【事件の表示】
　特願２００４−３５２５８２「エピタキシャル基板，半導体積層構造，転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月　４日出願公開，特開２００５−２１００８４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１２月６日（優先権主張：平成１５年１２月２２日）の出願であって，平成２１年９月１５日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月２４日に意見書と手続補正書が提出され，平成２２年１月２７日付けで最後の拒絶の理由が通知され，同年４月１日に意見書と手続補正書が提出された。
　その後，同年７月１４日付けで，前記４月１日に提出された手続補正書でした補正は却下されるとともに，本願は拒絶査定されたので，同年１０月２０日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ，平成２３年１２月９日付けで審尋がおこなわれ，平成２４年２月８日に前記審尋に対する回答書が提出された。
　
第２　平成２２年１０月２０日付けの手続補正についての却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２２年１０月２０日に提出された手続補正書でした補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２２年１０月２０日に提出された手続補正書でした補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含むものであり，その特許請求の範囲の請求項１についてする補正は，補正前に，
「エピタキシャル基板であって，
　基材と，
　前記基材上にエピタキシャル形成された複数の層と，
を備え，
　前記複数の層が，
　ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層と，
　前記中間層の上に隣接してエピタキシャル形成された，前記中間層よりも面内格子定数が大きい，目的とするIII族窒化物層と，
　前記基材と前記中間層との間に，前記中間層に隣接してエピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層と，
を含み，
　前記下地層は，転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大きく，
　前記目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であることを特徴とするエピタキシャル基板。」
とあったものを，補正後に，　
「エピタキシャル基板であって，
　基材と，
　前記基材上にエピタキシャル形成された複数の層と，
を備え，
　前記複数の層が，
　ＢxＡｌ1-xＮからなり０．０２≦ｘである中間層と，
　前記中間層の上に隣接してエピタキシャル形成された，前記中間層よりも面内格子定数が大きい，目的とするIII族窒化物層と，
　前記基材と前記中間層との間に，前記中間層に隣接してエピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層と，
を含み，
　前記下地層は，転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大きく，
　前記目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％であることを特徴とするエピタキシャル基板。」
とするものである。
　
２　補正目的の適否及び新規事項の追加の有無について
　請求項１についてする補正は，補正前の請求項１における「ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層」を，補正後に「ＢxＡｌ1-xＮからなり０．０２≦ｘである中間層」と補正することで，「ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層」が，「ｘ」として「０．０２≦ｘ」の値を有するものであるとを具体的に限定するとともに，補正前の請求項１における「目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上である」を，補正後に「目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％である」と補正することで，「目的とするIII族窒化物層」が，「含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％である」ものであると具体的に限定するものであるから，上記補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正といえる。
