(57)【要約】【課題】本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供すること。【解決手段】本発明の電磁波シールド用フィルム１０は、導電性材料を含有する電磁波遮断層３を備え、この電磁波遮断層３は、基板上に搭載された電子部品を被覆するものであり、導電性材料の含有量は、電磁波遮断層３において、上面（電子部品と反対側の面）３ａから下面（電子部品側の面）３ｂに沿って、上面３ａ側が高くなるように傾斜している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料を含有する電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、基板上に搭載された電子部品を被覆するものであり、
前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において、前記電子部品と反対側の面から前記電子部品側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【請求項２】
前記電磁波遮断層は、複数の層が積層された積層体をなし、
前記反対の面側に位置する前記層における前記導電性材料の含有量は、前記電子部品側に位置する前記層における前記導電性材料の含有量よりも高い請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項３】
前記電磁波遮断層は、さらに、誘電体材料を含み、これにより、前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において傾斜する請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項４】
前記導電性材料は、導電性高分子、金属系粒子および炭素系材料のうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項５】
前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である請求項４に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項６】
前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である請求項４または５に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項７】
前記電磁波遮断層は、その平均層厚みが１μｍ以上１００μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項８】
前記電磁波遮断層は、さらに、前記電子部品側に、導電性材料を含有しない絶縁層を備える請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項９】
当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第１の層側に積層された保護シートを含む請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項１０】
当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上３０％以下である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項１１】
基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性材料を含有し、前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において、前記電子部品と反対側の面から前記電子部品側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることを特徴とする電子部品搭載基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。
【０００３】
このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる保護層（基材層）と、保護層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。
【０００５】
また、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しているが、このような電磁波を遮断する機能を発揮する電磁波遮断層としては、例えば、反射層と、吸収層とがある。
【０００６】
ここで、反射層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）し、吸収層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで、電磁波を消滅させて遮断する。これらのうち反射層では、反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼすという欠点を有する。そのため、近年、吸収層で構成された電磁波遮断層について研究がなされ、特に、高周波帯域のものまで効果的に吸収により遮断し得る電磁波遮断層（吸収層）を備える電磁波シールド用フィルムの開発がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６９４６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）  導電性材料を含有する電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、基板上に搭載された電子部品を被覆するものであり、
前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において、前記電子部品と反対側の面から前記電子部品側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【００１０】
（２）  前記電磁波遮断層は、複数の層が積層された積層体をなし、
前記反対の面側に位置する前記層における前記導電性材料の含有量は、前記電子部品側に位置する前記層における前記導電性材料の含有量よりも高い上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１１】
（３）  前記電磁波遮断層は、さらに、誘電体材料を含み、これにより、前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において傾斜する上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１２】
（４）  前記導電性材料は、導電性高分子、金属系粒子および炭素系材料のうちの少なくとも１種である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１３】
（５）  前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である上記（４）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１４】
（６）  前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である上記（４）または（５）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１５】
