(57)【要約】【課題】多層膜パターンの位置ずれ欠陥を容易に修正することの可能な反射型マスクの修正方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された多層膜の反射膜層を含むパターンの位置ずれ量と位置ずれ方向とを検出し（ステップＳ１）、位置ずれが生じたパターンに含まれる多層膜に対する露光用の荷電粒子線の入射位置が、検出した位置ずれ方向とは逆側であって、検出した位置ずれ量だけずれた位置となるように、位置ずれが生じたパターンに含まれる多層膜の、荷電粒子線の入射面の基板の下面からの高さを調整する（ステップＳ２〜Ｓ５）。例えば多層膜をエッチングすることにより入射面の高さを低くし、この入射面の高さの変化による光路差を利用して、位置ずれが修正されたパターンを転写する。【選択図】          図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と当該基板上に形成された多層膜の反射膜層を含むパターンとを有する反射型マスクの修正方法であって、
前記パターンの位置ずれ量と位置ずれ方向とを検出する工程と、
位置ずれが生じたパターンに含まれる前記多層膜に対する露光用の荷電粒子線の入射位置が、検出した前記位置ずれ方向とは逆側であって、検出した前記位置ずれ量だけずれた位置となるように、前記位置ずれが生じたパターンに含まれる前記多層膜の、前記荷電粒子線の入射面の前記基板の下面からの高さを調整する工程と、
を備えることを特徴とする反射型マスクの修正方法。
【請求項２】
前記入射面の高さを調整する工程では、
前記位置ずれが生じた前記パターンに含まれる少なくとも前記多層膜をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項３】
前記入射面の高さを調整する工程では、
探針を走査して切削を行う方法、又は電子線、イオンビーム及び原子ビームのいずれか一つとエッチングガスとを用いたエッチング手法により、少なくとも前記多層膜をエッチングすることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項４】
前記多層膜は２種類の膜が交互に積層されてなり、
前記多層膜のエッチング深さは、前記２種類の膜を１ペアとして２０ペア未満の深さとすることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項５】
前記パターンは、前記多層膜と当該多層膜の上に積層された上部層とを含み、
前記入射面の高さを調整する工程では、前記位置ずれが生じた前記パターンに含まれる前記上部層を除去した後にエッチングを行い、
前記入射面の高さを調整する工程の後に、エッチング後の前記多層膜の上に前記上部層を再度積層する工程を備えることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項６】
前記入射面の高さを調整する工程では、
前記位置ずれが生じた前記パターンに含まれる前記多層膜の前記入射面がリフトアップするように、前記多層膜の膜厚又は前記基板の厚みを増加させることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項７】
前記入射面の高さを調整する工程では、
イオンビーム又は原子ビームの少なくとも一方を用いて前記多層膜又は前記基板の体積を局所的に膨張させることを特徴とする請求項６に記載の反射型マスクの修正方法。
【請求項８】
基板上に、多層膜の反射膜層を含むパターンを形成する工程と、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の反射型マスクの修正方法を用いて前記パターンの位置ずれを修正する工程と、
を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等をリソグラフィ技術により製造する際に使用する反射型マスクの修正方法及び反射型マスクの製造方法に関する。特に、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置等に利用される、反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの修正方法及び反射型マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
