(57)【要約】【課題】超音波接合する際の超音波発振時の共振に起因して発生する接合不良を抑制することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体製造装置は、金属フレーム３のフレーム枠体３ａに支持されたインナーリード３ｂにワイヤボンディングを行う装置である。半導体製造装置は、上面に金属フレーム３が載置され、かつ、フレーム枠体３ａとインナーリード３ｂとの間に形成される開口部３ｃに嵌め込まれる凸部５を有する下治具４と、金属フレーム３の上側に配置され、かつ、インナーリード３ｂの上面に接触させる複数の爪部２を有する上治具１と、上治具１と下治具４とで金属フレーム３を固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツール７とを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属フレームのフレーム枠体に支持されたリードにワイヤボンディングを行う半導体製造装置であって、
上面に前記金属フレームが載置され、かつ、前記フレーム枠体と前記リードとの間に形成される開口部に嵌め込まれる凸部を有する下治具と、
前記金属フレームの上側に配置され、かつ、前記リードの上面に接触させる複数の爪部を有する上治具と、
前記上治具と前記下治具とで前記金属フレームを固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツールと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記開口部の全部に嵌め込まれる、請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
金属フレームのフレーム枠体に支持されたリードにワイヤボンディングを行う半導体製造装置であって、
上面に前記金属フレームが載置され、かつ、前記フレーム枠体の外周側を保持する凸部を有する下治具と、
前記金属フレームの上側に配置され、かつ、前記リードの上面に接触させる複数の爪部を有する上治具と、
前記上治具と前記下治具とで前記金属フレームを固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツールと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項４】
金属フレームのフレーム枠体に支持されたリードにワイヤボンディングを行う半導体製造装置であって、
上面に前記金属フレームが載置され、かつ、前記フレーム枠体と前記リードとの間に形成される開口部の一部に嵌め込まれる第１凸部と、前記フレーム枠体の外周側を保持する第２凸部とを有する下治具と、
前記金属フレームの上側に配置され、かつ、前記リードの上面に接触させる複数の爪部を有する上治具と、
前記上治具と前記下治具とで前記金属フレームを固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツールと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項５】
金属フレームのフレーム枠体に支持されたリードにワイヤボンディングを行う半導体製造装置であって、
上面に前記金属フレームが載置される下治具と、
前記金属フレームの上側に配置され、かつ、前記リードの上面および側面に接触させる複数の爪部を有する上治具と、
前記上治具と前記下治具とで前記金属フレームを固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツールと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項６】
前記凸部の上端部にテーパー部が形成される、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第１凸部および前記第２凸部の上端部にテーパー部が形成される、請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記凸部における前記金属フレームのコーナー部に対応する位置は、Ｃ面取り形状またはＲ面取り形状に形成される、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記第１凸部および前記第２凸部における前記金属フレームのコーナー部に対応する位置は、Ｃ面取り形状またはＲ面取り形状に形成される、請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記ボンディングツールは超音波接合によりワイヤボンディングを行う、請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体素子と金属フレームとをワイヤボンディングで接続する半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールの製造工程において、金属フレームにアルミワイヤを超音波接合する際、金属フレームを上側に配置される上治具と下側に配置される下治具とで挟み込んで固定している。このとき金属フレームは、上治具によって点接触で押えられているため、超音波発振方向への金属フレームの固定が不十分であることから金属フレームの共振を引き起こすことがあった。金属フレームが共振することで、アルミワイヤに加えられる超音波エネルギーが接合部から逸れて、接合不良が発生するという問題があった。
【０００３】
