(57)【要約】【課題】誤検出を抑えることができるポジションセンサを提供する。【解決手段】ポジションセンサは、磁石と、磁石に対向して配置されるポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３と、第１直線と第２直線との間であって、第１及び第２直線上を含まない中間領域中の所定範囲にシフトレバーが位置することを磁石の磁束の状態によって検出するマスク用ホールＩＣ２４，２５と、マスク用ホールＩＣ２４，２５によってシフトレバーが前記所定範囲に位置すると検出される場合に、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の検出信号を無効とする信号無効部とを備える。【選択図】図４
2017044532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生する磁石と、シフトレバーの操作方向である第１直線と平行な一直線上に所定の間隔を有して３個以上設けられ、前記磁石の磁束を検出する第１検出部と、該第１検出部による検出信号の組合せに基づき前記シフトレバーの操作ポジションを特定するポジション特定部と、を備え、
前記磁石は、前記第１直線に沿って前記第１検出部に対して相対的に変位されることで、その移動距離に対する前記第１検出部の出力の変化が比例関係となる第１着磁領域と、前記シフトレバーの操作方向であって前記第１直線と平行な第２直線に沿って前記第１検出部に対して相対的に変位されることで、その移動距離に対する前記第１検出部の出力の変化が前記比例関係とは傾きが正負逆の比例関係となる第２着磁領域とを有し、
前記第１直線と前記第２直線との間であって、前記第１直線上を含まず、且つ、前記第２直線上を含まない中間領域中の所定範囲に前記シフトレバーが位置することを前記磁石の磁束の状態によって検出する第２検出部と、該第２検出部によって前記シフトレバーが前記所定範囲に位置すると検出される場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とする信号無効部とを備えたことを特徴とするポジションセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のポジションセンサにおいて、
前記第２検出部は、前記第１検出部を基準として前記第１直線及び前記第２直線と直交する方向において前記第１検出部から離間する位置に少なくとも１つずつ備えられ、
前記各第２検出部は、前記所定範囲に前記シフトレバーが位置する場合に前記磁石と対向しない位置に設けられ、
前記信号無効部は、前記第２検出部の出力信号が前記磁石と前記第２検出部とが対向しない位置に相当する場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とすることを特徴とするポジションセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のポジションセンサにおいて、
前記第２検出部は、前記第１検出部を基準として前記第１直線及び前記第２直線と直交する方向の一方側のみであり、前記第１検出部から離間するとともに、前記所定範囲に前記シフトレバーが位置する場合に前記第１及び第２着磁領域のいずれか一方の領域と対向する対向状態となり、
前記信号無効部は、前記第２検出部の出力信号が前記対向状態に相当する場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とすることを特徴とするポジションセンサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジションセンサにおいて、
前記第２検出部は、磁束の状態に応じてオン信号又はオフ信号を出力するホールＩＣであることを特徴とするポジションセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シフトレバーの操作ポジションを検出するポジションセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
変速機を備える車両では、シフトレバーの操作ポジションがポジションセンサによって検出され、その検出結果が変速機の接続状態に反映されるようになっている。
ポジションセンサは、磁束を発生する磁石と、該磁石に対向して配置されて磁束を検出する複数の検出部とを備え、シフトレバーの操作に伴って磁石及び検出部を相対的に変位させた際の前記検出部の出力信号の組合せによりシフトレバーの操作ポジションを検出するものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１のポジションセンサの磁石は、シフトレバーの操作方向（シフト方向）である第１の直線に沿って検出部に対して相対的に変位されることでその変位量（移動距離）に対する検出部の出力の変化が比例関係となる第１の着磁領域を有する。また、同磁石は、シフトレバーの操作方向であって前記第１の直線と平行な第２の直線に沿って検出部に対して相対的に変位されることでその変位量（移動距離）に対する検出部の出力の変化が第１の着磁領域とは傾きが正負逆の比例関係となる第２の着磁領域を有する。そして、同文献のポジションセンサの検出部は、前記第１の直線及び前記第２の直線と平行な一直線上に所定間隔を有して３つ以上設けられている。
