【事件の表示】
　特願２００５−３０４０２３「非晶質ＣｏＦｅＳｉＢ又は非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ自由層を備える磁気トンネル接合」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月２１日出願公開、特開２００６−２５３６３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯  
　本願は，平成１７年１０月１９日（パリ条約に基づく優先権主張　２００５年３月９日，大韓民国）の出願であって，平成２１年８月２５日付けで手続補正がされ，平成２２年１月２５日付けで拒絶査定がされ，それに対して同年５月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。  
　  
２　本願発明  
　本願の請求項１〜３に係る発明は，平成２１年８月２５日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。 
　  
（本願発明） 
「【請求項１】　非磁性中間層に分離される非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、前記非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層が非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ／Ｒｕ／非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層を含み、前記非晶質ＮｉＦｅＳｉＢがＮｉ11-21Ｆｅ57-67Ｓｉ3-13Ｂ9-19の組成で構成されることを特徴とする磁気トンネル接合構造。」
　  
３　引用例に記載された発明  
（１）　引用例１に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である国際公開第０３／３６７３４号（以下「引用例１」という。）には，図５Ａ，Ｂ〜７Ａ，Ｂ，１２Ａ，Ｂとともに，以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　ア　「この抵抗の変化率は、それぞれの磁性層のスピン分極率をＰ１、Ｐ２とすると、
２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２）                      （１）
で表される。
それぞれのスピン分極率が大きいほど抵抗変化率が大きくなる。
…（中略）…
　そこで、このようなエレクトロンマイグレーションの発生、更には、記録電流による発熱の問題や、消費電力低減の観点等からも、この記録電流を低減させる必要がある。
　この
記録電流を減少させる１つの手段として、ＴＭＲ素子の反転磁界すなわち保磁力を小さくする
　この
ＴＭＲ素子の保磁力は、素子の大きさや、形状および膜構成と材料の選択で決まる。
ＭＲＡＭの記録密度の向上を図って微細化させることが望まれるが、この微細化によって素子の保磁力は、上昇する傾向にある。したがって、材料の面からの保磁力の低減も必要とされる。
　また、磁気メモリ素子の磁気特性が素子ごとにばらついたり、同一素子を繰り返し使用した場合にばらつきが生じると、アステロイド特性を用いた選択書き込みが困難になる。
…（中略）…
　しかし、一般的にＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの強磁性遷移金属元素のみを成分とする磁性材料で磁化自由層を作製した場合には、前記（１）式で示すＰ１およびＰ２で示される
スピン分極率が大きくなるような合金組成を選択した場合には、Ｈｃが大きくなる傾向にある。
　例えば、Ｃｏ７５Ｆｅ２５（原子％）合金等を磁化自由層に用いた場合は、
スピン分極率が大きく４０％以上の高いＴＭＲ比が確保できるが保磁力も大きい。
Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
（原子％）合金等を用いた場合には、保磁力は低減させることはできるものの、Ｃｏ
７５
Ｆｅ
２５
（原子％）と比較してスピン分極率が低いためにＴＭＲ比が３３％程度まで低下してしまう。
　さらに、Ｃｏ９０Ｆｅ１０（原子％）を用いると約３７％のＴＭＲ比が得られて、その保磁力は、上述したＣｏ７５Ｆｅ２５（原子％）合金とＮｉ８０Ｆｅ２０（原子％）合金の中間となるが、Ｒ−Ｈループの角型性が劣り、書き込みを可能とするアステロイド特性が得られない。」（明細書第２ページ１８行〜第５ページ１５行）
  
