【事件の表示】
　特願２００２−５７７９４０「半導体処理装置内の酸化セリウムを含有するセラミック構成部品及び被膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１０日国際公開、ＷＯ０２／７９５３８、平成１６年　８月１９日国内公表、特表２００４−５２５５１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２００２年３月２１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００１年３月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１月２５日付けで拒絶理由通知がなされ、同年７月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２１年２月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１５日付けで拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、当審において、平成２３年４月６日付けで、平成２１年５月１５日付け手続補正書による補正が却下されるとともに、拒絶理由通知がなされ、平成２３年７月１９日付けで意見書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　本願請求項１−２７に係る発明は、平成２０年７月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−２７に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである（以下、「本願発明１」という。）。
　
「半導体処理装置の構成部品の表面を被覆する処理であって、
　半導体処理装置の構成部品の粗くされた表面上に、酸化セリウムを含むセラミック層を成膜する工程を含み、該酸化セリウムを含むセラミック層は、その唯一最大の成分として１つ又は複数のセリウム酸化物を有し、該酸化セリウムを含むセラミック層は、該構成部品の最も外側の表面を形成することを特徴とする処理。」
　
［３］引用刊行物の記載事項
　当審において、平成２３年４月６日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開平１０−４０８３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特表平１１−５０３６６１号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１：特開平１０−４０８３号公報
 （１ａ）「【０００２】
【従来の技術】……
……例えば、半導体製造プロセスでは、プラズマプロセスにおいて、特にデポジション、エッチング用やクリーニング用として、フッ素系のハロゲン型腐食ガスがその反応性の高さから多用されている。
【０００３】また、装置内の内壁等の上記ガスやプラズマに接触する部分では、ガスやプラズマによる腐食を防止するために、従来からガラスや石英などのＳｉＯ２を主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食性金属が利用されている。
【０００４】……
……。また、装置内のヒータとしても、グラファイトや、窒化硼素をコーティングしたヒータ等が用いられている。」（第２頁第１欄第１９行−第３７行）
　
（１ｂ）「【０００８】…本発明の半導体製造用耐食性部材は、…フッ素系腐食ガスまたはそのプラズマに接触する部位を、周期律表第３ａ族元素化合物によって構成することを特徴とするものである。
【０００９】特に、前記周期律表第３ａ族元素が…、Ｃｅ、…の群から選ばれた少なくとも１種であること、さらに前記化合物が、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、及びそれらの複合体からなることを特徴とするものである。
【００１０】フッ素ガスまたはそのプラズマに曝される部位では、その表面はフッ化物になって蒸発し、消耗が進んでいく。本発明によれば、フッ素系ガスまたはそのプラズマに曝される部材を周期律表第３ａ族元素化合物により構成することによって、周期律表第３ａ族元素がフッ素との反応によって融点が高いフッ化物層を生成し、幅広い温度範囲で過酷なフッ素系ガス雰囲気での耐久性の向上が達成される。」（第２頁第２欄第１４行−第３１行）
　
（１ｃ）「【００１４】この耐食性部材は、所定の基体表面に前記周期律表第３ａ側元素化合物を周知の薄膜形成法によって被覆するのが緻密性の点で望ましい。」（第３頁第３欄第４行−第６行）
　
（１ｄ）【表１】には、実施例（試料Ｎｏ２２，２３）として、ＣｅＯ２薄膜をＰＶＤ法により形成することが示されている。（第４頁）
　
（１ｅ）「【００１９】
【発明の効果】…、
……具体的には半導体製造用として使用されるプラズマ処理装置やエッチング装置におけるＳｉウエハ固定用のクランプリングや上部電極周りのシールドリング、装置内壁材などに使用することによってこれらの部材の長寿命化を図ることができる。」（第４頁第６欄第３５行−４３行）
　
（２）引用刊行物２：特表平１１−５０３６６１号公報
