(57)【要約】      （修正有）【課題】成膜性に優れたトルクセン誘導体及び該トルクセン誘導体を含む有機電界発光素子の提供。【解決手段】式（１）で表されるトルクセン誘導体。2017039693.tif 000021（Ｒ１〜Ｒ６は夫々独立にＨ、置換／無置換の直鎖／分岐状／環状のＣ１〜１６アルキル、置換／無置換の環形成Ｃ３〜３６のアリール等；Ｘ1は置換／無置換のジベンゾフラニル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はフルオレニル；Ｘ2及びＸ3は夫々独立に、Ｈ、置換／無置換のジベンゾフラニル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はフルオレニル）【選択図】図１
2017039693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるトルクセン誘導体。
【化１】
2017039693.tif 000020
上記一般式（１）において、
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３６のアリール基または置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３２のヘテロシクリル基であり、
Ｘ1は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基であり、
Ｘ2およびＸ3は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
【請求項２】
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、同一の基である、請求項１に記載のトルクセン誘導体。
【請求項３】
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、互いに独立して、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基であり、かつ
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、それぞれ、そのベンゼン環部位においてトルクセン骨格と結合している、請求項１または２に記載のトルクセン誘導体。
【請求項４】
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のトルクセン誘導体。
【請求項５】
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、炭素原子数１〜７の直鎖状のアルキル基、フェニル基またはアルキルフェニル基である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトルクセン誘導体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のトルクセン誘導体を含む、有機電界発光素子。
【請求項７】
発光層、正孔輸送層および／または正孔注入層を有し、
前記発光層、前記正孔輸送層および／または前記正孔注入層は、前記トルクセン誘導体を含む、請求項６に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トルクセン誘導体および有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が進められている。また、有機電界発光表示装置に使用される自発光型の発光素子である有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）の開発も盛んに行われている。
【０００３】
有機電界発光素子の構造としては、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層および陰極を順に積層した構造が知られている。このような有機電界発光素子では、まず、陽極および陰極から注入された正孔および電子が発光層中において再結合することで励起子を生成し、続いて、生成された励起子が基底状態に遷移することにより発光が行われる。
【０００４】
ここで、有機電界発光素子の性能を向上させるために、各層の材料として様々な化合物が検討されている。例えば、特許文献１〜３には、有機電界発光素子の各層の構成材料として使用可能なトルクセン（Ｔｒｕｘｅｎｅ）誘導体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／００５６２６号
【特許文献２】特開２００６−１３５１４６号公報
【特許文献３】特開２００３−２６１４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１〜３に開示されたトルクセン誘導体は、塗布法によって層を形成する際の成膜性が十分ではなかった。層を形成する際の成膜性が不十分である場合、層の表面に凹凸が生じてしまい、層厚が不均一となり、これに起因して様々な問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらが生じ得る。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは層を形成する際の成膜性に優れたトルクセン誘導体、および該トルクセン誘導体を含む有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、下記一般式（１）で表されるトルクセン誘導体が提供される。
【化１】
2017039693.tif 000003
上記一般式（１）において、
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３６のアリール基または置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３２のヘテロシクリル基であり、
Ｘ1は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基であり、
Ｘ2およびＸ3は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
【０００９】
この観点によれば、層を形成する際の成膜性に優れたトルクセン誘導体を提供することができる。
【００１０】
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、同一の基であってもよい。
【００１１】
この観点によれば、トルクセン誘導体の成膜性をより一層向上させることができるとともに、同トルクセン誘導体の製造が比較的容易となる。
【００１２】
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、互いに独立して、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基であり、かつ
Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は、それぞれ、そのベンゼン環部位においてトルクセン骨格と結合していてもよい。
【００１３】
この観点によれば、トルクセン誘導体中のトルクセン骨格とＸ1、Ｘ2およびＸ3との間に共役系が形成され、トルクセン誘導体の電子供与能が高いものとなる。
【００１４】
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基であってもよい。
【００１５】
この観点によれば、トルクセン誘導体の成膜性をより一層向上させることができる。
【００１６】
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、炭素原子数１〜７の直鎖状のアルキル基、フェニル基またはアルキルフェニル基であってもよい。
【００１７】
この観点によれば、トルクセン誘導体の成膜性をより一層向上させることができる。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記のトルクセン誘導体を含む、有機電界発光素子が提供される。
【００１９】
この観点によれば、有機電界発光素子中の上記トルクセン誘導体を含む層が表面の凹凸が少ないものとなるため、有機電界発光素子の各層の不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止することができる。
【００２０】
前記有機電界発光素子は、発光層、正孔輸送層および／または正孔注入層を有し、前記発光層、前記正孔輸送層および／または前記正孔注入層は、前記トルクセン誘導体を含んでいてもよい。
【００２１】
この観点によれば、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止し、投入した電力を無駄なく発光に使用することが可能となり、この結果、有機電界発光素子の発光効率を比較的高いものとすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明によれば、層を形成する際の成膜性に優れたトルクセン誘導体、および該トルクセン誘導体を含む有機電界発光素子を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
【００２５】
＜１．トルクセン誘導体＞
まず、本発明の一実施形態に係るトルクセン誘導体について説明する。本実施形態に係るトルクセン誘導体は、下記の一般式（１）で表される化合物である。
【００２６】
【化２】
2017039693.tif 000004
【００２７】
上記一般式（１）において、
Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３６のアリール基または置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３２のヘテロシクリル基である。
【００２８】
Ｘ1は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル（ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基、置換もしくは無置換のカルバゾリル（Ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）基または置換もしくは無置換のフルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基である。
【００２９】
Ｘ2およびＸ3は、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル（ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基、置換もしくは無置換のカルバゾリル（Ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）基または置換もしくは無置換のフルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基である。
【００３０】
本実施形態に係るトルクセン誘導体は、形成される膜において非晶性の構造を有する。このため、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、塗布法等で層を形成する際の成膜性に優れており、表面の凹凸の少ない膜を形成することが可能である。したがって、有機電界発光素子の各層の不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止することができる。
【００３１】
また、本実施形態に係るトルクセン誘導体は形成される膜において非晶性の構造を有することから、形成される膜は、可撓性を有し、基板等への追従性に優れるものとなる。したがって、トルクセン誘導体は、フレキシブルな有機電界発光装置における使用に適している。
【００３２】
さらに、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、一般式（１）で表すように、そのトルクセン骨格にジベンゾフラニル基等の特定のベンゾヘテロール（Ｂｅｎｚｏｈｅｔｅｒｏｌｅ）環またはフルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基が結合している。一般的にはトルクセン骨格を有する化合物は正孔輸送能および／または正孔注入能を有するが、このような基は、適度な電子供与能をトルクセン誘導体に与え、この結果、トルクセン誘導体はバイポーラ性を有する。そしてこのようなトルクセン誘導体を有機電界発光素子に用いた場合、素子内の正孔と電子の電荷バランスが適切に調節され、有機電界発光素子の発光効率が優れたものとなる。
【００３３】
また、Ｘ1〜Ｘ3は、トルクセン骨格の所定の位置に結合していることにより、トルクセン誘導体内における立体的な込み合いの程度が比較的低いものとなり、この結果、トルクセン誘導体は化学的に安定なものとなる。
【００３４】
本実施形態に係るトルクセン誘導体は、これに限定されないが、有機電界発光素子中の発光層のホスト材料、正孔輸送材料および正孔注入材料としての使用に特に適している。
【００３５】
上述した一般式（１）中のＲ1〜Ｒ6における直鎖状、分岐状または環状のアルキル基の炭素数は、上述した範囲内であればよいが、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜７である。特に、上記直鎖状または分岐状アルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくは１〜４である。また特に、上記環状アルキル基の炭素原子数は、上述した範囲内であればよいが、好ましくは３〜７であり、より好ましくは４〜７である。また、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基のうち、直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましく、直鎖状アルキル基がより好ましい。
【００３６】
また、Ｒ1〜Ｒ6における直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、特に限定されないが、例えば、メチル（ｍｅｔｈｙｌ）基、エチル（ｅｔｈｙｌ）基、プロピル（ｐｒｏｐｙｌ）基、ブチル（ｂｕｔｙｌ）基、オクチル（ｏｃｔｙｌ）基、デシル（ｄｅｃｙｌ）基、ペンタデシル（ｐｅｎｔａｄｅｃｙｌ）基等の直鎖状アルキル基、およびｔ−ブチル基等の分枝状アルキル基、シクロブチル（ｃｙｃｌｏｂｕｔｙｌ）基、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基、シクロヘキシル（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）基、シクロヘプチル（ｃｙｃｌｏｈｅｐｔｙｌ）基などのシクロアルキル（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌ）基を挙げることができる。
【００３７】
Ｒ1〜Ｒ6における直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基の炭素原子数は、上述した範囲内であればよいが、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜７であり、さらに好ましくは１〜６であり、より一層好ましくは１〜４である。また、直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基のうち、直鎖状アルコキシ基が好ましい。また、上記アルコキシ基としては、特に限定されないが、例えば、メトキシ（ｍｅｔｈｏｘｙ）基、エトキシ（ｅｔｈｏｘｙ）基、プロポキシ（ｐｒｏｐｏｘｙ）基、ブトキシ（ｂｕｔｏｘｙ）基、オクチルオキシ（ｏｃｔｙｌｏｘｙ）基、デシルオキシ（ｄｅｃｙｌｏｘｙ）基、ペンタデシルオキシ（ｐｅｎｔａｄｅｃｙｌｏｘｙ）基等の直鎖状アルコキシ基およびｔ−ブトキシ（ｔ−ｂｕｔｏｘｙ）基等の分岐状アルコキシ基を挙げることができる。
【００３８】
上記アリール基の環形成炭素原子数は、上述した範囲内であればよいが、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１２、さらに好ましくは４〜７である。また、アリール基としては、例えば、フェニル（ｐｈｅｎｙｌ）基などの単環式芳香族基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、ターフェニル（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）基、フルオランテニル（ｆｌｕｏｒｏａｎｔｈｅｎｙｌ）基、トリフェニレニル（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌ）基などの非縮合多環式芳香族基、ナフチル（ｎａｐｈｔｙｌ）基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、インデニル（ｉｎｄｅｎｙｌ）基、ピレニル（ｐｙｒｅｎｙｌ）基、アセトナフテニル（ａｃｅｔｏｎａｐｈｔｅｎｙｌ）基などの縮合多環式芳香族基などを挙げることができる。
【００３９】
上記ヘテロシクリル基の環形成炭素原子数は、上述した範囲内であればよいが、好ましくは４〜１８であり、より好ましくは５〜１２である。ヘテロシクリル基としては、例えば、ヘテロアリール基および非芳香族性ヘテロシクリル基が挙げられる。
【００４０】
ヘテロアリール基としては、例えば、ピリジル（ｐｙｒｉｄｙｌ）基、フラニル（ｆｕｒａｎｙｌ）基、ピラニル（ｐｙｒａｎｙｌ）基、チエニル（ｔｈｉｅｎｙｌ）基、キノリル（ｑｕｉｎｏｌｙｌ）基およびイソキノリル（ｉｓｏｑｕｉｎｏｌｙｌ）基などの単環式ヘテロアリール基や、ベンゾフラニル（ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、ベンゾチエニル（ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基、インドリル（ｉｎｄｏｌｙｌ）基、カルバゾリル（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾオキサゾリル（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾチアゾリル（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌ）基、キノキサリル（ｑｕｉｎｏｘａｌｙｌ）基、ベンゾイミダゾリル（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）基、ピラゾリル（ｐｙｒａｚｏｌｙｌ）基、ジベンゾフラニル（ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、およびジベンゾチエニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基などの多環式ヘテロアリール基を挙げることができる。
【００４１】
