(57)【要約】【課題】角度分解能を向上させることができる光センサを提供する。【解決手段】遮光部１２０は、半導体基板１３０の一面１３１の上方に配置され、遮光面１２１と、遮光面１２１の端に位置すると共に一面１３１の面方向のうちの一つの方向である一方向に沿って延設された遮光端部１２２と、を有する。また、遮光部１２０は、遮光端部１２２の位置によって一面１３１を基準とした各受光面１４１、１５１に対する光の入射角度を規定する。さらに、第１受光部１４０のうち基準位置側の第１端部１４２と基準位置との第１距離と、第２受光部１５０のうち基準位置側の第２端部１５２と基準位置との第２距離と、が異なっている。信号処理部２００は、各受光部１４０、１５０から各検出信号を入力し、第１受光値と第２受光値との差分を演算する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１３１）と、前記一面に第１受光面（１４１）が設けられていると共に前記第１受光面で受光した光の第１受光値に対応した第１検出信号を出力する第１受光部（１４０）と、前記一面に第２受光面（１５１）が設けられていると共に前記第２受光面で受光した光の第２受光値に対応した第２検出信号を出力する第２受光部（１５０）と、を有する検出部（１１０）と、
前記一面の上方に配置され、遮光面（１２１）と、前記遮光面の端に位置すると共に前記一面の面方向のうちの一つの方向である一方向に沿って延設された遮光端部（１２２）と、を有し、前記遮光端部の位置によって前記一面を基準とした前記第１受光面及び前記第２受光面に対する前記光の入射角度を規定する遮光部（１２０）と、
前記第１検出信号及び前記第２検出信号を入力し、前記第１受光値と前記第２受光値との差分を演算する信号処理部（２００）と、
を備え、
前記一面に投影された前記遮光端部の位置を基準位置と定義すると、前記一面のうち前記一方向に直交する他方向において、前記第１受光面のうち前記基準位置側の第１端部（１４２）と前記基準位置との第１距離と、前記第２受光面のうち前記基準位置側の第２端部（１５２）と前記基準位置との第２距離と、が異なっている光センサ。
【請求項２】
前記遮光部は、前記第１受光面及び前記第２受光面に入射する前記光の入射角度のうち最も大きい角度が１８０°以上の角度となるように、前記一面の上方に配置された第２遮光面（１２３）と、前記第２遮光面の端に位置すると共に前記一面の面方向のうちの一つの方向である一方向に沿って延設された第２遮光端部（１２４）と、を有している請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
前記第１受光面及び前記第２受光面は、平面形状及びサイズが同じである請求項１または２に記載の光センサ。
【請求項４】
前記第１受光部、前記第２受光部、及び前記遮光部を一組の基本構成と定義すると、前記基本構成を複数備えている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光センサ。
【請求項５】
前記第１受光部及び前記第２受光部は、前記光の入射に伴って蓄積される電荷に対応した出力を行い、
前記信号処理部は、予め設定された電荷蓄積時間に対応した前記第１受光値及び前記第２受光値を取得し、前記第１受光値及び前記第２受光値と前記電荷の蓄積量の飽和を示す飽和値との関係に基づいて、前記電荷蓄積時間を調節する機能を有している請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遮光部及び受光部を備えた光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、受光部に入射する入射光の入射角度を規定する遮光膜を備えた光センサが、例えば特許文献１で提案されている。遮光膜は受光部の上方に設けられている。また、遮光膜は、入射光を受光部に導くために、一部が窓のように開口した窓部を有している。このような構成では、窓部及び受光部の位置やサイズの調整によって、特定の方向から入射する光を検出することが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−５２３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、窓部を介して受光部の受光面に不要な角度の光が入射する。このため、検出される光の入射角度の範囲は広くなるが、当該範囲の中で検出したい特定の入射角度の範囲が狭くなってしまう。すなわち、光検出の角度分解能が低下してしまう。
