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【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エラストマー材料からなる基体（２４）と、
１，２−ポリブタジエンと中間ブロックを塩素化した不飽和ブロックコポリマーからなる群より選ばれる装着層材料を含有し、基体（２４）の少なくとも一面を覆う装着層（３０）とを有するエラストマー製品。
【請求項２】  基体（２４）が内面（２８）を有する手袋（２０）形状であり、装着層（３０）が手袋（２０）の内面（２８）を覆っている請求項１に記載のエラストマー製品。
【請求項３】  基体（２４）のエラストマー材料が中間ブロック飽和スチレンブロックコポリマーを含む請求項１又は２に記載のエラストマー製品。
【請求項４】  基体（２４）のエラストマー材料がスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマーを含む請求項１又は２のいずれかに記載のエラストマー製品。
【請求項５】  基体（２４）のエラストマー材料が天然ゴムラテックス、ニトリルゴム、イソプレンゴム、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−ポリブチジエン−スチレンブロックコポリマー、スチレン−イソプレンブロックコポリマー、スチレン−ブタジエンブロックコポリマー及びそれらの混合物からなる群より選ばれる請求項１又は２に記載のエラストマー製品。
【請求項６】  さらに装着層（３０）を覆っている界面活性剤層（３２）を有する請求項１から５のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【請求項７】  さらに装着層（３０）を覆っている界面活性剤層（３２）を有し、その界面活性剤層（３２）がカチオン界面活性剤及びカチオン界面活性剤とシリコーン消泡剤からなる群より選ばれる界面活性剤を含む請求項１から５のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【請求項８】  さらに装着層（３０）を覆っている界面活性剤層（３２）を有し、その界面活性剤層（３２）がアルキルジメチルベンジル４級、アルキルトリメチル４級、ジアルキルジメチル４級、ピリジニウムクロリド、ナトリウムラウリルサルフェート及びポリジメチルシロキサンエマルジョンからなる群より選ばれる界面活性剤を含む請求項１から５のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【請求項９】  装着層（３０）ポリマーが１，２−ポリブタジエンを含む請求項１から８のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【請求項１０】  装着層（３０）ポリマーがシンジオタクチックの１，２−ポリブタジエンを含む請求項１から８のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【請求項１１】  装着層（３０）ポリマーが中間ブロックを塩素化した不飽和ブロックコポリマーを含む請求項１から８のいずれか１項に記載のエラストマー製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  細菌を吸着又は殺滅するための、接着剤又は類似の付着剤を用いて相互にそのパーチクル構造の保持下に結合して積層品（ラミネート）にされている、ゆるく相互に付着している木材パーチクルの平らな層の使用であって、前記木材パーチクルの出発物質として、松科の木材、特にマツ及びカラマツを使用する、木材パーチクルの平らな層の使用。
【請求項２】  積層品は、平らな担持材からなる担持層を含有する、請求項１に記載の使用。
【請求項３】  木材パーチクルとして、木材チップ、−削片、−粉及び／又は−ウールを使用する、請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】  積層品を得るために、湿潤剤で含浸されている木材パーチクルを使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】  積層品を得るために、脂肪溶剤で含浸されている木材パーチクルを使用する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】  木材パーチクルの水分含量を繊維飽和範囲以下に保持する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】  木材パーチクルの水分含量を０％又はその付近に保持する、請求項６に記載の使用。
【請求項８】  平らな担持材として、生物学的に分解可能なプラスチックシート、紙、厚紙又はボール紙からの平面帯状物を使用する、請求項２から７までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】  平面帯状物は少なくとも片側に１つの熱可塑性プラスチック層を有する、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】  木材パーチクル層用の平らな担持材として、良好なガス透過性を有する平面材料を使用する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】  木材パーチクルの層は、上側で良好なガス透過性を有するカバー層で被覆されている、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】  カバー層はフリースより成っている、請求項１１に記載の使用。
【請求項１３】  積層品を、紙、パルプ又は類似材料製の外鞘中への交換可能な封入物として使用する、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】  接着剤又は類似の付着剤を用いて相互にその個々のパーチクル構造の保持下に結合されている、ゆるく相互に付着している木材パーチクルの一つの平らな層よりなる、バクテリアの吸着又は殺滅のための積層品（ラミネート）であって、前記木材パーチクルは、松科の木材、特にマツ及びカラマツから形成されている、バクテリアの吸着又は殺滅のための積層品（ラミネート）。
【請求項１５】  積層品は、平らな担持材から成る担持層を含有する、請求項１４に記載の積層品。
【請求項１６】  木材パーチクルは、木材チップ、−削片、−粉及び／又は−ウールから形成されている、請求項１４又は１５に記載の積層品。
【請求項１７】  積層品の木材パーチクルは、湿潤剤で含浸されている、請求項１４から１６までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項１８】  積層品の木材パーチクルは、脂肪溶剤で含浸されている、請求項１４から１７までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項１９】  木材パーチクルの水分含量は繊維飽和範囲以下である、請求項１４から１８までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項２０】  木材パーチクルの水分含量は０％又はその付近である、請求項１９に記載の積層品。
【請求項２１】  平らな担持材は、生物学的に分解可能なプラスチックシート、例えば紙、厚紙又はボール紙からの平面帯状物から形成されている、請求項１４から２０までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項２２】  平面帯状物は少なくとも片側に１つの熱可塑性プラスチック層を有する、請求項２１に記載の積層品。
