(57)【要約】【課題】保護層である樹脂と内部電極あるいは抵抗体との密着性、耐水性を向上した電子部品を提供する。【解決手段】チップ抵抗器１０において、表面電極１４ａ，１４ｂ上に線状の第１保護層１６ａ，１６ｂを第２保護層１８の端部領域にのみ形成するとともに、第２保護層１８によって第１保護層１６ａ，１６ｂと、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗被膜１２とを覆う。その際、第１保護層１６ａ，１６ｂの一方端部と第２保護層１８の端部とが表面電極上においてほぼ同一の位置となるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成した金属膜と、該金属膜を被覆する保護層とを基本構成とする電子部品であって、
前記保護層は第１保護層と該第１保護層を被覆する第２保護層からなり、該第１保護層が該第２保護層の端部領域に形成されるとともに該第１保護層の一方端部と該第２保護層の端部とが前記金属膜上においてほぼ同一の位置にあることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１保護層は前記金属膜上の所定位置に線状に形成され、前記第２保護層は該金属膜の全部または一部と該第１保護層とを覆うように面状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１保護層は前記金属膜の電流経路と直交する方向に形成されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１保護層は前記金属膜の電流経路と直交する方向および該電流経路と同方向に形成されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１保護層の層方向における厚さは前記第２保護層よりも薄いことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記金属膜は、電極部と、該電極部と電気的に接続された電気素子とからなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記電気素子には少なくとも抵抗体、コイル、ヒューズ、ジャンパー素子が含まれることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子回路等に搭載する薄膜チップ抵抗器等の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車、家電機器、通信機器、産業機器等に使用されるチップ抵抗器、チップコンデンサ等の小型電子部品は、さらなる高精度化、低コスト化のみならず、高温多湿等の厳しい使用環境においても所望の性能を発揮することが要求されている。
【０００３】
小型電子部品としてのチップ抵抗器は、図８に示すように絶縁基板１０１の表面両端部に形成された一対の表面電極１０３ａ，１０３ｂ間に、両端部が重なるように抵抗体１０４を形成し、その抵抗体１０４がガラス等のコート材１０２，１０５で被覆されて保護される。そして、表面電極１０３ａ，１０３ｂと、絶縁基板１０１の両端面に形成された端面電極１０６ａ，１０６ｂと、絶縁基板１０１の裏面両端部に形成された一対の裏面電極１０８ａ，１０８ｂとを覆う端部電極１０７ａ，１０７ｂを形成し、さらに、これら端部電極１０７ａ，１０７ｂを含む端部にメッキ処理を施してメッキ膜１０９ａ，１０９ｂを形成した構造を有する。例えば特許文献１，２は、抵抗膜を被覆するコートを２層とする構造を有するチップ抵抗器を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−６２９０１号公報（特公平７−１１１９２１号）
【特許文献２】特開２００４−０２３００６号公報
【特許文献３】特開平８−３１６０３号公報（特許第３０９２４５１号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来よりチップ抵抗器は、厚膜タイプ、薄膜タイプを問わず、上記のように内部の抵抗皮膜の保護を目的として、抵抗皮膜上にエポキシ樹脂、ガラス等からなる保護層が形成される。薄膜電子部品の場合、金属膜と樹脂との密着性は、厚膜ペーストと樹脂との密着性に比べて大きく下回ることから、薄膜チップ部品は、下地基板や金属導体と保護層である樹脂との密着性が弱く、樹脂が剥がれやすい。
【０００６】
