【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】プロセスリアクター内で基板を支持するためのウェハホルダーであって、前記ホルダーは上部表面と下部表面とを有し、前記ホルダーは上部表面と一体化した複数のリップを有し、基板と前記上部表面間に均一なギャップとともに前記基板を支持するために、該リップが前記上部表面上方に向けて均一な高さで延びており、基板の熱質量の5倍未満の熱質量を有するウェハホルダー。
【請求項２】前記ウェハホルダーが実質的にシリコンカーバイドからなる請求項１に記載のウェハホルダー。
【請求項３】上面を有するベースプレート及び内壁を有する環状リングとをさらに有し、前記リング内壁は、前記ウェハホルダーの上部表面の上方に延びており、前記基板の直径よりも大きな直径を有する基板ポケットを定める請求項１に記載のウェハホルダー。
【請求項４】前記リングが前記ベースプレートと一体的に形成されている請求項３に記載のウェハホルダー。
【請求項５】前記リングが、前記リング内壁の下方かつ内側に放射状に位置するシェルフを有し、前記ウェハホルダーの上部表面が、ベースプレート上面とリング上面とを有する請求項３に記載のウェハホルダー。
【請求項６】前記リップが、前記リングシェルフと一体的に形成されている請求項５に記載のウェハホルダー。
【請求項７】前記リップのそれぞれが、内面、前記内面よりも幅広いリップベース、及び前記内面と前記リップベースの間に延びる一対のリップ側壁とを有している請求項３に記載のウェハホルダー。
【請求項８】前記リップベースが、前記リング内壁と一体的に形成されている請求項７に記載のウェハホルダー。
【請求項９】前記ウェハホルダーの熱質量が、基板の熱質量の3倍未満である請求項１に記載のウェハホルダー。
【請求項１０】前記ウェハホルダーの熱質量が、基板の熱質量の0.5倍〜2.0倍である請求項９に記載のウェハホルダー。
【請求項１１】前記リップのそれぞれが、0.010インチ〜0.030インチの高さで前記上面の上に延びており、前記基板が200mmのシリコンウェハを有する請求項１に記載のウェハホルダー。
【請求項１２】前記リップのそれぞれが、0.020インチ〜0.050インチの高さで前記上面の上に延びており、前記基板が300mmのシリコンウェハを有する請求項１に記載のウェハホルダー。
【請求項１３】基板を処理するための半導体リアクターであって、
反応チャンバと、
複数の熱源と、
第１のレベルと第１の温度における中心位置並びに第２のレベルと第２の温度における中心位置とを有するセルフ-センタリング性の単一ウェハ支持構造とを有し、該支持構造が下記を含む半導体リアクター：
第１の熱膨張率を有する、基板を直接支持するためのウェハホルダー；該ウェハホルダーはその底面に少なくとも１つのへこみを有している、および
前記第１の熱膨張率とは異なる第２の熱膨張率を有する、ウェハホルダーを支持するための支持スパイダー；該スパイダーは前記ウェハホルダーのへこみと協働する少なくとも３つの支持ポストを有している。
【請求項１４】前記ウェハホルダーは、実質的にシリコンカーバイドからなる請求項１３に記載のリアクター。
【請求項１５】前記へこみが、前記スパイダーの前記支持ポストに対応し、ウェハホルダー底面の周辺に互いに等しい角距離で配置されている少なくとも３つの放射状グルーブを有する請求項１３に記載のリアクター。
【請求項１６】前記放射状グルーブのそれぞれが、グルーブ開口を定める一対の放射状配向した１対のフラット表面を有し、支持ポストのそれぞれが前記グルーブ開口内にフィットする様な曲線及び大きさ含む請求項１５に記載のリアクター。
【請求項１７】前記グルーブが、ウェハホルダーの中心から等間隔で配置されている請求項１６に記載のリアクター。
【請求項１８】前記支持スパイダーが、中心スパイダーハブから等距離で該ハブに接続された３つのポストを有する請求項１６に記載のリアクター。
【請求項１９】前記スパイダーハブが、回転可能なシャフトに接続されている請求項１８に記載のリアクター。
【請求項２０】前記ウェハホルダーが、ディスク形状のベースプレートと独立した環状リングとを有する請求項１３に記載のリアクター。
【請求項２１】前記リングが前記ベースプレートを支持し、前記へこみが前記リングの底面に形成された少なくとも３つの放射状グルーブを有している請求項２０に記載のリアクター。
【請求項２２】前記ベースプレートが前記リングを支持しかつベースプレート外壁とリング内壁との間に前記へこみが形成されており、前記支持ポストのそれぞれが放射状外表面と放射状内表面とを有する上方に突出するペグを有し、前記各支持ポストの外側ペグ表面は第１の温度において前記リング内壁に近接して位置し、前記各支持ポストの内側ペグ表面は第２の温度において前記ベースプレート外壁に近接して位置する請求項２０に記載のリアクター。
【請求項２３】第１の温度が第２の温度よりも低い請求項２２に記載のリアクター。
【請求項２４】前記へこみが、前記ベースプレートの周辺エッジにより定められた環状グルーブ、垂直グルーブ内壁、及び前記グルーブ内壁から放射状に内側に延びる環状リングレッジを有する請求項２２に記載のリアクター。
【請求項２５】前記へこみが、さらに、前記支持ポストに対応する少なくとも３つのペグへこみを有し、該ペグへこみは、環状グルーブから外方向に放射状に延びており、前記リング内壁が、ペグへこみ後壁を有し、前記ベースプレート外壁が前記ベースプレートの周辺エッジを有する請求項２４に記載のリアクター。
【請求項２６】加工チャンバ内において単一基板を支持するための低質量ウェハホルダーであって： 
ディスク形状のベースプレート；
前記ベースプレートから独立した環状リング；
前記リングおよび前記ベースプレートの一方と一体化された環状吊り下げ部；および
前記リングおよび前記ベースプレートの他方と一体化され、前記吊り下げ部の下方においてこれを支持する環状支持部を有し、
基板の熱質量の５倍未満の熱質量を有する低質量ウェハホルダー。
【請求項２７】ウェハホルダーの熱質量が、基板の熱質量の３倍未満である請求項２６に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項２８】ウェハホルダーの熱質量が、基板の熱質量の0.5倍と2.0倍の間にある請求項２７に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項２９】ウェハホルダーが、実質的にシリコンカーバイドからなる請求項２６に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項３０】前記吊り下げ部が前記ベースの中心部から放射状に外側に延びる前記ベースプレートの張出しを有し、前記支持部が、前記リングの外側部分から内側に向けて放射状に延びる該リングのステップを有する請求項２６に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項３１】前記リングの外側部分が前記ステップから外側に向けて放射状に延びかつ前記ベースプレートの中心部の厚さに等しい厚さを有する環状のシェルフを有しており、前記ベースの張出しとリングステップの厚さが、前記ベースプレートの上部表面と前記シェルフの上部表面とが同一平面をなし、かつ前記ベースプレートの下部表面と前記リングの下部表面とが同一平面をなす様に、選択される請求項３０に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項３２】前記リングのステップが、該ステップと前記ベースプレートの張出しとの間で、環状の後側通路を定める複数のバンプを含む請求項３０に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項３３】前記吊り下げ部が前記リングの張出しレッジを有し、前記リングの外側部分から内側に向けて放射状に延びており、前記支持部が前記ベースプレートの周辺部を有する請求項２６に記載の低質量ウェハホルダー。
【請求項３４】さらに、前記ベースプレート上方に均一な高さで基板を支持する複数のスペーサーを有する請求項２６に記載の低質量ウェハホルダー。