【事件の表示】
　特願２００５−　３７１０３「反射型極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月３１日出願公開、特開２００６−２２８７６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年（２００５年）２月１５日に出願された特願２００５−３７１０３号であって、平成２２年５月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２０日付けで意見書が提出され、平成２３年５月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２４年１月２６日付けで前置報告書の内容につて請求人に事前に意見を求める審尋をなし、同年３月２７日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２３年８月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年８月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１に記載の、
　
「基板上に形成された多層膜からなる高反射部と、前記多層膜の一部の上に形成された単層膜からなる低反射部とを備える極端紫外線露光用マスクにおいて、前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して５〜１５％の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、１７５〜１８５度の位相差を有し、前記低反射部を構成する単層膜の露光波長に対する屈折率（１−δ）および消衰係数βは、屈折率（１−δ）および消衰係数βを座標軸とする平面座標において、下記の点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内にあることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。
　（０．９６，０．０１２）、（０．９４，０．０１８）、（０．９１，０．０２７）、（０．８８，０．０３０）、（０．８５，０．０３５）、（０．９６，０．０２０）、（０．９４，０．０３２）、（０．９１，０．０４７）、（０．８８，０．０５６）、（０．８５，０．０６５）」が　
　
「基板上に形成された多層膜からなる高反射部と、前記多層膜の一部の上に形成された単層膜からなる低反射部とを備える
反射型
膜厚が２５０〜９００オングストロームであり、かつ、前記単層膜の
、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む
　（０．９６，０．０１２）、（０．９４，０．０１８）、（０．９１，０．０２７）、（０．８８，０．０３０）、（０．８５，０．０３５）、（０．９６，０．０２０）、（０．９４，０．０３２）、（０．９１，０．０４７）、（０．８８，０．０５６）、（０．８５，０．０６５）」と補正された。（下線は補正箇所を示す。）
　
　そして、この補正は、
（１）「極端紫外線露光用マスク」について「反射型」であることを限定する補正事項、
（２）「低反射部を構成する単層膜」について「膜厚が２５０〜９００オングストローム」であることを限定する補正事項、及び、
（３）補正前の「点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内」にある物質として「Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む」ことを限定する補正事項からなり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正であるといえる。
　すなわち、本件補正における請求項１に係る発明の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２３年８月１７日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−１１４１７３号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原版としてのパターンが形成され軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射してこのパターンをレジスト上に縮小投影する際に使用される反射型マスクと、この反射型マスクを使用する縮小投影露光装置に関する。」
　
「【００１０】本発明の目的は、反射部に生じる陰を十分小さくするために吸収体の高さが十分低く抑えられ、かつ、具体的に好適な吸収体材料とその厚さとが特定されて容易に製造することができるハーフトーンタイプの反射型マスクを提供し、また、この反射型マスクを利用した縮小投影露光装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のリソグラフィ用反射型マスクは、原版としてのパターンが形成され光源からの軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射して露光対象に前記パターンを投影するために使用されるリソグラフィ用反射型マスクにおいて、前記パターンが、前記軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射する反射部の上に設けられた吸収体パターンで構成され、前記軟Ｘ線あるいは真空紫外線の波長をλとし、前記
