(57)【要約】【課題】半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、半導体装置の信頼性を高めることができる。【解決手段】レジスト除去槽７の処理液１０に半導体基板を浸漬して、上記半導体基板に形成されたレジスト膜を除去し、その後、レジスト除去槽７内に配置された噴流管８と接続する配管９に設けられたポンプ１２の駆動により、レジスト除去槽７内の処理液１０を噴流管８を介してレジスト除去槽７から吸い出す。処理液１０を吸い出す工程において、レジスト除去槽７内の処理液１０は、噴流管８の複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出され、かつ噴流管８内に付着している異物を処理液１０とともに噴流管８内から排出させる。【選択図】図１０
2017112314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）所定の処理液が収容された液槽の前記処理液に半導体基板を浸漬して、前記半導体基板に形成されたレジスト膜を除去する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記処理液を前記液槽内で噴流する噴流管と接続する配管に設けられたポンプにより、前記液槽内の前記処理液を前記噴流管を介して前記液槽から吸い出す工程、
を有し、
前記（ｂ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記液槽内の前記噴流管に設けられた複数の孔部を介して前記液槽から吸い出され、かつ前記噴流管内に残留する異物を前記処理液とともに前記噴流管内から排出する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記（ｂ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バイパス配管を介して吸い出される、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液槽に、前記第１配管とは異なる第２配管および前記第２配管とは異なる第３配管がそれぞれ接続され、
前記（ｂ）工程の後、（ｃ）工程として、前記処理液を前記第２配管を介して重力落下によって前記液槽から排出し、
前記（ｃ）工程の後、（ｄ）工程として、前記ポンプによって前記第１配管および前記第３配管を介して前記液槽内の前記処理液を循環させ、かつ前記第２配管を介して前記処理液を重力落下によって前記液槽から排出する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間にフィルタが設けられ、
前記第１配管における前記ヒータと前記フィルタとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記第１配管には、前記第１バイパス配管の前記第１配管との接続部と前記液槽との間に、前記フィルタを迂回して前記処理液を流す第２バイパス配管が接続され、
前記（ｂ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バ
イパス配管および前記第２バイパス配管を介して吸い出される、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記処理液は、非塩素系の剥離液である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）半導体基板の表面に電極パッドを露出させて絶縁層を形成する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記電極パッドおよび前記絶縁層のそれぞれの上層に導体層を形成する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記電極パッド上を開口させて前記絶縁層の一部の上層に前記導体層を介してレジスト膜を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記電極パッドと電気的に接続させて前記レジスト膜の開口部に配線を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、所定の処理液が収容された液槽の前記処理液に前記半導体基板を浸漬して、前記レジスト膜を除去する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記処理液を前記液槽内で噴流する噴流管と接続する配管に設けられたポンプにより、前記液槽内の前記処理液を前記噴流管を介して前記液槽から吸い出す工程、
を有し、
前記（ｆ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記液槽内の前記噴流管に設けられた複数の孔部を介して前記液槽から吸い出され、かつ前記噴流管内に残留する異物を前記処理液とともに前記噴流管内から排出する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記（ｆ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バイパス配管を介して吸い出される、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液槽に、前記第１配管とは異なる第２配管および前記第２配管とは異なる第３配管が接続され、
前記（ｆ）工程の後、（ｇ）工程として、前記処理液を前記第２配管を介して重力落下によって前記液槽から排出し、
前記（ｇ）工程の後、（ｈ）工程として、前記ポンプによって前記第１配管および前記第３配管を介して前記液槽内の前記処理液を循環させ、かつ前記第２配管を介して前記処理液を重力落下によって前記液槽から排出する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間にフィルタが設けられ、
前記第１配管における前記ヒータと前記フィルタとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記第１配管には、前記第１バイパス配管の前記第１配管との接続部と前記液槽との間に、前記フィルタを迂回して前記処理液を流す第２バイパス配管が接続され、
前記（ｆ）工程において、前記液槽内の前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バ
イパス配管および前記第２バイパス配管を介して吸い出される、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記処理液は、非塩素系の剥離液である、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
所定の処理液に半導体基板を浸漬して前記半導体基板に形成されたレジスト膜を除去するレジスト除去装置であって、
前記処理液を収容する液槽と、
前記液槽内に配置され、前記液槽内で前記処理液を噴流する噴流管と、
前記噴流管と接続する配管と、
前記配管に設けられたポンプと、
を有し、
