【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３８０５５４７号発明「試料作製装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３８０５５４７号に係る発明についての手続の概要は次のとおりである。
　平成１１年　１月２１日　特許出願
　平成１８年　５月１９日　特許権の設定登録（請求項の数２９）
　平成２３年　４月　７日　無効審判請求（請求人）（甲第１〜６号証）
　平成２３年　７月　８日　答弁書提出（被請求人）（乙第１号証）
　平成２３年１１月　４日　審理事項通知書（当審）
　平成２３年１１月２８日　口頭審理陳述要領書（請求人）
　平成２３年１１月２８日　口頭審理陳述要領書（被請求人）（乙２〜
　　　　　　　　　　　　　４号証）
　平成２３年１２月１２日　上申書（請求人）
　平成２３年１２月１２日　上申書（被請求人）
　平成２３年１２月１２日　口頭審理・審理終結
　
　第２　請求人の主張の及び証拠方法
（１）請求人の主張
　請求人は、特許第３８０５５４７号の請求項２に係る発明及び請求項２１に係る発明を無効とする、審判費用は被請求人の負担とするとの審決を求め、無効審判請求、口頭審理（口頭審理陳述要領書及び第１回口頭審理調書を含む）において、下記「（２）証拠方法」において示した甲第１号証〜甲第６号証を提出し、次に示す無効理由を主張している。
　　　
（無効理由）
　特許第３８０５５４７号の請求項２係る発明（以下、「本件発明２」という。）及び請求項２１に係る発明（以下、「本件発明２」という。）は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、又は、甲第１〜３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許が受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきである。
　
（２）証拠方法
　甲第１号証　：特開平５−５２７２１号公報
　甲第２号証　：特開平８−３０４２４３号公報
　甲第３号証　：特開平６−２３２２３８号公報
　甲第４号証　：特開平６−１０３９４７号公報
　甲第５号証　：特開平２−２９４６４４号公報
　甲第６号証　：「Micromachining and Device Transplantation 
　　　　　　　　　Using Focused Ion Beam ［集束イオンビームを
　　　　　　　　使用するマイクロマシニング及びデバイス移植］」
　　　　　　　　（Tohru Ishitani 他、Japanese Journal of Applied
　　　　　　　　 Physics, Vol. 29, No. 10, October, 1990,
　　　　　　　　　 pp. 2283−2287）
　
（３）証拠等の記載
（３−１）甲第１号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第１号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は、当審で付与したものである。以下、同様である。）
　
（甲１−１）「【０００２】
【従来の技術】
従来技術として
集束イオンビーム
ＦＩＢ
【０００３】上記文献の開示内容によれば、図７に示すように、
半導体集積回路から
チップ７１を
切出し
グリッド７２
ＴＥＭ
標準グリッド
に固定し、その後、ＦＩＢを利用してチップ７１に薄膜試料７３を加工・形成し
　
（甲１−２）「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離方法及び分析方法は、上記目的を達成するため、次のように構成される。
１．  本発明に係る試料の分離方法は、
試料の表面に
集束イオンビームを照射
２．  前記分離方法において、好ましくは、試料の一部とプローブの接続を、集束イオンビーム加工により発生したスパッタ粒子による再付着膜により、又はガス雰囲気中での集束イオンビーム照射により形成したビーム誘起堆積膜により行う。
３．  前記の各分離方法において、好ましくは、集束イオンビーム加工が、反応ガス雰囲気中でのガス支援エッチングである。
４．  前記の分離方法において、好ましくは、試料は半導体ウェハーであり、またプローブは半導体製造プロセスを利用して製造される。
５．  本発明に係る試料の分析方法は、試料の表面に対し、少なくとも２つの異なる角度の方向から集束イオンビームを照射して試料を集束イオンビーム加工し、試料の一部を分離して分析する方法であり、試料の一部を分離する前に、外部から導入されたプローブを、分離される一部に接続し、試料の一部を支持し、プローブによるこの支持状態で、観察手段を用いて、分離された試料の一部の断面を像観察するものである。
６．  本発明に係る更なる試料の分析方法は、試料の表面に対し、少なくとも２つの異なる角度の方向から集束イオンビームを照射して試料を集束イオンビーム加工し、試料の一部を分離して分析する方法であり、試料の一部を分離する前に、外部から導入されたプローブを、分離される一部に接続し、試料の一部を支持し、更に、試料の一部を分離する最中又は分離した後に部分的に薄膜化し、この薄膜部を透過型電子顕微鏡で像観察するものである。
・・・
【０００９】
【作用】本発明では、試料基板表面に対し少なくとも二種類の角度からＦＩＢ加工することで、試料基板と分析部を含む微小試料とが機械的に分離するように構成される。またこの試料の一部分離の際において、別個に外部から導入したプローブに分離試料を機械的に接続しておくことで、分離試料が保持でき、プローブの移動により試料を任意の位置に運搬することができる。プローブに保持された分離試料は元の試料基板とは別個に、多種の分析装置に搬入して測定することが可能であり、分析に適した形状に再加工することも可能である。・・・」
　
（甲１−３）「【００１０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図１〜図６を参照して説明する。図３は、本実施例で用いられる
ＦＩＢ装置の基本構成を示す
液体金属イオン源１００から放出したイオンは、コンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６によりＦＩＢ１となって試料２上に集束される
【００１１】
試料２は、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８上において
ステージ１０８に装着された試料回転装置１２０の回転軸に固定されている
【００１２】１０７はガス源で、ガス源１０７から発生したガス（Ｗ（ＣＯ）６ ）は、ガスノズル８によりＦＩＢ１の試料照射部の近傍に導かれる。ガス源１０７はガス源制御部１０７ａにより制御される。ＦＩＢの照射により試料２の表面から発生した二次電子は、二次電子検出器１０９により検出される。二次電子検出器１０９からの二次電子信号をＡ／Ｄ変換し、ＦＩＢの偏向制御と同期してコンピュータ１１０の画像メモリに取り込むことにより、ＣＲＴ１１０ａ上に走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope: 略してＳＩＭ) による像が表示される。
【００１３】マニピュレータ１１２は、図４に示すように、３枚のバイモルフ型圧電素子３０を９０°ずつ方向を回転して接続し、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸の駆動を可能としたものである。
