(57)【要約】【課題】光源から放射される紫外光を含む光のうち、紫外光領域の光の照度を適切に測定することができる照度計、光照射装置および照度測定方法を提供する。【解決手段】照度計４０は、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光の照度を測定する。照度計４０は、上記の入射光を入射し、当該入射光に含まれる紫外光のみを反射する反射部材４８ａと、反射部材４８ａによって反射された反射光を受光し、当該反射光の照度を測定する受光部４１と、を備える。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光の照度を測定する照度計であって、
前記入射光を入射し、当該入射光に含まれる紫外光のみを反射する反射部材と、
前記反射部材によって反射された反射光を受光し、当該反射光の照度を測定する受光部と、を備えることを特徴とする照度計。
【請求項２】
前記受光部は、
紫外光を可視光に変換する蛍光体と、
可視光領域に感度波長を有する受光素子と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の照度計。
【請求項３】
前記反射部材は、基板と、当該基板の表面に積層された誘電体多層膜とにより構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の照度計。
【請求項４】
前記反射部材は、前記入射光に含まれる真空紫外光のみを反射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照度計。
【請求項５】
前記入射光および前記反射光が進行する導光路をさらに備え、
前記導光路の内部が不活性ガスによりパージされていることを特徴とする請求項４に記載の照度計。
【請求項６】
前記反射部材を保持するハウジングをさらに備え、
前記反射部材は、前記ハウジングに対して着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の照度計。
【請求項７】
紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する光を放射する光源と、
前記光源が放射する光を前記入射光として入射する、前記請求項１〜６のいずれか１項に記載の照度計と、を備えることを特徴とする光照射装置。
【請求項８】
紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光を入射し、反射部材によって当該入射光に含まれる紫外光のみを反射し、
前記反射部材によって反射された反射光を受光し、当該反射光の照度を測定することを特徴とする照度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照度計、光照射装置および照度測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、露光装置や光照射装置は、ワークに対して照射される光の照度が所望の条件を満たしているかどうかをモニタリングするための照度計を搭載している。露光装置や光照射装置の光源として用いられるランプは、紫外光から可視光までの領域にスペクトルを有する光を放射する。そのため、このような様々な波長成分を含む光から、所望の波長領域帯のみを選別して照度を測定する必要がある。
特許文献１には、中央に開口部を有するハウジングと、ハウジング内に設けられたバンドパスフィルタと、ハウジングの底面に設けられたセンサとを備える光量測定モジュールが開示されている。この光量測定モジュールでは、光源から放出された光のうち、所望の波長領域帯のみをバンドパスフィルタにより透過させ、透過された光をセンサで受光することにより、所望の成分の照度のみを測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１２７４４２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載の技術では、測定対象が紫外光領域の光である場合、バンドパスフィルタによって紫外光のみを透過し、バンドパスフィルタを透過した紫外光をセンサによって受光することになる。しかしながら、この光量測定モジュールは、測定対象の光を透過させる透過式の測定方式を用いているため、紫外光によってバンドパスフィルタが劣化し、バンドパスフィルタが紫外光以外の光を透過させてしまう。そのため、測定対象である紫外光の照度を正確にモニタリングすることができない。
そこで、本発明は、光源から放射される紫外光を含む光のうち、紫外光領域の光の照度を適切に測定することができる照度計、光照射装置および照度測定方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明に係る照度計の一態様は、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光の照度を測定する照度計であって、前記入射光を入射し、当該入射光に含まれる紫外光のみを反射する反射部材と、前記反射部材によって反射された反射光を受光し、当該反射光の照度を測定する受光部と、を備える。
このように、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光のみを反射して照度を測定する、所謂反射式の測定方式を採用することで、劣化による誤検知を抑制することができる。したがって、測定対象である紫外光領域の光の照度を適切に測定することができる。
【０００６】
また、上記の照度計において、前記受光部は、紫外光を可視光に変換する蛍光体と、可視光領域に感度波長を有する受光素子と、を備えてもよい。この場合、紫外光を直接検知する受光素子ではなく、通常広く用いられる可視光を検知する受光素子を用いて紫外光を検知することができる。
さらに、上記の照度計において、前記反射部材は、基板と、当該基板の表面に積層された誘電体多層膜とにより構成されていてもよい。この場合、反射部材を紫外光により劣化しにくい材料により構成することができ、誤検知を適切に抑制することができる。
また、上記の照度計において、前記反射部材は、前記入射光に含まれる真空紫外光のみを反射してもよい。この場合、真空紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光から、真空紫外光のみを選別し、当該真空紫外光の照度を適切に測定することができる。
【０００７】
さらに、上記の照度計において、前記入射光および前記反射光が進行する導光路をさらに備え、前記導光路の内部が不活性ガスによりパージされていてもよい。この場合、真空紫外光を減衰させることなく受光素子まで導くことができ、精度良く真空紫外光の照度を測定することができる。
また、上記の照度計において、前記反射部材を保持するハウジングをさらに備え、前記反射部材は、前記ハウジングに対して着脱可能に取り付けられていてもよい。この場合、測定対象である紫外光の波長に応じた反射部材を取り付け可能となり、適切な照度測定が可能となる。