【０００４】
上記のような構成とすることで、例えば第１の直線上で検出部と磁石とを相対的に変位させた場合と、第２の直線上で検出部と磁石とを相対的に変位させた場合とで、検出部の出力の傾きが異なることとなり、シフトレバーが第１の直線上に存在するのか第２の直線上に存在するのかを判定することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−６００５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のようなポジションセンサでは、各検出部の故障判定も可能であり、例えば各検出部の出力結果の出力差について、所定の許容差を考慮しつつ基準値に対する比較を行い、各検出部の故障判定を行う。そして、基準値に対し許容差を超えるかたちの出力差を得た場合、出力差が大きくずれる要因となった検出部を故障と判定する。
【０００７】
また、上記のようなポジションセンサでは、シフトレバーを第１の直線と第２の直線との間でセレクト方向（車幅方向）に操作すると、検出部の出力が交差することとなる（特許文献１の図４参照）。このため、各ポジション以外における各検出部の出力結果の出力差が、基準値に対し許容差を超えた場合には故障と判定する虞があるので、例えば複雑な判定条件を用いる等して誤検出を抑制している。
【０００８】
本発明は、こうした実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、複雑な判定条件を設定することなく、誤検出を抑制することができるポジションセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、ポジションセンサは、磁束を発生する磁石と、シフトレバーの操作方向である第１直線と平行な一直線上に所定の間隔を有して３個以上設けられ、前記磁石の磁束を検出する第１検出部と、該第１検出部による検出信号の組合せに基づき前記シフトレバーの操作ポジションを特定するポジション特定部と、を備え、前記磁石は、前記第１直線に沿って前記第１検出部に対して相対的に変位されることで、その移動距離に対する前記第１検出部の出力の変化が比例関係となる第１着磁領域と、前記シフトレバーの操作方向であって前記第１直線と平行な第２直線に沿って前記第１検出部に対して相対的に変位されることで、その移動距離に対する前記第１検出部の出力の変化が前記比例関係とは傾きが正負逆の比例関係となる第２着磁領域とを有し、前記第１直線と前記第２直線との間であって、前記第１直線上を含まず、且つ、前記第２直線上を含まない中間領域中の所定範囲に前記シフトレバーが位置することを前記磁石の磁束の状態によって検出する第２検出部と、該第２検出部によって前記シフトレバーが前記所定範囲に位置すると検出される場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とする信号無効部とを備えたことを要旨とする。
【００１０】
このポジションセンサによれば、第２検出部によってシフトレバーが第１直線と第２直線との間であって各直線上を含まない中間領域中の所定範囲に前記シフトレバーが位置することを検出した場合に、第１検出部の信号を無効とすることができる。これによって、例えば第１検出部の信号が無効とされている間において、ポジション特定部によるシフトレバーのポジションの特定を行わないようにしたり、第１検出部の出力信号に基づく各第１検出部の故障検出を行わないようにすることができる。これにより、第１直線と第２直線との間においてシフトレバーを操作した時に生じる第１検出部の信号に基づく誤検出を抑えることができる。
【００１１】
上記ポジションセンサにおいて、前記第２検出部は、前記第１検出部を基準として前記第１直線及び前記第２直線と直交する方向において前記第１検出部から離間する位置に少なくとも１つずつ備えられ、前記各第２検出部は、前記所定範囲に前記シフトレバーが位置する場合に前記磁石と対向しない位置に設けられ、前記信号無効部は、前記第２検出部の出力信号が前記磁石と前記第２検出部とが対向しない位置に相当する場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とすることが好ましい。
【００１２】
このポジションセンサによれば、信号無効部は第２検出部の出力信号が磁石と対向しない位置に相当する場合に所定範囲に前記シフトレバーが位置するとして、第１検出部の検出信号を無効とする。このような構成により、第１直線と第２直線との間においてシフトレバーを操作した時に生じる第１検出部の信号に基づく誤検出を抑えることができる。また、第１直線及び第２直線と直交する方向において第１検出部の両側に少なくとも１つずつ第２検出部が備えられるため、各第２検出部の間の距離を調整することで第１検出部の検出信号を無効とする区間を調整することが可能となる。
