【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属と、
フェルミ準位を有するケイ素ベースの半導体と、
前記金属と半導体との間に配置され、それらと接触し、前記半導体の前記フェルミ準位をピン止め解除するように構成された界面層と
を含み、約１０００Ω−μｍ2以下の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項２】
前記界面層はパシベーション材料を含む請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項３】
前記パシベーション材料はケイ素の窒化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、水酸化物、および／またはヒ化物のうちの１つまたは複数を含む請求項２に記載の電気デバイス。
【請求項４】
前記界面層は基本的に単層から成る請求項３に記載の電気デバイス。
【請求項５】
前記界面層は分離層をさらに含む請求項２に記載の電気デバイス。
【請求項６】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項７】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項８】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項９】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項１０】
前記界面層は窒素性物質存在下で前記半導体を加熱することによって製造されるパシベーション層を含む請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項１１】
前記窒素性物質はアンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）、または非結合窒素（Ｎ）のうち少なくとも１つを含む請求項１０に記載の電気デバイス。
【請求項１２】
前記界面層の接合面の近辺の厚さは１ｍｍ以下であり、かつこの界面層はパシベーション材料を含む金属−界面層−Ｓｉベース半導体接合を含み、前記電気デバイスが約１０００Ω−μｍ2以下の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項１３】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項１２に記載の電気デバイス。
【請求項１４】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項１２に記載の電気デバイス。
【請求項１５】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項１２に記載の電気デバイス。
【請求項１６】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項１７】
前記パシベーション材料はケイ素の窒化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、水酸化物、および／またはヒ化物のうちの１つまたは複数を含む請求項１２に記載の電気デバイス。
【請求項１８】
前記界面層はパシベーション層および分離層を含む請求項１７に記載の電気デバイス。
【請求項１９】
半導体の表面と導電体との間に配置された界面層を使用して、ケイ素ベースの半導体を備えた電気接合における導電体のフェルミ準位をピン止め解除する工程を含む方法であって、前記界面層は（ｉ）約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有する接合を提供すると共に前記半導体内の金属誘起ギャップ準位の作用を低減させるために接合面の近辺の厚さが１ｍｍ以下の厚さを有し、（ii）前記半導体の表面をパシベートする方法。
【請求項２０】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記界面層は約１Ω−μｍ2以下の電気接合の固有接触抵抗を提供するのに十分な厚さを有する請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記界面層はケイ素のヒ化物、水酸化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、窒化物を含むリストから選択されたパシベーション材料を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記界面層は基本的に単層から構成される請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記界面層は約３００℃を超える温度にて前記半導体上で成長される請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記界面層は窒素性物質存在下で成長される請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記窒素性物質はアンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）、または非結合窒素（Ｎ）のうちの１つを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記界面層は水素イオンとフッ素イオンを含む液体内に前記半導体を浸漬することによって成長される請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
Ｓｉベース半導体と、導電体のフェルミ準位を前記半導体の伝導帯と位置合わせすることを可能にする、接合部近辺で１ｍｍ以下の厚さを有する界面層によって前記半導体から分離された導電体との間に接合を含む電気デバイスであって、約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項３２】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項３１に記載の電気デバイス。
【請求項３３】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項３１に記載の電気デバイス。
【請求項３４】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項３１に記載の電気デバイス。
【請求項３５】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項３１に記載の電気デバイス。
【請求項３６】
