Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
麻酔医以外によって、医療および／または外科処置中に、全身麻酔下になく、鎮静を必要としている患者を鎮静させるために用いるケアシステムであって、
前記処置中に或る投薬量の鎮静剤を前記患者にデリバリするドラックデリバリコントローラと、
前記処置中に患者に結合されるようになっており、かつ前記患者の少なくとも１つの監視された生理学的状態の測定値を反映する信号を発生する患者健康モニタと、
この患者健康モニタおよび前記ドラックデリバリコントローラに動作可能に接続され、かつ前記監視された生理学的状態の前記測定値のパラメータにアクセス可能なプロセッサであって、前記信号を受け取り、前記信号を前記パラメータと比較し、かつ、前記信号が前記パラメータの安全範囲外にある場合、ドラッグデリバリを控えめに管理させるコマンドを前記ドラックデリバリコントローラに送るプロセッサと、
前記ドラックデリバリコントローラが薬物導管と協働して前記投薬量の鎮静剤をもたらすように、前記ドラックデリバリコントローラと取り外し可能に相互接続されるカセットであって、薬物容器を支持するようになっているカセットと
を備えるケアシステム。
【請求項２】
前記プロセッサは、前記処置中に前記信号を受け取り、前記比較によって、所望の範囲外にある患者状態エピソードのいかなる発生または発生の可能性も特定し、必要であれば、前記エピソードを治療するために前記供給量を変更することを特徴とする、請求項１に記載のケアシステム。
【請求項３】
前記患者に結合され、かつ前記患者の第２の生理学的状態の第２の測定値を反映する第２の信号を発生するようになっている第２の健康モニタをさらに備え、
前記プロセッサはさらに、前記第２の生理学的状態の前記第２の測定値の第２の値を示す第２のパラメータにアクセス可能であり、
前記プロセッサは前記第２の信号を受け取り、この受け取った第２の信号に反映される前記第２の測定値を前記第２のパラメータと比較し、かつ、前記処置中に安全な鎮静を維持するために、必要に応じて前記信号および前記第２の信号に応じて前記投与量を変更するように動作する、請求項１または２に記載のケアシステム。
【請求項４】
前記処置中の患者の状態に関する記録を作成する記録手段をさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項５】
前記処置を行う人が前記鎮静剤のデリバリを手動で変更することを可能にする手動入力機構をさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項６】
前記信号が前記処置中の安全な患者鎮静と相関する前記値外にあると判定された場合に発せられる、少なくとも１つのアラームをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項７】
前記ケアシステムの少なくとも１つの動作条件の状態を反映する信号を発生し、かつ前記プロセッサに動作可能に接続される、少なくとも１つのシステム状態モニタをさらに備え、
前記プロセッサは、前記ケアシステムの１つまたは複数の動作条件を示すパラメータにアクセスする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項８】
前記カセットは、このカセットに注入剤容器を固定するための注入剤容器ホルダをさらに備えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項９】
前記注入剤容器はバイアルであることを特徴とする、請求項８に記載のケアシステム。
【請求項１０】
前記注入剤容器ホルダは、前記注入剤容器が注入剤流作動デバイスと接触するように直立して位置合わせされると、前記注入剤容器を持ち上げることを特徴とする、請求項８または９に記載のケアシステム。
【請求項１１】
前記注入剤容器ホルダは、前記ドラックデリバリコントローラが前記投薬量の鎮静剤をデリバリしている間に前記注入剤容器が外れることを防ぐことを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一０項に記載のケアシステム。
【請求項１２】
注入剤容器内の鎮静剤の容量を追跡する容量追跡装置をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のケアシステム。
【請求項１３】
患者に少なくとも１つの薬物を投与するポンプ機構を含む静脈注入装置とともに用いるカセットであって、前記静脈装置に取り外し可能に取り付けることができ、
薬物流動用内腔を有する薬物流作動デバイスであって、前記少なくとも１つの薬物が薬物容器から前記薬物流動用内腔に流れることができる、薬物流作動デバイスと、
ドラッグデリバリ導管であって、前記少なくとも１つの薬物が前記薬物流動用内腔から前記ドラッグデリバリ導管に流れることができるように、前記薬物流動用内腔に取り付けられ、前記ドラッグデリバリ導管の一部は、前記ポンプ機構が前記ドラッグデリバリ導管と協働して前記少なくとも１つの薬物の流れをもたらすように位置付けられる、ドラッグデリバリ導管と
を備えるカセット。
【請求項１４】
前記静脈注入装置は、少なくとも１つの監視された患者の生理学的状態に応じて、前記少なくとも１つの薬物をデリバリする、請求項１３に記載のカセット。
【請求項１５】
前記カセットは使い捨て可能である、請求項１または１４に記載のカセット。
【請求項１６】
前記薬物流作動デバイスはスパイクを備える、請求項１４または１５に記載のカセット。
【請求項１７】
前記スパイクは使い捨て可能である、請求項１６に記載のカセット。
【請求項１８】
前記スパイクは射出成形プラスチックから成る、請求項１６または１７に記載のカセット。
【請求項１９】
前記スパイクは、逆さにした前記薬物容器の再封可能なストッパを貫通するように直立して位置合わせされる、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のカセット。
【請求項２０】
前記スパイクは、前記薬物が流出する際に通ることができる開口を前記薬物容器に形成する孔をさらに備える、請求項１９に記載のカセット。
【請求項２１】
前記スパイクは、大気が前記薬物容器に入る際に通ることができる孔をさらに備える、請求項１６〜２０のいずれか一項に記載のカセット。
【請求項２２】
前記スパイクは、前記システムをパージする必要なく、前記薬物容器の取り外しおよび別の薬物容器との置き換えを可能にする、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載のカセット。
【請求項２３】
前記薬物容器を前記ポンプ機構に対して一定の高さに支持する手段をさらに備える、請求項１６〜２２のいずれか一項に記載のカセット。
【請求項２４】
大気が前記薬物容器に導入される際に通る空気流動用内腔と、この空気流動用内腔に取り付けられる一方向または圧力リリーフ弁とをさらに備える、請求項１６〜２３のいずれか一項に記載のカセット。
【請求項２５】
前記大気が流れる空気フィルタをさらに備える、請求項２４に記載のカセット。
【請求項２６】
少なくとも１つの漏れ防止デバイスをさらに備える、請求項２４または２５に記載のカセット。
【請求項２７】
前記漏れ防止デバイスは疎水性フィルタを含む、請求項２６に記載のカセット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
