(57)【要約】      （修正有）【課題】所望のドレイン飽和電流特性の向上を図りつつ撮像素子の高画素化を図るとともに、撮像された画像の輝度ムラを抑制し得る撮像素子を提供する。【解決手段】電子放出源をマトリクス状に配置した電子放出源アレイ350と、電子放出源アレイ350に近接して対向配置された光電変換膜330と、該電子放出源アレイ350を駆動するためのマトリクス駆動回路を備えた撮像装置であって、マトリクス駆動回路の各画素部に配置したトランジスタ358のゲート電極355に、所望の振幅の電圧パルスを印加するための電源部512を備えてる。また、電源部512の電圧値は、トランジスタ358のドレイン電圧‐ドレイン電極特性のグラフにおいて、トランジスタ358のドレイン飽和電流が電子放出源アレイ350の放射電流を下回る範囲が生じるように、かつトランジスタ358のドレイン電圧が該範囲の所定電圧となるように設定されている。【選択図】図１
2017188265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出源をマトリクス状に配置した電子放出源アレイと、該電子放出源アレイに近接して対向配置された光電変換膜と、該電子放出源アレイを駆動するためのアクティブマトリクス駆動回路を備えた撮像装置において、
前記アクティブマトリクス駆動回路の画素部に配置したトランジスタのゲート部に、所定の振幅の電圧パルスを印加する電源部を備え、
前記電源部の電圧値は、前記トランジスタのドレイン電圧‐ドレイン電極特性のグラフにおいて、前記トランジスタのドレイン飽和電流が前記電子放出源アレイの放射電流を下回る範囲が生じるように、かつ前記トランジスタのドレイン電圧が該範囲の所定電圧となるように設定されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画素部毎にトランジスタと抵抗によるレベルシフタ回路が設けられ、前記電子放出源アレイのエミッタ電極と該トランジスタのドレイン部が接続された回路構成とされていることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記画素部毎に１対のトランジスタによるインバータ回路が設けられ、前記電子放出源アレイのエミッタ電極と該１対のトランジスタの共通ドレイン部が接続された回路構成とされていることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記トランジスタのゲート部に所定のパルス電圧を印加する水平走査回路部、および前記トランジスタのソース部に所定のパルス電圧を印加する垂直走査回路部、を備えたことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、暗い中でも撮像でき、夜間の高感度撮影に適した撮像装置に関し、詳しくは、素子を加熱することなく、電界によって電子を引き出す電子放出源をマトリクス状に配置した電子放出源アレイと、例えばFEA-HARP（Field Emitter Array - High gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor）等の光電変換膜とを備えた撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子放出源アレイと光電変換膜とを備えた撮像装置が提案されている。この電子放出源アレイは、複数の電子放出源（例えば、Ｓｐｉｎｄｔ型）をマトリクス状に配列したアレイであり、真空空間を隔てて光電変換膜と対向するように保持されている。
このような撮像装置では、外部から光が入射することで光電変換膜に生成されて蓄積された正孔を、電子放出源アレイから順次放出される電子で読み出すことにより、時系列的に映像信号を得ている（下記特許文献１を参照）。
【０００３】
ところで、上述したような撮像装置の出力画像における輝度ムラは、電子放出源アレイから放射される電子量の画素間のばらつきに大きく依存し、光電変換膜上での照射電子量のばらつきが大きく、光電変換膜での照射電子量が光電変換膜の蓄積電荷量を下回る画素が増えるほど、輝度ムラが大きなものとなり、画質が大幅に劣化する。
【０００４】
そこで、電子放出源アレイから放射される電子量のばらつきを抑制し、極めて安定な放出電流が得られるように、電子放出源アレイの各陰極（本願明細書の実施形態においてはエミッタ電極と称する）毎に配置された電子放出源駆動部を構成するトランジスタ（MOSFET）の定電流作用を利用する手法が提案されている（下記非特許文献１を参照）。
【０００５】
