(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減する。【解決手段】複数の基板それぞれについて基板処理装置の基板保持部に搬送された基板が基板保持部から離脱する度に、当該基板が基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間を計測する工程と、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する工程と、リリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う工程と、を有する。【選択図】図９
2017188500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板それぞれについて基板処理装置の基板保持部に搬送された基板が前記基板保持部から離脱する度に、当該基板が前記基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間を計測する工程と、
前記複数のリリース時間を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する工程と、
前記リリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、前記基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う工程と、
を有する検査方法。
【請求項２】
前記判定する工程において、前記リリース時間のばらつきを用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する
請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記判定する工程において、前記リリース時間のばらつきが許容範囲を超えたか否かにより、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する
請求項２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記判定する工程において、前記複数のリリース時間と基準時間との比較結果を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する
請求項１から３のいずれか一項に記載の検査方法。
【請求項５】
前記判定する工程において、前記リリース時間が基準時間を超える回数あるいは割合が閾値以上か否かにより、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する
請求項４に記載の検査方法。
【請求項６】
前記基準時間は、検査対象となる基板処理装置と、基板保持部の種類及び基板処理装置の機種が同じ複数の基板処理装置の前記リリース時間の代表値に基づいて決められている
請求項４または５に記載の検査方法。
【請求項７】
前記基準時間は、検査対象となる基板処理装置と、基板保持部の種類及び機種が同じであるのに加えて、更にメンブレンの種類及び／または基板の種類が同じ複数の基板処理装置の前記リリース時間の代表値に基づいて決められている
請求項６に記載の検査方法。
【請求項８】
前記判定する工程において、前記計測された複数のリリース時間のグラフを生成し、生成したグラフを表示装置に表示させ、表示されたグラフを用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する
請求項１から７のいずれか一項に記載の検査方法。
【請求項９】
前記再調整を行う工程の後に、複数の基板それぞれについて当該基板を基板処理装置の基板保持部に搬送し、搬送された基板を当該基板保持部から離脱させるとともにこの離脱にかかるリリース時間を再度計測する工程と、
前記再度計測された複数のリリース時間を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か再度判定する工程と、
を更に有する請求項１から８のいずれか一項に記載の検査方法。
【請求項１０】
基板が基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間の複数の計測値を記憶装置から取得する取得部と、
前記複数のリリース時間の計測値を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する判定部と、
を備える検査装置。
【請求項１１】
複数の基板それぞれについて当該基板を基板処理装置の基板保持部に搬送する度に前記基板保持部による当該基板の離脱を制御し、複数の基板それぞれについて当該基板が前記基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間の計測値を記憶装置に記憶させる制御部と、
前記リリース時間の複数の計測値を前記記憶装置から取得する取得部と、
前記複数のリリース時間を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する判定部と、
を備える検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査方法、検査装置及び検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置（例えば、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）装置）の出荷前に、基板処理装置が正常に基板（例えば、ウエハ）を搬送できるか検査するために、所定の枚数（例えば、１０００枚）の基板の搬送検査が行われている。この検査では、基板が研磨テーブルに搬送される毎に、基板を基板保持装置であるトップリングに真空吸着し、基板受渡し装置（プッシャ）へ移動させる。この基板受渡し装置（プッシャ）へ移動させることを基板のリリース（離脱）という。従来は、この出荷前の基板の搬送検査において、全ての基板のリリースにミスが無ければ搬送系に問題ないと判断していた。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−５０４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記出荷前の基板の搬送検査で問題ないと判断された場合であっても、基板処理装置の納入後に、基板のリリース及び／または搬送ミスが発生することがある。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することを可能とする検査方法、検査装置及び検査システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る検査方法は、複数の基板それぞれについて基板処理装置の基板保持部に搬送された基板が前記基板保持部から離脱する度に、当該基板が前記基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間を計測する工程と、前記複数のリリース時間を用いて、前記基板処理装置のリリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する工程と、前記基板処理装置のリリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、前記基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う工程と、を有する。
