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　特願２００７−　６７６１９号「非ポリマー可撓性有機発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月２０日出願公開、特開２００７−２４２６２３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成９年７月３０日（パリ条約による優先権主張１９９６年８月１２日、米国、１９９７年１月２３日、米国）を国際出願日とする特願平１０−５０９７７９号の一部を平成１９年３月１５日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年４月１６日付け及び平成２０年４月７日付けで手続補正がなされ、平成２０年７月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年１０月２７日に拒絶査定不服の審判請求がなされたものである。
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明は、平成２０年４月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「（１）第１の電極であるインジウム錫オキシドの薄いフィルムでプレコートされた可撓性基材、
（２）（ａ）非ポリマー材料を含むホール輸送層及び／又は（ｂ）非ポリマー材料を含む電子輸送層、並びに
（３）前記（２）の層の上に配置された第２の電極
を含んでなり、０．５ｃｍの曲率半径に繰り返して曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がない可撓性有機発光デバイスの製造方法であって、
　前記可撓性基材の前記インジウム錫オキシドの表面ｒｍｓ粗さが、原子間力顕微鏡により得られる画像を用いることにより決定して３．６ｎｍを超えないインジウム錫オキシド表面の粗さを有する可撓性基材を用いることを特徴とする、可撓性有機発光デバイスの製造方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平６−１２４７８５号公報（以下、「引用例１」という。）、及び同じく特開平８−１６７４７９号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
ａ．引用例１；
　
記載事項ア．【請求項１】、【請求項３】、【請求項５】
「【請求項１】高分子フィルム上に、第１電極と、有機化合物からなる発光材料を有する有機単層部または有機多層部と、第２電極とを順次設けてなり、上記２つの電極の少なくとも一方の電極が透明または半透明である有機エレクトロルミネッセンス素子において、
高分子フィルム内、高分子フィルムと第１電極との界面および第１電極の表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で１００個以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子。……
【請求項３】高分子フィルムが透明性と可撓性を有し、膜厚が０．００１μｍ〜１ｍｍである高分子フィルムからなる、請求項１または２記載の有機ＥＬ素子。……
【請求項５】高分子フィルムまたは積層フィルム上に設けられる第１電極がＩＴＯからなる透明導電性膜である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。」
　
記載事項イ．【００１３】
「本発明の有機ＥＬ素子（Ａ）において、上記２つの電極間に介在される有機単層部又は有機多層部は、少なくとも有機化合物からなる発光層を有し、構成態様としては、発光層のみからなるもの、発光層と正孔注入層とからなるもの、電子注入層と発光層とからなるもの、電子注入層と発光層と正孔注入層とからなるもの、接着層と発光層と正孔注入層とからなるもの（特願平３−１０４２８４号明細書）、これらの機能を有する材料を混合したもの、あるいは高分子に分散したものなどを挙げることができる。なお、多層構成の場合、この有機多層部の構成順序は電極の極性により逆となってもよい。」
　
記載事項ウ．【００１６】
「電子注入層の材料としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、８−キノリノール誘導体その他特定の電子伝達性化合物等を挙げることができる。」
　
記載事項エ．【００２０】、【００２１】
「上記構成からなる本発明の有機ＥＬ素子（Ａ）において、高分子フィルム内、高分子フィルムと第１電極との界面および第１電極の表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数は１ｍ２当たりの換算値で１００個以下に限定される。その理由は、上記各種欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で１００個を超えると、後述の比較例によって例証されているように、発光効率が低く、発光安定性が劣るだけでなく、曲面などに変形すると短絡（ショート）等の問題が生じるのに対し、１ｍ２当たりの換算値で１００個以下であると、発光効率、発光安定性ともに優れ、また曲面などに変形しても性能が変化しないからである。各種欠陥の合計数は１ｍ２当たりの換算値で７０個以下であるのが特に好ましい。
