(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性が高く、暗電流の発生を抑制することができる、有機光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。【解決手段】有機光電変換素子は、順に基板、陽極層、平坦化層、ホール輸送層、光電変換層、電子輸送層、陰極層とを備え、電子輸送層または光電変換層が、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体からなる。2017054916.tif 000016上記一般式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ異なる置換基である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体からなる電子輸送層を備える、有機光電変換素子。
【化１】
2017054916.tif 000014
上記一般式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ異なる置換基である。
【請求項２】
下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体を有する光電変換層を備える、有機光電変換素子。
【化２】
2017054916.tif 000015
上記一般式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ異なる置換基である。
【請求項３】
前記Ａ１、Ａ２、Ａ３が、前記一般式（１）の双極子モーメントμの大きさが０≦μ＜０．３となるように選択されている請求項１又は２のいずれかに記載の有機光電変換素子。
【請求項４】
前記Ａ１が水素、前記Ａ２がメチル基、前記Ａ３がエチル基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機光電変換素子を備えた固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機光電変換素子及び固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子に用いる有機光電変換素子は、製造プロセスにおいて高温環境に曝される場合がある、しかしながら、有機光電変換素子に用いられる有機材料が高温環境に十分耐えることができない場合があった。
また固体撮像素子に用いる有機光電変換素子は、光電変換効率や応答速度向上のために外部から電圧を印加することが多い。しかしながら、外部から電圧を印加すると、電極からの正孔注入もしくは電子注入による暗電流が増えてしまう。暗電流は固体撮像素子におけるノイズとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１４−５０４０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、耐熱性が高く、暗電流の発生を抑制することができる有機光電変換素子及び固体撮像素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の有機光電変換素子は、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体からなる電荷輸送層を持つ。
【０００６】
【化１】
2017054916.tif 000002
【０００７】
上記一般式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ異なる置換基である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の有機光電変換素子の構成を模式的に示す断面図。
【図２】実施形態の有機光電変換素子の構成の他の例を模式的に示す断面図。
【図３】実施形態の固体撮像素子の構成を模式的に示す断面図。
【図４】実施形態の固体撮像素子の製造方法を示す断面図。
【図５】実施形態の固体撮像素子の製造方法を示す断面図。
【図６】実施形態の固体撮像素子の製造方法を示す断面図。
【図７】実施形態の固体撮像素子の製造方法を示す断面図。
【図８】実施形態の固体撮像素子を適用したＣＭＯＳイメージセンサの一例を示す斜視図。
【図９】実施形態の固体撮像素子を適用したＣＭＯＳイメージセンサの他の例を示す斜視図。
【図１０】ＣＭＯＳイメージセンサを搭載したカメラを備える車の一例を示す平面図。
【図１１】ＣＭＯＳイメージセンサを搭載したカメラを備える車の他の例を示す平面図。
【図１２】ＣＭＯＳイメージセンサを搭載したカメラを備えるスマートフォンを示す平面図。
【図１３】ＣＭＯＳイメージセンサを搭載したカメラを備えるタブレットを示す平面図。
【図１４】３つの異性体を有するＮＴＣＤＡとｓｅｃ−ブチルアミンとの化合物を成膜した成膜面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した平面及び断面図。
【図１５】ＮＴＣＤＡ単体を成膜した成膜面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した平面及び断面図。
【図１６】シミュレーションにおける分子構造における回転方向を説明するための模式図。
【図１７】シミュレーションにおける分子構造における回転方向を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態の有機光電変換素子及び固体撮像素子を、図面を参照して説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における有機光電変換素子の構成を模式的に示す断面図である。図１に示すように、有機光電変換素子１は、基板２と、陽極３と、平坦化層４と、ホール輸送層５と、光電変換層６と、電子輸送層７と、陰極８と、を備える。実施形態の有機光電変換素子１は、有機光電変換素子１に入射した光を吸収し、光電変換することができる。
【００１１】
基板２は、他の部材を支持するために設けられる。基板２の材料としては、光を透過するものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス、合成樹脂等からなる透明な基板を用いることができる。
【００１２】
基板２の厚さとしては、その他の部材を支持するために十分な強度があれば、特に限定されない。基板２の形状、構造、大きさ等としては、特に限定されるものではなく、用途、目的等に応じて適宜選択することができる。
【００１３】
