【事件の表示】
　特願２００７−５５２１１４「電流閉じ込め構造および粗面処理を有するＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月　３日国際公開、ＷＯ２００６／０８０９５８、平成２０年　７月３１日国内公表、特表２００８−５２９２７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年９月１５日（パリ条約による優先権主張２００５年１月２４日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年６月１２日及び同年１０月２０日に手続補正がなされたところ、平成２１年１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において平成２２年６月９日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２９日付けで手続補正がなされ、同年１１月１９日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２３年５月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２３年５月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年５月２５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２３年５月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のように補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。
　
「関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層と、
　関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、
　前記ｐ型材料層と前記ｎ型材料層との間に挟まれ、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層と隣接接触した活性領域と、
　前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクト及び前記ｎコンタクトの一方と前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、
　前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの１つと関連した粗面と
を備え、前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連し、前記閉じ込め構造は前記主放出面と関連した前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方に対応する断面積を有することを特徴とする発光ダイオード。」
　
　本件補正は、補正前（平成２２年１０月２９日付け手続補正後のもの）の請求項１において、「前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連し」との限定を行うとともに、「前記閉じ込め構造は前記主放出面と関連した前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方に対応する断面積を有する」との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明
　ア　当審において平成２２年１１月１９日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１８６６０７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ形発光層に積層したｐ形半導体層上にｐ形パッド電極を設けて成る化合物半導体発光素子において、
上記ｐ形半導体層の内部に、ｎ形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域の上方に上記ｐ形パッド電極を設けた、
ことを特徴とする化合物半導体発光素子。
【請求項２】  上記イオン注入領域の平面積を、ｐ形パッド電極の底面積の０．４倍以上２倍以下とした、
ことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体発光素子。
【請求項３】  上記ｐ形半導体層の内部に注入するイオンの投影飛程をｐ形半導体層の表面からその層厚の１／２以上とした、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の化合物半導体発光素子。
・・・」
　
　（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ｎ形発光層に積層したｐ形半導体層上にｐ形パッド電極を設けて成る化合物半導体発光素子に関するものである。」
　
　（ウ）「【０００７】図１３は従来のＬＥＤの断面構造を電極の配置状況を含めて模式的に示す図である。図において、従来のＬＥＤ６０は、基板２００上に、緩衝層２００ａ、ｎ形下部クラッド層２０１、ｎ形発光層２０２、ｐ形上部クラッド層２０３及びｐ形コンタクト層２０３ａが順次積層され、このｐ形コンタクト層２０３ａに、上記のｐ形パッド電極２０５と透光性薄膜電極２０４とから成るｐ形電極２０６が形成される。
・・・
【０００９】Ｆ．素子動作電流を拡散させるための従来の措置
