(57)【要約】【課題】固体撮像装置の感度やダイナミックレンジ等の性能を画素の集積度を低下することなく向上する。【解決手段】光電変換により電荷を生成する光電変換部と、光電変換部で生じた電荷を電荷保持部へ転送する第１のトランジスタと、電荷保持部で保持されている電荷の量に基づく画素信号を出力する画素内読み出し回路を構成する第２のトランジスタと、第１のトランジスタのゲート電極に接続された第１のコンタクト電極と、第２のトランジスタに接続された第２のコンタクト電極と、を有し、第１のコンタクト電極のサイズは、第２のコンタクト電極のサイズよりも小さい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により電荷を生成する第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部で生じた電荷を電荷保持部へ転送する第１のトランジスタと、
前記電荷保持部で保持されている電荷の量に基づく画素信号を出力する画素内読み出し回路を構成する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲート電極に接続された第１のコンタクト電極と、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインに接続された第２のコンタクト電極と、を有し、
前記第１のコンタクト電極が前記第１のトランジスタの前記ゲート電極に接続される第１のコンタクト部のサイズは、前記第２のコンタクト電極が前記第２のトランジスタの前記ソース又は前記ドレインに接続される第２のコンタクト部のサイズよりも小さい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第２のトランジスタに、前記第２のコンタクト電極を介して電源電圧が供給される
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２のトランジスタは、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタである
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２のトランジスタから、前記第２のコンタクト電極を介して前記画素信号が出力される
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２のトランジスタは、選択トランジスタである
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１のコンタクト電極に接続された第１の配線と、
前記第２のコンタクト電極に接続された第２の配線と、を更に有し、
前記第１の配線の線幅は、前記第２の配線の線幅よりも細い
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の光電変換部と同一の活性領域に設けられ、光電変換により電荷を生成する第２の光電変換部と、
前記第２の光電変換部で生じた電荷を前記電荷保持部へ転送する第３のトランジスタと、
前記第３のトランジスタのゲート電極に接続された第３のコンタクト電極と、を更に有し、
前記第３のコンタクト電極が前記第３のトランジスタの前記ゲート電極に接続される第３のコンタクト部のサイズは、前記第２のコンタクト部のサイズよりも小さい
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１のコンタクト電極に接続された第１の配線と、
前記第２のコンタクト電極に接続された第２の配線と、を更に有し、
前記第１の配線の線幅は、前記第２の配線の線幅よりも細い
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第３のコンタクト電極に接続された第３の配線を更に有し、
前記第３の配線の線幅は、前記第２の配線の線幅よりも細い
ことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の配線と前記第３の配線とは、前記第１のトランジスタのゲート電極の上方及び前記第３のトランジスタのゲート電極の上方に平行に配されている
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記電荷保持部に接続された第４のコンタクト電極を更に有し、
前記第４のコンタクト電極が前記電荷保持部に接続される第４のコンタクト部のサイズは、前記第２のコンタクト部のサイズよりも小さい
ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第４のコンタクト電極に接続された第４の配線を更に有し、
前記第４の配線の線幅は、前記第２の配線の線幅よりも細い
ことを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第１のコンタクト部のサイズは、前記第１のトランジスタのゲート長方向と平行な方向に沿った前記第１のコンタクト部の幅である
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、１つの画素に２つの光電変換部を設けることにより撮像と焦点検出の両方を実現可能にした固体撮像装置が記載されている。焦点検出時には、２つの光電変換部の各々から独立して信号が読み出すことにより、レンズの瞳の互いに異なる位置を通過した光束による２つの像を生成する。一方、撮像時には、２つの光電変換部から読み出した信号を加算することにより、被写体の像を生成する。
【０００３】
ところで、固体撮像装置の感度やダイナミックレンジといった性能を決める大きな要素の１つとして、光電変換部の実効面積が挙げられる。１画素あたりの光電変換部の実効面積を拡大することにより、固体撮像装置の感度やダイナミックレンジを向上することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２１６５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の固体撮像装置において、１つの画素の２つの光電変換部から独立して信号を読み出すためには、それぞれの光電変換部に対応する２つの転送トランジスタを設け、この２つの転送トランジスタには別々の制御信号線を接続する必要がある。しかしながら、そのような構成とした場合、単位画素に占める配線の配置領域は、１つの画素に１つの光電変換部を設けた固体撮像装置の場合と比較して広くなり、その分、光電変換部の実効面積を圧迫することになる。固体撮像装置の感度やダイナミックレンジ等の性能を向上するためには、集積度を低下することなく如何にして１画素あたりの光電変換部の実効面積を拡大するかが重要である。光電変換部の実効面積の拡大の要求は、特許文献１に記載のような１つの画素に複数の光電変換部を有する固体撮像装置のみならず、１つの画素に１つの光電変換部を設けた固体撮像装置においても同様である。