Ｓｉベース半導体と、導電体のフェルミ準位を前記半導体の価電子帯と位置合わせすることを可能にする、接合部近辺で１ｍｍ以下の厚さを有する界面層によって前記半導体から分離された導電体との間に接合を含む電気デバイスであって、約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項３７】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項３６に記載の電気デバイス。
【請求項３８】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項３６に記載の電気デバイス。
【請求項３９】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項３６に記載の電気デバイス。
【請求項４０】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項３６に記載の電気デバイス。
【請求項４１】
Ｓｉベース半導体と、前記半導体のフェルミ準位を導電体のフェルミ準位と無関係なものにできる、接合部近辺で１ｍｍ以下の厚さを有する界面層によって前記半導体から分離された導電体との間に接合を含み、前記電気デバイスは約１０００Ω−μｍ2未満の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項４２】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項４１に記載の電気デバイス。
【請求項４３】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項４１に記載の電気デバイス
【請求項４４】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項４１に記載の電気デバイス。
【請求項４５】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項４１に記載の電気デバイス。
【請求項４６】
ｎ型またはｐ型半導体材料のいずれかのケイ素ベースの半導体と、
前記半導体がｎ型半導体材料の場合には前記半導体の伝導帯にほぼ等しい仕事関数を有し、または、前記半導体がｐ型半導体材料の場合には前記半導体の価電子帯にほぼ等しい仕事関数を有する金属と、
前記半導体と前記金属との間に配置され、その両方に接触する近辺の厚さが１ｍｍ以下の界面層とを備えた電気デバイスであって、約１０００Ω−μｍ2以下の固有接触抵抗を有している電気デバイス。
【請求項４７】
前記界面層はパシベーション材料を含む請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項４８】
前記パシベーション材料はケイ素の窒化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、水酸化物、および／またはヒ化物のうちの１つまたは複数を含む請求項４７に記載の電気デバイス。
【請求項４９】
前記界面層は基本的に単層から成る請求項４８に記載の電気デバイス。
【請求項５０】
前記界面層は分離層をさらに含む請求項４７に記載の電気デバイス。
【請求項５１】
前記固有接触抵抗は約１００Ω−μｍ2以下である請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項５２】
前記固有接触抵抗は約５０Ω−μｍ2以下である請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項５３】
前記固有接触抵抗は約１０Ω−μｍ2以下である請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項５４】
前記固有接触抵抗は約１Ω−μｍ2以下である請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項５５】
前記界面層は窒素性物質存在下で前記半導体を加熱することによって製造されるパシベーション層を含む請求項４６に記載の電気デバイス。
【請求項５６】
前記窒素性物質はアンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）、または非結合窒素（Ｎ）のうち少なくとも１つを含む請求項５５に記載の電気デバイス。
【請求項５７】
ｎ型またはｐ型半導体材料のいずれかのケイ素ベースの半導体と、
前記半導体がｐ型半導体材料の場合には前記半導体の伝導帯末端に実質的に等しい仕事関数を有し、または、前記半導体がｎ型半導体材料の場合には前記半導体の価電子帯末端にほぼ等しい仕事関数を有する金属と、
前記半導体と前記金属との間に配置され、その両方に接触し、その近辺で１ｍｍの厚さを有し、かつ金属のフェルミ準位をピン止め解除するように構成された界面層とを備えた電気デバイス。
【請求項５８】
前記界面層はパシベーション材料を含む請求項５７に記載の電気デバイス。
【請求項５９】
前記パシベーション材料はケイ素の窒化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、水酸化物、および／またはヒ化物のうちの１つまたは複数を含む請求項５８に記載の電気デバイス。
【請求項６０】
前記界面層は基本的に前記半導体のフェルミ準位をピン止め解除するように構成された単層から成る請求項５７に記載の電気デバイス。
【請求項６１】
前記界面層は分離層をさらに含む請求項５７に記載の電気デバイス。
【請求項６２】
Ｓｉベースの半導体と界面層によって分離された導体との間に接合を含む電気デバイスであって、前記界面層は前記接合の近辺で前記導体のフェルミ準位のピン止めを解除するのに十分な厚さを有する一方、前記導体の仕事関数に一般的に依存する固有の接触抵抗を備えた接合とするのに十分に薄い厚さを有する電気デバイス。
【請求項６３】
前記界面層がパシベーション材料を含む請求項６２記載の電気デバイス。
【請求項６４】
前記パシベーション材料がケイ素の窒化物、フッ化物、酸化物、酸窒化物、水酸化物および／またはヒ化物のうちの１つまたは複数を含む請求項６３に記載の電気デバイス。
【請求項６５】
前記界面層は基本的に単層から成る請求項６３に記載の電気デバイス。
【請求項６６】
前記界面層がさらに分離層を含む請求項６３記載の電気デバイス。
【請求項６７】
前記界面層が窒素性物質存在下で前記半導体を加熱することによって製造されるパシベーション層を含む請求項１に記載の電気デバイス。
【請求項６８】
前記窒素性物質はアンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）、または非結合窒素（Ｎ）のうちの１つを含む請求項６７に記載の方法。
【請求項６９】
前記界面層は水素イオンとフッ素イオンを含む液体内に前記半導体を浸漬することによって成長したパシベーション層を含む請求項６２に記載の方法。