(57)【要約】【課題】放熱性に優れた発光装置を提供する。【解決手段】  半導体層を含む積層構造体の下面の中央部に配置される第１電極と、第１電極を取り囲むように前記積層構造体の下面の外周部に配置される第２電極と、を備えた発光素子と、第１電極に接続される第１バンプと、第２電極に接続される第２バンプと、第１バンプと接続される第１配線と、第２バンプと接続される第２配線と、を上面に備えた基材と、を備える基板と、発光素子を被覆し、基板の上面と接する封止部材と、を有し、第２バンプは、隣接する第２バンプ同士が接している発光装置。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を含む積層構造体の下面の中央部に配置される第１電極と、前記第１電極を取り囲むように前記積層構造体の下面の外周部に配置される第２電極と、を備えた発光素子と、
前記第１電極に接続される第１バンプと、
前記第２電極に接続される第２バンプと、
前記第１バンプと接続される第１配線と、前記第２バンプと接続される第２配線と、を上面に備えた基材と、を備える基板と、
前記発光素子を被覆し、前記基板の上面と接する封止部材と、を有し、
前記第２バンプは、隣接する前記第２バンプ同士が接していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２バンプは、隣接する前記第２バンプの一部と重なっている、請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２バンプは、上面視においてｘ方向の幅よりも、前記ｘ方向と直交するｙ方向の幅が小さい、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は、下面形状が略正方形であり、前記ｘ方向に平行なｘ辺側の下面の前記第２電極と接続される前記第２バンプの数よりも、前記ｙ方向に平行なｙ辺側の下面の前記第２バンプの数の方が多い、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１配線は、前記基板の上面に設けられる第１上面配線と、前記基板の下面に設けられる第１下面配線と、前記第１上面配線と前記第１下面配線とを電気的に接続するビアと、を備え、前記ビアは、前記ｘ辺側の数よりも、前記ｙ辺側の数の方が多い、請求項４に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子がバンプを用いてフリップチップ実装され、さらに樹脂で覆われた構造の発光装置が知られている。発光装置は、更なる高出力化が要求されており、発光素子からの熱は増える傾向にある。発光素子の下面と基板の上面との間には、バンプの高さ分の隙間ができており、この隙間に樹脂が入り込むと、樹脂の種類によっては熱膨張によって樹脂の体積が増加して発光素子が持ち上がることがある。そのため、発光素子の下に樹脂が入り込みにくいようにする構造が知られている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２０４２９３号公報
【特許文献２】特開平１１−２６６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では発光素子の直下に、樹脂からなるダムを形成しているため、樹脂の種類によっては膨張して発光素子を持ち上げて発光特性に悪影響を与える場合がある。また、特許文献２は、ダムとなる半田が電極と繋がっていないので、放熱に寄与しない。そのため、発光素子の下に樹脂は入り込みにくいものの、放熱性は改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態は、以下の構成を含む。
半導体層を含む積層構造体の下面の中央部に配置される第１電極と、第１電極を取り囲むように積層構造体の下面の外周部に配置される第２電極と、を備えた発光素子と、第１電極に接続される第１バンプと、第２電極に接続される第２バンプと、第１バンプと接続される第１配線と、第２バンプと接続される第２配線と、を上面に備えた基材と、を備える基板と、発光素子を被覆し、基板の上面と接する封止部材と、を有し、第２バンプは、隣接する第２バンプ同士が接している発光装置。
【発明の効果】
【０００６】
