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　特願２００３−５３３３２５号「複数のボンド・パッド列を備えた半導体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１０日国際公開、ＷＯ０３／３０２２５、平成１７年１０月２７日国内公表、特表２００５−５３２６７２号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，平成１４年９月１２日（パリ条約による優先権主張２００１年９月２８日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年６月２４日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１０月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１.特開平８−３４００１８号公報
　２.東独国経済特許第２７２９４５号明細書（ＤＤ　２７２９４５　Ａ１）
　３.特開２０００−３０７０５７号公報
　上記刊行物のうち，特開平８−３４００１８号公報を，以下「引用例１」といい，特開２０００−３０７０５７号公報を，以下「引用例２」という。
　
第３．平成２２年１０月２７日付け手続補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１０月２７日付け手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の概要
　本件補正は，平成２２年３月１７日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するもので，請求項１については，補正前に
　「少なくとも１つの辺に複数のボンド・パッド列を有するダイであって，該複数のボンド・パッド列はダイのエッジまでの距離が異なり，同ダイのエッジにそれぞれ平行に整列している，ダイと，
　同ダイをサポートするためのダイ・キャリアであって，同ダイ・キャリアの上には，同一平面上に複数のボンド・フィンガを有する複数のボンド・フィンガ列が該ダイの周縁に分散し，その第１の列が該ダイ・キャリアの内部領域に配置され，第２の列が該ダイ・キャリアの外部領域に配置されたダイ・キャリアと，
　それぞれ該ボンド・パッドのうちの所定の１つを該複数のボンド・フィンガのうちの所定の１つに接続する複数のボンド・ワイヤと，
　からなり，
　前記ダイ上の複数のボンド・パッド列のうちの第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・パッド列のボンド・パッドとは，前記ダイのエッジに対して直角をなす軸を介して，各々の所定のボンド・パッドと整列したボンド・パッドを有することと，
　第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第１のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合し，第２のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合すべく，異なるワイヤ・ボンディング工程を使用する結果，ループ高さが異なることと，　
　該第１のボンド・パッドはリバース・スティッチのボンド・プロファイルを有し，該第２のボンド・パッドはボール・ボンド・プロファイルを有すること，
　からなる半導体パッケージ。」
とあるのを
　
　「ダイキャリア（１４，１０６）と，前記ダイキャリア（１４，１０６）によってサポートされた半導体ダイ（１２，１０４）とを有する半導体パッケージ（１０，１００）であって，
　前記半導体ダイ（１２，１０４）の頂部表面であるダイ頂部表面（４０）には，前記半導体ダイ（１２，１０４）の一辺のダイエッジ（２１）に並列に並べられた複数の第１ボンドパッド（３４）からなる第１ボンドパッド列（１６）と，前記第１ボンドパッド列（１６）よりも前記ダイエッジ（２１）から離れて前記ダイエッジ（２１）に並列に並べられた複数の第２ボンドパッド（３２）からなる第２ボンドパッド列（１８）とが配置され，前記第１ボンドパッド（３４）と前記第２ボンドパッド（３２）は，前記ダイエッジ（２１）に対して直角をなす軸に整列し，
　前記ダイキャリア（１４，１０６）の頂部表面であるダイキャリア頂部表面（４２）の内部領域には，前記半導体ダイ（１２，１０４）の周縁に分散する複数の第１ボンドフィンガ（３６）が配置され，前記ダイキャリア頂部表面（４２）の外部領域には，前記半導体ダイ（１２，１０４）の周縁に分散する複数の第２ボンドフィンガ（３８）が前記第１ボンドフィンガ（３６）と同一平面上であるように配置され，前記ダイキャリア頂部表面（４２）において前記半導体ダイ（１２，１０４）と前記第１ボンドフィンガ（３６）の間には，前記半導体ダイ（１２，１０４）を取り囲む導電リング（２２，２４）が配置され，
　それぞれ前記第１ボンドパッド（３４）に形成された第１ボールは，前記導電リング（２２，２４）に形成された第２ボールにリバースステッチのボンドプロファイルを有するようにボールボンディングされる第１ボンドワイヤ（４２）によって前記第２ボールに電気接続され，