例えば、特許文献１には、封止体であるエポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂の混成樹脂をリードフレームの表面にＰｂフリーはんだの周囲全体を覆うように供給し、加熱板により封止体を硬化させる技術が開示されている。この技術では、Ｐｂフリーはんだが溶融しても封止体でパワー半導体素子が固定されることで接合不良を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９６０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、ワイヤボンディングの際の加熱により密閉された内部でＰｂフリーはんだが溶融した場合でも金属ワイヤでの結線を可能とすることが開示されているが、超音波接合する際の超音波発振時の共振に起因して発生する接合不良を抑制する技術は開示されていない。
【０００６】
そこで、本発明は、超音波接合する際の超音波発振時の共振に起因して発生する接合不良を抑制することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体製造装置は、金属フレームのフレーム枠体に支持されたインナーリードにワイヤボンディングを行う半導体製造装置であって、上面に前記金属フレームが載置され、かつ、前記フレーム枠体と前記インナーリードとの間に形成される開口部に嵌め込まれる凸部を有する下治具と、前記金属フレームの上側に配置され、かつ、前記インナーリードの上面に接触させる複数の爪部を有する上治具とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体製造装置は、上面に金属フレームが載置され、かつ、フレーム枠体とインナーリードとの間に形成される開口部に嵌め込まれる凸部を有する下治具と、金属フレームの上側に配置され、かつ、インナーリードの上面に接触させる複数の爪部を有する上治具とを備える。
【０００９】
したがって、金属フレームを下治具に載置する際に金属フレームの開口部を下治具の凸部に嵌め込むことで、金属フレームが超音波発振方向に動かないように金属フレームを下治具に固定することができる。さらに、上治具の複数の爪部をインナーリードの上面に接触させることで、金属フレームを上治具と下治具とで挟み込んで固定することができる。これにより、ボンディングツールにて超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向への共振を抑制することができるため、インナーリードの接合不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】実施の形態２に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】実施の形態３に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】実施の形態４に係る半導体製造装置の断面図である。
【図８】実施の形態５に係る半導体製造装置の断面図である。
【図９】実施の形態６に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図１０】実施の形態６の変形例１に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図１１】実施の形態６の変形例２に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図１２】実施の形態６の変形例３に係る半導体製造装置において上治具を取り外した状態の平面図である。
【図１３】前提技術に係る半導体製造装置の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜前提技術＞
本発明の実施の形態１について説明する前に、最初に前提技術について説明する。図１３は、前提技術に係る半導体製造装置の分解斜視図である。
【００１２】
図１３に示すように、前提技術に係る半導体製造装置は、下治具５４、上治具１およびボンディングツール７（図２参照）を備えている。下治具５４は、金属フレーム３の下側に配置される。下治具５４の上面は平面上に形成され、下治具５４の上面に金属フレーム３が載置される。上治具１は、金属フレーム３の上側に配置され、本体部１ａおよび複数の爪部２を備えている。金属フレーム３は、上側に配置される上治具１と下側に配置される下治具５４とで挟み込んで固定される。上治具１と下治具５４とで金属フレーム３を固定した状態で、ボンディングツール７にて超音波接合によりワイヤボンディングが行われる。
【００１３】
このとき金属フレーム３は、上治具１によって点接触で押えられているため、超音波発振方向への金属フレーム３の固定が不十分であることから金属フレーム３の共振を引き起こすことがあった。ここで、超音波発振方向とは図１３において横方向である。金属フレーム３が共振することで、アルミワイヤに加えられる超音波エネルギーが接合部から逸れて、接合不良が発生するという問題があった。この問題を解決するための実施の形態について以下説明する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。なお、上治具１は前提技術の場合と同様であるため、図１３を適宜用いて説明する。
【００１５】
図１と図２に示すように、実施の形態１に係る半導体製造装置は、下治具４、上治具１およびボンディングツール７を備えている。下治具４は、上面に金属フレーム３を載置し固定するための台座である。金属フレーム３は、フレーム枠体３ａ、インナーリード３ｂおよび開口部３ｃを備えている。インナーリード３ｂは、フレーム枠体３ａに支持され、フレーム枠体３ａの内周部側に延びるように形成されている。開口部３ｃは、フレーム枠体３ａの内周側、すなわち、フレーム枠体３ａとインナーリード３ｂとの間に形成されている。
【００１６】
