(57)【要約】【課題】電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、層状に設けられた複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜の中で同じ層間絶縁膜に覆われた複数のフィールドプレートであって、ゲート電極よりも第２の窒化物半導体層から離れ、かつゲート電極よりもドレイン電極の近くに設けられた第１のフィールドプレートと、第１のフィールドプレートよりも第２の窒化物半導体層から離れ、かつ第１のフィールドプレートよりもドレイン電極の近くに設けられた第２のフィールドプレートと、を含む複数のフィールドプレートと、を備える。【選択図】図１
2017123432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第２の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第２の窒化物半導体層の上で、前記ゲート電極を挟んで互いに対向するドレイン電極およびソース電極と、
前記第２の窒化物半導体層の上に層状に設けられた複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜の中で同じ層間絶縁膜に覆われた複数のフィールドプレートであって、前記ゲート電極よりも前記第２の窒化物半導体層から離れ、かつ前記ゲート電極よりも前記ドレイン電極の近くに設けられた第１のフィールドプレートと、前記第１のフィールドプレートよりも前記第２の窒化物半導体層から離れ、かつ前記第１のフィールドプレートよりも前記ドレイン電極の近くに設けられた第２のフィールドプレートと、を含む複数のフィールドプレートと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記複数の層間絶縁膜は、前記ゲート電極を覆うように設けられた第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に設けられた第２の層間絶縁膜と、を含み、
前記第２の層間絶縁膜は、その上面に前記第１の層間絶縁膜側に凹んだ凹部を備え、
前記第１のフィールドプレートは前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜との間に設けられ、前記第２のフィールドプレートは前記凹部内に設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のフィールドプレートおよび前記第２のフィールドプレートは、それぞれ複数の導電部材で構成され、前記複数の導電部材は、その幅方向に並んで配置されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のフィールドプレートは、１つの導電部材で構成され、
前記第２のフィールドプレートは、複数の導電部材で構成され、前記複数の導電部材は、その幅方向に並んで配置されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の導電部材の幅が、相互に異なっている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極と電気的に接続されるゲートパッドと、前記ドレイン電極と電気的に接続されるドレインパッドと、前記ソース電極と電気的に接続されるソースパッドと、前記複数のフィールドプレートのいずれかに電気的に接続される複数のフィールドプレートパッドと、を備え、
前記複数のフィールドプレートパッドの電位が、前記ゲートパッドの電位もしくは前記ソースパッドの電位と同電位であるか、または前記ゲートパッドと、前記ドレインパッドと、前記ソースパッドのいずれにも電気的に接続されていないフローティング電位と同電位である、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一例として、横型構造の電界効果トランジスタが知られている。横型構造の電界効果トランジスタでは、ドレイン電極が、ソース電極およびゲート電極と同じく半導体層の上側に設けられている。
【０００３】
横型構造の電界効果トランジスタでは、ドレイン電極とソース電極との間に高電圧が印加されると、ゲート電極とドレイン電極との間で電界集中が起こりやすくなる。そのため、半導体層が、例えば、バンドギャップが異なる２つの窒化物半導体層で構成されていると、この２つの窒化物半導体層の界面に生成された二次元電子ガスから電子がトラップする可能性がある。その結果、電界効果トランジスタのオン抵抗が増加する現象、いわゆる電流コラプス現象が起こり得る。
【０００４】
