(57)【要約】      （修正有）【課題】上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルを局部的に加圧することにより変化する液晶セルの加圧による変形量によって液晶の注入状態を検査することができる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置を提供する。【解決手段】液晶注入状態検査方法は、液晶セルに既設定の加圧力を提供する加圧ステップと、加圧ステップを経て既設定の加圧力が提供される加圧位置において液晶セルの加圧による変形量を測定する測定ステップと、液晶セルの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する検査ステップを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルにおいて前記液晶の注入状態を検査する液晶注入状態検査方法であり、
前記液晶セルの加圧位置を既設定の加圧力で加圧する加圧ステップ；
前記加圧ステップを経ると共に前記加圧位置において前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定ステップ；および
前記液晶セルの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する検査ステップ；を含むことを特徴とする液晶注入状態検査方法。
【請求項２】
前記検査ステップは、
前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は、前記液晶が正常に注入されたと判断し、
前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は、前記液晶の注入状態が不良であると判断することを特徴とする請求項１に記載の液晶注入状態検査方法。
【請求項３】
前記液晶セルにおいて前記加圧位置を変更させる位置調整ステップ；をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶注入状態検査方法。
【請求項４】
前記測定ステップは、
前記加圧ステップにおいて、前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記液晶セルの凹んだ部分を測定する第１測定ステップ；
前記加圧ステップに先立ち、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置における前記液晶セルの表面位置を測定する第２測定ステップ；および
前記第１測定ステップにおける測定値と前記第２測定ステップにおける測定値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算ステップ；を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶注入状態検査方法。
【請求項５】
上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルで前記液晶の注入状態を検査する液晶注入状態検査装置であり、
前記液晶セルの加圧位置を既設定の加圧力で加圧する加圧ユニット；
前記加圧ユニットが加圧する前記加圧位置において前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定ユニット；及び
前記液晶セルの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する検査ユニット；を含むことを特徴とする液晶注入状態検査装置。
【請求項６】
前記検査ユニットは、
前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は、前記液晶が正常に注入されたと判断し、
前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は、前記液晶の注入状態が不良であると判断することを特徴とする請求項５に記載の液晶注入状態検査装置。
【請求項７】
前記液晶セルにおいて前記加圧位置を変更させる測定制御部；をさらに含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶注入状態検査装置。
【請求項８】
前記測定ユニットは、
前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定部；
前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記測定部と前記加圧ユニットを移動させる位置調整部；および
前記加圧位置が加圧される際に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶注入状態検査装置。複数個
【請求項９】
前記測定ユニットは、
前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定部；
前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記測定部を移動させる位置調整部；および
前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含み、
前記加圧ユニットは、
複数の前記加圧位置に対応して複数個が前記液晶セルの上側に離隔配置されることを特徴とする請求項７に記載の液晶注入状態検査装置。
【請求項１０】
前記測定ユニットは、
複数の前記加圧位置に対応して前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する複数の測定部；および
前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含み、
前記加圧ユニットは、
複数の前記加圧位置に対応して複数個が前記測定部と一緒に前記液晶セルの上側に離隔配置されることを特徴とする請求項７に記載の液晶注入状態検査装置。
【請求項１１】
前記測定ユニットは、
複数の前記加圧位置に対応して前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する複数の測定部；
前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記加圧ユニットを移動させる位置調整部；および
