(57)【要約】【課題】向上した水準の導電度および光透過度を有する柔軟な導電体、これを含む電子素子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電体は、基板と、前記基板上に配置され複数の銀ナノワイヤーを含む導電層と、を含み、前記銀ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当する（割り当てられる）メインピークを示し、前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）はガウシアンフィッティング後、０．４０度未満である。【選択図】図１
2017092036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され複数の銀ナノワイヤーを含む導電層と、を含む導電体であって、
前記銀ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当（ａｓｓｉｇｎ）するメインピーク（ｍａｉｎ  ｐｅａｋ）を示し、
前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は、ガウシアンフィッティング（ｇａｕｓｉａｎ  ｆｉｔｔｉｎｇ）後、０．４０度未満である導電体。
【請求項２】
前記基板は、可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）である請求項１に記載の導電体。
【請求項３】
前記基板は、ポリ（メタ）アクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリノルボルネン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、これらの共重合体、またはこれらの組み合わせを含む請求項１または２に記載の導電体。
【請求項４】
前記銀ナノワイヤーは、平均直径が１００ｎｍ以下であり、アスペクト比が１：１００以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項５】
前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．３８度以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項６】
前記メインピークは、３５度〜４２度の範囲に存在する請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項７】
ヘイズ１％以下で面抵抗が１００オーム／ｓｑ．以下であり、可視光線波長３８０〜７００ｎｍの光に対する光透過率が８０％以上である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項８】
前記導電体は、２０万回の１Ｒベンティング後の抵抗変化率が１５２％以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項９】
前記導電体は、２０万回の１Ｒベンティング後の抵抗変化率が６４％以下である請求項８に記載の導電体。
【請求項１０】
前記導電層の真上に熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、またはこれらの組み合わせを含むオーバーコート層をさらに含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項による導電体を含む電子素子。
【請求項１２】
前記電子素子は、ディスプレイ、タッチスクリーンパネル、太陽電池、ｅ−ウィンドウ、電気変色ミラー（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明発熱板（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｈｅａｔｅｒ）、ヒートミラー（ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明トランジスタ、透明転位感知センサー（ｓｔｒａｉｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、フレキシブルバッテリー、柔軟（フレキシブル）配線電極、柔軟（フレキシブル）太陽電池、または柔軟（フレキシブル）ディスプレイである請求項１１に記載の電子素子。
【請求項１３】
Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するメインピークを示し、前記メインピークは、ガウシアンフィッティング後の２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．４０度未満である銀ナノワイヤーの集団（ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）。
【請求項１４】
前記銀ナノワイヤーのうちの一つ以上は、断面透過電子顕微鏡で測定した時、（１１１）結晶面を有し、
前記（１１１）結晶面は５つの三角形が集まって形成された５角形形状を有しツインバウンダリ（ｔｗｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を含む請求項１３に記載の銀ナノワイヤーの集団。
【請求項１５】
平均直径が１００ｎｍ以下でありアスペクト比が１：１００以上である請求項１３または１４に記載の銀ナノワイヤーの集団。
【請求項１６】
平均長さが２．５μｍ以上である請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の銀ナノワイヤーの集団。
【請求項１７】
前記メインピークは、ガウシアンフィッティング後の２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．３８度以下である請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の銀ナノワイヤー集団。
【請求項１８】
前記メインピークは、３５度〜４２度の間に存在する請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の銀ナノワイヤーの集団。
【請求項１９】
請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の銀ナノワイヤーの集団の製造方法であって、
前記方法は、
媒質内に複数の銀ナノワイヤーを配置する段階と、
前記複数の銀ナノワイヤーを３０℃〜９０℃の温度で３０分以上アニーリングする段階と、を含み、
前記複数の銀ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するメインピークを示し、
前記アニーリングによって前記メインピークが減少した２θ半値幅（ＦＷＨＭ）を示す方法。
【請求項２０】
前記媒質は、水および水と混和性の有機添加剤を含み、前記複数の銀ナノワイヤーは前記媒質内に分散している請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記媒質は、ポリマーを含み、前記複数の銀ナノワイヤーの少なくとも一部は前記媒質内に埋め込まれている請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記アニーリングは、１時間以上行う請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記アニーリング前の前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．４１度〜０．５０度の範囲に存在するものである請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記アニーリング後の前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．