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【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式の化合物およびその製薬上許容される塩。
【化１】
2005530804.tif 000001
（式中、R1はインドール基、インドール誘導体基、アルキル、トリハロアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、メルカプト、アルキルチオ、アリールチオ、スルフィニル、スルホニル、カルボニル、シアノ、ニトロ、ハロゲン、またはアミノであり、
R2は水素、ヒドロキシ、ナイトレート基、ハロゲン、低級アルキル、またはカルボニルであり、
R3はハロゲン、低級アルキル、カルボニル、アリール、アラルキル、または複素環基であり、かつ
R4はアダマンタン基、アダマンタン誘導体基、アルキル、トリハロアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、メルカプト、アルキルチオ、アリールチオ、スルフィニル、スルホニル、S-スルホンアミド、N-スルホンアミド、トリハロメタン−スルホンアミド、ハロゲン、カルボニル、シアノ、ニトロ、ハロゲン、またはアミノであり、かつ、
R1がインドール基、R2がヒドロキシル、かつR3がイソプロピルであるとき、R4はアダマンタン基ではない。）
【請求項２】
R1はベンゼン、キシレン、クメン、トルエン、ペンタセン、インデン、ナフタレン、インダセン、ピリミジン、インドリル、プリン、キノリン、またはイソキノリンである、請求項1の化合物。
【請求項３】
R2はメタン、エタン、プロパン、またはヒドロキシルである、請求項1の化合物。
【請求項４】
次式の化合物およびその製薬上許容される塩。
【化２】
2005530804.tif 000002
（式中、R1およびR2は水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、カルボニル、アセチル、カルボキシ、スルホニル、またはトリハロメタン−スルホニルであり、かつ、
R1およびR2は、同じでも異なっていてもよく、かつ
R1およびR2は、ともに水素であることはない。）
【請求項５】
次式の化合物およびその製薬上許容される塩。
【化３】
2005530804.tif 000003
（式中、R1はプロパノロール（propanolol）、インデノロール（indenolol）、カルピンドロール（carpindolol）、ブプラノロール（bupranolol）、およびメピンドロール（mepindolol）からなるβブロッカーの群より選ばれる。）
【請求項６】
該βブロッカー置換基はプロパノロール（propanolol）である、請求項5の化合物。
【請求項７】
次式の化合物およびその製薬上許容される塩。
【化４】
2005530804.tif 000004
（式中、R1、R2およびR3は、水素、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、カルボニル、ハロゲン、アセチル、カルボキシ、スルホニル、またはトリハロメタン−スルホニルであり、かつ、
R1、R2およびR３は、同じでも少なくとも一つが異なっていてもよく、かつ
R1、R2およびR３は、すべてが水素であることはない。）
【請求項８】
次式の化合物。
【化５】
2005530804.tif 000005
（式中、R1は水素、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、ハロゲン、カルボニル、アセチル、カルボキシ、スルホニル、またはトリハロメタン−スルホニルである。）
【請求項９】
式（I）
【化６】
2005530804.tif 000006
式（II）
【化７】
2005530804.tif 000007
式（III）
【化８】
2005530804.tif 000008
および式（IV）
【化９】
2005530804.tif 000009
からなる群より選ばれるものである、請求項8の化合物。
【請求項１０】
次式の化合物およびその製薬上許容される塩。
【化１０】
2005530804.tif 000010
（式中、R1はアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロ脂環式基、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、ハロゲン、カルボニル、アセチル、カルボキシ、スルホニル、またはトリハロメタン−スルホニルであり、かつ
R1はイソプロピルではない。）
【請求項１１】
R1はメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、イソペンチル、tert-ペンチル、ネオペンチル、またはイソヘキシルである、請求項10の化合物。
【請求項１２】
式（I）
【化１１】
2005530804.tif 000011
式（II）
【化１２】
2005530804.tif 000012
および式（III）
【化１３】
2005530804.tif 000013
からなる群より選ばれるものである、請求項10の化合物。
【請求項１３】
次式の化合物。
【化１４】
2005530804.tif 000014
【請求項１４】
次式の化合物。
【化１５】
2005530804.tif 000015
【請求項１５】
次式の化合物。
【化１６】
2005530804.tif 000016
【請求項１６】
請求項1〜１５のいずれかに記載の化合物またはその製薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１７】
請求項1〜１５のいずれかに記載の化合物またはその製薬上許容される塩を含む癌治療薬。
【請求項１８】
該癌が乳癌である、請求項17の癌治療薬。
【請求項１９】
医薬組成物を製造するための請求項1〜１５のいずれかに記載の化合物またはその製薬上許容される塩の使用。
【請求項２０】
癌治療薬を製造するための請求項1〜１５のいずれかに記載の化合物またはその製薬上許容される塩の使用。
【請求項２１】
乳癌治療薬を製造するための請求項1〜１５のいずれかに記載の化合物またはその製薬上許容される塩の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月30日(2006.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
海底の電気伝導度をモデル化するシステムにおいて、システムは海底の種々の位置に設置される複数のユニットから構成され、それぞれのユニットは、
複数の電極を支持する枠を備え、海底に設置するよう構成された組立体と、
枠に関して垂直に離れて互いに装着され双極子を形成するそれぞれの電極が、海底付近に存在する垂直電界によって誘起される信号を備えた出力と電気的に通信する第１の一対の電極と、
から構成されるシステム。
