【事件の表示】
　特願２００４−　６２１９６「半導体レーザーダイオード及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月３０日出願公開、特開２００４−２７４０５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
第１　手続の経緯  
　
　本願は、平成１６年３月５日（パリ条約による優先権主張２００３年３月８日、大韓民国）の出願であって、平成２１年１１月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年２月２６日付けで手続補正がなされ、同年６月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月３１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。  
　  
第２　本願発明について  
　  
１　本願発明  
　 
　 本願の請求項に係る発明は、平成２２年２月２６日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。 
「多重物質層である第１物質層と第２物質層、及び前記第１物質層と前記第２物質層間に介されて光放出が起きる活性層を含む半導体レーザーダイオードにおいて、前記第２物質層の上層部にリッジ状に形成されて前記第２物質層の最上層物質層が限定的に露出されるチャンネルを定義し、前記チャンネルを通じて前記第２物質層の最上層物質層と接触される第２電極層が形成されたリッジウェーブガイドと、前記リッジウェーブガイドの一側に位置し、前記リッジウェーブガイドよりも高く形成された第１突出部と、を含む半導体レーザーダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　 
２　刊行物の記載  
　 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２０００−５８９６５号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載ア及びイがある。（下線は当審にて付した。）
  
ア　「【００５３】図２は本発明の第２の実施形態に係る窒化物系半導体レーザ素子におけるレーザ光の出射方向に垂直な方向の断面構成を示している。図２に示すように、
半導体レーザ素子３０Ａは、Ｃ面を持つサファイアからなる基板３１の主面上に、ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｎ型半導体層３２と、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造を有する活性層３３と、ｐ型ＧａＮ及びｐ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｐ型半導体層３４とが順次形成された積層体としてのエピタキシャル層を有している
【００５４】基板３１の
エピタキシャル層における中央部には、ｎ型半導体層３２、活性層３３及びｐ型半導体層３４を含むように形成された凸状部からなり、レーザ光の出射方向を規制する共振器形成部１が形成され
共振器形成部１におけるｐ型半導体層３４の上部のほぼ中央部には、互いに間隔をおき且つ出射方向に延びる一対の溝部に挟まれた幅が約３μｍのリッジ部３４ａが形成され
【００５５】
リッジ部３４ａの上面には、例えばＮｉ／Ａｕからなる第２のレーザ電極としてのｐ側電極３５が形成され
【００５６】ｎ側電極３６の共振器形成部１側の領域並びに
ｐ側電極３５を除く共振器形成部１の上面及び側面は、それぞれＳｉＮからなる絶縁膜３７Ａ，３７Ｂに覆われており、共振器形成部１のｐ側電極３５及び絶縁膜３７Ｂを含む頂面のほぼ全面には、例えばＴｉ／Ａｕからなるｐ側配線電極３８が形成されている。
　 
イ　「【００６３】（第３の実施形態）以下、本発明に係る第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００６４】図３は本発明の第３の実施形態に係る窒化物系半導体レーザ素子におけるレーザ光の出射方向に垂直な方向の断面構成を示している。図３において、図２に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６５】第２の実施形態との差異は、
共振器形成部１の上部に、ｐ型半導体層３４からなり凸状部を有するリッジ部３４ａのみが形成されており、ダミーポスト３４ｂが、共振器形成部１を形成する溝部２を挟んで両端部に形成されてい
【００６６】このようにすると、
リッジ部３４ａの基板面からの高さとダミーポスト３４ｂの基板面からの高さとが
ほぼ同一となってい
保持体にダウン・ボンディングする際に、
リッジ部３４ａ、すなわち活性層３３に加わる応力を小さくできる
【００７６】また、一対の溝部２を設けることにより、一対のダミーポスト３４ｂを設けたが、
いずれか一方
　 
（２）引用発明１ 
ア　上記（１）アを踏まえてイをみれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。  