＜ＥＵＶリソグラフィの説明＞
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍や、波長６ｎｍ以上７ｎｍ以下付近のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶは光源波長が短く、ガスによる吸収減衰が大きいため、ＥＵＶリソグラフィは真空中で行う必要がある。またＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は「１」よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
このような反射型マスクの代表的な膜構造として、低熱膨張性基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射膜（以降、多層膜と呼ぶ）と、多層膜の表面を保護するための保護膜と、露光光源波長を吸収する吸収膜と、深紫外線（ＤＵＶ：Deep Ultraviolet）を用いたマスク検査装置でパターンのコントラストを得るための低反射膜と、が順次形成され、この吸収膜と低反射膜に回路パターンが形成されたマスクがある。
【０００４】
また、基板の裏面には、露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、保護膜と吸収膜との間に、吸収膜をエッチング加工する際の下地へのダメージを抑えるための緩衝膜（吸収膜をエッチング加工する際のエッチングストッパー膜）を有する構造を持つマスクもある。
上記のマスク構造の場合、吸収膜と低反射膜の両方のパターニングには、ＥＢ（電子線）リソグラフィとエッチング技術とにより吸収膜を部分的に除去する。さらに緩衝膜を有するマスク構造の場合は緩衝膜も同様に除去し、ＥＵＶ光に対する吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００５】
現在の標準的なＥＵＶマスクブランク（ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクブランク）に用いられる多層膜は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）がそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜されている。多層膜は、Ｓｉからなる膜とＭｏからなる膜とを１ペアとしたとき、トータルで４０以上５０以下程度のペア（＝８０膜以上１００膜以下程度）から成る。また、多層膜の最上膜は、Ｍｏと比較して化学的安定性の高いＳｉとなっている。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るために用いられている。最初の界面でＥＵＶ光の一部が反射されるが、残りの反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面、さらには次の界面で、というように４０回（４０ペアの場合）の反射をするチャンスがある。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、それらの合算が多層膜からのＥＵＶ光の反射率（以降、ＥＵＶ反射率と呼ぶ）となる。ブランクメーカ各社から販売されているＥＵＶマスクブランク（ＥＵＶマスク用基板）のＥＵＶ反射率は、概ね６０％以上６５％以下程度である。
【０００６】
保護膜や緩衝膜は、マスクを作製する際のドライエッチング工程、マスクパターン修正工程、マスク洗浄工程において、多層膜へのダメージ防止膜としての役割を担っている。現在の標準的なＥＵＶマスクブランクの保護膜には洗浄耐性・エッチング耐性が高いとされているルテニウム（Ｒｕ）が用いられ、緩衝膜にはクロム窒化物（ＣｒＮ）が用いられている。緩衝膜が存在するタイプのマスクブランクにおいても、最終的には緩衝膜はエッチング除去されて、所望のＥＵＶマスクが完成する（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００７】
