Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月26日(2006.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
女性患者の子宮動脈閉塞のための膣内クランプ器具であって：
ａ．  第１クランプ手段であって、これは末端作動可能エンドおよび基端操作エンド付きの伸長ハンドルおよび操作末端に対して第１ハンドルとの関連において鈍い角度で固着されているクランプ要素を有する第１クランプ手段；
ｂ．  第２クランプ手段であって、これは末端作動可能エンドおよび基端操作エンド付きの第２伸長ハンドルおよび第２伸長ハンドルの操作末端に対して第２伸長ハンドルとの関連において鈍い角度で固着されている第２クランプ要素を有する第２クランプ手段；
ｃ．  第１および第２クランプ手段の間の枢支手段を包含し、従って第１および第２ハンドルの枢支手段周りの回転で第１および第２クランプ要素の間の間隔を調整するようにした、膣内クランプ器具。
【請求項２】
第１クランプ要素が女性患者の子宮頸内に配置されるように構成されかつ第２クランプ要素が女性患者の子宮頸の外側上に配置されるように構成されている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項３】
クランプ要素が圧力適用面を備え、これらの面がハンドルがそれらの操作端から操作された時にハンドルが回る面に対して概ね直角な面内を占めるようにした、請求項２に記載の膣内クランプ器具。
【請求項４】
第２クランプ要素が第１クランプ要素よりも大きい、請求項２に記載の膣内クランプ器具。
【請求項５】
第２クランプ要素が第１クランプ要素よりも長い、請求項２に記載の膣内クランプ器具。
【請求項６】
第１および第２のクランプ要素がパドル形である、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項７】
パドル形クランプ要素がワイヤーフレームで形成されている、請求項６に記載の膣内クランプ器具。
【請求項８】
クランプ要素が湾曲している、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項９】
第１および第２クランプ要素が第１および第２ハンドルに対して解放可能に固着されている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１０】
動脈探索センサーが少なくとも第２クランプ要素の末端部に固着されている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１１】
動脈探索センサーが血流センサー、音センサー、超音波センサー、圧力センサー、脈動センサー、応力センサー、歪みセンサー、化学センサー、電磁放射センサー、およびそれらの組合せから成る群から選択されている、請求項１０に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１２】
動脈探索センサーがドップラー超音波センサーである、請求項７に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１３】
ドップラー超音波センサーが約５ＭＨｚおよび約２０ＭＨｚの間の周波数を有する超音波エネルギーを感知するように構成されている、請求項８に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１４】
ドップラー超音波センサーが約６ＭＨｚおよび約１０ＭＨｚの間の周波数を有する超音波エネルギーを検知するように構成されている、請求項８に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１５】
クランプ要素が約０．８インチおよび約６インチの間の長さを備えている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１６】
クランプ部材が約２．５インチおよび約４．５インチの間の長さを備えている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１７】
外側クランプ要素の末端が内側クランプ要素の末端に対して末端側へ配置されている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１８】
外側クランプ要素の末端が内側クランプ要素の末端に対して約０．１インチないし約２インチの距離だけ末端側へ配置されている、請求項１７に記載の膣内クランプ器具。
【請求項１９】
外側クランプ要素の末端が内側クランプ要素の末端に対して約０．１インチないし約１インチの距離だけ末端側へ配置されている、請求項１７に記載の膣内クランプ器具。
【請求項２０】
両クランプ要素が約０．５インチないし約３インチの幅を備えている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項２１】
クランプ要素がループ形ワイヤーフレームを備えている、請求項１に記載のクランプ器具。
【請求項２２】
クランプ要素が平坦面内に横たわる圧力適用面を備えている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項２３】
クランプ要素が湾曲面内に横たわる圧力適用面を備えている、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項２４】
両ハンドルが相互連結ロック機構を備え、この機構がクランプ要素を圧力適用状態に保持するのに有効なロック状態を提供する、請求項１に記載の膣内クランプ器具。
【請求項２５】
患者の血管閉塞のためのシステムであって：
ａ．  患者の動脈閉塞のためのクランプ器具であって、以下の構成を備えている
ｉ．第１クランプ部材であって、これは末端作動可能エンドおよび基端操作エンド付きの伸長ハンドルおよび操作末端に対して第１ハンドルとの関連において鈍い角度で固着されているクランプ要素を有する第１クランプ部材；
ｉｉ．第２クランプ部材であって、これは末端作動可能エンドおよび基端操作エンド付きの第２伸長ハンドルおよび第２伸長ハンドルの操作末端に対して第２伸長ハンドルとの関連において鈍い角度で固着されている第２クランプ部材を有する第２クランプ部材；
ｉｉｉ．第１および第２クランプ部材の間の枢支手段を備え、従って第１および第２ハンドルの枢支手段周りの回転で第１および第２クランプ部材の間の間隔を調整するようにした、クランプ器具。
ｂ．  クランプ要素の末端部分に対して固着された動脈探索センサー；および
ｃ．  伸長信号伝達部材であって基端および末端を備えかつその末端で動脈探索センサーに固着されかつその基端にセンサーコントローラーに対して接続されるように構成されたコネクターを備えている信号伝達部材
を包含している、システム。
【請求項２６】
動脈探索センサーがドップラー超音波センサーである、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
両ハンドルがクランプ部材を圧力適用状態に保持するのに有効なロック状態を提供するロック機構を備えている、請求項２５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月17日(2006.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６２】
