(57)【要約】      （修正有）【課題】高精細化に対して良好に水抜き穴を形成できる構成を有する表示装置を提供する。【解決手段】複数の副画素３０１、３０２、３０３、３０４が配置された表示領域を有する表示装置であって、複数の副画素はそれぞれ、絶縁表面上に順にトランジスタ、第１有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び第１有機絶縁膜上に形成された電極３０５と、を有し、電極のパターンが形成された第１領域と、電極のパターンが形成されない第２領域において、第１領域の端部を覆い、第１有機絶縁膜上に設けられた第２有機絶縁膜を有し、無機絶縁膜は、平面視において第２領域と重なる領域に開口部３０９を有し、開口部が、表示装置に水平な面における第１方向において、第１方向の始点側に位置する第１副画素の第１領域と、第１方向の終点側に位置し第１副画素と隣接する第２副画素の第１領域との距離の中間又は第１画素寄りに形成される。【選択図】図３
2017146463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の副画素が配置された表示領域を有する表示装置であって、
前記複数の副画素はそれぞれ、
絶縁表面上に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタを覆うように形成された第１の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜の上層側に設けられた無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成された電極と、を有し、
前記電極のパターンが形成された第１の領域と、前記電極のパターンが形成されない第２の領域において、
前記第１の領域の端部を覆い、前記第１の有機絶縁膜上に設けられた第２の有機絶縁膜を有し、
前記無機絶縁膜は、平面視において前記第２の領域と重なる領域に開口部を有し、
前記開口部が、前記表示装置に水平な面における第１の方向において、前記第１の方向の始点側に位置する第１の副画素の前記第１の領域と、前記第１の方向の終点側に位置し第１の副画素と隣接する第２の副画素の前記第１の領域との距離の中間又は第１の画素寄りに形成される、ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、それぞれ前記副画素を４つ組み合わせて構成され、
前記各副画素は、同じ前記画素の中で２行２列のマトリクス状に配置され、
前記開口部は、前記各画素に含まれる４つの前記副画素の中心部に設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素は、それぞれ前記副画素を４つ組み合わせて構成され、
前記各副画素は、同じ前記画素の中で４つ並べて配置され、
前記開口部は、前記第１の方向に沿って設けられた前記第２の領域に設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の副画素は、前記第１の方向、及び、該第１の方向と直行する第２の方向に対してそれぞれ複数並んで配置され、
前記第１の方向に平行に並ぶｎ行目の前記各副画素と、ｎ＋１行目に並ぶ前記各副画素とは、前記第１の方向に１つの前記副画素の幅の１／２ずれて配置されており、
前記開口部は、前記第２の方向において、前記ｎ行目に並ぶ前記各副画素に設けられた前記第１の領域と、前記ｎ＋１行目に並ぶ前記各副画素に設けられた前記第１の領域と、の間に設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の副画素は、前記第１の方向、前記第２の方向に対してそれぞれ複数並んで配置され、
前記第１の方向に平行に並ぶｎ行目の前記副画素と、ｎ＋１行目に並ぶ前記副画素とは、前記第１の方向に１つの前記副画素の幅の１／２ずれて配置されており、
