(57)【要約】【課題】被処理基板と液供給基板の位置調整を適切に行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。【解決手段】ウェハ１０に対向配置されたテンプレート２０から、当該ウェハ１０とテンプレート２０の間における第１の領域Ａ１に対してアライメント液を供給する。第１の領域Ａ１にアライメント液を充填し、第１の領域の周縁部に形成される気液界面に発生するアライメント液の表面張力によって、ウェハ１０に対するテンプレート２０の位置調整を行う。第１の領域Ａ１のアライメント液を第２の領域Ａ２に流出させる。第１の領域Ａ１及び第２の領域Ａ２にアライメント液（混合液）を充填する。ウェハ１０とテンプレート２０の間が所定の距離になった状態で、ウェハ１０の表面に所定の処理を行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面に所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記被処理基板に対向配置された液供給基板から、当該被処理基板と液供給基板の間における第１の領域に対してアライメント液を供給する第１の工程と、
前記第１の領域に前記アライメント液を充填し、前記第１の領域の周縁部に形成される気液界面に発生する前記アライメント液の表面張力によって、前記被処理基板に対する前記液供給基板の位置調整を行う第２の工程と、
前記第１の領域の前記アライメント液を、前記被処理基板と前記液供給基板の間において前記第１の領域の外側又は内側にある第２の領域に流出させる第３の工程と、
前記第１の領域及び前記第２の領域に前記アライメント液を充填する第４の工程と、
前記被処理基板と前記液供給基板の間が所定の距離になった状態で、前記被処理基板の表面に所定の処理を行う第５の工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記第２の領域は前記第１の領域の外側にあり、
前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第１の領域に対応する位置には、それぞれ第１のパターンが形成され、
前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第２の領域に対応する位置には、それぞれ第２のパターンが形成され、
前記第２の工程において、前記第１の領域の周縁部の気液界面は前記第１のパターンの周縁部に形成され、
前記第４の工程において、前記第２のパターンの周縁部に形成される気液界面に発生する前記アライメント液の表面張力によって、前記被処理基板に対する前記液供給基板の位置調整を再度行うことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記液供給基板の前記第１のパターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、
前記液供給基板において前記第１のパターンと前記第２のパターンの間には、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、
前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記液供給基板の前記第１のパターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、
前記液供給基板の前記第２のパターンには、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、
前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記液供給基板の表面には複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンが形成され、
前記導入液供給孔は、複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンのうち、中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンにのみ形成され、
前記第３の工程において、
中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンでは、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出し、前記被処理基板と前記液供給基板の間を小さくする方向に圧力が作用し、
周囲の前記第１のパターンと前記第２のパターンでは、前記圧力によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項３又は４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第２の領域は前記第１の領域の内側にあり、
前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第１の領域に対応する位置には、それぞれパターンが形成され、
前記第２の工程において、前記第１の領域の周縁部の気液界面は前記パターンの周縁部に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記液供給基板の前記パターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、
前記液供給基板において前記第２の領域に対応する位置には、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、
前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記液供給基板の表面には複数の前記パターンが形成され、
前記導入液供給孔は、複数の前記パターンのうち、中央の前記パターンにのみ形成され、
前記第３の工程において、
中央の前記パターンでは、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出し、前記被処理基板と前記液供給基板の間を小さくする方向に圧力が作用し、
周囲の前記パターンでは、前記圧力によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記被処理基板の前記パターンと前記液供給基板の前記パターンは、それぞれ環状形状であって、且つ角部を有し、
前記第３の工程において、前記第１の領域の前記アライメント液は前記角部から前記第２の領域に流出することを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記液供給基板において前記第２の領域に対応する位置には、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔が形成され、
前記第４の工程後であって前記第５の工程前に、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液が毛細管力によって前記排液孔から排出されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記排液孔には、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽が接続され、
前記第４の工程後であって前記第５の工程前に、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液が毛細管力によって前記排液孔を介して前記排液槽に排出されることを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
被処理基板に対向配置され、当該被処理基板の表面に所定の処理を行う際に用いられる液供給基板であって、
表面に形成された第１のパターンと、
表面に形成され、前記第１のパターンの外側に設けられた環状の第２のパターンと、
前記第１のパターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間にアライメント液を供給するアライメント液供給孔と、を有することを特徴とする、液供給基板。
