(57)【要約】【課題】物理量を高精度に測定することができる物理量センサーを提供すること、また、かかる物理量センサーを備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー１は、受圧により撓み変形するダイヤフラム部２０を有する基板２と、ダイヤフラム部２０に配置されているセンサー素子と、基板２の一方の面側に基板２の平面視でセンサー素子を囲んで配置されている壁部と、壁部に対して基板２０とは反対側に配置されていて内部空間を壁部とともに構成し、内部空間の内外を連通する貫通孔を有する蓋部と、蓋部の基板２側とは反対側に配置されていて貫通孔の開口を塞いでいる封止部と、を有し、封止部は、平面視において、貫通孔と異なる位置に設けられている凹部または孔で構成されている応力緩和部を有することを特徴とする。【選択図】図１
2017044653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受圧により撓み変形するダイヤフラム部を有する基板と、
前記ダイヤフラム部に配置されているセンサー素子と、
前記基板の一方の面側に前記基板の平面視で前記センサー素子を囲んで配置されている壁部と、
前記壁部に対して前記基板と対向する側に配置されていて、前記壁部とともに内部空間を構成し、前記内部空間の内外を連通する貫通孔を有する蓋部と、
前記蓋部の前記基板側とは反対側に配置されていて前記貫通孔の開口を塞いでいる封止部と、を有し、
前記封止部は、前記平面視において、前記貫通孔と異なる位置に設けられている凹部または孔で構成されている応力緩和部を有することを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記蓋部は、複数の前記貫通孔を有し、
前記応力緩和部は、前記平面視において、前記複数の貫通孔よりも前記封止部の外周側に設けられている請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記封止部は、複数の前記応力緩和部を有する請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記応力緩和部は、前記平面視において、前記壁部の内側に設けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記壁部の前記基板とは反対側に設けられていて、前記壁部の外周部に配置されている保護層を備え、
前記応力緩和部は、前記平面視において、前記保護層と重なる位置に設けられている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記応力緩和部は、スリットである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記スリットは、前記封止部を貫通している請求項６に記載の物理量センサー。
【請求項８】
前記スリットには、ヤング率が前記封止部のヤング率よりも小さい充填材が設けられている請求項６または７に記載の物理量センサー。
【請求項９】
前記封止部は、アルミニウムを含む請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造プロセスを用いて製造された物理量センサーが開発されている。このような物理量センサーの一例として、例えば、特許文献１に係る振動式トランデューサーが挙げられる。この振動式トランデューサーは、基板と、基板に設けられたダイヤフラムと、ダイヤフラムに設けられた振動子と、振動子を囲んで真空室を構成するシェルと、を有している。このような構成の振動式トランデューサーでは、ダイヤフラムに圧力が加わると、ダイヤフラムが撓み、これにより、振動子が歪むことで振動子の固有振動数が変化する。この変化により、振動式トランデューサーは、ダイヤフラムに加わった圧力を測定することができる。
【０００３】
ここで、このような物理量センサー（振動式トランデューサー）では、例えば、製造のし易さや、真空室の気密性を高めるために、基板とシェルとを異なる材料で構成する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３７３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような物理量センサーにおいて、基板とシェルとを異なる材料で構成すると、基板の線膨張係数とシェルの線膨張係数とが異なるため、例えばシェルの熱履歴による応力が基板に伝わり、この応力によって基板に設けられた振動子の出力が変化してしまう。それゆえ、従来の構成の物理量センサーでは、圧力を高精度に測定することが難しかった。
【０００６】
本発明の目的は、物理量を高精度に測定することができる物理量センサーを提供すること、また、かかる物理量センサーを備える電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の物理量センサーは、受圧により撓み変形するダイヤフラム部を有する基板と、
前記ダイヤフラム部に配置されているセンサー素子と、
前記基板の一方の面側に前記基板の平面視で前記センサー素子を囲んで配置されている壁部と、
前記壁部に対して前記基板と対向する側に配置されていて、前記壁部とともに内部空間を構成し、前記内部空間の内外を連通する貫通孔を有する蓋部と、
前記蓋部の前記基板側とは反対側に配置されていて前記貫通孔の開口を塞いでいる封止部と、を有し、
前記封止部は、前記平面視において、前記貫通孔と異なる位置に設けられている凹部または孔で構成されている応力緩和部を有することを特徴とする。
【０００８】
このような物理量センサーによれば、封止部が貫通孔と異なる位置に設けられた応力緩和部を備えているため、内部空間の気密性を確保したまま、封止部に生じる応力を緩和することができ、よって、前記応力が蓋部および壁部を介してダイヤフラム部に配置されたセンサー素子に伝達されることを低減することができる。そのため、このような物理量センサーによれば、前記応力によるセンサー素子の検知結果（出力）の変化を低減することができ、物理量を高精度に測定することができる。
【０００９】
本発明の物理量センサーでは、前記蓋部は、複数の前記貫通孔を有し、
前記応力緩和部は、前記平面視において、前記複数の貫通孔よりも前記封止部の外周側に設けられていることが好ましい。
【００１０】
これにより、封止部の外周側（外周部）における応力を特に緩和することができるため、前記応力が蓋部および壁部に伝達されることをより効果的に低減することができる。
【００１１】
本発明の物理量センサーでは、前記封止部は、複数の前記応力緩和部を有することが好ましい。
【００１２】
これにより、封止部の必要な機械的強度を保ちつつ、封止部に生じる応力を効率的に低減することができる。
【００１３】
本発明の物理量センサーでは、前記応力緩和部は、前記平面視において、前記壁部の内側に設けられていることが好ましい。
