【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、上部キャビティと、第一アクチュエータ機構と、第二アクチュエータ機構とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、該滑ら
かな表面に設置された真空開口部とを具備していて、該真空開口部は半導体ウ
ェーハの表面を真空引きするべく使用可能であり；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら
れていて；
ｃ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｄ．    該第一アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテン
に接続していて、該第一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該
ウェーハプラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該第
一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプ
ラテンの該滑らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該第二アクチュエータ機構が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該
第二アクチュエータ機構は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレート
に移動し、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするよう
になっていて、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。
【請求項２】
該ウェーハプラテンの該滑らかな表面が半導体ウェーハ保持領域を備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
該真空開口部が、該半導体ウェーハ保持領域に設置されたほぼ円形の第一真空溝を備えている、請求項２に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
該ウェーハプラテンが、該ほぼ円形の第一真空溝を真空ポートに接続する真空通路をさらに備えていて、該真空ポートは該半導体ウェーハ保持領域の外側で該ウェーハプラテンの表面に設置されている、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
該ウェーハプラテンが、該ほぼ円形の第一真空溝の直径の内側における該滑らかな表面に設置された、ほぼ円形の第二真空溝を備えている、請求項４に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
該真空通路が、該ほぼ円形の第二真空溝を該真空ポートに接続している、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
該リフトピンを該アクチュエータ機構に接続するリフトピンサポート構造体をさらに具備する、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
該リフトピンサポート構造体がリフトピンサポートプレートを備えている、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項９】
該アクチュエータ機構を該ウェーハプラテンに接続するアクチュエータサポートをさらに備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
該ウェーハプラテンが上部プラテン及び下部プラテンを備えていて：
ａ．    該上部プラテンは、滑らかな表面、第四〜第六リフトピン穴及び該真空開口部
を備えており；
ｂ．    該下部プラテンが該上部プラテンに接続され、そして該下部プラテンは、第七
〜第八リフトピン穴備え、かつ該アクチュエータ機構を該上部プラテンに接続
しており、該ウェーハプラテンの該第一リフトピン穴は該第四及び該第七リフ
トピン穴を備え、該ウェーハプラテンの該第二リフトピン穴は該第五及び該第
八リフトピン穴を備え、該ウェーハプラテンの該第三リフトピン穴は該第六及
び該第九リフトピン穴を備えている；請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
該下部プラテンに接続され、かつそれぞれが少なくとも該下部プラテンの該第一〜第三リフトピン穴それぞれの一部分に設置された第一〜第三ナイロンブッシュをさらに具備している、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１２】
該上部プラテンが該上部プラテンの該滑らかな表面と反対側の裏面に加熱エレメントを備えている、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
該上部プラテンに接続され、かつそれぞれが少なくとも該上部プラテンの該第一〜第三リフトピン穴それぞれの一部分に設置された第一〜第三ナイロンブッシュをさらに具備している、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
該ウェーハプラテンが第四リフトピン穴を備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１５】
該第四リフトピン穴に取り付けられ、かつ該アクチュエータ機構に接続された第四リフトピンをさらに具備している、請求項１４に記載の処理チャンバ。
【請求項１６】
該ウェーハプラテンが複数の補助リフトピン穴を備えている請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１７】
複数の補助リフトピン穴に取り付けられ、かつ該アクチュエータ機構に接続されている複数の補助リフトピンをさらに具備する、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項１８】
該第一アクチュエータ機構がエアーシリンダを備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１９】
該第一アクチュエータ機構が電気−機械式駆動機構を備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２０】
該第一アクチュエータ機構が油圧シリンダを備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２１】
該リフトピン穴及び該真空開口部は高圧加工処理のために形成されている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２２】
該リフトピン穴各々の直径が２．５４mm（０．１００in）以下である、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２３】
該真空溝各々の幅が２．５４mm（０．１００in）以下である、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２４】
該第二アクチュエータ機構が、油圧キャビティの中に収容されたピストンを備えている、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項２５】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、上部キャビティと、第一アクチュエータ機構と、第二アクチュエータ機構とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、該半導
体ウェーハの表面の真空引きに利用するためのほぼ円形の真空溝とを具備して
いて；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら
れていて；
ｃ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｄ．    該第一アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテン
に接続していて、該第一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該
ウェーハプラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該第
一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプ
ラテンの該滑らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該第二アクチュエータ機構が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該
