(57)【要約】【課題】  本発明は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを赤外線を用いて測定することができる測定装置を提供する。【解決手段】  本発明の測定装置は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に上記薄膜基材の平面上の位置情報毎に測定するための測定装置であって、  上記測定装置は、  上記化学反応種が塗布された薄膜基材に照射された赤外線の反射光又は透過光を検出する光検出手段と、  上記光検出手段によって検出された異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度の比に基づいて上記化学反応種の化学反応率を算出する算出手段と、  を有することを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に上記薄膜基材の平面上の位置情報毎に測定するための測定装置であって、
上記測定装置は、
上記化学反応種が塗布された薄膜基材に照射された赤外線の反射光又は透過光を検出する光検出手段と、
上記光検出手段によって検出された異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度の比に基づいて上記化学反応種の化学反応率を算出する算出手段と、
を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
薄膜基材がポリオレフィン系樹脂を含有する薄膜基材であると共に、化学反応種がラジカル重合性官能基を有するラジカル重合性化合物であることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度が、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と、１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の測定装置。
【請求項４】
異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度が、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と、１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の測定装置。
【請求項５】
算出手段は、
薄膜基材に塗布された化学反応種の量と、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度との関係を示す第一の検量線と、
薄膜基材に塗布された化学反応種の量と、１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度又は１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度との関係を示す第二の検量線とを有し、
光検出手段により検出された１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と上記第一の検量線とから、上記薄膜基材に塗布された化学反応種の理論塗布量を算出し、
上記光検出手段により検出された１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度又は１４００〜１４３０ｃｍ-1におけるピークトップの吸光度と上記第二の検量線とから、上記薄膜基材に塗布された化学反応種のうちの未反応量を算出し、上記理論塗布量と上記未反応量との比から上記化学反応種の反応率を算出することを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
【請求項６】
薄膜基材がポリオレフィン系樹脂を含有する合成樹脂微多孔フィルムであることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の測定装置。
【請求項７】
化学反応種が、（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の測定装置。
【請求項８】
薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に測定するための測定方法であって、
化学反応種が塗布された薄膜基材に赤外線を照射して、異なる２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度を測定し、上記測定された２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度の比に基づいて、上記化学反応種の化学反応率を算出することを特徴とする測定方法。
【請求項９】
薄膜基材がポリオレフィン系樹脂を含有する薄膜基材であると共に、化学反応種がラジカル重合性官能基を有するラジカル重合性化合物であることを特徴とする請求項８に記載の測定方法。
【請求項１０】
異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度が、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と、１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度であることを特徴とする請求項９に記載の測定方法。
