(57)【要約】【課題】クラックの発生を抑えうる加工方法を提供する。【解決手段】保持ステップを実施した後、環状領域の所定の幅よりも薄い第１切削ブレードを環状領域の内周縁に沿って貼り合わせウェーハに該サポートウェーハまで切り込ませ、第１切削ブレードと保持テーブルとを相対移動させて第１切削ブレードでウェーハを内周縁に沿って切削することにより、環状領域の一部を除去して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、第１切削ステップを実施した後、第１切削ブレードよりも厚い第２切削ブレードを第１切削溝より外周側の環状領域で第１切削溝の一部に重ねて貼り合わせウェーハにサポートウェーハまで切り込ませ、第２切削ブレードと保持テーブルとを相対移動させて第２切削ブレードでウェーハを切削することにより、環状領域の残りの部分を除去する第２切削ステップと、を備えている。【選択図】図２
2017204555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポートウェーハ上に接着部材を介してウェーハが貼着された貼り合わせウェーハに切削ブレードを該サポートウェーハまで切り込ませつつ該ウェーハの外周縁に沿って切削して該ウェーハの外周縁から所定の幅を有した環状領域を除去する切削方法であって、
保持テーブルにより貼り合わせウェーハの該サポートウェーハ側を保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該環状領域の所定の該幅よりも小さい厚みを有する第１切削ブレードを該環状領域の内周縁に沿って貼り合わせウェーハに該サポートウェーハまで切り込ませ、該第１切削ブレードと該保持テーブルとを相対移動させて該第１切削ブレードでウェーハを該内周縁に沿って切削することにより、該環状領域の一部を除去して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップを実施した後、該第１切削ブレードよりも厚い第２切削ブレードを該第１切削溝より外周側の該環状領域で該第１切削溝の一部に重ねて貼り合わせウェーハに該サポートウェーハまで切り込ませ、該第２切削ブレードと該保持テーブルとを相対移動させて該第２切削ブレードでウェーハを切削することにより、該環状領域の残りの部分を除去する第２切削ステップと、
を備えることを特徴とする切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サポートウェーハ上に接着部材を介してウェーハが貼着された貼り合わせウェーハにおいて、ウェーハの外周縁から所定の幅の環状領域を除去する切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、表面にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス（素子）が形成され、それぞれのデバイスが格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画される。その後、半導体ウェーハは、裏面が研削されて所定の厚さへと薄化された後、切削装置によってストリートに沿って切削されることで個々のチップへと分割される。分割されたチップは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に搭載され広く利用されている。
【０００３】
近年、電子機器の小型化・薄型化に伴い、該電子機器に搭載されているチップの小型化・薄型化が求められている。そのためデバイスが複数形成された半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）を例えば１００μｍ以下の厚さに薄く研削する場合がある。
【０００４】
一般的にウェーハは、製造工程中における割れや発塵防止のために、その外周に断面形状が円弧状となる面取りがなされている。すると、上述のようにウェーハが薄く研削されたとき、面取り部はナイフエッジの如く鋭利に尖り、ウェーハの外周から欠けが生じてウェーハが破損してしまう。
【０００５】
そのため、ウェーハは薄く研削される前に加工され、ウェーハの外周に沿って面取り部が除去される（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。このようにウェーハの外周縁に沿って切削することは、トリミング加工と呼ばれることがある。
【０００６】
