(57)【要約】      （修正有）【課題】素子と基板間に比較的大径の光ファイバや電線を配置することが可能な光モジュール及び光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光モジュール１は、光ファイバ２と、光ファイバ２と光学的に結合される光電変換素子３と、光電変換素子３の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板５と、基板５の表面に形成され、光電変換素子３および半導体回路素子が実装される導体パターン６と、を備え、光電変換素子３と半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子が、積層された複数のバンプ１２ａ、１２ｂを介して導体パターン６に実装されている。【選択図】図１
2017058606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバと、
前記光ファイバと光学的に結合される光電変換素子と、
前記光電変換素子の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、
基板と、
前記基板の表面に形成され、前記光電変換素子および前記半導体回路素子が実装される導体パターンと、を備え、
前記光電変換素子と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子が、積層された複数のバンプを介して前記導体パターンに実装されている、
光モジュール。
【請求項２】
前記導体パターンは、前記複数のバンプを介して実装される前記素子の電極に電気的に接続される電極パターンと、前記光ファイバを両側から挟み込むように設けられ前記光ファイバの位置を規制する規制パターンと、を含み、
前記電極パターンの間隔が、前記規制パターンの間隔よりも狭い、
請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記複数のバンプを介して実装された前記素子と前記基板間の距離が、少なくとも１２５μｍ以上である、
請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記複数のバンプは、当該複数のバンプを介して実装される前記素子に設けられた素子側バンプと、前記導体パターンに設けられたパターン側バンプと、からなり、前記素子側バンプと前記パターン側バンプとを積層し接合して構成されている、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記光ファイバは、その先端が前記光電変換素子と前記基板との間に位置するように配置される、
請求項１乃至４の何れか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
光ファイバと、
前記光ファイバと光学的に結合される光電変換素子と、
前記光電変換素子の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、
基板と、
前記基板の表面に形成され、前記光電変換素子および前記半導体回路素子が実装される導体パターンと、
を備えた光モジュールの製造方法であって、
前記光電変換素子と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子に素子側バンプを設けると共に、
前記導体パターンにパターン側バンプを設け、
前記素子側バンプと前記パターン側バンプとを積層し接合することで、前記素子を、積層された複数のバンプを介して前記導体パターンに実装する、
光モジュールの製造方法。
【請求項７】
凸状の前記素子側バンプと、凸状の前記パターン側バンプとを積層し接合することで、積層された前記複数のバンプを形成する、
請求項６に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ケーブルを有する通信ケーブルのコネクタには、電気信号を光信号にまたは光信号を電気信号に変換する光モジュールが用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、光ファイバと、光ファイバと光学的に結合される光電変換素子と、光電変換素子の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板と、基板の表面に形成され、光電変換素子および半導体回路素子が実装される導体パターンと、を備えた光モジュールが開示されている。
