【事件の表示】
　特願２００５−２１１４７８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　２月　１日出願公開、特開２００７−　２７６３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯  
　本願は、平成１７年７月２１日の出願であって、平成２１年１２月１１日付けの拒絶理由通知に対し，平成２２年２月１５日に手続補正され、同年１１月４日付けで拒絶査定され、これに対して平成２３年１月１２日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。
 　  
２　本願発明  
　本願の請求項１〜７に係る発明は，平成２２年２月１５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。  
 　  
「【請求項１】　回路形成領域を有する半導体装置であって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板上に設けられ、第１の絶縁材料によって形成された第１の層間絶縁膜群と、
　前記第１の層間絶縁膜群上に設けられ、前記第１の絶縁材料よりも誘電率の低い第２の絶縁材料によって形成された第２の層間絶縁膜群と、
　前記回路形成領域を包囲するガードリングと、を備え、
　前記ガードリングは、前記第１の層間絶縁膜群と前記第２の層間絶縁膜群との間の界面を貫通するとともに、前記半導体基板と離間して設けられており、
　前記回路形成領域は、第１および第２の回路形成領域を含むことを特徴とする半導体装置。」
 　  
３　引用例に記載された発明  
（１）　引用例に記載された発明  
　本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−３０４１２４号公報（以下「引用例」という。）には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１，２とともに，以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　
　ア　「【請求項１】
半導体基板上に形成された回路の領域である回路形成領域を有する半導体装置であって、回路形成領域への周辺からの水分の浸入を防ぐための、該回路形成領域の周囲を囲む第１のガードリング
前記回路形成領域と前記第１のガードリングの間に設けられ、該回路形成領域の周囲を囲む第２のガードリングと、
前記第１のガードリングと前記第２のガードリングを接続し、該第１のガードリングと該第２のガードリング間の領域を複数の区域に分割するための第１の接続部と、
を有する
半導体装置。
 　 
　イ　「 【０００２】
【従来の技術】
従来、メモリやロジックなどの回路が形成された領域である
回路形成領域を有する半導体装置は、回路形成領域への周辺からの水分の侵入を防ぐための、チップ周辺に沿って銅（Ｃｕ）等の金属で形成されたガードリングを備えている
 　　  
　ウ　「【００１２】
また、上記本発明の半導体装置において、前記回路形成領域には、
酸化膜よりも誘電率の低い膜である第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜と膜質の異なる第２の絶縁膜が積層され、前記第１のガードリング、前記第２のガードリングおよび前記第１の接続部についての前記半導体基板に対する垂直方向の構造は、前記第１の絶縁膜の側面、および該第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面を覆う構成である
【００１３】
また、上記本発明の半導体装置において、前記回路形成領域には、酸化膜よりも誘電率の低い膜である第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜と膜質の異なる第２の絶縁膜が積層され、
前記第１のガードリング、前記第２のガードリング、前記第３のガードリング、前記第１の接続部および前記第２の接続部についての前記半導体基板に対する垂直方向の構造は、前記第１の絶縁膜の側面、および該第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面を覆う構成であることとしてもよい。
【００１４】
さらに、上記本発明の半導体装置において、前記
第１の絶縁膜が、梯子型水素化シロキサン膜、水素含有ポリシロキサン膜、
　
　エ　「【００２３】
また、本発明では、
水分の浸入し易い、第１の絶縁膜の側面、および第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面をガードリングおよび接続部が覆っているため、回路形成領域への水分の浸入をより防止する。」
　
　オ　「【００３３】
図２（ａ）に示すように、
第１のガードリング１０１および第２のガードリング１０２は、図に示さない半導体基板上の下地絶縁膜となる酸化膜（ＳｉＯ
２
膜）１１２上に形成されたガードリング用第１の配線１１４と、ガードリング用第１の配線に沿って所定の幅で形成されたスリットビア１１８と、スリットビア１１８を介してガードリング用第１の配線１１４と接続されたガードリング用第２の配線１２０とを有する構成
【００３４】
ガードリング用第１の配線１１４は、エッチング停止のためのストッパ膜となるＳｉＣＮ膜１３０と、ＳｉＯ
２
膜１２２が順に形成された第１の層間絶縁膜１５０中に設けられている。スリットビア１１８は、ＳｉＣＮ膜１３２と低誘電率膜のラダーオキサイド（梯子型水素化シロキサン：以下、Ｌ−Ｏｘ（ＮＥＣエレクトロニクス株式会社出願中の商標）と称する）膜１１６が順に形成された第２の層間絶縁膜１５２中に形成されている
【００３５】
なお、上述のようにして、
層間絶縁膜に低誘電率膜を用いるのは、回路形成領域１００における配線間容量を小さくするためである。
　
　カ　図２（ａ），（ｂ）から，
