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【手続補正書】
【提出日】平成18年9月7日(2006.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ技術を用いて導電材料を含む第１の膜と導電材料を含む第２の膜とを形成する工程と、
前記第１の膜及び前記第２の膜と接触するように、少なくとも半導体材料または導電材料を含む第３の膜を形成する工程と、
インクジェット印刷技術を用いて少なくとも前記第１の膜の一部を覆うように第４の膜を形成する工程と、を有する回路の製造方法。
【請求項２】
インクジェット技術を用いて前記第３の膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の回路の製造方法。
【請求項３】
前記第１の膜及び前記第２の膜は、縞状の第１の領域及び第２の領域を有し、かつ、前記第１の膜と前記第２の膜とが導通しないように、前記第２の領域が前記第１の領域との交差部において、断片化されていることを特徴とする請求項１または２に記載の回路の製造方法。
【請求項４】
前記第２の領域は、接続パッドとしての前記第２の領域の幅よりも大きい幅を有する端部を備えたことを特徴とする請求項３に記載の回路の製造方法。
【請求項５】
少なくとも前記第１の膜または前記第２の膜のいずれかをパターニングして、画素電極としての第３の領域を形成し、かつ、前記第１の領域と前記第２の領域とは互いに略直交するように形成することを特徴とする請求項３または４に記載の回路の製造方法。
【請求項６】
リソグラフィ技術を用いて薄膜トランジスタ用のソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
インクジェット印刷技術を用いて前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接続するように半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記半導体層の一部と少なくとも重なるようにゲート電極を形成する工程と、有する回路の製造方法。
【請求項７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが互いに入り込むような櫛状構造を有する請求項６に記載の回路の製造方法。
【請求項８】
前記櫛状構造は、前記櫛状のソース電極の櫛歯と前記櫛状のドレイン電極の櫛歯とが互いに入り込んでいる指部の長さが、前記ゲート電極の幅よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載の回路の製造方法。
【請求項９】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成に用いるリソグラフィ技術の解像度と、前記半導体層の形成に用いるインクジェット印刷技術の解像度との差を受容するための干渉領域を前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方の端部に形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１０】
前記ソース電極が第１の導線に接続され、前記ドレイン電極が画素電極に接続され、ゲート電極が、前記第１の導線と交差するように形成された第２の導線と接続されていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の導線を断片化されて形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、断片化された一の前記第２の導線と他の前記第２の導線との間に形成することを特徴とする請求項１０に記載の回路の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の導線と前記第２の導線との交差部にさらに第２の絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載の回路の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁層の形成に用いる絶縁材料と、前記第２の絶縁層の形成に用いる絶縁材料とは異なることを特徴とする請求項１２に記載の回路の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の導線は、第１の幅と前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有することを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１５】
少なくとも前記第１の導線及び前記第２の導線は、１以上の前記薄膜トランジスタ間の接続線を有し、少なくとも個別の領域と接続するように形成することを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１６】
前記個別の領域は、電子回路の入力端子、出力端子、電圧供給端子、画素電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、第１の導線及び第２の導線のいずれかであることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１７】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを形成する工程を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは第１の導電型の第１の半導体材料を用いて第１の半導体膜を形成し、前記第２の薄膜トランジスタは前記第１の導電型とは異なる第２の導電型の第２の半導体材料を用いて第２の半導体膜を形成することを特徴とする請求項６乃至１５のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項１８】
前記個別の領域間と接続するように抵抗素子を形成する工程をさらに有する請求項１５乃至１７に記載の回路の製造方法。
【請求項１９】
前記抵抗素子を抵抗性材料を堆積することによって形成することを特徴とする請求項１８に記載の回路の製造方法。
【請求項２０】
前記抵抗性材料は、通う正孔分子材料を有するように選択される請求項１９に記載の回路の製造方法。
【請求項２１】
前記抵抗性材料は、高分子又は無機コロイドを有するように選択される請求項１９に記載の回路の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体材料は、有機半導体材料を有するように選択される請求項６乃至２１のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲート電極の前記導電材料は共役高分子を有するように選択される請求項６乃至２２のいずれか一項に記載の回路の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタであって、
半導体基板に形成されたソースおよびドレイン領域を有し、当該ソース及びドレイン領域は、これらの領域の間にチャネル領域を形成するものであり、
前記チャネル領域を直接覆うゲート絶縁膜を有し、このゲート絶縁膜は、前記チャネル領域を直接覆う第一の二酸化シリコン薄層と、前記第一の二酸化シリコン薄層を覆う高誘電率材料層と、前記高誘電率材料層を覆う第二の二酸化シリコン薄層を有するものであり、
前記ゲート絶縁膜を覆うドープされたポリシリコンゲートを有する、ＭＯＳトランジスタ。
【請求項２】
ＭＯＳトランジスタであって、
半導体基板に形成されたソースおよびドレイン領域を有し、当該ソース及びドレイン領域は、これらの領域の間にチャネル領域を形成するものであり、
