(57)【要約】【課題】放熱性を向上可能な電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、上面３ａ、下面３ｂ及び側面３ｃを有するベアチップ３と、ベアチップ３の側面３ｃにベアチップ３を囲むように配置された樹脂層７と、樹脂層７の上面およびベアチップ３の上面３ａに配置された接着剤層９と、接着剤層９の上面に配置された金属板１１とを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、下面および側面を有するベアチップと、
該ベアチップの側面に前記ベアチップを囲むように配置されたモールド樹脂層と、
該モールド樹脂層の上面および前記ベアチップの上面に配置された接着剤層と、
該接着剤層の上面に配置された金属部材と
を有する電子部品。
【請求項２】
前記モールド樹脂層の上面と前記ベアチップの上面とが同一面であり、該同一面に前記接着剤層が配置されている
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記モールド樹脂層の上面に算術平均粗さで０．１μｍ以上の凹凸を有する
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記モールド樹脂層は、無機材料からなるフィラーを７０体積％以上含有する
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記モールド樹脂層の下面と前記ベアチップの下面とが同一面であり、該同一面に配線層が配置されている
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
支持体上に複数のベアチップを配置する工程と、
前記ベアチップが配置された前記支持体上にモールド樹脂を配置し、前記ベアチップが埋められるモールド樹脂層を形成する工程と、
少なくとも前記ベアチップ上において前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する工程と、
平面透視において前記ベアチップに重なるように金属部材を前記上面側部分が除去されたモールド樹脂層の上面及び前記ベアチップの上面の少なくとも一方に接着剤層を介して貼り合わせる工程と
を含む電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記除去する工程では、少なくとも前記ベアチップの上面が露出するまで前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する
請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記除去する工程では、前記モールド樹脂層の上面を研磨することによって前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する
請求項６又は７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記除去する工程では、前記ベアチップが所定の厚さになるまで前記モールド樹脂層の上面及び前記ベアチップの上面を共に研磨する
請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置などの電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベアチップを樹脂によって封止した電子部品が知られている。また、このような電子部品として、封止をウェハの状態で行うことによって、パッケージのサイズをベアチップのサイズに近づけたウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）式のものが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、まず、支持基板上に複数のベアチップを配置し、その上に未硬化状態の樹脂を供給し、当該樹脂を硬化させる。これにより、複数のベアチップは互いに固定され、複数のベアチップを含む母基板（ウェハ）が形成される。また、各ベアチップは、支持基板に密着している面以外の５面が樹脂で覆われて封止されることになる。次に、母基板は、支持基板から分離され、その分離された面に配線層が形成される。その後、母基板は、ダイシングされて個片化される。これにより、ＷＬＰ式の電子部品が作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１９９３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子部品の高密度化等に伴って、電子部品の放熱性向上の要請が高くなっている。それは、上記のようなＷＬＰ式のものにおいても同様である。そこで、放熱性を向上可能な電子部品及び電子部品の製造方法が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る電子部品は、上面、下面および側面を有するベアチップと、該ベアチップの側面に前記ベアチップを囲むように配置されたモールド樹脂層と、該モールド樹脂層の上面および前記ベアチップの上面に配置された接着剤層と、該接着剤層の上面に配置された金属部材とを有する。
【０００７】
好適には、前記モールド樹脂層の上面と前記ベアチップの上面とが同一面であり、該同一面に前記接着剤層が配置されている。
【０００８】
好適には、前記モールド樹脂層の上面に算術平均粗さで０．１μｍ以上の凹凸を有する。
【０００９】
好適には、前記モールド樹脂層は、無機材料からなるフィラーを７０体積％以上含有する。
【００１０】
好適には、前記モールド樹脂層の下面と前記ベアチップの下面とが同一面であり、該同一面に配線層が配置されている。
【００１１】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、支持体上に複数のベアチップを配置する工程と、前記ベアチップが配置された前記支持体上にモールド樹脂を配置し、前記ベアチップが埋められるモールド樹脂層を形成する工程と、少なくとも前記ベアチップ上において前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する工程と、平面透視において前記ベアチップに重なるように金属部材を前記上面側部分が除去されたモールド樹脂層の上面及び前記ベアチップの上面の少なくとも一方に接着剤層を介して金属部材を貼り合わせる工程とを含む。
【００１２】
好適には、前記除去する工程では、少なくとも前記ベアチップの上面が露出するまで前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する。
【００１３】
好適には、前記除去する工程では、前記モールド樹脂層の上面を研磨することによって前記モールド樹脂層の上面側部分を除去する。
【００１４】
好適には、前記除去する工程では、前記ベアチップが所定の厚さになるまで前記モールド樹脂層の上面及び前記ベアチップの上面を共に研磨する。
【発明の効果】
【００１５】
上記の構成又は手順によれば、放熱性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は本発明の第１実施形態に係る電子部品の構成を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図、図１（ｃ）は図１（ａ）の領域Ｉｃの拡大図。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は図１（ａ）の電子部品の製造方法の手順を説明するための模式的な断面図。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は図２（ｃ）の続きを示す模式的な断面図。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は図３（ｃ）の続きを示す模式的な断面図。
【図５】図５（ａ）は本発明の第２実施形態に係る電子部品の構成を示す断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の領域Ｖｂの拡大図。
【図６】図６（ａ）は樹脂層の変形例を示す拡大断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の領域VIｂの拡大図。
【図７】配線層の構成の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面には、便宜上、直交座標系ｘｙｚを付すことがある。実施形態に係る電子部品は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいが、以下では、便宜的にｚ軸方向の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。