吸収体パターンをなす物質の光学定数を１−δ−ｉｋ（δ,ｋは実数、ｉは虚数単位）と表わす時
　
「【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は、本発明に基づく反射型マスクの基本的な構成を示す断面図である。
【００１８】この
反射型マスクはハーフトーンタイプのものであって、基板１の一方の表面全面に多層膜からなる反射膜２が設けられ、さらに反射膜２の上に厚さｄの吸収体パターン３が形成されている。反射膜２は軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射するためのものであり、
【００１９】
軟Ｘ線あるいは真空紫外線である入射光４をこの反射型マスクに入射させると、吸収体パターン３のない部分では入射光４がそのまま反射されて反射光５として出射する。
吸収体パターン３が設けられている部分では、入射光４は減衰しながら吸収体パターン３を透過し反射膜３で反射され再び吸収体パターン３を減衰しながら透過し反射光６（図示破線）として出射する。反射光５に比べ反射光６の位相はおよそπ（３π／４〜５π／４）だけずれており、また反射光６の強度は反射光５の強度の０.００５〜０.１となっている。
　
「【００２７】図５に
波長１３ｎｍの光
各種の元素（単体）におけるδおよびｋを示す。１点鎖線は最も好ましいδとｋの関係を表わし、
波長が１３ｎｍである場合、Ｖ,Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ａｇ,Ｃｄ,Ｉｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,ランタノイド元素,Ｈｆ,Ｔａ,Ｗ,Ｒｅ,Ｏｓ,Ｉｒ,Ｐｔ,Ａｕ,Ｔｌ,Ｐｂ,Ｂｉの単体およびそれらを含む化合物や合金を用いてマスクの吸収体パターンを構成することが好ましいことが分かる。
【００２８】図５の２本の実線の外側にある物質は、単体としてはマスクの吸収体として好ましくないものであるが、Ｂ,Ｃ,Ｔｉ,Ｚｒ,Ｍｏ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｐｄを一群とする元素群からの少なくとも１つの元素と、Ｃａ,Ｍｇ,Ａｌ,Ｎｉ,Ｃｕ,Ｚｎ,Ｇａ,Ｇｅ,Ａｓ,Ｓｅ,Ｔｅを一群とする元素群からの少なくとも１つの元素とを同時に含む化合物あるいは合金は、そのδとｋが図５の２本の実線の内側にある関係を有することとなり、反射型マスクの吸収体として好ましい物質となる。例えばＭｏとＮｉの１：１（原子比）の合金は、δ＝０.０６１，ｋ＝０.０３１となり、ハーフトーンタイプのマスクに使用される吸収体として好ましい。
【００２９】
吸収体パターンの厚さｄについて、
　
ｄ＝λ／（４｜δ｜）
とすることにより、吸収体を透過し、その下にある反射膜により反射され、さらに吸収体を透過した軟Ｘ線あるいは真空紫外線の位相が、単に反射部により反射された軟Ｘ線あるいは真空紫外線の位相に対してπだけ異なることとなる。
【００３０】
　３λ／（１６｜δ｜＜ｄ＜５λ／（１６｜δ｜）
である厚さにおいても位相はほぼπだけ変化し、位相シフト型のマスクとして結像性能の向上に寄与する。」
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図５】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　【００２７】の記載から、入射光（軟Ｘ線あるいは真空紫外線）の波長が１３nmである場合、マスクの吸収パターンを構成するのに好ましい物質に「Ｍｎ」及び「Ｗ」が含まれる。そして、【図５】から「Ｍｎ」及び「Ｗ」のδの値を読み取ると、それぞれ、約０．０６２及び約０．０６であるといえる。
　上記記載（図面の記載も含む）から、引用例１には、
「基板１の一方の表面全面に多層膜からなる反射膜２が設けられ、さらに反射膜２の上に厚さｄの吸収体パターン３が形成され、反射膜２は波長１３ｎｍの光を反射するためのものである、ハーフトーンタイプの反射型マスクであって、
　波長１３ｎｍの光である入射光４をこの反射型マスクに入射させると、吸収体パターン３のない部分では入射光４がそのまま反射されて反射光５として出射し、
　吸収体パターン３が設けられている部分では、入射光４は減衰しながら吸収体パターン３を透過し反射膜３で反射され再び吸収体パターン３を減衰しながら透過し反射光６として出射し、反射光５に比べ反射光６の位相はおよそπだけずれ、また反射光６の強度は反射光５の強度の０.００５〜０.１となり、