陽極３は、基板２に隣接して積層されている。陽極３は、後述する光電変換層６と電気的に接続されており、光電変換層６で生成した正孔を受け取る。陽極３の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。具体的には、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜、有機系の導電性ポリマー等が挙げられる。
【００１４】
金属酸化物膜としては、具体的には、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びこれらの複合体である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等からなる導電性ガラスを用いて作製した膜（ＮＥＳＡ等）が挙げられる。金属薄膜としては、具体的には、例えば、金、白金、銀、銅の薄膜等が挙げられる。導電性ポリマーとしては、具体的には、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等が挙げられる。これらの中でもＩＴＯからなる透明電極を用いるのが好ましい。
【００１５】
陽極３の膜厚としては、例えばＩＴＯを用いた場合、３０〜３００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍよりも厚くすることで、陽極３の抵抗を下げ、抵抗増加による光電変換効率の低下を抑えることができる。また、３００ｎｍよりも薄くすることで、ＩＴＯの可撓性を維持し、ひび割れを防止することができる。
陽極３は、単層であってもよいし、異なる仕事関数の材料からなる層を積層したものであってもよい。
【００１６】
平坦化層４は、陽極３における基板２の反対側に隣接して積層されている。平坦化層４により、陽極３の凹凸の影響を緩和することができる。平坦化層４の材料としては、陽極３の凹凸の影響を緩和することができるものであれば特に限定されない。具体的には、例えば、導電性インクであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）のようなポリチオフェン系ポリマー等が挙げられる。
【００１７】
ホール輸送層５は、平坦化層４と後述する光電変換層６との間に隣接して積層されている。ホール輸送層５により、陽極３から電子が光電変換層６側へ注入されるのを抑制し、かつ、光電変換層６で生成した正孔を陽極３へ受け渡す。
【００１８】
ホール輸送層５の材料としては、特に限定されない。例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）、トリス（４−カルバゾイル−９−イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）等が挙げられる。
【００１９】
光電変換層６は、ホール輸送層５と後述する電子輸送層７との間に隣接して積層されている。光電変換層６により、有機光電変換素子１に入射した光を吸収して光電変換し、電子と正孔とを生成する。
【００２０】
光電変換層６は、ドナー材料とアクセプタ材料とから構成されていてもよい。ドナー材料としては、特に限定されないが、具体的には、例えば、クマリン、キナクリドン、サブフタロシアニン等が挙げられる。また、アクセプタ材料としては、特に限定されないが、具体的には、例えば、フラーレン（Ｃ６０）、ペリレンテトラカルボキシジイミド、フタロシアニン等が挙げられる。
【００２１】
電子輸送層７は、光電変換層６と後述する陰極８との間に隣接して積層されている。電子輸送層７により、陰極８から正孔が光電変換層６側へ注入されるのを抑制し、かつ、光電変換層６で生成した電子を陰極８へ受け渡す。
【００２２】
電子輸送層７は、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む異性体からなる。すなわち、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含めば、その他の異性体を有していてもよい。
【００２３】
【化２】
2017054916.tif 000003
【００２４】
ここで、一般式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、それぞれ異なる置換基である。
【００２５】
異性体は、同じ数、同じ種類の原子を有し、組成式は等しいが原子の間の結合関係が異なる分子である。異性体の関係にある物質間において、それぞれの異性体が有するエネルギー準位は類似する。そのため、電子輸送層７が異性体の関係にある複数の化合物からなる場合、それぞれの異性体が有するエネルギー準位の違いに起因した電子トラップ等が発生することはほとんど無く、電子輸送層７の電子輸送特性が大きく低下することを抑制することができる。
【００２６】
鏡像異性体は、原子の立体配置が互いに鏡像の関係になっている分子である。鏡像異性体の関係にある二つの化合物を少なくとも有する電子輸送層７は、サイズの小さな微結晶からなる。鏡像異性体の関係にある物質同士は、非常に類似した構造を有するが、完全に同一の物質ではない。そのため、鏡像異性体の関係にある物質同士を含有すると、サイズの大きな結晶に結晶成長しにくい。
【００２７】
電子輸送層７は、電子輸送層７が単一の結晶性物質からなる場合と比較して、電子輸送層７の平坦性が高い。単一の結晶性物質を用いて電子輸送層７を作製すると、結晶性物質が比較的サイズの大きな結晶に粒成長する。結晶粒間には凹凸が生じるため、電子輸送層７の平坦性を高めることが難しい。これに対し、鏡像異性体の関係にある二つの化合物を少なくとも有すると、電子輸送層７がサイズの小さな微結晶からなる。電子輸送層御７が微結晶からなると、結晶粒間の凹凸が小さくなり、電子輸送層７の平坦性が高まる。
電子輸送層７の平坦性が高いと、陽極３と陰極８間の電極間距離を一定にすることができ、暗電流の発生や局所的な電界集中の発生を抑制することができる。
【００２８】
電子輸送層７は、電子輸送層７がアモルファスからなる場合と比較して、耐熱性が高い。結晶性を有する物質はアモルファスの物質より一般に耐熱性が高いためである。電子輸送層７の耐熱性を高めることで、有機半導体素子１及び後述する固体撮像素子を製造する際のプロセスマージンを広げることができる。例えば、シリコンフォトダイオード等を利用した固体撮像素子においては、その製造過程において高温プロセスを経ることが一般的である。電子輸送層７が耐熱性を有することで、高温プロセスに耐えることができ、有機半導体素子１及び後述する固体撮像素子の製造方法が限定されない。
【００２９】
上記のように、電子輸送層７が鏡像異性体の関係にある二つの化合物を少なくとも有することで、電子の輸送特性を大きく低下させることなく、電子輸送層７の平坦性及び耐熱性を両立することができる。
