【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体と；
（１０１￣０）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）面心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層、および
（ｉｉ）体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層
を有する下層構造と、
を含む記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
本発明の利点は、図面を参照することにさらによく理解することができる。
本発明の各種実施態様は以下の通りである。
１．  基体と；
（１０１￣０）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）面心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層、および
（ｉｉ）体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層
を有する下層構造と、
を含む記録媒体。
２．  前記第２の下層がＣｒ合金固溶体を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
３．  前記第２の下層がＢ２、ＤＯ３、およびＬ２1体心立方誘導体構造からなる群より選択される材料を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
４．  前記第２の下層がＣｒ、Ｃｒ合金およびＢ２規則構造および実質的にＣｒに匹敵する格子定数を有する材料からなる群より選択される材料からなる、上記第１項に記載の記録媒体。
５．  前記第２の下層が、Ｃｒ、ＣｒＶ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｎ、ＮｉＡｌ、ＡｌＣｏ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴｉ、ＣｏＦｅ、ＣｏＴｉ、ＣｏＨｆ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＣｕＢｅ、ＣｕＺｎ、ＡｌＭｎ、ＡｌＲｅ、ＡｇＭｇ、Ａｌ2ＦｅＭｎ2、ＡｌＮｉ2Ｔａ、ＡｌＮｉ2Ｎｂ、ＡｌＮｉ2Ｔｉ、Ｆｅ3Ａｌ、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される材料からなる、上記第１項に記載の記録媒体。
６．  前記第１の下層がＬ１0およびＬ１2面心立方誘導体構造を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
７．  前記第１の下層が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、およびそれらの組み合わせを含む群より選択される材料からなる、上記第１項に記載の記録媒体。
８．  前記第１の下層がＡｇからなる、上記第１項に記載の記録媒体。
９．  前記第１の下層がＡｇからなり；前記第２の下層がＣｒからなり；そして前記基体がＳｉ（１１０）単結晶からなる、上記第１項に記載の記録媒体。
１０．  前記基体と前記磁気記録層との間に配置されている種晶層をさらに含む、上記第１項に記載の記録媒体。
１１．  前記基体と前記磁気記録層との間に配置されている湿潤層をさらに含む、上記第１１項に記載の記録媒体。
１２．  前記基体がその上に配置されている前記湿潤層を有する多結晶質基体であり、さらに体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記湿潤層と前記第１の下層との間に配置されている第３の下層を含む、上記第１３項に記載の記録媒体。
１３．  前記基体が非酸化Ｓｉ（１１０）単結晶を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
１４．  前記第１の下層がＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、およびそれらの組み合わせを含む群より選択される材料からなる、上記第１３項に記載の記録媒体。
１５．  前記磁性体層がＣｏＣｒ、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｒ、ＣｏＰ、ＣｏＮｉ、ＣｏＰｔ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＰｔＮｉ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰ、ＣｏＣｒＴａＳｉ、ＣｏＣｒＰｔＳｉ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ、およびそれらの組み合わせからなる群より選択されるＣｏ合金を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
１６．  前記下層構造が、前記第２の下層と前記磁気記録層との間にさらに中間層を含む、上記第１項に記載の記録媒体。
１７．  ＣｏまたはＣｏ−合金からなる第２の磁気記録層、および前記第１の磁気記録層と第２の磁気記録層との間に内層をさらに含む、上記第１項に記載の記録媒体。
１８．  前記媒体の結晶集合組織が、薄膜ＸＲＤ法により決定して、５０ｎｍ厚さあたり少なくとも１０−１のＸＲＤのＳＮ比を有する、上記第１項に記載の記録媒体。
１９．  基体と；
（１０１￣０）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層、および
（ｉｉ）体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層、
を有する下層構造と、
を有する記録媒体。
２０．  上記第１項〜１９項のいずれかに記載の記録媒体；および
前記媒体の近くに配置され、前記媒体にデータを記録し、前記媒体からデータを読み出す磁気変換器、
を含むデータ記憶用装置。
２１．  基体と；
