(57)【要約】【課題】入射した光を変調して出射する際の波長分散を効果的に抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００では、透光性の第１基板１０に画素電極９ａが設けられ、透光性の第２基板２０には、画素電極９ａと平面視で重なるレンズ２４と、共通電極２１とが設けられている。画素電極９ａは、透光性の第１誘電体層９ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第１導電層９ｅ１を有し、共通電極２１は、透光性の第２誘電体層２１ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第２導電層２１ｅ１を有している。このため、入射した光を変調して出射する際の波長分散を抑制することができる。第１誘電体層９ｆは酸化シリコン膜からなり、第２誘電体層２１ｆは酸化アルミニウム膜からなる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の第１基板と、
前記第１基板に対向する透光性の第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、
前記第２基板の前記第１基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、
を有し、
前記画素電極は、第１誘電体層と第１導電層とを含み、
前記共通電極は、第２誘電体層と第２導電層とを含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１誘電体層は、前記第２誘電体層とは異なる材料を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記第１誘電体層は、酸化シリコン膜を含み、
前記第２誘電体層は、酸化アルミニウム膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の電気光学装置において、
前記第２基板と前記共通電極との間にレンズ層を有し、
前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記画素電極と平面視で重なる位置に凹曲面または凸曲面からなるレンズ面を備え、
前記レンズ層は、前記レンズ面を覆い、前記第２基板とは反対側の面が平坦であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記画素電極は、第３導電層を含み、
前記共通電極は、第４導電層を含み、
前記第１誘電体層は、前記第１導電層と前記第３導電層との間に設けられ、
前記第２誘電体層は、前記第２導電層と前記第４導電層との間に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
透光性の第１基板と、
前記第１基板に対向する透光性の第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、
前記第２基板の前記第１基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、
を有し、
前記画素電極は、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極であり、
前記共通電極は、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学層を駆動する電極に用いた導電層に誘電体層が積層された電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置（液晶装置）では、画素電極が形成された第１基板と、共通電極が形成された第２基板との間に電気光学層（液晶層）が配置されており、第１基板および第２基板のうちの一方側から入射した光を液晶層で変調して画像を表示する。その際、光は共通電極を透過する。このため、共通電極において波長分散に起因する透過率の低下が発生すると、表示した画像の品位が低下する。一方、反射型の電気光学装置において、透光性の共通電極に用いた導電層に透光性の誘電体層が積層された構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、透過型の電気光学装置では、第１基板および第２基板のうちの一方側から入射した光を液晶層で変調して画像を表示する際、光は共通電極および画素電極を透過する。このため、波長分散を抑制する目的で特許文献１に記載の構成を採用しても、画素電極で波長分散が発生するため、波長分散に起因して画像の品位が低下することを十分に抑制することが困難である。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、入射した光を変調して出射する際の波長分散を効果的に抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、透光性の第１基板と、前記第１基板に対向する透光性の第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、前記第２基板の前記第１基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、を有し、前記画素電極は、第１誘電体層と第１導電層とを含み、前記共通電極は、第２誘電体層と第２導電層とを含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明を適用した一態様では、画素電極に用いた第１導電層に第１誘電体層が積層され、共通電極に用いた第２導電層に第２誘電体層が積層されている。このため、第１導電層および第１誘電体層の屈折率や厚さを適正化し、第２導電層および第２誘電体層の屈折率や厚さを適正化すれば、第１基板および第２基板のうちの一方の基板から入射した光を電気光学層で変調して他方の基板から出射する際、共通電極および画素電極の双方において波長分散を効果的に抑制することができる。従って、波長分散によって画像の品位が低下することを抑制することができる。
【０００８】