前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶注入状態検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置に関するものであり、より具体的には、上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルを局部的に加圧することにより変化する液晶セルの加圧による変形量によって液晶の注入状態を検査することができる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）装置は、光源および液晶セルを含み、液晶の複屈折特性を利用して光の伝達を制御することにより、多様なイメージを表示する。液晶セルを作るプロセスにおいて、液晶物質が基板上に散布され、他の基板がその上に覆われる技術が提供されている。このような技術は、液晶セルを形成するプロセスのステップを大きく減らし、製造効率を改善する。
【０００３】
特に、ワンドロップフィル（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）方法は次のステップを含む。先ず、密封部材を形成するために密封剤を一対の基板の一方の全体周辺に塗った後、液晶物質を一対の基板の一つに散布する。散布ステップ後、一つの基板を別の基板上に重ねて置き、密封部材を硬化させる。
【０００４】
このようなワンドロップフィル（ＯＤＦ）方法は、従来の真空注入方法に比べて液晶物質の使用量および液晶物質の注入時間を短縮させ液晶セルの製造コストをかなり減らすことができ、収率を改善させる。
【０００５】
このとき、ガラス基板の厚さが薄くなり、ガラス基板の面積が大型化され、液晶セルにおける解像度が高くなることにより、液晶セルの駆動不良を防止するための液晶の注入状態検査はより重要な要素となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国登録特許公報第１０−０２７９２６０号公報（発明の名称：液晶セルの液晶注入および液晶注入口封入検査システム，２０００．０１．１５．公告）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、従来の問題点を解決するためのものであり、上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルを局部的に加圧することにより変化する液晶セルの加圧による変形量によって液晶の注入状態を検査することができる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の本発明の目的を達成するための望ましい実施例によると、本発明にかかる液晶注入状態検査方法は、上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルにおいて前記液晶の注入状態を検査する液晶注入状態検査方法であり、前記液晶セルの加圧位置を既設定の加圧力で加圧する加圧ステップ；前記加圧ステップを経ると共に前記加圧位置において前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定ステップ；および前記液晶セルの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する検査ステップ；を含む。
【０００９】
ここで、前記検査ステップは、前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は前記液晶が正常に注入されたと判断し、前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は前記液晶の注入状態が不良であると判断する。
【００１０】
本発明にかかる液晶注入状態検査方法は、前記液晶セルにおいて前記加圧位置を変更させる位置調整ステップ；をさらに含む。
【００１１】
ここで、前記測定ステップは、前記加圧ステップに加え、前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記液晶セルの凹んだ部分を測定する第１測定ステップ；前記加圧ステップに先立ち、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置における前記液晶セルの表面位置を測定する第２測定ステップ；および前記第１測定ステップにおける測定値と前記第２測定ステップにおける測定値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算ステップ；を含む。
【００１２】
本発明にかかる液晶注入状態検査装置は、上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルで前記液晶の注入状態を検査する液晶注入状態検査装置であり、前記液晶セルの加圧位置を既設定の加圧力で加圧する加圧ユニット；前記加圧ユニットが加圧する前記加圧位置において前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定ユニット；及び前記液晶セルの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する検査ユニット；を含む。
【００１３】
ここで、前記検査ユニットは、前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は前記液晶が正常に注入されたと判断し、前記液晶セルの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は前記液晶の注入状態が不良であると判断する。
【００１４】
本発明にかかる液晶注入状態検査装置は、前記液晶セルにおいて前記加圧位置を変更させる測定制御部；をさらに含む。
【００１５】
ここで、前記測定ユニットは、前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定部；前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記測定部と前記加圧ユニットを移動させる位置調整部；および前記加圧位置が加圧される際に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含む。
【００１６】
