(57)【要約】【課題】発光部と基板の間に光散乱層を設けた場合に、光取出効率が低下しないようにしつつ、光散乱層と基板の密着性を向上させる。【解決手段】光散乱層２００は第１電極１１０と基板１００の間に位置している。基板１００は、第１領域１０２ａ及び第２領域１０２ｂを有している。第１領域１０２ａは光散乱層２００と重なる領域である。第２領域１０２ｂは、第１領域１０２ａに挟まれていて光散乱層２００と重ならない領域である。基板１００の第２領域１０２ｂには、透光層２１０が位置している。透光層２１０の屈折率は、基板１００の屈折率よりも大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基板と、
前記基板に位置する透光性の第１電極と、
前記第１電極と重なっており、前記第１電極の前記基板側と逆側に位置し、発光層を含む有機層と、
前記第１電極と前記基板の間に位置している複数の光散乱層と、
隣り合う前記光散乱層の間に形成され、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率を有する透光層と、
を備える発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記透光層は前記光散乱層の上にも位置している発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記透光層を構成する材料の屈折率は前記第１電極を構成する材料の屈折率の０．９倍以上１．１倍以下である発光装置。
【請求項４】
請求項２に記載の発光装置において、
前記透光層を構成する材料の屈折率は１．５以上２．２以下である発光装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記透光層を構成する材料は無機材料又はシロキサン結合を含む材料である発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記光散乱層は、ベース樹脂と、前記ベース樹脂の中に分散している複数の粒子とを備える発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置において、
前記ベース樹脂の屈折率は１．２以上２．２以下である発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記有機層の前記第１電極とは反対側に、光反射性の第２電極を備え、
前記基板は、前記光散乱層と重なる第１領域と、前記第１領域に挟まれていて前記光散乱層と重ならない第２領域とを有し、
前記第１領域と重なる領域に前記第２電極が形成されている発光装置。
【請求項９】
透光性の基板と、
前記基板に位置している樹脂層と、
前記樹脂層を介して前記基板とは逆側に位置しており、互いに離れている複数の透光性の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対して設けられ、前記第１電極を介して前記基板とは逆側に位置し、発光層を含む有機層と、
を備え、
前記樹脂層の屈折率は前記基板の屈折率よりも大きく、
前記樹脂層は、それぞれが前記有機層と重なる複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間に位置する第２領域とを備え、
前記第１領域は光散乱用の粒子を第１の体積比率で含み、前記第２領域は、前記粒子を第１の体積比率未満で含んでいるか、又は含んでいない発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子における課題の一つに、有機層からの発光のうち発光装置の外部に取り出される光の割合（光取出効率）を向上させることがある。
【０００３】
特許文献１には、発光装置に光透過性を持たせるために、第１電極及び有機層の上に、第２電極を複数互いに離して配置し、さらに、基板のうち第２電極と重なる領域に光散乱層を設けることが記載されている。特許文献１には、さらに、光散乱層を覆う透過層を設けることが記載されている。この透過層の材料としては、例えば透明な樹脂が挙げられている。
【０００４】
なお、特許文献２には、第２電極を分断し、かつ第２電極と有機層の間に散乱層を設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１４９３７６号公報
【特許文献２】特開２０１３−９７９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ素子などの発光部からの光を基板側から取り出す場合において、光の取出効率を向上させるためには、特許文献１に記載されているように、発光部と基板の間に光散乱層を設けることが好ましい。一方、光散乱層は粒子を含有しているため、光散乱層に含まれる粒子に起因して基板側の光散乱層の界面に凹凸構造が形成されたり、光散乱層の粒子がむき出しになることにより、基板と光散乱層の密着性が低くなる可能性がある。特に、基板が可撓性を有している場合において、発光装置を湾曲させると、光散乱層が基板から剥離する可能性が高くなる。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部と基板の間に光散乱層を設けた場合に、光取出効率が低下しないようにしつつ、光散乱層と基板の密着性を向上させることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に位置する透光性の第１電極と、
前記第１電極と重なっており、前記第１電極の前記基板側と逆側に位置し、発光層を含む有機層と、
前記第１電極と前記基板の間に位置している複数の光散乱層と、
隣り合う前記光散乱層の間に形成され、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率を有する透光層と、
を備える発光装置である。
【０００９】
請求項９に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に位置している樹脂層と、
前記樹脂層を介して前記基板とは逆側に位置しており、互いに離れている複数の透光性の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対して設けられ、前記第１電極を介して前記基板とは逆側に位置し、発光層を含む有機層と、