マニピュレータの先端には、金属製のプローブ３１を装着している
　
（甲１−４）「【００１５】次に、上記構成を有するＦＩＢ装置を用いて試料２を加工する。図１は、試料２から分析対象部を含む試料の一部を分離する工程（ａ）〜（ｇ）を示した斜視図である。この実施例で、試料２はシリコン基板であり、分離された試料の一部を、以下「分離試料」という。以下に、分離の手順を工程（ａ）〜（ｇ）に従って説明する。
【００１６】（ａ）  
試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射する
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する。
（ｄ）  マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させる。接触したか否かについての判定方法については、後述される。
（ｅ）  ガスノズル６からＷ（ＣＯ）６ 
ガス７を供給
ＦＩＢ１を、プローブ３１の先端部を含む領域に局所的に照射し
試料２の分離部分とプローブ３１の先端は、堆積膜８で接続される
（ｆ）  ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、
試料２から分離試料９を切り出す
切り出された分離試料９は、接続されたプローブ３１で支持された状態になる
（ｇ）  
マニピュレータ１１２を駆動し、分離試料９を所要の箇所に移動させる
上記実施例において、ＦＩＢ１の加工エリアを指定する際、予め加工エリアを含む領域をＦＩＢ１でラスタ走査し、試料２の表面から発生した二次電子（代表的な二次粒子）の信号量を輝度信号として画像化したＳＩＭ像を利用した。二次電子の検出は、二次電子検出器１０９によって行われる。ＳＩＭ像を利用した試料表面の方向（Ｘ，Ｙ軸方向）における加工エリアの設定は比較的簡単に行うことができる。しかし、プローブ３１と試料２との接触に関する判定は、Ｚ軸方向の情報が必要であるため、困難である。すなわち、ＦＩＢ１のフォーカス状態の違いによりＺ軸方向に関するある程度の情報が得られるが、ミクロンレベルの判定は困難である。」
　
（甲１−５）「【００１８】
切り出した分離試料９は
ＦＩＢ加工
し
【００１９】図２は、前記実施例と同様の手法で試料２の一部を分離し、その分離試料９をＴＥＭ観察する目的で薄膜化した実施例を示す斜視図である。工程（ａ）に示されるように分離試料９の一部９ａの肉厚が予め薄くされる。更に工程（ｂ）で、
分離試料９は、薄肉部９ａをＦＩＢ１で薄膜化される
　
（甲１−６）「【００２２】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明による分離方法を、トランジスタ素子の移植方法に利用する実施例を説明するための工程図である。移植しようとするトランジスタ素子は、予め本発明による分離方法を利用してチップから分離しておく。以下に、移植の手順を述べる。
【００２３】（ａ）  移植先の基板部分に角穴６１をＦＩＢ加工する。
（ｂ）  加工角穴６１に、分離試料６３（例えばトランジスタ等）をマニピュレータを駆動して運搬し、プローブヘッドをＦＩＢにより切断して分離試料６３を角穴６１内に残す。
（ｃ）  分離試料６３上の電極とチップ基板上の配線６０を、移植配線６２により電気的に接続する。移植配線６２は分離試料６３と同様にマニピュレータにより運搬し、接続はＷ（ＣＯ）６ ガス雰囲気でのＦＩＢ局所照射によるＷ堆積膜で行う。
【００２４】以上のように、本発明による分離方法を利用すれば、別のチップ内に形成されたデバイスを容易に分離し、運搬し、他のチップ内の所要の箇所に融合させることができる。」
　　　
（３−２）甲第２号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第２号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲２−１）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の問題点に鑑み、本発明の主な目的は、特定箇所に方向がそれぞれ異なる断面薄膜試料を少なくとも２つ以上作製した試料を試料ホルダに支持し、効率よく構造解析及び組成分析を行い得る断面薄膜試料及びその作製方法及び断面薄膜試料用ホルダを提供することにある。」
　
（甲２−２）「【００１０】図１（ａ）は、本発明に基づく試料の作製要領を示す試料全体の鳥瞰図であり、特定箇所を含む領域１に対して、試料加工時に特定箇所の位置が認識可能なように、その周辺にけがき等により、マーキング２を施す。このマーキング２は、切断時の特定箇所を認識できるサイズ及び形状であれば良い。
【００１１】次に、
マーキング２を施した材料からダイシングソー等の精密切断機により、試料片３を切断加工する
　
（甲２−３）「【００２１】次に、本発明のＴＥＭ用の試料ホルダについて図５（ａ）を参照して以下に説明する。
試料ホルダは、試料固定棒１１と支持棒１２、及び握り部１３から構成されている
・・・
【００２３】図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、試料固定棒１１の先端部の構造を示した図であり、図に示されるように、
試料固定棒１１の先端部にはリング１６と円板１７とが設けられている
円板１７は、リング１６に回転機構を介して装着され
円板１７への試料片３の固定は、導電性のある接着剤の塗布や同じく導電性のある粘着テープ等を使用することにより可能となる
・・・
【００２６】図５（ｂ）は、集束イオンビーム５による機械加工時のホルダ先端の拡大図である。まず、
ホルダ先端の円板１７に機械加工後の試料片３を特定箇所が存在する凸領域１が上向きとなるように固定する。固定には、導電性のある接着剤の塗布や同じく導電性のある粘着テープ等を使用する。次に、集束イオンビーム装置の試料室内にホルダを挿入する。その後、集束イオンビーム５が特定箇所を含む凸領域１に適切に照射されるようリング１６を傾斜し、集束イオンビーム５による穴あけ加工で、凸領域に断面薄膜試料６を作製する
　
（３−３）甲第３号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第３号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲３−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、磁性体、超電導体材料などの極薄膜構造から成る製品デバイスを初めとする各種試料を、各作製工程における処理直後の状態を正確に保ったまま、もしくは自由な環境下において複数の処理装置間で搬送し、その場動的に任意方向より原子レベルで多角的にかつ迅速にオンライン検査を初めとする処理装置における各種処理を行なうための試料処理装置および試料処理方法に関する。」
　
（甲３−２）「【００１３】
【実施例】
（実施例１）
【００１４】試料ホルダ及びトランスファロッドとの接続部の詳細を、図２と図３にそれぞれ断面図と平面図で示す。試料は試料台６上に固定される。
この試料ホルダは２軸傾斜機構および試料温度制御手段を持つ
　