【請求項２３】  木材パーチクル層用の平らな担持材は、良好なガス透過性を有する平らな材料から形成されている、請求項１４から２２までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項２４】  木材パーチクルの層は、上側が良好なガス透過性を有するカバー層により被覆されている、請求項１４から２３までのいずれか１項に記載の積層品。
【請求項２５】  カバー層はフリースから成っている、請求項２４に記載の積層品。
【請求項２６】  引き剥がし可能な基底層上に、平面帯状に木材パーチクル及び粉末状熱可塑性プラスチックの混合物の１層を広げ、加熱によりプラスチック粉末を接着可能な木材パーチクル結合性状態に変じ、この接着剤の硬化の後に、基底層を引き剥がすことを特徴とする、請求項１４に記載の積層品を製造する方法。
【請求項２７】  木材パーチクル及び熱可塑性プラスチックの混合物の層の上に、その硬化の後に、粉末状熱可塑性プラスチックの少なくとも１層を施与し、これを加熱により接着可能な状態に変じ、その上に接着剤と結合するために木材パーチクルの１層を施与する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  担持材としての平面帯状物上に、粉末状熱可塑性接着剤を撒布し、引き続きこの接着剤粉末を加熱により接着可能な状態に変じ、次いで、１層の木材パーチクルを接着可能な接着剤上に撒布し、引き続きこの帯状物を接着剤の硬化の後に、ストックロール上に巻きつける、請求項１４又は１５に記載の積層品の製法。
【請求項２９】  木材パーチクル層の上に、加熱により接着可能性にされる接着剤粉末の少なくとももう１つの層及びその上に木材パーチクル層を塗布する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  木材パーチクル層の上又は木材パーチクル外層の上にカバー層を施与する、請求項２６から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】  担持材としての平面帯状物の熱可塑性プラスチック層をその表面で加熱により接着可能性にし、その上に木材パーチクル層を施与し、これを、場合により引き続き平面帯状物に軽く押しつける、請求項１４又は１５に記載の積層品の製法。
【請求項３２】  プラスチック層の上側上に、その接着可能な状態で、カバー層を木材パーチクル層の包囲下に縁側で貼り付ける、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  平面帯状物を、熱可塑性プラスチックの再硬化の後に、ストックロール上に巻きつける、請求項３１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月10日(2006.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  動物関連操作を実施するための装置であって、動物房（８）内の操作のための活性位置と動物房から実質的に離れた不活性位置の間で動物関連装置を移動するための駆動手段を有する動物関連装備を含み、さらに保護手段を含む装置において、保護手段がまず前記動物関連装置をその不活性位置に移動するために前記駆動手段を活性化させ、その後でのみ前記駆動手段を不活性化させるように遮断発生毎に配置された活性化可能な状態を有する遮断装置を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】  前記動物関連装置の前記不活性位置への前記移動を実現するために実質的に予め決められた時間間隔の間、遮断発生時に前記駆動手段の電圧印加を維持するためのタイマー手段（３）を特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記実質的に予め決められた時間間隔が２〜６秒であることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】  動物関連装備を移動するための駆動手段（１６；１６′）が空気圧出力源によって出力される空気圧手段であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の装置。
【請求項５】  前記空気圧出力源の不活性化の場合に前記動物関連装置をその不活性位置に移動するために活性化可能な空気圧逆転源（６）を含むことを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】  前記動物関連装置を移動するための駆動手段が電源から駆動されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の装置。
【請求項７】  ばね手段が前記電源からの出力損失の場合に前記動物関連装置をその不活性位置に戻すように配置されることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】  電池手段（６）が遮断発生を生じた主電源の損失の場合に与えられることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項９】  動物関連装置が乳頭清浄手段、乳頭後処置手段及び動物を搾乳するための乳頭カップ（１０）のいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか記載の装置。
【請求項１０】  前記動物関連装置の乳頭カップが個々に装着及び撤回するために個々に装着されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  前記乳頭カップ（１０）がそれを動物関連房の実質的に外側のさらなる動物関連装備に接続するための手段を与えられており、接続された乳頭カップ（１０）の横方向の撤回のために前記駆動手段によって出力される引取装置に接続された撤回手段（１５）を含み、乳頭カップの撤回が各乳頭カップが床に接触することを避けるのに十分迅速であることを特徴とする請求項１０記載の装置。
【請求項１２】  前記動物関連装備が撤回可能なロボットアーム（２０，２１）を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各個々の酪農動物（９）上に一つ装着されることを意図される個体識別手段（１１）；飼料分配手段（４）及び前記個体識別手段（１１）を感知するための感知手段（１５）をそれぞれが与えられた単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）；飼料分配手段（６）、搾乳手段（７）、及び前記個体識別手段（１１）を感知するための感知手段（１５）を与えられた組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′，５″）；及び単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）及び組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）を制御するための制御手段（８，１９）を含む酪農動物（９）の搾乳のための搾乳装置（１）において、前記制御手段（８，１９）が各個々の動物（９）について少なくとも登録された飼料消費量及び最後の搾乳の時間に基づいて次の搾乳を開始するための時間を計算するように配置された決定手段（１９）を与えられていること、及び前記単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）が各個々の動物（９）に対して前記次の搾乳のための時間の前にだけ飼料の分配を可能にするように制御しかつ組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）が搾乳の実施と関連して前記時間後に１回だけ飼料の分配を可能にするように制御するように決定手段（１９）が配置されていることを特徴とする搾乳装置。
