(57)【要約】【課題】フォトレジストパターンが、下地に対して所定の位置に形成されているか否かを光学的に検査する際の検査精度を向上する。【解決手段】シリコン基板ＳＢの表面上にマークＭＫが形成される。マークＭＫは、矩形状の溝パターンＴＰが同心状に複数配置されたシリコン酸化膜ＳＯＦと、その溝パターン内に形成されたシリコン窒化膜ＳＮＦとを含む。シリコン基板ＳＢの表面に、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが形成される。次に、フォトレジストパターンＰＲ３が形成される。フォトレジストパターンＰＲ３では、マーク領域ＭＫＲに、矩形状の開口パターンＫＰＭ３が形成される。フォトレジストパターンＰＲ３の下地に対する光学的な重ね合わせ検査が行われる。【選択図】図１８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶基板と、
前記結晶基板における第１領域に形成されたマークと、
前記マークが配置されている領域を除く態様で前記結晶基板上に形成された結晶層と、
前記マークおよび前記結晶層を覆うように形成された層間絶縁膜と
を有し、
前記マークは、
溝パターンを有する第１絶縁膜と、
前記溝パターンに形成され、前記第１絶縁膜とは材料が異なる第２絶縁膜と
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記第２絶縁膜の上面は、前記第１絶縁膜の上面よりも低い位置にある、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２絶縁膜の下面は、前記第１絶縁膜の下面よりも高い位置にある、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁膜の下面は、前記第１絶縁膜の下面よりも低い位置にある、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記結晶層における第２領域に形成された高耐圧トランジスタを備え、
前記層間絶縁膜は、前記高耐圧トランジスタを覆うように形成された、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のいずれか一方であり、
前記第２絶縁膜は、前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜のいずれか他方である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
結晶基板を用意する工程と、
前記結晶基板における第１領域にマークを形成する工程と、
露出している前記結晶基板の表面に、エピタキシャル成長法によって結晶層を形成する工程と、
前記結晶層および前記マークを覆うように一のフォトレジストを塗布し、写真製版処理を行うことにより、一のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記一のフォトレジストパターンをマスクとして、前記結晶層に加工を行う工程と
を有し、
前記マークを形成する工程は、
前記結晶基板の表面上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を覆うように他のフォトレジストを塗布し、写真製版処理を行うことにより、他のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記他のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第１絶縁膜にエッチングを施すことにより、溝パターンを有する第１パターンを形成する工程と、
前記第１パターンを覆うように、前記第１絶縁膜とは材料が異なる第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の全面に異方性エッチングを施すことにより、前記溝パターン内に位置する前記第２絶縁膜の部分を残して前記第２絶縁膜を除去することにより、第２パターンを形成する工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２パターンを形成する工程では、前記第２パターンとして残される前記第２絶縁膜の上面が、前記第１パターンとしての前記第１絶縁膜の上面よりも低い位置になるように形成される、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２絶縁膜を形成する工程では、前記溝パターンに残される前記第２絶縁膜の部分の下面が、前記第１絶縁膜の下面よりも高い位置になるように形成される、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１パターンを形成する工程では、前記第１領域以外の領域に位置する前記結晶基板の表面を、前記第１領域に位置する前記結晶基板の部分の表面よりも低い位置する、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記結晶層に第２領域を規定する工程と、
前記第２領域に高耐圧トランジスタを形成する工程と
を備えた、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜を形成する工程では、前記第１絶縁膜としてシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のいずれか一方が形成され、
前記第２絶縁膜を形成する工程では、前記第２絶縁膜として前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜のいずれか他方が形成される、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記一のフォトレジストパターンを形成する工程では、トレンチに対応するパターンが形成され、
前記結晶層に加工を行う工程では、前記結晶層にトレンチが形成され、
前記トレンチに素子分離絶縁膜を形成することにより、素子分離領域を形成する工程を備えた、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、たとえば、エピタキシャル層と重ね合わせ検査等のマークとを備えた半導体装置に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
高耐圧半導体素子を備えた半導体装置では、シリコン基板を含む半導体基板中に複数のｐｎ接合構造が形成される。たとえば、ｐｎｐ接合構造を形成する場合には、ｐ型のシリコン基板の表面にｎ型の不純物を注入することによってｎ型領域が形成される。次に、そのｎ型領域の表面上にエピタキシャル成長法によってｐ型領域（エピタキシャル層）が形成される。
【０００３】
次に、そのｐ型領域に素子領域が規定される。素子領域には、たとえば、ｎチャネル型高耐圧ＭＯＳトランジスタ等の高耐圧半導体素子が形成される。素子領域は、エピタキシャル成長法によって形成されたｐ型領域における所定の領域に、素子分離領域を形成することによって規定される。
【０００４】
ｐ型領域に素子分離領域を形成するために、シリコン基板の表面には、あらかじめ、重ね合わせ検査のためのマークが形成される。このマークとフォトレジストパターンとを検出することによって、素子分離領域を形成するための所望のフォトレジストパターンが、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かが判断される。