さらに、各電子放出源の下部にトランジスタを配置する手法も提案されている。すなわち、電子放出源アレイが、電子を放出する陰極と、陰極から電子を引き出す引出電極と、陰極と引出電極との間の電位差を切り替える画素トランジスタを備えており、この画素トランジスタは、各陰極の下部に位置するように構成されている（下記特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５０４１８７５号
【特許文献２】特開２０１４−２２９４３７号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会 IDY99-14 pp.77-82（1999）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記非特許文献１の発明によっては、画素内の同一平面上に電子放出源アレイとトランジスタを配置するため、画素部の微細化が困難であり、撮像装置の多画素化を図ることが難しい。
また、上記特許文献２に記載された発明のように、各電子放出源の下部にトランジスタを配置する構成においては、ドレイン飽和電流を下げるためにトランジスタのチャネル長
を大きくすることが必須条件となるとともに、トランジスタのドレイン耐圧を確保するためにトランジスタの配設面積を大きくする必要がある。このことから、所望のドレイン飽和電流特性の向上を図るとともに、トランジスタの高密度化を図ることで撮像素子の高画素化を実現することは難しい、とされていた。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、所望のドレイン飽和電流特性の向上を図りつつ撮像素子の高画素化を図るとともに、撮像された画像の輝度ムラを抑制し得る撮像装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した本発明の目的は、以下のように構成された撮像装置により達成される。
すなわち、本発明の撮像装置は、
電子放出源をマトリクス状に配置した電子放出源アレイと、該電子放出源アレイに近接して対向配置された光電変換膜と、該電子放出源アレイを駆動するためのアクティブマトリクス駆動回路を備えた撮像装置において、
前記アクティブマトリクス駆動回路の画素部に配置したトランジスタのゲート部に、所定の振幅の電圧パルスを印加する電源部を備え、
前記電源部の電圧値は、前記トランジスタのドレイン電圧‐ドレイン電極特性のグラフにおいて、前記トランジスタのドレイン飽和電流が前記電子放出源アレイの放射電流を下回る範囲が生じるように、かつ前記トランジスタのドレイン電圧が該範囲の所定電圧となるように設定されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記画素部毎にトランジスタと抵抗によるレベルシフタ回路が設けられ、前記電子放出源アレイのエミッタ電極と該トランジスタのドレイン部が接続された回路構成とされていることができる。
【００１２】
また、前記画素部毎に１対のトランジスタによるインバータ回路が設けられ、前記電子放出源アレイのエミッタ電極と該１対のトランジスタの共通ドレイン部が接続された回路構成とされていることができる。
また、前記トランジスタのゲート部に所定のパルス電圧を印加する水平走査回路部、および前記トランジスタのソース部に所定のパルス電圧を印加する垂直走査回路部、を備えたことができる。
なお、さらに好ましくは、前記電子放出源アレイのエミッタ電極に、前記トランジスタのドレイン部からのパルス電圧が印加される。
【発明の効果】
【００１３】
一般に撮像装置における電子放出源アレイにおいては、放射される電子ビーム量（電流量）が画素毎に少しずつ異なっている。全ての画素において、光電変換膜での照射電子量が光電変換膜に蓄積される電荷量を上回っている場合、蓄積電荷は全て読みだされるため、電子ビーム量の画素ごとのバラつきに依らず、輝度ムラは発生しない。しかし、光電変換膜での照射電子量が光電変換膜に蓄積される電荷量を下回る画素が多く存在する場合、光電変換膜に蓄積された電荷を読み残す画素が多く発生し、輝度ムラが発生する。
本発明の撮像素子においては、アクティブマトリクス駆動回路の画素部に配置したトランジスタのゲート部に、所望の振幅の電圧パルスを印加するための電源部の電圧値を、前記トランジスタのドレイン電圧‐ドレイン電極特性のグラフにおいて、前記トランジスタのドレイン飽和電流が前記電子放出源アレイの放射電流を下回る範囲が生じるように、かつ前記トランジスタのドレイン電圧が該範囲の所定電圧となるように設定されている。
これにより、電子放出源アレイの各画素から放射される電流量はトランジスタのドレイン飽和電流に律即されるため、画素間のばらつきを抑制することができる。
