【事件の表示】
　特願２００３−３３７０６１「半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日出願公開、特開２００５−１０８９４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年９月２９日の特許出願であって、平成２２年５月６日付けで手続補正がなされたが、同年８月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１１月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２２年１１月９日付けの手続補正を「本件補正」という。）。
　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２２年５月６日付け手続補正後のもの。）の
「　基板と、
　前記基板上に形成された剥離層と、
　前記剥離層上に形成された半導体エピタキシャル層とを有し、
　１〜５０％の濃度のフッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された半導体ウェハであって、
　前記剥離層は、ＡｌＡｓからなり、
　前記剥離層の厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満である
　ことを特徴とする半導体ウェハ。」
を、
「　ＧａＡｓ基板と、
　前記ＧａＡｓ基板上に形成された剥離層と、
　前記剥離層上に形成され、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を含む半導体エピタキシャル層とを有し、
　１〜５０％の濃度のフッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された半導体ウェハであって、
　前記剥離層は、ＡｌＡｓからなり、
　前記剥離層の厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である
　ことを特徴とする半導体ウェハ。」
に補正する内容を含むものである。
　
　上記の補正の内容は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「基板」を「ＧａＡｓ基板」に限定し、同じく「半導体エピタキシャル層」を「ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を含む」ものに限定し、同じく「剥離層の厚さ」を、「２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満」から「２０ｎｍ以上１００ｎｍ未満」に限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載及び引用発明
　ア　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１０２６６８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　ゲルマニウム基板、
ガリウム砒素基板
上にＡｌ
y
Ｇａ
1-y
Ａｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層とIII-Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長し
前記Ａｌ
y
Ｇａ
1-y
Ａｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層をエッチングして、前記ゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板、またはインジウム燐基板を除去する半導体基板の製造方法
　
（イ）「【０００２】
【従来の技術】シリコン基板に化合物半導体を形成することで、化合物半導体の優れた受発光特性と高周波特性を兼ね備えた多機能のデバイスがシリコン基板上に構築できる。シリコン基板はＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板に比べて機械的強度が高く、デバイス試作プロセスにおける基板の割れ、カケに起因する歩留りの低下を大幅に改善できる。また、安価で大口径のシリコン基板を用いたデバイスは、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板を用いたデバイスよりも、デバイスの製造コストを大幅に低減することができる。このため、化合物半導体をシリコン基板に直接成長する技術や化合物半導体基板をシリコン基板に貼り合せる手法が提案されている。
・・・
【０００４】また、特開平６−９００６１号公報や特開平９−６３９５１号公報に示されているように、シリコン基板と化合物半導体基板の表面同志を接合し、異種基板を接合する手法が提案されている。
【０００５】ここで、図４を用いて、シリコン基板への化合物半導体エピタキシャル層の転写技術を説明する。
【０００６】まず、図４（ａ）に示すように、ガリウム砒素基板１にガリウム砒素から成るバッファ層２を０．１〜２μｍ程度成長する。
【０００７】次に、
選択エッチング層としてアルミニウム砒素層３を１００〜１０００Å成長し
【０００８】次に、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板５を接触させて水素ガス中でアニールすることで貼り合わせる。
【０００９】その後、図４（ｃ）に示すように、ふっ酸系のエッチング液でアルミニウム砒素層３をエッチングする。これによりデバイスの活性層を含むエピタキシャル層４をシリコン基板５に転写することができる。」
　
（ウ）「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１９】図１は、請求項１に係る半導体基板の製造方法の一実施形態を示す図であり、
６は
ガリウム砒素基板
８はＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ
などのIII-Ｖ族化合物半導体から成るデバイスの活性層を含むエピタキシャル層
【００２０】Ｓｉ基板上に、直接、ＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体を成長する場合と比較して、Ｇｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板には転位密度の低い（１×１０4個ｃｍ-2以下）結晶の良好なIII-Ｖ族化合物半導体が形成できる。また、
ＡｌＡｓの選択エッチング層を挿入し
【００２１】まず、周知のＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法等の気相エピタキシャル法で、ゲルマニウム基板、
ガリウム砒素基板
６にガリウム砒素
からなるバッファ層７を成長する
【００２２】その後、
選択エッチング層となるＡｌ
y
Ｇａ
1-y
Ａｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３を１００〜１０００Å成長する
この膜厚は、図１（ｂ）に示すメサ領域の幅Ｗが広い程、厚く設定しないと、後に示す選択エッチングが困難となる
