(57)【要約】【課題】外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜することができるめっき装置を提供することを目的とする。【解決手段】フィルム基材上にめっき膜を形成するめっき装置であって、  電解めっき槽を有し、  前記電解めっき槽内において、  アノードと、前記フィルム基材の前記めっき膜を形成する面とが対向するように配置し、  前記アノードと、前記フィルム基材との間に、前記アノード側から、撹拌手段と、遮蔽板とが順に配置され、  前記アノードが不溶性のアノードであるめっき装置を提供する。【選択図】図２
2017222907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基材上にめっき膜を形成するめっき装置であって、
電解めっき槽を有し、
前記電解めっき槽内において、
アノードと、前記フィルム基材の前記めっき膜を形成する面とが対向するように配置し、
前記アノードと、前記フィルム基材との間に、前記アノード側から、撹拌手段と、遮蔽板とが順に配置され、
前記アノードが不溶性のアノードであるめっき装置。
【請求項２】
遮蔽板は、複数の開口部を有し、
前記開口部は一つ当たりの平視野面積が１０ｍｍ２以下であり、
複数の前記開口部の平視野面積の合計が、前記遮蔽板の平視野面積の２０％以下である請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記遮蔽板と、前記フィルム基材との間の距離が２０ｍｍ以上である、請求項１または２に記載のめっき装置。
【請求項４】
めっき液として、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、鉄イオン、錫イオンから選択される１種以上を含むめっき液を用いる請求項１乃至３のいずれか一項に記載のめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から各種金属膜を成膜する際に、湿式めっき法が用いられている。そして、湿式めっき法により金属膜を成膜するためのめっき装置についても従来から各種検討がなされている。
【０００３】
例えば特許文献１には、メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段、さらに陽極電極と被メッキ材料との間に且つこれらと略並行となるように配置された遮蔽板を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、
前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして遮蔽板が貫通孔部を有し且つ遮蔽板の貫通孔部を除いた面積が遮蔽板の中央より外側の方が大きいことを特徴とするメッキ装置が開示されている。
【０００４】
ところで、金属膜を有する製品として、例えば基材上に金属膜を成膜した導電性基板等が知られている。
【０００５】
導電性基板の一種である、静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。
【０００６】
このため、タッチパネル用導電性基板に用いられる導電層の材料としては反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基材上に形成されている。
【０００７】
例えば特許文献２に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
【０００８】
ところが、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００９】
そこで、導電性基板の電気抵抗を抑制するため、導電層の材料として、ＩＴＯに替えて銅等の金属を用いることが検討されている。ただし、導電層の材料として金属を用いた場合、該導電層や、該導電層から形成した配線は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【００１０】
そこで、金属により構成される導電層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【００１１】
本発明の発明者らは、係る黒化層の形成方法として、スパッタリング法などの乾式めっき法や、電解めっき法などの湿式めっき法等を検討してきた。特に湿式めっき法により黒化層を形成する場合、スパッタリング法で要求されるような真空環境を必要とせず、設備が簡略化できる利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−１４４１２０号公報
【特許文献２】特開２００３−１５１３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、黒化層を備えたタッチパネル用の導電性基板は、ディスプレイの表面に配置されるため、特に人の目に触れやすく、外観上のムラを抑制した、均一なめっき膜とすることが求められる。
【００１４】
そこで、例えば特許文献１に開示されているように、陽極電極と、被めっき材料であるフィルム基材との間に遮蔽板を設けためっき装置を用いることを検討したが、外観上のムラを抑制した、均一なめっき膜を形成することは困難であった。
【００１５】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜することができるめっき装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
フィルム基材上にめっき膜を形成するめっき装置であって、
電解めっき槽を有し、
前記電解めっき槽内において、
アノードと、前記フィルム基材の前記めっき膜を形成する面とが対向するように配置し、
前記アノードと、前記フィルム基材との間に、前記アノード側から、撹拌手段と、遮蔽板とが順に配置され、
前記アノードが不溶性のアノードであるめっき装置を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一側面によれば、外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜することができるめっき装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るめっき装置の断面模式図。
【図２】図１の領域Ａの拡大図。
【図３】遮蔽板の説明図。
【図４】本発明の実施形態に係るめっき装置の他の構成例の上面模式図。
【図５】本発明の実施形態に係る導電性基板の製造方法で得られる導電性基板の断面図。
【図６】本発明の実施形態に係る導電性基板の製造方法で得られる導電性基板の断面図。
【図７】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図８】図７のＡ−Ａ´線における断面図。
【図９】比較例１のめっき装置の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明のめっき装置の一実施形態について説明する。
（めっき装置）
本実施形態のめっき装置は、フィルム基材上にめっき膜を形成するめっき装置とすることができる。そして、電解めっき槽を有し、電解めっき槽内において、アノードと、フィルム基材のめっき膜を形成する面とが対向するように配置し、さらに、アノードと、フィルム基材との間に、アノード側から、撹拌手段と、遮蔽板とを順に配置することができる。また、アノードを不溶性のアノードとすることができる。
【００２０】
本発明の発明者らは、従来のめっき装置において、めっき膜を成膜した場合に、成膜しためっき膜に外観上のムラが生じる原因について鋭意検討を行った。
【００２１】
係る検討に当たってまず、アノードと、カソードとなるフィルム基材との間に、特許文献１のメッキ装置において開示された遮蔽板を配置し、めっき膜の成膜を実施した。その結果、フィルム基材の端部においては、成膜しためっき膜の外観ムラは解消されたが、めっき有効領域内、すなわちフィルム基材の中央部等における成膜しためっき膜については外観ムラの発生を抑制できていなかった。
【００２２】
そこでさらに検討を行ったところ、アノードでのめっき液の電気分解により発生する水素イオンにより、アノード近傍のめっき液のｐＨが局所的に低下することが確認された。そして、係る低ｐＨのめっき液がカソード側に流れることで、めっきの外観ムラを発生させていることが確認できた。
