【事件の表示】
　特願２００６−３１７１５２「垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月１４日出願公開、特開２００７−１５０３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月２４日（パリ条約による優先権主張２００５年１１月２４日、大韓民国）の出願であって、平成２２年５月１０日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年８月３１日に特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２２年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年５月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲を補正する手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「ｎ型ボンディングパッドと、
　前記ｎ型ボンディングパッドの下面に形成されたｎ型電極と、
　前記ｎ型電極の下面に、ｎ型窒化ガリウム層、活性層及びｐ型窒化ガリウム層が下方へ順次積層されて形成された発光構造物と、
　前記発光構造物の下面に形成されたｐ型電極と、
　前記ｐ型電極の下面に形成された構造支持層と、
　を備え、
　前記発光構造物は、前記発光構造物の活性層が除去された領域からなり、前記発光構造物の対向する最外郭辺から前記ｎ型ボンディングパッドに向かうように形成された少なくとも１対のトレンチを有し、
　前記ｎ型電極は、前記トレンチと重ならないように前記トレンチにより区分された前記発光構造物の上面領域にそれぞれ延設された少なくとも１対のｎ型枝電極を
有し、
　
前記１対のトレンチは、前記ｎ型電極を中心に両側に対応するようにそれぞれ配置された
と補正することを含むものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−１９３３３８号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア  「【請求項１】
ｐ型用電極と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｎ型半導体層と、ｎ型用電極とが台座基板上に順次形成され、ｎ型用電極側が主たる光取出し面である発光素子において、前記ｐ型半導体層と前記ｐ型用電極との間の一部に電流阻止層が設けられていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｎ型用電極の一部がボンディング用パッド電極として機能するか、または前記ｎ型用電極上にボンディング用パッド電極が形成され、該ボンディング用パッド電極は、発光層から放射される光に対して不透明であり、かつ、ボンディング用パッド電極は、ｎ型用電極の上方から見て、前記電流阻止層が形成されている領域の内側に納まるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。」　
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、窒化物系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ：０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた半導体発光素子およびその製造方法に関するものである。」
　
ウ　「【００１６】
【実施例】
実施例１
図１は、台座基板が厚膜Ｎｉである発光素子の断面図で、図１（ａ）は、製造の途中の段階での断面図であり、図１（ｂ）は、完成した段階での断面図である。Ｓｉ基板１０上に、ＳｉドープＡｌＮからなるバッファ層１１、ＳｉドープＧａＮからなるｎ型半導体層１２を形成し、その上にＧａＮからなるバリア層と、ＩｎＧａＮからなる井戸層で構成された多重量子井戸の発光層１３を形成した。発光層１３の上にはｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４を形成し、ｐ型クラッド層１４の上にはｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１５を形成した。つぎに、ｐ型コンタクト層１５の表面上に電流阻止層１６として厚さ１０ｎｍのＳｉＯ2層をリフトオフ法により形成した。
【００１７】
ｐ型コンタクト層１５の表面と電流阻止層１６上に、ｐ型用電極１７として、厚さ１．５ｎｍのＰｄ密着層１７ａと、厚さ１５０ｎｍのＡｇ高反射層１７ｂとを蒸着し、真空中において５００℃で３分間熱処理することにより、ｐ型コンタクト層１５との合金化処理をした。この熱処理によって、ｐ型コンタクト層１５とｐ型用電極１７の良好なオーミック接合が得られ、かつ密着力が増した。つぎに、ｐ型用電極１７上に、メッキ下地層１８として、厚さ３００ｎｍのＡｕを蒸着し、メッキ下地層１８の上に、台座基板１９として、厚さ１００μｍの厚膜Ｎｉを電解メッキ法により形成した。メッキ下地層１８を形成した状態では、電流阻止層１６の形成領域が凸部状になっていたが、電解メッキをすることにより、この凸部がなだらかになるようにＮｉが形成され、Ｎｉが１００μｍ形成された状態では、ほぼ平坦になった。
【００１８】
