(57)【要約】【課題】ガラスクロスを含む絶縁層の反りを抑制可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の回路基板１０は、ガラスクロス７０を含むコア基板１１と、コア基板１１の表裏の両面にそれぞれ形成される導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂと、コア基板１１を貫通する伝熱用貫通孔１６にめっきを充填してなり、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ同士の間を接続するスルーホール伝熱導体１７と、を有する回路基板１０であって、伝熱用貫通孔１６には、コア基板１１の厚み方向から見たときに第１方向ａに沿って延びる第１伝熱貫通孔１６１と、第１方向ａと直交する第２方向ｂに沿って延びる第２伝熱用貫通孔１６２と、が設けられている。【選択図】図５
2017045845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスクロスを含む絶縁層と、
前記絶縁層の表側と裏側とにそれぞれ形成される導体層と、
前記絶縁層を貫通する貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体層同士の間を接続するスルーホール導体と、を有する回路基板であって、
前記貫通孔には、前記絶縁層の厚み方向から見たときに第１方向に沿って延びる第１貫通孔と、前記第１方向と直交する方向に沿って延びる第１直交貫通孔と、が設けられている。
【請求項２】
請求項１の記載の回路基板であって、
前記絶縁層は、平面視長方形状又は平面視正方形状に形成され、
前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔は、前記絶縁層の厚み方向から見て前記絶縁層の外形線の一辺である第１外形辺に対して斜めに延びている。
【請求項３】
請求項２に記載の回路基板であって、
前記第１貫通孔は、前記第１外形辺に対して２０〜４５度傾斜している。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載の回路基板であって、
前記絶縁層の厚み方向から見たときの前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔の長手方向の長さが共に、１６００〜２２００μｍになっている。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の回路基板であって、
前記貫通孔には、前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔とは別に、円形状の第２貫通孔が含まれると共に、
前記導体層には、前記第１貫通孔又は前記第１直交貫通孔にめっきを充填してなる第１スルーホール導体により接続される第１導体層と、前記第１導体層と同一面内に配置され且つ前記第２貫通孔にめっきを充填してなる第２スルーホール導体により接続される第２導体層と、が含まれ、
前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔は、前記第２貫通孔と同一形状の複数の小貫通孔を横並びに配置しかつ隣り合う前記小貫通孔同士の一部が重複している構造になっている。
【請求項６】
請求項５に記載の回路基板であって、
前記第２貫通孔は、前記絶縁層の表側と裏側とからそれぞれ穿孔したテーパー孔が重複してなる連結部を有し、該連結部で孔の径が最小になる。
【請求項７】
請求項６に記載の回路基板であって、
前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔は、隣り合う前記小貫通孔の前記連結部の間に前記絶縁層が残されている構造になっている。
【請求項８】
請求項１乃至７のうち何れか１の請求項に記載の回路基板であって、
前記導体層上に積層されるビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層の最外部に形成されかつ前記導体層のうち前記第１貫通孔又は前記第１直交貫通孔にめっきを充填してなる第１スルーホール導体と接続する第１導体層に重ねて配置される第１パッドと、
前記ビルドアップ層を貫通して、前記第１導体層と前記第１パッドとを接続するスタックビアと、をさらに有する。
【請求項９】
ガラスクロスを含む絶縁層に複数の貫通孔を形成することと、
前記貫通孔にめっきを充填してスルーホール導体を形成することと、
前記絶縁層の表側と裏側とに、前記スルーホール導体によって接続される導体層を形成することと、を行う回路基板の製造方法であって、
前記貫通孔を形成するにあたり、前記絶縁層の厚み方向から見たときに第１方向に沿って延びる第１貫通孔と、前記第１方向と直交する方向に沿って延びる第１直交貫通孔と、を形成する。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層を平面視長方形状又は平面視正方形状に形成しておき、
前記第１貫通孔と前記第１直交貫通孔とを、前記絶縁層の厚み方向から見て前記絶縁層の外形線の一辺に対して斜めに延びる形状に形成する。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の回路基板の製造方法であって、
前記貫通孔を形成するにあたり、前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔とは別に、円形状の第２貫通孔を形成し、
前記スルーホール導体を形成するにあたり、前記第１貫通孔及び前記第１直交貫通孔にめっきを充填して第１スルーホール導体を形成すると共に、前記第２貫通孔にめっきを充填して第２スルーホール導体を形成し、
