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【手続補正書】
【提出日】平成17年12月7日(2005.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎチャネルトランジスタおよびｐチャネルトランジスタのゲート電極上に第１オフセットスペーサを形成するステップと、
前記ｎチャネルトランジスタの前記第１オフセットスペーサの真下の前記基板への注入を前記第１オフセットスペーサでマスクした状態で、前記ｎチャネルトランジスタの前記基板中のみにソース／ドレイン拡張部を注入するステップと、
前記第１オフセットスペーサ上に第２オフセットスペーサを形成するステップと、
前記ｐチャネルトランジスタの前記第１オフセットスペーサおよび第２オフセットスペーサの真下の前記基板への注入を前記第１オフセットスペーサおよび第２オフセットスペーサでマスクした状態で、前記ｐチャネルトランジスタの前記基板中のみにソース／ドレイン拡張部を注入するステップと、
を含む、ソース／ドレイン拡張部とソース／ドレイン領域とを有するｎチャネルトランジスタおよびｐチャネルトランジスタを同一基板上に形成する際に使用する方法。
【請求項２】
ｎチャネルトランジスタおよびｐチャネルトランジスタのゲート電極上に、第１スペーサ幅を有する第１オフセットスペーサを形成するステップと、
前記第１オフセットスペーサの真下の前記基板への注入を前記第１オフセットスペーサでマスクして、前記第１スペーサ幅分だけ前記ｎチャネルゲート電極から間隔を隔ててｎ型ドーパントを注入することによって、前記ｎチャネルトランジスタ中にソース／ドレイン拡張部を形成するステップと、
前記ｎチャネルトランジスタ中のソース／ドレイン拡張部の形成の後、前記第１オフセットスペーサ上に第２スペーサ幅を有する第２オフセットスペーサを形成し、その幅が前記第１スペーサ幅と前記第２スペーサ幅の合計幅と等しい、対となるオフセットスペーサを形成するステップと、
前記第１オフセットスペーサおよび前記第２オフセットスペーサの真下の前記基板への注入を前記第１オフセットスペーサおよび前記第２オフセットスペーサでマスクして、前記対となるオフセットスペーサ幅分だけ前記ｐチャネルゲート電極から間隔を隔ててｐ型ドーパントを注入することによって、前記ｐチャネルトランジスタ中にソース／ドレイン拡張部を形成するステップと、
を含む、ｎチャネルトランジスタおよびｐチャネルトランジスタを同一基板上に形成する方法。
【請求項３】
前記第２オフセットスペーサ上に側壁スペーサを形成するステップと、
ｎ型ドーパントを注入することによって、ｎチャネルトランジスタ中にソース／ドレイン領域を形成するステップと、
ｐ型ドーパントを注入することによって、ｐチャネルトランジスタ中にソース／ドレイン領域を形成するステップと、をさらに含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記第１オフセットスペーサは、約６０Åから約１８０Åの間の幅を有する、請求項１ないし３のいずれかの項記載の方法。
【請求項５】
前記第２オフセットスペーサは、約１２０Åから約２４０Åの間の幅を有する、請求項１ないし４のいずれかの項記載の方法。
【請求項６】
前記ｎチャネルトランジスタ中の前記ソース／ドレイン拡張部が形成された後であって、前記第２オフセットスペーサが形成される前に、前記ゲート電極、前記第１オフセットスペーサおよび前記基板上に酸化膜を形成するステップをさらに含む、請求項１ないし５のいずれかの項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィープロセスを制御するための方法であって、
選択されたウェハに第一層を形成するステップと、
前記第一層に関する第一オーバーレイ誤差を測定するステップと、
前記選択されたウェハ上に第二層を形成するステップと、
少なくとも前記第一オーバーレイ誤差測定に基づいて、前記選択されたウェハの前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記動作レシピに基づいて、前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップが、フォトリソグラフィー装置の動作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項４】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップが、前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための制御スレッドを実装するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項６】
前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項７】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップは、ｘ平行移動パラメータ、ｙ平行移動パラメータ、ｘ拡張ウェハスケールパラメータ、ｙ拡張ウェハスケールパラメータ、レクチル倍率パラメータ、レクチル回転パラメータ、ウェハ回転パラメータおよびウェハ非直交性パラメータのうちの少なくとも一つを決定するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項８】
前記動作レシピに基づいて前記選択されたウェハの前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップは、ｘ平行移動パラメータ、ｙ平行移動パラメータ、ｘ拡張ウェハスケールパラメータ、ｙ拡張ウェハスケールパラメータ、レクチル倍率パラメータ、レクチル回転パラメータのうちの少なくとも一つを決定するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１０】
前記第二層は露出したフォトレジスト層を含み、前記第二層を形成するための処理に関連して複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、前記露出したフォトレジスト層のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項８の方法。
【請求項１１】
前記第二層は現像されたフォトレジスト層を含み、前記第二層を形成するための処理に関連して複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、前記現像されたフォトレジスト層のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項８の方法。
【請求項１２】
フォトリソグラフィープロセスを制御するための方法であって、
