【事件の表示】
　特願２００２−５８６３６６「電気的多層コンポーネントおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月　７日国際公開、ＷＯ０２／８９１６０、平成１６年　７月１５日国内公表、特表２００４−５２１５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年４月１１日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００１年４月２６日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１９年１０月１９日付けの拒絶理由通知に対して、平成２０年３月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１０月３１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年２月２８日付けで審尋がなされ、同年５月３０日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２０年１０月３１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２０年１０月３１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２０と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　セラミック材料を有する互いに重ねて配置された誘電体層（２）および前記誘電体層の間に配置された導電性電極層（３）を有する層スタック（１）を有する電気的多層コンポーネントであり、少なくとも１個の電極層（３）が保護層（５）で覆われている本体（４）を有し、本体（４）がタングステンまたはタングステンの化合物を有し、保護層（５）が本体金属の酸化を遅らせる保護材料を有する電気的多層コンポーネント。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　セラミック材料を有する互いに重ねて配置された誘電体層（２）および前記誘電体層の間に配置された導電性電極層（３）を有する層スタック（１）を有する電気的多層ＰＴＣサーミスターであり、少なくとも１個の電極層（３）が保護層（５）で覆われている本体（４）を有し、本体（４）がタングステンまたはタングステンの化合物を有し、保護層（５）が本体金属の酸化を遅らせる保護材料を有する電気的多層ＰＴＣサーミスター。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項）
　補正前の請求項１及び１７の「電気的多層コンポーネント」を、各々補正後の請求項１及び１７の「電気的多層ＰＴＣサーミスター」と補正すること、並びに補正前の請求項２〜１６、１９及び２０の「コンポーネント」を、各々補正後の請求項２〜１６、１９及び２０の「多層ＰＴＣサーミスター」と補正すること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否について
　本件補正により補正された事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の００１６段落及び００１９段落に記載されているものと認められるから、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、本件補正は、補正前の各請求項に係る発明の発明特定事項である「電気的多層コンポーネント」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定を満たすものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜２０に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平７−１６９６０３号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜８と共に次の記載がある（なお、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば定温ヒータ、局所ヒータ、あるいは過電流保護素子として用いられるチタン酸バリウム系半導体磁器等の正温度特性を有する半導体磁器およびその製造方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】従来より、自己温度制御機能を有する正特性サーミスタ（以下、ＰＴＣサーミスタという）であるチタン酸バリウム系半導体磁器等からなる平板状に成形されたＰＴＣサーミスタが知られている。上記ＰＴＣサーミスタは、通電により発熱して、所定温度を越えると急峻に抵抗が大きくなる、つまり急峻な正温度特性を有している。このことから、発熱温度を一定に保つことができ、また、電圧の変動に対して電流を制御して電力を一定に保つ機能を有している。