【０００５】
光検出の角度分解能を向上させるためには、受光部の受光面から遮光膜を高く配置すること、窓部の開口寸法を狭くすること、及び、受光部の受光面寸法を狭くすること、が必要である。これらの条件は、受光部や遮光膜を形成するためのプロセスの加工精度、及び、受光部や窓部の微細化ルールに依存するため、光検出の角度分解能を向上させることが困難だった。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、角度分解能を向上させることができる光センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、光センサは、一面（１３１）と、一面に第１受光面（１４１）が設けられていると共に第１受光面で受光した光の第１受光値に対応した第１検出信号を出力する第１受光部（１４０）と、一面に第２受光面（１５１）が設けられていると共に第２受光面で受光した光の第２受光値に対応した第２検出信号を出力する第２受光部（１５０）と、を有する検出部（１１０）を備えている。
【０００８】
また、光センサは、一面の上方に配置され、遮光面（１２１）と、遮光面の端に位置すると共に一面の面方向のうちの一つの方向である一方向に沿って延設された遮光端部（１２２）と、を有し、遮光端部の位置によって一面を基準とした第１受光面及び第２受光面に対する光の入射角度を規定する遮光部（１２０）を備えている。
【０００９】
さらに、光センサは、第１検出信号及び前記第２検出信号を入力し、第１受光値と第２受光値との差分を演算する信号処理部（２００）を備えている。
【００１０】
そして、一面に投影された遮光端部の位置を基準位置と定義すると、一面のうち一方向に直交する他方向において、第１受光面のうち基準位置側の第１端部（１４２）と基準位置との第１距離と、第２受光面のうち基準位置側の第２端部（１５２）と基準位置との第２距離と、が異なっている。
【００１１】
これによると、第１受光部で検出される第１受光値と第２受光部で検出される第２受光値との差分が演算されるので、受光面（１４１、１５１）のサイズが小さくなっていることと同じ効果を得ることができる。また、遮光部は、遮光端部によって遮光の範囲が区切られる片側の遮光特性を有しているので、信号処理部は、必要な遮光特性の差分のみを取得することができる。言い換えると、遮光部の一部が窓状に開口したことによる両側の遮光特性が設定されている場合、必要な遮光特性の差分と同量の不要な遮光特性の差分が発生するが、当該不要な遮光特性の差分が算出されない。したがって、角度分解能を向上させることができる。
【００１２】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光センサの構成図である。
【図２】図１に示されたセンサ部の平面図である。
【図３】（ａ）は図２のII−II断面図であり、（ｂ）は図２のIII−III断面図である。
【図４】（ａ）は第１受光部の出力を示した図であり、（ｂ）は第２受光部の出力を示した図であり、（ｃ）は各出力の差分を示した図である。
【図５】遮光部が両側の遮光特性を有する場合に各受光部に入射する光の入射角度を説明するための断面図である。
【図６】図５に示された各受光部の出力と各出力の差分を示した図である。
【図７】第２実施形態に係るセンサ部の平面図である。
【図８】図７に示されたセンサ部の照射特性を示した図である。
【図９】第３実施形態に係るセンサ部の平面図である。
【図１０】図９に示されたセンサ部の照射特性を示した図である。
【図１１】第４実施形態に係るセンサ部の断面図である。
