(57)【要約】【課題】磁気シールドを用いることなく精度のよい磁界検出を可能とする磁界検出装置を提供する。【解決手段】磁気を検出するための一対の測定用磁気センサ１４ａおよび参照用磁気センサ１４ｂを有し、作動アンプ４４により一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力を差動させて磁界の検出を行なうものであって、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂに共通する磁界Ｂｆを印加可能なフィードバックコイル２０と、前記一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂのうちの参照用磁気センサ１４ｂの出力Ｖｏｕｔ＿ｂなどに基づいてフィードバックコイル２０に電流を供給するフィードバック回路６０とをさらに有する。一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力を差動させて測定対象の磁界ΔＢの検出を行なう際に、前記フィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆを考慮して、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂにおいて磁界の検出を行うことができる。【選択図】図２
2017062122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気を検出するための一対の磁気センサを有し、
該一対の磁気センサの出力を差動させて磁界の検出を行なう磁界検出装置であって、
前記一対の磁気センサに共通する磁界を印加可能なフィードバックコイルと、
前記一対の磁気センサのうちの一方の磁気センサの出力信号に基づいて該フィードバックコイルに電流を供給するフィードバック回路とをさらに有すること、
を特徴とする磁界検出装置。
【請求項２】
前記フィードバック回路は、前記一方の磁気センサの出力が０となるように前記電流を決定すること、
を特徴とする請求項１に記載の磁界検出装置。
【請求項３】
前記一対の磁気センサを用いたグラディオメータを有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の磁界検出装置。
【請求項４】
前記一対のセンサのそれぞれは磁気インピーダンスセンサであること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の磁界検出装置。
【請求項５】
前記一対のセンサは、それらの指向性を示す軸が平行となるように、配置されること、
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の磁界検出装置。
【請求項６】
前記一対のセンサは、それらの指向性を示す軸が共通する直線上になるように、配置されること、
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の磁界検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界検出装置に関するものであり、特に、微小な磁界を精度よく検出することのできる磁界検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、生体細胞が生ずる磁気信号（磁界）の検出のように、高精度、例えば高い分解能により磁界の検出が可能な磁界検出装置が求められている。かかる状況において、例えば、ＳＱＵＩＤ（超電導量子干渉素子）や、高周波電流が通電されたアモルファスワイヤ（ワイヤ形状のアモルファス合金）に外部磁界を加えると、そのインピーダンスが変化する磁気インピーダンス（ＭＩ；Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）効果を利用した磁気インピーダンスセンサなどが提案されている。例えば、特許文献１に記載の磁気センサは磁気インピーダンスセンサの一例である。かかる磁気インピーダンスセンサによれば、微小な磁界変化を前記アモルファスワイヤのインピーダンス変化として捉えることができるので、分解能の高い磁界検出が可能にされる。
【０００３】
一方、微小な磁界を生ずる測定対象物を測定する場合には、前述の様な分解能の高いセンサを使用することに加え、地磁気などの外部磁界の影響を低減することが必要である。外部磁界の影響を低減する方法としては、従来からシールド装置を用いる方法が用いられている。このシールド装置は、例えばパーマロイなど強磁性体によって構成される遮蔽体によりセンサを取り囲むことにより、そのシールド装置内において外部磁界を可及的に遮蔽し、その影響を低減することを目的としたものである。また、前記シールド装置に加え、シールド装置近傍に外部磁界と逆位相の磁界を加えることにより、遮蔽体内における外部磁界の影響をさらに低減することを目的とした、いわゆるアクティブシールド装置が提案されている。特許文献２はかかるアクティブシールド装置の一例である。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００５／０１９８５１号
【特許文献２】特開２００２−０９４２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前述のシールド装置を構成するためには、例えば磁気を遮蔽することが可能な厚さを有する遮蔽体を設ける必要があるため、装置全体が大規模、あるいは高価なものとなってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は以上の事情を背景として為されたもので、その目的とするところは、より簡易な方法により、微小な磁界を精度よく計測可能とする、いわゆるカジュアルセンシングを可能とするための磁界計測装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的を達成するための請求項１に係る発明は、（ａ）磁気を検出するための一対の磁気センサを有し、（ｂ）該一対の磁気センサの出力を差動させて磁界の検出を行なう磁界検出装置であって、（ｃ）前記一対の磁気センサに共通する磁界を印加可能なフィードバックコイルと、（ｄ）前記一対の磁気センサのうちの一方の磁気センサの出力信号に基づいて該フィードバックコイルに電流を供給するフィードバック回路とをさらに有すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１に係る発明によれば、前記フィードバック回路により前記一対の磁気センサのうちの一方の磁気センサの出力信号に基づいて該フィードバックコイルに電流が供給され、該フィードバックコイルにより前記一対の磁気センサに共通する磁界が印加されるので、前記一対の磁気センサの出力を差動させて磁界の検出を行なう際に、前記フィードバックコイルによって印加される磁界を考慮して、前記一対の磁気センサにおいて磁界の検出を行うことができる。