【請求項２】  単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）における飼料の供給の最大割合が組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）における飼料の供給の最大割合より小さいことを特徴とする請求項１記載の搾乳装置。
【請求項３】  組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）が乳流量感知手段（２７）を与えられていること、及び前記制御手段（８，１９）が組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）からの感知された乳流量が予め決められた値の下であるとき飼料の分配を停止するように組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）に信号を送るための出力手段（２１）を与えられていることを特徴とする請求項１又は２記載の搾乳装置。
【請求項４】  個々の動物（９）が最後に搾乳された時を記録するためのメモリー手段（２５）を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の搾乳装置。
【請求項５】  前記個々の動物（９）の前記次の搾乳のための時間が前記動物の次の搾乳のための最適時間であるように決定手段（１９）によって計算されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の搾乳装置。
【請求項６】  前記個々の動物（９）の前記次の搾乳のための時間が前記動物の搾乳間の平均時間に基づいて決定手段（１９）によって計算されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の搾乳装置。
【請求項７】  全ての個々の動物（９）が飼料だけが分配されることができる単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）と飼料が分配されることができかつ搾乳が実施されることができる組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）の間で移動でき、各動物について飼料の消費量が登録されている自発的な搾乳システム（１）における酪農動物（９）の搾乳のための方法において、各動物について少なくとも登録された飼料消費量及び最後の搾乳のための時間に基づいて次の搾乳の開始のための時間が計算されること、及び前記次の搾乳のための時間前に飼料の分配が単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）においてだけ可能であること、及び前記次の搾乳のための時間後に飼料の分配が搾乳の実施と関連して組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）においてのみ可能であることを特徴とする方法。
【請求項８】  搾乳中、飼料の分配が感知された乳流量が予め決められた値の下であるときに停止されることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記次の搾乳のための時間が前記個々の動物（９）のための最適時間として決定されることを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】  前記次の搾乳のための時間が個々の動物（９）の搾乳間の平均時間に基づいて決定されることを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
【請求項１１】  飼料の分配が単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）においてより組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）において高い割合でなされることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか記載の方法。
【請求項１２】  各個々の動物（９）に取付け可能な個体識別手段（１１）；飼い葉を分配するための飼料分配手段（４）及び前記個体識別手段（１１）を感知するための感知手段（１５）を与えられた単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）；飼い葉を分配するための飼料分配手段（６）、動物（９）を搾乳するための搾乳手段（７）及び前記個体識別手段（１１）を感知するための感知手段（１５）を与えられた組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）；及び単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）及び組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）を制御するための制御手段（８，１９）を含む自発的な搾乳システム（１）における酪農動物の搾乳のための方法において、個々の動物（９）が最後に搾乳された時を記録し；前記個々の動物（９）の次の搾乳のための時間を決定し；もし実際の時間が前記動物（９）の前記次の搾乳のための時間後であるなら、組み合わされた給餌及び搾乳ステーション（５′；５″）における飼料の供給の最大割合より小さくなるように飼料の供給の最大割合を設定するように及び／又は前記個々の動物（９）に飼料を分配することを停止するように前記単純な給餌ステーション（３′−３′′′′）に信号を送る工程を特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は請求項１の特徴部分に述べられた特徴を有する装置によって上述の問題を解決する。上述の問題は請求項７又は１２の特徴部分に述べられた特徴を有する方法によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月25日(2006.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力端子へ供給されたイメージデータを圧縮し、圧縮されたデータを出力端子へ供給するイメージ圧縮装置であって、
前記入力端子へ結合され、前記イメージデータを重み付けされた周波数データへ変換するように構成された重み付けされた４ｘ４デジタルコサイン変換器（ＤＣＴ）と、
前記ＤＣＴへ結合され、前記周波数データをジグザグ処理し、かつ作成済みジグザグデータを生成するように構成されたジグザグ回路と、
前記ＤＣＴへ結合され、前記周波数データを推定し、かつＱ値を生成するよう構成されたＱ値エスティメイタと、
前記ジグザグ回路へ結合され、前記ジグザグデータを符号化し、かつＤＣコードを生成するように構成されたＤＣコード化回路と、
前記ジグザグ回路および前記Ｑ値エスティメイタへ結合され、前記Ｑに基づいて前記ジグザグデータを量子化し、かつ量子化済みデータを生成するように構成された量子化回路と、
前記ＤＣコード化回路および前記量子化回路へ結合され、前記出力端への前記圧縮済みデータとして可変長さデータを作成するために前記量子化済みデータを符号化するよう構成された符号化回路と
を有する装置。
【請求項２】  重み付けされた前記４ｘ４ＤＣＴが処理用２次元ＤＣＴに分割される請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項３】  前記２次元ＤＣＴが更に１つの処理用１次元ＤＣＴに分割される請求項２に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項４】  前記ＤＣＴが高度の圧縮を得るために使用される特殊係数表を有する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項５】  前記ＤＣＴが４個の量子化係数のみの特殊係数表を有する請求項１記載のイメージ圧縮装置。