　イ　「本発明による
磁気抵抗効果素子は、少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル結合を用いた磁気抵抗効果素子
一方の強磁性層により構成される磁化自由層は、非晶質
主な部分が非晶質
材料層
　この磁化自由層は、
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分に対して、周期律表で３Ｂ族元素，４Ｂ族元素，５Ｂ族元素であるメタロイド元素およびメタリック元素の少なくとも１種もしくは２種以上含む構成による。このメタロイド元素およびメタリック元素としては、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上が用いられる。より好ましくは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅのいずれか１種もしくは２種以上が用いられる。この磁化自由層におけるメタロイド元素およびメタリック元素の含有量は、５〜３５原子％とされる
　 
　ウ　「本発明による磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子は、少なくとも一対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル結合の構造を有して成る。
　図１Ａは、
この強磁性トンネル結合構造を有するＴＭＲ素子による磁気抵抗効果素子ないしは磁気メモリ素子１の一例の概略断面図で、この例では、基板２、例えばＳｉ基板上に、下地層３が形成され、この下地層３を介して反強磁性層４が形成され、この上に、順次強磁性層５（以下第１の強磁性層という）、トンネルバリア層６、強磁性層７（以下第２の強磁性層という）が積層されて成る強磁性トンネル結合部８が形成される。
　そして、この強磁性トンネル結合部８上に、保護層９いわゆるトップコート層が形成される。
　第１の強磁性層５は、その磁化の向きが固定される磁化固定層であり、第２の強磁性層７は、磁化反転がなされる磁化自由層、磁気メモリ素子においては、情報記憶層である。
　
この磁化自由層もしくは情報記憶層を構成する第２の強磁性層７は、少なくとも１種類もしくは２種類以上のＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの遷移金属（以下ＦＭＴＭという）に対して、以下に示すような合金元素を添加して、非晶質化もしくは微細結晶化された構成を有する。
　このように、
強磁性層７による磁化自由層および情報記憶層は、これが非晶質化もしくは微細結晶化された構成とされたことによって、ＦＭＴＭのスピン分極率を維持しながら保磁力を低下させ
また、同時に、高いＴＭＲ比を実現し
　また、上述した効果すなわち目的を達成させるＦＭＴＭに添加する元素としては、次に列記する分類１〜３に、大別分類することができる。
　分類１．
周期律表で３Ｂ〜５Ｂ族元素のメタロイドおよびメタリック元素の添加。
　分類２．周期律表で４Ａ族と５Ａ族元素の添加。
　分類３．上記分類１および２の一方もしくは両方の添加、およびＣｕ，Ｏ，Ｎなどの元素の微量添加。
　
本発明の磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子において、第２の強磁性層７は、スピン分極率を維持したまま保磁力を低下させる目的で、ＦＭＴＭに上記分類１および２に示した合金添加成分を含んでいればよい。
　上記分類１では、
磁化自由層の非晶質化が目的であり
好ましくはＦＭＴＭ−Ｓｉ合金やＦＭＴＭ−Ｂ合金
　また、上述のような目的を達成する範囲内において、
周期律表で３Ｂおよび４Ｂ族の半金属元素を２種以上含んでいてもよい。
ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金
好ましくは
ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金
　 
　エ　「このような場合には、その原因はまだ明確でないが、
磁気抵抗変化率が減少してしまうことなどの不具合があるので、上記分類１の場合の周期律表における３Ｂ〜５Ｂ族であるメタロイドおよびメタリック元素（好ましくはＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ）の添加量は、ＴＭの組成にも依存するが５０％以下であることが望ましい。
　また、
添加元素の量が多すぎると、強磁性を示さなくなることもあるので、非晶質もしくは微細結晶の組織構造を得るためには、１種もしくは２種以上用いる場合で、これらの元素が合計で、５〜３５原子％の範囲にあることが望ましい。
