【事件の表示】
　特願２００５−１２６７８５「弾性表面波素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３０４２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１７年４月２５日の特許出願であって、平成２２年１月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２４日付けで手続補正書が提出され、同年６月２日付けで拒絶査定され、これに対して同年９月２日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
　　　
第２　平成２２年９月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年９月２日付けの手続補正を却下する。
［理由］　　　
１．補正内容
　平成２２年９月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」と呼ぶ。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、補正後の請求項１に変更する補正事項を含むものである。
　そして、補正前の請求項１、及び補正後の請求項１の各記載は、それぞれ、以下のとおりである。
　
＜補正前の請求項１＞
「圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。」
　
＜補正後の請求項１＞
「圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記複合圧電基板表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５
なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。」
　
　
２．本件補正に対する判断 
　上記補正は、補正前の請求項１における「圧電基板表面」を「複合圧電基板表面」に限定し、膨張係数の関係を「αｓ＜αｃ＜αｓ＋６」から「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５」に限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
　　　　 　　　
３．引用例
（１）引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２４４７８１号公報（以下、「引用例１」という）には、下記の事項が記載されている。
　　
（あ）「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２１】本実施の形態による表面弾性波デバイスについて、図１及び図２を参照して説明する。
【００２２】図１（ａ）に示されたように、圧電体１の表面上に櫛歯状電極２及び端子電極３を設けて、弾性表面波素子１０を形成する。得られた弾性表面波素子１０の平面構造は図２（ａ）に示されたようであるが、上述したように映像用途ではチップ長が長く端子電極３間も同様に長くなっている。
【００２３】図２（ｂ）のように、弾性表面波素子１０の両端部に、端面からの反射波を吸収する吸音材５をスクリーン印刷等にて塗布する。
【００２４】図１（ｃ）に示されたように、弾性表面波素子１０の端子電極３上に金属バンプ等の凸状導電物４を、ボンディング又はスクリーン印刷等にて形成する。
【００２５】一方、図３のように、外部接続端子１２及び素子接続端子１３を予め形成した平板状のベース基板２０において、スクリーン印刷等により素子接続端子１３上に導電性接着剤１４を塗布する。
【００２６】図４（ａ）に示されたように、ベース基板２０に対して弾性表面波素子１０をフェイスダウンボンディングする。この後、熱工程を経て導電性接着剤１４を硬化させ、素子１０をベース基板２０上に固定するとともに、電気的に接続する。
【００２７】図４（ｂ）のように、素子１０の外側を覆うように、キャップ２１を接着剤を用いてベース基板２０上にマウントして固定し、ベース基板２０を個片に切断して図４（ｃ）のように弾性表面波デバイスを得る。」
　
（い）「【００３３】上述した本実施の形態では、圧電体１がＬｉＮｂＯ３（熱膨張係数１５．４ppm／/℃）又はＬｉＴａＯ３（熱膨張係数１６ppm／℃）を用いて形成されている。
【００３４】また、ベース基板２０は、ＦＲ−４、ＦＲ−５相当品等のガラス基材・エポキシ樹脂系プリント配線板（熱膨張係数１４〜１６ppm／℃)又はＢＴレジン（ガラス基材で、ビスマレイミド及びトリアジンを基本成分とするＢＴレジンを用いたプリント配線板、熱膨張係数１３〜１６ppm／℃)を用いて形成されている。よって、両者の間の熱膨張係数の差は５pp／℃の範囲内にある。」
　　
（う）「【００３７】本実施の形態によれば、圧電体とべース基板との熱膨張係数が、５ppm／℃という範囲内に収まっていることにより、半田リフロー等の加熱工程においても両者の間で熱膨張差を小さく抑制することができる。これにより、接続体がはずれて電気的接続不良が発生したり、ベース基板にそりが発生する等の不具合を防止することが可能である。」
　
（え）上記（い）には、圧電体１にＬｉＴａＯ３（熱膨張係数１６ppm／℃）を用い、ベース基板２０にＢＴレジンを用いたプリント配線板（熱膨張係数１３〜１６ppm／℃)を用いて、弾性表面波デバイスを形成することが記載されている。
　よって、圧電体の膨張係数をαｃ（ｐｐｍ／℃）とし、ベース基板の膨張係数をαｓ（ｐｐｍ／℃）とすると、引用例１には、圧電体の膨張係数とベース基板の膨張係数の間に、
　　　αｓ≦αｃ≦αｓ＋３
なる関係を満たしていることが開示されているといえる。
　　
　上記（あ）乃至（え）及び関連図面の記載から、引用例１には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
「圧電体上に櫛歯状電極が形成された弾性表面波デバイスであって、
　前記圧電体と、前記圧電体をバンプを介してフェイスダウンボンディングによって実装するべース基板とを具備し、
　前記圧電体の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記ベース基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ≦αｃ≦αｓ＋３
なる関係を満たすように実装された弾性表面波デバイス。」
　　　　
（２）引用例２ 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２９７６９３号公報（以下、「引用例２」という）には、下記の事項が記載されている。
　　
（お）「【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適に実施した形態を説明するにあたり、本発明の原理について説明する。
【００２９】