【０００７】
この構成によれば、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。リリース時間に統計的な異常な兆候がある場合には、基板のリリース及び／または搬送ミスのおそれがあり、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整が行われる。このため、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る検査方法は、第１の態様に係る検査方法であって、前記判定する工程において、前記リリース時間のばらつきを用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。
【０００９】
この構成によれば、リリース時間のばらつきが大きい場合に、再組み立て及び／または再調整を行うことができるので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る検査方法は、第２の態様に係る検査方法であって、前記判定する工程において、前記リリース時間のばらつきが許容範囲を超えたか否かにより、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。
【００１１】
この構成によれば、リリース時間のばらつきが許容範囲を超えた場合に、再組み立て及び／または再調整を行うことができるので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様に係る検査方法は、第１から３のいずれかの態様に係る検査方法であって、前記判定する工程において、前記複数のリリース時間と基準時間との比較結果を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。
【００１３】
この構成によれば、複数のリリース時間を基準時間と比較することにより、リリース時間に統計的な異常な兆候があるかどうかの判断精度を向上させることができる。
【００１４】
本発明の第５の態様に係る検査方法は、第４の態様に係る検査方法であって、前記判定する工程において、前記リリース時間が基準時間を超える回数あるいは割合が閾値以上か否かにより、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。
【００１５】
この構成によれば、リリース時間が基準時間を超える回数あるいは割合が閾値以上の場合に、再組み立て及び／または再調整を行うことができるので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００１６】
本発明の第６の態様に係る検査方法は、第４または５の態様に係る検査方法であって、前記基準時間は、検査対象となる基板処理装置と、基板保持部の種類及び基板処理装置の機種が同じ複数の基板処理装置の前記リリース時間の代表値に基づいて決められている。
【００１７】
この構成によれば、基準時間が基板保持部の種類及び基板処理装置の機種が同じ複数の基板処理装置のリリース時間の代表値に基づいて決定されているので、リリース時間に統計的な異常な兆候があるかどうかの判断精度を向上させることができる。
【００１８】
本発明の第７の態様に係る検査方法は、第６の態様に係る検査方法であって、前記基準時間は、検査対象となる基板処理装置と、基板保持部の種類及び機種が同じであるのに加えて、更にメンブレンの種類及び／または基板の種類が同じ複数の基板処理装置の前記リリース時間の代表値に基づいて決められている。
【００１９】
この構成によれば、基準時間が更にメンブレンの種類及び／または基板の種類が同じ複数の基板処理装置の前記リリース時間の代表値に基づいて決定されているので、リリース時間に統計的な異常な兆候があるかどうかの判断精度を更に向上させることができる。
【００２０】
本発明の第８の態様に係る検査方法は、第１から７のいずれかの態様に係る検査方法であって、前記判定する工程において、前記計測された複数のリリース時間のグラフを生成し、生成したグラフを表示装置に表示させ、表示されたグラフを用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。
【００２１】
この構成によれば、点検作業員がグラフを参照して、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定することができる。
【００２２】
本発明の第９の態様に係る検査方法は、第１から８のいずれかの態様に係る検査方法であって、前記再調整を行う工程の後に、複数の基板それぞれについて当該基板を基板処理装置の基板保持部に搬送し、搬送された基板を当該基板保持部から離脱させるとともにこの離脱にかかるリリース時間を再度計測する工程と、前記再度計測された複数のリリース時間を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か再度判定する工程と、を更に有する。
【００２３】
この構成によれば、基板の搬送に問題がなくなるまで繰り返し行うことで、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００２４】
本発明の第１０の態様に係る検査装置は、基板が基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間の複数の計測値を記憶装置から取得する取得部と、前記複数のリリース時間の計測値を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する判定部と、を備える。
【００２５】
この構成によれば、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定して、リリース時間に統計的な異常な兆候がある場合に基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行うので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００２６】
本発明の第１１の態様に係る検査システムは、複数の基板それぞれについて当該基板を基板処理装置の基板保持部に搬送する度に前記基板保持部による当該基板の離脱を制御し、複数の基板それぞれについて当該基板が前記基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間の計測値を記憶装置に記憶させる制御部と、前記リリース時間の複数の計測値を前記記憶装置から取得する取得部と、前記複数のリリース時間を用いて、前記リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する判定部と、を備える。
【００２７】
この構成によれば、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定して、リリース時間に統計的な異常な兆候がある場合に基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行うので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定して、リリース時間に統計的な異常な兆候がある場合に基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行うので、基板処理装置の納入後における、基板のリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本実施形態に係る第１研磨ユニット３Ａの構成を示す概略図である。