少なくとも１つの非直角な長手方向縁部または横断方向縁部（１３；１４）が面取りされた縁部であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３６】
少なくとも１つの端壁（７；８）が、外向きに突出する少なくとも１つの半面部分を有すると共に、対応する鋭い横断方向縁部（１４）に沿い少なくとも１つの隣接する側壁（９；１０；１１）に接続されて該隣接する側壁（９；１０；１１）と共におおむね鈍角の二面角をそれぞれ形成し、それにより対応する横断方向縁部（１４）が非直角となることを特徴とする請求項２４から３２のいずれか１項に記載のカートン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハニカム構造体を押出成形するための装置において、
ａ） 供給口を備える流入面及び排出口を備える流出面を有するハニカム押出ダイであって、前記排出口が、押出軸に沿って前記ダイを流過する可塑性材料の連続流から押出成形ハニカム品を形成するための形につくられているハニカム押出成形ダイ、及び
ｂ） 前記押出ダイの前記流入面に隣接して配置された弓反りデフレクターデバイス、
を組み合わせて備え、前記デフレクターデバイスが、
ｉ） それを通して前記可塑性材料が前記ダイに運ばれる、前記押出軸に平行な方向に合せられた直径が調節可能なアパーチャを備える基台プレート、及び
ii） 前記基台プレートに移動可能なように搭載されたスライドプレート、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記基台が、必要な弓反り補正の度合いに依存して前記スライドプレートを移動させることができる各位置に対応する複数の設定ポイントをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記デフレクターデバイスの前記スライドプレートが、弓反りの方向を制御するために、前記ダイから流出する前記押出成形ハニカム品の弓反りとは逆の方向に配置されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
押出成形可能な材料からハニカム構造体を成形するための方法において、
ａ） 可塑化バッチ押出成形材料を提供する工程、
ｂ） 押出軸に平行な方向に合せられたアパーチャを備える基台プレート及び移動可能なように前記基台プレートに搭載されたスライドプレートを有するデフレクターデバイスであって、前記押出成形材料の連続供給流にかけて流速勾配または圧力降下勾配を与えるために、前記デフレクターデバイスの長さにわたって調節可能に変化する流れ抵抗を有するデフレクターデバイスを通る押出経路に沿って、前記押出成形材料の連続供給流を導く工程、及び
ｃ） 前記流速勾配または圧力降下勾配が重畳された前記連続供給流をハニカム押出ダイを通して導く工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記アパーチャの直径が可変であり、前記デフレクターデバイスにわたる前記変化する流れ抵抗が前記アパーチャの前記変化により生じることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のデフレクターデバイスの好ましい実施形態が簡略に図１（平面図）及び２（側面図）に示される。いずれの図においても、デフレクターデバイス１０は、基台１２及び移動可能なように基台１２に搭載されたスライドプレート１４を備える。スライドプレート１４の移動を達成するため、スライドプレート１４上のスロット１８と鏡映の一対の細長いスロット１６が基台１２に設けられている。ボルト２０によりスライドプレート１４が基台１２に取り付けられ、ピン２１がスライドプレート１４の移動を誘導する。可塑化バッチすなわち押出成形材料が基台１２のアパーチャ２４を流過する。アパーチャ２４は、基台１２に対して図１に示される矢印の方向に移動するスライドプレート１４により制御することが可能な、可変または調節可能な直径を有する。図示される設計における弓反り補正融通性の度合いはアパーチャ２４により規定される。アパーチャの直径に依存して、デフレクターデバイスは長さにかけて変化する流れ抵抗を提供し、流れ抵抗は弓反りの度合いを補正する連続供給流の面内で与えられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005503280.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005503280.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持構造体と、
第１の取付け面を有し、前記支持構造体に取付けられる超音波ホーンと、
前記超音波ホーンから離隔され、第１の受け面を有するアンビルと、
前記第１の取付け面を前記第１の受け面に支持可能に連結する第１の受けアセンブリであって、前記超音波ホーンと前記アンビルとの一方に対して他方が回転する間に、該超音波ホーンと該アンビルとの間に最小固定間隙を調節可能に形成する第１の受けアセンブリと、
を具備することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第１の受けアセンブリが、
前記第１の取付け面に取着される分離装置と、
前記分離装置に対して同軸に配置される環状ホーン軸受と、
前記第１の取付け面および前記第１の受け面のうちの一方の近くに配置される従動面を有し、該従動面が該第１の取付け面および該第１の受け面のうちの一方と係合可能であるカム従動子軸受と、
前記環状ホーン軸受と前記カム従動子軸受とを支持可能に連結する偏心シャフトと、
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
回転型超音波溶接ホーンの取付け方法であって、
溶接面および第１の取付け面を有する前記超音波ホーンを支持構造体に取着することと、
プレス面および第１の受け面を有するアンビルを、該プレス面が前記溶接面に隣接するように配置することと、
前記溶接面および前記プレス面を互いの方向へ付勢することと、
連結構造体により前記第１の受け面を前記第１の取付け面に連結し、前記プレス面と前記溶接面とが接触しないようにして、予め定めた離隔距離を形成することと、
を含む回転型超音波溶接ホーンの取付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
電気加熱エレメントの接続部が、マイクロコンポーネントの側縁の領域に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロコンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
