【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性プレーナー線形導波路中にアポダイズブラッグ格子を形成する方法であって、
長手軸を規定する感光性プレーナー線形導波路を基板の表面上に提供する工程と、
前記導波路とレーザービームとの間にパターン化位相マスクを配置する工程と、
前記位相マスクを介して前記導波路を前記レーザービームに暴露する工程であって、前記レーザービームが前記基板および前記位相マスクを基準として実質的に一定の速度で移動するか、または前記基板および前記位相マスクが前記レーザービームを基準として実質的に一定の速度で移動するかしており、前記ビームはなだらかに変化する強度プロフィルを有し、前記暴露は前記導波路に対して屈折率の変化を引き起こしかつ前記導波路中に前記位相マスクのパターンに対応するアポダイズブラッグ格子を付与するのに十分な条件下で前記長手軸に対して０°超かつ９０°未満の角度で行われる、工程と、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記導波路がコア上にオーバークラッド組成物を含む、請求項１に記載の方法であって、暴露前または後のいずれかに前記オーバークラッド組成物を前記コア上に適用する工程をさらに含み、前記オーバークラッド組成物が前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アポダイズブラッグ格子を有するプレーナー線形導波路を形成する方法であって、
基板の表面にアンダークラッド組成物を適用する工程と、
長手軸を規定する感光性プレーナー線形導波路を前記アンダークラッド上に形成する工程と、
前記導波路とレーザービームとの間にパターン化位相マスクを配置する工程と、
前記位相マスクを介して前記導波路を前記レーザービームに暴露する工程であって、前記レーザービームは前記基板および前記位相マスクを基準として実質的に一定の速度で移動するか、または前記基板および前記位相マスクは前記レーザービームを基準として実質的に一定の速度で移動するかしており、前記ビームはなだらかに変化する強度プロフィルを有し、前記暴露は、前記導波路に対して屈折率の変化を引き起こしかつ前記導波路中に前記位相マスクのパターンに対応するアポダイズブラッグ格子を付与するのに十分な条件下で前記長手軸に対して０°超かつ９０°未満の角度で行われる、工程と、
暴露の前または後のいずれかでオーバークラッド組成物を前記導波路上に適用する工程であって、前記オーバークラッド組成物および前記アンダークラッド組成物は前記導波路の屈折率よりも低い屈折率を有する、工程と、
を含むことを特徴とする、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
好適な実施形態を参照しながら本発明について特定的に提示および説明を行ってきたが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく種々の変更および修正を行いうることは容易に理解されよう。特許請求の範囲は、開示された実施形態、以上に論じたその代替形態、およびそれらのすべての等価形態を包含すると解釈されるものとする。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  感光性プレーナー線形導波路中にアポダイズブラッグ格子を形成する方法であって、
長手軸を規定する感光性プレーナー線形導波路を基板の表面上に提供する工程と、
前記導波路とレーザービームとの間にパターン化位相マスクを配置する工程と、
前記位相マスクを介して前記導波路を前記レーザービームに暴露する工程であって、前記レーザービームが前記基板および前記位相マスクを基準として実質的に一定の速度で移動するか、または前記基板および前記位相マスクが前記レーザービームを基準として実質的に一定の速度で移動するかしており、前記ビームはなだらかに変化する強度プロフィルを有し、前記暴露は前記導波路に対して屈折率の変化を引き起こしかつ前記導波路中に前記位相マスクのパターンに対応するアポダイズブラッグ格子を付与するのに十分な条件下で前記長手軸に対して０°超かつ９０°未満の角度で行われる、工程と、
を含むことを特徴とする、方法。
２．  前記角度が約１°〜約４５°の範囲であることを特徴とする、１．に記載の方法。
３．  前記角度が約３°〜約１５°の範囲であることを特徴とする、１．に記載の方法。
４．  前記導波路がドープガラス組成物を含むことを特徴とする、１．に記載の方法。
５．  前記導波路がゲルマニウムドープガラス組成物を含むことを特徴とする、１．
に記載の方法。
６．  前記導波路が光重合性組成物を含むことを特徴とする、１．に記載の方法。
７．  前記レーザービームが固定状態に保持され、前記基板および前記位相マスクが前記レーザービームを基準として移動することを特徴とする、１．に記載の方法。
８．  前記基板および前記位相マスクが固定状態に保持され、前記レーザービームが前記基板および前記位相マスクを基準として移動することを特徴とする、１．に記載の方法。
９．  前記基板の表面が、前記導波路の屈折率よりも低い屈折率を有するアンダークラッド組成物を含むことを特徴とする、１．に記載の方法。
１０．  前記導波路がコア上にオーバークラッド組成物を含む、１．に記載の方法であって、暴露前または後のいずれかに前記オーバークラッド組成物を前記コア上に適用する工程をさらに含み、前記オーバークラッド組成物が前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有することを特徴とする、１．に記載の方法。
１１．  前記レーザービームがガウス型強度プロフィルを有することを特徴とする、１．に記載の方法。
１２．  アポダイズブラッグ格子を有するプレーナー線形導波路を形成する方法であって、
基板の表面にアンダークラッド組成物を適用する工程と、
長手軸を規定する感光性プレーナー線形導波路を前記アンダークラッド上に形成する工程と、
前記導波路とレーザービームとの間にパターン化位相マスクを配置する工程と、
前記位相マスクを介して前記導波路を前記レーザービームに暴露する工程であって、前記レーザービームは前記基板および前記位相マスクを基準として実質的に一定の速度で移動するか、または前記基板および前記位相マスクは前記レーザービームを基準として実質的に一定の速度で移動するかしており、前記ビームはなだらかに変化する強度プロフィルを有し、前記暴露は、前記導波路に対して屈折率の変化を引き起こしかつ前記導波路中に前記位相マスクのパターンに対応するアポダイズブラッグ格子を付与するのに十分な条件下で前記長手軸に対して０°超かつ９０°未満の角度で行われる、工程と、
暴露の前または後のいずれかでオーバークラッド組成物を前記導波路上に適用する工程であって、前記オーバークラッド組成物および前記アンダークラッド組成物は前記導波路の屈折率よりも低い屈折率を有する、工程と、
を含むことを特徴とする、方法。
１３．  前記角度が約１°〜約４５°の範囲であることを特徴とする、１２．に記載の方法。
１４．  前記角度が約３°〜約１５°の範囲であることを特徴とする、１２．に記載の方法。
１５．  前記導波路がドープガラス組成物を含むことを特徴とする、１２．に記載の方法。
１６．  前記導波路がゲルマニウムドープガラス組成物を含むことを特徴とする、１２．に記載の方法。
１７．  前記導波路が光重合性組成物を含むことを特徴とする、１２．に記載の方法。
１８．  前記レーザービームが固定状態に保持され、前記基板および前記位相マスクが前記レーザービームを基準として移動することを特徴とする、１２．に記載の方法。
１９．  前記基板および前記位相マスクが固定状態に保持され、前記レーザービームが前記基板および前記位相マスクを基準として移動することを特徴とする、１２．に記載の方法。
２０．  前記レーザービームがガウス型強度プロフィルを有することを特徴とする、１２．に記載の方法。