【００１８】
第２実施形態以降において、既に説明した構成と同一又は類似する構成については、既に説明した構成と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。既に説明した構成と対応する（類似する）構成に、既に説明した構成に付した符号とは異なる符号が付されている場合であっても、特に言及のない事項は、既に説明した構成と同様である。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
（電子部品の全体構成）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子部品１の構成を示す断面図である。
【００２０】
電子部品１は、例えば、比較的小型のものであり、ｚ方向負側の面を不図示の回路基板に対向させて当該回路基板に実装される。その外形は、例えば、概略、ｚ方向を厚さ方向とする薄型直方体状である。外形の寸法は、適宜に設定されてよいが、一例を挙げると、長さ（ｘ方向）又は幅（ｙ方向）は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、厚さ（ｚ方向）は０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。
【００２１】
電子部品１は、例えば、ベアチップ３と、ベアチップ３をパッケージングしているパッケージ５とを有している。ベアチップ３は、電子部品１の電気的機能の中心を担い、パッケージ５は、例えば、ベアチップ３の保護及び電子部品１の回路基板等への実装に寄与する。
【００２２】
ベアチップ３は、例えば、基板のおもて面（ｚ方向負側の面）上に導体層、絶縁層及び／又は半導体層などが形成されて構成されており、基本的に、基板の側面及び裏面（ｚ方向正側の面）並びに基板のおもて面上の層は、（パッケージ５以外の）封止材によっては覆われていない。ベアチップ３は、受動素子を構成していてもよいし、能動素子を構成していてもよい。ベアチップ３は、例えば、半導体素子であり、シリコン基板などの半導体基板に電極等が形成されて構成されている。半導体素子としてのベアチップ３は、例えば、ＩＣチップ、トランジスタ又はダイオードである。
【００２３】
ベアチップ３の外形は、例えば、概略、ｚ方向を厚さ方向とする薄型直方体状である。すなわち、ベアチップ３は、互いに対向する上面３ａ及び下面３ｂ、並びにこの２つの主面をその周囲でつなぐ４つの側面３ｃを有している。下面３ｂは、導体層、絶縁層及び／又は半導体層などが形成されている面である。上面３ａは、例えば、ベアチップ３の基板の裏面である。
【００２４】
ベアチップ３は、下面３ｂに電気信号（電源電圧含む）の入力又は出力に供される複数のパッド３ｐを有している。パッド３ｐの形状、寸法、数及び配置は適宜に設定されてよい。
【００２５】
パッケージ５は、例えば、ベアチップ３の側面３ｃを覆う樹脂層７と、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面を覆う接着剤層９と、接着剤層９の上面を覆う金属板１１と、ベアチップ３の下面３ｂを覆う配線層１３と、配線層１３の下面に設けられた複数のバンプ１５とを有している。なお、ベアチップ３は、このような層を有するパッケージ５によって、外面全体が覆われている。
【００２６】
本実施形態の電子部品１は、ＷＬＰ式のものでありながら、金属板１１が設けられていることによって放熱性が向上している。また、電子部品１は、ベアチップ３の上面３ａ上にモールド用の樹脂（樹脂層７）が配置されておらず、かつ金属板１１を接着する接着剤層９がベアチップ３の上面３ａ上だけでなく、その外側（樹脂層７上）まで広がっている（別の観点では金属板１１の全面に広がっている）ことを特徴の一つとしている。各部の具体的な構成は、例えば、以下のとおりである。
【００２７】
樹脂層７は、ベアチップ３の４つの側面３ｃを覆っている。すなわち、樹脂層７は、ベアチップ３を囲むように配されており、枠状である。樹脂層７の厚み（ｚ方向）は、例えば、樹脂層７全体に亘って概ね一定であり、またベアチップ３の厚みと同等である。樹脂層７の幅（枠の内周面から枠の外周面までの厚み）は、パッケージ５に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。
【００２８】
樹脂層７の材料は、公知の適宜なものと同様とされてよい。例えば、樹脂層７の材料は、樹脂１７（図１（ｂ））と、樹脂１７に混ぜ込まれたフィラー１９（図１（ｂ））とを含んでいる。
【００２９】
樹脂１７は、例えば、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂を挙げることができる。
【００３０】
フィラー１９は、例えば、無機絶縁材料からなる粒子である。無機絶縁材料は、例えば、樹脂１７よりも熱伝導率が高い。無機絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム又は酸化カルシウムを挙げることができる。また、前述のような組成のセラミックスが用いられてもよい。なお、低誘電正接及び低熱膨張率等の観点から、シリカ（二酸化ケイ素）を用いることが好ましい。
【００３１】
フィラー１９の物性値は適宜なものであってよい。ただし、例えば、フィラー１９の熱膨張係数は、樹脂１７の熱膨張係数よりも小さい。具体的には、例えば、樹脂１７の熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であるのに対して、フィラー１９の熱膨張係数は０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。また、フィラー１９の熱伝導率は、樹脂１７の熱伝導率よりも高い。例えば、樹脂１７の熱伝導率が０．４Ｗ／ｍｋ未満であるのに対して、フィラー１９の熱伝導率は１Ｗ／ｍｋ以上である。
【００３２】
フィラー１９の粒径は適宜に設定されてよい。例えば、フィラー１９の粒径は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である。そのような粒径のフィラーに加えて、又は代えて、更に小さい粒径のフィラーが用いられてもよい。例えば、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の粒径のフィラーが用いられてもよい。粒径の度数分布も適宜に設定されてよい。
【００３３】
なお、フィラー１９の粒径は、例えば、以下のように測定される。まず、対象となる層（ここでは樹脂層７）の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、該測定された最大粒径をフィラー粒子の粒径とする。
【００３４】
フィラー１９の形状は、例えば、概略球形である。ただし、球形に限らず、例えば、鱗片状であってもよい。この場合の粒径も、上記と同様に計測されてよい。
【００３５】
フィラー１９の樹脂層７における含有率も適宜に設定されてよい。例えば、フィラー１９の含有率は、２５体積％以上５５体積％以下、又は７０体積％以上８０体積％以下である。
【００３６】
なお、フィラー１９の含有率(体積％)は、例えば、以下のように測定される。まず、樹脂層７の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で撮影する。次に、その撮影した画像に基づいて、画像解析装置によってフィラー１９の面積比率（面積％）を測定する。この測定を１０箇所の断面にて行い、面積比率の平均値を含有量（体積％）として算出する。このときの縮尺は、縮尺による影響が生じないように適宜な大きさとされる。
【００３７】
接着剤層９は、上述のように、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面を覆っており、より詳細には、これらの上面全体を覆っている。接着剤層９の厚みは、例えば、接着剤層９の全体に亘って概ね一定である。また、接着剤層９の厚みは、金属板１１の接着に必要な厚みであればよく、例えば、ベアチップ３の厚みよりも小さい。
【００３８】
接着剤層９の材料は、常温で硬化するものであってもよいし、高温で（加熱されて）硬化するものであってもよいし、無機材料であってもよいし、有機材料であってもよいし、導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよいし、１液タイプであってもよいし、２液タイプであってもよい。例えば、接着剤層９の材料としては、エポキシ樹脂系接着剤、シリコーン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤及びウレタン樹脂系接着剤が挙げられる。また、別の観点では、接着剤層９は、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂を含む。樹脂には、当該樹脂よりも熱伝導率が高い無機絶縁材料からなるフィラーが混ぜ込まれていてもよい。
