【手続補正書】
【提出日】平成17年12月15日(2005.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択されたリンク構造の位置から目標材料を選択的に除去する方法であって、各々のリンク構造が、基板上に形成された回路における導電性接点の対の間に配置された導電性余剰メモリまたは集積回路リンクを含み、各々のリンクがリンク幅を有する、方法において、
前記回路における導電性リンクの１つ以上の場所を表すビームポジショニングデータをビームポジショナに供給するステップであって、前記ビームポジショナが、レーザスポット位置と前記基板との間の関連する運動を調整する、ステップと、
第１レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第１レーザ出力パルスを、約１０００ナノ秒未満の第１期間の間に発生するステップであって、前記第１レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第１レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第１レーザ出力パルスを、前記第１レーザスポットが前記第１接点間の第１導電性リンクの第１位置に当たるように向けるステップと、
第２レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第２レーザ出力パルスを前記第１期間の間に発生するステップであって、前記第２レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第２レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第２レーザ出力パルスを、前記第２レーザスポットが前記第１導電性リンクの第１位置に当たり、前記第１および第２レーザスポットが実質的に重なり、前記第１および第２レーザ出力パルスが前記第１位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップと、
前記第１レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第３レーザ出力パルスを、約１０００ナノ秒未満で前記第１期間から時間移動した第２期間の間に発生するステップであって、前記第３レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第３レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第３レーザ出力パルスを、前記第１と異なる前記第３レーザスポットが前記第２接点間の第２導電性リンクの第２位置に当たるように向けるステップと、
第前記２レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第４レーザ出力パルスを前記第２期間の間に発生するステップであって、前記第４レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第４レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第４レーザ出力パルスを、前記第４レーザスポットが前記第２導電性リンクの第２位置に当たり、前記第３および第４レーザスポットが実質的に重なり、前記第３および第４レーザ出力パルスが前記第２位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記ビームポジショナが、前記導電性リンクがオンザフライに処理されるように、前記レーザスポット位置と前記基板との間に実質的に連続的な相対的運動を加えることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法において、前記各々のレーザからのレーザパルスが、前記レーザパルスが処理する導電性リンクのリンク幅を完全に包含することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２レーザからのレーザ出力パルスが、実質的に同一線上の共通部分を共有する光経路に沿って伝播することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスが、約５ナノ秒と２０ナノ秒との間のパルス幅を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、
前記レーザ出力パルスを、前記第１期間と第２期間との間の遅延期間が０．１ミリ秒未満となるような反復レートにおいて発生するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆うことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆わないことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つが、アルミニウム、クロム酸塩、銅、ポリシリコン、二ケイ化物、金、ニッケル、クロム酸ニッケル、プラチナ、ポリサイド、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、または、ケイ化タングステンを具えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスを、約１５０ｎｍと２０００ｎｍとの間の波長において発生するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２レーザのレーザ出力パルスからのレーザスポットのスポットサイズを同じにしたことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２レーザのレーザ出力パルスからのレーザスポットのスポットサイズを異ならせたことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２期間中のレーザ出力パルスが、同様のピークパワープロファイルと、同様のエネルギー密度プロファイルとを有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法において、前記第１期間中のレーザ出力パルスが、ほぼ同じエネルギーと、ほぼ同じピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法において、前記第１期間中の少なくとも２つのレーザ出力パルスが、異なったエネルギーと、異なったピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスの開始間の時間オフセットをプログラム可能としたことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスの開始間の時間オフセットを、約５ないし５００ｎｓ内としたことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスの各々が、約０．