また、下地基板や基板上に形成される各種金属導体と樹脂との接合面は、材料の熱膨張係数の違いによる応力負荷が集中する部分となる。応力負荷とは、樹脂の塗布後における硬化時の残留応力、高温高湿の環境下での熱ストレス等であり、薄膜導体と樹脂との接合面、特にその接合（接触）端部において樹脂と薄膜導体との接着力が保ちにくく、隙間が生じやすいという問題がある。そして、形成されたわずかな隙間に水分が付着し、侵入した場合、抵抗皮膜が酸化反応（電蝕）を起こし、断線に至ることがある。
【０００７】
このような酸化反応は、チップ抵抗器に電圧が印加され、抵抗体パターン間に電位差が生じると、抵抗器に付着している水分が電気分解されてイオンとなり、そのイオンが、同じく電圧が印加されている電極に引き寄せられることで、薄膜導体と樹脂間に形成された隙間から水分が侵入することによるものと考えられる。
【０００８】
樹脂と薄膜導体との接着力が保ちにくく、隙間が生じやすいという問題は薄膜チップ抵抗器に生じやすいが、樹脂層を有する電子部品でも起こり得る共通の課題である。そして、金属導体とそれを覆う保護層との熱収縮の差異はそれらの接合面に現れやすく、特に端部において最も顕著となる。その結果、樹脂層の端部にズレが生じ、端部において金属導体から樹脂が剥がれやすくなる。従来のチップ抵抗器の場合、図８において点線の丸で囲まれた、電極１０３ａ，１０３ｂ（または、抵抗体１０４）と樹脂１０２，１０５との接合面の端部は、上述したイオンの発生による電蝕トラブルの危険性が高い環境にある。これに対して、樹脂材による層を複数層形成して保護層を厚くしても、熱収縮の違いが依然として存在するため、電極等の金属層と樹脂との接合面端部における密着性を強化することは困難となる。
【０００９】
一方、特許文献３は、抵抗体層を覆う樹脂保護膜層（保護コート）と上面電極層との境界部分からめっき液が侵入することによる抵抗体層の電解腐食を防止するため、樹脂保護膜層の端部に重ねて導体樹脂の電極層を形成する技術を開示している。ここで特許文献３では、導体樹脂の電極層と保護コートの密着性を向上できても、上面電極（内部電極）と保護コートの密着性が強化されていないため、一旦内部電極に水分が侵入すると、その水分が抵抗体内部に容易に侵入して、上述した酸化反応（電蝕）が起こるという問題がある。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、保護層である樹脂と内部電極あるいは抵抗体との密着性等を向上した電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明の電子部品は、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成した金属膜と、該金属膜を被覆する保護層とを基本構成とする電子部品であって、前記保護層は第１保護層と該第１保護層を被覆する第２保護層からなり、該第１保護層が該第２保護層の端部領域に形成されるとともに該第１保護層の一方端部と該第２保護層の端部とが前記金属膜上においてほぼ同一の位置にあることを特徴とする。
【００１２】
例えば、前記第１保護層は前記金属膜上の所定位置に線状に形成され、前記第２保護層は該金属膜の全部または一部と該第１保護層とを覆うように面状に形成されることを特徴とする。また、例えば、前記第１保護層は前記金属膜の電流経路と直交する方向に形成されることを特徴とする。また、例えば、前記第１保護層は前記金属膜の電流経路と直交する方向および該電流経路と同方向に形成されることを特徴とする。
【００１３】
さらには、例えば、前記第１保護層の層方向における厚さは前記第２保護層よりも薄いことを特徴とする。また、例えば、前記金属膜は、電極部と、該電極部と電気的に接続された電気素子とからなることを特徴とする。また、例えば、前記電気素子には少なくとも抵抗体、コイル、ヒューズ、ジャンパー素子が含まれることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、金属膜である内部電極あるいは抵抗体導体と、樹脂からなる保護層との熱膨張係数の違いによって生じる密着性等の低下を防止した電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構造を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構造を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構造を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構造を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】変形例１に係るチップ抵抗器の内部構造を示す平面図である。
【図７】変形例２に係るチップ抵抗器の内部構造を示す平面図である。
