(57)【要約】【課題】本発明は、薄く、かつ電気化学素子内部の水素ガス以外の必要成分が外部に漏れにくい水素排出膜を提供することを目的とする。また、当該水素排出膜を備えた安全弁又は水素排出弁、当該安全弁又は水素排出弁を備えた電気化学素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の水素排出膜は、金属層を有しており、前記金属層は、厚さが０．０１〜５μｍであり、前記水素排出膜は、水素透過量が５０ｍｌ／ｄａｙ以上であり、かつ窒素透過量が１５ｍｌ／ｄａｙ以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層を有する水素排出膜において、
前記金属層は、厚さが０．０１〜５μｍであり、
前記水素排出膜は、水素透過量が５０ｍｌ／ｄａｙ以上であり、かつ窒素透過量が１５ｍｌ／ｄａｙ以下であることを特徴とする水素排出膜。
【請求項２】
前記金属層の片面又は両面にコート層を有する請求項１記載の水素排出膜。
【請求項３】
前記コート層は、フッ素系化合物、ゴム系ポリマー、及びシリコーン系ポリマーからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む請求項２記載の水素排出膜。
【請求項４】
前記コート層は、厚さが０．１〜４０μｍである請求項２又は３記載の水素排出膜。
【請求項５】
前記金属層の片面又は両面に支持体を有する請求項１〜４のいずれかに記載の水素排出膜。
【請求項６】
前記支持体は、不織布上に微多孔質膜を有するものである請求項５記載の水素排出膜。
【請求項７】
前記金属層は、Ｐｄ合金を含む合金層である請求項１〜６のいずれかに記載の水素排出膜。
【請求項８】
前記Ｐｄ合金は、第１１族元素を２０〜６５ｍｏｌ％含む請求項７記載の水素排出膜。
【請求項９】
前記第１１族元素は、Ａｕ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種である請求項８記載の水素排出膜。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の水素排出膜を備えた電気化学素子用安全弁。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の水素排出膜を備えた電気化学素子用水素排出弁。
【請求項１２】
請求項１０記載の電気化学素子用安全弁、又は請求項１１記載の電気化学素子用水素排出弁を備えた電気化学素子。
【請求項１３】
前記電気化学素子が、アルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池である請求項１２記載の電気化学素子。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかに記載の水素排出膜、請求項１０記載の電気化学素子用安全弁、又は請求項１１記載の電気化学素子用水素排出弁を用いた水素排出方法。
【請求項１５】
１５０℃以下の環境下で水素を排出させる請求項１４記載の水素排出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電池、コンデンサ、キャパシタ、及びセンサなどの電気化学素子に設けられる水素排出膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、風力発電及び太陽光発電などのインバータ、蓄電池などの大型電源などの用途にアルミ電解コンデンサが使用されている。アルミ電解コンデンサは、逆電圧、過電圧、及び過電流によって内部に水素ガスが発生する場合があり、水素ガスが大量に発生すると内部圧力の上昇によって外装ケースが破裂する恐れがある。
【０００３】
そのため、一般のアルミ電解コンデンサには、特殊膜を備えた安全弁が設けられている。安全弁は、コンデンサ内部の水素ガスを外部に排出する機能に加え、コンデンサの内部圧力が急激に上昇した場合には自壊して内部圧力を低下させ、コンデンサ自体の破裂を防止する機能を有するものである。このような安全弁の構成部材である特殊膜としては、例えば、以下のものが提案されている。
【０００４】
特許文献１では、パラジュームに２０ｗｔ％（１９．８ｍｏｌ％）Ａｇを含有させたパラジューム銀（Ｐｄ−Ａｇ）の合金で構成された箔帯を備えた圧力調整膜が提案されている。
【０００５】
しかし、特許文献１の箔帯は、５０〜６０℃程度以下の環境下で脆化しやすく、圧力調整膜としての機能を長期間維持することができないという問題があり、実用化には至っていない。
【０００６】
一方、携帯電話、ノートパソコン、及び自動車等のバッテリーとして、リチウムイオン電池が幅広く使用されている。また近年、リチウムイオン電池は高容量化やサイクル特性向上に加えて、安全性への関心が高まっている。特に、リチウムイオン電池はセル内でガスが発生することが知られており、内圧上昇に伴う電池パックの膨張や破裂が懸念されている。
【０００７】
特許文献２には、電池内で発生した水素ガスを選択的に透過する水素選択透過性合金膜として、ジルコニウム（Ｚｒ）とニッケル（Ｎｉ）の合金からなるアモルファス合金（例えば、３６Ｚｒ−６４Ｎｉ合金）膜を用いることが開示されている。
