【事件の表示】
　特願２００３−５１４６１１「表面状態を改善する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月３０日国際公開、ＷＯ０３／０９３６６、平成１６年１１月２５日国内公表、特表２００４−５３５６８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年７月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年７月１６日、フランス国）を国際出願とする出願であって、平成２１年１月２６日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年２月９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年６月１４日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２２年６月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１の「半導体材料製ウェハーの表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程」を、補正後の請求項１の「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程」と補正し、補正前の請求項１の「急速熱アニーリングの前に、ウェハー表面の表面区域における小孔の形成を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり」を、補正後の請求項１の「急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理を含んでなり、この前処理はこの表面区域を減少させることおよび／または除去することからなり」と補正し、補正前の請求項１の「該孔は前記急速熱アニーリングの際の前記ウェハー表面の再構築平滑化によっては完全に除去できない」を、補正後の請求項１の「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始するものである」と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項３〜９を、削除する。
　
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項１０を、補正後の請求項３に繰り上げるとともに、補正前の請求項１０の「請求項９に記載の」を、補正後の請求項３の「請求項１または２に記載の」と補正する。
　
〈補正事項ｄ〉
　補正前の請求項１１を、補正後の請求項４に繰り上げるとともに、補正前の請求項１１の「請求項１０に記載の」を、補正後の請求項４の「請求項３に記載の」と補正する。
　
〈補正事項ｅ〉
　補正前の請求項１２を、補正後の請求項５に繰り上げるとともに、補正前の請求項１２の「請求項９に記載の」を、補正後の請求項５の「請求項１または２に記載の」と補正する。
　
〈補正事項ｆ〉
　補正前の請求項１３を、補正後の請求項６に繰り上げるとともに、補正前の請求項１３の「請求項１〜１２のいずれか一項に記載の」を、補正後の請求項６の「請求項１〜５のいずれか一項に記載の」と補正する。
　
〈補正事項ｇ〉
　補正前の請求項１４を、補正後の請求項７に繰り上げるとともに、補正前の請求項１４の「請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法を使用して得られる、ＳＯＩまたはＳＯＡ構造。」を、補正後の請求項７の「前記半導体材料製ウェハーが、ＳＯＩウェハーである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。」と補正する。
　
２．補正目的の適否
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正のうち、補正前の請求項１の「半導体材料製ウェハーの表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程」を、補正後の請求項１の「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程」とする補正は、補正前の請求項１の「前記自由表面」と整合させるために、補正前の請求項１の「表面状態」を、補正後の請求項１の「自由表面状態」とする補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　また、補正事項ａについての補正のうち、補正前の請求項１の「急速熱アニーリングの前に、ウェハー表面の表面区域における小孔の形成を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり」を、補正後の請求項１の「急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理を含んでなり、この前処理はこの表面区域を減少させることおよび／または除去することからなり」とする補正は、補正前の請求項１の「ウェハー表面の表面区域」すなわちウェハー表面区域は「１００ｎｍ未満の厚さである」ことを、補正前の請求項１の「小孔」は「深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズ」であることを、補正前の請求項１の「前処理」は「この表面区域を減少させることおよび／または除去する」ものであることを、それぞれ、限定するものである。
　そして、補正前の請求項１の「該孔は前記急速熱アニーリングの際の前記ウェハー表面の再構築平滑化によっては完全に除去できない」を、補正後の請求項１の「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始するものである」とする補正は、補正前の請求項１の「該孔」は「再構築平滑化によっては完全に除去できない」という発明特定事項を、「該小孔」は「再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」という発明特定事項に下位概念化するものである。
　したがって、補正事項ａについての補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正、及び、特許請求の範囲の減縮（発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当する。
　
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、請求項の削除を目的とする補正に該当する。
　
（３）補正事項ｃ〜ｆについて
　補正事項ｃ〜ｆについての補正は、補正事項ｂにより請求項３〜９が削除されたことに伴って、請求項の項番号を繰り上げ、かつ、引用する請求項を変更した補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（４）補正事項ｇについて