【００１４】
これにより、封止部に生じる応力が、壁部に伝達されることをより低減することができ、よって、前記応力が壁部を介してセンサー素子に伝達されることをより効果的に低減することができる。
【００１５】
本発明の物理量センサーでは、前記壁部の前記基板とは反対側に設けられていて、前記壁部の外周部に配置されている保護層を備え、
前記応力緩和部は、前記平面視において、前記保護層と重なる位置に設けられていることが好ましい。
【００１６】
このように封止部の外周部に配置されている保護層と重なる位置に応力緩和部が設けられていることで、封止部の外周部における応力をより緩和することができる。このため、前記応力が壁部に伝達されることをより効果的に低減することができる。
【００１７】
本発明の物理量センサーでは、前記応力緩和部は、スリットであることが好ましい。
これにより、応力緩和部によって封止部に生じる応力を緩和する機能を高めることができる。
【００１８】
本発明の物理量センサーでは、前記スリットは、前記封止部を貫通していることが好ましい。
【００１９】
これにより、応力緩和部によって封止部に生じる応力を緩和する機能をより高めることができる。
【００２０】
本発明の物理量センサーでは、前記スリットには、ヤング率が前記封止部のヤング率よりも小さい充填材が設けられていることが好ましい。
【００２１】
これにより、応力緩和部の機能を維持しつつ、封止部の必要な機械的強度を高くすることができる。
【００２２】
本発明の物理量センサーでは、前記封止部は、アルミニウムを含むことが好ましい。
【００２３】
これにより、優れた気密性を有する封止部を比較的簡単かつ高精度に形成することができる。
【００２４】
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、物理量を高精度に測定することができる物理量センサーを備える電子機器を提供することができる。
【００２５】
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、物理量を高精度に測定することができる物理量センサーを備える移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）および壁部の配置を示す平面図である。
【図３】図１に示す物理量センサーの部分拡大断面図である。
【図４】図１に示す物理量センサーの加圧状態を示す平面図である。
【図５】図１に示す物理量センサーの封止層（封止部）が有するスリット（応力緩和部）の配置を示す平面図である。
【図６】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図７】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図８】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図９】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図１０】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図１１】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図１３】図１２に示す物理量センサーの封止層（封止部）が有するスリット（応力緩和部）の配置を示す平面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図１５】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１６】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の物理量センサー、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。図２は、図１に示す物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）および壁部の配置を示す平面図である。図３は、図１に示す物理量センサーの部分拡大断面図である。図４は、図１に示す物理量センサーの加圧状態を示す平面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２９】
図１に示す物理量センサー１は、ダイヤフラム部２０を有する基板２と、ダイヤフラム部２０に配置されているセンサー素子である複数のピエゾ抵抗素子５と、基板２とともに空洞部Ｓ（圧力基準室）を形成している積層構造体６と、基板２と積層構造体６との間に配置されている中間層３と、を備えている。
【００３０】
以下、物理量センサー１を構成する各部を順次説明する。
−基板−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【００３１】
半導体基板２１は、単結晶シリコンで構成されているシリコン層２１１（ハンドル層）と、シリコン酸化膜で構成されている酸化シリコン層２１２（ボックス層）と、単結晶シリコンで構成されているシリコン層２１３（デバイス層）とがこの順で積層されたＳＯＩ基板である。なお、半導体基板２１は、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単結晶シリコン基板等の他の半導体基板であってもよい。
【００３２】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有るとともに、フッ酸を含むエッチング液に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン層２１３）と絶縁膜２３（シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和することができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述した構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００３３】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた中間層３が配置されている。この中間層３は、平面視でダイヤフラム部２０の周囲を囲むように形成されており、中間層３の上面と基板２の上面との間であって、ダイヤフラム部２０の中心側（内側）に中間層３の厚さ分の段差部を形成する。これにより、ダイヤフラム部２０が受圧により撓み変形したとき、ダイヤフラム部２０の段差部との間の境界部分に応力を集中させることができる。そのため、かかる境界部分（またはその付近）にピエゾ抵抗素子５を配置することにより、検出感度を向上させることができる。
【００３４】
