【事件の表示】
　特願２００１−３５６８９１「マイクロアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　６日出願公開、特開２００２−２１９６９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は平成１３年１１月２２日（パリ条約に基づく優先権主張２０００年１１月２９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１６年１１月１６日に審査請求されると同時に手続補正がなされ、平成１９年８月２３日付拒絶理由通知に対して同年１１月２１日に意見書と手続補正書が、平成２０年１２月２６日付拒絶理由通知に対して平成２１年４月１日に意見書と手続補正書が、それぞれ提出されたが、平成２２年１月２９日付で拒絶査定がなされたものである。本件審判は該査定の取消を求めて平成２２年５月１１日に請求されたものであり、当審の平成２３年３月２２日付拒絶理由通知に対して同年７月８日に意見書と手続補正書が提出されたのに関し、当審は同年７月２６日に電話にて請求人代理人石田純に対し明細書の説明不足について連絡した上で、同年８月１６日に同人と面接を行い、当審の平成２４年１月４日付拒絶理由通知に対して同年４月９日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　本件出願の請求項１，２に係る発明は、平成２４年４月９日付手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１の記載は次のとおりである。
「電力源から供給される電力を用いるマイクロアセンブリであって、
　下部基板層、中間埋め込み酸化物層及び単結晶シリコンデバイス層を含むシリコンオンインシュレータウェハと、
　前記シリコンオンインシュレータウェハ中の前記デバイス層に形成され、前記デバイス層の厚さよりも薄い厚さを有し、
　前記デバイス層に形成されたアンカー部に一体的に取り付けられる一方端と、
　前記デバイス層の平面外に亘って動作可能な他方端とを有し、前記一端側から一旦下部基板層から離れる方向に曲がった後下部基板層に向けて曲がるＳ字形状で可撓性のリボンヒンジ構造と、
　前記リボンヒンジ構造の前記他方端に接続され、下部基板層およびデバイス層を含む単結晶シリコン基板中のデバイス層の上又は中に形成されたマイクロデバイスと、
　前記リボンヒンジの表面の少なくとも一部により担持された導体と、
　を備えることを特徴とするマイクロアセンブリ。」（以下、「本件発明」という。）
　
2．刊行物記載の発明または事項
　本件出願の優先日前に頒布された刊行物であって、当審の平成２４年１月４日付拒絶理由通知に引用した次の刊行物には、それぞれ以下の記載が認められる。
　　刊行物１：　特開平９−１７３００号公報
　　刊行物２：　特開平１０−３２５９３５号公報
　　刊行物３：　特開２０００−１８８０４９号公報
　
2.1　刊行物１
ａ．（【発明の詳細な説明】、段落【０００１】）
「【０００１】
【技術分野】この発明は、微細電気機械システム（micro electromechanical system（ＭＥＭＳ））に関し、特に、ＤＣから少なくとも４ギガヘルツまでの信号周波数で機能する微細に機械加工された電気機械ＲＦスイッチに関する。」
ｂ．（同、段落【０００４】）
「【０００４】
【発明の概要】この発明は、ギガヘルツ信号周波数を扱い、一方で「オン」状態において最小の挿入損および「オフ」状態において質の良い電気的分離を維持できる微細に製造された小型電気機械ＲＦスイッチを含む。好ましい実施例では、ＲＦスイッチは、半絶縁性ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に製造され、片持梁式のアクチュエータアームとして懸垂式二酸化シリコン微細梁を備える。片持アームは、基板上に金属マイクロストリップによって形成された接地線およびギャップを作られた信号線の上に延在するようにアンカー構造に取付けられている。好ましくは白金、金、または金パラジウムなどの容易に酸化しない金属を含む金属接触部が片持アームの下部にアンカー構造から離れて形成され、信号線のギャップより上でかつそれに面して位置づけられている。