【事件の表示】
　特願２００５−１４８２４９「裏面電極型太陽電池とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月３０日出願公開、特開２００６−３２４５９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年５月２０日の出願であって、平成２２年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされれたものである。
　
　
第２　平成２２年１１月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１１月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２２年１１月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（出願当初のもの）の特許請求の範囲として、
「【請求項１】
　半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法であって、
　ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして前記半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、
　前記メタルマスクの開口部を介して前記半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程と、
　上記工程によって形成されたｐ（正）とｎ（負）の電極を有する前記基板の複数をインターコネクタを介して相互に直列接続する工程を含むことを特徴とする裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項２】
　前記メタルマスクの断面形状において、前記半導体基板側の辺がその対辺よりも短い概略台形になっていることを特徴とする請求項１に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項３】
　前記メタルマスクの開口部の形状は、前記電極が前記インターコネクタに接続される部分に相当する部分が幅広にされた概略Ｔ字型形状となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項４】
　前記メタルマスクとして、ｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクと、ｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクの２種類を用いて、前記ｐ（正）電極と前記ｎ（負）電極とで成分および構成の異なる金属膜を形成することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項５】
　前記ｎ（負）電極として、チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層することを特徴とする請求項４に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項６】
　前記ｎ（負）電極として、チタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の各層をこの順に積層することを特徴とする請求項４に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項７】
　前記ｎ（負）電極として、チタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の各層をこの順に積層することを特徴とする請求項４に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項８】
　前記ｐ（正）電極として、アルミニウムを堆積した上にニッケルメッキと金メッキを順次施すことを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項９】
　前記ｐ（正）電極として、アルミニウム、チタン、パラジウム、および銀（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層することを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
　請求項１から９のいずれかの裏面電極型太陽電池の製造方法を用いて作製されていることを特徴とする裏面電極型太陽電池。」
　
とあったものを、補正後の特許請求の範囲として、
　
「【請求項１】
　半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法であって、
　ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして前記半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、
　前記メタルマスクの開口部を介して前記半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程と、
　上記工程によって形成されたｐ（正）とｎ（負）の電極を有する前記基板の複数をインターコネクタを介して相互に直列接続する工程を含むことを特徴とする裏面電極型太陽電池の製造方法。
　【請求項２】
　前記メタルマスクの断面形状において、前記半導体基板側の辺がその対辺よりも短い概略台形になっていることを特徴とする請求項１に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
　【請求項３】
　前記メタルマスクの開口部の形状は、前記電極が前記インターコネクタに接続される部分に相当する部分が幅広にされた概略Ｔ字型形状となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
　【請求項４】
　前記
ｐ（正）および
　【請求項５】
　前記
ｐ（正）および
　【請求項６】
　前記
ｐ（正）および
　【請求項７】
　前記ｐ（正）
およびｎ（負）の
　【請求項８】
　前記ｐ（正）
およびｎ（負）の
　【請求項９】
　請求項１から８のいずれかの裏面電極型太陽電池の製造方法を用いて作製されていることを特徴とする裏面電極型太陽電池。」
と補正するものである。
　
　そして、本件補正は、補正前の請求項４を削除するとともに、
（１）補正前の請求項５の「チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層」したものが、「ｎ（負）電極として」とあったものを、補正後の請求項４において「
ｐ（正）および
（２）補正前の請求項６の「チタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の各層をこの順に積層」したものが、「ｎ（負）電極として」とあったものを、補正後の請求項５において「