選択されたウェハに第一パターン層を形成するステップと、
フィードフォワードオーバーレイ誤差信号を生成するために、前記第一層に関する前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップと、
フィードバックオーバーレイ誤差信号を生成するために、複数のウェハ上に形成された第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための処理に関する複数のオーバーレイ誤差を測定するステップと、
前記フィードフォワードオーバーレイ誤差信号および前記フィードバックオーバーレイ誤差信号に基づいて、前記選択されたウェハに形成された前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップが、フォトリソグラフィー装置の動作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記動作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップが、前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための制御スレッドを実装するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１５】
前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１６】
前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む請求項１２の方法。
【請求項１７】
前記第二層を形成するための処理に関連して複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記複数のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１８】
前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための処理に関連して複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記複数のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電性層の製造方法において、多官能性カルボシランのゾル−ゲル−生成物を熱処理することを特徴とする、誘電性層の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法により製造可能である、誘電性層。
【請求項３】
層が０．０１−１００μｍの層厚を有している、請求項２記載の誘電性層。
【請求項４】
高集積された超小形電子回路の製造において、チップ−パッケージングの際に、マルチチップ−モジュールを組み立てるため、並びに積層プリント基板及びディスプレイの製造のための絶縁層としての、請求項２記載の誘電性層の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発散レーザビームを発生するように構成された少なくとも一つのレーザ源と、
前記発散レーザビームを受光しウェハの縁の近くに集束させるように配置された集束レンズと、
前記ビームを受光し、かつ該ビームを第１の方向に発散するように配置されると共に、縞を発生するシリンドリカルレンズと、
前記ウェハの縁で反射したレーザ光を受光しセンサ出力信号を生成するように構成された検出器とからなり、
スカート照射を低減するために、焦点位置が前記ウェハの縁から離れているウェハキャリア用マッピングセンサ。
【請求項２】
前記集束レンズの焦点距離が少なくとも約８ｍｍである請求項１のセンサ。
【請求項３】
少なくとも一つのレーザ源の前に配置された少なくとも一つの光学的絞りをさらに備えた請求項１のセンサ。
【請求項４】
前記少なくとも一つの光学的絞りが三つの光学的絞りを含んでいる請求項３のセンサ。
【請求項５】
前記少なくとも一つの光学的絞りが前記少なくとも一つのレーザ源の物理的パッケージ上に直接配置された請求項３のセンサ。
【請求項６】
前記少なくとも一つのレーザ源がレーザダイオードチップを含み、前記少なくとも一つの光学的絞りが該チップから約３００ミクロン以内に配置されている請求項３のセンサ。
【請求項７】
前記少なくとも一つの光学的絞りが約２００ミクロン以下の直径の開口を含んでいる請求項３のセンサ。
【請求項８】
前記少なくとも一つのレーザ源が、クラス１において許容されるレーザパワーを最大にするようなレーザ周波数を有するレーザ光を提供するように構成された請求項１のセンサ。
【請求項９】
前記少なくとも一つのレーザ源が、商業的に入手可能な検出器のセンサ感度を最高にするように選択されたレーザ周波数でレーザ光を提供するように構成された請求項１のセンサ。
【請求項１０】
前記少なくとも一つのレーザ源が、少なくともＣＤＲＨクラス１およびＩＥＣ−８０６２５−１クラス１の一つにおける最大許容パワーで動作するように構成された請求項１のセンサ。
【請求項１１】
前記検出器の前に配置されて、該検出器の光収集量を増やすレンズをさらに備えた請求項１のセンサ。
【請求項１２】
前記検出器の視野が、予期されるウェハのノッチのサイズより大きい請求項１４のセンサ。
【請求項１３】
前記検出器の前に配置された周囲光のフィルタをさらに備えた請求項１のセンサ。
【請求項１４】
ウェハの縁でレーザ縞を感知しそれを示す信号を提供するように構成された検出器と、
第２方向の高さより大きい第１方向の幅、中央部、および該中央部でピーク強度を有するレーザ縞を発生させるためのレーザ縞発生器とからなり、
前記縞が前記中央部から前記第２方向へ１ｍｍの間隔をおいた領域を含み、該領域の強度が前記ピーク強度の約１００００分の１以下であるウェハキャリア用マッピングセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＲＦパッケージ（50）と、
ピンおよび同軸遮蔽構造によりＲＦパッケージに電気的に接続されている多層印刷配線板（ＰＷＢ）（100 ）とを具備しているＲＦ電気アセンブリにおいて、
前記ＲＦパッケージは、
相互接続開口（54Ａ）が形成されている壁構造（54）を含んでいる外部ハウジング（52）と、
前記相互接続開口に取付けられ、相互接続開口中に誘電体スペーサ素子（74）で支持されている細長い導電性の中心ピン（72）を含んでいる導電性の貫通ピン構造を具備し、中心ピンはＲＦ回路と接続するためにハウジング内に配置された内端部と、ＲＦパッケージの外部の相互接続構造と相互接続するための末端部とを有し、さらに、
前記壁構造に接続され、ハウジングから外方向に突出し、同軸遮蔽構造を形成するために中心ピンの外側を囲むように配置されている複数の導電性の遮蔽ピン（76）を具備し、
前記多層印刷配線板は、
第１の表面を通って第１の予め定められた深さまで形成される中心ピン用の穴（ 116Ａ）と、