好適な実施形態においては、電子スイッチ装置３２は制御信号線３４により制御される電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。他の実施形態においては他の好適な電気的又は電磁的スイッチ構成、接合型トランジスタ、リレーその他をスイッチ装置３２として採用しうる。制御信号線３４上に制御信号を印加することにより、スイッチデバイス３２は閉じて、キャパシタをコイルに接続する。これにより、キャパシタが放電してコイルに電流が流れる。スイッチ３２の動作用の制御信号は、例えば予めプログラムされている制御速度若しくはスケジュールに従い、又はセンサ、タイマ、マニュアルオペレータその他の好適な手段からの動作信号に応じて、制御信号線に印加される。図３における一般的表現においては、制御信号は制御信号線３４に対して制御信号回路３６により選択的に印加される。これにより、制御信号回路３６はスイッチデバイス３２を選択的に開閉制御し、これを通じてキャパシタ２８をコイル２４に接続／切断する。制御信号回路は、ここで述べた如く機能する制御信号を提供するよう構成された専用のプロセッサ、プログラマブルプロセッサ、論理回路等のハードウエア、ファームウエア又はそれらの組合せにより構成できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005503096.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005503096.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005503096.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005503096.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005503096.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とともに使用するための圧力チャンバアセンブリであって、
ａ）圧力チャンバを規定する容器と、
ｂ）１）前記圧力チャンバ内に配置され、前記基板を支持するように適合された前面を    含む基板ホルダと、
２）二次チャンバを規定するハウジングと、
３）前記基板ホルダの前面と二次チャンバとの間を流体連通するとともに、前記基    板が前記基板ホルダの前面上に載置されると、前記基板によって覆われるように適合    された少なくとも１つの接続通路と
を含む基板ホルダアセンブリと、
ｃ）前記二次チャンバと流体連通するように接続された受動型低圧源と
を含む圧力チャンバアセンブリ。
【請求項２】
前記二次チャンバから前記受動型低圧源への流体の漏出を制御するように適合された流量制限器を含む請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項３】
前記流量制限器が制限的なオリフィスを含む請求項２の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項４】
前記流量制限器がニードル弁を含む請求項２の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項５】
前記基板ホルダアセンブリが、前記圧力チャンバと前記二次チャンバとの間を流体連通させる制限的な通路をさらに含む請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項６】
前記基板ホルダに接続された駆動シャフトと、
前記駆動シャフトと前記容器との間に挿間されたシール部材と
を含み、前記制限的な通路が、前記駆動シャフトと前記シール部材との間で規定される請求項５の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項７】
前記シール部材が非接触シールである請求項６の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項８】
前記受動型低圧源が、少なくとも周囲圧力にある空間への出口である請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項９】
前記受動型低圧源が周囲空気への出口である請求項８の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１０】
前記受動型低圧源が貯蔵タンクへの出口である請求項８の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１１】
補助的な低圧源を含む請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１２】
前記補助的な低圧源が真空ポンプを含む請求項１１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１３】
前記二次チャンバと前記受動型低圧源との間に弁を含む請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１４】
前記基板ホルダの前面に形成され、かつ前記接続通路と流体連通する少なくとも１つのチャネルを含む請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１５】
前記基板ホルダに接続された駆動シャフトを含み、前記接続通路が前記駆動シャフト内に延在する請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１６】
前記二次チャンバの圧力が少なくとも大気圧である請求項１の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１７】
基板とともに使用するための圧力チャンバアセンブリであって、
ａ）圧力チャンバを規定する容器と、
ｂ）１）前記圧力チャンバ内に配置され、前記基板を支持するように適合された前面を    含む基板ホルダと、
２）二次チャンバを規定するハウジングと、
３）前記圧力チャンバと前記二次チャンバとの間を流体連通する制限的通路と、
４）前記基板ホルダの前面と前記二次チャンバとの間を流体連通するとともに、前    記基板が前記基板ホルダの前面上に載置されると、前記基板によって覆われるように    適合された少なくとも１つの接続通路と
を含む基板ホルダアセンブリと、
ｃ）前記二次チャンバと流体連通するように接続された低圧源と
を含む圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１８】
前記基板ホルダに接続された駆動シャフトと、
前記駆動シャフトと前記容器との間に挿間されたシール部材と
を含み、前記制限的通路が、前記駆動シャフトと前記シール部材との間で規定される請求項１７の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項１９】
前記シール部材が非接触シールである請求項１８の圧力チャンバアセンブリ。
【請求項２０】
圧力チャンバ内の基板ホルダに基板を保持する方法であって、
ａ）前記圧力チャンバに第１の圧力を提供するステップと、
ｂ）１）前記圧力チャンバ内に配置され、前記基板を支持するように適合された前面を    含む基板ホルダと、
２）二次チャンバを規定するハウジングと、
３）前記基板ホルダの前面と前記二次チャンバとの間を流体連通させる少なくとも    １つの接続通路と
を含む基板ホルダアセンブリを提供するステップと、
ｃ）前記基板が前記接続通路を覆うように、前記基板ホルダ上に前記基板を載置するステップと、
ｄ）受動型低圧源を用いて、前記第１の圧力より低い第２の圧力を前記二次チャンバに提供するステップと
を含む方法。
【請求項２１】
前記二次チャンバから前記受動型低圧源への流体の漏出を制限することを含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記基板ホルダアセンブリが、前記圧力チャンバと前記二次チャンバとの間を流体連通する制限的通路を含む請求項２０の方法。
