【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  荷電粒子の質量及び／又はエネルギ及び／又は帯電状態を含む、前記荷電粒子の１つ以上のパラメータの異なる値に依存して前記荷電粒子に別々に作用する装置であり、
配列された複数の細長い磁極（３１１）であり、その配列の伸張方向（３５０）に長手方向に延び、装置の構成要素を配置するための基準表面をもたらす仮想基準表面を有する磁極であって、前記仮想基準表面が、配列された前記磁極の前記方向（３５０）に延び、そして、基準表面の各側部に位置する少なくとも１つの磁極を有する配列を通過するところの磁極と；
前記磁極の配列のフィールド（３１２）内に荷電粒子のビーム（３１４）を提供する手段であって、前記ビームが、前記ビームを横切る所定の位置に、前記ビームの初期伝播方向を有し、そして、前記初期伝播方向と直交する細長い断面を有しており、前記細長い断面が、前記基準表面上の方向又はこれと平行な方向に延びており、前記初期伝播方向が、前記仮想基準平面上又はこれと実質的に平行であり、且つ、磁極の配列の伸張方向（３５０）以外の方向にある状態で、前記磁極が、前記磁極の配列の前記伸張方向と直交する平面において、磁極の配列内を移動する荷電粒子の、パラメータに依存する分散をもたらすような構成を有しているところの手段と；
パラメータに依存する分散によって、前記ビームから必要な粒子を選択する解像手段（３３２、３３３）と
を備える装置において、
前記磁極（３１１）が、前記配列の伸張方向（３５０）と直交する平面内において、前記仮想基準表面（３２０）と直交する平面における、パラメータに依存する収束作用をもたらして、前記パラメータの異なる複数の値に依存して、前記ビームの異なる粒子の、パラメータに依存する収束によって粒子の選択をもたらす構成を有しており、
配列された前記磁極（３１１）は、前記仮想基準表面を横切る磁界方向を有する磁界の少なくとも１つの拡張横断磁界領域（３１２）を、物理的に対向する極間にもたらし、磁界の前記少なくとも１つの拡張横断磁界領域（３１２）は、配列における個々の対向する極と関連性を有し、そして、磁界の横断磁界領域（３１２）にそれぞれ出入りする入口及び出口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）を有しており、前記入口及び出口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ、１４５Ａ、１４５Ｂ）は、前記仮想基準表面と直交する平面において湾曲した湾曲磁界をもたらし、
磁界の前記少なくとも１つの拡張横断磁界領域（３１２）及び前記入口及び出口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）は、前記磁極の配列の磁界内に進入し、又は、そこで生じ、そして、前記基準表面の方向又はこれと平行な方向の移動方向をもって、前記横断磁界領域（３１２）内を移動するビームの電荷粒子（３１４）が、磁界の前記横断磁界領域（３１２）によって付与された湾曲運動を行い、そして、少なくとも１つの出口又は入口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）の前記湾曲磁界を、前記入り口又は出口領域に対して直角な角度で通過して、電荷粒子の前記ビームに関する、パラメータに依存する収束作用をもたらすように構成されている
ことを特徴とする装置。
【請求項２】  前記仮想基準表面は平面であり、そして、前記仮想基準表面（３２０）の一方の側にある磁極（３１１）の前記構成が、前記仮想基準表面の他方の側の構成に対して、幾何学的対称性を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記横断磁界領域が、前記仮想基準表面に対して直行する平面において湾曲する湾曲磁界（８９Ａ）を有している、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】  配列された前記磁極の前記伸張方向（３５０）が、直線である、請求項１から３の何れか１つに記載の装置。
【請求項５】  配列された前記磁極の前記伸張方向（３５０）が、円に沿っている、請求項１から３の何れか１つに記載の装置。
【請求項６】  前記解像手段（３３２、３３３）が、前記基準表面に対して直行する平面における異なる収束点（８８Ａ、８８Ｂ、８８Ｃ、１０８、１２８Ａ、１２８Ｂ）での、ビームの異なる粒子の収束による、パラメータに依存する分散によって、前記パラメータの異なる数値に依存して、前記ビームから必要な粒子を選択するように設けられる、請求項１から５の何れか１つに記載の装置。