【００３９】
金属板１１は、接着剤層９の上面を覆っており、より詳細には、当該上面の全面を覆っている。別の観点では、金属板１１は、接着剤層９によってベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面に接着されており、より詳細には、これら上面の全面に接着されている。金属板１１の平面形状及び面積は、例えば、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面（接着剤層９の上面）の形状及び面積と同様である。
【００４０】
金属板１１の厚みは、例えば、金属板１１の全体に亘って概ね一定である。また、金属板１１の厚みは、金属板１１の表面積を大きくする観点からは厚いことが好ましく、例えば、ベアチップ３の厚みよりも厚い。より具体的には、例えば、金属板１１の厚さは、ベアチップ３の厚さの２倍以上１０倍以下である。
【００４１】
金属板１１の材料は、放熱性、強度及び／又は経済性等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、金属板１１の材料は、アルミニウム、銅若しくは鉄又はこれらを主成分とする合金である。
【００４２】
配線層１３は、ベアチップ３のパッド３ｐをバンプ１５（ひいては不図示の回路基板等のパッド）に接続するための構造であり、その構成は、公知の種々の構成と同様とされてよい。図１（ａ）の例では、配線層１３は、ベアチップ３の下面３ｂを覆う絶縁層２１と、絶縁層２１の内部等に設けられた複数の接続導体２３と、絶縁層２１の下面（ｚ方向負側の面）に設けられた複数の端子２５とを有している。
【００４３】
絶縁層２１は、例えば、ベアチップ３の下面３ｂ及び樹脂層７の下面を覆っており、より詳細には、これら下面の全面（ただし接続導体２３の配置位置を除く）を覆っている。絶縁層２１の形状及び面積は、ベアチップ３の下面３ｂ及び樹脂層７の下面の形状及び面積と同様である。
【００４４】
絶縁層２１の厚みは、例えば、絶縁層２１の全体に亘って概ね一定である。その厚さは、絶縁性及び／又は応力緩和性等を考慮して適宜に設定されてよい。
【００４５】
絶縁層２１の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。例えば、絶縁層２１の材料は樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱伝導率が高い無機絶縁材料からなるフィラーが混ぜ込まれていてもよい。また、絶縁層２１は、材質の異なる複数の絶縁層が積層されて構成されていてもよい。
【００４６】
接続導体２３は、例えば、ベアチップ３のパッド３ｐの直下において絶縁層２１をその厚さ方向に貫通する孔部に充填された貫通導体からなる。接続導体２３の横断面の形状及び縦断面の形状並びにその寸法は適宜に設定されてよい。接続導体２３の材料は、例えば、Ｃｕなどの適宜な金属材料とされてよい。
【００４７】
端子２５は、例えば、接続導体２３の直下において、絶縁層２１の下面に対して層状に設けられている。端子２５の形状及び面積は適宜に設定されてよい。端子２５の材料は、例えば、Ｃｕなどの適宜な金属材料とされてよい。また、端子２５は、互いに異なる材料からなる複数の金属層が積層されて構成されていてもよい。
【００４８】
なお、図示の配線層１３の構造は一例に過ぎない。従って、例えば、配線層１３は、平面視においてパッド３ｐの位置とバンプ１５の位置とを異ならせるための層状導体を絶縁層２１の内部又は絶縁層２１の上面（絶縁層２１とベアチップ３との間）に有していてもよい。また、例えば、端子２５が省略されて接続導体２３にバンプ１５が接続されてもよいし、さらに接続導体２３が省略されてバンプ１５が上述の層状導体又はパッド３ｐに接続されてもよい。
【００４９】
バンプ１５は、例えば、端子２５上において、概ね半球状に形成されている。バンプ１５の大きさ、数及び配置は、電子部品１の機能等に照らして適宜に設定されてよい。バンプ１５は、例えば、半田からなる。半田は、鉛フリー半田であってもよい。
【００５０】
（ベアチップ及び樹脂層の上面及び下面）
図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図である。
【００５１】
既に述べたように、樹脂層７は、樹脂１７及び複数のフィラー１９を含んでいる。樹脂層７の上面には凹凸が形成されている。当該凹凸の算術平均粗さは、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、又は０．２μｍ以上０．３μｍ以下である。
【００５２】
なお、ベアチップ３の上面３ａは、そのような凹凸を有していない。例えば、ベアチップ３の上面３ａの算術平均粗さは、０．１μｍ未満であり、また、１ｎｍ未満とすることも技術的に可能である。従って、樹脂層７の上面の算術平均粗さは、ベアチップ３の上面の算術平均粗さよりも大きい。
【００５３】
接着剤層９の下面は、例えば、概ね、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面の凹凸に応じた形状となっており、これらの上面に密着している。例えば、接着剤層９のうち樹脂層７上の部分は、その下面が樹脂層７の上面の凹凸に応じた凹凸を有して樹脂層７の上面に密着している。従って、接着剤層９と樹脂層７との接着面積は、樹脂層７が平坦な場合に比較して大きくなっている。
【００５４】
ベアチップ３の上面３ａと、樹脂層７の上面とは、面一となっている。すなわち、両者の間に段差は形成されていない。ただし、上述のように、樹脂層７の上面は凹凸を有しているから、当該凹凸の大きさ（例えば最大高さ）以下の段差があったとしても、ここでいう面一に含まれるものとする。
【００５５】
なお、算術平均粗さ（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｙ）は、日本工業規格（ＪＩＳ）で定義されている。算術平均粗さ又は最大高さを求めるための基準長さ（凹凸が測定される範囲）は、局所的な影響が現れない十分な長さとされてよい。
【００５６】
図１（ｃ）は、図１（ａ）の領域Ｉｃの拡大図である。
【００５７】
樹脂層７の下面は、例えば、樹脂層７の上面とは異なり、凹凸を有していない。例えば、上記のように樹脂層７の上面の算術平均粗さが０．１μｍ以上であるのに対して、樹脂層７の下面の算術平均粗さは０．１μｍ未満である。すなわち、樹脂層７の上面は、樹脂層７の下面よりも表面が粗い。ただし、樹脂層７の下面は上面と同等以上の凹凸を有していてもよい。
【００５８】
上面と同様に、ベアチップ３の下面３ｂと樹脂層７の下面とは面一となっている。すなわち、両者の間に段差は形成されていない。なお、製造誤差に起因する意図しない段差があってもよいことは当然である。
【００５９】
（電子部品の製造方法）
図２（ａ）〜図４（ｂ）は、電子部品１の製造方法の手順を説明するための模式的な断面図である。製造工程（ステップ）は、図２（ａ）から図４（ｂ）へ順に進む。なお、以下では、製造工程の進行に伴って材料又は部材の状態又は形状が変化しても、便宜上、同一の符号を用いることがある。
【００６０】
図２（ａ）では、支持体３１が不図示の支持具上に配置される。不図示の支持具は、例えば、ガラス基板等の比較的変形が小さい部材によって構成された平坦な上面を有している。支持体３１は、例えば、図示のように、樹脂シート３３の上面に粘着剤３５が塗布されて構成されている。なお、支持体３１は、接着材若しくは粘着材が不図示の支持具の上面に塗布されて形成されてもよい。
【００６１】
図２（ｂ）では、複数のベアチップ３が支持体３１の上面に配置されて固定される。別の観点では、複数のベアチップは、支持体３１を介して不図示の支持具の上面に固定される。
【００６２】
ベアチップ３は、公知の方法によって製造されてよい。例えば、まず、シリコンウェハに対してドーピング及び薄膜形成等を行い、ウェハ状態の複数のベアチップ３を形成する。その後、そのウェハをダイシングして個片化する。これにより、複数のベアチップ３が作製される。
【００６３】
複数のベアチップ３は、パッド３ｐが形成されている下面３ｂを支持体３１の上面に対向させて配置される。また、複数のベアチップ３は、例えば、縦横に（複数行×複数列で）支持体３１の上面に配列される。なお、行数及び列数は適宜に設定されてよい。好適には、上述したシリコンウェハから切り出されるベアチップ３の数と同数のベアチップ３が支持体３１上に配置される。
【００６４】
図２（ｃ）では、樹脂層７を形成する。ただし、この時点では、樹脂層７は、図１（ａ）に示した形状とは異なる形状である。具体的には、この時点の樹脂層７は、ベアチップ３の側面３ｃだけでなく、ベアチップ３の上面３ａも覆っている。換言すれば、ベアチップ３は樹脂層７に埋設されている。