前記導体層を形成するにあたり、前記第１スルーホール導体によって接続される第１導体層と、前記第１導体層と同一面内に配置され且つ前記第２スルーホール導体によって接続される第２導体層と、を形成することを含み、
前記第１スルーホール導体の形成と前記第２スルーホール導体の形成を同一のめっき工程で行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスクロスを含む絶縁層を有する回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、コア基板の絶縁性基材に縦糸と横糸とを織って形成されるガラスクロスを含むものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６９９２６号公報（段落［００１０］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の回路基板では、コア基板の温度が昇降したときに、コア基板に反りが生じやすいという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ガラスクロスを含む絶縁層の反りを抑制可能な回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る回路基板は、ガラスクロスを含む絶縁層と、前記絶縁層の表側と裏側とにそれぞれ形成される導体層と、前記絶縁層を貫通する貫通孔にめっきを充填してなり、前記絶縁層の表裏の前記導体層同士の間を接続するスルーホール導体と、を有する回路基板であって、前記貫通孔には、前記絶縁層の厚み方向から見たときに第１方向に沿って延びる第１貫通孔と、前記第１方向と直交する方向に沿って延びる第１直交貫通孔と、が設けられている。
【０００７】
本発明に係る回路基板の製造方法は、ガラスクロスを含む絶縁層に複数の貫通孔を形成することと、前記貫通孔にめっきを充填してスルーホール導体を形成することと、前記絶縁層の表側と裏側とに、前記スルーホール導体によって接続される導体層を形成することと、を行う回路基板の製造方法であって、前記貫通孔を形成するにあたり、前記絶縁層の厚み方向から見たときに第１方向に沿って延びる第１貫通孔と、前記第１方向と直交する方向に沿って延びる第１直交貫通孔と、を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の平面図
【図２】回路基板における製品領域の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ切断面における回路基板の断面図
【図４】図３におけるスルーホール伝熱導体周辺の拡大図
【図５】（Ａ）コア基板における第１スルーホール伝熱導体の配置を示す平面図、（Ｂ）コア基板における第２スルーホール伝熱導体の配置を示す平面図
【図６】回路基板の製造工程を示す断面図
【図７】回路基板の製造工程を示す断面図
【図８】回路基板の製造工程を示す断面図
【図９】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１０】回路基板を含むＰｏＰの断面図
【図１１】第２実施形態の回路基板の断面図
【図１２】第３実施形態の回路基板の断面図
【図１３】回路基板の使用例を示す断面図
【図１４】他の実施形態に係る回路基板の断面図
【図１５】他の実施形態に係る回路基板の断面図
【図１６】他の実施形態に係るスルーホール伝熱導体のコア基板における配置を示す平面図
【図１７】（Ａ）コア基板における第１スルーホール伝熱導体の配置を示す平面図、（Ｂ）コア基板における第２スルーホール伝熱導体の配置を示す平面図
【図１８】他の実施形態に係る回路基板のスルーホール伝熱導体周辺の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。本実施形態の回路基板１０は、図１の平面図に示されているように、例えば、外縁部に沿った枠状の捨て領域Ｒ１を有し、その捨て領域Ｒ１の内側が正方形の複数の製品領域Ｒ２に区画されている。図２には、１つの製品領域Ｒ２が拡大して示され、その製品領域Ｒ２をＡ−Ａ線に沿って切断した回路基板１０の断面構造が図３に拡大して示されている。
【００１０】
図３に示すように、回路基板１０は、コア基板１１の表裏の両面にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂを有する構造になっている。コア基板１１は、本発明の「絶縁層」に相当する絶縁性基材１１Ｋの表側の面であるＦ面１１Ｆと裏側の面であるＳ面１１Ｓとに導体回路層１２Ａ，１２Ｂを有する構造になっている。絶縁性基材１１Ｋは、図４に示すように、補強材としてのガラスクロス７０に絶縁性樹脂７５を含浸、硬化させてなる。ガラスクロス７０は、その配合形態や製造時に受ける圧力などによりコア基板１１の平面方向にほぼ沿った方向で絶縁性樹脂７５中に埋設されている。図５に示すように、ガラスクロス７０は、ガラス繊維で構成される縦糸７１Ａと横糸７１Ｂとを織って形成されている。ここで、コア基板１１の平面形状は、略正方形状又は略長方形状になっていて（図２参照）、縦糸７１Ａはコア基板１１の外形線の一辺である第１外形辺Ｈ１（図２参照）に沿って配置され、横糸７１Ｂは第１外形辺Ｈ１と直交する第２外形辺Ｈ２（図２参照）に沿って配置されている。なお、縦糸７１Ａ及び横糸７１Ｂの太さは、共に、１００〜４００μｍになっていて、隣り合う縦糸７１Ａ，７１Ａ同士の間隔及び隣り合う横糸７１Ｂ，７１Ｂ同士の間隔は、共に、２００〜６００μｍになっている。
【００１１】
