(57)【要約】【課題】電子写真感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する画像形成装置を提供すること。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。【選択図】図１
2017062421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項２】
前記有機感光層が、電荷発生層と、電荷輸送材料及び含有量が４０質量％以上である無機粒子を含む電荷輸送層と、を前記導電性基体上にこの順で有する感光層である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、
トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真法は、複写機やプリンター等に幅広く利用されている。
近年、電子写真法を利用した画像形成装置に使用される電子写真感光体（以下、「感光体」と称す場合がある）に関し、該感光体の感光層表面に表面層（保護層）を設ける技術が検討されている。
【０００３】
例えば、感光体の表面層として、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）や非晶質窒化炭素（ＣＮ）、非晶質窒化珪素、酸化アルミ、酸化ガリウムのような硬質な膜が知られている（例えば、特許文献１〜特許文献５参照）。
【０００４】
また、導電性支持体上に少なくとも感光層を有する有機感光体において、数平均一次粒径が３〜１５０ｎｍの無機粒子を含有した表面層を有し、表面粗さＲａが０．００１〜０．０１８であり、十点表面粗さＲｚが０．０２〜０．０８μｍである有機感光体知られている（例えば特許文献６参照）。
【０００５】
また、導電性支持体上に直接または下引き層を介して設けられる感光層が少なくとも電荷発生物質と電荷輸送物質と結晶構造が六方稠密格子である無機フィラーとを含有し、かつ、かかる感光層の無機フィラーが導電性支持体側より最も離れた表面側の含有率が多い電子写真感光体が知られている（例えば特許文献７参照）。
【０００６】
また、保護層が数平均粒径５〜２００ｎｍの粒子を含有する粗さ層と、ナノインデンテーション法で測定した硬度が２〜７ＧＰａの堆積層から構成されている電子写真感光体が知られている（例えば特許文献８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平２−１１０４７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２３８号公報
【特許文献３】特開平１１−１８６５７１号公報
【特許文献４】特開２００６−２６７５０７号公報
【特許文献５】特開２００８−２６８２６６号公報
【特許文献６】特開２００６−０１０９２１号公報
【特許文献７】特開２００３−０９８７００号公報
【特許文献８】特開２００９−２０４９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、帯電手段と、静電潜像形成手段と、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％を超えるキャリアを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、転写手段と、を備える画像形成装置に比べ、電子写真感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【００１０】
請求項２に係る発明は、
前記有機感光層が、電荷発生層と、電荷輸送材料及び含有量が４０質量％以上である無機粒子を含む電荷輸送層と、を前記導電性基体上にこの順で有する感光層である請求項１に記載の画像形成装置。
【００１１】
請求項３に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、
トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る発明によれば、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、帯電手段と、静電潜像形成手段と、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％を超えるキャリアを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、転写手段と、を備える画像形成装置に比べ、電子写真感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する画像形成装置が提供される。
【００１３】
請求項２に係る発明によれば、前記有機感光層が、電荷発生層と、電荷輸送材料及び含有量が４０質量％未満である無機粒子を含む電荷輸送層と、を前記導電性基体上にこの順で有する感光層である場合に比べ、電子写真感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する画像形成装置が提供される。
【００１４】
請求項３に係る発明によれば、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％を超えるキャリアを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、を備えるプロセスカートリッジに比べ、電子写真感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制するプロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態の電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【図４】本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。
【図５】本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。
【図６】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。
【図７】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００１７】
＜画像形成装置＞
本実施形態に係る画像形成装置は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。
そして、本実施形態では、現像剤として、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であるキャリアを含む二成分現像剤を適用する。
以下では、「粒径５０μｍ以上のキャリア粒子」を「大粒径のキャリア粒子」と称して説明することがある。
【００１８】
従来、トナーとキャリアとを含む二成分現像剤を用いて、感光体表面の静電潜像を現像する画像形成装置が知られている。この画像形成装置では、トナーは現像によって消費され、キャリアは消費されずに現像剤を収容する現像器内に残留する。
しかし、トナーが感光体に供給される際に、感光体表面にキャリアが付着する、所謂キャリア飛びという現象が発生することがある。
このキャリア飛びという現象は、現像ロールとキャリアとの間の磁力が高まりやすいとき、具体的には、キャリアの粒径が大きい程発生しにくい傾向があるが、大粒径のキャリア粒子（粒径５０μｍ以上）でも、キャリア飛びが発生することがある。
一方、画像形成装置に用いられる感光体として、有機感光層上に無機保護層を形成した有機感光体が知られている。有機感光層は柔軟性を有し、変形し易い傾向がある一方で、無機保護層は硬質ではあるが靭性に劣る傾向がある。このため、キャリア飛びにより、
無機保護層を有する感光体に大粒径のキャリア粒子（粒径５０μｍ以上）が付着した状態で、感光体がその表面に接して配される部材（例えば中間転写体）に接触すると、小粒径のキャリア粒子（粒径５０μｍ未満）に比べ、感光体表面に大きな応力が付与され、無機保護層に傷が発生することがある。
例えば、上記無機保護層を有する感光体を用いた場合に、大粒径のキャリア粒子のキャリア飛びが発生し、感光体と転写手段（例えば転写部材）との間の転写ニップ部に大粒径のキャリア粒子が入り込むことで、転写ニップ部のニップ圧により、感光体に大粒径のキャリア粒子による応力がかかりやすくなる。この結果、感光体表面の無機保護層に傷が発生しやすくなる。
特に、感光体表面の無機保護層の傷は、画像形成装置の起動時や停止時に、より発生しやすくなる。これは、画像形成装置の起動時や停止時では、感光体と転写部材との間で周速差が生じやすことに起因する。具体的には、画像形成装置の起動時や停止時に、上記キャリア飛びが発生して転写ニップ部に大粒径のキャリア粒子が入り込んだ状態であると、感光体と転写手段との周速差により、感光体にかかる応力がさらに増大しやすくなり、感光体表面の無機保護層に傷がより発生しやすくなるからである。
【００１９】
そこで、本実施形態に係る画像形成装置では、有機感光層上に無機保護層を形成した有機感光体と、トナー、及び粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合を１個数％以下に制御したキャリアを含む現像剤と、を組み合わせて採用する。
これにより、大粒径のキャリア粒子の占める割合が減少するため、上記キャリア飛びが発生したとしても、付着したキャリア粒子により感光体にかかる応力が低減されやすくなる。
以上のことから、本実施形態に係る画像形成装置では、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制されることとなる。さらに、無機保護層の傷の発生が抑制されることから、無機保護層の傷に由来する画像欠陥（例えば画像筋）の発生も抑制される。
【００２０】
なお、感光体表面の無機保護層の傷の発生は、中間転写方式の画像形成装置を用いたときに顕著に生じやすくなる。これは、中間転写体が比較的高硬度の材料（例えばポリイミド、ポリアミドイミド）で構成されることに起因する。中間転写体が比較的高硬度の材料で構成されると、上記キャリア飛びが発生したとき、付着したキャリア粒子により感光体にかかる応力が増大しやすくなるからである。
しかし、本実施形態に係る画像形成装置では、上記構成の有機感光体と、現像剤との組み合わせにより、中間転写方式の画像形成装置を用いても、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制される。
