(57)【要約】      （修正有）【課題】基材を破損することなく支持体と基材とを容易に分離することができる、基材の処理方法を提供する。【解決手段】支持体１０と仮固定材２０と基材３０とを有する積層体１を形成する、前記仮固定材が、共役ジエン化合物および重合性二重結合含有芳香族化合物の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分と、ポリシロキサン構造を有する化合物とを含有する層（Ｉ）２１を少なくとも有する工程、前記基材を加工および／または前記積層体を移動する工程、ならびに前記基材の基材面に対して略垂直方向に、前記基材および／または前記支持体に力を付加することで、前記基材を前記支持体から分離する工程を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）支持体と仮固定材と基材とを有する積層体を形成する工程、ここで前記仮固定材は、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有する層（Ｉ）を少なくとも有しており；
（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；ならびに
（３）前記基材の基材面に対して略垂直方向に、前記基材および／または前記支持体に力を付加することで、前記基材を前記支持体から分離する工程；
を有することを特徴とする基材の処理方法。
【請求項２】
前記成分（Ａ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体の水素添加物である、請求項１に記載の基材の処理方法。
【請求項３】
前記化合物（Ｂ）が、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造、およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）をさらに有する、請求項１または２に記載の基材の処理方法。
【請求項４】
前記仮固定材が、前記化合物（Ｂ）を実質的に含有しない層（II）をさらに有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【請求項５】
前記積層体が、層構成として、前記支持体、前記層（Ｉ）、前記層（II）および前記基材の順に各要素を有する、請求項４に記載の基材の処理方法。
【請求項６】
層構成として支持体、層（Ｉ）および基材をこの順で有する積層体であり、
前記層（Ｉ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有する
ことを特徴とする積層体。
【請求項７】
層構成として支持体、層（Ｉ）、層（II）および基材をこの順で有する積層体であり、
前記層（Ｉ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有し、
前記層（II）が、前記化合物（Ｂ）を実質的に含有しない
ことを特徴とする積層体。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の基材の処理方法により基材を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法によって得られる半導体装置。
【請求項１０】
共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、
ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）と
を含有することを特徴とする仮固定用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の処理方法、積層体、半導体装置およびその製造方法、ならびに仮固定用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基材をガラス基板等の支持体上に仮固定材を介して接合した状態で、基材に対して裏面研削および裏面電極形成等の加工処理を行う方法が提案されている。前記仮固定材には、加工処理中において支持体上に基材を仮固定することができ、加工処理後には支持体から基材を容易に分離できることが必要である。
【０００３】
このような基材の処理方法としては、基材が有するバンプの破損を防ぐため、支持体または基材の面に対して略垂直方向に力を付加することで、支持体と基材とを分離する方法が知られている（例えば、特許文献１〜４参照）。しかしながら、基材の破損を防ぐため、室温程度でより弱い力で前記分離を行う方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２４１５６８号公報
【特許文献２】特開２０１３−０４８２１５号公報
【特許文献３】特開２０１３−１１０３９１号公報
【特許文献４】特開２０１３−１７９１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、基材を破損することなく支持体と基材とを容易に分離することができる、基材の処理方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［１０］に関する。
【０００７】
［１］（１）支持体と仮固定材と基材とを有する積層体を形成する工程、ここで前記仮固定材は、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有する層（Ｉ）を少なくとも有しており；（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；ならびに（３）前記基材の基材面に対して略垂直方向に、前記基材および／または前記支持体に力を付加することで、前記基材を前記支持体から分離する工程；を有することを特徴とする基材の処理方法。
【０００８】
［２］前記成分（Ａ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体の水素添加物である、前記［１］に記載の基材の処理方法。
【０００９】
［３］前記化合物（Ｂ）が、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造、およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）をさらに有する、前記［１］または［２］に記載の基材の処理方法。
【００１０】
［４］前記仮固定材が、前記化合物（Ｂ）を実質的に含有しない層（II）をさらに有する、前記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【００１１】
［５］前記積層体が、層構成として、前記支持体、前記層（Ｉ）、前記層（II）および前記基材の順に各要素を有する、前記［４］に記載の基材の処理方法。
【００１２】
［６］層構成として支持体、層（Ｉ）および基材をこの順で有する積層体であり、前記層（Ｉ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とする積層体。
【００１３】
［７］層構成として支持体、層（Ｉ）、層（II）および基材をこの順で有する積層体であり、前記層（Ｉ）が、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有し、前記層（II）が、前記化合物（Ｂ）を実質的に含有しないことを特徴とする積層体。
【００１４】
