【事件の表示】
　特願２００４−３０４６６７「層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造，半導体装置及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１１日出願公開，特開２００６−１２０７３０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１０月１９日の出願であって，平成２１年９月１８日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月２４日に意見書と手続補正書が提出され，平成２２年６月２日付けで拒絶の理由が通知され，同年８月９日に意見書と手続補正書が提出され，平成２３年１月５日付けで，平成２２年８月９日に提出された手続補正書でした補正を却下するととともに，拒絶査定がなされ，同年４月１５日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年１月３０日付けで審尋がおこなわれ，同年４月９日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２３年４月１５日に提出された手続補正書でした補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年４月１５日に提出された手続補正書でした補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件補正の内容
　平成２３年４月１５日に提出された手続補正書でした補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲についてする補正を含むものであり，その特許請求の範囲についてする補正は，補正前に，
「　【請求項１】
　下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間配線膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造。
　　【請求項２】
　前記多層カーボンナノチューブの内部に，所定の導電性物質より成る層間配線部材が設けられることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
　　【請求項３】
　前記層間配線部材は，前記多層カーボンナノチューブの内部に充填されていることを特徴とする請求項２記載の配線構造。
　　【請求項４】
　第１の導電層上に設けられた絶縁層に，前記第１の導電層に至るビアを形成し，前記ビアを貫通する多層カーボンナノチューブを成長させ，
　酸素を含む雰囲気で，前記多層カーボンナノチューブを含む構造に熱処理もしくはプラズマ処理を施し，前記多層カーボンナノチューブの先端部分を開端させ，
　前記絶縁層及び前記多層カーボンナノチューブ上にＴｉよりなるコンタクト層を形成し，
　前記コンタクト層上に第２の導電層を成膜する工程を備え，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にはＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造の製造方法。
　　【請求項５】
　前記第２の導電層を成膜する前に，開端された多層カーボンナノチューブの筒状の中空部分に導電性物質を導入することを特徴とする請求項４記載の製造方法。
　　【請求項６】
　配線構造を有する半導体装置であって，前記配線構造は，
　下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間配線膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項７】
　第１の導電層上に設けられた絶縁層に，前記第１の導電層に至るビアを形成し，前記ビアを貫通する多層カーボンナノチューブを成長させ，
　酸素を含む雰囲気で，前記多層カーボンナノチューブを含む構造に熱処理もしくはプラズマ処理を施し，前記多層カーボンナノチューブの先端部分を開端させ，
　前記絶縁層及び前記多層カーボンナノチューブ上にＴｉよりなるコンタクト層を形成し，
　前記コンタクト層上に第２の導電層を成膜する工程を備え，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にはＴｉＣ接合部が形成されている配線構造を有する半導体装置の製造方法。」
とあったものを，補正後に，　
「　【請求項１】
　下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間絶縁膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造。
　　【請求項２】
　前記多層カーボンナノチューブの内部に，所定の導電性物質より成る層間配線部材が設けられることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
