(57)【要約】【課題】測定対象者の頭皮と脳波測定電極との間の接触抵抗を簡便に検出する。【解決手段】同じ処理区間Ｔ１の間に、複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６に対して異なる周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]が割り当てられた定電流ｉａ１１〜ｉａ１６をそれぞれ供給することにより当該脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６と頭皮２Ｘとの間の接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６にそれぞれ生ずる電圧降下検出信号Ｖａを取り込むと共に、当該割り当てられた周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]に基づいて各脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６の電圧降下検出信号成分を抽出することにより、当該同じ処理区間Ｔ１の間に一挙に複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６ごとの接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６を検出することができ、これにより単時間の間に簡便に複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６の接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６を検出することができる。【選択図】図８
2017000614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象者の頭皮に装着した複数の脳波測定電極と上記頭皮との間の接触抵抗を検出する接触抵抗検出装置であって、
上記複数の脳波測定電極にそれぞれ割り当てられた互いに異なる周波数の定電流を同じ処理区間の間に供給する定電流出力回路と、
上記定電流によって上記接触抵抗にそれぞれ生ずる電圧降下を電圧降下検出信号として取り込む電圧降下取込回路と、
上記電圧降下検出信号から上記それぞれ割り当てられた周波数に基づいて上記各脳波測定電極の電圧降下検出信号成分を抽出する接触抵抗演算出力部と
を具え、上記複数の脳波測定電極の上記電圧降下検出信号を周波数多重化された上記定電流に基づいて上記接触抵抗演算出力部において取り込み処理する
ことを特徴とする接触抵抗検出装置。
【請求項２】
上記複数の脳波測定電極の上記接触抵抗は、上記測定対象者の脳本体が仮想同電位体であることを利用して共通の接地点電極に接続され、当該共通の接地点電極を通じて上記周波数多重化された電圧降下検出信号を流すことにより上記各脳波測定電極の接触抵抗の両端に生ずる電圧降下を同じ処理区間の間に取り込むことができる
ことを特徴とする請求項１に記載の接触抵抗検出装置。
【請求項３】
上記複数の脳波測定電極を複数の群に分割し、当該分割された群に含まれる上記脳波測定電極に対する上記周波数多重化された上記定電流の供給動作及び上記電圧降下検出信号の取出し動作を、順次続く複数の分割処理区間において実行することにより、上記接触抵抗の検出処理を時分割多重化して行う
ことを特徴とする請求項１に記載の接触抵抗検出装置。
【請求項４】
上記複数の脳波測定電極を第１及び第２群に分割し、同じ接触抵抗検出動作期間において、上記第１群に含まれる上記脳波測定電極に対してＳｉｎ波によって構成された上記周波数多重化された上記定電流を用いて定電流供給動作及び電圧降下検出信号取出し動作を行うと共に、上記第２群に含まれる上記脳波測定電極に対してＣｏｓ波によって構成された上記周波数多重化された上記定電流を用いて定電流供給動作及び電圧降下検出信号取出し動作を行い、
同じ分割処理区間において、位相を異にする上記定電流を用いて上記接触抵抗の検出処理を位相多重化して実行する
ことを特徴とする請求項１に記載の接触抵抗検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は接触抵抗検出装置に関し、特に脳波測定装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、脳波測定装置として、測定対象者の脳波を測定すべき脳細胞部分に対応する複数（例えば２１箇所）の頭皮部位に脳波測定用電極を当接させ、当該脳波測定用電極から脳波信号を外部に導出する構成のものが用いられている。
【０００３】
当該脳波測定用電極と頭皮との間の接触抵抗は、この接触抵抗を通じて微小な脳波を導出する必要があるため、脳波の測定精度に大きい影響を与えるから、これを検出する手法が従来から種々提案されている（特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実公平７−３３７４号公報
【特許文献２】特開平１０−６２４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、この種の従来の接触抵抗検出手法は、脳波測定用電極の頭皮の各部位に対する接触抵抗の検出を、原則として電極１本ずつ検出して規定値の範囲に入っていることを確認していくため、実際の脳波測定実施時には、脳波測定装置を測定対象者に装着する準備段階に多大な手間と時間を必要とすることが少なくなく、この接触抵抗の検出を簡便に行うことができれば、脳波測定装置の運用を一段と効率良く改善できると考えられる。
【０００６】
因みに、多数の頭皮部位から脳波検出信号を導出するため、脳波測定電極を配設した帽子状の治具を測定対象者に被らせる方法も一般的に用いられているが、当該治具に設けられた脳波測定用電極を１本ずつ所定の頭皮部位に正しく接触させるまでに行う調整作業が煩雑であるから、各脳波測定用電極の接触抵抗の確認をできるだけ簡便でかつ短時間の操作によって行うことができるようにすることが望ましい。
【０００７】