［８］前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の基材の処理方法により基材を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【００１５】
［９］前記［８］に記載の製造方法によって得られる半導体装置。
【００１６】
［１０］共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種の成分（Ａ）と、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とする仮固定用組成物。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、基材を破損することなく支持体と基材とを容易に分離することができる、基材の処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明における積層体に係る実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明で形成される積層体、および前記積層体を構成する仮固定材の原料組成物である仮固定用組成物について説明した後、基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法について説明する。
【００２０】
本発明において仮固定材とは、基材を加工および／または移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないように支持体上に基材を仮固定するために用いられる材料のことである。
【００２１】
１．積層体
本発明で形成される積層体において、加工または移動対象である基材が、仮固定材を介して、支持体上に仮固定されている。前記仮固定材は、一実施態様において、基材および支持体により挟持されている。
【００２２】
仮固定材は、それぞれ後述する成分（Ａ）およびポリシロキサン構造（ｂ１）を有する化合物（Ｂ）を含有する層（Ｉ）を少なくとも有する。成分（Ａ）は、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種である。以下、化合物（Ｂ）を「ポリシロキサン系化合物（Ｂ）」ともいい、層（Ｉ）を「分離層（Ｉ）」ともいう。
【００２３】
分離層（Ｉ）は、成分（Ａ）を含有することから、耐熱性および伸び物性に優れており、基材の加工処理中に仮固定材にかかる熱負荷に対して高い耐性を有する。
分離層（Ｉ）は、ポリシロキサン系化合物（Ｂ）を含有することから、基材面の略垂直方向に対する接着力が小さい。したがって、基材面に対して略垂直方向に基材および／または支持体に力を付加した場合、層（Ｉ）と他の層（例：支持体）との界面での剥離または層（Ｉ）での凝集破壊による剥離が主に起こる。このため、仮固定材への高温加熱処理を特に行うことなく、基材面に対して略垂直方向に力を付加することで、基材を破損することなく、基材を支持体から容易に分離することができる。
【００２４】
なお、基材の加工処理時には、例えば裏面研削において基板面に対して平行方向の剪断力が仮固定材に付加される。通常は、基材の面積が大きく、支持体／仮固定材／基材における接合点が大きいため、基材の加工処理時に付加される剪断力に対して、仮固定材は支持体上に基材を保持するための充分な接着力を有する。
【００２５】
仮固定材は、分離層（Ｉ）からなる仮固定材であってもよいが、前記化合物（Ｂ）を実質的に含有しない層（II）をさらに有することが好ましい。以下、層（II）を「接着剤層（II）」ともいう。このように２層以上の層を有する仮固定材は、基材が有する回路面の保護、基材と支持体との接着性、支持体からの基材の分離性、および加工処理時における耐熱性等の機能をバランス良く有することができる。
【００２６】
仮固定材は、少なくとも１層が分離層（Ｉ）であり、少なくとも１層が接着剤層（II）である構成を有することが好ましい。より好ましくは、分離層（Ｉ）と接着剤層（II）とからなる２層の仮固定材である。積層体は、例えば、積層方向において、支持体、分離層（Ｉ）、接着剤層（II）および基材の順に各要素を有することが好ましい。
【００２７】
仮固定材が２層以上有する場合、支持体に接する層が分離層（Ｉ）であり、基材に接する層が接着剤層（II）であることが好ましい。支持体に接する層が分離層（Ｉ）であると、支持体からの基材の分離時にバンプの倒れをより防ぐことができる。
【００２８】
上記積層体の例を図１に示す。この積層体１は、支持体１０と、支持体１０上に形成された仮固定材２０と、仮固定材２０によって支持体１０に仮固定された基材３０とを有する。仮固定材２０は、支持体１０に接する分離層（Ｉ）２１と、前記層（Ｉ）２１上に形成され、基材３０に接する接着剤層（II）２２とを有する。
【００２９】
「基材面」とは、基材および支持体の積層方向に対して垂直な面３１を指す。
上記積層体の例において、仮固定材は、分離層（Ｉ）および接着剤層（II）の他に、任意の他の層を有していてもよい。例えば層（Ｉ）と層（II）との間に中間層を設けてもよく、また層（Ｉ）と支持体との間、層（II）と基材との間に他の層を設けてもよい。好ましくは、層（Ｉ）と層（II）とからなる２層の仮固定材である。
【００３０】
上記仮固定材の全厚さは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理で要求される耐熱性、および基材と支持体との密着性の程度に応じて、任意に選択することができる。上記仮固定材の全厚さは、通常は０．２〜１０００μｍ、好ましくは２〜５００μｍ、より好ましくは２〜３００μｍである。また、仮固定材が層（Ｉ）および層（II）を有する場合、層（Ｉ）および層（II）の各層の厚さは、それぞれ独立に、通常は０．１〜５００μｍ、好ましくは１〜２５０μｍ、より好ましくは１〜１５０μｍである。これらの厚さが前記範囲にあると、仮固定材が基材を仮固定するための充分な保持力を有し、加工処理または移動処理中に仮固定面から基材が脱落することもない。
【００３１】
上記仮固定材は、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理、例えば各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハおよび半導体チップの運搬等の際に、基材の仮止め材として好適に用いられる。
【００３２】
〔分離層（Ｉ）〕
分離層（Ｉ）は、例えば、成分（Ａ）およびポリシロキサン系化合物（Ｂ）を含有する本発明の仮固定用組成物から形成することができる。
【００３３】
〈成分（Ａ）〉
成分（Ａ）は、共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）の共重合体、ならびに前記共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも１種である。
【００３４】
前記共重合体は、例えば、少なくとも共役ジエン化合物（ａ１）および重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）を重合して得られ、必要に応じて他の重合性モノマーをさらに用いてもよい。前記水素添加物は、前記共重合体を水素添加（以下「水添」ともいう）して得られる。
【００３５】
前記共重合体は、共役ジエン化合物（ａ１）に由来する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」ともいう）と、重合性二重結合含有芳香族化合物（ａ２）に由来する構造単位（以下「構造単位（ａ２）」ともいう）とを有している。前記共重合体は、２種以上の構造単位（ａ１）を有してもよく、また２種以上の構造単位（ａ２）を有してもよい。「化合物に由来する構造単位」とは、通常、当該化合物の重合性二重結合部分の反応に基づく構造単位を意味する。