【００２１】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【００２２】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【００２３】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【００２４】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体及び現像手段以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【００２５】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【００２６】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図１に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【００２７】
図１におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【００２８】
なお、図１には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【００２９】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【００３０】
（帯電装置）
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【００３１】
（露光装置）
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【００３２】
（現像装置）
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【００３３】
ここで、現像装置１１に収容される現像剤について、詳細に説明する。
本実施形態では、現像剤として、トナーとキャリアとを含む二成分現像剤が用いられる。本実施形態におけるキャリアは、大粒径のキャリア粒子（粒径５０μｍ以上）が占める割合が１個数％以下であるキャリア粒子群からなる。以下では、キャリア粒子を、単に「キャリア」と称して説明することがある。
以下、トナーの構成、及びキャリアの構成について順に説明する。
【００３４】
−トナー−
トナーは、トナー粒子と、必要に応じて、外添剤とを含む。
【００３５】
・トナー粒子
トナー粒子は、例えば、結着樹脂を含む。トナー粒子は、必要に応じて、着色剤と、離型剤と、その他添加剤とを含んでもよい。
【００３６】
・結着樹脂
結着樹脂としては、例えば、スチレン類（例えばスチレン、パラクロロスチレン、α−メチルスチレン等）、（メタ）アクリル酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２−エチルヘキシル等）、エチレン性不飽和ニトリル類（例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等）、ビニルケトン類（ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）、オレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブタジエン等）等の単量体の単独重合体、又はこれら単量体を２種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体を重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
結着樹脂の含有量としては、例えば，トナー粒子全体に対して、４０質量％以上９５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、６０質量％以上８５質量％以下がさらに好ましい。
【００３８】
・着色剤
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、クロムイエロー、ハンザイエロー、ベンジジンイエロー、スレンイエロー、キノリンイエロー、ピグメントイエロー、パーマネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、ウオッチヤングレッド、パーマネントレッド、ブリリアントカーミン３Ｂ、ブリリアントカーミン６Ｂ、デュポンオイルレッド、ピラゾロンレッド、リソールレッド、ローダミンＢレーキ、レーキレッドＣ、ピグメントレッド、ローズベンガル、アニリンブルー、ウルトラマリンブルー、カルコオイルブルー、メチレンブルークロライド、フタロシアニンブルー、ピグメントブルー、フタロシアニングリーン、マラカイトグリーンオキサレートなどの種々の顔料、又は、アクリジン系、キサンテン系、アゾ系、ベンゾキノン系、アジン系、アントラキノン系、チオインジコ系、ジオキサジン系、チアジン系、アゾメチン系、インジコ系、フタロシアニン系、アニリンブラック系、ポリメチン系、トリフェニルメタン系、ジフェニルメタン系、チアゾール系などの各種染料等が挙げられる。
着色剤は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
着色剤は、必要に応じて表面処理された着色剤を用いてもよく、分散剤と併用してもよい。また、着色剤は、複数種を併用してもよい。
【００４０】
着色剤の含有量としては、例えば、トナー粒子全体に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
【００４１】
・離型剤
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。
【００４２】
離型剤の融解温度は、５０℃以上１１０℃以下が好ましく、６０℃以上１００℃以下がより好ましい。
なお、融解温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線から、ＪＩＳ  Ｋ−１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。
【００４３】
離型剤の含有量としては、例えば、トナー粒子全体に対して、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
【００４４】
・その他の添加剤
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の周知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。
【００４５】
・トナー粒子の特性等
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部（コア粒子）と芯部を被覆する被覆層（シェル層）とで構成された所謂コア・シェル構造のトナー粒子であってもよい。
ここで、コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等のその他添加剤とを含んで構成された芯部と、結着樹脂を含んで構成された被覆層と、で構成されていることがよい。
【００４６】
トナー粒子の体積平均粒径（Ｄ５０ｖ）としては、２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。
【００４７】
なお、トナー粒子の各種平均粒径、及び各種粒度分布指標は、コールターマルチサイザーII（ベックマン−コールター社製）を用い、電解液はＩＳＯＴＯＮ−II（ベックマンーコールター社製）を使用して測定される。
測定に際しては、分散剤として、界面活性剤（アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい）の５％水溶液２ｍｌ中に測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加える。これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加する。
試料を懸濁した電解液は超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーIIにより、アパーチャー径として１００μｍのアパーチャーを用いて２μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒径の粒子の粒度分布を測定する。なお、サンプリングする粒子数は５００００個である。
測定される粒度分布を基にして分割された粒度範囲（チャンネル）に対して体積、数をそれぞれ小径側から累積分布を描いて、累積１６％となる粒径を体積粒径Ｄ１６ｖ、数粒径Ｄ１６ｐ、累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖ、累積数平均粒径Ｄ５０ｐ、累積８４％となる粒径を体積粒径Ｄ８４ｖ、数粒径Ｄ８４ｐと定義する。
これらを用いて、体積平均粒度分布指標（ＧＳＤｖ）は（Ｄ８４ｖ／Ｄ１６ｖ）１／２、数平均粒度分布指標（ＧＳＤｐ）は（Ｄ８４ｐ／Ｄ１６ｐ）１／２として算出される。
【００４８】
トナー粒子の形状係数ＳＦ１としては、１１０以上１５０以下が好ましく、１２０以上１４０以下がより好ましい。
【００４９】
なお、形状係数ＳＦ１は、下記式により求められる。
式：ＳＦ１＝（ＭＬ２／Ａ）×（π／４）×１００
上記式中、ＭＬはトナーの絶対最大長、Ａはトナーの投影面積を各々示す。
具体的には、形状係数ＳＦ１は、主に顕微鏡画像又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を画像解析装置を用いて解析することによって数値化され、以下のようにして算出される。すなわち、スライドガラス表面に散布した粒子の光学顕微鏡像をビデオカメラによりルーゼックス画像解析装置に取り込み、１００個の粒子の最大長と投影面積を求め、上記式によって計算し、その平均値を求めることにより得られる。
【００５０】
・外添剤
外添剤としては、例えば、無機粒子が挙げられる。該無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
【００５１】
外添剤としての無機粒子の表面は、疎水化処理が施されていることがよい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤に無機粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
疎水化処理剤の量としては、通常、例えば、無機粒子１００質量部に対して、１質量部以上１０質量部以下である。
【００５２】
外添剤としては、樹脂粒子（ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、メラミン樹脂等の樹脂粒子）、クリーニング活剤（例えば、ステアリン酸亜鉛に代表される高級脂肪酸の金属塩、フッ素系高分子量体の粒子）等も挙げられる。
【００５３】
外添剤の外添量としては、例えば、トナー粒子に対して、１．０質量％以上９質量％以下が好ましく、２．０質量％以上８．０質量％以下がより好ましい。
【００５４】
・トナーの製造方法
