(57)【要約】【課題】  画像品質の低下を防止しつつ、導波管内部の湿度上昇を抑制することができる画像記録装置および画像記録方法を提供する。【解決手段】  基材２へインクを吐出するヘッド部４と、基材２上のインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部５と、乾燥部へ気体を供給する気体供給部６１と、乾燥部５から気体を吸引する気体吸引部６５と、気体供給部６１および気体吸引部６５の少なくとも一方の供給または吸引する気体流量を制御する流量制御部８９とを備え、流量制御部８９は、気体供給部６１により供給される気体流量のうち、乾燥部５の基材導入開口および導出開口から流出する気体流量よりも、気体吸引部６５が吸引する気体流量のほうが多くなるように、気体流量を制御する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に向けて、画像データに基づき複数のインクの液滴を吐出するヘッド部と、
ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部と、
前記乾燥部へ気体を供給する気体供給部と、
前記乾燥部から気体を吸引する気体吸引部と、
前記気体供給部および前記気体吸引部の少なくとも一方の供給または吸引する気体流量を制御する流量制御部と、
を備え、
前記乾燥部は、基材通し部を設けた導波管を有し、
前記基材通し部は、基材を内部に導入する導入開口および内部から基材を導出する導出開口を有し、
前記導波管は、前記基材通し部とは別に、側壁に複数の側壁貫通孔を有し、
前記気体供給部は、前記複数の側壁貫通孔のうち一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ気体を供給し、
前記気体吸引部は、前記一部の側壁貫通孔とは異なる側壁貫通孔を含む少なくとも１個の側壁貫通孔から前記導波管の外部へ気体を吸引し、
前記流量制御部は、前記気体供給部により供給される気体流量のうち、前記基材通し部の前記導入開口および前記導出開口から流出する気体流量よりも、前記気体吸引部が吸引する気体流量のほうが多くなるように、気体流量を制御する、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像記録装置において、
前記流量制御部は、前記気体供給部が前記一部の側壁貫通孔へ供給する気体流量と、前記気体吸引部が前記少なくとも１個の側壁貫通孔から吸引する気体流量とを等しくするように、前記気体流量を制御する、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の画像記録装置において、
前記気体供給部が気体を供給する前記一部の側壁貫通孔および前記気体吸引部が気体を吸引する前記少なくとも１個の側壁貫通孔は、前記導波管の前記側壁のうち、前記導入開口から前記導出開口まで通される基材の一方表面と前記導波管の前記側壁により形成される空間に面する側壁に設けられる、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の画像記録装置において、
前記導波管は、前記導入開口から前記導出開口に沿う方向に分割して複数の導波部を有する、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像記録装置において、
前記複数の導波部は、互いの導波部の間に基材の通過開口を有する仕切部材を有し、
前記仕切部材には、前記通過開口とは別に、複数の仕切部材貫通孔が設けられる、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項６】
請求項５に記載の画像記録装置において、
前記気体供給部が気体を供給する前記一部の側壁貫通孔は、前記複数の導波部のうち一部の導波部の側壁に設けられ、
前記気体吸引部が気体を吸引する前記少なくとも１個の側壁貫通孔のうち少なくとも一部の側壁貫通孔は、前記一部の導波部とは異なる導波部の側壁に設けられ、
前記気体吸引部は、前記一部の導波部に供給された気体を前記仕切部材貫通孔を介して前記一部の導波部とは異なる導波部の前記側壁貫通孔から吸引する、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項７】
請求項５に記載の画像記録装置において、
前記前記仕切部材は、前記導入開口から前記導出開口に沿う方向に空隙を有して二重に設けられ、
前記気体吸引部は、前記導波部に供給された気体を前記仕切部材貫通孔から前記空隙を介して吸引する、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の画像記録装置において、
前記側壁貫通孔の直径は、前記乾燥部が照射する電磁波の波長よりも短い、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像記録装置において、
前記乾燥部が照射する電磁波の波長は１１０ｍｍ以上３４０ｍｍ以下であり、前記側壁貫通孔の直径は１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の画像記録装置において、
前記側壁貫通孔の直径は、前記導入開口および前記導出開口の基材幅方向と直交する方向の開口幅よりも大きい、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の画像記録装置において、
前記乾燥部を覆う蓋材と、
をさらに備え、
前記蓋材は、前記導波管の前記側壁貫通孔を有する前記側壁と対向して設けられる、
ことを特徴とする画像記録装置。
【請求項１２】
相対移動する基材に向けて、画像データに基づき複数のインクの液滴を吐出する吐出工程と、
基材を内部に導入する導入開口および内部から基材を導出する導出開口を有する基材通し部を設けた導波管において、前記吐出工程により基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥工程と、
前記基材通し部とは別に、前記導波管の側壁に設けられる複数の側壁貫通孔のうち一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ気体を供給し、前記一部の側壁貫通孔とは異なる側壁貫通孔を含む少なくとも１個の側壁貫通孔から前記導波管の外部へ気体を吸引する気体供給吸引工程と、
を備え、
前記乾燥工程は、前記気体供給吸引工程と少なくとも一部で並行して実行し、
前記気体供給吸引工程において、前記前記一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ供給される気体流量のうち、前記基材通し部の前記導入開口および前記導出開口から流出する気体流量よりも、前記気体吸引部が吸引する気体流量のほうが多い、
ことを特徴とする画像記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット方式により、用紙等の基材に向けてインクの液滴を吐出して基材の表面に画像を記録する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のインクジェット方式の画像記録装置は、例えば、ヘッドに対してその長手方向に移動する長尺帯状（ウエブ状）の基材の表面に向けて、ヘッドに設けられた複数の吐出口からインク滴を画像データに基づいて吐出することにより、基材の表面にインクを付着させる。その後、インクが付着した基材に対して乾燥処理が施されて、基材の表面に画像が記録される。
【０００３】
このような乾燥処理において、基材の表面に付着したインクに対して電磁波を照射する乾燥方式が公知である。例えば、特許文献１には、マグネトロンから供給され、プロペラ部材により反射されたマイクロ波によってインクが乾燥されるとともに、ファンから温風が導波管内に送り込まれることで、インクの乾燥が促進される技術が開示されている。
【０００４】
マイクロ波を照射することにより、インクの溶剤（水性インクの場合は水分）の分子を振動させ、加熱してインクを乾燥させる。このように、マイクロ波を利用した乾燥方式はインクの溶剤のみを選択的に加熱するので、他の乾燥方式、例えば、基材に熱風を吹き付けたり、基材にヒートドラムを接触させたりする乾燥方式と比べて、効率の良い乾燥方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２５７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、導波管は、マイクロ波の外部への漏洩を防止するために閉塞性の高い空間を形成するように設けられる。このような導波管の内部へ基材を導入し、乾燥処理を行うと、基材に付着したインクから蒸発して発生した水蒸気が導波管内部に滞留していく。これにより、乾燥処理を継続して行うと、徐々に導波管内部の湿度が上昇することで乾燥効率が経時的に低下する問題がある。また、導波管内部が高湿度になると、導波管内部において水蒸気が結露して水滴となり、当該水滴が基材へ付着して画像品質の低下を引き起こすおそれがある。
【０００７】
特許文献１に記載の技術では、「インク溶媒が気化することにより発生する溶媒蒸気が導波管内に滞留するため、この溶媒蒸気によりメディアに吐出されたインクの乾燥速度が十分に得られないという問題」に対する解決策として、導波管を換気する換気手段（ファン）を、導波管の始端部及び終端部に設けている。
【０００８】
しかしながら、上記の技術では導波管の始端部及び終端部の間で、自ずと湿度の高低が定常的に生じ、基材の幅方向に亘って乾燥ムラが生じる結果、画像品質が低下するおそれがある。また、始端部から供給された気体が、終端部ではなく、導波管へ基材を導出入させるための開口から排出されることで、基材がバタついて当該開口に基材の表面が接触して画像品質が低下するおそれもある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、マイクロ波を用いたインクの乾燥技術に関し、画像品質の低下を防止しつつ、導波管内部の湿度上昇を抑制することができる画像記録装置および画像記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本願の第１発明の画像記録装置は、基材に向けて、画像データに基づき複数のインクの液滴を吐出するヘッド部と、ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部と、前記乾燥部へ気体を供給する気体供給部と、前記乾燥部から気体を吸引する気体吸引部と、前記気体供給部および前記気体吸引部の少なくとも一方の供給または吸引する気体流量を制御する流量制御部と、を備え、前記乾燥部は、基材通し部を設けた導波管を有し、前記基材通し部は、基材を内部に導入する導入開口および内部から基材を導出する導出開口を有し、前記導波管は、前記基材通し部とは別に、側壁に複数の側壁貫通孔を有し、前記気体供給部は、前記複数の側壁貫通孔のうち一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ気体を供給し、前記気体吸引部は、前記一部の側壁貫通孔とは異なる側壁貫通孔を含む少なくとも１個の側壁貫通孔から前記導波管の外部へ気体を吸引し、前記流量制御部は、前記気体供給部により供給される気体流量のうち、前記基材通し部の前記導入開口および前記導出開口から流出する気体流量よりも、前記気体吸引部が吸引する気体流量のほうが多くなるように、気体流量を制御する、ことを特徴とする。