以上により、放熱性に優れ、発光特性に悪影響を与えにくい発光装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】図１Ａは、実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａの発光装置の内部が透けた状態を示す概略透過斜視図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ｂの発光装置の概略上面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、図１ＣのＡ−Ａ線における概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、発光装置の基板上にバンプを配置した状態を示す概略上面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線における概略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２ＡのＣ−Ｃ線における概略断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図２ＡのＤ−Ｄ線における概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の外観検査方法を例示するものであって、本発明は、発光装置の外観検査方法を以下に限定するものではない。
【０００９】
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明を実施形態にのみ限定する趣旨ではない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、図面中に示すように、上面視において基板の上辺及び下辺に平行な方向をｘ方向、左辺及び右辺に平行な方向であってｘ方向と直交する方向をｙ方向、さらに、ｘｙ平面に垂直な方向をｚ方向とする。
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｄは、実施形態に係る発光装置１００を示す。発光装置１００は、基板２０と、発光素子１０と、基板２０と発光素子１０とを接合するバンプ３０と、発光素子１０を被覆し基板２０の上面と接する封止部材４０と、を備える。
【００１１】
発光素子１０は、半導体層を含む積層構造体１３と、第１電極１１及び第２電極１２と、を備える。第１電極１１と第２電極１２とは、いずれも積層構造体１３の下面（基板２０と対向する側の面）に設けられている。第１電極１１は積層構造体１３の下面の中央部に配置され、第２電極１２は積層構造体１３の下面の外周部に配置されている。すなわち、第２電極１２は、第１電極１１を取り囲むように設けられている。
【００１２】
基板２０は、絶縁性の基材２１と、基材２１の上面に設けられる一対の配線２２と、を備える。一対の配線２２は、正負一対の電極として機能する導電性の部材であり、正極として機能する第１配線２２１と、負極として機能する第２配線２２２と、を備える。第１配線２２１と第２配線２２２は、どちらを正極側、又は負極側の配線とするかは、発光素子のデザイン等に応じていずれかを選択することができる。
【００１３】
発光素子１０の第１電極１１は第１バンプ３１と接続され、第２電極１２は第２バンプ３２と接続されている。換言すると、発光素子１０の第１電極１１と、基板２０の第１配線２２１とは、第１バンプ３１を介して電気的に接続される。さらに、発光素子１０の第２電極１２と、基板２０の第２配線２２２とは、第２バンプ３２を介して電気的に接続される。
【００１４】
第２バンプ３２は複数あり、隣接する第２バンプ同士は接している。これにより、発光素子１０の下面と、複数の第２バンプ３２と、基板２０の上面と、によって構成される空間が形成される。第２バンプ３２同士が接していることで、封止部材４０が前述の空間の内部に侵入することを抑制することができる。さらに、第２バンプ３２は発光素子１０の第２電極１２と基板２０の第２配線２２２との両方に接続されているため、発光素子１０からの熱を、第２バンプ３２を介して第２配線２２２側に効率よく放出することができる。
以下、各部材について詳説する。
【００１５】
（発光素子）
発光素子１０は、半導体層を含む積層構造体１３と、正負一対の電極である第１電極１１と第２電極１２と、を備える。第１電極１１第２電極１２、積層構造体１３の同一面側に備えられている。発光素子１０は、基板２０上に備えられている配線２２上に、導電性の接合部材であるバンプ３０を介してフリップチップ実装される。
【００１６】
発光素子１０としては、発光ダイオードを用いるのが好ましい。発光ダイオードの積層構造体は半導体層を備えており、例えば、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、あるいはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体などが挙げられる。これらの積層構造体１３は、発光層を含んでいる。また、積層構造体１３は、透光性基板を備えていてもよい。透光性の基板としては、サファイアが挙げられる。
【００１７】
積層構造体１３は、上面視が三角形、四角形、五角形、六角形等の多角形、もしくは、これらの一部が欠けた形状等とすることができる。
【００１８】