【０００４】
特許文献１の光モジュールでは、光電変換素子や半導体回路素子は、金バンプ等のバンプを介して導体パターンにフリップチップ実装により実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−７６９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、光モジュールでは小型化が進み、実装密度が高密度化する傾向にある。このような実装密度の高密度化に伴い、フリップチップ実装される光電変換素子や半導体回路素子と基板との間の空間に、光ファイバや電線を配置したいという要求がある。
【０００７】
しかしながら、導体パターンはエッチングにより形成されるため、導体パターンを厚くすることには限界がある。特に、サイズが小さく電極間隔が狭い素子を用いる場合には、必然的にエッチングの幅（パターン間の溝の幅）が狭くなり、厚い導体パターンを形成することが困難になる。
【０００８】
また、素子をフリップチップ実装する際に用いるバンプを高くすることも考えられるが、素子に設けられたバンプを実装するための電極は小さく、バンプを高くすることには限界がある。
【０００９】
そのため、従来の光モジュールでは、電極間隔が狭い（例えば１２５μｍ）小型の素子を用いる場合、素子と基板間には細径（例えば外径８０μｍ程度）の光ファイバや電線しか配置できず、クラッド径１２５μｍの光ファイバを素子と基板間に配置することは困難であった。
【００１０】
光ファイバとしては、クラッド径１２５μｍのものが最も広く用いられており、コストメリットの観点から、クラッド径１２５μｍの光ファイバを素子と基板間に配置することが可能な構造が求められている。
【００１１】
そこで、本発明は、素子と基板間に比較的大径の光ファイバや電線を配置することが可能な光モジュール及び光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、光ファイバと、前記光ファイバと光学的に結合される光電変換素子と、前記光電変換素子の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板と、前記基板の表面に形成され、前記光電変換素子および前記半導体回路素子が実装される導体パターンと、を備え、前記光電変換素子と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子が、積層された複数のバンプを介して前記導体パターンに実装されている、光モジュールを提供する。
【００１３】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、光ファイバと、前記光ファイバと光学的に結合される光電変換素子と、前記光電変換素子の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板と、前記基板の表面に形成され、前記光電変換素子および前記半導体回路素子が実装される導体パターンと、を備えた光モジュールの製造方法であって、前記光電変換素子と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子に素子側バンプを設けると共に、前記導体パターンにパターン側バンプを設け、前記素子側バンプと前記パターン側バンプとを積層し接合することで、前記素子を、積層された複数のバンプを介して前記導体パターンに実装する、光モジュールの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、素子と基板間に比較的大径の光ファイバや電線を配置することが可能な光モジュール及び光モジュールの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、光モジュールの製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【００１８】
図１に示すように、光モジュール１は、光ファイバ２と、光電変換素子３と、半導体回路素子（不図示）と、基板５と、導体パターン６と、を備えている。
【００１９】
光ファイバ２としては、シングルモード光ファイバ、マルチモード光ファイバのどちらも用いることができ、またガラス製と樹脂製のどちらも用いることができる。光ファイバ２は、図示しないコアの周囲にクラッド２ａと被覆２ｂを順次形成して構成される。光ファイバ２の先端部では、被覆２ｂが除去され、クラッド２ａが露出された状態となっている。ここでは、光ファイバ２として、クラッド径１２５μｍのグレーデッドインデックス（ＧＩ）ファイバを用いた。被覆２ｂが除去された光ファイバ２の先端部の直径は、クラッド径と等しい１２５μｍとなる。
