(57)【要約】【課題】製造コストの低減化を図りながらパワー半導体モジュールの冷却効率を高めることができる電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換用のパワー半導体モジュール１０Ｕ，１０Ｖ、１０Ｗと、冷却媒体が内部を循環する冷却器３と、収納空間Ｓ１を形成した筐体（５，４）とを備えている。冷却器にパワー半導体モジュールが接合されており、筐体４の外壁に収納空間に連通する開口部８が形成されており、開口部から挿入したパワー半導体モジュールが収納空間に配置された状態で、開口部を閉塞した冷却器が筐体に着脱自在に固定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力変換用のパワー半導体モジュールと、冷却媒体が内部を循環する冷却器と、収納空間を形成した筐体と、を備え、
前記冷却器に前記パワー半導体モジュールが接合され、
前記筐体の外壁に前記収納空間に連通する開口部が形成されており、
前記開口部から挿入した前記パワー半導体モジュールが前記収納空間に配置された状態で、前記開口部を閉塞した前記冷却器が前記筐体に着脱自在に固定されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記冷却器は、冷却媒体が内部を循環し、前記パワー半導体モジュールを接合する接合面が形成されている冷却器本体と、
前記冷却器本体の接合面の外周から外方に突出し、前記開口部の周縁に当接して前記筐体に固定される固定部と、を備えていることを特徴とする請求項１記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記冷却器及び前記筐体は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記冷却器は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成され、前記筐体は、合成樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記冷却器は、銅又は銅合金で形成され、前記筐体は、前記銅又は銅合金より熱伝導率が低い材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換用のパワー半導体モジュールと、パワー半導体モジュールを冷却する冷却器とを備えた電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電力変換装置としては、特許文献１に記載された電力変換装置が知られている。
この電力変換装置は、冷却室を内部に設けた冷却器と、冷却器上に設置されているパワー半導体モジュールと、冷却室に連通する流路を形成する管状部材と、パワー半導体モジュール、冷却器、管状部材を収容するカバー部材と、カバー部材の内部側に凹んだ凹空間を形成する凹空間形成部材とを備えている。そして、管状部材から冷却器の冷却室に冷却液が流れることで、パワー半導体モジュールが冷却器に冷却される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５４２５０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の電力変換装置は、液密状態を保持しながら部品を組立てる作業が多く（カバー部材及び凹空間形成部材の接続箇所、管状部材及び冷却器の接続箇所など）、組立効率の面で問題があり、製造コストが増大するおそれがある。
本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、製造コストの低減化を図りながらパワー半導体モジュールの冷却効率を高めることができる電力変換装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電力変換装置は、電力変換用のパワー半導体モジュールと、冷却媒体が内部を循環する冷却器と、収納空間を形成した筐体と、を備え、冷却器にパワー半導体モジュールが接合され、筐体の外壁に収納空間に連通する開口部が形成されており、開口部から挿入したパワー半導体モジュールが収納空間に配置された状態で、開口部を閉塞した冷却器が筐体に着脱自在に固定されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る電力変換装置によると、筐体に形成した開口部を、パワー半導体モジュールを接合した冷却器で閉塞し、冷却器を筐体の構成部材として使用しているので、製造コストの低減化を図りながら、パワー半導体モジュールの冷却効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明に係る第１実施形態の電力変換装置を示す斜視図である。
【図２】図１における平面Ａに沿う第１実施形態の電力変換装置の断面図である。
【図３】図１における平面Ａに直交している平面Ｂに沿う第１実施形態の電力変換装置の断面図である。
【図４】第１実施形態の電力変換装置の構成部材を示す展開斜視図である。
【図５】第１実施形態の電力変換装置において冷却器が着脱自在に固定される筐体の開口部の周縁の構造を示す図である。
【図６】第１実施形態の電力変換装置における冷却器の構造を示す図である。
【図７】第１実施形態の電力変換装置で使用されているパワー半導体モジュールを示す斜視図である。
【図８】第１実施形態の電力変換装置で使用されているパワー半導体モジュールの等価回路である。
【図９】第１実施形態の電力変換装置において筐体の一部に冷却器が固定された状態を示す図である。