【０００８】
しかし、前記アモルファス合金は、低温域（例えば、５０℃）で水素に触れると水素化物（ＺｒＨ２）を形成して脆化するため、圧力調整膜としての機能を長時間維持することができないという問題があった。
【０００９】
特許文献３では、上記問題を解決するために、Ｐｄ−Ａｇ合金を含む水素排出膜の片面又は両面に支持体を有しており、前記Ｐｄ−Ａｇ合金中のＡｇの含有量が２０ｍｏｌ％以上である水素排出積層膜が提案されている。
【００１０】
特許文献４では、上記問題を解決するために、Ｐｄ−Ｃｕ合金を含む水素排出膜の片面又は両面に支持体を有しており、前記Ｐｄ−Ｃｕ合金中のＣｕの含有量が３０ｍｏｌ％以上である水素排出積層膜が提案されている。
【００１１】
しかし、スパッタリング法などによって支持体上に形成された薄い水素排出膜を安全弁として用いると、電気化学素子内部の水素ガス以外の必要成分が外部に漏れる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特許第４２８００１４号明細書
【特許文献２】特開２００３−２９７３２５号公報
【特許文献３】国際公開第２０１４／０９８０３８号
【特許文献４】国際公開第２０１５／０１９９０６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、薄く、かつ電気化学素子内部の水素ガス以外の必要成分が外部に漏れにくい水素排出膜を提供することを目的とする。また、当該水素排出膜を備えた安全弁又は水素排出弁、当該安全弁又は水素排出弁を備えた電気化学素子を提供することを目的とする。さらに、水素排出膜、安全弁、又は水素排出弁を用いた水素排出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、金属層を有する水素排出膜において、
前記金属層は、厚さが０．０１〜５μｍであり、
前記水素排出膜は、水素透過量が５０ｍｌ／ｄａｙ以上であり、かつ窒素透過量が１５ｍｌ／ｄａｙ以下であることを特徴とする水素排出膜、に関する。
【００１５】
前記金属層の厚さが０．０１μｍ未満の場合には、金属層にピンホールが生じやすくなるため、電気化学素子内部の必要成分（電解液など）が外部に漏れやすくなる。また、圧力が加わると金属層が破損しやすくなり、水素排出膜の耐圧気密性が低下する。一方、前記金属層の厚さが５μｍを超えると、クラックが生じやすくなる。また、金属層を形成するのに長時間を要するため、コスト面で劣る。
【００１６】
前記水素排出膜の水素透過量が５０ｍｌ／ｄａｙ以上であれば、電気化学素子内部で発生する水素ガスを十分に排出することができる。また、前記水素排出膜の窒素透過量が１５ｍｌ／ｄａｙ以下であれば、金属層に存在するピンホール又はクラックが少ないか、又は塞がれているため、電気化学素子内部の必要成分（電解液など）が外部に漏れることを抑制できる。
【００１７】
前記金属層は、片面又は両面にコート層を有することが好ましい。金属層の片面又は両面にコート層を設けることにより、金属層に存在するピンホール又はクラックを塞ぐことができる。それにより、水素排出膜の窒素透過量を１５ｍｌ／ｄａｙ以下に抑制でき、電気化学素子内部の必要成分（電解液など）が外部に漏れることを抑制できる。
【００１８】
前記コート層は、フッ素系化合物、ゴム系ポリマー、及びシリコーン系ポリマーからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。これら化合物は、水素排出膜の水素透過性を阻害しにくいため、好適に用いられる。
【００１９】
前記コート層は、厚さが０．１〜４０μｍであることが好ましい。コート層の厚さが０．１μｍ未満の場合には、均一な被覆膜を得ることが難しくなり、金属層に存在するピンホール又はクラックを塞ぐことが難しくなる傾向にある。一方、４０μｍを超える場合には、水素排出膜の水素透過性が悪くなる傾向にある。
【００２０】
前記金属層は、片面又は両面に支持体を有することが好ましい。支持体を用いることにより、スパッタリング法などによって薄い金属層を形成しやすくなる。また、前記支持体は、水素排出膜が安全弁から脱落した場合に、電気化学素子内に落下することを防止するために設けられる。また、水素排出膜は、電気化学素子の内部圧力が所定値以上になった時に自壊する安全弁としての機能を有する必要がある。水素排出膜が薄膜である場合には、水素排出膜の機械的強度が低いため、電気化学素子の内部圧力が所定値になる前に自壊するおそれがあり、安全弁としての機能を果たせない。そのため、水素排出膜が薄膜である場合には、機械的強度を向上させるために金属層の片面又は両面に支持体を積層することが好ましい。
【００２１】
前記支持体は、不織布上に微多孔質膜を有するものであることが好ましい。
【００２２】
前記微多孔質膜は、ガラス転移温度２００℃以上のポリマーを含むことが好ましく、前記ポリマーは、熱硬化性ポリアミドイミド及び熱硬化性ポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００２３】
