【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にするアパーチャを有するチャンバ本体を備えた排気可能なチャンバにおいて：
前記チャンバは、着脱可能な構成要素を使用して、次の構成：即ち、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための基本構成；基板を加熱し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための加熱構成；及び、基板を冷却し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための冷却構成、のうちの少なくとも２つにおいて構成可能であり；且つ、 前記基本構成において構成されているとき、更に前記チャンバは、その中に配置される少なくとも１つの着脱可能な体積減少エレメントを包含し；前記加熱構成において構成されているとき、更に前記チャンバは、上側加熱アッセンブリ及び加熱プラテンを包含し；且つ、前記冷却構成において構成されているとき、更に前記チャンバは、上側冷却アッセンブリ及び冷却プラテンを包含するチャンバ。
【請求項２】 前記チャンバは、前記基本構成、前記加熱構成、及び前記冷却構成において構成可能である前記請求項１記載のチャンバ。
【請求項３】 前記チャンバは、前記構成の１つである第１の構成から前記構成の１つである第２の構成に再構成可能である前記請求項１記載のチャンバ。
【請求項４】 前記チャンバは、前記基本構成において構成されているとき、更に上側及び下側の体積減少エレメントを包含し、それにおいて、前記上側と下側の体積減少エレメントの間に、前記基板支持メカニズムが配置される前記請求項１記載のチャンバ。
【請求項５】 前記チャンバは、前記基本構成において、大気圧から処理圧への遷移を提供するための入力チャンバとして構成される前記請求項４記載のチャンバ。
【請求項６】 前記チャンバは、前記基本構成において、処理圧から大気圧への遷移を提供するための出力ロード・ロック・チャンバとして構成される前記請求項４記載のチャンバ。
【請求項７】 更に： 前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；及び、 前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；を備え、 それにおいて、前記加熱構成にあるとき、前記上側加熱アッセンブリは、前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置され；且つ、 前記加熱プラテンは、前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側加熱アッセンブリの下側の加熱ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記加熱ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能である前記請求項１記載のチャンバ。
【請求項８】 前記チャンバは、前記加熱構成において、大気圧から処理圧への遷移を提供するための入力ロード・ロック・チャンバとして構成される前記請求項７記載のチャンバ。
【請求項９】 前記チャンバは、アッシング・チャンバとして構成可能である前記請求項７記載のチャンバ。
【請求項１０】 前記チャンバは、アッシング構成において、処理圧から大気圧への遷移を提供するための出力ロード・ロック・チャンバとして構成される前記請求項９記載のチャンバ。
【請求項１１】 更に： 前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；及び、 前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；を備え、 それにおいて、前記冷却構成にあるとき、前記上側冷却アッセンブリは、前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置され；且つ、 前記冷却プラテンは、前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側冷却アッセンブリの下側の冷却ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記冷却ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能である前記請求項１記載のチャンバ。
【請求項１２】 前記チャンバは、前記冷却構成において、処理圧から大気圧への遷移を提供するための出力ロード・ロック・チャンバとして構成される前記請求項１１記載のチャンバ。
【請求項１３】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にする  アパーチャを有するチャンバ本体と；
前記チャンバ内に配置される基板メカニズムと；
前記チャンバに取り付けられるリッドと；
底部の内部表面と；
少なくとも前記リッドまたは前記底部表面上に配置され、さらに、少なくとも前記リッドまたは前記底部表面の付近および上方に配置される、前記チャンバ内の、少なくとも１つの着脱可能な体積減少エレメントであって、前記少なくとも一つの前記体積減少エレメントの各々は、前記チャンバから取り出すことができ、前記基板の温度を制御する為のアパーチャと交換可能である、前記体積減少エレメントと；
を備えるロード・ロック・チャンバ。
