【手続補正書】
【提出日】平成17年11月10日(2005.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜バッフルであって、
プラズマ処理チャンバにおいて誘電体ウィンドウを保護するように機能するとともに、前記ウィンドウよりも外側に位置したコイルからのＲＦエネルギーを、前記ウィンドウおよび前記バッフルを介して、前記チャンバの内部のプラズマ内へと誘導的に結合するように機能するものであり、
前記ウィンドウの側に位置した面と前記プラズマの側に位置した面とを有している導電性ボディを具備してなり、
このボディが、前記ウィンドウ側の面と前記プラズマ側の面との間にわたって貫通して延在する複数のスロットを備え、
これらスロットが、前記ボディの表面によって規定された壁を有するとともに、これらスロットが、前記ボディの前記プラズマ側の面から前記ボディの前記ウィンドウ側の面に向けて移動するチャンバ内粒子にとっての直線的移動経路を阻害し得るよう構成され、
前記複数のスロットの各々が、内部に構造部材を備え、
これら構造部材が、前記ボディの前記プラズマ側の面と前記ボディの前記ウィンドウ側の面とのうちの実質的に一方の面上のみにおいて、前記ボディに対して固定され、
前記構造部材が、前記ボディに対しての連結部を有し、
これら連結部が、前記バッフルを介しての誘導結合の効率を制限することなく前記バッフルを介して前記プラズマ内へと結合されるパワー分布の一様性を改良し得るよう、前記バッフル上にわたって分散して配置されていることを特徴とするバッフル。
【請求項２】
請求項１記載のバッフルにおいて、
前記スロットが、Ｖ字形状横断面を有していることを特徴とするバッフル。
【請求項３】
請求項１記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性ブリッジとされ、
これら導電性ブリッジが、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットをなす壁の対向部分どうし相互連結しており、これにより、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットを遮っていることを特徴とするバッフル。
【請求項４】
請求項１記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性の長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディの前記ウィンドウ側の面において、前記スロットをなす壁から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットに対して平行な向きとされ、
前記ブレードが、前記スロットを横切って前記スロットをなす壁の対向部分どうしを電気的に接続しないよう、前記対向部分の一方において前記ボディに対して連結されていることを特徴とするバッフル。
【請求項５】
請求項４記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性の長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記スロットをなす壁から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットに対して平行な向きとされ、
前記ブレードが、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットをなす壁の対向部分の一方において前記ボディに対して連結されていることを特徴とするバッフル。
【請求項６】
請求項１記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性の長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記スロットをなす壁から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットに対して平行な向きとされ、
前記ブレードが、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットをなす壁の対向部分の一方において前記ボディに対して連結されていることを特徴とするバッフル。
【請求項７】
プラズマ処理チャンバの内部のプラズマ処理空間内へとＲＦエネルギーを誘導的に結合する誘導結合型プラズマ源であって、
前記プラズマ処理チャンバをなす壁に設置された誘電体ウィンドウと；
このウィンドウよりも外側に配置されかつＲＦ電源に対して接続されたコイルと；
前記プラズマ処理チャンバの内部に配置されているとともに、前記プラズマ処理空間と前記誘電体ウィンドウとの間において前記誘電体ウィンドウから離間しつつこの誘電体ウィンドウの近傍に配置された、成膜バッフルであって、ボディを備えて構成され、さらに、このボディを厚さ方向に貫通して形成された複数のスロットを有しているような、成膜バッフルと；
を具備してなり、
前記ボディのうちの、前記スロットを規定している表面が、前記プラズマ処理空間から前記ウィンドウに向けて移動する粒子にとっての直線的移動経路を阻害し得るようにして、前記スロットが構成され、
