(57)【要約】【課題】低温かつ簡便な方法で導体を形成可能な導体形成組成物、並びにこの導体形成組成物を用いた導体の製造方法、めっき層の製造方法、導体、積層体及び装置を提供する。【解決手段】銅含有粒子と、脂肪酸と、を含み、前記脂肪酸の含有量は前記銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部〜５．８質量部である、導体形成組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅含有粒子と、脂肪酸と、を含み、前記脂肪酸の含有量は前記銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部〜５．８質量部である、導体形成組成物。
【請求項２】
前記脂肪酸は、炭素数が９以下の脂肪酸を含む、請求項１に記載の導体形成組成物。
【請求項３】
前記銅含有粒子は、銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する、請求項１又は請求項２に記載の導体形成組成物。
【請求項４】
前記銅含有粒子は、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子の割合が５５個数％以下である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
【請求項５】
前記銅含有粒子は、長軸の長さが７０ｎｍ以上である銅含有粒子の割合が３０個数％以上である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
【請求項６】
前記銅含有粒子は、長軸の長さの平均値が５５ｎｍ以上である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
【請求項７】
前記銅含有粒子は、長軸の長さの平均値が５００ｎｍ以下である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
【請求項８】
前記銅含有粒子は、円形度の平均値が０．７０〜０．９９である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の導体形成組成物を加熱する工程を有する導体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の導体形成組成物を加熱する工程と、前記加熱により形成された導体の上にめっき層を形成する工程と、を有するめっき層の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の導体形成組成物に含まれる前記銅含有粒子が焼結した構造を有する導体。
【請求項１２】
基材と、前記基材上に配置される請求項１１に記載の導体と、を含む積層体。
【請求項１３】
請求項１１に記載の導体を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体形成組成物、導体の製造方法、めっき層の製造方法、導体、積層体及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属パターンの形成方法として、銅等の金属粒子を含むインク、ペースト等の導電材料をインクジェット印刷、スクリーン印刷等により基材上に付与する工程と、導電材料を加熱して金属粒子を焼結させ、導電性を発現させる導体化工程とを含む、いわゆるプリンテッドエレクトロニクス法が知られている。導電材料に含まれる金属粒子としては、例えば、金属の酸化を抑制して保存性を高めるために表面に被覆材としての有機物を付着させたものが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１には、低温で焼結でき、良好な導電性を発現する有機物で被覆された銅粒子及びその製造方法が記載されている。特許文献１に記載の銅粒子は、シュウ酸銅等の銅前駆体とヒドラジン等の還元性化合物とを混合して複合化合物を得る工程と、前記複合化合物をアルキルアミンの存在下で加熱する工程とを有する方法によって製造されるものである。特許文献１の実施例では、作製した銅粒子を含むインクをアルゴン雰囲気中、６０℃／分で３００℃まで昇温して３０分保持することで導体化を達成している。
【０００４】
特許文献２には、特許文献１に記載の方法において、銅前駆体として脂肪酸銅を用いる銅粒子の製造方法が記載されている。特許文献２の実施例には、得られた銅粒子の薄膜が２００℃の加熱で導体化したと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−７２４１８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１４８７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、生産効率の向上、使用する基材の種類の多様化等を背景として、より低温（例えば、１８０℃以下）での導体形成を可能にする技術の開発が求められている。また、導体形成の際の加熱に還元雰囲気を必要としない簡便な導体形成方法（例えば、窒素フロー焼成炉、大気焼成炉等による加熱）が望まれている。そこで、特許文献１及び特許文献２に記載されている温度よりも更に低い温度で、かつ簡便な手法で導体を形成可能な材料の開発が求められている。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑み、低温かつ簡便な方法で導体を形成可能な導体形成組成物、並びにこの導体形成組成物を用いた導体の製造方法、めっき層の製造方法、導体、積層体及び装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞銅含有粒子と、脂肪酸と、を含み、前記脂肪酸の含有量は前記銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部〜５．８質量部である、導体形成組成物。
＜２＞前記脂肪酸は、炭素数が９以下の脂肪酸を含む、＜１＞に記載の導体形成組成物。
＜３＞前記銅含有粒子は、銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する、＜１＞又は＜２＞に記載の導体形成組成物。
＜４＞前記銅含有粒子は、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子の割合が５５個数％以下である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
＜５＞前記銅含有粒子は、長軸の長さが７０ｎｍ以上である銅含有粒子の割合が３０個数％以上である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
