(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子の製造方法及び製造システムを提供する。【解決手段】半導体発光素子１は、基板３と、基板３の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層１１、活性層９、及び第一半導体層１１とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層５と、半導体層５の所定の領域に形成され、活性層９から放射される光に対して透光性を有し、半導体層５とは異なる材料で構成された、識別体とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記半導体層の所定の領域に形成され、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された、識別体とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記識別体は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記半導体層に対して電子線が照射されると、前記半導体層のうち、前記識別体が形成されている領域と前記識別体が形成されていない領域とで反射電子強度が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記識別体は、樹脂材料又は無機材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
基板を準備する工程（ａ）と、
前記基板の上層に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体層の所定の領域に、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された識別体を付与する工程（ｃ）とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に前記識別体を付与する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）よりも後で、前記工程（ｃ）よりも前に、前記半導体層の面のうちの、前記工程（ｃ）で前記識別体が形成される側の面上に電極を形成する工程（ｄ）を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｃ）は、
一方の面に粘着層を有すると共に、前記粘着層側の面に、所定の材料からなる前記識別体が形成されたシート部材を準備する工程（ｃ１）と、
前記シート部材の前記粘着層側を、前記半導体層の露出されている面上に貼り合わせる工程（ｃ２）と、
前記シート部材を介して、前記粘着層に対して前記粘着層の粘着力を低下させる波長の光を照射する工程（ｃ３）と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ４）とを有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）は、
粘着力を有する材料からなる前記識別体が一方の面に形成されたシート部材を準備する工程（ｃ５）と、
前記シート部材の、前記識別体が形成された側の面を、前記半導体層の露出されている面上に、押圧しながら貼り合わせる工程（ｃ６）と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ７）とを有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｃ）は、
所定のパターンで貫通孔が形成されたマスク部材を準備する工程（ｃ８）と、
前記マスク部材を前記半導体層の上面に載置する工程（ｃ９）と、
前記マスク部材の上方から、前記識別体を構成する流動性材料を塗布して、当該流動性材料を前記貫通孔を介して前記半導体層の上面に付着させる工程（ｃ１０）と、
前記マスク部材を取り外す工程（ｃ１１）と、を有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｃ）の後、加熱処理を行って形成された前記識別体を固定化させる工程（ｃ１２）を有することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記識別体が樹脂材料又は無機材料からなることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｃ）は、
前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料からなるレジストを前記半導体層の上面に形成する工程（ｃ１３）と、
所定のパターン形状を有するマスク部材を前記レジストの上方に形成する工程（ｃ１４）と、
前記マスク部材を介して前記レジストを感光可能な光を照射する工程（ｃ１５）と、
所定の現像液を前記レジストに接触させ、前記工程（ｃ１５）において光が照射された領域内の前記レジストを溶解すると共に、前記半導体層の上面に残存する前記レジストによって前記識別体を形成する工程（ｃ１６）とを有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記半導体層の所定の領域に、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された、識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに電子線を照射して撮像する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造システム。
【請求項１５】
前記識別体付与部は、
一方の面に粘着層を有すると共に、前記粘着層側の面に、所定の材料からなる前記識別体が形成されたシート部材の前記粘着層側を、前記半導体層の露出されている面上に貼り合わせる、第一処理部と、
前記シート部材を介して、前記粘着層に対して前記粘着層の粘着力を低下させる波長の光を照射する、第二処理部と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる、第三処理部とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子の製造システム。
【請求項１６】
前記識別体付与部は、
粘着力を有する材料からなる前記識別体が一方の面に形成されたシート部材の、前記識別体が形成された側の面を、前記半導体層の露出されている面上に、押圧しながら貼り合わせる、第一処理部と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる、第二処理部とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子の製造システム。
【請求項１７】
前記識別体付与部は、
所定のパターンで貫通孔が形成されたマスク部材を前記半導体層の上面に載置する、第一処理部と、
前記マスク部材の上方から、前記識別体を構成する流動性材料を塗布して、当該流動性材料を前記貫通孔を介して前記半導体層の上面に付着させる、第二処理部と、
前記マスク部材を取り外す、第三処理部とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子の製造システム。
【請求項１８】
前記識別体付与部は、前記ウェハを加熱することで、前記半導体層に形成された前記識別体を固定化する加熱処理部を含むことを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造システム。
【請求項１９】
前記識別体付与部は、
前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料からなるレジストを前記半導体層の上面に形成し、その後に、所定のパターン形状を有するマスク部材を前記レジストの上方に形成する第一処理部と、
前記マスク部材を介して前記レジストを感光可能な光を照射する第二処理部と、