上記電界集中を緩和する手段として、ゲート電極とドレイン電極との間にフィールドプレートを階段状に形成する技術が知られている。この技術では、フィールドプレートは、一般的に、一つの層間絶縁膜に対して一段の層間絶縁膜が形成されている。そのため、フィールドプレートの段数が多いと、層間絶縁膜間の界面の数も多くなる。上記２次元電子ガスの電子は、層間絶縁膜間の界面にトラップされやすいので、層間絶縁膜の数が多いと、電流コラプス現象の抑制効果が不十分になるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９４７８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層と、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、前記第２の窒化物半導体層の上で、前記ゲート電極を挟んで互いに対向するドレイン電極およびソース電極と、前記第２の窒化物半導体層の上に層状に設けられた複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜の中で同じ層間絶縁膜に覆われた複数のフィールドプレートであって、前記ゲート電極よりも前記第２の窒化物半導体層から離れ、かつ前記ゲート電極よりも前記ドレイン電極の近くに設けられた第１のフィールドプレートと、前記第１のフィールドプレートよりも前記第２の窒化物半導体層から離れ、かつ前記第１のフィールドプレートよりも前記ドレイン電極の近くに設けられた第２のフィールドプレートと、を含む複数のフィールドプレートと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の概略的な構造を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】図３に示す工程の後の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】図４に示す工程の後の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】変形例１に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。
【図７】変形例２に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。
【図８】変形例３に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置１０は、基板１と、第１の窒化物半導体層２と、第２の窒化物半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、複数の層間絶縁膜５、６と、ゲート電極１１と、ドレイン電極１２と、ソース電極１３と、複数のフィールドプレート２０〜２３と、を備える。
【００１１】
基板１は、例えば、シリコン、窒化シリコン（ＳｉＮ）、またはサファイア等で構成されている。基板１の上には、第１の窒化物半導体層２との格子定数の不整合を緩衝するための緩衝層（不図示）が設けられている。
【００１２】
第１の窒化物半導体層２は、上記緩衝層の上に設けられ、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）で構成されている。
【００１３】
第２の窒化物半導体層３は、第１の窒化物半導体層２の上に設けられている。第２の窒化物半導体層３は、第１の窒化物半導体層２のバンドギャップよりも大きい化合物、例えば、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）で構成されている。
【００１４】
ゲート絶縁膜４は、第２の窒化物半導体層３の上に設けられている。ゲート絶縁膜４は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等で構成されている。なお、このゲート絶縁膜４は、設けられていなくてもよい。
【００１５】
複数の層間絶縁膜５、６は、ゲート絶縁膜４の上に層状に設けられている。本実施形態では、層間絶縁膜５が、ゲート電極１１を覆うようにゲート絶縁膜４の上に設けられた第１の層間絶縁膜を構成し、層間絶縁膜６が、層間絶縁膜５の上に設けられた第２の層間絶縁膜を構成している。
【００１６】
ゲート電極１１は、ゲート絶縁膜４の上に設けられている。ドレイン電極１２およびソース電極１３は、第２の窒化物半導体層３の上で、ゲート絶縁膜４を挟んで互いに対向する。なお、ゲート絶縁膜４が設けられていない場合には、ゲート電極１１は、第２の窒化物半導体層３と接触する。すなわち、ゲート電極１１は、ゲート絶縁膜４を介さずに第２の窒化物半導体層３の上に設けられる。本明細書では、「第２の窒化物半導体層３の上に設けられたゲート電極１１」とは、ゲート電極１１がゲート絶縁膜４を介して第２の窒化物半導体層３３の上に間接的に設けられた形態も、ゲート電極１１が第２の窒化物半導体層３の上に直接的に設けられた形態をも含む。
【００１７】
フィールドプレート２０は、層間絶縁膜５に覆われている。フィールドプレート２０は、ゲート電極１１よりも第２の窒化物半導体層３から離れ、かつゲート電極１１よりもドレイン電極１２の近くに設けられている。つまり、フィールドプレート２０は、ゲート電極１１よりも上段に設けられている。
【００１８】
フィールドプレート２１は、第１のフィールドプレートを構成し、層間絶縁膜６に覆われている。フィールドプレート２１は、フィールドプレート２０（ゲート電極１１）よりも第２の窒化物半導体層３から離れ、かつフィールドプレート２０（ゲート電極１１）よりもドレイン電極１２の近くに設けられている。つまり、フィールドプレート２１は、フィールドプレート２０（ゲート電極１１）よりも上段に設けられている。なお、本実施形態では、フィールドプレート２１の一部が、フィールドプレート２０に重なり合い、両者の電位は同じである。
【００１９】