あるいは、前記測定ユニットは、 前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する測定部；前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記測定部を移動させる位置調整部；および 前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含み、前記加圧ユニットは、複数の前記加圧位置に対応して複数個が前記液晶セルの上側に離隔配置される。
【００１７】
もしくは、前記測定ユニットは、 複数の前記加圧位置に対応して前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する複数の測定部；および 前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含み、前記加圧ユニットは、複数の前記加圧位置に対応して複数個が前記測定部と一緒に前記液晶セルの上側に離隔配置される。
【００１８】
または、前記測定ユニットは、 複数の前記加圧位置に対応して前記液晶セルの上側に離隔配置され、前記加圧位置で前記液晶セルの加圧による変形量を測定する複数の測定部；前記液晶セルの上側で前記加圧位置に対応して前記加圧ユニットを移動させる位置調整部；および 前記加圧位置が加圧される際、前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置を加圧する前に前記加圧位置において前記測定部が前記液晶セルの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルの加圧による変形量を計算する変位計算部；を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明にかかる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置によると、上部基板と下部基板間に液晶が注入された液晶セルを局部的に加圧することにより、変化する液晶セルの加圧による変形量によって液晶の注入状態を検査することができる。
【００２０】
また、本発明は液晶セルの加圧位置を変えながら既設定の加圧力によって変化する液晶セルの加圧による変形量を測定することができ、液晶セルの全体表面に対して液晶の均一な注入状態を確認することができる。
【００２１】
また、本発明は液晶セルの加圧前後に対する液晶セルの表面位置を測定することにより、液晶セルの表面が平面状になるときは勿論、曲面状になっても液晶の均一な注入状態を確認することができる。
【００２２】
特に、本発明は平面状の液晶セルに対して、液晶セルの加圧による変形量の測定を簡素化し、液晶の注入状態を速やかに検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施例によって液晶セルに液晶が注入された状態を示した図面である。
【図２】本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置において加圧位置における液晶セルの表面位置の変化を示した図面である。
【図３】本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置を示した図面である。
【図４】本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置の変形例を示した図面である。
【図５】本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付する図面を参照して本発明にかかる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置の一実施例を説明する。このとき、本発明は実施例によって制限されたり限定されるのではない。また、本発明を説明するにおいて、公知の機能あるいは構成に対する具体的な説明は本発明の要旨を明確にするために省略する場合がある。
【００２５】
図１は本発明の一実施例によって液晶セルに液晶が注入された状態を示した図面であり、図２は本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置において加圧位置における液晶セルの表面位置の変化を示した図面である。
【００２６】
図１と図２を参照すると、本発明の一実施例において液晶セルＳＧは、上部基板ＧＴと下部基板ＧＢが複数のメインスペーサーＭＣによって一定間隔で離隔され、前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間に液晶ＬＣを注入して完成される。このとき、前記メインスペーサーＭＣ間にはサブスペーサーＳＣが備えられ、前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間の離隔状態を補完することができる。
【００２７】
正常的な前記液晶ＬＣの注入状態を見てみると、図１の（ａ）に図示したように、前記メインスペーサーＭＣの両端がそれぞれ前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢに支持される。また、前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間には別途の空間なく前記液晶ＬＣが充填される。
【００２８】
正常を超過する前記液晶ＬＣの注入状態を見てみると、図１の（ｂ）に図示したように、前記メインスペーサーＭＣの一端は前記下部基板ＧＢに支持されるが、前記メインスペーサーＭＣの他端は前記液晶ＬＣの過多注入によって前記上部基板ＧＴから離隔される。このとき、前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間には空きスペースはないが、前記メインスペーサーＭＣの他端と前記上部基板ＧＴ間にも前記液晶ＬＣが充填される。
【００２９】
正常よりも少ない前記液晶ＬＣの注入状態を見てみると、図１の（ｃ）に図示したように、前記メインスペーサーＭＣの両端がそれぞれ前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢに支持される。前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間に前記液晶ＬＣが充填されるが、前記液晶ＬＣの注入量の不足により前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間には空きスペースが形成され得る。
【００３０】
後述する加圧ユニット１０が既設定の加圧力Ｐｐで前記液晶セルＳＧを加圧すると、前記液晶セルＳＧは加圧力Ｐｐによって凹む現象が現れる。
【００３１】