前記金属層は、水素透過性、耐酸化性、及び水素吸蔵時の耐脆化に優れるという観点から、Ｐｄ合金を含む合金層であることが好ましい。
【００２４】
前記Ｐｄ合金は、第１１族元素を２０〜６５ｍｏｌ％含むことが好ましい。また、前記第１１族元素は、Ａｕ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００２５】
Ｐｄ−第１１族元素合金を含む合金層は、膜表面で水素分子を水素原子に解離して水素原子を膜内に固溶し、固溶した水素原子を高圧側から低圧側に拡散させ、低圧側の膜表面で再び水素原子を水素分子に変換して排出する機能を有する。第１１族元素の含有量が２０ｍｏｌ％未満の場合には、合金の強度が不十分になったり、前記機能が発現し難くなる傾向にあり、６５ｍｏｌ％を超える場合には水素透過速度が低下する傾向にある。
【００２６】
また、本発明は、前記水素排出膜を備えた電気化学素子用安全弁、前記水素排出膜を備えた電気化学素子用水素排出弁、及び当該安全弁又は水素排出弁を備えた電気化学素子、に関する。電気化学素子としては、例えば、アルミ電解コンデンサ及びリチウムイオン電池などが挙げられる。
【００２７】
また、本発明は、前記水素排出膜、前記安全弁、又は前記水素排出弁を用いた水素排出方法、に関する。
【００２８】
本発明の水素排出方法においては、前記水素排出膜等を用いて１５０℃以下の環境下で水素を排出させることが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の水素排出膜は、電気化学素子内部で発生した水素ガスのみを速やかに外部に排出することができるだけでなく、外部から電気化学素子内部への不純物の侵入を防止することができる。また、本発明の水素排出膜を備えた安全弁は、電気化学素子の内部圧力が急激に上昇した場合には自壊して内部圧力を低下させ、電気化学素子自体の破裂を防止することができる。これら効果により、電気化学素子の性能を長期間維持することができ、電気化学素子の長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施例２で作製した水素排出膜の表面のＳＥＭ写真である。
【図２】比較例１で作製した水素排出膜の表面のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００３２】
本発明の水素排出膜は、金属層を少なくとも有する。金属層を形成する金属は、単体、又は合金化することで水素透過機能を有する金属であれば特に制限されず、例えば、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｍｏ及びこれらの金属を２種以上含む合金などが挙げられる。
【００３３】
前記金属層は、Ｐｄ合金を含む合金層であることが好ましい。Ｐｄ合金を形成する他の金属は特に制限されないが、第１１族元素を用いることが好ましく、より好ましくはＡｕ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種である。特に、Ｐｄ−Ａｕ合金は、電気化学素子内部の電解液又は構成部材から発生するガス成分に対する耐腐食性が優れるため好ましい。Ｐｄ合金は、第１１族元素を２０〜６５ｍｏｌ％含むことが好ましく、より好ましくは３０〜６５ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは３０〜６０ｍｏｌ％である。また、Ａｇ含有量が２０ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｇ合金、Ｃｕ含有量が３０ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ｃｕ合金、又はＡｕ含有量が２０ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｕ合金を含む合金層は、５０〜６０℃程度以下の低温域であっても水素によって脆化しにくいので好ましい。また、Ｐｄ合金は、本発明の効果を損なわない範囲でＩＢ族及び／又はIIIＡ族の金属を含んでいてもよい。
【００３４】
Ｐｄ合金を含む合金層は、上記したＰｄを含む２成分を含む合金だけでなく、例えばＰｄ−Ａｕ−Ａｇの３成分を含む合金であってもよく、Ｐｄ−Ａｕ−Ｃｕの３成分を含む合金であってもよい。さらに、Ｐｄ−Ａｕ−Ａｇ−Ｃｕの４成分を含む合金であってもよい。例えば、ＰｄとＡｕと他の金属を含む多成分系合金の場合、Ｐｄ−Ａｕ合金中のＡｕと他の金属との合計含有量は、５５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｏｌ％以下であり、さらに好ましくは４５ｍｏｌ％以下であり、特に好ましくは４０ｍｏｌ％以下である。
【００３５】
前記金属層の厚さは、０．０１〜５μｍであり、好ましくは０．０５〜２μｍであり、より好ましくは０．１０〜０．５０μｍである。
【００３６】
前記金属層は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、及びメッキ法などにより製造することができるが、膜厚の薄い金属層を製造する場合には、特にスパッタリング法を用いることが好ましい。
