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　特願２００６−１３７１１４「ＧａＮ単結晶基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　９日出願公開、特開２００６−３０６７２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２４日（優先権主張平成１６年３月１７日）に出願した特願２００４−２７６３３７号の一部を平成１８年５月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年７月１４日付けの拒絶理由が通知され、同年８月２９日に意見書とともに手続補正書が提出され、平成１９年４月２日付けの拒絶理由が通知され、同年５月２８日に意見書とともに手続補正書が提出され、同年１０月１２日付けの拒絶理由が通知され、同年１２月１４日に意見書とともに手続補正書が提出され、平成２０年１月９日付けで拒絶査定された。
　これに対し、平成２０年２月２０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものであり、その後、平成２２年９月９日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、同年１０月２８日に回答書が提出され、平成２３年３月４日付けの拒絶理由が当審より通知されるとともに、同日付けで平成２０年２月２０日付け手続補正が却下され、平成２３年４月１９日に意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１２月１４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載によれば、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「ＧａＮ自立基板であって表面と裏面を持ち表裏面が平行であり表面のＣ面からのオフ角度が１０゜以上２０゜以下であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において、平成２３年３月４日付けで通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
「本願発明は、本願の出願の日前に頒布された引用文献１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
　
４．引用文献の記載事項
４−１．引用文献１：特開２００２−１４５７００号公報
（ア）「【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロエピタキシャル成長面を有するサファイア基板および基板上に成長させたＩＩＩ族窒化物単結晶層を有する半導体素子、ならびに、菱面体晶系結晶構造の結晶基板上に窒化物材料の結晶層を備えた電子部品および結晶成長方法に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「本実施の形態におけるサファイア基板は、従来のＩｎＧａＡｌＮを少なくとも一層含む半導体素子用基板とは、以下の点で異なる。従来では、サファイアのＭ面ジャスト面をヘテロエピタキシャル成長面としていた。これに対し、本実施の形態では、サファイアのＭ面に対して通常のオフ角度よりも大きな角度で傾斜した表面をヘテロエピタキシャル成長面とし、例えばＧａＮなどの窒化物材料の結晶膜を形成するようにした。
　従って、本実施の形態における特徴的なサファイア基板を、サファイアＭ面オフ基板と呼び、このヘテロエピタキシャル成長面をＭ面オフ面と呼ぶ。なお、以下の説明においては、基板の表面（裏面、側面と区別しての表面）がヘテロエピタキシャル成長面となっている。・・・・・・」（段落【００２７】〜【００２８】）
（ウ）「サファイアＭ面オフ基板の表面（ヘテロエピタキシャル成長面）が、サファイア基板のｃ軸を回転軸として８°から２０°回転された傾斜（傾斜角すなわちオフ角度は回転角に等しい）を有する場合、基板の傾斜した方向に基板上に結晶のステップが形成されている。このステップがＭ面ジャスト面上に発生する双晶の発生を抑制する。」（段落【００３０】）