一例として、正常的な前記液晶ＬＣの注入状態では、前記加圧位置Ｐによって微差があり得るが、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量Ｐａは既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する。
【００３２】
ここで、Ｐａは、後述する加圧ユニット１０が前記加圧位置Ｐを加圧する際の前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧが凹んだ部分であり、Ｐｂは、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記加圧位置Ｐにおける前記液晶セルＳＧの表面位置である。
【００３３】
言い換えると、前記液晶ＬＣが正常に注入された状態の場合は、図２の（ａ）に示したように前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧの加圧による変形量（Ｐａ−Ｐｂ）は既設定の基準変形量の最大値Ｐｈと同じか小さく、既設定の基準変形量の最小値Ｐｓと同じか大きい値を表す。
【００３４】
しかし、 前記液晶ＬＣが正常よりも少ない注入状態である場合は、図２の（ｂ）に示したように前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧの加圧による変形量（Ｐａ−Ｐｂ）は既設定の基準変形量の最大値Ｐｈよりも大きい値を表す。また、前記液晶ＬＣが正常を超過する注入状態である場合は、図２の（ｃ）に示したように前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧの加圧による変形量（Ｐａ−Ｐｂ）は既設定の基準変形量の最小値Ｐｓよりも小さい値を表す。
【００３５】
上述の説明において、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量は前記加圧位置Ｐが加圧される際、前記加圧位置Ｐで後述する測定ユニット３０が前記液晶セルＳＧの凹んだ部分を測定した値と、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記加圧位置Ｐで前記測定ユニット３０が前記液晶セルＳＧの表面位置を測定した値との差によって計算する。
【００３６】
このように、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法と液晶注入状態検査装置は、前記液晶ＬＣの注入状態によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量に差が生じることを利用したものである。本発明の一実施例では、液晶注入状態検査装置を先に説明し、それを用いて本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法を説明する。
【００３７】
これより本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置について説明する。図３は本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置を示した図面であり、図４は本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置の変形例を示した図面である。
【００３８】
図１〜図４を参照すると、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置は、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定して前記液晶ＬＣの注入状態を検査することができる。
【００３９】
本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置は、加圧ユニット２０と、測定ユニット３０と、検査ユニット４０を含む。
【００４０】
前記加圧ユニット２０は、前記液晶セルＳＧの加圧位置Ｐを既設定の加圧力Ｐｐで加圧する。一例として、前記加圧ユニット２０は間接加圧方式として前記加圧位置Ｐに流体を噴射する多様な形態の噴射装置を含み得る。他の例として、前記加圧ユニット２０は直接加圧方式として、既設定の加圧力Ｐｐで前記加圧位置Ｐを加圧するチップが備えられた多様な形態の圧力装置を含み得る。前記加圧ユニット２０は、前記加圧位置Ｐを加圧し続けるのではなく、既設定の加圧力Ｐｐで前記加圧位置Ｐを一定時間だけ加圧することが好ましい。
【００４１】
前記加圧ユニット２０は、後述する加圧ステップＳ２を行う際に用いることができる。
【００４２】
前記測定ユニット３０は、前記加圧ユニット２０が加圧する前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定する。ここで、前記測定ユニット３０を限定するのではなく、干渉計、カメラ等のような多様な形態を通じて前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定することができる。
【００４３】
前記測定ユニット３０は、後述する測定ステップＳ３を行う際に用いることができる。
【００４４】
一例として、前記測定ユニット３０は、測定部３１と、位置調整部３２と、変位計算部３３を含み得る。
【００４５】
前記測定部３１は、前記液晶セルＳＧの上側に離隔配置される。前記測定部３１は、前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定する。前記測定部３１は、干渉計、カメラ等のような多様な形態を通じて前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定することができる。
【００４６】
前記測定部３１は、後述する測定ステップＳ３を行う際に用いることができる。
【００４７】
前記位置調整部３２は、前記液晶セルＳＧの上側で前記加圧位置Ｐに対応して前記測定部３１と前記加圧ユニット２０を移動させる。前記位置調整部３２は、この場所に限定せず、多様な形態を通じて前記測定部３１と前記加圧ユニット２０を移動させることができる。
【００４８】
前記変位計算部３３は、前記加圧位置Ｐが加圧される際、前記加圧位置Ｐで前記測定部３１が前記液晶セルＳＧの表面位置を測定した値と、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記加圧位置Ｐにおいて前記測定部３１が前記液晶セルＳＧの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を計算する。