片持アーム上の上部電極は、基板上の接地線より上にキャパシタ構造を形成する。キャパシタ構造は上部電極および片持アームを貫いて延びる穴のグリッドを含み得る。好ましくは片持アームと下部電極との間のギャップに匹敵する寸法を有する穴は、構造上の質量、およびスイッチ動作の間の片持アームと基板との間の空気のスクィーズ膜減衰効果（squeezefilm damping effect ）を低減する。スイッチは上部電極への電圧の印加によって動作する。電圧が印加されると、静電力がキャパシタ構造を接地線の方に引きつけ、それによって金属接触部が信号線のギャップを閉じることを引き起こす。（以下省略）」
ｃ．（同、段落【０００９】〜【００１３】）
「【０００９】好ましい実施例では、スイッチ１０は、たとえばマスキング、エッチング、堆積、およびリフトオフなどの一般的に既知の微細製造技術を用いて半絶縁性ＧａＡｓ基板などの基板１２上に製造される。スイッチ１０はアンカー構造１４によって基板１２に取付けられ、アンカー構造１４はたとえば堆積かまたは周囲の材料をエッチングして取除くかによって基板１２上にメサ型として形成され得る。典型的には接地に接続された下部電極１６、および信号線１８もまた、基板１２上に形成される。電極１６および信号線１８は一般的に、基板１２上に堆積された、たとえば金などの容易に酸化しない金属のマイクロストリップを含む。信号線１８は図４に最良に示されているようなギャップ１９を含み、ギャップ１９は矢印１１によって示されているようにスイッチ１０の動作によって開けられたり閉じられたりする。
【００１０】スイッチ１０の動作部分は、典型的にはたとえば二酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの半導電性、半絶縁性、または絶縁性材料からなる片持梁式のアーム２０を含む。片持アーム２０は、アンカー構造１４の上面上の一方端に取付けられかつ基板１２の上の下部電極１６および信号線１８より上で延在する、懸垂式マイクロビームを形成する。典型的には容易に酸化しないたとえば金、白金、または金パラジウムなどの金属を含む電気的接触部２２は、片持アーム２０のアンカー構造１４から離れた端部上に形成される。接触部２２は、信号線１８のギャップ１９上で延在して基板１２の上面に面するように片持アーム２０の下側に位置づけられる。
【００１１】典型的にはたとえばアルミニウムまたは金などの金属を含む上部電極２４は片持アーム２０の上面上に形成される。上部電極２４は、アンカー構造１４より上から始まって片持アーム２０の上面に沿って延び下部電極１６より上の位置で終端する。片持アーム２０および上部電極２４は下部電極１６より上で幅広くなりキャパシタ構造２６を形成する。スイッチ動作性能を高めるための選択案として、キャパシタ構造２６は、上部電極２４および片持アーム２０を貫いて延びる穴のグリッド２８を含むように形成され得る。典型的にはたとえば１μｍ〜１００μｍの寸法を有する穴は、片持アーム２０の構造上の質量と、矢印１１によって示されているようなスイッチ１０の動作の間の空気のスクィーズ膜減衰効果とを低減する。
【００１２】動作において、スイッチ１０は図２に示されているように通常「オフ」位置にある。オフ状態のスイッチ１０では、信号線１８はギャップ１９と接触部２２の信号線１８からの分離とに起因して開回路である。スイッチ１０は上部電極２４への電圧の印加によって「オン」位置に動作する。絶縁性の片持アーム２０によって下部電極１６から分離されている上部電極２４およびキャパシタ構造２６への電圧で、静電力がキャパシタ構造２６（および片持アーム２０）を下部電極１６の方に引きつける。矢印１１によって示されるような下部電極１６の方への片持アーム２０の動作によって、接触部２２が信号線１８と接触するようになり、それによってギャップ１９を閉じて信号線１８をオン状態にする（すなわち回路を閉じる）。