【請求項２３】
第２の圧力を提供する前記ステップが、前記二次チャンバを少なくとも周囲圧力にある空間と流体連通するように配置することを含む請求項２０の方法。
【請求項２４】
第２の圧力を提供する前記ステップが、前記二次チャンバを、貯蔵タンクと流体連通するように配置することを含む請求項２０の方法。
【請求項２５】
前記二次チャンバと流体連通する真空ポンプを動作するステップをさらに含む請求項２０の方法。
【請求項２６】
前記圧力チャンバに対して前記基板ホルダおよび前記基板を回転させることをさらに含む請求項２０の方法。
【請求項２７】
前記ハウジングに対して前記基板ホルダおよび前記基板を回転させることをさらに含む請求項２６の方法。
【請求項２８】
圧力チャンバ内の基板ホルダに基板を保持する方法であって、
ａ）前記圧力チャンバに第１の圧力を提供するステップと、
ｂ）１）前記圧力チャンバ内に配置され、前記基板を支持するように適合された前面を    含む基板ホルダと、
２）二次チャンバを規定するハウジングと、
３）前記圧力チャンバと前記二次チャンバとの間を流体連通する制限的通路と、
４）前記基板ホルダの前面と前記二次チャンバとの間を流体連通する少なくとも１    つの接続通路と
を含む基板ホルダアセンブリを提供するステップと、
ｃ）前記基板が前記接続通路を覆うように、前記基板ホルダ上に前記基板を載置するステップと、
ｄ）前記第１の圧力より低い第２の圧力を前記二次チャンバに提供するステップと
を含む方法。
【請求項２９】
前記基板ホルダアセンブリが、
前記基板ホルダに接続された駆動シャフトと、
前記駆動シャフトと前記容器との間に挿間されたシール部材と
を含み、前記制限的通路が、前記駆動シャフトと前記シール部材との間で規定される請求項２８の方法。
【請求項３０】
前記シール部材が非接触シールである請求項２９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板と、該基板上に搭載された導電性トレースとを含んだアセンブリであって、該導電性トレースは該導電性トレースに沿って複数の導電性経路を提供するように複数の非整合ナノチューブを含んでいることを特徴とするアセンブリ。
【請求項２】ナノチューブは単一壁カーボンナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】ナノチューブは複数壁ナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項４】ナノチューブは異なる長さを有したものであることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項５】ナノチューブは製品の長さよりも短い長さを有したナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項６】基板と、該基板上に搭載された導電性トレースとを含んだアセンブリであって、該導電性トレースは該導電性トレースに沿って複数の導電性経路を提供するように他のナノチューブと接触状態の複数の非整合ナノチューブの電気ネットワークを含んでいることを特徴とするアセンブリ。
【請求項７】ナノチューブは単一壁カーボンナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項６記載のアセンブリ。
【請求項８】ナノチューブは複数壁ナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項６記載のアセンブリ。
【請求項９】ナノチューブは異なる長さを有したものであることを特徴とする請求項６記載のアセンブリ。
【請求項１０】ナノチューブはリボンの長さよりも短い長さを有したナノチューブを含んでいることを特徴とする請求項６記載のアセンブリ。
【請求項１１】基板と、所定形状の導電性トレースとを含んだアセンブリであって、該導電性トレースは前記基板上に提供されており、該導電性トレースは該導電性トレースに沿って複数の導電性経路を提供するように複数の非整合ナノチューブを含んでいることを特徴とするアセンブリ。
【請求項１２】基板と、少なくとも１つの金属電極と、所定形状の導電性トレースとを含んだアセンブリであって、該導電性トレースは前記基板上に提供されており、該導電性トレースは該導電性トレースに沿って複数の導電性経路を提供するように複数の非整合ナノチューブを含んでおり、前記金属電極は前記導電性トレースの少なくとも一部上に提供されており、該金属電極は金属被覆処理で形成されていることを特徴とするアセンブリ。
【請求項１３】大部分の表面を覆う非整合ナノチューブの不織布を有したウェハー基板構造体であって、該非整合ナノチューブは該ナノチューブの固有自己組立て特性に従ってアレンジされていることを特徴とするウェハー基板構造体。
【請求項１４】大部分の表面を覆う非整合ナノチューブの不織布を有したウェハー基板構造体であって、該不織布は実質的にナノチューブの単層であることを特徴とするウェハー基板構造体。
【請求項１５】大部分の表面を覆う非整合ナノチューブの不織布を有したウェハー基板構造体であって、該不織布は制御された密度のナノチューブを有していることを特徴とするウェハー基板構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
図形及び／又はテキストを含む最初の画像を撮影する画像手段と、前記撮影された画像を補正するための前記画像手段に結合された画像補正手段とを有する画像装置であって、前記画像手段はカメラ手段であり、前記画像補正手段は前記撮影された画像に対して画像サイジングを実行することによりパースペクティブ補正を実行するように構成されることを特徴とする画像装置。
【請求項２】
前記画像補正手段は更に、回転及び／又は揺れ補正を実行するように構成されることを特徴とする、請求項１に記載の画像装置。
【請求項３】
前記画像補正手段は、前記撮影された画像のそれぞれのエッジに沿って左及び／又は右へのエッジ整合を実行する整合手段として構成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の画像装置。
【請求項４】
前記画像補正手段は、画像短縮及び／又は画像伸長手段として、とりわけそれぞれ画像行及び／画像列の短縮及び伸長手段として構成されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像装置を備えた、電子手帳又は例えば電話、とりわけ携帯電話といった通信装置のようなデータ処理装置。
【請求項６】
画像行及び画像列を有する撮影された画像を処理する方法であって、
前記画像行を整合するステップと、
前記画像行をサイジングするステップと、
前記画像列を整合するステップと、
前記画像列をサイジングするステップと、
所望の処理された画像フォーマットを形成するため前記画像行及び画像列をサイジングするステップと、
のうちの１つ以上のステップを有することを特徴とする方法。
【請求項７】
前記サイジングは前記撮影された画像の伸長及び／又は短縮であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記画像行及び／又は前記画像列の伸長の量はそれぞれ、最初の及び最後の完全な前記画像行及び／又は前記画像列の長さ及び位置の一次関数であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１種の金属粉末から本質的になる金属粉末組成物（４）を、基材（３）上に堆積させる工程であって、前記基材が、紙、繊維材料、繊維状材料、不織布材料および織物材料からなる群から選択される工程と、
