【手続補正書】
【提出日】平成18年10月20日(2006.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横寸法および高さの微調整による半導体産業におけるアディティブマスク修復方法であって、
先端からの直接書込みナノリソグラフィによって欠陥マスクに材料を蒸着させてアディティブ修復を行う段階を含む方法。
【請求項２】
欠陥マスクが、光学的に不透明なパターンであるマスク層をその上に含む光学的に透明な基板を含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
欠陥マスクが、位相シフトフォトマスクである、請求項1記載の方法。
【請求項４】
欠陥マスクが、EUVリソグラフィ・マスク、電子投影リソグラフィ・マスク、X線リソグラフィ・マスク、またはイオン投影リソグラフィ・マスクである、請求項1記載の方法。
【請求項５】
欠陥マスクが、ナノインプリント・リソグラフィ用のマスクである、請求項1記載の方法。
【請求項６】
欠陥マスクが、不透明な欠陥を含む、請求項1記載の方法。
【請求項７】
欠陥マスクが、透明な欠陥を含む、請求項1記載の方法。
【請求項８】
欠陥マスクが、材料が添加されるナノメートル・スケール開口部を含む、請求項1記載の方法。
【請求項９】
欠陥マスクが約100nm未満の横寸法を有し、材料が添加される開口部を含む、請求項1記載の方法。
【請求項１０】
マスクが、横寸法が約100nm以下である修復されるフィーチャを含む、請求項1記載の方法。
【請求項１１】
先端が、走査型プローブ顕微鏡先端である、請求項1記載の方法。
【請求項１２】
先端が、原子間力顕微鏡先端である、請求項1記載の方法。
【請求項１３】
先端が、中空先端である、請求項1記載の方法。
【請求項１４】
材料が、光学的に透明な材料である、請求項1記載の方法。
【請求項１５】
材料が、光学的に不透明な材料である、請求項1記載の方法。
【請求項１６】
材料が、複数の層に塗布される、請求項1記載の方法。
【請求項１７】
材料が、少なくとも30nmの高さまで塗布される、請求項1記載の方法。
【請求項１８】
材料が、ゾル−ゲル材料である、請求項1記載の方法。
【請求項１９】
材料が、金属酸化物もしくはガラス、またはそれらの前駆物質である、請求項1記載の方法。
【請求項２０】
材料が、金属材料または金属前駆物質である、請求項1記載の方法。
【請求項２１】
材料が、不透明な炭素材料またはその前駆物質である、請求項1記載の方法。
【請求項２２】
材料が、ナノ粒子を含む、請求項1記載の方法。
【請求項２３】
材料が、1つまたは複数の高分子量化合物を含む、請求項1記載の方法。
【請求項２４】
材料は、材料が添加されるパターンと同様の光学特性を有する、請求項1記載の方法。
【請求項２５】
添加段階が、真空条件なしで行われる、請求項1記載の方法。
【請求項２６】
添加段階が、同じ材料を用いて繰り返される、請求項1記載の方法。
【請求項２７】
添加段階が、様々な材料を用いて繰り返される、請求項1記載の方法。
【請求項２８】
外部加熱、光照射、音波励起、または蒸気もしくは液体への暴露による化学反応を含む1つまたは複数の後添加段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項２９】
添加段階が、複数の先端を用いて行われる一連の添加段階のうちの1つとして行われる、請求項1記載の方法。
【請求項３０】
欠陥マスクから材料を除去する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項３１】
材料を除去する段階が、先端を用いて行われる、請求項30記載の方法。
【請求項３２】
以下の段階を含む、ナノリソグラフィ方法：
（1）マスクを設ける段階；
（2）先端がパターニングする化合物でコーティングされる走査型プローブ顕微鏡先端を設ける段階；および
（3）コーティングされた先端をマスクに接触され、それによって化合物をマスクに塗布する段階。
【請求項３３】
先端が、原子間力顕微鏡先端である、請求項32記載の方法。
【請求項３４】
先端が、中空先端である、請求項32記載の方法。
【請求項３５】