【図１０】本発明に係る第２実施形態の電力変換装置を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る第３実施形態の電力変換装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の第１〜第３実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す第１〜第３実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【０００９】
［第１実施形態の電力変換装置］
以下、本発明の一態様に係る第１実施形態の電力変換装置について、図面を適宜参照しつつ説明する。
図１に示すように、本発明に係る第１実施形態の電力変換装置１は、筐体２と、筐体２の底面に着脱自在に固定された冷却器３とを備えている。
筐体２の内部には、図２及び図３に示すように、冷却器３に接合された３つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗと、これらＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを駆動する駆動回路等が実装された制御回路基板１１と、平滑コンデンサ１２と、直流入力コネクタ１３と、交流出力コネクタ１４とが収納されている。
【００１０】
［筐体］
筐体２は、ケース４、カバー５、ガスケット６で構成されている。
ケース４は、アルミニウム、又はアルミニウム合金を射出成形することで形成されている。このケース４は、底部４ａと、底部４ａの全周から立ち上がる側壁部４ｂと、側壁部４ｂの上端で開口する多角形状の上部開口部４ｃ、とを備え、図４において左右方向に長尺な部材であり、上部開口部４ｃをガスケット６を介してカバー５で閉塞すると、長尺方向中央に平面視長方形状の収納空間Ｓ１が形成され、長手方向の両端に、収納空間Ｓ１より狭い収納空間Ｓ２，Ｓ３が形成される。
【００１１】
ケース４の側壁部４ｂの上端の全周に、取付けフランジ部７が外側に突出して形成されており、取付けフランジ部７の所定箇所にねじ孔７ａが形成されている。
このケース４の底部４ａには、収納空間Ｓ１で開口する長方形状のＩＧＢＴモジュール用開口部８が形成されている。このＩＧＢＴモジュール用開口部８の長尺方向は、底部４ａの短尺方向（図４の斜め上下方向）に延在して形成され、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の長尺方向の両端部は、側壁部４ｂの下端まで開口している。
【００１２】
また、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一方の長辺側縁部に沿う底部４ａに所定間隔をあけて複数の第１雌ねじ部２５が形成されているとともに、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の他方の長辺側縁部に沿う底部４ａに所定間隔をあけて複数の第２雌ねじ部２６及び第３雌ねじ部２７が形成されている。
第１雄ねじ部２５は、図５（ａ）に示すように、ケース４の内側で膨出する袋ナット形状の部材であり、下方で開口する雌ねじ２５ａが形成されている。
【００１３】
第２雄ねじ部２６は、図５（ｂ）に示すように、ケース４の内側で膨出する袋ナット形状の部材であり、下方で開口する雌ねじ２６ａが形成されている。また、第３雌ねじ部２７は、第２雄ねじ部２６の外周からＩＧＢＴモジュール用開口部８側に突出し、ケース４の内側及び外側に向けて連通する雌ねじ２７ａが形成されている。
カバー５は、図４に示すように、アルミニウム、又はアルミニウム合金を材料とし、ケース４の取付けフランジ部７の外周形状と同一形状で形成された板状部材である。このカバー５のケース４の取付けフランジ部７のねじ孔７ａに対応する位置にねじ挿通孔５ａが形成されている。
ガスケット６は、図４に示すように、取付けフランジ部７と同一形状に形成され、取付けフランジ部７のねじ孔７ａに対応する位置にねじ挿通孔６ａが形成されている。
【００１４】
［冷却器］
冷却器３は、アルミニウム、又はアルミニウム合金を材料として形成した部材であり、図６に示すように、冷却水供給口１５ａ及び冷却水排出口１５ｂを備えて内部を冷却水が循環し、平坦面で長方形状の接合面１５ｃを設けたブロック状の冷却器本体１５と、接合面１５ｃの一対の長辺から外方に突出し、所定間隔のねじ挿通孔１６ａを設けた板状の一対の固定部１６とで構成されている。
【００１５】
［ＩＧＢＴモジュール］
図７で示すＩＧＢＴモジュール１０Ｕは、外観が直方体形状の樹脂パッケージ１７に、図示しない上アーム半導体チップ、上アーム用配線パターン部、上アーム配線用導体板、下アーム半導体チップ、下アーム用配線パターン部、下アーム配線用導体板及び接地用配線パターン部などが埋め込まれている。
樹脂パッケージ１７の第１の側面１７ａには、上アーム用配線パターン部を介して上アーム半導体チップのコレクタに接続した正極側接続端子１８と、接地用配線パターン部と下アーム配線用導体板を介して下アーム半導体チップのエミッタに接続した負極側接続端子１９とが外方に突出し、第１の側面１７ａに対して裏面の第２の側面１７ｂには、下アーム用配線パターン部と上アーム配線用導体板を介して上アーム半導体チップのエミッタ及び下アーム半導体チップのコレクタに接続した出力端子２０が外方に突出している。
【００１６】
また、樹脂パッケージ１７の上面には、上アーム用の複数の制御電極（後述するゲート電極、エミッタ電流センス電極や温度検出用電極など）に接続する複数本の上アーム用リードフレーム２１と、下アーム用の複数の制御電極に接続する複数本の下アーム用リードフレーム２２が上方に突出して設けられている。