第１のPCRでは、従来の抗体（1.6kb）および重鎖（1.3kb）抗体遺伝子セグメントのレパートリーをリーダー特異的プライマー（5'-GGCTGAGCTCGGTGGTCCTGGCT-3'（配列番号66））およびオリゴd(T)プライマー（5'-AACTGGAAGAATTCGCGGCCGCAGGAATTTTTTTTTTTTTTTTTT-3'（配列番号67））を使用し増幅した。得られたDNA断片をアガロースゲル電気泳動によって分離し、重鎖抗体セグメントをコードしている1.3kb断片をアガロースゲルから精製した。第２のPCRは、FR1リバースプライマーおよび同じオリゴd(T)フォワードプライマーの混合物を使用し実施した。PCR生成物を（FR1プライマー中に導入されている）SfiIおよび（FR4中に天然に存在する）BstEIIで消化した。ゲル電気泳動後、約400塩基対のDNA断片をゲルから精製し、ファージミドpAX004の対応する制限部位中に連結して、大腸菌TG1の電気穿孔法後にクローン化VHHのライブラリを得た。ライブラリの大きさは、1.4×107cfuであり、クローンにはすべて、正確な大きさ挿入物が含まれていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７２】
実施例１１：エピトープマッピング
pBAD-OprI-ssでvWFのA3ドメインをクローニング
pBAD-OprI-strep-specベクターを使用して、UT5600大腸菌の細胞表面上にOprIとの融合体としてVWF A3ドメインを提示させた（F-ara-14 leuB6 azi-6 lacY1 proC14 tsx-67 entA403 trpE38 rfbD1 rpsL109 xyl-5 mtl-1 thi1 DompT fepC266）（Cote-Sierraら、1998, Gene, 221: 25-34）。vWF（201aa）のA3ドメインをコードする遺伝子は、A3前およびA3逆PCRプライマーを使用しPCRによって増幅した。
A3前：CTG GTG CTG CAG AGG TGA AGC TTC GGA GAG GGG CTG CAG ATC（配列番号68）
A3逆：ATC CAT GCA AAT CCT CTA GAA TCC AGA GCA CAG TTT GTG GAG（配列番号69）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８４】
実施例１８：vWFのA1ドメインへの結合のスクリーニング
pBAD-OprI-strep-specベクターを使用して、UT5600大腸菌の細胞表面上にOprIとの融合体としてVWF A1ドメインを提示させた（F-ara-14 leuB6 azi-6 lacY1 proC14 tsx-67 entA403 trpE38 rfbD1 rpsL109 xyl-5 mtl-1 thi1 DompT fepC266）（Cote-Sierraら、1998, Gene, 221: 25-34）。vWF(219aa)のA1ドメインをコードする遺伝子をA1前およびA1逆PCRプライマーを使用しPCRによって増幅した。
A1前：CCG GTG AGC CCC ACC ACT CTA AGC TTG GAG GAC ATC TCG GAA CCG（配列番号70）
A1逆：CCC CAG GGT CGA AAC CCT CTA GAG CCC CGG GCC CAC AGT GAC（配列番号71）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３４４】
抗vWF VHH断片
実施例６５：vWF-C37のVHH-CDR3断片の発現
C37のCDR3領域を、フレームワーク4領域に位置するセンスプライマー（フォワード:CCCCTGGTCCCAGTTCCCTC（配列番号72））、およびフレームワーク3領域（リバース:TGTGCTCGCGGGGCCGGTAC（配列番号73））に位置するアンチセンスプライマーを使用することによって増幅した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３４５】
pAX10中でCDR-3断片をクローン化するために、第２巡のPCR増幅は、プライマーに続けてに必要な制限部位を導入して実施した：
リバースプライマーSfi1：
GTCCTCGCAACTGCGGCCCAGCCGGCCTGTGCTCGCGGGGCCGGTAC（配列番号74）
フォワードプライマーNot1：
GTCCTCGCAACTGCGCGGCCGCCCCCTGGTCCCAGTTCCCTC（配列番号75）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３８２】
【表２９】
2006517789.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006517789.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2006517789.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月22日(2006.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：1に示すアミノ酸配列を有するヒト第VII因子（hFVII）またはヒト第VIIa因子（hFVIIa）に関してアミノ酸改変1〜15個を含むアミノ酸配列を有する第VII因子（FVII）または第VIIa因子（FVIIa）ポリペプチド変種であって、ここで、該変種の配列が、L39、I42、S43、K62、L65、F71、E82、およびF275からなる群より選択される少なくとも一つの位置において置換を含むが、
但し、該変種は以下ではない：
2006517089.tif 000001
、変種。
【請求項２】
変種の配列が、L39E、L39Q、L39H、I42R、S43H、S43Q、K62E、K62R、L65Q、L65S、F71D、F71Y、F71E、F71Q、F71N、E82Q、E82N、E82K、およびF275Hからなる群より選択される少なくとも一つの置換を含むが、但し該変種は以下ではない：
2006517089.tif 000002
、請求項1記載の変種。
【請求項３】
置換がL65Qである、請求項2記載の変種。
【請求項４】
L65Q、F71Y、K62E、およびS43Qからなる群より選択される少なくとも二つの置換を含む、請求項2に記載の変種。
【請求項５】
Glaドメインにおける少なくとも一つのアミノ酸改変を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の変種。
【請求項６】
Glaドメインにおける少なくとも一つの改変が、P10、K32、D33、およびA34からなる群より選択される少なくとも一つの位置で置換を含む、請求項5記載の変種。
【請求項７】
A3とF4位のあいだに少なくとも一つのアミノ酸残基の挿入をさらに含む、請求項6記載の変種。
【請求項８】
非ポリペプチド部分のための結合基を含む少なくとも一つのアミノ酸残基がGlaドメインの外部に存在する位置に導入されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の変種。
