(57)【要約】【課題】センサと隔壁との位置ずれを抑制しつつ、隣接するシンチレータの発光の影響を低減する技術を提供する。【解決手段】放射線を光に変換する複数のシンチレータと、基台と、基台の第１の面の上に配され光を検出する複数のセンサと、充填部と、を含み、基台は、複数のセンサにそれぞれ対応する位置に複数のシンチレータが配されるように、複数のシンチレータを区画する隔壁部を有し、隔壁部のうち第１の面の側には溝が配され、溝には、充填部が配され、充填部が、前記光を反射、又は、吸収する。【選択図】図２
2017058254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、放射線を光に変換する複数のシンチレータと、前記基台の第１の面の上に配され前記光を検出する複数のセンサと、充填部と、を含み、
前記基台は、前記複数のセンサにそれぞれ対応する位置に前記複数のシンチレータが配されるように、前記複数のシンチレータを区画する隔壁部を有し、
前記隔壁部のうち前記第１の面の側には溝が配され、
前記溝には、前記充填部が配され、
前記充填部が、前記光を反射、又は、吸収することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記複数のシンチレータが、前記基台の前記第１の面と反対の面に配されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記充填部は、前記隔壁部と接するように金属層を含み、前記光を反射することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記金属層が、前記複数のセンサの配線層として機能することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記放射線撮像装置は、前記基台の前記第１の面を覆う平坦化層を更に含み、
前記平坦化層の上に、前記複数のセンサが配されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記充填部のうち少なくとも一部と前記平坦化層とが、同一の材料で連続的に形成されることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記放射線撮像装置は、前記基台の前記第１の面と反対の面を覆い、前記光を反射する反射層を更に含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記複数のセンサが、前記放射線撮像装置の外部からの光を遮るための遮光層で覆われていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記充填部と前記複数のシンチレータとの少なくとも一方がテーパー構造を有することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記テーパー構造が、前記基台の深さ方向に向かって狭くなることを特徴とする請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記第１の面に対する正射影において、前記充填部の外縁と前記複数のシンチレータの外縁とが重なることを特徴とする請求項９又は１０に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記溝の深さが、前記溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記第１の面の側から放射線が入射することを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記複数のシンチレータの配されるピッチが、前記複数のセンサの配されるピッチの自然数倍、又は、自然数分の１倍であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
前記基台は、前記隔壁部によって区画された部分において、前記光を前記第１の面に交差する方向に５０％以上透過することを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するセンサが配されたセンサパネルとを含む放射線撮像装置が用いられている。撮像画像の解像度の向上のために、光を反射又は吸収する隔壁をセンサの配されるピッチで配し、シンチレータを隔壁で囲んだシンチレータパネルを、センサパネルに接着層などを介して実装する方法が知られている。しかしながら、シンチレータパネルとセンサパネルとを貼り合わせる際、高い位置合わせ精度が必要となり、センサと隔壁との位置がずれて実装された場合、モアレが発生し撮像画像の解像度が低下する可能性がある。特許文献１には、光を透過する基板を用い、センサを形成する面とは反対の面に凹部を形成し、凹部にシンチレータが埋め込まれる。