【００２０】
光電変換素子３は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）等の面発光素子や、ＰＤ（Photo Diode）等の面受光素子からなり、光ファイバ２と光学的に結合される。ここでは、光電変換素子３がＶＣＳＥＬである場合を説明する。なお、図１（ａ）では、光電変換素子３を透視した平面図を示しており、光電変換素子３を破線で示している。
【００２１】
光電変換素子３の下面（基板５側の面）には、アノード電極３ａと、カソード電極３ｂと、発光部３ｃと、が形成されている。ここでは、両電極３ａ，３ｂが直径５０μｍの円形状に形成され、両電極３ａ，３ｂの中心同士の距離Ｄ３が１２５μｍの光電変換素子３を用いた。
【００２２】
半導体回路素子は、光電変換素子３の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む。また、半導体回路素子は、例えばシリアライザ・デシリアライザ等の他の回路素子を含んでもよい。図１では図示を省略しているが、光モジュール１では、少なくとも、光電変換素子３であるＶＣＳＥＬを駆動するドライバＩＣが、半導体回路素子として搭載されることになる。半導体回路素子は、後述する電極パターン７を介して、光電変換素子３と電気的に接続されることになる。
【００２３】
基板５は、例えばポリイミド樹脂からなる。基板５の表面には、導体パターン６が形成されている。
【００２４】
導体パターン６は、光電変換素子３および半導体回路素子が実装されるものであり、例えば銅層上にニッケル層と金層とをめっきしたものからなる。光電変換素子３および半導体回路素子は、バンプ１２を用いたフリップチップ実装により導体パターン６に実装される。なお、本実施の形態では、光電変換素子３と基板５との間に光ファイバ２を配置する構成であるため、半導体回路素子は導体パターン６にワイヤーボンディングによって接続されてもよい。
【００２５】
導体パターン６は、基板５上に銅層を積層した後、エッチングによりパターン化を行い、その後ニッケル層と金層を銅層上にめっきすることにより形成される。
【００２６】
導体パターン６は、光電変換素子３の電極３ａ，３ｂと電気的に接続される電極パターン７と、光ファイバ２の位置を規制するための規制パターン８と、を含んでいる。
【００２７】
電極パターン７は、光電変換素子３のアノード電極３ａに電気的に接続されるアノード電極パターン７ａと、光電変換素子３のカソード電極３ｂに電気的に接続されるカソード電極パターン７ｂと、を有している。ここでは、互いに平行な直線状に両電極パターン７ａ，７ｂを形成しているが、電極パターン７ａ，７ｂの形状は適宜変更可能である。
【００２８】
本実施の形態では、電極パターン７ａ，７ｂの幅を、光電変換素子３の電極３ａ，３ｂの直径と等しい５０μｍとした。光モジュール１では、電極３ａ，３ｂの中心同士の距離Ｄ３が１２５μｍの光電変換素子３を用いているため、電極パターン７ａ，７ｂの間隔Ｄ１は、（Ｄ３−電極３ａ．３ｂの半径（２５μｍ）×２）＝７５μｍとなる。
【００２９】
規制パターン８は、光ファイバ２を両側から挟み込むように設けられ、光ファイバ２の直径と略同じ間隔Ｄ２で平行に配置された２本の直線パターン８ａからなり、２本の直線パターン８ａの間の溝９に光ファイバ２を配置するように構成されている。直線パターン８ａの間隔Ｄ２は、光ファイバ２の直径１２５μｍよりも若干大きく設定されている。
【００３０】
このように、光モジュール１では、電極パターン７の間隔Ｄ１（電極パターン７におけるエッチングの幅、両電極パターン７ａ，７ｂの最短距離）が、規制パターン８の間隔Ｄ２（規制パターン８におけるエッチングの幅、両直線パターン８ａの最短距離）よりも狭くなっている。これは、電極間隔が１２５μｍと狭い小型の光電変換素子３を用いており、かつ、直径１２５μｍと比較的大径の光ファイバ２を用いていることによる。
【００３１】
規制パターン８は、光ファイバ２の位置を規制する役割と、信号伝送の役割（配線パターンとしての役割）とを兼ねたものであってもよい。この場合、電極パターン７と規制パターン８とが、ワイヤ等により電気的に接続されていてもよい。なお、図示の導体パターン６（電極パターン７および規制パターン８）はあくまで一例であり、導体パターン６のパターン形状は適宜変更可能である。電極パターン７と規制パターン８は、同じ銅層をエッチングして形成されるため、同じ厚さＤとなる。導体パターン６の厚さＤについては後述する。
