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　特願２００４−５５３２２９号「半導体装置および配線基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月　３日国際公開、ＷＯ２００４／０４７１６７号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、２００３年１１月２１日（優先権主張平成１４年１１月２１日）を国際出願日とする出願であって、平成２１年１０月５日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２２年１月７日に拒絶査定不服審判が請求され、同日に手続補正がなされたものである。
　本願の各請求項に係る発明は、平成２２年１月７日の手続補正書の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項８には次のように記載されている。なお、請求項８は、平成２２年１月７日の手続補正書において補正がなされていない。
　
　「【請求項８】半導体チップをフリップチップ実装する配線基板であって、ベース基板と、該ベース基板の片面の配線層形成面に形成された絶縁層と配線とを有する配線層と、前記半導体チップを搭載する前記ベース基板の前記配線層形成面の裏面であるチップ装着面に形成された電極と、前記配線層形成面に形成された前記配線層と前記チップ装着面に形成された前記電極とを電気的に接続する前記ベース基板に形成された貫通孔とを含み、前記ベース基板の熱膨張率は、前記半導体チップと同等もしくは前記配線層の熱膨張率以下である配線基板。」
　
２．引用例の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由１に引用文献１として引用された刊行物である、特開平８−６４７１１号公報（以下「引用例」という。）には、発明の名称を「半導体パッケージ」と題して、図面特に【図３】【図４】とともに次の技術事項が記載されている。 
　(ア)「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、接続端子として半田バンプを有する半導体用パッケージに関する。」
　
　(イ）「【００４６】実施例２
図３は、この実施例によるＢＧＡパッケージ１０およびそれを用いたＢＧＡパッケージデバイス１２の構造を示す図である。
【００４７】この実施例では、多層セラミックス回路基板２としてアルミナ製多層セラミックス回路基板を用いた。このアルミナ製多層セラミックス回路基板２は、アルミナを主成分とするグリーンシ−トにスルーホール５を形成した後、実施例１と同様に、タングステンメタライズペーストによる表面印刷、裏面印刷およびスルーホール５へのメタライズ充填を行い、さらに積層、圧着および還元雰囲気中での焼結を行って作製したものである。表面配線層４や裏面側の入出力配線パッド６等は、同時焼結法により得られたＷメタライズ層であり、表面側のＷメタライズ層（４）にはボンディング性を考慮してＮｉ／Ａｕメッキ処理を、裏面側のＷメタライズ層（６）には半田付け性を考慮してＮｉ／Ｃｕメッキ処理を施した。アルミナ製多層セラミックス回路基板の熱膨張係数（ＲＴ〜７７３Ｋ）は８×１０−６／Ｋである。
【００４８】次に、９０％Ｐｂ−Ｓｎ半田からなる突起１１ａを有するフリップチップ構造の半導体チップ１１を、アルミナ製多層セラミックス回路基板２の表面配線層４に接続した後、Ａｇガラス系導電性接着剤１９を用いてＡｌＮ製リッド１５に固定すると共に、リッド１５とアルミナ多層セラミックス回路基板２とを８０％Ａｎ−Ｓｎ半田２０を用いて接合した。具体的には、８０％Ａｎ−Ｓｎ半田２０が溶融すると共に、Ａｇガラス系導電性接着剤１９が硬化する温度に加熱して、半導体チップ１１の固定および気密封止を行った。
【００４９】一方、絶縁性基材である樹脂基板３として厚さ１ｍｍのコンポジット基板（芯材に合成繊維布を用い、その表層にガラス布と銅箔を付けた構造）を用い、その入出力配線パッド位置に相当する部分に、直径０．５ｍｍのメッキを施したスルーホール７を形成した。このコンポジット基板３の熱膨張係数（ＲＴ〜７７３Ｋ）は１．２×１０−５／Ｋである。次いで、絶縁性接着剤９としてエポキシ樹脂接着剤を用いて、アルミナ製多層セラミックス回路基板２とコンポジット基板３とを、入出力配線パッド６とメッキを施したスルーホール７とを電気的に接続した上で、４２３Ｋ、６０分の条件で熱圧着して接着した。
【００５０】次に、コンポジット基板３の入出力配線パッド位置に３７％Ｐｂ−６３％Ｓｎからなる半田ペーストを印刷した後、半田ペーストの印刷層の上部に、治具を用いて３７％Ｐｂ−６３％Ｓｎからなる直径０．７ｍｍの半田ボール８をそれぞれ置き、最高温度４８３Ｋのリフロー炉を用いて熱処理して、アルミナ製多層セラミックス回路基板２の表面配線層４と半田ボール８とを電気的に接続した。この後、アルミニウムをベースとした円形状放熱フィン１５（１６の誤記）をエポキシ接着剤により接着した。以上のようにして、高放熱ＢＧＡパッケージ１０並びにＢＧＡパッケージデバイス１２を得た。」
　
　これら記載事項（ア）、（イ）から次のことが明らかである。
　・引用例には、アルミナ製多層セラミックス回路基板２、樹脂基板３、表面配線層４などからなる「配線基板」について記載されている。そして、アルミナ製多層セラミックス回路基板２に対して、その両面にそれぞれ樹脂基板３と表面配線層４が形成されているが、樹脂基板３が形成されている面を「片面」とすれば、表面配線層４が形成されている面は「裏面」といえる。
　・樹脂基板３の熱膨張係数が、１．２×１０−５／Ｋで、アルミナ製多層セラミックス回路基板２の熱膨張係数が、８×１０−６／Ｋとあることから、アルミナ製多層セラミックス回路基板２の熱膨張係数は、前記樹脂基板３の熱膨張係数以下である。
　
　以上から引用例には、実質的に次の発明が記載されているものと認められる。
