(57)【要約】【課題】ダイアフラムを有するセンサチップを配線基板に接合してなり、導入された圧力によるダイアフラムの歪みをピエゾ抵抗効果による信号として出力するようにした圧力センサにおいて、配線基板からセンサチップへ伝わる応力を緩和して、当該応力によるセンサ出力の変動を極力防止する。【解決手段】配線基板２０は、センサチップ１０の裏面１２におけるダイアフラム１４周囲の厚肉部１５に、接着剤３０を介して接合されており、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５に位置する四隅部には、ダイアフラム１４を構成する凹部１３よりも開口面積の小さい窪み１８が設けられており、窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２における配線基板２０との接合領域Ｒ１の内側に位置しており、窪み１８によって、配線基板２０からセンサチップ１０へ伝わる応力が緩和されるようになっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状をなす半導体よりなるチップであって、裏面（１２）の中央側に凹部（１３）が形成され前記凹部に対応した表面（１１）側の薄肉部がダイアフラム（１４）として構成され、且つ前記凹部の周囲が厚肉部（１５）とされているとともに、前記表面にピエゾ抵抗（１６）を有するセンサチップ（１０）と、
前記センサチップの裏面の前記厚肉部に接合される接合部材（２０、６０）と、を備え、
前記ダイアフラムに圧力が導入され、前記センサチップからはピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている圧力センサであって、
前記センサチップの裏面の前記厚肉部に位置する四隅部のうち少なくとも対角の位置にある２個の隅部には、前記凹部よりも開口面積の小さい窪み（１８）が設けられており、
前記窪みは、前記センサチップの裏面における前記接合部材との接合領域（Ｒ１）もしくは当該接合領域の内側に位置しており、
前記窪みによって、前記接合部材から前記センサチップへ伝わる応力が緩和されるようになっていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記窪みは、前記センサチップの裏面の四隅部のすべてに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記四隅部のすべて位置する前記窪みは、前記センサチップの平面中心（１０ａ）について点対称の配置とされていることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記四隅部のすべてに位置する前記窪みは、開口形状が同一で、開口サイズが同一であることを特徴とする請求項２または３に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記窪みの開口形状は、四角形もしくは三角形であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記接合部材は、配線基板（２０）であり、
前記センサチップの裏面の前記厚肉部は、前記配線基板に対して接着剤（３０）を介して接合されており、
前記センサチップの裏面における前記接合部材との接合領域は、前記接着剤の配置領域であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記配線基板には、前記センサチップの裏面側から前記ダイアフラムに圧力を導入するための孔（２１）が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記接合部材は、ガラスもしくはシリコンよりなる台座（５０）と、前記台座に接着剤（３１）を介して固定された樹脂ケース（４０）とよりなる複合部材（６０）であり、
前記センサチップの裏面の前記厚肉部全体が、前記台座に対して直接接合により接合されて、前記センサチップの裏面の前記厚肉部全体が前記接合部材との接合領域とされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアフラムを有するセンサチップを配線基板等の接合部材に接合してなり、導入された圧力によるダイアフラムの歪みをピエゾ抵抗効果による信号として出力するようにした圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の圧力センサとしては、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。この圧力センサにおけるセンサチップは、矩形板状をなす半導体よりなるチップであって、裏面の中央側に凹部が形成され凹部に対応した表面側の薄肉部がダイアフラムとして構成され、且つ凹部の周囲が厚肉部とされている。それとともに、センサチップの表面にはピエゾ抵抗が設けられている。
