(57)【要約】      （修正有）【課題】加工品質を向上することができる切削砥石を提供すること。【解決手段】切削砥石１は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａと、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径より小さい平均粒径を有するホウ素化合物１Ｂとを含んで構成される。前記切削砥石１の前記ホウ素化合物１Ｂの平均粒径は、前記ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して、６分の１以上１以下にすることができる。前記切削砥石１の前記ホウ素化合物１Ｂは、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）にすることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素添加ダイヤモンドと、前記ホウ素添加ダイヤモンドの平均粒径より小さい平均粒径を有するホウ素化合物とを含む、切削砥石。
【請求項２】
前記ホウ素化合物の平均粒径は、前記ホウ素添加ダイヤモンドの平均粒径に対して、６分の１以上１以下である請求項１に記載の切削砥石。
【請求項３】
前記ホウ素化合物は、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）である請求項１又は請求項２に記載の切削砥石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を切削する切削砥石に関する。
【背景技術】
【０００２】
硬質脆性材料からなる基板を切削するためにホウ素添加ダイヤモンドからなる切削砥石が用いられている（引用文献１参照）。ホウ素添加ダイヤモンドは、固体潤滑性を有するので、切削加工による加工点での発熱や砥石の消耗を抑える効果がある。
【０００３】
また、従来の切削砥石は、切削により発生する加工熱を加工点からブレード側へ効率的に逃がすためフィラーとして熱伝導の良好なＳｉＣ（シリコンカーバイド）又はＧＣ（グリーンカーボランダム）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−０８６２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、引用文献１に記載の切削砥石は、加工した際の基板裏面のチッピングにおいて改善の余地があった。また、切削砥石は、加工品質を向上させつつ生産性も高める必要があり、砥石には潤滑性を高く保ち熱の発生を抑えて加工することが求められている。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、加工品質を向上することができる切削砥石を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の切削砥石は、ホウ素添加ダイヤモンドと、前記ホウ素添加ダイヤモンドの平均粒径より小さい平均粒径を有するホウ素化合物とを含むことを特徴とする。
【０００８】
前記切削砥石の前記ホウ素化合物の平均粒径は、前記ホウ素添加ダイヤモンドの平均粒径に対して、６分の１以上１以下にすることができる。
【０００９】
前記切削砥石の前記ホウ素化合物の平均粒径は、前記ホウ素添加ダイヤモンドの平均粒径に対して、９分の２以上９分の８以下にすることができる。
【００１０】
前記切削砥石の前記ホウ素化合物は、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）にすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の切削砥石は、砥粒として機能するホウ素添加ダイヤモンドと、ホウ素添加ダイヤモンドよりも小さい、少なくとも潤滑性を有するホウ素化合物とを含むので、チッピングを抑制でき、加工品質を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態に係る切削砥石を備える切削装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態に係る切削砥石の被加工物の一例の断面図である。
【図３】図３は、図１に示された切削装置の切削手段を分解して示す斜視図である。
【図４】図４は、実施形態に係る切削砥石の一部を拡大して示す断面図である。
【図５】図５は、ホウ素添加ダイヤモンドとＢ４Ｃにより構成されたホウ素加工物との平均粒径比が異なる切削砥石の切削結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態〕