非芳香族性ヘテロシクリル基としては、例えば、ピロリジニル（ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｙｌ）基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロチオフェニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）基、テトラヒドロピラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロチオピラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｔｈｉｏｐｙｒａｎｙｌ）基、ピペリジニル（ｐｉｐｅｒｉｄｉｎｙｌ）基、１，４−ジオキサニル（ｄｉｏｘａｎｙｌ）基、１，４−オキサチアニル（ｏｘａｔｈｉａｎｙｌ）基、モルホリニル（ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｙｌ）基、１，４−ジチアニル（ｄｉｔｈｉａｎｙｌ）基、ピペラジニル（ｐｉｐｅｒａｚｉｎｙｌ）基、１，４−アザチアニル（ａｚａｔｈｉａｎｙｌ）基などを挙げることができる。
【００４２】
Ｒ1〜Ｒ6は、以上説明したものであればよいが、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜７の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基であることが好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状のアルキル基、フェニル基またはアルキルフェニル基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、フェニル基またはメチルフェニル基であることがさらに好ましい。
【００４３】
Ｘ2およびＸ3は、上記一般式（１）において定義される基であればよいが、好ましくは、互いに独立して、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基または置換もしくは無置換のフルオレニル基である。これにより、トルクセン誘導体の電子供与能を十分なものとすることができる。特に、トルクセン誘導体が発光層に含まれる場合、発光層への正孔注入性のみならず電子注入性を優れたものとすることができる。
【００４４】
また、この場合において、Ｘ1〜Ｘ3は、これらのうちいずれか１つ、好ましくは２つ、より好ましくは全てが、ベンゼン環部位においてトルクセン骨格と結合している。これにより、トルクセン誘導体中のトルクセン骨格とＸ1〜Ｘ3との間に共役系が形成され、トルクセン誘導体の電子供与能が高いものとなる。
【００４５】
より具体的には、上記の場合、Ｘ1〜Ｘ3は、置換もしくは無置換のジベンゾフラン−１−、−２−、−３−もしくは−４−イル、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン−１−、−２−、−３−もしくは−４−イル、置換もしくは無置換のカルバゾール−１−、−２−、−３−もしくは−４−イル、または置換もしくは無置換のフルオレン−１−、−２−、−３−もしくは−４−イルである。Ｘ1〜Ｘ3は、好ましくは、置換もしくは無置換のジベンゾフラン−２−もしくは−４−イル、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン−２−もしくは−４−イル、置換もしくは無置換のカルバゾール−３−イルまたは置換もしくは無置換のフルオレン−２−もしくは−４−イルである。
【００４６】
また、Ｘ1〜Ｘ3は、ベンゼン環部位においてトルクセン骨格と結合していなくてもよい。具体的には、Ｘ1〜Ｘ3は、置換もしくは無置換のカルバゾール−９−イルまたは置換もしくは無置換のフルオレン−９−イルであってもよい。
【００４７】
Ｘ1〜Ｘ3は、互いに異なるものであってもよいが、これらのうちいずれか２以上が同一の基であることが好ましく、全てが同一の基であることがより好ましい。これにより、トルクセン誘導体の構造が安定化されるとともに、トルクセン誘導体を製造することが比較的容易かつ簡便となる。
【００４８】
Ｘ1〜Ｘ3およびＲ1〜Ｒ6の各基において置換可能な置換基としては、特に限定されないが、例えば、シアノ（ｃｙａｎｏ）基、シリル（ｓｉｌｙｌ）基、炭素原子数１〜１０のモノ（ｍｏｎｏ−）、ジ（ｄｉ−）もしくはトリアルキルシリル（ｔｒｉ−ａｌｋｙｌｓｉｌｙｌ）基、炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル（ａｌｋｙｌ）基、炭素原子数１〜１６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ（ａｌｋｏｘｙ）基、環形成炭素数６〜３６のアリール（ａｒｙｌ）基および環形成炭素数３〜３２のヘテロシクリル（ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｙｌ）基などが挙げられる。なお、Ｘ1〜Ｘ3およびＲ1〜Ｒ6の各基において上記の置換基は、無置換である場合のＸ1〜Ｘ3およびＲ1〜Ｒ6における水素原子と置換する。また、Ｘ1〜Ｘ3およびＲ1〜Ｒ6の各基において２以上の水素原子が置換される場合には、置換基と当該置換基が結合する原子を含んで、環状アルキル基、アリール基および／またはヘテロシクリル基が形成されてもよい。また、この場合において、置換基は、トルクセン骨格と縮合する構造を形成するものであってもよい。
【００４９】
また、各置換基の具体例、好ましい炭素原子数等は、特に限定されないが、上述したＲ1〜Ｒ6の各基と同様であることができる。特に、Ｘ1〜Ｘ3の置換基は、置換基毎に互いに独立して、炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル（ａｌｋｙｌ）基または環形成炭素数４〜１８のアリール（ａｒｙｌ）基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基またはＸ1〜Ｘ3のベンゼン環とともに形成される縮合ベンゼン環であることがより好ましく、メチル基またはフェニル基であることがさらに好ましい。
また、置換基は、Ｘ1〜Ｘ3およびＲ1〜Ｒ6の各基のいずれの部位に置換してもよい。
【００５０】
ここで、上述した本実施形態に係るトルクセン誘導体の具体例である化合物１〜２９の構造式を以下に示す。また、以下で示す化合物１〜２９のうち、特に、化合物１、１８、２２、２４が好ましい。ただし、本実施形態に係るトルクセン誘導体が以下の化合物に限定されるわけではない。
【００５１】
【化３】
2017039693.tif 000005
【００５２】
【化４】
2017039693.tif 000006
【００５３】
【化５】
2017039693.tif 000007
【００５４】
【化６】
2017039693.tif 000008
【００５５】
以上にて、本実施形態に係るトルクセン誘導体について詳細に説明した。本実施形態に係るトルクセン誘導体は、形成される膜において非晶性の構造を有するため、成膜性に優れており、表面の凹凸の少ない膜を形成することが可能である。さらに形成される膜は可撓性を有し、基板等への追従性に優れるものとなる。また、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、適度なバイポーラ性を有するとともに、正孔注入能および正孔輸送能に優れている。したがって、本実施形態に係るトルクセン誘導体を正孔輸送材料、正孔注入材料および／または発光層のホスト材料として用いることにより、有機電界発光素子内の電荷バランスを好適に調整し、有機電界発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００５６】
なお、本実施形態に係るトルクセン誘導体の製造方法としては、特に限定されず、公知の方法等により製造可能である。
【００５７】
＜２．有機電界発光素子＞
次に、図１を参照しながら、本実施形態に係るトルクセン誘導体を用いた有機電界発光素子について、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す模式図である。
【００５８】
図１に示すように、本実施形態に係る有機電界発光素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。
【００５９】
本実施形態に係るトルクセン誘導体は、例えば、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０および／または発光層１５０に含まれてもよい。これにより、トルクセン誘導体が含まれる層が平坦かつ均一なものとなる。このため、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止し、投入した電力を無駄なく発光に使用することが可能となりこの結果、有機電界発光素子１００の発光効率を比較的高いものとすることができる。好ましくは、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、発光層１５０に含まれる。ただし、本実施形態に係るトルクセン誘導体が含まれる層は、上記に限定されない。例えば、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、第１電極１２０と第２電極１８０との間のいずれかの有機層に含まれていてもよい。
【００６０】
基板１１０は、一般的な有機電界発光素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス基板、半導体基板、または透明なプラスチック基板等であってもよい。
【００６１】