本発明を適用した態様において、前記第１誘電体層は、前記第２誘電体層とは異なる材料を含むことが好ましい。かかる構成によれば、第１基板に第１誘電体層を形成する際の上限温度と、第２基板に第２誘電体層を形成する際の上限温度とが相違している等の事情がある場合でも、かかる事情に応じた材料や成膜温度によって、第１誘電体層および第２誘電体層を形成することができる。従って、画素電極および共通電極の双方において導電層に誘電体層を適正に積層することができる。
【０００９】
本発明を適用した態様において、前記第１誘電体層は、酸化シリコン膜を含み、前記第２誘電体層は、酸化アルミニウム膜を含む構成を採用することができる。
【００１０】
本発明を適用した態様は、前記第２基板と前記共通電極との間にレンズ層を有し、前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記画素電極と平面視で重なる位置に凹曲面または凸曲面からなるレンズ面を備え、前記レンズ層は、前記レンズ面を覆い、前記第２基板とは反対側の面が平坦である場合に適用すると効果的である。第２基板にレンズを設けた場合、レンズ層は、場所によって厚さが大きく変化しているにもかかわらず、基板の広い範囲にわたって形成されている。このため、第２誘電体層を形成する際の温度が高いと、レンズ層にクラック等が発生する。従って、第２基板に第２誘電体層を形成する際の上限温度が、第１基板に第１誘電体層を形成する際の上限温度より低いという事情があるが、かかる事情に応じた材料によって、第２誘電体層を形成することができる。それ故、画素電極および共通電極の双方において導電層に誘電体層を適正に積層することができる。
【００１１】
本発明を適用した態様において、前記画素電極は、第３導電層を含み、前記共通電極は、第４導電層を含み、前記第１誘電体層は、前記第１導電層と前記第３導電層との間に設けられ、前記第２誘電体層は、前記第２導電層と前記第４導電層との間に設けられている構成を採用することができる。
【００１２】
本発明を適用した態様において、透光性の第１基板と、前記第１基板に対向する透光性の第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、前記第２基板の前記第１基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、を有し、前記画素電極は、複数の誘電体層と複数の導電層とが交互に積層された電極であり、前記共通電極は、複数の誘電体層と複数の導電性層とが交互に積層された電極であることを特徴とする。本発明を適用した態様において、画素電極では複数の導電層と複数の誘電体層とが交互に積層され、共通電極では複数の導電層と複数の誘電体層とが交互に積層されている。このため、導電層および誘電体層の屈折率や厚さを適正化すれば、第１基板および第２基板のうちの一方の基板から入射した光を電気光学層で変調して他方の基板から出射する際、共通電極および画素電極の双方において波長分散を効果的に抑制することができる。従って、波長分散によって画像の品位が低下することを抑制することができる。
【００１３】
本発明を適用した態様に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、カメラのファインダー、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の一態様を示す平面図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の一態様を示す断面図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置において隣り合う複数の画素の一態様を示す平面図である。
【図４】図３に示す画素のＦ−Ｆ′断面図である。
【図５】本発明の第１構成例に係る電気光学装置の画素電極および共通電極等の構成を示す説明図である。
【図６】本発明の第１構成例に係る電気光学装置等の波長−透過率の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第２構成例、第３構成例および第４構成例に係る電気光学装置の画素電極および共通電極等の構成を示す説明図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置等の波長−反射率の関係を示すグラフである。
【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０（素子基板）に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは透光性基板１９が位置する側とは反対側（第２基板２０が位置する側）を意味し、下層側とは透光性基板１９が位置する側を意味する。また、第２基板２０（対向基板）に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは透光性基板２９が位置する側とは反対側（第１基板１０が位置する側）を意味し、下層側とは透光性基板２９が位置する側を意味する。
【００１６】
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の一態様を示す平面図である。図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の一態様を示す断面図である。
【００１７】
図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、透光性の第１基板１０（素子基板）と透光性の第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に電気光学層５０としての液晶層が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００１８】
第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００１９】
第１基板１０の第２基板２０側の一方面１０ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板１０５が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板１０５を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２０】