つぎに、Ｓｉ基板１０を除去するために、台座基板１９とウェハの側面をエレクトロンワックスで覆い、７０％のフッ酸と６０％の硝酸と氷酢酸を５：２：２の比で混合したエッチング液により、Ｓｉ基板１０を溶かして除去し、ＳｉドープＡｌＮからなるバッファ層１１の表面を露出させた。このようなエッチング液を用いることにより、ＡｌＮなどの窒化物系化合物半導体に対してはエッチングレートが小さく、選択的なエッチングが良好に行なわれ、露出したＡｌＮバッファ層の表面は平坦となった。エレクトロンワックスはアセトンなどの有機溶剤で除去した。つぎに、ＳｉドープＡｌＮからなるバッファ層１１上に、厚さ２００ｎｍのＩＴＯからなるｎ型用電極２０をスパッタリングにより形成した。スパッタリング中、２５０℃で加熱することにより、ＳｉドープＡｌＮからなるバッファ層１１とｎ型用電極２０の間で良好なオーミック接合が得られた。
【００１９】
つぎに、ボンディング用のパッド電極２１として、厚さ１０ｎｍのＭｏ密着層２１ａと、厚さ５００ｎｍのＡｕボンディング層２１ｂを、ｎ型用電極２０上に形成した。このとき、ｎ型用電極２０の上方から見て、ボンディング用のパッド電極２１が電流阻止層１６の内側に納まるように、通常のフォトリソグラフィを用いたリフトオフ法により形成した。つぎに、ダイシングする部分のＩＴＯを除去するために、ダイシングライン以外の部分をフォトレジストで覆い、塩化鉄系のエッチャントでＩＴＯをウェットエッチングで除去した。
【００２０】
その後、ダイシングする部分の半導体層をドライエッチング法により除去するために、ダイシングライン以外の部分をフォトレジストで覆った。ドライエッチング法としては、ＲＩＥ法を用い、フォトレジストで覆われていない部分をｐ型用電極１７が露出するまでエッチングを行なった。最後に、ダイシングにより３００μｍの大きさに分割した。このようにして製造した発光素子を、ｎ型電極の上方から見た平面図を図２に示す。図２において、ｐ型用電極２１７上にｎ型用電極２２０が形成されており、ボンディング用パッド電極２２１は、電流阻止層２１６が形成されている領域の内側に納まるように形成されていた。」
　
エ　図１及び２は、次のものである。
　
（２）刊行物２
　同じく、特開２００４−８８０８３号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【請求項１】
互いに異なる導電型を持つ少なくとも２つの半導体層を含む半導体積層膜と、
前記半導体積層膜の一方の面上に形成された第１の電極と、
前記半導体積層膜の前記一方の面と対向する対向面上に形成された第２の電極と、
前記第１の電極又は前記第２の電極と接するように形成され、前記半導体積層膜の膜厚よりも大きいか等しい膜厚を有する金属膜とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。」
　
イ　「【００８７】
図４に示すように、第２の実施形態に係る発光ダイオード素子１０は、素子構造体１１を構成するｎ型半導体層１２における活性層１３の反対側（上側）の面上に、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体からなり、ボンディングパッドを兼ねるｎ側電極１７Ａが選択的に形成されている。ｐ型半導体層１４における活性層１３の反対側（下側）には、白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）との積層体からなり、活性層１３からの発光光に対する反射率が９０％以上となるように設けられたｐ側電極１５Ａが形成されている。また、ｐ側電極１５Ａにおける外側のＡｕ層を下地層として、厚さが約５０μｍの金めっきされた金属膜１８が形成されている。」
　
ウ　「【０１０６】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は本発明の第２の実施形態の一変形例に係る発光ダイオード素子であって、図８（ａ）は断面構成を示し、図８（ｂ）はチップ表面の走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｐｅ：ＳＥＭ）による顕微鏡写真を示し、図８（ｃ）は発光状態にあるチップ表面の写真を示している。また、図８（ａ）において、図４に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１０７】
本変形例は試作例であって、図８（ａ）に示すように、素子構造体１１のｎ型半導体層１２Ａにはｎ型ＧａＮを用い、活性層１３ＡにはＩｎＧａＮからなる多重量子井戸構造を用い、ｐ型半導体層１４Ａにはｐ型ＧａＮを用いている。ここで、チップの平面サイズは３００μｍ角である。」
　
（３）刊行物３
　同じく、特開２００２−１６４５７４号公報（以下「刊行物３」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【０００１】本発明は、化合物半導体発光素子に関し、特に光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子に関するものである。」
　
イ　「【００１３】
【作用】本発明者らは、面発光型の発光素子においても、特に窒化物系半導体発光素子においては端面から発せられる発光成分の割合が比較的大きいことを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、請求項１記載の発明にあっては、通常の発光素子における端面発光部であるところの素子周縁部における第一の端面発光部に加え、端面以外の部位において発光領域の端面がエッチング加工により露出された第二端面発光部を形成することにより、当該第二端面発光部が通常の発光素子構造に対するプラスアルファの光取出し窓として作用することとなり、発光素子の光取り出し効率が改善され、結果とて外部量子効率を著しく向上することが出来る。
