(57)【要約】【課題】低コストで成膜可能な真空成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】本発明のＡＬＤ成膜装置１００は、反応室１１を構成する２つのチャンバー部材１２ａ，１２ｂと、反応室１１を真空にするための真空ポンプ１３と、原料ガスを反応室１１に供給するための原料ガス供給部１４と、酸化剤を反応室１１に供給するための酸化剤供給部１５と、を備え、一方のチャンバー部材１２ａに表示パネル２０の一側が当接し、且つ、他方のチャンバー部材１２ｂに表示パネル２０の他側が当接した状態で、真空ポンプ１３の吸引によって反応室１１が真空とされ、原料ガスと酸化剤とが反応して表示パネル２０が成膜される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室に原料ガスと酸化剤とを供給して、前記原料ガスと前記酸化剤との反応によって前記反応室内に配置した基板が成膜されるための真空成膜装置であって、
前記反応室を構成する２つのチャンバー部材と、
前記反応室を真空にするための真空ポンプと、
前記原料ガスを前記反応室に供給するための原料ガス供給部と、
前記酸化剤を前記反応室に供給するための酸化剤供給部と、を備え、
一方の前記チャンバー部材に前記基板の一側が当接し、且つ、他方の前記チャンバー部材に前記基板の他側が当接した状態で、
前記真空ポンプの吸引によって前記反応室が真空とされ、前記原料ガスと前記酸化剤とが反応して前記基板が成膜されることを特徴とする真空成膜装置。
【請求項２】
２つの前記チャンバー部材は、前記基板よりも高い線膨張係数を有していることを特徴とする請求項１に記載の真空成膜装置。
【請求項３】
２つの前記チャンバー部材は、前記基板に当接する当接部を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空成膜装置。
【請求項４】
２つの前記チャンバー部材は、成膜処理温度以上の耐熱温度を有し、且つ、前記原料ガスおよび前記酸化剤に対して耐性を持っていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の真空成膜装置。
【請求項５】
反応室に原料ガスと酸化剤とを供給して、前記原料ガスと前記酸化剤との反応によって前記反応室内に配置した基板が成膜する成膜方法であって、
前記反応室を構成する２つのチャンバー部材の一方の前記チャンバー部材が前記基板の一側に対して離間した状態で、他方の前記チャンバー部材に前記基板の他側が当接して前記基板を支持する支持工程と、
他方の前記チャンバー部材に前記基板が当接した状態で、一方の前記チャンバー部材が前記基板の一側に当接する当接工程と、
前記反応室が真空とされた状態で、前記反応室に供給された前記原料ガスと前記反応室に供給された前記酸化剤とが反応して前記基板に成膜する成膜工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
前記成膜工程では、前記反応室内を処理温度まで昇温する昇温工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記成膜工程では、前記反応室内の圧力を制御するために、不活性ガスを供給するガス供給工程を含むことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記成膜工程では、前記原料ガスが有機金属気化ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、前記酸化剤が水蒸気と不活性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記成膜工程では、前記処理温度が５０℃以上１５０℃以下であることを特徴とする請求項６に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空成膜装置およびこの真空成膜装置を用いた成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特許文献１に記載されているように、開口部を有するマスクを使用した真空成膜装置および成膜方法（ＡＬＤ法：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、原子層堆積法）が知られていた。しかし、マスクと基板との密着性が悪いため、基板の成膜しない部分にも成膜されてしまうという問題があった。
