【手続補正書】
【提出日】平成18年9月27日(2006.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥密度が低減された少なくとも１つの所定のエピタキシャル領域を有した、半導体デバイスを製作する方法であって、
（ａ）第１の材料の単一結晶体の主表面上に、誘電性クラッド領域を形成する工程と、
（ｂ）前記クラッド領域中に第１の深さまで延びる第１の開口を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の開口内にあり、前記第１の深さより深い第２の深さまで延び、前記単一結晶体の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第２の開口を形成する工程と、
（ｄ）各前記開口中および前記クラッド領域の上部上に、第２の半導体材料の領域をエピタキシャル的に成長させる工程と、
（ｅ）前記第２の開口内で成長した第１のエピタキシャル・ステム領域および前記クラッド領域の上部上に過成長したエピタキシャル領域に、欠陥が閉じ込められることになり、第１の所定の領域が、前記第１の開口内に配置され、本質的に欠陥がないように、前記第２の開口の寸法を制御する工程と、
（ｆ）前記デバイスの上部を平坦化して、前記クラッド層の上部の上に延在するエピタキシャルの過成長した領域をすべて除去し、それによって前記第２の開口中に成長した前記第１の所定の領域の上部を、前記クラッド領域の上部と同一平面にさせる工程と、
（ｇ）前記デバイスの組み立てを完成させるための追加の工程を実施する工程とを含む方法。
【請求項２】
前記第１の材料が、Ｓｉを含み、工程（ｄ）が、０＜ｘ≦１のＳｉｉ−ｘＧｅｘとして前記第２の材料を成長させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定の領域が、前記デバイスの能動領域として形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｆ）の前に、
（ｈ）前記クラッド領域中に第３の深さまで延びる細長い第３の開口を形成する工程と、
（ｉ）前記第３の開口内にあり、前記第３の深さより深い第４の深さまで延び、前記単一結晶体の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第４の開口を形成する工程と、
（ｊ）各前記開口中および前記クラッド領域の上部上に、第３の半導体材料の領域をエピタキシャル的に成長させる工程と、
（ｋ）前記第４の開口内および前記クラッド領域の上部上で成長した第２のエピタキシャル・ステム領域に、欠陥が閉じ込められることになり、第２の所定の領域が、前記第３の開口内に配置され、本質的に欠陥がないように、前記第４の開口の寸法を制御する工程との追加の工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の所定の領域が、検出する光を吸収する能動領域であり、前記第２の所定の領域が、検出する光を伝播軸に沿って前記能動領域に送達する導波路領域である縁照射光センサとして、前記デバイスが形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記能動領域および前記導波路領域が、０＜ｘ≦１のＳｉｉ−ｘＧｅｘとして形成され、前記導波路領域中のＧｅのモル分率が、前記能動領域中のモル分率より小さくされる、縁照射光センサを製造するための請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記能動領域および前記導波路領域が、ギャップによって互いに隔てられて形成され、該ギャップの長さが、前記光センサが検出する光の、前記ギャップ材料中で測定されたときの波長の半分の波長の偶数倍数にほぼ等しい、縁照射光センサを製造するための請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の所定の領域が検出する光を吸収する能動領域である光センサとして、前記デバイスが形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程（ａ）が、
その主表面上に第１のクラッド層を含む少なくとも３つの絶縁層からなるスタックと、
前記第１の層上にエッチング停止層と、
前記エッチング停止層上に第２のクラッド層とを形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
形成工程（ｃ）と成長工程（ｄ）との間に、
前記クラッド領域の上部上、ならびに前記開口の壁および底部上にコンフォーマル誘電性層を形成する工程と、
前記第２の開口の底部上の前記コンフォーマル層の一部分を異方性でエッチング除去する工程との追加の工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板と前記能動領域の間に遮断ｐ−ｎ接合部を形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記デバイスが、前記所定の領域内に配置されたソース、ドレインおよびチャネル領域を有したＭＯＳＦＥＴとして形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法。
【請求項１４】
半導体デバイスであって、
（ａ）第１の材料の単一結晶半導体本体と、
（ｂ）前記本体の主表面上に配置された誘電性クラッド領域と、
（ｃ）第１の深さまでその中に延びる第１の開口を有した前記クラッド領域と、
（ｄ）前記第１の開口内にあり、前記第１の深さより深い第２の深さまで延び、前記本体の下にある部分を剥き出しにする、より小さな第２の開口を有した前記クラッド領域と、
（ｅ）前記第１の開口中に能動領域と前記第２の開口中に第１のステム領域とを形成するために、各前記開口を充填した前記クラッド領域の上部上にある第２の半導体材料であって、前記能動領域の上部が、本質的に前記クラッド領域の上部と同一平面である、第２の半導体材料と、
（ｆ）欠陥が、前記ステム領域に閉じ込められ、前記能動領域が、本質的に欠陥がないようにする前記第２の開口の寸法とを含む、半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第１の材料が、Ｓｉを含み、前記第２の材料が、０＜ｘ≦１のＳｉｉ−ｘＧｅｘを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
（ｇ）前記クラッド領域が、第３の深さまでその中に延びる細長い第３の開口を有し、
（ｈ）前記クラッド領域が、前記第３の開口内に、前記第３の深さより深い第４の深さまで延び、前記本体の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第４の開口を有し、
（ｉ）第３の半導体材料が、前記第３の開口内に第２の所定の領域、および前記第４の開口を有した第２のステム領域を形成するために、各前記開口を充填し、前記クラッド領域の上部と同一平面であり、
（ｊ）前記第４の開口の寸法が、欠陥を前記第２のステム領域に閉じ込め、前記第２の所定の領域が比較的低い欠陥密度を有するようにさせる寸法である、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第１の所定領域が、検出する光を吸収する前記能動領域であり、前記第２の所定の領域が、検出する光を伝播軸に沿って前記能動領域へ送達する導波路領域である、縁照射光センサとして使用するための、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記能動領域および前記導波路領域が、０＜ｘ≦１のＳｉｉ−ｘＧｅｘを含み、前記導波路領域中のＧｅのモル分率が、前記能動領域中のモル分率より小さい、縁照射光センサとして使用するための請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記能動領域および前記導波路領域が、ギャップによって互いに隔離され、該ギャップの長さが、検出する光の、前記ギャップの材料中で測定したときの波長の半分の波長の偶数倍数にほぼ等しい、縁照射光センサとして使用するための請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記第１の所定の領域が、検出する光を吸収する能動領域である、光センサとして使用するための請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記能動領域のアレイを含む、表面照射光センサとして使用するための請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記クラッド領域が、前記主表面上の第１のクラッド層と、前記第１の層上のエッチング停止層と、前記エッチング停止層上の第２のクラッド層とを含む絶縁層のスタックを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記基板と前記能動領域の間に配置された遮断ｐ−ｎ接合部を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記所定の領域内に配置されたソース、ドレインおよびチャネルを有したＭＯＳＦＥＴとして使用するための請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２５】
表面照射光センサであって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイと、
（ｂ）各前記ピクセル内にあり、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域と、
（ｃ）各ピクセル内で、金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う、前記接触領域への前記金属コンタクトとを含む、表面照射光センサ。