【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】  適当な基体をポジ型フォトレジスト組成物でコーティングすることにより基体上に写真像を形成することによって半導体デバイスを製造する方法において、
ａ) 酸触媒の存在下に、ホルムアルデヒドと一種類以上のフェノール化合物とを縮合させ、それによってノボラック樹脂縮合生成物を生成し、未反応の置換フェノールを除き；
ｂ) このノボラック樹脂縮合生成物にフォトレジスト溶剤、次いで水溶性極性有  機溶剤および水をフォトレジスト溶剤：水溶性極性有機溶剤：水＝（１〜９）  ：（１〜５）：（３〜７）の比で添加し、それによってノボラック樹脂縮合物  の溶液を生じさせ、上側溶液層と下側溶液層との二つの層に分離し、次いで上  側層を除き；
ｃ) 段階ｂ) の後に残留した下側溶液層に水溶性極性有機溶剤および水を水溶性  極性有機溶剤：水＝（１〜１０）：（１０〜１）の比で添加し、それによって  段階ｂ) からの下側溶液層を上側溶液層と下側溶液層との二つの層に分離し、次いで上側層を除き；
ｄ) 残留したあらゆる水および水溶性極性有機溶剤を除き、それによって、分別された造膜性のノボラック樹脂溶液を生じさせ；
ｅ)  1) フォトレジスト組成物を感光化させるのに十分な量の感光性成分、2)段階ｄ) から得られる造膜性ノボラック樹脂、および3)追加のフォトレジスト溶剤を含む混合物を調製し、それによってフォトレジスト組成物を生成し；
ｆ）適当な基体を、段階ｅ) から得られるフォトレジスト組成物でコーティングし；
ｇ) 実質的に全てのフォトレジスト溶剤が除かれるまで、段階ｆ) から得られるコーティングされた基体を熱処理し；その感光性組成物を像様露光し、そし  てこの組成物の像様露光された領域を適当な現像剤で除く；
ことを含む上記方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
フォトレジスト組成物は、コンピューターチップおよび集積回路等の小型化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフ−プロセスにおいて使用される。通常、この方法では、集積回路を造るために使用されるシリコンウェーハ等の基体材料にフォトレジスト組成物のフィルムを最初に薄くコーティングする。次いで、コーティングされた基体をベーク（加熱処理) し、フォトレジスト組成物中の溶剤を蒸発させ、そして基体上にこの塗膜を定着させる。次に、この基体のコーティングされベークされた表面を像様露光させる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
この露光により、コーティングされた表面の露光された領域で化学的な変化が生ずる。可視光線、紫外線光(UV)、電子線およびX-線の放射エネルギーは現在、マイクロリソグラフ−プロセスにおいて通常使用される種類の放射線である。この像様露光(image-wise exposure) の後に、コーティングされた基体を現像剤溶液で処理して、基体のコーティングされた表面の露光された領域または露光されていない領域を溶解・除去する。  
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
フォトレジスト組成物にはネガ型とポジ型の二つのタイプのものがある。ネガ型フォトレジスト組成物を像様露光した場合は、露光された領域のレジスト組成物が現像剤溶液に対して溶けにくくなり（例えば、架橋反応が生ずる）、一方フォトレジスト膜の非露光領域はこのような溶液に対して比較的可溶のままである。それゆえ、露光したネガ型レジストを現像剤で処理することにより、フォトレジスト膜の非露光領域が除去され、そして膜にネガ型の像が形成される。それにより、フォトレジスト組成物が付着していた下側の基体表面の所望の部分が露出される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
一方、ポジ型フォトレジスト組成物を像様露光した場合には、フォトレジスト組成物の露光された領域は現像剤溶液に対してより可溶性になり（例えば、転位反応が生ずる）、そして非露光領域は、現像剤溶液に対して比較的不溶性のまま維持される。それゆえ、露光されたポジ型フォトレジストを現像剤で処理することにより、膜の露光領域が除去されそしてフォトレジスト膜にポジ型の像が形成される。この場合も、下側の基体表面の所望の部分が露出される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この現像操作の後に、今や部分的に保護されていない基体は、基体- エッチング溶液またはプラズマガス等で処理することができる。エッチング溶液またはプラズマガスは、現像の間にフォトレジスト膜が取り除かれた部分の基体をエッチングする。フォトレジスト膜が未だ残る基体領域は保護されており、像様露光に使用されるフォトマスクに対応するエッチングパターンが基体中に形成される。その後、フォトレジスト膜の残りの領域は剥離操作で除去することができ、これによってきれいにエッチングされた基体表面が残る。幾つかの場合には、下側の基体へのフォトレジスト層の接着性およびエッチング溶液に対するフォトレジスト層の耐性を向上させるために、現像段階の後およびエッチング段階の前に、残るフォトレジスト層を熱処理することが望ましい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、感光性組成物において早いフォトスピードおよび高いリソグラフ性能を有すると共に早い溶解速度を示す分別された造膜性ノボラック樹脂の製造法およびかゝるノボラック樹脂を感光性組成物において用いることに関する。本発明はまた早いフォトスピードを有するポジ型フォトレジストを使用して優れた品質の感光性組成物の製造方法にも関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