また、本発明に係る光照射装置の一態様は、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する光を放射する光源と、前記光源が放射する光を前記入射光として入射する、上記のいずれかの照度計と、を備える。
これにより、照射光の照度をモニタリング可能な光照射装置を実現することができる。したがって、照射光が基準を満たしているか、時間的均一性がとれているかなど、装置の信頼性に影響する事項を適切に管理することができる。
【０００８】
さらに、本発明に係る照度測定方法の一態様は、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光を入射し、反射部材によって当該入射光に含まれる紫外光のみを反射し、前記反射部材によって反射された反射光を受光し、当該反射光の照度を測定する。
このように、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光のみを反射して照度を測定する、所謂反射式の測定方式を採用することで、劣化による誤検知を抑制することができる。したがって、測定対象である紫外光領域の光の照度を適切に測定することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る照度計によれば、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する入射光のうち、測定対象である紫外光領域の光のみを反射して照度を測定する。このように、反射式の照度計とすることで、劣化による誤検知を抑制し、測定対象である紫外光領域の光の照度を適切に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態における光照射装置の構成例を示す図である。
【図２】光源（ＳＦＬ）の構成例を示す図である。
【図３】光源（ＳＦＬ）が発する光のスペクトル分布を示す図である。
【図４】真空紫外光光源装置の構成例を示す図である。
【図５】照度計の具体的構成を示す図である。
【図６】照度計の比較例の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における光照射装置の構成例を示す図である。
光照射装置１００は、ワークＷをマスクＭに対して所定の間隙（ギャップ）を設けて平行に配置し、マスクパターンが形成されたマスクＭを介してワークＷに露光光を照射するプロキシミティ露光装置である。光照射装置１００は、ワークＷ上の露光部分において表面改質を行わせ、マスクパターンをワークＷに転写する光パターニング装置である。
光照射装置１００は、真空紫外光（ＶＵＶ光）を放射する真空紫外光光源装置１０を備える。真空紫外光光源装置１０は、図２に示す光源１１を有する光源部１０ａと、ランプハウジング１３と、ランプハウジング１３に設けられた窓部１４とを備える。
【００１２】
光源１１は、紫外光領域から可視光領域までの範囲にスペクトルを有する光を放射する。本実施形態では、光源１１は、ＶＵＶ領域から可視光領域までの範囲に連続スペクトルを有する光を放射するものとする。なお、本実施形態でいう連続スペクトルとは、線スペクトルではなく、例えば１０ｎｍ以上といった充分に広い波長幅にわたって発光波長が連続的に分布している状態をいう。
光源１１は、例えば点光源である。光源１１としては、例えば、ＶＵＶ領域の光強度が強いフラッシュランプを用いることができる。本実施形態では、光源１１として、ショートアークフラッシュランプ（ＳＦＬ）を用いる。光源１１は、例えば図３に示すように、波長２００ｎｍ以下の範囲に連続スペクトルを有するＶＵＶ光を放射するＳＦＬとする。
【００１３】
次に、光源１１の具体的構成について説明する。
図２は、光源１１の構成例を示す図である。この図２に示す光源１１は、ダブルエンド型のＳＦＬである。
光源１１は、石英ガラス等のＶＵＶ光透過性材料からなる楕円球形状の発光管１１１ａを備える。発光管１１１ａの両端には第一封止管１１１ｂと第二封止管１１１ｃとが連設されている。また、第二封止管１１１ｃには封止用ガラス管１１２が挿入されており、両者は二重管部分で溶着されている。発光管１１１ａ内には、例えばキセノン（Ｘｅ）やクリプトン（Ｋｒ）等の希ガスが単独で、あるいは、上記の希ガスと、ハロゲンガス、Ｈ２ガス又はＮ２ガスとの混合ガスが封入されている。
【００１４】
発光管１１１ａ内には、互いに対向する一対の電極（第一の主電極（陽極）１１３ａと第二の主電極（陰極）１１３ｂ）が配置されている。ここで、一対の電極１１３ａ，１１３ｂの電極間距離は、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍである。
第一の主電極１１３ａから管軸に沿って外方に伸びる電極棒１１４ａは、第一封止管１１１ｂの端部から外部に導出されている。この電極棒１１４ａは、第一封止管１１１ｂの端部において、段継ぎガラスなどの手段により封着（ロッドシール）されている。また、第二の主電極１１３ｂから管軸に沿って外方に伸びる電極棒１１４ｂは、封止用ガラス管１１２の端部から外部に導出されている。この電極棒１１４ｂは、封止用ガラス管１１２の端部において、段継ぎガラスなどの手段により封着（ロッドシール）されている。一対の電極１１３ａ，１１３ｂは、例えば酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の易電子放射性物質が含浸されたタングステン焼結体により構成されている。また、電極棒１１４ａ，１１４ｂは、例えばタングステンにより構成されている。
【００１５】
また、発光管１１１ａ内の電極１１３ａおよび１１３ｂの間には、始動用補助電極として、一対のトリガ電極１１５ａおよび１１５ｂが配設されている。トリガ電極１１５ａ，１１５ｂは、例えば細い線状に形成されており、先端部が電極１１３ａの先端と電極１１３ｂの先端とを結ぶ中心線上において互いに離間して位置するよう配置されている。トリガ電極１１５ａ，１１５ｂは、例えばニッケル、タングステンあるいはそれらを含む合金により構成されている。
【００１６】
また、トリガ電極１１５ａには、ロッド状の内部リード（内部リード棒）１１６ａの一端が接続されている。内部リード１１６ａは、電極棒１１４ｂに対して平行に管軸方向外方に伸び、第二封止管１１１ｃと封止用ガラス管１１２との二重管部分において、金属箔１１８ａを介して外部リード１１７ａに電気的に接続されている。これにより、箔シール構造が形成されている。同様に、トリガ電極１１５ｂには、ロッド状の内部リード（内部リード棒）１１６ｂの一端が接続されている。内部リード１１６ｂは、電極棒１１４ｂに対して平行に管軸方向外方に伸び、第二封止管１１１ｃと封止用ガラス管１１２との二重管部分において、金属箔１１８ａとは周方向に異なる位置、例えば管軸を挟んで対向する位置に、金属箔１１８ｂを介して外部リード１１７ｂに電気的に接続されている。一対の内部リード１１６ａ，１１６ｂは、例えばタングステンにより構成されている。
【００１７】
