(57)【要約】【課題】立体配線部を有する圧電体基板上のレジスト膜とはんだペースト付与用マスクとの密着性を向上させることのできる、弾性波装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１の工程では、第１の部分電極２ａと、第１の表面配線２ｃとを含む第１の表面電極を形成する。第２の工程では、第２の部分電極３ａと、第２の表面配線３ｃとを含む第２の表面電極を、第２の表面配線３ｃが絶縁体部材４を介して第１の表面配線２ｃと交差する立体配線部Ａ１が構成される箇所を含む形態で形成する。第３の工程では、第３の部分電極６を形成する。第４の工程では、第３の部分電極６を露出させる第１の貫通孔Ｈ１を有し、立体配線部Ａ１の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有するレジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に付与する。第５の工程では、第３の部分電極６上にはんだペースト８Ｒを用いてはんだバンプ８を形成する。第６の工程では、レジスト膜７を除去する。【選択図】図６
2017092838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体基板の一方主面上に、接続電極の第１の部分電極と、第１のＩＤＴ電極と、第１の表面配線とを含む第１の表面電極を形成する第１の工程と、
前記圧電体基板の前記一方主面上に、接続電極の第２の部分電極と、第２のＩＤＴ電極と、第２の表面配線とを含む第２の表面電極とを、上面視した場合に前記第２の部分電極が前記第１の部分電極と重なり、前記第２のＩＤＴ電極が前記第１のＩＤＴ電極の一部と重なり、前記第２の表面配線が前記第１の表面配線の一部と重なり、かつ前記第２の表面配線が絶縁体部材を介して前記第１の表面配線と交差する立体配線部が構成される箇所を含む形態で形成する第２の工程と、
上面視した場合に前記第２の部分電極と重なる接続電極の第３の部分電極を形成する第３の工程と、
前記第３の部分電極を露出させる第１の貫通孔を有し、かつ外表面に突出部を有しないレジスト膜を前記圧電体基板の一方主面側に付与する第４の工程と、
はんだペーストと、はんだペースト通過部を有するはんだペースト付与用マスクとを用いて、第３の部分電極上にはんだペーストを付与することにより、前記第３の部分電極上にはんだバンプを形成する第５の工程と、
前記レジスト膜を前記圧電体基板の一方主面側から除去する第６の工程と、を備えることを特徴とする、弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、前記圧電体基板の一方主面側の、側面と接する少なくとも一部の領域には、前記レジスト膜を付与しないことを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第５の工程は、前記はんだペースト通過部と前記第３の部分電極との位置合わせ工程をさらに含み、
前記第４の工程において、環状の前記レジスト膜を、前記位置合わせ工程時に、前記はんだペースト通過部の外周と前記環状のレジスト膜の内周、および前記はんだペースト通過部の外周と前記環状のレジスト膜の外周とが、それぞれ間隔を有する形態で付与することを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程において、前記立体配線部の周囲が第２の貫通孔となっている前記レジスト膜を、前記圧電体基板の一方主面側に付与することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の弾性波の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、はんだバンプを備えた弾性波装置の製造方法であって、特にはんだバンプを形成するためのはんだペーストの印刷量のばらつきを抑えた弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開昭６１−２９６７２９号公報（特許文献１）には、はんだバンプを備えた弾性波装置の製造方法に応用できる、集積回路接続部の形成方法の一例が提案されている。特許文献１に記載されている発明は、微細な集積回路接続部を容易に、かつ大量に形成することを目的としている。
【０００３】
図１１は、特許文献１に記載されている集積回路接続部の形成方法の模式図である。まず、図１１（Ａ）に示すように、内部配線２０３を有する接続基板２０１を用意する。次に、図１１（Ｂ）に示すように、接続基板２０１の表面に接続電極Ｐを形成する。次に、図１１（Ｃ）に示すように、接続基板２０１の全面に、例えば感光性ポリイミド樹脂などからなる未硬化のレジスト膜２０７Ｒを形成する。