フィールドプレート２２は、第２のフィールドプレートを構成し、フィールドプレート２１と同じ層間絶縁膜６に覆われている。フィールドプレート２２は、フィールドプレート２１よりも第２の窒化物半導体層３から離れ、かつフィールドプレート２１よりもドレイン電極１２の近くに設けられている。つまり、フィールドプレート２２は、フィールドプレート２１よりも上段に設けられている。
【００２０】
フィールドプレート２３は、層間絶縁膜６の上面に設けられている。フィールドプレート２３は、フィールドプレート２２よりも第２の窒化物半導体層３から離れ、かつフィールドプレート２２よりもドレイン電極１２の近くに設けられている。つまり、フィールドプレート２３は、フィールドプレート２２よりも上段に設けられている。
【００２１】
図２は、本実施形態に係る半導体装置の概略的な構造を示す平面図である。図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置１０は、活性領域Ａ１と、活性領域Ａ１の外側に位置する不活性領域Ａ２と、を備えている。活性領域Ａ１には、上述した構成要素、具体的には、基板１と、第１の窒化物半導体層２と、第２の窒化物半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、複数の層間絶縁膜５、６と、ゲート電極１１と、ドレイン電極１２と、ソース電極１３と、複数のフィールドプレート２０〜２３とが設けられている。
【００２２】
一方、不活性領域Ａ２には、ゲートパッド３１と、ドレインパッド３２と、ソースパッド３３と、複数のフィールドプレートパッド３４〜３６と、が設けられている。
【００２３】
ゲートパッド３１は、ゲート電極１１と電気的に接続されている。ドレインパッド３２は、ドレイン電極１２と電気的に接続されている。ソースパッド３３は、ソース電極１３と電気的に接続されている。
【００２４】
複数のフィールドプレートパッド３４〜３６は、複数のフィールドプレート２０〜２３のいずれかに電気的に接続されている。本実施形態では、フィールドプレート２０、２１がフィールドプレートパッド３４に電気的に接続され、フィールドプレート２２がフィールドプレートパッド３５に接続され、フィールドプレート２３がフィールドプレートパッド３６に接続されている。
【００２５】
図２に示すように、本実施形態では、配線Ｌによって、複数のフィールドプレートパッド３４〜３６の電位がゲートパッド３１の電位と同電位になっている。しかし、各フィールドプレートパッドの電位は、ソースパッド３３と同電位であってもよいし、フローティング電位であってもよい。ここで、フローティング電位とは、各フィールドプレートパッドが、ゲートパッド３１、ドレインパッド３２、ソースパッド３３のいずれにも電気的に接続されていない状態を意味する。また、配線Ｌは、半導体装置１のパッケージ内に設けられたボンディングワイヤであってもよいし、当該パッケージの外部に設けられた導線であってもよい。
【００２６】
以下、図３〜図５を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の製造工程について説明する。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示すように、基板１が形成される。この基板１には、上述したように緩衝層(不図示)が含まれている。基板１の形成後には、図３（ｂ）に示すように、第１の窒化物半導体層２が基板１の上に形成される。続いて、図３（ｃ）に示すように、第１の窒化物半導体層２の上に第２の窒化物半導体層３を形成する工程が実施される。
【００２８】
第２の窒化物半導体層３の形成後には、図３（ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜４が第２の窒化物半導体層３の上に形成される。このとき、ゲート絶縁膜４は、第２の窒化物半導体層３の上面全体を覆うように形成される。その後、図３（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜４の両端部が、エッチングによって除去される。このエッチングによって第２の窒化物半導体層３の両端部が露出する。
【００２９】
露出した第２の窒化物半導体層３の両端部には、図４（ａ）に示すように、ドレイン電極１２の一部およびソース電極１３の一部が形成される。同時に、ゲート電極１１も、ゲート絶縁膜４の上に形成される。
【００３０】
各電極の形成後には、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜５が形成される。このとき、層間絶縁膜５は、ゲート電極１１だけでなくドレイン電極１２およびソース電極１３も覆うように形成される。その後、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜５の一部がエッチングによって除去され、その結果、凹部４１と、コンタクトホール４２、４３とが形成される。凹部４１は層間絶縁膜５の上面を凹ませるように形成され、コンタクトホール４２、４３はドレイン電極１２およびソース電極１３の各々を露出させるように形成される。
【００３１】
凹部４１およびコンタクトホール４２、４３には、図４（ｄ）に示すように、導電部材５０が埋め込まれる。この導電部材５０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムと銅の合金（ＡｌＣｕ）、金（Ａｕ）などを適用できる。その後、図４（ｅ）に示すように、導電部材５０における不要な部分が除去され、平坦化処理が行われる。その結果、フィールドプレート２０が、凹部４１の内部に形成される。
