【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カップリング剤の存在下でＨ−ホスホネートをアルコールと溶液相カップリングさせることによりＨ−ホスホネートジエステルを形成させ、このＨ−ホスホネートジエステルをイオウ転移剤とｉｎ  ｓｉｔｕで反応させ、ホスホロチオエートトリエステルを産生することを含む、ホスホロチオエートトリエステルの製造方法。
【請求項２】  Ｈ−ホスホネートが、３’−Ｈ−ホスホネート官能基を含んでなる保護されたヌクレオシド又はオリゴヌクレオチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  アルコールが、フリーの５’−ヒドロキシ官能基を含んでなる保護されたヌクレオシド又はオリゴヌクレオチドである、請求項１及び請求項２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】  カップリング剤が（ＡｒＯ）2ＰＯＣｌなる式のジアリールホスホロクロリデート（ここで、Ａｒはフェニル、２−クロロフェニル、２，４，６−トリクロロフェニル又は２，４，６−トリブロモフェニルである）である、請求項１〜３に記載の方法。
【請求項５】  イオウ転移剤が以下の一般化学式を有し：
【化１】
2001515086.tif 000001
ここで、Ｌがモルホリン−３、５−ジオン、フタルイミド、スクシンイミド、マレイン酸イミド又はインダゾールから選択される脱離基を表し、Ａが４−ハロフェニル基、４−アルキルフェニル基、メチル基、ベンジル基、アルキルベンジル基、ハロベンジル基、アリル基、クロチル基、２−シアノエチル基又は２−（４−ニトロフェニル）エチル基を表す、請求項１〜４に記載の方法。
【請求項６】  以下の一般的化学式を有するＨ−ホスホネート：
【化２】
2001515086.tif 000002
ここで、
各Ｂは、Ａ、Ｇ、Ｔ、Ｃ又はＵから独立して選択される塩基であり；
各Ｑは独立してＨ又はＯＲ’であって、Ｒ’はアルキル、置換されたアルキル、アルケニル又は保護基であり；
各Ｒは独立してアリール、メチル、置換されたアルキル又はアルケニル基であり；
Ｗは、Ｈ、保護基又は以下の式のＨ−ホスホネート基であり、
【化３】
2001515086.tif 000003
ここでＭ+は１価カチオンであり；
各Ｘは独立してＯ又はＳを表し；
各Ｙは独立してＯ又はＳを表し；
ＺはＨ、保護基又は以下の式のＨ−ホスホネート基であり、
【化４】
2001515086.tif 000004
ここでＭ+は１価カチオンであり；及び
ｎは整数であり且つ最小でも２である；
ただし、ＷがＨ又は保護基であるときはＺがＨ−ホスホネート基であり、ＺがＨ又は保護基であるときはＷがＨ−ホスホネート基である。
【請求項７】  以下の一般的化学式を有するＨ−ホスホネート：
【化５】
2001515086.tif 000005
ここで、
各Ｂは、Ａ、Ｇ、Ｔ、Ｃ又はＵから独立して選択される塩基であり；
各Ｑは独立してＨ又はＯＲ’であって、Ｒ’はアルキル、置換されたアルキル、アルケニル又は保護基であり；
各Ｒは独立してアリール、メチル、置換されたアルキル又はアルケニル基であり；
Ｗは、Ｈ、保護基又は以下の式のＨ−ホスホネート基であり、
【化６】
2001515086.tif 000006
ここでＭ+は１価カチオンであり；
各Ｘは独立してＯ又はＳを表し；
各ＹはＳを表し；
ＺはＨ、保護基又は以下の式のＨ−ホスホネート基であり、
【化７】
2001515086.tif 000007
ここでＭ+は１価カチオンであり；及び
ｎは正の整数である；
ただし、ＷがＨ又は保護基であるときはＺがＨ−ホスホネート基であり、ＺがＨ又は保護基であるときはＷがＨ−ホスホネート基である。
【請求項８】  Ｗが保護基を表し、各ＸがＯを表し、各Ｒがメチル基、ベンジル基、２−シアノエチル基、置換されていないフェニル基又は４−ハロフェニル基を表し、Ｍ+がトリ（Ｃ1-4アルキルアンモニウム）イオンを表し、ｎが１、２又は３である、請求項７に記載のＨ−ホスホネート。
【請求項９】  フリーの３’−又は５’−ヒドロキシ官能基を含んでなるオリゴヌクレオチドをアクチベーターの存在下で、（ａ）アルキル基がハロ基で置換されているＣ1-4アルキルＨ−ホスホネート塩、又は（ｂ）置換もしくは未置換のアリールＨ−ホスホネート塩のいずれかと反応させる、３’−末端又は５’−末端Ｈ−ホスホネート基を含むオリゴヌクレオチドＨ−ホスホネートの製造方法。
