Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月12日(2006.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上表面上にあり、両側面および上表面を有するゲート電極であって、このゲート電極と前記半導体基板との間にゲート絶縁層が設けられているゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の半導体基板中のソース／ドレイン領域と、
前記ゲート電極の前記両側の絶縁側壁スペーサと、
前記ソース／ドレイン領域上および前記ゲート電極の上表面上の、ニッケル拡散を防止する層である窒素を含む拡散調整層と、
前記窒素を含む拡散調整層上のニッケルシリサイド層と、を有しており、
前記窒素を含む拡散調整層は、窒化したチタンシリサイド、窒化したチタンシリサイドおよび窒化したニッケルシリサイドの混合物、窒化したタンタルシリサイド、または窒化したタンタルシリサイドおよび窒化したニッケルシリサイドの混合物を含む、
半導体デバイス。
【請求項２】
前記窒素を含む拡散調整層は、約１０Åから約５０Åの厚みを有する、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記窒素を含む拡散調整層の厚みと前記ニッケルシリサイド層の厚みを合わせた厚みは、約５０Åから約３００Åである、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記ゲート電極の両側面およびこのゲート電極の両側面に隣接する前記半導体基板の上表面上のシリコン酸化ライナーを含んでおり、
前記絶縁側壁スペーサは、窒化ケイ素を含んでおり、前記シリコン酸化ライナー上に形成されている、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
シリコン半導体基板の上表面上にあり、両側面および上表面を有するシリコンゲート電極であって、このゲート電極と前記半導体基板との間にゲート絶縁層が設けられているゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の両側の絶縁側壁スペーサを形成するステップと、
前記ゲート電極の前記両側の半導体基板中のソース／ドレイン領域を形成するステップと、
前記ゲート電極および前記ゲート電極の両側の半導体基板の露出面中に、窒素をイオン注入するステップと、
前記窒素が注入されたゲート電極上および前記窒素が注入された半導体基板の露出面上にチタンまたはタンタルの層をたい積するステップと、
ニッケル層を前記チタンまたはタンタルの層上にたい積するステップと、
前記ゲート電極（２２）の上表面上および前記ソース／ドレイン領域上の、ニッケル拡散を防止する層である窒素を含む拡散調整層と、前記窒素を含む拡散バリア層上のニッケルシリサイド層と、を形成すべく、熱処理するステップと、
を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項６】
１０Åから５０Åの厚みで前記窒素を含む拡散調整層を形成すべく、４００℃から６００℃の温度で熱処理するステップを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
５×１０２０から５×１０２１イオン／cm2の注入薬量および約１KeVから約５KeVの注入エネルギーで窒素をイオン注入するステップを含む、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
前記半導体基板の前記表面から約５０Åから約３００Åの深さに不純物濃度のピークを有するように、前記基板中に窒素注入領域を形成すると共に、前記ゲート電極の前記上表面から約１００Åから約３５０Åの深さに不純物濃度のピークを有するように、前記ゲート電極中に窒素注入領域を形成すべく、窒素をイオン注入するステップを含む、請求項５ないし７のいずれかの項記載の方法。
【請求項９】
１０Åから５０Åの厚みで前記チタンの層またはタンタルの層をたい積するステップを含む、請求項５ないし８のいずれかの項記載の方法。
【請求項１０】
チタンの層をたい積するステップを含んでおり、
前記窒素を含む拡散調整層は、窒化したチタンシリサイド、窒化したニッケルシリサイド、またはこれらの混合物を含む、請求項５ないし９のいずれかの項記載の方法。
【請求項１１】
タンタルの層をたい積するステップを含んでおり、
前記窒素を含む拡散調整層は、窒化したタンタルシリサイド、窒化したニッケルシリサイド、またはこれらの混合物を含む、請求項５ないし９のいずれかの項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１バス、
第２バス、及び
中間ユニットと第１側部ユニットと第２側部ユニットとを含み、前記第１及び第２バスに連結された複数のユニット、
を備え、
各々の側部ユニットが前記中間ユニットの第１バス入力に連結された第１バス出力を有し、前記中間ユニットは異なる論理値を前記第２バス上にもたらすことができる唯一のユニットである
前記中間ユニットが、各々の側部ユニットの第２バス入力に連結された第２バス出力を有し、各々の側部ユニットの前記第２バス入力は論理的に同等であり、コンバイナが該中間ユニットの前記第１バス入力及び前記第２バス出力に連結されたことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記コンバイナがＯＲゲートを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１側部ユニットが、該第１側部ユニットの前記第１バス出力に連結されたコンバイナをさらに含む併合側部ユニットであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１側部ユニットが、該側部ユニットを通じてデータを直接的に通す単純な側部ユニットであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記コンバイナが、ＯＲゲートであることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記第１側部ユニットが、該第１側部ユニットの前記第２バス入力と該第１側部ユニットの前記第２バス出力との間に連結された一方向性の中継器をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
第１バス、
第２バス、及び
中間ユニットと増幅器を有する第１側部ユニットと第２側部ユニットとを含み、前記第１及び第２バスに連結された複数のユニット、
を備え、
各々の側部ユニットが、前記中間ユニットの第１バス入力に連結された第１バス出力を有し、
前記中間ユニットが、各々の側部ユニットの第２バス入力に連結された第２バス出力と、該中間ユニットの前記第１バス入力及び前記第２バス出力に連結されたコンバイナとを有し、
前記増幅器が、前記第１側部ユニットの前記第２バス入力と該第１側部ユニットの前記第２バス出力との間に連結されたことを特徴とする装置。
【請求項８】