この埋め込まれたシンチレータと、基板を挟んで対向する位置にセンサを配する構造が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６８９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構造では、光を透過する基板を用いるため、それぞれのセンサが、隣接するセンサに対向して配されたシンチレータからの発光の影響を受け、撮像画像の解像度が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、センサと隔壁との位置ずれを抑制しつつ、隣接するシンチレータの発光の影響を低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、放射線を光に変換する複数のシンチレータと、基台と、基台の第１の面の上に配され光を検出する複数のセンサと、充填部と、を含み、基台は、複数のセンサにそれぞれ対応する位置に複数のシンチレータが配されるように、複数のシンチレータを区画する隔壁部を有し、隔壁部のうち第１の面の側には溝が配され、溝には、充填部が配され、充填部が、前記光を反射、又は、吸収することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記手段により、センサと隔壁との位置ずれを抑制しつつ、隣接するシンチレータの発光の影響を低減する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る放射線撮像装置の構成例を示す図。
【図２】図１の放射線撮像装置の平面図及び断面図。
【図３】図１の放射線撮像装置の製造工程を示す断面図。
【図４】図２の放射線撮像装置の断面図の変形例を示す図。
【図５】図１の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
【００１０】
図１〜５を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置を説明する。図１は、本実施形態における放射線撮像装置１００の概略構成例を示す。放射線撮像装置１００は、シンチレータ１３０、反射層１４０、及び、シンチレータ１３０で放射線から変換された光を検出する複数のセンサを含むセンサパネル１１０によって構成されうる。図１において、説明のためにセンサパネル１１０とシンチレータ１３０と反射層１４０とは、互いに離れて描かれている。しかしながら、後述するように実際には、センサパネル１１０の放射線２００が入射する面と反対の面に形成された凹部に、シンチレータ１３０は埋め込まれる。また、反射層１４０がシンチレータ１３０の充填された凹部を蓋のように覆うことによって、シンチレータ１３０が凹部に封入されうる。
【００１１】
被検体に曝射された放射線２００は、被検体によって減衰を受けた後、図１の矢印の方向から放射線撮像装置１００に入射する。放射線撮像装置１００に入射した放射線２００は、シンチレータ１３０でセンサパネル１１０に配された各センサで検出可能な波長の光（例えば可視光）に変換される。シンチレータ１３０には、例えばＧＯＳやＣｓＩが用いられうる。また、反射層１４０は、シンチレータ１３０で放射線２００から変換された光のうち、センサパネル１１０とは反対の方向に進む光をセンサの方向に反射する。反射層１４０によって、シンチレータ１３０で変換された光の利用効率が向上できる。反射層１４０は、例えばアルミニウムなどの金属が用いられうる。変換された光は、センサパネル１１０の各センサに配された光電変換素子に入射し、電気信号に変換される。この電気信号に基づいて、放射線撮像装置１００に接続された信号処理部（不図示）が、ディスプレイなどの表示部（不図示）に撮像画像を表示させるための画像データを生成しうる。放射線撮像装置１００による撮像及び信号処理部による画像データの生成の各動作を繰り返すことによって、動画像を生成してもよい。また、本実施形態において、放射線２００は、放射線撮像装置１００のセンサパネル１１０の側から入射するが、これに限られるものではなく、シンチレータ１３０の側から入射してもよい。
【００１２】
図２（ａ）は、本実施形態の放射線撮像装置１００の平面図を示す。センサパネル１１０には、光を検出し、電気信号に変換する光電変換素子を含む複数のセンサが、例えば２次元アレイ状に配されうる。また、センサパネル１１０には、各センサから出力される信号を、センサパネル１１０から信号処理部（不図示）に転送するための配線基板１５０が配される。配線基板には、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）やリジッド配線板などを用いることができる。図２（ａ）に示すように１枚のセンサパネル１１０によって、１つの放射線撮像装置１００が構成されていてもよい。しかしながら、１つの放射線撮像装置１００を構成するセンサパネル１１０の数はこれに限られるものではなく、例えば２枚以上のセンサパネル１１０によって、１つの放射線撮像装置１００が構成されていてもよい。この場合、例えば、複数のセンサパネル１１０を、ガラス、石英、アクリルなどの樹脂、セラミック、金属などの材料を用いた基板上に、接着剤などの結合層を介して貼り合わせて用いてもよい。基板上に複数のセンサパネル１１０を配置する際、センサパネル１１０同士が接触したときの電気的、機械的な影響を低減するために、例えば、互いに隣接するセンサパネル１１０は、間隔を開けて配置されてもよい。
