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　特願２０００−　６２１７７「不揮発性メモリのデータ書き替え方法及び加入者回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月１４日出願公開、特開２００１−２４９８５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１２年３月７日の出願であって、平成１９年２月１６日付けで審査請求がなされ、平成２２年４月２２日付けで拒絶理由通知（同年４月２７日発送）がなされ、平成２２年６月２２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされたが、同年１２月１３日付けで拒絶査定（同年１２月２１日謄本送達）がなされ、これに対して、平成２３年３月９日付けで審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記平成２２年６月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　
「予め定められたメモリ領域に新たなデータを書き込むことによりデータの書き替えが可能な不揮発性メモリのデータ書き替え方法において、
　前記メモリ領域単位に、データの実体と共にデータの書込み未完了／完了を示すフラグ情報及びデータの有効／無効を示すフラグ情報を書き込んでおき、
　データの書き替え時、空きメモリ領域を消去してから当該空きメモリ領域に新データを書き込み、
　前記新データの書き込みに応じて、書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域の前記データの有効／無効を示すフラグ情報を、有効から無効に変更することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き替え方法。」
　
３．引用文献
　
　原審が拒絶理由通知において引用した特開平７−１５３２８４号公報（平成７年６月１６日出願公開。以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
Ａ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は不揮発性半導体記憶装置の制御方法に関し、特に電気的に書換および消去可能な読出専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）などの不揮発性半導体記憶装置の制御方法に関する。」
　
Ｂ　「【００１８】図２を参照とすると、本実施例の不揮発性記憶装置の物理ブロック１０は消去フラグ領域２１、有効フラグ領域２２、論理ブロックアドレス領域２３、書換回数領域２４およびデータ領域２５から構成される。また、この実施例の不揮発性記憶装置は上記の物理ブロック１０に相当する複数個の物理ブロックを有し、さらに論理ブロックアドレス３２を物理ブロックアドレス３３に変換するアドレス変換テーブル３１を有する構成である。」
　
Ｃ　「【００２０】この実施例に示す不揮発生半導体記憶装置の制御方法では、図３（Ａ）に示すブロック単位で消去が行われる。消去フラグはブロックを消去すべきか否かを示し、論理値”０”が要消去を示す。有効フラグはブロックのデータが有効か否かを示し、論理値”０”が有効を示す。記憶内容”１”は未書き込みの記憶状態である。従って、ブロックが消去された後の記憶状態は、フラグを含めて全て論理値”１”となり、消去フラグは消去不要、有効フラグは無効データをそれぞれ示す。」
　
Ｄ　「【００２２】次に本発明の第１の実施例の不揮発性半導体記憶装置の制御方法について説明する。図１は本発明の第１の実施例を示すフローチャートである。
【００２３】図３（Ａ）および図１（Ｂ）ならびに図１を同時に参照して説明すると、この実施例の制御方法はステップＳ１からステップＳ６の手順で行われる。
【００２４】すなわち、ステップＳ１で、アドレス変換テーブルの論理ブロックアドレスＬＢｉで示される位置のアドレス変換テーブルを読み出し、論理ブロックアドレスＬＢｉに対応する物理ブロックアドレスＰＢｉを求める。ステップＳ２で、物理ブロックＰＢｉ内の消去フラグを書き込み、要消去を示す”０”にセットする。ステップＳ３で、本不揮発性半導体記憶装置内の物理ブロックの消去フラグと有効フラグを順次読み取り、消去フラグと有効フラグが共に”１”の物理ブロックＰＢｋを求める。ステップＳ４で、物理ブロックＰＢｋ内のデータ部に論理ブロックＬＢｉの新たなデータを書き込み、有効フラグを書き込みことで有効を示す”０”にセットし、論理ブロックアドレス部にＬＢｉを書き込む。
【００２５】さらに、ステップＳ５でアドレス変換テーブルの論理ブロックアドレスＬＢｉで示される位置の内容ＰＢｉをＰＢｋに書き換える。これにより、以後論理ブロックＬＢｉをアクセスする場合には、物理ブロックＰＢｋがアドレス変換テーブルから読み出される。ステップＳ６では不揮発生半導体記憶装置がアクセスされていない期間に、消去フラグが要消去を示す”０”にセットされている物理ブロックの消去動作を行う。消去動作中にアクセスがなされたら、消去動作を中断し、そのアクセスを優先して行う。」（当審注：段落【００２５】の「不揮発