＜６＞前記銅含有粒子は、長軸の長さの平均値が５５ｎｍ以上である、＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
＜７＞前記銅含有粒子は、長軸の長さの平均値が５００ｎｍ以下である＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
＜８＞前記銅含有粒子は、円形度の平均値が０．７０〜０．９９である＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物。
＜９＞＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物を加熱する工程を有する導体の製造方法。
＜１０＞＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物を加熱する工程と、前記加熱により形成された導体の上にめっき層を形成する工程と、を有するめっき層の製造方法。
＜１１＞＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の導体形成組成物に含まれる前記銅含有粒子が焼結した構造を有する導体。
＜１２＞基材と、前記基材上に配置される＜１１＞に記載の導体と、を含む積層体。
＜１３＞＜１１＞に記載の導体を含む装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、低温かつ簡便な方法で導体を形成可能な導体形成組成物、並びにこの導体形成組成物を用いた導体の製造方法、めっき層の製造方法、導体、積層体及び装置が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合、原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
【００１２】
本明細書において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本明細書において組成物中の各成分の含有率又は含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本明細書において組成物中の各成分の粒子径は、組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本明細書において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本明細書において「積層」との語は、層を積み重ねることを示し、二以上の層が結合されていてもよく、二以上の層が着脱可能であってもよい。
【００１３】
本明細書において「導体化」とは、金属含有粒子を焼結させて導体に変化させることをいう。「導体」とは、導電性を有する物体をいい、より具体的には体積抵抗率が８００μΩ・ｃｍ以下である物体をいう。本明細書において導体の体積抵抗率は、４端針面抵抗測定器で測定した面抵抗値と、非接触表面・層断面形状計測システム（商品名：ＶｅｒｔＳｃａｎ、株式会社菱化システム）から求めた膜厚とから計算される値である。銅含有粒子の「個数％」は、個数基準の割合（百分率）を意味する。
【００１４】
本明細書において金属含有粒子が「焼結」した状態には、金属含有粒子が完全に又は部分的に融け合って一体化（融着）している場合と、金属含有粒子が融け合わずに接触しているのみの場合のいずれもが含まれる。
【００１５】
＜導体形成組成物＞
本実施形態の導体形成組成物は、銅含有粒子と、脂肪酸と、を含み、前記脂肪酸の含有量は前記銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部〜５．８質量部である。導体形成組成物として具体的には、導電塗料、導電ペースト、導電インク等が挙げられる。
【００１６】
本発明者らの検討により、脂肪酸を含む導体形成組成物は、低温で、かつ簡便な手法で導体を形成可能であることがわかった。その理由は明らかではないが、脂肪酸がフラックス成分として作用し、銅含有粒子の表面に生成した微量の酸化膜が除去されて銅含有粒子が低温でも焼結しやすくなること、及び、脂肪酸の量が特定の範囲内であることで、脂肪酸が異物となって銅含有粒子の焼結を阻害するのが抑制されることが挙げられる。
【００１７】
（銅含有粒子）
銅含有粒子は、少なくとも金属銅を含み、必要に応じてその他の物質を含んでもよい。銅以外の物質としては、金、銀、白金、錫、ニッケル等の金属又はこれらの金属元素を含む化合物、有機物、酸化銅、塩化銅などを挙げることができる。導電性に優れる導体を形成する観点からは、銅含有粒子中の金属銅の含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。
【００１８】
銅含有粒子の大きさは、特に制限されない。低温での焼結性の観点からは、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子（以下、小径粒子ともいう）の割合が５５個数％以下であることが好ましい。
【００１９】
本明細書において銅含有粒子の長軸は、銅含有粒子に外接し、互いに平行である二平面の間の距離が最大となるように選ばれる二平面間の距離を意味する。本明細書において長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子の割合は、無作為に選択される２００個の銅含有粒子中に占める割合である。例えば、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子が２００個中に１１０個である場合は、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子の割合は５５個数％である。
【００２０】
銅含有粒子中の小径粒子の割合が５５個数％以下であると低温での焼結性に優れる理由は明らかではないが、本発明者らは次のように考えている。銅含有粒子は本来、小さいほど溶融しやすい傾向にある。しかし、後述するように粒子表面に有機物が付着している場合には有機物が脱離しやすく酸化の影響を受けやすい、粒子表面の触媒活性が高く溶融を妨げる物質を生成する等の何らかの要因により、小さいことによる溶融のしやすさが相殺されて、却って溶融しにくくなっている可能性がある。そのため、銅含有粒子における小径粒子の割合を５５個数％以下に抑えることで、低温での焼結性が向上すると考えられる。
【００２１】
特許文献１及び特許文献２には、銅粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下であり、更には平均粒径が２０ｎｍ以下であると記載されている。また、特許文献２には、実施例で得られた銅粒子中に粒子径が１０ｎｍ以下の銅粒子と、粒子径が１００ｎｍ〜２００ｎｍの銅粒子とが混在していたと記載されている。しかしながら、いずれの文献にも銅粒子全体に占める小径粒子の割合に関する具体的な記載はなく、小径粒子の割合が少ないと焼結性が向上することを示唆する記載もない。