【００３６】
構造単位（ａ１）は、例えば、式（ａ１−１）で表される構造単位および式（ａ１−２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種であり、構造単位（ａ２）は、例えば、式（ａ２−１）で表される構造単位である。
【００３７】
【化１】
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式（ａ１−１）、（ａ１−２）および（ａ２−１）中、Ｒ1はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基であり、Ｒ2は水素原子またはアルキル基であり、Ｒ3は直接結合またはアルキレン基であり、Ａｒは置換基を有してもよいアリール基である。アルキル基およびアルキレン基の炭素数は、通常は１〜８、好ましくは１〜４である。アリール基の炭素数は、通常は６〜１８、好ましくは６〜１０であり、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。アリール基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基が挙げられる。
【００３８】
共役ジエン化合物（ａ１）としては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、３−ブチル−１，３−オクタジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエンが挙げられる。これらの中でも、１，３−ブタジエン、イソプレンが好ましい。
【００３９】
前記共重合体中のビニル結合含量は、通常は３０〜９５モル％、好ましくは５０〜９０モル％である。ビニル結合含量とは、水添前の前記共重合体中に１，２−結合、３，４−結合および１，４−結合の結合様式で組み込まれている共役ジエン化合物の構造単位のうち、１，２−結合および３，４−結合で組み込まれている構造単位の合計割合（モル％基準）である。ビニル結合含量は、赤外吸収スペクトル法（モレロ法）によって求めることができる。
【００４０】
上記化合物（ａ２）は、共役ジエン化合物（ａ１）以外の重合性二重結合含有芳香族化合物であり、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ，ｍまたはｐ−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビニルベンゼンが挙げられる。これらの中でも、入手性および重合容易性の観点から、スチレン、α−メチルスチレンが好ましい。
【００４１】
前記共重合体において、構造単位（ａ１）の含有割合は、好ましくは６０〜９９質量％、より好ましくは７０〜９７質量％、さらに好ましくは８０〜９５質量％であり；構造単位（ａ２）の含有割合は、好ましくは１〜４０質量％、より好ましくは３〜３０質量％、さらに好ましくは５〜２０質量％である。このような態様は、共重合体の耐熱性および伸び物性の点で好ましい。これらの含有割合は、ＮＭＲにより測定することができる。
【００４２】
前記共重合体は、分離層（Ｉ）の、工程（２）で用いられ得る溶剤に対する耐性に優れる点から、炭化水素重合体であることが好ましく、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ２）のみからなる共重合体であることが好ましい。
【００４３】
分離層（Ｉ）は、基材の加工処理時に、広い温度範囲にわたる環境下にさらされることがあり、基材の反りなどの変形を防止するため、高い伸び物性を有することが望まれる。本発明では、分離層（Ｉ）を形成する物質として成分（Ａ）を用いていることから、このような要求を満たすことができる。
【００４４】
分離層（Ｉ）には、基材の加工処理時における、バンプ接合時の熱、プラズマエッチングおよび化学蒸着等の気相プロセス時の熱、レジスト剥離液として使用される溶剤、レジスト現像液として使用されるアルカリ溶液、ウェットエッチングに使用されるフッ酸に対して、高い耐熱性および耐溶剤性を有することが好ましい。したがって、成分（Ａ）としては、前記共重合体の水素添加物が好ましい。
【００４５】
前記水素添加物における共役ジエン化合物（ａ１）に由来する二重結合の水素添加率は、９０モル％以上であることが好ましく、９５モル％以上であることがより好ましい。このような態様は、分離層（Ｉ）の高い耐熱性および耐溶剤性が得られる点で好ましい。
【００４６】
成分（Ａ）は、上記化合物（ａ１）および（ａ２）のランダム共重合体および／またはその水素添加物であってもよいが、高い伸び物性を有することからブロック共重合体および／またはその水素添加物であることが好ましく、構造単位（ａ１）からなる重合体ブロック（Ａ１）と、構造単位（ａ２）からなる重合体ブロック（Ａ２）とを有するブロック共重合体および／またはその水素添加物がより好ましく、前記ブロック共重合体の水素添加物がさらに好ましい。例えば、成分（Ａ）の全量１００質量％中、前記ブロック共重合体およびその水素添加物の含有割合は、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上である。
【００４７】
上記ブロック共重合体において、重合体ブロック（Ａ１）の含有割合は、好ましくは６０〜９９質量％、より好ましくは７０〜９７質量％、さらに好ましくは８０〜９５質量％であり；重合体ブロック（Ａ２）の含有割合は、好ましくは１〜４０質量％、より好ましくは３〜３０質量％、さらに好ましくは５〜２０質量％である。
【００４８】
ブロック共重合体およびその水素添加物の構造としては、重合体ブロック（Ａ１）およびその水添物を単に「Ａ１」と表し、重合体ブロック（Ａ２）を単に「Ａ２」と表し、ビニル結合含量の大きい重合体ブロック（Ａ１）およびその水添物を「Ａ１１」と表し、ビニル結合含量の小さい重合体ブロック（Ａ１）およびその水添物を「Ａ１２」と表すと、以下の式で示される構造が挙げられる。
［Ａ１−Ａ２］          …（１）
［Ａ２−Ａ１−Ａ２］    …（２）
［Ａ２−Ａ１１−Ａ１２］      …（３）
［Ａ１２−Ａ１１−Ａ１２］    …（４）
［Ａ１−Ａ２］ｎ        …（５）
【００４９】
上記式中、ｎは２以上の整数である。上記ブロック共重合体中、Ａ１およびＡ２の少なくともいずれかが２以上存在する場合、それぞれの重合体ブロックは、同一であってもよく、異なっていてもよい。これらの中でも、式（２）のトリブロック体が、高い伸び物性を有することから好ましい。
【００５０】
ブロック共重合体は、カップリング剤の残基を介して結合していてもよい。カップリング剤としては、２官能以上のカップリング剤を用いることができる。例えば、特開２０１４−０９５０２３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−００１３７１号公報、および特開２０１０−２５４９８３号公報に記載されたカップリング剤が挙げられる。カップリング剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