この中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンで構成されている。また、中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されていてもよい。この場合、中間層３は、導電性を有するため、例えば、空洞部Ｓの外側において基板２上にＭＯＳトランジスタを形成する場合、中間層３の一部をＭＯＳトランジスタのゲート電極として用いることができる。また、中間層３の一部を配線として用いることもできる。
【００３５】
このような基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイヤフラム部２０が設けられている。ダイヤフラム部２０は、半導体基板２１の下面に有底の凹部２４を設けることで形成されている。すなわち、ダイヤフラム部２０は、基板２の一方の面に開口している凹部２４の底部を含んで構成されている。このダイヤフラム部２０は、その下面が受圧面２５となっている。本実施形態では、図２に示すように、ダイヤフラム部２０は、正方形（矩形）の平面視形状である。
【００３６】
また、図１に示すように、ダイヤフラム部２０の幅Ｗ２０は、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下程度である。また、ダイヤフラム部２０の厚さＤ２０は、例えば１μｍ以上１５μｍ以下程度である。このような幅Ｗ２０または厚さＤ２０であると、ダイヤフラム部２０がより撓み変形し易く、その結果、物理量センサー１はダイヤフラム部２０に配置されたピエゾ抵抗素子５により圧力をより高感度に検出することができる。
【００３７】
本実施形態の基板２では、凹部２４がシリコン層２１１を貫通しており、ダイヤフラム部２０が酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の４層で構成されている。ここで、酸化シリコン層２１２は、後述するように、物理量センサー１の製造工程において凹部２４をエッチングにより形成する際にエッチングストップ層として利用することができ、ダイヤフラム部２０の厚さの製品ごとのバラツキを少なくすることができる。
【００３８】
なお、凹部２４がシリコン層２１１を貫通せず、ダイヤフラム部２０がシリコン層２１１の薄肉部、酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の５層で構成されていてもよい。
【００３９】
−ピエゾ抵抗素子（機能素子）−
複数のピエゾ抵抗素子５は、図１に示すように、それぞれ、ダイヤフラム部２０の空洞部Ｓ側に形成されている。ここで、ピエゾ抵抗素子５は、半導体基板２１のシリコン層２１３に形成されている。
【００４０】
図２に示すように、複数のピエゾ抵抗素子５は、ダイヤフラム部２０の外周部に配置されている複数のピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄで構成されている。
【００４１】
基板２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で四角形をなすダイヤフラム部２０の４つの辺にそれぞれ対応して、ピエゾ抵抗素子５ａ、ピエゾ抵抗素子５ｂ、ピエゾ抵抗素子５ｃ、ピエゾ抵抗素子５ｄが配置されている。
【００４２】
ピエゾ抵抗素子５ａは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して垂直な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ａの両端部には、１対の配線２１４ａが電気的に接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｂは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して垂直な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｂの両端部には、１対の配線２１４ｂが電気的に接続されている。
【００４３】
一方、ピエゾ抵抗素子５ｃは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して平行な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｃの両端部には、１対の配線２１４ｃが電気的に接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｄは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して平行な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｄの両端部には、１対の配線２１４ｄが電気的に接続されている。
【００４４】
なお、以下では、配線２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄをまとめて「配線２１４」ともいう。
【００４５】
このようなピエゾ抵抗素子５および配線２１４は、それぞれ、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したシリコン（単結晶シリコン）で構成されている。ここで、配線２１４における不純物のドープ濃度は、ピエゾ抵抗素子５における不純物のドープ濃度よりも高い。なお、配線２１４は、金属で構成されていてもよい。
【００４６】
また、複数のピエゾ抵抗素子５は、例えば、自然状態における抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
【００４７】
以上説明したようなピエゾ抵抗素子５は、配線２１４等を介して、ブリッジ回路（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。このブリッジ回路には、駆動電圧を供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、このブリッジ回路では、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値に応じた信号（電圧）として出力される。
【００４８】
−積層構造体−
積層構造体６は、前述した基板２との間に空洞部Ｓを画成するように形成されている。ここで、積層構造体６は、ダイヤフラム部２０のピエゾ抵抗素子５側に配置されていてダイヤフラム部２０（または基板２）とともに空洞部Ｓ（内部空間）を区画形成（構成）している。
【００４９】
この積層構造体６は、基板２上に平面視でピエゾ抵抗素子５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細孔６４２（貫通孔）を備えた被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶縁膜６３上に形成された表面保護膜６５（保護層）と、被覆層６４１および表面保護膜６５上に設けられた封止層６６（封止部）とを有している。