前記複数のスロットの各々が、内部に構造部材を備え、
これら構造部材が、前記プラズマ処理空間に対向した面上において、前記ボディに対して固定されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項８】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記ボディに対しての前記構造部材の連結部が、前記バッフルを介しての誘導結合の効率を制限することなく前記バッフルを介して前記プラズマ内へと結合されるパワーの分布を改良し得るよう、前記バッフル上にわたって分散して配置されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項９】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記スロットが、Ｖ字形状横断面を有していることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１０】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、導電性ブリッジとされ、
これら導電性ブリッジが、前記ボディのうちの、前記プラズマ処理空間に対向した面において、前記スロットを遮っていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１１】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記バッフルのうちの、前記ウィンドウに対向した面において、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１２】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットを横切って前記スロットをなす壁の対向表面どうしを電気的に接続しないよう、前記対向表面の一方に対して連結されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１３】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置され、
前記ブレードが、前記バッフルのうちの、前記プラズマ処理空間に対向する面において、前記表面の一方に対して連結されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１４】
請求項７記載のプラズマ源において、
前記バッフルと前記コイルとが、ＲＦ回路を形成し、
このＲＦ回路が、前記ＲＦ電源の周波数に近い共振周波数を有していることを特徴とするプラズマ源。
【請求項１５】
プラズマ処理装置であって、
真空チャンバと；
このチャンバ内に配置された基板支持体と；
請求項７に記載されたプラズマ源と；
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】
請求項１５記載のプラズマ処理装置において、
さらに、
前記プラズマ処理装置を制御し得るようプログラムされていて、プラズマ点火手法に従って、前記プラズマ処理空間内においてプラズマを点火し得るものとされたコントローラを具備し、
前記プラズマ点火手法においては、
３００Ｗ以上かつ６００Ｗ未満というＲＦパワーでもって前記コイルを励起し；
その後、前記プラズマ処理空間に対して結合された電極に対して、０Ｗから、２０Ｗ未満という最大値にまで、ＤＣパワーを数秒間をかけて傾斜的に印加し、これにより、前記プラズマ処理空間内においてプラズマを点火し；
プラズマの点火時点で、前記ＲＦパワーおよび前記ＤＣパワーを、基板処理パラメータに応じた各値へと変更し；
基板の処理中にわたっては、前記基板処理パラメータを維持し；
これにより、前記プラズマ処理空間内において基板を処理する；
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
前記チャンバが、内部にスパッタリングターゲットを備え、
このスパッタリングターゲットが、前記電極を構成し、
前記ＤＣパワーの変更に際しては、前記ＤＣパワーを、前記ターゲットに対して、スパッタリングパワーレベルに設定することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１８】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
前記ＤＣパワーの傾斜的な印加に際しては、前記チャンバ内の圧力に反比例する関係式に従って決定される最大値にまで、前記ＤＣパワーを傾斜的に印加し、
前記関係式を、６５ｍＴｏｒｒという圧力に対しては５Ｗというパワーを決定し、かつ、２０ｍＴｏｒｒという圧力に対しては１０Ｗというパワーを決定するものとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１９】
ＩＣＰ処理装置内においてプラズマを点火するための方法であって、
前記ＩＣＰ処理装置が、
プラズマ処理チャンバと；