本発明は以上の点も考慮してなされたもので、複数の脳波測定用電極群ごとに一挙に接触抵抗の検出をすることができる接触抵抗検出装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる課題を解決するため本発明においては、測定対象者２の頭皮２Ｘに装着した複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６と頭皮２Ｘとの間の接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６を検出する接触抵抗検出装置であって、複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６にそれぞれ割り当てられた互いに異なる周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の定電流ｉａ１１〜ｉａ１６を同じ処理区間Ｔ１の間に供給する定電流出力回路３３Ａと、定電流ｉａ１１〜ｉａ１６によって接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６にそれぞれ生ずる電圧降下を電圧降下検出信号Ｖａ１１〜Ｖａ１６として取り込む電圧降下取込回路３３Ａと、電圧降下検出信号Ｖａ１１〜Ｖａ１６からそれぞれ割り当てられた周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]に基づいて各脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６の電圧降下検出信号成分を抽出する接触抵抗演算出力部３４とを具え、複数の脳波測定電極ＣＨ１〜ＣＨ６の電圧降下検出信号Ｖａ１１〜Ｖａ１６を周波数多重化された定電流ｉａ１１〜ｉａ１６に基づいて接触抵抗演算出力部３４において取り込み処理するようにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、同じ処理区間の間に、複数の脳波測定電極に対して異なる周波数が割り当てられた定電流をそれぞれ供給することにより当該脳波測定電極と頭皮との間の接触抵抗にそれぞれ生ずる電圧降下検出信号を取り込むと共に、当該割り当てられた周波数に基づいて各脳波測定電極の電圧降下検出信号成分を抽出することにより、当該同じ処理区間の間に一挙に複数の脳波測定電極ごとの接触抵抗を検出することができ、これにより単時間の間に簡便に複数の脳波測定電極の接触抵抗を検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明による接触抵抗検出装置の全体構成を示す略線的ブロック図である。
【図２】接触抵抗検出装置の詳細構成を示す略線図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は脳波測定用電極の配置構成を示す略線的平面図及び図表である。
【図４】測定点電極の接触抵抗検出回路の等化原理回路構成を示す接続図である。
【図５】基準点電極の接触抵抗検出回路の等化原理構成を示す接続図である。
【図６】接地点電極の接触抵抗検出回路の等化原理構成を示す接続図である。
【図７】接触抵抗検出装置の構成を示すブロック図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は第１の接触抵抗検出回路を示す接続図及び図表である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は第２の接触抵抗検出回路を示す接続図及び図表である。
【図１０】（Ａ）及び（Ｂ）は第３の接触抵抗検出回路を示す接続図及び図表である。
【図１１】（Ａ）及び（Ｂ）は第４の接触抵抗検出回路を示す接続図及び図表である。
【図１２】周波数多重化時分割処理動作の説明に供する信号波形図である。
【図１３】接触抵抗検出装置本体の構成を示すブロック図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｅ）は検出信号処理波形を示す信号波形図である。
【図１５】対比例の信号処理動作の説明に供する信号波形図である。
【図１６】位相多重化処理動作の説明に供する信号波形図である。
【図１７】接触抵抗検出装置本体の他の実施の形態を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１２】
（１）全体構成
図１において、１は全体として脳波測定装置を示し、測定対象者２に装着した複数の脳波検出用電極３（３Ａ０〜３ＡＮ、３Ｂ、３Ｃ）に接続された脳波検出用の電極コード４を流れる脳波を測定装置本体５に取り込んで脳本体６の生体活動を判定するようになされている。
【００１３】
測定装置本体５は脳波の測定を行う脳波測定モードに先立って、図２に示すように、電極コード４を測定装置本体５内に設けられた接触抵抗検出装置本体１１に接続することにより、脳波検出用電極３と測定対象者２の頭皮との間の接触抵抗を各脳波検出用電極３について検出することにより、測定対象者２の頭皮上に装着された脳波検出用電極３の頭皮に対する接触抵抗が規定抵抗値（例えば１０［ｋΩ］で、ＪＩＳにおいて規定されている）以内であることを確認するようになされている。
【００１４】
脳波は、脳本体６の生体活動に応じて変動する微小な値をもつものであるので、接触抵抗の変化に大きな影響を受けるからである。
【００１５】
測定対象者２の頭皮上に装着される脳波検出用電極３は、脳本体６の所定の細胞の部位から脳波を導出するための複数の測定点電極３Ａ０、３Ａ１……３ＡＮと、脳本体６から接地電位を抽出する接地点電極３Ｃと、測定対象者２の耳介２Ａ（例えば左耳の）から基準点電位を抽出する基準点電極３Ｂとを設ける。
【００１６】
測定点電極３Ａ０、３Ａ１……３ＡＮ、接地点電極３Ｃ及び基準点電極３Ｂは、端子１２を介して、図２に示すような接触抵抗を検出するための電気的な等化回路を形成する。
【００１７】
この接触抵抗検出用等化回路は、脳本体６を仮想同電位体１５で構成されているものと考え、当該仮想同電位体１５を共通接続線１５Ｘとして、測定点電極３Ａ０〜３ＡＮ、接地点電極３Ｃ及び基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎ、Ｒｃ及びＲｂを接続し、これにより、接触抵抗検出装置本体１１から端子１２を介して各接触抵抗Ｒａ０、Ｒａ１……Ｒａｎ、Ｒｃ及びＲｂに接触抵抗検出用の定電流を供給したとき、当該定電流が共通接続線１５Ｘを通って接地電位をもつ接地抵抗Ｒｃの端子１２から接触抵抗検出装置本体１１に循環させるようになされている。