【０００６】
本発明の目的は、画素の集積度を低下することなく感度やダイナミックレンジ等の性能を向上することができる固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、光電変換により電荷を生成する第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部で生じた電荷を電荷保持部へ転送する第１のトランジスタと、前記電荷保持部で保持されている電荷の量に基づく画素信号を出力する画素内読み出し回路を構成する第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲート電極に接続された第１のコンタクト電極と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインに接続された第２のコンタクト電極と、を有し、前記第１のコンタクト電極が前記第１のトランジスタの前記ゲート電極に接続される第１のコンタクト部のサイズは、前記第２のコンタクト電極が前記第２のトランジスタの前記ソース又は前記ドレインに接続される第２のコンタクト部のサイズよりも小さい固体撮像装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、画素の集積度を低下することなく光電変換部の実効面積を拡大し、感度やダイナミックレンジ等の固体撮像装置の性能を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態による固体撮像装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の画素回路を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の単位画素の平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の概略断面図である。
【図５】第１実施形態の比較例による固体撮像装置の単位画素の平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図７】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図８】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図９】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】本発明の第１実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図１１】本発明の第２実施形態による固体撮像装置の単位画素の平面図である。
【図１２】第２実施形態の比較例による固体撮像装置の単位画素の平面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による撮像システムを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について、図１乃至図１０を用いて説明する。
【００１１】
はじめに、本実施形態による固体撮像装置の構造について、図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、本実施形態による固体撮像装置の画素回路の一例を示す図である。図３は、本実施形態による固体撮像装置の単位画素の平面図である。図４は、本実施形態による固体撮像装置の概略断面図である。図５は、本実施形態の比較例による固体撮像装置の単位画素の平面図である。
【００１２】
本実施形態による固体撮像装置１００は、図１に示すように、画素領域１０と、垂直走査回路２０と、列読み出し回路３０と、水平走査回路４０と、制御回路５０と、出力回路６０とを有している。
【００１３】
画素領域１０には、複数行及び複数列に渡ってマトリクス状に配された複数の画素１２が設けられている。画素領域１０の画素アレイの各行には、行方向（図１において横方向）に延在して、制御信号線１４が配されている。制御信号線１４は、行方向に並ぶ画素１２にそれぞれ接続され、これら画素１２に共通の信号線をなしている。また、画素領域１０の画素アレイの各列には、列方向（図１において縦方向）に延在して、垂直出力線１６が配されている。垂直出力線１６は、列方向に並ぶ画素１２にそれぞれ接続され、これら画素１２に共通の信号線をなしている。
【００１４】
各行の制御信号線１４は、垂直走査回路２０に接続されている。垂直走査回路２０は、画素１２から画素信号を読み出す際に画素１２内の読み出し回路を駆動するための制御信号を、制御信号線１４を介して画素１２に供給する回路部である。各列の垂直出力線１６の一端部は、列読み出し回路３０に接続されている。画素１２から読み出された画素信号は、垂直出力線１６を介して列読み出し回路３０に入力される。列読み出し回路３０は、画素１２から読み出された画素信号に対して所定の信号処理、例えば増幅処理やＡＤ変換処理等の信号処理を実施する回路部である。列読み出し回路３０は、差動増幅回路、サンプル・ホールド回路、ＡＤ変換回路等を含み得る。
【００１５】
水平走査回路４０は、列読み出し回路３０において処理された画素信号を列毎に順次、出力回路６０に転送するための制御信号を、列読み出し回路３０に供給する回路部である。制御回路５０は、垂直走査回路２０、列読み出し回路３０及び水平走査回路４０に、それらの動作やタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。出力回路６０は、バッファアンプ、差動増幅器などから構成され、列読み出し回路３０から読み出された画素信号を固体撮像装置の外部の信号処理部に出力するための回路部である。
【００１６】
それぞれの画素１２は、図２に示すように、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、転送トランジスタＭ１，Ｍ２と、リセットトランジスタＭ３と、増幅トランジスタＭ４と、選択トランジスタＭ５とを含む。光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２は、例えばフォトダイオードである。光電変換部ＰＤ１は、アノードが接地電圧線に接続され、カソードが転送トランジスタＭ１のドレインに接続されている。光電変換部ＰＤ２は、アノードが接地電圧線に接続され、カソードが転送トランジスタＭ２のドレインに接続されている。転送トランジスタＭ１，Ｍ２のソースは、リセットトランジスタＭ３のソース及び増幅トランジスタＭ４のゲートに接続されている。転送トランジスタＭ１，Ｍ２のソース、リセットトランジスタＭ３のソース及び増幅トランジスタＭ４のゲートの接続ノードは、いわゆるフローティングディフュージョン（ＦＤ）領域を構成する。リセットトランジスタＭ３のドレイン及び増幅トランジスタＭ４のドレインは、電源電圧線（Ｖｄｄ）に接続されている。増幅トランジスタＭ４のソースは、選択トランジスタＭ５のドレインに接続されている。選択トランジスタＭ５のソースは、垂直出力線１６に接続されている。垂直出力線１６の他端部には、増幅トランジスタＭ４にバイアス電流を供給してソースフォロワ回路を構成するための電流源１８が接続されている。