【請求項１３】
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有することを特徴とする、請求項１２に記載の液供給基板。
【請求項１４】
前記第２のパターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有することを特徴とする、請求項１２に記載の液供給基板。
【請求項１５】
前記第１のパターンと前記第２のパターンを複数対有し、
前記導入液供給孔は、複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンのうち、中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンにのみ形成されていることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の液供給基板。
【請求項１６】
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔をさらに有することを特徴とする、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の液供給基板。
【請求項１７】
前記排液孔に接続され、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽をさらに有することを特徴とする、請求項１６に記載の液供給基板。
【請求項１８】
被処理基板に対向配置され、当該被処理基板の表面に所定の処理を行う際に用いられる液供給基板であって、
表面に形成された環状のパターンと、
前記パターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間にアライメント液を供給するアライメント液供給孔と、を有することを特徴とする、液供給基板。
【請求項１９】
前記パターンの内側に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有することを特徴とする、請求項１８に記載の液供給基板。
【請求項２０】
前記パターンを複数有し、
前記導入液供給孔は、複数の前記パターンのうち、中央の前記パターンにのみ形成されていることを特徴とする、請求項１９に記載の液供給基板。
【請求項２１】
前記パターンは角部を有することを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の液供給基板。
【請求項２２】
前記パターンの内側に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔をさらに有することを特徴とする、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の液供給基板。
【請求項２３】
前記排液孔に接続され、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽をさらに有することを特徴とする、請求項２２に記載の液供給基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板の表面に所定の処理を行う基板処理方法、及び当該基板処理方法に用いられる液供給基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高性能化が要求され、半導体デバイスの高集積化が進んでいる。かかる状況下で、高集積化された半導体デバイスを水平面内に複数配置し、これら半導体デバイスを配線で接続して半導体装置を製造する場合、配線長が増大し、それにより配線の抵抗が大きくなること、また配線遅延が大きくなることが懸念される。
【０００３】
そこで、半導体デバイスを３次元に積層する３次元集積技術が提案されている。この３次元集積技術においては、裏面を研磨することで薄化され、表面に複数の電子回路が形成された半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）を貫通するように、例えば１００μｍ以下の微細な径を有する電極、いわゆる貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）が複数形成される。そして、この貫通電極を介して、上下に積層されたウェハが電気的に接続される。
【０００４】
上述した貫通電極を形成する方式には、様々なものが検討されている。例えば特許文献１には、めっき液等の流通路を備えたテンプレートを用いて、例えばウェハの貫通孔内で電解めっきを行って貫通電極を形成することが提案されている。具体的には、先ず、ウェハ表面のアライメント領域にアライメント液（純水）を供給した後、テンプレートをウェハに対向して配置し、当該アライメント液の表面張力によりテンプレートに復元力を作用させて、テンプレートとウェハの位置調整をする。その後、テンプレートの流通路から毛細管現象によってウェハの貫通孔内にめっき液を供給し、さらにテンプレート側の電極を陽極、ウェハ側の対向電極を陰極として電圧を印加し、貫通孔内でめっき処理を行って当該貫通孔内に貫通電極を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１０８１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、テンプレートを用いて所定の処理を行う場合、処理内容によっては、アライメント液による位置調整を行った後、使用されたアライメント液を抜いてから、所定の処理を行う場合がある。アライメント液の液抜きは、テンプレートとウェハ間の距離がゼロになるまでアライメント液を完全に除去する場合もあれば、テンプレートとウェハ間が所定の距離になるまでアライメント液を抜く場合もある。しかしながら、上述した特許文献１に記載された方法では、このアライメント液の液抜きことまでは考慮されておらず、自然乾燥させているのが現状である。自然乾燥では多大な時間がかかり、ウェハ処理のスループットに改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板（ウェハ）と液供給基板（テンプレート）の位置調整を適切に行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板の表面に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記被処理基板に対向配置された液供給基板から、当該被処理基板と液供給基板の間における第１の領域に対してアライメント液を供給する第１の工程と、前記第１の領域に前記アライメント液を充填し、前記第１の領域の周縁部に形成される気液界面に発生する前記アライメント液の表面張力によって、前記被処理基板に対する前記液供給基板の位置調整を行う第２の工程と、前記第１の領域の前記アライメント液を、前記被処理基板と前記液供給基板の間において前記第１の領域の外側又は内側にある第２の領域に流出させる第３の工程と、前記第１の領域及び前記第２の領域に前記アライメント液を充填する第４の工程と、前記被処理基板と前記液供給基板の間が所定の距離になった状態で、前記被処理基板の表面に所定の処理を行う第５の工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、第２の工程において、第１の領域の気液界面におけるアライメント液の表面張力によって、液供給基板を移動させる復元力が作用し、被処理基板に対する液供給基板の位置調整が高精度に行われる。そして、第３の工程と第４の工程において、アライメント液は第１の領域から第２の領域に流出し、当該第１の領域及び第２の領域に充填されるため、アライメント液の厚みが小さくなり、被処理基板と液供給基板の間の距離が小さくなる。そうすると、第５の工程において、被処理基板と液供給基板の間を所定の距離に維持した状態で、被処理基板の表面に対する所定の処理を適切に行うことができる。このように本発明では、簡易的な方法（第３の工程と第４の工程）でアライメント液の液抜きを行っており、従来のように自然乾燥させる場合に比して、液抜きにかかる時間を短縮できる。したがって、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００１０】