　吸収体パターンをなす物質の光学定数を１−δ−ｉｋ（δ,ｋは実数、ｉは虚数単位）と表わす時、好ましいδとｋの関係から、波長が１３ｎｍである場合、マスクの吸収パターンを構成するのに好ましい物質として、Ｖ,Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ａｇ,Ｃｄ,Ｉｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,ランタノイド元素,Ｈｆ,Ｔａ,Ｗ,Ｒｅ,Ｏｓ,Ｉｒ,Ｐｔ,Ａｕ,Ｔｌ,Ｐｂ,Ｂｉの単体およびそれらを含む化合物や合金があり、その内の「Ｍｎ」及び「Ｗ」については、それらのδの値は、それぞれ、約０．０６２及び約０．０６であり、
　吸収体パターンの厚さｄについて、
　ｄ＝λ／（４｜δ｜）
とすることにより、吸収体を透過し、その下にある反射膜により反射され、さらに吸収体を透過した光の位相が、単に反射部により反射された光の位相に対してπだけ異なることとなるハーフトーンタイプの反射型マスク。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比及び当審の判断
ア　本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「基板１」が、本願補正発明の「基板」に相当し、引用発明の「基板１の一方の表面全面に」「設けられ」た「多層膜からなる反射膜２」が、本願補正発明の「基板上に形成された多層膜からなる高反射部」に相当し、引用発明の「反射膜２の上に」「形成され」ている「厚さｄの吸収体パターン３」が、本願補正発明の「前記多層膜の一部の上に形成された単層膜からなる低反射部」に相当し、また、引用発明の「波長１３ｎｍの光」が、本願補正発明の「極端紫外線」に相当するから、引用発明の「反射膜２は波長１３ｎｍの光を反射するためのものである、ハーフトーンタイプの反射型マスク」が、本願補正発明の「反射型極端紫外線露光用マスク」に相当する。
　
　引用発明において「波長１３ｎｍの光である入射光４をこの反射型マスクに入射させると、吸収体パターン３のない部分では入射光４がそのまま反射されて反射光５として出射し、吸収体パターン３が設けられている部分では、入射光４は減衰しながら吸収体パターン３を透過し反射膜３で反射され再び吸収体パターン３を減衰しながら透過し反射光６として出射」する場合に、「反射光６の強度は反射光５の強度の０.００５〜０.１」となることが、本願補正発明の「前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して５〜１５％の反射率」であることに相当する。
（なお、上記における数値範囲、すなわち、引用発明の反射光６の強度の反射光５の強度に対する比の「０.００５〜０.１」（０．５〜１０％）と本願補正発明の反射率の「５〜１５％」には、一部重複しない部分が存在するが、引用発明と本願補正発明において、低反射部（吸収体パターン）として両者に共通の物質である「Ｗ」又は「Ｍｎ」を選択し、高反射部（反射膜）との反射光の位相差が１７５〜１８５度（およそπ）となるような膜厚を設定した場合（後述）においては、両者の反射率は理論的に同じになるはずなので、上記数値範囲の一部に違いがあることは、上記の相当関係に、実質的には影響を及ばさない。）
　
　引用発明の「反射光５に比べ反射光６の位相はおよそπだけずれ」る点が、本願補正発明の（「前記低反射部からの反射光は」）「前記高反射部からの反射光に対し、１７５〜１８５度の位相差を有」する点に相当する。
　
　引用発明の「波長が１３ｎｍである場合」「「Ｍｎ」及び「Ｗ」については、それらのδの値は、それぞれ、約０．０６２及び約０．０６であり、吸収体パターンの厚さｄについて、ｄ＝λ／（４｜δ｜）とする」ことに対して、波長λの値（＝１３ｎｍ）と、それぞれのδの値（δ＝０．０６２及びδ＝０．０６）を代入して計算すれば、吸収体パターンの厚さｄが、それぞれ、５２．４２ｎｍ（５２４．２オングストローム）、５４．１７ｎｍ（５４１．７オングストローム）と求まり、これらの値が、本願補正発明の前記低反射部を構成する単層膜の膜厚の「２５０〜９００オングストローム」の範囲に含まれることは明らかであるから、上記の引用発明の「波長が１３ｎｍである場合」「「Ｍｎ」及び「Ｗ」については、それらのδの値は、それぞれ、約０．０６２及び約０．０６であり、吸収体パターンの厚さｄについて、ｄ＝λ／（４｜δ｜）とする」ことが、本願補正発明の「前記低反射部を構成する単層膜の膜厚が２５０〜９００オングストロームであ」ることに相当する。
　
　本願補正発明における「前記低反射部を構成する単層膜」について「前記単層膜の露光波長に対する屈折率（１−δ）および消衰係数βは、屈折率（１−δ）および消衰係数βを座標軸とする平面座標において、下記の点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内にある、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む」こと及び「上記の点座標（１−δ，β）が」「（０．９６，０．０１２）、（０．９４，０．０１８）、（０．９１，０．０２７）、（０．８８，０．０３０）、（０．８５，０．０３５）、（０．９６，０．０２０）、（０．９４，０．０３２）、（０．９１，０．０４７）、（０．８８，０．０５６）、（０．８５，０．０６５）」であることについては、要は、「前記低反射部を構成する単層膜」を構成する物質が「Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む」こと以上のことを意味するものではなく、上位概念であるといえる。