そのため、特許文献２では、基板表面における薄膜を形成しない部分にあらかじめ、高級飽和炭化水素や高級脂肪酸、シリコーンオイル等の低揮発性の有機物からなる有機物層を形成しておき、成膜後、有機物層を除去することで、薄膜を形成しない部分への成膜を防止する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９７８号公報
【特許文献２】特開２００４−６４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２に記載の成膜方法では、薄膜を形成しない部分をマスクする有機物層の形成工程や成膜後の有機物層の除去工程が必要となり、成膜の製造コストが高くなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る真空成膜装置は、反応室に原料ガスと酸化剤とを供給して、前記原料ガスと前記酸化剤との反応によって前記反応室内に配置した基板が成膜されるための真空成膜装置であって、前記反応室を構成する２つのチャンバー部材と、前記反応室を真空にするための真空ポンプと、前記原料ガスを前記反応室に供給するための原料ガス供給部と、前記酸化剤を前記反応室に供給するための酸化剤供給部と、を備え、一方の前記チャンバー部材に前記基板の一側が当接し、且つ、他方の前記チャンバー部材に前記基板の他側が当接した状態で、前記真空ポンプの吸引によって前記反応室が真空とされ、前記原料ガスと前記酸化剤とが反応して前記基板が成膜されることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、一方のチャンバー部材に基板の一側が当接した状態で、他方のチャンバー部材に基板の他側が当接するように支持されるため、当接面に対し、原料ガスと酸化剤が供給されないこととなり、基板において、当接面以外の成膜領域にのみに選択的に成膜することができる。
従って、マスクの形成工程や除去工程が必要ないため、低コストで成膜領域を区画可能な真空成膜装置を提供することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の真空成膜装置において、２つの前記チャンバー部材は、前記基板よりも高い線膨張係数を有していることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、チャンバー部材は基板よりも高い線膨張係数を有しているため、成膜工程において成膜温度が与えられた時に、チャンバー部材と、基板との当接面の密着性を高めることとなり、これによって、当接面に対する原料ガスと酸化剤の供給を遮断することができる。
従って、当接面に成膜される事を防ぐという効果を得ることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の真空成膜装置において、２つの前記チャンバー部材は、前記基板に当接する当接部を有していることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、チャンバー部材は、当接部を任意の形状で任意の位置に配置することにより、基板と当接した際に、当接面であっても、当接部が設けられていない位置に原料ガスと酸化剤とを供給することが可能となり、これによって、当接部の形状に則した成膜部分と非成膜部分ができる。
従って、当接面に区画的に成膜するという効果を得ることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の真空成膜装置において、２つの前記チャンバー部材は、成膜処理温度以上の耐熱温度を有し、且つ、前記原料ガスおよび前記酸化剤に対して耐性を持っていることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、チャンバー部材は成膜処理温度以上の耐熱温度を有し、且つ、原料ガスおよび酸化剤に対して耐性を持っているため、成膜処理温度においても劣化なく使用可能で、且つ、原料ガスおよび酸化剤による劣化なく使用可能となり、これによって、成膜処理温度で、原料ガス及び酸化剤を使用し、当接面を維持することができる。
