【事件の表示】
　特願２００４−５５１８２５「チップスケールのショットキーデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２７日国際公開、ＷＯ２００４／０４４９８４、平成１８年　２月１６日国内公表、特表２００６−５０５９５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００３年１１月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１１月６日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２０年１１月１８日付けで拒絶理由が通知され，平成２１年５月２５日に手続補正書が提出されたが，同年８月１０日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月１８日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２１年１２月１８日に提出された手続補正書による補正（以下，「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，以下のとおりである。
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１及び請求項３の「第１主要表面を有する半導体ダイと，」を，補正後の請求項１及び請求項３の「第１主要表面を有し，更に低濃度にドープされた第１の部分と，高濃度にドープされた第２の部分とを備え，前記第１部分は，前記第２部分の上に配置されており，更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカーを備える半導体ダイと，」と補正する。
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項１及び請求項３の「前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続されているが，前記第１電極からは電気的にアイソレートされている第２電極と，」を，補正後の請求項１及び請求項３の「前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続されているが，前記第１電極からは電気的にアイソレートされ，かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極と，」と補正する。
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項７を削除し，補正前の請求項８〜１６を補正後の請求項７〜１５に繰上げるとともに，補正前の請求項８が引用する請求項７を，補正後の請求項７が引用する請求項６とする。
　
２．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　前記〈補正事項ａ〉は，「第１主要表面を有する半導体ダイ」について，「第１主要表面を有し，更に低濃度にドープされた第１の部分と，高濃度にドープされた第２の部分とを備え，前記第１部分は，前記第２部分の上に配置されており，更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカーを備える半導体ダイ」と限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　前記〈補正事項ｂ〉は，「第２電極」について「かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極」と限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　前記〈補正事項ｃ〉は，補正前の請求項７を削除するとともに，当該削除に伴う項番の整合を行うものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また，「第１主要表面を有し，更に低濃度にドープされた第１の部分と，高濃度にドープされた第２の部分とを備え，前記第１部分は，前記第２部分の上に配置されており，更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカーを備える半導体ダイ」及び「前記シンカーに電気的に接続されている第２電極」は，いずれも本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に示されているから，上記各補正事項は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　
３．　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりものである。（以下「本願補正発明」という。）
「　【請求項１】
　第１主要表面を有し，更に低濃度にドープされた第１の部分と，高濃度にドープされた第２の部分とを備え，前記第１部分は，前記第２部分の上に配置されており，更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカーを備える半導体ダイと，
