【手続補正書】
【提出日】平成18年8月28日(2006.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】固定した位置に患者を位置決定するための患者支持体（２００）をそれぞれ有する１以上の別個の患者治療室（１００）；
イオン源（３００）；
ビーム（５０）としてイオンを加速するための加速器システム（４００）；
患者支持体（２００）によって固定位置決め状態で支えられた患者を治療する治療室（１００）へ加速器からイオンビームを送るためのイオンビーム輸送システム（６０）を含み、
該イオンビーム輸送システム（６０）は少なくとも水平ビーム送り出しシステムおよび少なくとも回転軸のまわりで回転可能なガントリー（８）を含むイオンビーム輸送システムであって、
該ガントリー（８）は、その回転軸（８０）上でイオンビームを受け取り、該イオンビームを回転軸から輸送し、かつ、患者内の標的同心（９０）で軸と交差する経路上にイオンビームを返送し、該イオンビーム（５０）を０から３６０°の間の異なった角度から該標的同心（９０）へガントリーの回転によって送り出す光学系を保持し、
該ガントリー（８）および該水平ビーム送り出しシステム（４５，５５）は、該イオンビーム（５０）を映像域走査し、最終曲げ電磁石（６５）の上流に位置する垂直偏向手段（４５）および水平偏向手段（５５）を包囲し、該イオンビーム（５０）を患者の方向であって、該ガントリー（８）の最終四極子レンズ（７５）の下流に向ける手段を保持し、
該垂直偏向手段（４５）および該水平偏向手段（５５）は、該イオンビーム（５０）をそのビーム角度に直角に偏向し、その結果、ビーム（５０）は該最終曲げ電磁石（６５）を通過した後、該標的同心（９０）の回りの所定の制御領域上を操作できるとともに、急速強度デグレイダーのようなＲＦチョッパーを含むことを特徴とするイオンビーム治療システム。
【請求項２】前記イオンビーム（５０）のイオンは、ヘリウム、炭素、または酸素イオン群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載のイオンビーム治療システム。
【請求項３】前記システムは、さらに、インビーム位置に向けて位置決めされた陽電子放出断層撮影カメラを含むことを特徴とする請求項１または請求項２記載のイオンビーム治療システム。
【請求項４】前記加速器システムは、線状加速器（２２）およびシンクロトロン（２３）加速器を含むことを特徴とする先の請求項のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項５】前記システムは、最終曲げ電磁石（６５）を通過した後、映像域走査したビームをモニターする手段を含むことを特徴とする先の請求項のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項６】前記モニター手段は、患者支持体（２００）の上流であって、ガントリーに結合した最終曲げ電磁石（６５）の下流、または該モニター手段の可動性支持体上の患者の上流にある共通支持体へインビームで備え付けらえていることを特徴とする請求項５記載のイオンビーム治療システム。
【請求項７】前記モニター手段は、平行平板型イオン化室および多条ワイヤ（multi-wire）比例室を含むことを特徴とする請求項５または６記載のイオンビーム治療システム。
【請求項８】最終曲げ電磁石（６５）は、６０°以上の曲げ角度を有することを特徴とする先の請求項のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項９】イオン源（３００）；
ビーム（５０）としてイオンを加速するためのシステム（４００）；
患者支持体（２００）によって固定した位置決め状態で支えられた患者を治療する治療室（１００）へ加速器からイオンビームを送るためのイオンビーム輸送システム（６０）を含み、
該イオンビーム輸送システム（６０）は少なくとも水平ビーム送り出しシステムおよび少なくとも回転軸のまわりで回転可能なガントリー（８）、
固定位置で患者を位置決めするための患者支持体（２００）をそれぞれ有する１以上の別個の患者治療室（１００）を含むイオンビーム治療システムであって、
該治療システムは、強度制御映像域走査の治療施設を提供し、
−ビームエネルギーおよび強度のパルス対パルス変動をもたらす加速器回路（２３）、
−スピルデュレーションの変動および同じシンクロトロンサイクル内での取り出し手法のスイッチの点滅をもたらす取り出しシステム（ＳＭ）、
−３０分以内に異なったイオン種間の切り替えを行う入射回路、
−構成品不良又は不正確なビーム性能の場合に患者への照射を避ける制御および安全システム、