前記第２の領域が前記第１の領域の外側にある場合、前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第１の領域に対応する位置には、それぞれ第１のパターンが形成され、前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第２の領域に対応する位置には、それぞれ第２のパターンが形成され、前記第２の工程において、前記第１の領域の周縁部の気液界面は前記第１のパターンの周縁部に形成され、前記第４の工程において、前記第２のパターンの周縁部に形成される気液界面に発生する前記アライメント液の表面張力によって、前記被処理基板に対する前記液供給基板の位置調整を再度行ってもよい。
【００１１】
かかる場合、前記液供給基板の前記第１のパターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、前記液供給基板において前記第１のパターンと前記第２のパターンの間には、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出してもよい。
【００１２】
また、前記液供給基板の前記第１のパターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、前記液供給基板の前記第２のパターンには、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出してもよい。
【００１３】
また、前記液供給基板の表面には複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンが形成され、前記導入液供給孔は、複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンのうち、中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンにのみ形成され、前記第３の工程において、中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンでは、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出し、前記被処理基板と前記液供給基板の間を小さくする方向に圧力が作用し、周囲の前記第１のパターンと前記第２のパターンでは、前記圧力によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出してもよい。
【００１４】
一方、前記第２の領域が前記第１の領域の内側にある場合、前記被処理基板の表面と前記液供給基板の表面において前記第１の領域に対応する位置には、それぞれパターンが形成され、前記第２の工程において、前記第１の領域の周縁部の気液界面は前記パターンの周縁部に形成されてもよい。
【００１５】
かかる場合、前記液供給基板の前記パターンには、前記アライメント液を供給するアライメント液供給孔が形成され、前記液供給基板において前記第２の領域に対応する位置には、導入液を供給する導入液供給孔が形成され、前記第３の工程において、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液は前記第２の領域に流出してもよい。
【００１６】
また、前記液供給基板の表面には複数の前記パターンが形成され、前記導入液供給孔は、複数の前記パターンのうち、中央の前記パターンにのみ形成され、前記第３の工程において、中央の前記パターンでは、前記導入液供給孔から供給された導入液によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出し、前記被処理基板と前記液供給基板の間を小さくする方向に圧力が作用し、周囲の前記パターンでは、前記圧力によって、前記第１の領域の前記アライメント液が前記第２の領域に流出してもよい。
【００１７】
また、前記被処理基板の前記パターンと前記液供給基板の前記パターンは、それぞれ環状形状であって、且つ角部を有し、前記第３の工程において、前記第１の領域の前記アライメント液は前記角部から前記第２の領域に流出してもよい。
【００１８】
前記液供給基板において前記第２の領域に対応する位置には、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔が形成され、前記第４の工程後であって前記第５の工程前に、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液が毛細管力によって前記排液孔から排出されてもよい。
【００１９】
かかる場合、前記排液孔には、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽が接続され、前記第４の工程後であって前記第５の工程前に、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液が毛細管力によって前記排液孔を介して前記排液槽に排出されてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明は、被処理基板に対向配置され、当該被処理基板の表面に所定の処理を行う際に用いられる液供給基板であって、表面に形成された第１のパターンと、表面に形成され、前記第１のパターンの外側に設けられた環状の第２のパターンと、前記第１のパターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間にアライメント液を供給するアライメント液供給孔と、を有することを特徴としている。
【００２１】
前記液供給基板は、前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有していてもよい。
【００２２】
前記液供給基板は、前記第２のパターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有していてもよい。
【００２３】
前記液供給基板は、前記第１のパターンと前記第２のパターンを複数対有し、
前記導入液供給孔は、複数対の前記第１のパターンと前記第２のパターンのうち、中央の前記第１のパターンと前記第２のパターンにのみ形成されていてもよい。
【００２４】
前記液供給基板は、前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔をさらに有していてもよい。
【００２５】
前記液供給基板は、前記排液孔に接続され、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽をさらに有していてもよい。
【００２６】
また別な観点による本発明は、被処理基板に対向配置され、当該被処理基板の表面に所定の処理を行う際に用いられる液供給基板であって、表面に形成された環状のパターンと、前記パターンに形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間にアライメント液を供給するアライメント液供給孔と、を有することを特徴としている。
【００２７】
前記液供給基板は、前記パターンの内側に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間に導入液を供給する導入液供給孔をさらに有していてもよい。
【００２８】
前記液供給基板は、前記パターンを複数有し、前記導入液供給孔は、複数の前記パターンのうち、中央の前記パターンにのみ形成されていてもよい。
【００２９】
前記パターンは角部を有していてもよい。
【００３０】
前記液供給基板は、前記パターンの内側に形成され、前記被処理基板と前記液供給基板の間の液を排出する排液孔をさらに有していてもよい。
【００３１】