　補正事項ｇについての補正は、補正前の請求項１４の「ＳＯＩまたはＳＯＡ構造」を、補正後の請求項７の「方法」に変える補正である。すなわち、発明のカテゴリーを、物のカテゴリーから方法のカテゴリーに変更する補正である。
　このような、発明のカテゴリーを変更する補正は、特許請求の範囲を減縮するものであるとも、発明を特定するための事項を限定するものであるとも、認められない。したがって、特許請求の範囲の減縮（発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当するものではない。
　なお、補正事項ｇについての補正は、「方法」の発明に関する補正前の請求項１、２、１０〜１３における「半導体材料製ウェハー」が「ＳＯＩウェハー」であることを、「方法」の発明に関する補正前の請求項１〜１３のいずれにも対応しない新たな請求項である、補正後の請求項７において限定した、と解することもできる。しかし、このように、「方法」の発明に関する補正前の請求項１〜１３のいずれにも対応しない新たな請求項を設ける補正は、請求項数を増加させる補正であるから、上記特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するものではない。
　また、補正事項ｇについての補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とする補正にも該当しない。
　
　したがって、上記の補正事項ｇについての補正を含む特許請求の範囲についての本件補正は、平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　次に、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものとして、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを、請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）について検討する。
　
３．独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本件補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（本件補正発明）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなり、この急速熱アニーリングが１１００℃〜１３００℃で１〜６０秒間達成される方法であって、急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理を含んでなり、この前処理はこの表面区域を減少させることおよび／または除去することからなり、該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始するものである、方法。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２０００−１２４０９２号公報
　
（３）引用例１の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０００−１２４０９２号公報（以下「引用例１」という。）には、「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたＳＯＩウエーハ」（発明の名称）に関して、図１、図２とともに、次の記載がある（審決注：下線は、参考のため、当審において付したものである。）。
　
　　ア．発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエーハを製造する、いわゆる
水素イオン注入剥離法（スマートカット法とも呼ばれている）において、剥離後にＳＯＩ層上に残留するダメージ層、表面粗さを除去する
【０００２】
【従来の技術】最近、ＳＯＩウエーハの製造方法として、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩウエーハを製造する方法（水素イオン注入剥離法：スマートカット法と呼ばれる技術）が新たに注目され始めている。この方法は、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合してＳＯＩウエーハとする技術（特開平５−２１１１２８号参照）である。この方法では、劈開面（剥離面）は良好な鏡面であり、ＳＯＩ層の膜厚の均一性も高いＳＯＩウエーハが比較的容易に得られている。
【０００３】しかし、水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを作製する場合においては、剥離後のＳＯＩウエーハ表面にイオン注入によるダメージ層が存在し、また表面粗さが通常のシリコンウエーハの鏡面に比べて大きなものとなる。したがって、水素イオン注入剥離法では、このようなダメージ層、表面粗さを除去することが必要になる。従来、このダメージ層等を除去するために、結合熱処理後の最終工程においては、タッチポリッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない鏡面研磨が行われていた。
【０００４】しかし、ＳＯＩ層に機械加工である研磨をしてしまうと、研磨の取り代が均一でないために、水素イオン注入、剥離によって達成されたＳＯＩ層の膜厚均一性が悪化してしまうという問題が生じる。また、結合熱処理後に鏡面研磨をするのでは、工程が多く煩雑であり、コスト的にも不利である。
【０００５】そこで、剥離後のＳＯＩウエーハに酸化性雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層に酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行うことによりダメージ層を除去する方法が提案された。この方法であれば、機械加工である研磨によらずダメージ層を除去することができる。
【０００６】しかし、この犠牲酸化のみでは、ＳＯＩ層表面の表面粗さを十分に改善することができないために、結局、面粗さの改善のために機械研磨であるタッチポリッシュが必要となり、ＳＯＩ層の膜厚均一性を劣化させてしまう。また、酸化性雰囲気下の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のダメージに起因してＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）が発生することがある。
【０００７】そこで、水素イオン注入剥離法で得られたＳＯＩウエーハの表面を研磨することなく還元性雰囲気で熱処理することにより、ＳＯＩ層のダメージを回復させ、面粗さを改善する方法が提案された。この方法であれば、剥離後のＳＯＩ層に残るダメージとＳＯＩ層表面の面粗さを膜厚均一性を維持したまま改善することができる。