下治具４は、本体部４ａおよび凸部５を備えている。凸部５は、本体部４ａの上面から上方に突出するように、開口部３ｃの全部に対応する位置に設けられている。また、凸部５の平面視輪郭は開口部３ｃの平面視輪郭よりも僅かに小さく形成されているため、凸部５は開口部３ｃの全部に嵌め込むことが可能である。なお、凸部５は開口部３ｃの全部に嵌め込む必要はなく、例えば、図１において手前側真ん中の開口部５を除く開口部５に嵌め込んだ場合でも、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を下治具４に固定することが可能である。この場合、凸部５は図１において手前側真ん中の開口部５を除く開口部５に対応する位置に設けられる。
【００１７】
図１３に示すように、上治具１は、金属フレーム３の上側に配置され、本体部１ａおよび複数の爪部２を備えている。本体部１ａは、板状に形成され、中央部に開口１ｂが形成されている。図１と図２に示すように、複数の爪部２は、本体部１ａから開口１ｂ側に突出するように形成されるとともに、複数の爪部２の先端部は、インナーリード３ｂの上面に接触するように下方に曲げられている。図２に示すように、ボンディングツール７は、超音波接合によりワイヤボンディングを行うためのツールである。
【００１８】
次に、超音波接合に際して金属フレーム３の固定方法について説明する。最初に、金属フレーム３の開口部３ｃの全部に下治具４の凸部５が嵌め込まれた状態で、金属フレーム３が下治具４の上面に載置される。さらに、上治具１が金属フレーム３の上側に配置され、複数の爪部２の先端部とインナーリード３ｂの上面とが接触することで、金属フレーム３が固定される。
【００１９】
次に、金属フレーム３が下治具４と上治具１とで固定された状態で、アルミワイヤ６を使用してボンディングツール７にてインナーリード３ｂに搭載された半導体素子とインナーリード３ｂの必要な部分に対して超音波接合によりワイヤボンディングが行われる。次に、金属フレーム３が所定の大きさにカットされる。
【００２０】
以上のように、実施の形態１に係る半導体製造装置は、上面に金属フレーム３が載置され、かつ、フレーム枠体３ａとインナーリード３ｂとの間に形成される開口部３ｃに嵌め込まれる凸部５を有する下治具４と、金属フレーム３の上側に配置され、かつ、インナーリード３ｂの上面に接触させる複数の爪部２を有する上治具１と、上治具１と下治具４とで金属フレーム３を固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツール７とを備える。ここで、ボンディングツール７は超音波接合によりワイヤボンディングを行う。
【００２１】
したがって、金属フレーム３を下治具４に載置する際に金属フレーム３の開口部３ｃを下治具４の凸部５に嵌め込むことで、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を下治具４に固定することができる。さらに、上治具１の複数の爪部２をインナーリード３ｂの上面に接触させることで、金属フレーム３を上治具１と下治具４とで挟み込んで固定することができる。これにより、ボンディングツール７にて超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向８への共振を抑制することができるため、インナーリード３ｂの接合不良を抑制することができる。よって、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００２２】
図１に示すように、凸部５は、開口部３ｃの全部に嵌め込まれるため、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を下治具４に強固に固定することができる。これにより、ボンディングツール７にて超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向８への共振を一層抑制することができるため、インナーリード３ｂの接合不良を一層抑制することができる。
【００２３】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体製造装置について説明する。図３は、実施の形態２に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ線断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００２４】
図３と図４に示すように、下治具４は、本体部４ａおよび凸部９を備えている。凸部９は、本体部４ａの上面から上方に突出するように、フレーム枠体３ａの外周部に対応する位置に設けられている。すなわち、凸部９は、平面視にて枠状に形成されている。そのため、フレーム枠体３ａ、すなわち、金属フレーム３は、本体部４ａの上面における凸部９の内周側に嵌め込まれて、フレーム枠体３ａの外周側が凸部９により保持される。
【００２５】
以上のように、実施の形態２に係る半導体製造装置は、上面に金属フレーム３が載置され、かつ、フレーム枠体３ａの外周側を保持する凸部９を有する下治具４と、金属フレーム３の上側に配置され、かつ、インナーリード３ｂの上面に接触させる複数の爪部２を有する上治具１と、上治具１と下治具４とで金属フレーム３を固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツール７とを備える。ここで、ボンディングツール７は超音波接合によりワイヤボンディングを行う。
【００２６】
