(57)【要約】【課題】ゲッタリング効果を有し、かつ抗折強度の高いデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるデバイスの製造方法は、ウエハＷに加工溝Ｇを形成する加工溝形成工程と、ウエハＷの裏面Ｗｂ側を研削し加工溝Ｇを裏面Ｗｂに表出させて個々のデバイスＤに分割する裏面研削工程と、分割されたデバイスＤに砥粒を含むスラリーを所定圧力で噴射するウェットブラスト工程と、を含み、研削時に生成されるウエハＷのダメージ層をウェットブラストによって除去することができる。ウェットブラスト工程では、スラリー７３に含まれる砥粒によって、十分なゲッタリング効果を発揮できるゲッタリング層を形成することができ、スラリー７３に含まれる砥粒によってデバイスＤの角部に面取り部Ｗｃが形成されるため、デバイスＤの抗折強度が低下することはない。【選択図】図９
2017092135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域のそれぞれにデバイスが形成されたウエハを個々のデバイスに分割するデバイスの製造方法であって、
前記ウエハの裏面側を保持して前記ストリートを表面側から切削し前記デバイスの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝を形成する加工溝形成工程と、
前記ウエハの表面側を保持して前記ウエハの裏面側を研削し前記加工溝を裏面に表出させて個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
分割された前記デバイスに対して砥粒を含むスラリーを所定圧力で噴射するウェットブラスト工程と、を含むデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記裏面研削工程の後に前記デバイスの裏面を研磨する研磨工程を備える請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記ウェットブラスト工程では、ゲッタリング層が形成されるとともに分割された前記デバイスの角部が面取り加工される請求項１または２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ウェットブラスト工程の前後における基板の平均粗さ（Ｒａ）の増加量が５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記裏面研削工程、前記研磨工程及び前記ウェットブラスト工程が一の装置内で行われる請求項１から４のいずれかに記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが形成されたウエハを個々のデバイスに分割するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等のデバイスが搭載される装置の小型化に伴い、デバイスは小面積化とともに薄化が進んでいる。例えばデバイスが形成されたシリコンウエハの裏面を研削することによって薄化されるが、研削時に生成されるダメージ層によりウエハの抗折強度が低下するため、極薄になったウエハやデバイスは破損しやすい。そのため、ダメージ層を取り除くことで抗折強度を高くして、極薄になったウエハでも破損することなくハンドリングできるようにしている。ダメージ層の除去は、研磨、ウェットエッチングやプラズマエッチング等により行われるが、研削装置内で連続的に研磨を行う方法が広く普及している。
【０００３】
一方、シリコンウエハには、デバイスを形成する最表層の下にイントリンシックゲッタリング層（IG層）と呼ばれる欠陥層が形成されている。この欠陥層で、例えば、金属イオン等の不純物をトラップ（捕捉）することにより、デバイス特性の変動や誤動作を抑えることができる。ところが、デバイスの薄化技術の進展にともなって、IG層も研削や研磨によって除去されてしまうことがあり、デバイス領域に金属イオンが拡散して、デバイスに悪影響をもたらしている。
【０００４】
そこで、上記のようなダメージ層の除去中あるいはダメージ層を除去した後に、シリコンウエハの裏面に細かなスクラッチを形成して金属イオンをトラップする層を形成する方法が用いられている。その方法としては、例えば、SiC砥粒などが混ぜ込まれた研磨パッドを使用して、研磨と同時にスクラッチを形成する方法や、研磨中はスラリーをシリコンウエハに供給しながら研磨することでシリコンウエハを鏡面化させた後純水でリンスを行う際に、研磨パッド中の砥粒によってスクラッチを形成する方法がある（例えば、下記の特許文献１及び２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５９９５９号公報