【請求項２】
一対の電極における下側の電極が、枠より上の高さに配置される請求項１に記載するシステム。
【請求項３】
一対の電極が、枠に取り付けられた実質的に剛体のアームに配置される請求項１に記載するシステム。
【請求項４】
実質的に剛体のアームは、１ないし２ｍの範囲の長さを有する請求項３に記載するシステム。
【請求項５】
さらに、枠に関して互いに垂直方向に距離を置いて配置されて第２の双極子を形成する第２の一対の電極から構成され、第２の双極子のそれぞれの電極が、海底付近に存在する垂直電界によって誘起された信号を備えた第２の出力と電気的に通信する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
さらに、枠に結合され第２の対が取り付けられたケーブルから構成され、第２の対の電極間の距離が第１の対の電極間の間隔よりも実質的に長い、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
電極が枠に取り付けられたケーブルに装着され、さらにケーブルの末端に取り付けられた浮子から構成される請求項１に記載するシステム。
【請求項８】
さらに、少なくとも２つ磁界誘導センサが水平に互いに直交して枠に取り付けられる請求項１に記載するシステム。
【請求項９】
海底の電気伝導度をモデル化するシステムにおいて、システムは海底に設置される複数のユニットから構成され、それぞれのユニットは、
海底に設置するに適した枠と、
第１の対の電界信号を発生するため互いに直交する方向に向いて枠から伸びる１対の水平双極子と、
第２の電界信号を発生用の垂直な双極子を形成するため、枠から垂直に伸び、互いに垂直に変位して配置される１対の電極と、
第１および第２の電界信号のそれぞれを増幅するため、水平および垂直の双極子と電気通信を行う、低い入力インピーダンスおよび高いゲインを備えた少なくとも１つの第１の増幅器と、
第１のそれぞれの増幅器と増幅された電界信号を受信するため電気的通信を行い、その代表的なデータを記憶するデータ記録プロセッサと、
データ記録プロセッサをシステム内の別のユニットにおけるデータ記録プロセッサと同期して操作させるための時計装置と、
データ記録装置、時計装置および第１および第２の増幅器との電気的通信の電源と、
海水中の腐食および圧力抵抗に適合した、データ記録プロセッサ、時計装置、第１の増幅器および電源を収納する少なくとも１つのハウジングと、
ユニットを海底に設置するための手段と、
ユニットを海底から回収するための手段と、
から構成されるシステム。
【請求項１０】
一対の第２の電極におけるの下側の電極が、枠より上の高さに設置される請求項９に記載するシステム。
【請求項１１】
一対の電極が、枠に取り付けられた実質的に剛体のアームに配置される請求項９に記載するシステム。
【請求項１２】
実質的に剛体であるアームは１ないし２ｍの範囲の長さを有する請求項１１に記載するシステム。
【請求項１３】
請求項１１に記載するシステムにおいて、さらに、
枠に取り付けられ枠から伸びるケーブルと、
ケーブルの末端に配置される浮子と、
第３の電界信号を発生するためケーブルに垂直方向に距離を置いて配置された第２の対の電極から構成され、かつ第２の垂直双極子は第１の垂直双極子よりも実質的に長く、少なくとも第１の増幅器の１つと電気的な通信を行う第２の垂直双極子と、
から構成されるシステム。
【請求項１４】
一対の電極がケーブルに配置され、さらにケーブル末端に配置された浮子から構成される請求項９に記載するシステム。
【請求項１５】
請求項９に記載するシステムにおいて、さらに
枠に互いに直交して水平に取り付けられる少なくとも２つの磁界誘導センサと、
少なくとも１つのハウジング内に配置され、それぞれの誘導センサによって発生された磁界信号を増幅するため、誘導センサと電気的通信を行い、かつ、電源に接続され、増幅された磁界信号をデーテ記録プロセッサに提供する第２の増幅器と、
から構成されるシステム、
【請求項１６】
海底の電気伝導度をモデル化する方法において、海底の関心のある地域の種々の位置に複数のユニットを設置し、それぞれのユニットは、
複数の電極を支持する枠を備え、海底に設置するよう構成された組立体と、
第１の垂直双極子を形成するため枠に対して垂直方向に互いに距離を置いて配置され、双極子のそれぞれの電極は、海底付近に存在する垂直磁界によって誘起される信号を備えた出力と電気的通信を行う一対の電極と、
から構成され、
ユニットを使用し、水平および垂直の電界を予め選定したスペクトル範囲にわたって検出し、
複数のユニットのそれぞれが検出した電界に対応するデータを収集し、かつ、
収集したデータを使用して抵抗のモデルを作成する方法。
【請求項１７】
それぞれのユニットは、枠に取り付けられたケーブルに、第１の対の電極間における垂直変位より大きく互いに垂直に変位して装着した第２の対の電極を備え、第２の垂直双極子を形成する請求項１６による方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７の何れかに記載する方法において、さらに、
ＥＭ送信機を関心のある地域内で海底に近く曳航し、
検出ステップはＥＭ送信機によって発生した電界の検出から構成される方法。
【請求項１９】
組立体はさらに磁界の測定に適したものである請求項１６に記載する方法。
【請求項２０】
海底の電気伝導度を探査する方法において、
複数の位置において、それぞれの位置の垂直方向に向いた電界によって誘起された信号を提供するため、複数の垂直に変位させた電極を使用し、かつそれぞれの位置の信号と関連した測定値を得る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月29日(2006.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測量、例えば装置から対象物までの距離測定のための、電子距離測定装置であって、
ａ）光軸（ＯＡ）を定義する対物レンズ（１０１）と、
ｂ）前記対象物からの反射において前記対物レンズ（１０１）によって受光される異なる波長の光線（λ1、λ2）を前記対象物の方へ伝送するための、少なくとも２つの光源（１１１、１１２）と、
ｃ）前記対物レンズ（１０１）で定義される光路（１０９）の外側に配置され、且つ前記光線（λ1、λ2）を受光するよう適合された、少なくとも２つの受光器（１４１、１４２）と、
前記光軸（ＯＡ）に関する傾斜角（α1、α２）でそれぞれ配置された少なくとも２つのダイクロイック面（１２１ａ、１２２ａ）とを有し、
前記光軸（ＯＡ）は前記ダイクロイック面を突き通し、プレート（１２１、１２２）に前記ダイクロイック面の少なくとも１つが配置され、さらに前記の少なくとも２つのダイクロイック面（１２１ａ、１２２ａ）は、前記受光器（１４１、１４２）の方へ、前記光線（λ1、λ2）の少なくとも１つを反射するようにそれぞれ適合されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ダイクロイック面（１２１ａ、１２２ａ）は、それぞれ異なるプレート（１２１、１２２）に配置される、請求項１に記載の電子距離測定装置。
