【事件の表示】
　特願２００２−２３８４５５「コンデンサ装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開，特開２００４−　７９８０１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１４年８月１９日の出願であって，平成２０年３月１７日付けの拒絶の理由の通知に対して，同年６月９日に意見書と手続補正書が提出されたが，平成２１年３月１３日付けで拒絶査定され，その後，同年７月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで手続補正がされ，平成２３年５月１８日付けで審尋を行い，同年７月４日に回答書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　平成２１年７月７日に提出された手続補正書による補正は，特許請求の範囲についてする補正を含むところ，当該特許請求の範囲についてした補正は，請求項の削除を目的としたものと認められるから適法なものである。したがって，本願の請求項１−３に係る発明は，平成２１年７月７日の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「基板の上又は上方に第１導電膜を形成する工程と，
　前記第１導電膜をパターニングすることにより，キャパシタ用の上部電極の接続部が配置される部分が除去され，所定の接続部が画定されたキャパシタ用の下部電極を形成する工程と，
　前記下部電極を覆う誘電体膜を形成する工程と，
　前記誘電体膜をパターニングすることにより，前記上部電極の接続部が配置される部分と前記下部電極の接続部とを露出させるキャパシタ用誘電体膜を形成する工程と，
　前記キャパシタ用誘電体膜を覆う第２導電膜を形成する工程と，
　前記第２導電膜をパターニングすることにより，前記下部電極の接続部を露出すると共に，前記下部電極が除去された部分に接続部を有する前記キャパシタ用の上部電極を形成する工程と，
　前記上部電極の上に，前記上部電極の接続部及び前記下部電極の接続部の上に第１及び第２のコンタクトホールをそれぞれ有する絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１及び第２のコンタクトホール内にはんだ拡散防止用の電極パッドをそれぞれ形成する工程と，
　前記電極パッドに電気的に接続されるはんだバンプを形成する工程とを有し，
　前記上部電極の上に絶縁膜を形成する工程の前であって，前記上部電極を形成する工程の後に，前記上部電極の上にシランカプリング剤を塗布する工程をさらに有することを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。」
　
３　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に頒布された刊行物である，特開２００１−１８５４４４号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
　引用例１：特開２００１−１８５４４４号公報
（１ａ）「【請求項１】支持基板と，該支持基板上に設けられ，絶縁体層と電極層を有する薄膜素子と，該薄膜素子および前記絶縁体層が形成されていない絶縁体層非形成領域を被覆する保護層と，該保護層から突出して設けられた半田バンプとを具備するとともに，前記
絶縁体層非形成領域における保護層に貫通孔を設け，前記半田バンプを，前記貫通孔内の半田拡散防止金属を介して前記電極層に電気的に接続
　
（１ｂ）「【
発明が解決しようとする課題
上部電極側の半田バンプが誘電体薄膜上に形成されているため，リフロー時の半田バンプの収縮により，誘電体薄膜に過大な応力が発生するため，誘電体薄膜にクラックが発生し，絶縁性を確保することが困難となるという問題があった
　
（１ｃ）「【
課題を解決するための手段
　このように，
絶縁体層非形成領域に半田バンプが形成されるため
絶縁体層におけるクラック発生を防止することができ，クラックに半田が流れ込むことがなく，これにより絶縁性を確保することができ，素子特性を維持した状態で，かつ実装信頼性も確保できる