【０００８】しかし、水素イオン注入剥離法で得られたＳＯＩウエーハのＳＯＩ層中のダメージは、表面側が大きく、内部になるに従い小さくなる。従って、上記のような還元性の熱処理を加えると、ダメージの回復はＳＯＩ層の内部から表面側に進行することになるが、表面側のダメージが大きい場合には、高温、長時間の熱処理が必要とされ、高温、長時間の熱処理を行っても、場合によっては完全に回復できないこともあった。
【０００９】ダメージの大きさや深さは、水素イオン注入の注入エネルギーの大きさやドーズ量に起因するものであるので、例えば、厚いＳＯＩ層や厚い埋め込み酸化膜を有するＳＯＩウエーハを製造する場合に注入エネルギーを大きくする必要があるような場合や、剥離熱処理を低温で行う目的によりドーズ量を大きくする必要があるような場合には、上記の問題は顕著になる。
【００１０】さらに、水素等の還元性雰囲気下で高温、長時間の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のシリコンがエッチングされて膜厚均一性が劣化すると共に、埋め込み酸化膜にエッチピットが生じることがあった。これは、ＳＯＩ層にＣＯＰ（CrystalOriginated Particle ）のような欠陥があり、それが下地の酸化膜までつながっていると、ＣＯＰは消滅せずにそのまま残るか、あるいは拡大することもあるため、欠陥を通して侵入した水素等によって埋め込み酸化膜までもがエッチングされてしまい、ここにピットが形成されることが原因である。このエッチピットは、その近傍のＳＯＩ層にも影響を与えるため問題であった。
【００１１】以上のように、水素イオン注入剥離法によって得られるＳＯＩウエーハのダメージ層や表面粗さをＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去するために、種々の方法が提案されたが、いまだに満足できるものはなく、適切な解決方法が望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、水素イオン注入剥離法において、剥離後にＳＯＩ層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品質のＳＯＩウエーハを製造する方法を提供すると共に、ウエーハ製造の生産性を向上させることを目的とする。」
　
　　イ．発明の実施の形態
・「【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、図１は本発明の水素イオン注入剥離法でＳＯＩウエーハを製造する方法の製造工程の一例を示すフロー図である。
【００２８】以下、本発明を２枚のシリコンウエーハを結合する場合を中心に説明する。まず、図１の水素イオン注入剥離法において、工程（ａ）では、２枚のシリコン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様に合った支持基板となるベースウエーハ１とＳＯＩ層となるボンドウエーハ２を準備する。次に工程（ｂ）では、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、ここではボンドウエーハ２を熱酸化し、その表面に約０．１〜２．０μｍ厚の酸化膜３を形成する。
【００２９】工程（ｃ）では、表面に酸化膜を形成したボンドウエーハ２の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオン、ここでは
水素イオンを注入し、イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）４を形成させる
【００３０】次に、工程（ｅ）は、封入層４を境界として剥離することによって、剥離ウエーハ５とＳＯＩウエーハ６（ＳＯＩ層７＋埋め込み酸化膜３＋ベースウエーハ１）に分離する剥離熱処理工程で、例えば不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、
結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ５とＳＯＩウエーハ６に分離される
この剥離したままのＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７には、ダメージ層８が残留する
【００３１】ここまでの工程は、本発明の方法も、従来の水素イオン注入剥離法と同じである。そして、本発明は、この剥離工程後、請求項１のような方法と、請求項２のような方法に分かれる。
【００３２】まず、請求項１の方法では、剥離工程の後、従来通り工程（ｆ）で、結合熱処理工程を行う。この工程は、前記工程（ｄ）（ｅ）の密着工程および剥離熱処理工程で密着させたウエーハ同士の結合力では、そのままデバイス工程で使用するには弱いので、結合熱処理としてＳＯＩウエーハ６に高温の熱処理を施し結合強度を十分なものとする。この熱処理は例えば不活性ガス雰囲気下、１０００〜１３００℃で３０分から２時間の範囲で行うことが好ましい。
【００３３】そして、次に従来法ではタッチポリッシュ等の研磨の工程を行い、
ＳＯＩ層７の表面である剥離面に存在するダメージ層および表面粗さを除去する工程を行うが、本発明では、工程（ｇ）において、まず酸化性雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、ダメージ層８を酸化膜１３に取り込む
【００３４】そして、工程（ｈ）では、
ＳＯＩ層７に形成した酸化膜１３を除去する
ＨＦを含む水溶液でエッチングするようにすれば、酸化膜１３のみがエッチングにより除去され、犠牲酸化によりダメージ層を除去したＳＯＩウエーハ６を得る
【００３５】さらに、工程（ｉ）では、
還元性雰囲気下の熱処理を施し、ＳＯＩ層７の表面の残留ダメージ層８、及び表面粗さを改善する
このように、犠牲酸化熱処理後、還元性雰囲気下の熱処理を加えることによって、ＳＯＩ層表面に残留するダメージ層８、及び表面粗さを、膜厚均一性を悪化させることなく除去することができ
【００３６】一方、本発明の請求項２の方法では、剥離工程の後、単独の結合熱処理工程（ｆ）を行うことなく、ＳＯＩ層７の表面を研磨することなく、直接工程（ｇ）の酸化性雰囲気下の熱処理を行う。
【００３７】すなわち、剥離熱処理後、すぐに酸化性雰囲気下の熱処理を加えた後（工程（ｇ））、酸化膜１３を除去し（工程（ｈ））、
還元性雰囲気下の熱処理を加えることによって（工程（ｉ））、ＳＯＩ層７の表面に残留するダメージ層８、表面粗さを除去する
【００３８】以上の工程を経て結晶品質が高く、膜厚均一性の高いＳＯＩ層７を有する高品質のＳＯＩウエーハ６を製造することができる（工程（ｊ））。