【特許文献２】特開２０１１−００３５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、研磨パッド中に砥粒を混ぜる場合、砥粒サイズの制御が難しく、想定以上に大きな砥粒あるいは砥粒の凝集物が存在することがあるため、ウエハに大きなスクラッチを形成してしまう場合がある。このような大きなスクラッチが形成されると、ウエハやデバイスの抗折強度を低下させてしまうため好ましくない。たとえ砥粒の分級を行ったとしても、研磨パッド製造工程において粉体状態の砥粒が樹脂原料に混ぜ込まれるため、粗大砥粒の除去は液体状態よりも難しい。また、樹脂原料との混合過程において砥粒同士が凝集して粗大粒子に成長する場合もあり、いったん樹脂原料中で成長した粗大粒子を取り除くことも困難である。
【０００７】
砥粒以外でスクラッチを形成する方法としては、プラズマを用いる方法が提案されている。この方法では、例えば、Arイオンを研磨後のウエハの裏面に照射することによりウエハ裏面表層にひずみ層を形成し、このひずみ層をゲッタリング層とする。この場合には、ウエハやデバイスの抗折強度低下の問題は発生しにくいが、研削・研磨後に別の装置を用いてプラズマ処理を行う必要がある。つまり、プラズマ処理のためには、真空空間が必要となることから、プラズマ処理装置と常圧でウェットプロセスを行う湿式研削装置との親和性は低く一体型の装置にすることが難しく、デバイスの製造工程が複雑化する。また、プラズマ処理装置は高価であるため、製造コストも高くなる。
【０００８】
ウエハを薄化した後にダイシングを行ってウエハをデバイスに個片化する代わりにあらかじめ切り込み（加工溝）を入れたウエハを研削することによって個片化する“先ダイシング（DBG）”法が実用化されている。この方法では、最終の研磨時にはデバイスは個片化されているため、研磨パッド中の砥粒を用いてゲッタリング層を形成しようとすると、デバイスの端部に特に大きな欠陥が生じやすく、デバイスの抗折強度を低下させる原因となっていた。
【０００９】
本発明は、上記の問題を解決し、ゲッタリング効果を有し、かつ抗折強度の高いデバイスを製造できるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエハを個々のデバイスに分割するデバイスの製造方法であって、ウエハの裏面側を保持してストリートを表面側から切削しデバイスの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウエハの表面側を保持してウエハの裏面側を研削し加工溝を裏面に表出させて個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、分割されたデバイスに対して砥粒を含むスラリーを所定圧力で噴射するウェットブラスト工程と、を含んで構成される。
【００１１】
本発明は、上記裏面研削工程の後にデバイスの裏面を研磨する研磨工程を備えるようにしてもよい。
【００１２】
上記ウェットブラスト工程では、ゲッタリング層が形成されるとともに分割された上記デバイスの角部が面取り加工されることが好ましい。
【００１３】
上記ウェットブラスト工程の前後における基板の平均粗さ（Ｒａ）の増加量が５ｎｍ以下の精度に形成されることが好ましい。
【００１４】
上記裏面研削工程、上記研磨工程及び上記ウェットブラスト工程が一の装置内で行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明にかかるデバイスの製造方法は、ウエハの裏面側を保持してストリートを表面側から切削しデバイスの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウエハの表面側を保持してウエハの裏面側を研削し加工溝を裏面に表出させて個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、分割されたデバイスに砥粒を含むスラリーを所定圧力で噴射するウェットブラスト工程とを含んで構成したため、研削時に生成されるウエハのダメージ層をウェットブラストによって除去することができ、デバイスの製造工程を短縮することができる。
また、ウェットブラスト工程では、砥粒を含むスラリーを、分割されたデバイスに噴射するため、デバイスに大きなスクラッチが形成されることはなく、デバイスの抗折強度の低下を抑制することができる。ウェットブラスト工程で用いられるスラリーは、液体を通じて砥粒にエネルギーを与えるため、細かい砥粒を用いてもブラスト処理を行うことができる。