素子動作電力を受電するｐ形パッド電極２０５は通常、数μｍ程度の厚さの金属膜から構成されるので、この厚い金属膜は発光の透過性を欠くこととなり、ｐ形パッド電極２０５の直下の発光は都合良く外部へ取り出せなくなる。したがって、ｐ形パッド電極２０５を敷設した側から発光を外部へ取り出すタイプのＬＥＤでは、ｐ形パッド電極２０５下部での発光は発光出力の向上に寄与する有効的な成分とはならない。・・・」
　
　（エ）「【００１５】この発明は上記に鑑み提案されたもので、発光層やｐ形層の電気伝導形等を考慮に入れて最適な電流阻止層を形成することで、発光をもたらす素子動作電流を有効に発光領域の略全面に拡散させ発光面積を拡張し、これにより発光出力を充分に発揮させることができる化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。」
　
　（オ）「【００２２】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る化合物半導体発光素子の積層構造の一部を模式的に示す図である。
【００２３】図において、本発明に係る化合物半導体発光素子１０は、例えばＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、ｎ形の発光層２に接合して、ｐ形不純物を添加したｐ形半導体層（以下ｐ形層という）３を形成してあり、そのｐ形層３の内部に、ｎ形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域６を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域６の上方にｐ形パッド電極５を設けてある。
・・・
【００２８】発光層２に積層するｐ形層３は、ｐ形クラッド層３ａとｐ形コンタクト層３ｂとから成り、例えば ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮaＭ１−ａ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ＜１、０≦ｚ≦１、０＜ａ≦１）から構成する。ここで、インジウム及び上記の一般式で記号Ｍで表記される窒素以外の第Ｖ族元素は、必須の構成元素ではない。
・・・
【００３１】ｐ形層３の内部には、ｐ形パッド電極３直下の発光層２に向けて素子動作電流が流れるのを阻止する電流阻止領域（イオン注入領域）６を形成する。電流阻止領域６は高抵抗領域若しくはｐｎ接合領域の形成をもって成す。本発明では、イオン注入技術を利用して電流阻止領域６を形成する。イオン注入技術を利用すれば、ｐ形パッド電極の下部に無機絶縁膜を敷設する従来技術の場合の如く、ｐ形層の一部を除去する煩雑な工程を要さずに、ｐ形層３の特定の平面領域の深部に選択的に電流阻止領域６を形成することができる。
【００３２】ｐ形層３の内部領域にｐｎ接合を形成するために、イオン注入するのはｎ形不純物とする。ｎ形不純物には、Ｓｉ、錫（Ｓｎ）、Ｓ、Ｓｅ等がある。特に拡散係数の小さいＳｉ等は、電流阻止領域６の幅をより安定に制御するに適するイオン注入種である。
・・・
【００４３】イオン注入領域６の上方のｐ形層３の表面には、ｐ形パッド電極５を形成する。ｐ形層３に接触するｐ形パッド電極５の底面の形状は円形、楕円形、半円形や角形など種々の形状を選択できる。・・・
【００４４】ｐ形パッド電極５に導通させて透光性薄膜電極４を平面状に設ける。
・・・
【００４８】本発明は、イオン注入領域６の平面積をｐ形パッド電極５の底面積に対して制約する。なお、イオン注入領域６の平面積とは、ｐ形パッド電極５を配置するｐ形層３の表面に射影される面積である。
【００４９】ｐ形パッド電極５を配置する側から発光を外部に取り出す方式の発光素子にあって、ｐ形パッド電極５の直下に位置する発光層２からの発光の大部分は、ｐ形パッド電極５に遮蔽されて素子外部へ放射されない。ｐ形パッド電極５の直下にイオン注入領域６を設けるのは、このｐ形パッド電極５の下方に位置する発光層２への通流を妨げ、図１の矢印Ａで示すように、素子動作電流を透光性薄膜電極４の全般的な領域に行き渡らせて、発光面積を拡張させることを意図している。
【００５０】このような素子動作電流の流れを鑑みると、ｐ形パッド電極５の底面積に比してイオン注入領域６の平面積が極端に小であると素子動作電流が発光層２へと通流する確率が増える。すなわち、外部へ取り出せる発光の強度の向上に寄与しない領域での発光のために、素子動作電流の一部が消費される不具合を生ずる。逆に、イオン注入領域６の平面積がｐ形パッド電極５の底面積に比較して大であり、ｐ形パッド電極５の近辺の透光性薄膜電極４の敷設領域に及ぶと、その領域の透光性薄膜電極４は良好なオーミック接触特性を示さず、また、発光ももたらさない。したがって、発光面積の減少が帰結され高発光強度の素子を得るのに不利となる。また、イオン注入領域６が広範囲に及ぶと、抵抗が高い故に通電時に発熱する領域が増大し、ｐ形パッド電極５の下方でのこの発熱によりｐ形パッド電極５の信頼性が低下するという悪影響も生じてしまう。そこで、本発明では、イオン注入領域６の平面積をｐ形パッド電極５の底面積の０．４倍以上２．０倍以下とする。イオン注入領域６の平面積がこの範囲にあれば、素子動作電流を都合良く透光性薄膜電極４に拡散することができる。
【００５１】イオン注入領域６の形状は、ｐ形パッド電極５の底面の形状と相似とするのが望ましい。例えば、図２に示すように、ｐ形パッド電極５の底面の形状が正方形であれば、イオン注入領域６の平面形状を正方形とする。また、ｐ形パッド電極５が円形の場合は、イオン注入領域６を円形に形成する。
・・・
【００５４】本発明では、イオン注入領域６の平面積に上記のような規定を加えるとともに、イオン注入領域６のｐ形層３内における位置、すなわち、イオン注入を施すｐ形層３の表面からの深さ（距離）を規定する。
・・・
【００５６】本発明では、イオン注入領域６を形成するに当たり、注入するイオンの投影飛程Ｒｐをｐ形層３の層厚の１／２以上とする。その理由は次の通りである。
