(57)【要約】【課題】迷光による分光精度の低下を抑制できる干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供する。【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、第一基板５１と、第一基板５１に設けられた第一反射膜５４と、第一反射膜５４に対向する第二反射膜５５と、を備え、第一基板５１の基板表面における、第一反射膜及び第二反射膜と重なり合う光透過領域Ａ１以外の領域の少なくとも一部は、光を散乱させる散乱面ｓｆである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、を備え、
前記第一基板の基板表面における、前記第一反射膜及び前記第二反射膜と重なり合う光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、光を散乱させる散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面に接続する側面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面とは反対側の面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第一基板に対向し、前記第二反射膜が設けられる第二基板を備え、
前記第二基板の基板表面における、前記光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、光を散乱させる散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項６】
請求項５に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面に接続する側面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面とは反対側の面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面は、前記散乱面である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記散乱面の算術平均粗さは、６μｍ以上４０μｍ以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の干渉フィルターと、
前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を備える
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
第一反射膜が設けられた第一基板を形成する基板形成工程と、
前記第一反射膜に対向するように第二反射膜を配置する配置工程と、
前記第一基板の基板表面における、前記第一反射膜及び前記第二反射膜と重なり合う光透過領域以外の領域の少なくとも一部に、光を散乱させる散乱面を形成する散乱面形成工程と、を実施する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記散乱面形成工程は、
前記第一基板を形成するための基材における、前記第一基板の前記第一反射膜が設けられる面に接続する側面に対応する位置に光を照射し、前記基材に改質部を形成する改質工程と、
前記改質部に沿って、前記基材を分割する分割工程と、を実施する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記散乱面形成工程は、ブラスト加工により、前記散乱面を形成する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、対向配置された一対の反射膜を有する干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の干渉フィルターでは、第一反射膜が形成された第一基板と、第二反射膜が形成された第二基板と、を有し、各基板は、光を透過可能な材料（例えばガラス材料）で形成されている。また、各基板には、反射膜の周囲に位置する光吸収層と、当該光吸収層上に位置する金属層とを含む電極が形成されている。このように構成された干渉フィルターでは、各基板に形成された電極間に電位差を生じさせて反射膜間のギャップ寸法を変更することにより、ギャップ寸法に応じた波長の光を透過可能に構成されている。
【０００３】
また、各電極は、金属層よりも基板側に配置された光吸収層を備えるため、その内周縁によって反射膜に入射する光の範囲を規定するアパーチャーとして機能する。すなわち、基板厚み方向から見た平面視において第一反射膜及び第二反射膜が対向する領域外に、基板厚み方向に沿って光が入射したとしても、入射光を光吸収層によって吸収でき、当該光が透過することによる測定精度の低下を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１８２１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の干渉フィルターでは、基板厚み方向に対して角度を持った光が、干渉フィルターに入射した場合、当該光が迷光となり、測定精度が低下するおそれがあった。すなわち、基板や電極や反射膜等の各部材の界面（表面）では、入射光の一部が透過し、一部が反射する場合がある。このため、干渉フィルターに対して角度を有する光が入射すると、一部の光りが、干渉フィルターの各部材の界面（表面）や、さらに、干渉フィルターを筐体に収納して用いる場合は当該筐体の内面等によって反射を繰り返して迷光となり、分光精度が低下するおそれがある。また、このようにして生じた迷光が、受光素子によって受光されると測定精度が低下する。
【０００６】
本発明は、迷光による分光精度の低下を抑制できる干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一適用例に係る干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、を備え、前記第一基板の基板表面における、前記第一反射膜及び前記第二反射膜と重なり合う光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、光を散乱させる散乱面であることを特徴とする。
【０００８】
本適用例では、第一基板の表面のうち、第一反射膜が形成された側の面の法線方向から見て各反射膜と重なる光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、入射光を散乱させる散乱面である。このような構成では、上記法線方向に角度を有する光が、光透過領域における第一基板の表面や、第一反射膜等の各部材の界面に入射して、上述の迷光が生じたとしても、散乱面によって少なくとも一部の迷光を散乱させることができる。したがって、迷光が、干渉フィルターの各部材の界面で多重反射されて、光透過領域から出射されることによる分光精度の低下を抑制でき、ひいては当該迷光が測定器によって測定されることによる測定精度の低下を抑制できる。
【０００９】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面に接続する側面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第一基板の側面が散乱面である。つまり、第一基板の第一反射膜が設けられる面に対して交差する面が散乱面となる。このような構成では、上述の迷光が、第一基板の側面に入射した際に、当該迷光を散乱させることができ、上述のように分光精度の低下を抑制できる。
【００１０】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面とは反対側の面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第一基板の第一反射膜が設けられる側の面（第一面）と反対側の面（第二面）における光透過領域以外の領域が、散乱面である。このような構成では、第二面の光透過領域以外の領域に入射した光を散乱させることができる。したがって、上記第二面の光透過領域以外の領域に入射した光が、透過したり、反射したりすることを抑制でき、上述の迷光による分光精度の低下を抑制できる。
【００１１】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第一反射膜が設けられる面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第一基板の第一反射膜が設けられる側の面（第一面）における光透過領域以外の領域が、散乱面である。このような構成では、第一面の光透過領域以外の領域に入射した光を散乱させることができる。したがって、上記第一面の光透過領域以外の領域に入射した光が、透過したり、反射したりすることを抑制でき、上述の迷光による分光精度の低下を抑制できる。
【００１２】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一基板に対向し、前記第二反射膜が設けられる第二基板を備え、前記第二基板の基板表面における、前記光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、光を散乱させる散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第二基板の表面のうちの光透過領域以外の領域の少なくとも一部は、入射光を散乱させる散乱面である。このような構成では、第二基板の散乱面に入射した光も散乱させることができる。したがって、上述のように迷光が、干渉フィルターの各部材の界面で多重反射されて、出射されることによる分光精度の低下をより確実に抑制できる。