（甲３−３）「【００３５】（実施例６）本発明をＳｉ−ＵＬＳＩ等の真空一貫プロセスラインに適用した場合の実施例を図９を用いて以下に示す。試料であるＳｉウエハは、ウエハテスト室４６、ウエハ前処理室４７、薄膜形成室４８、不純物導入室４９、パターン形成室５０から成る真空一貫プロセスラインで各プロセスを受けることにより、DRAM、BiCMOS等のデバイスの形態に加工される。前記各プロセス室におけるプロセス条件の仕様からのずれ、あるいはプロセス不良発生の有無をチェックすることは、最終的なデバイス形態での不良を未然に防ぐために必要不可欠である。各プロセスにおけるウエハ状態を正確に評価するために、本発明の試料搬送装置を以下のように用いる。各プロセス室には試料搬送装置４０が接続する共通ポートを設けておき、該ポートからウエハを抜き取る。この時、試料搬送装置のトランスファロッドの先端には、実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダではなく、Ｓｉウエハ対応の試料ホルダを設置しておく。次に、
試料搬送装置で評価装置５２へ搬送する。場合によっては試料をウエハ加工装置５１に搬送し、劈開やイオンシニング等によってウエハを評価可能な形状に加工できるものとする
評価装置がＴＥＭである場合には、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をＳｉウエハ対応の試料ホルダから実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える
　
（甲３−４）「【００３９】
【発明の効果】本発明を用いることにより、真空度、温度等の環境を制御しながら目的の試料を複数の処理装置間で搬送可能となる。更に例えばスパッタ、ＣＶＤ、ＭＢＥ等の各種の成膜装置で作製した試料における、結晶構造、元素組成、結合状態などを作製直後の状態を保ったまま、その場動的に透過電子顕微鏡、２次イオン質量分析装置、光電子分光装置等の各種の評価装置により多角的に分析することができる。さらに、本発明は各種のプロセス装置および評価装置にフレキシブルに連結可能なので、Ｓｉ−ＵＬＳＩを始めとする製品デバイスの作製プロセスラインにおけるプロセス条件のオンライン検査に用いることもできる。」
 　
（３−４）甲第４号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第４号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲４−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集束イオンビームに係り、特に、加工した後観察するまで、微小な試料を載せ替える手間を省き効率的に
加工作業が出来る集束イオンビーム装置に関する
・・・
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明のシステムでは試料ホルダーにサイドエントリー方式を採用し、このホルダーの共用化を可能とすることによって、試料の載せ替えをしないでもＦＩＢによる加工，ＴＥＭ，ＳＥＭによる観察を可能にする。ＴＥＭ試料作成の場合はホルダーの共用化を可能とするためには
試料が少なくとも９０度回転しても加工
が可能である
　
（甲４−２）「【０００６】【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。この装置は、イオン源，カラム系，試料室，制御系（図示していない）から構成されている。イオン源はエミッター１，シールド電極２，引出電極３から構成されている。カラム系は、コンデンサーレンズ４，絞り５，走査電極６，対物レンズ７から構成されている。
試料室８は試料微動装置１０，試料ホルダー１１，二次粒子検出器９から構成されている。試料１２は試料ホルダーの先端に取り付けられている
・・・
【０００８】ここでは試料として半導体メモリーを考える。４Ｍ−ＤＲＡＭの場合、加工線幅は約０.８μｍ であり、欠陥の不良解析をＴＥＭを用いて行う場合、試料は０.８μｍ のなるべく中心で１００ｎｍ以下の薄膜を作成する必要がある。この場合
まずウエハー上の観察すべき点を中心にして、２００μｍ×１０００μｍ程度に機械的に切り出す
試料１２は試料台１４上に接着剤またはばねなどで固定され、この試料台はねじ１５で試料ホルダー先端に固定する
固定する場合は観察点が試料ホルダーの回転中心１７の軸上に配置される
【０００９】
このようにして取り付けた試料を試料ホルダーごと試料微動装置１０に挿入す
挿入された試料は前記した方法で加工される
　
（３−５）甲第５号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第５号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（甲５−１）「第２図は本発明の実施例で用いたＦＩＢ装置の基本構成図である。液体金属イオン源１００から放出したイオンビーム１はコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０６により試料２００上に集束する。上記両レンズ間には、アパーチャー１０２，アライナー・スティグマ１０３，プラン力−１０４，デフレクタ１０５が配されている。試料２００は２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１１１上に固定されている。ガス源１１０から発生したガスはガスノズル１０８によりＦＩＢ照射部近傍に導かれる。ＦＩＢ照射により試料から発生した二次電子は、二次電子検出器１０７により検出され、この二次電子検出信号をイオンビーム１の偏向制御と同期させて走査されるＣＲＴディスプレイ４００の輝度信号として用いることによりＣＲＴ画面上にＳＩＭ像として表示される。３軸（Ｘ，Ｙ，Ｚ）マニピュレータ１０９はこの装置の最も特徴的な部分であり移植したいデバイス部品を試料の所望場所に運搬する役割を果たす。」（４頁左上欄３行〜右上欄２行）
　
（甲５−２）「
基板上での移植場所及び基板面に対する移植方向を変更したい場合には
フレームキャリア６のアーム２１と移植デバイスとを両者間に堆積膜を形成することにより再び機械的に接続し、ついで移植デバイスを基板に密着させている堆積膜７をＦＩＢ照射によるスパッタリングにより除去せしめることにより、再びマニピュレーターによる移植デバイスの移動を可能とし，再度基板上の新しい位置での新しい向きでの移植を行うことができる
　上記実施例は、微細なデバイスを試料上の任意の場所に任意の向きに移植できることを示しており、例えば，検出すべき物理量を電気信号に変換して検出するセンサー素子を測定用プローブの先端に移植せしめたり、直接被測定試料上の測定点近傍に移植せしめることが可能となるため、被測定試料上の物理量の測定精度及び検出感度の向上が期待できる。」（６頁右上欄１８行〜左下欄１５行）　
　
（３−６）甲第６号証
　請求人が提出した本件特許の出願日前に頒布された甲第６号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（甲６−１）「§3．　Device Transplantation（TP）
3.1　Device TP process and its feasibility experiment 
　Device TP comprises three processes : (1) TP −device fabrication , (2) TP−device manipulation . i.e., the TP−device is transferred to any desired place on the substrate, and (3) the attachment of the TP−device to the substrate . Here , mechanical or electrical connections between the device and substrate are carried out .