　 
　オ　「これらの非晶質および微結晶構造の磁性材料層によって、第２の強磁性層、すなわち
磁化自由層もしくは情報記憶層を構成する場合、その非晶質もしくは微細結晶構造によって保磁力すなわち反転磁界の低減効果とＴＭＲ比の維持を発現するために、この磁化自由層もしくは情報記憶層は、この磁性材料による単層構造とするか、あるいはこの磁性材料層によって主な部分を構成する
　
　カ「この実施例においては、図４Ａに要部の平面図を示し、図４Ｂに図４ＡのＡ−Ａ’の断面図を示すように、素子の磁気抵抗特性を調べることができるように、図３で示したスイッチング用のトランジスタ等を排除した構成とした。
　この実施例では、まず、表面に厚さ３００ｎｍ熱酸化膜による絶縁層１２が形成された厚さ０．５２５ｍｍのＳｉによる半導体基板２を用意した。
　この半導体基板２上に、ワード線を構成する金属膜を、全面的に形成し、フォトリソグラフィによるパターンエッチングを行って、一方向に延長するワード線ＷＬを形成した。
　このとき、ワード線ＷＬの形成部以外のエッチング部においては、半導体基板２の酸化膜すなわち絶縁膜１２が、深さ５ｎｍまでエッチングされた。
　このワード線ＷＬ上に、磁気メモリ素子（ＴＭＲ素子）１を作製した。このＴＭＲ素子１は、順次、下層から下地層３／
反強磁性層４／第１の強磁性層の第１の強磁性体層５１／導電体層５２、第２の強磁性体層５３／トンネルバリア層６／第２の強磁性層７
　この積層膜の一部によってＴＭＲ素子１を構成するものであり、このために、積層膜のＴＭＲ素子１の形成部上に、フォトレジスト層によるマスク層（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィによるパターンエッチングを、ドライエッチングによって行って平面形状が楕円形状をなすＴＭＲ素子１を形成した。
　この場合のＴＭＲ素子１のパターンは、短軸０．８μｍ、長軸１．６μｍの楕円形状とした。
　この膜構成のうちで
Ａｌ酸化物のトンネルバリア層
　
　キ　「〔１−２〕．ＦＭＴＭに対する３Ｂ〜５Ｂ族元素単体での添加効果：
　実施例１の構成による、ＦＭＴＭを原子％でＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０に固定して、これに
添加する３Ｂ〜５Ｂ族元素であるＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅを原子％で１〜４０％まで添加したサンプル
添加量に対する保磁力ＨｃとＴＭＲ比との測定結果を、図５Ａおよび図５Ｂに示す。
　
Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅを添加した構成では、その添加量が多くなるにつれて一旦ＴＭＲ比が増加し、再び低下する傾向を示す。そして、反転磁界Ｈｃは、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｇｅの各添加によって低下していることが確認された。
　
　ク　「また、
図５ＡおよびＢの結果から、これら元素の添加量が少な過ぎる場合は、ＴＭＲ比の向上の効果が少なく、Ｈｃの低減効果も少ない。
添加量が多すぎた場合には
磁化量が少なくなり過ぎてＴＭＲ比が減少するおそれが生じる。添加量が３５％を超えても、Ｈｃの大きさが低下していく効果は見られるが、高いＴＭＲ比と両立させるためには、添加量を３５％を超えないことが望ましい。
　
　ケ　「
〔１−３〕．３Ｂ〜５Ｂ族２種類以上の添加効果：
　
本発明のＴＭＲ比の上昇とＨｃの低減効果は３Ｂ〜５Ｂ族の半金属元素を１種類のみ含んでいる場合のみでなく、２種以上含んでいる場合でも発現される。
　
実施例２の構成では、これらの元素を２種以上含む場合であり、Ｓｉを第１添加元素としてその添加量を１５原子％とし、第２添加元素としてＢ，Ｃ，Ｐ，Ａｌを添加した結果を図６Ａおよび図６Ｂに示した。これらの元素を２種以上含んでいても、上記〔１−２〕．で述べた保磁力Ｈｃの低減効果とＴＭＲ比の増加とが認められる
ＳｉとＢ
同時に添加した場合、Ｈｃの低減効果が大きい。
　
　コ　「
〔１−４〕．Ｂを２０原子％添加した場合における強磁性遷移金属元素の組成依存：
　
非晶質化するための元素が添加された本発明の磁化自由層材料のうちで、強磁性元素であるＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの組成比と、ＴＭＲ比およびＨｃの値について、実施例３のＢを２０原子％添加したサンプルと、比較例１の本発明の添加元素を用いていないサンプルの測定結果に基いて本発明の効果を説明する。
　
実施例３および比較例１の測定結果を併せて図７Ａおよび図７Ｂに示す。本発明の３Ｂ〜５Ｂ族元素であるＢを添加したサンプルにおいて、Ｃｏ