【０００３】上記ＰＴＣサーミスタは、上記の機能によって、過電流からＩＣやトランジスタを保護する過電流制限素子等に好適であり、ＩＣ等を含む電気回路基板に好適に使用されている。また、このような電気回路では、小型化や省電力化のために、使用電圧が低電圧化する傾向がある。
このため、上記ＰＴＣサーミスタに対しても、小型化のために低抵抗化が望まれている
　
ｂ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来のＰＴＣサーミスタでは、複数のＰＴＣサーミスタを並列させると、多くのスペースが必要となるために小型化が困難となり、大型化を招来するという問題を生じている。」
　
ｃ．「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の正温度特性を有する半導体磁器は、以上の課題を解決するために、正温度特性を有する半導体磁器本体に通電するための各電極が、上記半導体磁器本体を厚さ方向にほぼ均等に分割して、相互に対向するように設けられていることを特徴としている。
【００１０】本発明の請求項２記載の正温度特性を有する半導体磁器の製造方法は、以上の課題を解決するために、酸化雰囲気下での焼成によって正温度特性を示す原料粉末をシート状に形成してシート体を得た後、
オーミック性を有する金属材料からなる一対の各電極層を、上記シート体を重ね合わせたときに上記電極層が形成されない一対の非電極部がそれぞれ外部に面するように上記シート体の表裏面にそれぞれ形成した後、上記電極層の上に、上記金属材料よりイオン化傾向の大きい金属からなる被酸化層をそれぞれ積層し、
【００１１】上記金属材料としては、オーミック性を有するニッケル、亜鉛、インジウム、インジウム−ガリウム合金が挙げられる。また、被酸化層の金属としては、金属材料よりイオン化傾向が大きいものが選択され、例えば金属材料としてニッケルを用いた場合、ニッケルよりイオン化傾向が大きく、導電性を有するマグネシウム、アルミニウム、鉄（ll）等を挙げることができる。」
　
ｄ．「【００１２】
【作用】上記の請求項１記載の構成によれば、半導体磁器本体をその厚さ方向にほぼ均等に分割して、相互に対向するように各電極を設けたから、上記各電極が半導体磁器本体の表面だけではなく、内部にも形成されている。これにより、各電極の表面積を大きくできるので、上記半導体磁器本体における全体としての抵抗値を小さくできる。
【００１３】上記の請求項２記載の方法によれば、上記各電極層は、シート体の厚み方向に上記各シート体を挟み込むようにそれぞれ形成される。また、外部に面した各非電極部の形成によってシート体を挟む各電極層は、一方の電極層が一方の非電極部に露出させ、対面する他方の電極層が他方の非電極部に露出させることができる。このことから、シート体が焼成されたシート状磁器を挟んだ各電極層に給電できる。
【００１４】
このとき、上記各シート状磁器を挟む各電極層は、焼成したときに電極層の金属材料よりイオン化傾向の大きな金属からなる各被酸化層が先に酸化されることによって上記各電極層の酸化が回避され、オーミック性を維持できるので、高抵抗化が回避される
　
ｅ．「【００１６】
【実施例】
〔実施例１〕本発明の一実施例を実施例１として図１に基づいて説明すれば、以下の通りである。正温度特性を有する半導体磁器では、図１に示すように、略長方形のシート状に成形したチタン酸バリウム系半導体磁器からなるシート状磁器１が厚み方向に、例えば１０枚積み重ねられた略直方体形状の積層磁器成形体（半導体磁器本体）２が形成されている。上記シート状磁器１は、キュリー点温度を越えると抵抗値が急峻に増加する正温度特性を有している
（中略）
【００２１】
このように積層されたシート状磁器１…からなる積層磁器成形体２には、第１辺部に露出した各第１内部電極３…と第３内部電極５とを電気的に接続する非オーミック性の外部電極６と、第２辺部に露出した各第２内部電極４…と第３内部電極５とを電気的に接続する外部電極７とが形成されている
（中略）
【００２９】
次に、上記シート状磁器１の作製方法について説明する。上記シート状磁器１は、チタン酸バリウム系半導体磁器の原料粉末をシート状に成形したグリーンシートを焼成したものである。
　
ｆ．「【００４１】
〔実施例２〕次に、本発明の他の実施例を実施例２として図２および図８に基づいて説明する。なお、上記実施例１と同様の機能を有する部材については同一の部材番号を付与して、その説明を省いた
【００４２】
正温度特性を有する半導体磁器は、図８に示すように、さらに各シート状磁器１…が、焼成によって一体化されたものである。
【００４３】よって、上記実施例２の構成は、前記実施例１と同様に、各シート状磁器１…を並列に接続して低抵抗化および絶縁破壊電圧の向上が可能となり、また、各シート状磁器１…の積層、一体化によって、載置面積の低減化等の小型化、コンパクト化が可能となる。
【００４４】その上、上記構成は、温度上昇を迅速化できて、過電流制限素子として用いた場合、温度上昇の迅速化によって過電流に対する応答性を改善できる。これらにより、上記構成は、過電流制限素子や定温発熱素子として、ＩＣやトランジスタ等を搭載したプリント基板等の電気回路基板に、さらに好適に用いることができる。」