００５−１マイクロジュールのレーザエネルギーを有することを特徴とする方法。
【請求項２１】
選択されたリンク構造の位置から目標材料を選択的に除去する方法であって、各々のリンク構造が、基板上に形成された回路における導電性接点の対の間に配置された導電性余剰メモリまたは集積回路リンクを含み、各々のリンクがリンク幅を有する、方法において、
前記回路における導電性リンクの１つ以上の場所を表すビームポジショニングデータをビームポジショナに供給するステップであって、前記ビームポジショナが、レーザスポット位置と前記基板との間の関連する運動を調整する、ステップと、
レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第１レーザパルスを、約１０００ナノ秒未満の第１期間の間に発生するステップと、
前記第１レーザパルスを第１光経路に沿って伝播させるステップと、
前記第１レーザパルスを第１および第２レーザ出力パルスに分割するステップであって、前記第１レーザ出力パルスを前記第１光経路に沿って伝播するようにし、前記第２レーザ出力パルスを第２光経路に沿って伝播するようにし、前記第１および第２レーザ出力パルスが、各々、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第１および第２レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第１レーザ出力パルスを、前記第１期間中に前記第１レーザスポットが前記第１接点間の第１導電性リンクの第１位置に当たるように向けるステップと、
前記第２レーザ出力パルスを、前記第１期間中に前記第２レーザスポットが前記第１導電性リンクの第１位置に当たり、前記第１および第２レーザスポットが実質的に重なり、前記第１および第２レーザ出力パルスが前記第１位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップであって、前記第２光経路が、前記第１レーザパルスが前記第１位置に達した後に、前記第２レーザパルスを前記第１位置に到達させる特性を有する、ステップと、
前記レーザから、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第２レーザパルスを、約１０００ナノ秒未満の第２期間の間に発生するステップと、
前記第２レーザパルスを前記第１光経路に沿って伝播させるステップと、
前記第２レーザパルスを第３および第４レーザ出力パルスに分割するステップであって、前記第３レーザ出力パルスを前記第１光経路に沿って伝播するようにし、前記第４レーザ出力パルスを前記第２光経路に沿って伝播するようにし、前記第３および第４レーザ出力パルスが、各々、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第３および第４レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第３レーザ出力パルスを、前記第２期間中に前記第３レーザスポットが前記第２接点間の第２導電性リンクの第２位置に当たるように向けるステップと、
前記第４レーザ出力パルスを、前記第２期間中に前記第４レーザスポットが前記第２導電性リンクの第２位置に当たり、前記第３および第４レーザスポットが実質的に重なり、前記第３および第４レーザ出力パルスが前記第２位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップであって、前記第２光経路が、前記第３レーザパルスが前記第２位置に達した後に、前記第４レーザパルスを前記第２位置に到達させる特性を有する、ステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法において、前記ビームポジショナが、前記導電性リンクがオンザフライに処理されるように、前記レーザスポット位置と前記基板との間に実質的に連続的な相対的運動を加えることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２１ないし２４のいずれか１項に記載の方法において、前記各々のレーザからのレーザパルスが、前記レーザパルスが処理する導電性リンクのリンク幅を完全に包含することを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスの各々が、約０．００５−１マイクロジュールのレーザエネルギーを有することを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスが、約５ナノ秒と２０ナノ秒との間のパルス幅を有することを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２１に記載の方法において、