前記第１の表面を通って第２の予め定められた深さまで形成される複数の遮蔽ピン用の穴（ 116Ｂ）と、
パッケージがＰＷＢにアセンブルされるとき中心ピンの先端と電気的接触を行うように前記中心ピン用の穴中に配置されている中心ピン用の圧縮可能なワイヤ相互接続構造（130 ）と、
パッケージがＰＷＢにアセンブルされるとき遮蔽ピンのそれぞれの先端と電気的接触を行うように前記遮蔽ピン用の穴中に配置されている複数の遮蔽ピン用の圧縮可能なワイヤ束相互接続構造（132 ）とを含んでいるＲＦ電気アセンブリ。
【請求項２】  圧縮可能なワイヤ束（130 、132 ）が密にパックされた細い金メッキワイヤで製造されている請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】  第１の予め定められた距離は第２の予め定められた距離に等しい請求項１または２記載のアセンブリ。
【請求項４】  パッケージはさらに、ハウジング内のＤＣ回路と相互接続するための内端部と、ＰＷＢのＤＣ相互接続構造に接続するために壁構造から外方に突出している外端部とを有し、壁構造を通して突出している少なくとも１つのＤＣ信号ピン（60）をさらに含んでいる請求項１乃至３のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項５】  ＤＣ相互接続構造はＰＷＢの第１の表面を通って前記ＰＷＢの第３の予め定められた深さまで形成されるＤＣピン用の穴（140 ）と、パッケージがＰＷＢにアセンブルされるときＤＣピンの先端と電気的な接触を行うように前記ピン穴に配置されているＤＣピン穴用の圧縮可能なワイヤ束相互接続構造（142 ）とを含んでいる請求項４記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池用のガス拡散層を製造する方法であって、
ａ）ビヒクル、炭素粒子および１種もしくはそれ以上の界面活性剤を混合して、予備的組成物を製造するステップと、
ｂ）低剪断力混合により、１種もしくはそれ以上の高度フッ素化ポリマーを前記予備的組成物に加えて、被覆組成物を製造するステップと、
ｃ）前記被覆組成物を導電性多孔性の基板に塗布するステップと、
を含んでなる、方法。
【請求項２】
１種もしくはそれ以上の高度フッ素化ポリマーを前記予備的組成物に加える前記ステップが、前記予備的組成物が、５０ｓｅｃ-1を超える剪断速度を有する剪断力ゾーンに実質的に遭遇しない、低剪断力混合により達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ビヒクル、炭素粒子および１種もしくはそれ以上の界面活性剤を混合する前記ステップが、高度剪断力混合により達成される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月26日(2005.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンス表示装置の変動するパネル・キャパシタンスCpから回収したエネルギーを利用し、前記エレクトロルミネセンス表示装置のグレースケール画像制御に従って調整された電力を前記エレクトロルミネセンス表示装置のパネルに出力する駆動回路であって、
電気エネルギーの供給源、
前記エレクトロルミネセンス表示装置の実効パネル・キャパシタンスCpを小さくする降圧変圧器、を含み、前記電気エネルギーを受け取り、それに応じて、前記パネル・キャパシタンスCpを利用して前記エレクトロルミネセンス表示装置の走査周波数と実質的に同期した共振周波数で、前記パネルに電力を供給するための正弦波電圧を生成する共振回路、及び、
前記パネル・キャパシタンスCpが変動した場合に前記正弦波電圧の最大値を調整する回路、
を含む駆動回路。
【請求項２】
前記降圧変圧器が、
前記走査周波数と前記共振周波数との間の実質的な同期が維持される程度に前記パネル・キャパシタンスCpより大きいキャパシタンスCl、が両端間に接続された一次巻線、
前記パネル・キャパシタンスCpが両端間に接続された第１の二次巻線、及び、
前記パネル・キャパシタンスCpと直列に接続された蓄積キャパシタCs、の両端に接続された全波整流器、が両端間に接続された第２の二次巻線、
を有し、
（i）前記パネルの負荷が重く、前記パネル・キャパシタンスCpが最大であり、またはその近傍にある場合、前記電気エネルギーのほとんどが第１の二次巻線を流れて前記パネル・キャパシタンスCpを充電し、前記電気エネルギーの残りが前記蓄積キャパシタCsを充電する程度に、
（ii）前記パネルの負荷が平均的な大きさであり、前記パネル・キャパシタンスCpが平均的な大きさである場合、前記電気エネルギーの約半分が前記パネルに流れ、前記電気エネルギーの残りの約半分が前記蓄積キャパシタCsに流れる程度に、かつ、
（iii）前記パネルの負荷が軽く、前記パネル・キャパシタンスCpが最小であり、またはその近傍にある場合、前記電気エネルギーのほとんどが前記蓄積キャパシタCsに流れ、前記電気エネルギーの残りが前記パネルに流れる程度に、
前記蓄積キャパシタCsのキャパシタンスが前記パネル・キャパシタンスCpより大きい、
請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記パネル・キャパシタンスCpの最大値に対する前記蓄積キャパシタCsのキャパシタンスの比率が、少なくとも約10：1、少なくとも約20：1、または少なくとも約30：1、のいずれかである、請求項２に記載の駆動回路。
【請求項４】
前記全波整流器が、順方向電圧降下を最小にするショットキーダイオード、を含む、請求項２に記載の駆動回路。
【請求項５】
前記第１の二次巻線の巻数に対する前記第２の二次巻線の巻数の比が、少なくとも1.05：1、少なくとも1.1：1、または1.1：1〜1.2：1、のいずれかである、請求項２に記載の駆動回路。
【請求項６】
前記一次巻線の巻数をn1とし、前記第１または第２の二次巻線の巻数をn2とするとき、不等式C1≫（n2／n1）2×Cpが成り立つ、請求項２に記載の駆動回路。
【請求項７】
前記共振周波数を変化させる別のキャパシタ、をさらに含む、請求項２に記載の駆動回路。
【請求項８】
エレクトロルミネセンス表示装置の変動するパネル・キャパシタンスCpから回収したエネルギーを利用し、前記エレクトロルミネセンス表示装置のグレースケール画像制御に従って調整された電力を前記エレクトロルミネセンス表示装置のパネルに出力する駆動回路であって、
直流電圧を生成する電圧手段と、前記直流電圧を細かく刻んで電気エネルギーのパルスにするパルス幅変調器と、を含む電気エネルギーの供給源、
前記電気エネルギーを受け取り、それに応じて、前記パネル・キャパシタンスCpを利用して前記エレクトロルミネセンス表示装置の走査周波数と実質的に同期した共振周波数で、前記パネルに電力を供給するための正弦波電圧を生成する共振回路、及び、
