【手続補正書】
【提出日】平成18年3月10日(2006.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）中心軸線と、円筒形空隙と、該空隙を取り囲む内面と、該中心軸線の周りに該内面と互いに同軸の外面とを有する管状部材を準備する段階と、
（ｂ）外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積、該外側シリカ煤煙層の石英ガラス層への固化、内側煤煙層の前記内面上への堆積、及び該内側煤煙層の石英ガラス層への固化を同時に行う段階と、
（ｃ）第２の外側シリカ煤煙層を、予め堆積された外側石英ガラス層の前記外面上に堆積させる段階と、
（ｄ）外側シリカ煤煙層の、前記第２の外側シリカ煤煙層の外面上への堆積、該外側シリカ煤煙層及び前記第２の外側煤煙層の石英ガラス層への固化、内側煤煙層の前記内面上への堆積、及び該内側煤煙層の石英ガラス層への固化を同時に行う段階と、
（ｅ）前記石英ガラス層の所定の厚さが形成されるまで段階（ｃ）及び（ｄ）を繰り返す段階と、
を含むことを特徴とする、光ファイバ母材を製造する方法。
【請求項２】
段階（ｄ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第１の移動速度（ＴＦ１）で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記円筒形空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＦ１」は、前記プラズマ炎が、前記管状部材の前記内面上への前記堆積及び固化と、それに並行する前記外面上への前記堆積及び固化とを引き起こすようなものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
段階（ｄ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向に行われる、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
段階（ｃ）は、
外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第２の速度「ＴＲ１」で移動させ、同時に「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＲ１」は、前記プラズマ炎が、実質的な固化なしに前記「ＣＦＯＴ」化学物質に応じて前記第２の外側シリカ煤煙層の堆積を達成するようなものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
段階（ｃ）は、
予め堆積された外側石英ガラス層の前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記新しい管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を予め堆積された外側の前記外面に沿って第２の速度ＴＲ１で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＲ１」は、前記プラズマ炎が、実質的な固化なしに前記「ＣＦＯＴ」化学物質に応じて前記第２の外側シリカ煤煙層の堆積を達成するようなものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
段階（ｄ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記新しい管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第１０の速度「ＴＲ５」で移動させる段階と、
を含み、
「ＴＲ５」は、前記プラズマ炎が、外側シリカ煤煙層の固化を達成するようなものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）中心軸線と、円筒形空隙と、該空隙を取り囲む内面と、該中心軸線の周りに該内面と互いに同軸の外面とを有する管状部材を準備する段階と、
（ｂ）外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積、該外側シリカ煤煙層の石英ガラス層への固化、内側煤煙層の前記内面上への堆積、及び該内側煤煙層の石英ガラス層への固化を同時に行う段階と、
（ｃ）第２の外側シリカ煤煙層を予め堆積された外側石英ガラス層の前記外面上に堆積させ、それと並行して第２のシリカ煤煙層を前記内面上に堆積させる段階と、
（ｄ）外側シリカ煤煙層の、前記第２のシリカ煤煙層の前記外面上への堆積、該外側シリカ煤煙層及び前記第２の外側煤煙層の石英ガラス層への固化、内側煤煙層の前記内面上への堆積、及び該内側煤煙層及び前記第２の内側煤煙層の石英ガラス層への固化を同時に行う段階と、
（ｅ）前記石英ガラス層の所定の厚さが形成されるまで段階（ｃ）及び（ｄ）を繰り返す段階と、
を含むことを特徴とする、光ファイバ母材を製造する方法。
【請求項８】
段階（ｄ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を、前記第２のシリカ煤煙層の前記外面に沿って第１の移動速度（ＴＦ１）で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記円筒形空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＦ１」は、前記プラズマ炎が、前記管状部材の前記内側表面上への前記堆積及び固化と、それに並行する前記外側シリカ煤煙層の堆積、及び前記外側シリカ煤煙層と前記第２のシリカ煤煙層の固化を引き起こすようなものである、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
段階（ｄ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向に行われる、
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
段階（ｃ）は、
外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を予め堆積された外側石英ガラス層の前記外面に沿って第２の速度「ＴＲ２」で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＲ２」は、前記プラズマ炎が、実質的な固化なしに前記「ＣＦＯＴ」化学物質に応じた前記第２の外側シリカ煤煙層の堆積と、実質的な固化なしに前記「ＣＦＩＴ」化学物質に応じた前記第２の内側シリカ煤煙層の堆積とを達成するようなものである、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
（ａ）中心軸線と、円筒形空隙と、該空隙を取り囲む内面と、該中心軸線の周りに該内面と互いに同軸の外面とを有する管状部材を準備する段階と、
（ｂ）外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積と内側煤煙層の堆積とを同時に行う段階と、
（ｃ）前記外側シリカ煤煙層の石英ガラス層への固化し、この石英ガラス層の外側は前記管状部材の外面となり、同時に、前記内側シリカ煤煙層の石英ガラス層への固化を行う段階と、
（ｄ）前記石英ガラス層の所定の厚さが形成されるまで段階（ｂ）及び（ｃ）を繰り返す段階と、
を含むことを特徴とする、光ファイバ母材を製造する方法。
【請求項１２】