（１０１￣０）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）面心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層、および
（ｉｉ）体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層；
を有する下層構造と、
を含む記録媒体；および
前記媒体の近くに配置され、前記媒体にデータを記録し、前記媒体からデータを読み出す磁気変換器、
を含むデータ記憶用装置。
２２．  （１０１￣０）結晶集合組織を有するＣｏまたはＣｏ合金磁性体層を基体上に製造する方法であって、
面心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有する少なくとも１つの第１の下層を基体上に提供し、そして体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有する少なくとも１つの第２の下層を第１の下層から成長させることにより下層構造を提供し；そして
ＣｏまたはＣｏ合金磁性体層を第２の下層上に蒸着する、
ことを含む方法。
２３．  前記方法が、（１１０）結晶集合組織を有する基体を提供することをさらに含み、
第１の下層の前記提供が、（１１０）結晶集合組織を有する第１の下層を基体上で成長させることを含む、上記第２２項に記載の方法。
２４．  さらに、（１１０）結晶集合組織を有する非酸化単結晶Ｓｉ基体を提供することを含み、
第１の下層の前記提供が、（１１０）結晶集合組織を有するＡｇからなる第１の下層を基体上で成長させることを含み；かつ
第２の下層の前記提供が、（１１２）結晶集合組織を有する第２の下層を基体上で成長させることを含み、前記第２の下層はＣｒ、Ｃｒ合金またはＢ２規則構造および実質的にＣｒと匹敵する格子定数を有する材料からなる、
ことを特徴とする上記第２２項に記載の方法。
２５．  基体と；
（０００２）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層：および
（ｉｉ）前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されて前記磁気記録層中に（０００２）結晶集合組織を誘導する少なくとも１つの第２の下層、
を有する第１の下層構造と、
を含む記録媒体。
２６．  体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と第２の下層との間に位置する第３の下層をさらに含む、上記第２５項に記載の記録媒体。
２７．  前記第２の下層が六方最密構造および（０００２）結晶集合組織を含む、上記第２５項に載の記録媒体。
２８．  前記第１の下層がＡｇからなり、前記基体がＳｉ（１１１）単結晶を含む、上記第２５項に記載の記録媒体。
２９．  前記第２の下層がＴｉからなる、上記第２９項に記載の記録媒体。
３０．  前記第２の下層が（１１１）結晶集合組織および前記磁気記録層に匹敵する原子間隔を有する面心立方構造を含む、上記第２５項に記載の記録媒体。
３１．  面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記磁気記録層と前記第１の下層との間に配置されている軟質磁性層をさらに含む、上記第２５項〜３０項のいずれかに記載の記録媒体。
３２．  前記軟質磁性層がＮｉＦｅ製である、上記第３１項に記載の記録媒体。
３３．  前記基体が、
ガラス、ＮｉＰ被覆Ａｌ、ガラスセラミック、セラミック、およびＳｉＣからなる群より選択される基体材料；および
体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体材料上に配置されている第３の下層
を含む、上記第２５項に記載の記録媒体。
３４．  前記第３の下層がＣｒ、Ｃｒ合金、またはＢ２規則構造を有する材料からなる、上記第３３項に記載の記録媒体。
３５．  さらに、
前記磁性体層と前記第１の下層構造との間に配置されている第２の下層構造；および
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記第１の下層構造と前記第２の下層構造との間に配置されている軟質磁性層、
を含む、上記第２５項に記載の記録媒体。
３６．  前記第２の下層構造が、
（ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有する第１の下層、および（ｉｉ）六方最密構造および（０００２）結晶集合組織を有する第２の下層；を有し、
前記第１の下層構造の前記第２の下層が（１１１）結晶集合組織を有する面心立方構造である、上記第３５項に記載の記録媒体。
３７．  前記軟質磁性層がＮｉＦｅからなり；前記第１の下層構造および第２の下層構造のそれぞれの前記第１の下層がＡｇであり；前記第１の下層構造の前記第２の下層がＣｕであり；前記第２の下層構造の前記第２の下層がＴｉであり；そして前記基体がＳｉ（１１１）単結晶を含む、上記第３６項に記載の記録媒体。
３８．  上記第２５項〜３７項のいずれかに記載の記録媒体を含む磁気光学的データ記憶デバイス。
３９．  上記第２５項〜３７項のいずれかに記載の記録媒体を含むデータ記憶用装置。
４０．  基体と；
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有する軟質磁性層と；
体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記軟質磁性層との間に配置されている第１の下層と；
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記軟質磁性層との間に配置されている第２の下層と、
を含む変換器。
４１．  前記第１の下層がＣｒからなり；前記第２の下層がＡｇまたはＣｕからなり；そして前記軟質磁性層がＮｉ、ＮｉＦｅ合金、面心立方Ｃｏまたは面心立方Ｃｏ合金からなる、上記第４０項に記載の変換器。
４２．  前記基体がＳｉ（１１１）単結晶である、上記第４０項または４１項に記載の変換器。
４３．  基体と；
（１０１￣１）または（１０１￣０）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜と；
（ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁気記録層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層、および
（ｉｉ）体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層
を有する下層構造と、
を含む記録媒体。
４４．  前記基体がＳｉ（１１１）単結晶である、上記第４３項に記載の記録媒体。
４５．  前記第１の下層がＡｇであり；前記第２の下層がＣｒであり；そして前記基体がＳｉ（１１１）単結晶である、上記第４３項に記載の記録媒体。
４６．  さらに、多結晶質体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体上に配置されている第３の下層を含む、上記第４３項に記載の記録媒体。
４７．  上記第４３項〜４６項のいずれかに記載の記録媒体、および
前記媒体の近くに配置され、前記媒体にデータを記録し、前記媒体からデータを読み出す磁気変換器、
を含むデータ記憶用装置。
４８．  下層構造；および
下層構造上に配置されている磁性体層構造；および
下層構造の下に配置されている基体、
を含む記録媒体であって、
基体が（１１１）結晶集合組織または（１１０）結晶集合組織の１つを有する単結晶Ｓｉであることを特徴とする記録媒体。
４９．  前記磁性体層構造が、規則正しい磁気アレイからなる、上記第４８項に記載の記録媒体。
５０．  基体がＳｉ（１１１）であり、
下層構造が、
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層；および
前記第１の下層と前記磁性体層構造との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層、
により特徴づけられる、上記第４８項に記載の記録媒体。
５１．  さらに、前記第１の下層と第２の下層との間に配置されている軟質磁性層を含む、上記第５０項に記載の記録媒体。
５２．  基体がＳｉ（１１１）であり、
下層構造が、
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている第１の下層；および
体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層構造との間に配置されている第２の下層、
により特徴づけられる、上記第４８項に記載の記録媒体。
５３．  前記磁性体層構造が（０００２）結晶集合組織を有するＣｏまたはＣｏ合金系材料を含む、上記第４８項に記載の記録媒体。
５４．  さらに、（０００２）結晶集合組織を有する六方最密構造からなり、前記第２の下層と前記磁性体層構造との間に配置されている第３の下層を含む、上記第５３項に記載の記録媒体。
５５．  前記磁性体層構造が、（１０１￣１）結晶集合組織を有するＣｏまたはＣｏ合金系材料を含む、上記第４８項に記載の記録媒体。
５６．  基体がＳｉ（１１０）であり、
下層構造が、
面心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも１つの第１の下層；および
体心立方構造および（１１２）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁性体層構造との間に配置されている少なくとも１つの第２の下層、
により特徴づけられる、上記第４８項に記載の記録媒体。
５７．  前記磁性体層構造が、（１０１￣０）結晶集合組織を有するＣｏまたはＣｏ合金系材料を含む、上記第４８項に記載の記録媒体。
５８．  基体がＳｉ（１１１）であり、
下層構造が、
（１０１￣１）結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているＣｏまたはＣｏ合金膜；
面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁気記録層との間に配置されている第１の下層；および
体心立方構造および（１１０）結晶集合組織を有し、前記第１の下層と前記磁気記録層との間に配置されている第２の下層、
により特徴づけられる、上記第４８項に記載の記録媒体。
５９．  さらに、前記磁性体層構造上に配置されている軟質磁性保磁子層を含む、上記第４８項〜５８項のいずれかに記載の記録媒体。
６０．  上記第４８項〜５９項のいずれかに記載の記録媒体、および
前記媒体の近くに配置され、前記媒体にデータを記録し、前記媒体からデータを読み出す磁気変換器、
を含む、データ記憶用装置。
６１．  下層構造；
下層構造上に配置されている磁性体層構造；および
下層構造の下に配置されている基体、
を含む変換器であって、
基体が（１１１）結晶集合組織または（１１０）結晶集合組織の１つを有する単結晶Ｓｉであることを特徴とする変換器。
６２．  下層構造；および
下層構造上に配置されている超格子多層磁性体層構造；および
下層構造の下に配置されている基体、
を含む記録媒体であって、基体が（１１１）結晶集合組織または（１１０）結晶集合組織の１つを有する単結晶Ｓｉであることを特徴とする、記録媒体。
６３．  下層構造が、
（ｉ）面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有する少なくとも１つの第１の下層；（ｉｉ）前記第１の下層上に配置され、面心立方構造および（１１１）結晶集合組織を有する少なくとも１つの第２の下層；（ｉｉｉ）前記第２の下層上に配置されている軟質磁性層；および（ｉｖ）前記軟質磁性層上に配置され、（０００２）結晶集合組織を有する六方最密構造または（１１１）結晶集合組織を有する面心立方構造のいずれかを有する少なくとも１つの第３の下層、
により特徴づけられる、上記第６２項に記載の記録媒体。
６４．  前記第１の下層がＡｇであり、前記第２の下層がＣｕであり、前記軟質磁性層がＮｉＦｅであり、前記第３の下層がＴｉ、非磁性ＣｏＣｒ合金またはＡｇであり、前記基体がＳｉ（１１１）である、上記第６３項に記載の記録媒体。
６５．  前記磁性体層が、ＣｏおよびＰｔ多層、ＣｏおよびＰｄ多層およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、上記第６２項に記載の記録媒体。