　また，前記補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲，又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものと認められるから，前記補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすといえる。
　
３　独立特許要件について
　上記のとおり，請求項１についてした補正は，特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるから，この補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて更に検討する。
　
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開平８−３１０９００号公報
（１ａ）「【請求項２】　
単結晶基板
０．２原子％以上１２原子％以下のホウ素を含有した窒化物中間層
ＡｌＮ
窒化物単結晶の表面層
　
（１ｂ）「【請求項４】　ホウ素を含有した窒化物中間層が，
ホウ素含有ＡｌＮ
　
（１ｃ）「【産業上の利用分野】この発明は工具，表面弾性波素子，
発光素子
　
（１ｄ）「【作用】
本発明の特徴は，ホウ素を含有する中間層の挿入
中間層の作用により表面層の結晶性が向上
［組成］（図３）
　中間層となるホウ素を含有する窒化物薄膜の組成は，全体の０．２％以上１２原子％以下のホウ素を含み，約５０原子％が窒素で，残りがＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選ばれた１種類以上からなる組成である。
ホウ素が０．２原子％未満であると本発明の効果がない
１２原子％を越えるとホウ素を含む中間層の結晶性が著しく低下してアモルファス的になり，その上に成長する窒化物単結晶薄膜の結晶性も低下するので好ましくない
　本発明の中間層の作用によって，表面層の結晶性と表面平滑性が共に改善される。
ホウ素の量は一般に，０．２原子％〜１２原子％である
最も好ましいホウ素含有量の範囲は，０．７原子％以上５原子％以下
　しかしそれは表面層に限定がない場合である。表面層（上層）がＧａＮ，ＩｎＮ，或いはＡｌＮというふうに決まると，中間層の材料も決まってしまう。表面層が何であるかということは，その薄膜形成の目的によって決まってしまう。
表面層がＡｌＮの場合
中間層の組成はホウ素含有ＡｌＮ
　
（１ｅ）「【実施例】
［実施例１］（図４）
　
Ｓｉ基板の上に，本発明の方法に従い，ホウ素含有中間層とＡｌＮ表面層薄膜を合成した
基板
ホウ素含有中間層
表面層の薄膜
ａ．中間層の生成
　単結晶Ｓｉ（１１１）を基板として，スパッタ法により，ホウ素含有中間層を有するＡｌＮ薄膜の合成を次のように行なった。基板は１０ｍｍ角の単結晶Ｓｉ（１１１）である。これを純水で５％に希釈した弗酸中に浸した後にアセトンによって洗浄した。これを高周波マグネトロンスパッタリング装置の試料台に固定した。
　高純度金属アルミニウムを真空中で溶融し，この中に立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）の粉末２５重量％を分散した後に固化したものをスパッタタ−ゲットとして，ホウ素含有中間層を製造した。つまり（アルミ７５重量％）＋（ｃ−ＢＮ２５重量％）の混合物をタ−ゲットにしている。ｃ−ＢＮを含ませることにより，中間層の中にホウ素を含有させるのである。これをスパッタ装置のタ−ゲットとして，基板に対向するように取り付けた。
　スパッタ装置に，アルゴンと窒素ガスを等量（５０容積％ずつ含む）混合したガス（Ａｒ／Ｎ2 ）を導入し，チャンバ内の総圧力が０．０２Ｔｏｒｒになるように調整した。基板を９５０℃に加熱した。この状態で，１３．５６ＭＨｚ，３５０Ｗの高周波を，２０分間タ−ゲットとチャンバの間に印加した。タ−ゲットがスパッタされて分子或いはプラズマになる。雰囲気ガスの窒素もラディカルやプラズマになる。原子，イオンがＳｉ基板の上に付着する。これによって中間層の成長がなされる。中間層の組成は，ＡｌＮとＢＮの混合物になる。
ｂ．表面層薄膜の生成
　次に高純度金属アルミニウムをタ−ゲットにした。アルゴンと窒素を等量混合したガスを総圧力が０．０４Ｔｏｒｒになるようにチャンバ内に導入した。基板温度は９５０℃とした。１３．５６ＭＨｚ，３５０Ｗの高周波を印加して１時間スパッタを行った。中間層の場合とタ−ゲットの材料が違う。今回はＡｌをタ−ゲットにしている。雰囲気ガスは同様にＡｒ／Ｎ2 ガスである。であるからＡｌＮの薄膜ができるはずである。
ｃ．薄膜の検査結果
　中間層と表面層を合わせた合計の薄膜厚みは，１．２μｍであった。この薄膜の表面を高速電子線回折法によって観察したところ，ストリークパターンが見られた。薄膜の表面は平滑である。