【００５７】本発明は、ｎ形発光層２の上のｐ形層３の内部にｎ形不純物をイオン注入して、ｐ形層３内にｐｎ接合を形成することを意図している。ｐｎ接合は電子構造的に電流の流通を阻止できる機能を持っており、その機能を活用するためである。しかし、このｐｎ接合を形成するイオン注入領域６１を、図４に示すように、ｐ形パッド電極５の直下に、あたかもｐ形パッド電極５に接するが如くに設けると、ｐ形パッド電極５から供給される素子動作電流は、図中矢印Ｂで示すように、そのイオン注入領域６１で阻止されてしまい、発光層２に到達するどころか、ｐ形パッド電極５直下のイオン注入領域６１で滞留してしまう。また、ｐ形パッド電極５と接触するｐ形層３の導電性の部分が狭まれるため、入力抵抗も高ずる不具合を招く。また、ｐ形パッド電極５直下のｐ形層３の極く表面近傍から、発光層２に至る深さ方向の領域にｎ形不純物を全般的に注入すると、ｐ形パッド電極５よりｎ形イオン注入領域を介して発光層２に素子動作電流が直接流入する恐れがある。そこで、本発明では、イオン注入領域６をｐ形層３の深部の発光層２側に設けてｐ形パッド電極５直下の領域をｐ形層として残存させるべく、注入するイオンの投影飛程Ｒｐをｐ形層３の層厚の１／２以上としている。このようにすることにより、ｐ形パッド電極５の直下を安定してｐ形層として残置することができ、これにより、ｐ形パッド電極５と接触するｐ形層３の導電性の部分を充分に確保でき、ｐ形パッド電極５からｐ形層３への素子動作電流の流れを円滑にし、また、発光層２への短絡電流成分を確実に抑制することができる。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ｎ形発光層に積層したｐ形半導体層上にｐ形パッド電極を設けて成る化合物半導体発光素子において、
　上記ｐ形半導体層の内部に、ｎ形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域の上方に上記ｐ形パッド電極を設け、
　上記イオン注入領域の平面積を、ｐ形パッド電極の底面積の０．４倍以上２倍以下とし、
　上記ｐ形半導体層の内部に注入するイオンの投影飛程をｐ形半導体層の表面からその層厚の１／２以上とした化合物半導体発光素子であって、
　化合物半導体発光素子１０は、ｎ形の発光層２に接合して、ｐ形不純物を添加したｐ形半導体層（以下ｐ形層という）３を形成してあり、そのｐ形層３の内部に、ｎ形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域６を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域６の上方にｐ形パッド電極５を設けてあり、
　イオン注入領域６の形状は、ｐ形パッド電極５の底面の形状と相似とするのが望ましく、
　イオン注入領域６を形成するに当たり、注入するイオンの投影飛程Ｒｐをｐ形層３の層厚の１／２以上とする、
　ｐ形パッド電極５を配置する側から発光を外部に取り出す方式の化合物半導体発光素子。」
　 
　イ　同じく、特開平８−１６７７３８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも第１導電形のクラッド層と活性層と前記第１導電形と反対の第２導電形のクラッド層と第１導電形の電流ブロック層と第２導電形のコンタクト層とが順に配置された半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面で前記コンタクト層に接続された第１の電極と、前記半導体基板の他方の主面に配設され且つ前記第１導電形のクラッド層に電気的に接続された第２の電極とを備えた半導体発光素子において、
前記第１の電極は前記半導体基板の一方の主面の中央部分に設けられ、
前記電流ブロック層は第１及び第２の電流ブロック層から成り、
前記第１の電流ブロック層は平面的に見て前記第１の電極と重なり合う部分を有するように配置され、
前記第２の電流ブロック層は平面的に見て前記コンタクト層を介して前記第１の電流ブロック層を包囲し且つ前記半導体基板の側面に露出するように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】  少なくとも前記半導体基板の側面の光放射領域が粗面に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】  少なくとも前記半導体基板の側面及び前記一方の主面の光放射領域が粗面に形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。」
　
　（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関し、更に詳細には半導体発光素子の発光効率向上を実現するための構造に関する。」
　
　（ウ）「【０００２】
【従来の技術】例えばＡｌＧａＩｎＰから成る活性層をクラッド層によって挾んだダブルヘテロ構造部を備えた半導体発光ダイオードは公知である。この種の発光ダイオードは図１に示すように、ｎ形（第１導電形）ＧａＡｓ基板層１とｎ形ＧａＡｓバッファ層２とｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３とＡｌＧａＩｎＰ活性層４とｐ形（第２導電形）ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５とｎ形ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層６とｐ形ＡｌＧａＡｓコンタクト層７が順次に積層された半導体基板と、コンタクト層７の上面に形成されたアノード電極（第１の電極）８と、ＧａＡｓ基板層１の下面に形成されたカソード電極（第２の電極）９とから成る。なお、電流ブロック層６はｐ形クラッド層５の上に部分的に形成され、平面的に見てアノード電極８の下方に形成されている。この電流ブロック層６はアノード電極８から流れる電流を素子の周辺側に拡げて光の取り出し効率を向上させるように機能する。