(57)【要約】【課題】電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる電力供給装置を提供する。【解決手段】電力供給装置は、電源と、スイッチング素子と、電圧保持部と、を備える。前記電源は、外部に電力を供給する。前記スイッチング素子は、前記電源から電力を受ける負荷と前記電源との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。前記電圧保持部は、前記スイッチング素子を開状態に維持する。【選択図】図１
2017229130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷と前記電源との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部と、
を備える電力供給装置。
【請求項２】
前記電圧保持部は、
前記電源と並列に接続され一端が前記所定の端子に接続されて前記スイッチング素子を開状態に維持する抵抗、
を備え、
前記スイッチング素子は、
前記所定の端子に接続される前記電源と前記抵抗との間の第１配線が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる、
請求項１に記載の電力供給装置。
【請求項３】
前記第１配線は、
前記電源、前記スイッチング素子及び前記電圧保持部が実装された回路基板上に形成され、
前記スイッチング素子は、
前記第１配線が形成された回路基板部分を取り除かれることによって前記第１配線が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる、
請求項２に記載の電力供給装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、
ＭＯＳトランジスタである、
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電力供給装置。
【請求項５】
前記電圧保持部は、
外部から印加されたハイ状態を示す信号、または、ロウ状態を示す信号を受け、受けた信号に基づいて前記所定の端子に電圧を印加し、
前記スイッチング素子は、
前記電圧保持部によって前記所定の端子に印加された電圧に応じて、開状態から閉状態へと切り替わる、
請求項１に記載の電力供給装置。
【請求項６】
外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷と前記電源との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子、前記電源と並列に接続され一端が前記所定の端子に接続されて前記スイッチング素子を開状態に維持する抵抗のそれぞれを実装するための回路基板であって、
前記電源、前記スイッチング素子、前記抵抗のそれぞれが実装され、前記所定の端子に接続される前記電源と前記抵抗との間の第１配線が切断された場合に、前記スイッチング素子が開状態から閉状態へと切り替わる配線パターンを備える回路基板。
【請求項７】
前記第１配線が形成された回路基板部分が除去可能に加工されている、
請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
外部に電力を供給する電池、前記電池から電力を受ける負荷と前記電池との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子、前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部のそれぞれが実装された回路基板を、前記電圧保持部が前記スイッチング素子を開状態に維持する状態で保存する、電池保存方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力供給装置、回路基板及び電池保存方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アミューズメント用途の機器で使用されるモジュールでは、回路素子や電池が回路基板に直接実装されている場合が多い。
特許文献１には、関連する技術として、電池を搭載したメモリバックアップ用の回路基板に関する技術が開示されている。特許文献１に記載されている回路基板は、コネクタを介してメモリバックアップを実現する回路基板であり、搭載される電池は充電可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平０４−０５４０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
回路素子や電池が回路基板に直接実装されるモジュールでは、回路素子や電池が回路基板に実装された時点で回路素子を介してモジュールの負荷に電流が流れ、モジュールの検査が行われる前に電池の消耗が開始されてしまう。特に、負荷が抵抗性の素子を含む場合には、負荷に電流が流れ続け、電池の消耗が激しくなる。
そこで、電池と負荷との間に機械スイッチを設けて電池から負荷への電力の経路を開状態と閉状態に切り替えることが考えられる。
しかしながら、アミューズメント用途などの機器で使用されるモジュールでは使用できる部品に制約があり、機械スイッチやコネクタなどの部品の使用ができない場合がある。また、信頼性を担保する見地から、機械スイッチやコネクタをできるだけ使用しない方が望ましい。
特許文献１に記載された回路基板と同様に電池として充電可能な電池を用いることも考えられる。しかしながら、この場合にも充電を行うためにはコネクタが必要であり、コネクタを使用できない場合がある。
そのため、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことのできる技術が求められていた。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決することのできる電力供給装置、回路基板及び電池保存方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷と前記電源との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子と、前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部と、を備える電力供給装置である。
【０００７】
また、本発明は、外部に電力を供給する電源と前記電源から電力を受ける負荷と前記電源との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子、前記電源と並列に接続され一端が前記所定の端子に接続されて前記スイッチング素子を開状態に維持する抵抗のそれぞれを実装するための回路基板であって、前記電源、前記スイッチング素子、前記抵抗のそれぞれが実装され、前記所定の端子に接続される前記電源と前記抵抗との間の第１配線が切断された場合に、前記スイッチング素子が開状態から閉状態へと切り替わる配線パターンを備える回路基板である。
【０００８】
また、本発明は、外部に電力を供給する電池、前記電池から電力を受ける負荷と前記電池との間に設けられ所定の端子に印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わるスイッチング素子、前記スイッチング素子を開状態に維持する電圧保持部のそれぞれが実装された回路基板を、前記電圧保持部が前記スイッチング素子を開状態に維持する状態で保存する、電池保存方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第一の実施形態による電力供給装置の最小構成を示す図である。
【図２】本発明の第二の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施形態における回路基板上の実装例を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施形態による回路基板の切断を説明するための図である。
【図５】本発明の第二の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。
【図６】本発明の第三の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の第三の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。
