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　特願２００８−５０９８１５「垂直磁気記録ディスクの製造方法及び垂直磁気記録ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１８日国際公開、ＷＯ２００７／１１６８１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１９年３月２９日（優先権主張　平成１８年３月３０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年８月１７日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年１１月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２２年１月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２１年１１月２５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。　
　
「【請求項１】
　基板上に少なくとも磁気記録層を備え、垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
　基板上に、グラニュラー構造の強磁性層と、該強磁性層上に形成される交換エネルギー制御層とから構成される磁気記録層を形成する工程において、
　前記交換エネルギー制御層は、前記強磁性層よりも膜厚の薄い、グラニュラー構造となっていない、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層であり、
　少なくとも前記交換エネルギー制御層をクリプトン（Ｋｒ）ガス雰囲気中においてスパッタリング成膜することを特徴とする垂直磁気記録ディスクの製造方法。」
　
　
３．引用例
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である国際公開２００６／００３９２２号（国際公開日２００６年１月１２日。以下、「引用例１」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ア）特許請求の範囲[６]
「
基板上に少なくとも磁気記録層を備え、垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
　
基板上に
グラニュラー構造の強磁性層と、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層とから構成される磁気記録層を形成する工程において、基板上に前記強磁性層を
成膜した後、前記積層をアルゴンガス雰囲気中において
スパッタリング成膜することを特徴とする垂直磁気記録ディスクの製造方法。
　
イ）[００２６]−[００３１]
「（実施例１）
　アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ガラス基板１を得た。ディスク直径は65mmである。このガラス基板１の主表面の表面粗さをAFM（原子間力顕微鏡）で測定したところ、Rmaxが4.8nm、Raが0.42nmという平滑な表面形状であった。なお、Rmax及びRaは、日本工業規格（JIS）に従う。次に、得られたガラス基板１上に、真空引きを行なった成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法にて、Ａｒ雰囲気中で、付着層２、軟磁性層３を順次成膜した。このとき、付着層２は、膜厚２０nmのＴｉ層となるように、Ｔｉターゲットを用いて成膜した。また、軟磁性層３は、膜厚２００ｎｍのアモルファスＣｏＴａＺｒ（Ｃｏ：８８ａｔ％、Ｔａ：7.0ａｔ％、Ｚｒ：4.9ａｔ％）層となるように、ＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。
　こうして軟磁性層３までの成膜を終えた垂直磁気記録ディスク用基板を成膜装置から取り出した。得られた軟磁性層３までの成膜を終えた垂直磁気記録ディスク用基板の表面粗さをAFMで同様に測定したところ、Rmaxが5.1nm、Raが0.48nmという平滑な表面形状であった。さらに、ＶＳＭ（Vibrating Sample Magnetometer：振動試料型磁化測定装置）で上記基板の磁気特性を測定したところ、保磁力（Ｈｃ）は２エルステッド、飽和磁束密度は８１０emu/ccであり、好適な軟磁性特性を示していた。Ｒｍａｘが５.５ｎｍ以下、および／またはＲａが０.５ｎｍ以下という平滑な表面形状を有する軟磁性層３に下地層、垂直磁気記録層が形成されているため、ノイズの低減に好適である。次に、得られた上記
基板上に、
ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、Ａｒ雰囲気中で、
強磁性層５
積層７
を順次成膜した。
