(57)【要約】【課題】本発明の課題は、主にＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜に使用できる新規な有機金属化合物を提供することにある。【解決手段】本発明の課題は、本発明のシリルジアミン化合物及びこれを配位子に有する新規な有機金属化合物並びにこの有機金属化合物を含有する薄膜形成用材料により解決される。すなわち、本発明のシリルジアミン化合物を配位子に有する新規な有機金属化合物は揮発性を有し、半導体成膜材料として好適に使用することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）で表されるシリルジアミン化合物。
【化１】
2017222612.tif 000013
（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。ｎはメチレン基の数を表し、０又は１の整数である。）
【請求項２】
Ｒが炭素数３〜６の分岐鎖状アルキル基である、請求項１に記載のシリルジアミン化合物。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ４がすべてメチル基である、請求項１又は請求項２に記載のシリルジアミン化合物。
【請求項４】
有機金属化合物を製造するための、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のシリルジアミン化合物の使用。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のシリルジアミン化合物を配位子として含む、下記一般式（１）で表される含ケイ素有機金属化合物。
【化２】
2017222612.tif 000014
（式中、Ｒは炭素数３〜６のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、メチル基またはエチル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。但し、Ｒ３およびＲ４が共にエチル基である場合は除く。Ｍは、周期表第２族のアルカリ土類金属類、周期表第３〜１１族で二価のカチオン状態（Ｍ２＋）を取ることが可能な遷移金属類を表す。また、点線で表される結合は共有結合またはイオン結合のいずれかを表す。）
【請求項６】
Ｒ１〜Ｒ４がすべてメチル基である、請求項５に記載の含ケイ素有機金属化合物。
【請求項７】
Ｍがコバルト、ニッケル若しくは銅又はこれらのイオンで表される、請求項５又は請求項６に記載の含ケイ素有機金属化合物。
【請求項８】
請求項５〜請求項７のいずれか一項に記載の含ケイ素有機金属化合物の少なくとも１種を含有する、薄膜作成用材料。
【請求項９】
金属薄膜を製造するための、請求項５〜請求項８のいずれか一項に記載の含ケイ素有機金属化合物の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機金属化合物の合成に有用なシリルジアミン化合物、及びこれを配位子に有する新規な有機金属化合物並びにこの有機金属化合物を含有する薄膜形成用材料に関する。より詳しくは、本発明は、例えば、半導体基板への成膜方法として知られている化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＣＶＤ法）や原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＡＬＤ法）等に適用することが可能な含ケイ素有機金属化合物およびその配位子であるシリルアミン化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセス技術は、高集積化（高容量化）、高性能化（高速処理能力）及び省電力化の３つの課題に応えるべく急速に進歩している。そして、これらの課題を達成するために、例えば、微細加工技術の向上、新たな論理ゲートの構築又は新材料・新素材の利用など、様々な観点、様々な方法で検討が行われている。
【０００３】
新材料・新素材の利用として、例えば、薄膜作成用材料として有機金属化合物の利用が挙げられる。この揮発性の有機金属化合物をプリカーサーとして用いて金属薄膜を製造する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、塗布熱分解法やゾルゲル法等のＭＯＤ法（金属有機化合物分解法）や化学気相成長法等が一般的によく知られているが、近年、ＡＬＤ法やＣＶＤ法についても、操作条件の微調整によりコンフォーマルな膜（金属、酸化物、窒化物等）が作製できること、段差被覆性に優れること、ハイブリッド集積が可能である等多くの長所を有しており、量産化に好適な製造方法として注目されている。