　　【請求項３】
　前記層間配線部材は，前記多層カーボンナノチューブの内部に充填されていることを特徴とする請求項２記載の配線構造。
　　【請求項４】
　第１の導電層上に設けられた絶縁層に，前記第１の導電層に至るビアを形成し，前記ビアを貫通する多層カーボンナノチューブを成長させ，
　酸素を含む雰囲気で，前記多層カーボンナノチューブを含む構造に熱処理もしくはプラズマ処理を施し，前記多層カーボンナノチューブの先端部分を開端させ，
　前記絶縁層及び前記多層カーボンナノチューブ上に，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層を形成し，
　前記コンタクト層上に第２の導電層を成膜する工程を有し，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にはＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造の製造方法。
　　【請求項５】
　前記第２の導電層を成膜する前に，開端された多層カーボンナノチューブの筒状の中空部分に導電性物質を導入することを特徴とする請求項４記載の製造方法。
　　【請求項６】
　配線構造を有する半導体装置であって，前記配線構造は，
　下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間絶縁膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項７】
　第１の導電層上に設けられた絶縁層に，前記第１の導電層に至るビアを形成し，前記ビアを貫通する多層カーボンナノチューブを成長させ，
　酸素を含む雰囲気で，前記多層カーボンナノチューブを含む構造に熱処理もしくはプラズマ処理を施し，前記多層カーボンナノチューブの先端部分を開端させ，
　前記絶縁層及び前記多層カーボンナノチューブ上にＴｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層を形成し，
　前記コンタクト層上に第２の導電層を成膜する工程を備え，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にはＴｉＣ接合部が形成されている配線構造を有する半導体装置の製造方法。」
とするものである。
　
２　補正目的の適否及び新規事項の追加の有無について
　本件補正は，補正前の請求項１及び請求項６の「層間配線膜」を，補正後に「層間絶縁膜」と補正し，補正前の請求項１の「上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み」を，補正後に「上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み」と補正し，補正前の請求項４の「Ｔｉよりなるコンタクト層」を，補正後に「，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層」と補正し，補正前の請求項４の「第２の導電層を成膜する工程を備え」を，補正後に「第２の導電層を成膜する工程を有し」と補正し，補正前の請求項６の「上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み」を，補正後に「上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み」と補正し，補正前の請求項７の「Ｔｉよりなるコンタクト層」を，補正後に「Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層」と補正するものである。
　そして，前記補正の内，「層間配線膜」を「層間絶縁膜」とする補正は，誤記の訂正を目的とした補正であり，「上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み」を「上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み」となし，「Ｔｉよりなるコンタクト層」を「，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層」となし，「上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み」を「上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み」となし，「Ｔｉよりなるコンタクト層」を「Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層」とする補正は，コンタクト層を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とした補正であり，「第２の導電層を成膜する工程を備え」を「第２の導電層を成膜する工程を有し」とする補正は，明りょうでない記載の釈明を目的とした補正であるといえる。