前記レジスト膜を除去した後の前記液槽内の前記処理液の排液時、前記ポンプにより、前記液槽内の前記処理液を前記噴流管に設けられた複数の孔部を介して前記液槽から吸い出し、かつ前記噴流管内に残留する異物を前記処理液とともに前記噴流管内から排出する、レジスト除去装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレジスト除去装置において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記液槽内の前記処理液の排液時、前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バイパス配管を介して吸い出される、レジスト除去装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のレジスト除去装置において、
前記液槽に接続された前記第１配管とは異なる第２配管と、
前記液槽に接続され、前記第２配管とは異なる第３配管と、
を有し、
前記液槽内の前記処理液の排液時、前記ポンプによって前記第１配管および前記第３配管を介して前記液槽内の前記処理液を循環させ、かつ前記第２配管を介して前記処理液を重力落下によって前記液槽から排出する、レジスト除去装置。
【請求項１４】
請求項１１に記載のレジスト除去装置において、
前記配管は、前記噴流管と接続する第１配管を備え、前記第１配管に前記処理液を加熱するヒータが設けられ、
前記第１配管における前記液槽と前記ヒータとの間にフィルタが設けられ、
前記第１配管における前記ヒータと前記フィルタとの間に第１バイパス配管が接続され、
前記第１配管には、前記第１バイパス配管の前記第１配管との接続部と前記液槽との間に、前記フィルタを迂回して前記処理液を流す第２バイパス配管が接続され、
前記液槽内の前記処理液の排液時、前記液槽内の前記処理液は、前記ポンプによって前記第１バイパス配管および前記第２バイパス配管を介して吸い出される、レジスト除去装置。
【請求項１５】
請求項１１に記載のレジスト除去装置において、
前記処理液は、非塩素系の剥離液である、レジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、レジスト除去装置およびレジスト除去装置を用いた半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（半導体基板、以降、単にウエハとも呼ぶ）を用いた半導体装置の製造ラインでは、例えば、ウエハにレジスト膜を形成し、さらにこのレジスト膜をマスクとしてウエハに配線パターンを形成した後、上記レジスト膜を除去する工程を有している。
【０００３】
上記レジスト膜を除去する工程では、例えば、所定の処理液を収容したレジスト除去槽の処理液にウエハを浸漬して上記レジスト膜の除去を行うことが知られている。
【０００４】
上記レジスト膜の除去を行う槽を有した半導体装置の製造装置（洗浄装置）が、例えば特開２０１５−２０１００号公報（特許文献１）および特開平２−１５３５２２号公報（特許文献２）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２０１００号公報
【特許文献２】特開平２−１５３５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記レジスト膜の除去を行うレジスト除去槽には、その槽壁に、ウエハの処理枚数の増加に伴って異物（例えば、生成物）が付着する。この異物は、付着後の初期には、膜状であるが、ウエハの処理枚数がさらに増えると、堆積により厚みが増し、槽壁から剥がれて塊状となる。この塊状の異物は、レジスト除去槽内に配置された噴流管の孔部を閉塞し、その結果、レジスト除去槽内で処理液の正常な層流が得られなくなり、レジスト除去処理において、ウエハの表面にレジスト膜が残留してしまう。
【０００７】
これにより、次工程（エッチング工程）で、残留したレジスト膜がマスクとなって配線が残り、ウエハ上に不必要な配線部分が残留することになる。その結果、製品不良を引き起こすことに至る。すなわち、本願の課題は、半導体装置の生産性を高めることにある。また、半導体装置の信頼性を高めることにある。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）液槽に収容された処理液に半導体基板を浸漬して、上記半導体基板に形成されたレジスト膜を除去する工程、（ｂ）上記処理液を上記液槽内で噴流する噴流管と接続する配管に設けられたポンプにより、上記液槽内の上記処理液を上記噴流管を介して上記液槽から吸い出す工程、を有する。さらに、上記（ｂ）工程において、上記液槽内の上記処理液は、上記液槽内の上記噴流管に設けられた複数の孔部を介して上記液槽から吸い出され、かつ上記噴流管内に残留する異物を上記処理液とともに上記噴流管内から排出する。
【００１０】
また、一実施の形態の他の半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板の表面に電極パッドを露出させて絶縁層を形成する工程、（ｂ）上記電極パッドおよび上記絶縁層のそれぞれの上層に導体層を形成する工程、（ｃ）上記電極パッド上を開口させて上記絶縁層の一部の上層に上記導体層を介してレジスト膜を形成する工程、を有する。さらに、（ｄ）上記電極パッドと電気的に接続させて上記レジスト膜の開口部に配線を形成する工程、（ｅ）液槽に収容された処理液に上記半導体基板を浸漬して、上記レジスト膜を除去する工程、（ｆ）上記処理液を上記液槽内で噴流する噴流管と接続する配管に設けられたポンプにより、上記液槽内の上記処理液を上記噴流管を介して上記液槽から吸い出す工程、を有する。さらに、上記（ｆ）工程において、上記液槽内の上記処理液は、上記液槽内の上記噴流管に設けられた複数の孔部を介して上記液槽から吸い出され、かつ上記噴流管内に残留する異物を上記処理液とともに上記噴流管内から排出する。
【００１１】
また、一実施の形態によるレジスト除去装置は、処理液を収容する液槽と、上記液槽内に配置され、上記液槽内で上記処理液を噴流する噴流管と、上記噴流管と接続する配管と、上記配管に設けられたポンプと、を有する。さらに、上記レジスト膜を除去した後の上記液槽内の上記処理液の排液時、上記ポンプにより、上記液槽内の上記処理液を上記噴流管に設けられた複数の孔部を介して上記液槽から吸い出し、かつ上記噴流管内に残留する異物を上記処理液とともに上記噴流管内から排出する。
【発明の効果】
【００１２】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の生産性を高めることができる。また、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の半導体装置の要部の構造の一例を示す断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図である。
【図４】図３に示す工程におけるレジスト除去工程の詳細を示すフロー図および断面図である。
【図５】図３に示す工程におけるシード層エッチング工程の詳細を示すフロー図および断面図である。
【図６】実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図である。
【図７】実施の形態１のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図である。
【図８】実施の形態１のレジスト除去装置による基板洗浄方法の一例を示す概念図である。
【図９】実施の形態１のレジスト除去装置に設けられた液槽の構造の一例を示す斜視図である。
【図１０】実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスの一例を示す概念図である。