前記パネル・キャパシタンスCpが変動した場合に前記正弦波電圧の最大値を調整する回路、
を有する駆動回路。
【請求項９】
エレクトロルミネセンス表示装置の変動するパネル・キャパシタンスCpから回収したエネルギーを利用し、前記エレクトロルミネセンス表示装置のグレースケール画像制御に従って調整された電力を前記エレクトロルミネセンス表示装置のパネルに出力する駆動回路であって、
電気エネルギーの供給源、
前記電気エネルギーを受け取り、それに応じて、前記パネル・キャパシタンスCpを利用して前記エレクトロルミネセンス表示装置の走査周波数と実質的に同期した共振周波数で、前記パネルに電力を供給するための正弦波電圧を生成する共振回路、
前記パネル・キャパシタンスCpが変動した場合に前記正弦波電圧の最大値を調整する回路、及び、
前記共振回路が受け取る電気エネルギーを制御することで、前記エレクトロルミネセンス表示装置のインピーダンスとエネルギー使用量との変動に起因する前記正弦波電圧の変動を制御するコントローラ、
を有する駆動回路。
【請求項１０】
前記コントローラが、前記共振回路からの入力を利用して前記正弦波電圧の変動を検知し、それに応じて、前記コントローラにフィードバック信号を与えるフィードバック回路、を含む、請求項９に記載の駆動回路。
【請求項１１】
前記入力が、前記共振回路内にある降圧変圧器の一次巻線からのものである、請求項１０に記載の駆動回路。
【請求項１２】
前記コントローラに対する前記フィードバック信号を調整することによって前記正弦波電圧が所定の値にクランプされる、請求項１１に記載の駆動回路。
【請求項１３】
所定の走査周波数で走査されるようにされた複数の行、
前記行と交差して複数の画素を形成し、変動するパネル・キャパシタンスCpを特徴とする複数の列、及び、
請求項１から７までのいずれかに記載の駆動回路、
を有する受動マトリクス表示装置。
【請求項１４】
所定の走査周波数で走査されるようにされた複数の行、
前記行と交差して複数の画素を形成し、変動するパネル・キャパシタンスCpを特徴とする複数の列、
直流電圧を生成する電圧手段と、前記直流電圧を細かく刻んで電気エネルギーのパルスにするパルス幅変調器と、を含む電気エネルギーの供給源、
前記電気エネルギーを受け取り、それに応じて、前記パネル・キャパシタンスCpを利用して前記走査周波数と実質的に同期した共振周波数で、前記行または前記列に電力を供給するための正弦波電圧を生成する共振回路、及び、
前記パネル・キャパシタンスCpが変動した場合に前記正弦波電圧の最大値を調整する回路、
を有する受動マトリクス表示装置。
【請求項１５】
所定の走査周波数で走査されるようにされた複数の行、
前記行と交差して複数の画素を形成し、変動するパネル・キャパシタンスCpを特徴とする複数の列、及び、
請求項９から１２までのいずれかに記載の駆動回路、
を有する受動マトリクス表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ構造を通過する光路に関してレンズ構造を製造する方法において、
第１レンズ中央光学領域と、第１レンズ中央光学領域と第１レンズ周縁との間に位置する第１レンズリムとを有する非プラスチックの第１のレンズを形成する第１の処理ステップと、
第１レンズリムに第１レンズの第１の結合表面を形成する第１の機械加工処理ステップと、
第２レンズ中央光学領域と、第２レンズ中央光学領域と第２レンズ周縁との間の第２レンズリムとを有する非プラスチックの第２のレンズを形成する第２の処理ステップと、
第２レンズのリムに第２レンズの第１の結合表面を形成する第２の機械加工処理ステップとを含み、
第２レンズの第１の結合表面は第１レンズの第１の結合表面に適合する形状に形成されており、
さらに、第１レンズの第１の結合表面が第２レンズの第１の結合表面に対面してそれと接触するように第１レンズと第２レンズとを結合して組立てるステップを含んでいるレンズ構造の製造方法。
【請求項２】
前記第１の機械加工処理ステップは、光路に対して約４５度より小さい角度で傾斜した垂線を有する第１レンズの軸方向位置設定表面と、光路に対して約４５度より大きい角度で傾斜した垂線を有する第１レンズの案内表面とを含む第１レンズの第１の結合表面を機械加工により形成するステップを含み、
前記第２の機械加工処理ステップは、光路に対して約４５度より小さい角度で傾斜した垂線を有する第２レンズの軸方向位置設定表面と、光路に対して約４５度より大きい角度で傾斜した垂線を有する第２レンズの案内表面とを含む第２レンズの第１の結合表面を機械加工により形成するステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１および第２の機械加工処理ステップの少なくとも一方に、機械加工されている結合表面中に半径方向の空気を逃がすための溝を形成するステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項４】
さらに、内壁とこの内壁から半径方向内側に突出しているハウジング結合表面を有するハウジングを処理し、
第１レンズと第２レンズとを含むレンズグループにレンズグループ結合表面を機械加工により形成し、
ハウジング結合表面をレンズグループ結合表面に適合するように形成され、
レンズグループ、とハウジングは約0.00005 インチ以下のレンズグループ／ハウジング公差内で整列され、
さらに、組立てステップは、
ハウジング結合表面がレンズグループ結合表面に対して対面して接触するように内壁内にレンズグループを組立て、
弾性バイアス素子を使用してレンズグループ結合表面をハウジング結合表面に押付けるステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１の機械加工処理ステップは、第１レンズの第１の結合表面と反対側に位置されている第１レンズの第２の結合表面を形成する第１の機械加工ステップを含み、
レンズ構造の製造方法はさらに、第３レンズ中央光学領域と、第３レンズ中央光学領域と第３レンズ周縁との間の第３レンズリムとを有する非プラスチックの第３のレンズを形成する第３の処理ステップと、
第３レンズリムに第３レンズの第１の結合表面を形成する第３の機械加工処理ステップとを含み、
前記組立てステップは
第１レンズの第２の結合表面が第３レンズの第１の結合表面に対面してそれと接触するように第１レンズを第３レンズに結合して組立てるステップを含んでおり、
第１レンズと第３レンズは約0.00005 インチ以下の第１レンズ／第３レンズ公差内で整列される請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第２の機械加工処理ステップは、第２レンズの第１の結合表面と反対側に位置されている第２レンズの第２の結合表面を形成する第２の機械加工ステップを含み、
レンズ構造の製造方法はさらに、
スペーサ管を形成し、
そのスペーサ管を機械加工して第２レンズの第２の結合表面に適合する形状のスペーサ管の第１の結合表面と、スペーサ管の第１の結合表面と反対側に位置されているスペーサ管の第２の結合表面とを形成するスペーサ管処理ステップを含み、