【００１６】
裏面研削工程の後にデバイスの裏面を研磨する研磨工程を備える場合は、デバイスの裏面のダメージ層を除去した後に、ウェットブラスト工程を行うことができるため、より抗折強度の高いデバイスを製造することが可能となる。
【００１７】
上記ウェットブラスト工程では、比較的細かい砥粒を含むスラリーを、分割されたデバイスに噴射することができるため、十分なゲッタリング効果を発揮できるゲッタリング層を形成することができる。また、スラリーに含まれる砥粒によって、デバイスの角部が面取り加工されるため、抗折強度の高いデバイスを製造することができる。
【００１８】
上記ウェットブラスト工程前後における基板の表面粗さ（Ｒａ）の増加量は、５ｎｍ以下に形成されるため、良好なデバイスを取得することができる。すなわち、ウェットブラスト工程で用いられるスラリーに含まれる砥粒のサイズ・種類や圧力などを調節することにより、ウェットブラスト工程前後における基板の表面粗さ（Ｒａ）の増加量を５ｎｍ以下の精度に抑えることができる。
【００１９】
上記ウェットブラスト工程は、例えば、ウェットプロセスを行う研削・研磨装置において行うことが可能であるため、上記裏面研削工程、上記研磨工程及び上記ウェットブラスト工程は一の装置内で行うこともできる。これにより、研削後または研磨後のウエハを、例えば、プラズマ処理装置などの他の装置に搬送する必要はなく、デバイスの製造工程を簡易にするとともに、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ウエハの構成を示す斜視図である。
【図２】加工溝形成工程を示す断面図である。
【図３】保護テープ貼着工程を示す斜視図である。
【図４】ウエハの表面に保護テープが貼着された状態を示す一部拡大断面図である。
【図５】裏面研削工程を示す断面図である
【図６】ウエハが個々のデバイスに分割された状態を示す一部拡大断面図である。
【図７】研磨工程を示す断面図である。
【図８】ウェットブラスト工程を示す平面図である。
【図９】ウェットブラスト工程を示す一部拡大断面図である。
【図１０】ウェットブラスト機構を備える研削・研磨装置であって、ウェットブラスト機構の配設位置の第一例を示す平面図である。
【図１１】ウェットブラスト機構を備える研削・研磨装置であって、ウェットブラスト機構の配設位置の第二例を示す平面図である。
【図１２】ウェットブラスト機構を備える研削・研磨装置であって、ウェットブラスト機構の配設位置の第三例を示す平面図である。
【図１３】ウェットブラスト機構を備える研削・研磨装置であって、ウェットブラスト機構の配設位置の第四例を示す平面図である。
【図１４】従来例における抗折強度を示すグラフである。
【図１５】基板の表面粗さ（Ｒｚ）のブラスト条件依存性を示すグラフである。
【図１６】比較例、実施例及びリファレンスにおける抗折強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１に示すウエハＷは、被加工物の一例であって、円板状の基板１を有している。ウエハＷは、基板１の表面Ｗａに格子状に形成されたストリートＳによって複数の領域がそれぞれ区画され、この区画された領域のそれぞれにデバイスＤが形成されている。表面Ｗａの反対側の面は、研削砥石などによって薄化される裏面Ｗｂである。本実施形態で示すウエハＷとして、例えば、直径３００ｍｍのシリコンウエハを使用する。以下では、ウエハＷを個々のデバイスＤに分割する分割方法について説明する。
【００２２】
（１）加工溝形成工程
図２に示すように、切削手段２を用いてデバイスＤの仕上がり厚さまで切削してウエハＷに加工溝を形成する。切削手段２は、回転可能なスピンドル２０と、スピンドル２０の先端に着脱可能に装着された切削ブレード２１とを備え、切削手段２全体が鉛直方向に昇降可能となっている。スピンドル２０が所定の回転速度で回転することにより、切削ブレード２１を所定の回転速度で回転させることができる。切削ブレード２１は、図１に示したストリートＳの幅以下の幅を有する。ウエハＷは、その裏面ＷｂにテープＴが貼着され、テープＴの周縁部にはリング状のフレームＦが貼着されており、テープＴを介してフレームＦとウエハＷとが一体に形成される。フレームＦを使用せずにウエハＷと略同径のテープを裏面Ｗｂに直接貼着してもよい。切削条件として、例えば、下記の切削条件を用いる。
【００２３】
［表１］  切削条件
2017092135.tif 000003
【００２４】