他の２つのＩＧＢＴモジュール１０Ｖ、１０Ｗも、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕと同一構成を有している。
【００１７】
図８は、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの等価回路を示すものであり、正極側接続端子１８と負極側接続端子１９との間に、上アームを構成する逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵと、下アームを構成する逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬとが直列に接続され、逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵと逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬとの間に出力端子２０が設けられている。ここで、符号２１ｇが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極であり、符号２１ｅｓが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのエミッタ電流センス電極であり、符号２２ｇが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極であり、符号２２ｅｓが逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬのエミッタ電流センス電極である。
【００１８】
［第１実施形態の電力変換装置の組み立て］
３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗは、図６で示す冷却器３の接合面１５ｃの２点鎖線の四角形状で示す位置（接合面１５ｃの長手方向に所定間隔あけた位置）に、焼結処理による金属焼結材やはんだにより接合される（図４参照）。
冷却器３に一体化された３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗは、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８に底部４ａ側から挿入され、ケース４の収納空間Ｓ１にＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを配置する。そして、ＩＧＢＴモジュール用開口部８の一対の長辺側縁部に沿う底部４ａに冷却器３の固定部１６を当接し、底部４ａの第１雌ねじ部２５及び第２雌ねじ部２６に、冷却器３の一対の固定部１６のねじ挿通孔１６ａを対応させ、ねじ挿通孔１６ａを通過させたねじ部材３０（図２参照）を、第１雌ねじ部２５及び第２雌ねじ部２６に螺合する。
【００１９】
これにより、冷却器３は、図９に示すように、ケース４の収納空間Ｓ１にＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを配置した状態でケース４の底部４ａに着脱自在に外付けされる。
図２及び図３に示すように、ケース４の収納空間Ｓ１を横切るように、交流出力端子台２９，３１、基板保持板３２が固定され、交流出力端子台３１及び基板保持板３２の上部に制御回路基板１１が支持されている。これにより、制御回路基板１１は、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの上方位置で収納空間Ｓ１に配置される。
図３に示すように、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの上面から突出している上アーム用リードフレーム２１、下アーム用リードフレーム２２は、基板保持板３２を通過して制御回路基板１１のランドを有するスルーホール（不図示）に挿通され、上アーム用リードフレーム２１、下アーム用リードフレーム２２とスルーホールの間が半田付けされる。
【００２０】
また、図２に示すように、ケース４の収納空間Ｓ１に、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに隣接して平滑コンデンサ１２が配置され、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの正極側接続端子１８及び負極側接続端子１９と平滑コンデンサ１２の正負の電極が接続されている。
また、ケース４の収納空間Ｓ２に交流出力コネクタ１４が配置され、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの出力端子２０と交流出力コネクタ１４とがブスバー３３を介して接続されている。なお、ブスバー３３は、ケース４の収納空間Ｓ１に配置した交流出力端子台２９，３１で支持されている。
【００２１】
さらに、ケース４の収納空間Ｓ３に、直流入力端子台２８及び直流入力コネクタ１３が配置され、この直流入力コネクタ１３と平滑コンデンサ１２とがブスバー３４を介して接続されている。なお、ブスバー３４は、直流入力端子台２８の上部で支持されている。
そして、図２及び図３に示すように、ケース４の取付けフランジ７にガスケット６を載せ、ガスケット６上にカバー５の外周縁部を載せ、カバー５のねじ挿通孔５ａ及びガスケット６のねじ挿通孔６ａに挿通したねじ部材３５を、取付けフランジ７のねじ孔７ａに螺合することで、ケース４の上部開口部が閉塞される。これにより、筐体２に収納されたＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗ、制御回路基板１１、平滑コンデンサ１２、直流入力コネクタ１３及び交流出力コネクタ１４に対して、外気との液密封止が施される。