即ち、もし、電流ブロック層６が形成されない構造とすると、電極８から流れる電流はコンタクト層７及びクラッド層５ではあまり拡がらず、電極８の直下の活性層４に注入され、主たる発光領域がアノード電極８の直下に生じる。このように発光領域がアノード電極８の直下に生じると、発光領域で発生した光がアノード電極８によって遮られて光取り出し効率が小さくなる。これに対し、電流ブロック層６を図１に示すように形成すると、電流Ｉは矢印で示すように電流ブロック層６の外側に流れ、主たる発光領域が平面的に見てアノード電極８の外側に移動する。この結果、光取り出し効率の向上が実現される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１に示す半導体素子において、半導体基板の表面（側面／上面の光取り出し面）を粗面化すると、半導体発光素子とこれを被覆する封止体との界面における全反射が減少し、光を半導体素子の外部に効率良く取り出すことができ、光取り出し効率が向上する。」
　
　（エ）「【０００８】
【実施例】以下、図２及び図３を参照して本発明の一実施例に係わる半導体発光素子即ち発光ダイオードについて説明する。図２に示す本実施例の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、ｎ形ＧａＡｓ基板層１１とｎ形ＧａＡｓバッファ層１２とｎ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３とＡｌＧａＩｎＰ活性層１４とｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５と第１及び第２のｎ形ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層１６ａ、１６ｂとｐ形ＡｌＧａＡｓコンタクト層１７が順次に積層された半導体基板と、コンタクト層１７の上面に形成されたアノード電極（第１の電極）１８と、基板層１１の下面に形成されたカソード電極（第２の電極）１９とを有する。・・・
【０００９】アノード電極１８は図３で鎖線で示すように、平面的に見てコンタクト層１７の上面の中央部分に形成されており、略円形の平面形状を有する。・・・コンタクト層１７の上面のアノード電極１８が形成されていない領域即ち平面的に見てアノード電極１８を包囲する環状の領域は、光取り出し領域２０となる。カソード電極１９はＧａＡｓ基板層１１の下面全体に形成されているが、場合によってはその外縁を素子外縁から若干内側に離間させてもよい。
【００１０】第１の電流ブロック層１６ａはアノード電極１８に対向して配置され、第２の電流ブロック層１６ｂは平面的に見て第１の電流ブロック層１６ａを離間して包囲するように配置されている。第１の電流ブロック層１６ａはアノード電極１８と同一の円形の平面形状を有しており、平面的に見てその全周にわたってアノード電極１８の外縁よりも外側に僅かに突き出ている。即ち、図３に示すように、平面的に見るとアノード電極１８は第１の電流ブロック層１６ａの内側に包含される。アノード電極１８の外縁と第１の電流ブロック層１６ａの外縁との間隔即ち第１の電流ブロック層１６ａのアノード電極１８の直下からの突出幅Ｌ1 は、その全周にわたって等しくなっている。第１の電流ブロック層１６ａの上面及び側面はコンタクト層１７に接してその界面にｐｎ接合を形成する。また、第１の電流ブロック層１６ａの下面はｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５の上面に接してその界面にｐｎ接合を形成している。第２の電流ブロック層１６ｂは図３に示すように、コンタクト層１７を介して第１の電流ブロック層１６ａから離間して素子周辺側に環状に形成され、半導体基板の側面に露出している。なお、第１の電流ブロック層１６ａと第２の電流ブロック層１６ｂとの間隔Ｌ2 は、その全周にわたって等しくなっている。第２の電流ブロック層１６ｂの上面と内周側側面はコンタクト層１７に接して、その界面にｐｎ接合を形成している。また、第２の電流ブロック層１６ｂの下面はｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５に接してその界面にｐｎ接合を形成している。この結果、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５の上面は、コンタクト層１７に環状に接している。第１及び第２の電流ブロック層１６ａ、１６ｂの間の環状のコンタクト層１７は電流通路となり、この上方は光取り出し上面２０になっている。
【００１１】半導体基板の側面２１及び光取り出し上面２０は好ましくは高さ１〜２０μｍの範囲の微小の凹凸を有する粗面となっている。側面２１の粗面加工はウエハをダイヤモンド製のシングルブレードの高速回転刃でダイシングし、このダイシング面をＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝６：１：６のエッチング液でエッチングすることによって形成されている。・・・