　
（１ｄ）「【発明の実施の形態】
図１は，薄膜コンデンサ
　薄膜コンデンサの誘電体薄膜を構成する絶縁体層３は，高周波領域において高い比誘電率を有するペロブスカイト型酸化物結晶からなる誘電体でよく，例えばＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3 系，Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系，Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系，（Ｐｂ，Ｌａ）ＺｒＴｉＯ3 系，ＢａＴｉＯ3 系，（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ3 系，あるいはこれに他の添加物を添加したり，置換した化合物であってもよく，特に限定されるものではない。
　また，絶縁体層３の膜厚は，高容量と絶縁性を確保するため０．３〜１．０μｍが望ましい。これは０．３μｍよりも薄い場合には被覆性が良好でなく，絶縁性が低下する場合があり，１．０μｍよりも厚い場合には，容量が小さくなる傾向があるからである。絶縁体層３の膜厚は０．４〜０．８μｍが望ましい。
　Ａｕからなる電極層５，７の膜厚は，高周波領域でのインピーダンスと膜の被覆性を考慮すると０．３〜０．５μｍが望ましい。電極層５，７の膜厚が０．３μｍよりも薄い場合には，一部に被覆されない部分が発生する虞があるからであり，また０．５μｍよりも厚い場合は，高周波領域における導体の表皮効果を考慮すると導体層の抵抗は殆ど変化しないからである。
　ここで，支持基板１としては，アルミナ，サファイア，窒化アルミ，ＭｇＯ単結晶，ＳｒＴｉＯ3 単結晶，表面酸化シリコン，ガラス，石英等から選択されるもので特に限定されない。
　そして，薄膜素子Ａ，および絶縁体層３が形成されていない絶縁体層非形成領域Ｂは保護層９により被覆され，この保護層９には，半田バンプ１１が突出して設けられている。
　
保護膜９は，薄膜コンデンサの表面を保護するためのものであり，例えば，Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 ，ＳｉＯ
2
 ，ポリイミド樹脂およびＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等から構成
　
絶縁体層非形成領域Ｂにおける保護層９には貫通孔１３ａ，１３ｂが形成され，貫通孔１３ａの底面には上側電極層７が露出しており，また，貫通孔１３ｂの底面には下側電極層５の上面に形成された金属層１５が露出
貫通孔１３ａの底面に露出した上側電極層７は，金属層１６を介して支持基板１に接合
　そして，
貫通孔１３ａ，１３ｂには半田拡散防止金属（半田バリア層）１７が充填
半田拡散防止金属層２１に半田バンプ１１が形成
　半田拡散防止金属１７，および半田拡散防止金属層２１は，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，およびこれらの金属から選ばれる２種以上からなる合金のうちいずれかからなり，スパッタ，蒸着，メッキ等で形成可能であれば良い。半田拡散防止金属１７の厚みは，保護膜９に形成された貫通孔１７を完全に充填できればよいが，半田バリアとしての機能を発現するためには０．３μｍ以上の厚みであればよい。
　半田バンプ１１は，Ｐｂ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｂｉ，ＳｂおよびＺｎのうち少なくとも２種以上の金属からなることが望ましく，薄膜電子部品の用途に応じて，融点及び共晶温度の異なる材料を選択すればよい。また，半田バンプ１１はスクリーン印刷，ボールマウンター等の公知の技術を用いて形成される。
　また，半田バンプ１１と，半田拡散防止金属層２１との間には，ハンダ濡れ性の良好な半田密着層が形成されていることが望ましい。ハンダ濡れ性の良好な材料として，Ｎｉ−Ｃｒ，Ａｕ等があり，特にＡｕが望ましい。さらに，半田拡散防止金属１７とＡｕからなる電極層５，７および保護層９との密着性を向上させるため，これらの間に公知の密着材料であるＴｉやＣｒを介在させてもよい。