【００２３】
上記検討結果に基づいて、本発明の発明者らは、本実施形態に係るめっき装置を完成させた。本実施形態のめっき装置の構成例について、図面を用いて説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態のめっき装置１０の断面模式図を示しており、搬送しているフィルム基材１３の幅方向と垂直な面での断面模式図を示している。なお、搬送しているフィルム基材１３の幅方向とは、図１における紙面と垂直な方向を意味している。
【００２５】
本実施形態のめっき装置において、フィルム基材を搬送する方式は特に限定されないが、例えば、ロール・トゥ・ロール方式によりフィルム基材を搬送することができる。具体的には図１に示したように、供給ロール１１にめっき膜を形成するフィルム基材１３をセットし、該供給ロール１１から供給したフィルム基材１３を巻取ロール１２で巻き取ることでフィルム基材１３を、図１中の矢印に沿って搬送することができる。なお、図１に示しためっき装置１０では、搬送しているフィルム基材１３の幅方向（紙面と垂直な方向）が、地面と略水平になるように搬送した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。例えば後述する図４に示しためっき装置のように、フィルム基材の幅方向が、地面と垂直な方向に沿うように支持して搬送することもできる。
【００２６】
本実施形態のめっき装置に供給するフィルム基材１３の材料やサイズ等については特に限定されるものではなく、製造する製品の構成等に応じて任意に選択することができる。例えばタッチパネル用の導電性基板を製造する場合であれば、後述するようにフィルム基材１３として透明基材を好ましく用いることができる。
【００２７】
ただし、上述のようにロール・トゥー・ロール方式によりフィルム基材をめっき装置に供給、搬送する場合には、長尺状のフィルム基材を用いることが好ましい。
【００２８】
また、製造する製品に応じて、フィルム基材１３はその表面に各種金属膜等を予め形成しておくこともできる。例えば、導電性基板を製造する場合であって、本実施形態のめっき装置により成膜する黒化層の下に、金属材料を用いた導電層である金属層等の黒化層以外の層を有する場合には、係る層を予めフィルム基材１３上に形成しておくことが好ましい。このため、例えば少なくとも一方の面上に金属層が形成されたフィルム基材等をめっき装置に供給するフィルム基材として用いることができる。
【００２９】
そして、めっき装置１０は、供給ロール１１と、巻取ロール１２との間の、フィルム基材１３の搬送経路上に、電解めっき槽１４を有することができる。電解めっき槽１４内にはめっき液が入れられており、例えば電解式により該電解めっき槽１４内でフィルム基材１３の表面上にめっき膜を成膜することができる。なお、フィルム基材上に、例えば上述のように金属層等が設けられている場合には、フィルム基材１３上に、該金属層等を介してめっき膜を成膜することができる。
【００３０】
供給ロール１１から供給され、搬送しているフィルム基材１３を電解めっき槽１４内に導入し、かつフィルム基材１３に通電するため、めっき装置１０は、例えば図１に示したように、給電ロール１５１〜１５４を有することができる。また、電解めっき槽１４内でフィルム基材１３の搬送方向の向きを反転させるため、反転ロール１６を有することができる。なお、図１に示した例では、給電ロール１５１〜１５４、反転ロール１６により、フィルム基材１３をめっき液に１回浸漬させ、取出した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、さらに多くの給電ロール、反転ロールを設け、複数回に渡ってめっき液への浸漬、取り出しを繰り返し実施し、所望の厚さのめっき膜を成膜することもできる。
【００３１】
さらに、電解めっき槽１４内のフィルム基材１３の搬送経路に沿って、フィルム基材１３のめっき膜を成膜する面と対向するようにアノード（陽極）１７１〜１７４が配置されている。そして、給電ロール１５１とアノード１７１、給電ロール１５２とアノード１７２、給電ロール１５３とアノード１７３、給電ロール１５４とアノード１７４との間にはそれぞれ電源（図示せず）を接続しておくことができる。給電ロール１５１〜１５４、アノード１７１〜１７４、めっき液１４１、フィルム基材１３および電源により、電解めっき回路を構成できる。
【００３２】
なお、図１では、搬送されているフィルム基材１３の両方の面に対向するように、アノード１７１〜１７４を設けた例を挙げたが、係る形態に限定されるものではない。フィルム基材１３の一方の面にのみめっき膜を形成する場合、フィルム基材の一方の面のみに対向するようにアノード１７１、１７４のみを設ける構成とすることもできる。
【００３３】
また、図１では、４つのアノード１７１〜１７４を設けた例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、電解めっき槽１４内のフィルム基材１３の搬送経路の長さ等に応じて、任意の数設けることができる。
【００３４】
アノード１７１〜１７４の構成は特に限定されるものではないが、既述のように不溶性のアノードを用いることが好ましい。これは、不溶性のアノードの場合、成膜しためっき膜の外観上のムラが生じる原因となる、アノードでのめっき液の電気分解による水素イオンの発生と、それに伴うアノード近傍のめっき液のｐＨの局所的な低下が生じやすく、本実施形態のめっき装置の効果が顕著に表れるからである。
【００３５】
一方、可溶性のアノードの場合は、アノードが溶解するため、めっき液中の水の電気分解による水素イオンの発生や、それに伴うめっき液のｐＨの低下は生じにくく、不溶性のアノードの場合と比較して、成膜しためっき膜について、めっき液のｐＨの低下に伴う外観上のムラが生じにくいからである。なお、可溶性のアノードを用いた場合には、上述のように、水素イオンの発生は生じにくくなるものの、アノードが溶解するため、可溶性のアノード由来の特定の金属イオンの濃度が高くなり、めっき液の組成を安定させることが困難である。特に可溶性のアノードが複数種の金属を含有する場合、金属により溶解速度が異なるため、電解条件に応じてめっき液の組成を調整する必要があり、係る観点からもめっき液の組成を安定させることが困難である。さらには、めっき液の組成を調整するためにめっき液を希釈等する必要があるため、大量の排液が発生する等の問題もある。このため、アノードとしては、上述のように不溶性のアノードを用いることが好ましい。
【００３６】
アノードとしては、例えば導電性セラミックで表面をコーティングした電極等を用いることができる。
【００３７】
そして、めっき膜を湿式めっき法の一種である電解めっき法により成膜した場合、従来は例えば酸素等の成分や、析出した結晶の形や大きさについて膜内でわずかにムラが生じることで、外観上のムラが生じていた。係る外観上のムラは、既述のように、本発明の発明者らの検討によれば、めっきを行う際のアノード近傍でのめっき液のｐＨの局所的な低下に起因するものであった。そこで、本実施形態のめっき装置においては、アノードと、カソード（陰極）となるフィルム基材のめっき膜を形成する面とが対向するように配置し、アノードとフィルム基材との間に、所定の配置となるように、撹拌手段と、遮蔽板を設けることにした。これにより、外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜することができるように構成した。
【００３８】
図２を用いて、電解めっき槽１４内の各部材の配置について説明する。図２は、図１の点線で示した領域Ａを拡大して示した図であり、図１と同じ部材については同じ番号を付し、説明を省略する。なお、図１では以下に説明する遮蔽板、及び撹拌手段について記載を省略している。
【００３９】
図２に示したように、本実施形態のめっき装置においては、アノード１７１と、カソードとなるフィルム基材１３のめっき膜を形成する面とが対向するように配置されている。そして、アノード１７１と、カソードとなるフィルム基材１３との間に、アノード１７１側から、撹拌手段２１１と、遮蔽板２２１とを順に配置できる。
【００４０】