次に、本実施形態におけるトナーの製造方法について説明する。
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。
【００５５】
トナー粒子は、乾式製法（例えば、混練粉砕法等）、湿式製法（例えば凝集合一法、懸濁重合法、溶解懸濁法等）のいずれにより製造してもよい。トナー粒子の製法は、これらの製法に特に制限はなく、周知の製法が採用される。
【００５６】
そして、本実施形態におけるトナーは、例えば、得られた乾燥状態のトナー粒子に、外添剤を添加し、混合することにより製造される。混合は、例えばＶブレンダー、ヘンシェルミキサー、レーディゲミキサー等によって行うことがよい。更に、必要に応じて、振動師分機、風力師分機等を使ってトナーの粗大粒子を取り除いてもよい。
【００５７】
−キャリア−
本実施形態におけるキャリアは、大粒径のキャリア粒子（粒径５０μｍ以上のキャリア粒子）が占める割合が１個数％以下であり、好ましくは０．５個数％以下であり、より好ましくは０．１個数％以下である。下限値は、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、ゼロに近いことが好ましい。
大粒径のキャリア粒子が占める割合を上記範囲とすることで、大粒径のキャリア粒子の占める割合が減少するため、大粒径のキャリア粒子のキャリア飛びが発生したとしても、キャリア飛びに起因する感光体と転写手段との摩擦力、及び感光体にかかる応力が低減されやすくなる。さらに、無機保護層の傷に由来する画像欠陥（例えば画像筋）の発生も抑制される。
なお、大粒径のキャリア粒子が占める割合が上記範囲であることは、キャリア粒子の粒度分布を測定することで確認される。なお、測定方法の詳細については後述する。
【００５８】
以下、数基準の平均粒径Ｄ５０、再頻度の粒径、及び粒径が２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合の好ましい範囲について、順に説明する。
【００５９】
・数基準の平均粒径（数平均粒径）Ｄ５０
数平均粒径Ｄ５０としては、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、３０μｍ以上４０μｍ以下が好ましく、３１μｍ以上３９μｍ以下がより好ましく、３２μｍ以上３７μｍ以下がさらに好ましい。
【００６０】
・最頻度の粒径
最頻度の粒径としては、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、２５μｍ以上３８μｍ以下が好ましく、２７μｍ以上３６μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以上３５μｍ以下がさらに好ましい。
【００６１】
・粒径が２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合
粒径が２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合としては、２０個数％以下が好ましく、１５個数％以下がより好ましく、１０個数％以下がさらに好ましい。
粒径が２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合を上記範囲とすることで、小粒径側のキャリア粒子の占める割合が減少するため、キャリア飛びが抑制される。
【００６２】
・大粒径のキャリア粒子が占める割合の制御方法
大粒径のキャリア粒子（５０μｍ以上のキャリア粒子）が占める割合を１個数％以下に制御する方法としては、例えば、キャリア粒子のコア（芯）となる材料（例えば磁性粉）の粒径を予め制御して、キャリアを作製する方法；キャリアから大粒径のキャリア粒子を分級して除去する方法；振動篩分機を用いて篩分する方法；が挙げられる。
具体的に、被覆キャリアを作製する場合、磁性粉から、予め粒径５０μｍ以上（好ましくは５０μｍより小粒径側で４６μｍ以上）の磁性粉を分級して除去し、その分級した後の磁性粉を用いて被覆キャリアを作製すればよい。また、被覆キャリア等のキャリアから粒径５０μｍ以上（好ましくは５０μｍより小粒径側で４６μｍ以上）のキャリア粒子を分級して除去し、その分級した後のキャリアを用いてもよい。
【００６３】
・キャリア粒子の粒度分布の測定
キャリア粒子の粒度分布の測定は、以下のように行う。
まず、圧縮ガスを現像剤に吹き付け、キャリアからトナーを吹き飛ばして、現像剤からキャリア粒子を単離する（ブローオフ法）。
次いで、単離して得られたキャリア粒子について、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（ＬＳ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｉｚｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ベックマン−コールター社製）を用いて、粒度分布を測定する。
電解液としては、ＩＳＯＴＯＮ−ＩＩ（ベックマン−コールター社製）を使用する。測定する粒子数は５０，０００である。
また、測定された粒度分布を基にして分割された粒度範囲（チャンネル）に対し、数について小径側から累積分布を描いて、累積５０％となる粒径を数平均粒径Ｄ５０と定義する。そして、測定された粒度分布から、数平均粒径Ｄ５０、最頻度の粒径、５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合、及び粒径が２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合が求められる。
【００６４】
なお、例えば、入手したキャリア粒子を使用する場合、キャリア粒子の粒度分布は、入手したキャリア粒子の粒度分布であってもよい。
【００６５】
キャリアとしては、大粒径のキャリア粒子が占める割合が１個数％以下であれば、特に制限されるものではなく、周知のものが挙げられる。例えば、磁性粉からなる芯材の表面に被覆樹脂を被覆した被覆キャリア；マトリックス樹脂中に磁性粉が分散・配合された磁性粉分散型キャリア；多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸型キャリア；等が挙げられる。
なお、磁性粉分散型キャリア、及び樹脂含浸型キャリアは、当該キャリアの構成粒子を芯材とし、これに被覆樹脂により被覆したキャリアであってもよい。
【００６６】
磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属、フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物等が挙げられる。
【００６７】
被覆樹脂、及びマトリックス樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエーテル、ポリビニルケトン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、オルガノシロキサン結合を含んで構成されるストレートシリコーン樹脂又はその変性品、フッ素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
なお、被覆樹脂、及びマトリックス樹脂には、導電性粒子等、その他添加剤を含ませてもよい。
導電性粒子としては、金、銀、銅等の金属、カーボンブラック、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム等の粒子が挙げられる。
【００６８】
ここで、芯材の表面に被覆樹脂を被覆するには、被覆樹脂、及び必要に応じて各種添加剤を適当な溶媒に溶解した被覆層形成用溶液により被覆する方法等が挙げられる。溶媒としては、特に限定されるものではなく、使用する被覆樹脂、塗布適性等を勘案して選択すればよい。
具体的な樹脂被覆方法としては、芯材を被覆層形成用溶液中に浸漬する浸漬法、被覆層形成用溶液を芯材表面に噴霧するスプレー法、芯材を流動エアーにより浮遊させた状態で被覆層形成用溶液を噴霧する流動床法、ニーダーコーター中でキャリアの芯材と被覆層形成用溶液とを混合し、溶剤を除去するニーダーコーター法等が挙げられる。
【００６９】
二成分現像剤における、トナーとキャリアとの混合比（質量比）は、トナー：キャリア＝１：１００乃至３０：１００が好ましく、３：１００乃至２０：１００がより好ましい。
【００７０】
（クリーニング装置）
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【００７１】
（転写装置）
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【００７２】
（中間転写体）
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカ
ーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【００７３】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図２に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【００７４】
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【００７５】
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
【００７６】
以下、電子写真感光体について、詳細に説明する。
【００７７】
（電子写真感光体）
本実施形態における電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、前記有機感光層上に設けられた無機保護層と、を備える。
電子写真感光体は、具体的には、有機感光層が単層型の有機感光層の場合、有機感光層は、電荷発生材料及び電荷輸送材料を含んで構成された有機感光層である。
一方、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、有機感光層は、電荷発生材料を含む電荷発生層と、電荷輸送材料を含む電荷輸送層と、を導電性支持体上にこの順で有する有機感光層である、この場合、電荷輸送層は２層以上で構成されてもよい。
なお、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、単層型の有機感光層の場合は有機感光層に、機能分離型の有機感光層の場合は電荷輸送層に、それぞれ無機粒子を含むことが好ましい。
但し、機能分離型の有機感光層の場合であって、かつ電荷輸送層が２層以上で構成される場合、無機保護層と接する面を構成する層（最上層）の電荷輸送層に、無機粒子を含むことが好ましい。なお、無機粒子の詳細については後述する。
【００７８】