【００１８】
（２）脳波検出用電極の配置
脳波を測定するために用いられる測定点電極３Ａ０、３Ａ１……３ＡＮは、図３（Ａ）に示すように、測定対象者２の頭皮２Ｘ上に装着される。
【００１９】
頭皮２Ｘについて、測定対象者２の鼻根（鼻の付け根の窪んだところ）２Ｙ１から後頭結節（後ろ正中で、頭蓋骨の最下部やや突出したところ）２Ｙ２を通る頭頂中心線Ｌ１上において、左耳Ａ１及び右耳Ａ２の耳介前点間を通る耳介前点間中心線Ｌ２の交点位置に頭頂点電極Ｃｚが位置決めされる。
【００２０】
頭頂中心線Ｌ１上の鼻根２Ｙ１近傍に前頭基準点電極Ｆｐｚが位置決めされるのに対して後頭結節２Ｙ２近傍に後頭基準点電極Ｏｚが位置決めされ、頭頂中心線Ｌ１上の前頭基準点Ｆｐｚ及び頭頂点Ｃｚの中間位置には前頭中間位置電極Ｆｚが設けられると共に、頭頂点電極Ｃｚ及び後頭基準点電極Ｏｚとの中間位置に後頭中心電極Ｐｚが設けられる。
【００２１】
前頭基準点Ｆｐｚの左右位置には前頭左右電極Ｆｐ１及びＦｐ２が配置されると共に、後頭基準点電極Ｏｚの左右位置に後頭左右電極Ｏ１及びＯ２が配置される。
【００２２】
耳介前点間中心線Ｌ２上の頭頂点電極Ｃｚを挟む左並びに右測位置には、中央電極Ｃ３及びＴ３並びにＣ４及びＴ４が配設される。
【００２３】
同様にして前頭中心電極Ｆｚの左並びに右側位置には、前頭左側電極Ｆ３及びＦ７並びに右側電極Ｆ４及びＦ８が配設される。
【００２４】
また後頭部中心電極Ｐｚの左並びに右側位置には、左側電極Ｐ３及びＴ５並びに右側電極Ｐ４及びＴ６が配設される。
【００２５】
かくして、前頭基準点電極Ｆｐｚと後頭基準点電極Ｏｚを通る頭頂中心線Ｌ１を挟む左右位置に、合計２１個の電極が配設され、これらの電極が図３（Ｂ）に示すように第１チャンネルＣＨ１（Ｆｐ１）〜第２１チャンネルＣＨ２１（Ｏｚ）分の脳波を測定できるように頭皮電極が配置される。
【００２６】
（３）接触抵抗の検出原理
このようにして配置された２１チャンネル分の脳波測定電極の頭皮２Ｘに対する接触抵抗は、図２について上述したように、測定点電極３Ａ０、３Ａ１……３ＡＮ（Ｆｐ１チャンネル〜Ｏｚチャンネル）の接触抵抗Ｒａ０、Ｒａ１……Ｒａｎ、基準点電極３Ｂ（ＲＥＦチャンネル）の接触抵抗Ｒｂ及び接地点電極３Ｃ（ＧＮＤチャンネル）の接触抵抗Ｒｃが脳本体６の仮想同電位体１５によって形成されている共通接続線１５Ｘに共通に接続されていることを利用して、接触抵抗検出装置本体１１が図４、図５及び図６に示す等化回路を動作原理とする抵抗値検出モードにおいて、それぞれ検出される。
【００２７】
この実施の形態の場合、基準点電極３Ｂは左耳２ＡにＲＥＦチャンネルとして配置されていると共に、接地点電極３Ｃは頭頂中心線Ｌ１上の頭頂点電極Ｃｚ及びＦｚ間に配置されている。
【００２８】
図４の場合、接触抵抗検出装置本体１１は測定点電極３Ａ０、３Ａ１……３ＡＮに対してそれぞれ定電流源２１Ａから電流ループＬＰ０〜ＬＰＮを介して接触抵抗Ｒａ０、Ｒａ１……Ｒａｎに定電流ｉ１を流す。
【００２９】
ここで、測定点電極３Ａ０〜３ＡＮの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎは、図２において上述したように、共通接続線１５Ｘを通じて、基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒｂ及び接地点電極３Ｃの接触抵抗Ｒｃに接続されているので、電流ループＬＰ０〜ＬＰＮは接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎ−共通接続線１５Ｘ−接触抵抗Ｒｃ−接地−定電流源２１Ａの電流路を形成し、これにより接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎの両端に、次式
【００３０】
【数１】
2017000614.tif 000003
【００３１】
に従って電圧降下Ｖａを生成する。
【００３２】
この電圧降下Ｖａは、共通接続線１５Ｘを通じ、さらに基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒｂを通じて、接触抵抗検出装置本体１１への脳波検出用の電極コード４を構成する信号ラインＬ１２と、同様に測定点電極３Ａ０〜３ＡＮの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎの接触抵抗検出装置本体１１への脳波検出用の電極コード４を構成する信号ラインＬ１１の両端に導出される。
【００３３】
この結果接触抵抗検出装置本体１１は、次式
【００３４】
【数２】
2017000614.tif 000004
【００３５】
に従って測定点電極３Ａ０〜３ＡＮの接触抵抗値Ｒａ０〜Ｒａｎを求めることができる。
【００３６】
次に接触抵抗検出装置本体１１は、基準点電極３Ｂの両端の電圧降下Ｖｂを検出する動作モードにおいては、図５に示すように、定電流源２１Ｂから基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒｂ−共通接続線１５Ｘ−接地点電極３Ｃの接触抵抗値Ｒｃ−接地−定電流源２１Ｂの電流ループＬＰｂを通じて定電流ｉ２を流す動作モードになる。
【００３７】
このとき基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒｂの両端には
【００３８】
【数３】
2017000614.tif 000005
【００３９】
によって表される電圧降下Ｖｂが生成され、これが接触抵抗検出装置本体１１への脳波検出用の電極コード４を構成する信号ラインＬ２１及びＬ２２間に導出される。
【００４０】
この結果接触抵抗検出装置本体１１は次式
【００４１】
【数４】
2017000614.tif 000006
【００４２】
によって表される基準点接触抵抗Ｒｂを検出することができる。
【００４３】
次に接触抵抗検出装置本体１１は図６に示す接地点電極３Ｃの接触抵抗検出モードにおいて、定電流源２１Ｃから定電流ｉ３を測定点電極３Ａ０〜３ＡＮの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎ−共通接続線１５Ｘ−接地点電極３Ｃの接触抵抗Ｒｃ−接地−定電流源２１Ｃの電流ループＬＰｃを通じて流す動作モードになる。