【００３９】そして、上記のような工程（ｇ）の酸化性雰囲気下の熱処理で形成される酸化膜１３の厚さは、酸化膜１３形成前におけるＳＯＩ層７表面のダメージ層８の厚さの２倍以上とすることが好ましい。これは、シリコンの熱酸化は浸透型であり、シリコン表面に熱酸化膜を形成すると、シリコンの表層部のうち、形成される酸化膜の厚さの約半分の深さの層が酸化膜に取り込まれるからである。したがって、ダメージ層８の厚さの２倍以上の膜厚の酸化膜１３を形成するようにすれば、酸化膜１３にダメージ層８の全部分を取り込むことができるので、後に行う還元性雰囲気下の熱処理の負担を軽減し、還元性熱処理時間を短縮することができる。しかし、本発明はこれに限定されず、ＳＯＩ層７の厚さや埋め込み酸化膜３の厚さ等の条件により、形成する酸化膜１３の膜厚を任意に変更し、犠牲酸化によるダメージ層８の除去と、還元性熱処理によるダメージ層８の回復との割合を変化させることも可能である。
【００４０】また、この工程（ｇ）における酸化熱処理の熱処理温度は、後に行う還元性熱処理の熱処理温度よりも低温とすることが好ましく、より好ましくは１０００℃以下とする。これは、前述したように、酸化性雰囲気下の熱処理を行うことにより発生するＯＳＦは、後の還元性熱処理により除去することができるが、酸化性熱処理の熱処理温度よりも高温でその後の還元性熱処理を行うことにより、ＯＳＦが除去され易くなるからである。さらに酸化熱処理を１０００℃以下の温度で行うことにより、ＯＳＦの発生自体を抑制することができるため、この低い温度範囲で熱処理を行うことがより好ましいのである。
【００４１】また、上記のような
工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理を効率良く行うためには、急速加熱・急速冷却装置を用いて１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間行うことが好ましい
このように、犠牲酸化熱処理後のＳＯＩウエーハに急速加熱・急速冷却装置を用いて還元性雰囲気下の熱処理を施せば、極めて短時間で効率よくＳＯＩウエーハ表面のダメージ層８および表面粗さを改善する
・「【００４９】また、上記工程（ｉ）における還元性雰囲気下の熱処理の雰囲気としては、１００％水素雰囲気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすることが好ましい。このような熱処理雰囲気とすれば、ＳＯＩウエーハ表面に害となるような被膜を形成することもなく、確実にＳＯＩウエーハの表面のダメージ層、表面粗さを改善することができるからである。」
　
　　ウ．実施例
・「【００５０】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）チョクラルスキー法により作製された結晶方位〈１００〉で、導電型がｐ型で、抵抗率が２０Ω・ｃｍのシリコン単結晶インゴットから、直径１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを作製した。これらをボンドウエーハとベースウエーハに分け、図１（ａ）〜（ｊ）に示す工程に従った本発明の水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを製造することにした。
【００５１】まず、図１の（ａ）〜（ｅ）にしたがい、ボンドウエーハ２を剥離して、ＳＯＩウエーハ６を得た。この時、ＳＯＩ層７の厚さを４００ｎｍ、埋め込み酸化膜３の厚さは７００ｎｍとし、その他イオンの注入等の主な条件は次の通りとした。
１）水素注入条件：Ｈ+ イオン、注入エネルギー  １２５ｋｅＶ
注入線量  ８×１０16／ｃｍ2２）剥離熱処理条件：Ｎ2 ガス雰囲気下、５００℃、３０分
【００５２】こうして厚さ４００ｎｍのＳＯＩ層７を有するＳＯＩウエーハ６を得ることができたが、図１（ｅ）の剥離したままのＳＯＩウエーハ６の表面（剥離面）の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角で測定したところ、それぞれＲＭＳ値（二乗平均平方根粗さ）で、平均７．５ｎｍであった。この値は、通常の鏡面研磨されたシリコンウエーハの表面粗さの１０倍以上の値で、剥離したままのＳＯＩ層の表面は局部的な面粗れが大きいことがわかる。
【００５３】また、図１（ｅ）の、剥離したままのＳＯＩウエーハ６の剥離面のダメージ層８の深さを調べるため、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを行い、表面からのエッチング除去量を変えたＳＯＩウエーハを準備した。そして、これらのＳＯＩウエーハを、Ｈ．Ｇａｓｓｅｌ（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１４０、ｐｐ１７１３、１９９３）らにより開示された四段セコエッチング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在するピット密度をカウントすることによって測定した。エッチング除去量は、０、５０、１００、１５０、２００、２５０、３００ｎｍとした。測定結果を、図２の曲線ａに示した。
【００５４】この図から、剥離直後のＳＯＩウエーハ６の表面には深さ約１５０ｎｍのダメージ層があることがわかる。なお、１５０ｎｍより深い所で観察されるピットは、もともとボンドウエーハに存在する結晶欠陥の密度であると思われる。
【００５５】また、図１（ｅ）の、剥離したままのＳＯＩウエーハ６のＳＯＩ層７の膜厚を測定し、膜厚均一性を求めた。膜厚測定は、反射分光法で行い、ＳＯＩウエーハ６の面内を外周から１０ｍｍを除いて、１ｍｍピッチで数千点測定した。測定値のσ（標準偏差）は、０．９ｎｍであり、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍで、悪くとも±３ｎｍ以内であることがわかった。従って、剥離後のＳＯＩ層７の膜厚均一性は極めて良好であることがわかった。
【００５６】次に、図１（ｆ）の結合熱処理工程は、後の工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理で兼ねるものとして省略し、図１（ｇ）で、結合熱処理後のＳＯＩウエーハ６を、研磨することなく、水蒸気を含む酸素雰囲気中、９００℃の温度で１５０分間熱処理を加え、ＳＯＩ層７の表面に約３４０ｎｍの熱酸化膜を形成した。この酸化膜の厚さはダメージ層８の厚さの２倍以上であるため、ダメージ層８は完全に酸化膜中に取り込まれることとなった。
【００５７】次に、図１（ｈ）で、この表面に熱酸化膜を有するＳＯＩウエーハ６を、ＨＦ濃度１０％のフッ酸水溶液に浸漬することによって、表面の熱酸化を完全に除去した。この場合、エッチング終了後のウエーハを直ちに水洗して乾燥することによって、エッチングに伴う新たな面粗れ等が発生しないようにした。
【００５８】さらに図１（ｉ）で、犠牲酸化熱処理後のＳＯＩウエーハ６を、研磨することなく、図３に示した急速加熱・急速冷却装置を用いて、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を施した。熱処理条件は、水素１００％雰囲気下、１２２５℃で４５秒間とした。なお、熱処理前には、ＳＯＩウエーハ６を汚染しないように、熱処理前洗浄をした。この洗浄は、いわゆるＲＣＡ洗浄として広く知られている、（アンモニア／過酸化水素水）、（塩酸／過酸化水素水）の２段洗浄を行った。