ＥＵＶマスクは、上述した理由で反射型マスクであるため、一般に、ＥＵＶマスクへのＥＵＶ光の入射角度を６度程度とした斜め入射にする必要がある。その場合、ＥＵＶマスク上の回路パターンでＥＵＶ光が反射する際、反射光の方向によっては、吸収膜の高さが影となり、ウェハー上に放射されない現象（いわゆる射影効果）が生じ、転写コントラストが低下することが指摘されている。そこで射影効果を抑制するために、回路パターンが形成される吸収膜の厚みを薄くして、射影効果を低減する手法が検討されているが、射影効果を完全に排除することは出来ない。
【０００８】
射影効果の別の対策として、上記で説明した従来のＥＵＶマスクとは異なる構造のＥＵＶマスクも提案されている。これは、低熱膨張基板上の多層膜に、回路パターンを形成したものである（例えば、特許文献３参照）。このタイプのＥＵＶマスク（以降、多層膜パターニング型マスクと呼ぶ）であれば、吸収膜自体が存在しないので射影効果は発生せず、従来のＥＵＶマスクと比べ転写コントラストが高くなることが期待されている。
【０００９】
一般に、ＥＵＶマスクをはじめとするフォトマスクは、ウェハーに転写される回路パターンに欠陥が生じないよう、無欠陥であることを要求される。しかし、実際のフォトマスクにおいては、パターン形状不良やパターン位置ずれ欠陥等、ウェハー転写に致命的な影響を及ぼすパターン欠陥が複数発生し得る。これらの欠陥は、レジスト材料内の不純物や、電子線描画の照射位置ずれ、現像不良等によるレジストパターン形成不良、及びエッチング時の異物による阻害、基板応力による位置ずれ等、複数の欠陥因子が影響していると推測されている。
【００１０】
このような理由により、無欠陥のフォトマスクを作製することは現実的に困難とされている。そのため、パターン欠陥の位置をパターン検査装置で特定し、ウェハー転写結果に影響しない程度に修正することで、実効的に無欠陥のフォトマスクを得る手法が一般的である。ＥＵＶマスクにおいてもその限りではなく、ＥＵＶマスクの製造工程には、修正工程が組み込まれている。
【００１１】
ところで、通常のＥＵＶマスクの欠陥修正は、電子線（ＥＢ）、又は収束イオンビーム（ＦＩＢ）等を利用したパターン修正装置を用いることで行なわれる。パターン形状不良欠陥に対しては、吸収膜が余剰な部位をエッチングすること、又は吸収膜が不足した部位に対して、化学気相堆積法（以降、ＣＶＤ法と呼ぶ）にて代わりの吸収膜（もしくは同等の遮光性を有する膜）を形成することで、修正することができる。また、パターン位置ずれ欠陥においても、位置ずれした吸収膜パターンの一部又は全てをエッチングで除去し、ＣＶＤ法にて正常な位置に再度吸収膜パターンを形成することで、修正することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−２４９４３４号公報
【特許文献２】特許第４１５８９６０号公報
【特許文献３】特開２０１５−０５６４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
一方、多層膜パターニング型マスクの欠陥修正は、前述の通常のＥＵＶマスクの修正とは様相が異なる。ＥＢ、又はＦＩＢ等のパターン修正装置を用いることで、余剰な多層膜のエッチングを行うことは、ＥＵＶマスクと同様に可能である。しかしながら、パターン修正装置を用いて、ＣＶＤ法による多層膜形成を局所的に行なうことは、技術的に困難とされている。これは、多層膜を構成するＭｏ及びＳｉの膜厚を単原子層オーダーで制御する必要があるためである。
【００１４】
多層膜パターニング型マスクにおいては、エッチングとパターン形成の双方が必要となる。