(57)【要約】【課題】リニアソレノイドの応答性を高めることができるリニアソレノイドの制御装置およびリニアソレノイドの制御方法を提供すること。【解決手段】本願に係るリニアソレノイドの制御装置は、駆動部と、クランプ回路と、変更部とを備える。駆動部は、リニアソレノイドの電磁コイルへ電流を供給してリニアソレノイドを駆動する。クランプ回路は、電磁コイルの電圧をクランプする。変更部は、リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて、クランプ回路のクランプ電圧を変更する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リニアソレノイドの電磁コイルへ電流を供給して前記リニアソレノイドを駆動する駆動部と、
前記電磁コイルの電圧をクランプするクランプ回路と、
前記リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて、前記クランプ回路のクランプ電圧を変更する変更部と、を備える
ことを特徴とするリニアソレノイドの制御装置。
【請求項２】
前記変更部は、
前記リニアソレノイドの駆動状態の変化が所定変化以上である場合に、前記クランプ電圧を変更する
ことを特徴とする請求項１に記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項３】
前記リニアソレノイドの駆動位置を検出する検出部を備え、
前記変更部は、
前記検出部によって検出された前記駆動位置の変化量に基づいて、前記クランプ電圧を変更する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項４】
前記電磁コイルへ供給される電流量を検出する検出部を備え、
前記変更部は、
前記検出部によって検出された前記電流量に基づいて、前記クランプ電圧を変更する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項５】
前記変更部は、
前記リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて前記クランプ電圧を変更した後、前記リニアソレノイドの駆動状態が所定条件を満たすと判定した場合に元のクランプ電圧へ戻す
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項６】
前記変更部は、
前記リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて前記クランプ電圧を変更した後一定時間経過した場合に元のクランプ電圧へ戻す
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項７】
前記クランプ回路は、
前記電磁コイルに直列に接続されたダイオードとツェナーダイオードとの直列回路と、
前記ツェナーダイオードに並列に接続されたスイッチと、を備え、
前記変更部は、
前記スイッチのＯＮ／ＯＦＦを制御することで、前記クランプ電圧を変更する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のリニアソレノイドの制御装置。
【請求項８】
リニアソレノイドの電磁コイルへ電流を供給して前記リニアソレノイドを駆動する工程と、
前記リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて、前記電磁コイルの電圧をクランプするクランプ回路のクランプ電圧を変更する工程と、を含む
ことを特徴とするリニアソレノイドの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リニアソレノイドの制御装置およびリニアソレノイドの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、自動変速機や可変吸排気バルブなどにリニアソレノイドが用いられている。