【００１３】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の点線で示すＡ−Ａ’間の断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）の点線で囲まれた部分Ｂの拡大図を、それぞれ示す。放射線撮像装置１００は、基台１１１、基台１１１上に形成された複数のセンサ１１５、金属層１１２と充填部材１１４とを含む充填部１２１、平坦化層１２２、複数のシンチレータ１３０を含む。また、基台１１１のセンサ１１５の配される上面と反対側の下面には、上述のように反射層１４０が配される。本明細書において、各構成要素のセンサ１１５が配される側の面を上面、反射層１４０の配される側の面を下面と呼ぶ。センサ１１５上には、センサ１１５を覆うように保護層１１６が配される。
【００１４】
次に放射線撮像装置１００の各構成要素について説明する。センサ１１５のそれぞれは、光電変換素子１１５ａと、信号を出力する光電変換素子１１５ａを選択するためのスイッチ素子１１５ｂとを含む。本実施形態において、スイッチ素子１１５ｂの上に光電変換素子１１５ａが配された積層型のセンサを用いるが、スイッチ素子１１５ｂと光電変換素子１１５ａとが同一面上に配された平面型のセンサであってもよい。
【００１５】
光電変換素子１１５ａとして、例えば非晶質シリコンを用いたＰＩＮ型、ＭＩＳ型、ＮＩＰ型の光電変換素子や、結晶シリコンを用いたＳＯＩ型、ＣＭＯＳ型、ＣＣＤ型などの光電変換素子が用いられうる。本実施形態において、基台１１１の上面の上に設けられたスイッチ素子１１５ｂの上に、層間絶縁膜を介して非晶質シリコンを用いた光電変換素子１１５ａが配される。スイッチ素子１１５ｂとして、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられうる。センサ１１５の光電変換素子１１５ａの基台１１１側の電極は、シンチレータ１３０からの光を透過するために、透明導電膜が用いられる。透明導電膜として、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｄＳｎＯ４、Ｉｎ２Ｏ３などの材料を用いてもよい。光電変換素子１１５ａの基台１１１側の電極は、コンタクトプラグ１１８を介してスイッチ素子１１５ｂに接続される。光電変換素子１１５ａの基台１１１と反対側の電極は、バイアス線１２０と接続され、光電変換素子１１５ａを駆動するための電位が供給される。また、スイッチ素子１１５ｂのゲート電極は行ごとに共通の制御線１１７によって接続され、制御線１１７の電位によって選択されたセンサ１１５の信号は列ごとに共通の信号線１１９によって転送される。
【００１６】
センサ１１５の上に設けられる保護層１１６は、各センサ１１５を外部からの衝撃などから保護する。また、保護層１１６は、例えば不透明なエポキシ樹脂などを用いることによって、センサ１１５を覆い放射線撮像装置１００の外部から入射する光を遮る遮光層として機能してもよい。
【００１７】
次いで、基台１１１について説明する。基台１１１の下面は、基台１１１の上に形成されるセンサ１１５の光電変換素子１１５ａにそれぞれ対応する位置にシンチレータ１３０が配されるように、複数のシンチレータ１３０のそれぞれを区画する隔壁部１１１ａを有する。隔壁部１１１ａによって区画された基台１１１の凹部のそれぞれに、シンチレータ１３０が埋め込まれる。
【００１８】
基台１１１は、シンチレータ１３０によって放射線から変換された光を透過するとよい。例えば、基台１１１は、シンチレータ１３０の配される隔壁部１１１ａによって区画された部分において、基台１１１の上面と交差する基台１１１の厚み方向に、シンチレータ１３０の発光するピーク波長の光を５０％以上透過するとよい。光の透過率は、例えばＪＩＳ規格  Ｒ  ３１０６に準拠して測定されうる。基台１１１として、例えばガラスや、放射線撮像装置１００の製造工程における熱処理などに耐えうる耐熱性透明有機樹脂などを用いてもよい。また例えば、結晶シリコンを用いてもよい。
【００１９】
基台１１１の隔壁部１１１ａのうち上面側には、溝が形成される。溝には、充填部１２１が配される。充填部１２１は、図２（ｂ）に示すように、溝を埋め込んでいてもよいし、また空間を含んでいてもよい。本実施形態において、充填部１２１は、充填部材１１４と、隔壁部１１１ａに接するように配された金属層１１２とを含む。金属層１１２には、例えばアルミニウムなどの金属を用いてもよい。基台１１１の上面には、基台１１１と充填部１２１との段差を抑制するために、基台１１１及び充填部１２１を覆う平坦化層１２２を設けてもよい。充填部１２１のうち少なくとも一部と、平坦化層１２２とは、同一の材料で連続的に形成されてもよい。本実施形態において、充填部１２１のうち充填部材１１４と、平坦化層１２２とは、例えばポリイミドなどの樹脂を用いて一体的に形成される。平坦化層１２２は、シンチレータ１３０からの光をセンサ１１５の光電変換素子１１５ａに透過するために、例えば２５μｍ以下の膜厚となるように形成されうる。
【００２０】