このプラズマ処理チャンバの中のプラズマ処理空間内へとＲＦエネルギーを結合させ得るよう前記チャンバの外部に配置されたＲＦコイルと；
前記プラズマ処理空間に対して連結されたＤＣ電極と；
を具備するものである場合に、
本方法においては、
３００Ｗ以上かつ６００Ｗ未満というＲＦパワーでもって前記コイルを励起し；
その後、前記電極に対して、０Ｗから、２０Ｗ未満という最大値にまで、ＤＣパワーを数秒間をかけて傾斜的に印加し、これにより、前記プラズマ処理空間内においてプラズマを点火し；
プラズマの点火時点で、前記ＲＦパワーおよび前記ＤＣパワーを、基板処理パラメータに応じた各値へと変更し；
基板の処理中にわたっては、前記基板処理パラメータを維持し；
これにより、前記プラズマ処理空間内において基板を処理する；
ことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法において、
前記ＤＣパワーの傾斜的な印加に際しては、前記チャンバ内の圧力に反比例する関係式に従って決定される最大値にまで、前記ＤＣパワーを傾斜的に印加し、
前記関係式を、６５ｍＴｏｒｒという圧力に対しては５Ｗというパワーを決定し、かつ、２０ｍＴｏｒｒという圧力に対しては１０Ｗというパワーを決定するものとすることを特徴とする方法。
【請求項２１】
成膜バッフルであって、
プラズマ処理チャンバにおいて誘電体ウィンドウを保護するように機能するとともに、前記ウィンドウよりも外側に位置したコイルからのＲＦエネルギーを、前記ウィンドウおよび前記バッフルを介して、前記チャンバの内部のプラズマ内へと誘導的に結合するように機能するものであり、
前記ウィンドウの側に位置した面と前記プラズマの側に位置した面とを有している導電性ボディを具備してなり、
このボディが、前記ウィンドウ側の面と前記プラズマ側の面との間にわたって貫通して延在する複数のスロットを備え、
これらスロットが、前記ボディの表面によって規定された壁を有するとともに、これらスロットが、前記ボディの前記プラズマ側の面から前記ボディの前記ウィンドウ側の面に向けて移動するチャンバ内粒子にとっての直線的移動経路を阻害し得るよう構成され、
前記複数のスロットの各々が、内部に構造部材を備え、
これら構造部材が、前記ボディに対して固定され、
前記構造部材が、前記ボディに対しての連結部を有し、
これら連結部が、前記バッフルを介しての誘導結合の効率を実質的に制限することなく前記バッフルを介して前記プラズマ内へと結合されるパワー分布の一様性を改良し得るよう、前記バッフル上にわたって分散して配置されていることを特徴とするバッフル。
【請求項２２】
請求項２１記載のバッフルにおいて、
前記スロットが、前記スロットの長手方向に沿って方向において、Ｖ字形状横断面を有していることを特徴とするバッフル。
【請求項２３】
請求項２１記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性ブリッジとされ、
これら導電性ブリッジが、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットをなす壁の対向部分どうし相互連結しており、これにより、前記ボディの前記プラズマ側の面において、前記スロットを遮っていることを特徴とするバッフル。
【請求項２４】
請求項２１記載のバッフルにおいて、
前記構造部材が、導電性の長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディの前記ウィンドウ側の面において、前記スロットをなす壁から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットに対して平行な向きとされ、
前記ブレードが、前記スロットを横切って前記スロットをなす壁の対向部分どうしを電気的に接続しないよう、前記対向部分の一方において前記ボディに対して連結されていることを特徴とするバッフル。
【請求項２５】
プラズマ処理チャンバの内部のプラズマ処理空間内へとＲＦエネルギーを誘導的に結合する誘導結合型プラズマ源であって、
前記プラズマ処理チャンバをなす壁に設置された誘電体ウィンドウと；
このウィンドウよりも外側に配置されかつＲＦ電源に対して接続されたコイルと；
請求項２１に記載された成膜バッフルと；
を具備することを特徴とするプラズマ源。
【請求項２６】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記ボディに対しての前記構造部材の前記連結部が、前記バッフルを介しての誘導結合の効率を制限することなく前記バッフルを介して前記プラズマ内へと結合されるパワー分布の一様性を改良し得るよう、前記バッフル上にわたって分散して配置されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項２７】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記スロットが、前記スロットの長手方向に沿って方向において、Ｖ字形状横断面を有していることを特徴とするプラズマ源。
【請求項２８】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、ブリッジとされ、