【００１３】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面に接続する側面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第二基板の側面が散乱面である。このような構成では、上述の迷光が、第二基板の側面に入射した際に、当該迷光を散乱させることができ、上述の迷光による分光精度の低下を抑制できる。
【００１４】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面とは反対側の面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第二基板の第二反射膜が設けられる側の面（第三面）と反対側の面（第四面）における光透過領域以外の領域が、散乱面である。このような構成では、第四面の光透過領域以外の領域に入射した光を散乱させることができる。したがって、上記第四面の光透過領域以外の領域に入射した光が、透過したり、反射したりすることを抑制でき、上述の迷光による分光精度の低下を抑制できる。
【００１５】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第二基板の基板表面における前記光透過領域以外の領域のうち、前記第二反射膜が設けられる面は、前記散乱面であることが好ましい。
本適用例では、第二基板の第一反射膜が設けられる側の面（第三面）における光透過領域以外の領域が、散乱面である。このような構成では、第三面の光透過領域以外の領域に入射した光を散乱させることができる。したがって、上記第三面の光透過領域以外の領域に入射した光が、透過したり、反射したりすることを抑制でき、上述の迷光による分光精度の低下を抑制できる。
【００１６】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記散乱面の算術平均粗さは、６μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
本適用例では、散乱面の算術平均粗さが、６μｍ以上４０μｍ以下である。これにより、例えば、可視光域の波長を有する光を散乱面にて散乱させることができ、上記迷光をより確実に除去することができる。
【００１７】
本発明の一適用例に係る光学モジュールは、上記適用例の干渉フィルターと、前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を備えることを特徴とする。
本適用例の光学モジュールは、上記適用例の干渉フィルターを備える。すなわち、干渉フィルターの第一基板の表面のうち、光透過領域以外の領域の少なくとも一部が、入射光を散乱させる散乱面である。これにより、上述のように法線方向に角度を有する光が干渉フィルターに入射して迷光が生じたとしても、散乱面によって少なくとも一部の迷光を散乱させることができる。したがって、迷光が、干渉フィルターの各部材の界面で多重反射されて、測定器によって測定されることによる測定精度の低下を抑制できる。
【００１８】
本発明の一適用例に係る電子機器は、上記適用例の光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
本適用例の電子機器は、上記適用例の干渉フィルターを備える。すなわち、干渉フィルターの第一基板の表面のうち、光透過領域以外の領域の少なくとも一部が、入射光を散乱させる散乱面である。これにより、上述のように法線方向に角度を有する光が干渉フィルターに入射して迷光が生じたとしても、散乱面によって少なくとも一部の迷光を散乱させることができる。したがって、迷光が、干渉フィルターの各部材の界面で多重反射されて、測定器によって測定されることによる測定精度の低下を抑制できる。
【００１９】
本発明の一適用例に係る干渉フィルターの製造方法は、第一反射膜が設けられた第一基板を形成する基板形成工程と、前記第一反射膜に対向するように第二反射膜を配置する配置工程と、前記第一基板の基板表面における、前記第一反射膜及び前記第二反射膜と重なり合う光透過領域以外の領域の少なくとも一部に、光を散乱させる散乱面を形成する散乱面形成工程と、を実施することを特徴とする。
本適用の干渉フィルターの製造方法では、上記適用例の干渉フィルターを製造することができる。すなわち、第一基板の表面のうちの光透過領域以外の領域の少なくとも一部に、入射光を散乱させる散乱面を形成できる。このように構成された干渉フィルターでは、上述のように法線方向に角度を有する光が干渉フィルターに入射して迷光が生じたとしても、散乱面によって少なくとも一部の迷光を散乱させることができる。したがって、迷光が、干渉フィルターの各部材の界面で多重反射されて出射されることによる分光精度の低下を抑制できる。
【００２０】
本適用例の干渉フィルターの製造方法において、前記散乱面形成工程は、前記第一基板を形成するための基材における、前記第一基板の前記第一反射膜が設けられる面に接続する側面に対応する位置に光を照射し、前記基材に改質部を形成する改質工程と、前記改質部に沿って、前記基材を分割する分割工程と、を実施することが好ましい。
本適用例では、第一基板の側面に散乱面が形成できる。すなわち、基材における側面に対応する位置に光（例えばレーザー光）を照射して、選択的に改質部を形成し、改質部に沿って第一基板を分割する、所謂、ステルスダイシング（登録商標）を実施する。このようにして形成された側面には、ステルスダイシングによる加工痕として散乱面が形成される。したがって、第一基板を分割する際の分割工程を実施することにより、側面に散乱面を形成することができ、第一基板を分割する工程以外に、散乱面を形成する工程を別に実施する必要がなく、製造工程を簡略化できる。
【００２１】
本適用例の干渉フィルターの製造方法において、前記散乱面形成工程は、ブラスト加工により、前記散乱面を形成することが好ましい。
本適用例では、ブラスト加工により散乱面を形成する。これにより、簡易な方法で散乱面を形成することができ、製造効率性を向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】第一実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図３】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。
【図４】第一実施形態の固定基板の概略構成を示す平面図。
【図５】第一実施形態の可動基板の概略構成を示す平面図。
【図６】比較例に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図７】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。
【図８】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける固定基板の製造工程を模式的に示す図。
【図９】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける可動基板の製造工程を模式的に示す図。
【図１０】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける基板分割工程を模式的に示す図。
【図１１】第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図１２】第二実施形態の波長可変干渉フィルターにおける固定基板の製造工程を模式的に示す図。
【図１３】第三実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図１４】本発明の電子機器の一例に係るインクジェットプリンターの概略構成を示すブロック図。
【図１５】本発明の電子機器の一例に係るインクジェットプリンターが備える測定器の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。
【００２４】
［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５を含む光学フィルターデバイス６と、受光部１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、駆動制御部１５とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、波長可変干渉フィルター５に導き、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光部１１で受光する。そして、受光部１１から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。
【００２５】
［光学フィルターデバイスの構成］
図２は、光学フィルターデバイス６の概略構成を示す断面図である。
光学フィルターデバイス６は、入射した検査対象光から、所定の目的波長の光を取り出して射出させる装置であり、筐体６１と、筐体６１の内部に収納される波長可変干渉フィルター５を備えている。
【００２６】
［筐体の構成］
筐体６１は、図２に示すように、ベース６２と、リッド６３と、を備え、内部に波長可変干渉フィルター５を収納する。
ベース６２、セラミック薄層を積層して焼成することで形成されたセラミック基板である。このベース６２は、リッド６３に対向する面に、フィルター平面視において枠状となる側壁部６２１が設けられている。また、ベース６２は、当該側壁部６２１に囲まれて形成された凹部６２２を有する。また、側壁部６２１のリッド６３側の面であるリッド接合面６２１Ａにリッド６３が接合される。
この凹部６２２の底部６２２Ａには、波長可変干渉フィルター５が、後述する可動基板５２を底部６２２Ａ側に向けた状態で載置される。この波長可変干渉フィルター５の可動基板５２が、固定部材６２３によって底部６２２Ａに固定されている。
