(57)【要約】【課題】電気を物理的運動に変換する際の圧電素子の変換効率を向上させる新たな技術を提供すること。【解決手段】圧電体と、相対的にヤング率が高い方位と低い方位（以下「低ヤング率方位」という）とを有する異方性の単結晶シリコンを振動用素材とする振動板と、を備え、低ヤング率方位が、圧電体の支持構造に応じて生じる相対的に伸縮する程度の高い方向（以下「高伸縮方向」という）と低い方向とのうちの高伸縮方向に沿った方向となるように圧電体と振動板とが積層された圧電素子である。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体と、
相対的にヤング率が高い方位と低い方位（以下「低ヤング率方位」という）とを有する異方性の単結晶シリコンを振動用素材とする振動板と、
を備え、前記低ヤング率方位が、前記圧電体の支持構造に応じて生じる相対的に伸縮する程度の高い方向（以下「高伸縮方向」という）と低い方向とのうちの高伸縮方向に沿った方向となるように前記圧電体と前記振動板とが積層された圧電素子。
【請求項２】
前記単結晶シリコンは、面方位が［００１］であり、前記低ヤング率方位は、［１００］又は［０１０］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
前記単結晶シリコンは、面方位が［００１］であり、前記低ヤング率方位は、［００１］又は［１００］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項４】
前記単結晶シリコンは、面方位が［１００］であり、前記低ヤング率方位は、［０１０］又は［００１］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項５】
前記単結晶シリコンは、面方位が［１１０］であり、前記低ヤング率方位は、［−１００］又は［００１］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項６】
前記単結晶シリコンは、面方位が［０１１］であり、前記低ヤング率方位は、［０−１０］又は［１００］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項７】
前記単結晶シリコンは、面方位が［１０１］であり、前記低ヤング率方位は、［１０−１］又は［０１０］である、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の圧電素子を、超音波の受信用に備えた超音波プローブ。
【請求項９】
請求項８に記載の超音波プローブを備えた超音波測定装置。
【請求項１０】
相対的にヤング率が高い方位と低い方位（以下「低ヤング率方位」という）とを有する異方性の単結晶シリコンウエハーから、振動板に用いる振動用素材を切り出す工程と、
前記低ヤング率方位が、圧電体の支持構造に応じて生じる相対的に伸縮する程度の高い方向（以下「高伸縮方向」という）と低い方向とのうちの高伸縮方向に沿った方向となるように、前記圧電体と前記振動板とを積層する工程と、
を含む圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子等に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子を超音波の送信用及び受信用のトランスデューサーとして利用する超音波プローブ及び超音波測定装置を用いて生体情報を測定し、血管機能の評価や血管疾患の判断が行われている。例えば、特許文献１には、受信した超音波の振幅情報を処理することによって得られる生体組織からの反射波信号強度と、受信した超音波の位相情報を処理することによって得られる生体組織の移動速度とを用いて、血管壁を自動的に検出する超音波プローブ及び超音波測定装置が開示されている。
【０００３】
こうした超音波プローブ及び超音波測定装置に使用される圧電素子は、例えば特許文献２に開示されるように、薄膜上の振動板の上に圧電体を積層して作成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１７３１７７号公報
【特許文献２】特開昭６０−２０６３１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さて、電気を物理的運動（例えば振動）に変換するアクチュエーターとして圧電素子を使用する場合、低消費電力でありながら大きな運動エネルギーを得られる高利得性が望まれるため、変換効率をいかに高めるかが重要である。その１つの方法として、振動板を薄くすることが考えられるが、製造技術上の制約から薄くするにも限界があり振動板の薄化による変換効率の向上策は限界に達していた。