【０００９】
ここで好適には、前記フィードバック回路は、前記一方の磁気センサの出力が０となるように前記電流を決定するものである。このようにすれば、前記一対の磁気センサの出力を作動させる際に、前記一方の磁気センサの出力が０となるので、外部磁界の影響を低減することができるとともに、センサが磁気飽和しないような磁界強度の範囲において測定を行うことができるため、その分解能が向上しうる。
【００１０】
また好適には、前記一対の磁気センサを用いてグラディオメータが構成されることを特徴とする。このようにすれば、測定対象となる磁界発生源が前記一対の磁気センサの１つに近接している場合において、前記一対の磁気センサの出力に基づいて磁界勾配を計測することで、地磁気などの遠方からの外部磁界（測定対象とは異なるものを発生源とする磁界、外乱磁界）を除去してＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。
【００１１】
また好適には、前記一対の磁気センサのそれぞれは磁気インピーダンスセンサである。このようにすれば、前記一対のセンサは、たとえば１ｐＴ／Ｈｚ１／２のような非常に高い分解能を有するものであるので、これらを差動させる場合の効果が大きくなる。なお、磁気インピーダンスセンサ以外の他の高感度磁気センサをグラディオメータ構成とすることも可能であるが、例えば数ｐＴレベルの磁界分解能を有するフラックスゲートセンサなどの磁気センサでは、素子サイズが比較的大きいため、簡易な設備による、いわゆるカジュアルなセンシングには適さない。
【００１２】
また好適には、前記一対の磁気センサは、それらの指向性を示す軸が平行となるように、配置されるものである。このようにすれば、外部磁界が一様な分布である場合に、前記一対の磁気センサのそれぞれを略等しく貫くので、前記一方の磁気センサの出力が外部磁界に基づくものである場合に、前記フィードバックコイルによって印加される磁界によって他方の磁気センサの出力においても外部磁界の影響を低減することができる。
【００１３】
また好適には、前記一対の磁気センサは、それらの指向性を示す軸が共通する直線上になるように、配置されるものである。このようにすれば、外部磁界が前記一対の磁気センサをいわゆる直列に貫くので、前記一方の磁気センサの出力が外部磁界に基づくものである場合に、前記フィードバックコイルによって印加される磁界によって他方の磁気センサの出力においても外部磁界の影響を低減することができる。
【００１４】
さらに好適には、前記一対の磁気センサを構成する磁気インピーダンスセンサのそれぞれは、磁界を検知するためのアモルファスワイヤと、該アモルファスワイヤの生ずる磁束変化を検出するコイルとを有しており、該アモルファスワイヤは前記一対のセンサに共通した部材であることを特徴とする。このようにすれば、外部磁界はアモルファスワイヤを貫くように前記一対の磁気センサのそれぞれを貫くことから、外部磁界は前記一対の磁気センサに共通したものとなり、前記フィードバックコイルによって印加される磁界の効果が顕著となる。
【００１５】
また好適には、前記一対の磁気センサを構成する磁気インピーダンスセンサのそれぞれは、磁界を検知するためのアモルファスワイヤと、アモルファスワイヤの生ずる磁束変化を検出するコイルとを有しており、アモルファスワイヤは前記一対のセンサのそれぞれに別個に設けられることを特徴とする。このようにすれば、外部磁界が前記一対の磁気センサに等しく影響するように前記一対の磁気センサが配設されることを前提としつつも、前記一対の磁気センサの設計上の自由度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の磁界検出装置のセンサヘッドの構成の一例を説明する図である。
【図２】本実施例の磁界検出装置において、センサヘッドを駆動するための電気信号を入力するとともに、センサヘッドからの出力信号を処理するための回路部の構成および機能の要部を説明する図である。
【図３】アモルファスワイヤに印可されるパルス信号の繰り返し周波数とセンサの感度との関係を説明する図である。
【図４】アモルファスワイヤに印可されるパルス信号と検出コイルに発生する誘導電圧の波形を対比させて示した図である。
【図５】本実施例の磁界検出装置における回路部の構成のうち、図２とは異なる要部を説明する図である。
【図６】図２に示す回路部のうち、フィードバック回路部の機能を説明するブロック線図である。
【図７】本実施例の磁界検出装置による磁界検出の実験例の結果を説明する図である。
【図８】磁気ノイズの発生原因を説明する図である。
【図９】本発明の磁界検出装置による磁界検出のさらに別の実験例２の結果を説明する図である。
【図１０】本発明の磁界検出装置による磁界検出のさらに別の実験例３の結果を説明する図であって、直流磁界における磁気ノイズの検出結果を示す図である。
【図１１】本発明の磁界検出装置による磁界検出のさらに別の実験例４の結果を説明する図であって、磁気シールドの有無に対する比較を示す図である
【図１２】本発明の別の実施例におけるセンサヘッドの構成を説明する図である。
【図１３】本発明のさらに別の実施例におけるセンサヘッドの構成を説明する図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明の磁気検出装置の構成の一例を示した図である。図１に示すように、本実施例における磁気検出装置１０は磁界を検出するためのセンサヘッド１２と、そのセンサヘッド１２を駆動するための電流を供給するとともにセンサヘッド１２から出力される電気信号を処理するための回路部３０とを有して構成されている。このうちセンサヘッド１２は、一対の磁気センサ１４ａおよび１４ｂ（以下、これらを区別しない場合には「磁気センサ１４」という。）を含んで構成される。磁気センサ１４のうち、磁気センサ１４ａは測定対象物５０（図５など参照）が生ずる磁界を検出するための測定用センサ１４ａであり、もう一つの磁気センサ１４ｂは、その測定対象物５０からの磁界を検出しない一方、地磁気などの測定対象物５０以外によって生ずる磁界である外部磁界を検出する参照用センサ１４ｂである。なお、本実施例においては、参照用センサ１４ｂが本発明の一方の磁気センサに対応する。両磁気センサ１４はかかる目的を達成する様に、すなわち、参照用磁気センサ１４ｂが測定対象物５０からの磁界を検出しない様に配設されている。測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂは、両者の出力により磁界勾配が測定可能な程度に予め定められた距離だけ、具体的にはたとえば両者の間が５０ｍｍだけ離れるように配設されている。