【０００５】
また、このマークは、ｐ型領域に、たとえば、高耐圧素子のドレイン領域等を形成する際に、所望のフォトレジストパターンが形成されたか否かを判断するのにも適用される。なお、この種の半導体装置を開示した特許文献の一例として、特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４７９４３７７号公報（特開２００８−１６６３９号公報）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ｐ型領域を形成する際のエピタキシャル成長では、シリコン基板の結晶と同じ格子定数を有するシリコンを、シリコン基板の表面から成長させることによってエピタキシャル層（ｐ型領域）が形成される。
【０００８】
そのシリコン基板として、表面の荒れ（ヘイズ）を抑えるために、表面を所定の結晶方位に対して傾斜させたシリコン基板がある。すなわち、オフ角が設けられたシリコン基板がある。そのようなシリコン基板では、エピタキシャル層が、オフ角に対応して斜めに成長することになる。
【０００９】
このとき、マーク領域では、所定の厚さを有するマークのパターンに対して、露出したシリコン基板の表面の部分からオフ角に応じてシリコンが斜めに成長することになる。このため、マーク領域では、マークおよびシリコンの表面モフォロジーの対称性が崩れてしまうことがある。
【００１０】
表面モフォロジーの対称性が崩れると、下地のパターンに対して、所望のフォトレジストパターンが形成されているか否かを光学的に検査する際に、その検査精度が落ちてしまうことになる。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付の図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施の形態に係る半導体装置は、結晶基板とマークと結晶層と層間絶縁膜とを有している。マークは、結晶基板における第１領域に形成されている。結晶層は、マークが配置されている領域を除く態様で結晶基板上に形成されている。層間絶縁膜は、マークおよび結晶層を覆うように形成されている。マークは、溝パターンを有する第１絶縁膜と、溝パターンに形成され、第１絶縁膜とは材料が異なる第２絶縁膜とを備えている。
【００１２】
他の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は以下の工程を有している。用意された結晶基板における第１領域にマークを形成する。露出している結晶基板の表面に、エピタキシャル成長法によって結晶層を形成する。結晶層およびマークを覆うように一のフォトレジストを塗布し、写真製版処理を行うことにより、一のフォトレジストパターンを形成する。一のフォトレジストパターンをマスクとして、結晶層に加工を行う。マークを形成する工程は、以下の工程を備えている。結晶基板の表面上に第１絶縁膜を形成する。第１絶縁膜を覆うように他のフォトレジストを塗布し、写真製版処理を行うことにより、他のフォトレジストパターンを形成する。他のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして、第１絶縁膜にエッチングを施すことにより、溝パターンを有する第１パターンを形成する。第１パターンを覆うように、第１絶縁膜とは材料が異なる第２絶縁膜を形成する。第２絶縁膜の全面に異方性エッチングを施すことにより、溝パターン内に位置する第２絶縁膜の部分を残して第２絶縁膜を除去することにより、第２パターンを形成する。
【発明の効果】
【００１３】
一実施の形態に係る半導体装置によれば、下地のパターンに対して所望のフォトレジストパターンが形成されているか否かを光学的に検査する検査精度が向上する。
【００１４】
他の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、下地のパターンに対して所望のフォトレジストパターンが形成されているか否かを光学的に検査する検査精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
【図２】同実施の形態において、図１に示す断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】同実施の形態において、半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】同実施の形態において、図３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図５】同実施の形態において、図４に示す工程におけるマーク領域を示す部分拡大断面図である。
【図６】同実施の形態において、図４および図５に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図７】同実施の形態において、図６に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図８】同実施の形態において、図７に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図９】同実施の形態において、図８に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図１０】同実施の形態において、図９に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図１１】同実施の形態において、図１０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１２】同実施の形態において、図１１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１３】同実施の形態において、図１２に示す工程における、マーク領域および素子領域のＰ型エピタキシャル層の表面の状態を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図１４】同実施の形態において、図１２に示す工程の後に行われる工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図１５】同実施の形態において、図１４に示す断面線ＸＶ−ＸＶにおける断面図を含む、図１４に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図１６】同実施の形態において、図１５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１７】同実施の形態において、図１６に示す工程の後に行われる工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図１８】同実施の形態において、図１７に示す断面線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩにおける断面図を含む、図１７に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図１９】同実施の形態において、図１８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２０】同実施の形態において、図１９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２１】同実施の形態において、図２０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２２】同実施の形態において、図２１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２３】比較例に係る半導体装置の製造方法の一工程における、マーク領域を示す部分拡大断面図である。