（ｂ）前記組成物を高密度化して、前記基材上に導電パターンを形成する工程とを含む、導電パターンを作製する方法。
【請求項２】
基材（３）上に導電パターンを含む回路素子を含む物品であって、前記導電パターンが、少なくとも１種の高密度化金属粉末（４）から本質的になり、前記基材が、紙、繊維材料、繊維状材料、不織布材料および織物材料からなる群から選択される、物品。
【請求項３】
紙、繊維材料、繊維状材料、不織布材料および織物材料からなる群から選択される前記基材が少なくとも２０％圧縮可能である、請求項２に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）フッ素を含むレーザガスを収容するレーザチャンバと、
Ｂ）少なくとも１２０億の高品質放電を生成するように放電領域を定める、離間して配置された２つの長寿命型の細長い電極手段と、
Ｃ）毎秒１０００パルスを超えるパルス繰返率で電気パルスを供給して前記放電を生成するパルス電力システムと、
Ｄ）毎秒１０００パルスを越えるパルス繰返率で作動する時に、次の後続の放電の前に、該放電によって生成される実質的に全てのデブリを除去するのに十分な速度で前記２つの電極間の前記レーザガスを循環させる送風システムと、
Ｅ）前記送風システム及び前記放電によって生成された熱を前記レーザガスから除去するのに十分な容量を有する熱交換器と、
を備えるガス放電レーザ。
【請求項２】
前記電極手段が、陰極と陽極を定める２つの長寿命型の細長い電極要素を含み、前記陰極及び陽極の各々が、前記電極要素間の前記放電幅を定めるように選択された所定幅を有する長く狭い放電領域を有し、前記陽極が、
ａ）第１の陽極侵食率を定め、２つの長い縁部を形成する前記放電領域において、前記陽極の長く狭い放電領域に配置された第１の陽極材料と、
ｂ）前記２つの長い縁部に沿い、前記陽極の長く狭い放電領域に隣接して該陽極の長く狭い放電領域の少なくとも２つの側部に配置された第２の陽極材料と、
を含み、前記第１及び第２の陽極材料が、第２の陽極侵食率が前記第１の陽極侵食率よりも少なくとも５０％高くなるように選択され、前記第２の陽極材料の高い侵食率が、前記放電の幅の相当な長期間にわたるどのような拡大をも防止することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】
前記第１の陽極材料が、フッ素含有ガス中で陰極からの放電に曝される場合に各々が多孔性絶縁層を生成することが知られている材料のグループから選択されることを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項４】
前記第１の陽極材料が、フッ素含有ガス中で陰極からの放電に曝される場合に各々が多孔性フッ化物層を生成することが知られている材料のグループから選択されることを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項５】
前記第１の陽極材料が多孔性絶縁層を含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項６】
前記陽極が、該陽極の中心線に沿って前記陽極の放電領域を形成する約３．５ｍｍの幅にわたる高い電界を生成し、前記陽極放電領域の両側で前記電界の急激な低下を有するように選択される断面を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項７】
前記電極要素の少なくとも１つが放電面を定め、該放電面の２つの側部に沿って縦方向に走る溝を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項８】
前記多孔性絶縁層が金属に埋め込まれた絶縁粒子からなることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項９】
レーザで使用する細長い電極を製造する方法であって、
ａ）１つ又はそれ以上の電気伝導材料からなり、少なくとも５０ｃｍの長さと少なくとも３ｃｍの幅を有する細長い電極構造を作る段階と、
ｂ）少なくとも３ｍｍの幅を有する放電領域を定めるように、前記細長い電極の一部分に多孔性絶縁層を生成する段階と、
を含む方法。
【請求項１０】
前記１つ又はそれ以上の電気伝導材料が１パーセントより多い鉛含有量を有する、鉛が豊富な黄銅を含み、前記多孔性電気絶縁層を作り出す段階が、前記鉛が豊富な黄銅上に多孔性絶縁層が蓄積されるのを可能にするようにフッ素含有レーザガス中で前記電極を作動させる段階を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記多孔性絶縁層を生成する前記段階が、前記細長い電極構造の放電領域に絶縁粒子を拡散させる段階を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記多孔性絶縁層を生成する前記段階が、
ａ）前記細長い電極において充填金属と前記絶縁粒子を含む放電区域を生成するために、溶融金属に絶縁粒子を混合する段階と、
ｂ）前記充填金属の一部分がスパッタリングして無くなり、前記放電領域を覆う多孔性絶縁層を残すことができるように、前記細長い電極をフッ素含有レーザガス環境で作動させる段階と、
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
多孔性絶縁層を生成する前記段階が、
ａ）前記放電面に複数の核形成点を生成する段階と、
ｂ）前記多孔性絶縁層が前記放電面上に成長するのを可能にするようにフッ素ガス含有レーザ中で前記電極を作動させる段階と、
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記陰極が、
ａ）第１の陰極侵食率を定め、２つの長い縁部を定める前記領域において、前記陰極の長く狭い放電領域に設置された第１の陰極材料と、
ｂ）第２の陰極侵食率を定め、前記２つの長い縁部に沿い、前記陰極の長く狭い放電領域に隣接して前記陰極の長く狭い放電領域の少なくとも２つの側部に配置された第２の陰極材料と、
を含み、前記第１及び第２の陰極材料が、前記第２の陰極侵食率が前記第１の陰極侵食率よりも少なくとも５０パーセント高くなるように選択されることにより、前記レーザ作動中に、前記第２の陰極材料の高い侵食率が、前記放電の相当な長期間にわたるどのような拡大をも防止することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１５】
前記電極手段が少なくとも１つのプラズマ電極を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１６】
前記電極手段が多孔性電極を含み、該多孔性電極の放電面に実質的にフッ素のないガス層を供給するために、前記多孔性電極を通る実質的にフッ素のないガス流を供給するガス供給手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１７】
前記電極手段が、少なくとも１つの電極を含み、該電極が電極方向を定める細長い部分を有し、前記電極方向から２０から４０度の範囲の角度で延びる端部分を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１８】