【図１２】第５実施形態に係る信号処理部の機能を説明するための図である。
【図１３】第６実施形態に係るセンサ部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１に示されるように、光センサ１は、センサ部１００及び信号処理部２００を備えている。光センサ１は、例えば集積回路部（ＡＳＩＣ）として構成されている。センサ部１００及び信号処理部２００は別体に分離されて構成されていても良い。
【００１６】
センサ部１００は、特定の方向から入射する光を検出するセンサチップとして構成されている。図２及び図３に示されるように、センサ部１００は、検出部１１０及び遮光部１２０を有している。検出部１１０は、一面１３１を有する半導体基板１３０の表層部に形成された第１受光部１４０及び第２受光部１５０を有している。
【００１７】
第１受光部１４０は、半導体基板１３０の一面１３１に第１受光面１４１が設けられていると共に、第１受光面１４１で受光した光の第１受光値に対応した第１検出信号を出力する。また、第２受光部１５０は、半導体基板１３０の一面１３１に第２受光面１５１が設けられていると共に、第２受光面１５１で受光した光の第２受光値に対応した第２検出信号を出力する。各受光部１４０、１５０の各受光面１４１、１５１は半導体基板１３０の一面１３１に形成されているため、各受光面１４１、１５１への空気中からの入射光角度は０°〜１８０°である。
【００１８】
各受光部１４０、１５０は、フォトダイオードとして構成されている。したがって、各受光部１４０、１５０は、光の入射に伴って蓄積される電荷を電圧に変換して受光値として取得すると共に、当該電圧情報を含んだ各検出信号を信号処理部２００に出力する。半導体基板１３０は、例えばＮ−型のシリコン基板である。各受光部１４０、１５０はＰ＋型の領域としてシリコン基板に形成されている。また、図２に示されるように、各受光面１４１、１５１は、平面形状及びサイズが同じになっている。各受光面１４１、１５１は四角形状に形成されている。
【００１９】
遮光部１２０は、各受光面１４１、１５１に対する一面１３１を基準とした光の入射角度を規定する。遮光部１２０は、半導体基板１３０の一面１３１の上方に配置されている。遮光部１２０として、例えばＡｌやＣｒＳｉ等の金属膜が用いられる。
【００２０】
図３に示されるように、遮光部１２０は、半導体基板１３０の一面１３１に形成された層間膜１６０の上に形成されている。層間膜１６０は各受光面１４１、１５１も覆っている。層間膜１６０として、例えば透明なＢＰＳＧ膜が用いられる。なお、層間膜１６０は遮光部１２０の上にも形成されている。また、層間膜１６０は空気よりも大きな屈折率（１．４１程度）を有しており、空気中の０°〜１８０°の入射光は層間膜１６０中ではおよそ４５°〜１３５°へと屈折する。
【００２１】
また、遮光部１２０は、遮光面１２１及び遮光端部１２２を有している。遮光面１２１は、半導体基板１３０の一面１３１側に入射する光を遮る。遮光端部１２２は、遮光面１２１の端に位置すると共に、半導体基板１３０の一面１３１の面方向のうちの一つの方向である一方向に沿って延設されている。
【００２２】
そして、遮光部１２０は、遮光端部１２２の位置によって、半導体基板１３０の一面１３１を基準とした各受光面１４１、１５１に対する光の入射角度を規定する。本実施形態では、遮光面１２１及び遮光端部１２２は、各受光面１４１、１５１に入射する光の入射角度のうち最も小さい角度が９０°未満の角度となるように、一面１３１の上方に配置されている。言い換えると、図２に示されるように、半導体基板１３０の一面１３１側を見たとき、各受光部１４０、１５０は遮光部１２０から露出して遮光部１２０に隠れない位置に配置されている。
【００２３】
ここで、半導体基板１３０の一面１３１に投影された遮光端部１２２の位置を基準位置と定義する。つまり、基準位置は、一面１３１において遮光面１２１のうち各受光部１４０、１５０側の端の位置である。そして、半導体基板１３０の一面１３１のうち一方向に直交する他方向において、第１受光面１４１のうち基準位置側の第１端部１４２と基準位置との第１距離と、第２受光面１５１のうち基準位置側の第２端部１５２と基準位置との第２距離と、が異なっている。本実施形態では、第１距離が第２距離よりも長くなっている。