第１電極と第２電極とは、積層構造体の同一面側に配置されており、電極が形成された側の面（以下、「下面」と称する）は、発光素子が載置される側の面（以下、「上面」と称する）と対向する面である。第１電極は、積層構造体の下面の中央部に配置され、第２電極は、積層構造体の下面の外周部に配置される。第２電極は、第１電極を囲むよう、積層構造体の下面の外周部の全周に渡って配置されている。
【００１９】
第１電極は、積層構造体の下面の中央部に配置される。尚、中央部は、必ずしも積層構造体の下面の中心を指すものではなく、外周部から離れた内側の領域を指すものである。第１電極は、１又は２以上の複数であってもよい。第１電極の形状は、円形、楕円形、
四角形、三角形、及びこれらの形状の一部を切欠いた形状、部分的に変形させた形状、組み合わせた形状等、適宜選択することができる。
【００２０】
第２電極は、積層構造体の下面の外周部に配置される。外周部は、積層構造体の下面の縁部及び、それらを含む領域を指している。また、第２電極は１又は２以上の複数であってもよい。第２電極を複数とする場合は、隣接する第２バンプ同士が接することが可能な程度の近距離で配置されることが好ましい。
【００２１】
第１電極及び第２電極の材料は、特に限定されるものではなく、公知の材料を用いることができる。
【００２２】
（バンプ）
バンプは、発光素子の電極と、基板の配線とを電気的に接続するための導電部材である。バンプは、基板の配線上に配置されていてもよく、あるいは、発光素子の電極上に配置されていてもよい。バンプの材料としては、Ａｕ、Ａｌ等を挙げることができ、好ましくはＡｕである。第１バンプと第２バンプは、同じ材料、又は異なる材料を用いることができる。また、第１バンプと第２バンプとは、同じ大きさでもよく、異なる大きさでもよい。
【００２３】
第１バンプは、発光素子の第１電極に接続され、第２バンプは、発光素子の第２電極に接続される。第１バンプは、１又は２以上の複数備えることができる。第２バンプは複数であり、隣接する第２バンプと接するように設けられる。
【００２４】
図２は、図１Ａ〜図１Ｄに示す発光装置１００に用いられる基板２０の上面にバンプ３０が配置された状態を示す概略図である。図２Ａは上面図、図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線における断面図、図２Ｃは図２ＡのＣ−Ｃ線における断面図、図２Ｄは図２ＡのＤ−Ｄ線における断面図を示す。第１バンプ３１は、基板２０の第１配線（第１上面配線２２１ａ）上であって、発光素子が載置される予定の領域（以下、素子載置領域）の外周に複数形成されている。第２バンプ３２は、隣接する第２バンプ３２と接するように配置されている。このように、第２バンプの数を多くすることで、発光素子の下に樹脂が入り込みにくく、かつ、放熱性を向上させることができる。
【００２５】
第２バンプ３２は、図２Ａ〜図２Ｄに示すように、互いに重ならないように接して配置してもよく、あるいは、一部が重なるようにして配置してもよい。その場合、すべての第２バンプ３２が重なってもよく、一部の第２バンプが重なっていてもよい。例えば、横方向（ｘ方向）に並んだ第２バンプ３２が重なり、縦方向（ｙ方向）に並んだ第２バンプ３２は重なっていないようにすることができる。あるいは、縦方向（ｙ方向）に並んだ第２バンプ３２が重なり、横方向（ｘ方向）に並んだ第２バンプ３２は重なっていないようにすることができる。あるいは、すべての第２バンプ３２が重なっているようにすることができる。第２バンプが重なることで、より放熱性を向上することができる。
【００２６】
また、第２バンプは、上面視においてｘ方向の幅よりも、ｘ方向と直交するｙ方向の幅が小さい形状とすることができる。例えば、第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、図１Ｃ等に示すように、上面視において楕円形とすることができる。これは、基板上又は発光素子上にバンプを形成する際に、超音波の条件を調整することで楕円形とすることができる。詳細には、超音波をかけて接合させる際に、その際の振動の方向を一方向とすることで、第１バンプ及び第２バンプがその一方向に伸ばすことができ、これにより楕円形とすることができる。超音波の周波数や時間等を調整することで、バンプの伸びる長さを調整することができる。そのため、基板上に第２バンプを形成する際は、互いに離間するように形成した後に、超音波をかけて第２バンプを伸ばして隣接する第２バンプと接するようにすることができる。尚、接合時に伸ばされるなど変形されたバンプは、隣接するバンプと接する際に、境界が分かりにくくなる場合がある。
【００２７】
超音波は、基板上又は発光素子上にバンプを形成する際（バンプ形成時）と、バンプを介して基板と発光素子とを接合する際（接合時）と、で用いられる。バンプ形成時の超音波と、接合時の超音波の条件は、同じでもよく、変えてもよい。例えば、バンプ形成時にはｘ方向に、接合時はｙ方向に、と異なる方向に振動させることができる。