　軟磁性層３までの成膜を終えた上記基板上に、まず、アモルファスのＮｉＴａ（Ｎｉ：４５at%、Ｔａ：５５ａｔ％）からなる10nm厚の第１下地層４ａと、Ｒｕからなる３０ｎｍ厚の第２下地層４ｂを形成した。なお、ここでRuからなる層を２層としてもよい。すなわち、上層側Ruを形成する際に、下層側Ruを形成するときのArガスのガス圧よりも高いガス圧で形成することで、結晶配向性を改善することができる。
　
次に、SiO
2
を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、15nmのhcp結晶構造からなる強磁性層５を形成した。
さらに、CoBとPdとの交互積層膜からなる積層７を形成した。まず、CoBを０．３ｎｍ成膜し、その上にPdを０．９ｎｍ成膜した。従って、この積層６の総厚は１．２ｎｍである。
　次に、Ａｒに水素を１８体積％含有させた混合ガスを用いて、カーボンターゲットをスパッタリングすることにより、水素化カーボンからなる炭素系保護層８を形成した。炭素系保護層８の膜厚は４．５ｎｍである。水素化炭素とすることで、膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対して垂直磁気記録層を防護することができる。 この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層９をディップコート法により形成した。潤滑層９の膜厚は１nmである。
　以上の製造工程により、本実施例の垂直磁気記録ディスクが得られた。得られた垂直磁気記録ディスクの表面粗さをAFMで同様に測定したところ、Rmaxが4.53nm、Raが0.40nmという平滑な表面形状であった。スペーサ層6と積層7を形成することで表面粗さＲｍａｘ、Ｒａが改善される。この粗さの改善は、積層7のCoBとPdの周期を増やすとより改善される。これにより、グライド（Ｇｌｉｄｅ）特性、浮上特性が改善され、保護膜厚を小さくできるという新たな効果もある。
　得られた垂直磁気記録ディスクにおける垂直磁気記録層（強磁性層5とスペーサ層6と積層7を併せて垂直磁気記録層と呼ぶ。以下同様。）の配向性をX線回折法にて分析したところ、ｈｃｐ（六方細密充填）結晶構造のｃ軸がディスク面に対して垂直方向に配向していた。また、得られた垂直磁気記録ディスクにおける
強磁性層5を透過型電子顕微鏡（TEM）を利用して詳細に分析したところ、グラニュラー構造を備えていた。
積層7をTEMで詳細に分析したところ、グラニュラー構造とはなっていなかった。
　
　前掲ア）及びイ）の記載事項及び図面からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「基板上に少なくとも磁気記録層を備え、垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
　基板上にグラニュラー構造の強磁性層と、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層とから構成される磁気記録層を形成する工程において、基板上に前記強磁性層を成膜した後、前記積層をアルゴンガス雰囲気中においてスパッタリング成膜する垂直磁気記録ディスクの製造方法であって、
　前記強磁性層の厚さは１５ｎｍであり、前記積層の総厚は１．２ｎｍであり、
　前記積層はグラニュラー構造とはなっていない垂直磁気記録ディスクの製造方法。」
　
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００５−３２７３２５号公報（以下、「引用例２」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
ウ）
「【００１０】
　上記目的を実現するために種々検討した結果、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性層、シード層、
ＣｏとＰｄを交互に積層した多層膜構造である記録層
０．０７　≦　Ｂ原子濃度／（Ｐｄ原子濃度＋Ｂ原子濃度）　≦　０．１５
を満たし、かつ、ｆｃｃ結晶粒の集合体からなり、前記ｆｃｃ結晶の（１１１）面間隔の平均値が２．２５Å以下である磁気記録媒体とすることによって前記目的を達成する。
（中略）
【００１５】
　また、
記録層の形成をＫｒガスによるスパッタ法で行うことも有効である。Ｋｒガススパッタによって記録層のＰｄＣｏ結晶粒に格子歪みが導入されてｄ（１１１）が縮まり、磁気異方性が向上する。
　
エ）
「【００２７】
　上記のように形成したシード層１４上に、
記録層１５として垂直磁化を示すＣｏＢ／ＰｄＢ交互多層膜を形成した。
スパッタガスにはＫｒを用い、
　
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００５−３８４９５号公報（以下、「引用例３」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
オ）
「【００２０】
