【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＮチャネルトランジスタについての複数のゲート電極構造を含む第１グレーティング構造と、複数のＰチャネルトランジスタについての複数のゲート電極構造を含む第２グレーティング構造を含む、リング発振器を形成するステップと、
非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記第１グレーティング構造を構成する前記ゲート電極構造の各々は、前記第２グレーティング構造を構成する分離された前記ゲート電極構造と電気的に接続される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方を照射するステップと、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含んでおり、前記第２グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性を予測すべく、少なくとも１つの前記ゲート電極構造の、測定されたクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、モデルと比較するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの電気的な性能特性は、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性を予測すべく、少なくとも１つの前記ゲート電極構造の、測定されたクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、モデルと比較するステップをさらに含んでおり、前記モデルは、ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性と関連させる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
複数の構造を含んでおり、前記リング発振器の一部となる少なくとも１つのキャパシタンス・ローディング構造を形成するステップと、
非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップと、をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含んでおり、前記モデルは、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性と関連させる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記電気的な性能特性の少なくとも１つは、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造を照射するステップと、
前記構造から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記キャパシタンス・ローディング構造は、複数の配線型の構造を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１４】
前記第１グレーティング構造を構成する前記ゲート電極構造の各々は、前記第２グレーティング構造を構成する分離された前記ゲート電極構造と電気的に接続される、請求項７記載の方法。
【請求項１５】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方を照射するステップと、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１６】
前記第１グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含んでおり、前記第２グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの電気的な性能特性は、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１８】
複数の構造を含んでおり、前記リング発振器の一部となる少なくとも１つのキャパシタンス・ローディング構造を形成するステップと、
非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップと、をさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項１９】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記電気的な性能特性の少なくとも１つは、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含んでおり、前記モデルは、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性と関連させる、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造を照射するステップと、
前記構造から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記キャパシタンス・ローディング構造は、複数の配線型の構造を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記第１グレーティング構造を構成する前記ゲート電極構造の各々は、前記第２グレーティング構造を構成する分離された前記ゲート電極構造と電気的に接続される、請求項１８記載の方法。
【請求項２５】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方を照射するステップと、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２６】
前記第１グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含んでおり、前記第２グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２７】
前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性を予測すべく、少なくとも１つの前記ゲート電極構造の、測定されたクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、モデルと比較するステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの電気的な性能特性は、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性を予測すべく、少なくとも１つの前記ゲート電極構造の、測定されたクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、モデルと比較するステップをさらに含んでおり、前記モデルは、ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性と関連させる、請求項１８記載の方法。
【請求項３０】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
【請求項３１】
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップをさらに含んでおり、前記モデルは、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性と関連させる、請求項１８記載の方法。
【請求項３２】
前記電気的な性能特性の少なくとも１つは、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造を照射するステップと、
前記構造から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項３４】
前記キャパシタンス・ローディング構造は、複数の配線型の構造を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項３５】
複数のＮチャネルトランジスタについての複数のゲート電極構造を含む第１グレーティング構造と、複数のＰチャネルトランジスタについての複数のゲート電極構造を含む第２グレーティング構造を含む、リング発振器を形成するステップと、
非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップと、
複数の構造を含んでおり、前記リング発振器の一部となる少なくとも１つのキャパシタンス・ローディング構造を形成するステップと、
非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップと、
前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性を予測すべく、少なくとも１つの前記ゲート電極構造の、測定されたクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を、モデルと比較するステップと、
前記リング発振器の電気的な性能特性の少なくとも１つを予測すべく、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造の少なくとも１つの測定されたクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方をモデルと比較するステップと、を含む、
方法。
【請求項３６】
前記第１グレーティング構造を構成する前記ゲート電極構造の各々は、前記第２グレーティング構造を構成する分離された前記ゲート電極構造と電気的に接続される、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記第１グレーティング構造または第２グレーティング構造中の、少なくとも１つの前記ゲート電極構造のクリティカルディメンションまたはプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方を照射するステップと、
前記第１グレーティング構造および前記第２グレーティング構造の少なくとも一方から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項３５記載の方法。
【請求項３８】
前記第１グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含んでおり、前記第２グレーティング構造は、１０１のゲート電極構造を含む、請求項３５記載の方法。
【請求項３９】
前記少なくとも１つの電気的な性能特性は、前記リング発振器の駆動電流および動作周波数の少なくとも一方を含む、請求項３５記載の方法。
【請求項４０】
前記モデルは、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性に対してゲート電極構造のうちの少なくとも１つのクリティカルディメンションおよびプロファイルの間の相関関係を提供する、請求項３５記載の方法。
【請求項４１】
前記モデルは、前記リング発振器の少なくとも１つの電気的な性能特性に対して前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの間の相関関係をさらに提供する、請求項３５記載の方法。
【請求項４２】
前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する少なくとも１つの構造のクリティカルディメンションおよびプロファイルの少なくとも一方を測定するステップは、
前記キャパシタンス・ローディング構造を構成する前記構造を照射するステップと、
前記構造から反射する光を測定するステップと、を含む、請求項３５記載の方法。
【請求項４３】
前記キャパシタンス・ローディング構造は、複数の配線型の構造を含む、請求項３５記載の方法。