【事件の表示】
　特願２００３−５８５１５５「金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月２３日国際公開、ＷＯ０３／８８３２０、平成１７年　７月２８日国内公表、特表２００５−５２２８７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００３年（平成１５年）３月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年４月９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１２月８日に手続補正がなされたが、平成２２年８月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２２年１２月２８日になされた手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成２２年１２月２８日になされた手続補正を却下する。
　
［理由］
　
　１　補正の内容
　
（１）平成２２年１２月２８日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２１年１２月８日になされた手続補正後のもの。）の
　
「　【請求項１】
　縦形デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有する導電性付着構造体と、
　前記第１の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
　上部電気コンタクトを半導体デバイスの表面上に有する、前記導電性付着層の上に位置づけされた半導体デバイスと、
　前記第２の表面と前記半導体デバイスの間に配置された反射コンタクト構造であって、前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造とを備え、
　電流が前記導電性厚膜と前記上部電気コンタクトの間を流れることができ、
　前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触する第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む、
縦形発光ダイオード。
　　【請求項２】
　前記反射コンタクト構造が、チタン層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項３】
　前記反射コンタクト構造が、アルミニウム層をさらに含む、請求項２に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項４】
　前記半導体デバイスが、前記第２の表面へ隣接したバッファ層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項５】
　前記導電性付着構造体が、Ｃｒ付着層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項６】
　前記導電性付着構造体が、Ａｕ付着層をさらに含む、請求項５に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項７】
　前記導電性厚膜支持体は、厚さが１００ミクロンよりも小さい、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項８】
　前記導電性厚膜支持体が、ＣｕまたはＡｌを含む、請求項７に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項９】
　前記厚膜支持体が、前記半導体デバイスからの光を前記半導体デバイスの表面で反射するように形成された、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１０】
　前記上部電気コンタクトが、前記上部電気コンタクトと前記半導体デバイスとの間に透明コンタクトをさらに備える、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１１】
　前記反射コンタクト構造は多層であり、少なくとも一つの層はアルミニウム又はチタンである、請求項１記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１２】
　さらに、前記上部電気コンタクトの上に金属コンタクトパッドを備える、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１３】
　前記金属コンタクトパッドが、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、又はアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一つを含む、請求項１２に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１４】
　前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドの間に中間層を含む、請求項１２に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１５】
　前記中間層が、前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドの間の接着を増強するように形成された、請求項１４に記載の縦形発光ダイオード。
　　【請求項１６】
　前記中間層が、クロム（Ｃｒ）又は金（Ａｕ）の少なくとも一つを含む、請求項１４に記載の縦形発光ダイオード。」
　
を、
　
「【請求項１】
　縦形デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有する導電性付着構造体と、
　前記第１の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