【００３２】
規制パターン８の溝９には、被覆２ｂが除去された光ファイバ２の先端部が配置される。光ファイバ２は、基板５の表面に沿うように基板５の表面上に配置される。図示していないが、光ファイバ２の上部を覆うようにファイバ押さえ部材を設けることで、ファイバ押さえ部材と規制パターン８とにより、光ファイバ２の光軸と垂直方向の位置決めおよび固定を行うとよい。ファイバ押さえ部材は、例えばガラス板や樹脂からなり、例えば紫外線硬化樹脂により接着固定される。なお、ファイバ押さえ部材の接着固定に用いられる接着剤は、後述するミラー部１１と光ファイバ２との間に接着剤が進入した場合を考慮して、透光性を有することが望ましい。
【００３３】
本実施の形態では、規制パターン８は光電変換素子３と基板５との間まで延出されており、光ファイバ２は、その先端が光電変換素子３と基板５との間に位置するように、溝９に配置されている。これにより、光ファイバ２と光電変換素子３とを近接させることができるため、光ファイバ２と光電変換素子３との間の光損失を低減することができる。
【００３４】
光電変換素子３であるＶＣＳＥＬの発光部３ｃと対向する位置の基板５の表面には、導体パターン６の一部をダイシング等により加工することにより、基板５の表面に対して４５度傾斜したミラー部１１が形成されている。ミラー部１１は、光路を９０度変換する役割を果たし、光電変換素子３と光ファイバ２とがミラー部１１を介して光学的に結合される。ミラー部１１は、電極パターン７と規制パターン８との間で、かつ規制パターン８側に偏った位置（ここでは、規制パターン８の端部と接する位置）に形成される。これは、後述するパターン側バンプ１２ｂの形成位置からミラー部１１をなるべく離間させるための工夫である。
【００３５】
ここで、光電変換素子３と基板５間の距離Ｈについて検討する。光電変換素子３と基板５間の距離Ｈは、導体パターン６の厚さＤとバンプ１２の高さとを足し合わせたものに略等しくなる。光電変換素子３と基板５間の距離を大きくするためには、導体パターン６の厚さＤを大きくすること、および、バンプ１２の高さを大きくすることが考えられる。
【００３６】
導体パターン６の厚さＤは、エッチングの幅（パターン間の溝の幅、上述のＤ１，Ｄ２）に依存する。例えばエッチングの幅が小さく、導体パターン６が厚い場合には、エッチング液が十分に流動しないので精度良く導体パターン６を形成することが困難になる。そこで、
エッチングの幅（Ｄ１，Ｄ２）≧導体パターン６の厚さ（Ｄ）
の関係を満たすように、導体パターン６の厚さＤを設定する必要がある。ここでは、電極パターン７の間隔Ｄ１の方が規制パターン８の間隔Ｄ２よりも小さくなるので、導体パターン６の厚さは電極パターン７の間隔Ｄ１以下、すなわち７５μｍ以下とする必要がある。本実施の形態では、導体パターン６の厚さＤを７０μｍとした。
【００３７】
他方、バンプ１２の高さは、バンプ１２を搭載する電極３ａ，３ｂの大きさに依存する。バンプ１２を高くするためには、バンプ１２を搭載する電極３ａ，３ｂを大きくする必要があるが、電極３ａ，３ｂの大きさは光電変換素子３により決まっており（ここでは直径５０μｍ）、バンプ１２の高さには限界がある。具体的には、直径５０μｍの電極３ａ，３ｂに形成できるバンプ１２の高さは、接合後の高さで最大３０μｍ程度（２０μｍ〜３０μｍ）となる。
【００３８】
よって、光電変換素子３と基板５間の距離は、最大で７５＋３０＝１０５μｍ程度となり、クラッド径１２５μｍの光ファイバ２を光電変換素子３と基板５間に配置することは困難であった。
【００３９】
そこで、本実施の形態では、光電変換素子３を、積層された複数のバンプ１２を介して導体パターン６に実装するように構成した。
【００４０】
本実施の形態では、導体パターン６の厚さＤを７０μｍとしているため、高さ３０μｍのバンプ１２を２つ積層することで、光電変換素子３と基板５間の距離ｈは７０＋３０×２＝１３０μｍとなり、クラッド径１２５μｍの光ファイバ２を光電変換素子３と基板５間に配置することが可能になる。
【００４１】
通常一般に使用されているクラッド径１２５μｍの光ファイバ２を光電変換素子３と基板５間に配置可能とするために、光電変換素子３と基板５間の距離ｈは、少なくとも１２５μｍ以上とすることが望ましい。本実施の形態では、導体パターン６の厚さＤは、電極パターン７の間隔Ｄ１以下とする必要があるため、積層された複数のバンプ１２の全体の高さｈは、少なくとも（１２５μｍ−Ｄ１）以上、すなわち５０μｍ以上とすることが望ましいといえる。
【００４２】
