【事件の表示】
　特願２００１−　９８０１５「半導体集積回路装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９４６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１３年３月３０日の出願であって、平成２０年９月１８日付けで拒絶理由通知が発せられ、これに対して同年１１月２５日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２１年１月１３日付けで拒絶査定がされ、同年２月１８日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１〜２１に係る発明は、平成２０年１１月２５日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２１に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「支持基板、絶縁層、半導体層の順に積層された基板であって、該積層基板の前記半導体層の主面に回路素子を形成するためのＳＯＩ基板と、
　前記ＳＯＩ基板の半導体層を横切る素子分離用溝によって互いに分離された複数の素子形成領域であって、該複数の素子形成領域は前記素子分離用溝によって互いに同一サイズに区画されて成る複数の半導体島領域と、
　前記複数の半導体島領域のそれぞれに形成された互いに同一サイズの複数のバイポーラトランジスタであって、前記半導体層の主面に形成されたエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を有する複数の単位バイポーラトランジスタと、
　前記複数の単位バイポーラトランジスタのエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を互いに並列接続することによって、所望の電気的特性を持つ１個のトランジスタとして機能させると共に、前記複数の単位バイポーラトランジスタのいずれかにて発生する熱を放散するための相互配線と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
第３．引用例の記載と引用発明
（１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭５５−６１０５９号公報（以下、「引用例」という。）には、第１図ないし第３図とともに以下の事項が記載されている。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
「２．特許請求の範囲
　
動作電流レベルが異なる能動素子を含む半導体集積回路装置において、動作電流レベルの大きい能動素子の一部又は全てを動作電流レベルの小さい能動素子の並列接続により構成したことを特徴とする半導体集積回路装置
「一般に、
集積回路内のバイポーラトランジスタは、製造の容易さおよび特性の均一化を図るため同程度の電流密度で動作させることが望ましい
「
次に、本発明について図面を参照して説明する
　
第１図に動作電流レベルの小さい内部トランジスタ例を示す。ここではコレクタ領域１０、ベース領域２０、エミッタ領域３０と、これら各領域のコンタクト１１、２１、３１とを有する。第２図に第１図の内部トランジスタの約２００倍のエミッタ面積を有する単一エミッタで構成された従来タイプの出力トランジスタ例を示す
「次に、第３図により本発明の第１の実施例を説明する。ここでは第１図に示したと同等の
内部トランジスタを複数アレイ配置し、この内の適当な数だけ並列接続して出力トランジスタとした
並列接続のための配線は図示していないがかかる配線は任意の技術で行なって良い
　
（２）ここで、引用例に記載された「半導体集積回路」は、本願の出願前の技術常識に照らし、半導体層の主面に「能動素子」を形成するための基板を有することは明らかである。
　また、製造の容易さおよび特性の均一化を図るという引用例に記載された目的に照らし、引用例に記載された複数アレイ配置される「内部トランジスタ」が、互いに同一サイズであることも明らかである。
　
（３）したがって、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体層の主面に能動素子を形成するための基板と、
　前記基板の半導体層に形成された互いに同一サイズの複数アレイ配置される内部トランジスタと、
　前記内部トランジスタを適当な数だけ並列接続して出力トランジスタとした配線と
を有する半導体集積回路。」
　
