【事件の表示】
　平成１１年特許願第２２８６２３号「電流センサ用磁気コアおよび電流センサ用磁気コアを用いた電流センサ、ならびに電流センサ用磁気コアの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２３日出願公開、特開２００１−　５２９３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月１２日の出願であって、平成２１年４月２３日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月２６日付けで手続補正がなされたとともに意見書が提出されたが、同年７月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２６日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、平成２３年７月２６日付けで当審よりなされた審尋に対して、同年９月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２１年１０月２６日付けでなされた手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり、このうち、特許請求の範囲については、以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１及び６の
「磁路となる方向に対し垂直な方向に５００Ｏｅ以上」の「磁界」を、それぞれ、
　補正後の請求項１及び４の
「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上」の「磁界」と、
補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項１及び６の
「透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４倍以上０．６倍以下である」を、それぞれ、
　補正後の請求項１及び４の
「透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である」と、
補正する。
　
〈補正事項ｃ〉
　　・補正前の請求項２、４、７及び９を削除し、これに伴い、補正前の請求項３、５、６及び８を繰り上げて、補正後の請求項２、３、４及び５とする。
　
２．新規事項の有無及び補正目的の適否
　前記補正事項ａ〜ｃの本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　そして、前記補正事項ａの補正は、「磁路となる方向に対し垂直な方向」の「磁界」を「５００Ｏｅ以上」から「１０００Ｏｅ以上」に限定するものであり、前記補正事項ｂの補正は、「初透磁率μｉの０．４倍以上０．６倍以下」という範囲を「初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下」に限定するものである。したがって、補正事項ａ及びｂについての補正は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正であると認められる。
　また、前記補正事項ｃの補正は、請求項の削除を目的とする補正である。
　よって、補正事項ａ〜ｃについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合している。
　
３．独立特許要件を満たすかどうかの検討
　以上のように、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。
　そこで、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、本件補正後の請求項４に係る発明（以下「本件補正発明」という。）について検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正後の請求項４に係る発明（本件補正発明）は、次のとおりである。
　
【請求項４】
「Ｃｏ系アモルファス合金を有する電流センサ用磁気コアの製造方法であって、
　前記電流センサ用磁気コアとなるＣｏ系アモルファス合金に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上磁界中熱処理を行い、初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である電流センサ用磁気コアを得ることを特徴とする電流センサ用磁気コアの製造方法。」
　
（２）引用文献の表示
　　引用文献：特開平１１−１８６０２０号公報
　
（３）引用文献の記載及び引用発明
（３−１）引用文献の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−１８６０２０号公報（以下「引用文献」という。）には、「零相変流器」（発明の名称）に関して、図１、図２とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付した。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア．従来の技術
