【事件の表示】
　特願２００４−３６５８６１「トランジスタ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年７月７日出願公開、特開２００５−１８３９８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１２月１７日（パリ条約に基づく優先権主張　２００３年１２月１７日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成２０年６月２０日付けの拒絶理由通知に対して同年１２月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２１年３月１６日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２２年１２月３日付けで審尋がなされ、平成２３年６月７日に回答書が提出された。
　
２．補正の適否について
（１）補正の内容
　平成２２年６月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜９を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「透明なｐ型のデラフォサイト材料からなるチャンネル（１０）と、
　前記チャンネル（１０）と相接されているソースコンタクト（１２）と、
　前記チャンネル（１０）と相接されているドレインコンタクト（１４）と、
　ゲートコンタクト（１６）と、
　前記ゲートコンタクト（１６）と前記チャンネル（１０）の間のゲート絶縁体（１８）と、
からなり、
　前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０−１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている、トランジスタ素子。」
　
（補正後）
「透明なｐ型のデラフォサイト材料からなるチャンネル（１０）と、
　前記チャンネル（１０）と相接されているソースコンタクト（１２）と、
　前記チャンネル（１０）と相接されているドレインコンタクト（１４）と、
　ゲートコンタクト（１６）と、
　前記ゲートコンタクト（１６）と前記チャンネル（１０）の間のゲート絶縁体（１８）と、
からなり、
　前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている、トランジスタ素子。」
　
（２）補正事項の整理
　補正前の請求項１の「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０−１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」を、補正後の請求項１の「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」と補正すること。
　
（３）補正の目的及び新規事項の追加の有無について
　本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の００１１段落に、「わずかにドープされている層では、デラフォサイトは、その透明度と半導体性能を維持するのに十分な低いドーピングレベルを有する。一例として、本発明のわずかにドープされている実施形態は、キャリア濃度（ホール濃度）が１０１７ｃｍ−３よりも低いドーピングレベルを含む。」と記載されている点、及び、「１０−１７ｃｍ−３」というような非常に低いキャリア濃度を得ることはそもそも技術的に不可能である点、を参酌すると、本件補正は、明白な誤りを正すものであると認められるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　そして、補正により修正された部分は、上に述べたとおり当初明細書の００１１段落に記載されているから、本件補正が当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）補正の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は適法になされたものである。
　
３．本願発明
　上記２．において検討したとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１〜９に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−２７８８３４号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜４と共に次の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
（１−１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、導電性透明酸化物に関するものである。さらに詳しくは、この発明は、平面型表示装置用等の透明電極をはじめ、透明半導体素子としての応用展開が可能な、新しい導電性透明酸化物に関するものである
【０００２】
【従来の技術とその課題】
光学的に透明な酸化物は、その大きなバンドギャップ（約３ｅＶ）がゆえに電気絶縁体である。可視域での高い透過率と導電性は、多くの場合、相反する性質として認識されている。
　
（１−２）「【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題を解決するものとして、