【請求項７】  前記解像手段が、望ましくない粒子を除去するための１つ以上のバリヤ（１０９、１１１、１１４、１１５、１１６、３３２）を有している、請求項１から６の何れか１つに記載の装置。
【請求項８】  前記１つ以上のバリヤ（１１１、３３２）が、仮想基準表面（３２０）に位置している、請求項７に記載の装置。
【請求項９】  前記解像手段が、前記粒子のビーム（３１４）中の望ましくない粒子の収束点（３３１）に、分析アパーチャを有している、請求項１から８の何れか１つに記載の装置。
【請求項１０】  磁界の初期横断磁界領域（１４９Ａ）及び磁界の最終横断磁界領域（１４９Ｃ）を少なくとも含む少なくとも２つの横断磁界領域であって、２つ以上の横断磁界領域が設けられ、少なくとも１つの中間領域を含み、そして、ビーム提供手段（３１３）が設けられて、電荷粒子（１４０）を、前記初期横断磁界領域内に侵入させ、又は、そこで生じさせるところの少なくとも２つの横断磁界領域を備え、
前記磁極は、前記伸張方向と直交する平面内において、磁界の初期横断磁界領域（１４９Ａ）内を移動するビームの電荷粒子に、パラメータに依存する湾曲運動をもたらす構成を有しており、前記電荷粒子は、配列の伸張方向と直角な角度で、磁界の前記初期横断磁界領域を出て、配列の何れかの中間横断磁界領域（１４９Ｂ）を通過し、そして、磁界の前記最終横断磁界領域（１４９Ｃ）内に移動し、連続する複数の前記横断磁界領域の極性が交互に入れ替わっている、請求項１から９の何れか１つに記載の装置。
【請求項１１】  前記磁極（３１１）は、配列された磁極（３１１）を出た前記ビームが、前記仮想基準表面において実質的に横方向に配置されて、すべての磁界の方向を反転させることにより、ビームを逆方向に移動させるように設けられ、これらの移動量に対するビームの幅は、２つの分離したビーム軌跡を生じさせて、２つの分離目標領域を使用することを可能にする、請求項１から１０の何れか１つに記載の装置。
【請求項１２】  幾何学的に配置された前記磁極、及び、磁界（３１２）の強さが、前記基準表面に直角な平面の周りに実質的に対称である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】  配列された前記磁極が、前記基準表面の各側部に２つずつの磁極を有する四極子（７３、７４）を含む、請求項１０又は１２に記載の装置。
【請求項１４】  荷電粒子の、パラメータに依存する収集が、前記四極子の軸上に収集手段（９９）を配置することによって実現されるように設けられる、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】  横断磁界領域内に位置し、そして、これ（１０１Ａ、１０１Ｂ、１２７Ｃ）から反射される比較的高い曲率軌跡、及び、前記横断磁界領域（１２７Ｂ）を通過する比較的低い曲率軌跡を有する前記少なくとも１つの横断磁界領域の磁界における、パラメータに依存する湾曲軌跡内を、前記荷電粒子が移動するように構成され、反射された高曲率ビーム軌跡（１０１Ｂ、１２７Ｃ）上の収束作用、及び、伝達され（１２７Ａ）又は収集された低曲率ビーム軌跡上の収束作用によって、粒子の、パラメータに依存する分散（１０８、１２８Ａ、１２７Ｂ）が実現し、前記横断磁界領域が、選択反射鏡として作用する、請求項１から１４の何れか１つに記載の装置。
【請求項１６】 反射可能な最小曲率軌跡を形成する収集表面をもたらす電導性構成部品（１０９）を前記横断磁界領域中に含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】  配列された前記磁極が、前記配列に非垂直方向に進入するイオン注入ビーム（１０１）を偏向するように位置付けされ、そして、前記ビームを偏向し、これによって前記ビームが前記磁界を実質的に垂直方向（１０２）に退出して、後続の実質的に水平方向の目標の中にイオン注入するように配置されている、請求項１５又は１６に記載の装置。
【請求項１８】  配列された前記磁極が、解像力を増し、照準線の特徴を改善するために、前記解像手段に、複数のアパーチャ（１４２、１４３）を介して、前記ビーム（１４８Ａ、１４８Ｂ）の複数のクロスオーバを発生するように構成されている、請求項１から１３の何れか１つに記載の装置。
【請求項１９】  収束したビーム（１０８、１２８Ａ）が前記解像手段（１１１）中を伝播する一般的方向に対して横切る方向に設けられて、前記解像手段によって邪魔される範囲を越える軌跡を辿って粒子が伝達されるのを防止する伝達制限構造体（１１４、１１５、１１６）を含む、請求項１から１８の何れか１つに記載の装置。
