(57)【要約】      （修正有）【課題】接合材を処理環境内で処理環境から遮蔽するための保護要素を有するチャンバコンポーネントを提供する。【解決手段】チャンバコンポーネントを接合する際に用いられる接合材１３０を処理環境内で処理環境から遮蔽するための保護要素は、保護シール１４０、１４２、保護構造、耐食性フィラー、又はそれらの組合せを含み、前記保護要素を使用することにより、処理チャンバ内で使用される接合材１３０の浸食を減少させ、処理品質を向上させ、保守コストを削減することができる。【選択図】図１Ａ
2017208562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で使用するための装置であって、
第１面を有する第１コンポーネントと、
第２面を有する第２コンポーネントであって、第２面は第１コンポーネントの第１面と対向している第２コンポーネントと、
第１面と第２面の間に配置され、第１コンポーネントと第２コンポーネントを接合する接合材を含み、接合材はフィラーと接着剤の混合物を含み、フィラーはシリコンを含み、フィラーは接着剤以外の材料である装置。
【請求項２】
接合材を囲む保護シールを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
保護シールは、第１コンポーネントと第２コンポーネントの間の界面に形成された凹部内に配置されている請求項２記載の装置。
【請求項４】
凹部は、第１コンポーネントの外側領域内に形成された段差によって画定され、段差は第２コンポーネントに対向する請求項３記載の装置。
【請求項５】
凹部は、第１コンポーネントの外側領域内に形成された第１段差と、第２コンポーネントの外側領域内に形成された第２段差とによって画定される請求項３記載の装置。
【請求項６】
処理チャンバ内で使用するための装置であって、
基板を受け取るための第１面及び反対面を有する第１コンポーネントであって、第１コンポーネントは、保護構造を含み、単一の一体構造から形成される第１コンポーネントと、
第２面を有する第２コンポーネントであって、第２面は第１コンポーネントの第１面と対向している第２コンポーネントと、
第１面と第２面の間に配置され、第１コンポーネントと第２コンポーネントを接合する接合材を含み、保護構造は、第１面から延びて接合材を覆い、第１面、第２面、及び保護構造は、接合材を完全に覆う装置。
【請求項７】
保護構造は、第１面から延び、第１コンポーネントと第２コンポーネントとの間の接合材が配置された界面を覆う連続リップを含む請求項６記載の装置。
【請求項８】
フィラーはシリコンである請求項１記載の装置。
【請求項９】
接着剤はシリコンを含む請求項１記載の装置。
【請求項１０】
接着剤はポリマーである請求項９記載の装置。
【請求項１１】
接着剤はシリコーンである請求項１記載の装置。
【請求項１２】
第１コンポーネントは静電チャック本体であり、第２コンポーネントは静電チャックベースであり、電極が静電チャック本体内に配置される請求項１記載の装置。
【請求項１３】
第１コンポーネントは、保護構造と、第１面を含む部分とを含み、保護構造と前記部分は同じ材料から形成される請求項６記載の装置。
【請求項１４】
保護構造と、第１面を含む前記部分は、それぞれ誘電体材料から形成される請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
保護構造と、第１面を含む前記部分は、それぞれ酸化アルミニウムから形成される請求項１３記載の装置。
【請求項１６】
保護構造は、処理チャンバの環境への視線の露出から接合材を遮蔽する請求項６記載の装置。
【請求項１７】
第１コンポーネントは静電チャック本体であり、第２コンポーネントは静電チャックベースであり、電極が静電チャック本体内に配置される請求項６記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、接合材によって接合され、熱的及び／又は化学的安定性を高めた
複合構造体に関する。特に、本発明の実施形態は、接合材によって接合された２以上のコ
ンポーネントを有する静電チャックに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
半導体処理チャンバは、所望の特性を達成するために、多くの場合、２以上のコンポー