　
ｇ．「【００４５】次に、上記正温度特性を有する半導体磁器の製造方法について説明する。まず前記実施例１に記載したグリーンシートを、図２に示すように、例えば幅２．５ｃｍと長さ５ｃｍの長方形状に切断して得たシート１１における短手方向一辺部となる第１辺部に、その一辺端から内側５ｍｍまでの間に、すなわち５ｍｍ×５ｃｍの帯状の第１部位となる表面上にマスキングテープ１２を張り付けてマスキングした。
【００４６】続いて、上記第１辺部と短手方向に対向する第２辺部におけるマスキングテープ１２を張り付けた表面と反対側となる裏面に、その一辺端から内側５ｍｍまでの間に、すなわち５ｍｍ×５ｃｍの帯状の第２部位となる裏面上にマスキングテープ１３を張り付けてマスキングした。
【００４７】
その後、図３に示すように、マスキングテープ１２・１３にてマスキングされたシート１１の表裏面に、スパッタリングによりニッケルからなる電極層１４・１４を、それらの膜厚が１〜１０μｍとなるように形成した
【００４８】上記のスパッタリング条件は、反応室内の圧力０．１〜０．２Ｔｏｒｒ、印加電圧１．３〜１．４ｋＶ、電流６〜８ｍＡとした。スパッタリング時間は、トータルで２０分間であるが、過熱を考慮して、１分間電圧を印加してスパッタリングを行うと、続く２分間電圧の印加を停止する電圧印加サイクルを繰り返した。
【００４９】
なお、上記電極層１４の素材としては、オーミック性を有するもので電気抵抗の小さなものであればよく、上記のニッケルの他に、亜鉛などを用いることができる
　
ｈ．「【００５０】
次に、スパッタリングのターゲットをマグネシウムの金属板に取り替えて、上記のスパッタリング条件と同様の条件で、上記各電極層１４・１４の上に防蝕層１５・１５を、それらの膜厚が１〜１０μｍとなるようにそれぞれ形成した。
【００５１】
上記防蝕層１５の素材としては、電極層１４に用いた金属よりイオン化傾向の大きなものであればよく、例えば電極層１４にニッケルを用いた場合、上記のマグネシウムの他にアルミニウムや鉄（ＩＩ）を用いることができる
【００５２】
さらに、上記各防蝕層１５・１５上に、アルミニウムペースト（デメトロン社製）をスクリーン印刷により、それらの塗膜厚が６０〜８０μｍとなるようにそれぞれ塗布し乾燥して保護層１６・１６を形成した。
【００５３】なお、上記マスキングテープ１２に隣接する電極層１４および防蝕層１５からなる積層部は、図８に示す後述するオーミック性を有する内部電極９を形成し、上記マスキングテープ１３に隣接する電極層１４および防蝕層１５からなる積層部は、図８に示す後述するオーミック性を有する内部電極１０を形成することになる。また、上記各保護層１６…は、上記電極層１４および防蝕層１５を厚く覆って保護すると共に、前述したカバーペーストと同様の機能を有している。」
　
ｉ．「【００５４】続いて、上記シート１１を、例えば１ｃｍ間隔で切断して１ｃｍ×２．５ｃｍの短冊型の電極付きシート（シート体）１７…をそれぞれ得た。その後、上記各電極付きシート１７…を、図５に示すように、例えば１０枚、重ね合わせてシート積層体１８を得た。このとき、上記シート積層体１８は、各電極付きシート１７…が、それらの間の各保護層１６同士を丁度重なり合う、つまり相互に対面して重なりあい、かつ、各非電極部が対面するようになっている。
【００５５】なお、上記シート積層体１８では、図５において、各電極付きシート１７…間に大きな空隙が存在するように図示したが、上記電極付きシート１７の厚さは、０．５ｍｍ程度である一方、上記電極層１４および防蝕層１５の厚さは、厚くともそれぞれ１０μｍ程度であり、保護層１６の厚さは６０〜８０μｍ程度である。したがって、上記シート積層体１８における各電極付きシート１７…間は、それらの間に空隙があることが目視では確認できないほど近接している。
【００５６】その後、上記シート積層体１８を１ｃｍ×２．５ｃｍの金型にセットして、厚さ方向に２．５トン（１トン／ｃｍ２）の圧力で成形して、図６に示すように、積層成形体１９を得た。このような積層成形体１９では、対面する各保護層１６・１６同士は圧力によって一体化し厚さ２０μｍ程度となっている。」
　
ｊ．「【００５７】
上記積層成形体１９を、前記実施例１と同様の条件にて１３５０℃、２時間焼成して、図７に示すように、図６に示す各電極付きシート１７…から前述した各シート状磁器１…を重ね合わせた積層磁器２０を得た
【００５８】
上記積層磁器２０では、上記各シート状磁器１…が焼成によって一体化されており、その上、焼成したときに、電極層１４を形成するニッケルよりイオン化傾向の大きなマグネシウムからなる防蝕層１５が先に酸化することによって、焼成したときの上記電極層１４の酸化が防止されている
【００５９】
これにより、上記積層磁器２０は、各シート状磁器１…に接触している電極層１４が、焼成温度によってもオーミック性を維持でき、その上、防蝕層１５によって酸化が防止されて低抵抗を維持できるから、各シート状磁器１…に給電できる防蝕層１５と電極層１４とからなる第１内部電極９および第２内部電極１０をそれぞれ備えることになる。