ｐ（正）および
（３）補正前の請求項７の「チタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の各層をこの順に積層」したものが、「ｎ（負）電極として」とあったものを、補正後の請求項６において「
ｐ（正）および
（４）補正前の請求項８の「アルミニウムを堆積した上にニッケルメッキと金メッキを順次施」したものが、「ｐ（正）電極として」とあったものを、補正後の請求項７において「ｐ（正）
およびｎ（負）の
（５）補正前の請求項９の「アルミニウム、チタン、パラジウム、および銀（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層」したものが、「ｐ（正）電極として」とあったものを、補正後の請求項８において「ｐ（正）
およびｎ（負）の
ことを含むものである。
　
２　新規事項
　本件補正が、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものであるか否かにつき検討する。
　
　本件補正事項１〜５に関して、当初明細書等には、以下の記載がある。
　
（１）「【０００１】
　本発明は、高い性能と信頼性を有する裏面電極型太陽電池を低コストで提供する技術に関する。」
　
（２）「【０００４】
　図５（ａ）の太陽電池では、シリコン基板１０の裏面側において、複数のｐ拡散層１２と複数のｎ拡散層１３とが交互に設けられている（図５（ａ）においては、一対のｐ拡散層１２とｎ拡散層１３のみが示されている）。基板１０の両主面上にはパッシベーション層１１が形成されており、これによって電荷キャリアの表面再結合が抑制されている。裏面側に設けられたコンタクトホール１６、１７を介してｐ拡散層１２にはｐ（正）電極１４が接続され、ｎ拡散層１７にはｎ（負）電極１５が接続されており、これらの電極１４、１５から電流が取り出される。・・・ｐ（正）電極１４と（負）電極１５の両方が基板１０の裏面側に形成されており、基板１０の表面（受光面）側には光を遮るものがないので、入射する太陽光の１００％を基板１０内に取り込むことができる。
　【０００５】
　図５（ａ）の太陽電池は、以下のようなプロセスによって作製される。まず、シリコン基板１０の両主面上に酸化膜を形成してその上に窒化膜を堆積することによって、パッシベーション層１１を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によってｎコンタクトホール１７を開け、ｎ型のドーパントを含むガラス層をＣＶＤ（化学気相堆積）によって堆積させる。そして、そのガラス層がｐ拡散層１６に相当する領域において除去された後に、ｐコンタクトホール１６をフォトリソグラフィ技術によって形成し、ｐ型のドーパントを含むガラス層を堆積させる。それらのガラス層が堆積された基板１０を９００℃で加熱すれば、ｐ拡散層１２とｎ拡散層１３が形成される。・・・そして、蒸着またはスパッタなどによって金属層を堆積し、フォトリソグラフィ技術によってその金属層をパターニングして、ｐ（正）電極１４およびｎ（負）電極１５を形成する。
　【０００６】
　集光型の裏面電極型太陽電池では、太陽光を数十〜数百倍の強度に集光するので、非常に大きな光電流が発生する。そこで、裏面電極は配線抵抗による損失を最小限にするために２層金属構造にされることが多く、・・・
　【０００７】
　他方、集光型でない場合は、発生する光電流がそれほど大きくないので、配線抵抗による損失も比較的少ない。その場合は、複雑な工程を要する２層金属構造を採用する必要性は少なく、１層だけで電極層を形成した方がコスト的に有利である。
・・・
　【０００９】
　ｎ（負）電極用の金属層としては、たとえばチタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層したものが用いられることが多い。チタンはｎ+型Ｓｉ層との密着性が高く、また接触抵抗が低い上に金属元素がｎ+型Ｓｉ層を突き抜けるスパイク現象が生じない金属として知られている。また、銀は、はんだ付け特性が良好な金属として知られている。パラジウムはチタンおよび銀の双方との密着性が良好であり、一種の接着剤として機能する。チタン、パラジウム、および銀の組み合わせと同様の機能を有していてｎ（負）電極１８として使用可能な金属の組み合わせとしては、他にチタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の組み合わせ、またはチタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の組み合わせなどが考えられる。
　【００１０】
　他方、ｐ（正）電極には、アルミニウムが使用される場合が多い。しかし、アルミニウムははんだ付けができないので、一般にアルミニウム上にニッケルメッキを施した上に金メッキが施される。また、アルミニウム上にチタン、パラジウム、および銀の各層をこの順に積層することによって、結晶シリコン基板１０との密着性を確保するとともにアルミニウムとの接触抵抗も低下させることもよく行われる。・・・」
　
（３）「【００１３】
　・・・本発明は、高い性能と信頼性を有する裏面電極型太陽電池を簡便かつ低コストで提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
　【００１４】
　本発明によれば、半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法は、ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、メタルマスクの開口部を介して半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程と、それらの工程によって形成されたｐ（正）とｎ（負）の電極を有する基板の複数をインターコネクタを介して相互に直列接続する工程を含むことを特徴としている。
・・・
　【００１６】
　また、メタルマスクとして、ｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクと、ｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクの２種類を用いて、ｐ（正）電極とｎ（負）電極とで成分および構成の異なる金属膜を形成することが好ましい。たとえば、ｎ（負）電極として、チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層することができる。ｎ（負）電極として、チタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の各層をこの順に積層してもよい。さらに、ｎ（負）電極として、チタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の各層をこの順に積層してもよい。
　【００１７】
