【事件の表示】
　特願２００６−３１２２５９「露光線量決定方法及び露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月　７日出願公開、特開２００７−１４２４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月１７日（優先権主張２００５年１１月１８日、欧州特許庁）の出願であって、平成２２年６月１日付けで手続補正書が提出されたが、同年１２月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２３年１０月１３日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２４年１月１８日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２３年４月７日付けの手続補正の補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２３年４月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２３年４月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「基材（１）の材料膜（１１）上にレジスト材料（１２）を形成し、該レジスト材料（１２）にパターン（１３）をビーム描画装置（３０）を利用した露光によって描画し、その露光部位を溶媒液で溶かして現像し前記材料膜（１１）をパターニングする方法における露光線量決定方法であり、そのパターン（１３）が、所定のエネルギーを有するビームに対応して露光されるドットを単位として描かれるようにしたものであって、以下のステップを備えている。
−　露光領域（２１）及び非露光領域（２２）を決定するステップ。露光境界（２３）は前記露光領域と（２１）前記非露光領域（２２）とから定められる。
−　露光領域（２１）の特定位置における所定の露光エネルギーを取得するために、露光領域（２１）における目標線量を決定するステップ。その所定の露光エネルギーは、非露光領域（２２）における基準露光エネルギーより大きい。
−　マージン領域（２４）における露光エネルギーを、前記所定の露光エネルギーより大きくするために、露光領域（２１）の露光境界（２３）に隣接するマージン領域（２４）における目標線量の値を局所的に増加させるステップ。ここでマージン領域（２４）における前記露光エネルギー量は、非露光領域（２２）のサイズに依存して定められ、かつ非露光領域に及ぶ露光エネルギー量がある所定量を超えない範囲に制限される。」
　
　そこで、本願の補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
（１）引用文献１：特開昭５９−２０８７２０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（１ａ）第１頁右欄下から７行〜第２頁左下欄９行
「〔技術分野〕
　本発明は粒子線を用いて微細図形を描画する技術、特に可変成形ビームを用いる描画技術において、高い描画精度を実現するために好適な技術に関する。
〔背景技術〕
　電子またはイオンなどの荷電粒子を用いて微細図形を描画する装置において、２枚のアパーチャーの中間に偏向器を配置し、試料に照射するビームの大きさを任意に変更する可変成形ビームを用いたものが考えられる。
　しかしながらこの描画装置において、描画に要する時間を大巾に短縮出来るもののビームの大きさに比例してビーム電流が増加し、ビーム内の各粒子の電荷の反発（クーロン効果）によるぼけが生じ描画精度を制限するという問題点が本発明者によりあきらかにされた。
　・・・
　以下にこの問題点を図を用いて詳細に説明する。可変成形ビームを用いた描画装置においては、第１図に示すように、その装置でショット可能な寸法より小さい寸法に図形を分割して描画する。この場合、描画は図形の隅から第１図のイロハニ・・・に示すような順序によって行なわれ、また図形内によるショット時間は一定である。
　クーロン効果を考慮した場合においても、第２図に示すように、周辺のショット面積を小さく制限することを除いて、ショット順序およびショット時間に関しては本質的に同じであり、前述の散乱および温度上昇の影響は免れえない。
　第３図はこれをグラフにより示したもので、（ａ）は照射ビームの強度分布、（ｂ）はレジストの内部に生じる潜像の分布をそれぞれ示し、現像により、第３図（ｂ）における直線Ｄ上の部分が図形として生じる．この場合、前記の散乱および温度の効果により、図形のエッジ部の潜像分布は第３図（ｂ）の曲線Ｅに示すようにゆるやかな傾斜を生じ、照射量および現像条件のわずかな差異により寸法変化を生じ、また図形の隅の部分が円くなり、第３図（ｃ）の曲線に示すような不正確な図形となる。
