【手続補正書】
【提出日】平成17年8月15日(2005.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層と絶縁層を備え、
前記絶縁層が、
窪み領域および非窪み領域のパターンであって、前記金属層が前記非窪み領域から電解研磨により除かれ、かつこの金属層が複数本の相互接続線を形成するように前記窪み領域を充填するパターンと、
前記絶縁層の前記非窪み領域中に配置される複数個のダミー構造物とを含む、半導体構造。
【請求項２】
電解研磨装置で生成される電解液の流れの直径が距離を規定し、かつ
前記複数個のダミー構造物の一部を前記窪み領域から前記距離以内に配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記複数個のダミー構造物の一部を前記複数本の相互接続線の少なくとも1本に隣接して配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本の相互接続線の長手方向の端部に隣接して配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記複数個のダミー構造物の一部を前記複数本の相互接続線の少なくとも2本の間に配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本の相互接続線の高密度域に隣接して配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記複数個のダミー構造物を低密度域に配置された前記複数本の相互接続線の一部に隣接して配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記複数個のダミー構造物を絶縁分離されるラインの両側に隣接して配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記複数個のダミー構造物の一部を、設計標準によって2つの窪み領域間に許容される最低間隔以上の前記窪み領域からの距離のところに配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記複数個のダミー構造物の一部を、設計標準によって2つの窪み領域間に許容される最低間隔の少なくとも2倍の前記窪み領域からの距離のところに配置する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記複数個のダミー構造物を金属で充填する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記複数個のダミー構造物が隣接した線である、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記複数個のダミー構造物が金属ラインを囲い込む、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記複数個のダミー構造物の幅が前記複数本の相互接続線の幅以上である、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１５】
前記複数個のダミー構造物の密度が前記複数本の相互接続線の密度以上である、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１６】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本の相互接続線に隣接した区域に均等に分配する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１７】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本の相互接続線の少なくとも一部内の窪みが低減するように配列する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１８】
前記複数個のダミー構造物を前記半導体構造の少なくとも一部において前記構造物の平均密度が増すように配列する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項１９】
前記複数個のダミー構造物を、前記複数本の相互接続線を覆って形成される前記金属層の窪み形成が低減するように配列する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項２０】
前記金属層を電解研磨して前記複数本のトレンチを電気的に絶縁分離する、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項２１】
前記導電層と前記絶縁層の間に配置されるバリア層をさらに備える、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項２２】
前記導電層と前記絶縁層の間に配置されるシード層をさらに備える、請求項1に記載の半導体構造。
【請求項２３】
絶縁層と金属層を備え、
前記絶縁層が、この絶縁層によって分離される複数本のトレンチと複数個のダミー構造物とを有し、かつ
前記金属層が前記トレンチを充填して金属相互接続線を形成し、前記金属層が電解研磨される、半導体構造。
【請求項２４】
前記金属層を電解研磨して前記複数本のトレンチを電気的に絶縁分離する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項２５】
電解研磨装置で生成される電解液の流れの直径が距離を規定し、
前記複数個のダミー構造物の少なくとも1個を前記複数本のトレンチの少なくとも1本から前記距離以内に配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項２６】
前記複数個のダミー構造物の一部を前記複数本のトレンチの少なくとも1本に隣接して配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項２７】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチの長手方向の端部に隣接して配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項２８】