【００１９】
本実施例においては、これら磁気センサ１４は磁気インピーダンスセンサであり、それぞれ、アモルファスワイヤ１６（後述するアモルファスワイヤ１６ａと１６ｂとを区別しない場合、「アモルファスワイヤ１６」という。）と、アモルファスワイヤ１６の磁束変化を検出する検出コイル１８（後述する検出コイル１８ａと１８ｂとを区別しない場合、「検出コイル１８」という。）とを含んで構成されている。また検出コイル１８はそれぞれ、中空のコイル状に設けられており、コイルの両端の電圧を後述する電気回路を用いて検出することができるようにされており、本実施例においてはその一方が接地されている。具体的には、測定用センサ１４ａに設けられた検出コイル１８ａの両端の電位差ｖｏｕｔ＿ａおよび参照用センサ１４ｂに設けられた検出コイル１８ｂの両端の電位差ｖｏｕｔ＿ｂが検出可能とされている。これら測定用センサ１４ａに設けられた検出コイル１８ａと参照用センサ１４ｂに設けられた検出コイル１８ｂとは同一形状で、例えば、線径３０μｍ、巻数７００、長さ１０ｍｍのコイルである。
【００２０】
また、検出コイル１８の中空部分には、アモルファスワイヤ１６が通されている。本実施例においては、図１に示す様にアモルファスワイヤ１６は長手方向に延びる棒状の形状を有しており、アモルファスワイヤ１６ａおよび１６ｂがそれぞれ検出コイル１８ａの中空部分および検出コイル１８ｂの中空部分を通る（貫く）様に配設されている。また、モルファスワイヤ１６ａおよび１６ｂの間は、電気的に直列に接続されており、励磁電流が両者を通電されるようになっている。
【００２１】
本実施例においては、アモルファスワイヤ１６は、例えば長さ１０ｍｍ、線径３０μｍのものが用いられる。アモルファスワイヤ１６の両端には、そのアモルファスワイヤ１６に電流ｉｉｎを印加することができるように電極や配線が設けられている。図１の例においては、アモルファスワイヤ１６ａの一端（右端）に後述する発振器３２からの電流ｉｉｎが印加され、さらに、その他端（左端）から導線によって接続されたアモルファスワイヤ１６ｂの一端（右端）に印加される。また、アモルファスワイヤ１６ｂの他端は接地されている。
【００２２】
また、本実施例におけるセンサヘッド１２は、フィードバックコイル２０を有している。このフィードバックコイル２０は、その内部に一対の磁気センサ１４の両方を包含するように配設させられる。たとえば、本実施例のように、一対の磁気センサが一軸上に配設させられる場合には、フィードバックコイル２０はソレノイド状に設けられればよい。なお、好適には、フィードバックコイル２０が発生させる磁界を前記一対の磁気センサ１４のそれぞれにおいて等しく検出させられるよう、一対の磁気センサ１４はフィードバックコイル２０がソレノイド状とされる場合には、その両端部から内側に一定距離以上離れ位置、言い換えれば、ソレノイド状のフィードバックコイル２０が生ずる磁界がそのフィードバックコイル２０の長手方向と略平行となるような位置に配設される。具体的にはたとえば直径２５ｍｍ、長さ８０ｍｍ、８００巻のコイルが用いられる。なお、図面においては装置の構造を説明するために各構成要素の大きさを実際とは異なる大きさで記載している。
【００２３】
図２は、図１に示す本実施例の磁気検出装置１０のうち、センサヘッド１２と、回路部３０の構成の一部であってセンサヘッド１２との入出力を行なう部分とを説明する図である。回路部３０は、前記センサヘッド１２を駆動するための電気信号ｉｉｎを入力するとともに、センサヘッド１２からの出力信号Ｖｏｕｔ＿ａ、Ｖｏｕｔ＿ｂを処理し、センサヘッド１２において検出された磁界強度に関する情報を算出する。
【００２４】
図２に示す回路部３０のうち、発振器３２からは、アモルファスワイヤ１６に通電される電流ｉｉｎなどの元となるパルス信号、すなわち矩形波が生成される。この矩形波は、アンプ３４によって所定の増幅が行なわれ、アモルファスワイヤ１６に印加される。本実施例においては例えば、パルス信号の振幅が２〜３Ｖとなるように増幅が行なわれる。図３はアモルファスワイヤに印可されるパルス信号の繰り返し周波数とセンサの感度との関係の一例を説明する図である。この図３に示されるセンサの感度が良好となる繰り返し周波数が選択される。具体的には図３の例においては、繰り返し周波数が１０ｋＨｚ以上においてはセンサの感度がほぼ一定であるので、繰り返し周波数が１０ｋＨｚとされる。また、パルス幅は、磁気インピーダンスセンサが高感度化するように、予め実験的にあるいはシミュレーションにより得られた値とされる。具体的には、アモルファスワイヤ１６のインピーダンス変化が最も顕著な周波数が１０ＭＨｚである場合には、パルス幅が５０ｎｓとなり、デューティー比は０．０００５となる。
【００２５】
サンプルホールド回路（アナログスイッチ）３６、４０はそれぞれ、検出コイル１８ａ、１８ｂの両端電位差、すなわち両端における電圧の差（起電力）が入力される。このサンプルホールド回路３６、４０においては、アモルファスワイヤ１６に印加するパルス信号の立ち上がり（通電開始）によりコイルに発生する誘導電圧について、その立ち上がり（図４の時刻ｔ１）からピーク（図４の時刻ｔ２）を含む時間範囲において積分して出力を行なう。具体的には例えば前記時間範囲は１０ｎｓ〜５０ｎｓのように設定される。このため、サンプルホールド回路３６、４０には前述の発振器３２によって出力されるパルス信号が入力されており、サンプルホールド回路３６、４０はこのパルス信号の立ち上がりをスイッチとして作動を行なう。また、バッファアンプ３８、４２はそれぞれ、サンプルホールド回路３６、４０の出力を差動アンプ４４へ流す。
【００２６】
なお、検出コイル１８においては、図４に示す様に、アモルファスワイヤ１６に印加されるパルス信号における立ち上がり（通電開始）によって検出コイル１８に発生する誘導電圧の波形と、パルス信号における立ち下がり（通電遮断）によって検出コイル１８に発生する誘導電圧との変動とが連続して発生するよう、すなわち、パルス信号における立ち上がり（通電開始）によって検出コイル１８に発生する誘導電圧の波形とパルス信号における立ち下がり（通電遮断）によって検出コイル１８に発生する誘導電圧との波形との間に誘導電圧が例えば０に留まる時間がないようにされている。前述の検出コイル１８の形状として例示した、線径６０μｍ、巻数７００、長さ１０ｍｍのコイルは、本実施例においてこの条件を満たすものである。