【００４９】
このとき、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置は、前記液晶セルＳＧで前記加圧位置Ｐを変更させる測定制御部３５をさらに含むことができる。それにより、前記測定制御部３５は、前記位置調整部３２を作動させて測定部３１と前記加圧ユニット２０を該当加圧位置Ｐに移動させることにより、前記液晶セルＳＧにおいて前記加圧位置Ｐを変更させることができる。
【００５０】
他の例として、前記測定ユニット３０は、前記測定部３１と、前記位置調整部３２と、前記変位計算部３３を含み得る。但し、前記位置調整部３２は前記測定部３１だけを移動させる。これにより、前記加圧ユニット２０は複数の前記加圧位置Ｐに対応して前記液晶セルＳＧの上側に離隔配置される測定支持部３４に相互離隔された状態で結合されるようにする。
【００５１】
このとき、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査装置は、前記液晶セルＳＧで前記加圧位置Ｐを変更させる測定制御部３５をさらに含むことができる。それにより、前記測定制御部３５は、前記加圧位置Ｐに対応して前記測定支持部３４に支持された前記加圧ユニット２０を作動させ、前記位置調整部３２を作動させて前記測定部３１を該当加圧位置Ｐに移動させることにより、前記液晶セルＳＧで前記加圧位置Ｐを変更させることができる。
【００５２】
また他の例として、前記測定ユニット３０は、測定支持部３４と、測定部３１と、変位計算部３３を含み得る。
【００５３】
前記測定支持部３４は、前記液晶セルＳＧの上側に離隔配置される。
【００５４】
前記測定部３１は、複数の前記加圧位置Ｐに対応して複数個が前記測定支持部３４に相互離隔された状態で結合する。前記測定部３１は、前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定する。前記測定部３１は、干渉計、カメラ等のような多様な形態を通じて前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定することができる。
【００５５】
前記変位計算部３３は、前記加圧位置Ｐが加圧される際、前記加圧位置Ｐにおいて前記測定部３１が前記液晶セルＳＧの表面位置を測定した値と、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記加圧位置Ｐにおいて前記測定部３１が前記液晶セルＳＧの表面位置を測定した値との差によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を計算する。
【００５６】
これにより、前記加圧ユニット２０は、複数の前記加圧位置Ｐに対応して複数個が前記測定部３１と一緒に前記測定支持部３４に相互離隔された状態で結合され得る。それにより、前記測定制御部３５は、前記加圧位置Ｐに対応して前記測定支持部３４に支持された前記測定部３１と前記加圧ユニット２０を作動させることにより、前記液晶セルＳＧにおいて前記加圧位置Ｐを変更させることができる。
【００５７】
また、前記加圧ユニット２０は、複数の前記加圧位置Ｐに対応して位置調整部３２を通じて前記液晶セルＳＧの上側で移動することができる。それにより、前記測定制御部３５は、前記加圧位置Ｐに対応して前記測定支持部３４に支持された前記測定部３１を作動させ、前記位置調整部３２を作動させて前記加圧ユニット２０を該当加圧位置Ｐに移動させることにより、前記液晶セルＳＧにおいて前記加圧位置Ｐを変更させることができる。
【００５８】
前記検査ユニット４０は、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する。
【００５９】
前記検査ユニット４０は、後述する検査ステップＳ４を行う際に用いることができる。
【００６０】
前記検査ユニット４０は、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は、前記液晶ＬＣが正常に注入されたと判断する。また、前記検査ユニット４０は、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は、前記液晶ＬＣの注入状態が不良であると判断する。
【００６１】
未説明符号１０は、前記液晶セルＳＧが安着するステージである。前記ステージ１０は、後述する配置ステップＳ１を行う際に用いることができる。
【００６２】
これより本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法について説明する。図５は本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法を示した図面である。
【００６３】
図１〜図５を参照すると、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法は、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定して前記液晶ＬＣの注入状態を検査することができる。
【００６４】
本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法は、加圧ステップＳ２と、測定ステップＳ３と、検査ステップＳ４を含む。
【００６５】
前記加圧ステップＳ２では、前記液晶セルＳＧの加圧位置Ｐを既設定の加圧力Ｐｐで加圧する。前記加圧ステップＳ２では、前記加圧ユニット２０の作動によって前記液晶セルＳＧの加圧位置Ｐを既設定の加圧力Ｐｐで加圧できる。
【００６６】
前記測定ステップＳ３では、前記加圧ステップＳ２を経ながら前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定する。前記測定ステップＳ３では、前記測定ユニット３０の作動によって前記加圧位置Ｐで前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定することができる。
【００６７】
一例として、前記測定ステップＳ３では、前記加圧ステップＳ２に加え、前記加圧位置Ｐが加圧される際に前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧの凹んだ部分を測定する第１測定ステップＳ３１と、前記加圧ステップＳ２に先立ち、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記加圧位置Ｐにおける前記液晶セルＳＧの表面位置を測定する第２測定ステップＳ３２と、前記第１測定ステップＳ３１における測定値Ｐａと前記第２測定ステップＳ３２における測定値Ｐｂとの差によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を計算する変位計算ステップＳ３３を含む。