所定の現像液を前記レジストに接触させ、前記第二処理部において光が照射された領域内の前記レジストを溶解させると共に、前記半導体層の上面に、前記第二処理部において光が照射されなかった前記レジストを残存させることで、前記識別体を形成する第三処理部とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子の製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体発光素子は、例えば、一枚のウェハから厚さ数百μｍで１ｍｍ角のＬＥＤチップが大量に切り出されることによって製造されている。その具体的な製造工程の一例が、下記特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４２５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、工業製品を製造するに際しては、製品管理や品質管理を目的として、当該製品に対して、型番や製造時期を示す文字や記号がマーキング加工されるのが通例である。具体的な例としては、製品に対して識別用としての罫書き、刻印、又はラベル貼付等が施され、各製品に施されたこれらの識別用の情報に基づいて、当該製品の管理が行われている。特に近年では、製品のＩＴ管理・効率化が推し進められており、製造又は流通等における製品管理や品質管理の必要性が高まっている。
【０００５】
しかしながら、半導体発光素子の分野においては、精密な製造工程が必要とされているため、製造工程時の中間品や製品自体に、上述のようなマーキング加工を施すことは困難であり、これまで行われていない。現時点では、最終製品の包装物等に識別文字や記号が付与され、この情報に基づいて最終製品の管理が行われている。
【０００６】
半導体発光素子を製造するにあたっては、異なる装置を用いた複数の工程を経る必要がある。このため、製造途中の中間品が、次の工程で用いられる装置の設置された場所に運搬されることになる。また、工程の内容によっては、別の業者に該当する工程の実行を依頼する場合もあり、この場合は車輌等を用いて中間品を別の場所に運搬する必要性がある。これらの事情に鑑みると、製造過程において中間品の取り違えが生じる可能性は否定できない。
【０００７】
また、上述したように、最終製品については、これまで包装物等に識別文字や記号が付されるに留まっていたため、包装物を開封した後の製品については管理することができなかった。このため、誤った製品を機器に取り付けてしまう可能性は否定できない。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑み、半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体発光素子は、
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記半導体層の所定の領域に形成され、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された、識別体とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
半導体層に識別体を付与することで、基板と半導体層を含むウェハの段階で識別体を確認することで、当該ウェハ（中間品）の管理が可能となる。また、半導体発光素子の光取り出し面から半導体層に付与された識別体を確認することができ、最終製品の管理も可能となる。
【００１１】
更に、上記の構成では、識別体が、活性層から放射される光に対して透光性を有している。このため、半導体層が形成されている領域に識別体を形成しても、当該識別体で活性層から放射された光が吸収されることがない。このため、識別体が存在することによる光取り出し効率の低下を招くことがない。この結果、識別体の形成可能な領域が広くなり、識別体に多くの情報を付与することができる。
【００１２】
よって、前記識別体を、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に形成することも可能である。
【００１３】
前記半導体発光素子は、前記半導体層に対して電子線が照射されると、前記半導体層のうち、前記識別体が形成されている領域と前記識別体が形成されていない領域とで反射電子強度が異なるものとしても構わない。
【００１４】
電子線を物体に当てたとき、反射する電子数（電子強度）は構成されている物質の（平均）原子番号によって異なる。よって、識別体が透光性を有していたとしても、識別体の構成材料の平均原子番号と、半導体層の構成材料の平均原子番号を異ならせるように、識別体の構成材料を選択しておくことで、電子線照射によって識別体の情報を確認することができる。
【００１５】
前記識別体は、例えば樹脂材料や無機材料で構成することができる。樹脂材料としては、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂などを利用することができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＹＡＧなどの結晶材料や、石英ガラス、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、フッ化アルミニウム系ガラスなどのガラス材料などを利用することができる。なお、識別体として、樹脂系材料と無機材料が混合されたものを構成材料としても構わない。
【００１６】
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、
基板を準備する工程（ａ）と、
前記基板の上層に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体層の所定の領域に、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された識別体を付与する工程（ｃ）とを有することを特徴とする。
【００１７】
前記工程（ｃ）は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に前記識別体を付与する工程としても構わない。
【００１８】
また、前記工程（ｂ）よりも後で、前記工程（ｃ）よりも前に、前記半導体層の面のうちの、前記工程（ｃ）で前記識別体が形成される側の面上に電極を形成する工程（ｄ）を有するものとしても構わない。
【００１９】
このような構成によれば、識別体の形成後に結晶成長や電極形成を行う必要がないため、識別体が高温下にさらされることがなく、識別体を安定的に定着させることができる。
【００２０】
前記工程（ｃ）は、例えば以下の４つの方法で実現することができる。
【００２１】
第一の方法は、
前記工程（ｃ）が、
一方の面に粘着層を有すると共に、前記粘着層側の面に、所定の材料からなる前記識別体が形成されたシート部材を準備する工程（ｃ１）と、
前記シート部材の前記粘着層側を、前記半導体層の露出されている面上に貼り合わせる工程（ｃ２）と、
前記シート部材を介して、前記粘着層に対して前記粘着層の粘着力を低下させる波長の光を照射する工程（ｃ３）と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ４）とを有することを特徴とする。
【００２２】
このとき、前記粘着層は、所定の波長の光が照射されることで粘着力が低下するような材料で構成されているものとして構わない。また、シート部材は、当該所定の波長の光が透過するような材料で構成されているものとして構わない。
【００２３】
また、工程（ｃ１）の状態でシート部材の上面に形成されている識別体は、シート部材上には定着されているものの、完全には硬化されていない性質を有する状態で形成されているものとして構わない。工程（ｃ３）において光が照射されることで、粘着層の粘着力が低下するため、シート部材と半導体層の間の粘着性、及び識別体とシート部材との間の粘着性が低下する。この結果、シート部材が剥離されると、識別体のみが半導体層側に残存する。
【００２４】
第二の方法は、
前記工程（ｃ）が、
粘着力を有する材料からなる前記識別体が一方の面に形成されたシート部材を準備する工程（ｃ５）と、
前記シート部材の、前記識別体が形成された側の面を、前記半導体層の露出されている面上に、押圧しながら貼り合わせる工程（ｃ６）と、
前記シート部材を前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ７）とを有することを特徴とする。
【００２５】
第三の方法は、
前記工程（ｃ）が、
所定のパターンで貫通孔が形成されたマスク部材を準備する工程（ｃ８）と、
前記マスク部材を前記半導体層の上面に載置する工程（ｃ９）と、
前記マスク部材の上方から、前記識別体を構成する流動性材料を塗布して、当該流動性材料を前記貫通孔を介して前記半導体層の上面に付着させる工程（ｃ１０）と、
前記マスク部材を取り外す工程（ｃ１１）と、を有することを特徴とする。
【００２６】