　上部電気コンタクトを半導体デバイスの表面上に有する、前記導電性付着構造体の上に位置づけされた半導体デバイスと、
　前記第２の表面と前記半導体デバイスの間に配置された反射コンタクト構造であって、前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造とを備え、
　前記上部電気コンタクト上の金属コンタクトパッドと、
　前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の内部層であって、前記内部層が前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の付着を増強するように設計された内部層と、
　電流が前記導電性厚膜支持体と前記金属コンタクトパッドの間を流れることができ、
　前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触するＡｕを含む第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む、
縦形発光ダイオード。
【請求項２】
　前記反射コンタクト構造が、チタン層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項３】
　前記反射コンタクト構造が、アルミニウム層をさらに含む、請求項２に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項４】
　前記半導体デバイスが、前記反射コンタクト構造へ隣接したバッファ層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項５】
　前記導電性付着構造体の第二の金属層が、Ｃｒ付着層を含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項６】
　前記導電性厚膜支持体は、厚さが１００ミクロンよりも小さい、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項７】
　前記導電性厚膜支持体が、ＣｕまたはＡｌを含む、請求項７に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項８】
　前記厚膜支持体が、前記半導体デバイスからの光を前記半導体デバイスの表面で反射するように形成された、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項９】
　前記上部電気コンタクトが、前記上部電気コンタクトと前記半導体デバイスとの間に透明コンタクトをさらに備える、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項１０】
　前記反射コンタクト構造は多層であり、少なくとも一つの層はアルミニウム又はチタンを含む、請求項１記載の縦形発光ダイオード。
【請求項１１】
　前記金属コンタクトパッドが、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、又はアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。
【請求項１２】
　前記中間層が、クロム（Ｃｒ）又は金（Ａｕ）の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の縦形発光ダイオード。」
　
に補正するものである。
　
（２）上記（１）の補正の内容は、以下の補正事項を含むものである。
　
　ア　補正前の請求項１の「縦形発光ダイオード」について、
「前記上部電気コンタクト上の金属コンタクトパッドと、
　前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の内部層であって、前記内部層が前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の付着を増強するように設計された内部層と、」
を含むとの特定事項を付加するとともに、補正前の請求項１の「電流が前記導電性厚膜と前記上部電気コンタクトの間を流れることができ」を、「電流が前記導電性厚膜支持体と前記金属コンタクトパッドの間を流れることができ」とする。
　
　イ　補正前の請求項１の「導電性付着層」及び「導電性厚膜」を、それぞれ、「導電性付着構造体」及び「導電性厚膜支持体」とする。
　
　ウ　補正前の請求項１の「前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触する第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む」を、「前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触するＡｕを含む第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む」とする。
　
　２　補正の目的
　
（１）上記１（２）アの補正事項は、補正前の請求項１の「縦形発光ダイオード」を限定するものと認められる。
　
（２）上記１（２）イの補正事項は、用語を統一するものであって、誤記を訂正するものと認められる。
　
（３）上記１（２）ウの補正事項は、補正前の請求項１の「第１の金属層」について「Ａｕを含む」ことを限定するものである。
　
（４）以上のとおりであるから、上記１（１）の補正の内容は、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号及び第３号に規定する特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とするものに該当すると認められる。
　
　３　独立特許要件についての検討
　