【０００４】
このＣＶＤ法やＡＬＤ法については上記のような成膜上の利点はあるものの、プリカーサーである有機金属化合物については幾つかの物性上の要件を持たす必要がある。まず第１に、収納容器から薄膜を作成する反応チャンバへ気相中で移送するために前記化合物は液体又は昇華性を有する固体であって、ガス化に十分な蒸気圧が必須とされる。第２に、このプリカーサーを試料基板上で所望の金属膜へと変換するには、例えば、アンモニア、水素等の分解ガスに対する強い反応性をもつことが望ましいと言われている。これまでに知られているＣＶＤ法及び／又はＡＬＤ法に使用できるプリカーサーとしては、例えば、配位子がアミジン骨格を有する有機金属化合物（例えば、特許文献１参照）、アミノアルコール骨格を有する有機金属化合物（例えば、特許文献２参照）、ジアミン骨格を有する有機金属化合物（例えば、特許文献３又は特許文献４参照）などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／００２５４６号
【特許文献２】国際公開第２０１５／１６３０９０号
【特許文献３】米国特許第７０６４２２４号明細書
【特許文献４】国際公開第２０１２／０６０４２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、既に報告された化合物であっても、上記の要件や成膜した際に期待される膜質（例えば、コンフォーマル性など）や物性（例えば、電気抵抗など）を十分に満足したと言うものが少なく、分子設計の点から様々な物性改善が行われている。このような背景の中、本発明の課題は、主にＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜に使用できる化合物（プリカーサー）として、必須要件である気化しやすさ（ハンドリング）及び熱安定性を改善した新規な有機金属化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために検討を行った結果、次の［１］〜［９］の発明を含む含ケイ素有機金属化合物およびそれを含有する薄膜作成材料などによって解決されることを見出した。
【０００８】
[１]下記一般式（Ａ）で表されるシリルジアミン化合物。
【０００９】
【化１】
2017222612.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。ｎはメチレン基の数を表し、０又は１の整数である。）
[２]Ｒが炭素数３〜６の分岐鎖状アルキル基である、前記[１]に記載のシリルジアミン化合物。
[３]Ｒ１〜Ｒ４がすべてメチル基である、前記[１]又は[２]に記載のシリルジアミン化合物。
[４]有機金属化合物の製造原料として、前記[１]〜[３]のいずれか一項に記載のシリルジアミン化合物の使用。
[５]前記[１]〜[３]のいずれか一項に記載のシリルジアミン化合物を配位子として含む、下記一般式（１）で表される含ケイ素有機金属化合物。
【００１１】
【化２】
2017222612.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｒは炭素数３〜６のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、メチル基またはエチル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。但し、Ｒ３およびＲ４が共にエチル基である場合は除く。Ｍは、周期表第２族のアルカリ土類金属類、周期表第３〜１１族で二価のカチオン状態（Ｍ２＋）を取ることが可能な遷移金属類を表す。また、点線で表される結合は共有結合またはイオン結合のいずれかを表す。）
【００１３】
[６]Ｒ１〜Ｒ４がすべてメチル基である、前記[５]に記載の含ケイ素有機金属化合物。
[７]Ｍがコバルト、ニッケル若しくは銅又はこれらのイオンで表される、前記[５]又は[６]に記載の含ケイ素有機金属化合物。
[８]前記［５］〜[７]のいずれか一項に記載の含ケイ素有機金属化合物の少なくとも１種を含有する、薄膜作成用材料。