基台１１１の隔壁部１１１ａは、各センサ１１５と対向した位置に配されるシンチレータ１３０の周囲に配されることから、互いに隣接するセンサ１１５同士の間の部分と対向する位置に配される。このため、溝も互いに隣接するセンサ１１５同士の間の部分と対向する位置に配される。この溝に配される充填部１２１は、シンチレータ１３０で発光した光を反射する。
【００２１】
ここで、本実施形態の効果について説明する。基台１１１は、上述のようにシンチレータ１３０から発せられた光を透過する。このため、それぞれのセンサ１１５が、隣接するセンサ１１５に対応して配されたシンチレータ１３０からの発光の影響を受け、撮像画像の解像度が低下する可能性がある。本実施形態において、互いに隣接するセンサ１１５同士の間と対向する位置に配された充填部１２１は、隣接するセンサ１１５に対応して配されたシンチレータ１３０からの光を反射する。これによって、それぞれのセンサ１１５において、隣接するセンサ１１５に対向して配されたシンチレータ１３０からの光の影響が低減されうる。これによって、撮像画像の解像度の低下が抑制される。
【００２２】
本実施形態において、充填部１２１において光を反射するための構成として、充填部１２１は、隔壁部１１１ａと接するように金属層１１２を含む。また、金属層１１２は、センサ１１５の配線層として機能してもよい。例えば、信号を出力する光電変換素子１１５ａを選択するためにスイッチ素子１１５ｂのゲート電極に接続された制御線１１７として機能してもよい。この場合、金属層１１２には、例えばクロムなどが用いられてもよい。
【００２３】
それぞれのセンサ１１５において、隣接するセンサ１１５に対応して配されたシンチレータ１３０の発光の影響を抑制する構成は、充填部１２１においてシンチレータ１３０からの光を反射するだけでなく吸収する構成としてもよい。例えば、図４（ａ）に示すように、充填部１２１の充填部材１１４として、シンチレータ１３０で発光した光を吸収する有色の部材を埋め込み、充填部１２１で光を吸収する構成としてもよい。有色の部材は、充填部１２１の厚さ方向に、例えばシンチレータ１３０の発光するピーク波長の光を５０％以上、吸収してもよい。更に、有色の部材は、充填部１２１の厚さ方向に、例えばシンチレータ１３０の発光するピーク波長の光を９０％以上、吸収してもよい。この場合、充填部材１１４と平坦化層１２２とは、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよい。また例えば、図４（ｂ）に示すように、充填部１２１でセンサ１１５を形成するための基台１１１の上面の平坦性が得られる場合、平坦化層１２２を設けず、充填部１２１だけの構成であってもよい。有色の部材として、例えば有色の顔料を混ぜ込んだ樹脂などを用いてもよい。また例えば、図４（ａ）、（ｂ）の構成において、金属や金属の酸化物などの顔料を混ぜ込んだ樹脂を充填部材１１４として用い、充填部１２１で光を反射する構成としてもよい。また、上述の各構成を組み合わせて用いてもよい。それぞれのセンサ１１５の光電変換素子１１５ａにおいて、隣接するセンサ１１５に対応して配されたシンチレータ１３０の発光の影響を抑制できる構成であればよい。
【００２４】
ここで、図２（ｂ）、（ｃ）に示す構成では、センサ１１５とシンチレータ１３０とが、１対１の関係で対応する位置に配されているが、互いに対向して配されるセンサ１１５とシンチレータ１３０との数は、これに限定されるものではない。互いに対向して配されるセンサ１１５とシンチレータ１３０との数は、１：複数でもよいし、複数：１であってもよい。例えば、互いに隣接するシンチレータ１３０の配されるピッチが、互いに隣接するセンサ１１５の配されるピッチの自然数倍、又は、自然数分の１倍であってよい。
【００２５】
次に、図３を用いて、放射線撮像装置１００の製造工程を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、基台１１１を用意する。次いで、図３（ｂ）に示すように、基台１１１の下面に複数の凹部３０１を区画する隔壁部１１１ａを形成する。隔壁部１１１ａの形成は、例えばリソグラフィー工程とエッチング工程とを用いることによって形成しうる。このとき凹部３０１の幅３５０と深さ３５１とのアスペクト比は、１：１程度であってもよい。また、基台１１１として結晶シリコンを用いる場合、光を透過させるために、アスペクト比を向上させ凹部３０１の底部の厚さを１０μｍ程度まで薄くする必要がある。続いて、凹部３０１にシンチレータ１３０を充填し（図３（ｃ））、その後、基台１１１の下面を覆う反射層１４０を形成する。反射層１４０は、アルミニウムなどの金属を、例えばスパッタ法や蒸着法などによって成膜してもよいし、また例えば接着剤などを用いて金属板を基台１１１の下面に貼り合わせてもよい。これによって、図３（ｄ）に示すような、基台１１１にシンチレータ１３０が封入された構造となる。反射層１４０は、図３（ｄ）に示すように基台１１１の下面全体を覆っていてもよいし、シンチレータ１３０ごとに分割し、基台１１１の下面のうちシンチレータ１３０とシンチレータ１３０の周辺部とを覆っていてもよい。
【００２６】