【請求項６】  前記ＤＣ符号化回路が前記データビットを更に減少させるために動的ＤＣプレディクタを使用する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項７】  前記量子化回路が相当量の前記元イメージ再現性を保持した状態で高度の圧縮を達成するように選定された量子化表を有する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項８】  前記量子化回路が高周波係数と低周波係数を区別するための２つの量子化帯域を備えた量子化表を有する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項９】  前記符号化回路が少なくとも１つのランレングス符号化（ＲＬＣ）および可変レグス符号化（ＶＬＣ）を実施する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１０】  前記符号化回路に結合され、前記出力端子へ引渡される前記帯域幅が限定されている場合に前記圧縮済みデータ内のビット数を減少させるように構成された動的ビットレートコントローラを有する請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１１】  前記符号化回路が保持されるべきＡＣ係数の個数を決定する圧縮指標を用いる請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１２】  前記符号化回路が前記圧縮指標の変更を決定するためにローカルデータインクレメント及びグローバルデータ累算結果を用いる請求項１１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１３】  前記符号化回路がハードウェアオーバヘッドを減少させるブロック行の終端部においてのみ前記圧縮指標を更新する請求項１１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１４】  前記出力端子に結合され、前記圧縮済みデータを受け取り、かつ前記圧縮済みデータ内エラーを検出するように構成された受信デバイスを有し、
ここに前記受信デバイスが不良データを含む前記イメージの有効部分を復元するように構成される請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１５】  前記圧縮装置が有効圧縮データが所在する状態においては発生しない独特のエラー条件符号を使用する請求項１４に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１６】  前記圧縮装置が有効圧縮データが所在する状態においては発生しないＥＯＢとして、独特のエラー条件符号００を使用する請求項１４に記載のイメージ圧縮装置。
【請求項１７】  前記ＤＣＴがソフトウェアに実装され、
前記ジグザグ回路がソフトウェアに実装され、
前記Ｑ値エスティメイタがソフトウェアに実装され、
前記ＤＣ符号化回路がソフトウェアに実装され、
前記量子化回路がソフトウェアに実装され、
前記符号化回路がソフトウェアに実装される
請求項１に記載のイメージ圧縮装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月28日(2006.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４５】
Ｆ５（配列番号１）またはＣ１（配列番号２）によって結合されるエピトープに特異的に結合する抗体をコードする、核酸。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月22日(2006.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （a）配列番号：2に示されたアミノ酸配列を含む蛋白質をコードする核酸分子、
（b）配列番号：1に示されたコード領域のヌクレオチド配列または対応するリボヌクレオチド配列を含む核酸分子、
（c）(a)または(b)に述べた核酸分子に対して相補的なストランドとハイブリダイズする核酸分子であって、(a)または(b)に述べた核酸分子と少なくとも60％の同一性を有する核酸分子、および
（d）遺伝暗号の縮重のために(c)に述べた核酸分子の配列とはヌクレオチド配列が異なる核酸分子、
ならびに、それらに対して相補的な核酸分子
からなる群より選択される、フルクトース転移酵素をコードする核酸分子。
【請求項２】  DNAまたはRNA分子である、請求項1記載の核酸分子。
【請求項３】  真菌ポリペプチドをコードする、請求項1または2記載の核酸分子。
【請求項４】  真菌がアスペルギルス属のものである、請求項3記載の核酸分子。
【請求項５】  請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子を含むベクター。
【請求項６】  核酸分子が原核細胞および／または真核細胞における翻訳可能なRNAの転写および合成を可能にする調節因子と機能的に結合している、請求項５記載のベクター。
【請求項７】  核酸分子がフルクトース転移酵素の細胞内または細胞外局在に影響を及ぼすシグナル配列をコードする領域を含む、請求項6記載のベクター。
【請求項８】  請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子もしくは請求項5〜7のいずれか一項記載のベクターによる形質転換を受けた宿主細胞、または該細胞に由来する宿主細胞。
【請求項９】  細菌細胞または真菌細胞である、請求項8記載の宿主細胞。
【請求項１０】  請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子もしくは請求項5〜7のいずれか一項記載のベクターによる形質転換を受けた植物細胞、または該細胞に由来する宿主細胞。
【請求項１１】  （a）植物細胞が、請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子および／または請求項5〜7のいずれか一項記載のベクターを導入することによって遺伝的に改変される；および
（b）植物がその細胞から再生される；および選択的には
（c）さらに別の植物が(b)による植物から再生される、
植物を製造するための方法。
【請求項１２】  請求項10記載の植物細胞を含む、または請求項11記載の方法によって得られる植物。
【請求項１３】  有用な植物である、請求項12記載の植物。
【請求項１４】  請求項10記載の植物細胞を含む、請求項12または13記載の植物の繁殖材料。
【請求項１５】  請求項12または13記載の植物の収穫可能な植物部分。
【請求項１６】  請求項15記載の収穫可能な植物部分を含む、動物および／またはヒトのための食料。
【請求項１７】  適した細胞が、請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子または請求項5〜7のいずれか一項記載のベクターによる形質転換を受ける、請求項8または9記載の宿主細胞を作製するための方法。
【請求項１８】  請求項8もしくは9記載の宿主細胞または請求項10記載の植物細胞をフルクトース転移酵素の合成を可能にする条件下で培養し、培養した細胞および／または培養液からフルクトース転移酵素を単離する、フルクトース転移酵素の製造のための方法。
【請求項１９】  請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子によってコードされる、または請求項18記載の方法によって得られるフルクトース転移酵素。
