(57)【要約】【課題】凹凸パターンの矯正に適した、インプリントモールド用ガラス板の提供。【解決手段】第１主表面の中央部に周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面を有し、前記第１主表面とは反対側の第２主表面の中央部に非貫通穴を有するインプリントモールド用ガラス板であって、前記非貫通穴の中心線を含む任意の断面において、前記第２主表面は、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分を除く残りの部分を、前記非貫通穴を挟んで第１部分と第２部分とに分けて有し、前記残りの部分の最小二乗直線を基準直線とすると、外力が作用していない自然状態のとき、前記第１部分の最小二乗直線、および前記第２部分の最小二乗直線は、それぞれ、前記基準直線に対し斜めに交差しており、交差点よりも内周側において前記基準直線を基準として前記第１主表面とは反対側に突出している、インプリントモールド用ガラス板。【選択図】図１３
2017152650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主表面の中央部に周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面を有し、前記第１主表面とは反対側の第２主表面の中央部に非貫通穴を有するインプリントモールド用ガラス板であって、
前記非貫通穴の中心線を含む任意の断面において、前記第２主表面は、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分を除く残りの部分を、前記非貫通穴を挟んで第１部分と第２部分とに分けて有し、
前記残りの部分の最小二乗直線を基準直線とすると、
外力が作用していない自然状態のとき、前記第１部分の最小二乗直線、および前記第２部分の最小二乗直線は、それぞれ、前記基準直線に対し斜めに交差しており、交差点よりも内周側において前記基準直線を基準として前記第１主表面とは反対側に突出している、インプリントモールド用ガラス板。
【請求項２】
外力が作用していない自然状態のとき、前記第１部分の最小二乗直線の前記基準直線に対する傾斜角を第１傾斜角、前記第２部分の最小二乗直線の前記基準直線に対する傾斜角を第２傾斜角とすると、前記第１傾斜角および前記第２傾斜角は、それぞれ、０．４５μｒａｄ以上０．０７ｍｒａｄ以下である、請求項１に記載のインプリントモールド用ガラス板。
【請求項３】
外力が作用していない自然状態のとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角との平均値を１００％とすると、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角との差の絶対値が３％以下である、請求項２に記載のインプリントモールド用ガラス板。
【請求項４】
外力が作用していない自然状態のとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角との差の絶対値が０．００１ｍｒａｄ以下である、請求項２または３に記載のインプリントモールド用ガラス板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のインプリントモールド用ガラス板と、
前記突出面における凹凸パターンの形成に用いられるエッチング保護膜とを有する、インプリントモールド用積層板。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のインプリントモールド用ガラス板を有し、
前記突出面に凹凸パターンを有する、インプリントモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールド用ガラス板、インプリントモールド用積層板、およびインプリントモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ法の代替技術として、インプリント法が注目されている（例えば特許文献１、２参照）。インプリント法は、モールドと基板との間に転写材を挟み、モールドの凹凸パターンを転写材に転写する技術である。フォトリソグラフィ法では露光に使用する光の波長により分解能が制限されるが、インプリント法ではモールドに刻まれたパターン通りにパターンを形成することができ、非常に微細なパターン形成が可能となる。またフォトリソグラフィ法と比較し高価な光学系装置が不要になり、低コストの装置で超高分解能のリソグラフィを行うことが期待できる。インプリント法は、半導体素子だけでなく、反射防止シート、バイオチップ、磁気記録媒体など様々な製品の製造に適用できる。