Ａ．「【０００２】
【従来の技術】零相変流器は、建築物から家電製品といった一般電気機器等の漏洩遮断器の電流センサーとして幅広く用いられている。零相変流器を用いた漏洩遮断器の基本構成回路を図１に示す。零相変流器を貫通する２つの導線には相反する方向に電流が流れており、零相変流器の１次側電流としてみた場合、電流Ｉ１とＩ２  は相殺されてＩ１−Ｉ２  ＝０となるため２次側の誘起電圧はゼロである。
【０００３】導線の一部に漏電が生じると、  Ｉ１−Ｉ２  ≠０となり結果として１次側電流が存在し、２次側に誘起電圧が生じる。これによって導線に接続しているリレー回路が作動し、電流が遮断される。このように、
零相変流器は微小な漏洩電流を検知する必要があるため、零相変流器用コアに用いる磁性材料は透磁率、特に感度を上げるため初透磁率が高いことが重要な条件となる。
【０００４】さらに、零相変流器に要求される特性として、過漏電特性が挙げられる。零相変流器は常に所定の電流値で再現性良く動作信号を出すことが要求されるが、通常数１０ｍＡといった微小な電流を検出しているため接地地絡のような過大な電流（過電流）が通過すると、通過前と比較して感度電流値が大きくなり、零相電流に対する感度が悪くなる。この感度の低下の度合いを「過漏電特性」と呼び、［（過電流通過後の２次側出力電圧−過電流通過前の２次側出力）／過電流通過前の２次側出力電圧］×１００で示す値のことで、パーセントで表わす。この過漏電特性が０に近いものほど接地地絡のような過大な電流が流れた後も劣化が少なく、感度の良い零相変流器となる。」
　
　　イ．発明の実施の形態
Ｂ．「【００１６】
【発明の実施の形態】本発明を実施するための形態について説明する。
本発明では、直流角形比を０．１〜２０％とした磁性合金薄帯を用いている。
直流角形比が小さいと交流での透磁率が上がり、交流特性が向上する
【００１７】
直流角形比を０．１〜２０％にする方法としては、コアを構成する薄帯の幅方向に磁場を印加して熱処理を施す
【００１８】
熱処理温度は
好ましくは１８０℃以上である
熱処理時間は
特に好ましくは１時間〜２時間である
【００１９】なお、
磁場中熱処理時に印加する磁場の強さは
好ましくは１０Ｏｅ以上である。
　
Ｃ．「【００２２】次に、
Ｃｏ系非晶質合金
一般式：（Ｍ
1-a
 Ｍ’
a
）
100-b
 Ｘ
b
、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））
Ｍ’元素は、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素
　
Ｄ．「【００２４】非晶質合金薄帯の製造方法としては、液体急冷法が好ましく、具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から１０５ ℃／秒以上の冷却速度で急冷することによって得られる。このような液体急冷法により製造された非晶質合金薄帯の厚みは、２０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは８〜１５μｍであり、薄帯の厚さを制御することにより低損失のコアを得ることが可能となる。」
　
　　ウ．実施例
Ｅ．「【００２９】
【実施例】（実施例１〜８）
所定の直流角形比をもつＣｏ系非晶質合金
　
Ｆ．表１には、
実施例１〜６は、「磁性材料」が「Ｃｏ系非晶質」であり、「直流角形比」は「０．１」％〜「２０」％の範囲にある
　
　　エ．発明の効果
Ｇ．「【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の直流角形比を０．１〜２０％にしたコアを用いた零相変流器は、高出力かつ過漏電特性に優れることから接地地絡のような大電流が流れた後でも良好な特性を示すことが分かり、建築物から家電製品までさまざまな分野の漏電遮断器に長期にわたり安定した性能を発揮することが可能となる。」
　
　　オ．図面
Ｈ．図１及び図２から、図２に示される「磁場印加方向」は、図１の「ＺＣＴ」に巻回された巻線に電流が流れた際に発生する磁束の磁路に対して垂直な方向であることが見て取れる。
　
（３−２）引用発明
　前記ア〜オによれば、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））で表されるＣｏ系アモルファス合金の薄帯を有する、漏洩遮断器の電流センサーとして用いられる零相変流器用磁気コアの製造方法であって、
　前記電流センサーとして用いられる磁気コアとなる前記Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界にて１時間〜２時間、１８０℃以上の熱処理温度で磁界中熱処理を行い、直流角形比が０．１〜２０％である電流センサーとして用いられる磁気コアを得ることを特徴とする零相変流器用磁気コアの製造方法。」
　
（４）対比
