(57)【要約】【課題】長期にわたって酸化による接触抵抗の増大を抑制でき、且つ、動摩擦力を低減できる電気部品及び電子装置を提供すること。【解決手段】コネクタ４０の端子４３は、プリント基板３１の対応するスルーホール３１ｃに圧入され、ランド３５に対して接触により電気的に接続される接点部４３ａを有している。端子は、分光化学系列において配位子場分裂の大きさがｂｐｙ以上のπ受容性を有する芳香族化合物４６を含んでいる。芳香族化合物の含有量は、Ｃ原子換算でめっき膜の主成分の金属の０．１重量％以上とされている。芳香族化合物は、めっき膜中において、主成分の金属に対して分散されている。芳香族化合物はπ受容性を有しており、ダングリングボンドを有する金属との間に逆供与π結合を形成するため、接点部表面の金属の酸化を抑制することができる。また、芳香族化合物を含むことでめっき膜が自己潤滑性を有するため、動摩擦力を低減することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触により電気的接続を行う接点部（３５，４３ａ，４５ａ）を備えた電気部品であって、
前記接点部が、前記接点部の表面をなすめっき膜（３５１，４３１，４５１）を有し、
前記めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の芳香族化合物（３９，４６）を含み、
前記めっき膜における前記芳香族化合物の含有量が、Ｃ原子換算で前記めっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
前記芳香族化合物が、前記めっき膜中において、前記主成分の金属に対して分散されている電気部品。
【請求項２】
前記めっき膜が、前記芳香族化合物として、複数の芳香環を有する多環式化合物を含む請求項１に記載の電気部品。
【請求項３】
前記めっき膜が、前記多環式化合物として、複素環式化合物を含む請求項２に記載の電気部品。
【請求項４】
前記複素環式化合物として、１，１０−フェナントロリン及び１，１０−フェナントロリン類縁体の少なくともひとつを含む請求項３に記載の電気部品。
【請求項５】
前記複素環式化合物は、置換基として電子吸引性基を有する請求項３又は請求項４に記載の電気部品。
【請求項６】
接点部を有する電気部品として、
第１接点部（３５）を有する第１部品（３１）と、
前記第１接点部に接触して前記第１接点部と電気的に接続される第２接点部（４３ａ）を有する第２部品（４０）と、
を備え、
前記第１接点部及び前記第２接点部の少なくとも一方が、相手との接触面をなすめっき膜（３５１，４３１）を有し、
前記めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の芳香族化合物（３９，４６）を含み、
前記めっき膜における前記芳香族化合物の含有量が、Ｃ原子換算で前記めっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
前記芳香族化合物が、前記めっき膜中において、前記主成分の金属に対して分散されている電子装置。
【請求項７】
前記第１接点部は、前記芳香族化合物を含む前記めっき膜としての第１めっき膜（３５１）を有し、
前記第２接点部は、貴金属を用いて形成され、相手との接触面をなす第２めっき膜（４３１）を有する請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記第１部品及び前記第２部品の一方はプレスフィット端子を有し、他方は前記接点部がスルーホールの壁面に形成された基板である請求項６又は請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
前記第１部品及び前記第２部品の一方はコネクタである請求項６又は請求項７に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書における開示は、接触により電気的接続を行う接点部を備えた電気部品及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ばね性を有する端子、該端子を備えるコネクタ、ランドを備える基板など、接触により電気的接続を行う接点部を備えた電気部品が知られている。この電気部品では、接点部において、金属表面の酸化による接触抵抗増大が問題となっている。金属表面には、半導体表面のダングリングボンド（未結合手）のように、電子が局在化している。一方、酸素分子は、不対電子を２つ有している。このため、酸素分子と金属とが互いに電子を共有し、酸素分子が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。換言すれば、電子の局在化により金属表面に表面準位が形成されるため、不対電子を有する酸素分子が表面準位にトラップされて酸化に至るものと推測される。
【０００３】
上記問題を解決するために、接点部の最表面に金などの貴金属めっきを施した構成が知られている。しかしながら、接点部同士の相対的な変位、すなわち摺動によって貴金属が摩耗すると、下地の金属が露出し、下地金属が酸化してしまう。このため、貴金属めっきを厚くしなければならず、コストが高くなる。
【０００４】
一方、特許文献１には、貴金属を用いずに上記問題を解決するための構成が開示されている。開示された電気的接触エレメント（電気部品）は、接点部として、芯体（基材）の表面に形成された被覆層を有している。被覆層には化学的還元剤（以下、還元剤と示す）が含まれている。還元剤は、摺動にともなって被覆層から放出され、被覆層表面の金属酸化物を還元する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１４−５１９１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成では、被覆層表面に存在する還元剤の還元能がなくなると、被覆層表面の金属が酸化してしまう。このため、長期にわたって酸化による接触抵抗増大を抑制することが困難である。
【０００７】
また、接触による電気的接続は、ばね変形の反力を利用するのが一般的である。たとえば、ばね性を有する端子とランドを備える基板との接続の場合、端子の弾性変形による反力に起因する荷重だけでなく、端子とランドの接点同士の動摩擦力に起因する荷重も、基板に作用することになる。動摩擦力に起因する荷重は、弾性変形の反力に起因する荷重に対して直交する方向に作用する。動摩擦力に起因する荷重が大きいと、めっきが削れて屑が生じたり、基板が歪んでしまう。このように、接触により電気的接続を行う接点部を備えた電気部品及び電子装置では、動摩擦力に起因する荷重が問題となる。
【０００８】
本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、長期にわたって酸化による接触抵抗の増大を抑制でき、且つ、動摩擦力を低減できる電気部品及び電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。
【００１０】
本開示のひとつは、接触により電気的接続を行う接点部（３５，４３ａ，４５ａ）を備えた電気部品であって、
接点部が、接点部の表面をなすめっき膜（３５１，４３１，４５１）を有し、
めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の芳香族化合物（３９，４６）を含み、
めっき膜における芳香族化合物の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
芳香族化合物が、めっき膜中において、主成分の金属に対して分散されている。