前記複数個のダミー構造物の一部を前記複数本のトレンチの少なくとも2本の間に配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項２９】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチの高密度域に隣接して配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項３０】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチの低密度域に隣接して配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項３１】
前記複数個のダミー構造物を絶縁分離されたトレンチに隣接して配置する、請求項23記載の半導体構造。
【請求項３２】
前記複数個のダミー構造物の一部を、設計標準によって2本のトレンチ間に許容される最低間隔以上の前記トレンチからの距離に配置する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３３】
前記複数個のダミー構造物の一部を、設計標準によって2本のトレンチ間に許容される最低間隔の少なくとも2倍の前記トレンチからの距離に配置する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３４】
前記複数個のダミー構造物を導体材料で充填する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３５】
前記複数個のダミー構造物を銅で充填する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３６】
前記複数個のダミー構造物が隣接した線である、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３７】
前記複数個のダミー構造物が金属ラインを囲い込む、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３８】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物の幅が前記複数本のトレンチの幅以上である、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項３９】
前記複数個のダミー構造物の密度が前記複数本のトレンチの密度以上である、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項４０】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチに隣接した区域に均等に分配する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項４１】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチの少なくとも一部内の窪みが低減するように配列する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項４２】
前記複数個のダミー構造物を前記構造物の少なくとも一部において金属構造物の平均密度が増すように配列する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項４３】
前記複数個のダミー構造物を、前記複数本のトレンチを覆って形成される前記金属層の非水平域が低減するように配列する、請求項23に記載の半導体構造。
【請求項４４】
複数本のトレンチを有する絶縁層、および
電解研磨された金属層であって、前記トレンチを充填して相互接続線を形成する金属層
を含む複数個の半導体ダイスと、
前記複数個の半導体ダイスに隣接して形成される複数個のダミー構造物と
を備える半導体構造。
【請求項４５】
電解研磨装置で生成される電解液の流れの直径が距離を規定し、
前記複数個のダミー構造物の一部を前記トレンチの一部から前記距離以内に配置する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項４６】
前記複数個のダミー構造物を金属で充填する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項４７】
前記複数個のダミー構造物を銅で充填する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項４８】
前記金属層が前記ダイと前記ダミー構造物を覆って同時に形成される、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項４９】
前記複数個のダミー構造物が隣接した線である、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５０】
前記複数個のダミー構造物が前記複数本のトレンチの少なくとも一部に隣接して形成される金属ラインを囲い込む、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５１】
前記複数個のダミー構造物が、
電解研磨装置で生成される電解液の流れの直径に等しい間隔、または
2個の隣接するダイス間の距離に等しい間隔
の小さい方の間隔以上の距離に広がる半導体ダイスに隣接した区域に配置される、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５２】
前記複数個のダミー構造物の幅が前記複数本のトレンチの幅以上である、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５３】
前記複数個のダミー構造物を分離する間隔が前記複数本のトレンチを分離する最低間隔以上である、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５４】
前記複数個のダミー構造物を前記複数個のダイスに隣接した区域に均等に分配する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５５】