【請求項２０】  請求項1〜4のいずれか一項記載の核酸分子またはその相補鎖と特異的にハイブリダイズする核酸分子。
【請求項２１】  （a）請求項8もしくは9記載の宿主細胞またはこのような細胞を含む宿主を、フルクトース転移酵素の生産、および選択的には添加されるスクロースまたはポリフルクトースと等価な基質の転換を可能にする条件下で培養する段階；ならびに
（b）このようにして産生されたポリフルクトースを、培養した細胞、宿主または培養液から入手する段階
を含む、ポリフルクトース、特にイヌリン型のものを製造するための方法。
【請求項２２】  （a）ポリフルクトースの転換を可能にする条件下で、スクロースまたは等価な基質を請求項19記載のフルクトース転移酵素と接触させる段階；および
（b）このようにして生成されたポリフルクトースを入手する段階
を含む、ポリフルクトース、特にイヌリン型のものを製造するための方法。
【請求項２３】  請求項10記載の植物細胞から、請求項12もしくは13記載の植物から、または該植物の部分からポリフルクトースを抽出する段階を含む、ポリフルクトース、特にイヌリン型のものを製造するための方法。
【請求項２４】  請求項21もしくは22記載の方法の段階（a）および（b）、または請求項23記載の方法の抽出段階を含む、界面活性剤を製造するための方法。
【請求項２５】  請求項8もしくは9記載の宿主細胞または請求項10記載の植物細胞の食品添加物としての使用。
【請求項２６】  ポリフルクトース、特にイヌリン型のものを製造するための、請求項19記載のフルクトース転移酵素の使用。
【請求項２７】  界面活性剤を製造するために、水系の粘度を増加させるため、界面活性剤として、懸濁化剤として、沈降促進および水との錯化または結合のために、請求項21〜23のいずれか一項記載の方法により製造されるポリフルクトースの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月7日(2006.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  点火プラグ電極（１０）を製作する方法であって、火花放出面または火花受容面に貴金属部分（１１）を溶接によって取り付ける方法において、
以下の方法段階；つまり、
ａ）貴金属部分を形成する貴金属線材の区分を剪断し、
ｂ）貴金属部分をエンボス加工工具に配置し、互いに反対側に位置する２つの表面をエンボス加工し、第１の表面に平滑な表面を設け、第１の表面とは反対側の第２の表面に成形面を設け、溶接過程の開始段階で貴金属部分の外側の縁部領域にしか、貴金属部分と点火プラグ電極との間の接触面が形成されないように、該成形面を形成し、
ｃ）貴金属部分の成形表面が点火プラグ電極に向かい合って位置し、貴金属部分の平滑な表面が溶接電極に向かい合って位置するように、貴金属部分を点火プラグ電極に載設し、
ｄ）貴金属部分を点火プラグ電極に溶接する、
段階を有することを特徴とする、点火プラグ電極を製作する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  点火プラグ電極に対する貴金属部分の溶接を２段階のプロセスで行い、第１段階では前記成形面の成形尖端部を僅かな電流強さで点火プラグ電極の接触面に溶接し、第２段階では貴金属部分が点火プラグ電極と全面的に結合されるまで、貴金属部分を高い電流強さで点火プラグ電極の接触面に溶接する、請求項３記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
原則的に、貴金属部分の様々な成形が考えられる。しかしながらいずれにせよ、貴金属部分と電極との間の接触点がそれぞれ貴金属部分の縁部領域に位置することが重要である。温度上昇時に、問題となる縁部領域におけるこの接触位置に、まず必要な溶接温度が得られ、この溶接温度は、貴金属部分の中心に向かって伝搬し、そのようにして面状の良好な溶接結合部と正確に溶接された縁部領域とがもたらされる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月7日(2006.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器中に表面を有する基材アセンブリを提供すること、及び
前記表面の少なくとも一部に、反応容器中でルテニウムを含む先駆物質、白金を含む先駆物質、及び酸素を含む成分を用いる化学気相堆積によって、白金（ｘ）：ルテニウム合金（ｘは約０．６０〜約０．９９５）でできているバリアー層を堆積させること、
を含む、集積回路の製造で使用する方法。
【請求項２】
基材アセンブリの一部上に第１の電極を形成すること、
前記第１の電極の少なくとも一部上に高誘電率材料を提供すること、及び
前記高誘電率材料上に第２の電極を形成すること、
を更に含み、前記第１と第２の電極のうちの少なくとも一方が、白金（ｘ）：ルテニウム合金でできたバリアー層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電極が、白金（ｘ）：ルテニウム合金でできたバリアー層を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の電極が、白金（ｘ）：ルテニウム合金でできたバリアー層と１又は複数の追加の導電性層を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ｘが０．９０〜０．９８である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ｘが０．９５である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
キャパシター構造体であって、
前記基材アセンブリ表面上に作られた第１の電極、
前記第１の電極の少なくとも１部上の誘電体材料、及び
前記誘電体材料上の第２の電極、
を含み、前記第１と第２の電極の少なくとも一方が、請求項１〜６のいずれか一項でできたバリアー層を含む、構造体。
【請求項８】
少なくとも前記第１の電極が、白金（ｘ）：ルテニウム合金でできている前記バリアー層と１又は複数の追加の導電性層を含む、請求項７に記載の構造体。
【請求項９】
少なくとも１つの能動素子を有する基材アセンブリ、及び
前記少なくとも１つの能動素子に関して作られた相互接続、
を含み、前記相互接続が、請求項１〜６のいずれか一項でできたバリアー層を含む、集積回路構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のキャパシターを含む蓄積セルの製造で使用するもう１つの方法を説明する。この方法は、少なくとも１つの能動素子を有する基材アセンブリを提供すること、及び前記少なくとも１つの能動素子に関してキャパシターを製造することを含む。前記キャパシターは、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金のバリアー層を含む少なくとも１つの電極を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のメモリーセル構造体は、少なくとも１つの能動素子を有する基材アセンブリ；及び前記少なくとも１つの能動素子に関して形成されたキャパシターを含む。ここで前記キャパシターは、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできたバリアー層を含む少なくとも１つの電極を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