ネントを接合材で共に接合することによって形成されたパーツを含む。例えば、処理中に
基板を支持し固定するために使用される静電チャックは、通常、熱伝導性の接合材により
金属ベースに結合した誘電体パックを含む。接合材は、熱伝導性及び／又は電気絶縁性を
提供しながら、異なるコンポーネント間の確実な接続を提供する。しかしながら、接合材
は、特に、処理が高温で行われる場合に、又は過酷な化学的環境で行われる場合に、処理
に悪影響を与える可能性がある。例えば、プラズマに曝露された場合、静電チャック内の
接合材は浸食し、処理チャンバ内で粒子汚染を引き起こす粒子を生成する可能性がある。
【０００３】
本発明の実施形態は、接合材の浸食及び粒子の発生を防止するための装置及び方法を提
供する。
【概要】
【０００４】
本発明の実施形態は、チャンバコンポーネント（例えば、静電チャック）を接合する際
に用いられる接合材を、処理環境内で処理環境から保護するための装置及び方法を提供す
る。
【０００５】
本発明の一実施形態は、処理チャンバ内で使用するための装置を提供する。装置は、第
１コンポーネントと、第２コンポーネントと、第１コンポーネントと第２コンポーネント
を接合する接合材を含む。装置は、処理チャンバ内で接合材が浸食するのを防止するため
の保護要素を更に含む。
【０００６】
本発明の別の一実施形態は、処理チャンバ用の静電チャックを提供する。静電チャック
は、上で基板を支持するように構成された上面と、上面と反対側の下面を有するチャック
本体と、チャック本体の下面に面する上面を有するチャックベースと、チャック本体の下
面とチャックベースの上面を接合する接合材を含む。静電チャックは、接合材が処理チャ
ンバ内の環境に起因して浸食するのを防止するための保護要素を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本
発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に
示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎ
ず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく
有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る保護シールを有する静電チャックの断面側面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの静電チャックの拡大部分断面図である。
【図１Ｃ】本発明の別の一実施形態に係る静電チャックの拡大部分断面図である。
【図１Ｄ】本発明の別の一実施形態に係る静電チャックの拡大部分断面図である。
【図１Ｅ】チャック本体を取り除いた図１Ａの静電チャックの上面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る保護構造を有する静電チャックの断面側面図である。
【図２Ｂ】本発明の別の一実施形態に係る保護構造を有する静電チャックの拡大部分断面図である。
【図２Ｃ】本発明の別の一実施形態に係る保護構造を有する静電チャックの拡大部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る静電チャックを有するプラズマ処理チャンバの断面側面図である。
【０００８】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照
番号を使用している。また、一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態
に有益に組み込んでもよいと理解される。
【詳細な説明】
【０００９】
本発明の実施形態は、チャンバコンポーネント（例えば、静電チャック）を接合する際
に用いられる接合材を、処理環境内で処理環境から保護するための装置及び方法を提供す
る。一実施形態では、保護シールが、処理環境への曝露から接合材の端部を囲むように配
置される。別の一実施形態では、保護構造が、チャンバコンポーネント内で接合材の周囲
に形成され、これによって処理環境への接合材の直接的な曝露を防止する。本発明の別の
一実施形態によれば、シリコンフィラーとポリマー接着ベースを含む接合材は、粒子生成