【図２４】図２３に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図であり、比較例に係る半導体装置の問題点を説明するための部分拡大断面図である。
【図２５】同実施の形態において、半導体装置の作用効果を説明するための、半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２６】同実施の形態において、半導体装置の作用効果を説明するための、図２５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２７】同実施の形態において、半導体装置の作用効果を説明するための、図２６に示す工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図２８】同実施の形態において、変形例として、マーク領域に形成されるアライメントマークの一例を示す部分拡大平面図である。
【図２９】同実施の形態において、変形例として、マーク領域に形成されるアライメントマークの他の例を示す部分拡大平面図である。
【図３０】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す、マーク領域の部分拡大断面図である。
【図３１】同実施の形態において、図３０に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図３２】同実施の形態において、図３１に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図３３】同実施の形態において、図３２に示す工程の後に行われる工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図３４】同実施の形態において、図３３に示す断面線ＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶにおける断面図を含む、図３３に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図３５】同実施の形態において、図３４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図であり、同実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図３６】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す、マーク領域の部分拡大断面図である。
【図３７】同実施の形態において、図３６に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図３８】同実施の形態において、図３７に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図３９】同実施の形態において、図３８に示す工程の後に行われる工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図４０】同実施の形態において、図３９に示す断面線ＸＬ−ＸＬにおける断面図を含む、図３９に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図４１】同実施の形態において、図４０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図であり、同実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図４２】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す、マーク領域の部分拡大断面図である。
【図４３】同実施の形態において、図４２に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図４４】同実施の形態において、図４３に示す工程の後に行われる工程を示す部分拡大断面図である。
【図４５】同実施の形態において、図４４に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図４６】同実施の形態において、図４５に示す工程の後に行われる工程におけるマーク領域を示す部分拡大平面図である。
【図４７】同実施の形態において、図４６に示す断面線ＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩにおける断面図を含む、図４６に示す工程におけるマーク領域および素子領域を示す断面図である。
【図４８】同実施の形態において、図４７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図であり、同実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１
実施の形態１に係る半導体装置について説明する。図１および図２に示すように、半導体基板ＳＵＢでは、素子領域ＥＴＲとマーク領域ＭＫＲが規定されている。半導体基板ＳＵＢは、シリコン基板ＳＢ（結晶基板）とｐ型エピタキシャル層ＰＥＬ（結晶層）とを含む。ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬは、シリコン基板ＳＢの表面に、エピタキシャル成長法によって形成されている。素子領域ＥＴＲでは、ｐｎ接合を形成するために、あらかじめ、シリコン基板ＳＢの表面から所定の深さにわたり、Ｎ型注入領域ＮＩＲが形成されている。
【００１７】
素子領域ＥＴＲに位置するｐ型エピタキシャル層ＰＥＬには、素子分離領域ＥＩＲが形成されている。素子分離領域ＥＩＲでは、トレンチ内に素子分離絶縁膜ＥＩＦが形成されている。その素子領域ＥＴＲに、高耐圧半導体素子として、たとえば、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴが形成されている。高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴは、ドレインとしてのＮ型不純物領域ＮＤＲおよび高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲ、ソースとしてのＮ型不純物領域ＮＳＲならびにゲート電極ＧＥを含む。
【００１８】
Ｎ型不純物領域ＮＤＲおよび高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲは、素子分離領域ＥＩＲによって規定されたｐ型エピタキシャル層ＰＥＬにおける所定の領域に形成されている。Ｎ型不純物領域ＮＳＲは、素子分離領域ＥＩＲによって規定されたｐ型エピタキシャル層ＰＥＬにおける他の所定の領域に形成されている。ゲート電極ＧＥは、そのＮ型不純物領域ＮＤＲとＮ型不純物領域ＮＳＲとによって挟まれたＰ型エピタキシャル層ＰＥＬの部分等の上に、ゲート絶縁膜ＧＩＦを介在させて形成されている。