【００１１】
これによれば、めっき膜に含まれる芳香族化合物がπ受容性を有しており、ダングリングボンドを有する金属との間に逆供与π結合を形成する。したがって、接点部表面の金属の酸化を抑制することができる。逆供与π結合によって酸化を抑制するため、長期にわたって接触抵抗の増大を抑制することができる。
【００１２】
また、芳香族化合物を含むことでめっき膜が自己潤滑性を有するため、接触により電気的に接続する際の動摩擦力を低減することができる。
【００１３】
本開示の他のひとつの電子装置は、
接点部を有する電気部品として、
第１接点部（３５）を有する第１部品（３１）と、
第１接点部に接触して第１接点部と電気的に接続される第２接点部（４３ａ）を有する第２部品（４０）と、
を備え、
第１接点部及び第２接点部の少なくとも一方が、相手との接触面をなすめっき膜（３５１，４３１）を有し、
めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の芳香族化合物（３９，４６）を含み、
めっき膜における芳香族化合物の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
芳香族化合物が、めっき膜中において、主成分の金属に対して分散されている。
【００１４】
本開示によれば、上記した電気部品と同等の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】コネクタの端子とプリント基板のランドとの電気接点周辺を拡大した断面図である。
【図３】コネクタの端子とモータへの出力端子との電気接点周辺を拡大した断面図である。
【図４】芳香族化合物の一例を示す図である。
【図５】芳香族化合物の一例を示す図である。
【図６】芳香族化合物の一例を示す図である。
【図７】参考例を示す図である。
【図８】効果を示す図である。
【図９】効果を示す断面図である。
【図１０】効果を示す平面図である。
【図１１】参考例を示す断面図である。
【図１２】実施例１についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。
【図１３】比較例１についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。
【図１４】実施例２の試験方法を説明する図である。
【図１５】実施例２について、室温での摺動回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１６】実施例２について、高温での摺動回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１７】実施例２と比較例２との比較結果を示す図である。
【図１８】実施例３の測定結果を示す図である。
【図１９】第２実施形態に係る電子装置において、コネクタの端子とプリント基板のランドとの電気接点周辺を拡大した断面図であり、図２に対応している。
【図２０】参考例を示す断面図である。
【図２１】効果を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、プリント基板の板厚方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する一方向であって筐体の開口部に対する奥行方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断りのない限り、ＸＹ平面に沿う形状を平面形状とする。
【００１７】
（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、本実施形態に係る電子装置の概略構成について説明する。
【００１８】
図１に示す電子装置１０は、たとえば車両に搭載される。電子装置１０は、車両を制御する電子制御装置として構成されている。電子装置１０は、たとえば車両に搭載されたエンジンを制御するエンジンＥＣＵ（Electronic Control Unit）として構成されている。電子装置１０は、筐体２０と、回路基板３０と、コネクタ４０，４１を備えている。
【００１９】
筐体２０は、回路基板３０を内部に収容し、回路基板３０を保護する。たとえば回路基板３０の生じた熱に対する放熱性を向上するために、筐体２０は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成される。たとえば電子装置１０の軽量化を図るために、筐体２０は、樹脂材料を用いて形成される。
【００２０】
本実施形態において、筐体２０は、Ｚ方向に分割された２つの部材、具体的には、ケース２１とカバー２２を有している。ケース２１及びカバー２２は、いずれもアルミニウム系材料を用いて形成されている。筐体２０は、Ｚ方向においてケース２１とカバー２２を組み付けることで形成される。ケース２１とカバー２２の組み付け方法は特に限定されない。ねじ締結など周知の組み付け方法を採用することができる。
【００２１】
ケース２１は、一面が開口する箱状をなしている。平面略矩形状をなす回路基板３０に対応して、ケース２１の底面部も略矩形状となっている。ケース２１において、４つの側面部のひとつが開口しており、側面の開口は、上記した一面の開口につながっている。
【００２２】
カバー２２は、ケース２１とともに筐体２０の内部空間を形成する。ケース２１とカバー２２を組み付けることで、カバー２２によりケース２１における一面の開口が閉塞され、開口部２０ａが形成される。開口部２０ａは、カバー２２により一面の開口が閉塞されることで、側面の開口が区画されてなる。
【００２３】
カバー２２は、底部をＺ方向に貫通する開口部２０ｂを有している。この開口部２０ｂを、図示しないモータと回路基板３０とを電気的に中継する出力端子５０が挿通している。
【００２４】
回路基板３０は、プリント基板３１と、プリント基板３１に実装された電子部品３２を有している。電子部品３２は、プリント基板３１に、はんだ３３を介して電気的に接続されている。回路基板３０は、筐体２０の内部空間に収容されている。プリント基板３１は、一面３１ａ及び該一面３１ａに対してＺ方向に反対の面である裏面３１ｂを有している。プリント基板３１の板厚方向がＺ方向と一致している。プリント基板３１は、平面略矩形状をなしている。プリント基板３１（回路基板３０）は、ねじ締結、接着など周知の固定方法により、筐体２０に固定されている。
【００２５】
本実施形態では、カバー２２が深さの浅い箱状をなしており、カバー２２の底部内面２２ａに、プリント基板３１に向けて突出する支持部２２ｂが形成されている。裏面３１ｂが支持部２２ｂにより支持された状態で、プリント基板３１が筐体２０（カバー２２）に固定されている。
【００２６】
プリント基板３１は、樹脂などの電気絶縁材料を用いて形成された絶縁基材３４に、配線が配置されてなる。そして、配線と電子部品３２とにより、回路が形成されている。図１では、プリント基板３１の配線のうち、外部接続用の電極部分であるランド３５，３６のみを図示している。
【００２７】
プリント基板３１は、一面３１ａ及び裏面３１ｂにわたって形成されたスルーホール３１ｃを有している。ランド３５は、スルーホール３１ｃの壁面に形成されている。ランド３５は、スルーホールランドとも称される。本実施形態では、ランド３５が、スルーホール３１ｃの壁面と、一面３１ａ及び裏面３１ｂにおけるスルーホール３１ｃの開口周囲に、一体的に形成されている。ランド３５には、コネクタ４０の後述する端子４３が圧接されている。ランド３５は、たとえば無電解銅めっきを施した後、電解銅めっきを施すことで形成されている。
【００２８】