上層（表面層）は結晶性の良い単結晶ＡｌＮ（０００１）
中間層のホウ素含有量は約２．５原子％
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）を総合勘案すれば，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の［実施例１］として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「単結晶基板と，単結晶基板上に形成された０．２原子％以上１２原子％以下のホウ素を含有した窒化物中間層と，ホウ素含有窒化物中間層の上に形成されホウ素含有量が２原子％以下のＡｌＮ又はＧａＮまたはＩｎＮを主成分とする１層以上の窒化物単結晶の表面層とよりなる窒化物薄膜単結晶において，
　前記単結晶基板が，Ｓｉ（１１１）面単結晶であり，
　前記ホウ素含有窒化物中間層が，Ｂx Ａｌ1-x Ｎであり，
　前記窒化物単結晶の表面層が，ＡｌＮであり，
　前記ホウ素含有窒化物中間層のホウ素含有量は約２．５原子％である
　窒化物薄膜単結晶。」
　
ウ　引用例２：特開平８−２３９７５２号公報
（２ａ）「【請求項１】　
単結晶基板
窒化アルミニウム単結晶薄膜
ホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜
【請求項２】　
ホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜がB
x
Al
1-x
Ny（0.001≦x≦0.3，0.85≦y≦1.05）なる組成
　
（２ｂ）「【産業上の利用分野】工具，耐摩部品，表面弾性波素子，
発光素子
　
（２ｃ）「＜単結晶基板＞　BAlN膜を形成する際の基材としては，成膜に必要な700℃以上の温度に耐える材料ならば何でも使用できるが，B，Al，Nとの反応性に乏しい材料が好ましく，金属ではMo，W，Ni，Ta，Nb，半導体ではダイヤモンド，Si，Ge，AlN，SiC，GaN，BP，InN，その他の化合物ではAl2O3，SiO2，MgO，BeO，ZnOなどが好ましい。
　
単結晶BAlN薄膜を形成するためには，BAlN膜が基材の方位に従って成長するような材料を選択する必要
Si
の(111)面
　＜中間層＞　
中間層としてAlN，SiC，BP，GaN，ZnOなどのうち１種類以上の単結晶薄膜を基材上に形成してから，BAlNを成膜すると，基材上に直接成膜するよりも結晶性が良いことがある
特にSi単結晶上にBAlNを形成する場合には，これら５種類の材料はSiとBAlNの中間の格子定数をもっているので，中間層としてSi上に形成することによってBAlN単結晶薄膜中の欠陥や歪みを低減し，より高品質のBAlN単結晶薄膜を得ることができる。
中間層としては図１に示すAlNがもっとも好ましく
　とくに単結晶基板上にAlN単結晶膜を中間層として形成した上にBAlN単結晶薄膜を成長させた場合には，高いホウ素含有組成においても良好な結晶性が保たれ，単結晶膜を得ることができる。この場合BAlN単結晶薄膜が得られる組成範囲はx≦0.3であり，AlN単結晶中間層を用いない場合よりも高B組成までBAlN単結晶が得られる。」（【００１５】−【００１８】）
　
（２）対比
ア　引用発明の「Ｓｉ（１１１）面単結晶」である「単結晶基板」，「Ｂx Ａｌ1-x Ｎ」である「ホウ素含有窒化物中間層」，「ＡｌＮ」である「窒化物単結晶の表面層」は，それぞれ，本願補正発明１の「基材」，「ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層」，「目的とするIII族窒化物層」に相当する。
　また，引用発明の「Ｓｉ（１１１）面単結晶」である「単結晶基板」と「Ｂx Ａｌ1-x Ｎ」である「ホウ素含有窒化物中間層」と「ＡｌＮ」である「窒化物単結晶の表面層」とよりなる「窒化物薄膜単結晶」と，本願補正発明１の「エピタキシャル基板」とは，「基板」である点で一致する。
　
イ　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「１２原子％を越えるとホウ素を含む中間層の結晶性が著しく低下してアモルファス的になり，その上に成長する窒化物単結晶薄膜の結晶性も低下するので好ましくない。」との記載に照らして，引用発明のホウ素含有量が約２．５原子％であるホウ素含有窒化物中間層は，アモルファス的ではない結晶性の層であると理解することができる。
　
ウ　引用発明の「窒化物単結晶の表面層」は，ＡｌＮであるから，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％であることは明らかである。また，引用発明の「ＡｌＮ」である「窒化物単結晶の表面層」の面内格子定数が，「Ｂx Ａｌ1-x Ｎ」である「ホウ素含有窒化物中間層」よりも大きいことも明らかである。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「基板であって，