かかるリニアソレノイドは、供給される電流に応じて可動体であるプランジャの位置を直線的に変更するアクチュエータであり、制御装置によって制御される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２５２３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、リニアソレノイドを制御する従来の制御装置は、リニアソレノイドの駆動を変化した場合に低電圧でリニアソレノイドがクランプされ、リニアソレノイドの応答が遅れるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、リニアソレノイドの応答性を高めることができるリニアソレノイドの制御装置およびリニアソレノイドの制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明のリニアソレノイドの制御装置は、駆動部と、クランプ回路と、変更部とを備える。前記駆動部は、リニアソレノイドの電磁コイルへ電流を供給して前記リニアソレノイドを駆動する。前記クランプ回路は、前記電磁コイルの電圧をクランプする。前記変更部は、前記リニアソレノイドの駆動状態の変化に応じて、前記クランプ回路のクランプ電圧を変更する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、リニアソレノイドの応答性を高めることができるリニアソレノイドの制御装置およびリニアソレノイドの制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態にかかるリニアソレノイドの制御処理の説明図である。
【図２】図２は、実施形態にかかる制御装置の構成例を示す図である。
【図３】図３は、実施形態にかかるリニアソレノイドバルブの構成例を示す図である。
【図４】図４は、クランプ回路の他の構成例を示す図である。
【図５】図５は、クランプ回路の他の構成例を示す図である。
【図６】図６は、制御装置の処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明にかかるリニアソレノイドの制御装置およびリニアソレノイドの制御方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、かかる実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
〔１．リニアソレノイドの制御処理〕
図１を用いて、実施形態にかかるリニアソレノイドの制御処理について説明する。図１は、実施形態にかかるリニアソレノイドの制御処理の説明図であり、本実施形態においては、制御装置１によってリニアソレノイドの制御処理が実行される。
【００１１】
図１に示すように、制御装置１は、駆動部１０と、クランプ回路２０と、変更部３０とを備え、リニアソレノイド２を駆動する。
【００１２】
駆動部１０は、リニアソレノイド２の電磁コイル６２へ電流を供給してリニアソレノイド２を駆動する。クランプ回路２０は、電磁コイル６２の電圧をクランプし、電磁コイル６２の電圧を制限する。
【００１３】
駆動部１０によってリニアソレノイド２の駆動を大きく変化させる場合、電磁コイル６２の自己誘導によって電磁コイル６２に流れる電流の変化が抑えられることから、リニアソレノイド２の応答性が悪くなるおそれがある。
【００１４】
そこで、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化に応じて、クランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐを変更する。例えば、変更部３０は、リニアソレノイド２への電流供給を大きく低減させた場合、クランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐを大きくする。これにより、電磁コイル６２に流れる電流の変化率を高めることができ、駆動部１０によるリニアソレノイド２の駆動に対するリニアソレノイド２の応答性を高めることができる。
【００１５】
〔２．制御装置１の構成〕
次に、上述した制御装置１の構成についてさらに詳細に説明する。図２は、実施形態にかかる制御装置１の構成例を示す図である。
【００１６】
図２に示す制御装置１は、駆動部１０、クランプ回路２０および変更部３０に加え、電流検出部４０を備え、リニアソレノイドバルブ５０に設けられたリニアソレノイド２を制御する。図３は、実施形態にかかるリニアソレノイドバルブ５０の構成例を示す図である。
【００１７】
図３に示すリニアソレノイドバルブ５０は、バルブハウジング５１と、スプール５２と、スプリング５３と、リニアソレノイド２とを備える。バルブハウジング５１は、中空筒状に形成されており、入力ポート５４と、出力ポート５５とを備える。スプール５２は、スプリング５３によって付勢され、バルブハウジング５１内を直線的に摺動可能に配置される。