【００１３】
上記ポジションセンサにおいて、前記第２検出部は、前記第１検出部を基準として前記第１直線及び前記第２直線と直交する方向の一方側のみであり、前記第１検出部から離間するとともに、前記所定範囲に前記シフトレバーが位置する場合に前記第１及び第２着磁領域のいずれか一方の領域と対向する対向状態となり、前記信号無効部は、前記第２検出部の出力信号が前記対向状態に相当する場合に、前記第１検出部の検出信号を無効とすることが好ましい。
【００１４】
このポジションセンサによれば、信号無効部は第２検出部の出力信号が、第２検出部と磁石とが前記対向状態に相当する場合に所定範囲に前記シフトレバーが位置するとして、第１検出部の検出信号を無効とする。このような構成により、第１直線と第２直線との間においてシフトレバーを操作した時に生じる第１検出部の信号に基づく誤検出を抑えることができる。また、第１直線及び第２直線と直交する方向において第１検出部の一方側にのみ第２検出部が備えられるため、両側に第２検出部を設けた場合と比較して部品点数の増加を抑えることが可能となる。
【００１５】
上記ポジションセンサにおいて、前記第２検出部は、磁束の状態に応じてオン信号又はオフ信号を出力するホールＩＣであることが好ましい。
このポジションセンサによれば、磁束の状態に応じてオン信号又はオフ信号を出力するホールＩＣで第２検出部を構成するため、アナログ信号（リニア信号）を出力するリニアホールＩＣやホール素子として比べて信号が単調であり、信号の取り扱いが容易となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のポジションセンサは、複雑な判定条件を設定することなく、誤検出を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態のポジションセンサによって検出される操作ポジションについて、その設定態様を示す概念図。
【図２】（ａ）はポジションセンサの構成を示す側面図、（ｂ）はホールＩＣの配置を示す基板の平面図。
【図３】（ａ）は磁石の斜視図、（ｂ）は磁石とホールＩＣの相対位置を説明するための模式図。
【図４】（ａ）はシフトレバーが第１直線に沿って移動した時の３つのホールＩＣの出力電圧を示すグラフ、（ｂ）はシフトレバーが第２直線沿って移動した時の３つのホールＩＣの出力電圧を示すグラフ、（ｃ）はシフトレバーが第３直線に沿って移動したときの３つのホールＩＣの出力電圧を示すグラフ、（ｄ）はシフトレバーが第３直線に沿って移動したときの２つのホールＩＣの出力信号を示すグラフ。
【図５】ポジションセンサのブロック図。
【図６】別例における磁石とホールＩＣの相対位置を説明するための模式図。
【図７】（ａ）は同上におけるシフトレバーが第３直線に沿って移動したときの３つのホールＩＣの出力電圧を示すグラフ、（ｂ）は同上におけるシフトレバーが第３直線に沿って移動したときの２つのホールＩＣの出力電圧を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、シフト装置に備えられるポジションセンサの一実施形態について図面に従って説明する。
図１及び図２（ａ）（ｂ）に示すよう本実施形態のポジションセンサ１０は、車両変速機の接続状態を切り替えるためのシフト装置に適用されるとともに、シフト装置が有するシフトレバー５０（セレクトレバー）の操作ポジションを検出するためのものである。ちなみに、本実施形態のポジションセンサ１０は所謂シフトバイワイヤ方式のシフト装置に適用されるが、シフトレバーと車両変速機とが機械的に連結されたシフト装置に適用してもよい。また、シフト装置は、例えば、運転者がシフトレバー５０を選択位置に移動させ、シフトレバー５０から手を離したときに、シフトレバー５０がその選択位置で保持されるステーショナリー型でもよく、運転者がシフトレバー５０から手を離したときにシフトレバーがＨポジションに戻るモメンタリー型でもよい。
【００１９】
図１に示すように、シフトレバー５０は、略逆ｈ字状のシフトゲート５１に沿って、車両前後方向であるシフト方向及び車幅方向であるセレクト方向への操作が許容される。そのうちシフト方向への操作は、第１直線Ｌ１に沿った操作、その第１直線Ｌ１と平行な第２直線Ｌ２に沿った操作、及び各直線Ｌ１，Ｌ２と直交する第３直線に沿った操作が許容されている。具体的には、シフトゲート５１は、シフト方向に延びる第１直線Ｌ１上に位置する第１通路５１ａと、シフト方向に延びる第２直線Ｌ２上に位置する第２通路５１ｂと、第３直線Ｌ３上に位置する第１通路５１ａと第２通路５１ｂとの間を結ぶ第３通路５１ｃとを有する。
【００２０】
