(57)【要約】【課題】発光強度の高い発光素子を提供すること。【解決手段】ｐ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｐ層と、ｎ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｎ層と、ｐ層とｎ層との間に介在するｐｎ接合層と、を備え、ｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層は、発光部を有し、電圧が印加されることにより電子が注入され、電子が付与されることによって発光部が発光する発光素子であって、複数の発光領域を形成するための複数発光手段を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｐ層と、
ｎ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｎ層と、
前記ｐ層と前記ｎ層との間に介在するｐｎ接合層と、
を備え、
前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層は、発光部を有し、
電圧が印加されることにより電子が注入され、電子が付与されることによって前記発光部が発光する発光素子であって、
複数の発光領域を形成するための複数発光手段を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１電極と、
前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第２電極と、
をさらに有し、
前記第１電極は、複数電極からなり、
前記第２電極は、ひとつの電極からなり、
前記複数発光手段は、前記第１電極と前記第２電極とであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第３電極と、
前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第４電極と、
をさらに有し、
前記第３電極は、ひとつの電極からなり、
前記第４電極は、複数電極からなり、
前記複数発光手段は、前記第３電極と前記第４電極とであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記複数発光手段は、
前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第５電極と、
前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第６電極と、
であって、
前記第５電極と前記第６電極とは、複数電極からなり、
前記複数発光手段は、前記第５電極と前記第６電極とであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第５電極および前記第６電極は、
前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、それぞれ交互且つ対向配置され、
前記第５電極は、前記ｐ層に対応して接合され、
前記第６電極は、前記ｎ層に対応して接合されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
両方の電極を合わせて３つ以上の電極からなる第７電極と、第８電極と、をさらに有し、
前記第７電極および前記第８電極は、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面、もしくは、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面のうちのどちらか一方に、そのすべてが配置され、
前記第７電極は、前記ｐ層に対応して接合され、
前記第８電極は、前記ｎ層に対応して接合され、
前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第９電極と、
前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１０電極と、
をさらに有し、
前記複数発光手段は、
前記第９電極に対応するように複数に分割された前記ｐ層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記ｎ層は、前記第１０電極に対応するように複数に分割され、
前記ｐ層と対応するように接合されていることを特徴とする請求項１または７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記複数発光手段は、
その一部またはすべてに含まれる前記発光部を複数に分割するように形成された前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ等に利用される発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流注入によってレーザ発信を得る間接半導体レーザの発光素子として、特許文献１に記載の発光素子がある。この発光素子は、シリコン等の間接半導体にｐ型不純物が添加されたｐ層と、前記間接半導体にｎ型不純物が添加されたｎ層と、ｐ層とｎ層との接合部に形成される、所謂活性層に相当するｐｎ接合層とを備えている。
【０００３】