【００１９】
マーク領域ＭＫＲでは、シリコン基板ＳＢの表面上にマークＭＫが形成されている。マークＭＫは、写真製版処理によって形成されたフォトレジストパターンが、下地のパターンに対して所望の位置に形成されているか否かを光学的に判定する際に用いられる。これについては、後で説明する。
【００２０】
マークＭＫは、材料が互いに異なる二種類の絶縁膜から形成されている。ここでは、一例として、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン窒化膜ＳＮＦとから形成されている。矩形状に形成されたシリコン酸化膜ＳＯＦに、同心状に溝パターンが形成されている。その溝パターンにシリコン窒化膜ＳＮＦが形成されている。マーク領域ＭＫＲでは、マークＭＫが配置されている領域を除く態様で、ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが形成されている。
【００２１】
高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴ、マークＭＫおよびｐ型エピタキシャル層ＰＥＬを覆うように、層間絶縁膜ＩＬが形成されている。層間絶縁膜ＩＬを貫通するコンタクトホールＣＨ内に、コンタクトプラグＣＰＤ、ＣＰＳが形成されている。コンタクトプラグＣＰＤは、高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲに電気的に接続されている。コンタクトプラグＣＰＳは、Ｎ型不純物領域ＮＳＲに電気的に接続されている。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＬを覆うように多層配線構造ＭＩＬが形成されている。多層配線構造ＭＩＬでは、コンタクトプラグＣＰＤ、ＣＰＳに電気的に接続される配線（図示せず）を含む複数の配線層が形成されている。なお、この半導体装置では、マーク領域ＭＫＲが、一例として、スクライブ領域ＳＣＲに配置されている場合を示すが、マーク領域ＭＫＲを素子領域ＥＴＲ内に配置させてもよい。実施の形態１に係る半導体装置は、上記のように構成される。
【００２３】
次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。図３に示すように、まず、シリコン基板ＳＢが用意される。次に、図４に示すように、たとえば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、シリコン基板ＳＢの表面上にシリコン酸化膜ＳＯＦが形成される。シリコン酸化膜ＳＯＦの膜厚は、たとえば、４００ｎｍ程度である。なお、ＣＶＤ法の他に、たとえば、シリコン基板ＳＢを熱酸化させることによって、シリコン酸化膜ＳＯＦを形成してもよい。
【００２４】
次に、シリコン酸化膜ＳＯＦを覆うようにフォトレジスト（図示せず）が塗布される。次に、所定の写真製版処理を行うことにより、マーク領域ＭＫＲにフォトレジストパターンＰＲ１が形成される。マーク領域ＭＫＲを拡大した断面図を図５に示す。フォトレジストパターンＰＲ１には、矩形状の溝パターンが同心状に複数形成されている。
【００２５】
次に、図６に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１をエッチングマスクとして、シリコン酸化膜ＳＯＦにエッチング処理が行われる。次に、図７に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１が除去されて、パターニングされたシリコン酸化膜ＳＯＦが露出する。シリコン酸化膜ＳＯＦには、フォトレジストパターンＰＲ１に対応した矩形状の溝パターンＴＰが同心状に複数形成されている。１つの溝パターンＴＰの幅は、たとえば、２００ｎｍ程度とされる。
【００２６】
次に、シリコン酸化膜ＳＯＦとは材料が異なる絶縁膜が形成される。図８に示すように、シリコン酸化膜ＳＯＦを覆うように、たとえば、ＣＶＤ法等によってシリコン窒化膜ＳＮＦが形成される。このとき、シリコン窒化膜ＳＮＦは、溝パターンＴＰを埋めるように、溝パターンＴＰ内にも形成される。シリコン窒化膜ＳＮＦの膜厚は、たとえば、１２０ｎｍ程度とされる。次に、シリコン窒化膜ＳＮＦの全面に異方性エッチング処理（全面エッチバック処理）が行われる。
【００２７】
これにより、図９に示すように、シリコン窒化膜ＳＮＦのうち、溝パターンＴＰ内に位置する部分およびシリコン酸化膜ＳＯＦの側壁に位置する部分を残して、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面に位置する部分およびシリコン基板ＳＢの表面上に位置する部分が除去される。こうして、図１０に示すように、マーク領域ＭＫＲに、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン窒化膜ＳＮＦからなるマークＭＫが形成される。
【００２８】
次に、図１１に示すように、素子領域ＥＴＲにＮ型の不純物を注入することにより、Ｎ型注入領域ＮＩＲが形成される。次に、図１２に示すように、エピタキシャル成長法によって、Ｎ型注入領域ＮＩＲの表面を含む、露出したシリコン基板ＳＢの表面に、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが形成される。Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬの厚さは、たとえば、数μｍ〜６μｍ程度とされる。
【００２９】
このとき、マーク領域ＭＫＲにおける、マークＭＫが配置されている領域内では、シリコン基板ＳＢの表面は、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン窒化膜ＳＮＦとによって覆われている。このため、マークＭＫが配置されている領域内に、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが成長することはない。
【００３０】
ここで、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬの表面について説明する。結晶基板としてのシリコン基板ＳＢは、オフ角をもってスライスされており、シリコン基板ＳＢの表面は、所定の結晶方位に対して傾斜している。そのため、図１３の点線枠内に示すように、シリコン基板ＳＢの表面から成長するＰ型エピタキシャル層ＰＥＬの表面は、シリコン基板ＳＢの傾斜した表面を反映して、傾斜した表面モフォロジーになる。
【００３１】
次に、Ｎ型不純物領域ＮＤＲ（図２参照）を形成するためのフォトレジストパターンが形成される。まず、マークＭＫおよびＰ型エピタキシャル層ＰＥＬを覆うように、フォトレジスト（図示せず）が塗布される。次に、図１４および図１５に示すように、所定の写真製版処理を行うことにより、フォトレジストパターンＰＲ２が形成される。
【００３２】
ここで、フォトレジストパターンＰＲ２では、素子領域ＥＴＲに、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬを露出する開口パターンＫＰＥ２が形成される。一方、マーク領域ＭＫＲに、マークＭＫを取り囲むように矩形状の開口パターンＫＰＭ２が形成される。
