(57)【要約】【課題】  重ね合わせ精度の低下を抑制するインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】  基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置は、前記型と前記基板とを加熱する加熱部を有し、前記加熱部は、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板を加熱し、前記型の温度と前記加熱した基板の温度の差が小さくなるように前記型を加熱する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記基板とを加熱する加熱部を有し、
前記加熱部は、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板を加熱し、
前記型の温度と前記加熱した基板の温度の差が小さくなるように前記型を加熱する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記基板とに光を照射して前記型と前記基板とを加熱する加熱部を有し、
前記加熱部は、
前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなり且つ前記パターン部の温度と前記ショット領域の温度の差が閾値より小さくなるように、前記光の一部分を前記型に設けられた光吸収部に吸収させるとともに、前記光の他の部分であって前記光吸収部と前記型とを透過した光を前記基板に照射する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項３】
前記加熱部は、光の照射量を調整する調整部を有し、
前記調整部は、光変調素子を含み、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記光の照射量分布を調整し、
前記加熱部は、前記型に設けられ前記光を吸収する吸収部に前記調整部により照射量分布を調整した前記光を照射して、前記光吸収部と前記型とを透過した光を前記基板に照射することにより、前記パターン部の温度分布と前記ショット領域の温度分布との差を閾値より小さくする、
ことを特徴とする、請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記加熱部は、光の照射量を調整する調整部を有し、
前記調整部は、照射する光を調整できる複数の光源を含み、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように、前記複数の光源により前記光の照射量分布を調整し、
前記加熱部は、前記型に設けられ前記光を吸収する吸収部に前記調整部により照射量分布を調整した前記光を照射して、前記光吸収部と前記型とを透過した光を前記基板に照射することにより、前記パターン部の温度分布と前記ショット領域の温度分布との差を閾値より小さくする、
ことを特徴とする、請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を加熱する基板加熱部と、
前記型を加熱する型加熱部と、を有し、
前記基板加熱部は、前記ショット領域の形状と変更され前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板を加熱して、
前記型加熱部は、前記型の温度と前記加熱した基板の温度の差が閾値より小さくなるように前記型を加熱する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項６】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型の光吸収率より前記基板の光吸収率の方が高い第１の光を前記基板に照射して前記基板を加熱する基板加熱部と、
前記基板の光吸収率より前記型の光吸収率の方が高い第２の光を前記型に照射して前記型を加熱する型加熱部と、を有し、
前記基板加熱部は、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板に前記第１の光を照射して、
前記型加熱部は、前記型の温度と前記第１の光を照射した基板の温度の差が閾値より小さくなるように前記第２の光を照射する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項７】
前記型加熱部は、前記インプリント材を硬化させる光の波長帯域の範囲外にある波長を有する光を前記基板に照射することを特徴とする、請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記型加熱部は前記型に赤外光を照射することを特徴とする、請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記型加熱部は、光の照射量を調整する調整部を有し、
前記調整部は、光変調素子を含み、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように、前記光変調素子により前記光の照射量分布を調整し、
前記基板加熱部は、前記調整部により照射量分布を調整した前記光を照射して、前記型を透過した光を前記基板に照射する
ことを特徴とする、請求項６乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記型加熱部は、光の照射量を調整する調整部を有し、
前記調整部は、照射する光を調整できる複数の光源を含み、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように、前記複数の光源により前記光の照射量分布を調整し、
前記基板加熱部は、前記調整部により照射量分布を調整した前記光を照射して、前記型を透過した光を前記基板に照射する
ことを特徴とする、請求項６乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記ショット領域と前記パターン部の温度を計測する温度計測部を有し、
前記型加熱部は、前記温度計測部により計測された前記ショット領域の温度と前記パターン部の温度とに基づいて、前記ショット領域の温度と前記パターン部の温度との差を閾値より小さくするように前記型を加熱する、