【００１７】
光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２は、光電変換によって入射光量に応じた電荷を生成する。転送トランジスタＭ１は、光電変換部ＰＤ１で生じた電荷をＦＤ領域へ転送する。転送トランジスタＭ２は、光電変換部ＰＤ２で生じた電荷をＦＤ領域へ転送する。ＦＤ領域は、このノードに寄生する容量によって光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２から転送された電荷を保持する電荷保持部として機能し、また、保持電荷量を増幅トランジスタＭ４のゲートに印加する電圧に変換する電荷電圧変換部としても機能する。リセットトランジスタＭ３は、ＦＤ領域及び光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２の電位をリセットする機能を備える。増幅トランジスタＭ４は、ゲート電圧に応じた画素信号を、選択トランジスタＭ５を介して垂直出力線１６に出力する。リセットトランジスタＭ３、増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５は、電荷保持部であるＦＤ領域で保持されている電荷の量に基づく画素信号を出力する画素内読み出し回路を構成するトランジスタである。
【００１８】
図２に示す回路構成の場合、制御信号線１４は、転送ゲート信号線ＴＸ１，ＴＸ２、リセット信号線ＲＥＳ、選択信号線ＳＥＬを含む。転送ゲート信号線ＴＸ１は、転送トランジスタＭ１のゲートに接続される。転送ゲート信号線ＴＸ２は、転送トランジスタＭ２のゲートに接続される。リセット信号線ＲＥＳは、リセットトランジスタＭ３のゲートに接続される。選択信号線ＳＥＬは、選択トランジスタＭ５のゲートに接続される。
【００１９】
図３は、画素１２の平面レイアウトの一例を示している。図４は、図３のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿った概略断面図である。
【００２０】
ｎ型の半導体基板２００の表面部には、Ｐウェルを構成するｐ型半導体領域２０２が設けられている。ｐ型半導体領域２０２の表面部には、活性領域２０４，２０６を画定する素子分離領域２０８が設けられている。
【００２１】
活性領域２０４には、画素１２の構成要素のうち、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、転送トランジスタＭ１，Ｍ２とが配置されている。活性領域２０４のｐ型半導体領域２０２の表面部には、互いに離間して、ｎ型半導体領域２１０Ａ，２１０Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂが設けられている。ｎ型半導体領域２１０Ａは、ｐ型半導体領域２０２との間にＰＮ接合を形成し、光電変換部ＰＤ１としてのフォトダイオードを構成している。同様に、ｎ型半導体領域２１０Ｂは、ｐ型半導体領域２０２との間にＰＮ接合を形成し、光電変換部ＰＤ２としてのフォトダイオードを構成している。光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２は、ｎ型半導体領域２１０Ａ，２１０Ｂの表面部にｐ型半導体領域を更に設けた埋め込みフォトダイオードとしてもよい。ｎ型半導体領域２１０Ａとｎ型半導体領域２１０Ｂとは、同一の活性領域に設けられていてもよく、また素子分離領域２０８により電気的に分離してもよい。
【００２２】
ｎ型半導体領域２１０Ａとｎ型半導体領域２１２Ａとの間のｐ型半導体領域２０２上には、ゲート絶縁膜２１４を介してゲート電極２１６Ａが設けられている。これにより、ｎ型半導体領域２１０Ａをドレイン、ｎ型半導体領域２１２Ａをソース、ゲート電極２１６Ａをゲートとする転送トランジスタＭ１が構成されている。ｎ型半導体領域２１２Ａは、ＦＤ領域でもある。
【００２３】
また、ｎ型半導体領域２１０Ｂとｎ型半導体領域２１２Ｂとの間のｐ型半導体領域２０２上には、ゲート絶縁膜２１４を介してゲート電極２１６Ｂが設けられている。これにより、ｎ型半導体領域２１０Ｂをドレイン、ｎ型半導体領域２１２Ｂをソース、ゲート電極２１６Ｂをゲートとする転送トランジスタＭ２が構成されている。ｎ型半導体領域２１２Ｂは、ＦＤ領域でもある。
【００２４】
活性領域２０６には、画素１２の構成要素のうち、リセットトランジスタＭ３と、増幅トランジスタＭ４と、選択トランジスタＭ５とが配置されている。これらトランジスタのうち一部又は全部は、別々の活性領域に配置されていてもよい。活性領域２０６のｐ型半導体領域２０２の表面部には、互いに離間して、ｎ型半導体領域２１８，２２０，２２２，２２４が設けられている。
【００２５】
ｎ型半導体領域２１８とｎ型半導体領域２２０との間のｐ型半導体領域２０２上には、ゲート絶縁膜２１４を介してゲート電極２２６が設けられている。これにより、ｎ型半導体領域２１８をソース、ｎ型半導体領域２２０をドレイン、ゲート電極２２６をゲートとするリセットトランジスタＭ３が構成されている。
【００２６】
また、ｎ型半導体領域２２０とｎ型半導体領域２２２との間のｐ型半導体領域２０２上には、ゲート絶縁膜２１４を介してゲート電極２２８が設けられている。これにより、ｎ型半導体領域２２２をソース、ｎ型半導体領域２２０をドレイン、ゲート電極２２８をゲートとする増幅トランジスタＭ４が構成されている。
【００２７】
また、ｎ型半導体領域２２２とｎ型半導体領域２２４との間のｐ型半導体領域２０２上には、ゲート絶縁膜２１４を介してゲート電極２３０が設けられている。これにより、ｎ型半導体領域２２４をソース、ｎ型半導体領域２２２をドレイン、ゲート電極２３０をゲートとする選択トランジスタＭ５が構成されている。
【００２８】