〔発明の目的〕
　本発明の目的は、レジストの内部への電子散乱および温度上昇に起因する図形の寸法精度低下を防ぎ、かつ描画時間をも短縮できる描画技術を提供することにある。」
（１ｂ）第２頁右下欄下から６行〜第３頁右上欄９行
「次に、第４図に示す描画装置の作用に沿って本発明による描画方法の一実施例を説明する。
　描画データを一時記憶したメモリー１は制御計算機（図示せず）の指令にしたがってデータを順次分割判定回路２に転送する。分割判定回路２はデータの短辺寸法を基準値と比較し、基準値に満たないものは分割不要としてショット分解回路４に、基準値を越えるものは分割実行回路３にそれぞれデータを送出する。分割実行回路３は受取ったデータを、第５図に示すように、あらかじめ定められた一定巾の複数の周辺部図形Ｍ１、Ｍ２…Ｍｎと、複数の内部図形Ｎ１，Ｎ２…Ｎｎとに分割し、分割された周辺部図形Ｍ１〜Ｍｎのデータを先にショット分解回路４に送出し、後に内部図形Ｎ１〜Ｎｎのデータを送出する。この際、内部図形Ｎ１〜Ｎｎのデータは露光ショット時間を指定する部分を周辺部図形Ｍ１〜Ｍｎのデータのショット時間よりも短く変更して送出する。
　ショット分解回路４は受取ったデータをショット可能の寸法に区切ってショット制御回路５に送り、制御回路５はデータに従ってビーム寸法、ショット時間を制御し所望の図形Ｌについての描画を行なう。
　このようにして、所望の描画図形Ｌを周辺部図形Ｎ１〜Ｎｎ（当審注：Ｍ１〜Ｍｎの誤記と認める。）と内部図形Ｍ１〜Ｍｎ（当審注：Ｎ１〜Ｎｎの誤記と認める。）とに分割し、内部図形を描画する照射時間を周辺部図形を描画する照射時間よりも短くして描画させると、所望の描画図形における内部図形のビーム照射量が減少されることにより、荷電粒子の散乱とレジスト内部の温度上昇が抑制されるため、照射ビームの強度分布が第６図（ａ）に示されるような状態の場合、レジスト内部の潜像分布は、第６図（ｂ）に示されるように、その潜像分布の端部における傾斜が急になりしたがって、第６図（ｃ）に示されるような正確な所望の描画図形Ｌが得られる。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「荷電粒子のビームを照射してレジスト内部に潜像を形成することにより微細図形を描画する方法であって、
　所望の描画図形（Ｌ）を周辺部図形（Ｍ１〜Ｍｎ）と内部図形（Ｎ１〜Ｎｎ）とに分割し、内部図形を描画する照射時間を周辺部図形を描画する照射時間よりも短くして描画させる方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２：特開昭６２−８６７１８号公報
　同じく、上記引用文献２には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２ａ）特許請求の範囲
「（１）レジスト材料が塗布された基板上に電子銃から発生した電子ビームを照射してパターンを形成するための電子ビーム露光装置であって、
　前記パターンを形成するための画素データを記憶する記憶手段、
　前記記憶手段に記憶されている画素データに基づいて、画素単位の照射量を演算する演算手段、
および
　前記電子ビームの照射量を画素単位で変調する照射量変調手段を備えた、電子ビーム露光装置。」
（２ｂ）第２頁左上欄１２行〜右上欄下から７行
「次に、第６図ないし第８図を参照して、従来の電子ビーム露光装置の動作について説明する。電子銃１から発生された電子ビームは、コンデンサレンズ２およびオブジェクトレンズ３により集束され、ステージ４上に配置されたマスクまたはウエハ基板上に照射される。一方、計算機９に蓄えられている描画データは、画素データ制御回路１０に与えられ、２値の画素データとして画素データ記憶回路２２に一旦蓄えられる。また、計算機９に蓄えられている画素の位置データはステージ制御回路７およびビーム偏向制御回路８に与えられる。ステージ制御回路７はステージ４の位置を制御し、ビーム偏向制御回路８は偏向板５の位置を制御して、マスクまたはウエハ基板の所定の位置に電子ビームが照射されるように位置制御を行なう。また、電子ビームの位置制御が完了すると、完了情報がビーム偏向制御回路８から画素データ制御回路１０に与えられ、画素データ制御回路１０は画素データ記憶回路２２に記憶された画素データをブランキング制御回路２１に与える。ブランキング制御回路２１は与えられた画素データに基づいて、ブランキング板６のオン．オフ制御を行なう。」
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較する。