よって、引用発明の「吸収体パターンをなす物質の光学定数を１−δ−ｉｋ（δ,ｋは実数、ｉは虚数単位）と表わす時、好ましいδとｋの関係から、波長が１３ｎｍである場合、マスクの吸収パターンを構成するのに好ましい物質として、Ｖ,Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ａｇ,Ｃｄ,Ｉｎ,Ｓｎ,Ｓｂ,ランタノイド元素,Ｈｆ,Ｔａ,Ｗ,Ｒｅ,Ｏｓ,Ｉｒ,Ｐｔ,Ａｕ,Ｔｌ,Ｐｂ,Ｂｉの単体およびそれらを含む化合物や合金があ」ることは、その中に、上記本願補正発明の「前記低反射部を構成する単層膜」を構成する物質にも含まれる「Ｍｎ」と「Ｗ」が含まれていることからして、本願補正発明の「前記低反射部を構成する単層膜」について「前記単層膜の露光波長に対する屈折率（１−δ）および消衰係数βは、屈折率（１−δ）および消衰係数βを座標軸とする平面座標において、下記の点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内にある、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む」こと及び「上記の点座標（１−δ，β）が」「（０．９６，０．０１２）、（０．９４，０．０１８）、（０．９１，０．０２７）、（０．８８，０．０３０）、（０．８５，０．０３５）、（０．９６，０．０２０）、（０．９４，０．０３２）、（０．９１，０．０４７）、（０．８８，０．０５６）、（０．８５，０．０６５）」であることに相当する。
（要するに、引用発明の「マスクの吸収パターンを構成するのに好ましい物質」に「Ｍｎ」（又は「Ｗ」）が含まれていることが、本願補正発明の上記特定事項に相当する。）
　
イ　一致点及び相違点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「基板上に形成された多層膜からなる高反射部と、前記多層膜の一部の上に形成された単層膜からなる低反射部とを備える反射型極端紫外線露光用マスクにおいて、前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して５〜１５％の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、１７５〜１８５度の位相差を有し、前記低反射部を構成する単層膜の膜厚が２５０〜９００オングストロームであり、かつ、前記単層膜の露光波長に対する屈折率（１−δ）および消衰係数βは、屈折率（１−δ）および消衰係数βを座標軸とする平面座標において、下記の点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内にある、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む反射型極端紫外線露光用マスク。
　（０．９６，０．０１２）、（０．９４，０．０１８）、（０．９１，０．０２７）、（０．８８，０．０３０）、（０．８５，０．０３５）、（０．９６，０．０２０）、（０．９４，０．０３２）、（０．９１，０．０４７）、（０．８８，０．０５６）、（０．８５，０．０６５）」の発明である点で一致し、両者に、格別、相違するところが存在しない。
　
ウ　当審の判断
　よって、本願補正発明は実質的に引用発明であるということができるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年８月１７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２３年８月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２３年８月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２３年８月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、
（１）「極端紫外線露光用マスク」について「反射型」であること、
（２）「低反射部を構成する単層膜」について「膜厚が２５０〜９００オングストローム」であること、及び、
（３）補正前の「点座標（１−δ，β）を結ぶ領域内」にある物質として「Ｐｄ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｗ、ＣｒＭｏ、ＴａＭｏ、ＴｉＮ、Ｔｉの何れかを含む」こと、
を限定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに限定しものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年８月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）対比及び当審の判断」において記載したとおり、実質的に引用発明であるから、本願発明も、同様に、実質的に引用発明である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、実質的に引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。