【０００６】
本発明は、電気を物理的運動に変換する際の圧電素子の変換効率を向上させる新たな技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するための第１の発明は、圧電体と、相対的にヤング率が高い方位と低い方位（以下「低ヤング率方位」という）とを有する異方性の単結晶シリコンを振動用素材とする振動板と、を備え、前記低ヤング率方位が、前記圧電体の支持構造に応じて生じる相対的に伸縮する程度の高い方向（以下「高伸縮方向」という）と低い方向とのうちの高伸縮方向に沿った方向となるように前記圧電体と前記振動板とが積層された圧電素子である。
【０００８】
詳細には後述するが、振動板の低ヤング率方位に圧電体の高伸縮方向が沿うように作成された振動板は、それ以外の方向に沿って作成された振動板よりも、電気を物理的運動に変換する際の変換効率が高いことが分かったよって、第１の発明によれば、振動板を切り出す素材の薄さが同じでも、電気を物理的運動に変換する際の変換効率の高い圧電素子を作成することができる。
【０００９】
より具体的には、第２の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［００１］であり、前記低ヤング率方位は、［１００］又は［０１０］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１０】
また、第３の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［００１］であり、前記低ヤング率方位は、［００１］又は［１００］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１１】
また、第４の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［１００］であり、前記低ヤング率方位は、［０１０］又は［００１］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１２】
また、第５の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［１１０］であり、前記低ヤング率方位は、［−１００］又は［００１］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１３】
また、第６の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［０１１］であり、前記低ヤング率方位は、［０−１０］又は［１００］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１４】
また、第７の発明として、前記単結晶シリコンは、面方位が［１０１］であり、前記低ヤング率方位は、［１０−１］又は［０１０］である、第１の発明の圧電素子を構成することができる。
【００１５】
第８の発明は、第１〜第７の何れかの発明の圧電素子を、超音波の送信用に備えた超音波プローブである。
【００１６】
第８の発明によれば、超音波の送信用に好適な超音波プローブを実現できる。
【００１７】
第９の発明は、第８の発明の超音波プローブを備えた超音波測定装置である。
【００１８】
第９の発明によれば、電気を物理的運動に変換する際の変換効率の高い超音波測定装置を実現できる。
【００１９】
第１０の発明は、相対的にヤング率が高い方位と低い方位（以下「低ヤング率方位」という）とを有する異方性の単結晶シリコンウエハーから、振動板に用いる振動用素材を切り出す工程と、前記低ヤング率方位が、圧電体の支持構造に応じて生じる相対的に伸縮する程度の高い方向（以下「高伸縮方向」という）と低い方向とのうちの高伸縮方向に沿った方向となるように、前記圧電体と前記振動板とを積層する工程と、を含む圧電素子の製造方法である。
【００２０】
第１０の発明によれば、第１の発明の作用効果を有する圧電素子を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態における超音波測定装置のシステム構成例を示す図。
【図２】第１実施形態における超音波プローブの構成例を示す図。
【図３】第１実施形態における第２圧電素子の構成例を示す上面図。
【図４】図３におけるＡ−Ａ断面図。
【図５】図３におけるＢ−Ｂ断面図。
【図６】単結晶シリコンの［００１］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【図７】第１実施形態における第２圧電素子の製造工程を説明するためのフローチャート。