第１基板１０の一方面１０ｓ側において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続する画素スイッチング素子（図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。
【００２１】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。共通電極２１に対して第１基板１０とは反対側には、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２３が形成されている。遮光層２３は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２３ａとして形成されている。また、遮光層２３は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層２３ｂとしても形成されている。本形態において、第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２３ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２２】
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ（ｘ≦２））、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層５０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。
【００２３】
第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００２４】
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜等の透光性の導電層により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層５０によって画素毎に変調され、画像を表示する。
【００２５】
ここで、電気光学装置１００を後述する投射型表示装置のライトバルブ等として使用される場合、図２に示すように、第１基板１０の第２基板２０とは反対側の他方面１０ｔには、透光性の防塵ガラス１８が貼付される。防塵ガラス１８の第１基板１０とは反対側の面には反射防止層１８０が形成されている。また、第２基板２０の第１基板１０とは反対側の他方面２０ｔには、透光性の防塵ガラス２８が貼付される。防塵ガラス２８の第２基板２０とは反対側の面には反射防止層２８０が形成されている。
【００２６】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の一態様を示す平面図である。図４は、図３に示す画素のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３では、各層を以下の線で表してある。また、図３では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００２７】
下層側遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
【００２８】
図３に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子３０の上層側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる上層側遮光層７ａは、データ線６ａおよび走査線３ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子３０の下層側には下層側遮光層８ａが形成されており、かかる下層側遮光層８ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａと重なるように延在している。
【００２９】
図４に示すように、第１基板１０は、基板本体が石英基板やガラス基板等の透光性基板１９からなり、透光性基板１９の電気光学層５０側の面（第１基板１０の一方面１０ｓ）には、以下に説明するように、画素電極９ａ、画素スイッチング素子３０、および第１配向膜１６等が構成されている。また、第２基板２０の基板本体は、石英基板やガラス基板等の透光性基板２９からなり、透光性基板２９の電気光学層５０側の面（第２基板２０の一方面２０ｓ）には、以下に説明するように、遮光層２３、共通電極２１、および第２配向膜２６等が構成されている。
【００３０】
第１基板１０において、透光性基板１９の一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側遮光層８ａが形成されている。下層側遮光層８ａは、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。下層側遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと下層側遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３１】
第１基板１０において、下層側遮光層８ａの上層側には、酸化シリコン膜からなる透光性の絶縁膜１２が形成され、絶縁膜１２の上層側に、半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化した酸化シリコン膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００３３】
ゲート電極３ｂの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３４】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等のシリコン化合物を用いることができる他、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、酸化ハフニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ジルコニウム膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００３５】