以下、電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図３は、電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図４乃至図５はそれぞれ電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
【００７９】
図３に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により有機感光層が構成されている。
【００８０】
図４に示す電子写真感光体７Ｂは、図３に示す電子写真感光体７Ａと同様に電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離され、さらに電荷輸送層３が機能分離された機能分離型感光体である。また、図５に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型有機感光層６（電荷発生層／電荷輸送層））に含有するものである。
【００８１】
図４に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷発生層２、電荷輸送層３Ｂ、電荷輸送層３Ａ及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３Ａ、電荷輸送層３Ｂ及び電荷発生層２により有機感光層が構成されている。
【００８２】
図５に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型有機感光層６、無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。
【００８３】
なお、図３乃至図５に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。
【００８４】
以下、代表例として図３に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。
【００８５】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００８６】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００８７】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００８８】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００８９】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００９０】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００９１】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００９２】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００９３】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００９４】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００９５】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００９６】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００９７】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００９８】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００９９】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１００】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０１】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【０１０２】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【０１０３】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【０１０４】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【０１０５】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【０１０６】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【０１０７】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１０８】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１０９】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１１０】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【０１１１】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１１２】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１１３】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【０１１４】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１５】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１６】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１７】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１１８】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１１９】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から（１／２）λまでに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１２０】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１２１】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１２２】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１２３】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２４】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２５】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１２６】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１２７】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１２８】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１２９】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【０１３０】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１３１】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１３２】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１３３】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【０１３４】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【０１３５】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【０１３６】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０１３７】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１３８】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【０１３９】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１４０】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１４１】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１４２】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１４３】
（電荷輸送層）
−電荷輸送層の組成−
電荷輸送層は、電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂と、無機粒子と、を含んで構成される。
【０１４４】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
これらの中でも、電荷移動度の観点から、正孔輸送性化合物（ｐ型の電荷輸送性有機材料）が好ましい。
【０１４５】
正孔輸送性化合物（ｐ型の電荷輸送性有機材料）としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１４６】
【化１】
2017062421.tif 000003
【０１４７】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１４８】
【化２】
2017062421.tif 000004
【０１４９】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１５０】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ
−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１５１】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１５２】
（無機粒子）
電荷輸送層は、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、電荷輸送材料と共に、無機粒子を含むことが好ましい。
無機粒子の含有量は、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、電荷輸送層全体に対して４０質量％以上であることが好ましく、４２質量％以上であることがより好ましく、４４質量％以上であることがさらに好ましい。また、上限値は特に限定されないが、電荷輸送層の特性を確保する等の点から、９０質量％以下がよく、８５質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましい。
無機粒子の含有量を上記範囲とすることで、無機保護層の下地としての電荷輸送層の硬度が高まるため、転写ニップ部に大粒径のキャリア粒子が入り込んだ場合でも、感光体にかかる応力が低減されやすくなる。これにより、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制されやすくなる。
【０１５３】
無機粒子としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化チタン粒子、チタン酸カリウム、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子、硫酸バリウム粒子、酸化カルシウム粒子、炭酸カルシウム粒子、酸化マグネシウム粒子、などが挙げられる。
無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、シリカ粒子が好ましい。
【０１５４】
シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の悪化による画像欠陥の抑制（細線再現性の悪化の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子が望ましい。
【０１５５】
シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがよく、望ましくは４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より望ましくは５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、さらに望ましくは、５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
【０１５６】
シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。
【０１５７】
シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
【０１５８】
疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率（シリカ粒子中のＳｉＯ４−の結合におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉの率：以下「疎水化処理剤の縮合率」という）は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して９０％以上がよく、望ましくは９１％以上、より望ましくは９５％以上である。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
【０１５９】
疎水化処理剤の縮合率は、ＮＭＲで検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ４００でＳｉ  ＣＰ／ＭＡＳ  ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０−Ｓｉ）２−）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０−Ｓｉ）３−）、４置換（Ｓｉ（０−Ｓｉ）４−）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
【０１６０】
シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、１０１１Ω・ｃｍ以上がよく、望ましくは１０１２Ω・ｃｍ以上、より望ましくは１０１３Ω・ｃｍ以上である。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
【０１６１】
シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。疎水性シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρは疎水性シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、
Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは疎水性シリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ−Ｉ０）／Ｌ
【０１６２】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、具体的には、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合体型、又はその共重合体型）、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アクリル共重合体、アチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１６３】
−電荷輸送層の特性−
本実施形態において、電荷輸送層の無機保護層を設ける面側の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、５ｎｍ未満がよく、４．５ｎｍ以下が好ましく、４ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下がさらに好ましく、２．５ｎｍ以下がさらに好ましい。下限値としては、特に限定されないが、１ｎｍ以上であることがよく、１．２ｎｍ以上であることがよい。なお、１ｎｍは測定限界であり、１ｎｍ未満の測定は困難である。
【０１６４】
電荷輸送層の無機保護層を設ける面側の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は低いため、触針式表面粗さ測定機で測定するには限界がある。そこで、本実施形態では、上記表面粗さＲａの測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて行う。
具体的には、まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。この測定試料に対して、原子間力顕微鏡（ＳＩＩ社製、Ｎａｎｏｐｉｃｓ１０００）で、測定エリア：４００μｍ２，ＳＣＡＮＳＰＥＥＤ：６４０で測定解析し、スキャンエリア内の４角と中央の２５μｍ２内の算術平均表面粗さＲａを平均して算出する。
【０１６５】
電荷輸送層の弾性率は、例えば、５ＧＰａ以上がよく、望ましくは６ＧＰａ以上である。電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、無機粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
【０１６６】
電荷輸送層の弾性率は、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、ＭＴＳシステムズ社製  Ｎａｎｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いて測定する。
【０１６７】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下がよく、望ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下、より望ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下である。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
【０１６８】
−電荷輸送層の形成−
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１６９】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。
【０１７０】
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【０１７１】
（無機保護層）
−無機保護層の組成−
無機保護層は、無機材料を含んで構成された層である。
無機材料としては、保護層としての機械的強度、透光性を有するという観点から、例えば、酸化物系、窒化物系、炭素系、珪素系の無機材料が挙げられる。
酸化物系の無機材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫、酸化ホウ素等の金属酸化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
窒化物系の無機材料としては、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化亜鉛、窒化チタン、窒化インジウム、窒化錫、窒化ホウ素等の金属窒化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
炭素系及び珪素系の無機材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）、水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）、水素・フッ素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）、アモルファスシリコンカーバイト（ａ−ＳｉＣ）、水素化アモルファスシリコンカーバイト（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）等が挙げられる。
なお、無機材料は、酸化物系及び窒化物系の無機材料の混晶であってもよい。
【０１７２】
これらの中でも、無機材料としては、金属酸化物が、機械的強度、透光性に優れ、特にｎ型導電性を有し、その導電制御性に優れるという観点から望ましい。