【００１３】（設計トレードオフ）以下の説明は、例であって、限定するものではないが、微細電気機械スイッチ１０を構成する上でのさまざまな部品寸法および設計トレードオフを説明する。ＲＦスイッチ１０の一般的な設計に関して、二酸化シリコン片持アーム２０は典型的には、１０μｍから１０００μｍまでの長さであって、１μｍから１００μｍまでの幅、１μｍから１０μｍまでの厚みである。キャパシタ構造２６は１００μｍ２から１ｍｍ２までの典型的な面積を有する。二酸化シリコン片持アーム２０の下面と基板１２上の金属線１６および１８との間のギャップは典型的には１μｍ〜１０μｍである。金マイクロストリップ信号線１８は、所望の信号線インピーダンスを与えるために一般的に厚み１μｍ〜１０μｍ、幅１０μｍ〜１０００μｍである。金接触部２２は典型的には厚み１μｍ〜１０μｍであって、１０μｍ２ 〜１０，０００μｍ２ の接触面積を有する。」
ｄ．（同、段落【００１９】〜【００２２】）
「【００１９】（製造）この発明のＲＦスイッチ１０は５つのマスキングレベルを用いる表面微細製造技術によって製造される。いかなる厳密な重ね合わせも必要でない。好ましい実施例の開始時の基板は３インチの半絶縁性ＧａＡｓウエハである。プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を用いて堆積された二酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）が片持アーム２０に好ましい構造材料として用いられ、ポリイミドが好ましい犠牲材料として用いられる。図５（Ａ）−（Ｅ）および図６（Ａ）−（Ｅ）は、それぞれ図１に示されたスイッチ１０の断面３−−３および４−−４にプロセスのシーケンスが影響を及ぼすときのそのプロセスシーケンスの断面概略図である。スイッチ１０のＳｉＯ２　ＰＥＣＶＤ形成の間の処理温度を２５０℃と低くすることによって、ＭＭＩＣとのモノリシックな集積能力を確実にする。
【００２０】
　アンカー構造１４は多くの異なるエッチング技術および／または堆積技術を用いて製造されてもよい。図２に示されたような突出アンカー構造１４を形成するには、典型的にはアンカーの面積が片持アーム２０の寸法よりずっと大きくなければならない。一方法では、片持アーム２０は基板１２上に堆積された犠牲層の上部上に形成される。たとえば酸素プラズマを用いることによって片持アーム２０がリリースされ横方向に犠牲層を除去するとき、アンカー構造１４を形成する犠牲材料はアンダーカットされるが完全には除去されない。別の方法においては、片持アーム２０を形成する材料の堆積に先行してエッチングステップが用いられて犠牲層に凹領域を生み出し、そこにアンカー構造１４が形成される。この構成では、片持アーム２０の材料は実際には犠牲層のエッチングされた凹領域の基板１２の上に堆積され、アンカー構造１４を形成する。
【００２１】
　片持アーム２０、電極１６および１８、ならびに接触部２２を形成するとき、（たとえばＤｕＰｏｎｔ　ＰＩ２５５６などの）熱硬化ポリイミドの層３０などの犠牲材料が基板１２上に堆積される。ポリイミドは、２５０℃以下の温度において数回のオーブンベーキングによって硬化され得る。そして、第１の犠牲材料から選択的に取除かれ得る（たとえばＯＣＧ　Ｐｒｏｂｅｉｍｉｄｅ２８５などの）予めイミド化されたポリイミドの層３２などの第２の犠牲材料が堆積される。ＯＣＧ　Ｐｒｏｂｅｉｍｉｄｅ２８５は回転加工され１７０℃の最も高いベーキング温度でベーキングされ得る。そして１５００Åの厚みの窒化シリコン層３４が堆積され、ＣＨＦ３ とＯ２ との化学作用での反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）およびフォトリソグラフィを用いてパターニングされる。このパターンは、図６（Ａ）において最良に示されているようにＯ２ 　ＲＩＥによって下層ポリイミド層の方にさらに転写する。これは、ポリイミドの２層が用いられる点を除いて、３層のレジストシステムと同様のリフトオフプロファイルを生み出す。図５（Ｂ）および図６（Ｂ）に示されるように、金の層が熱硬化ポリイミド層３０の厚みと等しい厚みで電子ビーム蒸着され、下部電極１６および信号線１８を形成する。図６（Ｂ）に最良に示されるように、予めイミド化されたＯＣＧ　ポリイミドを溶解するために塩化メチレンを用いて金のリフトオフが完了し、平坦な金／ポリイミド表面を残す。架橋したＤｕＰｏｎｔポリイミド３０は塩化メチレンに対して良好な耐薬品性を有する。