（７）  前記電磁波遮断層は、その平均層厚みが１μｍ以上１００μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１６】
（８）  前記電磁波遮断層は、さらに、前記電子部品側に、導電性材料を含有しない絶縁層を備える上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１７】
（９）  当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第１の層側に積層された保護シートを含む上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１８】
（１０）  当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上３０％以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１９】
（１１）  基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性材料を含有し、前記導電性材料の含有量は、前記電磁波遮断層において、前記電子部品と反対側の面から前記電子部品側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることを特徴とする電子部品搭載基板。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、導電性材料を含有する電磁波遮断層を備え、この電磁波遮断層が、基板上に搭載された電子部品を被覆するものであり、かかる電磁波遮断層において、導電性材料の含有量が、前記電子部品と反対側の面から前記電子部品側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す電磁波シールド用フィルムが備える電磁波遮断層を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態が備える電磁波遮断層を示す縦断面図である。
【図４】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【図５】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【図６】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。
【００２３】
本発明の電磁波シールド用フィルム１０は、導電性材料を含有する電磁波遮断層３を備え、この電磁波遮断層３は、基板５上に搭載された電子部品４を被覆するものであり、導電性材料の含有量は、電磁波遮断層３において、電子部品４と反対側の面から電子部品４側の面に沿って、前記反対の面側が高くなるように傾斜していることを特徴とする。
【００２４】
このような電磁波シールド用フィルム１０によれば、電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる。
【００２５】
以下、この電磁波シールド用フィルムについて説明する。
＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムが備える電磁波遮断層を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１、２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２６】
電磁波シールド用フィルムは、基板５上の凹凸６を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１０は、保護層（保護シート）１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とを含んで構成され、電磁波遮断層３および絶縁層２は、保護層１の下面（一方の面）側から、電磁波遮断層３が保護層１に接触して、この順で積層されている。
【００２８】
なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６５と凹部６６とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。すなわち、基板５上に搭載された電子部品４を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。
【００２９】
以下、電磁波シールド用フィルム１０が備える各層１、２、３について説明する。
＜保護層１＞
まず、保護層１について説明する。
【００３０】
保護層（保護シート）１は、電磁波遮断層３の酸化による劣化を防止する機能を有する。さらに、保護層１は、可撓性を備え、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、押し込まれた絶縁層２および電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。
【００３１】
この保護層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴムのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、保護層１の絶縁層２および電磁波遮断層３に対する保護性、さらには耐熱性を向上させることができる。
【００３２】
また、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０２〜５．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましく、２．０Ｅ＋０４〜３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがさらに好ましい。このように、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、保護層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３に破断を生じさせることなく絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５が、破断の発生が防止された電磁波遮断層３をもって、凹凸６の形状に追従した状態で被覆されるようになるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
【００３３】
保護層１の厚みは、特に限定されないが、３μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７μｍ以上、１２μｍ以下である。保護層１の厚みが前記下限値未満である場合、保護層１ひいては絶縁層２および電磁波遮断層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、保護層１の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。
【００３４】
さらに、保護層１は、その電磁波遮断層３側の面に、粘着剤層を備えるものであってもよい。すなわち、電磁波遮断層３は、粘着剤層を介して保護層１に接合されたものであってもよい。これにより、保護層１と電磁波遮断層３との粘着性（密着性）の向上が図られる。
【００３５】
この粘着剤層は、例えば、主として、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびゴム系粘着剤等のうちの少なくとも１種からなる粘着剤で構成される。
【００３６】