更に本発明は、優れたリソグラフ性能を持つポジ型フォトレジスト組成物を製造する方法を提供する。この方法は、
ａ) 酸触媒の存在下に、ホルムアルデヒドまたはそれと同等のもの、例えばパラホルムアルデヒドまたはホルマリンを一種類以上のフェノール化合物と縮合（反応）させ、それによってノボラック樹脂縮合生成物を生成し、次に未反応の置換フェノールを、例えばノボラック樹脂縮合生成物を大気圧でおよび次に高温減圧下で蒸留ことによって除き；
ｂ) 段階ａ) から得られるノボラック樹脂縮合生成物にフォトレジスト溶剤、次いで水溶性極性有機溶剤および水、好ましくは脱イオン水をフォトレジスト溶剤：水溶性極性有機溶剤：水＝（１〜９）：（１〜５）：（３〜７）、好ましくは（６〜９）：（１〜３）：（３〜５）の比で添加し、それによってノボラック樹脂縮合生成物の溶液を生じさせ、この溶液を上側層溶液と下側層溶液との二つの層に分離し、未反応フェノール系化合物、低分子量ノボラック樹脂および未使用のモノマーおよびオリゴマーの溶液を含有する上側層を次いで例えばデカンテーションまたは吸引濾過によって除き；
ｃ) 段階ｂ) の後に残留した下側層溶液に水溶性極性有機溶剤および水を水溶性  極性有機溶剤：水＝（１〜１０）：（１０〜１）、好ましくは（２：８）〜（８：２）、特に好ましくは（３：７）〜（７：３）、最も好ましくは（４：６）〜（６：４）の比で添加し、それによって段階ｂ) からの下側層溶液を上側層溶液と下側層溶液との二つの層に分離し、次いでこの上側層を例えばデカンテーションまたは吸引濾過によって除き；
ｄ) 段階Ｃ）から得られる下側層溶液から残留したあらゆる水および水溶性極性有機溶剤を、例えば減圧および低温下に蒸留することによってノボラック樹脂溶液を蒸留することによって除き、ノボラック樹脂にフォトレジスト溶剤を添加しそしてそれによって分別された造膜性のノボラック樹脂溶液を生じさせ；
ｅ)  1)フォトレジスト組成物を感光化させるのに十分な量の感光性成分、2)段階ｄ) から得られる造膜性ノボラック樹脂溶液および3)追加のフォトレジスト溶剤を含む混合物を調製し、それによってフォトレジスト組成物を製造する、ことを含む。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
更に本発明は、適当な基体をポジ型フォトレジスト組成物でコーティングすることによって基体上に写真像を形成することによって半導体デバイスを製造する方法を提供する。この方法は、
ａ) 酸触媒の存在下に、ホルムアルデヒドまたはそれと同等のもの、例えばパラホルムアルデヒドまたはホルマリンを一種類以上のフェノール化合物と縮合（反応）させ、それによってノボラック樹脂縮合生成物を生成し、次に未反応の置換フェノールを、例えばノボラック樹脂縮合生成物を大気圧でおよび次に高温減圧下で蒸留ことによって除き；
ｂ) 段階ａ) から得られるノボラック樹脂縮合生成物にフォトレジスト溶剤、次いで水溶性極性有機溶剤および水、好ましくは脱イオン水をフォトレジスト溶剤：水溶性極性有機溶剤：水＝（１〜９）：（１〜５）：（３〜７）、好まし  くは（６〜９）：（１〜３）：（３〜５）の比で添加し、それによってノボラック樹脂縮合生成物の溶液を生じさせ、この溶液を上側層溶液と下側層溶液との二つの層に分離し、未反応フェノール系化合物、低分子量ノボラック樹脂および未使用のモノマーおよびオリゴマーの溶液を含有する上側層を次いで例えばデカンテーションまたは吸引濾過によって除き；
ｃ) 段階ｂ) の後に残留した下側層溶液に水溶性極性有機溶剤および水を水溶性極性有機溶剤：水＝（１〜１０）：（１０〜１）、好ましくは（２：８）〜（８：２）、特に好ましくは（３：７）〜（７：３）、最も好ましくは（４：６）〜（６：４）の比で添加し、それによって段階ｂ) からの下側層溶液を上側層溶液と下側層溶液との二つの層に分離し、次いでこの上側層を例えばデカンテーションまたは吸引濾過によって除き；
ｄ) 段階Ｃ）から得られる下側層溶液から残留したあらゆる水および水溶性極性有機溶剤を、例えば減圧下および低温下にノボラック樹脂溶液を蒸留することによって除き、ノボラック樹脂に高沸点溶剤を添加しそしてそれによって分別された造膜性のノボラック樹脂溶液を生じさせ；
ｅ)  1) フォトレジスト組成物を感光化させるのに十分な量の感光性成分、2)段階ｄ) から得られる造膜性ノボラック樹脂溶液および3)追加のフォトレジスト溶剤を含む混合物を調製し、それによってフォトレジスト組成物を製造し；
ｆ）適当な基体を、段階ｅ) から得られるフォトレジスト組成物でコーティングし；
ｇ) 実質的に全ての高沸点溶剤およびフォトレジスト溶剤が除かれるまで、段階ｆ) から得られるコーティングされた基体を熱処理し；その感光性組成物を像様露光し、そしてこの組成物の像様露光された領域を適当な現像剤、例えば水 性アルカリ性現像剤を用いて除く、その際に場合によっては、この除去段階の直前もしくは直後に、基体のベーク(baking)処理を行うこともできる、