前記工程（ｃ１０）は、例えばスクリーン印刷の技術を利用することができる。
【００２７】
第四の方法は、
前記工程（ｃ）が、
前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料からなるレジストを前記半導体層の上面に形成する工程（ｃ１３）と、
所定のパターン形状を有するマスク部材を前記レジストの上方に形成する工程（ｃ１４）と、
前記マスク部材を介して前記レジストを感光可能な光を照射する工程（ｃ１５）と、
所定の現像液を前記レジストに接触させ、前記工程（ｃ１５）において光が照射された領域内の前記レジストを溶解すると共に、前記半導体層の上面に残存する前記レジストによって前記識別体を形成する工程（ｃ１６）とを有することを特徴とする。
【００２８】
前記工程（ｃ１５）において、光を照射した後に加熱するものとしても構わない。また、前記工程（ｃ１６）において、レジストを溶解した後に加熱するものとしても構わない。
【００２９】
また、本発明に係る半導体発光素子の製造システムは、
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記半導体層の所定の領域に、前記活性層から放射される光に対して透光性を有し、前記半導体層とは異なる材料で構成された、識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに電子線を照射して撮像する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする。
【００３０】
上記のシステムによれば、照合部において、撮像部でウェハを撮像することで得られたデータと、記憶部で記憶されている管理情報とが照合される。ここで、ウェハに対して上記識別体が付与されていれば、照合部において当該ウェハの識別情報を検出することができるため、ウェハの管理が可能となる。撮像部では、ウェハに電子線が照射されるため、識別体が活性層から放射される光に対して透光性を有していても、識別体の存在領域と非存在領域との間の反射電子強度の相違によって、識別体を撮像することができる。
【００３１】
ここで、識別体付与部による処理が完了した時点で、撮像部がウェハを撮像し、当該撮像データに基づいてウェハに形成された識別体に関する情報を取得して記憶部に記憶させるものとしても構わない。また、撮像部によって最終製品が撮像され、照合部によって当該撮像されたデータと管理情報が照合されるものとしても構わない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、半導体発光素子を製造する過程で識別体を付与することができるため、当該識別体に基づいて半導体発光素子の中間品又は最終製品の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】半導体発光素子の一例を模式的に示す平面図である。
【図２】半導体発光素子の一例を模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｆ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｇ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｈ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｉ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｊ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｋ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ａ】ステップＳ１１の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図４Ｂ】ステップＳ１３の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図５】半導体発光素子の製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。
【図６】半導体発光素子の第二実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図７Ａ】半導体発光素子の第三実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図７Ｂ】ステップＳ３２の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図７Ｃ】半導体発光素子の第三実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ａ】半導体発光素子の第四実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ｂ】半導体発光素子の第四実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ｃ】ステップＳ４２の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図８Ｄ】半導体発光素子の第四実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ｅ】半導体発光素子の第四実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図９Ａ】半導体発光素子の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図９Ｂ】半導体発光素子の別の一例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムの各実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。
【００３５】
また、以下において、ＡｌＧａＮという記述は、ＡｌmＧａ1-mＮ（０＜ｍ＜１）という記述と同義であり、ＡｌとＧａの組成比の記述を単に省略して記載したものであって、ＡｌとＧａの組成比が１：１である場合に限定する趣旨ではない。ＩｎＧａＮ等という記述についても同様である。
【００３６】
＜第一実施形態＞
本発明の第一実施形態につき、説明する。
【００３７】
［構造］
図１は、半導体発光素子の一例を模式的に示す平面図である。図１に示す半導体発光素子１は、光取り出し面を上側に図示されている。図１では、光取り出し面をＸＹ平面とし、その奥行方向をＺ方向と規定している。なお、図１（ａ）、（ｂ）の違いについては後述される。
【００３８】
また、図２は、図１に示す半導体発光素子１を、ＸＺ平面に沿って切断したときの模式的な断面図である。図２に示すように、半導体発光素子１は、基板３と、半導体層５と、識別体２を有する。以下、詳細について説明する。また、以下では、半導体発光素子１を単に「発光素子１」と適宜略記することがある。
【００３９】
（基板３）
基板３は、例えばＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏなどの導電性基板、又はＳｉなどの半導体基板で構成される。
【００４０】
（半導体層５）
本実施形態では、半導体層５は、基板３に近い側からｐ型半導体層１１、活性層９及びｎ型半導体層７が順に積層されて形成されている。本実施形態では、ｎ型半導体層７が「第一半導体層」に対応し、ｐ型半導体層１１が「第二半導体層」に対応する。
【００４１】
ｐ型半導体層１１は、例えばＭｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、又はＣなどのｐ型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。窒化物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等を利用することができる。
【００４２】
活性層９は、例えばＩｎＧａＮで構成される発光層及びｎ型ＡｌＧａＮで構成される障壁層が周期的に繰り返されてなる半導体層で形成される。これらの層はアンドープでもｐ型又はｎ型にドープされていても構わない。活性層９は、少なくともエネルギーバンドギャップの異なる２種類の材料からなる層が積層されて構成されていればよい。活性層９の構成材料は、生成したい光の波長に応じて適宜選択される。
【００４３】