そのため、従来の手法に準拠した多層膜パターンの位置ずれ欠陥修正は、実質的には不可能である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、多層膜パターンの位置ずれ欠陥を容易に修正することの可能な反射型マスクの修正方法及び反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願発明の一態様によれば、基板と基板上に形成された多層膜の反射膜層を含むパターンとを有する反射型マスクの修正方法であって、パターンの位置ずれ量と位置ずれ方向とを検出する工程と、位置ずれが生じたパターンに含まれる多層膜に対する露光用の荷電粒子線の入射位置が、検出した位置ずれ方向とは逆側であって、検出した位置ずれ量だけずれた位置となるように、位置ずれが生じたパターンに含まれる多層膜の、荷電粒子線の入射面の基板の下面からの高さを調整する工程と、を備える、反射型マスクの修正方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、多層膜パターニング型の反射型マスクにおいて、転写欠陥の原因となる多層膜からなるパターンの位置ずれ欠陥の修正を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】反射型マスクブランク（吸収膜あり）の構成の一例を示す断面図である。
【図２】反射型マスクブランク（吸収膜なし）の構成の一例を示す断面図である。
【図３】左方向位置ずれパターンを有する反射型マスクの一例である。
【図４】左方向位置ずれパターン（保護膜なし）の修正方法を説明するための説明図である。
【図５】左方向位置ずれパターン（保護膜あり）の修正方法を説明するための説明図である。
【図６】右方向位置ずれパターンを有する反射型マスクの一例である。
【図７】右方向位置ずれパターンの修正方法を説明するための説明図である。
【図８】左方向位置ずれパターンの修正手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】左方向位置ずれパターンの修正時の工程の一例を示す工程図である。
【図１０】右方向位置ずれパターンの修正手順の一例を示すフローチャートである。
【図１１】右方向位置ずれパターンの修正時の工程の一例を示す工程図である。
【図１２】多層膜パターニング型マスクの評価パターンの一例である。
【図１３】評価パターンの評価手順の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の一実施形態に係る反射型マスクの修正方法について図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、各図面は説明を容易にするために適宜誇張して表現している。
さらに、本発明の実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１９】
図１に、本発明の一実施形態に係る反射型マスクの修正方法を適用して多層膜パターニング型マスクを作製する際に用いられる、反射型マスクブランク（吸収膜あり）１００の断面構造の一例を示す。この多層膜パターニング型マスクは波長１３．５ｎｍを光源として利用する極端紫外線用マスクの事例である。
まず基板１を用意する。基板１は酸化チタンを含有した低熱膨張ガラスとする。基板１の一方の面に、モリブデン（Ｍｏ）約４ｎｍとシリコン（Ｓｉ）３ｎｍとを交互に４０ペア、合計８０層堆積した反射膜層としての多層膜２を積層する。多層膜２の上にルテニウム（Ｒｕ）を２．５ｎｍ堆積してなる保護膜３を積層する。この保護膜３の上にタンタル（Ｔａ）を主材とする吸収膜５を４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下程度堆積する。吸収膜５は、露光光源波長を吸収する層と、深紫外線を用いたマスク検査装置でパターンのコントラストを得るための低反射層とから構成されている場合もある。さらに、基板１に対して多層膜２とは反対側の面にクロム（Ｃｒ）又はクロム窒化物（ＣｒＮ）等の導電性金属又は金属窒化物を１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下程度堆積した裏面導電膜４を形成する。
【００２０】
図２に、本発明の一実施形態に係る反射型マスクの修正方法を適用して多層膜パターニング型マスクを作製する際に用いられる、反射型マスクブランク（吸収膜なし）１０１の断面構造の一例を示す。
図１に示す反射型マスクブランク１００の構造と非常に近いが、反射型マスクブランク１０１は、保護膜３の表面上には、吸収膜５が存在しない。元来、多層膜パターニング型マスクは、多層膜２及び保護膜３が露出するパターン部と基板１表面が露出するスペース部のみから構成されており、吸収膜５を必要としない。従って、多層膜パターニング型マスク作製においては、後述する、位置ずれが生じたパターンを修正するためのエッチングを多層膜２に対して行う際に、吸収膜５を除去する工程を必要としない反射型マスクブランク（吸収膜なし）１０１に示す構造の方がより適している。