【０００３】
インプリント法は特に半導体集積回路用への展開が期待される。近年、半導体集積回路は微細化、集積化が進んでおり、その微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。しかし、パターンの微細化が進むにつれて装置を大型化せざるを得ないほか、高精度に制御する必要になるなど、装置価格が非常に高くなる課題があった。
【０００４】
これに対し、微細パターンを低コストで行うためにインプリント法があり、１０ナノメートル程度のパターンの転写が可能であるとされている。インプリント法は大容量記録媒体の記録ビット形成、半導体集積回路パターン形成等への応用が検討され、量産化に向けて検討が進められている。
【０００５】
ここで、インプリント技術を量産適応する上の課題の１つとして高スループット化がある。インプリント装置価格が安価でも、スループットが低い場合、製品コストが高くなり、従来のフォトリソグラフィ法で製造する製品と比較し、コストメリットが得られない。
【０００６】
また、パターンの転写工程において、モールドと基板との間に、気泡が巻き込まれやすい。巻き込まれた気泡は転写材に徐々に吸収され、気泡が消失する。転写工程では転写材が凹凸パターンと基板とで囲まれた空間に完全に充填するまで待機する必要がある。吸収しきれない気泡が存在したまま転写材を固化させた場合、パターン欠陥となるからである。
【０００７】
さらに、気泡の巻き込まれ量を少なくする技術として、パターンとは反対側の面に非貫通穴を有するモールドを湾曲させながら転写させる技術が開発されている。これはモールド中央部と転写材とをまず接触させ、この状態でモールド中央部からモールド外周部に転写材との接触部位を徐々に広げることで、気泡を外周に追い出し、気泡の取り込み量を低減させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００９−５３６５９１号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８０７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
インプリントモールドの製造には、一般的に、ガラス板が用いられる。このガラス板は、第１主表面と、第１主表面とは反対側の第２主表面とを有する。第１主表面の中央部には、周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面が形成される。一方、第２主表面の中央部には、非貫通穴が形成される。突出面に凹凸パターンが形成されることで、インプリントモールドが得られる。
【００１０】
インプリントモールドは、凹凸パターンの転写時に、例えば、第１主表面を下に向け、第２主表面を上に向けた状態で、上方のチャックに保持される。このとき、第２主表面がチャックの保持面に倣って変形し、その結果、第１主表面の凹凸パターンが歪む。
【００１１】
凹凸パターンの歪みは、インプリントモールドの外周面を挟圧することで矯正できる。インプリントモールドの外周面を挟圧することで、凹凸パターンは縮小される。凹凸パターンの縮小は可能であるが、凹凸パターンの拡大は困難である。
【００１２】
第２主表面がチャックの保持面に倣って変形することで、第１主表面の凹凸パターンが拡大されるインプリントモールドが望まれていた。拡大した凹凸パターンを、インプリントモールドの外周面を挟圧することで縮小することができる。
【００１３】
尚、第２主表面が完全な平坦面であれば、凹凸パターンの矯正が不要であるが、完全な平坦面の作製は困難である。
【００１４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの矯正に適した、インプリントモールド用ガラス板の提供を主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
第１主表面の中央部に周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面を有し、前記第１主表面とは反対側の第２主表面の中央部に非貫通穴を有するインプリントモールド用ガラス板であって、
前記非貫通穴の中心線を含む任意の断面において、前記第２主表面は、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分を除く残りの部分を、前記非貫通穴を挟んで第１部分と第２部分とに分けて有し、
前記残りの部分の最小二乗直線を基準直線とすると、
