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　特願２００５−３７９２１６「フリップチップ型の窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３０３４３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成１７年１２月２８日（パリ条約による優先権主張２００５年４月１５日、大韓民国）の出願であって、平成２２年１月１３日付けで手続補正がなされ、平成２３年１月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１日に拒絶査定不服審判請求がされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、上記平成２２年１月１３日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ｐ型及びｎ型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子において、
　前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、
　前記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層と、
　前記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層とを備え、　
　前記光透過性の伝導性酸化物層と前記高反射性の金属層との間にタングステン（Ｗ）またはその合金からなる拡散防止層をさらに備えていることを特徴とするフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−４５０３８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
ア　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体素子に係わり、特に反射性に優れ、且つｐ型半導体層と良好なオーミック接触を得ることができる電極に関する。」
　
イ　「【００１５】
　（実施の形態１）
図１、２に基づいて、本実施の形態のＬＥＤについて説明する。本実施の形態のＬＥＤは、図に示すように同一面側にｐ電極およびｎ電極を配置したＬＥＤである。図２は、本実施の形態のＬＥＤを電極配置面側から見た概略図である。また、図１は、本実施の形態におけるＬＥＤの層構成を示す模式的断面図であり、図２のＸ−Ｘ部における断面を表す。
【００１６】
　図１に示すように、本実施の形態のＬＥＤは、例えば、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ノンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層５、活性層となるＩｎＧａＮ層６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８が、順次積層された層構造を有する。さらに、ＭｇドープＧａＮ層８、ＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ＩｎＧａＮ層６、ＳｉドープＧａＮ層５、ＳｉドープＧａＮ層４が部分的にエッチング等により除去され、ＳｉドープＧａＮ層４の露出面にｎ電極９が形成され、ＭｇドープＧａＮ層８の上面の略全面にｐ電極１０が設けられている。なお、本実施の形態では、特許請求の範囲に記載するｎ型窒化物半導体がｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４に対応し、ｐ型窒化物半導体がｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８に対応している。
【００１７】
　本実施の形態において、ｐ電極１０は、ＬＥＤからの光を反射させる光反射部１０ａ（以下「ｐ光反射部」と呼ぶこともある。）と、該光反射部１０ａとは別に設けられ、最終的に外部リード電極と接続するために導電性部材が接続されるパッド部１０ｂ（以下「ｐパッド部」という）とからなる。ｐ光反射部１０ａは、ｐ型コンタクト層８側から順に、第１の層１０ａ−１と、ＬＥＤからの光の主波長において、第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２とから少なくとも構成される。ここで、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８より屈折率が低く、ｐ型コンタクト層８からの光の一部が全反射し、他の光は透過させる。また、第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２は、第一の層１０ａ−１を透過した光を全反射させるような構成とされる。
【００１８】
　次に、ｐ光反射部１０ａを構成する具体的な材料について説明する。第一の層１０ａ−１は、発光素子からの光の少なくとも一部を透過させる透明導電膜よりなり、例えば、亜鉛、インジウム、スズ、マグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物、より具体的には具体的には、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎの複合酸化物）、ＭｇＯ等で示されるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ等の酸化物を含む抵抗の低い透明導電膜よりなる。さらに、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８に対してＮｉ、Ｃｏ等の金属もしくはその酸化物を介して積層されることが好ましい。このように構成することによって、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８とよりオーミック接触しやすくなる。また、第二の層１０ａ−２は、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し、該透明導電膜からの透過光を反射させる金属、合金或いは酸化物から選択された少なくとも一種よりなる。例えば、第二の層１０ａ−２は、アルミニウム、チタン、白金、ロジウム、銀、パラジウム、イリジウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金あるいは酸化物を含む層である。また、ｐパッド部１０ｂは、ｐ型コンタクト層８側から順に、第一の層１０ｂ−１と、第二の層１０ｂ−２とから少なくとも構成される。ここで、第二の層１０ｂ−２は、発光素子からの光の主波長において、第一の層１０ｂ−１よりも反射率の高いことが好ましい。