【００６８】
前記第１測定ステップＳ３１では、前記加圧位置Ｐが加圧される際、前記測定部３１の作動によって前記加圧位置Ｐにおいて前記液晶セルＳＧの凹んだ部分を測定し、前記第２測定ステップＳ３２では前記加圧ステップＳ２に先立ち、前記加圧位置Ｐを加圧する前に前記測定部３１の作動によって前記加圧位置Ｐにおける前記液晶セルＳＧの表面位置を測定し、前記変位計算ステップＳ３３では前記変位計算部３３の作動によって前記第１測定ステップＳ３１における測定値Ｐａと前記第２測定ステップＳ３２における測定値Ｐｂとの差によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を計算することができる。
【００６９】
前記検査ステップＳ４では、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較する。前記検査ステップＳ４では、前記検査ユニット４０の作動によって前記液晶セルＳＧの加圧による変形量と既設定の基準変形量を比較することができる。
【００７０】
本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法は、位置調整ステップＳ５をさらに含むことができる。
【００７１】
前記位置調整ステップＳ５では、前記液晶セルＳＧにおいて前記加圧位置Ｐを変更させる。前記位置調整ステップＳ５では、前記測定制御部３５の作動によって前記液晶セルＳＧにおいて前記加圧位置Ｐを変更させることができる。前記位置調整ステップＳ５を経ることにより、複数の前記加圧位置Ｐ中の別の加圧位置Ｐで液晶注入状態を検査することができる。
【００７２】
このとき、前記検査ステップＳ４では、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合は、前記液晶が正常に注入されたと判断できる。また、前記検査ステップＳ４では、前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合は、前記液晶の注入状態が不良であると判断できる。
【００７３】
これにより、本発明の一実施例にかかる液晶注入状態検査方法は、正常ステップＳ４１または不良ステップＳ４２をさらに含むことができる。
【００７４】
前記正常ステップＳ４１では、前記検査ステップＳ４で前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲内に存在する場合に実施する。前記正常ステップＳ４１では、前記液晶ＬＣが注入された基板が正常であると判断する。
【００７５】
複数の前記加圧位置Ｐを全て検査して前記正常ステップＳ４１を経た後は、交替ステップＳ４３をさらに含み、配置ステップＳ１をさらに含むことができる。
【００７６】
前記交替ステップＳ４３では、前記正常ステップＳ４１にかかる前記液晶セルＳＧを前記ステージ１０から排出させ、新たな液晶セルＳＧを前記ステージ１０に移動させる。
【００７７】
前記配置ステップＳ１では、新たな液晶セルＳＧを前記ステージ１０に位置させる。 前記交替ステップＳ４３と前記配置ステップＳ１を経た後、新たな液晶セルＳＧに対して液晶注入状態を検査することができる。
【００７８】
前記不良ステップＳ４２では、前記検査ステップＳ４で前記液晶セルＳＧの加圧による変形量が既設定の基準変形量の誤差範囲から外れる場合に実施する。前記不良ステップＳ４２では、 前記液晶ＬＣが注入された基板が不良であると判断する。
【００７９】
前記交替ステップＳ４３では、前記不良ステップＳ４２にかかる前記液晶セルＳＧを前記ステージ１０から排出させ、新たな液晶セルＳＧを前記ステージ１０に移動させる。
【００８０】
前記配置ステップＳ１では、新たな液晶セルＳＧを前記ステージ１０に位置させる。 前記交替ステップＳ４３と前記配置ステップＳ１を経た後、新たな液晶セルＳＧに対して液晶注入状態を検査することができる。
【００８１】
上述した液晶注入状態検査装置と液晶注入状態検査方法によると、前記上部基板ＧＴと前記下部基板ＧＢ間に前記液晶ＬＣが注入された前記液晶セルＳＧを局部的に加圧することにより変化する前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を通じて前記液晶ＬＣの注入状態を検査することができる。また、前記液晶セルＳＧの加圧位置Ｐを変えながら既設定の加圧力Ｐｐによって変化する前記液晶セルＳＧの加圧による変形量を測定することができ、前記液晶セルＳＧの全体表面に対して前記液晶ＬＣの均一な注入状態を確認することができる。
【００８２】
また、前記液晶セルＳＧの加圧前後に対する前記液晶セルＳＧの表面位置を測定することにより、前記液晶セルＳＧの表面が平面上になるときは勿論、曲面状になっても前記液晶ＬＣの均一な注入状態を確認することができる。特に、平面状の前記液晶セルＳＧに対して前記液晶セルＳＧの加圧による変形量の測定を簡素化し、前記液晶ＬＣの注入状態を速やかに検査することができる。
【００８３】
上述の通り、図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明したが、該当技術分野の熟練者であれば、下記の請求の範囲に記載した本発明の思想および領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正または変更させることができる。
【符号の説明】
【００８４】
ＧＴ：上部基板
ＧＢ：下部基板
ＬＣ:液晶
ＭＣ：メインスペーサー
ＳＣ：サブスペーサー
ＳＧ：液晶セル
Ｓ１：配置ステップ
Ｓ２：加圧ステップ
Ｓ３：測定ステップ
Ｓ３１：第１測定ステップ
Ｓ３２：第２測定ステップ
Ｓ３３：変位計算ステップ
Ｓ４：検査ステップ
Ｓ４１：正常ステップ
Ｓ４２：不良ステップ
Ｓ４３：交替ステップ
Ｓ５：位置調整ステップ
１０：ステージ
２０:加圧ユニット
３０：測定ユニット
３１：測定部
３２：位置調整部
３３：変位計算部
３４：測定支持部
３５：測定制御部
４０：検査ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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