組成式ＡＢＯ
２
（Ａ：１価の陽イオンとなる元素、Ｂ：３価の陽イオンとなる元素、Ｏ：酸素）で示されるデラフォサイト系酸化物であって、Ａは、１価のＣｕ又はＡｇで、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、及びＬａからなる群から選択される元素の１種であり、透明で導電性を示すことを特徴とする導電性透明酸化物を提供する
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の導電性透明酸化物についてさらに詳しく説明する。これまでに知られている導電性透明酸化物は、ＩＴＯ、ＡＺＯをはじめその全てがｎ型導電性のみを示す。そこで、この発明の発明者らは、ｐ型導電性を示す導電性透明酸化物の存在を検証してみた。
【０００６】ｐ型導電性を示す導電性透明酸化物がこれまでに存在しなかったのは、酸化物の電子構造上の特徴に端を発している。つまり、酸化物では、価電子帯上端部の電子は酸素イオン上に局在するのである。言い換えるならば、この価電子帯上端部における電子の酸素イオン上への局在を解消すれば、ｐ型導電性が実現される可能性がある。
【０００７】そこで、酸化物を構成する陽イオン種には、酸素イオンの２ｐ電子レベルのエネルギーにほぼ匹敵する閉殻電子構造を持つ陽イオンが適当であり、原子内励起に従う着色を起こさないＣｕ＋及びＡｇ＋が選択される。Ｃｕ＋及びＡｇ＋の電子配置は、それぞれ、３ｄ１０４ｓ０、４ｄ１０５ｓ０であり、ｄ１０ｓ０の等電子配置を持つ。ｄ１０電子は閉殻電子と呼ばれるが、これらＣｕ＋及びＡｇ＋のｄ１０電子のエネルギーは、同様な等電子配置を持つ陽イオンの中で最も高い。等電子配置を持つ陽イオンであっても、その酸化物は、酸素の電気陰性度が大きいために、通常大きなバンドギャップを持ち、電気絶縁体となりやすい。しかしながら、Ｃｕ＋及びＡｇ＋のｄ１０電子のエネルギーは十分高く、酸素イオン上の２ｐ６電子と重なり合う可能性がある。
【０００８】次に、酸化物については、酸素イオンと金属イオンの結合の共有原子価が高くなる結晶構造が適当である。そのような結晶構造には、Ｃｕ２Ｏがｐ型導電性の酸化物である事実から、酸素イオンが正四面体型となるイオン配位が選択される。さらに、結晶構造としては、Ｃｕ＋同士、Ａｇ＋同士の相互作用の空間的次元性を低減させるのが適当でもある。隣接するＣｕ＋やＡｇ＋上のｄ１０電子間に及ぼす直接相互作用は、バンドギャップを縮小するおそれがあるからである。次元数の低減により、バンドギャップは拡大され、可視光の吸収は起こらなくなる。
【０００９】
以上の観点からｐ型導電性を示す導電性透明酸化物として、組成式ＡＢＯ
２
（Ａは、Ｃｕ又はＡｇ）で示されるデラフォサイト系酸化物が選択される。Ｂ元素には、化学量論から見て、３価の陽イオンとなるＩＩＩａ族及びＩＩＩｂ族に属するＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、及びＬａが選択される。図１は、デラフォサイト系酸化物の結晶構造の一例を示した結晶構造図である
【００１０】この図１は、ＣｕＡｌＯ２の結晶構造を示しているが、この結晶構造においてＣｕ＋及びＯ２−の周りの対称性は、Ｏ２−の場合、近接する陽イオンが１個のＣｕ＋と３個のＡｌ３＋であることを除けば、Ｃｕ２Ｏのそれに等しい。一方、各イオンは、ｃ軸に垂直な平面に位置し、２次元の層状構造が形成されている。このため、Ｃｕ＋上のｄ１０電子間相互作用が２次元に低減されており、ＣｕＡｌＯ２のバンドギャップはＣｕ２Ｏよりも拡大される。なお、結晶構造中の繰り返し単位は、ｃ軸方向にＣｕ−Ｏ−Ａｌ−Ｏ−Ｃｕとなっている。
【００１１】
この組成式ＡＢＯ
２
で示されるデラフォサイト系酸化物（Ａ：Ｃｕ又はＡｇ、Ｂ：Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、又はＬａの１種）は、後述する実施例に示すように、ｐ型導電性を示す導電性透明酸化物であることが実際に確認された。
　
（１−３）「【００１３】そして、非常に興味深いことに、
このデラフォライト系の導電性透明酸化物は、低い伝導性しか認められていないものの、ｐｎ両型の導電性をも示すのである。また、デラフォライト系の導電性透明酸化物は、適当な元素を添加し、Ｂ元素及び酸素を一部置換することによって、より高い導電性を示す。ｐ型導電性のためには、Ｂ元素の置換には、ＩＩａ族及びＩＩｂ族の元素が適当であり、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、又はＣｄの１種以上の添加が例示される。酸素の置換には、Ｎが適当である。
　
（１−４）「【００１７】
【実施例】（実施例１）Ｃｕ２ＯとＡｌ２Ｏ３、Ｃｕ２ＯとＧａ２Ｏ３をそれぞれ固相反応させ、ＣｕＡｌＯ２及びＣｕＧａＯ２の粉末を合成した。次いで、これらの粉末から焼結体を作製し、これをターゲットとしてＲＦスパッタリング法により、Ａｒ／Ｏ２雰囲気下に各々の薄膜を室温においてＳｉＯ２ガラス基板上に作製した。これらの薄膜は非晶質であったため、ＣｕＡｌＯ２についてはＮ２ガス下７００℃で１２時間、ＣｕＧａＯ２はＮ２ガス下８００℃で１２時間アニールした。
【００１８】そして、得られたそれぞれの薄膜について、Ｘ線回折、光透過率、及び電気伝導度の温度依存性を測定した。光透過率の測定は、可視光からこれに近接する赤外領域で行った。電気伝導度の測定は、直流２端子法により行った。図２、図３、及び図４は、各々、ＣｕＡｌＯ２の測定結果を示している。図２は、ＣｕＡｌＯ２の焼結体及び薄膜のＸ線回折図である。