ｎ型半導体層７は、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、又はＴｅなどのｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。この窒化物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等を利用することができる。なお、ｎ型半導体層７は、ｐ型半導体層１１と異なる組成の材料で構成されているものとしても構わない。
【００４４】
（第一電極１５）
第一電極１５は、ｎ型半導体層７の面のうち、活性層９とは反対側の面に形成されている。本実施形態では、第一電極１５はｎ側の電極を構成する。図１に示される例では、本実施形態の発光素子１が備える第一電極１５は、半導体層５（ｎ型半導体層７）の上面において、枠形状を示している。ただし、この構造はあくまで一例であり、第一電極１５の形状は図１に示す例には限られない。
【００４５】
（第二電極１３）
第二電極１３は、ｐ型半導体層１１に接触して形成されており、ｐ型半導体層１１との間でオーミック接触が形成されている。本実施形態では、第二電極１３はｐ側電極を構成する。
【００４６】
第一電極１５と第二電極１３の間に電圧が印加されることで、活性層９内を電流が流れ、活性層９が発光する。
【００４７】
第二電極１３は、活性層９から射出される光に対して高い反射率（例えば８０％以上であり、より好ましくは９０％以上）を示す導電性の材料で構成されるのが好ましい。より具体的には、第二電極１３は、例えばＡｇ、Ａｌ、又はＲｈを含む材料で構成される。上述したように、図１に示す発光素子１は、活性層９から放射された光をｎ型半導体層７側に取り出すことが想定されている。第二電極１３を高い反射率を示す材料で構成すると、活性層９から基板３側に向けて放射された光をｎ型半導体層７側に向けて反射させることで、光取り出し効率を高める機能も果たしている。
【００４８】
（導電層２０）
導電層２０は、基板３の上層に形成されている。本実施形態では、導電層２０は、保護層２３、接合層２１、接合層１９及び保護層１７の多層構造で構成されている。
【００４９】
接合層１９及び接合層２１は、例えばＡｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｉｎ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｓｎなどで構成される。後述するように、これらの接合層１９と接合層２１は、基板３上に形成された接合層２１と、別の基板（後述する成長基板２５）上に形成された接合層１９を対向させた後に、両者を貼り合わせることで形成されたものである。これらの接合層１９及び接合層２１は、単一の層として一体化されているものとしても構わない。
【００５０】
保護層１７は、例えばＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔの多層構造で構成されており、接合層（１９，２１）を構成する材料が第二電極１３側に拡散して、第二電極１３の反射率が低下することを抑制する目的で設けられている。ただし、発光素子１が保護層１７を備えるか否かは任意である。
【００５１】
保護層２３は、例えば保護層１７と同一の材料で構成され、接合層（１９，２１）を構成する材料が基板３側に拡散するのを抑制する目的で設けられている。ただし、発光素子１が保護層２３を備えるか否かは任意である。
【００５２】
（識別体２）
図２に示すように、本実施形態の発光素子１は、ｎ型半導体層７の上面の所定の領域に、所定の形状を有して形成された識別体２を有している。この識別体２は、活性層９から放射される光に対して透光性を示し、且つ、半導体層５（ｎ型半導体層７）とは異なる材料で構成されている。識別体２は、例えば樹脂材料や無機材料で構成することができる。樹脂材料としては、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂などを利用することができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＹＡＧなどの結晶材料や、石英ガラス、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、フッ化アルミニウム系ガラスなどのガラス材料などを利用することができる。なお、識別体２として、樹脂系材料と無機材料が混合されたものを構成材料としても構わない。
【００５３】
活性層７から光が照射されている状態において、識別体２はこの光を透過させるため、識別体２を確認することができない。図１（ａ）は、このような状態の平面図を模式的に示したものである。
【００５４】
一方、発光素子１の光取り出し面に電子線が照射されると、光取り出し面を構成するｎ型半導体層７の構成原子と、識別体２の構成原子とが異なるため、反射される電子数が両者で相違する。この結果、識別体２が形成されている領域と、形成されていない領域とで反射電子強度が変化し、識別体２の形成されている領域が確認される。図１（ｂ）は、このような状態の平面図を模式的に示したものである。電子線を照射して確認する方法としては、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などを利用することができる。
【００５５】
このように、活性層９から放射される光に対して透光性を示す材料で識別体２が形成されているため、光取り出し面のどの領域に識別体２を形成しても、光取り出し効率が低下するということがない。つまり、識別体２の形成可能な領域が広い。従って、例えば、発光素子１の製造日、ロット番号、製造場所、その他多くの情報を識別体２に付与することも可能である。なお、識別体２としては、英数字、図形、模様、又はこれらが組み合わせられてなる形を示しているものとして構わない。
【００５６】
なお、図２で示した発光素子１は絶縁層２４を備える構造としたが、本発明において絶縁層２４を備えるか否かは任意である。
【００５７】
［製造方法］
次に、発光素子１の製造方法につき、図面を参照して説明する。なお、以下で説明する製造条件や膜厚等の寸法はあくまで一例である。
【００５８】
（ステップＳ１）
図３Ａに示すように、成長基板２５を準備する。成長基板２５としては、一例としてＣ面を有するサファイア基板を用いることができる。
【００５９】
準備工程として、成長基板２５のクリーニングを行う。このクリーニングは、より具体的な一例としては、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）装置の処理炉内に成長基板２５を配置し、処理炉内に所定の流量の水素ガスを流しながら、炉内温度を例えば１１５０℃に昇温することにより行われる。
【００６０】
ステップＳ１が工程（ａ）に対応する。
【００６１】
（ステップＳ２）
図３Ｂに示すように、成長基板２５の上層に、下地層２７、ｎ型半導体層７、活性層９、及びｐ型半導体層１１を順に形成する。このステップＳ２は、例えば以下の手順で行われる。
【００６２】
МОＣＶＤ装置の炉内圧力、炉内温度をそれぞれ所定の値に設定した状態で、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアンモニアを供給する。これにより、成長基板２５の表面にＧａＮよりなる低温バッファ層を形成する。
【００６３】
次に、ＭＯＣＶＤ装置の炉内温度を昇温する。そして、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、ＴＭＧ及びアンモニアを処理炉内に供給する。これにより、低温バッファ層の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層を形成する。これらのバッファ層により下地層２７が形成される。
【００６４】
次に、下地層２７の上層にｎ型半導体層７を形成する。ｎ型半導体層７の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００６５】
ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力及び炉内温度を所定の値に設定し、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア及びｎ型不純物をドープするためのテトラエチルシランを供給する。これにより、ＡｌＧａＮからなるｎ型半導体層７が下地層２７の上層に形成される。なお、この後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、それ以外の原料ガスを所定時間だけ供給することにより、ｎ型ＡｌＧａＮ層の上層に、薄膜のｎ型ＧａＮよりなる保護層を有してなるｎ型半導体層７を実現してもよい。