【０００４】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、接続電極Ｐに対応する箇所が遮光性を有するマスクＭを介して、未硬化のレジスト膜２０７Ｒに紫外線光ｈνなどによる像露光を施す。次に、図１１（Ｅ）に示すように、未硬化のレジスト膜２０７Ｒのうち、マスクＭにより遮光され、現像後に硬化しなかった部分を溶解除去する。その結果、接続電極Ｐに対応する箇所に貫通孔Ｈを有するレジスト膜２０７が得られる。
【０００５】
次に、図１１（Ｆ）に示すように、貫通孔Ｈを介して接続電極上にはんだペーストなどを付与した後、加熱溶融させてはんだバンプ２０８を形成する。最後に、図１１（Ｇ）に示すように、レジスト膜２０７を除去して、集積回路接続部を得る。
【０００６】
特許文献１に記載されている集積回路接続部の形成方法では、以上の各工程を経ることにより、微細な集積回路接続部を容易に、かつ大量に形成することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２９６７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、特許文献１に記載されている発明を、はんだバンプ形成と、ＩＤＴ電極および表面配線の少なくとも一方の保護とを兼ねて、レジスト膜を圧電体基板の表面に付与する弾性波装置の製造方法に適用することを考える。
【０００９】
ところで、弾性波装置における圧電体基板上の表面配線には、第１の表面配線の上に絶縁体部材を介して第１の表面配線と交差する形態で第２の表面配線が形成されている箇所が存在する場合がある。以後、上記のような箇所を、立体配線部と呼称する。立体配線部は上記の積層構造を有しているため、圧電体基板上に付与されたレジスト膜は、立体配線部上に突出部を有することになる（後述の図７（Ａ）参照）。
【００１０】
この状態で接続電極上にはんだペーストを付与しようとすると、突出部と離れた箇所では、はんだペースト付与用マスクがレジスト膜と密着するが、突出部近傍では、はんだペースト付与用マスクが浮き上がってしまう。そのため、付与されたはんだペーストが、接続電極周辺のはんだペースト付与用マスクとレジスト膜との間に滲み出すという虞がある。その結果、滲み出したはんだペーストが加熱されて生成したはんだボールが、例えばＩＤＴ電極の櫛刃部に付着するなどして、弾性波装置の電気的特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【００１１】
また、はんだペーストの滲み出しにより、突出部近傍に付与されたはんだペーストの量と、突出部と離れた箇所に付与されたはんだペーストの量とが異なると、それぞれの箇所に加熱後に形成されるはんだバンプの体積が異なってしまう。その結果、弾性波装置を通信装置の回路基板に接続する際に、接続強度にばらつきが生じる虞がある。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上記の立体配線部を有する圧電体基板上のレジスト膜とはんだペースト付与用マスクとの密着性を向上させることのできる、弾性波装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明に係る弾性波装置の製造方法では、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜との密着性を向上させるため、形成されるレジスト膜の態様についての改良が図られる。
【００１４】
この発明に係る弾性波装置の製造方法は、以下の第１ないし第６の工程を備えている。
【００１５】
第１の工程は、圧電体基板の一方主面上に、接続電極の第１の部分電極と、第１のＩＤＴ電極と、第１の表面配線とを含む第１の表面電極を形成する工程である。
【００１６】
第２の工程は、圧電体基板の一方主面上に、接続電極の第２の部分電極と、第２のＩＤＴ電極と、第２の表面配線とを含む第２の表面電極とを形成する工程である。その際、第２の部分電極は、上面視した場合に第１の部分電極と重なる形態で形成される。第２のＩＤＴ電極は、第１のＩＤＴ電極の一部と重なる形態で形成される。第２の表面配線は、第１の表面配線の一部と重なる形態で形成される。かつ第２の表面配線は、絶縁体部材を介して第１の表面配線と交差する立体配線部が構成される箇所を含む形態で形成される。
【００１７】
第３の工程は、上面視した場合に第２の部分電極と重なる形態で接続電極の第３の部分電極を形成する工程である。
【００１８】
第４の工程は、第３の部分電極を露出させ、かつ外表面に突出部を有しないレジスト膜を圧電体基板の一方主面側に付与する工程である。ここで、レジスト膜の外表面とは、レジスト膜の圧電体基板の一方主面に接している面に対向している表面を指す。
【００１９】
第５の工程は、はんだペーストと、はんだペースト通過部を有するはんだペースト付与用マスクとを用いて、第３の部分電極上にはんだバンプを形成する工程である。その際、はんだペースト通過部と第３の部分電極とを位置合わせした後、第３の部分電極上にはんだペーストを付与する。
