【事件の表示】
　特願２００１−５２７３５６「不揮発性メモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年４月５日国際公開、ＷＯ０１／２４２６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年９月２８日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１１年９月３０日）を国際出願日とする特許出願であって、平成２０年４月２４日付けの拒絶理由通知に対して同年６月２７日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年７月３１日付けの最後の拒絶理由通知に対して同年１０月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月３０日付けで、同年１０月６日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１２月５日に、拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年１２月２４日に再度手続補正書が提出され、その後、平成２２年１０月５日付けで審尋がなされ、同年１２月９日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定（その１）
【結論】
　平成２０年１２月５日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２０年１２月５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正１」という。）は、補正前の明細書（平成２０年６月２７日に提出された手続補正書による補正後の明細書）の特許請求の範囲の請求項１〜１５を、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４と補正するとともに、明細書の００１０段落を補正するものであり、補正前の請求項１及び１０、並びに補正後の請求項１及び９は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、
　前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
　「【請求項１０】
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物である請求の範囲第１項または２項に記載の不揮発性メモリ。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、
　前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含み、
　前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
　「【請求項９】
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる請求の範囲第１項または２項に記載の不揮発性メモリ。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正１における補正事項を整理すると、次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、」の後に、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含み、」を加えて補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項５を削除するとともに、それと整合するように、補正前の請求項６〜１５について、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１０の「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物である」を、「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」と補正して補正後の請求項９とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の明細書の００１０段落を、補正後の明細書の００１０段落と補正すること。
　
３．新規事項の追加の有無について
（１）補正事項３が、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面を、各々「当初明細書」及び「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　まず、当初明細書等において、「絶縁バリア層」の材料に関係すると認められる記載は次のとおりである。なお、ここにおいて、括弧内のページ数及び行数等は、本願の国際公開された明細書におけるページ数及び行数等を指すものである。また、下線は当合議体にて付加したものである（以下において同じ。）。
　
ａ．「本発明の第２では、本発明の第１に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記絶縁バリア層が前記強誘電体膜の構成元素を含む絶縁材料からなることを特徴とする
　かかる構成によれば、上記第１による効果に加え、前記絶縁バリア層が前記強誘電体膜の構成元素を含んでいるため、長期にわたる使用に際しても前記強誘電体膜からの前記元素の拡散が防止されるとともに、絶縁バリア層からの構成元素の拡散も防止でき、より長寿命化をはかることが可能となる。
（中略）
　本発明の第４では、本発明の第１または２に記載の不揮発性メモリにおいて、前記絶縁バリア層は、前記フローティングゲートと、前記強誘電体膜との間に介在せしめられていることを特徴とする。
　かかる構成によれば、絶縁バリア層を前記フローティングゲートと、前記強誘電体膜との間に介在するに際し、
前記フローティングゲートと、前記強誘電体膜との間の格子定数の差を緩和させるような材料で構成することも可能となる
　また望ましくは、本発明の第１または２に記載の不揮発性メモリにおいて、前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ７）ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、
前記絶縁バリア層は酸化タンタル（Ｔａ
２
Ｏ
５
）で構成されていることを特徴とする
　ＳＴＮは比誘電率が４０−５０程度であり、酸化タンタルは２５程度であるため、酸化タンタル自身による電圧降下は、小さく、強誘電体膜にかかる電圧を大幅に低下させることなく、リーク電流の低減を図ることが可能となる。さらにまた、前記酸化タンタルは強誘電体膜の構成元素であるタンタルを含んでいるため、強誘電体膜からのタンタルの拡散を防止することができ、より信頼性の高い不揮発性メモリを得ることが可能となる。
　本発明の第５では、本発明の第１または２に記載の不揮発性メモリにおいて、前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、
前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含むことを特徴とする
　かかる構成によれば、絶縁バリア層から強誘電体膜への構成元素の拡散もなく、良好なメモリ特性を得ることが可能となる。
（中略）
　本発明の第７では、
前記絶縁バリア層は、バンドギャップが強誘電体のバンドギャップよりも大きい
　本発明の第８では、
前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の酸化物あるいは窒化物を含む