すなわち、本発明の撮像装置においては、放射される電流量を、画素全てについて、回
路的に一定値に規制することで、画素間のバラつきを抑えるようにしており、従来技術と比べて輝度ムラを抑制した出力画像を取得することができる。
また、前述した従来技術のように、電子放出源駆動部を構成するトランジスタの大型化、およびトランジスタのチャネル長を大きくする必要がなく、トランジスタの配置面積を大きくとる必要がないので、トランジスタの高密度化を図ることができ、撮像素子の高画素化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る撮像素子の主要部を示す概略図（ａ）、および水平走査回路の内部構成を示す概略図（ｂ）である。
【図２】図１に示す実施形態に係る撮像装置の駆動回路部を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る撮像装置と、従来技術に係る撮像装置とのトランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を示すグラフ（（ａ）は本実施形態、（ｂ）は従来技術）である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る撮像素子の主要部を示す概略図（ａ）、および水平走査回路の内部構成を示す概略図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る撮像装置について図面を用いて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る撮像装置は、光学レンズ、撮像素子部、信号増幅・処理回路部、駆動回路部、電源部、およびメモリ部等を備えてなる。なお、その他、本実施形態の撮像装置は、クロック信号や同期信号等の制御信号を生成するとともに、これらの制御信号を、駆動回路部や信号増幅・処理回路部に送出する制御回路部を備えている。さらに、制御回路部は、撮像に係る映像信号の信号レベルに基づいて、電子放出源アレイの制御信号を生成し、駆動回路部に供給する。
【００１６】
また、上記光学レンズにより集束された被写体情報を担持した光は、この光学レンズによって撮像素子部の光電変換膜上において結像される。
【００１７】
さらに、メモリ部は、信号増幅・処理回路部から出力される映像信号を記録・保存する記憶機能を有し、例えば、周知のＲＯＭやＲＡＭにより構成される。
【００１８】
また、駆動回路部は、水平走査回路および垂直走査回路を含み、制御回路部から供給されたクロック信号や同期信号、電子放出源アレイ制御信号等に基づいて、撮像素子部を動作させるために必要なパルス電圧等を生成し、供給する。
【００１９】
また、電源部は撮像装置内各部に給電するものであり、各部のうちいくつかに共通して電力を供給する電源を設けてもよいが、以下の記載においては、各部に給電する電源毎に分かれた形式とする。
【００２０】
なお、上記映像信号の記録、保存用にメモリ部を用いることが示されているが、このメモリ部に替えて周知の映像信号遅延回路を用いることも可能である。
以下、本発明の撮像装置の主要部分である撮像素子部、信号増幅・処理回路部、駆動回路部および電源部について、図１（ａ）、（ｂ）を用いて詳細に説明する。
【００２１】
図１（ａ）に示された、撮像装置の構成の主要部を拡大して示す概略図によれば、本実施形態に係る撮像装置本体部は、撮像素子部として、透光性基板310、透光性導電膜320、光電変換膜330、メッシュ状電極340およびSpindt（スピント）型の電子放出源アレイ350
を備えている。また、駆動回路部として水平走査回路511および垂直走査回路521およびこ
れらの走査回路からのパルス信号が入力されるトランジスタ358や抵抗359等を備えている。なお、これらトランジスタ358および抵抗359は各画素毎に設けられている。
さらに、信号増幅・処理回路部として信号増幅・処理回路400を備えている。
また、電源711、抵抗712およびコンデンサ713によってこの撮像装置本体部に接続され
る外部回路710が形成されている。
【００２２】
また、水平走査回路511には、水平バッファ回路514に対して所定の電圧を供給する電圧可変電源512が接続されており、また、垂直走査回路521には、インバータ回路514と同様
に構成されたインバータ回路（図示せず）に対して所定の電圧を供給する電源522が接続
されている。
また、電圧可変電源512の出力電圧値によって、トランジスタ358のドレイン電流（飽和電流）が変化し、後述するように、このドレイン電流値が電子放出源アレイ350の各エミ