【００１２】この発光ダイオード素子は、アノード電極１８の直下に第１の電流ブロック層１６ａを有し、この第１の電流ブロック層１６ｂを離間して包囲するように側面２１に隣接して環状の第２の電流ブロック層１６ｂを有する。このため、アノード電極１８からカソード電極１９に向って流れる電流は、第１の電流ブロック層１６ａと第２の電流ブロック層１６ｂの間を通って活性層１４へと流れ込む。この結果、主たる発光領域は第１の電流ブロック層１６ａと第２の電流ブロック層１６ｂの間の直下に形成される。この主たる発光領域の上にはアノード電極１８がないので、上方に取り出される光がアノード電極１８によって遮られない。また、第２の電流ブロック層１６ｂによって側面２１の近傍に向う電流の流れが抑制されているので、側面２１を粗面化することに伴って生ずる側面近傍での非発光再結合の増大の問題が解消されている。このため、表面を粗面化することによって光取り出し効率を向上させる効果が比較的小さい電流領域でも非発光再結合によって減殺されることなく良好に発揮される。勿論、大電流領域でもこの光取り出し効率の向上効果は良好に発揮される。結果として、図４の特性線Ｃに示すように小電流領域から大電流領域まで幅広い領域での高光度化が実現される。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「少なくとも第１導電形のクラッド層と活性層と前記第１導電形と反対の第２導電形のクラッド層と第１導電形の電流ブロック層と第２導電形のコンタクト層とが順に配置された半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面で前記コンタクト層に接続された第１の電極と、前記半導体基板の他方の主面に配設され且つ前記第１導電形のクラッド層に電気的に接続された第２の電極とを備えた半導体発光素子において、
　前記第１の電極は前記半導体基板の一方の主面の中央部分に設けられ、
　前記電流ブロック層は第１及び第２の電流ブロック層から成り、
　前記第１の電流ブロック層は平面的に見て前記第１の電極と重なり合う部分を有するように配置され、
　前記第２の電流ブロック層は平面的に見て前記コンタクト層を介して前記第１の電流ブロック層を包囲し且つ前記半導体基板の側面に露出するように形成されており、
　少なくとも前記半導体基板の側面及び前記一方の主面の光放射領域が粗面に形成されており、半導体基板の表面（側面／上面の光取り出し面）を粗面化すると、半導体発光素子とこれを被覆する封止体との界面における全反射が減少し、光を半導体素子の外部に効率良く取り出すことができ、光取り出し効率が向上する半導体発光素子。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　ア　引用発明１の「化合物半導体発光素子（１０）」は、「ｎ形（の）発光層（２）に積層したｐ形半導体層（３）上にｐ形パッド電極（５）を設けて成る」ものであり、引用刊行物１の【００１３】の記載（上記（１）ア（ウ）参照。）及び図７を踏まえれば、前記「ｎ形（の）発光層（２）」の「ｐ形半導体層（３）」が積層された側とは反対側の面には「ｎ形半導体層」が形成され、また、該「ｎ形半導体層」には「ｎ形パッド電極」が形成されていることは明らかであるから、
　（ア）引用発明１の「ｐ形パッド電極（５）」、「ｐ形半導体層（３）」、「ｎ形パッド電極」、「ｎ形半導体層」及び「ｎ形（の）発光層（２）」は、それぞれ、本願補正発明の「ｐコンタクト」、「（関連したｐコンタクトを有する）ｐ型材料層」、「ｎコンタクト」、「（関連したｎコンタクトを有する）ｎ型材料層」及び「（前記ｐ型材料層と前記ｎ型材料層との間に挟まれ、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層と隣接接触した）活性領域」に相当し、
　（イ）引用発明１は、本願補正発明の「関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、前記ｐ型材料層と前記ｎ型材料層との間に挟まれ、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層と隣接接触した活性領域と、を備え」との事項を備える。
　
　イ　引用発明１の「化合物半導体発光素子（１０）」は、「上記ｐ形半導体層（３）の内部に、ｎ形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域（６）を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域（６）の上方に上記ｐ形パッド電極（５）を設け、・・・上記ｐ形半導体層（３）の内部に注入するイオンの投影飛程をｐ形半導体層（３）の表面からその層厚の１／２以上とした」ものであって、「（電流阻止領域としての）イオン注入領域（６）」は、前記「ｐ形パッド電極（５）」と「ｎ形（の）発光層（２）」との間の該「ｎ形（の）発光層（２）」の近傍に配置され、また、前記「（電流阻止領域としての）イオン注入領域（６）」の面積と一致する前記「ｎ形（の）発光層（２）」の面積からの光の放射を実質的に妨げるものである、といえるから、
　（ア）引用発明１の「（電流阻止領域としての）イオン注入領域（６）」は、本願補正発明の「前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクト及び前記ｎコンタクトの一方と前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造」と、「前記ｐ型材料層の中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクトと前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造」である点で一致し、
　（イ）引用発明１は、本願補正発明の「前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクト及び前記ｎコンタクトの一方と前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、を備え」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明１の「化合物半導体発光素子（１０）」は、「ｐ形パッド電極５を配置する側から発光を外部に取り出す方式の」ものであり、「ｐ形パッド電極（５）」を設けた「ｐ形半導体層（３）」の面は「（発光を外部に取り出す）主放出面」であるといえるから、
　（ア）引用発明１の「ｐ形パッド電極（５）を設けたｐ形半導体層（３）の面」は、本願補正発明の「主放出面」に相当し、
