【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を加熱する処理と、
加熱したこの基板の表面を、少なくとも１種のシリコン含有化合物を含む雰囲気へさらす処理であって、前記雰囲気中のシリコン含有化合物が分解して、この基板の表面上にシリコンの針状樹枝結晶を堆積させるような条件でさらす処理と、
前記針状樹枝結晶を、少なくとも１種のシリコン含有化合物を含む雰囲気へさらす際に、前記針状樹枝結晶の表面温度を徐々に減少させ、前記針状樹枝結晶の表面にシリコンが堆積し、より大きい複数の樹枝結晶が形成されるようにする処理と
を有する多結晶シリコンの製造方法。
【請求項２】
より大きい樹枝結晶が実質的に基板の加熱表面全体に分配されるように基板の表面の加熱及び加熱した表面の雰囲気への露出を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基板の表面温度を徐々に減少させる処理は、得られるより大きな樹枝結晶が、基板から外に向かって伸びる表面を有するような速度で行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
針状樹枝結晶の露出表面温度の穏やかな減少、及び針状樹枝結晶の雰囲気への露出は、少なくともある大きな樹枝結晶が徐々にティアドロップ形状になるように行われることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
針状樹枝結晶を露出表面温度の穏やかな減少、及び針状樹枝結晶の雰囲気への露出は、少なくとも幾分大きい針状樹枝結晶が、最も狭い点で直径が８ｍｍより大きくない茎部を有するように行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記雰囲気がシランガス、ハロシランガス、及びその混合物からなる群から選択されるシリコン含有化合物からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記雰囲気が、シラン(SiH４)、ジシラン(Si2H6)、トリシラン(Si３H８)、ジクロロシラン(SiH2Cl２)、トリクロロシラン(SiHCl３)、テトラ塩化シリコン(SiCl４)、ジブロモシラン（SiH2Br２）、トリブロモシラン（SiHBr３）、テトラ臭化シリコン(SiBr４)、ジヨードシラン（SiH2I２）、トリヨードシラン（SiHI３）、テトラヨウ化シリコン(SiI４)、及びその混合物からなる群から選択されるシリコン含有化合物を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記雰囲気が、シランを有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記雰囲気が、トリクロロシランを有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記雰囲気が、トリシランを有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１１】
シリコン含有化合物が、シラン(SiH4)であり、
前記加熱した表面を、少なくとも１種のシリコン含有化合物を含む雰囲気へさらす処理であって、前記雰囲気中のシリコン含有化合物が分解して、シリコンの針状樹枝結晶を堆積させるような条件でさらす当該処理が、前記樹枝結晶が堆積する際の少なくとも一部の間において、前記表面の温度を、少なくとも８７５℃で且つシリコンの融点未満の範囲の温度に維持する処理を有する請求項１記載の方法。
【請求項１２】
シリコンが分解して針状樹枝結晶が形成されるのが、針状樹枝結晶が堆積するときの少なくとも一部の間において、少なくとも９７５℃の温度であることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
さらに、基板のより大きな樹枝結晶を破壊する処理を有する請求項１記載の方法。
【請求項１４】
シラン（SiH４）が、シリコン含有化合物であり、
針状樹枝結晶を形成するためのシランの分解を、針状樹枝結晶が形成されるときの少なくとも一部の間、少なくとも８７５℃の温度で且つシリコンの融点未満でとなるような表面温度範囲で行い、
針状樹枝結晶がより大きい樹枝結晶へ成長するためのシランの分解が、シリコンの融点未満の温度でなされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
針状樹枝結晶を形成させるためのシランの分解が、針状樹枝結晶が形成されるときの少なくとも一部の間、少なくとも９７５℃の温度でなされることを特徴とする求項14記載の方法。
【請求項１６】
細長い多結晶シリコンコアロッドを準備する処理と、
このコアロッドの表面を、少なくとも１つのシリコン含有化合物を含む雰囲気へさらすとともに、コアロッドの表面温度を、シリコンの融点未満の温度であって、且つ雰囲気中のシリコン含有化合物が熱分解的に分解してシリコンが表面に堆積し、ロッドが針状樹枝結晶形成物で被覆されるようにするのに十分高い温度に維持する処理と、
針状樹枝結晶形成物で覆われたロッドの表面温度を徐々に減少させながら、針状樹枝結晶形成物を、シリコン含有化合物を含む雰囲気中へさらす処理を継続して、シリコンが、針状樹枝結晶形成物上へ堆積し、多数のより大きいシリコン樹枝結晶で覆われたロッドが形成されるようする処理と
を有する多結晶シリコンの製造方法。
【請求項１７】
針状樹枝結晶形成物で覆われたロッドの表面温度の穏やかな減少、及び針状樹枝結晶形成物の、少なくとも１つのシリコン含有化合物を含む雰囲気への露出の継続を、より大きい樹枝結晶が実質的にコアロッドの加熱表面全体に亘って分配されるように行われることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
シリコン含有化合物が、シラン（SiH４）であり、
針状樹枝結晶を形成するためのシランの分解が、針状樹枝結晶が形成されるときの少なくとも一部の間、少なくとも８７５℃の表面温度でなされることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