【００６５】
また、樹脂層７は、図２（ｃ）の時点では、複数のベアチップ３に対して一体的に形成されており、複数のベアチップ３に対応した個片化がなされていない。別の観点では、複数のベアチップ３は、個片化前の樹脂層７によって互いに固定されており、ウェハ状態（ウェハ３７）となっている。
【００６６】
このような複数のベアチップ３を覆う樹脂層７は、公知の種々の方法によって形成されてよい。例えば、以下のように形成されてよい。
【００６７】
まず、複数のベアチップ３が配置された支持体３１上に、樹脂層７となる未硬化状態の材料を供給する。当該材料は、例えば、未硬化状態の樹脂１７にフィラー１９が混ぜ込まれたものである。このとき未硬化状態の材料は、図２（ｃ）の時点における樹脂層７の形成に十分な量で供給されれば、その配置位置及び配置直後の形状等は適宜に設定されてよい。例えば、未硬化状態の材料は、支持体３１上の複数のベアチップ３のうち一部のみを覆っていてもよいし、支持体３１上の全てのベアチップ３を覆っていてもよい。また、未硬化状態の材料の供給方法も適宜なものとされてよい。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷によって液状の材料が供給されてもよいし、加熱により液状の材料になるシート状（半硬化状）成形体が配置されてもよい。
【００６８】
次に、支持体３１上に供給された未硬化状態の材料が不図示の押圧部材によって下方へ押圧される。不図示の押圧部材は、例えば、支持体３１（別の観点では不図示の支持具の上面）と対向する下面を有している。当該下面は、例えば概ね平坦である（曲面又は凹凸を有していてもよい。）。そして、未硬化状態の材料は、付与された圧力によって支持体３１（及び複数のベアチップ３）と押圧部材の下面との間の隙間に広がる（充填される）。
【００６９】
その後、未硬化状態の材料は硬化されて図２（ｃ）の時点の樹脂層７となる。例えば、樹脂１７は熱硬化性樹脂であり、不図示のヒータ（不図示の支持具又は押圧部材に内蔵されていてもよい）によって加熱され、これにより硬化される。硬化されるとき、不図示の押圧部材の下面は、未硬化状態の材料を押圧していてもよいし、押圧を解除していてもよい。
【００７０】
上記の他、例えば、全てのベアチップ３が埋設されるように、樹脂層７となる未硬化状態の材料を十分な量で支持体３１上に配置するだけであってもよい。すなわち、樹脂層７の上面を押圧部材によって押圧しなくてもよい。本実施形態では、後述する工程から理解されるように、従来とは異なり、図２（ｃ）の時点の樹脂層７の上面は、平坦（若しくは任意の形状）になっている必要はないことからである。
【００７１】
図３（ａ）では、樹脂層７の上面側部分を除去してベアチップ３の上面３ａを露出させる。これにより、図１（ａ）に示した、ベアチップ３の側面３ｃのみを覆う樹脂層７が形成される。また、上面側部分が除去されることから、上記のように図２（ｃ）の時点で樹脂層７の上面は平坦でなくてもよい。
【００７２】
樹脂層７の上面側部分の除去は、適宜な方法によってなされてよい。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の研磨が行われてもよい。具体的には、例えば、特に図示しないが、半導体ウェハの平坦化と同様に、テーブル上にパッドを取り付け、ウェハ３７の支持体３１側（ｚ方向負側）をヘッドによって保持し、樹脂層７の上面（ｚ方向正側の面）を下に向けてパッドの上面に対向させる。そして、研磨材が分散された溶液（スラリー）をパッド上に供給しつつ、テーブルとヘッドとをそれぞれ互いに異なる（水平方向に互いに離れた）鉛直軸回りに回転させて、パッドと樹脂層７とをスラリーを介して摺動させる。これにより、複数のベアチップ３を覆う樹脂層７は、その全面に亘って上面側部分が除去される。
【００７３】
ベアチップ３が露出するまで樹脂層７が研磨されたか否かは適宜に判断されてよい。例えば、研磨速度に影響を及ぼす種々の条件を適宜に設定してトライアルの研磨を行い、研磨速度を特定する。次に、その研磨速度と樹脂層７のベアチップ３上における厚みとから研磨すべき時間を設定する。そして、実際の製品の研磨においては、その設定した時間が経過したか否かが判断されてよい。なお、研磨速度に影響を及ぼす条件は、例えば、研磨圧力、ヘッド及びテーブルの回転速度、研磨パッドの種類、並びにスラリーの種類及び供給量である。その他、レーザ測長器等のセンサによって、研磨中に適宜にウェハ３７の厚みが測定され、その測定結果に基づいて、ベアチップ３が露出するまで研磨が行われたか否か判断されてもよい。
【００７４】
また、研磨は、ベアチップ３が露出してからもある程度継続されてよい。すなわち、ベアチップ３の上面３ａと樹脂層７の上面とが共に研磨されてもよい。このとき、研磨は、ベアチップ３の厚さが所定の厚さになるように行われてもよい。所定の厚さになったか否かは、上記のベアチップ３の上面が露出したか否かの判定と同様に、研磨時間によって判断されてもよいし、測定されたウェハ３７の厚み自体によって判断されてもよい。
【００７５】
少なくともベアチップ３の上面３ａが露出するまで研磨が行われることによって、図１（ｂ）に示したように、ベアチップ３の上面３ａと樹脂層７の上面とは面一になる。また、樹脂層７において、樹脂１７とフィラー１９とでは、樹脂１７の方が研磨されやすい。その結果、樹脂層７の上面においては、フィラー１９上よりもフィラー１９間において研磨が進みやすい。その結果、樹脂層７の上面は、フィラー１９が混ぜ込まれていない場合に比較して表面が粗くなる。すなわち、凹凸が生じる。この凹凸は、フィラー１９に起因するものであることから、その大きさは、フィラー１９の粒径の影響を受ける。例えば、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の粒径の度数が比較的大きい場合においては、凹凸の算術平均粗さは０．１μｍ以上０．５μｍ以下となる。
【００７６】
なお、樹脂層７の上面側部分の除去は、研磨以外の方法によって行われてもよい。例えば、エッチングが行われてもよい。エッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。半導体ウェハの平坦化のようにエッチバックが行われてもよい。反応性ガス又は薬液は、例えば、樹脂層７のうちのバインダとなっている材料（例えば樹脂１７にフィラー１９が混ぜ込まれている場合は樹脂１７）をエッチングできればよい。
【００７７】
図３（ｂ）では、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層７の上面に接着剤層９によって金属板１１を貼り合わせる。具体的には、ベアチップ３の上面及び樹脂層７の上面の全体に接着剤層９を形成し、その上に金属板１１を配置する。又は、金属板１１の下面全体に接着剤層９を形成し、これらをベアチップ３の上面及び樹脂層７の上面に配置してもよい。未硬化状態の接着剤層９の形成は、適宜な方法とされてよい。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷によって液状の接着剤が供給されてもよいし、シート状（半硬化状）の接着剤が配置されてもよい。なお、接着剤が常温で硬化されても、加熱によって硬化されてもよいことは既に述べたとおりである。また、接着の際には、金属板１１、接着剤層９、並びにベアチップ３及び樹脂層７に対してこれらの積層方向へ圧縮力が適宜に付与されてよい。
【００７８】
図３（ｃ）では、支持体３１がウェハ３７から除去される。支持体３１の除去は、剥離によるものであってもよいし、支持体３１を溶融させたり、薬液に溶かしたりすることによって除去するものであってもよい。また、支持体３１が除去された面は、適宜に洗浄及び／又は研削若しくは研磨が行われてもよい。
【００７９】
図４（ａ）では、ウェハ３７の下面（ｚ方向負側の面）に配線層１３及びバンプ１５が設けられる。これにより、個片化前のウェハ３７が完成する。配線層１３及びバンプ１５の形成方法は、公知の種々の方法と同様でよい。
【００８０】
例えば、配線層１３は、ビルドアップ方式と同様の手順によって作製される。具体的には、例えば、まず、ウェハ３７の下面に絶縁層２１が設けられる。絶縁層２１の形成は、例えば、液状の材料又はシート状（半硬化）の材料をウェハ３７の下面に配置して硬化させることによりなされる。半硬化状の材料は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージ又はＢ−ステージのものであってもよい。
【００８１】
次に、接続導体２３のための貫通孔が絶縁層２１に形成される。貫通孔は、公知の方法によって形成されてよく、例えば、フォトレジストからなるマスクを介したエッチングによって形成される。そして、貫通孔に接続導体２３が設けられる。接続導体２３は、公知の方法によって形成されてよく、例えば、めっき法によって金属が貫通孔に充填されることによって形成される。
