【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、直線型の研磨パッドの下方に配置され、制御された流体フローを前記直線型の研磨パッドの下面に供給するように設計され、
第１の複数の出力ホールを含み、前記直線型の研磨パッドの上流領域に近接して設けられた前縁ゾーンと、
第３の複数の出力ホールを有する中央領域と、
第２の複数の出力ホールを含み、前記直線型の研磨パッドの下流領域に近接して設けられた後縁ゾーンと、
を備え、前記前縁ゾーンと前記後縁ゾーンと前記中央領域は、独立に制御され、前記制御された流体フローを前記第１の複数の出力ホールと前記第２の複数の出力ホールと前記第３の複数の出力ホールからそれぞれ独立に出力するように設計されており、前記前縁ゾーンと前記後縁ゾーンのそれぞれは第１の小領域と第２の小領域と第３の小領域とを有しており、
前記第１の小領域は出力ホールの第１の半径方向列を含み、前記第２の小領域は出力ホールの第２の半径方向列を含み、前記第３の小領域は出力ホールの第３の半径方向列と第４の半径方向列と第５の半径方向列と含む、プラテン。
【請求項２】
請求項１に記載の化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、
前記第１の複数の出力ホールは、前記第１の小領域、前記第２の小領域、および前記第３の小領域の中に設けられている、プラテン。
【請求項３】
請求項２に記載の化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、
前記第１の小領域、前記第２の小領域、および前記第３の小領域は、別々に制御可能な領域であり、これらの別々に制御可能な領域を通じて独立の流体フローを伝えるように設計されている、プラテン。
【請求項４】
請求項１に記載の化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、
前記第２の複数の出力ホールは、前記第１の小領域、前記第２の小領域、および前記第３の小領域の中に設けられている、プラテン。
【請求項５】
請求項４に記載の化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、
前記第１の小領域、前記第２の小領域、および前記第３の小領域は、別々に制御可能な領域であり、これらの別々に制御可能な領域を通じて独立の流体フローを伝えるように設計されている、プラテン。
【請求項６】
直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
プラテン囲み板と、
プラテン境界アセンブリと、
前記プラテン境界アセンブリに接続されるように構成され、前記プラテン囲み板によってサポートされるように構成されたプラテン多岐管アセンブリであって、
台板と、
前記台板に取り付けられるように構成されたガスケットと、
前記プラテンを取り囲むように構成されたＯリングと、
別々に制御可能な複数の領域を含むプラテンであって、前記別々に制御可能な各領域は、これらの別々に制御可能な領域を通じて前記直線型の研磨パッドの前記下面に独立の流体フローを伝えるように設計されているプラテンと
を含むプラテン多岐管アセンブリと、
を備えるプラテンアセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記流体フローは、気体フローおよび液体フローのいずれかである、プラテンアセンブリ。
【請求項８】
請求項６に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記流体フローは液体フローである、プラテンアセンブリ。
【請求項９】
請求項６に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記別々に制御可能な領域は、前縁ゾーンおよび後縁ゾーンである、プラテンアセンブリ。
【請求項１０】
請求項６に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記別々に制御可能な領域は、前縁ゾーン、後縁ゾーン、および２つの側方ゾーンである、プラテンアセンブリ。
【請求項１１】
請求項９に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンは、独立の流体フローを伝えるための別々に制御可能である小領域をそれぞれに有する、プラテンアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の直線型の研磨パッドの下面をサポートするためのプラテンアセンブリであって、
前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンは、少なくとも３つの別々に制御可能な小領域をそれぞれに有する、プラテンアセンブリ。
【請求項１３】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムにおいて使用するためのプラテンであって、
前記プラテンの上方に設けられた研磨パッドに圧力を加えることができ、ウエハの下方において前記ウエハの円周の内側に設けられた、内側の圧力小領域セットと、
前記プラテンの上方に設けられた研磨パッドに圧力を加えることができ、前記ウエハの下方において前記ウエハの前記円周の外側に設けられ、さらに、前記研磨パッドを形状付けることによって特定の除去率を達成することができる、外側の圧力小領域セットと、
を備えるプラテン。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラテンであって、
前記各小領域は、前記研磨パッドに対する加圧を促進することができる複数の出力ホールをそれぞれに含む、プラテン。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプラテンであって、
前記複数の出力ホールの各ホールは、前記研磨パッドに気体圧力をそれぞれ加える、プラテン。
【請求項１６】
請求項１４に記載のプラテンであって、
前記複数の出力ホールの各ホールは、前記研磨パッドに液体圧力をそれぞれ加える、プラテン。
【請求項１７】
請求項１４に記載のプラテンであって、
前記外側の小領域セットは、第１の外側小領域と第２の外側小領域とを含む、プラテン。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプラテンであって、
前記第１の外側小領域および前記第２の外側小領域は、独立に制御される、プラテン。
【請求項１９】
請求項１３に記載のプラテンであって、さらに、
前縁ゾーンと後縁ゾーンとを備え、前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンは、内側の圧力小領域セットと外側の圧力小領域セットとをそれぞれに含む、プラテン。
【請求項２０】
請求項１９に記載のプラテンであって、
前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンの前記外側の小領域セットは、第１の外側小領域と第２の外側小領域とをそれぞれに含む、プラテン。
【請求項２１】
請求項２０に記載のプラテンであって、
前記第１の外側小領域および前記第２の外側小領域は、独立に制御される、プラテン。
【請求項２２】
化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスにおいてウエハを平坦化するための改良方法であって、
ウエハの下方において前記ウエハの円周の内側に設けられた内側の圧力小領域セットを有するプラテンを利用して、研磨ベルトに対する圧力を調整する動作と、
前記ウエハの下方において前記ウエハの前記円周の外側に設けられ、さらに、前記研磨パッドを形状付けることによって特定の除去率を達成することができる、前記プラテンの外側の圧力小領域セットを利用して、前記研磨ベルトに対する圧力を調整する動作と
を備える方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
前記外側の小領域セットは、第１の外側小領域と第２の外側小領域とを含む、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、さらに、
前記第１の外側小領域および前記第２の外側小領域によって加えられる前記圧力を独立に調整する動作を備える方法。
【請求項２５】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記プラテンの前縁ゾーンおよび後縁ゾーンに加えられる圧力を独立に調整する動作を備え、前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンは、内側の圧力小領域セットと外側の圧力小領域セットとをそれぞれに含む、方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、
前記前縁ゾーンおよび前記後縁ゾーンの前記外側の小領域セットは、第１の外側小領域と第２の外側小領域とをそれぞれに含む、方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、さらに、
前記第１の外側小領域および前記第２の外側小領域によって加えられる圧力を独立に調整する動作を備える方法。