前記中継器及びコンバイナが、前記中間及び側部ユニットに対して同じ回路を用いることができるように、１つの回路内に一体化されたことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
各々のユニットが、装置のデータ出力に連結されたユニット入力をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
複数の第１側部ユニットから第１バスにデータを送信し、
前記第１バスから中間ユニットにデータを送信し、
前記第１バスからの、前記中間ユニット内で受け取ったデータを組み合わせて、一方向性のデータを生成し、
前記第２バス上の論理値を変えることができる唯一のユニットである前記中間ユニットから該第２バスに前記一方向性のデータを送信し、
付加的な論理作業を経由することなく、前記第２バスから複数の第２側部ユニットに前記一方向性のデータを送信する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
第１装置からのデータを送信する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
データの組合わせが、特定の第１側部ユニット及び特定の第２側部ユニットから受け取ったデータを組み合わせることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記特定の第２側部ユニットが、前記特定の第１側部ユニットと同じユニットであることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを復号化するための方法であって、入力データの複数のウィンドウを使用する、いくつかのステップを有する複数の反復を備え、１つの反復内の１つのステップの現在のウィンドウについて、
前方回帰を実行するステップであって、前記前方回帰は以前の反復の同じステップの以前のウィンドウの上位ステークからの前方状態計量ベクトルにより初期化され、１つのウィンドウは下位および上位ステークを備えるステップと、
後方回帰を実行するステップであって、前記後方回帰は、以前の反復の同じステップの次のウィンドウの前記下位ステークからの後方状態計量ベクトルにより初期化されるステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
最後に計算された前記前方状態計量ベクトルは、前記前方回帰中に前記現在のウィンドウの上位ステーク内に格納され、最後に計算された前記後方状態計量ベクトルは、前記後方回帰中に前記現在のウィンドウの前記下位ステーク内に格納されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つのステップのすべての前記ウィンドウは並行して処理されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
データを復号化するための復号器であって、前記復号化は、入力データの複数のウィンドウを使用する、いくつかのステップを有する複数の反復を備え、１つの反復内の１つのステップの現在のウィンドウについて、
前方回帰であって、前記前方回帰は以前の反復の同じステップの以前のウィンドウの上位ステークからの前方状態計量ベクトルにより初期化され、１つのウィンドウは下位および上位ステークを備える前方回帰と、
後方回帰であって、前記後方回帰は、以前の反復の同じステップの次のウィンドウの前記下位ステークからの後方状態計量ベクトルにより初期化される後方回帰とを実行するための、計算ユニットを備えることを特徴とする復号器。
【請求項５】
入力データを受信するように適合された受信器であって、前記入力データは請求項４に記載の復号器によって処理される受信器。
【請求項６】
受信器のためのコンピュータ・プログラム製品であって、前記受信器にロードされるとき、前記受信器に、請求項１から３に記載の方法を実行させる命令のセットを備えるコンピュータ・プログラム製品。
【請求項７】
コンピュータのためのコンピュータ・プログラム製品であって、前記コンピュータにロードされるとき、データを復号化するために、入力データの複数のウィンドウを使用する、いくつかのステップを有する複数の反復を備え、１つの反復内の１つのステップの現在のウィンドウについて、
前方回帰を実行するステップであって、前記前方回帰は以前の反復の同じステップの以前のウィンドウの上位ステークからの前方状態計量ベクトルにより初期化され、１つのウィンドウは下位および上位ステークを備えるステップと、
後方回帰を実行するステップであって、前記後方回帰は、以前の反復の同じステップの次のウィンドウの前記下位ステークからの後方状態計量ベクトルにより初期化されるステップとを、前記コンピュータに実行させる命令のセットを備えるコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属もしくは合金が積層した誘電性基板を含む電子装置の製造方法であって、
インクジェット印刷により金属もしくは合金の選択された領域に非水耐エッチング性インクを塗布し、
耐エッチング性インクを化学線及び／又は粒子線に暴露させて重合させ、
暴露された金属もしくは合金を化学エッチングプロセスにより除去し、
次いで、重合した耐エッチング性インクをアルカリによって除去する工程を含み、
該耐エッチング性インクは実質的に溶剤不含であり、下記成分：
（A）単官能基もしくは高次官能基を含み、5〜95重量%は１種以上の単官能性モノマーである酸性基不含のアクリレート官能性モノマー：30〜90重量部；
（B）１種以上の酸性基を含むアクリレート官能性モノマー：1〜30重量部；
（C）ポリマーもしくはプレポリマー：0〜20重量部；
（D）ラジカル開始剤：0〜20重量部；
（E）着色剤：0〜5重量部；
（F）界面活性剤：0〜5重量部
を含み、該非水耐エッチング性インクは40oCにおいて30cPs（mPa.s）以下の粘度を有することを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
単官能性アクリレートモノマーの量は、成分（A）の70〜95wt%である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
成分（B）の量は、10重量部以下である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
成分（B）の量は、6重量部未満である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
成分（B）は、アクリル酸もしくはモノ-2-（メタアクリロイル）エチルフタレートである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
成分（B）は、100mg KOH/gm以上の酸価を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
耐エッチング性インク全体で30mg KOH/gmを超える酸価を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ポリマーもしくはプレポリマー（成分（C））の量は０（ゼロ）である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ラジカル開始剤の量は、0.1重量部以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