フレームＦと一体となったウエハＷを裏面Ｗｂ側から図示しない保持テーブルに搬入し、保持テーブルで保持する。次いで、切削手段２は、スピンドル２０を回転させることにより、切削ブレード２１を例えば矢印Ａ方向に回転させながら表面Ｗａに接近する方向に下降させて基板１に切り込ませる。図１に示したストリートＳに沿って回転する切削ブレード２１を切削送りし、ストリートＳに沿って所定の切り込み量だけ切削するハーフカットを行ってデバイスＤの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝Ｇを形成する。このようにして、図１に示した全てのストリートＳに沿って加工溝Ｇを形成する。なお、加工溝Ｇの形成は、レーザー照射によるアブレーション加工により実施してもよい。
【００２５】
（２）保護テープ貼着工程
加工溝形成工程を実施した後、ウエハＷの裏面ＷｂからテープＴを剥がすとともに、図３に示すように、ウエハＷの表面Ｗａに保護テープ３を貼着する。保護テープ３は、特に限定されるものではなく、粘着性を有し、かつウエハＷの表面Ｗａの全面を覆う面積を有していればよい。図４に示すように、保護テープ３をウエハＷの表面Ｗａに貼着すると、部分拡大図に示すように、ウエハＷの表面Ｗａ側に形成された加工溝Ｇが保護テープ３によって覆われ、後記の裏面研削時にデバイスＤが保護される。
【００２６】
（３）裏面研削工程
保護テープ貼着工程を実施した後、図５に示すように、チャックテーブル５でウエハＷの表面Ｗａ側を保持して、ウエハＷの裏面Ｗｂ側を所定の仕上げ厚みに至るまで研削し個々のデバイスＤに分割する。裏面研削には、ウエハＷに粗研削を施す粗研削と粗研削後のウエハに仕上げ研削を施す仕上げ研削とが含まれており、例えば粗研削用の研削手段４と、仕上げ研削用の研削手段４ａとを用いて裏面研削工程が実施される。研削手段４，４ａは、鉛直方向の軸心を有するスピンドル４０と、スピンドル４０の下端に装着された研削ホイール４１と、研削ホイール４１の下部に環状に固着された粗研削用の研削砥石４２（研削手段４ａには仕上げ研削用の研削砥石４２ａ）とを備え、研削ホイール４１を回転させながら、研削手段４，４ａ全体が昇降可能な構成となっている。
【００２７】
ウエハＷの裏面Ｗｂが上向きに露出するように、回転可能なチャックテーブル５に保護テープ３側を載置する。ウエハＷをチャックテーブル５で保持したら、研削手段４を用いてウエハＷに粗研削を施す。具体的には、チャックテーブル５を例えば矢印Ｂ方向に回転させるとともに、研削手段４は、研削ホイール４１を例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、研削砥石４２がウエハＷの裏面Ｗｂに当接するまで下降させる。そして、研削砥石４２で裏面Ｗｂを押圧しながら、ウエハＷを所定の研削量だけ粗研削する。
【００２８】
粗研削後、研削手段４ａを用いてウエハＷに仕上げ研削を施す。具体的には、研削砥石４２ａで裏面Ｗｂを押圧しながら、ウエハＷを例えば５０μｍの厚みに至るまで仕上げ研削する。このようにして、図６に示すように、ウエハＷの裏面Ｗｂに加工溝Ｇを表出させて個々のデバイスＤに分割する。分割後のウエハＷの表面Ｗａには、保護テープ３が貼着されていることから、個片化されたデバイスＤがばらばらになることはない。
【００２９】
（４）研磨工程
裏面研削工程を実施した後、図７に示すように、被加工物に乾式の研磨加工（ドライポリッシュ）を施す研磨手段６を用いて、ウエハＷの裏面Ｗｂを研磨する。研磨手段６は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル６０と、スピンドル６０の下端にマウント６１を介して着脱可能に装着された研磨パッド６２とを少なくとも備える。研磨パッド６２の下面は、ウエハＷを研磨する研磨面６２ａとなっている。なお、本実施形態に示す研磨工程は、ドライポリッシュに限定されず、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）によりウエハＷを研磨してもよい。
【００３０】
ウエハＷを保持するチャックテーブル５を研磨手段６の下方に移動させたら、研磨手段６を下降させつつ、研磨パッド６２をチャックテーブル５に対して接近する方向に研磨送りしながら、スピンドル６０が回転し研磨パッド６２を所定の回転速度で矢印Ｂ方向に回転させるとともに、チャックテーブル５を所定の回転速度で矢印Ｂ方向に回転させる。下降しながら回転する研磨パッド６２の研磨面６２ａを回転するウエハＷの裏面Ｗｂの全面に接触させ、研磨パッド６２とウエハＷとを相対的に摺動させる。こうして、ウエハＷの裏面Ｗｂを例えば２μｍ研磨することにより、裏面研削時に生成されたダメージ層を除去する。
【００３１】
（５）ウェットブラスト工程