　上記のようにして構成された薄膜電子部品は，半田バンプ１１を，母基板の表面の電極に接続して用いられる。
　
以上のように構成された薄膜電子部品では，絶縁体層非形成領域Ｂに半田バンプ１１が形成されているため，半田バンプ１１がリフロー時に収縮しても，リフロー工程で生じる半田バンプ１１の熱収縮に伴う応力に対して，絶縁体層３が直接ダメージを受けず，絶縁体層３に過大な応力が発生することがなく，絶縁体層３におけるクラック発生を防止することができ，このため，絶縁体層の絶縁性を確保することができ，素子特性を維持した状態で，実装信頼性も確保できる
　また，薄膜素子Ａの電極層５，７として，抵抗の小さいＡｕからなる電極層５，７を用いたため，高周波での抵抗を低下でき，薄膜素子Ａの高周波化を促進できる。さらに，高誘電率のペロブスカイト型酸化物を絶縁体層３として使用できるため，高容量の薄膜コンデンサを形成でき，高周波でのインピーダンスを低下することができる。
　さらに，Ａｕからなる電極層５，７を用いたとしても，半田バンプ１１が，貫通孔１３ａ，１３ｂ内に充填された半田拡散防止金属１７を介して電極層５，７に電気的に接続されるため，半田と電極層５，７との界面における合金層の形成が防止され，半田バンプ１１の密着強度の劣化を抑制できるとともに，リフロー時に半田成分がＡｕからなる電極層５，７を介して拡散することを防止でき，電極層５，７間のショートや，Ａｕからなる電極層５，７の消失による特性劣化を抑制でき，リフロー耐性を向上できる。
　さらに，貫通孔１３ａ，１３ｂの周囲における保護層９の表面に，半田拡散防止金属層２１を貫通孔１３ａ，１３ｂから外方に張り出して形成しているため，リフロー処理を繰り返し行った場合に，貫通孔１３ａ，１３ｂの周囲の半田拡散防止金属層２１により，さらに半田が電極層５，７に拡散しにくくなり，半田バンプ１１の密着強度の劣化を抑制でき，実装信頼性もさらに向上できる。
　尚，本発明での電極層５，７の材料は低抵抗であり，かつ高温での耐酸化性及び誘電体材料との反応の小さいＡｕからなる材料であるが，支持基板１との密着性を上げるために，電極層５，７と支持基板１との間にＴｉやＣｒに代表される密着層を介在しても良い。」（【００２６】−【００４３】）
　
（１ｅ）「【実施例】電極層ならびに半田拡散防止金属の形成は高周波マグネトロンスパッタ法を，誘電体薄膜（絶縁体層）はゾルゲル法にて作製した。
　先ず，
アルミナからなる支持基板上にＴｉからなる３ｎｍの密着層を形成し，この密着層の上面に，０．３μｍのＡｕ層を形成し，下側電極層
　フォトリソグラフィ技術を用いて，
下側電極層をパターン加工
誘電体薄膜を形成
　次に，
誘電体薄膜の上面に，膜厚０．３μｍのＡｕ層を形成し，上側電極層
この上側電極層上に，膜厚３０ｎｍのＴｉからなる密着層を形成
上側電極層および密着層を加工
　この後，
光感光性ＢＣＢを塗布し，露光，現像を行い，Ａｕからなる電極層が露出するように，直径約１００μｍ，深さ１μｍの貫通孔を有する保護層を形成
　保護層上および
貫通孔内に蒸着法により，膜厚１．５μｍの半田拡散防止金属層を形成
　最後に，スクリーン印刷を用いて，加工された半田拡散防止金属層の上にＰｂが６３重量％，Ｓｎが３７重量％からなる共晶半田ペーストを転写し，リフローを行い，
半田バンプ層を形成
　
（１ｆ）図１は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例における，薄膜電子部品を示す断面図であって，上記（１ａ）−（１ｅ）の記載を参酌すれば，当業者であれば，同図から，支持基板１と，前記支持基板１の上方であって上側電極層７の接続部が配置される箇所に存在する金属層１６と，前記支持基板１の上方であって前記金属層１６と間隔をおいた箇所に存在する下側電極層５と，前記上側電極層７の接続部が配置される箇所と前記下側電極層５の接続部分が配置される箇所とを除く領域に存在する絶縁体層（誘電体薄膜）３と，前記下側電極層５の接続部が配置される箇所を除いて前記絶縁体層（誘電体薄膜）３を覆い前記金属層１６を介して前記支持基板に接合された上側電極層７と，前記上側電極層７と間隔を置いた箇所であって下側電極層５の接続部が配置される箇所に存在する金属層１５と，前記上側電極層７の上に存在する，前記上側電極層７の接続部及び前記下側電極層５の接続部の上の前記金属層１５に貫通孔１３ａ，１３ｂをそれぞれ有する保護層９と，前記貫通孔１３ａ，１３ｂに充填された半田拡散防止金属１７と，前記半田拡散防止金属１７に電気的に接続した半田バンプとを有する薄膜コンデンサが記載されていることを読み取ることができる。