【００１８】
リニアソレノイド２は、スプール５２に連結されたプランジャ６１と、プランジャ６１の外周と空隙を介して対向する電磁コイル６２と、ポジションセンサ６３とを備え、制御装置１から電磁コイル６２へ供給される電流に応じてプランジャ６１が移動する。
【００１９】
プランジャ６１にはスプール５２が連結されており、プランジャ６１の移動に応じてスプール５２がバルブハウジング５１内を摺動する。これにより、入力ポート５４から出力ポート５５への気体（または液体）の流量が調整される。
【００２０】
ポジションセンサ６３は、プランジャ６１の移動位置（リフト量）を検出する。かかるポジションセンサ６３は、例えば、抵抗式のリニア変位センサ、超音波式リニアセンサ、または、光学式のリニアセンサである。
【００２１】
なお、上述したリニアソレノイドバルブ５０は、例えば、内燃機関での燃焼によって排出される排気ガス中の窒素酸化物を低減する排気再循環機構を構成するが、リニアソレノイド２へ供給する電流を制御する制御装置１を含むシステムであればよく、制御装置１は種々のシステムに適用することができる。
【００２２】
図２に戻って制御装置１の説明を続ける。制御装置１の駆動部１０は、端子Ｔ１から電磁コイル６２へ供給する電流Ｉｏ（以下、駆動電流Ｉｏと記載する）を制御して、入力ポート５４から出力ポート５５への気体（または液体）の流量を調整する。
【００２３】
かかる駆動部１０は、電流指令生成部１１と、ＰＷＭ制御部１２と、スイッチング素子１３とを備える。電流指令生成部１１は、目的とする流量に応じた電流指令値Ｉｒｅｆを生成する。
【００２４】
ＰＷＭ制御部１２は、電流指令生成部１１によって生成された電流指令値Ｉｒｅｆとキャリア信号（例えば、三角波信号やノコギリ波信号）とを比較し、ＰＷＭ（Pulse  Width  modulation）信号を生成する。
【００２５】
スイッチング素子１３は、ＰＷＭ制御部１２から出力されるＰＷＭ信号に基づいて、電源電圧ＶＢを断続的にリニアソレノイド２へ印加する。例えば、スイッチング素子１３は、ＰＷＭ信号がＨｉｇｈレベルである場合に、リニアソレノイド２への電源電圧ＶＢの印加を行い、ＰＷＭ信号がＬｏｗレベルである場合に、リニアソレノイド２への電源電圧ＶＢの印加を停止する。
【００２６】
これにより、ＰＷＭ信号のＨｉｇｈ／Ｌｏｗの比率に応じた駆動電流Ｉｏがリニアソレノイド２へ供給される。なお、駆動電流Ｉｏを大きくすることにより、プランジャ６１の位置が入力ポート５４から出力ポート５５への流量を最も大きくする位置（以下、全開状態と記載する）に移動する。また、駆動電流Ｉｏを小さくすることにより、スプリング５３の力でプランジャ６１の位置が入力ポート５４から出力ポート５５への流量をゼロにする位置（以下、全閉状態と記載する）に移動する。
【００２７】
なお、スイッチング素子１３は、例えば、ＰＭＯＳトランジスタなどによって構成される。この場合、スイッチング素子１３のゲートにＰＷＭ制御部１２の出力が接続され、スイッチング素子１３のソースに電源電圧ＶＢが印加され、スイッチング素子１３のドレインに端子Ｔ１（リニアソレノイド２の電磁コイル６２）が接続される。
【００２８】
クランプ回路２０は、電磁コイル６２に直列に接続されたダイオード２１とツェナーダイオード２２との直列回路と、ツェナーダイオード２２に並列に接続されたスイッチ２３とを備える。かかるクランプ回路２０によって、電磁コイル６２の電圧がクランプ電圧Ｖｃｐ以下に制限される。スイッチ２３は、例えば、スイッチング素子や半導体リレーなどである。
【００２９】
電流検出部４０は、電磁コイル６２に流れる電流の値（以下、電流値と記載する）を検出する。かかる電流検出部４０は、抵抗３１〜３３、３５、３６と、オペアンプ３４とを備える。抵抗３１は、シャント抵抗であり、電源電圧ＶＢとグランドＧＮＤとの間に、スイッチング素子１３および電磁コイル６２と直列に接続される。かかる抵抗３１の両端には、電磁コイル６２に流れる電流に比例した電圧が現われる。
【００３０】
抵抗３２、３３は、入力抵抗であり、抵抗３５は、端子Ｔ２とグランドＧＮＤとの間に接続される帰還抵抗である。オペアンプ３４は、入力抵抗と帰還抵抗との比率に応じた増幅率で、抵抗３１の両端電圧を増幅して出力する。オペアンプ３４の出力は抵抗３６を介して電流値として変更部３０へ出力される。
【００３１】