【０００３】
また、接合部材は、配線基板や台座等よりなり、センサチップの裏面の厚肉部に対して、接着剤を介するか、もしくは、直接接合等により接合される。そして、ダイアフラムに圧力が導入されたときに、センサチップからは、ピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−００３４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のように、センサチップは、裏面の厚肉部にて、配線基板や台座等の接合部材に接合される。
【０００６】
しかし、センサチップと接合部材との材質の違いにより、これら両者の線膨張係数差によって、温度変化による応力（つまり熱応力）がセンサチップに加わる。つまり、本来の検出対象である圧力以外の接合部材からの応力が、ダイアフラムに加わることで、センサ出力が変動してしまう。
【０００７】
特に、接合部材が樹脂やセラミック等の場合、上記の線膨張係数差が大きくなる。また、接合部材が樹脂の場合、樹脂クリープによる応力等もセンサチップに伝達されることになる。このように、接合部材が樹脂やセラミック等、半導体よりなるセンサチップと線膨張係数差が大きい場合には、上記したセンサ出力変動の問題が顕著になりやすい。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ダイアフラムを有するセンサチップを配線基板等の接合部材に接合してなり、導入された圧力によるダイアフラムの歪みをピエゾ抵抗効果による信号として出力するようにした圧力センサにおいて、接合部材からセンサチップへ伝わる応力を緩和して、当該応力によるセンサ出力の変動を極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、矩形板状をなす半導体よりなるチップであって、裏面（１２）の中央側に凹部（１３）が形成され凹部に対応した表面（１１）側の薄肉部がダイアフラム（１４）として構成され、且つ凹部の周囲が厚肉部（１５）とされているとともに、表面にピエゾ抵抗（１６）を有するセンサチップ（１０）と、センサチップの裏面の厚肉部に接合される接合部材（２０、６０）と、を備え、ダイアフラムに圧力が導入され、センサチップからはピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている圧力センサであって、
センサチップの裏面の厚肉部に位置する四隅部のうち少なくとも対角の位置にある２個の隅部には、凹部よりも開口面積の小さい窪み（１８）が設けられており、窪みは、センサチップの裏面における接合部材との接合領域（Ｒ１）もしくは当該接合領域の内側に位置しており、窪みによって、前記接合部材から前記センサチップへ伝わる応力が緩和されるようになっていることを特徴とする。
【００１０】
センサチップにおいて対角方向の隅部同士をつなぐ部位は、最も平面方向の寸法が大きく、応力も最大になりやすい部位である。そして、本発明によれば、この対角の位置にある２個の隅部に窪みを設けているので、接合部材による応力がセンサチップに加わったとき、当該対角方向に発生する応力が窪みによって吸収されるから、チップ中央側のダイアフラムには応力が伝達されにくくなる。
【００１１】
よって、本発明によれば、接合部材からセンサチップへ伝わる応力を緩和して、当該応力によるセンサ出力の変動を極力防止することができる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる圧力センサにおけるセンサチップを示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ矢視概略平面図である。
【図２】上記第１実施形態にかかる圧力センサの全体構成としてセンサチップを接合部材としての配線基板に接合した状態を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ矢視概略平面図である。
【図３】上記第１実施形態にかかる圧力センサにおけるピエゾ抵抗により構成されるブリッジ回路の結線図である。
【図４】本発明の第２実施形態にかかる圧力センサの全体構成を示す概略断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる圧力センサの要部を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる圧力センサＳ１について、図１〜図３を参照して述べる。なお、図１（ｂ）および後述の図５では、識別のため、接着剤３０の表面すなわち接合領域Ｒ１に、便宜上、斜線ハッチングを施してある。また、図２（ｂ）では、接着剤３０、３１および樹脂ケース４０は、省略してある。