光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２、転送トランジスタＭ１，Ｍ２、リセットトランジスタＭ３、増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５が設けられた半導体基板２００上には、層間絶縁膜２３２が設けられている。層間絶縁膜２３２内には、ゲート電極２１６Ａに接続されたコンタクトプラグ２３４Ａ、ゲート電極２１６Ｂに接続されたコンタクトプラグ２３４Ｂが設けられている。また、層間絶縁膜２３２内には、ｎ型半導体領域２１２Ａに接続されたコンタクトプラグ２３６Ａ、ｎ型半導体領域２１２Ｂに接続されたコンタクトプラグ２３６Ｂが設けられている。また、層間絶縁膜２３２内には、ｎ型半導体領域２１８，２２０，２２４及びゲート電極２２６，２２８，２３０にそれぞれ接続されたコンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８が設けられている。
【００２９】
層間絶縁膜２３２上には、層間絶縁膜２５０が設けられている。層間絶縁膜２５０内には、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂ，２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続された配線２５２が設けられている。配線２５２は、コンタクトプラグ２３４Ａを介してゲート電極２１６Ａに接続された配線２５２Ａと、コンタクトプラグ２３４Ｂを介してゲート電極２１６Ｂに接続された配線２５２Ｂとを含む。配線２５２Ａ，２５２Ｂは、例えば、転送ゲート信号線ＴＸ１，ＴＸ２である。また、配線２５２は、コンタクトプラグ２３６Ａを介してｎ型半導体領域２１２Ａに接続され、コンタクトプラグ２３６Ｂを介してｎ型半導体領域２１２Ｂに接続された配線２５２Ｃを含む。
【００３０】
層間絶縁膜２５０上には、層間絶縁膜２５４が設けられている。層間絶縁膜２５４内には、配線２５２に接続された配線２５６が設けられている。層間絶縁膜２５４上には、層間絶縁膜２５８が設けられている。層間絶縁膜２５８には、配線２５６に接続されたコンタクトプラグ２６０が設けられている。層間絶縁膜２５８上には、コンタクトプラグ２６０に接続された配線２６２が設けられている。配線２６２が設けられた層間絶縁膜２５８上には、層間絶縁膜２６４及びパッシベーション膜２６６が設けられている。
【００３１】
なお、図３においては、図面の簡略化のために、ゲート配線層及び第１メタル配線層（配線２５２）の一部分、第２メタル配線層（配線２５６）よりも上層の配線部材等の図示を省略している。画素１２内には、配線２５２，２５６，２６２及びこれらを接続するコンタクトプラグにより、図２に示す画素回路や、制御信号線１４、垂直出力線１６、接地電圧線、電源電圧線、遮光膜等が構成されている。また、パッシベーション膜２６６よりも更に上層には、図示しないカラーフィルタやマイクロレンズ等が設けられる。
【００３２】
ここで、本実施形態による固体撮像装置は、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂに接続されるコンタクト電極のサイズが、画素１２の他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のサイズよりも小さくなっている。すなわち、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂのコンタクト部のサイズは、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８のコンタクト部のサイズよりも小さくなっている。一例では、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂの径又は幅を０．１０μｍ、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８の径又は幅を０．１４μｍとすることができる。
【００３３】
光電変換部と転送トランジスタとを２組有する画素１２においては、例えば図３に示すように、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂの上方に、これらに接続される２本の配線２５２Ａ，２５２Ｂが間隔を開けて平行に配置される。したがって、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂのサイズを小さくすることにより、ゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂのゲート長方向（図３においてＹ方向）の幅を狭めることが可能となり、その分、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２の面積を拡大することができる。
【００３４】
ゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂの幅を狭めることにより、ゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂに接続される上層の配線２５２Ａ，２５２Ｂのレイアウトによっては、配線２５２Ａ，２５２Ｂが光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２上に重なることも想定される。そのような場合には、例えば図３に示すように、配線２５２Ａ，２５２Ｂの線幅をも細くして、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２上に重ならないようにすることが望ましい。一例では、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続される配線２５２の線幅を０．１４μｍ、配線２５２Ａ，２５２Ｂの線幅を０．１２μｍとすることができる。
【００３５】
また、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のソース（ｎ型半導体領域２１２Ａ，２１２Ｂ）に接続されるコンタクト電極のサイズについても、画素１２の他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のコンタクト部のサイズより小さくしてもよい。すなわち、コンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂのコンタクト部のサイズを、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８のコンタクト部のサイズよりも小さくするようにしてもよい。一例では、コンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂの径又は幅を０．１０μｍ、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８の径又は幅を０．１４μｍとすることができる。