【００２７】
図２に戻って、差動アンプ４４は、これらバッファアンプ３８、４２を介して出力されたサンプルホールド回路３６、４０のそれぞれの出力の差分を増幅してｖｏｕｔとして出力する。具体的には、測定用センサ１４ａの検出コイル１８ａに関連するバッファアンプ３８を介したサンプルホールド回路３６の出力と、参照用センサ１４ｂの検出コイル１８ｂに関連するバッファアンプ４２を介したサンプルホールド回路４０の出力との差が算出されて出力される。
【００２８】
図５は、本実施例の磁気検出装置１０における回路部３０の構成の別の要部を説明する図である。具体的には、図２の差動アンプ４４の出力ｖｏｕｔの更なる処理が行なわれる部分を説明する図である。すなわち、回路部３０は、図２に示された回路と図５に示された回路とを含んで構成される。なお、差動アンプ４４は図２および図５の両方に重複して描かれている。
【００２９】
具体的には、差動アンプ４４の出力ｖｏｕｔは、ハイパスフィルタ４６によって所定の周波数、例えば０．３Ｈｚより低い周波数成分は遮断される。また、アンプ４８によって所定の増幅が行なわれる。続いてローパスフィルタ５０によって、所定の周波数、例えば３０Ｈｚより高い周波数成分が遮断される。さらにノッチフィルタ５２によって特定の周波数、例えば６０Ｈｚの周波数成分が遮断された後、アンプ５４による所定の増幅が行なわれ、更にノッチフィルタ５６により別の特定の周波数、例えば１８０Ｈｚの周波数成分が遮断され、出力Ｅｏｕｔ（Ｖ）が出力される。この出力Ｅｏｕｔ（Ｖ）を予め得られている換算方法によって磁界強度に変換することにより、測定対象物の発生する磁界強度を得ることができる。
【００３０】
図２に戻って、回路部３０は、フィードバック回路６０を有している。このフィードバック回路６０は、参照用センサ１４ｂの出力信号Ｖｏｕｔ＿ｂをバッファアンプ４２によって増幅して得られる信号Ｖ２に基づいて、前述のフィードバックコイル２０に電流を供給して磁界を発生させる。
【００３１】
具体的には、フィードバック回路６０は、アンプ６２とフィードバック抵抗６４とを有して構成されている。アンプ６２はバッファアンプ４２の出力Ｖ２を所定の増幅率で増幅した電圧Ｖ２’を供給する。フィードバック抵抗６４は、参照用センサ１４ｂの出力信号Ｖｏｕｔ＿ｂに応じて変化する電圧Ｖ２’を、その電圧Ｖ２’の大きさに比例した電流とするために設けられた、所定の抵抗値［Ω］抵抗である。すなわち、フィードバック抵抗６４は、入力される電圧に比例する電流を出力する電圧電流変換器として機能している。このように構成することで、フィードバック回路６０はフィードバックコイル２０に、参照用センサ１４ｂの出力信号Ｖｏｕｔ＿ｂに応じた電流が印加させることができる。
【００３２】
図６は、本実施例におけるフィードバック回路６０を含む本実施例の磁界検出装置１０の作動を具体的に説明するブロック線図である。前述のように、フィードバック回路６０において、アンプ６２は、サンプルホールド回路４０およびバッファアンプ４２を介して出力される参照用センサ１４ｂからの出力信号Ｖ２に基づいて、予め定められた増幅率Ａ１だけ増幅した電圧Ｖ２’を出力する。すなわち、
Ｖ２’＝Ａ１＊Ｖ２                        （１）
である。なお、増幅率Ａ１は比率や百分率（％）で定められてもよいし、ゲインとしてｄＢ単位で定められてもよい。
【００３３】
フィードバック抵抗６４は、予めその抵抗値がＲｆ［Ω］に定められており、アンプ６２によって出力される電圧Ｖ２’に応じたフィードバック電流Ｉｆ［Ａ］が生成される。このフィードバック電流Ｉｆがフィードバックコイル２０を流れることにより、フィードバック磁界Ｂｆが生じさせられる。このとき、図６に示すように、フィードバック磁界Ｂｆの向きは、環境磁場（外部磁界）を打ち消す方向にされている。これはたとえば、フィードバックコイル２０の巻線方向や配置方向によって実現されてもよいし、アンプ６２における増幅率Ａ１の値の正負を逆転させて電流の向きを逆にすることによって実現してもよい。
【００３４】
本実施例の態様においては、測定対象から発生する磁界は外部磁界に比べてその大きさが微小なものであるので、測定対象から発生する磁界ΔＢは測定用センサ１４ａのみが検出する一方、外部磁界Ｂｎは測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂのいずれにおいても検出する。したがって、測定用センサ１４ａが検出する磁界は、外部磁界Ｂｎ、測定対象からの磁界ΔＢ、およびフィードバック磁界Ｂｆの和であって、前述のようにフィードバック磁界Ｂｆの向きは外部磁界Ｂｎと逆向きに生じさせられるので、その大きさは、Ｂｎ＋ΔＢ−Ｂｆとなる。
【００３５】
図６に示すようにフィードバック回路６０およびフィードバックコイル２０を設けることで、本実施例の磁界検出装置１０の効果が得られることを以下に説明する。まず、測定用センサ１４ａ、サンプルホールド回路３６、およびバッファアンプ３８を一体とみなした場合の、その感度、すなわち、検出する磁界強度に対する発生する電圧をＳ１［Ｖ／Ｔ］とすると、バッファアンプ３８の出力Ｖ１はこの感度Ｓ１を用いて、
Ｖ１＝Ｓ１＊（Ｂｎ＋ΔＢ−Ｂｆ）                ・・・（２）
となる。
【００３６】
一方、参照用センサ１４ｂが検出する磁界は、外部磁界Ｂｎおよびフィードバック磁界Ｂｆの和であるので、その大きさは、Ｂｎ−Ｂｆとなる。また、参照用センサ１４ｂ、サンプルホールド回路４０、およびバッファアンプ４２を一体と見なした場合の感度をＳ２［Ｖ／Ｔ］とすると、バッファアンプ４２の出力Ｖ２はこの感度Ｓ２を用いて、
Ｖ２＝Ｓ２＊（Ｂｎ−Ｂｆ）                      ・・・（３）
となる。
【００３７】
また、作動アンプ４４は、測定用センサ１４ａ側のバッファアンプ３８の出力Ｖ１と、参照用センサ１４ｂ側のバッファアンプ４２の出力Ｖ２との差を予め設定された増幅率Ａ２だけ増幅して出力Ｖｏｕｔとして出力する。すなわち、
Ｖｏｕｔ＝Ａ２＊（Ｖ１−Ｖ２）                    ・・・（４）
である。
ここで、上記（４）式を、上記（２）式および（３）式を用いて書き直すと、
Ａ２＊｛Ｓ１＊（Ｂｎ＋ΔＢ−Ｂｆ）−Ｓ２＊（Ｂｎ−Ｂｆ）｝＝Ｖｏｕｔ          ・・・（５）
となる。
【００３８】
また、フィードバック抵抗６４およびフィードバックコイル２０の特性として、フィードバック磁界の大きさＢｆがフィードバック抵抗６４に入力される電圧Ｖ２’に比例するとした場合のその係数をβとすると、