成分（A）＋（B）＋（C）＋（D）＋（E）＋（F）＝100重量部である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
誘電性基板、及び請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法によって非水耐エッチング性インク組成物で部分的に被覆されている導電性金属もしくは合金を含む電子装置。
【請求項１２】
化学線に暴露されたものである請求項１１に記載の電子装置。
【請求項１３】
印刷回路基板である請求項１１又は１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
実質的に有機溶剤不含であり、
（A）単官能基もしくは高次官能基を含み、5〜95wt%は１種以上の単官能性モノマーであ
る酸性基不含のアクリレート官能性モノマー：30〜90重量部；
（B）１種以上の酸性基を含むアクリレート官能性モノマー：1〜30重量部；
（C）ポリマーもしくはプレポリマー：0〜20重量部；
（D）ラジカル開始剤：0.1〜20重量部；
（E）着色剤：0〜10重量部；及び
（F）5重量部以下の量で存在する界面活性剤 
を含み、40℃において30 cPs（mPa.s）以下の粘度を有する、インクジェット印刷用の非水耐エッチング性インク。
【請求項１５】
実質的に有機溶剤不含であり、
（A）単官能基もしくは高次官能基を含み、5〜95wt%は１種以上の単官能性モノマーである酸性基不含のアクリレート官能性モノマー：30〜90重量部；
（B）１種以上の酸性基を含むアクリレート官能性モノマー：1〜30重量部；
（C）ポリマーもしくはプレポリマー：0〜20重量部；
（D）ラジカル開始剤：0.1〜20重量部；
（E）着色剤：0〜10重量部；及び
（F）5重量部以下の量で存在する界面活性剤
を含み、30mg KOH/gmよりも大きく120mg KOH/gm未満の酸価を有する、インクジェット印刷用の非水耐エッチング性インク。
【請求項１６】
成分（B）のアクリレート官能性モノマーの酸性基は、カルボン酸基を含む、請求項１４又は１５に記載のインク。
【請求項１７】
成分（A）＋（B）＋（C）＋（D）＋（E）＋（F）＝100重量部である、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１８】
成分（F）が0.1〜0.6重量部の界面活性剤である、請求項１４又は１５に記載のインク。
【請求項１９】
チャンバとインクとを含み、該インクは該チャンバ内に存在し、該インクは請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の耐エッチング性インクである、カートリッジ。
【請求項２０】
非水耐エッチング性インクのインクジェット印刷のための使用であって、該インクは実質的に有機溶剤不含であり、
（A）単官能基もしくは高次官能基を含み、5〜95重量%は１種以上の単官能性モノマーである酸性基不含のアクリレート官能性モノマー：30〜90重量部；
（B）１種以上の酸性基を含むアクリレート官能性モノマー：1〜30重量部；
（C）ポリマーもしくはプレポリマー：0〜20重量部；
（D）ラジカル開始剤：0〜20重量部；
（E）着色剤：0〜5重量部；及び
（F）界面活性剤：0〜5重量部
を含み、該非水耐エッチング性インクは40oCにおいて30cPs（mPa.s）以下の粘度を有することを特徴とする、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）イオン交換比（ＩＸＲ）が少なくとも約１７であり、第１の表面と第２の表面とを有する固体フッ素化ポリマー電解質膜と、
（ｂ）固体ポリマー電解質膜の第１および第２の表面の各々の上に存在する少なくとも１つの触媒層とを含んでなるダイレクトメタノール燃料電池であって、燃料電池が、６０℃未満の温度で作動され、同じ厚さを有しかつイオン交換比（ＩＸＲ）が約１５である固体フッ素化ポリマー電解質膜を含んでなる燃料電池に対して、メタノールクロスオーバ率が、少なくとも約２０％だけ低減され、電力出力が、約１５％に等しいかまたは約１５％まで増加されるダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項２】
ＩＸＲが１７から２９である請求項１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項３】
温度が約５０から約５５℃である請求項１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項４】
電力出力が約５から約１５％だけ増加される請求項１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項５】
膜の厚さが１７５μであり、ＩＸＲが２３であり、メタノールクロスオーバ率が６０％だけ低減される請求項１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項６】
固体フッ素化ポリマー電解質膜がペルフルオロ化ポリマーである請求項１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項７】
ペルフルオロ化ポリマーが、炭素主鎖と、式−（ＯＣＦ2ＣＦＲf）a−ＯＣＦ2ＣＦＲ'fＳＯ3Ｙ（式中、ＲfおよびＲ'fは独立してＦ、Ｃｌ、または１から１０の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基から選択され、ａ＝０、１、または２であり、ＹはＨ、アルカリ金属、またはＮＨ4である）で表される少なくとも１つの側鎖とを含んでなる請求項６に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項８】
ペルフルオロ化ポリマーが、炭素主鎖と、式−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3Ｈで表される少なくとも１つの側鎖またはその塩とを含んでなる請求項６に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【請求項９】
ポリマーのＩＸＲが約１７から約２９である請求項７に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施例３