【請求項１１】
異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度が、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と、１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度であることを特徴とする請求項９に記載の測定方法。
【請求項１２】
薄膜基材に塗布された化学反応種の塗布量と、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度との関係を示す第一の検量線を予め測定すると共に、
薄膜基材に塗布された化学反応種の塗布量と、１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度又は１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度との関係を示す第二の検量線を予め測定し、
１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と上記第一の検量線とから、上記薄膜基材に塗布された化学反応種の理論塗布量を算出し、
１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度又は１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度と上記第二の検量線とから、上記薄膜基材に塗布された化学反応種のうちの未反応量を算出し、上記理論塗布量と上記未反応量との比から上記化学反応種の反応率を算出することを特徴とする請求項９に記載の測定装置。
【請求項１３】
薄膜基材がポリオレフィン系樹脂を含有する合成樹脂微多孔フィルムであることを特徴とする請求項８〜１２の何れか１項に記載の測定方法。
【請求項１４】
化学反応種が、（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物であることを特徴とする請求項８〜１３の何れか１項に記載の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを測定するための測定装置及び測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から測定対象物に接触することなく、測定対象物に赤外線や紫外線などの電磁波を照射することによって、測定対象物の物性を測定することが種々行われている。
【０００３】
例えば、一般的に顕微赤外分光器などで化学構造の同定を行う方法はよく知られている。しかしながら、従来の顕微赤外分光器で測定しようとした場合、測定対象物から試験片をその都度作製し、試験片を顕微赤外分光器にセットする必要がある。更に、試験片の厚みが厚い場合には、試験片を厚み方向に潰したり又は切片を作製するなどの前処理が必要である。従って、測定対象物がウエブなどの柔軟な長尺状物である場合、測定対象物を搬送しながら連続的に測定することができないという問題点を有する。又、測定対象物がウエブなどの柔軟な長尺状物である場合、平面上の位置毎の物性を測定することもできない。
【０００４】
例えば、特許文献１には、赤外線を用いた皮膜の膜厚分布を測定する測定装置として、対象物の表面から放射される赤外線のうち、波長帯が異なる二種類以上の赤外線の強度分布を検出する赤外線分布検出手段と、前記赤外線分布検出手段により検出された前記波長帯が異なる二種類以上の赤外線の強度分布の差分値または当該強度分布から算出される測定温度分布の差分値に基づいて前記対象物の表面に形成された被膜の膜厚分布を算出する膜厚分布算出手段とを具備する膜厚測定装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１５９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを薄膜基材に接触することなく、しかも、薄膜基材の平面上の所望位置における化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に且つ簡易に測定する方法は知られておらず、かかる方法が所望されている。
【０００７】
本発明は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを赤外線を用いて連続的に測定することができる測定装置及び測定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の測定装置は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に測定するための測定装置であって、
上記測定装置は、
上記化学反応種が塗布された薄膜基材に照射された赤外線の反射光又は透過光を検出する光検出手段と、
上記光検出手段によって検出された異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度の比に基づいて上記化学反応種の化学反応率を算出する算出手段と、
を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の測定方法は、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に測定するための測定方法であって、