【００２４】
上記の配置関係により、図３（ａ）に示されるように、第１受光部１４０に入射する光の入射角度のうち最も小さい角度はα１となる。光の入射角度が角度α１から大きくなっていき、入射角度がβ１になると、第１受光面１４１の全体に光が入射する。
【００２５】
一方、図３（ｂ）に示されるように、第２受光部１５０に入射する光の入射角度のうち最も小さい角度はγ１となる。光の入射角度が角度γ１から大きくなっていき、入射角度がδ１になると、第２受光面１５１の全体に光が入射する。
【００２６】
信号処理部２００は、センサ部１００の各受光部１４０、１５０から各検出信号を入力して信号処理を行う。具体的には、信号処理部２００は、第１受光値と第２受光値との差分を演算することで遮光部１２０の遮光特性に応じた光の受光量を取得する。信号処理部２００は、取得した受光量の情報を含んだ信号を図示しない外部装置に出力する。信号処理部２００は、例えばＩＣチップとして構成されている。以上が、光センサ１の構成である。
【００２７】
次に、光センサ１の作動について説明する。各受光部１４０、１５０は遮光部１２０の遮光特性に従って光を検出する。なお、光は様々な方向から検出部１１０に入射するが、ここでは各受光部１４０、１５０に最も影響のある方向の光として一方向に沿った光に注目する。
【００２８】
図４（ａ）に示されるように、第１受光部１４０の照射特性は、光の入射角度が０°から角度α１までは光が遮光部１２０に遮られるので、照射比率は０％である。また、光の入射角度が角度α１から角度β１まで増加すると、第１受光面１４１のうち光が照射される領域が増えるので、照射比率は角度α１から角度β１まで増加する。
【００２９】
そして、角度β１から１８０°までは第１受光面１４１の全面に光が入射するので、照射比率は最大になる。第１受光部１４０は、当該照射特性に従って、入射角度に応じた照射比率を示す電圧を第１受光値とし、第１検出信号を信号処理部２００に出力する。
【００３０】
一方、図４（ｂ）に示されるように、第２受光部１５０の照射特性は、光の入射角度が０°から角度γ１までは光が遮光部１２０に遮られるので、照射比率は０％である。上述のように、第２受光面１５１は第１受光面１４１よりも遮光端部１２２に近いので、第２受光面１５１に光が入射するためには第１受光面１４１に光が入射する角度α１よりも大きな入射角度γ１が必要になる。
【００３１】
また、光の入射角度が角度γ１から角度δ１まで増加すると、第２受光面１５１のうち光が照射される領域が増えるので、照射比率は角度γ１から角度δ１まで増加する。上述のように、各受光面１４１、１５１のサイズ及び形状が同じであるので、第２受光面１５１の全体に光が入射するためには第１受光面１４１の全体に光が入射する角度β１よりも大きな入射角度δ１が必要になる。
【００３２】
そして、角度δ１から１８０°までは第２受光面１５１の全面に光が入射するので、照射比率は最大になる。第２受光部１５０は、当該照射特性に従って、入射角度に応じた照射比率を示す電圧を第２受光値とし、第２検出信号を信号処理部２００に出力する。
【００３３】
信号処理部２００は、各受光部１４０、１５０から各検出信号を入力し、第１受光値と第２受光値との差分を演算する。これにより、図４（ｃ）に示されるように、光の入射角度に応じた照射比率は、角度α１から角度γ１まで増加し、角度γ１から角度β１まで一定値となり、角度β１から角度δ１まで減少する特性となる。したがって、信号処理部２００は、光の入射角度に応じた演算後の照射比率を受光量として取得し、当該受光量の情報を含んだ出力信号を外部に出力する。
【００３４】
ここで、図５に示されるように、各受光面１４１、１５１に入射する光の入射角度のうち最も大きい角度が１８０°未満の角度となる遮光部１７０の遮光特性との比較を考える。遮光部１７０は、当該遮光部１７０の一部が窓状に開口していることにより両側の遮光特性を有するものである。