【請求項９】
結合基がインビボグリコシル化部位である、請求項8記載の変種。
【請求項１０】
インビボグリコシル化部位が、
2006517089.tif 000003
からなる群より選択される置換によって導入されるN-グリコシル化部位である、請求項9記載の変種。
【請求項１１】
変種が157、158、296、298、305、334、336、337、および374からなる群より選択される位置が少なくとも一つの改変をさらに含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の変種。
【請求項１２】
K341Q、D196K、D196N、G237L、およびG237GAAからなる群より選択される少なくとも一つの改変をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の変種。
【請求項１３】
活性化型である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の変種。
【請求項１４】
請求項1〜13のいずれか一項において定義された変種をコードするヌクレオチド配列。
【請求項１５】
請求項14において定義されたヌクレオチド配列を含む発現ベクター。
【請求項１６】
請求項14において定義されたヌクレオチド配列または、請求項15において定義された発現ベクターを含む宿主細胞。
【請求項１７】
宿主細胞が、インビボグリコシル化を行うことができるγカルボキシル化細胞である、請求項16記載の宿主細胞。
【請求項１８】
請求項1〜13のいずれか一項において定義された変種と、薬学的に許容される担体または賦形剤とを含む薬学的組成物。
【請求項１９】
凝血形成が望ましい疾患または障害を治療するための、請求項18記載の薬学的組成物。
【請求項２０】
凝血形成が望ましい疾患または障害を治療する薬剤を製造するための請求項1〜13のいずれか一項において定義される変種の利用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０ミクロン未満の厚さを有するＧａＡｓ基板であって、能動表面及び裏面を有するＧａＡｓ基板と、
前記裏面上に重なる拡散バリア層と、
銅を含み、かつ前記拡散バリア上に重なる裏面金属層と、
ＧａＡｓ基板を封止するプラスチック製のダイパッケージとを含む半導体装置。
【請求項２】
約５０ミクロン未満の厚さを有するＧａＡｓダイを、軟質はんだを含むダイ接合面を有するリードフレームの上に載置する工程と、
軟質はんだを加熱して、前記ダイをリードフレームに接合する工程とを含む、方法。
【請求項３】
約１５ミクロン〜５０ミクロンの範囲の厚さを有するＧａＡｓ基板であって、能動表面及び裏面を有するＧａＡｓ基板と、
前記裏面上に重なる拡散バリア層と、
銅を含み、かつ前記拡散バリア上に重なり、約１１ミクロン〜１５ミクロンの範囲の公称厚さを有する裏面金属層とを含む半導体装置。
【請求項４】
５０ミクロン未満の厚さを有するＧａＡｓ基板であって、能動表面及び裏面を有するＧａＡｓ基板と、
前記裏面上に重なる拡散バリア層と、
前記拡散バリア層上に重なる応力緩和層と
銅を含み、かつ前記応力緩和層上に重なる裏面金属層と、
ＧａＡｓ基板を封止するプラスチック製のダイパッケージとを含む半導体装置。
【請求項５】
５０ミクロン未満の厚さを有するＧａＡｓ基板であって、能動表面及び裏面を有するＧａＡｓ基板と、
前記裏面上に重なる拡散バリア層と、
銅を含み、かつ前記拡散バリア上に重なる裏面金属層であって、前記ＧａＡｓ基板に機械的支持を提供する裏面金属層と、
ＧａＡｓ基板を封止するプラスチック製のダイパッケージとを含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性プラズマへの暴露に起因する分解からエラストマー部品を保護する方法であって、前記部品を反応性プラズマに暴露する前に、前記部品の表面に少なくとも１ミリテスラの磁束密度を付与することを含み、それによって、同一の条件下において反応性プラズマに暴露される際に、前記部品の質量損失は、表面に少なくとも１ミリテスラの磁束密度を持たない第２の同一のエラストマー部品の重量損失よりも少なくとも２０％少ないことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記磁束密度が、少なくとも２０ミリテスラであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁束密度が、前記部品内に含まれる磁性材料により前記部品の表面に付与されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記磁束密度が、前記部品の外部に装着される１個または複数の磁石により前記部品の表面に付与され、前記磁石が、使用中にプラズマに暴露される前記部品の表面のごく近傍に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
反応性プラズマに暴露されるスリットバルブドアーであって、前記ドアーがシーリング面と前記シーリング面上に装着されるエラストマー部品とを有し、かつ少なくとも１個の磁石が前記ドアー上に装着され、使用時に反応性プラズマに暴露される前記エラストマー部品の表面上に少なくとも１ミリテスラの磁束密度をもたらすように、前記磁石が前記エラストマー部品のごく近傍に装着され、それによって、同一の条件下において反応性プラズマに暴露される際に、前記部品の質量損失は、表面に少なくとも１ミリテスラの磁束密度を持たない第２の同一のエラストマー部品の重量損失よりも少なくとも２０％少ないことを特徴とするスリットバルブドアー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
６０分間暴露後、対照のＯリング（内部磁石なし）では、その初期重量の２．８％が失われ、一方、本発明のＯリングでは、その初期重量の１．４％が失われた。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  反応性プラズマへの暴露に起因する分解からエラストマー部品を保護する方法であって、前記部品の表面に少なくとも１ミリテスラの磁束密度を付与することを含むことを特徴とする方法。
［２］  前記磁束密度が、少なくとも２０ミリテスラであることを特徴とする［１］に記載の方法。
［３］  前記磁束密度が、前記部品内に含まれる磁性材料により前記部品の表面に付与されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［４］  前記磁性材料が、永久磁石および電磁石よりなる群から選択される少なくとも１個の磁石であることを特徴とする［３］に記載の方法。
［５］  前記永久磁石が、フェライト磁石、フェライト−ゴム磁石、アルミニウム−ニッケル−コバルト磁石、サマリウム−コバルト磁石、およびネオジム磁石よりなる群から選択されることを特徴とする［４］に記載の方法。