　前記第１主要表面の一部の上に配置され，これにオーミック接触するショットキー構造体と，
　前記ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極と，
　前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続されているが，前記第１電極からは電気的にアイソレートされ，かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極と，
　複数のハンダバンプと，
　前記半導体ダイの中の前記第１電極と前記第２電極との間の領域の一部に形成されたガードリングとを備え，
　ハンダバンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極および第２電極に接続されており，
　前記第１電極は前記第２電極を取り囲む半導体デバイスパッケージ。」
　
（２）刊行物に記載された発明
　（２−１）　特開平１０−２８４７４１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２８４７４１号公報（以下「引用例１」という。）には，図１及び図２とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　　ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，同じ表面に両極の電極を形成してあり，回路基板の導体パターンにリード線を用いることなく直接接続が可能な金属と半導体間の接合を有するダイオード装置に関する
　
イ　発明が解決しようとする課題及び課題を解決するための手段
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は，同じ表面に両極の電極を形成することによりフエースダウンボンディングの手法を用いて回路基板に接続できる金属と半導体間の接合を有するダイオード装置を提供すること
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のダイオード装置は，半導体基体の表面に露呈する高比抵抗の第１の領域，第１の領域の下側に形成された低比抵抗の同じ導電形の第２の領域，該基体の表面から第２の領域まで延在する低比抵抗で第１の領域と同じ導電形の第３の領域，基体の表面で第１の領域と接触して金属と半導体間の接合を形成する第１の電極，基体表面で第３の領域に接続する第２の電極とを有する
　
ウ　実施例
「【０００８】
【実施例】以下，本発明のダイオード装置の実施例をショットキーダイオード装置を例にとり図１と図２を参照しながら説明する。図１は断面図，図２は平面図であり，図３と同一部分は同じ符号を付してある。
図１において，１は導電形がＮ形で低比抵抗のシリコンの半導体基板であり，その基板１上に同じ導電形で高比抵抗のエピタキシャル層２が形成されている。エピタキシャル層２には，第１の電極５が接触しており接触部分に金属と半導体間の接合であるショットキー・バリア３を形成している。また，エピタキシャル層２にはその表面から基板１まで延在する導電形がＮ形で低比抵抗の第３の領域７を形成してある。そして，領域７には第２の電極６が接続している。また，フエースダウンボンディングを行うためのバンプ８，バンプ９を夫々電極５と電極６の上に形成してある
【０００９】
このようなショットキーダイオード装置は，アノード電極である電極５が第１の領域であるエピタキシャル層２に接触し，カソード電極である電極６は領域７を介して，第２の領域の役割をする基板１に接続している。電極５，電極６はいずれもエピタキシャル層２の同じ表面，つまり半導体基体の表面にあり，フエースダウンボンディングが可能である
【００１０】なお，基板１は第２の領域の役割を行ったが，基板とは別に埋め込み層を形成してその埋め込み層を第２の領域として用いることもできる。実施例においては，領域７は金属と半導体間の接合を形成する電極５の近傍に一箇所形成されているが，例えば周囲に円状に形成してもよい。また実施例では，ショットキーダイオード装置について説明したが，金属と半導体間の接合を有する種々のダイオード装置に広く応用できることは明らかである。」
　
　したがって，引用例１には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明１」という。）
「導電形がＮ形で低比抵抗のシリコンの半導体基板１上に同じ導電形で高比抵抗のエピタキシャル層２が形成され，
　前記エピタキシャル層２には，第１の電極５が接触しており，当該接触部分に金属と半導体間の接合であるショットキー・バリア３が形成されており，
　エピタキシャル層２には，さらに，その表面から前記半導体基板１まで延在する導電形がＮ形で低比抵抗の第３の領域７を形成され，前記第３の領域７には第２の電極６が接続されており，
　前記第１の電極５と前記第２の電極６の上には，それぞれフエースダウンボンディングを行うためのバンプ８，バンプ９が形成されてなり，