【００２２】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さが５０ｎｍ以下である銅含有粒子の割合が５０個数％以下であることが好ましく、３５個数％以下であることがより好ましく、２０個数％以下であることが更に好ましい。
【００２３】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さが７０ｎｍ以上である銅含有粒子の割合が３０個数％以上であることが好ましく、５０個数％以上であることがより好ましく、６０個数％以上であることが更に好ましい。本明細書において長軸の長さが７０ｎｍ以上である銅含有粒子の割合は、無作為に選択される２００個の銅含有粒子に占める割合である。
【００２４】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さの平均値が５５ｎｍ以上であることが好ましく、７０ｎｍ以上であることがより好ましく、９０ｎｍ以上であることが更に好ましい。本明細書において長軸の長さの平均値は、無作為に選択される２００個の銅含有粒子について測定した長軸の長さの算術平均値である。
【００２５】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さの平均値が５００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【００２６】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さが最長である銅含有粒子（以下、最大径粒子ともいう）の長軸の長さが５００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。本明細書において最大径粒子の長軸の長さは、無作為に選択される２００個の銅含有粒子中で長軸の長さが最長である銅含有粒子の長軸の長さである。
【００２７】
低温での焼結性の観点からは、長軸の長さが最短である銅含有粒子（以下、最小径粒子ともいう）の長軸の長さが５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましい。本明細書において最小径粒子の長軸の長さは、無作為に選択される２００個の銅含有粒子中で長軸の長さが最短である銅含有粒子の長軸の長さである。
【００２８】
銅含有粒子の長軸の長さの調節は、例えば、後述する銅含有粒子の製造方法における原材料の種類、原材料を混合する際の温度、反応時間、反応温度、洗浄工程、洗浄溶媒等の条件を調節することによって行うことができる。
【００２９】
ある実施態様では、銅含有粒子の長軸の長さと短軸の長さの比（長軸／短軸）であるアスペクト比の平均値が１．０〜８．０であることが好ましく、１．１〜６．０であることがより好ましく、１．２〜３．０であることが更に好ましい。本明細書においてアスペクト比の平均値は、無作為に選択される２００個の銅含有粒子の長軸の算術平均値と短軸の算術平均値をそれぞれ求め、得られた長軸の算術平均値を短軸の算術平均値で除して得られる値である。銅含有粒子の短軸とは、銅含有粒子に外接し、互いに平行である二平面の間の距離が最小となるように選ばれる二平面間の距離を意味する。
【００３０】
銅含有粒子のアスペクト比の調節は、例えば、後述する銅含有粒子の製造方法において使用される脂肪酸の炭素数等の条件を調節することによって行うことができる。
【００３１】
銅含有粒子の長軸と短軸の長さは、電子顕微鏡による観察等の公知の方法により測定することができる。
銅含有粒子の長軸と短軸の長さを電子顕微鏡による観察で測定する場合は、銅含有粒子の長軸と短軸の長さは、銅含有粒子の投影像に外接し、互いに平行である二つの直線の間の距離が最大又は最小となるように選ばれる二つの直線間の長さを意味する。電子顕微鏡で観察する場合の倍率は特に制限されないが、例えば２０倍〜５００００倍で行うことができる。なお、電子顕微鏡像から無作為に銅含有粒子を選択する際は、粒子径が３ｎｍ未満の銅含有粒子は対象から除外する。
【００３２】
低温での焼結を促進する観点からは、銅含有粒子は表面に凹凸を有する銅含有粒子を含むことが好ましい。より具体的には、円形度の平均値が０．７０〜０．９９であることがより好ましい。円形度は、４π×Ｓ／（周囲長さ）２で表される値であり、Ｓは測定対象粒子の面積であり、周囲長さは測定対象粒子の周囲長さである。円形度は、画像処理ソフトを用いて電子顕微鏡像を解析することにより求めることができ、円形度の平均値は、任意に選択した２００個の銅含有粒子について測定した円形度の平均値とする。
【００３３】
銅含有粒子が表面に凹凸を有する銅含有粒子を含むことで低温での焼結が促進される理由は明らかではないが、銅含有粒子の表面に凹凸が存在することによりいわゆるナノサイズ効果による融点低下が生じ、低温での焼結性が促進されると推測される。
【００３４】
銅含有粒子の形状は特に制限されず、球状、長粒状、扁平状、繊維状等の形状から導体形成組成物の用途にあわせて選択できる。導体形成組成物を印刷法に適用する場合は、銅含有粒子の形状は球状又は長粒状である（具体的には、例えば、アスペクト比の平均値が１．５〜８．０である）と、混合物の粘度の調整が容易であるために好ましい。
【００３５】
銅含有粒子の構造は、特に制限されない。保存性の観点からは、銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する銅含有粒子が好ましい。銅含有粒子が銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する場合は、銅を含有するコア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物が保護材としての役割を果たし、コア粒子の酸化が抑制される傾向にある。このため、大気中での長期保存後も低温での良好な焼結性が維持される傾向にある。なお、この有機物は銅含有粒子を焼結させて導体を製造する際の加熱により熱分解又は揮発して完全に又は部分的に消失する。
【００３６】
銅含有粒子が銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する場合、コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物は、アルキルアミンに由来する物質を含むことが好ましい。有機物及びアルキルアミンの存在は、窒素雰囲気中で有機物が熱分解又は揮発する温度以上の温度で銅含有粒子を加熱し、加熱前後の質量を比較することで確認される。アルキルアミンとしては、後述する銅含有粒子の製造方法に用いられるアルキルアミンが挙げられる。
【００３７】
コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物は、その割合がコア粒子及び有機物の合計に対して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。有機物の割合が０．１質量％以上であると、充分な耐酸化性が得られる傾向にある。有機物の割合が２０質量％以下であると、低温での焼結性が良好となる傾向にある。コア粒子及び有機物の合計に対する有機物の割合は０．３質量％〜１０質量％であることがより好ましく、０．５質量％〜５質量％であることが更に好ましい。
【００３８】
コア粒子は、少なくとも金属銅を含み、必要に応じてその他の物質を含んでもよい。銅以外の物質としては、金、銀、白金、錫、ニッケル等の金属又はこれらの金属元素を含む化合物、後述する脂肪酸銅、還元性化合物又はアルキルアミンに由来する有機物であってコア粒子の内部に入り込んでいる有機物、酸化銅、塩化銅などを挙げることができる。導電性に優れる導体を形成する観点からは、コア粒子中の金属銅の含有率は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。
【００３９】
銅含有粒子が銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する場合、コア粒子の表面の少なくとも一部に有機物が存在しているために、大気中で保存しても銅の酸化が抑制されており、酸化物の含有率が小さい傾向にある。例えば、ある実施態様では、銅含有粒子中の酸化物の含有率が５質量％以下である。銅含有粒子中の酸化物の含有率は、例えばＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、Ｘ線回折）によって測定することができる。
【００４０】
（銅含有粒子の製造方法）
銅含有粒子が銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有する場合、銅含有粒子は脂肪酸と銅との金属塩と、還元性化合物と、アルキルアミンと、を含む組成物を加熱する工程を有する方法によって製造されたものであってもよい。前記方法は、必要に応じて加熱工程後の遠心分離工程、洗浄工程等の工程を有していてもよい。
【００４１】
前記方法は、銅前駆体として、脂肪酸と銅との金属塩を使用するものである。これにより、銅前駆体としてシュウ酸銅等を用いる特許文献２に記載の方法と比較して、より沸点の低い（すなわち、分子量の小さい）アルキルアミンを反応媒として使用することが可能になると考えられる。その結果、得られる銅含有粒子においてコア粒子の表面に存在する有機物がより熱分解又は揮発しやすいものとなり、導体化を低温で実施することがより容易になると考えられる。
【００４２】
（脂肪酸）
銅とともに金属塩を形成する脂肪酸は、ＲＣＯＯＨで表される１価のカルボン酸（Ｒは鎖状の炭化水素基であり、直鎖状であっても分岐を有していてもよい）である。脂肪酸は、飽和脂肪酸又は不飽和脂肪酸のいずれであってもよい。コア粒子を効率的に被覆して酸化を抑制する観点からは、直鎖状の飽和脂肪酸が好ましい。脂肪酸は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
脂肪酸の炭素数は、９以下であることが好ましい。炭素数が９以下である飽和脂肪酸としては、例えば、酢酸（炭素数２）、プロピオン酸（炭素数３）、酪酸及びイソ酪酸（炭素数４）、吉草酸及びイソ吉草酸（炭素数５）、カプロン酸（炭素数６）、エナント酸及びイソエナント酸（炭素数７）、カプリル酸、イソカプリル酸及びイソカプロン酸（炭素数８）、並びにノナン酸及びイソノナン酸（炭素数９）を挙げることができる。炭素数が９以下である不飽和脂肪酸としては、上記の飽和脂肪酸の炭化水素基中に１つ以上の二重結合を有するものを挙げることができる。
【００４４】
脂肪酸の種類は、銅含有粒子の分散媒への分散性、焼結性等の性質に影響しうる。このため、銅含有粒子の用途に応じて脂肪酸の種類を選択することが好ましい。粒子形状の均一化の観点からは、炭素数が５〜９である脂肪酸と、炭素数が４以下である脂肪酸とを併用することが好ましい。例えば、炭素数が９であるノナン酸と、炭素数が２である酢酸とを併用することが好ましい。炭素数が５〜９である脂肪酸と炭素数が４以下である脂肪酸とを併用する場合の比率は、特に制限されない。
【００４５】
脂肪酸と銅との金属塩（脂肪酸銅）を得る方法は特に制限されない。例えば、水酸化銅と脂肪酸とを溶媒中で混合することで得てもよく、市販されている脂肪酸銅を用いてもよい。あるいは、水酸化銅、脂肪酸及び還元性化合物を溶媒中で混合することで、脂肪酸銅の生成と、脂肪酸銅と還元性化合物との間で形成される錯体の生成とを同じ工程中で行ってもよい。
【００４６】
（還元性化合物）
還元性化合物は、脂肪酸銅と混合した際に両化合物間で錯体等の複合化合物を形成すると考えられる。これにより、還元性化合物が脂肪酸銅中の銅イオンに対する電子のドナーとなり、銅イオンの還元が生じやすくなり、錯体を形成していない状態の脂肪酸銅よりも自発的な熱分解による銅原子の遊離が生じやすくなると考えられる。還元性化合物は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
還元性化合物として具体的には、ヒドラジン、ヒドラジン誘導体、塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、抱水ヒドラジン等のヒドラジン化合物、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体等のヒドロキシルアミン化合物、水素化ホウ素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム等のナトリウム化合物などを挙げることができる。
【００４８】
脂肪酸銅中の銅原子に対して配位結合を形成しやすい、脂肪酸銅の構造を維持した状態で錯体を形成しやすい等の観点からは、アミノ基を有する還元性化合物が好ましい。アミノ基を有する還元性化合物としては、ヒドラジン及びその誘導体、ヒドロキシルアミン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００４９】
脂肪酸銅、還元性化合物及びアルキルアミンを含む組成物を加熱する工程（以下では加熱工程ともいう）における加熱温度を低くする（例えば、１５０℃以下）観点からは、アルキルアミンの蒸発又は分解を生じない温度範囲において銅原子の還元及び遊離を生じる錯体を形成可能な還元性化合物を選択することが好ましい。このような還元性化合物としては、ヒドラジン及びその誘導体、ヒドロキシルアミン及びその誘導体等を挙げることができる。これらの還元性化合物は、骨格を成す窒素原子が銅原子との配位結合を形成して錯体を形成することができる。また、これらの還元性化合物は一般にアルキルアミンと比較して還元力が強いため、生成した錯体が比較的穏和な条件で自発的な分解を生じ、銅原子の還元及び遊離が生じる傾向にある。
