【事件の表示】
　特願２００３−４２４６８６「二重キャッピング膜を有する半導体素子の配線及びその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２９日出願公開、特開２００４−２１４６５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１５年１２月２２日の出願（パリ条約に基づく優先権主張：２００２年１２月３０日、　大韓民国）であって、平成２１年４月２４日に手続補正書が提出され、同年５月２７日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年１０月１日に審判が請求されるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、平成２３年１月１９日付けで審尋がされ、同年４月１３日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年１０月１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての却下の決定
　
【補正の却下の決定の結論】
　
　本件補正を却下する。　
　
【理由】　
１　補正の内容　
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである（下線を付した部分は、補正箇所である。）。
　
ア　補正前の請求項１に、補正前の請求項５及び「一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより」の限定を加えることにより、「前記配線は、ビアと、その上に一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより重畳された導線からなるダマシン配線であり、」とし、補正後の請求項１とすること。　
　
イ　補正前の請求項７に、補正前の請求項１５の「前記溝はビアトレンチとその上に重畳された導線トレンチからなるように形成する」と、「一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより」の限定を加えることにより、「前記溝は、ビアトレンチと、その上に一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより重畳された導線トレンチからなるように形成する」とし、補正後の請求項２とすること。
　　
ウ　補正前の請求項２〜６、８〜１６を削除すること。
　
２　補正の目的の適否
　上記補正ア、イは、いずれも、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定する補正を含むものであり、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記補正ウは、同法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当するから、本件補正は同法第１７条の２第４項柱書きに規定する目的要件を満たす。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　
３　独立特許要件（進歩性）についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜２に係る発明のうち、請求項１に係る発明は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　内部に配線形態の溝を有する層間絶縁膜と、
　前記溝内壁上のバリアメタル膜と、
　前記バリアメタル膜上に前記溝を埋め込みつつ前記層間絶縁膜の上面と平行した上面を有して配線をなす金属層と、
　前記層間絶縁膜と金属層上面とを被覆するキャッピング膜であり、シリコンナイトライドとシリコンカーバイドとが順次積層された二重膜からなるキャッピング膜と、を含み、
　前記配線は、ビアと、その上に一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより重畳された導線からなるダマシン配線であり、
　前記キャッピング膜の誘電率が、シリコンナイトライドの誘電率より低いことを特徴とする半導体素子の配線。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−９１５０号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体装置、その製造方法及び製造装置」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　
ア　発明の属する技術分野等　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、その製造方法、製造装置において、Ｃｕ配線とその上の金属配線の間に形成される層間絶縁膜に関し
【０００２】
【従来の技術】ＩＣの製造分野では、デバイスの高速化、高集積化にともない、デバイス設計ルールの縮小化が進んできている。デバイスの縮小化にともない、配線サイズと配線間隔も縮小化が進むため、配線抵抗や配線間寄生容量が増加していく傾向にある。