【００３２】
続いて、図５（ａ）に示すように、フィールドプレート２１が層間絶縁膜５の上に形成される。その後、図５（ｂ）に示すように、層間絶縁膜６が形成される。このとき、層間絶縁膜６は、フィールドプレート２１だけでなくドレイン電極１２およびソース電極１３も覆うように形成される。その後、図５（ｃ）に示すように、層間絶縁膜６の一部がエッチングによって除去され、その結果、凹部４４と、コンタクトホール４５、４６とが形成される。凹部４５は層間絶縁膜６の上面を凹ませるように形成され、コンタクトホール４５、４６はドレイン電極１２およびソース電極１３の各々を露出させるように形成される。
【００３３】
凹部４４およびコンタクトホール４５、４６には、図５（ｄ）に示すように、導電部材５０が再び埋め込まれる。その後、図５（ｅ）に示すように、導電部材５０における不要な部分が除去され、平坦化処理が行われる。その結果、フィールドプレート２２が、凹部４４の内部に形成される。最後に、図１に戻って、フィールドプレート２３が層間絶縁膜６の上に形成される。
【００３４】
以上説明した本実施形態に係る半導体装置１によれば、フィールドプレート２２およびフィールドプレート２３は、階段状に配置されているものの、両者の間には層間絶縁膜の界面が存在しない。これは、凹部４４が層間絶縁膜６の上面に形成され、この凹部４４の内部にフィールドプレート２３が形成されているからである。これにより、層間絶縁膜の界面の数が、フィールドプレートの段数よりも少なくなるので、電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能となる。
【００３５】
（変形例１）
図６は、変形例１に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。図６では、上述した半導体装置１と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３６】
図６に示すように、本変形に係る半導体装置１０ａでは、フィールドプレート２０〜２３は、それぞれ複数の導電部材５０で構成され、複数の導電部材５０は、その幅方向Ｗ（図２も参照）に並んで配置されている。
【００３７】
フィールドプレート２０において、ソース電極１３側に位置する２つの導電部材５０は、ゲートパッド３１に電気的に接続され、残り１つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続されている。
【００３８】
フィールドプレート２１において、ソース電極１３側に位置する２つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続され、残り１つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３５に電気的に接続されている。
【００３９】
フィールドプレート２２において、ソース電極１３側に位置する２つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３５に電気的に接続され、残り１つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００４０】
フィールドプレート２３を構成する３つの導電部材５０も、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００４１】
本変形例では、複数の導電部材５０の幅は相互に等しく、かつ複数の導電部材５０の厚さも相互に等しい。そのため、フィールドプレート２０、２２を形成する際には、開口幅も深さも相互に等しい複数の凹部４１、４４が形成され、各凹部の内部に導電部材５０が埋め込まれる。一方、フィールドプレート２１、２３を形成する際には、幅も厚さも相互に等しい複数の導電部材５０が、層間絶縁膜５、６の上に形成される。
【００４２】
以上説明した本変形例に係る半導体装置１０ａによれば、上述した半導体装置１０と同様に、フィールドプレート２２とフィールドプレート２３との間には層間絶縁膜の界面が存在しない。これにより、本変形例においても層間絶縁膜の界面の数が、フィールドプレートの段数よりも少なくなるので、電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能となる。
【００４３】
（変形例２）
図７は、変形例２に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。図７では、上述した半導体装置１と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４４】
図７に示すように、本変形に係る半導体装置１０ｂでは、フィールドプレート２１、２３は、それぞれ１つの導電部材５０で構成され、フィールドフィールドプレート２０、２２は、複数の導電部材５０で構成されている。この複数の導電部材５０は、変形例１と同様に、その幅方向Ｗに並んで配置されている。
【００４５】
フィールドプレート２０において、ソース電極１３側に位置する２つの導電部材５０は、ゲートパッド３１に電気的に接続され、残り１つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続されている。