外力が作用していない自然状態のとき、前記第１部分の最小二乗直線、および前記第２部分の最小二乗直線は、それぞれ、前記基準直線に対し斜めに交差しており、交差点よりも内周側において前記基準直線を基準として前記第１主表面とは反対側に突出している、インプリントモールド用ガラス板が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様によれば、凹凸パターンの矯正に適した、インプリントモールド用ガラス板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一実施形態によるモールドの平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿ったモールドの断面図である。
【図３】図２に示すモールドの変形状態の断面図である。
【図４】図３に示すモールドの変形解除状態の断面図である。
【図５】一実施形態によるガラス板の平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿ったガラス板の断面図である。
【図７】図６の突出面における凹凸パターンの形成方法の説明図である。
【図８】図７に続く、突出面における凹凸パターンの形成方法の説明図である。
【図９】図８に続く、突出面における凹凸パターンの形成方法の説明図である。
【図１０】図９に続く、突出面における凹凸パターンの形成方法の説明図である。
【図１１】一実施形態によるガラス板の自然状態を示す断面図である。
【図１２】一実施形態によるガラス板のチャックによる拘束状態を示す断面図である。
【図１３】一実施形態によるガラス板の第２主表面の断面形状を示す図である。
【図１４】図１３に示す基準直線を水平とし、傾きを補正したときの第１部分および第２部分の断面形状を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。本明細書において、インプリントモールドを単にモールドとも呼ぶ。また、本明細書において、平面視とは、主表面に対し垂直な方向から見たことを意味する。
【００１９】
図１は、一実施形態によるモールドの平面図である。図２は、図１のII−II線に沿ったモールドの断面図である。図３は、図２に示すモールドの変形状態の断面図である。図４は、図３に示すモールドの変形解除状態の断面図である。
【００２０】
モールド１０は、図４に示すように基板１７との間に転写材１９を挟み、モールド１０の凹凸パターンを転写材１９に転写する。転写材１９の凹凸パターンは、モールド１０の凹凸パターンが略反転したものとなる。
【００２１】
モールド１０は、例えばガラスで形成される。ガラスは、ＳｉＯ２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましい。石英ガラスに占めるＳｉＯ２含有量の上限値は、１００質量％である。
【００２２】
石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、紫外線の透過率が高い。また、石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、熱膨張率が小さく、温度変化による凹凸パターンの寸法変化が小さい。
【００２３】
石英ガラスは、ＳｉＯ２の他に、ＴｉＯ２含んでよい。ＴｉＯ２含有量が多いほど、ガラス表面のＯＨ基の密度が大きく、ガラス表面と転写材１９との親和性が高い。よって、モールド１０と基板１７との間に巻き込まれた気泡の消失時間が短縮できる。
【００２４】
石英ガラスは、ＳｉＯ２を９０〜９５質量％、ＴｉＯ２を５〜１０質量％含んでよい。ＴｉＯ２含有量が５〜１０質量％であると、室温付近での熱膨張率が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。
【００２５】
石英ガラスは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。
【００２６】
モールド１０は、図２に示すように、第１主表面１１と、第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２とを有する。外力が作用していない自然状態で、第１主表面１１と第２主表面１２とは略平行とされる。
【００２７】
第１主表面１１は、段差を有している。第１主表面１１の中央部には、周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出するメサ（mesa）と呼ばれる突出面１３が形成されている。突出面１３に対し平行なオフメサと呼ばれるオフセット面１５と、突出面１３とで第１主表面１１が構成される。
【００２８】