そして、第１直線Ｌ１上である第１通路５１ａには、リバースポジション（Ｒポジション）、ニュートラルポジション（Ｎポジション）、ドライブポジション（Ｄポジション）といった３つの操作ポジションが設定される。また、第２直線Ｌ２上である第２通路５１ｂには、ホームポジション（Ｈポジション）、回生ブレーキポジション（Ｂポジション）といった２つの操作ポジションが設定されている。すなわち、シフトレバー５０が第１通路５１ａ内を第１直線Ｌ１に沿って操作されたとき、操作ポジションは、Ｒポジション、Ｎポジション、及びＤポジション間で切り替わる。また、シフトレバー５０が第２通路５１ｂ内を第２直線Ｌ２に沿って操作されたとき、操作ポジションは、Ｈポジション及びＢポジション間で切り替わる。また、シフトレバー５０が第３通路５１ｃ内を第３直線Ｌ３に沿って操作されたとき、Ｈポジション及びＮポジション間で切り替わる。
【００２１】
図２（ａ）（ｂ）に示すように、ポジションセンサ１０は、単一の磁石１１と、この磁石１１の下面に対向する回路基板ＣＢ上に実装された複数（本実施形態では５つ）のホールＩＣ２１，２２，２３，２４，２５とを有する。
【００２２】
図３（ａ）（ｂ）に示すように、５つのホールＩＣ２１，２２，２３，２４，２５のうちの３つのホールＩＣ２１，２２，２３は、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２と平行な直線上に略等間隔で設けられている。これら３つのホールＩＣ２１，２２，２３は、シフトレバー５０の各ポジションを検出するために用いるものである。これ以降、これら３つのホールＩＣ２１，２２，２３について他の２つのホールＩＣ２４，２５と区別するため、ポジション検出用ホールＩＣ２１，２２，２３という場合もある。
【００２３】
５つのホールＩＣ２１，２２，２３，２４，２５のうちの２つのホールＩＣ２４，２５は、ポジション検出用ホールＩＣ２１，２２，２３を基準として、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２と直交する車幅方向にずれた位置に設けられる。これ以降、これら２つのホールＩＣ２４，２５についてポジション検出用ホールＩＣ２１，２２，２３と区別するため、マスク用ホールＩＣ２４，２５という場合もある。
【００２４】
マスク用ホールＩＣ２４，２５は、磁石１１の特定の磁極を検出する場合にはオン信号を出力し、磁石１１の特定の磁極を検出しない場合にはオフ信号のいずれかが出力するものである。より具体的には、マスク用ホールＩＣ２４は、磁石１１のＮ極を検出する場合にはオン信号を出力し、磁石１１のＮ極を検出しない場合にはオフ信号を出力する。マスク用ホールＩＣ２５は、磁石１１のＳ極を検出する場合にはオン信号を出力し、磁石１１のＳ極を検出しない場合にはオフ信号を出力する。
【００２５】
図３（ａ）に示すように、磁石１１は、シフトレバー５０（図１参照）のホールＩＣと対向する側の下面に、第３直線Ｌ３の延びる方向に所定の幅を有するとともに、第１直線Ｌ１に沿って各ホールＩＣ２１〜２５から離間する方向に凸状をなす第１溝部１２が形成されている。また、磁石１１の下面には、第３直線Ｌ３の延びる方向に所定の幅を有するとともに、第２直線Ｌ２に沿って各ホールＩＣ２１〜２５から離間する方向に凸状をなす第２溝部１３が形成されている。すなわち、第１溝部１２及び第２溝部１３は、第３直線Ｌ３が延びる方向に沿って並設されている。そして、第１溝部１２を含む態様で磁石１１の半分が第１着磁領域Ａ１となるように着磁され、第２溝部１３を含む態様で磁石１１の残りの半分が第２着磁領域Ａ２となるよう着磁されている。
【００２６】
また、第１着磁領域Ａ１は、磁石１１の下面に、第１直線Ｌ１に沿った第１端部から第２端部へ向かって磁極がＮ極、Ｓ極の順に設定される。さらに、第１着磁領域Ａ１は、磁石１１の上面（下面とは反対側の面）に、第１直線Ｌ１に沿った第１端部から第２端部へ向かって磁極がＳ極、Ｎ極の順に設定されている。また、同様に、第２着磁領域Ａ２は、磁石１１の下面に、第２直線Ｌ２に沿った第１端部から第２端部へ向かって磁極がＳ極、Ｎ極の順に設定される。また、第２着磁領域Ａ２は、磁石１１の上面に、第２直線Ｌ２に沿った第１端部から第２端部へ向かって磁極がＮ極、Ｓ極の順に設定されている。
【００２７】
図１及び図３（ｂ）に示すように、シフトレバー５０がシフトゲート５１に沿って操作されると、磁石１１及びホールＩＣ２１〜２５の配置関係は、操作ポジション毎に操作ポジションに応じて変化する。例えばＲポジション、Ｎポジション及びＤポジションの場合には、第１着磁領域Ａ１においてポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３が対向し、第２着磁領域Ａ２においてマスク用ホールＩＣ２５が対向し、マスク用ホールＩＣ２４は磁石と対向しないようになっている。また、例えばＨポジション及びＢポジションの場合には、第２着磁領域Ａ２においてポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３が対向し、第１着磁領域Ａ１においてマスク用ホールＩＣ２４が対向し、マスク用ホールＩＣ２５は磁石１１と対向しないようになっている。