前記開口部は、前記第１の方向における、前記ｎ＋１行目の隣り合う前記副画素にそれぞれ設けられた前記第１の領域の間の領域であって、前記第２の方向における、前記ｎ行目に並ぶ前記副画素に設けられた前記第１の領域よりも前記第１の方向の終点側かつ、前記ｎ＋１行目に並ぶ前記副画素に設けられた前記第１の領域の前記第１の方向の始点側に設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記各画素は、前記ｎ行目に配置された１つの前記副画素及び前記ｎ＋１行目に配置された隣り合う２つの前記副画素によって正三角形状に形成された正デルタ配列画素と、前記ｎ行目に配置された隣り合う２つの前記副画素及び前記ｎ＋１行目に配置された１つの前記副画素によって逆正三角形状に形成された逆デルタ配列画素と、を含み、
前記正デルタ配列画素と、前記逆デルタ配列画素とが交互に配列されることを特徴とする請求項４又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記各副画素はそれぞれ、第１色、第２色または第３色のいずれかの色を発光する前記第１の領域を含み、
前記各画素は、第１乃至第４画素を含み、
前記第１画素は、前記ｎ行目に配置され、発光色が前記第１色である前記副画素と、前記ｎ＋１行目に配置され、発光色が前記第２色である前記副画素とを含み、
前記第２画素は、前記第１画素と第１の方向に隣り合う画素であって、前記ｎ行目に配置され、発光色が前記第１色である前記副画素と、前記ｎ＋１行目に配置され、発光色が前記第３色である前記副画素とを含み、
前記第３画素は、ｎ＋２行目に配置され、発光色が前記第１色である前記副画素と、前記ｎ＋３行目に配置され、発光色が前記第３色である前記副画素とを含み、
前記第４画素は、前記第２画素と第２の方向に隣り合い、かつ、前記第３画素と第１の方向に隣り合う画素であって、前記ｎ＋２行目に配置され、発光色が前記第１色である前記副画素と、前記ｎ＋３行目に配置され、発光色が前記第２色である前記副画素とを含む、とを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の有機絶縁膜は、前記開口部を介し前記第２の有機絶縁膜と接触する、ことを特徴とする請求項１乃至７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro-luminescent）素子を用いた有機ＥＬ表示装置や、液晶表示装置等の表示装置が実用化されている。しかしながら、有機ＥＬ素子は水分に対して脆弱であることから、有機ＥＬ素子が水分によって劣化し、ダークスポット等の点灯不良が生じるおそれがあった。また、液晶表示装置においても、侵入した水分の影響を受けて薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）の特性が変動し、表示品位の劣化が発生する問題が生じていた。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１は、素子基板上に、薄膜トランジスタ等の駆動回路と、該駆動回路を被覆するための絶縁膜と、駆動回路の表面形状によって生じた凹凸を平坦化するための平坦化膜を設け、平坦化膜の端部かつ平坦化膜と絶縁膜の界面に封止膜を形成することで、界面への水分の浸入を良好に抑制する点を開示している。
【０００４】
また、特許文献２は、酸化物半導体層を有するトランジスタが設けられた表示装置において、該トランジスタの作製に際して、酸化物半導体層には加熱処理が行われ、該加熱処理により、脱水化する点を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２６４３５４号公報
【特許文献２】特開２０１４‐１４２６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１のように、表示装置外部からの水分の進入を防止したとしても、製造過程に進入した水分子を取り除くことはできない。また、特許文献２のように製造過程において、熱処理によって水分子を除去する場合には、水分子を含む層の上部を覆うように、水分子の放出を遮断する金属層や絶縁膜が形成されていた場合、熱処理の際に放出される水分子による当該金属層や絶縁膜の剥離等の問題が生じる。
【０００７】
このような場合、例えば、図９（ａ）に示すように、水分子を含む平坦化膜４０４の上部に形成するＳｉＮ（Silicon Nitride）やＩＴＯ(Indium Tin Oxide)によって形成されるアノード電極３０５の一部に水分子を通すための開口部（以下、水抜き穴とする）を設ける構成も考えられる。当該構成によれば、平坦化膜４０４の上部にＳｉＮやＩＴＯが形成された後に熱処理が行われたとしても、平坦化膜４０４に含まれる水分子は、水抜き穴３０９を経由して外部に放出される。従って、熱処理の際に放出される水分子によって、ＳｉＮやＩＴＯ等の剥離等の問題を回避できる。