９０
Ｆｅ
１０
，Ｃｏ
７５
Ｆｅ
２５
，Ｃｏ
５０
Ｆｅ
５０
，Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
のうちでどの強磁性遷移金属の組成比においても、前記〔１−２〕．の実施例１で示したような、ＴＭＲ比の上昇およびＨｃの低下の効果が見られる。
　したがって、
これらの効果は、ここで示したＣｏＦｅ，ＮｉＦｅの組成に限定されるわけでなく、どの組成範囲をもつＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉに対しても、３Ｂ〜５Ｂ族の半金属元素をＡｌを５〜３５原子％程度まで添加した合金系の磁化自由層を有する磁気メモリ素子に関してこのような効果が現れる。
　また、添加元素に関しても、此処で示したＢのみならず、３Ｂ〜５Ｂのメタロイドおよびメタリック元素およびＡｌもしくは後に示す本発明の添加元素を含んでいればよい。」（同第３２ページ１行〜２１行）
　 
　サ　「〔１−９〕．積層構造：  
　
実施例６（審決注：「実施例７」の誤記と認められる）および比較例５の磁化自由層を積層構造にした場合の磁化自由層材料とＨｃおよびＴＭＲ比の測定結果を、図１２Ａおよび図１２Ｂに示す。
　周期律表で３Ｂから５Ｂ族元素のメタロイドおよびメタリック元素の１種もしくは２種以上添加による非晶質化がなされている層と結晶質である層の積層構造による磁化自由層によっても同様な保磁力低下と高いＴＭＲ比の発現がなされている。この場合、原因についてはまだ明らかではないが、非晶質層をトンネルバリア層側に用いるのが好ましい。結晶質層をトンネルバリア層側に隣接して用いた場合には、比較例４における図１１で示すように、保磁力の低下が認められない。」（同第３４ページ１７行〜２８行）
　
　シ　３（１）イによれば「自由層」である第２の強磁性層７は、「２種類以上のＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの遷移金属」（以下「ＦＭＴＭ」という。）に、「周期律表で３Ｂ〜５Ｂ族元素」の添加して、「非晶質化」された構成であり，さらに，添加する元素が「周期律表で３Ｂおよび４Ｂ族の半金属元素」の場合は，「２種以上含んでいてもよ」く，好ましいものとして「ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金」が例示されている。
　
　以上総合すると，引用例には以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。　
「強磁性層５、トンネルバリア層６、強磁性層７が積層されて成る強磁性トンネル結合部８が形成された磁気抵抗効果素子であって，
自由層である第２の強磁性層７は，ＦＭＴＭに周期律表で３Ｂおよび４Ｂ族の半金属元素の２種以上添加して非晶質化した「ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金」であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」 
　
（２）　引用例２に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−１７９１８７号公報（以下「引用例２」という。）には，図３とともに以下の記載がある。 
　
　ア　「【００２４】
図３は、反強磁性層が上部に形成された
トップ型の強磁性一重トンネル接合素子
アモルファス磁性層５ａ／非磁性層５ｂ／アモルファス磁性層５ｃの三層構造を有する磁気記録層５
　 
　イ　「【００３０】
上記のように、磁気記録層（フリー層）に
アモルファス磁性層／非磁性層／アモルファス磁性層を用いた場合
ビットサイズが微小化してもスイッチング磁界の増大を抑制することができ
【００３１】
次に、本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子に用いられる材料などについて説明する。
【００３２】
磁気記録層（フリー層）を形成するアモルファス磁性層は、下記一般式
Ｃｏ−Ｆｅ−ＡＡ、Ｃｏ−Ｆｅ−ＡＡ−ＡＡ２、Ｆｅ−ＡＡ−ＡＡ２、Ｃｏ−ＡＡ−ＡＡ２、Ｃｏ−Ｍｎ−ＡＡ−ＡＡ２、Ｆｅ−Ｃｕ−ＡＡ−ＡＡ２、およびＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−ＡＡ
（ここで、ＡＡまたはＡＡ２は、Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｐ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎ，Ｃ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｗ，Ｖ，希土類および窒素からなる群より選択される少なくとも１種の元素である）