これらブリッジが、前記ボディのうちの、前記プラズマ処理空間に対向した側の面において、前記スロットを遮っていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項２９】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記バッフルのうちの、前記ウィンドウに対向した面において、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項３０】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置され、
前記ブレードが、前記スロットを横切って前記スロットをなす壁の対向表面どうしを電気的に接続しないよう、前記対向表面の一方に対して連結されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項３１】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記構造部材が、前記スロット内に懸架された長尺ブレードとされ、
これらブレードが、前記ボディのうちの、前記スロットをなす表面に対して平行にかつこの表面から離間して配置され、
前記ブレードが、前記バッフルのうちの、前記プラズマ処理空間に対向する面において、前記表面の一方に対して連結されていることを特徴とするプラズマ源。
【請求項３２】
請求項２５記載のプラズマ源において、
前記バッフルと前記コイルとが、ＲＦ回路を形成し、
このＲＦ回路が、前記ＲＦ電源の周波数に近い共振周波数を有していることを特徴とするプラズマ源。
【請求項３３】
プラズマ処理装置であって、
真空チャンバと；
このチャンバ内に配置された基板支持体と；
請求項２５に記載されたプラズマ源と；
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３４】
請求項３３記載のプラズマ処理装置において、
さらに、
前記プラズマ処理装置を制御し得るようプログラムされていて、プラズマ点火手法に従って、前記プラズマ処理空間内においてプラズマを点火し得るものとされたコントローラを具備し、
前記プラズマ点火手法においては、
３００Ｗ以上かつ６００Ｗ未満というＲＦパワーでもって前記コイルを励起し；
その後、前記プラズマ処理空間に対して結合された電極に対して、０Ｗから、２０Ｗ未満という最大値にまで、ＤＣパワーを数秒間をかけて傾斜的に印加し、これにより、前記プラズマ処理空間内においてプラズマを点火し；
プラズマの点火時点で、前記ＲＦパワーおよび前記ＤＣパワーを、基板処理パラメータに応じた各値へと変更し；
基板の処理中にわたっては、前記基板処理パラメータを維持し；
これにより、前記プラズマ処理空間内において基板を処理する；
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３５】
請求項３４記載のプラズマ処理装置において、
前記チャンバが、内部にスパッタリングターゲットを備え、
このスパッタリングターゲットが、前記電極を構成し、
前記ＤＣパワーの変更に際しては、前記ＤＣパワーを、前記ターゲットに対して、スパッタリングパワーレベルに設定することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３６】
請求項３４記載のプラズマ処理装置において、
前記ＤＣパワーの傾斜的な印加に際しては、前記チャンバ内の圧力に反比例する関係式に従って決定される最大値にまで、前記ＤＣパワーを傾斜的に印加し、
前記関係式を、６５ｍＴｏｒｒという圧力に対しては５Ｗというパワーを決定し、かつ、２０ｍＴｏｒｒという圧力に対しては１０Ｗというパワーを決定するものとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
バッフル（３０ｄ）の一実施形態に対してのブレード（３７）の組込が、図６Ａ〜図６Ｄにおいて、詳細に示されている。図６Ａは、バッフル（３０ｄ）のチャンバ側の面を示す図であって、１４個のスロット（３１ｄ）は、この図示においては、スロット（３１）と全体的に同じ外見を有している。図６Ｂは、同じバッフル（３０ｄ）のウィンドウ側の面を示す図であって、スロット（３１ｄ）内にブレード（３７）を見ることができる。連結部（３８）が、スロット（３１ｄ）の長さ全体にわたって延在しているブレード（３７ａ）の長手方向両端箇所に位置した連結部（３８ａ）と、スロット（３１ｄ）の長さの３分の１の長さのみにわたって延在しているブレード（３７ｂ）の一端だけに位置するとともに周縁位置に位置した連結部（３８ｂ）と、スロット（３１ｄ）の長さの３分の１の長さのみにわたって延在しているブレード（３７ｂ）の一端だけに位置するとともに中央箇所に位置した連結部（３８ｂ）と、を備えていることに注意されたい。図６Ｃおよび図６Ｄは、スロット（３１ｄ）内におけるブレード（３７）の構成を、分解した底面図および斜視図によって、示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005518480.tif 000001