　「半導体チップ１１をフリップチップ実装する配線基板であって、アルミナ製多層セラミックス回路基板２と、該アルミナ製多層セラミックス回路基板２の片面に形成された樹脂基板３と、前記半導体チップ１１を搭載する前記アルミナ製多層セラミックス回路基板２の裏面に形成された表面配線層４と、前記樹脂基板３に形成された半田ボール８とチップ装着面に形成された前記表面配線層４とを電気的に接続する前記アルミナ製多層セラミックス回路基板２に形成されたスルーホール５とを含み、前記アルミナ製多層セラミックス回路基板２の熱膨張係数は、前記樹脂基板３の熱膨張係数以下である配線基板。」
　
３．対比・判断
　本願の請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）と引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、次のことが認定できる。
　・引用発明の「アルミナ製多層セラミックス回路基板２」が、本願発明の「ベース基板」に相当する。同様に、「スルーホール５」が「貫通孔」に、「熱膨張係数」が「熱膨張率」に、それぞれ相当する。
　・本願発明が、ベース基板と半導体チップと配線層との間の位置関係に基づく熱膨張率差を考慮したものであって、引用発明のものも層状の基板同士の熱膨張係数が考慮されていることから、両者、積層された層の間の熱膨張率差を問題としているといえる。そこで、引用発明の「樹脂基板３」は本願発明の「配線層」とは若干機能が異なるものの熱膨張率差を問題としたその位置関係からみて、本願発明の「配線層」と対応しており、これらを「層」と称することとする。また、引用発明の「表面配線層４」は、機能的にみても位置的にみても、本願発明の「電極」と対応しており、同じく、引用発明の「樹脂基板３に形成された半田ボール８」は本願発明の「配線層形成面に形成された配線層」に対応しており、これらを「電気的接続部」と称することとする。
　　
　すると、本願発明と引用発明との一致点と相違点は次のとおりである。
（１）一致点 
　「半導体チップをフリップチップ実装する配線基板であって、ベース基板と、該ベース基板の片面に形成された層と、前記半導体チップを搭載する前記ベース基板の裏面に形成された電気的接続部と、前記層と前記電気的接続部とを電気的に接続する前記ベース基板に形成された貫通孔とを含み、前記ベース基板の熱膨張率は、前記層の熱膨張率以下である配線基板。」
　
（２）相違点 
　（ア）「層」および「電気的接続部」に関して、本願発明の「配線層」が「ベース基板の片面の配線層形成面に形成された絶縁層と配線とを有」するものであって、「電極」が「半導体チップを搭載する前記ベース基板の前記配線層形成面の裏面であるチップ装着面に形成」されたものであるのに対して、引用発明の「樹脂基板３」は「アルミナ製多層セラミックス回路基板２の片面に形成」されたものであって、「表面配線層４」は「アルミナ製多層セラミックス回路基板２の裏面に形成」されたものである点。
　（イ）本願発明が「ベース基板の熱膨張率は、前記半導体チップと同等もしくは前記配線層の熱膨張率以下」であるのに対して、引用発明は「アルミナ製多層セラミックス回路基板２の熱膨張率は、樹脂基板３の熱膨張率以下」である点。
　
（３）相違点についての検討・判断 
　相違点（ア）について
　引用発明の半導体チップ１１と半田ボール８とは、表面配線層４、スルーホール５などを介して電気的に接続されている。これに対して、例えば、特開平３−２９６２３６号公報（特に第４図参照）などにあるように、ＩＣチップの表面に突起電極を設け、これと対向するプリント基板側の同位置にも電極を設けて、直接電極同士を電気的に接続するようにしたタイプのものも、この種の配線基板として周知である。この場合、配線層もプリント基板についてＩＣチップ装着面の反対の面に形成されることとなる。
　そうであれば、引用発明において、このような周知の技術を参照しつつ、そのアルミナ製多層セラミックス回路基板２の片面の樹脂基板３に、半田ボール８と電気的に接続させるべく絶縁層を含めた配線層を形成するとともに、半導体チップ１１を搭載するアルミナ製多層セラミックス回路基板２の裏面であるチップ装着面に電極を形成し、樹脂基板３に形成された前記配線層と前記チップ装着面に形成された前記電極とを電気的に接続するようにして、本願発明の相違点（ア）に係る構成とすることは当業者にとって想到容易ということができる。
　
　相違点（イ）について
　本願発明は、「ベース基板の熱膨張率は、前記半導体チップと同等もしくは前記配線層の熱膨張率以下」とされているとおり、「ベース基板の熱膨張率が、半導体チップと同等」もしくは「ベース基板の熱膨張率が、配線層の
熱膨張率以下」ということであって、本願発明はそのいずれかを満たせばよいとする発明であるから、その限りにおいて、引用発明との間で実質的な相違点は存在しないことになる。
　しかし念のため、「ベース基板の熱膨張率が、半導体チップと同等」との点につき検討する。
　引用発明は、熱膨張率差による熱応力集中の防止を考慮しているのであって、実際、アルミナ製多層セラミックス回路基板２と樹脂基板３との間の熱膨張率差に配慮している。ここで、原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された特開平８−３３０５０６号公報にも、やはり熱膨張率差による熱応力集中の防止を考慮した発明が記載されており、半導体素子８と第１の回路基板などの熱膨張率を等しいか若しくはほぼ等しい材質としたとするものが記載されている（特許請求の範囲、段落【００３３】など参照）。
　すると、引用発明においても、半導体チップ１１とアルミナ製多層セラミックス回路基板２との間で熱膨張率差による影響があることは明かであるから、この両者について、お互いの熱膨張率を同等とするように構成することも、当業者にとって容易であったということができる。
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び周知の技術が有する効果の総和を超えるものではなく、当業者が予測し得た範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。