(57)【要約】【課題】  配線幅が互いに異なる複数種の配線を電気めっき処理により形成する場合に、配線を従来に比べて高い精度で形成する。【解決手段】  配線の形成方法は、絶縁膜上に導電性のシード層を形成する工程と、所定値より大きい幅を有する第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を、所定値以下の幅を有する第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くする工程と、第１の配線が形成される第１の開口部と第２の配線が形成される第２の開口部とを有するマスク層をシード層上に形成する工程と、シード層を電極として電気めっき処理を実施し、第１の開口部および第２の開口部に第１の配線および第２の配線を形成する工程と、第１の配線および第２の配線を形成した後、マスク層を除去する工程と、マスク層を除去した後、第１の配線と第２の配線とに覆われていないシード層を除去する工程とを有する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に導電性のシード層を形成する工程と、
所定値より大きい幅を有する第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を、前記所定値以下の幅を有する第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くする工程と、
前記第１の配線が形成される第１の開口部と、前記第２の配線が形成される第２の開口部とを有するマスク層を前記シード層上に形成する工程と、
前記シード層を電極として電気めっき処理を実施し、前記第１の開口部に前記第１の配線を形成するとともに前記第２の開口部に前記第２の配線を形成する工程と、
前記第１の配線および前記第２の配線を形成した後、前記マスク層を除去する工程と、
前記マスク層を除去した後、前記第１の配線と前記第２の配線とに覆われていないシード層を除去する工程と
を有することを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記絶縁膜上に形成される前記シード層は、第１の金属を含み、
前記シード層の電気抵抗を高くする工程において、前記マスク層を形成する前に、前記第１の金属より電気抵抗が高い第２の金属の膜を、前記第１の配線が形成される領域に形成された前記第１の金属の膜上に形成することで、前記第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を前記第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くすることを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【請求項３】
前記絶縁膜上に前記シード層を形成する前に、前記第１の配線を前記絶縁膜の下に形成される第３の配線に接続する第３の開口部を前記絶縁膜に形成する工程を有し、
前記第１の開口部は、前記第３の開口部を含む位置に形成され、
前記第１の金属の膜および前記第２の金属の膜は、前記第１の開口部と前記第３の開口部とに形成されることを特徴とする請求項２記載の配線の形成方法。
【請求項４】
前記シード層の電気抵抗を高くする工程において、エッチング処理により、前記第１の開口部に露出するシード層の膜厚を前記第２の開口部に露出するシード層の膜厚より薄くすることで、前記第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を前記第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くすることを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【請求項５】
前記エッチング処理において、前記シード層が前記第１の開口部および前記第２の開口部に露出した状態で、不活性ガスを用いたドライエッチングを実施することを特徴とする請求項４記載の配線の形成方法。
【請求項６】
所定値より大きい幅を有する第１の配線と前記所定値以下の幅を有する第２の配線とが絶縁膜上に形成された配線構造であって、
前記第１の配線の前記絶縁膜側に接触する第１の金属膜と、
前記第２の配線の前記絶縁膜側に接触し、前記第１の金属膜より電気抵抗が低い第２の金属膜と
を有することを特徴とする配線構造。
【請求項７】
前記第１の金属膜は、第１の金属を含む膜と、前記第１の金属より電気抵抗が高い第２の金属を含む膜とを含み、
前記第２の金属膜は、前記第１の金属を含むことを特徴とする請求項６記載の配線構造。
【請求項８】
前記第１の金属膜および前記第２の金属膜は、互いに同じ金属を含み、
前記第１の金属膜は、第１の厚さを有し、
前記第２の金属膜は、前記第１の厚さより厚いことを特徴とする請求項６記載の配線構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線の形成方法および配線構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板またはインターポーザ等の基板に配線を形成する手法として、セミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法は、電気絶縁性の基板上にシード層（導電性の薄膜）を形成した後、配線を形成しない領域にフォトレジストを選択的に形成し、フォトレジストで覆われていないシード層を電極として、電気めっきにより配線を形成する手法である。例えば、位置決め用のマークをプリント基板上に形成する場合に、マークを形成する領域の周囲に、シード層が形成されない領域を設け、電気めっき時に、マークを形成する領域への電流の供給量を削減する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。マークを形成する領域に露出するシード層への電流の供給量を削減することで、マークは、電流の供給量を削減しない場合に比べて薄く形成される。これにより、マークの周囲の傾斜が目立たなくなり、位置決め用のマークの認識精度の低下が抑止される。
【０００３】
また、セミアディティブ法により形成した配線の厚さが規定値に達しない場合、配線の厚さに応じた大きさの貫通穴を有するマスクを配線領域上に配置し、電気めっきを再度行う手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この手法では、規定値に対して薄い配線ほど大きな貫通穴を形成し、貫通穴を介して配線の厚さが不足している領域に電気めっき用の電解液を流れやすくすることで、配線の厚さが揃えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１８２７４９号公報