【００８２】
次に、端子２５が形成される。端子２５の形成は、例えば、絶縁層２１の下面全面に金属層を形成した後、フォトリソグラフィーによって形成されたレジストマスクを介してエッチングを行うことによって、又は、フォトリソグラフィーによって形成されたレジストマスクを介して金属層を形成することによってなされる。
【００８３】
その後、端子２５上にバンプ１５が形成される。バンプ１５は、公知の方法によって形成されてよく、例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストが供給され、半田ペーストが加熱処理されることによって形成される。
【００８４】
図４（ｂ）では、ウェハ３７をダイシングして個片化する。これにより、電子部品１が作製される。なお、ダイシングは、公知の方法によって行われてよく、例えば、図示のようにダイシングブレード３９によって行われてもよいし、レーザによって行われてもよい。
【００８５】
なお、上記の説明では、金属板１１の接着後（図３（ｂ）の後）に支持体３１を除去したが、樹脂層７の形成後（図２（ｃ）の後）かつ樹脂層７の研磨前（図３（ａ）の前）に支持体３１を除去したり、樹脂層７の研磨後（図３（ａ）の後）かつ金属板１１の接着前に支持体３１を除去したりしてもよい。
【００８６】
以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、ベアチップ３と、ベアチップ３の側面にベアチップ３を囲むように配置された樹脂層７と、樹脂層７の上面およびベアチップ３の上面３ａに配置された接着剤層９と、接着剤層９の上面に配置された金属板１１とを有している。
【００８７】
すなわち、樹脂層７は、ベアチップ３の上面３ａを覆っておらず、金属板１１は、樹脂層７を介さずにベアチップ３に接着されている。従って、ベアチップ３の熱を金属板１１に効率的に伝えることができる。すなわち、電子部品１は放熱性が高い。また、例えば、金属板１１によってベアチップ３が補強されることになり、ベアチップ３が割れたり、反ったりするおそれが低減される。さらに、ベアチップ３上に樹脂層７が配置されていない分だけ、電子部品１を薄型化できる。また、接着剤層９がベアチップ３の上面３ａ上だけでなく、樹脂層７の上面にも広がっていることから、例えば、金属板１１の接着強度がベアチップ３及び樹脂層７に亘って均一になりやすい。その結果、局所的に剥離が生じることが抑制され、また、局所的に生じた剥離を起点として剥離が広がることも抑制される。剥離抑制によって、例えば、ベアチップ３又は樹脂層７と接着剤層９との間の隙間に起因して金属板１１への熱の伝達の効率性が低下するおそれが低減される。また、金属板１１による補強効果が低下するおそれも低減される。また、例えば、接着剤層９がベアチップ３を囲む枠状の樹脂層７の開口を塞ぐことになるから、ベアチップ３の密閉性が向上する。
【００８８】
また、本実施形態では、樹脂層７の上面とベアチップ３の上面３ａとが同一面（面一）であり、該同一面に接着剤層９が配置されている。
【００８９】
従って、例えば、樹脂層７の上面とベアチップ３の上面３ａとの間に段差が生じている場合に比較して、両者の境界付近において接着剤層９とこれら上面との間に隙間が生じてしまうおそれが低減される。別の観点では、接着剤層９の形成について、形成方法の自由度が高くなり、又は形成条件が緩和される。隙間が低減されることによって、例えば、隙間に起因して熱の伝達の効率性が低下するおそれが低減される。また、例えば、段差がある場合に比較して、接着剤層９を薄くすることができ、電子部品１の薄型化にも有利である。
【００９０】
また、本実施形態では、電子部品１は、樹脂層７の上面に算術平均粗さで０．１μｍ以上の凹凸を有する。
【００９１】
従って、例えば、接着剤層９と樹脂層７との接着面積の増大及び／又は凹凸に起因するアンカー効果によって、接着剤層９と樹脂層７とを強固に接着することができる。その結果、例えば、ベアチップ３を囲む枠状の樹脂層７とその枠状の開口を塞ぐ接着剤層９とによるベアチップ３の密閉性が向上し、確実にベアチップ３を封止することができる。また、接着面積が増大することによって、樹脂層７から接着剤層９へ放熱しやすくなり、ひいては、金属板１１へ放熱しやすくなる。すなわち、電子部品１の放熱性が向上する。
【００９２】
また、本実施形態では、樹脂層７は、無機材料からなるフィラー１９を７０体積％以上含有する。
【００９３】
従って、樹脂層７は、一般に樹脂よりも熱伝導率が高い無機材料の体積比率が比較的大きく、放熱性がよい。その結果、ベアチップ３の熱を樹脂層７から放熱しやすくなる。すなわち、ベアチップ３は、上面３ａだけでなく、側面３ｃからも放熱されることになり、電子部品１の放熱性が向上する。
【００９４】
また、本実施形態では、樹脂層７の下面とベアチップ３の下面３ｂとが同一面（面一）であり、該同一面に配線層１３が配置されている。
【００９５】
すなわち、樹脂層７は、ベアチップ３の下面３ｂを覆っておらず、ベアチップ３の下面３ｂに直接的に配線層１３が設けられている。従って、例えば、電子部品１の薄型化が容易である。特に、上面側と下面側との双方においてベアチップ３と樹脂層７とが面一になっていることにより、薄型化が顕著となる。
【００９６】
また、本実施形態に係る電子部品１の製造方法は、支持体３１上に複数のベアチップ３を配置する工程（図２（ｂ））と、ベアチップ３が配置された支持体３１上に樹脂層７となる材料を配置し、ベアチップ３が埋められる樹脂層７を形成する工程（図２（ｃ））と、少なくともベアチップ３上において樹脂層７の上面側部分を除去する工程（図３（ａ））と、平面透視においてベアチップ３に重なるように、金属板１１を上面側部分が除去された樹脂層７の上面及びベアチップ３の上面の少なくとも一方（本実施形態では双方）に接着剤層９を介して貼り合わせる工程（図３（ｂ））とを有している。
【００９７】
従って、例えば、樹脂層７の上面側部分を除去した分だけ、ベアチップ３と金属板１１とを熱的に近くすることができる。その結果、ベアチップ３の放熱性が向上する。
【００９８】
また、本実施形態では、樹脂層７の上面側部分を除去する工程（図３（ａ））において、少なくともベアチップ３の上面が露出するまで樹脂層７の上面側部分を除去する。
【００９９】
従って、例えば、最終的に樹脂層７はベアチップ３上に設けられずに、金属板１１は、樹脂層７を介さずにベアチップ３に接着される。その結果、上述した本実施形態に係る電子部品１の種々の効果が奏される。例えば、電子部品１の放熱性が向上する。
【０１００】
また、本実施形態では、樹脂層７の上面側部分を除去する工程（図３（ａ））において、樹脂層７の上面を研磨する。
【０１０１】
従って、例えば、樹脂１７にフィラー１９が混ぜ込まれて樹脂層７が形成されているなど、樹脂層７が複合材料であっても、除去する厚さ及び除去後の平坦度を容易かつ正確に制御できる。また、樹脂層７の上面側部分とともに樹脂層７とは別の材料からなるベアチップ３の上面側部分を除去することも容易化される。その一方で、フィラー１９と樹脂１７との研磨速度の相違を利用して、樹脂層７の上面に図１（ｂ）に示した比較的微小な凹凸を形成して、既述の凹凸による効果を得ることができる。
【０１０２】
また、本実施形態では、樹脂層７の上面側部分を除去する工程において、ベアチップ３が所定の厚さになるまで樹脂層７の上面及びベアチップ３の上面３ａを共に研磨する。
【０１０３】
従って、例えば、樹脂層７の上面とベアチップ３の上面３ａとが面一であることによる上述した効果が奏される。また、例えば、ベアチップ３が薄型化されるから、放熱性が向上する。なお、ベアチップ３は、例えば、樹脂層７によって囲まれるとともに支持体３１に固定されて補強され、その後は、金属板１１によって補強された後に支持体３１が剥がされるから、強度の観点からはベアチップ３の製造時に比較して薄くすることが可能である。
【０１０４】
＜第２実施形態＞
図５（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子部品２０１の構成を示す断面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の領域Ｖｂの拡大図である。
【０１０５】
本実施形態の電子部品２０１は、パッケージ２０５の構成が第１実施形態の電子部品１と相違する。より具体的には、本実施形態の樹脂層２０７は、第１実施形態の樹脂層７とは異なり、ベアチップ３の上面３ａの一部を覆う被覆部２０７ｅを有している。
【０１０６】
被覆部２０７ｅは、例えば、ベアチップ３の上面３ａの縁部をその全周に亘って覆っている。なお、接着剤層９は、例えば、第１実施形態と同様に、ベアチップ３の上面３ａ及び樹脂層２０７の上面の形状に応じた形状となっており、本実施形態では、被覆部２０７ｅにも密着している。