ランド３６は、プリント基板３１の一面３１ａ及び裏面３１ｂの少なくとも一方に形成されている。ランド３６は、はんだ付けされる電極部分である。本実施形態では、一面３１ａに、複数のランド３６が形成されている。一部のランド３６には、はんだ３３を介して、表面実装型の電子部品３２が電気的に接続されている。別のランド３６には、はんだ３３を介して、表面実装型のコネクタ４１が電気的に接続されている。ランド３６は、たとえば絶縁基材３４の表面に貼着された銅箔を、パターニングすることで形成されている。
【００２９】
コネクタ４０は、プリント基板３１に対して、Ｘ方向の一端側に配置されている。コネクタ４０の一部は筐体２０の開口部２０ａを介して外部に露出され、残りの部分は筐体２０の内部空間に収容されている。コネクタ４０は、ハウジング４２と、複数の端子４３を有している。
【００３０】
ハウジング４２は、樹脂材料を用いて形成されている。ハウジング４２は、筒部４２ａと、閉塞部４２ｂを有している。筒部４２ａは、筒状に成形されている。筒部４２ａは、Ｘ方向に沿う軸を有している。閉塞部４２ｂは、筒部４２ａに連なり、筒部４２ａを閉塞している。閉塞部４２ｂには、複数の端子４３が保持されている。本実施形態では、閉塞部４２ｂが、筒部４２ａの一端を閉塞している。これにより、ハウジング４２は有底筒状をなしている。
【００３１】
端子４３は、導電性材料を用いて形成されており、回路基板３０に構成された回路と外部機器とを電気的に中継する。端子４３は、たとえば圧入固定やインサート成形により、閉塞部４２ｂに保持されている。図示を省略するが、複数の端子４３は、ハウジング４２の幅方向であるＹ方向に沿って配列されている。本実施形態では、端子数が多いため、端子４３がＺ方向に多段に配置されている。また、端子４３としてプレスフィット端子を採用している。各端子４３は、略Ｌ字状をなしている。各端子４３は、対応するスルーホール３１ｃに圧入されている。各端子４３は、対応するランド３５に圧接されている。
【００３２】
コネクタ４１は、上記したように表面実装構造をなしている。コネクタ４１は、はんだ３３を介してランド３５に接続されている。コネクタ４１は、筐体２０の内部空間に収容されている。コネクタ４１は、ハウジング４４と、複数の端子４５を有している。本実施形態では、プリント基板３１の一面３１ａ側にコネクタ４１が配置されている。また、図１に示すように、プリント基板３１に対し、Ｘ方向においてコネクタ４０とは反対側に配置されている。
【００３３】
ハウジング４４は、樹脂材料を用いて形成されている。ハウジング４４には、複数の端子４５が保持されている。端子４５は、導電性材料を用いて形成されている。端子４５は、ばね変形可能なようにハウジング４４に保持されている。端子４５は、図１に示すように、ばね変形による反力で出力端子５０を挟持するように、対をなして設けられている。対をなす端子４５は、Ｘ方向において並んで設けられており、Ｘ方向の両側から出力端子５０を挟んでいる。端子４５は、出力端子５０との接続部とランド３５との接続部と間の部分で、ハウジング４４に保持されている。
【００３４】
プリント基板３１は、一面３１ａ及び裏面３１ｂにわたって形成されたスルーホール３１ｄを有している。スルーホール３１ｄは、出力端子５０を一面３１ａ側に突出させるために形成されており、その壁面にランド３５が形成されていない。出力端子５０は、スルーホール３１ｄを挿通した状態で、対をなす端子４５により挟持されている。すなわち、端子４５は、出力端子５０に圧接している。
【００３５】
次に、図２及び図３に基づき、コネクタ４０，４１による電気接点周辺の構成について説明する。図２及び図３では、後述する芳香族化合物４６の分散状態を模式化して示している。
【００３６】
本実施形態では、上記したように、コネクタ４０の端子４３としてプレスフィット端子を採用している。図２に示すように、端子４３は、プリント基板３１のスルーホール３１ｃに圧入保持されている。端子４３は、金属材料を用いて形成された基材４３０と、基材４３０を被覆するめっき膜４３１を有している。基材４３０は、たとえば銅又は銅合金を構成材料として形成されている。銅合金として、たとえばリン青銅を採用することができる。基材４３０は、銅又は銅合金の金属板を打ち抜いて形成されている。基材４３０は、母材とも称される。
【００３７】
基材４３０は、スルーホール３１ｃ内に保持される部分を含んで形成された開口部４３０ａを有している。端子４３の板厚方向はＹ方向であり、開口部４３０ａはＹ方向に貫通している。開口部４３０ａは、Ｚ方向、すなわち端子４３の長手方向に延設されている。基材４３０は、上記開口部４３０ａに加えて、先端部４３０ｂと、後端部４３０ｃと、梁部４３０ｄを有している。
【００３８】
先端部４３０ｂは、開口部４３０ａよりも挿入先端側の部分である。先端部４３０ｂの幅、すなわちＸ方向の長さは、スルーホール３１ｃの内径よりも狭くなっている。先端部４３０ｂは、スルーホール３１ｃ内に端子４３を導く部分であるため、導入部とも称される。後端部４３０ｃは、開口部４３０ａよりも後端側の部分である。
【００３９】
基材４３０は、開口部４３０ａによって一対の梁部４３０ｄに分岐されている。先端部４３０ｂは、一対の梁部４３０ｄの一端同士を連結し、後端部４３０ｃは、梁部４３０ｄの他端同士を連結している。Ｘ方向において、一対の梁部４３０ｄの外表面間のうち、最も距離が長い部分の長さ、すなわち端子幅が、圧入前の状態で、スルーホール３１ｃの内径よりも広くなっている。一対の梁部４３０ｄは、後端部４３０ｃから先端部４３０ｂに向けて端子幅が徐々に広がり、その途中から先端部４３０ｂに向けて端子幅が徐々に狭くなっている。
【００４０】
めっき膜４３１は、基材４３０の少なくとも外表面を被覆している。めっき膜４３１は、芳香族化合物４６との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、基材４３０上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。めっき膜４３１は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。本実施形態では、Ｃｕを構成材料としている。
【００４１】
めっき膜４３１は、主成分の金属に加えて、π受容性を有する芳香族化合物４６を含んでいる。めっき膜４３１における芳香族化合物４６の含有量は、Ｃ（炭素）原子換算でめっき膜４３１の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。芳香族化合物４６の含有量とは、主成分の金属の重量％と芳香族化合物４６の重量％との比率のまま、これら重量％の和を１００重量％に換算したときの、芳香族化合物４６の値である。
【００４２】
また、めっき膜４３１における芳香族化合物４６の含有量は、めっき膜４３１の主成分の金属と芳香族化合物の体積比率で５０％以下、好ましくはＣ原子換算でめっき膜４３１の主成分の金属に対して１５重量％以下とされている。体積比率で芳香族化合物４６が５０％を超えると、めっき膜４３１の金属同士の繋がりを阻害され、導通経路が遮断されることとなり絶縁性の高いめっき膜４３１となるためである。一例として、めっき膜４３１の主成分の金属を銅、芳香族化合物を１，１０−フェナントロリンとした場合、Ｃ原子換算でめっき膜４３１の主成分の金属に対して１５重量％を超えると、めっき膜４３１の自立が阻害され、剥離等の現象が起こりやすくなるため、１５重量％以下が好ましい。
【００４３】
芳香族化合物４６は、めっき膜４３１中において、主成分の金属に対して分散されている。このようなめっき膜４３１は、めっき浴中に芳香族化合物４６を投入し、芳香族化合物４６がめっき浴中において溶解した状態で、基材４３０上にめっきを施すことで形成することができる。