ところで、薄いウェーハのハンドリング性を向上させるために、または、加工時のウェーハの反りや破損を防止するために、ウェーハを別のサポートウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、該貼り合わせウェーハを一体として扱い加工をする技術思想が知られている（例えば、特許文献３参照）。なお、該貼り合わせウェーハは、ウェーハと、該ウェーハと同程度の径のサポートウェーハと、両者を貼着する接着部材と、からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２７３０５３号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７４５９号公報
【特許文献３】特開平４−２６３４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ウェーハの外周縁に沿って所定の幅の領域を除去する工程においては、通常のダイシング工程に用いられる切削ブレードと比較して大きい厚みの切削ブレードが用いられる。通常のダイシング工程と比較して広い面積を切削するためである。例えば、通常のダイシング工程等において用いられる切削ブレードの厚みは１５μｍ〜３０μｍ程度である。一方で、ウェーハの外周縁から所定の幅の環状領域を除去する際には、厚みが０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度の切削ブレードが使用されている。
【０００９】
しかし、ウェーハの切削に用いられる切削ブレードの厚みが大きくなるに従い、加工されるウェーハに与えられる負荷（加工負荷）もまた大きくなり、切削ブレードで切削した切断縁には大きな欠けやクラックが発生しやすくなる。ウェーハにクラックが発生すると、クラックがデバイスまで達しデバイスに損傷を与えるおそれがある。
【００１０】
このような欠けやクラックの発生を抑制するためには、粒径が小さい砥粒を含む切削ブレードを使用すればよい。砥粒の粒径が小さい切削ブレードを使用するとウェーハに与えられる加工負荷を小さくすることができる。しかし、砥粒の粒径が小さい切削ブレードは切削能力も小さいため、切削加工に要する時間が増大し生産性が低下しやすい。
【００１１】
また、サポートウェーハに貼着されたウェーハを完全切断する場合、切削ブレードはウェーハの下の接着部材に達することとなる。切削ブレードにより接着部材を切削すると、発生した切削屑により該切削ブレードに目詰まりが生じる場合がある。目詰まりが生じた切削ブレードをそのまま使用すると、ウェーハにクラックを発生させやすくなるが、砥粒の粒径が小さい切削ブレードにおいては該目詰まりが特に発生しやすい。
【００１２】
このように、サポートウェーハ上に貼着されたウェーハの所定の幅の環状領域を外周縁に沿って除去する際に、大きい厚みの切削ブレードを使用すると加工負荷が大きくなり、ウェーハにクラックを生じやすくなる。しかし、単に厚みの小さい切削ブレードを用いるのみでは、切削に要する時間が増大する。また、砥粒の粒径が小さい切削ブレードでは目詰まりを生じるため、やはりクラックの発生確率を十分に低減することができない。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものである。その目的とするところは、サポートウェーハ上に貼着されたウェーハをトリミング加工する際に、単に厚い切削ブレードのみを使用して加工する場合と比べ加工時間を大幅に増加させることなくクラックの発生を抑えうる加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様によれば、サポートウェーハ上に接着部材を介してウェーハが貼着された貼り合わせウェーハに切削ブレードを該サポートウェーハまで切り込ませつつ該ウェーハの外周縁に沿って切削して該ウェーハの外周縁から所定の幅を有した環状領域を除去する切削方法であって、保持テーブルにより貼り合わせウェーハの該サポートウェーハ側を保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該環状領域の所定の該幅よりも小さい厚みを有する第１切削ブレードを該環状領域の内周縁に沿って貼り合わせウェーハに該サポートウェーハまで切り込ませ、該第１切削ブレードと該保持テーブルとを相対移動させて該第１切削ブレードでウェーハを該内周縁に沿って切削することにより、該環状領域の一部を除去して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップを実施した後、該第１切削ブレードよりも厚い第２切削ブレードを該第１切削溝より外周側の該環状領域で該第１切削溝の一部に重ねて貼り合わせウェーハに該サポートウェーハまで切り込ませ、該第２切削ブレードと該保持テーブルとを相対移動させて該第２切削ブレードでウェーハを切削することにより、該環状領域の残りの部分を除去する第２切削ステップと、を備えることを特徴とする切削方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る切削方法では、クラックを発生させにくい薄い第１切削ブレードを用いて予めウェーハに切削溝を設けておき、次に、厚い第２切削ブレードで該切削溝よりも半径方向外側の部分のウェーハを除去する。