第二アクチュエータ機構は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレート
に移動し、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするよう
になっていて、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。
【請求項２６】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、上部プラテンと、下部プラテンと、第一〜第三リフトピンと、第一アクチュエータ機構と、上部キャビティプレートと、第二アクチュエータ機構とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該上部プラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、半導体ウェ
ーハの表面の真空引きに利用するためのほぼ円形の真空溝とを具備していて；
ｂ．    該下部プラテンが、該上部プラテンに接続されていて、かつ第四〜第六リフト
ピン穴を具備しており、該第四〜第六リフトピン穴はそれぞれ該上部プラテン
の該第一〜第三リフトピン穴それぞれと整列していて；
ｃ．    該第一〜第三リフトピンにおいて、該第一リフトピンは該上部プラテンの該第
一リフトピン穴と該下部プラテンの該第四リフトピン穴とに取り付けられ、該
第二リフトピンは該上部プラテンの該第二リフトピン穴と、該下部プラテンの
該第五リフトピン穴とに取り付けられ、該第三リフトピンは該上部プラテンの
該第三リフトピン穴と、該下部プラテンの該第六リフトピン穴とに取り付けら
れており；
ｄ．    該第一アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該下部プラテンに接
続していて、該第一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該上部
プラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該第一アクチ
ュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該上部プラテンの該滑
らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｆ．    該第二アクチュエータ機構が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該
第二アクチュエータ機構は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレート
に移動し、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするよう
になっていて、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。
【請求項２７】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、上部キャビティと、第一アクチュエータ機構と、第二アクチュエータ機構とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかでほぼ連続した表面と、第一〜第三リフトピン
穴と、該滑らかな表面に設置された真空開口部とを具備していて、該真空開口
部は半導体ウェーハの表面を真空引きするべく使用可能であり；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら
れていて；
ｃ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｄ．    該第一アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテン
に接続していて、該第一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該
ウェーハプラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該第
一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプ
ラテンの該滑らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該第二アクチュエータ機構が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該
第二アクチュエータ機構は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレート
に移動し、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするよう
になっていて、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。
【請求項２８】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、上部キャビティと、第一アクチュエータ機構と、第二アクチュエータ機構とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、該滑ら
かな表面に設置された真空開口部とを具備していて、該真空開口部は半導体ウ
ェーハの表面を真空引きするべく使用可能であり、該半導体ウェーハ高圧加工
処理中に全体が高圧加工処理チャンバに入っていて；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら
れていて；
ｃ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｄ．    該第一アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテン
に接続していて、該第一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該
ウェーハプラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該第
一アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプ
ラテンの該滑らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該第二アクチュエータ機構が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該
第二アクチュエータ機構は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレート
に移動し、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするよう
になっていて、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。
【請求項２９】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを処理するための処理チャンバであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、上部キャビティと、ピン移動手段と、プレート移動手段とを具備する処理チャンバにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、該滑ら
かな表面に設置された真空開口部とを具備していて、該真空開口部は半導体ウ
ェーハの表面を真空引きするべく使用可能であり；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら
れていて；
ｃ．    該上部キャビティプレートは、該ウェーハプラテンをシールするべく形成され
ていて、従って高圧加工処理中に該半導体ウェーハ全体を収容するためのウェ
ーハキャビティを形成していて；
ｄ．    該ピン移動手段が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンに接続して
いて、該ピン移動手段は、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンの該
滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該ピン移動手段は、該第一
〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプラテンの該滑らかな表面と同一高
さに引きもどすべく操作可能であり；
ｅ．    該プレート移動手段が該ウェーハプラテンに接続されていて、そして該プレー
ト移動手段は、該ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートに移動し、該
ウェーハプラテンを該上部キャビティプレートにシールするようになっていて
、従って該ウェーハキャビティを形成するようになっている；
処理チャンバ。