さらに、第４レンズ中央光学領域と、第４レンズ中央光学領域と第４レンズ周縁との間の第４レンズリムとを有する非プラスチックの第４のレンズを形成する第４の処理ステップと、
第４レンズリムに第４レンズの第１の結合表面を形成する第４の機械加工処理ステップとを含み、
第４レンズの第１の結合表面はスペーサ管の第２の結合表面に適合した形状てあり、
組立てステップは
スペーサ管の第１の結合表面が第２レンズの第２の結合表面に対面してそれと接触するようにスペーサ管を第２レンズに結合して組立て、
第４レンズの第１の結合表面がスペーサ管の第２の結合表面に対面してそれと接触するように第４レンズをスペーサ管に結合して組立てるステップを含んでおり、
スペーサ管と第４レンズは約0.00005 インチ以下のスペーサ管／第４レンズ公差内で整列される請求項１記載の方法。
【請求項７】
光路に沿って延在しレンズグループを具備しているレンズ構造において、
非プラスチックの第１レンズと非プラスチックの第２レンズとを具備し、
第１レンズは、光路中に位置する中央光学領域と、この中央光学領域と第１レンズ周縁との間の、光路から外れた位置にある第１レンズのリムとを有しており、
第１レンズのリムは第１レンズの第１の結合表面を含み、
第２レンズは、光路中に位置する中央光学領域と、この中央光学領域と第２レンズ周縁との間の、光路から外れた位置にある第２レンズのリムとを有しており、
第２レンズのリムは、第１レンズの第１の結合表面に適合した形状でそれに対面してそれと接触している第２レンズの第１の結合表面を含んでおり、
第１レンズを第２レンズは約0.00005 インチ以下の第１レンズ／第２レンズ公差内で整列されているレンズ構造。
【請求項８】
第１レンズの第１の結合表面および第２レンズの第１の結合表面はそれぞれ機械加工された表面である請求項１２記載のレンズ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
定義
“標的生体分子”は、本明細書中で、解明し分析することが望まれる分子を意味する。
“相互作用する生体分子”という用語は、化学結合、イオン相互作用、水素結合、親和性吸着、または生体分子と生体分子とを結合させる 他の何れかの原理によって、標的に結合し得る生体分子を意味する。相互作用は、１つ以上の上記の原理に基づき得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月13日(2005.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む少なくとも１つのタンパク質またはポリペプチドを標識し、標識タンパク質／ポリペプチドの量を測定する方法：
（ａ）少なくとも１セットの細胞から少なくとも１つのタンパク質またはポリペプチドを抽出する工程；
（ｂ）抽出したタンパク質／ポリペプチドを消化し、ペプチドまたはタンパク質断片の混合物を得る工程；
（ｃ）得られたペプチド混合物を、同位体標識したＭＳ／ＭＳ脆弱性試薬分子で誘導体化する工程（ここで該試薬はタンパク質断片の特定の部位に結合する）；
（ｄ）ペプチド混合物を多次元クロマトグラフィーによって分離する工程；
（ｅ）質量分析（ＭＳ）によってペプチド混合物を分析する工程（ここで各ペプチドに特異的なサイン・イオンが生成し、標識化ペプチドの量が親イオンスキャニング・モードまたはニュートラル・ロス・スキャニング・モードで検出される）。
【請求項２】
抽出がドデシル硫酸ナトリウムを含むバッファーを用いて行われる請求項１の方法。
【請求項３】
抽出が１％ドデシル硫酸ナトリウムを含むバッファーを用いて行われる請求項１の方法。
【請求項４】
抽出したタンパク質／ポリペプチドを消化の前にスクシニル化する請求項１から３のいずれかの方法。
【請求項５】
抽出したタンパク質／ポリペプチドが膜タンパク質および／または膜結合性タンパク質を含む請求項１から４のいずれかの方法。
【請求項６】
工程（ｅ）において、標識化されたタンパク質／ポリペプチドの発現レベルが測定される請求項１から５のいずれかの方法。
【請求項７】
消化がまず臭化シアンを用いて行われ、次いでｐＨ４から５にてＶ８プロテアーゼを用いて行われるかあるいは、ｐＨ７から９にてＬｙｓＣプロテアーゼを用いて行われる請求項１から６のいずれかの方法。
【請求項８】
試薬分子が少なくとも結合部分、架橋部分および標識部分を含み、該架橋部分がチオエーテル架橋である請求項１から７のいずれかの方法。
【請求項９】
試薬分子の結合部分がアミン誘導体である請求項８の方法。
【請求項１０】
アミン誘導体試薬が塩基性部分を有するペプチドのＮ−末端を共有結合により修飾する能力を有する請求項９の方法。
【請求項１１】
標識が質量に基づいて識別され、同位体標識がＣ１２／Ｃ１４、Ｈ／ＤおよびＣ１３５／Ｃ１３７からなる群から選択される少なくとも１つの原子である請求項８から１０のいずれかの方法。
【請求項１２】
試薬がＮ−スクシニミジル−２−（４−ピリジルメチルチオ）−アセテート、および／またはＮ−スクシニミジル−２−［４−（２，３，５，６−テトラジュウテリオ−ピリジル）］−メチルチオアセテートである請求項８から１１のいずれかの方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）の後に混合物がヒドロキシルアミンで処理される請求項１から１２のいずれかの方法。
【請求項１４】
工程（ｄ）が二次元クロマトグラフィーを含み、第一次元がアニオン交換クロマトグラフィーを用い、第二次元が逆相クロマトグラフィー（ＲＰＣ）を用いる請求項１から１３のいずれかの方法。
【請求項１５】
第一次元の流速が１から１００μｌ／分であり第二次元の流速が１から２００ｎｌ／分である請求項１４の方法。
【請求項１６】
検出される標識がシステイン含有ペプチド上に存在する請求項１から１５のいずれかの方法。
【請求項１７】
質量分析が１０６および／または１１０ｍ／ｚにて行われる請求項１から１６のいずれかの方法。
【請求項１８】
工程（ｅ）においてサンプルが２つの画分に分割され、一方がＭＳ用であり、一方がフラクションコレクター用である請求項１から１７のいずれかの方法。
【請求項１９】
２セットの細胞からタンパク質／ポリペプチドが抽出され、各セットの細胞が異なる試薬によって標識化されることにより、２セットの細胞のタンパク質発現の比較が可能となる請求項１から１８のいずれかの方法。
【請求項２０】
異なる試薬が質量に基づいて識別される請求項１９の方法。
【請求項２１】
第一のセットが軽い同位体標識によって標識化され、第二のセットが重い同位体標識によって標識化されるか、あるいはその逆である、請求項２０の方法。
【請求項２２】
第一のセットの細胞がＮ−スクシニミジル−２−（４−ピリジルメチルチオ）−アセテートで標識化され、第二のセットの細胞がＮ−スクシニミジル−２−［４−（２，３，５，６−テトラジュウテリオ−ピリジル）］−メチルチオアセテートで標識化される請求項２１の方法。