生
性
　
Ｅ　「【００３１】
【発明の効果】このように、本発明によれば、論理ブロックのデータを書き換える場合、論理ブロックに対応する物理ブロックを直ちに消去するのではなく、消去フラグと有効フラグが共に”１”である未書き込みの物理ブロックを求め、そのブロックにデータを書き込み、アクセスしていない期間にブロックを消去するため、実行的に低速な消去動作を隠蔽できる。また、同一論理ブロックに書き換えが集中しても、書き込む物理ブロックが書き換え毎に移り変わるため、特定の物理ブロックに書き換えが終了せず、書き換え回数が低減する。さらに、論理ブロックアドレスから物理ブロックアドレスに変換するアドレス変換テーブルを特定の記憶エリアに固定させず、各物理ブロック毎にその論理アドレスを記憶させているため、書き換えに動作に伴うアドレス変換テーブルの修正書き込みが特定の記憶エリアに集中しない。このため、書き換え回数が低減し、高信頼化を実現できる。」
　
（ア）上記Ａの「本発明は不揮発性半導体記憶装置の制御方法に関し、特に電気的に書換および消去可能な読出専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）などの不揮発性半導体記憶装置の制御方法に関する。」との記載からすると、引用文献には、
　書換可能な不揮発性半導体記憶装置の制御方法
が記載されている。
　
（イ）上記Ｂの「本実施例の不揮発性記憶装置の物理ブロック１０は消去フラグ領域２１、有効フラグ領域２２、…（中略）…およびデータ領域２５から構成される。」との記載、及び上記Ｃの「この実施例に示す不揮発生半導体記憶装置の制御方法では、図３（Ａ）に示すブロック単位で消去が行われる。消去フラグはブロックを消去すべきか否かを示し、論理値”０”が要消去を示す。有効フラグはブロックのデータが有効か否かを示し、論理値”０”が有効を示す。記憶内容”１”は未書き込みの記憶状態である。従って、ブロックが消去された後の記憶状態は、フラグを含めて全て論理値”１”となり、消去フラグは消去不要、有効フラグは無効データをそれぞれ示す。」との記載、そして、データ領域２５には、データの実体が格納されると認められることからすると、引用文献には、
　ブロック単位に、データの実体と共にブロックのデータが有効か否かを示す有効フラグ及びブロックのデータを消去すべきか否かを示す消去フラグを当該ブロックに書き込んでおく
態様が記載されている。
　
（ウ）上記Ｄの「ステップＳ１で、…（中略）…、論理ブロックアドレスＬＢｉに対応する物理ブロックアドレスＰＢｉを求める。ステップＳ２で、物理ブロックＰＢｉ内の消去フラグを書き込み、要消去を示す”０”にセットする。」との記載、及び上記Ｅの「本発明によれば、論理ブロックのデータを書き換える場合、論理ブロックに対応する物理ブロックを直ちに消去するのではなく、消去フラグと有効フラグが共に”１”である未書き込みの物理ブロックを求め、そのブロックにデータを書き込み、アクセスしていない期間にブロックを消去する」との記載からすると、引用文献には、
　データの書き換え時、書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットする
態様が記載されている。
　
（エ）上記Ｄの「ステップＳ３で、本不揮発性半導体記憶装置内の物理ブロックの消去フラグと有効フラグを順次読み取り、消去フラグと有効フラグが共に”１”の物理ブロックＰＢｋを求める。ステップＳ４で、物理ブロックＰＢｋ内のデータ部に論理ブロックＬＢｉの新たなデータを書き込み、有効フラグを書き込みことで有効を示す”０”にセットし、論理ブロックアドレス部にＬＢｉを書き込む。」及び「さらに、ステップＳ５でアドレス変換テーブルの論理ブロックアドレスＬＢｉで示される位置の内容ＰＢｉをＰＢｋに書き換える。」との記載からすると、引用文献には、
　消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め、求められた当該ブロックに新たなデータを書き込み、
　前記新たなデータの書き込みに応じて、アドレス変換テーブルの内容を書き換える
態様が記載されている。
　
（オ）上記Ｄの「ステップＳ６では不揮発生半導体記憶装置がアクセスされていない期間に、消去フラグが要消去を示す”０”にセットされている物理ブロックの消去動作を行う。」との記載からすると、引用文献には、
　不揮発性半導体記憶装置がアクセスされていない期間に、要消去にセットされているブロックを消去する
態様が記載されている。
　
　よって、（ア）ないし（オ）における記載及びその関連する図面からすると、引用文献には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
　書換可能な不揮発性半導体記憶装置の制御方法において、
　ブロック単位に、データの実体と共にブロックのデータが有効か否かを示す有効フラグ及びブロックのデータを消去すべきか否かを示す消去フラグを当該ブロックに書き込んでおき、