ことを含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
露光されたフォトレジスト- 被覆基体を、像様露光された領域を除くためにアルカリ性現像溶液中に浸漬することによって現像するかまたは吹付現像方法によって現像する。この溶液は好ましくは、例えば窒素噴込攪拌法によって攪拌する。基体は、全てのまたは実質的に全てのフォトレジスト膜が露光領域から溶解されるまで現像剤中に残す。現像剤としては、アンモニウムまたはアルカリ金属水酸化物の水溶液が包含され得る。好ましい水酸化物はテトラメチルアンモニウム水酸化物である。現像溶液からコーティングされたウェーハを取出した後、膜の接着性、およびエッチング溶液および他の物質に対する耐薬品性を高めるために、任意の現像後熱処理またはベーク処理を行ってもよい。現像後熱処理は、膜および基体を膜の軟化点以下での、炉でベーク処理することも包含し得る。工業的用途、特にケイ素/ 二酸化ケイ素- タイプの基体上にマイクロ回路ユニットを製造する際には、現像した基体を、緩衝されたフッ化水素酸をベースとするエッチング溶液で処理することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、酸をベースとするエッチング溶液に対して耐性がありそして基体の非露光フォトレジスト膜領域に効果的な保護を与える。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
実施例３: 
実施例１の縮合反応を、m-クレゾール219.15ｇ、p-クレゾール175.32ｇおよび2,3,5-トリメチルフェノール55.19g、2-メチルレゾルシノール50.32gより成る5/4/1/1 の比のフェノール化合物 500ｇおよびパラホルムアルデヒド96.56g (クレゾール/ アルデヒド= 1/0.685)および触媒としての蓚酸1.5 ｇを使用して繰り返した。縮合および180 ℃まででの蒸留の後に1096ｇの乳酸エチルを添加し、約30％の固形分含有量溶液とし、GPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。次にアセトン322.8 ｇを添加して24％の固形分含有量溶液とした。次いで脱イオン水 860.04g(46.5 ％w/w ) を添加して、上側層と下側層の二つの層に分けた。適当な量のアセトンおよび水の第二の添加と共に、実施例１に従って残りの操作を行なった。GPC-分子量 (MWw ) 測定データを以下の表２に総括掲載する：
表２
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               4362                     2.46
最初のサイホン吸上層( 上側)    2527                     1.81
最初のフラクション             6014                     2.64
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)    3927                     2.40
微調整されたフラクション       5621                     2.54
───────────────────────────────────
実施例４: 
以下の処方に従い、150 ｇのフォトレジスト試験サンプルを調製した: 
NK-280（Nippon Zeon Co. の、2,1,5-ジアゾナフトキノンスルホニルクロライドに基づく有標感光化剤）                                                         26.07gm  
NK-240（Nippon Zeon Co. の、2,1,4-ジアゾナフトキノンスルホニルクロライドに基づく有標感光化剤）                                                          2.51gm  
実施例３のノボラック樹脂フラクション                                  20.313gm  
ピロガロール（アルドリッチ Co の）                                      0.49gm 
BI26X-SA（Nippon Zeon Co. の有標増速剤）                                3.61gm  
KP-341，Shinetsue Chem. Co. のストライエーション・フリー界面活性剤（乳酸エチル中２％品）                                                               0.012gm  
乳酸エチル                                                             99.44gm  
n-ブチルアセテート                                                     17.55gm  