【０００３】配線抵抗や配線間寄生容量が増加するとＲＣ時定数が大きくなり、信号の伝播速度の低下がデバイスの高速化をおこなう上で問題となってきている。
配線間の寄生容量は、配線の面積、配線間の絶縁膜の比誘電率に比例し、配線間隔に反比例して増加する。このため、デバイスのデザインを変更せずに寄生容量を減少する方法としては、絶縁膜の比誘電率を下げることが有効である。
【０００４】近年、配線間容量低減のため、従来のＳｉＯ２よりも比誘電率の低いＳｉＯＦ等各種低誘電率の層間絶縁膜が検討されてきている。一方、配線抵抗を低減するためには、配線材料として広く用いられてきていたＡｌよりも
比抵抗の低いＣｕを配線材料として用いた技術、製品が普及してきている。
【０００５】
Ｃｕを配線材料として用いる場合、ドライエッチングによるＣｕの微細加工が困難なことから、通常、図４に示すようなダマシン配線構造が一般的に広く使われている。
【０００６】ダマシン配線形成後、層間絶縁膜を形成する場合、ＣｕがＳｉＯ２と容易に反応して拡散してしまうため、通常は拡散防止絶縁膜としてＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２を用いた平行平板型プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜５２をＣｕ上に５０〜１００ｎｍ程度成膜してから、ＳｉＯ２等の絶縁膜２０を成膜している。         　
【０００７】この場合、ＳｉＮはＣｕの拡散防止のためだけではなく、例えば、Ｃｕのダマシン配線上にビアホールを開口する際、Ｃｕ表面がＳｉＯ２のエッチングやＯ２レジストアッシングの雰囲気に晒されるのを防止するため、ＳｉＯ２のエッチングストップ層としての役割も担うことになる。このように
Ｃｕ上に成膜されるＳｉＮ膜５２はＣｕの拡散防止とエッチングストップ層としての機能が求められている。
　
イ　発明の実施形態     　
「【００１９】
【発明の実施形態】以下、
本発明にかかる半導体装置の一実施形態
【００２０】図１、図２、図３に半導体装置の製造方法を示す。まず、図１（ａ）に示すように
デバイス素子を有するシリコン基板４上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ
２
絶縁膜６を５００ｎｍ成膜する。
絶縁膜６をエッチングし溝を形成した後、
次にバリヤメタルとしてＴａ１０を５０ｎｍ、Ｃｕメッキのシード層としてスパッタリング法によりＣｕ膜を１００ｎｍ、シリコン基板４の全面に成膜する。
【００２１】
次に電界メッキ法によりＣｕ１４で溝を埋め込んでから、
ＣＭＰ法により絶縁膜６上のＣｕ１４とＴａ１０を除去し、Ｃｕ配線１２を形成する。
「【００２７】（他の実施形態）本実施形態では、まず、
上記実施形態と同一の方法によりＣｕ溝配線を形成する。次に
第１絶縁膜１６としての拡散防止絶縁層ＳｉＮを２０ｎｍ成膜する。
【００２８】
次に
第２絶縁膜１８としての拡散防止絶縁層としてＳｉＣを３０ｎｍ成膜する。
　
ウ　図１（ｄ）について
　上記イを参酌すると、図１（ｄ）から、バリアメタルとしてのＴａ１０は、絶縁膜６の溝内壁上にあり、そして、Ｃｕ配線１２は、バリアメタルとしてのＴａ１０上に絶縁膜６の溝を埋め込みつつ絶縁膜６の上面と平行した上面を有して配線をなすものであることが分かる。　
　　
（２−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
「溝を形成した絶縁膜６と、前記溝内壁上のバリヤメタルとしてのＴａ１０と、前記バリヤメタルとしてのＴａ１０上に前記溝を埋め込みつつ絶縁膜６の上面と平行した上面を有して配線をなすＣｕ配線１２と、その上に順次成膜された、第１絶縁膜１６としての拡散防止絶縁層ＳｉＮと、第２絶縁膜１８としての拡散防止絶縁層としてＳｉＣとを含む、ダマシン配線であるデバイス素子の配線。」
　
（３）対比
（３−１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア　引用発明の「溝」は、「Ｃｕ配線１２」が形成されることから、配線形態であることは明らかである。そして、引用発明の「ＳｉＯ２絶縁膜６」は、層間絶縁膜であるから、引用発明の「溝を形成した絶縁膜６」は、本願補正発明の「内部に配線形態の溝を有する層間絶縁膜」に相当する。
　
イ　引用発明の「バリヤメタルとしてのＴａ１０」、「Ｃｕ配線１２」、「デバイス素子」は、それぞれ、本願補正発明の「バリアメタル膜」、「金属層」、「半導体素子」に相当する。
　
ウ　引用発明の「順次成膜された、第１絶縁膜１６としての拡散防止絶縁層ＳｉＮと、第２絶縁膜１８としての拡散防止絶縁層としてＳｉＣ」は、「絶縁膜６」及び「Ｃｕ配線１２」を被覆していることから、二重膜からなるキャッピング膜ということができる。
　そうすると、引用発明の「順次成膜された、第１絶縁膜１６としての拡散防止絶縁層ＳｉＮと、第２絶縁膜１８としての拡散防止絶縁層としてＳｉＣ」は、本願補正発明の「前記層間絶縁膜と金属層上面とを被覆するキャッピング膜であり、シリコンナイトライドとシリコンカーバイドとが順次積層された二重膜からなるキャッピング膜」に相当する。