前記チャネル領域を覆うゲート絶縁膜を有し、このゲート絶縁膜は、前記チャネル領域を直接覆う第一の二酸化シリコン薄層と、前記第一の二酸化シリコン薄層を覆う高誘電率材料層と、前記高誘電率材料層を覆う第二の二酸化シリコン薄層を有するものであり、
前記ゲート絶縁膜を覆うドープされたポリシリコンゲートを有し、
前記第一および第二の二酸化シリコン薄層は単層であるＭＯＳトランジスタ。
【請求項３】
ＭＯＳトランジスタであって、
半導体基板に形成されたソースおよびドレイン領域を有し、当該ソース及びドレイン領域は、これらの領域の間にチャネル領域を形成するものであり、
前記チャネル領域を覆うゲート絶縁膜を有し、このゲート絶縁膜は、前記チャネル領域を直接覆う第一の二酸化シリコン薄層と、前記第一の二酸化シリコン薄層を覆う高誘電率材料層と、前記高誘電率材料層を覆う第二の二酸化シリコン薄層を有するものであり、
前記ゲート絶縁膜を覆うドープされたポリシリコンゲートを有し、
前記ドープされたポリシリコンゲート（２１８）は、
前記第二の酸化シリコン薄層（２０６）を覆うインターフェース部（２１８ａ）と、
前記インターフェース部（２１８ａ）を覆うゲート電極部（２１８ｂ）を有し、かつ、
前記ドープされたポリシリコンゲートの前記インターフェース部（２１８ａ）のドーパント濃度は、前記ドープされたポリシリコンゲート（２１８）のゲート電極部（２１８ｂ）のドーパント濃度よりも小さいＭＯＳトランジスタ。
【請求項４】
前記ドープされたポリシリコンゲート（２１８）の前記ゲート電極部（２１８ｂ）は、約３００オングストローム以上で約１０００オングストローム以下の厚み（２２２）を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項５】
前記ドープされたポリシリコンゲート（２１８）の前記インターフェース部（２１８ａ）は、約３０オングストローム以上で約６０オングストローム以下の厚み（２２０）を有している、請求項４記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項６】
前記ドープされたポリシリコンゲートの界面における前記ドーパント濃度は、前記ゲート電極部のドーパント濃度の１／６よりも小さい、請求項１〜３のいずれかに記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項７】
前記ドープされたポリシリコンゲートのインターフェース部のドーパント濃度は、約１×１０19atoms/cm3以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項８】
前記ドープされたポリシリコンゲートの前記ゲート電極部のドーパント濃度は、約６×１０19atoms/cm3である、請求項７記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項９】
ＭＯＳトランジスタであって、
半導体基板に形成されたソースおよびドレイン領域を有し、当該ソース及びドレイン領域は、これらの領域の間にチャネル領域を形成するものであり、
前記半導体基板の表面上の前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜を有し、当該ゲート絶縁膜は、前記チャネル領域を覆う二酸化シリコン薄層と、前記二酸化シリコン薄層を覆う高誘電率誘電体材料を有するものであり、
前記ゲート絶縁膜を覆う高誘電率メタルゲート電極を有し、当該高誘電率メタルは、前記高誘電率誘電体材料に対応している、ＭＯＳトランジスタ。
【請求項１０】
前記二酸化シリコン薄層は単層である、請求項９記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１１】
前記高誘電率誘電体材料はＴiＯ2を含むとともに前記高誘電率メタルはＴiを含む、請求項９記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１２】
前記高誘電率誘電体材料はＴa2Ｏ5を含むとともに前記高誘電率メタルはＴaを含む、請求項９記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１３】
前記高誘電率誘電体材料はＡl2Ｏ3を含むとともに前記高誘電率メタルはＡlを含む、請求項９記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１４】
前記高誘電率誘電体材料はＨfＯ2を含むとともに前記高誘電率メタルはＨfを含む、請求項９記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１５】
ＭＯＳトランジスタを形成する方法であって、
シリコン基板の表面上に第一の二酸化シリコン薄層を形成し、
前記第一の二酸化シリコン薄層上に高誘電率誘電体層を形成し、
前記高誘電率誘電体層上に第二の二酸化シリコン薄層を形成し、
前記第二の二酸化シリコン薄層上にポリシリコン層を形成し、
前記ポリシリコン層をパターンニングしてゲート電極を形成し、更に、
前記ゲート電極をマスクとして使用して前記シリコン基板にソース及びドレイン領域を形成し、これにより前記ゲート電極の下のソース及びドレイン領域の間にチャネル領域を形成し、前記第一および第二の二酸化シリコン薄層は単層である、方法。
【請求項１６】
前記ポリシリコン層の形成では、
前記第二の二酸化シリコン単層上に第一のドープされたポリシリコン層を形成し、この第一のドープされたポリシリコン層は第一の厚みと第一のドーパント濃度を有するものであり、
前記第一のドープされたポリシリコン層上に第二のドープされたポリシリコン層を形成し、この第二のドープされたポリシリコン層は第二の厚みと第二のドーパント濃度を有するものであって、且つこの第二の厚みは前記第一の厚みよりも大きく、前記第二のドーパント濃度は前記第一のドーパント濃度よりも高い、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
ＭＯＳトランジスタを形成する方法であって、
シリコン基板の表面上に二酸化シリコン単層を形成し、
前記二酸化シリコン薄層上に高誘電率誘電体層を形成し、
前記高誘電率誘電体層上に高誘電率メタル層を形成し、この高誘電率メタルは、前記高誘電率誘電体に対応するものであり、
前記高誘電率メタル層をパターンニングしてメタルゲート電極を形成し、かつ、
前記メタルゲート電極をマスクとして用いて前記シリコン基板にソースおよびドレイン領域を形成し、これにより、前記メタルゲート電極の下のソース及びドレイン領域の間にチャネル領域を形成する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極およびドレイン電極フィーチャーを、固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して基板上に堆積させる工程を含む、トランジスタの製造方法であって、前記アパーチャが少なくとも２つの対向縁部を有しており、前記フィーチャーの形状が前記アパーチャおよび前記基板に対するソース材料の位置により画定されている方法。
【請求項２】
ゲート電極、ゲート誘電体、ソース電極およびドレイン電極フィーチャーを基板上に形成する工程と、第１の半導体材料と第２の半導体材料を固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して堆積する工程とを含む、装置の製造方法であって、前記各半導体材料の少なくとも一部が前記もう一方の半導体材料と重ならないように前記アパーチャが少なくとも２つの対向縁部を有している方法。
【請求項３】
ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソース電極およびドレイン電極フィーチャーと、半導体層と、基板と、アパーチャを含むシャドウマスクとを含む物品であって、前記シャドウマスクが前記基板に永続的に固定されており、前記ソースおよびドレイン電極フィーチャーが前記アパーチャにより画定されている物品。
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソース電極およびドレイン電極フィーチャーと、第１の半導体フィーチャーと、第２の半導体フィーチャーと、基板と、アパーチャを含むシャドウマスクとを含む物品であって、前記シャドウマスクが前記基板に永続的に固定されており、前記両半導体フィーチャーが前記アパーチャにより画定されており、前記各半導体フィーチャーの少なくとも一部が前記もう一方の半導体フィーチャーと重なっていない物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月9日(2005.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペイロードと該ペイロードを含む暗号化されたデータの１つを選択する手段と、
前記選択されたペイロードまたは暗号化されたデータを格納する手段と、
前記格納された暗号化されたデータを前記ペイロードと置換する手段とを有するデータ処理装置。
【請求項２】
大容量記憶装置を有するか、または付属された受信機／デコーダであって、
請求項１記載のデータ処理装置を有し、
前記ペイロードまたは該ペイロードを含む前記暗号化されたデータが、アクセス権の一機能として選択され、
前記ペイロードは、条件付アクセスデータペイロードであり、
前記暗号化されたデータは、前記条件付アクセスデータペイロードを含む暗号化された条件付アクセスデータであり、
前記格納する手段は、前記大容量記憶装置にスクランブル化されたコンテンツと前記選択された条件付アクセスデータペイロードまたは暗号化された条件付アクセスデータを格納するよう構成される、
ことを特徴とする受信機／デコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月12日(2006.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触方式で信号を受信するように構成され、前記信号が入力される電気回路を備え、この電気回路は前記信号を用いて前記電気回路の一部のための電源電圧を発生するように構成され、前記電気回路は情報を容量的に記憶するように構成された記憶手段を備え、前記情報は前記記憶手段に生ずる情報電圧の値によって表され、前記電気回路は、最も前記電源電圧の値に等しい電圧値を持つ制御信号を受信するように構成されると共に前記制御信号を用いて前記情報電圧を発生するように構成された情報電圧発生手段を備えているデータキャリアにおいて、前記情報電圧発生手段が前記制御信号の電圧値を上昇させるように構成された電圧上昇手段を備えていることを特徴とするデータキャリア。
【請求項２】
前記電圧上昇手段が前記電源電圧の値によって前記制御信号の電圧値を上昇させるように構成されたチャージポンプの形で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のデータキャリア。
【請求項３】
前記電圧上昇手段が前記制御信号の電圧値の上昇を制限するように構成された電圧制限手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載のデータキャリア。
【請求項４】
非接触方式で信号を受信するように構成されたデータキャリアのための回路であって、この回路は前記信号を用いて回路の一部のための電源電圧を発生するように構成され、前記回路は情報を容量的に記憶するように構成された記憶手段を備え、前記情報は前記記憶手段に生ずる情報電圧の値によって表され、前記回路は、最も前記電源電圧の値に等しい電圧値を持つ制御信号を受信するように構成されると共に前記制御信号を用いて前記情報電圧を発生するように構成された情報電圧発生手段を備えているデータキャリアのための回路において、前記情報電圧発生手段が前記制御信号の電圧値を上昇させるように構成された電圧上昇手段を備えていることを特徴とするデータキャリアのための回路。
【請求項５】
前記電圧上昇手段が前記電源電圧の値によって前記制御信号の電圧値を上昇させるように構成されたチャージポンプの形で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記電圧上昇手段が前記制御信号の電圧値の上昇を制限するように構成された電圧制限手段を備えていることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項７】
この回路が集積回路の形で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005531176.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005531176.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月5日(2006.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板上の埋め込み酸化層、及び前記埋め込み酸化層上のシリコン層を備えたシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造における埋め込み酸化層にリセス部をエッチングするステップを有し、前記シリコン層はトレンチを有し、前記埋め込み酸化層への前記リセス部のエッチングでは、前記シリコン層に前記トレンチを貫通してエッチングがなされ、かつ、前記埋め込み酸化層を通じて前記基板上で停止するようエッチングがなされ、
前記埋め込み酸化層及び前記トレンチの前記リセス部に、前記シリコン層に実質的にひずみ量を導入する材料を充填するステップを有する、
ひずみデバイス膜の形成方法。
【請求項２】
前記リセス部（２２）をエッチングする前記ステップは、前記埋め込み酸化層（１２）を等方性エッチングする過程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記材料（２４）は、窒化物である、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記埋め込み酸化層及び前記トレンチの前記リセス部を充填した後に平坦化を更に行う、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン層上に半導体デバイスを形成する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記導入されたひずみは、圧縮応力である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記導入されたひずみは、引張応力である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記基板は、バルクＳＯＩウェファである、請求項１記載の方法。
【請求項９】
基板（１０）を有し、
前記基板上の埋め込み酸化層（１２）を有し、
前記埋め込み酸化層（１２）上のシリコン島（１８）を有し、このシリコン島（１８）は、互いに間隙部（１６）によって絶縁され、前記埋め込み酸化層（１２）は、前記基板のみの上方でかつ前記間隙部（１６）の直下にリセス部（２２）を備え、かつ、前記リセス部（２２）は、前記シリコン島（１８）の下方に伸長している前記埋め込み酸化層（１２）にアンダーカット領域（２０）を含むものであり、
前記リセス部（２２）と前記間隙部（１６）を充填する材料を含み、前記材料は、前記シリコン島（１８）に実質的にひずみ量を導入するものである、