【請求項１０】  フリーの３’−又は５’−ヒドロキシ官能基を含むオリゴヌクレオチドが保護されたオリゴデオキシリボヌクレオチド又はオリゴリボヌクレオチドである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  アルキル又はアリールＨ−ホスホネート塩が、フェニル、アルキルフェニル又はハロフェニルＨ−ホスホネートのアンモニウム塩である、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】  Ｗが保護基を表し、各ＸがＯを表し、各Ｒがメチル基、ベンジル基、２−シアノエチル基、置換されていないフェニル基又は４−ハロフェニル基を表し、Ｍ+がトリ（Ｃ1-4アルキルアンモニウム）イオンを表し、ｎが２又は３である、請求項６に記載のＨ−ホスホネート。
【請求項１３】  Ｈ−ホスホネートジエステル部位を含む物質を
（ａ）下記式の化合物：
【化８】
2001515086.tif 000008
（式中、Ａはアリール基、メチル基、置換されたアルキル基又はアルケニル基を表す）
（ｂ）下記式の化合物：
【化９】
2001515086.tif 000009
（式中、Ａはアリール基、メチル基、置換されたアルキル基又はアルケニル基を表す）
（ｃ）下記式の化合物：
【化１０】
2001515086.tif 000010
（式中、Ａはメチル基又はアルケニル基を表す）
からなる群より選択されるイオウ転移剤と反応させることを含む、式−Ｓ−Ａの基をＨ−ホスホネートジエステル部位に導入する方法。
【請求項１４】  イオウ転移剤は、下記式：
【化１１】
2001515086.tif 000011
の化合物から成る群より選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  請求項１３又は１４の方法により、式−Ｓ−Ａの基をＨ−ホスホネートジエステル部位に導入することを含む、オリゴヌクレオチド、オリゴヌクレオチドホスホロチオエート又は混合オリゴヌクレオチド／オリゴヌクレオチドホスホロチオエートの製造方法。
【請求項１６】  式：
【化１２】
2001515086.tif 000012
（式中、Ａはアリール基、メチル基、置換されたアルキル基又はアルケニル基を表す）
の化合物。
【請求項１７】  Ａは−Ｐｈ又は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＮを表す、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】  式：
【化１３】
2001515086.tif 000013
の化合物。
【請求項１９】  式：
【化１４】
2001515086.tif 000014
（式中、Ａはアルケニルを表す）
の化合物。
【請求項２０】  保護されたホスホロチオエートトリエステルオリゴヌクレオチドをアセンブルするアセンブリ工程と、脱保護されたホスホジエステルオリゴヌクレオチド、脱保護されたホスホロチオエートオリゴヌクレオチド又はホスホジエステル及びホスホロチオエートジエステルヌクレオチド間結合の両者を含む脱保護されたオリゴヌクレオチドが産生される脱保護工程と、を含む脱保護されたホスホジエステルオリゴヌクレオチド、脱保護されたホスホロチオエートオリゴヌクレオチド又はホスホジエステル及びホスホロチオエートジエステルヌクレオチド間結合の両者を含む脱保護されたオリゴヌクレオチドの改良された合成方法において、該アセンブリ工程は、カップリング剤の存在下で、３’−又は５’−Ｈ−ホスホネート官能基を含む保護されたヌクレオシド又はオリゴヌクレオチドＨ−ホスホネートを、フリーの３’−又は５’−ヒドロキシ官能基を含む保護されたヌクレオシド又はオリゴヌクレオチドと溶液相カップリングさせてＨ−ホスホネートジエステルを形成させ、Ｈ−ホスホネートジエステルをイオウ転移剤とｉｎ  ｓｉｔｕで反応させてホスホロチオエートトリエステルを産生することを含む、方法。
【請求項２１】  脱保護されたホスホジエステルオリゴヌクレオチド、脱保護されたホスホロチオエートオリゴヌクレオチド又はホスホジエステル及びホスホロチオエーテルジエステルヌクレオチド間結合の両者を含む脱保護されたオリゴヌクレオチドは続いて精製される、請求項２０に記載の方法。