　そうすると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号，第３号及び第４号に掲げる，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とした補正といえる。
　また，前記補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものと認められるから，本件補正は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすといえる。
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき，以下において更に検討する。
　
３　独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１−７に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される上記「第２　１　本件補正の内容」の箇所に記載したとおりのものであって，再掲すると次のとおりである。
　
「下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間絶縁膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００２−３２９７２３号公報
（１ａ）「【請求項１】　
半導体基板上に作られた複数の素子を含む集積回路装置
　
（１ｂ）「【
従来の技術
現在のＬＳＩにあっては，その信頼性の阻害要因として，マイグレーション現象として知られる配線材料の金属原子の移動現象が挙げられる
　
配線金属として以前から用いられてきたアルミニウム（Ａｌ）に代わり，最近では銅（Ｃｕ）が使われはじめている
それにより若干の改善は見られる
　
（１ｃ）「
ビアのマイグレーション耐性に優れた本発明の集積回路装置
下地層１１の上に下層配線層１２，絶縁層１３，上層配線層１４が順次形成
下層配線層１２と上層配線層１４はそれらの間に介在する絶縁層１３を貫くビア１５により接続
ビア１５は，複数のカーボンナノチューブの集合体により形成
下層及び上層配線層１２，１４は，任意の導電性材料から形成することができ，例えば銅，アルミニウム等の金属材料又はそれらを含む積層金属材料を使用することができる
絶縁層１３（層間絶縁膜とも称される）は，現在広く使用されているケイ素系絶縁膜から形成してもよく，あるいはより低誘電率の多孔質材料等の膜から形成してもよい
配線構造
　
（１ｄ）「図１に示した
ビアの形成方法
下地層１１の上に設けた下層配線層１２の上に，形成すべきビアの形状に対応したパターンの開口１７を備えた絶縁層１３を形成
開口１７の底に露出した下層配線層１２の上面に，触媒１８を付着
プラズマＣＶＤ
触媒１８を利用して開口１７内にカーボンナノチューブのバンドルからなるビア１５（図２（ｃ））を成長
カーボンナノチューブの成長後，触媒１８は，プラズマＣＶＤによる成長の場合はナノチューブの先端に残り
図２（ｃ）に示したビア１５は，プラズマＣＶＤで成長させたものに相当
形成したビア１５を介して下層配線層１２につながる上層配線層１４を形成
　
図２（ｃ）に示した成長したビア１５の先端の触媒１８は，上層配線層１４の形成に先立ち除去してもよく
ビア１５の先端の触媒１８は，実際には，５員環を含むいくつかの６員環で閉じられた各カーボンナノチューブの内側に位置しており，これを除去する場合には，６員環に比べ結合の弱い５員環の部分を酸素プラズマアッシングなどにより破るといった方法で行う
　カーボンナノチューブには，単層構造のものと多層構造のものがあることが知られている。単層構造のナノチューブは，それを構成する円筒が一つのもの（巻回したグラファイトシートが一つであるもの）であり，多層構造のナノチューブは，複数の円筒から構成され，一番外側の円筒から一番内側の円筒まで直径を異にする円筒が順次配列した構造をしている。
本発明の集積回路装置のビアで使用するカーボンナノチューブは，単層構造及び多層構造のいずれのものであってもよい。また，一つのビアに単層構造と多層構造の両方のナノチューブが混在する場合と単層構造あるいは多層構造のみからなる場合を含む
　
（１ｅ）「
本発明をその様々な実施形態とともに付記
（付記１）　半導体基板上に作られた複数の素子を含む集積回路装置であり，それらの素子のほかに，それらの素子及び当該集積回路装置を機能させるための配線と，異なる層の配線どうしを接続するビアとを更に含む集積回路装置であって，当該ビアが炭素元素から構成される円筒状の構造体により形成されていることを特徴とする集積回路装置。
（付記２）　前記ビアが単一の円筒状構造体から形成されている，付記１記載の集積回路装置。
（付記３）　前記ビアが複数の円筒状構造体のバンドルから形成されている，付記１記載の集積回路装置。