　
（３−２）したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「内部に配線形態の溝を有する層間絶縁膜と、前記溝内壁上のバリアメタル膜と、前記バリアメタル膜上に前記溝を埋め込みつつ前記層間絶縁膜の上面と平行した上面を有して配線をなす金属層と、前記層間絶縁膜と金属層上面とを被覆するキャッピング膜であり、シリコンナイトライドとシリコンカーバイドとが順次積層された二重膜からなるキャッピング膜と、を含み、前記配線は、ダマシン配線である半導体素子の配線。」
　
〈相違点〉
相違点１　
　本願補正発明の「配線」は、「ビアと、その上に一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより重畳された導線からなるダマシン配線」であるのに対し、引用発明は、単一ダマシン配線であって、エッチングについて特定もなされていない点。
　
相違点２　
　キャッピング膜の誘電率について、本願補正発明では「シリコンナイトライドの誘電率より低い」のに対し、引用発明では誘電率の特定がない点。
　
（４）相違点についての検討
（４−１）相違点１について
　層間絶縁膜に形成されたダマシン配線として、一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングを使用して溝に形成されたビア及びその上の重畳された導線からなる、二重ダマシン配線を採用することは、以下の周知例１〜３に記載のとおり、本願の優先権主張の日前における当業者の周知技術である。　
　よって、当該周知技術を勘案すれば、引用発明の「配線」として、単一ダマシン配線に代えて、本願補正発明のように、「ビアと、その上に一層のシリコンカーバイドを阻止膜として用いたエッチングにより重畳された導線からなるダマシン配線」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　　
周知例１：特開２００２−１１０６４４号公報　
　上記周知例１には、一層のＳｉＣ層を阻止膜として用いたエッチングを使用し、ヴィアホール１５ａおよび配線溝１７を形成する二重ダマシン配線構造を採用する技術が記載されている。
　また、比誘電率は７〜８のＳｉＮ膜、比誘電率は４．６のＳｉＣ層を採用する技術も記載されている。
「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上に説明したような従来の技術では、
エッチングストッパ層の誘電率が大きくなり、
そして、同層の配線間でのＳｉＮ膜１０２を介したフリンジ効果で同層配線層間の寄生容量も増大する。
ＳｉＮ膜の比誘電率は７〜８
【００１４】
Ｃｕを導電体材とする溝配線の形成では、Ｃｕが非常に酸化され易いことから、上述したエッチングストッパ層として酸素を含有しない絶縁膜が必要になる。また、配線間の寄生容量の低減から比誘電率の小さな絶縁膜が望ましい。そのような絶縁膜としてＳｉＣ膜の存在は現在知られている。
「【００２５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態を図１に基づいて説明する。図１は、従来の技術と同様にデュアルダマシン配線構造の製造工程順の略断面図である。
【００２６】図１（ａ）に示すように、半導体基板上に絶縁膜を介して
Ｃｕで下層配線１を形成する。そして、この下層配線１を被覆するように膜厚が５０ｎｍ程度のＳｉＣ層２を形成する。
ＳｉＣ層は絶縁性を有しその比誘電率は４．６
「【００４０】次に、本発明の第２の実施の形態を図３乃至図５に基づいて説明する。
図３乃至図５は、デュアルダマシン配線構造の製造工程を詳細に説明する工程順の断面図である。
「【００４４】次に、
図４（ａ）に示すように、
このようにして、上記の配線溝１７の形成工程で、第１のＨＳＱ膜１０は、第２ＳｉＣ層１１によりドライエッチングから保護される。」
「【００４９】続いて、
図５（ａ）に示すように、ヴィアホール１５ａおよび配線溝１７ａの内壁ならびにＣＭＰストッパ層１３表面に下層配線８に電気接続するバリア層１８を形成する。そして、膜厚が１０００ｎｍ程度のＣｕ膜１９をメッキ法等で成膜する。」
「【００５１】以上のようにして、・・・
このようにして、デュアルダマシン配線構造が出来上がる。
　　
周知例２：特開２０００−１５０５１６号公報（原査定の拒絶の理由に引用。）　
　上記周知例２には、一層のＳｉＣ膜からなるハ−ドマスク８５を阻止膜として用いたエッチングを使用し、溝４１とビアホ−ル３１とからなるデュアルダマシン形状を形成し、Ｃｕが埋め込まれた配線とする、技術が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】先ず本発明方法の概要について図１に基づいて説明する。
本発明方法は
溝４１とビアホ−ル３１とが一体となったデュアルダマシン形状を製造する