【図８】従来のチップ抵抗器の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る実施の形態例について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明の実施の形態例に係る電子部品として薄膜チップ抵抗器を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されず、例えばチップコンデンサ、チップコイル、チップ電流ヒューズ、ジャンパーチップ等の電子部品にも適用できる。
【００１７】
＜第１の実施の形態例＞
図１は、本発明の第１の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器（以降において、単にチップ抵抗器ともいう。）の構成を示している。図１（ａ）は、チップ抵抗器を平面視したときの内部構造を示す平面図、図１（ｂ）は、チップ抵抗器を長手方向（図１（ａ）のＬ方向）に切断したときの断面図である。なお、図１（ａ）では、図１（ｂ）に示す外部電極メッキ１９ａ，１９ｂ等、構成の一部を省略している。
【００１８】
図１に示すように第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器１０は、所定の厚さを有する電気絶縁性の基板１１の上面に所定パターンの抵抗被膜１２が形成され、抵抗被膜１２の両端部の上面に重ねて表面電極（上面電極ともいう）１４ａ，１４ｂが形成されている。また、基板１１の下面端部には裏面電極１５ａ，１５ｂが形成されている。なお、基板１１の両側面に、表面電極１４ａ，１４ｂと裏面電極１５ａ，１５ｂとを電気的に接続する端面電極を形成してもよい。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、表面電極１４ａ，１４ｂの対向する側それぞれの端部領域に、その端部に沿って、例えばエポキシ樹脂からなる線状の樹脂層（以下、これら一対の樹脂層を第１保護層１６ａ，１６ｂという。）が形成され、さらに、第１保護層１６ａ，１６ｂと、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗被膜１２とを覆う面状の樹脂層（図１（ａ）では破線で示しており、以下、第２保護層１８という）が形成されている。また、図１（ｂ）に示すように、第２保護層１８の端部であって第１保護層１６ａ，１６ｂと重なる部分と、表面電極１４ａ，１４ｂと、裏面電極１５ａ，１５ｂとを覆うように、例えばニッケルメッキ等による外部電極メッキ１９ａ，１９ｂが施されている。
【００２０】
本実施の形態例に係るチップ抵抗器１０では、保護層として塗布した樹脂の端部の収縮度合が、その樹脂の形成面積の大小に比例するとの観点に立ち、下地樹脂である第１保護層１６ａ，１６ｂが第２保護層１８の端部領域においてのみ第２保護層と重なる（第２保護層で被覆される）ように形成される。さらに、第２保護層１８の両端部（図１（ａ）において符号１８ａ，１８ｂで示す部分）それぞれと、第１保護層１６ａ，１６ｂそれぞれの一方端部（図１（ａ）において符号１３ａ，１３ｂで示す部分）とが基板上でほぼ同一位置となるように第２保護層１８を形成する。
【００２１】
すなわち、本実施の形態例に係るチップ抵抗器１０は、一対の表面電極１４ａ，１４ｂの対向する側それぞれの縁部に沿って、その全幅に渡り（表面電極１４ａ，１４ｂの電流経路と直交する方向における、これら表面電極の一方端から他方端に至るまで）、線状のエポキシ樹脂層からなる第１保護層１６ａ，１６ｂを形成する。そして、第２保護層１８を形成する際、これら一対の第１保護層１６ａ，１６ｂの対向する側とは逆側の端部１３ａ，１３ｂと、第２保護層１８の端部１８ａ，１８ｂとがほぼ同一位置となるようにするとともに、第２保護層１８によって一対の第１保護層１６ａ，１６ｂと、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗体のパターン全体とを覆う構成を有する。
【００２２】
ここで、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の外形寸法（サイズ）等について、一例を挙げて説明する。例えば、図１に示すチップ抵抗器１０が０６０３サイズ（インチサイズ表記）の場合、チップ抵抗器の外形寸法は、長さＬ＝１．６ｍｍ、幅Ｗ＝０．８ｍｍ、厚さＴ＝０．４５ｍｍであり、表面電極１４ａ，１４ｂの寸法は、例えば、Ｂ＝５００μｍ、Ｃ＝２９０μｍである。また、線状の第１保護層１６ａ，１６ｂは、それぞれ幅Ｅが例えば９０μｍ、長さＦが例えば５００μｍであり、その厚さＤは約３μｍである。また、第２保護層１８の厚さＧは約４０μｍである。
