(57)【要約】      （修正有）【課題】割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シートを安定的に得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】樹脂シート１００を所定サイズに裁断するスリット工程を含む半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法であって、スリット工程では、樹脂シート１００の裁断部位を局所的に加熱しながら裁断することによって、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シート１００を安定的に得る半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法。前記裁断部位の加熱温度が５０〜２００℃である半導体装置用樹脂シート１００の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂シートを所定サイズに裁断するスリット工程を含む半導体装置製造用樹脂シートの製造方法であって、
前記スリット工程では、前記樹脂シートの裁断部位を局所的に加熱しながら裁断する半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの前記裁断部位の加熱温度が５０℃以上２００℃以下である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの前記裁断部位を熱板により加熱する半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートは、エポキシ樹脂と、無機充填材と、を含むエポキシ樹脂組成物により構成される半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記無機充填材の含有量が、前記樹脂シート全体を１００質量％としたとき、４０質量％以上９５質量％以下である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか一項に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの厚みが１０μｍ以上３００μｍ以下である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか一項に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの硬化物の２５℃での曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか一項に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの硬化物のガラス転移温度以下における線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれか一項に記載の半導体装置製造用樹脂シートの製造方法において、
前記樹脂シートの硬化物のガラス転移温度が１２０℃以上である半導体装置製造用樹脂シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用樹脂シートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物（以下、「エポキシ樹脂組成物」、「樹脂組成物」とも称す。）を用いた半導体装置の封止成形方法としては、近年、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を用いる圧縮成形法が利用されている傾向にある。
【０００３】
ただし、圧縮成形による半導体素子の封止プロセスの中でも、極薄型の半導体パッケージ成形や大面積のパネル成形を行う製造プロセスについては、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を用いた場合、使用する樹脂組成物の微細な蒔きむらによる影響を受けやすく、結果として生産性という観点において不都合が生じる可能性を有している。こうした事情に鑑みて、近年、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を用いた圧縮成形による半導体素子の封止プロセスに代わる技術として、シート状の樹脂組成物（以下、樹脂シートとも呼ぶ。）を用いた半導体素子の封止プロセスについて、種々の検討がなされている。
【０００４】
このような半導体素子の封止プロセスに用いる樹脂シートに関する技術としては、例えば、以下のものがある。
【０００５】
特許文献１には、８０℃で測定される粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と、硬化剤と、平均粒径ｄｍａｘが３〜５０ｎｍでかつ半値幅が平均粒径ｄｍａｘの１．５倍以下であるシリカ粒子とを含む、樹脂シートが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２０６６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らの検討によれば、特許文献１等に記載されている従来の樹脂シートは、端部を裁断（スリットとも呼ぶ。）する際に、スリット部に割れや欠けが生じやすいことが明らかになった。
【０００８】
以上を踏まえ、本発明は、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シートを安定的に得ることが可能な製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した。その結果、樹脂シートの裁断部位を局所的に加熱しながら裁断することにより割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シートを安定的に得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
本発明によれば、
樹脂シートを所定サイズに裁断するスリット工程を含む半導体装置製造用樹脂シートの製造方法であって、
上記スリット工程では、上記樹脂シートの裁断部位を局所的に加熱しながら裁断する半導体装置製造用樹脂シートの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シートを安定的に得ることが可能な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シートの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜半導体装置製造用樹脂シート＞