　それぞれ前記第２ボンドパッド（３２）に形成された第３ボールは，前記第１ボンドワイヤ（４２）とは異なるボンドプロファイルを有するように前記第１ボンドフィンガ（３６）にウェッジボンディングされる第２ボンドワイヤによって前記第１ボンドフィンガ（３６）に電気接続され，
　前記第１ボンドワイヤ（４２）のループ高さである第１ループ高さは，前記第１ボールの最高点と同じ高さに形成され，
　前記第２ボンドワイヤ（４４）のワイヤボンディング工程が，前記第１ボンドワイヤ（４２）のワイヤボンディング工程とは異なるものを使用する結果，前記第２ボンドワイヤのループ高さである第２ループ高さは，前記第１ループ高さよりも大きく，
　前記第３ボールから延びる前記第２ボンドワイヤの部分は，前記ダイ頂部表面（４０）に対して傾き，
　前記第２ボンドワイヤの前記ダイ頂部表面（４０）に平行な部分は，前記導電リング（２２，２４）の幅よりも長く延びるように形成される
ことを特徴とする，半導体パッケージ（１０，１００）。」
と補正するものである。
　
２．本件補正の目的
　本件補正により，請求項１に係る発明には本件補正前には特定されていなかった「導電リング」が付加され，第１のボンド・パッドに関し，本件補正前において，「第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第１のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合し」ていたものが，本件補正後においては，「それぞれ前記第１ボンドパッド（３４）に形成された第１ボールは，前記導電リング（２２，２４）に形成された第２ボールにリバースステッチのボンドプロファイルを有するようにボールボンディングされる第１ボンドワイヤ（４２）によって前記第２ボールに電気接続され」るものに変更された。そして，この補正事項は，第１のボンド・パッド列のボンド・パッドの結合対象を，第１のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガから導電リングに変更するものであり，発明特定事項を限定するものではない。
　また，第２のボンド・パッドに関し，本件補正前において，「第２のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合」していたものが，本件補正後においては，「それぞれ前記第２ボンドパッド（３２）に形成された第３ボールは，前記第１ボンドワイヤ（４２）とは異なるボンドプロファイルを有するように前記第１ボンドフィンガ（３６）にウェッジボンディングされる第２ボンドワイヤによって前記第１ボンドフィンガ（３６）に電気接続され」るものに変更された。この補正事項は，第２のボンド・パッド列のボンド・パッドの結合対象を，第２のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガから第１ボンドフィンガに変更するものであり，発明特定事項を限定するものではない。
　さらに，第２のボンド・パッドに関し，本件補正により，「第２のボンド・パッドはボール・ボンド・プロファイルを有する」という発明特定事項の限定が削除されている。
　
　したがって，請求項１の補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく，また，誤記の訂正や明りょうでない記載の釈明を目的とするものではないことは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９号第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２２年３月１７日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下「本願発明」という。「第３」の「１．本件補正の概要」参照。）。
　
第５．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用例１には，ワイヤボンディング方法及び半導体装置に関し，図面とともに次の事項が記載されている。
　１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はワイヤボンディング方法及び半導体装置及びワイヤボンディング用キャピラリー及びボールバンプの形成方法に関する。一般に，半導体装置に設けられる半導体素子は，ワイヤにより外部接続端子となるリードに電気的に接続された構成とされている。このワイヤは，ワイヤボンディング装置を用いて半導体素子に形成された電極パッドとリードのインナーリード部との間に配設される。」
　１ｂ）「【００１１】上記のように，従来において最も一般的に行われているワイヤボンディング方法では，１ｓｔボンディングにおいてボールボンディングを行い，また２ｎｄボンディングにおいてステッチボンディングを行うことにより，図２２に示されるように，ワイヤ１を半導体素子２の電極パッド２ａとリードフレーム３のインナーリード部３ａとの間に配設する方法が採用されていた（尚，上記したワイヤ１の接続方法を，以下順打ちボンデイングという）。」