【００３６】
コンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂのサイズを小さくすることにより、コンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂが接続されるｎ型半導体領域２１２Ａ，２１２Ｂの面積（図３においてＹ方向の幅）を縮小することができる。これにより、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２の面積を更に拡大することができる。この際、これらコンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂを介してｎ型半導体領域２１２Ａ，２１２Ｂに接続される配線２５２Ｃについても、例えば図３に示すように、線幅を細くしてもよい。一例では、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続される配線２５２の線幅を０．１４μｍ、配線２５２Ｃの線幅を０．１２μｍとすることができる。
【００３７】
なお、本明細書において、コンタクト電極或いはコンタクトプラグのサイズとは、コンタクト電極或いはコンタクトプラグの平面視における径或いは幅である。或いは、コンタクト電極或いはコンタクトプラグのサイズは、コンタクト電極或いはコンタクトプラグが接続されるコンタクト部の径或いは幅ということもできる。コンタクト電極或いはコンタクトプラグの平面視における形状は、これらのコンタクト部の形状とほぼ同じである。
【００３８】
図５は、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂ及びソース（ｎ型半導体領域２１２Ａ，２１２Ｂ）に接続されるコンタクト電極のサイズを、他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のサイズと同じにした場合の平面図である。図３と図５との比較から明らかなように、図３に示す本実施形態のレイアウトによれば、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２の面積を大幅に拡大することができる。
【００３９】
本実施形態による固体撮像装置では、画素１２のトランジスタに接続されるコンタクト電極のうち、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート及びソース（ＦＤ領域）に接続されるコンタクト電極のサイズを選択的に小さくしている。これは、固体撮像装置の性能を悪化させることなく１画素あたりの光電変換部の実効面積を拡大し、感度・ダイナミックレンジを向上するためである。
【００４０】
転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂに接続されるコンタクト電極や、ＦＤ領域に接続されるコンタクト電極は、数ｋΩ程度以上の比較的大きな接触抵抗であっても、固体撮像装置の回路動作に与える影響は小さい。これに対し、画素１２のトランジスタに電源電圧を供給する接続部のコンタクト電極や、画素信号を垂直出力線１６に出力する接続部のコンタクト電極においては、接触抵抗の増加による電圧降下を抑えて飽和信号出力を向上することが望ましい。図３及び図４の例では、コンタクトプラグ２４０がトランジスタに電源電圧Ｖｄｄを供給する接続部のコンタクト電極に対応し、コンタクトプラグ２４２が画素信号を垂直出力線１６に出力する接続部のコンタクト電極に対応する。
【００４１】
そこで、リセットトランジスタＭ３及び増幅トランジスタＭ４のドレインに接続されるコンタクトプラグ２４０及び選択トランジスタＭ５のソースに接続されるコンタクトプラグ２４２については、接触抵抗を十分に低抵抗化できる大きなサイズとする。一方、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート及びソースに接続されるコンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂについては、コンタクトプラグ２４０，２４２よりも小さいサイズとする。これにより、画素１２の集積度を低下することなく光電変換部の実効面積を拡大し、固体撮像装置の感度及びダイナミックレンジを向上することができる。
【００４２】
なお、画素回路の制御方法や列読み出し回路３０の回路構成等によっては、画素１２の選択トランジスタＭ５は、必ずしも必要ではない。この場合、画素信号を垂直出力線１６に出力する接続部のコンタクト電極は、増幅トランジスタＭ４のソースに接続されるコンタクト電極となる。
【００４３】
また、図３及び図４において、コンタクトプラグ２３８，２４４，２４６，２４８は、コンタクトプラグ２４０，２４２と同じサイズとしているが、コンタクトプラグ２４０，２４２とは異なるサイズとしてもよい。これらコンタクト電極は、転送トランジスタのゲートやＦＤ領域に接続されるコンタクト電極と同様、固体撮像装置の回路動作に与える影響は小さいからである。
【００４４】
次に、本実施形態による固体撮像装置の製造方法について、図６乃至図１０を用いて説明する。図６乃至図１０は、本実施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図であり、図３のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿った断面図に対応している。
【００４５】
まず、半導体基板２００、例えばｎ型シリコン基板の表面部に、例えばＳＴＩ法やＬＯＣＯＳ法により、活性領域２０４，２０６を画定する素子分離領域２０８を形成する。例えば、ＳＴＩ法においては、フォトリソグラフィ及び異方性ドライエッチングを用いて半導体基板２００に溝を形成した後、この溝にシリコン酸化膜等の絶縁膜を埋め込むことにより、素子分離領域２０８を形成することができる。
【００４６】
次いで、画素領域１０内にｐ型不純物をイオン注入した後、熱処理によって注入した不純物を電気的に活性化し、半導体基板２００の表面部にウェルとなるｐ型半導体領域２０２を形成する（図６（ａ））。
【００４７】
次いで、活性領域２０４，２０６の表面部に、例えば熱酸化法等により、例えばシリコン酸化膜等よりなるゲート絶縁膜２１４を形成する。