【００２０】
第６の工程は、レジスト膜を圧電体基板の一方主面側から除去する工程である。
【００２１】
上記の弾性波装置の製造方法では、圧電体基板上に付与されたレジスト膜は、外表面に突出部を有していない。したがって、はんだバンプを形成するときに、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜との密着性を向上させることができる。
【００２２】
そのため、接続電極上に付与されたはんだペーストの、接続電極周辺のはんだペースト付与用マスクとレジスト膜との間への滲み出しが抑えられる。また、接続電極上に付与されたはんだペーストの量のばらつきが抑えられる。その結果、電気的特性に問題のない、また通信装置の回路基板との接続信頼性の高い弾性波装置を得ることができる。
【００２３】
この発明に係る弾性波装置の製造方法は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、第４の工程において、圧電体基板の一方主面側の、側面と接する少なくとも一部の領域には、レジスト膜を付与しない。
【００２４】
レジスト膜は、硬化する際に幾らか体積収縮する。そのため、圧電体基板と密着した状態で一方主面に沿って体積収縮すると、圧電体基板に反りを発生させる場合がある。上記の弾性波装置の製造方法では、第４の工程においてレジスト膜が付与される領域が少なくなることにより、レジスト膜の硬化時の体積変化が小さくなる。したがって、圧電体基板の反りの発生が抑えられる。
【００２５】
また、特に圧電体基板が集合基板の状態で弾性波装置の製造を行なう場合、集合基板の切断線近傍の領域を、格子状にレジスト膜を付与されていない領域とする。その結果、例えばレジスト膜の剥離液が、集合基板の中央部においても集合基板とレジスト膜との界面に浸入しやすくなるため、レジスト膜の除去を効率よく行なうことができる。
【００２６】
この発明に係る弾性波装置の製造方法は、以下の特徴を備えることも好ましい。すなわち、第５の工程は、はんだペースト通過部と第３の部分電極との位置合わせ工程をさらに含む。そして、第４の工程において、環状のレジスト膜を付与する。その際、位置合わせ工程時に、はんだペースト通過部の外周と環状のレジスト膜の内周、およびはんだペースト通過部の外周と環状のレジスト膜の外周とが、それぞれ間隔を有する形態で環状のレジスト膜を付与する。
【００２７】
上記の弾性波装置の製造方法では、第４の工程においてレジスト膜が付与される領域がさらに少なくなることにより、レジスト膜の硬化時の体積変化がさらに小さくなる。したがって、圧電体基板の反りの発生がさらに抑えられる。また、レジスト膜の剥離液が、集合基板の中央部において集合基板とレジスト膜との界面にさらに浸入しやすくなるため、レジスト膜の除去をさらに効率よく行なうことができる。
【００２８】
この発明に係る弾性波装置の製造方法、およびその好ましい実施形態は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、第４の工程において、立体配線部の周囲が第２の貫通孔となっているレジスト膜を、圧電体基板の一方主面側に付与する。
【００２９】
上記の弾性波装置の製造方法では、レジスト膜における立体配線部の周囲が第２の貫通孔となっている。したがって、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜との密着性を確実に向上させることができる。
【００３０】
そのため、接続電極上に付与されたはんだペーストの、接続電極周辺のはんだペースト付与用マスクとレジスト膜との間への滲み出しが確実に抑えられる。また、接続電極上に付与されたはんだペーストの量のばらつきが確実に抑えられる。その結果、電気的特性に問題のない、また通信装置の回路基板との接続信頼性の高い弾性波装置を確実に得ることができる。
【００３１】
また、貫通孔が増えるため、レジスト膜の剥離液が圧電体基板とレジスト膜との界面にさらに浸入しやすくなる。レジスト膜の除去をさらに効率よく行なうことができる。
【発明の効果】
【００３２】
この発明に係る弾性波装置の製造方法では、圧電体基板上に付与されたレジスト膜は、外表面に突出部を有していない。したがって、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜との密着性を向上させることができる。その結果、電気的特性に問題のない、また通信装置の回路基板との接続信頼性の高い弾性波装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態により製造された弾性波装置１００において、保護膜５およびはんだバンプ８を仮想的に除いた状態としたときの上面図である。また、上面図のＢ１−Ｂ１線を含む面で切断した場合の矢視断面図である。