　データの書き換え時、書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットし、
　消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め、求められた当該ブロックに新たなデータを書き込み、
　前記新たなデータの書き込みに応じて、アドレス変換テーブルの内容を書き換え、
　不揮発性半導体記憶装置がアクセスされていない期間に、要消去にセットされているブロックを消去することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の制御方法。
　
４．対比 
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「ブロック」及び「書換可能な不揮発性半導体記憶装置」は、それぞれ、本願発明の「メモリ領域」及び「データの書き替えが可能な不揮発性メモリ」に相当する。また、引用発明の「制御方法」は、上記Ａに「特に電気的に書換および消去可能な読出専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）などの不揮発性半導体記憶装置の制御方法に関する」と記載されるように、データの書換方法を含むものである。そして、引用発明の「書換可能な不揮発性半導体記憶装置」は、「消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め、求められた当該ブロックに新たなデータを書き込」むものであるから、予め書き込むブロックを定め、当該予め定められたブロックに新たなデータを書き込むものと言える。してみると、引用発明と本願発明は、ともに、“予め定められたメモリ領域に新たなデータを書き込むことによりデータの書き替えが可能な不揮発性メモリのデータ書き替え方法”である点で共通する。
　
　引用発明の「ブロックのデータが有効か否かを示す有効フラグ」とは、上記Ｄに「ステップＳ４で、物理ブロックＰＢｋ内のデータ部に論理ブロックＬＢｉの新たなデータを書き込み、有効フラグを書き込みことで有効を示す”０”にセット」と記載されるように、ブロック内にデータの書き込みが完了したか否かの状態を示すものに他ならないから、本願発明の「データの書込み未完了／完了を示すフラグ情報」に相当する。そして、引用発明の「ブロックのデータを消去すべきか否かを示す消去フラグ」において、ブロック内のデータを消去すべきということは、ブロック内のデータが無効の状態になっていることに他ならないから、引用発明の「ブロックのデータを消去すべきか否かを示す消去フラグ」は、本願発明の「データの有効／無効を示すフラグ情報」に相当する。してみると、引用発明の「ブロック単位に、データの実体と共にブロックのデータが有効か否かを示す有効フラグ及びブロックのデータを消去すべきか否かを示す消去フラグを当該ブロックに書き込んでおき」は、本願発明の「メモリ領域単位に、データの実体と共にデータの書込み未完了／完了を示すフラグ情報及びデータの有効／無効を示すフラグ情報を書き込んでおき」に相当するといえる。
　
　引用発明の「データの書き換え時」は、本願発明の「データの書き替え時」に相当する。
　
　引用発明の「書き換えるブロック」及び「消去フラグ」は、本願発明の「書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域」及び「データの有効／無効を示すフラグ情報」に相当する。そして、引用発明の「ブロック内の消去フラグを要消去にセット」と、本願発明の「メモリ領域の前記データの有効／無効を示すフラグ情報を、有効から無効に変更」とは、ともに、当該メモリ領域のデータを消去可能な状態に変更することに他ならない。してみると、引用発明の「書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセット」と、本願発明の「書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域の前記データの有効／無効を示すフラグ情報を、有効から無効に変更」は、ともに、“書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域のデータを消去可能な状態に変更”する点で共通する。
　
　引用発明の「消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロック」とは、データの書き込みが可能なブロックであることから、本願発明の「空きメモリ領域」に相当する。そして、引用発明の「消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め」るということと、本願発明の「空きメモリ領域を消去」するということは、ともに、新データを書き込むためのメモリ領域を用意することに他ならない。してみると、引用発明と本願発明は、ともに、“データの書き替え時、空きメモリ領域を用意し、当該空きメモリ領域に新データを書き込む”点で共通する。
　
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、以下の点で相違する。
　