【０００８】
しかしながら、水抜き穴３０９の周辺部には、表面に凹凸形状が存在することから、アノード電極３０５をエッチングする際に、エッチング液の流れが乱れるおそれがある。この場合、図９（ａ）に示すように、水抜き穴３０９の下流側に形成されたアノード電極３０５は、予め設計した領域よりも広い領域がエッチング（以下、オーバーエッチングとする）される。エッチング処理の後、バンク４０７、発光層９０１、及び、カソード電極９０２を順に形成すると、図９（ｂ）に示すように、アノード電極３０５端部がバンク４０７から露出してアノード電極３０５とカソード電極９０２がショートし、表示不良の原因となるおそれがある（図９（ｂ）中、９０３部）。アノード電極３０５端部から、水抜き穴３０９を十分距離をもって形成できれば問題とならないが、高精細化に伴いそのような配置は尚更困難となる。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、水抜き穴を設ける構成とした場合に、高精細化に対して良好に水抜き穴を形成できる構成を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、複数の副画素が配置された表示領域を有する表示装置であって、前記複数の副画素はそれぞれ、絶縁表面上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタを覆うように形成された第１の有機絶縁膜と、前記第１の有機絶縁膜の上層側に設けられた無機絶縁膜と、前記第１の有機絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記電極のパターンが形成された第１の領域と、前記電極のパターンが形成されない第２の領域において、前記第１の領域の端部を覆い、前記第１の有機絶縁膜上に設けられた第２の有機絶縁膜を有し、前記無機絶縁膜は、平面視において前記第２の領域と重なる領域に開口部を有し、前記開口部が、前記表示装置に水平な面における第１の方向において、前記第１の方向の始点側に位置する第１の副画素の前記第１の領域と、前記第１の方向の終点側に位置し第１の副画素と隣接する第２の副画素の前記第１の領域との距離の中間又は第１の画素寄りに形成される、ことを特徴とする表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】有機ＥＬパネルを表示する側から見た構成を示す図である。
【図３】第１の実施形態における画素について概略的に示す一例である。
【図４】画素の断面について説明するための図である。
【図５】変形例を示す一例である。
【図６】第２の実施形態における画素について概略的に示す一例である。
【図７】第３の実施形態における画素について概略的に示す一例である。
【図８】第４の実施形態における画素について概略的に示す一例である。
【図９】アノード電極のオーバーエッチングについて説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００を含むように構成されている。
【００１４】
図２は、図１の有機ＥＬパネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、有機ＥＬパネル２００は、アレイ基板２０１と、対向基板２０２と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０３と、を有する。アレイ基板２０１は、後述する自発光素子層等が配置され、充填剤４０８（図４参照）によって対向基板２０２と接着される。
【００１５】