本実施の形態では、複数のバンプ１２は、当該複数のバンプ１２を介して実装される光電変換素子３の電極３ａ，３ｂに設けられた素子側バンプ１２ａと、導体パターン６（電極パターン７）に設けられたパターン側バンプ１２ｂと、からなり、素子側バンプ１２ａとパターン側バンプ１２ｂとを積層し接合して構成されている。接合された素子側バンプ１２ａとパターン側バンプ１２ｂとの間には、接合面１３が形成される。この接合面１３の有無により、複数のバンプ１２を積層したものであるか否かを確認することができる。
【００４３】
素子側バンプ１２ａおよびパターン側バンプ１２ｂは、金バンプからなる。導体パターン６の表面には金めっきが施されているため、金−金接合により導体パターン６とパターン側バンプ１２ｂとが接合されることになる。
【００４４】
次に、光モジュール１の製造方法について説明する。
【００４５】
光モジュール１を製造する際には、まず、基板５の表面に銅層を形成し、エッチングによりパターニングを行った後に、ダイシング等によりミラー部１１を形成する。その後、銅層上にニッケル層と金層を順次めっきして、電極パターン７および規制パターン８を含む導体パターン６を形成する。
【００４６】
その後、図２（ａ）に示すように、導体パターン６（電極パターン７）にパターン側バンプ１２ｂを形成する。また、予め光電変換素子３の電極３ａに素子側バンプ１２ａを形成しておく。素子側バンプ１２ａとパターン側バンプ１２ｂとは、金ワイヤを用いたワイヤバンピング法により形成される。
【００４７】
ワイヤバンピング法では、金ワイヤの先端に熱をかけて溶融させ、先端を球状とし、その球状の部分を対象物（ここでは電極３ａ，３ｂまたは電極パターン７の端部）に付着させて金ワイヤから切り離す。そのため、素子側バンプ１２ａは、電極３ａ，３ｂに接合された略球状の球状部１２１と、球状部１２１から電極３ａ，３ｂと反対側に突出された角状（略三角錐状）の突出部１２２からなり、凸状の形状に形成される。同様に、パターン側バンプ１２ｂは、電極パターン７に接合された略球状の球状部１２１と、球状部１２１から電極パターン７と反対側に突出された角状（略三角錐状）の突出部１２２からなり、凸状の形状に形成される。
【００４８】
その後、図２（ｂ）に示すように、両バンプ１２ａ，１２ｂの突出部１２２同士を対向させた状態で加圧しつつ超音波振動を加えると、突出部１２２が溶融され、両バンプ１２ａ，１２ｂが接合される。両バンプ１２ａ，１２ｂを接合する際には、球状部１２１は殆ど変形しないので、積層されたバンプ１２全体の高さを維持しつつ接合することができる。このように、本実施の形態では、凸状の素子側バンプ１２ａと凸状のパターン側バンプ１２ｂとを積層し接合しているため、積層されたバンプ１２全体の高さを維持しつつ接合を行うことができ、光電変換素子３と基板５間の距離を大きくすることが可能である。
【００４９】
その後、図示しない半導体回路素子を実装し、溝９に光ファイバ２を配置して光軸合わせを行い、ファイバ押さえ部材等により光ファイバ２を固定すると、光モジュール１が得られる。
【００５０】
なお、ここでは、光電変換素子３が、積層された複数のバンプ１２を介して導体パターン６に実装されている場合を説明したが、これに限らず、半導体回路素子（ドライバＩＣに限らず、信号増幅用のＩＣ、シリアライザ・でシリアライザ等でもよい）が、積層された複数のバンプ１２を介して導体パターン６に実装されていてもよい。これにより、半導体回路素子と基板５間に、クラッド径１２５μｍの光ファイバ２や比較的大径の電線を配置することが可能になる。また、半導体回路素子と光電変換素子３の両方が、積層された複数のバンプ１２を介して導体パターン６に実装されていてもよい。
【００５１】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る光モジュール１では、光電変換素子３と半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子が、積層された複数のバンプ１２を介して導体パターン６に実装されている。
【００５２】
これにより、サイズが小さく電極間隔が狭い素子（光電変換素子３や半導体回路素子）を用いた場合、すなわちエッチングの幅が狭く導体パターン６の厚さＤが大きくできない場合であっても、当該素子と基板５との間に、従来よりも大径の電線や光ファイバ２を配置することが可能になり、光モジュール１の実装密度のさらなる高密度化や小型化に寄与する。
【００５３】
また、素子（光電変換素子３や半導体回路素子）と基板５との間の距離ｈを１２５μｍ以上（例えば１３０μｍ）とすることで、通常一般に用いられているクラッド径１２５μｍの光ファイバ２を、当該素子と基板５との間に配置することが可能になり、低コスト化が可能になる。