ひずみシリコン膜を備えたシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイス。
【請求項１０】
更に、前記シリコン島（１８）上に半導体デバイス（２６）を含む、
請求項９記載のＳＯＩデバイス。
【請求項１１】
前記材料（２４）は、窒化物である、
請求項９記載のＳＯＩデバイス。
【請求項１２】
前記リセス部（２２）は、前記間隙部の直下の第一部分と、前記シリコン島（１８）の下方の第二部分を含む、
請求項９記載のＳＯＩデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月10日(2006.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高抵抗基板と、
前記高抵抗基板上に形成された、パターニングされた低抵抗埋込み層であって、同パターニングされた低抵抗埋込み層と前記高抵抗基板とが同じ導電タイプである前記低抵抗埋込み層と、
前記パターニングされた低抵抗埋込み層の上部に形成されたディジタル回路と、
前記高抵抗基板上に形成されたアナログ回路と、
前記高抵抗基板上に形成された受動ＲＦ素子と、
前記ディジタル回路を囲むウェル領域と、
からなる集積回路。
【請求項２】
前記高抵抗基板上に形成された能動ＲＦ素子をさらに有する請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
高抵抗エピ層を有するディジタル回路によって生成された電気信号を減衰する工程と、低抵抗埋込み層を有する前記ディジタル回路によって生成された電気信号を集める工程と、
前記ディジタル回路を囲む低抵抗ウェル領域を有するディジタル回路によって生成された電気信号を集める工程と、
前記低抵抗埋込み層を有する前記ディジタル回路中のラッチアップを減少させる工程と、
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ中のコレクタ領域と基板との間の静電容量を減少させる工程と、
からなる集積回路の性能を向上させる方法。
【請求項４】
受動ＲＦ回路を囲む低抵抗ウェル領域で前記電気信号を集める工程を更に有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
能動ＲＦ回路を囲む低抵抗ウェル領域で前記電気信号を集める工程を更に有する請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月21日(2006.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真のバックグラウンドノイズを選択的に保持するように音響信号の非線形処理を実行する方法であって、
受信パス信号と、真のバックグラウンドノイズを含む送信パス信号とを受信すること、
推定誤差信号レベルを生成するために、受信パス信号および送信パス信号に基づいて誤差信号を推定すること、
少なくとも受信パス信号および誤差信号に基づいて、推定される真のバックグラウンドノイズを生成するために、送信パス信号から真のバックグラウンドノイズを選択的に抽出し、抽出した真のバックグラウンドノイズのノイズレベルを推定すること、
真のバックグラウンドノイズは近端トーカ信号及び遠端トーカ信号が検出されないときに抽出されること、
推定される真のバックグラウンドノイズレベルを所定の基準と比較すること、
比較結果に基づいて、音響信号中の真のバックグラウンドノイズを選択的に保持するために、推定される真のバックグラウンドノイズレベルおよび誤差信号レベルを使用すること、
とを含む、方法。
【請求項２】
受信パス信号と、真のバックグラウンドノイズを含む送信パス信号とを受信するエコーキャンセラであって、
適応フィルタと、
前記適応フィルタに結合された制御回路と、
前記制御回路に結合され、バックグラウンドノイズを選択的に推定し、送信中パス信号中の真のバックグラウンドノイズを選択的に保持するために近端トーカ信号及び遠端トーカ信号が存在しないときには送信パス信号から真のバックグラウンドノイズを選択的に抽出し、近端信号が検出される場合には真のバックグラウンドノイズの抽出を停止し、遠端信号が検出される場合には真のバックグラウンドノイズの抽出を停止する非線形プロセッサと、
を備えるエコーキャンセラ。
【請求項３】
近端信号検出を実行する方法であって、
受信パスの出力のパワーを求めること、
誤差信号のパワーを求めること、
送信パスの入力のパワーを求めること、
誤差信号のパワーおよび送信パスの入力のパワーの最小値を求めること、
前記近端信号が存在するかどうかを検出するために、該最小値および受信パスの出力のパワーを使用すること、
とを含む、方法。
【請求項４】
エコーキャンセレーションを実行する方法であって、
エコーを消去する目的で適応フィルタリングを実行すること、
前記適応フィルタリングを実行するステップと並行して純粋遅延を推定すること、
適応フィルタウィンドウの位置を調節するために、前記純粋遅延を選択的に使用すること、
とを含む、方法。
【請求項５】
エコーキャンセレーションを実行する方法であって、
個別推定遅延値を求めること、
純粋遅延を生成するために、前記個別推定遅延値の非線形フィルタリングを実行すること、
適応フィルタウィンドウの位置を調節するために、前記純粋遅延を選択的に使用すること、
エコーを消去する目的で適応フィルタリングを実行すること、
とを含む、方法。
【請求項６】
通信信号中にトーンが存在するかどうかを指示する方法であって、
第１の遅延信号を生成するために、所定の第１遅延だけ前記通信信号を遅延させること、
第２の遅延信号を生成するために、所定の第２遅延だけ前記通信信号を遅延させること、
推定信号を生成するために、前記第１の遅延信号、前記第２の遅延信号、および前記通信信号を組み合わせること、
前記トーンが存在するかどうかを指示するために、前記推定信号を使用すること、
とを含む、方法。
【請求項７】
複数のフィルタ係数を有するフィルタの発散を低減する方法であって、前記フィルタは、第１の状態および第２の状態を含む複数の状態を有し、該方法は、
適応フィルタの現在の状態を判定すること、
前記適応フィルタの前記現在の状態が前記第１の状態である時に前記複数のフィルタ係数を記憶すること、
前記適応フィルタの前記現在の状態が前記第２の状態である時に前記複数のフィルタ係数の記憶を実行しないこと、
複数のフィルタ係数としてあらかじめ記憶しておいた係数のセットで複数のフィルタ係数をリストアすること、
あらかじめ記憶しておいた係数のセットは適応型のフィルタの現在の状態が第１の状態であることにして記憶されたこと、
あらかじめ記憶しておいた係数のセットは最近記憶された係数のセットではないこと、とを含む、方法。
【請求項８】
通信信号中にトーンが存在するかどうかを指示する方法であって、
遅延信号を生成するために、所定の遅延だけ前記通信信号を遅延させること、
発生正弦波信号を発生すること、
第１の相関信号および第２の相関信号を生成するために、前記遅延信号、前記発生正弦波信号、および前記通信信号を組み合わせること、
前記トーンが検出されたかどうかを指示するために、前記第１の相関信号および前記第２の相関信号を使用すること、
とを含む、方法。
【請求項９】
信号の適応フィルタリングを実行する方法であって、
第１のフィルタリングされた出力を生成するために、第１の適応レートで前記信号をフィルタリングすること、
第２のフィルタリングされた出力を生成するために、第２の適応レートで前記第１のフィルタリングされた出力をフィルタリングすること、
とを含み、
前記第１の適応レートは前記第２の適応レートよりも低い、方法。
【請求項１０】
通信システムにおいて用いられる適応フィルタの安定性を改善する方法であって、