　本発明の第９では、
前記絶縁バリア層は、酸化タンタル層である
　本発明の第１０では、
前記絶縁バリア層は、酸化チタン層である
　本発明の第１１では、
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンの酸化物あるいはこれらの酸窒化物
　本発明の第１２では、
前記絶縁バリア層は、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物
　本発明の第１３では、前記フローティングゲートはイリジウム層と酸化イリジウム層との２層膜である。
　本発明の第１４では、前記コントロールゲートは、イリジウム層と酸化イリジウム層との２層膜である。
　本発明の第１５では、半導体基板表面に前記フローティングゲートはイリジウム層と酸化イリジウム層との２層膜である。
　
　
なお上述したように、絶縁バリアとしては、その他、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属の酸化物あるいは高融点金属の酸窒化物あるいはこれらを含む膜を用いることが可能である
　酸化チタニウムは、イリジウム、酸化イリジウムやプラチナ、ルテニウムなどの電極金属との密着性が良好であり、フローティングゲートあるいはコントロールゲートと、強誘電体層との密着性の向上をはかることができる。また、コントロールゲートとしてイリジウム（Ｉｒ）を含む場合には、特に、ＰＺＴ内の酸素、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）が抜け出したりすることもなく、経年変化および分極反転の繰り返しによっても変化はなく、良好な強誘電性を維持することが可能となる。更に、コントロールゲートがイリジウムと酸化イリジウムとの２層構造膜を含む場合に特に有効である。
　（中略）
　イリジウムは上層に形成される誘電体膜の配向性を良好に維持することができる材料である反面、柱状多結晶であり透過性が高いという問題があり、誘電体膜中の酸素や、その他の元素を透過するという問題があるが、下層の酸化チタンからなる緻密な絶縁バリア層によって強固なバリア効果を得ることができる。
　さらには、酸化チタン層は極めて緻密でバリア性が高くかつ比誘電率も８０〜１００程度と、大きいため、電圧降下率も低く、また長期にわたって特性を維持することが可能である。
　酸化タンタルは、比誘電率が２０〜３０程度である。
　酸化ジルコニウムは、比誘電率が１２．５程度である。」（３ページ２５行〜７ページ１０行）
　
ｂ．「次に、本発明の実施例として、ＳＴＮを誘電体膜として用いた強誘電体メモリについて説明する。この強誘電体メモリは、図１に示すように、ｎ型のシリコン基板１表面に形成されたｐ型不純物領域からなるソース・ドレイン領域２，３の間のチャネル領域４の表面に、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜５を介して、膜厚１００ｎｍのイリジウム層からなるフローティングゲート６と、膜厚１５０ｎｍのＳＴＮからなる強誘電体層７と、膜厚２００ｎｍのＰｔからなるコントロールゲート８とを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
前記コントロールゲート８と、強誘電体層７との間に酸化タンタルからなる絶縁バリア層１０を介在せしめたことを特徴とする
　ここで強誘電体膜を構成するＳＴＮは比誘電率が４０−５０程度であるのに対し、酸化タンタルは比誘電率が２５程度と大きいため、リーク電流が少なく、電圧降下が１０％程度低減され、強誘電体膜にかかる電圧を十分に大きく維持することができる。
　ここで絶縁バリア層は、その膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されている。
　
また絶縁バリア層は強誘電体膜である、ＳＴＮの構成元素である、タンタルを含んでいるため、密着性が良好であり、剥離がなく信頼性の高いＦＥＲＡＭを提供することが可能となる。強誘電体膜からのタンタルの拡散を防止することができ、より信頼性の高い不揮発性メモリを得ることが可能となる
　尚、前記実施例では、強誘電体膜として、ＳＴＮを用いたが、これに限定されることなく、適宜変更可能である。
　
また、前記強誘電体膜をＳＴＮで構成したがその表面層の少なくとも一部を、ｙが連続的に変化する組成傾斜層となるようにしてもよい。すなわち、強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ
２
（Ｔａ
１−ｘ
Ｎｂ
ｘ
）
２
Ｏ
ｙ
）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成するとともに、前記絶縁バリア層は、酸化タンタルで構成するようにしてもよい
　
ｃ．「また、前記実施例では、強誘電体膜７とコントロールゲート８との間に絶縁バリア層を形成したが、本発明の第２の実施例として、図２に示すようにフローティングゲート６と強誘電体膜７との間に絶縁バリア層を形成するようにしてもよい。
この構造では、フローティングゲート６を、イリジウムと酸化イリジウムとの２層膜で構成し、この上層に薄い酸化チタン層１０を形成し、この上層に、ＰＺＴからなる強誘電体膜を形成し、
　すなわち、この例では、ｎ型のシリコン基板１表面に形成されたｐ型不純物領域からなるソース・ドレイン領域２，３の間のチャネル領域４の表面に、酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜５を介して、のイリジウム層６ａと酸化イリジウム６ｂとの２層膜からなるフローティングゲート６と、
絶縁バリア層として、薄い酸化チタン層１０と、この上層にＰＺＴからなる強誘電体層７と、
強誘電体層７との間に酸化タンタルからなる絶縁バリア層１０を介在せしめた
　ここで強誘電体膜にＢＳＴを用い、絶縁バリア層に酸化チタンを用いることにより、リーク電流が少なく、電圧降下が低減され、強誘電体膜にかかる電圧を十分に大きく維持することができる。」（８ページ２５行〜９ページ１５行）
　
ｄ．「
そして更にこの上層に絶縁バリア層として、酸化チタン層１０を形成する。
　次に、
この絶縁バリア層としての酸化チタン層１０の上に
　
ｅ．「さらにまた、
酸化チタン層は接合層としての作用もある。
この実施例では、密着性のよいチタン層を形成した後、このチタン層を酸化しているためこの酸化チタン層は接合層としての作用も奏効する。
　また、
この酸化チタン層は緻密な膜であるため、
酸化チタン層の存在により、還元は抑制され、酸化イリジウムの状態を維持することが可能となる
　
なお、上記実施例では、絶縁バリア層として酸化タンタル、および酸化チタン層を用いたが、これらの材料に限定されることなく適宜選択可能である。チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物さらには、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物も適用可能である
　
ｆ．「２．　
前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素を含む絶縁材料からなる
（中略）
５．　前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）
　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、
前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含む
（中略）
７．　
前記絶縁バリア層のバンドギャップは、前記強誘電体膜のバンドギャップよりも大きい
８．　