（４−１）本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明が「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＣｏ、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））で表されるＣｏ系アモルファス合金」の「薄帯」を有することは、本件補正発明が「Ｃｏ系アモルファス合金」を有することに相当する。
　
　　イ．引用発明の「零相変流器」は「漏洩遮断器の電流センサー」として、すなわち、「電流センサー」として用いられるものである。
　したがって、引用発明の「漏洩遮断器の電流センサー」として用いられる「零相変流器」用の「磁気コア」は、本件補正発明の「電流センサ用磁気コア」に相当する。
　
　　ウ．前記ア、イから、引用発明が「前記電流センサーとして用いられる磁気コアとなる前記Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し」て「磁界中熱処理」を行うことは、本件補正発明が「前記電流センサ用磁気コアとなるＣｏ系アモルファス合金」に対して「磁界中熱処理を行」うことに相当する。
　
　　エ．引用発明の「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界にて１時間〜２時間」行う「磁界中熱処理」と、本件補正発明の「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上」行う「磁界中熱処理」とは、いずれも、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上行う磁界中熱処理である点で共通する。
　
　　オ. 本件補正発明の「磁気コア」の「初透磁率」とは、印加磁界の強さを限りなくゼロに近づけた時の前記「磁気コア」の透磁率、すなわち、前記「磁気コア」の磁化曲線の座標原点における接線の傾きをいうものと認められる。
　そうすると、前記イから、引用発明の「直流角形比が０．１〜２０％である電流センサーとして用いられる磁気コアを得る」ことと、本件補正発明の「初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である電流センサ用磁気コアを得る」こととは、いずれも、所定の磁気特性を有する電流センサ用磁気コアを得る点で共通する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　そうすると、本件補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「Ｃｏ系アモルファス合金を有する電流センサ用磁気コアの製造方法であって、
　前記電流センサ用磁気コアとなるＣｏ系アモルファス合金に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上磁界中熱処理を行い、所定の磁気特性を有する電流センサ用磁気コアを得ることを特徴とする電流センサ用磁気コアの製造方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本件補正発明は、電流センサ用磁気コアに「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の印加磁界」にて磁界中熱処理を行うのに対して、引用発明は、漏洩遮断器の電流センサーとして用いられる零相変流器用磁気コアに「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界」にて磁界中熱処理を行う点。
　
《相違点２》
　本件補正発明は、所定の磁気特性が「初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である」のに対して、引用発明の相変流器用磁気コアは、所定の磁気特性が「直流角形比が０．１〜２０％である」点。
　
（５）判断
（５−１）本件補正発明について
　　ア．本願明細書の段落【００２１】には、「この磁界中熱処理によって、初透磁率が少し低下するが磁路に沿ったバイアス磁界の下での透磁率の低下が少ない磁気コア、即ち、μｉが50,000以上100,000 以下、磁路に沿って加えられた４ A/mのバイアス磁界の下での透磁率μ４Ａが初透磁率μｉの0.4 倍以上0.6 倍以下の磁気コアを得ることができる。」と記載されている。
　したがって、本件補正発明は、「初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である電流センサ用磁気コアを得る」ために、「電流センサ用磁気コアとなるＣｏ系アモルファス合金に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上磁界中熱処理を行」うものであると認められる。
　
　　イ．この点について、本願の願書に添付された明細書の発明の詳細な説明には、「【発明の実施の形態】」に、
「【００１８】本発明において磁気コアとして用いるアモルファス合金薄帯としては、Ｃｏ系、Ｆｅ系、Ｆｅ−Ｎｉ系などを用いることができ、Ｃｏ系のアモルファス合金が特に好ましく用いられる。Ｃｏ系合金は、一般式：