最後に、磁性層６の最表面に保護層７としてカーボン膜をスパッタリング法により形成する。ターゲットをカーボン、スパッタガスをＡｒガスとし、膜厚約７ｎｍで成膜した。なお、成膜温度は室温、Ａｒガス圧は約１Ｐａである。
図２〜４は、磁性層６の成膜時のスパッタガスが磁性層６の特性に与える影響を調べた結果を説明するための図で、
図２は、純Ｃｏ層（すなわち、ＮｉおよびＳｉＯ
２
は添加していない）と純Ｐｔ層とを、Ａｒ、Ｋｒ、または、Ｘｅガスをスパッタガスとして多層積層させた膜の、Ｐｔ層膜厚と保磁力との関係を示す図
Ａｒガスを用いてスパッタ成膜するとＰｔ膜厚０．２ｎｍのときに最大保磁力約４０００Ｏｅを示すが、Ｋｒガスを用いるとＰｔ膜厚０．７５ｎｍで最大保磁力約４８００Ｏｅが得られ、Ｘｅガスを用いるとＰｔ膜厚１．０ｎｍで最大保磁力約６０００Ｏｅが得られる。このように、スパッタガスの種類により最大保磁力を与えるＰｔ膜厚が異なり、
スパッタガスとしてＫｒやＸｅを用いることとすれば、Ａｒガスを用いる場合よりも高い保磁力を有する垂直磁気記録媒体が作製可能であることが分る。
【００２１】
図３は、純Ｃｏ層と純Ｐｔ層とを、Ａｒ、Ｋｒ、または、Ｘｅガスをスパッタガスとして多層積層させた磁性層６を備えた媒体の、磁化曲線のＨｃ付近の傾き（α）のＰｔ層膜厚依存性を説明するための図
Ａｒガスでスパッタ成膜したものはα値が３以上であるのに対して、ＫｒやＸｅガスを用いてスパッタ成膜するとα値は略１となり、磁性粒間の磁気的相互作用が低減されているのがわかる。すなわち、
ＫｒやＸｅガスを用いて磁性層６をスパッタ成膜すると、磁性粒相互間の磁気的相互作用を抑制することができ、その結果、媒体ノイズが低減されることを意味している。
【００２２】
図４は、純Ｃｏ層と純Ｐｔ層とを、Ａｒ、Ｋｒ、または、Ｘｅガスをスパッタガスとして多層積層させた膜の、保磁力Ｈｃのスパッタガス圧依存性を説明するための図
Ａｒガスの場合は、１０Ｐａまでの圧力範囲ではガス圧が高いほどＨｃも高くなる。これに対して、Ｋｒガスの場合は最大保磁力を示す圧力が６．５Ｐａとなり、Ｘｅガスでは５Ｐａのガス圧で最大保磁力が得られる。また、
ＫｒガスとＸｅガスの場合には、最大保磁力そのものの値もＡｒガスの場合よりも高くなることがわかる。
【００２３】
表１は、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの各スパッタガスを用いて成膜した磁性層６を備える垂直磁気記録媒体の結晶磁気異方性を評価した結果を纏めたものである。結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）が大きいほどその媒体は熱安定性が高く優れたものとなる。
【００２４】
【表１】（略）
【００２５】
この表に示すように、Ａｒガスに比較して、ＫｒガスやＸｅガスを用いてスパッタ成膜した磁性層６を備える媒体は高い結晶磁気異方性を示すことがわかる。
表２は、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて測定した、各媒体の磁性層６の磁気クラスタサイズを纏めた結果であり、磁気クラスタサイズが小さいほど高記録密度に有利になる。
【００２６】
【表２】（略）
【００２７】
この表から分るように、Ａｒガスに比べてＫｒガスやＸｅガスをスパッタガスとして用いることで磁気クラスタサイズを小さくすることができ、記録密度の向上に有利である。すなわち、磁性層６の成膜に際しては、ＫｒガスやＸｅガスをスパッタガスとして用いることにより、垂直磁気記録媒体の磁気特性の向上を図ることが可能となる。
以上説明した結果をもとに、スパッタガスとしてＫｒガスを選び、Ｃｏ層に上述した種々の元素を添加させて記録再生特性の向上を図ることとした。　
図５は、磁性層６の成膜時のスパッタガス中に酸素ガスを添加する効果を説明するための図で、磁性層を構成するＣｏ層に、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉの各元素を添加するとともに、スパッタガスであるＫｒガスに質量流量比０〜０．２％の酸素ガスを添加してスパッタを行って作製した垂直磁気記録媒体の保磁力の酸素添加量依存性で、この図において、縦軸が保磁力、横軸が酸素添加量である。」
　
　
　また、同じく原査定の拒絶理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００３−２４８９１４号公報（以下、「引用例４」という。）には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
カ）
「【０００４】そこで、十分大きなKuを持ち、記録ヘッドによって形成された磁気構造が経時変化しないような
記録層材料として、原子オーダーの厚さで薄膜を交互に積層することで得られる多層膜を利用した構造の記録媒体
【０００５】
このような多層膜の構造は、一般に人工格子（Superlattice）構造と呼ばれており、原子層界面に特有な状態によって、様々な物性を生み出す。Co
の強磁性金属とPd、Pt
の貴金属とを交互に積み重ねた多層膜構造では、大きな垂直磁気異方性エネルギーを持つ磁性薄膜が得られることが知られている。