実施形態に係る切削砥石を図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係る切削砥石を備える切削装置の構成を示す斜視図であり、図２は、実施形態に係る切削砥石の被加工物の一例の断面図であり、図３は、図１に示された切削装置の切削手段を分解して示す斜視図である。実施形態に係る切削砥石１は、図１に示す切削装置１００を構成する。
【００１５】
切削装置１００は、被加工物Ｗに切削加工を行うものであり、図１に示すように、チャックテーブル１０と、切削手段２０とを含んで構成されている。切削装置１００は、更に、切削加工前後の被加工物Ｗを収容するカセット３０が載置されるカセットエレベータ（図示せず）と、切削加工前後の被加工物Ｗを一時的に載置する仮置き部４０と、切削加工後の被加工物Ｗを洗浄する洗浄部５０とを備えている。更に、切削装置１００は、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを備えている。
【００１６】
チャックテーブル１０は、被加工物Ｗを保持する保持テーブルである。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置された被加工物Ｗを吸引することで該被加工物Ｗを保持する。チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動手段により、カセット３０近傍の搬出入領域ＴＲと切削手段２０近傍の加工領域ＰＲとに亘ってＸ軸方向に移動自在に設けられているとともに図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。
【００１７】
ここで、被加工物Ｗは、切削装置１００により加工される加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ＳｉＣ、ガリウムなどを母材とする半導体ウェーハや、ＣＳＰ（Chip  Size  Package）基板、ガラス、樹脂等からなる板状部材である。被加工物Ｗは、例えば、デバイスが複数形成されているデバイス側の表面と反対側の裏面がダイシングテープＴに貼着され、被加工物Ｗに貼着されたダイシングテープＴがフレームＦに貼着されることで、フレームＦに固定される。
【００１８】
実施形態に係る切削砥石１は、被加工物Ｗであるホウケイ酸ガラス、セラミックス、又は石英により構成された基板に切削加工を行う際に好適なものである。特に、実施形態に係る切削砥石１は、図２に一例を示すように、厚みが０．１ｍｍ以上でかつ０．３ｍｍ以下のホウケイ酸ガラスにより構成され、かつ一面に膜ＦＬが成膜された基板ＳＢである被加工物Ｗを切削加工するのに好適である。図２に示す被加工物Ｗは、基板ＳＢの熱膨張率と、膜ＦＬの熱膨張率とが互いに異なるために、反りが大きくなり、切削砥石１による切削加工の際、割れ及びチッピングが発生しやすいものである。被加工物Ｗは、基板ＳＢ両面に基板ＳＢと膨張係数の異なる膜ＦＬが成膜されていてもよい。この場合は、より反りが大きくなる傾向にある。実施形態に係る切削砥石１は、図２に一例を示す被加工物Ｗを切削加工する際に、割れ及びチッピングの発生を抑制できるものである。
【００１９】
カセット３０は、ダイシングテープＴを介してフレームＦに貼着された被加工物Ｗを複数枚収容するものである。カセットエレベータは、切削装置１００の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００２０】
仮置き部４０は、カセット３０から切削加工前の被加工物Ｗを一枚取り出すとともに、切削加工後の被加工物Ｗをカセット３０内に収容する。仮置き部４０は、切削加工前の被加工物Ｗをカセット３０から取り出すとともに切削加工後の被加工物Ｗをカセット３０内に挿入する搬出入手段４１と、切削加工前後の被加工物Ｗを一時的に載置する一対のレール４２とを含んで構成されている。搬出入手段４１により一対のレール４２に一時的に載置された切削加工前の被加工物Ｗは、第１の搬送手段６１によりチャックテーブル１０に搬送される。
【００２１】
洗浄部５０は、切削加工後の被加工物Ｗが第２の搬送手段６２により搬送されてきて、この切削加工後の被加工物Ｗを洗浄するものである。これら第１及び第２の搬送手段６１，６２は、それぞれ、例えば、フレームＦの表面を吸着して持ち上げることが可能に構成されており、フレームＦごと被加工物Ｗを持ち上げて所望の位置に搬送する。
【００２２】
切削手段２０は、装置本体２に設けられた加工領域ＰＲに設けられ、かつチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを切削加工するものである。切削手段２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに対して、Ｚ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられ、Ｙ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられている。