【００５０】
ヒドラジン又はヒドロキシルアミンの代わりにこれらの誘導体から好適なものを選択することで、脂肪酸銅との反応性を調節することができ、所望の条件で自発分解を生じる錯体を生成することができる。ヒドラジン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、ｎ−プロピルヒドラジン、イソプロピルヒドラジン、ｎ−ブチルヒドラジン、イソブチルヒドラジン、ｓｅｃ−ブチルヒドラジン、ｔ−ブチルヒドラジン、ｎ−ペンチルヒドラジン、イソペンチルヒドラジン、ｎｅｏ−ペンチルヒドラジン、ｔ−ペンチルヒドラジン、ｎ−ヘキシルヒドラジン、イソヘキシルヒドラジン、ｎ−ヘプチルヒドラジン、ｎ−オクチルヒドラジン、ｎ−ノニルヒドラジン、ｎ−デシルヒドラジン、ｎ−ウンデシルヒドラジン、ｎ−ドデシルヒドラジン、シクロヘキシルヒドラジン、フェニルヒドラジン、４−メチルフェニルヒドラジン、ベンジルヒドラジン、２−フェニルエチルヒドラジン、２−ヒドラジノエタノール、アセトヒドラジン等を挙げることができる。ヒドロキシルアミンの誘導体としては、Ｎ，Ｎ−ジ（スルホエチル）ヒドロキシルアミン、モノメチルヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン、モノエチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（カルボキシエチル）ヒドロキシルアミン等を挙げることができる。
【００５１】
脂肪酸銅に含まれる銅と還元性化合物の比率は、所望の錯体が形成される条件であれば特に制限されない。例えば、前記比率（銅：還元性化合物）はモル基準で１：１〜１：４の範囲とすることができ、１：１〜１：３の範囲とすることが好ましく、１：１〜１：２の範囲とすることがより好ましい。
【００５２】
（アルキルアミン）
アルキルアミンは、脂肪酸銅と還元性化合物とから形成される錯体の分解反応の反応媒として機能すると考えられる。更に、還元性化合物の還元作用によって生じるプロトンを捕捉し、反応溶液が酸性に傾いて銅原子が酸化されることを抑制すると考えられる。
【００５３】
アルキルアミンはＲＮＨ２（Ｒは炭化水素基であり、環状又は分岐状であってもよい）で表される１級アミン、Ｒ１Ｒ２ＮＨ（Ｒ１及びＲ２は同じであっても異なっていてもよい炭化水素基であり、環状又は分岐状であってもよい）で表される２級アミン、炭化水素鎖に２つのアミノ基が置換したアルキレンジアミン等を意味する。アルキルアミンは、１つ以上の二重結合を有していてもよく、酸素、ケイ素、窒素、イオウ、リン等の原子を有していてもよい。アルキルアミンは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００５４】
アルキルアミンの炭化水素基の炭素数は、７以下であることが好ましい。アルキルアミンの炭化水素基の炭素数が７以下であると、銅含有粒子を焼結させて導体を形成するための加熱の際にアルキルアミンが熱分解又は揮発しやすく、良好な導体化が達成できる傾向にある。アルキルアミンの炭化水素基の炭素数は６以下であることがより好ましく、３以下であることが更に好ましい。
【００５５】
１級アミンとして具体的には、エチルアミン、２−エトキシエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ペンチルアミン、イソペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オレイルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミン等を挙げることができる。
【００５６】
２級アミンとして具体的には、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルプロピルアミン、エチルペンチルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン等を挙げることができる。
【００５７】
アルキレンジアミンとして具体的には、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノ−２−メチルペンタン、１，６−ジアミノへキサン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ジアミノへキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１２−ジアミノドデカン等を挙げることができる。
【００５８】
アルキルアミンは、炭化水素基の炭素数が７以下であるアルキルアミンの少なくとも１種を含むことが好ましい。これにより、低温での焼結性により優れる銅含有粒子を製造することができる。アルキルアミンは１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。アルキルアミンは、炭化水素基の炭素数が７以下であるアルキルアミンと、炭化水素基の炭素数が８以上のアルキルアミンと、を含んでもよい。炭化水素基の炭素数が７以下であるアルキルアミンと炭化水素基の炭素数が８以上のアルキルアミンとを併用する場合、アルキルアミン全体に占める炭化水素基の炭素数が７以下であるアルキルアミンの割合は５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。
【００５９】
脂肪酸銅に含まれる銅とアルキルアミンの比率は、所望の銅含有粒子が得られる条件であれば特に制限されない。例えば、前記比率（銅：アルキルアミン）はモル基準で１：１〜１：８の範囲とすることができ、１：１〜１：６の範囲とすることが好ましく、１：１〜１：４の範囲とすることがより好ましい。
【００６０】
（加熱工程）
脂肪酸銅、還元性化合物及びアルキルアミンを含む組成物を加熱する工程を実施するための方法は特に制限されない。例えば、脂肪酸銅と還元性化合物とを溶媒に混合した後にアルキルアミンを添加して加熱する方法、脂肪酸銅とアルキルアミンとを溶媒と混合した後に還元性化合物を添加して加熱する方法、脂肪酸銅の出発物質である水酸化銅と脂肪酸、還元性化合物及びアルキルアミンを溶媒に混合して加熱する方法、脂肪酸銅の出発物質である水酸化銅と脂肪酸、及びアルキルアミンを溶媒に混合した後に還元性化合物を添加して加熱する方法等を挙げることができる。
【００６１】
加熱工程は、銅前駆体として炭素数が９以下である脂肪酸銅を用いることにより、比較的低温で行うことができる。例えば、１５０℃以下で行うことができ、１３０℃以下で行うことが好ましく、１００℃以下で行うことがより好ましい。
【００６２】