を削減したチャンバコンポーネントを接合する際に使用される。本発明の実施形態は、処
理チャンバ内で使用される接合材の浸食を減少させ、したがって処理品質を向上させ、保
守コストを削減する。
【００１０】
図１Ａは、本発明の一実施形態に係る静電チャック１００の断面側面図である。静電チ
ャック１００は、処理中に基板を支持するために基板処理チャンバ内に移動可能に又は固
定して配置することができる。静電チャック１００は、接合材１３０によってチャックベ
ース１２０に固定されたチャック本体１１０を含む。保護シール１４０が、接合材１３０
の周囲に配置され、これによって処理環境から接合材１３０を保護する。
【００１１】
チャック本体１１０は、基板１０２を上で支持するための実質的に平坦な上面１１２を
有する。チャック本体１１０はまた、接合材１３０を受け入れ、チャックベース１２０に
結合するための実質的に平坦な下面１１４を有する。チャック本体１１０は、誘電体材料
から形成することができる。一実施形態では、チャック本体１１０は、セラミックス（例
えば、酸化アルミニウム）から形成することができる。電極１１８は、チャック本体１１
０内に埋め込むことができる。電極１１８は、薄い金属板又は金属メッシュとすることが
できる。電極１１８は、基板１０２の実質的に全領域を包含するのに十分な大きさである
ことができる。電極１１８は、電源（例えば、直流電圧源）に結合し、これによって基板
１２０を上面１１２上に引き付け固定するための静電チャッキング力を生成することがで
きる。オプションとして、電極１１８はまた、処理チャンバ内で容量結合プラズマを生成
するためのＲＦ電源に結合することができる。
【００１２】
チャック本体１１０は、リフトピン１０４を通過可能にする３以上の貫通孔１１６を有
することができる。チャック本体１１０は、処理される基板１０２の形状に応じて成形す
ることができる。例えば、チャック本体１１０は、円形の基板（例えば、半導体基板）を
支持するための円形ディスクであることができる。チャック本体１１０はまた、矩形基板
（例えば、液晶ディスプレイデバイスを形成するためのガラス基板）を支持するための矩
形の板であることができる。
【００１３】
チャックベース１２０は、接合材１３０及びチャック本体１１０を受けるための上面１
２２を有する。上面１２２は、実質的に平面であってもよい。チャックベース１２０は、
熱伝導性材料（例えば、金属）から形成し、これによってチャック本体１１０の温度制御
を提供することができる。一実施形態では、チャックベース１２０は、アルミニウムから
形成される。チャックベース１２０は、内部に形成された冷却チャネル１２３を有するこ
とができる。冷却チャネル１２３は、冷却流体源（図示せず）に接続され、冷却流体をそ
の中で循環させることができる。チャックベース１２０はまた、チャック本体１１０に加
熱を提供するための内部に形成された１以上の加熱素子１２４を有することができる。チ
ャックベース１２０は、貫通して形成され、リフトピン１０４を受け入れるためのチャッ
ク本体１１０内の貫通孔１１６と整列したリフトピン開口部１２６を有することができる
。一実施形態では、ケーシング要素１３２、１３４、１３８は、リフトピン１０４を案内
するためのリフトピン開口部１２６内に配置することができる。ケーシング要素１３２、
１３４、１３８は、誘電体材料（例えば、ＶＥＳＰＥＬ（商標名）ポリマー又はポリエー
テルエーテルケトン（ＰＥＥＫ））から形成し、これによってリフトピン１０４とチャッ
クベース１２０との間に電気絶縁を提供することができる。
【００１４】
接合材１３０は、チャック本体１１０の下面１１４と、チャックベース１２０の上面１
２２の間に配置され、これによってチャック本体１１０とチャックベース１２０を共に接
合する。接合材１３０は、チャック本体１１０及びチャックベース１２０と同様に成形さ
れたシート状であることができる。一実施形態では、接合材１３０のシートは、リフトピ
ン１０４用の貫通孔１１６に対応する３以上のリフトピン孔１３６を含むことができる。
あるいはまた、接合材１３０は、液体ベースであってもよい。
【００１５】
接合材１３０は、異種材料（例えば、セラミックスチャック本体１１０と金属チャック
ベース１２０）間で確実な接合を提供するように構成される。接合材１３０はまた、接合
されたコンポーネント間に熱伝導を提供する。一実施形態では、接合材１３０は、熱伝導