また、一対の内部リード１１６ａ，１１６ｂ、および電極棒１１４ｂには、共通のサポータ部材１１９が設けられており、このサポータ部材１１９が陰極１１３ｂ、およびトリガ電極１１５ａ，１１５ｂを適正な位置に配置する構成となっている。
電極棒１１４ａ，１１４ｂおよびトリガ電極１１５ａ，１１５ｂに係る外部リード１１７ａ，１１７ｂは、それぞれ外部の給電部１５に接続されている。この給電部１５は、所定のエネルギーを蓄えるコンデンサ（不図示）を有する。そして、給電部１５は、当該コンデンサを充電することで一対の電極１１３ａと１１３ｂとの間に高電圧を印加すると共に、トリガ電極１１５ａと１１５ｂとの間にトリガ電圧としてパルス電圧を印加する。
これにより、陰極１１３ｂと陽極１１３ａとの間でアーク放電（主放電）を生じさせ、光源１１を点灯させることができる。
【００１８】
光源１１から放射されたＶＵＶ光は、図４に示すように楕円集光ミラー１２によって反射され、照射光学系１０ｂによって平行光となる。そして、この平行光が光源部１０ａから放射される光となり、図１のランプハウジング１３に設けられた窓部１４から出射する。窓部１４は、例えば、ＶＵＶ光に対して高い透過率を有する合成石英で形成する。なお、窓部１４は、例えば、石英より短波長の透過率が良いサファイアガラスやフッ化カルシウム、フッ化マグネシウム等により形成されていてもよい。
照射光学系１０ｂは、図４に示すように、インテグレータレンズ１６と、折り返しミラー１７と、コリメータレンズ１８とを備える。光源１１から放射され、楕円集光ミラー１２によって反射されたＶＵＶ光は、インテグレータレンズ１６に入射する。インテグレータレンズ１６から出射されたＶＵＶ光は、折り返しミラー１７によって反射しコリメータレンズ１８を介して、マスクＭおよびワークＷに対して照射される。このような構成により、ワークＷに照射される露光光は、照度分布の均一性が保たれたＶＵＶ平行光となる。
【００１９】
但し、インテグレータレンズ１６やコリメータレンズ１８は、真空紫外光光源装置１０から放出されワークＷに照射されるまでに光が進行する光路上に配置するため、ＶＵＶ領域の光透過性の良い材料で構成する。なお、コリメータレンズ１８に代えて、コリメータミラーを用いることもできる。また、照射光学系１０ｂの構成は、図４に示す構成に限定されるものではなく、窓部１４から出射される光が平行光線束となる構成であればよい。さらに、真空紫外光光源装置１０は、光源１１を複数用いる多灯式とすることもできる。また、光源１１は、図４に示す水平点灯に限定されるものではなく、垂直点灯させることもできる。
【００２０】
図１の窓部１４は、ランプハウジング１３と気密に組み立てられており、ランプハウジング１３内部には、ランプハウジング１３に設けられたガス導入口１３ａから窒素（Ｎ2）ガスなどの不活性ガスＡが導入され、ランプハウジング１３の内部は不活性ガスによりパージされて酸素濃度が低減されている。これは、ＶＵＶが酸素による吸収減衰を激しく受けるためであり、ランプハウジング１３内を窒素（Ｎ2）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガスによりパージすることによりＶＵＶの酸素による吸収減衰を防止することができる。また、ランプハウジング１３内部に導入された不活性ガスＡは、フラッシュランプ１１や楕円集光ミラー１２を冷却した後ランプハウジング１３に設けられた排気口１３ｂから排気される。
なお、ランプハウジング１３内部は、例えば真空であってもよいし、僅かに酸素を含む雰囲気であってもよい。また、コリメータレンズ１８を窓部１４の代わりに用い、ランプハウジング１３を気密に組み立ててもよい。
【００２１】
真空紫外光光源装置１０から放射されたＶＵＶ光は、マスクＭに入射され、当該マスクＭを通してＶＵＶ光がパターン形成用基板であるワークＷに照射される。マスクＭは、例えば、ガラスやサファイア等の光透過性基板上にクロム等の遮光材を蒸着した後エッチングし、遮光部と該遮光部が設けられていない透光部とを含むパターン（照射パターン）を形成したものである。
マスクＭとしては、例えば、バイナリーマスク、位相シフトマスクなどのフォトマスクを使用することができる。また、マスクＭとして、金属等の遮光性基板に対して透光部である開口部がパターン状に設けられたメタルマスクを使用することもできる。
真空紫外光光源装置１０の光出射側には、真空紫外光光源装置１０から放射されマスクＭに入射される光が進行する光路を包囲する包囲部材２１が設けられている。マスクＭは、包囲部材２１に連結されたマスクステージ２２によって水平状態を保って吸着保持されている。
【００２２】
真空紫外光光源装置１０の窓部１４、包囲部材２１、マスクステージ２２およびマスクＭの内部は閉空間となっている。包囲部材２１はガス導入口２１ａが設けられており、閉空間となった包囲部材２１内部にはガス導入口２１ａから窒素（Ｎ2）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガスＡが導入され、当該包囲部材２１内部は不活性ガスによりパージされ、酸素濃度が低減されている。これは、ランプハウジング１３内部が不活性ガスによりパージされているのと同じ理由による。また、包囲部材２１内部に導入された不活性ガスＡは、包囲部材２１に設けられた排気口２１ｂから排気される。
なお、ランプハウジング１３内部は、例えば真空であってもよいし、僅かに酸素を含む雰囲気であってもよい。
【００２３】
ワークＷは、ワークステージ２３上に載置され、例えば真空チャック機構によりワークステージ２３に吸着保持されている。ワークステージ２３は、ステージ移動機構３２によってＸＹＺθ方向（図１の左右、前後、上下方向、およびＺ軸を中心とした回転方向）に移動可能に構成されている。ステージ移動機構３２は、制御部３１によって駆動制御される。また、マスクＭとワークＷとの間隙の雰囲気は、制御部３１によって、例えば大気雰囲気（酸素約２０ｋＰａ）となっている。
具体的には、マスクＭの光出射側に、マスクＭを通過しワークＷに照射される光が進行する光路を包囲する包囲部材２４が設けられており、包囲部材２４に形成された空気導入口２４ａから包囲部材２４内部に、処理気体としての空気Ｂが導入されている。空気導入口２４ａから導入された空気Ｂは、排気口２４ｂから排気可能である。
なお、マスクＭとワークＷとの間隙の雰囲気は大気雰囲気に限定されるものではなく、酸素を含む雰囲気であればよい。例えば、空気導入口２４ａから酸素やオゾンを供給したり、水蒸気（Ｈ2Ｏ）を供給したりしてもよい。但し、ワークＷを構成する基板の種類によっては、高濃度のオゾンに曝されると不具合が生じる場合もあるため、包囲部材２４内部に供給する処理気体はワークＷに応じて決定するものとする。
【００２４】
また、図１では、空気導入口２４ａをマスクＭとワークＷとの間隙に向けて配置し、当該間隙に向けて空気を噴射させる構成としているが、空気導入口２４ａの配置位置は図１に示す位置に限定されない。空気導入口２４ａは、包囲部材２４内部に空気Ｂを導入可能な構成であればよい。さらに、包囲部材２４内部の空気Ｂを外部に排気することは、必ずしも必要ではない。つまり、排気口２４ｂは、必ずしも設ける必要はない。
