(57)【要約】【課題】本明細書は、ダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層で覆われた金属体に半導体素子がハンダ層で接合されている半導体装置に関し、ハンダ層との接合性と、メッキ割れ予防の両方について良好な特性を与える技術を提供する。【解決手段】半導体装置２では、金属ブロック３に半導体素子６がハンダ層８によって接合されている。金属ブロック３の下面がＮｉ−Ｐメッキ層１０で覆われている。Ｎｉ−Ｐメッキ層１０は、ダイヤモンド粒子７が分散している第１メッキ層４と、ダイヤモンド粒子を含有しない第２メッキ層５を含んでいる。第２メッキ層５は、第１メッキ層４とハンダ層８との間に位置している。第１メッキ層４と第２メッキ層５のリン含有率は８．７〜１２．１［ｗｔ％］の間であり、第１メッキ層４のリン含有率が第２メッキ層５のリン含有率よりも高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の少なくとも一部がＮｉ−Ｐメッキ層で覆われている金属体と、
前記金属体の前記Ｎｉ−Ｐメッキ層で覆われている部分にハンダ層によって接合されている半導体素子と、
を備えており、
前記Ｎｉ−Ｐメッキ層は、ダイヤモンド粒子が分散している第１メッキ層と、ダイヤモンド粒子を含有しない第２メッキ層を含んでおり、
前記第２メッキ層は、前記第１メッキ層と前記ハンダ層との間に位置しており、
前記第１メッキ層と前記第２メッキ層のリン含有率が８．７〜１２．１［ｗｔ％］の間であり、前記第１メッキ層のリン含有率が前記第２メッキ層のリン含有率よりも高い、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子と金属体がハンダ層を介して接合されている半導体装置が知られている。金属体は、例えば、金属製の回路層、金属製のヒートシンク、ヒートシンクと半導体素子を熱的につなぐ金属ブロックなどである。特許文献１には、半導体素子と金属製の回路層がハンダ層を介して接合されている半導体装置が開示されている。特許文献１の技術では、ハンダ層と回路層との間の接合性を高めるため、金属体の表面をＮｉ−Ｐメッキ層で覆う。Ｎｉ−Ｐメッキ層は、ハンダ材の濡れ性を高め、接合性を向上させる。特許文献１の技術では、さらに、Ｎｉ−Ｐメッキ層に、硬質粒子を分散させている。Ｎｉ−Ｐメッキ層に硬質粒子を分散させることで、硬質粒子を含まないＮｉ−Ｐメッキ層よりもメッキ層の硬度が高くなる。メッキ層の硬度が高くなると、金属体やハンダ層の熱変形を抑えることができる。特許文献１には、硬質粒子がメッキ層（すなわち金属体）とハンダ層との間の接合性を低下させることがないように、Ｎｉ−Ｐメッキ層の最表面には硬質粒子を露出させないことが記載されている。特許文献１によると、硬質粒子は、例えば、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、Ｂ４Ｃ、Ｃｒ３Ｃ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＢＮ、ＣＢＮ、ダイヤモンド、ＭｏＳ２などである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９１６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願の発明者らは、半導体素子の熱を他へ移す目的で、半導体素子に金属体を接合した半導体装置を検討した。金属体の半導体素子との接合面にはＮｉ−Ｐメッキ層を形成した。Ｎｉ−Ｐメッキ層の伝熱特性を高めるため、ダイヤモンド粒子をＮｉ−Ｐ層に分散させた。特許文献１と同様に、Ｎｉ−Ｐメッキ層の表層にはダイヤモンド粒子を含有しない層を設けた。
【０００５】