次いで、ＣＶＤ法等により多結晶シリコン膜等の導電膜を堆積後、フォトリソグラフィ及び異方性ドライエッチングを用いてこの導電膜をパターニングし、ゲート電極２１６Ａ，２１６Ｂ，２２６，２２８，２３０を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ及びイオン注入を用いて、活性領域２０４の表面部に、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２を構成するｎ型半導体領域２１０Ａ，２１０Ｂと、ＦＤ領域を構成するｎ型半導体領域２１２Ａ，２１２Ｂとを形成する。これらｎ型半導体領域２１０Ａ，２１０Ｂ，２１２Ａ，２１２Ｂは、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のソース／ドレインでもある。同様に、活性領域２０６の表面部に、リセットトランジスタＭ３，増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５のソース／ドレインを構成するｎ型半導体領域２１８，２２０，２２２，２２４を形成する。
このようして、活性領域２０４に、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２及び転送トランジスタＭ１，Ｍ２を形成し、活性領域２０６に、リセットトランジスタＭ３、増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５を形成する（図６（ｂ））。
【００４８】
次いで、光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２及びトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５を形成した半導体基板２００上に、ＣＶＤ法等により例えばシリコン酸化膜を堆積後、その表面をＣＭＰ法により平坦化し、層間絶縁膜２３２を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ及び異方性ドライエッチングを用いて層間絶縁膜２３２をパターニングし、層間絶縁膜２３２に、トランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５の各端子に達するコンタクトホール２６８Ａ〜２６８Ｊを開口する。この際、転送トランジスタのゲート及びソースに達するコンタクトホール２６８Ａ，２６８Ｂ，２６８Ｃ，２６８Ｄの開口径は、コンタクトホール２６８Ｇ，２６８Ｊの開口径よりも小さくする（図７（ａ））。なお、図示しないコンタクトホール２６８Ｄは、ｎ型半導体領域２１２Ｂ上に開口されるコンタクトホールである。
【００４９】
次いで、ＣＶＤ法等により窒化チタン（ＴｉＮ）／チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルとタングステン（Ｗ）等の配線材料とを含む導電膜を堆積後、層間絶縁膜２３２上の導電膜をエッチバック或いはポリッシュバックする。これにより、コンタクトホール２６８Ａ〜２６８Ｊにそれぞれ埋め込まれたコンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂ，２３８，２４４，２６０，２４６，２４８，２４２を形成する。このようにして、コンタクトプラグ２４０，２４２と、これらよりもサイズの小さいコンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂとを形成する（図７（ｂ））。
【００５０】
なお、上記の例では、開口径の小さいコンタクトホール２６８Ａ〜２６８Ｄと、開口径の大きいコンタクトホール２６８Ｅ〜２６８Ｊとを同じ工程で形成したが、これらは別の工程で形成してもよい。例えば、コンタクトホール２６８Ｅ〜２６８Ｊを形成した後、フォトレジストでコンタクトホール２６８Ｅ〜２６８Ｊを保護しつつ、コンタクトホール２６８Ａ〜２６８Ｄを形成することができる。
【００５１】
次いで、層間絶縁膜２３２上に、ＣＶＤ法等により例えばシリコン酸化膜を堆積後、その表面をＣＭＰ法により平坦化し、層間絶縁膜２５０を形成する。
【００５２】
次いで、シングルダマシンプロセスにより、層間絶縁膜２５０に埋め込まれ、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂ，２３８，２４４，２６０，２４６，２３８，２４２に接続されたＣｕよりなる配線２５２を形成する（図８（ａ））。
配線２５２は、コンタクトプラグ２３４Ａに接続された配線２５２Ａ、コンタクトプラグ２３４Ｂに接続された配線２５２Ｂ、コンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂに接続された配線２５２Ｃを含む。配線２５２Ａ，２５２Ｂ，２５２Ｃの線幅は、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続される配線２５２の線幅よりも細くする。
【００５３】
次いで、層間絶縁膜２５０上に、ＣＶＤ法等により例えばシリコン酸化膜を堆積後、その表面をＣＭＰ法により平坦化し、層間絶縁膜２５４を形成する。
次いで、デュアルダマシンプロセスにより、層間絶縁膜２５４に埋め込まれ、配線２５２に接続されたＣｕよりなる配線２５６を形成する（図８（ｂ））。
【００５４】
次いで、層間絶縁膜２５４上に、ＣＶＤ法等により例えばシリコン酸化膜を堆積後、その表面をＣＭＰ法により平坦化し、層間絶縁膜２５８を形成する。
次いで、コンタクトプラグ２３８等と同様にして、層間絶縁膜２５８に埋め込まれ、配線２５６に接続されたコンタクトプラグ２６０を形成する。
次いで、スパッタ法等によりアルミニウム（Ａｌ）等の導電膜を堆積後、フォトリソグラフィ及び異方性ドライエッチングを用いてこの導電膜をパターニングし、コンタクトプラグ２６０を介して配線２５６に接続された配線２６２を形成する（図９）。
【００５５】
次いで、層間絶縁膜２５８上に、ＣＶＤ法等により、例えばシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜２６４と、例えばシリコン窒化膜よりなるパッシベーション膜２６６を形成する（図１０）。
【００５６】
その後、パッシベーション膜２６６及び層間絶縁膜２６４へのパッド開口部の形成、カラーフィルタの形成、平坦化膜の形成、マイクロレンズの形成などの所定の工程を経て、固体撮像装置を完成する。
【００５７】
マイクロレンズは、１つの画素１２に含まれる２つの光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２に対して１つずつ設けられる。光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２上の層間絶縁膜２３２，２５０，２５４，２５８，２６４には、導波路構造を設けてもよい。導波路構造は、層間絶縁膜２３２，２５０，２５４，２５８，２６４に開口部を設け、この開口部に層間絶縁膜２３２，２５０，２５４，２５８，２６４よりも屈折率の高い材料を充填することにより形成することができる。例えば、層間絶縁膜２３２，２５０，２５４，２５８，２６４を酸化シリコンで構成し、導波路構造のコア部を窒化シリコンで構成することができる。導波路構造を設けることで、集光効率を向上し、光感度やＦ値（Ｆｎｏ）比例性といった光学特性を改善することができる。