性を提供するために、フィラー材料を有するポリマー系接着剤であることができる。接合
材１３０は、耐食性フィラーを有するポリマー系接着剤であってもよい。一実施形態では
、フィラー材料は、シリコンを含み、ポリマー系材料は、シリコーンを含む。シリコーン
ベース内のフィラー材料の濃度は、１Ｗ／ｍＫの熱伝導率を達成するように制御される。
【００１６】
従来の接合材中のフィラーは、エッチング化学物質（例えば、ＮＦ３又はＮＦ３とＯ２
を含む処理環境）中で浸食され、白色粒子を生成し、汚染を引き起こす可能性がある。従
来のフィラーを有する接合材と比較して、シリコーンベースとシリコンフィラーを有する
接合材１３０は、ＮＦ３又はＮＦ３とＯ２を含む処理化学物質内で粒子汚染を引き起こさ
ず、こうして大幅に粒子汚染を低減する。例えば、ＮＦ３化学物質中では、ベースポリマ
ーのシリコーンは攻撃され、従来のフィラー（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）フィラー
）を残して、シリコーンは揮発し、後で粒子の問題を引き起こす。シリコンのフィラーが
使用される場合、シリコンフィラーとシリコーンベースの両方が、ＮＦ３の攻撃を受けて
揮発し、粒子を発生させることはない。シリコンフィラーを含む接合材１３０は、単独で
、又は保護シール１４０と組み合わせて使用することができる。
【００１７】
一実施形態では、保護シール１４０は、接合材１３０を囲み、これによって接合材１３
０と処理環境の間の相互作用を防止する。一実施形態では、凹部１４４が、チャック本体
１１０とチャックベース１２０の間に形成され、これによって保護シール１４０を適切な
位置に保持することができる。オプションで、保護シール１４２は、接合材１３０内の各
リフトピン孔１３６の周囲に配置され、これによって接合材１３０がリフトピン孔１３６
内の環境に曝露されるのを防止することができる。
【００１８】
保護シール１４０、１４２は、処理環境に曝露された場合に、チャック本体１１０とチ
ャックベース１２０との間のシールを維持する材料から形成することができる。保護シー
ル１４０、１４２は、エラストマー（例えば、パーフルオロエラストマー）から形成する
ことができる。ＮＦ３又はＮＦ３とＯ２を含むエッチング化学物質内での動作に対して、
保護シール１４０、１４２は、ＫＡＬＲＥＺ（商標名）８５７５パーフルオロエラストマ
ー、ＤＵＰＲＡ（商標名）１９２パーフルオロエラストマー、ＫＡＬＲＥＺ（商標名）８
０８５パーフルオロエラストマー、ＣＨＥＭＲＡＺ（商標名）ＸＰＥエラストマーのうち
の１つによって形成することができるが、これらに限定されない。他の材料（例えば、Ｌ
７５０５、ＳＣ５１３（Ｃｈｅｍｒａｚ５１３）、Ｌ８０１５ｒ１、Ｇ７５８（Ｐｅｒｌ
ａｓｔ）、Ｌ８０１０）もまた、保護シール用に適している。保護シール１４０、１４２
は、Ｏ−リング、ガスケット、カップシールの形態であっても、又は別の適切な形状を有
していてもよい。オプションとして、保護シール１４０、１４２は、バネで留められても
よい。
【００１９】
図１Ｂに示されるように、静電チャック１００内の凹部１４４は、チャックベース１２
０及びチャック本体１１０の下面１１４の中に形成された段差によって画定されることが
できる。チャックベース１２０だけが、凹部１４４を形成するために機械加工されるので
、この構成は実施が簡単である。図１Ｅは、チャック本体１１０を除去して、保護シール
１４０、１４２を可視化した静電チャック１００のチャックベース１２０の上面図である
。
【００２０】
あるいはまた、保護シール１４０用の凹部は、チャック本体１１０とチャックベース１
２０の両方に、又はチャック本体１１０のみに形成することができる。
【００２１】
図１Ｃは、本発明の別の一実施形態に係る静電チャック１００Ｃの拡大部分断面図であ
る。静電チャック１００Ｃは、保護シール１４０が、チャック本体１１０の下面１１４に
形成された段差１１５Ｃと、チャックベース１２０の上面１２２に形成された段差１２８
Ｃとによって画定される凹部１４４Ｃ内に固定されている以外は、図１Ａの静電チャック
１００と同様である。この構成は、接合材１３０が保護シール１４０の中央部分によって
覆われることを確実にする。
【００２２】
図１Ｄは、本発明の別の一実施形態に係る静電チャック１００Ｄの拡大部分断面図であ