【００１６】
この圧力センサＳ１は、たとえば、腐食性を有する液体やガスなどの圧力媒体の圧力を測定する場合に適用され、具体的には、ディーゼルエンジン車両の排気管内の排気ガスを測定したり、当該排気管内に設けられた排気清浄フィルタとしてのＤＰＦ（ディーゼルパティキュレートフィルタ）の前後の差圧を測定したり、ＥＧＲ雰囲気中の圧力などを測定するセンサなどに適用されるものである。
【００１７】
本実施形態の圧力センサＳ１は、大きくは、図１、図２に示されるように、半導体ダイアフラム式のセンサチップ１０と、このセンサチップ１０に接合された接合部材としての配線基板２０とを備えて構成されている。
【００１８】
センサチップ１０は、矩形板状をなすＳｉ（シリコン）等の半導体よりなるチップである。センサチップ１０においては、表裏の板面のうちの裏面１２の中央側に凹部１３が形成され、この凹部１３に対応した表面１１側の薄肉部がダイアフラム１４として構成されている。
【００１９】
ここで、凹部１３は、化学的エッチング等により形成されるものであり、センサチップ１０においては凹部１３の周囲が、薄肉部である凹部１３よりも厚い厚肉部１５とされている。
【００２０】
また、センサチップ１０の表面１１において、ダイアフラム１４の部分には、拡散抵抗などからなるピエゾ抵抗１６が設けられている。このピエゾ抵抗１６は複数個設けられており、後述する図３に示されるように、ブリッジ回路を構成している。
【００２１】
また、センサチップ１０の表面１１は、保護膜１７により被覆され保護されている。この保護膜１７は、ポリイミド樹脂やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の電気絶縁性を有する絶縁膜よりなる。このように、本実施形態のセンサチップ１０は、半導体ダイアフラム式のセンサチップとして構成されている。
【００２２】
そして、センサチップ１０においては、ピエゾ抵抗効果によって印加された圧力に応じた信号が出力されるようになっている。具体的には、ダイアフラム１４にて圧力を受け、その圧力によってダイアフラム１４が歪み、ダイアフラム１４に形成された上記ブリッジ回路によって、このダイアフラム１４の歪みに基づく信号、すなわち、印加された圧力値に応じたレベルの信号が出力されるようになっている。
【００２３】
また、本実施形態では、センサチップ１０は、その裏面１２側において、厚肉部１５にて配線基板２０に接合されている。ここでは、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５は、接合部材である配線基板２０に対して接着剤３０を介して接合されている。この接着剤３０としては、たとえばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等よりなるものが挙げられ、更に言えば、低弾性のものが望ましい。
【００２４】
この配線基板２０は、たとえばアルミナ等のセラミックよりなるセラミック基板や、プリント基板などの樹脂基板等よりなるものである。そして、センサチップ１０と配線基板２０とは、この種の典型的な圧力センサと同様、図示しないボンディングワイヤ等により電気的に接続されている。
【００２５】
また、配線基板２０におけるセンサチップ１０とは反対側の面、すなわち図２における配線基板２０の下には、樹脂ケース４０が設けられ、この樹脂ケース４０と配線基板２０とは、接着剤３１を介して接合され、固定されている。ここで、接着剤３１は上記接着剤３０と同様のものを採用できる。この樹脂ケース４０は、たとえば排気管のホース等に取り付けられるもので、測定される圧力を導入する圧力導入通路４１を有している。
【００２６】
また、配線基板２０には、センサチップ１０の裏面１２側からダイアフラム１４に圧力を導入するための孔２１が設けられている。この配線基板２０の孔２１は、樹脂ケース４０の圧力導入通路４１に通じており、これにより、図２に示されるように、センサチップ１０の裏面１２側からダイアフラム１４に、測定される圧力Ｐが導入されるようになっている。
【００２７】
ここで、たとえばセンサチップ１０の表面１１側は、たとえば大気圧であり、上記したように、ダイアフラム１４の裏面１２側に印加される測定される圧力Ｐはたとえば排気ガスである。
【００２８】
そして、圧力Ｐがダイアフラム１４に導入されたとき、ダイアフラム１４の表面１１と裏面１２との差圧によりダイアフラム１４が歪む。すると、センサチップ１０からはダイアフラム１４の歪みに基づくピエゾ抵抗効果によって、印加された圧力Ｐに応じた信号が出力されるようになっている。