　上記各種欠陥の合計数を１ｍ２当たりの換算値で１００個以下とする方法としては、高分子フィルム原料の純度の向上、フィルム作製環境の向上（例えばクリーンルームの使用）、成膜装置の改良（例えば装置のフィルム成形部の平坦度の向上）、洗浄による清浄化などが挙げられ、これらの１種または複数種を適宜用いることができる。」
　
記載事項オ．【００２８】〜【００３１】
「【実施例】以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
サイズ２５ｍｍ×７５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍの市販ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）フィルム（住友ベークライト（株）製スミライトＦＳ−１３００）上に蒸着法にて、サイズ２０ｍｍ×７０ｍｍ、厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。得られたＩＴＯ膜蒸着ＰＥＳフィルムからなる透明支持基板をクリーンルーム内でイソプロピルアルコール（以下ＩＰＡという）中にて５分間、さらに純水中にて５分間、超音波洗浄を行ない、次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行なった。オリンパス製顕微鏡ＢＨ３−ＭＪＬを用いて、洗浄後の透明支持基板について１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数を測定を行なったところ、これらの合計数は１ｍ２当たりの換算値で５０個であった。……
　この様にして、ＰＥＳフィルム上にＩＴＯ膜（透明導電性膜＝陽極）、ＴＰＤ膜（正孔注入層）、ＤＰＶＢｉ層（発光層）、Ａｌｑ３層（接着層）およびマグネシウムと銀の混合金属電極（陰極）を順次設けた有機ＥＬ素子を得た。
　得られた有機ＥＬ素子を乾燥空気中で発光させたところ、１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光が確認された。またこの有機ＥＬ素子を円周７ｃｍの円筒状および円周２．５ｃｍの円筒状にそれぞれ変形したが、いずれも上記と同様の性能を維持していた。」
　
記載事項カ．【００３８】
「【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光効率、発光安定性に優れ、かつ種々の形状に変形しても性質が変化しないので、これに限定されるものではないが、薄膜パネル、ベルト状、円筒状などの各種形状を有する表示素子として好適な有機ＥＬ素子が提供された。」
　
　記載事項ア．〜カ．の記載内容からして、引用例１には、
「透明性と可撓性を有する高分子フィルム上に、ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極と、有機化合物からなる発光材料を有する有機多層部と、第２電極とを順次設けてなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、
　高分子フィルムとしてＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）フィルムを用い、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）フィルム上に第１電極としてのＩＴＯ膜（透明導電性膜＝陽極）、有機多層部としてのＴＰＤ膜（正孔注入層）、ＤＰＶＢｉ層（発光層）、Ａｌｑ３層（接着層）および第２電極としてのマグネシウムと銀の混合金属電極（陰極）を順次設けた有機ＥＬ素子を製造する際に、ＰＥＳフィルム上にサイズ２０ｍｍ×７０ｍｍ、厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜蒸着ＰＥＳフィルムからなる透明支持基板をクリーンルーム内でイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間、超音波洗浄を行ない、次いでＵＶオゾン洗浄を１０分間行ない、洗浄後の透明支持基板について１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個であり、得られた有機ＥＬ素子を乾燥空気中で発光させたところ、１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光が確認され、この有機ＥＬ素子を円周７ｃｍの円筒状および円周２．５ｃｍの円筒状にそれぞれ変形しても上記と同様の性能を維持する有機ＥＬ素子の製造方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