【００１９】
回折パターンに見られるピークから、いずれも、Ｒ３ｍ空間群に属するデラフォサイト構造であるとが確認される。薄膜には、さらに、（００１）面上に配向する傾向が見られ、単相であることも確認される。
【００２０】
この図３からＣｕＡｌＯ
２
の光学的バンドギャプは３．０ｅＶ以上であり、可視域での透明性が確認される。図４は、ＣｕＡｌＯ
２
の電気伝導度の温度依存性を示したｌｏｇ　σ−温度相関図である。図４に示した温度依存曲線から、ＣｕＡｌＯ
２
は、半導体的な温度依存性を示すことが確認される。
【００２１】
なお、室温での電気伝導度σは０．９５×１０
−１
Ｓｃｍ
−１
であった。さらに、ホール係数を測定したところ、ＣｕＡｌＯ
２
のホール係数Ｒｈは、＋４８．６ｃｍ
３
Ｃ
−１
であった。ｐ型導電性であることが示唆される。これら電気伝導度及びホール係数の測定結果から、キャリア濃度Ｎ１．３×１０
１７
ｃｍ
−３
及びホール移動度μ１０．４ｃｍ
２
Ｖ
−１
ｓ
−１
が得られる
【００２２】
そして、室温度のゼーベック係数を測定したところ、ＣｕＡｌＯ
２
のゼーベック係数Ｓは、＋１８３μＶ／Ｋであった。ｐ型導電性であることがまた示唆される。以上の結果から見て、ＣｕＡｌＯ
２
は、透明で導電性を示すデラフォサイト系酸化物であると認められる。しかも、このＣｕＡｌＯ
２
は、ｐ型導電性を示す導電性透明酸化物であるとも認められる
　
（１−５）「【００３２】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によって、新規な導電性透明酸化物が提供される。
また、ｐ型導電性を示す全く新しい導電性透明酸化物も提供される。この導電性透明酸化物は、従来のＩＴＯ、ＡＺＯ等と同様に平面型表示装置用等の透明電極はもちろんのこと、透明半導体素子としての応用も可能であり、透明トランジスタや窓上に配置される太陽電池などの実現が期待される
　
（２）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料。」
　
５．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」は、本願発明の「透明なｐ型のデラフォサイト材料」に相当する。
　
（２）したがって、本願発明と引用発明とは、
　
「透明なｐ型のデラフォサイト材料を含む物。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「トランジスタ素子」についての発明であって、「透明なｐ型のデラフォサイト材料」を、「チャンネル（１０）と相接されているソースコンタクト（１２）」、「チャンネル（１０）と相接されているドレインコンタクト（１４）」、「ゲートコンタクト（１６）」及び「ゲートコンタクト（１６）とチャンネル（１０）の間のゲート絶縁膜（１８）」を有している「トランジスタ素子」の「チャンネル」に用いているのに対して、引用発明は、「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」そのものについての発明であって、「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をどのような素子に用いるかが特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」のに対して、引用発明は、「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」のキャリア濃度が特定されていない点。
　
６．相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
（１−１）引用例００２０段落には、「図４は、ＣｕＡｌＯ２の電気伝導度の温度依存性を示したｌｏｇ　σ−温度相関図である。図４に示した温度依存曲線から、ＣｕＡｌＯ２は、半導体的な温度依存性を示すことが確認される。」と記載されており、さらに００２１段落に記載されている電気伝導度σの値である０．９５×１０−１Ｓｃｍ−１が半導体が示す程度の電気伝導度であることは当業者における技術常識であることから、引用例に記載されているＣｕＡｌＯ２は半導体であると認められる。
　また、引用例の０００１段落における「この発明は、・・・透明半導体素子としての応用展開が可能な、新しい導電性透明酸化物に関するものである。」との記載、及び００３２段落における「この導電性透明酸化物は、・・・透明半導体素子としての応用も可能であり、透明トランジスタや窓上に配置される太陽電池などの実現が期待される。」との記載から、引用例には、当該引用例中に記載されている導電性透明酸化物を透明トランジスタの材料として用いることが示唆されているものと認められる。
　したがって、引用例に接した当業者であれば、引用発明である「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」という半導体を透明トランジスタの材料として用いることは、直ちに察知し得たことである。
　