【図３】研磨対象物であるウエハＷを保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧する基板保持装置を構成するトップリング３１Ａの模式的な断面図である。
【図４】トップリング３１Ａと基板受渡し装置（プッシャ）１５０とを示す概略図である。
【図５】プッシャ１５０の詳細構造を示す概略図である。
【図６】本実施形態に係る検査装置５２の概略ブロック図である。
【図７】リリース時間のばらつきが許容範囲を超える例について説明する。
【図８】リリース時間が基準時間より長くなっている件数が閾値以上の場合のリリース時間のグラフである。
【図９】基板処理装置の出荷前の検査の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１０】本実施形態の変形例における、トップリング３１Ａと第１リニアトランスポータ６とを示す概略断面図である。
【図１１】第１リニアトランスポータ６の一部の詳細構造を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る基板処理装置は一例として基板を研磨する研磨装置である。本実施形態では基板としてウエハを例に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と研磨部３と洗浄部４とに区画されている。これらのロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、基板処理動作を制御する制御部５を有している。
【００３１】
ロード／アンロード部２は、多数のウエハ（基板）をストックするウエハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカ
セット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウエハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００３２】
また、ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウエハカセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウエハカセットにアクセスできるようになっている。搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウエハをウエハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウエハをウエハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウエハを反転させることができるように構成されている。
【００３３】
ロード／アンロード部２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部２の内部は、基板処理装置外部、研磨部３、および洗浄部４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
【００３４】
研磨部３は、ウエハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
【００３５】
図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウエハを保持しかつウエハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング（基板保持部）３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。
【００３６】
同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング（基板保持部）３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えており、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング（基板保持部）３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えており、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング（基板保持部）３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。
【００３７】
次に、ウエハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウエハを搬送する機構である。
【００３８】
また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウエハを搬送する機構である。
【００３９】
ウエハは、第１リニアトランスポータ６によって第１研磨ユニット３Ａ，第２研磨ユニット３Ｂに搬送される。上述したように、第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッド６０のスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウエハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウエハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウエハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウエハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
【００４０】
第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウエハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウエハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウエハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウエハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウエハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウエハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨部３で研磨されたウエハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄部４に搬送される。
【００４１】
第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研
磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａ
について説明する。
【００４２】
図２は、本実施形態に係る第１研磨ユニット３Ａの構成を示す概略図である。図２に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨テーブル３０Ａと、研磨対象物であるウエハ等の基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧するトップリング３１Ａとを備えている。