【特許文献２】特開２０１４−８６７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プリント基板およびインターポーザ等の基板には、信号配線とともに、信号配線の幅より広い幅を有する電源配線（電源線および接地線）が形成される。近年、ＬＳＩ（Large Scale Integration）に搭載される素子の微細化とともに、プリント基板およびインターポーザ等の基板に形成される信号配線も微細化する傾向にある。例えば、セミアディティブ法を用いて電気めっきにより信号配線を形成する場合、信号配線を形成するフォトレジストの開口部が狭くなるほど、電気めっき用の電解液が循環し難くなり、信号配線の厚さは、電源配線の厚さに比べて薄くなってしまう。電気めっき時にマスクとして使用するフォトレジストの厚さは、電気めっきにより形成される配線の最大の厚さに合わせて決められる。フォトレジストの厚さを、電気めっきにより形成される電源配線の厚さに合わせる場合、信号配線用のフォトレジストの開口部のアスペクト比は、フォトレジストの厚さを信号配線の厚さに合わせる場合に比べて大きくなる。ここで、アスペクト比は、フォトレジストの開口部の深さと内径との比（深さ／内径）で示される。アスペクト比が大きくなるほど、フォトレジストの開口部を高い精度で形成することが困難になり、開口部に形成される配線を高い精度で形成することが困難になる。
【０００６】
１つの側面では、本件開示の配線の形成方法および配線構造は、配線幅が互いに異なる複数種の配線を電気めっき処理により形成する場合に、配線を従来に比べて高い精度で形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの観点によれば、配線の形成方法は、絶縁膜上に導電性のシード層を形成する工程と、所定値より大きい幅を有する第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を、所定値以下の幅を有する第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くする工程と、第１の配線が形成される第１の開口部と、第２の配線が形成される第２の開口部とを有するマスク層をシード層上に形成する工程と、シード層を電極として電気めっき処理を実施し、第１の開口部に第１の配線を形成するとともに第２の開口部に第２の配線を形成する工程と、第１の配線および第２の配線を形成した後、マスク層を除去する工程と、マスク層を除去した後、第１の配線と第２の配線とに覆われていないシード層を除去する工程とを有する。
【０００８】
別の観点によれば、所定値より大きい幅を有する第１の配線と所定値以下の幅を有する第２の配線とが絶縁膜上に形成された配線構造であって、第１の配線の絶縁膜側に接触する第１の金属膜と、第２の配線の絶縁膜側に接触し、第１の金属膜より電気抵抗が低い第２の金属膜とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本件開示の配線の形成方法および配線構造は、配線幅が互いに異なる複数種の配線を電気めっき処理により形成する場合に、配線を従来に比べて高い精度で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】配線の形成方法および配線構造の一実施形態を示す図である。
【図２】配線の形成方法の別の例を示す図である。
【図３】配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す図である。
【図４】配線の形成方法のさらなる別の実施形態で形成される配線構造を含む電子装置の一例を示す図である。
【図５】配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す図である。
【図６】図５の続きを示す図である。
【図７】図６の続きを示す図である。
【図８】図７の続きを示す図である。
【図９】図８の続きを示す図である。
【図１０】図９の続きを示す図である。
【図１１】図１０の続きを示す図である。
【図１２】図１１の続きを示す図である。
【図１３】図１２の続きを示す図である。
【図１４】図１３の続きを示す図である。
【図１５】図１４の続きを示す図である。
【図１６】図１５の続きを示す図である。
【図１７】配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す図である。
【図１８】図１７の続きを示す図である。
【図１９】図１８の続きを示す図である。
【図２０】図１９の続きを示す図である。
【図２１】図２０の続きを示す図である。
【図２２】図２１の続きを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を用いて実施形態を説明する。
【００１２】
図１は、配線の形成方法および配線構造の一実施形態を示す。図１は、プリント基板およびインターポーザ等の基板に配線を形成するための製造工程を断面図として示している。インターポーザは、Ｆａｎ  Ｏｕｔ  ＷＬＰ（Wafer Level Package）またはＭＣＰ（Multi Chip Package）等のパッケージに内蔵され、ＬＳＩチップと基板とを相互に接続し、または複数のＬＳＩチップを相互に接続する。インターポーザでは、例えば、ガラスまたは樹脂が基材として使用される。なお、説明を分かりやすくするため、図１および他の図面では、各要素の厚さおよび縦横比は、実際の基板に形成される要素の厚さおよび縦横比と相違させている。
【００１３】
図１では、所定値（例えば、５ミクロン）より大きい幅（例えば、１０ミクロン）を有する配線と、所定値以下の幅（例えば、２ミクロン）を有する配線とが、絶縁膜１０上に形成される。例えば、所定値より大きい幅を有する配線は、電源電圧または接地電圧等が供給される電源配線であり、所定値以下の幅を有する配線は、信号が伝達される信号配線である。電源配線および信号配線は、以下に示す工程を実施することで、絶縁膜１０上に形成される。
【００１４】
まず、図１（Ａ）において、絶縁膜１０上にＣｕ（銅）等の金属膜１２がスパッタリング等により形成される。例えば、金属膜１２の厚さは、１００ｎｍである。絶縁膜１０は、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂等の有機材料を用いて形成される。なお、絶縁膜１０は、シリコン基板等の無機材料を用いて形成されてもよい。
【００１５】
次に、図１（Ｂ）において、金属膜１２上における電源配線が形成される電源配線領域に、Ｃｕより電気抵抗が高いＮｉＣｕ（ニッケル銅；例えば、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：１の合金）等の金属膜１４が形成される。例えば、金属膜１４の厚さは、５０ｎｍである。金属膜１４は、フォトリソグラフィ法を用いて、信号配線領域をフォトレジストで覆った後に、ＮｉＣｕをスパッタリングし、フォトレジストを除去することで形成される。そして、Ｃｕ膜によるシード層ＳＬが信号配線領域に形成され、Ｃｕ膜とＮｉＣｕ膜とを積層したシード層ＳＬが電源配線領域に形成される。シード層ＳＬは、電気めっき時に金属を析出させる電極として機能する。なお、金属膜１４は、金属膜１２の全面に金属膜１４をスパッタリングした後、フォトリソグラフィ法を用いて、信号配線領域に位置する金属膜１４を選択的に除去することで形成されてもよい。
【００１６】
Ｃｕ膜上にＮｉＣｕ膜を形成することで、電源配線領域では、Ｃｕ膜の厚さ方向の抵抗成分と、ＮｉＣｕ膜の厚さ方向の抵抗成分とが直列に接続される。これにより、Ｃｕ膜とＮｉＣｕ膜とによるシード層ＳＬの電気抵抗は、信号配線領域に形成されるＣｕ膜によるシード層ＳＬの電気抵抗より高くなる。ここで、電気抵抗は、電気めっき処理時にシード層ＳＬに金属を析出するために流れる電流を決めるため、電気抵抗が高いほど、シード層ＳＬに金属が析出し難くなる。
【００１７】