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜で構成されている。
【００５０】
図３に示すように、配線層６２は、チタン（Ｔｉ）で構成されたＴｉ層６２２と、窒化チタン（ＴｉＮ）で構成されたＴｉＮ層６２３と、アルミニウム（Ａｌ）で構成されたＡｌ層６２４と、窒化チタン（ＴｉＮ）で構成されたＴｉＮ層６２５とを有し、これらがこの順で積層されて構成されている。同様に、配線層６４は、チタン（Ｔｉ）で構成されたＴｉ層６４５と、窒化チタン（ＴｉＮ）で構成されたＴｉＮ層６４６と、アルミニウム（Ａｌ）で構成されたＡｌ層６４７と、窒化チタン（ＴｉＮ）で構成されたＴｉＮ層６４８とを有し、これらがこの順で積層されて構成されている。
【００５１】
表面保護膜６５は、シリコン酸化膜６５２と、シリコン窒化膜６５３と、を有し、これらがこの順で積層されて構成されている。
【００５２】
図１に示すように、封止層６６は、被覆層６４１が有する細孔６４２を封止している。また、封止層６６は、平面視で、細孔６４２と異なる位置に設けられた複数のスリット６６３（応力緩和部）を有している。
【００５３】
また、封止層６６の幅Ｗ６６は、例えばダイヤフラム部２０の幅Ｗ２０に応じて設定すればよい。また、封止層６６の厚さＤ６６は、例えば製造の容易さや、細孔６４２の封止性能を考慮して設定すればよく、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下程度である。
【００５４】
このような封止層６６は、主としてアルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜で構成されている。なお、封止層６６は、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜に限定されず、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等で構成されていてもよい。ただし、封止層６６は、主としてアルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜で構成されていることで、優れた気密性を有する封止層６６を比較的簡単かつ高精度に形成することができるため好ましい。
【００５５】
また、封止層６６および配線層６２、６４は、同様の材料を含むことが好ましく、特に、アルミニウムを含むことが好ましい。これにより、封止層６６および配線層６２、６４を比較的簡単かつ高精度に形成することができる。
【００５６】
このような積層構造体６において、配線層６２および被覆層６４１を除く配線層６４からなる構造体は、基板２の一方の面側に平面視でピエゾ抵抗素子５を囲んで配置されている「壁部」を構成している。また、被覆層６４１および封止層６６からなる構造体は、この壁部に対して基板２とは反対側に配置されていて空洞部Ｓ（内部空間）を壁部とともに構成している「天井部」を構成している。また、被覆層６４１は、厚さ方向に貫通している貫通孔である細孔６４２を有する「蓋部」を構成し、また、封止層６６は、被覆層６４１の基板２とは反対側に積層されて細孔６４２の開口を塞いでいる「封止部」を構成している。なお、天井部およびこれに関連する事項については、後に詳述する。
【００５７】
また、このような積層構造体６は、ＣＭＯＳプロセスのような半導体製造プロセスを用いて形成することができる。なお、シリコン層２１３上およびその上方には、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（ピエゾ抵抗素子５に接続されている配線を含む）等の回路要素を有している。
【００５８】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、密閉された空間である。この空洞部Ｓは、物理量センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。空洞部Ｓを真空状態とすることによって、物理量センサー１を、真空状態を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、その利便性が向上する。
【００５９】
ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
以上、物理量センサー１の構成について簡単に説明した。
【００６０】
このような構成の物理量センサー１は、ダイヤフラム部２０の受圧面２５が受ける圧力に応じて、ダイヤフラム部２０が変形し、これにより、図４に示すように、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが歪み、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの抵抗値が変化する。それに伴って、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが構成するブリッジ回路の出力が変化し、その出力に基づいて、受圧面２５で受けた圧力の大きさを求めることができる。
【００６１】
より具体的に説明すると、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じる前の自然状態では、例えば、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの抵抗値が互いに等しい場合、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄの抵抗値の積とが等しく、ブリッジ回路の出力（電位差）はゼロとなる。
【００６２】
一方、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じると、図４に示すように、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂにその長手方向に沿った圧縮歪みおよび幅方向に沿った引張歪みが生じるとともに、ピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄにその長手方向に沿った引張歪みおよびその幅方向に沿った圧縮歪みが生じる。したがって、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じたとき、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂの抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄの抵抗値とのうち、一方の抵抗値が増加し、他方の抵抗値が減少する。