（一致点）
　
　予め定められたメモリ領域に新たなデータを書き込むことによりデータの書き替えが可能な不揮発性メモリのデータ書き替え方法において、
　メモリ領域単位に、データの実体と共にデータの書込み未完了／完了を示すフラグ情報及びデータの有効／無効を示すフラグ情報を書き込んでおき、
　データの書き替え時、空きメモリ領域を用意し、当該空きメモリ領域に新データを書き込み、
　書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域のデータを消去可能な状態に変更することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き替え方法。
　
（相違点１）
　
　消去可能な状態にあるメモリ領域を消去して、新データを書き込む手順において、本願発明が、「データの書き替え時、空きメモリ領域を消去してから当該空きメモリ領域に新データを書き込」むものであるのに対して、引用発明は、「データの書き換え時、」「消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め、求められた当該ブロックに新たなデータを書き込み、」「不揮発性半導体記憶装置がアクセスされていない期間に、要消去にセットされているブロックを消去する」ものである点。　
　
（相違点２）
　
　書き替えるべき旧データが格納されているメモリ領域のデータを消去可能な状態に変更するタイミングにおいて、本願発明が、「新データの書き込みに応じて」「有効／無効を示すフラグ情報を、有効から無効に変更する」ものであるのに対して、引用発明は、「データの書き換え時」に「消去フラグを要消去にセット」するものである点。
　
５．判断
　
　相違点１及び相違点２について検討する。
　
（１）相違点１について
　
　不揮発性メモリ中のデータを書き換える際に、データ領域のフラグ状態を確認し、記憶可能と判断されたデータ領域のデータを一括消去した後で、当該データ領域にデータを書き込む技術は、周知の技術（以下、「周知技術」という。）である（必要であれば、特開平１１−１１０２９８号公報（段落【００１７】−【００２０】及び図２等）参照）。
　
　そして、引用発明は、データの書き換え時、消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロック（すなわち、消去不要かつブロックのデータが無効データであるブロック。以下、「空きブロック」という。）を求め、求められた当該空きブロックに新たなデータを書き込むものであるが、データを書き込むための空きブロックが見つからなかった場合に、前記周知技術を採用し、消去フラグが”０”（要消去）のブロックを求め、当該ブロックを消去してからデータを書き込むように構成することは、当業者であれば、容易に想到し得たことである。
　
　よって、相違点１は格別のものではない。
　
（２）相違点２について
　
　引用発明は、「データの書き換え時、書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットし、」「新たなデータの書き込みに応じて、アドレス変換テーブルの内容を書き換え」るものである。すなわち、引用発明は、新たなデータを書き込む前に、書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットするものであるが、アドレス変換テーブルの内容が書き換えられることにより、新たなデータが書き込まれたブロックにアクセスできるようになるものであることから、前記書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットするタイミングについては、アドレス変換テーブルの内容を書き換えるより前のタイミングであればいつでも可能であることは、当業者にとって自明なことである。してみると、引用発明の「書き換えるブロック内の消去フラグを要消去にセット」するタイミングとして、「データの書き換え時」から「新たなデータの書き込みに応じて」と変更すること、すなわち、“データの書き換え時、消去フラグと有効フラグが共に”１”のブロックを求め、求められた当該ブロックに新たなデータを書き込み、新たなデータの書き込みに応じて、書換えるブロック内の消去フラグを要消去にセットし、アドレス変換テーブルの内容を書き換え”るように構成することは、当業者が必要に応じて、適宜採用し得る設計事項に過ぎない。
　
　よって、相違点２は格別なものではない。
　
　上記で検討したごとく、相違点１及び相違点２は格別のものではなく、そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用発明及び周知技術から当業者が当然に予測可能なものに過ぎず格別なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものである。
　
６．むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、本願の特許出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。