【００２７】
凹部６２２の底部６２２Ａには、波長可変干渉フィルター５から出射された光（又は波長可変干渉フィルターに入射される光）を通過させるための光通過孔６２４が設けられている。光通過孔６２４には、例えば低融点ガラス等の接合剤により、例えばガラス板等の透光性部材６２５が接合されている。
【００２８】
また、凹部６２２の底部６２２Ａには、波長可変干渉フィルターの電極パッド５６４Ｐ，５６５Ｐに接続される内部端子６２２Ｂが設けられている。この内部端子６２２Ｂの形成部分には、例えば筐体６１の外部に貫通する貫通孔６２２Ｃが設けられ、当該貫通孔６２２Ｃには内部端子６２２Ｂと電気的に接続される例えばＡｕ等の金属部材６２２Ｄが充填されている。この金属部材は、ベース６２の外部に設けられた外部端子６２２Ｅに接続されており、これにより、内部端子６２２Ｂと外部端子６２２Ｅとが電気接続されている。
【００２９】
リッド６３は、フィルター平面視において、ベース６２と同様の矩形状の外形を有し、光を透過可能なガラスによって形成されている。このリッド６３は、ベース６２に波長可変干渉フィルター５が配置された状態で、リッド接合面６２１Ａに接合される。
【００３０】
［波長可変干渉フィルターの構成］
図３は、第一実施形態に係る波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。なお、図２では、図３におけるＡ−Ａ線に対応する位置での光学フィルターデバイスの断面を図示している。
また、図４は、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１を可動基板５２側から見た際の概略構成を示す平面図である。
また、図５は、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２を固定基板５１側から見た際の概略構成を示す平面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２及び図３に示すように、透光性の固定基板５１（本発明の第一基板に相当）及び可動基板５２（本発明の第二基板に相当）を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、これらの固定基板５１及び可動基板５２は、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜５３（第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２）により接合されることで、一体的に構成されている。
【００３１】
固定基板５１の可動基板５２に対向する側の面である対向面５１Ａには、本発明における第一反射膜に相当する固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２の固定基板５１に対向する側の面である対向面５２Ａには、本発明における第二反射膜に相当する可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、ギャップＧを介して対向配置されている。
また、波長可変干渉フィルター５には、ギャップＧの寸法を調整（変更）するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１の対向面５１Ａに設けられた固定電極５６１と、可動基板５２の対向面５２Ａに設けられた可動電極５６２により構成される。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１又は可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定反射膜５４、可動反射膜５５の膜厚方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜５４，５５の中心点をＯで示す。
【００３２】
（固定基板の構成）
固定基板５１は、例えばガラス基板により構成され、可動基板５２に対向する側の対向面５１Ａと、対向面５１Ａとは反対側であり、測定対象Ｘからの測定光Ｌ１が入射される側の光入射面５１Ｂと、これら対向面５１Ａ及び光入射面５１Ｂに接続する側面５１Ｃと、を有する。固定基板５１の一端側（図３における辺Ｃ１−Ｃ２）は、可動基板５２の基板端縁（図３における辺Ｃ５−Ｃ６）よりも外側に突出する。
また、固定基板５１の対向面５１Ａ側には、図４に示すように、例えばエッチング処理等により形成された電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１２が設けられている。
【００３３】
電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、例えば固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成され、電極配置溝５１１の溝底面である電極設置面５１１Ａには、固定電極５６１が設けられている。また、固定基板５１の対向面５１Ａには、電極配置溝５１１から、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４まで連通する電極引出溝５１１Ｂが設けられている。
固定電極５６１は、静電アクチュエーター５６を構成し、可動部５２１の可動電極５６２に対向する。なお、固定電極５６１上に、固定電極５６１及び可動電極５６２の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
また、固定電極５６１の外周縁の一部には、固定引出電極５６３が設けられている。この固定引出電極５６３は、電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４側に向かって設けられた電極引出溝５１１Ｂに沿って引き出されている。さらに、電極引出溝５１１Ｂには、可動基板５２側に向かって突設されたバンプ部５６５Ａ（図３参照）が設けられ、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａ上まで延出する。そして、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａ上で可動基板５２側に設けられた固定接続電極５６５に当接し、電気的に接続される。この固定接続電極５６５は、電極引出溝５１１Ｂに対向する領域から電装面５２４（図３参照）まで延出し、電装面５２４において固定電極パッド５６５Ｐを構成する。
【００３４】
反射膜設置部５１２は、図２に示すように、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出している。
この反射膜設置部５１２の突出先端面には、固定反射膜５４が設けられる。
ここで、固定反射膜５４としては、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜を用いることが好ましい。このようなＡｇ膜やＡｇ合金膜は、可視光域から近赤外域に亘る広い波長範囲に対して高い反射特性を有する。よって、波長可変干渉フィルター５の固定反射膜５４や可動反射膜５５に、Ａｇ膜やＡｇ合金膜を用いることで、広い対象波長域から所望の目標波長を選択して出射させることが可能となる。また、固定反射膜５４として、Ａｇ膜やＡｇ合金膜以外の他の金属反射膜（例えばＡｕ，Ａｌ等）を用いてもよい。
【００３５】
そして、固定基板５１の対向面５１Ａのうち、エッチングにより、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び電極引出溝５１１Ｂが形成されない面は、第一接合部５１３及び外周部５１５を構成する。
第一接合部５１３は、フィルター平面視において電極配置溝５１１を取り囲んでいる。この第一接合部５１３には、第一接合膜５３１（図２参照）が設けられ、この第一接合膜５３１が、可動基板５２に設けられた第二接合膜５３２に接合されることで、上述したように、固定基板５１及び可動基板５２が接合される。
外周部５１５は、フィルター平面視において第一接合部５１３の外側に位置し、対向面５１Ａのうち可動基板５２と対向しない領域に相当する。
【００３６】
ここで、本実施形態において、フィルター平面視において、固定基板５１の表面（対向面５１Ａ、光入射面５１Ｂ、及び側面５１Ｃ）の固定反射膜５４と重なる領域は、測定光を透過させる第一光透過領域Ａ１である。また、第一光透過領域Ａ１以外の領域は、測定光を透過させない第一非透過領域Ａ２である。本実施形態では、測定光が第一非透過領域Ａ２を透過せず、第一光透過領域を透過するように、アパーチャーや各種レンズ等の光学部材によって、測定光の光路が規定されている。
なお、本実施形態では、波長可変干渉フィルター５の反射膜５４，５５に対して垂直に入射光を入射させるため、フィルター平面視において、固定基板５１の光入射面５１Ｂにおいて、フィルター平面視において反射膜５４，５５と重なる領域を第一光透過領域Ａ１としたが、波長可変干渉フィルター５に対する入射角が９０°以外の角度である場合はこの限りではない。すなわち、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角で測定光を入射（又は出射）させる場合、固定基板５１の表面における測定光が入射（又は出射）する領域が第一光透過領域Ａ１となる。
【００３７】
また、固定基板５１の側面５１Ｃは、測定波長（本実施形態では可視光域の波長）の光を散乱可能な砂面ｓｆ（本発明の散乱面に相当）である。本実施形態では、側面５１Ｃの算術平均粗さＲａは、６μｍ以上４０μｍ以下である。側面５１Ｃの算術平均粗さＲａが、６μｍ以上４０μｍ以下の場合、可視光域の波長の光が側面５１Ｃに入射した場合に、入射光を散乱させることができ、当該入射光が側面５１Ｃを透過して迷光となることを抑制できる。