【００５９】そして、還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩ層７の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により１μｍ角で再び測定したところ、それぞれＲＭＳ値で、平均０．２８ｎｍであり、面粗さは著しく改善されていた。この値は、通常の鏡面研磨されたシリコンウエーハの表面粗さと同等であり、還元性雰囲気下の熱処理によって著しい表面粗さの改善が図られたことがわかる。
【００６０】また、このＳＯＩウエーハ６のダメージ層の深さを調べるため、ＫＯＨ水溶液によるエッチングを行い、表面からのエッチング除去量を変えたＳＯＩウエーハを準備した。そして、これらのＳＯＩウエーハを、前記Ｈ．Ｇａｓｓｅｌらにより開示された四段セコエッチング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在するピット密度をカウントすることによって測定した。エッチング除去量は、０、５０、１００、１５０ｎｍとした。測定結果を、図２の曲線ｂに示した。この図から、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩウエーハの表面には、研磨を行っていないにもかかわらず、ダメージ層がなくなっていることがわかる。すなわち、ＳＯＩ層７の表面欠陥密度は、約２００個／ｃｍ2 以下であり、深さ方向にこの値は変化せず、確実にダメージ層が除去されていることがわかる。
【００６１】また、このＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の膜厚を前記と同様に反射分光法で測定し、再び膜厚均一性を求めた。その結果、測定値のσは、０．９ｎｍであり、従って膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍで、剥離直後と同一の値であった。従って、本発明で製造されるＳＯＩウエーハのＳＯＩ層の膜厚均一性は、極めて良好であることがわかった。」
　
　　エ．比較例
・「【００６２】（比較例）実施例と同様にして、図１（ａ）〜（ｅ）に従い、水素イオン注入剥離法によって、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６を得た。この比較例では、実施例と同様に結合熱処理工程（ｆ）を省略し、なおかつ工程（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化熱処理工程も行わないこととした。そして、工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施した。
【００６３】その後、ＳＯＩ層の表面粗さを実施例と同様に原子間力顕微鏡法により測定した。また、このＳＯＩウエーハのダメージ層の状態を前記四段セコエッチング法を行った後顕微鏡観察して、その表面に存在するピット密度をカウントすることによって測定した。エッチング除去量は、０、５０、１００、１５０、２００、２５０、３００ｎｍとした。測定結果を図２の曲線ｃに示した。さらにＳＯＩ層の膜厚を実施例と同様に反射分光法により測定した。
【００６４】この比較例のＳＯＩ層の表面粗さは、ＲＭＳ値で平均０．２９ｎｍであり、表面粗さは改善されていた。また、ＳＯＩ層の膜厚均一性はσが０．９ｎｍで、酸化膜厚均一性（±３σ）は±２．７ｎｍであり、剥離直後の膜厚均一性が維持されていることがわかった。しかし、図２の曲線ｃに示したように、ダメージが表面から約５０ｎｍの深さまでに残留しており、ダメージ層が完全に除去されていないことがわかった。このダメージ層は、結局、研磨等で除去せざるを得ず、ＳＯＩ層の膜厚均一性が劣化することが予想される。」
　
　　オ．発明の効果
・「【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、水素イオン注入剥離法において、剥離後に、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理を組み合わせて行うことにより、ＳＯＩ層に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ、効率良く除去することができる。したがって、きわめて高品質のＳＯＩウエーハを高生産性で製造することができる。」
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜オによれば、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「水素イオン注入剥離法により剥離後のＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７に存在するイオン注入による残留ダメージ層８と、表面粗さを除去するために、酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去したＳＯＩウエーハを得、その後、還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施し、前記ＳＯＩ層７の表面の前記ダメージ層８、及び前記表面粗さを改善することを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
　
（４）対比
（４−１）本件補正発明と引用発明との対比
　次に、本件補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「前記ＳＯＩ層７の表面の前記ダメージ層８、及び前記表面粗さを改善する」ことは、本件補正発明の「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする」ことに対応し、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施」すことは、本件補正発明の「急速熱アニーリングが１１００℃〜１３００℃で１〜６０秒間達成される」ことに対応する。
　したがって、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施し、前記ＳＯＩ層７の表面の前記ダメージ層８、及び前記表面粗さを改善する」ことは、本件補正発明の「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなり、この急速熱アニーリングが１１００℃〜１３００℃で１〜６０秒間達成される」ことに相当する。
　