基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、例えば、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって透過型電極として形成される。具体的には、第１電極１２０は、透明であり、導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層した反射型電極として形成されてもよい。
【００６２】
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。
【００６３】
ここで、正孔注入層１３０は、本実施形態に係るトルクセン誘導体で形成されてもよい。また、本実施形態に係るトルクセン誘導体が他の層に含まれる場合、正孔注入層１３０は、例えば、以下の構造式で表される化合物や、公知の正孔輸送材料等にて形成されてもよい。
【化７】
2017039693.tif 000009
【００６４】
また、正孔注入層１３０を形成可能な公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等のフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、およびポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等を挙げることができる。
【００６５】
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。なお、正孔輸送層１４０は複数層にて形成されてもよい。
【００６６】
ここで、正孔輸送層１４０は、本実施形態に係るトルクセン誘導体を含んで形成されてもよい。また、本実施形態に係るトルクセン誘導体が他の層に含まれる場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、およびＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等を挙げることができる。
【００６７】
正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さにて形成される。発光層１５０は、例えば、ドーパント材料およびホスト材料の混合層として形成されてもよい。具体的には、発光層１５０は、ドーパント材料をホスト材料の総質量に対して０．１〜５０質量％、好ましくは０．１〜２０質量％でドープした混合層として形成されてもよい。
【００６８】
発光層１５０に含まれるホスト材料およびドーパント材料は、公知のホスト材料およびドーパント材料ならば、いずれも使用することが可能である。例えば、発光層１５０は、フルオランテン誘導体、ピレン（及びその誘導体）、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン（及びその誘導体）、クリセン誘導体、またはスチリル誘導体等をホスト材料またはドーパント材料として含んでもよい。より具体的には、発光層１５０は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ｄｍＣＢＰ）、ビス（２，２−ジフェニルビニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、１，４−ビス（２−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）ビニル）ベンゼン（ＢＣｚＶＢ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−（（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル）スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６−（（Ｅ）−４−（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン−２−イル）ビニル）フェニル）−Ｎ−フェニルベンゼンアミン（Ｎ−ＢＤＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、１，１−ジピレン（１，１−ｄｉｐｙｒｅｎｅ）、１，４−ジピレニルベンゼン（１，４−ｄｉｐｙｒｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ピレン（１，４−ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｙｒｅｎｅ）などをホスト材料またはドーパント材料として含んでもよい。
【００６９】
また、発光層１５０は、特定の色の光を発する層として形成されてもよい。例えば、発光層１５０は、赤色発光層、緑色発光層、または青色発光層として形成されてもよい。
【００７０】
発光層１５０が青色発光層である場合、公知の青色ドーパントを使用することができる。例えば、青色ドーパントとして、ペリレン（ｐｅｒｌｅｎｅ）およびその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）等のイリジウム（Ｉｒ）錯体などを使用することができる。
【００７１】
また、発光層１５０が赤色発光層である場合、公知の赤色ドーパントを使用することができる。例えば、赤色ドーパントとして、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）2（ａｃａｃ））等のイリジウム錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを使用することができる。
【００７２】
さらに、発光層１５０が緑色発光層である場合、公知の緑色ドーパントを使用することができる。例えば、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）およびその誘導体、トリス[２−(パラ−トリル)ピリジン]イリジウム（Ｔｒｉｓ［２−（ｐ−ｔｏｌｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ］ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）3）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）等のイリジウム錯体などを使用することができる。
【００７３】
また、ホスト材料は、本実施形態に係るトルクセン誘導体を含んでいてもよい。また、本実施形態に係るトルクセン誘導体が他の層に含まれる場合、ホスト材料は、公知のホストにて形成されてもよい。
【００７４】
なお、ホスト材料は、２種以上の化合物の混合物であってもよい。例えば、有機電界発光素子１００の電荷バランスを整えるために、ホスト材料は、ホスト材料の主成分となる化合物に加えて、電子輸送能または正孔輸送能を有する化合物を含むことができる。
【００７５】
より具体的には、発光層１５０が、ホスト材料の主成分として本実施形態に係るトルクセン誘導体を含む場合に、電子輸送能を有する化合物をホスト材料としてさらに含んでもよい。これにより、有機電界発光素子１００の電荷バランスがより一層整ったものとなり、発光効率が向上する。このような電子輸送能を有する化合物は、特に限定されず、例えば上述したホスト材料として用いることのできる化合物の他、後述する電子輸送材料から選択される。ホスト材料として使用可能な電子輸送能を有する化合物の好ましい例としては、特に限定されないが、キノリノール誘導体、イミダゾール誘導体、ピリジン誘導体が挙げられ、より具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェニル−３−イル］ビフェニル等が挙げられる。
【００７６】
また、このような場合において、ホスト材料は、本実施形態に係るトルクセン誘導体と電子輸送能を有する化合物とを、質量比でトルクセン誘導体：電子輸送能を有する化合物＝２０：１〜１：４、好ましくは１０：１〜１：１の割合で含む。
【００７７】
発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さにて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、以下の構造式で表される化合物等にて形成されてもよい。
【００７８】
【化８】
2017039693.tif 000010
【００７９】
また、電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体、１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅのようなピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環を含む化合物、２，４，６−ｔｒｉｓ（３’−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅのようなトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）環を含む化合物、２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅのようなイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）環を含む化合物等を挙げることができる。
【００８０】
電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍの厚さにて形成される。電子注入層１７０は、電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、リチウム８−キノリナート（Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のＬｉ錯体、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。