もう１つの集積回路構造体は、少なくとも１つの能動素子を有する基材アセンブリと、この少なくとも１つの能動素子に関して作られた相互接続を含む。ここでこの相互接続は、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできたバリアー層を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に例えば、白金：ルテニウム合金バリアー層１４を、メモリーデバイスのような半導体デバイスに使用する蓄積セルキャパシターの製造で使用することができる。ここで更に説明するように、白金：ルテニウム合金バリアー層１４は、キャパシターの電極を作る積層体で、又はそのような蓄積セルキャパシターの電極において単独で使用することができる。ＣＭＯＳデバイス、メモリーデバイス等のような様々なデバイスのための様々な半導体
プロセス及び構造体が、本発明のバリアー層のバリアー特性で利益を受け、また本発明はここで説明される態様に制限されないことを、当業者は理解する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４で示すように、開口１８４を作る表面１８５，１８６上に底部電極構造体を堆積させる前に、開口１８４を形成することによって、従来の処理技術でデバイス構造体１００を作る。そして白金：ルテニウム合金底部電極を開口１８４内につくる。このように、及びＦａｚａｎ等の米国特許第５，３９２，１８９号明細書で示されているように、デバイス構造体１００は、電界酸化物（ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ）領域１０５及び活性領域、すなわち電界酸化物に覆われていない基材１０７の領域を含む。ワードライン１２１及び能動素子、すなわち電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１２２は、電界酸化物領域１０５に関して作られる。適当なソース／ドレイン領域１２５，１３０をシリコン基材１０７に作る。酸化物材料１４０の絶縁層は、ＦＥＴ１２２及びワードライン１２１の領域上に作る。ポリシリコンプラグ１６５を作って、基材１０７と基材上に作られる貯蔵セルキャパシターとの間の電気的接触を提供する。ポリシリコンプラグ１６５上に様々な層、例えば層１６７及び１７５を作る。そのような層は例えば、窒素化チタン、窒素化タングステン、又はバリアーとして機能する任意の他の金属窒素化物でよく、これは上述のような１又は複数の白金：ルテニウム合金バリアー層を含むこともできる。その後で、もう１つの絶縁層１８３を作って、開口１８４を与えるようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月2日(2006.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外表面を有する装置本体、同装置本体内の音響／電気トランスデューサ、同装置本体内の電子装置、手動操作可能なオン／オフスイッチおよび前記電子装置と作動連結された手動操作可能なトグルスイッチを有する耳後方取付補聴器であって、前記オン／オフスイッチおよび前記トグルスイッチは両者とも共通の手動操作部材によって手動操作可能であり、同手動操作部材は前記装置本体の外表面に沿う第一の方向にオフ位置からオン位置へ、およびその逆に滑り移動可能であり、かつ、オン位置にあるときにトグル作用を行うよう前記外表面および前記第一の方向を横切る第二の方向に弾性的に押圧可能に構成されていることを特徴とする耳後方取付補聴器。
【請求項２】
前記共通の手動操作部材が、前記外表面に実質的に平行な枢着軸のまわりに回動可能に取り付けられた手動回動可能なレバーを有することを特徴とする請求項１記載の耳後方取付補聴器。
【請求項３】
前記手動操作部材が、前記外表面に実質的に平行で、かつ、前記第一の方向に実質的に垂直な枢着軸のまわりに回動可能に取り付けられた手動回動可能なレバーを有し、同レバーと前記枢着軸は、前記レバーに対する手動操作によって前記第一の方向に滑り移動可能に取り付けられた滑り部材に取り付けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の耳後方取付補聴器。
【請求項４】
前記手動操作可能なトグルスイッチが、プラスチック材のスイッチ接触部材を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の耳後方取付補聴器。
【請求項５】
前記第一方向が、前記装置本体の曲線に沿った方向であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の耳後方取付補聴器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
この型式の耳後方取付補聴器においては、補聴器のオン／オフスイッチの他に、例えば増巾調整のような機能を実施するための操作スイッチを設けることが通常である。この事は、特に使用する補聴器の操作において、それぞれの必要な機能を手の感触により見つけることの煩雑さをもたらす。また、その他の問題として、設けられた機能の操作のために大きな構成スペースを必要とし、また、これらの機能を設けることに伴い取付けるべき電気接続部が増大し補聴器が著しく複雑化するのみならず、故障の発生が増大する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
軸線Ａに中心を合わせて設けられたバッテリー室２９の基部３０には、第一のバネ接点３５が設けられる。また、第二のバネ接点３７が、バッテリー３３の側面に接するように設けられる。バッテリー室２９はカバー３９によって閉じることができ、このカバー３９はハウジング部材３又はバッテリー室２９にヒンジ式又はバヨネット式支持４１により支持されている。カバー３９は、閉じられた時、軸線Ａを横切るように位置してバッテリー室２９をカバーしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材アセンブリの一部に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の少なくとも一部の上に誘電性材料を供給し、
前記誘電性材料の少なくとも一部の上に第２の電極を形成すること
を含む、キャパシターの製造方法であって、
前記第１及び第２の電極の少なくとも一方が、ルテニウム先駆物質及びケイ素先駆物質を用いた化学気相堆積により形成された、ＲｕＳｉX（ｘは０．０１〜１０）でできた拡散バリアー層を含む、キャパシターの製造方法。
【請求項２】  前記基材アセンブリがケイ素含有量域を有し、且つ前記第１の電極の形成が、前記基材アセンブリのケイ素含有領域の少なくとも一部に前記第１の電極を形成することを含み、前記第１の電極が、前記拡散バリアー層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第１の電極の形成が、更に、前記拡散バリアー層に関して、金属又は導電性金属酸化物の少なくとも１つでできた１又は複数の追加の導電性層を形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記導電性層が、ＲｕＯ2、ＲｈＯ2、ＭｏＯ2、ＩｒＯ2、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＩｒからなる群より選択される少なくとも１種の材料で形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記基材アセンブリが、１より大きいアスペクト比の開口を規定する表面を有し、且つ、前記第１の電極が、前記開口を規定する表面に形成された前記拡散バリアー層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記拡散バリアー層が、開口の内部に形成される均一な厚さの適合層である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記ｘが１〜３である、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】  前記ｘが２．０である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  第１の電極、