メサ領域の幅Ｗが１００μｍの時は、２００Å以上で選択エッチングが可能となる
【００２３】
選択エッチング層となるＡｌ
y
Ｇａ
1-y
Ａｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３の成長の後、III-Ｖ族化合物半導体から成るデバイスの活性層を含むエピタキシャル層８を成長して、エピタキシャル装置から取り出す
【００２４】その後、図１（ｂ）に示すように、通常のフォトリソグラフィとエッチングで幅Ｗを持つメサ領域を形成する。この際、エッチングは硫酸／過酸化水素水／水の混合液によるウエットエッチングまたは塩素ガスのプラズマによる気相エッチングで行ない、ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３の側壁が完全に露出するまでエッチングを行なう。
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、ＩｎxＧａ1-xＡｓ（０．０５≦ｘ≦０．６）層９がエピタキシャル成長されたシリコン基板５と貼り合せ、貼り合せ面を１０〜５０Ｐａの圧力で加圧して、水素雰囲気の２００〜５００℃で３０分から数時間のアニールを行なうことで、貼り合せを完了する。
【００２６】なお、ＩｎxＧａ1-xＡｓ（０．０５≦ｘ≦０．６）層９のシリコン基板５へのエピタキシャル成長は、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法による２段階成長法で行う。つまり、８５０〜１０００℃でシリコン基板５の表面の自然酸化膜等を除去し、４００℃前後に冷却した後に非晶質ガリウム砒素層を１００〜１０００Å成膜する。
【００２７】その後、５００〜６００℃に昇温しＩｎxＧａ1-xＡｓ（０．０５≦ｘ≦０．６）層９を成長する。
・・・
【００３０】次に、図１（ｄ）に示すように、
ふっ酸系のエッチング液でＡｌ
y
Ｇａ
1-y
Ａｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３を除去し、デバイスの活性層を含むエピタキシャル層８をＩｎ
x
Ｇａ
1-x
Ａｓ（０．０５≦ｘ≦０．６）層９を介してシリコン基板５に転写する
　
（エ）「【００３１】図２は、請求項３に係る半導体基板の製造方法を示す図である。図２（ａ）に示すように、ゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板、またはインジウム燐基板６にあらかじめ数十〜数百μｍの溝１０を形成しておくと、図２（ｄ）におけるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３の選択的除去を短時間にかつより均一に行なうことができる。すなわち、エピタキシャル層８または基板６の溝１０を通してふっ酸系のエッチング液を供給してアルミニウム砒素層３を選択的にエッチング除去できるため、４インチ以上の大口径基板６でのエピタキシャル層の転写が可能となる。
【００３２】図３は、請求項４に係る半導体基板の製造方法を示す図である。図３（ｃ）に示すように、ゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板、またはインジウム燐基板６にあらかじめ数十〜数百μｍの溝‘１０を形成しておき、かつあらかじめ溝１０が形成されたシリコン基板５にＩｎxＧａ1-xＡｓ（０．０５≦ｘ≦０．６）層９がエピタキシャル成長された基板と貼り合せることにより、図３（ｄ）におけるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層３の選択的除去を短時間にかつより均一に行なうことができる。すなわち、エピタキシャル層８または基板６の溝１０を通してふっ酸系のエッチング液を供給してアルミニウム砒素層３を選択的にエッチング除去できるため、４インチ以上の大口径基板でのエピタキシャル層の転写が可能となる。」
　
（オ）上記（ア）の請求項１に記載された「半導体基板の製造方法」の発明は、その実施の形態が上記（ウ）及び図１（ａ）ないし（ｄ）に示されており、これらの記載によれば、引用刊行物１には、「基板上にＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層とIII-Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長し」た段階の「半導体基板」（図１（ａ）を参照。）が記載されているものと認められるとともに、該「半導体基板」は、後の工程で、「前記ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層」をエッチングして、前記「基板」を除去するものと認められる。
　
　上記（ア）ないし（オ）を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ガリウム砒素基板と、
　前記ガリウム砒素基板上に、１００〜１０００Åの厚さで成長した選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層と、
　前記選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層上に成長した、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体から成るデバイスの活性層を含むエピタキシャル層と、を有する半導体基板であって、
　前記半導体基板は、後の工程で、前記選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層をふっ酸系のエッチング液でエッチングして、前記ガリウム砒素基板を除去するものである、
　半導体基板。」
　
　イ　引用刊行物２
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−３０１４６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【００１５】次にこれを、
５０％のバッファードＨＦ
ＡｌＡｓのエッチング速度はＧａＡｓに比べて１０
7 
倍大きい
ｌＡｓ１０５が選択的にエッチングされて
上側（第二の積層構造体）と、下側（第一の積層構造体）に分離される
　
　ウ　引用刊行物３
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３０７８６３号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【００１２】ＡｌＯ層を形成する工程で、ストライプメサ状の多層膜のＡｌＡｓ膜の側縁部を酸化する方法は、特に限定はなく、例えば水蒸気酸化法により酸化する。また、空気層を形成する工程で、好適には、
残存のＡｌＡｓ膜をエッチングする際のエッチングでは
ＨＦ１０％水溶液等のＨＦ系エッチャントによるウエットエッチングを施す
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア　引用発明の「半導体基板」は、本願補正発明の「半導体ウェハ」に相当する。
　