　１ｃ）「【００７２】更に，本実施例に係るワイヤボンディング方法を用いることにより，ワイヤ１６のループを低背化することができる。これについて図７を用いて説明する。図７は，本実施例に係るワイヤボンディング方法を用いて配設されたワイヤ１６と，従来のワイヤボンディング方法（順打ちボンディング）を用いて配設されたワイヤ１とを比較するために同一図面に記載したものである。
【００７３】従来の順打ちボンディングを用いて配設されたワイヤ１は，同図に示されるように半導体素子１０の上面より高く延出したループ形状を有している。これに対し，本実施例に係るワイヤボンディング方法により配設されたワイヤ１６は，先ずインナーリード部１３にワイヤ１６を接続し，続いてワイヤ１６を略Ｌ字状のループ形状で引出し電極パッド１１に接続する，いわゆる逆打ちボンディングによりワイヤ１６を配設している。このため，ワイヤ１６のループを低くすることができる。
【００７４】また，本実施例に係るワイヤボンディング方法では，逆打ちボンディングと同様の工程によりワイヤ１６を配設するが，上記したように第２のボール部１８はスパーク電極１５を用いてワイヤ１６にアーク放電により直接形成されるため，少ない工程で逆打ちボンディングと同様の低いループ形状でワイヤ１６を配設しすることが可能となる。」
　１ｄ）「【００７８】図９は本発明に係るワイヤボンディング方法の変形例を示している。同図では，上記した本発明に係るワイヤボンディング方法を第１のワイヤ１６と第２のワイヤ２４を上下方向に離間させた状態で重ねた状態で配設するワイヤ接続構造に適用した例を示している。
【００７９】近年，半導体素子の高密度化に伴う電極パッド数の増大に伴い，図９に示されるように半導体素子１０上に２列となるよう電極パッド１１，２５を配設した構造のものが提供されている（平面的に見ると，この電極パッド１１，２５は直線状に２列或いは千鳥状となるよう２列に配設される場合が多い）。
【００８０】この種の半導体素子１０においては，各パッド１１，２５から２本のワイヤ１６，２４を引き出す必要があり，従って第１のワイヤ１６及び第２のワイヤ２４を上下方向に離間させた状態で重ねた状態で配設するワイヤ接続構造を取る必要がある。
【００８１】図９に示す例では，半導体素子１０はベース基板２７に設けられたダイボンディング層２８上に搭載されている。また，ベース基板２７は，上部より第１の配線層２９，第１の絶縁層３０，第２の配線層３０，第２の絶縁層３２をベース材３３に積層配設した積層基板とされている。電極パッド１１は第１のワイヤ１６により第２の配線層３０と電気的に接続され，また電極パッド２５は第２のワイヤ２４により第１の配線層２９と電気的に接続された構成とされている。
【００８２】上記構成において，第１のワイヤ１６は本発明に係るワイヤボンディング方法により配設されており，また第２のワイヤ２４は従来の順打ちボンディングにより配設されている。上記したように，本発明に係るワイヤボンディング方法により配設される第１のワイヤ１６は，順打ちボンディングにより配設される第２のワイヤ２４のループ高さに比べてそのループ高さが低いため，第１及び第２のワイヤ１６，２４が上下方向を重ねた状態で配設しても，各ワイヤ１６，２４が干渉し短絡してしまうことを確実に防止することができる。
【００８３】また，従来においては順打ちボンディングにより配設されたループ高さの高いワイヤの上部に，更に離間させてワイヤを配設する必要があったため，全体としてのループ高さは非常に高いものであった。しかるに，第１のワイヤ１６の配設に本発明に係るワイヤボンディング方法を採用することにより，各ワイヤ１６，２４全体としてのループ高さを低くすることができる。」
　１ｅ）図９を参照すると，第１の配線層２９の第２ワイヤ２４と接続する部分はベース基板の外部領域に配置され，第２の配線層３１の第１ワイヤ１６と接続する部分はベース基板の内部領域に配置されていることが看取できる。
　１ｆ）図９を参照すると，電極パッド２５に第３のボール部２６が設けられていることが看取できる。
　
　上記記載事項１ａ〜１ｆ及び図面の記載によれば，引用例１には以下の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。　
　「半導体素子１０であって，半導体素子１０上に２列となるよう電極パッド１１，２５を配設した構造であり，平面的に見ると，前記電極パッド１１と電極パッド２５は直線状に２列となるように配設される半導体素子１０と，
　前記半導体素子１０が搭載されるベース基板２７であって，上部より，第１の配線層２９，第１の絶縁層３０，第２の配線層３１，第２の絶縁層３２をベース材３３に積層配設した積層基板とされているベース基板２７と，
　前記電極パッド１１と前記第２の配線層３１を電気的に接続する第１のワイヤ１６及び前記電極パッド２５と前記第１の配線層２９を電気的に接続する第２のワイヤ２４と，からなり，                                           　　　　　　　　