［６］  前記磁束密度が、前記部品の外部に装着される１個または複数の磁石により前記部品の表面に付与され、前記磁石が、使用中にプラズマに暴露される前記部品の表面のごく近傍に配置されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［７］  反応性プラズマに暴露されるスリットバルブドアーであって、前記ドアーがシーリング面と前記シーリング面上に装着されるエラストマー部品とを有し、かつ少なくとも１個の磁石が前記ドアー上に装着され、前記エラストマー部品の表面上に少なくとも１ミリテスラの磁束密度をもたらすように、前記磁石が前記エラストマー部品のごく近傍に装着されることを特徴とするスリットバルブドアー。
［８］  反応性プラズマに暴露されるパイプフランジであって、前記フランジがシーリング面と前記シーリング面上に装着されるエラストマー部品とを有し、かつ少なくとも１個の磁石が前記シーリング面上に装着され、前記エラストマー部品の表面上に少なくとも１ミリテスラの磁束密度をもたらすように、前記磁石が前記エラストマー部品のごく近傍に装着されることを特徴とするパイプフランジ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘膜の断絶部を処置するための一連の処方剤を生成する方法であって、
所定の濃度で、フェノール、グアヤコール、スルホン酸、および、必要に応じて、水を提供する工程、
該グアヤコールおよびフェノールを、硫酸および水と反応させて、フェノールスルホン酸およびグアヤコールスルホン酸を生成して、そして、いくつかの実施形態において、遊離水および遊離酸と反応させて、所定濃度の、フェノールスルホン酸の所定の異性体、グアヤコールスルホン酸の所定の異性体、および、必要に応じて、遊離酸および遊離水を有する処方剤を生成する工程
を包含する、方法。
【請求項２】
前記フェノールスルホン酸が、水酸化物で処理されて、フェノールスルホン酸アンモニウムが生成され、ここで、該水酸化物としては、水酸化アンモニウムが挙げられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記グアヤコールスルホン酸が、水酸化物で処理されて、グアヤコールスルホン酸カリウムが生成され、ここで、該水酸化物としては、水酸化カリウムまたは水酸化亜鉛が挙げられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
スルホン酸塩からスルホン酸を分離する工程をさらに包含する、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
アフタ性口内炎、慢性歯周病、および歯肉炎のうちの一つ以上を処置するためにフェノールスルホン酸をパッケージする工程をさらに包含する、請求項４に記載の方法
【請求項６】
１以上の皮膚性障害を処置するため、そして、皮膚のリサーフェシングするため、または口内炎を処置するために、スルホン酸塩をパッケージする工程をさらに包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法によって製造される製品。
【請求項８】
請求項４に記載の方法によって製造される製品。
【請求項９】
請求項３に記載の方法によって製造される製品。
【請求項１０】
粘膜の断絶部を処置するための処方剤であって、
フェノールスルホン酸およびフェノールスルホン酸の異性体；
グアヤコールスルホン酸およびグアヤコールスルホン酸の異性体、ならびにモノ型およびビス型のグアヤコールスルホン酸；
フェノールスルホン酸アンモニウム；および
グアヤコールスルホン酸カリウム
を含む、処方剤。
【請求項１１】
口内粘膜の断絶部を処置するための処方剤であって、
２５〜８０重量％の濃度のフェノールスルホン酸；
２５〜８０重量％の濃度のグアヤコールスルホン酸；
０〜３２重量％の濃度の遊離硫酸；および
０〜３重量％の濃度の水
を含む、処方剤。
【請求項１２】
皮膚の粘膜の断絶部を処置するための処方剤であって、
２５〜８０重量％の濃度のフェノールスルホン酸；
０〜５重量％の濃度のフェノールスルホン酸アンモニウム；
２５〜８０重量％の濃度のグアヤコールスルホン酸；
０〜３２重量％の濃度の遊離硫酸；および
０〜３重量％の水
を含む、処方剤。
【請求項１３】
キットであって、請求項１０、１１または１２に記載の処方剤、該処方剤を入れるための容器、および該処方剤を粘膜の断絶部に運搬するための機械的装置を備える、キット。
【請求項１４】
粘膜の断絶部を処置するための装置であって、注射器、および該注射器の中に含まれる請求項７記載の処方剤
を含む、装置。
【請求項１５】
フェノールスルホン酸、グアヤコールスルホン酸、フェノールスルホン酸アンモニウム、グアヤコールスルホン酸カリウム、水および遊離酸を含む成分；および、
所定の量の２つ以上の該成分を一緒に混合して、特定のタイプの粘膜の断絶部を処置するための処方剤を生成するよう調整された機械装置
を含む、システム。
【請求項１６】
サリチル酸およびスルホサリチル酸の一つ以上をさらに含む、請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
請求項１５記載のシステムであって、フェノールスルホン酸、グアヤコールスルホン酸、フェノールスルホン酸アンモニウム、グアヤコールスルホン酸カリウムが、歯肉炎を処置するための処方剤を調製されるために計量され、
該処方剤が、遊離酸をほとんど含まないか、全く含まない、
システム。
【請求項１８】
請求項１５記載のシステムであって、前記フェノールスルホン酸およびグアヤコールスルホン酸が、遊離のスルホン酸を有する処方剤を生成させるために計量され、該処方剤が、歯周病を処置するために使用される、システム。
【請求項１９】
請求項１５記載のシステムであって、ここで、前記フェノールスルホン酸およびグアヤコールスルホン酸が、顔面用剥離剤として、または口内炎の治療薬として使用するのに有効な濃度に計量される、システム。
【請求項２０】
請求項１７記載のシステムであって、前記フェノールスルホン酸、グアヤコールスルホン酸および遊離酸が、足用剥離剤として使用するのに有効な濃度に計量されるシステム。
【請求項２１】
フェノールスルホン酸、グアヤコールスルホン酸、および、必要に応じて、スルホサリチル酸を含む混合物を含む、剥離用組成物。
【請求項２２】
皮膚軟化剤、保湿剤、増粘剤、および乳化剤、中和剤、着色剤、およびＵＶ吸収剤もしくはフィルター、および保存剤のうちの一つ以上をさらに含む、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２３】
前記混合物がゲルである、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２４】
前記混合物が、クリームまたはペーストまたは泡状物である、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２５】
前記混合物がｐＨ２〜６の範囲にある、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２６】
前記フェノールスルホン酸が、前記混合物の容量のうち少なくとも約２４％までの濃度を有する、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２７】
フェノールスルホン酸の濃度が、前記混合物の容量のうち約４％である、請求項２１記載の剥離用組成物。
【請求項２８】
クエン酸をさらに含む、請求項２１記載の剥離用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