変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化に応じて、クランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐを変更する。例えば、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態が大きく変化する場合、スイッチ２３を制御してクランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、電磁コイル６２に流れる電流の変化率を高めることができ、駆動部１０によるリニアソレノイド２の駆動に対するリニアソレノイド２の応答性を高めることができる。
【００３２】
ここで、プランジャ６１（図３参照）の位置を全開状態から全閉状態へ大きく変化させる場合を考える。この場合、駆動部１０は、駆動電流Ｉｏを大きく減少させるため、電磁コイル６２の自己誘導によって、駆動電流Ｉｏの変化が抑えられることになり、リニアソレノイド２の応答性が低下するおそれがある。
【００３３】
例えば、クランプ回路２０がダイオード２１のみであるとする。この場合、駆動部１０は、プランジャ６１の位置を全開状態から全閉状態へ大きく変化させる場合、電磁コイル６２に流れる駆動電流Ｉｏの時間当たりの変化量ΔＩ（以下、電流変化量ΔＩと記載する）は、下記式（１）に示すように表すことができる。なお、ダイオード２１の順方向電圧を「ＶＦ」とし、電磁コイル６２のインダクタンスを「Ｌ」とし、時間を「ｔ」とする。
ΔＩ＝（ＶＦ／Ｌ）×ｔ      ・・・（１）
【００３４】
このように、クランプ回路２０がダイオード２１のみである場合、電流変化量ΔＩは、ダイオード２１の順方向電圧の大きさによって制限されることになり、リニアソレノイド２の応答性が低下する。
【００３５】
そこで、クランプ回路２０は、ツェナーダイオード２２とスイッチ２３とを備える。ツェナーダイオード２２のツェナー電圧を「Ｖｚ」とすると、スイッチ２３がＯＦＦの場合の電流変化量ΔＩは下記式（２）に示すように表すことができる。
ΔＩ＝｛（ＶＦ＋Ｖｚ）／Ｌ｝×ｔ      ・・・（２）
【００３６】
これにより、クランプ回路２０がダイオード２１のみである場合に比べ、電流変化量ΔＩを大きくすることができる。例えば、ＶＦ＝１Ｖ、Ｖｚ＝４６Ｖとした場合、クランプ回路２０がダイオード２１のみである場合に比べ、電流変化量ΔＩを４７倍にすることができる。
【００３７】
変更部３０は、例えば、リニアソレノイド２の駆動状態の変化が所定以上である場合に、スイッチ２３をＯＦＦにすることで、電流変化量ΔＩを大きくすることができる。例えば、変更部３０は、プランジャ６１の位置が全開状態から全閉状態へ大きく変化する場合に、スイッチ２３をＯＦＦにする。これにより、クランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐが上昇するため、電流変化量ΔＩを大きくすることができ、リニアソレノイド２の応答性を向上することができる。
【００３８】
変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化を電流指令生成部１１が生成する電流指令値Ｉｒｅｆの変化量に基づいて判定することができる。例えば、変更部３０は、電流指令値Ｉｒｅｆの所定時間当たりの変化量ΔＩｒｅｆ（以下、指令変化量ΔＩｒｅｆと記載する）が所定の閾値ΔＩｔｈ以上である場合に、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げることができる。
【００３９】
また、変更部３０は、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げた後、電流検出部４０によって検出された電流値に基づいて、スイッチ２３をＯＮにして、クランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。例えば、変更部３０は、電流変化量ΔＩが閾値ΔＩｔｈ１以下になった場合に、スイッチ２３をＯＮにしてクランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。
【００４０】