　基材と，
　前記基材上に形成された複数の層と，
を備え，
　前記複数の層が，
　ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層と，
　前記中間層の上に隣接して形成された，前記中間層よりも面内格子定数が大きい，目的とするIII族窒化物層と，
を含み，
　前記目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％である基板。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，「ＢxＡｌ1-xＮからな」る「中間層」のｘが，「０．０２≦ｘ」であるのに対して，引用発明では，「ホウ素含有窒化物中間層のホウ素含有量は約２．５原子％」である点。
　
・相違点２：本願補正発明１が「前記基材と前記中間層との間に，前記中間層に隣接してエピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層と，を含み」，かつ，前記下地層は「転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大き」いものであるのに対して，引用発明には，下地層が示されていない点。
　
・相違点３：本願補正発明１では，「ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層」と「目的とするIII族窒化物層」が「エピタキシャル形成」されたものであり，また，「基板」が「エピタキシャル基板」であるのに対して，引用発明では，これらの点が明らかでないこと。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１について
　引用発明は「０．２原子％以上１２原子％以下のホウ素を含有した窒化物中間層」において「ホウ素含有窒化物中間層のホウ素含有量は約２．５原子％」とした発明であり，また，引用例１の上記摘記（１ｄ）に「ホウ素が０．２原子％未満であると本発明の効果がない。１２原子％を越えるとホウ素を含む中間層の結晶性が著しく低下してアモルファス的になり，その上に成長する窒化物単結晶薄膜の結晶性も低下するので好ましくない。本発明の中間層の作用によって，表面層の結晶性と表面平滑性が共に改善される。ホウ素の量は一般に，０．２原子％〜１２原子％であるが，最も好ましいホウ素含有量の範囲は，０．７原子％以上５原子％以下である。」と記載されていることにも照らして，ホウ素の含有量を一般に０．２原子％〜１２％で，あるいは，最も好ましい範囲として０．７原子％以上５原子％以下の範囲で定めることは当業者が適宜なし得たことといえる。そして，それぞれの数値範囲の上限である１２％，あるいは，５％は，いずれも，本願補正発明１で規定する「ＢxＡｌ1-xＮからなり０．０２≦ｘである」とするＢの含有量の下限よりも大きい。してみれば，引用発明において，引用例１の前記「０．２原子％以上１２原子％以下」及び「０．７原子％以上５原子％以下」との数値範囲の示唆に基づいて，中間層として，「０．０２≦ｘ」の数値範囲に含まれるホウ素を含有する「ＢxＡｌ1-xＮ」を用いること，すなわち，相違点１について本願補正発明１の構成とすることは当業者にとって容易である。また，このような構成としたことによる効果も，格別のものとは認められない。
　
・相違点２について
ア　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「１２原子％を越えるとホウ素を含む中間層の結晶性が著しく低下してアモルファス的になり，その上に成長する窒化物単結晶薄膜の結晶性も低下するので好ましくない。本発明の中間層の作用によって，表面層の結晶性と表面平滑性が共に改善される。」との記載から，引用例１には，引用発明において，中間層の上に成長させる窒化物単結晶薄膜の結晶性を改善させるためには，中間層の結晶性が優れたものであることが必要であることが示されているものと理解できる。
　
イ　一方，引用例２の上記摘記（２ｃ）の「
中間層
AlN
単結晶薄膜
　なお，引用例２に記載された発明において，ＡｌＮは「単結晶薄膜」であり，「単結晶薄膜」が，前記Ｓｉ単結晶と前記ＢＡｌＮ単結晶薄膜との間に形成されているのであるから，前記「単結晶薄膜」であるＡｌＮは，前記Ｓｉ単結晶と前記ＢＡｌＮ単結晶薄膜との間にエピタキシャル形成されたものであると理解することが自然といえる。また，前記ＡｌＮの，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率は１００％であるから，前記ＡｌＮは，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上である層に該当する。さらに，前記ＡｌＮの面内格子定数が，隣接するＢＡｌＮ単結晶薄膜の面内格子定数よりも大きいことは，当業者にとって明らかである。