従って、当接面に成膜される事を防ぐという効果を継続して得ることができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例に係る成膜方法は、反応室に原料ガスと酸化剤とを供給して、前記原料ガスと前記酸化剤との反応によって前記反応室内に配置した基板が成膜する成膜方法であって、前記反応室を構成する２つのチャンバー部材の一方の前記チャンバー部材が前記基板の一側に対して離間した状態で、他方の前記チャンバー部材に前記基板の他側が当接して前記基板を支持する支持工程と、他方の前記チャンバー部材に前記基板が当接した状態で、一方の前記チャンバー部材が前記基板の一側を当接する当接工程と、前記反応室が真空とされた状態で、前記反応室に供給された前記原料ガスと前記反応室に供給された前記酸化剤とが反応して前記基板に成膜する成膜工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、基板が、一方のチャンバー部材と他方のチャンバー部材に当接され、支持されるため、原料ガスと酸化剤とに暴露されない当接面を維持することができ、これによって、基板に成膜部分と非成膜部分を形成することができる。
従って、マスクレスで区画的に成膜可能な成膜方法を提供することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の成膜方法において、前記成膜工程では、前記反応室内を処理温度まで昇温する昇温工程を含むことが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、基板が一方のチャンバー部材と他方のチャンバー部材に当接され、支持された後に昇温されるため、当接部に熱加締めが起こり、当接面への接触圧力を強くすることができ、基板とチャンバー部材との密着性を高めることができる。
従って、マスク効果の高い成膜方法を提供することができる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に記載の成膜方法において、前記成膜工程では、前記反応室内の圧力を制御するために、不活性ガスを供給するガス供給工程を含むことが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、不活性ガスを供給することにより、反応室の圧力を任意に設定することができ、これによって、原料ガスおよび酸化剤の拡散と排気に適した圧力を実現することができる。
従って、原料ガスの種類に即した成膜方法を提供することができる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に記載の成膜方法において、前記成膜工程では、前記原料ガスが有機金属気化ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、前記酸化剤が水蒸気と不活性ガスとの混合ガスであることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、酸化剤に水を用いるＡＬＤ法であるため、酸化力を失活させずに、基板の微細形状に、酸化剤を供給することとなり、これによって、基板の微細形状部にも膜形成をすることができる。
従って、微細形状をもつ基板に対しても成膜可能な成膜方法を提供することができる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例に記載の成膜方法において、前記成膜工程では、前記処理温度が５０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、処理温度が５０℃以上１５０℃以下であるため、基板にかかる熱を１５０℃以下とすることとなり、これによって、基板の熱劣化を抑制することができる。また、原料ガスの気化温度である５０℃以上を選択することにより、基板へ原料ガスが結露することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態１に係る真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図。
【図２】表示パネルを模式的に示す断面図。
【図３】実施形態１に係る真空成膜装置を使用した成膜方法を示すフローチャート図。
【図４】図３中の成膜工程（ステップ４）を詳細に説明するフローチャート図。
【図５】実施形態２に係る真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図。
【図６】図５中のＡ部を拡大した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２６】
（実施形態１）
＜装置構成＞
まず、実施形態１に係る真空成膜装置としてのＡＬＤ成膜装置１００の概略構成について、図１を参照して説明する。
図１は、実施形態１に係る真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、図１は、装置内に基板としての表示パネル２０を支持した状態を示している。
【００２７】