また、変更部３０は、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げた後、ポジションセンサ６３によって検出されたプランジャ６１の移動位置（リフト量）に基づいて、スイッチ２３をＯＮにして、クランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。
【００４１】
例えば、変更部３０は、ポジションセンサ６３によって検出されたプランジャ６１の移動位置（リフト量）のデータを例えば端子Ｔ３経由で取得する。そして、変更部３０は、取得した移動位置（リフト量）の時間当たりの変化量ΔＰ（以下、位置変化量ΔＰと記載する）が所定の閾値Ｐｔｈ１以下になった場合に、スイッチ２３をＯＮにしてクランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。
【００４２】
また、変更部３０は、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げてからの経過時間が所定時間ＴＡ以上になった場合に、スイッチ２３をＯＮにしてクランプ電圧Ｖｃｐを下げることもできる。
【００４３】
なお、変更部３０は、指令変化量ΔＩｒｅｆに代えて、電流変化量ΔＩまたは位置変化量ΔＰに基づいて、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げることができる。
【００４４】
例えば、変更部３０は、電流変化量ΔＩが所定の閾値ΔＩｔｈ２（＞ΔＩｔｈ１）以上になった場合に、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを上げることができる。また、変更部３０は、位置変化量ΔＰが閾値ΔＰｔｈ２（＞ΔＰｔｈ１）以上になった場合に、スイッチ２３をＯＦＦにしてクランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。
【００４５】
また、変更部３０は、スイッチ２３をＯＦＦにした後、所定時間ＴＡが経過した後にスイッチ２３をＯＮにすることができる。所定時間ＴＡは、例えば、電磁コイル６２に流れる電流の値が実質的に電流指令値Ｉｒｅｆと同じ値になると推定される期間以上の期間である。変更部３０には、指令変化量ΔＩｒｅｆに応じた所定時間ＴＡの情報が記憶され、変更部３０は、指令変化量ΔＩｒｅｆに基づいて所定時間ＴＡを決定することができる。
【００４６】
なお、クランプ回路２０の構成は、図２に示す例に限定されない。図４および図５は、それぞれクランプ回路２０の他の構成例を示す図である。図４に示すクランプ回路２０は、図２に示すクランプ回路２０の構成に加え、さらに、ツェナーダイオード２５とスイッチ２６とを備える。ダイオード２１およびツェナーダイオード２２、２５は、電源電圧ＶＢとグランドＧＮＤとの間に直列に接続される。また、スイッチ２６は、ツェナーダイオード２５に並列に接続される。
【００４７】
クランプ回路２０が図４に示す構成である場合、変更部３０は、２つのスイッチ２３、２６を個別にＯＮ／ＯＦＦ制御することによって、クランプ電圧Ｖｃｐを多段階に変更することができる。
【００４８】
例えば、ツェナーダイオード２２、２５のツェナー電圧が互いに異なるとする。この場合、変更部３０は、スイッチ２３、２６を共にＯＮにした場合、スイッチ２３のみをＯＮにした場合、スイッチ２６のみをＯＮにした場合、および、スイッチ２３、２６を共にＯＦＦにした場合でそれぞれ異なるクランプ電圧Ｖｃｐにすることができる。
【００４９】
変更部３０は、例えば、指令変化量ΔＩｒｅｆ、電流変化量ΔＩおよび位置変化量ΔＰの少なくともいずれかの大きさに基づいて、クランプ電圧Ｖｃｐを多段階に変更することができる。例えば、変更部３０は、指令変化量ΔＩｒｅｆの大きさが大きくなるほどクランプ電圧Ｖｃｐを上げていき、指令変化量ΔＩｒｅｆの大きさが小さくなるほどクランプ電圧Ｖｃｐを下げていくことができる。
【００５０】
なお、図４に示すクランプ回路２０では、ツェナーダイオードとスイッチとの組を２組有する構成であるが、ツェナーダイオードとスイッチとの組は、３つ以上であってもよい。これにより、変更部３０は、さらに多段階にクランプ電圧Ｖｃｐを変更することができる。
【００５１】
また、図２および図４に示すクランプ回路２０では、ツェナーダイオード２２、２５を電圧源（定電圧源）としたが、各ツェナーダイオード２２、２５に代えて、複数のダイオードをカスケード接続した回路を電圧源（定電圧源）にしてもよい。
【００５２】