　
ウ　そして，引用例２の上記摘記（２ｂ）の「【産業上の利用分野】工具，耐摩部品，表面弾性波素子，
発光素子
発光素子
　
エ　そうすると，引用発明において，窒化物単結晶薄膜の結晶性を改善させるためには，その下の，ホウ素を含む中間層の結晶性が優れていることが必要であることが引用例１に示されており，一方で，引用例２の記載から，Ｓｉ単結晶上に，ＡｌＮを中間層として形成してからＢＡｌＮ単結晶薄膜を形成すると，ＢＡｌＮ単結晶薄膜中の欠陥や歪みを低減し，より高品質のＢＡｌＮ単結晶薄膜を得ることができることが理解でき，そして，引用発明と引用例２に記載された発明は，その属する技術分野を共通するものであり，しかも，引用例２に記載された発明の引用発明への適用が可能で有ることから，引用例２に接した当業者であれば，引用発明において，窒化物単結晶薄膜の結晶性をより改善するために，引用発明に引用例２に記載された発明を適用して，Ｓｉ単結晶上にＢx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層を形成するにあたり，前記Ｓｉ単結晶と前記Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層の間に，前記Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層に隣接してエピタキシャル形成された，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層よりも面内格子定数が大きいＡｌＮを設けることは，容易に想到し得たことである。
　
オ　そして，引用発明に引用例２に記載された発明を適用するにあたり，引用例２には，ＡｌＮの転位密度は明示されていないが，下地層として用いられているＡｌＮの転位密度として，通常用いられている程度の値，すなわち，下記の周知例１−３に記載されるような，１×１０11／ｃｍ2以下という程度の値を選択することに格別の困難は認められない。
　
カ　また，本願補正発明１の効果は，本願明細書の【００３０】に記載された「請求項１〜請求項１２および請求項１４の発明によれば，低転位密度のIII族窒化物層がエピタキシャル形成されたエピタキシャル基板を得ることができる。」ことにあるものと解されるが，引用発明への引用例２に記載された発明の適用も，窒化物単結晶薄膜の結晶性を改善を目的とするものであるから，引用発明に引用例２に記載された発明を適用した場合において，当業者は，窒化物単結晶薄膜の結晶性の改善を予測するものといえる。
　さらに，本願明細書に記載された，実施例１−３は，「目的とするIII族窒化物層」が「Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ」であることから，「前記目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が１００％である」ことを発明特定事項として含む本願補正発明１の実施例には該当せず，また，実施例４−５も，中間層を備えていない点で本願補正発明１の実施例に該当しないことから，本願明細書には本願補正発明１によって得られる転位密度の改善の程度が具体的に示されておらず，しかも，本願補正発明１の「０．０２≦ｘである中間層」の数値範囲が，本願明細書の【００３８】において「しかし，室温で最も安定な結晶系はＢＮと他の３者とでは異なるので，結晶系に影響を与えるほど多量のＢを導入すること好ましくなく，Ｂのモル分率の上限は２０％とすることが望まれる。」として，望ましくない量として明示されている，Ｂのモル分率が２０％を超えるものをも含むことを併せて考慮すれば，本願の明細書及び図面からは，本願補正発明１の効果の顕著性を確認することもできない。
　そうすると，本願補正発明１の効果が，引用例１及び引用例２に記載された事項から，当業者が予測する範囲を超えるものであるとは認めることはできない。
　
キ　してみれば，引用発明において，上記相違点２について，本願補正発明１に記載された構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
・周知例１：特開２００３−２３４５０３号公報（最後の拒絶理由通知の引用文献５）
（周１ａ）「【請求項１】所定の
基板上
窒化物半導体からなる下地層
窒化物半導体層群
　前記
下地層を構成する前記窒化物半導体は
転位密度が１０
11
／ｃｍ
２
以下
発光素子構造を構成する前記窒化物半導体層群は，前記下地層を構成する前記窒化物半導体よりも少ない含有量でＡｌを含む
【請求項２】前記下地層を構成する前記窒化物半導体の，全III族元素に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であることを特徴とする，請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】前記