（エ）「極点図を示す図３（ａ），図３（ｂ）において、リング状に示されている方位が、試料の面内回転に対応している。また、０゜，３０゜，６０゜，および９０゜と表記してある方位が、煽りの回転方位に対応している。図２（ａ）に対応する図３（ａ）では、２つのピークを観測されている。このことは、ＧａＮ（０００２）が異なった２方向に配向して結晶中に含まれていることを意味している。従って、図３（ａ）の場合には、双晶が発生していることが明らかである。
　これに対して、図２（ｂ）に対応する図３（ｂ）では、単峰性となっている。つまり、結晶中には、一方向に揃ってＧａＮ（０００２）が配向していることになる。従って、図３（ｂ）の場合には、単結晶成長していると言える。以上の実験結果から、Ｍ面ジャスト基板では明らかに双晶が発生するのに対して、Ｍ面から１５゜傾斜した基板では、単結晶成長が実現できることが明確となった。なお、図３（ｃ），図３（ｄ）は、各々図３（ａ），図３（ｂ）対応した結晶の配向の様子を示す模式図である。」（段落【００４６】〜【００４７】）
（オ）「以上述べてきたように、基板を１５°前後に傾斜することにより、良好なＧａＮ結晶を得ることができた。図４に示されているように、傾斜なしの場合よりも良好な特性は、傾斜角８°から２０°において現れ、特に良好な特性は、傾斜角１３°から１８°において現れるものと予想される。」（段落【００４９】）
（カ）「結晶を４結晶Ｘ線回折装置を用いて極点図の測定を行った結果を示す特性図」と題され、「用いた反射面は（０００２）面」である、図３（１３頁）をみると、Ｍ面ジャスト基板では、ＧａＮ結晶の［０００１］方向がＭ面に対し±３２°の方向に傾き（図３（ａ）、（ｃ））、Ｍ面をサファイアのｃ軸を中心に１５°回転した基板（Ｍ面オフ基板）では、ＧａＮ単結晶の［０００１］方向が前記Ｍ面をサファイアのｃ軸を中心に１５°回転した面の面法線方向に向いている（図３（ｂ）、（ｄ））ことを窺うことができる。
　
４−２．引用文献２：特開２００２−１６０００号公報
（キ）「六方晶系の窒化物系半導体からなる窒化物系半導体基板であって、（０００１）面から所定の方向に所定の角度傾斜した傾斜面を有し、前記傾斜面の傾斜角度が１度以上２０度以下であることを特徴とする窒化物系半導体基板。」（特許請求の範囲【請求項１】）
（ク）「前記窒化物系半導体基板はＧａＮから構成されることを特徴とする請求項１または２記載の窒化物系半導体基板。」（特許請求の範囲【請求項３】）
（ケ）「【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明者が種々の実験および検討を行った結果、ＧａＮ基板では、上記の特開平１１−２３３３９１号の開示内容とは逆の発想でオフ角度を０．０２〜０．６度の範囲よりも大きくした場合において、結晶性の良好な窒化物系半導体層が得られることを見出した。そして、この結果に基づいて以下の本発明を案出した。」（段落【００２２】）
（コ）「図１は、本発明に係る窒化物系半導体基板の製造方法の例を示す模式的な工程断面図である。
　まず、図１（ａ）に示すように、（０００１）面を主面とするｎ−ＧａＮ基板１ａを用意する。
　次に、図１（ｂ）に示すように、図中のＡ−Ａ線上のｎ−ＧａＮ基板１ａの領域を研磨して除去する。それにより、（０００１）面から所定の方向（以下、オフ方向と呼ぶ）に所定の角度（以下、オフ角度と呼ぶ）Ｂだけ傾斜した面（以下、オフ面と呼ぶ）を露出させる。
　ここで、ｎ−ＧａＮ基板１におけるオフ角度Ｂは、１〜２０°の範囲内の所定の角度とする。・・・・・・」（段落【００４６】〜【００４９】）
（サ）「本発明に係る窒化物系半導体基板の製造方法の例を示す模式的な工程断面図」と題された、図１（ａ）（１１頁）をみると、下地基板のない「ｎ−ＧａＮ基板１ａ」を窺うことができる。
（シ）「また、本発明に係る窒化物系半導体基板の他の製造方法は、ワイヤーソー等でほぼ所定のオフ角度で基板状に切り出し、その基板の表面を鏡面研磨することにより所定のオフ角度の基板を製造してもよい。」（段落【００５２】）
（ス）「【実施例】（実施例１）実施例１においては、図１に示す方法により、オフ角度が１〜２０°の範囲内でそれぞれ異なるｎ−ＧａＮオフ基板１を作製した。
　・・・・・・ 