図３に示すように、コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆには、導体層１１Ｖが形成され、その導体層１１Ｖは、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとからなる。また、コア基板１１の裏側の面であるＳ面１１Ｓにも、導体層１１Ｗが形成され、その導体層１１Ｗも、同一面内に配置されて互いに離間している導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとからなる。さらに、コア基板１１には、複数の導電用貫通孔１４と複数の伝熱用貫通孔１６（図３には、１つの伝熱用貫通孔１６のみが示されている）が形成されている。
【００１２】
導電用貫通孔１４は、コア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの両面からそれぞれ穿孔されかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔１４Ａ，１４Ｂの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。これに対し、伝熱用貫通孔１６は、導電用貫通孔１４と同一形状の複数の小貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う小貫通孔９０，９０同士の一部を重複させて相互に連通させた構造になっている。詳細には、中間括れ形状の複数の小貫通孔９０が横並びに配置されかつ隣り合う小貫通孔９０，９０における軸方向両端の大径部同士が連通されると共に、隣り合う小貫通孔９０，９０における軸方向中間の小径部同士の間にコア基板１１を構成する絶縁部材が残されている。
【００１３】
図２、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、導電用貫通孔１４は、コア基板１１の厚み方向から見て円形状をなしている。伝熱用貫通孔１６は、コア基板１１の厚み方向から見たときに、第１方向ａに沿って延びる形状の第１伝熱用貫通孔１６１と、第１方向ａと直交する第２方向ｂに沿って延びる形状の第２伝熱用貫通孔１６２と、を備えている。言い換えれば、伝熱用貫通孔１６は、互いに直交する方向に延びる第１伝熱用貫通孔１６１と第２伝熱用貫通孔１６２とを有する。コア基板１１の厚み方向から見て、伝熱用貫通孔１６（第１伝熱用貫通孔１６１及び第２伝熱用貫通孔１６２）の長手方向の長さは１６００〜２２００μｍであって、伝熱用貫通孔１６の短手方向（幅方向）の長さは６０〜１００μｍになっている。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）の例では、第１伝熱用貫通孔１６１は、コア基板１１の第１外形辺Ｈ１に対して時計方向に約４５度傾斜し、第２伝熱用貫通孔１６２が第１外形辺Ｈ１に対して反時計方向に約４５度傾斜しているが、第１伝熱用貫通孔１６１又は第２伝熱用貫通孔１６２が第１外形辺Ｈ１に対して２０〜４５度傾斜していればよい。なお、第１伝熱用貫通孔１６１は本発明の「第１貫通孔」に相当し、第２伝熱用貫通孔１６２は本発明の「第１直交貫通孔」に相当する。また、上述した導電用貫通孔１４は本発明の「第２貫通孔」に相当する。
【００１４】
図３に示すように、各導電用貫通孔１４内にはめっきが充填されて複数のスルーホール導電導体１５がそれぞれ形成され、それらスルーホール導電導体１５によってＦ面１１Ｆの導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓの導体回路層１２Ｂとの間が接続されている。また、各伝熱用貫通孔１６内にもめっきが充填されてスルーホール伝熱導体１７がそれぞれ形成され、それらスルーホール伝熱導体１７によってＦ面１１Ｆの導体伝熱層１３Ａと、Ｓ面１１Ｓの導体伝熱層１３Ｂとが接続されている。詳細には、第１伝熱用貫通孔１６１内には第１スルーホール伝熱導体１７１が形成され、第２伝熱用貫通孔１６２内には第２スルーホール伝熱導体１７２が形成されている（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）。なお、スルーホール伝熱導体１７とスルーホール導電導体１５がそれぞれ本発明の「第１スルーホール導体」と「第２スルーホール導体」に相当し、導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂと導体回路層１２Ａ，１２Ｂが本発明の「第１導体層」と「第２導体層」に相当する。
【００１５】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａは、導体層１１Ｖ上に積層されるビルドアップ絶縁層２１Ａと、そのビルドアップ絶縁層２１Ａ上に積層されるビルドアップ導体層２２Ａとからなる。また、ビルドアップ導体層２２Ａ上には、ソルダーレジスト層２３Ａが積層されている。
【００１６】
ビルドアップ導体層２２Ａは、同一面内に配置されて互いに離間しているビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなる。また、ビルドアップ絶縁層２１Ａには、複数の導電用ビアホール２４Ａと複数の伝熱用ビアホール２６Ａが形成されている。各導電用ビアホール２４Ａ及び各伝熱用ビアホール２６Ａは、共にコア基板１１側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。
【００１７】
各導電用ビアホール２４Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア導電導体２５Ａがそれぞれ形成され、それらビア導電導体２５Ａによりビルドアップ導体回路層２２Ａ１と導体回路層１２Ａとの間が接続されている。また、各伝熱用ビアホール２６Ａ内にはめっきが充填されて複数のビア伝熱導体２７Ａがそれぞれ形成され、それらビア伝熱導体２７Ａによりビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２と導体伝熱層１３Ａとの間が接続されている。