４０度未満に減少する請求項１９〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀ナノワイヤー、その製造方法、およびこれを含む導電体と電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯が可能でありながら大面積画面実現が可能な新たなディスプレイに対する需要はフレキシブルディスプレイという進化した技術のトレンドを先導することと予測される。高い解像度、高い感度、低い電力消費を可能にしながらも撓み、曲げ、捩れ状態下で物性低下がない柔軟性電子素材の開発はフレキシブルディスプレイ実現のために必要である。一方、このようなディスプレイの構成要素のうちのタッチセンサーは使用者とディスプレイ機器間のインターフェース（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）であり、使用者の情報探索と意見を受け取る役割を担当する。このようなタッチセンサーは透明導電性素材を電極として含む。フレキシブルディスプレイなどに含まれるこのような透明導電性素材は、向上した水準の導電度（導電率）を有しなければならず、下部液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）／有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）発光素子層の光源損失、解像度損失を発生させない程度の光学的物性を有しなければならないだけでなく、屈曲（ｂｅｎｄｉｎｇ）時にもその導電特性を維持することが要求される。
【０００３】
したがって、高い透過度を維持しながら低い面抵抗を示すことができる柔軟な透明電極材料の開発はベンダブル／フォルダブルディスプレイなどのようなフレキシブルディスプレーでの応用のために好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第９０５０７７５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一実施形態は、向上した水準の導電度（導電率）および光透過度を有する柔軟な導電体を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明の他の実施形態は、前記導電体を含む電子素子を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明のさらに他の実施形態は、前記導電体に含まれている銀ナノワイヤー集団を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明のさらにまた他の実施形態は、前記銀ナノワイヤー集団の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態である、導電体は、
基板と、
前記基板上に配置され複数の銀ナノワイヤーを含む導電層と、を含み、
前記銀ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当（ａｓｓｉｇｎ）するメインピーク（ｍａｉｎ  ｐｅａｋ）を示し、前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）はガウシアンフィッティング（ｇａｕｓｉａｎ  ｆｉｔｔｉｎｇ）後、０．４０度未満である。
【００１０】
前記基板は、可撓性（フレキシブル；ｆｌｅｘｉｂｌｅ）であってもよい。前記基板は屈曲強度が１０ＭＰａ以上であってもよい。
【００１１】
前記基板は、ポリ（メタ）アクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリノルボルネン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、これらの共重合体、またはこれらの組み合わせを含むことができる。
【００１２】
前記銀ナノワイヤーは、平均直径が１００ｎｍ以下であってもよい。例えば、前記銀ナノワイヤーの平均直径は走査電子顕微鏡によって測定することができる。
【００１３】
前記銀ナノワイヤーは、アスペクト比が１：１００以上（直径：長さ）であってもよい。
【００１４】
前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は０．３８度以下であってもよい。
【００１５】
前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は０．３１度以下であってもよい。
【００１６】
前記メインピークは３５度〜４２度の範囲に存在してもよい。
【００１７】
前記導電体は、ヘイズ１．０％以下で面抵抗が１００オーム／ｓｑ．（オームパースクエア）以下であり、可視光線波長３８０〜７００ｎｍの光に対する光透過率が８０％以上であってもよい。
【００１８】
前記導電体は、外側屈曲モード（ｏｕｔｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ  ｍｏｄｅ）で、ストレイン（ｓｔｒａｉｎ）６．７％、室温（２０〜２５℃）、湿度（４５〜５５％）、測定電極間距離１０ｃｍの条件で２０万回の曲率半径１ｍｍの１Ｒベンティング後の抵抗変化率が１５２％以下、例えば、６４％以下であってもよい。
【００１９】
前記導電体は、前記導電層の真上に熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、またはこれらの組み合わせを含むオーバーコート層をさらに含むことができる。
【００２０】
本発明の他の実施形態では、前述の導電体を含む電子素子を提供する。
【００２１】
前記電子素子は、ディスプレイ、タッチスクリーンパネル、太陽電池、ｅ−ウィンドウ（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ  ｗｉｎｄｏｗまたはｓｍａｒｔ  ｗｉｎｄｏｗ）、電気変色ミラー（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明発熱板（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｈｅａｔｅｒ）、ヒートミラー（ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明トランジスタ、透明転位感知センサー（ｓｔｒａｉｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、柔軟（フレキシブル）配線電極、柔軟（フレキシブル）太陽電池、柔軟（フレキシブル）バッテリー電極、または柔軟（フレキシブル）ディスプレイであってもよい。
【００２２】
また本発明のさらに他の実施形態である、銀ナノワイヤーの集団（ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）は、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するメインピークを示し、前記メインピークは、ガウシアンフィッティング後、２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．４０度未満であってもよい。
【００２３】
前記銀ナノワイヤーは、断面を透過電子顕微鏡で観察した時、（１１１）結晶面を有し、前記（１１１）結晶面は５つの三角形が集まって形成された５角形形状を有しツインバウンダリ（双晶境界）（ｔｗｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を含むことができる。
【００２４】
前記銀ナノワイヤーは、（例えば、走査電子顕微鏡分析で測定したとき）平均直径が１００以下、例えば、２５ｎｍ以下であり、アスペクト比が１：１００以上（直径：長さ）であってもよい。
【００２５】
前記銀ナノワイヤーは、（例えば、走査電子顕微鏡分析で測定したとき）平均長さが２．５μｍ以上であってもよい。
【００２６】
前記メインピークは、ガウシアンフィッティング後の２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．３８度以下であってもよい。
【００２７】
前記メインピークは、３５度〜４２度の間に存在してもよい。
【００２８】