【請求項３】
前記ダイクロイック面の１つは、プレート（６２１）に配置され、且つ他の前記ダイクロイック面はプリズム（６２５）に配置される、請求項１に記載の電子距離測定装置。
【請求項４】
前記光線（λ1、λ2）を伝送するための前記少なくとも２つの光源（１１１、１１２）は、前記対物レンズ（１０１）に近接して配置された光方向変更部材（１０２）の方へ前記光線を伝送するように適合される、請求項１に記載の電子距離測定装置。
【請求項５】
前記光方向変更部材は、方向変更プリズム（１０２）である、請求項４に記載の電子距離測定装置。
【請求項６】
前記方向変更プリズム（１０２）は、前記対物レンズ（１０１ｂ）に取り付けられる、請求項５に記載の電子距離測定装置。
【請求項７】
前記ダイクロイック面（１２１ａ、１２２ａ）で反射された、前記光線（λ1、λ2）の少なくとも１つについて向きを変更するために、少なくとも１つのミラー（１３１、１３２）が前記光軸（ＯＡ）に近接して配置される、
請求項２又は請求項３に記載の電子距離測定装置。
【請求項８】
前記ダイクロイックプレート（２２１、２２２）は、収差誤差に対する補正を提供するために、くさび形状である、請求項２に記載の電子距離測定装置。
【請求項９】
補償プレート（３０７）が、フォーカスレンズ（３０４）と近接したダイクロイックプレート（３２２）との間に挿入され、前記プレートの傾斜方向をプレートが前記光軸に関して回転される中心となる前記プレートの面における軸で定義し、二つのプレートの傾斜方向が互いに略９０°の角をなす配置となるように、前記補償プレート（３０７）及び前記ダイクロイックプレート（３２２）の傾斜方向が選ばれる、請求項２に記載の電子距離測定装置。
【請求項１０】
プレートの傾斜方向をプレートが前記光軸に関して回転される中心となる前記プレートの面における軸で定義し、２つのプレートの傾斜方向が互いに略９０°の角をなす配置となるように、２つのダイクロイックプレート（５２１、５２２）の前記傾斜方向を選んで２つのダイクロイックプレート（５２１、５２２）を配置する、請求項２に記載の電子距離測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月11日(2006.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された放射透明絶縁レイヤと、前記絶縁レイヤ上に透明な抵抗性材料のレイヤとして形成された電極と、前記抵抗性レイヤの一端に隣接する第１接点と、前記抵抗性レイヤの他端に隣接する第２接点と、前記第１接点に隣接して配置され、前記第１接点の電位よりも高い電位にバイアスされている前記半導体基板とは反対の導電性の前記半導体基板内の第１拡散領域と、前記第２接点に隣接して配置され、前記第２接点の電位よりも高い電位にバイアスされている前記半導体基板とは反対の導電性の前記半導体基板内の第２拡散領域と、前記第１及び第２接点間に電位を印加する手段と、前記第１及び／又は第２拡散領域の前記電荷を読み出す手段と、を有する画像センサ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の態様においては、本発明は、半導体基板、半導体基板上に形成された放射透明絶縁レイヤ、絶縁レイヤ上に透明な抵抗性材料のレイヤとして形成された電極、抵抗性レイヤの一端に隣接する第１接点、抵抗性レイヤの他端に隣接する第２接点、第１接点に隣接して配置され、第１接点の電位よりも高い電位にバイアスされた半導体基板とは反対の導電性を有する半導体基板内の第１拡散領域、第２接点に隣接して配置され、第２接点の電位よりも高い電位にバイアスされた半導体基板とは反対の導電性を有する半導体基板内の第２拡散領域、第１及び第２接点間に電位を印加する手段、及び第１及び／又は第２拡散領域上の電荷を読み出す手段を有する画像センサ素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
又、このデバイスは、図３ｂに示されているように、２つの逆位相のクロック信号によっても動作可能である。即ち、接点Ｃ１及びＣ２を、高電圧及び低電圧レベル間でスイッチングする２つの別個のクロック信号に接続する。デバイス内に必要な横方向の電界を提供するには、１つのクロック信号が高電圧レベルにある際に、もう１つのクロック信号が低電圧レベルにあるように、クロック信号を選択しなければならない。この逆位相の２つのクロック信号により、１つのクロック信号のみの場合の２倍の大きさの電界が生成され、この結果、電荷キャリアは、二倍の速度で、それぞれの電荷記憶及び蓄積拡散領域Ｄ１及びＤ２に移動することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月5日(2006.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一時的な内部材料振動、いわゆるリアルタイムのアコースティックエミッションに基づき検知することによって、永久状態に対応する該当箇所に生じた偏差を表示及び感知し、偏差依存エレメントは１つ以上のマルチ−ターンコイルにより少なくとも部分的に巻かれている、偏差を表示および感知する方法において、
ａ．１つ以上のバンド成形エレメントは前記該当箇所に対して自由に懸架される方法で接着され、
ｂ．前記バンドエレメントは非晶性および／またはナノ結晶材料から形成され、
ｃ．前記バンド成形エレメントはピックアップコイルを通して直流を印加するおよび／または永久磁石を利用するバイアス磁化により影響され、
ｄ．前記偏差は前記バンドエレメント内に内部原子運動（振動）を発生して前記バンドエレメントに伝達され、
ｅ．前記偏差により前記原子運動に比例する前記コイル内の検出可能な電磁流量変化（ｄＢ／ｄｔ）を表示および感知するかあるいは前記コイル内の検出可能なインダクタンス変化を表示および感知することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１のｂ．に関する、前記材料は高透磁性および比較的高い磁気歪みを発生する、結晶化温度に近いがそれより低い温度で磁気加熱処理される請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項１のｂ．に関する、前記非晶性材料として強磁性体が選択されることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記透磁性は５０００＜μ＜２０００００ｐｐｍから選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記磁気ひずみは５＜λｓａｔ＜４０ｐｐｍから選択されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記非晶性材料は１つ以上のバンドエレメントを形成するよう切断され、その縦伸びは選択された圧延方向に対して横方向に選択されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