【００４４】
このとき接地点電極３Ｃの接触抵抗Ｒｃの両端には次式
【００４５】
【数５】
2017000614.tif 000007
【００４６】
によって表される電圧降下Ｖｃが生成され、これが接触抵抗検出装置本体１１の脳波検出用の電極コード４を構成する信号ラインＬ３１及びＬ３２間に導出される。
【００４７】
この結果接触抵抗検出装置本体１１は次式
【００４８】
【数６】
2017000614.tif 000008
【００４９】
によって接地点接触抵抗Ｒｃを検出することができる。
【００５０】
この実施の形態の場合、図４、図５及び図６の動作原理に基づいて、測定点電極３Ａ０〜３ＡＮ、基準点電極３Ｂ及び接地点電極３Ｃの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎ、Ｒｂ及びＲｃの電圧降下Ｖａ、Ｖｂ及びＶｃを生成するために定電流源２１Ａ、２１Ｂ及び２１Ｃから電流ループＬＰ０〜ＬＰＮ、ＬＰｂ及びＬＰｃに定電流ｉ１、ｉ２及びｉ３を流す際に、定電流源２１Ａ、２１Ｂ及び２１Ｃが接続される信号ラインから見た接触抵抗検出装置本体１１の入力インピーダンスは１００[ＭΩ]ある（図１３において後述するように、比較増幅回路構成の入力回路であるため）から、生成された電圧降下値に基づいて直接的に接触抵抗を求めることができる。
【００５１】
接触抵抗検出装置本体１１は、（１）式〜（６）式に基づいて測定点電極３Ａ０〜３ＡＮの接触抵抗Ｒａ０〜Ｒａｎと、基準点電極３Ｂの接触抵抗Ｒｂと、接地点電極３Ｃの接触抵抗Ｒｃとを脳波の測定動作に先立って検出することができ、当該接触抵抗値が所定の測定条件の値以内にあるか否かを確認でき、範囲以内にない接触抵抗値をもつ電極がある場合にはその設定状態を調整することにより、測定条件内に修正した後、脳波の測定動作に入ることができる。
【００５２】
（４）接触抵抗検出装置本体の構成
図７は、この実施の形態における接触抵抗検出装置本体１１の具体的構成を示すもので、この実施の形態の場合、接触抵抗検出装置本体１１は、図３（Ｂ）について上述したように、２１チャンネル分の測定点電極ＣＨ１（Ｆｐ１）〜ＣＨ２１（Ｏｚ）に加えて、２チャンネル分の基準点電極ＲＥＦ（３Ｂ）及び接地点電極ＧＮＤ（３Ｃ）の合計２３チャンネル分の接触抵抗検出処理を、図１２に示すように、６チャンネル分づつ４群に分割して分割処理区間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４において実行する。
【００５３】
接触抵抗検出装置本体１１は、第１チャンネルＣＨ１の測定点電極（Ｆｐ１）〜第６チャンネルＣＨ６の測定点電極（Ｃ４）を第１の接触抵抗検出回路３１Ａ（図８）によって分割処理区間Ｔ１において検出処理し、また第７チャンネルＣＨ７の測定点電極（Ｐ３）〜第１２チャンネルＣＨ１２の測定電極（Ｆ８）を第２の接触抵抗検出回路３１Ｂ（図９）によって分割処理区間Ｔ２において検出処理し、さらに第１３チャンネルＣＨ１３の測定点電極（Ｔ３）〜第１８チャンネルＣＨ１８の測定点電極（Ｆｚ）を第３の接触抵抗検出回路３１Ｃ（図１０）によって分割処理区間Ｔ３において検出処理し、またさらに第１９チャンネルＣＨ１９の測定点電極（Ｃｚ）〜第２１チャンネルＣＨ２１の測定点電極（Ｏｚ）並びにＲＥＦチャンネルの基準点電極（３Ｂ）及びＧＮＤチャンネルの接地点電極（３Ｃ）を第４の接触抵抗検出回路３１Ｄ（図１１）によって分割処理区間Ｔ４において検出処理する。
【００５４】
第１の接触抵抗検出回路３１Ａ（１〜６ＣＨ）は図８（Ａ）に示すように、第１、第２、第３、第４、第５及び第６チャンネルＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５及びＣＨ６の測定点電極Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｃ３及びＣ４の接触抵抗Ｒａ１１、Ｒａ１２、Ｒａ１３、Ｒａ１４、Ｒａ１５及びＲａ１６に対して、図４について上述した測定点電極の接触抵抗検出原理に基づいて、定電流源２１Ａ１１、２１Ａ１２、２１Ａ１３、２１Ａ１４、２１Ａ１５及び２１Ａ１６を有する定電流出力回路３２Ａからそれぞれ電流ループＬＰ１１、ＬＰ１２、ＬＰ１３、ＬＰ１４、ＬＰ１５及びＬＰ１６を介して定電流ｉａ１１、ｉａ１２、ｉａ１３、ｉａ１４、ｉａ１５及びｉａ１６を流す。
【００５５】
ここで定電流源２１Ａ１１、２１Ａ１２、２１Ａ１３、２１Ａ１４、２１Ａ１５及び２１Ａ１６は、図８（Ｂ）に示すように、互いに値の異なる周波数２４［Ｈｚ］、２６［Ｈｚ］、２８［Ｈｚ］、３０［Ｈｚ］、３２［Ｈｚ］及び３４［Ｈｚ］の定電流ｉａ１１、ｉａ１２、ｉａ１３、ｉａ１４、ｉａ１５及びｉａ１６を周波数多重化して第１分割処理区間Ｔ１（図１２）の間に同時に流す。
【００５６】
この結果、各測定点電極Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｃ３及びＣ４にはそれぞれ２４［Ｈｚ］、２６［Ｈｚ］、２８［Ｈｚ］、３０［Ｈｚ］、３２［Ｈｚ］及び３４［Ｈｚ］の周波数をもつ定電流がそれぞれ流れるのに対して、接地点電極３Ｃには次式
【００５７】
【数７】
2017000614.tif 000009
【００５８】
のように周波数が異なる定電流ｉａ１１〜ｉａ１６の合成電流が流れる。
【００５９】
この結果、各測定点電極Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｃ３及びＣ４の両端には、図４について上述した測定点電極の検出動作原理に基づいて生起された電圧降下Ｖａ１１、Ｖａ１２、Ｖａ１３、Ｖａ１４、Ｖａ１５及びＶａ１６が接触抵抗検出装置本体１１の電圧降下取込回路３３Ａに与えられる。
【００６０】
かくして、第１の接触抵抗検出回路３１Ａにおいては、ＣＨ１チャンネル〜ＣＨ６チャンネルの６チャンネル分の定電流ｉａ１１〜ｉａ１６を、同じ分割処理区間Ｔ１の間に、異なる周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]によって周波数多重化させながら、測定点電極Ｆｐ１〜Ｃ４の接触抵抗Ｒａ１１〜Ｒａ１６に流すことにより、接触抵抗検出装置本体１１の電圧降下取込回路３３Ａに周波数多重化された電圧降下信号Ｖａ１１〜Ｖａ１６を取り込むことができる。