【００２１】
図３にパターン位置が正常な反射型マスク２００（正常パターン６ａにより構成される）の一例を示す断面図（図３（ａ））と、左方向に位置ずれが生じた左方向位置ずれパターン６ｂを有する反射型マスク２０１の一例を示す断面図（図３（ｂ））を示す。図３（ｂ）において、破線は正常時のパターン位置を示す。
位置ずれパターンを有する反射型マスクは、ウェハー転写の際にもパターンの位置ずれを引き起こし、ウェハーに複数層に渡ってパターンを形成する際には、上層又は下層のパターンと電気的にショートする懸念がある。通常のＥＵＶマスク、すなわち、単層の膜でパターンが形成されるＥＵＶマスクであれば、電子線又はイオンビーム、原子ビーム等の原理を用いたパターン修正装置を用いて、位置ずれした吸収膜パターンの一部又は全てをエッチングで除去し、ＣＶＤ法にて正常な位置に再度吸収膜パターンを形成することで、修正が可能である。しかしながら、多層膜を用いた場合には、単層の膜でパターンが形成されるＥＵＶマスクの場合と同様に、パターン修正装置を用いてエッチングし、その後ＣＶＤ法により多層膜形成を局所的に行なうことは、多層膜を構成するＭｏ及びＳｉの膜厚を単原子層オーダーで制御する必要があるため、非常に困難とされている。したがって、多層膜パターニング型マスクの位置ずれ欠陥修正においては、従来の修正手法を適用することは困難である。
【００２２】
図４に、左方向位置ずれパターン６ｂの一例を示す断面図（図４（ａ））、及び本発明の一実施形態に係る修正方法を用いて修正した修正後パターン（保護膜なし）６ｃの一例を示す断面図（図４（ｂ））を示す。
修正後パターン（保護膜なし）６ｃは、多層膜２を深さｄだけ削除している。仮に、修正後パターン（保護膜なし）６ｃに対しての、当該反射型マスクを用いて露光を行う際の露光用のＥＵＶ光７の入射角度がθ（通常は６度程度）となる場合、多層膜２を深さｄだけ削除することによって、基板と水平方向にｄ×ｔａｎθ（＝ａ：位置補正量）に相当する光路差が生じる。したがって、左方向に位置ずれしたパターンの多層膜２を所定の深さだけ削除することにより、多層膜２の、ＥＵＶ光７の入射面に対するＥＵＶ光７の入射位置を右方向に動かすことができ、これによってウェハーに転写されるパターンを、実質的に右方向に動かすことができる。これにより、左右方向の位置ずれを相殺することができる。
【００２３】
なお、多層膜２を所望の深さだけ削除する方法としては、探針を走査して物理的に切削する方法、又は、フォトマスク修正装置等を利用し、電子線もしくはイオンビーム、原子ビームの少なくとも一つを含むエネルギー源と、エッチングガスとしての、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）ガスや塩素ガス（Ｃｌ）、窒素系酸化物ガス（ＮＯx）のうちの少なくとも１つとを用いたエッチングにより削除する手法等がある。
【００２４】
また、位置ずれ量相当だけ、多層膜２を深さ方向に削除する場合、多層膜２のエッチング深さ、つまり削除深さは２０ペア未満の深さとする。すなわち、ＥＵＶ光７を充分反射させる観点から、エッチング深さは多層膜２の半分未満程度、つまり、ＭｏとＳｉとを４０ペア堆積した多層膜２においては２０ペア未満の深さとする。
図５に、左方向位置ずれパターン６ｂの一例を示す断面図（図５（ａ））、及び本発明の一実施形態に係る修正方法を用いて修正した修正後パターン（保護膜あり）６ｄの一例を示す断面図（図５（ｂ））を示す。
【００２５】
修正後パターン（保護膜あり）６ｄは、図４に示した修正後パターン（保護膜なし）６ｃと非常に近い構造をしているが、多層膜２の上面に保護膜３を有している。通常、保護膜３には、ＥＵＶ光７の吸収率が少ないとされるＲｕを用いている。また、Ｒｕは洗浄耐性・エッチング耐性も高いとされているため、修正後パターンの耐性を高めると言う観点では、保護膜３を備えた修正後パターン（保護膜あり）６ｄの方が望ましい。保護膜３を備える場合、多層膜２を削除する際には保護膜３を除去した後、多層膜２を削除し、削除終了後、再度保護膜３を多層膜２の上に成膜すればよい。保護膜３を有する場合であっても、図４に示す保護膜３を有さない場合と同様に、左方向に位置ずれしたパターンの多層膜２を所定の深さだけ削除することによって、ウェハーに転写されるパターンを、実質的に右方向に動かすことができる。これにより左右方向の位置ずれを相殺することができる。