【００２９】
つまり、図２に示される圧力センサＳ１は、センサチップ１０の表面１１側からダイアフラム１４に印加される圧力と、センサチップ１０の裏面１２側からダイアフラム１４に印加される圧力との差圧により、ダイアフラム１４が歪み、この歪みに基づいて圧力検出を行う相対圧型の圧力センサとすることができる。
【００３０】
この圧力センサＳ１におけるより具体的な検出動作について、図３を参照して述べることにする。ピエゾ抵抗１６により構成される上記ブリッジ回路としては、典型的には、図３に示されるように、４個のピエゾ抵抗１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ）によりホイートストンブリッジが構成されたものとされる。
【００３１】
ここにおいて、上記圧力Ｐの印加によりダイアフラム１４が歪み変形するが、このとき、図３に示されるホイートストンブリッジの入力端子ＩａとＩｂとの間に直流定電圧Ｖを与えた状態では、このダイアフラム１４の変形がピエゾ抵抗１６ａ〜１６ｄの抵抗値変化として現れ、出力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧（センサ信号）Ｖｏｕｔが出力される。
【００３２】
そして、このセンサ信号Ｖｏｕｔが、ピエゾ抵抗効果に基づくセンサチップ１０からの信号として外部に出力される。このようにして、圧力センサＳ１において、圧力検出がなされる。
【００３３】
ところで、このような本実施形態の圧力センサＳ１においては、図１、図２に示されるように、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５に位置する四隅部のすべてに窪み１８が設けられている。
【００３４】
この窪み１８は、それぞれ凹部１３（つまりダイアフラム１４）よりも開口面積が小さいものである。なお、窪み１８の深さについては、凹部１３よりも浅いものでもよいが、深いものでもよい。さらに言えば、窪み１８は厚肉部１５を貫通する貫通孔であってもよい。このような窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２側における半導体部分や図示しない膜をエッチング等により除去することで容易に形成される。
【００３５】
ここでは、四隅部の窪み１８は、すべて開口形状が三角形である（図１参照）。また、ここでは、四隅部に位置する窪み１８は、すべて開口形状が同一で、開口サイズが同一の三角形とされている。また、ここでは、図１に示されるように、四隅部のすべて位置する窪み１８は、センサチップ１０の平面中心１０ａについて点対称の配置とされている。
【００３６】
また、図１、図２に示されるように、それぞれの窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２における配線基板２０との接合領域Ｒ１の内側に位置している。このセンサチップ１０の裏面１２における接合領域Ｒ１は、本実施形態においては、接着剤３０の配置領域である。
【００３７】
ここでは、図１に示されるように、接着剤３０はセンサチップ１０の裏面１２の端部に沿った矩形額縁状をなしているから、接合領域Ｒ１も同じ矩形額縁形状となる。そして、窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２の四隅部のすべてに１個ずつ設けられており、この裏面１２において接合領域Ｒ１よりも内側に位置している。
【００３８】
そして、本実施形態の圧力センサＳ１においては、窪み１８によって、配線基板２０からセンサチップ１０へ伝わる応力が緩和されるようになっている。この応力は、上記したように、接合部材である配線基板２０とセンサチップ１０との線膨張係数差等に起因してセンサチップ１０に発生する応力である。
【００３９】
本実施形態のような矩形板状のセンサチップ１０において、対角方向の隅部同士をつなぐ部位は、最も平面方向の寸法が大きく、応力も最大になりやすい部位である。そして、本実施形態によれば、この対角の位置にある各隅部に窪み１８を設けているので、配線基板２０による応力がセンサチップ１０に加わったとき、当該対角方向に発生する応力が窪み１８によって吸収されるから、チップ中央側のダイアフラム１４には応力が伝達されにくくなる。
【００４０】
よって、本実施形態の圧力センサＳ１によれば、接合部材である配線基板２０からセンサチップ１０へ伝わる応力を緩和して、当該応力によるセンサ出力の変動を極力防止することができる。
【００４１】
特に、本実施形態では、窪み１８を、センサチップ１０の裏面１２の四隅部のすべてに設けており、それによれば、センサチップ１０において、２つの対角方向で窪み１８による応力緩和が行えるから、好ましい。