【００２３】
切削手段２０は、図３に示すように、切削砥石１と、スピンドル２２と、スピンドルハウジング２４とを含んで構成されている。また、図３に示すように、切削手段２０は、固定フランジ２６と、着脱フランジ２５と、固定ナット２７とを含んで構成されている。切削砥石（切削ブレード）１は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗに高速回転させながら切り込み、被加工物Ｗを切削するためのものであり、砥粒を結合材で固定して円環状に形成されている。
【００２４】
スピンドル２２は、筒形状のスピンドルハウジング２４によって回転可能に支持され、かつスピンドルハウジング２４に連結されている図示しない回転駆動源に連結されている。スピンドル２２は、回転駆動源により発生した回転力により高速回転（数千〜数万ｒｐｍ）する。
【００２５】
固定フランジ２６は、スピンドル２２の先端にナット２８により取り付けられる。固定フランジ２６は、スピンドル２２の先端に取り付けられ、かつ外観が円柱状のボス部２６ａと、ボス部２６ａの外周面から突出した円環状のブレードマウント２６ｂと、ボス部２６ａの外周面に形成された雄ねじ２６ｃとを備える。固定フランジ２６は、ボス部２６ａを切削砥石１内に通しブレードマウント２６ｂ上に切削砥石１を位置付ける。
【００２６】
着脱フランジ２５は、円環状に形成され、内側にボス部２６ａを通してブレードマウント２６ｂとの間に切削砥石１を挟む。固定ナット２７は、円環状に形成され、内周面にボス部２６ａの雄ねじ２６ｃと螺合する雌ねじ２７ａが形成されている。固定ナット２７は、雌ねじ２７ａが雄ねじ２６ｃに螺合して、ブレードマウント２６ｂと着脱フランジ２５との間に切削砥石１を挟んだ状態で、切削砥石１及び着脱フランジ２５をスピンドル２２に固定する。
【００２７】
次に、切削砥石１を図面を参照して説明する。図４は、実施形態に係る切削砥石の一部を拡大して示す断面図である。切削砥石１は、図４に示すように、砥粒であるホウ素添加ダイヤモンド１Ａと、ホウ素化合物１Ｂとを含み、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素化合物１Ｂとを結合材であるレジンボンド１Ｃで混練して焼結されて構成されている。
【００２８】
ホウ素添加ダイヤモンド１Ａは、ホウ素をドープしたダイヤモンド砥粒である。ホウ素化合物１Ｂは、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）である。ホウ素化合物１Ｂは、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径よりも小さい平均粒径を有している。実施形態において、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径は、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して、１０分の１以上でかつ３分の２以下である。なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。積算値５０％での粒径とは、粒子サイズが小さいものから粒子数をカウントして、全粒子数の５０％になったところでの粒径を意味する。ホウ素化合物１Ｂは、砥粒としてではなく、潤滑剤として機能する。
【００２９】
レジンボンド１Ｃは、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂から構成される。また、実施形態に係る切削砥石１は、導電材としてのカーボンが数％添加されて構成される。
【００３０】
実施形態に係る切削砥石１は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂を主成分とするレジンボンド１Ｃに対し、平均粒径が９μｍであるホウ素添加ダイヤモンド１Ａと平均粒径が３μｍであるＢ４Ｃにより構成されたホウ素化合物１Ｂと体積比で１０〜２０％混入して、１８０以上でかつ２００℃以下の焼結温度で１７時間から１８時間焼結して、厚みが１５０μｍに形成されている。なお、実施形態に係る切削砥石１は、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素化合物１Ｂとの体積比が２：１から１：８の範囲とされるのが望ましい。
【００３１】