【００３５】
このような両側の遮光特性の場合、図５（ａ）に示されるように、第１受光部１４０に入射する光の入射角度のうち最も小さい角度はα２となる。光の入射角度が角度α２から大きくなっていき、入射角度がβ２になると、第１受光面１４１の全体に光が入射する。また、光の入射角度が角度γ２に達すると遮光部１７０に光が遮られ始める。そして、光の入射角度が角度γ２から入射角度がδ２になると、第１受光面１４１には光が入射しなくなる。
【００３６】
したがって、図６（ａ）に示されるように、第１受光部１４０の照射特性は、光の入射角度が０°から角度α２までと角度δ２以上は光が遮光部１７０に遮られるので、照射比率は０％である。また、光の入射角度が角度α２から角度β２まで増加すると照射比率は増加し、角度γ２まで一定値となる。そして、照射比率は角度γ２から角度δ２まで減少する。
【００３７】
また、図５（ｂ）に示されるように、第２受光部１５０は第１受光部１４０に対して差分の距離を持って例えば遮光部１７０側に位置している。これにより、上記と同様に、光の入射角度が角度α３になると第２受光部１５０に光が入射し、入射角度がβ３になると第１受光面１４１の全体に光が入射する。また、光の入射角度が角度γ３から入射角度がδ３に増加すると、第２受光面１５１には光が入射しなくなる。照射比率の特性は図６（ｂ）の通りである。
【００３８】
そして、図６（ｃ）に示されるように、各受光値の差分が演算されることで得られた照射比率は、角度α２から角度β３までは正の比率となる一方、角度γ２から角度δ３までは負の比率となる。正の比率は必要な遮光特性の差分であるが、不の比率は不要な遮光特性の差分である。このように、空間にはさまざま角度の光が同時に存在するため、「必要な遮光特性の差分」の部分と同量の「不要な遮光特性の差分」が発生した場合、差分出力は０となる。このため、検出したかった「必要な遮光特性の差分」の領域の角度の光を検出することができなくなる。
【００３９】
これに対し、本実施形態では、遮光部１２０は片側の遮光特性を有し、各受光部１４０、１５０の各端部１４２、１５２は遮光部１２０の遮光端部１２２からの距離が異なっている。このため、遮光部１２０の遮光端部１２２から各端部１４２、１５２までの距離の違いにより発生した各受光面１４１、１５１の差分領域で受光していると言える。つまり、各受光面１４１、１５１のサイズが小さくなっていることと同じ効果を得ることができる。また、信号処理部２００によって演算される第１受光値と第２受光値との差分には「不要な遮光特性の差分」が含まれることがない。したがって、光検出の角度分解能を向上させることができる。
【００４０】
また、上記の構成によると、各受光面１４１、１５１の差分を利用しているので、各受光面１４１、１５１のサイズそのものを小さくしなくても良い。また、半導体基板１３０の一面１３１を基準とした遮光部１２０の位置も高くしなくても良い。つまり、各受光部１４０、１５０や遮光部１２０を形成するためのプロセスの加工精度、及び、各受光部１４０、１５０の微細化ルールの変更が必要ない。このため、既存の設備を用いて各受光部１４０、１５０や遮光部１２０を形成することができるというメリットもある。
【００４１】
光センサ１は、例えば、車両に搭載されたヘッドアップディスプレイ等の光角度成分の検出に用いられる。また、光センサ１は、車両に搭載されたレインセンサによる雨滴量（雨の強さ）の検出に用いられる。もちろん、光センサ１は、車両以外の他の用途に適用されても良い。
【００４２】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、第２受光面１５１は第１受光面１４１よりも大きいサイズに形成されている。また、図８に示されるように、各受光面１４１、１５１の面積の大きさの違いにより、第２受光部１５０の最大の照射比率が第１受光部１４０よりも高くなる。このため、各照射比率（各受光値）の差分がマイナスになる角度領域があるが、信号処理部２００の信号処理によって当該角度領域の照射比率を０にすることで対応可能である。