【００６１】
この電圧降下信号Ｖａ１１〜Ｖａ１６は、接触抵抗演算出力部３４に供給され、６チャンネル分の接触抵抗値成分を多重化された周波数成分を弁別することにより、測定点電極Ｆｐ１〜Ｃ４の接触抵抗値を求めることができる。
【００６２】
同じように、図７の接触抵抗検出装置本体１１は、第２の接触抵抗検出回路３１Ｂとして、定電流出力回路３２Ｂから図９（Ａ）に示すように７チャンネル〜１２チャンネルＣＨ７〜ＣＨ１２の測定点電極Ｐ３、Ｐ４、Ｏ１、Ｏ２、Ｆ７及びＦ８の接触抵抗Ｒａ２１、Ｒａ２２、Ｒａ２３、Ｒａ２４、Ｒａ２５及びＲａ２６を、対応するように設けられた定電流源２１Ａ２１、２１Ａ２２、２１Ａ２３、２１Ａ２４、２１Ａ２５及び２１Ａ２６から与えられる定電流ｉａ２１、ｉａ２２、ｉａ２３、ｉａ２４、ｉａ２５及びｉａ２６（周波数が２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]、３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]及び３４[Ｈｚ]の）が電流ループＬＰ２１、ＬＰ２２、ＬＰ２３、ＬＰ２４、ＬＰ２５及びＬＰ２６を通じて流されることにより、測定点電極Ｐ３、Ｐ４、Ｏ１、Ｏ２、Ｆ７及びＦ８の電圧降下Ｖａ２１、Ｖａ２２、Ｖａ２３、Ｖａ２４、Ｖａ２５及びＶａ２６を電圧降下取込回路３３Ｂに取り込むと共に、接触抵抗演算出力部３４に供給する。
【００６３】
また、接触抵抗検出装置本体１１は、第３の接触抵抗検出回路３１Ｃとして、定電流出力回路３２Ｃから図１０（Ａ）に示すように１３チャンネル〜１８チャンネルＣＨ１３〜ＣＨ１８の測定点電極Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｆｐｚ及びＦｚの接触抵抗Ｒａ３１、Ｒａ３２、Ｒａ３３、Ｒａ３４、Ｒａ３５及びＲａ３６に、対応するように設けられた定電流源２１Ａ３１、２１Ａ３２、２１Ａ３３、２１Ａ３４、２１Ａ３５及び２１Ａ３６から与えられる定電流ｉａ３１、ｉａ３２、ｉａ３３、ｉａ３４、ｉａ３５及びｉａ３６（周波数が２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]、３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]及び３４[Ｈｚ]の）が電流ループＬＰ３１、ＬＰ３２、ＬＰ３３、ＬＰ３４、ＬＰ３５及びＬＰ３６を通じて流されることにより、測定点電極Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｆｐｚ及びＦｚの電圧降下Ｖａ３１、Ｖａ３２、Ｖａ３３、Ｖａ３４、Ｖａ３５及びＶａ３６を電圧降下取込回路３３Ｃに取り込むと共に、接触抵抗演算出力部３４に供給する。
【００６４】
さらに、接触抵抗検出装置本体１１は、第４の接触抵抗検出回路３１Ｄとして、定電流出力回路３２Ｄから図１１（Ａ）に示すように１９チャンネル〜２１チャンネルＣＨ１９〜ＣＨ２１の測定点電極Ｃｚ、Ｐｚ及びＯｚの接触抵抗Ｒａ４１、Ｒａ４２及びＲａ４３並びにＲＥＦチャンネル及びＧＮＤチャンネルの接触抵抗Ｒｂ及びＲｃを、対応するように設けられた定電流源２１Ａ４１、２１Ａ４２及び２１Ａ４３並びに２１Ａ４４及び２１Ａ４５から与えられる定電流ｉａ４１、ｉａ４２及びｉａ４３並びにｉｒｂ及びｉｒｃ（周波数が２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]並びに３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]の）が電流ループＬＰ４１、ＬＰ４２及びＬＰ４３並びにＬＰ４４及びＬＰ４５を通じて流されることにより、測定点電極Ｃｚ、Ｐｚ、及びＯｚ並びに基準点電極ＲＥＦ及び接地点電極ＧＮＤの電圧降下Ｖａ４１、Ｖａ４２及びＶａ４３並びにＶｒｂ及びＶｒｃを電圧降下取込回路３３Ｄに取り込むと共に、接触抵抗演算出力部３４に供給する。
【００６５】
このようにして、第１〜第４の接触抵抗検出回路３１Ａ〜３１Ｄは、図４、図５及び図６の電圧降下検出動作原理に基づいて、ＣＨ１チャンネル〜ＣＨ２１チャンネル並びにＲＥＦ及びＧＮＤチャンネルの測定点電極並びに基準点電極及び接地点電極の接触抵抗に生ずる電圧降下を検出することができる。
【００６６】
（５）定電流出力手法
以上の構成において接触抵抗検出装置本体１１は、図１２に示すように、時点ｔ１からｔ５までの接触抵抗検出動作期間Ｔ０１において測定電極３Ａ０〜３ＡＮ、基準点電極３Ｂ及び接地点電極３ＣについてチャンネルＣＨ１〜ＣＨ２１、ＲＥＦ及びＧＮＤにおいて時点ｔ１〜ｔ２間の第１分割処理区間Ｔ１、時点ｔ２〜ｔ３間の第２分割処理区間Ｔ２、時点ｔ３〜ｔ４間の第３分割処理区間Ｔ３及び時点ｔ４〜ｔ５間の第４分割処理区間Ｔ４について時分割的に接触抵抗を検出する。
【００６７】
すわなち接触抵抗検出装置本体１１は、第１分割処理区間Ｔ１において第１の接触抵抗検出回路３１Ａ（図８（Ａ））に対して２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の定電流ｉａ１１〜ｉａ１６（図８（Ｂ））を同時に供給し、これにより図４の動作原理に基づいて測定点電極の接触抵抗の検出を行う。
【００６８】
また第２分割処理区間Ｔ２において第２の接触抵抗検出回路３１Ｂ（図９（Ａ））に対して２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の定電流ｉａ２１〜ｉａ２６（図９（Ｂ））を同時に供給し、これにより図４の動作原理に基づいて測定点電極の接触抵抗の検出を行う。
【００６９】
また第３の接触抵抗検出回路３１Ｃ（図１０（Ａ））に対して周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の定電流ｉａ３１〜ｉａ３６（図１０（Ｂ））を同時に供給し、これにより図４の動作原理に基づいて測定点電極の接触抵抗の検出を行う。
【００７０】