前記適応フィルタにおいて複数のフィルタ係数を監視すること、
前記複数のフィルタ係数において所定のパターンを検出すること、
該所定のパターンは通信システムが開ループであるときに生じること、
前記所定のパターンが検出される場合、異なる複数のフィルタ係数を前記適応フィルタにロードすること、
とを含む、適応フィルタの安定性を改善する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月9日(2006.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メディアシステムからなるネットワークでグループ識別子によりメディアシステムを管理する方法であって、
少なくとも１つのメディアシステムのグループ識別子、存在及び／又は不存在を表すネットワークのステータスを決定するステップと、
決定されたステータスに基づいて少なくとも１つのメディアシステムのグループ識別子を決定するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
ユーザにより指定された第二のグループ識別子を第六のメディアシステムに与えるステップをさらに有する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
該グループ識別子を決定するステップは、
該メディアシステムがネットワークから接続が解除されたとき、該グループ識別子をリセットするステップと、
グループ識別子を持たない該メディアシステムが既存のグループ識別子を有する第二のメディアシステムに接続されたとき、該既存のグループ識別子を第一のメディアシステムに与えるステップと、
第三のメディアシステム及び第四のメディアシステムがネットワークに接続されたとき、別々のグループ識別子を該第三及び第四のメディアシステムに保持するステップと、
第五のメディアシステムがネットワークに接続されたとき、ユーザにより指定された第一のグループ識別子を、グループ識別子をいずれも有していない１以上のメディアシステムに与え、該第一のグループ識別子を全てのメディアシステムに割り当てるステップと、
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
該メディアシステムは、セットトップボックス、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、デジタルビデオディスクプレーヤ、ラジオ、スクリーン、カメラ又はビデオカセットレコーダである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか記載の方法を実行するコンピュータシステム。
【請求項６】
コンピュータプログラムがコンピュータで実行されるとき、請求項１乃至４のいずれか記載の方法を実行するコンピュータ読取り可能な媒体に記憶されているプログラムコード手段を含むコンピュータプログラム。
【請求項７】
グループ識別子でメディアシステムからなるネットワークを管理するメディアシステムであって、
少なくとも１つのメディアシステムのグループ識別子、存在及び／又は不存在を表すネットワークにステータスを決定する手段と、
決定されたステータスに基づいて少なくとも１つのメディアシステムのグループ識別子を決定する手段と、
を有するメディアシステム。
【請求項８】
該グループ識別子を決定する手段は、
該メディアシステムがネットワークから接続が解除されたとき、該グループ識別子をリセットする手段と、
グループ識別子を持たない該メディアシステムが既存のグループ識別子を有する第二のメディアシステムに接続されたとき、該既存のグループ識別子を第一のメディアシステムに与える手段と、
第三のメディアシステムと第四のメディアシステムがネットワークに接続されたとき、別々のグループ識別子を該第三及び第四のメディアシステムに保持する手段と、
第五のメディアシステムがネットワークに接続されたとき、ユーザにより指定された第一のグループ識別子を、グループ識別子をいずれも有していない１以上のメディアシステムに与え、該第一のグループ識別子を全てのメディアシステムに割り当てるステップと、
を有することを特徴とする請求項７記載のメディアシステム。
【請求項９】
ユーザにより指定された第二のグループ識別子を第六のメディアシステムに与える手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項７又は８記載のメディアシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月6日(2006.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
PorAの量が株H44/76から作製された同量の小胞と比較して80％未満である、PorAを欠損した小胞調製物、および株H44/76から作製された小胞と比較してPorAを欠損していない小胞調製物を含む、多価髄膜炎菌小胞組成物。
【請求項２】
PorAを欠損していない小胞調製物が、使用する国で流行する血清亜型を有する髄膜炎菌株由来である、請求項１記載の多価髄膜炎菌小胞組成物。
【請求項３】
PorAを欠損した小胞調製物が、全小胞タンパク質の22％未満のPorAを有するかまたはPorAを全く有しない、請求項１または２記載の多価髄膜炎菌小胞組成物。
【請求項４】
PorAを欠損していない小胞調製物が、全小胞タンパク質の28％を超えるPorAを有する、請求項１〜３のいずれか1項に記載の多価髄膜炎菌小胞組成物。
【請求項５】
PorAを欠損した小胞調製物が髄膜炎菌CU-385株由来である、請求項１〜４のいずれか1項に記載の多価髄膜炎菌小胞組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか1項に記載の多価髄膜炎菌小胞組成物、および製薬上許容され得る賦形剤を含む、ナイセリア性、好ましくは髄膜炎菌性の疾患の治療のためのワクチン。
【請求項７】
1つ以上のそのままかまたはコンジュゲートされた、以下の血清型A、C、YおよびWより選択される髄膜炎菌莢膜多糖体をさらに含む、請求項６記載のワクチン。
【請求項８】
PorAを欠損していない小胞調製物が、P1.4の血清亜型を有する髄膜炎菌株由来である、ニュージーランドまたはヨーロッパでの使用に適した請求項６または７記載のワクチン。
【請求項９】
PorAを欠損していない小胞調製物が、P1.7,16の血清亜型を有する髄膜炎菌株由来である、アメリカ合衆国での使用に適した、請求項６または７記載のワクチン。
【請求項１０】
PorAを欠損していない小胞調製物が、P1.16の血清亜型を有する髄膜炎菌株由来である、ノルウェーでの使用に適した請求項６または７記載のワクチン。
【請求項１１】
PorAを欠損していない小胞調製物とPorAを欠損する小胞調製物とを混合するステップを含む、請求項１〜５のいずれか1項に記載の多価髄膜炎菌小胞組成物、または請求項６〜１０のいずれか1項に記載のワクチンを製造する方法。
【請求項１２】
ナイセリア性の、好ましくは髄膜炎菌性の疾患の予防または治療のための薬物の製造における、免疫学的に有効な量の請求項６〜１０のいずれか1項に記載のワクチンの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨の損失を治療または抑制することが必要な哺乳動物において骨の損失を治療または抑制するための医薬組成物であって、拡張された投与規則に従って投与される、有効量のバゼドキシフェンを含有する医薬組成物。
【請求項２】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
バゼドキシフェンが１週間に１回投与される請求項２記載の医薬組成物。
【請求項４】
バゼドキシフェンが２日毎に投与される請求項２記載の医薬組成物。