（２ａ）「本発明は触媒材料を金属基質に接着させる方法に関する。この方法は、主に耐火性(ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ)酸化物から成る粒子を基質に直接熱噴霧（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ｓｐｒａｙｉｎｇすることでアンダーコートを取り付けた後そのアンダーコートに触媒材料の層を付着させることを包含する。」（第５頁第２４行−２７行）
　
（２ｂ）「少なくとも主に耐火性酸化物を含む粒子を基質に、直接、…、噴霧する熱噴霧方法（ｔｈｅｒｍａｌ　ｓｐｒａｙ　ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて、アンダーコートを金属基質の表面に直接取り付ける、本技術分野で適切な熱噴霧方法がいろいろ知られている。１つの適切な熱噴霧方法はプラズマ噴霧技術であり、……
……
…このアンダーコートで用いる粒子には、耐火性酸化物、例えばアルミナ、セリア、…などが含まれ得る。」（第７頁第５行−第２６行）
　
（２ｃ）「好適には、本発明に従ってアンダーコートを金属基質に取り付ける前に、その基質の表面を粗くしておくことでアンダーコートと基質の間の接着を向上させる。」（第９頁第１９行−第２２行）
　
［４］引用発明
　上記記載事項（１ａ）−（１ｅ）によれば、引用刊行物１には、
「半導体処理装置の部材表面を被覆する処理であって、
　半導体処理装置の部材表面上に、酸化セリウムを含む層を成膜する工程を含み、該酸化セリウムを含む層は、その唯一最大の成分とし１つ又は複数のセリウム酸化物を有し、該酸化セリウムを含む層は、該部材の最も外側の表面を形成する処理。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「酸化セリウムを含む層」は、酸化セリウムのみ、あるいは、さらに他の周期律表第３ａ族元素化合物（酸化物、窒化物、…）を含む複合体で構成されるものであるから（上記記載事項（１ｂ））、本願発明１における「酸化セリウムを含むセラミック層」に相当する。
  また、引用発明における「部材」は、本願発明における「構成部品」に相当する。
　
　よって、両者は、
「半導体処理装置の構成部品の表面を被覆する処理であって、
　半導体処理装置の構成部品の表面上に、酸化セリウムを含むセラミック層を成膜する工程を含み、該酸化セリウムを含むセラミック層は、その唯一最大の成分として１つ又は複数のセリウム酸化物を有し、該酸化セリウムを含むセラミック層は、該構成部品の最も外側の表面を形成することを特徴とする処理。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　酸化セリウムを含むセラミック層が成膜される構成部品の表面が、本願発明１では粗くされているのに対し、引用発明ではその記載がない点。
　
　上記相違点について、検討する。
　一般的に、セラミック層を基材表面に成膜する際、基材とセラミック層との接着性を向上させるべく、基材表面を粗くすることは、その用途にかかわらず周知の事項であり（例えば、下記文献１及び上記引用刊行物２参照）、引用発明においても、酸化セリウムを含むセラミック層を基材表面に成膜する際に、基材とセラミック層の接着性は考慮されるべき事項と認められ、その向上のために、基材の粗くされた表面上にセラミック層を形成することは、当業者が適宜なしえた事項にすぎない。
　
・文献１：特開２０００−１１４１８９号公報
　「【従来の技術】従来、…半導体装置の製造工程において、プラズマＣＶ　Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やプラ　ズマエッチング装置など、プラズマを利用して薄膜の処理を行なう真空処　理装置が使用されている。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　【０００３】このような真空処理装置は、……真空処理室内に、一方の電　極としてのシャワープレートと、他方の電極として作用するとともにヒー　タの機能を有するステージとを対峙させて配置しており、」（第２頁第１　欄第２６行−第３５行）
  
　「【００２５】…、上側の電極体１３のシャワープレート２１や…、下側　の電極体１４のステージ３１のヒータプレート３２，…などの表面構造を　説明する説明図を示す。
　【００２６】各電極体１３，１４の母材５１には例えばアルミニウムが材　料として用いられる、この母材５１の表面には、酸化膜層としてアルマイ　ト層５２が形成されている。
　……
　【００２７】アルマイト層５２の表面には、アルミナを溶射したアルミナ　溶射層５３が形成されている。
　【００２８】アルマイト層５２の表面は平滑度が高いため、このアルマイ　ト層５２の表面に形成するアルミナ溶射層５３の十分な結合強度を得るた　め、例えばブラスト処理など、アルマイト層５２の表面を粗面化する表面　処理が施されている。」（第３頁第４欄第７行−第２５行）
　
　そして、本願発明１が、引用刊行物１の記載及び周知技術からは予想しえない効果を奏するものとは認められない。
　よって、本願発明１は、引用刊行物１記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上の通り、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。