【手続補正書】
【提出日】平成18年2月13日(2006.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面ミラー（７）と背面ミラー（１１）との間に位置する吸収材料（９）を備えた可飽和吸収素子であって、
前記背面ミラー（１１）は、熱伝導性基板（１３）上の溶接接合（１２）を介して固定された埋込ミラーであり、
光が前記前面ミラー（７）に入射するときに、前記背面ミラー（１１）と前記溶接接合（１２）と前記熱伝導性基板（１３）とが、前記素子によって吸収されるパワーを排出するセットとして構成されたことを特徴とする可飽和吸収素子。
【請求項２】
請求項１記載の素子において、
前記吸収材料（９）は、バリヤ層によって分離された１組の量子井戸から構成されていることを特徴とする素子。
【請求項３】
請求項２記載の素子において、
前記量子井戸はＩｎＧａＡｓＰ井戸であり、前記バリヤ層はＩｎＰ層であることを特徴とする素子。
【請求項４】
請求項２又は３記載の素子において、
前記吸収材料は、イオン照射によって生成された欠陥を含むことを特徴とする素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の素子において、
前記前面ミラー（７）は、前記素子の表面に位置しかつ前記背面ミラー（１１）の反射率よりも低い反射率を有するブラッグミラーであることを特徴とする素子。
【請求項６】
請求項５記載の素子において、
前記ブラッグミラーは、誘電層の積層であることを特徴とする素子。
【請求項７】
請求項６記載の素子において、
前記誘電層の積層は、交互になったＳｉＯ２層及びＴｉＯ２層、又は交互になったＳｉＯ２層及びＳｉ層から形成されていることを特徴とする素子。
【請求項８】
請求項５記載の素子において、
前記ブラッグミラーは、エピタクシー半導体ブラッグミラーであることを特徴とする素子。
【請求項９】
請求項８記載の素子において、
前記エピタクシー半導体ブラッグミラーは、交互になった不吸収ＩｎＰ層及びＩｎＧａＡｓＰ層から形成されていることを特徴とする素子。
【請求項１０】
請求項９記載の素子において、
前記ＩｎＧａＡｓＰ層は、動作波長で透明であることを特徴とする素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の素子において、
前記前面ミラー（７）と前記吸収材料（９）との間に位置する第１位相制御層（８）と、前記吸収材料（９）と前記背面ミラー（１１）との間に位置する第２位相制御層（１０）と、を備えることを特徴とする素子。
【請求項１２】
請求項１１記載の素子において、
前記第１及び第２位相制御層（８，１０）はＩｎＰ層であることを特徴とする素子。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の素子において、
前記背面ミラー（１１）と前記溶接接合（１２）との間に拡散バリヤを備えることを特徴とする素子。
【請求項１４】
請求項１３記載の素子において、
前記拡散バリヤは、層、又は多層、又はＴｉ，Ｗ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｃｒ，又はＴａから選択された金属のうちの少なくとも一つから作られた合金、であることを特徴とする素子。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の素子において、
前記溶接接合は、金属間合金であることを特徴とする素子。
【請求項１６】
請求項１５記載の素子において、
前記金属間合金は、次の材料：Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄから選択された少なくとも一つの元素と、次の元素：Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂから選択された少なくとも一つの元素と、を含むことを特徴とする素子。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の素子において、
前記背面ミラー（１１）はＡｕ又はＡｇを使っていることを特徴とする素子。
【請求項１８】
前面ミラー（７）と背面ミラー（１１）との間に位置する吸収材料（９）を含む可飽和吸収素子の製造方法であって、
熱伝導性基板（１３）上に第１金属層（１７）を堆積させることを通じて第１基板（１７，１３）を形成する段階と；
成長基板（１５）に、吸収材料（９）及び第２金属層（１６）を含む第２構造を形成する段階と；
前記第１金属層（１７）及び第２金属層（１６）を接触させる段階と；
前記第１金属層（１７）及び第２金属層（１６）を固液相互拡散結合させる段階と；
を備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の可飽和吸収素子の製造方法であって、
前記第２構造（１５，１４，８，９，１０，１１，１６）を形成する段階は、前記成長基板（１５）上に、バリヤ層（１４）、第１位相層（８）、吸収材料（９）、第２位相層（１０）、前記背面ミラー（１１）、及び前記第２金属層（１６）を積層させることを通じて形成されることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法において、
前記第２位相層（１０）に前記背面ミラー（１１）を堆積させる前に、前記吸収材料（９）に結晶欠陥を形成するように前記第２位相層をイオン照射する段階を備えることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１９又は２０記載の方法において、
前記第２構造を形成する段階は、前記背面ミラー（１１）に拡散バリヤを堆積させる段階と、前記拡散バリヤに金の層を堆積させる段階と、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１８から２１のいずれか一項に記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記成長基板（１５）を除去する段階と、
前記バリヤ層（１４）を除去する段階と、
前記バリヤ層（１４）を除去する段階の後に、前記第１位相層（８）をスローエッチングする段階と、を連続的に備え、