【請求項２３】
２セットの細胞が工程（ｄ）の前に混合される請求項２０から２２のいずれかの方法。
【請求項２４】
以下の工程によってタンパク質断片混合物が分析される請求項２０から２３のいずれかの方法：
（ｉ）１０６ｍ／ｚでのスキャニングによって、第一のセットの細胞のスペクトルを得る工程、
（ｉｉ）１１０ｍ／ｚでのスキャニングによって、第二のセットの細胞のスペクトルを得る工程、
（ｉｉｉ）１１０ｍ／ｚスキャンの強度値を反転し、これを１０６ｍ／ｚスキャンに加え、示差スペクトルを得る工程。
【請求項２５】
以下の工程によってタンパク質断片混合物が分析される請求項２０から２３のいずれかの方法：
（ｉ）１０５ｍ／ｚでのニュートラル・ロス・スキャニングにより第一のセットの細胞のスペクトルを得る工程、
（ｉｉ）１０９ｍ／ｚでのニュートラル・ロス・スキャニングにより第二のセットの細胞のスペクトルを得る工程、
（ｉｉｉ）１０９ｍ／ｚのロス・スキャンの強度値を反転し、これを１０５ｍ／ｚスキャンに加え、示差スペクトルを得る工程。
【請求項２６】
ＭＳ／ＭＳ−分析を、示差スペクトルから選択されるタンパク質／ポリペプチドからのペプチドに行う請求項２４または２５の方法。
【請求項２７】
アミノ酸配列を少なくとも１つの標識化ペプチドについて同定する請求項２６の方法。
【請求項２８】
イオン捕捉質量分析計を用いる請求項２６または２７の方法。
【請求項２９】
少なくとも結合部分、架橋部分および標識部分を含み、架橋部分がチオエーテル架橋である試薬分子の分析の使用であって、請求項１から２８のいずれかのタンパク質断片の混合物を標識するための該使用。
【請求項３０】
別々の区画において、Ｎ−スクシニミジル−２−（４−ピリジルメチルチオ）−アセテートおよびＮ−スクシニミジル−２−［４−（２、３，５，６−テトラジュウテリオ−ピリジル）］−メチルチオアセテートを含む請求項１から２８のいずれかの方法において使用するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月16日(2006.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面素子（１２；２７；２８）から成るモザイク状の表面パターンを備えたプラスチック積層体（１）を有して成る回折型セキュリティー素子（２）であって、前記表面素子（１２；２７；２８）において、前記プラスチック積層体（１）の造形層（５）と保護層（６）との間の反射界面（８）が光学効果構造体（９）を成し、前記プラスチック積層体（１）に入射し、該積層体（１）のカバー層（４）および前記造形層（５）を透過した光が、前記光学効果構造体（９）によって所定の様式で曲折される素子（２）において、
前記表面素子（１２；２７；２８）の少なくとも１つの表面の前記光学効果構造体（９）が線形非対称回折格子（２４）に艶消し構造体を重畳して成る回折構造体（２５）であり、
前記線形非対称回折格子（２４）が５０〜２０００本/ｍｍの空間周波数を有し、
前記艶消し構造体の平均の凹凸が２０〜２０００ｎｍ、少なくとも１つの方向における相関長が２００〜５００００ｎｍであることを特徴とする素子（２）。
【請求項２】
第２表面素子（２８）が第１表面素子（２７）に隣接し、前記回折構造体（２５）が前記第２表面素子（２８）の表面に形成され、前記第１表面素子（２７）の線形非対称回折格子（２４）の格子ベクトル（２６）が、前記第２表面素子（２８）の線形非対称回折格子（２４）の格子ベクトル（２６）と実質的に逆平行の関係となる方向に向いていることを特徴とする請求項１記載の素子（２）。
【請求項３】
前記艶消し構造体の散乱能力のみが異なる回折構造体（２５）を備えた表面区分（３１）が、前記表面素子（１２、２７）に配されていることを特徴とする請求項１または２記載の素子（２）。
【請求項４】
前記表面区分（３１）によってロゴまたはテキスト形式の情報が形成されていることを特徴とする請求項３記載の素子（２）。
【請求項５】
少なくとも一方向の最大寸法が０．３ｍｍ未満である複数の前記表面区分（３１）をラスター状に含んでいる複数の前記第１表面素子（２７）が前記第２表面素子（２８）の表面に配され、該第２表面素子（２８）の回折構造体（２５）が、前記表面区分（３１）に形成され、選択方位（３０）に沿って、前記第１表面素子（２７）の回折構造体（２５）の表面被覆率が、該第１表面素子（２７）によって異なっていることを特徴とする請求項２記載の素子（２）。
【請求項６】
複数の前記第１表面素子（２７）が前記第２表面素子（２８）の表面に配され、選択方位（３０）に沿って、前記第１表面素子（２７）の回折構造体（２５）に用いられている回折格子（２４）の非対称が、該第１表面素子（２７）によって異なっていることを特徴とする請求項２記載の素子（２）。
【請求項７】
複数の前記表面素子（１２）が前記表面パターンの表面に隣接配置され、選択方位（３０）に沿って、前記表面素子（１２）の回折構造体（２５）に用いられている非対称回折格子（２４）のブレーズ角（ε２）が、前記表面素子（１２）によって、所定のブレーズ角差（Δε）ずつ異なっていることを特徴とする請求項１または２記載の素子（２）。    
【請求項８】
前記艶消し構造体が等方性を有していることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載の素子（２）。
【請求項９】
前記艶消し構造体が異方性を有していることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載の素子（２）。
【請求項１０】
前記回折格子（２４）が無彩色であり、５０〜３００本/ｍｍの空間周波数を有していることを特徴とする請求項１〜９いずれか１項記載の素子（２）。
【請求項１１】
前記界面（８）が、アルミニウム、銀、金、クロムおよびタンタルからなる群より選択される材料のコーティングであることを特徴とする請求項１〜１０いずれか１項記載の素子（２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相シフト・マスクを設計する方法であって、
位相シフト・マスクのクリティカル領域の近くにある第１位相領域のエッジ部であって、前記第１位相領域の前記クリティカル領域に近い方のエッジ部ではないエッジ部を識別するステップと、
識別した前記エッジ部を拡張して、前記第１位相領域の前記エッジ部に沿って幅の狭いラインを定義するステップと、
前記幅の狭いラインにクロムを形成して、前記第１位相領域の前記エッジ部に沿ってクロム境界を形成するステップと、を有する方法。
【請求項２】