次に、図１（Ｃ）において、金属膜１４が露出する開口部ＯＰａを電源配線領域に有するとともに、金属膜１２が露出する開口部ＯＰｂを信号配線領域に有するマスク層ＭＳＫが、フォトレジスト１６を用いて形成される。例えば、マスク層ＭＳＫの厚さは、２．５ミクロンである。例えば、マスク層ＭＳＫは、金属膜１２、１４上にフォトレジスト１６を形成した後、フォトマスクを用いてフォトレジスト１６に選択的に光を照射し（露光）、開口部ＯＰｂ、ＯＰａに位置するフォトレジスト１６を現像により除去することで形成される。フォトレジスト１６は、液状のフォトレジストを塗布することで形成されてもよく、フィルム状のフォトレジストを貼付することで形成されてもよい。
【００１８】
次に、図１（Ｄ）において、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰａに形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂが開口部ＯＰｂに形成される。ここで、信号配線１８ｂ用の開口部ＯＰｂにより形成された溝は、電源配線１８ａ用の開口部ＯＰａにより形成された溝に比べて幅が狭いため、電気めっき用の電解液が循環し難い。このため、開口部ＯＰｂは、開口部ＯＰａに比べて、Ｃｕが析出され難い。例えば、開口部ＯＰｂの幅が５ミクロン以下の場合、５ミクロンより大きい場合に比べて、電気めっき処理により金属が析出し難くなる。
【００１９】
また、開口部ＯＰｂに露出するシード層ＳＬ（金属膜１２）の電気抵抗は、開口部ＯＰａに露出するシード層ＳＬ（金属膜１２、１４による積層膜）の電気抵抗に比べて低い。このため、電極の電気抵抗という観点で、開口部ＯＰｂは、開口部ＯＰａに比べてＣｕが析出されやすい。幅が狭い開口部ＯＰｂによるＣｕの析出し難さを、シード層ＳＬの低抵抗化により補うことで、幅が互いに異なる開口部ＯＰａ、ＯＰｂにそれぞれ形成される電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚（すなわち、配線の高さ）を互いに同等にすることができる。換言すれば、幅が広い開口部ＯＰａによるＣｕの析出しやすさを、シード層ＳＬの高抵抗化により補うことで、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚を互いに同等にすることができる。例えば、金属膜１４の厚さの最適値は、金属膜１２が露出する開口部ＯＰｂと、様々な厚さの金属膜１４が露出する複数の開口部ＯＰａとを有するサンプルを作成し、電気めっき処理により開口部ＯＰａと複数の開口部ＯＰｂとにＣｕを析出させることで評価される。
【００２０】
次に、図１（Ｅ）において、フォトレジスト１６が除去される。
【００２１】
次に、図１（Ｆ）において、電源配線１８ａと信号配線１８ｂとに覆われていない金属膜１２、１４が除去される。例えば、金属膜１２、１４は、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂをマスクとしてウェットエッチングを実施することで同時に除去される。そして、電源配線１８ａと絶縁膜１０との間に金属膜１２、１４による積層膜を有し、信号配線１８ｂと絶縁膜１０との間に金属膜１２を有する配線構造が形成される。なお、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂは、図１の奥行き方向に延在しており、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの配線幅は、図１（Ｆ）に示す断面（配線の横断面）の横方向の長さで示される。
【００２２】
図１（Ｆ）に示す配線構造では、各信号配線１８ｂの幅（Ｌ）と、互いに隣接する信号配線１８ｂの間隔（Ｓ）との比であるラインＬ／スペースＳは、２ミクロン／２ミクロンである。なお、図１に示す配線構造を製造する最初の実験では、電気めっき処理により形成される電源配線１８ａの厚さは、２．８ミクロンであり、信号配線１８ｂの厚さは、２．０ミクロンであった。この後、金属膜１２、１４による積層膜の電気抵抗をさらに高くすることで、電源配線１８ａの厚さと信号配線１８ｂの厚さの差を小さくしていった。
【００２３】
なお、図１は、金属膜１２上に金属膜１４を積層することで、開口部ＯＰａに露出するシード層ＳＬの電気抵抗を、開口部ＯＰｂに露出するシード層ＳＬの電気抵抗より高くする例を示している。しかしながら、電気抵抗が互いに異なる単一の金属膜を電源配線領域と信号配線領域とにそれぞれ形成することで、開口部ＯＰａに露出するシード層ＳＬの電気抵抗が、開口部ＯＰｂに露出するシード層ＳＬの電気抵抗より高くされてもよい。また、膜厚の異なる複数の金属膜１４を金属膜１２上に形成することで、電気抵抗が互いに異なる３種類以上のシード層ＳＬを形成してもよい。この場合、３種類以上の配線幅にそれぞれ対応する配線の膜厚を互いに同等にすることができる。
【００２４】
図２は、配線の形成方法の別の例を示す。図１と同じ要素および同じ工程については、詳細な説明は省略する。図２では、図１に示すＮｉＣｕ等の金属膜１４を電源配線領域に形成することなく配線が形成される。
【００２５】
まず、図２（Ａ）では、図１（Ａ）と同様に、絶縁膜１０上にＣｕ等の金属膜１２（シード層ＳＬ）が形成される。
【００２６】
次に、図２（Ｂ）において、図１（Ｃ）と同様に、金属膜１２が露出する開口部ＯＰａを電源配線領域に有するとともに、金属膜１２が露出する開口部ＯＰｂを信号配線領域に有するマスク層ＭＳＫが、フォトレジスト１６を用いて形成される。ここで、マスク層ＭＳＫは、例えば、図１に示すマスク層ＭＳＫの２倍程度の厚さに形成される。マスク層ＭＳＫを図１に比べて厚くする理由は、図２（Ｃ）で説明する。
【００２７】
なお、マスク層ＭＳＫが厚い場合、開口部ＯＰｂのアスペクト比（深さと内径との比（深さ／内径））が大きくなるため、図１に示す開口部ＯＰｂに比べてマスク層ＭＳＫの形成精度は低くなり、図２（Ｃ）に示す信号配線１８ｂの形成精度は低くなる。例えば、マスク層ＭＳＫが厚い場合、信号配線領域において、フォトレジスト１６が、絶縁膜１０側ほど幅広になるテーパ形状になり、開口部ＯＰｂの絶縁膜１０側の幅が狭くなる。この場合、電気めっき処理により所望の幅の信号配線１８ｂは形成されない。
【００２８】
次に、図２（Ｃ）において、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰａに形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂが開口部ＯＰｂに形成される。ここで、開口部ＯＰａは、開口部ＯＰｂに比べて、電気めっき用の電解液が循環しやすく、開口部ＯＰａ、ＯＰｂに露出するシード層ＳＬの電気抵抗は、互いに同じである。このため、開口部ＯＰａは、開口部ＯＰｂに比べてＣｕが析出しやすくなり、電源配線１８ａの厚さは、図１に示す電源配線１８ａの厚さの２倍程度になる。開口部ＯＰｂにおける電気めっき処理の条件は、図１と同じであるため、開口部ＯＰｂに析出するＣｕにより形成される信号配線１８ｂの厚さは、図１に示す信号配線１８ｂの厚さと同等である。図２に示す配線構造を製造する実験では、信号配線１８ｂの厚さが２．０ミクロンの場合、電源配線１８ａの厚さは、４ミクロンを超えていた。
【００２９】
マスク層ＭＳＫの厚さは、規定の厚さの信号配線１８ｂを形成する場合に形成される電源配線１８ａの厚さに合わせて、図１に示すマスク層ＭＳＫの２倍程度の厚さ（例えば、５ミクロン）に形成される。もし、マスク層ＭＳＫを図１のマスク層ＭＳＫと同程度の厚さ（例えば、２．５ミクロン）にした場合、電気めっき処理により開口部ＯＰａに析出されるＣｕは、マスク層ＭＳＫの上面からあふれてしまい、正常な電源配線１８ａは形成されない。
【００３０】