　アノード電極である前記第１の電極５が第１の領域である前記エピタキシャル層２に接触し，カソード電極である前記第２の電極６が前記第３の領域７を介して第２の領域の役割をする前記半導体基板１に接続された，フエースダウンボンディングが可能とされたショットキーダイオード装置。」
　
　（２−２）　特開平６−５８４２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−５８４２号公報（以下「引用例２」という。）には，図１及び図４とともに，以下の記載がある。
ア　産業上の利用分野
「【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置に関し，更に詳しく言えば，ショットキバリアダイオードを有する半導体装置に関する。」
　
イ　実施例
「【００１５】
【実施例】次に，図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。図１（ａ），（ｂ）は，本発明の第１の実施例のＳＢＤを含む半導体装置についての説明図で，例えばリニアＩＣの電源整流回路を構成するＳＢＤのうちの１つのＳＢＤとその周辺部を示すものである。図１（ａ）は平面図，図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１６】
図１（ａ），（ｂ）において，１１はｎ型のシリコン基板（半導体層），１２は熱酸化により選択的に形成されたシリコン酸化膜からなるフィールド絶縁膜で，外側周縁部が方形状となっているドーナツ状の，アノード電極（第１の電極）１８のショットキ接合の形成領域13ａ，アノード電極１８の外側周縁部を取り囲むように形成される第１のカソード電極（第２の電極）１９のオーミックコンタクトの形成領域１４，及びアノード電極１８の内側周縁部の内側に形成される第２のカソード電極（第３の電極）２０のオーミックコンタクトの形成領域１５を除く領域に形成されている
【００１７】また，１６，１７はそれぞれ第１のカソード電極１９及び第２のカソード電極２０と接触するシリコン基板１１の表層に形成された帯状のｎ+型のコンタクト領域層で，外側周縁部が方形状となっている環状のアノード電極１８の外側周縁部から適当な間隔をおいて，かつ該外側周縁部に沿って，切れ目無く形成されている。
【００１８】
１８は膜厚1500〜3000Åのチタン膜（Ｔｉ膜）／膜厚5000〜10000 Åのアルミニウム膜（Ａｌ膜）の２層の導電体膜からなり，外側周縁部が140 ×140 μｍの方形状を有し，かつ内側周縁部が５０×５０の方形状を有する環状のアノード電極で，下層のＴｉ膜がシリコン基板１１と接触し，その接触面においてシリコン基板１１との間でショットキ接合が形成されている
【００１９】
１９はアノード電極１８の外側周縁部を取り囲むように形成されている，幅約３０μｍ，膜厚5000〜10000 Åの帯状のＡｌ膜からなる第１のカソード電極で，シリコン基板１１に形成されたコンタクト領域層１６と接触し，その接触面においてシリコン基板１１との間でオーミックコンタクトが形成されている
【００２０】
２０はアノード電極１８の内側周縁部の内側に形成されている４０×４０μｍの方形状を有する，膜厚5000〜10000 ÅのＡｌ膜からなる第２のカソード電極で，シリコン基板１１に形成されたコンタクト領域層１７と接触し，その接触面においてシリコン基板１１との間でオーミックコンタクトが形成されている
【００２１】２３は，全面に形成された膜厚5000〜10000 Åのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜で，第１のカソード電極１９上及び第２のカソード電極２０上にそれぞれ開口部２４，２５が形成されている。
【００２２】２６は，層間絶縁膜２３上を配線され，層間絶縁膜２３の開口部２４，２５を介して第１のカソード電極１９と第２のカソード電極２０との間を接続している配線である。
【００２３】
以上のように，本発明の第１の実施例のＳＢＤを有する半導体装置においては，従来と同様にアノード電極１８を取り囲むように第１のカソード電極１９を形成するとともに，従来と異なりアノード電極１８の形状を環状とし，かつ従来のアノード電極１８形成領域の中央部に相当する領域に第２のカソード電極２０を形成している
【００２４】従って，
例えばアノード電極１８から流入した電流は，アノード電極１８の外側周縁部を取り囲む第１のカソード電極１９と，アノード電極１８の内側周縁部よりも内側に存在する第２のカソード電極２０とに分散して流れるようになる。これにより，従来と比較して，電流の分布が均一化されるため，アノード／カソード間の直列抵抗を低減することができる
　
　したがって，引用例２には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明２」という。）
「アノード電極１８を取り囲むように第１のカソード電極１９を形成するとともに，前記アノード電極１８の形状を環状とし，該環状のアノード電極１８の内側の領域に第２のカソード電極２０を形成することにより，前記アノード電極１８から流入した電流が，前記アノード電極１８の外側周縁部を取り囲む前記第１のカソード電極１９と，前記アノード電極１８の内側周縁部よりも内側に存在する前記第２のカソード電極２０とに分散して流れるようにして，電流の分布を均一化することによりアノード／カソード間の直列抵抗を低減し，