【００３３】
次に、フォトレジストパターンＰＲ２が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かを判断する重ね合わせ検査が行われる。重ね合わせ検査は、マークＭＫと開口パターンＫＰＭ２とを光学的に検出し、マークＭＫの中心位置と矩形状の開口パターンＫＰＭ２の中心位置とを比較することによって行われる。中心位置のずれ量が、所定の範囲内であれば、フォトレジストパターンＰＲ２が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたと判断される。
【００３４】
次に、図１６に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２を注入マスクとして、Ｎ型の不純物を注入することにより、素子領域ＥＴＲにＮ型不純物領域ＮＤＲが形成される。その後、フォトレジストパターンＰＲ２が除去される。
【００３５】
次に、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンが形成される。まず、マークＭＫおよびＰ型エピタキシャル層ＰＥＬを覆うように、フォトレジスト（図示せず）が塗布される。次に、図１７および図１８に示すように、所定の写真製版処理を行うことにより、フォトレジストパターンＰＲ３が形成される。
【００３６】
ここで、フォトレジストパターンＰＲ３では、素子領域ＥＴＲに、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬを露出する開口パターンＫＰＥ３が形成される。一方、マーク領域ＭＫＲに、マークＭＫを取り囲むように矩形状の開口パターンＫＰＭ３が形成される。
【００３７】
次に、フォトレジストパターンＰＲ３が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かを判断する重ね合わせ検査が行われる。重ね合わせ検査は、マークＭＫと開口パターンＫＰＭ３とを光学的に検出し、マークＭＫの中心位置と矩形状の開口パターンＫＰＭ３の中心位置とを比較することによって行われる。中心位置のずれ量が、所定の範囲内であれば、フォトレジストパターンＰＲ３が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたと判断される。
【００３８】
一方、中心位置のずれ量が所定の範囲を超えていれば、フォトレジストパターンＰＲ３は、下地のパターンに対して所定の位置には形成されていないと判断される。この場合には、そのフォトレジストパターンＰＲ３が除去され、あらためて、写真製版処理を行うことによって、フォトレジストパターンＰＲ３が形成される。
【００３９】
あらためて形成されたフォトレジストパターンＰＲ３について、再び重ね合わせ検査が行われる。中心位置のずれ量が、所定の範囲内であれば、フォトレジストパターンＰＲ３が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたと判断される。一方、中心位置のずれ量が所定の範囲を超えていれば、所定の範囲内に入るまで、上述した工程が繰り返し行われることになる。
【００４０】
次に、図１９に示すように、フォトレジストパターンＰＲ３をエッチングマスクとして、露出しているＰ型エピタキシャル層ＰＥＬにエッチング処理を行うことにより、素子領域ＥＴＲでは、トレンチＴＣＥが形成される。マーク領域ＭＫＲには、トレンチＴＣＭが形成される。トレンチＴＣＭは、マークＭＫを取り囲むように形成される。その後、フォトレジストパターンＰＲ３が除去される。
【００４１】
次に、図２０に示すように、トレンチＴＣＥおよびトレンチＴＣＭのそれぞれに、素子分離絶縁膜ＥＩＦが形成される。素子領域ＥＴＲでは、トレンチＴＣＥに形成された素子分離絶縁膜ＥＩＦによって素子分離領域ＥＩＲが形成されることになる。
【００４２】
次に、熱酸化法により、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬの表面にシリコン酸化膜（図示せず）が形成される。次に、そのシリコン酸化膜上に、たとえば、ポリシリコン膜等の導電性膜（図示せず）が形成される。
【００４３】
次に、図２１に示すように、所定の写真製版処理およびエッチング処理を行うことにより、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬ上にゲート絶縁膜ＧＩＦを介在させてゲート電極ＧＥが形成される。次に、所定の写真製版処理を行うことにより、注入マスクとなるフォトレジストパターン（図示せず）が形成される。
【００４４】
次に、そのフォトレジストパターンを注入マスクとして、Ｎ型の不純物を注入することにより、Ｎ型不純物領域ＮＤＲには、Ｎ型不純物領域ＮＤＲの不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲが形成される。Ｎ型不純物領域ＮＤＲおよび高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲは、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴのドレインとなる。また、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬの領域には、Ｎ型不純物領域ＮＳＲが形成される。Ｎ型不純物領域ＮＳＲは、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴのソースとなる。
【００４５】
次に、図２２に示すように、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴおよびマークＭＫ等を覆うように、たとえば、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等の層間絶縁膜ＩＬが形成される。次に、所定の写真製版処理およびエッチング処理を行うことにより、素子領域ＥＴＲには、層間絶縁膜ＩＬを貫通するコンタクトホールＣＨが形成される。
【００４６】
次に、コンタクトホールＣＨ内に、コンタクトプラグＣＰＤとコンタクトプラグＣＰＳとが形成される。コンタクトプラグＣＰＤは、高濃度Ｎ型不純物領域ＮＨＤＲに電気的に接続される。コンタクトプラグＣＰＳは、Ｎ型不純物領域ＮＳＲに電気的に接続される。
【００４７】
次に、コンタクトプラグＣＰＤに電気的に接続される配線（図示せず）およびコンタクトプラグＣＰＳに電気的に接続される配線（図示せず）が形成される。その後、必要に応じて多層の配線と、その配線間を絶縁する層間絶縁膜とを含む多層配線構造ＭＩＬが形成される。こうして、半導体装置の主要部分が完成する。
【００４８】
上述した半導体装置におけるマーク領域ＭＫＲでは、マークＭＫが配置されている領域内にＰ型エピタキシャル層ＰＥＬが成長することはない。これにより、写真製版されたフォトレジストパターンの重ね合わせ検査の精度を向上させることができる。これについて、比較例に係る半導体装置と比べて説明する。
【００４９】
比較例に係る半導体装置では、まず、上述した図３から図７に示す工程と同様の工程を経て、図２３に示すように、シリコン基板ＳＢの表面上にシリコン酸化膜ＳＯＦからなる、マークＭＫが形成される。マークＭＫ（シリコン酸化膜ＳＯＦ）には、矩形状の溝パターンＴＰが同心状に複数形成されている。その溝パターンＴＰの底には、シリコン基板ＳＢの表面が露出している。