ｂ．引用例２；
　
記載事項キ．【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は有機薄膜ＥＬ素子等の面発光薄膜ＬＥＤに利用できる透明導電膜に関し、特に表面平滑性、光透過性が優れ、低抵抗で表面の仕事関数が大きい透明導電膜の製造方法に関する。」
　
記載事項ク．【０００３】
「有機薄膜ＥＬ素子は、一般にＩＴＯ膜や半透明金属蒸着膜からなる透明陽極上に正孔輸送層、発光層、電子注入層、金属陰極の順に形成されている。ＳｉＣ等の無機半導体からなる面発光薄膜ＬＥＤは、一般に透明陽極上にｐ型半導体、ｉ型発光層、ｎ型半導体、金属陰極の順に構成されている。陽極と陰極の間隔は１００ｍ程度である。発光層等は膜厚５ｎｍ程度に形成する場合もあり、層を乱さず形成するためには、ＩＴＯ透明陽極の凹凸が１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下の平滑性が望まれる。また、透明陽極の凹凸が大きいと凸部にかかる電界が大きくなり、その部分で微小な放電が生じて素子を破壊し、非発光点を生じさせて素子の寿命を低下させるため、できるだけ平滑な透明陽極が望まれる。」
　
記載事項ケ．【００１３】
「以下、本発明を詳細に説明する。本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、基板加熱をせずにＸ線回折的に非晶質な微粒子を基板上に成膜した後、１００〜５００℃の温度、好ましくは２００〜４００℃の温度で結晶化させると、微粒子が平面方向に焼結しモザイク状に結晶成長するため、原子間力顕微鏡で測定した凹凸が３ｎｍ以下の極めて平滑な表面が得られることを見いだし、さらに、空気中等の酸化性雰囲気１００℃〜５００℃でアニールするか、または酸素やアルゴン等のプラズマを照射することにより、４. ６〜４. ８ｅＶであった仕事関数が５．１ｅＶ以上になることを見いだした。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（ａ）引用発明の「透明性と可撓性を有する高分子フィルム」、「ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極」は、それぞれ本願発明の「可撓性基材」、「第１の電極であるインジウム錫オキシド」に相当する。
　また、引用発明の「ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極」は、「ＰＥＳフィルム上に」「成膜」された「サイズ２０ｍｍ×７０ｍｍ、厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜」からなるものであるから、引用発明のＩＴＯ膜は薄いフィルム状といえるものである。
　したがって、引用発明の「ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極」を設けた「透明性と可撓性を有する高分子フィルム」は、本願発明の「（１）第１の電極であるインジウム錫オキシドの薄いフィルムでプレコートされた可撓性基材」に相当するといえる。
　
（ｂ）引用発明の「ＴＰＤ膜（正孔注入層）」は、非ポリマー材料を含み、且つホール輸送機能を有することは当業者にとって自明な事項である。
　また、本願発明の「非ポリマー材料を含む電子輸送層」に関し、本願の発明の詳細な説明の実施例には電子輸送層としてＡｌｑ３を用いることしか記載されていないから（【００１８】、【００２０】等参照）、引用発明の「Ａｌｑ３層（接着層）」も、非ポリマー材料を含み、且つ電子輸送機能を有するものと考えざるを得ない。
　したがって、引用発明の「ＴＰＤ膜（正孔注入層）」及び「Ａｌｑ３層（接着層）」は、本願発明の「（２）（ａ）非ポリマー材料を含むホール輸送層及び／又は（ｂ）非ポリマー材料を含む電子輸送層」に相当するといえる。
　
（ｃ）引用発明の「有機化合物からなる発光材料を有する有機多層部」の上に設けた「第２電極」は、本願発明の「（３）前記（２）の層の上に配置された第２の電極」に相当する。
　
（ｄ）引用発明の有機ＥＬ素子は、「円周７ｃｍの円筒状および円周２．５ｃｍの円筒状にそれぞれ変形」することが可能なものであるから、可撓性を有することは明らかである。
　したがって、引用発明の「有機ＥＬ素子の製造方法」は、本願発明の「可撓性有機発光デバイスの製造方法」に相当する。
　