ことを特徴とする、請求項５乃至請求項１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記閾値は、前記型と前記基板との重ね合せ精度から許容される前記ショット領域の形状の変化率と、前記基板の線膨張率から求められることを特徴とする、請求項２乃至請求項１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記型の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数より小さいことを特徴とする、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
型に外力を加え型の形状を補正する型形状補正部を有し、
前記型形状補正部は、前記型に外力を加えることにより、加熱により変形した前記パターン部の形状を補正する、
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板を加熱する工程と、
前記型の温度と前記加熱した基板の温度の差が小さくなるように前記型を加熱する工程と、を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１６】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記基板とに光を照射して前記型と前記基板とを加熱する工程を有し、
前記工程は、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなり且つ前記パターン部の温度と前記ショット領域の温度の差が閾値より小さくなるように、前記光の一部分を前記型に設けられた光吸収部に吸収させるとともに、前記光の他の部分であって前記光吸収部と前記型とを透過した光を前記基板に照射する
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１７】
基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の光吸収率より前記基板の光吸収率の方が高い第１の光を前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板に照射して前記基板を加熱する工程と、
前記型の温度と前記第１の光を照射した基板の温度の差が閾値より小さくなるように前記基板の光吸収率より前記型の光吸収率の方が高い第２の光を照射する工程と、を有する
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて、パターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有する、
ことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１９】
基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる型であって、
前記パターン部が形成されている面と反対側の面に光を吸収して発熱する吸収部を有し、
前記吸収部の前記光の光吸収率は、前記基板の前記光の光吸収率と前記光の照射量とに基づいて決めてある
ことを特徴とする型。
【請求項２０】
前記吸収部は、クロム及びニッケル合金の少なくとも一方を材料に含む金属膜であることを特徴とする、請求項１９に記載の型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、および型に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上のインプリント材を型で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショット領域上に光硬化性のインプリント材を塗布する。次に、このインプリント材を型により成形する。そして、紫外線等の光を照射してインプリント材を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
ここで、前記基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、拡大または縮小し、基板の面内で直交する２軸方向で、基板上に予め形成されているショット領域の形状が変化する場合がある。したがって、インプリント装置では、型と基板上のインプリント材とを押し付ける際に、前記ショット領域の形状と、型に形成されているパターン部の形状とを合わせる必要がある。
【０００４】
この変形した前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状とを合わせる技術として、特許文献１は、基板を加熱し、前記ショット領域を変形させるインプリント装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１０２１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記ショット領域の形状と、前記パターン部の形状とを重ね合せる際に、型と基板との間にインプリント材を狭持した状態で、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状を補正する。ここで、型と基板とに狭持されたインプリント材の厚みがナノメートルオーダーになると、非ニュートン流体であるインプリント材の粘弾性が強まり、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状を補正することが困難となる。そこで、基板上に塗布されたインプリント材に、型が接触しない状態において、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状を補正する必要がある。