温度変化によりメッキ層の内部には応力（内部応力）が発生する。Ｎｉ−Ｐメッキ層は、リン含有量によって発生する内部応力の大きさが変化する。発生する内部応力が大きいと、メッキ層とハンダ層との接合性が低下する。従って、接合性の観点において、リン含有量の好適な範囲が存在する。
【０００６】
他方、ダイヤモンドを分散させたＮｉ−Ｐメッキ層とダイヤモンドを含まないＮｉ−Ｐメッキ層とでは、リン含有量が同じであっても発生する内部応力の大きさが異なる。内部応力の異なる２種類のメッキ層が接合していると、２種類のメッキ層の夫々で発生する内部応力の差（応力差）により、いわゆるメッキ割れが生じる虞がある。本明細書は、ダイヤモンド粒子を分散させた層とダイヤモンド粒子を含有しない層の２種類のＮｉ−Ｐメッキ層で覆われた金属体に半導体素子がハンダ層によって接合されている半導体装置に関し、ハンダ層との接合性とメッキ割れ予防の双方について良好な特性を与える技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書が開示する半導体装置は、表面の少なくとも一部がＮｉ−Ｐメッキ層で覆われている金属体と、そのＮｉ−Ｐメッキ層で覆われている金属体の面にハンダ層によって接合されている半導体素子を備えている。Ｎｉ−Ｐメッキ層は、ダイヤモンド粒子が分散している第１メッキ層と、ダイヤモンド粒子を含有しない第２メッキ層を含んでいる。第２メッキ層は、第１メッキ層とハンダ層との間に位置している。第１メッキ層と第２メッキ層のリン含有率は、８．７〜１２．１［ｗｔ％］（重量％）の間である。そして、第１メッキ層のリン含有率が第２メッキ層のリン含有率よりも高くなっている。なお、第１メッキ層とハンダ層との間に第２メッキ層を設けるのに加えて、第１メッキ層と金属体との間にも、ダイヤモンド粒子を含有しないＮｉ−Ｐメッキ層を備えてもよい。
【０００８】
発明者らは、ダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層とダイヤモンド粒子を含有しないＮｉ−Ｐメッキ層について、リンの含有量と内部応力の関係を調査した。以下では、説明の便宜のため、ダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層をＤ粒子あり層と称し、ダイヤモンド粒子を含まないＮｉ−Ｐメッキ層をＤ粒子なし層と称する。上記した半導体装置の第１メッキ層は、Ｄ粒子あり層においてリン含有量に制限を設けたものであり、第２メッキ層は、Ｄ粒子なし層においてリン含有量に制限を設けたものである。即ち、第１メッキ層はＤ粒子あり層に属し、第２メッキ層はＤ粒子なし層に属する。また、内部応力には引張と圧縮の二種類がある。以下では、メッキ層で発生する内部応力の大きさについて、引張側の内部応力を正値で表し、圧縮側の内部応力を負値で表す。
【０００９】
先に述べたように、内部応力には引張と圧縮の二種類がある。ハンダ層との接合性の観点では、ハンダ層と接するメッキ層の内部応力は、引張よりも圧縮である方がよい。Ｄ粒子なし層は、リン含有量が８．７〜１４．５［ｗｔ％］の間で内部応力が負値を示す（即ち圧縮側の内部応力が発生する）。従って、Ｄ粒子なし層に属する第２メッキ層のリン含有量は、ハンダ層との接合性の観点からは、８．７〜１４．５［ｗｔ％］の範囲であることが好ましい。一方、Ｄ粒子あり層は、１２．１［ｗｔ％］に達するまで、リン含有量の増加に伴って内部応力の大きさが単調減少する。また、Ｄ粒子あり層は、リン含有量が同じＤ粒子なし層と比較して発生する内部応力の値（正負を含む値）が相対的に大きい。従って、リン含有量が１２．１［ｗｔ％］以下の範囲では、Ｄ粒子あり層のリン含有量がＤ粒子なし層のリン含有量よりも高ければ、両者のリン含有量が等しい場合と比較して両者の応力差が小さくなる。Ｄ粒子あり層とＤ粒子なし層が接している場合、両者の応力差が小さい方が、メッキ割れが発生し難い。