【００６６】
上記の説明では、ｎ型半導体層７に含まれるｎ型不純物をＳｉとする場合について説明したが、ｎ型不純物としては、Ｓｉ以外にＧｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ又はＴｅ等を用いることができる。
【００６７】
次に、ｎ型半導体層７の上層に活性層９を形成する。活性層９の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００６８】
ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力及び炉内温度を所定の値に設定し、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、ＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びアンモニアを供給するステップを行う。その後、ＴＭＧ、ＴＭＡ、テトラエチルシラン及びアンモニアを供給するステップを行う。以下、これらの２つのステップを繰り返すことにより、ＩｎＧａＮよりなる発光層、及びｎ型ＡｌＧａＮよりなる障壁層が複数周期積層されてなる活性層９が、ｎ型半導体層７の上層に形成される。
【００６９】
次に、活性層９の上層にｐ型半導体層１１を形成する。ｐ型半導体層１１の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００７０】
ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を所定の値に設定し、処理炉内にキャリアガスとして窒素ガス及び水素ガスを流しながら、炉内温度を昇温する。その後、原料ガスとして、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア及びｐ型不純物をドープするためのビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を供給する。これにより、活性層９の表面に、ＡｌＧａＮからなるｐ型半導体層１１が形成される。なお、この工程の後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、ＣＰ2Ｍｇの流量を上昇させて原料ガスを引き続き供給することにより、ｐ型ＡｌＧａＮ層の上層に、ｐ型不純物濃度が高濃度のｐ型ＧａＮ層を有してなるｐ型半導体層１１を実現してもよい。
【００７１】
上記の説明では、ｐ型半導体層１１に含まれるｐ型不純物をＭｇとする場合について説明したが、ｐ型不純物としては、Ｍｇ以外に、Ｂｅ、Ｚｎ、又はＣ等を用いることもできる。
【００７２】
ステップＳ２が工程（ｂ）に対応する。
【００７３】
（ステップＳ３）
ステップＳ２で得られたウェハに対して活性化処理を行う。具体的な一例としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal：急速加熱）装置を用いて、窒素雰囲気下中６５０℃で所定の時間だけ活性化処理を行う。
【００７４】
（ステップＳ４）
図３Ｃに示すように、ｐ型半導体層１１の上層に、絶縁層２４、第二電極１３、保護層１７、接合層１９を順次形成する。このステップＳ４は、例えば以下の手順で行われる。
【００７５】
ｐ型半導体層１１の上面のうち、所定の領域に絶縁層２４を形成する。絶縁層２４は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｚｒ2Ｏ3、ＡｌＮ、又はＡｌ2Ｏ3等をスパッタリング法等によって成膜することで形成される。
【００７６】
次に、ｐ型半導体層１１及び絶縁層２４の上面に第二電極１３を形成する。第二電極１３は、例えば、スパッタリング装置にてＮｉ／Ａｇを成膜した後、ＲＴＡ装置を用いてドライエア雰囲気中でコンタクトアニールを行うことで形成される。ここでは、一例として、第二電極１３の材料としてＮｉとＡｇの合金を挙げたが、ＡｌやＲｈ等を用いることもできる。上述したように、第二電極１３の材料としては、活性層９から放射される光に対する反射率の高い材料を用いるのが好ましい。
【００７７】
次に、第二電極１３の上面に保護層１７を形成し、保護層１７の上面に接合層１９を形成する。保護層１７は、例えば、電子線蒸着装置（ＥＢ装置）を用いて、ＴｉとＰｔを多周期積層させることで形成される。また、接合層１９は、例えば、Ａｕ−Ｓｎハンダを蒸着することで形成される。保護層１７を設けるか否かは任意である。
【００７８】
（ステップＳ５）
図３Ｄに示すように、成長基板２５とは別に準備された基板３の上面に、保護層２３及び接合層２１を形成する。基板３としては、上述したようにＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏ等の導電性基板、又はＳｉ等の半導体基板を利用することができる。保護層２３は、保護層１７と同様に形成することができ、接合層２１は、接合層１９と同様に形成することができる。保護層２３を設けるか否かは任意である。
【００７９】
（ステップＳ６）
図３Ｅに示すように、成長基板２５の上層に形成された接合層１９と、基板３の上層に形成された接合層２１を貼り合わせることで、成長基板２５と基板３の貼り合わせを行う。具体的な一例としては、２８０℃の温度、０．２ＭＰａの圧力下で、貼り合わせ処理が行われる。
【００８０】
この工程により、接合層１９及び接合層２１が溶融して接合されることで、基板３と成長基板２５が表裏面に貼り合わされた構造が形成される。つまり、接合層１９と接合層２１は、本ステップ以後においては一体化されているものとして構わない。なお、本ステップＳ６の実行前の段階で保護層２３及び保護層１７が形成されていることで、接合層（１９，２１）の構成材料の拡散が抑制されている。保護層２３、接合層２１、接合層１９、及び保護層１７の積層体を、以下の図では導電層２０と表記している。
【００８１】
（ステップＳ７）
図３Ｆに示すように、成長基板２５を剥離する。より具体的には、成長基板２５側からレーザ光を照射する。ここで、照射するレーザ光を、成長基板２５の構成材料（本実施形態ではサファイア）を透過し、下地層２７の構成材料（本実施形態ではＧａＮ）によって吸収されるような波長の光とする。これにより、下地層２７でレーザ光が吸収されるため、成長基板２５と下地層２７の界面が高温化してＧａＮが分解され、成長基板２５が剥離される。
【００８２】
その後、ウェハ上に残存している金属Ｇａを塩酸等を用いて除去した後、ＧａＮ（下地層２７）をＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去し、ｎ型半導体層７を露出させる。なお、本ステップＳ７において下地層２７が除去されて、ｐ型半導体層１１、活性層９、及びｎ型半導体層７が、基板３側からこの順に積層されてなる半導体層５が残存する（図３Ｇ参照）。
【００８３】
（ステップＳ８）
図３Ｈに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ＩＣＰ装置を用いて絶縁層２４の上面が露出するまで半導体層５をエッチングする。なお、図３Ｈでは、半導体層５の側面が鉛直方向に対して傾斜を有するように図示しているが、これは一例であって、このような形状に限定する趣旨ではない。
【００８４】
（ステップＳ９）
図３Ｉに示すように、ｎ型半導体層７の上面の一部に、第一電極１５を形成する。このとき、第一電極１５は、絶縁層２４に対して、基板３の面に直交する方向に対向する領域に形成されるのが好ましい。これにより、通電時に活性層９内を流れる電流を、基板３の面に平行な方向に拡げる効果が得られ、発光効率が向上する。具体的な方法の一例としては、第一電極１５を形成する予定の領域以外をレジスト等でマスクした状態で、Ｃｒ／Ａｕを蒸着する。その後、マスクを剥離して、窒素雰囲気中でアニール処理を行う。
【００８５】
このステップＳ９が工程（ｄ）に対応する。
【００８６】
（ステップＳ１０）