次いで、基台１１１の上面の形成を行う。まず、図３（ｅ）に示すように、基台１１１の隔壁部１１１ａの上面側に溝３０２を形成する。溝３０２は、例えばリソグラフィー工程とエッチング工程とを用いることによって形成しうる。溝３０２の幅３５２と溝３０２の深さ３５３とのアスペクト比は、１：１程度であってもよい。また、互いに隣接するシンチレータ１３０からの迷光を抑制するために、アスペクト比を向上させ、溝３０２の幅３５２よりも溝３０２の深さ３５３を大きくしてもよい。エッチング工程でのエッチングの条件を適宜選択してアスペクト比を向上させてもよい。また、ブラスト処理などを用いてアスペクト比を向上させてもよい。この場合、溝３０２の表面に細かな凹凸が形成されてもよい。溝３０２の形成後、図３（ｆ）に示すように、例えばスパッタ法や蒸着法などを用いて金属膜１１２ａを成膜する。成膜された金属膜１１２ａのうちシンチレータと対向する部分１１３の金属膜１１２ａは除去され、図３（ｇ）に示すように、溝３０２に金属層１１２が形成される。このとき、金属層１１２は、基台１１１の上に形成される各センサ１１５の配線層として用いられるように形成してもよい。金属層１１２の形成後、充填部材１１４及び平坦化層１２２を形成する。本実施形態において、充填部材１１４と平坦化層１２２とは、図３（ｈ）に示すように、例えばスピンコート法や塗布法などによって光を透過する樹脂を用いて、同一の材料で一体的に形成される。以上の工程によって、溝３０２には、金属層１１２と充填部材１１４とを含む充填部１２１が埋め込まれる。
【００２７】
充填部１２１の構成は、上述のように、この構成に限られるわけではなく、それぞれの構成に応じて形成方法も適宜選択すればよい。例えば、図４（ａ）の構成のように、有色の部材を充填部１２１の充填部材１１４として用いる場合、まず、例えば顔料を混ぜ込んだ有色の樹脂などを基台１１１上に形成し、次いでシンチレータと対向する部分１１３の有色の樹脂を除去する。その後、光を透過する樹脂を、平坦化層１２２として形成してもよい。
【００２８】
ここで、基台１１１に形成されるシンチレータ１３０及び充填部１２１は、図２（ｈ）に示すように、基台１１１の深さ方向に向かって狭くなるテーパー構造を有していてもよい。また、シンチレータ１３０及び充填部１２１は、基台１１１の深さ方向に向かって広くなるテーパー構造を有していてもよい。シンチレータ１３０又は充填部１２１のどちらか一方がテーパー構造を有していてもよいし、シンチレータ１３０と充填部１２１との両方がテーパー構造を有していてもよい。テーパー構造は、凹部３０１や溝３０２を形成する際の、例えばエッチング条件を適宜選択することによって形成してもよい。また、シンチレータ１３０及び充填部１２１がテーパー構造を有することによって、シンチレータ１３０と充填部１２１とのそれぞれの外縁が、基台１１１の上面に対する正射影において、重なっていてもよい。
【００２９】
平坦化層１２２の形成後、基台１１１の上に図３（ｉ）に示すように、スイッチ素子１１５ｂと光電変換素子１１５ａとを含むセンサ１１５を形成する。このとき、シンチレータ１３０と対向する位置にセンサ１１５が配置され、溝３０２を埋めた充填部１２１と対向する位置に互いに隣接するセンサ１１５の間の部分が配される。センサ１１５の形成後、センサ１１５を覆うように、遮光層としても機能しうる保護層１１６が形成され、図２（ｂ）に示す放射線撮像装置１００が形成される。
【００３０】
本実施形態において、基台１１１のうち、センサ１１５と対応する位置にそれぞれ配されたシンチレータ１３０同士の間の部分に、光を反射、又は、吸収する充填部１２１を配する。この構造によって、それぞれのセンサ１１５の光電変換素子１１５ａにおいて、隣接するセンサ１１５に対応して配されたシンチレータ１３０の発光の影響を低減し、解像度の低下の抑制された放射線撮像装置１００が実現されうる。また、シンチレータ１３０の配された基台１１１上に直接、センサ１１５を形成する。このため、予め作製した、センサパネルと光を反射又は吸収する隔壁の形成されたシンチレータパネルとを貼り合わせる、高い位置合わせ精度が必要な工程が不要となり、放射線撮像装置の生産性や歩留まりが向上しうる。
【００３１】
以下、図５を参照しながら本発明の放射線撮像装置１００が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の放射線撮像装置１００に入射する。この入射したＸ線に患者又は被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置１００において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータ１３０が発光し、これが光電変換素子１１５ａで光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【符号の説明】
【００３２】
１００：放射線撮像装置、１１１：基台、１１１ａ：隔壁部、１１５：センサ、１２１：充填部、１３０：シンチレータ、３０２：溝
【図１】
2017058254.tif 000003
【図２】
2017058254.tif 000004
【図３】
2017058254.tif 000005
【図４】
2017058254.tif 000006
【図５】
2017058254.tif 000007