（付記４）　前記円筒状の構造体が，単一の円筒で構成された単層構造のものである，付記１から３までのいずれか一つに記載の集積回路装置。
（付記５）　前記
円筒状の構造体が，複数の円筒から構成された多層構造のものである
（付記６）　前記ビアに，単層構造と多層構造の両方の円筒状構造体が混在している，付記３記載の集積回路装置。
（付記７）　前記ビアが絶縁層によって取り囲まれており，当該絶縁層が有機ケイ素系材料又は多孔質材料で形成されている，付記１から６までのいずれか一つに記載の集積回路装置。」（【００３７】）
　
（１ｆ）図２は，引用例１に記載された，ビアのマイグレーション耐性に優れた発明の集積回路装置におけるビアの形成を説明する図であって，上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載を参酌すれば，同図の（ｃ）から，開口１７内にカーボンナノチューブのバンドルからなるビア１５を成長させた段階では，触媒１８がナノチューブの先端に残り，同図の（ｄ）から，形成したビア１５を介して下層配線層１２につながる上層配線層１４を形成した段階では，成長したビア１５の先端の前記触媒１８が除去されていることを読み取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｆ）を総合勘案すれば，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「下地層の上に下層配線層，絶縁層，上層配線層が順次形成された集積回路装置の配線構造であって，
　前記下層及び前記上層配線層は，例えば銅を使用して形成することができ，
　前記絶縁層（層間絶縁膜とも称される）は，現在広く使用されているケイ素系絶縁膜から形成してもよく，あるいはより低誘電率の多孔質材料等の膜から形成してもよいものであり，
　前記下層配線層と前記上層配線層は，それらの間に介在する前記絶縁層を貫く，複数のカーボンナノチューブの集合体により形成されているビアにより接続されており，
　前記カーボンナノチューブは，単層構造及び多層構造のいずれのものであってもよく，また，一つのビアに単層構造と多層構造の両方のナノチューブが混在してもよく，
　前記ビアは，下層配線層の上に，形成すべきビアの形状に対応したパターンの開口を備えた絶縁層を形成し，続いて，前記開口の底に露出した下層配線層の上面に，触媒を付着させ，次に，プラズマＣＶＤにより，前記触媒を利用して開口内に成長させたカーボンナノチューブのバンドルからなり，
　前記カーボンナノチューブの成長後，前記ビアの先端の，５員環を含むいくつかの６員環で閉じられた各カーボンナノチューブの内側に位置している前記触媒を，前記上層配線層の形成に先立ち，６員環に比べ結合の弱い５員環の部分を酸素プラズマアッシングなどにより破るといった方法で除去し，
　次いで，形成したビアを介して前記下層配線層につながる前記上層配線層を形成した，
　ビアのマイグレーション耐性に優れた集積回路装置の配線構造。」
　
ウ　引用例２：特開２００４−２８８８３３号公報
（２ａ）「【発明の属する技術分野】
　本発明は，
カーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体
【従来の技術】
　
近年
電子デバイスにおいては，炭素元素円筒型構造体と電極や配線などとの接続部の電気抵抗の上昇を避けるため，それらをオーミック接続させることが要求される
　図１に，
電子デバイスの縦方向配線ビア材料としてビアホール内に形成した炭素元素円筒型構造体１１とＣｕの下部配線層１３及びＣｕの上部配線層１５との接続
炭素元素円筒型構造体１１と上部配線層１５との間にはＴｉ層２１が挿入されている
　
炭素元素円筒型構造体１１と上部配線層１５との接続は，間に介在するＴｉ層２１のカーバイド化（ＴｉＣ化）により，オーミック接続となっている
炭素元素円筒型構造体とＴｉ層を接触させた後に，高温の熱処理を行うことにより界面をＴｉＣ化する
　
（３）対比
ア　引用発明の「下層配線層」，「絶縁層」，「上層配線層」は，それぞれ，本願補正発明１の「下部配線層」，「層間絶縁膜」，「上部配線層」に相当する。
　
イ　引用発明は「ビアの先端の，５員環を含むいくつかの６員環で閉じられた各カーボンナノチューブの内側に位置している前記触媒を，前記上層配線層の形成に先立ち，６員環に比べ結合の弱い５員環の部分を酸素プラズマアッシングなどにより破るといった方法で除去」することを発明特定事項として備える。そして，「各カーボンナノチューブの内側に位置している前記触媒」を除去するために「６員環に比べ結合の弱い５員環の部分を酸素プラズマアッシングなどにより破る」ことによって「カーボンナノチューブの先端部分は開端され」るものと認められる。したがって，引用発明と本願補正発明１は，いずれも，カーボンナノチューブの先端部分が開端されている点で一致する。
　