「【００２４】この後図５に示すように溝４１とビアホ−ル３１とに金属例えばＣｕを埋め込む処理を行う。つまり例えば図５（ａ）に示すようにハ−ドマスク８３の表面にＣｕ層８４を形成して、溝４１とビアホ−ル３１にＣｕを埋め込む処理を行った後、図５（ｂ）に示すように図示しないＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置においてＣＭＰ（研磨）処理を行い、不要なＣｕ層８４を研磨して除去し、
こうして溝４１とビアホ−ル３１とにＣｕが埋め込まれた半導体装置が製造される。
「【００５１】
続いて本発明のさらに他の実施の形態について説明する。
【００５２】この実施の形態について、
下部絶縁膜をＣＦ膜９、上部絶縁膜をＣＦ膜４により形成した半導体装置を例にして図１４及び図１５により具体的に説明する。
【００５３】次いで図１４（ｂ）に示すように、ＣＦ膜９の上面への例えばＳｉＣ膜からなるハ−ドマスク８５の形成と、レジスト７３の塗布、露光、現像とを行なう。ここでハ−ドマスク８５は例えば前記プラズマ処理装置において、成膜ガス例えばＳｉＨ4 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスをプラズマ化することにより形成される。この後図１４（ｃ）に示すように、ＣＦ系ガスをエッチングガスとして用いてハ−ドマスク８５をエッチングし、続いてＯ2 ガスやＨ2 ガスをエッチングガスとして用いてＣＦ膜９にビアホ−ル９１をエッチングする。         　
【００５４】次に図１５（ａ）に示すように、ハ−ドマスク８５の上面にＣＦ膜４を成膜するが、・・・　　
【００５５】
次いで図１５（ｂ）に示すように、上述の実施の形態と同様に、ＣＦ膜４の上面への例えばＳｉＣ膜からなるハ−ドマスク８３の形成と、レジスト７２の塗布、露光、現像とを行なった後、ＣＦ系ガスによるハ−ドマスク８３のエッチングと、Ｏ
2 
ガスやＨ
2 
ガスによるＣＦ膜４のエッチングとを行い、溝４１を形成する
【００５６】このようなオ−バ−エッチングを行うと、ビアホ−ル９１内に存在するＣＦ膜４もエッチングされて除去される。この際下部絶縁膜と上部絶縁膜とは共にＣＦ膜により形成されているので両者のエッチング選択比は同じであるが、両者の界面にＳｉＣ膜よりなるハ−ドマスク８５が設けられており、このハ−ドマスク８５とＣＦ膜とはエッチング選択比が異なるので、このハ−ドマスク８５により下方側のＣＦ膜９のエッチングが妨げられる。またＣＦ膜４は垂直性のよいエッチングが行われるので、ビアホ−ル９１内のＣＦ膜４のエッチングのみが進行し、ビアホ−ル９１の側壁が削られるおそれはない。さらにビアホ−ル９１の底部はＣＦ膜とはエッチング選択比が異なる基板２であるため、当該ビアホ−ル９１の底部がエッチングにより削られるおそれもない。　　
【００５７】・・・
デュアルダマシン形状を形成する
　　　
周知例３：特開２００２−２８９６８９号公報
　上記周知例３には、一層のシリコンカーバイド層からなるエッチングストッパ層を用いたエッチングを使用し、ビア孔ＶＨと配線パターン溝ＷＴとからなるデュアルダマシン配線構造を採用する技術が記載されている。　
「【０１２４】
図９（Ａ）〜（Ｆ）は、デュアルダマシン配線構造を作成する他の方法を示す断面図である。
エッチングストッパ層ｓ３
【０１２５】反射防止膜ａｒ３の上に、ビア孔及び耐湿リング溝に対応する開口を有するレジストパターンＰＲ２を形成する。レジストパターンＰＲ２をマスクとし、反射防止膜ａｒ３、
層間絶縁層ｄ３のエッチングを行ない、エッチングストッパ層ｓ３の表面でエッチングを停止させる。」
「【０１２８】図９（Ｄ）に示すように、・・・
配線パターン溝ＷＴ、ビア孔ＶＨ（耐湿リング溝ＲＴ）が形成される。
【０１２９】図９（Ｅ）に示すように、バリア層ｂ３ｐ、配線層ｗ３ｐの堆積を行なう。まず、厚さ約２０ｎｍのＴａＮ層をスパッタリングで堆積し、続いて厚さ約２００ｎｍのＣｕ層をスパッタリングで堆積する。次に、厚さ約１３００ｎｍのＣｕ層をメッキで堆積する。
【０１３０】図９（Ｆ）に示すように、層間絶縁層ｄ３上の不要なバリア層ｂ３ｐ、配線層ｗ３ｐをＣＭＰにより除去し、
バリア層ｂ３、配線層ｗ３で構成されたデュアルダマシン配線構造を作成する。
「【０１３３】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。
「【０１３８】
エッチングストッパ層は、
シリコンカーバイド層、
で形成することができる。
　　
（４−２）相違点２について
ア　一般に、ダマシン配線にシリコンナイトライド膜及びシリコンカーバイド膜の両方を使用するに際して、シリコンカーバイドの誘電率が、シリコンナイトライドの誘電率より低くなるように、それぞれの膜を選択することは、例えば、上記周知例１及び下記周知例４に記載されているように、本願の優先権主張の日前における当業者の周知技術である。　
　
周知例４：特開２００２−２７０６８９号公報　　
　上記周知例４には、比誘電率が７程度と相対的に高いシリコン窒化膜、シリコン窒化膜よりも比誘電率が低いシリコン炭化（ＳｉＣ）を採用する技術が記載されている。　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、いわゆる
ダマシン（damascene）法を用いて形成された銅配線を有する半導体装置に適用して有効な技術に関する。」