本発明のさらにまた他の実施形態である、前記銀ナノワイヤーの集団の製造方法は、
媒質内に複数の銀ナノワイヤーを配置する段階と、
前記複数の銀ナノワイヤーを３０℃〜９０℃、例えば、５０℃〜８０℃の温度で３０分以上アニーリングする段階と、を含み、
前記複数の銀ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するメインピークを示し、
前記アニーリングによって前記メインピークが減少した２θ半値幅（ＦＷＨＭ）を示すことができる。
【００２９】
前記銀ナノワイヤーは、断面を透過電子顕微鏡で観察した時、（１１１）結晶面を有し、前記（１１１）結晶面は５つの三角形が集まって形成された５角形形状を有しツインバウンダリ（ｔｗｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を含むことができる。
【００３０】
前記媒質は、水および水と混和性の有機添加剤を含むことができ、前記複数の銀ナノワイヤーは前記媒質内に分散していてもよい。
【００３１】
前記媒質は、ポリマーを含み、前記複数の銀ナノワイヤーの少なくとも一部は前記媒質内に埋め込まれていてもよい。
【００３２】
前記アニーリングは、１時間以上行うことができる。
【００３３】
前記アニーリング前の前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．４１度〜０．５０度であってもよい。
【００３４】
前記アニーリング後の前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．４０度未満に減少してもよい。
【発明の効果】
【００３５】
前述の銀ナノワイヤー集団を含む前記導電体は、向上した水準の電気的および光学的物性を有しながら屈曲時にも導電体の導電特性変化が少ないため減少した抵抗変化率を示すことができる。したがって、ベンダブル（ｂｅｎｄａｂｌｅ）またはフォルダブル（ｆｏｌｄａｂｌｅ）ディスプレイなどフレキシブルディスプレイ素子のタッチセンサーに使用される透明電極フイルムとして活用することができ、ウェアラブルディスプレイ（ｗｅａｒａｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）および伸縮性ディスプレイ（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）、フレキシブル太陽電池用電極、フレキシブルバッテリー電極でも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】五角形銀（Ａｇ）ナノワイヤーを模式的に示したものである。
【図２】図４の銀ナノワイヤー（比較例１で製造した導電体の銀ナノワイヤー）でツインバウンダリを含むナノワイヤーの５角形断面の形状を模式的に示したものである。
【図３】本発明の一実施形態によるタッチパネルスクリーンの構造を模式的に示したものである。
【図４】比較例１で製造した導電体の銀ナノワイヤーを含む導電層の走査電子顕微鏡写真である。
【図５】比較例１で製造した導電体の屈曲試験後、銀ナノワイヤーを含む導電層の走査電子顕微鏡写真である。
【図６】実施例１でアニーリング処理前の銀ナノワイヤーおよび相異なる時間アニーリング処理された銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルを示したグラフ（強度Ｖｓ回折角）である。
【図７】実施例１での銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルで（１１１）面に該当するメインピークの半値幅の変化を示すグラフである。
【図８】実施例２、実施例３、および比較例１の導電体に対して２０００００回までのベンティング時の抵抗変化率を示したものである。
【図９】実施例２で製造された導電体に対して、ベンティング２０万回後のナノワイヤーの走査電子顕微鏡画像（イメージ）（倍率：５万）である。
【図１０】実施例２で製造された導電体に対して、ベンティング２０万回後のナノワイヤーの走査電子顕微鏡画像（イメージ）（倍率：１０万）である。
【図１１】相異なる温度でアニーリング１時間を行ったナノワイヤーを含む導電体（実施例５、実施例６、および比較例１の導電体）の２０万回屈曲実験での抵抗変化率をグラフ化したものである。
【図１２】実施例１でアニーリング処理前の銀ナノワイヤーおよび相異なる時間アニーリング処理された銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するピークを示すグラフ（強度Ｖｓ回折角）である。
【図１３】実施例１で、１２時間アニーリング処理された銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するピークのガウシアンフィッティング過程を示したものである。
【図１４】実施例１で、３６時間アニーリング処理された銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するピークのガウシアンフィッティング過程を示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以後に説明する技術の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかし、実現される形態は以下で開示される実施形態に限定されるのではないといえる。他の定義がなければ本明細書で使用される全ての用語（技術および科学的用語を含む）は、該当技術分野における通常の知識を有する者に共通的に理解できる意味として使用できるはずである。また一般に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。明細書全体で、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。
【００３８】
また、単数形は文句（明細書中の記載）で特に言及しない限り複数形も含む。
【００３９】
図面で様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示す。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を使用する。
【００４０】
本明細書で、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなくその中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるという時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００４１】
ここで（メタ）アクリルとは、アクリルおよびメタクリルを含む。（メタ）アクリレートは、アクリレートおよびメタクリレート、例えば、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アクリレート、（Ｃ１−Ｃ１２アルキル）メタクリレートを含む。
【００４２】
ここで、導電体とは、電気的伝導性を有する構造物をいう。導電性とは電気的伝導度を有する材料をいう。
【００４３】
ここで、“アスペクト比”とは、構造体の長さを直径で割る値をいう。
【００４４】
ここで、“ガウシアンフィッティング”とは、ピークを有するデータに対してガウス関数の定数値を定めてガウス曲線（Ｇａｕｓｓｉａｎ  ｃｕｒｖｅ）で合わせること（ｆｉｔｔｉｎｇ）を言い、これのために適切な統計プログラム（例えば、ＯｒｉｇｉｎＰｒｏ７．５ＳＲ６ソフトウェア）を使用することができる。
【００４５】
ここで、“半値幅”とは、最大振幅の半分であるｙ軸上の二点の間で測定されたスペクトルカーブの幅をいう。
【００４６】
本発明の一実施形態による導電体は、基板と、
前記基板上に配置され複数の銀ナノワイヤーを含む導電層と、を含み、
前記銀ナノワイヤーはＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当（ａｓｓｉｇｎ）するメインピーク（ｍａｉｎ  ｐｅａｋ）を示し、
前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）はガウシアンフィッティング（ｇａｕｓｉａｎ  ｆｉｔｔｉｎｇ）後０．４０度未満である。