次に、図８に示すウェットブラスト機構７（上面から見た図）を用いて、裏面研削工程によって分割されたデバイスに対して、砥粒を含むスラリーを所定の噴射圧力で噴射するウェットブラストを行う。ウェットブラスト機構７は、例えば、直径３００ｍｍの線状の噴射ノズル７０を有している。噴射ノズル７０には、スリット状の噴射口７１が形成され、噴射口７１には図９に示すスラリー供給源７２が連通している。噴射ノズル７０は、ウエハＷの移動方向（例えばＹ方向）に直交するように固定されており、この噴射ノズル７０の下方側をウエハＷが通過するときに、噴射ノズル７０からスラリーをウエハＷに向けて噴射することができる。ウェットブラスト工程は、裏面研削工程を実施した後研磨工程を行わずに行ってもよい。ウェットブラストによってもウエハＷの裏面Ｗｂに生成されたダメージ層を除去することができる。
【００３２】
図９に示すように、ウエハＷを所定の速度で例えばＹ方向に移動させ、ウェットブラスト機構７の下方側を所定の処理時間かけて通過させながら、噴射ノズル７０の噴射口７１からスラリー７３を所定の噴射圧力で各デバイスＤに向けて噴射する。スラリー７３は、例えば、樹脂砥粒（ナイロン粒子）、アルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、ガラス砥粒またはセラミックス砥粒が液体に混合されて構成されている。また、スラリー７３に含まれる各種砥粒の形状は、特に限定されず、球状でもよいし、多角形状でもよい。
【００３３】
噴射口７１から噴射されるスラリー７３が、分割された各デバイスＤの面に当たると、スラリー７３に含まれる砥粒が作用し、各デバイスＤの面に微細な欠陥層を形成する。この欠陥層が外部からの重金属（金属イオン等）をトラップするゲッタリング層として機能する。また、図９の部分拡大図に示すように、各デバイスＤの角部がスラリー７３に含まれる砥粒によって面取り加工されて面取り部Ｗｃが形成される。このように、各デバイスの角部を丸め加工することで、各デバイスＤの抗折強度が低下することはない。
【００３４】
ウェットブラスト工程の前後で、ウエハＷを構成する基板１の表面における平均粗さ（Ｒａ）の増加量は、５ｎｍ以下となることが好ましい。この表面粗さは、ウェットブラストに用いられるスラリーに含まれる砥粒の粒度・種類や噴射圧力に強く依存しており、砥粒の粒度を大きくしたり、噴射圧力を高くしたりすれば、それにしたがい表面粗さも悪化する。したがって、例えば、砥粒の粒度・種類や噴射圧力などを変更することにより、ウェットブラスト工程前後の基板１の表面粗さが５ｎｍ以下の精度に抑えることができる。
【００３５】
このように、本発明にかかるデバイスの製造方法では、加工溝形成工程及び裏面研削工程を実施して個々のデバイスＤに分割して、デバイスＤに砥粒を含むスラリー７３を所定圧力で噴射するウェットブラスト工程を実施するため、スラリー７３でウエハＷのダメージ層を除去でき、大きなスクラッチもデバイスに形成されないため、デバイスの抗折強度を低下させない。裏面研削工程の後に研磨工程を実施する場合は、デバイスＤの裏面のダメージ層を除去してからウェットブラスト工程を行えるため、より抗折強度の高いデバイスを製造することができる。
ウェットブラスト工程では、スラリー７３に含まれる砥粒によって、十分なゲッタリング効果を発揮できるゲッタリング層を形成することができるとともに、デバイスＤの角部を面取り加工できるため、デバイスＤの端部に欠陥が生じず、デバイスＤの抗折強度が低下することはない。
【００３６】
本実施形態に示した裏面研削工程、研磨工程及びウェットブラスト工程は、一の装置内で行われることが好ましい。加工溝形成工程及び保護テープ貼着工程を実施した後は、例えば、図１０に示す研削・研磨装置１０を用いて、ウエハＷに対して裏面研削工程、研磨工程及びウェットブラスト工程を順次実施する。また、裏面研削工程を実施した後研磨工程を実施せずにウェットブラスト工程を直接実施してもよい。
【００３７】
研削・研磨装置１０は、Ｙ軸方向に延在する基台１１を有し、基台１１の上面に回転可能なターンテーブル１２と、加工後のウエハＷを洗浄する洗浄ユニット１３とが配設されている。ターンテーブル１２には、複数のチャックテーブル５（例えば、４台）が配設されている。ターンテーブル１２の周方向に沿って、粗研削用の研削手段４と、仕上げ研削用の研削手段４ａと、研磨手段６と、ウェットブラスト機構７とが配設されている。そして、ターンテーブル１２が、例えば矢印Ｂ１方向に回転することにより、各チャックテーブル５を公転させ、研削手段４，４ａ，研磨手段６及びウェットブラスト機構７の下方側に順次移動させることができる。
【００３８】