Ｂｆ＝β＊Ｖ２’                              （６）
となる。ここで、βはたとえば
β＝μ０＊ｎ／Ｒｆ
のように定義され、μ０は真空における透磁率［Ｈ／ｍ］であり、ｎはフィードバックコイル２０の単位長さ当たりのコイルの巻数である。また、Ｒｆ［Ω］は前述のようにフィードバック抵抗６４の抵抗値である。
【００３９】
また、前記（１）式および（３）式より、参照用センサ１４ｂ側のバッファアンプ４２の出力電圧Ｖ２’は、
Ｖ２’＝Ａ１＊Ｓ２＊（Ｂｎ−Ｂｆ）              ・・・（７）
である。上記（６）式および（７）式より
Ｖ２’＝Ａ１＊Ｓ２＊（Ｂｎ−β＊Ｖ２’）        ・・・（８）
となって、
Ｖ２’＝Ａ１＊Ｓ２＊Ｂｎ／（１＋Ａ１＊Ｓ２＊β）  ・・・（９）
となる。
【００４０】
また、前記（５）式を変形して、
Ａ２＊｛（Ｓ１−Ｓ２）＊（Ｂｎ−Ｂｆ）＋＋ΔＢ＊Ｓ１｝＝Ｖｏｕｔ      ・・・（１０）
となり、これに（６）、（９）式を適用すると、
Ａ２＊［（Ｓ１−Ｓ２）＊Ｂｎ＊｛１−β＊Ａ１＊Ｓ２／（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）｝］＋ΔＢ＊Ｓ１＊Ａ２＝Ｖｏｕｔ      ・・・（１１）
となって、さらに変形すると、
Ａ２＊［Ｂｎ＊｛（Ｓ１−Ｓ２）／（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）｝］＋ΔＢ＊Ｓ１＊Ａ２＝Ｖｏｕｔ      ・・・（１２）
となる。ここで、上記（１２）式の左辺第１項は、差動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔのうち外部磁界に起因する出力電圧であり、左辺第２項は計測対象から生ずる磁界に起因する出力電圧である。
【００４１】
一方、フィードバック回路６０がない場合の作動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔは、上記（１２）式においてβあるいはＡ１が０の場合に対応するので、かかる場合の差動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔ＿ｎは、
Ａ２＊Ｂｎ＊（Ｓ１−Ｓ２）＋ΔＢ＊Ｓ１＊Ａ２＝Ｖｏｕｔ＿ｎ      ・・・（１３）
のように表される。前記（１２）式の場合と同様に、左辺第１項は、差動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔ＿ｎのうち外部磁界に起因する出力電圧であり、左辺第２項は計測対象から生ずる磁界に起因する出力電圧である。
【００４２】
ところで、本実施例の磁界検出装置１０における一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂは同一の構成とされるが、製造上のばらつきなどに起因して、出力値に誤差を生ずることが想定しうる。かかる誤差は、たとえば、前述の感度Ｓ１およびＳ２の差として現れることとなる。理想的には前記ばらつきがなければ、計測用磁気センサ１４ａの感度Ｓ１と参照用磁気センサ１４ｂの感度Ｓ２とは同一となるため、前記（１２）式や（１３）式における左辺第１項は０となり、差動アンプ４４の出力電圧ＶｏｕｔやＶｏｕｔ＿ｎはいずれも測定対象が生ずる磁界ΔＢに起因する電圧のみとなり、フィードバック回路６０やフィードバックコイル２０を設ける必要はない。しかしながら、実際には前記ばらつきが生じるため、差動アンプの出力電圧ＶｏｕｔやＶｏｕｔ＿ｎには、外部磁界に起因する電圧を含むこととなる。すなわち、前記（１２）式や（１３）式における左辺第１項は、計測用磁気センサ１４ａの感度Ｓ１と参照用磁気センサ１４ｂの感度Ｓ２とのばらつきに起因する電圧でもあるといえる。
【００４３】
ここで、フィードバック回路６０がある場合とない場合のそれぞれにおける外部磁界に起因する出力電圧の比を算出すると、
（フィードバック回路６０のある場合の外部磁界に起因する出力電圧）／（フィードバック回路６０のない場合の外部磁界に起因する出力電圧）＝１／（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）      ・・・（１４）
となる。ここで、（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）が十分に大きい場合には、（１４）式の値が大きくなるので、前記（１２）式や（１３）式における左辺第２項である測定対象が生ずる磁界ΔＢに起因する電圧が変わらない一方で、前記（１３）式における左辺第１項が小さくなるので、外部磁界が差動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔに及ぼす影響が小さくなる。
【００４４】
このことは、言い換えれば、（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）が十分に大きい場合には、計測用磁気センサ１４ａの感度Ｓ１と参照用磁気センサ１４ｂの感度Ｓ２とのばらつきが存在したとしても、それが差動アンプ４４の出力電圧Ｖｏｕｔに与える影響が無視できる程度となる。そのため、センサ１４の分解能が非常に高いものである場合に、その分解能レベルまで詳細に磁界の検出を行うことが可能となる。
【００４５】
好適には、前述のアンプ６２の増幅率Ａ１は、参照用センサ１４ｂにおいて検出する磁界（Ｂｎ−Ｂｆ）が０となるように、言い換えれば参照用センサ１４ｂ側のバッファアンプ４２の出力Ｖ２が０となるように設定される。このようにすれば、外部磁界Ｂｎの大きさは、測定対象が生ずる磁界ΔＢよりも十分大きいことから、前述の（１４）式における（１＋β＊Ａ１＊Ｓ２）が十分に大きいことを実現しうる。また、測定用センサ１４ａにおいては、外部磁界Ｂｎがフィードバックコイル２０によって印可される磁界Ｂｆによって相殺され、外部磁界Ｂｎの影響がすくなくなり、主として測定対象が生ずる微小な磁界ΔＢを検出することとなるため、たとえばセンサ１４が磁気飽和性を有するような場合であっても、外部印加磁界に対して良好な出力電圧特性が得られる領域で磁界の検出を行うことができ、検出の精度が向上する。
【００４６】
［実験例１］