【００２８】
また、バンプの数は、発光素子の各辺において、同じ数、又は異なる数とすることができる。上述のようにバンプ形成時に超音波をかける際に、ｘ方向又はｙ方向に伸びた形状のバンプを形成することができる。更に、その後の接合時にも超音波をかけることで、更にｘ方向又はｙ方向に伸びた形状のバンプを形成することができる。そのため、それら超音波の条件を考慮して、バンプの数を設定することができる。例えば、発光素子の下面形状が略正方形である場合、ｘ方向に平行なｘ辺側の下面の第２電極と接合される第２バンプの数よりも、ｙ方向に平行なｙ辺側の下面の第２バンプの数を多くすることができる。いずれの場合も、発光素子の下面の外周において、隣接する第２バンプ同士が接することで、その外周の全周に渡って連なるように形成されるように、第２バンプの数や大きさ、配置することが好ましい。
【００２９】
（基板）
基板は、発光素子や保護素子などの電子部品を配置するためのものであり、絶縁性の基材と、導電性の配線と、を備える。基板の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、厚みが３００ｍｍ〜５００ｍｍ程度の矩形平板状の基板など、上面が平坦な形状を有していることが好ましい。
【００３０】
基材としては、ガラスエポキシ樹脂や熱可塑性樹脂などのほか、アルミナや窒化アルミニウムなどのセラミックスがあげられる。
【００３１】
配線は、発光素子等の電子部品に外部電源からの電圧を印加するために用いられるものであり、基板の上面及び下面に設けられる。詳細には、配線は、第１バンプを介して発光素子の第１電極と接続される第１配線と、第２バンプを介して発光素子の第２電極と接続される第２配線と、とを備える。
【００３２】
図１Ｄに示すように、第１配線２２１は、基板の上面に配置される第１上面配線２２１ａと、基板の下面に配置される第１下面配線２２１ｃと、を備える。基材を複数用いる場合は、第１内部配線２２１ｂを備えていてもよい。これらは、ビア２３を介して電気的に接続されている。第１上面配線２２１ａは、図１Ｃ等に示すように、発光素子１０の直下に位置しており、発光素子の下面の大きさ（面積）よりも小さい大きさで設けられている。
【００３３】
第２配線２２２は、基板の上面に配置される第２上面配線２２２ａと、基板の下面に配置される第２下面配線２２２ｃと、を備える。基材を複数用いる場合は、第２内部配線２２２ｂを備えていてもよい。これらは、ビア２３を介して電気的に接続されている。
【００３４】
配線としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。また、第１上面配線及び第２上面配線は、発光素子からの光を効率よく取り出すために、その表面が銀又は金などの反射率の高い材料で覆われているのが好ましい。配線の厚みは、例えば、５μｍ〜８０μｍ程度の厚みであることが好ましい。
【００３５】
ビアは、上面配線と下面配線、更に内部配線を備える場合はその内部配線も含めて電気的に接合させるための導電部材である。図１Ｃ、図２に示すように、ビア２３は、発光素子１０の近傍に設けることができる。また、発光素子が略正方形であって、第２バンプの数が多く配置される２辺（ｙ辺）の近傍と、それよりも少ない数の第２バンプが配置される２辺（ｘ辺）の近傍とで、ビアの数を変えることができる。図１Ｃ、図２では、図中の発光素子（素子載置領域）のｘ辺側のバンプ３０の数が、ｙ辺側のバンプ３０の数の方が多い。ビアは、導電部材であり、基材よりも熱伝導度が高い場合が多い。そのため、バンプが多く配置される側に、ビアの数を多く配置させることで、放熱性を向上させることができる。
【００３６】
（封止部材）
封止部材は、基板上に配置された発光素子を被覆する部材であり、透光性を備える樹脂材料を含む。封止部材は、トランスファモールド、圧縮成形などで形成することができる。前述のように、発光素子の下面の外周には、第２バンプ３２が隣接する第２バンプ３２と接するように設けられているため、封止部材が発光素子の下側に入り込みにくい。これにより、封止部材が熱などにより膨張した場合であっても、発光素子と基板との接続に悪影響を与えにくくすることができる。
【００３７】
封止部材は、１又は２以上の封止部材で構成される。封止部材が２層以上の場合は、例えば、図１Ｄに示すように、発光素子１０と、基板の上面の一部とを覆う第１封止部材４１と、第１封止部材４１を覆う第２封止部材４２とするなど、積層構造とすることができる。特に、発光素子１０の表面に波長変換部材を配置させる場合は、発光素子１０の近傍に波長変換部材を配置させるのが好ましいため、封止部材４０を２以上で構成することが好ましい。その場合、例えば、発光素子１０の表面に電着などで蛍光体粒子を付着させ、それらを覆う第１封止部材４１を形成することができる。第１封止部材を蛍光体粒子の間に含浸させることで、蛍光体粒子が固定される。つまり、第１封止部材４１の一部が蛍光体を含む波長変換部材とすることができる。あるいは、あらかじめ蛍光体を含む第１封止部材４１をスプレー、ポッティング、印刷、などにより発光素子の表面に形成することで、波長変換部材として機能する第１封止部材４１としてもよい。
