(57)【要約】【課題】ステップカバレッジの低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサー１は、ダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５上に位置する空洞部Ｓと、基板２上に配置され、空洞部Ｓを囲む配線部４２１と、配線部４２１上に配置され、空洞部Ｓを囲む配線部４４１と、基板２と配線部４２１との間に配置された第１充填部４７と、を有し、配線部４２１は、基板２と接続される第１コンタクト部４２２と、第１コンタクト部４４２の周囲に配置されている第１フランジ部４２３と、を有し、配線部４４１は、第１フランジ部４２３と接続される第２コンタクト部４４２を有し、第１フランジ部４２３の第２コンタクト部４４２と接続されている部分と、基板２との間に第１充填部４７が配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
前記基板と前記第１配線部との間に配置された第１充填部と、
前記第１配線部と前記第２配線部との間に配置された第２充填部と、を有し、
前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部と、前記第１コンタクト部の周囲に配置されている第１フランジ部と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１フランジ部と接続される第２コンタクト部を有し、
前記第１フランジ部の前記第２コンタクト部と接続されている部分と、前記基板との間に前記第１充填部が配置されていることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記第１コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室から離間する方向に少なくとも２つ並設され、
隣り合う２つの前記第１コンタクト部の間には前記第１充填部が配置されている請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記第２コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記２つの第１コンタクト部の間に位置している請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記第２コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室から離間する方向に少なくとも２つ並設され、
隣り合う２つの前記第２コンタクト部の間には前記第２充填部が配置されている請求項２または３に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記基板の平面視で、
前記２つの第１コンタクト部の間に、前記２つの第２コンタクト部のうちの前記圧力基準室に近い側の前記第２コンタクト部が位置し、
前記２つの第２コンタクト部の間に、前記２つの第１コンタクト部のうちの前記圧力基準室から遠い側の前記第１コンタクト部が位置している請求項４に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記圧力基準室側の前記第１コンタクト部と前記第２配線部との間には、空隙が形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする高度計。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、圧力基準室の周囲には製造時のエッチングに対する耐性を有するガードリング（２つの配線層）が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１８４２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構成の圧力センサーでは、下側の配線層のコンタクト部（基板に接続されている部分）に、上側の配線層のコンタクト部（下側の配線層に接続されている部分）が接続されている。そのため、上側の配線層のコンタクト部に大きな窪みが形成されてしまい、このコンタクト部上における封止層のステップカバレッジ（段差被覆性）が低下するおそれがある（図６参照）。ステップカバレッジが低下すると、圧力基準室の気密性が低下するといった問題が発生するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、ステップカバレッジの低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【０００７】
本発明の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
前記基板と前記第１配線部との間に配置された第１充填部と、
前記第１配線部と前記第２配線部との間に配置された第２充填部と、を有し、
前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部と、前記第１コンタクト部の周囲に配置されている第１フランジ部と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１フランジ部と接続される第２コンタクト部を有し、
前記第１フランジ部の前記第２コンタクト部と接続されている部分と、前記基板との間に前記第１充填部が配置されていることを特徴とする。
これにより、第１コンタクト部に第２コンタクト部が重なって配置されないため、ステップカバレッジの低下を低減することのできる圧力センサーが得られる。
【０００８】
本発明の圧力センサーでは、前記第１コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室から離間する方向に少なくとも２つ並設され、
隣り合う２つの前記第１コンタクト部の間には前記第１充填部が配置されていることが好ましい。
これにより、第１充填部によって第１コンタクト部を補強することができる。また、第１コンタクト部によって第１充填部をエッチングから保護することができる。
【０００９】