【００４６】
フィールドプレート２１は、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続されている。
【００４７】
フィールドプレート２２において、ソース電極１３側に位置する２つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３５に電気的に接続され、残り１つの導電部材５０は、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００４８】
フィールドプレート２３も、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００４９】
また、本変形例においても、変形例１と同様に、複数の導電部材５０の幅は相互に等しく、かつ複数の導電部材５０の厚さも相互に等しい。そのため、フィールドプレート２０、２２を形成する際には、開口幅も深さも相互に等しい複数の凹部４１、４４が形成され、各凹部の内部に導電部材５０が埋め込まれる。一方、フィールドプレート２１、２３は、上述した実施形態と同様にして形成される。
【００５０】
以上説明した本変形例に係る半導体装置１０ｂによれば、上述した半導体装置１０と同様に、フィールドプレート２２とフィールドプレート２３との間には層間絶縁膜の界面が存在しない。これにより、本変形例においても層間絶縁膜の界面の数が、フィールドプレートの段数よりも少なくなるので、電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能となる。
【００５１】
（変形例３）
図８は、変形例３に係る半導体装置の概略的な構造を示す断面図である。図８では、上述した半導体装置１と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５２】
図８に示すように、本変形に係る半導体装置１０ｃでは、フィールドプレート２０〜２３は、それぞれ２つの導電部材５０ａ、５０ｂで構成され、２つの導電部材５０ａ、５０ｂは、その幅方向に並んで配置されている。
【００５３】
導電部材５０ａの幅Ｗ１は、導電部材５０ｂの幅Ｗ２よりも広い。また、本変形例では、導電部材５０ａの厚さと、導電部材５０ｂの厚さは等しい。そのため、フィールドプレート２０、２２を形成する際には、開口幅が相互に異なって深さが相互に等しい凹部４１、４４が２つずつ形成され、各凹部の内部に導電部材５０ａ、５０ｂが埋め込まれる。一方、フィールドプレート２１、２３を形成する際には、幅が相互に異なって厚さが相互に等しい導電部材５０ａ、５０ｂが、層間絶縁膜５、６の上に形成される。
【００５４】
フィールドプレート２０において、導電部材５０ａは、ゲートパッド３１に電気的に接続され、導電部材５０ｂは、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続されている。
【００５５】
フィールドプレート２１において、導電部材５０ａは、フィールドプレートパッド３４に電気的に接続され、導電部材５０ｂは、フィールドプレートパッド３５に電気的に接続されている。
【００５６】
フィールドプレート２２において、導電部材５０ａは、フィールドプレートパッド３５に電気的に接続され、導電部材５０ｂは、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００５７】
フィールドプレート２３を構成する２つの導電部材５０ａ、５０ｂも、フィールドプレートパッド３６に電気的に接続されている。
【００５８】
以上説明した本変形例に係る半導体装置１０ｃによれば、上述した半導体装置１０と同様に、フィールドプレート２２とフィールドプレート２３との間には層間絶縁膜の界面が存在しない。これにより、本変形例においても層間絶縁膜の界面の数が、フィールドプレートの段数よりも少なくなるので、電流コラプス現象の抑制効果を向上させることが可能となる。
【００５９】
なお、本変形例では、フィールドプレート２０〜２３は、その幅が相互に異なる２つの導電部材５０ａ、５０ｂで構成されているが、３つ以上の導電部材で構成されていてもよい。さらに、各フィールドプレート２０〜２３において、幅広の導電部材５０ａがソース電極１３側に配置され、幅狭の導電部材５０ｂがドレイン電極１３側に配置されているが、この配置は逆であってもよい。
【００６０】
以上、実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１０，１０ａ〜１０ｃ  半導体装置、２  第１の窒化物半導体層、３  第２の窒化物半導体層、４  ゲート絶縁膜、５  層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）、６層間絶縁膜（第２の層間絶縁膜）、１１  ゲート電極、１２  ドレイン電極、１３  ソース電極、２１  フィールドプレート（第１のフィールドプレート）、２２  フィールドプレート（第２のフィールドプレート）、４４  凹部、５０，５０ａ，５０ｂ  導電部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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