　
　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｆ）を総合勘案すれば，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例として，
「（ａ）アルミナからなる支持基板上にＴｉからなる３ｎｍの密着層を形成し，この密着層の上面に，０．３μｍのＡｕ層を形成し，下側電極層とする工程と，
（ｂ）フォトリソグラフィ技術を用いて，前記支持基板上の前記密着層の上面に前記下側電極層として形成された前記Ａｕ層をパターン加工する工程と，
（ｃ）加工された前記下側電極層に，ゾルゲル法にて合成したＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 塗布溶液をスピンコート法を用いて塗布し，乾燥させた後，３８０℃で熱処理，８１５℃で焼成を行い，膜厚０．７μｍのＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −ＰｂＺｒＯ3 からなる誘電体薄膜を形成する工程と，
（ｄ）フォトリソグラフィ技術を用いて，前記誘電体薄膜に貫通孔を形成することにより，前記上側電極層の接続部が配置される部分と前記下側電極層の接続部とを露出させる誘電体膜を形成する工程と，
（ｅ）前記誘電体薄膜の上面に，膜厚０．３μｍのＡｕ層を形成し，上側電極層とする工程と，
（ｆ）この上側電極層上に，膜厚３０ｎｍのＴｉからなる密着層を形成する工程と，
（ｇ）フォトリソグラフィ技術を用いて，前記誘電体薄膜の上面に前記上側電極層として形成された前記Ａｕ層および前記密着層を加工する工程と，
（ｈ）光感光性ＢＣＢを塗布し，露光，現像を行い，Ａｕからなる電極層が露出するように，直径約１００μｍ，深さ１μｍの貫通孔を有する保護層を形成する工程と，
（ｉ）前記保護層上および前記貫通孔内に蒸着法により，膜厚１．５μｍの半田拡散防止金属層を形成し，この後，膜厚０．１μｍの半田密着層Ａｕを形成し，保護層の貫通孔の内壁面，および保護層表面における貫通孔周囲が残留するように，貫通孔を中心に直径１２０μｍの形状にフォトリソグラフィを用いて加工する工程と，
（ｊ）スクリーン印刷を用いて，加工された前記半田拡散防止金属層の上にＰｂが６３重量％，Ｓｎが３７重量％からなる共晶半田ペーストを転写し，リフローを行い，半田バンプ層を形成する工程とを有し，
（ｋ）支持基板上の密着層の上面に形成されたＡｕ層をパターン加工する工程（ｂ）は，前記支持基板１の上方であって前記上側電極層７の接続部が配置される箇所に，前記下側電極層５と間隔を置いて金属層１６が残るように，前記支持基板上の前記密着層の上面に形成された前記Ａｕ層をパターン加工する工程であり，
（ｌ）誘電体薄膜の上面に上側電極層として形成されたＡｕ層および密着層を加工する工程（ｇ）は，前記下側電極層の接続部が配置される箇所に，前記上側電極層と間隔を置いて金属層１５が残るように，前記誘電体薄膜の上面に前記上側電極層として形成された前記Ａｕ層を加工する工程であり，
（ｍ）貫通孔を有する保護層を形成する工程（ｈ）は，前記上側電極層の接続部及び前記下側電極層の接続部の上の前記金属層１５の上に貫通孔を有する保護層を形成する工程である，
　薄膜コンデンサを得る方法。」
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　　
４　対比
（１）引用発明の下側電極層は，Ｔｉからなる３ｎｍの密着層を形成した支持基板上に形成されているから，引用発明の下側電極層は，支持基板の「上又は上方」に形成されるといえる。
