(57)【要約】【課題】  素子または基板への表面電極の接合強度が高い電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  基板１を準備する工程と、基板１の表面に表面電極２（ランド電極２ａ、配線電極２ｂ）を形成する工程と、を備え、表面電極２を形成している途中、または、表面電極２を形成した後に、表面電極２および基板１の少なくとも一方に、電磁波を照射し、表面電極２に含まれる金属の一部を基板１に拡散させる工程を、更に備えるようにした。【選択図】  図１
2017188612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子を準備する工程と、
前記素子の表面に表面電極を形成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
前記表面電極を形成している途中、または、前記表面電極を形成した後に、前記表面電極および前記素子の少なくとも一方に電磁波を照射し、前記表面電極に含まれる金属成分の一部を前記素子に拡散させる工程を更に備えた電子部品の製造方法。
【請求項２】
基板を準備する工程と、
前記基板の表面に表面電極を形成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
前記表面電極を形成している途中、または、前記表面電極を形成した後に、前記表面電極および前記基板の少なくとも一方に電磁波を照射し、前記表面電極に含まれる金属の一部を前記基板に拡散させる工程を更に備えた電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記表面電極に含まれる金属が、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる１種以上の金属である、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記素子、または、前記基板が、セラミック、ガラスセラミックおよびガラスのいずれか１つを主成分とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記電磁波の波長が、３３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記表面電極への前記電磁波の照射時間が、６００秒以上、３６００秒以下である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記表面電極に照射される電磁波が、レーザーによって励起されたものである、または、高圧水銀灯によって励起された後にバンドパスフィルタを透過したものである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記表面電極が、金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使って形成される、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項９】
素子の表面に表面電極が形成された電子部品であって、
前記表面電極に含まれる金属の一部が前記素子に拡散された電子部品。
【請求項１０】
基板の表面に表面電極が形成された電子部品であって、
前記表面電極に含まれる金属の一部が前記基板に拡散された電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法に関し、更に詳しくは、素子または基板への表面電極の接合強度が高い電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
また、本発明は電子部品に関し、更に詳しくは、素子または基板への表面電極の接合強度が高い電子部品に関する。
【背景技術】
【０００３】
素子の表面に表面電極（端子電極）が形成された電子部品や、基板の表面に配線電極、ランド電極等の表面電極が形成された電子部品（基板を使用した基板部品）が、電子機器等に広く使用されている。
【０００４】
近年、電子機器等においては、市場ニーズとして、小型化が求められる傾向にある。そして、この電子機器等への小型化への要求に伴い、電子機器等に使用される電子部品に対しても、小型化が求められている。
【０００５】
電子部品を小型化した場合、素子や基板に対する表面電極の接合強度の不足が問題になる場合があった。すなわち、電子部品を小型化するために、素子や基板を小型化した場合、必然的に表面電極の面積も小さくしなければならならず、素子や基板と表面電極との絶対的な接合面積の不足が問題になる場合があった。
【０００６】