さらに、光照射装置１００は、図４に示すように、照度計４０を備える。照度計４０は、真空紫外光光源装置１０から放射された光のうち、光パターニング処理に用いる波長（例えば、１６５ｎｍ）の光を測定対象とし、当該測定対象の光の照度を測定する。本実施形態では、照度計４０は、真空紫外光光源装置１０の光出射側で、且つマスクＭの設置位置よりも上方に配置され、ワークＷの露光領域外において照度を測定する。例えば、照度計４０は、図１に示すように、包囲部材２１内部に配置することができる。照度計４０の具体的構成については後述する。
【００２５】
以下、ワークＷについて説明する。
ワークＷには、有機成分を含む基板を用いることができる。例えば、基板材料として、脂肪族化合物ポリマーを用いることができる。基板材料の具体例としては、例えば、脂環式炭化水素基を有する環状ポリオレフィンがある。
環状ポリオレフィンの原料としては、例えばジシクロペンタジエン（dicyclopentadiene：ＤＣＰＤ）やＤＣＰＤの誘導体（ノルボルネン誘導体）を用いる。ポリマーとしては、これらの環状オレフィンを単独重合することは立体障害の影響で困難であるので、αオレフィンと付加重合する方法や環状オレフィンの開環重合による方法を用いる。前者のポリマーをシクロオレフィンコポリマー（Cyclic Olefin Copolymer：ＣＯＣ）といい、後者のポリマーをシクロオレフィンポリマー（Cyclic Olefin Polymer：ＣＯＰ）という。
ＣＯＣの分子構造は、例えば、下記（１）式で表される。
【００２６】
【化１】
2017044537.tif 000003
【００２７】
ＣＯＣは、例えば、ノルボルネンと炭素数２〜３０のαオレフィンとをメタロセン触媒にて付加共重合して得ることができる。本実施形態のパターン形成用基板（ワークＷ）を構成するＣＯＣは、一例として、下記（２）式
【００２８】
【化２】
2017044537.tif 000004
〔式中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は同一または異なっていて、それぞれ水素原子または好ましくは１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基（例えば、Ｃ6〜Ｃ10アリールやＣ1〜Ｃ8アルキルなど）である〕
で示される少なくとも１種の多環式オレフィンを、下記（３）式
【００２９】
【化３】
2017044537.tif 000005
〔式中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18およびＲ19は同一又は異なっていて、それぞれ水素原子または好ましくは１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基（例えば、Ｃ6〜Ｃ10アリールやＣ1〜Ｃ8アルキルなど）である〕
で示される少なくとも１種の非環式オレフィンでメタロセン触媒の存在下で共重合して得られたものとする。
【００３０】
多環式オレフィンの代表例はノルボルネンとテトラシクロドデセンであり、これらはいずれもＣ1〜Ｃ6アルキルで置換されていてもよい。これらの多環式オレフィンは、エチレンと共重合させるのが好ましい。より好ましくは、ＣＯＣは、ノルボルネンとエチレンとを共重合したポリマーとする。
ＣＯＰとしては、例えば、遷移金属ハロゲン化物と有機金属化合物から成るメタセシス重合触媒を用いて、シクロオレフィン系単量体を開環重合して得られた重合体を用いることができる。
【００３１】
ワークＷに用いるＣＯＰの単量体の具体例としては、ノルボルネン、そのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体およびこれら置換または非置換のノルボルネン系単量体のハロゲン、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基等の極性基置換体、例えば、２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、５，５−ジメチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メトキシカルボニル−２−ノルボルネン、５−シアノ−２−ノルボルネン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−２−ノルボルネン、５−フェニル−２−ノルボルネン、５，６−ジエトキシカルボニル−２−ノルボルネン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロ−９Ｈ−フルオレン等；  ノルボルネンに一つ以上のシクロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−メチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−エチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−エチリデン−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６，６−ジメチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−メチル−６−メトキシカルボニル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、４，９：５，８−ジメタノ−２，３，３ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ−デカヒドロ−１Ｈ−ベンゾインデン等；  シクロペンタジエンの多量体である多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、２，３−ジヒドロジシクロペンタジエン、４，９：５，８−ジメタノ−３ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ−オクタヒドロ−１Ｈ−ベンゾインデン等；  シクロペンタジエンとテトラヒドロインデン等との付加物、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒドロ−９Ｈ−フルオレン、５，８−メタノ−３ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ−オクタヒドロ−１Ｈ−ベンゾインデン、１，４：５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，４ｂ，７，８，８ａ，９ａ−デカタヒドロ−９Ｈ−フルオレン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン等；  その他のシクロオレフィン、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、５，６−ジヒドロシクロペンタジエン、３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデン、４−エチルシクロヘキセン等；  等が挙げられる。これらの単量体は、単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３２】