（ｅ）引用発明は、「１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個」であり、引用例１の記載事項エ．には、「高分子フィルム内、高分子フィルムと第１電極との界面および第１電極の表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数は１ｍ２当たりの換算値で１００個以下に限定され……１ｍ２当たりの換算値で１００個以下であると、発光効率、発光安定性ともに優れ、また曲面などに変形しても性能が変化しないからである。」と記載されており、引用発明の有機ＥＬ素子は、１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個であるから、発光効率、発光安定性ともに優れ、また曲面などに変形しても性能が変化しないものといえる。そして、引用発明は「得られた有機ＥＬ素子を乾燥空気中で発光させたところ、１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光が確認され、この有機ＥＬ素子を円周７ｃｍの円筒状および円周２．５ｃｍの円筒状にそれぞれ変形しても上記と同様の性能を維持する」ものであり、円周７ｃｍの円筒状に変形することは、約１．１ｃｍの曲率半径に曲げることに相当し、円周２．５ｃｍの円筒状に変形することは、約０．４ｃｍの曲率半径に曲げることに相当する。
　そうすると、引用発明の「可撓性有機ＥＬ素子」は、約０．４ｃｍ又は約１．１ｃｍの曲率半径に曲げた後でも曲げる前と比べて発光効率、発光安定性の性能が変化しないものであるから、曲率半径約０．４ｃｍと約１．１ｃｍの間の曲率半径０．５ｃｍに曲げた後でもその性能が変化しないことは明らかである。そして、引用発明は円筒状に変形しても「１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光」の性能が維持されるのであるから、電流／電圧特性の明白な変化がないものといえる。
　したがって、引用発明の「得られた有機ＥＬ素子を乾燥空気中で発光させたところ、１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光が確認され、この有機ＥＬ素子を円周７ｃｍの円筒状および円周２．５ｃｍの円筒状にそれぞれ変形しても上記と同様の性能を維持する」ことと、本願発明の「０．５ｃｍの曲率半径に繰り返して曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がない」こととは、「０．５ｃｍの曲率半径に曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がない」という概念に包含される点で一致する。
　
（ｆ）引用発明の「１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個」は、「ＩＴＯ膜蒸着ＰＥＳフィルムからなる透明支持基板」についてのものであるから、ＩＴＯからなる透明導電膜の第１電極の表面における突起物等の換算値が５０個であるものを含んでいることは明らかであり、引用例１の記載事項エ．に記載された「高分子フィルム内、高分子フィルムと第１電極との界面および第１電極の表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で１００個以下」の範囲内に含まれ、上限値である１００個の半分しかないのであるから、引用発明の第１電極の表面は突起物等が少なく平滑であるということができる。そうすると、引用発明の「１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個」である「透明支持基板」と、本願発明の「第１の電極であるインジウム錫オキシドの薄いフィルムでプレコートされた可撓性基材」であって「インジウム錫オキシドの表面ｒｍｓ粗さが、原子間力顕微鏡により得られる画像を用いることにより決定して３．６ｎｍを超えないインジウム錫オキシド表面の粗さを有する可撓性基材」とは、「第１の電極であるインジウム錫オキシドの表面が平滑にされた可撓性基材」という概念に包含される点で一致する。
　
　（ａ）〜（ｆ）に記載したことからして、本願発明と引用発明の両者は、
「（１）第１の電極であるインジウム錫オキシドの薄いフィルムでプレコートされた可撓性基材、
（２）（ａ）非ポリマー材料を含むホール輸送層及び／又は（ｂ）非ポリマー材料を含む電子輸送層、並びに
（３）前記（２）の層の上に配置された第２の電極
を含んでなり、０．５ｃｍの曲率半径に曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がない可撓性有機発光デバイスの製造方法であって、
　第１の電極であるインジウム錫オキシドの表面が平滑にされた可撓性基材を用いる可撓性有機発光デバイスの製造方法。」
である点で一致し、次の相違点（Ａ）、（Ｂ）が存在する。
　
相違点（Ａ）；
　０．５ｃｍの曲率半径に曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がない点について、本願発明の可撓性有機発光デバイスは、繰り返して曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がないものであるのに対して、引用発明の有機ＥＬ素子は、繰り返して曲げた後でも電流／電圧特性の明白な変化がないかどうかが不明である点。
　
相違点（Ｂ）；