　　イ．引用発明の「水素イオン注入剥離法により剥離後のＳＯＩウエーハ表面」と、「前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成」した部分は、いずれも、本件補正発明の「ウェハー表面区域」に対応し、引用発明の「前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去する」ことは、本件補正発明の「前記ウェハー表面区域の前処理」に対応し、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理」の前に「犠牲酸化により前記ダメージ層の一部あるいは全部を除去」することは、本件補正発明の「急速熱アニーリングの前」に「表面区域を減少させることおよび／または除去すること」に対応する。
　したがって、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理」の前に「残留ダメージ層８と、表面粗さを除去するために、酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層の一部あるいは全部を除去したＳＯＩウエーハを得」ることは、本件補正発明の「急速熱アニーリングの前」に「前記ウェハー表面区域の前処理を含んでなり、この前処理はこの表面区域を減少させることおよび／または除去することからな」ることに相当する。
　
　　ウ．引用発明の「ＳＯＩウエーハを製造する方法」は、本件補正発明の「方法」に相当する。
　
（４−２）一致点と相違点
　そうすると、本件補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体材料製ウェハーの自由表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなり、この急速熱アニーリングが１１００℃〜１３００℃で１〜６０秒間達成される方法であって、急速熱アニーリングの前に、前記ウェハー表面区域の前処理を含んでなり、この前処理はこの表面区域を減少させることおよび／または除去することからなる、方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本件補正発明は、「急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理を含んで」いるのに対して、引用発明は、本件補正発明の「急速熱アニーリングの前」に行う「前記ウェハー表面区域の前処理」に対応する、「酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去する」処理を行うものの、当該処理が、「１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理」であるかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　本件補正発明は、「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始するものである」のに対して、引用発明は、このようなものであるか不明である点。
　
（５）相違点１、２についての判断
（５−１）相違点１について
　　ア．引用例１には、比較例として、「実施例と同様にして、図１（ａ）〜（ｅ）に従い、水素イオン注入剥離法によって、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６を得た。この比較例では、実施例と同様に結合熱処理工程（ｆ）を省略し、なおかつ工程（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化熱処理工程も行わないこととした。そして、工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施した。」（段落【００６２】）こと、「図２の曲線ｃに示したように、ダメージが表面から約５０ｎｍの深さまでに残留しており、ダメージ層が完全に除去されていないことがわかった」（段落【００６４】）ことが、記載されている。
　
　　イ．そして、引用例１に記載（引用発明）の「水素イオン注入剥離法」は、「スマートカット法とも呼ばれている」（引用例１の段落【０００１】の記載を参照）ので、本願明細書に記載された「SMARTCUT（登録商標）法」（例えば、段落【０００９】）と、同等である。また、「水素イオン注入剥離法によって、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６」について、「還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施」すことは、本件補正発明の「急速熱アニーリング」に対応し、同様な処理であり、処理後に、「ダメージが表面から約５０ｎｍの深さまでに残留」していることは、本件補正発明の「１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における」「小孔」に対応するので、引用例１に記載の上記の比較例の処理の結果、「ＳＯＩウエーハ６」には、本件補正発明の「１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔」が形成される蓋然性が高い。
　
　　ウ．ところが、引用例１に、「測定結果を、図２の曲線ｂに示した。この図から、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩウエーハの表面には、研磨を行っていないにもかかわらず、ダメージ層がなくなっていることがわかる。」（段落【００６０】）と記載されているように、引用発明の「酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去したＳＯＩウエーハを得」ることにより、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施」すことのみでは発生する蓋然性の高い、本件補正発明の「１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔」に相当するものの形成を阻止できることは、明らかである。
　
　　エ．また、本件補正発明は、実際には、「１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成」がなされているものではなく、「深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理」を含むことで、そのような「小孔」の「形成」を「阻止する」ものである。
　
　　オ．したがって、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理」の前処理である、「酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去」するという処理を含むことにより、本件補正発明の「急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理を含」むようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（５−２）相違点２について