【図８】第１実施形態における［００１］面方位のシリコンウエハーにおけるケイ素層及び振動板のパターニングの位置関係を説明するための概念図。
【図９】単結晶シリコンの［１１０］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【図１０】第２実施形態の［１１０］面方位のシリコンウエハーにおけるケイ素層及び振動板のパターニングの位置関係を説明するための概念図。
【図１１】［１１０］面方位のシリコンウエハーから、１）振動板の長手方向を面方位［００１］に沿わせて作成した第２圧電素子と、２）振動板の長手方向を面方位［−１１１］に沿わせて作成した第２圧電素子と、のセンサー感度の違いを表す試験結果のグラフ。
【図１２】第３実施形態における第２圧電素子の構成例を示す上面図。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ断面。
【図１４】図１２のＤ−Ｄ断面図。
【図１５】第２圧電素子の構成の変形例を示す断面図（その１）。
【図１６】第２圧電素子の構成の変形例を示す断面図（その２）。
【図１７】第２圧電素子の構成の変形例を示す断面図（その３）
【図１８】単結晶シリコンの［０１０］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【図１９】単結晶シリコンの［１００］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【図２０】単結晶シリコンの［０１１］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【図２１】単結晶シリコンの［１０１］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態における超音波測定装置１０のシステム構成例を示す図である。
超音波測定装置１０は、超音波を被測定者２へ送信して反射波を測定することにより被測定者２の生体情報を測定する装置である。本実施形態では、生体情報の１つとして頸動脈３のＩＭＴ（Intima Media Thickness：血管の内膜中膜複合体厚）といった血管機能情報を測定する。勿論、ＩＭＴ以外にも、血管径や、血管径から血圧を推定する、血管径の変化から脈拍を算出するといった別の血管機能情報や生体情報を測定することとしてもよい。また、測定対象は人間に限らない。
【００２３】
超音波測定装置１０は、測定制御装置２０と、貼り付け型の超音波プローブ４０とを有する。
測定制御装置２０は、携帯型のコンピューターであって、測定結果や操作情報を画像表示するための手段及び操作入力するための手段を兼ねるタッチパネル２２と、超音波プローブ４０との間で信号の送受信を制御するインターフェース回路２４と、制御基板３０と、を備える。その他、図示されない内臓バッテリーなどを適宜備える。
【００２４】
制御基板３０には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１や、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、各種集積回路の他、ＩＣメモリー３２と、インターフェース回路２４を介して外部装置（本実施形態では超音波プローブ４０）とのデータ通信を実現する通信ＩＣ３３とが搭載されている。制御基板３０は、ＣＰＵ３１等でＩＣメモリー３２に記憶されている制御プログラムを実行することにより、超音波測定をはじめとする本実施形態に係る各種機能を実現する。
【００２５】
すなわち、超音波測定装置１０は、制御基板３０の演算処理等により、被測定者２に貼り付けられた超音波プローブ４０から生体内組織へ向けて超音波ビームを送信・照射し反射波を受信する。そして反射波の受信信号を増幅・信号処理することにより、被測定者２の生体内構造に係る反射波データを生成することができる。そして、反射波データに基づいて各種生体情報の連続的な計測とデータ記憶とを実現する。
【００２６】
図２は、本実施形態における超音波プローブ４０の構成例を示す図であって、被測定者２への貼り付け面（超音波送受信面）側から見た図である。
超音波プローブ４０は、貼り付け面側に、被測定者２の皮膚に超音波プローブ４０を着脱自在に粘着させる粘着部４２と、超音波センサー４４とを有する。
【００２７】
超音波センサー４４は、超音波送受信面の長辺方向と短辺方向に複数の超音波トランスデューサー４６を２次元配列した集合体である。超音波プローブ４０は、超音波センサー４４の長辺が頸動脈３の短軸方向に横断する相対姿勢で被測定者２の皮膚面に貼り付けられる。