で表されるものが用いられる。アモルファス磁性層は、３ｄ磁性元素（Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）以外の添加元素であるＡＡまたはＡＡ２を２０ａｔ％以上含んでいてもよい。
【００３３】
これらのアモルファス合金は、結晶化温度（熱安定性）が高く、トンネルバリア層上にも均一な膜厚でスパッタされるため、４００℃以上の熱工程を経てもアモルファス磁性層／非磁性層／アモルファス磁性層の構造が維持され、磁歪が小さく、スイッチング磁界バラツキが抑えられる。より具体的なアモルファス磁性層の材料については、後に詳細に説明する。
【００３４】
非磁性層は特に限定されないが、Ｒｕ
　 
４　対比・判断 
（１）　対比  
　引用発明の「強磁性層５」，「トンネルバリア層６」，「強磁性層７」は，それぞれ本願発明の「強磁性層である固定層」，「中間層」，「強磁性層を含む自由層」に相当し，引用発明の「強磁性トンネル結合部８が形成された磁気抵抗効果素子」には，「磁気トンネル接合」があることは明らかであるから，引用発明の「強磁性トンネル結合部８が形成された磁気抵抗効果素子」は，本願発明の「磁気トンネル接合構造」に相当する。
　また，磁気トンネル接合構造のトンネルバリア層は非磁性体であることは当業者にとって自明であり，３（１）カによれば，引用発明の「トンネルバリア層」の「Ａｌ酸化物」も「非磁性体」であることから，引用発明の「トンネルバリア層６」は「非磁性体」であることが分かる。
　引用発明の強磁性層７の組成におけるＦＭＴＭが２種類以上のＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの遷移金属であることから，本願発明の「ＮｉＦｅＳｉＢ」が，引用発明の「ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金」に含まれることは明らかである。
　
(一致点）　  
　本願発明と引用発明とは， 
「強磁性層である固定層，非磁性体からなる中間層，強磁性層を含む自由層が積層されて成る磁気トンネル接合構造であって，
強磁性層を含む自由層は，非晶質化したＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金であることを特徴とする磁気トンネル接合構造。」 
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点１）  
　本願発明は，自由層，自由層の上部に中間層，中間層の上部に固定層を形成しているのに対して， 
　引用発明は，固定層，中間層，自由層の順に形成している点。 
　 
（相違点２）  
　本願発明は，自由層の強磁性体の材料組成が「非晶質Ｎｉ11-21Ｆｅ57-67Ｓｉ3-13Ｂ9-19」であるのに対して， 
　引用発明は，非晶質化したＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ合金である点。
　
（相違点３）  
　本願発明は，自由層が「非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ／Ｒｕ／非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層」という構成であるのに対して， 
　引用発明は，自由層の構成が特定されていない点。
　 
（２）　判断 
（相違点１について）
　基板上に，自由層，中間層，固定層の順に形成した磁気トンネル接合構造も，固定層，中間層，自由層の順に形成した磁気トンネル接合構造も，以下の周知例１（実施形態例１，２をそれぞれ参照）や，引用例２（図１，３をそれぞれ参照）に記載されているように当該技術分野において周知の技術である。
　したがって，引用発明の磁気トンネル接合構造において，固定層，中間層，自由層の形成順に換えて，周知の技術を勘案し，自由層，中間層，固定層の順に形成した磁気トンネル接合とすることは当業者ならば容易になし得たことである。
　
周知例１：特開平１１−１７５９２０号公報
　周知例１には，図１，２とともに，以下の記載がある。
「【００２２】実施形態例１