【００３０】
一般式（１）において、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、一般式（１）で表記される化合物の双極子モーメントμの大きさが０≦μ＜０．３となるように選択することが好ましい。双極子モーメントμの大きさが小さいということは、化合物全体における電荷の偏りが小さいことを意味する。
【００３１】
一般式（１）で表記される化合物の電荷の偏りが小さければ、異性体同士を比較した場合における異性体間の相対的な電荷の偏りも小さくなる。すなわち、それぞれの異性体を比較した際の双極子モーメントの差が小さくなる。それぞれの異性体を比較した際の双極子モーメントの差が小さいと、それぞれの異性体の持つ電荷分布が類似し、それぞれの異性体が有する性質がより類似する。
【００３２】
それぞれの異性体が有する性質が類似すると、異性体の関係にある物質間におけるエネルギー準位の違いをより小さくすることができる。また電子輸送層７を形成する際にそれぞれの異性体が相分離することを抑制することができる。それぞれの異性体の性質が異なると、それぞれの成膜レート等が異なり、相分離が生じやすくなる。相分離の発生は粒子径の大きな多結晶の生成を招くため、相分離を抑制することで電子輸送層７の平坦性をより高めることができる。
【００３３】
一般式（１）において、Ａ１が水素、Ａ２がメチル基、Ａ３がエチル基であることがより好ましい。この化合物は、以下の一般式（２）〜（４）で表記される。
【００３４】
【化３】
2017054916.tif 000004
【００３５】
【化４】
2017054916.tif 000005
【００３６】
【化５】
2017054916.tif 000006
【００３７】
一般式（２）〜（４）で表記される化合物は、それぞれ異性体の関係にある。また一般式（２）及び一般式（３）で表記される化合物は、それぞれ鏡像異性体の関係にある。
【００３８】
一般式（２）〜（４）で表記される化合物は、いずれも双極子モーメントμが、０≦μ＜０．３を満たす。さらに、Ａ１、Ａ２、Ａ３を構成する水素又は炭素鎖の長さが短い。そのため、Ａ１、Ａ２、Ａ３を構成する分子同士が互いに絡まる等の立体障害が生じることを抑制することができる。立体障害は、電荷輸送膜７の融点の低下や電荷輸送性の低下の原因となりうる。
【００３９】
一般式（２）〜（４）で表記される化合物のそれぞれは、ガラス転移温度を有さず、融点が１９７℃である。そのため、これらの化合物からなる電子輸送層７は１５０℃以上の高温プロセスに対しても耐熱性を有する。
【００４０】
陰極８は、電子輸送層７における光電変換層６の反対側に隣接して積層されている。陰極８は、光電変換層６と電気的に接続されており、光電変換層６で生成した電子を受け取る。陰極８の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。具体的には、例えば、導電性の金属酸化物膜、金属薄膜、合金等が挙げられる。
【００４１】
合金としては、具体的には、例えば、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【００４２】
陰極８の膜厚としては、特に限定されないが、具体的には、例えば、１０〜１５０ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ以上であることにより、抵抗を小さくすることができる。また、膜厚が１５０ｎｍ以下であることにより、成膜の時間を短縮し、成膜時の隣接する層へのダメージを抑えることができる。
陰極８は、単層であってもよいし、異なる仕事関数の材料からなる層を積層したものであってもよい。
【００４３】
次に、実施形態の有機光電変換素子１の製造方法について説明する。
先ず、基板２としてガラス基板を準備し、基板２上に、陽極３としてＩＴＯ等の透明導電膜を、スパッタリング法により成膜する。陽極３を成膜する方法としては、上述したスパッタリング法の他に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等により行ってもよい。
【００４４】
陽極３上に、平坦化層４として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等の導電性インクを、スピンコート法等の方法により塗布する。その後、ホットプレート等で加熱乾燥することで成膜する。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用してもよい。
【００４５】
平坦化層４上に、ホール輸送層５として、例えばＴＰＤを、真空蒸着法により成膜する。なお、ホール輸送層５を成膜する方法としては、上述した真空蒸着法の他に、塗布法等により行ってもよい。
【００４６】
ホール輸送層５上に、光電変換層６として、例えばサブフタロシアニンを、真空蒸着法により成膜する。光電変換層６を成膜する方法としては、上述した真空蒸着法の他に、塗布法等により行ってもよい。
【００４７】
光電変換層６上に、電子輸送層７をとして、複数の異性体を共蒸着する。複数の異性体の共蒸着は、以下の手順で行う。
まず一般式（５）で表記されるナフタレンテトラカルボン酸二無水物と、一般式（６）で表記される組成物を準備する。これらの組成物は市販のものを用いることができる。
【００４８】
【化６】
2017054916.tif 000007
【００４９】
【化７】
2017054916.tif 000008
【００５０】
次いで、一般式（５）と一般式（６）の組成物を反応させ、以下の一般式（７）〜（９）の複数の異性体を一回の合成で同時に得る。合成は、加熱混合によって行うことができる。
【００５１】
【化８】
2017054916.tif 000009
【００５２】
【化９】
2017054916.tif 000010
【００５３】
【化１０】
2017054916.tif 000011
【００５４】
上記の一般式（６）で表記される組成物として、ｓｅｃ−ブチルアミンを用いると、一般式（７）〜（９）の化合物のそれぞれは、一般式（２）〜（４）のそれぞれに対応する。
【００５５】
得られた複数の異性体を、光電変換層６上に同時に真空蒸着する。複数の異性体のそれぞれが蒸着されるタイミングは、同時であることが好ましい。それぞれの異性体が順に蒸着されると、相分離等の発生を引き起こす場合がある。蒸着されるタイミング（蒸着レート）を一定にするためには、複数の異性体のそれぞれの双極子モーメントμは、０≦μ＜０．３の範囲内であることが好ましい。
【００５６】