（１−２）そして、「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」という半導体を透明トランジスタの材料として用いるとは、具体的には、「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をトランジスタのチャンネル部分に用い、当該チャンネル部分に電流を流すためのソース及びドレイン電極、ゲート電極、並びにゲート電極とチャンネル部分の間のゲート絶縁膜を設けて透明トランジスタを実現するという意味であることは当業者にとって自明であり、仮に、当業者にとって自明であるとまではいえないとしても、一般に、透明半導体材料をトランジスタのチャンネル部分に用い、当該チャンネル部分に電流を流すためのソース及びドレイン電極、ゲート電極、並びにゲート電極とチャンネル部分の間のゲート絶縁膜を設けて透明トランジスタを実現することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された下記周知例１及び２に記載されているように、当業者における周知技術である。
　　
（周知例１：特開平０６−６７１８７号公報）
　
　周知例１には、次の記載がある。
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶駆動用トランジスタと液晶駆動用電極を別の材料で形成する構成においては、該トランジスタと該電極の電気的接続を取るための構造が必要となるため、製造工程の増加及び開口率の低下といった課題がある。又、多結晶シリコンでトランジスタと画素電極を形成する場合は、透過率が低いといった課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、上記の課題を解決するもので、液晶駆動用トランジスタのソース部、チャネル部及びドレイン部と液晶駆動用電極が共通の透明半導体薄膜で形成されていることを特徴とする
　
（周知例２：特開２００３−１７９２３３号公報）
　
　周知例２には、次の記載がある。
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明の第１の目的は、透明で光を透過することができる薄膜トランジスタを提供することである。本発明の第２の目的は、画素単位に光不透過部分が少なく、トランジスタの極限の大きさまで画素単位を小さくすることができ、製造工程が簡単で、明るく、消費電力の少ない表示素子を得ることができる薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、本発明は、本発明の薄膜トランジスタは、
透明基板上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層と、前記透明半導体層に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極及び透明ドレイン電極と、透明ゲート電極と、を有することを特徴とする
　
　ここにおいて、「透明半導体層」がトランジスタのチャンネル部分に用いられていることは、図１の記載等から明らかである。
　
（１−３）したがって、引用発明の「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をトランジスタのチャンネル部分に用い、当該チャンネル部分に電流を流すためのソース及びドレイン電極、ゲート電極、並びにゲート電極とチャンネル部分の間のゲート絶縁膜を設けて透明トランジスタを実現することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、一般に、トランジスタにおいて、チャンネル部分とソース及びドレイン電極とを相接する構造とするか離間した構造とするかは、当該トランジスタの用途等に応じて当業者が適宜選択し得る設計的事項であり、チャンネル部分とソース及びドレイン電極とを相接する構造とすることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された前記周知例２の図１及び、下記周知例３にも記載されているように、当業者において普通に行われていることである。
　
（周知例３：特開２０００−２７７５３４号公報）
　
　周知例３には、図１（Ａ）と共に次の記載がある。
　「【００１０】
【発明の実施の形態】（１）電解効果トランジスタ（Field Effect Transistor、ＦＥＴ）
図１に、本発明に係る半導体デバイスの第１の実施の形態の断面図を示す。図１（Ａ）に示されるように、第１の実施の形態の半導体デバイスは、ＦＥＴに関するものであり、チャネル層（半導体層）１１、ソース１２、ドレイン１３、ゲート１４、ゲート絶縁層１５、基板１６を備える。基板１６の上には、チャネル層１１が形成される。
チャネル層１１には、ゲート絶縁層１５、ソース１２及びドレイン１３が形成される。
　
（１−４）よって、引用発明の「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をトランジスタのチャンネル部分に用い、チャンネル部分と相接されているソースコンタクトと、チャンネル部分と相接されているドレインコンタクトと、ゲートコンタクトと、前記ゲートコンタクトとチャンネル部分の間のゲート絶縁体とからなるトランジスタを実現すること、すなわち本願発明のように、「透明なｐ型のデラフォサイト材料」を、「チャンネル（１０）と相接されているソースコンタクト（１２）」、「チャンネル（１０）と相接されているドレインコンタクト（１４）」、「ゲートコンタクト（１６）」及び「ゲートコンタクト（１６）とチャンネル（１０）の間のゲート絶縁膜（１８）」を有している「トランジスタ素子」の「チャンネル」に用いて「トランジスタ素子」を実現することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　以上のとおりであるから、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
