【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを製造する方法において、
全体的に平坦な半導体ウェハ基板が実質的に直交する第一及び第二の面内寸法により画成されるように前記全体として平坦な半導体ウェハ基板を提供するステップと、
導電性リード線材料の少なくとも１つのトポグラフィック層を前記基板上に堆積させるステップと、
前記導電性リード線材料のトポグラフィック層又は前記複数のトポグラフィックフィルパターンの別のものの何れかに隣接して複数のトポグラフィックフィルパターンを堆積させ、その間に画成された空間が任意のその他の空間と実質的に等しい幅を有するようにするステップと、
複数の谷を画成する列が前記基板上に形成され且つ、前記トポグラフィックフィルパターンの少なくとも１つ及び前記導電性リード線の材料に外接するように、前記複数のトポグラフィックフィルパターン及び導電性リード線材料の前記少なくとも１つの前記トポグラフィック層を配置するステップであって、
前記列の形態は、該列の周りの略連続直線状縁部の周縁が、前記トポグラフィックフィルパターン、前記導電性リード線材料又はその両者の組合体により画成されるような形態とされ、
前記トポグラフィックフィルパターンの任意の部分が前記周縁を越えて側方向に伸びるものがないようにし、前記トポグラフィックフィルパターン及び前記導電性リード線材料が前記空間の複数の交点により画成された格子を画成し、
該格子が、該列内に配置され且つ、前記複数のトポグラフィックフィルパターンの任意の１つのものの最長寸法よりも長い直線寸法を含まず、前記複数の交点の任意のものにより画成された交差部分が連続的な直線寸法を含むことがないような形態とされるようにした前記ステップと、
平坦化層が少なくとも前記格子内に配置され且つ、前記少なくとも１つの導電性リード線材料のトポグラフィック層及び前記複数のトポグラフィックフィルパターンを側方向に取り巻くように、平坦化層を前記基板上に堆積させるステップとを備える、半導体ウェハを製造する方法。
【請求項２】
前記平坦化層を堆積させるステップが、スピン・オンガラス層（ｌａｙｅｒ  ｏｆ  ｓｐｉｎ−ｏｎ  ｇｌａｓｓ）を堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記平坦化層を堆積させるステップが、化学的気相成長法によりＴＥＯＳを直接施工するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記平坦化層を堆積させるステップが、前記導電性リード線材料のトポグラフィック層の最上面及び前記複数のトポグラフィックフィルパターンと実質的に同一面状に前記層の最上面を形成するようにした、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
半導体デバイスにおいて、
基板と、
該基板上に堆積させた第一のトポグラフィックパターンと、
該基板上に堆積させた第二のトポグラフィックパターンとを備え、
該第一及び第二のトポグラフィックパターンが、作用可能なリード線及びダミーフィルをそれぞれ画成し、
前記基板上の列であって、第一及び第二のトポグラフィックパターンに外接する複数の谷を画成する前記列を備え、該列の形態が、
該列の周りの略直線状縁部の周縁が、前記複数のダミーフィル、前記作用可能なリード線又はその双方の組合体により画成され、
前記複数のダミーフィルの任意のものの部分が前記周縁を超えて側方向に伸びることがないような、形態とされ、
前記列内に配置され且つ、前記複数の谷の少なくとも一部分により画成された格子を備え、
該格子を構成する前記複数の谷の各々の最長の直線寸法が、前記ダミーフィルの任意のものの最長の側方向寸法よりも長くなく、
前記複数の谷の任意の２つの間の交点により画成された交差部分が、連続的な直線寸法を含まないようにした、半導体デバイス。
【請求項６】
前記列内の前記第一及び第二のトポグラフィックパターンが、互いに隔てられた複数のピークを備え、該複数のピークがピーク間空間により画成されねようにし、
前記谷上に堆積させた実質的に平面状の絶縁性材料層を備え、
該平面状層が、その最上面が前記ピークの最上面と実質的に同一平面状となるように選ばれた厚さを有するようにした、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ピーク間空間の任意のものの幅を画成する側方向寸法が、前記ピーク間空間の他の全ての幅と実質的に同一である、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記絶縁性材料が酸化物系セラミックである、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記基板が実質的に平面状であり、
前記第二のトポグラフィックパターンが、前記複数の第一のトポグラフィックパターンの最上面と全体として同一平面状である最上面を備え、
前記谷により画成された前記格子が、前記トポグラフィックパターンの隣接するものの間に相互に接続した一連の空間を画成し、
前記相互に接続した一連の空間の各々の幅が実質的に等しく、
前記一連の空間の各々の最長の直線寸法が、前記第二のトポグラフィックパターンの任意のものの最長寸法よりも長くなく、