【００２６】
次に、図６に、パターン位置が正常な反射型マスク２００（正常パターン６ａにより構成される）の一例を示す断面図（図６（ａ））と、右方向位置ずれパターン６ｅを有する反射型マスク２０２の一例を示す断面図（図６（ｂ））を示す。図６（ｂ）において、破線は正常時のパターン位置を示す。
図７に、右方向位置ずれパターン６ｅの一例を示す断面図（図７（ａ））、及び本発明の一実施形態に係る修正方法を用いて修正した修正後パターン（保護膜なし）６ｆの一例を示す断面図（図７（ｂ））を示す。修正後パターン（保護膜なし）６ｆは、多層膜２の高さがｄだけリフトアップしている。仮に、修正後パターン（保護膜なし）６ｆに対しての、ＥＵＶ光７の入射角度がθ（通常は６度程度）となる場合、多層膜２の高さ、すなわち多層膜２の表面をｄだけリフトアップすることにより、基板１と水平方向にｄ・ｔａｎθ（＝ａ：位置補正量）に相当する光路差が生じ、多層膜２のＥＵＶ光７の入射面における、ＥＵＶ光７の入射位置が右方向にずれる。したがって、右方向に位置ずれしたパターンの多層膜を所定の高さだけリフトアップすることにより、ウェハーに転写されるパターンを、実質的に左方向に動かすことができる。これにより、位置ずれを相殺することが可能となる。
【００２７】
なお、多層膜のリフトアップ現象は、多層膜２又は基板１が膨張することにより生じたものであり、イオンビーム、原子ビームの少なくとも一つを含む手法を用いることによるイオンもしくは原子の注入によって、多層膜２及び基板１の局所的な体積膨張が引き起こされ、膨張した多層膜２又は膨張した基板１からなる膨張部８が形成される。
また、位置ずれ量相当だけ、多層膜２又は基板１を膨張させる場合には、多層膜２の下部（２０ペア未満）相当部分又は基板１を膨張させることで局所的に膨張させる。ＥＵＶ光７を充分反射させる観点から、多層膜２の膨張させる部分は、多層膜２の下部半分未満程度、つまり、ＭｏとＳｉとを４０ペア堆積した多層膜２においては、多層膜２の下部の２０ペア未満相当部分とする。
【００２８】
図５に示す修正後パターン（保護膜あり）６ｄ、及び図７に示す修正後パターン６ｆでは、多層膜２の一部を削除、もしくは体積膨張によって多層膜２構造が局所的に破壊されているため、多層膜２のＥＵＶ光に対する反射率の低下が懸念される。しかし、多層膜２の膜厚とＥＵＶ光に対する反射率の関係は比例関係ではなく、多層膜２が数ペア程度失われた程度では、ＥＵＶ光に対する反射率はほとんど低下しない。
【００２９】
次に、左方向位置ずれパターンを修正する際の処理手順を説明する。図８に、左方向位置ずれパターンを修正する際の処理手順の一例を示すフローチャートを示す。また、図９に、左方向位置ずれパターンを修正する際の工程図の一例を示す。
まず、修正を必要とするマスク上の欠陥座標及びズレ量を特定する。この特定は公知のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）やＵＶ光（波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍ）等を光源としたパターン検査機の検査結果等から得た座標及びズレ量の情報を用いる（ステップＳ１、図９（ａ））。その後、多層膜２の削除深さを決定する（ステップＳ２）。多層膜２の削除深さは次式（１）により導出する。
ｄ＝ａ／（２×ｔａｎθ）                ……（１）
ｄ:多層膜２の削除深さ
ａ:右方向位置補正量
θ：ＥＵＶ光の入射角度（例えば６．０度）
【００３０】