次に、図２（Ｄ）において、図１（Ｅ）と同様に、フォトレジスト１６が除去される。
【００３１】
次に、図２（Ｅ）において、図１（Ｆ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂとに覆われていない金属膜１２が除去される。
【００３２】
図２（Ｆ）は、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂを覆って絶縁膜２０を形成する例を示す。電源配線１８ａが信号配線１８ｂより厚い場合、絶縁膜２０の表面に段差が生じるため、フォトリソグラフィ法により電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ上に次の配線層を高い精度で形成することが困難になるおそれがある。
【００３３】
以上、図１に示す実施形態では、幅が互いに異なる開口部ＯＰａ、ＯＰｂにそれぞれ形成される電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚を互いに同等にすることができる。換言すれば、開口部ＯＰａに露出するシード層ＳＬの電気抵抗を開口部ＯＰｂに露出するシード層ＳＬの電気抵抗より高くすることで、電気めっき処理において、開口部ＯＰａのＣｕの析出速度を開口部ＯＰｂのＣｕの析出速度に合わせて遅くさせることができる。この結果、信号配線１８ｂのラインＬ／スペースＳが、従来に比べて細い２ミクロン／２ミクロン程度である場合にも、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚を互いに同等にすることができる。
【００３４】
また、電源配線１８ａの膜厚が、図２に示すように信号配線１８ｂの膜厚に比べて厚くなることを抑止できるため、マスク層ＭＳＫ（フォトレジスト１６）を信号配線１８ｂの膜厚に合わせた厚さに形成することできる。これにより、信号配線１８ｂを形成する開口部ＯＰｂのアスペクト比が図２のように高くなることを抑止することができる。この結果、信号配線１８ｂのラインＬ／スペースＳが２ミクロン／２ミクロン程度である場合にも、従来に比べて、フォトレジスト１６によるマスクパターンを高い精度で形成することができ、信号配線１８ｂを高い精度で形成することができる。
【００３５】
さらに、電源配線１８ａの膜厚を信号配線１８ｂの膜厚と同等に形成することができるため、マスク層ＭＳＫの厚さを図２に比べて薄くする場合にも、開口部ＯＰａに析出されるＣｕがマスク層ＭＳＫの上面からあふれることを抑止することができる。この結果、正常な電源配線１８ａを有する配線構造を形成することができる。
【００３６】
図３は、配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す。図１と同じ要素および同様の工程については、詳細な説明は省略する。図３に示す各要素の寸法は、図１で説明した寸法と同様である。図３では、図１に示すＮｉＣｕ等の金属膜１４を電源配線領域に形成することなく配線が形成される。
【００３７】
まず、図３（Ａ）では、図１（Ａ）と同様に、絶縁膜１０上にＣｕ等の金属膜１２が形成される。
【００３８】
次に、図３（Ｂ）において、図１（Ｃ）と同様に、金属膜１２が露出する開口部ＯＰａを電源配線領域に有するとともに、金属膜１２が露出する開口部ＯＰｂを信号配線領域に有するマスク層ＭＳＫが、フォトレジスト１６を用いて形成される。マスク層ＭＳＫの厚さは、図１と同じであるため、図２で説明した開口部ＯＰｂのアスペクト比の問題は発生せず、信号配線１８ｂ（図３（Ｄ））は、図１と同等の精度で形成可能である。
【００３９】
次に、図３（Ｃ）において、開口部ＯＰａ、ＯＰｂに露出する金属膜１２が、Ａｒ等の不活性化ガスによりドライエッチングされる。ドライエッチング時にイオン化された不活性化ガスは、開口部ＯＰａにより形成された広い溝に比べて、開口部ＯＰｂにより形成された狭い溝に入り難い。このため、開口部ＯＰｂに露出する金属膜１２のエッチングレートは、開口部ＯＰａに露出する金属膜１２のエッチングレートに比べて低くなる。
【００４０】
例えば、２ミクロンの幅を有する開口部ＯＰｂのアスペクト比が”１”を超える場合、開口部ＯＰｂに露出する金属膜１２は、ほとんどエッチングされない。これに対して、開口部ＯＰａに露出する金属膜１２は、正常にエッチングされるため、開口部ＯＰａに露出する金属膜１２の厚さは、開口部ＯＰｂに露出する金属膜１２の厚さに比べて薄くなる。ここで、１層の金属膜１２によりシード層ＳＬが形成される場合、シード層ＳＬの電気抵抗は、基板１０の表面に沿う方向の抵抗成分により表される。このため、開口部ＯＰａに露出する相対的に薄いシード層ＳＬの電気抵抗は、開口部ＯＰｂに露出する相対的に厚いシード層ＳＬの電気抵抗に比べて高くなる。
【００４１】
次に、図３（Ｄ）において、図１（Ｄ）と同様に、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰａに形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂが開口部ＯＰｂに形成される。図１と同様に、開口部ＯＰａに露出するシード層ＳＬの電気抵抗は、開口部ＯＰｂに露出するシード層ＳＬの電気抵抗に比べて高い。また、開口部ＯＰｂにより形成された溝は、図１と同様に、開口部ＯＰａにより形成された溝に比べて、電気めっき用の電解液が循環し難い。したがって、図１と同様に、幅が互いに異なる開口部ＯＰａ、ＯＰｂにそれぞれ形成される電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚（すなわち、配線の高さ）を互いに同等にすることができる。なお、電源配線領域における金属膜１２のエッチング量の最適値は、図３（Ｃ）で説明したドライエッチングの処理時間が互いに異なる複数のサンプルを作成して評価される。
【００４２】
次に、図３（Ｅ）において、図１（Ｅ）と同様に、フォトレジスト１６が除去される。
【００４３】
次に、図３（Ｆ）において、図１（Ｆ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂとに覆われていない金属膜１２が除去される。そして、電源配線１８ａと絶縁膜１０との間の金属膜１２が、信号配線１８ｂと絶縁膜１０との間の金属膜１２より薄い配線構造が形成される。
【００４４】
図３（Ｆ）に示す配線構造では、図１（Ｆ）と同様に、各信号配線１８ｂの幅（Ｌ）と、互いに隣接する信号配線１８ｂの間隔（Ｓ）との比であるラインＬ／スペースＳは、２ミクロン／２ミクロンである。なお、図３に示す配線構造を製造する最初の実験では、電気めっき処理により形成される電源配線１８ａの厚さは、２．２ミクロンであり、信号配線１８ｂの厚さは、２．０ミクロンであった。この後、電源配線領域の金属膜１２の電気抵抗をさらに高くすることで、電源配線１８ａの厚さと信号配線１８ｂの厚さの差を小さくしていった。
【００４５】
なお、所定の厚さの金属膜１２を形成した後、フォトリソグラフィ法を利用して、信号配線領域に選択的に金属膜１２をさらに形成することで、電源配線領域の金属膜１８の厚さを、信号配線領域の金属膜１２の厚さより相対的に薄くしてもよい。
【００４６】