脂肪酸銅、還元性化合物及びアルキルアミンを含む組成物は、更に溶媒を含んでもよい。脂肪酸銅と還元性化合物による錯体の形成を促進する観点からは、極性溶媒を含むことが好ましい。ここで極性溶媒とは、２５℃で水に溶解する溶媒を意味する。極性溶媒を用いることで、錯体の形成が促進される傾向にある。その理由は明らかではないが、固体である脂肪酸銅を溶解させながら水溶性である還元性化合物との接触が促進されるためと考えられる。溶媒は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６３】
極性溶媒としては、２５℃で水に溶解するアルコールが挙げられる。２５℃で水に溶解するアルコールとしては、炭素数が１〜８であり、分子中に水酸基を１個以上有するアルコールを挙げることができる。このようなアルコールとしては、直鎖状のアルキルアルコール、フェノール、分子内にエーテル結合を有する炭化水素の水素原子を水酸基で置換したもの等を挙げることができる。より強い極性を発現する観点からは、分子中に水酸基を２個以上含むアルコールも好ましく用いられる。また、製造される銅含有粒子の用途に応じてイオウ原子、リン原子、ケイ素原子等を含むアルコールを用いてもよい。
【００６４】
アルコールとして具体的には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、アリルアルコール、ベンジルアルコール、ピナコール、プロピレングリコール、メントール、カテコール、ヒドロキノン、サリチルアルコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、スクロース、グルコース、キシリトール、メトキシエタノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール等を挙げることができる。
【００６５】
アルコールのうち、水に対する溶解度が極めて大きいメタノール、エタノール、１−プロパノール及び２−プロパノールが好ましく、１−プロパノール及び２−プロパノールがより好ましく、１−プロパノールが更に好ましい。
【００６６】
（脂肪酸）
導体形成組成物は、脂肪酸を含む。脂肪酸は、飽和脂肪酸であってもよく、不飽和脂肪酸であってもよい。脂肪酸は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
脂肪酸の炭素数は、９以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましく、３以下であることが更に好ましい。炭素数が９以下である飽和脂肪酸は、特に制限されない。例えば、蟻酸（炭素数１）、酢酸（炭素数２）、乳酸及びプロピオン酸（炭素数３）、酪酸及びイソ酪酸（炭素数４）、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、ジメチロールプロピオン酸、吉草酸及びイソ吉草酸（炭素数５）、カプロン酸及びイソカプロン酸（炭素数６）、エナント酸及びイソエナント酸（炭素数７）、カプリル酸及びイソカプリル酸（炭素数８）、並びにノナン酸及びイソノナン酸（炭素数９）を挙げることができる。また、炭素数が９以下である不飽和脂肪酸としては、上記の飽和脂肪酸の炭化水素基中に１つ以上の二重結合を有するものを挙げることができる。
【００６８】
脂肪酸は、カルボキシ基以外の置換基をさらに有していてもよい。カルボキシ基以外の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。導体形成組成物の保存安定性の観点からは、銅を腐食させない水酸基が好ましい。脂肪酸がカルボキシ基以外の置換基を有する場合、その数は特に制限されない。例えば、１個〜３個であってよく、１個であることがより好ましい。
【００６９】
脂肪酸の含有量は、銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部〜５．８質量部であり、０．１５質量部〜３．０質量部であることが好ましく、０．２質量部〜１．５質量部であることがより好ましい。脂肪酸の含有量が銅含有粒子１００質量部に対して０．１質量部以上であると、脂肪酸がフラックス成分として銅粒子表面の酸化膜を除去する効果が充分に得られ、焼結性が向上する傾向にある。脂肪酸の含有量が銅含有粒子１００質量部に対して５．８質量部以下であると、脂肪酸の量が多すぎて異物となり、銅含有粒子の焼結を阻害するのが抑制される傾向にある。
【００７０】
（分散媒）
導体形成組成物は、分散媒を含んでもよい。分散媒の種類は特に制限されず、導体形成組成物の用途に応じて一般に用いられる有機溶媒から選択でき、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。導体形成組成物を印刷法に適用する場合は、導体形成組成物の粘度コントロールの観点から、テルピネオール、イソボルニルシクロヘキサノール、ジヒドロターピネオール及びジヒドロターピネオールアセテートからなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００７１】
導体形成組成物の粘度は特に制限されず、導体形成組成物の使用方法に応じて選択できる。例えば、導体形成組成物をスクリーン印刷法に適用する場合は、粘度が０．１Ｐａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓであることが好ましく、１Ｐａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓであることがより好ましい。導体形成組成物をインクジェット印刷法に適用する場合は、使用するインクジェットヘッドの規格にもよるが、粘度が０．１ｍＰａ・ｓ〜３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。ペーストの粘度はＥ型粘度計（東機産業株式会社製、製品名：ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ−ＴＶ２２、適用コーンプレート型ロータ：３°×Ｒ１７．６５）を用い、２５℃における値を測定した。
【００７２】
導体形成組成物は、必要に応じて銅含有粒子、脂肪酸及び分散媒以外の成分を含んでもよい。このような成分としては、シランカップリング剤、高分子化合物、ラジカル開始剤、還元剤等が挙げられる。
【００７３】
＜導体の製造方法＞
本実施形態の導体の製造方法は、本実施形態の導体形成組成物を加熱する工程（加熱工程）を有する。加熱工程では、導体形成組成物に含まれる銅含有粒子の表面の有機物を完全に又は部分的に熱分解又は揮発させ、かつ、銅含有粒子を焼結させる。本実施形態の導体形成組成物は低温での導体化が可能であるため、２００℃以下、好ましくは１８０℃以下の温度で加熱工程を行うことができる。
【００７４】
加熱工程が実施される雰囲気中の成分は特に制限されず、通常の導体の製造工程で用いられる窒素、アルゴン等から選択できる。また、水素、ギ酸等の還元性物質を、窒素等に飽和させた雰囲気中で加熱してもよい。加熱時の圧力は特に制限されないが、減圧とすることでより低温での導体化が促進される傾向にある。