ウェットブラスト機構７は、図１０に示すように、研削手段４の配設位置から時計回りに数えて４軸目に相当する配設位置Ｐ１の上方に固定されている。そのため、ウェットブラスト機構７は、噴射ノズル７０の下方側でチャックテーブル５がウエハＷを保持した状態で自転することにより、回転するウエハＷの裏面全面にスラリーを噴射できる。例えば、同じ開口幅を有する直線状のスリットを有する噴射ノズル７０から回転するウエハＷに対してスラリーを噴射させると、ウエハＷの中央部が多く処理され、ウエハＷの外周部は処理が不十分になるため、開口の面積を中央部に比べ外周部では大きくするとよい。例えば、図８に示した噴射ノズル７０のスリット状の噴射口７１を中央部分の幅よりも両外側部分の幅を広めに変形することにより、ウエハＷに供給されるスラリーの単位面積あたりの粒子数をウエハＷの全面で同じにすることができ、ウエハＷの面内を均一に処理することができる。
【００３９】
ウェットブラスト機構７は、例えば、図１１に示す研削・研磨装置１０ａのように、ターンテーブル１２における配設位置Ｐ２の上方にウェットブラスト機構７を固定してもよい。この位置のウェットブラスト機構７では、チャックテーブル５を自転させずに、ターンテーブル１２の回転によりウェットブラスト機構７の下方側を通過させてウェットブラストを行うため、ターンテーブル１２の回転速度を遅めに設定することが望ましい。これにより、噴射ノズル７０からウエハＷの裏面全面に効率よくスラリーを噴射することができる。
【００４０】
また、例えば、図１２に示す研削・研磨装置１０ｂのように、研削手段４ａと研磨手段６との間の配設位置Ｐ３の上方にウェットブラスト機構７を配設してもよい。この位置のウェットブラスト機構７では、研磨工程終了後、ターンテーブル１２を例えば矢印Ｂ２方に回転させ、チャックテーブル５がウェットブラスト機構７の下方を通過するときにウェットブラストを行うことができる。裏面研削工程の後にウェットブラスト工程を直接行う場合には、研削後のウエハＷを保持したチャックテーブル５がウェットブラスト機構７の下方側を通過する際に行えばよい。
【００４１】
さらに、図１３に示す研削・研磨装置１０ｃのように、洗浄ユニット１３のスピンナーテーブル１３０の上方側にウェットブラスト機構７を配設してもよい。この位置のウェットブラスト機構７では、研削後または研磨後のウエハＷをスピンナーテーブル１３０に搬入した後、スピンナーテーブル１３０を回転させながら、ウェットブラストを行うことができる。なお、上記した研削・研磨装置１０〜１０ｃのいずれにおいても、装置内に設けられた回収装置（不図示）などでスラリーの廃液が分離回収される。
【００４２】
このように、研削・研磨装置１０〜１０ｃでは、装置内にウェットブラストを行うウェットブラスト機構７を搭載でき、装置の一体化が容易である。これにより、裏面研削工程、研磨工程及びウェットブラスト工程を一の装置内で実施できることから、研削後または研磨後のウエハを、例えば、プラズマ処理装置などの他の独立した装置に搬送する必要はなく、生産性を向上させ、デバイスの製造コストを低減できる。
【実施例】
【００４３】
まず、ウェットブラストプロセスのない従来のデバイスの製造方法で製造されたデバイスの抗折強度及びゲッタリング性能について説明する。抗折強度の評価は、デバイスの３点曲げ試験によって行った。３点曲げ試験は、２点の間隔を設けて支えられたデバイスの中央に荷重をかけ、デバイスの破断時の荷重から抗折強度を算出する。
【００４４】
ゲッタリング性能については、デバイスの表面（測定面）で検出される銅（Cu）の検出量によって良否を分析した。ゲッタリング性能をより定量的に測定するために、デバイスの裏面側に例えば硫酸銅水溶液を塗布してデバイス をＣｕで強制汚染させ、デバイスを所定時間加熱した後、全反射蛍光Ｘ線によってデバイスの測定面におけるCuの量を検出した。Cuの検出量は、測定面の面積密度（1.010atoms/cm２）を単位とした。
【００４５】
（従来例１）
上記表１で示した切削条件を用いて、例えば直径３００ｍｍのウエハを、ストリートに沿って切削ブレードでハーフカットすることにより、例えば深さ５０μｍ又はそれより若干深い加工溝を形成した後、例えばウエハの厚さが５０μｍに至るまで裏面研削して個々のデバイスに分割した。その後、ＣＭＰによって、ウエハを例えば２μｍ研磨することにより、研削時に生成されたダメージ層を除去した。従来例１で製造されたデバイスの抗折強度を測定した結果、図１４のグラフに示すように、抗折強度は平均２０００ＭＰａ以上となることが確認された。また、デバイスのゲッタリング性能を分析した結果、デバイスを加熱する前の測定面におけるCuの検出量は、平均０．１３で最大１．９０であったところ、加熱後のデバイスの測定面におけるCuの検出量は、平均１０．５８で最大１１２．０３と大量のCuが検出され、ゲッタリング効果が小さいことが確認された。