その場合、前記ショット領域の形状を加熱により補正したあとに、型と基板上に塗布されたインプリント材とを接触させるため、基板の熱がインプリント材を介して型に吸収され、前記ショット領域の形状が変化し、重ね合わせ精度が低下してしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、重ね合わせ精度の低下を抑制する、インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、および型を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板のショット領域上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記ショット領域上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型と前記基板とを加熱する加熱部を有し、前記加熱部は、前記ショット領域の形状と前記パターン部の形状の差が小さくなるように前記基板を加熱し、前記型の温度と前記加熱した基板の温度の差が小さくなるように前記型を加熱する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、重ね合わせ精度の低下を抑制する、インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、および型を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】インプリント装置の構成を例示する図である。
【図２】加熱機構等の構成および配置を例示する図である。
【図３】インプリント処理の流れを例示するフローチャートである。
【図４】型の構成と基板上のショット領域を例示する図である。
【図５】型のパターン部と基板上のショット領域との形状補正と温度分布を例示する図である。
【図６】型加熱機構の構成、配置を示す図である。
【図７】従来のインプリント処理の流れを示すフローチャートである。
【図８】物品の製造方法を説明するための図である。
【図９】物品の別の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、インプリント装置の代表的な装置構成を例示する図である。インプリント装置１は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。本実施例では、インプリント装置１は光硬化法を採用したインプリント装置とする。なお、図１においては、基板上のインプリント材１４に対して、光を照射する照明系の光軸と平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内において、互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取る。以下の図において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は同様に定義する。
【００１３】
インプリント装置１は、光照射部２と、型保持機構３と、ステージ４と、塗布部５と、加熱機構（加熱部）６と、アライメント計測部２６と、制御部７等の構成要素を備える。
【００１４】
光照射部２は、インプリント処理の際に、基板１０上のインプリント材１４に対して光９を照射する。光照射部２は、光源（不図示）と、この光源から照射された光９をインプリントに適切な光に調整する光学素子（不図示）とから構成される。
【００１５】
基板１０は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板１０とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板１０としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材１４の付与前に、必要に応じて、インプリント材１４と基板１０との密着性を向上させるための密着層を設けてもよい。
【００１６】
インプリント材１４は、基板１０の面に塗布され、型８に形成されたパターン部８ａにより成形される。インプリント材１４には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、放射線、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光であり、或いは、Ｘ線やガンマ線などの電磁放射線であってもよい。また、放射線としては電子線などの粒子放射線であってもよい。
【００１７】
硬化性組成物は、光や放射線の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１８】
重合性化合物は、光重合開始剤から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物からなる固体を形成する化合物である。例えば、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち、（メタ）アクリル化合物である。光重合開始剤は、受光により重合因子を発生させる化合物であり、例えば、アシルフォスフィンオキサイド化合物のようなラジカル発生剤である。
【００１９】
インプリント材１４は、スピンコーターやスリットコーターにより基板１０上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板１０上に付与されてもよい。インプリント材１４の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００２０】
型８は、外周形状は例えば角形であり、型８の基板１０に対する面は、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部８ａを含む。また、型８を構成する材料は、例えば、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等の光透過性の材料が好ましい。さらに、型８は、後述するような変形を容易とするために、光９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有するキャビティ（凹部）が形成された形状としても良い。
【００２１】