【００１９】
　本実施の形態において、ｎ電極９は、ｎ型コンタクト層４側から順に、第１の層９−１と、第２の層９−２とから少なくとも構成される。ｎ電極の第１の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、ｎ型コンタクト層４との接着性、接触抵抗、光透過性を総合的に考慮すると、Ｔｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。
【００２０】
　また、ｐパッド部１０ｂにおける第１の層１０ｂ−１を構成する材料は、特に限定されるものではないが、ｎ電極の第１の層９−１と同様にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、ｐ光反射部１０ａとの接着性、光透過性を総合的に考慮すると、Ｔｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。」
　
ウ　「【００２１】
　ｎ電極９の第二の層９−２、及びｐ電極１０の第２の層１０ａ−２は、第１の層を透過した光を反射させると共に、第１の層と一体となってより低い接触抵抗が得られる材料が選択される。第２の層は、光を反射させることを主な目的とするので、その膜厚は材料によっても異なるが１００Å以上、より好ましくは１５０Å以上にすることができる。また、膜厚の上限としては、製造効率を考慮して、１００００Å以下が好ましい。なお、第２の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金、あるいは酸化物を好適に用いることができる。その中でも、第１の層との接着性、接触抵抗（特にｎ電極）、光反射性を総合的に考慮すると、Ｒｈ、Ａｌ、Ａｇが特に好ましい。さらに、Ａｌは拡散、Ａｇはマイグレーション等が問題となる可能性があるので、信頼性を加味するとＲｈが最も好ましい。」
　
エ　「【００２２】
　本実施の形態のＬＥＤは、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂが共に同様の構成となっている。このように構成することにより、ｎ電極及びｐパッド部において、光を反射させ光の取り出し効率の向上が期待できると共に、ｎ電極とｐパッド部を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００２３】
　また、ｐパッド部１０ｂは、基本的にｐ型コンタクト層８との接触抵抗（オーミック接触）を考慮する必要がないので（ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１がｐ型コンタクト層８とオーミック接触するため、ｐパッド部１０ｂを変化させても接触抵抗にあまり差がでない）、その部材、積層構造をｎ電極と同一にしｎ電極と一括して形成した方が、作業効率等を考慮すると結果的には好ましい。
【００２４】
　なお、ここではｎ電極９とｐパッド部１０ｂの双方が、上述したような第１の層及び第２の層を備える構成としたが、少なくとも一方が第１の層及び第２の層を備える構成とすることにより、本件発明の効果を得ることができる。勿論、本実施の形態のように、ｎ電極とｐパッド部の双方を上記構成とすることによりその効果を最大限に得られることは言うまでもない。
【００２５】
　また、本実施の形態におけるｐパッド部は、ｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２に設ける構成としたが、本件発明はこれに限定されず、例えば、ｐパッド部１０ｂとｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２とがｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１に対してそれぞれ異なる位置に配置されることにより、ｐパッド部１０ｂをｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２に設ける代わりに、ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１上に直接設けられても良い。」
　
オ　上記ア、イ及びエの記載に照らして図１及び図２をみると、フリップチップ型の窒化物半導体発光素子であることが看取できる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ノンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層５、活性層となるＩｎＧａＮ層６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８が、順次積層された層構造を有し、
　ｐ電極１０は、ｐ光反射部１０ａと、該ｐ光反射部１０ａとは別に設けられ、最終的に外部リード電極と接続するために導電性部材が接続されるパッド部１０ｂとからなり、
　ｐ光反射部１０ａは、ｐ型コンタクト層８側から順に、第１の層１０ａ−１と、ＬＥＤからの光の主波長において、第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２とから少なくとも構成され、
　ｐ光反射部１０ａを構成する具体的な材料は、
　第１の層１０ａ−１は、発光素子からの光の少なくとも一部を透過させる透明導電膜よりなり、例えば、亜鉛、インジウム、スズ、マグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなり、
　さらに、第１の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８に対してＮｉ、Ｃｏ等の金属もしくはその酸化物を介して積層されることが好ましく、このように構成することによって、第１の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８とよりオーミック接触しやすくなり、