【００４２】
また、本実施形態では、四隅部のすべて位置する窪み１８は、センサチップ１０の平面中心１０ａについて点対称の配置とされている。それによれば、センサチップ１０の２つの対角方向において、四隅部の窪み１８による応力緩和が均一に行いやすくなり、好ましい。
【００４３】
また、本実施形態では、四隅部のすべてに位置する窪み１８を、開口形状が同一で、開口サイズが同一であるものとしている。それによれば、それぞれの隅部における窪み１８の形状およびサイズが同一であることから、それぞれの窪み１８による応力吸収作用が同じものとなりやすく、センサチップ１０の２つの対角方向において、それぞれの窪み１８による応力緩和が均一に行いやすい。
【００４４】
また、本実施形態では、センサチップ１０の裏面１２は、接合部材である配線基板２０に対して接着剤３０を介して接合されており、配線基板２０には、センサチップ１０の裏面１２側からダイアフラム１４に圧力Ｐを導入するための孔２１が設けられていた。そして、これにより、裏面受圧型の圧力センサＳ１を実現できる。
【００４５】
なお、このような本実施形態の圧力センサＳ１は、たとえば樹脂ケース４０上に、配線基板２０、センサチップ１０を順次、接着剤３０、３１を介して積層して接合するとともに、センサチップ１０と配線基板２０とをワイヤボンディング等で電気的に接続することにより、製造される。ただし、各部材の積層、接合の順序は、適宜変更してよいことはもちろんである。
【００４６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる圧力センサＳ２について、図４を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。本実施形態では、接合部材を変形したものである。
【００４７】
上記第１実施形態では、接合部材は配線基板２０であったが、本実施形態の接合部材は、図４に示されるように、ガラスもしくはシリコンよりなる台座５０と、この台座５０に接着剤３１を介して固定された樹脂ケース４０とよりなる複合部材６０である。
【００４８】
そして、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５全体が、台座５０に対して直接接合により接合されている。つまり、本実施形態では、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５全体が接合部材との接合領域Ｒ１とされている。
【００４９】
また、この図４の例の場合、センサチップ１０と台座５０との間にて、凹部１３は気密に封止されて圧力基準室を構成し、圧力Ｐはセンサチップ１０の表面１１側からダイアフラム１４に導入され、いわゆる表面受圧型の圧力センサＳ２とされている。
【００５０】
そして、この場合、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５全体が接合領域Ｒ１とされているから、四隅部に位置する窪み１８は、接合領域Ｒ１に位置したものとなる。この構成によっても、上記第１実施形態と同様、複合部材６０による応力がセンサチップ１０に加わったとき、センサチップ１０の対角方向に発生する応力が窪み１８によって吸収されるから、チップ中央側のダイアフラム１４には応力が伝達されにくくなる。
【００５１】
よって、本実施形態の圧力センサＳ２によっても、接合部材である複合部材６０からセンサチップ１０へ伝わる応力を緩和して、当該応力によるセンサ出力の変動を極力防止することができる。
【００５２】
なお、本実施形態の他の例としては、図４中の破線に示されるように、複合部材６０において、台座５０および樹脂ケース４０を貫通する貫通孔６１、すなわち複合部材６０を貫通する貫通孔６１を設けてもよい。
【００５３】
この場合には、貫通孔６１は、複合部材６０において、センサチップ１０の裏面１２側からダイアフラム１４に圧力を導入するための孔として構成される。そして、この場合、圧力センサＳ２は、上記第１実施形態と同様、裏面受圧型のものとして適用することが可能となる。
【００５４】
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、図１に示したように、センサチップ１０の裏面１２における接合部材である配線基板２０との接合領域Ｒ１は、接着剤３０の配置領域であり、それぞれの窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２において接合領域Ｒ１よりも内側に位置していたものであった。
【００５５】