【００１１】
本願の第２発明は、第１発明の画像記録装置において、前記流量制御部は、前記気体供給部が前記一部の側壁貫通孔へ供給する気体流量と、前記気体吸引部が前記少なくとも１個の側壁貫通孔から吸引する気体流量とを等しくするように、前記気体流量を制御する、ことを特徴とする。
【００１２】
本願の第３発明は、第１発明または第２発明の画像記録装置において、前記気体供給部が気体を供給する前記一部の側壁貫通孔および前記気体吸引部が気体を吸引する前記少なくとも１個の側壁貫通孔は、前記導波管の前記側壁のうち、前記導入開口から前記導出開口まで通される基材の一方表面と前記導波管の前記側壁により形成される空間に面する側壁に設けられる、ことを特徴とする。
【００１３】
本願の第４発明は、第１発明から第３発明までのいずれかの画像記録装置において、前記導波管は、前記導入開口から前記導出開口に沿う方向に分割して複数の導波部を有する、ことを特徴とする。
【００１４】
本願の第５発明は、第４発明の画像記録装置において、前記複数の導波部は、互いの導波部の間に基材の通過開口を有する仕切部材を有し、前記仕切部材には、前記通過開口とは別に、複数の仕切部材貫通孔が設けられる、ことを特徴とする。
【００１５】
本願の第６発明は、第５発明の画像記録装置において、前記気体供給部が気体を供給する前記一部の側壁貫通孔は、前記複数の導波部のうち一部の導波部の側壁に設けられ、前記気体吸引部が気体を吸引する前記少なくとも１個の側壁貫通孔のうち少なくとも一部の側壁貫通孔は、前記一部の導波部とは異なる導波部の側壁に設けられ、前記気体吸引部は、前記一部の導波部に供給された気体を前記仕切部材貫通孔を介して前記一部の導波部とは異なる導波部の前記側壁貫通孔から吸引する、ことを特徴とする。
【００１６】
本願の第７発明は、第５発明の画像記録装置において、前記前記仕切部材は、前記導入開口から前記導出開口に沿う方向に空隙を有して二重に設けられ、前記気体吸引部は、前記導波部に供給された気体を前記仕切部材貫通孔から前記空隙を介して吸引する、ことを特徴とする。
【００１７】
本願の第８発明は、第１発明から第７発明までのいずれかの画像記録装置において、前記側壁貫通孔の直径は、前記乾燥部が照射する電磁波の波長よりも短い、ことを特徴とする。
【００１８】
本願の第９発明は、第８発明の画像記録装置において、前記乾燥部が照射する電磁波の波長は１１０ｍｍ以上３４０ｍｍ以下であり、前記側壁貫通孔の直径は１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である、ことを特徴とする。
【００１９】
本願の第１０発明は、第８発明または第９発明の画像記録装置において、前記側壁貫通孔の直径は、前記導入開口および前記導出開口の基材幅方向と直交する方向の開口幅よりも大きい、ことを特徴とする。
【００２０】
本願の第１１発明は、第１発明から第１０発明までのいずれかの画像記録装置において、前記乾燥部を覆う蓋材と、をさらに備え、前記蓋材は、前記導波管の前記側壁貫通孔を有する前記側壁と対向して設けられる、ことを特徴とする。
【００２１】
上記課題を解決するために、本願の第１２発明の画像記録方法は、相対移動する基材に向けて、画像データに基づき複数のインクの液滴を吐出する吐出工程と、基材を内部に導入する導入開口および内部から基材を導出する導出開口を有する基材通し部を設けた導波管において、前記吐出工程により基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥工程と、前記基材通し部とは別に、前記導波管の側壁に設けられる複数の側壁貫通孔のうち一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ気体を供給し、前記一部の側壁貫通孔とは異なる側壁貫通孔を含む少なくとも１個の側壁貫通孔から前記導波管の外部へ気体を吸引する気体供給吸引工程と、を備え、前記乾燥工程は、前記気体供給吸引工程と少なくとも一部で並行して実行し、前記気体供給吸引工程において、前記前記一部の側壁貫通孔から前記導波管の内部へ供給される気体流量のうち、前記基材通し部の前記導入開口および前記導出開口から流出する気体流量よりも、前記気体吸引部が吸引する気体流量のほうが多い、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、導波管の側壁に設けた複数の側壁貫通孔へ供給され、または吸引される気体流量を流量制御部により制御することで基材通し部から流出する気体流量を低減することができ、これにより基材のバタつきに伴う画像品質の低下を抑制しながら、導波管の内部の湿度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の画像記録装置の第１実施形態を示す概略側面図である。
【図２】乾燥部を示す斜視図である。
【図３】乾燥部の構造を示す平面図である。
【図４】乾燥部の構造を示す正面図である。
【図５】乾燥部の構造を示す正面図である。
【図６】乾燥部の構造を示す側面図である。
【図７】蓋材の構造を示す平面図である。
【図８】シャッター機構を示す概略側面図である。
【図９】シャッター機構を示す概略側面図である。
【図１０】ピークを移動するための動作を説明するための図である。
【図１１】制御部の機能構成を示すブロック図である。
【図１２】画像記録の動作を示すフロー図である。
【図１３】画像記録の動作を示すフロー図である。
【図１４】本発明の画像記録装置の第２実施形態を示す概略側面図である。
【図１５】本発明の画像記録装置の第３実施形態を示す概略側面図である。
【図１６】乾燥部を示す斜視図である。
【図１７】乾燥部の構造を示す上面図である。
【図１８】乾燥部の構造を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、適宜図面を参照しながら、本発明に係る画像記録装置および画像記録方法についての好適な実施形態について説明する。
【００２５】
なお、各図には方向関係を明確にするため、Ｚ軸を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする座標系を適宜付している。また、各座標系において、矢印の先端が向く方向を＋（プラス）方向とし、逆の方向を−（マイナス）方向とする。
【００２６】
＜第１実施形態＞
１−１．画像記録装置の装置構成
図１は、第１実施形態に係る画像記録装置１を示す概略側面図である。この画像記録装置１は、インクジェット方式により、長尺帯状（ウエブ状）である用紙等の基材２に向けてインクの液滴を吐出して基材の表面に画像を記録するものである。画像記録装置１は各部を収容する筐体１０１を備え、巻出し部３と、ヘッド部４と、乾燥部５と、気体供給部６１と、気体吸引部６５と、蓋材９と、巻取り部７と、制御部８とを備える。第１実施形態では、筐体１０１の内部に巻出し部３、ヘッド部４、乾燥部５、巻取り部７および制御部８を備え、筐体１０１の内部および外部の双方にわたって気体供給部６１および気体吸引部６５を備える。
【００２７】
なお、本発明の実施に関してはこれに限られず、画像記録装置１が備える各部は、筐体１０１に収容されなくてもよい。例えば、巻出し部３、乾燥部５、および巻取り部７は、筐体１０１の外部に位置していてもよい。
【００２８】
画像記録装置１においてウエブ状の基材２は、搬送駆動部９０（図１１）によりロール状態で配置される巻出し部３から巻き出された後、その長手方向（Ｙ方向）に水平搬送されて、巻取り部７にてロール状に巻き取られる。搬送駆動部９０は例えば巻取り部７に設けられた駆動モータを回転駆動させるとともに、基材２の搬送速度や位置情報等をロータリーエンコーダ等で検出する。なお、搬送駆動部９０、巻出し部３および巻取り部７が本発明の「移動部」に相当する。
【００２９】
ヘッド部４および乾燥部５は、基材２が水平搬送される区間に、基材２の表面（ＸＹ面）に対向して設けられている。ヘッド部４は水平搬送される基材２の上方（＋Ｚ方向）に配置され、Ｙ方向に沿って、第１ヘッド４１と、第２ヘッド４２と、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４とを配列して備える。例えば、第１ヘッド４１はシアン（Ｃ）のインクの液滴を、第２ヘッド４２はマゼンタ（Ｍ）のインクの液滴を、第３ヘッド４３はイエロー（Ｙ）のインクの液滴を、第４ヘッド４４はブラック（Ｋ）のインクの液滴を、基材２の表面のうち、上面（ＸＹ面のうち、＋Ｚ側の面）に向けてそれぞれ複数、吐出する。また、第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４は、例えば、異なる３種類のサイズの大、中、小のインク滴を選択的に吐出可能な構成となっている。
【００３０】
第１ヘッド４１は、基材２と対向する底面（ＸＹ面のうち、−Ｚ側の面）に、Ｘ方向に亘って配列された複数の吐出口（図示せず）を有し、この複数の吐出口からシアンのインクの液滴をそれぞれ吐出する。複数の吐出口は、基材２の幅方向（Ｘ方向）において画像を記録すべき寸法以上に亘って設けられている。同様に、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４にも複数の吐出口がそれぞれ設けられている。
【００３１】
乾燥部５は、ヘッド部４の基材２の搬送方向における下流側（＋Ｙ側）に配置されている。乾燥部５は、ヘッド部４により基材２に向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材２に電磁波を照射し、基材２に対して乾燥処理を施す。乾燥部５にて基材２に照射される電磁波としては、波長が１１０ｍｍ以上３４０ｍｍ以下のマイクロ波が好適である。特に、インクに含有される溶剤成分の顕著な吸収波長の属する、波長が１５０ｍｍ、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いることが好ましい。乾燥部５の詳細な構造については、後述する。