ｐ層およびｎ層は、その一部の領域、また、ｐｎ接合層は、そのすべての領域に電子が付与されることにより発光する発光部を有している。また、ｎ層およびｐ層には電源が接続され、レーザの発信時には、ｎ層側が正電圧、ｐ層側が負電圧となるように順方向にバイアス電圧が印加される。これにより、ｎ層、ｐｎ接合層およびｎ層内に電流が注入され、ｎ層、ｐｎ接合層およびｎ層内の発光部に電子が付与されることにより、その一部またはすべてが発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２４３８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の発光素子では、高い発光強度を有する光を得ることができない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、発光強度の高い発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明の発光素子は、ｐ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｐ層と、ｎ型不純物が添加された間接遷移型半導体からなるｎ層と、前記ｐ層と前記ｎ層との間に介在するｐｎ接合層と、を備え、前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層は、発光部を有し、電圧が印加されることにより電子が注入され、電子が付与されることによって前記発光部が発光する発光素子であって、複数の発光領域を形成するための複数発光手段を有することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明では、複数の発光領域を形成するための複数発光手段を有している。これにより、ｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層に対して電圧を印加した際、発光素子内に複数の発光領域を形成することができるため、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。従って、これらの光源から得られた光をまとめることにより、高い発光強度を有する光を得ることができる。
【０００９】
第２の発明の発光素子は、前記第１の発明において、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１電極と、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第２電極と、をさらに有し、前記第１電極は、複数電極からなり、前記第２電極は、ひとつの電極からなり、前記複数発光手段は、前記第１電極と前記第２電極とであることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明では、ｐ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１電極と、ｎ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第２電極と、をさらに有し、第１電極は、複数電極からなり、第２電極は、ひとつの電極からなり、複数発光手段は、第１電極と第２電極とである。これにより、第１電極と第２電極との間に電圧を印加した際、第１電極と第２電極との間には複数の電流狭窄領域が生じる。従って、ｐ層、ｎ層およびｐｎ接合層の発光部を複数の領域に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。
これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００１１】
第３の発明の発光素子は、前記第１の発明において、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第３電極と、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第４電極と、をさらに有し、前記第３電極は、ひとつの電極からなり、前記第４電極は、複数電極からなり、前記複数発光手段は、前記第３電極と前記第４電極とであることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、ｐ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第３電極と、ｎ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第４電極と、をさらに有し、第３電極は、ひとつの電極からなり、第４電極は、複数電極からなり、複数発光手段は、第３電極と第４電極とである。これにより、第３電極と第４電極との間に電圧を印加した際、第３電極と第４電極との間には複数の電流狭窄領域が生じる。従って、ｐ層、ｎ層およびｐｎ接合層の発光部を複数の領域に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００１３】
第４の発明の発光素子は、前記第１の発明において、前記複数発光手段は、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第５電極と、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第６電極と、であって、前記第５電極と前記第６電極とは、複数電極からなり、前記複数発光手段は、前記第５電極と前記第６電極とであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明では、複数発光手段は、ｐ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第５電極と、ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第６電極と、であって、第５電極と第６電極とは、複数電極からなり、複数発光手段は、第５電極と第６電極とである。これにより、第５電極と第６電極との間に電圧を印加した際、第５電極と第６電極との間には複数の電流狭窄領域が生じる。従って、ｐ層、ｎ層およびｐｎ接合層の発光部を複数の領域に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００１５】