第２切削ブレードによる切削の過程でクラックが生じた場合でも該切削溝によりクラックの伸長が阻まれる。そのため、単に厚い切削ブレードのみを使用して加工する場合と比べ加工時間を大幅に増加させることなくウェーハのクラックの発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は、貼り合わせウェーハの断面構造を模式的に示す図である。図１（Ｂ）は、保持ステップにおける貼り合わせウェーハ及び保持テーブルを模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、第１切削ステップにおける第１切削ブレード、貼り合わせウェーハ及び保持テーブルを示す断面模式図であり、図２（Ｂ）は、第１切削ステップにより形成された切削溝を説明する断面模式図である。
【図３】図３（Ａ）は、第２切削ステップにおける第２切削ブレード、貼り合わせウェーハ及び保持テーブルを示す断面模式図であり、図３（Ｂ）は、第２切削ステップにより切削除去される領域を説明する断面模式図である。
【図４】図４（Ａ）は、第２切削ステップ実施後の貼り合わせウェーハの断面構造を説明する模式図であり、図４（Ｂ）は、ウェーハの薄化工程を説明する断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
添付図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る加工法は、保持ステップと、第１切削ステップと、第２切削ステップと、を有する。さらに、第２切削ステップ後のウェーハの薄化ステップを有していてもよい。
【００１８】
図１は、本発明に係る加工方法の被加工物である貼り合わせウェーハの一例を模式的に示す断面図である。
【００１９】
貼り合わせウェーハ１は、ウェーハ３と、サポートウェーハ５と、を有し、ウェーハ３の表面３ａとサポートウェーハ５の第１の面５ａとの間に設けられた接着部材７を介して、両者が貼着され一体となっている。ウェーハ３をサポートウェーハ５と一体として扱うことにより、近年薄化の傾向が著しいウェーハのハンドリング性を向上させることができ、また、加工時のウェーハの反りや破損を防止することができる。
【００２０】
ウェーハ３のデバイス３ｃが形成された表面３ａはサポートウェーハ５の第１の面５ａと対面しており、ウェーハ３の裏面３ｂは貼り合わせウェーハ１が保持テーブルに保持される際の上面となる。また、サポートウェーハ５の第２の面５ｂは貼り合わせウェーハ１が保持テーブル２に保持される際の下面（被保持面）となる。
【００２１】
なお、ウェーハ３は、シリコン、サファイア、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、または、その他化合物半導体等の材料でなり、表面にＩＣ、ＬＳＩ、または、ＭＥＭＳ等のデバイス３ｃが形成されている。サポートウェーハ５には、例えばウェーハ３に用いられる材料と同様の材料で構成されたウェーハを用いてもよい。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る切削方法における保持ステップについて図１（Ｂ）を参照して説明する。図１（Ｂ）は、保持ステップにおける貼り合わせウェーハ１と、保持テーブル２とを模式的に示す断面図である。保持テーブル２はその表面に垂直な軸の周りに回転可能であり、保持テーブル２が回転することにより保持された貼り合わせウェーハ１も回転する。後の第１切削ステップ及び第２切削ステップにおいては、保持テーブル２を回転させることによりウェーハ３の外周縁から所定の幅を有した環状領域９を切削する。
【００２３】