【図１ａ】図１ａは、硫酸、木クレオソート、および純水を含む、先行技術による処方剤の概略図である。
【図１ｂ】図１ｂは、本発明に係る処方剤、ならびに皮膚および口腔の症状の治療におけるその使用法についての概略図である。
【図２】図２は、本発明に係る処方剤中の化学物質の式を示す図である。
【図３】図３は、本発明に係る処方剤の属性を説明したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸（１４）、ハンドルを形成する後方心軸部分（１８）および前方心軸部分（１６）を含むエラストマー材料で成形されるイヤープラグであって、前記イヤープラグは、前記心軸前方部分から延在し、かつヒトの耳管を遮断するように設計される少なくとも１つのフランジ（２３）を含み、
前記フランジは、前記フランジの前面が心軸に交差するフランジの半径方向内端部（３０）と、フランジ前面が前記軸から半径方向に最も遠いフランジの半径方向外端部（３２Ａ）との間で測定されるような半径方向の長さ（２Ｅ）を有し、前記フランジは、内側半分の半径方向の長さの大半に沿って半径方向（６２）に対して１５°を越えない角度（Ｂ）で延在する半径方向内側半分（５２）を有し、
前記フランジは軸方向の長さ（２３ａ）を有し、前記フランジは、前記フランジの軸方向の長さの少なくとも３分の２の距離（Ｄ）に沿って２５°を越えない後方および半径方向外側の傾斜で延在する、イヤープラグ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのフランジは、前記フランジを含む複数のフランジ装置（２１，２２，２３）を含み、
前記フランジ装置の各々は、共通の想像上の円錐形（７０）に沿って後方および半径方向外側の傾斜で延在する、請求項１に記載のイヤープラグ。
【請求項３】
軸（１４）、ハンドルを形成する後方心軸部分（１８）および前方心軸部分（１６）を含むエラストマー材料で成形されるイヤープラグであって、前記イヤープラグは、前記心軸前方部分から延在し、かつヒトの耳管を遮断するように設計される少なくとも１つのフランジ（２３）を含み、
前記フランジは、前記フランジの前面が心軸に交差するフランジ前方端部（３０）と、フランジ自由後方端部（３２）との間で測定されるような軸方向の長さ（２３ａ）を有し、
前記フランジは、前記フランジの軸方向の長さの少なくとも３分の２の距離（Ｄ）に沿って２５°を越えない後方および半径方向外側の傾斜（Ｃ）で延在する、イヤープラグ。
【請求項４】
前記フランジは、フランジの軸方向の長さ全体（２２ａ）の後方の３分の２に沿って２０°を越えない後方および半径方向外側の傾斜（Ｃ）で延在する、請求項３に記載のイヤープラグ。
【請求項５】
前記フランジは軸での断面図で見られるような半径方向の長さ（２Ｅ）を有し、前記フランジは、前記フランジの半径方向最も内側の４０％に沿って軸方向（６６）の２０％内に延在する、請求項３に記載のイヤープラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
一実施形態では、キール６４０が、支持板６１０のほぼ一部に沿って延びている。キール６４０は直線状であるが、切欠き６１６に向かう方向に沿って延びており、支持板６１０の側部部分Ｐ１の一方と平行である。本実施例では、キール６４０は、横方向軸Ｔと側方軸Ｌの間に配置されている。このような実施形態は、上記で議論した前方アプローチ、側方アプローチまたは経椎間孔アプローチとは逆の、斜方アプローチを使用した人工関節６００の挿入に適合している。さらなる実施形態では、キール６４０は、傾斜、テーパ付け、またはキールの機能的な要求を容易にするような他のある形状にされてもよい。さらに別の実施形態では、キール６４０は、キール６４０の主本体部分を横切って延びる横方向部分（図示せず）を備える翼付きキールとして構成されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月26日(2006.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の運転者が見ることのできる画像としてアセンブリの前方位置からの画像を提供する自動車用前方視野装置（forward view apparatus）であって、第1の平面ミラー、および該装置中に固定され調整が不可能な第2の曲面ミラーを有する2ミラー構成（two-mirror arrangement）を含むことを特徴とする、装置。
【請求項２】
曲面ミラーが凸面を有することを特徴とする、請求項1記載の前方視野装置。
【請求項３】
曲面ミラーが非球面を有することを特徴とする、請求項1または2記載の前方視野装置。
【請求項４】
2ミラー構成のミラーの第1のミラーが、調整可能であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項５】
視認ポータルが構成の内方側に配置されており、アセンブリの前方の位置からの光が、ウィンドウを通過し、2ミラー構成によって該視認ポータルを通して車両の運転者の目に反射されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項６】
視認ポータルが、車両のウィンドウではなく、該車両の構造を通して視認されるようになっていることを特徴とする、請求項5記載の前方視野装置。
【請求項７】
構成の第1のミラーが、車両の構造内に内方ミラーとして配置されることを特徴とする、請求項6記載の前方視野装置。
【請求項８】
構造が、取付け板、またはウィンドウと車両のドアの主要部との間のボディ部分であることを特徴とする、請求項7記載の前方視野装置。
【請求項９】
ポータルが、車両の内部と構成の内部との連通を提供し、したがって、該車両内部の周囲温度が、該構成内部の温度に影響を与えることを特徴とする、請求項8記載の前方視野装置。
【請求項１０】
閉位置と開位置との間を移動するようになっているシャッター手段が存在し、該閉位置では、光が装置に到達するのが防止され、該開位置では、光が該装置に到達することができることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項１１】
シャッターの移動が滑り移動であることを特徴とする、請求項10記載の前方視野装置。
【請求項１２】
ミラー構成であることを特徴とする、請求項11記載の前方視野装置。
【請求項１３】
ビデオ・カメラおよび関連する画面の構成であることを特徴とする、請求項11記載の前方視野装置。
【請求項１４】
シャッター手段が、車両の乗員区画内から制御されるモータによって作動することを特徴とする、請求項10から13のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項１５】
車両が前方に動いているときに、水および／もしくは他の物質を除去し、かつ／または水および／もしくは他の物質のウィンドウへの付着を防止する、該ウィンドウを横切る空気流を生成させる構成を特徴とする、請求項1から14のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項１６】
構成が、2つの交差する空気流を生成させる手段を含むことを特徴とする、請求項15記載の前方視野装置。
【請求項１７】
少なくとも1つの前記手段が、空気流を生成させる際にベンチュリ効果を使用することを特徴とする、請求項16記載の前方視野装置。