研磨テーブル３０Ａは、テーブル軸３０Ａａを介してその下方に配置されるモータ（図
示せず）に連結されており、そのテーブル軸３０Ａａ周りに回転可能になっている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、研磨パッド１０の研磨面１０ａがウエハＷを研磨する研磨面を構成している。研磨テーブル３０Ａの上方には研磨液供給ノズル１０２が設置されており、この研磨液供給ノズル１０２によって研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０上に研磨液Ｑが供給されるようになっている。
【００４３】
トップリング３１Ａは、ウエハＷを研磨面１０ａに対して押圧するトップリング本体２０２と、ウエハＷの外周縁を保持してウエハＷがトップリングから飛び出さないようにするリテーナリング２０３とから基本的に構成されている。
【００４４】
トップリング３１Ａは、トップリングシャフト１１１に接続されており、このトップリングシャフト１１１は、上下動機構１２４によりトップリングヘッド１１０に対して上下動するようになっている。このトップリングシャフト１１１の上下動により、トップリングヘッド１１０に対してトップリング３１Ａの全体を昇降させ位置決めするようになっている。なお、トップリングシャフト１１１の上端にはロータリージョイント１２５が取り付けられている。
【００４５】
トップリングシャフト１１１およびトップリング３１Ａを上下動させる上下動機構１２４は、軸受１２６を介してトップリングシャフト１１１を回転可能に支持するブリッジ１２８と、ブリッジ１２８に取り付けられたボールねじ１３２と、支柱１３０により支持された支持台１２９と、支持台１２９上に設けられたサーボモータ１３８とを備えている。サーボモータ１３８を支持する支持台１２９は、支柱１３０を介してトップリングヘッド１１０に固定されている。
【００４６】
ボールねじ１３２は、サーボモータ１３８に連結されたねじ軸１３２ａと、このねじ軸１３２ａが螺合するナット１３２ｂとを備えている。トップリングシャフト１１１は、ブリッジ１２８と一体となって上下動するようになっている。したがって、サーボモータ１３８を駆動すると、ボールねじ１３２を介してブリッジ１２８が上下動し、これによりトップリングシャフト１１１およびトップリング３１Ａが上下動する。
【００４７】
また、トップリングシャフト１１１はキー（図示せず）を介して回転筒１１２に連結されている。この回転筒１１２はその外周部にタイミングプーリ１１３を備えている。トップリングヘッド１１０にはトップリング用回転モータ１１４が固定されており、上記タイミングプーリ１１３は、タイミングベルト１１５を介してトップリング用回転モータ１１４に設けられたタイミングプーリ１１６に接続されている。したがって、トップリング用回転モータ１１４を回転駆動することによってタイミングプーリ１１６、タイミングベルト１１５、およびタイミングプーリ１１３を介して回転筒１１２およびトップリングシャフト１１１が一体に回転し、トップリング３１Ａが回転する。トップリング用回転モータ１１４は、エンコーダ１４０を備えている。エンコーダ１４０は、トップリング３１Ａの回転角度位置を検知する機能やトップリング３１Ａの回転数を積算する機能を有している。また、トップリング３１Ａの回転角度「基準位置（０度）」を検知するセンサを別途設けても良い。なお、トップリングヘッド１１０は、フレーム（図示せず）に回転可能に支持されたトップリングヘッドシャフト１１７によって支持されている。
【００４８】
制御部５は、トップリング用回転モータ１１４、サーボモータ１３８、エンコーダ１４０をはじめとする装置内の各機器を制御する。
【００４９】
図２に示すように構成された第１研磨ユニット３Ａにおいて、トップリング３１Ａは、その下面にウエハＷなどの基板を保持できるようになっている。トップリングヘッド１１０はトップリングヘッドシャフト１１７を中心として旋回可能に構成されており、下面にウエハＷを保持したトップリング３１Ａは、トップリングヘッド１１０の旋回によりウエハＷの受取位置から研磨テーブル３０Ａの上方に移動される。そして、トップリング３１Ａを下降させてウエハＷを研磨パッド１０の表面（研磨面）１０ａに押圧する。このとき、トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａをそれぞれ回転させ、研磨テーブル３０Ａの上方に設けられた研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０上に研磨液を供給する。このように、ウエハＷを研磨パッド１０の研磨面１０ａに摺接させてウエハＷの表面を研磨する。
【００５０】
次に、本発明の研磨装置におけるトップリング（基板保持部）について説明する。図３は、研磨対象物であるウエハＷを保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧する基板保持装置を構成するトップリング３１Ａの模式的な断面図である。図３においては、トップリング３１Ａを構成する主要構成要素だけを図示している。
【００５１】
図３に示すように、トップリング３１Ａは、ウエハＷを研磨面１０ａに対して押圧するトップリング本体（キャリアとも称する）２０２と、研磨面１０１ａを直接押圧するリテーナリング２０３とから基本的に構成されている。トップリング本体（キャリア）２０２は概略円盤状の部材からなり、リテーナリング２０３はトップリング本体２０２の外周部に取り付けられている。トップリング本体２０２は、エンジニアリングプラスティック（例えば、ＰＥＥＫ）などの樹脂により形成されている。トップリング本体２０２の下面には、ウエハの裏面に当接する弾性膜（メンブレン）２０４が取り付けられている。弾性膜（メンブレン）２０４は、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリウレタンゴム、シリコンゴム等の強度および耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
【００５２】
前記弾性膜（メンブレン）２０４は同心状の複数の隔壁２０４ａを有し、これら隔壁２０４ａによって、弾性膜２０４の上面とトップリング本体２０２の下面との間に円形状のセンター室２０５、環状のリプル室２０６、環状のアウター室２０７、環状のエッジ室２０８が形成されている。すなわち、トップリング本体２０２の中心部にセンター室２０５が形成され、中心から外周方向に向かって、順次、同心状に、リプル室２０６、アウター室２０７、エッジ室２０８が形成されている。弾性膜（メンブレン）２０４は、リプルエリア（リプル室２０６）にウエハ吸着用の弾性膜の厚さ方向に貫通する複数の孔２０４ｈを有している。本実施例では孔２０４ｈはリプルエリアに設けられているが、リプルエリア以外に設けても良い。
【００５３】