化学反応種が塗布された薄膜基材に赤外線を照射して、異なる２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度を測定し、上記測定された２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度の比に基づいて、上記化学反応種の化学反応率を算出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の測定装置又は測定方法によれば、化学反応種が塗布された薄膜基材に赤外線を照射することによって、薄膜基材の平面上の位置情報毎の化学反応種の化学反応の進行度合い、即ち、薄膜基材の平面上における所望部分における化学反応種の化学反応の進行度合いを連続的に且つ容易に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】測定装置のハードウエア構成を示した図である。
【図２】搬送ユニットによって薄膜基材を搬送している状態を示した模式図である。
【図３】搬送ユニットによって薄膜機材を搬送している状態を示した平面図である。
【図４】第一の検量線の一例を示した図である。
【図５】化学反応種の反応率と赤外分光光度計の位置情報を記憶した表の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の測定装置及び測定方法の一例を図面を参照しながら説明する。図１は、測定装置Ａのハードウエア構成を示した図である。ＣＰＵ(Central Processing Unit)１と、薄膜基材Ｂを搬送する搬送ユニット２と、光検出手段としての赤外分光光度計３と、ＲＯＭ(Read Only Memory)４と、ＲＡＭ(Random Access Memory)５と、タッチパネル及びキーボードなどの入力ユニット６、ＳＳＤ（Solid State Drive）及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの記憶ユニット７と、ディスプレイなどの出力ユニット８と、位置情報計算ユニット９と、反応率計算ユニット10と、反応率−位置情報照合ユニット11とが電気的に通信可能に接続されている。
【００１３】
測定装置ＡのＲＯＭ４及び必要に応じて記憶ユニット７内には、ＣＰＵ１にて実行される各種プログラムや各種データが格納されている。ＲＡＭ５には、各種のプログラムに基づいて設定される設定値を一次的に記憶するためのメモリなどが格納されている。
【００１４】
測定装置ＡのＲＯＭ４及び必要に応じて記憶ユニット７内には、測定装置Ａが備える各種手段（算出手段など）としての各種プログラム（算出プログラムなど）が格納されている。各種手段は、ＣＰＵ１やＲＡＭ５上に各種プログラムを読み込ませることにより、ＣＰＵ１の制御のもとで、ＲＡＭ５や記憶ユニット７におけるデータの読み出し及び書き込みを行うことで実現される。
【００１５】
図２に示したように、搬送ユニット２は、塗布された化学反応種を化学反応させた後の薄膜基材Ｂをロール状に巻回し、薄膜基材Ｂを連続的に巻き出す巻き出しロール21と、薄膜基材Ｂに塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを測定した後に薄膜基材Ｂを連続的に巻き取る巻取りロール22とを備えている。なお、巻取りロール22は、図示しない汎用の電動モータなどの駆動部によって駆動され、巻き出しロール21は、巻取りロール22の回転に伴って従動的に回転する。
【００１６】
巻取りロール22の駆動部には、汎用のパルスジェネレータが付帯されており、パルスジェネレータは、駆動部のモータが所定回転するごとにパルス信号を発信し、このパルス信号が位置情報計算ユニット９によって常時、計測され、駆動部のモータの回転した数に基づいて薄膜基材Ｂの巻き出しロール21から巻き出された長さ（以下「搬送距離」ということがある）が常時、計測されている。なお、薄膜基材Ｂの巻き出し長さ（搬送距離）は、パルスジェネレータを用いることなく、駆動部の回転速度と駆動時間とに基づいて算出されてもよい。
【００１７】
薄膜基材Ｂとしては、特に限定されないが、微小孔部を有する合成樹脂微多孔フィルムが好ましく用いられる。合成樹脂微多孔フィルムを構成している合成樹脂としては、特に限定されないが、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、ポリプロピレン系樹脂がより好ましい。微小孔部を有する合成樹脂微多孔フィルムの製造方法としては、特に制限されず、従来公知の湿式法又は延伸法が用いられる。湿式法は、例えば、合成樹脂と充填剤や可塑剤とを含んでいる樹脂組成物を成形することにより合成樹脂フィルムを得る工程と、この合成樹脂フィルムから充填剤や可塑剤を抽出することにより微小孔部が形成されてなる合成樹脂微多孔フィルムを得る工程とを有している。一方、延伸法は、合成樹脂フィルムを一軸延伸又は二軸延伸させることにより微小孔部が形成されてなる合成樹脂微多孔フィルムを得る工程を有している。
【００１８】