【請求項１８】
構成が、ウィンドウを横切って空気を送る第1の溝手段を含むことを特徴とする、請求項15から17のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項１９】
構成が、ベンチュリ効果を利用して空気をウィンドウの外面から流し、それによって、第1の溝手段により生成される空気流を増強する第2の溝手段をさらに含むことを特徴とする、請求項18記載の前方視野装置。
【請求項２０】
第2の溝手段が、概してアセンブリの外側面または縁部上に配置され、かつ車両の前方への移動によって生成される空気流が、該第2の溝手段の概ね接線方向であることを特徴とする、請求項19記載の前方視野装置。
【請求項２１】
ウィンドウおよび／または少なくとも1つの反射手段を清掃する追加的な清掃手段が設けられることを特徴とする、請求項15から20のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項２２】
清掃手段が、フロントガラス・ワイパーとして用いられる種類のワイパーであってもよく、かつ／またはウィンドウの外面に流体を与える手段であってもよいことを特徴とする、請求項21記載の前方視野装置。
【請求項２３】
アセンブリが配置された車両の直前の車両の前方にある車両の少なくとも一部が、ストップ・ライトおよび／または方向指示器を含むことを特徴とする、請求項1から22のいずれか一項記載の前方視野装置。
【請求項２４】
アセンブリが配置された車両の直前の車両の前方にある車両からの光を受け取り、光を第2のミラー上に送るようになっている第1のミラーが、該第2のミラーから運転手の目までのラインに対して約90度である平面に対して約125度の角度を有し、かつ該第2のミラーが該平面に対して約40度の角度を有することを特徴とする、請求項1から23記載の前方視野装置。
【請求項２５】
第1のミラーおよび第2のミラーがそれぞれ四辺形であることを特徴とする、請求項24記載の前方視野装置。
【請求項２６】
一辺がどの辺とも同じ長さではない四辺形であることを特徴とする、請求項25記載の前方視野装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、自動車用の改良された視野装置を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第1の局面において、本発明は、自動車用前方視野装置（forward view apparatus）であって、自動車の運転者が見ることのできる画像としてアセンブリの前方位置からの画像を提供する装置であり、第1の平面ミラー、および該装置中に固定され調整が不可能な第2の曲面ミラーを有する2ミラー構成を含む装置を提供する。
好ましくは、これらミラーの第1のミラーは調節可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴霧される液体の貯蔵器を具備し、該貯蔵器（１０６、１０９；２０９）が、第１端と、該第１端から離間した第２端（１０８Ａ、１０９Ａ）と、該第１端における端壁と、該端壁から該第２端まで延在する側壁（１０８Ｂ、１０９Ｂ）とを備え、該端壁が、該貯蔵器に連通する流体出口を提供する注ぎ口（１１５；２１５；３１５；４１５；５１５）を有し、該注ぎ口が、該貯蔵器をスプレーガンの流体入口に接続するために該スプレーガンに接続可能になっている、スプレーガン等の噴霧装置で使用される液体供給アセンブリにおいて、
前記注ぎ口は、前記端壁に設けた開口（１３０；２３０；４３０；５３０）の周囲で前記貯蔵器に離脱可能に固定されるキャップ部材（１３２；２３２；３３２；４３２；５３２）によって形成され、
前記開口の周縁は、前記第１端にて前記側壁から内側に離れて位置し、
前記貯蔵器は、前記端壁の前記開口を通して流体を該貯蔵器に追加するために前記キャップ部材から取り外すことができること、
を特徴とする液体供給アセンブリ。
【請求項２】
前記端壁の前記開口が、前記注ぎ口よりも大きな寸法を有する、請求項１に記載の液体供給アセンブリ。
【請求項３】
前記貯蔵器（１０９；２０９）が、液体を抜き出すに従い、つぶすことができる、請求項１または２に記載の液体供給アセンブリ。
【請求項４】
前記側壁（１０９Ｂ）が、前記端壁に比べて高い可撓性を有し、それにより、前記貯蔵器を軸方向に前記第２端から前記第１端に向かってつぶすように変形できる、請求項３に記載の液体供給アセンブリ。
【請求項５】
前記貯蔵器の前記第２端に比較的剛性の高い基部（１０９Ａ）が設けられ、それにより、前記端壁の前記開口を通して液体を追加するために、前記貯蔵器を反転させて該基部を下に立たせることができる、請求項４に記載の液体供給アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低級オレフィンを調製するための分解プロセスへの炭化水素供給物であって、前記炭化水素供給物が、
・低級オレフィンの沸点範囲を超える沸点を有する少なくとも一つの留分；
・少なくとも１５％（ｍ／ｍ）のオレフィン；および
・１％（ｍ／ｍ）未満の芳香族化合物含量、
を含むことを特徴とする、炭化水素供給物。
【請求項２】
前記炭化水素供給物が、少なくとも約２０％（ｍ／ｍ）のオレフィンを含む、請求項１に記載の炭化水素供給物。
【請求項３】
前記供給物が、水素化されていない少なくとも一つの留分を含む合成炭化水素供給物である、請求項１または請求項２に記載の炭化水素供給物。
【請求項４】
ＦＴ反応の生成物である、請求項１に記載の炭化水素供給物。
【請求項５】
少なくとも
・ＦＴ反応のプロセス生成物の非水素化留分；および
・ＦＴ反応のプロセス生成物の水素化転化された留分、
を組み合わせることにより調製される、請求項３または請求項４に記載の炭化水素供給物。
【請求項６】
前記非水素化留分が、ＦＴ反応生成物の凝縮物留分である、請求項５に記載の炭化水素供給物。
【請求項７】
前記水素転化留分が、ＦＴ反応生成物の水素化分解ワックス留分である、請求項６に記載の炭化水素供給物。
【請求項８】
熱分解により低級オレフィンを製造するためのプロセスにおいて使用可能な、半合成供給原料の製造におけるブレンド成分としての、先行する特許請求項のいずれか１項に記載の炭化水素供給物の使用であって、前記ブレンド成分が、石油液体留分および天然ガス液体留分から選択される高度にパラフィン系の留分と共にブレンドされ、少なくとも１５質量％のオレフィン含量と１％（ｍ／ｍ）未満の芳香族化合物とを有するようにブレンドされる、炭化水素供給物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月23日(2006.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2006517202.tif 000001
の化合物を製造するための方法であって、水素化触媒および酸の存在において、式ＩＩ
【化２】
2006517202.tif 000002
の化合物を水素ガスおよび式Ｒ３ＯＨを有するアルコールで水素化することを含む前記方法：
［式中、
Ｒ１およびＲ２は水素、Ｃ１〜Ｃ５アルキル、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ、トリフルオロメチル、ハロゲン、スルホニルアルキル、アルキルアミノ、アミド、エステル、アリール‐アルキル、ヘテロアルキルおよびアリール‐アルコキシから独立して選択されるか；