図１は、本発明の第１の実施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッドを、その媒体と対向する面（エアベアリング面。以下、ＡＢＳ面と略す）から見た積層構造図である。本ヘッドは、スライダ上に順次に積層された２層の対向する磁気シールドＳ１（１０１）及びＳ２（１１１）と、この二層の対向する磁気シールドＳ１及びＳ２間に配設されたＴＭＲ素子とから成る再生機能を有するヘッドを有する。更に、一方の磁気シールドＳ２を一方の磁極膜Ｐ１と兼用し、この磁極膜Ｐ１の磁気抵抗効果素子と反対側に、絶縁体で挟まれたコイルともう一方の磁極Ｐ２（１１３）とが積層され、双方の磁極Ｐ１及びＰ２間に設けられた磁気ギャップ１１２に発生する磁界による記録機能を有するヘッドを有する。
【００２３】上記複合素子は以下のように得られる。まず、下シールドＳ１側から
順次に
３０nm厚のＴａ膜１０２、１０nm厚のＮｉ−Ｆｅ膜からなる第１の強磁性層１０３
Ａｌ膜からなる導電層を連続してスパッタ蒸着する。その後、Ａｌ導電層表面を酸化してトンネルバリア層１０４
Ｃｏ−Ｆｅ膜からなる第２の強磁性層１０５、及び、２０nm厚のＮｉ−Ｍｎ膜からなる反強磁性膜１０６をスパッタ蒸着し、ＴＭＲ膜を完成させた
アルミナからなる非磁性絶縁層
【００２４】ＴＭＲ素子は、磁気シールドＳ１およびＳ２を電極とし、磁気シールドＳ１およびＳ２の面間にほぼ垂直方向に流れる電流によって磁気抵抗効果を発生させる第１の強磁性層と第２の強磁性層との間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性ＴＭＲ膜からなる中央領域と、この中央領域を左右から挟み込むようにして積層する、バイアス磁界を供給する端部領域とから構成されている。
【００２５】上記構造を採用したことにより、ＴＭＲ素子にバイアス磁界を印加することが出来るので、高い分解能を有し、高トラック密度、狭トラック化を実現できる。
【００２６】以下に、本実施形態例のヘッドの製造プロセスを更に詳細に説明する。スライダを構成するＡｌ2Ｏ3-ＴｉＣ複合セラミックからなるウエハ基体上に、スパッタ法により膜厚１μｍのＣｏＴａＺｒ膜を形成し、下シールドＳ１（１０１）としてパタン化した。このＣｏＴａＺｒ膜の形成時には図１左右方向に一方向性の磁界を印加した。この後、この磁気異方性方向に５００Oeの一方向磁界を印加しつつ３５０℃で１時間の初期熱処理を行った。次にスパッタ法により中央領域となるＴＭＲ膜を形成した。ＴＭＲ膜としては、まず下シールドＳ１側から順に、３０nm厚のＴａ膜（１０２）、１０nm厚のＮｉ−Ｆｅ膜からなる第１の強磁性層（１０３）、及び、２nm厚のＡｌ膜からなる導電層を連続してスパッタ蒸着した。この成膜には４インチ直径のターゲット４基を備えた高周波マグネトロンスパッタ装置を用いた。スパッタ条件はすべてバックグランド圧力１×１０-7Torr以下、Ａｒ圧力１０mTorr、高周波電力２００Ｗとした。次に、スパッタ装置内に純酸素を導入し、酸素圧力を２０mTorr〜２００Torrの範囲で１０分間保持して、Ａｌ導電層表面を酸化してトンネルバリア層（１０４）を形成した。酸素を排気してバックグランド圧力に到達した後、２０nm厚のＣｏ−Ｆｅ膜からなる第２の強磁性層（１０５）、及び、２０nm厚のＮｉ−Ｍｎ膜からなる反強磁性膜をスパッタ蒸着し、ＴＭＲ膜を完成させた。
【００２７】その後、第２の強磁性層１０５と反強磁性層１０６との間に交換結合磁界を発生させ、第２の強磁性層１０５の磁化を図１のＡＢＳ面に対して垂直方向に固定するために、ＡＢＳ面に対して垂直方向に３ｋOeの一方向磁界を印加しつつ２７０℃で５時間の熱処理を行った。この磁界の方向は先に下シールドを熱処理した時の磁界の方向とは直交している。しかしながら、下シールドであるＣｏＴａＺｒ膜は予め３５０℃で熱処理されているため、この熱処理を行っても、その磁化容易軸方向は変化することなく、異方性磁界Ｈkとしては８Oeと磁気シールドとしては十分な大きさを保っていた。次に、ＴＭＲ膜をパタン化して形成する中央領域とその両端の端部領域を形成した。
【００２８】実施形態例２
図２は、本発明の第２の実施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッド装置を、そのＡＢＳ面から見た積層構造図である。ＴＭＲ膜は、下地層１０２、反強磁性層１０６、第１の強磁性層１０５、トンネルバリア層１０４、第２の強磁性層１０３、非磁性導電層１１４から構成される。
　
（相違点２について） 
　ア　ＮｉＦｅについて 
　３（１）アによれば，強磁性層に用いる材料を，スピン分極率が大きいものとすると抵抗変化率が大きくなることが分かっており，ＦＭＴＭとして高いスピン分極率をもつ材料組成を選択することは，当業者が当然なし得たことである。
　そして，高いスピン分極率の強磁性材料としてＦｅリッチのＮｉＦｅがあることは，周知例２，３にも記載されているように，当該技術分野において周知の技術であるから，引用発明の「ＦＭＴＭ−Ｓｉ−Ｂ」合金におけるＦＭＴＭとして，抵抗変化率が大きくするために高いスピン分極率の材料であるＦｅリッチのＮｉＦｅを選択することは当業者が容易になし得たことである。