成分（Ａ）の具体例としては、スチレン−ブタジエンランダム共重合体、スチレン−イソプレンランダム共重合体等のランダム共重合体；重合性二重結合含有芳香族化合物系エラストマー、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−エチレン/ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン−エチレン/プロピレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＢ）、スチレン−エチレン/ブチレンブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ）、スチレン−エチレン/プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）等の、共役ジエン化合物および重合性二重結合含有芳香族化合物のブロック共重合体およびその水素添加物；水添共役ジエン系エラストマー、例えば、スチレン−エチレン/ブチレン−オレフィン結晶ブロック共重合体（ＳＥＢＣ）等の重合性二重結合含有芳香族化合物−オレフィン結晶系ブロック共重合体、オレフィン結晶−エチレン/ブチレン−オレフィン結晶ブロック共重合体（ＣＥＢＣ）等のオレフィン結晶系ブロック共重合体が挙げられる。
【００５２】
上記表記において、例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体とは、ポリスチレンブロック−ポリブタジエンブロック−ポリスチレンブロックの形態のブロック共重合体を意味する。
【００５３】
成分（Ａ）の、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１，０００〜３００，０００、好ましくは２，０００〜２５０，０００、より好ましくは３，０００〜２００，０００である。ブロック共重合体および／またはその水素添加物の場合、Ｍｗの下限値は、好ましくは１０，０００、より好ましくは２０，０００、さらに好ましくは３０，０００である。このような態様は、基材面の略垂直方向に対する接着力を低減でき、且つ高い伸び物性を有することからで好ましい。
【００５４】
成分（Ａ）の製造方法としては公知の方法を採用することができる。例えば、各構造単位に対応するモノマーを、有機溶媒中で有機アルカリ金属化合物を重合開始剤としてリビングアニオン重合し、必要に応じて得られた重合体を水添する。例えば、特開２０１４−９５０２３号公報、特開２０１０−２５４９８３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−１３７１号公報に記載された方法が挙げられる。
【００５５】
前記共重合体の水素添加方法および反応条件については特に限定はなく、例えば２０〜１５０℃、０．１〜１０ＭＰａの水素加圧下、水添触媒の存在下で行われる。この場合、水素添加率は、水添触媒の量、水添反応時の水素圧力、および反応時間を変えることにより，任意に選定することができる。
【００５６】
水添触媒としては、例えば、特開平１−２７５６０５号公報、特開平５−２７１３２６号公報、特開平５−２７１３２５号公報、特開平５−２２２１１５号公報、特開平１１−２９２９２４号公報、特開２０００−３７６３２号公報、特開平７−９００１７号公報に記載された水添触媒が挙げられる。水添触媒は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用することもできる。
【００５７】
成分（Ａ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
仮固定用組成物の化合物（Ｂ）を除いた固形分１００質量％中、成分（Ａ）の含有量は、通常は３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上である。このような態様は、仮固定材の接着性、分離性、耐熱性、耐溶剤性および伸び物性の点で好ましい。ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。
【００５８】
〈化合物（Ｂ）〉
化合物（Ｂ）は、ポリシロキサン構造（ｂ１）を有する。化合物（Ｂ）は、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造、およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）をさらに有してもよい。
【００５９】
塗膜形成主成分としての成分（Ａ）と界面活性剤としてのポリシロキサン系化合物（Ｂ）とを含有する層を、仮固定材における分離層として用いることで、弱い力で支持体と基材とを分離することができる。この理由は、以下のように推定している。分離層が層全体に界面活性剤を含むと、基板面の略垂直方向における当該層と他の層（例えば支持体）との接着力が弱まり、弱い力で支持体と基材とを分離できると考えられる。しかしながら、一般的に、界面活性剤は塗膜形成時に膜表面に偏在する傾向が強い。このため、界面活性剤を膜表面に偏在させずに層全体に存在させるためには、界面活性剤との相溶性が高い塗膜形成主成分を選択する必要がある。本発明では、成分（Ａ）およびポリシロキサン系化合物（Ｂ）の組み合わせが高い相溶性を有している。このため、分離層（Ｉ）全体にポリシロキサン系化合物（Ｂ）を存在させることができると考えられ、よって弱い力で支持体と基材とを分離することができる。
【００６０】
《ポリシロキサン構造（ｂ１）》
ポリシロキサン構造（ｂ１）は、２以上のシロキサン構造が連結した構造であり、シロキサン構造としては、例えば、式（ｂ１−１）または式（ｂ１−２）で表される構造が挙げられる。構造（ｂ１）は比較的低い双極子モーメントを有することから、化合物（Ｂ）と成分（Ａ）とが良好に混和することができる。
【００６１】
【化２】
2017092138.tif 000004
式（ｂ１−１）および（ｂ１−２）中、Ｒ1は、それぞれ独立に、“アルキル基”または“置換基を有してもよいアリール基”である。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０である。アリール基の炭素数は、好ましくは６〜１５、より好ましくは６〜１０である。アリール基における置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。
【００６２】
式（ｂ１−２）中、Ｒ2は、“アルキレン基”または“置換基を有してもよいアリーレン基”である。アルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０である。アリーレン基の炭素数は、好ましくは６〜１５、より好ましくは６〜１０である。アリーレン基における置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。＊は、ポリオキシアルキレン構造等の構造（ｂ２）との結合手である。
【００６３】
《構造（ｂ２）》
構造（ｂ２）は、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基（Ｈ2ＰＯ4−）を有する構造、およびスルホ基（−ＳＯ3Ｈ）を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造である。
ポリオキシアルキレン構造は、例えば、式−（Ａ−Ｏ）n−で表される基である。前記式中、Ａはアルキレン基であり、その炭素数は好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２であり、ｎは２〜５０の整数、好ましくは２〜４０の整数である。
【００６４】
《化合物（Ｂ）の具体例》
化合物（Ｂ）としては、構造（ｂ２）としてポリオキシアルキレン構造を有する化合物が、基材面に対して略垂直方向における分離層（Ｉ）の接着力を低下させるという効果に優れていることから好ましい。