【００５８】
このように、本実施形態によれば、画素の集積度を低下することなく、光電変換部の実効面積を拡大することができる。これにより、固体撮像装置の感度や出力信号のダイナミックレンジを向上することができる。
【００５９】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による光電変換装置について、図１１及び図１２を用いて説明する。第１実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図１１は、本実施形態による固体撮像装置の平面図である。図１２は、本実施形態の比較例による固体撮像装置の平面図である。
【００６０】
第１実施形態においては、各画素１２が２組の光電変換部と転送トランジスタとを有する固体撮像装置について説明した。しかしながら、本発明の効果は、各画素１２が１組の光電変換部と転送トランジスタとを有する固体撮像装置においても実現可能である。
【００６１】
図１１は、各画素１２が１つの光電変換部と１つの転送トランジスタとを有する固体撮像装置に本発明を適用した場合の画素１２の平面図の一例である。すなわち、本実施形態による固体撮像装置の画素１２は、図１１に示すように、光電変換部ＰＤ、転送トランジスタＭ１、リセットトランジスタＭ３、増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５を含む。
【００６２】
本実施形態による固体撮像装置は、転送トランジスタＭ１のゲート電極２１６に接続されるコンタクト電極のサイズが、画素１２の他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のサイズよりも小さくなっている。すなわち、コンタクトプラグ２３４のコンタクト部のサイズは、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８のコンタクト部のサイズよりも小さくなっている。一例では、コンタクトプラグ２３４の径又は幅を０．１０μｍ、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８の径又は幅を０．１４μｍとすることができる。コンタクトプラグ２３４のサイズを小さくすることにより、ゲート電極２１６のゲート長方向（図１１においてＹ方向）の線幅を細くすることが可能となり、その分、光電変換部ＰＤの面積を拡大することができる。
【００６３】
コンタクトプラグ２３４を介してゲート電極２１６に接続される配線２５２Ａの線幅は、例えば図１１に示すように、画素１２の他のトランジスタに接続される配線２５２の線幅より細くしてもよい。一例では、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続される配線２５２の線幅を０．１４μｍ、配線２５２Ａの線幅を０．１２μｍとすることができる。
【００６４】
また、転送トランジスタＭ１のソース（ｎ型半導体領域２１２）に接続されるコンタクト電極のサイズについても、画素１２の他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のサイズより小さくしてもよい。すなわち、コンタクトプラグ２３６のコンタクト部のサイズを、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８のコンタクト部のサイズよりも小さくするようにしてもよい。一例では、コンタクトプラグ２３６の径又は幅を０．１０μｍ、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８の径又は幅を０．１４μｍとすることができる。これにより、ｎ型半導体領域２１２の面積を縮小することができ、その分、光電変換部ＰＤの面積を更に拡大することができる。
【００６５】
コンタクトプラグ２３６を介して転送トランジスタＭ１のソース（ｎ型半導体領域２１２）に接続される配線２５２Ｃの線幅についても、例えば図１１に示すように、画素１２の他のトランジスタに接続される配線２５２の線幅より細くしてもよい。一例では、コンタクトプラグ２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８に接続される配線２５２の線幅を０．１４μｍ、配線２５２Ｃの線幅を０．１２μｍとすることができる。
【００６６】
図１２は、転送トランジスタＭ１のゲート電極２１６及びソース（ｎ型半導体領域２１２）に接続されるコンタクト電極のサイズを、画素１２の他のトランジスタに接続されるコンタクト電極のサイズと同じにした場合の平面図である。図１１と図１２との比較から明らかなように、図１１に示す本実施形態のレイアウトによれば、光電変換部ＰＤの面積を大幅に拡大することができる。
【００６７】
このように、本実施形態によれば、画素の集積度を低下することなく、光電変換部の実効面積を拡大することができる。これにより、固体撮像装置の感度や出力信号のダイナミックレンジを向上することができる。
【００６８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による撮像システムについて、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による撮像システムの構成例を示すブロック図である。
【００６９】
上記第１及び第２実施形態で述べた固体撮像装置１００は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と固体撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図１３には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
【００７０】
図１３に例示した撮像システム１０００は、固体撮像装置１００、被写体の光学像を固体撮像装置１００に結像させるレンズ１００２、レンズ１００２を通過する光量を可変にするための絞り１００４、レンズ１００２の保護のためのバリア１００６を有する。レンズ１００２及び絞り１００４は、固体撮像装置１００に光を集光する光学系である。固体撮像装置１００は、第１又は第２実施形態で説明した固体撮像装置１００であって、レンズ１００２により結像された光学像を画像データに変換し、画像用信号として出力する。第１実施形態の固体撮像装置１００にあっては、画像用信号に加え、焦点検出用信号を出力することも可能である。
【００７１】