スライドガラスに接着させた前記バンドエレメントは４０ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの周波数範囲内で感度が示されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
１つ以上の、少なくともおよそ２０μｍの厚さの、非晶性あるいはナノ結晶材料の、高透磁性および比較的高い磁気歪みを有する磁気加熱処理バンドエレメントが使用されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
一時的な内部材料振動、いわゆるリアルタイムのアコースティックエミッションに基づき検知することによって、永久状態に対応する該当箇所に生じた偏差を表示及び感知し、偏差依存エレメントは１つ以上のマルチ−ターンコイルにより少なくとも巻かれている、偏差を表示および感知する装置において、
ａ．１つ以上のバンド成形エレメントは前記該当箇所に対して自由に懸架される方法で接着され、
ｂ．前記バンドエレメントは非晶性あるいはナノ結晶材料から形成され、
ｃ．前記バンド成形エレメントはピックアップコイルを通して直流を印加するおよび／または永久磁石を利用するバイアス磁化により影響され、
ｄ．前記偏差は前記バンドエレメント内に内部原子運動（振動）を発生して前記バンドエレメントに伝達され、
ｅ．前記偏差により前記原子運動に比例する前記コイル内の検出可能な電磁流量変化（ｄＢ／ｄｔ）を表示および感知するかあるいは前記コイル内の検出可能なインダクタンス変化を表示および感知することを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項９のｂ．に関する、前記材料は高透磁性および比較的高い磁気歪みを発生する、結晶化温度に近いがそれより低い温度で磁気加熱処理される請求項９記載の装置。
【請求項１１】
１つ以上の、少なくともおよそ２０μｍの厚さの、非晶性あるいはナノ結晶材料の、高透磁性および比較的高い磁気歪みを有する磁気加熱処理バンドエレメントが使用されることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１２】
前記１つあるいは１つ以上のコイルが結合された１つあるいは１つ以上のバンドエレメントは弾性変形可能なエポキシポリマーで囲まれることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１３】
前記１つあるいは１つ以上のバンドエレメント及び１つあるいは１つ以上のコイルは永久状態に対象物として接着され、その永久状態偏差が表示されることを特徴とする請求項９または１２記載の装置。
【請求項１４】
発生する感度はその材料における方向依存性のため、１つあるいはそれ以上のバンドエレメントの圧延方向に対する選択された検知方向の方向付けに従って異なることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
コイルが結合されたバンドエレメントはブリッジ及び増幅器を接続させて、感度及び検知性をそれぞれ増加させることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
ガラス破損率インジケータとして実現される請求項９乃至１５のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月23日(2006.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許文献１（Ｐｉｒｒｕｎｇ  ｅｔ  ａｌ．）および特許文献２に記載されている先駆的研究は特に重要であり、これらは光を照射する方法を用いた分子合成の改良された方法を開示する。これらの方法によると、基板の選択された領域から保護基を除去するために基板の選択された領域に光を照射する。その後、選択された分子が基板に結合され、次いで、追加の照射と結合工程が行われる。基板の選択された領域を活性化し、選択されたモノマーを正確な順番で結合し、あらゆる数の異なる配列を有する分子のアレイを合成することができる。ここで、各種配列は基板表面の異なる既知の位置にある。これらのアレイは、明らかに、一般的にはポリマー分子、具体的にはポリペプチドおよびオリゴヌクレオチドの固相合成における次なる工程を具体化するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献３により、ポリマー配列のアレイを有効かつ大規模に製造するプロセスが得られる。各アレイには、既知のモノマー配列を有する位置が異なる種々のポリマー配列が複数含まれている。一つの実施態様では、感光性保護基で保護された官能基でコーティングされた第１の表面、および屈折率整合化合物、光吸収化合物および非反射的化合物を一つ以上含む層を有する裏側にある第２の表面を有する基板が得られる。露出工程の間に、２つの物質の屈折率のミスマッチにより、基板を通過する特定量の光が、なお、ガラスとポリマーとの界面から基板の表（合成）側に反射して戻される。
【特許文献１】米国特許第５１４３８５４号明細書
【特許文献２】国際公開第９２／１００９２号パンフレット
【特許文献３】米国特許第５９５９０９８号明細書
【特許文献４】米国特許第５５７６２２０号明細書
【特許文献５】米国特許第６２３５４７１号明細書
【特許文献６】米国特許第６０５７４２４号明細書
【特許文献７】米国特許第５４１８１３６号明細書
【特許文献８】米国特許第６５０６５９４号明細書
【特許文献９】米国特許第６３６８８０８号明細書
【特許文献１０】米国特許第６２６２２１６号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月17日(2006.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１保護素子を含む第１構成要素を備えた、管理された認可証と、
前記第１構成要素に接着される第２保護素子を含む第２構成要素と、
を有する製造物品。
【請求項２】
前記管理された認可証が、ナンバープレート、車両登録ステッカー、車両認証ステッカー、運転免許証、旅券、査証、および個人識別カードのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の製造物品。
【請求項３】
前記第１保護素子が前記第１構成要素を一意的に識別し、前記第２保護素子が前記第２構成要素を一意的に識別する、請求項１に記載の製造物品。
【請求項４】
前記第２保護素子と組合わされた前記第１保護素子が前記管理された認可証を一意的に識別する、請求項３に記載の製造物品。
【請求項５】
出先機関に関連付けられ、管理された認可証の要求をコンピュータネットワークを経由して送信するクライアントコンピュータと、