　さらに，前記アノード電極１８は膜厚1500〜3000Åのチタン膜／膜厚5000〜10000 Åのアルミニウム膜の２層の導電体膜からなり，下層のチタン膜がシリコン基板１１と接触し，その接触面においてシリコン基板１１との間でショットキ接合が形成されている，
　ショットキバリアダイオード。」
　
（３）本願補正発明と引用発明１との対比
ア　引用発明１において，「導電形がＮ形で低比抵抗のシリコンの半導体基板１」及び「同じ導電形で高比抵抗のエピタキシャル層２」は，いずれも「Ｎ形」となるようにドープされ，それらのドープ濃度は「低比抵抗のシリコンの半導体基板１」が，「高比抵抗のエピタキシャル層２」よりも高いことは明らかである。
　したがって，引用発明１における「第２の領域」である「導電形がＮ形で低比抵抗のシリコンの半導体基板１」は，本願補正発明の「高濃度にドープされた第２の部分」に相当し，引用発明１における「第１の領域」である，「半導体基板１上に」「形成され」た「同じ導電形で高比抵抗のエピタキシャル層２」は，本願補正発明の「低濃度にドープされた第１の部分」であって，「前記第２部分の上に配置され」たものに相当する。
　
イ　引用発明１の「エピタキシャル層２」は「表面」を有しており，また，「エピタキシャル層２に」「さらに」「形成され」た，「その表面から前記半導体基板１まで延在する導電形がＮ形で低比抵抗の第３の領域７」は，本願補正発明の「更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカー」に相当する。
　したがって，引用発明１における前記「第３の領域７」と，上記アに記載した「半導体基板１」及び「エピタキシャル層２」を合わせたものが，本願補正発明の「第１主要表面を有」する「半導体ダイ」に相当する。
　
ウ　引用発明１の「前記エピタキシャル層２に」「接触して」いる「第１の電極５」は，「当該接触部分に金属と半導体間の接合であるショットキー・バリア３」を「形成」しているから，本願補正発明の「前記第１主要表面の一部の上に配置され，これにオーミック接触するショットキー構造体」に相当する。
　
エ　引用発明１の「表面から前記半導体基板１まで延在する導電形がＮ形で低比抵抗の第３の領域７に」接続されている「第２の電極６」と，本願補正発明の「前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続されているが，前記第１電極からは電気的にアイソレートされ，かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極」とは，「前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続され，かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極」である点で共通する。
　
オ　引用発明１においては「バンプ８，バンプ９が形成されて」いるから，本願補正発明の「複数のハンダバンプ」とは，「複数のバンプ」である点で共通する。
　また，引用発明１において，「ショットキー・バリア３」を構成する「第１の電極５」と「バンプ８」とは電気的に接続されていることは明らかである。一方，本願補正発明において，「第１の電極」は「ショットキー構造体に電気的に接続された」ものである。
　したがって，引用発明１における「前記第１の電極５と前記第２の電極６の上には，それぞれフエースダウンボンディングを行うためのバンプ８，バンプ９が形成されて」いることと，本願補正発明の「ハンダバンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極および第２電極に接続されて」いることとは，「バンプのうちの少なくとも１つは，ショットキー構造体に電気的に接続される部分および第２電極に接続されて」いる点で共通する。
　
カ　また，引用発明１に係る「ショットキバリアダイオード」が半導体デバイスを構成することは明らかであるから，引用発明１の「ショットキバリアダイオード」と，本願補正発明に係る「半導体デバイスパッケージ」は，「半導体デバイス」である点で共通する。
　
キ　よって，引用発明１と本願補正発明とは，
「第１主要表面を有し，更に低濃度にドープされた第１の部分と，高濃度にドープされた第２の部分とを備え，前記第１部分は，前記第２部分の上に配置されており，更に前記第１部分の主要表面から前記第２部分まで延びるシンカーを備える半導体ダイと，
　前記第１主要表面の一部の上に配置され，これにオーミック接触するショットキー構造体と，
前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続され，かつ前記シンカーに電気的に接続されている第２電極と，
　複数のバンプと，
　バンプのうちの少なくとも１つは，ショットキー構造体に電気的に接続される部分および第２電極に接続されている，
　半導体デバイス。」
である点で一致する。
　