　
ｋ．「【００６０】その後、上記積層磁器２０を、前記の第１部位に面する長手方向の端面を、例えばサンドペーパー（１０００番）で約１ｍｍ研磨して、各第２内部電極１０…とそれらに挟まれた各第３内部電極５…を確実に露出させる一方、前記第２部位に面する端面を、例えばサンドペーパー（１０００番）で約１ｍｍ研磨して、各第１内部電極９…とそれらに挟まれた各第３内部電極５…を確実に露出させる。
【００６１】続いて、上記のように各内部電極５・９・１０を露出させた積層磁器２０の長手方向両端面となる第１部位と第２部位に面した各端面に、図８に示すように、前述したカバーペーストをそれぞれ塗布し、乾燥後、５６０℃にて焼き付けて外部電極６・７を形成して、前述した積層磁器成形体８を得た。
【００６２】このとき、上記各外部電極６・７は、それぞれ接触する各内部電極５・９・１０と導通状態となるが、各外部電極６・７によって挟まれたシート状磁器１の距離が、各内部電極５・９・１０によって挟まれたシート状磁器１の距離より十分に大きくなる。これらのことから、上記各外部電極６・７は、それぞれ接触する各内部電極５・９・１０にのみ給電できることになる。」
　
（２−２）ここにおいて、００４１段落以降に記載されている「実施例２」に注目すると、００４１段落の「なお、上記実施例１と同様の機能を有する部材については同一の部材番号を付与して、その説明を省いた。」という記載から、当該「実施例２」も「実施例１」と同様に、「略長方形のシート状に成形したチタン酸バリウム系半導体磁器からなるシート状磁器１が厚み方向に積み重ねられ」（００１６段落）、「外部電極６と・・・外部電極７とが形成されている」（００２１段落）「略直方体形状の積層磁器成形体２」（００１６段落）であって、「正温度特性を有している」（０００６段落）ことが明らかである。
　また、００４７段落〜００５２段落の記載、並びに図５及び８の記載から、各「シート状磁器１」の表裏両面には、面側から順に、ニッケルからなる「電極層１４」、マグネシウムからなる「防蝕層１５」及び「保護層１６」が形成されていることが明らかである。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「略長方形のシート状に成形したチタン酸バリウム系半導体磁器からなるシート状磁器１が厚み方向に積み重ねられ、外部電極６と７とが形成されている略直方体形状の正温度特性を有する積層磁器成形体２であって、
　各前記シート状磁器１の表裏両面には、面側から順に、ニッケルからなる電極層１４、マグネシウムからなる防蝕層１５及び保護層１６が形成され、
　焼成したときに、前記電極層１４を形成するニッケルよりイオン化傾向の大きなマグネシウムからなる前記防蝕層１５が先に酸化することによって、焼成したときの前記電極層１４の酸化が防止されている、
　正温度特性を有する積層磁器成形体２。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）本願の明細書の００１９段落に、誘電体層の例として「チタン酸バリウムセラミック」が挙げられていることからも明らかなように、引用発明の「『厚み方向に積み重ねられ』た『略長方形のシート状に成形したチタン酸バリウム系半導体磁器からなるシート状磁器１』」は、補正発明の「セラミック材料を有する互いに重ねて配置された誘電体層（２）」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「ニッケルからなる電極層１４、マグネシウムからなる防蝕層１５及び保護層１６」は、各「シート状磁器１」間に配置されているとともに、電極層としての役割を担っていることが明らかであるから、引用発明の「『各前記シート状磁器１の表裏両面に』『面側から順に』形成された『ニッケルからなる電極層１４、マグネシウムからなる防蝕層１５及び保護層１６』」は、補正発明の「前記誘電体層の間に配置された導電性電極層（３）」に相当する。
　したがって、引用発明の「『厚み方向に積み重ねられ』た『略長方形のシート状に成形したチタン酸バリウム系半導体磁器からなるシート状磁器１』」、並びに「『各前記シート状磁器１の表裏両面に』『面側から順に』形成された『ニッケルからなる電極層１４、マグネシウムからなる防蝕層１５及び保護層１６』」からなる構造物は、補正発明の「セラミック材料を有する互いに重ねて配置された誘電体層（２）および前記誘電体層の間に配置された導電性電極層（３）を有する層スタック（１）」に相当する。
　また、補正発明の「正温度特性を有する積層磁器成形体２」が、補正発明の「電気的多層ＰＴＣサーミスター」に相当することは明らかである。
　
（３−３）引用発明の「ニッケルからなる電極層１４」は、補正発明の「本体（４）」に相当する。
　また、引用発明の「ニッケルからなる電極層１４」が「マグネシウムからなる防蝕層１５」に覆われていることは明らかである。
　そして、引用発明においては、「前記電極層１４を形成するニッケルよりイオン化傾向の大きなマグネシウムからなる前記防蝕層１５が先に酸化することによって、焼成したときの前記電極層１４の酸化が防止されている」のであるから、「マグネシウムからなる防蝕層１５」が「ニッケルからなる電極層１４」の酸化を遅らせていることは自明である。