【００１４】また、請求項７記載の発明のように、素子周縁部において前記発光領域の端面が露出した端面発光部を有さず、発光領域の端面が前記基板の端面よりも内側において露出するようエッチング加工されている場合でも、当該発光領域に素子の上面から見て島状又は帯状に延びた半島状の部分を具備させることで、発光面積に対する発光端面の距離が増加し、実質的に光取り出し面の面積を増加させ得るので、同様に外部量子効率を向上させることができる。」
　
ウ　「【００１５】
【発明の実施の態様】以下図面に基づいて、本発明の実施態様につき説明する。図１は本発明の化合物半導体発光素子の一実施例を示しており、図１(ａ)は当該発光素子上からみ見た図、図１(ｂ)はそのＡ−Ａ線断面図を示している。図において、１は基板、２１は第一導電型の半導体層、２２は第二導電型の半導体層、２０は発光層である。この場合、第一・第二導電型の半導体層２１，２２及び発光層２０が発光領域２を形成する層であるが、本実施例では、第一導電型の半導体層２１の途中までの深さで、素子の上面からみて細長い長方形の光取り出し窓Ｗを５つ、エッチング加工により設けた場合を例示している。本実施例品にあっては、素子周縁部の端面Ｒが第一の端面発光部５１であり、光取り出し窓Ｗの側壁部が第二の端面発光部５２となる。」
　
エ　「【００２０】本発明においては、通常の素子と同様にその周縁部に存在する第一の端面発光部５１に加えて、上述した光取出し窓Ｗとしての第２の端面発光部５２を具備していることを特徴とする。この光取出し窓Ｗの形態としては特に制限はなく、発光領域の端面表面積を実質的に増加させる態様であれば良い。具体的には、幅２μｍ〜２０μｍ程度の溝をエッチング加工により設けてその側壁を端面発光部とした光取出し窓Ｗとするのが好ましい態様の一つである。この場合、図１(ａ)に示すように、細長い長方形の溝が素子の内側に刻まれている如き光取出し窓Ｗであっても良いし、素子の周縁部から内側へ入り込んだ溝形状であっても良い。さらに直線状の溝でなくとも、階段状、蛇行状、ジグザグ状に折曲・湾曲したものであっても良い。この他、円形又は正方形等の掘り込みを１個乃至複数個設ける態様、ドツト状の細孔を点在させる態様であっても良い。」
　
（４）刊行物４
　同じく、特開２００４−８７９３０号公報（以下「刊行物４」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【０００１】本発明は、窒化物半導体発光素子に関し、特に光の取り出し効率を向上させるものである。」
　
イ　「【０００９】また、本発明の窒化物半導体発光素子は、前記電流阻止溝に加え、ｐ主電極とｎ電極を結ぶ線上に光取り出し溝が形成されている。このような構成を取ることにより、例えばｐｎ両主電極が形成されていない対角のエピ端面付近で発光した光がもう一方のエピ端面側に進行した場合、エピ端面から出射される前にほとんど透明電極等により吸収され熱に変化し、取り出すことができなかったが、その前に溝部よりエピ外部に取り出すことが可能になった。
【００１０】さらにまた、本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに発光面を分割する光取り出し溝を素子端面に対してほぼ垂直に付加する。溝を発光面を均等に分割するように増加させると、活性層で発光した光がどの方向に進行しても短い距離で溝部よりエピ外部に取り出すことが出来る。また溝を第１のｐ補助電極に対して垂直に形成することにより電流の流れを阻害することなく、全面発光させることが出来る。」
　
ウ　「【００３４】
（実施例２）
実施例１に加え、図２のようにｐ主電極とｎ電極を結ぶ線上に光取り出し溝を角度を付けず垂直に基板まで形成した。結果、リファレンスＡと比較して１２％光の取り出し効率が上昇した。
【００３５】
（実施例３）
実施例２に加え、さらに図３のように素子端面に対してほぼ垂直に光取り出し溝を角度を付けず垂直に基板まで形成した。結果、リファレンスＡと比較して１６％光の取り出し効率が上昇した。」
　
エ　図１ないし３は、次のものである。
　
（５）刊行物５
　同じく、特開２００２−２６３８６号公報（以下「刊行物５」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はIII族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。」
　
イ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的を達成するためになされたものであり、その構成は次の通りである。即ち、発光層を含む半導体積層部と、該半導体積層部の発光観測面から形成され、少なくとも前記発光層まで達する溝と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【０００６】このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子によれば、溝の側面に発光層が表出するので、当該発光層から溝内へ放出された光は溝の周面で反射され発光観測面に形成された溝の開口部から光軸方向へ放出される。発光層から直接横方向（本発明の場合は溝内方向）へ放出される光の単位面積当たりの強さは発光観測面側のそれに比べて極めて大きい。従って、溝の開口部から放出される光の量は当該開口部の面積に等しい面積の発光観測面から放出される光の量より大きい。よって、溝により発光層の面積が減少したとしても、溝から放出される大量の光により、発光観測面から放出される光の総量は増大する。これにより、高い出力を達成できる。」