前記幅の狭いラインを定義するステップは、識別した前記エッジ部を外側および内側に拡張して、前記第１位相領域の前記エッジ部に沿って幅の狭いラインを定義する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記幅の狭いラインにクロムを形成してクロム境界を形成するステップは、前記幅の狭いラインをクロム・データベースにマージするステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１位相領域に位相極性を割り当てるステップと、
前記第１位相領域のエッジ部を定義するステップと、
定義した前記エッジ部の周りに境界を定めるステップと、
前記定めた境界の外側に、位相０°の領域を割り当てるステップと、をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１位相領域と第２位相領域とは、相互に１８０度異なる位相角を割り当てられる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
トリム・マスクを生成して、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記幅の狭いラインは、最小のゲート幅寸法を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記クリティカル領域に近い境界を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記境界を定義するステップは、位相１８０°を有するエッジ部に近い境界を定義するステップを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
回路性能および収率に与える影響が最小限となるように、ブレーク領域を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ブレーク領域は、パターニングおよびインスペクション可能な幅を有する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
トリム・マスクを生成して、第１位相の領域と第２位相の領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
公称値以下の寸法を必要とするゲートおよび他の層のパターニングを改良するために位相シフト・パターンを形成する方法であって、
クリティカルなゲート領域を定義するステップと、
前記クリティカルなゲート領域のいずれか一方の側に位相領域を形成するステップと、
前記クリティカルなゲート領域のいずれか一方の側の前記位相領域に逆の位相極性を割り当てるステップと、
割り当てられた位相極性を有する位相領域を拡大する（enhancing）ステップと、
位相遷移（phase transition）が発生する可能性のある位置にブレーク領域を定義するステップと、
多角形を生成して、他方のエッジ部を定義すると共に、前記定義したブレーク領域をこの多角形から除外するステップと、
第１位相領域の境界領域を構成して、クロム境界を形成するステップと、を有する方法。
【請求項１４】
前記境界領域をエッジ部に沿って構成し、前記エッジ部を外側および内側に拡張することによって前記クロム境界を形成する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
デザイン・ルール違反を修正するステップと、
適切なパターンの生成が可能となるように、光学近接効果およびプロセス補正を位相領域に適用するステップと、をさらに有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
トリム・マスクを生成して、所望のパターンの外側にある、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記生成は、境界領域およびブレーク領域のサイズを大きめに取ることによって行われる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記クロム境界は、位相が０°の領域と位相が１８０°の領域との間の距離の幅を有する、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
第１位相領域の外側のエッジ部の周りにクロム境界を設けて、クリアなフィールド位相シフト・マスクを改善する方法であって、
第１位相領域および第２位相領域を有する位相領域に位相極性を割り当てるステップと、
割り当てられた前記位相領域のエッジ部を定義するステップと、
前記第１位相領域の定義した前記エッジ部の周りに境界を定めるステップと、
前記第１位相領域の周りの前記境界にクロム境界を形成するステップと、を有する方法。
【請求項２０】
前記境界を定めるステップは、前記エッジ部を外側および内側に拡張することによって、前記第１位相領域の定義した前記エッジ部の周りに境界を定める、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記割り当てられた位相領域のエッジ部を定義するステップは、位相遷移が発生するブレーク領域を定義するステップと、エッジ部を含むがブレーク領域を含まない多角形を生成するステップと、を有し、前記多角形は割り当てた前記位相領域にマージされる、請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
トリム・マスクを生成して、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項１９記載の方法。
【請求項２３】
前記生成は、境界領域およびブレーク領域のサイズを大きめに取ることによって行われる、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
集積回路製造プロセスに使用するように構成されたマスクであって、
位相が０°の領域の第１エッジ部および位相が１８０°の領域の第１エッジ部によって定義されたクリティカルなパターン部分と、
前記位相が１８０°の領域の前記第１エッジ部とは異なる前記位相が１８０°の領域の第２エッジ部に沿って設けられる、不透明な材料を含むクロム境界領域と、を有する、マスク。
【請求項２５】
定義された領域の外側に、位相が０°の領域をさらに有する、請求項２４記載のマスク。
【請求項２６】
前記不透明な材料はクロムを含む、請求項２４記載のマスク。
【請求項２７】
前記位相が０°の領域と前記位相が１８０°の領域とは、相互に１８０度異なる位相角を割り当てられる、請求項２４記載のマスク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月29日(2005.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相シフト・マスクを設計する方法であって、
位相シフト・マスクのクリティカルなポリシリコン領域の近くにある第１位相領域のエッジ部であって、前記第１位相領域の前記クリティカルなポリシリコン領域に近いエッジ部ではないエッジ部を識別するステップと、