ク　一方両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明においては，「ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極」を備え，第２電極が「第１電極からは電気的にアイソレートされ」ており，さらに，「バンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極」に接続されているが，引用発明１においてはそのような構成を備えていない点。
《相違点２》
　本願補正発明においては，「ハンダバンプ」を備えるが，引用発明１においては「バンプ」は備えるものの，「ハンダバンプ」であるとまでは特定されていない点。
《相違点３》
　本願補正発明においては，「半導体ダイの中の前記第１電極と前記第２電極との間の領域の一部に形成されたガードリングとを備え」るが，引用発明１においてはそのようなものを備えていない点。
《相違点４》
　本願補正発明においては，「前記第１電極は前記第２電極を取り囲む半導体デバイスパッケージ」であるが，引用発明１は，「半導体デバイス」ではあるものの，「前記第１電極は前記第２電極を取り囲む半導体デバイスパッケージ」という構成までは備えない点。
　
（４）当審の判断
　以下，上記各相違点について検討する。
　《相違点１について》
　シリコンとの間でショットキ接合を形成する金属膜と，その上に形成されたアルミニウム膜の２層からなる電極を備えるショットキバリアダイオードは，前記第２　３．（２）で述べた引用発明２にも示されているように，普通に用いられているものである。引用発明１においても，ショットキー・バリア３を形成する第１の電極５を，ショットキ接合を形成する金属膜とその上に形成されたアルミニウム膜の２層からなる構造とすることは，当業者が適宜になし得たことであり，その結果，ショットキ接合を形成する金属膜が，本願補正発明の「ショットキー構造体」に対応し，前記「アルミニウム膜」が本願補正発明の「ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極」に対応することとなり，また，第２電極が「第１電極からは電気的にアイソレートされ」ており，さらに，「バンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極」に接続される点は，おのずと備わる構成であるといえる。
　よって，相違点１は当業者が容易になし得たことである。
　
《相違点２について》
　バンプを構成する材料としてハンダは，以下の周知例１にも示されているように，従来より慣用されているものである。
周知例１：　特開平６−３７０９３号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３７０９３号公報には，次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】
バンプ電極と称する半導体素子の突起状電極
半球状に形成された半田層とから構成され
　
　したがって，引用発明１におけるバンプ８，９をハンダバンプとすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は当業者が適宜になし得たことである。
　
《相違点３について》
　一般に，ショットキダイオードにおいて，ショットキ障壁を構成する接触部周辺の半導体に，ガードリングを設けることは，前記引用例２のほか，以下の周知例２にも示されているように，従来より周知の技術である。
引用例２：　特開平６−５８４２号公報
　引用例２には，図４（ｂ）とともに，さらに次の記載がある
「【００２８】また，第５の実施例の断面図である図４（ｂ）に示すように，環状の
アノード電極（第１の電極）18ｄとシリコン基板（半導体層）11ｃとの接触部であって，アノード電極18ｄの外側周縁部の接触部及び内側周縁部の接触部に，ｎ型のシリコン基板11ｃにｐ型領域層（反対導電型領域層）30ａ，30ｂを選択的に形成することもできる。従って，電界の集中し易い，アノード電極18ｄのショットキ接合の周縁部が動作しないようにｐ型領域層30ａ，30ｂにより保護されるので，逆方向のリーク電流を低減し，かつ逆方向の耐圧を向上することができる
　
周知例２：　特開２０００−３２３７２７号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−３２３７２７号公報には，図４（ａ）とともに次の記載がある。
「【０００４】図４（ａ）は一般的なＳＢＤの断面図，図４（ｂ）はこのＳＢＤの一部を省略した平面図である。Ｎ++型のシリコン基板１０上に形成したＮ- 型のエピタキシャル層２０の表面に環状の熱酸化膜６０を形成し，この熱酸化膜６０で囲まれたエピタキシャル層２０の表面と接してショットキメタルとなる金属層５０を形成し，ショットキ接合面３０を形成している。
ショットキ接合面３０の周縁は電界集中がおこりやすく，これに起因して耐圧が低下するなど逆方向特性が劣化することを防ぐため，ショットキ接合面３０の周囲には金属層５０と接してＰ型のガードリング層４０を環状に形成することで，逆バイアス時にエピタキシャル層２０とガードリング層４０とのＰＮ接合により発生した空乏層７０の広がりにより，逆方向特性の劣化を防いでいる
　