型保持機構３は、型８を保持する型保持部１１と、型保持部１１を保持する型駆動機構１２とを有する。型駆動機構１２は、型８を保持する型保持部１１を移動することで型８を移動する。型保持部１１は、型８における光９の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型８を保持し得る。例えば、型保持部１１が真空吸着力により型８を保持する場合には、型保持部１１は、外部に設置された真空ポンプ（不図示）に接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦにより型８の脱着が切り替えられる。また、型保持部１１および型駆動機構１２は、光照射部２から照射された光９が基板１０に向かうように、中心部（内側）に開口領域１３を有する。開口領域１３には、開口領域１３の一部と型８とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材（不図示）が設置される。前記光透過部材は例えばガラスなど光９を透過する。前記密閉空間は、真空ポンプなどを含む圧力調整装置（不図示）により空間内の圧力が調整される。前記圧力調整装置は、例えば、型８を基板１０上のインプリント材１４に押し付ける際、空間内の圧力をその外部よりも高く設定する。空間内の圧力が高くなると、パターン部８ａが基板１０に向かい凸形に撓み、インプリント材１４に対してパターン部８ａの中心部から接触させ得る。これにより、パターン部８ａとインプリント材１４との間に気体（例えば空気）が残留することを抑え、パターン部８ａの凹凸部にインプリント材１４を隅々まで充填させることができる。
【００２２】
型駆動機構１２は、型８と基板１０上のインプリント材１４との押し付け、または引き離しを選択的に行うように型８を各軸方向に移動させる。型駆動機構１２に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、型８の高精度な位置決めに対応するために、型駆動機構１２は粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、または各軸のθ方向（回転方向）の位置調整機能や、型８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成としても良い。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離し動作は、型駆動機構１２により型８をＺ軸方向に移動させることで実現しても良いが、後述のステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現しても良く、または、その双方を相対的に移動させても良い。
【００２３】
ステージ４は、基板１０を保持し、型８と基板１０上のインプリント材１４との押し付けに際して型８とインプリント材１４との位置合わせを実施する。ステージ４は、基板１０を、吸着力により保持する基板保持部１６と、基板保持部１６を機械的手段により保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構１７とを有する。ステージ駆動機構１７に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータや平面モータがある。ステージ駆動機構１７も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板１０のθ方向の位置調整機能、または基板１０の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成としても良い。また、ステージ４は、その側面に、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θｘ、θｙ、θｚの各方向に対応した複数の参照ミラー１８を備える。複数の参照ミラー１８に対応して、インプリント装置１は、前記複数の参照ミラー１８のそれぞれにビームを照射する複数のレーザー干渉計１９を備える。前記複数のレーザー干渉計１９により、ステージ４の位置を計測する。レーザー干渉計１９は、ステージ４の位置を実時間で計測し、後述する制御部７は、このときの計測値に基づいて、ステージ４上の基板１０の位置決め制御を実行する。
【００２４】
塗布部５は、型保持機構３の近傍に設置され、基板１０上に未硬化状態のインプリント材１４を塗布する。また、塗布部５の吐出ノズル５ａから吐出されるインプリント材１４の量は、基板１０上に形成されるインプリント材１４の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。
【００２５】
アライメント計測部２６は、インプリント処理に際し、型８のパターン部８ａの形状、基板１０上のショット領域２０の形状を取得する。アライメント計測部２６は、インプリント処理中においても、パターン部８ａの形状とショット領域２０の形状とを取得できるように構成しても良い。
【００２６】
制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御する。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と共通の筐体内に構成しても良いし、インプリント装置１の他の部分とは別の筐体内に構成しても良い。また、制御部７は複数のコンピュータなどから構成され、制御する各構成要素に含まれても良い。
【００２７】
インプリント装置１は、ステージ４を載置するベース定盤２７と、型保持機構３を固定するブリッジ定盤２８と、ベース定盤２７から延設され、除振器２９を介してブリッジ定盤２８を支持するための支柱３０とを備える。除振器２９は、床面からブリッジ定盤２８へ伝わる振動を除去する。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、型８を装置外部から型保持機構３へ搬送する型搬送機構や、基板１０を装置外部からステージ４へ搬送する基板搬送機構などを含み得る。
【００２８】
ここで、図２において、型と基板を加熱する加熱機構、型形状補正機構について説明する。図２は、加熱機構等の構成および配置を例示する図である。なお、図２において、図１と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２９】
