【事件の表示】
　特願２００３−　１０７０８「単結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日出願公開、特開２００４−２２４５８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は平成１５年１月２０日の出願であって、平成２０年５月１日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２４日付けで意見書と手続補正書が提出され、同年１１月７日付けで拒絶査定され、同年１２月１０日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同年同月１１日付けで手続補正書が提出され、平成２３年６月２７日付けで特許法第１６４条第３項の規定に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年７月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　
ＩＩ．本願発明
　平成２０年１２月１１日付け手続補正書による補正は、同年６月２４日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜７を削除し、これらを引用する請求項８を新たに請求項１〜７としたものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に該当し適法なものである。
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２０年１２月１１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　【請求項１】　エピタキシャルウエーハまたはアニールウエーハの基板として用いられる単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
　
ＩＩＩ．引用文献
１．引用文献１
　本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２７８６号公報（原査定の拒絶理由において、引用文献１として引用されたもの。以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「【請求項６】  チョクラルスキー法により窒素および高濃度のボロンをドープしたシリコン単結晶を育成する際に、Ｖ／Ｇ値がＯＳＦリング内微小転位発生領域の下限値とＩ−リッチ領域の上限値の間となる条件でシリコン単結晶を引上げることを特徴とするエピタキシャル成長用のシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項６）
（２）「【請求項７】  前記育成するシリコン単結晶の抵抗率を０．０２Ω・ｃｍ以下、窒素濃度を３×１０13／ｃｍ3 以上とすることを特徴とする請求項６に記載したシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項７）
２．引用文献２
　本願出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１０４８９７号公報（原査定の拒絶理由において、引用文献２として引用されたもの。以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
（３）「【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法に関し、さらに詳しくは太陽電池の材料として有用なシリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法に関する。」（【０００１】）
（４）「また、シリコン結晶棒を加工する際に、コーン部とテール部を切断してからシリコン結晶棒の周囲を円筒研削し、適当な大きさのブロックに切断加工するが、ここで切断されたＧａとＢが添加されたコーン部とテール部を再度シリコン原料として再利用することも可能である。・・・・・・。」（【００５９】）
　
ＩＶ．対比・判断
　引用文献１の（１）の単結晶の抵抗率は、同（２）の記載から０．０２Ω・ｃｍ以下といえる。
　そこで、本願発明の記載ぶりに則して、上記（１）及び（２）の記載を整理すると、引用文献１には、
「チョクラルスキー法により窒素および高濃度のボロンをドープしたシリコン単結晶を育成する、抵抗率０．０２Ω・ｃｍ以下のエピタキシャル成長用のシリコン単結晶の製造方法。」の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。
（ア）引用発明の「エピタキシャル成長用のシリコン単結晶」は、エピタキシャルウエーハの基板として用いられるものであることは明らかであるから、本願発明の「エピタキシャルウエーハまたはアニールウエーハの基板として用いられる単結晶」と「エピタキシャルウエーハの基板として用いられる単結晶」である点で一致する。
（イ）引用発明の「抵抗率０．０２Ω・ｃｍ以下」は、本願発明の「抵抗率０．１Ω・ｃｍ以下」と「抵抗率０．０２Ω・ｃｍ以下」で一致する。
そうすると、両者は、
「エピタキシャルウエーハの基板として用いられる単結晶の製造方法であって、抵抗率０．０２Ωｃｍ以下の単結晶を製造する単結晶の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：本願発明は、「少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶を製造」しているのに対し、引用例発明はかかる事項を有していない点。
　
　次に、この相違点１について検討する。
（ウ）「単結晶インゴットで派生する不要部分」とは、本願明細書の【００１３】及び【００３０】の記載によれば、「コーン部分」や「テール部分４」を含むものといえる。
（エ）引用文献２には、「太陽電池の材料として有用なシリコン結晶・・・・・・の製造方法に関」し（上記（３））、「シリコン結晶棒を加工する際に、コーン部とテール部を切断してからシリコン結晶棒の周囲を円筒研削し、適当な大きさのブロックに切断加工するが、ここで切断されたＧａとＢが添加されたコーン部とテール部を再度シリコン原料として再利用することも可能である。」（上記（４））と記載されており、太陽電池の材料であるシリコン結晶のコーン部とテール部、すなわち、本発明でいう「単結晶インゴットで派生する不要部分」をシリコン原料として再利用、すなわち、ルツボで溶融して、再び太陽電池の材料であるシリコン結晶を製造する技術思想が開示されているといえる。なお、引用文献２の上記（４）には、コーン部とテール部を再度シリコン原料として再利用する際に他の原料を併用することについての記載はないが、シリコン結晶のコーン部とテール部のみでは原料としての量が少ないから、他の原料を併用することは明らかである。
（オ）この引用文献２の技術思想は、太陽電池の材料として有用なシリコン結晶の製造方法に関するものであるが、この技術思想に接した当業者は、資源の有効利用という製造業一般に共通する技術課題を考慮すれば、この技術思想が「太陽電池の材料として有用なシリコン結晶の製造方法」に限るものではないとの教示を得ることは明らかであって、しかも「太陽電池の材料として有用なシリコン結晶」と同じシリコンの結晶の一つである「抵抗率０．０２Ωｃｍ以下の単結晶」にこの技術思想を適用しようと試みることは、当業者にとってごく自然なことであるといえ、上記相違点１に係る本願発明の特定事項をなすことは当業者であれば困難なくなし得ることである。
　そして、「従来、不純物を多く含むために廃棄せざるをえなかった結晶の不要部分を再利用し、かつ低抵抗率結晶を育成するために必要な高価な金属エレメントの節約を図ることのできる技術を提供し、これらの結晶製造コストを下げるだけでなく、環境にも優しい結晶製造法を提供することができる。」（【００５５】）という本願発明の効果は、当業者であれば当然に予想できるものであって、格別なものではない。
　
　なお、請求人は、「引用文献２の（００５２）段落には「０．１Ω・ｃｍ以下の低抵抗率では、ドーパント調整剤と同じになってしまうので用いられない」と、本願発明に想到するための反対の教示が明記されております。」と主張しているので （回答書３頁１５〜１７行）、この主張について検討すると、
この段落には、抵抗率が２０Ω・ｃｍ〜０．１Ω・ｃｍである（引用文献２の請求項２を参照）太陽電池の材料として有用なシリコン結晶の製造方法において、０．００３〜５０００Ω・ｃｍの範囲にある、例えば半導体集積回路用として製造されたＢが添加された単結晶棒の使用することができないテール部、コーン部や抵抗率等規格に外れた不良品部の一部又は全部をシリコン原料として使用する場合に、０．１Ω・ｃｍ以下の低抵抗率のものの使用を避けるということが記載されているのであって、製造すべき太陽電池の材料とは異なる半導体棒を材料として用いる場合のことを記載しているのだから、かかる記載が上記引用文献２の（３）〜（４）から導出される上記技術思想の引用例発明への適用に何らの影響も与えないことは明らかであり、この主張は採用できない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。