電子輸送層７上に、陰極８として、例えばアルミニウムを、真空蒸着法により成膜する。陰極８を成膜する方法としては、上述した真空蒸着法の他に、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等により行ってもよい。
以上のような工程により、実施形態の有機光電変換素子１を製造することができる。
【００５７】
上記実施形態では、基板２が陽極３における平坦化層４の反対側に隣接して積層されるものとしたが、基板２が陰極８における電子輸送層７の反対側に隣接して積層されるものであってもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、有機光電変換素子１は基板２を備えているものとしたが、基板２を備えていないものであってもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、有機光電変換素子１は平坦化層４及びホール輸送層５を備えているものとしたが、平坦化層４及びホール輸送層５の一方又は両方を備えていないものであってもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、陽極３と陰極８とで異なる材料を用いるものとしたが、陽極３及び陰極８とで同じ材料を用いてもよく、その場合は上述した陽極３又は陰極８で用いる材料を用いることができる。例えば、陽極３及び陰極８の材料が両方ともＩＴＯであってもよい。
【００６１】
以上説明した実施形態によれば、有機光電変換素子１は、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む異性体からなる電子輸送層７を有することにより、高い耐熱性と、低い暗電流を実現することができる。
【００６２】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態における有機光電変換素子の構成を模式的に示す断面図である。第２の実施形態に係る有機光電変換素子１１は、第１の実施形態に係る有機光電変換素子１と光電変換層及び電子輸送層を構成する材料が異なる点のみが異なる。よって、以下の説明では、光電変換層及び電子輸送層を構成する材料について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
【００６３】
光電変換層１６は、光電変換材料に加えて、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体を有する。
光電変換材料は、ドナー材料とアクセプタ材料から構成されていてもよい。ドナー材料及びアクセプタ材料としては、特に限定されないが、第１の実施形態で提示したもの等を用いることができる。
【００６４】
上述のように、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む複数の異性体を有すると、形成される層の耐熱性及び平坦性を高めることができる。そのため、光電変換層１６がこれらの異性体を有することで、光電変換層１６の耐熱性及び平坦性を高めることができる。光電変換層１６の耐熱性が高ければ、有機半導体素子１及び後述する固体撮像素子を製造する際のプロセスマージンを広げることができる。光電変換層１６の平坦性が高ければ、陽極３と陰極８間の電極間距離を一定にすることができ、暗電流の発生や局所的な電界集中の発生を抑制することができる。
【００６５】
光電変換層１６においても、一般式（１）で表される化合物におけるＡ１、Ａ２、Ａ３は、一般式（１）で表記される化合物の双極子モーメントμの大きさが０≦μ＜０．３となるように選択することが好ましい。またＡ１が水素、Ａ２がメチル基、Ａ３がエチル基であることがより好ましい。
【００６６】
電子輸送層１７の材料としては、特に限定されない。第１の実施形態で提示した材料の他、オキサゾール誘導体やトリアゾール誘導体等を用いることができる。
【００６７】
以上説明した実施形態によれば、有機光電変換素子１は、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む異性体を有する光電変換層１６を有することにより、高い耐熱性と、低い暗電流を実現することができる。
【００６８】
次に、実施形態の有機光電変換素子を備える実施形態の固体撮像素子２１について、図３を参照して説明する。図３は、実施形態の固体撮像素子２１の構成を模式的に示す断面図である。図３に示すように、固体撮像素子２１は、隣接する画素２２ａ，２２ｂを備えて構成されている。
【００６９】
図３に示す固体撮像素子２１は、２つの画素２２ａ，２２ｂのみを図示したが、実施形態の固体撮像素子２１は、アレイ状に配列された複数の画素を有する。
【００７０】
実施形態の固体撮像素子２１は、支持基板２３と、配線部２４と、第１の光電変換部２５と、第２の光電変換部２６と、カラーフィルタ部２７と、マイクロレンズ２８と、を備える。
実施形態の固体撮像素子２１は、裏面照射型の光電変換素子である。図３では一例として裏面照射型を図示したが、これに限られず、表面照射型であってもよい。
【００７１】
支持基板２３は、配線部２４を支持するための基板である。支持基板２３としては、例えば、半導体基板等が挙げられる。また、半導体基板としては、具体的には、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板等が挙げられる。
【００７２】
配線部２４は、支持基板２３の受光面２１ａ側に設けられている。配線部２４と支持基板２３とは接着層２９を介して積層されている。配線部２４は、絶縁層３０と、多層配線３１と、読み出し用トランジスタ３２と、を有する。
【００７３】
絶縁層３０は、接着層２９と第１の光電変換部２５との間に隣接して設けられている。
絶縁層３０としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜等が挙げられる。
【００７４】
多層配線３１は、絶縁層３０内部に、画素２２ａ，２２ｂごとにそれぞれ設けられており、読み出し用トランジスタ３２、ストレージダイオード３６、及び周辺回路（図示略）と接続されている。
【００７５】
多層配線３１は、フォトダイオード３３ａ，３３ｂ及びストレージダイオード３６に蓄積された電荷を、電気信号として周辺回路（図示略）に出力することができる。多層配線３１の材料としては、導電性材料であれば特に限定されない。具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属、及びチタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の高融点金属のシリサイドが挙げられる。
【００７６】