【００３２】
蓋材９は、乾燥部５を覆う部材であり、乾燥部５の後述する側壁貫通孔５０１（図６等）を有する側壁５３４（図６等）と対向して設けられる。蓋材９には、気体供給部６１から送風され、また気体吸引部６５により吸引される気体が通過する複数の開口を有する。蓋材９の詳細な構造については、後述する。
【００３３】
気体供給部６１は、乾燥部５へ気体を供給するユニットである。気体供給部６１は、気体に圧力を付与する送風駆動部６１１と、外部から取り込まれる気体を送風駆動部６１１に案内する吸気ダクト６１３と、送風駆動部６１１から圧送される気体を乾燥部５へ案内する筒状の供給ダクト６１２と、を備える。
【００３４】
供給ダクト６１２は、送風駆動部６１１と接続する供給ダクト６１６と、分岐部６１４で複数本（第１実施形態では２本）に分岐して、蓋部９と接続する供給ダクト６１５とを有する。蓋部９は、供給ダクト６１５の出口と嵌合する第１開口９４（図６等）を有し、供給ダクト６１５は第１開口９４を介して送風駆動部６１１から圧送される気体を乾燥部５へ案内する。
【００３５】
送風駆動部６１１としては、ファンを有する公知の送排風機を用いることができる。また、ファンの前段または後段に電熱器等の加熱機を備え、温風を送風する機構としてもよいし、ファンの前段または後段に公知の除湿機を備え、除湿された低露点（例えば、露点０度等、常温よりも露点の低い空気や、湿度３０％〜４５％の空気）を送風する機構としてもよい。
【００３６】
気体吸引部６５は、乾燥部５から気体を吸引するユニットである。気体吸引部６５は、気体に圧力を付与する吸引駆動部６５１と、乾燥部５内の気体を吸引駆動部６５１に案内する筒状の吸引ダクト６５２と、吸引駆動部６５１から圧送される気体を外部へ排出する排気ダクト６５３と、を備える。
【００３７】
蓋部９は、吸引ダクト６５２の入口と嵌合する第２開口９５（図６等）を有し、吸気ダクト６５２は第２開口９５を介して吸引駆動部６５１へ乾燥部５内の気体を案内する。吸引駆動部６５１としては、ファンを有する公知の送排風機を用いることができる。
【００３８】
図２は、乾燥部５の概略構成を示す斜視図である。図３は、乾燥部５の概略構成を示す断面平面図である。図４は、図３中に指示するA1-A1線における乾燥部５の概略構成を示す断面正面図である。図５は、図３中に指示するA2-A2線における乾燥部５の概略構成を示す断面正面図である。図６は、図３中に指示するA3-A3線における乾燥部５および蓋材９の概略構成を示す断面側面図である。また、図７は、図６中に指示するB1-B1線における蓋材９の概略構成を示す断面平面および乾燥部５の概略上面を示す図である。なお、図２から図５までは、主に乾燥部５を説明する便宜上、蓋材９の図示を省略している。以下、図２から図７までを適宜参照しながら、乾燥部５および蓋部９の構成について説明する。
【００３９】
図２を参照する。乾燥部５は、電磁波発生部５１と、位相器部５２と、導波管部５３と、反射部５５と、を主に備える。電磁波発生部５１は、マイクロ波等の電磁波を発生させるマグネトロンを備える。位相器部５２は、電磁波発生部５１で発生された電磁波を導波管部５３へ向けて出射する。反射部５５は、位相器部５２から出射され、導波管部５３を通過した電磁波を反射する。導波管部５３の内部には、位相器部５２から出射され、反射部５５により反射された電磁波による定在波が発生する。
【００４０】
図２および図６を参照する。導波管部５３は、＋Ｙ側の側壁５３１と、側壁５３１と対向する−Ｙ側の側壁５３２と、＋Ｚ側の側壁５３４と、側壁５３４と対向する−Ｚ側の側壁５３５とを主に有する、管状部材である。また、導波管部５３は、これら側壁５３１、５３２、５３４および５３５により囲われた管内に、ＸＺ平面に広がる板状の複数枚（第１実施形態では、２枚）の仕切部材５３３を有する。
【００４１】
導波管部５３には、基材通し部５４が設けられる。基材通し部５４は、導波管部５３の＋Ｙ側の側壁５３１に設けられ、基材２の幅方向（Ｘ方向）の幅よりも広いスリット状の開口である導出開口５４１を有する。また、基材通し部５４は、側壁５３１と対向する−Ｙ側の側壁５３２（図６参照）に設けられ、基材２の幅方向（Ｘ方向）の幅よりも広いスリット状の開口である導入開口５４２を有する。さらに、基材通し部５４は、それぞれの仕切部材５３３に設けれられ、基材２の幅方向（Ｘ方向）の幅よりも広いスリット状の開口である通過開口５４３を有する。
【００４２】
基材２は、導波管部５３の−Ｙ方向側の導入開口５４２から導波管部５３内に導入された後、複数個（第１実施形態では２個）の通過開口５４３を通って導波管部５３内部を通過し、＋Ｙ方向側の導出開口５４１から導出される。第１実施形態では、基材通し部５４において、導入開口５４２、複数個の通過開口５４３および導出開口５４１は１個の平面上に設けられ、基材２が直線状に通過するが、本発明の実施に関しては、この配置に限られない。
【００４３】
これら側壁５３１、５３２、５３４および５３５と、仕切部材５３３によって、導波管部５３の内部には基材２の搬送方向であるＹ方向に沿って第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０が形成される。
【００４４】
側壁５３１、５３２、５３４および５３５のうち、基材２のインクが付着している表面と対向する側壁５３４には、複数の側壁貫通孔５０１が設けられる。第１実施形態では、側壁５３４において、仕切部材５３３で区切られる区間ごとにそれぞれ１０個の側壁貫通孔５０１が設けられるが、本発明の実施に関してはこれに限られず、側壁貫通孔５０１の配置、個数はインクの乾燥条件等を鑑みて適宜設定してよい。また、第１実施形態では側壁５３４に側壁貫通孔が設けられるが、他の側壁５３１、５３２または５３５に側壁貫通孔５０１が設けられてもよい。
【００４５】
それぞれの仕切部材５３３には、通過開口５４３とは別に、複数の仕切部材貫通孔５０３が設けられる。第１実施形態では、それぞれの仕切部材５３３において、通過開口５４３よりも＋Ｚ側、すなわち基材２のインクが付着している表面側に、１０個の仕切部材貫通孔５０３（図５参照）が設けられる。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、仕切部材貫通孔５０３の配置、個数はインクの乾燥条件等を鑑みて適宜設定してよい。また、仕切部材５３３において通過開口５４３よりも−Ｚ側に仕切部材貫通孔５０３が設けられてもよい。
【００４６】
上記の側壁貫通孔５０１および仕切部材貫通孔５０３は、孔の形状が円形であることが好適であり、その直径は、電磁波発生部５１において発生する電磁波の波長よりも短いことが好適である。特に、電磁波の波長が１１０ｍｍ以上３４０ｍｍ以下のマイクロ波であるとき、側壁貫通孔５０１および仕切部材貫通孔５０３の直径は１ｍｍ以上３０ｍｍ以下であることが好適である。
【００４７】
また、側壁貫通孔５０１の直径は、導出開口５４１および導入開口５４２の基材２の幅方向（Ｘ方向）および搬送方向（Ｙ方向）と直交するＺ方向の開口幅よりも大きいことが好適であり、例えば導出開口５４１および導入開口５４２の開口幅を、４ｍｍ未満とした場合には、側壁貫通孔５０１の直径は４ｍｍ以上とすることが好適である。導出開口５４１および導入開口５４２の開口幅の下限は、基材２の厚み等によって適宜設定される。
【００４８】
次に、図３を参照して位相器部５２について説明する。
【００４９】
位相器部５２は、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のそれぞれ−Ｘ側に配置される第１位相器１１、２１および３１と、第２位相器１２、２２および３２と、第３位相器１３、２３および３３と、を有する。
【００５０】
第１位相器１１は、誘電率の高い材料で構成されており、例えば、材料として高密度ポリエチレン（ＵＨＭＷ）、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料、石英、その他の高誘電率材料を利用することができる。また、できるだけ加熱されにくい材料で構成されるのが好ましい。加工容易性並びにコスト面の観点から、実用的には高密度ポリエチレンを用いるのが好適である。
【００５１】
第１位相器１１のＸ方向における幅寸法は、電磁波発生部５１が発生させるマイクロ波の波長λ（例えば１５０ｍｍ）の１／４（４分の１）の寸法（１／４λ）である。他の第２位相器１２、第３位相器１３、第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３の材料と幅寸法についても第１位相器１１と同じである。
【００５２】
第１導波部１０の−Ｘ側に配置する第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３は、−Ｘ側からこの順序で互いに当接するように配列する。また、第２導波部２０の−Ｘ側に配置する第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３も、−Ｘ側からこの順序で互いに当接するように配列するが、全体として、第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置する。また、第３導波部３０の−Ｘ側に配置する第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３も、−Ｘ側からこの順序で互いに当接するように配列するが、全体として、第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置する。
【００５３】
第１導波部１０の−Ｘ側にある第２位相器１２および第３位相器１３は、第１導波部１０内の空間に面する位置と、第１導波部１０の空間外にある位置との間で進退自在に配置されている。また、第２導波部２０の−Ｘ側ある第２位相器２２および第３位相器２３は第２導波部２０に対して進退自在に、また、第３導波部３０の−Ｘ側にある第２位相器３２および第３位相器３３は第３導波部３０に対して進退自在に配置されている。
【００５４】
第１位相器１１の第１導波部１０内に向いている出射面（＋Ｘ側面）が、第１導波部１０内に対して露出しているときには、当該出射面に第１導波部１０内に発生する電磁波による定在波の節が位置する。第２位相器１２および第３位相器３３についても、同様に、その出射面が第１導波部１０内に対して露出しているときには、当該出射面に第１導波部１０内に発生する電磁波による定在波の節が位置する。また、第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３の出射面が第２導波部２０内に対して露出しているときには、当該出射面に第２導波部２０内に発生する電磁波による定在波の節が位置する。また、第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３の出射面が第３導波部３０内に対して露出しているときには、当該出射面に第３導波部３０内に発生する電磁波による定在波の節が位置する。
