【事件の表示】
　特願２００４−２０２６６１「積層基板及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２９日出願公開，特開２００５−２６８７４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１６年７月９日（パリ条約による優先権主張２００４年３月１９日，韓国）の出願であって，平成２０年４月３０日付けの拒絶理由通知に対して，同年８月６日に意見書が提出されたが，平成２０年８月２５日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正書が提出され，その後，平成２２年１０月５日付けで審尋がされ，平成２３年１月１２日に回答書が提出され，さらに，当審において平成２３年４月１３日付けで拒絶理由が通知され，同年７月１４日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由の要旨
　当審において平成２３年４月１３日付けで通知された拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の要旨は，本願の請求項１〜１８（補正前）に係る発明は，引用例１に記載された発明及び引用例１〜１２に記載された周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
３　本願発明の内容
　平成２３年７月１４日に提出された手続補正書によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁基板と，
　前記絶縁基板上に位置し，０を超過し３００ＭＰａ以下の引張応力を有するモリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターンと，
　前記導電膜パターン上に位置し，２００ＭＰａ〜４００ＭＰａの圧縮応力を有するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜と，
を含み，
　前記導電膜パターンは，３０００〜７０００Åの厚さを有することを特徴とする，積層基板。」
 
４　本願発明の容易想到性について
４−１　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献の記載
　当審拒絶理由において引用例１として引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２５５８３１号公報（以下「引用文献」という。）には，図１〜２とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
「【０００８】図１及び図２に示すように，液晶表示装置は，アレイ基板１００と，アレイ基板１００に対して所定の間隔をおいて対向配置された対向基板２００と，アレイ基板１００と対向基板２００との間の所定のギャップに保持された液晶組成物を含む液晶層３００とを有している。
【０００９】
アレイ基板１００は，透明な絶縁性基板，すなわちガラス基板１０１上に配置された複数の走査線１０３，これらの走査線１０３に直交するように配置された信号線１０５，走査線１０３と信号線１０５との交差部近傍に配置されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１１０などを備えている
【００１０】
走査線１０３及び信号線１０５の配線部は，アルミニウムやモリブデン−タングステンなどの遮光性を有する低抵抗材料によって形成されている
【００１１】ＴＦＴ１１０は，ガラス基板１０１上に配置された，チャネル領域１１２Ｃ，ソース領域１１２Ｓ，及び，ドレイン領域１１２Ｄを有するポリシリコン薄膜１１２と，ゲート絶縁膜１１３を介して走査線１０３からチャネル領域１１２Ｃ上に延出されたゲート電極１１４と，ゲート絶縁膜１１３及び層間絶縁膜１１５を貫通してポリシリコン薄膜１１２のソース領域１１２Ｓにコンタクトするとともに信号線１０５と一体に形成されたソース電極１１６Ｓと，ゲート絶縁膜１１３及び層間絶縁膜１１５を貫通してポリシリコン薄膜１１２のドレイン領域１１２Ｄにコンタクトするドレイン電極１１６Ｄと，を備えている。
【００１２】また，
アレイ基板１００は，層間絶縁膜１１５上，及びＴＦＴ１１０などの配線部上に，窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１９を備えている
【００１３】カラーフィルタ層１３０上に形成された画素電極１２０は，カラーフィルタ層１３０に形成された第１コンタクトホール１１８Ａ，及び，パッシベーション膜１１９に形成された第２コンタクトホール１１８Ｂを介して，ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１６Ｄに電気的に接続されている。アレイ基板１００の表面には，カラーフィルタ層１３０や画素電極１２０を覆うように配向膜１６０が設けられている。
【００１４】図２に示すように，対向基板２００は，透明な絶縁性基板，すなわちガラス基板２０１上に配置された透明導電性部材としてのＩＴＯによって形成された対向電極２０３を備えている。対向電極２０３の表面は，液晶層３００に含まれる液晶組成物を基板に対して垂直な方向に配向する配向膜２０７によって覆われている。