　そうすると，本願補正発明１と，引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間絶縁膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続するカーボンナノチューブと，を有し，
　前記カーボンナノチューブの先端部分は開端されている配線構造。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，ビア内に形成された「多層カーボンナノチューブ」を有するのに対して，引用発明では，「カーボンナノチューブは，単層構造及び多層構造のいずれのものであってもよく，また，一つのビアに単層構造と多層構造の両方のナノチューブが混在してもよ」いものである点。
　
・相違点２：本願補正発明１では「カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されている」のに対して，引用発明ではこのような構成が特定されていない点。
　
・相違点３：本願補正発明１は，上部配線層が「Ｔｉの第１層及びＴａの第２層よりなるコンタクト層と前記コンタクト層上に形成された配線部とを含」むものであるのに対して，引用発明では，このような構成が特定されていない点。
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について
　引用発明のカーボンナノチューブは，単層構造及び多層構造のいずれのものであってもよく，また，一つのビアに単層構造と多層構造の両方のナノチューブが混在してもよいとするものであり，また，引用例１の上記摘記（１ｅ）において，引用例１に記載された発明の実施形態の一つとして，「円筒状の構造体が，複数の円筒から構成された多層構造のものである」ものが明示されているのであるから，引用発明の「カーボンナノチューブ」として「多層カーボンナノチューブ」を用いること，すなわち，引用発明において，上記相違点１について本願補正発明１の構成とすることは当業者にとって容易といえる。
　また，多層カーボンナノチューブの導電率が良好であることは，下記の周知例１の下記摘記（周１ａ）に，「特に多重壁カーボンナノチューブは，タングステンのような金属の導電率に類似した導電率を提供する。」と記載されているように周知の事項であるから，多層カーボンナノチューブとしたことによる効果も当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
・周知例１：特開２００４−６８６４号公報（平成２３年１月５日付けの補正却下の決定で引用した文献３）
（周１ａ）「本発明の特定の実施例は，１つまたはそれ以上の技術的利点を提供する。例えば，ある実施例は，半導体デバイスの電極または他の接点構造内に，活性領域と導電層との間のビアを通って延びるカーボンナノチューブを用い，活性領域と導電層との間に導電性を付与する。カーボンナノチューブ，
特に多重壁カーボンナノチューブは，タングステンのような金属の導電率に類似した導電率を提供する
　
（周１ｂ）「図２に帰ると，導電層３４は接点構造４０上に堆積され，接点構造４０と，関連する集積回路内の１つまたはそれ以上の他の半導体デバイスとの間に，導電性を付与する。
導電層３４は，銅または任意の他の適切な導電材料３４ａを含む
短絡および他の問題の原因となる，ビア２４の周囲の誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透は，防止することが望ましい
１つの実施例においては，導電材料３４ａの堆積の前に，バリヤ材料３４ｂが接点構造４０上に堆積され，誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透を実質的に防止する
バリヤ材料３４ｂは，窒化タンタル，または特定の必要に応じて誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透を防止するのに適する任意の他の材料を含む
　
・相違点２について
ア　集積回路装置の配線構造において，前記配線構造内の電気抵抗の上昇が望ましくないことは，当業者にとって周知な課題といえるから，引用発明において，配線構造内の電気抵抗の上昇を避けることが望ましいことは，当業者であれば当然に考慮すべき事項といえる。
　
イ　一方，引用例２の上記摘記（２ａ）には，「カーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体へのオーミック接続構造」，「電子デバイスにおいては，炭素元素円筒型構造体と電極や配線などとの接続部の電気抵抗の上昇を避けるため，それらをオーミック接続させることが要求される。」，「電子デバイスの縦方向配線ビア材料としてビアホール内に形成した炭素元素円筒型構造体１１とＣｕの下部配線層１３及びＣｕの上部配線層１５との接続」，「炭素元素円筒型構造体１１と上部配線層１５との間にはＴｉ層２１が挿入されている」及び「炭素元素円筒型構造体１１と上部配線層１５との接続は，間に介在するＴｉ層２１のカーバイド化（ＴｉＣ化）により，オーミック接続となっている。」と記載されており，これらの記載から，当業者であれば，ビアホール内に形成したカーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体とＣｕの下部配線層及びＣｕの上部配線層との接続において，前記炭素元素円筒型構造体と前記上部配線層との間にＴｉ層を挿入し，前記炭素元素円筒型構造体と前記上部配線層との接続を，間に介在する前記Ｔｉ層のカーバイド化（ＴｉＣ化）による，オーミック接続とすることによって，接続部の電気抵抗の上昇を避けることができることが理解できるものといえる。