【００６３】
このようなピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの歪みにより、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄの抵抗値の積との差が生じ、その差に応じた出力（電位差）がブリッジ回路から出力される。このブリッジ回路からの出力に基づいて、受圧面２５で受けた圧力の大きさ（絶対圧）を求めることができる。
【００６４】
ここで、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じたとき、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂの抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄの抵抗値とのうち、一方の抵抗値が増加し、他方の抵抗値が減少するため、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂの抵抗値の積とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄの抵抗値の積との差の変化を大きくすることができ、それに伴って、ブリッジ回路からの出力を大きくすることができる。その結果、圧力の検出感度を高めることができる。
【００６５】
このように、物理量センサー１では、基板２が有するダイヤフラム部２０が、平面視で被覆層６４１と重なる位置に設けられていて、受圧により撓み変形する。これにより、圧力を検出可能な物理量センサー１を実現することができる。また、ダイヤフラム部２０に配置されているピエゾ抵抗素子５が歪みにより電気信号を出力するセンサー素子であるため、圧力の検出感度を向上させることができる。
【００６６】
（天井部）
以下、天井部（被覆層６４１および封止層６６）について詳述する。
【００６７】
図５は、図１に示す物理量センサーの封止層（封止部）が有するスリット（応力緩和部）の配置を示す平面図である。
【００６８】
前述したように、被覆層６４１（蓋部）は、その厚さ方向に貫通している複数の細孔６４２を有している。複数の細孔６４２は、図５に示すように、被覆層６４１のできるだけ広範囲にわたって分散するように配置されている。これら複数の細孔６４２は、後述する製造工程において、エッチングにより空洞部Ｓを形成する際、リリースホールとして用いられる。したがって、前述したように、複数の細孔６４２が広範囲にわたって分散するように配置されていることで、後述する製造工程において細孔６４２を通じたエッチングを効率的に行うことができる。
【００６９】
また、封止層６６（封止部）は、平面視において、細孔６４２と異なる位置に設けられ、その厚さ方向に貫通している複数のスリット６６３（応力緩和部）を有している。本実施形態では、図５に示すように、封止層６６は、４つのスリット６６３を有している。
【００７０】
これら４つのスリット６６３は、それぞれ、平面視で四角形状をなす内周縁６２１（壁部の内壁面）の４つの辺にそれぞれ対応して配置されており、内周縁６２１の対応する辺に対してそれぞれ平行な方向に沿って延びた長手形状をなしている。
【００７１】
また、４つのスリット６６３は、平面視で、複数の細孔６４２よりも封止層６６の外周側（外周部）に設けられており、かつ、平面視で内周縁６２１よりも内側に設けられている。
【００７２】
このように封止層６６が、細孔６４２と異なる位置に設けられたスリット６６３を有することで、空洞部Ｓ（内部空間）の気密性を確保したまま、封止層６６の温度変化による応力を緩和（吸収）することができる。
【００７３】
ここで、基板２は、主としてシリコンで構成されているのに対し、封止層６６は、主としてアルミニウムで構成されている。すなわち、基板２と封止層６６とでは、構成材料が異なる。それゆえ、基板２と封止層６６とでは線熱膨張係数が異なるため、使用時や製造時における温度変化により封止層６６に応力が生じる。
【００７４】
このような封止層６６の温度変化により生じる応力を緩和するべく、本実施形態では、前述したように、封止層６６にスリット６６３を設けている。このスリット６６３により封止層６６に生じる応力を緩和することで、封止層６６に生じた応力が、配線層６４および配線層６２を介してダイヤフラム部２０に配置されたピエゾ抵抗素子５に伝達されることを低減することができる。そのため、物理量センサー１によれば、前記応力によるピエゾ抵抗素子５の出力（検知結果）の変化を低減することができ、圧力（物理量）を高精度に測定することができる。
【００７５】
また、スリット６６３を設けることで、封止層６６における温度履歴によって周波数特性が変化するヒステリシスを低減することができる。そのため、物理量センサー１の検出精度の経時的な劣化を低減することができる。
【００７６】
ここで、物理量センサー１では、ダイヤフラム部２０の平面積を大きくしたり、その厚さを薄くしたりすることで、ダイヤフラム部２０の撓み量を大きくすることができ、検出する圧力の感度を高めることができる。しかし、例えばダイヤフラム部２０の平面積を大きくしようとすると、それに伴って封止層６６の平面積も大きくなり、それにより、封止層６６に生じる応力が大きくなる。このように感度を上げるために封止層６６の平面積を大きくする場合、封止層６６にスリット６６３を設けることで、封止層６６に生じる応力を緩和する機能を特に顕著に発揮することができる。
【００７７】
また、前述したように、４つのスリット６６３は、複数の細孔６４２よりも封止層６６の外周側に設けられていて、平面視で、内周縁６２１（壁部の内壁面）よりも内側に設けられている。これにより、封止層６６の外周部における前記応力を特に緩和することができ、前記応力が封止層６６の外周部に位置している配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２に伝達されることをより効果的に低減することができる。すなわち、前記応力がピエゾ抵抗素子５に伝達される伝達経路になる配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２の近傍にスリット６６３を設けることで、前記応力が配線層６４および配線層６２に伝達されることをより効果的に低減することができる。
【００７８】
なお、４つのスリット６６３のいずれかが、内周縁６２１（壁部の内壁面）よりも封止層６６の外周側に設けられていてもよい。
【００７９】
また、図１に示すように、スリット６６３は、封止層６６の厚さ方向に貫通している。このため、封止層６６に生じる応力を緩和する機能を高めることができる。
【００８０】
なお、スリット６６３は、封止層６６の厚さ方向に貫通していなくてもよく、例えば、凹状（凹部）であってもよい。
【００８１】