赤外分光光度計３としては、公知の装置が用いられ、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計、分散型赤外分光光度計などが挙げられる。赤外分光光度計３は、薄膜基材Ｂに照射する赤外線を放射する赤外光源と、分光部と、赤外光源から薄膜基材Ｂに照射されて薄膜基材Ｂに反射され又は透過した赤外線を検出する検出器とを備えており、赤外スペクトルを出力するように構成されている。
【００１９】
図３に示したように、赤外分光光度計３は、搬送ユニット２によって連続的に搬送されている薄膜基材Ｂの幅方向（搬送方向に対して直交する方向）に所定の速度でもって往復動可能に構成されている。
【００２０】
詳細には、赤外分光光度計３には、駆動部となるトラバーサ電動モータが付帯されており、トラバーサ電動モータ12によって赤外分光光度計３は、薄膜基材Ｂの幅方向に所定速度でもって往復動可能に構成されている。更に、トラバーサ電動モータ12には、汎用のパルスジェネレータが付帯されており、パルスジェネレータは、トラバーサ電動モータが所定回転するごとにパルス信号を発信し、このパルス信号が位置情報計算ユニット９によって常時、計測され、トラバーサ電動モータの回転した数に基づいて、薄膜基材Ｂの幅方向における赤外分光光度計３の位置が常時、計測される。なお、薄膜基材Ｂの幅方向における赤外分光光度計３の位置は、パルスジェネレータを用いることなく、トラバーサ電動モータの駆動速度と駆動時間とに基づいて算出されてもよい。
【００２１】
そして、位置情報計算ユニット９は、薄膜基材Ｂの巻き出し長さ及び薄膜基材Ｂの幅方向における赤外分光光度計３の位置に基づいて、薄膜基材Ｂの平面上における赤外分光光度計３の位置を特定している。
【００２２】
赤外分光光度計３によって薄膜基材Ｂに塗布された化学反応種の赤外スペクトルが測定され、予め定められた異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度が検出される。予め定められた異なる２以上の特定波数領域のピークトップの吸光度は、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応前後において変化しない分子構造に由来するピークトップの吸光度と、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応によって消失又は変化する分子構造に由来するピークトップの吸光度とを含む。
【００２３】
化学反応種としては、化学反応を生じる化合物であれば特に限定されず、例えば、（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物などのラジカル重合性官能基を有するラジカル重合性化合物が挙げられる。ラジカル重合性官能基としては、紫外線、電子線などの活性エネルギー線の照射によってラジカル重合可能なラジカル重合性不飽和結合を含んでいる官能基が挙げられる。ラジカル重合性官能基としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリロイル基やビニル基などを例示することができ、（メタ）アクリロイル基であることが好ましい。
【００２４】
（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物としては、
１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、２-ヒドロキシ-３-アクリロイロキシプロピルジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１,１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、及びグリセリンジ（メタ）アクリレート等の２官能の多官能性アクリル系モノマー；
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、及びペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等の３官能の多官能性アクリル系モノマー；
ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、及びジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等の４官能の多官能性アクリル系モノマー；
ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等のジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート等の５官能以上の多官能性アクリル系モノマーを例示することができる。
【００２５】
化学反応種が、（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物である場合、ラジカル重合性化合物は、ラジカル重合によって付加反応を生じ、ラジカル重合性化合物の（メタ）アクリロイル基中のラジカル重合性不飽和結合が消失する。一方、ラジカル重合性化合物の（メタ）アクリロイル基中のカルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）は、ラジカル重合反応の前後において変化しない。
【００２６】