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、前記１（１）において、補正後のものとして示したとおりのものと認められるところ、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討する。
　
（１）刊行物の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−８４０３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード、レーザダイオード等の発光デバイス、又はフォトダイオード等の受光デバイスに使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体はそのバンドギャップエネルギーが１．９ｅＶ〜６．０ｅＶまであるので発光素子、受光素子等の各種半導体デバイス用として注目されており、最近この材料を用いた青色ＬＥＤ、青緑色ＬＥＤが実用化されたばかりである。
【０００３】一般に窒化物半導体素子はＭＢＥ、ＭＯＶＰＥ等の気相成長法を用いて、基板上にｎ型、ｐ型あるいはｉ型等に導電型を規定した窒化物半導体を積層成長させることによって得られる。基板には例えばサファイア、スピネル、ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の絶縁性基板の他、炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛、ガリウム砒素等の導電性基板が使用できることが知られているが、窒化物半導体と完全に格子整合する基板は未だ開発されておらず、現在のところ、格子定数が１０％以上も異なるサファイアの上に窒化物半導体層を強制的に成長させた青色、青緑色ＬＥＤ素子が実用化されている。
【０００４】図６は従来の青色ＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。従来のＬＥＤ素子は、基本的にサファイア基板６１の上に窒化物半導体よりなるｎ型層６２と活性層６３とｐ型層６４とが順に積層されたダブルへテロ構造を有している。前記のようにサファイアは絶縁性であり基板側から電極を取り出すことができないので、同一窒化物半導体層表面に正電極６５と負電極６６とが設けられた、いわゆるフリップチップ方式の素子とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファイアを基板とする従来のフリップチップ方式の素子には数々の問題点がある。まず第一に、同一面側から両方の電極を取り出すためチップサイズが大きくなり多数のチップがウェーハから得られない。第二に、負電極と正電極とが水平方向に並んでいるため電流が水平方向に流れ、その結果電流密度が局部的に高くなりチップが発熱する。第三にサファイアという非常に硬く、劈開性のない基板を使用しているので、チップ化するのに高度な技術を必要とする。さらにＬＤを実現しようとする際には基板の劈開性を用いた窒化物半導体の劈開面を共振面とできないので共振面の形成が非常に困難である。
【０００６】以上のような問題を回避するため、上記のように炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛、ガリウム砒素、ガリウムリン等の導電性基板の上に窒化物半導体を成長する試みも成されているが、未だ成功したという報告はされていない。
【０００７】従って本発明はこのような事情を鑑み成されたものであって、その目的とするところは、主として上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子を提供することにある。」
　
　イ「【００２０】
【実施例】以下、実施例で本発明を詳説する。図１乃至図３は本発明の方法の一工程を説明するウェーハ及び導電性基板の模式的な断面図であり、図４は実施例１により得られた窒化物半導体発光素子の構造を示す模式的な断面図であり、以下これらの図を元に実施例１を述べる。
【００２１】［実施例１］サファイア基板１の表面に窒化物半導体層２が積層されたウェーハを用意する。なお窒化物半導体層２はサファイア基板１から順にドナー不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｎ型層２１と、ＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）よりなる活性層２２と、アクセプター不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有している。なお最上層のｐ型層２３は４００℃以上のアニーリングにより低抵抗化されている。
【００２２】次に図１に示すように窒化物半導体層２の表面のほぼ全面にＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０を５００オングストロームの膜厚で形成する。つまり窒化物半導体層２の最上層のｐ型層のほぼ全面にｐ型層と好ましいオーミックが得られる第一のオーミック電極３０を形成する。さらにそのオーミック電極３０の上にに接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成する。
【００２３】一方、導電性基板として、サファイア基板１とほぼ同じ大きさを有するｐ型ＧａＡｓ基板５０を用意し、このｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第二のオーミック電極４０を５００オングストロームの膜厚で形成する。さらにその第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成する。