前記管理された認可証の要求を前記コンピュータネットワークを経由して前記クライアントコンピュータから受信し、前記管理された認可証の要求に対する応答であって前記管理された認可証の要求の許可および拒否のうちの１つを含む応答を前記コンピュータネットワークを経由して前記クライアントコンピュータへ送信するサーバコンピュータと、
前記クライアントコンピュータに結合され、前記クライアントコンピュータが前記管理された認可証の要求の許可を受信したときに管理された認可証の少なくとも一部を作り出すプリンタと、
を備えるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
管理された認可証は、管理された認可証を構成する、少なくとも２つの構成要素を含む。少なくとも２つの構成要素は最低でも、断面を見たときに別個の層によって特徴付けられる。別個の層は組成がしばしば異なる。通常、各構成要素は、それが単独に予備成形される（例えば、ロール・グッドとして）か、または剥離ライナー上に配置されるように、十分な構造上の完全性を有する。構成要素の少なくとも２つおよび任意で各構成要素が保護素子を含むことが好ましい。従って、好ましい実施形態では、本発明の管理された認可証（例えば、ナンバープレート、認証および登録ステッカー）は、少なくとも１つの第１保護素子を含む第１構成要素、および少なくとも１つの第２保護素子を含む第２構成要素を含む。第１保護素子は、第２保護素子と同じでもよいが、異なることが好ましい。保護素子の少なくとも１つおよび任意で第１と第２保護素子の両方が、構成要素、従って完成した管理された認可証を一意的に識別する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月14日(2006.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
多層フィルム体の形態の光学的に変化する素子、特に銀行券、クレジットカード等を保障するための光学的に変化する保障素子であって、前記多層フィルム体が、干渉によって色ずれを生じる干渉層構造を備えた薄膜および／または金属性反射層を備えた光学的に変化する素子において、
透明窓と、それぞれが局部的要素の形態の、すなわち局部的薄膜要素または局部的反射層の形態の、薄膜および／または金属性反射層とを有し、前記一つまたは複数の局部的要素が前記透明窓の表面領域を取り囲んでいることを特徴とする光学的に変化する素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月24日(2006.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーナキューブ素子のアレイを有するポリマーシートを含む再帰反射シートであり、該コーナキューブ素子のアレイから反射される光がモアレ状のパターンを含む再帰反射シート。
【請求項２】
前記コーナキューブ素子が、０．０００５インチ（０．０１２７ｍｍ）〜０．００７インチ（０．１７７８ｍｍ）の範囲の横方向の寸法を有する、請求項１に記載の再帰反射シート。
【請求項３】
前記素子が、３組の互いに交差するＶ字形の溝から形成され、かつ前記溝が、少なくとも±８００ｎｍの溝位置精度に対して同一の間隔および深さを有する、請求項１に記載の再帰反射シート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射Ｘ線ビームを扱うことを意図した光学装置であって、
モノクロメータ（Ｍ）と、
前記モノクロメータの目標にビームを適合させるために、反射面が２次元光学効果を生み出すことの可能な入射ビームを調整する光学要素（２０）と、
を具備し、前記光学要素が多層構造タイプのＸ線に対する反射型の面を含んでおり、
前記反射面が単一面で構成され、前記反射面が２つの異なる方向に対応する２つの曲率に従って形成されていることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記単一の反射面が、横方向の勾配を有する多層タイプであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記単一の反射面が深さ勾配を含んでいることを特徴とする請求項１および２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記反射面が、２つのそれぞれの一次元効果を生み出すために、前記２つの異なる方向のそれぞれにおいて形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記一次元効果のうちの第１の一次元効果は、平行化（コリメーション―collimation―）であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記一次元効果のうちの第２の一次元効果は、平行化または収束（フォーカシング―focusing―）であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記反射面が、第１の方向においてほぼ円形でありかつ第２の方向においてほぼ放物線形である幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記反射面は、第１の方向において円形でありかつ第２の方向においてほぼ放物線形であることから異なるオープンまたはクローズされた曲線により定義される幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記反射面は、第１の方向においてほぼ楕円体状でありかつ第２の方向においてほぼ放物線形である、幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記反射面は、第１及び第２の２つの方向においてほぼ放物線形の幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の方向が前記光学要素のサジタル方向であり、また前記第２の方向が前記光学要素のメリジオナル方向であることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記反射面は、ほぼドーナツ型の幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記反射面は、ほぼ放物面状の幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記反射面は、ほぼ楕円体状の幾何学形状を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記反射面は、線Ｃｕ−ＫαまたはＭｏ−Ｋαの光線を反射することが可能であることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記モノクロメータがゲルマニウム結晶であり、また前記光学調整要素が横方向の勾配を有するＷ／Ｓｉ多層被覆を含むことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記装置の前記光学要素が約２ｃｍの長さを有しており、約３００＊３００ミクロンのサンプル点を生成するために、前記装置が約数十ミクロン×数十ミクロンの大きさのＸ線源で使用可能であることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月23日(2006.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量性圧力トランスミッタにおいて、