【００４７】
前記基板は透明基板であってもよい。例えば、前記基板は可視光線波長領域の３８０〜７００ｎｍの光に対する平均光透過率が９０％以上であってもよい。前記基板の材料は特に制限されず、ガラス基板、半導体基板、高分子基板、またはこれらの組み合わせであってもよく、絶縁膜および／または導電膜が積層されている基板であってもよい。非制限的な例で、前記基板は、オキサイドガラス（例えば、非晶質酸化物）、ガラスなどの無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、セルロースまたはその誘導体、ポリイミドなどのポリマー、または有無機ハイブリッド材料、これらの組み合わせを含むことができる。前記基板の厚さも特に制限されず、最終製品の種類によって適切に選択することができる。一実施形態で、前記基板は可撓性基板であってもよい。例えば、前記基板は屈曲強度が１０ＭＰａ以上、例えば２０ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以上、または１ＧＰａ以上であってもよい。基板の屈曲強度はＡＳＴＭ  Ｄ４１２によって測定することができる。例えば、屈曲強度は、Ｌｌｏｙｄ社のＬＲＸ−ＰＬＵＳを用いて測定することができる。前記可撓性基板は、ポリ（メタ）アクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリノルボルネン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、これらの共重合体、またはこれらの組み合わせを含むことができる。
【００４８】
例えば、前記基板の厚さは、０．５μｍ以上、例えば１μｍ以上、または１０μｍ以上であってもよいが、これに制限されない。前記基板の厚さは、１ｍｍ以下、例えば５００μｍ以下、または２００μｍ以下であってもよいが、これに制限されない。前記基板と前記導電層の間には必要によって（例えば、屈折率の調節のための）追加の層（例えば、アンダーコート、オーバーコート）が提供されてもよい。
【００４９】
前記導電体は、銀ナノワイヤーを含む。前記銀ナノワイヤーは、１０以上、例えば、１０〜１０万、または１００以上、例えば、１００〜１０万の範囲のアスペクト比を有する銀金属構造体である。前記銀ナノワイヤーは、平均直径が１００ｎｍ以下、例えば、９０ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、または４０ｎｍ以下であってもよいが、これに制限されない。銀ナノワイヤーの平均直径は、例えば、所定の個数（例えば、少なくとも１０個）のナノワイヤーに対する走査電子顕微鏡分析（例えば、ＦＥＩ株式会社のＮｏｖａ４５０など高解像度ＳＥＭ）によって決定され得る。銀ナノワイヤーの平均長さは、例えば、所定の個数（例えば、少なくとも１０個）のナノワイヤーに対する走査電子顕微鏡分析（例えば、ＦＥＩ株式会社のＮｏｖａ４５０など高解像度ＳＥＭ）によって決定され得る。
【００５０】
前記銀ナノワイヤーは、面心立方（ｆａｃｅ  ｃｅｎｔｅｒｅｄ  ｃｕｂｉｃ：ＦＣＣ）結晶構造を含む１次元（１Ｄ）構造物である。前記複数の銀ナノワイヤーは、透過電子顕微鏡で測定した時、（１１１）結晶面を有し、前記（１１１）結晶面は５つの三角形が集まって形成された５角形形状を有しツインバウンダリ（ｔｗｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を含むことができる。本明細書で、このような銀ナノワイヤーを、“ペンタ−ツイン形銀ナノワイヤー”ともいう。前記導電体に含まれている前記銀ナノワイヤーはＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当（ａｓｓｉｇｎ）するメインピークを示し、前記メインピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）はガウシアンフィッティング（ｇａｕｓｉａｎ  ｆｉｔｔｉｎｇ）後、０．４０度未満、例えば、０．３８度以下、０．３６度以下、０．３５度以下、０．３４度以下、０．３３度以下、０．３２度以下、０．３１度以下、０．２９度以下、０．２８度以下、または０．２７度以下であってもよい。
【００５１】
前記銀ナノワイヤーのＸ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当（ａｓｓｉｇｎ）するメインピークは例えば、３５度〜４２度の範囲で確認することができる。
【００５２】
銀ナノワイヤーを柔軟（フレキシブル）な透明電極材料として使用するために多くの研究が行われてきた。銀ナノワイヤーを含む導電体の光透過率は銀ナノワイヤーの濃度に反比例的に依存する。したがって、銀ナノワイヤーを含む導電体は所望の水準の光透過率（例えば、９０％）を確保するために必要な水準の電気伝導度を提供できる最小量の銀ナノワイヤーを使用することが好ましい。導電体に含まれなければならない銀ナノワイヤーの使用量を減少させるために導電体の製造後に導電体を高エネルギーパルス型ランプまたはパルス型レーザで処理して導電度を向上させるなどの技術が提案されている。このような従来技術では、銀ナノワイヤーのベンティング時に抵抗が増加する主要原因として銀ナノワイヤー間の低い接着力または銀ナノワイヤーと基板、銀ナノワイヤーとオーバーコート層間の低い接着力を考慮している。
【００５３】
最近、フレキシブルディスプレイ（およびその内部に含まれている導電体）の厚さは次第に薄くなり屈曲半径は次第に小さくなっていて、これらが受ける屈曲応力は大きく増加し、従来技術での前述した提案（即ち、ナノワイヤーのネットワーク強化および基板と銀ナノワイヤーの接着力向上）によってはこのように増加された屈曲応力下で導電体の物性低下を防止しにくく、必要な水準の柔軟性も達成しにくい。例えば、銀ナノワイヤーを含む導電体は曲率半径１ｍｍの屈曲（１Ｒベンディング）実験で屈曲回数増加により抵抗が急激に増加して、２０万回屈曲サイクル後、抵抗が初期抵抗の２．５倍以上であり、従来技術による処理方法によってはこのような抵抗変化率の急激な増加を防止しにくい。
【００５４】
本発明者らが確認したことによれば、ナノワイヤーを含む導電体が屈曲時に経験するこのような抵抗増加は、導電体内に含まれている銀ナノワイヤーの破断（ｆｒａｃｔｕｒｅ）に起因することがあり、５角形断面を有する銀ナノワイヤーの場合、このような破断は銀ナノワイヤーの結晶構造内に含まれている欠陥から始まることがある。
【００５５】
ここに、銀ナノワイヤーが有している結晶欠陥を図１および図２を参照して詳しく説明する。５角形断面を有するペンタ−ツイン形銀ナノワイヤーは、５重双晶（ｆｉｖｅｆｏｌｄ  ｔｗｉｎｎｅｄ）ナノ構造物を含み、前記ナノ構造物は、ナノワイヤーの長さ方向軸に平行な｛１１１｝面に沿って延長される５つのツインバウンダリを有し、５角形断面形状に｛１００｝面に沿って５つの表面ファセット（ｓｕｒｆａｃｅ  ｆａｃｅｔ）（Ｔ１〜Ｔ５グレイン）を有する。
【００５６】
前記銀ナノワイヤーで、５つの三角形断面を含む断面は７．３５度（即ち、３６０度−３５２．６５度）の未占有角（ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  ａｎｇｌｅ）を有し、これによって前記銀ナノワイヤーは２つの表面ファセット（ｓｕｒｆａｃｅ  ｆａｃｅｔ）の間の境界線に沿って形成された積層欠陥（ｓｔａｃｋｉｎｇ  ｆａｕｌｔ）を含むことができる。例えば、図２のナノワイヤーは、Ｔ１グレインとＴ２グレイン間の境界線およびＴ４グレインとＴ５グレイン間の境界線で積層欠陥（ｓｔａｃｋｉｎｇ  ｆａｕｌｔ）を確認することができる。
【００５７】
１Ｒベンティングのような苛酷な外部応力下に置かれる場合、積層欠陥などの結晶格子の欠陥が移動して転位クラウド（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ  ｃｌｏｕｄ）を形成し、これはクラック発生および伝播と最終破断につながることがある。即ち、屈曲時導電体に加えられる力は一種の引張応力であり、このような応力が銀ナノワイヤーの原子配列の転位欠陥に集中する時、転位欠陥はクラックと破断の開始点になることがある。前述の通り、銀ナノワイヤーの結晶はＦＣＣペンタ−ツイン形に固有の欠陥を有し、その他にも合成および精製過程で追加の積層欠陥、結晶成長面の反転による追加的粒界形成の欠陥を有することがある。