トップリング本体２０２内には、センター室２０５に連通する流路２１１、リプル室２０６に連通する流路２１２、アウター室２０７に連通する流路２１３、エッジ室２０８に連通する流路２１４がそれぞれ形成されている。そして、センター室２０５に連通する流路２１１、アウター室２０７に連通する流路２１３、エッジ室２０８に連通する流路２１４は、ロータリージョイント２２５を介して流路２２１，２２３，２２４にそれぞれ接続されている。そして、流路２２１，２２３，２２４は、それぞれバルブＶ１−１，Ｖ３−１，Ｖ４−１および圧力レギュレータＲ１，Ｒ３，Ｒ４を介して圧力調整部２３０に接続されている。また、流路２２１，２２３，２２４は、それぞれバルブＶ１−２，Ｖ３−２，Ｖ４−２を介して真空源２３１に接続されるとともに、バルブＶ１−３，Ｖ３−３，Ｖ４−３を介して大気に連通可能になっている。更に、流路２２２は、気水分離槽２３５、バルブＶ２−１を介して圧力レギュレータＲ６に接続されている。圧力レギュレータＲ６は例えば、電空レギュレータである。圧力レギュレータＲ６は、制御線を介して制御部５に接続されており、制御部５は、圧力レギュレータＲ６を制御する。このように、圧力レギュレータＲ６は、流路２２２及び流路２１２を介してリプル室２０６と連通しており、トップリング３１Ａのメンブレン２０４内のリプル室２０６に供給するガス（例えば、窒素）の圧力を調節する。
【００５４】
一方、リプル室２０６に連通する流路２１２は、ロータリージョイント２２５を介して流路２２２に接続されている。そして、流路２２２は、気水分離槽２３５、バルブＶ２−１および圧力レギュレータＲ２を介して圧力調整部２３０に接続されている。また、流路２２２は、気水分離槽２３５およびバルブＶ２−２を介して真空源１３１に接続されるとともに、バルブＶ２−３を介して大気に連通可能になっている。
【００５５】
また、リテーナリング２０３の直上にも弾性膜からなるリテーナリング加圧室２０９が形成されており、リテーナリング加圧室２０９は、トップリング本体（キャリア）２０２内に形成された流路２１５およびロータリージョイント２２５を介して流路２２６に接続されている。そして、流路２２６は、バルブＶ５−１および圧力レギュレータＲ５を介して圧力調整部２３０に接続されている。また、流路２２６は、バルブＶ５−２を介して真空源２３１に接続されるとともに、バルブＶ５−３を介して大気に連通可能になっている。圧力レギュレータＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は、それぞれ圧力調整部２３０からセンター室２０５、リプル室２０６、アウター室２０７、エッジ室２０８およびリテーナリング加圧室２０９に供給する圧力流体の圧力を調整する圧力調整機能を有している。圧力レギュレータＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５および各バルブＶ１−１〜Ｖ１−３、Ｖ２−１〜Ｖ２−３，Ｖ３−１〜Ｖ３−３，Ｖ４−１〜Ｖ４−３，Ｖ５−１〜Ｖ５−３は、制御部５（図１及び２参照）に接続されていて、それらの作動が制御されるようになっている。また、流路２２１，２２２，２２３，２２４，２２６にはそれぞれ圧力センサＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５および流量センサＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５が設置されている。
【００５６】
図３に示すように構成されたトップリング３１Ａにおいては、上述したように、トップリング本体２０２の中心部にセンター室２０５が形成され、中心から外周方向に向かって、順次、同心状に、リプル室２０６、アウター室２０７、エッジ室２０８が形成され、これらセンター室２０５、リプル室２０６、アウター室２０７、エッジ室２０８およびリテーナリング加圧室２０９に供給する流体の圧力を圧力調整部２３０および圧力レギュレータＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５によってそれぞれ独立に調整することができる。このような構造により、ウエハＷを研磨パッド１０に押圧する押圧力をウエハＷの領域毎に調整でき、かつリテーナリング２０３が研磨パッド１０を押圧する押圧力を調整できる。
【００５７】
次に、図１〜図３に示すように構成された基板処理装置による一連の研磨処理工程につ
いて説明する。
トップリング３１Ａは第１リニアトランスポータ６からウエハＷを受け取り真空吸着により保持する。弾性膜（メンブレン）２０４にはウエハＷを真空吸着するための複数の孔２０４ｈが設けられており、これらの孔２０４ｈは真空源１３１に連通されている。ウエハＷを真空吸着により保持したトップリング３１Ａは、予め設定したトップリングの研磨時設定位置まで下降する。この研磨時設定位置では、リテーナリング２０３は研磨パッド１０の表面（研磨面）１０ａに接地しているが、研磨前は、トップリング３１ＡでウエハＷを吸着保持しているので、ウエハＷの下面（被研磨面）と研磨パッド１０の表面（研磨面）１０ａとの間には、わずかな間隙（例えば、約１ｍｍ）がある。このとき、研磨テーブル３０Ａおよびトップリング３１Ａは、ともに回転駆動されている。この状態で、ウエハの裏面側にある弾性膜（メンブレン）２０４を膨らませ、ウエハの下面（被研磨面）を研磨パッド１０の表面（研磨面）に当接させ、研磨テーブル３０Ａとトップリング３１Ａとを相対運動させることにより、ウエハＷの表面（被研磨面）が所定の状態（例えば、所定の膜厚）になるまで研磨する。
【００５８】
研磨パッド１０上でのウエハ処理工程の終了後、ウエハＷをトップリング３１Ａに吸着し、トップリング３１Ａを上昇させ、第１リニアトランスポータ（基板搬送部）６が有する基板受渡し装置（プッシャともいう）１５０へ移動させて、ウエハＷの離脱（リリース）を行う。
【００５９】
図４は、トップリング３１Ａと基板受渡し装置（プッシャ）１５０とを示す概略図である。ウエハＷをトップリング３１Ａからプッシャ１５０へ受け渡しするために、プッシャを上昇させた状態を示す模式図である。図４に示すように、プッシャ１５０は、トップリング３１Ａとの間で芯出しを行うためにトップリング３１Ａの外周面と嵌合可能なトップリングガイド１５１と、トップリング３１Ａとプッシャ１５０との間でウエハを受け渡しする際にウエハを支持するためのプッシュステージ１５２と、プッシュステージ１５２を上下動させるためのエアシリンダ（図示せず）と、プッシュステージ１５２とトップリングガイド１５１とを上下動させるためのエアシリンダ（図示せず）とを備えている。
【００６０】
以下、ウエハＷをトップリング３１Ａからプッシャ１５０に受け渡しする動作を説明する。研磨パッド１０上でのウエハ処理工程終了後、トップリング３１ＡはウエハＷを吸着する。ウエハＷの吸着は、メンブレン２０４の孔２０４ｈを真空源１３１に連通させることにより行う。このように、トップリング３１Ａは、表面に孔２０４ｈが設けられたメンブレン２０４を有し且つ当該孔２０４ｈを介してウエハＷを吸い付けることにより当該メンブレン２０４の表面に当該ウエハＷを吸着する。
【００６１】
ウエハＷの吸着後に、トップリング３１Ａを上昇させ、プッシャ１５０へ移動させて、ウエハＷの離脱（リリース）を行う。プッシャ１５０へ移動後、トップリング３１Ａに吸着保持したウエハＷに純水や薬液を供給しつつトップリング３１Ａを回転させて洗浄動作を行う場合もある。
【００６２】
その後、プッシャ１５０のプッシュステージ１５２とトップリングガイド１５１が上昇し、トップリングガイド１５１がトップリング３１Ａの外周面と嵌合してトップリング３１Ａとプッシャ１５０との芯出しを行う。このとき、トップリングガイド１５１は、リテーナリング２０３を押し上げるが、同時にリテーナリング加圧室２０９を真空にすることにより、リテーナリング２０３の上昇を速やかに行うようにしている。そして、プッシャの上昇完了時、リテーナリング２０３の底面は、トップリングガイド１５１の上面に押圧されてメンブレン２０４の下面よりも上方に押し上げられているので、ウエハとメンブレンとの間が露出された状態となっている。図４に示す例においては、リテーナリング２０３の底面はメンブレン下面よりも１ｍｍ上方に位置している。その後、トップリング３１ＡによるウエハＷの真空吸着を止め、ウエハリリース動作を行う。なお、プッシャが上昇する代わりにトップリングが下降することによって所望の位置関係に移動しても良い。