【請求項１４】 前記チャンバは、内側底面を有し、該内側底面に隣接し、その上側に配置される着脱可能な体積減少エレメントを備える前記請求項１３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項１５】 更に、着脱可能な上側及び下側体積減少エレメントを備え、それにおいて、前記基板支持メカニズムは、前記上側体積減少エレメントと前記下側体積減少エレメントの間に配置される前記請求項１３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項１６】 更に、前記チャンバに取り付けられるガス吐出チューブを備え、それにおいて前記上側体積減少エレメントは、垂直チャンネルを備え、該垂直チャンネルを介して、前記ガス吐出チューブから前記チャンバの内側領域へのガスの吐出を可能にする前記請求項１５記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項１７】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にするアパーチャを有するチャンバ本体；
前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；
前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；
前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置される上側加熱アッセンブリ；及び、 前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側加熱アッセンブリの下側の加熱ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記加熱ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能な加熱プラテン；
を備え、 それにおいてチャンバ内の表面温度が、前記基板のエッジ近傍の熱減量を補償すべくコントロール可能であるロード・ロック・チャンバ。
【請求項１８】 前記加熱プラテンは、内側及び外側加熱ループを備え、それぞれの温度が独立にコントロール可能である前記請求項１７記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項１９】 動作の間、前記外側ループの温度は、前記内側ループより高い温度に維持される前記請求項１８記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２０】 前記加熱プラテンは、水平チャンネルのパターンを有する上側表面を包含している前記請求項１７記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２１】 前記加熱プラテンは、それを貫通する複数の孔を包含している前記請求項２０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２２】 前記チャンネルの密度は、基板が前記加熱プラテンの上側表面上に支持されているとき、該基板と前記加熱プラテンの間の接触面積をコントロールするように設計されている前記請求項２０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２３】 前記加熱プラテンは、周縁及び中心を有し、それにおいて前記チャンネルの密度は、前記プラテンの前記周縁近傍より前記プラテンの前記中心近傍の方が高い前記請求項２２記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２４】 前記上側加熱アッセンブリは、互いに独立して温度のコントロールが可能な内側及び外側加熱ループを有する静止プレートを含む前記請求項１７記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２５】 更に、前記チャンバ本体に取り付けられるガス吐出チューブを備え、それにおいて前記静止プレートは、複数の垂直孔を備え、該垂直孔を介して、前記ガス吐出チューブから前記チャンバの内側領域へのガスの吐出を可能にする前記請求項２４記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２６】 前記複数の孔は、前記静止プレートの中心に近い内側ゾーンの孔及び、前記静止プレートの周縁に近い外側ゾーンの孔を包含する前記請求項２５記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２７】 前記上側加熱アッセンブリは、更に、前記静止プレートと前記基板加熱ポジションの間に配置される拡散スクリーンを包含する前記請求項２５記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２８】 更に、前記吐出チューブに接続される不活性ガス・ソースを備える前記請求項２７記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項２９】 更に、前記吐出チューブに接続されるアッシュ・ガス・ソースを備える前記請求項２５記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３０】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にするアパーチャを有するチャンバ本体；
前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；
ガス吐出チューブ；
前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；