【００４３】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図９に示されるように、各受光面１４１、１５１は三角形状になっている。第１受光面１４１の第１端部１４２は三角形の一辺に対応している。一方、第２受光部１５０の第２端部１５２は三角形の一つの角部に対応している。各受光面１４１、１５１のサイズは同じである。
【００４４】
このような各受光面１４１、１５１の形状によると、図１０に示されるように、第１受光部１４０の照射比率は急激に上昇した後に緩やかに最大値に達する。一方、第２受光部１５０の照射比率は緩やかに上昇を始めた後に急激に最大値に達する。したがって、各照射比率（各受光値）の差分は上に凸の特性となる。
【００４５】
各受光面１４１、１５１の平面形状の変形例として、多角形、円形、楕円等の他の形状としても良い。このような形状においても、各受光面１４１、１５１の平面サイズは同じでも良いし、異なっていても良い。さらに、各受光面１４１、１５１の平面形状は異なっていても良い。
【００４６】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。図１１に示されるように、遮光面１２１及び遮光端部１２２は、第１受光面１４１に入射する光の入射角度のうち最も小さい角度α４が９０°よりも大きな角度となるように、一面１３１の上方に配置されている。角度β４は角度α４よりも大きな角度となる。図示しないが、第２受光面１５１についても同じである。したがって、半導体基板１３０の一面１３１側を見たとき、各受光部１４０、１５０は遮光部１２０に隠れて見えない位置に配置されている。
【００４７】
このような配置においても、各受光部１４０、１５０の各端部１４２、１５２は、他方向において、第１受光部１４０の第１端部１４２と基準位置との第１距離と、第２受光部１５０の第２端部１５２と基準位置との第２距離と、が異なっている。以上の配置によると、照射比率が９０°よりも大きな角度で上昇する特性が得られる。
【００４８】
（第５実施形態）
本実施形態では、第１〜第４実施形態と異なる部分について説明する。上述のように、各受光部１４０、１５０は、光の入射に伴って蓄積される電荷に対応した出力を行うが、遮光部１２０が片側の遮光特性であるため、両側の遮光特性の場合よりも多くの光が各受光部１４０、１５０に入射する。このため、電荷が各受光部１４０、１５０に蓄積される時間も短くなり、短時間で各受光部１４０、１５０の各受光値が飽和する。
【００４９】
そこで、信号処理部２００は、各受光部１４０、１５０に電荷が蓄積される時間を制御する機能を有している。信号処理部２００は、例えば、光センサ１に電源が投入されたとき、光検出を開始するとき、ある特定の条件が揃ったとき等に電荷蓄積時間を設定する。電荷蓄積時間の設定は上記以外のタイミングでも構わない。
【００５０】
信号処理部２００は、予め設定された電荷蓄積時間の初期値を有している。したがって、まず、信号処理部２００は、初期電荷蓄積時間に対応した第１受光値及び第２受光値を取得する。続いて、信号処理部２００は、各受光値と電荷の蓄積量の飽和を示す飽和値との関係に基づいて、電荷蓄積時間を調節する。
【００５１】
具体的には、図１２に示されるように、例えば晴天等の第１のケースでは、初期電荷蓄積時間における受光値は飽和値に達している。曇りに比べて晴天では太陽光が強く、電荷が早く蓄積する。すなわち、電荷蓄積時間に対する受光値の傾きが大きい。このため、信号処理部２００は初期電荷蓄積時間よりも短い時間Ｔ１に電荷蓄積時間を調節する。そして、信号処理部２００は時間Ｔ１における受光値を検出し、飽和値と比較する。この場合にも受光値は飽和値に達しているので、信号処理部２００は時間Ｔ１よりもさらに短い時間Ｔ２に電荷蓄積時間を調節する。信号処理部２００は時間Ｔ２における受光値を検出して飽和値と比較すると、飽和値よりも低くなっている。したがって、信号処理部２００は、時間Ｔ２を電荷蓄積時間に設定する。