【００４４】
以上のように構成される端子４３は、ばね性を有している。スルーホール３１ｃに端子４３が挿入されると、一対の梁部４３０ｄが互いに近づく方向に変形し、梁部４３０ｄの弾性変形による反力がスルーホール３１ｃの壁面に作用する。これにより、梁部４３０ｄの外表面に形成されためっき膜４３１が、スルーホール３１ｃの壁面のランド３５に圧接される。このように、端子４３は、接触によりランド３５に対して電気的接続を行う接点部４３ａを有している。接点部４３ａは、梁部４３０ｄ及びめっき膜４３１を含んでいる。また、プリント基板３１において、ランド３５が端子４３に対する接点部となっている。すなわち、ランド３５を有するプリント基板３１及び端子４３を有するコネクタ４０の一方が第１接点部を有する第１部品に相当し、他方が第２接点部を有する第２部品に相当する。端子４３が押圧する側の接点部であり、ランド３５が押圧される側の接点部である。
【００４５】
なお、端子４３に、めっき膜４３１を含む多層めっきを設けてもよい。この場合、多層めっきの最外層がめっき膜４３１とされ、めっき膜４３１以外のめっき膜は、芳香族化合物４６を含まない構成とすればよい。
【００４６】
図３に示すように、コネクタ４１の端子４５も、金属材料を用いて形成された基材４５０と、基材４５０を被覆するめっき膜４５１を有している。基材４５０は、たとえば銅又は銅合金を構成材料として形成されている。基材４５０は、はんだ３３を介してランド３５に固定された状態で、Ｘ方向に弾性変形可能に設けられている。基材４５０は、ばね変形による反力で出力端子５０を挟持するように、対をなして設けられている。対をなす基材４５０は、Ｘ方向の両側から出力端子５０を挟持するように、Ｘ方向に並んで設けられている。対をなす基材４５０（端子４５）は、線対称配置となっている。
【００４７】
めっき膜４５１も、めっき膜４３１と同様の構成となっている。すなわち、めっき膜４５１は、芳香族化合物４６との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、基材４５０上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。めっき膜４５１は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。本実施形態では、Ｃｕを構成材料としている。
【００４８】
めっき膜４５１は、主成分の金属に加えて、π受容性を有する芳香族化合物４６を含んでいる。めっき膜４５１における芳香族化合物４６の含有量は、Ｃ原子換算でめっき膜４５１の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。芳香族化合物４６は、めっき膜４５１中において、主成分の金属に対して分散されている。めっき膜４５１も、めっき浴中に芳香族化合物４６を投入し、芳香族化合物４６がめっき浴中において溶解した状態で、基材４５０上にめっきを施すことで形成することができる。
【００４９】
以上のように構成される端子４５も、ばね性を有している。対をなす端子４５の間に出力端子５０が挿入されると、端子４５がＸ方向に変形して対をなす端子４５の対向間隔が広がり、端子４５の弾性変形による反力がＸ方向両側から出力端子５０に作用する。これにより、端子４５の表面に形成されためっき膜４５１が、出力端子５０に圧接する。このように、端子４５は、接触により出力端子５０に対して電気的接続を行う接点部４５ａを有している。接点部４５ａは、基材４５０とめっき膜４５１を含んでいる。また、出力端子５０における端子４３との接触部分が端子４５に対する接点部となっている。すなわち、端子４５を有するコネクタ４１及び出力端子５０の一方が第１接点部を有する第１部品に相当し、他方が第２接点部を有する第２部品に相当する。端子４５が押圧する側の接点部であり、出力端子５０が押圧される側の接点部である。接点部４３ａ，４５ａが、芳香族化合物４６を含むめっき膜４３１，４５１を有した接点部に相当する。
【００５０】
なお、端子４５に、めっき膜４５１を含む多層めっきを設けてもよい。この場合、多層めっきの最外層がめっき膜４５１とされ、めっき膜４５１以外のめっき膜は、芳香族化合物４６を含まない構成とすればよい。
【００５１】
芳香族化合物４６は、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性を有し、且つ、芳香族性を有する分子である。このような芳香族化合物４６を、Ｃ原子換算でめっき膜４３１，４５１の主成分の金属に対して０．１重量％以上となるように、めっき膜４３１，４５１に含ませる。これにより、めっき膜４３１，４５１の表面、すなわち金属表面の酸化を抑制しつつ、めっき膜４３１，４５１に自己潤滑性をもたせることができる。
【００５２】
芳香族化合物４６は、π受容性が高い分子である。π受容性は、π酸性とも称される。配位子場分裂の大きさとは、ｄ軌道分裂のエネルギー差である。芳香族化合物４６は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる分子である。このため、芳香族化合物４６は、π受容性配位子とも称され、金属に配位して錯体を形成する。π受容性は、配位子場分裂の大きさに比例する。以下に、周知の分光化学系列を示す。例示において、配位子場分裂が最も大きい分子はＣＯである。
【００５３】
Ｉ−＜Ｂｒ−＜Ｃｌ−＜ＯＨ−＜Ｈ２Ｏ＜ｐｙ＜ＮＨ３＜ｅｎ＜ｂｐｙ＜ｐｈｅｎ＜ＮＯ２−＜ＰＰｈ３＜ＣＮ−＜ＣＯ
なお、ｐｙはピリジン、ｅｎはエチレンジアミン、ｂｐｙは２，２’−ビピリジル、ｐｈｅｎは１，１０−フェナントロリン、ＰＰｈ３はトリフェニルフォスフィンである。以下において、２，２’−ビピリジルをｂｐｙ、１，１０−フェナントロリンをｐｈｅｎと示す。
【００５４】
芳香族化合物４６としては、たとえば図４に示すｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、図５に示すｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、図６に示すＰＰｈ３やジフェニルホスフィンなどのフェニルホスフィンを採用することができる。めっき膜４３１，４５１は、芳香族化合物を少なくとも１種類含めばよい。たとえば、めっき膜４３１，４５１が、２種類以上の芳香族化合物を含んでもよい。たとえば２種類のｐｈｅｎ類縁体を含んでもよいし、ｐｈｅｎとｐｈｅｎ類縁体を含んでもよい。ｐｈｅｎのみを含んでもよい。
【００５５】
ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、ｂｐｙ、及びｂｐｙ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を有している。ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、ｂｐｙ、及びｂｐｙ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を２つ有した多座配位子である。ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、ｂｐｙ、及びｂｐｙ類縁体はいずれも、π共役系分子である。ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、ｂｐｙ、及びｂｐｙ類縁体はいずれも、複素環式化合物である。ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体、ｂｐｙ、及びｂｐｙ類縁体はいずれも、複素環を複数有する多環式化合物である。
