【手続補正書】
【提出日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属（３２、３２ａ）を提供する方法であって、
集積回路構造（１０、１０ａ）の絶縁層（１６、１６ａ）において相互接続（１４、１４ａ）にコンタクトホール（１８、１８ａ）を生成するステップと、
該コンタクトホール（１８、１８ａ）を生成した後、バリア層（２０、２０ａ）を提供するステップと、
ガルバニック法を用いて金属（３２、３２ａ）または金属合金を提供するステップとが、特定の順番によって制限されることなく実行され、
該バリア層（２０ａ）は、該金属または該金属合金を提供する該ガルバニック法において境界電極として役割を果たし、
または、該バリア層（２０）に加えて、放射線感受性層（３０）の提供の前に、境界電極層（２２）が提供され、該境界電極層（２２）は、原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属層ではなく、または、５％より多い原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属合金層ではなく、かつ、該バリア層（２０）とは異なる材料組成を有する材料を備える、方法。
【請求項２】
前記バリア層（２０、２０ａ）の提供後、放射線感受性層（３０、３０ａ）を提供するステップと、
パターンに従って該放射線感受性層（３０、３０ａ）を照射するステップと、
該照射後、該放射線感受性層（３０、３０ａ）を現像するステップと、
前記金属（３２、３２ａ）の提供後、該放射線感受性層（３０、３０ａ）の残留物を除去するステップとを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属の原子は、シリコン内で大きい拡散係数を有し、
あるいは、前記金属合金において、５％より多い原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガルバニック法は、外部電流源または電圧源を用いて実行される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ガルバニック法は、外部電流のない方法で実行される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
金属（３２、３２ａ）を提供する方法であって、
集積回路構造（１０、１０ａ）の絶縁層（１６、１６ａ）において相互接続（１４、１４ａ）にコンタクトホール（１８、１８ａ）を生成するステップと、
該コンタクトホール（１８、１８ａ）を生成した後、バリア層（２０、２０ａ）を提供するステップと、
金属または金属合金を提供する外部電流のないガルバニック法において、該バリア層（２０ａ）を境界電極として利用し、および／または、該バリア層（２０）に加えて提供される境界電極層（２２）を境界電極として利用するステップとが、
特定の順番によって制限されることなく実行される、方法。
【請求項７】
前記金属の原子は、シリコン内で大きい拡散係数を有し、
あるいは、前記金属合金において、５％より多い原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記境界電極層は、原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属を備え、または、５％より多い原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属合金を備え、
あるいは、該境界電極層（２２）は、原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属層ではなく、または、５％より多い原子がシリコン内で大きい拡散係数を有する金属合金層ではない、請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記境界電極の材料は、電気化学電圧列において、前記金属または前記金属合金より低い電位を有する、請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ガルバニック法で用いられる溶液は、シリコン内で大きい拡散係数を有する原子から生成されたイオン、特に、銅イオンを含み、
および／または、該溶液は、水、アルコール、エーテルまたはこれらの物質の混合物に基づいて準備される、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法であって、特に請求項５から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記溶液には、境界電極において電位差のないところで、特に触媒のないところで前記金属を沈殿させる物質がない、
および／または、電解質溶液には、還元剤がなく、特にホルムアルデヒドがない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記境界電極層は、前記ガルバニック法の間、完全に分解され、または部分的な層のところまで分解され、
および／または、前記バリア層（２０、２０ａ）は、該ガルバニック法の間、部分的な層において分解される、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
好ましくはウェット化学的エッチングプロセスにおいて、および／または、さらなるリソグラフィ法を実行せずに、
前記放射線感受性層の除去の後、エッチング工程が行われ、前記バリア層（２０、２０ａ）が生成された金属構造に従ってエッチングされる、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記相互接続（１４、１４ａ）は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を備える、請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリア層（２０、２０ａ）は、１６００℃より高い融点を有する金属を含み、
および／または、該バリア層（２０、２０ａ）は、原子がシリコン内で小さい拡散係数を有する金属を含み、
および／または、該バリア層（２０、２０ａ）は、窒化物、好ましくは金属窒化物を含み、または、該バリア層は、窒化物、好ましくは金属窒化物を含み、
および／または、該バリア層（２０、２０ａ）は、タングステン、ニッケル、タンタル、タンタル窒化物、チタンまたはチタン窒化物の１つまたはそれ以上の物質を含み、
および／または、前記境界電極層（２２）は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を備える、請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属は、銅、金、銀または白金であり、
または、前記金属合金は、前記物質の少なくとも１つを４０重量％より多くを含む、請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記コンタクトホール（１８）は、１μｍより大きい直径または１０μｍより大きい直径または２０μｍより大きい直径を有し、
および／または、ガルバニック層の層厚さは、１００ｎｍより大きく、５００ｎｍより大きく、または１μｍより大きい、請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属の原子または前記金属合金の原子の４００℃におけるシリコン内での拡散係数は、１０−１２ｃｍ２／ｓより大きく、または１０−１０ｃｍ２／ｓより大きく、または１０−９ｃｍ２／ｓより大きい、請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
１Ａより大きい、１０Ａより大きい、または１００Ａより大きい電流を切り替える集積回路構造を生成する、請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の方法の使用であって、および／または、複数のキャリア回路（１０２）と複数のキャリード回路（１０４、１０６）とを生成する方法の使用であって、
いずれの場合においても少なくとも１つのキャリード回路（１０４、１０６）はキャリア回路（１０２）上に配置されており、特に、チップラピッドマウンティング技術を用いて、好ましくは該キャリード回路（１０４、１０６）と該キャリア回路（１０２）とをハンダ付けすることによってアクティブ構成要素を有する面が互いに割り当てられる、使用。
【請求項２０】
集積回路構造（１０、１０ａ）、特に、請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の方法によって生成される集積回路構造（１０、１０ａ）であって、
金属または金属合金で埋められたコンタクトホール（１８、１８ａ）を有し、
該金属または該金属合金は、完全に、または部分的な層内で、外部電流のないガルバニック堆積法の間に生成される結晶格子均質性を有する、集積回路構造。