前記スローエッチングする段階は、前記素子のスペクトル特性によって制御されることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記スローエッチングする段階の後に、前記前面ミラー（７）を堆積させる段階を備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記前面ミラー（７）は、誘電体層を積層させることを通じて形成されたブラッグミラーであることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記誘電体層を積層させる段階は、交互になったＳｉＯ２層及びＴｉＯ２層、又は交互になったＳｉＯ２層及びＳｉ層を介して行われることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２６】
請求項１８記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記第２構造（１５，１４，７，８，９，１０，１１，１６）を形成する段階は、前記成長基板（１５）における、バリヤ層（１４）、前面ミラー（７）、第１位相層（８）、前記吸収材料（９）、第２位相層（１０）、前記背面ミラー（１１）、及び前記第２金属層（１６）の連続的なエピタキシャル成長を通じて、形成されることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２７】
請求項２６記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記第２位相層（１０）に前記背面ミラー（１１）を堆積させる段階の前に、前記吸収材料（９）に結晶欠陥を形成するように、前記第２位相層をイオン照射する段階を備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２８】
請求項２０又は２７記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
照射エネルギーは、イオンがその移動を前記成長基板（１５）内で終えるように調整されることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項２９】
請求項２０，２７，又は２８記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記イオンは、Ｎｉ＋６イオンであることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３０】
請求項２６又は２７記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記第２構造を形成する段階は、前記背面ミラー（１１）に拡散バリヤを堆積させる段階と、前記拡散バリヤに金の層を堆積させる段階と、を備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３１】
請求項２６又は２７記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記前面ミラー（７）は、交互になったＩｎＰ層及びＩｎＧａＡｓＰ層を介して形成されたブラッグミラーであることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３２】
請求項２６又は２７記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記成長基板（１５）を除去する段階と、前記バリヤ層（１４）を除去する段階と、を連続的に備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３３】
請求項２２又は３２記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記成長基板（１５）を除去する段階は、機械的研磨を介して、次いでエッチングを介して行われることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３４】
請求項２２，３２，又は３３記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記バリヤ層を除去する段階は、エッチングを介して行われることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３５】
請求項１８から３４のいずれか一項に記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記第１金属層（１７）を堆積させる段階は、前記熱伝導性基板（１３）に結合層を堆積させる段階の後に行われることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３６】
請求項１８から３５のいずれか一項に記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記第１金属層（１７）は、次の材料：Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕの少なくとも一つから形成され、
前記第２金属層（１６）は、次の材料：Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれか一つから形成される、
ことを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３７】
請求項１８から３６のいずれか一項に記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
前記吸収材料（９）を堆積させる段階は、連続する量子井戸と該量子井戸を分離するバリヤとを堆積させることによって行われることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。
【請求項３８】
請求項１８から３７のいずれか一項に記載の可飽和吸収素子の製造方法において、
金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）層の堆積の形態で前記背面ミラー（１１）を堆積させる段階を備えることを特徴とする可飽和吸収素子の製造方法。