たとえば、素子の表面に実装用の表面電極が形成されたチップ状の電子部品を、リフローはんだ等により基板に実装した実装構造において、従来の大きさの電子部品であれば問題のなかった程度の外力が加わることによって、小型化された電子部品においては、素子から表面電極が剥離してしまう場合があった。すなわち、素子と表面電極との絶対的な接合面積が不足することにより、素子から表面電極が剥離してしまう場合があった。
【０００７】
この問題を解決する方法として、表面電極を形成する前に、素子や基板の表面をエッチングして、表面粗さを大きくする方法があった。すなわち、素子や基板と表面電極との接合面積の不足を、素子や基板の表面の表面粗さを大きくし、素子や基板と表面電極との単位面積当たりの接合強度を高めることによって補い、表面電極が素子や基板から剥離してしまうのを防止する方法があった。
【０００８】
一方、分野の異なる光学部品等の技術領域において、カルコゲナイドガラスに対して金属をドーピングする技術が研究されている。
【０００９】
たとえば、非特許文献１（「東海大学大学院 平成２５年度博士論文  カルコゲナイドガラスのフォトドーピングに関する研究」）には、そのようなカルコゲナイドガラスに対する金属のドーピング技術が開示されている。
【００１０】
非特許文献１の方法では、たとえば、次の方法でドーピングをおこなう。まず、ガラス基板を準備する。次に、ガラス基板の表面に、真空蒸着等により、たとえば非晶質ＧｅＳ２膜（カルコゲナイドガラス膜）を形成する。次に、必要に応じて、非晶質ＧｅＳ２膜をアニールする。次に、非晶質ＧｅＳ２膜の表面に、真空蒸着等により、たとえばＡｇ膜を形成する。次に、光を照射して、Ａｇ膜のＡｇを非晶質ＧｅＳ２膜にドーピングする。
【００１１】
金属（Ａｇ）がドーピングされたカルコゲナイドガラス（非晶質ＧｅＳ２）は、光学的性質等が変化する。そして、その性質を利用して、光学部品等を作製することができる。たとえば、カルコゲナイドガラスに金属を線路状にドーピングすることにより、そのドーピングされた部分を光導波路として使用することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】「東海大学大学院 平成２５年度博士論文  カルコゲナイドガラスのフォトドーピングに関する研究」（東海大学大学院 総合理工学研究所 総合理工学専攻 村上佳久）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
素子や基板と表面電極との接合強度を高めるために、素子や基板の表面を予めエッチングしたうえで、素子や基板に表面電極を形成する上述した従来の方法には、次のような問題があった。
【００１４】
まず、素子や基板の表面にエッチングを施すことにより、電子部品の電気的特性が劣化してしまう虞があった。たとえば、電子部品がキャパシタである場合には、容量が低下してしまう虞があった。
【００１５】
また、素子や基板の表面にエッチングを施すことにより、電子部品の耐湿性が劣化してしまう虞があった。
【００１６】
更に、素子や基板の表面にエッチングを施すことにより、形成された表面電極の表面にピット（微細な窪み）が発生し、電子部品の表面電極に外観不良が発生する虞があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、素子を準備する工程と、素子の表面に表面電極を形成する工程と、を備え、表面電極を形成している途中、または、表面電極を形成した後に、表面電極および素子の少なくとも一方に電磁波を照射し、表面電極に含まれる金属成分の一部を素子に拡散させる工程を更に備えるようにした。
【００１８】
また、上述した従来の問題を解決するために、別の本発明の電子部品の製造方法（請求項２に記載された電子部品の製造方法）は、基板を準備する工程と、基板の表面に表面電極を形成する工程と、を備え、表面電極を形成している途中、または、表面電極を形成した後に、表面電極および基板の少なくとも一方に電磁波を照射し、表面電極に含まれる金属の一部を基板に拡散させる工程を更に備えるようにした。
【００１９】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、上述したカルコゲナイドガラスに対する金属のドーピング技術に着想を得たものであり、表面電極を形成している途中、または、表面電極を形成した後に、表面電極（および／または素子、基板）に電磁波を照射し、表面電極に含まれる金属成分の一部を素子または基板に拡散させることにより、素子または基板と表面電極との接合強度を高めるようにした。なお、接合強度は、表面電極の金属の一部が素子または基板に僅かに拡散するだけで高まるため、素子や基板の材質は、ドーピング効率の高いカルコゲナイドガラスには限定されず、セラミック、ガラスセラミック、非カルコゲナイドのガラス等、種々の材質を選択することができる。
【００２０】