前記液供給基板は、前記排液孔に接続され、当該排液孔から排出された液を貯留する排液槽をさらに有していてもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、被処理基板と液供給基板の位置調整を適切に行い、基板処理のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態にかかるウェハの構成の概略を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態にかかるウェハとテンプレートの構成の概略を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【図５】第１の実施形態にかかる排液槽の構成の概略を示す平面図である。
【図６】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図７】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図８】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図９】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１０】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１１】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１２】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１３】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１４】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１５】第１の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１６】第２の実施形態にかかるウェハとテンプレートの構成の概略を示す断面図である。
【図１７】第２の実施形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【図１８】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図１９】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２０】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２１】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２２】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２３】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２４】第２の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２５】第３の実施形態にかかるウェハとテンプレートの構成の概略を示す断面図である。
【図２６】第３の実施形態にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【図２７】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２８】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図２９】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３０】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３１】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３２】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３３】第３の実施形態においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３４】第３の実施形態の変形例においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３５】第３の実施形態の変形例においてウェハ処理が行われる様子を示す説明図である。
【図３６】第１の実施形態の変形例にかかるテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。
【００３５】
＜１．第１の実施形態＞
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態にかかる被処理基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の構成の概略を示す平面図であり、図２は第１の実施形態にかかる液供給基板としてのテンプレートの構成の概略を示す平面図である。
【００３６】
図１に示すようにウェハ１０の表面１０ａには、第１のパターン１１と第２のパターン１２がそれぞれ複数形成されている。第１のパターン１１は、例えば電子回路が形成された半導体チップである。第２のパターン１２は、第１のパターン１１の外側において環状に形成され、外縁部と内縁部がそれぞれ四角形状に形成されたパターンである。第２のパターン１２は、例えばフォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して行い、レジストにより形成される。
【００３７】
図２に示すようにテンプレート２０は、例えば略円盤形状を有し、ウェハ１０の平面視における形状と同一の形状を有している。テンプレート２０には例えば炭化珪素（ＳｉＣ）などが用いられる。
【００３８】
テンプレート２０の表面２０ａには、第１のパターン２１と第２のパターン２２がそれぞれ複数形成されている。第１のパターン２１は、ウェハ１０の第１のパターン１１と同一形状を有している。第２のパターン２２は、第１のパターン２１の外側において環状に形成されたパターンであり、ウェハ１０の第２のパターン１２と同一形状を有している。パターン２１、２２は、例えばフォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行うことで一括して形成することができる。
【００３９】
なお、第１のパターン１１、２１と第２のパターン１２、２２の数や配置は図示の例に限定されず、任意に設計される。
【００４０】
そして、図３に示すようにウェハ１０とテンプレート２０が対向配置された状態で、第１のパターン１１、２１は対向し、第２のパターン１２、２２は対向する。図３では、一対の第１のパターン１１、２１と一対の第２のパターン１２、２２を図示しているが、実際にはすべての第１のパターン１１、２１が対向し、またすべての第２のパターン１２、２２が対向する。
【００４１】
以下の説明では、図３に示すようにウェハ１０とテンプレート２０の間（以下、「隙間Ｃ」という場合がある。）において、第１のパターン１１、２１に対応する領域を第１の領域Ａ１という。また、第１の領域Ａ１の外側に環状に形成された領域を第２の領域Ａ２といい、第２の領域Ａ２の周縁部に第２のパターン１２、２２が形成されている。
【００４２】
図３及び図４に示すようにテンプレート２０には、アライメント液供給孔２３が形成されている。アライメント液供給孔２３は、表面２０ａの第１のパターン２１から裏面２０ｂに貫通して形成されている。そして、アライメント液供給孔２３から第１の領域Ａ１にアライメント液が供給されるようになっている。なお、アライメント液には、例えば純水が用いられる。
【００４３】
また、テンプレート２０には、導入液供給孔２４が形成されている。導入液供給孔２４は、第２の領域Ａ２（第１の領域Ａ１付近）の第１のパターン１１、２１と第２のパターン１２、２２の間において、表面２０ａから裏面２０ｂに貫通して形成されている。そして、導入液供給孔２４から第２の領域Ａ２に導入液が供給され、後述するようにこの導入液によって第１の領域Ａ１のアライメント液が第２の領域Ａ２に流出するようになっている。なお、導入液には、例えば純水が用いられる。
【００４４】