平面視において、突出面１３の形状は、例えば図１に示すように矩形である。突出面１３には、転写材１９に転写する凹凸パターンが形成されている。尚、平面視において、突出面１３の形状は、円形、楕円形、五角形以上の多角形などでもよい。
【００２９】
一方、第２主表面１２の中央部には、非貫通穴１４が形成されている。非貫通穴１４の形状は、例えば図１および図２に示すように円柱である。尚、非貫通穴１４の形状は、円錐台、角柱、角錐台などでもよい。
【００３０】
図１に示すように、平面視において、非貫通穴１４の開口縁１４ａの内側に、突出面１３が配される。また、平面視において、突出面１３の中心および非貫通穴１４の中心は、モールド１０の中心と一致している。
【００３１】
図２に示すように、モールド１０の非貫通穴１４が形成される部分は、その周辺部分に比べ薄いため、外力によって曲げ変形し易い。よって、図３に示すように、非貫通穴１４の中心線を中心に、突出面１３を基板１７に向けて凸に曲げ変形させることが可能である。この曲げ変形は、例えば、モールド１０の外周面や非貫通穴１４の内底面を押圧することにより実施される。非貫通穴１４の内底面は、非貫通穴１４内に形成されるガス室の気圧で押圧されてよい。
【００３２】
次に、図３〜図４を再度参照して、上記構成のモールド１０を用いたインプリント法について説明する。
【００３３】
図３に示すようにモールド１０の突出面１３を基板１７に向けて凸に曲げ変形させた状態で、モールド１０と基板１７とを接近させ、基板１７に予め塗布された液状の転写材１９に対しモールド１０の突出面１３を接触させる。
【００３４】
その後、転写材１９の固化前に、突出面１３を図３に示す変形状態から図４に示す変形解除状態に戻す。これにより、突出面１３は、その中央部から外周部に向けて徐々に転写材１９と接触する。モールド１０と基板１７との間の気体が逃げやすく、気体の閉じ込めが抑制できる。
【００３５】
転写材１９の固化後、転写材１９とモールド１０とが分離される。転写材１９を固化してなる凹凸層と基板１７とで構成される製品が得られる。製品の凹凸パターンは、モールド１０の凹凸パターンが略反転したものである。
【００３６】
図５は、一実施形態によるガラス板の平面図である。図６は、図５のVI−VI線に沿ったガラス板の断面図である。
【００３７】
ガラス板２０は、第１主表面２１と、第１主表面２１とは反対側の第２主表面２２とを有する。第１主表面２１は、段差を有している。第１主表面２１の中央部には、周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面２３が形成されている。突出面２３に対し平行なオフセット面２５と、突出面２３とで第１主表面２１が構成される。一方、第２主表面２２の中央部に非貫通穴２４が形成されている。
【００３８】
ガラス板２０は、図１や図２などに示すモールド１０の製造に用いられる。具体的には、突出面２３の一部をエッチングなどによって掘り下げ、突出面２３に凹凸パターンを形成することで、図１や図２などに示すモールド１０が得られる。図７〜図１０は、図６の突出面における凹凸パターンの形成方法の説明図である。
【００３９】
先ず、図７に示すように、ガラス板２０上に、エッチング保護膜３０が形成される。エッチング保護膜３０は、一般的なものであってよく、例えば金属または金属化合物で形成される。エッチング保護膜３０は、単層構造、複層構造のいずれでもよい。ガラス板２０とエッチング保護膜３０とでインプリントモールド用積層板が構成される。
【００４０】
エッチング保護膜３０は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅから選ばれる少なくとも１つの金属元素を含む、単金属、合金、窒化物、酸化物、炭化物、炭窒化物、酸窒化物、または酸炭窒化物で形成されてもよい。あるいは、エッチング保護膜３０は、Ｔａ、ＴａＨｆ、ＴａＺｒ、ＴａＨｆＺｒなどのタンタル化合物、もしくはタンタル化合物を主材料とし、Ｂｅ，Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ等の副材料を加えた複合材料で形成されてもよい。
【００４１】
エッチング保護膜３０は、スパッタ法、真空蒸着等の物理気相成長法（ＰＶＤ法）、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により成膜される。エッチング保護膜３０の厚さは、例えば２〜１０ｎｍである。エッチング保護膜３０に微細なパターンを形成するため、エッチング保護膜３０の厚さは薄いほど望ましく、望ましくは５ｎｍ以下、より望ましくは３ｎｍ以下である。
【００４２】