ここではアノード１７１と、カソードとなるフィルム基材１３との間の配置を例に説明したが、他の部分でも図２に示したように、アノード１７２〜１７４と、カソードとなるフィルム基材１３のめっき膜を形成する面とが対向するように配置することができる。そして、アノード１７２〜１７４と、カソードとなるフィルム基材１３との間に、アノード１７２〜１７４側から、撹拌手段２１２〜２１４、遮蔽板２２２〜２２４、の順に配置できる。
【００４１】
既述のようにめっき膜の成膜中、アノード１７１〜１７４の近辺にめっき液のｐＨの局所的な低下がみられることから、アノード１７１〜１７４の近辺に撹拌手段２１１〜２１４を設け、電解めっきを行っている間、めっき液を撹拌できるように構成することで、めっき液を均一化させることが可能になる。なお、撹拌手段２１１〜２１４としてはアノード近傍のめっき液を撹拌できる手段であれば特に限定されるものではなく、例えばめっき液の循環ノズルとすることができる。また、撹拌手段として回転手段を備えた撹拌翼等を用いることもできる。図２ではアノード１７１〜１７４の近傍にそれぞれ２個ずつ撹拌手段２１１〜２１４を設けた例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、撹拌手段の撹拌能力等に応じて、任意の数の撹拌手段を設けることができる。
【００４２】
そして、撹拌手段２１１〜２１４と、カソードとなるフィルム基材１３との間には、遮蔽板２２１〜２２４を設けることができる。遮蔽板２２１〜２２４を設けることで、遮蔽板２２１〜２２４とフィルム基材１３との間におけるめっき液の流れを抑制しつつ、アノード１７１〜１７４と遮蔽板２２１〜２２４との間のめっき液を効率よく撹拌することが可能になる。このため、アノード１７１〜１７４でのめっき液の電気分解により水素イオンが発生した場合に、アノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌手段２１１〜２１４により撹拌することで、フィルム基材１３側にｐＨの低いめっき液が到達することを抑制しつつ、アノード１７１〜１７４近傍のめっき液のｐＨの均一化を図ることができる。従って、フィルム基材１３上に外観ムラを抑制した均一なめっき膜を成膜することが可能になる。
【００４３】
なお、アノード１７１〜１７４と、撹拌手段２１１〜２１４との間に遮蔽板２２１〜２２４を設けた場合、遮蔽板２２１〜２２４により、アノード１７１〜１７４近傍のめっき液の撹拌を阻害される。このため、撹拌手段２１１〜２１４による、アノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌する効果が十分に発揮できなくなるため好ましくない。従って、上述のように、撹拌手段２１１〜２１４と、カソードとなるフィルム基材１３との間に遮蔽板２２１〜２２４を配置することが好ましい。
【００４４】
ここで、図３に遮蔽板３１の一方の面と垂直方向から、遮蔽板３１を見た図を示す。図３に示すように、遮蔽板３１は、例えば板状形状を有することができる。また、例えば図３に示すように、遮蔽板３１は、複数の開口部３２を有することができる。
【００４５】
なお、該複数の開口部３２は、遮蔽板の板厚方向に沿って形成した複数の貫通孔の、一方の面における開口部とすることができる。このため、遮蔽板の一方の面とは反対側に位置する他方の面にも同様に複数の開口部を有することになる。複数の開口部３２の形状、サイズ、数等については特に限定されるものではなく、アノード１７１〜１７４近傍を撹拌手段２１１〜２１４により撹拌した際に、フィルム基材１３側へのｐＨの低いめっき液の流入を抑制できるようにその形状、サイズ、数等を選択することが好ましい。
【００４６】
具体的には例えば、開口部３２は一つ当たりの平視野面積を１０ｍｍ２以下とすることが好ましい。これは、開口部３２の一つ当たりの平視野面積を１０ｍｍ２以下とすることで、撹拌手段２１１〜２１４によりアノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌した際に、ｐＨの低いめっき液がフィルム基材１３側へ流入することを抑制し、成膜しためっき膜の外観上のムラを特に抑制できるからである。なお、開口部３２の１つ当たりの平視野面積の下限値については特に限定されず、０ｍｍ２より大きければ良い。
【００４７】
さらに、複数の開口部３２の平視野面積の合計が、遮蔽板３１の平視野面積の２０％以下であることが好ましい。これも複数の開口部３２の平視野面積の合計を遮蔽板３１の平視野面積の２０％以下とすることで、撹拌手段２１１〜２１４によりアノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌した際に、ｐＨの低いめっき液がフィルム基材１３側へ流入することを抑制し、成膜しためっき膜の外観上のムラを特に抑制できるからである。なお、複数の開口部３２の平視野面積の合計が、遮蔽板３１の平視野面積に占める割合の下限値についても特に限定されないが、例えば０％より大きければ良い。
【００４８】
なお、遮蔽板３１の平視野面積とは、図３に示したように、複数の開口部３２を設けた遮蔽板３１の一方の面の面積を意味する。また、複数の開口部３２の平視野面積の合計とは、図３に示した、遮蔽板３１の、開口部３２を設けた一方の面における複数の開口部３２の面積の合計を示している。
【００４９】
本実施形態のめっき装置において遮蔽板は、図２に示すように、アノード１７１〜１７４や、カソードとなるフィルム基材１３と略平行に配置することが好ましい。この際、遮蔽板２２１〜２２４と、カソードとなるフィルム基材１３との間の距離Ｌは特に限定されないが、例えば２０ｍｍ以上であることが好ましい。上述のように、遮蔽板２２１〜２２４は、撹拌手段２１１〜２１４によりアノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌した場合に、ｐＨの低いめっき液がフィルム基材１３側へ流入することを抑制する機能を有する。ただし、遮蔽板２２１〜２２４には、上述のように複数の開口部を設けているため、該開口部を通して、アノード１７１〜１７４側からフィルム基材１３側にｐＨの低いめっき液が多少は流入する。そこで、上述のように遮蔽板２２１〜２２４と、フィルム基材１３との間の距離を２０ｍｍ以上とすることで、アノード１７１〜１７４側から、遮蔽板２２１〜２２４に設けられた複数の開口部を通して、フィルム基材１３側に流入するｐＨの低いめっき液による影響を特に低減し、成膜しためっき膜の外観上のムラを特に抑制できるからである。遮蔽板２２１〜２２４と、フィルム基材１３との間の距離Ｌの上限値は特に限定されないが、めっき装置が必要以上に大きくなることや、アノードとカソードとの間隔が広くなることによるめっきの析出効率が低下することを避けるため、例えば４００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
遮蔽板の材料は特に限定されないが、めっき液に対して耐性があって、不導体の材料で構成されていることが好ましく、遮蔽板の材料として、例えばポリプロピレンや、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等を用いることができる。遮蔽板の厚さは特に限定されないが、例えば１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
そして、図１に示すように、電解めっき槽１４には、成膜するめっき膜に対応しためっき液１４１を入れ、用いることができる。
【００５２】
本実施形態のめっき装置によれば、外観上のムラを抑制した均一なめっき膜を成膜することができる。このため、特に外観上のムラを抑制することが要求されるめっき膜を成膜するために用いることが好ましく、めっき液としては、係るめっき膜に対応しためっき液を選択することが好ましい。
【００５３】
そして、既述のようにタッチパネル用の導電性基板の黒化層については、特に外観上のムラを抑制することが求められていたことから、本実施形態のめっき装置は、例えば係る黒化層のめっき膜（めっき層）を成膜する際に好適に用いることができる。
【００５４】
本実施形態のめっき装置では、例えばニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン、鉄イオン、錫イオンから選択される１種以上を含むめっき液を好ましく用いることができる。なお、上記めっき液は、導電性基板の黒化層を成膜する場合に限定されるものではなく、各種めっき膜を成膜するためにも用いることができる。