その内部にチャンバーを画定し、該チャンバーと流体的に連通する複数のセンサ入口部を有するセンサ本体、前記チャンバー内に配置された導電性偏向ダイアフラム、前記ダイアフラムに対向して前記チャンバー内に配置され、前記ダイアフラムの偏向によって少なくとも一つのプレートとダイアフラムとの間で容量を変化させるように配置された少なくとも一つの容量性プレート、および前記少なくとも一つのプレートとダイアフラムとの間に挿設された非導電層を含む容量性圧力センサと、
前記複数のセンサ入口部の一つ、およびプロセス媒体源に連結されて、プロセス媒体を測定ダイアフラムと直接接触させるように構成されたプロセス媒体入口部と、
前記複数のセンサ入口部の他のものに連結された第二のトランスミッタ入口部と、
前記容量性圧力センサのキャパシタンスに基づいてセンサ信号を発生するように前記容量性圧力センサに連結されたセンサ回路と、
プロセス通信ループを経て、センサ信号に関連する情報を伝送するように前記センサ回路に連結されたトランスミッタ回路とで構成されることを特徴とする容量性圧力トランスミッタ。
【請求項２】
前記第二のトランスミッタ入口部はプロセス媒体源へ連結されるように構成され、前記センサ信号はプロセス媒体入口部と第二のトランスミッタ入口部との間での差圧を示すことを特徴とする請求項１に記載のトランスミッタ。
【請求項３】
前記非導電層は酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載のトランスミッタ。
【請求項４】
前記酸化物は酸化シリコンであることを特徴とする請求項３に記載トランスミッタ。
【請求項５】
さらにプロセス媒体入口部と前記複数のセンサ入口部の一つとの間に流体的に挿設されたフィルタを含むことを特徴とする請求項１に記載のトランスミッタ。
【請求項６】
前記フィルタは約７０ミクロン以上の粒子を通過させないことを特徴とする請求項５に記載のトランスミッタ。
【請求項７】
前記フィルタは約４５ミクロン以上の粒子を通過させないことを特徴とする請求項６に記載のトランスミッタ。
【請求項８】
容量性圧力トランスミッタであって、
導電偏向測定ダイアフラムの側部に流体的に連結される第１と第２のセンサ入口部を有する容量性圧力センサと、
プロセス流体入口部と、前記第１のセンサ入口部に連結されたアイソレータ流体出口部とを有し、さらに、プロセス流体入口部をアイソレータ流体出口部から流体的に隔離するが、プロセス流体入口部での圧力に関連する圧力を該アイソレータ流体出口部で提供するように配置されたアイソレータダイアフラムを具備する内蔵アイソレータと、
前記第２のセンサ入口部に連結された第２のトランスミッタ入口部と、
前記容量性圧力センサのキャパシタンスに基づいてセンサ信号を発生するように前記容量性圧力センサに連結されたセンサ回路と、
プロセス通信ループを経て前記センサ信号に関連する情報を伝送するために、前記センサ回路に連結されたトランスミッタ回路とで構成されることを特徴とする容量性圧力トランスミッタ。
【請求項９】
前記第２のトランスミッタ入口部は第２の内蔵アイソレータの一部であり、前記第２の内蔵アイソレータは前記第２のセンサ入口部に連結されたアイソレータ流体出口部を具備し、  前記内蔵アイソレータは該第２のトランスミッタ入口部を前記アイソレータ流体出口部から流体的に隔離するように配置されたアイソレータダイアフラムを具備し、かつ第２のトランスミッタ入口部の圧力に関連する圧力を該アイソレータ流体出口部に提供し、
前記第２のトランスミッタ入口部はプロセス媒体源へ連結され、前記センサ信号はプロセス媒体入口部と第２のトランスミッタ入口部との間での差圧を示すことを特徴とする請求項８に記載のトランスミッタ。
【請求項１０】
前記内蔵アイソレータは充填流体を含むことを特徴とする請求項８に記載のトランスミッタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スターリングエンジンと温水器とを備える家庭用の加熱・動力結合型のシステムであって、
前記スターリングエンジンは可燃性のガスが供給される第1のバーナによって熱せられるように構成され、
当該組立体は更に、前記スターリングエンジンから延び前記第１のバーナへの可燃性ガス導入口に接する排気ガス管を備え、前記第１のバーナに入る可燃性ガスを予熱し、その後、前記温水器で後に熱せられる水を熱するようになっており、
前記温水器は第２のバーナであり、
当該システムは、前記排気ガス及び前記第２のバーナからのガスが前記水に熱を与えると混合流を形成するように構成され、該混合流は前記排気ガスの上流で水を熱するようになっているシステム。
【請求項２】  前記排気ガスによる加熱よりも上流側で前記水を熱するよう構成されたスターリングエンジン冷却機を更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  液体を熱するための加熱装置であって、
ハウジングと、
前記ハウジング内において、外周部に向かって延び前記ハウジングの中心軸線の周囲に螺旋状に巻回されているダクトであって、前記液体を前記ハウジングの第１の端部から前記ハウジングの第2の端部に移送する前記ダクトと、
前記ハウジング内において前記第２の端部に近接する補助バーナであって、前記ダクトの第１の部分において前記液体に熱を伝達するように前記ダクトに囲まれている前記補助バーナと、
外部の熱源からの高温ガスの入口であって、前記高温ガスを放射方向外方に向けて前記ダクトの第１の部分よりも前記ハウジングの第１の端部に近い前記ダクトの第２の部分と接触するように形成されている前記入口と、
を備える加熱装置。
【請求項４】  前記入口は、前記補助バーナからのガスと前記外部の熱源からの高温ガスとが、それらが少なくとも前記螺旋状のダクトを通り過ぎるまで混合することを実質的に妨げている、請求項３に記載の加熱装置。
【請求項５】  前記２つの流れは混合流となり、最初に前記ダクトに熱を与え、前記混合流は前記ダクトの第２の部分よりも前記第１の端部に近い前記ダクトの第３の部分の周囲を通過する、請求項３又は４に記載の加熱装置。
【請求項６】  前記補助バーナからのガスと前記外部の熱源からの高温ガスとが混合することを妨げるように、前記ダクトの放射方向内方にシールが設けられている、請求項４に記載の加熱装置。