容量線５ａの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂに導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００３６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４３の表面は平坦化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介して中継電極６ｂに導通している。上層側遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、上層側遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００３７】
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側には第１配向膜１６が形成されている。
【００３８】
本形態において、画素電極９ａは、後述するように、ＩＴＯ膜からなる第１導電層９ｅ１に屈折率調整用の第１誘電体層９ｆが積層された積層膜（ＩＭＩＴＯ膜：Ｉｎｄｅｘ  Ｍａｔｃｈｅｄ  ＩＴＯ）からなる。
【００３９】
（第２基板２０の構成）
第２基板２０では、透光性基板２９の一方面２０ｓ側に遮光層２３、酸化シリコン膜等からなる保護層２７、および透光性の共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように第２配向膜２６が形成されている。
【００４０】
本形態において、共通電極２１は、後述するように、ＩＴＯ膜からなる第２導電層２１ｅ１に屈折率調整用の第２誘電体層２１ｆが積層された積層膜（ＩＭＩＴＯ膜）からなる。
【００４１】
（第２基板２０側のレンズ２４の構成）
図４を参照して説明したように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、データ線６ａ等からなる遮光層や画素スイッチング素子３０が形成されており、遮光層や画素スイッチング素子３０は光を透過しない。このため、第１基板１０では、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子３０と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極９ａに挟まれた領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域になっている。これに対して、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子３０と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域（透光領域）になっている。従って、開口領域を透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域に向かう光は、画像の表示に寄与しない。
【００４２】
そこで、図２に示すように、第２基板２０には、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されており、レンズ２４は、電気光学層５０に入射する光を平行光化している。それ故、電気光学層５０に入射する光の光軸の傾きが小さいので、電気光学層５０での位相ずれを低減でき、透過率やコントラストの低下を抑制することができる。特に本形態では、電気光学装置１００をＶＡモードの液晶装置として構成したため、電気光学層５０に入射する光の光軸の傾斜によって、コントラストの低下等が発生しやすいが、本形態によれば、コントラストの低下等が発生しにくい。
【００４３】
かかるレンズ２４を形成するにあたって、透光性基板２９の一方面２０ｓには、複数の画素電極９ａの各々と平面視で一対一の関係をもって重なる凹曲面からなるレンズ面２９１が複数形成されている。また、透光性基板２９の一方面２０ｓには、第２基板２０と共通電極２１との間に透光性のレンズ層２４０が積層され、レンズ層２４０は、第２基板２０と反対側の面２４１が平坦になっている。透光性基板２９とレンズ層２４０とは屈折率が相違しており、レンズ面２９１およびレンズ層２４０は、レンズ２４を構成している。本形態において、レンズ層２４０の屈折率は、透光性基板２９の屈折率より大である。例えば、透光性基板２９は石英基板（酸化シリコン）からなり、屈折率が１．４８であるのに対して、レンズ層２４０は、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）からなり、屈折率が１．５８〜１．６８である。それ故、レンズ２４は、光源からの光を収束させるパワーを有している。
【００４４】
かかる第２基板２０を製造するには、透光性基板２９より大型の石英基板からなるマザー基板に、レンズ面２９１を形成した後、マザー基板の全面にレンズ層２４０を形成する。次に、レンズ層２４０の表面（面２４１）をＣＭＰ法等により平坦化する。その後、遮光層２３、保護層２７、共通電極２１および第２配向膜２６等を形成した後、マザー基板を切断し、単品サイズの第２基板２０を得る。
【００４５】
（電気光学装置１００の第１構成例）
図５は、本発明の第１構成例に係る電気光学装置１００ａの画素電極９ａおよび共通電極２１の構成等を示す説明図である。なお、図５には、第１参考例に係る電気光学装置１００ｙの画素電極９ａおよび共通電極２１の構成、および第２参考例に係る電気光学装置１００ｚの画素電極９ａおよび共通電極２１の構成も示してある。図６は、本発明の第１構成例に係る電気光学装置１００ａ等の波長−透過率の関係を示すグラフである。なお、図６では、本発明の第１構成に係る電気光学装置１００ａの波長−透過率の関係を実線Ｌ１ａで示し、参考例１に係る電気光学装置１００ｙの波長−透過率の関係特性を長い破線Ｌ１ｙで示し、参考例２に係る電気光学装置１００ｚの波長−透過率の関係特性を短い破線Ｌ１ｚで示してある。
【００４６】
図５に示すように、本発明を適用した電気光学装置のうち、第１構成例に係る電気光学装置１００ａにおいて、画素電極９ａは、透光性の第１誘電体層９ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第１導電層９ｅ１を有している。本形態において、画素電極９ａでは、ＩＴＯ膜からなる１層の第１導電層９ｅ１が２層の第１誘電体層９ｆ（第１誘電体層９ｆ１、９ｆ２）の間に積層されている。
【００４７】