【００２３】
なお、図１（ａ）に示す例では、表面電極１４ａ，１４ｂ上において、その長手方向（図１のＢの方向）の一方端から他方端に渡って第１保護層１６ａ，１６ｂを形成しているが、第１保護層１６ａ，１６ｂを長手方向にさらに延長して、それぞれの両端部分が抵抗被膜１２にかかるように形成してもよい。また、表面電極１４ａ，１４ｂ上において第１保護層１６ａ，１６ｂの端部１３ａ，１３ｂと、第２保護層１８の端部１８ａ，１８ｂとがほぼ同一の位置にあれば、第１保護層の対向する側の端部（端部１３ａ，１３ｂとは逆側の端部）それぞれが、表面電極１４ａ，１４ｂの端部を越え、表面電極１４ａ，１４ｂと抵抗被膜１２とを跨ぐように第１保護層を形成してもよい。
【００２４】
次に、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造プロセスについて説明する。図２は、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。最初の工程であるステップＳ１１においてチップ抵抗器の絶縁基板を準備する。ここでは、例えば、電気絶縁性のセラミック基板、アルミナ基板等からなる、多数個取り用の大判の絶縁基板を準備する。続くステップＳ１３では、準備した絶縁基板の表面と裏面それぞれに、基板分割用の溝として一次分割用の溝と二次分割用の溝を形成する。
【００２５】
ステップＳ１５において抵抗体の薄膜を形成（着膜）する。ここでは、基板上面のほぼ全面に、例えばスパッタリング、蒸着等によりニッケル・クロム（ＮｉＣｒ）膜を被着する。続くステップＳ１７では、上記のステップＳ１５で着膜した抵抗体の両端部に一対の表面電極（図１の表面電極１４ａ，１４ｂ）を薄膜形成する。ここでは、例えばスパッタリング等により銅（Ｃｕ）膜を被着して、上述した所定形状・所定寸法の電極にパターニングする。
【００２６】
ステップＳ１９において、所定パターンの薄膜抵抗体を形成する。より詳細には、抵抗体被膜の上面に数μｍ程度の均一なフォトレジスト膜を塗布し、乾燥させる。次に、乾燥したフォトレジスト膜の上に、所定形状の抵抗パターン（例えば、図１の抵抗被膜１２のようなミアンダ形状）と同一のパターンが形成されたマスクフィルムを被せ、残りの部分を露光する（パターン露光）。次に、パターン露光によってフォトレジスト膜上に形成した抵抗パターン部分を除くフォトレジスト膜と抵抗体被膜をウエットエッチングによって除去する。そして、所定形状にパターン化された薄膜抵抗体の表面に残っているフォトレジスト膜を、レジスト剥離液等で剥離して除去し、薄膜抵抗体を露出させる。
【００２７】
ステップＳ２１では、表面電極と同様の方法で、基板下面の両端部に一対の裏面電極を薄膜形成する。その後、ステップＳ２３において、表面電極、裏面電極、抵抗体等を乾燥、焼成する熱処理を行い、ステップＳ２５で抵抗体のトリミングによる抵抗値調整を行う。例えば、表面電極間において抵抗値を測定し、その値をもとに、レーザビームやサンドブラスト等により抵抗体のパターンに切れ込みを入れることによって、抵抗体の抵抗値を調整する。
【００２８】
ステップＳ２７，Ｓ２９では保護膜を形成する。具体的にはステップＳ２７において、一対の表面電極それぞれの縁部のうち対向する側の縁部に沿って、その表面電極上に一次保護膜として、線状のエポキシ樹脂層からなる第１保護層（図１の第１保護層１６ａ，１６ｂ）を形成する。ステップＳ２９では、二次保護膜として、上記一対の第１保護層と、表面電極間の抵抗体のパターン全体とを覆うように第２保護層（図１の第２保護層１８）を形成する。その際、第２保護層の両端部（図１（ａ）において符号１８ａ，１８ｂで示す部分）と、一対の第１保護層の長手方向の端部のうち、対向する側とは逆側の端部（図１（ａ）において符号１３ａ，１３ｂで示す部分）とが、平面視したときに基板上でほぼ同一位置となるように第２保護層を形成する。
【００２９】
上述した保護層の形成工程（ステップＳ２７，Ｓ２９）では、下位層である第１保護層を形成した後、上位層として、第１保護層よりも厚い第２保護層を形成する際、第２保護層の樹脂ペーストの端部が中央部と比較して厚みが薄くなりやすく、樹脂の周縁部がダレて広がる性質があること等を考慮して、印刷プロセスにおいて、第２保護層の端部が第１保護層の端部を越えることなく、これらの端部がほぼ同一位置となるように第２保護層の端部の印刷位置が制御される。
【００３０】