読み出し用トランジスタ３２は、配線部２４における第１の光電変換部２５側の表面に、画素２２ａ，２２ｂごとにそれぞれ設けられている。読み出し用トランジスタ３２は、フォトダイオード３３a，３３ｂに蓄積された電荷の移動を制御する。
【００７７】
第１の光電変換部２５は、配線部２４と第２の光電変換部２６との間に隣接して設けられている。第１の光電変換部２５は、フォトダイオード３３a，３３ｂと、透明絶縁層３４と、コンタクトプラグ３５と、ストレージダイオード３６と、を有する。
【００７８】
フォトダイオード３３a，３３ｂは、アレイ状に配列されている画素２２ａ，２２ｂに対応するようにｐ型単結晶Ｓｉ基板３７に内設されている。フォトダイオード３３ａ，３３ｂにより、例えば、光の３原色のうちの１色の波長域の光であって、後述する光電変換層６を透過した光を吸収して光電変換する。
【００７９】
ここで、「光の３原色」とは、「青色」、「緑色」、「赤色」の３色である。青色光（青色の波長域の光）の波長域は例えば４００〜５００ｎｍであり、緑色光（緑色の波長域の光）の波長域は例えば５００〜６００ｎｍであり、赤色光（赤色の波長域の光）の波長域は例えば６００〜７００ｎｍである。
【００８０】
フォトダイオード３３a，３３ｂとしては、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７内にｎ型不純物拡散領域３８が設けられている。ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７とｎ型不純物拡散領域３８との間には、ＰＮ接合面が形成されている。フォトダイオード３３a，３３ｂは、ｐ型の単結晶Ｓｉ基板内に設けられたｎ型の不純物拡散領域に限られず、ｎ型の単結晶Ｓｉ基板内に設けられたｐ型の不純物拡散領域であってもよい。
【００８１】
ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７は、配線部２４と透明絶縁層３４との間に隣接して設けられている。ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７としては、例えば、ホウ素等のｐ型の不純物がドープされたＳｉ等を用いることができる。ｎ型不純物拡散領域３８としては、例えば、Ｓｉにリン等のｎ型の不純物をイオン注入したもの等を用いることができる。
【００８２】
透明絶縁層３４は、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７と第２の光電変換部２６との間に隣接して設けられている。透明絶縁層３４により、光を透過しつつ、光電変換層２６とｐ型単結晶Ｓｉ基板３７とを絶縁する。透明絶縁層３４としては、例えば、ＳｉＯ２膜等が挙げられる。
【００８３】
コンタクトプラグ３５は、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７を貫通するように設けられており、配線部２４と第２の光電変換部２６との間を電気的に接続する。また、コンタクトプラグ３５は、各フォトダイオード３３ａ，３３ｂにより四方を囲まれる領域に位置するように、画素２２ａ，２２ｂごとにそれぞれ配列されている。
【００８４】
コンタクトプラグ３５は、下部透明電極４３及びストレージダイオード３６と電気的に接続されており、下部透明電極４３で集められた電荷をストレージダイオード３６に送ることができる。コンタクトプラグ３５は、絶縁膜３９に覆われている。コンタクトプラグ３５の材料としては、導電性の材料であれば特に限定されない。具体的には、例えば、Ｓｉ等が挙げられる。また、絶縁膜３９としては、絶縁性の材料であれば特に限定されない。具体的には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等が挙げられる。
【００８５】
ストレージダイオード３６は、コンタクトプラグ３５の配線部２４側の末端に設けられている。ストレージダイオード３６は、下部透明電極４３で集められた電荷を一時的に蓄積する。フローティングディフュージョン（図示略）は、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７内に設けられている。蓄積された電荷は、ストレージダイオード３６からフローティングディフュージョン（図示略）へ送られ、電気信号に変換される。
【００８６】
第２の光電変換部２６は、第１の光電変換部２５とカラーフィルタ部２７との間に隣接して設けられている。第２の光電変換部２６は、下部透明電極４３と、平坦化層４４と、ホール輸送層５と、光電変換層６と、電子輸送層７と、上部透明電極４８と、を有する。
【００８７】
つまり、第２の光電変換部２６は、上述の有機光電変換素子１について基板２を省略したものである。有機光電変換素子１の陽極３が第２の光電変換部２６の下部透明電極４３に対応し、有機光電変換素子１の陰極８が第２の光電変換部２６の上部透明電極４８に対応している。第１の実施形態に係る有機光電変換素子１に代えて、第２の実施形態に係る有機光電変換素子１１を用いることもできる。以下、重複する部分については、説明を省略する。
【００８８】
下部透明電極４３は、透明絶縁層３４の受光面２１ａ側の表面に画素２２ａ，２２ｂごとにそれぞれ設けられる。下部透明電極４３をｐ型単結晶Ｓｉ基板４７へ投影して形成される投影領域の周縁部は、平面視において、フォトダイオード３３a，３３ｂの受光面と重なる。下部透明電極４３の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電性材料が挙げられる。
【００８９】
平坦化層４４は、下部透明電極４３及び透明絶縁層３４と後述する光電変換層６との間に隣接して設けられている。平坦化層３４は、下部透明電極３３及び透明絶縁層２４の表面の凹凸を平滑化することができる。平坦化層３４の材料としては、上述の有機光電変換素子１の平坦化層４と同様のものが挙げられる。
【００９０】
上部透明電極４８は、光電変換層６の受光面２１ａ側の表面に、複数のフォトダイオード３３ａ，３３ｂを覆うように１枚のシートとして設けられている。上部透明電極４８により、外部から供給されたバイアス電圧を光電変換層６へ印加することができる。
【００９１】
上部透明電極４８は、バイアス電圧を印加することにより、光電変換層６で発生した電荷を、各下部透明電極４３にそれぞれ集めることができる。上部透明電極４８の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電性材料が挙げられる。
【００９２】
カラーフィルタ部２７は、第２の光電変換部２６とマイクロレンズ２８との間に隣接して設けられている。カラーフィルタ部２７は、無機保護膜５１と、平坦化層５２と、複数の第１のカラーフィルタ５３ａ及び第２のカラーフィルタ５３ｂと、を有する。