【００５５】
本発明の発明者らの検討によれば、導電性基板の黒化層として、例えばニッケルと、銅とを含有するめっき膜（黒化層）が、導電層である金属層表面での光の反射を抑制する観点から特に好ましい。そして、該黒化層については、特に外観上のムラを抑制することが求められているため、めっき液１４１としては、例えばニッケルイオン、及び銅イオンを含むめっき液（黒化めっき液）をより好ましく用いることができる。
【００５６】
めっき液を調製する際、ニッケルイオン等の金属イオンの供給方法は特に限定されるものではなく、イオン源を例えば塩の状態で供給することができる。例えばスルファミン酸塩や、硫酸塩を好適に用いることができる。なお、めっき液が複数の金属イオンを含有する場合、塩の種類は各金属について全て同じ種類の塩でもよく、異なる種類の塩を同時に用いることもできる。具体的には例えば硫酸ニッケルと、硫酸銅とのように同じ種類の塩を用いてめっき液を調製することもできる。また、例えば硫酸ニッケルと、スルファミン酸銅と、のように異なる種類の塩を同時に用いてめっき液を調製することもできる。
【００５７】
めっき液は、金属イオン以外に任意の成分を含有することができる。例えばめっき液はｐＨ調整剤を含有することができる。
【００５８】
ｐＨ調整剤としては特に限定されるものではなく、成膜するめっき膜に要求される特性等に応じて任意に選択できる。例えば黒化層となるめっき膜を成膜するためのめっき液の場合、アルカリ金属水酸化物を好ましく用いることができる。これは、ｐＨ調整剤としてアルカリ金属水酸化物を用いることで、該めっき液を用いて成膜した黒化層を有する導電性基板の反射率を特に低くすることができるからである。ｐＨ調整剤であるアルカリ金属水酸化物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムから選択された１種以上を用いることができる。特に、ｐＨ調整剤であるアルカリ金属水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムから選択された１種以上であることがより好ましい。
【００５９】
めっき液のｐＨについても特に限定されるものではなく、成膜するめっき膜に要求される特性等に応じて任意に選択できる。例えば黒化層となるめっき膜を成膜するためのめっき液の場合、４．０以上５．２以下であることが好ましく、４．５以上５．０以下であることがより好ましい。
【００６０】
これは、めっき液のｐＨを４．０以上とすることで、係るめっき液を用いて黒化層を形成した際に、より反射率の低い黒化層を形成することができるからである。また、めっき液のｐＨを５．２以下とすることで、めっき液の成分の一部が析出することを抑制することができるからである。
【００６１】
また、めっき液は、錯化剤を含有することもできる。錯化剤についても特に限定されないが、例えばアミド硫酸を用いることができる。例えば、黒化層となるめっき膜を成膜するためのめっき液がアミド硫酸を含有することで、金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色の黒化層とすることができる。
【００６２】
なお、ここでは主にニッケルイオン、及び銅イオンを含むめっき液を例に用いて説明したが、ニッケルイオン、及び銅イオンを含むめっき液以外のめっき液を用いる場合であっても、上述のように、目的のめっき液組成となるように、金属イオンを塩の状態で供給することができる。また、めっき液は、ｐＨ調整剤や、錯化剤等任意の成分を含有することもできる。
【００６３】
以上に、本実施形態のめっき装置の構成について説明したが、係る形態に限定されるものではなく、他の構成とすることもできる。
【００６４】
例えば、ここまではフィルム基材の幅方向を、地面と略水平になるようにして搬送した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、フィルム基材の幅方向を上下方向として、すなわち、地面と垂直方向に沿って保持し、搬送するめっき装置とすることもできる。係る本実施形態のめっき装置の他の構成例について図４を用いて説明する。
【００６５】
図４は、フィルム基材の幅方向を垂直に沿って保持し、搬送するめっき装置とした場合の該めっき装置の上面図を示している。
【００６６】
図４に示しためっき装置４０においても、フィルム基材４３は、供給ロール４１から供給され、巻取ロール４２に巻き取って回収されることで搬送されている。すなわち、ロール・トゥー・ロール方式により搬送されている。
【００６７】
そしてこの際、フィルム基材４３は、上下の端部を図示しない把持手段により把持し、上下方向に引っ張りながら搬送することができる。把持手段は、例えばフィルム基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層等に対して、電流を供給するように構成できる。
【００６８】
そして、フィルム基材４３の搬送経路には、電解めっき槽４４が設けられており、電解めっき槽４４内には、アノード４５１〜４５６と、撹拌手段４６Ａ〜４６Ｌと、遮蔽板４７１、４７２とを設けておくことができる。この場合も、アノード４５１〜４５６と、カソードとなるフィルム基材４３のめっき膜を形成する面とを対向するように配置することができる。そして、アノード４５１〜４５６と、フィルム基材４３との間に、アノード４５１〜４５６側から、撹拌手段４６Ａ〜４６Ｌと、遮蔽板４７１、４７２とを順に配置することで、フィルム基材上に外観ムラを抑制した、均一な黒化層を成膜することができる。
【００６９】
なお、図４に示しためっき装置４０は、フィルム基材４３の幅方向を、地面と垂直な方向に沿って保持し、搬送している点以外は、図１〜図３を用いて説明しためっき装置１０と同様に構成することができる。例えば、アノード４５１〜４５６、撹拌手段４６Ａ〜４６Ｌ、遮蔽板４７１、４７２については、既述のアノード１７１〜１７４、撹拌手段２１１〜２１４、遮蔽板２２１〜２２４の場合と同様に構成することができる。このため、ここでは説明を省略する。
【００７０】
また、電解めっき槽４４内に設けるアノード４５１〜４５６や、撹拌手段４６Ａ〜４６Ｌの数は特に限定されるものではなく、フィルム基材４３の搬送経路の長さ等に応じて任意に選択できる。
【００７１】
ここまで、フィルム基材の搬送経路上に電解めっき槽のみを設けた例を示したが係る形態に限定されるものではない。
【００７２】
例えば電解めっき槽と、巻取ロールとの間に、電解めっき槽内で付着しためっき液を洗い流す水洗手段や、水洗の際に付着した水を除去する水切り手段、水洗の際に付着した水を乾燥させる乾燥手段等を設けることもできる。
【００７３】
また、供給ロールと、電解めっき槽との間の、フィルム基材の搬送経路上に、黒化層の下層、例えば金属層を形成する、金属層形成手段等を設けることもできる。また、フィルム基材や、フィルム基材上に形成した金属層の表面を処理する、前処理手段等を設けることもできる。前処理手段としては、例えば酸溶液により洗浄、処理する洗浄手段や、水により洗浄する水洗手段等が挙げられる。なお、前処理手段を複数個設けることもできる。
このように、本実施形態のめっき装置と、他の層を形成する手段や、前処理手段等を組み合せることで導電性基板の製造装置とすることもできる。
【００７４】
以上に説明した本実施形態のめっき装置によれば、アノード近傍のめっき液を均一にすることができるため、外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜することができる。
【００７５】
また、本実施形態のめっき装置によれば、外観上のムラを抑制することが特に求められるめっき膜、例えば導電性基板の黒化層を、外観上のムラを抑制し、成膜することができるため、特に係る用途において好適に用いることができる。ただし、導電性基板の黒化層の成膜の用途のみに限定されるものではなく、各種めっき膜を成膜するめっき装置としても用いることができる。
［導電性基板の製造方法］
次に、本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
【００７６】
なお、本実施形態における導電性基板とは、黒化層等をパターニングする前の、フィルム基材の表面に黒化層等を有する基板と、黒化層等をパターニングした基板、すなわち、配線基板と、を含む。
【００７７】