さらに、テンプレート２０には、排液孔２５が形成されている。排液孔２５は、第２の領域Ａ２の第１のパターン１１、２１と第２のパターン１２、２２の間において、表面２０ａから裏面２０ｂに貫通して形成されている。排液孔２５は、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２にある、アライメント液と導入液の混合液を隙間Ｃから排出するための孔である。混合液は毛細管現象によって隙間Ｃから排液孔２５に排出され、このため、排液孔２５の径は、隙間Ｃに混合液が充填された状態の当該隙間Ｃの距離よりも小さくなっている。具体的には、排液孔２５の径は例えば４０μｍである。
【００４５】
排液孔２５には、裏面２０ｂに設けられた排液槽２６が接続されている。図６に示すように排液槽２６は、排液孔２５から複数の細溝２６ａに分岐した細溝構造を有している。混合液は毛細管現象によって排液孔２５から排液槽２６に排出され、このため、細溝２６ａの平面視における幅は排液孔２５の径よりも小さくなっている。具体的には、細溝２６ａの幅は例えば３０μｍである。なお、細溝２６ａの深さは例えば１５０μｍである。
【００４６】
排液槽２６は、隙間Ｃから排出された混合液を貯留可能な槽であり、当該混合液を収容する所定の容量を有する。すなわち、排液槽２６の容量は、テンプレート２０から供給されるアライメント液の量と導入液の量の合計量よりも大きい。したがって、隙間Ｃに充填された混合液は、すべて排液槽２６に排出される。
【００４７】
なお、排液孔２５の径と細溝２６ａの幅の具体的な寸法については、公知のラプラスの式等を用いて算出することができ、或いはシミュレーションや実験等を行って導出することもできる。
【００４８】
また、排液槽２６の内部の構成はこれに限定されず、任意に設計できる。例えば排液槽２６を多孔質体により構成してもよい。排液槽２６を通じて多孔質体に進入した混合液に対して、毛細管現象が働く。スポンジが水を吸収するように多孔質体も混合液を吸収するので、排液槽２６から混合液を汲み上げる役割を果たす。
【００４９】
このように隙間Ｃの混合液は、毛細管現象によって、排液孔２５を介して排液槽２６に排出される。したがって、ポンプなどの外的な力を使用しなくても、混合液を排出することが可能になる。
【００５０】
なお、テンプレート２０において、アライメント液供給孔２３、導入液供給孔２４、排液孔２５及び排液槽２６は、例えばフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理によって同時に形成してもよい。
【００５１】
次に、以上のように構成されたウェハ１０及びテンプレート２０を用いたウェハ処理について説明する。
【００５２】
先ず、図６に示すようにウェハ１０とテンプレート２０を対向して配置する。このとき、ウェハ１０の第１のパターン１１とテンプレート２０の第１のパターン２１は対向して配置されている。なお、第１のパターン１１、２１は、厳密に対応している必要はない。図６に示すようにこれらの位置が多少ずれている場合でも、後述する工程においてウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が行われる。
【００５３】
また、テンプレート２０の配置は、保持機構（図示せず）によって行われる。この保持機構によって、適切な間隔の隙間Ｃが形成されるように、テンプレート２０は所定の高さに保持される。なお、保持機構はテンプレート２０を保持できるものであれば、その構成は特に限定されない。例えば、テンプレート２０の表面２０ａ側に、パターン２１、２２よりも突出した凸形状のパターンを別途設けることにより、テンプレート２０とウェハ１０との間に固定した間隙を確保する方法もある。
【００５４】
その後、テンプレート２０の裏面２０ｂにおいてアライメント液供給孔２３に対応する位置にアライメント液Ｐを供給する。アライメント液Ｐは、例えば裏面２０ｂ上のアライメント液Ｐのラプラス圧により、アライメント液供給孔２３を通って、隙間Ｃの第１の領域Ａ１に供給される。図６及び図７に示すように第１の領域Ａ１に供給されたアライメント液Ｐは、毛細管現象によって第１の領域Ａ１を拡散するが、第１のパターン１１、２１のピン止め効果によって、第２の領域Ａ２に拡散することはない。そして、第１の領域Ａ１においてアライメント液Ｐが充填され、当該第１の領域Ａ１の周縁部（第１のパターン１１、２１の周縁部）に気液界面Ｆ１が形成される。なお、このように気液界面Ｆ１を形成する間、テンプレート２０は保持機構によって所定の高さを維持した状態で保持されている。
【００５５】
第１の領域Ａ１の周縁部に気液界面Ｆ１が形成されると、保持機構によるテンプレート２０の保持を解除する。そうすると、図８に示すように気液界面Ｆ１におけるアライメント液Ｐの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力（図８の矢印）がテンプレート２０に作用する。かかる場合、第１のパターン１１、２１の位置がずれている場合でも、これら第１のパターン１１、２１が対向するようにテンプレート２０が移動し、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が高精度に行われる。このように第１のパターン１１、２１は、アライメントパターンとして機能する。
【００５６】
その後、図９に示すようにテンプレート２０の裏面２０ｂにおいて導入液供給孔２４に対向する位置に、導入液Ｑを供給する。導入液Ｑは、例えば裏面２０ｂ上の導入液Ｑのラプラス圧により、導入液供給孔２４を通って、隙間Ｃの第２の領域Ａ２に供給される。図９及び図１０に示すように第２の領域Ａ２に供給された導入液Ｑは、毛細管現象によって第２の領域Ａ２を拡散する。第１の領域Ａ１の周縁部まで拡散した導入液Ｑは、いわゆる呼び水のように機能し、すなわち導入液Ｑの表面張力によって、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐが決壊し第２の領域Ａ２に流出する。そして、第１の領域Ａ１から流出したアライメント液Ｐと、導入液供給孔２４から供給された導入液Ｑは、第２の領域Ａ２において混合され、この混合液Ｍは第２の領域Ａ２を拡散する。
【００５７】
図１１及び図１２に示すように混合液Ｍは、毛細管現象によって第２の領域Ａ２を拡散するが、第２のパターン１２、２２のピン止め効果によって、第２の領域Ａ２の外側に拡散することはない。そして、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２において混合液Ｍが充填され、第２の領域Ａ２の周縁部（第２のパターン１２、２２の周縁部）に気液界面Ｆ２が形成される。
【００５８】
第２の領域Ａ２の周縁部に気液界面Ｆ２が形成されると、当該気液界面Ｆ２における混合液Ｍの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力がテンプレート２０に作用する。これにより、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が再度行われる。すなわち、第２のパターン１２、２２は、ウェハ１０とテンプレート２０のズレ防止パターンとして機能する。
【００５９】
その後、図１３及び図１４に示すように混合液Ｍは毛細管現象により、隙間Ｃから排液孔２５を通って、排液槽２６に排出される。上述したように排液槽２６の容量は、隙間Ｃに充填された混合液Ｍの量より大きいため、図１５に示すように当該隙間Ｃの混合液Ｍは、すべて排液槽２６に排出される。すなわち、本実施の形態では、ウェハ１０とテンプレート２０の間の所定の距離は、０（ゼロ）である。
【００６０】
その後、隙間Ｃの混合液Ｍが完全に排出された状態で、ウェハ１０に対して所定の処理を行う。この所定の処理は任意である。例えば所定の処理としてはめっき処理があり、具体的には第２の領域Ａ２の外側に形成された貫通孔（図示せず）に対して、テンプレート２０からめっき液を供給し、電解めっきを行うことで貫通孔内に貫通電極を形成する。このとき、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が適切に行われているため、貫通孔に対するめっき液の供給を高い位置精度で行うことができ、めっき処理を適切に行うことができる。
【００６１】