を備え、
前記樹脂層の屈折率は前記基板の屈折率よりも大きく、
前記樹脂層は、それぞれが前記有機層と重なる複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間に位置する第２領域とを備え、
前記第１領域は光散乱用の粒子を第１の体積比率で含み、前記第２領域は、前記粒子を第１の体積比率未満で含んでいるか、又は含んでいない発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】光散乱層のレイアウトの第１例を示す平面図である。
【図３】光散乱層のレイアウトの第２例を示す平面図である。
【図４】図３の変形例を示す平面図である。
【図５】変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図６】変形例に係る発光装置の電流効率を、比較例１，２の光取り出し効率とともに示した表である。
【図７】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図８】図７から第２電極を取り除いた図である。
【図９】図８から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１０】図７のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】実施例２に係る発光装置の平面図である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ断面図である。
【図１３】実施例３に係る発光装置の平面図である。
【図１４】図１３から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１５】図１３のＣ−Ｃ断面図である。
【図１６】図１３のＤ−Ｄ断面図である。
【図１７】図１３のＥ−Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。発光装置１０は、透光性の基板１００、透光性の第１電極１１０、有機層１２０、複数の光散乱層２００、及び透光層２１０を有している。第１電極１１０は基板１００の上に位置している。有機層１２０は第１電極１１０に重なっており、第１電極１１０を介して基板１００とは逆側に位置しており、かつ、発光層を含んでいる。複数の光散乱層２００は第１電極１１０と基板１００の間に位置している。基板１００は、第１領域１０２ａ及び第２領域１０２ｂを有している。第１領域１０２ａは光散乱層２００と重なる領域である。第２領域１０２ｂは、第１領域１０２ａに挟まれていて光散乱層２００と重ならない領域である。基板１００の第２領域１０２ｂには、透光層２１０が位置している。言い換えると、透光層２１０は、隣り合う光散乱層２００の間に位置している。透光層２１０の屈折率は、基板１００の屈折率よりも大きい。
【００１３】
光散乱層２００と透光層２１０の境界が不明確な場合、透光層２１０と光散乱層２００を一つの光散乱層２００又は樹脂層とみなすこともできる。この場合、光散乱層２００は第１領域２００ａ及び第２領域２００ｂを有していることになる。第１領域２００ａは、光散乱層２００のうち光散乱用の粒子２０２を第１の密度で含んでいる領域であり、第２領域２００ｂは、光散乱層２００のうち粒子２０２を第１の密度未満で含んでいるか、又は粒子２０２を含んでいない領域である。なお、光散乱層２００の全体に対する粒子２０２の密度としての体積比率は、例えば基板１００の厚さ方向の断面において、光散乱層２００に対する粒子２０２の面積占有率で定義することができる。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００１４】
発光装置１０は、例えば照明装置やディスプレイである。発光装置１０が有する発光部１４０の構成はボトムエミッション型の構成を有する発光部である。発光部１４０で発光した光は透光性の電極である、第１電極１１０を介して、光散乱層２００および基板１００を介して発光装置１０の外部へ放出される。ただし、第２電極１３０にも透光性を持たせることで、発光部１４０の基板１００とは反対方向（つまり、発光装置１０の基板１００の厚さ方向の両方の方向）にも発光部１４０の発光が放出されるような構造（両面発光）を有していてもよい。
【００１５】
基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面（第２面１０４）が発光装置１０の光取出面になっている。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１６】
発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。
【００１７】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。透明電極の材料の屈折率は、例えば１．５以上２．２以下である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００１８】
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。ただし、発光部１４０が両面発光型の発光装置である場合、第２電極１３０も透明電極である。この場合、前述の材料を１００ｎｍ以下の、好ましくは５０ｎｍ以下で成膜することで第２電極１３０に透明性を持たせてもよいし、第２電極１３０は第１電極１１０と同じ透明導電材料を用いて形成されていたり、第１電極１１０とは異なる透明導電材料を用いて形成されていてもよい。
【００１９】
有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置しており、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。ただし、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方は形成されていなくてもよい。有機層１２０は、さらに他の層を有していてもよい。
【００２０】