【００６３】
図５は、プッシャ１５０の詳細構造を示す概略図である。図５に示すように、プッシャ
１５０は、トップリングガイド１５１と、プッシュステージ１５２と、トップリングガイ
ド１５１内に形成され加圧流体を噴射可能なリリースノズル（基板剥離促進部）１５３を備える。加圧流体Ｆは、加圧気体（例えば、加圧窒素）のみであってもよいし、加圧液体（例えば、加圧水）のみであってもよいし、加圧気体（例えば、加圧窒素）と液体（例えば、純水）の混合流体であってもよい。更に、プッシャ１５０は、トップリング３１Ａからプッシュステージ１５２にウエハＷが落ちたことを検出する検出部１５４、１５５を備えている。検出部１５４で検出されて得られた検出信号が制御部５に伝送される。
【００６４】
本実施形態に係る検出部１５４は一例として、投光部１５４ａと受光部１５４ｂとを備える。同様に、本実施形態に係る検出部１５５は一例として、投光部１５５ａと受光部１５５ｂとを備える。投光部１５４ａ、１５５ａは例えば、光電子センサの投光部にフレキシブルな光ファイバケーブルを使用し、検出ヘッドを小型化したファイバセンサである。受光部１５４ｂ、１５５ｂは例えば、光電子センサの受光部にフレキシブルな光ファイバケーブルを使用し、検出ヘッドを小型化したファイバセンサである。
【００６５】
投光部１５４ａ、１５５ａは、矢印Ａ１の向きに光を投光する。ウエハＷがトップリング３１Ａから剥がれていない場合には、受光部１５４ｂ、１５５ｂは投光部１５４ａ、１５５ａから投光された光を受けることができる。一方、図５の一点鎖線で図示したようにトップリング３１Ａからプッシュステージ１５２にウエハＷが落ちた場合、ウエハＷによって投光部１５４ａ、１５５ａから投光された光が遮られるので、受光部１５４ｂ、１５５ｂは光を検知することができない。制御部５は例えば、受光部１５４ｂ、１５５ｂの両方において光が検出できなくなった時あるいは受光部１５４ｂ、１５５ｂの両方で検出された光強度が閾値より低下した時を、トップリング３１Ａからプッシュステージ１５２にウエハＷが落ちた時として扱う。
なお、投光部１５４ａ、１５５ａの光源は例えばＬＥＤで光の色は何色（例えば、赤、青、緑、白など）でもよい。また、本実施形態では、一例として、投光部と受光部を２組として説明したが、これに限らず、１組でもよいし、３組以上配置してもよい。例えば、投光部と受光部の組を円周方向に９０度ずつずらして４組配置してもよい。
【００６６】
リリースノズル１５３は、トップリングガイド１５１の円周方向に所定間隔を置いて複数個設けられており、加圧窒素と純水の混合流体をトップリングガイド１５１の半径方向内方に噴出するようになっている。これにより、ウエハＷとメンブレン２０４との間に、加圧流体（例えば、加圧窒素と純水の混合流体）からなるリリースシャワーを噴射し、メンブレン２０４からウエハＷを離脱させるウエハリリースを行うことができる。
【００６７】
続いて、ウエハリリース時の制御部５の動作について説明する。図４に示すように、プッシャ１５０が上昇完了してリテーナリング２０３の底面がトップリングガイド１５１の上面に押圧されてメンブレン２０４の下面よりも上方に押し上げられ、ウエハＷとメンブレン４との間が露出された状態になる。例えば、この状態で、制御部５は、圧力レギュレータＲ６を開くよう制御する。これにより、メンブレン２０４内のリプルエリア（リプル室６）に、一定の圧力（例えば、０．１ＭＰａ以下の低い圧力）のガス（例えば、窒素）が供給される。このようにしてウエハＷの離脱が補助される。そして、制御部５は、リリースノズル１５３からリリースシャワーをウエハＷとメンブレン２０４間に噴射するよう制御する。これにより、メンブレン２０４からウエハＷが離脱する。
【００６８】
図２に示すように、検査システム５０は、リリースノズル１５３、検出部１５４、１５５、制御部５、記憶装置５１、検査装置５２、及び表示装置５３を備える。
制御部５は、複数のウエハそれぞれについて当該ウエハを基板処理装置のトップリング（基板保持部）３１Ａに搬送し、その後、トップリング（基板保持部）３１Ａによる当該ウエハの離脱を制御する。そして、制御部５は、複数のウエハそれぞれについて当該ウエハがトップリング（基板保持部）３１Ａから離脱するのにかかるリリース時間を計測し、リリース時間の計測値を記憶装置５１に記憶させる。本実施形態では、リリース時間は一例として、トップリング（基板保持部）３１Ａから当該ウエハＷを離脱させる制御を開始した時から検出部１５４、１５５によりステージにウエハが落ちたことが検出された時までの時間である。当該ウエハを離脱させる制御を開始した時とは例えば、圧力レギュレータＲ６を開き始めた時である。具体的には例えば、圧力レギュレータＲ６が、バルブとバルブを開閉するソレノイドバルブとから構成されている場合、バルブを開かせるソレノイドバルブがＯＮになった時である。
【００６９】
続いて、図６を用いて検査装置５２の構成を説明する。図６は、本実施形態に係る検査装置５２の概略ブロック図である。図６に示すように、検査装置５２は、入力部３０１、出力部３０２、ＲＡＭ（Random Access Memory）３０３、記憶部３０４、及びＣＰＵ（Central Processing Unit）３０５を備える。入力部３０１、出力部３０２、ＲＡＭ３０３、及び記憶部３０４はバスを介してＣＰＵ３０５に接続されている。
【００７０】
入力部３０１は、記憶装置５１に配線を介して接続されており、ＣＰＵ３０５の要求によって記憶装置５１から読み出された情報を含む信号が記憶装置５１から入力される。
出力部３０２は、表示装置５３に表示信号線を介して接続されており、ＣＰＵ３０５の指令に従って、表示装置５３に表示させるための信号を表示装置５３へ伝送する。
ＲＡＭ３０３は、ＣＰＵ３０５によって処理される情報が一時的に保存される。
記憶部３０４は、ＣＰＵ３０５が読み出して実行するためのプログラムが保存されている。
ＣＰＵ３０５は、記憶部３０４からプログラムを実行することにより、取得部３０６及び判定部３０７として機能する。
【００７１】
取得部３０６は、ウエハが基板保持部から離脱するのにかかるリリース時間の複数の計測値を記憶装置５１から取得する。
【００７２】
リリース時間のばらつきが大きいか、あるいはリリース時間が基準時間より長くなる方にシフトしている場合、トップリング３１Ａ〜３１Ｄ、配管組立、あるいは研磨ユニット３Ａ〜３Ｄ間の位置ずれによる可能性がある。
【００７３】
そこで本実施形態に係る判定部３０７は、これらの複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。その際、判定部３０７は例えば、リリース時間のばらつき及び／または複数のリリース時間と基準時間との比較結果を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。具体的には例えば、判定部３０７は、リリース時間のばらつきが許容範囲を超えたか否かにより、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。ここで、統計的な異常な兆候とは、例えば、リリース時間のばらつきが許容範囲を超える場合、リリース時間が基準時間を超える回数あるいは割合が閾値以上の場合など、複数のリリース時間を用いて定量できる、リリース時間の異常な兆候を意味する。
【００７４】