保持テーブル２は、ステンレス鋼等の金属材でなり上面中央に凹部を有する円板状部材４と、該凹部に配されたポーラスセラミック等でなる多孔質部材６と、を有する。該多孔質部材６は上面に貼り合わせウェーハを保持する保持面６ａを備え吸引源（不図示）に接続されている。多孔質部材６は該保持面６ａに複数の微小な吸引孔を備え、該吸引源によって発生させた負圧の作用で保持面６ａに載置された貼り合わせウェーハ１を吸引保持できる。
【００２４】
保持ステップでは、まずサポートウェーハ５の第２の面５ｂが保持面６ａと接するように、貼り合わせウェーハ１が多孔質部材６上に載置される。次に、多孔質部材６の複数の吸引孔を通して吸引源によって発生させた負圧を作用させることにより貼り合わせウェーハ１が多孔質部材６に吸引保持される。なお、以後本実施形態に係る加工方法が実施されている間、貼り合わせウェーハ１は多孔質部材６に保持され続ける。
【００２５】
次に、本実施形態に係る加工方法における第１切削ステップについて、図２（Ａ）を用いて説明する。第１切削ステップは保持ステップが実施された後に実施される。本実施形態に係る加工方法では最終的にウェーハ３の外周縁から所定の幅を有した環状領域９を除去するが、本ステップではまず、該環状領域９の幅よりも小さい厚みを有する第１切削ブレード８ａにより該環状領域９の内周縁に沿って第１切削溝１１を形成する。
【００２６】
第１切削ステップにて使用する第１切削ユニット８について説明する。図２（Ａ）に示すように、第１切削ユニット８は、第１スピンドル８ｂと、該第１スピンドル８ｂの先端に連結された第１切削ブレード８ａと、を有する。第１切削ユニット８は、該第１スピンドル８ｂを軸として回転可能であり、第１切削ブレード８ａは該第１スピンドル８ｂと共に回転する。また、第１切削ユニット８は昇降可能であり、回転する第１切削ブレード８ａを貼り合わせウェーハ１中の所定の深さまで垂直に下降させることができる。
【００２７】
第１切削ブレード８ａは環状領域９の幅よりも小さい厚みを有しており、該厚みは後述の第２切削ブレード１０ａ（図３（Ａ）参照）が有する厚みよりも小さい。また、第１切削ブレード８ａは、後述の第２切削ブレード１０ａが有する砥粒の粒径よりも小さい粒径の砥粒を有する。
【００２８】
したがって、第１切削ブレード８ａは、第２切削ブレード１０ａよりも切削する範囲が狭く切削能力が低い。一方で、第１切削ブレード８ａは切削により被加工物に与える負荷（加工負荷）が第２切削ブレード１０ａよりも小さいため、被加工物にクラック等の損傷を生じさせる可能性も小さい。
【００２９】
第１切削ステップにおける切削の準備のために、第１切削ユニット８は、第１スピンドル８ｂを該貼り合わせウェーハ１の半径方向に略平行に向けて貼り合わせウェーハ１の上方に配置される。さらに、第１切削ブレード８ａの貼り合わせウェーハ１中央側の端の位置が、該環状領域９の内周縁の直上となるように第１切削ブレード８ａの位置が調整される。
【００３０】
次に、第１切削ステップにおける切削を実施する。まず、第１スピンドル８ｂの回転を開始し、第１切削ブレード８ａが回転している状態とする。次に、第１切削ブレード８ａの回転を維持したまま第１切削ユニット８を貼り合わせウェーハ１に向けて垂直に下降させる。そして、ウェーハ３を完全に切断するために、ウェーハ３と、接着部材７と、を貫いてサポートウェーハ５の所定の深さに達するまで第１切削ブレード８ａを切り込ませる。
【００３１】
図２（Ａ）は、サポートウェーハ５の該所定の深さまで第１切削ブレード８ａを切り込ませた状態における、貼り合わせウェーハ１、第１切削ユニット８、及び保持テーブル２の断面構造を模式的に示した図である。
【００３２】
次に、第１切削ブレード８ａの回転を維持したまま、保持テーブル２の回転を開始する。すると、貼り合わせウェーハ１が回転しながら環状領域９が内周縁に沿って連続的に切削され、環状の第１切削溝１１が形成される。なお、回転する第１切削ユニット８を下降させるよりも前に保持テーブル２の回転を開始し、その後回転する第１切削ユニット８を下降させて第１切削溝１１を形成してもよい。
【００３３】
第１切削ステップが実施された後の貼り合わせウェーハ１の断面構造を図２（Ｂ）に模式的に示す。本ステップにより、環状の第１切削溝１１が形成される。
【００３４】
なお、本実施形態に係る加工方法における第１切削ステップは、環状領域９の内周縁の直上に第１切削ブレード８ａを位置付け、第１切削ブレード８ａを上方からサポートウェーハ５の所定の深さに達するまで下降する場合に限られない。
【００３５】
例えば、貼り合わせウェーハ１から離れた位置において、予め第１切削ブレード８ａを該所定の深さまで切削できる位置に下降させておき、次に、貼り合わせウェーハ１に向けて水平移動させてもよい。第１切削ブレード８ａを回転させたまま環状領域９の内周縁まで水平に切り込ませ、その後、第１切削ブレード８ａの回転を維持したまま、保持テーブル２の回転することで環状の第１切削溝１１を形成してもよい。