　また，ＦｅリッチのＮｉＦｅの組成比については，磁気トンネル接合構造を設計するに当たり当然考慮すべき，大きな磁気抵抗比と，低いスピン反転磁場とのバランスに配慮して，スピン分極率と保磁力とが最適となる組成範囲を実験等により見いだすことは当業者が通常行うことである。
　
　（ア）　周知例２：特開２０００−１８７９７６号公報 
　周知例２には，以下の記載がある。 
　ａ　「【００３４】
スピントンネル膜の第１磁性層と第２磁性層は、前述のスピン依存散乱膜の第１磁性層、第２磁性層の各材料とそれぞれ同じ材料を用いることができるが、大きな磁気抵抗比を得るためには、望ましくはフェルミ面における上下スピンの偏極量が大きいＦｅを選定し
ＮｉＦｅとしては
Ｎｉ
25
Ｆｅ
75
，Ｎｉ
9
 Ｆｅ
91
　 
　（イ）　周知例３：特開２００２−７４６２６号公報 
　周知例３には，以下の記載がある。 
　ａ　「【００２５】本実施例では、バリア層４００に接している、ｂｃｃ
強磁性膜１００（自由層）とｂｃｃ強磁性膜２００（固定層）に、Ｆｅ膜
Ｆｅ膜のスピン分極率Ｐは、０．４０
Ｎｉ
２５
Ｆｅ
７５
膜のスピン分極率Ｐは、０．４７であることから、ＴＭＲ比５７％が得られる。
　
　イ　ＳｉＢについて
　３（１）ウによれば，ＦＭＴＭに対して，合金元素を添加して，非晶質化することにより，保磁力を低下させることが，３（１）エ，キ，クによれば，高いＴＭＲ比と保持力の低下とのバランスから添加量は３５％を越えないことが望ましいことが引用例１に記載されていることが分かる。さらに引用例１には，３（１）ケおよび，図６Ａによれば，Ｓｉ１５Ｂ１０程度ＳｉとＢを添加すると保磁力の低減効果が大きいことが分かり，３（１）コによれば，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのどの組成の範囲に対しても３Ｂ〜５Ｂの半金属元素を５〜３５原子％添加したことにより同様の効果が現れることが分かる。
　任意の組成比のＮｉＦｅを非晶質化して保磁力を低下させ，高いＴＭＲ比を維持するという効果のバランスに配慮して，最適な元素の添加組成範囲を実験等により見いだすことは，当業者が通常行うことである。そして，Ｓｉ3-13Ｂ9-19 という組成範囲も，３（１）ケ，コからごく普通の範囲であるといえる。
　
　ウ　組成比の範囲について
　本願明細書には，Ｎｉ１６Ｆｅ６２Ｓｉ８Ｂ１４組成の実施例しかなく，組成比をＮｉ11-21Ｆｅ57-67Ｓｉ3-13Ｂ9-19の範囲に限定したことにより格別の効果を奏したものとも認められず，当該組成比の範囲に技術的な臨界的意義はない。
　
　以上から，引用発明において，ＦＭＴＭとしてＮｉＦｅを選択し，ＳｉとＢを添加することにより非晶質化して保磁力を低下させるとともに高いＴＭＲ比を維持するために，合金の組成をＮｉ11-21Ｆｅ57-67Ｓｉ3-13Ｂ9-19とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（相違点３について） 
　３（１）サによれば，引用例１においても，自由層を積層構造としたものも検討されていることが分かる。
　そして，引用例２には，非磁性層としてＲｕを用いたアモルファス磁性層／非磁性層／アモルファス磁性層の三層構造を有する磁気記録層とした強磁性トンネル接合素子が記載されている。
　引用発明は「磁気トンネル接合」で，引用例２に記載の発明は強磁性トンネル接合であり，磁気トンネル接合という技術分野が共通し，引用発明は「保磁力すなわち反転磁界の低減」で，引用例２に記載の発明は「スイッチング磁界の増大を抑制」という課題も共通する。
　したがって，引用発明において，自由層に引用例２に記載の発明の非磁性層にＲｕを用いたアモルファス磁性層／非磁性層／アモルファス磁性層の三層構造を適用し，磁性層として非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層を選択した場合に「非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ／Ｒｕ／非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層」とすることは，当業者ならば容易になし得たことである。
　 
（３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　 
５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。