前記第１の電極の少なくとも一部の上の高誘電性材料、及び
前記高誘電性材料の少なくとも一部の上の第２の電極
を含むキャパシター構造体であって、前記第１及び第２の電極の少なくとも一方が、ルテニウム先駆物質及びケイ素先駆物質を用いた化学気相堆積により形成された、ＲｕＳｉX（ｘは０．０１〜１０）でできた拡散バリアー層を含む、キャパシター構造体。
【請求項１０】  前記第１の電極が、ケイ素含有領域の少なくとも一部に形成された前記拡散バリアー層を含む、請求項９に記載の構造体。
【請求項１１】  更に、前記第１の電極の拡散バリアー層の上に金属又は導電性金属酸化
物の少なくとも１つでできた１又は複数の追加の導電性層を含む、請求項１０に記載の構造体。
【請求項１２】  前記導電性層が、ＲｕＯ2、ＲｈＯ2、ＭｏＯ2、ＩｒＯ2、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＩｒからなる群より選択される少なくとも１種の材料で形成される、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１３】  前記ｘが１〜３である、請求項９〜１２の何れか一項に記載の構造体。
【請求項１４】  前記ｘが２．０である、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１５】  １より大きいアスペクト比の開口を規定する表面を含み、前記第１の電極が、前記開口を規定する表面に形成された拡散バリアー層を含む、請求項９に記載の構造体。
【請求項１６】  前記拡散バリアー層が、開口の内部に均一な厚さの適合層を構成する、請求項１５に記載の構造体。
【請求項１７】  少なくとも１つの活性デバイスとケイ素含有領域を有する基材アセンブリ、及び
前記少なくとも１つの活性デバイス及びケイ素含有領域に関して形成された相互接続
を含む、集積回路構造体であって、前記相互接続が、前記ケイ素含有領域の少なくとも一部の上に、ルテニウム先駆物質及びケイ素先駆物質を用いる化学気相堆積によって形成された、ＲｕＳｉX（ｘは０．０１〜１０）でできた拡散バリアー層を有する、集積回路構造体。
【請求項１８】  前記ｘが、１〜３である、請求項１７に記載の構造体。
【請求項１９】  前記拡散バリアー層に関して形成された導電性接触材料を更に含む、請求項１７に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月21日(2005.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面層の選択された領域において間隔があけられた複数のＭＯＳＦＥＴの各々のソース接合部およびドレイン接合部のうちの少なくとも特定の部分を作製する方法において、該間隔があけられたＭＯＳＦＥＴの各々はｎチャンネルおよびｐチャンネルのうちの個々に選択されたチャンネルを備えており、該選択された領域は、該作製される複数のＭＯＳＦＥＴのうち隣接する複数のＭＯＳＦＥＴの結晶性シリコン材料の間に配置される選択された波長のレーザ照射に対して実質的に透明な第１の選択された材料で構成されている絶縁素子を備えており、
該方法は、
（ａ）該作製される複数のＭＯＳＦＥＴの該結晶性シリコン材料の選択された深さまで表面層をアモルファス化するステップと、
（ｂ）個々のＭＯＳＦＥＴに対して、適切なｎ種またはｐ種のドーパントのうち選択された分量のドーパントを、該作製される間隔があけられた複数のＭＯＳＦＥＴの各個々のＭＯＳＦＥＴに対応する該アモルファスシリコン表面層に選択的にイオン注入を行うステップと、
（ｃ）第１の選択された厚さの第２の選択された材料の少なくとも１つの層を、該基板の該表面層の選択された領域全体に堆積するステップであって、該第２の選択された材料の該層は、（１）該第２の選択された材料の該層に入射してくるレーザ照射の選択された波長を吸収し、（２）結晶性シリコンの溶融温度よりも高い溶融温度を有する、ステップと、
（ｄ）該第２の選択された材料の該層の該表面の選択された領域全体を、該選択された波長の実質的に均一なエネルギーレーザ照射の選択された値でフラッドするステップであって、該選択された値は、アモルファス化されたシリコンを溶融するのには十分であるが、結晶性シリコンを溶融するのには不十分な温度まで、該選択された領域の下にあるシリコンが加熱される結果となるような値であり、これにより、該溶融したシリコンを冷却した後、該シリコンを再結晶化させるステップと
を包含する方法。
【請求項２】  前記ステップ（ｃ）は、
（ｄ）前記第２の選択された材料を堆積するステップの前に、第２の選択された厚さの第３の選択された材料の層を堆積するステップであって、該第３の選択された材料は、前記アモルファス化されたシリコン表面層が該第２の選択された材料と直接接触することによって汚染されることを防ぐ特性を示すステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第１および第３の選択された材料のそれぞれは、ＳｉＯ2を含み、前記第２の選択された材料は、窒化タンタルを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記レーザ照射の前記選択された波長は、３０８ｎｍである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記第２の選択された材料である前記窒化タンタルの前記第１の厚さは、２０ｎｍから１５０ｎｍまの範囲であり、前記第３の選択された材料である前記ＳｉＯ2の前記第３の厚さは、５ｎｍから５０ｎｍまでの範囲である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記第１の厚さは、実質的に３０ｎｍであり、前記第３の厚さは、実質的に１５ｎｍである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記第１および第３の選択された材料のそれぞれは、ＳｉＯ2を含み、前記第２の選択された材料は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、炭素、タングステンまたはタンタルのうちから選択された材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】  前記第１の厚さは、前記第２の選択された材料に入射してくるレーザ照射の選択された波長全体の５０％よりも多くを前記第２の選択された材料が吸収するのに十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記ＭＯＳＦＥＴのそれぞれはゲート部を備えており、
前記ＭＯＳＦＥＴのソース接合部およびドレイン接合部の特定部分は、該ＭＯＳＦＥＴのゲート部分と隣接する関係で間隔があけられて配置された、該ソース接合部およびドレイン接合部の１５０ｎｍ未満の深さの拡張部を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記ＭＯＳＦＥＴのソース接合部およびドレイン接合部の特定部分は、８０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある深さを有する残り部分をさらに備えている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記ソース接合部およびドレイン接合部の残り部分は、実質的に１２０ｎｍの深さを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記ＭＯＳＦＥＴのソース接合部およびドレイン接合部の特定部分は、８０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある深さを有する該ソース接合部およびドレイン接合部の特定の部分を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  前記ソース接合部およびドレイン接合部の特定部分は、実質的に１２０ｎｍの深さを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記方法は、