以上の第１の実施形態によれば、第１の領域Ａ１の周縁部の気液界面Ｆ１におけるアライメント液Ｐの表面張力によって、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を行った後、導入液Ｑを呼び水として用いて、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを第２の領域Ａ２に流出させている。ここで、発明者らは、アライメント液Ｐを第１の領域Ａ１から第２の領域Ａ２に流出させるため（アライメント液Ｐの液抜きを行うため）、アライメント液Ｐに荷重をかけて加圧し、またアライメント液Ｐを真空引きして減圧することを試みた。その結果、アライメント液Ｐを加圧又は減圧すると、ウェハ１０とテンプレート２０の位置がずれる場合があることが分かった。この点、本実施の形態によれば、導入液Ｑの表面張力によって、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐが決壊し第２の領域Ａ２に流出する。かかる場合、アライメント液Ｐは加圧も減圧もされないので、ウェハ１０とテンプレート２０の位置ずれを抑制することができる。
【００６２】
また、第１の領域Ａ１の周縁部の気液界面Ｆ１におけるアライメント液Ｐの表面張力によって、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を行った後、さらに第２の領域Ａ２の周縁部の気液界面Ｆ２における混合液Ｍの表面張力によって、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を再度行っている。このようにウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を２段階で行っているため、当該位置調整を高精度に行うことができる。
【００６３】
また、隙間Ｃにおける混合液Ｍ（アライメント液Ｐと導入液Ｑ）の液抜きは、毛細管現象を利用して排液孔２５と排液槽２６から排液する、簡易的な方法で行っており、従来のように自然乾燥させる場合に比して、液抜きにかかる時間を短縮することができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００６４】
＜２．第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１６及び図１７は、第２の実施形態にかかるウェハ１０とテンプレート２０の構成の概略を示している。
【００６５】
第１の実施形態のテンプレート２０において導入液供給孔２４は第２の領域Ａ２の第１のパターン１１、２１と第２のパターン１２、２２の間に形成されていたのに対し、第２の実施形態のテンプレート２０では、導入液供給孔２４は第２のパターン２２に形成されている。すなわち、導入液供給孔２４は、表面２０ａの第２のパターン２２から裏面２０ｂに貫通して形成されている。これに伴い、テンプレート２０の第２のパターン２２の形状は、導入液供給孔２４が形成されるように大きくなっており、ウェハ１０の第２のパターン１２の形状もテンプレート２０の第２のパターン２２の形状と同様になっている。
【００６６】
なお、第２の実施形態のウェハ１０とテンプレート２０の他の構成は、第１の実施形態のウェハ１０とテンプレート２０の他の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００６７】
次に、以上のように構成されたウェハ１０及びテンプレート２０を用いたウェハ処理について説明する。
【００６８】
先ず、図１８に示すように保持機構（図示せず）によってテンプレート２０をウェハ１０に対向して配置し、ウェハ１０の第１のパターン１１とテンプレート２０の第１のパターン２１を対向させる。
【００６９】
その後、テンプレート２０の裏面２０ｂにおいてアライメント液供給孔２３に対応する位置にアライメント液Ｐを供給する。アライメント液Ｐは、例えば裏面２０ｂ上のアライメント液Ｐのラプラス圧により、アライメント液供給孔２３を通って、隙間Ｃの第１の領域Ａ１に供給される。図１８及び図１９に示すように第１の領域Ａ１に供給されたアライメント液Ｐは、毛細管現象によって第１の領域Ａ１を拡散するが、第１のパターン１１、２１のピン止め効果によって、第２の領域Ａ２に拡散することはない。そして、第１の領域Ａ１においてアライメント液Ｐが充填され、当該第１の領域Ａ１の周縁部（第１のパターン１１、２１の周縁部）に気液界面Ｆ１が形成される。なお、このように気液界面Ｆ１を形成する間、テンプレート２０は保持機構によって所定の高さを維持した状態で保持されている。
【００７０】
第１の領域Ａ１の周縁部に気液界面Ｆ１が形成されると、保持機構によるテンプレート２０の保持を解除する。そうすると、気液界面Ｆ１におけるアライメント液Ｐの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力がテンプレート２０に作用し、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が高精度に行われる。ここまで動作は、第１の実施形態と同様である。
【００７１】
その後、図２０に示すようにテンプレート２０の裏面２０ｂにおいて導入液供給孔２４に対応する位置に、導入液Ｑを供給する。導入液Ｑは、例えば裏面２０ｂ上の導入液Ｑのラプラス圧により、導入液供給孔２４を通って、隙間Ｃの第２の領域Ａ２に供給される。図２０及び図２１に示すように第２の領域Ａ２に供給された導入液Ｑは、毛細管現象によって第２の領域Ａ２を拡散する。導入液Ｑは、第２のパターン１２、２２のピン止め効果によって、第２のパターン１２、２２の外側及び内側に拡散することはない。そして、第２の領域Ａ２において導入液Ｑが充填され、第２のパターン１２、２２の周縁部（外縁部及び内縁部）に気液界面Ｆ２が形成される。
【００７２】
第２のパターン１２、２２に気液界面Ｆ２が形成されると、当該気液界面Ｆ２における混合液Ｍの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力がテンプレート２０に作用する。これにより、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が再度行われる。
【００７３】
ここで、第２のパターン１２、２２において、外縁部の角部１２ａ、２２ａにおいては、当該角部１２ａ、２２ａの凸方向と、導入液Ｑの湾曲の凸方向は同じ方向である。このため、導入液Ｑのラプラス圧の方向が同じで、導入液Ｑは角部１２ａ、２２ａから決壊しにくい。したがって、導入液Ｑは、第２のパターン１２、２２の外側に流出することはない。
【００７４】
一方、第２のパターン１２、２２の内縁部の角部１２ｂ、２２ｂにおいては、当該角部１２ｂ、２２ｂの凸方向と、導入液Ｑの湾曲の凸方向は反対方向である。このため、導入液Ｑのラプラス圧の方向が反対で、導入液Ｑは角部１２ｂ、２２ｂから決壊しやすい。したがって、図２２及び図２３に示すように導入液Ｑは、角部１２ｂ、２２ｂにおいて決壊し、第２のパターン１２、２２の内側に流出する。なお、このように導入液Ｑを決壊させるためには、例えば導入液Ｑのアライメント液Ｐの接触角などの条件を調整すればよい。
【００７５】
導入液Ｑは第２の領域Ａ２において第２のパターン１２、２２の内側を拡散する。第１の領域Ａ１の周縁部まで拡散した導入液Ｑは、いわゆる呼び水のように機能し、すなわち導入液Ｑの表面張力によって、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐが決壊し第２の領域Ａ２に流出する。そして、第１の領域Ａ１から流出したアライメント液Ｐと、導入液供給孔２４から供給された導入液Ｑは、第２の領域Ａ２において混合され、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２において混合液Ｍが充填される。
【００７６】
その後、図２２〜図２４に示すように混合液Ｍは毛細管現象により、隙間Ｃから排液孔２５を通って、排液槽２６に排出される。混合液Ｍはすべて排液槽２６に排出され、本実施の形態では、ウェハ１０とテンプレート２０の間の所定の距離は、０（ゼロ）である。
【００７７】
その後、隙間Ｃの混合液Ｍが完全に排出された状態で、ウェハ１０に対して所定の処理、例えば貫通孔に対するめっき処理を行う。このとき、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が適切に行われているため、所定の処理を適切に行うことができる。