前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の酸化物あるいは窒化物を含
９．　
前記絶縁バリア層は、酸化タンタル層である
１０．　
前記絶縁バリア層は、酸化チタン層である
１１．　
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物である
１２．　
前記絶縁バリア層は、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物である
　
（２）以上の記載から、当初明細書等に記載されている「絶縁バリア層」の材料をまとめると、次のとおりである（括弧内は、当初明細書等において当該材料が記載されている代表的な箇所）。
ａ．「強誘電体膜の構成元素を含む絶縁材料」（請求項２）
ｂ．「強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含む」材料（請求項５）
ｃ．「強誘電体膜のバンドギャップよりも大きい」材料（請求項７）
ｄ．「前記強誘電体膜の構成元素の酸化物あるいは窒化物を含む」材料（請求項８）
ｅ．「酸化タンタル」及び「酸化チタン」（請求項９及び１０）
ｆ．「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物」（請求項１１）
ｇ．「ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物」（請求項１２）
ｈ．「フローティングゲートと、強誘電体膜との間の格子定数の差を緩和させるような材料」（４ページ１３行〜１４行）
ｉ．「チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属の酸化物あるいは高融点金属の酸窒化物あるいはこれらを含む膜」（６ページ５行〜７行）
ｊ．「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物さらには、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物」（１１ページ１２行〜１５行）
　
（３）一方、補正事項３による補正後の請求項９に記載された「絶縁バリア層」は、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」ものである。
　したがって、補正後の請求項９に係る発明における「絶縁バリア層」は、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物からなる「絶縁バリア層」及び、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物からなる「絶縁バリア層」の両方を含むものであることが明らかである。
　しかしながら、上記（２）から明らかなように、当初明細書等には、「絶縁バリア層」について、「強誘電体膜の構成元素を含む」、「強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含む」、「強誘電体膜のバンドギャップよりも大きい」、「前記強誘電体膜の構成元素の酸化物あるいは窒化物を含む」、「ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物」、「チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属の酸化物あるいは高融点金属の酸窒化物あるいはこれらを含む膜」、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」等、種々のものを選択できることが記載されているが、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物という上位概念の材料からなる「絶縁バリア層」については、当初明細書等に記載も示唆もなされていない。
　また、当初明細書等を精査しても、当業者が、技術常識を勘案することにより、「絶縁バリア層」の材料として「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物という上位概念のものが含まれることを認識できるような記載も見いだせない。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（４）したがって、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正１は特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしていない。
　
４．補正の目的の適否について
（１）上記３．において検討したとおり、本件補正１は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、その目的の適否についても予備的に検討する。
　
（２）補正事項３による補正後の請求項９には、「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」という事項が記載されている。
　しかしながら、チタニウム、タンタル、ジルコニウム及びタングステンの窒化物が導電性を有することは、例えば、下記周知例１〜３の記載からも分かるように、当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開平８−３３５６８０号公報
　「【００１２】導電プラグ２０及び２６は、酸化し易い材料、例えば多結晶珪素で構成され、これは導電性を持つようにドーピングされている。
導電プラグ２０はまた、窒化チタン、珪化チタン、またはその他の反応性金属合成物例えば窒化ジルコニウム、珪化タンタル、珪化タングステン、珪化モリブデン、珪化ニッケル、または硼化チタンで構成されていても構わない。
【００１３】障壁層２２及び２８は、例えば窒化チタンで構成されていても構わない。更に、障壁層２２は三成分合成物または巨大非結晶窒化物、例えばＴａ−Ｓｉ−Ｎ，Ｔａ−Ｂ−Ｎ，またはＴｉ−Ｂ−Ｎで構成されていても構わない。
障壁層２２はまた種々の新種導電性窒化物、例えば窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化イットリウム、窒化スカンジウム、窒化ランタン、及びその他の窒化希土類例えばＴｉ−Ａｌ−Ｎ，Ｎ欠乏窒化アルミニウム、Ａｌドーピング窒化アルミニウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム、窒化ストロンチウム、そして窒化バリウムで構成されていても構わない。更に、障壁層２２は上記の新種導電性窒化物と一般的な珪素処理材料、例えば窒化チタン、窒化ガリウム、窒化ニッケル、窒化コバルト、窒化タンタル、並びに窒化タングステンとの合金で構成されていても構わない。
　
ｂ．周知例２：特開平８−３０６７７２号公報
　「【００３８】上記実施例では、シリコン窒化膜を通してイオン注入するため、酸素原子がシリコン基板内部に入り込むことがない。窒素原子は基板内部に入り込んでも、
残留窒素がチタンと反応して窒化チタンが形成される。窒化チタンは上記のように導電性を示すため、
【００３９】上記実施例ではシリコン表面にチタンシリサイドを形成する場合を説明したが、その他のシリサイドを形成する金属を使用してもよい。
なお、窒化シリコンと反応して導電性を示すためには、導電性を示す金属窒化物を形成する金属を使用する必要がある。窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）の比抵抗はそれぞれ２２〜１３０μΩ・ｃｍ、８６μΩ・ｃｍ、２００μΩ・ｃｍ、１３５μΩ・ｃｍ、３２μΩ・ｃｍ、１１．５〜１４．０μΩ・ｃｍ程度の高導電性を示すため