ステップＳ３１において、あらかじめ基板の一方向に設けた溝を分割ラインとする１次分割を行って、基板を短冊状に分割する。ステップＳ３３では、例えば、短冊状に分割した基板を積み重ね、その一方の破断面（側部）にスパッタリングを行って端面電極を形成する。なお、図１に示すチップ抵抗器では、端面電極を省略している。ステップＳ３５では、上記のように短冊状に分割した基板を、あらかじめ上記一方向と直交する方向に設けた溝にしたがって２次分割し、チップ抵抗器を個片に分割する。
【００３１】
ステップＳ３７では、基板の端面を介して、表面電極の一部（端部）と裏面電極とを覆うように電極めっき層を形成する。この電極めっき層は、例えば、ニッケル等で下地めっきを施した後、はんだめっき処理する等の積層構造とする。なお、端面電極を形成した場合には、表面電極と端面電極と裏面電極とを覆うように電極めっき層を形成する。
【００３２】
以上説明したように本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、下地樹脂である第１保護層を第２保護層の端部位置（端部領域）にのみ形成することで、樹脂と表面電極あるいは抵抗体の熱膨張係数の違いによって生じる熱ストレスの集中が第１保護層によって補強、緩和される。
【００３３】
すなわち、従来のチップ抵抗器は、例えば保護コートを２層構造とした場合、平面視したときの１層目と２層目の面積が同等となるが、本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、１層目である第１保護層を第２保護層の端部領域にのみ形成して、第１保護層の全体面積を小さくしたので収縮も小さくなり、その上層に形成される第２保護層（２層目）の樹脂収縮のストッパーとなる。そのため、樹脂を塗布した後の硬化時に樹脂全体が収縮しても、塗布した樹脂の端部には応力（負荷）が集中せず、樹脂のズレが生じないので、チップ抵抗器において金属導体から樹脂が剥がれるのを防止でき、樹脂と表面電極あるいは抵抗体との密着性および耐湿性を向上できる。
【００３４】
よって、仮に電極めっき層と保護層（保護コート）の界面から水分が侵入して、内部電極である表面電極に達したとしても、表面電極と保護層との密着性が強化されているため、その水分が抵抗被膜（抵抗体内部）までは侵入することはないので、抵抗被膜における酸化反応（電蝕）を回避できる。
【００３５】
また、電子部品として小型化が要求されるチップ抵抗器において、従来品と比較してそのサイズを変更させることなく、樹脂端面の厚みを確保しつつ、樹脂層と表面電極あるいは抵抗体との密着性、耐湿性を強化することができる。
【００３６】
＜第２の実施の形態例＞
上述した第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、一対の表面電極それぞれの対向する縁部に沿って、第１保護層として線状の樹脂層を形成したが、表面電極上における第１保護層の位置については種々の変形が可能である。
【００３７】
表面電極上において第１保護層の一方端部と第２保護層の端部とがほぼ同一位置にあれば、表面電極上において第１保護層を形成する位置は、表面電極の対向する側の縁部に沿った位置に限定されない。この点に鑑みて、本発明の第２の実施の形態例では、表面電極それぞれのほぼ中央部に、電極の長手方向に延びる線状の樹脂層を形成して一対の第１保護層とし、これら一対の第１保護層と、表面電極間の抵抗被膜とを覆うように第２保護層を形成する。以下、第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器について説明する。
【００３８】
図３は、第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器の構成を示している。図３（ａ）は、チップ抵抗器を平面視したときの内部構造を示す平面図、図３（ｂ）は、チップ抵抗器の中央部を長手方向（図３（ａ）のＬ方向）に切断したときの断面図である。なお、図３において、図１に示すチップ抵抗器と同一の構成部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。また、図３（ａ）では、図３（ｂ）に示す外部電極メッキ１９ａ，１９ｂ等、構成の一部を省略している。
【００３９】
図３に示す第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器２０では、基板１１上の表面電極１４ａ，１４ｂそれぞれのほぼ中央部に、これら表面電極の長手方向に延びる一対の線状樹脂層（第１保護層２６ａ，２６ｂ）が形成されている。すなわち、表面電極１４ａ，１４ｂのほぼ中央部に、その全幅（表面電極１４ａ，１４ｂの電流経路と直交する方向であって、これら表面電極の一方端から他方端まで）に渡り、第１保護層２６ａ，２６ｂとして線状のエポキシ樹脂層を形成する。さらに、第１保護層２６ａ，２６ｂと、表面電極１４ａ，１４ｂの一部と、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗被膜１２とを覆う樹脂層（第２保護層２８）を形成する。第２保護層２８は、図３（ａ）において破線で示されている。