【００１８】
また、ソルダーレジスト層２３Ａには、複数のパッド用孔が形成され、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１の一部がパッド用孔内に位置して導電用パッド２９Ａになり、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２の一部がパッド用孔内に位置して伝熱用パッド３１Ａになっている。
【００１９】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂは、上述したＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａと同様の層構造をなしている。また、ビルドアップ層２０Ａと同様に、ビルドアップ層２０Ｂ上には、ソルダーレジスト層２３Ｂが積層されている。なお、図３，図５〜図９におけるＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂの各部位には、それら各部位に相当するＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａの各部位の符号中の「Ａ」を「Ｂ」に変更した符号が付されている。
【００２０】
図３に示すように、回路基板１０におけるＦ面１０Ｆ（表側面）の複数のパッドは、製品領域Ｒ２の外縁部に沿って２列に並べられた中パッド群と、それら中パッド群に囲まれた内側の領域に縦横複数列に並べられた小パッド群とからなる。中パッド群及び小パッド群のうち一部の中パッド及び小パッドは伝熱用パッド３１Ａになっていて、それ以外の中パッド及び小パッドは導電用パッド２９Ａになっている。伝熱用パッド３１Ａは、伝熱用ビア２７Ａを介してスルーホール伝熱導体１７に接続されている。また、一部の導電用パッド２９Ａは、導電用ビア２５Ａを介してスルーホール導電導体１５に接続されている。一方、回路基板１０のＳ面１０Ｓ（裏側面）の複数のパッドは、中パッドよりも大きい大パッドになっていて、それら大パッドのうち回路基板１０のＦ面１０Ｆ側の伝熱用パッド３１Ａの真下又は真下近傍の大パッドが伝熱用パッド３１Ｂをなし、それ以外の大パッドは、導電用パッド２９Ｂになっている。伝熱用パッド３１Ｂは、伝熱用ビア２７Ｂを介してスルーホール伝熱導体１７に接続されている。また、一部の導電用パッド２９Ｂは、導電用ビア２５Ｂを介してスルーホール導電導体１５に接続されている。なお、伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂは本発明の「第１パッド」に相当する。
【００２１】
本実施形態の回路基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図６（Ａ）に示すように、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされている銅張積層板１１Ｚが用意される。絶縁性基材１１Ｋは、絶縁性樹脂７５としてのエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロス７０とからなる。
【００２２】
（２）図６（Ｂ）に示すように、銅張積層板１１Ｚに絶縁性基材１１ＫのＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて導電用貫通孔１４（図３参照）を形成するための上述したテーパー孔１４Ａが穿孔されると共に、伝熱用貫通孔１６（図３参照）を形成するために、テーパー孔１４Ａと同一形状のテーパー孔９０Ａが複数横並びに並べて穿孔される。その際、隣り合ったテーパー孔９０Ａ，９０Ａの大径部同士の一部が重ね合わせされて連通するようにテーパー孔９０Ａが配置される。
【００２３】
（３）図６（Ｃ）に示すように、銅張積層板１１Ｚのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔１４Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂが穿孔され、テーパー孔１４Ａ，１４Ｂから導電用貫通孔１４が形成される。また、コア基板１１におけるＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔９０Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ｂと同一形状のテーパー孔９０Ｂが穿孔され、テーパー孔９０Ａ，９０Ｂから複数の小貫通孔９０が形成されかつそれら複数の小貫通孔９０から伝熱用貫通孔１６が形成される。なお、このとき、伝熱用貫通孔１６として、第１方向ａに沿って延びる形状の第１伝熱用貫通孔１６１と、第２方向ｂに沿って延びる第２伝熱用貫通孔１６２の２種類が形成される（図２参照）。
【００２４】
（４）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と導電用貫通孔１４及び伝熱用貫通孔１６の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
（５）図６（Ｄ）に示すように、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２５】