[９]金属薄膜を製造するための、前記［５］〜［８］のいずれか一項に記載の含ケイ素有機金属化合物の使用。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の含ケイ素有機金属化合物は薄膜材料として使用することにより、例えば、半導体配線用下地膜、半導体用電極、半導体絶縁膜（酸化・窒化膜）又は保護膜等に有用な金属薄膜が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜シリルジアミン化合物：一般式（Ａ）＞
次に、本発明の含ケイ素有機金属化合物に配位子として使用される、下記一般式（Ａ）で表わされる新規なシリルジアミン化合物について説明する。
【００１６】
【化３】
2017222612.tif 000004
【００１７】
一般式（Ａ）中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。ここで、ＲおよびＲ１〜Ｒ４における炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、直鎖状アルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基）、分岐鎖状アルキル基（ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基及び環状アルキル基（シクロプロピル基、シクロブチル基）が挙げられる。
一般式（Ａ）中、Ｒとして、好ましくは炭素数３〜６の分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基であり、より好ましくはｉｓｏ−プロピル基、ｔ−ブチル基である。Ｒ１及びＲ２として、好ましくは水素、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基である。Ｒ３及びＲ４として、好ましくは直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基である。
【００１８】
ｎはメチレン基の数を表し、０又は１の整数である。
【００１９】
本発明の一般式（Ａ）で表されるシリルジアミン化合物は、例えば、後述の実施例に記載の合成方法等により製造される。
【００２０】
＜含ケイ素有機金属化合物：一般式（１）＞
次に、本発明の下記一般式（１）で表される含ケイ素有機金属化合物（１）について説明する。本発明の含ケイ素有機金属化合物は、前記一般式（Ａ）に記載のシリルジアミン化合物を合成原料として使用した、化学構造中にケイ素原子を含有する有機金属化合物を表す。
【００２１】
【化４】
2017222612.tif 000005
【００２２】
一般式（１）中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。Ｒ３およびＲ４は、メチル基またはエチル基を表し、それぞれ互いに同一であっても又は異なった基であってもどちらであってもよい。但し、Ｒ３およびＲ４が共にエチル基である場合は除く。ここで、ＲおよびＲ１およびＲ２における炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、直鎖状アルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基）、分岐鎖状アルキル基（ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基及び環状アルキル基（シクロプロピル基、シクロブチル基）が挙げられる。
【００２３】
一般式（１）中、Ｒとして、好ましくは分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基であり、より好ましくはｉｓｏ−プロピル基、t−ブチル基である。また、Ｒ１及びＲ２として、好ましくは水素、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基であり、より好ましくは水素（Ｒ１及びＲ２がともに水素の場合は除く）、メチル基、エチル基である。Ｒ３及びＲ４として、好ましくは共にメチル基である。
【００２４】