前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置される上側加熱アッセンブリ；及び、
前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側加熱アッセンブリの下側の加熱ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記加熱ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能な加熱プラテン；
を備え、
それにおいて、前記上側加熱アッセンブリは：複数の垂直孔であって、それを介して、前記ガス吐出チューブから前記チャンバの内側領域へのガスの吐出が可能になる複数の垂直孔を有する静止プレート；
を備えるロード・ロック・チャンバ。
【請求項３１】 前記静止プレートは、更に互いに独立して温度のコントロールが可能な内側及び外側加熱ループを包含する前記請求項３０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３２】 前記複数の孔は、前記静止プレートの中心に近い内側ゾーンの孔及び、前記静止プレートの周縁に近い外側ゾーンの孔を包含する前記請求項３０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３３】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にする  アパーチャを有するチャンバ本体；
前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；
前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；
前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置される上側冷却アッセンブリ；及び、 
前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側冷却アッセンブリの下側の冷却ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記冷却ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能な冷却プラテン；
を備え、 それにおいてチャンバ内の表面温度が、前記基板のエッジ近傍の熱減量を補償すべくコントロール可能であるロード・ロック・チャンバ。
【請求項３４】 前記冷却プラテンは、中に冷却液を流すことが可能な複数の冷却チューブを包含する前記請求項３３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３５】 前記冷却プラテンは、中心及び周縁を有し、それにおいて前記冷却チューブの密度は、前記プラテンの前記周縁近傍より前記プラテンの前記中心近傍の方が高い前記請求項３４記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３６】 前記冷却プラテンは、水平チャンネルのパターンを有する上側表面を包含している前記請求項３３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３７】 前記冷却プラテンは、それを貫通する複数の孔を包含している前記請求項３６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３８】 前記チャンネルの密度は、基板が前記冷却プラテンの上側表面上に支持されているとき、該基板と前記冷却プラテンの間の接触面積をコントロールするように設計されている前記請求項３６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項３９】 前記冷却プラテンは、周縁及び中心を有し、それにおいて前記チャンネルの密度は、前記プラテンの前記中心近傍より前記プラテンの前記周縁近傍の方が高い前記請求項３８記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４０】 更に、前記チャンバ本体に取り付けられるガス吐出チューブを備え、それにおいて前記上側冷却アッセンブリは、複数の垂直孔であって、それを介して前記ガス吐出チューブから前記チャンバの内側領域へのガスの吐出を可能にする複数の垂直孔を有する静止プレートを包含する前記請求項３２記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４１】 前記静止プレートは周縁を有し、それにおいて前記複数の孔は、前記静止プレートの中心に近い内側ゾーンの孔及び、前記静止プレートの周縁に近い外側ゾーンの孔を包含する前記請求項４０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４２】 前記上側冷却アッセンブリは、更に、前記静止プレートと前記基板冷却ポジションの間に配置される拡散スクリーンを包含する前記請求項４０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４３】 更に、前記吐出チューブに接続される不活性ガス・ソースを備える前記請求項４０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４４】 前記静止プレートは、中に冷却液を流すことが可能な複数の冷却チューブを包含する前記請求項４３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４５】 前記静止プレートは、周縁及び中心を有し、それにおいて前記冷却チューブの密度は、前記静止プレートの前記周縁近傍より前記静止プレートの前記中心近傍の方が高い前記請求項４４記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４６】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にする  アパーチャを有するチャンバ本体；