金属酸化物の中でも、第１３族元素の酸化物（望ましくは酸化ガリウム）が好ましい。
また、無機材料としては、ガリウム（Ｇａ）を含む第１３族元素と酸素を含む無機材料が好ましい。
さらに、無機保護層は、ガリウム（Ｇａ）を含む第１３族元素と酸素を含むと共に、必要に応じて、水素を含んで構成されていてもよい。水素を含むことで、ガリウム（Ｇａ）を含む第１３族元素と酸素を含んで構成された無機保護層の諸物性が容易に制御され易くなる。例えば、ガリウム、酸素、及び水素を含む無機保護層（例えば、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層）において、組成比［Ｏ］／［Ｇａ］を１．０から１．５と変化させることで、１０９Ω・ｃｍ以上１０１４Ω・ｃｍの範囲で体積抵抗率の制御が実現され易くなる。
【０１７３】
無機保護層には、上記無機材料の他、導電型の制御のために、例えば、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
【０１７４】
ここで、無機保護層が、ガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された場合、機械的強度、透光性、柔軟性に優れ、その導電制御性に優れるという観点から、好適な元素構成比率は以下の通りである。
ガリウムの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１５原子％以上５０原子％以下であることがよく、望ましくは２０原子％以上４０原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３０原子％以下である。
酸素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、３０原子％以上７０原子％以下であることがよく、望ましくは４０原子％以上６０原子％以下、より望ましくは４５原子％以上５５原子％以下である。
水素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１０原子％以上４０原子％以下であることがよく、望ましくは１５原子％以上３５原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３０原子％以下である。
一方で、原子数比〔酸素／ガリウム〕は、１．５０を超え２．２０以下であることがよく、望ましくは１．６以上２．０以下である。
【０１７５】
ここで、無機保護層における各元素の元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング（以下、「ＲＢＳ」と称する）により求められる
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
【０１７６】
ＲＢＳ測定は、具体的には以下のように行う
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。  測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
【０１７７】
なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング（以下、「ＨＦＳ」と称する）により求められる。
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００を用い、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅ３０°
【０１７８】
ＨＦＳ測定は、Ｈｅ＋＋イオンビームに対して検出器が３０°に、試料が法線から７５°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するＨｅ原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてＳｉ中にＨをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
【０１７９】
−無機保護層の特性−
無機保護層は、目的に応じて、厚み方向に組成比に分布を有していてもよいし、多層構成からなるものであってもよい。
【０１８０】
無機保護層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが望ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に望ましいが、微結晶膜は硬度の点でより望ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
【０１８１】
無機保護層の体積抵抗率は、１０６Ω・ｃｍ以上であることがよく、望ましくは１０８Ω・ｃｍ以上である。
この体積抵抗率を上記範囲とすると、電荷が面内方向に流れることが抑制され、良好な静電潜像形成が実現され易くなる。
この体積抵抗率は、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１を用いて、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖの条件にて測定した抵抗値から、電極面積、試料厚みに基づき算出して求められる。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
【０１８２】
無機保護層の弾性率は３０ＧＰａ以上８０ＧＰａ以下であることがよく、望ましくは４０ＧＰａ以上６５ＧＰａ以下である。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製  Ｎａｎｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
【０１８３】
無機保護層の膜厚は、感光体表面の無機保護層の傷の発生を抑制する観点から、例えば、０．５μｍ以上がよく、０．７μｍ以上が望ましく、０．８μｍ以上がより望ましく、１．０μｍ以上がさらに望ましい。上限値は、電荷輸送層の特性を確保する観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましい。
【０１８４】
本実施形態における無機保護層表面の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、６ｎｍ以下がよく、５ｎｍ以下が望ましく、４ｎｍ以下がより望ましく、３．５ｎｍ以下がさらに望ましい。下限値としては、特に限定されないが、１ｎｍ以上であることがよく、１．２ｎｍ以上であることがよい。なお、１ｎｍは測定限界であり、１ｎｍ未満の測定は困難である。
【０１８５】
本実施形態の無機保護層表面の表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定する。
具体的には、まず、無機保護層を含む有機感光層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。この測定試料に対して、原子間力顕微鏡（ＳＩＩ社製、Ｎａｎｏｐｉｃｓ１０００）で、測定エリア：４００μｍ２，ＳＣＡＮＳＰＥＥＤ：６４０で測定解析し、スキャンエリア内の４角と中央の２５μｍ２内の算術平均表面粗さＲａを平均して算出する。
【０１８６】
−無機保護層の形成−
保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
【０１８７】
以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。
【０１８８】
図４は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図４（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す成膜装置のＡ１−Ａ２間における模式断面図を表す。図４中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。
【０１８９】
図４に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
【０１９０】
なお、図６に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図７に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図７は、図６に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図７中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図６中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図７中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。
【０１９１】
図６において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
【０１９２】
無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
【０１９３】
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管２１５、活性化手段である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
【０１９４】
無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、有機感光層を有する有機感光体を用いるので、１５０℃以下が望ましく、１００℃以下がより望ましく、３０℃以上１００℃以下が特に望ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は、加熱及び冷却手段（図中、不図示）の少なくとも一方によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
【０１９５】
また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを２種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
【０１９６】
また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ３，ＳｎＨ４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
【０１９７】
図６及び図７を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにＨ２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