【００３６】
次に、本実施形態に係る加工方法における第２切削ステップについて、図３を用いて説明する。第２切削ステップは第１切削ステップが実施された後に実施される。第１切削ステップを経てすでにウェーハ３の外周縁近傍の環状領域９が一部除去されており、第１切削溝１１が形成されているが、本第２切削ステップでは、該環状領域９の残りの部分９ａ（図３（Ｂ）参照）を除去する。
【００３７】
第２切削ステップにて使用する第２切削ユニット１０について説明する。第２切削ユニット１０は、第２スピンドル１０ｂと、該第２スピンドル１０ｂの先端に連結された第２切削ブレード１０ａと、を有する。第２切削ユニット１０は、該第２スピンドル１０ｂを軸として回転可能であり、第２切削ブレード１０ａは該第２スピンドル１０ｂと共に回転する。
【００３８】
第２切削ブレード１０ａは環状領域９の該残りの部分９ａの幅よりも大きい厚みを有しており、該厚みは上述の第１切削ブレード８ａが有する厚みよりも大きい。また、第２切削ブレード１０ａは、上述の第１切削ブレード８ａが有する砥粒の粒径よりも大きい粒径の砥粒を有する。
【００３９】
したがって、第２切削ブレード１０ａは、第１切削ブレード８ａよりも切削する範囲が広く切削能力が高い。一方で、第２切削ブレード１０ａは切削により被加工物に与える負荷（加工負荷）が第１切削ブレード８ａよりも大きいため、被加工物にクラック等の損傷を生じさせやすい。
【００４０】
しかし、環状領域９の残りの部分９ａに対する切削により該環状領域９中にクラック等の損傷が生じたとしても、第１切削溝１１が存在するために、ウェーハ３の半径方向中心側へのクラックの伸長が阻止される。そのため、ウェーハ３の表面３ａに形成されたデバイス３ｃにクラックが伸長せず、デバイス３ｃは第２切削ステップにおいて損傷しない。
【００４１】
切削能力が高い切削ブレードを用いる前に、加工負荷が小さい切削ブレードを用いて必要最低限の時間で第１切削溝を形成しておくことで、切削工程に要する時間を大幅に増やすことなく被加工物に生じる損傷を防止できる。
【００４２】
第２切削ステップにおける切削の準備のために、第２切削ユニット１０は、第２スピンドル１０ｂを該貼り合わせウェーハ１の半径方向に略平行に向けて貼り合わせウェーハ１の上方に配置される。さらに、第２切削ブレード１０ａが該環状領域９の残りの部分９ａの幅をすべて覆うよう第２切削ユニット１０の位置が調整される。
【００４３】
このとき、第２切削ステップにより確実に環状領域９の残りの部分９ａのすべてが切削されるように、第２切削ブレード１０ａを第１切削溝１１の一部とも重なるように位置付ける。ここで図３（Ｂ）に、第２切削ステップ実施前の貼り合わせウェーハ１の外周縁近傍の断面構造を模式的に示す。すなわち、第１切削溝１１の一部と環状領域９の残りの部分９ａとを含む領域が第２切削ブレード１０ａが下降する部分９ｂとなる。
【００４４】
第２切削ステップにおける切削を実施する。まず、第２スピンドル１０ｂの回転を開始し、第２切削ブレード１０ａが回転している状態とする。次に、第２切削ブレード１０ａの回転を維持したまま第２切削ユニット１０を貼り合わせウェーハ１に向けて垂直に下降させる。そして、ウェーハ３を完全に切断するために、ウェーハ３と、接着部材７と、を貫いてサポートウェーハ５の所定の深さに達するまで第２切削ブレード１０ａを切り込ませる。
【００４５】
図３（Ａ）は、貼り合わせウェーハ１の上方からウェーハ３及び接着部材７を貫いて所定の深さまで第２切削ブレード１０ａを切り込ませた状態における、貼り合わせウェーハ１、第２切削ユニット１０、及び保持テーブル２の断面構造を模式的に示した図である。
【００４６】
次に、第２切削ブレード１０ａの回転を維持したまま、保持テーブル２の回転を開始する。すると、貼り合わせウェーハ１が回転しながら環状領域９の残りの部分９ａが連続的に切削される。なお、回転する第２切削ユニット１０を下降させるよりも前に保持テーブル２の回転を開始し、その後回転する第２切削ユニット１０を下降させて環状領域９の残りの部分９ａを切削してもよい。
【００４７】
第２切削ステップが実施された後の貼り合わせウェーハ１の断面構造を図４（Ａ）に模式的に示す。環状領域９がすべて切削されるが、第１切削ステップと第２切削ステップとを経て切削されているため、ウェーハ３の損傷が抑制されている。
【００４８】