【００２８】
１つの超音波トランスデューサー４６は、第１圧電素子５０と第１圧電素子５０とを含み、第１圧電素子５０が超音波の送信を、第２圧電素子６０が反射波の受信を担う。
【００２９】
図３は、本実施形態における第１圧電素子５０の構成例を示す上面図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ断面図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００３０】
本実施形態の第１圧電素子５０は、圧電体に電圧が印加されると物理的（機械的）な運動を生み出す素子である。より具体的には、電圧に応じて伸縮する素子である。
本実施形態の第１圧電素子５０は、空洞部５１が設けられた（空洞部５１が開けられた）上面視矩形状の支持基板５２の上面に、薄膜状のケイ素層５７が接合されている。なお、支持基板５２の上面にケイ素層５７を形成してから空洞部５１を形成することとしてもよい。
【００３１】
ケイ素層５７は、空洞部５１を渡る両持ち梁構造（両端固定支持構造）の振動板５３を有する。すなわち、ケイ素層５７は、空洞部５１を覆うように接合されるが、上面視矩形の空洞部５１の長手方向の辺縁部に沿って２本のスリット５４が設けられる。この２本のスリット５４が、丁度、空洞部５１を長手方向に渡る薄板の橋梁構造、すなわち薄板の両持ち梁を作り出す。
【００３２】
そして、振動板５３の上面にはアクチュエーター部５５が積層されている。本実施形態のアクチュエーター部５５は、電気エネルギーを運動エネルギーに変換する圧電体５５１を、上部電極５５２と下部電極５５３で挟んで構成される。本実施形態では圧電体５５１を、圧電セラミック、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）とするが、その他の圧電材料も適宜選択可能である。
【００３３】
上部電極５５２と下部電極５５３との間に交流電圧を印加すると、圧電体５５１及び振動板５３が高伸縮方向（本実施形態の構成では振動板５３の長手方向）へ周期的に伸縮する。つまり、アクチュエーター部５５及び振動板５３が振動する。これにより、第１圧電素子５０は、その上方（図３に向かって手前側、図４及び図５に向かって上側）或いは下方（図３に向かって裏面側、図４及び図５に向かって下側）へ超音波を送出する。
【００３４】
第１圧電素子５０から発せられた超音波は、被測定者２の体内で反射する。第２圧電素子６０は、反射波を受けて、反射波の強さに応じた電圧を出力する。超音波測定装置１０は、この電圧を測定制御装置２０で演算処理することで生体情報を算出する。
【００３５】
さて、第１圧電素子５０による電気から物理的運動への変換効率（以下適宜、単に「変換効率」という）は、アクチュエーター部５５を除けば振動板５３を如何に薄くするかにかかってくるが、製造技術上の制約からそれにも限界が有る。
【００３６】
そこで、本実施形態では、第１圧電素子５０の変換効率を高めるために、振動板５３とする薄板素材を、方位によりヤング率が異なる異方性を有する素材とする。そして、第１圧電素子５０を、振動板５３の高伸縮方向が、ヤング率が相対的に低い方位（低ヤング率方位）に沿うように作成する。振動板５３の高伸縮方向は、振動板５３の支持構造によるが、本実施形態の場合、長手形状の圧電体５５１を両端で支持する構造であるため、長手方向となる。
【００３７】
図６は、単結晶シリコンの［００１］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフであって、図６に向かって手前方向が面方位［００１］となり、図６に向かって下側が面方位［１１０］となるように記している。
【００３８】
図６に示すように、単結晶シリコンの［００１］面内におけるヤング率は、四辺の中央がやや内側に凹んだ菱形状の異方性を有している。本実施形態で振動板５３とする素材は、長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［１００］及び面方位［０１０］の何れかに沿った方向となるように切り出す。
【００３９】
図７は、本実施形態における第１圧電素子５０の製造工程を説明するためのフローチャートである。本実施形態における第１圧電素子５０の製造工程は、まず、単結晶シリコンインゴットを、ヤング率の異方性が生じる、［００１］面方位でスライスすることでシリコンウエハー７を作成する（ステップＳ６）。なお、単結晶シリコンインゴットからスライスしてシリコンウエハー７を作成するのではなく、［００１］面方位のシリコンウエハー７を別途購入する等して用意することとしてもよい。
【００４０】