【００４６】
（従来例２）
従来例１と同様に、ハーフカット及び裏面研削を行ってウエハを個々のデバイスに分割した後、SiC砥粒を含有した研磨パッドを用いたＣＭＰによって、ウエハを例えば２μｍ研磨することにより、研削時に発生したダメージ層を除去するとともに、SiC砥粒によりデバイス面に微細なスクラッチを形成した。このようにして形成されたデバイスの抗折強度を測定した結果、図１４のグラフに示すように、抗折強度は従来例１よりも低い平均１５００ＭＰａ程度となることが確認された。また、ゲッタリング性能を分析した結果、デバイスを加熱する前の測定面におけるCuの検出量は、平均０．０４で最大１．０４であったところ、加熱後のデバイスの測定面におけるCuの検出量は、平均０．１２で最大７．０７と少なく、ゲッタリング効果を有することが確認された。
【００４７】
次に、ウェットブラストプロセスを含む本発明のデバイスの製造方法で製造されたデバイスの抗折強度及びゲッタリング性能について説明する。抗折強度の評価方法及びゲッタリング性能の分析方法は、上記の従来例と同様である。なお、後記の比較例、実施例１及び２との比較サンプルとして、リファレンス（処理無し）のベアウエハについても抗折強度及びゲッタリング性能について分析したが、ベアウエハの抗折強度は低かった。また、ベアウエハには、イントリンシックゲッタリング層がないため、裏面研削をしなくても裏面におけるCuの汚染は表面に拡散して、ゲッタリング効果はなかった。
【００４８】
（比較例）
上記表１で示した切削条件を用いて、例えば直径３００ｍｍのウエハを、ストリートに沿って切削ブレードでハーフカットすることにより加工溝を形成した後、例えば、図１１に示した研削・研磨装置１０ａを用いて、ウエハに裏面研削、研磨及びウェットブラストを行った。研削条件及び研磨条件は、従来例と同様である。ウェットブラストでは、例えば、下記の処理条件１を用いた。
【００４９】
［表２］  処理条件１
2017092135.tif 000004
【００５０】
研磨工程終了後、図１１に示したターンテーブル１２が回転し、研磨手段６の下方に位置するチャックテーブル５をウェットブラスト機構７の下方側に移動させる。このとき、ウェットブラスト機構７の下方側を、１５秒かけてウエハを通過させつつ、噴射ノズル７０からの噴射圧力を０．２５ＭＰａで、所定のスラリーをウエハに噴射させてウェットブラストを行った。
【００５１】
図１５に示すグラフでは、ウェットブラスト後の基板の十点平均の表面粗さ（Ｒｚ）が、スラリーに含まれる砥粒の種類・粒度や噴射圧力に依存することを示しており、比較例で製造されたデバイスの表面粗さは、ウェットブラストを行う前とほとんど変化していないことが確認された。すなわち、樹脂（ナイロン粒子）を含有するスラリーでウェットブラストを行っても、表面粗さは大きな変化がないことがわかった。
【００５２】
図１６に示すように、比較例で製造されたデバイスの抗折強度は、２０００〜２５００ＭＰａに値が集中しており、従来例１と略同様の結果が得られた。また、リファレンスのベアウエハの抗折強度と比べても比較例のほうが高い値に集中していることが確認された。一方、比較例で製造されたデバイスのゲッタリング性能を分析した結果、デバイスを加熱する前の測定面におけるCuの検出量は、平均０．１３で最大１１．９０であったところ、加熱後のデバイスの測定面におけるCuの検出量は、平均５．００で最大２２．０３と比較的多く、ゲッタリング効果は十分に発揮されないことが確認された。このように、比較例では、ゲッタリング効果がみられなかったが、スラリーに含まれる砥粒の粒度（質量）を大きくしたり、噴射圧力を高め（例えば、２〜３倍）に設定したりすることにより、ゲッタリング効果の発揮が期待される。
【００５３】
（実施例１）
比較例と同様に、直径３００ｍｍのウエハを切削ブレードにより所定の切り込み量だけ切り込むハーフカットにより加工溝を形成した後、研削・研磨装置１０ａを用いて、ウエハに裏面研削、研磨及びウェットブラストを行った。研削及び研磨条件は、従来例と同様である。ウェットブラストでは、例えば、下記の処理条件２を用いた。
【００５４】
［表３］  処理条件２
2017092135.tif 000005
【００５５】
研磨工程終了後、比較例と同様に、ターンテーブル１２の回転にともないチャックテーブル５をウェットブラスト機構７の下方側を１５秒かけてウエハを通過させつつ、噴射ノズル７０から噴射圧力を０．１５ＭＰａで、所定のスラリーをウエハに噴射させてウェットブラストを行った。
