【事件の表示】
　特願２００６−２５９０９０「薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年２月２２日出願公開、特開２００７−４４８７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１５年３月１４日に出願された特願２００３−７０７２３号の一部を新たな特許出願として、平成１８年９月２５日に適法に出願された、いわゆる分割出願であって、平成２１年６月２５日付けで手続補正がなされた後に通知された、平成２１年９月２５日付け拒絶理由通知（最後）に対して同年１１月２６日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたものの、平成２２年４月１６日付けで、前記１１月２６日付け手続補正について補正の却下の決定がなされるとともに、拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２２年７月２０日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、当該請求と同時に手続補正がなされた。その後、当審において平成２３年５月９日付けで前置報告書の内容について意見を求めるための審尋を行ったところ、同年７月７日付けで回答書が提出された。また、本件について、平成２３年１１月１８日付けで上申書が提出され、平成２４年２月６日に面接が行われ、同年２月２３日に上申書がＦＡＸ送信されている。なお、上記ＦＡＸ送信された上申書と同じ内容の上申書が、平成２４年３月２３日付けでオンライン提出されている。
　
第２　本願発明
１　平成２２年７月２０日付け手続補正の内容と目的
　平成２２年７月２０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１及び明細書の記載を補正するものであって、その請求項１についてする補正は、実質的に、前記平成２１年９月２５日付け拒絶理由で示された事項について、補正前（平成２１年６月２５日付け手続補正書で補正。）の請求項１、５に記載された、照射する光の波長に関する「電場強度比が最大となる」という発明特定事項を、「電場強度比の絶対値の二乗が最大となる」と補正するものであり、その補正に係る技術的事項は本件出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項から明らかな事項であるといえるから、本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りようでない記載の釈明を目的とするものである。また、明細書についてする補正の、当該請求項１に関する補正事項と同様の補正以外の補正についても、いわゆる新規事項を含まない補正であるといえる。
　したがって、本件補正は適法になされたものである。
　
２　本願発明の認定
　したがって、本件出願の発明は、平成２２年７月２０日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「ナノオーダの微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、
　ナノメータサイズの凹凸部又は不純物層が予め形成された基板表面へ上記微粒子を堆積させると共に光を照射する堆積工程を有し、
　上記堆積工程では、照射する光の波長を制御し、下記の（１）式を満たすサイズのナノオーダの微粒子において、当該ナノオーダの微粒子の電場を上記基板表面上の電場で除した電場強度比の絶対値の二乗が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ、上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御すること
　を特徴とする薄膜の作製方法。
　　【数１】
　
　但し、ａ、ｂは、それぞれ上記ナノオーダの微粒子の短手方向及び長手方向のサイズを示し、λは、上記堆積工程によって照射される光の波長を示し、εｓは、上記基板表面上の誘電率を示し、εｍは、上記ナノオーダの微粒子の誘電率を示し、Ｅ０は、上記基板表面上の電場を示し、ＥＴｉｐは、上記ナノオーダの微粒子の電場を示している。」
　
３　本件出願の拒絶査定の理由
　本件出願の平成２２年４月１６日付け拒絶査定の理由３（以下「理由」という。）は、「請求項１、５において「電場強度比が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ」と記載されているが、発明の詳細な説明には、当業者が「電場強度比が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ」ることができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、本件出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。」というものである。