（Ｍ11-a Ｍ2a）100-b Ｘb、
（式中、Ｍ1 はＣｏを主成分とし、これにＦｅおよびＮｉを少量成分として含有させることができる。ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であって、Ｍ2元素は、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素であり、好ましくはＣｒ．Ｍｎ．Ｚｒ．Ｎｂ、Ｍｏを用いるのがよく、Ｘ元素はアモルファス合金を得るのに必要な元素であり、特にＢはアモルファス化するのに有効な元素であり、Ｓｉはアモルファス形成を助成すること及び結晶化温度の上昇に有効な元素である。
【００１９】アモルファス合金薄帯の製造方法としては液体急冷法が好ましく．具体的には所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から１０5 ℃／秒以上の冷却速度で急冷することによって得られる。このような液体急冷法により製造されたアモルファス合金薄帯の厚みは、２０μm 以下が好ましく、さらに好ましくは８〜１５μm であり、薄帯の厚さを制御することにより低損失のコアを得ることが可能となる。
【００２０】本発明の磁気コアに用いるアモルファス合金薄帯は、磁界中熱処理を行ったものであることが好ましい。磁界中熱処理の条件としては、170 ℃ないし230 ℃において、磁路となる方向に対し垂直な方向に10 Oe 以上、好ましくは100 Oe以上、さらに好ましくは1,000 Oe以上の印加磁界にて、１時間以上、好ましくは３時間以上の熱処理を行うことができる。熱処理時間は長時間処理することも可能であるが、長時間の熱処理は生産性の観点からあまり好ましいものではないため、３〜５時間を望ましい範囲とする。このように本発明の磁気コアは、磁界中熱処理条件が、印加磁界10 Oe 以上にて熱処理時間１時間以上、好ましくは印加磁界100 Oe以上にて３時間以上、さらに好ましくは1,000 Oe以上にて３〜５時間とするものである。
【００２１】この磁界中熱処理によって、初透磁率が少し低下するが磁路に沿ったバイアス磁界の下での透磁率の低下が少ない磁気コア、即ち、μｉが50,000以上100,000以下、磁路に沿って加えられた４ A/mのバイアス磁界の下での透磁率μ４Ａが初透磁率μｉの0.4 倍以上0.6 倍以下の磁気コアを得ることができる。あるいは磁路に沿って加えられる飽和磁界の0.8 倍のバイアス磁界の下での透磁率μ０．８が、初透磁率μｉの0.3 倍以上0.8 倍以下の磁気コアを得ることができる。」、
「【００２６】（実施例および比較例）Ｃｏ系アモルファス合金薄帯( 板厚18μm)を巻回して、外径12 mm 内径8 mm厚さ4.5mm の環状の磁気コアを作製した。磁気コアは、組成、製造条件および表１に示したように垂直磁界中処理の条件を異ならせることにより、表２に示したように初透磁率およびバイアス下の透磁率の異なるものを得ることができた。なお、比較例３の従来コアは磁界中熱処理を施さないものである。」、
と記載されている。
　
　　ウ．なお、本件補正により明細書の発明の詳細な説明の記載も補正されており、
　段落【００１８】の前記「本発明において磁気コアとして用いるアモルファス合金薄帯としては、Ｃｏ系、Ｆｅ系、Ｆｅ−Ｎｉ系などを用いることができ、Ｃｏ系のアモルファス合金が特に好ましく用いられる。」の記載は、「アモルファス合金薄帯としては、Ｃｏ系、Ｆｅ系、Ｆｅ−Ｎｉ系などが挙げられるが、本発明ではＣｏ系のアモルファス合金を用いる。」と、
　段落【００２０】の前記「磁界中熱処理の条件としては、170 ℃ないし230 ℃において、磁路となる方向に対し垂直な方向に10 Oe 以上、好ましくは100 Oe以上、さらに好ましくは1,000 Oe以上の印加磁界にて、１時間以上、好ましくは３時間以上の熱処理を行うことができる。」及び前記「このように本発明の磁気コアは、磁界中熱処理条件が、印加磁界10 Oe 以上にて熱処理時間１時間以上、好ましくは印加磁界100 Oe以上にて３時間以上、さらに好ましくは1,000 Oe以上にて３〜５時間とするものである。」の記載は、それぞれ、「磁界中熱処理の条件としては、170 ℃ないし230 ℃において、磁路となる方向に対し垂直な方向に1，０００Ｏｅ以上の印加磁界にて、１時間以上、好ましくは３時間以上の熱処理を行う。」及び「このように本発明の磁気コアは、磁界中熱処理条件が、印加磁界1，０００Ｏｅ以上にて熱処理時間１時間以上、好ましくは印加磁界1，０００Ｏｅ以上にて３時間以上、さらに好ましくは1，０００Ｏｅ以上にて３〜５時間とするものである。」と、
補正されている。
　
　　エ．そして、本願の願書に添付された明細書の発明の詳細な説明の段落【００２７】における表１及び表２には、段落【００２６】に記載されるように、「Ｃｏ系アモルファス合金薄帯」を用いた「実施例」及び「比較例」の「磁気コア」において、本件補正発明のように「初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である」ものは、「実施例１」（本件補正により補正された表１の「実施例１」）、「実施例３」（本件補正により補正された表１の「実施例３」）及び「実施例５」（本件補正により補正された表１の「実施例５」）であることが記載されている。