ＡＬＤ成膜装置１００は、反応室１１を構成する底壁１７および天蓋１８と、真空ポンプ１３と、原料ガス供給部１４と、酸化剤供給部１５と、を備えている。
基板としての表示パネル２０が支持される反応室１１には表示パネル２０の一側を当接し支持するための一方のチャンバー部材１２ａと、表示パネル２０の他側を当接する他方のチャンバー部材１２ｂと、を備える。
反応室１１には、配管等を介してドライポンプ等から構成された真空ポンプ１３が接続されており、反応室１１内の気体は、この真空ポンプ１３により、反応室１１外に排気される。
【００２８】
また、反応室１１には、原料ガスを導入する原料ガス供給部１４と、酸化剤を導入する酸化剤供給部１５を備える。反応室１１と原料ガス供給部１４および酸化剤供給部１５との間を接続する配管には、ガスバルブ１６ａ，１６ｂが備えられている。
【００２９】
次に、ＡＬＤ成膜装置１００の反応室１１に支持される表示パネル２０の構造について、図２を参照して説明する。
図２は、表示パネルを模式的に示す断面図である。
表示パネル２０は、ＴＦＴ基板２１と対向基板２２とがシール材２３により接着され、液晶注入部２４が形成されている。なお、液晶注入部２４に対向する領域が表示部２６となる。
【００３０】
シール材２３の液晶注入部２４とは反対側には、ＴＦＴ基板２１と対向基板２２との間隔が１〜１０μｍの狭ギャップ部２５が形成されている。狭ギャップ部２５におけるシール材２３を透過して、大気中水分が液晶注入部２４に侵入することを防ぐため、保護膜などの機能膜を成膜する必要がある。また、表示部２６には、光学特性を劣化させないため、成膜しない事が望ましい。
【００３１】
図１に戻り、反応室１１は、底壁１７と天蓋１８とを含み構成されており、それぞれにチャンバー部材１２ａ，１２ｂを備える。底壁１７と天蓋１８との間隔は、表示パネル２０やチャンバー部材１２ａ，１２ｂの厚さにもよるが、その容積を出来るだけ小さくすることが望ましい。また、底壁１７と天蓋１８とのシール部は真空用Ｏリングなどを用いて封止される。真空ポンプ１３の配管に圧力コントロールバルブなどを取り付け、反応室１１の圧力制御機構を備えてもよい。
【００３２】
表示パネル２０は、反応室１１の天蓋１８を閉め、内部を閉塞した際に、表示パネル２０の当接面４０とチャンバー部材１２ａが当接し、更に他方のチャンバー部材１２ｂと表示パネル２０の他方の当接面４０とが当接するように支持される。チャンバー部材１２ａ、１２ｂは、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂など、耐熱性を有し、かつ、原料ガスおよび酸化剤に耐性を備える材料であることが望ましい。
【００３３】
なお、反応室１１内が減圧されることで、チャンバー部材１２ａとチャンバー部材１２ｂとがより表示パネル２０に当接するため、チャンバー部材１２ａ，１２ｂと表示パネル２０との密着性を高めることができる。
【００３４】
また、チャンバー部材１２ａ，１２ｂは表示パネル２０よりも高い線膨張係数を有している。そのため、成膜の際に成膜温度が与えられた時に、チャンバー部材１２ａ，１２ｂと表示パネル２０との当接面４０の密着性を高めることとなり、これによって、当接面４０に対する原料ガスと酸化剤の供給を遮断することができる。
【００３５】
更に、チャンバー部材１２ａ，１２ｂは成膜処理温度以上の耐熱温度を有し、且つ、原料ガスおよび酸化剤に対して耐性を持っている。そのため、チャンバー部材１２ａ，１２ｂは成膜処理温度においても劣化なく使用可能で、且つ、原料ガスおよび酸化剤による劣化なく使用可能となり、これによって、成膜処理温度で、原料ガス及び酸化剤を使用し、当接面４０を維持することができる。
【００３６】
反応室１１、原料ガス供給部１４、酸化剤供給部１５、およびこれらを接続する配管は加熱機構を備え、５０℃から１５０℃の範囲で温度制御を行う系を備えていてもよい。
【００３７】
以上述べたように、本実施形態に係るＡＬＤ成膜装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、一方のチャンバー部材１２ａに基板である表示パネル２０の一側が当接した状態で、他方のチャンバー部材１２ｂに表示パネル２０の他側が当接するように支持されるため、当接面４０に対し、原料ガスと酸化剤が供給されないこととなり、これによって、表示パネル２０において、保護膜形成が必要な狭ギャップ部２５のみに選択的に成膜することができる。
従って、低コストで成膜領域を区画可能なＡＬＤ成膜装置１００を提供することができる。
【００３８】