（あ）引用発明の「レジスト」、「描画図形」及び「荷電粒子のビームを照射して・・潜像を形成すること」は、それぞれ、補正発明の「レジスト材料」、「パターン」及び「レジスト材料に・・露光によって描画」することに相当し、レジストが露光及びエッチング等によって基材上に材料膜のパターンを形成するためのものであるという当業者の技術常識を参酌すれば、引用発明が「基材の材料膜上にレジスト材料を形成し、該レジスト材料にパターンをビーム描画装置を利用した露光によって描画し、現像し前記材料膜をパターニングする方法」に用いられるものであることは明らかである。
（い）引用発明が潜像によって所望の描画図形を描画することから、「露光境界を定める露光領域及び非露光領域を決定するステップ」を有することも明らかである。
（う）引用発明が描画図形の場所によってビームの照射時間を異ならせていることから、「露光領域における目標線量を決定するステップ」を有することも明らかである。この意味で、引用発明は露光線量決定方法でもある。
（え）補正発明の「マージン領域」とは、「非露光領域」に隣接する「露光領域」のことであるから、引用発明の「周辺部図形」がこれに相当し、引用発明「周辺部図形」の外側は補正発明の「非露光領域」に相当する。そして、引用発明において「内部図形を描画する照射時間を周辺部図形を描画する照射時間よりも短くして描画させる」こと、いい換えれば「周辺部図形を描画する照射時間を内部図形を描画する照射時間よりも長くして描画させる」ことは、補正発明の「露光領域の露光境界に隣接するマージン領域における目標線量の値を局所的に増加させるステップ」に相当する。ここで「非露光領域に及ぶ露光エネルギー量がある所定量を超えない範囲に制限される」ことは、非露光領域では潜像を形成してはいけないことから、自明の事項である。
　
　してみると両者は、 
　「基材の材料膜上にレジスト材料を形成し、該レジスト材料にパターンをビーム描画装置を利用した露光によって描画し、現像し前記材料膜をパターニングする方法における露光線量決定方法であり、以下のステップを備えている。
−　露光領域及び非露光領域を決定するステップ。露光境界は前記露光領域と前記非露光領域とから定められる。
−　露光領域における目標線量を決定するステップ。
−　露光領域の露光境界に隣接するマージン領域における目標線量の値を局所的に増加させるステップ。ここで非露光領域に及ぶ露光エネルギー量がある所定量を超えない範囲に制限される。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　補正発明が、露光部位を溶媒液で溶かしてパターニングするのに対して、引用発明はそうではない点。
（相違点２）
　補正発明は、パターンが、所定のエネルギーを有するビームに対応して露光されるドットを単位として描かれるようにしたものであるのに対して、引用発明はそうではない点。
（相違点３）
　補正発明が、露光領域の特定位置における、非露光領域における基準露光エネルギーより大きい所定の露光エネルギーを取得するために、露光領域における目標線量を決定し、マージン領域における露光エネルギーを前記所定の露光エネルギーより大きくするために、露光領域の露光境界に隣接するマージン領域における目標線量の値を局所的に増加させるのに対して、引用発明は、それぞれが何のためであるか不明な点。
（相違点４）
　補正発明は、マージン領域における露光エネルギー量は、非露光領域のサイズに依存して定められるのに対して、引用発明はそうではない点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　補正発明及び引用発明が属する荷電粒子ビームを用いた露光方法の分野において、ポジ型のレジストを用いて露光部位を溶媒液で溶かしてパターニングする方法は、ネガ型のレジストを用いて露光部位を残してパターニングする方法とともに、ごく普通に用いられる方法であって、当業者は、その必要に応じて適宜選択しうる。そして、引用発明が該ポジ型のレジストを用いることに格別の阻害要因はない。
　してみると、引用発明に相違点１に係る構成を採用することは、当業者が適宜なし得る事項である。
（相違点２について）
　上記引用文献２には、「電子ビームを照射してパターンを形成するための方法であって、画素データに基づいて電子ビームの照射量を画素単位で変調して照射する方法。」（以下「引用２発明」という。）が記載されている。
　引用２発明の「パターン」、「電子ビームの照射量」及び「画素データに基づいて電子ビームの照射量を画素単位で変調して照射する」ことは、それぞれ、上記相違点２に係る構成の「パターン」、「ビーム」の有する「所定のエネルギー」及び「露光されるドットを単位として描かれる」ことに、それぞれ相当する。
　してみると、引用２発明は「所定のエネルギーを有するビームに対応して露光されるドットを単位として描かれるようにしたパターニング方法」であるから、上記相違点２に係る構成を有している。
　引用発明も引用２発明も、ともに、所定単位の露光を繰り返しながらパターンを形成するものであるから、引用発明に引用２発明を適用して所定単位をドット単位で構成することにより、相違点２に係る構成を採用することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