【図１１】実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第２ステップのシーケンスの一例を示す概念図である。
【図１２】実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第３ステップのシーケンスの一例を示す概念図である。
【図１３】実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の全体シーケンスの一例を示すデータ図である。
【図１４】比較例のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図である。
【図１５】比較例のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスを示す概念図である。
【図１６】比較例のレジスト除去装置を用いた排液処理の第２ステップのシーケンスを示す概念図である。
【図１７】実施の形態２のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図である。
【図１８】実施の形態２のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスの一例を示す概念図である。
【図１９】比較例のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１５】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａから成る」、「Ａより成る」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１の半導体装置の要部の構造の一例を示す断面図である。
【００２１】
本実施の形態１では、ウエハにレジスト膜を形成し、さらにこのレジスト膜をマスクとしてウエハに配線パターンを形成した後、上記レジスト膜を除去する工程を有する組立ての一例として、ウエハプロセスパッケージ（ＷＰＰ：Wafer Process Package 、またはＷＬＰ：Wafer Level Package ともいう) とその組立てを取り上げて説明する。
【００２２】
＜半導体装置の構成＞
図１に示す本実施の形態１の半導体装置は、ウエハプロセスパッケージ５であり、チップサイズと略同等の小型の半導体パッケージである。
【００２３】
図１に示すウエハプロセスパッケージ５の構成について説明する。ウエハプロセスパッケージ５は、主面２ｂと、主面２ｂの反対側の裏面２ｃと、主面２ｂに形成された複数の電極パッド２ａと、複数の電極パッド２ａのそれぞれに接続され、かつ複数の電極パッド２ａのそれぞれの位置を異なる位置に配置する再配置配線（配線）２ｅと、再配置配線２ｅ上に形成された絶縁層であるポリイミド層２ｆと、を有する半導体チップ２を備えている。
【００２４】
さらに、ウエハプロセスパッケージ５には、再配置配線２ｅの一部の上部に形成されたＡｕ（金）膜２ｋに接合する半田バンプ３が複数設けられており、これら複数の半田バンプ３がウエハプロセスパッケージ５の外部端子となっている。
【００２５】
つまり、ウエハプロセスパッケージ５が有する半導体チップ２では、その主面２ｂに設けられた複数の電極パッド２ａと、再配置配線２ｅ上にＡｕ膜２ｋを介して設けられた半田バンプ３とが再配置配線２ｅを介して電気的に接続されている。
【００２６】
これにより、半導体チップ２の主面２ｂに設けられた複数の電極パッド２ａの設置ピッチが、再配置配線２ｅによって広げられ、再配置配線２ｅ上に設けられた新たな電極（Ａｕ膜２ｋの領域）に複数の半田バンプ３のそれぞれが接合されている。
【００２７】
なお、上述の再配置配線２ｅは、再配線とも呼ばれている。
【００２８】
また、複数の電極パッド２ａのそれぞれは、例えばＡｌ（アルミニウム）から成る。そして、再配置配線２ｅは、例えばＣｕ（銅）を主成分とする配線であり、その上層にＮｉ（ニッケル）膜２ｎが形成され、一方、下層には、後述する図５に示すように、バリア層となるＴｉＮ層（Ｃｒ（クロム）膜でもよい）２ｈａと、シード層となるＣｕ層２ｈｂとからなる積層膜が形成されている。本実施の形態１では、説明の簡略化のため、この積層膜をシード層（導体層）２ｈとして記している。したがって、再配置配線２ｅは、シード層２ｈと、Ｃｕ膜２ｉと、Ｎｉ膜２ｎとから成る３層構造とも見ることができ、この場合、下層側から上層側に向かって順にシード層２ｈ、Ｃｕ膜２ｉ、Ｎｉ膜２ｎが配置されている。
【００２９】
そして、再配置配線２ｅは、その下層側に形成されたシード層２ｈが電極パッド２ａと接合し、一方、上層側に形成されたＮｉ膜２ｎが、Ａｕ膜２ｋを介して半田バンプ３と接合している。
【００３０】
なお、複数の半田バンプ３は、再配置配線２ｅ上に形成されたポリイミド層２ｆの複数の開口部２ｍのそれぞれに配置されている。つまり、再配置配線２ｅ上に形成されたポリイミド層２ｆの複数の開口部２ｍのそれぞれにＡｕ膜２ｋが形成されている。開口部２ｍの領域だけに着眼すれば、再配置配線２ｅ上に、Ｎｉ膜２ｎとこのＮｉ膜２ｎ上に形成されたＡｕ膜２ｋとから成るＮｉ／Ａｕ膜が形成され、開口部２ｍにＡｕ膜２ｋが露出している。
【００３１】
また、Ｎｉ膜２ｎ上にＡｕめっきから成るＡｕ膜２ｋが形成されている目的は、Ｎｉ膜２ｎの酸化防止と、半田との濡れ性を確保する（半田バンプ３の接合性を高める）ためである。
【００３２】
そして、半導体チップ２の電極パッド２ａが設けられた層と同層の配線層に複数の配線パターン２ｐが形成されている。
【００３３】
また、ウエハプロセスパッケージ５では、半導体チップ２の主面２ｂ側に複数の外部端子である半田バンプ３が、例えば、格子状に並んで配置されており、この場合、外観上は、ＢＧＡ（Ball Grid Array)と同様のものである。
【００３４】
また、上述したように、ウエハプロセスパッケージ５では、半導体チップ２の主面２ｂ上に形成された電極パッド２ａにさらに再配置配線２ｅが接続されており、この再配置配線２ｅに半田バンプ３がＡｕ膜２ｋを介して接続されている。すなわち、ウエハプロセスパッケージ５は、電極パッド２ａの配置ピッチが狭ピッチ化されたものであり、この狭ピッチ化によって電極パッド２ａには、外部端子である半田バンプ３を直接搭載することができないため、半田バンプ３が搭載可能なように再配置配線２ｅによってピッチを拡大して半田バンプ３を再配置配線２ｅに接続している。
【００３５】
これにより、複数の半田バンプ３を格子状に配置することが可能になる。
【００３６】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法について説明する。図２は実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図、図３は実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図、図４は図３に示す工程におけるレジスト除去工程の詳細を示すフロー図および断面図である。また、図５は図３に示す工程におけるシード層エッチング工程の詳細を示すフロー図および断面図、図６は実施の形態１の半導体装置の製造方法の一部を示すフロー図および断面図である。
【００３７】