　そして、上記「電場強度比が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ」るのは、前記消失とともに「上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御する」ためであることは、上記本願発明の記載からして明らかであるから、以下、本件出願の発明の詳細な説明の記載に関し、「電場強度比が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ」るとともに「上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御する」ことについて、上記理由を検討する。
　
４　本件出願の発明の詳細な説明の記載
（１）「電場強度比が最大となるような波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ」るとともに「上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御する」ことに関して、本件出願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　本発明の実施の形態として、本発明を適用した薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法を図１に示したＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置１を用いて実現する例につき説明する。
【００２１】
　ＣＶＤ装置１は、チャンバ１１内に、基板１３と、上記基板１３を載置するためのステージ１４とを配設して構成され、またこのチャンバ１１の外部において基板１３表面に対向する側に配設された光発振器１６と、光発振器１６により発振された光の偏光方向を変えて、これを基板１３へ照射する波長板１７と、例えばＺｎ微粒子を堆積させる場合にジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）雰囲気をチャンバ１１へ注入するためのガス供給部１８を備えて構成されている。
【００２２】
　チャンバ１１は、充填するガスの濃度等を均一化するために設けられたものである。なお、チャンバ１１内のガスの濃度を均一化させることにより、ガス分子と光の波長との関係において基板１３への吸着状態を制御すべく、チャンバ１１には、ガスの濃度を制御するための図示しない調整弁が付設されている。またこのチャンバ１１には、内部の圧力を制御するための図示しない圧力弁が付設され、減圧下で成膜するＣＶＤプロセスに鑑みてチャンバ１１内の圧力は、例えばＤＥＺｎ雰囲気において例えば５ｍＴｏｒｒ程度となるように制御される。このチャンバ１１には、基板１３表面に対向する面において窓１１ａがさらに配設されており、この窓１１ａを介して光発振器１６から光を入射させることができる。
【００２３】
　基板１３は、例えば透明なガラス基板等の絶縁材料により構成される。ちなみに、この基板１３として、ガラス以外に、シリコン、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ等、光によって電子を誘起可能な物質を用いてもよいことは勿論である。」
「【００２５】
　ステージ１４は、基板１３を載置するための図示しない載置部や、基板１３を加熱するための図示しない加熱機構が設けられており、ＣＶＤによりラジカル化させたガス分子の成膜状況をコントロールすることができる。
【００２６】
　光発振器１６は、図示しない電源装置を介して受給した駆動電源に基づき光発振し、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ等の固体レーザ、ＧａＡｓ等の半導体レーザ、ＡｒＦ等のガスレーザ等の各種レーザ、さらには、ＬＥＤもしくはキセノンランプ等の光を出射する光源である。この光発振器１６から出射される光の波長の詳細については後述する。」
「【００２８】
　このようなＣＶＤ装置１において、ステージ１４上に基板１３を載置して、ガス供給部１８からチャンバ１１内へガスを充填させる。そして、充填させたガスに対してエネルギーを与えることで化学反応を起こさせ、ガス分子を分解させる。そしてこの分解により得られる分解生成物としての微粒子を基板１３上に堆積させて薄膜を作製する。ちなみに熱ＣＶＤ法に基づき成膜する場合において、この充填させたガスに与えるエネルギーは熱である。また光ＣＶＤ法に基づき成膜する場合において、この充填させたガスに与えるエネルギーは光である。
【００２９】
　また本発明では、ナノメータサイズの核が形成された基板１３に対して、上述したＣＶＤ装置１により微粒子を堆積させると共に、この核が形成されている領域について光発振器１６から発振された光を照射する。これにより、核をいわゆる起点として微粒子の堆積傾向が照射される光により誘起されることになり、ひいては堆積させる微粒子の成長方向、サイズ、微粒子の種類、さらには堆積させる微粒子の形状等が制御されることになる。
【００３０】
　さらに本発明では、光を発振する光発振器１６をコントロールすることにより、基板１３へ照射する光の波長、パルス幅、強度を制御する。またこのＣＶＤ装置１では、光発振器１６から発振される光につき、波長板１７の回転角を調整することにより、基板１３へ照射する光の偏光成分を制御する。さらに、このＣＶＤ装置１では、光発振器１６から発振される光の伝搬方向を図示しない反射板等で調整することにより、基板１３へ照射する光の入射角を制御する。即ち、上述したこの光の偏光成分、波長、パルス幅、強度、入射角の５つのパラメータを自在に組み合わせて選択し、またこれらを制御することにより、微粒子を選択的に堆積させる。」
「【００３６】