図３Ｊに示すように、シート部材３０を準備する。このシート部材３０は、基材層３１と、粘着層３２を有して構成されており、粘着層３２の一部の領域にはシート部材３０とは別の材料からなる識別体２が付着されている。粘着層３２は、所定の波長の光が照射されると粘着力が低下する材料で構成されている。また、基材層３１は、粘着層３２の粘着力を低下させるために必要な波長の光を透過する材料で構成されている。また、識別体２は、活性層９から放射される光に対して透光性を有する材料で構成されており、上述したように、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂などで構成される。また、識別体２は、無機材料で構成してもよく、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＹＡＧなどの結晶材料や、石英ガラス、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、フッ化アルミニウム系ガラスなどのガラス材料などを利用することもできる。なお、識別体２として、樹脂系材料と無機材料が混合されたものを構成材料としても構わない。
【００８７】
ステップＳ１０が工程（ｃ１）に対応する。
【００８８】
（ステップＳ１１）
図３Ｊに示すように、ステップＳ１０で準備されたシート部材３０を、半導体層５の面上に貼り合わせる。このとき、シート部材３０のうち、粘着層３２の側の面を半導体層５の面に貼り合わせる。これにより、シート部材３０に付着された識別体２が、半導体層５（ここではｎ型半導体層７）の上面に接触する。
【００８９】
図４Ａは、このステップＳ１１を模式的に示す平面図である。図４Ａ（ａ）は、ステップＳ１１においてシート部材３０を貼り合わせられる前の状態のウェハの平面図である。図４Ａ（ｂ）は、ステップＳ１１においてウェハに貼り合わせられる前の状態のシート部材３０の平面図である。
【００９０】
シート部材３０には、図４Ａ（ｂ）に示すように、予め第一電極１５のパターン形状に応じたライン３４が描かれている。そして、上述したように、シート部材３０の粘着層３２側の面の所定の領域には、付与したい情報に応じた形状を有する識別体２が付着されている。シート部材３０に対して識別体２を付着させる際には、このライン３４に基づいて位置合わせが行われる。
【００９１】
図４Ａ（ｂ）に示されるシート部材３０を、図４Ａ（ａ）に示されるウェハに貼り合わせる場合においても、シート部材３０に付されたライン３４と、実際の第一電極１５のパターンとを利用して位置合わせできる。
【００９２】
なお、シート部材３０に付されたライン３４は、必ずしも第一電極１５のパターン形状を完全に模擬する必要はない。あくまで、ライン３４は、識別体２をシート部材３０の所望の領域に付着させ、且つ、シート部材３０に付着された識別体２を半導体層５の上面の所望の領域に接触させることを可能にするための位置合わせ用の手段である。従って、上記の位置合わせが可能な態様であれば、ライン３４の形状はどのようなものでも構わない。
【００９３】
ステップＳ１１が工程（ｃ２）に対応する。
【００９４】
（ステップＳ１２）
図３Ｋに示すように、シート部材３０の上方から所定の光を照射する。この光は、基材層３１を透過し、且つ、粘着層３２によって吸収されることで、粘着層３２の粘着力が低下するような波長の光である。本ステップＳ１２により、粘着層３２の粘着力が低下するため、シート部材３０と半導体層５との間の粘着力が低下する。
【００９５】
ステップＳ１２が工程（ｃ３）に対応する。
【００９６】
（ステップＳ１３）
次に、シート部材３０を半導体層５から剥離する。前のステップＳ１２によって、粘着層３２の粘着力が低下しているため、シート部材３０は、識別体２を半導体層５側に残した状態で容易に剥離される。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【００９７】
図４Ｂは、このステップＳ１３が完了した状態を模式的に示す平面図である。図４Ｂ（ａ）は、ステップＳ１３においてシート部材３０が剥離された後のウェハの平面図である。図４Ｂ（ｂ）は、ステップＳ１３においてウェハから剥離された後のシート部材３０の平面図である。図４Ｂ（ａ）に示すように、識別体２がウェハ側に付着されている。
【００９８】
ステップＳ１３が工程（ｃ４）に対応する。なお、この後に、識別体２を固定化（硬化）させるための加熱処理を行っても構わない。
【００９９】
上記の方法で半導体発光素子１を製造することにより、所定の領域に識別体２が付与される。この結果、所定の領域の識別体２を確認することで、ウェハの管理が可能であり、製品の取り違え等を未然に防ぐことができる。また、上記の方法によって製造された最終製品としての半導体発光素子についても、予め決められた形状の識別体２が付与されている。よって、同様に、当該領域に形成された識別体２を確認することで、半導体発光素子の管理が可能となる。
【０１００】
また、この方法によれば、通常の工業製品に対して識別体を付与するために行われるマーキング加工のような工程を行うことなく、半導体発光素子の中間品や最終製品に対しても管理のための識別体２を付与することが可能となる。
【０１０１】
［製造システム］
以下、本実施形態の半導体発光装置の製造システムにつき、説明する。図５は、製造システムの一例を模式的に示す図面である。なお、図５では、一部の構成のみを図示している。
【０１０２】
図５に示されるように、本実施形態の製造システム５０は、半導体層形成部５１、識別体付与部５３、撮像部５５、照合部５７、及び記憶部５９を備えている。なお、図５では、処理対象となる中間品をウェハ６０として表現している。
【０１０３】
半導体層形成部５１は、成長基板２５上に半導体層５を形成するための装置である。なお、本実施形態の製造システム５０は、半導体層形成部５１と、識別体付与部５３との間に、上述したステップＳ３〜Ｓ９を実行するための手段を備えるものとして構わない。
【０１０４】
識別体付与部５３は、半導体層５の上面に識別体２を付与するための装置である。具体的には、識別体付与部５３は、上述したステップＳ１１〜Ｓ１３に対応する処理を行う。すなわち、識別体付与部５３は、ステップＳ１１に対応した処理を行う第一処理部と、ステップＳ１２に対応した処理を行う第二処理部と、ステップＳ１３に対応した処理を行う第三処理部を備える。なお、ステップＳ１０に係る処理、すなわち識別体２が付されたシート部材３０を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１０５】
識別体付与部５３による処理が完了した後のウェハ６０には、識別体２が付与されることになる。
【０１０６】
撮像部５５は、識別体付与部５３における処理が完了したウェハ６０を撮像し、その撮像データを照合部５７に出力する。撮像部５５は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子線照射装置で構成される。上述したように、識別体２は、活性層９から放射される光に対しては透光性を有するものの、半導体層５と異なる材料で形成されている。このため、電子線を照射したときに、反射される電子数が相違するため、反射電子強度が異なる。これにより、識別体２の存在領域及びその形状を確認することができる。
【０１０７】
記憶部５９は、例えばＲＡＭ等のメモリで構成され、予めウェハ６０に関する識別情報（ロット番号等）と識別体２に関する情報とが関連付けられた情報（管理情報）を記憶する。照合部５７は、例えばＣＰＵ等のプロセッサで構成され、撮像部５５から送られてきた撮像データと、記憶部５９から読み出した管理情報に基づいて照合を行う。具体的には、照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となるウェハ６０が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ、ウェハ６０を後の工程に進行させる指示を行い、問題があれば工程を中断させる指示を行う。
【０１０８】
このシステムによれば、中間品（ウェハ６０）の搬送時に取り違えが生じたり、不良品が混在した場合であっても、工程の途中の段階で前記の事態を検出することが可能となる。
【０１０９】
識別体付与部５３における処理（ステップＳ１１〜Ｓ１３に対応）が完了した後、撮像部５５が、ウェハ６０を撮像して、当該撮像データとウェハ６０に関する識別情報を関連付けた管理情報を作成し、この管理情報を記憶部５９に記憶させるものとしても構わない。そして、その後の工程の実行前において、再び撮像部５５がウェハ６０を撮像し、照合部５７が、撮像データと記憶部５９から読み出された管理情報との照合を行うものとしても構わない。
【０１１０】
照合部５７は、必要に応じて撮像データに対してコントラストや明るさの調整等の画像処理を行った後、識別体２の形状等を読み出して管理情報に記載されている識別体に関する情報と照らし合わせるものとしても構わない。より具体的な一例としては、照合部５７は、撮像されたデータの明るさや色を座標毎に数値化し、当該数値を管理情報に記載されている識別体に関する情報と照合する。そして、照合部５７は、照合対象となっているウェハ６０が、所定の閾値（例えば９０％）以上の点で一致している識別体２を有していれば、当該識別体２に関連付けられたロット番号が付されたものであると判断する。