【００６５】
化合物（Ｂ）の具体例としては、例えば、ポリフローＫＬ−２４５、ＫＬ−２７０、ＫＬ−７００（共栄社化学（株）製）、ＴＥＧＯ  ＷＥＴ  ２７０（エボニック・デグサ・ジャパン（株）製）、下記式（Ｂ１）で表される化合物等のポリエーテル変性ポリシロキサンが挙げられる。
【００６６】
【化３】
2017092138.tif 000005
式（Ｂ１）中、Ｒ1はそれぞれ独立に炭素数１〜３０のアルキル基または置換基（例：アルキル基）を有してもよい炭素数６〜１５のアリール基であり、Ｒ2は炭素数１〜３０のアルキレン基または置換基（例：アルキル基）を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基であり、Ａは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒａは水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは２〜５０の整数であり、ｘおよびｙは、それぞれ独立に２〜１００の整数である。好ましくは、Ｒ1はメチル基またはフェニル基であり、Ｒ2はメチレン基であり、Ａはエチレン基であり、ｎは２〜２０の整数であり、ｘおよびｙは、それぞれ独立に２〜１００の整数である。
【００６７】
式（Ｂ１）で表される化合物の市販品としては、例えば、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＨ−８４００、ＳＨ−１９０、同−１９３、ＳＦ−８４２８（東レ・ダウコーニング（株）製）が挙げられる。
【００６８】
式（Ｂ１）において、−Ｓｉ(Ｒ1)2Ｏ−単位および−Ｓｉ(Ｒ1)(Ｒ2-(ＡＯ)n-Ｒａ)Ｏ−単位は、ランダム構造であってもブロック構造であってもよい。
仮固定用組成物の固形分１００質量％中、化合物（Ｂ）の含有量は、通常は０．００１〜２質量％、好ましくは０．００５〜１．５質量％、より好ましくは０．００８〜１質量％である。同様に、分離層（Ｉ）中、化合物（Ｂ）の含有量は、層（Ｉ）の全質量に対して、通常は０．００１〜２質量％、好ましくは０．００５〜１．５質量％、より好ましくは０．００８〜１質量％である。化合物（Ｂ）の含有量が前記下限値以上であると、基材面に対して略垂直方向に基材および／または支持体を引っ張り上げる力に対して仮固定材の接着力が小さくなるのに対して、基材面に対して略水平方向に付加される力に対して仮固定材の接着力を維持することができる。
【００６９】
〈その他の成分〉
仮固定用組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂（成分（Ａ）を除く）、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、ポリスチレン架橋粒子および金属酸化物粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素が挙げられる。
【００７０】
仮固定用組成物が前記熱可塑性樹脂を含有することで、分離層（Ｉ）の耐熱性を向上させることができる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂、ポリスチレン系樹脂が挙げられる。ポリスチレン系樹脂は、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が通常は１，０００〜１００，０００であり、それ以外の前記樹脂としては、接着剤層（II）の欄で例示した樹脂が挙げられる。前記樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ノボラック樹脂およびポリスチレン系樹脂から選ばれる少なくとも１種が、成分（Ａ）との相溶性に優れることから好ましい。
仮固定用組成物において、前記熱可塑性樹脂の含有量は、成分（Ａ）１００質量部に対して、通常は１００質量部以下、好ましくは５０質量部以下である。
【００７１】
〔接着剤層（II）〕
接着剤層（II）は、基材を仮固定するための公知の接着剤を用いて形成することができる。接着剤層（II）は、支持体、分離層（Ｉ）、接着剤層（II）および基材の順に前記各要素を有する積層体の場合は、基材を支持体上に仮固定し、また、基材の表面を覆い保護する。
【００７２】
接着剤層（II）は、上述した化合物（Ｂ）を実質的に含有しないことが好ましい。「実質的に含有しない」とは、化合物（Ｂ）の含有量が、接着剤の全固形分１００質量％に対して、通常は０．０００１質量％以下、好ましくは０．００００１質量％以下、特に好ましくは０質量％であることを意味する。同様に、接着剤層（II）中、化合物（Ｂ）の含有量は、層（II）の全質量に対して、通常は０．０００１質量％以下、好ましくは０．００００１質量％以下、特に好ましくは０質量％である。
【００７３】
接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂系、エラストマー系、または熱硬化性樹脂系の接着剤が挙げられ、これらから選ばれる２種以上の混合系であってもよい。これらの中でも、伸び物性の観点から、エラストマー系接着剤が好ましい。接着剤は、溶剤型、エマルジョン型またはホットメルト型のいずれであってもよい。
【００７４】
〈熱可塑性樹脂〉
熱可塑性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂が好ましい。
【００７５】
シクロオレフィン系樹脂としては、例えば、環状オレフィン系化合物と非環状オレフィン系化合物との付加共重合体、１種または２種以上の環状オレフィン系化合物の開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。
【００７６】
環状オレフィン系化合物としては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基、アルキリデン基、アラルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合から選ばれる１種または２種以上を有する置換誘導体が挙げられる。
【００７７】
非環状オレフィン系化合物としては、例えば、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブテンであり、特に好ましくはエチレンである。
【００７８】
シクロオレフィン系樹脂の、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１０，０００〜１００，０００、好ましくは３０，０００〜１００，０００である。
【００７９】
テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、芳香族変性テルペン樹脂、芳香族変性水添テルペン樹脂が挙げられる。テルペン系樹脂の、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は５０，０００以下、好ましくは５００〜１０，０００である。
【００８０】
石油樹脂としては、例えば、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらから選ばれる２種以上の混合物が挙げられる。石油樹脂の、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は２０，０００以下、好ましくは１００〜２０，０００である。
【００８１】
