンのレベルの１０％のみを示す。バルサルタンおよびバレリル ４−ヒドロキシ バルサルタンの新たな溶液を、血小板試験が行われたのと同日の朝に用時調製した。可能性のある観察者バイアスを回避するために、血液試料をコード化し、そして盲検化した。血液採取手順および血小板試験は、プロトコールを知らない者により行われた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（３−（２−エチルフェニル）−５−メトキシフェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾールを含む、多発性硬化症、全身性エリテマトーデス、関節リウマチおよびブドウ膜炎からなる群から選択される自己免疫疾患の治療のための医薬組成物。
【請求項２】
（３−（２−エチルフェニル）−５−メトキシフェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾールを含む、γδＴ細胞の阻害のための医薬組成物。
【請求項３】
哺乳類のためのものである、請求項１または２のいずれかの医薬組成物。
【請求項４】
該哺乳類がヒトである請求項３の医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
（実施例１８〜２０及び参考例２１）
（シリコーン中水型の第１の組成物の実施例）
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカン又はアラルカンを含有する炭化水素含有流体と酸素源を、内部に触媒が存在するマイクロチャンネルに流して、該炭化水素含有流体と酸素源を該マイクロチャンネル内で温度範囲３００〜１０００℃で反応させることにより、水と少なくとも一種のアルケン及び／又はアラルケンを生成し、その場合に（ａ）炭化水素含有流体と酸素源は触媒との接触の直前に触媒前接触時間が１５０ｍ秒以内であるように合体されるか、（ｂ）酸素がマイクロチャンネルに沿った複数個所で導入されるか、又は（ｃ）所望により希釈剤が該マイクロチャンネルを流れる全流体の０．２５容積倍以下の量で存在するようにした、炭化水素含有流体の酸化的脱水素化方法。
【請求項２】
触媒はマイクロチャンネルの壁面に被覆されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕよりなる群から選択される少なくとも一種の元素である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
触媒はＭｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｅ、希土類金属よりなる群から選択した金属の酸化物及びリン酸塩の少なくとも一種である請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
触媒はＣｕ、Ｓｎ及びアルカリ金属よりなる群から選択した助触媒を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化水素がエタン、プロパン、ブタン及びエチルベンゼンよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
エチレンが少なくとも２７０ｇ／ｇ触媒／ｈｒの速度で生成される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
炭化水素の少なくとも５０％がアルケン及び／又はアラルケンに転化される請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記接触時間が５０ｍ秒以内である請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
触媒前接触時間が１０ｍ秒以下である請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
酸素を前記マイクロチャンネルに沿った複数の個所から前記マイクロチャンネルに導入する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
炭化水素含有流体と酸素源を反応させた後に、該反応により形成された流れを急冷する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
マイクロチャンネル反応室と、該反応室内に配置された酸化的脱水素化触媒と、前記マイクロチャンネル反応室から酸素チャンネル壁により隔離された隣接の酸素チャンネルとを有し、前記酸素チャンネル壁には前記酸素チャンネルと前記マイクロチャンネル反応室とを連通する通路を形成する開口が設けられている、炭化水素の酸化的脱水素化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月25日(2006.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４４】
請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩、または請求項３９に記載の組み合わせを含む、薬学的組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４７】
そのような措置を必要とするヒト若しくはヒト以外の動物において体重を減少させ、または脂肪量を低下させるための、請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４８】
動物において脂肪の分布若しくは含有量を調節するための、請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５０】
転移性の一次的若しくは二次的腫瘍の阻害および／または治療のための、請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５４】
哺乳動物細胞若しくは組織における内因性インターロイキン−１０（ＩＬ-10）の産生を増強するための、請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５５】
哺乳動物細胞若しくは組織における内因性インターロイキン−２（ＩＬ-２）の産生を増強するための、請求項１から３８のいずれかに記載の化合物若しくはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月27日(2006.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式(I)で表わされる化合物またはその医薬的に許容される塩、溶媒和物、もしくは加水分解可能エステル。
【化１】
2005529965.tif 000001
上記式中、
R1およびR2は独立にHまたはC1-3アルキルであり；
R3およびR4は独立にH、C1-3アルキル、OCH3、CF3、アリル、またはハロゲンであり；
nは0または1であり；
X、ZおよびYの少なくとも１つは、O、SまたはNから選択されるヘテロ原子を表わし；
各R6は独立にC1-3アルキル、CF3、OCH3、OCF3、またはハロゲンであり；
yは0、1、2、3、4、または5であり；
R7はH、CF3、C1-6アルキル（フェニルで置換されていてもよく、そのフェニルは-O-C1-3アルキルで置換されていてもよい）、またはC1-6アルケニルであるが、ZがSまたはOである場合はR7はHであり；
R10はHまたはC1-3アルキルであり；
R5はH、C1-6アルキル、C1-3アルキル-O-C1-3アルキル、C1-6アルケニル、C1-6アルコキシ、（これらのそれぞれは１個または複数個のハロゲンで置換されていてもよい）、または基-CH2-D［式中Dは
【化２】
2005529965.tif 000002
であり、この式中のPはO、NまたはSを表わす（PがNである場合は、図示されている結合手は、その環の窒素ならびにその環のいずれかの炭素に付くことができる）］か、または
【化３】
2005529965.tif 000003
［式中、R8およびR9は独立にH、ハロゲン、C1-6アルキルまたは-OC1-6アルキルを表わす］を表わす。
【請求項２】
R1およびR2が独立にHまたはC1-3アルキルである請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
R1およびR2のいずれもがHである、またはいずれもがメチルである請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
R1およびR2のいずれもがメチルである請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
R3およびR4が独立にH、CH3またはClである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
R3およびR4が図示されているO原子に対してオルトである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項７】
R3およびR4のいずれもがメチルである請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
R3がメチルまたはClであり、R4がHである請求項６に記載の化合物。
【請求項９】
X、YおよびZの原子を含むヘテロ環式基が1,2,4-オキサジアゾール、オキサゾール、チアゾールまたはピラゾール基である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
ZがNを表わし、XおよびYのうちの１つがCHを表わす請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
ZがNを表わし、XがCHを表わす請求項10に記載の化合物。
【請求項１２】
ZがNを表わし、XがSを表わし、YがCHを表わす請求項１０に記載の化合物。
【請求項１３】
R6がハロゲン、-OCF3または-CF3である、請求項１〜１２のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１４】
R6がCF3である請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
yが1を表わす、請求項１〜１４のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１６】
置換基R6がパラ位にある請求項１５に記載の化合物。
【請求項１７】
R10がHまたはCH3である、請求項１〜１６のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１８】
R10がHである請求項１７に記載の化合物。
【請求項１９】
R7がH、C1-6アルキル、C1-3アルケニル、-CH2-フェニル（この場合このフェニルは-OCH3で置換されていてもよい）である、請求項１〜１８のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項２０】
R5がH、C1-6アルキル、-CH2D（式中Dは請求項１で定義されている）-CH2CF3、C1-3アルキル-O-CH3である、請求項１〜１９のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項２１】
治療で使用するための請求項１〜２０に記載の化合物。
【請求項２２】
請求項１〜２０に記載の化合物を含む医薬組成物。
【請求項２３】
hPPARの疾患または病態を治療するための医薬の製造のための、請求項１〜２０に記載の化合物の使用。
【請求項２４】
前記hPPAR介在疾患または病態が脂質代謝異常、シンドロームＸ、心不全、高コレステロール血症、心血管疾患、II型糖尿病、Ｉ型糖尿病、インシュリン抵抗性、高脂血症、肥満、過食症、神経性食欲不振である請求項２３に記載の使用。