またはＲ１およびＲ２はそれらが結合する炭素原子と一緒に単環または二環を形成し；そしてＲ３はＣ１〜Ｃ６アルキルであり；そして
ａ．水素化触媒は約５％〜約１０％のパラジウム‐炭素からなり；
ｂ．水素化触媒は触媒対式ＩＩの化合物の重量比が約１：９９〜約１０：９０の範囲で存在し；
ｃ．水素化触媒は水の重量で約３０％〜約６０％からなり；
ｄ．ニトリル基は対応するアミノ基に還元され；そして
ｅ．酸は酸対アミノ基の等価比、約１：１で存在する］。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
ａ．式ＩＩの化合物の水素化が式
【化３】
2006517202.tif 000003
（式中Ｒ３はＣ１〜Ｃ８アルキルである）の中間体化合物の形成を引き起こし；そして
ｂ．式ＩＩＩの中間体化合物が式Ｒ３ＯＨ（式中Ｒ３はＣ１〜Ｃ８アルキルである）のアルコールを含む溶媒中で、塩基による処理により式Ｉの化合物に変換される、前記方法。
【請求項３】
式ＩＩＩの中間体化合物が前もって単離されずに式Ｉに変換される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ３がＣ３〜Ｃ８であり、そしてアミノ基が酸塩として結合する式ＩＩＩの中間体化合物が、式Ｉの化合物への変換の前に単離される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記水素化触媒が炭上約５％パラジウムからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
触媒対式ＩＩの化合物の前記重量比が約１０：９０である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記水素化触媒が水の約５０重量％である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記酸が硫酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記塩基が族Ｉ金属アルコキシドである、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記塩基がｔｅｒｔ−ブトキシドナトリウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
式Ｉの化合物が以下のものからなる群から選択される、請求項１に記載の方法：
１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２．７］ドデカ−２，４，６−トリエン−９−オン；
３−トリフルオロメチル−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン；
（＋）−３−トリフルオロメチル−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン；
（−）−３−トリフルオロメチル−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン；
３−フルオロ−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン；
（＋）−３−フルオロ−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン；および
（−）−３−フルオロ−１０−アザ−トリシクロ［６．３．１．０．２，７］ドデカ−２（７），３，５−トリエン−９−オン。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月26日(2006.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電界効果トランジスタであって、
絶縁層３１０が形成された基板３０１を有し、
前記絶縁層３１０上に形成された結晶性の活性領域３０２を有し、前記結晶性の活性領域３０２は、第一の濃度の局所的な再結合中心を有した第一の領域３２１と第二の濃度の再結合中心を有した第二の領域３２０とを備え、前記第二の濃度は前記第一の濃度よりも高いものであり、
ドレイン領域３０４及びソース領域３０３を有し、かつ、
ゲート絶縁層３０７によって前記活性領域３０２から電気的に絶縁されたゲート電極３０６を有し、
前記第二の領域３２０は、組成、層厚及び材質タイプのうち少なくとも一つが互いに異なる複数の副層を有する、電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記局所的な再結合中心は、前記第二の領域３２０に実質的に点欠陥を有する、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記点欠陥は、実質的に張力のかかっていない半導体層に含まれる、請求項２記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記第二の領域３２０のバンドギャップエネルギーは、前記第一の領域３２１のバンドギャップエネルギーよりも低い、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記第二の領域３２０は、前記絶縁層３１０と接している、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記第二の領域３２０は前記ソース領域３０３と接している、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記第二の領域３２０は前記ドレイン領域３０４と接している、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記第二の領域３２０は少なくとも二つの別の材料を有する、請求項１記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記第二の領域３２０はゲルマニウムを有する、請求項７記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記第二の領域３２０はＳｉｘＧｅ１−ｘ型化合物を有し、ｘは約０．２＞ｘ＞０．８の範囲である、請求項９記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記点欠陥濃度は１０１２／ｃｍ３より高い、請求項２記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
基板上にトランジスタ素子を形成する方法であって、
絶縁層が形成された基板を用意し、
第一および第二の結晶性の半導体層を形成し、これら第一及び第二の単結晶性の半導体層は、前記第二の半導体層に張力を生じさせるように格子定数が異なっており、
前記第一及び第二の結晶性の半導体層内およびこれら半導体層上にトランジスタ素子を形成し、前記トランジスタ素子の形成中の一回以上の熱処理により前記張力が低減されて、前記第二の半導体層に点欠陥密度を生成し、該点欠陥密度は前記第一の半導体層３２１の点欠陥密度よりも高くされている、方法。
【請求項１３】