本発明の圧力センサーでは、前記第２コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記２つの第１コンタクト部の間に位置していることが好ましい。
これにより、第２コンタクト部の配置が容易となると共に、第２コンタクト部の下方に第１充填部を位置させることができる。
【００１０】
本発明の圧力センサーでは、前記第２コンタクト部は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室から離間する方向に少なくとも２つ並設され、
隣り合う２つの前記第２コンタクト部の間には前記第２充填部が配置されていることが好ましい。
これにより、第２充填部によって第２コンタクト部を補強することができる。また、第２コンタクト部によって第２充填部をエッチングから保護することができる。
【００１１】
本発明の圧力センサーでは、前記基板の平面視で、
前記２つの第１コンタクト部の間に、前記２つの第２コンタクト部のうちの前記圧力基準室に近い側の前記第２コンタクト部が位置し、
前記２つの第２コンタクト部の間に、前記２つの第１コンタクト部のうちの前記圧力基準室から遠い側の前記第１コンタクト部が位置していることが好ましい。
これにより、第１、第２コンタクト部の配置が容易となる。
【００１２】
本発明の圧力センサーでは、前記圧力基準室側の前記第１コンタクト部と前記第２配線部との間には、空隙が形成されていることが好ましい。
これにより、圧力基準室の撓みを低減することができる。
【００１３】
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
【００１４】
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子器が得られる。
【００１５】
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。
【図５】図１に示す圧力センサーの効果を説明するための比較構成を示す部分拡大断面図である。
【図６】図１に示す圧力センサーの効果を説明するための比較構成を示す部分拡大断面図である。
【図７】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
【図１５】本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１７】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図３は、図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。図５および図６は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの効果を説明するための比較構成を示す部分拡大断面図である。図７ないし図１２は、ぞれぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
【００２０】
図１に示す圧力センサー１は、基板２と、圧力センサー部３と、周囲構造体４と、空洞部Ｓと、を有している。以下、これら各部について順に説明する。
【００２１】
［基板］
基板２は、図１に示すように、ＳＯＩ基板（第１シリコン層２１１、酸化シリコン層２１２、第２シリコン層２１３の積層基板）である半導体基板２１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜２２と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜２３と、ポリシリコン膜２４と、をこの順に積層（成膜）することで構成されている。ただし、半導体基板２１としては、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、シリコン基板を用いることもできる。また、第１絶縁膜２２や第２絶縁膜２３についても、エッチング耐性と絶縁性とを発揮することができれば、材料は特に限定されない。また、第１絶縁膜２２、第２絶縁膜２３、ポリシリコン膜２４は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。
【００２２】
また、半導体基板２１には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。このダイアフラム２５は、半導体基板２１の下面に開放する有底の凹部２６を設けることで凹部２６の底部に形成され、ダイアフラム２５の下面（凹部２６の底面）が受圧面２５１となっている。なお、本実施形態では、凹部２６をドライエッチング（シリコンディープエッチング）により形成し、酸化シリコン層２１２がそのストップ層として機能している。ただし、凹部２６は、ウェットエッチングにより形成してもよい。
【００２３】
このような半導体基板２１上およびその上方には圧力センサー部３と電気的に接続された図示しない半導体回路（回路）が作り込まれている。この半導体回路には、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれている。ただし、このような半導体回路は、省略してもよい。
【００２４】
［圧力センサー部］
圧力センサー部３は、図２に示すように、ダイアフラム２５に設けられている４つのピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４を有する。また、ピエゾ抵抗素子３１〜３４は、配線等を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路３０（ホイートストンブリッジ回路）を構成して半導体回路と接続されている。
【００２５】
ブリッジ回路３０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路３０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４の抵抗値変化に応じた信号（電圧）を出力する。なお、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、それぞれ、例えば、半導体基板２１にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、これらピエゾ抵抗素子３１〜３４を接続する配線は、例えば、半導体基板２１に、ピエゾ抵抗素子３１〜３４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００２６】