【００５５】
反射部５５は、位相器部５２から出射された電磁波を反射するものであり、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のそれぞれ＋Ｘ側において、複数の反射面を有する。具体的には、反射部５５は第１導波部１０の＋Ｘ側に配置された第１反射部１４、第２反射部１５および第３反射部１６、第２導波部２０の＋Ｘ側に配置された第１反射部２４、第２反射部２５および第３反射部２６、第３導波部３０の＋Ｘ側に配置された第１反射部３４、第２反射部３５および第３反射部３６を備える。
【００５６】
第１反射部１４の第１導波部１０内に向いている反射面（−Ｘ側面）は、電磁波を反射する材質で形成され、例えば、金属であり、特にＳＵＳが好適である。他の第２反射部１５、第３反射部１６、第１反射部２４、第２反射部２５、第３反射部２６、第１反射部３４、第２反射部３５および第３反射部３６のそれぞれの反射面（−Ｘ側面）は、第１反射部１４と同様に電磁波を反射する材質で形成され、例えば、金属であり、特にＳＵＳが好適である。
【００５７】
第１反射部１４は、その反射面と第１位相器１１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第２反射部１５はその反射面が第１反射部１４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第２反射部１５は、その反射面と第２位相器１２の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第３反射部１６はその反射面が第２反射部１５の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第３反射部１６は、その反射面と第３位相器１３との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。
【００５８】
第１反射部２４は、その反射面と第１位相器２１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第２反射部２５はその反射面が第１反射部２４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第２反射部２５は、その反射面と第２位相器２２の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第３反射部２６はその反射面が第２反射部２５の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第３反射部２６は、その反射面と第３位相器２３との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。
【００５９】
第２導波部２０における第１反射部２４の反射面、第２反射部２５の反射面および第３反射部２６の反射面は、第１導波部１０における第１反射部１４の反射面、第２反射部１５の反射面および第３反射部１６の反射面に対してそれぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置する。
【００６０】
第１反射部３４は、その反射面と第１位相器３１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第２反射部３５はその反射面が第１反射部３４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第２反射部３５は、その反射面と第２位相器３２の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。第３反射部３６はその反射面が第２反射部３５の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置する。また、第３反射部３６は、その反射面と第３位相器３３との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置する。
【００６１】
第３導波部３０における第１反射部３４の反射面、第２反射部３５の反射面および第３反射部３６の反射面は、第２導波部２０における第１反射部２４の反射面、第２反射部２５の反射面および第３反射部２６の反射面に対してそれぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置する。
【００６２】
第１導波部１０にある第１反射部１４および第２反射部１５は、第１導波部１０内の空間に面する位置と、第１導波部１０の空間外にある位置との間で進退自在に配置されている。また、第２導波部２０にある第１反射部２４および第２反射部２５は第２導波部２０に対して進退自在に、また、第３導波部３０にある第１反射部３４および第２反射部３５は第３導波部３０に対して進退自在に配置されている。
【００６３】
図８および図９は、第１反射部１４を第１導波部１０の空間内に対して進退させるためのシャッター機構７０を示す概略側面図である。図８は、第１反射部１４が第１導波部１０空間外の退出位置にある状態を示す。図９は、第１反射部１４が第１導波部１０空間内の進出位置にある状態を示す。
【００６４】
図８に示すように、シャッター機構７０はフレーム７１、バネ７２、ソレノイド７３、可動部７４および作用部７５を備える。フレーム７１は、導波管部５３の側壁５３４に形成された開口７６を跨ぐように、側壁５３４の表面に固定されている。開口７６は第１反射部１４が通過可能な大きさを有する。
【００６５】
第１反射部１４はバネ７２を介してフレーム７１の梁部に取り付けられている。バネ７２は圧縮時には第１反射部１４を−Ｚ側（進出位置側）に付勢している。フレーム７１の梁部にはソレノイド７３が固定されている。可動部７４はソレノイド７３の内部に対して昇降自在に設けられ、上昇位置（図８図示の位置）と下降位置（図９図示の位置）の間を移動できる。可動部７４の−Ｚ側端（下端）は第１反射部１４に対して固定された作用部７５と連結している。
【００６６】
図８に示す退出状態において、可動部７４は上昇位置においてソレノイド７３の励磁作用により固定されている。これに伴い、第１反射部１４および作用部７５も上昇位置（退出位置）に固定され、このときバネ７２は圧縮状態である。
【００６７】
ソレノイド７３の励磁作用が解除されると、可動部７４が昇降自在となる。このときバネ７２の−Ｚ側への付勢力により第１反射部１４、作用部７５および可動部７４が−Ｚ側に向かって一体的に下降する。そして、図９に示すように第１反射部１４の−Ｚ側端が導波管部５３の底壁（すなわち、側壁５３５）の＋Ｚ面（上面）に当接すると第１反射部１４等の下降が停止する。この状態においても第１反射部１４はバネ７２により−Ｚ側に付勢されているので、この付勢力により第１反射部１４は第１導波部１０の空間内において導波管部５３の側壁５３５の＋Ｚ面に押し付けられた状態で固定される。
【００６８】
図９に示す進出状態から図８に示す退出状態に第１反射部１４を復帰させる際には、ソレノイド７３の励磁動作により可動部７４を上昇させて停止させる。
【００６９】
他の反射部である第２反射部１５、第１反射部２４、第２反射部２５、第１反射部３４および第２反射部３５についても、上記のシャッター機構７０と同様のシャッター機構がそれぞれ設けられ、各反射部を昇降させる構成となっている。なお、第１実施形態では、第３反射部１６、２６および３６は、側壁５３４、５３５等に固定されており、シャッター機構は設けられない。
【００７０】
また、第２位相器１２、２２、３２および第３位相器１３、２３、３３にも上記のシャッター機構７０と同様のシャッター機構がそれぞれ設けられ、各位相器を昇降させる構成となっている。以下、各シャッター機構も上記のシャッター機構７０と同符号「７０」を付与して説明する。
【００７１】
図１０は、第１導波部１０内において定在波のピークをＸ方向に沿って移動させる動作を説明するための図である。なお、ピークは、定在波（電磁波）のエネルギーが最も大きい位置である。図１０（ａ）は位相器部５２の第２位相器１２および第３位相器１３がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、反射部５５の第１反射部１４および第２反射部１５が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１を通過して、その出射面から出射した電磁波は第１反射部１４の反射面で反射される。この結果、第１導波部１０内に第１定在波Ｗ１が生成される。この第１定在波Ｗ１の−Ｘ側端の節ｎは第１位相器１１の出射面の位置Ｎ１にあり、＋Ｘ側端の節ｎは第１反射部１４の反射面に位置している。Ｐ１は第１定在波Ｗ１のエネルギーが最大となる位置であるピークｐ（定在波の腹）のＸ方向における位置を示している。
【００７２】
図１０（ｂ）は第３位相器１３および第１反射部１４がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、第２位相器１２および第２反射部１５が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１および第２位相器１２を通過して、第２位相器１２の出射面から出射した電磁波は第２反射部１５の反射面で反射される。この結果、第１導波部１０内に第２定在波Ｗ２が生成される。この第２定在波Ｗ２の−Ｘ側端の節ｎは第２位相器１２の出射面の位置Ｎ２にあり、＋Ｘ側端の節ｎは第２反射部１５の反射面に位置している。Ｐ２は第２定在波Ｗ２のエネルギーが最大となる位置であるピークｐのＸ方向における位置を示している。
【００７３】
図１０（ａ）に示す第１定在波Ｗ１の位相と図１０（ｂ）に示す第２定在波Ｗ２の位相は、電磁波の４分の１波長（１／４λ）に相当する第２位相器１２の幅寸法分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第１定在波Ｗ１のピークｐは第２定在波Ｗ２のピークｐに対して１／４λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。
【００７４】