【００２８】
そして、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように各ホールＩＣ２１〜２５による出力電圧は操作ポジションに応じて変化する。
図４（ａ）には、シフトレバー５０が第１直線Ｌ１に沿ってＲポジションからＮポジションを経由してＤポジションまで操作される時のポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を示している。図４（ａ）からわかるように、シフトレバー５０が第１直線Ｌ１に沿ってＲポジションからＮポジションを経由してＤポジションまで操作されると、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１〜Ｖ３は、Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３の関係を維持したまま、正の傾きを有する比例関係となるよう変化する。この比例関係は、第１着磁領域Ａ１の磁束密度が、第１直線Ｌ１に沿った磁石１１の移動距離に比例して変化するように第１着磁領域Ａ１が構成され、各ホールＩＣ２１〜２３に対向する面の磁極が、前記第１端部から前記第２端部へ向かってＮ極、Ｓ極の順に設定されていることによる。なお、各ホールＩＣ２１〜２３は、図３（ｂ）のＤポジションにおいてホールＩＣ２１が配置される位置のように、Ｎ極の端部に近い位置に対向する程、より大きな電圧を出力し、図３のＲポジションにおいてホールＩＣ２３が配置される位置のように、Ｓ極の端部に近い位置に対向する程、より小さな電圧を出力する。
【００２９】
図４（ｂ）には、シフトレバー５０が第２直線Ｌ２に沿ってＨポジションからＢポジションまで操作される時のポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を示している。図４（ｂ）からわかるように、シフトレバー５０が第２直線Ｌ２に沿ってＨポジションからＢポジションまで操作されると、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１〜Ｖ３は、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３の関係を維持したまま、負の傾きを有する比例関係となるよう変化する。この比例関係は、第２着磁領域Ａ２の磁束密度が、第２直線Ｌ２に沿った磁石１１の移動距離に比例して変化するように第２着磁領域Ａ２が構成され、各ホールＩＣ２１〜２３に対向する面の磁極が、前記第１端部から前記第２端部へ向かってＳ極、Ｎ極の順に設定されていることによる。
【００３０】
なお、各ホールＩＣ２１〜２３の間隔を本実施形態のように例えば等間隔とすることで、各出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の出力差が当該間隔に基づいて一義的に決まる。図４（ａ）（ｂ）の例では、出力電圧Ｖ１と出力電圧Ｖ２との出力差、及び、出力電圧Ｖ２と出力電圧Ｖ３との出力差がそれぞれ１Ｖであり、また、出力電圧Ｖ１と出力電圧Ｖ３との出力差は２Ｖである。
【００３１】
図４（ｃ）には、シフトレバー５０が第３直線Ｌ３に沿ってＮポジションからＨポジションまで操作される時のポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を示している。図４（ｃ）からわかるように、シフトレバー５０が第３直線Ｌ３に沿ってＮポジションからＨポジションまで操作されると、ポジション検出用ホールＩＣ２１の出力電圧Ｖ１は、負の傾きを有する比例関係となるよう変化する。このとき、ポジション検出用ホールＩＣ２２の出力電圧Ｖ２は、略一定のままである。また、同様の操作がなされると、ポジション検出用ホールＩＣ２３の出力電圧Ｖ３は、正の傾きを有する比例関係となるよう変化する。このような関係は、シフトレバー５０が第３直線Ｌ３に沿ってＮポジションからＨポジションまで操作されることで、磁石１１とポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３が第３直線Ｌ３に沿って相対的に変位されることで、第１着磁領域Ａ１から第２着磁領域Ａ２に移動されることによる。
【００３２】