ッタ電極356からの放射電流量を下回る範囲となるまで、トランジスタ358のゲート電圧を低下させるように調整され、さらに、このドレイン電圧が該範囲の所定電圧となるように設定されている
【００２３】
以下、本実施形態について、駆動回路部および撮像素子部を中心として、より詳しく説明する。
駆動回路部の主要構成部である、電子放出源アレイ350の駆動回路（図２を参照）200は、マトリクス状（格子状）に配列された複数の画素部（単位領域）365（図２を参照）を
備えている。
一方、撮像素子部を構成する撮像素子100は、例えばガラス基板で構成された透光性基
板310上に透光性導電膜320、および入射光を電荷に変換する光電変換膜330を積層してな
るもので、光電変換膜330側が電子放出源アレイ350と対向するように配置されており、この両者間は真空状態に保持されている。
【００２４】
なお、本実施形態においては、説明の便宜のために、図２に示すように、電子放出源アレイ350を５行５列の画素を有するものとして表しているが、ハイビジョン対応のもので
は、例えば、電子放出源アレイを1080行1920列の画素を有するものとされることとなる。
【００２５】
上記電子放出源アレイ350の各画素部には、電子放出源が設けられており、例えば円錐
状のスピント型素子で構成されたエミッタ電極356と、エミッタ電極356から電子を引き出すゲート電極355と、エミッタ電極356を駆動するトランジスタ（MOSFET）358と、電源360およびトランジスタ358のドレイン電極Dの間に接続された抵抗359を備えている。ここで
、トランジスタ358と抵抗359は、電源360から印加される電圧を調整してエミッタ電極356に供給するレベルシフタ（バッファ部）として機能するように構成されている。
【００２６】
なお、エミッタ電極356は、図１の紙面上方以外の周囲を絶縁層354によって覆われて絶縁されており、また、ゲート電極355によって引き出された電子が上方の光電変換膜330方向にのみ放出されるように調整されている。
また、メッシュ状電極340は、電子を通過させるホールを有し、電子の動きを制御し得
るように電圧V1が電源720から供給されるようになっている。
【００２７】
トランジスタ358は、上述したように、MOSFETにより構成され、ソース電極S、ゲート電極Gおよび前述したドレイン電極Dを有し、スイッチング素子として機能する。
また、上述したように、トランジスタ358のゲート電極Gは水平走査回路511に、ソース
電極Sは垂直走査回路521に、ドレイン電極Dは電子放出源アレイ350のエミッタ電極356お
よび抵抗359に、それぞれ接続されている。
【００２８】
また、抵抗359は、一端がトランジスタ358のドレイン電極Dおよびエミッタ電極356に接
続され、他端が電源360に接続されて電圧V2が印加されるように構成されている。
【００２９】
垂直走査回路521は、例えば振幅が０〜5Ｖのパルス信号を出力することによって、各垂直走査ラインを順次選択するようになっている。垂直走査回路521が選択した垂直走査ラ
インに接続された各トランジスタ358のソース電極Sには０Ｖが印加され、垂直走査回路521が選択していない垂直走査ラインに接続された画素トランジスタ358のソース電極Sには
５Ｖが印加される。
【００３０】
一方、水平走査回路511は、例えば振幅が０〜2.4Ｖのパルス信号を出力することによって、垂直走査回路521が選択した各垂直走査ライン上に配列された画素を、順次駆動でき
るようになっている。
【００３１】
具体的には、水平走査回路511は、垂直走査回路521が選択した垂直走査ラインに接続されたトランジスタ358のゲート電極Gに順次2.4Ｖを印加してその画素を駆動し、それ以外
の画素のトランジスタ358のゲート電極Gには０Ｖを印加することにより駆動しないようにして、順次水平走査を行うようになっている。ここで、ゲート電極Gに2.4Ｖが印加されたトランジスタ358はオン状態（導通状態）となり、ゲート電極Gに０Ｖが印加されたトランジスタ358はオフ状態（遮断状態）となる。
【００３２】
水平走査回路511がトランジスタ358をオン状態としている期間は、ハイビジョン方式では13.5ｎｓであり、その期間が80ｎｓであるＮＴＳＣ方式と比較すると1/6程度の期間と
なっているが、本実施形態の撮像装置によれば、このようにトランジスタ358のオン状態
期間が短期間であっても、十分良好な画質を得ることが期待できる。
【００３３】
このようにして構成された撮像装置本体部において、透光性基板310の上面から入射し
た光は、この透光性基板310上（図１（ａ）においては紙面下方）に形成された導電膜320を透過し、光電変換膜330に到達する。