【請求項５】
コレステロール、トリグリセリド、Ｌｐ（ａ）、またはＬＤＬレベルを低下させること、あるいは高コレステロール血症または高脂血症を抑制または治療することが必要な哺乳動物において、コレステロール、トリグリセリド、Ｌｐ（ａ）、またはＬＤＬレベルを低下させ、あるいは高コレステロール血症または高脂血症を抑制または治療するための医薬組成物であって、拡張された投与規則に従って投与される、有効量のバゼドキシフェンを含有する医薬組成物。
【請求項６】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項５記載の医薬組成物。
【請求項７】
バゼドキシフェンが１週間に１回投与される請求項６記載の医薬組成物。
【請求項８】
バゼドキシフェンが２日毎に投与される請求項６記載の医薬組成物。
【請求項９】
心臓血管系の疾病を治療または抑制することが必要な哺乳動物において、心臓血管系の疾病を治療または抑制するための医薬組成物であって、拡張された投与規則に従って投与される、有効量のバゼドキシフェンを含有する医薬組成物。
【請求項１０】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
バゼドキシフェンが１週間に１回投与される請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１２】
バゼドキシフェンが２日毎に投与される請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１３】
痴呆、神経変性疾患およびアルツハイマー病を治療または抑制し；神経保護または認識改善を与えることが必要な哺乳動物において、痴呆、神経変性疾患およびアルツハイマー病を治療または抑制し；神経保護または認識改善を与えるための医薬組成物であって、拡張された投与規則に従って投与される、有効量のバゼドキシフェンを含有する医薬組成物。
【請求項１４】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項１３記載の医薬組成物。
【請求項１５】
バゼドキシフェンが１週間に１回投与される請求項１４記載の医薬組成物。
【請求項１６】
バゼドキシフェンが２日毎に投与される請求項１４記載の医薬組成物。
【請求項１７】
骨粗鬆症を治療または抑制することが必要な哺乳動物において、骨粗鬆症を治療または抑制するための医薬組成物であって、拡張された投与規則に従って投与される、有効量のバゼドキシフェンを含有する医薬組成物。
【請求項１８】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項１７記載の医薬組成物。
【請求項１９】
バゼドキシフェンが１週間に１回投与される請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２０】
バゼドキシフェンが２日毎に投与される請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２１】
哺乳動物における骨の損失を治療または抑制するための医薬の製造におけるバゼドキシフェンの使用であって、該医薬が拡張された投与規則における投与に適合したものである使用。
【請求項２２】
哺乳動物におけるコレステロール、トリグリセリド、Ｌｐ（ａ）、またはＬＤＬレベルを低下させ、あるいは高コレステロール血症または高脂血症を抑制または治療するための医薬の製造におけるバゼドキシフェンの使用であって、該医薬が拡張された投与規則における投与に適合したものである使用。
【請求項２３】
哺乳動物における心臓血管系の疾病を治療または抑制するための医薬の製造におけるバゼドキシフェンの使用であって、該医薬が拡張された投与規則における投与に適合したものである使用。
【請求項２４】
哺乳動物における痴呆、神経変性疾患およびアルツハイマー病を治療または抑制するための医薬の製造におけるバゼドキシフェンの使用であって、該医薬が拡張された投与規則における投与に適合したものである使用。
【請求項２５】
哺乳動物における骨粗鬆症を治療または抑制するための医薬の製造におけるバゼドキシフェンの使用であって、該医薬が拡張された投与規則における投与に適合したものである使用。
【請求項２６】
バゼドキシフェンが酢酸バゼドキシフェンである請求項２１ないし２５のいずれか１項記載の使用。
【請求項２７】
医薬が、２日毎、３日毎、４日毎、５日毎、６日毎、または７日毎に哺乳動物に投与することに適合したものである、請求項２１ないし２５のいずれか１項記載の使用。
【請求項２８】
医薬が１週間に１回の投与に適合したものである請求項２１ないし２５のいずれか１項記載の使用。
【請求項２９】
医薬が２日毎の投与に適合したものである請求項２１ないし２５のいずれか１項記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（ａ）溶媒中で
・アルキル及びカチオンの硫化物（チオラート）と
・水素とフッ素と重質ハロゲン（これは塩素、臭素及びヨウ素から選択される）と電子求引性基（これはフッ素及びσp値が少なくとも０．２であるものから選択される）とを有するｓｐ3混成炭素を示す化合物と
を縮合させる工程；
（ｂ）水性相の存在下における酸化工程；
を含み、
前記工程（ａ）の溶媒が、水不混和性溶媒、水性相及び水不混和性溶媒と水性相との２相組合せ物から選択され、前記水性相が水混和性非水性溶媒の重量のせいぜい１／３を占め；
［当量で表わしたアルキル硫化物の量］対［モル数で表わした水の量］の比をせいぜい５０とする、
ヒドロフルオロメチレンスルホニル基を含む誘導体の合成方法。
【請求項２】
前記電子求引性基がσp値が少なくとも０．４であるものから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）が水性相の存在下におけるハロゲン化であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化が塩素化又は臭素化であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程（ａ）の水性媒体に、結合した酸のｐＫaが少なくとも１０である強塩基を追加的に含ませ、当量で表わしたその量を前記チオラート（Ｒ−Ｓ−Ｍ）の量の少なくとも５％にすることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記の追加の強塩基の量が前記チオラート（Ｒ−Ｓ−Ｍ）の量のせいぜい１倍に等しい量であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記アルキルが第３級アルキル又はベンジル性状のアルアルキルであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
工程（ａ）において［用いた場合の極性溶媒のモル数で表わした量］対［硫化物及び用いた場合の塩基の共カチオンの当量で表わした合計量］の比をせいぜい１にすることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記電子求引性基がフッ素及びＲｆ基から選択され、ここで、用語「Ｒｆ」とは、次式の基：
ＥＷＧ'−(ＣＸ2)p−
｛ここで、Ｘ基は同一であっても異なっていてもよく、塩素、フッ素又は式ＣnＦ2n+1の基を表わし、ここで、ｎはせいぜい５整数であり、但し、Ｘ基の少なくとも１つはフッ素であるものとし；
ｐはせいぜい２の整数を表わし；
ＥＷＧ'は電子求引性基（即ちσpが０より大きいもの）を表わし、その随意としての官能基は反応条件下で不活性なものである｝
を意味するものとすることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