【０１９８】
図６及び図７に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いたり、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
さらに、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、又は、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
【０１９９】
２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが望ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。
【０２００】
例えば、２種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図６に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。又は、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
【０２０１】
無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に基体上に有機感光層を形成した基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。
【０２０２】
また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが望ましい。また、出力は基体２１４の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．２Ｗ／ｃｍ２以下の範囲とすることが望ましい。基体２１４の回転速度は０．１ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の範囲が望ましい。
【０２０３】
以上、電子写真感光体として有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が単層型の例を説明したが、図４に示される電子写真感光体（有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が複層型の例）の場合、無機保護層５と接する電荷輸送層３Ａは図３に示す電子写真感光体の電荷輸送層３と同じ構成とする一方で、無機保護層５と接しない電荷輸送層３Ｂは周知の電荷輸送層と同じ構成とすることがよい。
但し、電荷輸送層３Ａの膜厚は、１μｍ以上１５μｍ以下とすることがよい。また、電荷輸送層３Ｂの膜厚は、１５μｍ以上２９μｍ以下とすることがよい。
【０２０４】
一方、図３に示される電子写真感光体（有機感光層が単層型の例）の場合、単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層）は、電子写真感光体の電荷輸送層３と電荷発生材料を含む以外は同じ構成とすることがよい。
但し、単層型有機感光層６中の電荷発生材料の含有量は、単層型有機感光層全体に対して、２５質量％以上５０質量％以下とすることがよい。
また、単層型有機感光層６の膜厚は、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることがよい。
【実施例】
【０２０５】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例において「部」は質量部を意味する。
【０２０６】
（無機粒子（シリカ粒子）の準備・作製）
−シリカ粒子（１）−
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＶＰ４０（製造元  アエロジル社製）」１００質量部に、疎水化処理剤としてトリメトキシシラン（「商品名：１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（製造元  東京化成社製）」）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これをシリカ粒子（１）とした。
【０２０７】
＜電子写真感光体（１）の作製＞
−下引層の作製−
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン０．６質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行いアリザリン付与酸化亜鉛を得た。
このアリザリン付与酸化亜鉛６０質量部と硬化剤（ブロック化イソシアネート  スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：１３．５質量部とブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）１５質量部をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部とメチルエチルケトン：２５質量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：４０質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径６０ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ１９μｍの下引層を得た。
【０２０８】
−電荷発生層の作製−
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０２０９】
−電荷輸送層の作製−
シリカ粒子（１）：２０質量部に、テトラヒドロフラン：９５質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながらＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＣＴ−１）：１０質量部、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：２００００）：１０質量部を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
【０２１０】
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、膜厚が２８μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２１１】
以上の工程を経て、アルミニウム基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した有機感光体（１）を得た。
【０２１２】
−無機保護層の形成−
次に、有機感光体（１）の表面へ、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層を形成した。この無機保護層の形成は、図６に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
【０２１３】
まず、有機感光体（１）を、成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を、圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。なお、この真空排気は、上記高濃度酸素含有気体の置換終了後、５分以内に行った。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（流量１．６ｓｃｃｍ）、及び水素ガス（流量５０ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図６中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力１５０Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量１．９ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５．３Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら６８分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に膜厚１．５μｍの無機保護層を形成した。
【０２１４】
以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層が順次形成された、電子写真感光体（１）を得た。
【０２１５】
＜電子写真感光体（２）〜（６）、電子写真感光体（Ｃ１）〜（Ｃ４）の作製＞
表１に従って、電荷輸送層に用いる電荷輸送材料の種類及び量、シリカ粒子の量、無機保護層に用いる無機材料の種類及び膜厚を変更した以外は、電子写真感光体（１）と同様にして、電子写真感光体（２）〜（６）、電子写真感光体（Ｃ１）〜（Ｃ４）を得た。
但し、無機保護層の膜厚については、成膜時間を変更することで、目的とする膜厚を得た。
【０２１６】
なお、表１及び後述する表３の略称の詳細は以下の通りである。
・ＣＴ：電荷輸送材料
・ＣＴ−１：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン
・ＣＴ−２：Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン
・ＣＴ−３：Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン
・ＣＴ−４：トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン
・ＣＴ−５：２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
【０２１７】
【表１】
2017062421.tif 000005
【０２１８】
（樹脂粒子分散液の調製）
・テレフタル酸  ：３０モル部
・フマル酸  ：７０モル部
・ビスフェノールＡエチレンオキサイド付加物  ：５モル部
・ビスフェノールＡプロピレンオキサイド付加物  ：９５モル部
攪拌装置、窒素導入管、温度センサ、及び精留塔を備えた内容量５リットルのフラスコに、上記の材料を仕込み、１時間を要して温度を２２０℃まで上げ、上記材料１００部に対してチタンテトラエトキシド１部を投入した。生成する水を留去しながら０．５時間を要して２３０℃まで温度を上げ、該温度で１時間脱水縮合反応を継続した後、反応物を冷却した。こうして、重量平均分子量１８，０００、酸価１５ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度６０℃のポリエステル樹脂（１）を合成した。