【００３８】
（可動基板の構成）
可動基板５２は、固定基板５１と対向する側の対向面５２Ａと、対向面５２Ａとは反対側の面であり測定光Ｌ１が出射される光出射面５２Ｂと、これら対向面５２Ａ及び光出射面５２Ｂに接続する側面５２Ｃと、を有する。また、可動基板５２は、図３及び図５に示すようなフィルター平面視において、フィルター中心点Ｏを中心とした例えば円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた外周部５２５と、を備えている。
また、可動基板５２には、一端側（辺Ｃ７−Ｃ８）は、固定基板５１の基板端縁（辺Ｃ３−Ｃ４）よりも外側に突出しており、この突出部分により電装面５２４が構成されている。
【００３９】
可動部５２１は、図２に示すように、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置部５１２の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１の対向面５２Ａには、可動反射膜５５、及び可動電極５６２が設けられている。
【００４０】
可動反射膜５５は、可動部５２１の対向面５２Ａの中心部に設けられ、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧを介して対向する。
可動電極５６２は、所定のギャップを介して固定電極５６１に対向し、固定電極５６１と同一形状となる環状に形成されている。この可動電極５６２は、固定電極５６１とともに静電アクチュエーター５６を構成する。また、可動基板５２には、可動電極５６２の外周縁に接続された可動引出電極５６４が設けられている。この可動引出電極５６４は、可動部５２１から、電極引出溝５１１Ｂに対向する領域に沿い、電装面５２４に亘って設けられており、電装面５２４において可動電極パッド５６４Ｐを構成する。
また、可動基板５２には、上述したように、固定接続電極５６５が設けられており、この固定接続電極５６５は、バンプ部５６５Ａを介して固定引出電極５６３に接続されている。
【００４１】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部５２２が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化が抑制される。したがって、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５の撓みも発生しにくく、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００４２】
外周部５２５は、上述したように、フィルター平面視において保持部５２２の外側に設けられている。この外周部５２５の固定基板５１に対向する面は、第一接合部５１３に対向する第二接合部５２３を備えている。そして、この第二接合部５２３には、第二接合膜５３２が設けられ、上述したように、第二接合膜５３２が第一接合膜５３１に接合されることで、固定基板５１及び可動基板５２が接合されている。
【００４３】
ここで、本実施形態では、フィルター平面視において、可動基板５２の表面（対向面５２Ａと、対向面５２Ａとは反対側の面である光出射面５２Ｂと、側面５２Ｃ）の、可動反射膜５５と重なる領域は、測定光を透過させる第二光透過領域Ａ３である。また、第二光透過領域Ａ３以外の領域は、測定光を透過させない第二非透過領域Ａ４である。なお、固定基板５１における第一光透過領域Ａ１と同様、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角で測定光を入射（又は出射）させる場合、可動基板５２の表面における測定光が入射（又は出射）する領域が第二光透過領域Ａ３となる。
【００４４】
また、可動基板５２の側面５２Ｃは、測定波長（本実施形態では可視光域の波長）の光を散乱可能な砂面ｓｆである。本実施形態では、側面５２Ｃの算術平均粗さＲａは、６μｍ以上４０μｍ以下である。側面５２Ｃの算術平均粗さＲａが、６μｍ以上４０μｍ以下の場合、側面５２Ｃに入射した可視光域の波長の光をより確実に散乱させることができ、当該光が透過して迷光となることを抑制できる。
【００４５】
［波長可変干渉フィルターによる迷光除去］
図６は、固定基板５１及び可動基板５２の表面に砂面ｓｆが形成されていない波長可変干渉フィルター７を備える比較例の光学フィルターデバイス７００を模式的に示す断面図である。
図６に示すように、測定光Ｌ１は、固定基板５１側から反射膜５４，５５に対して９０°の入射角となるように光学フィルターデバイス７００に入射され、波長可変干渉フィルター７の第一光透過領域Ａ１に入射される。そして、測定光Ｌ１のうちギャップＧの寸法に応じた波長の光が第二光透過領域Ａ３を透過し、光学フィルターデバイス７００から出射される。
【００４６】
ここで、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角で波長可変干渉フィルター７に光Ｌ２が入射した場合、当該入射した光Ｌ２の一部が、固定基板５１、可動基板５２、固定反射膜５４、及び可動反射膜５５の表面や、筐体６１の内面（ベース６２及びリッド６３）や、固定基板５１と固定反射膜５４との界面や、可動基板５２と可動反射膜５５との界面等において、多重反射し、筐体６１内部で迷光となる場合がある。この迷光が、受光部によって受光されると、分光測定の測定精度が低下する。
これに対して、本実施形態の波長可変干渉フィルター５では、固定基板５１の側面５１Ｃ及び可動基板５２の側面５２Ｃを砂面とすることにより、上記迷光のうち側面５１Ｃ及び側面５２Ｃに入射した迷光を散乱し、除去することができる。したがって、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角で波長可変干渉フィルター５に光Ｌ２が入射したとしても、測定精度の低下を抑制することができ、高精度の分光測定を実施できる。
【００４７】
［光学モジュールの受光部、Ｉ−Ｖ変換器、アンプ、Ａ／Ｄ変換器の構成］
次に、図１に戻り、光学モジュール１０について説明する。
受光部１１は、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器１２に出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、受光部１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
【００４８】
［駆動制御部の構成］
駆動制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に対して駆動電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極５６１及び可動電極５６２間で静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位する。
【００４９】
［制御部の構成］
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。
【００５０】
波長設定部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定し、Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加させる旨の指令信号を駆動制御部１５に出力する。
光量取得部２２は、受光部１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
【００５１】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルターの製造方法について、図面に基づいて説明する。
図７は、本実施形態における波長可変干渉フィルターの製造方法におけるフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、図７に示すように、固定基板形成工程Ｓ１により固定基板５１を形成し、可動基板形成工程Ｓ２により可動基板５２を形成し、基板接合工程Ｓ３により、これらの固定基板５１及び可動基板５２を接合する。ここで、本実施形態では、工程Ｓ１において一つのガラス基板に複数の固定基板５１を形成し、工程Ｓ２において一つのガラス基板に複数の可動基板５２を形成し、工程Ｓ３において、工程Ｓ１及びＳ２で形成された各ガラス基板を位置合わせして接合した後に、工程Ｓ４により各ガラス基板を分割する。
【００５２】
（固定基板形成工程）
図８は、固定基板形成工程Ｓ１における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。図８では、図３に示すＢ−Ｂ線での断面を図示している。
本実施形態では、１つの第一ガラス基板Ｍ１（本発明の基材に相当）に、アレイ状に配置された複数の固定基板５１を形成する。なお、図８に示される分割ラインＢ１は、後述する基板分割工程Ｓ４において分割される第一ガラス基板Ｍ１の分割位置であり、第一ガラス基板Ｍ１から形成される各固定基板５１の側面５１Ｃの形成位置に相当する。
固定基板形成工程Ｓ１では、まず、図８（Ａ）に示すように、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１（例えば厚み寸法が１ｍｍ）の両面を、表面粗さＲａが例えば１ｎｍ以下となるまで精密研磨する。
【００５３】
次に、図８（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面をエッチングにより加工する（固定基板加工工程）。