　一方，引用発明の「アルミナからなる支持基板」，「０．３μｍのＡｕ層を形成し，下側電極層とする工程」は，それぞれ本願発明１の「基板」，「第１導電膜を形成する工程」に相当する。
　そうすると，引用発明の「アルミナからなる支持基板上にＴｉからなる３ｎｍの密着層を形成し，この密着層の上面に，０．３μｍのＡｕ層を形成し，下側電極層とする工程」は，本願発明１の「基板の上又は上方に第１導電膜を形成する工程」に相当する。
　
（２）引用発明の「加工された下側電極層」，「誘電体薄膜」，「誘電体薄膜の上面に，膜厚０．３μｍのＡｕ層を形成し，上側電極層とする工程」は，それぞれ本願発明１の「下部電極」，「誘電体膜」，「キャパシタ用誘電体膜を覆う第２導電膜を形成する工程」に相当する。
　
（３）引用発明の「保護層」，「半田拡散防止金属層」，「半田バンプ層」，「薄膜コンデンサを得る方法」は，それぞれ本願発明１の「絶縁膜」，「はんだ拡散防止用の電極パッド」，「はんだバンプ」，「コンデンサ装置の製造方法」に相当する。
　
（４）引用発明の工程（ｆ）の「Ｔｉからなる密着層を形成する工程」は，「光感光性ＢＣＢを塗布し，露光，現像を行い形成する保護層」を「上部電極層」に対して密着性が強い状態で形成するために設けられた工程であると当業者であれば理解することができる。
　また，前記「Ｔｉからなる密着層を形成する工程」が，「上部電極層」の上に「保護層」を形成する前の工程であって，「上部電極層」を形成する工程の後の工程であることは明らかである。
　そうすると，引用発明は「上部電極層の上に保護層を形成する前の工程であって，前記上部電極層を形成する工程の後に，前記上部電極層の上に密着層を形成する工程」を有するといえる。
　一方，本願発明１の「上部電極の上にシランカプリング剤を塗布する工程」は，本願明細書の【００４０】の「次いで，図３（ｄ）の構造体の上にアミノプロピルトリエトキシシラン（ＮＨ2（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣＨ2）3）からなる
シランカップリング剤
塗布
密着材層を形成
第１絶縁保護膜１８
上部電極１６上にシランカップリング剤からなる密着材層を介して形成
第１絶縁保護膜１８は上部電極１６に対して密着性が強い状態で形成される
　してみれば，引用発明と，本願発明１は，いずれも「上部電極の上に絶縁膜を形成する工程の前であって，前記上部電極を形成する工程の後に，前記上部電極の上に密着材層を形成する工程」を有している点で一致するものと認められる。
　
（５）そうすると，本願発明１と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「基板の上又は上方に第１導電膜を形成する工程と，
　前記第１導電膜をパターニングすることにより，所定の接続部が画定されたキャパシタ用の下部電極を形成する工程と，
　前記下部電極を覆う誘電体膜を形成する工程と，
　前記誘電体膜をパターニングすることにより，前記上部電極の接続部が配置される部分と前記下部電極の接続部とを露出させるキャパシタ用誘電体膜を形成する工程と，
　前記キャパシタ用誘電体膜を覆う第２導電膜を形成する工程と，
　前記第２導電膜をパターニングすることにより，前記キャパシタ用の上部電極を形成する工程と，
　前記上部電極の上に，第１及び第２のコンタクトホールをそれぞれ有する絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１及び第２のコンタクトホール内にはんだ拡散防止用の電極パッドをそれぞれ形成する工程と，
　前記電極パッドに電気的に接続されるはんだバンプを形成する工程とを有し，
　前記上部電極の上に絶縁膜を形成する工程の前であって，前記上部電極を形成する工程の後に，前記上部電極の上に密着材層を形成する工程をさらに有するコンデンサ装置の製造方法。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明１では「上部電極の上に密着材層を形成する工程」が，「上部電極の上にシランカプリング剤を塗布する工程」であるのに対して，引用発明では「Ｔｉからなる密着層を形成する工程」である点。