 A feasibility experiment on device TP was performed . A schematic diagram of the experimental process is shown in Fig . 5 . Let us think of the end tip as a dummy device , which should be transplanted on the substrate . First , the dummy TP−device is transferred to the desired place on the substrate . A simple xyz micromaipulator composed of three bimorph−type piezoelectric actuators was used for TP−device transfer . Second , the substrate area near the TP−device is bombarded by a slow−speed scanning FIB . Here , the y−component of the FIB scanning direction is opposite to the device side wall . This enable most of the sputtered atoms to be directed toward the TP−device side wall. Redeposition is used to attach the TP−device to the substrate .［日本語訳：§３．デバイス移植（ＴＰ）
３．１　デバイスＴＰのプロセス及びその実施可能性の実験
　デバイスＴＰは次の３つのプロセスから成る。（１）ＴＰ−デバイスの製作、（２）
ＴＰ−デバイスの操作、つまり、ＴＰ−デバイスの基板上の望ましい場所への移転
　デバイスＴＰの実施可能性の実験が行われた。実験のプロセスの模式図を図５に示す。先端部を、基板に移植されるべきダミーのデバイスと考える。第一にダミーの
ＴＰ−デバイスが基板上の望ましい場所に移植される
３つのバイモルフ型の圧電アクチュエーターから成る単純なｘｙｚマイクロマニピュレーターがＴＰ−デバイスの移転に使用された
　
（甲６−２）「§4．　Specifications of FIB Apparatus
 Specifications of FIB apparatus for micromachining and device TP are reviewed as follows .
...
(3) Device mainpulation is needed for device TP . A piezoelectric actuator is one of the useful tools .［日本語訳：§４．ＦＩＢ装置の仕様
　マイクロマシニング及び
デバイスＴＰ用のＦＩＢ装置
・・・
（３）デ
バイスＴＰのためにデバイスの操作が必要である
　　　
第４　被請求人の主張及び証拠
（１）被請求人の主張
　本件無効審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担するとの審決を求め、無効審判請求、口頭審理（口頭審理陳述要領書及び第１回口頭審理調書を含む）において、下記「（２）証拠方法」に示した証拠を提出して、本件発明２及び本件発明２１は、請求人の提出した甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、又は、甲第１〜３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許が受けることができないものではなく、本件特許に無効理由は存在しない。
　
（２）証拠方法
　乙第１号証　：「精密工学会誌　Ｖｏｌ．６７，２００１年
　　　　　　　　１２月号」の「２００１年度（第２１回）
　　　　　　　　精密工学会技術賞受賞業績の紹介」欄の
　　　　　　　　「１０μｍレベルの微少片を直接摘出する
　　　　　　　　電子顕微鏡用マイクロサンプリング技術の開発」，
　　　　　　　　社団法人精密工学会　平成１３年（２００１年）
　　　　　　　　１２月５日発行
　乙第２号証　：特開平５−２９０７８７号公報
　乙第３号証　：特開平６−１７６７２９号公報
　乙第４号証　：特開平６−１６２９８２号公報
　
第５　当審の判断
（１）本件発明
　本件無効審判請求の対象となった請求項２に係る発明（本件発明２）及び請求項２１に係る発明（本件発明２１）は、その特許請求の範囲からみて、次の技術的事項により特定されるものである。
　
「【請求項２】
  試料を載置する、傾斜可能な試料ステージと、
該試料ステージが設置される真空排気可能な試料室と、
前記試料にイオンビームを照射する照射光学系と、
前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、
前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と,
前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備えることを特徴とする試料作製装置。」
　
「【請求項２１】
  試料を載置する傾斜可能な試料ステージと、
該試料ステージが設置される真空試料室と、
前記試料にイオンビームを照射する照射光学系と、
前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、
前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と,
前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、
  前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行することを特徴とする試料作製装置。」
　　　
（２）甲第１号証記載の発明
　上記摘記事項（甲１−１）〜（甲１−６）の記載を参照すると、甲第１号証には、
「試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８と、
　試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、液体金属イオン源１００から放出したイオンを集束して集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射するコンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６と、
　試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１と、
　先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２とを備え、
　分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化するＦＩＢ装置。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　　
（３）本件発明２と引用発明との対比、及び本件発明２１と引用発明との対比
（３−２−１）まず、本件発明２と引用発明とを対比する。
（i）引用発明の「試料２が固定される試料回転装置１２０」が、試料ステージに含まれることは明らかである。そして、引用発明の「２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８」には、試料２が固定される試料回転装置１２０が装着されていることから、引用発明の「試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８」が、本件発明２の「試料基板を載置できる試料ステージ」に相当する。
　
（ii）真空室が真空排気されることは自明な事項であり、さらに、例えば、特開平２−１５６４８号公報に、
「
真空室１の一部には、微小加工手段として集束イオンビーム加エユニット７
取付けられている
搬送ステージ５は、これら集束イオンビーム加工ユニット７、および走査型顕微鏡ユニット８の作用位置間をレール６によってスライドできる
「
集束イオンビーム加工は真空状態になっている真空チャンバー３１内で行われ
試料１を保持している試料ホルダ２を真空チャンバー３１内の加工試料ステージ４０を載置する移動装置３４が備えられている
　そうすると、引用発明の「ＦＩＢ装置」は、本件発明２の「試料作製装置」と同様に、「該試料ステージが設置される真空排気可能な試料室」を備えていることは明らかである。
　
（iii）上記甲第１号証の摘記事項（甲１−４）に、
「【００１６】（ａ）  試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射するように試料２の姿勢を保ち、試料２上でＦＩＢ１を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴３を形成する。
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する。
・・・
（ｆ）  
ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、試料２から分離試料９を切り出す
「【００１８】
切り出した分離試料９は
ＦＩＢ加工
し
【００１９】図２は、前記実施例と同様の手法で試料２の一部を分離し、その分離試料９をＴＥＭ観察する目的で薄膜化した実施例を示す斜視図である。工程（ａ）に示されるように分離試料９の一部９ａの肉厚が予め薄くされる。更に工程（ｂ）で、
分離試料９は、薄肉部９ａをＦＩＢ１で薄膜化される
　そうすると、引用発明の「試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、液体金属イオン源１００から放出したイオンを集束して集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射するコンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６」が、本件発明２の「前記試料にイオンビームを照射する照射光学系」に相当する。
　
（iv）引用発明の「ＦＩＢ装置」が、本件発明２の「試料作製装置」に相当する。
　
　そうすると、本件発明２と引用発明とは、
「試料を載置する、傾斜可能な試料ステージと、
　該試料ステージが設置される真空排気可能な試料室と、
　前記試料にイオンビームを照射する照射光学系とを備える試料作製装置。」
　である点で一致し、次の相違点（あ）で相違する。
　
・相違点（あ）
　本件発明２は、「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備える」のに対して、引用発明では、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１と、先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２とを備えている点。
　
（３−２−２）相違点の検討・判断
・相違点（あ）について、
（あ−１）本件発明２の「試料作製装置」は「試料を載置する、傾斜可能な試料ステージと、該試料ステージが設置される真空排気可能な試料室と、」「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段」とを備えていることから、真空の試料室内に、試料と、試料から分離した試料片を保持するホルダとが設けられていることは明らかである。
　また、本件特許明細書に「【００６４】上記の関係式に従って微小試料片９の降下を停止させ、そこで試料ホルダ上面１４に接近させ、微小試料片９の垂直面が試料ホルダ上面１４に接触した時点で接近を停止させる。この状態で、試料ホルダ上面１４と微小試料片９の両方に架かるようにデポジション膜を形成させて、
微小試料片９を試料ホルダ上面１４に固定する
薄壁化加工する
（あ−２）ところで、上記「（３−１）」の（ii）で検討したように、引用発明のＦＩＢ装置が、真空排気可能な試料室を有しており、さらに、「試料２、及び試料２から切り出された分離試料９に、液体金属イオン源１００から放出したイオンを集束して集束イオンビーム（ＦＩＢ）１を照射するコンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６と、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１と、先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２とを備え、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する」構成を有することから、真空の試料室内で、試料２から分離試料９を切り出し、切り出された分離試料９を堆積膜８でプローブ３１に接続し、接続された分離試料９を所要の箇所にマニピュレータ１１２で移動させ、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する作業を行っていることは明らかである。
（あ−３）他方、上記甲第２号証の摘記事項（甲２−２）に、
「【００１１】次に、
マーキング２を施した材料からダイシングソー等の精密切断機により、試料片３を切断加工する
「【００２６】図５（ｂ）は、集束イオンビーム５による機械加工時のホルダ先端の拡大図である。まず、
ホルダ先端の円板１７に機械加工後の試料片３を特定箇所が存在する凸領域１が上向きとなるように固定する。固定には、
接着剤の塗布や同じく
粘着テープ等を使用する。次に、集束イオンビーム装置の試料室内にホルダを挿入する。その後、集束イオンビーム５が特定箇所を含む凸領域１に適切に照射されるようリング１６を傾斜し、集束イオンビーム５による穴あけ加工で、凸領域に断面薄膜試料６を作製する
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集束イオンビームに係り、特に、加工した後観察するまで、微小な試料を載せ替える手間を省き効率的に
加工作業が出来る集束イオンビーム装置に関する
・・・
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明のシステムでは試料ホルダーにサイドエントリー方式を採用し、このホルダーの共用化を可能とすることによって、試料の載せ替えをしないでもＦＩＢによる加工，ＴＥＭ，ＳＥＭによる観察を可能にする。ＴＥＭ試料作成の場合はホルダーの共用化を可能とするためには
試料が少なくとも９０度回転しても加工
が可能である
「【０００６】【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。この装置は、イオン源，カラム系，試料室，制御系（図示していない）から構成されている。イオン源はエミッター１，シールド電極２，引出電極３から構成されている。カラム系は、コンデンサーレンズ４，絞り５，走査電極６，対物レンズ７から構成されている。
試料室８は試料微動装置１０，試料ホルダー１１，二次粒子検出器９から構成されている。試料１２は試料ホルダーの先端に取り付けられている
・・・
【０００８】ここでは試料として半導体メモリーを考える。４Ｍ−ＤＲＡＭの場合、加工線幅は約０.８μｍ であり、欠陥の不良解析をＴＥＭを用いて行う場合、
試料は
薄膜を作成する必要がある
まずウエハー上の観察すべき点を中心にして、２００μｍ×１０００μｍ程度に機械的に切り出す
試料ホルダー先端部を拡大したもので、試料１２は試料台１４上に接着剤またはばねなどで固定され、この試料台はねじ１５で試料ホルダー先端に固定する
固定する場合は観察点が試料ホルダーの回転中心１７の軸上に配置される
【０００９】
このようにして取り付けた試料を試料ホルダーごと試料微動装置１０に挿入す
挿入された試料は前記した方法で加工される
　以上のことから、上記甲２号証、又は甲第４号証には、回転可能なホルダに、機械加工された試料片を、接着剤、粘着テープ、ばね等で固定して試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が記載されているものの、甲第２号証、又は甲第４号証では、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されるものであり、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させるものではない。
　そうすると、甲第２号証、又は甲第４号証のように、回転可能なホルダに、機械加工された試料片を、接着剤、粘着テープ、ばね等で固定して試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が周知の技術事項であったとしても、この周知の技術事項は、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されるものであり、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させるものではないから、上記（あ−２）で検討したように、試料回転装置１２０に固定された試料２から分離試料９を切り出し、切り出された分離試料９を堆積膜８でプローブ３１に接続し、接続された分離試料９を所要の箇所にマニピュレータ１１２で移動させ、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する作業を全て真空の試料室内で行っている引用発明のＦＩＢ装置に、甲第２号証、又は甲第４号証の、試料室外で回転可能な試料ホルダに、試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成が適用する動機付けがないことは明らかなことである。
　仮に、甲第２号証、又は甲第４号証の、試料室外で回転可能な試料ホルダに、試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成を、試料２が固定される試料回転装置１２０が装着され、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８を有する引用発明に適用した場合、真空の試料室内で、試料回転装置１２０に固定されている試料２から切り出した分離試料９をいったん真空の試料室外に取り出し、回転可能な試料ホルダに試料２から切り出した分離試料９を固定し、分離試料９を固定した試料ホルダを、真空の試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が得られるから、本件発明２の「前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備える」構成は得られるものの、本件発明２と引用発明の相違点の１つである「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と」を備える構成が得られないのは明らかである。