【０１０７】
電子部品２０１の製造方法は、概ね、第１実施形態に係る電子部品１の製造方法と同様でよい。ただし、樹脂層２０７の上面側部分を除去する工程（図３（ａ））においては、被覆部２０７ｅとなる部分が残るように、上面側部分の除去を行う。例えば、ベアチップ３の上面３ａの縁部（別の観点ではベアチップ３の側面３ｃと、この側面３ｃに対向する樹脂層２０７の側面との境界）を覆うように枠状のレジストマスクをフォトリソグラフィーによって形成し、そのレジストマスクを介して樹脂層２０７のエッチングを行う。これにより、被覆部２０７ｅを残して、樹脂層２０７のベアチップ３上の部分等が除去される。
【０１０８】
本実施形態によれば、例えば、第１実施形態と同様に、ベアチップ３の上面３ａ（被覆部２０７ｅに覆われていない領域）に金属板１１が樹脂層２０７を介さずに接着されていることから、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、放熱性が向上する。
【０１０９】
また、本実施形態では、樹脂層２０７がベアチップ３の上面３ａの縁部を覆う被覆部２０７ｅを有している。従って、例えば、ベアチップ３にチッピング（かけ）が生じるおそれが低減される。また、例えば、ベアチップ３の側面３ｃと樹脂層７との境界が被覆部２０７ｅによって覆われることになり、ベアチップ３の下面３ｂ側における密閉性が向上する。
【０１１０】
＜樹脂層の材料の好適例＞
樹脂層７（及び２０７。以下、２０７は省略。）は、上述のように、樹脂１７及びフィラー１９を含んでおり、また、好ましくは、樹脂層７は、フィラー１９を７０体積％以上含有している。このようなフィラー１９の充填率が比較的高い樹脂層７は、フィラー１９によって３次元網目構造が構成された材料によって実現されてもよい。具体的には、以下のとおりである。
【０１１１】
（３次元網目構造）
図６（ａ）は、樹脂層７の一部を示す断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の領域VIｂの拡大図である。
【０１１２】
樹脂層７は、フィラー１９として、比較的径が大きい大径粒子１９Ａと、比較的径が小さい小径粒子１９Ｂ（図６（ｂ））とを含んでいる。なお、小径粒子１９Ｂは、大径粒子１９Ａに比較して粒径が小さいことから、図６（ａ）では、個々の小径粒子１９Ｂは図示が省略され、複数の小径粒子１９Ｂの配置領域（後述する３次元網目構造４１）にハッチングが付されている。
【０１１３】
図６（ｂ）に示されているように、複数の小径粒子１９Ｂは、３次元的に密に配置されているとともに、固定部４１ａにおいて互いに直接的に固定されている。従って、複数の小径粒子１９Ｂによって一体的な３次元網目構造４１（３次元マトリックス構造、３次元骨組構造）が構成され、また、１つ又は少数の３次元網目構造４１が樹脂層７の全体に亘って広がっている。
【０１１４】
なお、固定部４１ａにおける直接的な固定は、小径粒子１９Ｂ同士が直接的に当接して固定されている状態だけでなく、小径粒子１９Ｂの粒径に比較して極めて薄い適宜な材料（ただし、樹脂１７は除く。例えば後述する溶剤の残存物）が小径粒子１９Ｂ間に介在して小径粒子１９Ｂ同士が固定されている状態も含むものとする。固定部４１ａは、極めて微細なために、その構造を正確に特定することは極めて困難であるが、後述する製造方法によって、樹脂１７によらずに小径粒子１９Ｂ同士が互いに固定された３次元網目構造４１が現に作製されることが確認されている。
【０１１５】
３次元網目構造４１は、小径粒子１９Ｂに囲まれた複数の小径空隙４３Ｂを構成している。なお、断面においては、複数の小径空隙４３Ｂは互いに分離しているが、実際には、３次元的に互いに接続されており、樹脂層７全体に対して１つ又は比較的少数の３次元網目状の空隙を構成している。断面における小径空隙４３Ｂの径は、例えば、小径粒子１９Ｂの粒径と概ね同一であり、後述する小径粒子１９Ｂの粒径の説明（例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲など）がそのまま当てはまる。
【０１１６】
小径空隙４３Ｂには、基本的に樹脂１７が充填されている。ただし、複数の小径空隙４３Ｂの一部及び／又は各小径空隙４３Ｂの一部に、完全に樹脂１７が充填されずに、気体が存在する、又は真空となっている部分が存在してもよい。
【０１１７】
また、図６（ｂ）に示されているように、複数の大径粒子１９Ａそれぞれには、複数の小径粒子１９Ｂが固定部４３ｂにおいて直接的に固定されている。従って、図６（ａ）に示されているように、複数の大径粒子１９Ａは、その間に介在する３次元網目構造４１（複数の小径粒子１９Ｂ）によって互いに固定されている。
【０１１８】
なお、ここでいう固定部４３ｂにおける直接的な固定は、固定部４１ａにおける直接的な固定と同様である。例えば、固定部４３ｂにおける直接的な固定は、大径粒子１９Ａと小径粒子１９Ｂとが直接的に当接して固定されている状態だけでなく、小径粒子１９Ｂの粒径に比較して極めて薄い適宜な材料（ただし、樹脂１７は除く）が介在している状態も含み、また、後述する製造方法によって現に実現されることが確認されている。
【０１１９】
図６（ｂ）に示されているように、大径粒子１９Ａとその周囲の複数の小径粒子１９Ｂとの間には複数の空隙が形成されている。この大径粒子１９Ａの周囲の複数の空隙は、断面においては互いに分離しているが、３次元的に互いに直接又は間接につながっており、小径空隙４３Ｂとともに樹脂層７全体に対して１つ又は比較的少数の３次元網目状の空隙を構成している。大径粒子１９Ａの周囲の複数の空隙は、例えば、小径空隙４３Ｂと概ね同様の大きさであり、また、小径空隙４３Ｂと同様に、基本的に樹脂１７が充填されている。なお、以下では、この空隙も小径空隙４３Ｂとして言及する。
【０１２０】
このように、樹脂層７は、複数のフィラー１９（大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂ）が直接的に固定されることによって構成された３次元網目構造の空隙に樹脂１７が充填された構成となっている。
【０１２１】
図６（ａ）に示すように、樹脂層７には、比較的径が大きい１以上の大径空隙４３Ａが形成されていてもよい。大径空隙４３Ａは、その周囲の小径空隙４３Ｂと通じている。断面において互いに分離している複数の大径空隙４３Ａは、３次元的に、かつ小径空隙４３Ｂを介さずに直接的に、互いに通じていてもよい。断面における大径空隙４３Ａの径は、例えば、大径粒子１９Ａの粒径と同等又はそれ以上である。
【０１２２】
なお、以下では、大径空隙４３Ａと小径空隙４３Ｂとを区別せずに、単に空隙４３ということがある。
【０１２３】
（大径粒子及び小径粒子の材料及び粒径等）
大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂは、互いに同一の材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料から構成されていてもよい。大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂは、無機絶縁材料からなる。無機絶縁材料の具体例は、第１実施形態の説明において述べたとおりである。
【０１２４】
樹脂層７において、フィラー１９の粒径の度数分布を測定した場合、大径粒子１９Ａに対応して度数が高くなる粒径の範囲（ヒストグラムにおける山）と、小径粒子１９Ｂに対応して度数が高くなる粒径の範囲とが存在してもよいし（すなわち２つの山が存在してもよいし）、存在しなくてもよい。好ましくは、２つの山が存在する。２つの山のピークの差は、例えば、１００ｎｍ以上である。なお、大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂが互いに異なる材料からなる場合においては、フィラー１９の粒径のヒストグラムに１つの山しか現れなくても、両者を区別することができる。
【０１２５】
大径粒子１９Ａの粒径は、例えば、０．５μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内にある。なお、偏差が比較的大きい場合においては、平均値又は中央値が上記の範囲内にあり、上記の範囲外の大径粒子１９Ａが存在してもよい。また、樹脂層７において、２つの度数の山のうち大きい方の山（大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂに対応する山のうち大径粒子１９Ａに対応する山）のピークが上記の範囲内にあってもよい。
【０１２６】
小径粒子１９Ｂの粒径は、例えば、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲内にある。なお、偏差が比較的大きい場合においては、平均値又は中央値が上記の範囲内にあり、上記の範囲外の小径粒子１９Ｂが存在してもよい。また、樹脂層７において、２つの度数の山のうち小さい方の山（大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂに対応する山のうち小径粒子１９Ｂに対応する山）のピークが上記の範囲内にあってもよい。