表面電極に含まれる金属には、たとえば、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる１種以上の金属を選択することができる。
【００２１】
上述したとおり、素子または基板の主成分には、たとえば、セラミック、ガラスセラミックおよびガラスのいずれかを選定することができる。
【００２２】
電磁波の波長は、たとえば、３３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下とすることができる。この場合には、素子または基板と表面電極との接合強度を十分に高めることができる。
【００２３】
表面電極への電磁波の照射時間は、たとえば、１０分以上、６０分以下でとすることができる。この場合には、素子または基板と表面電極との接合強度を十分に高めることができる。また、表面電極の品質が劣化することもない。
【００２４】
表面電極に照射される電磁波は、たとえば、レーザーによって励起されたもの、または、高圧水銀灯によって励起された後にバンドパスフィルタを透過したものを使用することができる。
【００２５】
なお、表面電極は、金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使って形成しても良い。
【００２６】
また、上述した従来の問題を解決するために、本発明の電子部品は、表面電極に含まれる金属の一部が、素子または基板に拡散されたものとした。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の電子部品の製造方法によれば、素子または基板への表面電極の接合強度を高めることができる。
【００２８】
また、本発明の電子部品は、素子または基板への表面電極の接合強度が高い。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）は、第１実施形態にかかるセラミック多層基板１００を示す斜視図である。図１（Ｂ）は、セラミック多層基板１００の使用方法の一例を示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、実験１、実験２における基板と表面電極との接合強度の測定方法を示す説明図（斜視図）である。
【図３】第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す斜視図である。
【図４】実験３における素子と表面電極との接合強度の測定方法を示す説明図（斜視図）である。
【図５】第３実施形態にかかるセラミック基板３００を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００３１】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００３２】
［第１実施形態］
図１（Ａ）に、第１実施形態にかかる電子部品として、セラミック多層基板１００を示す。
【００３３】
セラミック多層基板１００は、基板１を備える。基板１は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）を主成分とする複数のセラミック層１ａが積層されたものからなる。
【００３４】
基板１の上側主面の表面には、ランド電極２ａ、配線電極２ｂからなる表面電極２が形成されている。ランド電極２ａとは、セラミック多層基板１００に、他の電子部品を実装するための電極である。配線電極２ｂとは、たとえば、ランド電極２ａどうしを接続する電極である。
【００３５】
また、基板１の下側主面の表面には、図示しないが、実装用電極２ｃからなる表面電極２が形成されている。実装用電極２ｃとは、セラミック多層基板１００を、他の基板等に実装するための電極である。
【００３６】
本実施形態においては、表面電極２は、Ｃｕを主成分とする金属からなり、更に表面に、第１層がＮｉめっき層、第２層がＳｎめっき層からなる２層のめっき層が形成されている。
【００３７】
基板１の内部には、図示しないが、内部電極として、セラミック層１ａの層間に、配線電極、キャパシタ電極、インダクタ電極が形成され、セラミック層１ａを貫通して、ビア電極が形成されている。本実施形態においては、内部電極は、Ｃｕを主成分とする金属からなる。そして、キャパシタ電極によりキャパシタが形成され、インダクタ電極によりインダクタが形成されている。なお、これらのキャパシタやインダクタは必須のものではなく、いずれか一方、あるいは両方を省略することもできる。
【００３８】
次に、セラミック多層基板１００の使用方法の一例について説明する。
【００３９】