以上、図３に示す実施形態においても、図１に示す実施形態と同様に、幅が互いに異なる開口部ＯＰａ、ＯＰｂにそれぞれ形成される電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂの膜厚を互いに同等にすることができる。また、信号配線１８ｂ用の開口部ＯＰｂのアスペクト比が図２のように高くなることを抑止することができるため、従来に比べて、フォトレジスト１６によるマスクパターンを高い精度で形成することができ、信号配線１８ｂを高い精度で形成することができる。さらに、電気めっき処理により開口部ＯＰａに析出されるＣｕがマスク層ＭＳＫの上面からあふれることを抑止することができるため、正常な電源配線１８ａを有する配線構造を形成することができる。
【００４７】
さらに、図３に示す実施形態では、ＮｉＣｕ膜を電源配線領域に選択的に形成することなく、電源配線領域のＣｕ膜を選択的にエッチングすることで、電源配線領域の開口部１８ａに露出するシード層ＳＬを高抵抗化する。これにより、ＮｉＣｕ膜を形成するためのフォトレジスト１６の形成、露光、現像および除去の工程を省略することができ、図３（Ｆ）に示す配線構造を形成するための工程数を、図１に比べて削減することができる。この結果、配線構造の製造コストを、図１（Ｆ）に示す配線構造の製造コストに比べて削減することができる。
【００４８】
図４は、配線の形成方法のさらなる別の実施形態で形成される配線構造を含む電子装置１００の一例を示す。図４は、電子装置１００の断面を示す。図４に示す電子装置１００は、複数のＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂとプリント基板１２０とをインターポーザ１３０を介して相互に接続することで形成される。なお、インターポーザ１３０のプリント基板１２０側の面には、インターポーザ１３０の剛性を確保するための基板が設けられてもよい。また、図４に示す電子装置１００は、ＭＣＰの形態で提供されてもよい。
【００４９】
ＬＳＩチップ１１０ａのパッド（図示せず）は、バンプＢＰ１ａを介してインターポーザ１３０の電極（パッド）に接続され、ＬＳＩチップ１１０ｂのパッド（図示せず）は、バンプＢＰ１ｂを介してインターポーザ１３０の電極（パッド）に接続される。プリント基板１２０の端子ＴＭは、バンプＢＰ２を介してインターポーザ１３０の電極（パッド）に接続される。そして、ＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂおよびプリント基板１２０は、インターポーザ１３０に形成された配線を介して相互に接続される。図４に示す例では、インターポーザ１３０は、プリント基板１２０の端子ＴＭに接続する電極が形成される電極層Ｅ１と、ＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂのパッドに接続する電極が形成される電極層Ｅ２とを有する。また、インターポーザ１３０は、電極層Ｅ１、Ｅ２の間に設けられ、信号配線および電源配線が形成される配線層Ｗ１、Ｗ２を有する。
【００５０】
図５から図１６は、図４に示すインターポーザ１３０の製造方法を示す。すなわち、図５から図１６は、配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す。図１と同じ要素および同様の工程については、詳細な説明は省略する。なお、説明を分かりやすくするため、図５から図１６の処理により製造されるインターポーザ１３０内の配線構造は、図４とは相違させている。
【００５１】
まず、図５（Ａ）において、電気絶縁性の下地基板３０上にＮｉ等の金属膜３２がスパッタリング等により形成される。次に、図５（Ｂ）において、フォトリソグラフィ法により、フォトレジスト１６の形成、露光、現像の処理が実施され、図４に示すプリント基板１２０の端子ＴＭに接続する電極に対応する部分にフォトレジスト１６を残したマスク層ＭＳＫが形成される。フォトレジスト１６は、液状のフォトレジストを塗布することで形成されてもよく、フィルム状のフォトレジストを貼付することで形成されてもよい。
【００５２】
次に、図５（Ｃ）において、フォトレジスト１６で覆われていない金属膜３２が、ウェットエッチング等により除去され、プリント基板１２０の端子ＴＭに接続する電極ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３が形成される。例えば、電極ＥＬ１、ＥＬ２は、電源用に形成され、電極ＥＬ３は、信号用に形成される。次に、図５（Ｄ）において、フォトレジスト１６が除去され、電極層Ｅ１が形成される。
【００５３】
次に、図６（Ａ）において、下地基板３０上に、電極ＥＬ１−ＥＬ３を覆って、感光性の絶縁膜３４が形成される。感光性の絶縁膜３４は、液状の材料を下地基板３０上に塗布することで形成されてもよく、フィルム状の材料を下地基板３０上に貼付することで形成されてもよい。感光性の絶縁膜３４は、インターポーザ１３０の製造後にインターポーザ１３０中に残るため、永久レジストとも称される。
【００５４】
次に、図６（Ｂ）において、フォトリソグラフィ法により、露光、現像が実施され、電極ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３上に開口部ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３が形成される。次に、図６（Ｃ）において、スパッタリング等により、Ｃｕ等の金属膜３６が絶縁膜３４上および開口部ＯＰ１−ＯＰ３の内部に形成され、金属膜３６は、開口部ＯＰ１−ＯＰ３に露出する電極ＥＬ１−ＥＬ３に接続される。
【００５５】
次に、図７（Ａ）において、フォトリソグラフィ法により、フォトレジスト１６の形成、露光、現像の処理が実施され、電源用の電極ＥＬ１、ＥＬ２を含む領域に開口部ＯＰ４を有するマスク層ＭＳＫが形成される。次に、図７（Ｂ）において、スパッタリング等により、ＮｉＣｕ（例えば、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：１の合金）等の金属膜３８が、フォトレジスト１６上および開口部ＯＰ４の内部に形成される。これにより、開口部ＯＰ４の内部では、Ｃｕ膜（金属膜３６）とＮｉＣｕ膜（金属膜３８）による積層膜が形成される。
【００５６】
次に、図７（Ｃ）において、フォトレジスト１６が除去される。フォトレジスト１６上にスパッタリングされた金属膜３８は、フォトレジスト１６ともに除去される。そして、電極ＥＬ１、ＥＬ２に対応する電源配線領域には、Ｃｕ膜（金属膜３６）とＮｉＣｕ膜（金属膜３８）によるシード層ＳＬが形成され、電極ＥＬ３に対応する信号配線領域には、Ｃｕ膜（金属膜３６）によるシード層ＳＬが形成される。図１で説明したように、電源配線領域に形成されるＣｕ膜とＮｉＣｕ膜とによるシード層ＳＬの電気抵抗は、信号配線領域に形成されるＣｕ膜によるシード層ＳＬの電気抵抗より高くなる。
【００５７】
次に、図８（Ａ）において、フォトリソグラフィ法により、金属膜３８が露出する開口部ＯＰ５を電源配線領域に有するとともに、金属膜３６が露出する開口部ＯＰ６、ＯＰ７を信号配線領域に有するマスク層ＭＳＫが、フォトレジスト１６を用いて形成される。なお、開口部ＯＰ７は、図８（Ａ）の横方向に延在する信号配線用に形成される。このため、信号配線の横断面方向（図８（Ａ）の奥行き方向）における開口部ＯＰ７の幅（すなわち、配線の幅）は、開口部ＯＰ６における電極ＥＬ３に露出するビア（コンタクト）用の開口の幅と同じ２ミクロンである。
【００５８】