　（イ）引用発明１の「『ｐ形半導体層（３）上にｐ形パッド電極（５）を設け』、『ｐ形パッド電極５を配置する側から発光を外部に取り出す』」との事項は、本願補正発明の「前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連し」との事項と、「前記ｐコンタクトの一方は主放出面と関連し」との点で一致し、引用発明１は、本願補正発明の「前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連し」との事項を備える。
　
　エ　引用発明１の「化合物半導体発光素子」は、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
　したがって、両者は、 
「関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層と、
　関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、
　前記ｐ型材料層と前記ｎ型材料層との間に挟まれ、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層と隣接接触した活性領域と、
　前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクト及び前記ｎコンタクトの一方と前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、
を備え、前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連する発光ダイオード。」 
である点で一致し、次の点で相違する。
　 
　ａ　本願補正発明は、ｐ型材料層およびｎ型材料層のうちの１つと関連した粗面を備えるのに対し、引用発明１は、そのような粗面を有するか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　閉じ込め構造が、本願補正発明では、主放出面と関連したｐコンタクト又はｎコンタクトの一方に対応する断面積を有するのに対し、引用発明１では、ｐコンタクト又はｎコンタクトの一方に対応する断面積を有するのか否か明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
　上記相違点につき検討する。
　相違点１について
　上記（１）イによれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「（第１導電形のクラッド層と活性層と前記第１導電形と反対の第２導電形のクラッド層と第１導電形の電流ブロック層と第２導電形のコンタクト層とが順に配置された）半導体基板」「の表面（側面／上面の光取り出し面）を粗面化する」ことにより、「光を半導体素子の外部に効率良く取り出すことができ」、「半導体発光素子」の「光取り出し効率」を「向上」させ得ることが示されているから、引用発明１の「化合物半導体発光素子」において、光取り出し効率を向上させるために「ｐ形半導体層（３）」を粗面化して、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　相違点２について
　引用発明１の「イオン注入領域（６）」は、その「平面積」が「ｐ形パッド電極の底面積の０．４倍以上２倍以下」であり、また、その「形状」が「ｐ形パッド電極５の底面の形状と相似とするのが望まし」いものであるから、引用発明において、「イオン注入領域（６）」が「ｐ形パッド電極（５）」に対応する断面積を有するものとなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び２から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　 
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年１０月２９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層と、
　関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、
　前記ｐ型材料層と前記ｎ型材料層との間に挟まれ、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層と隣接接触した活性領域と、
　前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に配置された閉じ込め構造であって、前記ｐコンタクト及び前記ｎコンタクトの一方と前記活性領域との間であって前記活性領域の近傍に配置され、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、
　前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの１つと関連した粗面と
を備えることを特徴とする発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　当審において拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物及び引用発明１及び２は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方は主放出面と関連し」との限定を省き、「前記閉じ込め構造は前記主放出面と関連した前記ｐコンタクト又は前記ｎコンタクトの一方に対応する断面積を有する」との限定を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（２）で検討したとおり、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。