【図８】本発明の第四の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図９】本発明の第四の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。
【図１０】本発明の第五の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第五の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す図である。
【図１２】本発明の第六の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第六の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第１の図である。
【図１４】本発明の第六の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第２の図である。
【図１５】本発明の第七の実施形態による電力供給装置の構成を示す図である。
【図１６】本発明の第七の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第１の図である。
【図１７】本発明の第七の実施形態による電力供給装置の真理値表を示す第２の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第一の実施形態＞
本発明の第一の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第一の実施形態による電力供給装置は、本発明の最小構成の電力供給装置である。
【００１２】
本発明の第一の実施形態による電力供給装置１は、図１に示すように、少なくとも、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
【００１３】
電源１０は、外部に電力を供給する。
スイッチング素子２０は、電源１０と図示されていない負荷との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲートを備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。
電圧保持部３０は、スイッチング素子２０を開状態に維持する。
【００１４】
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００１５】
＜第二の実施形態＞
本発明の第二の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第二の実施形態による電力供給装置１は、図２に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図２には、負荷４０が示されている。
【００１６】
電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図２に示すｐＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１を備える。
【００１７】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、図３に示すように、回路基板５０上に実装される。
【００１８】
電源１０の高電圧側の端子ａ１は、回路基板５０におけるパターン配線（以下、「パターン配線」と記載）を介して、スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子２０のゲート（所定の端子）、抵抗３０１の端子ｃ１のそれぞれに接続される。
【００１９】
電源１０の低電圧側の端子ｂ１は、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｄ１、負荷４０の端子ｅ１のそれぞれに接続される。
【００２０】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｆ１に接続される。
【００２１】
なお、端子ｂ１、端子ｄ１、端子ｅ１のそれぞれは、図示されていないグラウンドパターン配線を介して接続されている。
【００２２】
スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子のゲート、抵抗３０１の端子ｃ１のそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す同一の電圧が印加される。
【００２３】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれに同一の電圧が印加されると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、電力供給装置１において流れる全電流の大部分は、電源１０によって印加された電圧により抵抗３０１が流す電流である。
【００２４】
ここで、図２に示す電力供給装置１において、電源１０の端子ａ１と抵抗３０１の端子ｃ１とを接続しているパターン配線Ａ１（第１配線、図２におけるＡ−Ａ’間のパターン配線）が切断される。
例えば、パターン配線Ａ１の切断は、図３で示す回路基板５０のように、Ａ−Ａ’間にミシン目（スリット）の加工を施し、ミシン目に沿って回路基板５０を切断することにより実現される。このとき、図３で示す回路基板５０は、回路基板５０ａと回路基板５０ｂのそれぞれに分離される。
なお、パターン配線Ａ１の切断を行うために施される回路基板５０の加工は、ミシン目の加工のほか、図４に示すＶカットラインなどの回路基板の一部を切断するための加工であってもよい。
【００２５】
パターン配線Ａ１が切断された場合、スイッチング素子２０のソースには、電源１０によって、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧が印加される。また、抵抗３０１の端子ｃ１には電源１０によるＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加されなくなるため、抵抗３０１は、電流を流さない。そのため、抵抗３０１の端子ｃ１、スイッチング素子２０のゲートのそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す電圧が印加される。
スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００２６】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【００２７】
したがって、図５に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ａ１が切断される前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図５に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ａ１が切断された後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
【００２８】
以上、本発明の第二の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、電源１０と並列に接続され端子ｃ１（一端）がゲートに接続されてスイッチング素子２０を開状態に維持する抵抗３０１を備える。また、スイッチング素子２０は、ゲートに接続される電源１０と抵抗３０１との間のパターン配線Ａ１（第１配線）が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００２９】
＜第三の実施形態＞
本発明の第三の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第三の実施形態による電力供給装置１は、図６に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図６には、負荷４０が示されている。
【００３０】
スイッチング素子２０は、例えば、図６に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１を備える。
【００３１】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。