図４（ｄ）には、シフトレバー５０が第３直線Ｌ３に沿ってＮポジションからＨポジションまで操作される時のマスク用ホールＩＣ２４，２５の出力信号Ｓ１，Ｓ２を示している。図４（ｄ）に示すように、シフトレバー５０がＮポジションに位置する場合、マスク用ホールＩＣ２４はオフ信号、マスク用ホールＩＣ２５はオン信号となる。これは、磁石１１がマスク用ホールＩＣ２５と対向するタイミングであり、マスク用ホールＩＣ２５が磁石１１の第２着磁領域Ａ２のＳ極を検出するためである。このような状態は、マスク用ホールＩＣ２５が磁石１１の第２着磁領域Ａ２のＳ極と対向する期間（Ｎポジション〜タイミングｔ１の間）継続される。一方、シフトレバー５０がＨポジションに位置する場合、マスク用ホールＩＣ２４はオン信号、マスク用ホールＩＣ２５はオフ信号となる。これは、磁石１１がマスク用ホールＩＣ２４と対向するタイミングであり、マスク用ホールＩＣ２４が磁石１１の第１着磁領域Ａ１のＮ極を検出するためである。このような状態は、マスク用ホールＩＣ２４が磁石１１の第１着磁領域Ａ１のＮ極と対向する期間（Ｈポジション〜タイミングｔ２の間）継続される。そして、シフトレバー５０がＮポジション及びＨポジションを含まず、ＮポジションとＨポジションとの間の所定範囲に位置する場合、マスク用ホールＩＣ２４，２５はオフ信号となる。ここで、所定範囲は、タイミングｔ１とタイミングｔ２との間の期間に相当する。これは、磁石１１がマスク用ホールＩＣ２４及びマスク用ホールＩＣ２５のいずれとも対向しないタイミングであり、マスク用ホールＩＣ２４，２５による磁石１１の磁束を検出しないためである。
【００３３】
図５に示すように、各ホールＩＣ２１〜２５は、ポジション特定部としてのシフトバイワイヤ電子制御ユニット（ＳＢＷ  ＥＣＵ）３０に電気的に接続されている。このシフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、ホールＩＣ２１〜２３の出力電圧Ｖ１〜Ｖ３を監視し、出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の組み合わせに基づき、シフトレバー５０の操作ポジションを判定する。また、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、マスク用ホールＩＣ２４，２５の出力信号を監視し、マスク用ホールＩＣ２４，２５の信号がともにオフ信号である場合には、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３から出力される信号（出力電圧）を無効として判断する。すなわち、マスク用ホールＩＣ２４，２５の信号がともにオフ信号である場合にはシフトバイワイヤ電子制御ユニット３０によるポジション特定を行わない。
【００３４】
次に、ポジションセンサ１０の作用について説明する。
車両ユーザによってシフトレバーが操作されていないとき、同レバーはＨポジションの選択位置にある。この場合、図４（ｂ）に示すように、ホールＩＣ２１による出力電圧Ｖ１が１．５Ｖに、また、ホールＩＣ２２による出力電圧Ｖ２が２．５Ｖに、さらに、ホールＩＣ２３による出力電圧が３．５Ｖとなる。シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、まず出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の大小関係がＶ１＜Ｖ２＜Ｖ３であることに基づき、シフトレバーが第２直線上にあることを特定するとともに、次いで、各出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の値に基づき、上記特定した第２直線上のＨポジションにシフトレバーがあることを特定する。なお、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、各出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の出力差について、所定の許容差を考慮しつつ基準値に対する比較を行い、それによって各ホールＩＣ２１〜２３の故障判定を行う。そして、基準値に対し許容差を超えるかたちの出力差を得た場合、正しい出力差が得られている２個のホールＩＣによる出力電圧に基づいて操作ポジションを特定するとともに、出力差が大きくずれる要因となったホールＩＣの故障を判定する。
【００３５】
そして、シフトレバーがＨポジションからＮポジションを経由してＤポジションまで操作される場合、ＨポジションからＮポジションを経由する際に、前記所定範囲（タイミングｔ１〜タイミングｔ２との間）においては、ホールＩＣ２４，２５がオフ信号の状態となる。このとき、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３から出力される信号（出力電圧）を無効として判断し、ポジション特定を行わない。
【００３６】
その後、Ｄポジションの選択位置において、図４（ａ）に示すように、ホールＩＣ２１による出力電圧Ｖ１が４．５Ｖに、ホールＩＣ２２による出力電圧Ｖ２が３．５Ｖに、ホールＩＣ２３による出力電圧が２．５Ｖとなる。この場合、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、まず出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の大小関係がＶ１＞Ｖ２＞Ｖ３であることに基づき、シフトレバー５０が第１直線Ｌ１上にあることを特定するとともに、次いで、各出力電圧Ｖ１〜Ｖ３の値に基づき、上記特定した第１直線Ｌ１上のＤポジションにシフトレバーがあることを特定する。そして、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０は、上記のように操作ポジションとしてＤポジションを特定したとき、変速機の接続状態を前進ギヤ段に切り換える。その結果、車両は前進走行できるようになる。