前記チャンバ本体に取り付けられるリッド；
ガス吐出チューブ；
前記チャンバ内に配置される基板支持メカニズム；
前記リッドと前記基板支持メカニズムの間に配置される上側冷却アッセンブリ；及び、
前記支持メカニズム上に載置された基板を、前記上側冷却アッセンブリの下側の冷却ポジションまで持ち上げ、更に前記基板を前記冷却ポジションから前記支持メカニズム上に降ろす動きが可能な冷却プラテン；を備え、
それにおいて前記上側冷却アッセンブリは、複数の垂直孔であって、それを介して、前記ガス吐出チューブから前記チャンバの内側領域へのガスの吐出が可能になる複数の垂直孔を有する静止プレートを包含するロード・ロック・チャンバ。
【請求項４７】 前記静止プレートは、中に冷却液を流すことが可能な複数の冷却チューブを包含する前記請求項４６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４８】 前記静止プレートは、周縁及び中心を有し、それにおいて前記冷却チューブの密度は、前記静止プレートの前記周縁近傍より前記静止プレートの前記中心近傍の方が高い前記請求項４６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項４９】 前記複数の孔は、前記静止プレートの中心に近い内側ゾーンの孔及び、前記静止プレートの周縁に近い外側ゾーンの孔を包含する前記請求項４６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５０】 チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にするアパーチャを有するチャンバ本体；及び、
前記チャンバ内において基板を支持するための熱伝導性のプラテンであって、伝導によって基板の温度を選択的に変更するための複数のゾーンを有し、それにより該基板のエッジ近傍の熱減量を補償するプラテン；
を備えるロード・ロック・チャンバ。
【請求項５１】 前記プラテンは、加熱プラテンである前記請求項５０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５２】 前記加熱プラテンは、独立して温度のコントロールが可能な内側及び外側加熱ループを包含する前記請求項５１記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５３】 動作の間、前記外側ループの温度は、前記内側ループより高い温度に維持される前記請求項５２記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５４】 前記加熱プラテンは、水平チャンネルのパターンを有する上側表面を包含し、該チャンネルの密度は、基板が前記加熱プラテンの上側表面上に支持されているとき、該基板と前記加熱プラテンの間の接触面積をコントロールするように設計されている前記請求項５３記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５５】 前記加熱プラテンは、周縁及び中心を有し、それにおいて前記チャンネルの密度は、前記プラテンの前記周縁近傍より前記プラテンの前記中心近傍の方が高い前記請求項５４記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５６】 前記プラテンは、冷却プラテンである前記請求項５０記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５７】 前記冷却プラテンは、周縁、中心、及び水平チャンネルのパターンを有する上側表面を包含し、それにおいて前記チャンネルの密度は、前記冷却プラテンの前記周縁近傍の方が、前記中心近傍より高い前記請求項５６記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５８】 前記冷却プラテンは、中に冷却液を流すことが可能な複数の冷却チューブを包含し、それにおいて前記冷却プラテンは中心及び周縁を有し、それにおいて前記冷却チューブの密度は、前記プラテンの前記周縁近傍より前記中心近傍の方が高い前記請求項５７記載のロード・ロック・チャンバ。
【請求項５９】 処理チャンバ内において基板を処理する方法において；
第１処理体積から第２処理体積まで前記チャンバ内の体積を減少するステップ；
前記基板を前記チャンバ内の基板支持メカニズム上に支持させるステップ；
前記チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更するステップ；及び、
前記チャンバ内の表面温度をコントロールし、前記基板のエッジ近傍の熱損失を補償するステップ；
を包含する方法。
【請求項６０】 前記チャンバの壁を加熱し、前記基板の前記エッジ近傍の熱減量を補償するステップを包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項６１】 前記チャンバのリッドを加熱し、前記基板の前記エッジ近傍の熱減量を補償するステップを包含する前記請求項６０記載の方法。
【請求項６２】 更に、伝導によって前記ロード・ロック・チャンバ内の前記基板を加熱するステップを包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項６３】 更に、前記基板を前記支持メカニズムから加熱プラテン上に移送するステップを包含する前記請求項６２記載の方法。