具体的には、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施す。まず、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び電極引出溝５１１Ｂ（図示省略）を反射膜設置面５１２Ａの高さ位置までエッチングする。この後、電極配置溝５１１、及び電極引出溝５１１Ｂを電極設置面５１１Ａの高さ位置までエッチングする。
なお、第一ガラス基板Ｍ１の表面のうちエッチングされない面は、第一接合部５１３及び外周部５１５（図示略）を構成する。第一接合部５１３及び外周部５１５は、隣接する固定基板５１と連続している。
【００５４】
次に、電極引出溝５１１Ｂに対してバンプ部５６５Ａ（図示略）を形成し、その後、図８（Ｃ）に示すように、固定電極５６１及び固定引出電極５６３（図示略）を形成する（電極形成工程）。具体的には、第一ガラス基板Ｍ１に固定電極５６１、及び固定引出電極５６３を形成する電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。バンプ部５６５Ａの形成としては、例えば、対向面５１Ａ上に例えばＴｉ薄膜等のバンプ部５６５Ａの形成素材を成膜した後、エッチングによりバンプ部５６５Ａ以外の領域を除去することで形成してもよく、例えば、上記エッチング処理時にバンプ部５６５Ａを形成しておいてもよい。
固定電極５６１及び固定引出電極５６３の電極材料としては、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができ、その他、固定基板５１と密着性が良好で、かつ導電性を有する各種膜材を用いることができる。
そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定電極５６１、及び固定引出電極５６３の形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウェットエッチングにより固定電極５６１及び固定引出電極５６３をパターニングした後、残ったレジストを除去する。
【００５５】
この後、図８（Ｄ）に示すように、固定反射膜５４を形成する（固定反射膜成膜工程）。具体的には、スパッタリング法等により固定反射膜５４の形成素材（例えばＡｇ合金）を第一ガラス基板Ｍ１上に積層して成膜し、エッチング処理によって、第一非透過領域Ａ２に形成された形成素材を除去する。
以上により、複数の固定基板５１を含む第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
【００５６】
［可動基板形成工程］
図９は、可動基板形成工程Ｓ２に含まれる各工程における基板形状の概略を示す図である。図９では、図３に示すＢ−Ｂ線での断面を図示している。
本実施形態では、固定基板形成工程Ｓ１同様に、１つの第二ガラス基板Ｍ２（本発明の基材に相当）に、アレイ状に配置された複数の可動基板５２を形成する。なお、図９に示される分割ラインＢ２は、後述する基板分割工程Ｓ４において分割される第二ガラス基板Ｍ２の分割位置であり、第二ガラス基板Ｍ２から形成される各可動基板５２の側面５２Ｃの形成位置を示している。
可動基板形成工程Ｓ２では、図９（Ａ）に示すように、まず、可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２の表面を、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となるように、精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
【００５７】
次に、第一ガラス基板Ｍ１と同様に、第二ガラス基板Ｍ２に対してエッチングを繰り返し実施することにより、図９（Ｂ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２に保持部５２２を形成する（可動基板加工工程）。
なお、第二ガラス基板Ｍ２の表面のうちエッチングされない面は、第二接合部５２３及び外周部５２５（図示略）を構成する。第二接合部５２３及び外周部５２５は、隣接する可動基板５２と連続している。
【００５８】
この後、図９（Ｃ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２の対向面５２Ａに可動電極５６２、可動引出電極５６４（図示略）、及び固定接続電極５６５（図示略）を形成する導電層を、ＣＶＤ法やスパッタリング等を用いて成膜する。この導電層は、固定電極５６１、固定引出電極５６３と同様、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができる。そして、エッチング処理により、導電層を所望の形状に成形して、可動電極５６２、可動引出電極５６４、及び固定接続電極５６５を形成する（電極形成工程）。
【００５９】
次に、図９（Ｄ）に示すように、可動反射膜５５を形成する（可動反射膜成膜工程）。具体的には、固定反射膜５４の成膜と同様、スパッタリング法等により可動反射膜５５の形成素材（例えばＡｇ合金）を第二ガラス基板Ｍ２上に積層して成膜し、エッチング処理によって、第二非透過領域Ａ４に成膜された形成素材を除去する。
以上により、複数の可動基板５２を含む第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
【００６０】
［基板接合工程］
基板接合工程Ｓ３では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。
そして、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理又はＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理の場合は、Ｏ２流量１．８×１０−３（ｍ３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
【００６１】
［基板分割工程］
図１０は、基板分割工程Ｓ４における各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２の状態を示す図である。図１０では、図３に示すＢ−Ｂ線での断面を図示している。
基板分割工程Ｓ４では、ステルスダイシングにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の分割ラインＢ１，Ｂ２に沿って、これら第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の内部に選択的に改質部ＳＵ（図１０（Ａ）参照）を形成する。そして、分割ラインＢ１，Ｂ２に沿って、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を分割する。
具体的には、図１０（Ａ）に示すように、レーザー光源ＬＵによってパルスレーザー光線Ｌａを分割ラインＢ１，Ｂ２に沿って照射し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の内部に改質部ＳＵを形成する（改質工程）。
レーザー光源ＬＵは、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２に対して透過性を有するパルスレーザー光線Ｌａを照射可能に構成され、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯ４レーザー発振器等のパルスレーザー光線発振器と、繰り返し周波数設定手段と、発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器とを備える。
【００６２】
改質部ＳＵは、第一ガラス基板Ｍ１では分割ラインＢ１に、第二ガラス基板Ｍ２では分割ラインＢ２に沿って形成された溶融再固化層であり、周辺部よりも強度が低い。このため、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を改質部ＳＵに沿って分割することができる。改質部ＳＵに沿って分割されることにより形成された分割面が、固定基板５１の側面５１Ｃ及び可動基板５２の側面５２Ｃである。
【００６３】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、改質部ＳＵが形成された分割ラインＢ１に沿って第一ガラス基板Ｍ１を、分割ラインＢ２に沿って第二ガラス基板Ｍ２を分割する（分割工程）。これにより、一体的に形成した複数の波長可変干渉フィルター５をそれぞれ分離する。このようにして形成された波長可変干渉フィルター５では、側面５１Ｃ，５２Ｃに、ステルスダイシングによる加工痕としての砂面ｓｆが形成されている。すなわち、改質工程と分割工程とが、本発明の散乱面形成工程に相当する。
なお、改質工程において、レーザー光源ＬＵによるパルスレーザー光線Ｌａの集光位置や、光強度等を適宜設定することにより、各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２の厚み方向に沿った改質部ＳＵの形成位置や、改質部ＳＵの溶融状態を調整することができ、ひいては各側面５１Ｃ，５２Ｃにおける砂面ｓｆの形成位置や、算術平均粗さＲａを調整することができる。
以上により、複数の波長可変干渉フィルター５が製造される。
【００６４】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態では、固定基板５１の側面５１Ｃ及び可動基板５２の側面５２Ｃが、散乱面であり、側面５１Ｃ，５２Ｃに入射した光を散乱させることができる。
ここで、反射膜５４，５５の法線方向に角度を有する光が、波長可変干渉フィルター５に入射し、波長可変干渉フィルター５を構成する各基板５１，５２や各反射膜５４，５５等の各部材の界面を透過又は反射した光が、筐体６１内で迷光となる場合がある。この迷光が、上記波長可変干渉フィルター５の各部材の界面や、筐体６１の内面で多重反射して、光学フィルターデバイス６から出射され、受光部１１で受光されると分光測定の測定精度が低下する。