【００３７】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）マスク用ホールＩＣ２４，２５によってシフトレバー５０が第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間であって各直線Ｌ１，Ｌ２上を含まない中間領域中の所定範囲（タイミングｔ１〜ｔ２間）にシフトレバー５０が位置することを検出した場合に、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の信号を無効とすることができる。これにより、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の信号が無効とされている間において、シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０によるシフトレバー５０のポジション特定を行わないようにしたり、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の出力信号に基づく各ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の故障検出を行わないようにすることができる。このように、複雑な判定条件を設定することなく、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間においてシフトレバー５０を操作した時に生じるポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の信号に基づく誤検出を抑えることができる。
【００３８】
（２）シフトバイワイヤ電子制御ユニット３０はマスク用ホールＩＣ２４，２５の出力信号が磁石１１と対向しない位置に相当する場合に所定範囲にシフトレバー５０が位置するとして、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の検出信号（出力電圧）を無効とする。このような構成により、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間においてシフトレバー５０を操作した時に生じるポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の信号に基づく誤検出を抑えることができる。また、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２と直交する方向においてポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の両側に少なくとも１つずつマスク用ホールＩＣ２４，２５が備えられるため、各マスク用ホールＩＣ２４，２５の間の距離を調整することでポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３の検出信号を無効とする区間を調整することが可能となる。
【００３９】
（３）マスク用ホールＩＣ２４，２５は磁束の状態に応じてオン信号又はオフ信号を出力するよう構成されるため、アナログ信号（リニア信号）を出力するリニアホールＩＣやホール素子として比べて信号が単調であり、信号の取り扱いが容易となる。
【００４０】
（４）マスク用ホールＩＣ２４，２５とポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３とで基板ＣＢを共有するため、個別に基板を設ける必要がない。また、同一基板ＣＢに設けることで、マスク用ホールＩＣ２４，２５とポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３との位置関係に変化が生じることが抑えられるため、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３と磁石１１との位置決めを行うことで自ずとマスク用ホールＩＣ２４，２５と磁石１１との位置関係も決まることとなり、個別に位置決めを行う必要がない。
【００４１】
なお、上記実施形態は、以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、第１着磁領域Ａ１や第２着磁領域Ａ２について、移動距離に対する磁束密度の変化が比例関係となるものを規定したが、移動距離に対する各ホールＩＣ２１〜２３の出力の変化が比例関係となるものが規定されてもよい。
【００４２】
・上記実施形態では第１検出部としてのホールＩＣ２１〜２３は、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２と平行な一直線上に所定の間隔を有して３個設ける構成としたが、４個以上設けられてもよい。