駆動ＩＣ２０３は、例えば、１画素２０４を構成する複数の副画素のそれぞれに対応して配置された画素トランジスタ４０９(図４参照)の走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタ４０９のデータ信号線に対して画素２０４の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０３によって、有機ＥＬパネル２００は、複数色からなる複数の副画素２０４によって構成されるカラー画像を、表示領域２０５に表示する。特に図示していないが、アレイ基板２０１には、表示領域２０５を制御するための信号を入力するフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）が実装されても良い。この場合、アレイ基板２０１上の実装領域を最小化するため、駆動ＩＣ２０３をアレイ基板２０１上でなくＦＰＣ上に実装しても良い。
【００１６】
[第１の実施形態]
図３は、第１の実施形態において、図２の画素２０４について概略的に示す図の一例である。本実施形態において、複数の画素２０４は、それぞれ副画素を４つ組み合わせて構成される。そして、各副画素は、同じ画素２０４の中で２行２列のマトリクス状に配置される。具体的には、図に示すように、各画素２０４は、２行２列の副画素３０１〜３０４を含んで構成される。そして、各画素２０４には、図面上左上に緑色の光を発光する緑色副画素３０１が配置され、右上に赤色の光を発光する赤色副画素３０２が配置され、左下に青色の光を発光する青色副画素３０３が配置され、右下に白色の光を発光する白色副画素３０４が配置される。
【００１７】
各副画素には、矩形状のアノード電極３０５が設けられる。アノード電極３０５は、フォトリソグラフィ技術を用いて、エッチングすることによって、パターンが形成される。ここで、図３に示す矢印は、アノード電極３０５をエッチングすることによって形成する際に用いるエッチング液の流れる方向３０６（以下、第１の方向）を表す。
【００１８】
また、緑色副画素３０１は、当該副画素内の左上の領域にアノード電極３０５と下層配線４０３を接続するためのコンタクトホール３０７が設けられる。下層配線４０３及びコンタクトホール３０７については、後述する。同様に、赤色副画素３０２は、当該副画素内の左下の領域にコンタクトホール３０７が設けられ、青色副画素３０３は、当該副画素内の右上の領域にコンタクトホール３０７が設けられ、白色副画素３０４は、当該副画素内の右下の領域にコンタクトホール３０７が設けられる。
【００１９】
コンタクトホール３０７は、各副画素のアノード電極３０５のパターンが形成された領域（以下、第１の領域）に設けられる。そして、発光領域３０８は、第１の領域において、コンタクトホール３０７を避けてＬ字型に設けられる。ここで、発光領域３０８は、光を発光する領域を表す。具体的には、緑色副画素３０１に含まれる発光領域３０８は緑色の光を発光し、赤色副画素３０２に含まれる発光領域３０８は赤色の光を発光し、青色副画素３０３に含まれる発光領域３０８は青色の光を発光し、白色副画素３０４に含まれる発光領域３０８は白色の光を発光する。
【００２０】
上記のように、各副画素に設けられるコンタクトホール３０７の位置が異なることにより、各副画素の発光領域３０８は、隣接する副画素の発光領域３０８の長辺と、短辺が隣り合うように形成される。ここで、１つの副画素の発光領域３０８から発光された光が隣接する副画素の発光領域３０８に漏れることによって、異なる色の光が混ざり合い、色の滲み等の表示品位の低下を生じるおそれがある。しかしながら、上記構成により、隣り合う副画素に形成された発光領域３０８の長辺同士が隣り合う状態が避けられることにより、表示品位の低下を軽減することができる。
【００２１】
水分子を放出する水抜き穴３０９は、表示装置に水平な面における第１の方向において、第１の方向の始点側に位置する第１の副画素の第１の領域と、第１の方向の終点側に位置し第１の副画素と隣接する第２の副画素の第１の領域との距離の中間又は第１の画素寄りに形成される。ここで、第２の領域は、下層配線４０３のパターンが形成されない領域を表す。例えば、アノード電極３０５のパターンを形成する際にエッチング液が流れる方向に添う長さが最も長い線上であって、アノード電極３０５のパターンがエッチング液によって開口された領域における該線の下流側の第１の領域から離れた位置に設けられる。具体的には、例えば、図３に示すように、水抜き穴３０９は、各画素２０４に含まれる４つの副画素の中心部に設けられる。なお、水抜き穴３０９は絶縁膜４０６に設けられるが、詳細は図４を用いて説明する。
【００２２】