【００３８】
第２封止部材４２は、第１封止部材４１を覆うように設けられる。第２封止部材４２はレンズ機能を備えていてもよく、例えば、表面の形状を、凸レンズ形状としてもよい。
【００３９】
封止部材（第１封止部材又は第２封止部材）は、発光素子から出射される光を透過させる部材を用いて形成される。具体的には、発光素子から出射される光の６０％以上を透過する部材が好ましく、より好ましく７０％以上を透過させる部材、更に好ましくは８０％以上を透過させる部材、特に好ましくは９０％以上を透過する部材である。このような部材としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂を挙げることができる。
【００４０】
封止部材は波長変換部材を含んでいてもよい。波長変換部材は、発光素子から出射された光により励起されて、発光素子から出射された光とは異なる波長の光を発する蛍光体を含んでおり、発光素子からの光を異なる波長に変換する。波長変換部材には、蛍光体のほか、拡散材、反射材、バインダー、樹脂等を含んでもよい。
【００４１】
波長変換部材は、電着、ポッティング、スプレー、印刷等の方法によって形成することができる。電着の場合、発光素子の表面に略均一な厚みで形成されている。
【００４２】
波長変換部材に含まれる蛍光体としては、発光素子からの光で励起されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。
【００４３】
詳細には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）；セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）；ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）；ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）；βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）；硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を製造することができる。
【００４４】
なお、蛍光体の形状は、特に限定されないが、例えば、球形又はこれに類似する形状であることが好ましく、具体的には０．１〜１００μｍの平均粒径、特に１〜１０μｍの平均粒径を有する形状であることがより好ましい。
【００４５】
本明細書において、蛍光体の平均粒径とは、電気抵抗法によりコールターマルチサイザーII(コールター社製)を用いて粒径分布を測定した場合の、５０％粒子径（体積基準）を示す。電気抵抗法は、分散させた粉体が電極間を通過する際の電気抵抗と粒径との相関性を利用する方法であることから、粒子が強く凝集しており一次粒子にまで分散させることが難しい場合は、凝集した二次粒子の粒径を測定することになる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明の実施形態に係る発光装置は、放熱性に優れた発光装置とすることができ、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置など、広範囲の用途に利用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００…発光装置
１０…発光素子
１１…第１電極
１２…第２電極
１３…積層構造体
２０…基板
２１…基材
２２…配線
２２１…第１配線
２２１ａ…第１上面配線
２２１ｂ…第１下面配線
２２１ｃ…第１内部配線
２２２…第２配線
２２２ａ…第２上面配線
２２２ｂ…第２下面配線
２２２ｃ…第２内部配線
２３…ビア
３０…バンプ
３１…第１バンプ
３２…第２バンプ
４０…封止部材
４１…第１封止部材
４１…第２封止部材
【図１Ａ】
2017112289.tif 000003
【図１Ｂ】
2017112289.tif 000004
【図１Ｃ】
2017112289.tif 000005
【図１Ｄ】
2017112289.tif 000006
【図２Ａ】
2017112289.tif 000007
【図２Ｂ】
2017112289.tif 000008
【図２Ｃ】
2017112289.tif 000009
【図２Ｄ】
2017112289.tif 000010