【００４３】
・上記実施形態では、マスク用ホールＩＣ２４，２５をそれぞれ１つずつ設ける構成としたが、これに限らず、シフト方向（縦方向）に複数設ける構成を採用してもよい。
また、次のような構成を採用してもよい。
【００４４】
図６に示すように、磁極の一方（例えばＮ極）と対向した場合にオン信号を出力するホールＩＣ６０を採用する。そして、このホールＩＣ６０をシフトレバー５０のセレクト方向における可動範囲（ＨポジションとＮポジションとの間）でシフトレバー５０が操作された際に、Ｈポジションの場合には磁石１１のＳ極と対向し、Ｎポジションの場合には磁石１１と対向しない位置となるよう配置する。また、ＨポジションとＮポジションとの間であって各ポジションを含まない所定範囲（図７（ｂ）におけるタイミングｔ１〜タイミングｔ２の間）においては、磁石１１のＮ極と対向するようにホールＩＣ６０を配置する。
【００４５】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、シフトレバー５０がＮポジション又はＨポジションに位置する場合、マスク用ホールＩＣ６０はオフ信号となる。このようにオフ信号となる状態は、ホールＩＣ６０が磁石１１のＮ極と対向しない間（Ｎポジション〜タイミングｔ１の間及びＨポジション〜タイミングｔ２の間）継続される。シフトレバー５０がＮポジション及びＨポジションを含まず、ＮポジションとＨポジションとの間の所定範囲に位置する場合、マスク用ホールＩＣ６０はオン信号となる。ここで、所定範囲は、タイミングｔ１とタイミングｔ２との間の期間に相当する。これは、マスク用ホールＩＣ６０が磁石１１のＮ極と対向するためである。
【００４６】
上述した構成とすることでシフトバイワイヤ電子制御ユニット３０はマスク用ホールＩＣ６０の出力信号が、磁石１１とホールＩＣ６０とが対向状態に相当する場合に所定範囲にシフトレバー５０が位置するとして、ホールＩＣ２１〜２３の検出信号を無効とする。このような構成により、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間においてシフトレバー５０を操作した時に生じるホールＩＣ２１〜２３の信号に基づく誤検出を抑えることができる。また、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２と直交する方向においてホールＩＣ２１〜２３の一方側にのみホールＩＣ６０が備えられるため、両側にホールＩＣを設けた場合と比較して部品点数の増加を抑えることが可能となる。
【００４７】
・上記実施形態では、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３とマスク用ホールＩＣ２４，２５とを同一基板ＣＢ上に配置する構成としたが、ポジション検出用ホールＩＣ２１〜２３とマスク用ホールＩＣ２４，２５とで別々の基板に配置する構成を採用してもよい。
【００４８】
・シフトレバーの操作に伴う磁石及びホールＩＣの相対的な変位の態様は、上記実施形態による磁石が可動でホールＩＣが固定の態様に限定されず、ホールＩＣが可動で磁石が固定の態様であってもよい。また、磁石及びホールＩＣの両者が可動の態様、例えば、同じ方向に異なる移動量で移動する態様、あるいは、異なる方向に移動する態様などであってもよい。
【００４９】
・シフトパターンは、ｈ字（逆ｈ字）パターンに限らず、Ｈ字パターンなどを採用してもよい。また、シフト方向の中央以外にセレクト方向が設定されるパターンなどを採用してもよい。
【００５０】
・上記実施形態並びに各変形例は適宜組み合わせてもよい。
次に、上記実施形態及び上記別例より想起される技術的思想について記載する。
（付記１）
請求項１〜４のいずれか一項又は前記付記１に記載のポジションセンサにおいて、
前記第２検出部は、前記第１検出部と同一基板上に設けられることを特徴とするポジションセンサ。
【００５１】
このような構成とすることで、第２検出部と第１検出部とで個別の基板を設ける必要がない。また、同一基板に設けることで、第２検出部と第１検出部との位置関係に変化が生じることが抑えられるため、第１検出部と磁石との位置決めを行うことで自ずと第２検出部と磁石との位置関係も決まることとなり、個別に位置決めを行う必要がない。
【符号の説明】
【００５２】
１０…ポジションセンサ、１１…磁石、２１〜２３…ポジション検出用ホールＩＣ（第１検出部）、２４，２５…マスク用ホールＩＣ（第２検出部）、３０…シフトバイワイヤ電子制御ユニット（ポジション特定部及び信号無効部）、５０…シフトレバー、６０…マスク用ホールＩＣ（第２検出部）、Ａ１…第１着磁領域、Ａ２…第２着磁領域、Ｌ１…第１直線、Ｌ２…第２直線、Ｓ１，Ｓ２…出力信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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