まず、図２に示すポリイミド層パターンニングを行う。このポリイミド層パターンニングでは、主面１ａとその反対側の裏面１ｂを備えた半導体ウエハ１の主面１ａ上にポリイミド層（絶縁層）２ｄを形成し、その後、パターンニングによって電極パッド２ａの上方を開口させる。これにより、ポリイミド層２ｄの開口部２ｊに電極パッド２ａを露出させることができる。なお、電極パッド２ａは、例えばＡｌから成る。
【００３８】
上記ポリイミド層パターンニング後、図２に示すシード層スパッタを行う。このシード層スパッタでは、ポリイミド層２ｄおよび電極パッド２ａの上層に、スパッタによってシード層（導体層）２ｈを形成（堆積）する。これにより、Ａｌから成る電極パッド２ａとシード層２ｈとが電気的に接続される。なお、シード層２ｈの形成として、まず、図５に示すバリア層であるＴｉＮ層２ｈａを形成し、その上にシード層としてＣｕ層２ｈｂを形成する。本実施の形態１では、説明の簡略化のため、このＴｉＮ層２ｈａとＣｕ層２ｈｂとから成る積層膜をシード層２ｈとして記している。なお、積層膜であるシード層２ｈのうちバリア層は、上述のＴｉＮ層２ｈａでもよいし、Ｃｒから成る膜であってもよい。
【００３９】
上記シード層スパッタ後、図２に示すレジストパターンニングを行う。このレジストパターンニングでは、後の工程で形成する再配置配線２ｅの箇所を残してそれ以外の領域をレジスト膜２ｇで覆う。すなわち、電極パッド２ａ上を開口させてポリイミド層２ｄの一部の上層にシード層２ｈを介してレジスト膜２ｇを形成する。
【００４０】
上記レジストパターンニング後、図２に示す再配置配線−Ｃｕ／Ｎｉめっき形成を行う。この再配置配線−Ｃｕ／Ｎｉめっき形成では、まず、Ｃｕの電界めっき形成を行い、その後、Ｎｉの電界めっき形成を行う。
【００４１】
詳細には、まず、レジスト膜２ｇによって囲まれた領域（レジスト膜２ｇの開口部）のシード層２ｈ上に、電界めっきによってＣｕ膜２ｉを形成する。これによって、シード層２ｈ上にＣｕを主成分とする再配置配線（Ｃｕ膜２ｉ）２ｅが形成される。その後、再配置配線２ｅの表面上に電界めっきによってＮｉ膜２ｎを形成する。これにより、シード層２ｈと、再配置配線（Ｃｕ膜２ｉ）２ｅと、Ｎｉ膜２ｎとが形成される。別の言い方をすると、レジスト膜２ｇの開口部に、シード層２ｈとＣｕ膜２ｉとＮｉ膜２ｎとから成り、かつ電極パッド２ａと電気的に接続された３層構造の再配置配線（配線）２ｅが形成される。
【００４２】
上記再配置配線−Ｃｕ／Ｎｉめっき形成後、図３に示すレジスト除去・ウエットエッチを行う。このレジスト除去・ウエットエッチでは、ウエットエッチングにより、再配置配線２ｅを囲んでいるレジスト膜２ｇを除去し、さらに、レジスト膜２ｇの下方に位置し、かつＴｉＮ層２ｈａとＣｕ層２ｈｂとからなる積層膜であるシード層２ｈを除去する。
【００４３】
詳細には、まず、図４のレジスト除去に示すように、マスク層であるレジスト膜２ｇを所定の処理液を用いて除去する。その後、レジスト膜２ｇの除去によって露出した図５に示すシード層であるＣｕ層２ｈｂ、およびバリア層であるＴｉＮ層２ｈａを、それぞれウエットエッチングによって除去する。
【００４４】
ここで、上述のレジスト膜２ｇの除去および除去後の液槽の洗浄について説明する。図７は実施の形態１のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図、図８は実施の形態１のレジスト除去装置によるレジスト除去方法の一例を示す概念図、図９は実施の形態１のレジスト除去装置に設けられた液槽の構造の一例を示す斜視図である。
【００４５】
本実施の形態１のレジスト除去では、所定の処理液が収容された液槽の上記処理液に半導体ウエハ（半導体基板）１を浸漬してレジスト膜２ｇを除去する。
【００４６】
まず、図７〜図９を用いて、本実施の形態１の半導体装置の製造工程のレジスト除去工程で用いられるレジスト除去装置６の構成について説明する。
【００４７】
レジスト除去装置６は、レジスト膜２ｇを剥離させる処理液１０を収容する液槽であるレジスト除去槽７と、レジスト除去槽７内に配置され、かつレジスト除去槽７内で処理液１０を噴流する噴流管８と、噴流管８と接続し、かつレジスト除去槽７の外部に配置された配管９と、配管９に設けられたポンプ１２と、を有している。
【００４８】
噴流管８は、図９に示すように、レジスト除去槽７の内部の底部に沿って２本設けられており、それぞれの噴流管８が外部の配管９と接続されている。そして、それぞれの噴流管８には、複数の孔部８ａが上方に向けて略等間隔で形成されている。これにより、レジスト除去処理時には、レジスト除去槽７内において複数の孔部８ａから処理液１０を噴流させることにより、処理液１０を層状に噴流させることができ、複数の半導体ウエハ１の表面（主面１ａ）に対して略均等に処理液１０を流すことができる。
【００４９】
また、レジスト除去槽７には、その底辺もしくは底辺近傍の側面に排液部７ａが形成されており、配管９（後述する第２配管９ｃ）と接続されている。これにより、排液を行う際には、レジスト除去槽７に収容された処理液１０をこの排液部７ａを介して重力落下でレジスト除去槽７内から外部に排出し、第２配管９ｃ（配管９）を介して排液タンク１４に処理液１０を排液する。
【００５０】
また、レジスト除去槽７の上方の端部の外周部には、オーバーフロー部７ｂが設けられており、オーバーフロー部７ｂには配管９（後述する第３配管９ｄ）が接続されている。これにより、処理液１０を循環させる際には、噴流管８と接続された配管９（後述する第１配管９ａ）から噴流管８を介して処理液１０をレジスト除去槽７内に供給し、レジスト除去槽７の上側から溢れる処理液１０をオーバーフロー部７ｂを介してこれに接続された第３配管９ｄから外部に流すことで、処理液１０をレジスト除去槽７の外部の配管９とレジスト除去槽７との間で循環させる。
【００５１】
また、図７に示すように、レジスト除去処理時には、複数の半導体ウエハ１は、リフター１１によって支持された状態でレジスト除去槽７内の処理液１０中に浸漬される。リフター１１は、１回に５０枚程度の半導体ウエハ１を支持することが可能であり、したがって、５０枚程度の半導体ウエハ１を一括してレジスト除去処理することができる。
【００５２】
リフター１１は、レジスト除去処理が終わると複数の半導体ウエハ１を支持した状態で上昇し、処理液１０中から複数の半導体ウエハ１を上方に取り出す。そして、複数の半導体ウエハ１を支持した状態のまま他の液槽までこれらの半導体ウエハ１を搬送する。
【００５３】
また、レジスト除去装置６には、図７に示すように、処理液１０をレジスト除去槽７に供給する供給配管２３が設けられており、本実施の形態１の供給配管２３には、第１処理液用タンク２１と第２処理液用タンク２２とが、弁によって切り替え自在に接続されている。これにより、第１処理液用タンク２１に収容された処理液１０、もしくは第２処理液用タンク２２に収容された処理液１０の何れかを必要に応じてレジスト除去槽７に供給することができる。
【００５４】
なお、配管９は、上述のように噴流管８と接続する第１配管９ａを備え、かつ第１配管９ａに処理液１０を加熱するヒータ１３が設けられている。また、第１配管９ａにおけるレジスト除去槽７とヒータ１３との間に、第１バイパス配管９ｂが接続されている。この第１バイパス配管９ｂは、一端が第１配管９ａにおけるレジスト除去槽７とヒータ１３との間に接続されており、他端は、ポンプ１２が取り付けられ、かつ第１配管９ａに繋がる第４配管９ｅに接続されている。この第４配管９ｅは、第５配管９ｆを介して排液タンク１４にも繋がっている。
【００５５】
すなわち、第１バイパス配管９ｂは、第１配管９ａと、第１配管９ａに接続された第４配管９ｅとにおいて、ヒータ１３およびポンプ１２を迂回するバイパスとして設けられた配管であり、その一端は、第１配管９ａのなるべくレジスト除去槽７に近い箇所に接続されていることが好ましい。