【００７８】
以上の第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を適切に行い、ウェハ処理を適切に行いつつ、当該ウェハ処理のスループットを向上させることができる。しかも、２回目のウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を行う際、第２のパターン１２、２２に導入液Ｑを供給して行っているので、当該２回目の位置調整が行われる前に、隙間Ｃの混合液Ｍが排液孔２５、排液槽２６から排出されることがない。したがって、この２回目の位置調整をより確実に行うことができ、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整をより高精度に行うことができる。
【００７９】
＜３．第３の実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図２５及び図２６は、第２の実施の形態にかかるウェハ１０とテンプレート２０の構成の概略を示している。
【００８０】
ウェハ１０の表面１０ａには、パターン３０が形成されている。パターン３０は、環状に形成され、且つ外縁部と内縁部がそれぞれ四角形状に形成されたパターンである。パターン３０は、例えば半導体チップにおける一部のパターンである。なお、パターン３０は、図１に示したようにウェハ１０上に複数形成されている。
【００８１】
テンプレート２０の表面２０ａには、パターン４０が形成されている。パターン４０は、ウェハ１０のパターン３０と同一形状を有し、すなわち環状に形成され、且つ外縁部と内縁部がそれぞれ四角形状に形成されたパターンである。パターン４０は、例えばフォトリソグラフィー処理とエッチング処理を一括して形成される。なお、パターン４０は、図２に示したようにテンプレート２０上に複数形成されている。
【００８２】
そして、ウェハ１０とテンプレート２０が対向配置された状態で、パターン３０、４０は対向する。以下の説明では、隙間Ｃにおいて、パターン３０、４０に対応する領域を第１の領域Ａ１といい、第１の領域Ａ１の内側に形成された領域を第２の領域Ａ２という。
【００８３】
テンプレート２０には、アライメント液供給孔４１が形成されている。アライメント液供給孔４１は、表面２０ａのパターン４０から裏面２０ｂに貫通して形成されている。そして、アライメント液供給孔４１から第１の領域Ａ１にアライメント液Ｐが供給されるようになっている。
【００８４】
また、テンプレート２０には、導入液供給孔４２が形成されている。導入液供給孔４２は、第２の領域Ａ２（第１の領域Ａ１付近）において、表面２０ａから裏面２０ｂに貫通して形成されている。そして、導入液供給孔４２から第２の領域Ａ２に導入液Ｑが供給されるようになっている。
【００８５】
さらに、テンプレート２０には、排液孔４３が形成されている。排液孔４３は、第２の領域Ａ２において、表面２０ａから裏面２０ｂに貫通して形成されている。隙間Ｃの混合液Ｍは毛細管現象によって排液孔４３に排出され、このため、排液孔４３の径は、隙間Ｃに混合液Ｍが充填された状態の当該隙間Ｃの距離よりも小さくなっている。
【００８６】
排液孔４３には、裏面２０ｂに設けられた排液槽４４が接続されている。隙間Ｃの混合液Ｍはすべて、毛細管現象により排液孔４３を介して排液槽４４に排出されるようになっている。なお、排液槽４４の構成は、第１の実施形態の排液槽２６の構成と同様であるので説明を省略する。
【００８７】
なお、テンプレート２０において、アライメント液供給孔４１、導入液供給孔４２、排液孔４３及び排液槽４４は、例えばフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理によって同時に形成してもよい。
【００８８】
次に、以上のように構成されたウェハ１０及びテンプレート２０を用いたウェハ処理について説明する。
【００８９】
先ず、図２７に示すように保持機構（図示せず）によってテンプレート２０をウェハ１０に対向して配置し、ウェハ１０のパターン３０とテンプレート２０のパターン４０を対向させる。
【００９０】
その後、テンプレート２０の裏面２０ｂにおいてアライメント液供給孔４１に対応する位置にアライメント液Ｐを供給する。アライメント液Ｐは、例えば裏面２０ｂ上のアライメント液Ｐのラプラス圧により、アライメント液供給孔４１を通って、隙間Ｃの第１の領域Ａ１に供給される。図２７及び図２８に示すように第１の領域Ａ１に供給されたアライメント液Ｐは、毛細管現象によって第１の領域Ａ１を拡散するが、パターン３０、４０のピン止め効果によって、第１の領域Ａ１の外側及び第２の領域Ａ２に拡散することはない。そして、第１の領域Ａ１においてアライメント液Ｐが充填され、当該第１の領域Ａ１の周縁部（パターン３０、４０の周縁部）に気液界面Ｆが形成される。なお、このように気液界面Ｆを形成する間、テンプレート２０は保持機構によって所定の高さを維持した状態で保持されている。
【００９１】
第１の領域Ａ１の周縁部に気液界面Ｆが形成されると、保持機構によるテンプレート２０の保持を解除する。そうすると、気液界面Ｆにおけるアライメント液Ｐの表面張力によって、テンプレート２０を移動させる復元力がテンプレート２０に作用し、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が高精度に行われる。このようにパターン３０、４０は、アライメントパターンとして機能する。
【００９２】
その後、図２９に示すようにテンプレート２０の裏面２０ｂにおいて導入液供給孔４２に対向する位置に、導入液Ｑを供給する。導入液Ｑは、例えば裏面２０ｂ上の導入液Ｑのラプラス圧により、導入液供給孔４２を通って、隙間Ｃの第２の領域Ａ２に供給される。図２９及び図３０に示すように第２の領域Ａ２に供給された導入液Ｑは、毛細管現象によって第２の領域Ａ２を拡散する。第１の領域Ａ１の周縁部まで拡散した導入液Ｑは、いわゆる呼び水のように機能し、すなわち導入液Ｑの表面張力によって、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐが決壊し第２の領域Ａ２に流出する。そして、第１の領域Ａ１から流出したアライメント液Ｐと、導入液供給孔２４から供給された導入液Ｑは、第２の領域Ａ２において混合され、この混合液Ｍは第２の領域Ａ２を拡散する。
【００９３】
そして図３１及び図３２に示すように、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２において混合液Ｍが充填される。このとき、パターン３０、４０のピン止め効果によって、混合液Ｍが第２の領域Ａ２の外側に拡散することはない。これにより、ウェハ１０とテンプレート２０の位置ずれが抑制され、パターン３０、４０は、ズレ防止パターンとしても機能する。
【００９４】
その後、図３１〜図３３に示すように混合液Ｍは毛細管現象により、隙間Ｃから排液孔４３を通って、排液槽４４に排出される。混合液Ｍはすべて排液槽４４に排出され、本実施の形態では、ウェハ１０とテンプレート２０の間の所定の距離は、０（ゼロ）である。
【００９５】
その後、隙間Ｃの混合液Ｍが完全に排出された状態で、ウェハ１０に対して所定の処理、例えば貫通孔に対するめっき処理を行う。このとき、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整が適切に行われているため、所定の処理を適切に行うことができる。
【００９６】
以上の第３の実施形態においても、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を適切に行い、ウェハ処理を適切に行いつつ、当該ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００９７】