識別した前記エッジ部の、前記第１位相領域の前記クリティカルなポリシリコン領域に近い辺に対向しかつこれと平行な一方の辺を拡張して、ラインを定義するステップと、
前記第１位相領域の前記クリティカルなポリシリコン領域に近い辺に対向しかつこれと平行な前記第１位相領域の前記エッジ部に沿った前記ラインに、不透明なラインを形成するステップと、を有する方法。
【請求項２】
位相シフト・マスクの、前記クリティカルなポリシリコン領域の近くにある第２位相領域のエッジ部であって、前記第２位相領域の前記クリティカルなポリシリコン領域に近いエッジ部ではないエッジ部を識別するステップと、
識別した前記エッジ部を拡張して、前記第２位相領域の前記エッジ部に沿って第２ラインを定義するステップと、
前記第２ラインにクロムを形成して、前記第２位相領域の前記エッジ部に沿ってクロム境界を形成するステップと、をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１位相領域に位相極性を割り当てるステップと、
前記第１位相領域のエッジ部を定義するステップと、
前記定義したエッジ部の周りに境界を定めるステップと、
前記定めた境界の外側の領域を、位相が０°の領域に割り当てるステップと、をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１位相領域と第２位相領域に、相互に１８０°異なる位相角を割り当てる、請求項３記載の方法。
【請求項５】
トリム・マスクを生成して、位相が０°の領域および位相が１８０°の領域の間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記定義したラインは、最小のゲート幅寸法を有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記クリティカルなポリシリコン領域に近い境界を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記境界を定義するステップは、位相０°を有するエッジ部に近い境界を定義するステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
位相遷移（phase transition）が最も発生する可能性のある位置にブレーク領域を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記ブレーク領域は、パターニングおよびインスペクション可能な幅を有する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
トリム・マスクを生成して、第１位相の領域と第２位相の領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項２記載の方法。
【請求項１２】
ゲートおよび他の層のパターニングを改良するために位相シフト・パターンを形成する方法であって、
クリティカルなゲート領域を定義するステップと、
前記クリティカルなゲート領域のいずれか一方の辺に位相領域を作成するステップと、
前記クリティカルなゲート領域のいずれか一方の辺の前記位相領域に逆の位相極性を割り当てるステップと、
割り当てた位相極性を有する位相領域を拡大する（enhancing）ステップと、
位相遷移（phase transition）が発生する可能性のある位置にブレーク領域を定義するステップと、
多角形を生成して、他方のエッジ部を定義すると共に、前記定義したブレーク領域を除外するステップと、
クロム境界を形成するように第１位相領域の外側に境界領域を構成するステップと、
第２位相領域のエッジ部であって、前記クリティカルなゲート領域に近い辺に対向しかつこれと平行なエッジ部に沿って境界ラインを形成するステップと、を有する方法。
【請求項１３】
デザイン・ルール違反を修正するステップと、
適切なパターンの生成が可能となるように、光学近接効果およびプロセス補正を位相領域に適用するステップと、をさらに有する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
トリム・マスクを生成して、所望のパターンの外側の、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記生成は、境界領域およびブレーク領域のサイズを大きめに取ることによって行われる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記境界ラインは、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間の距離の幅を有する、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
位相が０°の領域の外側のエッジ部に沿って境界ラインを設けて、クリアなフィールド位相シフト・マスクを改善する方法であって、
第１位相領域および第２位相領域を含む位相領域に位相極性を割り当てるステップと、
前記割り当てられた位相領域のエッジ部を定義するステップと、
前記第１位相領域の前記定義したエッジ部の周りに第１境界を定めるステップと、
前記第２位相領域のクリティカルなポリシリコン領域に近い辺に対向しかつこれと平行である前記第２位相領域のエッジ部に沿って、不透明なラインを形成するステップと、を有する方法。
【請求項１８】
前記割り当てられた位相領域のエッジ部を定義するステップは、位相遷移（phase transition）が発生する位置にブレーク領域を定義するステップと、エッジ部を含むがブレーク領域を含まない多角形を生成するステップと、を有し、前記多角形は、前記割り当てられた位相領域にマージされる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
トリム・マスクを生成して、前記第１位相領域と前記第２位相領域との間にある不必要なパターンを除去するステップをさらに有する、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記生成は、境界領域およびブレーク領域のサイズを大きめに取ることによって行われる、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
集積回路製造プロセスに使用するように構成されたマスクであって、
位相が０°の領域の第１エッジ部および位相が１８０°の領域の第１エッジ部によって定義されたクリティカルなポリシリコン部分と、
前記位相が１８０°の領域の前記第１エッジ部とは異なる前記位相が１８０°の領域の第２エッジ部の外側にある、不透明な材料を含むクロム境界領域と、
前記位相が０°の領域の前記第１エッジ部とは異なる、前記位相が０°の領域の平行なエッジ部にある不透明なラインと、を有する、マスク。
【請求項２２】
定義された領域の外側に、位相が０°の領域をさらに有する、請求項２１記載のマスク。