（６）図７（Ａ）に示すように、電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電用貫通孔１４内に充填されてスルーホール導電導体１５が形成されると共に、電解めっきが伝熱用貫通孔１６内に充填されてスルーホール伝熱導体１７が形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分の上に電解めっき膜３４，３４が形成される。なお、このとき、第１伝熱用貫通孔１６１内に第１スルーホール伝熱導体１７１が形成され、第２伝熱用貫通孔１６２内に第２スルーホール伝熱導体１７２が形成される（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）。
【００２６】
（７）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図７（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、絶縁性基材１１ＫのＦ面１１Ｆ上に導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとが形成されると共に、絶縁性基材１１ＫのＳ面１１Ｓ上に導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとが形成される。そして、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２ＡとＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂとがスルーホール導電導体１５によって接続され、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体伝熱層１３ＡとＳ面１１Ｓ上の導体伝熱層１３Ｂとがスルーホール伝熱導体１７によって接続された状態になる。これにより、コア基板１１が得られる。
【００２７】
（８）図７（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２Ａ及び導体伝熱層１３Ａからなる導体層１１Ｖ上にビルドアップ絶縁層２１Ａとして無機フィラーを含有するプリプレグ（心材に無機フィラーを含有する樹脂を含浸してなるＢステージの樹脂シート）が積層されると共に銅箔３７が積層され、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２Ｂ及び導体伝熱層１３Ｂからなる導体層１１Ｗ上にビルドアップ絶縁層２１Ｂとして無機フィラーを含有するプリプレグが積層されると共に銅箔３７が積層され、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２Ａ，１２Ａ同士及び導体回路層１２Ａと導体伝熱層１３Ａとの間がプリプレグにて埋められ、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側でも同様に導体回路層１２Ｂ，１２Ｂ同士及び導体回路層１２Ｂと導体伝熱層１３Ｂとの間がプリプレグにて埋められる。なお、ビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとしてプリプレグの代わりに心材を含まず且つ無機フィラーを含有する樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体回路層を形成することができる。
【００２８】
（９）図８（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ａ及び伝熱用ビアホール２６Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の銅箔３７にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔３７及びビルドアップ絶縁層２１Ｂを貫通するテーパー状の導電用ビアホール２４Ｂ及び伝熱用ビアホール２６Ｂが形成される。そして、過マンガン酸塩等の酸化剤でそれら導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内及び伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内が洗浄（デスミア処理）される。
【００２９】
（１０）無電解めっき処理が行われ、コア基板１１の表裏の銅箔３７，３７上と導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ及び伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３０】
（１１）図８（Ｂ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００３１】
（１２）電解めっき処理が行われ、図８（Ｃ）に示すように、電解めっきが導電用ビアホール２４Ａ，２４Ｂ内に充填されてビア導電導体２５Ａ，２５Ｂが形成されると共に、電解めっきが伝熱用ビアホール２６Ａ，２６Ｂ内に充填されてビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂが形成され、さらには、コア基板１１のＦ面１１ＦとＳ面１１Ｓの無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００３２】