前記レーザ出力パルスを、前記第１期間と第２期間との間の遅延期間が０．１ミリ秒未満となるような反復レートにおいて発生するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆うことを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆わないことを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項２１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つが、アルミニウム、クロム酸塩、銅、ポリシリコン、二ケイ化物、金、ニッケル、クロム酸ニッケル、プラチナ、ポリサイド、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、または、ケイ化タングステンを具えることを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項２１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスを、約１５０ｎｍと２０００ｎｍとの間の波長において発生するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項２１に記載の方法において、前記第１および第２レーザのレーザ出力パルスからのレーザスポットのスポットサイズを同じにしたことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項２１に記載の方法において、前記第１および第２レーザのレーザ出力パルスからのレーザスポットのスポットサイズを異ならせたことを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項２１に記載の方法において、前記第１および第２期間中のレーザ出力パルスが、同様のピークパワープロファイルと、同様のエネルギー密度プロファイルとを有することを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項２１に記載の方法において、前記第１期間中のレーザ出力パルスが、ほぼ同じエネルギーと、ほぼ同じピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項２１に記載の方法において、前記第１期間中の少なくとも２つのレーザ出力パルスが、異なったエネルギーと、異なったピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項２１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスが前記第１位置に達する時間の間のオフセットを調節可能としたことを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項２１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスが前記第１位置に達する時間の間のオフセットを約５ないし５００ｎｓ内としたことを特徴とする方法。
【請求項４０】
請求項２１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスの各々が、約０．００５−１マイクロジュールのレーザエネルギーを有することを特徴とする方法。
【請求項４１】
選択されたリンク構造の位置から目標材料を選択的に除去する方法であって、各々のリンク構造が、基板上に形成された回路における導電性接点の対の間に位置する導電性の余剰のメモリ又は集積回路リンクを含み、各々のリンクがリンク幅を有する、方法において、
前記回路における導電性リンクの１つ以上の場所を表すビームポジショニングデータをビームポジショナに供給するステップであって、前記ビームポジショナが、レーザスポット位置と前記基板との間の関連する運動を調整する、ステップと、
Ｑスイッチに対するＲＦ信号を高ＲＦレベルから中間ＲＦレベルへ減少させ、レーザから、１０００ナノ秒未満の第１期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第１レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第１レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第１レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第１レーザ出力パルスを、前記第１レーザスポットが第１接点間の第１導電性リンクの第１位置に当たるように向けるステップと、
前記Ｑスイッチに対するＲＦ信号を前記中間ＲＦレベルからより小さいＲＦレベルへ減少させ、前記第１期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも１つの第２レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第２レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第２レーザスポットを有する、ステップと、
前記第２レーザ出力パルスを、前記第２レーザスポットが前記第１導電性リンクの第１位置に当たり、前記第１および第２レーザスポットが実質的に重なり、前記第１および第２レーザ出力パルスが第１位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップと、
前記Ｑスイッチに対するＲＦ信号を前記より小さいＲＦレベルから前記高ＲＦレベルに増加させるステップと、
前記Ｑスイッチに対するＲＦ信号を前記高ＲＦレベルから前記中間ＲＦレベルへ減少させ、前記レーザから、１０００ナノ秒未満の組幅持続時間を有する第２期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅持続時間を有する少なくとも１つの第３レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第３レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第３レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第３レーザ出力パルスを、前記第３レーザスポットが第２接点間の第２導電性リンクの第２位置に当たるように向けるステップと、