加熱機構６は、基板１０上のショット領域２０と、型８のパターン部８ａを加熱する。加熱機構６は、ショット領域２０、パターン部８ａを加熱するための照射光２１を照射する加熱用光源２２（光源）を含む。また、加熱機構６は、照射光２１の照射量を調整する光調整器２３（調整部）と、調整された調整光２４が基板１０の表面に向かうように光路を規定する反射板２５とを含む。加熱用光源２２から照射される照射光２１は、インプリント材１４が感光（硬化）する光の波長帯域の範囲外にある波長を有する光とするのが望ましい。例えば、インプリント材１４が２００〜４００ｎｍの波長帯域の紫外線により硬化する光硬化性樹脂である場合、照射光２１は４００〜１２００ｎｍの波長帯域にある波長を有する光とすることができる。例えば、型８の材料を石英とした場合、特に４００〜７５０ｎｍの波長帯域の可視光が望ましい。型８を介して基板１０上に調整光２４を照射する場合、可視光は、型８での光吸収率が基板１０での光吸収率より低く、型８ではほとんど吸収されない。ここで、光吸収率とはある物質に照射した光が吸収される比率とし、光吸収率が高いと光吸収により発生する熱量は大きい。
【００３０】
光調整器２３は、ショット領域２０の少なくとも平面領域にて所望の照射量分布を形成させるために、照射光２１のうち不図示の光学フィルタを通して、特定の波長を有する光を基板１０の表面に向けて照射可能とする。光調整器２３は、例えば、光変調素子として複数の液晶素子を光透過面に配置し、複数の液晶素子に対する電圧を個別に制御することで照射量分布を変化させることが可能な液晶装置を採用し得る。また、光調整器２３は、例えば、光変調素子として複数のミラー素子を光反射面に配置し、各ミラー素子の面方向を個別に調整することで照射量分布を変化させることが可能なＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）を採用しても良い。また、加熱用光源２２が照射する光を個別に調整できる複数の光源を有し、照射する光を個別に調整することで照射量分布を変化させる方式を採用しても良い。また、光調整器２３は、いずれの方式を採用しても、基板１０の表面に均一な照射量分布で照射光２１を照射することもできる。
【００３１】
加熱用光源２２と光調整器２３とは、インプリント装置１内にて、インプリント材１４を硬化させる際に光照射部２から照射される光９の光路を妨げないように設置されることが望ましい。そこで、本実施例では、加熱用光源２２と光調整器２３とは、開口領域１３の上側（光照射部２側）のＸ軸方向側面から調整光２４を照射する位置に設置される。この場合、調整光２４は、開口領域１３に連設された空間内に進入した後、反射板２５により反射されて型８を透過し、基板１０上のショット領域２０に照射される。一方、光照射部２から照射される光９は、反射板２５を透過し、そのまま基板１０上に照射される。反射板２５は光の波長によって、透過、反射を選択出来るダイクロイックミラー等を採用し得る。
【００３２】
型形状補正機構（型形状補正部）２０１は、型８の外周に外力を加えることで、パターン部８ａの形状を補正する機構である。型形状補正機構２０１は、型保持部１１に搭載され、例えば、空気や油等の流体で作動するシリンダ、または圧電素子を用いて型８を外周方向から加圧することによって変形させ、パターン部８ａの形状を補正することができる。
【００３３】
ここで、従来技術におけるインプリント処理について説明する。なお、ここでの従来技術のインプリント装置は、図１におけるインプリント装置１と同一の構成要素については、同一の符号を用いて説明は省略する。前述の通り、基板１０上のショット領域２０は、インプリント装置１内に搬入される前に拡大または縮小し、ＸＹ平面内で直交する２軸方向で形状（またはサイズ）が変化している場合がある。ショット領域２０の変形成分としては、倍率、平行四辺形、または台形の線形成分や、弓形、糸巻・樽型の高次成分とがあり、それらの成分が組み合わされて変形している。そこで、インプリント装置１は、型８と基板１０上のインプリント材１４とを押し付けるに際し、ショット領域２０の形状と、パターン部８ａの形状とを重ね合わせすることができるように、それぞれの形状を補正する。アライメント計測部２６による計測結果から算出された補正量に基づいて、基板１０上のショット領域２０を熱変形させ、さらにパターン部８ａを弾性変形させることで、重ね合わせを実現していた。
【００３４】
図７は、従来技術におけるインプリント処理の流れを示すフローチャートである。まず制御部７は、不図示の基板搬送機構により基板１０を搬入させ、ステージ４上の基板保持部１６に基板１０を保持させる（Ｓ０１）。次に制御部７は、ステージ駆動機構１７を駆動させ、基板１０上のショット領域２０が、塗布部５による塗布位置に位置するようにステージ４を移動させる。そして、塗布部５によりショット領域２０上にインプリント材１４を塗布させる（Ｓ０２）。
【００３５】
次に制御部７は、ステージ駆動機構１７を駆動させ、インプリント材１４を塗布したショット領域２０がパターン部８ａの直下に位置するようにステージ４を移動させる。そしてアライメント計測部２６（形状取得部）により、パターン部８ａの形状と、ショット領域２０の形状とを計測させる（Ｓ０３）。アライメント計測部２６が、パターン部８ａ及びショット領域２０の四隅に配置されたアライメントマークを計測して、それぞれのアライメントマークのｘ、ｙ方向の位置からパターン部８ａの形状及びショット領域２０の形状を取得する。なお、アライメントマークはパターン部８ａ及びショット領域２０の四隅に配置されている形態だけに限られない。例えば、パターン部８ａ及びショット領域２０の外周近辺の適当な場所に、複数のアライメントマークが配置されていても良い。なお、パターン部８ａの形状と、ショット領域２０の形状とは、インプリント処理前に計測しておき、その計測結果を用いても良い。
【００３６】
また、アライメント計測部２６は、パターン部８ａ及びショット領域２０に配置されたアライメントマークを同時に計測して、パターン部８ａの形状及びショット領域２０の形状の形状差を取得しても良い。この場合、アライメント計測部２６は、型８と基板１０上のインプリント材１４とを押し付ける直前、又は押し付けた後から引き離す前までにアライメントマークを計測する。
【００３７】
次に制御部７は、計測結果からショット領域２０に含まれている変形成分を分析する（Ｓ０４）。そして、制御部７は、分析結果からパターン部８ａの型補正量と、基板１０上におけるショット領域２０の基板補正量とを、制御部７内の不図示である演算部によって算出する（Ｓ０５）。
【００３８】