一般式（１）中、Ｍは周期表第２族のアルカリ土類金属類、周期表第３〜１１族で二価のカチオン状態（Ｍ２＋）を取ることが可能な遷移金属類又はそのイオンを表す。ここで、Ｍがイオン（Ｍ２＋）の場合、本発明の一般式（１）に記載の含ケイ素金属化合物は、例えば、ハロゲン化物イオン（Ｃｌ-，Ｂｒ-，Ｉ-）、水酸化物イオン（ＯＨ−）等の陰イオンが１つ以上付加したものであってもよい。なお、一般式（１）中、点線で表される結合は窒素原子とＭとの共有結合またはイオン結合のいずれかを表す。
【００２５】
一般式（１）中、Ｍとして、好ましくはコバルト、ニッケル、銅、タンタル、ルテニウム若しくは亜鉛又はこれらのイオンであり、より好ましくはコバルト、ニッケル、若しくは銅又はこれらのイオンであり、更に好ましくはコバルト、ニッケル又は銅であり、最も好ましくはコバルト又はニッケルである。
【００２６】
本発明の一般式（１）に記載の含ケイ素金属化合物は、その製造方法により特に制限されない。具体的には後述の実施例に記載のとおり、含ケイ素配位子のアミンをアルカリ金属塩とした含ケイ素アルカリ金属アミド化合物と、例えば一般式（１）中のＭで表される金属のハロゲン化物とを、有機溶媒の存在下または非存在下で反応させることにより合成される。
【００２７】
＜本発明の薄膜形成用材料＞
次に、本発明の薄膜作成用材料について説明する。本発明の薄膜作成用材料は、前記一般式（１）に記載の含ケイ素有機金属化合物を含有する材料を表す。本発明の薄膜作成用材料は、例えば、半導体デバイスに用いられる基板上へ薄膜を作成する材料等として使用することができる。ここで、本発明の薄膜作成用材料において、前記一般式（１）で表される含ケイ素有機金属化合物は、いわゆる、薄膜製造プロセスにおけるプリカーサーとして利用されるものであり、その種類・構成、含有比率は作成したい薄膜の内容によって異なる。例えば、１種類の金属を含む薄膜を製造する場合、本発明の薄膜形成用材料は、上記一般式（１）で表す１種類の含ケイ素有機金属化合物以外の金属化合物及び半金属化合物を含有しない。一方、２種類以上の金属及び／又は半金属を含む薄膜を製造する場合、本発明の薄膜形成用原料は、上記一般式（１）で表す１種類以上の含ケイ素有機金属化合物に加えて、所望の金属を含む化合物及び／又は半金属を含む化合物を含有していてもよい。本発明の薄膜作成用材料は、後述するように、更に、不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ及び／又はＨｅガス）、有機溶剤及び／又は求核性試薬を含有していてもよい。なお、本発明の薄膜作成用材料は、より好適には水素ガス及びアンモニアガスからなる群より選ばれる少なくとも１種の分解剤を用いた熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法に使用される。また、本発明の薄膜作成用材料がＣＶＤ法用の材料である場合、その形態（剤型）、気化及び成膜温度、圧力、流量等の条件は使用する薄膜作成装置（ＣＶＤ法用装置）の収納容器からの材料輸送／供給ラインや反応チャンバ（成膜ゾーン）に準じた方法や手法により適宜選択される。
【実施例】
【００２８】
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、実施例に表わす原材料及び合成中間体、使用量、反応条件（温度、時間、反応環境）及び操作等は、本発明の技術的思想から逸脱しない限り適宜変更することができる。即ち、本発明の範囲は以下に表す実施例に制限されるものではない。
【００２９】
（実施例１：配位子Ａ１の合成）
アルゴンガス雰囲気下、３００ｍＬのナス型フラスコにビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン２．０ｍL(１６．８ｍｍｏｌ)とヘキサン５０ｍＬとを加え、これにジクロロジメチルシラン２．０ｍＬ(１６．７ｍｍｏｌ)を室温にて滴下した。滴下終了後、引き続き１８時間室温下で撹拌した後、この混合液にｔ−ブチルアミン５０ｍＬをゆるやかに加えていったところ白色沈殿が析出した。この白色スラリー溶液を５０℃にて４時間撹拌し反応させた。反応終了後、得られた反応液をろ過して白色固体を取り除いた後、ヘキサン２００ｍＬでろ物を洗浄してろ液を取得した。得られたろ液は、減圧下にて溶媒を留去し、濃縮残渣を蒸留精製して目的物（配位子Ａ１）を無色オイルとして２．０ｇ得た（取得収率：６３％）。得られた化合物（配位子Ａ１）の分析データは、以下のとおりである。
【００３０】
（分析データ:配位子Ａ１：Ｎ−(ｔ−ブチルアミノ)−Ｎ’−(ジメチルアミノ)ジメチルシラン）