前記Ｑスイッチに対するＲＦ信号を前記中間ＲＦレベルから前記より小さいＲＦレベルへ減少させ、前記レーザから、前記第２期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅持続時間を有する少なくとも１つの第４レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第４レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する第４レーザスポットを有する、ステップと、
前記第４レーザ出力パルスを、前記第４レーザスポットが前記第２導電性リンクの第２位置に当たり、前記第３および第４レーザスポットが実質的に重なり、前記第３および第４レーザ出力パルスが前記第２位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の方法において、前記ビームポジショナが、前記導電性リンクがオンザフライに処理されるように、前記レーザスポット位置と前記基板との間に実質的に連続的な相対的運動を加えることを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項４２に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項４４】
請求項４１に記載の方法において、前記導電性リンクが、個々のリンク構造の一部を形成し、前記リンク構造に関係する前記基板が、エネルギーおよびピークパワーダメージしきい値を有し、前記レーザ出力パルスの各々が、前記個々のエネルギーおよびピークパワーダメージしきい値より小さいエネルギーおよびピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項４５】
請求項４１ないし４４のいずれか１項に記載の方法において、前記各々のレーザからのレーザパルスが、前記レーザパルスが処理する導電性リンクのリンク幅を完全に包含することを特徴とする方法。
【請求項４６】
請求項４１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスの各々が、約０．００５−１マイクロジュールのレーザエネルギーを有することを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項４１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスが、約５ナノ秒と２０ナノ秒との間のパルス幅を有することを特徴とする方法。
【請求項４８】
請求項４１に記載の方法において、
前記レーザ出力パルスを、前記第１期間と第２期間との間の遅延期間が０．１ミリ秒未満となるような反復レートにおいて発生するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆うことを特徴とする方法。
【請求項５０】
請求項４１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つを上敷きパッシベーション層によって覆わないことを特徴とする方法。
【請求項５１】
請求項４１に記載の方法において、前記導電性リンクの少なくとも１つが、アルミニウム、クロム酸塩、銅、ポリシリコン、二ケイ化物、金、ニッケル、クロム酸ニッケル、プラチナ、ポリサイド、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、または、ケイ化タングステンを具えることを特徴とする方法。
【請求項５２】
請求項４１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスを、約１５０ｎｍと２０００ｎｍとの間の波長において発生するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５３】
請求項４５に記載の方法において、前記第１および第２期間中のレーザ出力パルスが、同様のピークパワープロファイルと、同様のエネルギー密度プロファイルとを有することを特徴とする方法。
【請求項５４】
請求項４１に記載の方法において、前記第１期間中のレーザ出力パルスが、ほぼ同じエネルギーと、ほぼ同じピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項５５】
請求項４１に記載の方法において、前記第１および第２期間中のレーザ出力パルスが、同様のピークパワープロファイルと、同様のエネルギー密度プロファイルとを有することを特徴とする方法。
【請求項５６】
請求項４５に記載の方法において、前記第１期間中のレーザ出力パルスが、ほぼ同じエネルギーと、ほぼ同じピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項５７】
請求項４１に記載の方法において、前記第１期間中の少なくとも２つの前記レーザ出力パルスが、異なったエネルギーと、異なったピークパワーとを有することを特徴とする方法。
【請求項５８】
請求項４１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスの開始の間の時間オフセットをプログラム可能としたことを特徴とする方法。
【請求項５９】
請求項４１に記載の方法において、前記第１および第２レーザ出力パルスの開始の間の時間オフセットを、約５ないし５００ｎｓ内としたことを特徴とする方法。
【請求項６０】
請求項４１に記載の方法において、前記レーザ出力パルスの各々が、約０．００５−１マイクロジュールのレーザエネルギーを有することを特徴とする方法。
【請求項６１】
選択されたリンク構造の位置から目標材料を選択的に除去する方法であって、各々のリンク構造が、基板上に形成された回路における導電性接点の対の間に位置する導電性の余剰のメモリ又は集積回路リンクを含み、各々のリンクがリンク幅を有する、方法において、
前記回路における導電性リンクの１つ以上の場所を表すビームポジショニングデータをビームポジショナに供給するステップであって、前記ビームポジショナが、レーザスポット位置と前記基板との間の関連する運動を調整する、ステップと、