また、共通電極２１は、透光性の第２誘電体層２１ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第２導電層２１ｅ１を有している。本形態において、共通電極２１では、ＩＴＯ膜からなる１層の第２導電層２１ｅ１が２層の第２誘電体層２１ｆ（第２誘電体層２１ｆ１、２１ｆ２）の間に積層されている。
【００４８】
従って、第１構成例に係る電気光学装置１００ａでは、矢印Ｌで示す光の進行方向に沿って、概ね、反射防止層２８０、防塵ガラス２８、透光性基板２９（第２基板２０）、第２誘電体層２１ｆ１、第２導電層２１ｅ１、第２誘電体層２１ｆ２、第２配向膜２６、電気光学層５０、第１配向膜１６、第１誘電体層９ｆ２、第１導電層９ｅ１、第１誘電体層９ｆ１、透光性基板１９（第１基板１０）、防塵ガラス１８、および反射防止層１８０が順に積層されている。
【００４９】
本形態の第１構成例に係る電気光学装置１００ａの画素電極９ａにおいて、下層側の第１誘電体層９ｆ１は、厚さが１００ｎｍの酸化アルミニウム膜（屈折率＝１．７７）からなり、上層側の第１誘電体層９ｆ２は、厚さが９０ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる。画素電極９ａの第１導電層９ｅ１は、厚さが９０ｎｍのＩＴＯ膜（屈折率＝１．９５）からなる。共通電極２１において、下層側の第２誘電体層２１ｆ１は、厚さが１００ｎｍの酸化アルミニウム膜からなり、上層側の第２誘電体層２１ｆ２は、厚さが９０ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極２１の第２導電層２１ｅ１は、厚さが９０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。
【００５０】
これに対して、参考例１に係る電気光学装置１００ｙでは、画素電極９ａには第１誘電体層９ｆが形成されておらず、厚さが９０ｎｍのＩＴＯ膜のみからなる。また、共通電極２１には第２誘電体層２１ｆが形成されておらず、厚さが９０ｎｍのＩＴＯ膜のみからなる。
【００５１】
参考例２に係る電気光学装置１００ｚでは、画素電極９ａには第１誘電体層９ｆが形成されておらず、厚さが９０ｎｍのＩＴＯ膜のみからなる。また、共通電極２１は、本発明を適用した電気光学装置１００ａと同様、透光性の第２誘電体層２１ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第２導電層２１ｅ１を有している。
【００５２】
このように構成した電気光学装置１００ａ、１００ｙ、１００ｚにおける波長分散特性を評価するにあたって、図５に示す層構成の波長−透過率の関係を実測した。その結果を図６に示す。図６からわかるように、本発明の第１構成に係る電気光学装置１００ａでは、画素電極９ａおよび共通電極２１の双方が導電層と透光性の誘電層との積層構造になっているため、画素電極９ａおよび共通電極２１のいずれにおいても、波長分散が小さい。それ故、本発明の第１構成に係る電気光学装置１００ａでは、参考例１、２に係る電気光学装置１００ｙ、１００ｚと比較して、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域において、高い透過率を示し、かつ、波長による透過率の変化が小さい。それ故、本発明によれば、明るさの向上や色再現性の向上等を図ることができる。
【００５３】
（第２構成例、第３構成例および第４構成例）
図７は、本発明の第２構成例、第３構成例および第４構成例に係る電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄの画素電極９ａおよび共通電極２１等の構成を示す説明図である。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００等の波長−反射率の関係を示すグラフである。図８では、本発明の第２構成例に係る電気光学装置１００ｂの波長−反射率の関係を実線Ｌ２ｂで示し、本発明の第３構成例に係る電気光学装置１００ｃの波長−反射率の関係を短い破線Ｌ２ｃで示し、本発明の第４構成例に係る電気光学装置１００ｄの波長−反射率の関係を長い破線Ｌ２ｄで示してある。また、図５に示す参考例１の電気光学装置１００ｙの波長−反射率の関係を一点鎖線Ｌ２ｙで示してある。
【００５４】
図７に示すように、本発明の第２構成例、第３構成例、および第４構成例に係る電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄにおいて、画素電極９ａは、透光性の第１誘電体層９ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第１導電層９ｅ１を有している。本例において、画素電極９ａは、さらにＩＴＯ膜からなる第３導電層９ｅ２を有しており、第１誘電体層９ｆは、第１導電層９ｅ１と第３導電層９ｅ２との間に設けられている。また、共通電極２１は、透光性の第２誘電体層２１ｆに積層されたＩＴＯ膜からなる第２導電層２１ｅ１を有している。本例において、共通電極２１は、さらにＩＴＯ膜からなる第４導電層２１ｅ２を有しており、第２誘電体層２１ｆは、第２導電層２１ｅ１と第４導電層２１ｅ２との間に設けられている。従って、図７に示す構成例のいずれにおいても、画素電極９ａでは、第１導電層９ｅ１、第１誘電体層９ｆ、および第３導電層９ｅ２が順に計３層、積層されている。また、共通電極２１においては、第２導電層２１ｅ１、第２誘電体層２１ｆ、および第４導電層２１ｅ２が順に計３層、積層されている。なお、第１配向膜１６および第２配向膜２６は厚さが７０ｎｍである。
【００５５】
本発明の第２構成例および第３構成例に係る電気光学装置１００ｂ、１００ｃにおいて、誘電体層および導電層は、画素電極９ａと共通電極２１とにおいて同一材料からなる。
【００５６】
より具体的には、本発明の第２構成例に係る電気光学装置１００ｂの画素電極９ａにおいて、第１誘電体層９ｆは、厚さが５３ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる。また、画素電極９ａにおいて、下層側の第１導電層９ｅ１は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第３導電層９ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。共通電極２１において、第２誘電体層２１ｆは、厚さが４２ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極２１において、下層側の第２導電層２１ｅ１は、厚さが３８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第４導電層２１ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。