［空洞部］
空洞部Ｓは、図１に示すように、基板２と周囲構造体４とに囲まれることで画成されている。このような空洞部Ｓは、密閉された空間であり、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。また、空洞部Ｓは、ダイアフラム２５の受圧面２５１とは反対側に位置し、ダイアフラム２５と重なって配置されている。なお、空洞部Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、空洞部Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
【００２７】
［周囲構造体］
基板２と共に空洞部Ｓを画成する周囲構造体４は、図１に示すように、層間絶縁膜（第１充填部）４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜（第２充填部）４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、を有している。
【００２８】
なお、後述する圧力センサー１の製造方法でも説明するが、圧力センサー１の製造工程の途中までは、空洞部Ｓは、層間絶縁膜４１、４３からなる犠牲層で埋まっている（図９参照）。そして、この犠牲層をウェットエッチング等で除去することで空洞部Ｓが形成される。以下、この工程を「リリースエッチング工程」とも言う。
【００２９】
配線層４２は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第１配線部）４２１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４２９と、を有している。同様に、配線層４４は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第２配線部）４４１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４４９と、を有している。前記半導体回路は、回路用配線部４２９、４４９によって周囲構造体４の上面に引き出されている。
【００３０】
図４は、配線部４２１、４４１を詳細に示す拡大図である。同図に示すように、配線部４２１は、層間絶縁膜４１を貫通して設けられ、基板２と接続された２つの凹状の第１コンタクト部４２２と、層間絶縁膜４１上に設けられ、第１コンタクト部４２２の周囲に配置された第１フランジ部４２３と、を有している。２つの第１コンタクト部４２２は、基板２の平面視で、空洞部Ｓを囲む枠状をなし、空洞部Ｓから離間する方向に並んで設けられている。なお、以下では、内側（空洞部Ｓ側）に位置する第１コンタクト部４２２を「第１コンタクト部４２２’」とも言い、第１コンタクト部４２２’の外側に位置する第１コンタクト部４２２を「第１コンタクト部４２２”」とも言う。
【００３１】
一方、配線部４４１は、層間絶縁膜４３を貫通して設けられ、配線部４２１と接続された凹状の２つの第２コンタクト部４４２と、層間絶縁膜４３上に設けられ、第２コンタクト部４４２の周囲に配置された第２フランジ部４４３と、を有している。２つの第２コンタクト部４４２は、基板２の平面視で、空洞部Ｓを囲む枠状をなし、空洞部Ｓから離間する方向に並んで設けられている。なお、以下では、内側（空洞部Ｓ側）に位置する第２コンタクト部４４２を「第２コンタクト部４４２’」とも言い、第２コンタクト部４４２’の外側に位置する第２コンタクト部４４２を「第２コンタクト部４４２”」とも言う。
【００３２】
第２コンタクト部４４２’は、第１フランジ部４２３の第１コンタクト部４２２’、４２２”の間に位置する中央部４２３ａ上に位置し、中央部４２３ａと接続されている。一方、第２コンタクト部４４２”は、第１フランジ部４２３の第１コンタクト部４２２”よりも外側の外側部４２３ｂ上に位置し、外側部４２３ｂと接続されている。そのため、基板２の平面視にて、空洞部Ｓ側から、第１コンタクト部４２２’、第２コンタクト部４４２’、第１コンタクト部４２２”、第２コンタクト部４４２”がこの順に並んで配置されている。
【００３３】
また、中央部４２３ａと基板２との間（２つの第１コンタクト部４２２の間の領域Ｓ１）と、外側部４２３ｂと基板２との間には第１充填部４７が配置されている。このような第１充填部４７は、配線部４２１、４４１を補強する補強材として機能する。特に、第１充填部４７によって、配線部４４１の第２コンタクト部４４２’、４４２”を下側から支えることで、第２コンタクト部４４２’、４４２”と第１フランジ部４２３との接続状態をより強固に維持できるようになっている。このような第１充填部４７は、層間絶縁膜４１の一部で構成されている。そのため、第１充填部４７と層間絶縁膜４１とを一括で形成することができ、圧力センサー１の製造が容易となると共に、圧力センサー１の装置構成が簡単となる。
【００３４】
また、配線部４４１の２つの第２コンタクト部４４２の間の領域Ｓ２には第２充填部４８が配置されている。この第２充填部４８は、配線部４２１、４４１を補強する補強材として機能する。なお、第２充填部４８は、層間絶縁膜４３の一部で構成されている。そのため、第２充填部４８と層間絶縁膜４３とを一括で形成することができ、圧力センサー１の製造が容易となると共に、圧力センサー１の装置構成が簡単となる。
【００３５】
配線層４４は、さらに、空洞部Ｓの天井に位置する被覆層４４４を有している。そして、被覆層４４４には空洞部Ｓの内外を連通する複数の細孔（貫通孔）４４５が設けられている。このような被覆層４４４は、配線部４４１から延出して設けられ、空洞部Ｓを挟んでダイアフラム２５と対向配置されている。複数の細孔４４５は、前述したリリースエッチング工程の際に、空洞部Ｓにエッチング液を侵入させるリリースエッチング用の孔である。このような被覆層４４４上には封止層（封止部）４６が配置されており、この封止層４６によって細孔４４５が封止されている。なお、封止層４６による細孔４４５の封止は、リリースエッチング工程を終え、空洞部Ｓ内を所定の雰囲気にした状態で行われる。