【図２】図１の矢視断面図において、点線で示されている立体配線部Ａ１を拡大して示した図である。
【図３】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態において、レジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に付与した状態を示す上面図である。
【図４】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態において用いられるはんだペースト付与用マスクＭの上面図である。
【図５】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態を説明するためのもので、第１の工程（第１の表面電極形成工程）から第３の工程（第３の部分電極形成工程）までを模式的に示す図である。
【図６】図５に続いてこの発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態を説明するためのもので、第４の工程（レジスト膜付与工程）から第６の工程（レジスト膜除去工程）までを模式的に示す図である。
【図７】立体配線部Ａ１の上方に突出部Ｓを有するレジスト膜７と、立体配線部Ａ１の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有するレジスト膜７とにおけるはんだペースト８Ｒの印刷状態の違いを模式的に説明するための図である。
【図８】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第２の実施形態において、レジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側の、側面と接する幅Ｗ１、Ｗ２を有する領域を除いて付与した状態を示す上面図である。
【図９】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第３の実施形態において、幅Ｗ３を有する環状のレジスト膜７を、圧電体基板１の一方主面側に付与した状態を示す上面図である。
【図１０】この発明に係る弾性波装置の製造方法の第４の実施形態を説明するためのもので、第４の工程（レジスト膜付与工程）から第６の工程（レジスト膜除去工程）までを模式的に示す図である。
【図１１】背景技術の集積回路接続部の形成方法の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００３５】
−弾性波装置の製造方法の第１の実施形態−
この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態について、図１ないし図７を用いて説明する。この発明に係る弾性波装置の製造方法は、例えばＳＡＷフィルタのような弾性表面波装置の製造などに用いられ、以下の実施形態の説明でもＳＡＷフィルタを例として説明するが、これに限られるものではない。
【００３６】
＜＜弾性波装置の構造＞＞
図１（Ａ）は、この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態により製造された弾性波装置１００において、構造を理解し易くするため、保護膜５およびはんだバンプ８を仮想的に除いた状態としたときの上面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したＢ１−Ｂ１線を含む面で弾性波装置１００を切断した場合の矢視断面図である。
【００３７】
弾性波装置１００は、圧電体基板１と、第１の表面電極２と、第２の表面電極３と、絶縁体部材４と、保護膜５と、第３の部分電極６と、はんだバンプ８とを含む。
【００３８】
圧電体基板１は、例えばＬｉＴａＯ3、またはＬｉＮｂＯ3などからなる。なお、圧電体基板１は、一方主面が所定の結晶方位を有する形態で切り出されている。なお、圧電体基板１は、上記のような板状の他、薄膜状であってもよい。第１の表面電極２は、圧電体基板１の一方主面上に形成されており、例えばＡｌまたはＣｕなどからなる。第１の表面電極２は、接続電極の第１の部分電極２ａと、第１のＩＤＴ電極２ｂと、第１の表面配線２ｃと、反射器電極２ｄとを含む。第２の表面電極３は、圧電体基板１の一方主面上に形成されており、例えばＡｌまたはＣｕなどからなる。第２の表面電極３は、接続電極の第２の部分電極３ａと、第２のＩＤＴ電極３ｂと、第２の表面配線３ｃとを含む。
【００３９】
また、第２の部分電極３ａは、第１の部分電極２ａと重なる形態で形成されている。第２のＩＤＴ電極３ｂは、第１のＩＤＴ電極２ｂの一部と重なる形態で形成される。第２の表面配線３ｃは、第１の表面配線２ｃの一部と重なる形態で形成される。かつ第２の表面配線３ｃは、絶縁体部材４を介して第１の表面配線２ｃと交差する立体配線部Ａ１、Ａ２が構成される箇所を含む形態で形成される。絶縁体部材４は、例えばポリイミド樹脂やＳｉ酸化物などからなる。