【０１２７】
また、別の観点では、小径粒子１９Ｂの粒径は、例えば、大径粒子１９Ａの粒径の１／２００以上１／１０以下の範囲内にある。なお、この観点においては、例えば、大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂの粒径の代表値（平均値又は中央値）を用いて、両粒子の粒径を比較してよい。
【０１２８】
なお、粒径の測定方法は、第１実施形態の説明において述べたとおりである。ただし、大径粒子１９Ａの粒径の測定と小径粒子１９Ｂの粒径の測定とでは、互いに異なる縮尺の断面画像が用いられてよい。
【０１２９】
また、大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂの形状は、例えば、概略球形である。ただし、球形に限らず、例えば、鱗片状であってもよい。
【０１３０】
（大径粒子及び小径粒子の含有率）
樹脂層７が３次元網目構造４１を有する場合、樹脂層７におけるフィラー１９の含有率は、例えば、７０体積％以上であり、より具体的には、例えば、７０体積％以上８０体積％以下である。また、フィラー１９全体に占める小径粒子１９Ｂの割合は、例えば、２０体積％以上４０体積％以下である。すなわち、大径粒子１９Ａの割合は６０体積％以上８０体積％以下である。
【０１３１】
（３次元網目構造を有する樹脂層の形成方法）
本願出願人は、上記のような３次元網目構造を有する樹脂層の製造方法を既になされた他の出願において開示している（例えば特開２０１３−０３０７００号公報）。樹脂層７及びこれに含まれるフィラー１９は、その本願出願人によって公開されている方法又は当該方法から推測される方法によって作製されてよい。その概略は以下のとおりである。
【０１３２】
まず、樹脂層７の形成に先立って、大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂを作製する。大径粒子１９Ａは、酸化ケイ素から成る場合、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ加熱することにより、作製することができる。小径粒子１９Ｂは、酸化ケイ素から成る場合、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。小径粒子１９Ｂの粒径は、酸化ケイ素の析出時間を短くすることによって小さくされる。
【０１３３】
樹脂層７を形成する工程（図２（ｃ）に対応）では、例えば、まず、大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂと溶剤とを有する無機絶縁ゾルを複数のベアチップ３が配置された支持体３１上に配置し、加熱によって溶剤を蒸発させる。ただし、焼結体を形成するときのような高温での加熱は行われない。従って、複数のフィラー１９は、互いに結合されつつも、粒界は基本的に維持され、アモルファス状態が保たれる。これにより、複数のフィラー１９による３次元網目構造４１が実現される。
【０１３４】
なお、支持体３１に代えて、銅箔等の他の支持体に無機絶縁ゾルを塗布して３次元網目構造４１を形成し、その後、パンチング等によって複数のベアチップ３が収容（嵌合）される複数の孔部を３次元網目構造４１に形成し、この３次元網目構造４１を支持体３１上に配置してもよい。この場合、３次元網目構造４１の支持体３１上への配置は、ベアチップ３の支持体３１上への配置の前であってもよいし、後であってもよい。
【０１３５】
加熱温度は、溶剤の残存を低減する観点から、溶剤の沸点以上であることが好ましい。また、加熱温度は、焼結の進行を抑制する観点から、結晶化開始温度未満である。このように加熱温度が低温であっても、小径粒子１９Ｂの粒径が比較的小さいことなどから、複数のフィラー１９は互いに固定される。例えば、フィラー１９の材料が酸化ケイ素（結晶化開始温度：約１３００℃）である場合、小径粒子１９Ｂの粒径が１１０ｎｍ以下に設定されているときは２５０℃程度の加熱温度を用いることができ、また、小径粒子１９Ｂの粒径が１５ｎｍ以下に設定されているときは１５０℃程度の加熱温度を用いることができる。
【０１３６】
次に、３次元網目構造４１上に液状の樹脂１７又は加熱により液状となるシート状（半硬化状）の樹脂１７を配置する。そして、３次元網目構造４１の毛管力により、及び／又は液状の樹脂１７に上から圧力を付与することにより、３次元網目構造４１の空隙４３に樹脂１７を浸み込ませる。その際及び／又はその後、樹脂１７を加熱などによって硬化させる。これにより、３次元網目構造４１とその空隙４３に充填された樹脂１７とを含む樹脂層７が形成される。
【０１３７】
なお、上述したように、３次元網目構造４１は、支持体３１に代えて、銅箔等の他の支持体上に無機絶縁ゾルを塗布して形成されてもよい。この場合において、３次元網目構造４１を支持体３１上に配置してから樹脂１７を配置するのではなく、銅箔等の他の支持体上にある３次元網目構造４１に樹脂１７を浸み込ませ、これに複数のベアチップ３に対応する複数の孔部を形成して支持体３１上に配置し、その後、樹脂１７を硬化させてもよい。
【０１３８】
＜絶縁層の好適例＞
（絶縁層の好適例の構成）
図７は、絶縁層２１の好適例を示す断面図である。この絶縁層２１は、上述した樹脂層７と同様に、３次元網目構造４１が形成されることによってフィラー１９が高充填された層を含んでいることを特徴の一つとしている。具体的には、以下のとおりである。
【０１３９】
絶縁層２１は、例えば、絶縁性を有する複数の層が積層されて構成されている。具体的には、例えば、絶縁層２１は、ベアチップ３側から順に、第１層５１、第２層５３及び第３層５５を有している。
【０１４０】
上記の３層のいずれも、樹脂１７とフィラー１９とを有している。このうち、第２層５３は、３次元網目構造４１を有する層であり、第１層５１及び第３層５５は、３次元網目構造４１を有していない層である。別の観点では、第２層５３は、第１層５１及び第３層５５よりもフィラー１９の含有率が高い。第２層５３における大径粒子１９Ａ及び小径粒子１９Ｂの材料、粒径及び含有率等の説明は、樹脂層７の３次元網目構造４１についての説明と同様である。
【０１４１】
なお、第２層５３と３次元網目構造４１を有する樹脂層７とが組み合わされる場合、両者は、フィラー１９の含有率が互いに同等であってもよいし、互いに異なっていてもよい。第１層５１及び第３層５５は、フィラー１９の含有率が互いに同等であってもよいし、互いに異なっていてもよい。第１層５１又は第３層５５におけるフィラー１９の含有率は、例えば、７０体積％未満であり、好ましくは、５５体積％以下（例えば２５体積％以上５５体積％以下）である。第１層５１及び第３層５５は、例えば、大径粒子１９Ａのように比較的粒径が大きいフィラー１９のみを有している。ただし、小径粒子１９Ｂのように比較的粒径が小さいフィラー１９を有していてもよい。
【０１４２】
樹脂１７及びフィラー１９の材料は、第１層５１、第２層５３及び第３層５５の間で互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。ただし、後述する製造方法から理解されるように、第２層５３の樹脂１７は、第１層５１及び第３層５５の少なくとも一方の樹脂１７と同一材料とされ、また、一体的に形成（硬化）されていることが好ましい。また、これらの層と３次元網目構造４１を有する樹脂層７とが組み合わされる場合において、樹脂１７及びフィラー１９の材料は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。絶縁層２１の樹脂１７及びフィラー１９の具体的な材料（組成等）は、実施形態等において樹脂層７に関して説明したとおりである。
【０１４３】
第１層５１、第２層５３及び第３層５５は、各層の全体に亘って一定の厚さを有している。その厚さは、パッケージ５に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。一例を挙げると、各層の厚さは、３μｍ以上２００μｍ以下であり、３層の合計の厚さは、９μｍ以上６００μｍ以下である。また、これらの厚さの相対的な関係も適宜に設定されてよい。例えば、第２層５３は、第１層５１に比較して、薄くてもよいし、同等の厚さでもよいし、厚くてもよい。なお、第３層５５は、製造上の理由から、第１層５１及び第２層５３よりも薄いことが好ましい。
【０１４４】
（絶縁層の好適例の形成方法）
まず、銅箔等の適宜な支持体上に第３層５５となる材料を塗布する。この材料は、フィラー１９が混ぜ込まれた樹脂１７である。次に、その樹脂１７を硬化させて第３層５５を形成する。次に、その上に無機絶縁ゾルを塗布することなどにより３次元網目構造４１を形成する。その上に、第１層５１となる材料を塗布する。この材料は、フィラー１９が混ぜ込まれた樹脂１７である。