【００５７】
本発明の第３構成例に係る電気光学装置１００ｃの画素電極９ａにおいて、第１誘電体層９ｆは、厚さが５３ｎｍの酸化シリコン膜（屈折率＝１．４６）からなる。また、画素電極９ａにおいて、下層側の第１導電層９ｅ１は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第３導電層９ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。共通電極２１において、第２誘電体層２１ｆは、厚さが４２ｎｍの酸化シリコン膜からなる。共通電極２１において、下層側の第２導電層２１ｅ１は、厚さが３８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第４導電層２１ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。
【００５８】
これに対して、本発明の第４構成例に係る電気光学装置１００ｄにおいて、導電層は、画素電極９ａと共通電極２１とにおいて同一材料からなるが、誘電体層は、画素電極９ａと共通電極２１とにおいて異なる材料からなる。すなわち、第１誘電体層９ｆは、第２誘電体層２１ｆとは異なる材料を含んでいる。また、第１誘電体層９ｆは、酸化シリコン膜を含み、第２誘電体層２１ｆは、酸化アルミニウム膜を含んでいる。
【００５９】
より具体的には、本発明の第４構成例に係る電気光学装置１００ｄの画素電極９ａにおいて、第１誘電体層９ｆは、厚さが５３ｎｍの酸化シリコン膜からなる。また、画素電極９ａにおいて、下層側の第１導電層９ｅ１は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第３導電層９ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。共通電極２１において、第２誘電体層２１ｆは、厚さが４２ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極２１において、下層側の第２導電層２１ｅ１は、厚さが３８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、上層側の第４導電層２１ｅ２は、厚さが２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる。
【００６０】
このように構成した電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄにおける波長分散特性を評価するにあたって、図７に示す層構成の波長−反射率の関係をシミュレーションした。その結果を図８に示す。図８からわかるように、本発明を適用した電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、画素電極９ａおよび共通電極２１の双方が導電層と透光性の誘電体層との積層構造になっているため、画素電極９ａおよび共通電極２１のいずれにおいても、波長分散が小さい。それ故、本発明を適用した電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、参考例１に係る電気光学装置１００ｙと比較して、波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長域において、反射率が低い。
【００６１】
また、本発明を適用した電気光学装置１００ｂ、１００ｃ、１００ｄの波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長域における反射率を比較すると、第１誘電体層９ｆおよび第２誘電体層２１ｆの双方を酸化シリコン膜とした第３構成例に係る電気光学装置１００ｃは、第１誘電体層９ｆおよび第２誘電体層２１ｆの双方を酸化アルミニウム膜とした第２構成例に係る電気光学装置１００ｂより反射率が低い。また、第１誘電体層９ｆを酸化シリコン膜とし、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜とした第４構成例に係る電気光学装置１００ｄは、波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長域における反射率が、第２構成例に係る電気光学装置１００ｂより低く、第３構成例に係る電気光学装置１００ｃより高い。従って、第１誘電体層９ｆおよび第２誘電体層２１ｆの双方を酸化シリコン膜とした第３構成例に係る電気光学装置１００ｃは、最も反射率が低い。
【００６２】
（第４構成例に係る電気光学装置１００ｄの利点）
第４構成例に係る電気光学装置１００ｄは、反射率が比較的低いことに加えて、誘電体層が画素電極９ａと共通電極２１とにおいて異なる材料からなるため、以下に説明するように、第１誘電体層９ｆ、および第２誘電体層２１ｆを各々、第１基板１０および第２基板２０に適正に形成することができる。
【００６３】
例えば、第１誘電体層９ｆ、および第２誘電体層２１ｆを酸化シリコン膜によって形成する場合、成膜温度が低いと、表面に凹凸が発生し、光学特性が低い等の問題がある。例えば、シランガスと酸素ガスを原料ガスとして、温度が２００℃の条件でＨＤＰ−ＣＶＤ法により成膜すると、表面に凹凸が発生する。また、シランガスと亜酸化窒素ガスを原料ガスとして、温度が２００℃の条件でＰＥ−ＣＶＤ法により成膜しても表面に凹凸が発生する。これに対して、成膜温度が高いと、表面に凹凸が発生しにくい。例えば、ＴＥＯＳを原料ガスとして、温度が４００℃の条件でＨＤＰ−ＣＶＤ法により成膜すると、表面に凹凸が発生しにくい。なお、ＴＥＯＳを原料ガスとして、温度が３００℃以下の条件でＨＤＰ−ＣＶＤ法により成膜すると、成膜速度が高すぎて、膜厚の制御が難しい。従って、第１誘電体層９ｆ、および第２誘電体層２１ｆを酸化シリコン膜によって形成する場合、成膜温度を４００℃以上とすればよいことになる。