【０１１１】
＜第二実施形態＞
本発明の第二実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１１２】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１１３】
（ステップＳ２１）
図６に示すように、シート部材３０を準備する。このシート部材３０は、基材層３１を有して構成されているが、第一実施形態とは異なり粘着層３２を有していない。そして、基材層３１の一部の領域には基材層３１とは別の材料からなる識別体２が付着されている。識別体２は、例えばシリコーン樹脂などで構成されており、完全には硬化していないものの、一定の粘着力を有している。このため、基材層３１の上面に安定して付着されている。
【０１１４】
ステップＳ２１が工程（ｃ５）に対応する。
【０１１５】
（ステップＳ２２）
図６に示すように、ステップＳ２１で準備されたシート部材３０を、半導体層５の面上に貼り合わせる。なお、図６は両者が貼り合わられる直前の状態を図示したものである。このとき、好ましくは、半導体層５を含むウェハを、半導体層５の面をシート部材３０の側に向けて、シート部材３０に向けて押圧して貼り合わせる。なお、貼り合わせの際の位置合わせ方法については、第一実施形態と同様の方法を採用することができる。
【０１１６】
このステップＳ２２が工程（ｃ６）に対応する。
【０１１７】
（ステップＳ２３）
シート部材３０を半導体層５から剥離する。そもそもシート部材３０には粘着性が存在しないため、半導体層５から容易に剥離される。一方、ステップＳ２２においてシート部材３０とウェハとの間で押圧がされているため、識別体２が半導体層５側に押し付けられる。この結果、識別体２が有する粘着力が半導体層５側に働き、シート部材３０を剥離した後においても、識別体２が半導体層５側に残存したままとなる。この後、必要に応じて、識別体２を固定化（硬化）させるための加熱処理を行う。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【０１１８】
このステップＳ２３が工程（ｃ７）に対応する。
【０１１９】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ２２〜Ｓ２３に対応する処理を行う。すなわち、識別体付与部５３は、ステップＳ２２に対応した処理を行う第一処理部と、ステップＳ２３に対応した処理を行う第二処理部とを備える。なお、ステップＳ２１に係る処理、すなわち識別体２が付されたシート部材３０を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１２０】
＜第三実施形態＞
本発明の第三実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１２１】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１２２】
（ステップＳ３１）
図７Ａに示すように、マスク部材３５を準備する。このマスク部材３５は、半導体層５の面上に形成される識別体２のパターン形状に応じたパターンで形成された、貫通孔３６を有している。
【０１２３】
ステップＳ３１が工程（ｃ８）に対応する。
【０１２４】
（ステップＳ３２）
図７Ａに示すように、マスク部材３５を半導体層５の上面に載置する。図７Ｂは、このステップＳ３２を模式的に示す平面図である。図７Ｂ（ａ）は、ステップＳ３２においてマスク部材３５が載置される前の状態のウェハの平面図である。図７Ｂ（ｂ）は、ステップＳ３２においてウェハの上面に載置される前の状態のマスク部材３５の平面図である。
【０１２５】
例えば、マスク部材３５には、図７Ｂ（ｂ）に示すように、予め第一電極１５のパターン形状に応じたライン３４が図示されている。そして、上述したように、識別体２の形状に応じたパターンを有する貫通孔３６が、マスク部材３５に設けられている。図７Ｂ（ｂ）に示されるマスク部材３５を、図７Ｂ（ａ）に示されるウェハの上面に載置する場合、マスク部材３５に付されたライン３４と、実際の第一電極１５のパターンとを利用して位置合わせすることができる。ただし、マスク部材３５に付されたライン３４は、必ずしも第一電極１５のパターン形状を完全に模擬する必要はない。この点は、第一実施形態において、シート部材３０に付されたライン３４と同様である。
【０１２６】
ステップＳ３２が工程（ｃ９）に対応する。
【０１２７】
（ステップＳ３３）
図７Ｃに示すように、マスク部材３５の上方から、識別体２の材料を構成する流動性材料３７を、例えばスクリーン印刷の技術を利用して塗布する。この流動性材料３７は、貫通孔３６（図７Ａ参照）が形成されている箇所においては、半導体層５の面上に流れ込み、付着する。流動性材料３７は、例えば硬化前のシリコーン樹脂を採用することができる。
【０１２８】
ステップＳ３３が工程（ｃ１０）に対応する。
【０１２９】
（ステップＳ３４）
マスク部材３５を半導体層５から剥離する。このとき、半導体層５の面上の所定の領域には、流動性材料３７が残存している。この後、必要に応じて、流動性材料３７を固定化（硬化）させるための加熱処理を行うことで、識別体２が形成される。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【０１３０】
このステップＳ３４が工程（ｃ１１）及び工程（ｃ１２）に対応する。
【０１３１】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ３２〜Ｓ３４に対応する処理を行う。すなわち、識別体付与部５３は、ステップＳ３２に対応した処理を行う第一処理部と、ステップＳ３３に対応した処理を行う第二処理部と、ステップＳ３４に対応した処理を行う第三処理部を備える。なお、ステップＳ３１に係る処理、すなわち識別体２に応じた形状を有するマスク部材３５を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１３２】
＜第四実施形態＞
本発明の第四実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１３３】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１３４】
（ステップＳ４１）
図８Ａに示すように、半導体層５の上面に、例えばスピンコータ等を用いてフォトレジスト４１を形成する。このフォトレジスト４１は、活性層９から放射される光に対して透過性を示す材料で構成される。その後、必要に応じて、例えば８０℃〜１００℃程度の温度で加熱する。この加熱工程は、プリベーク又はソフトベークと呼ばれる工程である。これにより、フォトレジスト４１に含まれている有機溶剤が蒸発し、半導体層５との間の密着性が高められる。
【０１３５】
ステップＳ４１が工程（ｃ１３）に対応する。
【０１３６】
（ステップＳ４２）
図８Ｂに示すように、フォトレジスト４１の上面にマスク部材４２を形成する。このマスク部材４２は、識別体２の形状に応じた形状を有している。より具体的には、マスク部材４２には、識別体２の形状に応じて、光を透過しない材料（金属など）が形成されている。図８Ｂでは、光を透過しない領域（光不透過領域）を符号４３で表している。
【０１３７】
図８Ｃは、このステップＳ４２を模式的に示す平面図である。図８Ｃ（ａ）は、ステップＳ４２においてマスク部材４２が載置される前の状態のウェハの平面図である。図８Ｃ（ｂ）は、ステップＳ４２においてウェハの上方に載置される前の状態のマスク部材４２の平面図である。
【０１３８】
例えば、マスク部材４２には、図８Ｃ（ｂ）に示すように、位置合わせ用マーク４６が図示されている。そして、上述したように、識別体２の形状に応じたパターンを有する光不透過領域４３が、マスク部材４２に設けられている。図８Ｃ（ｂ）に示されるマスク部材４２を、図８Ｃ（ａ）に示されるウェハの上方に載置する場合、マスク部材４２に付された位置合わせ用マーク４６と、実際の第一電極１５の交差部４７とを利用して位置合わせすることができる。ただし、マスク部材４２に付された位置合わせ用マーク４６は、必ずしも第一電極１５の交差部の形状を完全に模擬する必要はない。例えば、マスク部材４２には、第一実施形態と同様に、第一電極１５自体の形状を模したマークが施されていても構わない。