第４．本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用例の第２ページ右上欄第２〜９行の記載から、「内部トランジスタ」及び「出力トランジスタ」が「バイポーラトランジスタ」であることは明らかであるから、引用発明の「能動素子」、「複数アレイ配置される内部トランジスタ」、「出力トランジスタ」、「配線」、及び「半導体集積回路」は、それぞれ本願発明の「回路素子」、「複数のバイポーラトランジスタ」、「所望の電気的特性を持つ１個のトランジスタ」、「相互配線」、及び「半導体集積回路装置」に相当する。
　
イ　また、引用発明の「前記基板の半導体層に形成された」「複数アレイ配置される内部トランジスタ」は、本願発明の「前記半導体層の主面に形成されたエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を有する複数の単位バイポーラトランジスタ」に相当する。
　
ウ　さらに、引用発明の「前記内部トランジスタを適当な数だけ並列接続して出力トランジスタとした配線」は、本願発明の「前記複数の単位バイポーラトランジスタのエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を互いに並列接続することによって、所望の電気的特性を持つ１個のトランジスタとして機能させる」「相互配線」に相当する。
　
（２）そうすると、本願発明と引用発明とは、
　
「半導体層の主面に回路素子を形成するための基板と、
　前記基板の半導体層に形成された互いに同一サイズの複数のバイポーラトランジスタであって、前記半導体層の主面に形成されたエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を有する複数の単位バイポーラトランジスタと、
　前記複数の単位バイポーラトランジスタのエミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域を互いに並列接続することによって、所望の電気的特性を持つ１個のトランジスタとして機能させる相互配線と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明の「基板」は、「支持基板、絶縁層、半導体層の順に積層された」「ＳＯＩ基板」であるのに対し、引用発明の「基板」は、そのような「ＳＯＩ基板」であることが特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「前記ＳＯＩ基板の半導体層を横切る素子分離用溝によって互いに分離された複数の素子形成領域であって、該複数の素子形成領域は前記素子分離用溝によって互いに同一サイズに区画されて成る複数の半導体島領域」を有し、互いに同一サイズの複数のバイポーラトランジスタは「前記複数の半導体島領域のそれぞれに形成された」ものであるのに対し、引用発明は、そのような「半導体島領域」を有しておらず、また、バイポーラトランジスタもそのような「半導体島領域」に形成されたものではない点。
　
（相違点３）
　本願発明の「相互配線」は、「前記複数の単位バイポーラトランジスタのいずれかにて発生する熱を放散するための」ものでもあるのに対し、引用発明の「配線」は、そのように熱を放散するためのものとまでは特定されていない点。
　
第５．相違点についての当審の判断 
（１）相違点１及び２について
　一般に、回路素子を形成するための基板として、支持基板、絶縁層、半導体層の順に積層されたＳＯＩ基板を用い、かつ、前記ＳＯＩ基板の半導体層を横切る素子分離用溝によって素子形成領域を分離することは、当業者における周知技術である。
　例えば、本願の出願前に国内において頒布された特開平０７−１４２５６６号公報（以下「周知例１」という。）には、
「【０００２】
【従来の技術】
従来より、底面が半導体基板から絶縁分離され、側面が絶縁物隔壁により隣接半導体領域から絶縁分離された島状半導体領域を有し、この島状半導体領域にトランジスタやダイオードなどの能動素子を形成した絶縁物分離半導体装置が広く製造されている
と記載されるとともに、当該「絶縁物隔壁」の具体的な作り方に相当する記載として、
「【００１３】・・・
バイポ−ラトランジスタ形成予定領域の周囲にシリコン酸化膜２に達するトレンチＴ１を形成し、このトレンチＴ１の表面を酸化してシリコン酸化膜９ａを形成する
と記載され、また、本願の出願前に国内において頒布された特開平１０−２８９９４８号公報（以下「周知例２」という。）にも、
「【０００２】
【従来の技術】
集積回路には、埋め込み絶縁膜を介して２枚の半導体基板を一体化した誘電体分離基板が広く用いられている
このような集積回路は、基板と素子との分離は埋め込み絶縁膜で行われ、素子間の分離はトレンチによって行われる
と記載され、これら周知例１及び２のいずれにも、上記周知技術が本願の出願前に広く実施されていたものであることが示されている。
　そして、引用発明に対して上記周知技術を採用し、引用発明における互いに同一サイズの複数アレイ配置されるバイポーラトランジスタが前記複数の半導体島領域のそれぞれに形成されたものとすること、すなわち、本願発明の上記相違点１及び２からなる発明特定事項を得ることは、当業者が適宜なしえた設計的事項である。