ＩＸＲ＝２３（１５００のＥＷ）を有する６．０ミルのナフィオン（登録商標）膜を、図１に示されたタイプの膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）を使用する電池の燃料電池性能およびメタノールクロスオーバについて評価した。上述されたように調製された触媒コーティングされた膜（ＣＣＭ）を、Ｐｔ−Ｒｕ黒電極側に面する平織りのゾルテック（Ｚｏｌｔｅｋ）カーボンクロス（ミズーリ州セント・ルイスのゾルテック・コーポレイション（Ｚｏｌｔｅｋ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ  Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から購入される）およびＰｔ黒電極側のマサチューセッツ州ナティックのＥ−テクから購入されるＥＬＡＴ（商標）カーボンクロス（片側にコーティングされ、かつ触媒層に面する微孔性層）とともに、単電池ハードウェア（ニューメキシコ州ロスアラモスのフュール・セル・テクノロジーズから購入される）に緩く取付けた。１Ｍ  ＭｅＯＨ（２５ｃｃ／分）をアノード側に供給し、３０００ｃｃ／分の空気をカソードチャンバ内に供給し、電池を上述されたテスト装置内で６０℃に加熱した。性能を、実施例１で詳述されたように記録し、これは、図４に示されている。膜（６ミル、ＩＸＲ＝２３、１５００ＥＷ）は、ナフィオン（登録商標）Ｎ１１７膜と比較して、メタノールクロスオーバを低減するが、６０℃におけるより高い膜抵抗の結果として、劣った電力密度を提供する。
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  （ａ）イオン交換比（ＩＸＲ）が少なくとも約１７であり、第１の表面と第２の表面とを有する固体フッ素化ポリマー電解質膜と、
（ｂ）固体ポリマー電解質膜の第１および第２の表面の各々の上に存在する少なくとも１つの触媒層とを含んでなるダイレクトメタノール燃料電池であって、燃料電池が、６０℃未満の温度で作動され、同じ厚さを有しかつイオン交換比（ＩＸＲ）が約１５である固体フッ素化ポリマー電解質膜を含んでなる燃料電池に対して、メタノールクロスオーバ率が、少なくとも約２０％だけ低減され、電力出力が、約１５％に等しいかまたは約１５％まで増加されるダイレクトメタノール燃料電池。
２．  ＩＸＲが１７から２９である上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
３．  ＩＸＲが１９から２３である上記２に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
４．  ＩＸＲが２３である上記３に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
５．  温度が約５０から約５５℃である上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
６．  温度が約４０から約５０℃である上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
７．  温度が約２０から約４０℃である上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
８．  電力出力が約５から約１５％だけ増加される上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
９．  電力出力が約１０から約１５％だけ増加される上記８に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１０．  膜の厚さが１７５μであり、ＩＸＲが２３であり、メタノールクロスオーバ率が６０％だけ低減される上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１１．  膜の厚さが２５０μであり、前記ＩＸＲが２３であり、メタノールクロスオーバ率が７５％だけ低減される上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１２．  固体フッ素化ポリマー電解質膜がペルフルオロ化ポリマーである上記１に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１３．  ペルフルオロ化ポリマーが、炭素主鎖と、式−（ＯＣＦ2ＣＦＲf）a−ＯＣＦ2ＣＦＲ'fＳＯ3Ｙ（式中、ＲfおよびＲ'fは独立してＦ、Ｃｌ、または１から１０の炭素原子を有するペルフルオロ化アルキル基から選択され、ａ＝０、１、または２であり、ＹはＨ、アルカリ金属、またはＮＨ4である）で表される少なくとも１つの側鎖とを含んでなる上記１２に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１４．  ペルフルオロ化ポリマーが、炭素主鎖と、式−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3Ｈで表される少なくとも１つの側鎖またはその塩とを含んでなる上記１２に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１５．  ポリマーのＩＸＲが約１７から約２９である上記１３に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１６．  ポリマーのＩＸＲが約１７から約２９である上記１４に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
１７．  ポリマーのＩＸＲが約２３である上記１５に記載のダイレクトメタノール燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
起動制御を有するオシレータであって、
レイジング媒体と、
該レイジング媒体からのレーザビームを誘導するレーザポンピングソースであって、該レーザビームは、ある経路に沿って配向されている、レーザポンピングソースと、
該レーザビームをモニタリングするモードロック検出デバイスと、
該モードロック検出デバイスに接続された処理ユニットであって、該処理ユニットは、モードロック状態を検出するように構成されている、処理ユニットと、
該処理ユニットおよびレーザポンピングソースに接続されたオーバードライブ回路であって、該オーバードライブ回路は、オシレータのモードロッキングを開始するために該レーザポンピングソースに電流を提供するように構成されている、オーバードライブ回路と
を備える、起動制御を有するオシレータ。
【請求項２】
前記モードロック検出デバイスは、フォトディテクタである、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項３】
前記フォトディテクタは、フォトダイオード、フォトマルチプライア、または、フォトトランジスタのいずれか１つである、請求項２に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項４】
前記モードロック検出デバイスは、スペクトロメータ、スペクトルアナライザ、周波数ダブリング検出器、非線形強度検出器、または、オートコリレータのいずれか１つである、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項５】
前記レイジング媒体は、Ｎｄ：ガラスから構成されている、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項６】
前記レーザポンピングソースは、ダイオード、レーザ、または、アークランプのいずれか１つである、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項７】