　実施例１におけるＡｌＧａＮ層１５の転位密度の測定結果を表２および図９に示す。
　【表２】」（段落【０１１８】〜【０１２１】）
（セ）表２をみると、オフ角度が０．５°、１°、２°、５°、１０°、２０°、２５°のｎ−ＧａＮオフ基板が例示されている。
　
４−３．引用文献３：特開２００３−３４５９９号公報
（ソ）「（実施形態１）本発明の実施形態１におけるＧａＮ基板の製造方法を、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態のＧａＮ基板の製造方法を表す工程断面図である。
　・・・・・・
　次に、図１（ｄ）に示す工程で、サファイア基板１１と、ＩｎＮ層１３およびＧａＮ層１４とを分離する。
　・・・・・・ 
　次に、図１（ｅ）に示す工程で、ＧａＮ層１４の下に形成されているＩｎＮ層１３を研磨により除去する。このことにより、自立したＧａＮ基板１４ａが得られる。・・・・・・」（段落【００４６】〜【００５１】）
（タ）「本発明の実施形態１のＧａＮ基板の製造方法を表す工程断面図」と題された、図１（ｅ）（１７頁）をみると、自立したＧａＮ基板１４ａを窺うことができる。
（チ）「（実施形態９）本実施形態では、上記実施形態１〜８で得られるＧａＮ基板１４ａ、６４ａ、６７ａおよび７０ａのいずれかを用いて、多数のＧａＮ基板を作製する方法を説明する。
　例えば、上記実施形態１で得られる、２インチ径のＧａＮ基板１４ａをＨＶＰＥ炉内に導入する。７５０℃でＧａＮ基板１４ａをアンモニア雰囲気中で熱処理した後、実施形態１と同様に、１０５０℃にまで加熱し、厚さが１０ｍｍとなるまで成長する。その後、室温まで冷却し、ＨＶＰＥ炉内から取り出す。次いで、スライサーを用いてｃ軸に直角方向に厚さ３００μｍでスライスすることによって、３０枚のＧａＮ基板を得ることができる。」（段落【０１７３】〜【０１７４】）
　
５．引用発明
（ａ）引用文献１には、記載事項（ア）に、「・・・・・・ヘテロエピタキシャル成長面を有するサファイア基板および基板上に成長させたＩＩＩ族窒化物単結晶層を有する半導体素子・・・・・・」が記載されている。
（ｂ）上記「ヘテロエピタキシャル成長面」について、記載事項（ウ）に、「サファイアＭ面オフ基板の表面（ヘテロエピタキシャル成長面）が、サファイア基板のｃ軸を回転軸として８°から２０°回転された傾斜（傾斜角すなわちオフ角度は回転角に等しい）を有する場合・・・・・・」と記載されており、該「ヘテロエピタキシャル成長面」は「８°から２０°のオフ角度」を有しているといえる。
（ｃ）上記「基板上に成長させたＩＩＩ族窒化物単結晶層」について、記載事項（イ）に、「・・・・・・本実施の形態では、サファイアのＭ面に対して通常のオフ角度よりも大きな角度で傾斜した表面をヘテロエピタキシャル成長面とし、例えばＧａＮなどの窒化物材料の結晶膜を形成するようにした。」と記載されており、前記「ＩＩＩ族窒化物単結晶層」とは「ＧａＮ単結晶層」を指しているといえる。
（ｄ）「８°から２０°のオフ角度」を有する「ヘテロエピタキシャル成長面」に「ＧａＮ単結晶層」を成長させると、記載事項（エ）に、「・・・・・・図２（ｂ）に対応する図３（ｂ）では、単峰性となっている。つまり、結晶中には、一方向に揃ってＧａＮ（０００２）が配向していることになる。従って、図３（ｂ）の場合には、単結晶成長していると言える。・・・・・・」と記載され、視認事項（カ）より、Ｍ面オフ面の面法線方向にＧａＮ結晶の［０００１］方向が向いていることから、ＧａＮ結晶のＣ面（（０００１）面）も８°から２０°傾いているといえ、「ＧａＮ単結晶層」のＣ面からのオフ角度も８°から２０°であるとみることができる。
　
（ｅ）上記（ａ）〜（ｄ）の検討を踏まえ、記載事項（ア）〜（カ）の事項を本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「８°から２０°のオフ角度のヘテロエピタキシャル成長面を有するサファイア基板上に、Ｃ面からのオフ角度が８°から２０°であるＧａＮ単結晶層を成長させた、サファイア基板及びＧａＮ単結晶層。」（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
６．対比・判断
　本願発明と引用発明とを比較する。
（ａ）引用発明の「オフ角度」は、本願発明の「オフ角度」と、その角度範囲が「１０°以上２０°以下である」点で重複する。 