まず、本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００（以下、樹脂シート１００とも示す。）は、完全硬化状態にある樹脂シートではなく、未硬化状態または半硬化状態にある樹脂シートである。
そして、図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００は、その名の通り、シート状の形態に加工されたものである。かかる半導体装置製造用樹脂シート１００は、例えば、エポキシ樹脂と、無機充填材と、を含むエポキシ樹脂組成物により構成される。
【００１４】
樹脂シート１００は、上述したように、シート状の形態に加工されたものである。そのため、樹脂シート１００によれば、従来の顆粒状の形態にある樹脂組成物を用いて半導体素子を封止成形する時に生じていた粒子同士の互着に起因した微細な蒔きむらの問題自体を防ぐことが可能であり、結果として、従来の方法と比べて生産性の観点において優れた半導体装置を実現することができる。
【００１５】
また、樹脂シート１００は、当該樹脂シート１００の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）以下における線膨張係数が、好ましくは５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下であり、より好ましくは８ｐｐｍ／℃以上２８ｐｐｍ／℃以下である。こうすることで、上記半導体素子と当該樹脂シート１００の硬化物との密着性を向上させることが可能であり、結果として、より一層長期使用時の信頼性という観点において優れた半導体装置を実現することができる。なお、本実施形態においては、例えば、無機充填材の配合量を増やすことにより、上記線膨張係数を低減することができる。
【００１６】
また、樹脂シート１００は、当該樹脂シート１００の硬化物の２５℃での曲げ弾性率が好ましくは１０ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である。こうすることで、当該樹脂シート１００の硬化物の剛性が適度となり、環境温度に変化が生じても、部材間で生じる線膨張係数差に起因して発生する応力を上記硬化物で安定的に緩和することができる。これにより、各部材間の接合信頼性をより一層高めることができる。
【００１７】
また、樹脂シート１００は、当該樹脂シート１００の硬化物のガラス転移温度が、好ましくは１２０℃以上２５０℃以下である。樹脂シート１００の硬化物のガラス転移温度が上記範囲内であると、得られた半導体装置の耐熱信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また、樹脂シート１００は、当該樹脂シート１００により保護する対象物の機能を損なうことなく、化学物質や湿気、機械的衝撃等から保護する観点から、当該樹脂シート１００のシート厚みをＸとし、シート幅をＹとしたとき、Ｘ＜Ｙであることが好ましい。こうすることで、当該樹脂シート１００を用いて半導体素子を封止した際における、樹脂シート１００の硬化物の形状を安定的に制御することが可能である。なお、シート幅Ｙは、図１に示す樹脂シート１００に係る２つシート幅の内、長さが短い方を指す。
【００１９】
また、樹脂シート１００は、そのシート厚みが、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以上２５０μｍ以下である。こうすることで、従来の製造方法と比べて、生産性に優れ、かつ信頼性に優れた極薄型の半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能となる。
【００２０】
また、樹脂シート１００は、最低溶融粘度が、１Ｐａ・Ｓ以上１００Ｐａ・Ｓ以下となるように制御することが好ましい。このように、樹脂シート１００の半硬化状態での溶融特性を制御することにより、半導体素子を当該樹脂シート１００により埋め込み覆う際に樹脂のブリードが生じること、当該樹脂シート１００による半導体素子の埋め込み不良やワイヤ流れが生じることを抑制することが可能である。上記最低溶融粘度の値は、好ましくは、上述したように１Ｐａ・Ｓ以上１００Ｐａ・Ｓ以下であるが、より好ましくは２Ｐａ・Ｓ以上９５Ｐａ・Ｓ以下であり、さらに好ましくは２Ｐａ・Ｓ以上９０Ｐａ・Ｓ以下である。こうすることで、樹脂シート１００が備える埋め込み特性を向上させることが可能であり、接続信頼性という観点において優れた半導体装置を実現することができる。
【００２１】
＜半導体装置製造用樹脂シートの製造方法＞
本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法では、樹脂シートを所定サイズに裁断するスリット工程を含み、上記スリット工程では、上記樹脂シートの裁断部位を局所的に加熱しながら裁断する。
こうすることで、スリット部における割れや欠けの発生を抑制することができ、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シート１００を安定的に得ることができる。
【００２２】
また、本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法では、上記樹脂シートの上記裁断部位の加熱温度が好ましくは５０℃以上２００℃以下、より好ましくは６５℃以上１９０℃以下、さらに好ましくは８０℃以上１８０℃以下となるように制御することが好ましい。こうすることで、スリット部における割れや欠けの発生をより一層抑制することができ、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シート１００をより一層安定的に得ることができる。
【００２３】
また、本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法では、上記樹脂シートの上記裁断部位を熱板により加熱することが好ましい。こうすることで、裁断しない部分に悪影響を及ぼすことなく上記樹脂シートの上記裁断部位を局所的に、より内部まで高温に加熱され、スリット部における割れや欠けの発生をより一層抑制することができ、その結果、割れや欠けが抑制された半導体装置製造用樹脂シート１００をより一層安定的に得ることができる。
【００２４】
以下、上記スリット工程をおこなう前の樹脂シートの製造方法について説明する。