前記電極手段が、２つの電極を含み、各々が前記電極方向から２０から４０度の範囲の角度で延びる端部分を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１９】
前記電極手段が、絶縁体を有する陽極と、接地電位の細長い陰極とを備え、陽極が細長い絶縁体部分を有し、細長い導体部分が前記絶縁体部分の内側に配置され、前記パルス電力システムが、前記陽極の細長い導体部分に高電圧の正電気パルスを供給するように構成され、前記細長い絶縁体部分の表面上及び前記細長い陽極と前記細長い陰極間の放電にコロナプラズマを発生させることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２０】
前記細長い電極手段がタングステンを含み、前記レーザが更にＷＦ6ガスを閉じ込めるための冷却トラップを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２１】
前記電極手段が、前記電極の一部として機械加工された導体シムを含む少なくとも１つの電極を備え、前記電極が予備電離管に前記シムが接するように取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２２】
非円形断面を有する予備電離管を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２３】
少なくとも１つの端にノッチを有する予備電離管を更に備え、該管が回転するのを防ぐために前記ノッチに適合するタブを備えた固定接地棒を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート誘電体と有機半導体層との間に挟まれた自己組織化単分子層を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）であって、前記単分子層が、ゲート誘電体と前記自己組織化単分子層の前駆物質との間の反応生成物であり、前記前駆物質が、式：
Ｘ−Ｙ−Ｚn
を有する組成物を含み、
式中、ＸがＨまたはＣＨ3であり、
Ｙが、直鎖状または分枝状Ｃ5〜Ｃ50脂肪族または環状脂肪族結合基であるか、あるいは芳香族基とＣ3〜Ｃ44脂肪族または環状脂肪族結合基とを含む直鎖状または分枝状Ｃ8〜Ｃ50基であり、
Ｚが、−ＰＯ3Ｈ2、−ＯＰＯ3Ｈ2、ベンゾトリアゾリル（−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、カルボニルオキシベンゾトリアゾール（−ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、オキシベンゾトリアゾール（−Ｏ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、アミノベンゾトリアゾール（−ＮＨ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、−ＣＯＮＨＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＯＳＨ、−ＣＯＳｅＨ、−Ｃ5Ｈ4Ｎ、−ＳｅＨ、−ＳＯ3Ｈ、−ＮＣ、アミノ、およびホスフィニルから選択され、
ｎが１、２、または３である、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）。
【請求項２】
Ｙが、飽和脂肪族基、不飽和脂肪族基、飽和環状脂肪族基、および不飽和環状脂肪族基、またはそれらの組合せから選択され、各々が直鎖状または分枝状であってもよい、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記単分子層の前駆物質が、ＣＨ3−（ＣＨ2）m−ＰＯ3Ｈ2から選択された組成物を含み、ｍが４〜２１の整数である、請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記単分子層の前駆物質が、１−ホスホノヘキサン、１−ホスホノオクタン、１−ホスホノヘキサデカン、および１−ホスホノ−３，７，１１，１５−テトラメチルヘキサデカンから選択された組成物を含む、請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタを多数含む、集積回路。
【請求項６】
１−ホスホノ−３，７，１１，１５−テトラメチルヘキサデカンを含む組成物。
【請求項７】
有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
ａ）基板を提供する工程と、
ｂ）ゲート電極材料を前記基板上に提供する工程と、
ｃ）ゲート誘電体を前記ゲート電極材料上に提供する工程と、
ｄ）自己組織化単分子層を前記ゲート誘電体に隣接して提供する工程であって、前記単分子層が、ゲート誘電体と前記自己組織化単分子層の前駆物質との間の反応生成物であり、前記前駆物質が、式：
Ｘ−Ｙ−Ｚn
を有する組成物を含み、
式中、ＸがＨまたはＣＨ3であり、Ｙが、直鎖状または分枝状Ｃ5〜Ｃ50脂肪族または環状脂肪族結合基であるか、あるいは芳香族基とＣ3〜Ｃ44脂肪族または環状脂肪族結合基とを含む直鎖状または分枝状Ｃ8〜Ｃ50基であり、Ｚが、−ＰＯ3Ｈ2、−ＯＰＯ3Ｈ2、ベンゾトリアゾリル（−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、カルボニルオキシベンゾトリアゾール（−ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、オキシベンゾトリアゾール（−Ｏ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、アミノベンゾトリアゾール（−ＮＨ−Ｃ6Ｈ4Ｎ3）、−ＣＯＮＨＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＯＳＨ、−ＣＯＳｅＨ、−Ｃ5Ｈ4Ｎ、−ＳｅＨ、−ＳＯ3Ｈ、−ＮＣ、アミノ、およびホスフィニルから選択され、ｎが１、２、または３である、工程と、
ｅ）有機半導体層を前記単分子層に隣接して提供する工程と、
ｆ）ソース電極およびドレイン電極を前記有機半導体層に接触して提供する工程と、を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法によって製造された複数の薄膜トランジスタを含む、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月17日(2005.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
New York City Board of Health株のワクシニアウイルス、ACAM1000（ATCC寄託番号PTA-3321）、またはそれらの子孫ウイルスが培養された培養細胞から単離された弱毒化ワクシニアウイルスのクローン株であって、ヒトにおける痘瘡ウイルスに対する防御的なまたは治療的な免疫反応を誘導するのに有効な量でヒトに投与された場合、該ヒトにおいて許容可能に弱毒化される、弱毒化ワクシニアウイルスのクローン株。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ワクシニアウイルスがNew York City Board of Healthのワクシニアウイルス株と実質的に同じ毒性を有する、請求項1記載のワクシニアウイルスのクローン株。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