（２−１）引用例０００２段落には、「可視域での高い透過率と導電性は、多くの場合、相反する性質として認識されている。」と記載されているところ、一般に、半導体においてキャリア濃度が高くなれば導電性が増加することは当業者における技術常識であるから、０００２段落の記載に接した技術者であれば、引用発明の「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をトランジスタのチャンネル部分に用いるに当たり、透明性を担保するためにキャリア濃度を十分低くすることは、当然になし得たことである。
　そのような前提の下に、本願発明の「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」という構成が、当業者が容易になし得たことであるか否かについて検討すると、まず、引用例の００２１段落には、１．３×１０１７ｃｍ−３という、本願発明における「キャリア濃度」の上限値である「１０１７ｃｍ−３」に近いキャリア濃度を有する「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」が記載されていることから、本願発明のように、「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」ものとすること自体に格別の困難性がないことは明らかである。
　
（２−２）次に、本願発明において、「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」ことにより顕著な効果が生じているか否かについて検討する。
　本願の明細書の発明の詳細な説明には、透明なｐ型のデラフォサイト材料のキャリア濃度に関連するものとして、次の記載がある。
　「【００１１】
　トランジスタ８の実施形態は、完全に透明な素子、すなわち薄膜のすべてが透明材料から形成されている場合だけでなく、部分的に透明な素子、例えばｐ型透明チャンネル10だけが透明薄膜である場合も含む。追加の実施形態は透明基板の使用を含む。ｐ型透明チャンネル１０は、ドープされてないデラフォサイト膜又はわずかにドープされているデラフォサイト膜である。わずかにドープされている層では、デラフォサイトは、その透明度と半導体性能を維持するのに十分な低いドーピングレベルを有する。一例として、本発明のわずかにドープされている実施形態は、キャリア濃度（ホール濃度）が１０１７ｃｍ−３よりも低いドーピングレベルを含む。ドープされてないデラフォサイトの見掛けの光バンドギャップは近紫外線の範囲内あるが、一方多量にドープされている（かつ導電性の）膜はほぼ不透明であることがある。」
　「【００１４】
  デラフォサイトチャンネル１０及びトランジスタ８は、ドープされてないチャンネル又はわずかにドープされているチャンネル中にホール注入をもたらすことができ、それによってｐ型素子が作り出される。通常、他の透明半導体は、例えば６ｅＶ〜８ｅＶの範囲内の高いイオン化電位（価電子帯の境目と真空準位との間隔）を有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトが、このチャンネル材料のイオン化電位にほぼ等しいか、又はそれよりも高い仕事関数を有する材料（金属又はドープされている半導体）から形成されているときには、この透明チャンネルにホールが注入される。しかしながら仕事関数の高い金属、例えば金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）でさえ、それらの仕事関数は６ｅＶよりも低い。ドープされてないデラフォサイト材料や、わずかにドープされているデラフォサイト材料のより低いイオン化電位が、ホール注入に関する条件を満たすことができる。」
　
　以上の記載によれば、透明なｐ型のデラフォサイト材料のキャリア濃度が１０１７ｃｍ−３より低いことは、透明度やイオン化電位等の半導体性能を維持するのに十分な低いドープ量の一例にすぎず、透明なｐ型のデラフォサイト材料のキャリア濃度を１０１７ｃｍ−３より低くすることにより、１０１７ｃｍ−３以上とした場合と比較して顕著な効果が生じているとは認められない。
　したがって、本願発明における、「チャンネル（１０）」を構成する「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料」の「キャリア濃度」についての「１０１７ｃｍ−３」という上限値に臨界的意義は認められない。
　
（２−３）以上のとおりであるから、引用発明の「ＣｕＡｌＯ２からなる透明なｐ型デラフォサイト材料」をトランジスタのチャンネル部分に用いるに当たり、本願発明のように、「前記透明なｐ型のデラフォサイト材料が、１０１７ｃｍ−３より低いキャリア濃度でドープされている」ものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２も当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明と引用発明との相違点は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれるものであるから、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。