　
ウ　「【０００８】半導体積層部の発光観測面側から形成される溝は少なくとも発光層まで達してこれを溝の側面へ表出させる。これにより、発光層の表出した部分で生成された光は溝内へ放出され、溝の周壁で反射して溝の開口部から外部へ放出されることとなる。」
　
３．各刊行物に記載された技術内容
（１）刊行物１
　上記２（１）アには、窒化物系化合物半導体発光素子が記載されているところ、この窒化物系化合物半導体は、同イに記載されるように（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ：０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）であるから、窒化ガリウム系半導体といえ、同ア及びイによれば、刊行物１には、
「ｐ型用電極と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｎ型半導体層と、ｎ型用電極とが台座基板上に順次形成され、ｎ型用電極側が主たる光取出し面である発光素子であって、前記ｎ型用電極上にボンディング用パッド電極が形成されている窒化ガリウム系半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　上記２（２）によれば、刊行物２には、「ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層で構成される素子構造体において、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層にそれぞれｎ型ＧａＮ及びｐ型ＧａＮを用いる」ことが記載されているものと認められる。
　
（３）刊行物３
　上記２（３）によれば、刊行物３には、「第一・第二導電型の半導体層２１，２２及び発光層２０で形成される発光領域２を有する化合物半導体発光素子において、この発光領域２の層に溝を設け、その側壁を第２の端面発光部として実質的に光取り出し面の面積を増加させることにより、外部量子効率を向上させること、ここで、この溝は、素子の周縁部から内側へ入り込んだ溝形状であっても良いこと」が記載されているものと認められる。
　
（４）刊行物４
　上記２（４）によれば、刊行物４には、「活性層２０を挟むｎ型窒化ガリウム系化合物半導体２１及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体２２の層に光取り出し溝５２設けることにより、活性層で発光した光を該溝部より外部に取り出すことが可能になり、光の取り出し効率が上昇すること」が記載されているものと認められる。
　
（５）刊行物５
　上記２（５）によれば、刊行物５には、「発光層を含む半導体積層部に、該半導体積層部の発光観測面から形成され、少なくとも前記発光層まで達する溝を設けることにより、発光層で生成された光が溝の開口部から外部へ放出されることとなり、素子全体の発光効率乃至発光出力が向上すること」が記載されているものと認められる。
　
４．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ｐ型用電極」、「ｎ型用電極」、「台座基板」、「ボンディング用パッド電極」及び「発光層」は、それぞれ、本願補正発明の「ｐ型電極」、「ｎ型電極」、「構造支持層」、「ｎ型ボンディングパッド」及び「活性層」に相当する。
　また、本願補正発明の「ｎ型窒化ガリウム層」及び「ｐ型窒化ガリウム層」がそれぞれ「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」であることは当業者に明らかであって、本願補正発明と引用発明はともに、「ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層が下方へ順次積層されて形成された発光構造物」を備える点で一致する。
　また、引用発明の「窒化ガリウム系半導体発光素子」が「垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子」であることは明らかである。
　
　以上によれば、両者は、
「ｎ型ボンディングパッドと、
　前記ｎ型ボンディングパッドの下面に形成されたｎ型電極と、
　前記ｎ型電極の下面に、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層が下方へ順次積層されて形成された発光構造物と、
　前記発光構造物の下面に形成されたｐ型電極と、
　前記ｐ型電極の下面に形成された構造支持層と、
　を備える、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。」
である点で一致し、次の（ア）及び（イ）の点で相違するものと認められる。
　
（ア）前記発光構造物の「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」が、本願補正発明では、それぞれ、「ｎ型窒化ガリウム層」及び「ｐ型窒化ガリウム層」とされているのに対し、引用発明では、このような限定がなされていない点（以下「相違点１」という。）。
　
（イ）本願補正発明は、「前記発光構造物は、前記発光構造物の活性層が除去された領域からなり、前記発光構造物の対向する最外郭辺から前記ｎ型ボンディングパッドに向かうように形成された少なくとも１対のトレンチを有し、