撮像システム１０００は、また、固体撮像装置１００から出力される出力信号の処理を行う信号処理部１００８を有する。信号処理部１００８は、固体撮像装置１００が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換を行う。また、信号処理部１００８はその他、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。信号処理部１００８の一部であるＡＤ変換部は、固体撮像装置１００が設けられた半導体基板に形成されていてもよいし、固体撮像装置１００とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、固体撮像装置１００と信号処理部１００８とが同一の半導体基板に形成されていてもよい。
【００７２】
撮像システム１０００は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部１０１４、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部（外部Ｉ／Ｆ部）１０１８を有する。撮像システム１０００は、更に、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体１０２０、記録媒体１０２０に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部（記録媒体制御Ｉ／Ｆ部）１０１６を有する。なお、記録媒体１０２０は、撮像システム１０００に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
【００７３】
撮像システム１０００は、更に、デジタルスチルカメラの全体の駆動や各種の演算処理などを司る全体制御・演算部１０１２、固体撮像装置１００と信号処理部１００８に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部１０１０を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム１０００は少なくとも固体撮像装置１００と、固体撮像装置１００から出力された出力信号を処理する信号処理部１００８とを有すればよい。
【００７４】
このようにして、第１又は第２実施形態による固体撮像装置１００を適用した撮像システム１０００を構成することにより、感度及びダイナミックレンジが向上した高品質の画像を取得しうる高性能の撮像システムを実現することができる。
【００７５】
［変形実施形態］
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６Ｂの平面視における縦横比を他のコンタクトプラグの縦横比と同じにしてサイズを縮小しているが、縦横比は必ずしも一定である必要はない。例えば、図３においてコンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６ＢのＹ方向のサイズのみをコンタクトプラグ２４０，２４２よりも選択的に小さくしてもよい。光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２の実効面積に影響するのは図３においてＹ方向のサイズであるため、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６Ａ，２３６ＢのＹ方向のサイズを選択的に小さくした場合にも、本発明の効果を得ることができる。
【００７６】
また、上記実施形態では、転送トランジスタＭ１，Ｍ２のゲートに接続されるコンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂとソースに接続されるコンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂの双方のサイズを小さくした場合を示した。しかしながら、コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ及びコンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂのうちの一方のサイズのみを小さくするようにしてもよい。コンタクトプラグ２３４Ａ，２３４Ｂ及びコンタクトプラグ２３６Ａ，２３６Ｂのうちの一方のサイズのみを小さくした場合にも、光電変換部ＰＤ，ＰＤ１，ＰＤ２の実効面積を拡大する効果を得ることができる。
【００７７】
また、上記実施形態では、画素１２の読み出し回路をＮ型ＭＯＳトランジスタで構成した例を説明したが、画素１２の読み出し回路はＰ型ＭＯＳトランジスタで構成することも可能である。この場合、上記実施形態で説明した各半導体領域の導電型は、逆導電型になる。なお、上記実施形態に記載した各トランジスタについてのソース及びドレインの称呼は一例であり、トランジスタの導電型や着目する機能等によっては一部又は全部が逆の名称で呼ばれることもある。
【００７８】
また、図２に示した画素回路は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、１つの画素１２に、２つの光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２に対応して、リセットトランジスタ、増幅トランジスタＭ４及び選択トランジスタＭ５を２組設けるようにしてもよい。また、転送トランジスタＭ１とＦＤ領域との間に第２の転送トランジスタを設け、グローバル電子シャッタ動作が可能な画素構成としてもよい。また、図３及び図１１に示した画素１２の平面レイアウトも一例であり、これに限定されるものではない。
【００７９】
また、第３実施形態に示した撮像システムは、本発明の固体撮像装置を適用しうる撮像システムの一例を示したものであり、本発明の固体撮像装置を適用可能な撮像システムは図１３に示した構成に限定されるものではない。
【００８０】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１０…画素領域
１２…画素
１００…固体撮像装置
２００…半導体基板
２０２…ｐ型半導体領域
２０４，２０６…活性領域
２０８…素子分離領域
２１０，２１０Ａ，２１０Ｂ，２１２，２１２Ａ，２１２Ｂ，２１８，２２０，２２２，２２４…ｎ型半導体領域
２１６Ａ，２１６Ｂ，２２６，２２８，２３０…ゲート電極
２３２，２５０，２５４，２５８，２６４…層間絶縁膜
２３４，２３４Ａ，２３４Ｂ，２３６，２３６Ａ，２３６Ｂ，２３８，２４０，２４２，２４４，２４６，２４８，２６０…コンタクトプラグ
２５２，２５２Ａ，２５２Ｂ，２５２Ｃ，２５６，２６２…配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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