Ｒｆの総炭素数が１〜１５の範囲であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記電子求引性基がフッ素であり且つ該化合物がＲ−２２であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
［モルで表わした水の量］対［当量で表わしたカチオンの量］の比を少なくとも４にすることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記カチオンが一価のものであることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記カチオンがホスホニウム、第４級アンモニウム及びアルカリ金属から選択されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（ｂ）を、酸ハロゲン化物を得ることが望まれる場合には反応混合物中に溶解した解離塩の存在下で又はｐＨを４〜９の範囲に保つことによって実施し、そして酸を得ることが望まれる場合には塩含量が少ない強酸媒体中で実施することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
温度を少なくとも８０℃にすることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
ハロゲン化物Ｒ−Ξをアルキル硫化物を再生成させるために用いることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
水混和性極性有機溶媒に対する制限はまた、［用いた場合の混和性極性溶媒のモルで表わした量］対［硫化物及び随意としての塩基の共カチオンの当量で表わした合計量］のモル比が有利にはせいぜい１、好ましくはせいぜい１／２、より一層好ましくはせいぜい１／１０にすると示すことによって表わすこともできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この工程の反応は、次のように書くことができる：
【化２】
2005531626.tif 000001
（ここで、Ｘ基は同一であっても異なっていてもよく、塩素、フッ素又は式ＣnＦ2n+1の基を表わす。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
実施した各種試験を以下の表にまとめる。
【表１】
2005531626.tif 000002
ＴＣＢ＝１，２，４−トリクロロベンゼン
ＢＴ＝ベンジルチオール、即ちベンジルメルカプタン
ＢＤＦＳ＝ベンジルジフルオロメチルスルフィド
ＰＴＣ＝相間移動触媒（＝相間移動剤）
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月15日(2006.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本態性高血圧、肺高血圧、二次性高血圧、孤立収縮期高血圧、アテローム性硬化症高血圧及び腎血管性高血圧を含む高血圧、うっ血性心不全、アンギナ、及び発作の緩和、治癒又は予防的処置のための医薬であって、５−[２−エトキシ−５−（４−メチル−１−ピペラジニルスルホニル）フェニル］−１−メチル−３−ｎ−プロピル−１，６−ジヒドロ−７Ｈ−ピラゾロ［４，３−ｄ］ピリミジン−７−オン（シルデナフィル）又は医薬として許容されるその塩と、オルメサルタン（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ）、オルメサルタン・メドクソミル（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ  ｍｅｄｏｘｏｍｉｌ）及び医薬として許容されるそれらの塩から成る群から選ばれるアンギオテンシンII受容体アンタゴニストとの、組み合せを含む前記医薬。
【請求項２】
前記シルデナフィルがクエン酸シルデナフィルである、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
高血圧の治療用である、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
５−［２−エトキシ−５−（４−メチル−１−ピペラジニルスルホニル）フェニル］−１−メチル−３−ｎ−プロピル−１，６−ジヒドロ−７Ｈ−ピラゾロ［４，３−ｄ］ピリミジン−７−オン（シルデナフィル）又は医薬として許容されるその塩、並びにオルメサルタン（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ）、オルメサルタン・メドクソミル（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ  ｍｅｄｏｘｏｍｉｌ）、及び医薬として許容されるそれらの塩から成る群から選ばれるアンギオテンシンII受容体アンタゴニストを含む医薬組成物。
【請求項５】
５−［２−エトキシ−５−（４−メチル−１−ピペラジニルスルホニル）フェニル］−１−メチル−３−ｎ−プロピル−１，６−ジヒドロ−７Ｈ−ピラゾロ［４，３−ｄ］ピリミジン−７−オン（シルデナフィル）又は医薬として許容されるその塩、並びにオルメサルタン（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ）、オルメサルタン・メドクソミル（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ  ｍｅｄｏｘｏｍｉｌ）、及び医薬として許容されるそれらの塩から成る群から選ばれるアンギオテンシンII受容体アンタゴニストを含む、高血圧の治療用の、同時、分割又は逐次投与される併合医薬。
【請求項６】
ａ）５−［２−エトキシ−５−（４−メチル−１−ピペラジニルスルホニル）フェニル］−１−メチル−３−ｎ−プロピル−１，６−ジヒドロ−７Ｈ−ピラゾロ［４，３−ｄ］ピリミジン−７−オン（シルデナフィル）を含む第１医薬組成物；ｂ）オルメサルタン（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ）、オルメサルタン・メドクソミル（ｏｌｍｅｓａｒｔａｎ  ｍｅｄｏｘｏｍｉｌ）、又は医薬として許容されるその塩を含む第２医薬組成物；及びｃ）上記医薬組成物のための容器を含む、高血圧治療用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月30日(2006.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性ホウ素フリーの洗剤組成物であって、酵素、安定化量の有機水-混和性溶媒を含み、5〜60%の水を含み、前記組成物の残部の少なくとも70%が、水溶性イオン性塩を含むことを特徴とする洗剤組成物。
【請求項２】
前記酵素が、ゲル中の水溶性粒子内に少なくとも部分的にカプセル化され、前記粒子が、水溶性カプセル化剤を含み、前記粒子が、１cm/月未満のゲル中移行速度を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記粒子の移行速度が、0.7cm/月未満である請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記粒子の移行速度が、0.4cm/月未満である請求項２又は３に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、4000mPasより大きい粘性を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
6000mPasより大きい粘性を有する請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