【０１３９】
ステップＳ４２が工程（ｃ１４）に対応する。
【０１４０】
（ステップＳ４３）
図８Ｄに示すように、マスク部材４２を介してフォトレジスト４１に対して光を照射する。本ステップＳ４３では、フォトレジスト４１を感光させることのできる波長（例えば１９３ｎｍ）の光を照射する。フォトレジスト４１のうち、光が当たった箇所は変質する。また、マスク部材４２が備える光不透過領域４３の下方に位置するフォトレジスト４１の領域には光が届かないため、変質しない。図８Ｄでは、模式的に、フォトレジスト４１が変質した領域を黒塗りで表示し、フォトレジスト４１が変質しなかった領域を白塗りで表示している。
【０１４１】
ここで、フォトレジスト４１のうち、光不透過領域４３の下方以外の領域に対しては、確実に変質を進行させるべく、必要に応じて光照射後に加熱を行っても構わない。
【０１４２】
ステップＳ４３が工程（ｃ１５）に対応する。
【０１４３】
（ステップＳ４４）
マスク部材４２を取り外した後、所定の現像液をフォトレジスト４１に接触させる。これにより、フォトレジスト４１のうち、ステップＳ４３で変質された領域については溶解される。一方、フォトレジスト４１のうち、ステップＳ４３で変質しなかった領域については、残存する。
【０１４４】
その後、必要に応じて純水で洗浄する。この結果、ステップＳ４３で変質しなかったフォトレジスト４３のみが半導体層５の上面に残存する（図８Ｅ）。このフォトレジスト４３によって識別体２が形成される。なお、本ステップＳ４４において、残存したフォトレジスト４３と半導体層５との密着性を向上させるべく、例えば１００℃〜２００℃程度の温度で加熱しても構わない。この加熱工程は、ポストベーク又はハードベークと呼ばれる工程である。
【０１４５】
ステップＳ４４が工程（ｃ１６）に対応する。
【０１４６】
なお、本実施形態において、ステップＳ４２で形成されるマスク部材４２は、フォトレジスト４１の上面に載置されるものとして説明した。しかし、マスク部材４２は、ステップＳ４３で光を照射する光源部と、フォトレジスト４１の間であれば、どの位置に配置されても構わない。
【０１４７】
また、図８Ｅでは、識別体２が第一電極１５よりも厚膜で形成されているかのように図示されているが、識別体２の厚みについては適宜変更が可能である。上述した他の実施形態においても同様である。
【０１４８】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ４１〜Ｓ４４に対応する処理を行う。すなわち、識別体付与部５３は、ステップＳ４１〜Ｓ４２に対応した処理を行う第一処理部と、ステップＳ４３に対応した処理を行う第二処理部と、ステップＳ４４に対応した処理を行う第三処理部を備える。
【０１４９】
＜別実施形態＞
以下、別実施形態について説明する。
【０１５０】
〈１〉  上述した各実施形態において、半導体発光素子１は図１〜図２に示すような構造であるものとして説明した。しかし、半導体発光素子１の構造は、上記に限られない。図９Ａ及び図９Ｂは、半導体発光素子１の別の構造を模式的に示す図面である。図９Ａは平面図に対応し、図９Ｂは断面図に対応する。この構造においては、識別体２は、ｐ型半導体層１１の上面の所定の領域に形成されている。
【０１５１】
この構造を製造するに際しては、ステップＳ１〜Ｓ３を実行後に以下のステップを行う。
【０１５２】
（ステップＳ５１）
一部の領域に形成されたｐ型半導体層１１及び活性層９を、ｎ型半導体層７の上面が露出するまでエッチングする。
【０１５３】
（ステップＳ５２）
ｐ型半導体層１１の所定の領域の上面に第二電極１３を形成し、露出されたｎ型半導体層７の所定の領域の上面に第一電極１５を形成する。なお、この構造においては、第二電極１３は第一電極１５と同じ材料で構成しても構わない。このステップＳ５２が工程（ｄ）に対応する。
【０１５４】
第一実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ１０〜Ｓ１３を実行する。第二実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ２１〜Ｓ２３を実行する。第三実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ３１〜Ｓ３４を実行する。第四実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ４１〜Ｓ４４を実行する。
【０１５５】
〈２〉  上述した各実施形態では、識別体２を、半導体層５のうちの光取り出し面を構成する側の面上に形成するものとした。しかし、識別体２は、半導体層５内の他の箇所に形成されるものとしても構わない。この場合、各実施形態で上述した識別体２を付与するための工程を適宜前倒しして行うことで実現が可能である。
【０１５６】
〈３〉  上述した各実施形態において、ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層７との導電型を反転させても構わない。
【０１５７】
また、上述した各実施形態では、窒化物半導体層で構成された半導体発光素子１を製造する場合について説明したが、本発明の方法は、ＧａＡｓ系やＧａＰ系等、窒化物半導体以外の半導体で構成された発光素子を製造する場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１５８】
１      ：    半導体発光素子
２      ：    識別体
３      ：    基板
５      ：    半導体層
７      ：    ｎ型半導体層
９      ：    活性層
１１      ：    ｐ型半導体層
１３      ：    第二電極
１５      ：    第一電極
１７      ：    保護層
１９      ：    接合層
２０      ：    導電層
２１      ：    接合層
２３      ：    保護層
２４      ：    絶縁層
２５      ：    成長基板
２７      ：    下地層
３０      ：    シート部材
３１      ：    基材層
３２      ：    粘着層
３４      ：    ライン
３５      ：    マスク部材
３６      ：    貫通孔
３７      ：    流動性材料
４１      ：    フォトレジスト
４２      ：    マスク部材
４３      ：    光不透過領域
４６      ：    位置合わせ用マーク
４７      ：    第一電極交差部
５０      ：    製造システム
５１      ：    半導体層形成部
５３      ：    識別体付与部
５５      ：    撮像部
５７      ：    照合部
５９      ：    記憶部
６０      ：    ウェハ
【図１】
2017092353.tif 000003
【図２】
2017092353.tif 000004
【図３Ａ】
2017092353.tif 000005
【図３Ｂ】
2017092353.tif 000006
【図３Ｃ】
2017092353.tif 000007
【図３Ｄ】
2017092353.tif 000008
【図３Ｅ】
2017092353.tif 000009
【図３Ｆ】
2017092353.tif 000010
【図３Ｇ】
2017092353.tif 000011
【図３Ｈ】
2017092353.tif 000012
【図３Ｉ】
2017092353.tif 000013
【図３Ｊ】
2017092353.tif 000014
【図３Ｋ】
2017092353.tif 000015
【図４Ａ】
2017092353.tif 000016
【図４Ｂ】
2017092353.tif 000017
【図５】
2017092353.tif 000018
【図６】
2017092353.tif 000019
【図７Ａ】
2017092353.tif 000020
【図７Ｂ】
2017092353.tif 000021
【図７Ｃ】
2017092353.tif 000022
【図８Ａ】
2017092353.tif 000023
【図８Ｂ】
2017092353.tif 000024
【図８Ｃ】
2017092353.tif 000025
【図８Ｄ】
2017092353.tif 000026
【図８Ｅ】
2017092353.tif 000027
【図９Ａ】
2017092353.tif 000028
【図９Ｂ】
2017092353.tif 000029