図５に示すクランプ回路２０は、ツェナーダイオード２２に代えて抵抗２４を設けている点で、図２に示すクランプ回路２０と異なる。かかるクランプ回路２０は、スイッチ２３がＯＦＦの場合に、ダイオード２１、電磁コイル６２および抵抗２４で形成される閉回路に流れる電流の大きさによってクランプ電圧Ｖｃｐが変化する。
【００５３】
したがって、変更部３０は、スイッチ２３をＯＮからＯＦＦにすることによって、クランプ電圧Ｖｃｐを上げることができ、スイッチ２３をＯＦＦからＯＮにすることによって、クランプ電圧Ｖｃｐを下げることができる。このように、クランプ回路２０において、電圧源として抵抗２４を用いた場合においてもクランプ電圧Ｖｃｐを変更することができる。なお、抵抗とツェナーダイオードとの直列回路を電圧源とすることもできる。
【００５４】
なお、図２に示す電流指令生成部１１、ＰＷＭ制御部１２および変更部３０は、例えば、一つの制御部（コントローラ）によって構成されてもよい。かかる制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、入出力ポート、および、Ａ／Ｄ変換器などを有する。
【００５５】
ＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出し、ＲＡＭを作業領域としてプログラムを実行することによって、電流指令生成部１１、ＰＷＭ制御部１２および変更部３０として機能する。なお、電流指令生成部１１、ＰＷＭ制御部１２および変更部３０の少なくともいずれか一部または全部をハードウェアのみで構成することもできる。
【００５６】
［３．制御装置１による処理］
図６は、制御装置１の処理の流れを示すフローチャートである。かかる処理は、例えば、制御装置１の変更部３０によって繰り返し行われる。
【００５７】
図６に示すように、制御装置１の変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態を検出する（ステップＳ１）。変更部３０は、例えば、電流指令値Ｉｒｅｆ、検出電流Ｉｄｅｔおよびプランジャ６１の移動位置の少なくとも一つに基づいてリニアソレノイド２の駆動状態を検出することができる。
【００５８】
変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化量が所定値ＴＨ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ２）。かかる処理において、例えば、変更部３０は、指令変化量ΔＩｒｅｆが所定の閾値ΔＩｔｈ以上であるか否かを判定する。
【００５９】
リニアソレノイド２の駆動状態の変化量が所定値ＴＨ１以上であると判定した場合（ステップＳ２；Ｙｅｓ）、変更部３０は、クランプ回路２０を制御してクランプ電圧Ｖｃｐを上げる（ステップＳ３）。
【００６０】
その後、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化量が所定値ＴＨ２（＜ＴＨ１）以下になったか否かを判定する（ステップＳ４）。かかる処理において、変更部３０は、例えば、電流変化量ΔＩが閾値ΔＩｔｈ１以下になったか否かを判定する。
【００６１】
ステップＳ４において、リニアソレノイド２の駆動状態の変化量が所定値ＴＨ２以下になったと判定した場合（ステップＳ４；Ｙｅｓ）、変更部３０は、処理をステップＳ６へ移行する。
【００６２】
一方、リニアソレノイド２の駆動状態の変化量が所定値ＴＨ２以下になっていないと判定した場合（ステップＳ４；Ｎｏ）、変更部３０は、ステップＳ３の処理によりクランプ電圧Ｖｃｐを上げてからの経過時間が所定時間ＴＡ以上であるか否かを判定する（ステップＳ５）。
【００６３】
ステップＳ５の処理において、経過時間が所定時間ＴＡ以上になったと判定した場合（ステップＳ５；Ｙｅｓ）、変更部３０は、処理をステップＳ６へ移行する。一方、経過時間が所定時間ＴＡ以上になっていないと判定した場合（ステップＳ５；Ｎｏ）、変更部３０は、処理をステップＳ４へ戻す。
【００６４】
ステップＳ６の処理において、クランプ回路２０を制御してクランプ電圧Ｖｃｐを下げる。ステップＳ６の処理が終了した場合、または、ステップＳ２において変化量が所定値ＴＨ１以上ではないと判定した場合（ステップＳ２；Ｎｏ）、変更部３０は、図６に示す処理を終了し、ステップＳ１の処理から図６に示す処理を繰り返す。なお、変更部３０は、ステップＳ４、Ｓ５のうちいずれか一方のみを実行することもできる。
【００６５】
［４．効果］