　
・相違点２：引用発明では，上側電極層の接続部が配置される箇所に，金属層１６を残すように，支持基板上の密着層の上面に下側電極層として形成されたＡｕ層をパターン加工しているのに対して，本願発明１では，キャパシタ用の上部電極の接続部が配置される部分を除去するように第１導電膜をパターニングしている点。及び，これに伴い，引用発明では，上側電極層は金属層１６の部分に接続部を有するのに対して，本願発明１では，上部電極は下部電極が除去された部分に接続部を有する点。
　
・相違点３：引用発明では，下側電極層の接続部が配置される箇所に，金属層１５を残すように，誘電体薄膜の上面に上側電極層として形成されたＡｕ層を加工しているのに対して，本願発明１では，下部電極の接続部を露出するように第２導電膜をパターニングしている点。及び，これに伴い，引用発明では，保護層に設けられた貫通孔は上側電極層の接続部及び下側電極層の接続部が配置される箇所の上の金属層１５の上に形成されるのに対して，本願発明１では，絶縁膜のコンタクトホールは上部電極の接続部及び下部電極の接続部の上に形成されている点。
　
５　相違点についての判断
（１）相違点１について 
　本願発明１の「上部電極の上にシランカプリング剤を塗布する工程」が，「絶縁膜」を「上部電極」に対して密着性が強い状態で形成するために設けられた工程であるといえるところ，金属からなる導電部材の表面にシランカップリング剤を塗布して密着材層を形成し，樹脂からなる絶縁部材を前記金属からなる導電部材に対して密着性が強い状態で形成する技術は，下記の周知例１−４からも明らかなように周知である。
　
・周知例１：特開昭６３−６５９８０号公報
（周１ａ）「本発明に使用される基板については本発明の薄膜を何に応用するかということによって限定されるが，その他大きく限定されることはなく，ガラス，アルミナ，石英などのような一般的無機の基板のほか，金属，プラスチックやＳｉ，ＧａＡｓ，ＺｎＳのようなＩＶ族，ＩＩＩ−Ｖ，ＩＩ−ＶＩ族等の半導体，ＰｂＴｉ０３，ＢａＴｉＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３のような強誘電体や磁性体等も基板として用いることができる。また，通常行われるような表面処理を施したものも勿論使うことができる。
　勿論，上記のような
基板上の金属薄膜が応用に通したようにパターン化されていてもよい
　本発明のポリイミド前駆体の場合には，
ガラス，石英，Ｓｉ，ＳｉＯ
２
などの表面には接着強度が弱い傾向があり，シランカップリング剤，特にアミン基やエポキシ基とアルコキシ基を有するシランカップリング剤（例えばＵＣＣのＡ−１１００やＡ−１８７など）で処理する
接着強度が改善
　
・周知例２：特開２０００−１９５６２号公報
（周２ａ）「上記金属配線を形成した基板に特開平８−７６１０１号公報記載の方法によりＵＶ硬化型樹脂による平坦化処理を施した。具体的には，上記
金属配線基板にＵＶ照射オゾン処理を５分間行なった後，シランカップリング剤（商品名：Ａ−１７４，日本ユニカー社製）をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）で３．７５％に希釈したものをスピンコートし，１００℃で２０分間熱処理を行ない，密着処理を施した
　
・周知例３：特開平１０−３３５１８２号公報
（周３ａ）「【請求項６】上記
接着強度は，金属電極板（１２）（１３）の表面に塗布したカップリング剤によって大きくしている
　
（周３ｂ）「【
発明が解決しようとする課題
封止樹脂４３にクラックが発生することがある
　
（周３ｃ）「また
金属電極板１２，１３と封止樹脂１５との接着強度を，請求項６の樹脂封止電気部品のように金属電極板１２，１３の表面にカップリング剤を塗布することによって大きくすれば，必要とされる部分の接着強度を容易かつ確実に大きくすることが可能
　
（周３ｄ）「（実施形態２）一方，ガラスエポキシ板２１の形状を図３に示すもののようにするのとは別に，またはガラスエポキシ板２１の形状を図３に示すもののようにするのとともに，電極板１２，１３と封止樹脂１５との接着強度を大きくすることによっても，封止樹脂１５にクラックが発生するのを防止することができる。ここで