【００２４】次に、図２に示すように第一のオーミック電極３０を有する窒化物半導体ウェーハと、第二のオーミック電極４０を有するｐ型ＧａＡｓ基板５０とのオーミック電極同士を貼り合わせ、加熱により圧着する。但し、圧着時ウェーハのサファイア基板１とｐ型ＧａＡｓ基板５０とは平行となるようにする。平行でないと次のサファイア基板を除去する工程において、露出される窒化物半導体層の水平面が出ないからである。また第一のオーミック電極３０と第二のオーミック電極４０とを接着するためにＡｕを使用したが、この他電極３０と４０との間にインジウム、錫、ハンダ、銀ペースト等の導電性材料を介して接着することも可能である。なおｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着する際に窒化物半導体層の劈開性と、基板５０との劈開方向を合わせて接着してあることは言うまでもない。
【００２５】次にｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着したウェーハを研磨器に設置し、サファイア基板１のラッピングを行い、サファイア基板を除去して、窒化物半導体層２のｎ型層２１を露出させる。なおこの工程において、例えばサファイア基板１を数μｍ程度の厚さが残るようにラッピングした後、さらに残ったサファイア基板をエッチングにより除去することも可能である。サファイア基板１除去後のウェーハの構造を図３に示す。
【００２６】最後に露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後、ｎ型層にオーミック用の電極としてＴｉ−Ａｌよりなる負電極２５を形成し、一方ｐ型ＧａＡｓ基板５０には同じくオーミック電極としてＡｕ−Ｚｎよりなる正電極５５を全面に形成する。
【００２７】以上のようにして正電極および負電極が形成されたウェーハを、ｐ型ＧａＡｓ基板の劈開性を利用して２００μｍ角の発光チップに分離する。分離後の発光チップの構造を示す模式的な断面図を図４に示す。この発光チップは電極２５と５５間に通電することにより、活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造を示している。この発光素子は活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射され、ｐ型ＧａＡｓ基板５０に吸収されることがないので、従来の発光素子に比べて発光出力が５０％以上増大した。
【００２８】またこの例は絶縁性基板がサファイア、導電性基板がｐ型ＧａＡｓについて説明したが、絶縁性基板にはサファイアの他に例えば前記したスピネル、ネオジウムガレートのような絶縁性基板を用いても良く、また導電性基板にはＳｉ、ＺｎＯのような基板を用いても良い。」
　
　ウ　上記イ【００２０】の記載を踏まえ、図４を参照すると、上記イ【００２１】〜【００２８】に記載の実施例１により得られた窒化物半導体発光素子の構造は、負電極２５が上面に、正電極５５が下面にあることがみてとれる。
　なお、図４は次のものである。
　
（２）引用発明
　
　上記（１）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「サファイア基板１の表面にサファイア基板１から順にドナー不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｎ型層２１と、ＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）よりなる活性層２２と、アクセプター不純物がドープされたＡｌXＧａ1-XＮ（０≦X≦１）よりなるｐ型層２３とを少なくとも有するダブルへテロ構造を有する窒化物半導体層２が積層されたウェーハを用意し、
　次に窒化物半導体層２の表面のほぼ全面にＮｉとＡｕを含むオーミック電極３０を５００オングストロームの膜厚で形成し、さらにそのオーミック電極３０の上に接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成し、
　一方、導電性基板として、サファイア基板１とほぼ同じ大きさを有するｐ型ＧａＡｓ基板５０を用意し、このｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第二のオーミック電極４０を５００オングストロームの膜厚で形成し、さらにその第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするためにＡｕ薄膜を０．１μｍ形成し、
　次に、第一のオーミック電極３０を有する窒化物半導体ウェーハと、第二のオーミック電極４０を有するｐ型ＧａＡｓ基板５０とのオーミック電極同士を貼り合わせ、加熱により圧着し、ｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着する際に窒化物半導体層の劈開性と、基板５０との劈開方向を合わせて接着し、
　次にｐ型ＧａＡｓ基板５０を接着したウェーハを研磨器に設置し、サファイア基板１のラッピングを行い、サファイア基板を除去して、窒化物半導体層２のｎ型層２１を露出させ、
　最後に露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後、ｎ型層にオーミック用の電極としてＴｉ−Ａｌよりなる負電極２５を形成し、一方ｐ型ＧａＡｓ基板５０には同じくオーミック電極としてＡｕ−Ｚｎよりなる正電極５５を全面に形成し、
　以上のようにして正電極および負電極が形成されたウェーハを、ｐ型ＧａＡｓ基板の劈開性を利用して２００μｍ角に分離された発光チップであって、
　この発光チップは電極２５と５５間に通電することにより、活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造であり、この発光素子は活性層２２の発光が第一のオーミック電極３０とｐ型層２３との界面で反射され、
　負電極２５が上面に、正電極５５が下面にある発光チップ。」
　
（３）対比
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　本願明細書の【０００８】には、
「サファイア基板または一般に他の絶縁基板から個々のデバイスをダイシングするという前述の問題に加えて、サファイア基板または他の絶縁基板には他の不利点がある。注目すべきことには、サファイアは絶縁物であるので、サファイア基板（または、他の絶縁基板）を使用するとき利用できるデバイス形態は限られている。実際には、横方向と縦方向の２つのデバイス形態があるだけである。横形では、電流を注入するために使用される金属電気コンタクトは、両方とも上面にある。縦形では、基板が除去され、一方の金属コンタクトが上面にあり、他方のコンタクトは下面にある。」