実施形態にかかる制御装置１は、駆動部１０と、クランプ回路２０と、変更部３０とを備える。駆動部１０は、リニアソレノイド２の電磁コイル６２へ電流を供給してリニアソレノイド２を駆動する。クランプ回路２０は、電磁コイル６２の電圧をクランプする。変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化に応じて、クランプ回路２０のクランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、リニアソレノイド２の応答性を高めることができる。
【００６６】
また、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化が所定変化以上である場合に、クランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、例えば、リニアソレノイド２の駆動状態が大きく変化する場合に、リニアソレノイド２の応答性を高めることができる。
【００６７】
また、制御装置１は、リニアソレノイド２の駆動位置（例えば、プランジャ６１の位置）を検出するポジションセンサ６３（検出部の一例）を備える。変更部３０は、ポジションセンサ６３によって検出された駆動位置の変化量に基づいて、クランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、リニアソレノイド２の駆動状態を精度よく検出することができ、クランプ電圧Ｖｃｐの変更を精度よく行うことができる。
【００６８】
また、制御装置１は、リニアソレノイド２の電磁コイル６２へ供給される電流の値（電流量の一例）を検出する電流検出部４０を備える。変更部３０は、電流検出部４０によって検出された電流の値に基づいて、クランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、リニアソレノイド２の駆動状態を精度よく検出することができ、クランプ電圧Ｖｃｐの変更を精度よく行うことができる。
【００６９】
また、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化に応じてクランプ電圧Ｖｃｐを変更した後、リニアソレノイド２の駆動状態が所定条件を満たすと判定した場合に元のクランプ電圧Ｖｃｐへ戻す。これにより、例えば、電磁コイル６２の自己誘導による影響がなくなった場合にクランプ電圧Ｖｃｐを「ＶＦ」に戻すことができる。そのため、ＰＷＭ信号のＨｉｇｈ／Ｌｏｗの変化によってＰＷＭ信号の周期で電磁コイル６２へ供給される電流の変化が大きくなることを抑制でき、リニアソレノイド２の駆動を精度よく行うことができる。
【００７０】
また、変更部３０は、リニアソレノイド２の駆動状態の変化に応じてクランプ電圧Ｖｃｐを変更した後一定時間経過した場合に元のクランプ電圧へ戻す。これにより、例えば、電磁コイル６２の自己誘導による影響がなくなった場合にクランプ電圧Ｖｃｐを「ＶＦ」に戻すことができる。そのため、ＰＷＭ信号のＨｉｇｈ／Ｌｏｗの変化によってＰＷＭ信号の周期で電磁コイル６２へ供給される電流の変化が大きくなることを抑制でき、リニアソレノイド２の駆動を精度よく行うことができる。
【００７１】
また、クランプ回路２０は、電磁コイル６２に直列に接続されたダイオード２１とツェナーダイオード２２との直列回路と、ツェナーダイオード２２に並列に接続されたスイッチ２３とを備える。変更部３０は、スイッチ２３のＯＮ／ＯＦＦを制御することで、クランプ電圧Ｖｃｐを変更する。これにより、ツェナーダイオード２２のツェナー電圧Ｖｚを大きくすることでクランプ電圧Ｖｃｐを大幅に高くすることができ、リニアソレノイド２の応答性を大幅に高めることができる。
【００７２】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１  制御装置
２  リニアソレノイド
１０  駆動部
２０  クランプ回路
２１  ダイオード
２２、２５  ツェナーダイオード
２３、２６  スイッチ
２４  抵抗
３０  変更部
４０  電流検出部（検出部の一例）
５０  リニアソレノイドバルブ
６１  プランジャ
６２  電磁コイル
６３  ポジションセンサ（検出部の一例）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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