【事件の表示】
　特願２００４−５５１５７８号「銅／ダイヤモンドの複合材料を有する半導体基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２７日国際公開、ＷＯ２００４／０４４９５０、平成１８年　２月１６日国内公表、特表２００６−５０５９５１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２４日（優先権主張　平成１４年１１月７日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　原査定
　原査定における拒絶の理由は、以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
１．特開平１１−２８９０３７号公報
２．特表２００２−５２４８６２号公報
３．特開平１１−１８９４９２号公報」
　
　上記刊行物のうち、特開平１１−２８９０３７号公報、特表２００２−５２４８６２号公報を、それぞれ以下「引用例１」、「引用例２」という。
　
第３　当審の判断
１　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２１年３月３１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　
「純銅層からなる互いに対向する面を有する本体部を含む金属性基板を含む半導体パッケージであって、前記本体部が少なくとも部分的に銅基質中にダイヤモンド粒子を有する複合材料からなることを特徴とする半導体パッケージ。」
　
２　刊行物記載事項
（１）本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例１には、放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージに関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【０００６】本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、適度な熱膨張率と高い熱伝導率とを有する放熱用金属板を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、電子部品の作動時に発生する熱を外部に良好に放散させることが可能な電子部品用パッケージを提供することにある。」　
　
イ　「【００１７】図１に示すように、セラミックス製半導体用パッケージ１００は、放熱用金属板１０、アルミナ製のパッケージ本体２０およびリードフレーム５０等から構成される。放熱用金属板１０は、その上面に半導体素子３０が搭載されて固定される半導体素子搭載部３１を有しており、半導体素子３０は、半導体素子搭載部３１上にガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を用いて搭載されて固定される。
【００１８】放熱用金属板１０は、金属板としてのタングステンの多孔質焼結体に溶融銅を含浸して成る複合金属板１１の上下両面に銅板１３、１４を銀ろう等のろう材１２を用いて接合させた構成である。」
　
　上記記載事項より、引用例１には以下の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　
「金属板としてのタングステンの多孔質焼結体に溶融銅を含浸して成る複合金属板１１の上下両面に銅板１３、１４を接合させた放熱用金属板１０を含む半導体用パッケージ。」
　
（２）同じく本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例２には、機能的に分類された金属基板およびそれを作製するためのプロセスに関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ウ　「【０００３】
　金属基板は、ミクロエレクトロニックパッケージにおいて、回路チップ、ダイス、電気的要素などを収容するために使用されてきた。このような適用において、１個以上の熱発生要素は、金属基板（これは、便宜上、フランジまたはキャリア基板と名付けられる）上に搭載される。一旦これらの要素が搭載されると、キャリア基板は、通常、プリント回路カードまたはプリント回路基板上に搭載される。金属キャリア基板は、優良な電気伝導体であり、そして特に、電気的接地を必要とする要素またはチップを収容するのに適している。例えば、チップ接地が必要である適用は、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）を収容する側方拡散金属酸化物半導体（ｌａｔｅｒａｌｌｙ  ｄｉｆｆｕｓｅ  ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）（ＬＤＭＯＳ）である。
【０００４】
　キャリア基板がミクロエレクトロニックパッケージのために使用される場合、熱伝導率（ＴＣ）および熱膨張係数（ＣＴＥ）は、キャリア基板の設計において考慮される、最も重要な物性である。キャリア基板は、一般的に、高い熱伝導率を有する材料から作製され、このため、熱発生要素から離れた高伝熱が存在する。ミクロエレクトロニックパッケージはまた寸法安定であり、歪み（ｗａｒｐｉｎｇ）、チップとキャリア基板との間の層間剥離、または熱循環中のチップのクラッキングさえも防止する。このため、キャリア基板は、その熱膨張がチップの膨張とおよそ一致するかまたは少しより高くなるように、設計されなければならない。」　
　
エ　「【０００７】
　（発明の要旨）