樹脂シートの製造方法としては、例えば、調整したワニスをフィルム上に塗布・乾燥してシート状に形成し、溶剤を揮発させる方法が挙げられる。こうすることで、上記スリット工程をおこなう前の樹脂シートを作製することができる。また、塗布の方法としては、コンマコーターやダイコーターのような塗工機を用いた塗工による方法、ステンシル印刷やグラビア印刷のような印刷による方法等が挙げられる。なお、ワニスの調整方法の一例としては、例えば、溶剤およびアクリルモノマーを除く各原料成分を混練して得られた樹脂混合物を有機溶剤およびアクリルモノマーの混合物等に溶解又は分散する方法がある。
また、上記スリット工程をおこなう前の樹脂シートは、上述した樹脂組成物を押し出してシート状に形成してもよい。
【００２５】
ここで、上記溶剤の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、イソプロパノール、エチレングリコール系、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のプロピレングリコール系、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。中でも、作業性を損うことなく、残存しない程度に優れた揮発性を有したシクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソプロパノール、エチレングリコール系、プロピレングリコール系の有機溶剤が好ましい。
【００２６】
次に、上記スリット工程をおこなう前の樹脂シートを作製するために用いるエポキシ樹脂組成物の配合組成について詳細に説明する。
【００２７】
本実施形態に係る製造方法において準備するエポキシ樹脂組成物は、その名の通り、エポキシ樹脂を含む。
上記エポキシ樹脂としては、その分子量、分子構造に関係なく、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリヒドロキシフェノニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンおよび／またはジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られる２官能ないし４官能のナフタレン２量体型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン類；グリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、金属パターンや導体部との密着性を向上させる観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、半導体パッケージの低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、半導体装置における耐リフロー性の向��および反りの抑制を実現することも可能である。
【００２８】
エポキシ樹脂の含有量は、例えばエポキシ樹脂組成物全量に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物を用いて形成される樹脂シート１００の硬化物と半導体素子との密着性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂の含有量は、例えばエポキシ樹脂組成物全量に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、当該エポキシ樹脂組成物を用いて形成される樹脂シート１００の硬化物の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【００２９】
また、上記エポキシ樹脂組成物には、硬化剤を含有させてもよい。この硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであればよい。具体的には、上記硬化剤として、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
また、これらの内、エポキシ樹脂組成物に用いる硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、シリコン変性フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等が例示される。中でも、樹脂シート１００の硬化物の耐熱性を良好なものとし、かつ封止成形時の作業性に優れるという点で、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂が好適である。
【００３０】
また、本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含む。かかる無機充填材は、一般にエポキシ樹脂組成物に用いられているものであればよい。具体的には、上記無機充填材として、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。また、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その平均粒子径ｄ５０は、半導体素子周辺への充填性の観点から、０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが望ましい。
なお、無機充填材の平均粒子径ｄ５０は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
【００３１】
また、無機充填材の含有量は、半導体装置製造用樹脂シート１００全体を１００質量％としたとき、４０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９３質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以上９１質量％以下であることがさらに好ましい。こうすることで、流動性が低下し成形時に充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内のワイヤ流れ等の不都合が生じたりする恐れを少なくすることができる。
【００３２】
エポキシ樹脂組成物は、例えばシアネート樹脂を含有させてもよい。これにより、当該樹脂組成物の硬化物からなる樹脂シート１００の硬化物について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂は、例えばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、樹脂シート１００の硬化物の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことが特に好ましい。
【００３３】