【００１５】これらのアレイ基板１００及び対向基板２００は，図示しないスペーサによって所定のギャップを形成した状態で図示しないシール材によって貼り合わされる。液晶層３００は，このアレイ基板１００と対向基板２００との間に形成された所定のギャップに封入される。
【００１６】また，アレイ基板１００及び対向基板２００の外表面には，偏光方向が互いに直交するように配置された偏光板１７０，２１０がそれぞれ配置されている。」
　
　以上を整理すると，引用文献には次の事項が記載されている。
・【０００９】から，「アレイ基板１００」は，「ガラス基板１０１上に配置された複数の走査線１０３，とこれらの走査線１０３に直交するように配置された信号線１０５」を備えることが記載されている。
・【００１０】から，「走査線１０３及び信号線１０５の配線部」を，「モリブデン−タングステン」で形成することが記載されている。
・【００１２】から，「アレイ基板１００」は，「配線部上に，窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１９」を備えることが記載されている。
　
（２）引用文献に記載された発明
　上記（１）によれば，引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板１０１と，
前記ガラス基板１０１上に配置された，モリブデン−タングステンで形成された配線部と，
前記配線部上に窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１９と，
を備えている，
アレイ基板１００。」
　
４−２　本願発明と引用発明の対比
　本願発明と，引用発明とを対比する。
　
・引用発明における「ガラス基板１０１」は，本願発明における「絶縁基板」に相当する。
・引用発明における「前記ガラス基板１０１上に配置された，モリブデン−タングステンで形成された配線部」は，本願発明における「前記絶縁基板上に位置し，モリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターン」に相当する。
・引用発明における「前記配線部上に窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１９」は，本願発明における「前記導電膜パターン上に位置するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜」に相当する。
・引用発明における「アレイ基板１００」は，「ガラス基板１０１」「配線部」「パッシベーション膜」（本願における「絶縁基板」「導電膜パターン」「シリコン窒化膜」に相当。）を備えるものであるから，本願発明における「積層基板」に相当する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
＜一致点＞
「絶縁基板と，前記絶縁基板上に位置し，モリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターンと，前記導電膜パターン上に位置するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜とを含むことを特徴とする，積層基板。」である点。
　
＜相違点１＞
　本願発明では，「モリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターン」が「０を超過し３００ＭＰａ以下の引張応力を有」し，前記導電膜パターン上に位置する「シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜」が「２００ＭＰａ〜４００ＭＰａの圧縮応力を有する」のに対し，引用発明では，「モリブデン−タングステンで形成された配線部」及び「窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１９」が有する応力について，教示がない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明では，「導電膜パターンは，３０００〜７０００Åの厚さを有する」のに対し，引用発明では，「配線部」の膜厚が特定されていない点。
　
４−３　相違点についての判断
（１）相違点１について
ア　導電膜と絶縁膜が積層された積層基板において，導電膜の引張応力と絶縁膜の圧縮応力を調整して全体の応力が緩和されるようにし，基板の反りや膜のクラックを防止する技術は，次の周知例１〜２に記載されているように，当業者にとって周知の技術である。
・周知例１：特開昭６４−４２８４０号公報（当審拒絶理由通知書の引用例２）
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には，次の記載がある。
「本発明においては，金属ケイ化物層１０８形成による引張応力はプラズマナイトライド１０９の圧縮応力により緩和される。（第２頁右上欄第９行〜第１１行）
「以上述べたように発明によれば高融点金属ケイ化物形成の際に発生した引張応力は，プラズマナイトライド等の圧縮応力により緩和され，基板の平面性は保たれる。