前述した構成の切削装置１００は、オペレータが加工内容情報を図示しない切削装置１００の制御手段に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、加工動作を開始する。加工動作において、切削装置１００は、切削加工前の被加工物Ｗを搬出入手段４１によりカセット３０内から仮置き部４０まで搬出し、仮置き部４０の一対のレール４２上に載置する。切削装置１００は、第１の搬送手段６１により被加工物Ｗをチャックテーブル１０まで搬送し、チャックテーブル１０の表面に載置された被加工物Ｗを吸引保持する。そして、切削装置１００は、Ｘ軸移動手段によりチャックテーブル１０を移動させ、基台駆動源によりチャックテーブル１０を中心軸線回りに回転させ、Ｙ軸移動手段及びＺ軸移動手段により切削手段２０を移動させて、被加工物Ｗを切削加工する。
【００３２】
切削装置１００は、切削加工後の被加工物Ｗを第２の搬送手段６２により洗浄部５０まで搬送し、洗浄部５０により洗浄した後、第１の搬送手段６１により洗浄後の被加工物Ｗを仮置き部４０の一対のレール４２上に載置する。切削装置１００は、切削加工後の被加工物Ｗを搬出入手段４１によりカセット３０内に収容する。
【００３３】
実施形態の切削砥石１によれば、主に砥粒として機能するホウ素添加ダイヤモンド１Ａに加え、レジンボンド１Ｃ中にホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径よりも小さい平均粒径を有する潤滑剤として機能するホウ素化合物１Ｂを有しているので、切削加工時にホウ素化合物１Ｂの潤滑性と耐熱性とにより被加工物Ｗに加わる衝撃を抑制でき、被加工物Ｗにチッピングが発生することを抑制することができる。より具体的には、切削砥石１は、レジンボンド１Ｃ中に潤滑剤として機能するホウ素化合物１Ｂを有しているので、ボンド部分に起因するチッピングを小さくすることができる。その結果、実施形態の切削砥石１は、被加工物Ｗの加工品質を向上することができる。なお、ホウ素化合物１Ｂとして用いられるＢ４Ｃは、１つの炭素に対して４つのホウ素を有しているため（固体）潤滑性が相対的に大きく、ｃＢＮは、Ｂ４Ｃに比べて潤滑性よりも耐熱性が大きい。このために、比較的チッピングしやすいガラスを切削する切削砥石１には、ホウ素化合物１ＢとしてＢ４Ｃを用いるのが好適であり、アルミナ等のセラミックを切削する切削砥石１には、ホウ素化合物１ＢとしてｃＢＮを用いるのが好適である。
【００３４】
また、実施形態の切削砥石１は、砥粒として機能するホウ素添加ダイヤモンド１Ａがダイヤモンド砥粒に潤滑性を有するホウ素がドープされて構成されている。このために、切削砥石１は、砥粒として機能するホウ素添加ダイヤモンド１Ａ自身の潤滑性と耐熱性とにより被加工物Ｗに加わる衝撃を抑制でき、加工速度を向上でき、被加工物Ｗにチッピングが発生することを抑制することができるとともに切削砥石１の寿命を長くすることができる。
【００３５】
実施形態の切削砥石１は、砥粒として機能するホウ素添加ダイヤモンド１Ａに加え、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径よりも小さい平均粒径を有する潤滑剤として機能するホウ素化合物１Ｂを有して、被加工物Ｗにチッピングが発生することを抑制することができるので、図２に示す一面に膜ＦＬが成膜された基板ＳＢにより構成されて、割れやチッピングが発生しやすい被加工物Ｗを切削加工する際にも、被加工物Ｗにチッピングが発生することを抑制することができる。
【００３６】
また、実施形態の切削砥石１は、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径が、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して、１０分の１以上でかつ３分の２以下であるので、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａが切削でき、かつホウ素化合物１Ｂが潤滑剤の機能を発揮することができる。その結果、実施形態の切削砥石１は、被加工物Ｗにチッピングが発生することを抑制することができる。
【００３７】
また、実施形態の切削砥石１は、ホウ素化合物１Ｂが炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）であるので、ホウ素化合物１Ｂが切削加工時に潤滑剤として機能することができる。
【００３８】
次に、本発明の発明者らは、実施形態に係る切削砥石１の効果を確認した。まず、本発明の発明者らは、ホウ素添加ダイヤモンド１ＡとＢ４Ｃにより構成されたホウ素化合物１Ｂとの平均粒径比が異なる切削砥石１を用いて、図２に示す被加工物Ｗを切削した際のチッピングの大きさを測定した。測定結果を図５に示す。図５は、ホウ素添加ダイヤモンドとＢ４Ｃにより構成されたホウ素加工物との平均粒径比が異なる切削砥石の切削結果を示す図である。
【００３９】
図５に用いられた切削砥石１は、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径を１μｍ、３μｍ、６μｍ及び９μｍとした。図５に示された測定では、被加工物Ｗの表面のチッピングの大きさの平均値と、裏面のチッピングの大きさの平均値を測定した。なお、被加工物Ｗの表面は、被加工物Ｗの切削砥石１と対向する面であり、被加工物Ｗの裏面は、表面の裏側の面である。図５は、表面のチッピングの大きさの平均値を実線で示し、裏面のチッピングの大きさの平均値を一点鎖線で示している。