セラミック多層基板１００は、たとえば、図１（Ｂ）に示すように、基板１の上側主面に形成されたランド電極２ａに、電子部品３ａ、３ｂ、３ｃが実装されて、電子部品モジュールを作製するのに使用される。作製された電子部品モジュールは、電子部品３ａ、３ｂ、３ｃや、基板１の内部に形成されたキャパシタやインダクタによって、所望の電子回路が構成されている。なお、基板１の内部に形成される素子は、キャパシタやインダクタには限定されず、抵抗やその他の素子であっても良い。また、基板１に実装される電子部品３ａ、３ｂ、３ｃの種類や個数も任意である。
【００４０】
次に、セラミック多層基板１００の製造方法の一例について説明する。
【００４１】
まず、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）を準備する。具体的には、たとえば、アルミナ・セラミックにガラス成分を混合したガラスセラミック粉末を準備する。
【００４２】
次に、低温同時焼成セラミック粉末にバインダ、溶剤等を混合し、セラミックラリーを作製する。
【００４３】
次に、セラミックラリーを使い、たとえばドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００４４】
次に、セラミックグリーンシートに、必要に応じて、たとえばレーザーを照射する等して、ビア電極用の穴を形成する。続いて、セラミックグリーンシートの主面に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、必要に応じて、所望のパターンからなる電極を形成する。このとき、同時に、ビア電極用の穴に導電性ペーストを充填する。なお、導電性ペーストの主成分は、Ｃｕに代えて、Ａｇ、Ｎｉ等、他の種類の金属であっても良い。あるいは、これらの金属を含む合金であっても良い。
【００４５】
次に、複数のセラミックグリーンシートを、所望の順番に積層し、加圧して一体化し、未焼成の積層体を作製する。
【００４６】
次に、未焼成の積層体を、所定のプロファイルで焼成して、基板１を作製する。基板１の上側主面の表面には、ランド電極２ａ、配線電極２ｂからなる表面電極２が形成されている。また、基板１の下側主面の表面には、実装用電極２ｃからなる表面電極２が形成されている。
【００４７】
次に、Ｃｕを主成分とする金属からなる表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきによりめっき層を形成する。まず、第１層としてＮｉめっき層を形成し、続いて、第２層としてＳｎめっき層を形成する。
【００４８】
次に、表面電極２に電磁波を照射し、表面電極２に含まれる金属（Ｃｕ）の一部を、基板１に拡散させる。電磁波の照射は、表面電極２と基板１との両方に対しておこなっても良く、あるいは、表面電極２の代わりに基板１に対しておこなっても良い。
【００４９】
本実施形態においては、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザーダイオードによって励起された、波長４０５．０ｎｍの電磁波を、表面電極２に対して照射する。
【００５０】
なお、電磁波の波長は任意であるが、３３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下であることが好ましい。すなわち、本実施形態にかかるセラミック多層基板１００の製造に先立ち、照射する電磁波の波長を決定するために、以下に説明する実験１を実施した。
【００５１】
（実験１）
第１実施形態のセラミックグリーンシートと同じセラミックグリーンシートを複数作製した。次に、複数のセラミックグリーンシートを積層し、加圧して、８個の未焼成の積層体を作製した。なお、各セラミックグリーンシートには、ビア電極用の穴は形成しなかった。また、最上層に積層されたセラミックグリーンシートの上側主面の全面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布したが、他のセラミックグリーンシートには導電性ペーストを塗布しなかった。次に、８個の未焼成の積層体を、第１実施形態と同じプロファイルで焼成し、表面に表面電極１２が形成された基板１１を作製した。次に、表面電極１２上に、更に表面電極１２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層を形成し、続いてＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成し、試料１〜８にかかる８個のセラミック多層基板を得た。完成したセラミック多層基板の基板１１の寸法は、縦が４０ｍｍ、横が４０ｍｍ、厚みが１０ｍｍであった。なお、表面電極１２の、Ｃｕを主成分とする金属部分の厚みは２０μｍ、めっき層の厚みは２層の合計で５．０μｍであった。
【００５２】
次に、試料２〜８にかかるセラミック多層基板の表面電極１２に対し、それぞれ、波長の異なる電磁波を９００秒照射した。なお、試料１にかかるセラミック多層基板の表面電極１２に対しては、電磁波を照射しなかった。表１に、各試料にかかるセラミック多層基板に照射した電磁波の波長と、その電磁波の励起方法（励起手段）を示す。