（メタ）アクリロイル基のラジカル重合性不飽和結合（二重結合）は、１６１０〜１６５０ｃｍ-1及び１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域においてピークを生じる一方、（メタ）アクリロイル基中のカルボニル基は、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域においてピークを生じる。従って、化学反応種が、（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物である場合、１６１０〜１６５０ｃｍ-1又は１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度（化学反応種の化学反応によって消失する分子構造に由来したピークトップの吸光度）と、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度（化学反応種の化学反応前後において変化しない化学構造に由来したピークトップの吸光度）とが、赤外スペクトルから特定される。
【００２７】
測定装置Ａは、光検出手段である赤外分光光度計３によって検出された異なる２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度の比に基づいて化学反応種の化学反応率を算出する算出手段を有している。算出手段は、ＣＰＵ１やＲＡＭ５上に算出プログラムを読み込ませることにより、ＣＰＵ１の制御のもとで、算出プログラムにしたがってＲＡＭ５や記憶ユニット７におけるデータの読み出し及び書き込みを行うと共に、搬送ユニット２及び赤外分光光度計３並びにこれらに付帯した駆動部及びパルスジェネレータを制御することで実現され、赤外分光光度計３によって検出されて出力された、異なる２以上の特定波数領域におけるピークトップの吸光度出力信号に基づいて化学反応種の化学反応率が算出される。
【００２８】
具体的には、搬送ユニット２及び赤外分光光度計３はＣＰＵ１によって制御されている。搬送ユニット２の駆動部がＣＰＵ１の制御下にて駆動され、薄膜基材Ｂが所定の搬送速度でもって連続的に搬送される。同時に、赤外分光光度計３を往復動させている駆動部がＣＰＵ１の制御下にて駆動され、赤外分光光度計３が薄膜基材Ｂの搬送方向に対して直交する方向に所定の移動速度でもって往復動される。なお、搬送ユニット２及び赤外分光光度計３の駆動部の作動及び停止は、入力ユニット６から操作者によって入力された作動命令又は停止命令に基づいてＣＰＵ１によって制御される。
【００２９】
搬送ユニット２による薄膜基材Ｂの搬送距離、即ち、搬送開始以降の薄膜基材Ｂの搬送距離、及び、薄膜基材Ｂの幅方向における赤外分光光度計３の位置は、位置情報計算ユニット９によって常時、計測されており、搬送ユニット２の巻き出しロール21から巻き出された薄膜基材Ｂの平面上における赤外分光光度計３の位置が位置情報計算ユニット９によって常時、計測されている。
【００３０】
即ち、図３に示したように、搬送ユニット２による薄膜基材Ｂの搬送開始時点において、赤外分光光度計３が位置している部分を薄膜基材Ｂの長さ方向の基準点Ｐ0（＝０）とし、この基準点Ｐ0を基準として、薄膜基材Ｂの長さ方向における赤外分光光度計３の位置が、巻取りロール22の駆動部に付帯されたパルスジェネレータから発せられるパルス信号に基づいて常時、計測されている。そして、薄膜基材Ｂの何れか一方の端縁を基準点Ｐ1（＝０）として、薄膜基材Ｂの幅方向における赤外分光光度計３の位置が、赤外分光光度計３の駆動部に付帯されたパルスジェネレータから発せられるパルス信号に基づいて常時、計測され、薄膜基材Ｂの平面上における赤外分光光度計３の位置が位置情報計算ユニット９によって薄膜基材Ｂの長さ方向を縦軸とし、薄膜基材Ｂの幅方向を横軸とした座標でもって常時、計測され特定されている。例えば、図３の赤外分光光度計３の位置は、例えば（１０，５）とＣＰＵ１によって特定される。
【００３１】
そして、算出プログラムにしたがってＣＰＵ１によって赤外分光光度計３が制御されており、所定時間間隔ごとに赤外分光光度計３により薄膜基材Ｂの赤外スペクトルが測定される。なお、測定された赤外スペクトルは、この赤外スペクトルが測定された時の赤外分光光度計３の位置情報と共に、ＣＰＵ１によって、ＲＡＭ又は記憶ユニット７に一次的に又は不揮発的に記憶される。
【００３２】
反応率計算ユニット10によって赤外分光光度計３において測定された赤外スペクトルから予め定められた２つの特定波数領域におけるピークトップの吸光度が読み取られる。即ち、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応前後にて変化しない化学構造に由来するピークトップの吸光度Ｃ1と、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応によって消失又は変化する化学構造に由来するピークトップの吸光度Ｃ2とがＣＰＵ１によって読み取られる。化学反応種が（メタ）アクリロイル基を２個以上含有する多官能性のラジカル重合性化合物である場合、１７００〜１７５０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度Ｃ1と、１６１０〜１６５０ｃｍ-1又は１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域におけるピークトップの吸光度Ｃ2とがＣＰＵ１によって読み取られる。なお、１６１０〜１６５０ｃｍ-1の波数領域と１４００〜１４３０ｃｍ-1の波数領域のうちの何れの波数領域のピークトップの吸光度Ｃ2を読み取るかは、化学反応種の種類に応じて予め決定しておく。