【００２２】
［第１実施形態の電力変換装置の動作］
この状態で、外部のコンバータ（図示せず）から直流入力コネクタ１３を介して直流電力が供給され、制御回路基板１１から例えばパルス幅変調信号でなるゲート信号をＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに供給する。すなわち、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに対して１２０度ずれたゲート信号でオン・オフ制御することにより、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の３相交流が交流出力コネクタ１４を介して負荷に出力される。
このように、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗが動作状態となると、各ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの樹脂パッケージ１７に埋め込まれている上アーム半導体チップ、下アーム半導体チップが発熱状態となる。
【００２３】
これら上アーム半導体チップ、下アーム半導体チップの発熱は、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗが冷却器３の冷却器本体１５の接合面１５ｃに接合されているので、冷却器本体１５に熱伝導される。そして、冷却器本体１５に伝熱された熱は、冷却器３の冷却水供給口１５ａから供給され、内部を循環して冷却水排出口１５ｂから排出される冷却水により冷却される。このように、冷却器３に一体化されたＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗが、効率良く冷却される。
ここで、本発明に係るパワー半導体モジュールがＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに対応し、本発明に係る筐体がケース４に対応し、本発明に係る収納空間が収納空間Ｓ１に対応し、本発明に係る開口部がＩＧＢＴモジュール用開口部８に対応している。
【００２４】
［第１実施形態の電力変換装置の効果］
次に、第１実施形態の電力変換装置１の効果について説明する。
ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８を閉塞して固定される冷却器３を、ケース４の構成部材として使用しているので、製造コストの低減化を図ることができるとともに、ケース４の小型、軽量化を図るこができる。
また、ケース４に冷却器３を固定するだけで、冷却器３に一体化された３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗがケース４の収納空間Ｓ１に配置され、冷却器３内部を循環する冷却水の液密を保持する作業も不要となるので、容易に装置を組み立てることができる。
【００２５】
また、ケース４に冷却器３が外付けされているので、冷却水供給口１５ａ，冷却水排出口１５ｂにホースを脱着する際に、冷却器３の冷却水がケース３内部に浸入するおそれがない。
また、冷却器３の固定部１６が、ケース４のＩＧＢＴモジュール用開口部８の縁部に着脱自在に固定されているので、ケース４から取り外した冷却器３の冷却水漏れチェックなども容易に行うことができる。
【００２６】
また、第１実施形態の電力変換装置１は、ケース４及び冷却器３の両者がアルミニウム、又はアルミニウム合金で形成されており、ケース及び冷却器を銅、又は銅合金で形成する場合と比較して、電力変換装置１の軽量化を図ることができる。
また、ケース４及び冷却器３の両者を熱伝導率が高いアルミニウム、又はアルミニウム合金としたことで、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの発熱をケース４から外気に放出することができ、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの冷却効率を高めることができる。
さらに、ケース４及び冷却器３の両者を同一材料としたことで、ケース４及び冷却器３の両者に温度差が生じにくくなり、熱応力の発生によるケース４及び冷却器３の早期劣化を防止することができる。
【００２７】
［第２実施形態の電力変換装置］
次に、本発明の一態様に係る第２実施形態の電力変換装置４０について、図１０を参照して説明する。なお、図１から図９で示した第１実施形態の電力変換装置と同一構成部分には、同一符号を付して説明は省略する。
第２実施形態の電力変換装置４０は、筐体４１と、筐体４１の底面に着脱自在に固定された冷却器３とを備えている。
筐体４１は、ケース４２、カバー４３、ガスケット６で構成されている。
ケース４２は、合成樹脂を材料として形成されており、その形状は第１実施形態のケース４と同一である。
【００２８】
カバー４３も、合成樹脂を材料として形成されており、その形状は第１実施形態のカバー５と同一である。
冷却器３は、第１実施形態と同様に、アルミニウム、又はアルミニウム合金を材料として形成されている。
そして、筐体４１には、第１実施形態と同様に、冷却器３に接合された３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗと、これらＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを駆動する駆動回路等が実装された制御回路基板１１と、平滑コンデンサ１２と、直流入力コネクタ１３と、交流出力コネクタ１４とが収納されている。
【００２９】