不整列Ｑスイッチを有するレーザから、１０００ナノ秒未満の第１期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも第１および第２レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第１および第２レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する個々の第１および第２レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第１および第２レーザ出力パルスを、前記第１および第２レーザスポットが前記第１期間中に第１接点間の第１導電性リンクの第１位置に当たり、前記第１および第２レーザスポットが実質的に重なり、前記第１および第２レーザ出力パルスが前記第１位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップと、
前記レーザから、１０００ナノ秒未満の第２期間中、約２５ピコ秒と３０ナノ秒との間のパルス幅を有する少なくとも第３および第４レーザ出力パルスを発生させるステップであって、前記第３および第４レーザ出力パルスが、前記リンク幅より大きいスポットサイズを有する個々の第３および第４レーザスポットを有する、ステップと、
前記ビームポジショニングデータにしたがって、前記第３および第４レーザ出力パルスを、前記第３および第４レーザスポットが前記第２期間中に第２接点間の第２導電性リンクの第２位置に当たり、前記第３および第４レーザスポットが実質的に重なり、前記第３および第４レーザ出力パルスが前記第２位置における目標材料の除去に寄与するように向けるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項６２】
請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の方法において、各々のレーザ出力パルスは、前記リンクを前記個々の場所において完全に切断するには不十分な熱、エネルギー又はピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項６３】
請求項６２に記載の方法において、前記第１及び第２レーザ出力パルスと前記第３及び第４レーザ出力パルスの個々の組は、１ｋＨｚより高い反復レートにおいて発生されることを特徴とする方法。
【請求項６４】
請求項２１ないし４０のいずれか１項に記載の方法において、各々のレーザ出力パルスは、前記リンクを前記個々の場所において完全に切断するには不十分な熱、エネルギー又はピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項６５】
請求項６４に記載の方法において、前記第１及び第２レーザ出力パルスと前記第３及び第４レーザ出力パルスの個々の組は、１ｋＨｚより高い反復レートにおいて発生されることを特徴とする方法。
【請求項６６】
請求項４１ないし６０のいずれか１項に記載の方法において、各々のレーザ出力パルスは、前記リンクを前記個々の場所において完全に切断するには不十分な熱、エネルギー又はピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項６７】
請求項６６に記載の方法において、前記第１及び第２レーザ出力パルスと前記第３及び第４レーザ出力パルスの個々の組は、１ｋＨｚより高い反復レートにおいて発生されることを特徴とする方法。
【請求項６８】
請求項６１に記載の方法において、各々のレーザ出力パルスは、前記リンクを前記個々の場所において完全に切断するには不十分な熱、エネルギー又はピークパワーを有することを特徴とする方法。
【請求項６９】
請求項６８に記載の方法において、前記第１及び第２レーザ出力パルスと前記第３及び第４レーザ出力パルスの個々の組は、１ｋＨｚより高い反復レートにおいて発生されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
リンク２２は、約０．３〜２ミクロン（μｍ）厚であり、慣例的な約０．４〜２．５μｍのリンク幅、リンク長３０、リンク構造３６のような隣接する回路構造または素子３４から約２〜８μｍの素子間ピッチ（中心間間隔）３２で設計される。最も普及したリンク材料はポリシリコン、ポリサイド、二ケイ化物および同様な合成物であったが、メモリ製造者は、アルミニウム、銅、クロム酸塩、金、ニッケル、クロム酸ニッケル、チタン、タングステン、プラチナや、他の金属、合金、窒化チタンまたは窒化タンタルのような窒化金属、ケイ化タングステンのようなケイ化金属、又は、他の金属状材料を含むがこれらに限定されない、種々のより多くの導電性金属リンク材料を最近採用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
当業者には、１つ以上の光アッテネータを、前記光経路の共通部分に沿ってか、前記光経路の一方または双方の別個の部分に沿って配置し、前記レーザ出力パルスのピーク瞬時パワーをさらに制御することができることは、明らかであろう。加えて、異なった光経路を使用し、組５０内で同じまたは異なったスポットサイズのパルス５２を発生することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１１は、２つ以上のレーザ６４ａおよび６４ｂ（一般にレーザ６４）を用いて本発明を実行するレーザシステム６０ｂの代わりの実施例の単純化した図式的な図であり、図１２Ａ−１２Ｃは、図１１に示すレーザシステム６０ｂの光経路１２０ｃ、１２０ｄおよび１２０ｅに沿って伝播する好例のレーザパルス５２ｅ１および５２ｅ２（一般に５２ｅ）の個々のパワー対時間のグラフを示す。図１１および１２Ａ−１２Ｃを参照し、レーザ６４を、好適には、上述したまたは当該技術分野において既知の形式のＱスイッチレーザ６４（好適にはＣＷモードロックでない）とし、同じまたは異なったスポットサイズを発生する同じ形式または異なった形式のものとすることができる。当業者には、レーザ６４を好適には同じ形式とし、これらのパラメータを、好適には、同様のスポットサイズ、パルスエネルギーおよびピークパワーを発生するように制御することは、明らかであろう。レーザ６４を、レーザ出力が所望のまたはプログラム可能な時間間隔によって分離されるようにエレクトロニクス１８０を同期化することによってトリガすることができる。好適な時間間隔は、約５ｎｓから約１０００ｎｓを含む。