【００５０】
次に、図１１に示す工程と同様の工程を経た後、エピタキシャル成長法によって、露出したシリコン基板ＳＢの表面に、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが形成される。このとき、マーク領域ＭＫＲでは、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン酸化膜ＳＯＦとの間に露出しているシリコン基板ＳＢの表面からも、シリコンが成長する。
【００５１】
ここで、上述したように、結晶基板としてのシリコン基板ＳＢの表面は、所定の結晶方位に対してオフ角をもって傾斜している。そのため、図２４に示すように、矩形状の溝パターンの底に露出したシリコン基板ＳＢの表面から、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが特定の方向に傾斜しながら成長することになる。すなわち、マークＭＫが配置された領域内で、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが特定の方向に傾斜しながら成長する。
【００５２】
次に、図１４〜図１８に示す工程と同様の工程を経て、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターン（図示せず）が形成される。そのフォトレジストパターンには、マークＭＫを取り囲むように、開口パターンＫＰＭ３（図１７および図１８参照）に相当する開口パターン（開口パターンＡ）が形成される。
【００５３】
次に、そのフォトレジストパターンが、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かを判断する重ね合わせ検査が行われる。重ね合わせ検査は、マークＭＫと開口パターンＡとを光学的に検出し、マークＭＫの中心位置と矩形状の開口パターンＡの中心位置とを比較することによって行われる。
【００５４】
このとき、マークＭＫの領域内では、特定の方向に傾斜しながら成長したＰ型エピタキシャル層ＰＥＬ（図２４参照）が位置する。このため、マークＭＫに所定の光を照射してマークＭＫの中心位置（座標）に光学的に検出する際に、座標の検出精度が落ちてしまうことがある。その結果、そのフォトレジストパターンが、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かを判断する重ね合わせ検査の検査精度が低下することがある。
【００５５】
比較例に係る半導体装置に対して、実施の形態１に係る半導体装置では、図２５に示すように、マークＭＫが配置されている領域内では、シリコン基板ＳＢの表面は、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン窒化膜ＳＮＦとによって覆われている。このため、マークＭＫが配置されている領域内に、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥＬが成長することはない。
【００５６】
その後、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３の重ね合わせ検査が行われる。このとき、図２６および図２７に示すように、マーク領域ＭＫＲでは、シリコン酸化膜ＳＯＦの領域内に、矩形状のシリコン窒化膜ＳＮＦが同心状に配置されている。
【００５７】
これにより、シリコン酸化膜ＳＯＦとシリコン窒化膜ＳＮＦとの屈折率等の違いによるコントラストが得られて、マークＭＫの中心位置（座標）の検出精度を上げることができる。すなわち、マークＭＫの中心位置（座標）と、フォトレジストパターンＰＲ３の開口パターンＫＰＭ３の中心位置（座標）とのずれ量を精度よく計測することができる。
【００５８】
その結果、フォトレジストパターンＰＲ３が、下地のパターンに対して所定の位置に形成されたか否かを判断する重ね合わせ検査の検査精度を向上させることができる。また、マークＭＫは、シリコン酸化膜ＳＯＦのパターニング後にシリコン窒化膜ＳＮＦを形成し全面エッチバックを行うことで形成されることで、製造コストの増加も最小限に抑えることができる。
【００５９】
なお、ここでは、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３の重ね合わせ検査を例に挙げて説明したが、Ｎ型不純物領域ＮＤＲを形成するためのフォトレジストパターンＰＲ２の重ね合わせ検査についても、同様のことがいえる。
【００６０】
また、写真製版処理によって形成されるフォトレジストパターンの重ね合わせ検査に、マークＭＫを使用する場合を例に挙げて説明した。この他に、写真製版処理の際のフォトマスクの位置合わせのために、マークをアライメントマークとして使用することも可能である。そのようなアライメントマークのパターンの一例を図２８に示す。
【００６１】
図２８に示すように、Ｙ方向に幅を有してＸ方向に延在する矩形状の複数のパターンが、Ｙ方向に互いに間隔を隔てて形成されている。このマークＭＫでは、シリコン酸化膜ＳＯＦに形成された溝にシリコン窒化膜ＳＮＦが形成されている。
【００６２】
アライメントマークのパターンの他の例を図２９に示す。図２９に示すように、シリコン窒化膜ＳＮＦによって囲まれたシリコン酸化膜ＳＯＦの領域を、４つに分割するようにシリコン窒化膜ＳＮＦが形成されている。
【００６３】
いずれのアライメントマークにおいても、アライメントマークが形成されている領域内では、エピタキシャル層は形成されず、重ね合わせ検査の場合と同様に、フォトマスクの位置合わせの精度を向上させることができる。
【００６４】
なお、上述した半導体装置では、シリコン酸化膜に溝パターンを形成し、その溝パターン内にシリコン窒化膜を形成したマークを例に挙げたが、シリコン窒化膜に溝パターンを形成し、その溝パターン内にシリコン酸化膜を埋め込んだマークでもよい。
【００６５】
また、素子分離としてＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法による素子分離領域を形成する場合には、その素子分離領域を形成する際に形成されるシリコン窒化膜を、マークとなる絶縁膜の一部として適用することが可能であり、工程削減に寄与することができる。また、半導体装置の製造工程のうち、最初の方の工程において、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成する工程がある場合には、その工程と同時に、マークを形成するようにしてもよい。
【００６６】
さらに、上述したマークを適用した手法としては、高耐圧トランジスタ等を含む半導体装置の製造に適用した場合について説明した。この他、エピタキシャル成長によってマークの形状の対称性が崩れてしまうことが想定される場合には、シリコン基板以外の他の結晶基板についても、上述したマークを適用することが可能である。また、たとえば、ガラス基板の上に形成された結晶層に、さらにエピタキシャル層を成長させるような場合にも、上述したマークを適用することが可能である。
【００６７】
実施の形態２
ここでは、重ね合わせ検査の検査精度のさらなる向上が図られるマークを備えた半導体装置の一例について説明する。
【００６８】