前記レーザビームは、連続的に繰り返すピコ秒範囲内の短い光パルスの列から形成されている、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項８】
前記レーザビームは、連続的に繰り返すフェムト秒範囲内の短い光パルスの列から形成されている、請求項１に記載の起動制御を有するオシレータ。
【請求項９】
オシレータのモードロックの方法であって、
（ａ）ある期間の間にオシレータにオーバードライブ電流を提供し、モードロックを開始するステップと、
（ｂ）レーザオシレータへの該オーバードライブ電流を該レーザオシレータの通常の動作電流まで低減させるステップと、
（ｃ）該オシレータを周期的にモニタリングして、該オシレータがモードロックされているかを決定するステップと
を包含する、方法。
【請求項１０】
（ｄ）ステップ（ｃ）において前記オシレータがモードロックされていない場合に、ステップ（ａ）〜（ｃ）を実行するステップをさらに包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
（ｄ）オシレータがモードロックされていない場合に、エラー信号を生成するステップをさらに包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記オシレータは、
レイジング媒体と、
該レイジング媒体からのレーザビームを誘導するレーザポンピングソースであって、該レーザビームは、ある経路に沿って配向されている、レーザポンピングソースと、
該レーザビームをモニタリングするモードロック検出デバイスと、
該モードロック検出デバイスに接続された処理ユニットであって、該処理ユニットは、モードロック状態を検出するように構成されている、処理ユニットと、
該処理ユニットおよびレーザポンピングソースに接続されたオーバードライブ回路であって、該オーバードライブ回路は、オシレータのモードロッキングを開始するために該レーザポンピングソースに電流を提供するように構成されている、オーバードライブ回路と
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記モードロック検出デバイスは、フォトディテクタである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記フォトディテクタは、フォトダイオード、フォトマルチプライア、または、フォトトランジスタのいずれか１つである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記モードロック検出デバイスは、スペクトロメータ、スペクトルアナライザ、周波数ダブリング検出器および非線形強度検出器、または、オートコリレータのいずれか１つである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記レイジング媒体は、Ｎｄ：ガラスから構成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザポンピングソースは、ダイオード、レーザ、または、アークランプのいずれか１つである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記レーザビームは、連続的に繰り返すピコ秒範囲内の短い光パルスの列から形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記レーザビームは、連続的に繰り返すフェムト秒範囲内の短い光パルスの列から形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記レーザポンピングソースは、ダイオード、レーザ、または、アークランプのいずれか１つである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月11日(2006.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数のインターフェース信号に結合された、選択可能な消費電力を有する少なくとも１つのインターフェース回路と、
前記少なくとも１つのインターフェース回路に結合された、選択信号を受信するための選択入力と、を含み、
前記選択入力の論理状態によって前記１つまたは複数のインターフェース回路の複雑さのレベルが選択され、
前記少なくとも１つのインターフェース回路は受信機回路を有し、前記受信機回路は前記選択入力に結合され前記１つまたは複数のインターフェース信号を処理するためのサンプル・メモリを有し、前記サンプル・メモリは選択可能なアクティブ・サイズを有し、前記選択可能なアクティブ・サイズは前記選択入力の前記論理状態に合わせて選択される、
電子デバイスを相互接続するためのトランシーバ。
【請求項２】
少なくとも１つのインターフェース回路に結合された選択入力で選択信号を受信するステップと、
前記受信に応答して、前記選択入力の論理状態が前記受信機の複雑さを選択するステップと、
選択可能なアクティブ・サイズを有するサンプル・メモリ内で１つまたは複数のインターフェース信号を処理するステップと、
を有し、
前記選択可能なアクティブ・サイズは前記選択入力の前記論理状態に合わせて選択される、
インターフェース・トランシーバにおいて消費電力を制御するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
したがって本発明は、第１の態様において、１つまたは複数のインターフェース信号に結合された、選択可能な消費電力を有する少なくとも１つのインターフェース回路と、当該少なくとも１つのインターフェース回路に結合された、選択信号を受信するための選択入力とを含む、電子デバイスを相互接続するためのトランシーバを提供するものである。ここで、１つまたは複数のインターフェース回路の複雑さのレベルは選択入力の論理状態によって選択される。また、少なくとも１つのインターフェース回路は受信機回路を含む。受信機回路は、選択入力に結合され１つまたは複数のインターフェース信号を処理するためのサンプル・メモリを有し、当該サンプル・メモリは選択可能なアクティブ・サイズを有し、当該選択可能なアクティブ・サイズは選択入力の論理状態に合わせて選択される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
したがって本発明は、第２の態様において、少なくとも１つのインターフェース回路に結合された選択入力で選択信号を受信するステップと、受信に応答して選択入力の論理状態が、選択可能なアクティブ・サイズを有するサンプル・メモリ内で１つまたは複数のインターフェース信号を処理する受信機の複雑さを選択するステップとを含む、インターフェース・トランシーバにおいて消費電力を制御するための方法を提供するものである。ここで、選択可能なアクティブ・サイズは選択入力の論理状態に合わせて選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