【００４０】
第１の表面電極２、第２の表面電極３、および絶縁体部材４は、保護膜５により被覆されている。保護膜５は、例えばＳｉ酸化物からなる。ただし、保護膜５は、この発明における必須の構成要件ではない。
【００４１】
接続電極の第３の部分電極６は、第２の部分電極３ａと重なる形態で、いわゆるアンダーバンプメタルとして形成される。第１の部分電極２ａ、第２の部分電極３ａ、および第３の部分電極６により、接続電極Ｐが形成される。第３の部分電極６は、例えばＮｉなどからなる。
【００４２】
はんだバンプ８は、第３の部分電極６上に、後述するはんだペースト８Ｒおよびはんだペースト付与用マスクＭを用いて形成されている。はんだバンプ８は、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金などからなる。はんだバンプ８により、弾性波装置１００は、通信装置の回路基板に接続される。
【００４３】
図２は、図１（Ｂ）において点線で示されている立体配線部Ａ１を拡大して示した図である。弾性波装置１００において、第１の表面配線２ｃと第２の表面配線３ｃとは立体配線部Ａ１、Ａ２（図２では不図示）で絶縁体部材４を介して直交しているが、交差の角度は９０°に限定されない。また、絶縁体部材４は、第１の表面配線２ｃと第２の表面配線３ｃとの間にあって両者を絶縁していればよく、その形状は特に限定されない。
【００４４】
＜＜弾性波装置の製造方法＞＞
図１および図２に示した弾性波装置１００の製造方法の一例について、図３ないし図７を用いて説明する。
【００４５】
図３は、この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態において、レジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に付与した状態を示す上面図である。レジスト膜７は、例えばポリイミド樹脂からなる。第１の実施形態では、レジスト膜７には、レジスト膜７から第３の部分電極を露出させる形態で第１の貫通孔Ｈ１が形成されている。また、第１の表面配線２ｃと第２の表面配線３ｃとが絶縁体部材４を介して交差してなる立体配線部Ａ１、Ａ２の周囲のレジスト膜７には、第２の貫通孔Ｈ２が形成されている。すなわち、レジスト膜７の外表面は、突出部を有していない。したがって、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜との密着性を確実に向上させることができる。
【００４６】
なお、レジスト膜７の外表面とは、前述したようにレジスト膜７の圧電体基板１の一方主面に接している面に対向する表面を指す。また、レジスト膜７の外表面が突出部を有していないとは、レジスト膜７の外表面にはんだペースト付与マスクＭの厚みの１／２０以上の厚みを有する部分がない状態を指す。このような突出部がある場合、はんだペーストの供給量に影響を与える虞がある（図７参照）。なお、はんだペースト付与マスクＭの厚みは、好ましくは４０μｍないし６０μｍである。
【００４７】
図４は、この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態において用いられるはんだペースト付与用マスクＭの上面図である。はんだペースト付与用マスクＭは、レジスト膜７が一方主面側に付与された状態の圧電体基板１と位置合わせされたときに、第１の貫通孔Ｈ１を介して露出している第３の部分電極６と重なる位置に、はんだペースト通過部ＭＨを有している。はんだペースト付与用マスクＭは、メッシュにはんだペースト通過部ＭＨが形成される形態でレジスト膜を塗工したもの、または金属板にはんだペースト通過部ＭＨとなる貫通孔を形成したものを用いることができる。
【００４８】
以下、この発明に係る弾性波装置の製造方法の第１の実施形態における各工程について、具体的に説明する。
【００４９】
＜第１の工程（第１の表面電極形成工程）＞
第１の工程は、圧電体基板１の一方主面上に、接続電極の第１の部分電極２ａと、第１のＩＤＴ電極２ｂと、第１の表面配線２ｃとを含む第１の表面電極２を形成する工程である。ここで、第１の部分電極２ａとは、後述する接続電極Ｐの一部となる電極である。図５（Ａ）は、圧電体基板１を模式的に示す図である。図５（Ｂ）は、圧電体基板１に上記の第１の表面電極２が形成された状態を模式的に示す図である。第１の表面電極２は、例えばリフトオフプロセスにより形成することができる。
【００５０】
＜第２の工程（第２の表面電極形成工程）＞
第２の工程は、圧電体基板１の一方主面上に、接続電極の第２の部分電極３ａと、第２のＩＤＴ電極３ｂと、第２の表面配線３ｃとを含む第２の表面電極３を形成する工程である。ここで、第２の部分電極３ａとは、第１の部分電極２ａと同様に、接続電極Ｐの一部となる電極である。図５（Ｃ）は、圧電体基板１に上記の第２の表面電極３が形成された状態を模式的に示す図である。