その後、修正対象部の保護膜３を削除し、続いてステップＳ２で得られた多層膜２の削除深さｄだけ削除する。この削除は公知の、探針を走査して物理的に切削する方法や、フォトマスク修正装置等を利用し、電子線やイオンビームとエッチングガスとを用いたエッチング手法等を用いれば良い（ステップＳ３、図９（ｂ））。その後、加工した部位を原子間力顕微鏡で測定し、多層膜２の削除した深さを測定する（ステップＳ４）。加工不足、すなわち削除深さが、「ｄ」に達していない場合には（ステップＳ５）、ステップＳ３に戻って、再度多層膜２を削除する工程、つまり、ステップＳ３からステップＳ５の処理を繰り返す。所望の深さまで多層膜を削除できたことを確認した後、多層膜２の保護膜３としてルテニウム（Ｒｕ）を堆積させる。例えば、ルテニウムカルボニル（Ｒｕ３（ＣＯ）１２）ガスと電子線をエネルギー源として１ｎｍ以上４ｎｍ以下程度、ルテニウムを堆積させる（ステップＳ６、図９（ｃ））。以上で左方向位置ずれパターンの修正が完了した。
【００３１】
次に、右方向位置ずれパターンを修正する際の処理手順を説明する。図１０に、右方向位置ずれパターンの修正する際の処理手順の一例を示すフローチャートを示す。また、図１１に、右方向位置ずれパターンを修正する際の工程図の一例を示す。
まず、修正を必要とするマスク上の欠陥座標、ズレ量を特定する。この特定は公知のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）やＵＶ光（波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍ）等を光源としたパターン検査機の検査結果等から得た座標及びズレ量の情報を用いる（ステップＳ１１、図１１（ａ））。その後、多層膜２のリフトアップ高さを決定する（ステップＳ１２）。多層膜２のリフトアップ高さは次式（２）により導出する。
ｄ＝ａ／（２×ｔａｎθ）                ……（２）
ｄ:多層膜のリフトアップ高さ
ａ:左方向位置補正量
θ：ＥＵＶ光の入射角度（例えば６．０度）
【００３２】
その後、修正対象部の多層膜２、又は基板１の体積を膨張させる。体積の膨張は、イオンビーム及び原子ビームのうちの少なくとも一つを含む手法を用いることによるイオンもしくは原子の注入に伴う体積膨張を利用すれば良い（ステップＳ１３、図１１（ｂ））。その後、加工した部位を原子間力顕微鏡で測定し、リフトアップ量を測定する（ステップＳ１４）。リフトアップ不足があれば（ステップＳ１５）再度不足分を補うため工程、すなわちステップＳ１３からステップＳ１５の処理を繰返す。所望の高さまで多層膜２の表面をリフトアップできたことを確認できたとき、右方向位置ずれパターンの修正が完了する。
【００３３】
このように、本発明の一実施形態では、左右の位置ずれパターンの修正の際に、ＣＶＤ法による多層膜形成を局所的に行なう必要はない。本発明の一実施形態では、多層膜２又は、多層膜２及び基板１をエッチングするか、多層膜２又は基板１を膨張させ、多層膜２のＥＵＶ光７の入射面の高さ、すなわち、基板１の下面、つまり多層膜２とは逆側の面を基準とする入射面の高さを調整することによって、左右のパターンそのものの位置をずらして位置ずれを修正した場合と同等の効果を得ることができる。そのため、多層膜パターニング型のマスクの位置ずれ欠陥であっても容易に修正することができる。
【００３４】
なお、ここでは、露光用の荷電粒子線としてＥＵＶ光を用いているが、ＥＵＶ光に限らず、反射型マスクを用いた露光に用いられる荷電粒子線であれば適用することができる。
以上、本発明の一実施形態を例示したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の技術的思想を逸脱しない限り、包材としての用途を考慮し、要求されるその他の物性である剛性、強度、衝撃性等を向上する目的で、他の層や構造を任意に形成できることはいうまでもない。
【実施例】
【００３５】
本発明の一実施形態に係る修正方法を用いて左右の位置ずれパターンの修正を行い、実証実験を行った。図１２は、この実証実験に用いた、多層膜パターニング型マスクの評価パターンの平面図である。基板表面が露出した領域９上に保護膜３及び多層膜２から成るパターン１０を合計５本形成している。５本中４本のパターンのライン及びスペース幅は１００ｎｍとしているが、中央に存在する１本は、左方向に位置ずれ、又は右方向に位置ずれを有する保護膜３及び多層膜２からなるパターン１１となっている。このパターン１１のずれの設定値として、左方向１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍ、右方向１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍの計６種類を設定した。