る。静電チャック１００Ｄは、保護シール１４０が、チャック本体１１０の下面１１４に
形成された段差１１５Ｄとチャックベース１２０の上面１２２によって画定される凹部１
４４Ｄ内に固定されている以外は、図１Ａの静電チャック１００と同様である。チャック
本体１１０だけが凹部１４４ｄを形成するために機械加工される。
【００２３】
接合材の浸食を防止するために保護シールを使用することに加えて、又は代替して、本
発明の実施形態はまた、接合材を保護するためのチャック本体及び／又はチャックベース
内の遮蔽機能を有する静電チャックを提供する。
【００２４】
図２Ａは、本発明の一実施形態に係る、接合材保護構造、すなわち遮蔽機能を有する静
電チャック２００の断面側面図である。静電チャック２００は、処理中に基板を支持する
ために基板処理チャンバ内に移動可能に又は固定して配置することができる。静電チャッ
ク１００と同様に、静電チャック２００は、接合材１３０と同じ接合材２３０によってチ
ャックベース２２０に固定されたチャック本体２１０を含む。保護構造２１６が、チャッ
ク本体２１０及び／又はチャックベース２２０内に形成され、これによって処理環境から
接合材２３０を遮蔽することができる。
【００２５】
チャック本体２１０は、基板１０２を上で支持するための上面２１２と、接合材２３０
を受けるための実質的に平坦な下面２１４を有する。チャック本体２１０は、誘電体材料
で形成することができる。電極２１８は、チャック本体２１０内に埋め込まれてもよい。
【００２６】
チャックベース２２０は、接合材２３０及びチャック本体２１０を受けるための上面２
２２を有する。チャックベース２２０は、温度制御用に、内部に冷却チャネル２２３を形
成し、内部に加熱素子２２４を埋め込むことができる。
【００２７】
接合材２３０は、チャック本体２１０の下面２１４とチャックベース２２０の上面２２
２の間に配置され、これによってチャック本体２１０とチャックベース２２０を共に接合
する。チャック本体２１０の下面２１４とチャックベース２２０の上面２２２は、チャッ
ク本体２１０及びチャックベース２２０の外縁よりも小さくすることができ、これによっ
てチャック本体２１０及び／又はチャックベース２２０によって形成された保護構造２１
６によって、接合材２３０を取り囲むことができる。
【００２８】
図２Ａに示した実施形態によれば、チャックベース２２０は、上面２２２から降下する
段差２２８を有する。保護構造２１６は、チャック本体２１０の下面２１４から下方へ延
びるリップの形をしている。リップは連続的であってもよい。チャック本体２１０が、チ
ャックベース２２０に固定される場合、リップ２１６形状の保護構造２１６は、段差２２
８の上方に延び、チャック本体２１０の下面２１４とチャックベース２２０の上面との間
の界面を覆い、こうして接合材２３０を横方向に囲み、接合材２３０をチャンバ内の環境
への視線の露出から遮蔽する。保護シールを使用せずに、静電チャック２００の保護構造
２１６は、保護シールを維持し交換する必要性を排除し、したがって運用コストを削減す
る。一実施形態では、連続リップ２１７はまた、各々のリフトピン通路２１９の周りにも
形成され、これによって接合材２３０が処理環境に曝露されることを防止することができ
る。
【００２９】
保護構造２１６は、チャック本体２１０からリップの形状となるように図２Ａには示さ
れているが、接合材２３０を遮蔽するために任意の適切な構造を使用することができる。
例えば、図２Ｂは、チャックベース２２０から上方へ延び、チャック本体２１０の外縁２
１６Ｂを囲む保護リップ２２８Ｂの形態の保護構造を有する静電チャック２００Ｂの拡大
部分断面図である。図２Ｃに示される静電チャック２００Ｃでは、チャックベース２２０
は、チャック本体２１０からリップ２１５Ｃを受けるように構成された溝２２９を有する
。溝２２９及びリップ２１５Ｃは、静電チャック２００Ｃを囲む処理環境から接合材２３
０を分離するための迷路を形成する。
【００３０】
本発明の実施形態によれば、１以上の保護要素（例えば、保護シール、保護構造、又は
耐食性フィラー）を単独又は組み合わせて使用することができ、これによって接合材の処
理環境内での浸食を防止する。
【００３１】
本発明の実施形態に係る静電チャックは、処理中に基板を支持するために、様々な処理
チャンバ（例えば、プラズマエッチングチャンバ、化学蒸着チャンバ、プラズマ強化蒸着