続いて、図３におけるコンタクトホール３０７部及び開口部における断面構成について説明する。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ断面、すなわち、赤色の光を発光する副画素に設けられたコンタクトホール３０７から、４つの副画素の中心部を経由して、青色の光を発光する副画素に設けられたコンタクトホール３０７に至る領域の断面を示す図である。
【００２３】
図４に示すように、アレイ基板２０１は、下ガラス基板４０１と、下ガラス基板４０１上に対向基板２０２に向かって順に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路層４０２と、下層配線４０３と、平坦化膜４０４と、ＩＴＯ電極４０５と、絶縁膜４０６と、アノード電極３０５と、バンク４０７と、を含んで構成される。また、アレイ基板２０１と対向基板２０２の間には、充填剤４０８が充填される。
【００２４】
ＴＦＴ回路層４０２は、ソース配線、ドレイン配線、ゲート配線や半導体層を含んで構成される画素トランジスタ４０９を有する。画素トランジスタ４０９の詳細な構造については、従来技術と同様である為説明を省略する。下層配線４０３は、画素トランジスタ４０９のソース配線又はドレイン配線の一方と接続される。なお、画素トランジスタ４０９は、絶縁表面上に形成される。
【００２５】
平坦化膜４０４は、画素トランジスタ４０９を覆うように形成される。また、平坦化膜４０４は、水抜き穴３０９を介しバンク４０７と接触するように形成される。具体的には、平坦化膜４０４は、下層配線４０３及びＴＦＴ回路層４０２の上層側の全面を覆うように製膜された後、下層配線４０３の上部の領域にエッチングによってコンタクトホール３０７が設けられることにより、下層配線４０３の端部及び下層配線４０３が形成されていない領域の上層側に形成される。なお、平坦化膜４０４は、アクリル樹脂等の有機材料によって形成されるため、製膜の過程で水分子を含んで形成される。また、平坦化膜４０４は、特許請求の範囲の記載における第１の有機絶縁膜に相当する。
【００２６】
ＩＴＯ電極４０５は、下層配線４０３の上部及び下層配線４０３端部に積層された平坦化膜４０４の上部に形成される。ＩＴＯ電極４０５の上層側には、アノード電極３０５にピンホールが生じることを防止するための絶縁膜４０６が設けられる。
【００２７】
絶縁膜４０６は、アノード電極３０５と平坦化膜４０４の間に形成される。具体的には、絶縁膜４０６は、ＩＴＯ電極４０５を覆うように形成された後、下層電極４０３の中央部にコンタクトホール３０７が設けられる。ここで、絶縁膜４０６は、例えば平坦化膜４０４に含まれる水分子の放出を遮断する材料（例えばＳｉＮ等の無機材料）を用いて形成される。また、絶縁膜４０６は、平面視において、第２の領域と重なる領域に水抜き穴３０９を有する。
【００２８】
アノード電極３０５は、絶縁膜４０６の上部に形成され、コンタクトホール３０７を介して、ＩＴＯ電極４０５及び下層配線４０３と電気的に接続される。水抜き穴３０９が設けられることにより、平坦化膜４０４に含まれる水分子は、ＩＴＯ電極４０５、絶縁膜４０６及びアノード電極３０５が形成された後、熱処理によって水抜き穴３０９を通じて平坦化膜４０４の外部に放出される。
【００２９】
バンク４０７は、アノード電極３０５及び水抜き穴３０９の上部に形成される。具体的には、バンク４０７は、第１の領域の端部を覆い、平坦化膜４０４上に設けられる。バンク４０７は、無機材料から形成してもよいし、有機材料から形成してもよいし、無機材料層及びその上に設けられた有機材料層から構成してもよい。なお、バンク４０７は、特許請求の範囲の記載における第２の有機絶縁膜に相当する。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、エッチング液が流れる方向の下流側にアノード電極３０５が設けられていない位置に、水抜き穴３０９が形成される。その為、アノード電極３０５をエッチングする際に、仮に水抜き穴３０９の周辺でエッチング液の流れに乱れが生じたとしても、当該流れの下流側にアノード電極３０５が配置されていないことから、アノード電極３０５のオーバーエッチングを防止することができる。
【００３１】