本実施形態の導電性基板の製造方法では、後述のようにフィルム基材として透明基材を用いることができる。このため、黒化層等をパターニングした後の導電性基板は、フィルム基材である透明基材が黒化層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
【００７８】
ここでまず、図５、図６を用いて本実施形態の導電性基板の製造方法により製造する導電性基板の構成例について説明する。
【００７９】
図５は、本実施形態の導電性基板の、フィルム基材、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００８０】
本実施形態の導電性基板の製造方法により製造する導電性基板は、例えばフィルム基材の少なくとも一方の面上に、フィルム基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。
【００８１】
具体的には例えば、図５（ａ）に示した導電性基板５０Ａのように、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側に金属層５２と、黒化層５３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図５（ｂ）に示した導電性基板５０Ｂのように、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側と、もう一方の面（他方の面）５１ｂ側と、にそれぞれ金属層５２Ａ、５２Ｂと、黒化層５３Ａ、５３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。
【００８２】
なお、後述のように、フィルム基材５１と、金属層５２（５２Ａ、５２Ｂ）との間には密着層を設けることもできる。この場合例えば、フィルム基材の少なくとも一方の面上に、フィルム基材側から密着層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。
【００８３】
具体的には例えば図６（ａ）に示した導電性基板６０Ａのように、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側に、密着層５４と、金属層５２と、黒化層５３とをその順に積層することができる。
【００８４】
この場合もフィルム基材５１の両面に密着層、金属層、黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図６（ｂ）に示した導電性基板６０Ｂのように、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側と、他方の面５１ｂ側と、にそれぞれ密着層５４Ａ、５４Ｂと、金属層５２Ａ、５２Ｂと、黒化層５３Ａ、５３Ｂとをその順に積層できる。
【００８５】
なお、図５（ｂ）、図６（ｂ）において、フィルム基材の両面に金属層、黒化層等を積層した場合において、フィルム基材５１を対称面としてフィルム基材５１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図６（ｂ）において、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側の構成を図５（ｂ）の構成と同様に、密着層５４Ａを設けずに金属層５２Ａと、黒化層５３Ａとをその順に積層した形態とし、フィルム基材５１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００８６】
次に、本実施形態の導電性基板の製造方法で製造する導電性基板に含まれる各層の構成例について説明する。
【００８７】
本実施形態の導電性基板の製造方法に供するフィルム基材の材料等は特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板を製造する場合、フィルム基材としては、可視光を透過するフィルム基材、すなわち透明基材等を好ましく用いることができる。
【００８８】
可視光を透過するフィルム基材としては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等から選択された１種以上を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過するフィルム基材の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等から選択された１種以上をより好ましく用いることができる。
【００８９】
フィルム基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。フィルム基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、フィルム基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、フィルム基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００９０】
フィルム基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。フィルム基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
【００９１】
なお、フィルム基材の全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００９２】
次に、金属層について説明する。
【００９３】
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選択される少なくとも１種の以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
【００９４】
フィルム基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、フィルム基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、フィルム基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、フィルム基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００９５】
フィルム基材等の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。
【００９６】
例えばフィルム基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、フィルム基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００９７】
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電解めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合もフィルム基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００９８】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００９９】
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【０１００】
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０１０１】
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【０１０２】
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【０１０３】
金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
【０１０４】
次に黒化層について説明する。
【０１０５】
黒化層は、例えばニッケル、銅、亜鉛、鉄、錫から選択される１種以上を含有する層とすることができる。特に、ニッケルと、銅とを含むめっき膜（黒化層）であることが好ましい。