なお、ワークＷは、ＣＯＣやＣＯＰからなる基板に限定されるものではなく、例えば、アクリルやＰＥ（ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）等、いずれの合成樹脂基板も適用可能である。また、Ｃ−Ｈ結合を有するプラスチックに限定されず、ポリ４フッ化エチレン等のＣ−Ｆ結合を有するプラスチックを適用することもできる。ワークＷは、パターン形成体の用途や表面改質の用途に応じて適宜選択する。
また、ワークＷとしては、適宜の素材からなる基材上に有機単分子膜（例えば、自己組織化単分子膜（Self-Assembled Monolayer：ＳＡＭ膜））が設けられたものを使用することもできる。
【００３３】
有機単分子膜が設けられる基材は、特に限定されるものではなく、パターン形成体の用途や表面改質の用途、および有機単分子膜を構成する分子の種類等を考慮して適宜選択される。具体的には、金、銀、銅、白金、鉄等の金属、石英ガラスや酸化アルミニウム等の酸化物、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合物半導体、高分子材料等からなる種々の基材上に有機単分子膜を設けることができる。
有機単分子膜を構成する材料としては、ＶＵＶ光により励起され、分解され得る有機分子であれば適用可能である。有機単分子膜がＳＡＭ膜の場合には、基材表面と化学反応する官能基を有し、分子間の相互作用によって自己組織化するような有機分子であればよい。
具体的には、ＳＡＭ膜を構成する有機分子として、以下の一般式（４）で示されるホスホン酸系化合物を使用することができる。
【００３４】
【化４】
2017044537.tif 000006
【００３５】
上記（４）式中、Ｒ１は、ハロゲン原子もしくはヘテロ原子を含んでいても良い、置換又は非置換の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を示し、好ましくは、置換又は非置換であって直鎖状又は分岐状のアルキル基、置換又は非置換のベンジル基、置換又は非置換のフェノキシ基である。
このようなホスホン酸系化合物の具体例としては、ブチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、オクチルホスホン酸、デシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、６−ホスホノヘキサン酸、１１−アセチルメルカプトウンデシルホスホン酸、１１−ヒドロキシウンデシルホスホン酸、１１−メルカプトウンデシルホスホン酸、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタンホスホン酸、１１−ホスホノウンデシルホスホン酸、１６−ホスホノヘキサデカン酸、１，８−オクタンジホスホン酸、１，１０−デシルジホスホン酸、１，１２−ドデシルジホスホン酸、ベンジルホスホン酸、４−フルオロベンジルホスホン酸、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルホスホン酸、４−ニトロベンジルホスホン酸、１２−ペンタフルオロフェノキシドデシルホスホン酸、（１２−ホスホノドデシル）ホスホン酸、１６−ホスホノヘキサデカン酸、１１−ホスホノウンデカン酸等を挙げることができる。また、式（１）の化合物以外にも［２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチル］ホスホン酸等の化合物も適用可能である。
また、ＳＡＭ膜を構成する有機分子の別の例として、以下の一般式（５）で示されるチオール系化合物を使用することができる。
【００３６】
【化５】
2017044537.tif 000007
【００３７】
上記（５）式中、Ｒ２は、ハロゲン原子もしくはヘテロ原子を含んでいても良い、置換又は非置換の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。また、チオール基がさらに置換された、上記（５）式の化合物の誘導体も適用可能である。
このようなチオール系化合物又はその誘導体の具体例としては、１−ブタンチオール、１−デカンチオール、１−ドデカンチオール、１−ヘプタンチオール、１−ヘキサデカンチオール、１−ヘキサンチオール、１−ノナンチオール、１−オクタデカンチオール、１−オクタンチオール、１−ペンタデカンチオール、１−ペンタンチオール、１−プロパンチオール、１−テトラデカンチオール、１−ウンデカンチオール、１１−メルカプトウンデシルトリフルオロアセテート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール、２−ブタンチオール、２−エチルヘキサンチオール、２−メチル−１−プロパンチオール、２−メチル−２−プロパンチオール、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−１−ヘキサンチオール、３−メルカプト−Ｎ−ノニルプロピオンアミド、３−メチル−１−ブタンチオール、４−シアノ−１−ブタンチオール、ブチル３−メルカプトプロピオネート、ｃｉｓ−９−オクタデセン−１−チオール、３−メルカプトプロピオン酸メチル、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ノニルメルカプタン、１，１１−ウンデカンジチオール、１，１６−ヘキサデカンジチオール、１，２−エタンジチオール、１，３−プロパンジチオール、１，４−ブタンジチオール、１，５−ペンタンジチオール、１，６−ヘキサンジチオール、１，８−オクタンジチオール、１，９−ノナンジチオール、２，２’−（エチレンジオキシ）ジエタンチオール、２，３−ブタンジチオール、５，５’−ビス（メルカプトメチル）−２，２’−ビピリジン、ヘキサ（エチレングリコール）ジチオール、テトラ（エチレングリコール）ジチオール、ベンゼン−１，４−ジチオール、（１１−メルカプトウンデシル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムブロミド、（１１−メルカプトメルカプトウンデシル）ヘキサ（エチレングリコール）、（１１−メルカプトウンデシル）テトラ（エチレングリコール）、１（１１−メルカプトウンデシル）イミダゾール、１−メルカプト−２−プロパノール、１１−（１Ｈ−ピロール−１−イル）ウンデカン−１−チオール、１１−（フェロセニル）ウンデカンチオール、１１−アミノ−１−ウンデカンチオール塩酸塩、１１−アジド−１−ウンデカンチオール、１１−メルカプト−１−ウンデカノール、１１−メルカプトウンデカンアミド、１１−メルカプトウンデカン酸、１１−メルカプトウンデシルヒドロキノン、１１−メルカプトウンデシルホスホン酸、１１−メルカプトウンデシルリン酸、１２−メルカプトドデカン酸、１２−メルカプトドデカン酸ＮＨＳエステル、１６