このフォトレジストサンプルを、HMDSを下塗りしたシリコンウェーハ上に1.083 μｍの膜厚でコーティングし、そしてSVG (R) 8100 I- ラインホットプレートで90℃で60秒間ソフトベークした。0.54 NA NIKON (R) i-線ステッパおよびNIKON (R) レゾリューションレチクルを用いて、露光マトリックスをこのコーティングされたウェーハ上にプリントした。この露光されたウェーハを、インラインホットプレートで110 ℃で70秒間、露光後ベークした。次いで、このウェーハを、AZ (R)300 MIF TMAH（2.38％）現像剤を用いて現像した。HITACHI (R) S-400 SEM を用いて、この現像されたウェーハを検査した。公称線量（DTP)を与えられた図形を正確に複製するのに必要とされる線量を最良の焦点で測定した。解像度および焦点深度(DOF) を測定し、表10に示す。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
実施例５: 
実施例１の縮合反応を、m-クレゾール63.5ｇ、p-クレゾール50.8ｇ、2,3,5-トリメチルフェノール32g 、2-メチルレゾルシノール3.65g より成る5/4/2/0.25の比のクレゾール 150ｇ、パラホルムアルデヒド29.5g ( クレゾール/ アルデヒド= 1/0.7)および触媒の蓚酸0.15ｇを使用して繰り返した。縮合および180 ℃まででの蒸留の後に330.75ｇの乳酸エチルを添加して、約30％の固形分含有量溶液とし、GPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。次にメタノール115.5 ｇを添加して24％の固形分含有量溶液とした。次いで脱イオン水 252.04g(42.9 ％w/w ) を添加して、上側層と下側層の二つの層に分けた。適当な異なる量のメタノールおよび水の第二の添加と共に、実施例１に従って残りの操作を行なった。GPC-MWw データを以下の表３に総括掲載する：
表３
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               2587                    4.348
最初のサイホン吸上層( 上側)    1461                     3.18
最初のフラクション             3249                     4.43
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)     516                     2.21
微調整されたフラクション       3341                     3.36
───────────────────────────────────
実施例６: 
実施例５の縮合反応を、m-クレゾール126.44ｇ、p-クレゾール101.16ｇ、2,3,5-トリメチルフェノール63.69g、2-メチルレゾルシノール8.71g より成る5/4/2/0.3 の比のクレゾール 300ｇ、パラホルムアルデヒド57.63g (クレゾール/ アルデヒド= 1/0.69)および触媒の蓚酸0.9ｇを使用して繰り返す。縮合および180 ℃まででの蒸留の後に658ｇの乳酸エチルを添加して、約30％の固形分含有量とし、GPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。次にメタノール205.82ｇを添加して24％の固形分含有量溶液とした。次いで脱イオン水 449.29g(41 ％w/w ) を添加して二つの層に分けた。異なる量のメタノールおよび水の第二の添加と共に、実施例5 に従って残りの操作を行なった。GPC-MWw データを以下の表４に総括掲載する：
表４
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               3136                     4.76
最初のサイホン吸上層( 上側)    2179                     4.23
最初のフラクション             3944                     4.60
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)     481                     2.79
微調整されたフラクション       3948                     4.89
───────────────────────────────────
実施例７: 
5/4/2/0.35の比のフェノール化合物（m-クレゾール、p-クレゾール、2,3,5-トリメチルフェノール、2-メチルレゾルシノール）およびパラホルムアルデヒドを1/0.69のクレゾール/ パラホルムアルデヒド- 比を使用して正確な条件のもとで実施例６を繰り返す。分別のために４０重量％(W/W) の水を添加する。GPC-MWw データを以下の表５に総括掲載する：
表５
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               4197                     3.86
最初のサイホン吸上層( 上側)    2878                     3.22
最初のフラクション             5465                     3.92