次いで、当該シリコンウエハー７に振動板５３の長手方向が低ヤング率方位に沿うようにして、第１圧電素子５０をパターニングして振動板５３とする素材を含む第１圧電素子５０のケイ素層５７を切り出す（ステップＳ８）。そして、上部電極５５２及び下部電極５５３を含む、圧電体層６５１と振動板５３とを積層して第１圧電素子５０を作成する（ステップＳ１０）。
【００４１】
図８は、本実施形態における［００１］面方位のシリコンウエハー７における、振動板５３を含むケイ素層５７のパターニングの位置関係を説明するための概念図である。
【００４２】
図８において、［００１］面方位のシリコンウエハー７には、面方位［１１０］に対応する縁部にオリエンテーションフラット７１が形成されているとしている。このため、当該オリエンテーションフラット７１を目印として、１つ１つの第１圧電素子５０のケイ素層５７がパターニングされる。具体的には、振動板５３の長手方向が、低ヤング率方位である面方位［１００］及び面方位［０１０］のうちの何れかに沿った方向となるようにパターニングされる。
【００４３】
なお、図８では、理解を容易にするために１つの第１圧電素子５０に用いるケイ素層５７の大きさは実際より大きく表している。
【００４４】
以上、本実施形態によれば、振動板５３の厚さをそのままに、変換効率を向上させた高出力・省エネルギーな圧電アクチュエーターとしての第１圧電素子５０を実現できる。
【００４５】
なお、本実施形態の第１圧電素子５０の積層構造であるが、上面側に更に薄膜シート層を設ける構成を採用することとしてもよい。
【００４６】
［第２実施形態］
次に、本発明を適用した第２実施形態について述べる。
本実施形態は、基本的に第１実施形態と同様にして実現されるが、使用するシリコンウエハーの面方位が異なり、振動板５３を含むケイ素層５７のパターニングの方向が異なる。なお、以降では主に第１実施形態との差異について述べることとし、同様の構成要素には同じ符号を付与して説明は省略するものとする。
【００４７】
図９は、単結晶シリコンの［１１０］面内におけるヤング率の異方性の例を示すグラフであって、図９に向かって手前方向が面方位［１１０］となり、図９の下側が面方位［−１１１］となるように記している。
【００４８】
シリコン［１１０］面内におけるヤング率は、四辺の中央がやや内側に凹んだ菱形状の異方性を有している。よって、本実施形態では、振動板５３の長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［００１］、及び面方位［−１１０］の何れかに沿うように振動板５３を含むケイ素層５７を切り出す。
【００４９】
図１０は、［１１０］面方位のシリコンウエハー７Ｂにおける、振動板５３を含むケイ素層５７のパターニングの位置関係を説明するための概念図である。
【００５０】
［１１０］面方位のシリコンウエハー７Ｂには、面方位［−１１１］にオリエンテーションフラット７１が形成されているとしている。このため、オリエンテーションフラット７１を基準にして１つ１つの第１圧電素子５０のケイ素層５７がパターニングされる。具体的には、振動板５３の長手方向が、低ヤング率方位である面方位［００１］、及び面方位［−１１０］の何れかに沿った方向となるようにパターニングされる。
【００５１】
図１１は、［１１０］面方位のシリコンウエハー７から、１）振動板５３の長手方向を面方位［００１］（低ヤング率方位）に沿わせて作成した第１圧電素子５０ａと、２）振動板５３の長手方向を面方位［−１１１］（高ヤング率方位）に沿わせて作成した第１圧電素子５０ｂと、の変換効率の違いを表す試験結果のグラフである。図１１に示すように、同じ厚さのシリコンウエハー７から作成された振動板であっても、長手方向を面方位［１１０］（低ヤング率方位）に沿わせて作成した第１圧電素子５０ａは、面方位［−１１１］（高ヤング率方位）に沿わせて作成した第１圧電素子５０ｂに比べて、超音波への応答性がおよそ１．２７倍向上した。
【００５２】
第２実施形態でも、第１実施形態と同様、振動板５３の厚さをそのままに、変換効率を向上させた第１圧電素子５０を実現できる。
【００５３】
［第３実施形態］
次に、本発明を適用した第３実施形態について述べる。
本実施形態は、基本的に第１実施形態と同様にして実現されるが、第１圧電素子５０の構造が異なる。なお、以降では主に第１実施形態との差異について述べることとし、同様の構成要素には同じ符号を付与して説明は省略するものとする。
【００５４】
図１２は、本実施形態における第１圧電素子５０Ｃの構成例を示す上面図である。図１３は、図１２のＣ−Ｃ断面図である。図１４は、図１２のＤ−Ｄ断面図である。本実施形態の第１圧電素子５０Ｃでは、振動板５３が空洞部５１に対して延設された薄板の片持ち梁構造を成している。