　他方、ｐ（正）電極としては、アルミニウムを堆積した上にニッケルメッキと金メッキを順次施すことが好ましい。ｐ（正）電極として、アルミニウム、チタン、パラジウム、および銀（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層してもよい。」
　
（４）「【００２９】
　なお、以上の実施例ではｐ（正）とｎ（負）の電極を一括して形成する方法を示しているが、ｐ（正）電極とｎ（負）電極のそれぞれに最適な金属元素を使うことによって、接触抵抗を低減させ得るとともに、接着強度を向上させることができる。たとえば、ｐ（正）電極を形成する場合にはｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクを用いてｐ（正）電極用金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成し、ｎ（負）電極を形成する場合にはｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクを用いてｎ（負）電極用金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成する。このように、ｐ（正）電極とｎ（負）電極とにおいて互いに成分や構成の異なる金属膜を形成することによって、性能と信頼性が高い太陽電池モジュールを作製することができる。
　【００３０】
　ｎ（負）電極としては、チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層したもの、チタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の各層をこの順に積層したもの、またはチタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の各層をこの順に積層したものが適している。ｎ（負）電極としてこれらの成分と構成の金属膜を形成することによって、その電極の接触抵抗を下げると共に接着強度を上げることができ、性能と信頼性が高い太陽電池を作製することができる。
　【００３１】
　同様に、ｐ（正）電極としては、アルミニウムを堆積した上にニッケルメッキと金メッキを順次施したもの、またはアルミニウム、チタン、パラジウム、および銀（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層したものが適している。ｐ（正）電極としてこれらの成分と構成の金属膜を形成することによって、その電極の接触抵抗を下げると共に接着強度を上げることができ、性能と信頼性が高い太陽電池を作製することができる。」
　
　以上のとおり、当初明細書等には、
　ａ　ｎ（負）電極用の金属層としては、たとえばチタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層したものが用いられ、チタン、パラジウム、および銀の組み合わせと同様の機能を有していてｎ（負）電極１８として使用可能な金属の組み合わせとしては、他にチタン、ニッケル、およびパラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）の組み合わせ、またはチタン、ニッケル、および金（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）の組み合わせなどが考えられること、
　ｂ　他方、ｐ（正）電極には、アルミニウムが使用される場合が多いが、アルミニウムははんだ付けができないので、一般にアルミニウム上にニッケルメッキを施した上に金メッキが施され、また、アルミニウム上にチタン、パラジウム、および銀（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層することもよく行われること、
は記載されているものと認められる。
　しかしながら、上記本件補正事項１（「チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層」したものが、「
ｐ（正）
ｐ（正）
ｐ（正）
ｎ（負）の
（負）の
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　目的外補正
　本件補正前の請求項５〜９は、補正前の請求項４を引用する従属項であり、当該補正前の請求項４は、「前記
ｐ（正）電極と前記ｎ（負）電極とで成分および構成の異なる金属膜
ｐ（正）電極とｎ（負）電極とで成分および構成が異なる
　しかるところ、本件補正後の請求項４〜８は、金属各層積層体を、「ｐ（正）
および
　そして、本件補正前の特許請求の範囲には、本件補正後の請求項４〜８に対応する請求項は記載されてはいない。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法における改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正の上記本件補正事項１〜５は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において、補正前のものとして記載したとおりのものである。
　
２　刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００５−１０１１５１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
  本発明は、半導体接合を用いた光起電力素子およびその製造方法に関する。」
　
（２）「【０００８】
  本発明の目的は、入射光を最大限に活用できかつ製造コストおよび製造時間が低減された光起電力素子およびその製造方法を提供することである。」
　
（３）「【００３３】
 ・・・
  以下、本発明の一実施の形態について説明する。
・・・
【００３５】
  図１（ａ）に示すように、光起電力素子５００は、長方形状を有する。・・・光起電力素子５００の裏面は、複数の正極１００および複数の負極２００から構成される。正極１００および負極２００は、光起電力素子５００の短辺方向に延び、交互に並んでいる。また、光起電力素子５００の裏面の両長辺付近にそれぞれ電極３００，４００が長辺方向に延びるように設けられている。
【００３６】
  図１（ｂ）に示すように、正極１００および負極２００のそれぞれには集電極１０，９が設けられている。集電極９は電極３００に接続されており、集電極１０は電極４００に接続されている。
・・・
【００３８】
  図２に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）および窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成されている。
【００３９】
  ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜４が形成されている。ｉ型非晶質シリコン膜４上の一部の領域にはｐ型非晶質シリコン膜５が形成されている。ｉ型非晶質シリコン膜４およびｐ型非晶質シリコン膜５上の全体にｎ型非晶質シリコン膜６が形成されている。ｎ型非晶質シリコン膜６を挟んでｐ型非晶質シリコン膜５上には裏面電極８および集電極１０が順に形成されている。ｐ型非晶質シリコン膜５が存在しないｎ型非晶質シリコン膜６上の領域には裏面電極７および集電極９が順に形成されている。・・・」
　
（４）「【００４５】
  次に、図１の光起電力素子５００の製造方法を説明する。まず、洗浄したｎ型単結晶シリコン基板１を真空チャンバ内で加熱する。・・・
【００４６】
  次に、真空チャンバ内にＳｉＨ４（シラン）ガスおよびＨ２ガスを導入し、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＮＨ３（アンモニア）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜２上にプラズマＣＶＤ法により反射防止膜３を形成する。
【００４７】
  次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法によりｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。
【００４８】
  次に、ｉ型非晶質シリコン膜４の一部にメタルマスクを被せる。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢ２Ｈ６（ジボラン）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜４上にプラズマＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン膜４上のメタルマスクを除く部分にｐ型非晶質シリコン膜５を形成する。
【００４９】
  次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＰＨ３（ホスフィン）ガスを導入して、ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上に、プラズマＣＶＤ法によりｎ型非晶質シリコン膜６を形成する。
【００５０】
  次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せる。続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成する。
【００５１】
  次いで、集電極１０にメタルマスクを被せる。続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する。」
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「裏面は複数の正極１００および複数の負極２００から構成され、正極１００および負極２００は、光起電力素子５００の短辺方向に延び、交互に並んでおり、また、裏面の両長辺付近にそれぞれ電極３００，４００が長辺方向に延びるように設けられ、
　正極１００および負極２００のそれぞれには集電極１０，９が設けられ、集電極９は電極３００に接続されており、集電極１０は電極４００に接続されている光起電力素子５００の製造方法であって、
　まず、洗浄したｎ型単結晶シリコン基板１を真空チャンバ内で加熱し、
　次に、真空チャンバ内にＳｉＨ４（シラン）ガスおよびＨ２ガスを導入し、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成し、続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＮＨ３（アンモニア）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜２上にプラズマＣＶＤ法により反射防止膜３を形成し、
　次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法によりｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成し、
　次に、ｉ型非晶質シリコン膜４の一部にメタルマスクを被せ、続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢ２Ｈ６（ジボラン）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜４上にプラズマＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン膜４上のメタルマスクを除く部分にｐ型非晶質シリコン膜５を形成し、
　次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＰＨ３（ホスフィン）ガスを導入して、ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上に、プラズマＣＶＤ法によりｎ型非晶質シリコン膜６を形成し、
　次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成し、
　次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する、光起電力素子５００の製造方法。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「光起電力素子５００の製造方法」は、「（光起電力素子５００の）裏面は複数の正極１００および複数の負極２００から構成され」、「・・・ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成し、・・・ 次いで、・・・ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成し、続いて、・・・ｉ型非晶質シリコン膜４上に・・・ｉ型非晶質シリコン膜４上のメタルマスクを除く部分にｐ型非晶質シリコン膜５を形成し、次いで、・・・ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上に・・・ｎ型非晶質シリコン膜６を形成し、次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成し、次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する」から、
　ア　引用発明の「ｎ型単結晶シリコン基板１」、「裏面電極８および集電極１０」、「裏面電極７および集電極９」及び「光起電力素子５００の製造方法」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「ｐ（正）の電極」、「ｎ（負）の電極」及び「裏面電極型太陽電池の製造方法」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法であって」との事項を備える。