【００５８】
本発明の一実施形態による導電体に含まれている銀ナノワイヤーは、５角形断面を有するペンタ−ツイン形ナノワイヤーであり、これら欠陥を形成する原子の位置を再配列する工程を経て製造されたものであるため向上した結晶性を示すことができる。このような向上した結晶性はそのＸ線回折スペクトルで（１１１）面に割り当てられるメインピークが減少した水準、例えば、０．４０度未満の半値幅を示すものを含むことができる。
【００５９】
このように結晶内転位欠陥の程度が減少した（例えば、結晶性が向上した）銀ナノワイヤーを含む導電体は、１Ｒの屈曲変形などの相当な外力下でも向上した破断抵抗性を示すことができ、その結果（例えば最大２０万回の）繰り返される屈曲試験でも初期の電気伝導性を維持し低い水準の抵抗増加率を示すことができる。
【００６０】
したがって、前記銀ナノワイヤーを含む導電体は、常温２０〜２５℃の温度、湿度４５〜５５％で、空気中で屈曲（ｂｅｎｄｉｎｇ）時、曲率半径（言い替えれば、試片内径の半径）１ｍｍ（１Ｒ）、屈曲（ｂｅｎｄｉｎｇ）角１８０度で２０万回反復後、屈曲（ｂｅｎｄｉｎｇ）抵抗変化率（ＤＲ（％）＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ１×１００、Ｒ１：初期線形抵抗、Ｒ２：２０万回後の線抵抗、線抵抗測定電極間距離：１０ｃｍ）を測定し、試片は引張ストレイン（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｓｔｒａｉｎ）が加われるように外側屈曲（ｏｕｔｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ）を行った。本条件で２０万回１Ｒベンティングを繰り返した時、抵抗変化率が１５２％以下、例えば、６４％以下、または２０％以下であってもよい。ここで、外側屈曲モード（ｏｕｔｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ  ｍｏｄｅ）は引張モード（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｍｏｄｅ）とも言い、折ったとき、導電層が外側表面に配置される。これとは対照的に、試片が折られたとき、基板の内側表面に導電層が配置されて外部から見えなければ内側モード（ｉｎｎｅｒ  ｍｏｄｅ）或いは圧縮モード（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｍｏｄｅ）とも言える。このように顕著に向上した屈曲特性と共に、本発明の一実施形態による導電体は、ヘイズ１．０％以下で、面抵抗が１００オーム／ｓｑ．以下、例えば９０オーム／ｓｑ．以下、８０オーム／ｓｑ．以下、７０オーム／ｓｑ．以下、６０オーム／ｓｑ．以下、５０オーム／ｓｑ．以下、またはさらに４０オーム／ｓｑ．以下であってもよく、波長は可視光線領域の３８０〜７００ｎｍの光に対する平均光透過率が８０％以上、例えば、８５％以上、８６％以上、８７％以上、８８％以上、８９％以上、または９０％以上であってもよい。
【００６１】
前記導電体は、前記導電層の真上に配置されるオーバーコート層（ＯＣＬ）を含むことができる。前記オーバーコート層は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、またはこれらの組み合わせを含むことができる。ＯＣＬのための熱硬化性樹脂および紫外線硬化性樹脂の具体的な例は公知されている。前述の材料から前記導電性薄膜の上にＯＣＬを形成する方式も知られており、特に制限されない。一実施形態で、オーバーコート層（ＯＣＬ）のための熱硬化性樹脂および紫外線硬化性樹脂はウレタン（メタ）アクリレート、（メタ）アクリレート基を有するパーフルオロポリマー、（メタ）アクリレート基を有するポリ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、またはこれらの組み合わせを含むことができる。オーバーコート層は無機酸化物微粒子（例えば、シリカ微粒子）をさらに含むことができる。
【００６２】
本発明の他の一実施形態は、前述のように向上した結晶性を有する銀ナノワイヤー（即ち、Ｘ線回折スペクトルで（１１１）結晶面に該当するメインピークを示し、前記メインピークは、ガウシアンフィッティング後、２θ半値幅（ＦＷＨＭ）が０．４０度未満である銀ナノワイヤー）の集団に関するものである。このような銀ナノワイヤーに関する具体的内容は前述の通りである。
【００６３】
前記向上した結晶性を有するナノワイヤーの集団は、下記段階を含む方法によって製造することができる。
【００６４】
複数の銀ナノワイヤーを媒質内に配置する段階、および
前記媒質内に配置された複数の銀ナノワイヤーを３０℃〜９０℃、例えば、５０℃〜８０℃の温度で３０分以上アニーリングする段階。
【００６５】
前記銀ナノワイヤーは、ペンタ−ツイン形ナノワイヤーであってもよい。ペンタ−ツイン形ナノワイヤーは、Ｘ線回折スペクトルで確認した時、（１１１）面に割り当てられるメインピークの半値幅が通常０．４１度以上、例えば、０．４１度〜０．５０度の範囲である。
【００６６】
このようなペンタツイン形ナノワイヤーは、ボトム−アップ（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ）タイプの製造方式によって準備されたものであってもよく、商業的に入手可能である。ここでボトム−アップタイプの製造方式では、化学的または分子集合によって或いはテンプレート補助型電着（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってナノワイヤーを準備し、具体的な内容は知られている。例えば、銀ナノワイヤーは、ポリオール（例えば（ｅ．ｇ．）、エチレングリコール）およびポリビニルピロリドンの存在下に銀塩（例えば（ｅ．ｇ．）、硝酸塩）を液状還元して合成することができる。
【００６７】
前記媒質は、水および水と混和性の有機添加剤を含むことができる。この場合、前記銀ナノワイヤーは媒質内に分散できる。水と混和性の有機添加剤は銀ナノワイヤーを含むインク組成物に付加される各種添加剤であってもよい。例えば、水と混和性の有機添加剤は水と混和性の有機溶媒であってもよい。水と混和性の有機添加剤の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどＣ１〜Ｃ５の直鎖または分枝鎖アルコール類、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、Ｃ２〜Ｃ２０の有機酸などの分散剤、粘度調節剤、各種界面活性剤、または有機バインダーが挙げられるが、これに制限されない。前記有機バインダーは、導電層形成のための組成物の粘度を適切に調節したり基板上に前記ナノワイヤーの結着力を高める役割を果たすことができる。前記バインダーの非制限的な例は、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）、キサンタンゴム（ｘａｎｔｈａｎ  ｇｕｍ）、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ、ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ、ＰＶＰ）、カルボキシメチルセルロース（ｃａｒｂｏｘｙ  ｍｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、ヒドロキシエチルセルロース（ｈｙｄｒｏｘｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、またはこれらの組み合わせを含むことができる。前記バインダーの含量は適切に選択することができ、特に制限されない。非制限的な例で、前記有機バインダーの含量は前記ナノサイズ導電体（即ち、ＡｇＮＷ）１００重量部に対して１〜１００重量部であってもよい。
【００６８】