【００５２】
一方、曇り等の第２のケースでは、初期電荷蓄積時間における受光値は飽和値に達していない。この場合は初期電荷蓄積時間を電荷蓄積時間に設定しても良いが、さらに受光量を増やすように電荷蓄積時間を調整しても良い。すなわち、信号処理部２００は初期電荷蓄積時間よりも長い時間Ｔ３に電荷蓄積時間を調節する。信号処理部２００は時間Ｔ３における受光値を検出して飽和値と比較すると、飽和値とほぼ同じになっている。したがって、信号処理部２００は、時間Ｔ３を電荷蓄積時間に設定する。
【００５３】
以上のように、電荷充電速度の傾きは、各受光部１４０、１５０に対する照射面積と光の強さによって決まる入射光量により変化する。入射光量は天気や時刻によっても変化する。したがって、上記のように電荷蓄積時間を調節することで各受光部１４０、１５０の蓄積電荷量をコントロールすることができる。
【００５４】
（第６実施形態）
本実施形態では、第１〜第５実施形態と異なる部分について説明する。まず、上記の遮光面１２１を第１遮光面１２１とし、遮光端部１２２を第１遮光端部１２２とする。図１３に示されるように、遮光部１２０は、さらに、第２遮光面１２３及び第２遮光端部１２４を有している。第２遮光面１２３は半導体基板１３０の一面１３１の上方に配置されている。第２遮光端部１２４は、第２遮光面１２３の端に位置すると共に一面１３１の一方向に沿って延設されている。
【００５５】
これら第２遮光面１２３及び第２遮光端部１２４は、各受光部１４０、１５０の各受光面１４１、１５１に入射する光の入射角度のうち最も大きい角度が１８０°以上の角度となるように、一面１３１の上方に配置されている。このように、遮光部１２０に第２遮光面１２３及び第２遮光端部１２４が設けられている。
【００５６】
したがって、光の入射角度が１８０°までは最大の照射比率が維持される、また、１８０°以上の入射角度では遮光比率が減少していくが、各受光部１４０、１５０には１８０°以上の角度の光は入射しないため、遮光部１２０の遮光特性は、上記各実施形態と同様に、片側の遮光特性である。
【００５７】
本実施形態では、第２遮光面１２３及び第２遮光端部１２４は、遮光部１２０に窓状の開口部１２５が設けられることで構成されている。したがって、遮光部１２０は一方向に沿っていると共に第１遮光面１２１及び第２遮光面１２３に連続に繋がった第３遮光面１２６を有しているが、この第３遮光面１２６についても、当然、遮光特性を決定するための部分ではない。
【００５８】
遮光部１２０の変形例としては、遮光部１２０に第３遮光面１２６が設けられていない構成でも良い。すなわち、遮光部１２０は、第１遮光面１２１側の部分と、この第１遮光面１２１から分離された第２遮光面１２３側の部分と、で構成されていても良い。また、第２〜第４実施形態に係る光センサ１に本実施形態に係る遮光部１２０を適用しても良い。
【００５９】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された光センサ１の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態の構成を単独で実施しても良いし、適宜組み合わせても良い。
【００６０】
また、第１受光部１４０、第２受光部１５０、及び遮光部１２０を一組の基本構成と定義すると、当該基本構成を複数備えていても良い。各基本構成において遮光部１２０と各受光部１４０、１５０との位置関係は全て同じでも良いし、一部もしくは全て異なっていても良い。
【符号の説明】
【００６１】
１１０          検出部
１２０          遮光部
１２１、１２３  遮光面
１２２、１２４  遮光端部
１３１          一面
１４０、１５０  受光部
１４１、１５１  受光面
１４２、１５２  端部
２００          信号処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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