下地層を構成する前記窒化物半導体は，ＡｌＮ
　
（周１ｂ）「近年においては，このような
III族窒化物膜を形成する基板
基材上にエピタキシャル成長により形成した下地膜を具える，いわゆるエピタキシャル基板が頻繁に用いられている
　
（周１ｃ）「
低転位密度で高い結晶品質のｎ型導電層１４などは
低転位で高結晶品質の下地層１３上に，例えばＭＯＣＶＤ法などによってエピタキシャル成長させることにより，必然的に得ることができる
　
（周１ｄ）「基板１１は，サファイア単結晶，ＺｎＯ単結晶，ＬｉＡｌＯ２単結晶，ＬｉＧａＯ２単結晶，ＭｇＡｌ２Ｏ４単結晶，ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶，
Ｓｉ単結晶
　
（周１ｅ）「【実施例】（実施例１）本実施例においては，図２に示すＰＩＮ型の半導体発光素子を作製した。基板１１として２インチ径の厚さ５００μｍのＣ面サファイア単結晶を用い，これをＭＯＣＶＤ装置の中に設置した。ＭＯＣＶＤ装置には，ガス系としてＨ2，Ｎ2，ＴＭＡ，ＴＭＧ，Ｃｐ2Ｍｇ，ＮＨ3，ＳｉＨ4が取り付けてある。圧力を１００Ｔｏｒｒに設定した後，Ｈ2を平均流速１ｍ／ｓｅｃで流しながら，基板１１を１１５０℃まで昇温した。
　その後，ＴＭＡとＮＨ3とを，所定量供給して，
下地層１３としてのＡｌＮ層
ＡｌＮ層中の転位密度をＴＥＭによって観察したところ，８×１０
９
／ｃｍ
２
　
（周１ｆ）「以上，具体例を挙げながら，本発明を発明の実施の形態に即して詳細に説明してきたが，本発明は上記内容に限定されるものではなく，本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
　例えば，基板に窒化処理を加えたり，III族原料による基板の前処理などを行なうこともできる。また，下地層の組成を連続的に変化させたり，成膜条件を段階に分けて変化させたりすることも可能である。さらに，導電層や発光層などの
結晶性をさらに向上させる目的で
下地層と導電層との間などにバッファ層やひずみ超格子などの多層積層構造を
挿入することもできる
　
（周１ｇ）「【発明の効果】以上説明したように，本発明の半導体発光素子は，Ａｌを含み，低転位密度の高結晶品質の窒化物半導体から下地層を構成しているため，従来のようなバッファ層を必要とせずに，基板との格子定数差を補完して導電層や発光層などのエピタキシャル成長を可能とする。さらには，
下地層の高結晶品質に基づいて前記導電層や前記発光層などの結晶性を改善し，低転位化することができる
　
・周知例２：特開２００３−２８２８６３号公報（最後の拒絶理由通知の引用文献６）
（周２ａ）「【請求項１】
基板
基板上にエピタキシャル成長された
転位密度が１０
１１
／ｃｍ
２
以下
第１の窒化物半導体からなる下地層
【請求項２】　前記下地層を構成する前記第１の窒化物半導体中におけるＡｌ含有量が，５０原子％以上であることを特徴とする，請求項１に記載のショットキーデバイス。
【請求項３】　前記
下地層を構成する前記第１の窒化物半導体は，ＡｌＮ
　
（周２ｂ）「
基板
Ｓｉ単結晶
　
・周知例３：特開２００３−２８２４３４号公報（最後の拒絶理由通知の引用文献７）
（周３ａ）「【請求項１】
単結晶材料からなる基材
基材上にエピタキシャル成長された，少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜
【請求項２】前記III族窒化物膜は，その総てのIII族元素に対してＡｌを５０原子％以上含有することを特徴とする，請求項１に記載のＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板。
【請求項３】前記
III族窒化物膜は，ＡｌＮ
【請求項４】前記III族窒化物膜の（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）が１００秒以下であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれか一に記載のＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板。
【請求項５】前記
III族窒化物膜中における転位密度が１０
１１
／ｃｍ
２
以下
　
（周３ｂ）「
基板
Ｓｉ単結晶
　
・相違点３について