【０１０６】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。
【０１０７】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【０１０８】
また、導電性基板は上述のフィルム基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【０１０９】
上述のように金属層はフィルム基材上に形成することができるが、フィルム基材上に金属層を直接形成した場合に、フィルム基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、フィルム基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造途中、または、使用時にフィルム基材から金属層が剥離する場合がある。
【０１１０】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、フィルム基材と金属層との密着性を高めるため、フィルム基材上に密着層を配置することができる。
【０１１１】
フィルム基材と金属層との間に密着層を配置することにより、フィルム基材と金属層との密着性を高め、フィルム基材から金属層が剥離することを抑制できる。
【０１１２】
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわちフィルム基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。
【０１１３】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、フィルム基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【０１１４】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選択される少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【０１１５】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選択される少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選択される少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金等から選択された１種以上を好ましく用いることができる。
【０１１６】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【０１１７】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
【０１１８】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【０１１９】
ここで、本実施形態の導電性基板の製造方法は、既述のめっき装置を用いて、フィルム基材の少なくとも一方の面上に、黒化層を成膜する黒化層成膜工程を有することができる。なお、黒化層としては、既述のように、例えばニッケル、銅、亜鉛、鉄、錫から選択される１種以上を含有する層とすることができる。特に、ニッケルと、銅とを含む層（黒化層）であることが好ましい。
【０１２０】
また、ここまで説明したように、本実施形態の導電性基板は、黒化層以外に、金属層や、密着層等を有することができる。このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層形成工程や、密着層形成工程を有することもできる。
【０１２１】
具体的には、例えばフィルム基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程を有することもできる。なお、黒化層は、図５、図６を用いて説明したように金属層上に形成することができることから、金属層形成工程を実施する場合、金属層形成工程の後に黒化層成膜工程を実施することができる。
【０１２２】
金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。
【０１２３】
このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程を有することができる。
【０１２４】
また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電解めっき法により金属めっき層を形成する金属めっき層形成工程と、を有していてもよい。
【０１２５】
金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【０１２６】
次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電解めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。なお、金属めっき層を形成する際に、既述のめっき装置を用いることもできる。
【０１２７】
さらに、フィルム基材と金属層との間に密着層を形成する場合、フィルム基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程では、本工程で密着層を形成したフィルム基材に金属薄膜層等を形成することができる。
【０１２８】
密着層は例えば図６（Ａ）において、フィルム基材５１の一方の面５１ａ上に形成することができる。また、図６（Ｂ）に示した導電性基板６０Ｂの場合、フィルム基材５１の一方の面５１ａおよび他方の面５１ｂ上に密着層を形成することもできる。フィルム基材５１の一方の面５１ａ及び他方の面５１ｂの両方に密着層を形成する場合には、両面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の面に密着層を形成後に他方の面に密着層を形成してもよい。
【０１２９】
密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１３０】
密着層の成膜方法は特に限定されないが、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素も添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１３１】
なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【０１３２】
炭素、酸素、水素、窒素から選択される１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【０１３３】
反応性スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、フィルム基材の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【０１３４】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、フィルム基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、フィルム基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を特に抑制することができる。
【０１３５】
既述の金属層形成工程、及び黒化層成膜工程等を実施することで、フィルム基材上に金属層、及び黒化層を備えた導電性基板を形成することができるが、係る導電性基板は、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いることができる。この場合、導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることが好ましい。
【０１３６】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層、及び黒化層をエッチングし、パターニングすることで得ることができる。なお、密着層を設ける場合は、密着層についても同様にエッチングし、パターニングすることができる。
【０１３７】