前記相互に接続した一連の空間の任意の２つの間の交点により画成された交差部分が、連続的な直線寸法を含まないようにした、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
該半導体基板上に配置されたスイッチングデバイスと、
該スイッチングデバイスと電気的に連通した電荷保存デバイスと、
平坦化層が前記格子内に少なくとも配置され且つ、前記複数のトポグラフィックパターンを側方向に取り巻くように前記基板上に堆積させた平坦化層とを備え、
少なくとも１つのメモリセルを画成し得るように前記スイッチングデバイス及び前記電荷保存デバイスと結合された、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記相互に接続した一連の空間の各々の前記幅が０．２５から０．５μｍの範囲にある、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１２】
前記複数の第二のトポグラフィック構造体の配置が、第一の直交する面内寸法及び第二の直交する面内寸法を画成する、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１３】
前記ダミーフィルの少なくとも１つが、前記第一及び第二の面内寸法の少なくとも１つに沿って少なくとも１つの隣接するダミーフィルと重なり合うようにした、請求項１２に記載のメモリセル。
【請求項１４】
前記平坦化層がＴＥＯＳを備える、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１５】
前記平坦化層がスピン・オンガラスを備える、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１６】
前記ダミーフィルがＴ字形の形状である、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１７】
前記Ｔ字形のダミーフィルの間に配置された第二の組みの前記ダミーフィルを更に備える、請求項１６に記載のメモリセル。
【請求項１８】
前記第二の組みの前記ダミーフィルが四角形の形状である、請求項１７に記載のメモリセル。
【請求項１９】
前記ダミーフィルが、前記導電性リード線と同一の材料で出来ている、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項２０】
前記相互に接続した一連の第一の組みの空間が、第一の直交する面内寸法にて伸びる一方、前記相互に接続した一連の第二の組みの空間が、第二の直交する面内寸法にて伸びるようにした、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項２１】
全体として平面状のボードと、
前記全体として平面状のボードに固定された、マイクロプロセッサ用のマウントと、
前記全体として平面状のボードに固定された、前記メモリデバイス用のマウントと、
前記全体として平面状のボードに固定された、複数のコントローラ装置用のマウントと、
前記全体として平面状のボードと各種の入力デバイス、出力デバイス及び前記メモリデバイスとの間に電気的連通状態を提供する複数の相互接続デバイスとを更に備え、
前記メモリセル、前記マウント及び前記全体として平面状ボードが、少なくとも１つのマザーボード組立体を画成するようにした、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項２２】
前記全体として平面状のボードに電気的に結合されたマイクロプロセッサと、
該マイクロプロセッサに電気的に結合された少なくとも１つの入力部と、
前記プロセッサに電気的に結合された大容量記憶装置と、
前記マイクロプロセッサに電気的に結合された出力部とを更に備え、
前記全体として平面状のボード、前記マイクロプロセッサ、前記大容量記憶装置、及び前記出力部が、少なくとも１つのコンピュータシステムを画成し得るような形態とされる、請求項２１に記載のマザーボード組立体。
【請求項２３】
前記一連の空間の各々の前記幅が０．２５から０．５μｍの範囲にある、請求項２２に記載のコンピュータシステム。
【請求項２４】
前記ダミーフィルの各々の配置が、第一の直交する面内寸法と、第二の直交する面内寸法とを画成する、請求項２２に記載のコンピュータシステム。
【請求項２５】
前記ダミーフィルが、前記第一及び第二の面内寸法の少なくとも１つに沿って少なくとも１つの隣接する前記ダミーフィルと重なり合うようにした、請求項２４に記載のコンピュータシステム。
【請求項２６】
前記相互に接続した一連の第一の組みの空間が、前記第一の面内寸法にて実質的に伸びる一方、前記相互に接続した一連の第二の組みの空間が、前記実質的に第二の面内寸法にて伸びるようにした、請求項２４に記載のコンピュータシステム。
【請求項２７】
前記平坦化層がＴＥＯＳを備える、請求項２２に記載のコンピュータシステム。
【請求項２８】
前記平坦化層がスピン・オンガラスを備える、請求項２２に記載のコンピュータシステム。
【請求項２９】
前記ダミーフィルの少なくとも一部分がＴ字形である、請求項２２に記載のコンピュータシステム。
【請求項３０】
前記ダミーフィルが、前記導電性リード線と同一の材料で出来ている、請求項２２に記載のコンピュータシステム。