前記媒質の具体的な組成およびその内部に分散したナノワイヤーの含量は特に制限されず適切に選択することができる。例えば、前記媒質の具体的な組成およびその内部に分散したナノワイヤーの含量は下記の表１の通りであってもよいが、これに制限されない。
【００６９】
【表１】
2017092036.tif 000003
【００７０】
他の実施形態で、前記媒質はポリマーを含むことができ、前記複数の銀ナノワイヤーの少なくとも一部は前記媒質内に埋め込まれていてもよい。前記媒質内に埋め込まれている複数の銀ナノワイヤーは基板上に配置されていてもよい。前記ポリマーは、ポリウレタン、アクリル系ポリマー、シリコーン、ポリアクリレート、ポリシラン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリオレフィン、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリノルボルネン、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）共重合体、またはこれらの組み合わせが挙げられるが、これに制限されない。
【００７１】
前記媒質は、前述のオーバーコート層を含むことができる。前記媒質は、前述の有機バインダーを含むことができる。
【００７２】
前述のように前記媒質内に配置された複数の銀ナノワイヤーは、（例えば、水溶液内で）３０℃〜９０℃、例えば、４０℃〜８０℃、５０℃〜８０℃または５０℃〜７０℃の温度で処理することができる。一実施形態で、前記複数の銀ナノワイヤーは、５０℃以上、例えば、５５℃以上、６０℃以上、または６５℃以上および８０℃以下、例えば、７８℃以下、または７５℃以下の温度で３０分以上の時間熱処理（即ち、アニーリング）される。
【００７３】
アニーリング時間は例えば、３５分以上、４０分以上、４５分以上、５０分以上、１時間以上、２時間以上、３時間以上、４時間以上、５時間以上、６時間以上、７時間以上、８時間以上、９時間以上、１０時間以上、２０時間以上、３０時間以上、４０時間以上、またはさらに５０時間以上であってもよい。
【００７４】
前述の時間および温度条件でのアニーリングによって前記媒質内に配置された複数の銀ナノワイヤーは向上した結晶性を示すことができる。言い換えれば、このようなアニーリングによって、媒質内に配置された銀ナノワイヤーはＸ線回折スペクトルで、０．４０度未満、例えば、０．３８度以下、または０．３６度以下に減少した（１１１）面ピークの２θ半値幅（ＦＷＨＭ）を示すことができる。
【００７５】
このように向上した結晶性を有する銀ナノワイヤーは、本発明の一実施形態による導電体のように、基板上に配置されて導電層を形成することができる。
【００７６】
前記方法で、媒質が水または水と混和性の有機添加剤を含む場合、結晶性が向上した前記ナノワイヤーの集団は水性分散液として製造することができる。このように得られた水性分散液は、基板上に塗布し、選択によって乾燥および／または熱処理を行って導電層を形成し一実施形態による導電体を製造することができる。前記分散液の塗布は多様な方法で行うことができ、一例として、バーコーティング（ｂａｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）、ブレードコーティング（ｂｌａｄｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スロットダイコーティング（ｓｌｏｔ  ｄｉｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビアコーティング（Ｇｒａｖｕｒｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）、インクジェットプリンティング（ｉｎｋ  ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはこれらの組み合わせによって適用することができる。製作された銀ナノワイヤー導電膜の上に光硬化性高分子層（例えば、オーバーコート層）をコーティングし、選択によって（熱）乾燥、および光硬化を行うことができる。
【００７７】
一実施形態による前記導電体は、向上した屈曲特性を示すことができる。一実施形態で、前記導電体は、曲率半径１ｍｍ（１Ｒ）で２００，０００回屈曲（ベンティング）後、１５２％以下、９０％以下、例えば８０％以下、７０％以下、または６５％以下、６４％以下の抵抗変化率を示すことができる。
【００７８】
本発明の一実施形態による導電体は、各種電子素子で導電性素材（例えば透明電極など）として用いることができる。また、前記導電体は、機能性ガラス、静電気防止膜、などでも有用性を見つけることができると思われる。
【００７９】
前記電子素子は、ディスプレイ、タッチスクリーンパネル、太陽電池、ｅ−ウィンドウ、電気変色ミラー（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明発熱板（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｈｅａｔｅｒ）ヒートミラー（ｈｅａｔ  ｍｉｒｒｏｒ）、透明トランジスタ、透明転位感知センサー（ｓｔｒａｉｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、柔軟（フレキシブル）バッテリー、柔軟（フレキシブル）太陽電池、または柔軟（フレキシブル）ディスプレイを含むが、これに制限されない。前記導電性薄膜は優れた可撓性を示すことができるので、フレキシブルな電子素子に有用に適用することができる。
【００８０】
前記電気素子は、タッチスクリーンパネルであってもよい。タッチスクリーンパネルの詳細な構造は、公知されている。タッチスクリーンパネルの簡略化した構造を図３に模式的に示す。図３に示すように、前記タッチスクリーンパネルは、表示装置用パネル（例えば、ＬＣＤパネル）上に第１導電性薄膜、第１透明接着層（例えば、光学用接着剤（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＯＣＡ）フィルム）、第２導電性薄膜、第２透明接着層、および表示装置用ウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）を含む構造を有し得る。第１導電性薄膜および／または第２導電性薄膜は一実施形態による導電体であってもよい。
【００８１】
ここでは前記導電体をタッチスクリーンパネル（例えば、その透明電極）に適用した例を説明したが、これに限定されず、透明電極が使用される全ての電子素子の電極に用いることができ、例えば液晶表示装置の画素電極および／または共通電極、有機発光装置のアノードおよび／またはカソード、プラズマ表示装置の表示電極にも用いることができる。また、前記導電体は、機能性ガラスまたは静電気防止層にも用いることができる。
【実施例】
【００８２】
以下、具体的な実施例を提示する。但し、下記に記載された実施例は前述の実施形態を具体的に例示または説明するためのものに過ぎず、これによってこれらの範囲が制限されてはいけない。
【００８３】
［実施例］
測定法
［１］面抵抗測定：面抵抗の測定は下記のように行う。
【００８４】
測定機器：Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０）、ＥＳＰ  ｔｙｐｅ  ｐｒｏｂｅｓ（ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ）
サンプル大きさ：横２０ｃｍ×縦３０ｃｍ
測定：少なくとも９回測定した後の平均値。
【００８５】
［２］光透過率測定：光透過率測定は下記のように行う。
【００８６】
測定機器：ＮＩＰＰＯＮ  ＤＥＮＳＨＯＫＵ  ＩＮＤＵＳＴＲＩＥＳ（ＮＤＨ−７０００  ＳＰ）
サンプル大きさ：横２０ｃｍ×縦３０ｃｍ
サンプル測定：少なくとも９回測定した後の平均値。
【００８７】
［３］ヘイズ測定：ヘイズ測定は下記のように行う。
【００８８】
測定機器：ＮＩＰＰＯＮ  ＤＥＮＳＨＯＫＵ  ＩＮＤＵＳＴＲＩＥＳ（ＮＤＨ−７０００  ＳＰ）
サンプル大きさ：横２０ｃｍ×縦３０ｃｍ
サンプル測定：少なくとも９回測定した後の平均値。
【００８９】