　「【００５０】窒化チタン膜４４の上に層間絶縁膜４５を形成する。層間絶縁膜４５の所定の領域にコンタクトホールを開口し、コンタクトホール内をタングステンプラグ４９で埋め込む。タングステンプラグ４９は、ＣＶＤにより選択成長させて形成する。続いて、図２Ｂに示すプラズマ源を用い窒素ラジカルでタングステンプラグ４９の表面を窒化する。窒化タングステンは化学的に安定で、耐酸化性も高いと考えられるため、表面に窒化タングステンを形成することにより、大気に晒したときにタングステンプラグ表面が酸化されることを防止できる。
また、窒化タングステンは耐熱性ゲート電極用材料としても研究されており、導電性の点では問題ないと考えられる
　
ｃ．周知例３：特開平２−４９４５０号公報
　「２．特許請求の範囲
１．　より高い耐熱性の導体上に重畳されたより低い耐熱性の導体からなる金属化層を有し、この金属化層内の選択された位置においてより低い耐熱性の導体がより高い耐熱性の導体上から実質的に除去されている集積回路。
２．　より低い耐熱性の導体が、アルミニウム、銅、金、銀、及びこれらの金属を含む合金からなる群から選択される請求項１記載の集積回路。
３．　より高い耐熱性の導体が、タングステン、チタン、コバルト、タンタル、ジルコニウム、及びこれらの金属を含む合金及び化合物からなる群から選択される請求項１記載の集積回路。
４．　
より高い耐熱性の導体が、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、及び窒化ジルコニウムからなる群から選択される
　
（３）したがって、補正事項３による補正後の請求項９における「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」という記載は、「前記
絶縁
　また、「絶縁バリア層」はコンデンサの誘電体として用いるものであるから、絶縁性を有することが必須であることは当業者にとって自明であることろ、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物は、上に述べたとおり導電性を有するものであって、「絶縁バリア層」として使用することができない（「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物を「絶縁バリア層」とした場合には、所期の課題を解決することができない）ことが明らかであるから、補正事項３による補正後の請求項９の「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」という記載は、技術内容的にも不明瞭なものであることが明らかである。
　したがって、補正事項３が、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするに該当するとは認められない。
　また、補正事項３が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（４）よって、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
５．独立特許要件についての検討
（１）上記３．及び４．において検討したとおり、本件補正１は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定するいずれの要件をも満たしていないが、本件補正１のうちの補正事項１は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものと認められるから、本件補正１による補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち本件補正１が独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に予備的に検討する。
　
（２）本件補正１により、補正前の請求項１に対して、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含み」という事項が追加された。
　一方、本願の発明の詳細な説明において、追加された事項に関連すると認められる記載は次のとおりである。
　
　「【００４１】
　また、前記強誘電体膜をＳＴＮで構成したがその表面層の少なくとも一部を、ｙが連続的に変化する組成傾斜層となるようにしてもよい。すなわち、強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成するとともに、前記絶縁バリア層は、酸化タンタルで構成するようにしてもよい。
　　【００４２】
　かかる構成によれば、組成が連続的に変化し、絶縁性を高めることが可能となるため、歪の発生もなく、良好なメモリ特性を得ることが可能となる。」
　
（３）ここにおいて、補正後の請求項１の記載から明らかなように、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含」むものであれば、「ｙ」がどのように変化するものであっても（表面層の一部から離れるにしたがって「ｙ」が連続的に増加するもの、表面層の一部から離れるにしたがって「ｙ」が減少するもの、表面層の一部から離れるにしたがって「ｙ」が増減するもの等、「ｙ」の変化の態様によらず）、補正後の請求項１に係る発明の範囲に含まれることが明らかである。
　
（４）しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、「ｙ」の変化の態様にかかわらず、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含」んでさえいれば、「絶縁性を高めることが可能となるため、歪の発生もなく、良好なメモリ特性を得る」（００４２段落）という課題を解決できることの理論的根拠も、実験データも記載されていない。
　また、本願の発明の詳細な説明を精査しても、当業者が、技術常識を勘案することにより、「ｙ」の変化の態様にかかわらず、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含」んでさえいれば、「絶縁性を高めることが可能となるため、歪の発生もなく、良好なメモリ特性を得る」という課題を解決できることができることを認識できるような記載も見いだせない。
　
（５）したがって、補正後の請求項１は、本願の発明の詳細な説明に記載された所期の課題を解決することができないものであるから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　よって、補正後の請求項１は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、本件補正１は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
６．補正の却下の決定（その１）についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正１は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定するいずれの要件を満たすものでもなく、かつ、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．補正の却下の決定（その２）
【結論】
　平成２０年１２月２４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．平成２０年１２月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正２」という。）は、補正前の明細書（平成２０年６月２７日に提出された手続補正書による補正後の明細書）の特許請求の範囲の請求項１〜１５を、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４と補正するとともに、明細書の００１０段落を補正するものであり、補正前の請求項１及び１０、並びに補正後の請求項１及び９は、各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、