【請求項２０】  粒子の抽出方向に対して横切る方向に延びる細長い荷電粒子発生源から正の荷電粒子を抽出する抽出アセンブリ（１９１、１９２Ａ及びＢ、１９３Ａ及びＢ）を含み、前記抽出アセンブリが、抽出された前記荷電粒子の空間電荷によって著しく影響を受ける光学系を有する荷電粒子を発生するように、減速領域の前に位置付けされた加速領域を備え；
前記アセンブリが、浮動電位又は制御された電位にある導電性材料（１１９）製の細長い素子を含み、前記素子は、前記ビームの中心で、かつ、前記発生源領域（１１８）の細長い軸に平行に置かれ、そして、正イオン用の静電減速磁界又は磁界のない領域に位置付けされており；
前記細長い素子に当たる荷電粒子によって発生した二次電子の存在と、電極として作用する前記素子の存在と、が組み合わされて、前記ビームの中心における前記空間電荷を減少させ、これによって、有用に抽出可能なビーム電流を増すように構成されている、
請求項１から１９の何れか１つに記載の装置。
【請求項２１】  ビームの細長い断面方向の軸に沿って整合された細長い素子であって、荷電粒子ビームをインタセプトして、これらのビーム（１１１、１１４、１１５、１１６）を除去し、又は、前記荷電粒子ビーム（１１９）の動作に影響を与え、これによって、前記荷電粒子との接触により劣化を生じさせるために用いられるところの細長い素子と、
前記細長い素子をその細長い軸の方向に移動させて、前記荷電粒子との接触によって劣化した部品を交換するための手段と
を含む、請求項１から２０の何れか１つに記載の装置。
【請求項２２】  前記荷電粒子ビーム（１１１、１１４、１１５、１１６）をインタセプトし又は前記荷電粒子ビーム（１１９）の動作に影響を与えるために用いられる細長い素子と、前記細長い素子を引っ張ってそれを直線状に維持する手段とを含む、請求項４、及び６から２１の何れか１つに記載の装置。
【請求項２３】  荷電粒子のビームが、少なくとも１つのクロスオーバ（１２８Ａ、１３８Ａ，１３８Ｂ）に収束するように、磁極の配列が構成されており、そして、必要な粒子の更なる収束作用が、配列の磁界の作用により、前記クロスオーバの点よりも後ろで生ずるように、必要な粒子のクロスオーバの位置が、配列の磁界内に置かれるように選択される、請求項１から２２の何れか１つに記載の装置。
【請求項２４】  １以上の列をなした更なる細長い磁極（１０２、１５１Ｄ）、及び、これに関連付けて配置されて、第１の配列を退出するビームを、パラメータに依存して収束させるための解像構造体を含み、これによって、前記配列の構成部品を組み合わせて、スパッタリング又は他の理由による汚染粒子用の合成システム中の照準線を不明瞭にする、請求項１から２３の何れか１つに記載の装置。
【請求項２５】  それぞれが規則的に空間置きされた基準表面（３２０）を有する複数のビームシステムが設けられ、前記基準表面の各々が共通磁気回路の少なくとも１部を隣り合ったシステムと共用する、請求項１から２４の何れか１つに記載の装置。
【請求項２６】  荷電粒子の質量及び／又はエネルギ及び／又は帯電状態を含む、前記電荷粒子の１つ以上のパラメータの異なる値に依存して、前記荷電粒子に別々に作用する方法であり、
配列された複数の細長い磁極（３１１）のフィールド（３１２）内に荷電粒子のビーム（３１４）を提供するステップであって、前記磁極は、配列の伸張方向に長手方向に延びており、配列された前記磁極は、前記方法の複数のステップのための基準をもたらす仮想基準表面を有しており、前記仮想基準表面は、配列の伸張方向（３５０）に延び、そして、前記基準表面の各側部に位置する少なくとも１つの磁極を有する配列を通過するところのステップと；
前記磁極の配列のフィールド（３１２）内において、荷電粒子（３１４）を、前記基準表面上の方向又はこれと平行であり、且つ、磁極（３１１）の配列の伸張方向（３５０）以外の方向に向けるステップであって、前記ビームが、前記ビームを横切る所定の位置に、前記ビームの初期伝播方向を有し、そして、前記初期伝播方向と直交する細長い断面を有しており、前記細長い断面が、前記基準表面上の方向又はこれと平行な方向に延びているところのステップと；
前記伸張方向と直交する平面において、磁極の構成によって生じた磁界によって、パラメータに依存する、荷電粒子の分散を生じさせるステップと；
パラメータに依存する前記分散によって、パラメータに依存する、荷電粒子の選択をもたらすステップと
を含む方法において、
異なる粒子のための前記パラメータの異なる数値に依存して、ビームの異なる粒子を収束させることによって、前記仮想基準表面と直交する平面において、パラメータに依存する、荷電粒子の収束作用をもたらすステップを含み、
パラメータに依存する前記収束作用は、