さらに第４分割処理区間Ｔ４において第４の接触抵抗検出回路３１Ｄ（図１１（Ａ））に対して周波数２４[Ｈｚ]〜３２[Ｈｚ]の定電流ｉａ４１〜ｉｒｂ（図１１（Ｂ））を同時に供給し、これにより図４、図５及び図６の動作原理に基づいて測定点電極、基準点電極及び接地点電極の接触抵抗の検出を行う。
【００７１】
この接触抵抗検出動作は、図１２に示すように、時点ｔ１〜ｔ５までの接触抵抗検出動作期間Ｔ０１の間に第１、第２、第３及び第４の接触抵抗検出回路３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ及び３１Ｄに対する処理時間が決められている。
【００７２】
第１分割処理区間Ｔ１は時点ｔ１〜ｔ２において６チャンネル分の接地点電極ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５及びＣＨ６に対してそれぞれ２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]、３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]及び３４[Ｈｚ]の周波数の定電流ｉａ１１、ｉａ１２、ｉａ１３、ｉａ１４、ｉａ１５及びｉａ１６を定電流出力回路３２Ａから第１の接触抵抗検出回路３１Ａに同時に供給する。
【００７３】
また続く時点ｔ２〜ｔ３の第２分割処理区間Ｔ２において同様に６チャンネル分の接触電極ＣＨ７〜ＣＨ１２に対して２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の周波数の定電流ｉａ２１〜ｉａ２６が定電流出力回路３２Ｂから第２の接触抵抗検出回路３１Ｂに供給される。
【００７４】
同様にして時点ｔ３〜ｔ４の第３分割処理区間Ｔ３において２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の周波数をもつ定電流ｉａ３１〜ｉａ３６が６チャンネル分の接触電極ＣＨ１３〜ＣＨ１８に同時に供給される。
【００７５】
さらに時点ｔ４〜ｔ５の第４分割処理区間Ｔ４において周波数が２４[Ｈｚ]〜３２[Ｈｚ]をもつ定電流ｉａ４１〜ｉｒｃが５チャンネル分の接触電極ＣＨ１９〜ＧＮＤに同時に供給される。
【００７６】
その結果、第１〜第４の接触抵抗検出回路３１Ａ〜３１Ｄから電圧降下Ｖａ１１……Ｖａ１６〜Ｖａ４１……Ｖｒｂが第１〜第４分割処理区間Ｔ１〜Ｔ４において電圧降下取込回路３３Ａ〜３３Ｄに順次取り込まれる。
【００７７】
かくしてＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルに至るまでの２３本の電極について、それぞれ６種類の周波数、すなわち２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]をもつ４群の定電流を用いて、周波数多重化しながら、多数の電極の接触抵抗を第１〜第４の時分割処理区間Ｔ１〜Ｔ４に分割して処理することにより、全体としての処理時間を圧縮しながら接触抵抗の検出を行うことができる。
【００７８】
（６）接触抵抗検出信号の信号処理
図７の接触抵抗検出装置本体１１は、図１３に示す回路構成によって脳波検出用電極の接触抵抗の検出処理を行う。
【００７９】
接触抵抗検出装置本体１１は定電流出力回路３２Ａ〜３２Ｄによって構成される定電流出力回路部４０からＦＰ１チャンネル〜ＲＥＦチャンネルに対する定電流ｉａ１１〜ｉｒｂを出力すると共に、各チャンネルの電圧降下信号Ｖａ１１〜Ｖｒｂを電圧降下取込回路３３Ａ〜３３Ｄによって構成される電圧降下取込回路部３３に増幅回路４１を介して取り込む。
【００８０】
増幅回路４１の反転入力端には電圧ホロワ回路４２の出力端に接続された基準電圧ライン４３を介してＲＥＦチャンネルから得られる基準点電圧Ｖｒｂが与えられ、これにより基準点電圧Ｖｒｂによって調整制御されたＦＰ１チャンネル〜ＲＥＦチャンネルの電圧降下成分が接触抵抗Ｒａ１１〜基準抵抗Ｒｂの接触抵抗に対応する検出出力として取り込まれる。
【００８１】
この検出信号はそれぞれ増幅回路４４を介してアナログデジタル変換回路４５においてデジタルデータに変換されて接触抵抗演算出力部３４に与えられ、これにより接触抵抗値データＶｒを求める演算処理が実行される。
【００８２】
この実施の形態の場合、ＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの定電流ｉａ１１〜ｉｒｃは図１４（Ａ）に示すように、それぞれ周波数が２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]であって１６[歯]分の定電流波形Ｓ１に選定されており、この定電流波形Ｓ１がＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの接触抵抗を流れることにより、図１４（Ｂ）に示すような周波数分布を有する電圧降下検出波形Ｓ２としてバンドパスフィルタ３４Ｘ１に与えられる。
【００８３】
ここで電圧降下検出波形Ｓ２は定電流信号ｉａ１１〜ｉｒｂの周波数（図１４においては一例として３０[Ｈｚ] の場合を示す）を中心として±２[Ｈｚ]の周波数範囲にピーク波形をもっており、当該ピーク波形のうちでも、中心周波数を中心として±１[Ｈｚ]の周波数範囲に安定した大きいピーク信号値をもっている。
【００８４】
この点に着目してバンドパスフィルタ３４Ｘ１は周波数多重化した定電流の周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]について、それぞれその中心周波数の±１[Ｈｚ]の信号成分を図１４（Ｃ）に示すバンドパス出力波形Ｓ３として抽出する。
【００８５】
接触抵抗演算出力部３４はこのバンドパス出力波形Ｓ３を両波整流回路３４Ｘ２において図１４（Ｄ）に示す両波整流波形Ｓ４に両波整流した後、ピーク検出回路３４Ｘ３において図１４（Ｅ）に示すピーク検出波形Ｓ５に信号処理をする。
【００８６】
かくして接触抵抗演算出力部３４はＦＰ１チャンネル〜ＲＥＦチャンネル毎に、定電流波形ｉａ１１〜ｉｒｂの周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]の信号成分をバンドパスフィルタ３４Ｘ１においてバンドパス出力波形Ｓ３として抽出すると共に、両波整流回路３４Ｘ２及びピーク検出回路３４Ｘ３によってピーク検出波形Ｓ５を演算処理により求め、このピーク検出波形Ｓ５のピーク値を接触抵抗値データＶｒとして求める。