図２は、本発明の原理を説明するための図である。図２に示すように、本実施形態では、比較的厚い（従来による基板と同程度の厚み）の圧電性素子基板（圧電基板という）１１Ａと、例えば同程度の厚さのシリコン基板１２Ａとを接合し（図２（ａ）参照）、これらを切削・研磨することで（（ｂ），（ｃ）における切削・研磨部分１１Ｃ，１２Ｃ参照）、所望する程度に薄型化された接合基板を作成する。このように、圧電基板よりも高い強度及び弾性を持つ支持基板（例えばシリコン基板１２Ｂ）を圧電基板１１Ｂに接合した構成とすることで、本発明では、圧電基板１１Ｂの強度が支持基板により保持されるため、従来よりも圧電基板（及び接合基板）を薄型化することが可能となる。更に、薄型化した場合でも、従来と同等のＳＡＷデバイスの作成工程に適用できる程度の耐性を持つＳＡＷ素子が実現できる。
【００３０】
切削・研磨する圧電基板１１Ａには、扱い易さの観点から、例えば厚さが３５０μｍ程度であって、ＳＡＷの伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４２°ＹカットＸ伝搬リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３ ＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が１６．１ｐｐｍ／℃）の圧電単結晶基板（以下、ＬＴ基板という）を用いる。但し、このほかにも、例えば切り出し角が回転Ｙカット板であるリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）の圧電単結晶基板（以下、ＬＮ基板という）や、水晶基板や他の圧電基板等を適用することも可能である。また同様に、シリコン基板１２Ａには、扱い易さを考えて、例えば２００μｍ程度の厚さの基板を用いる。」
　
　上記（お）の記載から、引用例２には、実質的に下記の事項（以下、「引用例２記載事項」という）が記載されている。
　
「ＳＡＷデバイスにおいて、圧電基板にシリコンからなる支持基板を貼り合わせることで、圧電基板の強度が支持基板により保持され、圧電基板を薄型化することができること。」
　　　
　
３．対比 
（１）本件補正発明と引用発明との対応関係について
　引用発明の「圧電体」、「ベース基板」、「フェイスダウンボンディング」は、本件補正発明の「圧電基板」、「実装基板」、「フリップチップボンディング」に相当する。
　
　弾性表面波デバイスの櫛歯状電極は、弾性表面波を励振及び検出するものであるから、引用発明の「櫛歯状電極」は、本件補正発明の「弾性表面波を励振・検出する電極」に相当する。
　　
　引用発明の「弾性表面波デバイス」は、圧電体とべース基板とを具備したものであるから、本件補正発明の「弾性表面波素子」に対応する。
　　
　引用発明の「圧電体」は、櫛歯状電極を形成されることにより弾性表面波デバイスとしての機能を果たすものであり、ベース基板に実装するように加工されたものであるから、「圧電チップ」と呼び得るものである。よって、引用発明の「圧電体」と、本件補正発明の「複合圧電チップ」とは、「圧電チップ」という点で共通している。
　　
（２）本件補正発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本件補正発明と引用発明は、下記の点で一致する。
　
「圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、圧電チップと、該圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備した弾性表面波素子。」
　　　　　　　
（３）本件補正発明と引用発明の相違点について
　本件補正発明と引用発明は、下記の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正発明の「圧電チップ」は、「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」であるのに対し、引用発明の「圧電チップ」は、支持基板と貼り合わせものではない点。
　
（相違点２）
　本件補正発明は、圧電チップの実装基板への実装について、「圧電チップ（複合圧電基板）表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５
なる関係を満たすように実装されたもの」としているのに対し、引用発明は、「圧電チップ（圧電体）の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記ベース基板（本件補正発明の「実装基板」に相当）の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ≦αｃ≦αｓ＋３
なる関係を満たすように実装されたもの」としている点。
　　
　　
４．当審の判断 
（１）相違点１について
　下記（ア）乃至（エ）の事情を勘案すると、弾性表面波素子において、圧電チップを、「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」とすることは、当業者が容易に推考し得たことというべきである。
　
（ア）弾性表面波素子において、圧電基板に支持基板を貼り合わせることで、圧電基板の強度が支持基板により保持され、圧電基板を薄型化することができることは、引用例２記載事項に摘記したように引用例２に記載されている。
　
（イ）弾性表面波素子の分野では、使用される機器の小型化に伴い、弾性表面波素子自体の薄型化が望まれているところ、引用例１の段落【００１２】においても引用発明が弾性表面波デバイスを薄型にすることを目的とするものであることが記載されている。
　
（ウ）シリコンなどの基板と比較して脆い圧電基板を有する引用発明において、弾性表面波デバイスのさらなる薄型化を図るために、圧電基板に支持基板を貼り合わせた複合圧電基板とすることで、圧電基板の強度を保ちつつも全体としてさらなる薄型化を実現できることは、引用例２記載事項から当業者が容易に想到し得たものである。
　
（エ）上記（ア）乃至（ウ）のことは、取りも直さず、引用発明の圧電チップを、「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」とすることが、当業者にとって容易であったことを意味している。
　　　
（２）相違点２について
　下記（オ）乃至（キ）の事情を勘案すると、引用発明の圧電チップの実装基板への実装について、「前記複合圧電基板表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５
なる関係を満たすように実装されたもの」とすることも、当業者が容易に推考し得たことというべきである。
　　
（オ）引用例１の図面には、弾性表面波素子の長さの長い方向が櫛歯状電極により励振される弾性表面波の伝播方向とされている構成（図２）が記載され、引用例１の明細書には、映像用の弾性表面波素子は素子長が長いため、半田リフロー等の加熱工程において生ずる熱膨張の影響を無視できない点（段落【０００７】）、弾性表面波デバイスのベース基板であるアルミナ系セラミック基板の熱膨張係数は７ppm／℃付近であるのに対し、圧電体であるタンタル酸リチウムの熱膨張係数は１６ppm／℃、ニオブ酸リチウムの熱膨張係数は１５．４ppm／℃であるため、室温から半田リフローにおけるピーク温度２４０℃まで温度が変化すると、約１０mm長の素子ではベース基板において１８〜２０μｍの寸法差が生ずる（段落【００２９】）、即ち、弾性表面波素子の長さの長い方向に寸法差が生じることが記載されていて、弾性表面波素子の長さの長い方向が弾性表面波の伝播方向であるから、引用例１に記載されたタンタル酸リチウムの１６ppm／℃の熱膨張係数は、弾性表面波の伝播方向の熱膨張係数であると認められる。