前記仮想基準表面を横切る磁界の方向を有する磁界の少なくとも１つの拡張横断磁界領域（３１２）を、配列された前記磁極における物理的に対向する磁極（３１１）間にもたらすステップであって、磁界の前記少なくとも１つの拡張横断磁界領域（３１２）は、配列における個々の対向する極と関連性を有し、そして、磁界の横断磁界領域（３１２）にそれぞれ出入りする入口及び出口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）を有しており、前記入口及び出口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）は、前記仮想基準表面（３２０）と直交する平面において湾曲した湾曲磁界をもたらすところのステップと；
前記磁極の配列の磁界内に進入し、又は、そこで生じ、そして、前記基準表面の方向又はこれと平行な方向の移動方向をもって、前記少なくとも１つの横断磁界領域（３１２）内を移動するビームの電荷粒子（３１４）に、前記横断磁界領域（３１２）によって付与された湾曲運動を行なわせるステップと；
前記荷電粒子の方向付けを行なって、これが少なくとも１つの出口又は入口領域（３１２Ｃ、３１２Ｂ）の前記湾曲磁界を、前記入り口又は出口領域に対して直角な角度で通過して、電荷粒子の前記ビームに関する、パラメータに依存する収束作用を、前記基準表面と直交する平面においてもたらすステップと
によって生じる
ことを特徴とする方法。
【請求項２７】  前記領域が、磁界の初期横断磁界領域（１４９Ａ）及び磁界の最終横断磁界領域（１４９Ｃ）を少なくとも含む少なくとも２つの横断磁界領域を有しており、２つ以上の横断磁界領域が設けられ、少なくとも１つの中間領域を含むところの方法であって、
前記初期横断磁界領域内に侵入し、又は、そこで生じる荷電粒子を提供するステップと、
前記初期横断磁界領域（１４９Ａ）内を移動する荷電粒子に、パラメータに依存する湾曲運動を付与するステップであって、前記荷電粒子は、配列の伸張方向に対して直角な角度で、前記横断磁界領域を出て、配列の何れかの中間横断磁界領域（１４９Ｂ）を通過し、そして、磁界の前記最終横断磁界領域（１４９Ｃ）内に移動するところのステップと、
極性が交互に入れ替わる連続する複数の前記横断磁界領域によって、前記粒子に作用を付与するステップと
を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記少なくとも１つの横断磁界領域内において、パラメータに依存する湾曲軌跡で前記荷電粒子を移動させ、そして、比較的高い曲率軌跡が、前記横断磁界領域内に位置し、そしてこれから反射するように構成し、
これによって、比較的高い曲率ビーム軌跡（１０１Ｂ、１２７Ｃ）の反射及び収束、並びに、比較的低い曲率ビーム軌跡の伝達及び収束（１２７Ｂ）又は収集によるビームの、パラメータに依存する分離（１０８、１２８Ａ、１２７Ｂ）がもたらされ、前記横断磁界領域が、選択反射鏡として作用する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】  前記基準表面に対して直行する平面における異なる収束点（８８Ａ、８８Ｂ、８８Ｃ、１０８、１２８Ａ、１２８Ｂ）での、ビームの異なる粒子の収束による、パラメータに依存する分散によって、前記パラメータの異なる数値に依存して、前記ビームから必要な粒子を選択するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】  荷電粒子のビームを、少なくとも１つのクロスオーバ（１２８Ａ、１３８Ａ，１３８Ｂ）に収束させるステップであって、必要な粒子のクロスオーバの位置が、配列の磁界内に置かれるところのステップと、
必要な粒子の更なる収束作用が、配列の磁界の作用により、前記クロスオーバの点よりも後ろで生じさせるステップと
を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】  配列された前記磁極が、前記基準表面の各側部に２つずつの磁極を有する四極子（７３、７４）を含み、前記方法が、荷電粒子の、パラメータに依存する収集を、前記四極子の軸上に設けられた収集手段（９９）において行なうステップを含む、請求項２７又は２８に記載の方法。
【請求項３２】  １以上の列をなした更なる細長い磁極、及び、これに関連付けて配置されて、第１の配列を退出するビームを、パラメータに依存して収束させるための解像構造体を提供するステップであって、これによって、前記配列の構成部品を組み合わせて、スパッタリング又は他の理由による汚染粒子用の合成システム中の照準線を不明瞭にするところのステップを含む、請求項２６から３１の何れか１つに記載の方法。