【００５１】
その際、第２の部分電極３ａは、上面視した場合に第１の部分電極２ａと重なる形態で形成される。第２のＩＤＴ電極３ｂは、第１のＩＤＴ電極２ｂの一部と重なる形態で形成される。第２の表面配線３ｃは、第１の表面配線２ｃの一部と重なる形態で形成される。かつ第２の表面配線３ｃは、絶縁体部材４を介して第１の表面配線２ｃと交差する立体配線部Ａ１（立体配線部Ａ２は不図示）が構成される箇所を含む形態で形成される。
【００５２】
第２の表面電極３は、例えばリフトオフプロセスにより形成することができる。絶縁体部材４は、ポリイミド樹脂を用いるときは、例えば印刷プロセスを用いて形成することができる。また、Ｓｉ酸化物を用いるときは、例えばリフトオフプロセスにより形成することができる。
【００５３】
なお、第２の工程の終了後に、第１の表面電極２および第２の表面電極３を保護するため、第１の表面電極２および第２の部分電極３ａの一部を除いた第２の表面電極３を被覆する保護膜５を形成してもよい。図５（Ｄ）は、上記の保護膜５が形成された状態を模式的に示す図である。
【００５４】
＜第３の工程（第３の部分電極形成工程）＞
第３の工程は、第２の部分電極３ａと重なる形態で第３の部分電極６を形成する工程である。第３の部分電極６は、第２の部分電極３ａ上の、上記の保護膜５が形成されていない箇所に形成される。図５（Ｅ）は、上記の第３の部分電極６が形成された状態を模式的に示す図である。第３の部分電極６は、例えばリフトオフプロセスにより形成することができる。第３の工程まで行なうことにより、第１の部分電極２ａ、第２の部分電極３ａ、および第３の部分電極６を含む接続電極Ｐが形成される。
【００５５】
＜第４の工程（レジスト膜付与工程）＞
第４の工程は、第３の部分電極６を露出させる第１の貫通孔Ｈ１を有し、かつ立体配線部Ａ１（立体配線部Ａ２は不図示）の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有するレジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に付与する工程である。すなわち、圧電体基板１の一方主面側に付与されたレジスト膜７は、外表面に突出部を有していない。図６（Ａ）は、上記のレジスト膜７が圧電体基板１の一方主面側に付与された状態を模式的に示す図である。レジスト膜７は、例えば印刷プロセスにより形成することができる。
【００５６】
＜第５の工程（はんだバンプ形成工程）＞
第５の工程は、はんだペースト８Ｒと、前述の図４に示したはんだペースト通過部ＭＨを有するはんだペースト付与用マスクＭとを用いた印刷プロセスにより、第３の部分電極６上にはんだバンプ８を形成する工程である。その際、はんだペースト通過部ＭＨと第３の部分電極６とを位置合わせした後、第３の部分電極６上にはんだペースト８Ｒを付与する。
【００５７】
図６（Ｂ）は、はんだペースト付与用マスクＭを圧電体基板１の一方主面側に重ねてはんだペースト通過部ＭＨと第３の部分電極６とを位置合わせした後、はんだペースト８Ｒを第３の部分電極６上に付与した状態を模式的に示す図である。図６（Ｃ）は、はんだペースト８Ｒの付与後、はんだペースト付与用マスクＭを圧電体基板１の一方主面側から外した状態を模式的に示す図である。図６（Ｄ）は、はんだペースト付与用マスクＭを一方主面側から外した圧電体基板１を、リフロー炉などを通すことではんだペースト８Ｒを加熱溶融させた後、冷却してはんだバンプ８とした状態を模式的に示す図である。
【００５８】
＜第６の工程（レジスト膜除去工程）＞
第６の工程は、レジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側から除去する工程である。図６（Ｅ）は、圧電体基板１の一方主面側からレジスト膜７が除去され、第１の実施形態により製造された弾性波装置１００が完成した状態を模式的に示す図である。レジスト膜７の除去は、図６（Ｄ）に示した状態のレジスト膜７がまだ付いている弾性波装置を、例えばレジスト剥離液に浸漬することにより行なう。
【００５９】
図７は、立体配線部Ａ１の上方に突出部Ｓを有するレジスト膜７と、立体配線部Ａ１の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有するレジスト膜７とにおけるはんだペースト８Ｒの印刷状態の違いを模式的に説明するための図である。
【００６０】
図７（Ａ）は、立体配線部Ａ１の上方に突出部Ｓがある場合に、はんだペースト付与用マスクＭと、スキージＳＱとを用いて、はんだペースト８Ｒを第３の部分電極６上に付与している様子を示している。突出部Ｓとは、前述したように、レジスト膜７の外表面におけるはんだペースト付与マスクＭの厚みの１／２０以上の厚みを有する部分を指す。
【００６１】