【００５６】
なお、図４及び図５では、位置番号を示している。ｐｈｅｎの場合、２〜９位の炭素に水素が結合している。ｐｈｅｎ類縁体は、ｐｈｅｎに構造が類似するもの、たとえば２〜９位の少なくとも１つの炭素に、水素の代わりに他の官能基が結合したものが含まれる。すなわち、ｐｈｅｎの水素が他の官能基に置換されたものである。ｂｐｙの場合、３，３’，４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に水素が結合している。ｂｐｙ類縁体は、ｂｐｙに構造が類似するもの、たとえばｂｐｙの４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に、水素の代わりに他の官能基が結合したものが含まれる。
【００５７】
次に、図７〜図１２に基づき、上記したコネクタ４０，４１（電気部品）及び電子装置１０の効果について説明する。図７は参考例を示している。図７及び図８では、金属原子、ダングリングボンド、酸素分子、不対電子を模式化して示している。金属の結晶構造は特に限定されるものではない。図８では、端子４３を一例として示している。図７の構成は、図８に対応している。図１０は平面図であるが、明確化のために、後述する実装禁止領域３７にハッチングを施している。図１１も参考例を示している。各参考例では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号末尾にｒを加算した符号を付与している。
【００５８】
図７に示す参考例では、端子４３ｒが、基材４３０ｒとともにめっき膜４３１ｒを有している。参考例のめっき膜４３１ｒは、芳香族化合物を含んでいない。この構成では、めっき膜４３１ｒの表面が、端子４３ｒにおける金属表面となっている。したがって、めっき膜４３１ｒの表面に、半導体表面のダングリングボンド（未結合手）のように、電子が局在化している。以下においては、金属表面における電子の局在化を、金属表面のダングリングボンドと示す。図７に示すように、めっき膜４３１ｒの表面に位置する金属原子４７ｒは、ダングリングボンド４８ｒを有している。
【００５９】
一方、酸素分子１００は、図７に示すように不対電子１００ａを２つ有している。このため、酸素分子１００とダングリングボンド４８ｒを有する金属とが互いに電子を共有し、酸素分子１００が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。換言すれば、電子の局在化により金属表面に表面準位が形成されるため、不対電子１００ａを有する酸素分子１００が表面準位にトラップされて酸化に至るものと推測される。このように、従来構成を示す参考例の場合、端子４３の表面において酸化が進行する。
【００６０】
本実施形態では、図８に示すように、端子４３が、基材４３０とともにめっき膜４３１を有している。このため、参考例で示したように、めっき膜４３１の表面が、端子４３における金属表面となっている。また、上記したように、めっき膜４３１中に、π受容性を有する芳香族化合物４６が分散されている。図８に示す例では、芳香族化合物４６としてｐｈｅｎが分散されている。
【００６１】
上記したように、芳香族化合物４６は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる。芳香族化合物４６は、分光化学系列において配位子場分裂の大きさがｂｐｙ以上の分子であり、π受容性が高い。このため、芳香族化合物４６の空のπ軌道のエネルギーが、金属の占有されたｄ軌道のエネルギーと近接しており、π軌道がｄ軌道と相互作用して、金属から芳香族化合物４６に向けて電子の非局在化が生じる。すなわち、芳香族化合物４６は、めっき膜４３１を構成する金属原子４７（銅原子）と間に、逆供与π結合を形成する。なお、芳香族化合物４６の配位原子は孤立電子対を有しており、配位原子のσ軌道が金属の空の軌道（たとえばｄ軌道）と相互作用して、σ結合を形成する。
【００６２】
このように、本実施形態では、芳香族化合物４６が、ダングリングボンドを有する金属原子４７との間に逆供与π結合を形成する。また、めっき膜４３１における芳香族化合物４６の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜４３１の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされており、分散状態で、金属表面付近に芳香族化合物４６が十分に存在する。これにより、端子４３において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減する、若しくは、無くすことができる。したがって、端子４３において、金属表面の酸化を抑制することができる。なお、端子４５についても、同様の効果を奏することができる。
【００６３】
ところで、還元剤の場合、還元能がなくなると酸化が進行する。これに対し、芳香族化合物４６は、ダングリングボンドを有する金属原子４７に結合することで、金属表面の酸化を抑制する。結合状態が維持される限り、酸化を抑制することができる。上記したように、芳香族化合物４６は、σ結合に加えて逆供与π結合により、金属原子４７に配位している。したがって、従来よりも長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。
【００６４】
また、めっき膜として金を用いないため、安価に金属表面の酸化を抑制することができる。
【００６５】
さらに本実施形態では、めっき膜４３１が芳香族化合物４６を含んでいる。芳香族化合物４６を、Ｃ原子換算でめっき膜４３１の主成分の金属に対して０．１重量％以上含んでいる。これにより、めっき膜４３１が、自己潤滑性を有する。したがって、端子４３をスルーホール３１ｃに挿入（圧入）する際、ランド３５との間で生じる動摩擦力に起因する組み付け荷重を、図９の白抜き矢印で示すように低減することができる。特にプレスフィット端子の場合、組み付け荷重が大きいため、効果的である。なお、図９には、参考例として、芳香族化合物４６を含まない場合に生じる組み付け荷重を破線で示している。なお、動摩擦力に起因する組み付け荷重は、挿入荷重とも称される。
【００６６】
このように、動摩擦力に起因する組み付け荷重を低減できるため、たとえばめっき膜４３１やランド３５を構成するめっき膜が削れて屑が生じるのを抑制することができる。
【００６７】
スルーホール３１ｃに圧入される端子４３（プレスフィット端子）の場合、動摩擦力に起因する組み付け荷重が、Ｚ方向、すなわちプリント基板３１を撓ませる方向に作用する。しかしながら、本実施形態によれば、組み付け荷重を低減できるため、組み付けにともなうプリント基板３１の歪みを低減することができる。
【００６８】
このように、プリント基板３１の歪みを低減できるため、たとえば図１０に示すように、プリント基板３１におけるランド３５周りの実装禁止領域３７を小さくすることができる。すなわち、電子部品３２をランド３５の近くに実装することができる。図１０には、参考例として、芳香族化合物４６を含まない場合の実装禁止領域３７ｒと、ランド３５周辺に実装される電子部品３２ｒを破線で示している。破線で示す参考例の実装禁止領域３７ｒに較べて実装禁止領域３７を小さくできるので、プリント基板３１を小型化することができる。また、電子部品３２とランド３６とを接続するはんだ３３にクラックが生じるのを抑制することもできる。
【００６９】