この透過光が照射されたことに伴い、光電変換膜330内に電子・正孔対が生じる。また
、外部回路710に含まれる電源711によって、エミッタ電極356に印加される電圧より高い
電圧が各透光性導電膜320に印加されると、光電変換膜330内の正孔が、光電変換膜330の
中を電子放出源アレイ側に向かって移動し、光電変換膜330の電子放出源アレイ側端部付
近に蓄積される。
【００３４】
一方、水平走査回路511および垂直走査回路521からのパルス電圧は、各画素に配置したトランジスタ358のゲート電極Gおよびソース電極Sに印加され、さらにトランジスタ358と抵抗359を介して電子放出源アレイ350のエミッタ電極356に印加され、電子放出源アレイ350のエミッタ電極356からは画素毎に順次電子が光電変換膜330方向に放射される。なお、ゲート電極Gと電子放出源アレイ350のエミッタ電極356の間の電位差により、このエミッ
タ電極356の先端に電界が集中し電子が放射される。
水平走査回路511に電圧を印加する電圧可変電源512は、任意に電圧調整が可能であり、トランジスタ358のドレイン飽和電流値が電子放出源アレイ350の放射電流量を下回るように設定する。
【００３５】
なお、水平走査回路511は、図１（b）に示すように、シフトレジスタ513とインバータ
回路514を備えており、シフトレジスタ513からのパルス電流をインバータ回路514を介し
てトランジスタ358のゲート部に出力するような構成とされており、また、このインバー
タ回路514の一端側は電圧可変電源512に接続されるようになっている。
【００３６】
電子放出源アレイ350から放射された電子はメッシュ状電極340へと向かい、このメッシュ状電極340により加速され光電変換膜330に照射されることにより、この電子が光電変換
膜330内に蓄積されていた正孔と再結合する。この再結合によって消滅した電子を補うよ
うに電流が流れるため、この電流を透光性導電膜320から取り出すことができ、信号増幅
・処理回路400において電流値を増幅、検出する処理を行うことによって撮像素子部への
入射光の強度を電気信号の強度に変換することができる。
【００３７】
ところで、本実施形態の撮像装置においては、図３（ａ）のグラフに示すように、駆動回路部の各画素部に配置したトランジスタ358のゲート電極Gに所望の振幅の電圧パルスを印加するための電圧可変電源512の電圧値を調整して、電子放出源アレイ350の放射電流量よりもトランジスタ358のドレイン飽和電流値が下回る範囲（２本の縦破線に挟まれた範
囲）に設定されるようにしている。
【００３８】
すなわち、図３（ａ）のグラフにおいて、トランジスタ358のドレイン電流 ＜ 放射電
流 、となる範囲が生じるようにゲート電圧を設定（Vgate＝2.4Vに設定）し、実際にこの範囲となるように、ドレイン電圧（カソード電圧）を設定している。
【００３９】
これにより、電子放出源アレイ350から放射される電流量はトランジスタのドレイン飽
和電流に律即されるため、画素間のばらつきを抑制することができ、従来技術と比べて、電流量のばらつきに起因する輝度ムラが抑制された出力画像を取得することができる。なお、光電変換膜330に蓄積された電荷の読み出しに寄与しない過剰電子はメッシュ状電極340に戻され、回収される。
上述したことは、従来技術のドレイン電圧−ドレイン電流特性を示す、図２（ｂ）のグラフと比較すると明らかである。すなわち、従来技術においては、トランジスタのゲート電圧（Vgate）が５Ｖとされているので、ドレイン飽和電流値（トランジスタドレイン電
流）が大きい値となっており、この電流値が放射電流よりも下回る範囲は存在せず、画素間の放射電流のバラつきを抑制することは困難である。
【００４０】
＜第２実施形態＞
図４は本発明の第２実施形態に係る撮像装置を示すものである。
この第２実施形態に係る撮像装置は、駆動回路部の回路構成以外は上記第１実施形態の撮像装置と同様に構成されているので、対応する部材の符号については、第１実施形態の部材に付された符号に1000を加えた符号を第２実施形態の対応する部材の符号とするようにし、第１実施形態の部材と同じ機能を有するものについては詳細な説明を省略する。
【００４１】
第２実施形態の撮像装置は、第１実施形態の撮像装置と同様に、光学レンズ、撮像素子部、信号増幅・処理回路部、駆動回路部、電源部、制御回路部、およびメモリ部等を備えてなる。
【００４２】
第２実施形態の撮像装置は、ほぼ駆動回路部の構成においてのみ、第１実施形態の撮像装置と異なっている。
すなわち、上記第１実施形態の撮像装置においては、水平走査回路511からのパルス信