【００５３】
【表１】
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【００５４】
次に、電磁波を照射した後の、各試料にかかるセラミック多層基板の、表面電極１２の外観と、基板１１と表面電極１２との接合強度とを評価した。
【００５５】
表面電極１２の外観の評価は、１０００倍の顕微鏡で表面電極を観察し、僅かでもピット（微小な窪み）が発生しているものを×（不可）とし、ピットが全く発生していないものを○（良）とした。各試料の評価結果を表１に示す。
【００５６】
接合強度の評価は、次のように実施した。まず、図２（Ａ）に示すように、各試料にかかるセラミック多層基板の表面電極１２に、基板に至る切り込み１３をマトリックス状に形成し、表面電極１２に、２５個の２ｍｍ×２ｍｍの正方形の区画１４を形成した。次に、図２（Ｂ）に示すように、２５個の区画１４を含む表面電極１２上に、粘着テープ（ニチバン社製「セロテープＣＴ２４」（セロテープは登録商標））１３を貼着し、気泡ができないよう配慮して、指先で１０秒間押圧した。次に、図２（Ｃ）に示すように、粘着テープ１５を表面電極１２に対して垂直となるように強く引っ張り、粘着テープ１５を表面電極１２から剥離させた。そして、剥離後の表面電極１２を目視によって観察し、１個の区画１４でも表面電極１２が基板１１から剥離したものを×（不可）とし、表面電極１２が基板１１から全く剥離しなかったものを○（良）とした。各試料の評価結果を表１に示す。
【００５７】
表１に示すように、表面電極１２の外観は、電磁波を照射しなかった試料１はもちろん、電磁波を照射した全試料２〜８においても良好であった。すなわち、電磁波の波長に関わらず、電磁波を照射したことにより表面電極に含まれる金属が基板に拡散しても、表面電極の外観が劣化することはなかった。
【００５８】
一方、接合強度については、電磁波の波長によって優劣が発生した。まず、電磁波を照射しなかった試料１においては、良好な密着性は得られなかった。また、波長１９３．０ｎｍの電磁波を照射した試料２と、６３２．８ｎｍの電磁波を照射した試料８も、良好な密着性が得られなかった。これに対し、波長３３７．１ｎｍ〜５４６．１ｎｍの電磁波を照射した試料３〜７においては、良好な密着性が得られた。
【００５９】
以上の、表面電極１２の外観と、基板１１と表面電極１２との接合強度の評価結果から、照射する電磁波の波長は、３３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下程度が好ましいことが分かった。そこで、本実施形態においては、照射する電磁波の波長を、上記の好ましい範囲に含まれる４０５．０ｎｍに設定した。
【００６０】
また、電磁波を照射する時間は任意であるが、６００秒以上、３６００秒以下であることが好ましい。すなわち、本実施形態にかかるセラミック多層基板１００の製造に先立ち、電磁波を照射する時間を決定するために、以下に説明する実験２を実施した。
【００６１】
（実験２）
実験１と同じ方法により、試料１１〜１６にかかる６個のセラミック多層基板を作製した。
【００６２】
次に、試料１２〜１６にかかるセラミック多層基板の表面電極１２に対し、それぞれ、照射時間を３００〜７２００秒の間で変化させて、波長４０５．０ｎｍの電磁波を照射した。なお、試料１１にかかるセラミック多層基板に対しては、電磁波を照射しなかった。表２に、各試料にかかるセラミック多層基板に電磁波を照射した時間を示す。なお、波長４０５．０ｎｍの電磁波は、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザーダイオードによって励起させた。
【００６３】
【表２】
2017188612.tif 000004
【００６４】
次に、電磁波を照射した後の、各試料にかかるセラミック多層基板の、表面電極１２の外観と、基板１１と表面電極１２との接合強度とを評価した。評価は、実験１と同じ方法によった。評価結果を表２に示す。
【００６５】
表２に示すように、表面電極１２の外観は、電磁波を照射しなかった試料１１、および、３００〜３６００秒間、電磁波を照射した試料１２〜１５においても良好であった。しかしながら、７２００秒間、電磁波を照射した試料１６は×（不可）であった。これは、長時間、電磁波を照射したことにより、表面電極１２中のＣｕの基板１１への拡散が進み過ぎ、表面電極１２の外観が劣化してしまったものと考えられる。
【００６６】
また、接合強度についても、電磁波の照射時間によって優劣が発生した。まず、電磁波を照射しなかった試料１においては、良好な密着性は得られなかった。また、３００秒間、電磁波を照射した試料１２も、良好な密着性が得られなかった。これに対し、６００〜７２００秒間、電磁波を照射した試料１３〜１６７においては、良好な接合強度が得られた。