この第２実施形態の電力変換装置４０によると、３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの動作による発熱は冷却器本体１５に熱伝導され、冷却器本体１５を循環する冷却水により冷却されるので、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを効率良く冷却することができる。
そして、第２実施形態の電力変換装置４０は、ケース４２の材料として合成樹脂を使用しているので、ケース４の材料をアルミニウム、又はアルミニウム合金とした第１実施形態の電力変換装置１と比較して軽量化を図ることができる。
また、合成樹脂製のケース４２は、アルミニウム、又はアルミニウム合金製のケース４と比較して安価に製造することができるので、第１実施形態の電力変換装置１と比較して、第２実施形態の電力変換装置４０の製造コストを低減することができる。
【００３０】
［第３実施形態の電力変換装置］
次に、本発明の一態様に係る第３実施形態の電力変換装置４５について、図１１を参照して説明する。
第３実施形態の電力変換装置４５は、筐体４１と、筐体４１の底面に着脱自在に固定された冷却器４６とを備えている。
筐体４１は、第２実施形態の電力変換装置４０と同様に、合成樹脂製のケース４２及びカバー４３である。
冷却器４６は、銅、又は銅合金を材料として形成され、第１実施形態の電力変換装置１の冷却器３と同一形状とされている。すなわち、図１１の符号４６ａは、銅、又は銅合金製の冷却水供給口、符号４６ｂは、銅、又は銅合金製の冷却水排出口である。
【００３１】
そして、筐体４１には、第１実施形態と同様に、冷却器４６に接合された３つのＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗと、これらＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗを駆動する駆動回路等が実装された制御回路基板１１と、平滑コンデンサ１２と、直流入力コネクタ１３と、交流出力コネクタ１４とが収納されている。
この第３実施形態の電力変換装置４５の冷却器４６は、アルミニウム、又はアルミニウム合金より熱伝導率が高い銅、又は銅合金で形成されているので、冷却器３をアルミニウム、又はアルミニウム合金で形成した第１実施形態の電力変換装置１、第２実施形態の電力変換装置４０と比較して、冷却器４６のＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗに対する冷却能力を高めることができる。
【００３２】
また、第３実施形態の電力変換装置４５も、ケース４２の材料として合成樹脂を使用しているので軽量化を図ることができるとともに、製造コストの低減化を図ることができる。
また、第３実施形態の電力変換装置４５の合成樹脂製のケース４２に替えて、第１実施形態の電力変換装置１のアルミニウム、又はアルミニウム合金製のケース４を使用すると、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの発熱をケース４から外気に放出することができ、ＩＧＢＴモジュール１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗの冷却効率を高めることができる。
なお、第３実施形態の電力変換装置４５のケースを合成樹脂、或いはアルミニウム、又はアルミニウム合金で形成したが、銅、又は銅合金より熱伝導率が低い他の材料でケースを形成してもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１，４０，４５  電力変換装置
２，４１  筐体
３，４６  冷却器
４，４２  ケース
４ａ  底部
４ｂ  側壁部
４ｃ  上部開口部
５，４３  カバー
５ａ  ねじ挿通孔
６  ガスケット
６ａ  ねじ挿通孔
７  取付けフランジ部
７ａ  ねじ孔
８  ＩＧＢＴモジュール用開口部
１０Ｕ、１０Ｖ、１０Ｗ  ＩＧＢＴモジュール
１１  制御回路基板
１２  平滑コンデンサ
１３  直流入力コネクタ
１４  交流出力コネクタ
１５  冷却器本体
１５ａ，４６ａ  冷却水供給口
１５ｂ，４６ｂ  冷却水排出口
１５ｃ  接合面
１６  固定部
１６ａ  ねじ挿通孔
１７  樹脂パッケージ
１７ａ  第１の側面
１７ｂ  第２の側面
１８  正極側接続端子
１９  負極側接続端子
２０  出力端子
２１  上アーム用リードフレーム
２１ｇ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極
２１ｅｓ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのエミッタ電流センス電極
２２  下アーム用リードフレーム  ２２
２２ｇ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＵのゲート電極
２２ｅｓ  逆導通ＩＧＢＴモジュールＱＬのエミッタ電流センス電極
２５  第１雌ねじ部
２５ａ  雌ねじ
２６  第２雌ねじ部
２６ａ  雌ねじ
２７  第３雌ねじ部
２７ａ  雌ねじ
２８  直流入力端子台
２９，３１  交流出力端子台
３０  ねじ部材
３２  基板保持板
３３，３４  ブスバー
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３  収納空間
ＱＵ  逆導通ＩＧＢＴモジュール
ＱＬ  逆導通ＩＧＢＴモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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