　前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
　「【請求項１０】
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物である請求の範囲第１項または２項に記載の不揮発性メモリ。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、
　前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含み、
　前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
　「【請求項９】
前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる請求の範囲第１項または２項に記載の不揮発性メモリ。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正２における補正事項を整理すると、次のとおりである。
（１）補正事項５
　補正前の請求項１の「前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、」の後に、「前記強誘電体膜はＳＴＮ（Ｓｒ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏｙ）　ｘ：０＜ｘ＜１、ｙ：０＜ｙで構成され、その表面層の少なくとも一部をｙが連続的に変化する組成傾斜層で構成するとともに、前記絶縁バリア層は、前記強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含み、」を加えて補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項６
　補正前の請求項５を削除するとともに、それと整合するように、補正前の請求項６〜１５について、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（３）補正事項７
　補正前の請求項１０の「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンあるいはこれらの窒化物である」を、「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる」と補正して補正後の請求項９とすること。
　
（４）補正事項８
　補正前の明細書の００１０段落を、補正後の明細書の００１０段落と補正すること。
　
３．新規事項の追加の有無について
（１）補正事項７が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　まず、当初明細書等において、「絶縁バリア層」の材料に関係すると認められる記載は、上記第２．３．（１）に記載したとおりであり、当該記載から、当初明細書等に記載されている「絶縁バリア層」の材料をまとめると、上記第２．３．（２）に記載したとおりである。
　
（２）一方、補正事項７による補正後の請求項９に記載された「絶縁バリア層」は、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる」ものである。
　したがって、補正後の請求項９に係る発明における「絶縁バリア層」は、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物からなる「絶縁バリア層」及び、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物からなる「絶縁バリア層」の両方を含むものであることが明らかである。
　しかしながら、上記（１）から明らかなように、当初明細書等には、「絶縁バリア層」について、「強誘電体膜の構成元素を含む」、「強誘電体膜の構成元素の少なくとも１つの酸化物を含む」、「強誘電体膜のバンドギャップよりも大きい」、「前記強誘電体膜の構成元素の酸化物あるいは窒化物を含む」、「ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮなど高融点金属の窒化物にアルミニウムあるいはシリコンなどを含有させたものの酸化物」、「チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属の酸化物あるいは高融点金属の酸窒化物あるいはこれらを含む膜」、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物あるいはこれらの金属と金属の窒化物とからなる」等、種々のものを選択できることが記載されているが、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物という上位概念の材料からなる「絶縁バリア層」については、当初明細書等に記載も示唆もなされていない。
　また、当初明細書等を精査しても、当業者が、技術常識を勘案することにより、「絶縁バリア層」の材料として「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」以外の金属の窒化物という上位概念のものが含まれることを認識できるような記載も見いだせない。
　したがって、補正事項７は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものではないから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
（３）したがって、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４．補正の目的の適否について
（１）上記３．において検討したとおり、本件補正２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、その目的の適否についても予備的に検討する。
　
（２）補正事項７による補正後の請求項９には、「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる」という事項が記載されている。
　しかしながら、チタニウム、タンタル、ジルコニウム及びタングステンの窒化物が導電性を有することは、例えば、上記第２．４．（２）において示した周知例１〜３の記載からも分かるとおり、当業者における技術常識である。
　
（３）したがって、補正事項７による補正後の請求項９における「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる」という記載は、「前記
絶縁
　また、「絶縁バリア層」はコンデンサの誘電体として用いるものであるから、絶縁性を有することが必須であることは当業者にとって自明であるところ、「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物は、上に述べたとおり導電性を有するものであって、「絶縁バリア層」として使用することができない（「チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステン」の窒化物を「絶縁バリア層」とした場合には、所期の課題を解決することができない）ことが明らかであるから、補正事項７による補正後の請求項９の「前記絶縁バリア層は、チタニウム、タンタル、ジルコニウム、タングステンなどの金属の窒化物からなる」という記載は、技術内容的にも不明瞭なものであることが明らかである。