続いて、本実施例の磁界検出装置１０を用いて発明者らが行った実験例について説明する。本実験においては、ソレノイド状のフィードバックコイル２０が設けられ、フィードバックコイル２０の内部に測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂが配設されている。フィードバックコイルの大きさは長さ５０ｍｍ、直径が２５ｍｍであり、また、８００巻されている。また、測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂはそれぞれ、直径２５μｍ、長さ１０ｍｍのアモルファスワイヤ１６ａおよび１６ｂと検出コイル１８ａおよび１８ｂを含んで構成されている。また、測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂは、それぞれの長手方向がフィードバックコイル２０の長手方向と一致するように言い換えれば、フィードバックコイル２０が発生させる磁界Ｂｆの向きと測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂの検出可能な磁界の方向（指向性）が一致するように配設されている。
【００４７】
図７は、本実験例における上記構成において、１μＴ、１０Ｈｚの外部磁界Ｂｎを印加し、測定対象からの磁界ΔＢを設けない状態における磁界検出装置（言い換えれば作動アンプ４４）の出力を示した図であって、図７（ａ）はそのノイズスペクトルを、図７（ｂ）は出力電圧をそれぞれ示している。図７（ａ）および（ｂ）において、実線は本実施例のフィードバック回路６０を作動させた場合、破線はフィードバック回路６０を作動させない場合もしくは設けない場合を表している。図７（ａ）に示すように、特に外部磁界に相当する１０Ｈｚにおいて、フィードバック回路６０を作動させた場合にその出力が低くなっており、また、図７（ｂ）に示すように、作動アンプ４４の出力も小さくなっていることがわかる。これらの実験結果からわかるように、フィードバック回路６０およびフィードバックコイル２０を有する本実施例の磁界検出装置１０を用いることにより、単に測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂを差動させる場合よりも効果的に磁気ノイズの低減が行われていることがわかる。
【００４８】
なお、前記磁気ノイズは、前述のように測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂの感度のばらつきなどを一因とするものである。図８は、前述の実験例１の構成において、フィードバック回路６０を作動させることなく測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂのそれぞれの出力電圧の時間変化を記録したものである。測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂの仕様上のセンサ感度はいずれも０．９５１μＴ／Ｖであった。外部磁界として１μＴ、１０Ｈｚの磁界を印加したところ、その出力電圧は図８に示すものとなった。具体的には、測定用センサ１４ａの出力電圧の振幅（平均値）は１．０２Ｖであったことから、測定した磁界は１．０８μＴとなる一方、参照用センサ１４ｂの出力電圧の振幅（平均値）は０．９００Ｖであったことから、測定した磁界は０．９４６μＴとなった。この差０．１３４μＴが磁界検出装置１０の出力にノイズとして現れることとなる。
【００４９】
［実験例２］
本実験例は、ソレノイド状のフィードバックコイル２０の長さを８０ｍｍとした以外は前述の実験例１と同じ条件で、同様の実験を行ったものである。このとき測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂは、フィードバックコイル２０の長手方向の内側（中央寄り）に前述の実験例１と同様の間隔で配設される。図９は、本実験例における上記構成において、前述の実施例１と同様に１μＴ、１０Ｈｚの外部磁界Ｂｎを印加し、測定対象からの磁界ΔＢを設けない状態における磁界検出装置の出力を示した図であって、図９（ａ）はそのノイズスペクトルを、図９（ｂ）は出力電圧をそれぞれ示し、前述の実験例１における図７（ａ）、図７（ｂ）に対応している。図９（ａ）および（ｂ）において、実線は本実施例のフィードバック回路６０を作動させた場合、破線はフィードバック回路６０を作動させない場合もしくは設けない場合を表している。実験例１と同様に、フィードバック回路６０を作動させることにより、単に２つの測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂを差動させる場合よりも効果的にノイズの低減が行われていることがわかる。加えて、図７（ａ）、（ｂ）と図９（ａ）、（ｂ）とを比較することにより、測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂの長さに対して十分な長さのフィードバックコイル２０を設けることにより、より効果的にノイズの低減を行うことができるとことがわかる。これは、フィードバックコイル２０が測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂのそれぞれに対して均等な磁界Ｂｆを印加することができるためであると考えられる。
【００５０】
［実験例３］
本実験例３は、前述の実験例１と同様の構成において、外部磁界Ｂｎとして、前述の実験例１における交流磁界に代えて、直流磁界を印加した場合の例である。
【００５１】
図１０は、本実験例における上記構成において、１０μＴの直流磁界を外部磁界Ｂｎとして印加し、測定対象からの磁界ΔＢを設けない状態における磁界検出装置（言い換えれば作動アンプ４４）の出力を説明する図であって、図１０（ａ）は出力のノイズスペクトルを、図１０（ｂ）は、直流磁界の磁界強度に対する、測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂを差動させた出力であるＶｏｕｔ（図１など参照）の変化を示している。図１０（ａ）において、実線は本実施例のフィードバック回路６０を作動させた場合、破線はフィードバック回路６０を作動させない場合もしくは設けない場合を表している。図１０に示すように、１Ｈｚに近い極低周波数付近を除き、全体的にフィードバック回路６０を作動させた場合にノイズが低くなっていることがわかる。これらの実験結果からわかるように、外部磁界が地磁気を含む直流磁界の場合においても、フィードバック回路６０およびフィードバックコイル２０を有する本実施例の磁界検出装置１０を用いることにより、単に測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂを差動させる場合よりも効果的に磁気ノイズの低減が行われていることがわかる。また、図１０（ｂ）に示すように、測定用センサ１４ａおよび参照用センサ１４ｂの差動出力Ｅｏｕｔ［Ｖ］は、直流磁界（一様磁界）における磁界感度の強度［μＴ］に対してほぼ線形の関係となっていることがわかる。言い換えれば、磁界の強度変化に対して、センサの出力電圧Ｅｏｕｔに基づいて精度のよい計測が可能となることがわかる。