【００６７】
以上の、表面電極１２の外観と、基板１１と表面電極１２との接合強度の評価結果から、電磁波を照射する時間は、６００秒以上、３６００秒以下程度が好ましいことが分かった。そこで、本実施形態においては、電磁波を照射する時間を、上記好ましい範囲に含まれる９００秒に設定した。
【００６８】
波長４０５．０ｎｍの電磁波を、９００秒間、表面電極２に対して照射した第１実施形態にかかるセラミック多層基板１００は、表面電極２に含まれる金属成分（Ｃｕ）が基板１に拡散しており、表面電極２が基板１に対して高い接合強度で接合されている。
【００６９】
［第１実施形態の変形例１］
上記第１実施形態においては、Ｃｕを主成分とする表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成してから、表面電極２に電磁波の照射をおこなった。
【００７０】
変形例１では、これに代えて、Ｃｕを主成分とする表面電極２に電磁波を照射してから、Ｃｕを主成分とする表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきによりめっき、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成した。
【００７１】
変形例１においては、めっき層（Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）が、電磁波を照射することにより影響を受けることを回避することができる。
【００７２】
［第１実施形態の変形例２］
上記第１実施形態においては、基板１（セラミック層１ａ）の材料に、たとえば、アルミナ・セラミックにガラス成分を混合した、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）を使用した。
【００７３】
変形例２では、これに代えて、基板１（セラミック層１ａ）の材料に、アルミナを主成分とするセラミックを使用した。
【００７４】
アルミナを主成分とするセラミックを使用した場合には、低温同時焼成セラミックを使用した場合に比べて高温で焼成する必要があるため、基板１の内部の内部電極に、融点が比較的に低いＣｕを使用することができない。そこで、変形例２においては、基板１の内部の内部電極に、Ｍｏ、Ｗなど、融点が比較的に高いものを使用した。
【００７５】
なお、変形例２においても、基板１の表面の表面電極２には、Ｃｕを主成分として使用した。そのため、変形例２においては、焼成により基板１を作製した後に、基板１の表面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを所望の形状に印刷し、焼付けて、表面電極２を形成した。そして、その後、Ｃｕを主成分とする表面電極２の上に、更に、表面電極２の一部として、電解めっきによりめっき、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成し、続いて、表面電極２に電磁波を照射した。
【００７６】
［第２実施形態］
図３に、第２実施形態にかかる電子部品として、積層セラミックコンデンサ２００を示す。
【００７７】
積層セラミックコンデンサ２００は、直方体からなる素子２１を備える。素子２１は、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックからなる、複数の誘電体セラミック層２１ａが積層されたものからなる。
【００７８】
素子２１の一方の端部の表面に、表面電極（端子電極）２２ａが形成されている。また、素子２１の他方の端部の表面に、表面電極（端子電極）２２ｂが形成されている。
【００７９】
本実施形態においては、表面電極２２ａ、２２ｂは、Ｃｕを主成分とする金属からなり、更に表面に、第１層がＮｉめっき層、第２層がＳｎめっき層からなる２層のめっき層が形成されている。
【００８０】
素子２１の内部においては、誘電体セラミック層２１ａの層間に、図示しないが、たとえばＮｉを主成分とする、複数の内部電極が形成されている。内部電極は、たとえば、交互に、表面電極２２ａと、表面電極２２ｂとに引き出されている。
【００８１】
次に、積層セラミックコンデンサ２００の製造方法の一例について説明する。
【００８２】
まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を準備する。
【００８３】
次に、セラミック粉末にバインダ、溶剤等を混合し、セラミックラリーを作製する。
【００８４】
次に、セラミックラリーを使い、たとえばドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００８５】
次に、セラミックグリーンシートの主面に、Ａｇを主成分とする導電性ペーストを塗布する。