　したがって、補正事項７が、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当するとは認められない。
　また、補正事項７が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（４）よって、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
５．独立特許要件についての検討
（１）上記３．及び４．において検討したとおり、本件補正２は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定するいずれの要件をも満たしていないが、本件補正２のうちの補正事項５は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものと認められるから、本件補正２による補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち本件補正２が独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に予備的に検討すると、上記第２．５．に記載した理由と同じ理由により、補正後の請求項１は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正２は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
６．補正の却下の決定（その２）についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正２は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定するいずれの要件を満たすものでもなく、かつ、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　平成２０年１２月５日に提出された手続補正書による補正、及び同年１２月２４日に提出された手続補正書による補正は、いずれも上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成２０年６月２７日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり、
　前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
第５．引用刊行物に記載された発明
１．本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−２０４７４６号公報（以下「引用例」という。）には、図３及び４とともに以下の記載がある。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ装置及びその製造方法に係り、特に強誘電体メモリ装置(ferroelectric random access memory:FRAM)及びその製造方法に関する
　
ｂ．「【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の技術的課題を達成するための本発明による強誘電体メモリ装置は、強誘電体膜の上下部に各々シード膜を具備する強誘電体キャパシタを具備する。即ち、本発明による強誘電体メモリ装置は下部電極、下部シード膜、強誘電体膜、上部シード膜及び上部電極が順々に積層された強誘電体キャパシタを具備する。
【００１３】前記他の技術的課題を達成するための本発明による強誘電体メモリ装置の製造方法によると、まず下部電極、下部シード膜、強誘電体膜、上部シード膜を順々に形成する。次に、上部シード膜が形成された結果物を熱処理して前記強誘電体膜を安定したぺロブスカイト結晶構造に作り、前記強誘電体膜の上下界面を同一にさせた後、上部電極を形成する。
【００１４】
本発明において、前記強誘電体膜はＰＺＴ膜を使用して形成し、前記上下部シード膜を形成する段階は前記強誘電体膜の上下界面特性を同一にさせうる物質、例えば前記強誘電体膜を構成する物質より結晶化温度が低くて前記強誘電体膜を構成する物質と、格子定数が類似した強誘電体を使用して形成する。従ってＰｂＴｉＯ
３
、ＴｉＯ
３
または前記強誘電体膜を構成するＰＺＴよりＰｂの含量が多いか、Ｔｉ／Ｚｒの値が大きいＰＺＴが使用できる
　
ｃ．「【００２５】第３実施例
図３は本発明の第３実施例による強誘電体の自発分極による半導体の抵抗変化を検出する方式を使用する強誘電体メモリ装置の断面図である
【００２６】
半導体基板３００上にゲート絶縁膜３０３が形成され、ゲート絶縁膜３０３上に下部電極３０４、下部シード膜３０６、強誘電体膜３０８、上部シード膜３１０及び上部電極３１２が順々に形成されている。また、前記ゲート絶縁膜３０３の縁部に隣接した半導体基板３００の表面にソース及びドレイン領域３０１、３０２が形成されている。一般的に、ソース及びドレイン領域３０１、３０２は上部電極３１２まで形成した後形成される
【００２７】図３に示している強誘電体メモリ装置は、強誘電体キャパシタが有する極性方向によってゲート絶縁膜３０３下の半導体基板３００の表面にチャンネルの誘起可否が決定される。例えばチャンネルが導通状態であれば１、非導通状態であれば０と認識する。
【００２８】第３実施例による強誘電体メモリ装置はメモリセルが一つのトランジスタより形成される点においてメモリセルが一つのトランジスタと一つのキャパシタより構成された第１実施例の強誘電体メモリ装置と違い差があり、
下部電極−下部シード膜−強誘電体膜−上部シード膜−上部電極の構造を成すキャパシタを採用している点においては同一である。従って各構成要素に対する説明は省略する
【００２９】第４実施例
図４には本発明の第４実施例による強誘電体の自発分極による半導体の抵抗変化を検出する方式を使用する強誘電体メモリ装置の断面図が示されている。第４実施例は上下部シード膜３０６、３１０と上下部電極３０４、３１２との間に各々導電性酸化物膜３０５、３１１をさらに具備する点だけが第３実施例と異なる。
　
ｄ．「【００３５】
従って強誘電体膜１１６をＰＺＴとして形成する場合、シード膜１１４、１１８はＰｂＴｉＯ
３
、ＴｉＯ
２
または強誘電体膜１１６を構成するＰＺＴ膜よりＰｂの含量が豊かでＴｉの組成比が高いＰＺＴを使って形成する
　
２．ここにおいて、引用例には、「ＴｉＯ３」という記載と「ＴｉＯ２」という記載とが混在しているが、チタンの安定な原子価が３価又は４価であることは当業者の技術常識であり、「ＴｉＯ２」が正しい記載であることは当業者にとって明らかであるから、以下においては、「ＴｉＯ３」を「ＴｉＯ２」と読み換える。
　
３．以上を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体基板３００上にゲート絶縁膜３０３が形成され、ゲート絶縁膜３０３上に下部電極３０４、下部シード膜３０６、強誘電体膜３０８、上部シード膜３１０及び上部電極３１２が順々に形成され、前記ゲート絶縁膜３０３の縁部に隣接した前記半導体基板３００の表面にソース及びドレイン領域３０１、３０２が形成されており、
　上下部シード膜３０６、３１０と上下部電極３０４、３１２との間に各々導電性酸化物膜３０５、３１１を更に具備し、
　前記強誘電体膜３０８をＰＺＴを使用して形成し、前記上下部シード膜３０６、３１０をＴｉＯ２を使って形成する
　強誘電体の自発分極による半導体の抵抗変化を検出する方式を使用する強誘電体メモリ装置。」
　
第６．本願発明と引用発明との対比