【請求項７】  前記ダクトの個々の一コイル部分は前記中心軸線方向に扁平化されていて、断面においては、その放射方向の寸法が軸線方向の寸法を上回っている、請求項３〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】  前記ダクトの隣合うコイル部分同士は互いに接近して配置されている、請求項３〜７のいずれか１項に記載の加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明によれば、スターリングエンジンと温水器とを備え、スターリングエンジンは可燃性のガスが供給される第1のバーナによって熱せられるように構成され、当該組立体は更に、スターリングエンジンから延び第１のバーナへの可燃性ガス導入口に接する排気ガス管を備え、第１のバーナに入る可燃性ガスを予熱し、その後、温水器で後に熱せられる水を熱するようになっており、温水器は第２のバーナであり、当該システムは、排気ガス及び第２のバーナからのガスが水に熱を与えると混合流を形成するように構成され、該混合流は排気ガスの上流で水を熱するようになっている家庭用の加熱・動力結合型の組立体を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、水は混合流から既に熱を与えられているので、比較的低温の熱を混合流から受ける。その後、水は比較的高温の熱を排気ガス及び補助バーナから受ける。従って、このような構成は熱効率がよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月5日(2006.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも試料の一部を撮像するための装置であって、
電磁的な放射を供給する第１の干渉装置；及び
前記電磁放射を受け入れるように構成され、かつ合成電磁的強度分布を生成するように構成された第２の装置を備え、
特定の方向に沿って、少なくとも予め設定された距離の間の前記強度分布が概ね一定とされている装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、光学的に前記試料の像を形成する光学装置とされていることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、アキシコン・レンズとされていることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、回折光学素子とされていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、環帯とされていることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、回折素子とレンズとの組み合わせを備えていることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置は、アポダイズド・レンズ、ホログラム、及び回折素子の組み合わせを備えていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置において、
前記強度分布は、ベッセルビームとされていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置において、
前記第２の装置と協働するように設けられた第３の装置をさらに備え、前記試料と前記強度分布の少なくとも一つを移すように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置において、
前記試料と前記強度分布の少なくとも一つの変換により、２以上の次元を有する像が生成されるように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置において、
前記強度分布の全値全幅は１０μｍより小さいことを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置において、
前記予め設定された距離は少なくとも５０μｍとされていることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置において、
前記強度分布の少なくとも一部は、非ガウシアン分布を有していることを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置において、
前記強度分布に関係した情報を受け取り、該受け取られた情報に基づいて像を表示するように構成された第４の装置をさらに備えていることを特徴とする装置。
【請求項１５】
少なくとも試料の一部を撮像するための装置であって、
電磁的な放射を供給する第１の干渉装置；及び
前記電磁放射を受け入れるように構成され、かつ合成電磁的強度分布を生成するように構成された第２の装置を備え、
特定の方向に沿って、前記強度分布の少なくとも２つのセクションの幅が概ね等しくされている装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置において、
前記特定の方法は、略垂直方向とされていることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置において、
前記第２の装置は、複数のレンズを備えていることを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１５に記載の装置において、
前記セクションの一つは、少なくとも部分的にもう一方の前記セクションの上方にあることを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１５に記載の装置において、
前記強度分布全値全幅は、１０μｍより少ないことを特徴とする装置。
【請求項２０】
請求項１５に記載の装置において、
前記強度分布の少なくとも一部は、非ガウシアン分布を有していることを特徴とする装置。
【請求項２１】
請求項１５に記載の装置において、
前記第２の装置と協働するように設けられた第３の装置をさらに備え、前記試料と前記強度分布の少なくとも一つを移すように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の装置において、
前記試料と前記強度分布の少なくとも一つの変換により、２以上の次元を有する像が生成されるように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項２３】
少なくとも試料の一部を撮像するための方法であって、
ａ）干渉装置を用いて電磁的な放射を供給し、
ｂ）前記電磁的な放射を受け入れ、かつ合成電磁的強度分布を生成し、このとき、特定の方向に沿って、少なくとも予め設定された距離の間、前記強度分布を概ね一定にする方法。
【請求項２４】
少なくとも試料の一部を撮像するための方法であって、
干渉装置を用いて電磁的な放射を供給し；及び