　さらに、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証のいずれにも、「ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる」ことは、開示されていないし、示唆もされていないことから、引用発明に甲第２号証〜甲第６号証に記載された技術事項をどのように適用しても、本件発明２の「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と」を備える構成を得ることはできない。
（あ−４）また、上記甲第１号証の摘記事項（甲１−６）に、
「【００２２】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明による分離方法を、トランジスタ素子の移植方法に利用する実施例を説明するための工程図である。
移植しようとするトランジスタ素子は、予め本発明による分離方法を利用してチップから分離しておく
【００２３】（ａ）  移植先の基板部分に角穴６１を
ＦＩＢ加工する
（ｂ）  加工角穴６１に、
分離試料６３（例えばトランジスタ等）をマニピュレータを駆動して運搬し、プローブヘッドをＦＩＢにより切断して分離試料６３を角穴６１内に残
（ｃ）  
分離試料６３上の電極とチップ基板上の配線６０を、移植配線６２により電気的に接続する。移植配線６２は分離試料６３と同様にマニピュレータにより運搬し、接続はＷ（ＣＯ）
６
 ガス雰囲気でのＦＩＢ局所照射によるＷ堆積膜で行う
「【００３５】・・・
試料搬送装置で評価装置５２へ搬送する。場合によっては試料をウエハ加工装置５１に搬送し、劈開やイオンシニング等によってウエハを評価可能な形状に加工できるものとする
評価装置がＴＥＭである場合には、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をＳｉウエハ対応の試料ホルダから実施例１で用いた２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える
「
基板上での移植場所及び基板面に対する移植方向を変更したい場合には
フレームキャリア６のアーム２１と移植デバイスとを両者間に堆積膜を形成することにより再び機械的に接続し，ついで移植デバイスを基板に密着させている堆積膜７をＦＩＢ照射によるスパッタリングにより除去せしめることにより，再びマニピュレーターによる移植デバイスの移動を可能とし，再度基板上の新しい位置での新しい向きでの移植を行うことができる
「デバイスＴＰは次の３つのプロセスから成る。（１）ＴＰ−デバイスの製作、（２）
ＴＰ−デバイスの操作、つまり、ＴＰ−デバイスの基板上の望ましい場所への移転
３つのバイモルフ型の圧電アクチュエーターから成る単純なｘｙｚマイクロマニピュレーターがＴＰ−デバイスの移転に使用された
デバイスＴＰ用のＦＩＢ装置
バイスＴＰのためにデバイスの操作が必要である
圧電アクチュエーターは役立つツールの一つである
　上記各証拠のうち、上記甲第５号証、及び甲第６号証には、「ＦＩＢ装置において、マニピュレータにより、移植デバイスを所望の場所に移動させる」ことが記載されているが、広辞苑（第５版）によれば、「試料」とは「試験・検査・分析などに供する物質や生物」と記載されていることを考慮すれば、甲第５号証、及び甲第６号証のマニュピュレータが所望の場所に移動させるのは、「デバイス移植」であり、「試料」ではないから、甲第５号証、及び甲第６号証には、マニュピュレータにより、「試料」を移動させて、「試料ホルダ」に「試料」を保持させることは記載されていないし、示唆もされていない。
　また、甲第３号証には、「ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をＳｉウエハ対応の試料ホルダから２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替える」ことが記載されているが、このマニピュレータによって、加工された試料をＳｉウエハ対応の試料ホルダから２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替えることは、上記甲第３号証の摘記事項（甲３−３）に記載されているように、加工した試料を評価装置で移動させ、評価装置で評価するためのものであり、本件発明２ように、マニュピュレータのような移送する手段で、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダで保持させる構成は、記載されていないし、示唆もされていない。
　さらに、甲第１号証には、「移植しようとする分離試料６３（例えばトランジスタ等）をマニピュレータを駆動して角穴６１内に運搬し、分離試料６３上の電極とチップ基板上の配線６０を、移植配線６２により電気的に接続する」ことが記載されているが、マニピュレータにより運搬する分離試料６３は、上記甲第５号証、及び甲第６号証に記載された、移植デバイスと同様のトランジスタ等であり、しかも、分離試料６３（例えばトランジスタ等）がマニピュレータにより運搬される場所は、チップ基板上の角穴６１であるから、本件発明２のように、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダではない。
　そうすると、甲第１号証、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証には、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニュピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」ことは記載されているものの、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる構成、又はマニピュレータのような移送する手段で、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダで保持させる構成は、記載されていないし、示唆もされていないから、引用発明に、第１号証、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証に記載された、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」周知の構成を適用しても、引用発明のマニピュレータ１１２が、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させる構成が得られるのみであり、さらに、上記（あ−３）で検討したように、甲第２号証、又は甲第４号証のように、回転可能なホルダに、機械加工された試料片を、接着剤、粘着テープ、ばね等で固定して試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が周知の技術事項であったとしても、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されるものであり、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させるものではないから、引用発明に、甲第１号証〜甲第６号証に記載された技術事項をどのように適用しても、本件発明２の「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と」を備える構成を得ることはできない。
（あ−５）そして、本件発明２の「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備える」構成により、本件特許明細書に記載された、
「【００９８】
　試料基板から摘出した試料片９を試料ホルダ１２へ固定するに際しては、摘出試料片９の表面（元の試料基板の表面）が試料ホルダ１２の上面（試料片取付け面）と垂直となるよう設定されているため、試料ホルダ設置面７３ａは試料ステージ面と平行になるよう静止させておき、摘出試料片９を試料ホルダ１２の上面に固定する。この時、試料ホルダ設置面７３ａはＦＩＢ光学軸７３と垂直な位置関係にある。
【００９９】
  この時の試料ホルダ１２の向きや、ＦＩＢ光学軸との位置関係をさらに明確に示すために、図８(ｂ)に、試料ホルダ１２を通り試料ホルダ回転具７０の中心軸垂直な断面７４を矢印Ａの方向から見た断面図を示す。試料ホルダ１２は、その側面１６が４分割円柱部７５の試料ホルダ設置面７３ａと同一平面上になるように、かつ、試料片９がＦＩＢ光学軸７３の近傍に位置するように配置設定する。  次に、摘出試料片９の試料ホルダ１２上面への固定後、試料ホルダ回転具７０を適当な回転手段（図示省略）により９０°回転させて、図９(ａ)のように試料ホルダ１２の側面がＦＩＢ光学軸７３とほぼ平行となるように姿勢変更する。図９(ｂ)は、試料ホルダ１２を通る断面７４’を矢印Ｂの方向から見た図である。試料ホルダ設置面７３ａの９０°回転によって、試料ホルダ１２の上面（試料片取付け面）がＦＩＢ光学軸７３と垂直な位置関係となり、試料片９の表面（元の試料基板の表面）がＦＩＢ光学軸７３と平行な位置関係となる。この状態で試料片９に対し薄壁部形成のためのＦＩＢ加工を施す。」ことの効果があるのは明らかである。　