これに対して、本実施形態の波長可変干渉フィルター５では、上述の迷光が生じたとしても、当該迷光を側面５１Ｃ，５２Ｃで散乱させることができる。したがって、迷光が、多重反射されて、光透過領域から出射されることによる分光精度の低下を抑制できる。
また、本実施形態の分光測定装置１では、上述の迷光が、受光部１１によって受光されることを抑制できるため、当該迷光が測定されることによる測定精度の低下を抑制でき、高精度の分光測定を実施することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、固定基板５１と可動基板５２との両方に散乱面が形成されている。したがって、例えば、固定基板５１又は可動基板５２に散乱面が形成されている場合と比べて、より確実に迷光を散乱させることができ、分光精度の低下を抑制できる。
【００６６】
また、散乱面の算術平均粗さが、６μｍ以上４０μｍ以下である。これにより、可視光域の波長を有する光を散乱面にて散乱させることができ、上記迷光をより確実に除去することができる。したがって、可視光域を測定波長とする分光測定装置１における測定精度の低下をより確実に抑制でき、高精度の分光測定を実施することができる。
【００６７】
また、本実施形態では、ステルスダイシングによって第一ガラス基板Ｍ１を分割することにより側面５１Ｃを形成し、同様に、第二ガラス基板Ｍ２を分割することにより側面５２Ｃを形成する。すなわち、第一ガラス基板Ｍ１に対し、分割ラインＢ１に沿ってレーザー光を照射して選択的に改質部ＳＵを形成し（改質工程）、当該改質部ＳＵに沿って第一ガラス基板Ｍ１を分割する（分割工程）。また、同様に、第二ガラス基板Ｍ２に対し、分割ラインＢ２に沿ってレーザー光を照射して選択的に改質部ＳＵを形成し、当該改質部ＳＵに沿って第二ガラス基板Ｍ２を分割する。このようにして形成された側面５１Ｃ，５２Ｃには、ステルスダイシングによる加工痕として砂面が形成される。したがって、各ガラス基板Ｍ１，Ｍ２を分割する基板分割工程を実施することにより、側面５１Ｃ，５２Ｃに砂面を形成することができ、砂面を形成する工程を別に実施する必要がなく、製造工程を簡略化できる。
【００６８】
［第二実施形態］
次に、本発明に係る第二実施形態について説明する。
上述した第一実施形態では、各基板５１，５２の側面５１Ｃ，５２Ｃに砂面を形成した。これに対して、第二実施形態では、固定基板５１の光入射面５１Ｂ及び可動基板５２の光出射面５２Ｂにも砂面を形成する点で、上記第一実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、既に説明した構成については同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００６９】
［波長可変干渉フィルターの構成］
図１１は、第二実施形態に係る波長可変干渉フィルター５Ａの概略構成を示す断面図である。
図１１に示すように、固定基板５１の側面５１Ｃと、光入射面５１Ｂのうち第一非透過領域Ａ２が砂面ｓｆである。また、可動基板５２も同様に、側面５２Ｃと、光出射面５２Ｂのうち第二非透過領域Ａ４が砂面ｓｆである。この砂面ｓｆの算術平均粗さＲａは、６μｍ以上４０μｍ以下である。
このように構成された波長可変干渉フィルター５Ａでは、固定基板５１の光入射面５１Ｂのうちの第一非透過領域Ａ２に入射した光や、可動基板５２の光出射面５２Ｂのうちの第二非透過領域Ａ４に入射した光を散乱させることができる。
【００７０】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルターの製造方法について、図面に基づいて説明する。
第二実施形態では、第一実施形態と同様に、図７に示す波長可変干渉フィルターの製造方の各工程を実施する。ここで、第二実施形態では、固定基板形成工程Ｓ１にて固定基板５１を形成する際に砂面ｓｆを形成し、可動基板形成工程Ｓ２にて可動基板５２を形成する際に砂面ｓｆを形成する点で、第一実施形態と相違する。
以下、第二実施形態における固定基板形成工程Ｓ１及び可動基板形成工程Ｓ２について説明する。
【００７１】
（固定基板形成工程）
図１２は、固定基板形成工程Ｓ１における第一ガラス基板Ｍ１の状態を示す図である。
固定基板形成工程Ｓ１では、まず、図１２（Ａ）に示すように、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１（例えば厚み寸法が１ｍｍ）の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨する。
次に、図１２（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面をエッチングにより加工し、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び電極引出溝５１１Ｂ（図示省略）を形成する（固定基板加工工程）。
【００７２】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、固定基板５１の光入射面５１Ｂのうち第一光透過領域Ａ１以外の第一非透過領域Ａ２に砂面ｓｆを形成する（砂面形成工程）。
具体的には、フォトリソグラフィ法により第一光透過領域Ａ１に重なるようにパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、光入射面５１Ｂの第一非透過領域に対して、例えばサンドブラスト等のブラスト加工（粗面化処理）を実施する。これにより、光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２に砂面ｓｆが形成される。その後、光入射面５１Ｂからレジストを除去する。
【００７３】
次に、図１２（Ｄ）に示すように、バンプ部５６５Ａ（図示省略）、固定電極５６１及び固定引出電極５６３を形成する（電極形成工程）。
この後、図１２（Ｅ）に示すように、固定反射膜５４を形成する（固定反射膜成膜工程）。
以上により、複数の固定基板５１を含む第一ガラス基板Ｍ１が形成される。
【００７４】
（可動基板形成工程）
本実施形態の可動基板形成工程Ｓ２は、詳細な図示は省略するが、固定基板形成工程Ｓ１と同様に、第二ガラス基板Ｍ２の基板表面をエッチングにより加工して保持部５２２を形成した後に、可動基板５２に砂面ｓｆを形成する砂面形成工程を実施する点で、図９に示す第一実施形態の可動基板形成工程と相違する。
この砂面形成工程では、図１２（Ｃ）に示す固定基板５１の砂面形成工程と同様に、フォトリソグラフィ法により第二光透過領域Ａ３に重なるようにパターニングされたレジストパターンをマスクとして、光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４に対し、例えばサンドブラスト等の粗面化処理を実施する。これにより、光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４に砂面ｓｆが形成される。その後、光出射面５２Ｂからレジストを除去する。
【００７５】
その後、図９（Ｃ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２の対向面５２Ａに可動電極５６２、可動引出電極５６４（図９では図示略）、及び固定接続電極５６５（図９では図示略）を形成する。次に、図９（Ｄ）に示すように、可動反射膜５５を形成する（可動反射膜成膜工程）。
以上により、複数の可動基板５２を含む第二ガラス基板Ｍ２が形成される。
【００７６】
［第二実施形態の作用効果］
本実施形態では、第一実施形態における効果に加え以下の効果を奏することができる。
すなわち、本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａは、固定基板５１の側面５１Ｃ及び可動基板５２の側面５２Ｃに加え、固定基板５１の光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２、及び、可動基板５２の光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４にも砂面が形成されている。このような構成では、上記側面５１Ｃ，５２Ｃ、光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２、及び、光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４に入射した光を散乱させることができ、迷光による分光精度の低下を抑制できる。また、このような波長可変干渉フィルター５Ａを分光測定装置１に組み込むことにより、測定精度の低下を抑制でき、高精度の分光測定を実施できる。
【００７７】
また、本実施形態では、固定基板５１の光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２に砂面が形成されているため、第一非透過領域Ａ２に入射する光を散乱させることができる。したがって、反射膜５４，５５の法線方向に沿って角度を有する光が波長可変干渉フィルター５Ａに入射し、入射光の一部が、第一非透過領域Ａ２に入射したとしても、当該入射光が迷光となることを抑制できる。
【００７８】
また、本実施形態では、可動基板５２の光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４に砂面が形成されているため、第二非透過領域Ａ４に入射する光を散乱させることができる。したがって、分光測定装置１内部の迷光（例えば、受光部１１で反射した光等）が、可動基板５２の側から波長可変干渉フィルター５の第二非透過領域Ａ４に入射したとしても、当該入射光が迷光となることを抑制できる。
【００７９】