（ｂ）引用発明の「サファイア基板上に」「ＧａＮ単結晶層を成長させた、サファイア基板及びＧａＮ単結晶層」の「ＧａＮ単結晶層」は、本願発明の「ＧａＮ単結晶基板」と「ＧａＮ単結晶層」である点で共通する。
　
　上記（ａ）、（ｂ）を踏まえると、両者は、
 「Ｃ面からのオフ角度が１０゜以上２０゜以下であるＧａＮ単結晶層。」 
 である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・相違点Ａ
　本願発明は、「ＧａＮ自立基板」としての「ＧａＮ単結晶基板」であるのに対し、引用発明では、「サファイア基板及びＧａＮ単結晶層」であって、かかる事項を有していない点。
　
・相違点Ｂ
　本願発明は、「表面と裏面を持ち表裏面が平行」な「ＧａＮ自立基板」であるのに対し、引用発明では、「サファイア基板及びＧａＮ単結晶層」であって、かかる事項を有していない点。
　
　上記相違点Ａ、Ｂについて検討する。
・相違点Ａについて
「ＧａＮ自立基板」について、本願明細書の段落【００７０】には、「ＧａＡｓ基板１〜４２を下地基板として上記の条件でＧａＮ厚膜を成長させた。そのあとＧａＡｓ基板をエッチングによって除去した。それによって１ｍｍ厚みの自立ＧａＮ結晶基板が得られた。」と記載されており、下地基板が存在しないＧａＮ基板が「ＧａＮ自立基板」であるといえる。 
　一方、引用文献３には、記載事項（ソ）に、「図１（ｄ）に示す工程で、サファイア基板１１と、ＩｎＮ層１３およびＧａＮ層１４とを分離する。 
 　・・・・・・ 
 　次に、図１（ｅ）に示す工程で、ＧａＮ層１４の下に形成されているＩｎＮ層１３を研磨により除去する。このことにより、自立したＧａＮ基板１４ａが得られる。」と記載され、記載事項（チ）には、「例えば、上記実施形態１で得られる、２インチ径のＧａＮ基板１４ａをＨＶＰＥ炉内に導入する。７５０℃でＧａＮ基板１４ａをアンモニア雰囲気中で熱処理した後、実施形態１と同様に、１０５０℃にまで加熱し、厚さが１０ｍｍとなるまで成長する。その後、室温まで冷却し、ＨＶＰＥ炉内から取り出す。次いで、スライサーを用いてｃ軸に直角方向に厚さ３００μｍでスライスすることによって、３０枚のＧａＮ基板を得ることができる。」と記載されている。
（下地基板を除去することで（自立した）ＧａＮ基板とすることは、特開平１０−１９００５３号公報（段落【００３１】を参照）、特開平８−１１６０９０号公報（請求項１、図１を参照）等にも開示されている。）
　
　そして、引用文献１と引用文献３とでは、「ＧａＮ単結晶を成長させた基板」という同一の技術分野に属し、かつ、良好な結晶を得るという課題も共通することから、引用発明の「サファイア基板上に」「ＧａＮ単結晶を成長させた、サファイア基板及びＧａＮ単結晶層」に換えて、引用文献３と同様に、ＧａＮ単結晶層を成長させたのち、サファイア基板（下地基板）を除去して「ＧａＮ自立基板」とすることで、相違点Ａに係る本願発明の特定事項をなすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
・相違点Ｂについて
「表面と裏面を持ち表裏面が平行」であることについて、本願明細書の段落【００９８】には、「・・・・・・ＧａＡｓ基板の上にパターンＡ、ＢのＥＬＯマスクを形成しあるいは形成しないものを下地基板として初め薄いバッファ層、のちに厚い（１０ｍｍ）エピ層を成長させて成長面に平行に切断してオフアングルの複数枚のＧａＮウエハを作製し・・・・・・」と記載され、同段落【０１０７】〜【０１０９】には、「・・・・・・裏面の平坦面を基準面にして、ワイヤーソーによって裏面法線に垂直の方向にインゴットを切断した。４００μｍ厚みのＧａＮウエハを１０枚切り出すことができた。
・・・・・・
このようにオフアングルＧａＡｓ基板上にＧａＮを厚膜成長し面平行に切り出す手法によると、より数多くのオフアングルのＧａＮウエハを得ることができる。・・・・・・」と記載され、同段落【０１１８】には、「・・・・・・裏面の平坦面を基準面としてワイヤソーで裏面平行に切断した。４００μｍ厚みのウエハを１０枚切り出すことができた。・・・・・・」と記載されており、厚い単結晶（インゴット等）をワイヤーソー等で切断したものが、「表面と裏面を持ち表裏面が平行」な「ＧａＮ自立基板」であるといえる。