　第１の配線層２９の第２ワイヤ２４と接続する部分はベース基板の外部領域に配置され，第２の配線層３１の第１ワイヤ１６と接続する部分はベース基板の内部領域に配置されており，
　前記第１のワイヤ１６を逆打ちボンディングにより配設し，第２のワイヤ２４を順打ちボンディングにより配設することにより，第１のワイヤ１６は，第２のワイヤ２４のループ高さに比べてそのループ高さが低くされ，
　前記電極パッド２５には第３のボール部２６が設けられている
　半導体装置。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用例２には，半導体装置に関し，図面とともに次の事項が記載されている。
　２ａ）「【００６２】図１では，半導体チップ１，２，３と基板４との接続はすべてリバース法で行われている。すなわち，第一に，金のワイヤをキャピラリに通し，ワイヤ先端をトーチで溶融して金ボールを形成し，半導体チップ１のボンディングパッドに金ボールを圧着し，金ボールの付け根でワイヤを切断して，金バンプ５′を形成する。第二に，同様にワイヤを溶融して形成した金ボール５を基板４のボンディングパッドに圧着してファースト・ボンディングを行う。第三に，半導体チップ１のボンディングパッドへ金線を導き，ボンディングパッド上の金バンプ５′にセカンド・ボンディングを行うことによって，半導体チップ１と基板４とを接続するワイヤ６を形成する。つづいて，半導体チップ１と同様の手順で，半導体チップ２と基板４とを接続するワイヤ６を形成し，最後に同様の手順で，半導体チップ３と基板４とを接続するワイヤ６を形成する。
【００６３】リバース法は，ワイヤ長Ｌｂが長くなってもフォワード法よりもワイヤ高Ｌｈを低く抑えて安定したボンディングができるとともに，ファースト・ボンディング部からほぼ垂直にワイヤ６が立ち上がることから，ワイヤ６同士の間のクリアランスが確保し易い。」
　
第６．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体素子１０」，「電極パッド１１」，「電極パッド２５」，「ベース基板２７」，「第１のワイヤ１６及び第２のワイヤ２４」，「半導体装置」は，それぞれ本願発明の「ダイ」，「第１のボンド・パッド列のボンドパッド」，「第２のボンド・パッド列のボンドパッド」，「ダイ・キャリア」，「ボンド・ワイヤ」，「半導体パッケージ」に相当する。
　引用発明において，電極パッド１１と電極パッド２５は，直線状に２列となるように配設されているが，ダイに複数のボンド・パッド列を配設する場合に，複数のボンド・パッド列を，ダイのエッジまでの距離が異なるように，ダイのエッジに平行に整列させることが技術常識であること（例えば，東独国経済特許第２７２９４５号明細書（ＤＤ　２７２９４５　Ａ１）（原査定で引用した文献）の図１に示されたチップボンディングパッド４，特開平９−２７５１２号公報の図５（ｂ）に示された電極２ａ〜２ｃ，特開２００１−２４４２９３号公報の図３に示された電極１８１，１８３参照。）を考慮すれば，電極パッド１１と電極パッド２５が，半導体素子のエッジまでの距離が異なり，半導体素子のエッジにそれぞれ平行に整列していることは明らかである。したがって，引用発明は，本願発明における「少なくとも１つの辺に複数のボンド・パッド列を有するダイであって，該複数のボンド・パッド列はダイのエッジまでの距離が異なり，同ダイのエッジにそれぞれ平行に整列している，ダイ」との要件を実質的に備えているといえる。また，引用例１の上記記載事項１ｄにおける「平面的に見ると，この電極パッド１１，２５は直線状に２列或いは千鳥状となるよう２列に配設される場合が多い」との記載，及び，複数列のボンド・パッドをダイのエッジに平行に整列して配設する際に，各列を構成する個々のボンド・パッドを，千鳥状ではなく，ダイのエッジに対して直角をなす軸を介して整列して配設することが従来から行われていること（例えば，東独国経済特許第２７２９４５号明細書（ＤＤ　２７２９４５　Ａ１）（原査定で引用した文献）の図１に示されたチップボンディングパッド４，特開平９−２７５１２号公報の図５（ｂ）に示された電極２ａ〜２ｃ参照。）を考慮すれば，引用発明は，本願発明における「ダイ上の複数のボンド・パッド列のうちの第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・パッド列のボンド・パッドとは，ダイのエッジに対して直角をなす軸を介して，各々の所定のボンド・パッドと整列したボンド・パッドを有する」との要件を備える。
　一般に，ダイに設けられた複数のボンド・パッド列の個々のボンド・パッドは，ダイ・キャリアに設けられた対応する１つのボンド・フィンガにワイヤを介して接続され，複数のボンド・フィンガは列をなして配設されるところ（例えば，東独国経済特許第２７２９４５号明細書（ＤＤ　２７２９４５　Ａ１）（原査定で引用した文献）の図１に示されたキャリアボンディングパッド６，特開２００１−２４４２９３号公報の図４に示された電極８１，８３参照。），引用発明において，第１の配線層２９及び第２の配線層３１は，２列に配設された電極パッド２５，１１にそれぞれ接続されるのであるから，該第１の配線層２９の第２ワイヤ２４と接続する部分及び第２の配線層３１の第１ワイヤ１６と接続する部分は，それぞれ複数のボンド・フィンガの列として構成されていることは明らかである。そうすると，引用発明は，本願発明における「複数のボンド・フィンガを有する複数のボンド・フィンガ列が該ダイの周縁に分散し，その第１の列が該ダイ・キャリアの内部領域に配置され，第２の列が該ダイ・キャリアの外部領域に配置されたダイ・キャリア」との要件を実質的に備えているといえる。