【請求項６４】 前記基板の移送するステップは、前記加熱プラテンを上昇させて前記基板を前記支持メカニズムから持ち上げるステップを包含する前記請求項６３記載の方法。
【請求項６５】 処理チャンバ内で基板を処理する方法であって：
第１処理体積から第２処理体積まで前記チャンバ内の体積を減少するステップ；
前記基板を前記チャンバ内の基板支持メカニズム上に支持させるステップ；
前記チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更するステップ；
前記チャンバ内の表面温度をコントロールし、前記基板のエッジ近傍の熱損失を補償するステップ；
熱伝導により前記処理チャンバ内で前記基板を加熱するステップであって、前記基板を前記基板支持メカニズムから加熱プラテン上に移送する工程、前記プラテンの上面が、前記プラテンの中心付近地点から前記プラテンの周辺付近地点まで全般的に上昇する温度勾配を有するように、前記プラテンを加熱する工程を備える、前記ステップ；
を包含する前記請求項６３記載の方法。
【請求項６６】  処理チャンバ内で基板を処理する方法であって：
第１処理体積から第２処理体積まで前記チャンバ内の体積を減少するステップ；
前記基板を前記チャンバ内の基板支持メカニズム上に支持させるステップ；
前記チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更するステップ；
前記チャンバ内の表面温度をコントロールし、前記基板のエッジ近傍の熱損失を補償するステップ；
熱伝導により前記処理チャンバ内で前記基板を加熱するステップであって、前記基板を前記基板支持メカニズムから加熱プラテン上に移送する工程、前記プラテンの上面が、前記プラテンの中心付近地点から前記プラテンの周辺付近地点まで全般的に上昇する温度勾配を有するように、前記プラテンを加熱する工程を備える、前記ステップ；
前記プラテンの前記上面と前記基板の前記周囲付近の前記基板の第１の表面エリアとの間に接触面積を提供するステップであって、その接触面積は、前記プラテンの前記上面と前記基板の前記中心付近の前記基板の第２の表面エリアとの間の接触面積より大きく、前記基板の前記第１の表面エリアと前記第２の表面エリアは同一の大きさである、前記ステップ；
を包含する、前記方法。
【請求項６７】 更に、輻射によって前記処理チャンバ内の前記基板を加熱するステップを包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項６８】 前記輻射によって前記基板を加熱するステップは：
前記基板を静止プレート近傍の加熱ポジションまで持ち上げるステップ；及び、
前記静止プレートを、前記プレートの中心近傍のポイントから前記プレートの周縁近傍のポイントに向かって漸進的に高くなる温度勾配を有するように加熱するステップ；
を包含する前記請求項６７記載の方法。
【請求項６９】 更に、強制対流によって前記ロード・ロック・チャンバ内の前記基板を加熱するステップを包含する前記請求項６８記載の方法。
【請求項７０】 前記強制対流によって前記基板を加熱するステップは、前記チャンバの内側にガスを供給するステップを包含する前記請求項６９記載の方法。
【請求項７１】 前記チャンバの内側にガスを供給するステップは、前記静止プレートを通って強制的に前記ガスを移動させるステップを包含する前記請求項７０記載の方法。
【請求項７２】 前記チャンバの内側にガスを供給するステップは、更に、前記静止プレートを通って移動させる前に、前記静止プレートの上側表面に沿って前記ガスを強制的に移動させるステップを包含する前記請求項７１記載の方法。
【請求項７３】 更に、前記静止プレートを通って移動した後、拡散スクリーンを通って前記ガスを強制的に移動させて、前記チャンバ内部への前記ガスの拡散をコントロールするステップを包含する前記請求項７１記載の方法。
【請求項７４】 前記ガスは、不活性ガスである前記請求項７３記載の方法。
【請求項７５】 前記ガスは、アッシュ・ガスである前記請求項７３記載の方法。
【請求項７６】 更に： 前記基板を前記支持メカニズムから加熱プラテン上に移送するステップ；及び、
前記チャンバ内の、前記チャンバの壁に対する前記基板の見込み角が小さくなる位置に前記加熱プラテンを移動するステップ；
を包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項７７】 更に、伝導によって前記基板を冷却するステップを包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項７８】 更に、前記基板を前記支持メカニズムから冷却プラテン上に移送するステップを包含する前記請求項７７記載の方法。
【請求項７９】 前記基板を移送するステップは、前記冷却プラテンを上昇させて前記基板を前記支持メカニズムから持ち上げるステップを包含する前記請求項７８記載の方法。
【請求項８０】 前記伝導によって前記基板を冷却するステップは、前記プラテンの上側表面が、前記プラテンの中心近傍のポイントから前記プラテンの周縁近傍のポイントに向かって漸進的に高くなる温度勾配を有するように前記プラテンを冷却するステップを包含する前記請求項７８記載の方法。
【請求項８１】 前記伝導によって前記基板を冷却するステップは、前記プラテンの上側表面と、前記基板の周縁近傍の前記基板の第１の表面エリアの間に、前記プラテンの上側表面と、前記基板の中心近傍の前記基板の第２の表面エリアの間の接触面積より小さい接触面をもたらすステップであって、それにおいて前記基板の前記第１及び第２の表面エリアは、同一サイズであるとするステップを包含する前記請求項８０記載の方法。