【００５２】
［実験例４］
本実験例４は、本実施例における磁界検出装置１０を、磁気シールドされた環境と磁気シールドされていない環境のそれぞれにおいて用いて磁界検出を行うものである。図１１は、前述の実験例１と同様に構成された磁界検出装置１０を用いた磁界の検出結果を説明する図で、図１１（ａ）は磁気シールド装置の外で行われた実験結果を、図１１（ｂ）は磁気シールド装置内で行われた実験結果をそれぞれ示している。
【００５３】
本実験例４においては、磁気シールド装置外において２．４〜３．０μＴの直流磁界が外部磁界Ｂｎとして印加されている。また、磁気シールド装置によって、その内部においては前記外部磁界Ｂｎの影響が低減されている。また、測定対象からの磁界ΔＢに相当する磁界として、ワンターン（１巻）コイルにより振幅が２００ｐＴの磁界を１０Ｈｚで発生させた。このときの本実施例の磁界検出装置の出力をそれぞれ図１１（ａ）および（ｂ）に示している。
【００５４】
図１１（ａ）および（ｂ）からわかるように、いずれの波形においても１０Ｈｚの測定対象からの磁界ΔＢに対応する波形となっている。すなわち、本実施例の磁界検出装置１０によれば、一定の直流磁界の存在下において、磁気シールドを設けなくても、磁気シールドを設ける場合と同様に測定対象からの磁界ΔＢの検出を行うことが可能であることがわかる。
【００５５】
前述の実施例によれば、本実施例の磁界検出装置１０は、磁気を検出するための一対の測定用磁気センサ１４ａおよび参照用磁気センサ１４ｂを有し、作動アンプ４４により一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力を差動させて磁界の検出を行なうものであって、前記一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂに共通する磁界Ｂｆを印加可能なフィードバックコイル２０と、前記一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂのうちの参照用磁気センサ１４ｂの出力Ｖｏｕｔ＿ｂもしくは参照用磁気センサ１４ｂの出力を増幅するバッファアンプ４２の出力Ｖ２に基づいてフィードバックコイル２０に電流を供給するフィードバック回路６０とをさらに有するものである。このようにすれば、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力を差動させて測定対象の磁界ΔＢの検出を行なう際に、前記フィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆを考慮して、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂにおいて磁界の検出を行うことができる。
【００５６】
また前述の実施例によれば、フィードバック回路６０は、参照用磁気センサ１４ｂの出力が０となるようにフィードバックコイル２０に供給する電流を決定するので、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力を作動させる際に、参照用磁気センサ１４ｂの出力が０となるので、外部磁界Ｂｎの影響を低減することができるとともに、センサ１４ａ、１４ｂが磁気飽和しないような磁界強度の範囲において測定を行うことができるため、その分解能が向上しうる。
【００５７】
また前述の実施例によれば、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂを用いてグラディオメータが構成されるので、測定対象となる磁界発生源が一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの１つである測定用磁気センサ１４ａに近接している場合において、前記一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの出力に基づいて磁界勾配を計測することで、地磁気などの遠方からの外部磁界Ｂｎの影響を除去してＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。
【００５８】
また前述の実施例によれば、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂのそれぞれは磁気インピーダンスセンサであるので、たとえばナノテスラ（ｎＴ）レベルのような非常に高い分解能を有するものであるので、これらの出力を差動させ、フィードバックコイル２０によって磁界Ｂｆを印加させる場合の効果が大きくなる。
【００５９】
また前述の実施例によれば、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂは、それらの指向性を示す軸が共通する直線上になるように配置されるので、外部磁界Ｂｎが一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂをいわゆる直列に貫くので、参照用磁気センサ１４ｂの出力が外部磁界Ｂｎに基づくものである場合に、フィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆによって測定用磁気センサ１４ａの出力Ｖｏｕｔ＿ａまたは測定用磁気センサ１４ａの出力を増幅するバッファアンプ３８の出力Ｖ１においても外部磁界Ｂｎの影響を低減することができる。
【００６０】
また前述の実施例によれば、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂを構成する磁気インピーダンスセンサのそれぞれは、磁界を検知するためのアモルファスワイヤ１６ａ、１６ｂと、それらアモルファスワイヤ１６ａ、１６ｂの生ずる磁束変化を検出するコイル１８ａ、１８ｂとを有しており、アモルファスワイヤ１６ａ、１６ｂは一対のセンサ１４ａ、１４ｂのそれぞれに別個に設けられるので、外部磁界Ｂｎが一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂに等しく影響するように配設されることを前提としつつ、一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂの設計上の自由度が向上する。
【００６１】