はじめに、その製造方法について説明する。まず、図３〜図８に示す工程と同様の工程を経て、シリコン酸化膜ＳＯＦを覆うようにシリコン窒化膜ＳＮＦが形成される（図８参照）。次に、図３０に示すように、シリコン窒化膜ＳＮＦに全面エッチバック処理を行うことにより、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面上に位置するシリコン窒化膜ＳＮＦの部分等が除去される。図３１および図３２に示すように、引き続き、エッチング処理（オーバエッチング）を行うことにより、シリコン窒化膜ＳＮＦの上面が、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面よりも低い位置になる。
【００６９】
次に、図１２〜図１８に示す工程と同様の工程を経て、図３３および図３４に示すように、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３が形成される。フォトレジストパターンＰＲ３には、マークＭＫを取り囲むように、開口パターンＫＰＭ３が形成される。
【００７０】
次に、そのフォトレジストパターンＰＲ３について、重ね合わせ検査が行われる。このとき、後述するように、シリコン窒化膜ＳＮＦの上面が、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面よりも低い位置にあることで、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。その後、図１９〜図２１に示す工程と同様の工程を経た後、図３５に示すように、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴを備えた半導体装置の主要部分が完成する。
【００７１】
上述した半導体装置では、マークＭＫにおけるシリコン窒化膜ＳＮＦの上面が、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面よりも低い位置にある。このため、フォトレジストパターンＰＲ３の重ね合わせ検査では、突出しているシリコン酸化膜ＳＯＦの側面において光が反射する割合が高くなる。
【００７２】
これにより、マークＭＫの中心位置（座標）の検出精度がさらに上がり、マークＭＫの中心位置（座標）と、フォトレジストパターンＰＲ３の開口パターンＫＰＭ３の中心位置（座標）とのずれ量をより正確に検出することができる。その結果、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。
【００７３】
シリコン酸化膜ＳＯＦを突出させる長さは、オーバエッチングする時間に依存する。このため、全面エッチバック処理の終点を検出して、オーバエッチングする時間を調整することが好ましい。具体的には、シリコンと窒素との化合物に由来する発光を検出しながら全面エッチバック処理を行う。
【００７４】
シリコン酸化膜ＳＯＦの上面上に位置するシリコン窒化膜ＳＮＦの部分等が除去された時点の発光の変化を終点として検出する。その終点を検出してから、さらに、シリコン窒化膜ＳＮＦにエッチング処理を行う時間を調整する。上述した製法では、このオーバエッチングする時間を、できるだけ短く設定した場合を示す。
【００７５】
なお、終点を検出した時点で、全面エッチバック処理をストップし、その後、ウエットエッチング処理を行うことによって、シリコン窒化膜ＳＮＦの上面を、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面よりも低い位置にしてもよい。ドライエッチング処理の場合には、シリコン窒化膜ＳＮＦの上面が下がるのに伴って突出するシリコン酸化膜ＳＯＦの部分（突出部）がエッチングされて、突出部が多少丸まってしまうことが想定される。
【００７６】
これに対して、ウエットエッチング処理では、シリコン酸化膜ＳＯＦがエッチングされにくくなり、突出部が丸まってしまうのを抑制することができる。突出するシリコン酸化膜ＳＯＦの部分が丸まっていないことで、光学的に重ね合わせ検査を行う際にマークＭＫの中心位置（座標）の検出精度を上げることができる。
【００７７】
これは、マークとして、シリコン窒化膜に溝パターンを形成し、その溝パターン内にシリコン酸化膜を埋め込んだマークを形成する際に有効な手法とされる。シリコン酸化膜にウェットエッチング処理を行う際に、エッチング液としてフッ酸（ＨＦ）を使用することで、高いエッチング選択比（シリコン窒化膜のエッチングレートに対するシリコン酸化膜のエッチングレートの比）を得ることができる。これにより、シリコン窒化膜がほとんどエッチングされることなく、シリコン酸化膜をエッチングすることが可能になる。
【００７８】
また、溝パターン内に埋め込むシリコン酸化膜として、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate glass）酸化膜を適用してもよい。ＴＥＯＳ酸化膜は、他のＣＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜と比べて、温度が低い条件のもとで形成される。このため、フッ酸に対するＴＥＯＳ酸化膜のエッチングレートはより高くなり、エッチング選択比をさらに高くすることができる。
【００７９】
さらに、シリコン窒化膜に追加の熱処理を施すことによって、シリコン窒化膜の密度を上げるようにしてもよい。シリコン窒化膜の密度を上げることで、フッ酸にエッチングされるレートがより低くなって、エッチング選択比をさらに高くすることができる。
【００８０】
エッチング選択比を高くする手法としては、これらに限られるものではない。エッチング選択を高くすることで、突出するマークの部分が丸まることが抑制される。また、オーバエッチング処理を行う時間を調整することで、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との縦方向の光学距離の比率を変更することができ、重ね合わせ検査の際に、より光学的に認識しやすいマークを形成することができる。その結果、重ね合わせ検査の検査精度を向上させることができる。
【００８１】
実施の形態３
ここでは、重ね合わせ検査の検査精度のさらなる向上が図られるマークを備えた半導体装置の他の例について説明する。
【００８２】
はじめに、その製造方法について説明する。まず、図３〜図７に示す工程と同様の工程を経て、溝パターンＴＰを有するシリコン酸化膜ＳＯＦがパターニングされる（図７参照）。次に、図３６に示すように、たとえば、プラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜ＳＯＦを覆うように、シリコン窒化膜ＳＮＦが形成される。
【００８３】
このとき、プラズマＣＶＤ法によって形成されるシリコン窒化膜ＳＮＦの被覆性は比較的低い。このため、シリコン窒化膜ＳＮＦは、溝パターンＴＰの底の部分にまでは形成されず、シリコン窒化膜ＳＮＦは、シリコン窒化膜ＳＮＦとシリコン基板ＳＢとの間にエアギャップＡＧが存在する態様で形成されることになる。
【００８４】
次に、図３７および図３８に示すように、シリコン窒化膜ＳＮＦに全面エッチバック処理を行うことにより、シリコン酸化膜ＳＯＦの上面上に位置するシリコン窒化膜ＳＮＦの部分等が除去される。
【００８５】