アクリル系粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合したものが挙げられる。
【００３７】
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する電磁波遮断層３との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００３８】
この場合、粘着剤層には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーが含まれていてもよい。
【００３９】
また、ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、イソプレンゴム系、スチレン−ブタジエン系、再生ゴム系、ポリイソブチレン系のものや、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン等のゴムを含むブロック共重合体を主とするもの等が挙げられる。
【００４０】
さらに、シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルシロキサン系、ジフェニルシロキサン系のもの等が挙げられる。
【００４１】
なお、粘着剤層に含まれる粘着剤は、硬化型および非硬化型のいずれであってもよいが、硬化型の場合、粘着剤層には、架橋剤が添加されていてもよい。この架橋剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等が挙げられる。
【００４２】
また、硬化型の場合、粘着剤層には、粘着剤層を紫外線等の光の照射により硬化させる光重合開始剤が添加されていてもよい。この光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等が挙げられる。
【００４３】
さらに、粘着剤層には、その接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等が添加されていてもよい。
【００４４】
また、粘着剤層には、例えば、可塑剤、粘着付与剤、増粘剤、充填剤、老化防止剤、防腐剤、防カビ剤、染料、顔料等の各種添加剤が必要に応じ添加されていてもよい。
【００４５】
＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。
【００４６】
電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有し、特に、電子部品４から生じる電磁波をより効果的に遮断する機能を有する。
【００４７】
ここで、電磁波を遮断する機能を発揮するには、前述のとおり、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。
【００４８】
このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。
【００４９】
そこで、本発明者は、吸収により遮断し得る電磁波遮断層（吸収層）について鋭意検討を重ねた結果、基板５上に搭載された電子部品４を被覆するために用いられる、導電性材料を含有する電磁波遮断層３において、前記導電性材料の含有量を、上面（電子部品と反対側の面）３ａから下面（電子部品側の面）３ｂに沿って、上面３ａ側が高くなるように傾斜している構成とすることで、電磁波遮断層３を、高周波帯域のものまで効果的に吸収により電磁波を遮断する吸収層とし得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００５０】
この電磁波遮断層３は、図２に示すように、導電性材料３Ｅの含有量が、上面３ａから下面３ｂに沿って、上面３ａ側を高く下面３ｂ側を低くして傾斜している。ここで、例えば、電磁波遮断層３の全体（１００％）が金属膜（金属箔）で構成されていると、その表面の全体が金属材料で構成されているため、電磁波遮断層３に到達した電磁波がその内部に引き込まれることなく反射される。これに対して、本発明では、上述の通り、導電性材料３Ｅの含有量が、上面３ａ側を高く下面３ｂ側を低くして傾斜している。したがって、下面３ｂ側の表面の全体は、金属材料では構成されておらず、電磁波遮断層３に到達した電磁波をその内部に引き込む（浸入させる）ことができる。そして、電磁波遮断層３の内部において、上面３ａに接近するほど、導電性材料の含有量が高くなることに起因して、引き込まれた電磁波が吸収されると推察される。このようなメカニズムにより、電磁波遮断層３は、高周波帯域のものまで効果的に吸収により電磁波を遮断する吸収層とし機能するものと推察される。このように、電磁波遮断層３の下面３ｂ側の導電性材料３Ｅの含有量が低いことで、電磁波遮断層３の下面３ｂでの抵抗値（インピーダンス）が高くなり、回路上のインピーダンス変化が小さくなることから、後に詳述するように、高周波帯域の電磁波における不整合損の値を小さくすることができると推察される。
【００５１】
ところで、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断しているのか、または、電磁波を吸収することにより遮断しているのかを評価する方法として、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）が知られている。
【００５２】
このＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われる。
【００５３】
これらのうち反射成分Ｓ１１は、入射波に対する反射波の電圧（振幅）強度をｄＢで表したものとして測定される。そして、この反射成分Ｓ１１を用いて、下記式（１）から、入射波に対する反射成分以外の電力強度をｄＢで表した不整合損を求めることができる。
不整合損  ＝  −１０・ｌｏｇ｛１−１０＾（２Ｓ１１／１０）｝［ｄＢ］（１）
【００５４】
不整合損における、反射成分以外の成分としては、吸収成分および透過成分が挙げられる。そのため、不整合損の値が大きくなると反射成分が大きく、不整合損の値が小さくなると吸収成分および透過成分が大きくなっていると言うことができる。
【００５５】
したがって、透過成分が小さいと仮定した場合、不整合損の値が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっていると言うことができる。なお、反射成分が小さくなるのは、電磁波遮断層により回路上のインピーダンス変化が小さくなり、これにより、回路内での反射を抑制しているものと推察される。
【００５６】
そこで、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であることが好ましく、０．５ｄＢ以下であるのがより好ましい。このような電磁波遮断層であれば、高周波帯域の電磁波における不整合損の値が小さくなっていると言うことができ、透過成分が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっており、この電磁波遮断層３が吸収層で構成されているものであると言うことができる。
【００５７】
さらに、電磁波遮断層に入射した電磁波の遮断を評価する方法として、上述したＭＳＬ法の他に、関西電子工業振興センターで開発されたKEC法が知られている。
【００５８】
ここで、KEC法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収成分）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射成分）とが加算された値として測定される。
【００５９】
すなわち、このKEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定される。すなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。