また、本実施形態では、前述したように、４つ（複数）のスリット６６３を有しているため、スリット６６３が１つ設けられている場合に比べ、より上述した効果を顕著に発揮することができる。
【００８２】
なお、スリット６６３の数は、４つに限定されず、２つ、３つ、５つ以上であってもよい。
【００８３】
また、前述したように、４つのスリット６６３は、それぞれ、内周縁６２１の４つの辺にそれぞれ対応して配置されている。これにより、封止層６６の外周部における応力を効率良く分散させることができ、よって、封止層６６に生じる応力が配線層６４および配線層６２に伝達されることをより効果的に低減することができる。なお、本実施形態では、スリット６６３は、内周縁６２１の１つの辺に対して１つ設けられているが、内周縁６２１の１つの辺に対して複数設けられていてもよい。
【００８４】
以上説明したような構成の封止層６６によれば、前述したように、空洞部Ｓの気密性を確保したまま、封止層６６の温度変化による応力を緩和（吸収）することができる。
【００８５】
なお、本実施形態では、図５に示すように、スリット６６３は、平面視で直線状をなしているが、屈曲、湾曲または分岐している部分や、幅が異なる部分を有していてもよい。
【００８６】
また、スリット６６３は、図示の長手形状に限らず、例えば、楕円形等の円形や、正方形、六角形等の多角形であってもよく、その他種々の異形であってもよい。また、スリット６６３は、角部が丸みを帯びた多角形であってもよい。
【００８７】
また、４つのスリット６６３は、平面視で内周縁６２１の周方向に沿って、ほぼ等間隔に設けられているが、等間隔でなくてもよい。ただし、封止層６６に生じる応力を効率良く分散させる観点から、複数のスリット６６３の配置は、本実施形態のように対称性が高いことが好ましい。
【００８８】
また、本実施形態では、平面視で内周縁６２１の周方向に沿って、間欠的にスリット６６３が設けられているが、内周縁６２１の全周にわたって環状に設けられていてもよい。
【００８９】
（物理量センサーの製造方法）
次に、物理量センサー１の製造方法を簡単に説明する。
【００９０】
図６、図７、図８、図９、図１０および図１１は、それぞれ、図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。以下、物理量センサー１の製造方法を、これらの図に基づいて説明する。
【００９１】
［素子形成工程］
まず、ＳＯＩ基板である半導体基板２１を用意する。
【００９２】
そして、半導体基板２１のシリコン層２１３にリン（ｎ型）またはボロン（ｐ型）等の不純物をドープ（イオン注入）することにより、図６に示すように、複数のピエゾ抵抗素子５および配線２１４を形成する。
【００９３】
例えば、ボロンを＋８０ｋｅＶでイオン注入を行う場合、ピエゾ抵抗素子５へのイオン注入濃度を１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度とする。また、配線２１４へのイオン注入濃度をピエゾ抵抗素子５よりも多くする。例えば、ボロンを１０ｋｅＶでイオン注入を行う場合、配線２１４へのイオン注入濃度を５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度とする。また、前述したようなイオン注入の後、例えば、１０００℃程度で２０分程度のアニールを行う。
【００９４】
［層間絶縁膜・配線層等形成工程］
次に、シリコン層２１３上に絶縁膜２２、絶縁膜２３および中間層３をこの順で形成する。そして、図７に示すように、絶縁膜２３上に、犠牲層４１、配線層６２、犠牲層４２および配線層６４をこの順で形成する。
【００９５】
絶縁膜２２、２３の形成は、それぞれ、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により行うことができる。中間層３は、例えば、多結晶シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等により成膜した後、その膜に必要に応じてリン、ボロン等の不純物をドープ（イオン注入）し、その後、エッチングによりパターニングすることで形成することができる。
【００９６】
犠牲層４１、４２は、それぞれ、後述する空洞部形成工程により一部が除去され、残部が層間絶縁膜６１、６３となるものである。犠牲層４１、４２の形成は、それぞれ、シリコン酸化膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、そのシリコン酸化膜をエッチングによりパターニングすることにより行う。
【００９７】
また、犠牲層４１、４２の厚さは、それぞれ、特に限定されないが、例えば、１５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下程度とされる。
【００９８】
また、配線層６２、６４の形成は、それぞれ、例えばアルミニウムよりなる層をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより行う。図示しないが、前述したＴｉ層６２２、ＴｉＮ層６２３、Ａｌ層６２４およびＴｉＮ層６２５を有する配線層６２を形成する際には、Ｔｉ層およびＴｉＮ層をこの順で一様に形成した後にこれらの層をパターニングすることによりＴｉ層６２２およびＴｉＮ層６２３を形成し、その後、Ａｌ層およびＴｉＮ層をこの順で一様に形成した後にこれらの層をパターニングすることによりＡｌ層６２４およびＴｉＮ層６２５を形成する。ここで、ＴｉＮ層６２３は、犠牲層４１の貫通孔内へのＡｌの充填性を良好とするためにＡｌの濡れ性を高める機能を有し、Ｔｉ層６２２は、ＴｉＮ層６２３と犠牲層４１との密着性を高める機能を有する。また、Ａｌ層上に一様に形成されたＴｉＮ層は、パターニングによりＡｌ層６２４およびＴｉＮ層６２５を形成する際にフォトリソグラフィの露光光の反射を防止する反射防止膜として機能する。同様にして配線層６４も形成することができる。
【００９９】
ここで、配線層６２、６４の厚さは、それぞれ、特に限定されないが、例えば、３００ｎｍ以上９００ｎｍ以下程度とされる。
【０１００】
このような犠牲層４１、４２および配線層６２、６４からなる積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの犠牲層や配線層が積層される場合もある。
【０１０１】
［空洞部形成工程］
次に、犠牲層４１、４２の一部を除去することにより、図８に示すように、絶縁膜２３と被覆層６４１との間に空洞部Ｓ（キャビティ）を形成する。これにより、層間絶縁膜６１、６３が形成される。
【０１０２】
空洞部Ｓの形成は、被覆層６４１に形成された複数の細孔６４２を通じたエッチングにより、犠牲層４１、４２の一部を除去することにより行う。ここで、かかるエッチングとしてウェットエッチングを用いる場合、複数の細孔６４２からフッ酸、緩衝フッ酸等のエッチング液を供給し、ドライエッチングを用いる場合、複数の細孔６４２からフッ化水素酸ガス等のエッチングガスを供給する。このようなエッチングの際、絶縁膜２３がエッチングストップ層として機能する。また、絶縁膜２３は、エッチング液に対する耐性を有することから、絶縁膜２３に対して下側の構成部（例えば、絶縁膜２２、ピエゾ抵抗素子５、配線２１４等）をエッチング液から保護する機能をも有する。