【００８１】
電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、例えば、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいもので反射型電極として形成される。第２電極１８０は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等の金属の混合物で形成されてもよい。また、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜や、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛などの透明導電性膜によって透過型電極として形成されてもよい。
【００８２】
なお、上述した各層は、真空蒸着法、スパッタ法、各種塗布法など材料に応じた公知の適切な成膜方法によって形成することができる。第１電極１２０および第２電極１８０の間に配置された各有機層は、例えば、各種蒸着法、各種塗布法等で形成することができる。ここで、一般式（１）で表されるトルクセン誘導体は、一般に結晶が生じやすい塗布法においても非晶性の膜を形成することができ、平滑な層を形成することができる。このため、当該トルクセン誘導体を含む層は、塗布法により形成された際に従来の化合物を用いて形成された場合と比較して、特に優れた平滑性、層の均一性を有するものとなる。また、第１電極１２０および第２電極１８０等の各金属層は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法等で形成することができる。
【００８３】
以上、本実施形態に係る有機電界発光素子１００の一例について説明した。有機電界発光素子１００中の本実施形態に係るトルクセン誘導体を含む層は、表面の凹凸が少ないものとなるため、有機電界発光素子１００の各層の不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止することができる。また、本実施形態に係る有機電界発光素子１００は、一般式（１）で表されるトルクセン誘導体を含むことにより、有機電界発光素子１００内の電荷バランスが好適に調整されており、発光効率が優れたものとなる。
【００８４】
次に本発明の他の実施形態に係る有機電界発光素子について説明する。図２は、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す模式図である。図２に示すように有機電界発光素子１００Ａは、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された発光層１５０Ａと、発光層１５０Ａ上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。
【００８５】
ここで、基板１１０、第１電極１２０、正孔注入層１３０、電子注入層１７０および第２電極１８０は、有機電界発光素子１００の対応する各部材と同一の構成を有するため、説明を省略する。
【００８６】
発光層１５０Ａは、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約２００ｎｍ、好ましくは１〜１００ｎｍの厚さにて形成される。ここで、発光層１５０Ａは、上述したトルクセン誘導体を含む。発光層１５０Ａは、例えば、ドーパント材料およびホスト材料の混合層として形成されてもよい。具体的には、発光層１５０は、ドーパント材料をホスト材料の総質量に対して０．１〜５０質量％、好ましくは０．１〜２０質量％でドープした混合層として形成されてもよい。この場合、例えばトルクセン誘導体は、ホスト材料として用いられることができる。
【００８７】
なお、ホスト材料は、上述したトルクセン誘導体に加え、他の化合物を含んでもよい。発光層１５０Ａは、例えば、電子輸送能を有する化合物をホスト材料としてさらに含んでもよい。これにより、有機電界発光素子１００の電荷バランスがより一層整ったものとなり、発光効率が向上する。このような電子輸送能を有する化合物は、発光層１５０において説明したものと同様とすることができ、またホスト材料中の上述したトルクセン誘導体と当該化合物との割合も、同様とすることができる。
【００８８】
以上、本実施形態に係る有機電界発光素子１００Ａの一例について説明した。本実施形態に係る有機電界発光素子１００Ａは、発光層１５０Ａの表面の凹凸が少ないものとなるため、有機電界発光素子１００Ａの発光層１５０Ａの不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらが防止されている。また、本実施形態に係る有機電界発光素子１００Ａは、一般式（１）で表されるトルクセン誘導体を含むことにより、有機電界発光素子１００Ａ内の電荷バランスが好適に調整されたものとなり、発光効率が優れたものとなる。
【００８９】
なお、本実施形態に係る有機電界発光素子１００、１００Ａの積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機電界発光素子１００、１００Ａは、公知の他の積層構造にて形成されてもよい。例えば、有機電界発光素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０のうち１層以上を備えていなくともよく、また、他の層を備えていてもよい。さらに、有機電界発光素子１００、１００Ａの各層は、単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
【００９０】
また、有機電界発光素子１００は、三重項励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層を備えていてもよい。正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、または、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等によって形成することができる。
【実施例】
【００９１】
以下では、実施例および比較例を参照しながら、本実施形態に係るトルクセン誘導体、および該トルクセン誘導体を含む有機電界発光素子について具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、あくまでも一例であって、本実施形態に係るトルクセン誘導体および有機電界発光素子が下記の例に限定されるものではない。
【００９２】
［トルクセン誘導体の合成］
まず、以下に説明するような方法に従って、トルクセン誘導体を合成した。
【００９３】
（Ａ）原料
出発原料および合成に使用した試薬および溶媒は、すべて市販の試薬グレードのものを精製することなく用いた。また、脱水テトラヒドロフラン（脱水ＴＨＦ）は、市販のものを購入し、そのまま用いた。また、カラムクロマトグラフィーに用いる充填剤として、関東化学社製球状シリカゲル（中性）を用いた。
【００９４】
なお、３，８，１３−トリブロモ１０，１５−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ａ：１’，２’−ｃ］フルオレンは、Ｂ．Ｇｏｍｅｚ−Ｌｏｒ，ｅｔ  ａｌ．，  Ｅｕ．  Ｊ．  Ｏｒｇ．  Ｃｈｅｍ．  ２００１，  ２１０７−２１１４に記載の方法を参考にして合成した。
【００９５】
（Ｂ）同定手法
合成した各化合物について、プロトン核磁気共鳴（1Ｈ  ＮＭＲ）分光法および質量分析（マス（ＭＳ）スペクトル）を用いて同定を行った。1Ｈ  ＮＭＲスペクトルの測定には、Ｊｅｏｌ  ＪＮＭ−ＥＣＸ４００分光光度計（４００ＭＨｚ）またはＪｅｏｌ  ＪＮＭ−ＥＣＳ４００分光光度計（４００ＭＨｚ）を用いた。ＭＳスペクトルの測定については、α−シアノ−４−ヒドロキシケイ皮酸（ＣＨＣＡ）をマトリックスとしてマトリックス支援レーザー脱離イオン化法（ＭＡＬＤＩ法）で試料をイオン化し、飛行時間（ＴＯＦ）型質量分析計によってＭＳスペクトルを測定した（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳスペクトル）。なお、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ測定は、Ｓｈｉｍａｄｚｕ−Ｋｒａｔｏｓ  ＡＸＩＭＡ−ＣＦＲ  ＰＬＵＳ  ＴＯＦ  Ｍａｓｓ質量分析装置を用いて行った。
【００９６】
（Ｃ）合成
（合成例１）Ｐｈ３−Ｔｒの合成（比較例）
以下に説明する手順に従い、下記化学式で表される化合物（Ｐｈ３−Ｔｒ）を合成した。
【化９】
2017039693.tif 000011
【００９７】
（ｉ）Ｂｒ３−Ｔｒの合成
まず、Ｐｈ３−Ｔｒの合成に先立ち、Ｐｈ３−Ｔｒの合成における中間体であるＢｒ３−Ｔｒを以下のスキームに沿って合成した。
【化１０】
2017039693.tif 000012
【００９８】