　
ウ　そして，引用発明の配線構造と，引用例２に記載された配線の接続部の構造は，いずれも，ビアホール内に形成したカーボンナノチューブとＣｕの下部配線層及びＣｕの上部配線層との接続である点で共通する構造を有しているといえる。
　
エ　そうすると，引用発明において，配線構造内の電気抵抗の上昇を避けることが望ましいことは明らかであり，一方，ビアホール内に形成したカーボンナノチューブとＣｕの下部配線層及びＣｕの上部配線層との接続部の電気抵抗の上昇を避けるためには，カーボンナノチューブに代表される炭素元素円筒型構造体と上部配線層との間にＴｉ層を挿入し，前記炭素元素円筒型構造体と前記上部配線層との接続を，間に介在する前記Ｔｉ層のカーバイド化（ＴｉＣ化）による，オーミック接続とすることが必要であることが引用例２の記載から理解できるのであるから，引用発明と引用例２に接した当業者であれば，引用発明において，配線構造内の電気抵抗の上昇を避けるために，引用例２に記載された構造を採用して，カーボンナノチューブと上層配線層との間にＴｉ層をコンタクト層として挿入し，前記カーボンナノチューブと前記上層配線層との接続を，間に介在する前記Ｔｉ層のカーバイド化（ＴｉＣ化）による，オーミック接続とすること，すなわち，引用発明において，上記相違点２について本願補正発明１の構成とすることは当業者にとって容易といえる。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
・相違点３について
ア　上記の周知例１の上記摘記（周１ｂ）の「導電層３４は，銅または任意の他の適切な導電材料３４ａを含む。短絡および他の問題の原因となる，ビア２４の周囲の誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透は，防止することが望ましい。１つの実施例においては，導電材料３４ａの堆積の前に，バリヤ材料３４ｂが接点構造４０上に堆積され，誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透を実質的に防止する。」との記載，下記の周知例２の「導電層は，銅，アルミニウム，銀などのような，どの金属性の導電性物質であってもよい。この際，導電層は，付着層，拡散層および反射防止層（ただし，例えばＴｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ,および/またはこれら物質の組み合わせ）を一般的に備えることができる。」との記載及び周知例３の「Ｃｕを配線材として用いる際には，Ｃｕの絶縁膜中への拡散およびＣｕの腐食を防止するために，Ｃｕの周囲にバリア層を設けられる。」との記載に照らして，配線材料に含まれる銅の絶縁膜中への拡散及び前記銅の腐食等が問題となっていたこと，並びに，前記問題を解決する手段として，前記銅を含む配線材料を堆積する前に，前記銅の絶縁膜中への拡散及び前記銅の腐食の防止等の機能を備えた層を堆積しておく方法が，いずれも周知であったことが認められる。
　
イ　してみれば，上層配線層を銅を使用して形成した構造を備えた引用発明について，配線層に含まれる銅の拡散と腐食を防止する必要があることは当業者であれば当然に思い至るといえるから，引用発明に前記周知の方法を適用して，銅を使用して形成した上層配線層を堆積する前に，前記銅の絶縁膜中への拡散及び前記銅の腐食の防止等の機能を備えた層を堆積しておくことに格別の困難は認められない。
　また，引用例１の上記摘記（１ｃ）の，「例えば銅，アルミニウム等の金属材料又はそれらを含む積層金属材料」との記載における「又はそれらを含む積層金属材料」の「積層金属材料」は，銅の絶縁膜中への拡散および銅の腐食の防止等の機能を備えた層を積層した構造を有する積層金属材料を示唆しているものとも解される。
　