従って、メッキ割れ予防の観点からは、Ｄ粒子あり層に属する第１メッキ層とＤ粒子なし層に属する第２メッキ層のリン含有量の関係は、いずれの層もリン含有量が１２．１［ｗｔ％］以下であり、第１メッキ層のリン含有量が第２メッキ層のリン含有量よりも高い方がよい。以上のことから、第１メッキ層と第２メッキ層が次の条件を満足すると、ハンダ層との接合性がよく、しかも、メッキ割れが発生し難い。その条件とは、第１メッキ層と第２メッキ層のリン含有率が８．７〜１２．１［ｗｔ％］の間であり、第１メッキ層のリン含有率が第２メッキ層のリン含有率よりも高い、というものである。上記した条件に関する詳しい説明は、以下の発明を実施するための形態の項で述べる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例の半導体装置の模式的断面図である。
【図２】Ｎｉ−Ｐメッキ層のリン含有量と内部応力の関係を示すグラフである。
【図３】図２の符号IIIが示す範囲を拡大したグラフである。
【図４】変形例の半導体装置の模式的断面図である。
【図５】熱抵抗の比較を示したグラフである。
【図６】ボイド率の比較を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図面を参照して実施例の半導体装置を説明する。図１に半導体装置２の模式的断面図を示す。半導体装置２は、半導体素子６が金属ブロック３に接合されているデバイスである。なお、半導体装置２は、金属ブロック３に不図示のヒートシンクが接合され、全体が樹脂製のパッケージに封止された半導体モジュールであるが、ここでは、その一部である半導体素子６と金属ブロック３の部分に限って半導体装置２を説明する。半導体素子６は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）のチップである。金属ブロック３は、半導体素子６の熱を外部（不図示のヒートシンク）へ移すために半導体素子６に接合されている。金属ブロック３の上面には不図示のヒートシンクがハンダ層によって接合される。金属ブロック３には、半導体素子６の熱を良く伝えるように銅で作られている。
【００１２】
金属ブロック３の下面はＮｉ−Ｐメッキ層１０で覆われている。Ｎｉ−Ｐメッキ層１０は、第１メッキ層４と第２メッキ層５を含んでいる。より詳しくは、金属ブロック３の下面（素面）が第１メッキ層４で覆われており、第１メッキ層４のハンダ層８側の表面が第２メッキ層５で覆われている。金属ブロック３のＮｉ−Ｐメッキ層１０（第１メッキ層４と第２メッキ層５）で覆われている範囲に、ハンダ層８によって半導体素子６が接合されている。第１メッキ層４と第２メッキ層５は、共に無電解のＮｉ−Ｐメッキ（ニッケル−リンメッキ）の層である。ただし、第１メッキ層４には、ダイヤモンド粒子７が分散しており、第２メッキ層５はダイヤモンド粒子を含まない。第１メッキ層４は、例えば、ダイヤモンド粒子が分散したＮｉ−Ｐメッキ浴中に金属ブロック３の下面を浸漬することで得ることができる。Ｎｉ−Ｐメッキ浴中から、金属ブロック３の素面にダイヤモンド粒子とＮｉ−Ｐ合金が共析し、ダイヤモンド粒子が分散したＮｉ−Ｐメッキ層（即ち、第１メッキ層４）が得られる。
【００１３】
また、第２メッキ層５は、金属ブロック３の第１メッキ層４が形成された面を、ダイヤモンド粒子を含有しないＮｉ−Ｐメッキ浴中に浸漬することで得ることができる。ただし、後述するように、第１メッキ層４と第２メッキ層は、リンの含有量が異なる。ダイヤモンド粒子７は、ナノサイズのアモルファスダイヤモンドの粒子であり、その含有量は、１４［ｖｏｌ％］である。
【００１４】