　一方、引用文献２には、記載事項（コ）に、「図１は、本発明に係る窒化物系半導体基板の製造方法の例を示す模式的な工程断面図である。
　まず、図１（ａ）に示すように、（０００１）面を主面とするｎ−ＧａＮ基板１ａを用意する。
　次に、図１（ｂ）に示すように、図中のＡ−Ａ線上のｎ−ＧａＮ基板１ａの領域を研磨して除去する。それにより、（０００１）面から所定の方向（以下、オフ方向と呼ぶ）に所定の角度（以下、オフ角度と呼ぶ）Ｂだけ傾斜した面（以下、オフ面と呼ぶ）を露出させる。
　ここで、ｎ−ＧａＮ基板１におけるオフ角度Ｂは、１〜２０°の範囲内の所定の角度とする。・・・・・・」と記載されており、この記載事項から、「オフ角度が１〜２０°のＧａＮ基板」が記載されているといえ、この「オフ角度が１〜２０°のＧａＮ基板」には、視認事項（サ）より、下地基板が存在しないことから、引用文献２には、「オフ角度が１〜２０°」の「ＧａＮ自立基板」が記載されているといえ、また、引用文献２には、記載事項（シ）に、「また、本発明に係る窒化物系半導体基板の他の製造方法は、ワイヤーソー等でほぼ所定のオフ角度で基板状に切り出し、その基板の表面を鏡面研磨することにより所定のオフ角度の基板を製造してもよい。」と記載されていることから、この「ワイヤーソー等でほぼ所定のオフ角度で基板状に切り出し」た基板は、本願発明と同様に、「表面と裏面を持ち表裏面が平行」であるといえる。
　そして、引用文献１と引用文献２とでは、「１０°から２０°のオフ角度を有する基板」という同一の技術分野に属し、かつ、良好な結晶を得るという課題も共通することから、引用発明の「サファイア基板上に」「ＧａＮ単結晶を成長させた、サファイア基板及びＧａＮ単結晶層」を、上記「相違点Ａについて」で検討したように、「ＧａＮ自立基板」とする際、引用文献２と同様に、「表面と裏面を持ち表裏面が平行」な「ＧａＮ自立基板」とすることで、相違点Ｂにかかる本願発明の特定事項をなすことは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
７．意見書における主張について
　なお、請求人は平成２３年４月１９日付けの意見書において、以下の点を主張している。
　
（１）（平成２３年３月４日付け拒絶理由における、（３−２−２）対比・判断の）「上記（ｅ）、（ｆ）を踏まえると、両者は、『Ｃ面からのオフ角度が１０゜よりも大きく２０゜以下であるＧａＮ単結晶を成長させた基板』である点で一致し、」とあるのは誤りであり、引用文献１はＣ面からのオフ角度が４０゜〜５７゜であるから、オフ角度は一致せず、不一致である。
　
（２）引用文献１のＧａＮ単結晶層は、１時間掛けて０．９５μｍしか成長できないものであるから、本願のように、１０時間程度で１ｍｍのＧａＮ結晶厚膜（基板）を得ることは困難である。
　
　上記主張について検討する。
（１）について、引用文献１の記載事項（エ）及び視認事項（カ）によれば、Ｍ面ジャスト基板のときに、ＧａＮ結晶のｃ軸が±３２°傾いており（図３（ｃ）参照）、このときのＸ線回折強度は±３２°でピークとなること（図３（ａ）を参照）が示されている。一方、Ｍ面から１５°傾斜した基板では、ＧａＮ結晶が単峰性となること（図３（ｄ）を参照）、このときのＸ線回折強度が０°でピークとなること（図３（ｂ）を参照）が示されており、
前記Ｍ面の法線から１５°傾斜した直線がＧａＮ単結晶のｃ軸になっている。つまり、このｃ軸（Ｃ面の法線）とＭ面（ＧａＮ単結晶の成長面）の法線との角度が１５°である。いい換えると、ＧａＮ単結晶の成長面（Ｍ面）とＧａＮ単結晶のＣ面との角度（オフ角度）が１５°であるといえるので、上記主張は採用できない。
　
（２）について、本願発明は製膜条件を特定しておらず、上記主張は特許請求の範囲の記載に基づかない主張であるので採用できない。
　なお、引用文献３（段落【００４８】を参照）や上記特開平１０−１９００５９号公報（段落【００２４】、【００２７】を参照）には、ＧａＮ層を５０μｍ／ｈの速度で成長させる点が開示されており、本願のように、１０時間程度で１ｍｍ（１００μｍ／ｈ程度）のＧａＮ結晶を得ることに、格別なる困難性があるとはいえない。
　
８．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。