前記複数個のダミー構造物を前記複数本のトレンチの少なくとも一部において窪み形成が低減するように配列する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５６】
前記複数個のダミー構造物を半導体ウェーハの少なくとも一部上の金属構造物の平均密度が増すように配列する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５７】
前記金属層を電解研磨して前記複数本のトレンチを電気的に絶縁分離する、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５８】
前記金属層と前記絶縁層の間に配置されるバリア層をさらに備える、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項５９】
前記金属層と前記絶縁層の間に配置されるシード層をさらに備える、請求項44に記載の半導体構造。
【請求項６０】
窪み領域および非窪み領域を含む絶縁層を形成するステップと、
前記非窪み領域に複数個のダミー構造物を形成するステップと、
金属層を形成して前記絶縁層および前記ダミー構造物を覆うステップと、
前記導電層を電解研磨して前記非窪み領域を露出させるステップと
を含む、半導体構造体の製造方法。
【請求項６１】
金属層を形成するステップが前記金属層を堆積するステップを含む、請求項60に記載の方法。
【請求項６２】
金属層を形成するステップが前記金属層を電気メッキするステップを含む、請求項60に記載の方法。
【請求項６３】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物の幅が前記窪み領域の幅以上である、請求項60に記載の方法。
【請求項６４】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物を等しい間隔で互いに離して配置する、請求項60に記載の方法。
【請求項６５】
前記ダミー構造物と前記窪み領域の最低間隔が前記窪み領域に対する設計標準以上である、請求項60に記載の方法。
【請求項６６】
前記窪み領域が、前記金属層で充填したときに相互接続線を形成するように配列される、請求項60に記載の方法。
【請求項６７】
前記複数個のダミー構造物を金属で充填する、請求項60に記載の方法。
【請求項６８】
前記電解研磨の作用が電解液の流れを前記金属層の表面に向けることを含む、請求項60に記載の方法。
【請求項６９】
パターン形成されて相互接続線を形成する絶縁層を形成するステップと、
前記相互接続線に隣接した複数個のダミー構造物を形成するステップと、
前記パターン形成された絶縁層および前記ダミー構造物を覆うように金属層を形成するステップと、
前記金属層を電解研磨して前記相互接続線を絶縁分離するステップと
を含む、相互接続構造の製造方法。
【請求項７０】
金属層を形成するステップが前記金属層を堆積するステップを含む、請求項69に記載の方法。
【請求項７１】
金属層を形成するステップが前記金属層を電気メッキするステップを含む、請求項69に記載の方法。
【請求項７２】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物の幅が前記相互接続線の幅以上である、請求項69に記載の方法。
【請求項７３】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物を等しい間隔で互いに離して配置する、請求項69に記載の方法。
【請求項７４】
前記ダミー構造物と前記相互接続線の最低間隔が前記窪み領域に対する設計標準以上である、請求項69に記載の方法。
【請求項７５】
前記複数個のダミー構造物を金属で充填する、請求項69に記載の方法。
【請求項７６】
電解研磨の作用が電解液の流れを前記金属層の表面に向けることを含む、請求項69に記載の方法。
【請求項７７】
半導体ウェーハ上に複数のダイスを形成するステップであって、この各ダイスを形成するステップが、
窪み領域と非窪み領域を有する絶縁層を形成する工程、および
前記絶縁層を覆い、前記非窪み領域を充填する金属層を形成する工程
を含むステップと、
前記絶縁層の前記非窪み領域中に少なくとも1個のダミー構造物を形成するステップと、
前記金属層を電解研磨して前記非窪み領域を露出させるステップと
を含む、半導体構造の形成方法。
【請求項７８】
金属層を形成するステップが前記金属層を堆積する工程を含む、請求項77に記載の方法。
【請求項７９】
金属層を形成するステップが前記金属層を電気メッキする工程を含む、請求項77に記載の方法。
【請求項８０】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物の幅が前記非窪み領域の幅以上である、請求項77に記載の方法。
【請求項８１】
前記複数個のダミー構造物のそれぞれのダミー構造物を等しい間隔で互いに離して配置する、請求項77に記載の方法。
【請求項８２】
前記ダミー構造物と前記窪み領域の最低間隔が前記窪み領域に対する設計標準以上である、請求項77に記載の方法。
【請求項８３】
前記窪み領域が、前記金属層で充填されたときに相互接続線を形成するように配列されたトレンチを画定する、請求項77に記載の方法。
【請求項８４】
前記複数個のダミー構造物が金属を含む、請求項77に記載の方法。
【請求項８５】
前記複数個のダミー構造物が前記半導体ウェーハと同じ材料を含む、請求項77に記載の方法。
【請求項８６】
前記複数個のダミー構造物が前記絶縁層と同じ材料を含む、請求項77に記載の方法。
【請求項８７】
電解研磨の作用が電解液の流れを前記金属層の表面に向けることを含む、請求項77に記載の方法。
【請求項８８】
前記ダミー構造物が、電解液の流れの直径以上の前記ダイからの距離、または隣接するダイス間の間隔に等しい距離に広がる、請求項77に記載の方法。
【請求項８９】
請求項60に記載の方法により半導体ウェーハ上に形成される半導体構造。
【請求項９０】
請求項69に記載の方法により半導体ウェーハ上に形成される相互接続構造。
【請求項９１】
請求項77に記載の方法により半導体ウェーハ上に形成される半導体構造。