　
　　オ．なお、前記イで挙げたように、本願の願書に添付された明細書の発明の詳細な説明の段落【００２０】には、「１時間以上、好ましくは３時間以上の熱処理を行うことができる。熱処理時間は長時間処理することも可能であるが、長時間の熱処理は生産性の観点からあまり好ましいものではないため、３〜５時間を望ましい範囲とする。」と記載されていた。この記載から、「５時間」を超える「長時間」の「熱処理」が可能であると解されるから、本願明細書に記載された「熱処理時間」の前記「望ましい範囲」の上限が「５時間」であるのは、もっぱら、「生産性の観点」からであることは明らかである。
　
　　カ．よって、前記イ〜オによれば、
　「一般式：
（Ｍ11-a Ｍ2a）100-b Ｘb、
（式中、Ｍ1 はＣｏを主成分とし、これにＦｅおよびＮｉを少量成分として含有させることができる。ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であって、Ｍ2元素は、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素であり、好ましくはＣｒ．Ｍｎ．Ｚｒ．Ｎｂ、Ｍｏを用いるのがよく、Ｘ元素はアモルファス合金を得るのに必要な元素であり、特にＢはアモルファス化するのに有効な元素であり、Ｓｉはアモルファス形成を助成すること及び結晶化温度の上昇に有効な元素である。」で表される組成を有するＣｏ系アモルファス合金の薄帯を用いる磁気コアに対して、「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上」、170 ℃ないし230 ℃において、「磁界中熱処理」を行うと、「初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である電流センサ用磁気コア」が得られることが、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されていると認められる。
　
　　キ．そして、本件補正発明の「Ｃｏ系アモルファス合金」として、本願明細書に具体的に開示されている「Ｃｏ系アモルファス合金」は、前記イ及びウの通り、引用発明の「Ｃｏ系アモルファス合金」と重複する組成を有している。
　
（５−２）相違点１及び相違点２について
　　ア．引用文献には、前記「（３−１）引用文献の記載」の項の「Ｂ」に、「【００１７】直流角形比を０．１〜２０％にする方法としては、コアを構成する薄帯の幅方向に磁場を印加して熱処理を施すことが効果的である。」と記載されている。
　したがって、引用発明は、「直流角形比が０．１〜２０％である電流センサーとして用いられる磁気コアを得る」ために「Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界にて１時間〜２時間、１８０℃以上の熱処理温度で磁界中熱処理を行」うものと認められる。
　そして、引用文献には、前記「（３−１）引用文献の記載」の項の「Ａ」に「零相変流器は微小な漏洩電流を検知する必要があるため、零相変流器用コアに用いる磁性材料は透磁率、特に感度を上げるため初透磁率が高いことが重要な条件となる。」と、前記「（３−１）引用文献の記載」の項の「Ｂ」に「直流角形比が小さいと交流での透磁率が上がり、交流特性が向上するためであり、接地地絡のような大電流が流れた後でも微小電流を感度良く検出することが可能となる。」と記載されていることから、引用発明が「Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界にて１時間〜２時間、１８０℃以上の熱処理温度で磁界中熱処理を行」うのは、前記大きな「透磁率」の「磁気コア」を得るためであると認められる。
　
　また、前記「（３−１）引用文献の記載」の項の「Ｂ」に「なお、磁場中熱処理時に印加する磁場の強さは１Ｏｅ以上、好ましくは１０Ｏｅ以上である。」と記載されていることから、引用文献には、「Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向」に「印加」する「磁界」の強さは、より大きいことが好ましい旨が記載されていると解される。
　
　　イ．ところで、コアとして用いる「Ｃｏ系アモルファス合金」の透磁率をより高めるために、本件補正後の請求項４に記載される「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上磁界中熱処理」を行うことは、以下の周知例１〜周知例３に記載されるように、本願出願時には既に常套手段であった。