【００５５】
振動板５３を含むケイ素層５７のシリコンウエハー７のパターニングは、第１実施形態又は第２実施形態と同様である。
【００５６】
〔変形例〕
以上、本発明を適用した実施形態について説明したが、適宜構成要素の追加・省略・変更をすることができる。
【００５７】
［その１］
例えば、上記実施形態では振動板５３をケイ素の単層構造としたが、図１５の振動板長手方向断面図（図５に相当）に示すように、アクチュエーター部５５との間に酸化ジルコニア層５８や二酸化ケイ素層５９を有した複層構造としてもよい。
【００５８】
［その２］
また、上記実施形態では支持基板５２とケイ素層５７とを別材としたが、図１６の振動板長手方向断面図に示すように、支持基板５２とケイ素層５７とを同一材とし、空洞部５１をエッチング等により作成することとしてもよい。
【００５９】
［その３］
また、上記実施形態では振動板５３の周囲にスリット５４を設けたが、図１７の断面図（図４相当）に示すように、スリット５４を省略した構成としてもよい。例えば、振動板５３を上面視矩形とするならば、その四片を支持基板５２で支持した支持構造と呼ぶことができる。この場合、外力を受けたときの高伸縮方向は、振動板５３（圧電体５５１）の短手方向となるため、この方向が低ヤング率方位に沿うように振動板５３を作成・積層すればよい。同様のことは、図１５及び図１６の構成にも適用できる。
【００６０】
［その４］
また、上記実施形態では、１つの超音波トランスデューサー４６が、送信用の第１圧電素子５０と、受信用の第２圧電素子６０とを別々に有する構成としているが、第１圧電素子５０が受信用途も兼ねる構成として、第２圧電素子６０を不用とする構成としてもよいのは勿論である。
【００６１】
［その５］
また、上記実施形態では、振動板５３の素材を単結晶シリコンとしたが、偏角方向にヤング率の異方性を有する結晶方位面で薄板を作成できる素材であれば、他の物質でも構わない。例えば、ガリウムヒ素などシリコンと同じ炭素属の他元素（第１４属元素）の素材なども利用可能である。
【００６２】
［その６］
また、第１実施形態は、面方位［０１０］の単結晶シリコン及び面方位［１００］の単結晶シリコンにも適用できる。
すなわち、単結晶シリコンの［０１０］面内におけるヤング率も、図１８に示すように異方性を有する。よって、振動板５３とする素材を、長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［００１］及び面方位［１００］の何れかに沿った方向となるように切り出せばよい。
【００６３】
同様に、単結晶シリコンの［１００］面内におけるヤング率も、図１９に示すように異方性を有する。よって、振動板５３とする素材を、長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［０１０］及び面方位［００１］の何れかに沿った方向となるように切り出せばよい。
【００６４】
［その７］
また、第２実施形態は、面方位［０１１］の単結晶シリコン及び面方位［１０１］の単結晶シリコンにも適用できる。
すなわち、単結晶シリコンの［０１１］面内におけるヤング率も、図２０に示すように異方性を有する。よって、振動板５３とする素材を、長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［０−１１］及び面方位［１００］の何れかに沿った方向となるように切り出せばよい。
【００６５】
同様に、単結晶シリコンの［１０１］面内におけるヤング率も、図２１に示すように異方性を有する。よって、振動板５３とする素材を、長手方向が、ヤング率が局所的に低くなる面方位［１０−１］及び面方位［０１０］の何れかに沿った方向となるように切り出せばよい。
【符号の説明】
【００６６】
２…被測定者、３…頸動脈、７…シリコンウエハー、１０…超音波測定装置、２０…測定制御装置、２２…タッチパネル、２４…インターフェース回路、３０…制御基板、３２…ＩＣメモリー、３３…通信ＩＣ、４０…超音波プローブ、４２…粘着部、４４…超音波センサー、４６…超音波トランスデューサー、５０…第１圧電素子、５１…空洞部、５２…支持基板、５３…振動板、５４…スリット、５５…アクチュエーター部、５５１…圧電体、５５２…上部電極、５５３…下部電極、５７…ケイ素層、５８…酸化ジルコニア層、５９…二酸化ケイ素層、６０…第２圧電素子、７１…オリエンテーションフラット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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