【００３６】
表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜は、被覆層４４４の細孔４４５を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。
【００３７】
このような周囲構造体４のうち、層間絶縁膜４１、４３および第１、第２充填部４７、４８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
【００３８】
以上、周囲構造体４について説明した。このような周囲構造体４によれば、次のような効果を発揮することができる。
【００３９】
前述したように、配線部４２１は、２つの第１コンタクト部４２２’、４２２”を有し、さらに、これら２つの第１コンタクト部４２２’、４２２”の間には第１充填部４７が配置されている。また、配線部４４１は、２つの第２コンタクト部４４２’、４４２”を有し、さらに、これら２つの第２コンタクト部４４２’、４４２”の間に第２充填部４８が配置されている。そのため、配線部４２１、４４１の機械的強度を高めることができ、空洞部Ｓが潰れ難くなり、圧力検知精度の低下を低減することができる。
【００４０】
特に、本実施形態では、第１充填部４７は、その全域が基板２と配線部４２１とによって液密的に覆われており、第２充填部４８は、その全域が配線部４２１、４４１によって液密的に覆われている。そのため、前述したリリースエッチング工程の際にエッチング液と触れることがなく、エッチングによるダメージを受けることがない。したがって、上述した効果をより確実に発揮することができる。
【００４１】
また、前述したように、基板２の平面視で、第２コンタクト部４４２’を間に挟んで２つの第１コンタクト部４２２’、４２２”が配置されているため、第１コンタクト部４２２’、４２２”を十分に離間させて配置することができる。そのため、第１充填部４７を比較的大きくすることができ、その分、第１充填部４７の補強効果を高めることができる。同様に、基板２の平面視で、第１コンタクト部４２２”を間に挟んで２つの第２コンタクト部４４２’、４４２”が配置されているため、第２コンタクト部４４２’、４４２”を十分に離間させて配置することができる。そのため、第２充填部４８を比較的大きくすることができ、その分、第２充填部４８の補強効果を高めることができる。また、このような配置とすることで、第１、第２コンタクト部４２２、４４２の配置が容易となる。
【００４２】
また、配線部４４１は、図５に示すような、第１フランジ部４２３の第１コンタクト部４２２’よりも内側（空洞部Ｓ側）の内側部４２３ｃに接続された第２コンタクト部４４２Ｘを有していない。第２コンタクト部４４２Ｘが接続された内側部４２３ｃは、空洞部Ｓに臨んでおり、層間絶縁膜４１（第１充填部４７）によって下方から支えられていないため、変形し易い。そのため、仮に、配線部４４１が第２コンタクト部４４２Ｘを有していると、第２コンタクト部４４２Ｘを介して内側部４２３ｃに応力が加わり易くなり、空洞部Ｓの大きさや被覆層４４４の強度によっては空洞部Ｓが変形し易くなる。その結果、圧力センサー１の圧力検知精度が低下するおそれがある。これに対して、本実施形態では第２コンタクト部４４２Ｘを有しておらず、内側部４２３ｃと配線部４４１との間に空隙が形成されているため、空洞部Ｓが変形し難く、圧力検知精度の低下をより低減することができる。
【００４３】
また、配線部４４１は、図６に示すような、第１コンタクト部４２２に接続された第２コンタクト部４４２Ｙを有していない。このように、第２コンタクト部４４２Ｙを第１コンタクト部４２２に接続しようとすると、層間絶縁膜４１、４３の厚み等によっては、第２コンタクト部４４２Ｙが半導体プロセス上、支障を来たす程度に深くなってしまう。そのため、第２コンタクト部４４２Ｙ上に成膜される封止層４６のステップカバレッジ（段差被覆性）が悪化し、例えば、周囲構造体４の機械的強度や空洞部Ｓの気密性が低下するおそれがある。これに対して、本実施形態では、第２コンタクト部４４２Ｙを有していないため、封止層４６のステップカバレッジが良好となり、周囲構造体４の機械的強度や空洞部Ｓの気密性をより確実に維持することができる。
【００４４】
次に、圧力センサー１の製造方法について簡単に説明する。
まず、図７に示すように、ＳＯＩ基板である半導体基板２１を用意し、半導体基板２１に圧力センサー部３を形成する。次に、図８に示すように、半導体基板２１上に第１絶縁膜２２、第２絶縁膜２３、ポリシリコン膜２４を成膜する。
【００４５】
次に、図９に示すように、半導体基板２１上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４、表面保護膜４５を順に形成する。次に、図１０に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜４５を保護した上で、ウェットエッチングによって、細孔４４５を介して犠牲層（配線部４２１、４４１で囲まれた層間絶縁膜４１、４３）を除去して、空洞部Ｓを形成する。
【００４６】
次に、図１１に示すように、空洞部Ｓを真空状態とし、封止層４６で空洞部Ｓを封止する。次に、図１２に示すように、半導体基板２１の下面に、ドライエッチングによって凹部２６を形成してダイアフラム２５を形成する。以上により、圧力センサー１が得られる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
図１３は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
【００４８】
以下、第２実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４９】
本発明の第２実施形態に係る圧力センサーは、第２配線部の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００５０】