　
（２）引用発明は、その「正極１００および負極２００」が「光起電力素子５００の短辺方向に延び、交互に並んでおり」、「正極１００および負極２００のそれぞれには集電極１０，９が設けられ」、「（裏面電極８および集電極１０を形成する際に用いられ、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うように被せられる）メタルマスク」は、「正極１００（裏面電極８および集電極１０）」のフィンガー電極パターンに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するものであり、また、「（裏面電極７および集電極９を形成する際に用いられ、集電極１０に被せられる）メタルマスク」は、「負極２００（裏面電極７および集電極９）」のフィンガー電極パターンに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するものであるといえるから、
　ア　引用発明の「『（裏面電極８および集電極１０を形成する際に用いる）メタルマスク』及び『（裏面電極７および集電極９を形成する際に用いる）メタルマスク』」は、本願発明の「（ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有する）メタルマスク」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして前記半導体基板の裏面に相対して配置する工程とを含む」との事項を備える。
　
（３）引用発明は、「ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成し、次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、続いて、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する」から、引用発明は、本願発明の「前記メタルマスクの開口部を介して前記半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程とを含む」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法であって、
　ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして前記半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、
　前記メタルマスクの開口部を介して前記半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程とを含む裏面電極型太陽電池の製造方法。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
　本願発明は、上記工程（ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして前記半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、前記メタルマスクの開口部を介して前記半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程）によって形成されたｐ（正）とｎ（負）の電極を有する前記基板の複数を、インターコネクタを介して相互に直列接続する工程を含むのに対し、引用発明は、そのような工程を含むか否か明らかではない点。
　
４　判断  
　上記相違点につき検討する。
　複数の光起電力素子（太陽電池セル）を、その正極（Ｐ型電極）及び負極（Ｎ型電極）をインターコネクタを介して直列接続することは、本願の出願時点で周知であるから（例えば、特開２００５−１１８６９号公報（【００４５】、【００４７】、図３）、特開平８−２９８３３４号公報（【００５１】、図１１）参照。）、引用発明において、正極１００および負極２００を有するｎ型単結晶シリコン基板１の複数をインターコネクタを介して相互に直列接続するようになして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　なお、請求人は、平成２２年１１月１６日付け審判請求書において、「・・・本発明は、・・・構成要件Ａ２で規定されるメタルマスク（本願の図１（ａ）参照）を用いることにより、半導体基板の裏面にｐ（正）とｎ（負）とのフィンガー電極を一括して形成することができるという効果を示すものです・・・」（【本願発明が特許されるべき理由】２．）と主張する。
　しかしながら、本願明細書には、「また、メタルマスクとして、ｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクと、ｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクの２種類を用いて、ｐ（正）電極とｎ（負）電極とで成分および構成の異なる金属膜を形成することが好ましい。たとえば、ｎ（負）電極として、チタン、パラジウム、および銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの順に積層することができる。・・・他方、ｐ（正）電極としては、アルミニウムを堆積した上にニッケルメッキと金メッキを順次施すことが好ましい。・・・」（【００１６】及び【００１７】）、「なお、以上の実施例ではｐ（正）とｎ（負）の電極を一括して形成する方法を示しているが、ｐ（正）電極とｎ（負）電極のそれぞれに最適な金属元素を使うことによって、接触抵抗を低減させ得るとともに、接着強度を向上させることができる。たとえば、ｐ（正）電極を形成する場合にはｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクを用いてｐ（正）電極用金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成し、ｎ（負）電極を形成する場合にはｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスクを用いてｎ（負）電極用金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成する。このように、ｐ（正）電極とｎ（負）電極とにおいて互いに成分や構成の異なる金属膜を形成することによって、性能と信頼性が高い太陽電池モジュールを作製することができる。」（【００２９】）と記載されており、本願発明の「メタルマスク」は、「ｐ（正）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスク」と「ｎ（負）電極パターンに対応する開口部を有するメタルマスク」の２種類であってもよいと解されるのであって、必ずしも本願の図１（ａ）に示されたものに限られるとはいえない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。