したがって、金属フレーム３を下治具４に載置する際に金属フレーム３のフレーム枠体３ａの外周側を下治具４の凸部９で保持させることで、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を下治具４に固定することができる。さらに、上治具１の複数の爪部２をインナーリード３ｂの上面に接触させることで、金属フレーム３を上治具１と下治具４とで挟み込んで固定することができる。これにより、超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向８への共振を抑制することができるため、インナーリード３ｂの接合不良を抑制することができる。よって、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００２７】
さらに、凸部９の形状が枠状になるため、実施の形態１の場合よりも下治具４の加工工数を削減することができる。これにより、半導体製造装置の製造費の低コスト化を図ることができる。
【００２８】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体製造装置について説明する。図５は、実施の形態３に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。図６は、図５のＣ−Ｃ線断面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００２９】
図５と図６に示すように、下治具４は、本体部４ａ、凸部５Ａおよび凸部９を備えている。凸部５Ａは、本体部４ａの上面から上方に突出するように、開口部３ｃの一部に対応する位置に設けられている。ここで、開口部３ｃの一部とは、例えば図５において手前側の開口部３ｃと奥側の開口部３ｃのうちの奥側の開口部３ｃであり、換言すると、インナーリード３ｂにおけるアルミワイヤ６が接続される接続部周辺の開口部３ｃである。また、凸部５Ａの平面視輪郭は奥側の開口部３ｃの平面視輪郭よりも僅かに小さく形成されているため、奥側の開口部３ｃの全部に嵌め込むことが可能である。
【００３０】
凸部９は、本体部４ａの上面から上方に突出するように、フレーム枠体３ａの外周部に対応する位置に設けられている。すなわち、凸部９は、平面視にて枠状に形成されている。そのため、フレーム枠体３ａ、すなわち、金属フレーム３は、本体部４ａの上面における凸部９の内周側に嵌め込まれて、フレーム枠体３ａの外周側が凸部９により保持される。ここで、凸部５Ａが第１凸部に相当し、凸部９が第２凸部に相当する。
【００３１】
以上のように、実施の形態３に係る半導体製造装置は、上面に金属フレーム３が載置され、かつ、フレーム枠体３ａとインナーリード３ｂとの間に形成される開口部３ｃの一部に嵌め込まれる凸部５Ａと、フレーム枠体３ａの外周側を保持する凸部９とを有する下治具４と、金属フレーム３の上側に配置され、かつ、インナーリード３ｂの上面に接触させる複数の爪部２を有する上治具１と、上治具１と下治具４とで金属フレーム３を固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツール７とを備える。ここで、ボンディングツール７は超音波接合によりワイヤボンディングを行う。
【００３２】
したがって、金属フレーム３を下治具４に載置する際に、金属フレーム３の開口部３ｃの一部を下治具４の凸部５Ａに嵌め込み、かつ、金属フレーム３のフレーム枠体３ａの外周側を下治具４の凸部９で保持させることで、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を下治具４に固定することができる。さらに、上治具１の複数の爪部２をインナーリード３ｂの上面に接触させることで、金属フレーム３を上治具１と下治具４とで挟み込んで固定することができる。これにより、超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向８への共振を抑制することができるため、インナーリード３ｂの接合不良を抑制することができる。よって、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３３】
特に、金属フレーム３の内部構造が複雑なものについては、インナーリード３ｂにおけるアルミワイヤ６が接続される接続部周辺の開口部３ｃ以外には凸部５Ａが嵌め込まれないため、端子の変形を抑制することができる。
【００３４】
＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体製造装置について説明する。図７は、実施の形態４に係る半導体製造装置の断面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１〜３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３５】
図７に示すように、下治具４は本体部４ａを備えているのみであり、実施の形態１〜３のように凸部を備えていない。上治具１は、本体部１ａ（図１３参照）および複数の爪部１０を備えている。複数の爪部１０は、複数の爪部２および複数の爪部２ａを備えている。複数の爪部２ａは、複数の爪部２の屈曲部の内面にそれぞれ固定され、下方に延びるように形成されている。複数の爪部１０は、インナーリード３ｂの上面および側面に接触する。より具体的には、複数の爪部２の先端部はインナーリード３ｂの上面に接触するとともに、複数の爪部２ａの外面はインナーリード３ｂの側面に接触し、複数の爪部２ａの先端部は本体部４ａの上面に接触する。
【００３６】
以上のように、実施の形態４に係る半導体製造装置は、上面に金属フレーム３が載置される下治具４と、金属フレーム３の上側に配置され、かつ、インナーリード３ｂの上面および側面に接触させる複数の爪部１０を有する上治具１と、上治具１と下治具４とで金属フレーム３を固定した状態で、ワイヤボンディングを行うボンディングツール７とを備える。ここで、ボンディングツール７は超音波接合によりワイヤボンディングを行う。