受信機または送信機あるいはその両方の特徴は、選択入力に応答して調整可能であり、トランシーバの消費電力および複雑さをインターフェース要件に合わせて調節することができる。送信機の電力またはイコライゼーション・フィルタリングあるいはその両方は、インターフェース条件が許せば低減させることができる。受信機ウィンドウの幅、位相補正の解像度、エラー訂正の深さ、およびイコライゼーション・フィルタ・サイズ、ならびにサンプル・メモリ・サイズはすべて、消費電力および複雑さを低減するように調整することができる。選択プロセスは、論理接続、レジスタ・ビットによって、またはインターフェース品質測定回路からの信号を介して、プログラム可能である場合がある。リモート・トランシーバも、制御信号をリモート・トランシーバに送信することによって、インターフェースの他方の端で電力管理することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水性メッキ抵抗性インキを、導電性金属（１種または２種以上）により任意に積層されていてよい誘電体基板の選択された領域にインキジェット印刷によって適用し、そのメッキ抵抗性インキを化学線および／または粒子ビーム線に曝露して重合を生じさせ、１つまたは２つ以上の金属層を電解析出法または無電解析出法によって追加し、ここでその上層はエッチ抵抗性金属（１種または２種以上）であり、上記の重合したメッキ抵抗性インキをアルカリにより除去し、最後に上記誘電体基板に任意に直接積層されており、そしてエッチ抵抗性金属（１種または２種以上）の上層によって保護されていない上記導電性金属（１種または２種以上）を化学エッチングによって除去することを含む電子デバイスの製造方法であって、上記メッキ抵抗性インキが実質的に溶媒を含まず、そして
Ａ）３０〜９０部の、酸基を含まない、一またはそれ以上の官能価を含むアクリレート官能性単量体であって、５〜９５重量％が一官能性単量体である上記アクリレート官能性単量体；
Ｂ）１〜３０部の、１個または２個以上の酸基を含むアクリレート官能性単量体；
Ｃ）０〜２０部のポリマーまたはプレポリマー；
Ｄ）０〜２０部のラジカル開始剤；
Ｅ）０〜５部の着色剤；
Ｆ）０〜５部の界面活性剤
を含み、ここで上記インキは４０℃において３０ｃＰ（mPa）以下の粘度を有し、また全ての部数は重量によるものである上記の製造方法。
【請求項２】
一官能性アクリレート単量体の量が成分Ａ）の７０重量％以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
成分Ｂ）の量が１〜１０重量部である、請求項１または請求項２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
成分Ｂ）の量が３重量部以上である、請求項１〜２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
成分Ｂ）がアクリル酸またはモノ−２−（メタアクリロイル）エチルフタレートである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ラジカル開始剤がＵＶ光で活性化される光開始剤である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
インキが２０〜４０ｍＮ／ｍの表面張力を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
インキの粘度が４０℃において８〜２０ｃＰ（mPa）である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
成分Ｂ）がKOH１００ｍｇ／ｇ以上の酸価を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
エッチ抵抗性インキ全体がKOH３０ｍｇ／ｇｍより大きい酸価を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
成分Ｃ）の量がゼロである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ラジカル開始剤の量が０．１部以上である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
誘電体基板が導電性金属により積層される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
導電性金属が銅である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
金属層（１層または２層以上）が電解析出法によって析出される、請求項１３または請求項１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
金属層（１層または２層以上）が銅、ニッケル、錫／鉛、銀、パラジウムまたは金である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
成分Ａ）＋Ｂ）＋Ｃ）＋Ｄ）＋Ｅ）＋Ｆ）の部数＝１００である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電導性金属回路を含む誘電性基材に有機溶媒を実質的に含まない非水性ソルダーマスクインクを施す工程、ソルダーマスクインクを化学線の放射及び／又は粒子ビーム放射に曝露する工程、場合によって行ってもよい熱処理工程、を含む電子デバイスの製造方法であって、ソルダーマスクインクがコンピュータの制御下でインクジェット印刷によって基材の選ばれた領域に施され、ソルダーマスクインクは以下の成分：
（Ａ）３０〜９０部のアクリレート官能性の単量体であって、５〜９５重量％の１種以上の一官能性単量体を含む１以上のアクリレート官能性の単量体；
（Ｂ）０．１〜３０部の金属接着促進性有機化合物；
（Ｃ）０〜３０部の開始剤；
（Ｄ）０〜１０部のポリマー及び／又はプレポリマー；
（Ｅ）０〜５部の着色剤；
（Ｆ）０〜５部の界面活性剤；
を含み、全ての部は重量基準である、方法。
【請求項２】
ソルダーマスクインクの粘度が４０℃で８〜２０ｃＰｓ（ｍＰａ．ｓ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アクリレート官能性単量体の重量平均分子量が２，０００以下である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
アクリレート官能性単量体がイソボルニルアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート又はトリメチロールプロパンエトキシレートトリアクリレートである、請求項１〜３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
一官能性アクリレート単量体の量がアクリレート官能性単量体（成分（Ａ））の７０〜９５重量％である、請求項１〜４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
接着促進剤がアクリレート官能性単量体である、請求項１〜５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
接着促進剤が金属キレート性基を含み、カルボン酸である、請求項１〜６の何れかに記載の方法。
【請求項８】