（あ−６）なお、請求人は、審判請求書において、
（ａ）「甲１発明は、分離試料９を堆積膜８でプローブ３１に支持してＦＩＢ加工により薄膜化させてＴＥＭグリッド試料を作製しているが、その後、ＴＥＭ試料は　ＴＥＭグリッドに固定され、ＴＥＭ装置の試料ホルダに載置されてＴＥＭ観察されるものである。上記○１（当審注：○１は、○の中に数字１が挿入されていることを意味する。）のとおり、ＦＩＢ装置及びＴＥＭ装置を含む複数の処理装置において共通に使用され、試料の傾斜角度を変更可能な試料ホルダも周知技術であったし、かかる試料ホルダに切り出された試料片を固定してＦＩＢ装置に挿入し、ＦＩＢ加工によってＴＥＭ試料を作製することも従来から行われていたのである。かかる周知の技術を参酌すれば、甲１発明において、周知技術と同様に試料角度を変更可能な試料ホルダに切り出された試料片を固定してＦＩＢ装置に挿入し、ＦＩＢ加工によってＴＥＭ試料を作製することは当業者にとって容易に想到できる事項に過ぎないのである。」（審判請求書１５頁６〜１６行）と主張し、さらに、
（ｂ）「マニピュレータ有するＦＩＢ装置において、試料室内においてマニピュレータを用いて試料を移動させ、所望の箇所に移し替えることも周知技術であったことからすれば、甲１発明の分離試料９を所望の位置に搬送できるマニピュレータを用いて、プローブ３１に接続された分離試料９をＦＩＢ装置に挿入された試料ホルダに移し替えることも当業者にとって容易に想到できる事項に過ぎないのである。」（審判請求書１５頁１７〜２２行）と主張している。
　しかしながら、請求人が主張するように、ＦＩＢ装置及びＴＥＭ装置を含む複数の処理装置において共通に使用され、試料の傾斜角度を変更可能な試料ホルダが周知技術であり、さらに、かかる試料ホルダに切り出された試料片を固定してＦＩＢ装置に挿入し、ＦＩＢ加工によってＴＥＭ試料を作製することが周知であったとしても、上記（あ−３）において検討したように、甲第２号証、又は甲第４号証には、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されることが記載されているにすぎず、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させることが記載されていないことから、試料回転装置１２０に固定された試料２から分離試料９を切り出し、切り出された分離試料９を堆積膜８でプローブ３１に接続し、接続された分離試料９を所要の箇所にマニピュレータ１１２で移動させ、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する作業を全て真空の試料室内で行っている引用発明のＦＩＢ装置に、甲第２号証、又は甲第４号証の試料室外で試料ホルダに試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成が適用できないのは自明な事項である。
　仮に、甲第２号証、又は甲第４号証の試料室外で、回転可能な試料ホルダに、試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成を引用発明に適用した場合、真空の試料室内で試料２から切り出した分離試料９をいったん真空の試料室外に取り出し、回転可能な試料ホルダに試料２から切り出した分離試料９を固定し、分離試料９を固定した試料ホルダを、真空の試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が得られるものの、「前記イオンビームの照射により前記試料より分離した試料片を保持できるホルダと、前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と」を備える構成が得られないのは明らかであり、請求人の上記（ａ）の主張は採用できないものである。
　そして、請求人が主張するように、マニピュレータ有するＦＩＢ装置において、試料室内においてマニピュレータを用いて試料を移動させ、所望の箇所に移し替えることも周知技術であったとしても、上記（あ−４）において検討したように、引用発明に、第１号証、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証に記載された、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」周知の構成を適用しても、引用発明のマニピュレータ１１２が、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させる構成が得られるのみであり、さらに、上記（あ−３）で検討したように、甲第２号証、又は甲第４号証には、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定される構成が記載されているのみで、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる構成は記載されていないことから、引用発明の分離試料９を所望の位置に搬送できるマニピュレータに、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」周知の構成を適用しても、引用発明の分離試料９を所望の位置に搬送できるマニピュレータを用いて、プローブ３１に接続された分離試料９をＦＩＢ装置に挿入された試料ホルダに移し替えることはできないから、請求人の上記（ｂ）の主張は採用できないものである。
　また、請求人は、
（ｃ）甲１発明のＦＩＢ装置は、ＴＥＭ試料を作製するものであるから、甲２発明、甲３発明及び周知技術を参酌して、目的の試料を複数の処理装置間で搬送可能とし、効率よく構造解析及び組成分析を行うために、甲２発明に開示された透過型電子顕微鏡の試料室にも、集束イオンビーム装置の試料室内にも共通して使用され、二軸方向に試料を傾斜可能なＴＥＭ用試料ホルダを挿入可能に構成し、さらに甲３発明に開示されているように、ウエハ加工装置であるＦＩＢ装置内に備えられたマニピュレータを用いて試料をＴＥＭ用試料ホルダに載せ替え、ＴＥＭ用試料ホルダに取り付けられた試料をＦＩＢ加工によって薄膜化してＴＥＭ試料を作製することは当業者にとって容易に想到できる事項である。」（審判請求書１６頁９〜１７行）と主張している。
　しかしながら、上記（ａ）において検討したように、甲第２号証には、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定される構成が記載されているものの、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる構成は記載されていないし、さらに、甲第３号証には、ウエハ加工装置５１内に備えられたマニピュレータによって、加工された試料をＳｉウエハ対応の試料ホルダから２軸傾斜試料加熱ホルダに載せ替えることが記載されているものの、マニュピュレータのような移送する手段で、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダで保持させる構成は、記載されていないし、また、ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる周知技術にも、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる構成、又はマニピュレータのような移送する手段で、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダで保持させる構成は、記載されていないことから、上記（ｃ）において、請求人の主張するような、ウエハ加工装置であるＦＩＢ装置内に備えられたマニピュレータを用いて試料をＴＥＭ用試料ホルダに載せ替え、ＴＥＭ用試料ホルダに取り付けられた試料をＦＩＢ加工によって薄膜化してＴＥＭ試料を作製する構成は得られないことは明らかである。
　
（３−２−３）小括
　したがって、本件発明２は、相違点（あ）について、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証〜甲第６号証）に基づいて、又は甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明及び周知技術（甲第４号証〜甲第６号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　よって、請求人の主張する無効理由によっては、本件発明２を無効とすることはできない。
　
（３−２１−１）次に、本件発明２１と引用発明とを対比する。