図１０（ｃ）は第１反射部１４および第２反射部１５がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３を通過して、第３位相器１２の出射面から出射した電磁波は導波管部５３の第３反射部１６で反射される。この結果、第１導波部１０内に第３定在波Ｗ３が生成される。この第３定在波Ｗ３の−Ｘ側端の節は第３位相器１３の出射面の位置Ｎ３にあり、＋Ｘ側端の節ｎは第３反射部１６に位置している。Ｐ３は第３定在波Ｗ３のエネルギーが最大となる位置であるピークｐのＸ方向における位置を示している。
【００７５】
図１０（ａ）に示す第１定在波Ｗ１の位相と図１０（ｃ）に示す第３定在波Ｗ３の位相は、電磁波の２分の１波長（１／２λ）に相当する第２位相器１２の幅寸法と第３位相器１３の幅寸法の合計分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第３定在波Ｗ３のピークｐは第１定在波のピークｐに対して１／２λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。また、図１０（ｂ）に示す第２定在波Ｗ２の位相と図１０（ｃ）に示す第３定在波Ｗ３の位相は、電磁波の４分の１波長（１／４λ）に相当する第３位相器１３の幅寸法分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第３定在波Ｗ３のピークｐは第２定在波Ｗ２のピークｐに対して１／４λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。
【００７６】
上述のように第１定在波Ｗ１、第２定在波Ｗ２、第３定在波Ｗ３は１／４λずつＸ方向に位相がずれており、この結果、各ピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００７７】
乾燥部５は、第２導波部２０においても第１導波部１０と同様に１／４λずつＸ方向に位相がずれた３つの定在波である第１定在波Ｗ４、第２定在波Ｗ５および第３定在波Ｗ６を選択的に発生させることが可能な構成となっている。これらの第１定在波Ｗ４、第２定在波Ｗ５および第３定在波Ｗ６のぞれぞれのピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００７８】
また、乾燥部５は、第３導波部３０においても第１導波部１０と同様に１／４λずつＸ方向に位相がずれた３つの定在波である第１定在波Ｗ７、第２定在波Ｗ８および第３定在波Ｗ９を選択的に発生させることが可能な構成となっている。これらの第１定在波Ｗ７、第２定在波Ｗ８および第３定在波Ｗ９のぞれぞれのピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００７９】
ここで、上述のように第２導波部２０にある第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１反射部２４および第２反射部２５は、全体として、第１導波部１０にある第１位相器１１、第２位相器１２、第３位相器１３、第１反射部１４および第２反射部１５に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向に配置されている。この結果、第２導波部２０における第１定在波Ｗ４のピークｐ、第２定在波Ｗ５のピークｐおよび第３定在波Ｗ６のピークｐの位置は、第２導波部１０における第１定在波Ｗ１のピークｐ、第２定在波Ｗ２のピークｐおよび第３定在波Ｗ３のピークｐの位置に対して、それぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置となる。
【００８０】
また、第３導波部３０にある第１位相器３１、第２位相器３２、第３位相器３３、第１反射部３４および第２反射部３５は、全体として、第２導波部２０にある第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１反射部２４および第２反射部２５に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向に配置されている。この結果、第２導波部３０における第１定在波Ｗ７のピークｐ、第２定在波Ｗ８のピークｐおよび第３定在波Ｗ９のピークｐの位置は、第２導波部１０における第１定在波Ｗ４のピークｐ、第２定在波Ｗ５のピークｐおよび第３定在波Ｗ６のピークｐの位置に対して、それぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置となる。
【００８１】
第１実施形態における乾燥部５は、上記のように構成されることによって、第１定在波Ｗ１から第９定在波Ｗ９までのピークｐのＸ方向における位置をそれぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置に配置させることができる。
【００８２】
図６および図７を参照する。次に、蓋材９の構成について説明する。
【００８３】
蓋材９は、気体供給部６１から供給される気体を乾燥部５へ案内し、乾燥部５から気体吸引部６５へ吸引される気体を案内する機能を有する。また、蓋材９は、導波管部５３のうち、少なくとも側壁貫通孔５０１を有する側壁（第１実施形態では、側壁５３４）と対向して設けられる。
【００８４】
図６を参照する。蓋材９は、フレーム９１と、枠材９２と、枠材９３とを備える。フレーム９１は、蓋材９の本体であり、金属部材や樹脂部材等、任意の材料により成形される。枠材９２および枠材９３は、フレーム９１に固定して設けられる。
【００８５】
フレーム９１には、供給ダクト６１５の出口と嵌合する１個以上の（第１実施形態では、２個の）第１開口９４と、吸引ダクト６５２の入口と嵌合する１個以上の（第１実施形態では、１個の）第２開口９５と、が設けられる。
【００８６】
枠材９２は、供給ダクト６１５から乾燥部５に供給され、または乾燥部５から吸引ダクト６５２に吸引される気体の流れを調整する機能を有する。本実施形態では、枠材９２は第１開口９４と第２開口９５とをそれぞれ仕切るように配置される。供給ダクト６１５から気体が供給されると、枠材９２の存在によって気体が整流され、乾燥部５の側壁貫通孔５０１のうち、第１導波部１０および第３導波部３０に通じる側壁貫通孔５０１（すなわち、一部の側壁貫通孔５０１）へ気体が供給される。また、吸引ダクト６５２から気体が吸引されると、枠材９２の存在によって気体が整流され、乾燥部５の側壁貫通孔５０１のうち、第２導波部２０に通じる側壁貫通孔５０１から、気体が吸引される。ここで、便宜上、第２導波部２０に通じる側壁貫通孔に番号「５０２」を付す。
【００８７】
すなわち、気体供給部６１が供給する気体は、蓋材９により整流されて複数の側壁貫通孔５０１のうち一部の側壁貫通孔５０１から導波管部５３の内部へ供給され、気体吸引部６５が吸引する気体は、蓋材９により整流されて複数の側壁貫通孔５０１のうち、当該一部の側壁貫通孔５０１とは異なる側壁貫通孔５０２から導波管部５３の外部に吸引される。
【００８８】
次に、制御部８について説明する。制御部８は、導波管部５３内で発生している定在波Ｗ１から定在波Ｗ９までの節の位置をそれぞれ変更して、定在波Ｗ１から定在波Ｗ９までのピーク位置をそれぞれ変更する機能を有する。また、制御部８は、気体供給部６１が供給する気体の流量および気体吸引部６５が吸引する気体の流量を制御する機能を有する。
【００８９】
図１１は第１実施形態における制御部８の機能構成を示すブロック図である。制御部８は、ＣＰＵやメモリ（ＲＯＭ，ＲＡＭ等）などを有するコンピュータであり、ヘッド部４、乾燥部５および搬送駆動部９０にそれぞれ電気的に接続する。また、制御部８は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）８２を介してコンピュータ１００に電気的に接続する。制御部８は、全体制御部８１、画像データ処理部８３、画像メモリ８４、記録信号生成部８５、ヘッド制御部８６、位相制御部８７、搬送制御部８８および流量制御部８９を備える。
【００９０】
全体制御部８１は制御部８の上記した各部を全体的に制御する。画像メモリ８４は、コンピュータ１００からＩ／Ｆ８２等を介して送信された画像記録すべき元画像のデータ（元画像データ）を記憶する。
【００９１】
画像データ処理部８３は、網点化部８３１を備える。網点化部８３１は、画像メモリ８４から取得した元画像データに対してハーフトーニング処理を施し、多階調の元画像を網点化した網点画像として示す網点画像データを生成する。また、画像データ処理部８３は、網点画像データから画像記録動作に従った処理済画像データを生成し、このデータを記録信号生成部８５に送信する。
【００９２】
記録信号生成部８５は画像データ処理部８３から受信した処理済画像データを、ヘッド部４を駆動するための記録信号に変換し、この記録信号をヘッド制御部８６および位相制御部８７にそれぞれ送信する。この記録信号は、画像を記録すべき基材２上の記録領域内における複数の画素に向けて、大、中、小のいずれのサイズのインク滴をヘッド部４から吐出するか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出しないかを示す信号である。
【００９３】
ヘッド制御部８６は記録信号生成部８５から受信した記録信号に基づいて、ヘッド部４を制御するための吐出制御信号をヘッド部４に送信する。この吐出制御信号を受信したヘッド部４は、制御信号に基づいて第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４がそれぞれ有する複数の吐出口から、大、中、小のいずれのサイズのインク滴を吐出させるか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出させない、という吐出動作を実行する。
【００９４】
搬送制御部８８は、搬送駆動部９０による基材２のＹ方向への搬送開始、停止動作やその搬送速度を、搬送駆動部９０からフィードバックされるロータリーエンコーダの検出結果に基づく基材２のＹ方向における位置情報等に応じて制御する。
【００９５】
位相制御部８７は、付着量検出部８７１およびシャッター機構制御部８７２を備え、乾燥部５にて生成される第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９の各ピークｐのＸ方向における位置を変更するための位相制御信号を生成する。具体的には、付着量検出部８７１は記録信号生成部８５から受信した記録信号から、基材２上に記録される記録画像領域内におけるインクの付着量の分布を求める。例えば、記録信号に基づいてヘッド制御部８６によりヘッド部４が制御された結果、記録画像領域内において、大サイズのインク滴が集中して付着する領域におけるインクの付着量は大きくなる。逆に小サイズのインク滴が集中していたり、インク滴が付着していなかったりする領域におけるインクの付着量は小さくなる。このような記録画像領域内におけるインクの付着量の大小を付着量検出部８７１はインク付着量の分布として検出する。