ワクシニアウイルスがNew York City Board of Healthのワクシニアウイルス株と実質的に同じ免疫原性を有する、請求項1記載のワクシニアウイルスのクローン株。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
細胞培養物に接種された場合、New York City Board of Healthのワクシニアウイルス株と実質的に同じ量のまたはそれより多い量のワクシニアウイルスが産出される、請求項1記載のワクシニアウイルスのクローン株。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
制限エンドヌクレアーゼで消化された場合、ワクシニアウイルスがNew York City Board of Healthのワクシニアウイルス株と実質的に同じ消化パターンを有する、請求項1記載のワクシニアウイルスのクローン株。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
薬学的組成物を患者に投与することによる、患者における痘瘡ウイルス感染の予防または治療における、請求項11記載の薬学的組成物の使用。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
ワクチンとして使用するために弱毒化ワクシニアウイルスのクローン株を得る方法であって、以下の段階を含む方法：
(i)細胞培養系においてNew York City Board of Healthのワクシニアウイルス株を増殖させる段階；および
(ii)New York City Board of Healthのワクシニアウイルス株またはワクシニアウイルス株ACAM1000（ATCC寄託番号PTA-3321）と、毒性、免疫原性、培養時の増殖の特徴、または制限エンドヌクレアーゼによる消化パターンが実質的に同じであるワクシニアウイルスのクローン株を、細胞培養系から単離する段階。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体内部に注入された物質の位置を決定するための方法であって、
第１映像機を使って、注入された物質を含む人体の一部の第１映像を得る工程と、
第２映像機を使って、人体の一部の複数の第２映像を得る工程と、
第１映像及び複数の第２映像に基づいて、人体内部に注入された物質の位置を決定する工程と、
から成る方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、注入された物質は、近接照射療法種から成る、ところの方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、第１映像機は超音波映像機から成り、第２映像機はＸ線透視映像機から成り、第１映像は超音波映像であり、第２映像はＸ線透視映像である、ところの方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、位置を決定する工程は、人体の一部に配置されたＭ個のマーカーに関連する３次元座標の連続Ｑ1、Ｑ2、….、ＱＭを、超音波映像から計算する工程から成る、ところの方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、位置を決定する工程は、さらに、
複数のＸ線透視映像の各々において、注入された物質に対する２次元座標の少なくとも一組を計算する工程と、
複数のＸ線透視映像の各々において、Ｍ個のマーカーに対する２次元座標のＭ組を計算する工程と、
を含む方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、位置を決定する工程は、さらに、
２次元座標の少なくとも一組を使って、注入された物質に対する３次元座標Ｒを決定する工程と、
２次元座標のＭ組を使って、Ｍ個のマーカーに関連する３次元座標の連続Ｐ1、Ｐ2、…、ＰＭを決定する工程と、
を含む方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、位置を決定する工程は、さらに、３次元座標Ｐiの連続の各々を、Ｍ個のマーカーの各々に対する3次元座標Ｑiの連続の各々と関連付ける工程であって、１＜i＜Ｍである、ところの工程を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、関連付けは行列Ｔ及びベクトルｔを決定することにより達成される、ところの方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、位置を決定する工程は、さらに、変換Ｓ＝ＴＲ+ｔにより、３次元座標Ｒを３次元座標Ｓへマッピングする工程を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、（Ｔ，ｔ）に対する最初の推定値は第1最適化問題を解くことにより見つけられる、ところの方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、（Ｔ，ｔ）に対する次の推定値は第２最適化問題を解くことにより見つけられ、ここでＩ(Ｘ)は超音波映像内のポイントＸのスカラー強度である、ところの方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、（Ｔ，ｔ）に対する次の推定値は局所的に最適化された解により見つけられる、ところの方法。
【請求項１３】
人体内部に注入された物質の位置を決定するための装置であって、
注入された物質を含む人体の一部の第１映像を得るための第1映像機と、
人体の一部の複数の第２映像を得るための第２映像機と、
第１映像及び複数の第２映像に基づいて、人体内部に注入された物質の位置を決定するためのプロセッサと、
から成る装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、第１映像機は超音波映像機から成り、第２映像機はＸ線透視映像機から成る、ところの装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の装置であって、さらに、プロセッサに接続され、人体内部に注入された物質の位置を示す、人体の一部の３次元映像を表示するよう設けられたモニターを含む装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の装置であって、さらに、ユーザーがプロセッサと相互に対話できるようにするよう、プロセッサに接続されたグラフィカル・ユーザー・インターフェースを含む装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載の装置であって、プロセッサは、人体の一部に配置されたＭ個のマーカーに関連する３次元座標の連続Ｑ1、Ｑ2、….、ＱＭを、超音波映像から計算するよう設けられている、ところの装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、プロセッサは、さらに、
複数のＸ線透視映像の各々において、注入された物質に対する２次元座標の少なくとも一組を計算し、かつ
複数のＸ線透視映像の各々において、Ｍ個のマーカーに対する２次元座標のＭ組を計算するよう設けられている、ところの装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、プロセッサは、さらに、