【００３２】
電源１０の高電圧側の端子ａ２は、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｃ２、負荷４０の端子ｅ２のそれぞれに接続される。
【００３３】
電源１０の低電圧側の端子ｂ２は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子２０のゲート（所定の端子）、抵抗３０１の端子ｄ２のそれぞれに接続される。
【００３４】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｆ２に接続される。
【００３５】
スイッチング素子２０のソース、スイッチング素子のゲート、抵抗３０１の端子ｄ２のそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す同一の電圧が印加される。
【００３６】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれに同一の電圧が印加されると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、電力供給装置１において流れる全電流の大部分は、電源１０によって印加された電圧により抵抗３０１が流す電流である。
【００３７】
ここで、図６に示す電力供給装置１において、電源１０の端子ｂ２と抵抗３０１の端子ｄ２とを接続しているパターン配線Ｂ１（第１配線、図６におけるＢ−Ｂ’間のパターン配線）が切断される。
パターン配線Ｂ１の切断は、回路基板５０におけるＢ−Ｂ’間にミシン目の加工を施し、ミシン目に沿って回路基板５０を切断することにより実現される。
【００３８】
パターン配線Ｂ１が切断された場合、スイッチング素子２０のソースには、電源１０によって、Ｌｏｗ状態を示す電圧が印加される。また、抵抗３０１の端子ｄ２には電源１０によるＬｏｗ状態を示す電圧が印加されなくなるため、抵抗３０１は、電流を流さない。そのため、抵抗３０１の端子ｄ２、スイッチング素子２０のゲートのそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される。
スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００３９】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【００４０】
したがって、図７に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ｂ１が切断される前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図７に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、パターン配線Ｂ１が切断された後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０から負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
【００４１】
以上、本発明の第三の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、電源１０と並列に接続され端子ｄ２（一端）がゲートに接続されてスイッチング素子２０を開状態に維持する抵抗３０１を備える。また、スイッチング素子２０は、ゲートに接続される電源１０と抵抗３０１との間のパターン配線Ｂ１（第１配線）が切断された場合に、開状態から閉状態へと切り替わる。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００４２】
＜第四の実施形態＞
本発明の第四の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第四の実施形態による電力供給装置１は、図８に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図８には、負荷４０が示されている。
【００４３】
電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図８に示すｐＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｎＭＯＳトランジスタ３０４と、を備える。
【００４４】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。
【００４５】
電源１０の高電圧側の端子ａ３は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｃ３、サイリスタ３０２のアノードのそれぞれに接続される。
【００４６】
電源１０の低電圧側の端子ｂ３は、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｅ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のソース、負荷４０の端子ｇ３のそれぞれに接続される。
【００４７】
スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｄ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のドレインのそれぞれに接続される。
【００４８】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ３に接続される。
【００４９】
サイリスタ３０２のカソードは、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｆ３、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートのそれぞれに接続される。
なお、サイリスタ３０２のゲートは、単独で存在する端子である。
【００５０】
スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｃ３、サイリスタ３０２のアノードのそれぞれには、電源１０によってＨｉｇｈ状態を示す同一の電圧が印加される。
【００５１】
サイリスタ３０２のゲートにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、サイリスタ３０２は、オフ状態であり、抵抗３０３に電流を流さない。
その結果、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
【００５２】
ｎＭＯＳトランジスタのゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、ｎＭＯＳトランジスタ３０４はオフ状態であり、抵抗３０１に電流を流さない。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、ソースと同一の電位となる。
【００５３】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
【００５４】
また、サイリスタ３０２のゲートにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加された場合、サイリスタ３０２は、オン状態であり、抵抗３０３に電流を流す。
その結果、ｎＭＯＳトランジスタ３０４のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がｎＭＯＳトランジスタ３０４のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００５５】
ｎＭＯＳトランジスタ３０４は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、オン状態となり、抵抗３０１に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
【００５６】
このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００５７】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【００５８】