このため、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、黒化層をパターニングする工程とすることができる。
【０１３８】
ここで、パターニング工程を実施する場合に形成するメッシュ状の配線の構成例について説明する。
【０１３９】
メッシュ状の配線は例えば二層の配線を用いることで形成できる。具体的な構成例を図７に示す。図７はメッシュ状の配線を備えた導電性基板７０を金属層等の積層方向の上面側から見た図を示しており、配線パターンが分かり易いように、フィルム基材５１、及び金属層をパターニングして形成した配線７１Ａ、７１Ｂ以外の層は記載を省略している。
【０１４０】
図７に示した導電性基板７０は、フィルム基材５１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線７１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線７１Ｂとを有している。なお、配線７１Ａ、７１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線７１Ａ、７１Ｂの上面または下面には図示しない黒化層を配置できる。また、黒化層はフィルム基材５１の配線７１Ａを配置した面（以下、単に「フィルム基材５１の主平面」とも記載する）と平行な面における断面が、配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状となるようにエッチングできる。
【０１４１】
フィルム基材５１と配線７１Ａ、７１Ｂとの配置は特に限定されない。フィルム基材５１と配線との配置の構成例を図８（ａ）、図８（ｂ）に示す。図８（ａ）、図８（ｂ）は図７のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【０１４２】
まず、図８（ａ）に示したように、フィルム基材５１の上下面にそれぞれ配線７１Ａ、７１Ｂが配置されていてもよい。なお、図８（ａ）では配線７１Ａの上面、及び７１Ｂの下面には、フィルム基材５１の主平面と平行な面における断面が、それぞれ配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状にエッチングされた黒化層７２Ａ、７２Ｂが配置されている。
【０１４３】
また、図８（ｂ）に示したように、１組のフィルム基材５１Ａ、５１Ｂを用い、一方のフィルム基材５１Ａを挟んで上下面に配線７１Ａ、７１Ｂを配置し、かつ、一方の配線７１Ｂはフィルム基材５１Ａ、５１Ｂ間に配置されてもよい。この場合も、配線７１Ａ、７１Ｂの上面には、フィルム基材５１Ａ、５１Ｂの主平面と平行な面における断面が、それぞれ配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状にエッチングされた黒化層７２Ａ、７２Ｂを配置できる。なお、既述のように、金属層、黒化層以外に密着層を設けることもできる。このため、図８（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも、例えば配線７１Ａおよび／または配線７１Ｂとフィルム基材５１（５１Ａ、５１Ｂ）との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も、フィルム基材５１（５１Ａ、５１Ｂ）の主平面と平行な面における断面が、それぞれ配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状にエッチングされていることが好ましい。
【０１４４】
図７及び図８（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図５（ｂ）のようにフィルム基材５１の両面に金属層５２Ａ、５２Ｂと、黒化層５３Ａ、５３Ｂとを備えた導電性基板から形成することができる。
【０１４５】
図５（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、フィルム基材５１の一方の面５１ａ側の金属層５２Ａ、黒化層５３Ａを、図５（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行うことができる。なお、図５（ｂ）中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図５（ｂ）中のＹ軸方向とは、図５（ｂ）中の紙面と垂直な方向を意味している。
【０１４６】
そして、フィルム基材５１の他方の面５１ｂ側の金属層５２Ｂ、黒化層５３Ｂを図５（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行うことができる。
【０１４７】
図５（ｂ）に示した導電性基板について、上述の様にパターニング工程を実施する場合、例えばまず黒化層５３Ａ、５３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施できる。次いで、黒化層５３Ａ、５３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１４８】
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、黒化層をエッチングすることもできる。
【０１４９】
以上の操作により図７、図８（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。
【０１５０】
なお、フィルム基材５１の両面のエッチングは同時に行ってもよく、一方の面ずつ実施してもよい。
【０１５１】
図８（ａ）において、配線７１Ａ、７１Ｂと、フィルム基材５１との間にさらに配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図６（ｂ）に示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
【０１５２】
図７に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図５（ａ）または図６（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図５（ａ）の導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図５（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層５２、黒化層５３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を積層し、貼り合せる積層工程を実施することによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層５２等が積層された図５（ａ）における表面Ａと、金属層５２等が積層されていない図５（ａ）における他方の面５１ｂとを貼り合せて、図８（ｂ）に示した構造となるようにすることもできる。
【０１５３】
また、例えばフィルム基材５１の金属層５２等が積層されていない図５（ａ）における他方の面５１ｂ同士を貼り合せて断面が図８（ａ）に示した構造となるようにすることもできる。
【０１５４】
積層した導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。
【０１５５】
なお、図８（ａ）、図８（ｂ）において、配線７１Ａ、７１Ｂと、フィルム基材５１との間にさらに配線７１Ａ、７１Ｂと同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図５（ａ）に示した導電性基板に替えて図６（ａ）に示した導電性基板を用いることで作製できる。
【０１５６】
図７、図８（ａ）、図８（ｂ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【０１５７】
また、図７、図８（ａ）、図８（ｂ）においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１５８】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
【０１５９】
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層を既述のめっき装置を用いて成膜しているため、外観上のムラを抑制した黒化層を備えた導電性基板を得ることができる。