　
　なお、この点は、圧電基板を構成するタンタル酸リチウムの弾性表面波が伝播する方向の熱膨張係数が１６ppm／℃の値を示すことが、特開平１１−５５０７０号公報（段落【００１８】）、特開２００４−１２９１９３号公報（段落【００１９】）に記載されていることからみても明らかである。
　
　また、上記タンタル酸リチウムが１６ppm／℃という熱膨張係数の値を示す「弾性表面波の伝搬方向」の厳密な範囲は必ずしも定かではないが、「弾性表面波の伝搬方向」の中心的範囲ともいうべき「弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向」において、そのような値を示さないと考えるべき理由はないから、上記１６ppm／℃というタンタル酸リチウムの熱膨張係数は、「弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向」においても当然に妥当する値であると推認される。
　したがって、引用発明は、圧電チップ（圧電体）表面の電極によって励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃについても、「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たすものと推認される。
　
（カ）引用発明において、上記「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲であれば、任意のαｃの値を採用し得ることは、引用発明の構成からみて明らかであり、該「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲内の「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲内の値を採用できない理由はない。
　
（キ）上記「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲のうちの上記「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲と満たさない範囲とで、作用効果上顕著な差違があるといったような格別の事情が認められる場合には、上記「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲にいわゆる臨界的意義を認め、上記「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たす範囲のものとすることを困難であったと評価することが妥当な場合もあり得るが、そのような事情は認められない。
　また、そこにおける「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋３」は、相違点２に係る本件補正発明の構成に規定される範囲である「αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５」に包含される範囲であるから、結局、相違点２に係る本件補正発明の構成を採用することが当業者にとって容易であったことを意味している。
　　
（３）引用発明に相違点１に係る本件補正発明の構成と相違点２に係る本件補正発明の構成の両方を採用することについて
　引用発明は、上記「３．」の「（１）」の「（う）」に摘記した事項からも明らかなように、圧電体とベース基板との間の熱膨張係数の差を小さく抑制すべく上記「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を満たすようにしたものということができ、そのようにすべき事情は、その圧電チップ（圧電体）を上記（１）にしたがって「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」とした場合にも、何ら変わるところはないから、当業者は、引用発明の圧電チップ（圧電体）を上記（１）にしたがって「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」とした場合にも、上記「αｓ≦αｃ≦αｓ＋３」の関係を維持しようと考えるのが普通である。
　してみれば、引用発明の圧電チップを上記（１）にしたがって「圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ」とし、「前記複合圧電基板表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＋１．５≦αｃ≦αｓ＋５．５なる関係を満たすように実装されたもの」とすること、換言すれば、引用発明に相違点１に係る本件補正発明の構成と相違点２に係る本件補正発明の構成の両方を採用することも、当業者が容易に推考し得たことというべきである。
　　
（４）本件補正発明の作用効果について　　　
　本件補正発明の構成により得られる効果は、上記のように引用発明及び引用例２記載事項に基いて当業者が容易に推考し得た構成を採用した結果自ずと得られる効果であり、本件補正発明の進歩性を左右するものではない。
　
　
５．むすび 
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
　
　
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
１．本願発明
　平成２２年９月２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成２２年３月２４日付けの手続補正書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
　
「圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内の方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
　αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。」
　
　　　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記第２　３．に記載したとおりである。
　
　　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２　２．で検討した本件補正発明における限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本件補正発明が、上記第２　４．に記載したとおり、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。