−強度制御映像域走査システムを備えた４π腫瘍標的を有するとともに急速強度デグレイダーのようなＲＦチョッパーを含むことを特徴とするガントリービーム送り出しシステム（８）を含むことを特徴とするイオンビーム治療システム。
【請求項１０】入射イオンビームの剛性は、０．３８〜０．７６Ｔｍの範囲内である、請求項１〜９のいずかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１１】取り出し手法の取り出しモードは、腫瘍断層画像の完了する腫瘍描写時間およびビームモニター時間に適合した１〜１０秒間の可変的取り出し時間をもたらす、請求項１〜１０のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１２】取り出したビームのエミッタンス値は、入射時のビーム性能、取り出しビームエネルギー、取り出し手法および取り出しを開始する前のシンクロトロンの設定に依存する、請求項１〜１１のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１３】取り出し技術は、同じビームエネルギーを有する同じシンクロトロンサイクル内で、早急なスイッチの点滅を行なう、請求項１〜１２のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１４】ガントリーでの光学的性質は、シンクロトロンからガントリーの結合点への無色ビーム輸送、両平面におけるビームウエストおよび水平および垂直面での等しいビームサイズである、請求項１〜１３のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１５】高エネルギービーム輸送システムは、四極子レンズ、曲げ電磁石およびビーム診断装置を含む、請求項１〜１４のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１６】緊急スイッチオフのため急速停止チョッパーは、取り出し電磁石に続いて取り付けられている、請求項１〜１５のいずれかに記載のイオンビーム治療システム。
【請求項１７】特定同位体をもつ選択されたイオンを発生し、；
該イオンのイオンビームを形成し、かつ該同位体を質量光学的手段で選択し；
ＲＦチョッパーによって該イオンビームの強度を制御し、；
該イオンビームを線状加速手段およびシンクロトロン手段で加速し；
該イオンビームを回転可能なガントリー（８）の回転軸に沿って輸送し；
該イオンビームを該ガントリー（８）の周辺を回って該軸から遠方へ曲げる工程を含むシステムを操作する方法であって、
該イオンビームが最終曲げ電磁石によって該ガントリーの同心領域方向へ曲げられる前に、該イオンビームの軸に関して、垂直および水平方向に該イオンを偏向して該イオンビームを走査する工程を含む請求項１または９記載のシステムを操作する方法。
【請求項１８】入射イオンビームの剛性は、０．３８〜０．７６Ｔｍの範囲内に維持される、請求項１７記載のシステムを操作する方法。
【請求項１９】取り出し手法の取り出しモードは腫瘍断層画像が完了する腫瘍描写時間およびビームモニター時間に適合した１〜１０秒間の可変的取り出し時間をもたらす、請求項１７または１８記載のシステムを操作する方法。
【請求項２０】遅取り出しビームのエミッタンス値は、入射時のビーム性能、取り出しビームエネルギー、取り出し手法および取り出しを開始する前のシンクロトロンの設定に依存する、請求項１７〜１９のいずれかに記載のシステムを操作する方法。
【請求項２１】取り出し方法は、同じビームエネルギーを有する同じシンクロトロンサイクル内で早急にスイッチの点滅を行なう、請求項１７〜２０のいずれかに記載のシステムを操作する方法。
【請求項２２】ビームエネルギーおよび強度のパルス対パルス変動は、取り出しビームエネルギー５０〜４３０ＭｅＶ／ｕおよび最小および最大ビーム強度間の比１：１０００である大きなパラメーター間隔の加速器回路（２３）によって行われる、請求項１７〜２１のいずれかに記載のシステムを操作する方法。
【請求項２３】スピルデュレーションの変動および同じシンクロトロンサイクル内での取り出し方法の早急なスイッチの点滅は、取り出しシステムで行われる、請求項１７〜２２のいずれかに記載のシステムを操作する方法。
【請求項２４】３０分以内での異なったイオン種間の切り替えは、入射回路で行われる、請求項１７〜２３のいずれかに記載のシステムを操作する方法。
【請求項２５】構成品不良または不正確なビーム性能の場合、制御および安全システムが患者への照射を避ける、請求項１７〜２３のいずれかに記載のシステムを操作する方法。