【００４０】
第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器１０と同様、第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器２０も、下地樹脂である第１保護層２６ａ，２６ｂが第２保護層２８の端部領域にのみ形成されている。そして、第２保護層２８の両端部（図３（ａ）において符号２８ａ，２８ｂで示す部分）それぞれが、表面電極１４ａ，１４ｂそれぞれのほぼ中央に形成された第１保護層２６ａ，２６ｂの一方端部（図３（ａ）において符号２３ａ，２３ｂで示す部分）とほぼ同一位置となるように第２保護層２８が形成される。
【００４１】
なお、図３（ａ）では、表面電極１４ａ，１４ｂの長手方向の一方端から他方端に渡って第１保護層２６ａ，２６ｂを形成しているが、これら第１保護層２６ａ，２６ｂを長手方向にさらに延長して、それぞれの端部が抵抗被膜１２にかかるように形成してもよい。
【００４２】
このように、第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、表面電極それぞれのほぼ中央に第１保護層を形成したので、表面電極の対向する側それぞれの端部領域に形成する場合と比較して、表面電極上における第１保護層の印刷位置に自由度を持たせることができ、印刷位置そのものの制御が容易になる。また、第１保護層を第２保護層の端部領域にのみ形成して樹脂と表面電極あるいは抵抗体との密着性および耐湿性を向上するとともに、表面電極それぞれのほぼ中央に第１保護層を形成することは、第１保護層の対向する側の端部が印刷の際に表面電極を越えて抵抗体被膜にかかることを回避したい場合に有効な手段となる。
【００４３】
なお、第２の実施の形態例における第１保護層の形成位置は、上記のような表面電極の中央部に限定されず、表面電極と電極めっき層とが十分な電気的導通領域を確保でき、かつ、めっきの密着性に影響を与えない範囲において、表面電極上における第１保護層の形成位置を適宜、選択できる。
【００４４】
＜第３の実施の形態例＞
図４は、本発明の第３の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構成を示している。図４（ａ）は、チップ抵抗器を平面視したときの内部構造を示す平面図、図４（ｂ）は、チップ抵抗器の中央部を長手方向に切断したときの断面図である。なお、図４において、図１に示す第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器と同一の構成部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。また、図４（ａ）では、図４（ｂ）に示す外部電極メッキ１９ａ，１９ｂ等、構成の一部を省略している。
【００４５】
図４に示すように第３の実施の形態例に係るチップ抵抗器３０は、一対の表面電極１４ａ，１４ｂそれぞれの端部のうち対向する側の端部領域に沿って、線状のエポキシ樹脂層からなる第１保護層１６ａ，１６ｂが形成されるとともに、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗被膜１２を覆う島状の抵抗体保護層３５が形成されている。そして、図４（ａ）において破線で示すように、これら第１保護層１６ａ，１６ｂと抵抗体保護層３５とを覆う第２保護層（二次保護膜）３８を形成する。抵抗体保護層３５と第２保護層（二次保護膜）３８は、例えばエポキシ樹脂からなる。また、抵抗体保護層３５の厚さは、第１保護層１６ａ，１６ｂと同等にする。
【００４６】
第３の実施の形態例に係るチップ抵抗器３０においても、下地樹脂である第１保護層１６ａ，１６ｂを第２保護層３８の端部領域にのみ形成する。その際、図４（ａ）において符号３８ａ，３８ｂで示す、第２保護層３８の両端部と、一対の第１保護層１６ａ，１６ｂの長手方向の端部のうち、対向する側とは逆側の端部（図４（ａ）において符号１３ａ，１３ｂで示す）とが基板上でほぼ同一の位置となるように第２保護層３８を形成する。
【００４７】
なお、第３の実施の形態例に係るチップ抵抗器３０の製造プロセスは、図２に示す第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程と同じであるが、例えば、抵抗体保護層３５を、一対の第１保護層１６ａ，１６ｂを形成する工程と同一の工程で形成することで、これらの保護層の硬化プロセスも同時期に実施できる。また、第１保護層１６ａ，１６ｂを長手方向にさらに延長して、それぞれの端部が抵抗被膜１２にかかるように形成してもよい。