前記第二結晶性半導体層の前記形成では、組成、層厚及び材質タイプのうち少なくとも一つが互いに異なる複数の副層の形成がなされる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第一および第二の半導体層３２１、３２０の形成では、
結晶性のドナー基板上に前記第二の半導体層３２０がエピタキシャル成長され、
前記第二の半導体層３２０を前記絶縁層３１０層上に位置させて前記基板３０１と前記結晶性のドナー基板とを互いに結合させる、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記第二の半導体層３２０は、ＳｉｘＧｅ１−ｘの組成を有するシリコンゲルマニウム層を有し、ｘは約０．２＞ｘ＞０．８の範囲である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記第一の半導体層を形成するために、前記結晶性のドナー基板を薄化する、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記基板と前記結晶性のドナー基板とを結合する前に、
注入領域を形成するために、前記第二の半導体層を介して、前記結晶性のドナー基板に水素イオンを注入し、及び、
結合後に、前記注入領域において、前記結晶性のドナー基板を割る、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
前記第二の半導体層の厚みは約５−５０ナノメータの範囲である、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
前記結晶性のドナー基板上に複数の副層がエピタキシャル成長され、前記副層の少なくともいくつかは、組成、材料のタイプ及び層厚のうちの少なくとも１つが互いに異なる、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記第二の半導体層の組成を変動させる一方で、前記第二の半導体層をエピタキシャル成長させる、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令を実行するためのパイプラインを有するディジタルプロセッサにおいて使用する方法であって、
資源に書込みをする命令およびその資源から読取りをする命令のためのパイプライン内で命令を監視すること；
前記資源に対して書込みをするそれぞれの命令に対して、書込み命令タイプおよび書込み命令追跡データを記憶すること；
前記資源から読取りをするそれぞれの命令に対して、読取り命令タイプを特定して、前記書込み命令タイプおよび前記読取り命令タイプに基づいて待ち時間値を生成すること；および
前記待ち時間値および前記書込み命令追跡データに応答してある数のストールサイクルだけ、前記資源から読取りをする命令の実行をストールさせることを含む、前記方法。
【請求項２】
書込み命令追跡データを記憶することが、シフトレジスタに書込み命令追跡データを記憶すること、および書込み命令追跡データを各クロックサイクル毎に更新することを含み、書込み命令追跡データを更新することが、該書込み命令追跡データをシフトレジスタ内でシフトさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
書込み命令追跡データを更新することが、シフトレジスタ内に完遂サイクル値を記憶し、該完遂サイクル値を前記シフトレジスタ内でシフトすることによって、前記完遂サイクル値を各クロックサイクル毎に更新することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
命令の実行をストールさせることが、書込み命令追跡データをシフトレジスタにロードして、待ち時間値の関数としてシフト量を決定し、前記書込み命令追跡データを前記シフトレジスタ内で前記シフト量だけシフトしてストールサイクル数を提供することを含み、シフト量を待ち時間データの関数として決定することが、前記待ち時間値のビット・バイ・ビット逆数に等しい値を有するシフト量を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
命令の実行をストールさせることが、待ち時間値、書込み命令追跡データ、およびその他の潜在的ハザードを指示するデータに応じて前記命令をストールさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
命令の実行をストールさせることが、ストールサイクル数とその他の潜在的ハザードを指示するデータの大きい方に応じて、あるサイクル数だけ前記命令の実行をストールさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
命令を実行するためのパイプラインを有するディジタルプロセッサにおいて使用する装置であって、
資源に書込みをするパイプライン内の命令を受け取り、前記資源に書込みをするそれぞれの命令に対する書込み命令タイプを供給し、かつ前記資源から読取りをするそれぞれの命令に対する読取り命令タイプを供給する、復号器回路；
前記資源に書込みをするそれぞれの命令に対して書込み命令追跡データを記憶するための書込み追跡回路；
前記書込み命令タイプおよび前記読取り命令タイプに基づいて待ち時間値を供給する待ち時間回路；および
前記待ち時間値および前記書込み命令追跡データを受け取り、前記待ち時間値および前記書込み命令追跡データに応答して、前記資源から読取りをする命令の実行を、ある数のストールサイクルだけストールさせる信号を供給する、ストール信号回路を含む、前記装置。
【請求項８】
書込み追跡回路が、書込み命令追跡データを記憶するためのシフトレジスタを含み、書込み追跡回路が、書込み命令追跡データを各クロックサイクル毎に更新し、書込み追跡回路が、書込み命令追跡データをシフトレジスタ内でシフトすることによって前記書込み命令追跡データを更新し、書込み追跡回路が、完遂サイクル値をシフトレジスタ内に記憶し、前記完遂サイクル値を前記シフトレジスタ内でシフトすることによって、前記完遂サイクル値を各クロックサイクル毎に更新する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
ストール信号回路が、書込み命令追跡データを記憶するためのシフトレジスタを含み、前記ストール信号回路は、待ち時間値に基づいてあるシフト量だけ書込み命令追跡データをシフトし、前記ストール信号回路が、待ち時間値のビット・バイ・ビット逆数に応じてシフト量を決定する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
ストール信号回路が、待ち時間値、書込み命令追跡データ、およびその他の潜在的なハザードを指示するデータに応じてあるサイクル数を表わすデータを供給する、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
ストール信号回路が、ストールサイクル数とその他の潜在的なハザードを指示するデータの内の大きい方に応じて、あるサイクル数を表わすデータを供給する、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
待ち時間回路が、それぞれが書込み命令タイプ‐読取り命令タイプペアに対応する待ち時間値を含む、複数の場所を有するルックアップ表を含む、請求項７に記載の装置。