したがって、上述のサイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、図９に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図９に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
【００５９】
以上、本発明の第四の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｎＭＯＳトランジスタ３０４と、を備える。サイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００６０】
＜第五の実施形態＞
本発明の第五の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第五の実施形態による電力供給装置１は、図１０に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１０には、負荷４０が示されている。
【００６１】
電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１０に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｐＭＯＳトランジスタ３０５と、を備える。
【００６２】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。
【００６３】
電源１０の低電圧側の端子ａ４は、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｃ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のソース、負荷４０の端子ｇ４のそれぞれに接続される。
【００６４】
電源１０の高電圧側の端子ｂ４は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｅ４、サイリスタ３０２のカソードのそれぞれに接続される。
【００６５】
スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、抵抗３０１の端子ｆ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のドレインのそれぞれに接続される。
【００６６】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ４に接続される。
【００６７】
サイリスタ３０２のアノードは、パターン配線を介して、抵抗３０３の端子ｄ４、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートのそれぞれに接続される。
なお、サイリスタ３０２のゲートは、単独で存在する端子である。
【００６８】
スイッチング素子２０のソース、抵抗３０１の端子ｅ４、サイリスタ３０２のカソードのそれぞれには、電源１０によってＬｏｗ状態を示す同一の電圧が印加される。
【００６９】
サイリスタ３０２のゲートにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、サイリスタ３０２は、オフ状態であり、抵抗３０３に電流を流さない。
その結果、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
【００７０】
ｐＭＯＳトランジスタのゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、ｐＭＯＳトランジスタ３０５はオフ状態であり、抵抗３０１に電流を流さない。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、ソースと同一の電位となる。
【００７１】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
【００７２】
また、サイリスタ３０２のゲートにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加された場合、サイリスタ３０２は、オン状態であり、抵抗３０３に電流を流す。
その結果、ｐＭＯＳトランジスタ３０５のゲートは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がｐＭＯＳトランジスタ３０５のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００７３】
ｐＭＯＳトランジスタ３０５は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、オン状態となり、抵抗３０１に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のゲートは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
【００７４】
このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００７５】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【００７６】
したがって、上述のサイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、図１１に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１１に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
【００７７】
以上、本発明の第五の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、抵抗３０１と、サイリスタ３０２と、抵抗３０３と、ｐＭＯＳトランジスタ３０５と、を備える。サイリスタのゲートがＬｏｗ状態の電圧を示す状態を切り替え前、サイリスタのゲートがＨｉｇｈ状態の電圧を示す状態を切り替え後とすると、電圧保持部３０は、切り替え前には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、切り替え後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００７８】
＜第六の実施形態＞
本発明の第六の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第六の実施形態による電力供給装置１は、図１２に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１２には、負荷４０が示されている。
【００７９】
電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１２に示すｐＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ（Ｓｅｔ−Ｒｅｓｅｔ  Ｆｌｉｐ−Ｆｌｏｐ）３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。
【００８０】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。また、回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。
【００８１】
電源１０の高電圧側の端子ａ５は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、ＳＲ−ＦＦ３０６の電源端子Ｖのそれぞれに接続される。
【００８２】
電源１０の低電圧側の端子ｂ５は、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６のＧＮＤ、抵抗３０７の端子ｃ５、抵抗３０８の端子ｅ５、負荷４０の端子ｇ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＧＮＤのそれぞれに接続される。
【００８３】
スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑに接続される。
【００８４】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ５に接続される。
【００８５】
ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓは、パターン配線を介して、抵抗３０８の端子ｆ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓのそれぞれに接続される。
【００８６】
ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒは、パターン配線を介して、抵抗３０７の端子ｄ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｒのそれぞれに接続される。
【００８７】
ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となり、スイッチング素子２０のソースとゲートのそれぞれが同一の電位となる。
【００８８】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
【００８９】
次に、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加されると、ＳＲ−ＦＦ３０６は、直前の状態を保持し、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧を保持する。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧を保持する。
【００９０】
また、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
【００９１】
このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が低くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【００９２】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）の絶対値がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｐＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【００９３】
したがって、上述のＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後、その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とすると、図１３に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１３に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
なお、図１３に示す真理値表における切断後とは、回路基板５０が切断され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離された状態を示している。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離されても、設定時の論理状態は変化しない。
【００９４】
なお、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに出力Ｑの論理状態を反転した端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させてもよい。ただし、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる場合、図１４に示す真理値表のように、ＳＲ−ＦＦの入力Ｓと、入力Ｒとを変更する必要がある。
【００９５】
また、ＳＲ−ＦＦ３０６の代わりにＪＫ−ＦＦ（ＪＫ  Ｆｌｉｐ−Ｆｌｏｐ）を用いてもよい。その場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｊである。また、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｋである。
【００９６】
以上、本発明の第六の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前とする。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後とする。その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とする。電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【００９７】
＜第七の実施形態＞
本発明の第七の実施形態による電力供給装置について説明する。
本発明の第七の実施形態による電力供給装置１は、図１５に示すように、電源１０と、スイッチング素子２０と、電圧保持部３０と、を備える。
なお、図１５には、負荷４０が示されている。
【００９８】
電源１０は、例えば、電池である。
スイッチング素子２０は、例えば、図１５に示すｎＭＯＳトランジスタである。
電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。
【００９９】
電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。また、回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。
【０１００】
電源１０の高電圧側の端子ａ６は、パターン配線を介して、スイッチング素子２０のソース、ＳＲ−ＦＦ３０６の電源端子Ｖのそれぞれに接続される。
【０１０１】
電源１０の低電圧側の端子ｂ６は、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６のＧＮＤ、抵抗３０７の端子ｃ６、抵抗３０８の端子ｅ６、負荷４０の端子ｇ６、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＧＮＤのそれぞれに接続される。
【０１０２】
スイッチング素子２０のゲートは、パターン配線を介して、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒに接続される。
【０１０３】
スイッチング素子２０のドレインは、パターン配線を介して、負荷４０の端子ｈ５に接続される。
【０１０４】
ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓは、パターン配線を介して、抵抗３０８の端子ｆ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓのそれぞれに接続される。
【０１０５】
ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒは、パターン配線を介して、抵抗３０７の端子ｄ５、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｒのそれぞれに接続される。
【０１０６】
ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となり、スイッチング素子２０のソースとゲートのそれぞれが同一の電位となる。
【０１０７】
スイッチング素子２０は、ソースとゲートのそれぞれが同一の電位となると、開状態となり、負荷４０に電流をほとんど流さない。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
【０１０８】
次に、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加されると、ＳＲ−ＦＦ３０６は、直前の状態を保持し、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｌｏｗ状態を示す電圧を保持する。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧を保持する。
【０１０９】
また、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の出力Ｑｂａｒは、Ｈｉｇｈ状態を示す電圧となる。
【０１１０】