【００９３】
無機保護膜５１は、上部透明電極４８の受光面２１ａ側の表面に１枚のシートとして設けられている。無機保護膜５１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜等が挙げられる。
【００９４】
平坦化層５２は、第２の光電変換部２６とマイクロレンズ２８との間に隣接して設けられている。平坦化層５２の材料としては、二酸化ケイ素等が挙げられる。
【００９５】
第１のカラーフィルタ５３ａ及び第２のカラーフィルタ５３ｂは、平坦化層５２内部に複数設けられ、フォトダイオード３３ａ，３３ｂと対向するように設けられている。第１のカラーフィルタ５３ａは、特定の波長域の光を吸収するとともに、その他の波長域の光を透過させる。第２のカラーフィルタ５３ｂは、第１のカラーフィルタ５３ａと同じものであってもよいし、異なる波長域の光を吸収するものであってもよい。
【００９６】
例えば、第１のカラーフィルタ５３ａは、青色光を吸収し、緑色光及び赤色光を透過させ、第２のカラーフィルタ５３ｂは、赤色光を吸収し、青色光及び緑色光を透過させるようにしてもよい。
【００９７】
第１のカラーフィルタ５３ａ及び第２のカラーフィルタ５３ｂが吸収する光の波長域を適宜選択することで、光電変換層６が吸収する光の波長域を選択することができる。
【００９８】
マイクロレンズ２８は、カラーフィルタ部２７の受光面２１ａ側に、各フォトダイオード３３ａ，３３ｂに対向する位置に設けられている。マイクロレンズ２８は、例えば、平面視円状のレンズとすることができ、マイクロレンズ２８により入射光が集光されるようにすることができる。各マイクロレンズ２８の光学中心は、各フォトダイオード３３a，３３ｂの受光面の中心にそれぞれある。マイクロレンズ２８の平面視面積は、フォトダイオード３３a，３３ｂの受光面の面積よりも大きくなっている。
【００９９】
次に、実施形態の固体撮像素子２１の製造方法について、図４〜図７を参照しながら説明する。図４〜図７は、実施形態の固体撮像素子２１の製造方法を示す断面図である。
【０１００】
先ず、図４に示すように、Ｓｉウエハ等の半導体基板５５上に、例えばホウ素等のｐ型の不純物がドープされたＳｉ層をエピタキシャル成長させることにより、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７を形成する。
【０１０１】
ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７内部に画素２２ａ，２２ｂごとに、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７内にｎ型不純物拡散領域３８を配置する。ｎ型不純物拡散領域３８は、例えば、リン等のｎ型の不純物をイオン注入し、アニール処理を行うことによりえられる。これにより、固体撮像素子２１には、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７とｎ型不純物拡散領域３８とのＰＮ接合によって、フォトダイオード３３ａ，３３ｂが形成される。
【０１０２】
ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７の内面に、ストレージダイオード３６等の他のｎ型不純物拡散領域を形成する。ストレージダイオード３６は、例えば、リン等のｎ型の不純物をイオン注入してアニール処理を行うことによりえられる。必要に応じて、ホウ素等のｐ型の不純物をイオン注入してアニール処理を行うことで、画素分離領域等（図示略）を形成することができる。
【０１０３】
ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７上に多層配線３１や読み出し用トランジスタ３２とともに、絶縁層３０を形成する。具体的には、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７の上面に読み出し用トランジスタ３２等を形成した後、酸化Ｓｉ層を形成する工程と、酸化Ｓｉ層に所定の配線パターンを形成する工程と、配線パターン内にＣｕ等を埋め込む工程とを繰り返す。これにより、内部に多層配線３１や読み出し用トランジスタ３２等が設けられた絶縁層３０が形成される。
【０１０４】
絶縁層３０の上面に接着剤を塗布して接着層２９を設け、接着層２９の上面に、例えば、Ｓｉウエハ等の支持基板２３を貼着する。絶縁層３０と支持基板２３との貼着は、接着剤による貼着に代わって、絶縁層３０の表面を平坦かつ平滑となるよう、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等による研磨を行い、支持基板２３と直接接合することも可能である。
【０１０５】
フォトダイオード３３ａ，３３ｂを有するＳｉウエハの、支持基板２３の反対側の表面を、例えば、グラインダ等の研削装置により所定の厚さになるまで薄層化する。その後、ＣＭＰ等の研磨装置により半導体基板表面を研磨し、さらに、ウェットエッチング等により半導体基板表面のダメージ層を除去する。これにより、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７の受光面が露出する。
【０１０６】
次いで、図５に示すように、ｐ型単結晶Ｓｉ基板３７の受光面に、例えば、ＳｉＯ２等の透明な絶縁材料からなる透明絶縁層３４を形成する。
形成した透明絶縁層３４及びｐ型単結晶Ｓｉ基板３７の各フォトダイオードにより四方を囲まれる位置を、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、ストレージダイオード３６の上端まで除去する。これにより、トレンチ５６が形成される。この、トレンチ５６の内側面に、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＮ等の絶縁材料からなる絶縁膜３９を形成する。
【０１０７】
絶縁膜３９によって内側面が被覆されたトレンチ５６の内部に、例えば、ＣＶＤ法により、Ｓｉ等の導電性材料からなるコンタクトプラグ３５を埋設する。コンタクトプラグ３５については、上記の方法に代わって、ストレージダイオード３６等の不純物拡散領域を形成する工程の前後において、リン等のｎ型不純物をイオン注入したのちアニール処理することでｎ型不純物拡散領域を形成し、このｎ型不純物拡散領域をもってコンタクトプラグ３５とすることも可能である。
【０１０８】
次いで、図６に示すように透明絶縁層３４の上面及び露出したコンタクトプラグ３５の上面に、例えば、ＩＴＯ等の透明な導電性材料からなる下部透明電極４３を形成する。下部透明電極４３は、フォトリソグラフィーを用いることにより所定の形状とすることができる。