電極板１２，１３と封止樹脂１５との接着強度を大きくするためには，電極板１２，１３の表面にシランカップリング剤等の処理剤を塗布することができる
　
・周知例４：特開平９−２６０８５４号公報
（周４ａ）「【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
　図１は本発明の実施の形態を示す模式的な断面図である。図において，エポキシ系樹脂基板ａにはメッキ法で厚さ５ミクロンの銅の導体からなる電源層１ｂが形成されている。
　このエポキシ系樹脂基板ａに
シラン系カップリング材をスピンコートし充分乾燥させる。その後，エポキシ系樹脂基板ａの中央に感光性ＢＣＢモノマー誘導体樹脂（液状）を滴下し，スピンナーを用いて毎分１３００ＲＰＭの回転で６０秒間保持し均一にスピンコートする
ここで先にスピンコートしたシラン系カップリング材は銅及びエポキシ系樹脂基板と感光性ＢＣＢモノマー誘導体樹脂膜との密着を強化する目的で行う
　
　してみれば，引用発明の「Ｔｉからなる密着層を形成する工程」に替えて，樹脂からなる絶縁部材を金属からなる導電部材に対して密着性が強い状態で形成する技術として周知な方法である，「シランカプリング剤を塗布する工程」を用いることは，当業者が適宜なし得たことである。
　また，このような構成を採用したことによる効果は，当業者の予測し得た範囲内のものである。
　したがって，引用発明において，相違点１に係る本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
（２）相違点２，及び，相違点３について
　引用発明の金属層１６，金属層１５のような部材を有さない薄膜コンデンサの構造は，下記の周知例５−７からも明らかなように周知である。
　
・周知例５：特開２００２−１１０４５４号公報
（周５ａ）「【発明の実施の形態】本発明の薄膜電子部品として，
薄膜コンデンサ
支持部材１
絶縁体層（誘電体層を含む概念である）５の上下面に電極層６，７を形成して構成
　そして，本発明の薄膜電子部品では，支持部材１の下面に，溶解除去可能な犠牲支持層８が形成されている。
　薄膜素子３は，例えば，
ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）からなる保護膜９により被覆
電極層６，７の一部が露出するように保護膜９に貫通孔１１が形成
貫通孔１１内に露出した電極層６，７には，例えば，Ｎｉからなるハンダバリア層１３が形成
ハンダバリア層１３に，金からなる密着層を介して，例えば，半田バンプからなる外部電極が形成
　
（周５ｂ）図１は，周知例５の薄膜電子部品を示す断面図であって，前記摘記（周５ａ）の記載を参酌すれば，当業者であれば同図から，支持部材１と，前記支持部材１の上側の電極層７の接続部が配置される部分を除く領域に形成された下側の電極層６と，前記上側の電極層７の接続部が配置される部分と前記下側の電極層６の接続部とを除く領域に形成された絶縁体膜５と，前記絶縁体膜５を覆い，前記下側の電極層６の接続部を覆わず，前記下側の電極層６が形成されていない部分に接続部を有するように形成された上側の電極層７と，前記上側の電極層７の上に形成された，電極層６，７の接続部の上に貫通孔をそれぞれ有する保護膜９と，前記貫通孔内に形成されたハンダバリア層１３と，前記ハンダバリア層１３に電気的に接続される半田バンプからなる外部電極とを有する薄膜コンデンサの構造を読み取ることができる。
　
・周知例６：特開２００２−１１０４５３号公報
（周６ａ）「【実施例】電極ならびに半田拡散防止層の形成はＤＣスパッタ法を，絶縁体層はゾルゲル法にて作製した。
　先ず，アルミナからなる
支持基板
Ａｕ層を形成し，下側電極
フォトリソグラフィ技術を用いて，下側電極をパターン加工
加工された下側電極に，ゾルゲル法にて合成したＰｂ（Ｍｇ
1/3
Ｎｂ
2/3
）Ｏ
3
−ＰｂＴｉＯ
3
−ＰｂＺｒＯ
3
塗布溶液を，スピンコート法を用いて塗布し，３８０℃で熱処理，８１０℃で焼成を行い，膜厚０．８μｍのＰｂ（Ｍｇ