（１３）めっきレジスト４０が５％ＮａＯＨで除去されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、図９（Ａ）に示すように、残された電解めっき膜３９、無電解めっき膜及び銅箔３７により、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側にビルドアップ導体回路層２２Ａ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２とからなるビルドアップ導体層２２Ａが形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側にビルドアップ導体回路層２２Ｂ１とビルドアップ導体伝熱層２２Ｂ２とからなるビルドアップ導電層２２Ｂが形成される。そして、ビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１と導体回路層１２Ａ，１２Ｂとが、ビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによって接続され、ビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２と導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂとが、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂによって接続された状態になる。
【００３３】
（１４）図９（Ｂ）に示すように、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂ上にソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂが積層される。
【００３４】
（１５）図９（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した導電用パッド２９Ａ，２９Ｂになると共に、ビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂにおけるビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２の一部がソルダーレジスト層２３Ａ，２３Ｂから露出して上記した伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂになる。
【００３５】
（１５）図３に示すように、導電用パッド２９Ａ，２９Ｂ上及び伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂ上に、ニッケル層、金層が順に積層されて金属膜４１が形成される。以上で回路基板１０が完成する。なお、金属膜４１の形成の代わりに、ＯＳＰ（プリフラックス）による表面処理が行われても良い。
【００３６】
本実施形態の回路基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に回路基板１０の作用効果を、回路基板１０の使用例と共に説明する。本実施形態の回路基板１０は、例えば、以下のようにして使用される。即ち、図１０に示すように、回路基板１０の有する前述の大、中、小のパッド上に、それら各パッドの大きさに合った大、中、小の半田バンプ７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃが形成される。そして、例えば、回路基板１０のＦ面１０Ｆの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有するＣＰＵ８０が、各製品領域Ｒ２の小半田バンプ７９Ｃ群上に搭載されて半田付けされて、第１パッケージ基板１０Ｐが形成される。このときＣＰＵ８０が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ａと半田付けされる。
【００３７】
次いで、メモリ８１を回路基板８２のＦ面８２Ｆに実装してなる第２パッケージ基板８２Ｐが、ＣＰＵ８０の上方から第１パッケージ基板１０Ｐ上に配されて、その第２パッケージ基板８２Ｐにおける回路基板８２のＳ面８２Ｓに備えるパッド（図示しない）に第１パッケージ基板１０Ｐにおける回路基板１０の中半田バンプ７９Ｂが半田付けされてＰｏＰ８３（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ８３）が形成される。なお、ＰｏＰ８３における回路基板１０，８２の間には図示しない樹脂が充填される。
【００３８】
次いで、ＰｏＰ８３がマザーボード８４上に配されて、そのマザーボード８４が有するパッド群にＰｏＰ８３における回路基板１０の大半田バンプ７９Ａが半田付けされる。このとき、マザーボード８４が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ｂと半田付けされる。なお、ＣＰＵ８０及びマザーボード８４が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板１０の伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂとが半田付けされてもよい。
【００３９】
さて、ＣＰＵ８０が稼働され、発熱すると、その熱は、ＣＰＵ８０が実装されている回路基板１０のビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ｂ２、ビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂ、コア基板１１上の導体伝熱層１３Ａ，１３Ｂ及びスルーホール伝熱導体１７を通して回路基板１０の反対側のマザーボード８４へと放熱される。
【００４０】
ここで、回路基板１０のコア基板１１には、ガラスクロス７０（図４及び図５参照）が含まれているため、コア基板１１の温度が昇降したときに、ガラスクロス７０と絶縁性樹脂７５との熱膨張率の相違に起因するコア基板１１の反りが問題となり得る。しかしながら、本実施形態の回路基板１０では、スルーホール伝熱導体１７を形成するための伝熱用貫通孔１６として、コア基板１１の厚み方向から見て互いに直交する方向（第１方向ａと第２方向ｂ）に沿って延びる第１伝熱用貫通孔１６１と第２伝熱用貫通孔１６２を備えているので、それら第１伝熱用貫通孔１６１と第２伝熱用貫通孔１６２でコア基板１１に含まれるガラスクロス７０の縦糸７１Ａと横糸７１Ｂとを分断することが可能となり、コア基板１１の反りを抑えることが可能となる。しかも、第１伝熱用貫通孔１６１は、コア基板１１の第１外形辺Ｈ１に対して４５度傾斜しているので（図５（Ａ）参照）、第１伝熱用貫通孔１６１と第２伝熱用貫通孔１６２とが共に、縦糸７１Ａと横糸７１Ｂの両方に対して斜めに配置されることとなり、縦糸７１Ａ及び横糸７１Ｂの分断箇所を多くすることが可能となる。