また、チャンバー部材１２ａ，１２ｂは表示パネル２０よりも高い線膨張係数を有しているため、成膜の際に成膜温度が与えられた時に、チャンバー部材１２ａ，１２ｂと表示パネル２０との当接面４０の密着性を高めることとなり、これによって、当接面４０に対する原料ガスと酸化剤の供給を遮断することができる。従って、当接面４０に成膜される事を防ぐという効果を得ることができる。
【００３９】
また、チャンバー部材１２ａ，１２ｂは成膜処理温度以上の耐熱温度を有し、且つ、原料ガスおよび酸化剤に対して耐性を持っているため、成膜処理温度においても劣化なく使用可能で、且つ、原料ガスおよび酸化剤による劣化なく使用可能となり、これによって、成膜処理温度で、原料ガス及び酸化剤を使用し、当接面４０を維持することができる。従って、当接面４０に成膜される事を防ぐという効果を継続して得ることができる。
【００４０】
＜成膜方法＞
次に、本実施形態に係るＡＬＤ成膜装置１００を使用した表示パネル２０への成膜方法について、図３を参照して説明する。
図３は、実施形態１に係る真空成膜装置を使用した成膜方法を示すフローチャート図である。
【００４１】
成膜方法は、表示パネル２０の他側を他方のチャンバー部材１２ｂ上に支持する支持工程（ステップ１）と、表示パネル２０の一側を一方のチャンバー部材１２ａが当接するように、天蓋１８と底壁１７とを封止する当接工程（ステップ２）と、底壁１７と天蓋１８からなる反応室１１を真空ポンプ１３により排気する排気工程（ステップ３）と、原料ガスと酸化剤とを反応室１１に供給し、反応室１１に支持される表示パネル２０に原料ガスと酸化剤との反応によって成膜する成膜工程（ステップ４）と、を含んでいる。
【００４２】
本実施形態に係る成膜工程（ステップ４）の詳細について、図４を参照して説明する。
図４は、図３中の成膜工程（ステップ４）を詳細に説明するフローチャート図である。
【００４３】
まず、反応室１１、チャンバー部材１２ａ，１２ｂ、および表示パネル２０が成膜処理温度に達するまで昇温工程（ステップ１１）を行う。成膜処理温度は５０℃以上１５０℃以下が望ましい。
【００４４】
表示パネル２０がチャンバー部材１２ａと他方のチャンバー部材１２ｂに当接され、支持された後に昇温されるため、当接部に熱加締めが起こり、当接面４０への接触圧力を強くすることができ、表示パネル２０とチャンバー部材１２ａ，１２ｂとの密着性を高めることができる。
【００４５】
なお、成膜処理温度を５０℃以上１５０℃以下にすることで、表示パネル２０の熱劣化を抑制し、かつ、反応室１１、チャンバー部材１２ａ，１２ｂ、および表示パネル２０へ原料ガスが結露することを抑制することができる。
【００４６】
次に、酸化剤を導入する酸化剤導入工程（ステップ１２）を行う。ガスバルブ１６ｂを開けて、酸化剤供給部１５より、反応室１１へ酸化剤を導入する。このとき、表示パネル２０の狭ギャップ部２５まで、酸化剤が暴露するために、十分な時間を設定する。酸化剤は水蒸気が望ましい。アルゴンや窒素などの不活性ガスを混合した水蒸気でも良い。酸化剤に水を用いることにより、酸化力を失活させずに、表示パネル２０の微細形状に、酸化剤を供給することとなり、これによって、表示パネル２０の微細形状部にも膜形成をすることができる。従って、微細形状をもつ表示パネル２０に対しても膜形成をすることができる。
【００４７】
続いて、酸化剤を排気する酸化剤パージ工程（ステップ１３）を行う。ガスバルブ１６ｂを閉めて、真空ポンプ１３により、酸化剤を排気する。この時、反応室内に酸化剤が残留しないよう十分な時間を設定する。図には記載していないが別途、アルゴンや窒素などの不活性ガスを導入し、反応室１１内を置換してもよい。
【００４８】
その後、原料ガスを導入する原料ガス導入工程（ステップ１４）を行う。原料ガス供給部１４よりガスバルブ１６ａを開けて、反応室１１へ原料ガスを導入する。このとき、表示パネル２０の狭ギャップ部２５まで、原料ガスが暴露するために、十分な時間を設定する。原料ガスはＴＭＡ、ＴＤＭＡＨ、ＴＢＴＥＭＴなどが望ましい。アルゴンや窒素などの不活性ガスを混合した原料ガスでも良い。
【００４９】
次に、原料ガスを排気する原料ガスパージ工程（ステップ１５）を行う。ガスバルブ１６ａを閉めて、真空ポンプ１３により、原料ガスを排気する。この時、反応室内に原料ガスが残留しないよう十分な時間を設定する。図には記載していないが別途、アルゴンや窒素などの不活性ガスを導入し、反応室１１内を置換してもよい。
以上、ステップ１２からステップ１５までを所望の膜厚になるまで繰り返す。
【００５０】
また、上記ステップ１２からステップ１４を通じて、反応室１１を所望の圧力に維持するため、別途、アルゴンや窒素などの不活性ガスを導入するガス供給工程を設けてもよい。不活性ガスを供給することにより、反応室１１内の圧力を任意に設定することができ、原料ガスおよび酸化剤の拡散と排気に適した圧力を実現することができる。