【０１４５】
次に、図４（ａ）に対応する工程において（図３（ｃ）の後）、上記のように積層されて構成された絶縁層２１を、第１層５１が複数のベアチップ３の下面３ｂ及び樹脂層７の下面に当接するように配置する。この際、第１層５１においては、樹脂１７は完全には硬化されておらず、ある程度の粘度を有した未硬化状態とされている。この未硬化状態は、Ａ−ステージ又はＢ−ステージの状態であってもよい。
【０１４６】
その後、これらの積層体を加熱しつつ積層方向に加圧する。これにより、第１層５１が複数のベアチップ３及び樹脂層７に固定される。
【０１４７】
第１層５１の樹脂１７は、第１層５１を複数のベアチップ３に重ねる前に、毛管力により、及び／又は加圧されることにより、第２層５３の３次元網目構造４１に浸み込んでいる。及び／又は上記の第１層５１を複数のベアチップ３に固定する際の加圧により、第１層５１の樹脂１７は、第２層５３の３次元網目構造４１に浸み込んでいる。そして、上記の固定の際の加熱により、３次元網目構造４１に浸み込んでいる樹脂１７も硬化される。従って、第２層５３の樹脂１７及び第１層５１の樹脂１７は、互いに同一の材料からなり一体的に成形されている。
【０１４８】
なお、第１層５１、第２層５３及び第３層５５の形成順は、上記と逆であってもよい。例えば、図４（ａ）に対応する工程において（図３（ｃ）の後）、複数のベアチップ３の下面３ｂ及び樹脂層７の下面に第１層５１となる材料を塗布し、その上に３次元網目構造を形成し、その上に第３層５５となる材料を塗布して硬化させてもよい。この場合、第２層５３の樹脂１７及び第３層５５の樹脂１７は、互いに同一の材料からなり一体的に成形される。
【０１４９】
この他、第１層５１及び第３層５５とは別個に３次元網目構造４１を形成し、未硬化状態の第１層５１及び／又は第３層５５に３次元網目構造４１を重ねてもよい。この場合に、第１層５１及び第３層５５の双方の樹脂１７が３次元網目構造４１に浸み込んでもよい。
【０１５０】
絶縁層２１の形成後、接続導体２３等の形成方法については、実施形態と同様である。
【０１５１】
なお、以上の実施形態等において、樹脂層７及び２０７はモールド樹脂層の一例であり、金属板１１は金属部材の一例である。
【０１５２】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１５３】
ベアチップの上面がモールド樹脂層から露出している電子部品を実現するための製造方法は、ベアチップを埋設させているモールド樹脂層の上面側部分を除去するものに限定されない。例えば、３次元網目構造を有する樹脂層の説明において述べたように、ベアチップに対応する孔部が形成されたモールド樹脂層を配置してもよい。また、ベアチップの上面がモールド樹脂層によって覆われないように液状の樹脂を供給したり、未硬化のモールド樹脂層の上面を押圧部材によって押圧するときに、押圧部材がベアチップの上面に当接するまで押圧を行ったりしてもよい。
【０１５４】
また、ベアチップの上面がモールド樹脂層から露出している電子部品を実現するための製造方法は、ベアチップの下面（パッドが設けられている面）を支持体（３１）に向けてベアチップを支持体上に配置し、その後、支持体上にモールド樹脂を供給するものに限定されない。例えば、金属板（ダイシング前のもの）の上にその概ね全面に亘って接着剤層を形成し、その上に、ベアチップの上面を下方に向けて複数のベアチップを配置し、その後、接着剤層上にモールド樹脂を供給してもよい。このような方法によっても、ベアチップの上面とモールド樹脂層の上面とに亘って接着剤層及び金属板が配された電子部品が実現される。なお、この場合、モールド樹脂層は、ベアチップの下面上にも材料が供給されることにより、実施形態とは異なりベアチップの下面を覆うように形成されてもよいし、ベアチップの下面を覆わないように材料が供給されることなどにより、実施形態と同様にベアチップの下面を露出させるように形成されてもよい。換言すれば、ベアチップの下面に設けられる配線層は、実施形態とは異なりモールド樹脂層の一部を含んで構成されてもよいし、実施形態と同様にモールド樹脂層を含まずに構成されてもよい。なお、当該説明からも明らかなように、モールド樹脂層の下面とベアチップの下面とは同一面でなくてもよい。
【０１５５】
金属部材は、金属板に限定されず、例えば、上面に複数のフィンを有するものであってもよい。また、金属板としての金属部材は、その広さ全体に亘って厚さが一様でなくてもよいし、屈曲部乃至は湾曲部を有していてもよい。例えば、金属板は、ベアチップの上面に向かって突出する台状部分が形成されるように、ベアチップ上において厚くなっていたり、厚さ一様でベアチップ側へ落としこまれていたりしてもよい。この場合、モールド樹脂層よりも優先的にベアチップへ金属板を近づけることができる。
【０１５６】
モールド樹脂層は、フィラーを含まないものであってもよく、また、フィラーを含む場合にその充填率は適宜に設定されてよい。また、モールド樹脂層に用いられる樹脂は、比較的熱伝導率が高くなるように組成などが工夫されたものであってもよい。
【０１５７】
ベアチップの上面と、ベアチップの上面が露出するようにベアチップを囲む枠状のモールド樹脂層の上面とは同一面でなくてもよい。すなわち、これらの上面のうち一方が他方に対して高くなっていてもよい。例えば、ベアチップが埋設されたモールド樹脂層の上面側部分をエッチングによって除去してベアチップの上面を露出させる場合、エッチングの時間を比較的長くすれば、枠状のモールド樹脂層の上面をベアチップの上面よりも低くすることができる。この場合、例えば、モールド樹脂層よりも優先的にベアチップに金属部材を近づけることができる。また、例えば、ベアチップが埋設されたモールド樹脂層の上面側部分をエッチングによって除去してベアチップの上面を露出させる場合において、その少なくとも一部の過程で、平面透視においてベアチップに重なる開口を有するマスクを介してエッチングを行えば、モールド樹脂層のうちベアチップ上に位置する部分のみを除去して、ベアチップを囲む枠状のモールド樹脂層の上面をベアチップの上面よりも高くすることができる。また、ベアチップの上面とベアチップを囲む枠状のモールド樹脂層の上面とが同一面となっている状態で、ベアチップ上に開口を有するマスクを介してベアチップの上面をエッチングして、ベアチップの上面をモールド樹脂層の上面よりも低くすることも可能である。ベアチップの上面をモールド樹脂層の上面よりも低くした場合、例えば、ベアチップのチッピングが抑制される。上述した金属板のベアチップ側へ突出する台状部分を、ベアチップを囲む枠状のモールド樹脂層の開口に嵌合させてベアチップの上面に接着してもよい。なお、当該説明及び上記の金属板の説明からも明らかなように、接着剤層はその全体に亘って一様な厚さでなくてもよい。
【０１５８】
また、モールド樹脂層の上面の凹凸は設けられなくてもよい。上面に凹凸を有さないモールド樹脂層の形成方法としては、例えば、フィラーを含まない材料によってモールド樹脂層を形成してその上面を研磨したり、フィラーを含むモールド樹脂層の上面を押圧部材で押圧してモールド樹脂層の最終的な上面を形成したりすることが挙げられる。
【０１５９】
少なくともベアチップ上のモールド樹脂層の上面側部分を除去する製造方法によって作製される電子部品は、ベアチップの上面がモールド樹脂層から露出していなくてもよい。多少なりともモールド樹脂層の上面側部分が除去されれば、ベアチップと金属板との熱的な距離を短くすることが可能である。別の観点では、金属部材は、接着剤層によって、モールド樹脂層のみに接着されていてもよい。
【０１６０】
また、ベアチップが露出するまでモールド樹脂層の上面側部分を除去した場合、金属部材は、接着剤層によって、ベアチップのみに接着されていてもよいし、モールド樹脂層のみに接着されていてもよい。例えば、既述のようにモールド樹脂層の上面をベアチップの上面よりも低くして平坦な金属板をベアチップのみに接着してもよいし、ベアチップの上面とモールド樹脂層の上面とが面一である場合に金属部材のベアチップ側へ突出する台状部分をベアチップのみに接着してもよい。このようにすることにより、ベアチップと金属部材との間に隙間が生じることを抑制できる。また、例えば、モールド樹脂層上にのみ接着剤層を形成し、ベアチップ上には接着剤層よりも熱伝導率が高い材料を配置してもよい。
【符号の説明】
【０１６１】
１…電子部品、３…ベアチップ、３ａ…上面、３ｂ…下面、３ｃ…側面、７…樹脂層（モールド樹脂層）、９…接着剤層、１１…金属板（金属部材）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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