との記載がある。これによれば、本願補正発明における「縦形デバイス」及び「縦形発光ダイオード」とは、サファイア基板または他の絶縁基板が除去され、一方の金属コンタクトが上面にあり、他方のコンタクトは下面にあるデバイス及び発光ダイオードを意味するものと認められる。
　引用発明は、「電極２５と５５間に通電することにより、活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造であり」、「負電極２５が上面に、正電極５５が下面にある発光チップ」であるから、本願補正発明における「縦形デバイス」及び「縦形発光ダイオード」であるといえる。
　
　イ　引用発明の「第二のオーミック電極４０及び（第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするために０．１μｍ形成された）Ａｕ薄膜」、「ｐ型ＧａＡｓ基板５０」、「窒化物半導体層２」及び「Ｔｉ−Ａｌよりなる負電極２５」は、それぞれ、本願補正発明の「導電性付着構造体」、「導電性厚膜支持体」、「半導体デバイス」及び「金属コンタクトパッド」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「第一のオーミック電極３０」は、「窒化物半導体層２」へのコンタクト層として働くことが明らかであって、「活性層２２の発光」を「ｐ型層２３との界面で」反射するものであるから、本願補正発明の「前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造」に相当する。
　
　エ　引用発明において、「ｐ型ＧａＡｓ基板５０」は、その表面に「第二のオーミック電極４０」が形成され、「第一のオーミック電極３０」は、「第二のオーミック電極４０」と「貼り合わせ、加熱により圧着」されるものであるから、「ｐ型ＧａＡｓ基板５０」及び「第一のオーミック電極３０」は、それぞれ、「第二のオーミック電極４０及び（第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするために０．１μｍ形成された）Ａｕ薄膜」の第１の表面及び第２の表面に形成又は配置されたものであるといえる。
　したがって、上記（ア）ないし（ウ）を踏まえると、引用発明は、
「縦形デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有する導電性付着構造体と、
　前記第１の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
　前記導電性付着構造体の上に位置づけされた半導体デバイスと、
　前記第２の表面と前記半導体デバイスの間に配置された反射コンタクト構造であって、前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造とを備えた、
縦形発光ダイオード。」
であるといえ、この点で、本願補正発明と一致する。
　
　オ　引用発明において、「負電極２５」は、Ｔｉ−Ａｌよりなるものであって、「発光チップは電極２５と５５間に通電することにより、活性層２２が発光するＬＥＤ素子の構造であ」るから、引用発明は、本願補正発明の「電流が前記導電性厚膜支持体と前記金属コンタクトパッドの間を流れることができ」との構成を有する。
　
　カ　引用発明の「第二のオーミック電極４０」は、「ｐ型ＧａＡｓ基板５０」の表面に形成されたＡｕ−Ｚｎよりなるものであるから、「導電性厚膜支持体に接触するＡｕを含む第一の金属層」を含むものといえる。したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触するＡｕを含む第一の金属層」を含むとの構成を有する。
　
　キ　引用発明の「（第二のオーミック電極４０の上に接着性を良くするために０．１μｍ形成された）Ａｕ薄膜」は、「第一のオーミック電極３０」と「貼り合わせ、加熱により圧着」されるものであるから、「反射コンタクト構造に接触する第二の金属層」であるといえる。したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記導電性付着構造体が」「前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む」との構成を有する。
　
　ク　以上によれば、本願補正発明と引用発明とは、
　
「縦形デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有する導電性付着構造体と、
　前記第１の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
　前記導電性付着構造体の上に位置づけされた半導体デバイスと、
　前記第２の表面と前記半導体デバイスの間に配置された反射コンタクト構造であって、前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造とを備え、
　電流が前記導電性厚膜支持体と金属コンタクトパッドの間を流れることができ、
　前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触するＡｕを含む第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む、
縦形発光ダイオード。」
　
で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
「半導体デバイスの表面上の電気コンタクトについて、
　本願補正発明は、
　上部電気コンタクトを半導体デバイスの表面上に有し、
　前記上部電気コンタクト上の金属コンタクトパッドと、