【００３７】
スパッタリング法は特に限定されず、平行平板型、枚葉型、通過型、ＤＣスパッタ、及びＲＦスパッタなどのスパッタリング装置を用いて行うことができる。例えば、金属ターゲットを設置したスパッタリング装置に基板を取り付けた後、スパッタリング装置内を真空排気し、Ａｒガス圧を所定値に調整し、金属ターゲットに所定のスパッタ電流を投入して、基板上に金属膜を形成する。その後、基板から金属膜を剥離して金属層を得る。なお、ターゲットとしては、製造する金属層に応じて、単一又は複数のターゲットを用いることができる。
【００３８】
基板としては、例えば、ガラス板、セラミックス板、シリコンウエハー、アルミニウム及びステンレスなどの金属板が挙げられる。
【００３９】
前記金属層の膜面積は、水素透過量と膜厚を考慮して適宜調整することができるが、安全弁又は水素排出弁の構成部材として用いる場合には、通常、０．０１〜１００ｍｍ２程度である。
【００４０】
前記金属層は、片面又は両面にコート層を有することが好ましい。
【００４１】
コート層の原料は特に制限されず、例えば、フッ素系化合物、ゴム系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ウレタン系ポリマー、及びポリエステル系ポリマーなどが挙げられる。これらのうち、水素排出膜の水素透過性を阻害しにくいという観点から、フッ素系化合物、ゴム系ポリマー、及びシリコーン系ポリマーからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を用いることが好ましい。
【００４２】
フッ素系化合物としては、例えば、フルオロアルキルカルボン酸塩、フルオロアルキル第四級アンモニウム塩、及びフルオロアルキルエチレンオキシド付加物などのフルオロアルキル基含有化合物；ペルフルオロアルキルカルボン酸塩、ペルフルオロアルキル第四級アンモニウム塩、及びペルフルオロアルキルエチレンオキシド付加物などのペルフルオロアルキル基含有化合物；テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及びテトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体などのフルオロカーボン基含有化合物；テトラフルオロエチレン重合体；フッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンの共重合体；フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンの共重合体；含フッ素（メタ）アクリル酸エステル；含フッ素（メタ）アクリル酸エステル重合体；含フッ素（メタ）アクリル酸アルキルエステル重合体；含フッ素（メタ）アクリル酸エステルと他モノマーの共重合体、などが挙げられる。
【００４３】
また、コート層の原料であるフッ素系化合物として、ハーベス社製の「デュラサーフ」シリーズ、ＡＧＣセイミケミカル社製の「エスエフコート」シリーズ、野田スクリーン社製の「ＷＯＰ」シリーズ、「ＩＮＴ」シリーズ、及び「ＰＣＨ」シリーズ、ダイキン工業社製の「オプツール」シリーズ、及び信越化学工業社製の「ＫＹ−１００」シリーズなどを使用してもよい。
【００４４】
ゴム系ポリマーとしては、例えば、天然ゴム、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、ポリブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン三元重合体ゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴム、及びエチレン−酢酸ビニル共重合体ゴムなどが挙げられる。
【００４５】
また、コート層の原料であるゴム系ポリマーとして、日東シンコー社製の「エレップコート」シリーズなどを使用してもよい。
【００４６】
シリコーン系ポリマーとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン、アルキル変性ポリジメチルシロキサン、カルボキシル変性ポリジメチルシロキサン、アミノ変性ポリジメチルシロキサン、エポキシ変性ポリジメチルシロキサン、フッ素変性ポリジメチルシロキサン、及び（メタ）アクリレート変性ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
【００４７】
コート層は、例えば、金属層上にコート層原料組成物を塗布し、硬化させることにより形成することができる。
【００４８】
塗布方法は特に制限されず、例えば、ロールコート法、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ダイコート法、インクジェット法、及びグラビアコート法などが挙げられる。
【００４９】
溶剤は、コート層の原料に応じて適宜選択すればよい。コート層の原料としてフッ素系化合物を用いる場合、例えば、フッ素系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、及び炭化水素系溶剤などの溶剤を単独又は混合して使用することができる。これらのうち、引火性がなく、速やかに揮発するフッ素系溶剤を単独又は他の溶剤と混合して使用することが好ましい。