次に、図８（Ｂ）において、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰ５に形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂ、１８ｃが開口部ＯＰ６、ＯＰ７にそれぞれ形成される。ここで、幅が広い開口部ＯＰ５に露出するシード層ＳＬの電気抵抗は、幅が狭い開口部ＯＰ６、ＯＰ７に露出するシード層ＳＬの電気抵抗より高いため、図１で説明したように、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ、１８ｃの膜厚を互いに同等にすることができる。
【００５９】
さらに、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ、１８ｃにおいて、絶縁膜３４内に形成され、電極ＥＬ１−ＥＬ３に接続される配線（ビア）は、電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ、１８ｃの幅に拘わりなく、互いに同じサイズである。このため、電気めっき用の電解液は、ビア用の開口部（図６（Ｂ）に示す開口部ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３）に、互いに同程度に循環し、ビア用の開口部へのＣｕの析出速度は、シード層ＳＬの電気抵抗に依存して決まる。したがって、電源配線１８ａ用のビアへのＣｕの析出速度は、信号配線１８ｂ用のビアへのＣｕの析出速度より遅くなる。これにより、ビア内にＮｉＣｕによる金属膜３８を形成しない場合に比べて、金属膜３８を薄くして、ＮｉＣｕ膜の厚さ方向の電気抵抗を低くすることができる。この結果、ＮｉＣｕのスパッタリング時間を短縮することができ、スパッタリングに使用するＮｉＣｕを節約することができる。
【００６０】
次に、図８（Ｃ）において、フォトレジスト１６が除去される。次に、図９（Ａ）において、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｃとに覆われていない金属膜３６（Ｃｕ膜）と金属膜３８（ＮｉＣｕ膜）とが、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｃとをマスクとしてウェットエッチング等により除去される。そして、配線層Ｗ１が形成される。絶縁膜３４上に形成される配線１８ａ、１８ｂは、図９（Ａ）の奥行き方向に延在し、絶縁膜３４上に形成される配線１８ｃは、図９（Ａ）の横方向に延在する。なお、例えば、絶縁膜３４上に形成される配線１８ａの幅は、１０ミクロンであり、絶縁膜３４上に形成される配線１８ｂ、１８ｃの幅は、それぞれ２．５ミクロン、２ミクロンである。配線１８ａ、１８ｂにおいて、絶縁膜３４内に形成され、電極ＥＬ１−ＥＬ３に接続される配線（ビア）の幅は２ミクロンである。
【００６１】
次に、図９（Ｂ）において、図６（Ａ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｃとを覆って、感光性の絶縁膜３４が形成される。次に、図９（Ｃ）において、図６（Ｂ）と同様に、絶縁膜３４の露光、現像が実施され、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ上に開口部ＯＰ８、ＯＰ９、ＯＰ１０が形成される。なお、電源配線１８ａ上に形成する新たな電源配線が、図９（Ｃ）に示す断面において、電源配線１８ａに接続されない場合、開口部ＯＰ８、ＯＰ９は、形成されない。
【００６２】
次に、図１０（Ａ）では、図６（Ｃ）と同様に、金属膜３６（Ｃｕ膜）が形成され、図１０（Ｂ）では、図７（Ａ）と同様に、電源配線領域に開口部ＯＰ１１を有するマスク層ＭＳＫがレジスト１６により形成される。次に、図１０（Ｃ）では、図７（Ｂ）と同様に、金属膜３８（ＮｉＣｕ膜）が形成される。
【００６３】
次に、図１１（Ａ）では、図７（Ｃ）と同様に、フォトレジスト１６が除去され、図１１（Ｂ）では、図８（Ａ）と同様に、電源配線を形成するための開口部ＯＰ１２と、信号配線を形成するための複数の開口部ＯＰ１３とを有するマスク層ＭＳＫが形成される。
【００６４】
次に、図１２（Ａ）では、図８（Ｂ）と同様に、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰ１２に形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂ、１８ｄが開口部ＯＰ１３に形成される。なお、信号配線１８ｄは、図１２（Ａ）に示す断面では、配線層Ｗ１に形成された信号配線に接続されないため、配線層Ｗ１に接続するビア（コンタクト）を持たない。次に、図１２（Ｂ）では、図８（Ｃ）と同様に、フォトレジスト１６が除去される。
【００６５】
次に、図１３（Ａ）において、図９（Ａ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｄとに覆われていない金属膜３６、３８が、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｄとをマスクとしてウェットエッチング等により除去される。そして、配線層Ｗ２が形成される。絶縁膜３４上に形成される配線１８ａ、１８ｂ、１８ｄは、図１３の奥行き方向に延在する。なお、例えば、絶縁膜３４上に形成される配線１８ａの幅は、１０ミクロンであり、絶縁膜３４上に形成される配線１８ｂ、１８ｄの幅は、それぞれ２．５ミクロン、２ミクロンである。配線１８ａ、１８ｂにおいて、絶縁膜３４内に形成され、配線層Ｗ１に接続される配線（ビア）の幅は２ミクロンである。次に、図１３（Ｂ）において、図９（Ｂ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｄとを覆って、感光性の絶縁膜３４が形成される。
【００６６】
次に、図１４（Ａ）において、図９（Ｃ）と同様に、絶縁膜３４の露光、現像が実施され、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ上に開口部ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６が形成される。次に、図１４（Ｂ）において、図１０（Ａ）と同様に、金属膜３６（Ｃｕ膜）が形成される。
【００６７】
次に、図１５（Ａ）において、図１０（Ｂ）と同様に、開口部ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６を除く領域にフォトレジスト１６を有するマスク層ＭＳＫが形成される。次に、図１５（Ｂ）において、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の金属膜４０、Ｎｉ等の金属膜４２およびＣｕ等の金属膜４４が各開口部ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６に積層される。金属膜４０、４２、４４による積層膜は、図４に示すＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂのパッドに接続される電極として形成される。ＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂのパッドに接続される電極のサイズは、信号および電源に拘わりなく、互いに同じである。このため、金属膜４０、４２、４４を積層する工程では、配線層Ｗ１、Ｗ２を形成する工程と異なり、シード層ＳＬを高抵抗化するＮｉＣｕ膜は形成されない。
【００６８】
次に、図１６（Ａ）において、図１２（Ｂ）と同様に、フォトレジスト１６が除去され、ＬＳＩチップ１１０ａ、１１０ｂのパッドに接続される電極ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６が絶縁膜３４上に露出する。