図１３に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、配線部４４１が、１つの第２コンタクト部４４２（４４２’）と、第２コンタクト部４４２の周囲に配置された第２フランジ部４４３と、を有している。すなわち、前述した第１実施形態の構成から第２コンタクト部４４２”を省略した構成となっている。
【００５１】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５２】
＜第３実施形態＞
図１４は、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
【００５３】
以下、第３実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００５４】
本発明の第３実施形態に係る圧力センサーは、第１、第２配線部の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
【００５５】
図１４に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、配線部４２１が、１つの第１コンタクト部４２２（４２２’）と、第１コンタクト部４２２の周囲に配置された第１フランジ部４２３と、を有している。また、配線部４４１が、１つの第２コンタクト部４４２（４４２’）と、第２コンタクト部４４２の周囲に配置された第２フランジ部４４３と、を有している。すなわち、前述した第１実施形態の構成から第１コンタクト部４２２”および第２コンタクト部４４２”を省略した構成となっている。
【００５６】
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５７】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る高度計について説明する。
【００５８】
図１５は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図１５に示すように、高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計２００は、圧力センサー１を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
【００５９】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
【００６０】
図１６は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
本実施形態の電子機器は、圧力センサー１を備えたナビゲーションシステム３００である。図１６に示すように、ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【００６１】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。
【００６２】
そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【００６３】
なお、本発明の圧力センサーを備える電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。
【００６４】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る移動体について説明する。
【００６５】
図１７は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
本実施形態の移動体は、圧力センサー１を備えた自動車４００である。図１７に示すように、自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような自動車４００には、ナビゲーションシステム３００（圧力センサー１）が内蔵されている。
【００６６】
以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００６７】
また、前述した実施形態では、圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
【００６８】
また、前述した実施形態では、周囲構造体が２段の配線層を有している構成について説明したが、配線層の数としては、３段以上であってもよい。なお、この場合、例えば、最上層の配線層によって被覆層を形成すればよい。
【００６９】
また、前述した実施形態では、第１配線層が１つまたは２つの第１コンタクト部を有する構成について説明したが、第１コンタクト部の数としては、これに限定されず、３つ以上であってもよい。第２コンタクト部の数についても同様である。
【符号の説明】
【００７０】
１…圧力センサー、２…基板、２１…半導体基板、２１１…第１シリコン層、２１２…酸化シリコン層、２１３…第２シリコン層、２２…第１絶縁膜、２３…第２絶縁膜、２４…ポリシリコン膜、２５…ダイアフラム、２５１…受圧面、２６…凹部、３…圧力センサー部、３０…ブリッジ回路、３１、３２、３３、３４…ピエゾ抵抗素子、４…周囲構造体、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…配線部、４２２、４２２’、４２２”…第１コンタクト部、４２３…第１フランジ部、４２３ａ…中央部、４２３ｂ…外側部、４２３ｃ…内側部、４２９…回路用配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…配線部、４４２、４４２’、４４２”、４４２Ｘ、４４２Ｙ…第２コンタクト部、４４３…第２フランジ部、４４４…被覆層、４４５…細孔、４４９…回路用配線部、４５…表面保護膜、４６…封止層、４７…第１充填部、４８…第２充填部、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、Ｓ…空洞部、Ｓ１、Ｓ２…領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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