【００７５】
加熱工程は一定の温度で行っても、温度を変えながら行ってもよい。加熱工程を温度を上昇させながら行う場合は、一定の昇温速度で行っても、昇温速度を変えながら行ってもよい。
加熱工程の時間は特に制限されず、加熱温度、加熱雰囲気、銅含有粒子の量等を考慮して選択できる。加熱方法は特に制限されず、熱板による加熱、赤外ヒータによる加熱、パルスレーザによる加熱等を挙げることができる。
【００７６】
導体の製造方法は、必要に応じてその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、加熱工程前に導体形成組成物を基材に付与する工程、加熱工程前に導体形成組成物中の揮発成分の少なくとも一部を乾燥等により除去する工程、加熱工程後に還元雰囲気中で加熱により生成した酸化銅を還元する工程、加熱工程後に光焼成を行って残存成分を除去する工程、加熱工程後に得られた導体に対して荷重をかける工程などを挙げることができる。
【００７７】
＜導体＞
本実施形態の導体は、上述した実施形態の導体形成組成物に含まれる銅含有粒子が焼結した構造を有する。導体の形状は特に制限されず、薄膜状、パターン状等を挙げることができる。本実施形態の導体は、種々の電子部品の配線、被膜等の形成に使用できる。特に、本実施形態の導体は低温で製造できるため、樹脂等の耐熱性の低い基材上に金属箔、配線パターン等を形成する用途に好適に用いられる。また、通電を目的としない装飾、印字等の用途にも好適に用いられる。
【００７８】
基材上に導体形成組成物を付与し、加熱して導体を形成する場合、基材の材質は特に制限されず、導電性を有していても有していなくてもよい。具体的には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｎ等の金属、これら金属の合金、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、Ｓｉ等の半導体、ガラス、セラミック、黒鉛、グラファイト等のカーボン材料、樹脂、紙、これらの組み合わせなどを挙げることができる。
【００７９】
本実施形態の導体は低温での加熱で得られるため、耐熱性が比較的低い材質からなる基材を用いる場合であっても好適に適用することができる。耐熱性が比較的低い材質としては、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが挙げられる。また、耐熱性が高くても基材と共にある耐熱性の低い材料のせいで高温での加熱ができない場合でも好適に適用することができる。本実施形態の導電性組成物は、上記全ての基材に対して高い接着力を示すが、中でもセラミック、ガラス、無機フィラー含有樹脂等の無機材料を含む基材に対して優れた接着力を示す。基材の形状は特に制限されず、板状、棒状、ロール状、フィルム状等であってよい。
【００８０】
導体の体積抵抗率は８００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、５００μΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、３００μΩ・ｃｍ以下であることが更に好ましく、２００μΩ・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
【００８１】
本実施形態の導体は、種々の用途に用いることができる。具体的には、積層板、太陽電池パネル、ディスプレイ、タッチパネル、トランジスタ、半導体パッケージ、積層セラミックコンデンサ等の電子部品に使用される、電気配線、放熱膜、表面被覆膜等の部材として利用することができる。特に、本実施形態の導体は樹脂等の基材上に形成できるため、フレキシブルな積層板、太陽電池パネル、ディスプレイ等の製造に好適である。
【００８２】
本実施形態の導体は、めっきシード層としても好適に用いることができる。本実施形態の導体をめっきシード層として用いる場合、めっきシード層上に形成されるめっき層に用いる金属の種類は特に制限されず、めっきの方法も電解めっき又は無電解めっきのいずれであってもよい。また、めっきを施した本実施形態の導体は上述の種々の用途に用いることができる。
【００８３】
＜めっき層の製造方法＞
本実施形態のめっき層の製造方法は、上述した実施形態の導体形成組成物を加熱する工程（加熱工程）と、前記加熱により形成された導体の上にめっき層を形成する工程（めっき層形成工程）と、を有する。めっき層の製造方法は、必要に応じてその他の工程を有していてもよい。
【００８４】
上記方法における加熱工程は、上述した実施形態における加熱工程と同様にして実施することができ、その詳細及び好ましい態様も同様である。
上記方法におけるめっき層形成工程においてめっき層を形成する方法は特に制限されず、電解めっきであっても、無電解めっきであってもよい。めっき層の形成に用いる金属の種類は特に制限されず、銅、ニッケル、金、クロム等が挙げられる。
【００８５】
＜積層体＞
本実施形態の積層体は、基材と、前記基材上に配置される上述した実施形態の導体と、を含む。基材の種類は特に制限されず、導体を形成しうる基材として上述したものから選択してもよい。基材上に配置される導体は、基材の全面に配置されていても、一部にのみ配置されていてもよい。
【００８６】
＜装置＞
本実施形態の装置は、上述した実施形態の導体を含む。装置の種類は特に制限されない。例えば、上述した実施形態の導体からなる配線、被膜等を有する太陽電池パネル、ディスプレイ、タッチパネル、及び電子部品（トランジスタ、セラミックコンデンサ、半導体パッケージ等）が挙げられる。また、これらの装置を内蔵する電子機器、家電、産業用機械、輸送用機械等も本実施形態の装置に含まれる。
【００８７】
＜装置＞
本発明の装置は、本発明の導体を含む。装置の種類は特に制限されない。例えば、本発明の導体からなる配線、被膜等を有する積層板、太陽電池パネル、ディスプレイ、トランジスタ、セラミックコンデンサ及び半導体パッケージ等の電子部品が挙げられる。また、これらの電子部品を内蔵する電子機器、家電、産業用機械、輸送用機械等も本発明の装置に含まれる。
【実施例】
【００８８】
以下、本実施形態について実施例をもとに説明するが、本実施形態はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８９】
［１．１］ノナン酸銅の合成
水酸化銅（ＩＩ）（関東化学株式会社、特級）９１．５ｇ（０．９４ｍｏｌ）に１−プロパノール（関東化学株式会社、特級）１５０ｍＬを加えて撹拌し、これにノナン酸（関東化学株式会社）３７０．９ｇ（２．３４ｍｏｌ）を加えた。得られた混合物を、セパラブルフラスコ中で９０℃、３０分間加熱撹拌した。得られた溶液を加熱したままろ過して未溶解物を除去した。その後放冷し、生成したノナン酸銅を吸引ろ過し、洗浄液が透明になるまでヘキサンで洗浄した。得られた粉体を５０℃の防爆オーブンで３時間乾燥してノナン酸銅（ＩＩ）を得た。収量は３４０ｇ（収率９６質量％）であった。