シアネート樹脂の含有量は、例えばエポキシ樹脂組成物全量に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物を用いて形成される樹脂シート１００の硬化物のより効果的な低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。また、エポキシ樹脂組成物を用いて形成される樹脂シート１００の硬化物と半導体素子との密着性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂の含有量は、例えばエポキシ樹脂組成物全量に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物を用いて形成される樹脂シート１００の硬化物の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【００３４】
上記エポキシ樹脂組成物には、硬化促進剤を含有させてもよい。この硬化促進剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよい。具体的には、上記硬化促進剤として、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。より好ましいものとしては、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が溶融した後の急激な増粘が少ない潜伏性を有する硬化促進剤が挙げられる。
【００３５】
上記エポキシ樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、着色剤、離型剤、低応力剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランカップリング剤、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。離型剤としては、天然ワックス、モンタン酸エステル等の合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。低応力剤としては、シリコーンオイル、シリコーンゴム等が挙げられる。イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等が挙げられる。難燃剤としては、水酸化アルミニウム等が挙げられる。
【００３６】
また、本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物には、アクリルモノマーを添加してもよい。かかるアクリルモノマーは、上述した本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００の製造方法において使用する溶剤よりも沸点の高いモノマーであることが好ましい。例えば、本実施形態に係るアクリルモノマーの沸点は、好ましくは１００℃以上であり、さらに好ましくは１１０℃以上である。こうすることで、当該樹脂シート１００を作製している間にアクリルモノマーが揮発することを防ぎ、かつ当該アクリルモノマーと溶剤および樹脂組成物との間で化学的に反応して相互作用させることができる。本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物は、上述した相互作用を生じさせることによって、使用時の作業性を向上させることができる程度に、柔軟性に優れたものとすることができる。
【００３７】
上記アクリルモノマーとしては、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシプロピルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルメチルヘキサヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシプロピルメチルヘキサヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイルキシエチルフタル酸、２−（メタ）アクリロイルキシプロピルフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルテトラヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシプロピルテトラヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルメチルテトラヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシプロピルメチルテトラヒドロフタル酸、２−ヒドロキシ−１，３−ジ（メタ）アクリロキシプロパン、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイロキシプロピル（メタ）アクリレート、１，４―シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、エチル−α−（ヒドロキシメチル）（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ターシャルブチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、その他のアルキル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジンクモノ（メタ）アクリレート、ジンクジ（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフロロプロピル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，４，４−ヘキサフロロブチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）���クリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ'−メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ'−エチレンビス（メタ）アクリルアミド、１，２−ジ（メタ）アクリルアミドエチレングリコール、ジ（メタ）アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、２−（メタ）アクリロイロキシエチル、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルマレイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルフタルイミド、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、エトキシ化ビスフェノールＡ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡ（メタ）アクリレート等の多官能モノマー等が挙げられる。