接着促進剤が（メタ）アクリル酸である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
接着促進剤が（メタ）アクリル酸を含むプロピレングリコールテトラアクリレートである、請求項１〜８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
接着促進剤が１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下の酸価を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
接着促進剤の量が１５重量部以下である、請求項１〜１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】
電子デバイスが印刷回路基板である、請求項１〜１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】
ソルダーマスクインクが３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下の酸価を有する、請求項１〜１２の何れかに記載の方法。
【請求項１４】
開始剤の量が５部以上である、請求項１〜１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】
成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）の合計部数が１００である、請求項１〜１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
以下の成分：
（Ａ）３０〜９０部のアクリレート官能性の単量体であって、５〜９５重量％の１種以上の一官能性単量体を含む１以上のアクリレート官能性の単量体；
（Ｂ）０．１〜３０部の金属接着促進性有機化合物；
（Ｃ）５〜３０部の開始剤；
（Ｄ）０〜１０部のポリマー及び／又はプレポリマー；
（Ｅ）０〜５部の着色剤；
（Ｆ）０〜５部の界面活性剤；
を含む有機溶媒を実質的に含まない非水性ソルダーマスクインクであって、該インクは４０℃で３０ｃＰｓ（ｍＰａ．ｓ）以下の粘度を有し、全ての部は重量基準である、インク。
【請求項１７】
以下の成分：
（Ａ）３０〜９０部のアクリレート官能性の単量体であって、５〜９５重量％の１種以上の一官能性単量体を含む１以上のアクリレート官能性の単量体；
（Ｂ）０．１〜３０部の１以上のカルボン酸基を含み、１２０ｍｇＫＯＨ／ｇｍ以下の酸価を有する金属接着促進性有機化合物；
（Ｃ）５〜３０部の開始剤；
（Ｄ）０〜１０部のポリマー及び／又はプレポリマー；
（Ｅ）０〜５部の着色剤；
（Ｆ）０〜５部の界面活性剤；
を含む有機溶媒を実質的に含まない非水性ソルダーマスクインクであって、該インクは４０℃で３０ｃＰｓ（ｍＰａ．ｓ）以下の粘度を有し、全ての部は重量基準である、インク。
【請求項１８】
以下の成分：
（Ａ）３０〜９０部のアクリレート官能性の単量体であって、５〜９５重量％の１種以上の一官能性単量体を含む１以上のアクリレート官能性の単量体；
（Ｂ）０．１〜３０部の１以上のカルボン酸基を含む金属接着促進性有機化合物；
（Ｃ）５〜３０部の開始剤；
（Ｄ）０〜１０部のポリマー及び／又はプレポリマー；
（Ｅ）０〜５部の着色剤；
（Ｆ）０〜５部の界面活性剤；
を含む有機溶媒を実質的に含まない非水性ソルダーマスクインクであって、該ソルダーマスクインク全体の酸価は３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、全ての部は重量基準である、インク。
【請求項１９】
成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）の合計部数が１００である、請求項１６〜１８の何れかに記載のインク。
【請求項２０】
チャンバー及びインクを含むインクジェットプリンター用カートリッジであって、インクがチャンバー内にあり、インクが請求項１６〜１９の何れかに記載のソルダーマスクインクである、カートリッジ。
【請求項２１】
請求項１〜１５の何れかに記載の方法によって得られる電子デバイス。
【請求項２２】
誘電性基材及び導電性回路を備える電子デバイスの製造のための請求項１６〜１９の何れかに記載のソルダーマスクインクの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
メディア・コンテンツに関する前記情報は、チャネルIDまたはプログラムIDと、メタデータ、トピック、スタイル、ジャンル、カテゴリ、タイプ、継続時間、タイトル、開始および終了の少なくとも一つとを備えることを特徴とする、請求項1から3のいずれか１つに記載の関心プロファイルの適合化方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
また、本発明の例示的な態様に係り、プラスチック材料からなるシートと、
ポリビニルピリジン、ビニルピリジンとスチレンとの共重合体、並びにポリエチレンメタクリル酸の共重合体からなるグループから選択されたポリマーを備えた下層を有する前記シートのコーティングと、
上層と
を具備する熱転写シートが提供される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明の例示的な態様において、前記下層は、ポリビニルピリジン、ビニルピリジン−コ−スチレン、並びにポリエチレンメタクリル酸の共重合体からなるグループから選択されたポリマーを有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この関連において、疲労および刻印誘起因子にメモリ・セルがさらされてきた記録に関して、そのメモリに対するアドレス指定の履歴を確立すること、および／または１個または複数個の基準セルまたは基準セルの対からおよび／またはマトリックスの中の１個または複数個のメモリ・セルまたはメモリ・セルの対からダイナミックな電荷レスポンス情報を取得すること、および予め定められた検出基準および／または１個または複数個の電圧パルスの特性を調整するために取得された電荷レスポンス情報を確立することが好ましい。ここでアドレス指定の履歴は、特定のメモリ・セルまたは特定のメモリ・セルの群に対する書込みサイクルおよび／または読出しサイクルの積算された数および／または刻印時間を含むことができる。またはダイナミックな電荷レスポンス情報は、メモリ・セルのそれまでの電荷レスポンスの振舞いの記録に関する情報を含むことができる。この時また、マトリックスの中の少なくとも１対の基準セルから、対のおのおのの中の１つのセルが論理値０を表しそして他の１つのセルは論理値１を表すダイナミックな電荷レスポンス情報が取得されることが好ましい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