【００４８】
このように第３の実施の形態例に係るチップ抵抗器３０において、第１保護層１６ａ，１６ｂを第２保護層３８の端部領域にのみ形成しているので、樹脂からなるこれらの保護層と、金属導体である表面電極の熱膨張係数の違いによる熱ストレスの集中が第１保護層１６ａ，１６ｂにより補強、緩和される。その結果、塗布後において樹脂全体が収縮しても樹脂の端部には応力集中がないため、樹脂のズレ、金属導体からの樹脂の剥がれを防止して、樹脂と表面電極あるいは抵抗体との密着性および耐湿性を向上できる。
【００４９】
加えて、第３の実施の形態例に係るチップ抵抗器３０では、抵抗被膜１２を覆う島状の抵抗体保護層３５を形成したので、第１保護層１６ａ，１６ｂと抵抗体保護層３５を形成した後、第２保護層３８を形成するまでの工程において抵抗被膜１２の上に微細な埃、塵等が付着するのを防止でき、電子部品としての信頼性が向上する。
【００５０】
＜第４の実施の形態例＞
図５は、本発明の第４の実施の形態例に係る面実装タイプの薄膜チップ抵抗器の構成を示している。図５（ａ）は、チップ抵抗器を平面視したときの内部構造を示す平面図、図５（ｂ）は、チップ抵抗器の中央部を長手方向に切断したときの断面図である。なお、図５において、図３に示す第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器と同一の構成部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。また、図５（ａ）では、図５（ｂ）に示す外部電極メッキ１９ａ，１９ｂ等、構成の一部を省略している。
【００５１】
第４の実施の形態例に係るチップ抵抗器４０は、第１保護層２６ａ，２６ｂとして、基板１１上の表面電極１４ａ，１４ｂそれぞれのほぼ中央部に、これら表面電極の長手方向に延びる一対の線状の樹脂層を形成する。さらに、表面電極１４ａ，１４ｂ上における第１保護層２６ａ，２６ｂの内側（対向する側）の領域に端部を有し、表面電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗被膜１２を覆う島状の抵抗体保護層４５を形成する。そして、図５（ａ）において破線で示すように、第１保護層２６ａ，２６ｂと抵抗体保護層４５とを覆うように第２保護層（二次保護膜）４８を形成する。抵抗体保護層４５と第２保護層（二次保護膜）４８は、例えばエポキシ樹脂からなり、抵抗体保護層４５の厚さは、第１保護層２６ａ，２６ｂと同等とする。
【００５２】
第４の実施の形態例に係るチップ抵抗器４０においても、第１保護層２６ａ，２６ｂが第２保護層４８の端部領域にのみ形成される。そして、第２保護層４８の両端部（図５（ａ）において符号４８ａ，４８ｂで示す）それぞれが、表面電極１４ａ，１４ｂそれぞれのほぼ中央に形成された第１保護層２６ａ，２６ｂの一方端部（図５（ａ）において符号２３ａ，２３ｂで示す部分）とほぼ同一位置となるように第２保護層４８が形成されている。
【００５３】
なお、第４の実施の形態例に係るチップ抵抗器４０の製造プロセスは、図２に示す第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程と同じであるが、抵抗体保護層４５を、一対の第１保護層２６ａ，２６ｂを形成する工程と同一工程で形成して、これらの保護層の硬化プロセスも同時期に実施する。また、第１保護層２６ａ，２６ｂを長手方向にさらに延長して、それぞれの端部が抵抗被膜１２にかかるように形成してもよい。
【００５４】
このように第４の実施の形態例に係るチップ抵抗器４０においても、第１保護層２６ａ，２６ｂを第２保護層４８の端部領域にのみ形成しているので、第１保護層２６ａ，２６ｂによって、樹脂からなる保護層と金属導体である表面電極の熱膨張係数の違いによる熱ストレスの集中が補強、緩和され、塗布後において樹脂全体が収縮しても樹脂の端部には応力集中がないため、樹脂のズレ、金属導体からの樹脂の剥がれを防止して、樹脂と表面電極あるいは抵抗体との密着性および耐湿性を向上できる。
【００５５】
さらに、第１保護層２６ａ，２６ｂと抵抗体保護層４５を形成した後、第２保護層４８を形成するまでの工程における抵抗被膜１２上への微細な埃、塵等の付着を防止でき、電子部品として信頼性の高い部品の供給が可能となる。
【００５６】
本発明は上記の実施の形態例に限定されず、種々の変形が可能である。以下、上記実施の形態例に係るチップ抵抗器の変形例について説明する。
【００５７】
＜変形例１＞