５０ｍＬ二口フラスコをドライアップし、窒素雰囲気下で３，８，１３−トリブロモ１０，１５−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ａ：１’，２’−ｃ］フルオレン（別称；３，８，１３−トルクセン）（１１６ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）を加えた混合溶液を氷浴中で撹拌した。次いで混合溶液にｔ−ブトキシカリウム（１８０ｍｇ、１．６０ｍｍｏｌ）を加えた。この時、混合溶液は淡黄色から濃赤色へ変化した。１時間撹拌後、ヨードメタン（２８３ｍｇ、２．００ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、さらに２時間撹拌した。次に、先と同様の手順でｔ−ブトキシカリウム（１８０ｍｇ、１．６０ｍｍｏｌ）およびヨードメタン（２８３ｍｇ、２．００ｍｍｏｌ）を加え、氷浴を取り除いた後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、エバポレーターで反応混合物から溶媒を取り除き、反応混合物にクロロホルムを加え、濾過により不溶物を取り除いた。ろ液を再びエバポレーターで濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム／ヘキサン＝１／２、体積比）により精製し、象牙色の粉末としてのＢｒ３−Ｔｒ（７５．０ｍｇ、０．１１３ｍｍｏｌ、５７％）を得た。
【００９９】
1Ｈ  ＮＭＲ（４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ８．３６（ｄ，  Ｊ  ＝  １．８  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．５１（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．９  ａｎｄ  １．８  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．４０（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．９  Ｈｚ，  ３Ｈ），  １．８３（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ（１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ１５６．１３，  １４９．３４，  １３８．５３，  １３４．８９，  １２９．９８，  １２８．５８，  １２４．０９，  １２０．２８，  ４６．８４，  ２３．９２；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  ［Ｍ＋２］+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ33Ｈ27Ｂｒ3，  ６６１．９６；  ｆｏｕｎｄ，  ６６１．９６．
【０１００】
（ｉｉ）Ｐｈ３−Ｔｒの合成
次に、以下のスキームに従い、Ｐｈ３−Ｔｒを合成した。
【化１１】
2017039693.tif 000013
【０１０１】
Ｂｒ３−Ｔｒ（３３２ｍｇ、０．５０１ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（３０５ｍｇ、２．５０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５７．８ｍｇ、０．０５００ｍｍｏｌ）をトルエン（１７．５ｍＬ）とエタノール（４．０ｍＬ）の混合溶媒に加え、反応容器内を窒素雰囲気にした。そこへ水（４．０ｍＬ）に溶解させた炭酸カリウム（６９１ｍｇ、５．００ｍｏｌ）を加えた後、得られた混合物を８０℃で、１５時間加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放冷した後、減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。濃縮後の残渣について、分液ロートを用いてクロロホルム−水で抽出操作を行い、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒をエバポレーターで留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム／ヘキサン＝１／２、体積比）で精製後、ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行い、Ｐｈ３−Ｔｒを白色固体として得た（８８．０ｍｇ、０．１３４ｍｍｏｌ、２７％）。
【０１０２】
1Ｈ  ＮＭＲ（４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ８．５６（ｓ，  ３Ｈ），  ７．７４（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．９  ａｎｄ  １．４  Ｈｚ，  ６Ｈ），  ７．６４（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．３  ａｎｄ  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．６２（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．３  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．５４（ｔ，  Ｊ  ＝  ７．３  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．４２（ｔ，  Ｊ  ＝  ７．３  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ２．００（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ（１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3） δ１５６．６６，  １４８．８３，  １４２．０７，  １３９．６１，  １３７．３４，  １３５．６８，  １２８．９６，  １２７．３２，  １２７．１３，  １２６．１５，  １２４．６７，  １２２．７０，  ４６．７５，  ２４．２８；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  Ｍ+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ51Ｈ42，  ６５４．３３；  ｆｏｕｎｄ，  ６５４．０９．
【０１０３】
（合成例２）化合物１の合成（実施例）
以下のスキームに従い、上述した化合物１を合成した。
【化１２】
2017039693.tif 000014
【０１０４】
Ｂｒ３−Ｔｒ（１３３ｍｇ、０．２０１ｍｍｏｌ）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−イルボロン酸（２０５ｍｇ、０．８９９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２３．４ｍｇ、０．０２０２ｍｍｏｌ）をトルエン（７．１ｍＬ）とエタノール（１．６ｍＬ）の混合溶媒に加え、反応容器内を窒素雰囲気にした。そこへ水（１．６ｍＬ）に溶解させた炭酸カリウム（２７６ｍｇ、２．００ｍｏｌ）を加えた後、得られた混合物を８０℃で、２０時間加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放冷した後、減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。濃縮後の残渣について、分液ロートを用いてクロロホルム−水で抽出操作を行い、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒をエバポレーターで留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム／ヘキサン＝２／３、体積比）で精製後、酢酸エチル−エタノール混合溶媒から再結晶を行い、化合物１を白色固体として得た（１４２ｍｇ、０．１４６ｍｍｏｌ、７３％）。
【０１０５】
1Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ８．６６（ｄ，  Ｊ  ＝  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ８．２６−８．２２（ｍ，  ６Ｈ），  ７，８８（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．３  ａｎｄ  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．７４（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．７  ａｎｄ  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．６７−７．６１（ｍ，  ９Ｈ），  ７．５３−７．４７（ｍ，  ６Ｈ），  ２，００（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ（１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ１５７．５１，  １４９．３２，  １３９．８１，  １３８．９６，  １３８．８６，  １３７．９７，  １３７．４３，  １３６．３７，  １３６．０１，  １３５．６９，  １２７．３３，  １２７．３０，  １２６．９０，  １２５．６０，  １２５．３６，  １２４．５３，  １２２．９１，  １２２．８２，  １２１．８９，  １２０．４４，  ４７．０２，  ２４．４３；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  Ｍ+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ69Ｈ48Ｓ3，  ９７２．２９；  ｆｏｕｎｄ，  ９７２．２９．