前記電磁的な放射を受け入れ、かつ合成電磁的強度分布を生成し、このとき、特定の方向に沿って、前記強度分布の少なくとも２つのセクションの幅が概ね等しくされている装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月20日(2006.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）可撓ビーム及びかみ合い手段を有する締結部材と、
（ｂ）前記締結部材へ取り付けられ、かつ作動時に収縮する材料を含んだ作動手段を備えるファスナーであって、
前記材料の収縮に際し、前記ビームがかみ合い位置とかみ合い解除位置間を動くようになっていることを特徴とするファスナー。
【請求項２】
前記ビームがプラスチック製または金属製であることを特徴とする請求項１項記載のファスナー。
【請求項３】
前記かみ合い手段が前記ビーム、棒状部材、あるいは開口から突き出た楔形部材であることを特徴とする請求項１項または２項記載のファスナー。
【請求項４】
前記ビーム及びかみ合い手段が締結部材と一体化されていることを特徴とする請求項１項ないし３項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項５】
前記作動時に収縮するようになっている材料が、形状記憶ワイヤー、形状記憶ストリップ、及びスパッタリング形状の形状記憶合金から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項１項ないし４項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項６】
前記材料が、形状記憶合金または形状記憶ストリップであり、かつ前記かみ合い手段に近接する前記締結部材へ取り付けられる作動手段を構成することを特徴とする請求項５項記載のファスナー。
【請求項７】
前記形状記憶合金が全て、あるいは実質的にチタン・ニッケル合金であることを特徴とする請求項５項または６項記載のファスナー。
【請求項８】
前記作動手段の周囲に絶縁手段が設けられていることを特徴とする請求項１項ないし７項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項９】
前記作動手段上あるいは周囲に絶縁手段が設けられていることを特徴とする請求項１項ないし７項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項１０】
前記作動手段の２つを、前記締結部材へ取り付けられた状態で含むことを特徴とする請求項１項ないし９項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項１１】
前記２つの作動手段が互いにほぼ平行であることを特徴とする請求項１０項記載のファスナー。
【請求項１２】
前記作動手段の一方が前記ビームを前記かみ合い解除位置の方へ動かし、前記作動手段の他方が前記ビームを前記かみ合い位置の方へ動かすようになっていることを特徴とする請求項１０項記載のファスナー。
【請求項１３】
前記作動手段用に１または２以上のスイッチが備えられていることを特徴とする請求項１０項ないし１２項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項１４】
前記かみ合い位置あるいはかみ合い解除位置でファスナーをロックする手段が含まれていることを特徴とする請求項１項ないし１３項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項１５】
前記材料が電流の印加によって加熱された時に収縮するようになっていることを特徴とする請求項１項ないし１４項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項１６】
前記かみ合い手段及び可撓ビームが細長く延びたストリップを形成することを特徴とする請求項１項記載のファスナー。
【請求項１７】
第一部材と一体化され、使用時に前記第一部材を第二部材へ締結するようになっていることを特徴とする請求項１項記載のファスナー。
【請求項１８】
前記かみ合い手段が前記可撓ビームの広がった部分から構成されることを特徴とする請求項１項記載のファスナー。
【請求項１９】
ファスナーにアドレス手段が含まれることを特徴とする請求項１項ないし１８項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項２０】
ファスナーに検知手段が含まれることを特徴とする請求項１９項記載のファスナー。
【請求項２１】
ネットワーク中でファスナーを他のファスナーから区別するアドレス手段を含んだ、ファスナーネットワーク中で使用するためのファスナー。
【請求項２２】
請求項１９項または請求項２０項に記載したファスナーであることを特徴とする請求項２１項記載のファスナー。
【請求項２３】
磁気（リニアソレノイド）、磁気（ロータリーソレノイド）、磁気（リニア作動器）、磁気（モーター）、圧電、静電、熱（形状記憶合金）、熱（バイメタル）、熱（状態変化）、空気圧、油圧、化学品、火工品または爆発物、音波または超音波、電離線、電離粒子、発光、及び重力から選択される作動手段を備えることを特徴とする請求項２１項記載のファスナー。
【請求項２４】
前記アドレス手段が、連続番号、交信アドレス、一次交信アドレス、及びこれらの２つまたは全部から選択されることを特徴とする請求項２１項ないし２３項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項２５】
前記アドレス手段が、ファスナー上において金属性配線、非揮発性メモリ、及び半導体から選択される記憶手段によって記憶されることを特徴とする請求項２４項記載のファスナー。
【請求項２６】
前記アドレス手段にアドレス符号化が含まれることを特徴とする請求項２１項ないし２５項のいずれかに記載のファスナー。
【請求項２７】
符号化がリンク符号化、末端間符号化、または双方によって行われることを特徴とする請求項２６項記載のファスナー。
【請求項２８】
請求項２０項ないし２７項のいずれかに記載のファスナーを複数含んで構成されたシステム。
【請求項２９】
１または２以上の情報処理手段を含むことを特徴とする請求項２８項記載のシステム。
【請求項３０】
１または２以上のスイッチ手段を含むことを特徴とする請求項２８項記載のシステム。
【請求項３１】
１または２以上の制御手段、１または２以上のセンサ、エネルギー源、情報処理機能化された制御装置、及び状態表示装置を備えることを特徴とする請求項２８項ないし３０項のいずれかに記載のシステム。
【請求項３２】
請求項２８項ないし３１項のいずれかに記載されたファスナー、少なくとも１台の交信集合機、少なくとも１台のインテリジェントな制御装置、及び少なくとも１台のマスター制御／データベース装置を含んで構成されるネットワーク。
【請求項３３】
第一部材が解除可能に第二部材へ固定されること、及び請求項１項ないし２７項のいずれかに記載されたファスナーを用いて前記第一部材及び前記第二部材が解除可能に固定されること、を含む製品製造プロセス。
【請求項３４】
請求項３３項に記載されたプロセスを実施するためにプログラム化されたコンピュータシステム。