【００３８】
上記アクリルモノマーの含有量は、本実施形態に半導体装置製造用樹脂シート１００全量に対して、好ましくは０．１質量％以上３．０質量％以下であり、さらに好ましくは０．５質量％以上２．０質量％以下である。こうすることによって、使用時の作業性を向上させることができる程度に、柔軟性に優れた樹脂シート１００を実現することができる。
【００３９】
本実施形態に係る半導体装置製造用樹脂シート１００は、例えば、半導体素子を封止する封止材や、半導体素子を配設して用いる有機樹脂基板の作製に使用することが可能である。
【００４０】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００４１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４３】
各実施例及び各比較例で用いた原料成分を下記に示した。
（エポキシ樹脂）
・エポキシ樹脂１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ―３０００Ｌ）
・エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ４０００ＨＫ）
・エポキシ樹脂３：トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、１０３２Ｈ−６０）
【００４４】
（硬化剤）
・硬化剤１：トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂（エアウォーターケミカル社製、ＨＥ９１０−２０）
・硬化剤２：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（昭和化成社製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）
【００４５】
（その他）
・硬化促進剤：トリフェニルホスフィン
・無機充填材：シリカ（龍森社製、ＳＢＭ−１２０５Ｇ、平均粒径；４μｍ）
・アクリルモノマー：ＴＭＰ（共栄社化学社製、沸点：＞２００℃）
【００４６】
＜実施例１〜８および比較例１〜２＞
まず、溶剤およびアクリルモノマーを除く各原料成分を下記表１に示す配合量に従って混練して得られた樹脂混合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルとアクリルモノマーに溶解させてワニスを調製した。
【００４７】
次いで、ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製、ＴＲ１）の上面に、調製したワニスをダイコーターにより塗布し、その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルが揮発するまで乾燥させた。こうすることにより、実施例１〜８および比較例１〜２の各樹脂シートを作製した。なお、得られた樹脂シートの厚みはいずれも１００μｍであり、幅はいずれも５００ｍｍであった。
【００４８】
得られた樹脂シートについて、下記に示す測定及び評価を行った。
【００４９】
・硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）以下における線膨張係数：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件で、樹脂シートの原料となる樹脂組成物を注入成形し、幅５ｍｍ、長さ約２０ｍｍ、厚さ４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃のオーブン中で４時間、後硬化した。ＴＭＡ装置（ＳＩＩ社製）を用いて温度範囲３０〜３３０℃、昇温速度１０℃／分の条件で、このサンプルの線膨張係数を測定し、８０℃〜１００℃の平均線膨張係数を算出した。なお、単位は、ｐｐｍ／℃である。
【００５０】
・硬化物の曲げ弾性率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件で、樹脂シートの原料となる樹脂組成物を注入成形し、幅１０ｍｍ、長さ約８０ｍｍ、厚さ４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃のオーブン中で４時間、後硬化した。次いで、試験片の２５℃における曲げ弾性率をＪＩＳ  Ｋ６９１１に準じて測定した。
【００５１】
・最低溶融粘度：６０℃から１８０℃まで昇温速度３℃／分の温度プロファイルにてレオメーター測定（測定条件：周波数１０Ｈｚ、ひずみ制御０．１％、サンプルサイズ  ２０ｍｍφ×厚み０．１ｍｍ、測定装置  ＨＡＡＫＥ社製  ＭＡＲＳ）を行なった。このときの最低溶融粘度を読み取り測定値とした。なお、単位は、Ｐａ・Ｓである。
【００５２】
・直径３インチの円筒に巻きつけた際に割れるか否か：ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製、ＴＲ１）上に幅３００ｍｍ、長さ１ｍのサイズで形成した樹脂シートを用いて、室温で直径３インチの円筒に一度巻き付けた後、樹脂シートを広げて割れ欠け（クラック）の有無を目視で確認した。
【００５３】
・はさみで切断した際に割れるか否か：ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製、ＴＲ１）上に形成した樹脂シート１０ｃｍ×１０ｃｍを用いて、室温ではさみを用いて切断した後、切断箇所の割れ欠け（クラック）の有無を目視で確認した。
【００５４】
・スリット部の割れや欠けの有無：ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製、ＴＲ１）上に形成した樹脂シート１０ｃｍ×１０ｃｍの裁断部位（スリット部）を表１に示す温度に加熱しながら裁断（スリット）をおこなった。ここで、加熱は、表１に示す温度に加熱した熱板をスリット部に接触させることによりおこなった。裁断部位（スリット部）の割れや欠けの有無を目視で確認した。ここで、加熱温度は、スリット部の樹脂温度ではなく、熱板の設定温度を示す。
【００５５】
【表１】
2017149875.tif 000003
【符号の説明】
【００５６】
１００  樹脂シート
【図１】
2017149875.tif 000004