　上記「相違点２について」で検討したように，引用発明に引用例２に記載された発明を適用することで，上記相違点２について，本願補正発明１に記載された構成を採用すること，すなわち，「前記基材と前記中間層との間に，前記中間層に隣接してエピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層と，を含み」，かつ，前記下地層は「転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大き」いものとすることは，当業者にとって容易であるといえるところ，引用例２の記載から，このように，Ｓｉ単結晶上に，ＡｌＮを中間層として形成してからＢＡｌＮ薄膜を形成した場合，前記ＢＡｌＮ薄膜が，薄膜中の欠陥や歪みが低減された，より高品質の単結晶となることが理解できるから，引用発明に引用例２に記載された発明を適用した場合，前記Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層は，欠陥や歪みが低減された，高品質の単結晶の薄膜になるといえる。
　一方，発光素子などに用いられる窒化物薄膜単結晶の製造という技術分野において，単結晶の薄膜の上へ，他の単結晶の薄膜を形成する場合，この薄膜の形成を，元となる結晶と特定の方位関係にある結晶膜として堆積成長させること，すなわち，エピタキシャル形成とすることは，薄膜形成の手段として当業者において周知の技術的事項である。
　そうすると，引用発明に引用例２に記載された発明を適用すると，Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層は，欠陥や歪みが低減された，高品質の単結晶の薄膜ということができ，また，前記「転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大き」い「エピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層」もまた単結晶の薄膜であるということができるから，この単結晶の薄膜といえる「転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大き」い「エピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層」の上への，前記「Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層」の形成，及び，この「Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層」の上への，前記「ＡｌＮである窒化物単結晶の表面層」の形成を，前記周知の技術的事項を考慮して，それぞれ，エピタキシャル形成とすることは当業者とって自然なことといえる。
　そして，この場合，Ｓｉ（１１１）面単結晶である単結晶基板の上へのIII族窒化物からなる下地層の形成，Ｂx Ａｌ1-x Ｎであるホウ素含有窒化物中間層の形成，及び，ＡｌＮである窒化物単結晶の表面層の形成は，いずれもエピタキシャル形成となるから，前記Ｓｉ（１１１）面単結晶である単結晶基板と，下地層と，ホウ素含有窒化物中間層と，窒化物単結晶の表面層とを含む基板は，Ｓｉ（１１１）面単結晶である単結晶基板上に，エピタキシャル形成された複数の層を備えた，エピタキシャル基板であるということができる。
　すなわち，引用発明において，上記相違点３について，本願補正発明１に記載された構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２２年１０月２０日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下され，平成２２年４月１日に提出された手続補正書でした補正は原審において却下されているので，本願の請求項１−１４に係る発明は，平成２１年１１月２４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「エピタキシャル基板であって，
　基材と，
　前記基材上にエピタキシャル形成された複数の層と，
を備え，
　前記複数の層が，
　ＢxＡｌ1-xＮからなる中間層と，
　前記中間層の上に隣接してエピタキシャル形成された，前記中間層よりも面内格子定数が大きい，目的とするIII族窒化物層と，
　前記基材と前記中間層との間に，前記中間層に隣接してエピタキシャル形成された，III族窒化物からなる下地層と，
を含み，
　前記下地層は，転位密度が１×１０11／ｃｍ2以下であり，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であり，前記中間層よりも面内格子定数が大きく，
　前記目的とするIII族窒化物層は，含有する全III族元素に対するＡｌのモル分率が５０％以上であることを特徴とするエピタキシャル基板。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項は，上記「第２　３　（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　３　（３）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。