　第１の電極であるインジウム錫オキシドの表面が平滑にされた可撓性基材について、本願発明は、可撓性基材のインジウム錫オキシドの表面ｒｍｓ粗さが、原子間力顕微鏡により得られる画像を用いることにより決定して３．６ｎｍを超えないインジウム錫オキシド表面の粗さを有する可撓性基材であるのに対して、引用発明は、ＩＴＯからなる透明導電膜の第１電極の表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数が１ｍ２当たりの換算値で５０個である可撓性基材である点。
　
４．当審の判断
　相違点（Ａ）、（Ｂ）について検討する。
　
相違点（Ａ）について；
　
　引用発明では０．５ｃｍの曲率半径よりもさらに曲率半径が小さい約０．４ｃｍに曲げた後でも曲げる前の１０Ｖ、１５ｍＡ／ｃｍ２で輝度３５０ｃｄ／ｃｍ２の均一発光と同様の性能を維持するものであり、約０．４ｃｍの曲率半径よりもさらに曲率半径が大きい０．５ｃｍの曲率半径に例えば２回繰り返して曲げた程度で電流／電圧特性の明白な変化が生じるとは認め難い。
　また、繰り返しの回数について、本願の明細書の発明の詳細な説明には、４〜５回の繰り返し曲げを行ったことしか記載されていない（【００２１】参照）から、繰り返しの回数を４〜５回程度と解釈したとしても、やはりその程度の繰り返しの曲げで電流／電圧特性の明白な変化が生じるとは認め難い。
　よって、相違点（Ａ）は、実質的な相違点とはいえない。
　
相違点（Ｂ）について；
　
　引用例２には、有機薄膜ＥＬ素子のＩＴＯ透明陽極の凹凸が大きいと凸部にかかる電界が大きくなり、その部分で微小な放電が生じて素子を破壊し、非発光点を生じさせて素子の寿命を低下させるため、凹凸が５ｎｍ以下のできるだけ平滑な透明陽極が望まれることが記載（記載事項ク．参照）されており、引用発明の有機ＥＬ素子も、上述したように、「第１電極としてのＩＴＯ膜（透明導電性膜＝陽極）」の表面は突起物等が少なく平滑である方がよいものであるから、微小な放電が生じて素子を破壊しないように、ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極の表面を、さらに平滑にしようとすること、すなわち、凹凸の程度を小さくしようとすることは、引用例２の記載事項を基に当業者が容易になし得ることである。
　また、本願発明におけるインジウム錫オキシド表面の粗さの上限値が３．６ｎｍである点に関して、本願の明細書の発明の詳細な説明には、【００１５】に「例えば、図４に示すように、これらの画像はＩＴＯ表面がわずか１．８ｎｍのｒｍｓ粗さを有し、一方、可撓性基材のポリエステル表面は幾分粗く、２．８ｎｍのｒｍｓ粗さを有したことを示す。基材により幾分か異なったが、ＩＴＯ表面の粗さは３．６ｎｍを越えなかった。いずれの場合にも、基材は十分に滑らかであり（即ち、表面の造形部の高さは合計のデバイスの厚さの小さい分率であった）、その為、成長または曲げの時に、このＯＬＥＤのヘテロ構造に有意な損傷は観測されなかった。」と記載されているだけで、具体的な実施例におけるインジウム錫オキシド表面の粗さの値も記載されていないこと等からみると、本願発明において、インジウム錫オキシド表面の粗さの上限値を３．６ｎｍとすることに格別臨界的意義があるとは認められないから、凹凸の上限値をどの程度とするかは当業者であれば適宜なし得る設計的事項に過ぎないといわざるを得ない。
　また、凹凸の程度を原子間力顕微鏡で測定することは、引用例２にも記載（記載事項ケ．参照）されているように周知技術であり、凹凸の程度をｒｍｓ粗さで測定することも、例えば特開平６−２８９１９４号公報（【０００３】等参照）に記載されているように周知技術であるから、表面粗さの測定を原子間力顕微鏡により得られる画像を用いて表面ｒｍｓ粗さを測定するようにすることも格別困難なくなし得ることである。
　したがって、上記相違点（Ｂ）に係る本願発明の発明特定事項を得るようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
　また、本願発明の効果も、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、平成２１年１月６日付け手続補正により補正された請求の理由の第３頁において、引用例２（請求の理由では「引用文献３」）には「透明電極の凹凸によって凸部にかかる電界が大きくなることによる放電破壊を防止することを目的とし、この場合も用いられた基板はガラス基板であり、曲げることのできる可撓性基板の透明電極の凹凸をｎｍ単位で平坦なものにすることで、得られる有機発光素子の折り曲げに対する耐久性を向上させうることは記載も示唆もされておりません。」と主張している。しかし、引用例２に記載されたＩＴＯ電極を設ける基材として可撓性基材を使用し得ない格別の事情があるとは認められないし、そもそも、引用発明の有機ＥＬ素子は、透明性と可撓性を有する高分子フィルム上に、ＩＴＯからなる透明導電性膜の第１電極と、有機化合物からなる発光材料を有する有機多層部と、第２電極とを順次設けてなる有機ＥＬ素子であるから、引用例２の記載事項を適用する際に基材として可撓性基材を使用すると考える方が自然である。したがって、請求人の上記主張は採用することができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。