　イ　引用発明の「ガリウム砒素基板」は、本願補正発明の「ＧａＡｓ基板」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「前記ガリウム砒素基板上に、１００〜１０００Åの厚さで成長した選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層」は、本願補正発明の「前記ＧａＡｓ基板上に形成された剥離層」に相当する。
　
　エ　引用発明の「前記選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層上に成長した、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体から成るデバイスの活性層を含むエピタキシャル層」は、本願補正発明の「前記剥離層上に形成され、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を含む半導体エピタキシャル層」に相当する。
　
　オ　引用発明の「半導体基板」は、「後の工程で、前記選択エッチング層となるＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）層をふっ酸系のエッチング液でエッチングして、前記ガリウム砒素基板を除去する」ものであるから、本願補正発明の「１〜５０％の濃度のフッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された半導体ウェハ」と、「フッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された半導体ウェハ」である点で一致する。
　
　以上によると、本願補正発明と引用発明とは、
「　ＧａＡｓ基板と、
　前記ＧａＡｓ基板上に形成された剥離層と、
　前記剥離層上に形成され、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を含む半導体エピタキシャル層とを有し、
　フッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された、半導体ウェハ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
ａ．剥離層を溶解するフッ酸液が、本願補正発明では、「１〜５０％の濃度」であるのに対して、引用発明では、そのような濃度であるか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．剥離層が、本願補正発明では、「ＡｌＡｓ」からなるのに対して、引用発明では、「ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）」である点。
　
ｃ．剥離層の厚さが、本願補正発明では、「２０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である」のに対して、引用発明では、「１００〜１０００Å」である点。
　
（３）判断
　上記各相違点について検討する。
　
　ア　相違点１について、
　本願補正発明は、「半導体ウェハ」に係る物の発明であって、「１〜５０％の濃度のフッ酸液により前記剥離層を溶解して、前記半導体エピタキシャル層を前記基板から分離するように構成された」との事項は、単に、該半導体ウェハの使用の態様を示すものと認められる。
　そして、本願明細書を見ても、上記事項に関して、
「【００３０】
  剥離層１０３がＡｌＡｓ又はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ系材料からなる場合には、エッチング液としてＨＦ（フッ酸）液を用いることができる。ＨＦ液の濃度は、通常１０％であるが、１％〜５０％程度の範囲内で適宜選択できる。ＨＦ液の濃度を選択する際には、剥離工程においてＬＥＤエピタキシャルフィルム１０４を支持する支持体の耐性、支持体と半導体層表面との密着性が保持できるかどうかといった条件を考慮して、上限値を適宜決定すればよい。また、ＨＦ液の濃度を下げるとエッチング速度が低下するが、ＨＦ液の濃度の下限値は、エッチング速度を判断基準にして適宜選択すればよい。」
と記載されており、「１〜５０％の濃度」のフッ酸液は、本願補正発明において特定される剥離層をエッチングするために、適宜用いることができるものとして示されているに過ぎず、その特定によって、本願補正発明の「半導体ウェハ」の構成、特に、「剥離層」の構成に、何らかの特定ないし限定を付加する事項とも認められない。
　してみると、上記のフッ酸液の濃度は、本願補正発明と引用発明との対比において、実質的な差異を生じさせるものではなく、相違点１は、実質的な相違ではない。
　なお、ＡｌＡｓの選択的エッチングに用いられるフッ酸液として、「１〜５０％の濃度」が、通常用いられる程度の範囲であることは、上記２（１）イ及びウに示したとおり、引用刊行物２及び３の記載事項から明らかであるから、引用発明を使用する際に、フッ酸液として「１〜５０％の濃度」の範囲内のものを用いることは、当業者が適宜なし得たことに過ぎない。
　イ　相違点２について
　引用発明において、「剥離層」（選択エッチング層）は、「ＡｌyＧａ1-yＡｓ（０．９≦ｙ≦１．０）」であって、組成比がｙ＝１．０の場合において本願補正発明と一致するところ、引用刊行物１の、「選択エッチング層として
アルミニウム砒素層
ＡｌＡｓ
　
　ウ　相違点３について
　引用発明は、「剥離層」（選択エッチング層）の厚さが、「１００〜１０００Å」（すなわち、「１０ｎｍ〜１００ｎｍ」）であるところ、引用刊行物には、「この膜厚は、図１（ｂ）に示すメサ領域の幅Ｗが広い程、厚く設定しないと、後に示す選択エッチングが困難となる。たとえばメサ領域の幅Ｗが１００μｍの時は、２００Å以上で選択エッチングが可能となる。」（上記（１）ア（ウ）【００２２】を参照。ここで、「２００Å」は「２０ｎｍ」である。）ことも記載されており、引用発明において、剥離層の厚さを、「２０ｎｍ以上１００ｎｍ未満」の範囲内で適宜設定し、相違点３に係る本願補正発明の特定事項となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願補正発明において、剥離層の厚さを、「２０ｎｍ以上１００ｎｍ未満」としたことに、設計的事項の域を超えるような格別の臨界的意義は見いだせない。
　
（４）小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年５月６日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１の記載は、上記第２の１において、補正前のものとして示したとおりのものである（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
２　引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布された刊行物である、引用刊行物１ないし３の記載事項及び引用発明は、上記第２の２（１）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記第２の１によれば、本願補正発明は、本願発明を減縮したものと認められる。
　そして、上記第２の２（２）ないし（３）で検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。