ハンダ層８に用いられるハンダ材は、鉛フリーハンダ材であり、例えば、スズと銀と銅を主成分として含むハンダ材（ＳｎＡｇＣｕ系ハンダ材）、スズと銅を主成分として含むハンダ材（ＳｎＣｕ系ハンダ材）、あるいは、スズと亜鉛とビスマスを主成分として含むハンダ材（ＳｎＺｎＢｉ系ハンダ材）などが用いられる。
【００１５】
先に述べたように、金属ブロック３は、半導体素子６と不図示のヒートシンクを熱的に結合する中間部材に相当する。金属ブロック３と半導体素子６の間に挟まれているＮｉ−Ｐメッキ層１０の伝熱性を高めるために、熱伝導率の高いダイヤモンド粒子７を第１メッキ層４に分散させた。ニッケルの熱伝導率は９０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］であり、ナノサイズのダイヤモンド粒子の熱伝導率は１０００〜２３０００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。
【００１６】
一方、ダイヤモンド粒子を含有するとメッキ層の硬度が高くなり、ダイヤモンド粒子へのハンダ濡れ性が低下する。ハンダ濡れ性の低下はＮｉ−Ｐメッキ層１０とハンダ層８との接合性の低下を招く。Ｎｉ−Ｐメッキ層１０とハンダ層８との接合性の低下を避けるべく、Ｎｉ−Ｐメッキ層１０のハンダ層８と接する部分には、ダイヤモンド粒子を含ませない。即ち、第１メッキ層４とハンダ層８との間に、ダイヤモンド粒子を含まない第２メッキ層５を挟む。
【００１７】
Ｎｉ−Ｐメッキ層は、リン含有率が同じであっても、ダイヤモンド粒子の有無により、同じ温度条件において発生する内部応力の大きさが異なる。互いに接している２つのメッキ層で内部応力が相違すると、層の境界でクラックが生じ、いわゆるメッキ割れが生じる可能性が高まる。そこで、実施例の半導体装置２では、応力差が小さくなるように第１メッキ層４と第２メッキ層５のリン含有率を異ならしめ、メッキ割れ発生の可能性を低減する。すなわち、メッキ割れを予防する。
【００１８】
第１メッキ層４と第２メッキ層５の好適なリン含有率について説明する。なお、第１メッキ層４と第２メッキ層５の好適なリン含有率の条件を決定する際、２つのメッキ層の応力差を小さくするだけでなく、リン含有率に依存するハンダ層との接合性にも配慮した。
【００１９】
図２は、Ｎｉ−Ｐメッキ層のリン含有量と内部応力の関係を示すグラフである。図２のグラフの横軸はリン含有量を示し、縦軸はメッキ層内に発生する応力（内部応力）を示す。縦軸の内部応力は、正値が引張側の応力を意味し、負値が圧縮側の応力を意味する。水平方向の直線ＨＬが、応力ゼロを示す線である。破線のグラフＧ１は、ダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層のリン含有度と内部応力の関係を示す。実線のグラフＧ２は、ダイヤモンド粒子を含まないＮｉ−Ｐメッキ層のリン含有度と内部応力の関係を示す。図２の結果を得たときの条件は次の通りである。無電解Ｎｉ−Ｐメッキには、表１に示すようなピロリン酸を錯化剤とするアンモニアアルカリ性のメッキ浴を使用した。Ｐ含有量は１モルの硝酸でメッキ皮膜を溶解後、過マンガン酸カリウムで完全に亜リン酸をリン酸までに酸化した後、バナジン酸アンモニウムとモリブデン酸アンモニウムで発色させた溶液の４６０［ｎｍ］における吸光度測定によって定量した。
【００２０】
【表１】
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【００２１】
説明を簡単にするため、以下では、ダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層を、Ｄ粒子あり層と称し、ダイヤモンド粒子を含まないＮｉ−Ｐメッキ層をＤ粒子なし層と称する。
【００２２】