次いで、図８に示すようにエッチング保護膜３０上に、開口パターンを有するレジスト膜４０が形成される。その形成方法は、電子線リソグラフィ法、フォトリソグラフィ法、インプリント法のいずれでもよい。
【００４３】
尚、図８に示すレジスト膜４０は、エッチング保護膜３０の全面に形成されているが、エッチング保護膜３０のうち少なくとも平面視で突出面２３と重なる領域に形成されていればよい。
【００４４】
次いで、図９に示すように、レジスト膜４０によって部分的に保護したエッチング保護膜３０をエッチングすることで、エッチング保護膜３０に開口パターンが形成される。その開口パターンは、レジスト膜４０の開口パターンと略同じものである。不要となったレジスト膜４０は図１０に示すように除去されてもよい。
【００４５】
次いで、図１０に示すようにエッチング保護膜３０によって部分的に保護した突出面２３をエッチングすることで、突出面２３に凹凸パターンが形成される。その後、不要になったエッチング保護膜３０が除去され、図２に示すモールド１０が得られる。
【００４６】
ところで、モールド１０は、凹凸パターンの転写時に、例えば、第１主表面１１を下に向け、第２主表面１２を上に向けた状態で、上方のチャック５０（図１２参照）に保持される。このとき、第２主表面１２がチャック５０の保持面に倣って変形する。
【００４７】
モールド１０の第２主表面１２となる、ガラス板２０の第２主表面２２の表面形状を、図１１および図１２に誇張して示す。図１１は、一実施形態によるガラス板の自然状態を示す断面図である。図１２は、一実施形態によるガラス板のチャックによる拘束状態を示す断面図である。
【００４８】
図１１に示すようにガラス板２０が自然状態のとき、非貫通穴２４の中心線ＣＬを含む任意の断面において、第２主表面２２は、外周側から内周側に向かうほど、外周端同士を結ぶ直線よりも外側に突き出す傾向にある。
【００４９】
一方、図１２に示すようにガラス板２０がチャック５０に保持されるとき、第２主表面２２がチャック５０の保持面５１に倣って変形する。その結果、第１主表面２１の突出面２３は中心線ＣＬに直交する方向に引き伸ばされる。よって、突出面２３に形成される凹凸パターンを拡大できる。
【００５０】
拡大された凹凸パターンは、ガラス板２０の外周面を挟圧することで縮小することができる。よって、凹凸パターンの矯正が可能であり、凹凸パターンの矯正に適したガラス板２０が得られる。凹凸パターンは、矯正された状態で、転写材１９に転写される。
【００５１】
尚、第２主表面２２が完全な平坦面であれば、転写時の凹凸パターンの矯正が不要であるが、完全な平坦面の作製は困難である。
【００５２】
図１３は、一実施形態によるガラス板の第２主表面の断面形状を示す図である。ガラス板２０の第２主表面２２の断面形状は、市販の斜入射干渉型平面度測定機などにより測定できる。
【００５３】
図１３に示すように、非貫通穴２４の中心線ＣＬ（図１１など参照）を含む任意の断面において、第２主表面２２は、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分２７を除く残りの部分２８を、非貫通穴２４を挟んで第１部分２８−１と第２部分２８−２とに分けて有する。ここで、「１５ｍｍ」は、中心線ＣＬに直交する方向における距離である。上記残りの部分２８の最小二乗直線ＳＬを基準直線ＳＬとする。本明細書において、「最小二乗直線」とは、最小二乗法により近似された直線を意味する。尚、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分２７を除くのは、表面形状の正確な測定が困難なためである。
【００５４】
図１４は、図１３に示す基準直線ＳＬを水平とし、傾きを補正したときの第１部分２８−１および第２部分２８−２の断面形状を示す図である。
【００５５】
第１部分２８−１の最小二乗直線Ｌ１、および第２部分２８−２の最小二乗直線Ｌ２は、それぞれ、基準直線ＳＬに対し斜めに交差しており、交差点よりも内周側において基準直線ＳＬを基準として第１主表面２１とは反対側に突出している。よって、凹凸パターンの矯正に適したガラス板２０が得られる。
【００５６】
尚、第１部分２８−１や第２部分２８−２と同様に、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分２７の最小二乗直線も、基準直線ＳＬに対して斜めに傾斜しており、第１部分２８−１や第２部分２８−２との境界から外側（中心とは反対側）に向かうほど、基準直線ＳＬから離れている。
【００５７】
ガラス板２０が自然状態のときの第１部分２８−１の最小二乗直線Ｌ１の基準直線ＳＬに対する傾斜角θ１を第１傾斜角θ１とすると、第１傾斜角θ１は例えば０．４５μｒａｄ以上０．０７ｍｒａｄ以下、好ましくは０．００２ｍｒａｄ以上０．０４ｍｒａｄ以下である。尚、第１部分２８−１の最小二乗直線Ｌ１が基準直線ＳＬに一致する場合に、第１傾斜角θ１が０ｒａｄである。