基板１００と第１電極１１０の間には、光散乱層２００が形成されている。ここで、実施形態、後述する変形例、及び後述する実施例において、光散乱層２００を含め、層と表現した場合、他の層と重なる位置に面積を有していればよい。つまり、光散乱層２００は基板１００と第１電極１１０との間で重なっていて、面積を有していればよく、その面積の他の層との大小関係を問わない。光散乱層２００は、有機材料又は無機材料からなるバインダー（ベース樹脂）に複数の粒子２０２を混ぜたものである。光散乱層２００は、発光部１４０が発光した光を散乱する。
【００２１】
光散乱層２００のバインダー（ベース樹脂）は、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。光散乱層２００のバインダーの屈折率は、例えば１．２以上２．２以下、好ましくは１．６以上１．９以下である。
【００２２】
光散乱層２００の粒子２０２は、例えば無機材料からなる。粒子２０２を構成する材料は、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンなどの酸化物である。粒子２０２の粒径、例えば球相当径（直径）の平均値は、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下であるが、この範囲に限定されない。粒子２０２は、透光性又は光反射性の一方を有している。粒子２０２が透光性を有している場合、粒子２０２の屈折率は光散乱層２００のバインダーの屈折率と異なる。
【００２３】
光散乱層２００の全体に対する粒子２０２の体積比率は、例えば２０％以上５０％以下である。この体積比率は、例えば基板１００の厚さ方向の断面において、光散乱層２００に対する粒子２０２の面積占有率で定義することができる。そして、粒子２０２の材料及びこの体積比率（すなわち光散乱層２００の粒子２０２の含有率）を調整することにより、光散乱層２００の屈折率を調整することができる。
【００２４】
光散乱層２００は、基板１００の第１面１０２の一部にのみ設けられている。具体的には、光散乱層２００は、第１面１０２のうち第１電極１１０と重なる領域の一部（第１領域１０２ａ）に設けられている。言い換えると、光散乱層２００は、発光部１４０の一部と重なっているが、発光部１４０の残りの部分とは重なっていない。図１に示した断面において、複数の光散乱層２００が互いに離れた状態で設けられているが、光散乱層２００の平面レイアウトの例については、後述する。なお、第２電極１３０は、第１領域１０２ａと重なる領域に形成されている。
【００２５】
基板１００の第１面１０２のうち光散乱層２００が設けられていない領域（第２領域１０２ｂ）には、透光層２１０が設けられている。透光層２１０は、光散乱層２００の有無に起因した凹凸を埋めている。言い換えると透光層２１０は平坦化層である。また本図に示す例では、透光層２１０は光散乱層２００の上にも形成されている。すなわち、透光層２１０は、光散乱層２００を覆うとともに第１面１０２にも接している。透光層２１０のうち光散乱層２００の上に位置する部分の厚さは、例えば３００ｎｍ以上３μｍ以下である。
【００２６】
透光層２１０を構成する材料の屈折率は、基板１００の屈折率よりも大きい。これにより、発光装置１０の光取出効率は低下しにくくなる。発光装置１０の光取り出し効率を高くするためには、透光層２１０を構成する材料の屈折率は、さらに、第１電極１１０を構成する材料の屈折率の０．９倍以上１．１倍以下であるのが好ましい。この場合、透光層２１０を構成する材料の屈折率は、例えば１．５以上２．２以下である。このような２つの条件を満たす材料としては、例えば無機材料又はシロキサン結合を含む材料がある。透光層２１０を構成する無機材料の例には、第１電極１１０の材料として例示した透明電極材料がある。
【００２７】
なお、第１電極１１０の厚さによっては、第１電極１１０を透光層２１０として用いることもできる。この場合、第１電極１１０の厚さは、例えば３μｍ以下である。
【００２８】
図２は、光散乱層２００のレイアウトの第１例を示す平面図である。本図に示す例において、基板１００の第１面１０２には、ストライプ状の光散乱層２００が複数互いに並行して設けられている。光散乱層２００の幅をｗ１とし、光散乱層２００の間隔、すなわち透光層２１０のうち基板１００に接している部分の幅をｗ２とする。ｗ１＋ｗ２を基準幅（１００％）とすると、ｗ１は基準幅の例えば２５％以上７５％以下である。また、ｗ２は、基準幅の７５％以下２５％以上となる。
【００２９】
図３は、光散乱層２００のレイアウトの第２例を示す平面図である。本図において、基板１００の第１面１０２には、島状の光散乱層２００が等間隔に配置されている。いいかれると、光散乱層２００は正方格子の格子点の上に配置されている。なお、図３に示す例において、一つの光散乱層２００は円形（又は楕円形）であるが、図４に示すように、一つの光散乱層２００は矩形であってもよい。なお、いずれの例においても、光散乱層２００の幅（又は径）の最大値ｗ３は、光散乱層２００の一方向（図３及び図４における左右方向）の間隔、すなわち透光層２１０のうち基板１００に接している部分の幅をｗ４、光散乱層２００の一方向と交わる方向（図３における上下方向）の間隔をｗ５として、（ｗ３+ｗ５）×(ｗ３+ｗ４)を基準面積（１００％）とすると、例えば、ｗ３×ｗ３の値が基準面積の２５％以上７５％以下である。また、図３及び図４においても、基板１００の第１面１０２のうち光散乱層２００が接触している部分の面積は、例えば第１面１０２の面積の２５％以上７５％以下である。
【００３０】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２の上に光散乱層２００を形成する。例えば光散乱層２００のバインダーが感光性の樹脂材料である場合、光散乱層２００は、フォトリソグラフィーを用いて形成される。なお、光散乱層２００は、例えばインクジェットなどの塗布法、ドライエッチングや散布法を用いて形成してもよい。
【００３１】
次いで、光散乱層２００の上に透光層２１０を形成する。透光層２１０は、例えばスパッタリング法、蒸着法、スピンコーティングなどによる塗布法、ＣＶＤ法、又はフィルムによる張り合わせを用いて形成することができる。次いで、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。
【００３２】
本実施形態において、基板１００の第１面１０２には光散乱層２００が形成されている。このため、発光部１４０から基板１００に光が入射する際に、この光は光散乱層２００において散乱される。その結果、発光部１４０からの光の取り出し効率は向上する。