１．引用発明の「半導体基板３００」、「ゲート絶縁膜３０３」、「下部電極３０４」及び「導電性酸化物膜３０５」から成る層、「強誘電体膜３０８」、「導電性酸化物膜３１１」及び「上部電極３１２」から成る層、並びに「ソース及びドレイン領域３０１、３０２」が、各々本願発明の「半導体基板」、「ゲート絶縁膜」、「フローティングゲート」、「強誘電体層」、「コントロールゲート」、並びに「ソース・ドレイン領域」に相当することは、当業者にとって明らかである。
　また、引用発明の「半導体基板３００上にゲート絶縁膜３０３が形成され、ゲート絶縁膜３０３上に下部電極３０４、下部シード膜３０６、強誘電体膜３０８、上部シード膜３１０及び上部電極３１２が順々に形成され、前記ゲート絶縁膜３０３の縁部に隣接した前記半導体基板３００の表面にソース及びドレイン領域３０１、３０２が形成されており、　上下部シード膜３０６、３１０と上下部電極３０４、３１２との間に各々導電性酸化物膜３０５、３１１を更に具備」する構造が、全体として本願発明と同様に、「ＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴ」を構成していることも当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明も本願発明と同様に、「半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴ」であるものと認められる。
　
２．引用発明は、「半導体基板３００上にゲート絶縁膜３０３が形成され、ゲート絶縁膜３０３上に下部電極３０４、下部シード膜３０６、強誘電体膜３０８、上部シード膜３１０及び上部電極３１２が順々に形成され、前記ゲート絶縁膜３０３の縁部に隣接した前記半導体基板３００の表面にソース及びドレイン領域３０１、３０２が形成され」る構造となっているから、引用発明の「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」が、本願発明の「絶縁バリア層」と同様に、「前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に」「介在せしめられて」いることは明らかである。
　そして、引用発明においては、本願発明の「強誘電体層」に相当する「前記強誘電体膜３０８」の材料が「ＰＺＴ」であり、「上下部シード膜３０６、３１０」の材料が「ＴｉＯ２」であるが、本願の明細書の「【００４３】　また、前記実施例では、強誘電体膜７とコントロールゲート８との間に絶縁バリア層を形成したが、本発明の第２の実施例として、図２に示すようにフローティングゲート６と強誘電体膜７との間に絶縁バリア層を形成するようにしてもよい。この構造では、フローティングゲート６を、イリジウムと酸化イリジウムとの２層膜で構成し、この上層に薄い酸化チタン層１０を形成し、この上層に、ＰＺＴからなる強誘電体膜を形成し、さらにこの上層にイリジウム８ａと酸化イリジウム８ｂとの２層膜からなるコントロールゲート８を形成したことを特徴とするものである。」という記載から明らかなように、本願発明も、「強誘電体層」の材料が「ＰＺＴ」であり、「絶縁バリア層」の材料が「酸化チタン層」である実施例を含むものであるから、引用発明の「上下部シード膜３０６、３１０」が本願発明の「絶縁バリア層」に相当することは明らかである。
　したがって、引用発明も本願発明と同様に、「前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなり」という構成を備えているものと認められる。
　
３．引用発明の「強誘電体メモリ装置」が本願発明の「不揮発性メモリ」に相当することは、当業者にとって自明である。
　
４．したがって、本願発明と引用発明とは、
　「半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン領域間の前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、
　前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられてなることを特徴とする不揮発性メモリ。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）を満たすように構成されている」のに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
第７．相違点についての当審の判断
１．初めに、相違点に係る構成である「膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき」における「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」という式の技術的意味について検討する。
　まず、本願発明において、「強誘電体層」と「絶縁バリア層」との積層構造体が、「強誘電体層」からなるコンデンサＣｆ（容量Ｃｆ）と「絶縁バリア層」からなるコンデンサＣｉｎ（容量Ｃｉｎ）とが直列接続されたものと電気的に等価であることは、当業者にとって明らかである。
　そして、Ｃｆ及びＣｉｎが、各々次式により表されることも、当業者にとって明らかである（ここにおいて、Ｓは「強誘電体層」及び「絶縁バリア層」の面積、ε０は真空の誘電率である。）。
　
　　Ｃｆ＝εｆ・ε０・Ｓ／ｔｆ　　　…（式１）
　　Ｃｉｎ＝εｉｎ・ε０・Ｓ／ｔｉｎ　　　…（式２）
　
　したがって、「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」という関係式は、次式と等価であるものと認められる。
　
　　Ｃｆ＜Ｃｉｎ＜２Ｃｆ　　　…（式３）
　
　また、書き込み時における「フローティングゲート」と「コントロールゲート」の間の電圧（すなわち、「強誘電体層」及び「絶縁バリア層」からなる積層構造体にかかる電圧）をＶ０と置くと、「強誘電体層」にかかる電圧Ｖｆが次式のとおりとなることは、当業者とって自明である。
　
　Ｖｆ＝｛Ｃｉｎ／（Ｃｉｎ＋Ｃｆ）｝Ｖ０　　　…（式４）
　
２．ところで、一般に、本願発明や引用発明のような強誘電体を用いた不揮発性メモリにおいては、強誘電体の分極の変化により情報を記憶するものであるから、情報を記憶させる（すなわち書き込みを行う）に際して、強誘電体に十分な電圧を印加する必要があることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された下記周知例４の記載からも分かるように、当業者の技術常識である。
　
ａ．周知例４：特開平１１−１４５４１１号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はゲート電極と半導体層との間に少なくとも強誘電体層を有する強誘電体メモリＦＥＴからなる不揮発性の半導体メモリに関する。
さらに詳しくは、強誘電体層の他に絶縁膜を有する構造の場合に、強誘電体層に有効に電圧をかけ得る半導体メモリに関する
　「【０００３】前述のように、ゲート側に強誘電体層の他に絶縁膜を有する構造の強誘電体メモリＦＥＴでは、ゲート電極と半導体基板間に印加される電圧は強誘電体層と通常の絶縁膜とに分圧され、図５（ｄ）に示されるように、２つのキャパシタが直列に接続されたのと同じ構造になっている。この強誘電体層５６に分圧して印加される電圧ＶＦは、ＶＦ＝ＣＯＸ・ＶＯＸ／ＣＦとなる。ここでＣＯＸ、ＶＯＸは、それぞれゲート酸化膜５４の容量、そのゲート酸化膜のキャパシタに分圧して印加される電圧、ＣＦは強誘電体層５６の容量で、ゲート電極に印加される電圧Ｖは、Ｖ＝ＶＦ＋ＶＯＸである。
【０００４】直列に接続されるキャパシタは、その電荷量（容量×電圧）が等しくなるため、分圧される電圧は容量が小さいほうが大きくなる。一方、誘電体の容量は、その誘電体の誘電率εおよび面積に比例し、厚さに反比例する。一般に強誘電体の誘電率εはＳｉＯ２などに比べて遥かに大きく（数百倍程度）、強誘電体層５６の容量は絶縁膜（ゲート酸化膜５４）の容量より遥かに大きくなる。そのため、強誘電体層５６に印加される分圧は小さくなってしまう。