　前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の内部層であって、前記内部層が前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の付着を増強するように設計された内部層と、
を含むのに対して、引用発明は、露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後、ｎ型層にオーミック用の電極としてＴｉ−Ａｌよりなる負電極２５が形成されているのみである点。」（以下「相違点」という。）
　
（４）判断
　
　ア　相違点について
　半導体発光素子において、ｎ側電極を、半導体デバイス表面上の電気コンタクトと、電気コンタクトの上の金属コンタクトパッドと、電気コンタクトと金属コンタクトパッドとの間の中間層であって、電気コンタクトと金属コンタクトパッドとの間の接着層または密着層として作用する中間層の積層構造により構成することは、本願優先日当時において周知の技術である（上記「接着層または密着層として作用する中間層」として、例えば、特開２０００−１６４９２８号公報の【００３０】〜【００３３】及び図１には「（接着層として作用する）チタン層１８」が、国際公開第０１／６１８０４号の１１頁２２〜２９行及び図１には「密着層２３ａ」が、実願昭６２−７０４６４号（実開昭６３−１７８３５９号）のマイクロフィルムには「（上下電極材料との密着性もよい）（中間層で、クロムからなる）第２の層（２２）」が記載されている。）から、引用発明において、相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
　イ　本願補正発明の効果について
　本願補正発明において奏される効果が、引用発明及び周知技術から予測し得る以上の格別顕著なものとも認められない。
　
　ウ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
（５）請求人の主張について
　
　請求人は、請求の理由において、
「また、請求項１に関し、審査請求時の補正事項である『前記上部電気コンタクト上の金属コンタクトパッドと、前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の内部層であって、前記内部層が前記上部電気コンタクトと前記金属コンタクトパッドとの間の付着を増強するように設計された内部層と、』の技術的特徴に関しては、引用文献１には全く教示されていないところ、新たに引用文献７−１５を提示した上で、周知技術であると予断して、拒絶理由通知を起案することなく、請求項１の発明の独立特許要件である進歩性を否定しています。 
 　したがって、前置報告における原審の判断は、結果を述べているにすぎず、合理性を欠いたものであると申し上げるほかありません。」、
「しかしながら、御庁の審理において、審判請求時に補正した請求項１−１２に係る発明が、引用文献１および前置報告で新たに示された引用文献７−１５に対して特許法第２９条第２項の特許要件を具備しないとご判断なされる場合には、新たな拒絶理由通知を出されますことをお願い申し上げます。」、
「特許法は第１５９条第２項において、第５０条の規定を準用し、「拒絶査定不服審判において査定の理由と異なる拒絶の理由を発見した場合には、審判請求人（特許出願人）に対し、拒絶の理由を通知し、相当の期間を指定して、意見書を提出する機会を与えなければならない。」とされています。これは、適切な審査を貫くための理念を要請したものであると考えます（平成２２年（行ケ）第１０２９８号　知財高裁判決参照）。 」
と主張するが、審査請求時の補正事項と同様の事項が記載されている平成２１年１２月８日付け手続補正書の請求項１２、１４及び１５について、平成２２年８月５日付け拒絶査定において、
　「これらの請求項で限定した点は周知の事項を組み合わせたものに過ぎない。」
と指摘がなされているところであるから、請求人の上記主張は採用の限りでない。
　
（６）まとめ
　
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
　１　本願発明
　
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１２月８日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、１（１）において、補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
　２　刊行物の記載及び引用発明
　
　前記第２、３（１）及び（２）のとおりである。
　
　３　対比及び判断
　
　引用発明の「負電極２５」は、露出したｎ型層２１の表面をポリシングした後、ｎ型層にオーミック用の電極として形成されるものであるから、本願発明の「（半導体デバイスが表面上に有する）上部電気コンタクト」に相当する。
　さらに、前記第２、３（３）アないしキでの検討に照らすと、引用発明は、
「縦形デバイスであって、
　第１の表面および第２の表面を有する導電性付着構造体と、
　前記第１の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
　上部電気コンタクトを半導体デバイスの表面上に有する、前記導電性付着層の上に位置づけされた半導体デバイスと、
　前記第２の表面と前記半導体デバイスの間に配置された反射コンタクト構造であって、前記半導体デバイスへのコンタクト層としても働く反射コンタクト構造とを備え、
　電流が前記導電性厚膜と前記上部電気コンタクトの間を流れることができ、
　前記導電性付着構造体が前記導電性厚膜支持体に接触する第一の金属層と、前記反射コンタクト構造に接触する第二の金属層とを含む、
縦形発光ダイオード。」
である点で本願発明と一致し、相違するところはないものと認められる。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明である。
　
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。