【００３７】
したがって、上治具１の複数の爪部１０をインナーリード３ｂの上面および側面に接触させることで、金属フレーム３が超音波発振方向８に動かないように金属フレーム３を上治具１と下治具４とで挟み込んで固定することができる。これにより、超音波接合する際の超音波発振時の超音波発振方向８への共振を抑制することができるため、インナーリード３ｂの接合不良を抑制することができる。よって、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３８】
＜実施の形態５＞
次に、実施の形態５に係る半導体製造装置について説明する。図８は、実施の形態５に係る半導体製造装置の断面図である。なお、実施の形態５において、実施の形態１〜４で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３９】
図８に示すように、実施の形態５では、凸部５Ａおよび凸部９の上端部にテーパー部１１およびテーパー部１１ａがそれぞれ形成されている。テーパー部１１およびテーパー部１１ａは、上端側へ行く程幅が狭くなるように形成されている。
【００４０】
以上のように、実施の形態５に係る半導体製造装置では、凸部５Ａおよび凸部９の上端部にテーパー部１１およびテーパー部１１ａがそれぞれ形成されるため、金属フレーム３を下治具４の上面に載置する際に、金属フレーム３の下端部が凸部５Ａおよび凸部９に接触しにくくなり、金属フレーム３の変形を抑制することができる。さらに、金属フレーム３の位置決め性を確保することができる。
【００４１】
なお、図２において凸部５の上端部にテーパー部が形成されていてもよいし、図４において凸部９の上端部にテーパー部が形成されていてもよい。この場合にも上記と同様の効果が得られる。
【００４２】
＜実施の形態６＞
次に、実施の形態６に係る半導体製造装置について説明する。図９は、実施の形態６に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。なお、実施の形態６において、実施の形態１〜５で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４３】
図９に示すように、実施の形態６では、凸部５における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置には、Ｃ面取り形状部１２が形成されている。
【００４４】
また、図１０に示すように、実施の形態６の変形例１では、凸部５における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置には、Ｒ面取り形状部１３が形成されている。図１０は、実施の形態６の変形例１に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。
【００４５】
また、図１１に示すように、実施の形態６の変形例２では、凸部９における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置には、Ｃ面取り形状部１２が形成されている。図１１は、実施の形態６の変形例２に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。
【００４６】
また、図１２に示すように、実施の形態６の変形例３では、凸部９における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置には、Ｒ面取り形状部１３が形成されている。図１２は、実施の形態６の変形例３に係る半導体製造装置において上治具１を取り外した状態の平面図である。
【００４７】
以上のように、実施の形態６およびその変形例１〜３では、凸部５、凸部５Ａおよび凸部９における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置には、Ｃ面取り形状部１２またはＲ面取り形状部１３が形成されるため、金属フレーム３を下治具４の上面に載置する際に、金属フレーム３の下端部が凸部５、凸部５Ａおよび凸部９に一層接触しにくくなり、金属フレーム３の変形を一層抑制することができる。さらに、金属フレーム３の位置決め性を確保することができる。
【００４８】
また、図５において凸部５Ａおよび凸部９における金属フレーム３のコーナー部に対応する位置に、Ｃ面取り形状部１２またはＲ面取り形状部１３が形成されていてもよい。この場合にも上記と同様の効果が得られる。
【００４９】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１  上治具、２  爪部、３  金属フレーム、３ａ  フレーム枠体、３ｂ  インナーリード、３ｃ  開口部、４  下治具、５  凸部、５Ａ  凸部、７  ボンディングツール、９  凸部、１０  爪部、１１  テーパー部、１１ａ  テーパー部、１２  Ｃ面取り形状部、１３  Ｒ面取り形状部。
【図１】
2017188491.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2017188491.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2017188491.tif 000009
【図８】
2017188491.tif 000010
【図９】
2017188491.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2017188491.tif 000013
【図１２】
2017188491.tif 000014
【図１３】
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