続いて、本発明の別の実施例について説明する。以下の説明において、実施例相互に共通する部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
【実施例２】
【００６２】
図１２は、本発明の別の実施例におけるセンサヘッド１１２の態様を説明する図であって、前述の実施例１におけるセンサヘッド１２に対応するものである。本実施例においては、一対の磁気センサ１４である測定用磁気センサ１４ａおよび参照用磁気センサ１４ｂとが同軸上に配列されていない点で、両者が直列かつ一軸上に配列されていた前述の実施例１とは異なる。
【００６３】
すなわち、一対の磁気センサ１４は、それらの磁気検出可能な方向（指向性）が相互に平行となる位置に配設される。好ましくは図１２に示すように、外部磁界Ｂｎを均等に受ける位置に配設されれば、その位置が限定されないので、設計上の自由度が向上する。また、フィードバックコイル２０は、そのフィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆが一対の磁気センサ１４のそれぞれにおいて均等に磁界を与えるものであれば、その形状は限定されない。たとえばフィードバックコイル２０が前述の実施例１と同様にソレノイド状に設けられる場合には、一対の磁気センサ１４は、フィードバックコイル２０の長手方向に垂直な断面である円の中心から均等な位置に設けられればよい。なお、図１２においては、センサヘッドの構成を明確にするため、フィードバックコイル２０は省略されている。
【００６４】
ここで、一対の磁気センサ１４のそれぞれにおけるアモルファスワイヤ１６ａ、１６ｂに通電される励磁電流は、図１２に示すように両アモルファスワイヤ１６が電気的に並列に設けられることで通電されてもよいし、あるいは図示しないが両アモルファスワイヤ１６が電気的に直列に設けられることで通電されてもよい。
【００６５】
前述の実施例２のセンサヘッド１１２によれば、一対の磁気センサ１４は、それらの指向性を示す軸が平行となるように配置されるので、外部磁界Ｂｕがそれら一対の磁気センサ１４の位置において等しい分布である場合に、一対の磁気センサ１４のそれぞれを略等しく貫くので、参照用磁気センサ１４ｂの出力Ｖｏｕｔ＿ｂまたはＶ２が外部磁界Ｂｎに基づくものである場合に、フィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆによって測定用磁気センサ１４ａの出力Ｖｏｕｔ＿ａまたはＶ１においても外部磁界Ｂｎの影響を低減することができる。
【実施例３】
【００６６】
図１３は、本発明のさらに別の実施例におけるセンサヘッド２１２の態様を説明する図であって、前述の実施例１におけるセンサヘッド１２に対応するものである。本実施例においては、一対の磁気センサ１４である測定用磁気センサ１４ａおよび参照用磁気センサ１４ｂとは一軸上に配列されている一方、一対の磁気センサに共通する一本のアモルファスワイヤ１１６が設けられている点において、前述の実施例１とは異なる。
【００６７】
すなわち、本実施例のセンサヘッド２１２においては、一本のアモルファスワイヤ１１６が測定用磁気センサ１４ａおよび参照用磁気センサ１４ｂのそれぞれの測定用コイル１８ａおよび１８ｂを貫いている。また、アモルファスワイヤに供給される高周波の励磁電流はその一端（図１３においては左端）から供給され、他端が接地されている。すなわち、前述の実施例１と異なり、アモルファスワイヤ１１６が１の部材から構成されているので、前述の実施例１にあったように２本のアモルファスワイヤを電気的に接続する必要はない。なお、図１３においては、センサヘッドの構成を明確にするため、フィードバックコイル２０は省略されている。
【００６８】
本実施例のセンサヘッド２１２においては、一対の磁気センサ１４ａおよび１４ｂを構成する磁気インピーダンスセンサ１４のそれぞれは、磁界を検知するためのアモルファスワイヤ１１６と、アモルファスワイヤ１１６生ずる磁束変化を検出するコイル１８とを有しており、アモルファスワイヤ１１６一対の磁気センサ１４ａおよび１４ｂに共通した部材であることを特徴とする。このようにすれば、外部磁界は一対の磁気センサ１４ａおよび１４ｂのそれぞれを磁束の漏れを少なくしつつ貫くことから、外部磁界Ｂｎは一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂに共通したものとなり、フィードバックコイル２０によって印加される磁界Ｂｆの効果が顕著となる。
【００６９】
以上、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明したが、本発明はその他の態様においても適用される。
【００７０】
例えば、前述の実施例においては、測定用センサ１４ａ、および、参照用センサ１４ｂといて磁気インピーダンスセンサが用いられたが、このようなセンサに限定されるものでなく、他の磁気センサであってもよい。とくに分解能が高いフラックスゲートセンサのような高精度のセンサであれば、上述の実施例の効果と同様の効果が得られる。
【００７１】
また、前述の実施例においては、フィードバックコイル２０はソレノイド状に設けられたが、これに限定されない。一対の磁気センサ１４ａ、１４ｂに均等に磁界Ｂｆを印加できるものであれば、形状は限定されない。
【００７２】
また、本実施例で測定可能な微小な磁界の発生源は限定されるものでなく、さまざまな用途に利用可能である。すなわち、本実施例の磁界検出装置１０の用途は前述の生体から生ずる磁界の検出に限定されるものではない。
【００７３】
また、前述の実施例においては、参照用センサ１４ｂが本発明の一方の磁気センサに対応するものとされたが、これに限定されず、測定用センサ１４ａが一方の磁気センサに対応してもよい。この場合、作動アンプ４４の出力の正負を逆転させることにより前述の実施例と同様の結果を得ることができる。
【００７４】
その他、一々例示はしないが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が加えられて実施されるものである。
【符号の説明】
【００７５】
１０：磁界検出装置
１４：磁気センサ
１４ａ：他方の磁気センサ（測定用磁気センサ）
１４ｂ：一方の磁気センサ（参照用磁気センサ）
２０：フィードバックコイル
６０：フィードバック回路
Ｂｆ：フィードバックコイルが生ずる磁界
ΔＢ：検出対象が生ずる磁界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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