　本発明は、本明細書中で、少なくとも２種の金属組成物から作製され、そしてｘ−ｙ平面に、少なくとも２個の不連続部分（ｄｉｓｃｒｅｔｅ  ｐｏｒｔｉｏｎ）、機能的挿入物（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  ｉｎｓｅｒｔ）および周辺ボディ（ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ  ｂｏｄｙ）を備える、機能的に分類された金属基板を提供する。機能的挿入物は、周辺ボディにしっかりと結合される。機能的に分類された金属基板は、異なる力学的物性、熱的特性、電気的および磁気的特性をそれぞれ有する２個以上の不連続部分、化学組成物または美的特徴によって特徴づけられる。」
　
オ　「【００１６】
　機能的に分類された金属基板は、少なくとも１個の周辺ボディおよび少なくとも１個の機能的挿入物を示す少なくとも２個の金属組成物を備える。周辺ボディおよび機能的挿入物を作製する金属は、元素金属、合金または金属マトリックス複合材（ＭＭＣ）を含有し得る。機能的挿入物および周辺ボディは、同じ金属を含み得るが、異なる濃度または組成物であり得る。本明細書中において、本発明に従って使用され得る物質には、例えば、以下が挙げられる：銅、ニッケル、鉄、ベリリウム、アルミニウム、銀のような金属；銅−ベリリウム、銅−亜鉛（青銅）、銅−スズ（黄銅）、６４％鉄／３６％ニッケル（Ｉｎｖａｒ（登録商標））および５４％鉄／２９％ニッケル／１７％コバルト（Ｋｏｖａｒ（登録商標））、銅−鉄、ニッケル−ニオビウム、ニッケル−銀、ニッケル−銅、鉄−銅、鉄−銅−炭素、鉄−銅−ニッケル、鉄−クロム、鉄−銅−スズ、銅−ニッケル−チタン−アルミニウム、ニッケル−銅−チタンのような合金；ならびに銅／ダングステン、銅−モリブデン、アルミニウム／炭化珪素、アルミニウム／窒化アルミニウム、銅／アルミニウム、銀／Ｉｎｖａｒ（登録商標）、銅／立方晶窒化ホウ素、銅／ダイアモンド、および銅／高導電率炭素繊維のような金属マトリックス複合材。」
　
カ　「【００２４】
　本明細書において、本発明の機能的に分類された金属基板は、ミクロエレクトロニック要素を収納するために使用され得る。図３は、本発明の好ましい実施態様に従って、ミクロエレクトロニックパッケージのための、銅／タングクテンまたは銅／モリブデンの機能的に分類された金属基板を作製するための、プロセスを要約するフロースキームを示す。銅／タングステンまたは銅／モリブデン噴霧乾燥粉末を調製し（１０１）、そして次いで、乾燥プレスして、その中に少なくとも１個のキャビティを有する周辺ボディのコンパクトを形成する（１０２）。約２０重量％〜約８０重量％の銅を含有する銅／タングステン機能的挿入物粉末を噴霧乾燥し（１０３）、そして緩い粉末形態である機能的挿入物粉末組成物を、周辺ボディ粉末組成物のコンパクトのキャビティ内に配置する（１０４）。周辺ボディおよび機能的挿入物粉末組成物のコンパクトを、焼結炉で、焼結プロセスの間、燃焼する（１０５）。機能的挿入物組成物を銅で溶浸し（１０６）、機能的に分類された金属基板を生成する。」
　
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「銅板１３、１４」は、本願発明の「純銅層」に相当する。以下同様に、「複合金属板１１」は「本体部」に、「放熱用金属板１０」は「本体部を含む金属性基板」に、「半導体用パッケージ」は「半導体パッケージ」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明は、本願発明の表記にできるだけしたがえば、
「純銅層からなる互いに対向する面を有する本体部を含む金属性基板を含む半導体パッケージであって、前記本体部が少なくとも部分的に銅と他の物質との複合材料からなる半導体パッケージ」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本体部を少なくとも部分的に構成する、銅と他の物質との複合材料が、本願発明では、銅基質中にダイヤモンド粒子を有するものであるのに対して、引用発明では、タングステンの多孔質焼結体に溶融銅を含浸してなるものである点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、ミクロエレクトロニックパッケージに用いる金属基板の熱伝導率および熱膨張率を好適化することを目的として（上記ウ参照）、好ましい実施態様として銅とタングステンとからなる複合材により当該金属基板を作製することが記載されており、その具体的な作製プロセスとして、粉末形態の銅／タングステン複合材を焼結した後に銅を溶浸させて金属基板を作製する工程が記載されている（上記カ参照）。そして、当該金属基板を構成するそのような複合材として、銅とタングステンの組合せのほかに、銅とダイアモンドの組合せからなるものを用い得ることが記載されている（上記オ参照）。
　そうしてみると、引用発明に対して引用例２の上記記載事項を適用し、銅とタングステンとの組合せによる複合材料に替えて銅とダイヤモンドとの組合せによる複合材料を採用して、引用発明の複合金属板１１に銅基質中にダイヤモンド粒子を有する複合材料を用い、上記相違点に係る構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことといえる。
　そして、本願発明において、半導体パッケージの金属性基板の構成材料を、銅基質中にダイヤモンド粒子を有する複合材料に特定することが、当業者の予測を超えた特段の効果を奏するものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明および引用例２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明および引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　したがって、原査定は妥当であり、結論のとおり審決する。