［４］走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析：下記の機器を用いて走査電子顕微鏡分析を行う。
【００９０】
機器：ＦＥ−ＳＥＭ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）  ＮｏｖａＮａｎｏ  ＳＥＭ  ４５０（ＦＥＩ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製造）。
【００９１】
［５］屈曲試験（ｂｅｎｄｉｎｇ  ｔｅｓｔ）：
屈曲（Ｂｅｎｄｉｎｇ）半径が１ｍｍ（１Ｒ）であるフレキシブルテスター（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｔｅｓｔｅｒ）（製造会社：ＣＯＶＯＴＥＣＨ、モデル名：ＣＦＴ−２００Ｒ）に試片を装着して引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｓｔｒｅｓｓ）６．７％の外側屈曲モード（ｏｕｔｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ  ｍｏｄｅ）で、室温（例えば、２５℃）で２００，０００ｃｙｃｌｅを行い、各サイクル回数増加によって初期抵抗に対する抵抗変化率ＤＲ（％）を測定する。ＤＲ（％）＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ１×１００、ＤＲ：線抵抗変化率、Ｒ１：初期線抵抗、Ｒ２：２０万回後線抵抗、線抵抗測定電極間距離は１０ｃｍ。
【００９２】
［６］Ｘ線回折分析：
Ｂｒｕｋｅｒ（Ｄ８  Ａｄｖａｎｃｅ）を用いて２θ、３５〜４２度の範囲を３０分間測定してＸ線回折分析を行う。
【００９３】
比較例１：銀ナノワイヤー導電層を含む導電体の製造および屈曲試験
ポリイミド（ＰＩ）基板（厚さ：１２５μｍ）上に銀ナノワイヤー（以下、ＡｇＮＷ）濃度０．１ｗｔ％（銀ナノワイヤーの直径２０ｎｍ、長さ１８ｍｍ）である分散液を自動化されたバーコーター（ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂａｒ  ｃｏａｔｅｒ）（ＧＢＣ−Ａ４、ＧＩＳＴ）を用いて塗布してフィルムを製造し、製造されたフィルムに対して１００℃での空気雰囲気下で３分間乾燥してＡｇＮＷのパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）ネットワーク形態である導電層を形成した。
【００９４】
前記分散液は、Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を水で希釈して製造した。
【００９５】
前記導電層上にウレタンアクリレート系光硬化性高分子（製造会社：Ｓｕｋｇｙｕｎｇ  ＡＴ、商品名：ＳＧ−ＨＳＴＹＰＥ３０）の３ｗｔ％溶液を８０ｎｍ厚さでオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）した後、１００℃で３分間乾燥し、ＵＶランプ（波長：３６５ｎｍ、光量：８００ｍＪ／ｃｍ２）で１５秒間照射してＵＶ硬化させて導電体を製造した。
【００９６】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【００９７】
製造された導電体の導電層の走査電子顕微鏡イメージを図４に示す。図４から、製造された導電体は網形状の電気的交差点であるパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）形状を有することを確認した。
【００９８】
ポリイミド（ＰＩ）基板上に製造された導電体に対して数回の屈曲試験を行った。一部の結果を図８に示す。屈曲試験の結果から、屈曲サイクル増加によって抵抗変化率が急激に増加して、２０万回サイクル後の抵抗変化率が２４１±５７％程度であることを確認した。
【００９９】
製造された導電体の屈曲試験後、導電体の導電層の走査電子顕微鏡イメージを図５に示す。図５から、銀ナノワイヤーの接合剥離（ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）および接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）／本体破断（ｂｏｄｙ  ｆｒａｃｔｕｒｅ）を観察することができる。このような銀ナノワイヤーの接合剥離（ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）および接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）／本体破断（ｂｏｄｙ  ｆｒａｃｔｕｒｅ）は屈曲回数増加時に抵抗変化率の増加をもたらし、このような抵抗変化率増加は、（例えばタッチスクリーンパネルまたはタッチセンサーなどの）電子素子で故障（ｆａｉｌｕｒｅ）を発生させる原因になることがある。
【０１００】
実施例１：銀ナノワイヤーのアニーリング処理およびＸ線回折分析
分散液は、Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を、７０℃のオーブンに入れて１２時間、２４時間、および３６時間熱処理した。
【０１０１】
熱処理しないＡｇＮＷ分散液と相異なる時間熱処理した分散液それぞれをポリカーボネート基板（厚さ：５０μｍ）に自動化されたバーコーター（ＧＢＣ−Ａ４、ＧＩＳＴ）で塗布してフィルムを製造し、製造されたフィルムに対して１００℃で５分間乾燥してＡｇＮＷのパーコレーションネットワークを含む導電層を形成した。
【０１０２】
前記導電層上にウレタンアクリレート系光硬化性高分子（製造会社：Ｓｕｋｇｙｕｎｇ  ＡＴ、商品名：ＳＧ−ＨＳＴＹＰＥ３０）の３ｗｔ％溶液を８０ｎｍ厚さでオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）した後、比較例１と同様な方式でＵＶ硬化させて導電体を製造した。
【０１０３】
製造された（ＡｇＮＷ分散液の熱処理時間の異なる４種類の）導電体の面抵抗はいずれも７オーム／ｓｑ．である。本実験はＸＲＤ分析に対する熱処理効果を明らかにするためのものであり、実質的なノイズなくきれいな結果を得るために、ＡｇＮＷ分散液の濃度が比較的高く、したがって、導電体の光特性は測定しない。
【０１０４】
製造された導電体に対して、Ｘ線回折分析を行い、その結果を図６および１２に示す。それぞれのＸ線回折スペクトルに対して（１１１）面に該当（相応）するメインピークのガウシアンフィッティング（参照：図１３および１４）後の半値幅（ＦＷＨＭ）を計算してこれを図７に整理する。
【０１０５】
Ｘ線回折分析結果から、実施例１で熱処理は（１１１）面メインピークの半値幅の減少をもたらし得るのを確認する。Ｘ線回折分析結果から、熱処理時間の増加は半値幅の追加的減少につながり、半値幅は熱処理時間の関数であり得るのを確認する。
【０１０６】
実施例２
Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を７０℃のオーブンで７２時間熱処理し、これを水で希釈してＡｇＮＷ０．１ｗｔ％分散液を製造しＡｇＮＷ分散液として使用することを除いては比較例１と同様な方式でＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を含む導電体を製造した。
【０１０７】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【０１０８】
製造された導電体の導電層の走査電子顕微鏡形状は比較例１と類似している。
【０１０９】
製造された導電体に対して屈曲試験を数回行った。その結果の一部を図８に比較例１の屈曲試験結果と共に示す。屈曲試験の結果から、実施例２では、比較例１に比して屈曲サイクル増加によって抵抗変化率の増加が顕著に減少し、２０万回サイクル後の抵抗変化率は４５％±１２％程度であることを確認した。図７の結果を参照するとき、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅は０．２７度以下であり得る。
【０１１０】