【００３６】
図１３に、図１２の評価パターンに対する評価を行う際の処理手順の一例を示すフローチャートを示す。
まず、評価パターンのずれ量及びずれ方向を特定する。図１２の評価パターンの場合、ずれ量及びずれ方向は既知である（ステップＳ２１）。続いて、左向き位置ずれ欠陥については多層膜２の削除深さ、右向き位置ずれ欠陥については、多層膜２のリフトアップ量を決定する（ステップＳ２２）。削除深さ及びリフトアップ量は、前記（１）式及び（２）式から導出する。左向き位置ずれ欠陥量では、位置ずれ量が１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍの場合、多層膜２の削除深さの狙い値は、４．８ｎｍ、２４．０ｎｍ、７１．９ｎｍとなった。また、右向き位置ずれ欠陥量では、位置ずれ量が１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍの場合、多層膜２のリフトアップ高さの狙い値は、４．８ｎｍ、２４．０ｎｍ、７１．９ｎｍとなった。
【００３７】
続いて、多層膜２の削除深さ又は多層膜２のリフトアップ量が狙い値になるように図８及び図１０に示す手順で加工し、多層膜２の表面の高さ測定を実施した（ステップＳ２３）。多層膜２の表面の高さが目標とする削除深さ及びリフトアップ量相当に達するまで加工を行い、目標値に到達した後、保護膜３を体積させた。
多層膜２の削除及び保護膜３の堆積は、電子線を用いたフォトマスク修正装置であるＣａｒｌＺｅｉｓｓ社製のＭｅＲｉＴＭＧ４５を用いて行なった。多層膜２のリフトアップ（多層膜２及び基板１の膨張）は、Ｇａイオンの収束イオンビームを用いたフォトマスク修正装置である日立ハイテクノロジー社製のＳＩＲ７を用いて行なった。また、加工後の高さの確認は、ＲＡＶＥ社製のフォトマスク向け原子間力顕微鏡ｎｍ４５０で行なった。
【００３８】
続いて、原子間力顕微鏡ｎｍ４５０で測定した高さと加工形状をＥＵＶ用光学シミュレータに入力した（ステップＳ２４）。光学シミュレータにより出力された結果からパターン位置ずれ量を補正できているかを確認した（ステップＳ２５）。
表１に、光学シミュレータから出力された多層膜位置ずれパターン修正結果を示す。サンプル１〜３は、位置ずれ量が１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍの左方向位置ずれ欠陥の位置ずれ補正結果を示しており、サンプル４〜６は、位置ずれ量が１ｎｍ、５ｎｍ、１５ｎｍの右方向位置ずれ欠陥の位置ずれ補正結果を示している。いずれのサンプルにおいても、修正箇所の位置ずれ量（すなわち補正後の位置ずれ量）は、０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下となっており、補正前の位置ずれ量の１０分の１以下となっている。本発明により、位置ずれ欠陥が修正であることが実証された。
【００３９】
【表１】
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【符号の説明】
【００４０】
１  基板
２  多層膜
３  保護膜
４  裏面導電膜
５  吸収膜
６ａ  正常パターン
６ｂ  左方向位置ずれパターン
６ｃ  修正後パターン（保護膜なし）
６ｄ  修正後パターン（保護膜あり）
６ｅ  右方向位置ずれパターン
６ｆ  修正後パターン（保護膜なし）
７  ＥＵＶ光
８  膨張した多層膜又は基板からなる膨張部
９  基板表面が露出した領域
１１  保護膜及び多層膜から成るパターン
１２  左方向位置ずれ又は右方向位置ずれを有する保護膜及び多層膜から成るパターン
１００  反射型マスクブランク（吸収膜あり）
１０１  反射型マスクブランク（吸収膜なし）
２００  パターン位置が正常な反射型マスク
２０１  左方向位置ずれパターンを有する反射型マスク
２０２  右方向位置ずれパターンを有する反射型マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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