【００６０】
よって、電磁波遮断層３は、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であるものであることが好ましく、１０ｄＢ以上８０ｄＢ以下であるものであることがより好ましい。このような電磁波遮断層３であれば、高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、この電磁波遮断層３を、吸収成分および反射成分を遮断する遮断層であると言える。
【００６１】
したがって、電磁波遮断層が、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下である際に、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であることを満足すれば、すなわち、電磁波遮断層３において、ＭＳＬ法を用いて測定された不整合損の値が小さく、かつ、KEC法（電界）を用いて測定された電磁波シールド性（吸収成分＋反射成分）が大きくなっていれば、電磁波遮断層３を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により電磁波を優位に遮断している吸収層であると言うことができる。
【００６２】
このような電磁波遮断層３は、前述のとおり、本発明では、導電性材料３Ｅの含有量が、上面３ａから下面３ｂに沿って、上面３ａ側を高く下面３ｂ側を低くして傾斜している。換言すれば、導電性材料３Ｅは、上面３ａから下面３ｂに傾斜して、上面３ａ側に偏在しており、これにより、電磁波遮断層３は、吸収成分により電磁波を優位に遮断する吸収層として機能する。
【００６３】
この電磁波遮断層３は、如何なる導電性材料を含有するものであってもよく、この導電性材料としては、例えば、導電性高分子、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子、ならびに、炭素系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、導電性高分子を含むものであることが好ましい。これらの中でも、導電性高分子は、材料自体が吸収性に優れるものであることから、導電性高分子を含む電磁波遮断層３の膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、電磁波遮断層３に、特に優れた吸収性を発揮させることができる。したがって、電磁波遮断層３に、吸収層としての機能を発揮させつつ、その薄膜化および軽量化が可能である。
【００６４】
導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンであるのが好ましい。これらによれば、前述した導電性高分子を用いることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
【００６５】
なお、金属系粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ２Ｏ４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられる。
【００６６】
金属系粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、４．５μｍ以上７．５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、金属系粒子を電磁波遮断層３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波遮断層３を、このものとしての特性を均質に発揮するものとできる。
【００６７】
また、炭素系材料（導電性カーボン）としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォール、カーボンブラック、カーボンファイバ、グラフェンのような炭素等が挙げられる。
【００６８】
さらに、電磁波遮断層３は、その構成材料として、導電性材料の他に、誘電体材料を含有するものであることが好ましい。この誘電体材料を、電磁波遮断層３において、その含有量が上面３ａ側で低く下面３ｂ側で高くなるように傾斜して含有させることにより、電磁波遮断層３を、導電性材料３Ｅの含有量が上面３ａ側で高く、下面３ｂ側で低くして傾斜しているものと容易にすることができる。
【００６９】
また、誘電体材料としては、例えば、セラミックス材料、ガラス材料および樹脂材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、樹脂材料を含むものであることが好ましい。これにより、樹脂材料がバインダー（バインダー樹脂）として機能し、導電性材料３Ｅの含有量が上面３ａ側で高く、下面３ｂ側で低くして傾斜している電磁波遮断層３を安定的に形成することができる。
【００７０】
樹脂材料としては、各種樹脂材料を用いることができ特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性エラストマー等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマーのような熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７１】
また、セラミックス材料としては、例えば、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、シリカ、チタニア、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子（ＢＣＴＺ型結晶粒子）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子（ＢＣＴＺ型結晶粒子）、チタニア（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であるのが好ましい。これらによれば、前述した導電性高分子を用いることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
なお、ガラス材料としては、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
【００７２】
また、電磁波遮断層３の平均層厚みＴは、特に限定されないが、０．５μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上、２０μｍ以下であることがより好ましい。電磁波遮断層３の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層３の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層３の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。
【００７３】
さらに、電磁波遮断層３の上面３ａ側の厚さ１０％の領域における、導電性材料３Ｅの含有量は、８０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であることが好ましく、８５ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、電磁波遮断層３の内部に引き込んだ電磁波を、上面３ａ側から透過させることなく、電磁波遮断層３内において確実に遮断することができる。また、電磁波遮断層３の下面３ｂ側の厚さ１０％の領域における、導電性材料３Ｅの含有量は、０ｗｔ％超２０ｗｔ％以下であることが好ましく、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、電磁波遮断層３に到達した電磁波を、反射することなく確実にその内部に引き込むことができる。