【００５６】
また、レジスト除去槽７の排液部７ａには、上述のように第２配管９ｃが排液用として接続されており、この第２配管９ｃは、排液タンク１４に繋がっている。
【００５７】
また、レジスト除去槽７のオーバーフロー部７ｂには、オーバーフロー用として第３配管９ｄが接続されており、この第３配管９ｄは、ポンプ１２が取り付けられた第４配管９ｅに接続されるとともに、排液タンク１４にも繋がっている。
【００５８】
そして、これらの配管９には、第１弁１５、第２弁１６、第３弁１７、第４弁１８、第５弁１９、第６弁２０が取り付けられている。
【００５９】
具体的には、第１配管９ａに第１弁１５が取り付けられ、第１バイパス配管９ｂには第２弁１６が取り付けられ、第２配管９ｃには第３弁１７が取り付けられ、第３配管９ｄには第４弁１８が取り付けられ、第４配管９ｅには第５弁１９が取り付けられ、そして、第５配管９ｆには第６弁２０が取り付けられている。
【００６０】
また、第１処理液用タンク２１と第２処理液用タンク２２が接続された供給配管２３には、第１１弁２８が取り付けられている。
【００６１】
なお、本実施の形態１のレジスト除去処理で使用する処理液１０は、一例として、非塩素系の剥離液である。ただし、処理液１０は、この剥離液に限定されるものではない。
【００６２】
そして、レジスト除去装置６を用いて複数の半導体ウエハ１に対してレジスト除去処理を行う場合には、図７に示すように、まず、供給配管２３の第１１弁２８を開いて、第１処理液用タンク２１に収容された処理液１０（本実施の形態１では、非塩素系の剥離液）を所定量レジスト除去槽７に供給する。そして、第１弁１５および第５弁１９を開くとともに、第２弁１６、第３弁１７、第４弁１８および第６弁２０を閉じる。
【００６３】
この状態でポンプ１２によってレジスト除去槽７内の処理液１０を、オーバーフロー部７ｂと接続された第３配管９ｄを介して吸引（吸い出す）し、さらに、送り方向Ｌに処理液１０を送り出し、第３配管９ｄと、第４配管９ｅと、第１配管９ａとを用いてレジスト除去槽７の処理液１０を循環させる。その際、ヒータ１３によって処理液１０を所望の温度（例えば１０５℃）に加熱する。処理液１０が所望の温度に加熱されたら、リフター１１に搭載された複数の半導体ウエハ１をリフター１１ごとレジスト除去槽７内の処理液１０中に浸漬して複数の半導体ウエハ１のレジスト除去処理を開始する。このレジスト除去処理は、例えば、１０５℃で１０分行う。
【００６４】
レジスト除去処理時には、循環される処理液１０がレジスト除去槽７内にて噴流管８の複数の孔部８ａから層状に噴流されるため、各半導体ウエハ１に形成された図２に示すレジスト膜２ｇを除去することができる。
【００６５】
所定時間、半導体ウエハ１のレジスト除去処理を行った後、リフター１１ごと処理液１０中から半導体ウエハ１を引き上げる。
【００６６】
次に、リフター１１ごと複数の半導体ウエハ１を、図８に示す第１洗浄槽２９内の洗浄液３２に浸漬して各半導体ウエハ１の洗い流し（リンス）を行う。なお、洗浄液３２は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等であり、第１洗浄槽２９による洗浄時間は、例えば１０分である。
【００６７】
第１洗浄槽２９による洗浄後、リフター１１ごと複数の半導体ウエハ１を引き上げ、次の第２洗浄槽３０内の洗浄液３２に各半導体ウエハ１をリフター１１ごと移す。第２洗浄槽３０内の洗浄液３２も、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等であり、第２洗浄槽３０においても１０分程度各半導体ウエハ１を洗浄液３２に浸漬する。
【００６８】
第２洗浄槽３０による洗浄後、第２洗浄槽３０から第３洗浄槽３１に各半導体ウエハ１をリフター１１ごと移す。第３洗浄槽３１には純水３３が収容されている。第３洗浄槽３１における各半導体ウエハ１の洗浄も、例えば１０分程度である。
【００６９】
第３洗浄槽３１による洗浄後、第３洗浄槽３１の純水３３からリフター１１ごと各半導体ウエハ１を引き上げ、この状態で各半導体ウエハ１にＩＰＡおよびＮ2 を吹き付けて各半導体ウエハ１の乾燥を行う。
【００７０】
以上により、各半導体ウエハ１へのレジスト除去処理を終了する。
【００７１】
次に、レジスト除去装置６における排液について説明する。
【００７２】
なお、レジスト除去処理を終えたレジスト除去槽７内の噴流管８には、図７に示すように、その管内に、生成物（異物）４が付着しており、この状態で排液を行う。
【００７３】
ここで、本願発明者が比較検討を行った図１４に示すレジスト除去装置５０とレジスト除去装置５０による排液処理について説明する。図１４は比較例のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図、図１５は比較例のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスを示す概念図、図１６は比較例のレジスト除去装置を用いた排液処理の第２ステップのシーケンスを示す概念図である。
【００７４】
まず、図１４に示す比較例のレジスト除去装置５０について説明すると、レジスト除去装置５０は、図７に示すレジスト除去装置６と同様の構造のものであるが、レジスト除去装置６が備えているバイパス配管である第１バイパス配管９ｂを備えていないものである。
【００７５】
そこで、図１４に示すレジスト除去装置５０を用いたレジスト除去処理後の排液処理について説明する。レジスト除去装置５０を用いてレジスト除去処理を行うと、図１４に示すように、噴流管８の内部に生成物４が付着する。この状態で排液処理を行う。
【００７６】
図１４のレジスト除去装置５０では、排液処理において、まず、図１５に示すようなレジスト除去槽７の排液を行う。レジスト除去槽７の排液では、ポンプ１２を駆動させずに、処理液１０の重力落下のみにより、オーバーフロー部７ｂに接続された第３配管９ｄと、レジスト除去槽７の底部近傍に接続された第２配管９ｃと、から排液を行う。この槽排液では、レジスト除去槽７内の処理液１０が略無くなるまで排液を行う。
【００７７】
槽排液の後、図１６に示す循環配管排液を行う。循環配管排液は、配管９の内部の清掃を兼ねている。まず、供給配管２３の第１１弁２８を開いて、第１処理液用タンク２１に収容された処理液１０（本実施の形態１では、非塩素系の剥離液）を所定量レジスト除去槽７に供給する。そして、ポンプ１２を駆動させてレジスト除去槽７内の処理液１０を、オーバーフロー部７ｂと接続された第３配管９ｄを介して吸引（吸い出す）し、さらに、送り方向Ｌに処理液１０を送り出し、第３配管９ｄと、第４配管９ｅと、第１配管９ａとを用いてレジスト除去槽７の処理液１０を循環させる。ただし、同時に排液も行うため、第３配管９ｄおよび第５配管９ｆを介して排液タンク１４に処理液１０を排液する。さらに、レジスト除去槽７内の処理液１０は、第２配管９ｃを介して重力落下によっても排液タンク１４に排液される。
【００７８】
以上により、レジスト除去装置５０におけるレジスト除去処理後の排液処理を終える。なお、上記循環配管排液では、噴流管８において複数の孔部８ａを介して噴流管８の内部からレジスト除去槽７内に向けて（Ｔ２方向に）循環中の処理液１０を噴流している。
【００７９】
