【手続補正書】
【提出日】平成18年1月30日(2006.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ流体システムにおける流体の流れを制御するように構成されたバルブであって、
バルブに対して所定のレベルの圧力を作用させる流体を受け取るように構成された入力ポート、および流体を提供するように構成された出力ポートと、
第１の開口サイズと第１の開口サイズと比べてより大きい第２の開口サイズとの間で変わるように構成された、可変サイズの開口を有する管状体とを備えており、
第１の開口サイズは、第１の開口サイズにおける流体と管状体との間の毛管力の第１のレベルに応答して、バルブを通る流体の流れを阻止し、かつ
第２の開口サイズは、流体と管状体との間の毛管力の第１のレベルと比べてより小さい第２の開口における毛管力の第２のレベルに応答して、バルブを通る流体の流れを許容し、
前記バルブがさらに、
平板状となっている第１の基材と、
平板状となっており、かつ第１の基材と反対側に該第１の基材と平行に配置した第２の基材と、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と隣接して配置されており、かつバルブを通る流体が流れる方向と直交するように配置されたＨ字状の断面を有しているブリッジ素子とをさらに備え、
該ブリッジ素子が、
第１の基材と第２の基材を相互接続している第１の側壁と、
第１の側壁から離間されていると共に第１の基材と第２の基材を相互接続している第２の側壁と、
平板状となっておりかつ所定の厚さを有する仕切板とを含み、
該仕切板が、
第１の側壁と第２の側壁との間に接続されていると共に第１の側壁および第２の側壁の間に延びており、中立な第１の偏りのない位置では、第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と平行に配置され、
第１の位置と第２の位置との間を第１の基材と第２の基材のうちの一方に向かって移動するように構成され、
仕切板が第１の位置にあり、かつ仕切板の底表面と第１の基材の上端表面との間の第１の距離に、第１の側壁と第２の側壁との間で延びる仕切板長さを乗算した値に等しい第１の断面積を規定している場合に、バルブは、仕切板の下側に配置された第１の開口サイズをもつ第１の開口を形成し、
仕切板が第２の位置にあり、かつ仕切板の底表面と第１の基材の上端表面との間の第２の距離に、第１の側壁と第２の側壁の間で延びる仕切板長さを乗算した値に等しい第２の断面積を規定している場合に、バルブは、仕切板の下側に配置された第２の開口サイズをもつ第２の開口を形成する、バルブ。
【請求項２】
仕切板は、第１の電位および第２の電位それぞれを有する第１の制御信号に応答して、第１の位置と第２の位置との間を移動するように構成される、請求項１に記載のバルブ。
【請求項３】
バルブはさらに、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材上に配置された第１の接点を備え、該第１の接点は、第１の制御信号を受け取るように電気的に結合され、
仕切板は第３の電位を有し、
第１の接点の第１の電位は、仕切板を第１の位置まで移動させるように仕切板の第３の電位と相互作用し、かつ第１の接点の第２の電位は、仕切板を第２の位置まで移動させるように仕切板の第３の電位と相互作用する、請求項２に記載のバルブ。
【請求項４】
第１の基材はシリコンから形成されており、第２の基材はガラスから形成されており、第１の側壁および第２の側壁はそれぞれ二酸化ケイ素から形成されており、かつ仕切板は多結晶のシリコンから形成されている、請求項１に記載のバルブ。
【請求項５】
第１の基材はシリコンから形成されており、第２の基材はガラスから形成されており、第１の側壁および第２の側壁はそれぞれ二酸化ケイ素から形成されており、かつ仕切板は多結晶のシリコンから形成されている、請求項１に記載のバルブ。
【請求項６】
マイクロ流体システムにおける流体の流れを制御するように構成されたバルブであって、
バルブに対して所定のレベルの圧力を作用させる流体を受け取るように構成された入力ポートおよび、流体を提供するように構成された出力ポートを有する平行六面体の形状部と、
バルブを通る流体の流れと直交するように配置させた矩形の断面を有し、第１の開口と第１の開口と比べてより大きい第２の開口との間で変わるように構成された可変サイズの開口とを備えており、
第１の開口は、第１の開口における流体とバルブとの間の毛管力の第１のレベルに応答して、バルブを通る流体の流れを阻止し、かつ
第２の開口は、毛管力の第１のレベルと比べてより小さい第２の開口における流体とバルブとの間の毛管力の第２のレベルに応答して、バルブを通る流体の流れを許容し、
バルブはさらに、
平板状となっている第１の基材と、
平板状となっており、かつ第１の基材と反対側に該第１の基材と平行に配置した第２の基材と、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と隣接して配置され、かつバルブを通る流体が流れる方向と直交するように配置されたＨ字状の断面を有しているブリッジ素子とを含み、
該ブリッジ素子が、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と隣接して配置されている第１の側壁と、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と隣接して配置されている第２の側壁と、
平板状となっておりかつ所定の厚さを有する仕切板とを含み、
仕切板が、第１の側壁と第２の側壁との間に配置されていると共に第１の側壁および第２の側壁に隣接し、第１の基材と第２の基材との間で第１の基材および第２の基材と平行に配置され、
仕切板が、第１の位置と第２の位置との間を移動するように構成され、
仕切板が、仕切板の底表面と第１の基材の上端表面との間で延びる第１の距離に、第１の側壁と第２の側壁の間で延びる仕切板長さを乗算した値に応答した第１の位置にある場合に、バルブは、仕切板の下側に配置された第１の開口を形成し、
仕切板が、仕切板の底表面と第１の基材の上端表面との間で延びる第２の距離に、第１の側壁と第２の側壁の間で延びる仕切板長さを乗算した値に応答した第２の位置にある場合に、バルブは、仕切板の下側に配置された第２の開口を形成し、
仕切板は、第１の電位および第２の電位それぞれを有する第１の制御信号に応答して、第１の位置と第２の位置との間を移動するように構成されており、
バルブはさらに、
第１の基材と第２の基材との間で第１の基材上に配置させた第１の接点を含み、該第１の接点は、第１の制御信号を受け取るように電気的に結合され、
仕切板は第３の電位を有し、
第１の接点の第１の電位は、仕切板を第１の位置まで移動させるように仕切板の第３の電位と相互作用し、かつ第１の接点の第２の電位は、仕切板を第２の位置まで移動させるように仕切板上の第３の電位と相互作用する、バルブ。
【請求項７】
仕切板が、仕切板の上端表面と第２の基材の底表面との間に延びる第２の距離に、第１の側壁と第２の側壁との間に延びる仕切板の長さとを乗算した値に応答して、バルブを通る流体の流れが許容されるような第３の位置にあるときに、バルブは、仕切板の上側に配置されている、第１の開口と比べてより大きな第２の開口を形成し、
仕切板は、第１の電位と第２の電位のそれぞれを有する第２の制御信号に応答して、第１の位置と第３の位置との間を移動するように構成される、請求項６に記載のバルブ。
【請求項８】
バルブはさらに、
第１の基材と第２の基材との間で第２の基材上に配置させた第２の接点を備え、該第２の接点は、第２の制御信号を受け取るように電気的に結合され、
第２の接点の第１の電位は、仕切板を第１の位置まで移動させるように仕切板の第３の電位と相互作用しており、かつ第２の接点の第２の電位は、仕切板を第３の位置まで移動させるように仕切板の第３の電位と相互作用する、請求項７に記載のバルブ。