このとき、スイッチング素子２０は、スイッチング素子２０のゲートがスイッチング素子２０のソースよりも電圧が高くなり、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなる。
【０１１１】
スイッチング素子２０は、実効的なゲート電圧（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）がスイッチング素子２０のソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓよりも大きくなると、閉状態となり、負荷４０に電流を流す。
その結果、スイッチング素子２０のドレインは、Ｌｏｗ状態を示す電圧となる。
なお、このとき、スイッチング素子２０は、ｎＭＯＳトランジスタの線形領域で動作する。
【０１１２】
したがって、上述のＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後、その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とすると、図１６に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。
また、図１６に示す真理値表のように、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
なお、図１６に示す真理値表における切断後とは、回路基板５０が切断され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離された状態を示している。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが回路基板５０から切り離されても、設定時の論理状態は変化しない。
【０１１３】
なお、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに出力Ｑｂａｒの論理状態を反転した端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させてもよい。ただし、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｑｂａｒをスイッチング素子２０のゲートに接続させる代わりに端子Ｑをスイッチング素子２０のゲートに接続させる場合、図１７に示す真理値表のように、ＳＲ−ＦＦの入力Ｓと、入力Ｒとを変更する必要がある。
【０１１４】
また、ＳＲ−ＦＦ３０６の代わりにＪＫ−ＦＦを用いてもよい。その場合、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｓの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｊである。また、ＳＲ−ＦＦ３０６の端子Ｒの代わりがＪＫ−ＦＦの端子Ｋである。
【０１１５】
以上、本発明の第七の実施形態による電力供給装置１において、電源１０は、負荷４０に電力を供給する。スイッチング素子２０は、電源１０と負荷４０との間に設けられる。スイッチング素子２０は、ゲート（所定の端子）を備える。スイッチング素子２０は、ゲートに印加される電圧に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。電圧保持部３０は、ＳＲ−ＦＦ３０６と、抵抗３０７と、抵抗３０８と、を備える。電源１０、スイッチング素子２０、電圧保持部３０、負荷４０のそれぞれは、回路基板５０上に実装される。回路基板５０上には、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓ、端子Ｒ、端子ＧＮＤが設けられている。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管前とする。ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子Ｓと端子ＲのそれぞれにＬｏｗ状態を示す電圧が印加される場合を保管後とする。その後にＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＳにＬｏｗ状態を示す電圧が印加され、ＳＲ−ＦＦ３０６に信号を入力するための端子ＲにＨｉｇｈ状態を示す電圧が印加される場合を設定時とする。電圧保持部３０は、保管時及び保管後には、スイッチング素子２０のゲートをＨｉｇｈ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＨｉｇｈ状態を示す電圧である場合、開状態となる。その結果、スイッチング素子２０には電流が流れず、負荷４０には電力が供給されない。また、電圧保持部３０は、設定後には、スイッチング素子２０のゲートをＬｏｗ状態を示す電圧に保持する。スイッチング素子２０は、ゲートがＬｏｗ状態を示す電圧である場合、閉状態となる。その結果、電源１０からスイッチング素子２０を介して負荷４０に電流が流れ、電源１０から負荷４０に電力が供給される。
このようにすれば、電力供給装置１は、電子部品や電源が回路基板に直接実装されアミューズメント用途で使用されるモジュールにおいて、電池の消耗を防ぐことができる。
【０１１６】
なお、本発明の実施形態における真理値表は、負荷４０として抵抗性の負荷を想定した場合の論理を示している。しかしながら、本発明の実施形態における負荷４０は、抵抗性の負荷に限定するものではない。本発明の実施形態における負荷４０は、それぞれのモジュールの用途に応じた負荷（例えば、容量性の負荷）であってよい。
【０１１７】
なお、本発明の実施形態による電力供給装置１は、ｐＭＯＳトランジスタの代わりにｐｎｐバイポーラトランジスタを用いて構成されてもよい。また、本発明の実施形態による電力供給装置１は、ｎＭＯＳトランジスタの代わりにｎｐｎバイポーラトランジスタを用いて構成されてもよい。
【０１１８】
なお、本発明の実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。
【０１１９】
本発明の実施形態における記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。
【０１２０】
本発明の実施形態について説明したが、上述の電力供給装置１のそれぞれは内部に、コンピュータシステムを有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータがそのプログラムを実行するようにしてもよい。
【０１２１】
また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【０１２２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、発明の範囲を限定しない。これらの実施形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲で、追加、種々の省略、置き換え、変更を行ってよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１・・・電力供給装置
１０・・・電源
２０・・・スイッチング素子
３０・・・電圧保持部
４０・・・負荷
５０、５０ａ、５０ｂ・・・回路基板
３０１、３０３、３０７、３０８・・・抵抗
３０２・・・サイリスタ
３０４・・・ｎＭＯＳトランジスタ
３０５・・・ｐＭＯＳトランジスタ
３０６・・・ＳＲ−ＦＦ
Ａ１・・・パターン配線
【図１】
2017229130.tif 000003
【図２】
2017229130.tif 000004
【図３】
2017229130.tif 000005
【図４】
2017229130.tif 000006
【図５】
2017229130.tif 000007
【図６】
2017229130.tif 000008
【図７】
2017229130.tif 000009
【図８】
2017229130.tif 000010
【図９】
2017229130.tif 000011
【図１０】
2017229130.tif 000012
【図１１】
2017229130.tif 000013
【図１２】
2017229130.tif 000014
【図１３】
2017229130.tif 000015
【図１４】
2017229130.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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