【００３３】
特に、透光層２１０の屈折率は基板１００の屈折率よりも大きい。このため、光散乱層２００の代わりに透光層２１０が設けられている領域において発光装置１０の光取り出し効率が低下することを抑制できる。
【００３４】
また、光散乱層２００は第１面１０２の発光部１４０と重なる領域の一部にのみ設けられている。このため、光散乱層２００と基板１００の間に発生する応力は小さくなり、その結果、光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。例えば基板１００が可撓性の基板で形成されている場合、発光装置１０を曲げた場合に光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。
【００３５】
特に図１に示す例では、透光層２１０が光散乱層２００を覆っているため、光散乱層２００が基板１００から剥離することをさらに抑制できる。また、光散乱層２００の間を透光層２１０で埋めているため、光散乱層２００に起因して第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の少なくとも一つに不連続な部分が形成されることを抑制できる。
【００３６】
（変形例）
図５は、変形例に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置１０は、透光層２１０と第１電極１１０の間に絶縁層２２０を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。絶縁層２２０は、光散乱層２００を介して水分などの酸化成分が発光部１４０と重なる領域に侵入してきたときに、この酸化成分が発光部１４０に到達することを抑制する。絶縁層２２０は、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２など、透光性、及び水分に対するバリア性を有する材料を用いて形成されており、その厚さは例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。絶縁層２２０は、例えばＣＶＤ法を用いて形成されている。
【００３７】
本変形例によっても、光散乱層２００は第１面１０２の発光部１４０と重なる領域の一部にのみ設けられてため、光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。また、絶縁層２２０を有しているため、光散乱層２００が水分等を透過しやすい材料を用いて形成されていた場合においても、光散乱層２００を介して水分等が発光部１４０に到達することを抑制できる。
【００３８】
図６は、変形例に係る発光装置１０の電流効率（供給した電流密度に対して取り出すことができた光の強度の比）を、比較例１，２の光取り出し効率とともに示した表である。この表において、電流効率は、比較例１に対する比で示されている。
【００３９】
比較例１に係る発光装置１０は、図１に示した発光装置１０から、光散乱層２００及び透光層２１０を取り除いた構造を有している。比較例２に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０において、第１電極１１０と基板１００の間の全面に光散乱層２００を形成した構造を有している。
【００４０】
比較例２及び変形例において、粒子２０２には、平均粒径が３００ｎｍのＴｉＯ２を用いた。また、光散乱層２００のバインダーには、ポリイミド系の樹脂を用いた。光散乱層２００の厚さは、１μｍである。変形例において、光散乱層２００の幅は２７０μｍである。また、透光層２１０には、シロキサン系の樹脂を用いた。透光層２１０の厚さも、１μｍである。また、発光部１４０の大きさは９ｍｍ×１０ｍｍとし、発光部１４０からの発光強度を積分球を用いて測定した。
【００４１】
変形例の電流効率は、１．４０であった。比較例２の電流効率（１．６６）よりは低かったものの、変形例の電流効率は十分高いことが示された。
【００４２】
（実施例１）
図７は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図８は図７から第２電極１３０を取り除いた図である。図９は図８から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１０は、図７のＡ−Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。
【００４３】
詳細には、基板１００の第１面１０２には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。また、基板１００の第２面１０４は光取出し面である。
【００４４】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２のレイアウトは、本図に示す例に限定されない。
【００４５】
基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどに感光性の材料を含ませて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
【００４６】
有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
【００４７】
そして、基板１００の第１面１０２には、光散乱層２００及び透光層２１０が形成されている。光散乱層２００及び透光層２１０の構成は、実施形態又は各変形例のいずれかと同様である。なお、透光層２１０と第１電極１１０の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。
【００４８】
本実施例において、光散乱層２００は第１面１０２の発光部１４０と重なる領域の一部にのみ設けられてため、光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。
【００４９】
（実施例２）