図７を用いて、リリース時間のばらつきが許容範囲を超える例について説明する。図７は、リリース時間のばらつきが許容範囲を超える場合のリリース時間のグラフである。図７に示すように、後述する基準時間を下回っているが、リリース時間のばらつきが大きい。ここで、リリース時間のばらつきは、リリース時間の分散でもよいし、標準偏差であってもよいし、最大値と最小値との差であってもよいし、最大値と平均値あるいは中央値の差であってもよいし、最小値と平均値あるいは中央値の差であってもよい。
【００７５】
更に／あるいは、判定部３０７は、例えば、リリース時間が基準時間を超える回数あるいは割合が閾値以上か否かにより、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。ここで、基準時間は例えば、検査対象となる基板処理装置と、トップリング（基板保持部）３１Ａの種類及び基板処理装置の機種が同じ複数の基板処理装置のリリース時間の代表値（例えば、平均値あるいは中央値など）に基づいて決められている。具体的には基準時間は例えば、この代表値に予め決められた許容差を加算したものである。
【００７６】
なお、基準時間は、検査対象となる基板処理装置と、トップリング（基板保持部）３１Ａの種類及び基板処理装置の機種が同じであるのに加えて、更にメンブレンの種類及び／またはウエハの種類が同じ複数の基板処理装置のリリース時間の代表値（例えば、平均値あるいは中央値など）に基づいて決められていてもよい。この場合、基準時間は例えば、この平均値に予め決められた許容差を加算したものである。
【００７７】
続いて図８を用いて、リリース時間が基準時間を超える回数が閾値以上の例について説明する。図８は、リリース時間が基準時間を超える回数が閾値以上の場合のリリース時間のグラフである。仮に閾値が５であるとすると、図８では、リリース時間が基準時間を６回超えているので、判定部３０７は、リリース時間に統計的な異常な兆候があると判定する。
【００７８】
なお、ＣＰＵ３０５は、図７及び図８に示すような複数のリリース時間のグラフを生成し、生成したグラフを表示装置５３に表示させてもよい。この場合、点検作業員が、表示されたグラフを用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定してもよい。
【００７９】
リリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、点検作業員は、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う。このときの主な確認項目は、配管接続、ウエハリリースノズルの圧力設定または位置調整、トップリング３１Ａ、３１Ｂと第１リニアトランスポータ６の芯ずれ、トップリング３１Ｃ、３１Ｄと第２リニアトランスポータ７の芯ずれ、トップリング３１Ａ〜３１Ｄの組み付けなどである。
【００８０】
そして、再調整を行う工程の後に、複数のウエハそれぞれについて当該ウエハを基板処理装置のトップリング（基板保持部）３１Ａに搬送し、搬送されたウエハを当該基板保持部から離脱させるとともにこの離脱にかかるリリース時間を再度計測する。その後、再度計測された複数のリリース時間を用いて、判定部３０７あるいは点検作業員は、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か再度判定する。
このように、ウエハの搬送に問題がなくなるまで繰り返し行うことで、基板処理装置の納入後における、ウエハのリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００８１】
続いて、図９を用いて、基板処理装置の出荷前の検査の処理の流れについて説明する。図９は、基板処理装置の出荷前の検査の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
（ステップＳ１０１）まず、ウエハを研磨装置のトップリング３１Ａに搬送する。
【００８２】
（ステップＳ１０２）次に制御部５は、ウエハをトップリング３１Ａのメンブレン２０４から離脱させるとともにリリース時間を計測する。
【００８３】
（ステップＳ１０３）次に制御部５は、リリース時間の計測値を記憶装置５１に記憶させる。
【００８４】
（ステップＳ１０４）次に制御部５は、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理を所定の回数（例えば、１０００回）、繰り返したか否か判定する。所定の回数、繰り返していない場合、処理がステップＳ１０１に戻り、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理が繰り返される。
【００８５】
（ステップＳ１０５）ステップＳ１０４で所定の回数、繰り返したと判定された場合、検査装置５２は、複数（例えば、１０００個）のリリース時間の計測値を記憶装置５１から取得する。
【００８６】
（ステップＳ１０６）次に制御部５は例えば、図７あるいは図８に示すような、リリース時間の計測値のグラフを表示装置５３に表示させる。
【００８７】
（ステップＳ１０７）次に点検作業員は、表示装置５３に表示されたグラフを参照して、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。なお、この判定は検査装置５２の判定部３０７が行ってもよい。リリース時間に統計的な異常な兆候がないと判定された場合、本フローチャートの処理が終了する。
【００８８】
（ステップＳ１０８）一方、ステップＳ１０７でリリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、点検作業員は、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う。その後、ステップＳ１０１に戻り、複数のウエハそれぞれについて当該ウエハを基板処理装置のトップリング（基板保持部）３１Ａに搬送し、搬送されたウエハを当該基板保持部から離脱させるとともにこの離脱にかかるリリース時間を再度計測することが、所定の回数、繰り返される。その後、再度計測された複数（例えば、１０００個）のリリース時間を用いて、判定部３０７あるいは点検作業員は、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か再度判定する。
【００８９】
以上、本実施形態に係る検査方法において、複数のウエハそれぞれについて基板処理装置の基板保持部３１Ａに搬送されたウエハが基板保持部３１Ａから離脱する度に、当該ウエハが基板保持部３１Ａから離脱するのにかかるリリース時間を計測する。その後、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。リリース時間に統計的な異常な兆候があると判定された場合、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整を行う。
【００９０】
この構成によれば、複数のリリース時間を用いて、リリース時間に統計的な異常な兆候があるか否か判定する。リリース時間に統計的な異常な兆候がある場合には、ウエハのリリース及び／または搬送ミスのおそれがあり、基板処理装置の再組み立て及び／または再調整が行われる。このため、基板処理装置の納入後における、ウエハのリリースミス及び／または搬送ミスの発生を低減することができる。
【００９１】
なお、本実施形態では、基板処理装置がプッシャ１５０を備える例について説明したが、これに限ったものではなく、基板処理装置がプッシャ１５０を備えずに、代わりに第１リニアトランスポータ６及び第２リニアトランスポータ７がプッシャ１５０の機能を果たしても良い。