次に、第３の実施形態の変形例について説明する。上記テンプレート２０において、図３４及び図３５に示すように導入液供給孔４２を省略してもよい。導入液供給孔４２から第２の領域Ａ２に導入液Ｑを供給する目的は、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させ第２の領域Ａ２に流出させるためであった。この点、上述したようにパターン３０、４０の外縁部の角部３０ａ、４０ａでは、アライメント液Ｐは決壊しにくいが、パターン３０、４０の内縁部の角部３０ｂ、４０ｂからは、アライメント液Ｐが決壊しやすい。したがって、アライメント液Ｐの接触角などの条件を調整することで、図３４及び図３５に示すように第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを自然に決壊させることができる。
【００９８】
なお、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させるためには、この角部３０ｂ、４０ｂを利用した決壊と、導入液供給孔４２からの導入液Ｑを利用した決壊を併用してもよい。
【００９９】
＜４．実施形態の変形例＞
次に、以上の実施形態の変形例について説明する。上記第１の実施形態〜第３の実施形態では、ウェハ１０のすべての半導体チップ（第１のパターン１１、パターン３０）に対応する、テンプレート２０の第１のパターン２１、パターン４０に対して、導入液供給孔２４、４２がそれぞれ形成されていたが、中央の半導体チップに対してのみ、導入液供給孔２４、４２を形成してもよい。
【０１００】
以下の説明では、第１の実施形態の変形例として説明する。図３６に示すようにテンプレート２０には、中央のパターン２１、２２間にのみ導入液供給孔２４が形成され、他の周囲のパターン２１、２２間には導入液供給孔２４が形成されていない。以下の説明において、導入液供給孔２４が形成された中央のパターン２１、２２を中央パターンといい、導入液供給孔２４が形成されていない周囲のパターン２１、２２を周囲パターンという。
【０１０１】
かかる場合、中央パターンと周囲パターンのすべてにおいて、第１の領域Ａ１にアライメント液Ｐを供給し、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を行った後、先ず、中央パターンにおいて、導入液供給孔２４から第２の領域Ａ２に導入液Ｑを供給し、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させて第２の領域Ａ２に流出させる。そうすると、アライメント液Ｐが流出した分、ウェハ１０とテンプレート２０の間の隙間Ｃの距離が小さくなり、当該隙間Ｃを小さくする方向に圧力がかかる。この圧力が周囲パターンにも作用し、当該周囲パターンの第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐが決壊する。このようにテンプレート２０のすべてのパターンにおいて（ウェハ１０のすべての半導体チップにおいて）、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを第２の領域Ａ２に流出させることができる。その後の作用については、上記第１の実施形態と同様である。
【０１０２】
本実施形態によれば、導入液Ｑの供給量を軽減でき、より簡易的な方法でウェハ処理を行うことができる。なお、他の第２の実施形態と第３の実施形態においても、同様の作用効果を享受できる。
【０１０３】
また、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させる方法は、上記第１の実施形態〜第３の実施形態に限定されない。例えば周囲環境の温度や気圧などを制御することで、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させることもできる。
【０１０４】
また、上記第１の実施形態〜第３の実施形態では、隙間Ｃの混合液Ｍを排出する際、排液孔２５、４３と排液槽２６、４４からすべての混合液Ｍを排出していたが、所定の処理によっては、隙間Ｃが所定の距離まで混合液Ｍを排出すればよい場合がある。かかる場合、所定の距離によっては、排液孔２５、４３と排液槽２６、４４を省略してもよい。
【０１０５】
以下の説明では、第１の実施形態の変形例として説明する。第１の領域Ａ１にアライメント液Ｐを供給し、ウェハ１０とテンプレート２０の位置調整を行った後、導入液供給孔２４から第２の領域Ａ２に導入液Ｑを供給し、第１の領域Ａ１のアライメント液Ｐを決壊させて第２の領域Ａ２に流出させる。そして、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２に混合液Ｍが充填された際、アライメント液Ｐが第２の領域Ａ２に流出した分、隙間Ｃの距離が小さくなる。こうして、アライメント液Ｐと導入液Ｑの供給量を制御することで、隙間Ｃを所定の距離にすることができる。
【０１０６】
本実施形態によれば、排液孔２５と排液槽２６を省略でき、より簡易的な方法でウェハ処理を行うことができる。なお、他の第２の実施形態と第３の実施形態においても、同様の作用効果を享受できる。
【０１０７】
また、上記第１の実施形態〜第３の実施形態では、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２を画定する手段として、ウェハ１０及びテンプレート２０から突出するパターンに起因するピン止め効果について説明したが、他の手段も使うことができる。例えば、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界において、凹条の溝を形成する、或いは親水性の低い領域を帯状に形成するなど、アライメント液の接触角が変化する領域を設ければ、パターンとして機能させることができる。或いは、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２において互いに異なる親水性を持たせることでも、それぞれの領域自体をパターンとして機能させることができる。
【０１０８】
また、上記第１の実施形態〜第３の実施形態では、所定の処理として、貫通孔に貫通電極を形成するめっき処理について説明したが、本発明は他の処理にも適用できる。例えばエッチング液を用いたエッチング処理等の他の電界処理にも本発明を適用できるし、例えば洗浄液を用いた洗浄処理等の電解処理以外の液処理にも本発明を適用できる。また、半導体デバイスの検査にも本発明を適用でき、例えば微細且つ複数の貫通電極にコンタクト液を一括コンタクトさせ、ウェハ単位で当該貫通電極を検査することができる。
【０１０９】
また、上記第１の実施形態〜第３の実施形態では、被処理基板がウェハ１０であって、液供給基板がテンプレート２０である場合について説明したが、被処理基板と液供給基板はこれに限定されない。
【０１１０】
例えば被処理基板が半導体ウェハであって、液供給基板が半導体チップを実装した支持基板であってもよい。かかる場合、所定の処理は例えば接着剤を用いた接合処理であって、本発明を適用することができる。このとき、アライメント液Ｐと導入液Ｑには純水を用いてもよいし、接着剤を用いてもよい。
【０１１１】
また、例えば被処理基板と液供給基板が共に半導体ウェハであってもよい。かかる場合、例えば半導体ウェハにおいて、内周部に半導体チップ（第１のパターン）が形成され、外周部に第２のパターンを形成する。このときの所定の処理も、例えば接着剤を用いた接合処理としてもよい。
【０１１２】
以上の実施の形態では、アライメント液Ｐ、導入液Ｑとして純水を用いたが、例えばめっき液やエッチング液などの他の液を用いてもよい。
【０１１３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１１４】
１０  ウェハ
１１  第１のパターン
１２  第２のパターン
２０  テンプレート
２１  第１のパターン
２２  第２のパターン
２３  アライメント液供給孔
２４  導入液供給孔
２５  排液孔
２６  排液槽
３０  パターン
４０  パターン
４１  アライメント液供給孔
４２  導入液供給孔
４３  排液孔
４４  排液槽
Ａ１  第１の領域
Ａ２  第２の領域
Ｃ    隙間
Ｆ、Ｆ１、Ｆ２  気液界面
Ｍ    混合液
Ｐ    アライメント液
Ｑ    導入液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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