　次に、照射する光の波長を制御することにより、堆積させる微粒子のサイズをコントロールする場合につき説明をする。
【００３７】
　基板上に実際に堆積される微粒子のサイズは多岐に亘り、各サイズの微粒子における基底準位と励起準位のエネルギーギャップは、相互に異なる。このため、照射する光の波長に共鳴する微粒子は、基底準位にある励起子が励起準位へ励起して温度が上昇して融点を超える結果、そのまま蒸発して消失することになる。一方、照射する光の波長に共鳴しない微粒子は、基底準位にある励起子が励起しないため、消失せずにそのまま残存することになる。
【００３８】
　ちなみに、この照射する光に共鳴する微粒子のサイズと波長の関係は、光を照射することによる微粒子の電場強度の増大により説明することもできる。横方向ａ、縦方向ｂのサイズで構成される微粒子に照射される光の波長をλとし、また基板１３上の電場Ｅ０に対して微粒子の電場をＥＴｉｐとし、基板１３上の誘電率をεｓとし、微粒子の誘電率をεｍとしたとき、微粒子の電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０は、G.T.Boydによって提案されている式（１）で表すことができる（例えば、G.T.Boyd et al., PRB 30, 519(1984)参照。）。
【００３９】
【数１】
（当審注：上記「２　本願発明の認定」の【数１】と同じであるため、省略。）
【００４０】
　この式（１）で示されるように、微粒子の電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０は、照射する光の波長λと、微粒子の楕円比ｍ（＝ｂ／ａ）に支配される。換言すれば、電場が増強される波長は、微粒子の楕円比ｍに依存することになる。
【００４１】
　図５は、この式（１）に基づいて計算した微粒子の横方向のサイズａに対する電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０の関係を示している。ちなみに、この計算では、微粒子の誘電率εｍとして亜鉛の誘電率を用いており、また楕円比ｍを１．０１と仮定している。この図５に示すように、照射する波長に応じて、電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０が増大するサイズａは異なる。すなわち、各微粒子は、ある一定の電場強度比に到達したときに蒸発して消失し、各波長間において消失する微粒子のサイズが互いに異なる。
【００４２】
　このため、照射する光の波長を制御することにより、電場強度比が増大するサイズａからなる微粒子のみ選択的に励起させて消失させることができ、ひいては、基板１３上に堆積される微粒子のサイズをコントロールすることが可能になる。ちなみに、近接場光プローブ（例えば、特開平１０−０８２７９２号公報参照。）を用いて、局所領域に発生させる近接場光の波長を制御することにより、当該局所領域において堆積される微粒子のサイズを選択することも可能となる。」
「【００４９】
　なお、本発明を適用した薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法をＣＶＤ装置１を用いて実現する例を挙げて説明をしたが、かかる実施例に限定されるものではなく、例えば図９に示すようなスパッタリング装置３を用いて実現するようにしてもよい。
【００５０】
　このスパッタリング装置３は、チャンバ３１内に基板１３と、上記基板１３を載置するためのステージ３２と、基板１３に対向する側に配設されたターゲット３４と、このターゲット３４が装着される電極３５とを配設して構成され、またこのチャンバ３１の外部において、電極３５と接続されて配設されるＲＦ又はＤＣ電源３６と、チャンバ３１の側面等に配される光発振器３７と、光発振器３７から出射される光を窓３１ａを介して基板１３上へ導くための反射板３８と、さらにはこの基板１３へ導く光の偏光成分を制御するための波長板３９とを備えて構成される。
【００５１】
　このスパッタリング装置３では、チャンバ３１内を約１０−２Ｔｏｒｒまで排気した後に、Ａｒ等の不活性ガスを導入し、さらにＲＦ又はＤＣ電源３６により電極に対してＲＦ又はＤＣを印加し放電させる。これにより、ターゲット３４表面近傍において、プラズマ状態を作り出すことができる。この生成されたプラズマの電位は、通常ターゲット３４表面より高くなるため、プラズマとターゲット３４との間で直流的な電界が生じることになる。不活性ガス中のＡｒ＋等の正イオンは、この生じた電界により加速されて、ターゲット３４表面に衝突し、その結果スパッタリングが起こるため、ターゲット３４上の微粒子が順次放出される。ちなみに、この放出された微粒子は、不活性ガスの分子と衝突することなく、基板１３上に堆積されることになる。
【００５２】
　また、このスパッタリング装置３においても同様に、ナノメータサイズの核が形成された基板１３に対して、上述した微粒子を堆積させると共に、この核が形成されている領域について光発振器３７から発振された光を照射する。これにより、核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることになり、上述した光ＣＶＤ装置１と同様に、堆積させる微粒子の成長方向、サイズ、微粒子の種類、さらには堆積させる微粒子の形状等を制御することができる。」
「【００５９】
　なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、気相における微粒子の堆積方法として、ＭＢＥ（molecular beam epitaxial）法、ボート加熱蒸着、E-beam蒸着、イオンプレーティング等を用いてもよく、また、固相における微粒子の堆積方法として、光を照射すると互いに異なる成分に分離する相変化材料（光メモリ）等を用いてもよく、さらに液層（当審注：「液相」の誤記と認める。）における微粒子の堆積方法として、メッキ等を用いてもよい。
【００６０】
　また、上述したナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射する堆積工程を有するいかなる薄膜の作製方法並びに微粒子の堆積方法に適用してもよいことは勿論である。」
「【図５】
　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　
（２）また、照射する光の波長を制御することにより、基板上に堆積させる微粒子の形状を制御し、六角形状の微粒子を消失させて、微小な円形状の微粒子のみを選択的に堆積させた例として、次の図が図示されている。（段落【００４５】参照）
「【図７】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
５　本願発明に関する本件出願の発明の詳細な説明の記載要件充足性
（１）本願発明の技術的意義
　本願発明は、薄膜の作製方法において、「（所定の）波長の光を照射し、照射する光の波長に共鳴する所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ、上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御する」ことを発明特定事項とするものであるが、最初に、当該発明特定事項の技術的意義について検討する。
ア　本件出願の発明の詳細な説明の上記【００３７】には、「実際に堆積される微粒子のサイズは多岐に亘り」と記載されていることからして、多岐に亘るサイズの微粒子中の特定サイズの微粒子のみを消失させたとしても、「多岐に亘るサイズ」の微粒子が得られることに変わりはなく、「堆積する微粒子のサイズを制御」したことにならないこと、ならびに、同【００４５】及び【図７】には、「照射する光の波長を制御することにより」「微小な円形状の微粒子のみ選択的に堆積させる」ことが記載されていることからして、本願発明の前記発明特定事項による技術的意義は、所定のサイズの微粒子を選択的に堆積させるように制御することであって、所定のサイズの微粒子のみを選択的に排除し、その他の多岐に亘る様々なサイズの微粒子を堆積せしめることを意味するものではないことは明らかであるといえる。
イ　そして、本願発明の技術的意義が、所定のサイズの微粒子のみを選択的に排除し、その他の多岐に亘る様々なサイズの微粒子を堆積せしめる点にないことは、平成２１年１１月２６日付け意見書、審判請求書の、「本願発明によると、堆積する微粒子の粒径は照射する光の波長によって制御され、その粒径よりも大きな粒径が形成されないようになる」旨の主張内容からしても首肯し得る事項である。
　
（２）本件出願の発明の詳細な説明から理解できる事項
　そこで、本願発明の「消失」及び「堆積」に関して、上記発明の詳細な説明の記載を検討すると、以下の事項が理解できる。
ア　本願発明の薄膜の作製方法における堆積は、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ＭＢＥ（molecular beam epitaxial）法、ボート加熱蒸着、E-beam蒸着、イオンプレーティング等の気相堆積方法のみならず、光を照射すると互いに異なる成分に分離する相変化材料（光メモリ）等を用いた固相堆積方法や、メッキ等の液相堆積方法をすべからく意味するものである。
イ　特にＣＶＤ装置を用いた光ＣＶＤ法に基づいて微粒子を堆積させる場合、照射する光は、ＣＶＤ装置のチャンバ内に充填せしめられたガスに対して化学反応を起こさせ、ガス分子を分解させるエネルギーを与えるために用いられるものであり、微粒子の堆積傾向は照射される光により誘起される。
ウ　基板上に実際に堆積される微粒子のサイズは多岐に亘るものの、微粒子のサイズによって基底準位と励起準位のエネルギーギャップは相互に異なり、照射する光の波長に共鳴する微粒子は、基底準位にある励起子が励起準位へ励起して温度が上昇して融点を超えるため蒸発して消失し、照射する光の波長に共鳴しない微粒子は、基底準位にある励起子が励起しないため、消失せずにそのまま残存する。
エ　照射する光の波長と、共鳴する微粒子のサイズの関係は、【数１】の電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０によって示され、各微粒子は、ある一定の電場強度比に到達したときに蒸発して消失する。
オ　これらの事項からして、本願発明の薄膜の作製方法は、気相、固相、液相での堆積において用いられる堆積方法であって、気相では、照射される光は化学反応（分子の分解）のエネルギー源として作用するとともに堆積傾向を誘起し、その照射される光の波長において、「消失」は、【数１】で示されている電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０が所定値に到達する微粒子について生じ、「堆積」は、当該電場強度比が所定値に到達しない微粒子について生じる、と理解できる。