【００４１】
また、スルーホール伝熱導体１７は、コア基板１１を貫通する伝熱用貫通孔１６にめっきを充填してなるので、コア基板１１の表裏の導体回路層１２Ａ，１２Ｂ同士の間を接続するスルーホール導電導体１５と同一のめっき工程で形成することができる。さらに、スルーホール伝熱導体１７が収まっている伝熱用貫通孔１６は、スルーホール導電導体１５が収まっている導電用貫通孔１４と同一形状の複数の小貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う小貫通孔９０同士の一部を重複させて相互に連通させた構造になっているので、導電用貫通孔１４と伝熱用貫通孔１６とを同一工程で形成することができる。また、伝熱用貫通孔１６は、中間括れ形状の複数の小貫通孔９０を横並びに配置しかつ隣り合う小貫通孔９０の大径部同士を連通させて小径部同士の間にはコア基板１１が残されているので、伝熱用貫通孔１６内のめっきで構成されたスルーホール伝熱導体１７とコア基板１１との接触面積が広くなり、コア基板１１の熱をスルーホール伝熱導体１７へと効率よく排熱して、コア基板１１の反りを抑えることが可能となる。
【００４２】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態を図１１に基づいて説明する。図１１に示すように、本実施形態の回路基板１０Ｖでは、ビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂが、複数のビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂと、複数のビルドアップ導体層２２Ａ，２２Ｂとで構成されている。コア基板１１の厚み方向と隣り合うビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ａ１同士は、それらビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ａ１の間に配置されるビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通するビア導電導体２５Ａにより接続されている。また、コア基板１１の厚み方向で隣り合うビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ａ２同士は、それらビルドアップ導体伝熱層２２Ａ２，２２Ａ２の間に配置されるビルドアップ絶縁層２１Ａを貫通するビア伝熱導体２７Ａにより接続されている。複数のビルドアップ絶縁層２１Ａに形成される複数のビア伝熱導体２７Ａは、コア基板１１の厚み方向で直線状に配置されて伝熱用スタックビア２７ＳＡを構成している。
【００４３】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂは、上述したＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａと同様の層構造をなしている。なお、図１１におけるＳ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０Ｂの各部位には、それら各部位に相当するＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０Ａの各部位の符号中の「Ａ」を「Ｂ」に変更した符号が付されている。
【００４４】
回路基板１０Ｖのその他の構成については、上記第１実施形態の回路基板１０と同様になっているので説明を省略する。本実施形態の回路基板１０Ｖによれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することが可能となる。また、回路基板１０Ｖでは、スルーホール伝熱導体１７に接続される複数のビア伝熱導体２７Ａ，２７Ｂが伝熱用スタックビア２７ＳＡ，２７ＳＢを形成しているので、コア基板１１の厚み方向での伝熱を効率よく行うことが可能となる。
【００４５】
［第３実施形態］
以下、本発明の第３実施形態を図１２〜図１３に基づいて説明する。本実施形態の回路基板１０Ｗは、上記第１実施形態の回路基板１０を変形したものであり、Ｆ面１０Ｆに、小パッド群のみを備え、中パッド群を備えていない。小パッド群は、回路基板１０のＦ面１０Ｆの中央部に配置されている。また、回路基板１０のＳ面１０Ｓには、上記第１実施形態と同様の大パッド群が備えられている。
【００４６】
スルーホール伝熱導体１７は、小パッド群の真下位置だけでなく、小パッド群より外側部分の真下位置、即ち、回路基板１０の外周部にも配置されている。小パッド群の真下に配置されているスルーホール伝熱導体１７は、Ｆ面１０Ｆの小パッドとＳ面１０Ｓの大パッドとに接続されている。また、回路基板１０の外周部に配置されているスルーホール伝熱導体１７は、Ｓ面１０Ｓの大パッドに接続されている。
【００４７】
回路基板１０Ｗのその他の構成については、上記第１実施形態の回路基板１０と同様になっているので、同一符号を付すことで説明を省略する。本実施形態の回路基板１０Ｗによれば、上記第１実施形態の回路基板１０と同様の効果を奏することが可能となる。
【００４８】