【００２２】（たとえばＤｕＰｏｎｔ　ＰＩ２５５５などの）熱硬化ポリイミドの第２の層３８が回転加工され熱的に架橋される。１μｍの金の層が、図６（Ｃ）に最良に示されるように、電子ビーム蒸着およびリフトオフを用いて堆積され、接触金属２２を形成する。そして図５（Ｄ）および図６（Ｄ）に示されるように、２μｍの厚みのＰＥＣＶＤ二酸化シリコンの膜が堆積され、ＣＨＦ３ とＯ２ との化学作用においてＲＩＥおよびフォトリソグラフィを用いてパターニングされ、片持アーム２０を形成する。そして図５（Ｄ）に示されるように、アルミニウム膜の薄い（２５００Å）層が電子ビーム蒸着およびリフトオフを用いて堆積され、動作キャパシタ構造に上部電極２４を形成する。最後に、Ｂｒａｎｓｏｎ　Ｏ２ バレルエッチャーにおいてポリイミド膜３０および３８をドライエッチングすることによって全ＲＦスイッチ構造がリリースされる。起こり得る粘着性の問題を回避するにはドライリリースがウェット化学リリース方法よりも好ましい。」
ｅ．（図１，２）
　微細電気機械システムが下部のガリウム砒素基板、中間の犠牲材料層及び上部の二酸化シリコン層を含む積層体となっていること、アンカー構造１４が二酸化シリコン層にも形成されること、及び、片持アーム２０が平板状であって、その一端はアンカー構造１４に一体的に取り付けられ、他端の上面にはキャパシタ構造２６の上部電極２４が形成されること、が理解される。
　
　上記を、本件発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には次の発明が記載されているということができる。
「上部電極への電圧の印加によって動作する微細電気機械システムであって、
　下部ガリウム砒素基板層、中間犠牲材料層及び、キャパシタ構造が形成された二酸化シリコン層を含む積層体と、
　前記二酸化シリコン層に形成され、
　前記二酸化シリコン層に形成されたアンカー構造に一体的に取り付けられる一方端と、
　前記二酸化シリコン層の平面外に亘って動作可能な他方端とを有し、
　平板状で可撓性の片持アームと、
　前記片持アームの前記他方端に接続され、下部ガリウム砒素基板層および二酸化シリコン層を含む基板中の二酸化シリコン層の上に形成されたキャパシタ構造と、
　前記片持アームの表面の少なくとも一部により担持された上部電極と、
　を備える微細電気機械システム。」（以下、「刊行物１記載発明」という。）
　
2.2　刊行物２
ａ．（【発明の詳細な説明】、段落【０００１】）
「【０００１】
【発明の分野】この発明は光スキャナの分野に関し、特にマイクロ電気機械（micro-electromechanical ）（ＭＥＭ）光共振器に基づいた光スキャナに関する。」
ｂ．（同、段落【００４４】〜【００４６】）
「【００４４】図１４から図２１の断面図には、好ましい新規な製造プロセスシーケンスが示される。図１４に示されるように、基板１２０が得られ、この基板１２０は「シリコン−オン−インシュレータ」（ＳＯＩ）ウエハとして公知である、特定的な深さでその中に埋込まれた酸化物層１２２を有する。このような基板は基板に酸化物層を注入するか、または２つのウエハから始めてウエハのうち一方の上に酸化物層を成長させ、間に酸化物を介在させて他方のウエハに結合し、次いで上部ウエハを所望の厚さにまで研磨することかのいずれかによって得られる。ＳＯＩウエハはたとえばミズーリ州セントピーターズ（St. Peters, Missouri）にあるＭＥＭＣエレクトロニックマテリアル社（MEMC Electronic Materials Co. ）から入手可能である。上述の処理工程と同様に、ＳｉＯ２ 層１２３がまず基板の上部および下部上に成長する。第１のマスクによりメサ構造１２４（図１４）が確立し、第２のマスクにより切削チャネル１２６（図１５）が規定され、これらはいずれもＴＭＡＨを用いてエッチングされる。酸化物層１２３は除去され第１および第２のマスキング工程の間に新しい酸化物層１２５が成長する。第２のマスク工程の後に酸化物層１２５が除去され新しい酸化物１２７が成長し、その部分１２８はその後の処理工程時にそれを保護するように切削チャネルの下部を覆う。図１６において、背面１２９がマスキングされＴＭＡＨによってエッチングされ、酸化物層の下のシリコンの全部ではないが大部分を除去する。図１７、図１８および図１９のマスク４、５および６はそれぞれ、先程と同じように下部電極１３０、バイモルフ材料層１３２および上部電極１３４を規定および堆積する。上部電極を規定するマスクおよび堆積はまた、その反射率を高めるように反射表面１２４の上にチタン／金の層を置くために用いることもできる。図２０では、切削チャネルの下部にある保護酸化物層１２８は梁を自由にするのに備えて除去されている。」