　引用発明において，第２のワイヤ２４は順打ちボンディングにより配設され，電極パッド２５には第３のボール部２６が設けられているから，引用発明は，本願発明の「第２のボンド・パッドはボール・ボンド・プロファイルを有する」との要件を備える。
　
　以上のことから，本願発明と引用発明は，本願発明の表記にしたがえば，
　「少なくとも１つの辺に複数のボンド・パッド列を有するダイであって，該複数のボンド・パッド列はダイのエッジまでの距離が異なり，同ダイのエッジにそれぞれ平行に整列している，ダイと，
　同ダイをサポートするためのダイ・キャリアであって，同ダイ・キャリアの上には，複数のボンド・フィンガを有する複数のボンド・フィンガ列が該ダイの周縁に分散し，その第１の列が該ダイ・キャリアの内部領域に配置され，第２の列が該ダイ・キャリアの外部領域に配置されたダイ・キャリアと，
　それぞれ該ボンド・パッドのうちの所定の１つを該複数のボンド・フィンガのうちの所定の１つに接続する複数のボンド・ワイヤと，
　からなり，
　前記ダイ上の複数のボンド・パッド列のうちの第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・パッド列のボンド・パッドとは，前記ダイのエッジに対して直角をなす軸を介して，各々の所定のボンド・パッドと整列したボンド・パッドを有することと，
　第１のボンド・パッド列のボンド・パッドと第１のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合し，第２のボンド・パッド列のボンド・パッドと第２のボンド・フィンガ列のボンド・フィンガとを結合すべく，異なるワイヤ・ボンディング工程を使用する結果，ループ高さが異なることと，　
　該第２のボンド・パッドはボール・ボンド・プロファイルを有すること，
　からなる半導体パッケージ。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は，複数のボンド・フィンガ列が同一平面上に有するのに対して，引用発明は，複数のボンド・フィンガ列が同一平面上に有する構成とはなっていない点。
　
［相違点２］
　本願発明は，第１のボンド・パッドはリバース・スティッチのボンド・プロファイルを有するのに対して，引用発明は，第１のボンド・パッドに接続されるボンド・ワイヤは逆打ちボンディングにより配設されるが，第１のボンド・パッドがリバース・スティッチのボンド・プロファイルを有するか否か不明な点。
　
相違点１について検討する。
　半導体装置の分野において，ダイ・キャリアの内部領域と外部領域にそれぞれ配置されるボンド・フィンガ列を同一平面上に配置することは，例えば，東独国経済特許第２７２９４５号明細書（ＤＤ　２７２９４５　Ａ１）（原査定で引用した文献）の図１，２，特開２００１−２４４２９３号公報の段落【００２１】〜【００３３】，図２，３，特開平９−２７５１２号公報の段落【００１７】，図６〜９に記載されているように周知技術である。
　したがって，引用発明において上記周知技術を採用し，複数のボンド・フィンガ列が同一平面上に有するように構成して上記相違点１に係る構成とすることは，当業者であれば容易になし得たことである。
　
相違点２について検討する。
　引用例２には，半導体装置のワイヤボンディング方法として，第一に，ワイヤをキャピラリに通し，ワイヤ先端を溶融してボールを形成し，半導体チップのボンディングパッドにボールを圧着し，ボールの付け根でワイヤを切断して，バンプを形成し，第二に，同様にワイヤを溶融して形成したボールを基板のボンディングパッドに圧着してファースト・ボンディングを行い，第三に，半導体チップのボンディングパッドへワイヤを導き，ボンディングパッド上のバンプにセカンド・ボンディングを行うことによって，半導体チップと基板とを接続するワイヤを形成するリバース法が記載されており，前記リバース法を採用することにより，ワイヤ高を低く抑えることができることが記載されている。
　してみると，引用発明において，ループ高さが低くなるように配設される第１のワイヤのワイヤボンディング方法として，引用例２に記載されたリバース法を採用し，第１のボンド・パッドがリバース・スティッチのボンド・プロファイルを有するように構成して上記相違点２に係る構成とすることは，当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　そして，本願発明により得られる作用効果も，引用発明，引用例２の記載事項及び周知技術から当業者であれば予測できる程度のものであって，格別のものとはいえない。
　
　以上のことから，本願発明は，引用発明，引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。