【００８６】
次に、複数のセラミックグリーンシートを、所望の順番に積層し、加圧して一体化し、未焼成の積層体を作製する。
【００８７】
次に、未焼成の積層体を、所定のプロファイルで焼成して、素子２１を作製する。なお、作製された素子の両端には、それぞれ、内部電極（図示せず）が引き出されている。
【００８８】
次に、素子２１の両端に、それぞれ、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布する。続いて、導電性ペーストを所定の温度で焼付けて、素子２１の両端に、表面電極２２ａ、２２ｂを形成する。
【００８９】
次に、Ｃｕを主成分とする金属からなる表面電極２２ａ、２２ｂの上に、更に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきによりめっき層を形成する。まず、第１層としてＮｉめっき層を形成し、続いて、第２層としてＳｎめっき層を形成する。
【００９０】
次に、表面電極２２ａ、２２ｂに電磁波を照射し、表面電極２２ａ、２２ｂに含まれる金属（Ｃｕ）の一部を、素子２１に拡散させる。電磁波の照射は、表面電極２２ａ、２２ｂと基板２１との両方に対しておこなっても良く、あるいは、表面電極２２ａ、２２ｂの代わりに基板２１に対しておこなっても良い。
【００９１】
本実施形態においては、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザーダイオードによって励起された、波長４０５．０ｎｍの電磁波を、表面電極２２ａ、２２ｂに対して６００秒間、照射する。
【００９２】
以上により、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００が完成する。
【００９３】
積層セラミックコンデンサ２００の素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合強度を確認するために、次の実験３を実施した。
【００９４】
（実験３）
比較のために、比較例にかかる積層セラミックコンデンサを準備した。比較例にかかる積層セラミックコンデンサは、上述した第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の製造工程から、電磁波を照射する工程のみを省略して作製されたものである。
【００９５】
まず、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を、図４に示すように、テスト基板５１に形成されたランド電極５２にリフローはんだによって実装した。
【００９６】
次に、テスト基板５１に実装された積層セラミックコンデンサ２００に、横方向から１０Ｎの力を５秒間かけた。
【００９７】
同様に、比較例にかかる積層セラミックコンデンサを、テスト基板５１に形成されたランド電極５２にリフローはんだによって実装した。続いて、テスト基板５１に実装された比較例にかかる積層セラミックコンデンサに、横方向から１０Ｎの力を５秒間かけた。
【００９８】
横方向からの力をかけた後の、積層セラミックコンデンサ２００の素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合部分を観察した。素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合部分に、剥離は見られなかった。
【００９９】
これに対し、横方向からの力をかけた後の、比較例にかかる積層セラミックコンデンサにおいては、素子と表面電極との接合部分に剥離が見られた。
【０１００】
第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、表面電極２２ａ、２２ｂに電磁波を照射したことによって、表面電極２２ａ、２２ｂに含まれる金属（Ｃｕ）の一部が素子２１に拡散し、素子２１と表面電極２２ａ、２２ｂとの接合強度が向上したものと考えられる。
【０１０１】
［第２実施形態の変形例］
上記第２実施形態においては、Ｃｕを主成分とする表面電極２２ａ、２２ｂの上に、更に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきにより、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成してから、表面電極２２ａ、２２ｂに電磁波の照射をおこなった。
【０１０２】
変形例では、これに代えて、Ｃｕを主成分とする表面電極２２ａ、２２ｂに電磁波を照射してから、Ｃｕを主成分とする表面電極２２ａ、２２ｂの上に、更に、表面電極２２ａ、２２ｂの一部として、電解めっきによりめっき、Ｎｉめっき層と、Ｓｎめっき層を形成した。
【０１０３】