【００４５】図２１では、背面１２９上の残りのシリコンの厚さがＸ２Ｆ２（これは非常に優れたエッチ液であるため好ましい）またはＳＦ６ガスエッチ液を用いてＲＩＥによってエッチング除去され、これにより埋込まれたＳｉＯ２ 層１２２まで正確に、それを超えることなくシリコンを除去し、梁の端部を自由にする。こうして、片持ち梁の厚さは正確に既知の厚さとなり、この結果、剛性、共振周波数および有用な反射表面領域のパラメータははるかに予測可能となり、埋込まれた酸化物層１２２の深さを単に特定することにより容易に制御可能となる。
【００４６】片持ち梁の製造時にＳＯＩウエハを用いることに起因する別の大きな利点は、光学的平面性の改善である。梁の両側に対称的な酸化物層を設けることにより梁の残留応力が低減し、このため梁が自由になったときに生ずる湾曲が低減する。」
　
　上記において、基板１２０の「下部」、「上部」及び「埋込まれた酸化物層」は、それぞれ「基板層」、「単結晶シリコンデバイス層」及び「中間埋め込み酸化物層」と呼ぶことができるから、刊行物２には次の事項が記載されていると認められる。
「マイクロ電気機械を構成する基板を、基板層、中間埋め込み酸化物層及び単結晶シリコンデバイス層を含むシリコン−オン−インシュレータウエハとすること。」（以下、「刊行物２記載事項」という。）
　
2.3　刊行物３
ａ．（【発明の詳細な説明】、段落【０００１】）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロマシンスイッチおよびその製造方法に関し、特にＤＣ（直流）からギガヘルツ以上の広い信号周波数をオン／オフ可能とするマイクロマシンスイッチおよびその製造方法に関するものである。」
ｂ．（同、段落【００４５】〜【００４８】）
「【００４５】［第１の実施の形態］図１は、本発明の第１の実施の形態の平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’線断面図（ｂ）を示す。同図に示すように、本実施の形態では、誘電率の大きなガラス製の基板１上に、シリコンからなるスイッチ本体部１４と、金からなる下部電極４と、金からなる信号線３が設けられている。また、基板１の裏面にはアース板２が形成されている。
【００４６】スイッチ本体部１４は、支持部材７と、片持ちアーム８と、上部電極９との一体構造となっている。支持部材７からは、シリコンからなる二本の片持ちアーム８が基板面に対してほぼ水平に延びている。二本の片持ちアーム８は、従来例における一本のアームと比べてアームの回転運動を低く抑えることができ、スイッチの片当たり接触を防止するのに役立つ。ただし、条件に応じて片持ちアーム８の本数を変えればよいのであって、本発明には１本および２本以上の片持ちアーム８を有する構造が含まれる。
【００４７】ところで、支持部材７と片持ちアーム８と接続部分においては、その表面におけるなす角α，βが、それぞれ鈍角（９０°＜α，β＜１８０°）となるように調整することが好ましい。このようにすることにより、片持ちアーム８の強度を高めることができ、１ＭＨｚ以上といった高周波数のスイッチング動作を可能とする。
【００４８】片持ちアーム８の先端には、シリコンからなる上部電極９が設けられている。上部電極９は、下部電極４と空間的な隙間を介して対向している。　支持部材７は、基板１上に形成されている信号線３ａに接続されており、この信号線３ａは、支持部材７および片持ちアーム８を介して上部電極９と電気的に接続されている。」
ｃ．（同、段落【００５１】）
「【００５１】このように、接触電極５と対向する絶縁性部材６の上側には、片持ちアーム８よりも厚みのある上部電極９が設けられているため、接触電極５と絶縁性部材６との間に生じる歪みによる反りを小さく抑えることができる。したがって、接触電極５は絶えず基板１に対して平行な状態を保つことができ、片当たりによる接触抵抗の増大を抑えることができる。」