　前記ｎ型電極は、前記トレンチと重ならないように前記トレンチにより区分された前記発光構造物の上面領域にそれぞれ延設された少なくとも１対のｎ型枝電極を有し、
　前記１対のトレンチは、前記ｎ型電極を中心に両側に対応するようにそれぞれ配置され」ているのに対し、引用発明は、このような構造となっていない点（以下「相違点２」という。）。
　
５．判断
ア　相違点１について
　上記３（２）のとおり、刊行物２には、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層で構成される素子構造体において、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層にそれぞれｎ型ＧａＮ及びｐ型ＧａＮを用いることが記載されていることに照らして、発光構造物の「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」をそれぞれ「ｎ型窒化ガリウム層」及び「ｐ型窒化ガリウム層」として、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が適宜なし得る程度のことであり、本願明細書を見ても、発光構造物の「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」が「ｎ型窒化ガリウム層」及び「ｐ型窒化ガリウム層」であることについて格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
イ　相違点２について
　上記３（３）ないし（５）の刊行物３ないし５に記載された技術内容に照らして、発光層を含む半導体積層部に、該半導体積層部の発光観測面から、少なくとも前記発光層まで達する溝を設けることにより、発光層で生成された光を溝の開口部から外部へ放出させて、外部への光の取り出し効率を向上させることは、当該技術分野における周知の技術手段であると認められるから、引用発明において、ｐ型半導体層と発光層とｎ型半導体層でなる発光層を含む半導体積層部に、該半導体積層部の発光観測面から、少なくとも前記発光層まで達する溝を設けることにより、外部への光の取り出し効率を向上させるようにすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　その際、当該溝、すなわち、本願補正発明でいうトレンチの形状をどのようなものとするかは、当業者が適宜決定すべき設計的事項というべきところ、刊行物１の図２（上記２（１）エを参照。）には、引用発明のボンディング用パッド電極２２１が素子の中央に位置する構成が示されており、また、刊行物３には、発光層を含む半導体積層部に設ける溝について、「光取出し窓Ｗの形態としては特に制限はなく、発光領域の端面表面積を実質的に増加させる態様であれば良い」、「素子の周縁部から内側へ入り込んだ溝形状であっても良い」と記載されている（上記２（３）エを参照。）ことを踏まえると、引用発明におけるｐ型半導体層と発光層とｎ型半導体層でなる半導体積層部に設ける溝を相違点２に係るトレンチの形状とすることに格別の困難はないものと認められる。
　また、引用発明において、このような溝を設けた場合に、溝を設けなかった部分には、ｎ型半導体層上に（刊行物１の図１において符号２０で示される）ｎ型用電極（上記２（１）エを参照。）が残るから、この残ったｎ型半導体層上のｎ型用電極が本願補正発明でいう「ｎ型枝電極」を有する「ｎ型電極」に相当することとなる。
　以上のとおりであるから、引用発明において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たものと認められる。
　また、本願補正発明が奏する効果についても、当業者が予測可能なものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年８月３１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「ｎ型ボンディングパッドと、
　前記ｎ型ボンディングパッドの下面に形成されたｎ型電極と、
　前記ｎ型電極の下面に、ｎ型窒化ガリウム層、活性層及びｐ型窒化ガリウム層が下方へ順次積層されて形成された発光構造物と、
　前記発光構造物の下面に形成されたｐ型電極と、
　前記ｐ型電極の下面に形成された構造支持層と、
　を備え、
　前記発光構造物は、前記発光構造物の活性層が除去された領域からなり、前記発光構造物の対向する最外郭辺から前記ｎ型ボンディングパッドに向かうように形成された少なくとも１対のトレンチを有し、
　前記ｎ型電極は、前記トレンチと重ならないように前記トレンチにより区分された前記発光構造物の上面領域にそれぞれ延設された少なくとも１対のｎ型枝電極を有することを特徴とする、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。」
　
２．判断
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらにその「トレンチ」に関して、「前記１対のトレンチは、前記ｎ型電極を中心に両側に対応するようにそれぞれ配置された」との限定を付したものが本願補正発明であるところ、本願補正発明が前記II．［理由］２．〜５．において検討したように、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである以上、本願発明が引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。