【０１０９】
下部透明電極４３が形成された後に、スピンコート法等の塗布プロセスにより、透明樹脂を下部透明電極４３及び透明絶縁層３４の上に塗布することで、平坦化層４４を成膜することができる。その後、例えば、真空蒸着法により、平坦化層４４の上面にＴＰＤを成膜することで、ホール輸送層５を形成する。
【０１１０】
ホール輸送層５の上面には、例えば真空蒸着法により、光電変換層６及び電子輸送層７を形成する。光電変換層６、電子輸送層７又は光電変換層６と電子輸送層７の両方が複数の異性体を含む場合は、共蒸着することにより形成する。
【０１１１】
電子輸送層７の上面には、例えば、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ等の透明な導電性材料からなる上部透明電極４８を形成する。その後、上部透明電極４８の上面に、例えば、スパッタリング法により、例えば、無機保護膜５１としてＡｌ２Ｏ３膜を形成する。
【０１１２】
次いで、図７に示すように、無機保護膜５１の上に、透明樹脂からなる平坦化層５２を形成する。平坦化層５２における各フォトダイオード３３ａ，３３ｂの受光面とそれぞれ対向する位置に、例えば、緑色と赤色を透過するカラーフィルタ用の顔料もしくは染料を用いてフォトリソグラフィーにより第１及び第２のカラーフィルタ５３ａ，５３ｂを形成する。そして第１及び第２のカラーフィルタ５３ａ，５３ｂを覆うように、さらに透明樹脂からなる平坦化層５２を形成する。これにより、第１及び第２のカラーフィルタ５３ａ，５３ｂが平坦化層５２に埋め込まれる。
【０１１３】
最後に、平坦化層５２の上面に、各フォトダイオード３３ａ，３３ｂの受光面とそれぞれ対向する位置に、例えば、アクリル系の有機化合物等からなるマイクロレンズ２８を、平面視において受光面を覆う大きさに形成する。以上により、実施形態の固体撮像素子２１が製造される。
【０１１４】
上記実施形態では、固体撮像素子２１は平坦化層４及びホール輸送層５を備えているものとしたが、平坦化層４及びホール輸送層５の一方又は両方を備えていないものであってもよい。
【０１１５】
以上説明した実施形態によれば、固体撮像素子２１は、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）の鏡像異性体とを含む異性体を有する層を有することにより、高い耐熱性と、低い暗電流を実現することができる。
【０１１６】
図８は、実施形態の固体撮像素子２１を適用したＣＭＯＳイメージセンサ６１の一例を示す斜視図である。ＣＭＯＳイメージセンサ６１は、Ｆｕｌｌ  ＨＤ（１０８０ｐ）タイプのＣＭＯＳイメージセンサである。ＣＭＯＳイメージセンサ６１は、固体撮像素子２１と、モールド樹脂６２と、を備える。
【０１１７】
モールド樹脂６２は、固体撮像素子２１の受光面２１ａ以外を覆うように設けられている。固体撮像素子２１とモールド樹脂６２とを一体化することにより、固体撮像素子２１を外部からの応力、湿気、汚染物質から守ることができる。
【０１１８】
ＣＭＯＳイメージセンサ６１は、デジタルカメラ、携帯電話（スマートフォンも含む）等の各種モバイル端末や、監視カメラ、インターネットを利用したウェブカメラ等の撮像装置に使用される。
【０１１９】
図９は、実施形態の固体撮像素子２１を適用したＣＭＯＳイメージセンサの他の例を示す斜視図である。ＣＭＯＳイメージセンサ７１は、ＶＧＡタイプのＣＭＯＳイメージセンサである。ＣＭＯＳイメージセンサ７１は、固体撮像素子２１と、モールド樹脂７２と、を備える。
【０１２０】
モールド樹脂７２は、固体撮像素子２１の受光面２１ａ以外を覆うように設けられている。固体撮像素子２１とモールド樹脂７２とを一体化することにより、固体撮像素子２１を外部からの応力、湿気、汚染物質から守ることができる。
【０１２１】
ＣＭＯＳイメージセンサ７１は、デジタルカメラ、携帯電話（スマートフォンも含む）等の各種モバイル端末や、監視カメラ、インターネットを利用したウェブカメラ等の撮像装置に使用される。
【０１２２】
図１０は、上述したＣＭＯＳイメージセンサ６１又はＣＭＯＳイメージセンサ７１を搭載したカメラ８２を備える車８１の一例を示す平面図である。車８１は、カメラ８２と、ディスプレイ８３と、を備える。カメラ８２は、車８１の前方端部に設けられ、車８１の前方を撮影することができる。また、ディスプレイ８３は、車８１の運転席正面に設けられ、カメラ８２で撮影した画像を表示することができる。カメラ８２により撮影した画像をディスプレイ８３で確認することにより、例えば駐車の際に、死角を確認することができる。
【０１２３】
図１１は、上述したＣＭＯＳイメージセンサ６１又はＣＭＯＳイメージセンサ７１を搭載したカメラ９２を備える車９１の他の例を示す平面図である。車９１は、カメラ９２と、ディスプレイ９３と、を備える。カメラ９２は、車９１の後方端部に設けられ、車９１の後方を撮影することができる。また、ディスプレイ９３は、車９１の運転席正面に設けられ、カメラ９２で撮影した画像を表示することができる。カメラ９２により撮影した画像をディスプレイ９３で確認することにより、後方を確認することができる。
【０１２４】
図１２は、上述したＣＭＯＳイメージセンサ６１又はＣＭＯＳイメージセンサ７１を搭載したカメラを備えるスマートフォン１０１を示す平面図である。スマートフォン１０１は、カメラ（図示略）と、タッチパネル１０２と、を備える。カメラは、例えば、スマートフォン１０１の正面上部に設けた場合、スマートフォン１０１の正面を撮影することができる。また、タッチパネル１０２は、スマートフォン正面中央に設けられ、カメラにより撮影した画像を表示することができる。
【０１２５】
図１３は、上述したＣＭＯＳイメージセンサ６１又はＣＭＯＳイメージセンサ７１を搭載したカメラを備えるタブレット１１１を示す平面図である。タブレット１１１は、カメラ（図示略）と、タッチパネル１１２と、を備える。カメラは、例えば、タブレット１１１の正面上部に設けた場合、タブレット１１１の正面を撮影することができる。また、タッチパネル１１２は、タブレット正面中央に設けられ、カメラにより撮影した画像を表示することができる。
【実施例】
【０１２６】
以下、実施例１について説明する。
まずシグマアルドリッチ社製のナフタレンテトラカルボン酸二水和物（ＮＴＣＤＡ）と、東京化成工業株式会社製のｓｅｃ−ブチルアミンを準備した。