　　ア．引用例１には、比較例として、「実施例と同様にして、図１（ａ）〜（ｅ）に従い、水素イオン注入剥離法によって、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６を得た。この比較例では、実施例と同様に結合熱処理工程（ｆ）を省略し、なおかつ工程（ｇ）（ｈ）の犠牲酸化熱処理工程も行わないこととした。そして、工程（ｉ）の還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施した。」（段落【００６２】）こと、「図２の曲線ｃに示したように、ダメージが表面から約５０ｎｍの深さまでに残留しており、ダメージ層が完全に除去されていないことがわかった」（段落【００６４】）ことが、記載されている。
　
　　イ．そして、引用例１に記載（引用発明）の「水素イオン注入剥離法」は、「スマートカット法とも呼ばれている」（引用例１の段落【０００１】の記載を参照）ので、本願の明細書の「SMARTCUT（登録商標）法」（例えば、段落【０００９】）と、同等である。また、「水素イオン注入剥離法によって、ボンドウエーハ２を剥離したＳＯＩウエーハ６」について、「還元性雰囲気下の熱処理を、実施例と同一の条件で、急速加熱・急速冷却装置を用いてＳＯＩウエーハ６に施」すことは、本件補正発明の「急速熱アニーリング」に対応し、同様な処理であり、処理後に、「ダメージが表面から約５０ｎｍの深さまでに残留」していることは、本件補正発明の「小孔」に対応するので、引用例１に記載の上記の比較例の処理の結果、「ＳＯＩウエーハ６」には、本件補正発明の「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」蓋然性が高い。
　
　　ウ．ところが、引用例１に、「測定結果を、図２の曲線ｂに示した。この図から、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理後のＳＯＩウエーハの表面には、研磨を行っていないにもかかわらず、ダメージ層がなくなっていることがわかる。」（段落【００６０】）と記載されているように、引用発明の「酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去したＳＯＩウエーハを得」ることにより、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施」すことのみでは開始する蓋然性の高い、本件補正発明の「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」小孔の形成を阻止できることは、明らかである。
　
　　エ．本件補正発明は、「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」という発明特定事項を有する。
　これに関して、本願明細書には、
「【００５１】
これに対して、本発明が問題とする「点食」は、予め存在する欠陥の攻撃により生じるものではない。
【００５２】
この点食は、ウェハー表面上の、ＲＴＡアニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所にのみ関連し、上記小孔の開始を引き起こす。」、
「【００６８】
上記の目的を達成するために、本発明は、半導体材料製ウェハーの自由表面の状態を改善するための、該自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなる方法であって、急速熱アニーリングの前に、急速熱アニーリングの際の点食開始を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり、急速熱アニーリングを非還元雰囲気中で行うことができることを特徴とする方法を提案する。」、
と記載されている。
　したがって、本件補正発明は、「急速熱アニーリングの前に、１００ｎｍ未満の厚さであるウェハー表面区域における、深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズの小孔の形成を阻止するための、前記ウェハー表面区域の前処理」を含むことで、実際には、「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始」しているものではない。
　
　　オ．したがって、引用発明の「還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理」の前処理である、「酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去」することを行うことにより、本件補正発明の「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」小孔の形成を阻止できるようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（６）審判請求人の主張について
　　ア．審判請求人は、審判請求書において、以下のように主張している。
〈主張１〉
「引用文献２（特開２０００−１２４０９２号公報）は、補正後の請求項１に規定されるような小孔の形成を阻止するために、急速熱アニーリングを行う前に、１００ｎｍ未満の厚さの表面区域を薄層化または除去することについて、当業者に何ら示唆も教示もするものではありません。」
〈主張２〉
「引用文献２は、ＣＯＰ欠陥を修復処理するために、材料の大きな厚さ（３４０ｎｍ）の除去を当業者に教示しており、補正後の請求項１に規定されるような小孔の形成を阻止するために、１００ｎｍ未満の表面区域のみを除去することを当業者に何ら教示も動機付けも与えるものではありません。」
〈主張３〉
「該小孔は、ウェハー表面上の急速熱アニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始するものであることも、何ら開示も示唆もされておりません。」
　
　　イ．主張１については、「（５−１）相違点１について」の項で指摘したとおりである。
　
　　ウ．主張２について、引用例１には、「（３−１）引用例１の記載」の項で摘記したように、確かに、
「【００１０】さらに、水素等の還元性雰囲気下で高温、長時間の熱処理を行うと、ＳＯＩ層表面のシリコンがエッチングされて膜厚均一性が劣化すると共に、埋め込み酸化膜にエッチピットが生じることがあった。これは、ＳＯＩ層にＣＯＰ（CrystalOriginated Particle ）のような欠陥があり、それが下地の酸化膜までつながっていると、ＣＯＰは消滅せずにそのまま残るか、あるいは拡大することもあるため、欠陥を通して侵入した水素等によって埋め込み酸化膜までもがエッチングされてしまい、ここにピットが形成されることが原因である。このエッチピットは、その近傍のＳＯＩ層にも影響を与えるため問題であった。」、