【００４０】
図５によれば、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径を１μｍ、３μｍ、６μｍ及び９μｍとしたいずれの場合においても、表面のチッピングの大きさを３５μｍ以下にすることができるので、切削砥石１をホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径よりも小さい平均粒径を有するホウ素化合物１Ｂとを含んで構成することにより、被加工物Ｗのチッピングを抑制できることが明らかとなった。
【００４１】
また、図５によれば、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径を１μｍ、３μｍ、６μｍ及び９μｍとしたいずれの場合においても、表面のチッピングの大きさを３５μｍ以下にすることができる。また、図５によれば、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径をホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して６分の１以上でかつ１以下とすることにより、裏面のチッピングの大きさを概ね５０μｍ以下にすることができる。したがって、切削砥石１は、図５によれば、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径をホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して６分の１以上でかつ１以下とすることにより、被加工物Ｗのチッピングを抑制できることが明らかとなった。また、図５によれば、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径をホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して９分の２以上でかつ９分の８以下とすることにより、裏面のチッピングの大きさを概ね４０μｍ以下にすることができる。したがって、切削砥石１は、図５によれば、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径をホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して９分の２以上でかつ９分の８以下とすることにより、被加工物Ｗのチッピングを抑制できることが明らかとなった。
【００４２】
また、図５によれば、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径を３μｍ、及び６μｍとした場合において、表面のチッピングの大きさにくわえ裏面のチッピングの大きさを３５μｍ以下にすることができるので、ホウ素化合物１Ｂの平均粒径をホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径に対して３分の１以上でかつ３分の２以下とすることにより、被加工物Ｗのチッピングをより抑制できることが明らかとなった。
【００４３】
次に、本発明の発明者らは、砥粒の異なる切削砥石１を用いて、図２に示す被加工物Ｗを切削した際のチッピングの大きさを測定した。測定結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
表１の本発明品１は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、Ｂ４Ｃにより構成されたホウ素化合物１Ｂの平均粒径を３μｍとした。比較例１は、砥粒としてのダイヤモンドの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂを用いていない。比較例２は、砥粒としてのダイヤモンドの平均粒径を９μｍとし、Ｂ４Ｃにより構成されたホウ素化合物１Ｂの平均粒径を３μｍとした。比較例３は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ホウ素化合物１Ｂを用いていない。
【００４６】
表１の結果によれば、比較例１は、表面及び裏面共にチッピングの大きさが１００μｍを優に超えて大きすぎるために、測定できなかった。また、比較例１は、被加工物Ｗを一度切削する度に、４５０μｍ摩耗して、切削砥石としては好ましくない。表１の結果によれば、比較例２及び比較例３共に、被加工物Ｗのチッピングの大きさの平均値が略５０μｍになって、チッピングを抑制できないことが明らかとなった。表１の結果によれば、比較例１から３に対して、本発明品１は、表面のチッピングの大きさを３５μｍ以下にすることができるので、切削砥石１をホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径よりも小さい平均粒径を有するホウ素化合物１Ｂとを含んで構成することにより、被加工物Ｗのチッピングを抑制できることが明らかとなった。