　そして、引用発明の「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であるＣｏ系アモルファス合金」と重複する組成を有するＣｏ系アモルファス合金を用いる磁気コアに対して、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上、170 ℃ないし230 ℃において、磁界中熱処理を行うことで、所定の強さの磁界が印加されたときの実効パルス透磁率が優れているＣｏ系アモルファス合金が得られることも、前記周知例２〜周知例３に記載されるように、本願出願時には既に周知技術であった。
　
　　ウ．周知例１：特開平１１−１８６０２１号公報
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
Ｃｏ基アモルファス合金薄帯を用いた高透磁率コアとその製造方法
ｂ．「【００１４】本発明の高透磁率コアは、基本的にはＣｏ基アモルファス合金薄帯を所望のコア形状に巻回して作製した磁性コアからなるものである。ここで、Ｃｏ基アモルファス合金薄帯としては、例えば
一般式：
（Ｃｏ
1-a
 Ｍ
a
 ）
100-x
 Ｘ
x
   ……(1)（式中、ＭはＦｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗおよび白金族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、ＸはＳｉ、Ｂ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、 aおよび xは0≦ a≦ 0.5、10≦ x≦35at% をそれぞれ満足する数を示す）で実質的に表される組成を有する
【００１５】特に、Ｃｏ基アモルファス合金薄帯は、
  一般式：（Ｃｏ1-b-c Ｆｅb Ｍ′c ）100-y （Ｓｉ1-d Ｂd ）y   …(2) 
（式中、Ｍ′はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗおよび白金族元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、 b、 c、dおよび yは0.02≦ b≦0.08、 0≦ c≦0.07、 0.3≦ d≦ 0.9、15≦ y≦30at%をそれぞれ満足する数を示す）で実質的に表される組成を有することが好ましい。」
ｃ．「【００３１】実施例１
まず、
Ｃｏ
67.6
Ｆｅ
4
 Ｎｂ
1.5
 Ｃｒ
1.9
 Ｓｉ
14
Ｂ
11
で組成が表されるＣｏ基アモルファス合金薄帯
表１に示す条件でそれぞれ磁場中熱処理を行った。磁場中熱処理は、Ｃｏ基アモルファス合金薄帯の幅方向に 100kA/mの磁場を印加しながら実施
【００３２】このようにして得た各アモルファスコアの飽和磁束密度Ｂs 、磁気異方性エネルギーＥおよび直流角形比（Ｂr ／Ｂs ）は、表１に示す通りである。また、得られた各アモルファスコアの初透磁率(10kHz,0.1V)と393K×24h の条件下での透磁率の経時変化率を測定、評価した。その結果を併せて表１に示す。」
（なお、1 Oe = 1000/(4π) A/m = 約79.577 A/m であるので、上記記載において、「100kA/mの磁場」の記載は、「約1,257 Oeの磁場」を意味している。）
ｄ．表１には、磁場中熱処理を、４２３〜４８３℃の範囲で、２時間以上行うことが記載されている。
　
　周知例２：特開昭６３−０９６９０４号公報
ｅ．「
組成式（Ｃｏ
1-a-b
 Ｆｅ
a
 Ｍｎ
b
）
100-x-c-y-z
 Ｍ
x
 Ｍ’
c
 Ｓｉ
y
 Ｂ
z
（原子％）で表わされ、ここでＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ’はＣｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０≦ａ≦０．０５、０．０１≦ｂ≦０．０８、０．１≦ｘ≦５、０．１≦ｃ≦２、７≦ｙ≦１８、７≦ｚ≦１６、２２≦ｙ＋ｚ≦２８の関係を有するアモルファス合
実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心
ｆ．「実施例１
　単ロール法により
第１表に示す組成の
アモルファス合金リボン
　次にこのアモルファスリボンを内径15mm,外径19mmに巻回し、410℃に１時間保持後約3000℃/mmの冷却速度で室温まで冷却し、次に
磁路と直角方向に３０００Ｏｅの磁場を印加し２００℃に１２ｈ保持した
　
　周知例３：特許第２５１３６４５号公報
ｇ．「【請求項２】
組成式（Ｃｏ
1-a-b
Ｆｅ
a
Ｍｎ
b
）
100-x-c-y-z
Ｍ
x
Ｃｕ
c
Ｓｉ
y
Ｂ
z
（原子％）で表わされ、ここでＭはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,W,Ni,Moから選ばれる少なくとも１種の元素であり、０≦ａ≦0.05,0.01≦ｂ≦0.08,0.1≦ｘ≦5,0.1≦ｃ≦2,7≦ｙ≦18,7≦ｚ≦16,22≦ｙ＋ｚ≦28の関係を有するアモルファス合金薄帯
実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心
ｈ．「実施例1.