立体配線部Ａ１の上方に突出部Ｓがある場合に、第３の部分電極６上にはんだペースト８Ｒを付与することを考える。この場合、突出部Ｓと離れた箇所では、はんだペースト付与用マスクＭがレジスト膜と密着するが、突出部Ｓの近傍では、はんだペースト付与用マスクＭが浮き上がってしまう。そのため、付与されたはんだペースト８Ｒの一部が、第３の部分電極６周辺のはんだペースト付与用マスクＭとレジスト膜７との間に滲み出し、滲み出し部ＳＢとなる。
【００６２】
滲み出し部ＳＢは、加熱冷却によりはんだボールとなり、このはんだボールが例えば第１のＩＤＴ電極２ｂの櫛刃部に付着すると、弾性波装置の電気的特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【００６３】
また、滲み出し部ＳＢの形成により、突出部Ｓの近傍と、突出部Ｓと離れた箇所とで、付与されたはんだペースト８Ｒの量とが異なると、それぞれの箇所に加熱後に形成されるはんだバンプ８の体積が異なってしまう。その結果、弾性波装置を通信装置の回路基板に接続する際に、接続強度にばらつきが生じる虞がある。
【００６４】
一方、立体配線部Ａ１の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有する場合は、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜とが十分に密着する。そのため、第３の部分電極６上に付与されたはんだペースト８Ｒの、第３の部分電極６周辺のはんだペースト付与用マスクＭとレジスト膜７との間への滲み出しが抑えられる。また、第３の部分電極６上に付与されたはんだペースト８Ｒの量のばらつきが抑えられる。その結果、電気的特性に問題のない、また通信装置の回路基板との接続信頼性の高い弾性波装置を得ることができる。
【００６５】
−弾性波装置の製造方法の第２の実施形態−
この発明に係る弾性波装置の製造方法の第２の実施形態について、図８を用いて説明する。第２の実施形態では、第４の工程（レジスト膜付与工程）で圧電体基板１の一方主面側に付与されるレジスト膜７の形態が、第１の実施形態の第４の工程で付与されるレジスト膜７と異なっている。それ以外の各工程は、第１の実施形態と共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。
【００６６】
第２の実施形態における第４の工程では、圧電体基板１の一方主面側の、側面と接する幅Ｗ１、Ｗ２を有する領域には、レジスト膜７を付与しない。図８は、レジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側の、側面と接する幅Ｗ１、Ｗ２を有する領域を除いて付与した状態を示す上面図である。すなわち、図８では、圧電体基板１の一方主面側の側面に接する領域が、額縁状にレジスト膜７の付与されていない領域となっている。
【００６７】
第２の実施形態においては、第４の工程においてレジスト膜７が付与される領域が少なくなることにより、レジスト膜７の硬化時の体積変化が小さくなる。したがって、前述したように、圧電体基板１の反りの発生が抑えられる。また、特に圧電体基板１が集合基板の状態で弾性波装置の製造を行なう場合を考える。この場合、集合基板の切断線近傍の領域を、格子状にレジスト膜７を付与されていない領域とする。その結果、例えばレジスト膜７の剥離液が、集合基板の中央部においても集合基板とレジスト膜７との界面に浸入しやすくなるため、レジスト膜７の除去を効率よく行なうことができる。
【００６８】
なお、前述の幅Ｗ１、Ｗ２は、例えばダイシングソーで集合基板を切断する場合、ダイシングソーのいわゆるストリート幅程度である。したがって、集合基板の状態で設けられる格子状にレジスト膜７が付与されていない領域の幅は、ストリート幅３本分程度となる。
【００６９】
−弾性波装置の製造方法の第３の実施形態−
この発明に係る弾性波装置の製造方法の第３の実施形態について、図９を用いて説明する。第３の実施形態も、第４の工程（レジスト膜付与工程）で圧電体基板１の一方主面側に付与されるレジスト膜７の形態が、第１の実施形態の第４の工程で付与されるレジスト膜７と異なっている。それ以外の各工程は、第１の実施形態と共通であるため、共通する箇所の説明については省略する。
【００７０】
第３の実施形態における第４の工程では、第５の工程がはんだペースト通過部ＭＨと第３の部分電極６との位置合わせ工程をさらに含む。そして、幅Ｗ３を有する環状のレジスト膜７を付与する。その際、位置合わせ工程時に、はんだペースト通過部ＭＨの外周と環状のレジスト膜７の内周、およびはんだペースト通過部ＭＨの外周と環状のレジスト膜７の外周とが、それぞれ間隔Ｗ３１、Ｗ３２を有する形態で環状のレジスト膜７を付与する。図９（Ａ）は、幅Ｗ３を有する環状のレジスト膜７を、圧電体基板１の一方主面側に付与した状態を示す上面図である。図９（Ｂ）は、環状のレジスト膜７を拡大して示した図である。
【００７１】