【００７４】
また、電磁波遮断層３の上面３ａにおける表面抵抗値は、０．０００００００１Ω／□以上１０Ω／□以下であるのが好ましく、０．００００１Ω／□以上１Ω／□以下であるのがより好ましい。また、電磁波遮断層３の下面３ｂにおける表面抵抗値は、１０００００Ω／□以上１００００００００００００Ω／□以下であるのが好ましく、１００００００Ω／□以上１００００００００００Ω／□以下であるのがより好ましい。これにより、電磁波遮断層３の内部に引き込んだ電磁波を、上面３ａ側から透過させることなく、電磁波遮断層３内において確実に遮断することができるとともに、電磁波遮断層３に到達した電磁波を、反射することなく確実にその内部に引き込むことができる。
【００７５】
なお、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０の加熱の後、保護層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記保護層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。
【００７６】
＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。
【００７７】
絶縁層２は、電磁波遮断層３に接触して設けられ、保護層１側から電磁波遮断層３、絶縁層２の順で積層されている。このように積層された絶縁層２および電磁波遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１０を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。
【００７８】
このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁するとともに、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する電磁波遮断層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。
【００７９】
この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。
【００８０】
熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートのような熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。
【００８１】
さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。
【００８２】
絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、２０μｍ以下である。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、電磁波遮断層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２に屈曲性を確実に付与することができ、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）の薄膜化を実現すること、ひいては、絶縁層２および遮断層（反射層）３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化および薄型化を実現することができる。
【００８３】
また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性が向上することとなる。
【００８４】
なお、この絶縁層２は、図１で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。
【００８５】
さらに、絶縁層２は、その電磁波遮断層３側の面、および、電磁波遮断層３と反対側の面の双方または何れか一方に、粘着剤層を備えるものであってもよい。これにより、電磁波遮断層３と絶縁層２との粘着性（密着性）および／または電磁波シールド用フィルム１０で被覆する基板５と絶縁層２との粘着性（密着性）の向上が図られる。
【００８６】
この粘着剤層としては、前述した保護層１の説明で記載した粘着剤層と同様のものが挙げられる。
【００８７】
なお、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０を、絶縁層２を備えるものとすることで、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁することとしたが、この絶縁層２による電子部品４同士の絶縁を必要としない場合には、この絶縁層２を省略することもできる。
【００８８】
電磁波シールド用フィルム１０を、上記のような構成の保護層１、電磁波遮断層３および絶縁層２を備えるものとすることにより、電磁波シールド用フィルム１０の軽量化・薄型化を図ることができる。
【００８９】
また、電磁波シールド用フィルム１０は、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下であることが好ましく、０．０１％以上、１０％以下であることがより好ましい。これにより、光を吸収、遮断し電磁波遮断層３で被覆している内部すなわち電子部品４を見えなくすることができるため、例えば、電磁波遮断層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性を担保することができるという利点が得られる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。
【００９０】
＜第２実施形態＞
次に、電磁波シールド用フィルムの第２実施形態について説明する。
【００９１】
図３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態が備える電磁波遮断層を示す縦断面図である。
【００９２】
以下、第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１０について、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９３】
本実施形態の電磁波シールド用フィルム１０は、構成が異なる電磁波遮断層３を備えること以外は、第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１０と同様である。
【００９４】
すなわち、第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１０において、電磁波遮断層３は、図３に示すように、上側（保護層１側）から、第１の層３１、第２の層３２、第３の層３３、第４の層３４および第５の層３５がこの順で積層された積層体で構成されており、上面３ａ側に位置する層（例えば、第１の層３１）における導電性材料の含有量が下面３ｂ側に位置する層（例えば、第２の層３２）における導電性材料の含有量よりも高くなっている。本実施形態では、電磁波遮断層３をこのような導電性材料の含有量が異なる層を備える積層体で構成することにより、導電性材料３Ｅの含有量が、上面３ａから下面３ｂに沿って、上面３ａ側を高く下面３ｂ側を低くして傾斜している電磁波遮断層３が形成されている。
【００９５】