次に制御部７は、基板補正量に基づき、照射量分布を決定して、光調整器２３により調整光２４を形成させる。そして調整光２４により、基板１０を加熱して、ショット領域２０が熱変形することにより、ショット領域２０の形状が補正される（Ｓ０６）。照射量分布は、各変形成分と補正量に対応した照射量分布のパターンを予め用意しておき、ショット領域２０の補正のために必要な照射量分布を導出するようにしても良い。そして制御部７は、決定した照射量分布を指標として加熱用光源２２と光調整器２３との動作を制御する。このとき、ショット領域２０の平面領域の内外では、照射量分布を有する光（調整光２４）を受けて温度分布が形成される。
【００３９】
次に制御部７は、型補正量に基づき、型形状補正機構２０１により、型８に外力を加え、パターン部８ａの形状を補正させる（Ｓ０７）。
【００４０】
次に、制御部７は、型駆動機構１２を駆動させ、基板１０上のインプリント材１４に型８を押し付ける（押印工程）。これにより、インプリント材１４は、パターン部８ａの凹凸部に充填される。この状態で、制御部７は、光照射部２により型８の上面から光９を照射させ、型８を透過した光９によりインプリント材１４を硬化させる（硬化工程）。そして、インプリント材１４が硬化した後に、制御部７は、型駆動機構１２を駆動させ、型８をインプリント材１４から引き離す（離形工程）。これにより、ショット領域２０には、パターン部８ａの凹凸部に倣った３次元形状のインプリント材１４のパターン（層）が成形される（Ｓ０８）。
【００４１】
次に、制御部７は、基板１０上に形成された複数のショット領域の内、最後にインプリント処理されるショット領域のインプリント処理が終了したか判定する（Ｓ０９）。Ｓ０９で終了していないと判定した場合、制御部７は、ステージ駆動機構１７を駆動させ、ステージ４を移動させる（Ｓ１０）。そして、次のショット領域に対してインプリント処理を行うためにＳ０２のステップに戻る。Ｓ０９で終了したと判定した場合、制御部７は、基板１０に対するインプリント処理を終了する。このような一連のインプリント処理をステージ４の駆動によりショット領域を変更しつつ複数回実施することで、１枚の基板１０上に複数のインプリント材１４のパターンを形成することができる。
【００４２】
ここで、Ｓ０８の押印工程において、加熱機構６により加熱して、温度分布を形成したショット領域２０に、インプリント装置１内の温度になじんだ型８を接触させると、基板１０と型８との間で熱が移動し、基板１０上に形成した温度分布が変化してしまう。その結果、ショット領域２０の形状が変化し、パターン部８ａと、ショット領域２０との重ね合わせ精度が低下してしまう。
【００４３】
そこで、本実施例では、基板１０上の温度と、型８の温度との差が小さくなるように型８を加熱することで、型８と基板１０間での熱移動を抑制する構成としている。
【００４４】
本実施例におけるインプリント処理に関して、図３に示すフローチャートを用いて説明する。まず、Ｓ０１〜Ｓ０５までは、図７におけるＳ０１〜Ｓ０５と同一であるため、説明は省略する。Ｓ１１において、基板補正量に基づき、制御部７で照射量分布が決定され、光調整器２３により調整光２４が形成される。調整光２４により、基板１０上に温度分布が形成され、ショット領域２０が熱変形して、ショット領域２０の形状が補正される。さらに、本実施例の型８は調整光２４の一部を吸収するような構成になっており、基板１０上に温度分布が形成されると共に、型８のパターン部８ａにも温度分布が形成される。
【００４５】
図４は、本実施例に係る型の構成と基板上のショット領域を例示する図である。ここで、型８のパターン部８ａに温度分布を形成するための構成を説明する。図４（Ａ）に示す通り、本実施例に係る型８には、調整光２４の一部分が有するエネルギーを吸収する吸収部（光吸収部）１０１が、パターン部８ａが形成されている面と反対側の面に形成されている。吸収部１０１は、一定の範囲にある波長の光（光の一部分）を吸収し、その他の範囲にある波長の光（光の他の部分）を透過する特性を有し、吸収した光のエネルギーによって発熱する。よって、調整光２４により型８のパターン部８ａにも温度分布が形成され、基板１０と型８との間での熱移動を抑制することができる。吸収部１０１は、光を吸収する吸収膜１０２とすることができる。吸収膜１０２は、例えば、照射光２１の波長帯域である４００〜１２００ｎｍの範囲にある特定の波長の光を吸収する吸収型のＮＤフィルタを用いることができる。ここで、ＮＤフィルタは、例えば金属膜であり、材料としてクロム、ニッケル合金などを含むものが好適である。このようなＮＤフィルタは、膜厚を変えることで光吸収率を変化させることができる。吸収膜１０２の光吸収率は、調整光２４を照射したときに、ショット領域２０上に形成される温度分布と、パターン部８ａに形成される温度分布とが一定の温度差以下になり得るように決定する。実際には、型８の物性値、型８の周囲環境の温度に基づいて吸収膜１０２の光吸収率を決定する。
【００４６】
例えば、型８と基板１０とにおいて発生する熱量を等しくすることで、型８のパターン部８ａと基板１０との温度分布が等しくなる場合を考える。基板１０は波長が４５０ｎｍの光の光吸収率が８５％であるとする。また、型８には波長が４５０ｎｍの光の光吸収率がａ［％］の吸収膜１０２が形成されているとする。このとき、波長が４５０ｎｍで、照射量が２．０［Ｗ］の光を照射した場合、型８において発生する熱量ｈ１［Ｗ］と、基板１０において発生する熱量ｈ２［Ｗ］の関係は、以下の通りとなる。
ｈ１＝ａ×２．０・・・（１）
ｈ２＝（２．０−ｈ１）×０．８５・・・（２）
ｈ１＝ｈ２・・・（３）
【００４７】
よって、式（１）〜（３）より、吸収膜１０２の光吸収率ａは、約０．４６［％］と決定することができる。ただし、表面反射による損失は考慮しないものとする。
【００４８】
制御部７は、加熱用光源２２から照射する調整光２４の照射量と、光調整器２３により調整光２４の照射量分布を調整する。このとき、ショット領域２０の形状補正に必要な温度分布が形成され、かつ、ショット領域２０上に形成される温度分布とパターン部８ａに形成される温度分布との温度差が閾値より小さくなるように前記照射量と前記照射量分布を調整する。ここで、図４（Ｂ）で示す通り、ショット領域２０のＸ方向の長さをＬ１ｘ、形状変化後のショット領域２０のＸ方向の長さをＬ２ｘ、基板１０の線膨張率をＥ、前記閾値をＴとすると、Ｔは以下の式（４）で求めることができる。