製造された導電体の屈曲試験後、導電体の導電層の走査電子顕微鏡イメージを図９（倍率：５万）および図１０（倍率１０万）に示す。図５の比較例結果に比べて、本実施例の導電体では銀ナノワイヤーの接合剥離（ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）および接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）／本体破断（ｂｏｄｙ  ｆｒａｃｔｕｒｅ）が減少することを確認した。
【０１１１】
実施例３
Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を７０℃のオーブンで１時間熱処理し、これを水で希釈してＡｇＮＷ０．１ｗｔ％分散液を製造してＡｇＮＷ分散液として使用したことを除いては比較例１と同様な方式でＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を含む導電体を製造した。
【０１１２】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。 
【０１１３】
製造された導電体に対して数回屈曲試験を行った。その結果の一部を図８に比較例１の屈曲試験結果と共に示す。屈曲試験結果から、実施例３では、比較例１に比して屈曲サイクル増加によって抵抗変化率の増加が顕著に減少し、２０万回サイクル後の抵抗変化率は６４％±１２％程度であることを確認した。この結果と図７の結果は、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅が０．４０度未満であるのを示唆することができる。
【０１１４】
実施例４
Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を７０℃のオーブンで３０分間熱処理し、これを水で希釈してＡｇＮＷ０．１ｗｔ％分散液を製造してＡｇＮＷ分散液として使用したことを除いては比較例１と同様な方式でＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を含む導電体を製造した。
【０１１５】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【０１１６】
製造された導電体に対して数回屈曲試験を行った。その結果、２０万回サイクル後の抵抗変化率は平均１５２％程度であることを確認した。この結果と図７の結果は、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅が０．４０度未満であるのを示唆することができる。
【０１１７】
比較例２
Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を７０℃のオーブンで１０分間熱処理し、これを水で希釈してＡｇＮＷ０．１ｗｔ％分散液を製造してＡｇＮＷ分散液として使用したことを除いては比較例１と同様な方式でＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を含む導電体を製造した。
【０１１８】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【０１１９】
製造された導電体に対して数回屈曲試験を行った。その結果、２０万回サイクル後の抵抗変化率は２２４％±４４程度であることを確認した。この結果は、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅が元の値からほとんど変化しないこと（例えば、０．４１度程度ある）を示唆することができる。
【０１２０】
実施例５
ポリイミド（ＰＩ）基板（厚さ：１２５μｍ）上に銀ナノワイヤー（ＡｇＮＷ）濃度０．１ｗｔ％（銀ナノワイヤーの直径２０ｎｍ、長さ１８ｍｍ）である分散液を自動化されたバーコーター（ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂａｒ  ｃｏａｔｅｒ）（ＧＢＣ−Ａ４、ＧＩＳＴ）を用いて塗布してフィルムを製造し、製造されたフィルムに対して１００℃で３分間乾燥してＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を形成した。
【０１２１】
前記分散液は、Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を水で希釈して製造した。
【０１２２】
前記導電層上にウレタンアクリレート系光硬化性高分子（製造会社：Ｓｕｋｇｙｕｎｇ  ＡＴ、商品名：ＳＧ−ＨＳＴＹＰＥ３０）の３ｗｔ％溶液を８０ｎｍ厚さでオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）した後、比較例１と同様な方式でＵＶ硬化させて導電体を製造した。
【０１２３】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【０１２４】
製造された導電体を５０℃のオーブンに入れて空気中で１時間熱処理した。
【０１２５】
製造（熱処理）された導電体に対して屈曲試験を行った。その結果を図１１に比較例１の屈曲試験結果と共に示す。図１１から、実施例５では、比較例１に比して屈曲サイクル増加によって抵抗変化率の増加が顕著に減少し、２０万回サイクル後の抵抗変化率は１３２％程度であることを確認した。この結果と図７の結果は、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅が０．４０度未満であるのを示唆することができる。
【０１２６】
実施例６
ポリイミド（ＰＩ）基板（厚さ：１２５ｍｍ）上に銀ナノワイヤー（ＡｇＮＷ）濃度０．１ｗｔ％（銀ナノワイヤーの直径２０ｎｍ、長さ１８ｍｍ）である分散液を自動化されたバーコーター（ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂａｒ  ｃｏａｔｅｒ）（ＧＢＣ−Ａ４、ＧＩＳＴ）を用いて塗布してフィルムを製造し、製造されたフィルムに対して１００℃で３分間乾燥してＡｇＮＷがパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）されたネットワークを含む導電層を形成した。
【０１２７】
前記分散液は、Ａｉｄｅｎ社から入手したＡｇＮＷ分散液（ＡｇＮＷ濃度０．５ｗｔ％）を水で希釈して製造した。
【０１２８】
前記導電層上にウレタンアクリレート系光硬化性高分子（製造会社：Ｓｕｋｇｙｕｎｇ  ＡＴ、商品名：ＳＧ−ＨＳＴＹＰＥ３０）の３ｗｔ％溶液を８０ｎｍ厚さでオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ）した後、比較例１と同様な方式でＵＶ硬化させて導電体を製造した。
【０１２９】
製造された導電体の面抵抗は３５オーム／ｓｑ．である。同一のＡｇＮＷ分散液を使用し、前述の方法と同一であるが、厚さ５０μｍのポリカーボネート基板を使用して、面抵抗３５オーム／ｓｑ．の導電体を製造した。製造された導電体の光透過率（度）は９０．１％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【０１３０】
製造された導電体を７０℃のオーブンに入れて空気中で１時間熱処理した。
【０１３１】
製造（熱処理）された導電体に対して屈曲試験を行った。その結果を図１１に比較例１の屈曲試験結果と共に示す。図１１から、実施例６では、比較例１に比して屈曲サイクル増加によって抵抗変化率の増加が顕著に減少し、２０万回サイクル後の抵抗変化率は１０１％程度であることを確認した。この結果と図７の結果は、前記導電体に含まれたＡｇＮＷの半値幅が０．４０度未満であるのを示唆することができる。
【０１３２】
以上で実施例について詳細に説明したが、その権利範囲はこれに限定されるのではなく、次の請求範囲で定義しているこれら実施形態の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も発明の権利範囲に属するものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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