なお、上記実施形態においては、４つの副画素の中心部に、水分子を放出する水抜き穴３０９が設けられる場合について説明したが、本実施形態は上記に限らない。例えば、水抜き穴３０９は、第１の方向に沿って設けられた第２の領域に設けられるようにしてもよい。具体的には、例えば、図５（ａ）に示すように、図面上エッチング液が左から右に向かって流れる場合には、水抜き穴３０９は、緑色及び赤色の光を発光する副画素と、青色及び白色の光を発光する副画素の間に、エッチング液が流れる方向に沿って長辺を有する矩形状に形成してもよい。
【００３２】
また、例えば、図５（ｂ）に示すように、図面上エッチング液が上から下に向かって流れる場合には、水抜き穴３０９は、緑色副画素３０１及び青色副画素３０３と、赤色副画素３０２及び白色副画素３０４の間に、エッチング液が流れる方向に添って設けられた第２の領域に設けるようにしてもよい。上記の実施形態であっても、エッチング液の流れの下流側に、アノード電極３０５が形成されていない領域に、水抜き穴３０９を設けることができる。
【００３３】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。第１の実施形態においては、各副画素が、同じ画素２０４の中で２行２列のマトリクス状に配置され構成される場合について説明したが、各画素２０４に含まれる副画素の配置レイアウトは上記に限られない。以下に、第２乃至第４の実施形態について説明する。
【００３４】
[第２の実施形態]
なお、第２乃至第４の実施形態は、アノード電極３０５等の配置レイアウトは第１の実施形態と異なるが、断面構成については、第１の実施形態と同様である為、当該説明を省略する。また、第１の実施形態と同様に、各副画素にはコンタクトホール３０７が設けられるが、説明を簡略化するために省略し、第１の領域と発光領域は一致するものとして説明する。
【００３５】
第２の実施形態においては複数の画素２０４は、それぞれ副画素を４つ組み合わせて構成される。また、各副画素は、同じ画素２０４の中で４つ並べて配置される。具体的には、例えば、図６（ａ）に示すように、各画素２０４は、図面上左から右側に向かって、赤色副画素３０２、緑色副画素３０１、青色副画素３０３、及び、白色副画素３０４が配置される。
【００３６】
また、各副画素には、第１の領域が設けられる。具体的には、赤色副画素３０２は、赤色の光を発光する赤色の第１の領域６０１を有する。緑色副画素３０１は、緑色の光を発光する緑色の第１の領域６０２を有する。青色副画素３０３は、青色の光を発光する青色の第１の領域６０３を有する。白色副画素３０４は、白色の光を発光する白色の第１の領域６０４を有する。
【００３７】
そして、水抜き穴３０９は、エッチング液が流れる方向（第１の方向）に添って設けられた第２の領域に設けられる。具体的には、例えば、図６（ａ）に示すように、各副画素の長辺方向に沿ってエッチング液が流れる場合には、水抜き穴３０９は、赤色の第１の領域６０１と緑色の第１の領域６０２の間に設けられる。同様に、水抜き穴３０９は、緑色の第１の領域６０２と青色の第１の領域６０３の間に設けられる。さらに、水抜き穴３０９は、青色の第１の領域６０３と白色の第１の領域６０４の間に設けられる。
【００３８】
また、例えば、図６（ｂ）に示すように、各副画素の短辺方向に沿ってエッチング液が流れる場合には、水抜き穴３０９は、図面上上側に配置された画素２０４と下側に隣接する画素２０４に設けられた第１の領域との間に設けられる。この場合においても、水抜き穴３０９は、エッチング液が流れる方向に沿って設けられる。
【００３９】
以上のように、第２の実施形態においても、エッチング液の流れの下流側に、アノード電極３０５が形成されていない領域に、水抜き穴３０９を設けることができる。なお、図６において、水抜き穴３０９の形状は、矩形である場合を記載したが、他の形状であっても構わない。
【００４０】
[第３の実施形態]
続いて、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態においては、複数の副画素は、エッチング液が流れる行方向（第１の方向）、及び、該第１の方向と直行する列方向（第２の方向）に対してそれぞれ複数並んで配置される。そして、第１の方向に平行に並ぶｎ行目の各副画素と、ｎ＋１行目に並ぶ各副画素とは、第１の方向に１つの副画素の幅の１／２ずれて配置される。すなわち、第３の実施形態においては、各副画素は、いわゆるデルタ配列で形成される。