−メルカプトヘキサデカン酸、３−アミノ−１−プロパンチオール塩酸塩、３−クロロ−１−プロパンチオール、３−メルカプト−１−プロパノール、３−メルカプトプロピオン酸、４−メルカプト−１−ブタノール、６−（フェロセニル）ヘキサンチオール、６−アミノ−１−ヘキサンチオール塩酸塩、６−メルカプト−１−ヘキサノール、６−メルカプトヘキサン酸、８−メルカプト−１−オクタノール、８−メルカプトオクタン酸、９−メルカプト−１−ノナノール、トリエチレングリコールモノ−１１−メルカプトウンデシルエーテル、１，４−ブタンジチオールジアセテート、［１１−（メチルカルボニルチオ）ウンデシル］ヘキサ（エチレングリコール）メチルエーテル、［１１−（メチルカルボニルチオ）ウンデシル］テトラ（エチレングリコール）、［１１−（メチルカルボニルチオ）ウンデシル］トリ（エチレングリコール）酢酸、［１１−（メチルカルボニルチオ）ウンデシル］トリ（エチレングリコール）メチルエーテル、ヘキサ（エチレングリコール）モノ−１１−（アセチルチオ）ウンデシルエーテル、Ｓ，Ｓ’−［１，４−フェニレンビス（２，１−エチンジイル−４，１−フェニレン）］ビス（チオアセタート）、Ｓ−［４−［２−［４−（２−フェニルエチニル）フェニル］エチニル］フェニル］チオアセテート、Ｓ−（１０−ウンデセニル）チオアセテート、チオ酢酸Ｓ−（１１−ブロモウンデシル）、Ｓ−（４−アジドブチル）チオアセテート、Ｓ−（４−ブロモブチル）チオアセテート（安定化剤として銅を含有）、チオ酢酸Ｓ−（４−シアノブチル）、１，１’，４’，１’’−テルフェニル−４−チオール、１，４−ベンゼンジメタンチオール、１−アダマンタンチオール、ＡＤＴ、１−ナフタレンチオール、２−フェニルエタンチオール、４’−ブロモ−４−メルカプトビフェニル、４’−メルカプトビフェニルカルボニトリル、４，４’−ビス（メルカプトメチル）ビフェニル、４，４’−ジメルカプトスチルベン、４−（６−メルカプトヘキシルオキシ）ベンジルアルコール、４−メルカプト安息香酸、９−フルオレニルメチルチオール、９−メルカプトフルオレン、ビフェニル−４，４−ジチオール、ビフェニル−４−チオール、シクロヘキサンチオール、シクロペンタンチオール、ｍ−カルボラン−１−チオール、ｍ−カルボラン−９−チオール、ｐ−テルフェニル−４，４’’−ジチオール、チオフェノール等を挙げることができる。
さらに、別の例として、ＳＡＭ膜として以下の一般式（６）で示されるシラン系化合物を使用することができる。
【００３８】
【化６】
2017044537.tif 000008
【００３９】
上記（６）式中、Ｒ３〜Ｒ６は、ハロゲン原子もしくはヘテロ原子を含んでいても良い、置換又は非置換の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。
このようなシラン系化合物の具体例としては、ビス（３−（メチルアミノ）プロピル）トリメトキシシラン、ビス（トリクロロシリル）メタン、クロロメチル（メチル）ジメトキシシラン、ジエトキシ（３−グリシジルオキシプロピル）メチルシラン、ジエトキシ（メチル）ビニルシラン、ジメトキシ（メチル）オクチルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−［（トリメチルシリル）エチニル］アニリン、３−グリシドキシプロピルジメチルエトキシシラン、メトキシ（ジメチル）オクタデシルシラン、メトキシ（ジメチル）オクチルシラン、オクテニルトリクロロシラン、トリクロロ［２−（クロロメチル）アリル］シラン、トリクロロ（ジクロロメチル）シラン、３−（トリクロロシリル）プロピルメタクリレート、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］−Ｎ’−（４−ビニルベンジル）エチレンジアミン塩酸塩、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、２−［（トリメチルシリル）エチニル］アニソール、トリス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］イソシアヌレート、アジドトリメチルシラン、３−［２−（２−アミノエチルアミノ）エチルアミノ］プロピルトリメトキシシラン、［３−（２−アミノエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、３−アミノプロピル（ジエトキシ）メチルシラン、（３−アミノプロピル）トリエトキシシラン、（３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、イソブチル（トリメトキシ）シラン、エトキシジメチルフェニルシラン、エトキシトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、（３−クロロプロピル）トリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、（３−グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、［３−（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ジフェニルシランジオール、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ジメチルオクタデシル［３−（トリメトキシシリル）プロピル］アンモニウムクロリド、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシ−メチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、トリエトキシ（イソブチル）シラン、トリエトキシ（オクチル）シラン、３−（トリエトキシシリル）プロピオニトリル、３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアナート、トリエトキシビニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリクロロ（オクタデシル）シラン、トリクロロ（オクチル）シラン、トリクロロシクロペンチルシラン、トリクロロ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、トリクロロ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチル）シラン、トリクロロビニルシラン、トリクロロ（フェニル）シラン、トリクロロ（フェネチル）シラン、トリクロロ（ヘキシル）シラン、トリメトキシ［２−（７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタ−３−イル）エチル］シラン、トリメトキシ（オクタデシル）シラン、トリメトキシ（オクチル）シラン、トリメトキシ（７−オクテン−１−イル）シラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアクリラート、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］アニリン、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリラート、１−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］尿素、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、トリメトキシ（２−フェニルエチル）シラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ［３−（メチルアミノ）プロピル］シラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ドデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデシルトリクロロシラン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリクロロシリル）エタン、１，６−ビス（トリクロロシリル）ヘキサン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］アミン、３−［ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノ］プロピル−トリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ブチルトリクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロシラン、（３−ブロモプロピル）トリクロロシラン、（３−ブロモプロピル）トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキサクロロジシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、メトキシトリメチルシラン、（３−メルカプトプロピル）トリメトキシシラン、（３−ヨードプロピル）トリメトキシシラン等を挙げることができる。
以上のようなＳＡＭ膜を構成する種々の有機分子は、一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
【００４０】
ワークＷに対するＶＵＶ照射処理は、次のように行われる。
まず、制御部３１は、真空チャック機構等を駆動制御し、マスクステージ２２の所定の位置にセットされたマスクＭを真空吸着により保持する。次に、制御部３１はステージ移動機構３２によりワークステージ２３を下降し、ワークＷをワークステージ２３上に載置させた後、ステージ移動機構３２によりワークステージ２３を上昇し、ワークＷを所定のＶＵＶ光照射位置にセットする。次に、制御部３１は、ステージ移動機構３２によりワークステージ２３をＸＹθ方向に移動し、マスクＭとワークＷとの位置合わせ（アライメント）を行う。すなわち、マスクＭ上に印されたアライメント・マークとワークＷ上に印されたアライメント・マークを一致させる。
【００４１】
マスクＭとワークＷの位置合わせが終了すると、制御部３１は、光パターニング処理を開始する。すなわち、制御部３１は、真空紫外光光源装置１０から、平行光であるＶＵＶ光を、マスクＭを介してワークＷ上に照射する。これにより、ワークＷに対して表面改質によるパターン形成が行われる。光パターニング処理が終了すると、制御部３１は、光源１１を消灯してワークステージ２３を下降し、ワークステージ２３への真空の供給を停止することで、照射済のワークＷをワークステージ２３から取り出し可能な状態とする。
【００４２】
以上のように、本実施形態の光照射装置１００は、真空紫外光光源装置１０から露光光としてＶＵＶ光を含む平行光を放射し、そのＶＵＶ平行光を、マスクＭを介してワークＷに照射する。このとき、真空紫外光光源装置１０から放射されたＶＵＶ平行光は、不活性ガスによってパージされた包囲部材２１内部の空間を進行し、マスクＭに到達する。したがって、ＶＵＶ光の減衰を防止しつつ、マスクＭを介してワークＷへＶＵＶ光を照射することができる。
【００４３】
次に、照度計４０の具体的構成について、図５を参照しながら説明する。
図５に示すように、照度計４０は、受光部４１と、導光部４２とを備える。受光部４１は、ハウジング４３と、受光素子４４と、蛍光板４５と、可視光フィルタ４６とを備える。また、導光部４２は、ハウジング４７と、ミラーユニット４８と、固定部材４９とを備える。
ハウジング４３は、側壁に開口部４３ａを有し、ハウジング４３内部は、窒素（Ｎ2）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガスによりパージされている。ハウジング４３内には受光素子４４が、受光面を開口部４３ａ側に向けて配置されている。また、受光素子４４の受光面と対向する位置には、開口部４３ａを塞ぐように蛍光板４５と可視光フィルタ４６とが配置されている。受光素子４４は、例えばフォトダイオード等であり、可視光領域に感度ピークを有する。蛍光板４５は、紫外光を可視光に変換する蛍光体により構成されている。可視光フィルタ４６は、特定の波長の可視光のみを透過する色ガラスフィルタである。
【００４４】
導光部４２のハウジング４７には、導光路４７ａおよび４７ｂが形成されており、ハウジング４７は、導光路４７ａの中心軸上に受光素子４４が位置するように、受光部４１のハウジング４３に固定されている。ハウジング４７内部は、窒素（Ｎ2）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガスによりパージされている。  ミラーユニット４８は、反射部材（ミラー）４８ａと、反射部材４８ａを保持する保持部材４８ｂと、を備える。反射部材４８ａは、ＶＵＶ光を反射し、ＶＵＶ以外の光を透過させるミラー部材である。反射部材４８ａは、例えば、石英ガラス等の基板上に誘電体多層膜をコーティングした構成を有する。誘電体多層膜としては、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）等のフッ化物材料からなる膜を用いることができる。この反射部材４８ａは、真空紫外光光源装置１０から放射される露光光を入射し、当該露光光に含まれるＶＵＶ光を受光素子４４に向けて反射する位置に配置される。また、ミラーユニット４８は、固定部材４９によってハウジング４７に対して着脱可能に取り付けられている。
【００４５】
なお、導光路４７ａの内壁には、図５に示すように、周方向の溝が形成されていてもよい。このように、導光路４７ａの内壁に溝を形成することにより、当該内壁からの反射光が受光素子４４に入射されることを抑制することができる。
以上の構成により、真空紫外光光源装置１０から放射され照度計４０の導光部４２に入射された露光光Ｌ０は、反射部材４８ａに入射される。反射部材４８ａに入射された露光光Ｌ０のうち、ＶＵＶ光は反射部材４８ａの反射面によって反射され、反射光であるＶＵＶ光Ｌ１は導光路４７ａを進行して受光部４１に入射される。一方、反射部材４８ａに入射された露光光Ｌ０のうち、ＶＵＶ光Ｌ１以外の光は、反射部材４８ａを透過し、導光路４７ｂを進行して照度計４０外部へ出射される。