　
キ）
「【００６２】
従来、人工格子を作製する場合には、
スパッタ・ガスとしてArの代わりにXeやKrを使うことにより、保磁力がより大きくなる旨が記されている。
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「基板」、「磁気記録層」、「垂直磁気記録」、「磁気ディスク」、「製造方法」は、それぞれ本願発明の「基板」、「磁気記録層」、「垂直磁気記録」、「磁気ディスク」、「製造方法」に相当するから、本願発明と引用発明とは、ともに「基板上に少なくとも磁気記録層を備え、垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法」であって「垂直磁気記録ディスクの製造方法」である点で共通している。
　
（２）引用発明の「グラニュラー構造の強磁性層」、強磁性層が成膜された後にスパッタリング成膜される「積層」、強磁性層と積層とから構成される「磁気記録層」は、それぞれ本願発明の「グラニュラー構造の強磁性層」、「強磁性層上に形成される交換エネルギー制御層」、「グラニュラー構造の強磁性層と、該強磁性層上に形成される交換エネルギー制御層とから構成される磁気記録層」に相当するから、引用発明の「基板上にグラニュラー構造の強磁性層と」「積層とから構成される磁気記録層を形成する工程」は、本願発明の「基板上に、グラニュラー構造の強磁性層と、該強磁性層上に形成される交換エネルギー制御層とから構成される磁気記録層を形成する工程」に相当する。
　
（３）引用発明の「積層」は、その総厚が１．２ｎｍであるから強磁性層の厚さ１５ｎｍより「膜厚が薄く」、また、「グラニュラ−構造とはなっていない」ものであり、かつ、「ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層」であるから、本願発明の「交換エネルギー制御層」と引用発明の「積層」とは、「強磁性層よりも膜厚の薄い、グラニュラー構造となっていない、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層」である点で共通する。
　
（４）引用発明の「積層」はスパッタリング成膜されるものであるから、本願発明と引用発明とは「少なくとも交換エネルギー制御層をスパッタリング成膜する」点で共通する。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、
　
「基板上に少なくとも磁気記録層を備え、垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
　基板上に、グラニュラー構造の強磁性層と、該強磁性層上に形成される交換エネルギー制御層とから構成される磁気記録層を形成する工程において、
　前記交換エネルギー制御層は、前記強磁性層よりも膜厚の薄い、グラニュラー構造となっていない、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層であり、
　少なくとも前記交換エネルギー制御層をスパッタリング成膜する垂直磁気記録ディスクの製造方法。」
　
である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
＜相違点＞
　交換エネルギー制御層のスパッタリング成膜に関して、本願発明では、「クリプトン（Ｋｒ）ガス雰囲気中において」成膜するのに対して、引用発明では、「アルゴンガス雰囲気中において」成膜するものである点。
　
　
５．当審の判断
　
　上記相違点について検討する。
　引用例２ないし４に示されるように、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層からなる垂直磁気記録層をスパッタリング成膜する際に、クリプトン（Ｋｒ）ガス雰囲気中で成膜すると、アルゴンガス雰囲気中で成膜するのに比べて当該垂直磁気記録層の保磁力や垂直磁気異方性などの磁気特性が向上することは、周知技術としてよく知られているものである。　
　垂直磁気記録媒体において、保磁力や垂直磁気異方性などの磁気特性を向上させることは共通の課題であるから、引用発明において、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層をスパッタリング成膜する際に、アルゴンガス雰囲気中ではなく、「クリプトン（Ｋｒ）ガス雰囲気中において」成膜するとすることは、前記周知技術に基づいて当業者であれば容易に想到しうるものである。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用発明、及び引用例２ないし４に記載された発明から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明、及び引用例２ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明、及び引用例２ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。