本実施形態では、ブラスト加工により、固定基板５１の光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２、及び、可動基板５２の光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４を散乱面とする。散乱面を形成する。これにより、簡易な方法で散乱面を形成することができ、製造効率性を向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００８０】
また、本実施形態では、固定基板加工工程を実施した後に、砂面形成工程を実施して固定基板５１に砂面ｓｆを形成し、また、可動基板形成工程を実施した後に、砂面形成工程を実施して可動基板５２に砂面ｓｆを形成している。このように、電極形成工程や反射膜形成工程よりも前に、砂面形成工程を実施することにより、基板５１，５２に形成されている電極や反射膜が、サンドブラスト処理を実施する場合に用いられる研磨剤の粒子によって研磨され、劣化するといった不具合を抑制できる。また、研磨剤の粒子を除去するための洗浄を行うのも容易である。
【００８１】
［第二実施形態の変形例］
第二実施形態では、上述のように、固定基板加工工程を実施した後に、砂面形成工程を実施して固定基板５１に砂面ｓｆを形成し、また、可動基板形成工程を実施した後に、砂面形成工程を実施して可動基板５２に砂面ｓｆを形成していたが、これに限定されない。例えば、基板接合工程を実施した後、基板分割工程よりも前に、砂面形成工程を実施して砂面ｓｆを形成してもよい。このように基板分割工程よりも前に、砂面形成を実施することにより、サンドブラスト処理を実施する場合に用いられる研磨剤の粒子が、波長可変干渉フィルター５の内部に入り込む等の不具合を抑制することができる。
なお、固定基板形成工程や可動基板形成工程の前に砂面形成工程を実施してもよい。
【００８２】
［第三実施形態］
次に、本発明に係る第三実施形態について説明する。
上述した第一実施形態では、各基板５１，５２の側面５１Ｃ，５２Ｃに砂面を形成し、第二実施形態では、さらに固定基板５１の光入射面５１Ｂ及び可動基板５２の光出射面５２Ｂにも砂面を形成した。これに対して、第三実施形態では、さらに、固定基板５１及び可動基板５２の対向面５１Ａ，５２Ａにも砂面を形成する点で、上記第一及び第二実施形態と相違する。
【００８３】
［波長可変干渉フィルターの構成］
図１３は、第三実施形態に係る波長可変干渉フィルター５Ｂの概略構成を示す断面図である。
図１３に示すように、固定基板５１の第一非透過領域Ａ２、すなわち側面５１Ｃと、光入射面５１Ｂ及び対向面５１Ａのうちの第一光透過領域Ａ１以外の領域と、が砂面ｓｆである。すなわち、本実施形態では、電極配置溝５１１の電極設置面５１１Ａ等の表面と、電極引出溝５１１Ｂと、第一接合部５１３と、外周部５１５と、に砂面ｓｆが形成されている。
また、可動基板５２も同様に、第二非透過領域Ａ４、すなわち、側面５２Ｃと、光出射面５２Ｂ及び対向面５２Ａのうち第二光透過領域Ａ３以外の領域と、が砂面ｓｆである。すなわち、本実施形態では、第二接合部５２３にも砂面ｓｆが形成されている。
このように構成された波長可変干渉フィルター５Ｂでは、固定基板５１の表面のうちの第一非透過領域Ａ２に入射した光や、可動基板５２の表面のうち第二非透過領域Ａ４に入射した光を散乱させることができる。
【００８４】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルターの製造方法について説明する。
第三実施形態では、第一及び第二実施形態と同様に、図７に示す波長可変干渉フィルターの製造方の各工程を実施する。
第三実施形態では、第二実施形態と同様に固定基板形成工程Ｓ１にて固定基板５１を形成する際に砂面ｓｆを形成する。すなわち、砂面形成工程において、固定基板５１の第一非透過領域Ａ２に砂面ｓｆを形成する。
同様に、可動基板形成工程Ｓ２の砂面形成工程において、可動基板５２の第二非透過領域Ａ４に砂面ｓｆを形成する。
【００８５】
［第三実施形態の作用効果］
本実施形態では、第一及び第二実施形態における効果に加え以下の効果を奏することができる。
すなわち、本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂは、固定基板５１の第一非透過領域Ａ２及び可動基板５２の光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４に砂面が形成されている。すなわち、各基板５１，５２の光透過領域Ａ１，Ａ３以外の領域に砂面が形成されている。このような構成では、固定基板５１の対向面５１Ａ及び光入射面５１Ｂの第一非透過領域Ａ２と、側面５１Ｃと、可動基板５２の対向面５２Ａ及び光出射面５２Ｂの第二非透過領域Ａ４と、側面５２Ｃと、に入射した光を散乱させることができ、迷光による分光精度の低下を抑制できる。また、このような波長可変干渉フィルター５Ｂを分光測定装置１に組み込むことにより、測定精度の低下を抑制でき、高精度の分光測定を実施できる。
【００８６】
また、固定基板５１の対向面５１Ａ及び可動基板５２の対向面５２Ａにも砂面が形成されているため、例えば、反射膜５４，５５に対して角度を有する光が第一光透過領域Ａ１から入射し、各基板５１，５２及び反射膜５４，５５等の界面で反射したとしても、当該光を各対向面５１Ａ，５２Ａの非透過領域Ａ２，Ａ４で散乱させることができるため、迷光による分光精度の低下、ひいては測定精度の低下をより確実に抑制できる。
【００８７】
また、各基板５１，５２の非透過領域Ａ２，Ａ４に砂面ｓｆを形成した後に、各基板５１，５２を接合している。すなわち、砂面ｓｆが形成された第一接合部５１３上に第一接合膜５３１を形成し、砂面ｓｆが形成された第二接合部５２３上に第二接合膜５３２を形成している。これにより、基板５１，５２表面とプラズマ重合膜５３との密着性を増大させることができ、固定基板５１と可動基板５２との間の接合強度を向上させることができる。
【００８８】
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記各実施形態では、各基板５１，５２の側面５１Ｃ，５２Ｃを砂面ｓｆとするために、ステルスダイシング処理を利用していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、第二及び第三実施形態と同様に、ブラスト処理を実施することにより側面５１Ｃ，５２Ｃを砂面としてもよい。なお、この場合、ガラス基板Ｍ１，Ｍ２を、例えばスクライブブレイクやレーザー切断等の他の方法によって分割してもよい。
【００８９】
また、上記第一実施形態では、側面５１Ｃ，５２Ｃの全体が砂面ｓｆである構成を例示したが、本発明はこれに限定されず、側面５１Ｃ，５２Ｃの少なくとも一部が砂面ｓｆである構成としてもよい。
また、上記第二実施形態でも同様に、固定基板５１の光入射面５１Ｂの非透過領域Ａ２の一部や、可動基板５２の光出射面５２Ｂの非透過領域Ａ４の一部が、砂面である構成としてもよい。また、上記第三実施形態でも同様に、固定基板５１の表面の非透過領域Ａ２の一部や、可動基板５２の表面の非透過領域Ａ４の一部が、砂面である構成としてもよい。
【００９０】
上記第一から第三実施形態では、固定反射膜５４が固定基板５１に設けられ、可動反射膜５５が可動基板５２に設けられ、基板５１，５２のいずれにも砂面が形成されている構成を例示したが、本発明はこれに限定されない。固定基板５１及び可動基板５２のいずれか一方に砂面が形成される構成としてもよい。
また、固定反射膜５４及び可動反射膜５５のいずれか一方が、基板上に設けられない構成としてもよい。例えば、固定基板５１に固定反射膜５４が設けられ、可動反射膜５５は、例えばスペーサ等を介して固定反射膜５４との間にギャップＧを介して対向する構成としてもよい。すなわち、可動基板５２が設けられていない構成であってもよい。
【００９１】
上記第一から第三実施形態では、干渉フィルターとして、静電アクチュエーター５６によって反射膜５４，５５間のギャップＧの寸法を変更可能な波長可変干渉フィルター５を例示したが、これに限定されない。例えば、所定波長のみを透過させる波長固定の干渉フィルターにおいても本発明を適用することができる。
【００９２】
上記第一実施形態では、本発明に係る電子機器として分光測定装置１を例示したが、本発明はこれに限定されず、その他、様々な分野について、本発明の干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
例えば、本発明に係る一変形例として、上記第一において説明した波長可変干渉フィルター５を含む光学フィルターデバイス６が組み込まれた光学モジュール（分光器）及び電子機器（プリンター）の一例を図面に基づいて説明する。なお、下記変形例では、第二実施形態及び第三実施形態で説明した波長可変干渉フィルター５Ａ，５Ｂも好適に用いることができる。
【００９３】
図１４は、プリンター１００の概略構成を示すブロック図である。
図１４に示すように、プリンター１００は、供給ユニット１１０、搬送ユニット１２０と、キャリッジ１３０と、キャリッジ移動ユニット１４０と、制御ユニット１５０と、を備えている。このプリンター１００は、例えばパーソナルコンピューター等の外部機器２００から入力された印刷データに基づいて、各ユニット１１０，１２０，１４０及びキャリッジ１３０を制御し、媒体Ａ上に画像を印刷する。また、プリンター１００は、予め設定された較正用印刷データに基づいて媒体Ａ上の所定位置に測色用のカラーパッチを形成し、かつ当該カラーパッチに対する分光測定を行う。これにより、プリンター１００は、カラーパッチに対する実測値と、較正用印刷データとを比較して、印刷されたカラーに色ずれがあるか否か判定し、色ずれがある場合は、実測値に基づいて色補正を行う。
以下、プリンター１００の各構成について具体的に説明する。
【００９４】