【００５０】
フッ素系溶剤としては、例えば、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルカン、ハイドロフルオロポリエーテル、ハイドロフルオロカーボン、パーフルオロシクロエーテル、パーフルオロシクロアルカン、ハイドロフルオロシクロアルカン、キシレンヘキサフルオライド、ハイドロフルオロクロロカーボン、及びパーフルオロカーボンなどが挙げられる。
【００５１】
コート層の厚さは特に制限されないが、０．１〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０μｍであり、さらに好ましくは０．３〜５μｍである。
【００５２】
前記金属層の片面又は両面に支持体を設けてもよい。特に、スパッタリング法などにより得られる金属層は、膜厚が薄いため、機械的強度を向上させるために金属層の片面又は両面に支持体を積層することが好ましい。
【００５３】
支持体は、水素透過性であり、金属層を支持しうるものであれば特に限定されず、無孔質体であってもよく、多孔質体であってもよい。また、支持体は、織布であってもよく、不織布であってもよい。支持体の形成材料としては、例えば、ポリエチレン及びポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリスルホン及びポリエーテルスルホンなどのポリアリールエーテルスルホン、ポリテトラフルオロエチレン及びポリフッ化ビニリデンなどのフッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。
【００５４】
支持体の厚さは特に限定されないが、通常５〜１０００μｍ程度、好ましくは１０〜３００μｍである。
【００５５】
前記支持体は、不織布上に微多孔質膜を有するものであることが好ましい。
【００５６】
不織布は公知のものを特に制限なく使用することができる。不織布の厚さは特に制限されないが、通常、５０〜２００μｍ程度であり、好ましくは７０〜１５０μｍである。
【００５７】
微多孔質膜の形成材料は特に制限されず、例えば、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンなどのポリアリールエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びポリフッ化ビニリデンなどが挙げられる。熱的安定性の観点からガラス転移温度２００℃以上のポリマーを用いることが好ましく、特に、熱硬化性ポリアミドイミド及び熱硬化性ポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００５８】
微多孔質膜の形成方法は特に制限されないが、通常、湿式法または乾湿式法により形成する。例えば、ポリマー溶液（ドープ）を不織布上に塗布し、その後、ドープ膜を有する不織布を凝固浴に浸漬してドープ膜にミクロ相分離を生じさせ、そしてポリマーの多孔構造を固定化することにより微多孔質膜を不織布上に形成する。
【００５９】
ポリマー溶液の溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、及びジオキサンなどが挙げられる。
【００６０】
前記微多孔質膜は、前記金属層を積層する側の表面に存在する孔の最大孔径が２００ｎｍ未満であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２０ｎｍ以下である。
【００６１】
また、前記微多孔質膜は、前記金属層を積層する側の表面に存在する孔の平均孔径が５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２０ｎｍ以下である。
【００６２】
微多孔質膜の表面の孔の孔径を前記大きさに調整することにより、スパッタリング法などで微多孔質膜上に金属層を形成する場合に、金属層にピンホールが発生することを効果的に抑制できる。
【００６３】
微多孔質膜の表面の孔の孔径は、ドープ膜中の溶媒と凝固液（例えば、水など）との置換速度を適宜制御することにより、目的とする孔径に調整することができる。置換速度を制御する要因としては、例えば、ドープに含まれるポリマー、溶媒、及び添加剤の種類；ドープの固形分濃度、粘度、及び温度；ドープ膜の厚さ；凝固液の種類、温度、及び濃度；凝固浴への浸漬時間などが挙げられる。当業者であれば、前記置換速度を制御する要因を適宜調整することにより、目的とする孔径に調整することができるであろう。
【００６４】
微多孔質膜の厚さは、通常、１０〜１００μｍ程度であり、好ましくは２０〜８０μｍであり、より好ましくは３０〜６０μｍである。
【００６５】
金属層をスパッタリング法などで製造する場合、基板として前記支持体を用いると、支持体上に金属層を直接形成することができ、接着剤などを用いることなく水素排出膜を製造できるため、水素排出膜の物性及び製造効率の観点から好ましい。
【００６６】