次に、図１２〜図１８に示す工程と同様の工程を経て、図３９および図４０に示すように、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３が形成される。フォトレジストパターンＰＲ３には、マークＭＫを取り囲むように、開口パターンＫＰＭ３が形成される。
【００８６】
次に、そのフォトレジストパターンＰＲ３について、重ね合わせ検査が行われる。このとき、後述するように、シリコン窒化膜ＳＮＦとシリコン基板ＳＢとの間にエアギャップＡＧが存在することで、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。その後、図１９〜図２１に示す工程と同様の工程を経た後、図４１に示すように、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴを備えた半導体装置の主要部分が完成する。
【００８７】
上述した半導体装置では、シリコン窒化膜ＳＮＦとシリコン基板ＳＢとの間にエアギャップＡＧが存在する。これにより、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との縦方向の光学距離の比率が変わり、重ね合わせ検査の際に、光学的にマークＭＫをより認識しやすくすることができる。
【００８８】
光学的に認識しやすいマークが形成されることで、マークＭＫの中心位置（座標）の検出精度がさらに上がり、マークＭＫの中心位置（座標）と、フォトレジストパターンＰＲ３の開口パターンＫＰＭ３の中心位置（座標）とのずれ量をより正確に検出することができる。その結果、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。
【００８９】
実施の形態４
ここでは、重ね合わせ検査の検査精度のさらなる向上が図られるマークを備えた半導体装置のさらに他の例について説明する。
【００９０】
はじめに、その製造方法について説明する。まず、図３〜図５に示す工程と同様の工程を経て、フォトレジストパターンＰＲ１が形成される（図５参照）。次に、所定のエッチングガスを使用し、フォトレジストパターンＰＲ１をエッチングマスクとして、シリコン酸化膜ＳＯＦにエッチング処理を行うことにより、シリコン基板ＳＢの表面上に位置するシリコン酸化膜ＳＯＦが除去される。
【００９１】
シリコン基板ＳＢの表面が露出した時点で、他の所定のエッチンガスに切り替えて、露出したシリコン基板ＳＢにエッチング処理が行われる。このエッチング処理により、図４２に示すように、シリコン基板ＳＢの表面の位置は、当初の表面の位置よりも低くなる。その後、フォトレジストパターンＰＲ１が除去される。溝パターンＴＰ（図４３参照）は、シリコン酸化膜ＳＯＦを貫通して、シリコン基板ＳＢにおける所定の深さにまで形成されている。
【００９２】
次に、図４３に示すように、溝パターンＴＰを埋める態様で、シリコン酸化膜ＳＯＦを覆うように、シリコン窒化膜ＳＮＦが形成される。シリコン窒化膜ＳＮＦは、シリコン酸化膜ＳＯＦよりも深い位置にまで形成される。次に、図４４に示すように、シリコン窒化膜ＳＮＦに全面エッチバック処理が行われる。こうしてマークＭＫが形成される。図４５に示すように、マークＭＫが形成された時点で、素子領域ＥＴＲに位置するシリコン基板ＳＢの表面の位置も、当初の表面の位置よりも低い位置にある。
【００９３】
次に、図１２〜図１８に示す工程と同様の工程を経て、図４６および図４７に示すように、素子分離領域を形成するためのフォトレジストパターンＰＲ３が形成される。フォトレジストパターンＰＲ３には、マークＭＫを取り囲むように、開口パターンＫＰＭ３が形成される。
【００９４】
次に、そのフォトレジストパターンＰＲ３について、重ね合わせ検査が行われる。このとき、後述するように、シリコン窒化膜ＳＮＦがシリコン酸化膜ＳＯＦよりも深い位置にまで形成されていることで、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。その後、図１９〜図２１に示す工程と同様の工程を経た後、図４８に示すように、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴを備えた半導体装置の主要部分が完成する。
【００９５】
上述した半導体装置では、シリコン窒化膜ＳＮＦがシリコン酸化膜ＳＯＦよりも深い位置にまで形成されている。これにより、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との縦方向の光学距離の比率が変わり、重ね合わせ検査の際に、光学的にマークＭＫをより認識しやすくすることができる。
【００９６】
光学的に認識しやすいマークが形成されることで、マークＭＫの中心位置（座標）の検出精度がさらに上がり、マークＭＫの中心位置（座標）と、フォトレジストパターンＰＲ３の開口パターンＫＰＭ３の中心位置（座標）とのずれ量をより正確に検出することができる。その結果、重ね合わせ検査の精度をさらに向上させることができる。
【００９７】
また、上述した手法では、シリコン基板ＳＢの表面の位置を当初の表面の位置よりも低くすることで、シリコン酸化膜ＳＯＦの膜厚を薄くしても、シリコン窒化膜ＳＮＦの縦方向の厚さは確保される。このため、溝パターンが形成されるシリコン酸化膜ＳＯＦの膜厚の自由度を上げることができる。
【００９８】
このことは、溝パターンが形成されるシリコン酸化膜ＳＯＦ等の絶縁膜として、半導体装置における他の用途の絶縁膜を形成する工程に併せてマークを形成することができる可能性があることを意味する。
【００９９】
なお、上述した各実施の形態では、高耐圧半導体素子として、高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＨＶＮＴを例に挙げて説明したが、これに限られるものではない。また、各実施の形態において説明した半導体装置のマーク等については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。
【０１００】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１０１】
ＥＴＲ  素子領域、ＭＫＲ  マーク領域、ＳＵＢ  半導体基板、ＳＢ  シリコン基板、ＮＩＲ  Ｎ型注入領域、ＰＥＬ  Ｐ型エピタキシャル層、ＥＩＦ  素子分離絶縁膜、ＥＩＲ  素子分離領域、ＧＩＦ  ゲート絶縁膜、ＧＥ  ゲート電極、ＮＤＲ  Ｎ型不純物領域、ＮＨＤＲ  高濃度Ｎ型不純物領域、ＮＳＲ  Ｎ型不純物領域、ＨＶＮＴ  高耐圧ＮＭＯＳトランジスタ、ＩＬ  層間絶縁膜、ＣＨ  コンタクトホール、ＣＰＤ  コンタクトプラグ、ＣＰＳ  コンタクトプラグ、ＭＩＬ  多層配線構造、ＳＣＲ  スクライブ領域、ＭＫ  マーク、ＳＯＦ  シリコン酸化膜、ＴＰ  溝パターン、ＳＮＦ  シリコン窒化膜、ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３  フォトレジストパターン、ＫＰＭ２、ＫＰＥ２  開口パターン、ＫＰＭ３、ＫＰＥ３  開口パターン、ＴＣＭ、ＴＣＥ  トレンチ、ＡＧ  エアギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2017219757.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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