また、動摩擦力に起因する組み付け荷重が大きいと、図１１の参考例に示すように、プリント基板３１ｒに内層クラック３８ｒが生じる虞がある。換言すれば、プリント基板３１ｒに白化が生じる虞がある。これに対し、本実施形態では、動摩擦力に起因する組み付け荷重を低減できるため、内層クラックの発生を抑制することもできる。
【００７０】
なお、端子４５も、芳香族化合物４６を含むめっき膜４５１を有しているので、端子４３と同等の効果を奏することができる。端子４５の場合、動摩擦力を低減することで、たとえばめっき膜４５１の屑が生じるのを抑制することができる。また、端子４５をランド３６に固定するはんだ３３にクラックが生じるのを抑制することができる。また、出力端子５０が表面に図示しないめっき膜を有する場合にも、めっき膜が削れて屑が生じるのを抑制することができる。
【００７１】
芳香族化合物４６として、複数の芳香環を有する多環式化合物を採用するとよい。これによれば、単環に較べて、めっき膜４３１，４５１の自己潤滑性を高めることができる。すなわち、動摩擦力をより低減することができる。単環よりも少量の添加で自己潤滑性をもたせることができる。多環式化合物として、たとえば複素環式化合物を採用することができる。
【００７２】
より好ましくは、芳香族化合物４６として、複素環式化合物であるｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含むとよい。ｐｈｅｎはｂｐｙに較べて共役系が長く、平面性が高いため、自己潤滑性をより高めることができる。また、ｐｈｅｎは水にも溶解するため、製造上の自由度を高めることもできる。
【００７３】
また、芳香族化合物４６として、電子吸引性の置換基を有する複素環式化合物を採用するとよい。たとえばｐｈｅｎの２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が結合されたｐｈｅｎ類縁体を用いるとよい。水素の代わりに電子吸引性基を導入すると、電子吸引性によってπ受容性がより高くなる。換言すれば金属のダングリングボンドをｐｈｅｎ側に引きやすくなる。これにより、結合強度を向上することができる。したがって、高温においても長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができる。すなわち、耐熱性を向上し、広い温度範囲での使用が可能となる。なお、電子吸引性基として、ニトロ基、アルデヒド基、カルボキシ基、シアノ基などを用いることができる。
【００７４】
耐熱性向上については、ｂｐｙについても同様である。具体的には、芳香族化合物４６として、ｂｐｙの３〜６位及び３’〜６’位のうち、少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体を用いるとよい。これにより、π受容性がより高まり、耐熱性を向上することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では、コネクタ４０，４１の端子４３，４５が、芳香族化合物４６を含むめっき膜４３１，４５１を有する例を示した。しかしながら、端子４３，４５の接続対象であるランド３５や出力端子５０が、芳香族化合物を含み、端子４３，４５との接触表面をなすめっき膜を有してもよい。
【００７６】
次に、本発明者によって確認された具体的な実施例について説明する。
【００７７】
（実施例１）
本発明者は、芳香族化合物４６の有無と金属表面との酸化との関係について確認した。具体的には、先ず、リン青銅を構成材料とする平板状の基材を準備した。基材の大きさは、２０ｍｍ×２０ｍｍとした。そして、銅を主成分とするめっき浴中に、芳香族化合物４６であるｐｈｅｎと、添加剤とを加えて撹拌し、基材の表面にめっき膜を成膜して試験片を作成した。なお、めっき膜における芳香族化合物４６の含有量が、Ｃ原子換算で銅に対して０．１重量％以上（たとえば０．５〜９重量％）となるようにした。この試験片を、室温（２５℃）でＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により分析した。また、ホットプレートにより試験片を加熱して、試験片の温度を９０℃で３時間維持し、３時間加熱後の試験片をＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図１２に示す。図１２において、破線が室温、実線が９０℃の結果を示している。
【００７８】
また、比較例１として、めっき膜中に芳香族化合物４６（ｐｈｅｎ）を含まない試験片を作成し、これについても、室温と８０℃とでＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図１３に示す。図１３において、破線が室温、実線が８０℃の結果を示している。
【００７９】
ここで、酸化第二銅（ＣｕＯ）のピークは５２９．５ｅＶに現れ、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）のピークは５３０．５ｅＶに現れる。実施例１の場合、図１２に示すように、室温と９０℃とで、５２９．５ｅＶにおける強度にほとんど変化は見られなかった。また、５３０．５ｅＶにおける強度にもほとんど変化は見られなかった。このことから、実施例１では、金属表面の酸化が抑制されたことがわかる。
【００８０】
一方、比較例１の場合、加熱温度を実施例よりも低い８０℃としながらも、図１３に示すように、室温に対して、５２９．５ｅＶをピークとする帯域の面積の増加が確認できた。また、８０℃において、５３０．５ｅＶにショルダーが確認できた。このことから、めっき膜中に芳香族化合物４６を含まない比較例１では、金属表面の酸化が進行したことがわかる。なお、ｂｐｙについても、同様の結果が得られた。
【００８１】
（実施例２）
本発明者は、置換基の効果及び耐熱性について確認した。
【００８２】
先ず、図１４に示すように、第１部材６０及び第２部材６１を準備した。具体的には、リン青銅を構成材料とする２０ｍｍ×２０ｍｍの平板を、銅を主成分とするめっき浴中に、芳香族化合物４６と添加剤とを加えて撹拌し、平板の表面にめっき膜を成膜して第１部材６０とした。なお、めっき膜における芳香族化合物４６の含有量が、Ｃ原子換算で銅に対して０．１重量％以上となるようにした。また、リン青銅を構成材料とする２０ｍｍ×２０ｍｍの平板部６２と、平板部６２における第１部材６０との対向面の中央付近に形成された半球状の凸部６３を有する金属部材を準備した。なお、凸部６３をＲ１（半径１ｍｍ）とした。そして、金属部材の表面に、第１部材６０と同様にめっき膜を成膜して第２部材６１とした。
【００８３】
図１４に示すように、板厚方向からの投影視において、第１部材６０と平板部６２がほぼ一致するように、平板部６２における凸部６３の形成面上に第１部材６０を積層配置した。そして、第１部材６０側から積層方向に所定の荷重（たとえば３Ｎ）を印加した状態で、積層方向と直交する方向（図１４の矢印方向）に第１部材６０と第２部材６１とを相対的に微摺動させた。摺動の往復距離、すなわち摺動１回当たりの距離については、複数水準設定した。後述する図１５〜図１７は、摺動１回当たりの距離を５０μｍとしたときの結果を示している。なお、距離を変えても、傾向は同じであった。
【００８４】
また、１回の摺動ごとに、接触抵抗を測定した。その際、第１部材６０の相対する２辺の一方である端部６０ａ、他方である端部６０ｂのそれぞれに測定用の端子を取り付けた。また、第２部材６１の平板部６２における相対する２辺の一方である端部６１ａ、他方である端部６１ｂのそれぞれに測定用の端子を取り付けた。なお、端部６０ａ，６０ｂが設けられた２辺の対向方向を第１方向とすると、第２部材６１において、端部６１ａ，６１ｂが設けられた２辺の対向方向も、第１方向となるようにした。また、第１方向において、端部６０ａ，６１ａを互いに同じ側、端部６０ｂ，６１ｂを互いに同じ側とした。そして、間に凸部６３を挟むように、第１部材６０の端部６０ａと第２部材６１の端部６１ｂ間の通電経路における接触抵抗、又は、第１部材６０の端部６０ｂと第２部材６１の端部６１ａ間の通電経路における接触抵抗を測定した。