【０２１９】
温度調節手段及び窒素置換手段を備えた容器に、酢酸エチル４０部及び２−ブタノール２５部を投入し、混合溶剤とした後、ポリエステル樹脂（１）１００部を徐々に投入し溶解させ、ここに、１０質量％アンモニア水溶液（樹脂の酸価に対してモル比で３倍量相当量）を入れて３０分間攪拌した。
次いで、容器内を乾燥窒素で置換し、温度を４０℃に保持して、混合液を攪拌しながらイオン交換水４００部を２部／分の速度で滴下し、乳化を行った。滴下終了後、乳化液を室温（２０℃乃至２５℃）に戻し、攪拌しつつ乾燥窒素により４８時間バブリングを行うことにより、酢酸エチル及び２−ブタノールを１，０００ｐｐｍ以下まで低減させ、体積平均粒径２００ｎｍの樹脂粒子が分散した樹脂粒子分散液を得た。該樹脂粒子分散液にイオン交換水を加え、固形分量を２０質量％に調整して、樹脂粒子分散液とした。
【０２２０】
（着色剤分散液の調製）
・シアン顔料  Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １５：３（銅フタロシアニン  ＤＩＣ社製、商品名：ＦＡＳＴＯＧＥＮ  ＢＬＵＥ  ＬＡ５３８０）  ：７０部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬（株）製、ネオゲンＲＫ）  ：５部
・イオン交換水  ：２００部
上記の材料を混合し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社製ウルトラタラックスＴ５０）を用いて１０分間分散した。分散液中の固形分量が２０質量％となるようイオン交換水を加え、体積平均粒径１９０ｎｍの着色剤粒子が分散された着色剤分散液を得た。
【０２２１】
（離型剤分散液の調製）
・パラフィンワックス（日本精蝋（株）製  ＨＮＰ−９）      １００部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬（株）製、ネオゲンＲＫ）  １部
・イオン交換水                                            ３５０部
上記材料を混合して１００℃に加熱し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社製ウルトラタラックスＴ５０）を用いて分散した後、マントンゴーリン高圧ホモジナイザー（ゴーリン社製）で分散処理し、体積平均粒径２００ｎｍの離型剤粒子が分散された離型剤分散液（固形分量２０質量％）を得た。
【０２２２】
＜トナー粒子の作製＞
・樹脂粒子分散液  ：４２５部
・着色剤粒子分散液  ：２５部
・離型剤粒子分散液  ：５０部
・アニオン性界面活性剤（ＴａｙｃａＰｏｗｅｒ）  ：２部
【０２２３】
上記材料を丸型ステンレス製フラスコに入れ、０．１Ｎの硝酸を添加してｐＨを３．５に調整した後、ポリ塩化アルミニウム濃度が１０％の硝酸水溶液３０部を添加した。続いて、ホモジナイザー（ＩＫＡ社製ウルトラタラックスＴ５０）を用いて３０℃において分散した後、加熱用オイルバス中で４５℃まで加熱し３０分間保持した。その後、樹脂粒子分散液１００部を追加し１時間保持し、０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を添加してｐＨを８．５に調整した後、撹拌を継続しながら８５℃まで加熱し、５時間保持した。その後、２０℃／分の速度で２０℃まで冷却し、濾過し、イオン交換水で充分に洗浄し、乾燥させることにより、体積平均粒径６μｍのトナー粒子を得た。
【０２２４】
＜トナーの作製＞
トナー粒子１００部と、ジメチルシリコーンオイル処理シリカ粒子（日本アエロジル社製ＲＹ２００）１．０部とをヘンシェルミキサーを用いて混合し、トナーを得た。
【０２２５】
（キャリア（１）の作製）
・フェライト粒子（１）（数平均粒径Ｄ５０：３０μｍ）  ：  １００部
・トルエン  ：  １４部
・スチレン／メチルメタクリレート共重合体（共重合比１５／８５）  ：  ２部
・カーボンブラック  ：  ０．２部
【０２２６】
フェライト粒子（１）を除く上記成分をサンドミルにて分散して分散液を調製し、この分散液をフェライト粒子（１）とともに真空脱気型ニーダに入れ、攪拌しながら減圧し乾燥させることにより、キャリアを得た。
次いで、得られたキャリアを、風力分級機を用いて分級し、微粉を除去した（以下、微粉除去後のキャリアと称する）。次いで、目開き５０μｍの篩で篩分して、粒径５０μｍより大きいキャリア粒子を除去した。これにより、表２に示す数平均粒径Ｄ５０、最頻度の粒径、粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合（個数％）及び粒径２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合（個数％）を持つキャリア（１）を得た。
なお、表２及び後述する表３において、粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合（個数％）が「０個数％」とは、既述の方法により、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（ベックマン−コールター社製）を用いて測定した場合の検出限界未満であることを意味する。
【０２２７】
（キャリア（２）の作製）
キャリア（１）の作製において、数平均粒径Ｄ５０が３２μｍのフェライト粒子を用いたこと以外は、キャリア（１）と同様にして、キャリア（２）を得た。これにより、表２に示す数平均粒径Ｄ５０、最頻度の粒径、粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合（個数％）及び粒径２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合（個数％）を持つキャリア（２）を得た。
【０２２８】
（キャリア（１Ｃ）の作製）
キャリア（１）の作製において、数平均粒径Ｄ５０が３４μｍのフェライト粒子を用い、かつ分級・篩分を行わないこと以外は、キャリア（１）と同様にして、キャリア（１Ｃ）を得た。これにより、表２に示す数平均粒径Ｄ５０、最頻度の粒径、粒径５０μｍ以上のキャリア粒子が占める割合（個数％）及び粒径２０μｍ以下のキャリア粒子が占める割合（個数％）を持つキャリア（１Ｃ）を得た。
【０２２９】
【表２】
2017062421.tif 000006
【０２３０】
＜現像剤（１Ｃ）、（１）の作製＞
前記において作製したトナー及びキャリアを、それぞれ質量比８：９２の割合でＶブレンダーに入れ２０分間撹拌し、現像剤（１Ｃ）、（１）をそれぞれ得た。
【０２３１】
＜実施例１〜６、比較例Ｃ１〜Ｃ４＞
各例で得られた電子写真感光体を画像形成装置（富士ゼロックス社製：Ｄｏｃｕ  Ｃｅｎｔｒｅ  ＣｏｌｏｒＶ−５５７５）に装着した。また、各例で得られた現像剤（キャリア）を前記画像形成装置に搭載している現像装置の現像器内に充填した。
そして、表３に示す電子写真感光体と、現像剤とを組み合わせて、実施例１〜６、比較例Ｃ１〜Ｃ４の画像形成装置とし、以下の要領で各評価を行った。結果を表３に示す。
【０２３２】
＜評価＞
（クリーニング不良、及びフィルミングの評価）
１０℃、１５％ＲＨの環境下で、印字面積（エリアカバレッジ）５％、画像濃度３０％のハーフトーン画像をＡ３用紙に連続して３０万枚出力した後、光学顕微鏡（キーエンス社製：ＶＫ９５００）を用いて、感光体表面を２０箇所、視野観察し、以下の基準に従って、クリーニング不良、及びフィルミングを評価した。
−評価基準−
Ｇ１（○）：クリーニング不良、及びフィルミングの発生無し
Ｇ２（△）：クリーニング不良、及びフィルミングの少なくとも一方が１箇所発生
Ｇ３（×）：クリーニング不良、及びフィルミングの少なくとも一方が２箇所以上発生
【０２３３】
（クリーニング不良、及びフィルミング由来の画像評価）
上記のクリーニング不良、及びフィルミングの評価で出力した画像のうち、３０万枚目の画像について、上記感光体表面２０箇所に対応する位置に、画像筋が発生しているか否かを観察し、以下の基準に従って画像評価を行った。
−評価基準−
Ｇ１（○）：対応する２０箇所の位置に画像筋無し
Ｇ２（△）：対応する２０箇所の位置に画像筋が１つ発生
Ｇ３（×）：対応する２０箇所の位置に画像筋が２つ以上発生
【０２３４】
（感光体の傷の評価）
１０℃、１５％ＲＨの環境下で、印字面積（エリアカバレッジ）５％、をＡ４用紙に連続して３０万枚出力した。その後、光学顕微鏡（キーエンス社製：ＶＫ９５００）を用いて、感光体表面から選んだ１ｃｍ×３４ｃｍの範囲（以下、感光体表面の領域と称す）を視野観察し、以下の基準に従って、感光体の傷を評価した。
−評価基準−
Ｇ１（○）：感光体表面の領域に１ｍｍ以上の傷無し
Ｇ２（△）：感光体表面の領域に１ｍｍ以上の傷が１つ発生
Ｇ３（×）：感光体表面の領域に１ｍｍ以上の傷が２つ以上発生
【０２３５】
（感光体の傷由来の画像評価）
上記の感光体の傷の評価でＡ４用紙に連続して画像を３０万枚出力した後、画像濃度３０％のハーフトーン画像を出力し、このハーフトーン画像について、上記感光体表面の領域に対応する位置（領域）に、画像筋が発生しているか否かを観察し、以下の基準に従って画像評価を行った。
−評価基準−
Ｇ１（○）：対応する位置に画像筋無し
Ｇ２（△）：対応する位置に画像筋が１つ発生
Ｇ３（×）：対応する位置に画像筋が２つ以上発生
【０２３６】
【表３】
2017062421.tif 000007
【０２３７】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感光体表面の無機保護層の傷の発生が抑制されていることがわかる。
なお、感光体表面に無機保護層を有さない比較例１、４は、感光体の傷が発生しにくく、その傷由来の画像筋は発生しなかったが、クリーニング不良及びフィルミング由来の画像筋が発生することがわかった。
【符号の説明】
【０２３８】
１  下引層、２  電荷発生層、３、３Ａ、３Ｂ  電荷輸送層、４  導電性基体、５  無機保護層、７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ、２１０  成膜室、２１１  排気口、２１２  基体回転部、２１３  基体支持部材、２１４  基体、２１５、２２０  ガス導入管、２１６  シャワーノズル、２１７  プラズマ拡散部、２１８  高周波電力供給部、２１９  平板電極、２２１  高周波放電管部、２２２  高周波コイル、２２３  石英管、
【図６】
2017062421.tif 000008
【図１】
2017062421.tif 000009
【図２】
2017062421.tif 000010
【図３】
2017062421.tif 000011
【図４】
2017062421.tif 000012
【図５】
2017062421.tif 000013
【図７】
2017062421.tif 000014