号はトランジスタ358のゲート電極Gに印加され、電子放出源アレイ350のエミッタ電極が
トランジスタ358のドレイン電極Dに接続され、また、ドレイン電極Dは抵抗359を介して電源360に接続されている。
【００４３】
これに対して、第２実施形態の撮像装置においては、第１実施形態のトランジスタ358
の位置にトランジスタ1358Aが配されるとともに、抵抗359に替えてトランジスタ1358Bが
配されており、これら1対のトランジスタ1358A、1358Bによってインバータ回路が構成さ
れている点で異なっている。
さらに、水平走査回路1511からのパルス信号はトランジスタ1358Aおよびトランジスタ1358Bのゲート電極Gに印加され、電子放出源アレイ1350のエミッタ電極1356がトランジス
タ1358A、1358Bの共通ドレイン電極Dに接続されており、また、トランジスタ1358Bのソース電極Sが電源360に接続されるように構成されている。これにより、エミッタ電極1356に対して、パルス信号が、１対のトランジスタ1358A、1358Bから交互に出力されることとなる。
【００４４】
なお、トランジスタ1358Aのソース電極Sは、垂直走査回路1521に接続されている。
また、水平走査回路1511の内部は、シフトレジスタ1513からのパルス信号が２段のインバータ回路1514に入力されるように構成されており、それぞれのインバータ回路1514に対して電圧可変電源1512が接続されている。
【００４５】
また、垂直走査回路1521には、インバータ回路1514と同様に構成された垂直バッファ回路（図示せず）に対して所定の電圧を供給する電源1522が接続されている。
この第２実施形態に係る撮像装置によっても、上述した第１実施形態に係る撮像装置と同様に、電子放出源アレイ1350から放射される電流量はトランジスタのドレイン飽和電流に律即されるため、画素間のばらつきを抑制することができ、従来技術と比べて、電流量のばらつきに起因する輝度ムラが抑制された出力画像を取得することができる。
【００４６】
なお、本発明の撮像装置としては上記実施形態のものに限られるものではなく、その他の種々の態様のものに変更が可能である。
例えば、上記水平走査回路511、1511に電圧を供給する電源としては、必ずしも電圧可
変タイプのものでなくてもよく、最適な値が既知であれば、事前にその値に設定した固定電圧電源を用いることもできる。
また、単位領域365内に、エミッタ電極356から放出される電子ビームを光電変換膜３３０上に集束させ得るように、エミッタ電極356を囲むゲート電極３５５上に集束電極を形
成するようにしてもよい。
【００４７】
また、電子放出源アレイとしても種々のタイプのものを使用可能であり、上述した実施形態のもののように高融点金属をエミッタ電極に用いたＳｐｉｎｄｔ型電子放出源の外、シリコンをエミッタ電極に用いたシリコンコーン型電子放出源、あるいは、ポーラスシリコンや酸化シリコン等を電極で挟んだ平面型電子放出源等の電子放出源からなるマトリクスアレイ等を採用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
100、1100      撮像素子
200            駆動回路
310、1310      透光性基板
320、1320      透光性導電膜
330、1330      光電変換膜
340、1340      メッシュ状電極
350、1350      電子放出源アレイ
353、1353      陰極
354、1354      絶縁層
355、1355      ゲート電極
356、1356      エミッタ電極
358、1358A、1358B      トランジスタ
359、712、1712      抵抗
360、522、524、711、720、1360、1522、1524、1711、1722      電源
365            単位領域
400、1400      信号増幅・処理回路
511、1511      水平走査回路
512、1512      電圧可変電源
513、1513      シフトレジスタ
514、1514      インバータ回路
521、1521      垂直走査回路
710、1710      外部回路
713、1713      コンデンサ
S          ソース電極
G          ゲート電極
D          ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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