（i）本件発明２１と本件発明２との構成上の差異は、本件発明２１は、本件発明２の「前記試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備えることを特徴とする試料作製装置。」の構成を、「前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行することを特徴とする試料作製装置。」の構成に変更したのみで、その他の構成は本件発明２１と本件発明２とは、ともに同じ構成であるから、上記「（３−２−１）」において検討した、本件発明２と引用発明との対比を参考にすると、本件発明２１と引用発明とは、
「試料を載置する、傾斜可能な試料ステージと、
　該試料ステージが設置される真空排気可能な試料室と、
　前記試料にイオンビームを照射する照射光学系とを備える試料作製装置。」
　である点で一致し、次の相違点（い）で相違する。
　
・相違点（い）
　本件発明２１は「前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、 前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行する」のに対して、引用発明では、試料２から切り出された分離試料９と堆積膜８で接続されるプローブ３１と、先端にプローブ３１を装着し、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ１１２とを備えている点。
　
（３−２１−２）相違点の検討・判断
・相違点（い）について
（い−１）上記「（３−２−２）相違点の検討・判断」の「・相違点（あ）について」において検討したように、
　甲第２号証、又は甲第４号証に記載されているように、回転可能なホルダに、機械加工された試料片を、接着剤、粘着テープ、ばね等で固定して試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が周知の技術事項であったとしても、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されるものであり、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させるものではないから、試料回転装置１２０に固定された試料２から分離試料９を切り出し、切り出された分離試料９を堆積膜８でプローブ３１に接続し、接続された分離試料９を所要の箇所にマニピュレータ１１２で移動させ、分離試料９の薄肉部９ａを集束イオンビーム（ＦＩＢ）１で薄膜化する作業を全て真空の試料室内で行っている引用発明のＦＩＢ装置に、甲第２号証、又は甲第４号証の試料室外で試料ホルダに試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成が適用できないのは自明な事項である。
　仮に、甲第２号証、又は甲第４号証の試料室外で、回転可能な試料ホルダに、試料から機械加工された試料片を固定する周知の構成を引用発明に適用しようと場合、真空の試料室内で試料２から切り出した分離試料９をいったん真空の試料室外に取り出し、回転可能な試料ホルダに試料２から切り出した分離試料９を固定し、分離試料９を固定した試料ホルダを、真空の試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が得られるから、「前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備える」構成は得られるものの、本件発明２１の、「前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行する」構成が得られないのは明らかである。
　さらに、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証のいずれにも、「ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる」ことは、開示されていないし、示唆もされていないことから、引用発明に甲第２号証〜甲第６号証に記載された技術事項をどのように適用しても、本件発明２１の「前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行する」を備える構成を得ることはできない。
（い−２）また、甲第１号証、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証には、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニュピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」ことは記載されているものの、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させる構成、又はマニピュレータのような移送する手段で、試料より分離した試料片を移送し、移送した試料片を薄壁化加工するためのホルダで保持させる構成は、記載されていないし、示唆もされていないから、引用発明に、第１号証、甲第３号証、甲第５号証、及び甲第６号証に記載された、「ＦＩＢ装置を含む加工装置において、マニピュレータを駆動して、移植デバイスや加工した試料を所望の場所に移動させる」周知の構成を適用しても、引用発明のマニピュレータ１１２が、プローブ３１と接続された分離試料９を所要の箇所に移動させる構成が得られるのみであり、さらに、上記（い−１）で検討したように、甲第２号証、又は甲第４号証のように、回転可能なホルダに、機械加工された試料片を、接着剤、粘着テープ、ばね等で固定して試料室に挿入し、集束イオンビームを照射して薄膜加工するＦＩＢ装置が周知の技術事項であったとしても、試料から機械加工された試料片が、試料ホルダに、接着剤、粘着テープ、ばね等によりＦＩＢ装置外で固定されるものであり、ＦＩＢ装置の真空な試料室内で、試料から機械加工された試料片を、試料ホルダに保持させるものではないから、引用発明に、甲第１号証〜甲第６号証に記載された技術事項をどのように適用しても、「前記試料ステージの傾斜軸に対する前記ホルダの回転角度を変更する手段とを備える」構成は得られるものの、本件発明２１の「前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、 前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行する」構成を得ることはできない。
（い−３）そして、本件発明２１の、「前記イオンビームの照射により試料より分離した試料片を保持できる試料ホルダと、前記真空試料室内において前記試料片を前記試料から摘出し前記試料ホルダへ移送する手段と、前記試料ステージの傾斜軸に対して平行な軸を中心に前記試料ホルダを回転させる手段とを備え、 前記試料ホルダの回転により、該試料ホルダに保持された前記試料片の姿勢を変更し、該試料片の加工を前記真空試料室内で実行する」構成により、本件特許明細書に記載された、
「【００９８】
　試料基板から摘出した試料片９を試料ホルダ１２へ固定するに際しては、摘出試料片９の表面（元の試料基板の表面）が試料ホルダ１２の上面（試料片取付け面）と垂直となるよう設定されているため、試料ホルダ設置面７３ａは試料ステージ面と平行になるよう静止させておき、摘出試料片９を試料ホルダ１２の上面に固定する。この時、試料ホルダ設置面７３ａはＦＩＢ光学軸７３と垂直な位置関係にある。
【００９９】
  この時の試料ホルダ１２の向きや、ＦＩＢ光学軸との位置関係をさらに明確に示すために、図８(ｂ)に、試料ホルダ１２を通り試料ホルダ回転具７０の中心軸垂直な断面７４を矢印Ａの方向から見た断面図を示す。試料ホルダ１２は、その側面１６が４分割円柱部７５の試料ホルダ設置面７３ａと同一平面上になるように、かつ、試料片９がＦＩＢ光学軸７３の近傍に位置するように配置設定する。  次に、摘出試料片９の試料ホルダ１２上面への固定後、試料ホルダ回転具７０を適当な回転手段（図示省略）により９０°回転させて、図９(ａ)のように試料ホルダ１２の側面がＦＩＢ光学軸７３とほぼ平行となるように姿勢変更する。図９(ｂ)は、試料ホルダ１２を通る断面７４’を矢印Ｂの方向から見た図である。試料ホルダ設置面７３ａの９０°回転によって、試料ホルダ１２の上面（試料片取付け面）がＦＩＢ光学軸７３と垂直な位置関係となり、試料片９の表面（元の試料基板の表面）がＦＩＢ光学軸７３と平行な位置関係となる。この状態で試料片９に対し薄壁部形成のためのＦＩＢ加工を施す。」の効果があるのは明らかである。
　　　
（３−２１−３）小括
　したがって、本件発明２１は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証〜甲第６号証）に基づいて、又は甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明及び周知技術（甲第４号証〜甲第６号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　よって、請求人の主張する無効理由によっては、本件発明２１を無効とすることはできない。
　　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠によっては、本件発明２に係る特許、及び本件発明２１に係る特許を無効とすることができない。また、本件発明２に係る特許、及び本件発明２１に係る特許を無効とすべき他の理由を発見しない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。