したがって、かかる構成の電磁波遮断層３を備える第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１０によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９６】
また、かかる構成の電磁波遮断層３において、第１の層３１における、導電性材料３Ｅの含有量は、８０ｗｔ％超１００ｗｔ％以下であることが好ましく、８５ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であることがより好ましい。また、第２の層３２における、導電性材料３Ｅの含有量は、６０ｗｔ％超８０ｗｔ％以下であることが好ましく、６５ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることがより好ましい。第３の層３３における、導電性材料３Ｅの含有量は、４０ｗｔ％超６０ｗｔ％以下であることが好ましく、４５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下であることがより好ましい。第４の層３４における、導電性材料３Ｅの含有量は、２０ｗｔ％超４０ｗｔ％以下であることが好ましく、２５ｗｔ％以上３５ｗｔ％以下であることがより好ましい。さらに、第５の層３５における、導電性材料３Ｅの含有量は、０ｗｔ％超２０ｗｔ％以下であることが好ましく、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい。かかる関係を満足することにより、電磁波遮断層３の内部に引き込んだ電磁波を、上面３ａ側から透過させることなく、電磁波遮断層３内において確実に遮断することができるとともに、電磁波遮断層３に到達した電磁波を、反射することなく確実にその内部に引き込むことができる。
【００９７】
なお、電磁波遮断層３を構成する積層体における各層の数は、本実施形態のように５つの場合に限らず、２層以上４層以下であっても良いし、６層以上であっても良いが、好ましくは５層以上２５層以下に設定される。
【００９８】
＜電子部品の被覆方法＞
以上のような構成の電磁波シールド用フィルム１０を用いて、例えば、以下のようにして、基板５上に搭載された電子部品４が被覆される。
【００９９】
図４は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【０１００】
以下の電子部品の第１の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。
【０１０１】
（貼付工程）
前記貼付工程とは、図４（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する工程である。
【０１０２】
凹凸６に追従して貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。
【０１０３】
すなわち、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１０の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１０とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを常温下において、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、加圧することにより実施される。
【０１０４】
このように電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧することで、保護層１が凹凸６の形状に追従し、さらに、これに併せて、保護層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２および電磁波遮断層３も凹凸６の形状に追従する。これにより、凹凸６の形状に保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３が追従した状態で、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【０１０５】
このような貼付工程において、貼付する温度は、常温であり、具体的には、５℃以上、３５℃以下であることが好ましく、２０℃以上、３０℃以下であることがより好ましく、２５℃であることがさらに好ましい。
【０１０６】
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０５ＭＰａ以上、０．５ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、０．３ＭＰａ以下である。
【０１０７】
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１秒以上、６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは５秒以上、３０秒以下である。
【０１０８】
貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０側からの加圧による電子部品４の破損を招くことなく、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３が追従した状態で、これら絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。
【０１０９】
以上のような工程を経ることにより、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を追従するように被覆することができる。なお、本実施形態のように、被覆した凹凸６に保護層１が残存する被覆方法では、基板５の反対側に位置する他の部材（電子部品等）と電磁波遮断層３とを絶縁する絶縁層としての機能を保護層１が発揮する。
【０１１０】
また、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で凹凸６に追従して被覆する上述した方法の他、凹凸６に追従することなく、電子部品４を被覆するように行ってもよい。
【０１１１】
図５は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【０１１２】
以下の電子部品の第２の被覆方法は、第１の被覆方法と同様に、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。
【０１１３】
（貼付工程）
この貼付工程では、図５（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従することなく貼付する。
【０１１４】
凹凸６に追従することなく貼付するには、例えば、前記第１の被覆方法で説明した貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧する際に、この加圧条件を設定することにより実現できる。すなわち、前記加圧条件を、凹凸６に追従させる際の圧力よりも低く設定すること、および、凹凸６に追従させる際の時間よりも短く設定することにより、凹凸６に追従することなく電磁波シールド用フィルム１０を貼付することができる。
【０１１５】
このような被覆方法により、凹凸６の形状に保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３が追従していない状態で、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【０１１６】
なお、このように、電磁波シールド用フィルム１０を凹凸６の形状に追従させない場合、絶縁層２および電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能する保護層１の形成を省略することもできる。