図１１は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１２は図１１のＢ−Ｂ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であるが、以下の点を除いて実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００５０】
まず、基板１００には複数の発光部１４０が形成されている。複数の発光部１４０はいずれも線状（例えば直線状）かつ互いに平行に延在している。詳細には、絶縁層１５０は複数に分割されており、かつ、複数の絶縁層１５０のそれぞれが長方形状の開口１５２を有している。そして、各開口１５２と重なる領域に発光部１４０が形成されている。また、第１電極１１０、第２電極１３０、第１端子１１２、及び第２端子１３２は、複数の発光部１４０のそれぞれに対して個別に設けられている。
【００５１】
なお、複数の発光部１４０の少なくとも一つは、他の発光部１４０と異なる色を発光してもよい。例えば、基板１００には、赤色の発光部１４０、緑色の発光部１４０、及び青色の発光部１４０が繰り返し有し設けられていてもよい。
【００５２】
光散乱層２００は、複数の発光部１４０と重なる領域のそれぞれに対して設けられているが、複数の発光部１４０の間と重なる領域には設けられていない。そして、透光層２１０は、光散乱層２００を覆うとともに、光散乱層２００の間の領域を埋めている。光散乱層２００の幅は、発光部１４０の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。
【００５３】
本実施例においても、光散乱層２００は第１面１０２の一部にのみ設けられてため、光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。また、図中左右方向において、発光部１４０は分割されているため、発光装置１０を曲げても発光部１４０のいずれかの層にクラック等が生じることを抑制できる。
【００５４】
（実施例３）
図１３は、実施例３に係る発光装置１０の平面図である。図１４は、図１３から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１５は図１３のＣ−Ｃ断面図であり、図１６は図１３のＤ−Ｄ断面図であり、図１７は図１３のＥ−Ｅ断面図である。
【００５５】
実施例３に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００５６】
第１電極１１０は、第１方向（図１３におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００５７】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００５８】
絶縁層１５０は、図１３、及び図１５〜図１７に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１３におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
【００５９】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１３におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００６０】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００６１】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００６２】
なお、図１５及び図１６に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１３に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１７に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００６３】
第２電極１３０は、図１３、図１５〜図１７に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１３におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００６４】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００６５】
そして、基板１００の第１面１０２には、光散乱層２００及び透光層２１０が形成されている。光散乱層２００は、複数の発光部１４０と重なる領域のそれぞれに対して設けられているが、複数の発光部１４０の間と重なる領域には設けられていない。そして、透光層２１０は、光散乱層２００を覆うとともに、光散乱層２００の間の領域を埋めている。なお、透光層２１０と第１電極１１０の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。
【００６６】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００の第１面１０２に光散乱層２００及び透光層２１０を形成する。この際、透光層２１０の上に絶縁層２２０を形成してもよい。次いで、第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
【００６７】
次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。
【００６８】
本実施例においても、光散乱層２００は第１面１０２の発光部１４０と重なる領域の一部にのみ設けられてため、光散乱層２００が基板１００から剥離することを抑制できる。
【００６９】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００７０】
１０  発光装置
１００  基板
１０２  第１面
１０２ａ  第１領域
１０２ｂ  第２領域
１０４  第２面
１１０  第１電極
１２０  有機層
１３０  第２電極
１４０  発光部
２００  光散乱層
２００ａ  第１領域
２００ｂ  第２領域
２０２  粒子
２１０  透光層
２２０  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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