ウ　そして，周知例１の「バリヤ材料３４ｂは，窒化タンタル，または特定の必要に応じて誘電体２６内への導電材料３４ａの浸透を防止するのに適する任意の他の材料を含む。」との記載，周知例２の「例えばＴｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ,および/またはこれら物質の組み合わせ」との記載，周知例３の「この導体バリア層には，Ｃｕの拡散防止能力が高いこと，下地となる絶縁物およびＣｕ配線部との密着性，プロセス上の熱的安定性等の理由から，比較的高融点であるチタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）などの金属およびその窒化物，またはそれらにＳｉなどを添加した３元系もしくは４元系の窒化物，もしくはそれらを積層したものが用いられる。」との記載に照らして，前記銅の絶縁膜中への拡散および銅の腐食の防止等の機能を備えた層として，「チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）などの金属およびその窒化物」等からなる層が想定されるところ，周知例３の「Ｃｕと密着性の良いＴａをＣｕと接する上層とし」，「ＴａはＣｕと反応しないため，合金化による配線抵抗増大が生じない。」，「Ｔｉをバリア膜の最下層として用いることによって，下地および下層配線のＣｕとの密着性を確保できるとともに，上層配線中またはビア中のＣｕと接する部分をＴａとすることによって，上層配線またはビアの主配線材とバリア膜との密着性を確保できる。」との記載からも明らかなように，ＴａはＣｕと密着性が良く，また，ＴａはＣｕと反応しないため，合金化による配線抵抗増大が生じないことが知られていたのであるから，上記「相違点２について」で検討したように，Ｔｉからなるコンタクト層を，カーボンナノチューブと接触する側に挿入した場合において，上層配線中のＣｕと接する側に，Ｔａからなるコンタクト層を形成して，前記銅の絶縁膜中への拡散および銅の腐食の防止等を図ること，すなわち，引用発明において，上記相違点３について本願補正発明１の構成とすることは当業者にとって容易である。また，このような構成にしたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
・周知例２：特表２００３−５２３６０８号公報
（周２ａ）「電子部品は，第１導電層，第１導電層の上に非導電層，そして非導電層の上に第２導電層を備えている。非導電層には，非導電層を完全に貫通している少なくとも１つのホールが備えられている。このホールには，少なくとも１つのナノチューブが含まれており，このチューブを介して，第１導電層が第２導電層に導電して接続されている。
　電子部品に導電接続を製造するための方法では，第１導電層の上に非導電層を析出させる。非導電層を貫通する，ホールを形成し，ホールに少なくとも１つのナノチューブを成長させる。続いて，第２導電層を，第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
　電子部品の製造方法では，第１工程で，第１導電層が用意される。第１導電層の上に非導電層を析出させる。そして非導電層を貫通するホールを製造（例えば，エッチング）する。ホールには，少なくとも１つのナノチューブを成長させる。そして，第２導電層を，第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
　本発明によって，たとえ大変小さな直径であり，大きな縦横比を有するコンタクトホールの場合でも，非導電層によって相互に電気的に分断されている２つの導電層の間に，信頼できる，電気的に導電性の接続を作り出すことが可能である。例えば，
導電層は，銅
であってもよい
この際，導電層は，付着層，拡散層および反射防止層（ただし，例えばＴｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ,および/またはこれら物質の組み合わせ）を一般的に備えることができる
　
・周知例３：特開２００４−３１４９７号公報
（周３ａ）「【
従来の技術
　従来，半導体装置の配線材料にはアルミニウム（Ａｌ）もしくはＡｌ合金が広く用いられてきた。しかし，半導体装置の微細化および高速化の進行に伴い，配線における伝送遅延を改善するうえで，
配線材料としてより低抵抗な銅（Ｃｕ）が用いられる
　Ｃｕ配線を形成する場合には，ドライエッチングによる加工が困難であるため，一般にダマシン法が用いられている。半導体基板上に形成された絶縁膜上に溝または孔を形成した後にＣｕを埋設し，配線溝または配線間接続孔となる凹部以外の表面にある余剰なＣｕを研磨することでＣｕ配線を形成する。配線層における溝配線形成と，異なる配線層間を接続するビアプラグ層を個別に形成する手法をシングルダマシンと呼ぶのに対して，配線溝と接続孔に対して同時にＣｕを充填して形成する手法はデュアルダマシン法と呼ばれる。シングルダマシン法では，配線層を一層形成するために，プラグと配線層のそれぞれに対して配線材の成膜および余剰配線材のＣＭＰなどの工程が必要であるのに対し，デュアルダマシン法では各工程を一度ずつ行うだけでよいことから，コストと製造に要する時間を低減できる利点がある。どちらのダマシン法においても，
Ｃｕを配線材として用いる際には，Ｃｕの絶縁膜中への拡散およびＣｕの腐食を防止するために，Ｃｕの周囲にバリア層を設けられる