「【０００３】・・・この銅配線は、一般に層間絶縁膜に形成した溝上に銅を主導体層とする配線用金属を埋め込んだ後、溝外部の余分な金属をＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法を用いて除去することにより溝内に配線パターンを形成する、いわゆるダマシン法で形成される。
【０００４】ところで、配線用金属の主導体層を構成する銅は酸化されやすく、また絶縁膜中に拡散しやすいという性質を有している。銅の酸化は配線抵抗の増加を招き、銅の拡散は半導体デバイスのリーク電流や特性変動、さらには層間絶縁膜の高誘電率化の原因となる。このため、
配線の上下に絶縁材料からなるバリア層を設けて銅の酸化、拡散を防いでいる。」
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記バリア層を構成する絶縁材料としては、
通常シリコン窒化が用いられている。しかし、層間絶縁膜中にシリコン窒化膜を設けると、シリコン窒化膜の比誘電率が７程度と相対的に高いために層間絶縁膜全体の比誘電率が高くなるという問題が生ずる。
「【０００８】
シリコン窒化膜よりも比誘電率が低く、かつ銅の拡散防止機能を有する絶縁材料、たとえばシリコン炭化（ＳｉＣ）をバリア層に用いる
  　
イ　そして、引用発明、上記周知例１及び４は、シリコンナイトライド及びシリコンカーバイドを、ダマシン配線を有する層間絶縁膜間の層（配線のキャッピング膜も含む）に用いる点で共通する。　
　
ウ　したがって、引用発明において、２層膜からなる積層膜を構成する「ＳｉＮ」及び「ＳｉＣ」として、シリコンカーバイドの誘電率がシリコンナイトライドの誘電率より低い関係を有する、上記周知技術を採用することは、当業者にとって容易といえる。そして、その結果として、技術常識を参酌すれば、下記（補足）のとおり、シリコンナイトライド及びシリコンカーバイドの２層膜からなる積層膜の誘電率が、該シリコンナイトライドの誘電率よりも小さくなることは、当業者にとって明らかである。　
　
（補足）　
　順次積層されたシリコンナイトライド、シリコンカーバイドの誘電率、膜厚をそれぞれ、εＮ、ｄＮ；εＣ、ｄＣとし、積層膜の誘電率をεとすると、　
　・（ｄＮ＋ｄＣ）／ε＝ｄＮ／εＮ＋ｄＣ／εＣ　
であるから、　
　・ε／εＮ＝（ｄＮ＋ｄＣ）／（ｄＮ＋（εＮ／εＣ）ｄＣ）　
となる。ここで、シリコンカーバイドの誘電率がシリコンナイトライドの誘電率より低い関係を有するから、εＮ／εＣ＞１、となり、　
　・ε／εＮ＜１
を導き出せる。　
　よって、シリコンナイトライド及びシリコンカーバイドの２層膜からなる積層膜の誘電率εは、シリコンナイトライドの誘電率εＮよりも小さくなることが分かる。
　
エ　よって、引用発明において、周知技術を参酌することにより、相違点２の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（５）小括
　以上検討したとおり、本願補正発明と引用発明との相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものであるから、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１　以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年４月２４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　内部に配線形態の溝を有する層間絶縁膜と、
　前記溝内壁上のバリアメタル膜と、
　前記バリアメタル膜上に前記溝を埋め込みつつ前記層間絶縁膜の上面と平行した上面を有して配線をなす金属層と、
　前記層間絶縁膜と金属層上面とを被覆するキャッピング膜であり、シリコンナイトライドとシリコンカーバイドとが順次積層された二重膜からなるキャッピング膜と、を含み、
　前記キャッピング膜の誘電率が、シリコンナイトライドの誘電率より低いことを特徴とする半導体素子の配線。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例の記載と引用発明については、前記第２の３（２）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　 前記第２の１及び２で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項１に係る発明をより技術的に限定するものである。したがって、逆に言えば、本願発明（補正前の請求項１に係る発明）は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。  　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第２の３で検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、当業者が容易に発明することができたということができる。 
　
　
第４　結言
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。