【００５４】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００５５】
［１］光ファイバ（２）と、前記光ファイバ（２）と光学的に結合される光電変換素子（３）と、前記光電変換素子（３）の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板（５）と、前記基板（５）の表面に形成され、前記光電変換素子（３）および前記半導体回路素子が実装される導体パターン（６）と、を備え、前記光電変換素子（３）と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子（３）が、積層された複数のバンプ（１２）を介して前記導体パターン（６）に実装されている、光モジュール（１）。
【００５６】
［２］前記導体パターン（６）は、前記複数のバンプ（１２）を介して実装される前記素子（３）の電極（３ａ，３ｂ）に電気的に接続される電極パターン（７）と、前記光ファイバ（２）を両側から挟み込むように設けられ前記光ファイバ（２）の位置を規制する規制パターン（８）と、を含み、前記電極パターン（７）の間隔（Ｄ１）が、前記規制パターン（８）の間隔（Ｄ２）よりも狭い、［１］に記載の光モジュール（１）。
【００５７】
［３］前記複数のバンプ（１２）を介して実装された前記素子（３）と前記基板（５）間の距離が、少なくとも１２５μｍ以上である、［１］または［２］に記載の光モジュール（１）。
【００５８】
［４］前記複数のバンプ（１２）は、当該複数のバンプ（１２）を介して実装される前記素子（３）に設けられた素子側バンプ（１２ａ）と、前記導体パターン（６）に設けられたパターン側バンプ（１２ｂ）と、からなり、前記素子側バンプ（１２ａ）と前記パターン側バンプ（１２ｂ）とを積層し接合して構成されている、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。
【００５９】
［５］前記光ファイバ（２）は、その先端が前記光電変換素子（３）と前記基板（５）との間に位置するように配置される、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。
【００６０】
［６］光ファイバ（２）と、前記光ファイバ（２）と光学的に結合される光電変換素子（３）と、前記光電変換素子（３）の駆動用あるいは信号増幅用の回路素子を含む半導体回路素子と、基板（５）と、前記基板（５）の表面に形成され、前記光電変換素子（３）および前記半導体回路素子が実装される導体パターン（６）と、を備えた光モジュール（１）の製造方法であって、前記光電変換素子（３）と前記半導体回路素子のうち少なくとも１つの素子に素子側バンプ（１２ａ）を設けると共に、前記導体パターン（６）にパターン側バンプ（１２ｂ）を設け、前記素子側バンプ（１２ａ）と前記パターン側バンプ（１２ｂ）とを積層し接合することで、前記素子（３）を、積層された複数のバンプ（１２）を介して前記導体パターン（６）に実装する、光モジュール（１）の製造方法。
【００６１】
［７］凸状の前記素子側バンプ（１２ａ）と、凸状の前記パターン側バンプ（１２ｂ）とを積層し接合することで、積層された前記複数のバンプ１２を形成する、［６］に記載の光モジュール（１）の製造方法。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００６３】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
【００６４】
例えば、上記実施の形態では、２つのバンプ１２を積層する場合を説明したが、３つ以上のバンプ１２を積層するようにしてもよい。ただし、積層するバンプ１２の数が増えるほど、素子の実装位置の精度が下がるため、実装位置の精度が要求される光電変換素子３を実装する際に用いるバンプ１２の積層数は、３つ以下であることが望ましい。
【符号の説明】
【００６５】
１…光モジュール
２…光ファイバ
３…光電変換素子（素子）
３ａ…アノード電極
３ｂ…カソード電極
３ｃ…発光部
５…基板
６…導体パターン
７…電極パターン
８…規制パターン
１１…ミラー部
１２…バンプ
１２ａ…素子側バンプ
１２ｂ…パターン側バンプ
【図１】
2017058606.tif 000003
【図２】
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