【００８７】
（７）実施の形態による効果
上述の実施の形態の構成によれば、図１の脳波測定対象者２の頭皮２Ｘに装着した多数の測定用電極、すなわち測定点電極３Ａ０〜３ＡＮ、基準点電極３Ｂ及び接触点電極３Ｃを、図１２に示すように、所定本数、すなわち６本ずつ４群の組に分割すると共に、各群を構成する測定点電極に対して異なる周波数の定電流を同時に流すことにより、各測定点電極の接触抵抗によって生起される電圧降下を定電流を周波数多重化して周波数毎に接触抵抗検出装置本体１１に取り込むことができ、これに加えて、多数の接触抵抗の検出を各群毎に時間をずらせて時分割化して検出処理をすることができ、かくして接触抵抗の検出処理時間を十分に短縮することができる。
【００８８】
因みに定電流波形Ｓ１（図１４（Ａ））として２４[Ｈｚ]の周波数で１６[歯]分の定電流を流すには次式
【００８９】
【数８】
2017000614.tif 000010
【００９０】
のように０．６６[秒]分だけ分割処理区間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４において必要であるので、接触抵抗検出動作期間Ｔ０の時間は、次式
【００９１】
【数９】
2017000614.tif 000011
【００９２】
のように２．６６[秒]の処理時間を必要とする。
【００９３】
これに対する対比例として、図１５に示すように、ＣＨ１チャンネルからＧＮＤチャンネルまでの２３チャンネル分の電極の接触抵抗を全て３０[Ｈｚ]の単一周波数の定電流で、時点ｔ１１から時点ｔ１２までの処理時間ＴＸにおいて接触抵抗検出処理を行うことを考えると、１本の電極を接触抵抗検出処理をする際の処理時間ＴＸは、次式
【００９４】
【数１０】
2017000614.tif 000012
【００９５】
のように０．５３[秒]が必要であるのに対して、ＣＨ１チャンネルからＧＮＤチャンネルまでの２３チャンネル分の処理を順次行う際に、次式
【００９６】
【数１１】
2017000614.tif 000013
【００９７】
のように１２．２６[秒]もの時間が必要になるが、上述の実施の形態の場合は順次４群の処理をするだけでよいので２．６６[秒]のようにほぼ２０[％]程度に短い処理時間に短縮させることができる。
【００９８】
このことは、ＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの測定電極のいずれかに接触抵抗が規定値以上の不具合のものがある場合に、その都度当該不具合を調整し直して再度測定処理動作を繰り返すとしても、対比例の場合と比較して２０[％]程度の短い時間で確認処理を済ませることができるので、測定用電極の設定を短い時間で、従って測定作業の手間を十分軽減させながら、脳波の測定処理に対する測定対象者の負担を大幅に軽減することもできる。
【００９９】
ここでバンドパスフィルタ３４Ｘ１は、分割処理区間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４において２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]、３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]及び３４[Ｈｚ]の周波数の定電流波形Ｓ１の処理をするときは、中心周波数に対して±１[Ｈｚ]のバンドパス出力を得ることにより、それぞれ２３〜２５[Ｈｚ]、２５〜２７[Ｈｚ]、２７〜２９[Ｈｚ]、２９〜３１[Ｈｚ]、３１〜３３[Ｈｚ]及び３３〜３５[Ｈｚ]の周波数成分をバンドパス出力として得るような処理を実行し、これにより分割処理区間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４において同時に接触抵抗演算出力部３４に取り込まれた電圧降下検出波形Ｓ２をその中心周波数２４[Ｈｚ]、２６[Ｈｚ]、２８[Ｈｚ]、３０[Ｈｚ]、３２[Ｈｚ]及び３４[Ｈｚ]の信号成分毎に弁別して得ることができる。
【０１００】
（８）第２の実施の形態
図１６は接触抵抗検出装置１１の第２の実施の形態示すもので、図１２との対応部分に同一符号を付して示すように、ＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルのうち、ＣＨ１チャンネル〜ＣＨ６チャンネルの定電流出力ｉａ１１〜ｉａ１６の群と、ＣＨ７チャンネル〜ＣＨ１２チャンネルの定電流出力ｉａ２１〜ｉａ２６の群とを、接触抵抗検出動作期間Ｔ０２のうちの前半の第１分割処理区間Ｔ１２において同時に出力する。
【０１０１】
これに加えてＣＨ１３チャンネル〜ＣＨ１８チャンネルの定電流出力ｉａ３１〜ｉａ３６と、ＣＨ１９チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの定電流出力ｉａ４１〜ｉｒとを、接触抵抗検出動作期間Ｔ０２の後半の第２の分割処理区間３４において同時に出力する。
【０１０２】
ここで第１分割処理区間Ｔ１２において出力される第１群の定電流出力ｉａ１１〜ｉａ１６は周波数２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]のＳｉｎ波で構成されているのに対して、ＣＨ７〜ＣＨ１２チャンネルの第２群の定電流出力ｉａ２１〜ｉａ２６は周波数は第１群の定電流ｉａ１１〜ｉａ１６と同一の周波数をもつＣｏｓ波で構成され、これにより第１群の定電流出力ｉａ１１〜ｉａ１６と第２群の定電流出力ｉａ２１〜ｉａ２６を同じ周波数で多重化されてはいるがその位相が９０[°]異なる直交位相の正弦波に選定されている。
【０１０３】
また第３群の定電流出力ｉａ３１〜ｉａ３６及び第４群の定電流出力ｉａ４１〜ｉｒｃも、ＣＨ１チャンネル〜ＣＨ１２チャンネルと同様に周波数は同一であるが位相が９０[°]相違するＳｉｎ波及びＣｏｓ波で構成されている。
【０１０４】