カ　そうすると、本件出願の発明の詳細な説明には、照射する光の波長を制御することにより、「所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ、その他の多岐に亘る様々なサイズの微粒子を堆積させる」方法について、一応、記載されていると考えられる。
　
（３）本願発明と、本件出願の発明の詳細な説明から理解できる事項の対比・検討
ア　上記（１）、（２）で述べた技術的意義を有する本願発明と、発明の詳細な説明から理解できる事項を対比すると、本件出願の発明の詳細な説明に記載されていると考えられる、「所定のサイズを有する微粒子のみを消失させ、その他の多岐に亘る様々なサイズの微粒子を堆積させる」方法は、本願発明の技術的意義と解することができない、所定のサイズの微粒子のみを選択的に排除し、その他の多岐に亘る様々なサイズの微粒子を堆積せしめることに相当する事項であるといえるから、本件出願の発明の詳細な説明には、本願発明の技術的意義とは一致しない具体的方法が記載されていることになる。
イ　そうすると、本件出願の発明の詳細な説明は、照射する光の波長を制御することにより、所定のサイズの微粒子を堆積させるように制御するという技術的意義を達成する本願発明について明確かつ十分な具体性をもって記載したものとはいえず、当業者といえども、その記載に基づいて、その実施をすることができるとはいえない。
　
（４）請求人の主張に関する検討
ア　本願発明の技術的意義と認められる、「照射する光の波長を制御することにより、所定のサイズの微粒子を堆積させるように制御すること」について、請求人の提出した資料及び主張を勘案し、当業者の技術常識に照らすことにより、上記本件出願の発明の詳細な説明が、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえるか否かについて、さらに検討する。
イ　請求人は、平成２１年１１月２６日付け意見書、審判請求書、及び、平成２３年１１月１８日付け上申書において、参考資料（実験結果）を示しつつ、基板上に堆積した小さな微粒子が成長する過程において、光の波長を制御して照射すると、当該波長において共鳴する大きさまで成長した微粒子が消失することにより、その大きさよりも微粒子が成長することなく堆積されるため、所定のサイズ（以下の）の微粒子のみを堆積させることができる旨主張し、また、平成２４年２月２３日にＦＡＸ送信された上申書において、さらに参考資料（学術論文）を提示しつつ、微粒子を堆積させる堆積工程において、初期に堆積した微小堆積核を起点として結晶成長が進むことは本件出願前に当業者に周知の事項である旨、主張している。
ウ　上記主張について検討するに、請求人が前記平成２３年１１月１８日付け上申書において提示した参考資料中の参考資料１は、照射する光の波長に応じて所定の粒径の微粒子のみが選択的に堆積することを示すものであって、主張内容と一致しない上、本件出願の発明の詳細な説明には、「化学気相成長法」（【０００４】）、「微粒子の成長方向」（【００２９】、【００５２】）という記載はあるものの、微粒子の消失について、基板上に堆積した小さな微粒子が成長する過程において消失することは何ら記載されていない。また、上記（２）で既に述べたとおり、本件出願の発明の詳細な説明の記載から理解できる事項は、気相、固相、液相での堆積において用いられる堆積方法であって、気相では、照射される光は化学反応（分子の分解）のエネルギー源として作用するとともに堆積傾向を誘起し、その照射される光の波長において、「消失」は、【数１】で示されている電場強度比ＥＴｉｐ／Ｅ０が所定値に到達する微粒子について生じ、「堆積」は、当該電場強度比が所定値に到達しない微粒子について生じるというものであり、さらに、上記「４」の「（１）」に摘記した【００２３】の記載からして、前記消失や堆積を生じせしめる基板に、ガラス基板の他、シリコン、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ等、光によって電子を誘起可能な物質を用いるものであるのに対し、平成２４年２月２３日にＦＡＸ送信された上申書に添付された参考資料は、結晶基板上に結晶成長するエピタキシャル成長に関する文献である。
エ　そして、例えば液相におけるメッキは、イオン化した物質が基板上に、必ずしも結晶化することなく単に堆積して層状に形成される事象であることは周知の事項であるし、また、ガラスは、一般にアモルファス材料と考えられることからして、本件出願の発明の詳細な説明が、エピタキシャル成長のような成長過程を経ることを前提として記載されたものであるとも考えられない。
オ　そうすると、当業者といえども、本件出願の発明の詳細な説明の記載から、そこに記載された「堆積」が「堆積した小さな微粒子が成長する過程」を意味するものと理解することはできないから、本件出願の発明の詳細な説明は、当業者の技術常識に照らしても、所定の技術的意義を達成する本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
６　むすび
　以上のとおり、本件出願の発明の詳細な説明の記載は、本件出願の請求項１に係る発明について、特許法第３６条第４項第１号に規定する記載要件を充足していない。
　したがって、本件出願は原査定のとおり、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。