【００５８】
同様に、ガラス板２０が自然状態のときの第２部分２８−２の最小二乗直線Ｌ２の基準直線ＳＬに対する傾斜角θ２を第２傾斜角θ２とすると、第２傾斜角θ２は例えば０．４５μｒａｄ以上０．０７ｍｒａｄ以下、好ましくは０．００２ｍｒａｄ以上０．０４ｍｒａｄ以下である。尚、第２部分２８−２の最小二乗直線Ｌ２が基準直線ＳＬに一致する場合に、第２傾斜角θ２が０ｒａｄである。
【００５９】
また、ガラス板２０が自然状態のときの第１傾斜角θ１と第２傾斜角θ２との平均値で除した値を１００％とすると、第１傾斜角θ１と第２傾斜角θ２との差の絶対値が３％以下であれば、傾斜の対称性がよい。
【００６０】
第１傾斜角θ１と第２傾斜角θ２との差の絶対値は、例えば０．００１ｍｒａｄ以下である。第１傾斜角θ１と第２傾斜角θ２との差の絶対値が０．００１ｍｒａｄ以下であれば、対称性がよい。
【００６１】
ガラス板２０の第２主表面２２の表面形状は、研磨や局所加工によって調整できる。研磨では、研磨パッドおよび／または研磨スラリーを交換しながら、第２主表面２２の研磨を繰り返し行ってよい。
【００６２】
研磨パッドは、ガラス板２０の板厚方向両側に配設されてよく、第１主表面２１と第２主表面２２とを同時に研磨してもよい。尚、研磨パッドは、ガラス板２０の板厚方向片側に配設されてもよく、第１主表面２１と第２主表面２２とを順番に研磨してもよい。その順序は特に限定されず、どちらが先に研磨されてもよい。
【００６３】
研磨パッドは、定盤に貼り付けて用いられる。研磨パッドの研磨面は、第１主表面２１や第２主表面２２よりも大きい。また、研磨パッドの研磨面の半径は、ガラス板２０を保持するキャリアの直径よりも大きくてよい。この場合、キャリアは、研磨パッドの中心線を中心に公転させられながら、キャリアの中心線を中心に自転させられる。
【００６４】
研磨パッドとしては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、またはスウェード系研磨パッドなどが用いられる。また、研磨パッドとしては、ナップ層と呼ばれる多孔質の樹脂層を有するものが用いられてもよい。
【００６５】
研磨スラリーは、研磨粒子と分散媒とを含む。研磨粒子は、例えばコロイダルシリカ、または酸化セリウムなどで形成される。分散媒としては、水、または有機溶媒などが用いられる。研磨スラリーは、研磨パッドとガラス板２０との間に供給される。
【００６６】
研磨の途中、または研磨の後に、必要に応じて局所加工が行われる。局所加工では、ガラス板２０の第２主表面２２を局所的に加工する。局所加工では、第１主表面２１と第２主表面２２とを順番に加工してもよい。その順序は特に限定されず、どちらが先に加工されてもよい。
【００６７】
局所加工では、例えばイオンビームエッチング法、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）エッチング法、プラズマエッチング法、湿式エッチング法、磁性流体による研磨法、または回転研磨ツールによる研磨法などが用いられる。
【００６８】
以上、インプリントモールド用ガラス板の実施形態などについて説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  モールド
１１  第１主表面
１２  第２主表面
１３  突出面
１４  非貫通穴
１５  オフセット面
１７  基板
１９  転写材
２０  ガラス板
２１  第１主表面
２２  第２主表面
２３  突出面
２４  非貫通穴
２５  オフセット面
２７  外周端から１５ｍｍ以内の部分
２８  残りの部分
２８−１  第１部分
２８−２  第２部分
【図１】
2017152650.tif 000003
【図２】
2017152650.tif 000004
【図３】
2017152650.tif 000005
【図４】
2017152650.tif 000006
【図５】
2017152650.tif 000007
【図６】
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【図７】
2017152650.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2017152650.tif 000013
【図１２】
2017152650.tif 000014
【図１３】
2017152650.tif 000015
【図１４】
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