　
（２）相違点３について
　回路素子への電気的接続をとるために設けられる配線が、当該回路素子で発生する熱を放散する機能を有することは、一般に成り立つ物理的事実である。
　例えば、本願の出願前に国内において頒布された特開平１１−３５４８０７号公報（以下「周知例３」という。）には、図１とともに、
「【００４６】
図１に示すように、横型パワーＭＯＳＦＥＴの単位トランジスタセルＵＣにおいて、ドレイン領域を形成する半導体領域１３には配線１８ａが電気的に接続され、この配線１８ａには上層の配線２０が電気的に接続される
「【００４９】横型パワーＭＯＳＦＥＴにおいては導通状態で電流がドレイン領域とソース領域との間を流れると発熱が生じる。
この横型パワーＭＯＳＦＥＴの動作で発生する熱は、半導体基板１の活性基板１Ｃ上に配線１８ａ等を放熱経路として放熱される
と記載され、また、本願の出願前に国内において頒布された特開平０９−１８６２４０号公報（以下「周知例４」という。）にも、図２１とともに、
「【００３８】（具体例３）具体例１の操作を応用して、図２１に示すようなＩＣ３２が作製される。このＩＣにおいては、
トランジスタ素子のうち特に放熱対策の必要なパワー用素子３３のエミッタ電極３４を金属層２３とＡｕ製の配線３５で接続し、素子３３に生じた熱を配線３５を介して金属層２３へ伝達し易くしている
と記載され、さらには、本願の出願前に国内において頒布された特開２０００−３１５６９３号公報（以下「周知例５」という。）にも、図１６とともに、
「【０００２】
【従来の技術】
図１６は
従来のＨＢＴ素子集積回路のレイアウトを模式的に表したレイアウト図である
８はＨＢＴ素子２，・・・，２の列方向の配列の両端に形成された一対のエミッタ電極用パッド、９は各列毎に複数のＨＢＴ素子２，・・・，２に共通に接続された複数のエミッタ配線
「【０００９】また、このようなＨＢＴ素子集積回路においてその熱分布を考えると、
放熱は主にエミッタ電極用パッド８，８を介して、更に接地されたワイヤやバイアホールを介して行われる
と記載され、ＨＢＴ素子集積回路からエミッタ電極用パッド８への放熱は、エミッタ配線９を経由して行われることが明らかであり、これら周知例３〜５のいずれからも、上記物理的事実の存在が裏付けられる。
　したがって、引用発明の「配線」も、「複数アレイ配置されるバイポーラトランジスタ」で発生する熱を放散する機能を有するものと認められるから、上記相違点３は実質的な相違点ではない。
　
　また、仮に、相違点３が実質的な相違点ではないとまではいえないものであったとしても、回路素子において発生する熱を配線によって放散させることは、上記周知例３〜５にも記載されているように、当業者における周知技術なのであるから、引用発明に対して当該周知技術を適用し、本願発明のように「前記複数の単位バイポーラトランジスタのいずれかにて発生する熱を放散するための相互配線」を有する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、仮に相違点３が実質的なものであったとしても、当該相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）なお、審判請求人は、審判請求書において、「本願発明は、出願当初の明細書の段落［００１７］などに記載されている通り、寄生容量が小さく高速化に有効であることが知られていたＳＯＩ型半導体集積回路装置において、大電流用トランジスタから放出される熱の伝達効率が特に低下する点にいち早く独自に着目し、『複数の単位バイポーラトランジスタを並列接続して１個のトランジスタとして機能させるための相互配線を、その複数の単位バイポーラトランジスタのいずれかにて発生する熱を放散するためにも用いる』ようにした点が特徴です。この点については、いずれの引用文献にも開示・示唆はなく、また、引用文献や周知技術と認定された技術の組み合わせからも容易に想到し得ないと思料致します。」との主張をしているが、上記（２）で検討したとおり、引用発明の「配線」も、熱を放散する機能は当然に有しているものであり、また、本願発明と引用発明とを「相互配線」の上記物理的事実にかかる発明特定事項について比較しても、何ら差異があるものとも認められない。また、仮に何らかの差異があったととしても、当事者が容易になし得た程度のものである。
　したがって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
（４）小括
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６．結言
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。