【００９６】
位相制御部８７のシャッター機構制御部８７２は、図８および図９に示すシャッター機構７０のソレノイド７３の励磁状態を制御することにより、シャッター機構７０がそれぞれ連動連結された第２位相器１２，２２，３２、第３位相器１３，２３，３３、第１反射部１４，２４，３４または第２反射部１５，２５，３５の進退動作を実行させるための進退制御信号を生成する。具体的には、付着量検出部８７１により求められたインクの付着量のＸ方向における分布と、搬送制御部８８より送信された搬送される基材２のＹ方向における位置情報とに基づいて、上記進退制御信号を生成する。この進退制御信号は乾燥部５に送信される。
【００９７】
流量制御部８９は、図１に示す気体供給部６１の送風駆動部６１１の出力を制御することにより、気体供給部６１が乾燥部５へ供給する気体の流量を制御する。また、流量制御部８９は、図１に示す気体吸引部６５の吸引駆動部６５１の出力を制御することにより、気体吸引部６５が乾燥部５から吸引する気体の流量を制御する。流量制御部８９は、送風駆動部６１１の出力に連動して、吸引駆動部６５１の出力を変更するように構成してもよいし、ユーザの設定値に応じて送風駆動部６１１および吸引駆動部６５１の出力を個別に制御するように構成してもよい。
【００９８】
なお、第１実施形態では、流量制御部８９は、気体供給部６１および気体吸引部６５の双方を制御するが、本発明の実施についてはこれに限られず、気体供給部６１および気体吸引部６５のいずれか一方のみの出力を変更する構成であり、他方についてはオン・オフのみが制御され、オンの際には所定の固定された出力であってもよい。
【００９９】
１−２．画像記録装置の記録動作
図１２は、画像記録装置１による画像記録の動作を示すフローチャートである。画像記録装置１において、ユーザからの入力等に基づいて画像記録動作が開始されると、制御部８が画像記録装置１の各部に動作指令を行い、以下に説明する画像記録動作が順次実行される。
【０１００】
なお、下記のとおり、第１実施形態では吐出工程Ｓ１０、気体供給工程Ｓ２０、気体吸引工程Ｓ３０および乾燥工程Ｓ４０をこの順で実行するが、本発明の実施についてはこれに限られず、気体供給工程Ｓ２０および気体吸引工程Ｓ３０が吐出工程Ｓ１０に先行して実行されてもよいし、気体供給工程Ｓ２０および気体吸引工程Ｓ３０が、乾燥工程Ｓ４０の開始後に実行されてもよい。また、気体供給工程Ｓ２０および気体吸引工程Ｓ３０は同時に開始されてもよいし、気体吸引工程Ｓ３０が先に実行された後、気体供給工程Ｓ２０が実行されてもよい。すなわち、各工程の実行順は、適宜変更可能である。
【０１０１】
はじめに、吐出工程Ｓ１０が開始されると、搬送制御部８８が搬送駆動部９０へ動作指令を行い、基材２の巻出し部３から巻取り部７への搬送が行われる。続いて、ヘッド制御部８６がヘッド部４へ動作指令を行い、ヘッド部４はヘッド制御部８６から送信された吐出制御信号に基づいて第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４がそれぞれ有する複数の吐出口から、大、中、小のいずれのサイズのインク滴を吐出させるか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出させない、という吐出動作を、搬送される基材２に対して実行する。この結果、元画像に対応する網点画像に基づいて、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）およびＫ（ブラック）のそれぞれの複数のインクの液滴が基材２の表面に付着する。
【０１０２】
続いて、気体供給工程Ｓ２０が開始されると、流量制御部８９が気体供給部６１に動作指令を行い、気体供給部６１から供給ダクト６１２および蓋材９の第１開口９４を介して、乾燥部５の一部の側壁貫通孔５０１へ気体が供給される。
【０１０３】
続いて、気体吸引工程Ｓ３０が開始されると、流量制御部８９が気体吸引部６５に動作指令を行い、気体吸引部６５から吸引ダクト６５２および蓋材９の第２開口９５を介して、乾燥部５の一部の側壁貫通孔５０２から気体が吸引される。このとき、流量制御部８９は気体供給部６１および気体吸引部６５に動作指令を行い、図６に示すように第１開口９４を介して供給される気体流量ＦＲ１、ＦＲ２の和（ＦＲ１＋ＦＲ２）と、第２開口９５を介して吸引される気体流量ＦＲ３とを等しくするように、気体供給部６１および気体吸引部６５の少なくとも一方の出力を変更する。
【０１０４】
気体流量（ＦＲ１＋ＦＲ２）を気体流量ＦＲ３と等しくすることで、導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３を通り抜ける気体流量を抑制することができ、この結果、基材２のバタつきを抑制することができる。これにより、吐出工程によってインクの液滴が付着した基材２の表面が導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３のいずれかに接触して画像品質が低下することを防止できる。
【０１０５】
より詳細には、第２開口９５から気体流量ＦＲ３の気体が吸引されることにより、第２導波部２０の内部の気体は、側壁貫通孔５０２を通って第２導波部２０の外部へ排出される。これに対応して、気体流量ＦＲ３と等しい気体流量（ＦＲ１＋ＦＲ２）の気体が第１開口９４から供給されるため、第１開口９４から供給される気体は、一部の側壁貫通孔５０１から第１導波部１０または第３導波部３０に流入したあと、その大半が仕切部材貫通孔５０３を通って第２導波部２０へ流入する。これにより、導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３を通り抜ける気体流量を抑制することができる。
【０１０６】
図１２のフロー図に戻る。吐出工程Ｓ１０が実行され、インクの液滴が付着している基材２の表面が、基材２の搬送に伴って乾燥部５に達すると、当該表面に対して乾燥処理が実行される（乾燥工程：Ｓ４０）。この乾燥工程Ｓ４０では、基材２に対し、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０において電磁波の第１定在波Ｗ１から第９定在波Ｗ９までの各定在波が、適宜照射される。
【０１０７】
図１３に、乾燥工程Ｓ４０の詳細なフロー図を示す。乾燥工程Ｓ４０では、基材２のＸ方向におけるインクの付着量が大きい領域に定在波のピークが位置するように定在波の位相が制御される。この制御を実現するための工程として、乾燥工程Ｓ４０は、変更判定工程（ステップＳ４１）、ピーク位置変更工程（ステップＳ４２）および完了判定工程（ステップＳ４３）を有する。
【０１０８】
まず、変更判定工程Ｓ４１では、第１定在波Ｗ１から第９定在波Ｗ９までの各ピークｐが、基材２上のインクの付着量が大きい位置に位置しているか否かが判定される。この判定は、搬送駆動部９０により検出された基材２のＹ方向における位置と、付着量検出部８７１により検出された当該Ｙ方向位置におけるインクの付着量のＸ方向における分布と、乾燥部５により検出された第１定在波Ｗ１から第９定在波Ｗ９までの各ピークｐのＸ方向における位置とに基づいて位相制御部８７により実行される。
【０１０９】
例えば、図１０（ａ）に示すように、乾燥部５の第１導波部１０において第１定在波Ｗ１を基材２に照射しているときは、乾燥部５は、シャッター機構７０の動作状態等から第１定在波Ｗ１のピークｐが位置Ｐ１にあることを検出する。次に、位相制御部８７は、位置Ｐ１とインクの付着量分布とを比較する。この比較の結果、位置Ｐ１がインク付着量の大きい位置と一致している場合は、変更判定工程Ｓ４１でピークｐの位置の変更が不要である（Ｎｏ）と判断して、この状態を維持して完了判定工程Ｓ４３に移行する。
【０１１０】
上記比較の結果、位置Ｐ１がインク付着量の大きい位置と一致していない場合は、変更判定工程Ｓ４１でピークｐの位置の変更が必要である（Ｙｅｓ）と判断して、ピーク位置変更工程Ｓ４２に移行する。
【０１１１】
ピーク位置変更工程Ｓ４２では、例えば、シャッタ機構制御部８７２の動作指令によりシャッター機構７０を制御して、第１導波部１０で発生させる第１定在波Ｗ１を図１０（ｂ）、（ｃ）に示す第２定在波Ｗ２または第３定在波Ｗ３のいずれかに変更して、ピークｐの位置Ｐ１がインク付着量の大きい位置に一致するように位置Ｐ２または位置Ｐ３に変更する。このピークｐの位置変更動作の後、完了判定工程Ｓ４３に移行する。
【０１１２】
完了判定工程Ｓ４３では、乾燥処理をすべき基材２上の画像記録領域が、まだ存在するか否かが判定される。乾燥処理すべき基材２上の画像記録領域がまだ存在する場合は、乾燥処理が完了していない（Ｎｏ）と判断して、変更判定工程Ｓ４１に戻る。乾燥処理すべき基材２上の画像記録領域が、存在しない場合は乾燥処理が完了した（Ｙｅｓ）と判断して、乾燥処理を完了する。
【０１１３】
上述のように乾燥工程Ｓ４０では第１導波部１０において発生させる定在波を、インクの付着量に応じて第１定在波Ｗ１から第３定在波Ｗ３までのいずれかに設定することによって、定在波のピークｐを位置Ｐ１から位置Ｐ３までのいずれかに一致させることができる。このように、エネルギーが最大であるピークｐをインクの付着量の大きい領域に設定することにより、効率よくインクを乾燥させることができる。また、インクの付着量の小さい領域に照射される電磁波のエネルギーは比較的小さくなるので、基材２の面内において乾燥処理が均一に進行する傾向となる。この結果、コクリングの発生を抑制することができる。
【０１１４】
また、第２導波部２０においても同様に、第１導波部１０と同期するように第４定在波Ｗ４から第６定在波Ｗ６までのいずれかが生成され、第３導波部３０においても同様に、第１導波部１０と同期するように第７定在波Ｗ７から第９定在波Ｗ９までのいずれかが生成される。例えば、第１導波部１０で第１定在波Ｗ１が生成されているときには、これと同期して、第２導波部２０では第４定在波Ｗ４が生成され、第３導波部３０では第７定在波Ｗ７が生成される。同様に、第２定在波Ｗ２、第５定在波Ｗ５および第８定在波Ｗ８の組み合わせで定在波を生成したり、第３定在波Ｗ３、第６定在波Ｗ６および第９定在波Ｗ９の組み合わせで定在波を生成したりしてもよい。
【０１１５】
また、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０における定在波の生成動作を同期させずに第１定在波から第９定在波Ｗ９までを選択的に生成してもよい。
【０１１６】