図６は、変形例１に係るチップ抵抗器の内部構造を示す平面図である。なお、図６において、図１に示す第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器と同一の構成部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００５８】
図６に示すように、変形例１に係るチップ抵抗器５０の第１保護層４６は、図において縦方向に並行して延びる２本の線状樹脂層と、横方向に並行して延びる２本の線状樹脂層とを接続してなる枠状の形状（ロの字形状）を有する。縦方向の２本の線状樹脂層それぞれは、表面電極１４ａ，１４ｂの対向する側の縁部上面に沿って、チップ抵抗器５０の幅方向（図１におけるＷ方向）の両端部まで延びている。一方、横方向の２本の線状樹脂層は、それぞれの両端部が、縦方向の２本の線状樹脂層と繋がることで、全体として枠状の第１保護層４６が形成される。第１保護層４６は、例えばエポキシ樹脂からなる。
【００５９】
変形例１に係るチップ抵抗器５０において、枠状の第１保護層４６と、この第１保護層４６で囲まれる抵抗被膜１２とを覆うように、例えば、エポキシ樹脂からなる第２保護層５８（図６において破線で示す）が形成される。このとき、枠状の第１保護層４６の外側の４つの端部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄそれぞれが、第２保護層５８の４つの端部５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄそれぞれと基板上でほぼ同一の位置となるように第２保護層５８が形成される。
【００６０】
このように変形例１に係るチップ抵抗器５０において、枠状の第１保護層４６が第２保護層５８の下層にあり、かつ、第１保護層４６を第２保護層５８の端部領域にのみ形成しているので、第２保護層５８の４つの端部それぞれにおいて応力（負荷）が集中せず、塗布した樹脂のズレが生じない。そのため、第２保護層５８の４つの端部が保護されるだけでなく、第１保護層４６のうち表面電極１４ａ，１４ｂ上に形成された部分において、金属導体である表面電極より樹脂からなる第１保護層の端部が剥がれるのを防止できる。
【００６１】
＜変形例２＞
図７は、変形例２に係るチップ抵抗器の内部構造を示す平面図であり、図１に示す第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器と同一の構成部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００６２】
図７に示すように変形例２に係るチップ抵抗器６０は、４箇所に分割して枠状となるように配置した第１保護層６１，６２，６３，６４と、これら４個の第１保護層で囲まれる抵抗被膜１２とを覆うように第２保護層６８（図７において破線で示す）が形成されている。これら第１保護層６１，６２，６３，６４と第２保護層６８は、例えばエポキシ樹脂からなる。
【００６３】
変形例２に係るチップ抵抗器６０において、枠状となるように４箇所に分割して配置した第１保護層６１，６２，６３，６４を、第２保護層６８の４つの端部領域にのみ形成し、これら第１保護層の外側の端部６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａそれぞれが、第２保護層６８の４つの端部６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄそれぞれと基板上でほぼ同一の位置となるように第２保護層６８を形成する。こうすることで、第２保護層６８の４つの端部の保護とともに、４箇所の第１保護層のうち表面電極１４ａ，１４ｂ上に形成された第１保護層６２，６４については、それらの第１保護層の端部において、金属導体である表面電極より樹脂からなる第１保護層のズレおよび剥がれを防止できる。
【符号の説明】
【００６４】
１０，２０，３０，４０，５０，６０    チップ抵抗器
１１  基板
１２    抵抗被膜
１４ａ，１４ｂ    表面電極（上面電極）
１５ａ，１５ｂ    裏面電極
１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂ，４６，６１〜６４    第１保護層
１８，２８，３８，４８，５８，６８    第２保護層
１９ａ，１９ｂ    外部電極メッキ
３５，４５    抵抗体保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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