　（ア）　第１のガードリング１０１が下地絶縁膜となる酸化膜（ＳｉＯ２膜）１１２上に形成されていること
　（イ）　第２の層間絶縁膜１５２がＬ−Ｏｘ膜１１６，ＳｉＣＮ膜１３２からなり，第１の層間絶縁膜１５０がＳｉＯ２膜１２２，ＳｉＣＮ膜１３０からなること
　（ウ）　ガードリング１０１が第１，第２の層間絶縁膜の界面を貫通していること
が読み取れる。
　
　以上によれば，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。  
　「半導体基板上に形成された回路の領域である回路形成領域を有する半導体装置であって、ＳｉＣＮ膜１３０と、ＳｉＯ２膜１２２が順に形成された第１の層間絶縁膜１５０，ＳｉＣＮ膜１３２と低誘電率膜のラダーオキサイド膜１１６が順に形成された第２の層間絶縁膜１５２，回路形成領域の周囲を囲む第１のガードリング１０１と、を備え，
　第１のガードリング１０１は、半導体基板上の下地絶縁膜となる酸化膜（ＳｉＯ２膜１１２）上に形成されたガードリング用第１の配線１１４と、ガードリング用第１の配線に沿って所定の幅で形成されたスリットビア１１８と、スリットビア１１８を介してガードリング用第１の配線１１４と接続されたガードリング用第２の配線１２０とを有し，
　ガードリング用第１の配線１１４は、第１の層間絶縁膜１５０中に，スリットビア１１８は、第２の層間絶縁膜１５２中に形成されている半導体装置。」 
 　 
４　対比・判断  
（１）　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　ア　引用発明の「第１のガードリング１０１」，「第１の層間絶縁膜１５０」及び「第２の層間絶縁膜１５２」は，それぞれ本願発明の「ガードリング」，「第１の層間絶縁膜群」及び「第２の層間絶縁膜群」に相当する。
　
　イ　３（１）オによれば，引用発明の第１の層間絶縁膜１５０は，ＳｉＣＮ膜１３０と，ＳｉＯ２膜１２２からなり，第２の層間絶縁膜１５２は，ＳｉＣＮ膜１３２と低誘電率膜のラダーオキサイド膜１１６から形成されており，第２の層間絶縁膜１５２の方が第１の層間絶縁膜より誘電率が低いものであることが分かる。
　
　ウ　３（１）オによれば，引用発明において，図示されていない半導体基板はＳｉＯ２膜１１２の下にあることは当業者にとって明らかであり，そうすると，第１のガードリング１０１が半導体基板と離間して配置されていることが分かる。
　３（１）オ，カから，第１のガードリング１０１は、第１の層間絶縁膜１５０と第２の層間絶縁膜１５２との間の界面を貫通していることが分かる。
　以上から，引用発明のガードリング１０１は、第１の層間絶縁膜１５０と前記第２の層間絶縁膜１５２との間の界面を貫通するとともに、半導体基板と離間して設けられていると認められる。
　
　エ　したがって，本願発明と引用発明とは，  
 　「回路形成領域を有する半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、第１の絶縁材料によって形成された第１の層間絶縁膜群と、前記第１の層間絶縁膜群上に設けられ、前記第１の絶縁材料よりも誘電率の低い第２の絶縁材料によって形成された第２の層間絶縁膜群と、前記回路形成領域を包囲するガードリングと、を備え、
　前記ガードリングは、前記第１の層間絶縁膜群と前記第２の層間絶縁膜群との間の界面を貫通するとともに、前記半導体基板と離間して設けられたことを特徴とする半導体装置。」  
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
  
（相違点）  
　本願発明は，回路形成領域が，「第１および第２の回路形成領域を含む」ものであるのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。  
　
（２）　判断  
　ア　相違点について  
　ガードリングが複数の回路形成領域を包囲する半導体装置は，以下の周知例１，２に記載されているように周知の技術であり，引用発明において，ガードリングが複数の回路形成領域を包囲する構成とすることは当業者ならば適宜なし得たといえる。
　また，引用発明も，ガードリングが半導体基板と離間されていることから，ガードリングにノイズが伝播することを抑制できるという効果を当然奏していると認められ，引用発明において，第１，第２の回路領域を設けたものとした場合に，第１の回路形成領域から第２の回路形成領域へノイズが伝播することを抑制できることも当業者の予測の範囲内である。
　したがって，引用発明において，ガードリングが複数の回路形成領域を包囲する構成としたことは当業者が容易になし得たことである。
 　 
　（ア）　周知例１：特開２００２−２８９６８９号公報 
　周知例１には，図１とともに以下の記載がある。
　　ａ　「【００４８】図１（Ｂ）は、単一のチップ１１内の平面構成を示す。チップ１１中央部には、デコーダ、演算回路、ＳＲＡＭ、入出力回路（Ｉ／Ｏ）等が配置された回路領域Ｃ、回路領域からの配線を外部に取り出すためのパッド部Ｐが画定され、回路領域Ｃ、パッド部Ｐを取り囲むように耐湿リング１７が画定されている。」
　
　　ｂ　図１（Ｂ）には，複数の回路領域Ｃが耐湿リング（本願発明のガードリングに相当する）内にあることが読み取れる。
　
　（イ）　周知例２：特開２００５−１６７１９８号公報 
　　ａ　図１には，シールリング１０４内に複数の回路領域（斜線部）があることが読み取れる。
 　 
（３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明に基づき，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　したがって，本願発明は特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。  　 
　
 ５　むすび  
 　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
 　  
 　よって，結論のとおり審決する。