パターニングする化合物が、ゾル−ゲル材料である、請求項32記載の方法。
【請求項３６】
パターニングする化合物が、金属を含む、請求項32記載の方法。
【請求項３７】
接触段階が、多層構造を形成するように繰り返される、請求項32記載の方法。
【請求項３８】
マスクから材料を除去することをさらに含む、請求項32記載の方法。
【請求項３９】
以下の段階を含む、ナノリソグラフィ方法：
（1）少なくとも1つの欠陥を含む基板を設ける段階；
（2）パターニングする化合物を含む先端を設ける段階；および
（3）化合物が基板の欠陥に塗布され欠陥が修復されるように先端を基板と一緒に使用する段階。
【請求項４０】
先端が、原子間力顕微鏡先端である、請求項39記載の方法。
【請求項４１】
先端が、中空先端である、請求項39記載の方法。
【請求項４２】
パターニングする化合物が、ゾル−ゲル材料または金属である、請求項39記載の方法。
【請求項４３】
基板に材料を添加し、走査型プローブ顕微鏡先端を用いた直接書込みナノリソグラフィによってマスクを形成し、基板上の材料をパターン化する段階を含むマスク製造方法。
【請求項４４】
先端が、原子間力顕微鏡先端である、請求項43記載の方法。
【請求項４５】
先端が、中空先端である、請求項43記載の方法。
【請求項４６】
材料が、不透明な材料である、請求項43記載の方法。
【請求項４７】
材料が、透明な材料である、請求項43記載の方法。
【請求項４８】
材料が、金属を含む、請求項43記載の方法。
【請求項４９】
マスクが、フォトマスクである、請求項43記載の方法。
【請求項５０】
マスクが、EUVリソグラフィ・マスク、電子投影リソグラフィ・マスク、X線リソグラフィ・マスク、またはイオン投影リソグラフィ・マスクである、請求項43記載の方法。
【請求項５１】
材料が、基板上に少なくとも10nmの高さまでパターン化される、請求項43記載の方法。
【請求項５２】
材料が、基板上に少なくとも100nmの高さまでパターン化される、請求項43記載の方法。
【請求項５３】
マスクの製造時に、コーティングされた原子間力顕微鏡先端を用いて基板上にパターニングする化合物を蒸着させる段階を含むナノリソグラフィ方法。
【請求項５４】
マスクが、ナノリソグラフィ用のマスクである、請求項53記載の方法。
【請求項５５】
パターニングする化合物が、少なくとも100nmの高さまで蒸着させられる、請求項53記載の方法。
【請求項５６】
材料が、ゾル−ゲル材料または金属である、請求項53記載の方法。
【請求項５７】
パターニングする化合物が、多層蒸着物を形成するように複数回にわたって蒸着させられる、請求項53記載の方法。
【請求項５８】
1つまたは複数のパターニングする化合物が少なくとも約10nmの高さの基板を形成するように、先端を用いて1つまたは複数のパターニングする化合物を層化する段階を含む、ナノリソグラフィ方法。
【請求項５９】
構造が、マスク強化構造である、請求項58記載の方法。
【請求項６０】
構造の高さが、少なくとも約45nmである、請求項58記載の方法。
【請求項６１】
構造の高さが、少なくとも約100nmである、請求項58記載の方法。
【請求項６２】
構造の高さが、約10nmから約250nmである、請求項58記載の方法。
【請求項６３】
構造が、単一の層である、請求項58記載の方法。
【請求項６４】
構造が、複数の層を含む、請求項58記載の方法。
【請求項６５】
化合物が、ゾル−ゲル化合物または金属化合物である、請求項58記載の方法。
【請求項６６】
請求項1の方法によって作製される修復マスク。
【請求項６７】
請求項32の方法によって作製される修復マスク。
【請求項６８】
請求項39の方法によって作製される修復マスク。
【請求項６９】
請求項43の方法によって製造されるマスク。
【請求項７０】
請求項53の方法によって製造されるマスク。
【請求項７１】
走査型プローブ顕微鏡を用いてアディティブ修復によってマスクを修復する方法。
【請求項７２】
走査型プローブ顕微鏡が、原子間力顕微鏡である、請求項71記載の使用法。
【請求項７３】
走査型プローブ顕微鏡を用いてアディティブリソグラフィによってマスクを作製する方法。
【請求項７４】
走査型プローブ顕微鏡が、原子間力顕微鏡である、請求項73記載の使用法。