上記のとおり、第１実施形態では、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のうち、Ｙ方向において中央に配置される第２導波部２０から、気体吸引部６５によって気体を吸引することで、乾燥室５の内部に気体の流れを生成することができる。これにより、導波管部５３において基材２の表面に付着したインクの液滴への電磁波（より好適には、マイクロ波）の照射による加熱で生じた蒸気を効率的に導波管部５３の外部に排出することができ、乾燥部５の内部の結露を防止することができる。
【０１１７】
導波管部５３の側壁５３４に側壁貫通孔５０１を設けたとしても、側壁貫通孔５０１の直径を電磁波発生部５１において発生する電磁波の波長よりも短くすることによって、導波管部５３の内部から外部への電磁波の漏れを抑制することができ、周辺機器への電磁波の影響を防止することができる。同様に、仕切部材貫通孔５０３の直径を電磁波発生部５１において発生する電磁波の波長よりも短くすることによって、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０の相互における電磁波の漏れを抑制することができ、各導波部において安定して定在波を形成することができる。
【０１１８】
また、第１実施形態では側壁貫通孔５０１が設けられる側壁５３４に対向して、蓋材９が配置され、蓋材９に設けられる第１開口９４に供給ダクト６１５が嵌合し、第２開口９５に吸引ダクト６５２が嵌合するため、仮に側壁貫通孔５０１から僅かな電磁波の漏波が生じたとしても、少なくとも蓋材９、供給ダクト６１５および吸引ダクト６５２のいずれかにより電磁波を遮蔽することができる。これにより、電磁波発生部５１において発生する電磁波を高出力化し、乾燥性能を向上させる場合にも、外部への漏波を確実に防止することができる。
【０１１９】
ここで、電磁波の高出力化の必要性を、インクの液滴に含有される湿潤剤の観点から説明する。
【０１２０】
インクには、ヘッド部４に設けられる複数の吐出口においてインクが乾燥して固化することで生じる吐出不良を防止するために、高沸点の湿潤剤が添加されることがある。高沸点の湿潤剤としては、高沸点の有機溶剤が用いられるのが好適であり、具体的にはグリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロールメタンおよびトリメチロールエタンのうち少なくとも１つの有機溶剤を含む湿潤剤がインクの液滴に含有されるのが好適である。また、これらの物質の中でも、OH基を有する物質がより好適である。
【０１２１】
しかし、吐出口におけるインク乾燥をより防止するためにインクへより高濃度に高沸点の湿潤剤を添加すると、印刷し、乾燥部５通過後においても基材２上で乾燥しないおそれがある。また、高沸点の湿潤剤の濃度は従来どおりでも、基材２の搬送速度を高速化すると乾燥部５を通過するのにかかる時間が短くなって、乾燥部５通過後においても基材２上で乾燥しないおそれがある。これを解決するためには、乾燥部５において発生する電磁波の高出力化が必要である。
【０１２２】
電磁波の高出力化を行うことで、インクの液滴に高沸点の湿潤剤が含まれている場合にも、乾燥部５におけるインクの乾燥不良を防止し、印刷品質を向上することができる。特に、電磁波としてマイクロ波を用い、湿潤剤としてＯＨ基を有するグリセリンを用いる場合、マイクロ波はインクの液滴内の水分へ選択的に吸収され、インクの液滴を急速に加熱することができる。これにより、加熱された多くの水分子は、蒸発時に周囲のグリセリンに含まれるＯＨ基を牽引して空気中へ拡散する。これにより、例えばハロゲンランプや抵抗加熱等の他の乾燥方法では実現できない瞬間加熱を実現できる電磁波乾燥方式によって、水と同時に高沸点の湿潤剤をも乾燥することができる。
【０１２３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１４は、本発明の第２実施形態に係る画像記録装置１ａを示す概略側面図である。第１実施形態と第２実施形態との相違点は次の通りである。すなわち、第１実施形態において乾燥部５は第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４を有するヘッド部４の基材２の搬送方向下流側（＋Ｙ側）に配置されている。これに対し、第２実施形態では、図１４に示すように、第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４をＹ方向において互いに間隔を空けて配置し、このヘッド間に乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄがそれぞれ配置されている。また、乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄのそれぞれに、蓋材９が設けられ、気体供給部６１の供給ダクト６１５とそれぞれ接続し、気体吸引部６５の吸引ダクト６５２から分岐部６５４で分岐した吸引ダクト６５５とそれぞれ接続する。
【０１２４】
換言すれば、第１ヘッド４１の下流側（＋Ｙ側）に乾燥部５ａが配置され、第２ヘッド４２の下流側に乾燥部５ｂが配置され、第３ヘッド４３の下流側に乾燥部５ｃが配置され、第４ヘッド４４の下流側に乾燥部５ｄが配置されている。乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄの構成は第１実施形態の乾燥部５と同様である。
【０１２５】
この第２実施形態では、第１ヘッド４１から吐出される、例えばシアンのインクの液滴の基材２への付着量分布に基づいて、乾燥部５ａ内で発生させる定在波の位相を制御し、定在波のピークが付着量の大きい位置に設定される。同様に、第２ヘッド４２から吐出されるマゼンタのインクの液滴の基材２への付着量分布、第３ヘッド４３から吐出されるイエローのインクの液滴の基材２への付着量分布、第４ヘッド４４から吐出されるブラックのインクの液滴の基材２への付着量分布にそれぞれ基づいて、乾燥部５ｂ、５ｃ、５ｄ内でそれぞれ発生させる定在波の位相を制御し、定在波のピークが付着量の大きい位置に設定される。
【０１２６】
上述の第１実施形態では、複数色のインクが吐出された後に乾燥処理が実行される。この場合、各色の合計の付着量に基づいて位相制御された定在波により乾燥処理が実行される。例えば、先に基材２に付着したシアンの付着量が大きく、後で基材２に付着したブラックの付着量が小さい場合と、先に基材２に付着したシアンの付着量が小さく、後で基材２に付着したブラックの付着量が大きい場合とでも、合計した付着量が同じであれば同様に位相制御された定在波により乾燥処理が実行される。
【０１２７】
ここで、第１実施形態では、先に基材２に付着したシアンのインクに対して乾燥処理が実行されるまでの経過時間は、後で基材２に付着したブラックのインクに対して乾燥処理が実行されるまでの経過時間よりも長くなる。この結果、シアンのインクの方が乾燥処理までに基材２に滲み込む液量が大きくなる傾向にある。つまり、各色の合計付着量が同じであっても、付着した時期の相違によって、基材２に滲み込んでいるインク量が異なる場合があるが、第１実施形態では、この点を考慮せず、乾燥処理を実行している。
【０１２８】
一方、第２実施形態では、色毎に乾燥処理を実行しているので、基材２へのインクの付着時から乾燥開始までの時間差が色毎に生じない。この結果、基材２へのインクの滲み込み量による影響が少なくなり、インクの滲み込みに起因する基材２のコクリングの発生を抑制することができる。上述の構成以外は第１実施形態と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【０１２９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。上述の第１実施形態では、図６に示すように第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０の各室間の隔壁として、それぞれ１枚の仕切部材５３３を設ける。また、第１導波部１０および第３導波部３０へ気体供給部６１から気体を供給し、第２導波部２０から気体吸引部６５へ気体を吸引することで、気体の流れを生成する。かかる構成は、小型の乾燥部５の実現に好適であるが、一方で、乾燥工程Ｓ４０（図１２参照）において、発生させる電磁波の出力を大きくすると、それぞれの仕切部材５３３の＋Ｙ側、−Ｙ側の両側面にかかる電位差がより大きくなり、仕切部材５３３の厚みがある程度薄いと、放電が生じて、例えばヘッド部４の制御ノイズとなるおそれがある。
【０１３０】
第３実施形態では、第１導波部１０と第２導波部２０、および第２導波部２０と第３導波部３０の間に位置する隔壁である仕切部材をそれぞれ二重構造とすることで、電位差の生じる距離を広くして電界勾配を緩やかにし、放電の発生を抑制する。
【０１３１】
また、第３実施形態では、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０へ気体供給部６１から気体を供給し、二重構造とした仕切部材の間の空隙から気体吸引部６５へ気体を吸引することで、気体の流れを生成する。仕切部材の間の空隙を、電位差距離確保のほか、気体吸引の経路としても併用することで、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０には気体供給部６１から低露点の新鮮な空気を均質に供給することができる。
【０１３２】
図１５は、本発明の第３実施形態に係る画像記録装置１ｂを示す概略側面図である。以下の説明では、画像記録装置１ｂについて、第１実施形態の画像記録装置１（図１等参照）と異なる部分について主に取扱い、画像記録装置１と同様の構成については画像記録装置１と同様の記号を付して説明を省略する。
【０１３３】
画像記録装置１ｂは、画像記録装置１の乾燥部５に代えて乾燥部５ｅを有する。また、画像記録装置１ｂは、画像記録装置１の蓋材９に代えて蓋材９ａを有する。また、気体供給部６１は、送風駆動部６１１と、吸気ダクト６１３と、供給ダクト６１２と、を備え、気体吸引部６５は、吸引駆動部６５１と、吸引ダクト６５２と、排気ダクト６５３と、を備える。
【０１３４】
供給ダクト６１２は、送風駆動部６１１と接続する供給ダクト６１６と、１個以上（第３実施形態では２個）の分岐部６１４で複数本（第３実施形態では各分岐部６１４において２本ずつ）に分岐して、蓋部９ａと接続する複数本（第３実施形態では３本）の供給ダクト６１５とを有する。蓋部９ａは、供給ダクト６１５の出口と嵌合する第１開口９４（図１８参照）を有し、供給ダクト６１５は第１開口９４を介して送風駆動部６１１から圧送される気体を乾燥部５ｅへ案内する。
【０１３５】