本発明の水素排出膜は、不織布上に微多孔質膜を有する支持体の微多孔質膜上に金属層が積層されており、前記金属層上にコート層が設けられている態様であることが好ましい。
【００６７】
本発明の水素排出膜の形状は、略円形状であってもよく、三角形、四角形、五角形等の多角形であってもよい。後述する用途に応じた任意の形状にすることができる。
【００６８】
本発明の水素排出膜は、水素透過量が５０ｍｌ／ｄａｙ以上であり、かつ窒素透過量が１５ｍｌ／ｄａｙ以下である。水素透過量は１００ｍｌ／ｄａｙ以上であることが好ましく、より好ましくは２００ｍｌ／ｄａｙ以上であり、さらに好ましくは３００ｍｌ／ｄａｙ以上である。一方、窒素透過量は１０ｍｌ／ｄａｙ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｍｌ／ｄａｙ以下であり、特に好ましくは０ｍｌ／ｄａｙである。
【００６９】
本発明の水素排出膜は、特にアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池の安全弁の構成部材として有用である。また、本発明の水素排出膜は、安全弁とは別に水素排出弁として電気化学素子に設けることも可能である。
【００７０】
本発明の水素排出膜を用いて電気化学素子内部で発生した水素を排出する方法は特に限定されないが、例えばアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池の外装部分の一部に本発明の水素排出膜を設け、これを外装内部と外部の隔膜として用いることができる。この場合、外装内部と外部は水素排出膜によって隔離され、水素排出膜は水素ガス以外の気体を透過しない。外装内部で発生した水素ガスは圧力の上昇により水素排出膜を介して外部に排出され、外装内部は所定圧力以上に上昇することはない。
【００７１】
本発明の水素排出膜は、その合金組成を適宜調整することにより、低温で脆化しないため、例えば１５０℃以下の温度、さらには１１０℃以下の温度で使用できるという利点がある。すなわち、その用途により、高温（例えば４００〜５００℃）で使用されないアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池における水素排出方法において、本発明の水素排出膜は特に好適に用いられる。
【実施例】
【００７２】
以下に実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例によりなんら限定されるものではない。
【００７３】
製造例１
〔支持体の作製〕
ポリアミドイミド（東洋紡社製、バイロマックスＨＲ−２２ＢＬ）１２．８ｇ、ポリプロピレングリコール（アデカポリエーテルＰ−４００）１．１ｇ、及びＮ−メチル−２−ピロリドン（和光純薬工業社製、特級）１．２ｇをスクリュー菅瓶に入れ、遊星撹拌脱泡装置（シンキー社製、泡取り練太郎ＡＲＥ−３１０）を用いて２０００ｒｐｍで５分間撹拌し、その後、２２００ｒｐｍで３分間撹拌して脱泡してポリアミドイミド溶液（ドープ）を調製した。前記ポリアミドイミド溶液をガラス板上に固定したアラミド不織布（グラスパーＡＰＴ−７２、厚さ１３０μｍ）上にアプリケーターで均一に塗布してドープ膜を形成し、その後すぐに４５℃に調整したＲＯ膜透過水の浴槽に浸漬した。ドープ膜に含まれる溶媒が十分にＲＯ膜透過水と置換するまで浸漬した後、浴槽から取り出し、１２０℃のオーブンで５分間乾燥した後、３００℃のオーブンで３０分間熱処理して、アラミド不織布上に微多孔質膜（厚さ４０μｍ）を有する支持体を作製した。作製した支持体の断面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、微多孔質膜は、表面から厚さ方向に徐々に孔径が大きくなる非対称多孔質構造であった。また、微多孔質膜の表面の孔の最大孔径は２０ｎｍであり、平均孔径は１０ｎｍであった。
【００７４】
実施例１
Ａｕ含有量が４０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを装着したＲＦマグネトロンスパッタリング装置（サンユー電子社製）に、製造例１で作製した支持体を取り付けた。その後、スパッタリング装置内を１×１０−５Ｐａ以下に真空排気し、Ａｒガス圧１．０Ｐａにおいて、Ｐｄ−Ａｕ合金ターゲットに４．８Ａのスパッタ電流を投入して、前記支持体の微多孔質膜上に厚さ１００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金層（Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％）を形成した。その後、前記Ｐｄ−Ａｕ合金層上にコート層原料組成物（ハーベス社製、デュラサーフＤＳ−３３０２ＴＨ、濃度２％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ０．３μｍのコート層を形成して水素排出膜を作製した。
【００７５】
実施例２