ノボラック樹脂は、例えば、フェノール化合物とアルデヒド化合物とを、シュウ酸等の酸性触媒の存在下で付加縮合させることにより得ることができる。ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。ノボラック樹脂の、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は２，０００以上、好ましくは２，０００〜２０，０００である。
熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８２】
〈エラストマー〉
エラストマーとしては、例えば、上述した成分（Ａ）や、アクリルゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴムが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８３】
接着剤は、伸び物性の観点から、エラストマーを含有することが好ましく、前記エラストマーは、上述した成分（Ａ）であることが好ましく、耐熱性および耐溶剤性の観点から、上述した成分（Ａ）のうち水素添加物であることがより好ましい。
【００８４】
〈熱硬化性樹脂〉
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、レゾール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、（メタ）アクリロイル基含有樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８５】
〈その他の成分〉
接着剤は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、界面活性剤、ポリスチレン架橋粒子および金属酸化物粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素が挙げられる。
【００８６】
〔仮固定用組成物および接着剤の製造〕
仮固定用組成物および接着剤は、必要に応じて樹脂組成物の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いて、各成分を混合することにより製造することができる。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。
【００８７】
仮固定用組成物および接着剤の製造には、これらの粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いてもよい。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素溶剤；アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル溶剤；炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン溶剤；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム溶剤が挙げられる。
溶剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８８】
仮固定用組成物および接着剤が溶剤を含有することにより、これらの粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体上に仮固定材を形成することが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物および接着剤の固形分濃度が、それぞれ独立に、通常は５〜７０質量％、より好ましくは１５〜５０質量％となる範囲で用いることができる。ここで「固形分濃度」とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。
【００８９】
２．基材の処理方法
本発明の基材の処理方法は、（１）上記積層体を形成する工程と、（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、（３）前記基材の基材面に対して略垂直方向に、前記基材および／または前記支持体に力を付加することで、前記基材を前記支持体から分離する工程とを有し、（４）前記分離後に前記基材上に残存した仮固定材がある場合は、当該仮固定材を前記基材から除去する工程を有してもよい。以下、前記各工程をそれぞれ、工程（１）〜工程（４）ともいう。
【００９０】
〈２−１．工程（１）〉
工程（１）では、例えば、（1-1）支持体および／または基材の表面に、上記仮固定材を形成し、前記仮固定材を介して基材と支持体とを貼り合せることにより、基材を支持体上に仮固定することができる。また、（1-2）支持体の表面に、上記仮固定材を形成し、前記仮固定材上に樹脂塗膜等の基材を形成することにより、基材を支持体上に仮固定することもできる。基材は、必要に応じて表面処理されていてもよい。
【００９１】
上述の仮固定材の形成方法としては、例えば、（α）仮固定材が有する各層を、支持体上および／または基材上に直接形成する方法、（β）離型処理が施されたフィルム上に仮固定用組成物または接着剤を用いて一定膜厚で成膜した後、各層を支持体および／または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、前記（α）の方法が好ましい。
【００９２】
以下、仮固定用組成物を用いて分離層（Ｉ）を形成する方法、および接着剤を用いて接着剤層（II）を形成する方法について説明する。仮固定材は、分離層（Ｉ）のみ有してもよく、分離層（Ｉ）および接着剤層（II）を有してもよい。
仮固定材が有する各層を形成する仮固定用組成物および接着剤の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。
【００９３】
仮固定用組成物または接着剤を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱機器で加熱して、溶剤を蒸発させることにより、分離層（Ｉ）または接着剤層（II）を形成する。加熱の条件は、溶剤の沸点に応じて適宜決定され、例えば、加熱温度が通常は１００〜３５０℃であり、加熱時間が通常は１〜６０分である。
【００９４】
上記（α）の方法において、分離層（Ｉ）および接着剤層（II）を有する仮固定材により基材と支持体とを貼り合せる方法としては、例えば、支持体面上に分離層（Ｉ）を形成し、基材面上に接着剤層（II）を形成し、これらを層（Ｉ）および層（II）が接するようにして貼り合わせる方法１；基材面上に層（II）および層（Ｉ）を順次形成し、層（Ｉ）上に支持体を貼り合わせる方法２；支持体面上に層（Ｉ）および層（II）を順次形成し、層（II）上に基材を貼り合わせる方法３が挙げられる。この際の温度は、仮固定用組成物および接着剤の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択される。これらの中でも、各層の形成中に層（Ｉ）および層（II）が混和することを避ける観点から、前記方法１が好ましい。
【００９５】
基材と支持体との圧着条件は、例えば、好ましくは室温以上４００℃以下、より好ましくは１５０〜４００℃で０．１〜２０分間、０．０１〜１００ＭＰａの圧力を各層の積層方向に付加することにより行えばよい。圧着後、さらに１５０〜３００℃で１０分〜３時間加熱処理してもよい。このようにして、基材が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。
【００９６】