ｄ．（同、段落【００５６】）
「【００５６】また、以下の作製方法に述べるように片持ちアーム８の厚さを、他の構成要素に比べて薄く制御することも容易である。このように個々の要素の厚さを制御することによって、剛性の大きな構成要素の中に柔らかい片持ちアーム８を作製することができる。したがって、剛性の大きな要素では電圧印加時の変形が基板１に対して水平に行われ、変形のほとんどが薄い片持ちアーム８によってなされることになる。これは、スイッチの片当たりを低く抑えることに役立つものである。」
ｅ．（同、段落【００５９】【表１】）
　片持ちアーム８の厚さが、上部電極９の厚さよりも小さいことが理解される。
　
　上記を整理すると、刊行物３には次の事項が記載されていると認められる。
「マイクロマシンスイッチにおいて、片持ちアームの厚さを上部電極の厚さよりも薄く柔らかいものとすること。」（以下、「刊行物３記載事項」という。）
　
３．対比
　本件発明を刊行物１記載発明と対比すると、以下のとおりである。
　後者の「微細電気機械システム」、「キャパシタ構造」、「アンカー構造」が、前者の「マイクロアセンブリ」、「マイクロデバイス」、「アンカー部」にそれぞれ相当することは明らかである。
　後者の「微細電気機械システム」は上部電極への電圧の印加によって動作するものであるから、「電力源から供給される電力を用いる」ものということができる。
　後者の「下部ガリウム砒素基板層」は、下部の基板層である限りにおいて前者の「下部基板層」と共通し、同様に後者の「中間犠牲材料層」は中間層である限りにおいて前者の「中間埋め込み酸化物層」と共通し、後者の「二酸化シリコン層」は中間層の上部にあってマイクロデバイスが形成されたデバイス層である限りにおいて前者の「単結晶シリコンデバイス層」と共通する。そして、後者の「積層体」は、前記３層からなりマイクロデバイスを構成する基板である限りにおいて前者の「シリコンオンインシュレータウェハ」と共通する。
　後者の「片持アーム」は、一方端をアンカー部に一体的に取り付けられ、デバイス層の平面外に亘って動作可能な他方端をマイクロデバイスに接続された、可撓性の部材である限りにおいて、前者の「リボンヒンジ構造」と共通する。
　後者の「上部電極」が「導体」であることは明らかである。
　上記をまとめると、本件発明と刊行物１記載発明とは、以下の点において一致及び相違するということができる。
＜一致点＞
「電力源から供給される電力を用いるマイクロアセンブリであって、
　下部基板層、中間層及びデバイス層を含む基板と、
　前記基板中の前記デバイス層に形成され、
　前記デバイス層に形成されたアンカー部に一体的に取り付けられる一方端と、
　前記デバイス層の平面外に亘って動作可能な他方端とを有する可撓性の部材と、
　前記可撓性の部材の前記他方端に接続され、デバイス層の上又は中に形成されたマイクロデバイスと、
　前記可撓性の部材の表面の少なくとも一部により担持された導体と、
　を備えるマイクロアセンブリ。」である点。
＜相違点１＞
　マイクロデバイスを構成する基板が、前者では基板層、中間埋め込み酸化物層及び単結晶シリコンデバイス層を含むシリコンオンインシュレータウェハであるのに対し、後者ではそのようなものでない点。
＜相違点２＞
　可撓性の部材の厚さが、前者ではデバイス層の厚さよりも薄いのに対し、後者ではそのようなものでない点。
＜相違点３＞
　可撓性の部材が、前者ではアンカー部に取り付けられた一端側から一旦下部基板層から離れる方向に曲がった後下部基板層に向けて曲がるＳ字形状のリボンヒンジ構造をなすのに対し、後者ではそのようなものでない点。
　
４．当審の判断
　以下に、上記各相違点について検討する。
　
4.1　＜相違点１＞について
　刊行物２記載事項の「マイクロ電気機械」がマイクロアセンブリであることは明らかである。刊行物１記載発明と刊行物２記載事項はともにマイクロデバイスに関するものであり、刊行物２には基板層、中間埋め込み酸化物層及び単結晶シリコンデバイス層を含むシリコンオンインシュレータウエハを用いることによる有利な効果も記載されている（例えば、段落【００４５】参照）ことから、刊行物２記載事項を刊行物１記載発明に適用することは、当業者が普通に試みるものである。
　
4.2　＜相違点２＞について