チャンバ、原子層堆積チャンバ、イオン注入チャンバ）内で使用することができる。
【００３２】
図３は、静電チャック１００を内部に配置したプラズマ処理チャンバ３００の断面側面
図である。静電チャック１００は、各種の基板（例えば、半導体基板、レチクル）を支持
するために使用することができ、各種の基板サイズを収容することができる。あるいはま
た、上記のいずれかの静電チャックが、静電チャック１００の位置で使用することができ
る。
【００３３】
プラズマ処理チャンバ３００は、処理容積３４１を画定する底部３２２、側壁３２６、
及び側壁３２６の上方に配置されるチャンバ蓋３４３を含む。プラズマ処理チャンバ３０
０は、処理容積３４１内に配置されたライナ３２３を更に含み、これによって側壁３２６
が化学物質及び／又は処理副生成物から損傷及び汚染されるのを防止する。スリットバル
ブドア開口部３３５は、側壁３２６及びライナ３２３を貫通して形成され、これによって
基板及び基板搬送機構の通過を可能にする。スリットバルブドア３２４は、スリットバル
ブドア開口部３３５を選択的に開閉する。
【００３４】
静電チャック１００は、処理容積３４１内に配置される。リフト３２７は、基板１０２
の処理中及びロード／アンロード時に、静電チャック１００に対してリフトピン（図示せ
ず）を上下動させるように構成される。静電チャック１００は、チャッキング力を発生さ
せるためのバイアス電源３２１に結合され、これによって静電チャック１００上に基板１
０２を固定することができる。
【００３５】
１以上の処理ガスは、ガス供給源３０３から入口３４４を介して処理容積３４１に供給
することができる。真空ポンプ３３０は、処理容積３４１と流体連通している。真空ポン
プ３３０は、処理容積３４１をポンピングし、プレナム３３６を介して低圧環境を維持す
るために使用することができる。
【００３６】
プラズマ処理チャンバ３００は、チャンバ蓋３４３の外側に配置されたアンテナアセン
ブリ３７０を含む。アンテナアセンブリ３７０は、マッチングネットワーク３７３を介し
て、高周波（ＲＦ）プラズマ電源３７４に結合することができる。処理中に、アンテナア
センブリ３７０は、電源３７４によって供給されるＲＦ電力によって通電され、これによ
って処理容積３４１内に処理ガスのプラズマを点火し、基板１０２の処理中にプラズマを
維持する。
【００３７】
プラズマ処理チャンバ３００は、様々なプラズマ処理のために使用することができる。
一実施形態では、プラズマ処理チャンバ３００は、１以上のエッチング剤を用いてドライ
エッチングを行うために使用することができる。例えば、プラズマ処理チャンバ３００は
、ＣｘＦｙ（ｘ及びｙは異なる許容された組み合わせであることができる）、Ｏ２、ＮＦ
３、又はそれらの組み合わせを含む前駆体からのプラズマの点火に使用することができる
。本発明の実施形態はまた、フォトマスク用途のためにクロムをエッチングする、基板上
に配置された酸化物層及び金属層を有するシリコン基板内において、プロファイル（例え
ば、ディープトレンチ及びスルーシリコンビア（ＴＳＶ））をエッチングするのに使用す
ることができる。
【００３８】
接合材により接合された静電チャックが、上記に記載されてはいるものの、本発明の実
施形態は、動作環境から接合材を保護するために接合材によって接合された任意の複合構
造で使用することができる。例えば、本発明の実施形態は、接合材によって接合された２
以上のコンポーネントを有するガス分配シャワーヘッドに適用することができる。
【００３９】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発
明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範
囲に基づいて定められる。
【図１Ａ】
2017208562.tif 000003
【図１Ｂ】
2017208562.tif 000004
【図１Ｃ】
2017208562.tif 000005
【図１Ｄ】
2017208562.tif 000006
【図１Ｅ】
2017208562.tif 000007
【図２Ａ】
2017208562.tif 000008
【図２Ｂ】
2017208562.tif 000009
【図２Ｃ】
2017208562.tif 000010
【図３】
2017208562.tif 000011