【００４７】
次に、本発明の発明者らは、ホウ素化合物１Ｂの異なる切削砥石１を用いて、図２に示す被加工物Ｗを切削した際のチッピングの大きさを測定した。測定結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
表２の本発明品１は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、Ｂ４Ｃにより構成されたホウ素化合物１Ｂの平均粒径を３μｍとした。表２の本発明品２は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を９μｍとし、ｃＢＮにより構成されたホウ素化合物１Ｂの平均粒径を３μｍとした。表２の比較例４は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａを用い、ホウ素化合物１ＢとしてＨＢＮ（六方晶窒化ホウ素）を用いた。しかしながら、比較例４は、平均粒径が１μｍ〜２μｍ以上の大きな平均粒径のＨＢＮを入手することが困難であり、他の同径のホウ素化合物との比較が困難であるため同条件では“実現不可能”とした。仮に、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａの平均粒径を３μｍとし、ＨＢＮにより構成されたホウ素化合物１Ｂの平均粒径を１μｍとすると、半導体用途の被加工物Ｗの切削には適さないことが多い。表２の結果によれば、本発明品１及び本発明品２は、表面のチッピングの大きさを３５μｍ以下にすることができるので、切削砥石１に用いるホウ素化合物１ＢをＢ４Ｃ又はｃＢＮにより構成することにより、被加工物Ｗのチッピングを抑制できることが明らかとなった。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態の切削砥石１は、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａを用いたが、砥粒としてのホウ素添加ダイヤモンド１Ａにくわえ、ダイヤモンド又はコーティングされたダイヤモンドを用いても良い。また、切削砥石１は、砥粒としてのコーティングされたダイヤモンドと、砥粒の平均粒径よりも平均粒径が小さいホウ素化合物１Ｂとを含んで構成されても良い。なお、コーティングされたダイヤモンドは、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）又はチタン（Ｔｉ）によりダイヤモンドの一部又は全部がコーティングされたダイヤモンドである。
【００５１】
上記実施形態の切削砥石１は、結合材としてレジンを用いたレジンボンドブレードであったが、結合材としてビトリファイドボンドを用いたビトリファイドボンドブレード、結合材としてメタルボンドを用いたメタルボンドブレード、又は電鋳ボンドブレードでも良い。
【００５２】
ビトリファイドボンドブレードは、砥粒であるホウ素添加ダイヤモンド１Ａと、ホウ素化合物１Ｂとを含み、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素化合物１Ｂとを結合材であるビトリファイドボンドで混練して焼結されて構成されたものである。なお、ビトリファイドボンドは、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を主成分とし、長石等を僅かに混入したものを採用するのが好ましい。
【００５３】
メタルボンドブレードは、砥粒であるホウ素添加ダイヤモンド１Ａと、ホウ素化合物１Ｂとを含み、ホウ素添加ダイヤモンド１Ａとホウ素化合物１Ｂとを結合材であるメタルボンドで混練して焼結されて構成されたものである。なお、メタルボンドは、銅と錫合金であるブロンズを主成分とし、コバルト、ニッケル等を微量混入したものを採用するのが好ましい。
【００５４】
電鋳ボンドブレードは、砥粒であるホウ素添加ダイヤモンド１Ａと、ホウ素化合物１Ｂとを混入したニッケルメッキ液中でハブの外周を電気鋳造して構成されたものである。
【符号の説明】
【００５５】
１  切削砥石
１Ａ  ホウ素添加ダイヤモンド
１Ｂ  ホウ素化合物
【図１】
2017226057.tif 000005
【図２】
2017226057.tif 000006
【図３】
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【図４】
2017226057.tif 000008
【図５】
2017226057.tif 000009