加工（移動）対象物である前記基材としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハおよび半導体チップには、バンプ、配線、絶縁膜および各種の素子から選ばれる少なくとも１種が形成されていてもよい。前記基板には、各種の素子が形成または搭載されていてもよい。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層が挙げられる。
支持体としては、例えば、ガラス基板、石英基板および透明樹脂製基板が挙げられる。
【００９７】
〈２−２．工程（２）〉
工程（２）は、支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、半導体ウエハ等の基材を、ある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、ダイシング、裏面研削等の基材の薄膜化、フォトファブリケーション、半導体チップの積層、各種素子の搭載が挙げられる。フォトファブリケーションは、例えば、レジストパターンの形成、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理から選ばれる１つ以上の処理を含む。エッチング加工およびスパッタ膜の形成は、例えば、２５〜３００℃程度の温度範囲で行われ、メッキ処理およびメッキリフロー処理は、例えば、２２５〜３００℃程度の温度範囲で行われる。基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。
【００９８】
本発明の基材の処理方法は、バンプを有する半導体ウエハおよび半導体チップ、特に、耐熱性に乏しいピラーバンプ（例：銅部分とはんだ部分とからなるピラーバンプ）を有する半導体ウエハおよび半導体チップに対しても適用することができる。特に、バンプのアスペクト比（高さ／最大横幅）が０．８以上のとき、基材を支持体から分離する際のバンプの破損を防ぐという効果が、従来の方法に比べ顕著に表れる。
【００９９】
〈２−３．工程（３）〉
基材の加工処理および／または移動処理後は、基材面に対して略垂直方向に、基材および／または支持体に力を付加することで、前記支持体から前記基材を剥離するなどして、両者を分離する。
【０１００】
基材および支持体の分離を基材面に対して略平行方向に力を付加して行う場合、すなわち剪断力により分離を行う場合、分離時に基材が有するバンプにも剪断力が加わり、バンプが倒れるおそれがある。基材および支持体の分離を基材面に対して略垂直方向に力を付加して行う場合、分離時に基材が有するバンプに加わる剪断力が小さくなり、バンプの倒れを防ぐことができる。この点は、特に積層チップの製造における実装工程では、アスペクト比が大きいバンプ（ピラーバンプ）が用いられるため、バンプの倒れが顕著に現れるところ、本発明ではこのような倒れを防ぐことができる。
【０１０１】
例えば、基材または支持体の一方を固定し、他方を基材面に対して平行方向から一定の角度を付けて持ち上げることで両者を分離する方法が挙げられる。具体的には、基材面に対して略垂直方向に力を付加して、支持体と基材とを分離することが好ましい。「基材面に対して略垂直方向に力を付加する」とは、基材面に対して垂直な軸であるｚ軸に対して、通常は０°〜６０°の範囲、好ましくは０°〜４５°の範囲、より好ましくは０°〜３０°の範囲、さらに好ましくは０°〜５°の範囲、特に好ましくは０°、すなわち基材面に対して垂直の方向に力を付加することを意味する。
【０１０２】
基材面に対して略垂直方向に付加する圧力は、通常は０．０００１〜１００ＭＰａ、好ましくは０．００１〜３０ＭＰａ、さらに好ましくは０．００５〜１ＭＰａである。分離時の温度は、通常は５〜１００℃、好ましくは１０〜４５℃、さらに好ましくは１５〜３０℃で行うことができる。ここでの温度は、支持体の温度を意味する。
【０１０３】
分離方式としては、例えば、基材または支持体の周縁を持ち上げ、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材または支持体の周縁から中心に向けて順に剥離する方法（フックプル方式）で行うことができる。本発明では、このような方法で、基材と支持体とを分離することができる。また、分離時に基材の破損を防ぐため、基材における支持体との仮止め面と反対側の面に補強テープ、例えば市販のダイシングテープ、を貼付してもよい。
【０１０４】
本発明では、上述したように、仮固定材が層（Ｉ）を有し、主に層（Ｉ）において基材と支持体との分離が起こる。基材がバンプを有する場合、分離工程時にバンプの破損を防止することができる。
【０１０５】
〈２−４．工程（４）〉
支持体から分離後の基材上に仮固定材が残存している場合は、剥離および溶剤洗浄などの簡単な手法により、仮固定材を基材から除去することができる。
剥離処理としては、例えば、基材から仮固定材を基材面に対して略垂直方向に剥離する方法が挙げられ、具体的には、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材の周縁から中心に向けて順に仮固定材を剥離する方法（フックプル方式）が挙げられる。略垂直方向の意味は、工程（３）の欄で説明したとおりである。
【０１０６】
溶剤を用いた洗浄処理としては、例えば、基材を溶剤に浸漬する方法、基材に溶剤をスプレーする方法、基材を溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は特に限定されないが、好ましくは１０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。溶剤としては、仮固定用組成物および接着剤の製造の欄で説明した溶剤を例示することができる。
以上のようにして、支持体から基材を分離することができる。
【０１０７】
３．半導体装置およびその製造方法
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法により基材を加工することにより、製造することができる。本発明では、基材を加工して得られた半導体装置（例：半導体素子）を支持体から良好に分離することができ、基材自体や基材が有する各部材（例：バンプ）の破損を防ぎ、したがって各種性能が良好な半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」の意味で用いる。
【０１０９】
重合体および樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を使用し、ポリスチレン換算で、測定装置「ＨＬＣ−８２２０−ＧＰＣ」（東ソー（株）製）を用いて測定した。
【０１１０】
１．仮固定用組成物および接着剤の製造
［実施例１Ａ〜７Ａおよび調製例１Ａ〜２Ａ］
仮固定用組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−９）の製造
表１に示す成分を、表１に示す配合量で混合し、仮固定用組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−９）を製造した。表１中の各成分の詳細は、以下に記載する通りである。
【０１１１】
【表１】
2017092138.tif 000006
【０１１２】
共重合体（Ａ１）：スチレン−ブタジエン−スチレンからなるトリブロック共役ジエン重合体の水素添加物（ブタジエン由来の二重結合の水素添加率＝９９モル％以上、スチレン単位含有割合＝１０質量％、重量平均分子量＝１２０，０００）