【００５１】
以上述べたように、本実施形態に係る成膜方法によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、基板としての表示パネル２０が、一方のチャンバー部材１２ａと他方のチャンバー部材１２ｂに当接され、支持されるため、原料ガスと酸化剤とに暴露されない当接面４０を維持することができ、これによって、表示パネル２０に成膜部分と非成膜部分を形成することができる。従って、マスクレスで区画的に成膜可能な成膜方法を提供することができる。
【００５２】
また、反応室１１内を処理温度まで昇温する昇温工程を含んでいるため、表示パネル２０が一方のチャンバー部材１２ａと他方のチャンバー部材１２ｂに当接され、支持された後に昇温することができる。そのため、当接部に熱加締めが起こり、当接面４０への接触圧力を強くすることができ、表示パネル２０とチャンバー部材１２ａ，１２ｂとの密着性を高めることができる。
【００５３】
また、不活性ガスを供給することにより、反応室１１の圧力を任意に設定することができ、これによって、原料ガスおよび酸化剤の拡散と排気に適した圧力を実現することができる。従って、原料ガスの種類に即した成膜方法を提供することができる。
【００５４】
また、酸化剤に水を用いることにより、酸化力を失活させずに、表示パネル２０の微細形状に、酸化剤を供給することとなり、これによって、表示パネル２０の微細形状部にも膜形成をすることができる。従って、微細形状をもつ表示パネル２０に対しても成膜可能な成膜方法を提供することができる。
【００５５】
また、処理温度が５０℃以上１５０℃以下であるため、表示パネル２０にかかる熱を１５０℃以下とすることとなり、これによって、表示パネル２０の熱劣化を抑制することができる。また、原料ガスの気化温度以上であるため、表示パネル２０へ原料ガスが結露することを防ぐことができる。
【００５６】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る真空成膜装置としてのＡＬＤ成膜装置１００ａの概略構成について、図５および図６を参照して説明する。
図５は、実施形態２に係る真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。図６は、図５中のＡ部を拡大した断面図である。
本実施形態は、ＡＬＤ成膜装置１００ａを構成するチャンバー部材１１２ａ，１１２ｂの形状が異なる以外は、前述した実施形態１と同様である。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００５７】
チャンバー部材１１２ａ，１１２ｂに任意の形状で任意の位置に当接部４１を配置し、基板である表示パネル２０と接触する当接部４１と接触しない非当接部４２を設けることで、接触しない非当接部４２にのみ、原料ガス、および酸化剤を供給し、当接部４１の形状に則して選択的に成膜することができる。
【００５８】
以上述べたように、本実施形態に係る真空成膜装置によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
チャンバー部材１１２ａ，１１２ｂは、当接部４１を任意の形状で任意の位置に配置することにより、表示パネル２０と当接した際に、当接面４０であっても、非当接部４２に原料ガスと酸化剤とを供給することが可能となり、これによって、当接部４１の形状に則した成膜部分と非成膜部分ができる。従って、当接面４０に区画的に成膜するという効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１１…反応室、１２ａ，１２ｂ…チャンバー部材、１３…真空ポンプ，１４…原料ガス供給部、１５…酸化剤供給部、１６ａ，１６ｂ…ガスバルブ、１７…底壁、１８…天蓋、２０…表示パネル、２１…ＴＦＴ基板、２２…対向基板、２３…シール材、２４…液晶注入部、２５…狭ギャップ部、２６…表示部、４０…当接面、４１…当接部、４２…非当接部、１００，１００ａ…ＡＬＤ成膜装置、１１２ａ，１１２ｂ…チャンバー部材。
【図１】
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【図２】
2017160508.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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