　したがって、引用発明の「マグネシウムからなる防蝕層１５」は、補正発明の「保護層（５）」に相当するとともに、引用発明は、補正発明の「『少なくとも１個の電極層（３）が保護層（５）で覆われている本体（４）を有し、』『保護層（５）が本体金属の酸化を遅らせる保護材料を有する』」に相当する構成を備えているものと認められる。
　
（３−４）したがって、補正発明と引用発明とは、
　
　「セラミック材料を有する互いに重ねて配置された誘電体層（２）および前記誘電体層の間に配置された導電性電極層（３）を有する層スタック（１）を有する電気的多層ＰＴＣサーミスターであり、少なくとも１個の電極層（３）が保護層（５）で覆われている本体（４）を有し、保護層（５）が本体金属の酸化を遅らせる保護材料を有する電気的多層ＰＴＣサーミスター。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明は、「本体（４）がタングステンまたはタングステンの化合物を有し」ているのに対して、引用発明は、補正発明の「本体（４）」に相当する「電極層１４」が「ニッケルからなる」ものである点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）引用例の００４９段落には、「なお、上記電極層１４の素材としては、オーミック性を有するもので電気抵抗の小さなものであればよく、上記のニッケルの他に、亜鉛などを用いることができる。」と記載されているから、当該記載に基づけば、引用発明において、「ニッケルからなる電極層１４」を、他のオーミック性を有する電気抵抗の小さな材料に変更することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、タングステンがそのような条件を満たす材料であることは、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された下記の周知例１及び２に、ＰＴＣの内部電極としてタングステンを用いることが記載されていることからも分かるように、当業者の技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開平８−１５３６０５号公報
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
正の抵抗温度特性（以降”ＰＴＣ特性”と記す）を有する積層型半導体セラミック素子
　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、セラミック層と内部電極とのオーミック接触が得られ、低抵抗で、かつ十分な抵抗変化幅を有する積層型半導体セラミック素子は得られていなかった。
したがって、本発明の目的はセラミック層と内部電極とのオーミック接触が得られ、低抵抗で、かつ十分な抵抗変化幅を有する積層型半導体セラミック素子を提供することにある
　「【０００８】本発明において、
内部電極に用いる金属または合金としては、
Ｗ，
　
ｂ．周知例２：特開平１−２３３７０２号公報
　「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、Ｖ２Ｏ３を主成分とするセラミクスからなる
ＰＴＣ抵抗体素子
　「〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を図について説明する。
　第１図及び第２図は本発明の一実施例によるＶ２Ｏ３系セラミクス抵抗体素子を示す図である。
　図において、１は本実施例の積層化したＶ２Ｏ３系セラミクス抵抗体素子であり、これの外形は、幅５．６ｍｍ，高さ５．０ｍｍ，長さ２．０ｍｍ程度の直方体状のものである。この抵抗体素子１は、Ｖ２Ｏ３を主成分とするセラミクス層２と
タングステン（Ｗ）からなる内部電極３
　
（４−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明において、「電極層１４」の材料を、「ニッケル」に替えて「タングステン」とすることは、容易になし得たことである。
　なお、引用発明の「防蝕層１５」を構成する「マグネシウム」が「タングステン」よりもイオン化傾向が大きいことは当業者の技術常識であるから、引用発明において、「電極層１４」の材料を、「ニッケル」に替えて「タングステン」とするに際し、「防蝕層１５」の材料を変更する必要はない。
　よって、補正発明は、技術常識を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２０年１０月３１日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成２０年３月１８日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平７−１６９６０３号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。