第５の発明の発光素子は、前記第４の発明において、前記第５電極および前記第６電極は、前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、それぞれ交互且つ対向配置され、前記第５電極は、前記ｐ層に対応して接合され、前記第６電極は、前記ｎ層に対応して接合されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明では、第５電極および第６電極は、ｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、それぞれ交互且つ対向配置され、第５電極は、ｐ層に対応して接合され、第６電極は、ｎ層に対応して接合されている。これにより、積層方向と直交する方向においても、新たなｐｎ接合層を形成することができる。さらに、第５電極と第６電極との間に電圧を印加した際、隣り合うｐ層とｎ層との間でも電流狭窄が生じるため、ｐ層、ｎ層およびｐｎ接合層の発光部をより多くの領域に分割し、発光素子内により多くの発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００１７】
第６の発明の発光素子は、前記第１の発明において、両方の電極を合わせて３つ以上の電極からなる第７電極と、第８電極と、をさらに有し、前記第７電極および前記第８電極は、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面、もしくは、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面のうちのどちらか一方に、そのすべてが配置され、前記第７電極は、前記ｐ層に対応して接合され、前記第８電極は、前記ｎ層に対応して接合され、前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、交互に配置されていることを特徴とすることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明では、両方の電極を合わせて３つ以上の電極からなる第７電極と、第８電極と、をさらに有し、第７電極および第８電極は、ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面、もしくは、ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面のうちのどちらか一方に、そのすべてが配置され、第７電極は、ｐ層に対応して接合され、第８電極は、ｎ層に対応して接合され、ｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層の少なくとも一方向から見た断面から見て、交互に配置されている。これにより、第７電極と第８電極との間に電圧を印加した際、隣り合うｐ層とｎ層との間において、複数の電流狭窄が生じる。従って、ｐ層、ｎ層およびｐｎ接合層の発光部を複数の領域に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００１９】
第７の発明の発光素子は、前記第１の発明において、前記ｐ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第９電極と、前記ｎ層の前記ｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１０電極と、をさらに有し、前記複数発光手段は、前記第９電極に対応するように、複数に分割された前記ｐ層であることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明では、ｐ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第９電極と、ｎ層のｐｎ接合層と反対側の面に配置された第１０電極と、をさらに有し、複数発光手段は、第９電極に対応するように、複数に分割されたｐ層である。これにより、複数に分割されたｐ層とｎ層との間に複数の接合部が形成される。従って、ｐｎ接合層を複数に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００２１】
第８の発明の発光素子は、前記第１または７の発明において、前記ｎ層は、前記第１０電極に対応するように複数に分割され、前記ｐ層と対応するように接合されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、ｎ層は、第１０電極に対応するように複数に分割され、ｐ層と対応するように接合されている。これにより、これにより、ｐ層と複数に分割されたｎ層との間に複数の接合部が形成される。従って、ｐｎ接合層を複数に分割し、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【００２３】
第９の発明の発光素子は、前記第１の発明において、前記複数発光手段は、その一部またはすべてに含まれる前記発光部を複数に分割するように形成された前記ｐ層、前記ｐｎ接合層および前記ｎ層であることを特徴とするものである。
【００２４】