　したがって，引用発明１において，ショットキー・バリア３が形成される第１の電極５との接触部の周辺の半導体にガードリングを設けることは，当業者が適宜になし得たことである。ここで，引用発明１は，「表面」において，ショットキ・バリア３と第２の電極６とが離間しているから，上に述べたようなガードリングを設けた場合には，ショットキー・バリア３と第２の電極６の間の領域の一部に前記ガードリングが設けられる構成となることは明らかであるところ，前記《相違点１について》において述べたように，引用発明１において，本願補正発明の「ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極」に対応する「アルミニウム膜」を備えることに伴い，「半導体ダイの中の前記第１電極と前記第２電極との間の領域の一部に形成されたガードリングとを備え」ることとなることは明らかである。
　したがって，相違点３は，当業者が容易になし得たことである。
　
《相違点４について》
　前記第２　３．（２）で述べたとおり，引用発明２は，「アノード電極１８を取り囲むように第１のカソード電極１９を形成するとともに，前記アノード電極１８の形状を環状とし，該環状のアノード電極１８の内側の領域に第２のカソード電極２０を形成することにより，前記アノード電極１８から流入した電流が，前記アノード電極１８の外側周縁部を取り囲む前記第１のカソード電極１９と，前記アノード電極１８の内側周縁部よりも内側に存在する前記第２のカソード電極２０とに分散して流れるようにして，電流の分布を均一化することによりアノード／カソード間の直列抵抗を低減」するものであるが，一般に，ダイオードにおいて，アノード／カソード間の直列抵抗を低減することは，常に念頭に置いている課題であるから，引用発明１においても，電流の均一化を図るべく，ショットキバリアを形成する第１の電極５を取り囲むように，第３の領域７及びこれに接続する第２の電極６を形成するとともに，第１の電極５の形状を環状とし，該環状の第１の電極５の内側の領域に，さらに，前記第２のカソード電極となる第３の領域７及びこれに接続する第２の電極６を形成するようにすることは，当業者が容易になし得たことである。
　そして，前記《相違点１について》において述べたように，本願補正発明の「ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極」に対応する「アルミニウム膜」を備えることに伴い，相違点４に係る「第１電極は前記第２電極を取り囲む」構成を備えることとなることは明らかである。
　また，引用発明１は，「フエースダウンボンディングが可能とされたショットキーダイオード装置」であるから，この「ショットキーダイオード装置」自体が，「半導体デバイスパッケージ」であるということができ，仮にそうでないとしても，「半導体デバイスパッケージ」とすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　したがって，相違点４は，当業者が容易になし得たことである。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用例１及び引用例２並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．　補正の却下の決定についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．平成２１年１２月１８日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２１年５月２５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　第１主要表面を有する半導体ダイと，
　前記第１主要表面の一部の上に配置され，これにオーミック接触するショットキー構造体と，
　前記ショットキー構造体に電気的に接続された第１電極と，
　前記半導体ダイの前記第１主要表面に電気的に接続されているが，前記第１電極からは電気的にアイソレートされている第２電極と，
　複数のハンダバンプと，
　前記半導体ダイの中の前記第１電極と前記第２電極との間の領域の一部に形成されたガードリングとを備え，
　ハンダバンプのうちの少なくとも１つは，前記１つの第１電極および第２電極に接続されており，
　前記第１電極は前記第２電極を取り囲む半導体デバイスパッケージ。」
　
２．　引用発明
　引用発明は，前記第２　４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．　本件補正の内容」〜第２「２．　補正の目的の適否」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について前記〈補正事項ａ〉及び〈補正事項ｂ〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記各限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　３．「（３）本願補正発明と引用発明１との対比」〜第２　３．「（５）小括」において検討したとおり，引用発明１及び引用発明２並びに従来周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。