【００６９】
次に、図１６（Ｂ）において、図１３（Ａ）と同様に、電極ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６に覆われていない金属膜３６が、電極ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６をマスクとしてウェットエッチング等により除去される。そして、電極層Ｅ２が形成される。この後、電極層Ｅ１、配線層Ｗ１、Ｗ２および電極層Ｅ２からなる積層構造が下地基板３０から剥離され、図４に示すインターポーザ１３０が完成する。
【００７０】
以上、図５から図１６に示す実施形態においても、図１に示す実施形態と同様に、幅が互いに異なる電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの膜厚を互いに同等にすることができる。また、信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ用のフォトレジスト１６の開口部ＯＰ６、ＯＰ７、ＯＰ１３のアスペクト比が図２のように高くなることを抑止することができる。このため、従来に比べて、フォトレジスト１６によるマスクパターンを高い精度で形成することができ、信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄを高い精度で形成することができる。さらに、電気めっき処理により開口部ＯＰ５、ＯＰ１２に析出されるＣｕがマスク層ＭＳＫの上面からあふれることを抑止することができるため、正常な電源配線１８ａを有する配線構造を形成することができる。
【００７１】
さらに、図５から図１６に示す実施形態では、電源配線１８ａのビア用の開口部（図６（Ｂ）のＯＰ１）にもＮｉＣｕ膜を形成することで、ＮｉＣｕのスパッタリング時間を短縮することができ、スパッタリングに使用するＮｉＣｕを節約することができる。
【００７２】
図１７から図２２は、図４に示すインターポーザ１３０の製造方法の別の例を示す。すなわち、図１７から図２２は、配線の形成方法および配線構造の別の実施形態を示す。図３および図５から図１６と同じ要素および同様の工程については、詳細な説明は省略する。図１７から図２２に示す工程により形成されるインターポーザ１３０の構造は、シード層ＳＬの構造が異なることを除き、図５から図１６に示す工程で形成されるインターポーザ１３０の構造と同様である。
【００７３】
図１７（Ａ）に示すＣｕ膜を形成する工程は、図６（Ｃ）と同じであり、図１７（Ａ）の構造を得るまでの製造工程は、図５（Ａ）から図６（Ｂ）に示す工程と同じである。次に、図１７（Ｂ）において、図８（Ａ）と同様に、金属膜３６が露出する開口部ＯＰ５を電源配線領域に有するとともに、金属膜３６が露出する開口部ＯＰ６、ＯＰ７を信号配線領域に有するマスク層ＭＳＫが、フォトレジスト１６を用いて形成される。
【００７４】
次に、図１７（Ｃ）において、図３（Ｃ）と同様に、開口部ＯＰ５、ＯＰ６、ＯＰ７に露出する金属膜３６が、Ａｒ（アルゴン）等の不活性化ガスによりドライエッチングされる。このとき、アスペクト比が相対的に高い開口部ＯＰ６、ＯＰ７内の絶縁膜３４の表面に形成された金属膜３６は、ほとんどエッチングされない。これに対して、アスペクト比が相対的に低い開口部ＯＰ５内の絶縁膜３４の表面に形成された金属膜３６はエッチングされ、膜厚が薄くなる。
【００７５】
なお、図８で説明したように、開口部ＯＰ７は、図１７（Ｃ）の横方向に延在し、開口部ＯＰ７の幅は、開口部ＯＰ６における電極ＥＬ３に露出するビア用の開口の幅と同じ２ミクロンである。また、絶縁膜３４上の開口部ＯＰ６の幅は、２．５ミクロンであり、絶縁膜３４上の開口部ＯＰ５の幅は、１０ミクロンである。このため、開口部ＯＰ６、ＯＰ７のアスペクト比は”１”以上である。以上より、幅が広い電源配線が形成される開口部ＯＰ５に露出するシード層ＳＬの電気抵抗は、幅が狭い信号配線が形成される開口部ＯＰ６、ＯＰ７に露出するシード層ＳＬの電気抵抗に比べて高くなる。
【００７６】
次に、図１８（Ａ）において、図８（Ｂ）と同様に、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰ５に形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂ、１８ｃが開口部ＯＰ６、ＯＰ７にそれぞれ形成される。ここで、電気めっきの電解液が循環しやすい開口部ＯＰ５に露出するシード層ＳＬの電気抵抗は、電気めっきの電解液が循環しにくい開口部ＯＰ６、ＯＰ７に露出する電気抵抗より高い。このため、図３（Ｄ）で説明したように、幅が互いに異なる開口部ＯＰ５と開口部ＯＰ６、ＯＰ７とにそれぞれ形成される電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｃとの膜厚（すなわち、配線の高さ）を互いに同等にすることができる。
【００７７】
次に、フォトレジスト１６が除去された後、図１８（Ｂ）において、図３（Ｆ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｃとに覆われていない金属膜３６（Ｃｕ膜）がウェットエッチング等により除去され、配線層Ｗ１が形成される。次に、感光性の絶縁膜３４を用いて、開口部ＯＰ８、ＯＰ９、ＯＰ１０が形成された後、図１８（Ｃ）において、図１０（Ａ）と同様に、金属膜３６（Ｃｕ膜）が形成される。
【００７８】
次に、図１９（Ａ）において、図１１（Ｂ）と同様に、電源配線を形成するための開口部ＯＰ１２と、信号配線を形成するための複数の開口部ＯＰ１３とを有するマスク層ＭＳＫが形成される。次に、図１９（Ｂ）において、図３（Ｃ）および図１７（Ｃ）と同様に、開口部ＯＰ１２、ＯＰ１３に露出する金属膜３６がドライエッチングされ、開口部ＯＰ１２内の絶縁膜３４の表面に形成された金属膜３６がエッチングされ、膜厚が薄くなる。開口部ＯＰ１３内の絶縁膜３４の表面に形成された金属膜３６は、ほとんどエッチングされない。
【００７９】
次に、図２０（Ａ）において、図１２（Ａ）と同様に、シード層ＳＬを電極として電気めっき処理が実施され、Ｃｕ等の電源配線１８ａが開口部ＯＰ１２に形成されるとともに、Ｃｕ等の信号配線１８ｂ、１８ｄが開口部ＯＰ１３に形成される。次に、フォトレジスト１６が除去された後、図２０（Ｂ）において、図３（Ｆ）および図１８（Ｂ）と同様に、電源配線１８ａと信号配線１８ｂ、１８ｄとに覆われていない金属膜３６がウェットエッチング等により除去され、配線層Ｗ２が形成される。
【００８０】
次に、図２１（Ａ）において、感光性の絶縁膜３４を用いて、開口部ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６が形成された後、図１４（Ｂ）と同様に、金属膜３６（Ｃｕ膜）が形成される。次に、開口部ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６を除く領域にフォトレジスト１６を有するマスク層ＭＳＫが形成された後、図２１（Ｂ）において、図１５（Ｂ）と同様に、電気めっき処理により金属膜４０、４２、４４が各開口部ＯＰ１４−ＯＰ１６に順に形成される。
【００８１】