【００３３】
一方、記憶ユニット７には、化学反応前の化学反応種の量を縦軸とし、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応前後において変化しない化学構造に由来するピークトップの吸光度Ｃ1を横軸とした第一の検量線（図４参照）が記憶されている。更に、記憶ユニット７には、化学反応前の化学反応種の量を縦軸とし、予め定められた特定波数領域に現れる、化学反応種の化学反応後に消失又は変化する化学構造に由来するピークトップの吸光度Ｃ2を縦軸とした第二の検量線が記憶されている。
【００３４】
ＣＰＵ１によって記憶ユニット７内に記憶された第一の検量線がアクセスされ、反応率計算ユニット10によって、第一の検量線に基づいて、赤外分光光度計３にて測定された赤外スペクトルから読み取られた吸光度Ｃ1から化学反応前の化学反応種の量が算出される。吸光度Ｃ1は、化学反応種の化学反応前後において変化しない化学構造に由来したものであり、化学反応種の化学反応前後において変化しない。従って、吸光度Ｃ1から化学反応前の化学反応種の量、即ち、薄膜基材に塗布された化学反応前の化学反応種の量を算出することができる。吸光度Ｃ1から算出された値は、薄膜基材に塗布された化学反応種の理論塗布量とされる。
【００３５】
同様に、ＣＰＵ１によって記憶ユニット７内に記憶された第二の検量線がアクセスされ、反応率計算ユニット10によって、第二の検量線に基づいて、赤外分光光度計３にて測定された赤外スペクトルから読み取られた吸光度Ｃ2から、化学反応後における未反応の化学反応種の量が算出される。吸光度Ｃ2は、化学反応種の化学反応によって消失又は変化する化学構造に由来したものであり、化学反応種の化学反応後において生じた赤外スペクトルは、未反応の化学反応種に由来するものである。従って、化学反応後における未反応の化学反応種の量（未反応量）を吸光度Ｃ2から算出することができる。
【００３６】
次に、上述のようにして算出された理論塗布量と未反応量とから下記式に基づいて、化学反応種の化学反応の進行度合いとして化学反応種の反応率（％）がＣＰＵ１によって算出される。
化学反応種の反応率（％）＝１−（理論塗布量／未反応量）
【００３７】
反応率計算ユニット10により算出された化学反応種の反応率は、反応率−位置情報照合ユニットによって、位置情報計算ユニット９によって測定された、薄膜基材Ｂの平面上における赤外分光光度計３の位置情報と結び付けられて、例えば、図５に示したように、化学反応種の反応率を算出する基礎となった赤外スペクトルを測定した時の赤外分光光度計３の位置情報と共に、ＣＰＵ１によって出力ユニット８に出力されると共に、記憶ユニット７に記憶される。
【００３８】
上記測定装置Ａによれば、薄膜基材を連続的に搬送させながら薄膜基材に赤外線を照射することによって、薄膜基材に接触することなく、薄膜基材の平面上の所望位置における薄膜基材に塗布した化学反応種の化学反応の度合い（化学反応率）を容易に且つ連続的に測定することができる。
【００３９】
また、上記測定装置Ａによれば、薄膜基材をその長さ方向に搬送させながら、赤外分光光度計３を薄膜基材の幅方向に移動させており、赤外分光光度計３は薄膜基材に対してジグザク状に移動する。従って、赤外分光光度計３による赤外スペクトルの測定は、薄膜基材の全体において偏ることなく行われ、薄膜基材に塗布された化学反応種の化学反応の進行度合いを全体的に把握することができる。
【００４０】
そして、化学反応種の化学反応の進行度合い（化学反応率）は、薄膜基材Ｂに対する赤外分光光度計３の位置情報と共に出力ユニット８に出力され且つ記憶ユニット７に記憶されるので、薄膜基材Ｂの各部分ごとの化学反応種の化学反応率を正確に測定し記憶することができる。
【００４１】
上記測定装置では、薄膜基材Ｂを連続的に搬送させた場合を説明したが、薄膜基材Ｂを搬送させることなく、赤外分光光度計３を薄膜基材Ｂの長さ方向及び幅方向の双方に移動させることによって、赤外分光光度計３を薄膜基材Ｂに対してジグザク状に移動させてもよい。
【００４２】
また、上記測定装置では、赤外分光光度計３を薄膜基材Ｂに対してジグザク状に移動させた場合を説明したが、赤外分光光度計３の薄膜基材Ｂに対する動きはこれに限定されず、例えば、赤外分光光度計３を薄膜基材Ｂの幅方向に移動させているときは薄膜基材Ｂの搬送を停止し、赤外分光光度計３が薄膜基材Ｂの幅方向の一端から他端に向かって移動した後、薄膜基材Ｂを所定長さだけ搬送させた上で、赤外分光光度計３を薄膜基材Ｂの幅方向の他端から一端に向かって移動させるようにしてもよい。
【００４３】
なお、上記測定装置における反応率計算ユニット、位置情報計算ユニット及び反応率−位置情報照合ユニットは、個別ハード（基盤）であっても各ＰＬＣソフト（プログラム）であってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１     ＣＰＵ
２     搬送ユニット
３     赤外分光光度計
６     入力ユニット
７     記憶ユニット
８     出力ユニット
Ａ     測定装置
Ｂ     薄膜基材
Ｃ1    吸光度
Ｃ2    吸光度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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