【請求項８２】 更に、輻射によって前記ロード・ロック・チャンバ内の前記基板を冷却するステップを包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項８３】 前記輻射によって前記基板を冷却するステップは：
前記基板を静止プレート近傍の冷却ポジションまで持ち上げるステップ；及び、
前記静止プレートを、前記プレートの中心近傍のポイントから前記プレートの周縁近傍のポイントに向かって漸進的に高くなる温度勾配を有するように冷却するステップ；
を包含する前記請求項８２記載の方法。
【請求項８４】 更に、強制対流によって前記ロード・ロック・チャンバ内の前記基板を冷却するステップを包含する前記請求項８３記載の方法。
【請求項８５】 前記強制対流によって前記基板を冷却するステップは、前記チャンバの内側にガスを供給するステップを包含する前記請求項８４記載の方法。
【請求項８６】 前記チャンバの内側にガスを供給するステップは、前記静止プレートを通って強制的に前記ガスを移動させるステップを包含する前記請求項８５記載の方法。
【請求項８７】 前記チャンバの内側にガスを供給するステップは、更に、前記静止プレートを通って移動させる前に、前記静止プレートの上側表面に沿って前記ガスを強制的に移動させるステップを包含する前記請求項８６記載の方法。
【請求項８８】 更に、前記静止プレートを通って移動した後、拡散スクリーンを通って前記ガスを強制的に移動させて、前記チャンバ内部への前記ガスの拡散をコントロールするステップを包含する前記請求項８６記載の方法。
【請求項８９】 前記ガスは、不活性ガスである前記請求項８８記載の方法。
【請求項９０】 前記ガスは、アッシュ・ガスである前記請求項８８記載の方法。
【請求項９１】 更に、前記基板を前記支持メカニズムから冷却プラテン上に移送するステップを含み、それにおいて表面温度のコントロールは、前記チャンバの壁を加熱し、前記基板のエッジからの熱減量を補償する前記請求項５９記載の方法。
【請求項９２】 更に、前記基板を前記支持メカニズムから冷却プラテン上に移送するステップを含み、それにおいて表面温度のコントロールは、前記チャンバのリッドを加熱し、前記基板のエッジからの熱減量を抑える前記請求項５９記載の方法。
【請求項９３】 更に：
前記基板を前記支持メカニズムから冷却プラテン上に移送するステップ；及び、
前記チャンバ内の、前記チャンバの壁に対する前記基板の見込み角が小さくなる位置に  前記冷却プラテンを移動するステップ；
を包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項９４】  前記チャンバの前記体積を減少するステップは、内部の体積減少エレメントの少なくとも一つを配置する工程を包含する前記請求項５９記載の方法。
【請求項９５】  前記体積減少エレメントは、プラスチック、金属、それらの組合せから選択される前記請求項９４記載の方法。
【請求項９６】  前記体積減少エレメントを少なくとも一つの加熱アッセンブリと交換するステップを更に包含する前記請求項９４記載の方法。
【請求項９７】  前記基板支持体の上方に、少なくとも一つの加熱アッセンブリを配置するステップを更に包含する前記請求項９６記載の方法。
【請求項９８】  前記基板支持体の下方に、少なくとも一つの加熱アッセンブリを配置するステップを更に包含する前記請求項９６記載の方法。
【請求項９９】  前記チャンバ内で表面温度を制御するステップは、前記加熱アッセンブリの中心に関し前記加熱アッセンブリの前記周辺付近で、より高い温度を維持する工程を包含する前記請求項９８記載の方法。
【請求項１００】  前記加熱アッセンブリの前記中心に関し前記加熱アッセンブリの前記周辺付近で、より高い温度を維持するステップは、前記加熱アッセンブリの外側加熱ループの少なくとも一つを、前記加熱アッセンブリの内側加熱ループの少なくとも一つに関し高温に加熱する工程を包含する前記請求項９９記載の方法。
【請求項１０１】  ロード・ロック・チャンバとして前記処理チャンバを構成するステップを更に包含する前記請求項９４記載の方法。
【請求項１０２】  入力用ロード・ロック・チャンバとして前記ロード・ロック・チャンバを構成するステップを更に包含し、前記第１の圧力は大気圧であり、前記第２の圧力は処理圧力である、前記請求項１０１記載の方法。
【請求項１０３】  出力用ロード・ロック・チャンバとして前記ロード・ロック・チャンバを構成するステップであって、前記第１の圧力は処理圧力であり、前記第２の圧力は大気圧である、前記ステップを更に包含する前記請求項１０１記載の方法。
【請求項１０４】  前記第１の圧力から前記第２の圧力まで遷移するように前記チャンバにガスを供給するステップを更に包含する前記請求項１０１記載の方法。
【請求項１０５】  前記ガスは、不活性ガスを包含する前記請求項１０４記載の方法。
【請求項１０６】  前記ガスは、窒素、アルゴン、それらの組合せを包含する前記請求項１０４記載の方法。
【請求項１０７】  前記チャンバの前記体積を第１の処理体積から第２の処理体積まで減少させるステップは、内部に少なくとも一つの体積減少エレメントを配置する工程を包含する前記請求項６５記載の方法。
【請求項１０８】  加熱アッセンブリで前記体積減少エレメントに代えて取り付けるステップを更に包含する前記請求項１０７記載の方法。
【請求項１０９】  前記チャンバの前記体積を第１の処理圧力から第２の処理圧力まで減少させるステップは、内部に少なくとも一つの体積減少エレメントを配置する工程を包含する前記請求項６６記載の方法。
【請求項１１０】  加熱アッセンブリで前記体積減少エレメントに代えて取り付けるステップを更に包含する前記請求項１０８記載の方法。