【０１１７】
さらに、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で被覆する方法、すなわち、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆する上述した方法（第１の被覆方法および第２の被覆方法）の他、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、絶縁層２および電磁波遮断層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。
【０１１８】
図６は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【０１１９】
以下の電子部品の第３の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、保護層１を剥離する剥離工程とを有する。
【０１２０】
（貼付工程）
貼付工程では、図４で説明した電子部品の被覆方法と同様に、図６（ａ）に示すように、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する。
【０１２１】
（剥離工程）
剥離工程では、例えば、図６（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、保護層１を電磁波シールド用フィルム１０から剥離する。
【０１２２】
この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０における保護層１と電磁波遮断層３との界面において、剥離が生じ、その結果、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。これにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【０１２３】
なお、保護層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。
【０１２４】
この手作業による剥離では、まず、保護層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から保護層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次保護層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。
【０１２５】
以上のような工程を経ることにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。かかる被覆方法によれば、電磁波遮断層３で電磁波を遮断する際のさらなる軽量化・薄型化を図ることができる。
【０１２６】
また、第２の被覆方法と第３の被覆方法とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従させることなく貼付した後に、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、凹凸６に追従していない絶縁層２および電磁波遮断層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。
【０１２７】
なお、前記実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１０が備える保護層１が１層で構成される場合について説明したが、かかる構成のものに限定されず、例えば、保護層１は、第１の層、第２の層がこの順で積層された２層の積層体であってもよいし、第１の層、第２の層、第３の層がこの順で積層された３層の積層体であってもよい。
【０１２８】
２層の積層体の構成とする場合、第１の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。
【０１２９】
第２の層は、第１の層と電磁波遮断層３との間に位置して、電磁波シールド用フィルムの製造方法の第１の工程において、電磁波遮断層３に保護層（保護シート）１を貼付する際に、第１の層を電磁波遮断層３に粘着（貼付）させる粘着層として機能するものである。
【０１３０】
この第２の層は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。
【０１３１】
第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、８μｍ以下であることがより好ましい。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の構成材料の種類によっては、第２の層による粘着性が十分に発揮されないおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。
【０１３２】
さらに、３層の積層体の構成とする場合、第１の層および第３の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。
【０１３３】
第２の層は、電子部品の被覆方法の貼付工程において、保護層１を押し込み用の保護として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層は、この押し込む力を、第３の層、さらには、この第３の層を介して絶縁層２および電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。
【０１３４】
この第２の層（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層に、第３の層を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。
【０１３５】
第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。
【０１３６】
また、第２の層の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、第２の層を、第３の層と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【０１３７】
また、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば、筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。
【０１３８】
以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１３９】
例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。
【符号の説明】
【０１４０】
１０      電磁波シールド用フィルム
１        保護層
２        絶縁層
３        電磁波遮断層
３ａ      上面
３ｂ      下面
３１      第１の層
３２      第２の層
３３      第３の層
３４      第４の層
３５      第５の層
３Ｅ      導電性材料
４        電子部品
５        基板
６        凹凸
６５      凸部
６６      凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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