1/3
Ｎｂ
2/3
）Ｏ
3
−ＰｂＴｉＯ
3
−ＰｂＺｒＯ
3
からなる絶縁体層を形成
その後フォトリソグラフィ技術を用いて，絶縁体層に貫通孔を形成
　次に，
絶縁体層の上面に，膜厚０．３μｍのＡｕ層を形成し，上側電極
フォトリソグラフィ技術を用いて，端子電極を加工後，上側電極及び半田拡散防止層を加工
　この後，
光感光性ＢＣＢを塗布し，露光，現像を行い，端子電極が露出するように，直径約１００μｍ，深さ４μｍの貫通孔を有する保護層を形成
　
（周６ｂ）図２は，周知例６の外部電極を有する薄膜電子部品を示す断面図であって，上記摘記（６ａ）の記載を参酌すれば，当業者であれば同図から，支持基板１と，前記支持基板１の上側の上側電極７の接続部が配置される部分を除く領域に形成された下側電極５と，前記上側電極７の接続部が配置される部分と前記下側電極５の接続部とを除く領域に形成された絶縁体層３と，前記絶縁体層３を覆い，前記下側電極５の接続部を覆わず，前記下側電極５が形成されていない部分に接続部を有するように形成された上側電極７と，前記上側電極７の上に形成された，電極層５，７の接続部の上に貫通孔をそれぞれ有する保護層９と，前記上側電極全面に形成された半田拡散防止層１２と，前記半田拡散防止層１２に電気的に接続される半田バンプからなる外部電極とを有する薄膜コンデンサの構造を読み取ることができる。
　
・周知例７：特開２００２−２３１５７７号公報
（周７ａ）「また，
絶縁体層非形成領域Ｂ内の上側電極７が，金属層１９が形成されていない部分２７を介して支持基板１に設けられている
上側電極７が支持基板１に当接している
　
（周７ｂ）「また，上記例では，外部端子１１ｂを，金属層１９に形成された貫通孔２８内の上側電極７を介して支持基板１に設けた例について説明したが，
必ずしも金属層１９を形成する必要はなく，金属層１９と上側電極７を重畳させる必要もない
　
（周７ｃ）「１・・・支持基板
３・・・絶縁体層
５・・・下側電極
７・・・上側電極
１１ａ，１１ｂ・・・外部端子
１３・・・接続電極
２１，２７・・・下側電極が形成されていない部分
２３・・・貫通孔」（【符号の説明】）
　
（周７ｄ）図１は，周知例７の薄膜電子部品を示す断面図であって，上記摘記（７ｃ）の記載を参酌すれば，当業者であれば同図から，支持基板１と，前記支持基板１の上側の上側電極７の接続部が配置される部分を除く領域に形成された下側電極５と，前記上側電極７の接続部が配置される部分と前記下側電極５の接続部とを除く領域に形成された絶縁体層３と，前記絶縁体層３を覆い，前記下側電極５の接続部を覆わず，前記下側電極５が形成されていない部分に接続部を有するように形成された上側電極７と，前記上側電極７の上に形成された，電極層５，７の接続部の上に貫通孔をそれぞれ有する保護層９とを有する薄膜コンデンサの構造を読み取ることができる。
　
　してみれば，引用発明の，支持基板上の前記密着層の上面に下側電極層として形成されたＡｕ層をパターン加工する工程において，上側電極層の接続部が配置される部分を除去するように前記Ａｕ層をパターン加工し，これにより，前記上側電極層は，前記Ａｕ層が除去された箇所に接続部を有するようにすることは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　また，引用発明の，誘電体薄膜の上面に上側電極層として形成されたＡｕ層を加工する工程において，下側電極層の接続部を露出するように前記Ａｕ層を加工し，これにより，保護層の貫通孔は，上側電極層の接続部及び下側電極層の接続部の上に形成されることは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　そして，これらの構成を採用したことによる効果は，当業者の予測し得た範囲内のものである。
　したがって，引用発明において，相違点２及び相違点３に係る本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
６　むすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。