制御基準がダイナミックな電荷レスポンス情報に基づいている本発明による方法の１つの実施例では、１個または複数個の前記電圧パルスの少なくとも１つが可変長のステップ電圧パルスで前記長さが前記制御回路デバイスによって制御されることが利点であり、および／またはメモリ・デバイスの寿命にわたっての種々の時点において論理値「０」および論理値「１」をそれぞれ表すセルの中の電荷レスポンスのプラト値σSATURATIONおよびσBACKGROUNDを前記制御回路デバイスが記録することが利点であり、および／または前記マトリックスの中の前記メモリ・セルの論理状態に関する決定のためにσTH＝（σSATURATION＋σBACKGROUND）／２の大きさの閾値を前記制御回路デバイスが発生することが利点である。また別の実施例では、メモリ・アレイの中のランダムに選択された位置において選定された１群のメモリ・セルのダイナミックな電荷レスポンスを記録することから取得された電荷レスポンス情報を制御回路デバイスが用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ｒ’が、ＣＨ2ＯＨを表し、そしてＲ’’が、Ｃ5Ｈ11又は１’，１’−ジメチルヘプチル（ＤＭＨ）を表す一般式Ｉの化合物の調製のための特定の方法は：
ａ．ＣＢＤ又はそのジメチルヘプチル同族体を、ヨウ化メチル及び炭酸カリウムとＤＭＦ中で反応させ；
ｂ．得られたジメチルエーテルを、３−クロロ安息香酸と反応させて、対応するエポキシドを得て；
ｃ．得られたエポキシドを、メチルマグネシウムＮ−シクロヘキシル−イソプロピルアミドとトルエン中で反応させ；
ｄ．工程ｃで得られた化合物をアセチル化し；
ｅ．得られたアセチル化物を、臭化ｔ−ブチルジメチルシリルと反応させ；
ｆ．得られた臭化物を、（ｎＢｕ）4ＮＨ4ＯＡｃとアセトン中で反応させて、アリルアセテートジエーテルを得て；そして
ｇ．得られたエーテルを、水酸化ナトリウム溶液中で加熱し；そして
ｈ．得られた化合物を、ヨウ化メチルマグネシウムと加熱して、必要とする化合物を得ること；
を含んでなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
実施例２０
（３Ｒ，４Ｒ）−３−［２，６−ジアセトキシ−４−（１’，１’ジメチルヘプチル）フェニル］−２−アセトキシ−４−イソプロペニル−１−メチレンシクロヘキサン（１２ｂ）
（１２ａ）に対して報告したと同じ手順で調製した。
【化２２】
2004503498.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
実験のもう一つの系列において、先に記載した化合物、特にカンナビジオール−７−酸（３ａ）及びカンナビジオール−ＤＭＨ−７−酸（３ｂ）が、ｉｎ  ｖｉｔｒｏにおいて、マウスのマクロファージ及び単球細胞系ＲＡＷ２６４．７によるＴＮＦαの生産を９０％まで阻害することが見出された。阻害は、投与量依存（１０μｇ−０．００１μｇ／ｍｌ）である。結果の表は、以下の表Ａ及びＢに添付する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【表１】
2004503498.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【表２】
2004503498.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
この抗ＴＮＦα効果は、更にｉｎ  ｖｉｖｏでも見られる。高水準のＴＮＦαが、５ｍｇ／ｋｇ／マウスのリポ多糖（ＬＰＳ）の腹膜内注射の後、マウスの血清に現れる。０．５及び５ｍｇ／ｋｇの二つの異なった投与量のカンナビジオール−ＤＭＨ−７−酸（３ｂ）のＬＳＰとの同時投与は、血清のＴＮＦα水準を抑制する。０．５ｍｇ／ｋｇの低い投与量において、ＴＮＦα水準の８０％の抑制が観察された。同様な効果は、本明細書中に記載された他の化合物でも観察された。例えば７−ヒドロキシ−ＣＢＤ（２ａ）は、腹膜内の１０μｇ／ｋｇの投与量で、マウスの血清のＴＮＦαを抑制（３０％）した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上記の化合物、特に７−ヒドロキシ−カンナビジオール（２ａ）及び７−ヒドロキシ−カンナビジオール−ＤＭＨ（２ｂ）は、更にマウスのマクロファージによる酸化窒素（ＮＯ）発生を顕著に阻害（９０％まで）する。
化学発光によって分析された、マクロファージによる酸素ラジカル中間体（ＲＯＩ）発生は、細胞がカンナビジオール−７−酸（３ａ）及びカンナビジオール−ＤＭＨ−７−酸（３ｂ）と共にインキュベートされた場合、殆んど全ての阻害（９５％まで）を証明した。結果の表は、以下の表Ｃに添付される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表３】
2004503498.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
抗癌効果
本明細書中に記載されたカンナビジオール及びカンナビジオール−ＤＭＨ−７−酸（３ｂ）のような他の化合物が、ヒトＨＬ−６０前骨髄球白血病細胞における、高い速度のプログラムされた細胞死（アポトーシス）を起こすことが見出された。アポトーシスは、カンナビノイド投与量依存（０．１μｇ／ｍｌないし８μｇ／ｍｌ）であった。更に、ＨＬ−６０細胞がγ線（８００ラド）に照射され、そしてカンナビジオール及び／又は記載された他の化合物で処理された場合、８５％のアポトーシスまで達する非常に顕著な相互作用が見られた。使用された方法、即ち蛍光Ｈｏｅｃｈｓｔ３３２５８系による決定、は、Ｔ．Ｒ．Ｃｈｅｎ（Ｃｅｌｌ  Ｒｅｓ．１０４，２５５−２６２，１９７７）によって記載されている。結果の表は、以下の表Ｄに添付されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表４】
2004503498.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月1日(2006.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  複数の円筒形物品を収容するための完全閉鎖ラップアラウンドカートンであって、
（ａ）側部および端部を備えた底パネルを含み、該底パネルは、各側部で前記底パネルから垂直に立ち上がった下側部パネルにつながっており、該下側部パネルは、端部および上側部を有し、該上側部は、端部および側部を有する頂部パネルにつながった頂縁部および端部を有する傾斜上側部パネルにつながっており、さらに、
（ｂ）前記頂部パネルの端部に折り曲げ可能につながった頂端部フラップと、前記頂部パネル、前記傾斜上側部パネルおよび前記頂端部フラップの交点によって形成されたコーナーから発散する１対の三角パネルを介して前記傾斜上側部パネルの端部に折り曲げ可能につながった上端部フラップとによって形成されている、前記頂部パネルの各端部に隣接した頂端部蓋体を含み、前記フラップは、固定手段によって互いに固定されて前記蓋体を形成しており、さらに、
（ｃ）前記底パネルの端部に折り曲げ可能につながった底端部フラップと、前記底パネル、前記下側部パネルおよび前記底端部フラップの交点によって形成されたコーナーから発散する１対の三角パネルを介して前記下側部パネルの端部に折り曲げ可能につながった下端部フラップとによって形成されている、前記底パネルの各端部に隣接した底端部蓋体を含み、前記フラップは、固定手段によって互いに固定されて前記蓋体を形成しているカートン。