【０１０３】
ここで、かかるエッチングの前に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により表面保護膜６５を形成する。これにより、かかるエッチングの際、犠牲層４１、４２の層間絶縁膜６１、６３となる部分を保護することができる。図示しないが、前述したシリコン酸化膜６５２およびシリコン窒化膜６５３を有する表面保護膜６５を形成する際には、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜をこの順で一様に形成した後にこれらの層をパターニングすることにより形成する。また、表面保護膜６５の厚さは、特に限定されないが、例えば、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下程度とされる。
【０１０４】
なお、表面保護膜６５は、前述したシリコン酸化膜６５２およびシリコン窒化膜６５３以外の構成であってもよく、表面保護膜６５の構成材料としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものが挙げられ、特に、シリコン窒化膜が好適である。
【０１０５】
［封止工程］
次に、図９に示すように、被覆層６４１上に、主としてアルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜等からなる金属層６６ａをスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔６４２を封止する。
【０１０６】
ここで、金属層６６ａの厚さは、特に限定されないが、例えば、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下程度とされる。
【０１０７】
［スリット（応力緩和部）形成工程］
次に、金属層６６ａの一部をエッチングにより除去（加工）することにより、図１０に示すように、スリット６６３を形成する。これにより、スリット６６３を有する封止層６６が形成され、積層構造体６を得る。
【０１０８】
ここで、金属層６６ａの一部を除去する際、配線層６４のＴｉＮ層６４８がエッチングストップ層として機能する（図３参照）。これにより、配線層６４の被覆層６４１がエッチングされることを防ぐことができる。
【０１０９】
なお、金属層６６ａの一部を除去する方法としては、ドライエッチングであっても、ウェットエッチング等であってもよい。
【０１１０】
［ダイヤフラム形成工程］
次に、シリコン層２１１の下面を必要に応じて研削した後、シリコン層２１１の下面の一部をエッチングにより除去（加工）することにより、図１１に示すように、凹部２４を形成する。これにより、空洞部Ｓを介して被覆層６４１に対向するダイヤフラム部２０が形成される。
【０１１１】
ここで、シリコン層２１１の下面の一部を除去する際、酸化シリコン層２１２がエッチングストップ層として機能する。これにより、ダイヤフラム部２０の厚さを高精度に規定することができる。
【０１１２】
なお、シリコン層２１１の下面の一部を除去する方法としては、ドライエッチングであっても、ウェットエッチング等であってもよい。
以上のような工程により、物理量センサー１を製造することができる。
【０１１３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【０１１４】
図１２は、本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。図１３は、図１２に示す物理量センサーの封止層（封止部）が有するスリット（応力緩和部）の配置を示す平面図である。
【０１１５】
本実施形態に係る物理量センサーは、封止層（封止部）の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１１６】
なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１２および図１３では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【０１１７】
図１２および図１３に示す物理量センサー１Ａが有する封止層６６Ａは、４つのスリット６６３の他に、封止層６６Ａの厚さ方向に貫通した４つのスリット６６４を有している。
【０１１８】
４つのスリット６６４は、それぞれ、内周縁６２１よりも外側で、平面視で表面保護膜６５（保護層）と重なる位置に設けられている。そして、４つのスリット６６４は、被覆層６４１を除く配線層６４の近傍に設けられている。このような箇所にスリット６６４が設けられていることで、スリット６６３と同様に、封止層６６Ａの外周部、すなわち、ピエゾ抵抗素子５に伝達される伝達経路である配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２の近傍における封止層６６Ａに生じる応力をより緩和することができる。そのため、前記応力が配線層６２、６４を介して基板２に設けられたピエゾ抵抗素子５に伝達されるのをより低減することができる。
【０１１９】
また、４つのスリット６６４は、内周縁６２１（壁部の内壁面）の４つの辺にそれぞれ対応して配置されており、内周縁６２１の対応する辺に対してそれぞれ平行な方向に沿って延びた長手形状をなしている。そして、本実施形態では、４つのスリット６６３は、それぞれ、内周縁６２１の対応する辺に沿って設けられたスリット６６３に対応した位置に設けられている。
【０１２０】
このように、本実施形態では、配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２の近傍に、より多くのスリット６６３、６６４が設けられている。さらに、本実施形態では、スリット６６３、６６４が、平面視で、配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２を囲むように設けられている。これにより、ピエゾ抵抗素子５に伝達される伝達経路である配線層６４（被覆層６４１を除く）および配線層６２の近傍における封止層６６Ａの応力をさらに緩和することができる。
【０１２１】
このような物理量センサー１Ａによっても、封止層６６Ａに生じる応力により、ピエゾ抵抗素子５の検知結果（出力）が変化することを低減することができ、よって、圧力（物理量）を高精度に測定することができる。
【０１２２】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【０１２３】