【００４６】
受光部４１に入射されたＶＵＶ光Ｌ１は、蛍光板４５によって可視光に変換され、可視光フィルタ４６を通って受光素子４４に入射される。そして、受光素子４４は、入射された光の受光量に応じた検出信号を出力する。
このように、照度計４０は、ＶＵＶ領域から可視光領域までの範囲に連続スペクトルを有する露光光Ｌ０から、ＶＵＶ光Ｌ１のみを適切に取り出し、その照度を測定することができる。受光素子４４の検出信号にはＶＵＶ以外の波長の光の成分が反映されることがないため、高精度な測定が可能である。
【００４７】
図６は、比較例として、透過式の照度計１４０の構成を示す図である。
照度計１４０は、上面に開口部１４１ａが形成されたハウジング１４１と、ハウジング１４１内の底部に配置された受光素子１４２と、を備える。受光素子１４２の上方には、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１４３と、蛍光体１４４とが配置されている。ＢＰＦ１４３は、ＶＵＶ光のみを透過するフィルタである。
照度計１４０に、ＶＵＶ領域から可視光領域までの範囲に連続スペクトルを有する光Ｌ０が入射すると、入射光Ｌ０のうち、ＶＵＶ光のみがＢＰＦ１４３を透過し、ＢＰＦ１４３を透過したＶＵＶ光は蛍光体１４４によって可視光に変換される。そして、蛍光体１４４によって変換された可視光は、受光素子１４２に入射される。
【００４８】
このように、図６に示す構成の照度計１４０を用いれば、ＶＵＶ領域から可視光領域までの範囲に連続スペクトルを有する光から、測定対象であるＶＵＶ光を選別して照度を測定することができる。しかしながら、上記の照度計１４０で用いられるＢＰＦ１４３はＶＵＶ光を透過させる構成であるため、劣化が生じやすい。ＢＰＦ１４３が劣化すると、ＢＰＦ１４３の透過率が低下し、受光素子１４２に入射する光量が減り、ＶＵＶ光の照度が正確に測れなかったり、まったく測れなくなったりする。
【００４９】
そこで、ＢＰＦ１４３の劣化を抑制するために、図６に示すように、ＢＰＦ１４３の上方に水平移動可能なシャッタ部材１４５を配置し、照度を測定するときだけＢＰＦ１４３の上方からシャッタ部材１４５を退避させることが考えられる。しかしながら、例えば、図１の光照射装置１００などでは、ワークＷに照射される光の照度が基準を満たしているか、ワークＷに照射される光の照度の時間的均一性がとれているか等を厳密に管理する必要がある。つまり、ワークＷの処理中は、ワークＷに照射される光の照度を測定している必要がある。
したがって、上記のように照度の時間的変化をモニタリングする必要のある装置に図６に示す照度計１４０を搭載した場合、ワークの処理中はシャッタ部材１４５を退避した状態で保つ必要がある。そのため、ＢＰＦ１４３の劣化が著しく、安定して正確なＶＵＶ光の照度を測定することができない。
【００５０】
これに対して、本実施形態における照度計４０は、反射式の照度計である。つまり、ＶＵＶ領域から可視光領域までの範囲に連続スペクトルを有する光から、ＶＵＶ光のみを取り出す場合に、ＶＵＶ光のみを透過させて取り出すのではなく、ＶＵＶ光のみを反射させて取り出す構成とする。この場合、反射部材の反射面は、ＶＵＶ光が繰り返し照射された場合であっても劣化し難いＭｇＦ2等のフッ化物材料により構成することができる。したがって、本実施形態における照度計４０においては、安定してＶＵＶ光を受光素子４４に入射させることができ、正確にＶＵＶ光の照度を測定することができる。
【００５１】
また、照度計４０は、紫外光を可視光に変換する蛍光体からなる蛍光板４５と、可視光領域に感度波長を有する受光素子４４と、を備え、蛍光板４５によって可視光に変換された紫外光を受光素子４４が受光する構成とする。したがって、ＶＵＶ光を直接検知する受光素子を用いることなく、通常広く用いられる可視光を検知する受光素子を用いて、ＶＵＶ光の照度を測定することができる。
さらに、照射計４０の測定対象をＶＵＶ光とし、入射光Ｌ０および反射光Ｌ１が進行する導光路４７ａの内部を不活性ガスによりパージする。したがって、ＶＵＶ光が受光素子４４に到達するまでの間に減衰することを防止し、精度良くＶＵＶ光の照度を測定することができる。
また、反射部材４８ａはハウジング４７に対して着脱可能に取り付けられているため、反射部材４８ａの反射率が低下した場合などには、容易に交換が可能である。また、測定対象の波長を変更した場合には、測定対象の波長に応じた反射部材４８ａに交換することもできる。
【００５２】
（変形例）
なお、上記実施形態においては、光源としてショートアーク型フラッシュランプを適用する場合について説明したが、紫外光領域の成分と可視光領域の成分とを含む光を放射する光源であれば、種々の構成からなる光源を用いることができる。
また、上記実施形態においては、反射部材４８ａは、ＶＵＶ光のみを反射し、ＶＵＶ光以外は透過させる機能を有する場合について説明したが、ＶＵＶ光以外の光は反射部材４８ａによって吸収してもよい。
さらに、上記実施形態においては、受光素子４４として、可視光領域に感度ピークを有する受光素子を用い、受光素子４４の前段に配置した蛍光板４５によって可視光に変換されたＶＵＶ光を、当該受光素子４４が検知する構成について説明した。しかしながら、受光素子４４として、ＶＵＶ領域に感度波長を有する受光素子を用いることができる場合には、蛍光板４５および可視光フィルタ４６は不要である。また、受光素子４４として可視光領域に感度ピークを有する受光素子を用いる場合であっても、可視光フィルタ４６は必ずしも設ける必要はない。
【００５３】
さらに、上記実施形態においては、照度計４０を図１に示す位置に設置する場合について説明したが、例えば、ランプハウジング１３内に設置することもできる。また、照度計４０をプロキシミティ露光装置である光照射装置２００に搭載する場合について説明したが、照度計４０は、コンタクト露光装置に搭載してもよいし、光パターニング装置以外の装置に搭載してもよい。
また、上記実施形態においては、測定対象の波長をＶＵＶ領域の波長とする場合について説明したが、ＶＵＶ以外の紫外光領域の波長を測定対象としてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１０…真空紫外光光源装置、１１…光源（ＳＦＬ）、２１…包囲部材、２１ａ…ガス導入口、２１ｂ…排気口、２２…マスクステージ、２３…ワークステージ、２４…包囲部材、２４ａ…空気導入口、２４ｂ…排気口、３１…制御部、３２…ステージ移動機構、４０…照度計、４１…受光部、４２…導光部、４３…ハウジング、４３ａ…開口部、４４…受光素子、４５…蛍光体、４６…可視光フィルタ、４７…ハウジング、４８…ミラーユニット、４８ａ…反射部材、４８ｂ…保持部材、４９…固定部材、Ｍ…マスク、Ｗ…ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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