しかし、前述のように、この種のメモリＦＥＴは強誘電体層に印加される電圧により強誘電体層に発生する分極を利用するものであるため、この強誘電体の抗電界以上の電界が印加されないと十分な分極を生じさせることができず、メモリとして動作しない。
　
３．したがって、引用発明に接した当業者であれば、「強誘電体膜３０８」に十分な電圧がかかるようにする必要があるということは、直ちに察知し得たことである。
　そして、引用発明においても、上記（式４）と同様なことが成り立つことは当業者にとって自明であるから、当業者であれば、強誘電体膜３０８による等価的なコンデンサの容量（Ｃｆ）と比較して、「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」による等価的なコンデンサの容量（Ｃｉｎ）が極めて小さければ、「強誘電体膜３０８」に十分な電圧がかからないことも、直ちに察知し得たものと認められる。
　
　一方、引用発明は、「前記強誘電体膜３０８をＰＺＴを使用して形成し、前記上下部シード膜３０６、３１０をＴｉＯ２を使って形成する」ものであり、「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」の比誘電率（εｉｎ）は「強誘電体膜３０８」の比誘電率（εｆ）と比較して格段に小さいから、Ｃｆと比較してＣｉｎを極めて大きくしようとすれば、「強誘電体膜３０８」の膜厚（ｔｆ）を極めて厚くするか、「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」の膜厚（「下部シード膜３０６」の膜厚と「上部シード膜３１０」の膜厚との合計）（ｔｉｎ）を極めて薄くしなければならず、動作電圧が非常に高くなる、あるいはシード膜が本来の目的を達成できなくなる等、性能面において不都合が生ずるとともに、製造プロセスの面からも好ましくないことは、当業者にとって明らかなことである。
　
　したがって、引用発明において、Ｃｉｎを、Ｃｆと比較して余り小さくなく、かつ、余り大きくない値とすることは、当業者が当然になし得たことである。
　
　そして、「強誘電体膜３０８」、並びに「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」においても、上記（式１）及び（式２）と同様なことが成り立つことは当業者にとって自明であるから、引用発明において、Ｃｉｎを、Ｃｆと比較して余り小さくなく、かつ、余り大きくない値とすることが、当業者が当然になし得たことであるのと等しく、引用発明において、εｉｎ／ｔｉｎを、εｆ／ｔｆと比較して大幅に小さく、又は大幅に大きくならないようにすることも、当業者が当然になし得たことである。
　
４．一方、本願発明においては、「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」、すなわち、「εｉｎ／ｔｉｎ」が、下限値である「（εｆ／ｔｆ）」よりも大きく、かつ、上限値である「２・（εｆ／ｔｆ）」よりも小さいという限定が加えられているが、その理由について、本願の発明の詳細な説明には、次の記載がある。
　
「【００１０】
　すなわち、本発明の不揮発性メモリは、半導体基板表面に形成されたソース・ドレイン間領域の表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートと、強誘電体層と、コントロールゲートとを順次積層してなるＭＦＭＩＳ構造のＦＥＴにおいて、前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間にさらに絶縁バリア層を介在せしめられてなり、
　
前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式
　　　
（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）
を満たすように構成されていることを特徴とする
　　【００１１】
　かかる構成によれば、前記フローティングゲートまたはコントロールゲートと、強誘電体層との間に絶縁バリア層が介在せしめられているため、前記フローティングゲートとコントロールゲートとの間のリーク電流が低減され、メモリ特性を良好に維持することが可能となる。
　
また、絶縁バリア層の介在による電圧降下率の低下を１／３から１／２に抑えることができ、リーク電流を低減しつつ、強誘電体膜にかかる電圧を十分に大きく確保することが可能となる。すなわち、絶縁バリアにかかる電圧Ｖｉｎは、下式で表される
Ｖｉｎ＝（Ｃｆ／Ｃｉｎ＋Ｃｆ）／Ｖ……（１）
　
ここでＣｆ＝εｆ／ｔｆ、Ｃｉｎ＝εｉｎ／ｔｉｎであるから　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）に代入すると　Ｃｆ＜Ｃｉｎ＜２Ｃｆとなる。この式を上記式（１）に代入すると絶縁バリアにかかる電圧は、１／３Ｖ＜Ｖｉｎ＜１／２Ｖとなる
　
５．そこで、これについて検討すると、確かに、「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」を満たせば、「絶縁バリア層の介在による電圧降下率の低下を１／３から１／２に抑えることができ」るものと認められるが、「電圧降下率の低下を１／３から１／２に抑えること」、すなわち、「電圧降下率の低下」を、「１／３」という下限値と「１／２」という上限値との間とすることにより、他の値とした場合と比べて「リーク電流」の点で、どの程度の効果を奏するのかということについて、本願の発明の詳細な説明には、理論的な説明も、実験データによる説明も記載されていない。
　また、技術常識からみても、「電圧降下率の低下」を、「１／３」という下限値と「１／２」という上限値との間とすることにより、他の値とした場合と比べて「リーク電流」の点で、格別な効果を奏するとは考えられない。
　したがって、本願発明において、「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」とすること、すなわち、「εｉｎ／ｔｉｎ」が、下限値である「（εｆ／ｔｆ）」よりも大きく、かつ、上限値である「２・（εｆ／ｔｆ）」よりも小さくなるようにすることの臨界的意義は認められない。
　
６．以上検討したとおり、引用発明において、εｉｎ／ｔｉｎを、εｆ／ｔｆと比較して余り小さくなく、かつ、余り大きくない値とすることは当業者が当然になし得たことであり、かつ、本願発明において、「（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）」とすることの臨界的意義は認められないから、引用発明において、上記相違点に係る構成を採用すること、すなわち、「前記絶縁バリア層は、膜厚をｔｉｎ、比誘電率をεｉｎ、前記強誘電体膜の膜厚をｔｆ、比誘電率をεｆとしたとき、次式　（εｆ／ｔｆ）＜（εｉｎ／ｔｉｎ）＜２・（εｆ／ｔｆ）を満たすように構成されている」ようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、以上の検討は、引用発明において、「下部シード膜３０６」の膜厚と「上部シード膜３１０」の膜厚との合計を本願発明の「ｔｉｎ」に対応させて行ったものであるが、「下部シード膜３０６」及び「上部シード膜３１０」の各々の膜厚が本願発明の「ｔｉｎ」に対応するものであるとみても、上に述べた結論に変わりがないことは明らかである。
　
　したがって、本願発明と引用発明との相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第８．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。