　単ロール法により
第１表に示す組成の
アモルファス合金リボン
　次にこのアモルファスリボンを内径15mm,外径19mmに巻回し、410℃に１時間保持後約3000℃/mmの冷却速度で室温まで冷却し、次に
磁路と直角方向に3000Oeの磁場を印加し200℃に12h保持した
　
　　エ．前記アで述べたとおり、引用発明は、大きな「透磁率」の「磁気コア」を得るために、「Ｃｏ系アモルファス合金の薄帯に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に１０Ｏｅ以上の印加磁界にて１時間〜２時間、１８０℃以上の熱処理温度で磁界中熱処理を行」うものである。してみれば、引用発明において、より大きな「透磁率」の「磁気コア」を得るために、「磁路となる方向に対し垂直な方向」に「印加」する「１０Ｏｅ以上の印加磁界」として、前記イ、ウで述べた常套手段のように、１０００Ｏｅ以上の磁界を採用することは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　ここで、引用発明の「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であるＣｏ系アモルファス合金」と重複する組成を有するＣｏ系アモルファス合金を用いる磁気コアに対して、「磁路となる方向に対し垂直な方向に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上」、170 ℃ないし230 ℃において、「磁界中熱処理」を行うことで、所定の強さの磁界に対する透磁率が優れているＣｏ系アモルファス合金が得られることが、前記イ、ウで述べたように、本願出願時には既に周知技術であった。
　したがって、前記「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であるＣｏ系アモルファス合金の薄帯」に対して行う、「磁路となる方向に対し垂直な方向」に１０００Ｏｅ以上の磁界を印加する「磁界中熱処理」を、具体的には、「磁路となる方向に対し垂直な方向」に１０００Ｏｅ以上の磁界を「印加」して、170 ℃ないし230 ℃において「１時間以上」、「磁界中熱処理」を行うことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　オ．そして、前記「（５−１）本件補正発明について」の項の「カ」及び「キ」で指摘した通り、上記のように、「組成が（Ｍ1-a Ｍ’a）100-b Ｘb、（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種の熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のために必要な元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５（各数字はａｔ％））であるＣｏ系アモルファス合金の薄帯」に対して、「磁路となる方向に対し垂直な方向」に１０００Ｏｅ以上の磁界を「印加」して行う「磁界中熱処理」を170 ℃ないし230 ℃において「１時間以上」行えば、印加磁界の強さを限りなくゼロに近づけた時の透磁率である「初透磁率μｉ」が「５０，０００以上１００，０００以下」であり、且つ「４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａ」が、「初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である電流センサ用磁気コア」が得られると認められる。
　
　　カ．したがって、相違点１及び相違点２は格別のものではない。
　
（６）検討のまとめ
　以上のとおり、引用発明に、本件補正発明の前記相違点１、２に係る構成を具備させることは、引用発明、前記常套手段及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到できたものであり、相違点１、２は、いずれも格別のものではない。
　したがって、本件補正発明は、引用発明、前記常套手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２１年１０月２６日付けでなされた手続補正）は却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２１年６月２６日付けでなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されたとおりのものである。
　そして、そのうち、本件補正後の請求項４に対応する請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項６】
　Ｃｏ系アモルファス合金を有する電流センサ用磁気コアの製造方法であって、
　前記電流センサ用磁気コアとなるＣｏ系アモルファス合金に対し、磁路となる方向に対し垂直な方向に５００Ｏｅ以上の磁界を印加して１時間以上磁界中熱処理を行い、初透磁率μｉが５０，０００以上１００，０００以下であり、且つ４Ａ／ｍの磁界に対する透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４倍以上０．６倍以下である電流センサ用磁気コアを得ることを特徴とする電流センサ用磁気コアの製造方法。」
　
２．引用文献の記載と引用発明、及び、常套手段と周知技術
　引用文献１の記載と引用発明については、前記「第２．平成２１年１０月２６日付けでなされた手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３．独立特許要件を満たすかどうかの検討」の「（３）引用文献の記載及び引用発明」において、「（３−１）引用文献の記載」の項で列挙し、「（３−２）引用発明」の項で認定したとおりである。
　そして、常套手段と周知技術については、前記「３．独立特許要件を満たすかどうかの検討」の「（５）相違点１、２についての判断」おいて、「（５−２）相違点１及び相違点２について」の項の「イ」及び「ウ」で指摘したとおりである。
　
３．対比 ・判断
　本願発明は、本件補正発明が有する「１０００Ｏｅ以上の磁界を印加して」との発明特定事項を、「５００Ｏｅ以上の磁界を印加して」に拡張し、本件補正発明が有する「透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４５倍以上０．５６倍以下である」との発明特定事項を、「透磁率μ４Ａが、初透磁率μｉの０．４倍以上０．６倍以下である」に拡張したものである。
　
　したがって、前記「第２．平成２１年１０月２６日付けでなされた手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３．独立特許要件を満たすかどうかの検討」の項で検討したように、本願発明をより限定した本件補正発明が、引用発明、前記常套手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件補正発明から前記限定を除いて、本件補正発明をより拡張した本願発明は、同じ理由によって、引用発明、常套手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、常套手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。