供給ユニット１１０は、画像形成対象となる媒体Ａを供給する。この供給ユニット１１０は、図示を省略するが、例えば媒体Ａが巻装されたロール体、ロール駆動モーター、及びロール駆動輪列等を備え、ロール体に巻装された媒体ＡをＹ方向（副走査方向）における下流側（＋Ｙ方向）に供給する。
搬送ユニット１２０は、供給ユニット１１０から供給された媒体Ａを、Ｙ方向に沿って搬送する。この搬送ユニット１２０は、搬送ローラー１２１と、搬送ローラー１２１と媒体Ａを挟んで配置され、搬送ローラー１２１に従動する従動ローラー（図示略）と、プラテン１２２と、を含んで構成されている。この搬送ユニット１２０は、制御ユニット１５０の制御により駆動される図示略の搬送モーターの回転力により搬送ローラー１２１が回転駆動される。これにより、搬送ローラー１２１と、従動ローラーとの間で挟持された媒体Ａが、Ｙ方向に沿って搬送される。
【００９５】
キャリッジ１３０は、媒体Ａに対して画像を印刷する印刷部１６０と、媒体Ａ上の所定の測定位置の分光測定を行う分光器１７０と、を備えている。このキャリッジ１３０は、キャリッジ移動ユニット１４０によって、Ｙ方向と交差する主走査方向に沿って移動可能に設けられている。
キャリッジ移動ユニット１４０は、本発明における移動機構を構成し、制御ユニット１５０からの指令に基づいて、キャリッジ１３０をＸ方向に沿って往復移動させる。このキャリッジ移動ユニット１４０は、例えば、キャリッジガイド軸１４１と、キャリッジモーター（図示略）と、タイミングベルト（図示略）と、を含んで構成されている。制御ユニット１５０の指令に基づいてキャリッジモーターが駆動されると、タイミングベルトが正逆走行され、タイミングベルトに固定されたキャリッジ１３０がキャリッジガイド軸１４１にガイドされてＸ方向（主走査方向）に沿って往復移動する。
【００９６】
印刷部１６０は、媒体Ａと対向する部分に、インクを個別に媒体Ａ上に吐出して、媒体Ａ上に画像を形成する。この印刷部１６０は、複数色のインクに対応したインクカートリッジ（図示略）からインクタンク（図示略）にチューブ（図示略）を介してインクが供給される。また、印刷部１６０の下面（媒体Ａに対向する位置）には、インク滴を吐出するノズル（図示略）が、各色に対応して設けられている。これらのノズルには、例えばピエゾ素子が配置されており、ピエゾ素子を駆動させることで、インクタンクから供給されたインク滴が吐出されて媒体Ａに着弾し、ドットが形成される。
【００９７】
図１５は、分光器１７０の概略構成を示す断面図である。
分光器１７０は、本発明における光学モジュールに相当し、図１４に示すように、光源部１７１と、光学フィルターデバイス６、受光部１７２と、導光部１７３と、を備えている。
この分光器１７０は、光源部１７１から媒体Ａ上の測定位置Ｒに照明光を照射し、測定位置Ｒで反射された光成分を、導光部１７３により光学フィルターデバイス６に入射させる。そして、光学フィルターデバイス６は、この反射光から所定波長の光を出射（透過）させて、受光部１７２により受光させる。また、光学フィルターデバイス６は、制御ユニット１５０の制御に基づいて、透過波長を選択可能であり、可視光における各波長の光の光量を測定することで、媒体Ａ上の測定位置Ｒの分光測定が可能となる。
なお、本変形例では、第一実施形態にて説明した波長可変干渉フィルター５を備える光学フィルターデバイス６を用いる例を示すが、波長可変干渉フィルター５Ａ，５Ｂを備える光学フィルターデバイスを用いてもよい。
【００９８】
光源部１７１は、光源１７１Ａと、集光部１７１Ｂとを備える。この光源部１７１は、光源１７１Ａから出射された光を媒体Ａの測定位置Ｒ内に、媒体Ａの表面に対する法線方向から照射する。
受光部１７２は、波長可変干渉フィルター５の光軸上に配置され、当該波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。そして、受光部１７２は、制御ユニット１５０の制御に基づいて、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。なお、受光部１７２により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示略）、増幅器（図示略）、及びＡＤ変換器（図示略）を介して制御ユニット１５０に入力される。
導光部１７３は、反射鏡１７３Ａと、バンドパスフィルター１７３Ｂとを備えている。この導光部１７３は、測定位置Ｒで、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を反射鏡１７３Ａにより、波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。バンドパスフィルター１７３Ｂは、可視光域（例えば３８０ｎｍ〜７２０ｎｍ）の光を透過させ、紫外光及び赤外光の光をカットする。これにより、波長可変干渉フィルター５には、可視光域の光が入射されることになり、受光部１７２において、可視光域における波長可変干渉フィルター５により選択された波長の光が受光される。
【００９９】
制御ユニット１５０は、本発明の制御部であり、図１２に示すように、Ｉ／Ｆ１５１と、ユニット制御回路１５２と、メモリ１５３と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１５４と、を含んで構成されている。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器２００から入力される印刷データをＣＰＵ１５４に入力する。
ユニット制御回路１５２は、供給ユニット１１０、搬送ユニット１２０、印刷部１６０、光源１７１Ａ、波長可変干渉フィルター５、受光部１７２、及びキャリッジ移動ユニット１４０をそれぞれ制御する制御回路を備えており、ＣＰＵ１５４からの指令信号に基づいて、各ユニットの動作を制御する。なお、各ユニットの制御回路が、制御ユニット１５０とは別体に設けられ、制御ユニット１５０に接続されていてもよい。
メモリ１５３は、プリンター１００の動作を制御する各種プログラムや各種データが記憶されている。
ＣＰＵ１５４は、メモリ１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することで、供給ユニット１１０、搬送ユニット１２０、及びキャリッジ移動ユニット１４０の駆動制御、印刷部１６０の印刷制御、分光器１７０による測定制御（波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６の駆動制御、受光部１７２の受光制御）、分光器１７０を用いた分光測定結果に基づいた測色処理や、印刷プロファイルデータの補正（更新）処理等を実施する。
【０１００】
また、本発明の電子機器として、第一実施形態では分光測定装置１を、上記変形例ではプリンター１００を例示したが、さらに、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステム等を例示できる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。その他、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
さらに、例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができる。このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
さらには、電子機器としては、本発明の干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。
また、本発明の干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
さらに、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
【０１０１】
上記に示すように、本発明の干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学モジュールは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【０１０２】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【０１０３】
１…分光測定装置、５，５Ａ，５Ｂ…波長可変干渉フィルター、６…光学フィルターデバイス、１０…光学モジュール、１１…受光部、２０…制御部、５１…固定基板、５１Ａ…対向面、５１Ｂ…光入射面、５１Ｃ…側面、５２…可動基板、５２Ａ…対向面、５２Ｂ…光出射面、５２Ｃ…側面、５３…プラズマ重合膜、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター、６１…筐体、６２…ベース、６３…リッド、１００…プリンター、５１１…電極配置溝、５１１Ａ…電極設置面、５１１Ｂ…電極引出溝、５１２…反射膜設置部、５１２Ａ…反射膜設置面、５１３…第一接合部、５１５…外周部、５２１…可動部、５２２…保持部、５２３…第二接合部、５２４…電装面、５２５…外周部、５３１…第一接合膜、５３２…第二接合膜、５６１…固定電極、５６２…可動電極、５６３…固定引出電極、５６４…可動引出電極、６２１…側壁部、６２１Ａ…リッド接合面、６２２…凹部、６２２Ａ…底部、６２２Ｂ…内部端子、６２２Ｃ…貫通孔、６２２Ｄ…金属部材、６２２Ｅ…外部端子、６２３…固定部材、６２４…光通過孔、６２５…透光性部材、Ａ１…第一光透過領域、Ａ２…第一非透過領域、Ａ３…第二光透過領域、Ａ４…第二非透過領域、Ｇ…反射膜間ギャップ、Ｌ１…測定光、Ｍ１…第一ガラス基板、Ｍ２…第二ガラス基板、ＳＵ…改質部、ｓｆ…砂面。
【図１】
2017129602.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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