コート層原料組成物（ハーベス社製、デュラサーフＤＳ−３３０８ＴＨ、濃度８％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ１．５μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。図１は、実施例２で作製した水素排出膜の表面のＳＥＭ写真である。水素排出膜の表面にピンホールがないことがわかる。
【００７６】
実施例３
コート層原料組成物（ハーベス社製、デュラサーフＤＳ−３３２０Ｃ、濃度２０％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ６．５μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００７７】
実施例４
コート層原料組成物（ハーベス社製、デュラサーフＤＳ−３３３０Ｃ、濃度３０％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ２６μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００７８】
実施例５
コート層原料組成物（ＡＧＣセイミケミカル社製、エスエフコートＳＦＥ−Ｂ００２Ｈ、濃度２％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ０．５μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００７９】
実施例６
コート層原料組成物（野田スクリーン社製、ＩＮＴ−３３３ＱＡ、濃度８％）をディップコート法で塗布し、乾燥させて厚さ１．７μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００８０】
比較例１
コート層を形成しなかった以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。図２は、比較例１で作製した水素排出膜の表面のＳＥＭ写真である。水素排出膜の表面に多くのピンホールがあることがわかる。
【００８１】
比較例２
コート層原料組成物（ハーベス社製、デュラサーフＤＳ−３３３０Ｃ、濃度３０％）をディップコート法で２回塗布し、乾燥させて厚さ６０μｍのコート層を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００８２】
比較例３
支持体の微多孔質膜上に厚さ８ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金層（Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％）を形成した以外は実施例１と同様の方法で水素排出膜を作製した。
【００８３】
〔測定及び評価方法〕
（最大孔径、平均孔径の測定）
作製した支持膜の最表面をＦＥ−ＳＥＭを用いて観察し、５０００倍の画像を得た。その画像を二値化し画像解析を行って画像中の孔の孔径、孔径分布を算出し、最大孔径及び平均孔径の値を得た。
【００８４】
（水素透過量の測定）
作製した水素排出膜をスウェージロック社製のＶＣＲコネクター（空間体積：１２．０ｍｌ）に取り付けた。ＶＣＲコネクターの片側に０．１５５ＭＰａ（１０５℃雰囲気下）となるように水素ガスを封入したＳＵＳチューブ（空間体積：５６ｍｌ）を取り付け、内部圧力が０．１５０ＭＰａとなるように密封された空間（６８ｍｌ）を作製した。１０５℃雰囲気下にて、密閉された空間の圧力変化をモニターした。圧力変化により水素排出膜を透過した水素モル数（体積）がわかるため、これを１日当たりの透過量に換算して水素透過量を算出した。なお、測定に用いた水素排出膜の有効膜面積は６０．８×１０−６ｍ２（φ８．８ｍｍ）である。  
例えば、２時間で圧力が０．１５０ＭＰａから０．１００ＭＰａに変化した場合（変化量０．０５０ＭＰａ）、水素排出膜を透過した水素体積は３４ｍｌになる。よって、１日当たりの水素透過量は３４×２４／２＝４０８ｍｌ／ｄａｙとなる。
【００８５】
（窒素透過量の測定）
ＳＵＳチューブに封入したガスを窒素ガスにした以外は、上記の水素透過量の測定と同様にして窒素透過量の測定を行った。
【００８６】
【表１】
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【００８７】
表１から、実施例１〜６の水素排出膜は、水素ガスのみを選択的に透過する機能を有することがわかる。比較例１及び３の水素排出膜は、水素ガスだけでなく窒素ガスも透過しており、水素ガスのみを選択的に透過する機能を有していない。比較例２の水素排出膜は、水素ガスのみを選択的に透過する機能を有するが、水素透過性が不十分である。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の水素排出膜は、電池、コンデンサ、キャパシタ、及びセンサなどの電気化学素子に設けられる安全弁又は水素排出弁の構成部材として好適に用いられる。
【図１】
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【図２】
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