（相違点３について）
　補正発明における露光エネルギーと目標線量（露光線量）との関係は必ずしも明確ではないが、本願明細書の段落【００３１】の「非露光領域での露光エネルギーが大きくなり過ぎないように、マージン領域における目標線量の増加量は制限される。一方、中間領域における目標線量は、中間領域でのエネルギーがレジスト材料を完全に露光するために十分な大きさである必要があるため、その減少量は制限される。」、【００３３】の「クリア線量は、レジスト材料を完全に現像するために必要な最小エネルギーに対応する。」、【００４２】の「通常の露光エネルギーを有するように露光線量を決定する。」、【００４６】の「露光エネルギー及び露光線量は、露光すべきでない部位の線幅に依存する。」等の記載を参酌すれば、補正発明において「露光エネルギー」と「露光線量」は同等の技術的事項を指し示すものと認められる。そして、このことは露光線量の合計（積分値）が露光エネルギーに対応するという当業者の技術常識にも合致するものである。
　してみると、引用発明においても、当然、露光領域の特定位置における、非露光領域における基準露光エネルギーより大きい所定の露光エネルギーを取得するために、露光領域における目標線量を決定し、マージン領域における露光エネルギーを、前記所定の露光エネルギーより大きくするために、露光領域の露光境界に隣接するマージン領域における目標線量の値を局所的に増加させるのであるから、相違点３は実質的な相違点ではない。
（相違点４について）
　相違点４に係る構成について、本願明細書には、段落【００４６】に「露光エネルギー及び露光線量は、露光すべきでない部位の線幅に依存する。これにより、非露光領域のサイズは露光線量を決定する。これに対し、従来の方法では、露光線量は露光領域のその他の部位のサイズや密度に依存する。」と記載されているのみであり、具体的な決定方法や結果についての記載はない。この記載を含む本願明細書及び図面の記載を総合的に判断すると、補正発明における相違点４に係る構成は、「マージン領域における露光エネルギー量は、非露光領域のサイズを考慮して補正される」ということにほかならない。
　一方、荷電粒子ビームを用いた露光方法において、露光線量を、隣り合う露光領域の距離等の描画パターンや線の太さ等の種々の要素に基づいて補正することは、ごく普通に行われている周知技術である（特開平５−２１７８６９号公報段落【０００３】参照）。そして、非露光領域のサイズとは、とりもなおさず、隣り合う露光領域の距離等にほかならず、それが描画結果に影響を及ぼすであろうことは、当業者であれば容易に想到する事項である。そして、そのための補正を行うことは、当業者が容易になし得る事項である。
　してみると、引用発明に相違点４に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明、引用２発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２３年４月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２２年６月１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ビーム描画装置（３０）を利用してパターン（１３）を描画するための露光線量決定方法であり、そのパターン（１３）が、所定のエネルギーを有するビームに対応して露光されるドットを単位として描かれるようにしたものであって、以下のステップを備えている。
―露光領域（２１）及び非露光領域（２２）を決定するステップ。露光境界（２３）は前記露光領域と（２１）前記非露光領域（２２）とから定められる。
―露光領域（２１）の特定位置における所定の露光エネルギーを取得するために、露光領域（２１）における目標線量を決定するステップ。その所定の露光エネルギーは、非露光領域（２２）における基準露光エネルギーより大きい。
―マージン領域（２４）における露光エネルギーを、前記所定の露光エネルギーより大きくするために、露光領域（２１）の露光境界（２３）に隣接するマージン領域（２４）における目標線量の値を局所的に増加させるステップ。ここでマージン領域（２４）における前記露光エネルギー量は、非露光領域（２２）のサイズに依存して定められる。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から、（マージン領域における前記露光エネルギー量は）「非露光領域に及ぶ露光エネルギー量がある所定量を超えない範囲に制限される」という事項を削除することにより拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。