吸引ダクト６５２は、吸引駆動部６５１と接続する吸引ダクト６５６と、１個以上（第３実施形態では１個）の分岐部６５４で複数本（第３実施形態では分岐部６５４において２本）に分岐して、蓋部９ａと接続する複数本（第３実施形態では２本）の吸引ダクト６５５とを有する。蓋部９ａは、吸引ダクト６５５の出口と嵌合する第２開口９５（図１８参照）を有し、吸引ダクト６５５は第２開口９５を介して乾燥部５ｅから圧送される気体を吸引駆動部６５１へ案内する。
【０１３６】
図１６は、乾燥部５ｅの概略構成を示す斜視図である。図１７は、乾燥部５ｅの概略構成を示す断面平面図である。図１８は、乾燥部５ｅの概略構成を示す断面側面図である。なお、図１６および図１７では、主に乾燥部５ｅを説明する便宜上、蓋材９ａの図示を省略している。以下、図１６から図１８までを適宜参照しながら、乾燥部５ｅおよび蓋部９ａの構成について説明する。
【０１３７】
図１６を参照する。乾燥部５ｅは、電磁波発生部５１と、位相器部５２と、導波管部５３と、反射部５５と、を主に備える。図１６、図１７および図１８に示すように、導波管部５３および反射部５５は、Ｙ方向において、複数の側壁５３６により３分割される。
【０１３８】
第３実施形態において、第１導波部１０は、−Ｙ側の側壁５３２と、＋Ｙ側の側壁５３６と、＋Ｚ側の側壁５３４と、側壁５３４と対向する−Ｚ側の側壁５３５とを主に有する、管状部材である。また、第２導波部２０は、−Ｙ側の側壁５３６と、＋Ｙ側の側壁５３６と、＋Ｚ側の側壁５３４と、側壁５３４と対向する−Ｚ側の側壁５３５とを主に有する、管状部材である。また、第３導波部３０は、−Ｙ側の側壁５３６と、＋Ｙ側の側壁５３１と、＋Ｚ側の側壁５３４と、側壁５３４と対向する−Ｚ側の側壁５３５とを主に有する、管状部材である。
【０１３９】
側壁５３１、５３２、５３４および５３５のうち、基材２のインクが付着している表面と対向する側壁５３４には、複数の側壁貫通孔５０１が設けられる。第３実施形態では、側壁５３４において、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部のそれぞれに１０個ずつ側壁貫通孔５０１が設けられるが、本発明の実施に関してはこれに限られず、側壁貫通孔５０１の配置、個数はインクの乾燥条件等を鑑みて適宜設定してよい。
【０１４０】
側壁５３６は、第１実施形態における仕切部材５３３がＹ方向に空隙を有して二重に設けれられる構造とされるのに相当し、Ｙ方向に隣接する２個の側壁５３６の間には所定距離分だけ空隙が設けられる。そして、側壁５３６には、第１実施形態における仕切部材５３３に設けられた仕切部材貫通孔５０３と同様の貫通孔５０３と、第１実施形態における仕切部材５３３に設けられた通過開口５４３と同様の通過開口５４３が設けられる。
【０１４１】
基材２は、導波管部５３の−Ｙ方向側の導入開口５４２から導波管部５３内に導入された後、複数個（第３実施形態では４個）の通過開口５４３を通って導波管部５３内部を通過し、＋Ｙ方向側の導出開口５４１から導出される。
【０１４２】
次に、蓋材９ａの構成について説明する。
【０１４３】
蓋材９ａは、気体供給部６１から供給される気体を乾燥部５ｅへ案内し、乾燥部５ｅから気体吸引部６５へ吸引される気体を案内する機能を有する。また、蓋材９ａは、導波管部５３のうち、少なくとも側壁貫通孔５０１を有する側壁（第３実施形態では、側壁５３４）と対向して設けられる。
【０１４４】
図１８を参照する。蓋材９ａは、フレーム９１と、枠材９２と、枠材９３とを備える。フレーム９１は、蓋材９ａの本体であり、金属部材や樹脂部材等、任意の材料により成形される。枠材９２および枠材９３は、フレーム９１に固定して設けられる。
【０１４５】
フレーム９１には、供給ダクト６１５の出口と嵌合する１個以上の（第３実施形態では、３個の）第１開口９４と、吸引ダクト６５２の入口と嵌合する１個以上の（第３実施形態では、２個の）第２開口９５と、が設けられる。
【０１４６】
枠材９２は、供給ダクト６１５から乾燥部５ｅに供給され、または乾燥部５ｅから吸引ダクト６５２に吸引される気体の流れを調整する機能を有する。本実施形態では、枠材９２は第１開口９４と第２開口９５とをそれぞれ仕切るように配置される。供給ダクト６１５から気体が供給されると、枠材９２の存在によって気体が整流され、乾燥部５ｅの側壁貫通孔５０１へ気体が供給される。また、吸引ダクト６５２から気体が吸引されると、枠材９２の存在によって気体が整流され、乾燥部５ｅの側壁５３６に設けられた貫通孔５０３から、気体が吸引される。
【０１４７】
すなわち、気体供給部６１が供給する気体は、蓋材９ｅにより整流されて複数の側壁貫通孔５０１から導波管部５３の内部へ供給され、気体吸引部６５が吸引する気体は、蓋材９ｅにより整流されて、気体が流入する側壁貫通孔５０１とは異なる貫通孔５０３から導波管部５３の外部に吸引される。
【０１４８】
上記の構成により、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のそれぞれの隣接する距離を遠ざけることができ、Ｙ方向に隣接する側壁５３６に生じる電圧勾配を緩やかにすることで放電によるノイズの発生を防止することができる。
【０１４９】
また、上記構成では、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のそれぞれに供給ダクト６１５から低湿度の気体を供給でき、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０のそれぞれにおいて基材２からのインクの溶媒成分の蒸発により湿度が増加した気体は、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０の間に位置する空隙（すなわち、隣接する側壁５３６の間の空間）から第２開口９５を介して気体吸引部６５に吸引されるため、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０には常に新鮮な空気を導入することができ、導波管部５３での結露を防止し、良好な乾燥処理を行うことができる。
【０１５０】
次に、第３実施形態における画像記録動作について説明する。第３実施形態と第１実施形態との画像記録動作における主な相違点は、気体供給工程Ｓ２０および気体吸引工程Ｓ３０であり、その他の工程は同様であるため、説明を省略する。
【０１５１】
第１実施形態と同様の吐出工程Ｓ１０が実行された後、気体供給工程Ｓ２０が開始されると、流量制御部８９が気体供給部６１に動作指令を行い、気体供給部６１から供給ダクト６１２および蓋材９ａの第１開口９４を介して、乾燥部５ｅの側壁貫通孔５０１へ気体が供給される。
【０１５２】
続いて、気体吸引工程Ｓ３０が開始されると、流量制御部８９が気体吸引部６５に動作指令を行い、気体吸引部６５から吸引ダクト６５２および蓋材９ａの第２開口９５を介して、乾燥部５ｅの貫通孔５０３から気体が吸引される。このとき、流量制御部８９は気体供給部６１および気体吸引部６５に動作指令を行い、図１８に示すように第１開口９４を介して供給される気体流量ＦＲ４、ＦＲ５、ＦＲ６の和（ＦＲ４＋ＦＲ５＋ＦＲ６）と、第２開口９５を介して吸引される気体流量ＦＲ７、ＦＲ８の和（ＦＲ７＋ＦＲ８）とを等しくするように、気体供給部６１および気体吸引部６５の少なくとも一方の出力を変更する。
【０１５３】
気体流量（ＦＲ４＋ＦＲ５＋ＦＲ６）を気体流量（ＦＲ７＋ＦＲ８）と等しくすることで、導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３を通り抜ける気体流量を抑制することができ、この結果、基材２のバタつきを抑制することができる。これにより、吐出工程によってインクの液滴が付着した基材２の表面が導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３のいずれかに接触して画像品質が低下することを防止できる。
【０１５４】
より詳細には、第２開口９５からそれぞれ気体流量ＦＲ７、ＦＲ８の気体が吸引されることにより、第１導波部と第２導波部２０の間、および第２導波部２０と第３導波部３０の間にそれぞれ位置する空隙内部の気体は、乾燥部５ｅの外部へ排出される。これに対応して、気体流量（ＦＲ７＋ＦＲ８）と等しい気体流量（ＦＲ４＋ＦＲ５＋ＦＲ６）の気体が第１開口９４から供給されるため、第１開口９４から供給される気体は、側壁貫通孔５０１から第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０に流入したあと、その大半が貫通孔５０３を通って当該空隙へ流入する。これにより、導出開口５４１、導入開口５４２および通過開口５４３を通り抜ける気体流量を抑制することができる。
【０１５５】
以上の気体吸引工程Ｓ３０の実行後、第１実施形態と同様の乾燥工程Ｓ４０が実行される。以上により、第３実施形態における画像記録動作が実行される。
【０１５６】
上述の第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態において、ヘッド部４および乾燥部５（５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ）に対して基材２を移動させて相対移動を実現させていたが、逆に、固定された基材２に対して、ヘッド部４および乾燥部５を一体的に移動させて相対移動を実現させても良い。
【符号の説明】
【０１５７】
１      画像記録装置
２      基材
３      巻出し部
４      ヘッド部
５      乾燥部  （５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ  乾燥部）
６１      気体供給部
６５      気体吸引部
７      巻取り部
８      制御部
９      蓋材  （９ａ  蓋材）
１０    第１導波部
２０    第２導波部
３０    第３導波部
５１      電磁波発生部
５２      位相器部
５３      導波管部
５５      反射部
８１      全体制御部
８３      画像データ処理部
８４      画像メモリ
８５      記録信号生成部
８６      ヘッド制御部
８７      位相制御部
８８      搬送制御部
９０      搬送駆動部
１００      コンピュータ
８３１      網点化部
８７１      付着量検出部
８７２      シャッター機構制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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