したがって、生成物４の大きさが孔部８ａの大きさより大きくなると、生成物４は孔部８ａを通過できなくなる。その結果、生成物４は、噴流管８内に付着して残留し、かつ孔部８ａを塞いでしまう。噴流管８の孔部８ａが生成物４によって塞がれると、レジスト除去工程において、レジスト除去槽７内で処理液１０の正常な層流が得られなくなり、その結果、図２に示す半導体ウエハ１の表面にレジスト膜２ｇが残留してしまう。なお、ウエハプロセスパッケージ５の製造工程のレジスト除去工程で除去されるレジスト膜２ｇの厚さは、例えば１０数μｍであり、比較的厚いレジスト膜２ｇであるため、噴流管８の孔部８ａに詰まり易い。
【００８０】
これにより、図５に示すＣｕ層２ｈｂをエッチングする工程で、残留した上記レジスト膜２ｇがマスクとなってＣｕ層２ｈｂ（配線）が残り、ウエハ上に不必要な配線部分が残留することになる。その結果、製品不良を引き起こすという課題を見出した。
【００８１】
そこで、図７に示す本実施の形態１のレジスト除去装置６では、上記レジスト膜２ｇを除去した後のレジスト除去槽７内の処理液１０の排液時に、ポンプ１２によって、レジスト除去槽７内の処理液１０を噴流管８に設けられた複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出し（吸引し）、かつ噴流管８内に残留している生成物（異物）４を処理液１０とともに噴流管８内から排出させる。
【００８２】
その結果、噴流管８の複数の孔部８ａに生成物４が入り込んで孔部８ａを塞ぐことを回避でき、レジスト除去工程において、レジスト除去槽７内で処理液１０の正常な層流を形成することができる。これにより、図２に示す半導体ウエハ１の表面にレジスト膜２ｇが残留することを無くすことができる。
【００８３】
その結果、例えば、図５に示すＣｕ層２ｈｂをエッチングする工程で、上記レジスト膜２ｇが残留していることを無くせるため、ウエハ上に不必要な配線部分が残留することも無くすことができる。
【００８４】
次に、図７に示す本実施の形態１のレジスト除去装置６による排液処理について説明する。図１０は実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスの一例を示す概念図、図１１は実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第２ステップのシーケンスの一例を示す概念図、図１２は実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の第３ステップのシーケンスの一例を示す概念図である。また、図１３は実施の形態１のレジスト除去装置を用いた排液処理の全体シーケンスの一例を示すデータ図である。
【００８５】
本実施の形態１のレジスト除去装置６では、レジスト除去処理後の排液処理を、シーケンス制御による３つのステップに分けて行う。なお、処理液１０は、例えば、非塩素系の剥離液である。図７に示す本実施の形態１のレジスト除去装置６には、ヒータ１３を迂回するようにレジスト除去槽７とヒータ１３との間にバイパス配管である第１バイパス配管９ｂが接続されている。これは、ポンプ１２によって送り方向Ｌに流れるようにレジスト除去槽７から処理液１０を吸引する（引き出す）際に、可能な限りレジスト除去槽７に近い箇所に第１バイパス配管９ｂを接続するものであり、これによってレジスト除去槽７から処理液１０を大きな吸引力で引き出すことができる。
【００８６】
また、処理液１０の吸引経路にヒータ１３を介在させてしまうと、処理液１０を吸引した際にヒータ１３で生成物（異物）４がつっかえてしまうという問題が生じる。したがって、レジスト除去装置６では、レジスト除去槽７とヒータ１３との間にバイパス配管である第１バイパス配管９ｂの一端（吸引側）が接続されており、これにより、処理液１０を吸引した際に、ヒータ１３で生成物４がつっかえるという問題の発生を回避することができる。
【００８７】
まず、図１０に示す排液処理の第１ステップについて説明する。なお、処理液１０の温度は、レジスト除去処理終了後もレジスト除去処理時の温度（例えば、１０５℃）が保たれており、レジスト除去処理時の温度と略同じ温度で第１ステップの排液処理を開始する（図１３に示す液交換開始Ｓ点）。
【００８８】
そして、図１０に示す第１ステップでは、第１弁１５、第３弁１７、第４弁１８および第５弁１９を閉じ、かつ第２弁１６および第６弁２０を開いた状態とする。
【００８９】
この状態で、ポンプ１２によって送り方向Ｌに処理液１０が流れるように処理液１０の吸引（引き出し）を開始する。これにより、レジスト除去槽７の処理液１０は、噴流管８の複数の孔部８ａを介してＴ１方向に吸引され（引き出され）、第１バイパス配管９ｂ、第４配管９ｅおよび第５配管９ｆを通って排液タンク１４に排液される。すなわち、レジスト除去槽７内の処理液１０は、レジスト除去槽７内の噴流管８に設けられた複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出される。その際、レジスト除去槽７内の処理液１０が、噴流管８の複数の孔部８ａを介してＴ１方向に吸引されるため、孔部８ａに詰まっている生成物４や噴流管８の内壁に付着している生成物４も処理液１０とともに噴流管８内から排出され、排液タンク１４に排出される。
【００９０】
なお、排液処理の第１ステップにおいては、レジスト除去処理時の温度（例えば、１０５℃）と略同じ温度で排液処理を開始する。これは、処理液１０の温度が高いうちに排液処理の第１ステップを行うことで、処理液１０の温度低下による異物析出を防止するためである。つまり、処理液１０の温度が低下すると異物が析出してレジスト除去槽７や噴流管８の内壁に付着するためであり、処理液１０の温度が高いうちに排液処理の第１ステップを行うことが好ましく、さらに排液処理全体を処理液１０の温度が高いうちに終えることがより好ましい。
【００９１】
なお、排液処理の第１ステップを行っている時間（図１３に示すＲ部の時間であり、または噴流管内吸引を行っている時間）は、例えば、６０秒程度（約１分）であり、この６０秒で、レジスト除去槽７内の処理液１０の量を大凡１／３程度抜く（減らす）。すなわち、レジスト除去槽７内の処理液１０の量が排液処理開始時点から３／２程度の量となるまで、第１ステップを行う。そして、第１ステップの終了は、ポンプ１２の駆動を停止することにより行う。すなわち、ポンプ１２を停止して処理液１０の吸引を終える。この時の処理液１０の温度は、図１３のＲ部の終点部Ｑであり、例えば１００℃である。
【００９２】
排液処理における第１ステップ終了後、第２ステップを開始する。第２ステップは、槽排液であり、図１１に示す状態で行われる。すなわち、第２ステップの槽排液では、ポンプ１２を駆動させずに、処理液１０の重力落下のみで槽排液を行う。
【００９３】
まず、オーバーフロー部７ｂから処理液１０が溢れる程度まで、第１処理液用タンク２１の処理液１０をレジスト除去槽７内に供給する。
【００９４】
処理液１０の供給完了後、第１弁１５および第２弁１６を閉じ、第３弁１７、第４弁１８、第５弁１９および第６弁２０を開いた状態として、オーバーフロー部７ｂに接続された第３配管９ｄと、レジスト除去槽７の底部近傍に接続された第２配管９ｃと、からそれぞれ重力落下で槽排液を行う。この槽排液では、レジスト除去槽７内の処理液１０が略無くなるまで排液を行う。
【００９５】