【００４１】
具体的には、例えば、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、各画素２０４は、ｎ行目に配置された１つの副画素及び、それぞれ該副画素と接しｎ＋１行目に配置された隣り合う２つの副画素によって正三角形状に形成された正デルタ配列画素７０１と、ｎ行目に配置された隣り合う２つの副画素及び前記ｎ＋１行目に配置された１つの副画素によって逆正三角形状に形成された逆デルタ配列画素７０２と、を含んで構成される。また、正デルタ配列画素７０１と、逆デルタ配列画素７０２とが交互に配列される。
【００４２】
正デルタ配列画素７０１には、図面上上部に、赤色副画素３０２が形成され、左下部に緑色副画素３０１が形成され、右下部に青色副画素３０３が形成される。また、逆デルタ配列画素７０２には、図面上左上部に、緑色副画素３０１が形成され、右上部に青色副画素３０３が形成され、下部に赤色副画素３０２が形成される。
【００４３】
水抜き穴３０９は、図７（ａ）に示すように、図面上エッチング液が左から右に向かって流れる場合には、第２の方向において、ｎ行目に並ぶ各副画素に設けられた第１の領域と、ｎ＋１行目に並ぶ各副画素に設けられた第１の領域と、の間に設けられる。具体的には、例えば、水抜き穴３０９は、図面上、正デルタ配列画素７０１に含まれる赤色の第１の領域６０１の下側であって、緑色の第１の領域６０２及び青色の第１の領域６０３の上側の領域や、逆デルタ配列画素７０２に含まれる緑色の第１の領域６０２及び青色の第１の領域６０３の下側であって、赤色の第１の領域６０１の上側の領域に形成される。
【００４４】
上記のように、エッチング液の流れの下流側に、アノード電極３０５が形成されていない領域に、水抜き穴３０９を設けることができる。なお、水抜き穴３０９の形状が矩形状である場合について説明したが、他の形状であっても構わない。
【００４５】
さらに、図７（ｂ）に示すように、図面上エッチング液が上から下に向かって流れる場合には、水抜き穴３０９は、第１の方向における、ｎ＋１行目の隣り合う副画素にそれぞれ設けられた第１の領域３０８の間の領域であって、第２の方向における、ｎ行目に並ぶ副画素に設けられた第１の領域３０８よりも第１の方向の終点側かつ、ｎ＋１行目に並ぶ副画素に設けられた第１の領域３０８の第１に方向の始点側に設けられる。
【００４６】
具体的には、例えば、水抜き穴３０９は、正デルタ配列画素７０１に含まれる赤色副画素３０２と、緑色副画素３０１と、青色副画素３０３によって形成される三角形の中心部に設けられる。また、逆デルタ配列画素７０２に含まれる赤色副画素３０２と、緑色副画素３０１と、青色副画素３０３によって形成される三角形の中心部に設けられる。さらに、正デルタ配列画素７０１に含まれる青色副画素３０３と、逆デルタ配列画素７０２に含まれる赤色副画素３０２及び緑色副画素３０１によって形成される三角形の中心部に設けてもよい。
【００４７】
本実施形態によれば、水抜き穴３０９を、パターンを形成する際にエッチング液が流れる方向に添う長さが最も長い線上であって、第２の領域における該線の下流側の第１の領域３０８から離れた位置に設けることにより、アノード電極３０５のオーバーエッチングを防止することができる。
【００４８】
[第４の実施形態]
続いて、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態においては、第３の実施形態と同様に、複数の副画素は、エッチング液が流れる行方向（第１の方向）、及び、該第１の方向と直行する列方向（第２の方向）に対してそれぞれ複数並んで配置される。そして、第１の方向に平行にｎ行目に並ぶ各副画素と、ｎ＋１行目に並ぶ各副画素とは、第１の方向に１つの副画素の幅の１／２ずれて配置される。各副画素はそれぞれ、第１色、第２色または第３色のいずれかの色を発光する第１の領域を含んで構成される。また、各画素２０４は、第１画素８０１乃至第４画素８０４を含んで構成される。
【００４９】