【０１０６】
（合成例３）化合物１８の合成（実施例）
以下のスキームに従い、上述した化合物１８を合成した。
【化１３】
2017039693.tif 000015
【０１０７】
Ｂｒ３−Ｔｒ（２６５ｍｇ、０．４００ｍｍｏｌ）、２−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−２−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（４９６ｍｇ、１．６０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４６．２ｍｇ、０．０４００ｍｍｏｌ）をベンゼン（１４ｍＬ）とエタノール（３．２ｍＬ）の混合溶媒に加え、反応容器内を窒素雰囲気にした。そこへ水（３．２ｍＬ）に溶解させた炭酸カリウム（５４４ｍｇ、４．００ｍｏｌ）を加えた後、得られた混合物を８０℃で、１４時間加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放冷した後、減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。濃縮後の残渣について、分液ロートを用いてクロロホルム−水で抽出操作を行い、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒をエバポレーターで留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム／ヘキサン＝１／２、体積比）で精製後、酢酸エチルから再結晶することによって、化合物１８を白色固体として得た（２１９ｍｇ、０．２２５ｍｍｏｌ、５６％）。
【０１０８】
1Ｈ  ＮＭＲ（４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ８．６８（ｓ，  ３Ｈ），  ８．５０（ｄ，  Ｊ  ＝  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ８．２９−８．２７（ｍ，  ３Ｈ），  ８．０２（ｄ，  Ｊ  ＝  ８．２  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．９３−７．８９（ｍ，  ３Ｈ），  ７．８５（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ８．７  ａｎｄ  １．８  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．７６  （ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．８  ａｎｄ  １．４  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．６９（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．８  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．５６−７．４９（ｍ，  ６Ｈ），  ２．０７（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ（１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ１５６．７７，  １４９．０２，  １４０．１４，  １３９．７７，  １３８．８６，  １３８．５０，  １３７．５７，  １３６．３６，  １３５．８２，  １３５．６９，  １２７．０５，  １２６．５１，  １２６．４６，  １２５．０８，  １２４．６３，  １２３．３４，  １２３．１２，  １２２．９７，  １２１．７０，  １２０．３０，  ４６．９４，  ２４．４２；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  Ｍ+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ69Ｈ48Ｓ3，  ９７２．２９；  ｆｏｕｎｄ，  ９７２．６０．
【０１０９】
（合成例４）化合物２２の合成（実施例）
以下のスキームに従い、上述した化合物２２を合成した。
【化１４】
2017039693.tif 000016
【０１１０】
Ｂｒ３−Ｔｒ（１３３ｍｇ、０．２０１ｍｍｏｌ）、９−フェニル−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール（２９５ｍｇ、０．８０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（２３．３ｍｇ、０．０２０２ｍｍｏｌ）をトルエン（７．１ｍＬ）とエタノール（１．６ｍＬ）の混合溶媒に加え、反応容器内を窒素雰囲気にした。そこへ水（１．６ｍＬ）に溶解させた炭酸カリウム（２７６ｍｇ、４．００ｍｏｌ）を加えた後、得られた混合物を８０℃で、１８時間加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放冷した後、減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。濃縮後の残渣について、分液ロートを用いてクロロホルム−水で抽出操作を行い、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒をエバポレーターで留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：ヘキサン＝１：２）で精製後、得られた固体を適量のメタノールに分散させたものを吸引ろ過し、化合物２２を白色固体として得た（８８．０ｍｇ、０．０７６５ｍｍｏｌ、３８％）。
【０１１１】
1Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ８．７０（ｓ，  ３Ｈ），  ８．４９（ｄ，  Ｊ  ＝  １．４  Ｈｚ  ，  ３Ｈ），  ８．２６（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．７  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．８１（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ８．７  ａｎｄ  １．８  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．７７（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．７  ａｎｄ  １．３  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．６８−７．６２（ｍ，  １５Ｈ），  ７．５８（ｄ，  Ｊ  ＝  ８．６  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．５４−７．４３（ｍ，  ９Ｈ），  ７．３７−７．３３（ｍ，  ３Ｈ），  ２．０７（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ（１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ１５６．１３，  １４８．９４，  １４１．５０，  １４０．５０，  １４０．４３，  １３７．８２，  １３７．５４，  １３５．９２，  １３４．５０，  １３０．０４，  １２７．６３，  １２７．２１，  １２６．３９，  １２６．２９，  １２５．７９，  １２５．０７，  １２４．１０，  １２３．６３，  １２２．７７，  １２０．４６，  １２０．１８，  １１９．００，  １１０．３３，  １１０．０７，  ４６．８８，  ２４．４８；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  Ｍ+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ87Ｈ63Ｎ3，  １１４９．５０；  ｆｏｕｎｄ，  １１４９．２０．
【０１１２】
（合成例５）化合物２４の合成（実施例）
以下のスキームに従い、上述した化合物２４を合成した。
【化１５】
2017039693.tif 000017
【０１１３】
Ｂｒ３−Ｔｒ（１３３ｍｇ、０．２０１ｍｍｏｌ）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イルボロン酸（１９１ｍｇ、０．９０１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２３．３ｍｇ、０．０２０２ｍｍｏｌ）をトルエン（７．１ｍＬ）とエタノール（１．６ｍＬ）の混合溶媒に加え、反応容器内を窒素雰囲気にした。そこへ水（１．６ｍＬ）に溶解させた炭酸カリウム（２７６ｍｇ、２．００ｍｏｌ）を加えた後、得られた混合物を８５℃で、１４時間加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放冷した後、減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。濃縮後の残渣について、分液ロートを用いてクロロホルム−水で抽出操作を行い、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒をエバポレーターで留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム／ヘキサン＝１／２、体積比）で精製後、酢酸エチル−エタノール混合溶媒から再結晶を行い、化合物２４を白色固体として得た（１１１ｍｇ、０．１２０ｍｍｏｌ、６０％）。