次に、フォトレジスト１６が除去された後、図２２（Ａ）において、図１６（Ｂ）と同様に、電極ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６に覆われていない金属膜３６が、電極ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６をマスクとしてウェットエッチング等により除去される。そして、電極層Ｅ２が形成される。この後、電極層Ｅ１、配線層Ｗ１、Ｗ２および電極層Ｅ２からなる積層構造が下地基板３０から剥離され、図４に示すインターポーザ１３０が完成する。
【００８２】
以上、図１７から図２２に示す実施形態においても、図１に示す実施形態と同様に、幅が互いに異なる電源配線１８ａおよび信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの膜厚を互いに同等にすることができる。また、信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ用のフォトレジスト１６の開口部ＯＰ６、ＯＰ７、ＯＰ１３のアスペクト比が図２のように高くなることを抑止することができる。このため、従来に比べて、フォトレジスト１６によるマスクパターンを高い精度で形成することができ、信号配線１８ｂ、１８ｃ、１８ｄを高い精度で形成することができる。さらに、電気めっき処理により開口部ＯＰ５、ＯＰ１２に析出されるＣｕがマスク層ＭＳＫの上面からあふれることを抑止することができるため、正常な電源配線１８ａを有する配線構造を形成することができる。また、図３に示す実施形態と同様に、ＮｉＣｕ膜を形成するためのフォトレジスト１６の形成、露光、現像および除去の工程を省略することができる。このため、図２２に示す配線構造を形成するための工程数を、図５から図１６に示す工程数に比べて削減することができ、図２２に示す配線構造の製造コストを、図１６に示す配線構造の製造コストに比べて削減することができる。
【００８３】
以上の実施形態において説明した発明を整理して、付記として開示する。
（付記１）
絶縁膜上に導電性のシード層を形成する工程と、
所定値より大きい幅を有する第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を、前記所定値以下の幅を有する第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くする工程と、
前記第１の配線が形成される第１の開口部と、前記第２の配線が形成される第２の開口部とを有するマスク層を前記シード層上に形成する工程と、
前記シード層を電極として電気めっき処理を実施し、前記第１の開口部に前記第１の配線を形成するとともに前記第２の開口部に前記第２の配線を形成する工程と、
前記第１の配線および前記第２の配線を形成した後、前記マスク層を除去する工程と、
前記マスク層を除去した後、前記第１の配線と前記第２の配線とに覆われていないシード層を除去する工程と
を有することを特徴とする配線の形成方法。
（付記２）
前記絶縁膜上に形成される前記シード層は、第１の金属を含み、
前記シード層の電気抵抗を高くする工程において、前記マスク層を形成する前に、前記第１の金属より電気抵抗が高い第２の金属の膜を、前記第１の配線が形成される領域に形成された前記第１の金属の膜上に形成することで、前記第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を前記第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くすることを特徴とする付記１記載の配線の形成方法。
（付記３）
前記絶縁膜上に前記シード層を形成する前に、前記第１の配線を前記絶縁膜の下に形成される第３の配線に接続する第３の開口部を前記絶縁膜に形成する工程を有し、
前記第１の開口部は、前記第３の開口部を含む位置に形成され、
前記第１の金属の膜および前記第２の金属の膜は、前記第１の開口部と前記第３の開口部とに形成されることを特徴とする付記２記載の配線の形成方法。
（付記４）
前記シード層の電気抵抗を高くする工程において、エッチング処理により、前記第１の開口部に露出するシード層の膜厚を前記第２の開口部に露出するシード層の膜厚より薄くすることで、前記第１の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗を前記第２の配線が形成される領域のシード層の電気抵抗より高くすることを特徴とする付記１記載の配線の形成方法。
（付記５）
前記エッチング処理において、前記シード層が前記第１の開口部および前記第２の開口部に露出した状態で、不活性ガスを用いたドライエッチングを実施することを特徴とする付記４記載の配線の形成方法。
（付記６）
前記第１の配線は、電源電圧または接地電圧が供給される電源配線であり、
前記第２の配線は、信号が伝達される信号配線であることを特徴とする付記１ないし付記５のいずれか１項記載の配線の形成方法。
（付記７）
所定値より大きい幅を有する第１の配線と前記所定値以下の幅を有する第２の配線とが絶縁膜上に形成された配線構造であって、
前記第１の配線の前記絶縁膜側に接触する第１の金属膜と、
前記第２の配線の前記絶縁膜側に接触し、前記第１の金属膜より電気抵抗が低い第２の金属膜と
を有することを特徴とする配線構造。
（付記８）
前記第１の金属膜は、第１の金属を含む膜と、前記第１の金属より電気抵抗が高い第２の金属を含む膜とを含み、
前記第２の金属膜は、前記第１の金属を含むことを特徴とする付記７記載の配線構造。
（付記９）
前記第１の金属膜および前記第２の金属膜は、互いに同じ金属を含み、
前記第１の金属膜は、第１の厚さを有し、
前記第２の金属膜は、前記第１の厚さより厚いことを特徴とする付記７記載の配線構造。
【００８４】
以上の詳細な説明により、実施形態の特徴点および利点は明らかになるであろう。これは、特許請求の範囲がその精神および権利範囲を逸脱しない範囲で前述のような実施形態の特徴点および利点にまで及ぶことを意図するものである。また、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、あらゆる改良および変更に容易に想到できるはずである。したがって、発明性を有する実施形態の範囲を前述したものに限定する意図はなく、実施形態に開示された範囲に含まれる適当な改良物および均等物に拠ることも可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１０…絶縁膜；１２、１４…金属膜；１６…フォトレジスト；１８ａ…電源配線；１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ…信号配線；２０…絶縁膜；３０…下地基板；３２…金属膜；３４…絶縁膜；３６、３８、４０、４２、４４…金属膜；１００…電子装置；１１０ａ、１１０ｂ…ＬＳＩチップ；１２０…プリント基板；１３０…インターポーザ；ＢＰ１ａ、ＢＰ１ｂ…バンプ；Ｅ１、Ｅ２…電極層；ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、ＥＬ４、ＥＬ５、ＥＬ６…電極；ＭＳＫ…マスク層；ＯＰａ、ＯＰｂ…開口部；ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３、ＯＰ４、ＯＰ５、ＯＰ６、ＯＰ７、ＯＰ８、ＯＰ９、ＯＰ１０、ＯＰ１１、ＯＰ１２、ＯＰ１３、ＯＰ１４、ＯＰ１５、ＯＰ１６…開口部；ＳＬ…シード層；ＴＭ…端子；Ｗ１、Ｗ２…配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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