排液処理の第２ステップ終了後、第３ステップを開始する。第３ステップは、循環配管排液であり、図１２に示す状態で行われる。なお、循環配管排液は、配管９の内部の清掃を兼ねている。まず、供給配管２３の第１１弁２８を開いて、第１処理液用タンク２１に収容された処理液１０を所定量レジスト除去槽７に供給する。処理液１０の供給完了後、第２弁１６のみを閉じ、第１弁１５、第３弁１７、第４弁１８、第５弁１９および第６弁２０を開いた状態とする。そして、ポンプ１２を駆動させてレジスト除去槽７内の処理液１０を、オーバーフロー部７ｂと接続された第３配管９ｄを介して吸引し（吸い出し）、さらに、送り方向Ｌに処理液１０を送り出し、第３配管９ｄと、第４配管９ｅと、第１配管９ａとを用いてレジスト除去槽７の処理液１０を循環させる。ただし、同時に排液も行うため、第３配管９ｄおよび第５配管９ｆを介して排液タンク１４に処理液１０を排液する。さらに、レジスト除去槽７内の処理液１０は、第２配管９ｃを介して重力落下によっても排液タンク１４に排液される。
【００９６】
以上により、レジスト除去装置６における排液処理を終える。なお、排液処理は、合計（第１ステップ＋第２ステップ＋第３ステップ）で、例えば１０分程度である（図１３に示す排液の部分）。そして、この排液処理の終了時点Ｖの処理液１０の温度は、図１３に示すように例えば８０℃である。
【００９７】
排液処理終了後、第１処理液用タンク２１からレジスト除去槽７に処理液１０を供給する図１３に示す液供給を行い、所望の処理液１０を供給した後、処理液１０をヒータ１３で所定の温度（例えば、１０５℃）になるまで加熱しつつ循環させる循環温調を行い、上記所定の温度に到達した時点で液交換を終了する。
【００９８】
以上により、図３に示すレジスト除去・ウエットエッチを終了する。
【００９９】
上記レジスト除去・ウエットエッチ後、図３に示すポリイミド層パターンニングを行う。このポリイミド層パターンニングでは、再配置配線２ｅ上にポリイミド層２ｆを形成し、パターンニングによって再配置配線２ｅの一部の上方を開口させる。これにより、ポリイミド層２ｆに開口部２ｍが形成され、この開口部２ｍに再配置配線２ｅ上のＮｉ膜２ｎの一部が露出する。すなわち、開口部２ｍには、再配置配線２ｅの上層の膜であるＮｉ膜２ｎが露出した状態となる。
【０１００】
上記ポリイミド層パターンニング後、図３に示す無電解Ａｕめっき形成を行う。この無電解Ａｕめっき形成では、ポリイミド層２ｆの開口部２ｍに露出したＮｉ膜２ｎ上に、無電解Ａｕめっきにより、Ａｕ膜２ｋを形成する。これにより、再配置配線２ｅ上に形成されたＡｕ膜２ｋ（Ｎｉ／Ａｕ膜）は、ポリイミド層２ｆの開口部２ｍに露出する。
【０１０１】
なお、このＡｕ膜２ｋは、下層のＮｉ膜２ｎの酸化防止と、半田との濡れ性を確保する（半田バンプ３の接合性を高める）ためのものである。
【０１０２】
また、本実施の形態１では、無電解めっきによってＡｕ膜２ｋを形成している。無電解めっきは、電界めっきに比べて電界用の配線を形成しなくて済むため、Ａｕ膜２ｋ形成のためのコストの低減化を図ることができる。
【０１０３】
上記無電解Ａｕめっき形成後、図６に示す半田バンプ搭載を行う。ここでは、Ａｕ膜２ｋ上に半田ボールを配置し、その後、リフローを行って上記半田ボールを溶融して半田バンプ３を形成するとともに、半田バンプ３をＡｕ膜２ｋに接合する。
【０１０４】
以上により、図６に示す半田バンプ搭載を完了する。
【０１０５】
上記半田バンプ搭載後、図６に示すダイシングを行って、半導体ウエハ１からそれぞれの半導体チップ２を切り出す。
【０１０６】
そして、ダイシングによって個片化が行われ、図１に示すウエハプロセスパッケージ５の組み立て完了となる。
【０１０７】
本実施の形態１のレジスト除去装置６を用いたウエハプロセスパッケージ５の製造方法によれば、図２に示すレジスト膜２ｇを除去した後のレジスト除去槽７内の処理液１０の排液時に、ポンプ１２によって、レジスト除去槽７内の処理液１０を噴流管８に設けられた複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出す（吸引する）。そして、この処理液１０を吸引することにより、噴流管８の孔部８ａに詰まっている生成物（異物）４や噴流管８の内壁に付着している生成物（異物）４を、処理液１０とともに噴流管８内から排出させ、そして、排液タンク１４に排出することができる。
【０１０８】
その結果、噴流管８の複数の孔部８ａに生成物４が詰まって孔部８ａを塞ぐことが無くなるため、レジスト除去工程において、レジスト除去槽７内で処理液１０の正常な層流を形成することができる。これにより、図２に示す半導体ウエハ１の表面にレジスト膜２ｇが残留することを無くすことができる。
【０１０９】
これにより、例えば、図５に示すＣｕ層２ｈｂをエッチングする工程で、上記レジスト膜２ｇが残留していることを無くせるため、ウエハ上に不必要な配線部分が残留することも無くすことができる。
【０１１０】
その結果、ウエハプロセスパッケージ５の品質を高めることができるとともに、ウエハプロセスパッケージ５の生産性を高めることができる。さらに、ウエハプロセスパッケージ５の信頼性を高めることができる。
【０１１１】
（実施の形態２）
図１７は実施の形態２のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図、図１８は実施の形態２のレジスト除去装置を用いた排液処理の第１ステップのシーケンスの一例を示す概念図、図１９は比較例のレジスト除去装置の要部の構造を示す概念図である。
【０１１２】
本実施の形態２では、レジスト除去装置にフィルタが設けられている場合のレジスト除去方法とレジスト除去後の排液処理について説明する。
【０１１３】
まず、図１９に示す本願発明者が比較検討を行った比較例のレジスト除去装置６０について説明する。レジスト除去装置６０は、図１４に示す比較例のレジスト除去装置５０と同様の構造のものであるが、第１配管９ａのレジスト除去槽７とヒータ１３との間の位置にフィルタ３４を介在させたものである。なお、フィルタ３４を迂回するバイパス配管である第２バイパス配管９ｇは設けられているが、実施の形態１の図７に示すレジスト除去装置６に設けられているようなヒータ１３のバイパス配管である第１バイパス配管９ｂは、設けられていない。
【０１１４】
なお、フィルタ３４は、ポンプ１２やヒータ１３で異物が発生することをある程度考慮してレジスト除去槽７内に上記異物が入り込まないように可能な限りレジスト除去槽７に近い箇所に設けることが好ましい。つまり、配管９のレジスト除去槽７に可能な限り近い箇所にフィルタ３４を設けることにより、上記異物が排除された処理液１０をレジスト除去槽７に送り込むことができる。
【０１１５】
図１９に示す比較例のレジスト除去装置６０を用いた場合、レジスト除去処理後の排液処理では、図１５および図１６に示す実施の形態１の比較例と同じシーケンスを行う。すなわち、図１５に示すようなレジスト除去槽７の排液を行い、その後、図１６に示すような循環配管排液を行う。そして、図１６に示す循環配管排液では、噴流管８において複数の孔部８ａを介して噴流管８の内部からレジスト除去槽７内に向けて循環中の処理液１０を噴流しているため、噴流管８の孔部８ａを通過できなくなった生成物４が孔部８ａを塞いでしまう。噴流管８の孔部８ａが生成物４によって塞がれると、レジスト除去工程において、レジスト除去槽７内で処理液１０の正常な層流が得られなくなり、その結果、図２に示す半導体ウエハ１の表面にレジスト膜２ｇが残留してしまうという実施の形態１と同様の現象に至る。これにより、実施の形態１と同様に、図５に示すＣｕ層２ｈｂをエッチングする工程で、残留した上記レジスト膜２ｇがマスクとなってＣｕ層２ｈｂ（配線）が残り、ウエハ上に不必要な配線部分が残留し、その結果、製品不良に至るという課題が発生する。
【０１１６】