幅Ｗ３は、はんだペースト通過部ＭＨのサイズ、はんだペースト通過部ＭＨと第３の部分電極６との位置合わせ精度などにより決定される。なお、幅Ｗ３の最小値は、はんだペースト８Ｒを付与する際の位置ずれの長さと、はんだペースト８Ｒの技術的に不可避な微小な滲み出し部の長さとの合計値である。また、幅Ｗ３の最大値は、上記の最小値と、最小値における環状のレジスト膜７の外周から圧電体基板１の周縁までの距離の最小値との合計値である。
【００７２】
第３の実施形態においては、第４の工程においてレジスト膜７が付与される領域がさらに少なくなることにより、レジスト膜７の硬化時の体積変化がさらに小さくなる。したがって、圧電体基板１の反りの発生がさらに抑えられる。また、圧電体基板１が集合基板の状態で弾性波装置の製造を行なう場合、レジスト膜７の剥離液が、集合基板の中央部において集合基板とレジスト膜との界面にさらに浸入しやすくなる。そのため、レジスト膜の除去をさらに効率よく行なうことができる。
【００７３】
−弾性波装置の製造方法の第４の実施形態−
この発明に係る弾性波装置の製造方法の第４の実施形態について、図１０を用いて説明する。第４の実施形態も、第４の工程（レジスト膜付与工程）で圧電体基板１の一方主面側に付与されるレジスト膜７の形態が、第１の実施形態の第４の工程で付与されるレジスト膜７と異なっている。それ以外の各工程は、第１の実施形態と共通であるため、共通する箇所の説明については省略および簡略化する。
【００７４】
第４の実施形態における第４の工程では、第１の実施形態のように、立体配線部Ａ１、Ａ２の周囲に第２の貫通孔Ｈ２を有するレジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に付与しない。その代わりに、立体配線部Ａ１、Ａ２があるために外表面に突出部Ｓが形成されたレジスト膜７を圧電体基板１の一方主面側に一旦付与し、その後突出部Ｓを研削などにより除去する。
【００７５】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は、第４の実施形態における第４の工程に対応する図である。図１０（Ａ）は、立体配線部Ａ１（立体配線部Ａ２は不図示）があるために外表面に突出部Ｓが形成されたレジスト膜７が、圧電体基板１の一方主面側に付与された状態を模式的に示す図である。図１０（Ｂ）は、突出部Ｓが除去された状態を模式的に示す図である。図１０（Ｃ）ないし図１０（Ｆ）は、第４の実施形態における第５の工程および第６の工程を示すが、第１の実施形態における第５の工程および第６の工程を示す図６（Ｂ）ないし図６（Ｅ）と同じ内容であるため、それ以上の説明は行なわない。
【００７６】
第４の実施形態においても、はんだペースト付与用マスクとレジスト膜とが十分に密着する。そのため、第１の実施形態と同等の効果が得られる。
【００７７】
図１０では、突出部Ｓが除去されたレジスト膜７は、第３の部分電極６が露出する形態で形成された第１の貫通孔Ｈ１を除き、平坦な形態に図示されている。一方、立体配線部Ａ１、Ａ２の上方をさらに研削し、立体配線部Ａ１、Ａ２の上方に凹部が形成される形態としてもよい。すなわち、いずれの場合であっても、圧電体基板１の一方主面側に付与されたレジスト膜７は、外表面に突出部を有していない形態とすればよい。
【００７８】
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。また、この明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【符号の説明】
【００７９】
１００    弾性波装置
１    圧電体基板
２    第１の表面電極
２ａ    第１の部分電極
２ｂ    第１のＩＤＴ電極
２ｃ    第１の表面配線
３    第２の表面電極
３ａ    第２の部分電極
３ｂ    第２のＩＤＴ電極
３ｃ    第２の表面配線
４    絶縁体部材
５    保護膜
６    第３の部分電極
７    レジスト膜
８    はんだバンプ
８Ｒ    はんだペースト
Ａ１、Ａ２    立体配線部
Ｈ１    第１の貫通孔
Ｈ２    第２の貫通孔
Ｍ    はんだペースト付与用マスク
Ｐ    接続電極
Ｓ    突出部
Ｗ１、Ｗ２    レジスト膜非付与部の幅
Ｗ３    環状のレジスト膜の幅
【図１】
2017092838.tif 000003
【図２】
2017092838.tif 000004
【図３】
2017092838.tif 000005
【図４】
2017092838.tif 000006
【図５】
2017092838.tif 000007
【図６】
2017092838.tif 000008
【図７】
2017092838.tif 000009
【図８】
2017092838.tif 000010
【図９】
2017092838.tif 000011
【図１０】
2017092838.tif 000012
【図１１】
2017092838.tif 000013