【０１６０】
なお、ここでは既述のめっき装置を用いて、導電性基板を製造した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、既述のめっき装置は各種めっき膜の成膜や、各種めっき膜を有する製品の製造に用いることができる。
【実施例】
【０１６１】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（実施例１−１）
以下の手順により導電性基板を作製した。
【０１６２】
まず、幅５００ｍｍ、長さ１００ｍ、厚さ１００μｍの長尺状のポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製のフィルム基材を準備した。なお、ポリエチレンテレフタレート樹脂製のフィルム基材について、全光線透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
【０１６３】
次いで、係るフィルム基材の一方の面、及び一方の面と反対側に位置する他方の面の両方の面上に以下の手順により金属層を成膜した（金属層形成工程（金属薄膜層形成工程））。
【０１６４】
予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述のフィルム基材を、スパッタリング装置のチャンバー内に設置した。なお、スパッタリング装置には、予め銅のターゲットを装着しておいた。
【０１６５】
そして、チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。
【０１６６】
係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、フィルム基材の一方の面、及び他方の面上に金属層（金属薄膜層）として銅層（銅薄膜層）を厚さが０．５μｍになるように成膜した。
【０１６７】
次いで、図１に示しためっき装置１０を用いて、金属層として銅層を成膜したフィルム基材の銅層上に、黒化層を形成した（黒化層成膜工程）。
【０１６８】
なお、図１に示しためっき装置１０において、供給ロール１１と電解めっき槽１４との間に２０ｇ／ｌの硫酸水溶液が入った前処理槽を設けておき、該前処理槽において、フィルム基材を３０秒間浸漬処理をできるように構成した。
【０１６９】
電解めっき槽１４内については、図１の領域Ａを拡大した図２に示したように、アノード１７１〜１７４と、カソードとなるフィルム基材１３の黒化層を成膜する面とを対向するように配置した。そして、アノード１７１〜１７４と、フィルム基材１３との間に、アノード１７１〜１７４側から、撹拌手段２１１〜２１４、遮蔽板２２１〜２２４の順に配置した。
【０１７０】
そして、アノード１７１〜１７４としては、酸化イリジウムがコーティングされた不溶性アノードを使用した。
【０１７１】
撹拌手段２１１〜２１４としては、循環ノズルを用い、電解めっき槽１４内のオーバーフローしためっき液を、該循環ノズルから供給するように構成した。循環ノズルからめっき液を供給することで、アノード１７１〜１７４近傍のめっき液を撹拌することができる。
【０１７２】
遮蔽板２２１〜２２４としては、厚さが３ｍｍでその面内に複数の開口部（貫通孔）が形成されたＰＶＣ製の板状体を用いた。なお、本実施例では、表１に示すように、開口部一つ当たりの平視野面積を１０ｍｍ２、複数の開口部３２の平視野面積の合計が、遮蔽板３１の平視野面積に占める割合（以下、開口率とも記載する。なお、表１でも開口率として示す）を１０％とした。
【０１７３】
また、遮蔽板２２１〜２２４と、カソードとなるフィルム基材１３との間隔である距離Ｌは８０ｍｍとした。
【０１７４】
そして、電解めっき槽１４内には、ニッケルイオン８ｇ／ｌ、銅イオン０．０１ｇ／ｌ、アミド硫酸１１ｇ／ｌを含む水溶液を水酸化ナトリウムによりｐＨ４．５に調整しためっき液を予め入れておいた。ニッケルイオン、銅イオンは硫酸塩を用いてめっき液に供給した。なお、黒化層を成膜する間、めっき液の温度は４０℃に保持している。
【０１７５】
そして、供給ロール１１から、上述の銅層を形成したフィルム基材１３を供給し、前処理槽で前処理を実施した後、電解めっき槽１４に搬送し、電流密度０．２Ａ／ｄｍ２、時間１００ｓｅｃの条件で、黒化層を成膜した。
【０１７６】
得られた導電性基板の黒化層表面について、色温度５０００Ｋの三波長蛍光灯の下、５人で目視で評価を行い、５人が外観ムラがないと判定した場合には〇、３人以上４人以下が外観ムラがないと判定した場合には△、外観ムラがないと判定したのが２人以下の場合には×として評価した。なお、評価が△、または〇の場合には、成膜した黒化層について、注視しているにも関わらず、過半数の人が外観ムラを認識できないことから、外観上のムラを抑制した黒化層であるといえる。
【０１７７】
その結果、本実施例で得られた導電性基板の黒化層は５人が外観ムラがないと判定し、評価は〇となった。すなわち、外観ムラを抑制し、均一な、ニッケルと、銅とを含む黒化層を成膜できていることを確認できた。
（実施例１−２〜実施例１−６）
電解めっき槽１４内に設置した遮蔽板に設けた開口部について、開口部一つ当たりの平視野面積、開口率を、表１に示したように変化させた点以外は、実施例１−１と同様にして導電性基板を作製し、黒化層の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１７８】
【表１】
2017222907.tif 000003
［実施例２−１〜実施例２−４］
遮蔽板２２１〜２２４と、フィルム基材１３との間の距離Ｌを、表２に示すように変更した点以外は、実施例１−１と同様にして、導電性基板を作製し、黒化層の外観ムラの評価を行った。結果を表２に示す。
【０１７９】
【表２】
2017222907.tif 000004
［比較例１］
図１に示しためっき装置の領域Ａ内の構成について、図９に示すように、図２の場合と、遮蔽板２２１〜２２４と、撹拌手段２１１〜２１４との位置を入れ替え、アノード１７１〜１７４側から、遮蔽板２２１〜２２４、撹拌手段２１１〜２１４の順に配置した点以外は実施例１−１と同様にして導電性基板を作製し、黒化層の評価を行った。なお、図９では部材の位置を入れ替えたのみであり、同じ部材を用いているため、各部材の番号は図２と同じ番号を用いている。
【０１８０】
得られた導電性基板の黒化層の外観ムラの評価結果は×となった。
【０１８１】
以上に説明した実施例１−１〜実施例１−６、実施例２−１〜実施例２−４と、比較例１との結果の比較から、電解めっき槽内において、アノードと、フィルム基材のめっき膜を形成する面とが対向するように配置し、アノードと、フィルム基材との間に、アノード側から、撹拌手段と、遮蔽板とを順に配置しためっき装置とすることで、外観上のムラを抑制した、めっき膜を成膜できることを確認できた。
【０１８２】
また、実施例１−１〜実施例１−６の結果を比較すると、遮蔽板の開口率を２０％以下とすることで、黒化層の外観上のムラを特に抑制できることを確認できた。
【０１８３】
さらに、実施例２−１〜実施例２−４の比較から、電解めっき槽内において、遮蔽板と、フィルム基材との間の距離を２０ｍｍ以上とすることで、成膜した黒化層の外観上のムラを特に抑制できることを確認できた。
【符号の説明】
【０１８４】
１４、４４                      電解めっき槽
１７１〜１７４、４５１〜４５６  アノード
２１１〜２１４、４６Ａ〜４６Ｌ  撹拌手段
２２１〜２２４、４７１、４７２  遮蔽板
１３、４３                      カソード
１０、４０                      めっき装置
３２                            開口部
【図１】
2017222907.tif 000005
【図２】
2017222907.tif 000006
【図３】
2017222907.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017222907.tif 000011
【図８】
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【図９】
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