Ｔ＝（Ｌ２ｘ−Ｌ１ｘ）／（Ｅ×Ｌ１ｘ）＝ＲＣ／Ｅ・・・（４）
【００４９】
ここで、ＲＣはショット領域２０のＸ方向の長さの変化率である。例えば、ショット領域２０のＸ方向の辺の長さＬ１ｘを２６ｍｍとする。また、重ね合せ精度から許容される値として、ショット領域２０のＸ方向の形状変化後の長さＬ２ｘと変化前の長さＬ１ｘとの差を４．０ｎｍとすると、ＲＣは約１．５×１０−７となる。また、基板１０の線膨張率Ｅを２．４ｐｐｍとする。これらの値を式（４）に代入すると、前記閾値であるＴは約０．０６４℃となる。よって、ショット領域２０上の温度分布とパターン部８ａの温度分布との温度差が、前記閾値より小さくなるように、吸収膜１０２の光吸収率を考慮して、調整光２４の照射量分布を制御する。また、Ｘ方向と同様にＹ方向についてもショット領域２０のＹ方向の長さＬ１ｙ、形状変化後の長さＬ２ｙを用いることにより前記閾値を求めることができる。この場合、Ｘ方向とＹ方向とから求めた前記閾値の内、小さい方の前記閾値を採用しても良い。また、ショット領域２０が膨張する方向に変化する場合で説明したが、ショット領域２０が縮小する方向に変化する場合でも同様の方法で前記閾値を求めることができる。
【００５０】
このように、基板１０から型８への熱の移動により発生するショット領域２０の変形量を一定の範囲内に収めることができ、パターン部８ａとショット領域２０との重ね合せ精度の低下を抑制することができる。
【００５１】
また、吸収膜１０２を用いる代わりに、型８を形成する材料に、一定の範囲にある波長の光を吸収し、その他の範囲にある波長の光を透過する特性を有する材料を混合して吸収部１０１を形成しても良い。例えば、このような材料として、硫化カドミウムなどの微粒子を混合することができる。この場合、前記材料の混合比を変更することで光吸収率を調整することができる。また、吸収膜１０２を用いると共に、前記材料を混合して吸収部１０１を形成しても良い。
【００５２】
図３に戻り、続きのインプリント処理について説明する。図３のＳ０７において、制御部７は、パターン部８ａに温度分布が形成された状態で、型形状補正機構２０１により、パターン部８ａの形状を補正させる（Ｓ０７）。パターン部８ａに温度分布を形成することで、パターン部８ａが熱膨張により変形するが、本実施例では型８の材料が石英の場合、線膨張係数は約０．５ｐｐｍである。一方、基板１０の材料が単結晶シリコンの場合、線膨張係数は約２．４ｐｐｍである。例えば、温度分布を形成してショット領域２０の前記長さを１２ｎｍ補正する場合、パターン部８ａの前記長さの変化は約２．５ｎｍとなる。よって、熱によるパターン部８ａの形状変化は基板１０のショット領域２０の形状変化に対して小さく、基板１０のショット領域２０の形状を補正することができる。さらに、加熱によりパターン部８ａが温度分布を有して、熱膨張によりパターン部８ａの形状が変化しても、型形状補正機構２０１により補正することができる。アライメント計測部２６によりパターン部８ａの形状とショット領域２０の形状とを計測する。そして、計測結果に基づいて、パターン部８ａとショット領域２０との形状差が小さくなるように、型形状補正機構２０１により型８に外力を加えることにより、パターン部８ａの形状を弾性変形させて補正する。
【００５３】
次に、図７のＳ０８と同様に、制御部７は、押印工程、硬化工程、離形工程を行う（Ｓ０８）。押印工程において、ショット領域２０に形成された温度分布との温度差があらかじめ定めた閾値より小さい温度分布を形成したパターン部８ａを押し付けるので、基板１０と型８との間で熱が移動することを抑制できる。その結果、ショット領域２０の形状が変化することを抑制でき、パターン部８ａと、ショット領域２０との重ね合わせ精度が低下することを抑制することができる。また、調整光２４の照射は、基板１０上のショット領域２０と型８のパターン部８ａとの温度分布を変化させために、図３に示すフローチャートの押印工程（Ｓ０８）中、照射し続けることが好ましい。また、硬化工程、離型工程（Ｓ０８）時まで照射する構成としても良い。また、押印工程（Ｓ０８）の開始後から、調整光２４の照射を開始しても良い。また、図３のＳ０９、Ｓ１０は、図７のＳ０９、Ｓ１０と同一であるので説明は省略する。
【００５４】
図５は、型のパターン部と基板のショット領域との形状補正と温度分布を例示する図である。ここでは、一例として、ショット領域２０に台形成分のみを含む変形が生じている場合について説明する。ショット領域２０の補正前形状１０８内に調整光２４を照射し、温度分布１１０を形成する。この場合、ショット領域２０に含まれる台形成分の変形はＸ方向のみであるため、温度分布１１０はＹ方向のみに勾配を与えている。温度分布１１０を与えることにより、補正前形状１０８は、ショット領域２０の補正後形状１０９へ熱変形する。一方、パターン部８ａに、温度分布１１０との温度差が閾値より小さい温度分布１０７を形成し、パターン部８ａの補正前形状１０５に対して、型形状補正機構２０１により、型８へ外力を加え、パターン部８ａの補正後形状１０６へ形状を変形する。ショット領域２０の補正後形状１０９と、パターン部８ａの補正後形状１０６との形状補正が完了した後に、型８と基板１０とをインプリント材１４を介して接触させる。このとき、基板１０の温度分布とパターン部８ａの温度分布との温度差を閾値より小さくするため、基板１０と型８との間で熱の移動が抑制され、補正後形状１０９と補正後形状１０６が保たれる。
【００５５】
したがって、本実施例に係るインプリント装置によれば、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。
【実施例２】
【００５６】
実施例２に係るインプリント装置について説明する。図６は、型加熱機構の構成、配置を示す図である。本実施例のインプリント装置の特徴は、図６に示す赤外光源６２を有する型加熱機構（型加熱部）６１を備える点である。型加熱機構６１は、型８に光を照射して加熱する。型加熱機構６１は、型８を加熱するための赤外光を照射する赤外光源６２と、照射された赤外光の照射量分布を調整する型光調整器（調整部）６３と、調整された赤外調整光６４が型８の表面に向かうように光路を規定する反射板６５とを含む。ここで、例えば赤外光は７５０ｎｍ〜１０００μｍの波長帯域を有する光とすることができる。型８の材料に例えば石英を用いる場合、型８に照射された赤外光は型８で吸収される。また、基板１０の材料に例えば単結晶シリコンを用いる場合、赤外光は、基板１０での光吸収率が型８での光吸収率より低く、基板１０ではほとんど吸収されない。また、型光調整器６３は、光調整器２３と同様に、照射量分布を変化させることが可能な光変調素子を配置する。