変形例においては、めっき層（Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）が、電磁波を照射することにより影響を受けることを回避することができる。
【０１０４】
［第３実施形態］
図５に、第３実施形態にかかる電子部品として、セラミック基板３００を示す。
【０１０５】
セラミック基板３００は、矩形、板状の基板３１の表面に、ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂからなる表面電極３２が形成されたものからなる。
【０１０６】
本実施形態においては、基板３１の材質に、アルミナを主成分とするセラミックを使用した。また、表面電極３２の主成分にＡｇを使用した。
【０１０７】
次に、セラミック基板３００の製造方法の一例について説明する。
【０１０８】
まず、アルミナを主成分とするセラミックからなる基板３１を準備する。アルミナを主成分とするセラミックからなる基板３１は、たとえば、広く市場において流通しているものを使用することができる。
【０１０９】
次に、基板３１の表面に、表面電極３２を形成する。本実施形態においては、図５（Ｂ）に示す、Ａｇナノ微粒子３３ａが、ポリビニルピロリドンからなる保護分子層３３ｂによって被覆されたナノインク３３を用意し、インクジェットノズル（図示せず）によってナノインク３３を基板３１の表面に噴射して塗布し、所望のパターン形状からなる表面電極３２（ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂ）を形成する。
【０１１０】
次に、表面電極３２（ランド電極３２ａ、配線電極３２ｂ）が形成された基板３１を、所定の温度で加熱し、ナノインク３３を基板３１に定着させる。より具体的には、基板３１を加熱することにより、ナノインク３３の保護分子層３３ｂが分解し、Ａｇナノ微粒子３３ａが基板３１の表面に定着する。
【０１１１】
次に、表面電極３２に電磁波を照射し、表面電極３２に含まれる金属（Ａｇ）の一部を、基板３１に拡散させる。本実施形態においては、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザーダイオードによって励起された、波長４０５．０ｎｍの電磁波を、表面電極３２に対して６００秒間、照射する。
【０１１２】
以上により、第３実施形態にかかるセラミック基板３００が完成する。
【０１１３】
金属からなるナノ微粒子が保護分子層によって被覆されたナノインクを使った表面電極の形成方法は、インクジェットノズル等によって、微細なパターン形状や、複雑なパターン形状を形成することができるという長所を備えている。しかしながら、この方法には、基板と表面電極との接合強度が低いという課題があった。本実施形態のように、表面電極３２に電磁波を照射し、表面電極３２に含まれる金属（Ａｇ）の一部を基板３１に拡散させれば、基板３１と表面電極３２との接合強度を、十分に実用に耐える程度にまで向上させることができる。
【０１１４】
以上、第１実施形態にかかるセラミック多層基板１００、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００、第３実施形態にかかるセラミック基板３００について、それぞれ説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。
【０１１５】
たとえば、本発明の電子部品の種類は、セラミック多層基板、積層セラミックコンデンサ、セラミック基板には限定されず、他の種々の電子部品を構成することができる。
【０１１６】
また、表面電極に含まれる金属成分は、ＣｕやＡｇには限定されず、Ｎｉ等、他の種類の金属であっても良い。
【０１１７】
また、素子や基板の材質も、セラミックやガラスセラミックには限定されず、ガラス等、他の種類のものであっても良い。
【０１１８】
更に、表面電極に照射する電磁波の波長や、照射時間等は任意であり、上述した内容には限定されない。
【符号の説明】
【０１１９】
１・・・基板
１ａ・・・セラミック層
２・・・表面電極
２ａ・・・ランド電極
２ｂ・・・配線電極
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・基板１に実装された電子部品
２１・・・素子
２２ａ、２２ｂ・・・表面電極
３１・・・基板
３２ａ・・・ランド電極
３２ｂ・・・配線電極
３３・・・ナノインク
３３ａ・・・Ａｇナノ微粒子
３３ｂ・・・保護分子層
１００・・・セラミック多層基板（電子部品）
２００・・・積層セラミックコンデンサ（電子部品）
３００・・・セラミック基板（電子部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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