なお、本実施形態に係る加工方法における第２切削ステップは、第２切削ブレード１０ａを貼り合わせウェーハ１の上方に位置付け、第２切削ブレード１０ａを上方からサポートウェーハ５の所定の深さに達するまで下降する場合に限られない。
【００４９】
例えば、貼り合わせウェーハ１から離れた位置において、予め第２切削ブレード１０ａを該所定の深さまで切削できる位置に下降させておき、次に貼り合わせウェーハ１に向けて水平移動させもよい。第２切削ブレード１０ａを回転させながら第１切削溝１１の一部まで水平に切り込ませて、その後、第２切削ブレード１０ａの回転を維持したまま、保持テーブル２の回転することで環状領域９の残りの部分９ａを切削してもよい。
【００５０】
ところで、ウェーハ３は外縁部において面取り加工が施されており、第２切削ステップが実施される前には、断面が円弧状となっている。そのため、第２切削ステップが実施される前、図３（Ｂ）に示される通り、貼り合わせウェーハ１の外周縁近傍において、ウェーハ３とサポートウェーハ５との間の接着部材７が厚く形成されている。したがって、貼り合わせウェーハ１の外周縁近傍を切削すると特に多量の切削屑が発生する。
【００５１】
第１切削ブレード８ａは小さい粒径の砥粒を有するが、そのような砥粒を有する切削ブレードは切削屑により目詰まりが生じやすい。ウェーハ３へ与えられるクラック等の損傷を抑制するために、環状領域９のすべてを第１切削ブレード８ａで切削することも考えられるが、その場合、接着部材７が厚く形成されている領域においても第１切削ブレード８ａを用いて切削を実施することとなる。すると、発生する多量の切削屑のために特に目詰まりが生じやすく、ウェーハ３はクラック等の損傷を受けやすくなる。
【００５２】
本実施形態に係る加工方法においては、接着部材７が厚く形成されている場所を、大きい粒径の砥粒を有する第２切削ブレード１０ａを用いて切削するため、切削屑が多量に生じても目詰まりを生じにくい。したがって、本実施形態に係る加工方法は、接着部材から発生した切削屑によるブレードの目詰まりをも抑制し、ウェーハへの損傷を防ぐことができる。
【００５３】
第２切削ステップが実施された後、例えば、ウェーハを薄化する薄化ステップが行われる。ウェーハの薄化について、図４（Ｂ）を用いて説明する。保持テーブル２に吸着保持された貼り合わせウェーハ１を裏面３ｂ側から研削し、ウェーハ３を薄化する。図４（Ｂ）は、該ウェーハの薄化ステップを模式的に示す断面図である。研削ホイール１２は複数の砥石１４を下方に向けて支持し、研削ホイール１２が回転しながら徐々に下降することにより砥石１４が被加工物の表面を研削する。
【００５４】
図４（Ｂ）に示すように、薄化ステップにおいては、まず、保持テーブル２と研削ホイール１２との少なくとも一方を回転させながら、研削１２を下降してウェーハ３の裏面３ｂ側に、研削ホイール１２の研削砥石１４を接触させる。この状態で研削ホイール１２を徐々にさらに下降させることにより、裏面３ｂ側を研削してウェーハ３を薄く加工する。
【００５５】
第１切削ステップ及び第２切削ステップによりウェーハ３の外縁近傍の環状領域９が切削されており、面取り部が除去されている。そのため、ウェーハ３を薄化したときのウェーハ３の外縁部はもはやナイフエッジの如く鋭利に尖ることがなく、ウェーハ３の外周から欠けが生じてウェーハ３が破損してしまうこともない。
【００５６】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、第１切削ブレードを用いて第１切削溝を形成するが、第１切削溝を形成する方法はこれに限らない。例えば、レーザー加工装置を用いたアブレーション加工により第１切削溝を形成してもよい。
【００５７】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５８】
１  貼り合わせウェーハ
３  ウェーハ
３ａ  表面
３ｂ  裏面
３ｃ  デバイス
５  サポートウェーハ
５ａ  第１の面
５ｂ  第２の面
７  接着部材
９  環状領域
９ａ  環状領域の残りの部分
９ｂ  第２切削ブレードが下降する部分
１１  第１切削溝
２  保持テーブル
４  円板状部材
６  多孔質部材
８  第１切削ユニット
８ａ  第１切削ブレード
８ｂ  第１のスピンドル
１０  第２切削ユニット
１０ａ  第２切削ブレード
１０ｂ  第２のスピンドル
１２  研削ホイール
１４  研削砥石
【図１】
2017204555.tif 000003
【図２】
2017204555.tif 000004
【図３】
2017204555.tif 000005
【図４】
2017204555.tif 000006