本発明では、複数発光手段は、その一部またはすべてに含まれる発光部を複数に分割するように形成されたｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層である。従って、発光素子内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子から複数の光源を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る発光素子の長手方向から見た断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る発光素子の長手方向から見た断面図である。
【図３】（ａ）は、本実施形態に係る発光素子を上から見た図であって、（ｂ）は、そのＸ−Ｘ断面図である。
【図４】本実施形態に係る発光素子の長手方向から見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
本実施形態は、半導体レーザやＬＥＤ光源として利用され、ｎ層側が正電圧、ｐ層側が負電圧となるように順方向にバイアス電圧を印加することにより発光する発光素子に、本発明を適用した一例である。なお、発光素子は、所定厚みを有し、厚み方向に直交する方向から見て矩形状をなす直方体形状であるが、図面上では全形の図示を省略し、長手方向から見た断面図によって、その構成を説明する。また、以下では、図１〜４に示す上下、左右、前後の各方向を、上下方向、左右方向および前後方向と定義し、これらの方向語を適宜使用して説明する。
【００２８】
[１]電極構成により複数の発光領域を形成する構成
（ａ）図１の（ａ）に示すように、発光素子１００は、シリコン等の間接半導体にｐ型不純物が添加されたｐ層１と、間接半導体にｎ型不純物が添加されたｎ層２と、ｐ層１とｎ層２との接合部に形成されたｐｎ接合層３とを備えている。ｐ層１の表面には、幅、前後方向の長さ、厚み、および、形状の等しい３つのｐ型電極４ａ，４ｂ，４ｃが等間隔に接合されている。ｎ層２の表面には、その全面にひとつのｎ型電極５が接合されている。
【００２９】
本実施形態では、発光素子１００のｐ層１の表面には、３つのｐ型電極４ａ，４ｂ，４ｃが等間隔に接合されている。ｎ層２の表面には、その全面にひとつのｎ型電極５が接合されている。これにより、ｐ型電極４ａ，４ｂ，４ｃとｎ型電極５との間に電圧を印加した際、ｐ型電極４ａ，４ｂ，４ｃとｎ型電極５との間には、３つの電流狭窄領域Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が生じる。従って、ｐ層１、ｎ層２およびｐｎ接合層３の発光部を３つの領域Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に分割し、発光素子１００内に３つの発光領域Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子１００から３つの光源を得ることができる。従って、これらの光源からの光をまとめることにより、強い発光強度を有する光を得ることができる。なお、このｎ型電極５は、ｎ層２の全表面に形成されている必要はなく、ｎ層２の表面のうちの一部に接合されていても構わない。
【００３０】
（ｂ）図１の（ｂ）に示すように、発光素子１００のｎ層２の表面には、幅、前後の長さ、厚み、および、形状の等しい３つのｎ型電極７ａ，７ｂ，７ｃが等間隔に接合されている。ｐ層１の表面には、その全面にひとつのｐ型電極６が接合されている。これにより、ｐ型電極６とｎ型電極７ａ，７ｂ，７ｃとの間に電圧を印加した際、ｐ型電極６とｎ型電極７ａ，７ｂ，７ｃとの間には、３つの電流狭窄領域Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６が生じる。従って、ｐ層１、ｎ層２およびｐｎ接合層３の発光部を３つの領域Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６に分割し、発光素子１００内に３つの発光領域Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子１００から３つの光源を得ることができる。なお、このｐ型電極６は、ｐ層１の全表面に形成されている必要はなく、例えば、ｐ型電極６は、ｐ層１の表面のうちの一部に接合されていても構わない。
【００３１】
（ｃ）図１の（ｃ）に示すように、発光素子１００のｐ層１およびｎ層２の表面には、幅、前後方向の長さ、厚み、および、形状の等しい３つのｐ型電極８ａ，８ｂ，８ｃ、および、ｎ型電極９ａ，９ｂ，９ｃが等間隔に接合されている。また、各ｐ型電極８ａ，８ｂ，８ｃとｎ型電極９ａ，９ｂ，９ｃとは、上下方向において対向して配置されている。これにより、ｐ型電極８ａ，８ｂ，８ｃとｎ型電極９ａ，９ｂ，９ｃとの間に電圧を印加した際、ｐ型電極８ａ，８ｂ，８ｃとｎ型電極９ａ，９ｂ，９ｃとの間には、３つの電流狭窄領域Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９が生じる。従って、ｐ層１、ｎ層２およびｐｎ接合層３の発光部を３つの領域Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９に分割し、発光素子１００内に３つの発光領域Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子１００から複数の光源を得ることができる。
【００３２】