次いで、アルゴン雰囲気下、ＮＴＣＤＡを５０ｇ、ｓｅｃ−ブチルアミンを４１ｇ、Ｚｎ（ＯＡｃ）２を４１ｇで脱水Ｎ-メチル-２ピロリドン１．５リットルに加え、１５５℃にて２４時間反応させた。放冷後、反応液に水３リットルを加え、析出固体をろ過により回収し、水、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物をトルエンと酢酸エチル混合溶媒によるシリカゲルカラム、トルエンによる再結晶によって精製し、反応物として一般式（２）〜（４）の３つの異性体が得られた。
得られた３つの異性体の融点およびガラス転移温度をＤＳＣ（示差走査熱量測定）および、ＴＧ−ＤＴＡ(熱重量・示差熱測定)を用いて測定した。その結果、ガラス転移温度は確認されず、融点は１９７℃であった。
【０１２７】
次いで、得られた３つの異性体を真空蒸着装置において、蒸着レート０．５Ａ／ｓという条件で、ＩＴＯが成膜されたガラス基板のＩＴＯが成膜されている面上に共蒸着した。図１４は、３つの異性体を有するＮＴＣＤＡとｓｅｃ−ブチルアミンとの化合物を成膜した成膜面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した平面および断面図である。
【０１２８】
以下、比較例１について説明する。
比較例１では、ＮＴＣＤＡを準備し、ＩＴＯが成膜されたガラス膜のＩＴＯが成膜されている面上に蒸着した。図１５は、ＮＴＣＤＡ単体を成膜した成膜面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した平面および断面図である。ＮＴＣＤＡのガラス転移温度は観測されず、融点は２７０℃以上であった。
【０１２９】
図１４の画像（実施例１）と、図１５の画像（比較例１）を比較すると、３つの異性体を有するＮＴＣＤＡとｓｅｃ−ブチルアミンとの化合物を成膜した成膜面が平坦化している。すなわち、実施例１の材料を用いて、電子輸送層や光電変換層を形成すると、電子輸送層および光電変換層の平坦性を高めることができ、暗電流の発生を抑制することができる。
【０１３０】
次いで、一般式（２）〜（４）で示す異性体のＮ−Ｃ結合を中心軸として、ｓｅｃ−ブチル基を回転させた際の分子の双極子モーメント、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）準位を、シミュレーションにより測定した。シミュレーションは、公知の方法を用いた。具体的には、計算法：Ｂ３ＬＹＰ、基底関数：６−３１＋＋Ｇ（ｄ，ｐ）を用いて行った。
【０１３１】
計算は、異性体及びＮ−Ｃ結合を中心軸とした回転角度を考慮し、１２種類の計算を行った。１２種類の計算は具体的には、第１端部に接合するｓｅｃブチル基を基準に、第２端部に接合するｓｅｃブチル基を６０°ずつ回転させた６点のシミュレーションを、一般式（２）、（４）のそれぞれで行った。一般式（２）のシミュレーション結果を表１に示し、一般式（４）のシミュレーション結果を表２に示す。
【０１３２】
図１６及び図１７は、シミュレーションにおける分子構造における回転方向を説明するための図である。図１６は、一般式（２）の分子構造を第１端部側から見た模式図であり、図１７は、一般式（４）の分子構造を第１端部側から見た模式図である。第１端部は、表記された一般式（２）及び一般式（４）の左側の端部に対応する。図１６及び図１７に示す状態を回転角度０°とし、時計回りを正の回転方向、反時計回りを負の回転方向とした。図１６及び図１７において分子母骨格１０は、模式的に矩形のブロックとして記載している。また一般式（３）の分子構造は、各回転角度の状態で一般式（２）の分子構造と鏡像異性体の関係を有し、双極子モーメントは等しくなることから計算を省略した。
【０１３３】
【表１】
2017054916.tif 000012
【０１３４】
【表２】
2017054916.tif 000013
【０１３５】
ｓｅｃブチル基は電荷の偏りが小さく、表１及び表２に示すように、いずれの場合でも分子の双極子モーメントの大きさが０．３以下である。その結果、いずれの場合においてもＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ準位はほとんど同じである。すなわち、一般式（２）〜（４）で示す異性体同士は、それぞれＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ準位はほぼ同じである。つまり、電子輸送層や発光層にこれらの異性体が混在していても電子がこれらの準位差によってトラップされることはほとんどなく、電子輸送特性を低下させることはない。
【０１３６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１３７】
１…有機光電変換素子、２…基板、３…陽極、４…平坦化層、５…ホール輸送層、６，１６…光電変換層、７，１７…電子輸送層、８…陰極、２１…固体撮像素子、２１ａ…受光面、２２ａ，２２ｂ…画素、２３…支持基板、２４…配線部、２５…第１の光電変換部、２６…第２の光電変換部、２７…カラーフィルタ部、２８…マイクロレンズ、２９…接着層、３０…絶縁層、３１…多層配線、３２…読み出し用トランジスタ、３３ａ，３３ｂ…フォトダイオード、３４…透明絶縁層、３５…コンタクトプラグ、３６…ストレージダイオード、３７…ｐ型単結晶Ｓｉ基板、３８…ｎ型不純物拡散領域、３９…絶縁膜、４３…下部透明電極、４４…平坦化層、４８…上部透明電極、５１…無機保護膜、５２…平坦化層、５３ａ…第１のカラーフィルタ、５３ｂ…第２のカラーフィルタ、５５…半導体基板、５６…トレンチ、６１，７１…ＣＭＯＳイメージセンサ、６２，７２…モールド樹脂、８１，９１…車、８２，９２…カメラ、８３，９３…ディスプレイ、１０１…スマートフォン、１０２…タッチパネル、１１１…タブレット、１１２…タッチパネル
【図１】
2017054916.tif 000017
【図２】
2017054916.tif 000018
【図３】
2017054916.tif 000019
【図４】
2017054916.tif 000020
【図５】
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【図６】
2017054916.tif 000022
【図７】
2017054916.tif 000023
【図８】
2017054916.tif 000024
【図９】
2017054916.tif 000025
【図１０】
2017054916.tif 000026
【図１１】
2017054916.tif 000027
【図１２】
2017054916.tif 000028
【図１３】
2017054916.tif 000029
【図１６】
2017054916.tif 000030
【図１７】
2017054916.tif 000031
【図１４】
2017054916.tif 000032
【図１５】
2017054916.tif 000033