そこで、本実施の形態２の図１７に示すレジスト除去装置４０では、フィルタ３４のバイパス配管である第２バイパス配管９ｇに加えてヒータ１３のバイパス配管である第１バイパス配管９ｂも設けられている。詳細には、第１配管９ａにおけるヒータ１３とフィルタ３４との間に第１バイパス配管９ｂの一端が接続され、さらに、第１配管９ａには、第１バイパス配管９ｂの第１配管９ａとの接続部Ｕとレジスト除去槽７との間に、フィルタ３４を迂回して処理液１０を流す第２バイパス配管９ｇが接続されている。
【０１１７】
したがって、レジスト除去装置４０によるレジスト除去処理では、実施の形態１の図７の動作と同様に、ポンプ１２によってレジスト除去槽７内の処理液１０を、オーバーフロー部７ｂと接続された第３配管９ｄを介して吸引（吸い出す）し、さらに、送り方向Ｌに処理液１０を送り出し、第３配管９ｄと、第４配管９ｅと、第１配管９ａとを用いてレジスト除去槽７の処理液１０を循環させる。その際、ヒータ１３によって処理液１０を所望の温度（例えば１０５℃）に加熱する。処理液１０が所望の温度に加熱されたら、リフター１１に搭載された複数の半導体ウエハ１をリフター１１ごとレジスト除去槽７内の処理液１０中に浸漬して複数の半導体ウエハ１のレジスト除去処理を開始する。このレジスト除去処理は、例えば、１０５℃で１０分行う。
【０１１８】
レジスト除去処理時には、循環される処理液１０がレジスト除去槽７内にて噴流管８の複数の孔部８ａから層状に噴流されるため、各半導体ウエハ１に形成されたレジスト膜２ｇを除去することができる。
【０１１９】
また、ヒータ１３とレジスト除去槽７との間には、フィルタ３４が設けられており、循環される処理液１０内に含まれる生成物４等の異物をトラップすることができるため、よりクリーンな処理液１０をレジスト除去槽７に供給することができる。
【０１２０】
次に、レジスト除去処理後の排液処理について説明する。本実施の形態２の図１８に示す排液処理は、実施の形態１の図１０に示す第１ステップのシーケンスと同様の方法である。
【０１２１】
すなわち、ポンプ１２によって送り方向Ｌに処理液１０が流れるように処理液１０の吸引（引き出し）を開始する。この時、ヒータ１３とフィルタ３４の部分では、バイパス配管である第１バイパス配管９ｂと第２バイパス配管９ｇを処理液１０が流れるように各弁の開閉をセットする。詳細には、第１弁１５、第３弁１７、第４弁１８、第５弁１９、第７弁２４および第８弁２５を閉じた状態とし、第２弁１６、第６弁２０、第９弁２６および第１０弁２７を開いた状態とする。
【０１２２】
これにより、レジスト除去槽７の処理液１０は、ポンプ１２によって噴流管８の複数の孔部８ａを介してＴ１方向に吸引され（引き出され）、第１配管９ａ、第２バイパス配管９ｇ、第１バイパス配管９ｂ、第４配管９ｅおよび第５配管９ｆを通って排液タンク１４に排液される。すなわち、レジスト除去槽７内の処理液１０は、レジスト除去槽７内の噴流管８に設けられた複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出される。その際、レジスト除去槽７内の処理液１０が、噴流管８の複数の孔部８ａを介してＴ１方向に吸引されるため、孔部８ａに詰まっている生成物４や噴流管８の内壁に付着している生成物４も処理液１０とともに噴流管８内から排出され、排液タンク１４に排出される。
【０１２３】
なお、本実施の形態２の排液処理のステップ１のシーケンスにおけるその他の動作については、実施の形態１の排液処理のステップ１のシーケンスと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２４】
また、本実施の形態２の排液処理においても、ステップ１のシーケンス後に、ステップ２およびステップ３のシーケンスを行うが、その内容は実施の形態１のものと同様なため、ステップ２およびステップ３のシーケンスについての説明は省略する。
【０１２５】
本実施の形態２のレジスト除去装置４０を用いたウエハプロセスパッケージ５の製造方法によれば、実施の形態１と同様に、図２に示すレジスト膜２ｇを除去した後のレジスト除去槽７内の処理液１０の排液時に、ポンプ１２によって、レジスト除去槽７内の処理液１０を噴流管８に設けられた複数の孔部８ａを介してレジスト除去槽７から吸い出す（吸引する）。そして、この処理液１０を吸引することにより、噴流管８の孔部８ａに詰まっている生成物（異物）４や噴流管８の内壁に付着している生成物４を、処理液１０とともに噴流管８内から排出させ、そして、排液タンク１４に排出することができる。
【０１２６】
その結果、噴流管８の複数の孔部８ａに生成物４が詰まって孔部８ａを塞ぐことが無くなるため、レジスト除去工程において、レジスト除去槽７内で処理液１０の正常な層流を形成することができる。これにより、図２に示す半導体ウエハ１の表面にレジスト膜２ｇが残留することを無くすことができる。
【０１２７】
本実施の形態２のように、配管９にフィルタ３４やヒータ１３が設けられているレジスト除去装置４０を使用した場合であっても、それぞれのバイパス配管である第２バイパス配管９ｇや第１バイパス配管９ｂが設けられたことで、排液処理時にポンプ１２によってレジスト除去槽７内の処理液１０を吸引することができ、噴流管８の複数の孔部８ａに詰まった生成物４を除去することができる。
【０１２８】
これにより、実施の形態１と同様に、例えば、図５に示すＣｕ層２ｈｂをエッチングする工程で、上記レジスト膜２ｇが残留していることを無くせるため、ウエハ上に不必要な配線部分が残留することも無くすことができる。
【０１２９】
その結果、ウエハプロセスパッケージ５の品質を高めることができるとともに、ウエハプロセスパッケージ５の生産性を高めることができる。さらに、ウエハプロセスパッケージ５の信頼性を高めることができる。
【０１３０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１３１】
例えば、上記実施の形態１において説明した排液処理のステップ１、２および３については、ステップ１を必ずしも最初に行う必要はなく、ステップ２と３の間にステップ１を行ってもよい。また、ステップ１、２を行ってステップ３は省略してもよいし、あるいはステップ１、３を行ってステップ２を省略してもよい。すなわち、少なくともステップ１と、ステップ２または３のうちの何れか一方と、を行えばよい。
【０１３２】
ただし、ステップ１は、レジスト除去処理の温度に近い温度で行うことが好ましく、したがって、レジスト除去処理後、最初にステップ１を行うことが好ましい。また、ステップ３は、全ての配管９の排液を行うため、最終ステップに行うことが好ましい。
【０１３３】
また、上記実施の形態１および２は、ウエハプロセスパッケージ５の製造工程におけるレジスト除去工程を取り上げて説明したが、金バンプ形成プロセスに適用することも可能である。
【符号の説明】
【０１３４】
１  半導体ウエハ（半導体基板、ウエハ）
２  半導体チップ
２ｅ  再配置配線（配線）
２ｇ  レジスト膜
４  生成物（異物）
５  ウエハプロセスパッケージ（半導体装置）
６  レジスト除去装置
７  レジスト除去槽
８  噴流管
８ａ  孔部
９ｂ  第１バイパス配管
９ｇ  第２バイパス配管
１０  処理液
１２  ポンプ
１３  ヒータ
３４  フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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