共重合体（Ａ２）：スチレン−イソプレン−スチレンからなるトリブロック共役ジエン重合体の水素添加物（イソプレン由来の二重結合の水素添加率＝９９モル％以上、スチレン単位含有割合＝２０質量％、重量平均分子量＝１００，０００）
共重合体（Ａ３）：スチレン−イソプレンランダム共重合体
（スチレン単位含有割合＝２０質量％、重量平均分子量＝３５００）
共重合体（Ａ４）：フェノキシ樹脂
（商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−１２３」、ＤＩＣ（株）製）
化合物（Ｂ１）：ジアルキルシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物（商品名「ＴＥＧＯ  ＷＥＴ  ２７０」、エボニック・デグサ・ジャパン（株）製）
化合物（Ｂ２）：ジアルキルシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物（商品名「ポリフローＫＬ−７００」、共栄社化学（株）製）
化合物（Ｂ３）：フッ素化アルケニル構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物（商品名「フタージェント２０９Ｆ」、ネオス（株）製）
成分（Ｃ１）：ヒンダードフェノール系酸化防止剤
（商品名「アデカスタブＡＯ−６０」、ＡＤＥＫＡ（株）製）
成分（Ｃ２）：ポリスチレン（重量平均分子量＝２５００）
成分（Ｄ１）：トルエン
成分（Ｄ２）：メシチレン
成分（Ｄ３）：シクロヘキサノン
【０１１３】
［調製例３Ａ］接着剤（II−１）の製造
１００部のスチレン−ブタジエン−スチレンからなるトリブロック共役ジエン重合体の水素添加物（前記共重合体（Ａ１））と、１部のヒンダードフェノール系酸化防止剤（商品名「アデカスタブＡＯ−６０」、ＡＤＥＫＡ（株）製）と、２００部のメシチレンとを混合することにより、接着剤（II−１）を製造した。
【０１１４】
２．評価
［実施例１Ｂ］
複数のバンプが設けられた４インチのシリコンウエハ（基材）上に、仮固定用組成物（Ｉ−１）をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて、大気下、１６０℃で５分間加熱し、次いで、窒素雰囲気下、２３０℃で１０分間加熱し、厚さ３０μｍの仮固定材層（Ｉ−１）を有する基板を得た。仮固定材層の厚さは、触針式膜厚計により測定した。その他の層の厚さについても、以下同様である。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍに切断し、仮固定材（仮固定材層（Ｉ−１））を有する基板１を得た。
【０１１５】
なお、上記バンプは、サイズが縦２０μｍ、横２０μｍ、高さ２０μｍであり、シリコンウエハ側の下半分は銅からなるピラー部であり、上半分はＳｎ−Ａｇ合金からなるはんだ部を有する。
【０１１６】
上述の基板１とガラス基板（２ｃｍ×２ｃｍの正方形面を有するガラス基板；支持体）とを、仮固定材を介して貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で０．０５ＭＰａの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。
【０１１７】
ガラス基板と仮固定材との間に気泡なく仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えたが、２ＭＰａの力を加えてもシリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持（仮固定）されていることが確認できた。
【０１１８】
次いで、仮固定した基板１に万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）方向にフックプル方式（ｚ軸に対して０°）で力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えた。その結果、０．２ＭＰａ未満の力で、ガラス基板を剥離することができた。
剥離後の基板１上の仮固定材残渣をメシチレンにて洗浄した後、バンプの状態を目視にて観察した。その結果、バンプには変形がなく、良好に剥離を行えたことがわかった。
【０１１９】
［実施例２Ｂ〜７Ｂ、比較例１Ｂ、比較例２Ｂ］
実施例１Ｂにおいて、表２に記載のとおりに仮固定用組成物を変更したこと以外は実施例１Ｂと同様にした。結果を表２に示す。
【０１２０】
［実施例８Ｂ］
複数のバンプが設けられた４インチのシリコンウエハ（基材）上に、接着剤（II−１）をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて、大気下、１６０℃で５分間加熱し、次いで、窒素雰囲気下、２３０℃で１０分間加熱し、厚さ３０μｍの接着剤層（II−１）を有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍに切断し、接着剤層（II−１）を有する基板１を得た。
【０１２１】
なお、上記バンプは、サイズが縦２０μｍ、横２０μｍ、高さ２０μｍであり、シリコンウエハ側の下半分は銅からなるピラー部であり、上半分はＳｎ−Ａｇ合金からなるはんだ部を有する。
【０１２２】
また、４インチのガラス基板（支持体）に仮固定用組成物（Ｉ−１）をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて、１６０℃で５分間加熱後、さらに２００℃で１０分間加熱し、厚さ３０μｍの均一な分離層（Ｉ−１）を有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍに切断し、分離層（Ｉ−１）を有する基板２を得た。
【０１２３】
上記の基板１および基板２を、分離層（Ｉ−１）と接着層（II−１）とが接するように貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で０．０５ＭＰａの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。
【０１２４】
万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えたが、２ＭＰａの力を加えてもシリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持（仮固定）されていることが確認できた。
【０１２５】
次いで、仮固定した基板１に万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）方向にフックプル方式（ｚ軸に対して０°）で力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えた。その結果、０．２ＭＰａ未満の力で、ガラス基板を剥離することができた。
剥離後の基板１上の仮固定材残渣をメシチレンにて洗浄した後、バンプの状態を目視にて観察した。その結果、バンプには変形がなく、良好に剥離を行えたことがわかった。
【０１２６】
［実施例９Ｂ〜１０Ｂ、比較例３Ｂ］
実施例８Ｂにおいて、表２に記載のとおりに仮固定用組成物を変更したこと以外は実施例８Ｂと同様にした。結果を表２に示す。
【０１２７】
【表２】
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【符号の説明】
【０１２８】
１・・・積層体
１０・・・支持体
２０・・・仮固定材
２１・・・分離層（Ｉ）
２２・・・接着剤層（II）
３０・・・基材
３１・・・基材面
【図１】
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