【００５６】
実施例１で製造されたデバイスの表面粗さ（Ｒｚ）は、図１５に示すように、比較例と比較して粗くなっていることが確認された。また、実施例１では、研磨工程後のデバイスの表面粗さ（Ｒａ）が例えば、０．１ｎｍとなっている場合、ウェットブラストを行った後は、表面粗さが４．０ｎｍになった。実施例１の条件ではないが、参考としてアルミナ粒子（＃２０００）を用いた場合には、圧力が高くなるにつれて表面粗さが悪化することがわかった。このように、砥粒が細かいほうが表面粗さの変化を小さく抑えることができるが、スラリーに混合する砥粒としてアルミナ粒子を用いた場合には、樹脂（ナイロン粒子）を用いた場合よりも表面粗さが悪化することがわかった。
【００５７】
一方で、実施例１で製造されたデバイスの抗折強度は、図１６に示すように、２０００〜２５００ＭＰａに値が集中しており、従来例１と略同様の抗折強度が得られた。また、ベアウエハと比べても実施例１のほうが高いことが確認された。さらに、実施例１で製造されたデバイスのゲッタリング性能を分析した結果、デバイスを加熱する前の測定面におけるCuの検出量は、平均０．１８で最大１５．６８であったところ、加熱後のデバイスの測定面におけるCuの検出量は、平均０．１１で最大６．４９と非常に少なく、十分なゲッタリング効果を有することが確認された。
【００５８】
（実施例２）
比較例と同様に、直径３００ｍｍのシリコンウエハを切削ブレードにより所定の切り込み量だけ切り込むハーフカットにより加工溝を形成した後、研削・研磨装置１０ａを用いて、シリコンウエハに裏面研削した後、研磨をせずにウェットブラストを行った。研削条件は、従来例と同様である。ウェットブラストでは、例えば、下記の処理条件３を用いた。
【００５９】
［表４］  処理条件３
2017092135.tif 000006
【００６０】
裏面研削工程終了後、比較例と同様に、ターンテーブル１２の回転にともないチャックテーブル５をウェットブラスト機構７の下方側を３０秒かけてシリコンウエハを通過させつつ、噴射ノズル７０から噴射圧力を０．２５ＭＰａで、所定のスラリーをシリコンウエハに噴射させてウェットブラストを行った。
【００６１】
実施例２で製造されたデバイスの抗折強度を測定した結果、図１６に示すように、２５００〜３０００ＭＰａに値が集中しており、最小値も比較例及び実施例１よりも高く抗折強度が高いことが確認された。実施例２で製造されたデバイスのゲッタリング性能を分析した結果、デバイスを加熱する前の測定面におけるCuの検出量は、平均０．１３で最大１２．２５であったところ、加熱後のデバイスの測定面におけるCuの検出量は、平均０．１２で最大７．０７と少なく、十分なゲッタリング効果を有することが確認された。なお、実施例２で製造されたデバイスの表面粗さは、研削後、研磨をせずにウェットブラストを行うため、ウェットブラスト前後で表面粗さの変化はほとんど確認されなかった。
【符号の説明】
【００６２】
１：基板  ２：切削手段  ２０：スピンドル  ２１：切削ブレード
３：保護テープ  ４，４ａ：研削手段  ４０：スピンドル  ４１：研削ホイール
４２，４２ａ：研削砥石  ５：チャックテーブル  ６：研磨手段  ６０：スピンドル
６１：マウント  ６２：研磨パッド  ６２ａ：研磨面
７：ウェットブラスト機構  ７０：噴射ノズル  ７１：噴射口  ７２：スラリー供給源
７３：スラリー
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ：研削・研磨装置  １１：基台
１２：ターンテーブル  １３：洗浄ユニット  １３０：スピンナーテーブル
【図１】
2017092135.tif 000007
【図２】
2017092135.tif 000008
【図３】
2017092135.tif 000009
【図４】
2017092135.tif 000010
【図５】
2017092135.tif 000011
【図６】
2017092135.tif 000012
【図７】
2017092135.tif 000013
【図８】
2017092135.tif 000014
【図９】
2017092135.tif 000015
【図１０】
2017092135.tif 000016
【図１１】
2017092135.tif 000017
【図１２】
2017092135.tif 000018
【図１３】
2017092135.tif 000019
【図１４】
2017092135.tif 000020
【図１５】
2017092135.tif 000021
【図１６】
2017092135.tif 000022