　図７は，従来の多層配線形成について工程毎の断面を模式的に表わしたものである。図７ａにおいて，基板（図示せず）上に形成された絶縁膜１によって分断された配線２とカバー絶縁膜３を有する，下地となる配線層が準備される。この上に絶縁膜４を成膜し（図７ｂ），その後リソグラフィーと異方性エッチングによって，絶縁膜中に配線溝および配線孔を形成する（図７ｃ）。その後，導体膜であるバリア膜５を形成し（図７ｄ），Ｃｕ６を埋め込む（図７ｅ）。次に，化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）によって配線溝もしくは配線孔以外の余剰なＣｕおよび導体バリア膜を除去し（図７ｆ），絶縁物であるバリア膜７を成膜することで，下面および側面を導体であるバリアメタル層で，上面を絶縁膜であるバリア層で覆われたＣｕ配線構造が形成される。
　この
導体バリア層には，Ｃｕの拡散防止能力が高いこと，下地となる絶縁物およびＣｕ配線部との密着性，プロセス上の熱的安定性等の理由から
チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）
などの金属
もしくはそれらを積層したものが用いられる
現在一般的に用いられている構造は
Ｃｕと密着性の良いＴａをＣｕと接する上層とし
ＴａはＣｕと反応しないため，合金化による配線抵抗増大が生じない
　しかしながら，多層配線を形成する際においては，下層と上層の配線層が接続する部分において，下層配線層上面のＣｕと上層配線層の底に位置するバリアメタル膜のＴａＮが接触する構造となる。ＴａＮとＣｕは密着性に劣るため，電気的，物理的ストレスにより，接続部での剥離やボイド形成による信頼性劣化の問題が生じる。特許公開公報の特開２００１−２９８０８４（文献１）では，あるビア径に対して，配線幅がビア径の７倍以上のときに，ビア下およびビア中でのボイド生成による断線不良が生じ，１５０℃付近で最も加速されると報告されている。同様の問題がＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　２００２，ｐ３１２−３２１（文献２）で報告されており，ビアが接続する下層配線が太幅のとき，接続部の下層配線表面でボイドが生じており，１９０℃の恒温保管で不良が最も加速するとしている。このようなストレスに起因する不良は素子微細化によりビア径がさらに縮小されたときにますます顕著になることが予想される。
　このような問題に対して，例えば特許公開公報の特開２００１−２３９８８（文献３）においては，図８ａに示すような，Ｔｉ，ＴｉとＮの化学的組成比がＴｉ：Ｎ＝１：１に近い窒化チタン（ＴｉＮ）または窒化タングステン（ＷＮ），Ｔａを順次積層したバリア膜構造が提案されている。
Ｔｉをバリア膜の最下層として用いることによって，下地および下層配線のＣｕとの密着性を確保できるとともに，上層配線中またはビア中のＣｕと接する部分をＴａとすることによって，上層配線またはビアの主配線材とバリア膜との密着性を確保できる
　また，図８ｂに示されるように，上記図従来１の構造のＴａ部分をＴａに比してＣＭＰが容易でバリア性の高いＴａＮを含むＴａ／ＴａＮの積層構造とすることによって，バリア性を向上しつつ，ＣＭＰを容易にすることも提案されている。また，最下層のＴｉの代わりに，組成比において化学的にＴｉが過剰である窒化チタンＴｉＮｘを用いることが可能であることも記述されている。」（【０００２】−【０００８】）
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年４月１５日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下され，平成２２年８月９日に提出された手続補正書でした補正も却下されているので，本願の請求項１−７に係る発明は，平成２１年１１月２４日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−７に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりであると認める。
　なお，請求項１に「層間配線膜」と記載されているが，これは「層間絶縁膜」の誤記と認められるので，下記のように認定した。
　
「下部配線層と，
　前記下部配線層上に形成された層間絶縁膜と，
　前記層間絶縁膜上に形成された上部配線層と，
　前記層間絶縁膜を貫通するビアと，
　前記ビア内に形成され，前記下部配線層と前記上部配線層を電気的に接続する多層カーボンナノチューブと，を有し，
　前記上部配線層は，Ｔｉよりなるコンタクト層と，前記コンタクト層上に形成された配線部を含み，
　前記多層カーボンナノチューブの先端部分は開端されており，
　前記多層カーボンナノチューブと前記コンタクト層との間にＴｉＣ接合部が形成されていることを特徴とする配線構造。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−２に記載されている事項は，上記「第２　３　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　３　（４）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。