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)     689                     2.66
微調整されたフラクション       5517                     3.41
───────────────────────────────────
実施例８: 
同じクレゾール：パラホルムアルデヒド比を使用して実施例７を繰り返した。しかしながら縮合後に最小量の乳酸エチル28g(樹脂の10重量%)を添加した。樹脂を非常に速やかに冷却すると、樹脂溶液が非常に粘稠になった。メタノール868gを添加して24％の固形分含有量溶液とした。この樹脂溶液329.1gを別のフラスコに移し、28重量％の水を添加して上側層および下側層の二層にした。上側層をサイフォンで吸い上げ除きそして樹脂−下側層とサイホン吸上層( 上側) との両方からGPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。最初の溶液中のメタノール概算量の半分を添加して樹脂を再溶解した。最初の水量の半分をこの樹脂溶液に添加して上側層および下側層の二層にした。上側層をサイフォンで吸い上げ除きそしてGPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。乳酸エチルを残りの樹脂−下側層に添加しそして溶解した樹脂溶液を75℃、25mmHgで蒸留し、残留水およびメタノールを除きそして正確な％の固形分含有量を達成した。GPC-MWw データを以下の表６に総括掲載する：
表６
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               3207                     3.48
最初のサイホン吸上層( 上側)    1415                     2.30
最初のフラクション             4456                     4.23
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)    1292                     1.82
微調整されたフラクション       4766                     3.53
───────────────────────────────────
実施例９: 
実施例８の残留樹脂−下側層を75℃、25mmHgで蒸留してメタノールを除く試みを行なった。固形分含有量(%) を乳酸エチル中でチェックし、次いで追加的な乳酸エチルの添加によって乳酸エチル中固形分含有量30% に調整した。メタノール212gを添加して24％の固形分含有量溶液とした。この新鮮な樹脂溶液に38重量％の水を添加して上側層および下側層の二層にした。上側層をサイフォンで吸い上げ除去しそして上側層と下側層の両方からGPC-MWw 測定用のサンプルを採った。始めのメタノール量の半分を乳酸エチル/ 樹脂 (下側層) に添加し、次いで始めの水の量の半分を添加して上側層および下側層の二層にした。上側層をサイフォンで吸い上げ除去しそしてGPC-MWw 測定用のサンプルを採った。乳酸エチルを残りの樹脂−下側層に添加しそして再溶解した樹脂を75℃、25mmHgで蒸留し、残留する水およびメタノールを除きそして正確な％の固形分含有量を達成した。GPC-MWw データを以下の表７に総括掲載する：
表７
───────────────────────────────────
GPC MWW               多分散性
───────────────────────────────────
縮合後のサンプル               3207                     3.48
最初のサイホン吸上層( 上側)    2940                     1.95
最初のフラクション             4749                     2.41
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)    1426                     1.35
微調整されたフラクション       4809                     2.30
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実施例１０：
5/4/2/0.3 の比のフェノール化合物（m-クレゾール、p-クレゾール、2,3,5-トリメチルフェノールおよび2-メチルレゾルシノール）および1/0.685 のクレゾール／パラホルムアルデヒド−比を使用して正確な条件のもとで実施例６を繰り返した。４４重量％(W/W) の水を分別のために添加した。GPC-MWw データを以下の表８に総括掲載する：
表８
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GPC MWW               多分散性
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縮合後のサンプル               3542                     3.87
最初のサイホン吸上層( 上側)    2121                     3.22