まず、Ｄ粒子なし層のグラフＧ２について説明する。リンを含有するとメッキ層の耐食性が増す。耐食性の観点では、リン含有量は５［ｗｔ％］以上が好ましいとされている。リン含有量が５［ｗｔ％］以上では、リン含有量の増加とともに引張側の内部応力が低下し、約９［ｗｔ％］を超えると内部応力は圧縮側となる。さらにリン含有量を増やしていくと、内部応力は増加に転じ、約１５［ｗｔ％］を超えると内部応力は再び引張側となる。さらにリン含有量を増していくと、内部応力は引張側で増加していく。実施例の半導体装置２において、ハンダ層８と接合する第２メッキ層５は、Ｄ粒子なし層に属する。ハンダ層との接合性の観点では、メッキ層に発生する内部応力は、引張よりも圧縮である方が好ましいとされている。従って、ハンダ層８との接合性の観点では、Ｄ粒子なし層に属する第２メッキ層５のリン含有量は、約９〜１５［ｗｔ％］の範囲が好ましいことになる。
【００２３】
図２の破線IIIの範囲を拡大したグラフを図３に示す。ポイントＰ１とポイントＰ６がグラフＧ２（Ｄ粒子なし層）における応力ゼロの箇所であり、ポイントＰ１からポイントＰ６の間で内部応力が圧縮側となる。ポイントＰ１におけるリン含有量は、８．７［ｗｔ％］であり、ポイントＰ６におけるリン含有量は１４．５［ｗｔ％］である。従って、より正確には、ハンダ層８との接合性の観点では、Ｄ粒子なし層に属する第２メッキ層５のリン含有量の範囲は、８．７〜１４．５［ｗｔ％］であることが好ましい。なお、ポイントＰ３は、グラフＧ２（Ｄ粒子なし層）の極小値であり、そのときのリン含有量は１０．６［ｗｔ％］である。
【００２４】
Ｄ粒子あり層（グラフＧ１）は、Ｄ粒子なし層（グラフＧ２）と同様の傾向を示す。ポイントＰ２とポイントＰ５が、Ｄ粒子あり層における応力ゼロの箇所である。ポイントＰ２におけるリン含有量は、１０．５［ｗｔ％］であり、ポイントＰ５におけるリン含有量は１３．７［ｗｔ％］である。Ｄ粒子あり層のグラフＧ１は、ポイントＰ４、すなわち、リン含有量１２．１［ｗｔ％］のときに内部応力が極小値となる。
【００２５】
Ｄ粒子あり層とＤ粒子なし層が接合している場合、Ｄ粒子あり層に発生する内部応力とＤ粒子なし層に発生する内部応力の差（応力差）が小さい方が、メッキ割れが発生する可能性が低くなる。Ｄ粒子あり層のグラフＧ１は、ポイントＰ４（リン含有量１２．１［ｗｔ％］）に至るまで、リン含有量が増加するにつれて応力の大きさ（正負の符号を含む大きさ）が減少する。従って、リン含有量が図３のグラフ左端からポイントＰ４の範囲においては、Ｄ粒子あり層（グラフＧ１）とＤ粒子なし層（グラフＧ２）のリン含有量が同じ場合と比較して、Ｄ粒子あり層（グラフＧ１）のリン含有量がＤ粒子なし層（グラフＧ２）のリン含有量よりも高い方が応力差が小さくなる。即ち、応力差が小さい方がよいという観点では、Ｄ粒子あり層（グラフＧ１）とＤ粒子なし層（グラフＧ２）は、いずれのリン含有量も図３のグラフ左端から１２．１［ｗｔ％］の範囲であって、Ｄ粒子あり層（グラフＧ１）のリン含有量が、Ｄ粒子なし層のリン含有量よりも高いことが好ましい。ハンダ層との接合性の観点においてはＤ粒子なし層のリン含有量は８．７〜１４．５［ｗｔ％］の範囲が好ましいことと合せると、次の条件を満足すると、ハンダ層との接合性がよく、かつ、Ｄ粒子あり層とＤ粒子なし層の応力差を小さくすることができる。その条件とは、Ｄ粒子あり層とＤ粒子なし層のリン含有量が８．７〜１２．１［ｗｔ％］の範囲であり、Ｄ粒子あり層のリン含有量がＤ粒子なし層のリン含有量よりも高い、というものである。
【００２６】
以上の考察に基づき、半導体装置２では、ダイヤモンド粒子を分散させた第１メッキ層４とダイヤモンド粒子を含まない第２メッキ層５は、いずれのメッキ層もリン含有量が８．７〜１２．１［ｗｔ％］の範囲であり、第１メッキ層４のリン含有量が第２メッキ層のリン含有量よりも高い、という条件を満足するように形成した。そのような条件を満足することで、半導体装置２は、Ｎｉ−Ｐメッキ層１０とハンダ層８との接合性と、メッキ割れ予防の双方について良好な特性を有する。