【０１１４】
1Ｈ  ＮＭＲ  （４００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ９．０９（ｓ，  ３Ｈ），  ８．０７（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．７  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ８．０２（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．７  ａｎｄ  ０．９  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．８７（ｄｄ，  Ｊ  ＝  ７．３  ａｎｄ  ０．９  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．７８（ｄ，  Ｊ  ＝  ７．２  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．７０（ｄ，  Ｊ  ＝  ８．２  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．６３（ｄ，  Ｊ  ＝  ８．２  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ７．５５−７．５１（ｍ，  ６Ｈ），  ７．４２（ｔ，  Ｊ  ＝  ７．７  Ｈｚ，  ３Ｈ），  ２．１０（ｓ，  １８Ｈ）；  13Ｃ  ＮＭＲ  （１００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ3）  δ１５７．３５，  １５６．３９，  １５３．６０，  １４９．０８，  １３７．３６，  １３５．９０，  １３４．４５，  １２７．４６，  １２７．３１，  １２６．９７，  １２６．６１，  １２６．５６，  １２５．１４，  １２４．５２，  １２３．５６，  １２２．９８，  １２２．９０，  １２０．９５，  １１９．６４，  １１１．８７，  ４７．１７，  ２４．３１；  ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ  （ｍ／ｚ）：  Ｍ+  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ69Ｈ48Ｏ3，  ９２４．３６；  ｆｏｕｎｄ，  ９２４．２８．
【０１１５】
［有機電界発光素子の作製］
続いて、塗布法を用いて、以下の手順にて本実施形態に係るトルクセン誘導体を含む有機電界発光素子を作製した。
【０１１６】
（実施例１）
まず、あらかじめパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）した後、洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、紫外線／オゾン（Ｏ3）による表面処理を行った。なお、ＩＴＯ−ガラス基板におけるＩＴＯ膜（第１電極）の膜厚は、１５０ｎｍであった。
【０１１７】
次いで、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ヘレウス株式会社、Ｃｌｅｖｉｏｓ（商標）ＰＶＰ  ＣＨ８０００）原液１．０ｍｌに水とイソプロピルアルコールとの混合溶液（１：１、ｖ／ｖ）を加え、正孔注入層形成用の溶液を得た。この正孔注入層形成用の溶液を用いて、ＩＴＯ−ガラス基板に対し２０００ｒｐｍ、２秒、次いで４０００ｒｐｍ、６０秒の条件でスピンコート塗布を行った。その後、溶液が塗布されたＩＴＯ−ガラス基板を１０５℃で６０分乾燥させて、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなる正孔注入層（厚さ：４０ｎｍ）を形成した。
【０１１８】
次に、トルクセン誘導体としての化合物１：５ｍｇ、トリス[２−(パラ−トリル)ピリジン]イリジウム（Ｔｒｉｓ［２−（ｐ−ｔｏｌｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ］ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）3）：０．５０ｍｇ、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）：１．０ｍｇをクロロホルム：０．３５ｍｌ中に溶解させ、発光層形成用の溶液を得た。この、発光層形成用の溶液を用いて、ＩＴＯ−ガラス基板の正孔注入層上に２０００ｒｐｍ、１０秒、次いで３０００ｒｐｍ、２０秒の条件でスピンコート塗布を行った。その後、溶液が塗布されたＩＴＯ−ガラス基板を８０℃で３０分乾燥させて、発光層（厚さ：６８ｎｍ）を形成した。
【０１１９】
続いて、金属成膜用蒸着機に基板を移し、３．０-4Ｐａ〜３．６-4Ｐａの真空度にて、電子注入層、および第２電極を蒸着して、有機電界発光素子を作製した。なお、電子注入層は、ＣｓＦを用いて膜形成速度：０．１Å／ｓにて膜厚１ｎｍで形成し、第２電極は、アルミニウム（Ａｌ）を用いて膜厚２５０ｎｍで形成した。なお、アルミニウムの蒸着における膜形成条件は、膜形成速度５．０Å／ｓにて厚さ５０ｎｍ、次いで膜形成速度１１．０Å／ｓにて厚さ２００ｎｍとした。
【０１２０】
（実施例２）
トルクセン誘導体としての化合物１に代えて、化合物２４を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。
【０１２１】
［塗布膜および成膜性評価］
（実施例３、４および比較例１、２）
化合物１、２２、１０，１５−ジヒドロ−５Ｈ−ジインデノ［１，２−ａ：１’，２’−ｃ］フルオレン（１０，１５−Ｄｉｈｙｄｒｏ−５Ｈ−ｄｉｉｎｄｅｎｏ［１，２−ａ：１’，２’−ｃ］ｆｌｕｏｒｅｎｅ、トルクセン）、Ｐｈ３−Ｔｒについて、成膜性を評価した。具体的には、まず、実施例１と同様にして、ＩＴＯ−ガラス基板のパターニング、洗浄、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなる層）の形成を行なった。次いで、５ｍｇの化合物１、２２、トルクセンまたはＰｈ３−Ｔｒをクロロホルム０．３ｍｌに溶解させてトルクセン誘導体溶液を作製した。このトルクセン誘導体溶液を用いて、ＩＴＯ−ガラス基板の正孔注入層上に、２０００ｒｐｍ、１０秒、次いで３０００ｒｐｍ、２０秒の条件でスピンコート塗布を行った。その後、溶液が塗布されたＩＴＯ−ガラス基板を８０℃で３０分乾燥させて、トルクセン誘導体層を形成した。
【０１２２】
形成されたトルクセン誘導体層について、表面粗さおよび膜厚を測定した。表面粗さの測定においては、標準カンチレバーＯＰ−７５０４１が装着されたナノスケールハイブリッド顕微鏡ＶＮ−８０１０（キーエンス株式会社製）を用い、各トルクセン誘導体層の表面を２００μｍ×２００μｍの範囲にわたり測定を行い、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に準拠した算術平均粗さＲａを算出した。膜厚の測定においては、カッターを用いてトルクセン誘導体層上から切り目を形成し、切り目部分とその他の部分の高低差を複数箇所において測定、算出した。上記高低差の平均値を正孔注入層とトルクセン誘導体層の厚さとみなし、高低差の平均値から正孔注入層の厚さ（４０ｎｍ）を差し引いた値をトルクセン誘導体層の厚さとして算出した。結果を表１に示す。
【０１２３】
【表１】
2017039693.tif 000018
【０１２４】
表１の結果を参照すると、実施例３、４において用いられた化合物１、２２のトルクセン誘導体は、比較例１、２において用いられたトルクセン、Ｐｈ３−Ｔｒと比較して表面粗さが極めて小さいトルクセン誘導体層を形成でき、成膜性が良好であることがわかる。したがって、実施例３、４において形成された発光層は、比較例１、２のものと比較して、より均一な膜厚を有し、発光素子の各層の不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらがより確実に防止されていることが推測される。
【０１２５】
［素子特性評価］
作製した実施例１および２に係る有機電界発光素子の評価結果を以下の表２に示す。なお、作製した有機電界発光素子の発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。
【０１２６】
【表２】
2017039693.tif 000019
【０１２７】
表２の結果を参照すると、本実施形態に係るトルクセン誘導体は良好な外部量子収率を示した。
【０１２８】
以上の結果からわかるように、本実施形態に係るトルクセン誘導体は、上述した一般式（１）で表される構造を有することにより、層を形成する際の成膜性に優れたものとなる。また、本実施形態に係るトルクセン誘導体を含む有機電界発光素子の各層の不均一性に起因する問題、例えば印加される電界が不均一となることによる漏電や発光むらを防止することができる。
【０１２９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１３０】
１００、１００Ａ    有機電界発光素子
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０、１５０Ａ    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極
【図１】
2017039693.tif 000022
【図２】
2017039693.tif 000023