最初のフラクション             4430                     3.90
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)     690                     2.86
微調整されたフラクション       4443                     3.80
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実施例１１：
5/4/2/0.35の比のフェノール化合物（m-クレゾール、p-クレゾール、2,3,5-トリメチルフェノールおよび2-メチルレゾルシノール）および1/0.69のクレゾール／パラホルムアルデヒド−比を使用して正確な条件のもとで実施例６を繰り返した。３８重量％(W/W) の水を分別のために添加した。GPC-MWw データを以下の表９に総括掲載する：
表９
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GPC MWW               多分散性
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最初のサイホン吸上層( 上側)    2963                     2.11
最初のフラクション             4365                     2.41
( 樹脂／下側層) 
第二のサイホン吸上層( 上側)     755                     1.46
微調整されたフラクション       4540                     2.40
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実施例１２〜１５：
実施例８、９、１０および１１からの樹脂を使用して実施例４を繰り返し、実施例４と同様にフォトレジスト組成物を調製して実施例１２〜１５とする。フォトリソグラフ評価データを表10に示す: 
表１０
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実施例  樹脂の出所    ＤＴＰmj    解像度 (μｍ）  ＤＯＦ (μｍ）
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２    実施例１        165          0.34           (-.8/0.4) 
４    実施例３        225          0.32           (-.1./0.2)
１２    実施例８        205          0.32           (-1.0/-0.25)
１３    実施例９        160          0.32           (-1.0/0.25) 
１４    実施例１０      150          0.32           (-0.8/0.2)
１５    実施例１１      110          0.32           (-0.8/0.2)
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比較例
m-クレゾール130.26ｇ、p-クレゾール104.9g、2,3,5-トリメチルフェノー    ル65.59gを用いる5/4/2 のクレゾール比のフェノール化合物300 ｇおよびパラホルムアルデヒド58.64g (フェノール/ パラホルムアルデヒドのモル比= 1/0.70) を、冷却器、温度計および滴下漏斗を備えた脱イオン水100g含有の四つ首フラスコに移した。蓚酸触媒0.9 ｇを添加し、そしてこのフラスコを95℃に加熱した。112 ℃の温度に上昇する発熱反応があり、脱イオン水22g までを添加して発熱反応を抑えるよう試みた。この縮合反応を3 時間行なった。次いで反応混合物を最初に大気圧で175 ℃まで蒸留し、次に10mmHgの減圧下に200 ℃で10分蒸留した。減圧蒸留の後に樹脂を180 ℃まで冷却し、乳酸エチル661.5gを添加し、約30％の固形分含有量溶液とした。GPC-分子量 (MWw ) 測定用のサンプルを採った。樹脂が室温に達した後、アセトン２３６．２５g を添加し、24％の固形分含有量溶液とした。この樹脂溶液に40％(w/w) の脱イオン水(472.5g)を攪拌下に添加した。全ての水の添加が終了した後に攪拌を中止し、この溶液を沈降処理して上側層と下側層との2 つの層を生成した。上側層をサイホン吸い上げ除去した(981.6g)。最初のアセトン量の半分(141.75g) を樹脂/ 下側層に添加しそして攪拌した。最初の水量の半分(236.25g) を攪拌下に添加して再び上側層と下側層との二つの層を生成した。この混合物を沈降処理した後に、上側層をサイホンで吸い上げ除いた(683.0g)。乳酸エチルを樹脂/ 下側層に添加し、そして最終溶液を25mmHGの減圧下に75℃で蒸留し、残留する水、アセトンを除きそして30％の固形分含有量溶液とする。この樹脂のGPC-分子量 (MWw ) は3876であり、溶解速度は677.6 オングストローム/ 秒である。フォトレジストを実施例4 における様に調製する。それのリソグラフ性能は実施例2 、4 および12〜15に示した本発明の分別されたあらゆる樹脂よりも悪かった。