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz δppm): 0.075(s, 6H), 0.40-0.60(brs, 1H), 1.10(s, 9H), 2.45(s, 6H)
【００３１】
【化５】
2017222612.tif 000006
【００３２】
（実施例２：コバルト化合物（１−Ｃｏ−Ａ１）の合成）
アルゴンガス雰囲気及びドライアイス−エタノールバス下、３００ｍＬの三ツ口反応容器にｎ−ブチルリチウム１５ｍＬ（２３ｍｍｏｌ，１．５４Ｍヘキサン溶液）を加え、これに実施例１と同様の方法で得た配位子Ａ１：４．７ｇ（２７ｍｍｏｌ）を投入し、３０分間撹拌した。得られた混合液を室温まで昇温して３０分間撹拌後、この混合液に塩化コバルト１．５ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）を加え、室温下にて２０時間撹拌して反応させた。反応終了後、得られた反応液を濃縮し、濃縮残渣を蒸留精製（１００〜１２０℃/１．１ｋＰａ）し、目的物（１−Ｃｏ−Ａ１）を濃青色固体として得た。
【００３３】
【化６】
2017222612.tif 000007
【００３４】
（実施例３：配位子Ａ２の合成）
常法により得られたＮ−ジメチル−１−クロロ−１−メチルシリルアミンとｔ−ブチルアミンとを使用して実施例１と同様に反応を行い、目的物（配位子Ａ２）を無色液体として８．２ｇ得た（取得収率：２５％）。得られた化合物（配位子Ａ２）の分析データは、以下のとおりである。
【００３５】
（分析データ:配位子Ａ２：Ｎ−(ｔｅｒｔ−ブチルアミノ)−Ｎ’−(ジメチルアミノ)メチルシラン）
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz δppm): 0.08-0.09(m, 3H), 0.18-0.22(m, 1H), 0.63(brs, 1H),1.14(s, 9H),2.46(s, 6H)
【００３６】
【化７】
2017222612.tif 000008
【００３７】
（実施例４：コバルト化合物（１−Ｃｏ−Ａ２）の合成）
原料として実施例３で合成した配位子Ａ２：３．４０ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）を使用した以外は、実施例２と同様に反応を行い、目的物（１−Ｃｏ−Ａ２）を濃青色液体として得た。得られた化合物（１−Ｃｏ−Ａ２）は混合物であったが、ＩＰＣ−ＡＥＳ分析からＣｏを含有していることを確認した。
【００３８】
（実施例５：配位子Ａ３の合成）
Ｎ−ジメチル−１−クロロ−１−メチルシリルアミンに代えてビス(ジメチルアミノ)エチルシラン及びジクロロエチルシランを使用した以外は、実施例３と同様に反応を行い、目的物を（配位子Ａ３）無色液体として５．５ｇ得た（取得収率：４７％）。得られた化合物（配位子Ａ３）の分析データは、以下のとおりである。
【００３９】
（分析データ:配位子Ａ３：Ｎ−(ｔｅｒｔ−ブチルアミノ)−Ｎ’−(ジメチルアミノ)エチルシラン）
1H-NMR (CDCl3, 400 MHz δppm): 0.45-0.50(m, 2H), 0.51-0.55(brs, 1H), 0.80-0.97(m, 4H), 1.18(s, 9H),2.46(s, 6H)
【００４０】
【化８】
2017222612.tif 000009
【００４１】
（実施例６：コバルト化合物（１−Ｃｏ−Ａ３）の合成）
原料として実施例５で合成した配位子（Ａ３）３．４０ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）を使用した以外は、実施例５と同様に反応を行い、目的物（１−Ｃｏ−Ａ３）を濃青色液体として得た。得られた化合物（１−Ｃｏ−Ａ３）は混合物であったが、ＩＰＣ−ＡＥＳ分析からＣｏを含有していることを確認した。
【００４２】
（実施例７：配位子Ａ４の合成）
［中間体Ａ４の合成］
アルゴンガス雰囲気下、３００ｍＬの反応容器にｔ−ブチルアミン２０ｍＬ（１９０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３０ｍＬ（２１５ｍｍｏｌ）及びヘキサン２００ｍＬを加え、この混合液にクロロメチルジメチルクロロシラン１５ｇ（１０５ｍｍｏｌ）のヘキサン溶液を室温下にてゆるやかに滴下したところ多量の白色固体が生成した。滴下終了後、引き続き、この白色スラリー液を２日間撹拌した。反応終了後、得られた反応液をろ過して白色固体を取り除いた後、ヘキサン２００ｍＬで洗浄してろ液を取得した。得られたろ液は、減圧下にて溶媒を留去し、濃縮残渣をさらに蒸留精製して、目的物（中間体Ａ４）を無色オイルとして１０．０ｇ得た（取得収率：５４％）。得られた化合物（中間体Ａ４）の分析データは、以下のとおりである。