【００９２】
図１０は、本実施形態の変形例における、トップリング３１Ａと第１リニアトランスポータ６とを示す概略断面図である。図１０に示すように、第１リニアトランスポータ６は、リニアステージ１６０と、上下に移動する搬送ハンド１６１と、搬送ハンド１６１を上下に移動可能に保持する保持部１６２と、搬送ハンド１６１が連結されている板部材１６３と、一端が板部材１６３の表面に連結されている弾性部材１６４、１６５と、弾性部材１６４、１６５の他端が裏面に連結されている板部材１６６と、板部材１６６の上に設けられた環状部材１６７と備える。
【００９３】
図１０に示すように、ウエハＷのリリースをする際には、まずトップリング３１Ａが矢印Ａ３に示すように下降し、第１リニアトランスポータ６が矢印Ａ４に示すように上昇する。続いて、第１リニアトランスポータ６が矢印Ａ４に示すように上昇すると、第１リニアトランスポータ６の環状部材１６７がリニアステージ１６０を押し当てる。それに伴いリニアステージ１６０がトップリング３１Ａのリテーナリング２０３が押し当てることにより、リテーナリング２０３が上昇する。第１リニアトランスポータ６は、ウエハＷ受け渡し位置で停止する。
【００９４】
図１１は、第１リニアトランスポータ６の一部の詳細構造を示す概略断面図である。図１１に示すように、環状部材１６７内に、加圧流体を噴射可能なリリースノズル（基板剥離促進部）１６８が設けられている。加圧流体Ｆは、加圧気体（例えば、加圧窒素）のみであってもよいし、加圧液体（例えば、加圧水）のみであってもよいし、加圧気体（例えば、加圧窒素）と液体（例えば、純水）の混合流体であってもよい。ウエハＷのリリース方法は、上述した方法と同様であるのでその説明を省略する。
【００９５】
更に、第１リニアトランスポータ６は、ウエハＷが落ちたことを検出する検出部１６９を備える。検出部１６９で検出されて得られた検出信号が制御部５に伝送される。本実施形態に係る検出部１６９は一例として、環状部材１６７内に設けられた投光部１６９ａと板部材１６６内に設けられた受光部１６９ｂとを備える。上述した投光部１６９ａは例えば、光電子センサの投光部にフレキシブルな光ファイバケーブルを使用し、検出ヘッドを小型化したファイバセンサである。受光部１６９ｂは例えば、光電子センサの受光部にフレキシブルな光ファイバケーブルを使用し、検出ヘッドを小型化したファイバセンサである。
【００９６】
投光部１６９ａは、矢印Ａ５の向きに光を投光する。ウエハＷがトップリング３１Ａから剥がれていない場合には、受光部１６９ｂは投光部１６９ａから投光された光を受けることができる。一方、図１１の一点鎖線で図示したようにトップリング３１Ａからプッシュステージ１５２にウエハＷが落ちた場合、ウエハＷによって投光部１６９ａから投光された光が遮られるので、受光部１６９ｂは光を検知することができない。制御部５は例えば、受光部１６９ｂにおいて光が検出できなくなった時あるいは受光部１６９ｂで検出された光強度が閾値より低下した時を、トップリング３１Ａから環状部材１６７にウエハＷが落ちた時として扱う。
なお、投光部１６９ａの光源は例えばＬＥＤで光の色は何色（例えば、赤、青、緑、白など）でもよい。また、本実施形態の変形例では、一例として、投光部と受光部を１組として説明したが、これに限らず、２組以上配置してもよい。例えば、投光部と受光部の組を円周方向に１２０度ずつずらして３組配置してもよい。
【００９７】
以上、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
１      ハウジング
２      ロード／アンロード部
３      研磨部
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ  研磨ユニット
４      洗浄部
５      制御部
６      第１リニアトランスポータ
７      第２リニアトランスポータ
１０      研磨パッド
１０ａ    研磨面
１１      リフタ
１２      スイングトランスポータ
２０    フロントロード部
２１      走行機構
２２      搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ    研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ    トップリング（基板保持部）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ    研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ    ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ    アトマイザ
３０Ａａ  テーブル軸
５０      検査システム
５１    記憶装置
５２    検査装置
５３    表示装置
１０２    研磨液供給ノズル
１１１    トップリングシャフト
１１２    回転筒
１１３    タイミングプーリ
１１４    トップリング用回転モータ
１１５    タイミングベルト
１１６    タイミングプーリ
１１７    トップリングヘッドシャフト
１２４    上下動機構
１２５    ロータリージョイント
１２６    軸受
１２８    ブリッジ
１２９    支持台
１３０    支柱
１３１、２３１    真空源
１３２    ボールねじ
１３２ａ  ねじ軸
１３２ｂ  ナット
１３８    サーボモータ
１４０    エンコーダ
１５０    基板受渡し装置（プッシャ）
１５１    トップリングガイド
１５２    プッシュステージ
１５３    リリースノズル（基板剥離促進部）
１５４、１５５    検出部
１５４ａ、１５４ｂ    投光部
１５５ａ、１５５ｂ    受光部
１６０    リニアステージ
１６１    搬送ハンド
１６２    保持部
１６３    板部材
１６４、１６５    弾性部材
１６６    板部材
１６７    環状部材
１６８    リリースノズル（基板剥離促進部）
１６９    検出部
１６９ａ    投光部
１６９ｂ    受光部
２０２    トップリング本体
２０３    リテーナリング
２０４    弾性膜（メンブレン）
２０４ａ  隔壁
２０４ｈ  孔
２０５    センター室
２０６    リプル室
２０７    アウター室
２０８    エッジ室
２０９    リテーナリング加圧室
２１１，２１２，２１３，２１４，２１５，２２１，２２２，２２３，２２４，２２６    流路
２２５    ロータリージョイント
２３０    圧力調整部
２３５    気水分離槽
３０１    入力部
３０２    出力部
３０３    ＲＡＭ（Random Access Memory）
３０４    記憶部
３０５    ＣＰＵ（Central Processing Unit）
３０６    取得部
３０７    判定部
Ｆ１〜Ｆ５    流量センサ
Ｒ１〜Ｒ６    圧力レギュレータ
Ｐ１〜Ｐ５    圧力センサ
ＳＨ    リリースシャワー
Ｖ１−１〜Ｖ１−３、Ｖ２−１〜Ｖ２−３，Ｖ３−１〜Ｖ３−３，Ｖ４−１〜Ｖ４−３
，Ｖ５−１〜Ｖ５−３    バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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