　これにより後工程での微細加工の精度が向上することは言うまでもなく，さらに基板のそりに帰因する半導体素子の特性劣化等も回避できるという多大な効果を有する。」（第２頁左下欄第２行〜第９行）
　
　上記によれば，周知例１には，引張応力を有する高融点金属ケイ化物層と圧縮応力を有する絶縁膜を組み合わせることにより，応力を緩和し，基板の反りを防止する技術が記載されている。
　
・周知例２：特開平２−２１１６７２号公報（当審拒絶理由通知書の引用例３）
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。
「上述したようにゲート絶縁膜を含む積層膜を，内部応力が引張応力を示す膜と圧縮応力を示す膜とを組合せると，引張応力と圧縮応力とでは力の作用する方向が反対となるので，各膜Ｆｉの内部応力が相殺し合い，ゲート絶縁膜を含む積層膜全体の合成された内部応力は小さくなる。」（第２頁左下欄第９行〜第１４行）
「同図に見られるように本実施例は，ガラス基板１上にゲート電極ＧとしてＴｉ膜８を形成し，その上にゲート絶縁膜としてＳｉＮ膜２，動作半導体層としてａ−Ｓｉ層３をこの順に積層し，ソース・ドレイン電極Ｓ，Ｄ部は，コンタクト層としてのｎ+ａ−Ｓｉ層４と金属膜としてのＴｉ膜５を積層した。即ち，Ｔｉ膜８が第１の膜，ＳｉＮ膜２が第２の膜，ａ−Ｓｉ層３が第３の膜，ｎ+ａ−Ｓｉ層４が第４の膜，Ｔｉ膜５が第５の膜に相当する。
　本実施例ではゲート電極Ｇとソース・ドレイン電極Ｓ，Ｄの金属膜に用いたＴｉ膜が引張（テンシル）応力を示し，プラズマ化学気相成長（Ｐ−ＣＶＤ）法で形成した他の膜は，成膜条件によって応力値は異なるが，すべて圧縮（コンプレッシブ）応力を示すように形成した。」（第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第８行）
「以上の如く２つの実施例はいずれも，ガラス基板１上の積層膜が，どの部分においても全体の応力σは零に近くなり，従ってクラックは発生せず，薄膜トランジスタの特性劣化がなく，信頼度並びに製造歩留りを向上させることができる。」（第３頁下から６行〜２行）
　
　上記によれば，周知例２には，絶縁性基板上に薄膜トランジスタを構成する積層膜を形成する際，引張応力を示す膜（ソース・ドレイン電極を構成するＴｉ膜等）と圧縮応力を示す膜（ゲート絶縁膜や保護膜としてのＳｉＮ膜等）の応力と厚さの組み合わせを選択することにより，積層膜全体の内部応力を見かけ上ほぼ零とする技術が記載され，当該技術によりクラックが発生せず，薄膜トランジスタの特性劣化を防止する技術が記載されている。
　
イ　また，モリブデン−タングステンの応力を約−１０００ＭＰａ〜１０００ＭＰａ（ここで，応力の符号は，正を引張応力，負を圧縮応力とする。以下同じ。）程度の範囲で調整できることは，次の周知例３から周知の事項であり，シリコン窒化膜の応力を約−１０００ＭＰａ〜１０００ＭＰａ程度の範囲で調整できることは，次の周知例４〜５から周知の事項である。
・周知例３：特開平６−３１７８１４号公報（当審拒絶理由通知書の引用例４）
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３の図４によれば，Ｍｏ−Ｗ合金におけるＷ含有率を約３０〜８０原子％の範囲で変化させると，応力が約＋１０10〜−１０10ｄｙｎ／ｃｍ2（すなわち＋１０００ＭＰａ〜−１０００ＭＰａ）の範囲で変化し，Ｗ含有率を約０〜３０原子％の範囲で変化させると，応力が約＋１０9〜＋１０10ｄｙｎ／ｃｍ2（すなわち＋１００〜＋１０００ＭＰａ）の範囲で変化することが見て取れる。また，上記周知例３の図５によれば，Ｍｏ−Ｗ合金のＷ含有率が０，３０，５０，７０，１００原子％の各場合において，スパッタリング時のアルゴン圧力を変化させることにより，応力が約−１０10〜＋１０10ｄｙｎ／ｃｍ2（すなわち−１０００ＭＰａ〜＋１０００ＭＰａ）の範囲で変化することが見て取れる。
　
・周知例４：特開平４−２９９５７０号公報（当審拒絶理由通知書の引用例７）
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例４の図８によれば，窒化シリコン膜の総結合水素密度を約１５〜４０原子％の範囲で変化させると，窒化シリコン膜の応力が約−１０×１０9〜＋５×１０9ｄｙｎｅｓ／ｃｍ2（すなわち−１０００〜＋５００ＭＰａ）の範囲で変化することが見て取れる。
　
・周知例５：特開平４−３４５０６９号公報（当審拒絶理由通知書の引用例８）
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例５には，次の記載がある。
「【００１８】ここで，シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法で形成する際，
シリコン窒化膜の内部応力は，その成膜条件によって，プラスマイナス１×１０
10
ｄｙｎｅ／ｃｍ
2
程度の範囲で，すなわちこの範囲で引張応力或は圧縮応力に，変化する
　
ウ　さらに，モリブデン−タングステン合金膜又はモリブデン膜の引張応力が過大になれば，剥離による不良発生率が高くなることは，例えば，次の周知例６〜７にも記載されているように，当業者の技術常識である。
・周知例６：特開２０００−１９６１００号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例６には，図４とともに，次の記載がある。