第１画素８０１は、ｎ行目に配置され、発光色が第１色である副画素と、ｎ＋１行目に配置され、発光色が第２色である副画素とを含む。第２画素８０２は、第１画素８０１と第２の方向に隣り合う画素２０４であって、ｎ行目に配置され、発光色が第１色である副画素と、ｎ＋１行目に配置され、発光色が第３色である副画素とを含む。第３画素８０３は、第１画素８０１と第１の方向に隣り合う画素２０４であって、ｎ＋２行目に配置され、発光色が第１色である副画素と、ｎ＋３行目に配置され、発光色が第３色である副画素とを含む。第４画素８０４は、第２画素８０２と第１の方向に隣り合い、かつ、第３画素８０３と第２の方向に隣り合う画素２０４であって、ｎ＋２行目に配置され、発光色が第１色である副画素と、ｎ＋３行目に配置され、発光色が第２色である副画素とを含む。すなわち、本実施形態においては、各画素２０４は、いわゆるペンタイル配列で形成される。
【００５０】
具体的には、図８に示すように、第１画素８０１は、図面上左上に緑色副画素３０１を、図面上右下に赤色副画素３０２を含んで構成される。第２画素８０２は、第１画素８０１の右側に、図面上左上に緑色副画素３０１を、図面上右下に青色副画素３０３を含んで構成される。第３画素８０３は、第１画素８０１の下側に、図面上左上に緑色副画素３０１を、図面上右下に青色副画素３０３を含んで構成される。第４画素８０４は、第２画素８０２の下側かつ第３画素８０３の右側に、図面上左上に緑色副画素３０１を、図面上右下に赤色副画素３０２を含んで構成される。
【００５１】
緑色副画素３０１は、緑色の光を発光する緑色の第１の領域６０２を有する。また、赤色副画素３０２は、赤色の光を発光する赤色の第１の領域６０１を有する。そして、青色副画素３０３は、青色の光を発光する青色の第１の領域６０３を有する。なお、緑色の第１の領域６０２は、赤色の第１の領域６０１及び青色の第１の領域６０３よりも小さく形成される。
【００５２】
そして、図８に示すように、図面上上から下に向かってエッチング液が流れる場合には、水抜き穴３０９は、第２の方向における、ｎ＋１行目の隣り合う副画素にそれぞれ設けられた第１の領域の間の領域であって、第１の方向における、ｎ行目に並ぶ副画素に設けられた第１の領域よりも第１の方向の終点側かつ、ｎ＋１行目に並ぶ副画素に設けられた第１の領域の第１の方向の始点側に設けられる。
【００５３】
具体的には、例えば、水抜き穴３０９は、第１画素８０１に含まれる緑色の第１の領域６０２の下側であって、赤色の第１の領域６０１の左上側に設けられる。また、第２画素８０２に含まれる緑色第１の領域６０２の下側であって、青色の第１の領域６０３の左上側に設けられる。
【００５４】
同様に、水抜き穴３０９は、第３画素８０３に含まれる緑色の第１の領域６０２の下側であって、青色の第１の領域６０３の左上側に設けられる。また、第４画素８０４に含まれる緑色の第１の領域６０２の下側であって、赤色の第１の領域６０１の左上側に設けられる。
【００５５】
上記のように、水抜き穴３０９を、パターンを形成する際にエッチング液が流れる方向に沿う長さが最も長い線上であって、第２の領域における該線の下流側の第１の領域３０８から離れた位置に設けることにより、アノード電極３０５のオーバーエッチングを防止することができる。
【００５６】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  有機ＥＬパネル、２０１  アレイ基板、２０２  対向基板、２０３  駆動ＩＣ、２０４  画素、２０５  表示領域、３０１  緑色副画素、３０２  赤色副画素、３０３  青色副画素、３０４  白色副画素、３０５  アノード電極、３０６  エッチング液の流れる方向、３０７  コンタクトホール、３０８  発光領域、３０９  水抜き穴、４０１  下ガラス基板、４０２  ＴＦＴ回路層、４０３  下層配線、４０４  平坦化膜、４０５  ＩＴＯ電極、４０６  絶縁膜、４０７  バンク、４０８  充填剤、４０９  画素トランジスタ、６０１  赤色の第１の領域、６０２  緑色の第１の領域、６０３  青色の第１の領域、６０４  白色の第１の領域、７０１  正デルタ配列画素、７０２  逆デルタ配列画素、８０１  第１画素、８０２  第２画素、８０３  第３画素、８０４  第４画素、９０１  発光層、９０２  カソード電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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