かくして図１６の定電流出力はＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルについて、定電流出力時間が第１及び第２の分割処理区間Ｔ１２及びＴ３４に時分割されて出力処理されていることと、第１群〜第４群内において周波数を異にする周波数多重化されていることと、同じ分割処理区間Ｔ１２において処理される第１群及び第２群の定電流出力がＳｉｎ波及びＣｏｓ波に分けられていると同時に、第２分割処理区間Ｔ３４においても同様に第３群及び第４群の定電流出力の位相がＳｉｎ波及びＣｏｓ波に分割されている。
【０１０５】
かくしてＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの２３個の定電流出力がそれぞれ周波数、位相弁別できる条件のもとで多重化されて接触抵抗検出回路部３１（３１Ａ〜３１Ｄ）に出力される。
【０１０６】
この結果接触抵抗検出回路部３１（３１Ａ〜３１Ｄ）から接触抵抗検出装置本体１６に取り込まれる電圧降下信号は同じように周波数多重化・位相多重化されると共に、処理動作区間が時分割されることにより、それぞれ区別ができる電圧降下信号として接触抵抗演算出力部３４に供給されることになる。
【０１０７】
この実施の形態の場合、接触抵抗演算出力部３４は、図１７に示すように、バンドパスフィルタ３４Ｘ１と両波整流回路３４Ｘ２との間に同期検波回路３４Ｘ４が設けられており、この同期検波回路３４Ｘ４に対して定電流回路３２からＳｉｎ波又はＣｏｓ波の発生のタイミングで同期信号Ｓ１１を供給することにより、第１群の定電流出力ｉａ１１〜ｉａ１６のＳｉｎ波検出信号から各周波数成分の電圧降下信号を抽出すると共に、ＣＨ７〜ＣＨ１２チャンネルのＣｏｓ波に基づく各周波数の電圧降下信号成分が抽出される。
【０１０８】
同様にして第３群の定電流出力ｉａ３１〜ｉａ３６とｉａ４１〜ｉｒｃに対応するＳｉｎ波及びＣｏｓ波の電圧降下信号成分がそれぞれ同期検波回路３４Ｘ４から抽出されることになる。
【０１０９】
かくして図１７の接触抵抗演算出力部３４からＣＨ１チャンネル〜ＧＮＤチャンネルの電圧降下信号成分が抽出されて両波整流回路３４Ｘ２及びピーク検出回路３４Ｘ３を介して接触抵抗値データＶｒとして出力されることになる。
【０１１０】
図１６及び図１７の第２の実施の形態によれば、各チャンネルについての接触抵抗の検出処理時間は次式
【０１１１】
【数１２】
2017000614.tif 000014
【０１１２】
のように０．６６[秒]であるのに対して、接触抵抗検出動作期間Ｔ０２は第１及び第２分割処理区間Ｔ１２及びＴ３４の２区間であるので、
【０１１３】
【数１３】
2017000614.tif 000015
【０１１４】
のように、さらに短い処理時間１．３３[秒]で接触抵抗の検出処理を行うことができる。
【０１１５】
その結果測定対象者２の頭皮２Ｘの所定の位置に２３チャンネル分の検出電極を繰り返し装着する際の処理時間を図１５の対比例について求めた（１１）式の処理時間１２．２６[秒]と比較して格段的に短縮することができ、これにより脳波検出をする際の準備操作を一段と簡便にすることができる。
【０１１６】
（９）脳波検出処理
図１３及び図１７について上述した接触抵抗検出装置本体１１において接触抵抗演算出力部３４から接触抵抗値データＶｒを得ることにより、脳波測定者は検出電極の接触抵抗値が適正な範囲にあることを確認した状態になると、脳波演算出力部５１を介して脳波値データＤＡＴＡを測定結果として得ることができる。
【０１１７】
脳波電流演算出力部５１はＣＨ１チャンネル〜ＣＨ２１チャンネルからそれぞれ得られる脳波電流信号をそれぞれローパスフィルタ５１Ａ及びハイパスフィルタ５１Ｂを介して微細な脳波成分以外のノイズ成分を除去して脳波値データＤＡＴＡに送出する。
【０１１８】
このとき測定電極と測定対象者２の頭皮２Ｘとの間の接触抵抗は接触抵抗演算出力部３４から得られる接触抵抗値データＶｒによって適正な値にあることを確認しているので、微細な脳波を確実に測定することとができる。
【０１１９】
（１０）他の実施の形態
（１０−１）上述の実施の形態においては頭皮に設置すべき測定電極として、図３に示すように２１チャンネル分の測定電極ＦＰ１〜Ｏｚについて接触抵抗の検出を行うようにした場合について述べたが、測定電極のチャンネル数は必要に応じて変更しても良く、その一部を選定するようにした場合にも、上述の実施の形態と同様にして接触抵抗の検出処理を行うことができる。
【０１２０】
（１０−２）また定電流の周波数は、上述の２４[Ｈｚ]〜３４[Ｈｚ]に限らず、変更しても良い。
【０１２１】
（１０−３）上述の実施の形態においては１つの群に入る測定電極の数を６本としたが、この数も必要に応じて変更しても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明は脳波検出電極を測定対象者の頭皮に装着する場合に利用できる。
【符号の説明】
【０１２３】
１……脳波計測装置、２……測定対象者、３Ａ０〜３ＡＮ……測定点電極、３Ｂ……基準点電極、３Ｃ……接地点電極、３……脳波電流検出用電極、４……脳波導出線部材、５……測定装置本体、６……脳本体、１１……接触抵抗検出装置本体、１２……端子、３１Ａ〜３１Ｄ……接触抵抗検出回路、３２Ａ〜３２Ｄ……定電流出力回路、３３Ａ〜３３Ｄ……電圧降下取込回路、３４……接触抵抗演算出力部、３４Ｘ１……バンドパスフィルタ、３４Ｘ２……両波整流回路、３４Ｘ３……ピーク回路、３４Ｘ４……同期検波回路。
【図１】
2017000614.tif 000016
【図２】
2017000614.tif 000017
【図３】
2017000614.tif 000018
【図４】
2017000614.tif 000019
【図５】
2017000614.tif 000020
【図６】
2017000614.tif 000021
【図７】
2017000614.tif 000022
【図８】
2017000614.tif 000023
【図９】
2017000614.tif 000024
【図１０】
2017000614.tif 000025
【図１１】
2017000614.tif 000026
【図１２】
2017000614.tif 000027
【図１３】
2017000614.tif 000028
【図１４】
2017000614.tif 000029
【図１５】
2017000614.tif 000030
【図１６】
2017000614.tif 000031
【図１７】
2017000614.tif 000032