　刊行物３記載事項の「マイクロマシンスイッチ」も、刊行物１記載発明同様のマイクロアセンブリであることは明らかであり、刊行物３記載事項の「片持ちアーム」、「上部電極」が、刊行物１記載発明の「可撓性の部材」、「マイクロデバイス」にそれぞれ相当することも明らかである。刊行物３には可撓性の部材の厚さを薄くして柔らかいものとすることの有利な効果も記載されている（段落【００５６】参照）ため、刊行物３記載事項を刊行物１記載発明に適用することは、当業者が容易に想到し得る。
　
4.3　＜相違点３＞について
　平成２４年１月４日付拒絶理由通知書でも指摘したとおり、本件出願の明細書及び図面には、可撓性の部材を一端側から一旦下部基板層から離れる方向に曲がった後下部基板層に向けて曲がるＳ字形状とすることについて、十分な柔軟性をもつことを示す以外に、技術的な意義の説明を見いだすことはできない。平成２３年８月１６日の面接において請求人代理人が説明したように、マイクロアセンブリの自由端を外力により押し込むことによって平板状のリボンヒンジをＳ字形状に変形させるのであれば、可撓性部材がＳ字形状となるのは本件発明のマイクロアセンブリの構造に起因するものではなく外力の結果であり、刊行物１記載発明でも可撓性の部材が十分な柔軟性を有するのであれば、同様に自由端を押し込むことによりＳ字形状のリボンヒンジ構造とすることは可能であることは、容易に理解し得る。可撓性の部材の柔軟性は、その長さ、幅及び長さを選択することによって当業者が適宜設計し得るものであり、可撓性の部材をＳ字形状とすることには技術的な意味が認められないから、＜相違点３＞は単なる設計上の事項というほかない。
　なお、請求人は平成２４年４月９日付意見書において、「Ｓ字形状の自由端についての移動を行うことによるＳ字形状の変化は、物理的に特定できます。すなわち、Ｓ字状のリボンヒンジ構造について、自由端側を移動することによって、Ｓ字形状のリボンヒンジはＳ字形状の角度が変化して、マイクロデバイスの角度が変化することは容易に理解されることであり、このようなマイクロデバイスの角度変化は、引用文献１〜３に記載された単なる自由端をぶらぶらさせるのと異なることは全く明らかです。」、「Ｓ字形状の場合の自由端の移動に伴う変化はＳ字形状の具体的な形状、弾性係数などが決まれば決まります。このＳ字形状のヒンジの動きが、単なる片持ちの自由端の移動と異なることは自明のことです。」、「例えば、マイクロデバイスがミラーの場合、その角度変更は片持ち自由端でも行うことは可能です。しかし、この場合の移動の仕方と、本願発明のＳ字形状のヒンジの場合のマイクロデバイスの移動の仕方は根本的に異なります。」と主張しているが、S字形状の具体的な形状、弾性係数等に関する特定もなく、移動の仕方または角度変化の仕方の違いについて、具体的な説明も何ら見当たらない。また、「例えば、Ｓ字形状の場合、マイクロデバイスの自由端を基板表面に位置させることができ、これを基板表面に平行に移動することでヒンジはそれに応じた変形をして、マイクロデバイスの角度を変更できます。一方、引用文献１〜３の場合には、自由端を基板に垂直方向に移動させることによる移動になります。このような効果が得られることは、本願請求項１の記載から当業者に自明です。」とも主張しているが、本件出願の明細書にも図面にも、基板表面に位置させたマイクロデバイスの自由端を基板表面に平行に移動することについては、そのための駆動手段も含め、記載も示唆もされていないため、この主張を採用することはできない。
　
4.4　まとめ
　本件発明には、刊行物１記載発明、刊行物２記載事項及び刊行物３記載事項に基づいて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を認めることもできない。
　したがって、本件発明は刊行物１記載発明、刊行物２記載事項及び刊行物３記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は、刊行物１記載発明、刊行物２記載事項及び刊行物３記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
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