【００４３】
（分析データ:中間体Ａ４：Ｎ−(ｔｅｒｔ−ブチルアミノ)−（クロルメチル）ジメチルシラン）
1H NMR (CDCl3, 400 MHz δppm): 0.22(s, 6H), 1.13(s, 9H), 2.75(s, 2H)
【００４４】
【化９】
2017222612.tif 000010
【００４５】
［配位子Ａ４の合成］
アルゴンガス雰囲気下及びドライアイス−エタノール浴下、３００ｍＬの反応容器に１．５４Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液４５ｍＬ（６９ｍｍｏｌ、関東化学製）を加え、次いで、２．０ＭのジメチルアミンＴＨＦ溶液３５ｍＬ(７０ｍｍｏｌ、東京化成製)をゆっくりと滴下し、滴下終了後、引き続き、３０分間撹拌した（白色スラリー溶液になった）。次に、この混合液に前記に記載の方法で得た中間体Ａ４：１２．４ｇ（６９．３ｍｍｏｌ）とＴＨＦ１０ｍＬの溶液をゆるやかに滴下した。滴下終了後、反応液を室温までゆっくりと昇温して２０時間撹拌した（途中発熱有）。反応終了後、得られた反応液を減圧下にて溶媒を留去し、更に濃縮残渣を蒸留精製して目的物（配位子Ａ４）を無色オイルとして３．８ｇ得た（取得収率：２９％）。得られた化合物の分析データは、以下のとおりである。
【００４６】
（分析データ:配位子Ａ４：Ｎ−(ｔｅｒｔ−ブチルアミノ)−（Ｎ’−（ジメチルアミノ)メチル）ジメチルシラン）
1H NMR (CDCl3, 400 MHz δppm): 0.11(s, 6H), 1.04(s, 9H), 1.95(s, 2H), 2.42(s, 6H)
【００４７】
【化１０】
2017222612.tif 000011
【００４８】
（実施例８：ニッケル化合物（１−Ｎｉ―Ａ１）の合成）
アルゴンガス雰囲気及びドライアイス−エタノールバス下、３００ｍＬの三ツ口反応容器にｎ−ブチルリチウム１５ｍＬ（２４．２ｍｍｏｌ，１．６１Ｍヘキサン溶液）を加え、これに実施例１と同様の方法で得た配位子（Ａ１）３．９１ｇ（２４．４ｍｍｏｌ）を投入し３０分間撹拌した。さらに、この反応液を室温まで昇温して更に３０分間撹拌後、得られた混合液に塩化ニッケル１．５５ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温下にて２０時間撹拌して反応させた。反応終了後、得られた反応液を濃縮し、濃縮残渣を蒸留精製（１１５〜１２５℃/４．４Ｐａ）し、目的物（ニッケル化合物（１−Ｎｉ−Ａ１））を黒褐色固体として１．８０ｇ得た。
【００４９】
【化１１】
2017222612.tif 000012
【産業上の利用可能性】
【００５０】
上記のとおり、本発明のシリルジアミン化合物は有機金属化合物の配位子となりうる有用な化合物である。また、本発明の含ケイ素有機金属化合物は、蒸留が行えることを利用し、例えば、特許文献３［例５］に記載の方法を参考にして、本発明の含ケイ素有機金属化合物を充填した原料容器から、蒸発（気化）させて成膜ゾーンへ物質移動させ（気化温度例：７０〜３００℃／０．０１〜１０Ｔｏｒｒ）、さらに、成膜ゾーンにて、アンモニアガスや水素ガスのような分解剤と作用させることで、シリコン基板（基板温度例：１００〜５００℃）上に所望の膜厚の金属薄膜を作成できるCVD法が適応可能である。つまり、本発明の含ケイ素有機金属化合物は、例えば、CVD法やALD法等で成膜できる金属薄膜形成用材料としての使用可能性を有しているということができる。
【００５１】
本発明のシリルジアミン化合物を配位子に有する含ケイ素有機金属化合物を用いて製造された金属薄膜および金属薄膜を有する様々な材料は、所望の電気特性を表わすことが期待されることから、種々の用途への使用が期待される。例えば、コバルトメタル膜及びコバルト含有金属薄膜は、例えば、半導体基板作成時のバリア膜やライナー膜、電極膜、接着膜、磁気テープ及び超硬工具部材等に用いられ、また、ニッケルメタル膜及びニッケル含有薄膜は、主にバリア膜やライナー膜等の電子部品の部材や、磁性膜等の記録メディア用の部材や、電極等の薄膜太陽電池用部材等への使用が期待されている。