図１４は、本発明の第３実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
本実施形態に係る物理量センサーは、封止層（封止部）の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１２４】
なお、以下の説明では、第３実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１４では、前述した第１実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【０１２５】
図１４に示す物理量センサー１Ｂが有する封止層６６Ｂは、各スリット６６３内に充填された充填材６６５を有している。
【０１２６】
充填材６６５は、封止層６６Ｂよりも柔軟であり、充填材６６５のヤング率は、封止層６６Ｂのヤング率よりも小さい。充填材６６５としては、封止層６６Ｂのヤング率よりも小さければ特に限定されず、例えば、各種樹脂材のように柔軟性の高いものを用いることができる。
【０１２７】
このような充填材６６５をスリット６６３に充填することにより、スリット６６３の機能を維持しつつ、封止層６６Ｂの必要な機械的強度を高めることができる。
【０１２８】
このような物理量センサー１Ｂによっても、封止層６６Ｂに生じる応力により、ピエゾ抵抗素子５の検知結果（出力）が変化することを低減することができ、よって、圧力（物理量）を高精度に測定することができる。
【０１２９】
２．電子機器
次に、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したナビゲーションシステムについて説明する。図１５は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【０１３０】
ナビゲーションシステム３００には、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、物理量センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【０１３１】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、本実施形態に係るナビゲーションシステム３００では、高度情報を物理量センサー１によって取得することができ、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出し、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１３２】
なお、表示部３０１は、例えば液晶パネルディスプレイや、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）ディスプレイなど、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
【０１３３】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１３４】
３．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体（本発明の移動体）について説明する。図１６は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【０１３５】
図１６に示すように、移動体４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような移動体４００には、ナビゲーションシステム３００（物理量センサー１）が内蔵されている。
【０１３６】
以上、本発明の物理量センサー、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１３７】
また、１つのダイヤフラム部に設けられるピエゾ抵抗素子（機能素子）の数は、前述した実施形態では４つである場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、１つ以上３つ以下、または、５つ以上であってもよい。また、ピエゾ抵抗素子の配置や形状等も前述した実施形態に限定されず、例えば、前述した実施形態において、ダイヤフラム部の中央部にもピエゾ抵抗素子を配置してもよい。
【０１３８】
また、前述した実施形態では、ダイヤフラム部の撓みを検出するセンサー素子としてピエゾ抵抗素子を用いた場合を例に説明したが、かかる素子としては、これに限定されず、例えば、共振子であってもよい。
【符号の説明】
【０１３９】
１‥‥物理量センサー、１Ａ‥‥物理量センサー、１Ｂ‥‥物理量センサー、２‥‥基板、２０‥‥ダイヤフラム部、２１‥‥半導体基板、２２‥‥絶縁膜、２３‥‥絶縁膜、２４‥‥凹部、２５‥‥受圧面、２１１‥‥シリコン層、２１２‥‥酸化シリコン層、２１３‥‥シリコン層、２１４‥‥配線、２１４ａ‥‥配線、２１４ｂ‥‥配線、２１４ｃ‥‥配線、２１４ｄ‥‥配線、３‥‥中間層、４１‥‥犠牲層、４２‥‥犠牲層、５‥‥ピエゾ抵抗素子、５ａ‥‥ピエゾ抵抗素子、５ｂ‥‥ピエゾ抵抗素子、５ｃ‥‥ピエゾ抵抗素子、５ｄ‥‥ピエゾ抵抗素子、６‥‥積層構造体、６１‥‥層間絶縁膜、６２‥‥配線層、６３‥‥層間絶縁膜、６４‥‥配線層、６５‥‥表面保護膜、６６‥‥封止層、６６Ａ‥‥封止層、６６Ｂ‥‥封止層、６６ａ‥‥金属層、６２１‥‥内周縁、６２２‥‥Ｔｉ層、６２３‥‥ＴｉＮ層、６２４‥‥Ａｌ層、６２５‥‥ＴｉＮ層、６４１‥‥被覆層、６４２‥‥細孔、６４５‥‥Ｔｉ層、６４６‥‥ＴｉＮ層、６４７‥‥Ａｌ層、６４８‥‥ＴｉＮ層、６５２‥‥シリコン酸化膜、６５３‥‥シリコン窒化膜、６６３‥‥スリット、６６４‥‥スリット、６６５‥‥充填材、３００‥‥ナビゲーションシステム、３０１‥‥表示部、４００‥‥移動体、４０１‥‥車体、４０２‥‥車輪、Ｓ‥‥空洞部、Ｗ２０‥‥幅、Ｗ６６‥‥幅、Ｄ２０‥‥厚さ、Ｄ６６‥‥厚さ
【図１】
2017044653.tif 000003
【図２】
2017044653.tif 000004
【図３】
2017044653.tif 000005
【図４】
2017044653.tif 000006
【図５】
2017044653.tif 000007
【図６】
2017044653.tif 000008
【図７】
2017044653.tif 000009
【図８】
2017044653.tif 000010
【図９】
2017044653.tif 000011
【図１０】
2017044653.tif 000012
【図１１】
2017044653.tif 000013
【図１２】
2017044653.tif 000014
【図１３】
2017044653.tif 000015
【図１４】
2017044653.tif 000016
【図１５】
2017044653.tif 000017
【図１６】
2017044653.tif 000018