「【００５４】この図から、剥離直後のＳＯＩウエーハ６の表面には深さ約１５０ｎｍのダメージ層があることがわかる。なお、１５０ｎｍより深い所で観察されるピットは、もともとボンドウエーハに存在する結晶欠陥の密度であると思われる。」、
と記載されている。
　したがって、「もともとボンドウエーハに存在する」ＣＯＰのような「結晶欠陥」も、修復処理することが望ましいことは、引用例１に記載されていると認められる。
　しかしながら、引用例１には、前記「（３−１）引用例１の記載」の項で摘記したが、
「【０００８】しかし、水素イオン注入剥離法で得られたＳＯＩウエーハのＳＯＩ層中のダメージは、表面側が大きく、内部になるに従い小さくなる。従って、上記のような還元性の熱処理を加えると、ダメージの回復はＳＯＩ層の内部から表面側に進行することになるが、表面側のダメージが大きい場合には、高温、長時間の熱処理が必要とされ、高温、長時間の熱処理を行っても、場合によっては完全に回復できないこともあった。
【０００９】ダメージの大きさや深さは、水素イオン注入の注入エネルギーの大きさやドーズ量に起因するものであるので、例えば、厚いＳＯＩ層や厚い埋め込み酸化膜を有するＳＯＩウエーハを製造する場合に注入エネルギーを大きくする必要があるような場合や、剥離熱処理を低温で行う目的によりドーズ量を大きくする必要があるような場合には、上記の問題は顕著になる。」、
「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、水素イオン注入剥離法において、剥離後にＳＯＩ層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品質のＳＯＩウエーハを製造する方法を提供すると共に、ウエーハ製造の生産性を向上させることを目的とする。」、
と記載され、「水素イオン注入剥離法において、剥離後にＳＯＩ層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ除去する」ことを解決しようとする課題としていることが記載されているのであって、審判請求人が主張する、ＳＯＩウエーハの深い位置にもともと存在するＣＯＰのような「結晶欠陥」を積極的に修復処理しようとすることは、記載されていない。
　そして、引用発明は、上記の課題を解決するために、「水素イオン注入剥離法により剥離後のＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７に存在するイオン注入による残留ダメージ層８と、表面粗さを除去するために、酸化性雰囲気下の熱処理を行い、前記ＳＯＩ層７に酸化膜１３を形成して、前記ダメージ層８を前記酸化膜１３に取り込み、前記ＳＯＩ層７に形成した前記酸化膜１３を除去することにより、犠牲酸化により前記ダメージ層８の一部あるいは全部を除去したＳＯＩウエーハを得、その後、還元性雰囲気下の１０００〜１３００℃の温度範囲で、１〜６０秒間の熱処理を施し、前記ＳＯＩ層７の表面の前記ダメージ層８、及び前記表面粗さを改善する」ものである。
　また、前記「剥離後のＳＯＩウエーハ表面のＳＯＩ層７に存在するイオン注入による残留ダメージ層８」の深さは、「水素イオン注入の注入エネルギーの大きさやドーズ量に起因する」ことは、引用例１の前記段落【０００９】に記載されるとおりである。
　
　　エ．主張３については、「（５−２）相違点２について」の項で指摘したとおりである。
　
　　オ．したがって、主張１〜主張３は、いずれも、当を得ておらず、これらを採用することはできない。
　
（７）独立特許要件を満たすかどうかの検討のまとめ
　以上のとおり、上記相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．小括
　以上の次第で、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反し、また、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２２年６月１４日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２１年６月１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「半導体材料製ウェハーの表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなり、この急速熱アニーリングが１１００℃〜１３００℃で１〜６０秒間達成される方法であって、急速熱アニーリングの前に、ウェハー表面の表面区域における小孔の形成を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり、該孔は前記急速熱アニーリングの際の前記ウェハー表面の再構築平滑化によっては完全に除去できない、方法。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　引用例１の記載と、引用発明については、前記「第２．平成２２年６月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３．独立特許要件を満たすかどうかの検討」の「（３）引用例１の記載と引用発明」における「（３−１）引用例１の記載」〜「（３−２）引用発明」の各項において摘記、認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　前記「第２．平成２２年６月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の、「１．本件補正の内容」の項の「〈補正事項ａ〉」、及び、「２．補正目的の適否」の「（１）補正事項ａについて」の項で検討したように、本件補正発明は、本件補正前の発明である本願発明の「ウェハー表面の表面区域」が「１００ｎｍ未満の厚さである」と、同「小孔」が「深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのサイズ」であると、同「前処理」が「この表面区域を減少させることおよび／または除去すること」からなると、それぞれ、限定するとともに、同「該孔」は「再構築平滑化によっては完全に除去できない」を「該小孔」は「再構築平滑化が完全に達成されていない場所で開始する」と下位概念化するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定するとともに下位概念化したものである本件補正発明が、前記前記「第２．平成２２年６月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３．独立特許要件を満たすかどうかの検討」の項において検討したとおり、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。