　また、第２の層１０ａ−２は、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し、該透明導電膜からの透過光を反射させる金属、合金或いは酸化物から選択された少なくとも一種よりなり、例えば、アルミニウム、チタン、白金、ロジウム、銀、パラジウム、イリジウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金あるいは酸化物を含む層であり、
　ｐ光反射部１０ａの第１の層１０ａ−１がｐ型コンタクト層８とオーミック接触し、
　第１の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８より屈折率が低く、ｐ型コンタクト層８からの光の一部が全反射し、他の光は透過させ、
　第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２は、第１の層１０ａ−１を透過した光を全反射させるような構成とされた、
　フリップチップ型の窒化物半導体発光素子。」
　
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明は、「サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ノンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層５、活性層となるＩｎＧａＮ層６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８が、順次積層された層構造を有」するものであるから、
　ア　引用発明の「（ｎ型クラッド層となる）ＳｉドープＧａＮ層５」は、本願発明の「ｎ型窒化物半導体層」に相当し、
　イ　引用発明の「（ｐ型クラッド層となる）ＭｇドープＡｌＧａＮ層７」は、本願発明の「ｐ型窒化物半導体層」に相当し、
　ウ　引用発明の「（活性層となる）ＩｎＧａＮ層６」は、本願発明の「活性層」に相当するものであって、
　引用発明は、本願発明の「ｐ型及びｎ型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有」するものであると認められる。
　
（２）引用発明は、「ｐ光反射部１０ａの第１の層１０ａ−１がｐ型コンタクト層８とオーミック接触する」ものであるから、引用発明の「（ｐ型コンタクト層となる）ＭｇドープＧａＮ層８」は、本願発明の「オーミックコンタクト層」に相当するものであるといえる。
　
（３）引用発明の「第１の層１０ａ−１」は、「発光素子からの光の少なくとも一部を透過させる透明導電膜よりなり、例えば、亜鉛、インジウム、スズ、マグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなり」、さらに、「ｐ型コンタクト層８に対してＮｉ、Ｃｏ等の金属もしくはその酸化物を介して積層されることが好ましく、このように構成することによって、第１の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８とよりオーミック接触しやす」いものであるから、本願発明の「オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層」に相当するものであるといえる。
　
（４）引用発明の「第２の層１０ａ−２」は、「第１の層１０ａ−１よりも反射率の高」く、「該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し、該透明導電膜からの透過光を反射させる金属、合金或いは酸化物から選択された少なくとも一種よりなり、例えば、アルミニウム、チタン、白金、ロジウム、銀、パラジウム、イリジウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金あるいは酸化物を含む層であ」るから、本願発明の「光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層」に相当するものであるといえる。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
　「ｐ型及びｎ型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層と、前記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層とを備えた、フリップチップ型の窒化物半導体発光素子。」
　で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
　
相違点
　本願発明は、「光透過性の伝導性酸化物層と高反射性の金属層との間にタングステン（Ｗ）またはその合金からなる拡散防止層をさらに備えている」ものであるのに対し、引用発明は、そのような「拡散防止層」を備えるものではない点（以下「相違点」という。）。
　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　上記２．ウの「さらに、Ａｌは拡散、Ａｇはマイグレーション等が問題となる可能性があるので、信頼性を加味するとＲｈが最も好ましい。」との記載から、引用刊行物においても、Ａｌのような金属を反射性の金属層として使用する場合は、拡散やマイグレーション等が問題となることが示唆されていると認められるところ、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２２１１０３号公報（【０００８】ないし【００１２】を参照。）に示されるように、Ａｌが拡散しにくいようにＡｌよりも高融点のＷ等の金属層を形成することが本願の優先日時点でよく知られており、同じく本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００３−５３４６６８号公報（【００３２】を参照。）に示されるように、タングステン合金等を拡散防止層として用いたものも、本願の優先日時点で周知であるから、引用発明において、第１の層１０ａ−１と高い第２の層１０ａ−２の間にタングステン（Ｗ）またはその合金からなる拡散防止層をさらに備え、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用刊行物の記載事項及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。