（ｅ）前記溶融したシリコンを再結晶化させた後、前記第２の選択された材料の前記堆積層を剥離するステップをさらに包含する、請求項３に記載の方法。
【請求項１５】  前記作製される複数のＭＯＳＦＥＴのうち隣接する複数のＭＯＳＦＥＴは、一対のＣＭＯＳ電界効果トランジスタを備えている、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月15日(2006.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化マンガンを含んでなる陰極を有するアルカリ化学電池用の円筒状のケーシング上に端子点突起を形成する為の方法において、
陰極物質の入った円筒状のケーシングを準備する工程と、前記ケーシングをくぼみの形成されている隣接面に接触させておいて、細長い部材の一部分を前記陰極物質に押し付ける工程とを含み、
それによって、前記細長い部材で前記陰極物質を押すにつれて前記陰極物質がぎっしりと詰まっていき、それと同時に前記ケーシングの外面の一部が前記くぼみの中に押し込まれて前記ケーシング上に点突起が形成される、方法。
【請求項２】
二酸化マンガンを含んでなる陰極を有するアルカリ化学電池用の円筒状ケーシングの閉端に端子点突起を形成する為の方法において、
ａ）陰極物質を中に入れた、閉端を有する円筒状のケーシングを準備する工程と、
ｂ）くぼみのある面を、前記ケーシングの閉端の外面の一部分に当てる工程と、
ｃ）細長い部材を、それが前記陰極物質の少なくとも一部分に入り込むよう前記陰極物質中に押し込む工程とを含み、
それによって、前記細長い部材が前記陰極物質中に押し込まれるのにつれて前記陰極物質がぎっしりと詰まっていき、それと同時に前記ケーシングの前記外面の一部が前記くぼみの中に押し込まれて前記ケーシングの前記閉端に点突起が形成される、方法。
【請求項３】
ｄ）前記細長い部材が前記陰極物質中に押し込まれるのにつれて、前記陰極物質が前記ケーシングの長手方向に沿って予め決められたレベルを越えて移動するのを防ぐ手段を適用する工程を更に含む、請求項２の方法。
【請求項４】
前記くぼみが、前記ケーシングの前記閉端のほぼ中央と一直線上に並ぶように配置され、前記細長い部材が、前記ケーシングの内径よりも小さい最大直径を有している、請求項２の方法。
【請求項５】
工程（ａ）における前記ケーシングの前記閉端が平らであるか、もしくは工程（ｃ）で形成される前記点突起よりも小さい点突起を有している、請求項２の方法。
【請求項６】
前記陰極物質が前記ケーシングの長手方向に沿って予め決められたレベルを越えて移動するのを防ぐ手段が、前記ケーシングの開放端に取り付けられたハウジングからなり、このハウジングの一部分が前記ケーシングの長手方向に沿って予め決められた距離だけ前記ケーシングの中に入り込む、請求項３の方法。
【請求項７】
前記ハウジングが、それ全体を貫通している中空部を有し、この中空部を介して前記細長い部材が前記陰極物質中に挿入される、請求項６の方法。
【請求項８】
前記ハウジングは上部と下部とを有し、このうち下部の幅は上部の幅よりも小さく、前記ハウジングの前記上部と前記下部の両方を前記中空部が貫通しており、前記ハウジングが、前記上部よりも前記下部が前記陰極物質に近くなるように前記ケーシングの前記開放端に取り付けられる、請求項７の方法。
【請求項９】
前記ハウジングの前記下部が前記ケーシングの前記開放端から所定の距離だけ前記ケーシング中に入り込むように、前記ハウジングが前記ケーシングの前記開放端に挿入される、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記ハウジングの前記上部を通っている中空部部分が、前記ハウジングの前記下部を通っている中空部部分の直径よりも大きい直径を有している、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記ハウジングの前記上部には、それ全体を貫通している前記中空部内に受座が設けられており、前記該細長い部材が、当該細長い部材の本体の直径よりも大きい直径をもつ端部を有し、前記受座に前記端部がはまって前記細長い部材が前記陰極物質中に更に入り込むのが妨げられるまで、前記細長い部材に力がかけられて前記陰極物質中に押し込まれる、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記細長い部材が釘の形をしている、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記細長い部材が、前記くぼみのある前記面のいずれの部分とも接触させることなしに前記陰極物質中に挿入される、請求項７の方法。
【請求項１４】
前記細長い部材を前記陰極物質中に挿入する前に、前記ケーシングを保持部材内にある溝の中に収容する工程を含む、請求項２の方法。
【請求項１５】
前記くぼみのある前記面をアンビルの端に位置させる、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記くぼみが前記ケーシングの閉端に隣接するよう、前記アンビルを前記保持部材内にある前記溝の中に挿入する工程を含む、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記ケーシング内の前記環状領域中に前記陰極物質の少なくとも大部分がぎっしりと詰まっていき、前記環状領域が、前記ケーシングの縦方向の内面と、前記細長い部材の前記陰極物質中に挿入される部分の表面との間の領域である、請求項３の方法。
【請求項１８】
前記陰極物質をぎっしりと詰めて前記ケーシングの閉端に点突起を形成した後、前記ケーシングから前記細長い部材を取り出す工程と、ぎっしりと詰まった前記陰極物質の露出面と接触するようにセパレーター物質を前記ケーシング中に挿入する工程と、前記ケーシングの中央領域に陽極物質を入れて、前記細長い部材で占められていた空間を充たす工程とを更に含む、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記陽極物質を入れる工程の後に、前記ケーシングの前記開放端に末端キャップ集成体を挿入し、前記ケーシングの周縁部を前記末端キャップ集成体の周縁部上でクリンプして密封された電池を形成する工程を更に含み、前記末端キャップ集成体が、絶縁ディスク、この絶縁ディスク上にある端子末端キャップ、及びこの端子末端キャップと電気的に接触している細長い集電装置を有する、請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記ケーシングがＡＡＡＡ（４Ａ）電池のケーシングサイズに相当する大きさをもつ、請求項２の方法。
【請求項２１】
前記細長い部材が約１０００〜２０００ポンド（４４４０〜８９００ニュートン）の力で前記陰極物質中に挿入される、請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記ケーシングの肉厚が約０．１〜０．２５ｍｍであり、形成された前記点突起の高さが約１．３ｍｍ、内径が約２．６ｍｍである、請求項２０の方法。
【請求項２３】
前記細長い部材のうち前記陰極物質中に挿入される部分が、円柱、円錐、円錐台、及び多面体からなる群から選ばれる形状を有している、請求項２の方法。
【請求項２４】
前記細長い部材のうち前記陰極物質中に挿入される部分が円柱状である、請求項２の方法。