針状樹枝結晶を形成するためのシランの分解が、針状樹枝結晶が形成されるときの少なくとも一部の間、少なくとも９７５℃の表面温度でなされることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
針状樹枝結晶形成物で覆われたロッドの表面温度の穏やかな減少、及び針状樹枝結晶形成物の、少なくとも１つのシリコン含有化合物を含む雰囲気への露出の継続を、より大きい樹枝結晶の少なくともいくつかがほぼティアドロップ形状になるような状態で行われることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
さらに、多結晶シリコンの成長層を出発フィラメント上に堆積することによってコアロッドを形成する処理を有する請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
フィラメント及び針状樹枝結晶形成物からなるコアロッドがフィラメント上に直接的に形成されていることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記雰囲気が、シラン化合物、ハロシラン化合物、及びこれらの混合物からなる群から選択されるシリコン含有化合物からなる請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記雰囲気が、シラン(SiH４)、ジシラン(Si2H6)、トリシラン(Si３H８)、ジクロロシラン(SiH2Cl２)、トリクロロシラン(SiHCl３)、テトラ塩化シリコン(SiCl４)、ジブロモシラン（SiH2Br２）、トリブロモシラン（SiHBr３）、テトラ臭化シリコン(SiBr４)、ジヨードシラン（SiH2I２）、トリヨードシラン（SiHI３）、テトラヨウ化シリコン(SiI４)、及びその混合物からなる群から選択されるシリコン含有化合物を含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
細長い多結晶シリコンコアロッドを準備する処理と、
コアロッドを形成するためにフィラメント上に多結晶シリコンの通常の円筒状の層を堆積する処理と、
コアロッドの表面を、シラン(SiH４)を含む雰囲気へさらすとともに、ガス中のシランが熱分解的に分解してシリコンが針状樹枝状形成物の表面に堆積し、針状樹枝結晶で覆われたロッドを生産する間において、このロッドの表面を、少なくとも８７５℃で且つシリコンの融点未満となるような範囲の温度に維持する処理と、
針状樹枝結晶で覆われたロッドの表面温度を徐々に減少させるとともに、針状樹枝結晶をシランを含む雰囲気中へさらす処理であって、前記表面温度を減少させる速度が、シリコンが針状樹枝結晶形成物へ堆積し、針状樹枝結晶で覆われたロッドの実質的に加熱した表面全体に亘って分配された複数のより大きいシリコン樹枝結晶が形成され、これらの少なくとも一部が、コアロッドから外へ向かって張り出す表面を有するようにする速度である当該処理と、
コアロッドからより大きい樹枝結晶を分離する処理と
を有する多結晶シリコンの製造方法。
【請求項２６】
コアロッドの表面をシランからなる雰囲気へさらす処理が、針状樹枝結晶が堆積するときの少なくとも一部の間、少なくとも９７５℃のロッド表面温度で行われることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
基板上に多数の多結晶シリコン樹枝結晶を成長させる処理と、
基板から樹枝結晶を分離する処理と、
基板から分離した樹枝結晶を結晶成長炉のるつぼへ充填する処理と、
るつぼ中の樹枝結晶を溶解する処理と、
るつぼ中の溶解シリコンから単結晶インゴットを引き出す処理と
を有する単結晶シリコンインゴットの形成方法。
【請求項２８】
基板を、多結晶シリコンのコアロッドとし、
このコアロッドを塊にして、分離した樹枝結晶にそったコアロッドの塊をるつぼへ充填する処理を有することを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
基板と、
この基板の表面から広がる多数のシリコン樹枝結晶であって、これら樹枝結晶の少なくともいくつかは基板の外に向かって張り出した表面を具えている当該多数のシリコン樹脂結晶と
を有するポリシリコン体。
【請求項３０】
前記張り出た樹枝結晶の少なくともいくつかは、
基板から広がる少なくとも１つの針状樹枝結晶と、
前記少なくとも１つの針状樹脂結晶上のシリコンの張り出した成長層と
を有する請求項２９記載のポリシリコン体。
【請求項３１】
樹枝結晶が、実質的に基板の表面全体にわたって分配されていることを特徴とする請求項３１記載のポリシリコン体。
【請求項３２】
細長いフィラメントと、
フィラメントを囲むシリコンの成長層と、
樹枝結晶の少なくともいくつかが成長層から外に向かって張り出す表面を有する成長層から放射状に拡張する多数のシリコン樹枝結晶と
を有するポリシリコンのロッド。
【請求項３３】
樹枝結晶が、実質的に成長層の表面全体に亘り分配されていることを特徴とする請求項３２記載のロッド。
【請求項３４】
樹枝結晶の少なくともいくつかが、ほぼティアドロップ形状である請求項３２記載のロッド。
【請求項３５】
樹枝結晶の少なくともいくつかが、最も狭い点で直径が約８mm未満である茎の部分を有する請求項３２記載のロッド。
【請求項３６】
フィラメントを囲む成長層が、ほぼ円筒状であることを特徴とする請求項３２記載のロッド。
【請求項３７】
フィラメントを囲む成長層が、ほぼ円筒状であり、
樹枝結晶が、実質的に成長層の表面全体に亘り分配されており、
複数の樹枝結晶が、概してティアドロップ形状であり、
複数の樹枝結晶が、その最も狭い点で直径で約８mm未満の茎部分を有することを特徴とする請求項３２記載のロッド。
【請求項３８】
ある点へ向かってテーパの付いた表面を有する多結晶シリコンからなる少なくとも１つの針状体と、
少なくとも１つの針状体の表面上の多結晶シリコンの成長層であって、少なくとも１つの針状体のテーパと同じ方向へ張り出す表面を有する当該成長層と
を有する多結晶シリコン樹枝結晶。
【請求項３９】
結晶成長炉のるつぼにおいて原料として使用するために適当な多結晶シリコン材料のバッチであって、当該バッチが、
細長いフィラメントとフィラメントを囲むシリコンの成長層とからなる破壊された円筒多結晶コアロッドの複数の塊と、
コアロッドの表面から離れて成長し壊れた多数の多結晶シリコン樹枝結晶と
を有することを特徴とするバッチ。