段階（ｂ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第５の移動速度（ＴＦ１）で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記円筒形空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＦ３」は、前記プラズマ炎が、前記「ＣＦＯＴ」化学物質に応じた前記外側シリカ煤煙層の前記堆積と、前記「ＣＦＩＴ」化学物質に応じた前記内側シリカ煤煙層の前記堆積とを引き起こすようなものである、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
段階（ｂ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向に行われる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
段階（ｃ）は、
外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第６の速度「ＴＲ３」で移動させる段階と、
を含み、
「ＴＲ３」は、前記プラズマ炎が、前記内側シリカ煤煙層の前記固化と前記外側シリカ煤煙層の前記固化とを達成するようなものである、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）中心軸線と、円筒形空隙と、該空隙を取り囲む内面と、該中心軸線の周りに該内面と互いに同軸の外面とを有する管状部材を準備する段階と、
（ｂ）外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積と、実質的に純粋なシリカ煤煙の内側煤煙層の前記内面上への堆積とを同時に行う段階と、
（ｃ）第２の外側シリカ煤煙層の予め堆積された外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積、前記外側シリカ煤煙層及び該第２の外側煤煙層の石英ガラス層への固化、この石英ガラス層の外側は前記管状部材の外面となり、ドーパントの前記内側煤煙層上への堆積、及び、該内側煤煙層及び該ドーパントの、該ドーパントに応じてドープされた石英ガラス層への固化を同時に行う段階と、
（ｄ）前記石英ガラス層の所定の厚さが形成されるまで段階（ｂ）及び（ｃ）を繰り返す段階と、
を含むことを特徴とする、光ファイバ母材を製造する方法。
【請求項１６】
段階（ｂ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第７の移動速度（ＴＦ４）で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記円筒形空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＦ４」は、前記プラズマ炎が、前記管状部材の前記内側表面上への前記ドーパントの堆積及び固化と、それに並行する前記外側表面上への前記堆積及び固化とを引き起こすようなものである、
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
段階（ｂ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向と反対の方向に行われる、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
段階（ｃ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向に行われる、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
段階（ｂ）は、
外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第８の移動速度「ＴＲ４」で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＲ４」は、前記プラズマ炎が、実質的な固化なしに前記「ＣＦＯＴ」化学物質に応じた前記第２の外側シリカ煤煙層の堆積と、実質的な固化なしに実質的に純粋なシリカの内側煤煙層の堆積とを達成するようなものであり、
前記「ＣＦＩＴ」化学物質は、基本的にＳｉＣｌ4から成る、
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）中心軸線と、円筒形空隙と、該空隙を取り囲む内面と、該中心軸線の周りに該内面と互いに同軸の外面とを有する管状部材を準備する段階と、
（ｂ）実質的な固化のない外側シリカ煤煙層の前記外面上への堆積と、内側煤煙層の内面への堆積と、前記内側煤煙層の石英ガラス層への固化とを同時に行う段階と、
（ｃ）前記外側煤煙層の石英ガラス層への固化を行う段階と、
（ｄ）前記石英ガラス層の所定の厚さが形成されるまで段階（ｂ）及び（ｃ）を繰り返す段階と、
を含むことを特徴とする、光ファイバ母材を製造する方法。
【請求項２１】
段階（ｂ）は、
前記外面に対する温度プロフィールを有するプラズマ炎を生成する段階と、
前記新しい管状部材を前記中心軸線の周りに速度Ｒで回転させる段階と、
前記プラズマ炎を前記外面に沿って第９の移動速度（ＴＦ５）で移動させ、同時に、「ＣＦＯＴ」化学物質を該プラズマ炎中に注入し、「ＣＦＩＴ」化学物質を前記円筒形空隙中に注入する段階と、
を含み、
「ＴＦ５」は、前記プラズマ炎が、前記管状部材の前記内側表面上への前記ドーパントの堆積及び固化と、それに並行する前記外側表面の固化のない前記堆積とを引き起こすようなものである、
ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
段階（ｂ）は、前記「ＣＦＩＴ」化学物質を前記中心軸線と実質的に平行な流れ方向に流れるように注入し、
前記移動させる段階は、前記流れ方向と反対の方向に行われる、
ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
段階４１２が、管状部材の内面に堆積した石英ガラスの全厚が「ＴＨ３」よりも小さくないことを検出すると、処理は段階４１３に進み、「ＣＦＩＴ」及び「ＣＦＯＴ」化学物質を遮断し、次に、段階４１４に進み、プラズマトーチを前後に移動して母材を崩壊させる。段階４１４の崩壊が完了すると、処理は完了したものと見なすことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図５による方法の更に別の態様は、段階５１６の代わりに段階５１６’を実行する。段階５１６’は、崩壊作動の少なくとも一部分の間に「ＣＦＯＴ」化学物質をプラズマ中に注入し、付加的な煤煙を堆積させてそれを付加的な石英ガラス層に固化する。また、上述のように、最終の母材崩壊の間の温度及び圧力のより良い制御を可能にするために、固化の後半の段階の間に「ＣＦＯＴ」の注入を終了することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図５による方法の更に別の態様は、例えば’５８０特許に説明したような段階５１６又は５１６’で生成された崩壊母材上にプラズマの外側蒸着を実行する段階５１４である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
従来の「ＭＣＶＤ」処理と比較した時に、図５の方法によってドーパントの酸化が改善される理由は、段階５０６で純粋なシリカ煤煙を堆積させ、続いて段階５１０でドーパントを注入し、同時に煤煙及びドーパントを石英ガラス層に固化するためである。従来の「ＭＣＶＤ」処理は、シリカ煤煙を形成するために、ドーパントと共にＳｉＣｌ4を注入する。上述のように、結果的にドーパントの酸化が不完全となり、結局のところ大きな割合が流出物になる。図５の方法は、段階５０６の堆積の間にＳｉＣｌ4だけを注入し、続いて固化段階５１０の間にＧｅＣｌ4のようなドーパント化学物質を注入することによって反応を分離する。図５の方法によるさらなる態様は、段階５１８に示されているように、段階５１６’で生成された崩壊した母材に、例えば’５０８特許に記載されているように「ＰＯＶＤ」を行うことである。