【００６４】
それ故、第４構成例に係る電気光学装置１００ｄでは、第１基板１０において画素電極９ａに積層する第１誘電体層９ｆを酸化シリコン膜としてある。
【００６５】
但し、第２基板２０において共通電極２１に積層する第２誘電体層２１ｆを酸化シリコン膜とするにあたって、成膜温度を４００℃以上とすると、レンズ２４を形成するためのレンズ層２４０にクラックが発生しやすい。また、クラックが原因でレンズ層２４０が剥離することもある。すなわち、レンズ層２４０は、レンズ面２９１に起因する凹部を埋めるように形成した後、表面（面２４１）が平坦化されているため、場所によって膜厚が大きく変化している。このような状態で、４００℃以上の成膜温度で酸化シリコン膜を成膜すると、その際の熱でレンズ層２４０に大きな応力が発生し、クラックが発生しやすくなる。しかるに、第４構成例に係る電気光学装置１００ｄでは、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜としてあり、酸化アルミニウム膜であれば、比較的低い温度で成膜しても、表面に凹凸が発生しにくい。従って、第２基板２０に第２誘電体層２１ｆを形成した場合でも、レンズ層２４０にクラックが発生しにくい。それ故、第４構成例に係る電気光学装置１００ｄでは、第１基板１０および第２基板２０に第１誘電体層９ｆおよび第２誘電体層２１ｆを各々、適正に設けることができる。
【００６６】
なお、本発明の第４構成例に係る電気光学装置１００ｄでは、第２基板２０に凹曲面からなるレンズ面２９１を形成したため、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜としたが、第２基板２０に凸曲面からなるレンズ面２９１を形成した場合もレンズ層２４０を形成するので、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜とすることが好ましい。
【００６７】
また、本発明の第４構成例に係る電気光学装置１００ｄでは、第２基板２０にレンズ層２４０を用いてレンズ（集光素子）を形成したため、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜としたが、レンズ２４に代えて、第２基板２０にプリズム状の集光素子を形成する場合も、場所によって膜厚が大きく変化する層を形成するので、このような場合も、クラックの発生を回避するという観点から、第２誘電体層２１ｆを酸化アルミニウム膜とすることが好ましい。また、本形態では、誘電体層を異なる材料によって構成するにあたって、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜の組み合わせを例示したが、酸化アルミニウム膜や酸化シリコン膜以外の膜、フッ化マグネシウム膜等を用いてもよい。
【００６８】
［実施の形態の変形例］
上記実施の形態において、画素電極９ａおよび共通電極２１では各々、誘電体層と導電層が計３層であったが、画素電極９ａおよび共通電極２１の各々を、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極として構成してもよい。また、画素電極９ａおよび共通電極２１を各々、誘電体層と導電層との２層構造としてもよい。
【００６９】
また、画素電極９ａおよび共通電極２１の各々において、導電層を２層以上形成する場合、導電層同士を導通させる。この場合、導電層を誘電体層から張り出すように形成して、導電層において誘電体層から張り出した部分を接するように形成することが好ましい。
【００７０】
［電子機器への搭載例］
図９は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を適用した電気光学装置１００が用いられている。
【００７１】
図９に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
【００７２】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。
【００７３】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。
【００７４】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７５】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００７６】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００７７】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００７８】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００７９】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００８０】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００８１】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【００８２】
［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８３】
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に用いてもよい。
【符号の説明】
【００８４】
９ａ…画素電極、９ｅ１…第１導電層、９ｅ２…第３導電層、９ｆ、９ｆ１、９ｆ２…第１誘電体層、１０…第１基板、１９…透光性基板、２０…第２基板、２１…共通電極、２１ｅ１…第２導電層、２１ｅ２…第４導電層、２１ｆ、２１ｆ１、２１ｆ２…第２誘電体層、２４…レンズ、２９…透光性基板、３０…画素スイッチング素子、５０…電気光学層、１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ…電気光学装置、１１０…投射型表示装置、２４０…レンズ層、２９１…レンズ面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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