（ｄ）図１の（ｄ）に示すように、発光素子２００は、幅、前後方向の長さ、厚み、および、形状の等しいｐ層１０ａ，１０ｂとｎ層１１ａ，１１ｂとが、左右方向において、ｐ層１０ａ、ｎ層１１ａ、ｐ層１０ｂ、ｎ層１１ｂとなるように交互に配置された第１の層５０と、幅、前後方向の長さ、厚み、および、形状の等しい４つのｐ層１０ｃ，１０ｄとｎ層１１ｃ，１１ｄとが、左右方向において、ｎ層１１ｃ、ｐ層１０ｃ、ｎ層１１ｄ、ｐ層１０ｄとなるように交互に配置された第２の層６０と、第１の層５０と第２の層６０との接合部に配置されたｐｎ接合層３０とを備えている。上下方向において、ｐ層１０ａとｎ層１１ｃ、ｎ層１１ａとｐ層１０ｃ、ｐ層１０ｂとｎ層１１ｄ、ｎ層１１ｂとｐ層１０ｄは、対向するように配置されている。また、ｐ層１０ａ、ｎ層１１ａ、ｐ層１０ｂおよびｎ層１１ｂの表面には、ｐ型電極１２ａ、ｎ型電極１２ｂ、ｐ型電極１２ｃ、ｎ型電極１２ｄがそれぞれ接合され、ｎ層１１ｃ、ｐ層１０ｃ、ｎ層１１ｄおよびｐ層１０ｄの表面には、幅、前後の長さ、厚み、および、形状の等しいｎ型電極１３ａ、ｐ型電極１３ｂ、ｎ型電極１３ｃ、ｐ型電極１３ｄが異なる層に対して干渉しないように接合されている。これにより、左右方向においても、新たなｐｎ接合層３２ａ〜３２ｃを形成することができる。さらに、ｐ型電極１２ａ、ｎ型電極１２ｂ、ｐ型電極１２ｃおよびｎ型電極１２ｄとｎ型電極１３ａ、ｐ型電極１３ｂ、ｎ型電極１３ｃおよびｐ型電極１３ｄとの間に電圧を印加した際、上下方向に生じる電流狭窄領域Ｃ１０〜Ｃ１３のみならず、左右方向において隣り合うｐ層とｎ層との間でも電流狭窄領域Ｃ１４〜Ｃ１９が生じるため、発光部を１０つの領域に分割し、発光素子２００内に１０つの発光領域Ｃ１０〜Ｃ１９を形成することができる。
【００３３】
（ｅ）図２の（ａ）に示すように、発光素子３００のｐ層１４とｎ層１５とは、左右方向に並べて配置されている。また、ｐ層１４の上側表面にはｐ型電極１７、ｎ層１５の上側表面にはｎ型電極１８が、互いに干渉することなく接合されている。また、このｐ電極１７とｎ電極１８とは、幅と、前後方向の長さ、厚み、および、形状が等しい。従って、左右方向にｐｎ接合層１６を形成することができる。また、ｐ型電極１７とｎ型電極１８との間に電圧を印加した際、電流狭窄領域Ｃ２０を形成することができる。
【００３４】
（ｆ）図２の（ｂ）に示すように、発光素子４００は、幅、前後方向の長さ、厚み、および、形状の等しい２つのｐ層１９ａ，１９ｂとひとつのｎ層２０とが、左右方向において、ｐ層１９ａ、ｎ層２０、ｐ層１９ｂと交互に並ぶように配置されている。これにより、左右方向において、ｐ層１９ａとｎ層２０との間にはｐｎ接合層２１が形成され、ｎ層２０とｐ層１９ｂとの間にはｐｎ接合層２２が形成されている。ｐ層１９ａ、ｎ層２０およびｐ層１９ｂの上側表面には、ｐ型電極２３ａ、ｎ型電極２４、ｐ型電極２３ｂが、異なる層に対して干渉しないように接合されている。これにより、ｐ型電極２３ａ、ｎ型電極２４およびｐ型電極２３ｂに電圧を印加した際、左右方向において隣り合うｐ層１９ａとｎ層２０、ｎ層２０とｐ層１９ｂとの間において、２つの電流狭窄領域Ｃ２１，Ｃ２２が生じる。従って、ｐ層１９ａ、ｎ層２０およびｐ層１９ｂ、ｐｎ接合層２１，２２の発光部を２つの領域Ｃ２１，Ｃ２２に分割し、発光素子４００内に２つの発光領域Ｃ２１，Ｃ２２を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子４００から２つの光源を得ることができる。
【００３５】
[２]ｐｎ接合層を複数に分割する構成
（ｇ）図３の(ａ)に示すように、発光素子５００のｐ層２５は、左右方向および前後方向において、等しい大きさで等間隔に複数分割されている。また、図３の(ｂ)に示すように、隣接するｐ層２５ａと２５ｂ，２５ｂと２５ｃとの間には、例えば、不純物が添加されていない間接半導体２８が形成されている。これにより、複数に分割されたｐ層２５と、ｎ層２６との間には、複数のｐｎ接合部２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，・・・が形成される。従って、上下方向から見て、ｐｎ接合層２７を複数に分割し、発光素子５００内に複数の発光領域を形成することができる。これにより、ひとつの発光素子５００から複数の光源を得ることができる。なお、ｐ層２５は、左右方向または／および前後方向において、等しい大きさ且つ等間隔で並べられていなくても構わない。また、ｐ層２５ではなくｎ層２６のみ、もしくは、ｐ層２５とｎ層２６の両方を複数分割し、それぞれ上下方向において対応するように接合することにより、複数のｐｎ接合層を形成しても構わない。
【００３６】
（ｈ）図４に示すように、複数のｐｎ接合層３５ａ，３５ｂ，３５ｃが形成されるように、不純物が添加されていない間接半導体の層を、その間を埋めるように形成しても構わない。これにより、発光素子６００内に複数の発光領域を形成することができるため、ひとつの発光素子６００から複数の光源を得ることができる。
【００３７】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施形態や実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。
【００３８】
本実施形態では、上から順に、ｐ層、ｐｎ接合層およびｎ層が積層されていると記載したが、上下方向においてｐ層とｎ層とが逆となるように積層されていても構わない。
【００３９】
また、本実施形態に係る発光素子は、半導体レーザのみならず、ＬＥＤ光源などに適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  ｐ層
２  ｎ層
３  ｐｎ接合層
１００  発光素子
【図１】
2017092076.tif 000003
【図２】
2017092076.tif 000004
【図３】
2017092076.tif 000005
【図４】
2017092076.tif 000006