【００２７】
変形例の半導体装置２ａの模式的断面図を図４に示す。半導体装置２ａは、金属ブロック３の表面にＮｉ−Ｐメッキ層１０ａを備え、Ｎｉ−Ｐメッキ層１０ａで覆われた部分に半導体素子６がハンダ層８によって接合されている。Ｎｉ−Ｐメッキ層１０ａは、ダイヤモンド粒子が分散している第１メッキ層４と、ダイヤモンド粒子を含有しない第２メッキ層５と、ダイヤモンド粒子を含有しない第３メッキ層９を備えている。第２メッキ層５は、第１メッキ層４とハンダ層８の間に位置している。第３メッキ層９は、第１メッキ層４と金属ブロック３の間に位置している。この半導体装置２ａは、Ｎｉ−Ｐメッキ層１０ａと金属ブロック３との間の密着性が向上する。
【００２８】
実施例の半導体装置２（変形例の半導体装置２ａ）は、金属ブロック３の一部（下面）がＮｉ−Ｐメッキ層１０（１０ａ）で覆われている。金属ブロック３の表面全体がＮｉ―Ｐメッキ層で覆われていてもよい。
【００２９】
参考に、ダイヤモンド粒子を分散させた第１メッキ層４とダイヤモンド粒子を含有しない第２メッキ層５を含むＮｉ−Ｐメッキ層１０を備えた半導体装置を試作し、伝熱特性とハンダとの接合性を評価した。伝熱特性は、Ｎｉ−Ｐメッキ層１０の熱抵抗で評価し、ハンダ層８との接合性は、ハンダ層８におけるボイド率で評価した。ボイド率は、ハンダ層８の単位体積当たりのボイドの容積割合（％）である。なお、第１メッキ層４のリン含有率は、１１．３［ｗｔ％］（図３のポイントＰｂ）であり、第２メッキ層５のリン含有率は、９．７［ｗｔ％］（図３のポイントＰａ）である。ポイントＰａ、Ｐｂは、前述の条件を満たしている。なお、この評価は、ダイヤモンド粒子を含むＮｉ−Ｐメッキ層とダイヤモンド粒子を含まないＮｉ―Ｐ層を備えることで、伝熱特性と接合性の双方について良好な特性が得られることを確認するものである。
【００３０】
図４に熱抵抗を示し、図５にハンダボイド率を示す。図における「試作品」のグラフが、金属ブロックの表面にダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層を備え、そのメッキ層のハンダ層側にダイヤモンド粒子を含有しないＮｉ―Ｐ層を備えた半導体装置の評価結果である。「比較例１」のグラフは、金属ブロックの表面にダイヤモンド粒子を含まないＮｉ−Ｐメッキ層のみを備えた半導体装置の評価結果である。「比較例２」のグラフは、金属ブロックの表面にダイヤモンド粒子を分散させたＮｉ−Ｐメッキ層のみを備えた半導体装置の評価結果である。
【００３１】
比較例２と試作品の熱抵抗は、比較例１の熱抵抗の半分以下である（図５）。このことは、ダイヤモンド粒子を分散させたことにより、Ｎｉ−Ｐメッキ層の伝熱特性が向上したことを意味する。一方、比較例１と試作品のハンダボイド率は、比較例２のハンダボイド率の約５分の１である（図６）。このことは、試作品の半導体装置のＮｉ−Ｐメッキ層は、ダイヤモンド粒子を含有しないＮｉ−Ｐメッキ層（比較例１）と同等のハンダ接合性を保持できていることを意味する。図５と図６より、試作品の半導体装置は、半導体素子と金属ブロックの高い接合性を保持しつつ、半導体素子から金属ブロックへの高い伝熱特性を有していることがわかる。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３３】
２、２ａ：半導体装置
３：金属ブロック
４：第１メッキ層
５：第２メッキ層
６：半導体素子
７：ダイヤモンド粒子
８：ハンダ層
９：第３メッキ層
１０、１０ａ：Ｎｉ−Ｐメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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