２次元座標の少なくとも一組を使って、注入された物質に対する３次元座標Ｒを決定し、かつ
２次元座標のＭ組を使って、Ｍ個のマーカーに関連する３次元座標の連続Ｐ1、Ｐ2、…、ＰＭを決定するよう設けられている、ところの装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、プロセッサは、さらに、３次元座標Ｐiの連続の各々を、Ｍ個のマーカー（ここで、１＜i＜Ｍ）の各々に対する3次元座標Ｑiの連続の各々と関連付けるよう設けられている、ところの装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の装置であって、プロセッサは、行列Ｔ及びベクトルｔを決定することにより、３次元座標Ｐiの連続の各々を、３次元座標Ｑiの連続の各々と関連付ける、ところの装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の装置であって、プロセッサは、さらに、変換Ｓ＝ＴＲ+ｔにより、３次元座標Ｒを３次元座標Ｓへマッピングするよう設けられている、ところの装置。
【請求項２３】
一組の格納された命令を有するコンピュータ装置であって、それを実行することにより、上記請求項１から１２のいずれかの方法が実施される、ところのコンピュータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記段階：（ａ）間葉細胞を用意する段階；（ｂ）滑液を用意する段階；（ｃ）細胞組成物を得るために、間葉細胞と滑液とを混合する段階を包含する、細胞組成物の製造方法。
【請求項２】
段階（ａ）で用意する間葉細胞を骨髄、脂肪組織、血液、海綿骨、軟骨又は他の間葉組織から単離する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
段階（ａ）で用意する間葉細胞が間葉前駆細胞である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
段階（ａ）で用意する間葉細胞が自己由来である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
段階（ａ）で用意する間葉細胞が異種である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
段階（ａ）で用意する間葉細胞を、細胞培養で培養する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
滑液を関節から得る、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
滑液が自己由来である、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
段階（ｂ）で用意する滑液を合成的に製造する、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
段階（ｂ）で用意する滑液を化学的、物理的又は生物学的に修飾する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
間葉前駆細胞が両能性又は多能性である、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
段階（ａ）で用意する間葉前駆細胞を、増殖因子及び／又は分化因子、サイトカイン、細胞外マトリックス成分又は走化性因子で処理する、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
段階（ａ）で用意する間葉前駆細胞を遺伝子工学によって修飾する、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物。
【請求項１５】
ヒト及び動物の関節欠陥の治療のために使用される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物。
【請求項１６】
関節窩中への注入のために使用される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物。
【請求項１７】
関節欠陥中への注入のために使用される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物。
【請求項１８】
関節欠陥の手術間治療のために使用される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物。
【請求項１９】
請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物の、間葉組織移植片のインビトロ培養のための使用。
【請求項２０】
間葉細胞及び滑液を包含する細胞組成物。
【請求項２１】
間葉細胞を骨髄、脂肪組織、血液、海綿骨、軟骨又は他の間葉組織から単離する、請求項２０記載の細胞組成物。
【請求項２２】
間葉細胞が間葉前駆細胞である、請求項２０又は２１に記載の細胞組成物。
【請求項２３】
間葉細胞が自己由来である、請求項２０〜２２のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２４】
間葉細胞が異種である、請求項２０〜２３のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２５】
間葉細胞を細胞培養で培養する、請求項２０〜２４のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２６】
滑液が関節から得られる、請求項２０〜２５のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２７】
滑液が自己由来である、請求項２０〜２６のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２８】
滑液が合成的に製造される、請求項２０〜２７のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項２９】
滑液が化学的、物理的又は生物学的に修飾される、請求項２０〜２８のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項３０】
間葉細胞が両能性又は多能性である、請求項２０〜２９のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項３１】
間葉細胞が、増殖因子及び／又は分化因子、サイトカイン、細胞外マトリックス成分又は走化性因子で処理される、請求項２０〜３０のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項３２】
間葉細胞が、遺伝子工学的に修飾される、請求項２０〜３１のいずれかに記載の細胞組成物。
【請求項３３】
請求項１〜１３のいずれかに記載の方法によって得られる細胞組成物をキャリヤー物質上で培養することによって得られる移植片。
【請求項３４】
下記段階：（ｉ）関節から滑液を抽出する、又は合成滑液を製造する段階、（ｉｉ）滑液と間葉細胞とを混合する段階、（ｉｉｉ）関節中へ（ｉｉ）からの混合物を注入する段階を包含する、動物の関節欠陥の治療方法。