【００９０】
［１．２］銅含有粒子の合成（１）
上記で得られたノナン酸銅（ＩＩ）１５．０１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）と酢酸銅（ＩＩ）無水物（関東化学株式会社、特級）７．２１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）をセパラブルフラスコに入れ、１−プロパノール２２ｍＬとヘキシルアミン（東京化成工業株式会社）３２．１ｇ（０．３２ｍｏｌ）を添加し、オイルバス中で８０℃で加熱撹拌して溶解させた。氷浴に移し、内温が５℃になるまで冷却した後、ヒドラジン一水和物（関東化学株式会社、特級）７．７２ｍＬ（０．１６ｍｏｌ）を加えて、さらに氷浴中で撹拌した。なお、銅：ヘキシルアミンのモル比は１：４である。次いで、オイルバス中で１０分間、９０℃で加熱撹拌した。その際、発泡を伴う還元反応が進み、セパラブルフラスコの内壁が銅光沢を呈し、溶液が暗赤色に変化した。遠心分離を９０００ｒｐｍ（回転／分）で１分間実施して固体物を得た。固形物を更にヘキサン１５ｍＬで洗浄する工程を３回繰り返し、酸残渣を除去して、銅光沢を有する銅含有粒子の粉体を含む銅ケークＡを得た。
【００９１】
［１．３］銅含有粒子の合成（２）
還元反応を伴う加熱撹拌を５分間実施した以外は［１．２］と同様にして、銅光沢を有する銅含有粒子の粉体を含む銅ケークＢを得た。
【００９２】
［１．３］銅含有粒子の合成（３）
遠心分離の条件を１０００ｒｐｍで３０秒間とした以外は［１．２］と同様にして、銅光沢を有する銅含有粒子の粉体を含む銅ケークＣを得た。
【００９３】
＜銅含有粒子の観察＞
上記方法で作製した銅ケークＡ、銅ケークＢ及び銅ケークＣの銅含有粒子を透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、製品名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）で観察した。各銅ケークにおける無作為に選択した２００個の長軸の長さが５０ｎｍ以下の銅含有粒子の割合（個％）、長軸の長さが７０ｎｍ以上の銅含有粒子の割合（個％）、長軸の長さの平均値（ｎｍ）、及び円形度の平均値を表１に示す。
【００９４】
＜低温導体化の評価＞
［実施例１］
銅ケークＡ（６０質量部）、テルピネオール（２０質量部）、及びイソボルニルシクロヘキサノール（商品名：テルソルブＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社）（２０質量部）を混合し、さらに銅ケークＡ１００質量部に対して０．１質量部の乳酸を添加して、導体形成組成物を調製した。得られた導体形成組成物をポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム上に塗布し、加熱して金属銅の薄膜を形成した。加熱は、窒素を５Ｌ／ｍｉｎでフローさせ、炉内部の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下とした雰囲気中において、昇温速度４０℃／分で１７０℃まで加熱し、１７０℃で６０分間保持することによって行った。
【００９５】
得られた金属銅の薄膜の体積抵抗率を、４探針面抵抗測定器で測定した面抵抗値と、非接触表面・層断面形状計測システム（ＶｅｒｔＳｃａｎ、株式会社菱化システム）で求めた膜厚とから計算した。結果を表１に示す。さらに、金属銅の薄膜を透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、製品名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）で観察したところ、銅含有粒子が焼結している様子が観察された。
【００９６】
＜比較例１＞
乳酸を添加しない以外は実施例１と同様にして金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。さらに、金属銅の薄膜を透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、製品名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）で観察したところ、隣接する銅含有粒子と焼結していない銅含有粒子が多く観察された。
【００９７】
＜実施例２〜７、比較例２、３＞
乳酸の添加量を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。  
【００９８】
＜実施例８＞
銅ケークＡの代わりに同量の銅ケークＢを用いた以外は実施例１と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【００９９】
＜実施例９〜１４、比較例４〜６＞
乳酸の添加量を表１に示すように変更した以外は実施例８と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【０１００】
＜実施例１５＞
銅ケークＡの代わりに同量の銅ケークＣを用いた以外は実施例１と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【０１０１】
＜実施例１６〜２１、比較例７〜９＞
乳酸の添加量を表１に示すように変更した以外は実施例１５と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【０１０２】
＜実施例２２＞
乳酸の代わりに同量のノナン酸を用いた以外は実施例１５と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【０１０３】
＜実施例２３〜２８、比較例１０〜１２＞
ノナン酸の添加量を表１に示すように変更した以外は実施例２２と同様にして、金属銅の薄膜を形成し、体積抵抗率を計算した。結果を表１に示す。
【表１】
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【０１０４】
表１に示す結果より、脂肪酸の含有量が銅粒子に対して０．１質量部〜５．８質量部の範囲内である実施例で作製した金属銅の薄膜は、体積抵抗率が小さく、良好な導電性が発現していた。
脂肪酸を含まないか、脂肪酸の含有量が銅粒子に対して０．１質量部未満である比較例で作製した金属銅の薄膜は、体積抵抗率が実施例より高かった。これは、脂肪酸の量が少なすぎて銅粒子表面の酸化銅を除去する効果が充分に得られなかったためと推測される。
脂肪酸の含有量が銅粒子に対して５．８質量部を超えている比較例で作製した金属銅の薄膜も、体積抵抗率が実施例より高かった。これは、脂肪酸の量が多すぎて異物となり、銅粒子の焼結を阻害したためと推測される。