【００８５】
芳香族化合物４６としては、ｐｈｅｎ、５位にニトロ基（ＮＯ２）が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位にアルデヒド基（ＣＨＯ）が導入されたｐｈｅｎ類縁体、をそれぞれ用いた。そして、それぞれについて室温（２５℃）と１２５℃の両方で接触抵抗を測定した。また、比較例２として、芳香族化合物４６を含むめっき膜の代わりに、金めっきを施してなる第１部材及び第２部材を準備し、同様の摺動試験を行った。
【００８６】
図１５は、室温での摺動試験の結果を示している。図１６は、１２５℃での摺動試験の結果を示している。図１７は、実施例２のうちｐｈｅｎ、ｐｈｅｎの５位にニトロ基（ＮＯ２）が導入されｐｈｅｎ類縁体、比較例２、の結果をまとめて示している。図１５では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を一点鎖線で示している。図１６では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を一点鎖線で示している。図１７では、ｐｈｅｎを実線、ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を破線、比較例２である金（Ａｕ）を一点鎖線で示している。なお、図１７では、室温を細線、１２５℃を室温よりも太い太線で示している。
【００８７】
図１５に示すように、室温において、ｐｈｅｎ、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位に電子吸引性のアルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体のいずれも、５万回の摺動回数でも安定した接触抵抗を示した。
【００８８】
図１６に示すように、１２５℃において、ｐｈｅｎ、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体、２位に電子吸引性のアルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体のいずれも、２千回の摺動回数でも安定した接触抵抗を示した。具体的には、ｐｈｅｎの場合、２千回程度まで安定した接触抵抗を示した。ニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、１万回程度まで安定した接触抵抗を示した。アルデヒド基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、７千回程度まで安定した接触抵抗を示した。すなわち、電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の方が、ｐｈｅｎよりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。また、置換基の種類は違うものの、５位に電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の方が、２位に電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎよりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。
【００８９】
図１７に示すように、室温では、ｐｈｅｎのほうが、比較例２の金よりも、長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。また、１２５℃では、ｐｈｅｎのほうが金よりも、若干早く接触抵抗が増大した。一方、５位に電子吸引性のニトロ基が導入されたｐｈｅｎ類縁体の場合、室温、１２５℃のいずれにおいても、金より長期にわたって接触抵抗増大を抑制することができた。
【００９０】
以上より、π受容性を有する芳香族化合物４６を所定量含むことで、長期にわたって接触抵抗増大を抑制できることが明らかとなった。特に、芳香族化合物４６として、ｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含むと良いことが明らかとなった。さらに、電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を用いることで、耐熱性を向上し、より広い温度域で長期にわたり接触抵抗増大を抑制できることが明らかとなった。
【００９１】
なお、実施例２では、芳香族化合物４６として、ｐｈｅｎ及び電子吸引性基が導入されたｐｈｅｎ類縁体を用いたが、ｂｐｙ及び電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体についても同様の結果が得られるものと考えられる。すなわち、芳香族化合物４６として、ｂｐｙ及びｂｐｙ類縁体の少なくともひとつを含むと良い。さらに、２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体を用いるとよい。
【００９２】
（実施例３）
本発明者は、動摩擦力低減の効果について確認した。
【００９３】
その際、実施例２と同じ試験装置を用いた。そして、第１部材６０側から積層方向に所定の荷重（たとえば５０Ｎ）を印加した状態で、積層方向と直交する方向に第１部材６０と第２部材６１とを相対的に微摺動させた。微摺動時に垂直抗力Ｎ（印加荷重）及び動摩擦力Ｆを検出し、Ｆ＝μ・Ｎの関係から、動摩擦係数μを算出した。図１８は、動摩擦係数μの測定結果を示している。第１部材６０及び第２部材６１を２組準備し、それぞれについて測定した。図１８では、一方の測定結果を実線、他方を破線で示している。
【００９４】
図１８に示すように、芳香族化合物４６を所定量含むことで、動摩擦係数μの平均値が０．２程度となることが明らかとなった。なお、Ｃｕ同士の動摩擦係数は、０．４３程度である。すなわち、芳香族化合物４６を含むことで、自己潤滑性を有することが明らかとなった。
【００９５】
（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。
【００９６】
本実施形態では、図１９に示すように、プリント基板３１の接点部であるランド３５が、基材としてのめっき膜３５０と、基材を被覆するめっき膜３５１を有している。図１９では、めっき膜３５０，３５１以外の配線部分を省略して図示している。めっき膜３５０は、銅を材料として形成されている。めっき膜３５０は、スルーホール３１ｃの壁面に形成されている。めっき膜３５０は、スルーホール３１ｃの開口周囲にも形成されている。めっき膜３５０は、無電解銅めっきにより形成することができる。
【００９７】
めっき膜３５１は、下地のめっき膜３５０の表面に形成されている。めっき膜３５１は、ランド３５の表面、具体的には、端子４３が接触する表面をなしている。めっき膜３５１は、上記した芳香族化合物４６を含むめっき膜４３１，４５１と同様の構成となっている。めっき膜３５１は、主成分の金属に加えて、芳香族化合物３９を含んでいる。めっき膜３５１は、芳香族化合物３９との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、めっき膜３５０上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。めっき膜３５１は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。本実施形態では、Ｃｕを構成材料としている。