「Ｃ面を持つサファイアからなる基板の主面上に、ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｎ型半導体層と、ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造を有する光放出が起きる活性層と、ｐ型ＧａＮ及びｐ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｐ型半導体層とが順次形成された積層体としてのエピタキシャル層を有している半導体レーザ素子において、エピタキシャル層における中央部には、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含むように形成された凸状部からなり、レーザ光の出射方向を規制する共振器形成部が形成され、共振器形成部におけるｐ型半導体層の上部のほぼ中央部には、ｐ型半導体層からなり凸状部を有するリッジ部が形成されており、ダミーポストが、共振器形成部を形成する溝部を挟んで両端部のいずれか一方に形成されていて、リッジ部の基板面からの高さとダミーポストの基板面からの高さとが、ほぼ同一となっていることにより、保持体にダウン・ボンディングする際に、リッジ部に加わる応力を小さくできるものであって、リッジ部の上面には、Ｎｉ／Ａｕからなる第２のレーザ電極としてのｐ側電極が形成され、ｐ側電極を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれＳｉＮからなる絶縁膜に覆われており、共振器形成部のｐ側電極及び絶縁膜を含む頂面のほぼ全面には、Ｔｉ／Ａｕからなるｐ側配線電極が形成されている、半導体レーザ素子。」（以下「引用発明」という。）
　　　 
３　対比・判断  
　 
（１）本願発明と引用発明とを対比する。  
ア　引用発明の「ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｎ型半導体層」、「ＩｎＧａＮを含む多重量子井戸構造を有する光放出が起きる活性層」、「ｐ型ＧａＮ及びｐ型ＡｌＧａＮが積層されてなるｐ型半導体層」、「順次形成された積層体としてのエピタキシャル層」、「リッジ部」、「ｐ型半導体層の上部のほぼ中央部には、ｐ型半導体層からなり凸状部を有するリッジ部が形成され」、「（共振器形成部を形成する溝部を挟んで両端部のいずれか一方に形成されている）ダミーポスト」、「リッジ部の上面には、Ｎｉ／Ａｕからなる第２のレーザ電極としてのｐ側電極が形成され」、及び、「半導体レーザ素子」は、本願発明の「第１物質層」、「第１物質層と第２物質層間に介されて光放出が起きる活性層」、「第２物質層」、「多重物質層」、「リッジウェーブガイド」、「第２物質層の上層部にリッジ状に形成され」、「リッジウェーブガイドの一側に位置し・・・た第１突出部」、「チャンネルを通じて前記第２物質層の最上層物質層と接触される第２電極層が形成された」、及び、「半導体レーザーダイオード」にそれぞれ相当する。  
　 
（２）上記（１）によれば両者は 
ア　「多重物質層である第１物質層と第２物質層、及び前記第１物質層と前記第２物質層間に介されて光放出が起きる活性層を含む半導体レーザーダイオードにおいて、前記第２物質層の上層部にリッジ状に形成されて前記第２物質層の最上層物質層が限定的に露出されるチャンネルを定義し、前記チャンネルを通じて前記第２物質層の最上層物質層と接触される第２電極層が形成されたリッジウェーブガイドと、前記リッジウェーブガイドの一側に位置した第１突出部と、を含む半導体レーザーダイオード。」 である点で一致し、 
　 
イ　本願発明は、「第１突出部」が「リッジウェーブガイドよりも高く形成された」のに対して、引用発明は「リッジ部の基板面からの高さとダミーポストの基板面からの高さとが、ほぼ同一となっている」点（以下「相違点」という）で相違するものと認められる。  
　  
（３）上記相違点について検討する。  
　引用発明は「ダミーポストが、共振器形成部を形成する溝部を挟んで両端部のいずれか一方に形成されていて、リッジ部の基板面からの高さとダミーポストの基板面からの高さとが、ほぼ同一となっていることにより、保持体にダウン・ボンディングする際に、リッジ部に加わる応力を小さくできるもの」であるところ、リッジ部の基板面からの高さとダミーポストの基板面からの高さが異なれば、リッジ部に加わる応力が影響を受け、ダミーポストの基板面からの高さがリッジ部の基板面からの高さより高い場合には、リッジ部に加わる応力が小さくなることは当業者に明らかな事項である。
　したがって、引用発明において「リッジ部に加わる応力」を小さくするよう「ダミーポスト」（第１突出部）を「リッジ部」（リッジウェーブガイド）より高くし、「リッジウェーブガイドよりも高く形成された第１突出部」を構成して、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　  
（４）小括  
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。  
　  
第３　むすび  
　 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。