【００５７】
基板１０上のショット領域２０に形成する温度分布は、実施例１と同様に、制御部７によって、加熱機構（基板加熱部）６の加熱用光源２２と光調整器２３が制御され、調整光２４を基板１０に照射することで形成される。制御部７は、ショット領域２０上に形成される温度分布との温度差が閾値より小さい温度分布がパターン部８ａに形成され得るように、型光調整器６３により赤外調整光６４の照射量分布を制御する。これにより、基板１０から型８への熱の移動により発生するショット領域２０の変形量を一定の範囲内に収めることができ、パターン部８ａとショット領域２０との重ね合せ精度の低下を抑制することができる。
【００５８】
調整光２４と赤外調整光６４は、反射板６５に照射される構成としている。反射板６５は、例えば赤外領域の波長を有する光を反射し、赤外より短い可視領域の波長を有する光を透過する特性のダイクロイックミラーを採用し得る。反射板６５によって、調整光２４と赤外調整光６４は反射板２５に導かれる。反射板２５は、例えば可視、赤外領域の波長を有する光を反射し、可視領域より短い紫外領域の波長を有する光を透過する特性のダイクロイックミラーを採用し得る。反射板２５によって、赤外調整光は型８へ照射され、調整光２４は型８を透過して、基板１０へ照射される。
【００５９】
図３に示すインプリント処理のフローチャートのＳ１１において、制御部７により基板１０上に温度分布を形成する際に、上述した構成により型８のパターン部８ａにも温度分布を形成する。その他のインプリント処理は、実施例１で説明したものと基本的に同じプロセスを経る。
【００６０】
型８へ照射された赤外調整光６４は、例えば石英を材料とする型８の赤外線吸収率、型８の厚み等の形状寸法によっては、すべてのエネルギーが型８で吸収されず、基板１０へ照射される可能性がある。しかし、基板１０の材料は単結晶シリコンであるため、赤外光の吸収率は低く、基板１０上のショット領域２０に形成された温度分布へ与える影響は小さい。
【００６１】
また、可視域及び赤外域の波長を有する光を取り扱える光調整器２３を使用し、型光調整器６３を用いない構成としても良い。
【００６２】
また、本実施例のインプリント装置は、不図示の温度計測手段（温度計測部）を有する構成としても良い。前記温度計測手段は、基板１０のショット領域２０に形成された温度分布と型８のパターン部８ａに形成された温度分布とを計測する。制御部７は、温度分布の計測結果に基づいて、ショット領域２０の温度分布との温度差が閾値より小さい温度分布がパターン部８ａに形成され得るように、型光調整器６３により、赤外調整光６４の照射量分布を制御する。前記温度計測手段は、例えば、放射温度計、赤外線温度計等の非接触式の温度計を用いることができる。
【００６３】
したがって、本実施例に係るインプリント装置によれば、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。
【００６４】
（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６６】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図８（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６７】
図８（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図８（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６８】
図８（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００６９】
図８（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図８（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７０】
次に、物品の別の製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、石英ガラス等の基板１ｙを用意し、続いて、インクジェット法等により、基板１ｙの表面にインプリント材３ｙを付与する。必要に応じて、基板１ｙの表面に金属や金属化合物等の別の材料の層を設けても良い。
【００７１】
図９（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｙを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｙに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材３ｙが付与された基板１ｙと型４ｙとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｙは型４ｙと基板１ｙとの隙間に充填される。この状態で光を型４ｙを透して照射すると、インプリント材３は硬化する。
【００７２】
図９（ｄ）に示すように、インプリント材３ｙを硬化させた後、型４ｙと基板１ｙを引き離すと、基板１ｙ上にインプリント材３ｙの硬化物のパターンが形成される。こうして硬化物のパターンを構成部材として有する物品が得られる。なお、図９（ｄ）の状態で硬化物のパターンをマスクとして、基板１ｙをエッチング加工すれば、型４ｙに対して凹部と凸部が反転した物品、例えば、インプリント用の型を得ることもできる。
【００７３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、実施例１、実施例２に係るインプリント装置は、単独で実施するだけでなく、実施例１、実施例２の組合せで実施することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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