図１３には、本実施形態の回路基板１０Ｗの使用例が示されている。同図に示すように、回路基板１０Ｗの有する上述の大、小のパッド上には、それら各パッドの大きさに合った大、小の半田バンプ７９Ａ，７９Ｃが形成される。そして、例えば、回路基板１０ＷのＦ面１０Ｆの小パッド群と同様に配置されたパッド群を下面に有する実装部品８０Ｗが、各製品領域Ｒ２の小半田バンプ７９Ｃ群上に搭載されて半田付けされる。このとき実装部品８０Ｗが有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０Ｗにおける伝熱用パッド３１Ａと半田付けされる。
【００４９】
次いで、回路基板１０Ｗがマザーボード８４上に配されて、そのマザーボード８４が有するパッド群に回路基板１０Ｗの大半田バンプ７９Ａが半田付けされる。このとき、マザーボード８４が有する例えばグランド用のパッドが回路基板１０における伝熱用パッド３１Ｂと半田付けされる。なお、実装部品８０Ｗ及びマザーボード８４が放熱専用のパッドを有している場合には、それら放熱専用のパッドと回路基板１０の伝熱用パッド３１Ａ，３１Ｂとが半田付けされてもよい。
【００５０】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５１】
（１）上記第１実施形態の回路基板１０及び第２実施形態の回路基板１０Ｖは、回路基板に実装されたＣＰＵ８０の放熱に使用されたが、他の電子部品の放熱に本発明を適用した回路基板を使用してもよい。例えば、図１４に示す回路基板１１０のように、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋに電子部品９１を内蔵し、その電子部品９１の近傍にスルーホール伝熱導体１７を配置することができる。この電子部品９１は基板に平行な方向の両端に電極９２，９２を備え、それぞれの電極９２，９２がビア導電導体２５Ａ，２５Ｂによってビルドアップ導体回路層２２Ａ１，２２Ｂ１に接続されている。そして、この電子部品９１が発生する熱をスルーホール伝熱導体１７によって放熱することができる。ここで、スルーホール伝熱導体１７は、電子部品９１から７０〜２００［μｍ］離した位置に形成することが好ましい。そうすれば、電子部品９１との絶縁を確保し、かつ、電子部品９１の発熱に対して十分な放熱効果が期待できる。なお、電子部品９１としては、例えば、コンデンサ、抵抗、コイル等の受動部品のほか、ＩＣ回路等の能動部品など、任意の電子部品を採用することができる。
【００５２】
（２）上記第１実施形態の回路基板１０では、コア基板１１のみを貫通する伝熱用貫通孔１６内がめっき充填されてスルーホール伝熱導体１７が形成されていたが、図１５に示す回路基板５０のように、コア基板１１とビルドアップ絶縁層２１Ａ，２１Ｂとを貫通する伝熱用貫通孔５１内がめっき充填されてスルーホール伝熱導体５３が形成されてもよい。なお、伝熱用貫通孔５１は、上記第１実施形態の伝熱用貫通孔１６と同様に、中間括れ形状の貫通孔５２を複数横並びに配置して、隣り合った貫通孔５２，５２の大径側端部の一部を互いに連通させた構造をなしている。
【００５３】
（３）上記実施形態では、第１伝熱用貫通孔１６１と第２伝熱用貫通孔１６２が両方ともコア基板１１の第１外形辺Ｈ１に対して斜めに配置される例を示したが、図１６、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示すように、第１伝熱用貫通孔１６１が第１外形辺Ｈ１と略直交し（図１７（Ａ）参照）、第２伝熱用貫通孔１６２が第１外形辺Ｈ１と略平行に配置されてもよい（図１７（Ｂ）参照）。なお、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）の例では、第２外形辺Ｈ２と平行な方向が本発明の「第１方向」に相当し、第１外形辺Ｈ１と平行な方向が本発明の「第１方向と直交する方向」に相当する。
【００５４】
（４）上記第１実施形態の伝熱用貫通孔１６及び上記（２）の伝熱用貫通孔５１は、レーザによって形成されていたが、回転工具によって伝熱用貫通孔１６及び伝熱用貫通孔５１を長孔形状に形成してもよい。
【００５５】
（５）上記第１実施形態の伝熱用貫通孔１６及び上記（２）の伝熱用貫通孔５１を形成する際に、それら伝熱用貫通孔１６、伝熱用貫通孔５１を構成する中間括れ形状の貫通孔における小径部同士の間にコア基板１１の一部が残されていたが、中間括れ形状の貫通孔の小径部同士も連通させてもよい。
【００５６】
（６）上記第１実施形態の回路基板１０は、コア基板１１にビルドアップ層２０Ａ，２０Ｂが積層されていたが、ビルドアップ層を有しない回路基板に本発明を適用してもよい。
【００５７】
（７）図１８に示すように、コア基板１１には、図４で示したガラスクロス７０よりも薄いガラスクロス７０が複数枚用いられてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１０，１０Ｖ，１０Ｗ，５０，１１０    回路基板
１１    コア基板
１１Ｋ    絶縁性基材（絶縁層）
１２Ａ，１２Ｂ    導体回路層（第２導体層）
１３Ａ，１３Ｂ    導体伝熱層（第１導体層）
１４    導電用貫通孔（第２貫通孔）
１５    スルーホール導電導体（第２スルーホール導体）
１６，５１    伝熱用貫通孔
１６１    第１伝熱用貫通孔（第１貫通孔）
１６２    第２伝熱用貫通孔（第１直交貫通孔）
１７，５３    スルーホール伝熱導体（第１スルーホール導体）
１７１    第１スルーホール伝熱導体
１７２    第２スルーホール伝熱導体
７０    ガラスクロス
７１Ａ    縦糸
７１Ｂ    横糸
【図１】
2017045845.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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