しかし、図５に示されるように、センサチップ１０の裏面１２において接着剤３０と窪み１８とが重なった位置とされることにより、窪み１８が接合領域Ｒ１に位置したものであってもよい。つまり、接合部材が配線基板２０である場合においても、窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２における接合領域Ｒ１に位置するか、もしくは、接合領域Ｒ１の内側に位置しているものであればよい。
【００５６】
また、窪み１８の開口形状は、上記各実施形態では三角形であったが、図５に示されるように、四角形であってもよい。また、それぞれの窪み１８がすべて三角形でなくともよく、三角形と四角形とが混在したものでもよい。さらには、窪み１８の開口形状は、これら三角形、四角形に限定するものではなく、上記応力緩和の効果を発揮できる範囲で、種々の形状が可能であり、たとえば円形等でもよい。さらには、隣り合う窪み１８同士がつながったものであってもよい。
【００５７】
また、上記各実施形態では、窪み１８は、センサチップ１０の裏面１２の厚肉部１５に位置する四隅部のすべてに設けられていたが、窪み１８としては、この四隅部のうち少なくとも対角の位置にある２個の隅部に設けられていればよい。
【００５８】
つまり、窪み１８は、四隅部のうち１つの対角方向において、対角位置にある２個の隅部のみに設けられていてもよい。この場合でも、この窪み１８が存在する１つの対角方向において応力緩和がなされる。さらには、四隅部のうちの任意の３個の隅部のみに、窪み１８が設けられていてもよい。
【００５９】
また、上記各実施形態では、四隅部のすべてに窪み１８が位置する場合、これら４個の窪み１８は、センサチップ１０の平面中心１０ａについて点対称の配置とされていた。しかし、上記した窪み１８による応力緩和の効果を発揮できるものであるならば、点対称配置から多少ずれた配置であってもよい。
【００６０】
また、上記第１実施形態では、四隅部のすべてに位置する窪み１８は、開口形状が同一で、開口サイズが同一のものであった。しかし、上記した窪み１８による応力緩和の効果を発揮できるものであるならば、上記図５の三角形の窪み１８を参照して述べたように、各隅部における窪み１８の形状およびサイズが異なるものであってもよい。また、このことは、窪み１８が四隅部のすべてに位置する場合以外にも、上記したような四隅部のうちの２個または３個の隅部のみに位置する場合でも、適用される。
【００６１】
また、上記第１実施形態では、配線基板２０に孔２１を設けることにより、裏面受圧型の圧力センサＳ１を実現したが、配線基板２０に孔２１が無いものであってもよい。この場合、たとえばセンサチップ１０の表面１１から測定圧力をダイアフラム１４が受圧するもの、いわゆる表面受圧型として適用されることとなる。
【００６２】
また、上記第１実施形態および上記第２実施形態の他の例において、センサチップ１０の裏面１２側の凹部１３に、図示しないゲル部材を充填した構成としてもよい。この場合、当該ゲル部材によって、センサチップ１０特にダイアフラム１４の裏面部分が封止され保護される。
【００６３】
このゲル部材としては、たとえばシリコーン系ゲル、フッ素系ゲル、フロロシリコーン系ゲルなどのゲル材料を用いることができ、このようなゲル材料を凹部１３に注入し硬化させることで、ゲル部材の充填がなされる。
【００６４】
また、センサチップ１０の裏面１２側が接合される接合部材としては、上記した配線基板２０や複合部材６０に限定されるものではなく、たとえばリードフレームや樹脂部材等、種々の部材が可能である。
【００６５】
また、圧力センサとしては、上述した排気圧力を検出するセンサに、その用途を限定されるものではなく、上記各実施形態の圧力センサは、たとえば、大気圧、エンジンの吸気圧をはじめとして、各種機器や容器の圧力など、いろいろな用途に用いることができることはもちろんである。
【００６６】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６７】
１０  センサチップ
１１  センサチップの表面
１２  センサチップの裏面
１３  センサチップの凹部
１４  ダイアフラム
１５  センサチップの厚肉部
１６  ピエゾ抵抗
１８  窪み
２０  接合部材としての配線基板
６０  接合部材としての複合部材
Ｒ１  接合領域
【図１】
2017062193.tif 000003
【図２】
2017062193.tif 000004
【図３】
2017062193.tif 000005
【図４】
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【図５】
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