【００９８】
芳香族化合物３９は、上記した芳香族化合物４６同様、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性を有し、且つ、芳香族性を有する分子である。芳香族化合物３９として、たとえばｐｈｅｎを採用することができる。めっき膜３５１における芳香族化合物３９の含有量は、Ｃ原子換算でめっき膜３５１の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。
【００９９】
一方、コネクタ４０を構成する端子４３において、めっき膜４３１は、芳香族化合物４６を含まず、貴金属を材料として形成されている。本実施形態では、Ａｕを材料として形成されている。めっき膜４３１として、多層構造を採用することもできる。この場合、最外層のめっきとして、貴金属めっきを有せばよい。
【０１００】
このように、本実施形態では、ランド３５が芳香族化合物３９を含むめっき膜３５１を有し、端子４３が、貴金属を用いて形成され、ランド３５との接触面をなすめっき膜４３１を有している。このため、ランド３５が第１接点部、めっき膜３５１が第１めっき膜に相当する。また、端子４３の接点部４３ａが第２接点部、めっき膜４３１が第２めっき膜に相当する。
【０１０１】
次に、図２０及び図２１に基づき、電子装置１０の効果について説明する。図２１は、自己潤滑性を有するめっき膜３５１の効果を示す図である。図２１は、端子４３をスルーホール３１ｃに対して複数回挿抜したときの、めっき膜３５１，４３１の状態変化を示している。図２１（ａ）は、圧入前の初期状態、図２１（ｂ）は、圧入完了後の状態、図２１（ｃ）は、複数回挿抜を行った後の状態を示している。図２０は、自己潤滑性を有さないめっき膜３５１ｒについての参考例を示しており、図２１に対応している。図２０及び図２１は、図１９に対して簡素化して図示している。参考例では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号末尾にｒを加算した符号を付与している。
【０１０２】
図２０（ａ）に示すように、参考例では、ランド３５ｒが、基材としてのめっき膜３５０ｒと、基材を被覆するめっき膜３５１ｒを有している。めっき膜３５１ｒは、芳香族化合物３９を含んでおらず、たとえばＡｕを材料として形成されている。端子４３ｒは、基材４３０ｒとともにめっき膜４３１ｒを有している。めっき膜４３１ｒは、芳香族化合物４６を含んでおらず、たとえばＡｕを材料として形成されている。
【０１０３】
端子４３ｒを圧入する際に、ランド３５ｒと端子４３ｒの電気接点には、端子４３ｒのばね変形による反力に起因する荷重に加えて、めっき膜３５１ｒ，４３１ｒの間の動摩擦力に起因する荷重が作用する。したがって、圧入時に、ランド３５ｒの表面のめっき膜３５１ｒ、端子４３ｒの表面のめっき膜４３１ｒが削れる。圧入完了の状態で、図２０（ｂ）に示すように、めっき膜３５１ｒ，４３１ｒの厚みは、圧入前よりも薄くなる。
【０１０４】
挿抜を繰り返すごとに、めっき膜３５１ｒ，４３１ｒが削れる。したがって、複数回挿抜すると、図２０（ｃ）に示すように、めっき膜３５１ｒ，４３１ｒが摩耗し、下地のめっき膜３５０ｒと下地の基材４３０ｒとの接触となる。下地同士が摺動するため、金属表面の酸化が進行してしまう。
【０１０５】
これに対し、本実施形態では、図２１（ａ）に示すように、ランド３５のめっき膜３５１が、芳香族化合物３９を含んでいる。また、めっき膜３５１における芳香族化合物３９の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜３５１の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。これにより、めっき膜３５１が自己潤滑性を有している。このため、めっき膜３５１，４３１の間の動摩擦力に起因する荷重が、参考例よりも小さい。したがって、圧入時に、めっき膜３５１，４３１がほとんど削れない。すなわち、圧入完了の状態で、図２１（ｂ）に示すように、めっき膜３５１ｒ，４３１ｒの厚みは、圧入前とほとんど変わらない。
【０１０６】
また、複数回挿抜しても、図２１（ｃ）に示すように、めっき膜３５１，４３１がほとんど削れない。めっき膜３５１，４３１の摩耗を抑制できるため、低抵抗を安定的に維持することができる。
【０１０７】
このように、本実施形態では、めっき膜３５１が所定量の芳香族化合物３９を含んでいる。めっき膜３５１が自己潤滑性を有するため、動摩擦力を低減でき、ひいては貴金属を材料とするめっき膜４３１の摩耗量を低減することができる。したがって、従来、摩耗を前提に厚膜化が必要であっためっき膜（貴金属めっき）を、薄厚化することもできる。また、動摩擦係数が小さい分、接圧（垂直抗力）を高めることもできる。
【０１０８】
なお、本実施形態では、めっき膜４３１が貴金属を材料とし、めっき膜３５１が芳香族化合物３９を含む例を示した。しかしながら、めっき膜３５１が貴金属を材料とし、めっき膜４３１が芳香族化合物４６を含む構成としてもよい。
【０１０９】
この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。
【０１１０】
芳香族化合物を含むめっき膜を有した電気部品は、上記した例に限定されない。端子やリードなど電気的な中継部材自体を電気部品とすることもできる。また、中継部材を備える電子部品を電気部品とすることもできる。たとえば、２つの基板間を電気的に接続するプレスフィット端子の接点部が、芳香族化合物を含むめっき膜を有してもよい。また、電子部品の端子の接点部が、芳香族化合物を含むめっき膜を有してもよい。電気部品が中継部材を含む場合、中継部材の少なくとも接点部に、芳香族化合物を含むめっき膜が設けられる。カードエッジコネクタの端子に、芳香族化合物を含むめっき膜を設けてもよい。また、カードエッジコネクタの端子が接触するプリント基板のランドに、芳香族化合物を含むめっき膜を設けてもよい。
【０１１１】
電子装置１０が２つのコネクタ４０，４１を備える例を示したが、これに限定されない。たとえばコネクタ４０のみを備える構成、コネクタ４１のみを備える構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１１２】
１０…電子装置、２０…筐体、２０ａ，２０ｂ…開口部、２１…ケース、２２…カバー、２２ａ…底部内面、２２ｂ…支持部、３０…回路基板、３１，３１ｒ…プリント基板、３１ａ…一面、３１ｂ…裏面、３１ｃ，３１ｄ…スルーホール、３２，３２ｒ…電子部品、３３…はんだ、３４，３４ｒ…絶縁基材、３５，３５ｒ，３６…ランド、３５０，３５０ｒ，３５１，３５１ｒ…めっき膜、３７，３７ｒ…実装禁止領域、３８ｒ…内層クラック、３９…芳香族化合物、４０，４１…コネクタ、４２…ハウジング、４２ａ…筒部、４２ｂ…閉塞部、４３，４３ｒ…端子、４３ａ…接点部、４３０，４３０ｒ…基材、４３０ａ…開口部、４３０ｂ…先端部、４３０ｃ…後端部、４３０ｄ…梁部、４３１，４３１ｒ…めっき膜、４４…ハウジング、４５…端子、４５０…基材、４５１…めっき膜、４６…芳香族化合物、４７，４７ｒ…金属原子、４８ｒ…ダングリングボンド、５０…出力端子、１００，１００ｒ…酸素分子、１０１，１０１ｒ…不対電子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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