10000mPasより大きい粘性を有する請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記ゲルが、増粘剤を含む請求項２〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記増粘剤が、ポリアクリル酸である請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、1.1g/cm3より大きい密度を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
1.2g/cm3より大きい密度を有する請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
1.4g/cm3より大きい密度を有する請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物の非水性部分が、少なくとも80%の塩含有量を有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物の非水性部分が、少なくとも90%の塩含有量を有する請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記塩が、ホスフェート、サルフェート、カルボキシレート又はヒドロキシカルボキシレートである請求項１３又は１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記塩が、クエン酸塩である請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
0.05〜5%の酵素を含む請求項１〜１６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
前記組成物が、複数の酵素を有する請求項１〜１７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１９】
前記粒子が、ゲル酵素対粒子酵素の比が5:1〜20:1になるように酵素を含む請求項２〜１８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２０】
前記酵素が、プロテアーゼ及び/又はアミラーゼである請求項１〜１８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２１】
酵素安定化助剤が、ゲル中に0.05〜20%（組成物全体に基づく割合として）の量で存在する請求項２〜２０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２２】
前記安定化助剤が、水-混和性有機溶媒である請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記水混和性有機溶媒が、プロピレングリコールである請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】
前記安定化助剤が、可溶性カルシウム塩である請求項２１に記載の組成物。
【請求項２５】
前記粒子が、前記粒子質量の40〜70%の量の安定化助剤を含む請求項２〜２４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２６】
前記安定化助剤が、糖及び/又はでんぷんである請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
前記ゲル及び前記粒子が、0.9g/cm3以下の密度差を有する請求項２〜２６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２８】
前記粒子が、密度助剤を含む請求項２７に記載の組成物。
【請求項２９】
前記粒子が、染料/顔料を含む請求項２〜２８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３０】
80%を超える粒子が、50〜1000マイクロメートルの粒径を有する請求項２〜２９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３１】
前記粒子が、200〜800マイクロメートルの粒径を有する請求項３０に記載の組成物。
【請求項３２】
前記粒子が、400〜700マイクロメートルの粒径を有する請求項３０に記載の組成物。
【請求項３３】
食器洗い及び/又は洗濯用途で用いられる請求項１〜３２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３４】
食器洗い及び/又は洗濯方法であって、請求項１〜３３のいずれか１項に記載の洗剤組成物の使用を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月16日(2006.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意にその酸添加塩の形であってもよい下式（I）のトロペノールの製造方法であって、
【化１】
2005531601.tif 000001
任意にその酸添加塩の形並びに任意にその水和物の形であってもよい下式（II）の化合物
【化２】
2005531601.tif 000002
（式中、Rは、C1-C4-アルキル、C2-C6-アルケニル及びC1-C4-アルキレン-フェニルから選択された基を意味し、その各々はヒドロキシまたはC1-C4-アルコキシで置換されていてもよい。）
を、適当な溶媒中で下式（III）のホルムアミド-アセタール
【化３】
2005531601.tif 000003
（式中、R'は、C1-C4-アルキルを意味し、R''は、C1-C4-アルキル及びC1-C4-アルキレン-フェニルから選択された基を意味する。）
と反応させて、下式（IV）の化合物
【化４】
2005531601.tif 000004
（式中、R、R'及びR''は前述の意味を有する。）
を取得し、次いでこれを脱カルボキシル化することにより下式（V）のエステル
【化５】
2005531601.tif 000005
（式中、Rは前述の意味を有する。）
に変換し、最後にこのエステルを鹸化して、式（I）の化合物（任意に適当な酸と反応させることにより酸添加塩に変換させてもよい）を取得することを特徴とする前記方法。
【請求項２】
任意にその酸添加塩の形並びに任意にその水和物の形であってもよい、RがC1-C4-アルキルまたはC2-C4-アルケニルを意味する式（II）の化合物を出発物質として使用し、使用する式（III）のホルムアミド-アセタールにおいて基R'がメチルまたはエチルを表し、基R''がメチル、エチルまたはプロピルを表す請求項１記載の方法。
【請求項３】
任意にその酸添加塩の形並びに任意にその水和物の形であってもよい、Rが1-プロペニル、2-プロペニル、1-ブテン-1-イル、1-ブテン-2-イル、1-ブテン-3-イル、1-ブテン-4-イル、2-ブテン-1-イルまたは2-ブテン-2-イルを意味する式（II）の化合物を出発物質として使用し、使用する式（III）のホルムアミド-アセタールにおいて基R'及びR''がメチルまたはエチルを表す請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
治療的に活性な化合物を調製するための出発物質としての、任意にその酸添加塩の形並びに任意にその水和物の形であってもよい下式（II）の化合物の使用。
【化６】
2005531601.tif 000006
（式中、Rは請求項１乃至３記載の意味を有する。）
【請求項５】
前記治療的に活性な化合物が臭化チオトロピウム、臭化イプラトロピウムまたはBEA2108である請求項４記載の使用。