「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は，絶縁膜と，この絶縁膜上に形成され
この絶縁膜を基準として圧縮方向を−，引張方向を＋としたとき，応力値が−３×１０
9
ｄｙｎ／ｃｍ
2
ないし＋２×１０
9
ｄｙｎ／ｃｍ
2
の範囲で形成された金属薄膜
「【００１５】さらに，多結晶シリコン膜２上にはシリコン酸化膜のゲート絶縁膜６が形成され，このゲート絶縁膜６の多結晶シリコン膜２の上方には
モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）の合金のゲート電極材料の薄膜金属のゲート電極７
・図４には，ゲート絶縁膜を基準にしたゲート電極の引張応力の増大に伴い，剥離による不良発生率が増加していることが見て取れる。
　
・周知例７：特開２００１−３５８３４２号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例６には，図５とともに，次の記載がある。
「【００２３】図５に記載される試験は以下のように行った。・・・（省略）・・・一般に，スパッタリング時のＡｒを少なくするほどＭｏ膜は引張り応力から圧縮応力へと変化する。図５において，Ｍｏ膜の内部応力はＭｏ膜圧縮応力をマイナス，引張り応力をプラスとして示す。・・・（省略）・・・
【００２４】図５において，クラック・剥がれレベルは光学顕微鏡またはＳＥＭ（電子顕微鏡）を用いて観察した。内部応力が−１．１０×１０9〜１．５６×１０9ｄｙｎｅｓ／ｃｍ2の場合はクラック・剥がれは共に測定されず（○），内部応力が１．５６×１０9〜１．００×１０10ｄｙｎｅｓ／ｃｍ2の場合，クラックが測定されるものの，剥がれは小さく，かつ，量は少なかった（△）。
内部応力が１．００×１０
10
ｄｙｎｅｓ／ｃｍ
2
以上の場合，クラックが測定され，剥がれは大きく，かつ，量も多かった（×）
　
エ　そうすると，引用発明において，「モリブデン−タングステンで形成された配線部」の引張応力と，「前記配線部上に窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１０」の圧縮応力とを，積層構造全体の応力をほぼ零に緩和するように調整することは，上記アの周知技術に照らし当業者が容易に想到し得たことである。
　また，上記の積層構造の応力調整は，具体的には，上記イで示した，各層が通常とり得る応力の数値範囲内で，引張応力及び圧縮応力の数値範囲を適宜設定することにより実現されるものであるところ，クラック防止という上記アの目的からみて，上記ウの技術常識をその前提として考慮することは当業者にとって自然なことであるから，上記の具体的な数値範囲の設定に当たり，モリブデン−タングステン膜の引張応力を所定値以下としつつ，上記イの範囲から，構造全体の応力をほぼ零にする数値範囲を「モリブデン−タングステンで形成された配線部」の引張応力を「０を超過し３００ＭＰａ以下の引張応力」と設定し，「窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成されたパッシベーション膜１１０」の圧縮応力を「２００ＭＰａ〜４００ＭＰａの圧縮応力」と設定することは，当業者が普通になし得たことである。
　さらに，上記の数値範囲に設定することによる，クラックや膜剥がれのような不良発生の減少といった効果は，上記周知技術から当業者が普通に期待できる効果であるから，本願発明において上記数値範囲を選択することによる効果は，上記引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって，格別の技術的意義を有するものとはいえない。
　したがって，引用発明において相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２について
　配線層の膜厚は，回路設計上要請される配線抵抗を元に，配線材料の抵抗率や配線幅を勘案しつつ適宜設定すべき当業者の設計事項であり，３０００〜７０００Åとの膜厚も，次の周知例３，８に記載されているように，モリブデン−タングステン配線層の膜厚として普通に用いられている程度のものである。したがって，引用発明において相違点２に係る構成とすることは，当業者が普通になし得たことである。
・上記周知例３には，さらに次の記載がある。
【００１４】
・・・（省略）・・・
ガラス基板１１上には，Ｍｏ−Ｗ合金またはＭｏ−Ｃｒ合金を厚さ３００nmでスパッタリングしてパターニングすることによりゲート電極（制御電極）１２，アドレス配線，およびＣｓ線１９を同時に形成する
　
・周知例８：特開２０００−１２５４２号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例８には，次の記載がある。
「【００１２】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に本実施形態の配線を基板に形成した場合の断面図を示す。ガラスからなる絶縁性基板１０１の上に，
ＭｏＷＮ膜１０２ａとＭｏＷ膜１０２ｂの２層構造からなる配線１０２
ＭｏＷ膜１０２ｂは膜厚４０００Å
　
５　結言
　以上のとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。