(57)【要約】【課題】  有機保護層に含まれる水分の影響によって、発光部の周辺部で有機発光層が経時的に劣化し、発光部の周辺部の輝度が大幅に低下したり発光部の周辺部が殆ど発光しなくなることを抑えること。【解決手段】  発光装置は、発光素子基板１と、発光素子基板１上に配置された複数の発光素子２３を囲むように形成されているシール部２８と、シール部２８によって取り付けられた封止基板２６と、を有しており、発光素子２３は、第１の電極層８、有機発光層１０及び第２の電極層１１が接した状態で順次重なっている発光部１５を有している発光装置であって、発光素子２３は、発光部１５の周囲に平面視形状が枠状の有機保護層９が配置されており、枠状の有機保護層９を有する発光素子２３とそれに隣接する枠状の有機保護層９を有する発光素子２３との間の間隙部23aが、有機保護層９の非形成部とされている。【選択図】  図１
2017084698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子基板と、前記発光素子基板上に配置された複数の発光素子を囲むように形成されているシール部と、前記シール部によって取り付けられた封止基板と、を有しており、
前記発光素子は、第１の電極層、有機発光層及び第２の電極層が接した状態で順次重なっている発光部を有している発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光部の周囲に平面視形状が枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子とそれに隣接する前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子との間の間隙部が、前記有機保護層の非形成部とされている発光装置。
【請求項２】
前記枠状の有機保護層は、アクリル系樹脂層である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記枠状の有機保護層は、前記シール部の外側表面よりも内側にある請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は、前記発光部の周囲に前記第１の電極層と前記有機発光層が接していない非発光部を有しているとともに、前記非発光部において、前記第１の電極層と前記有機発光層との間にそれらに接して前記枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層は、前記有機発光層に接する面が滑らかな面とされている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の電極層は、配線部を有しており、前記枠状の有機保護層は、前記配線部を覆う延出部を有している請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electro  Luminescence：ＥＬ）素子あるいは有機ＬＥＤ（Organic  Light  Emitting  diode：ＯＬＥＤ)素子等の発光素子を備えた発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置の１例を図４に示す。図４（ａ）は発光装置の全体の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部及びＩＣ，ＬＳＩ等から成る駆動素子３４を拡大して示す回路図である。この発光装置は、有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドに適用されるものであり、ガラス基板等から成る長板状の基板３１の一面に、複数の発光素子３３の発光（点灯）をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック３２と、基板３１の長手方向に沿って２列（２行または２段）に並べられて配置された複数の発光素子３３と、駆動回路ブロック３２を構成する配線及び駆動回路ブロック３２と発光素子３３を接続する配線とが、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等の薄膜形成法によって形成されている。複数の駆動回路ブロック３２は、複数の発光素子３３の列に沿って列状に並べられており、例えば１つの駆動回路ブロック３２が４００個の発光素子３３を駆動するものであり、その駆動回路ブロック３２が２０個並べられている。従って、発光素子３３は合計で８０００個ある。また、基板３１の一面の一端部には駆動回路ブロック３２及び発光素子３３を駆動し発光素子３３の発光を制御する駆動素子３４が、チップオングラス（Chip  On  Glass：ＣＯＧ）方式等の実装方法によって、設置されている。また、基板３１の一面における駆動素子３４設置部の近傍の縁部に、フレキシブル回路基板（Flexible  Printed  Circuit：ＦＰＣ）３５が設置されている。このＦＰＣ３５は、駆動素子３４との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。駆動素子３４は、配線３７を通して各駆動回路ブロック３２に駆動信号、制御信号等を伝達する。また、発光素子３３、駆動回路ブロック３２のほぼ全体を覆うように有機保護層３９が形成されている。また、基板３１の発光素子３３側の面の周縁部と封止基板３６の発光素子３３側の面の周縁部とを接合し封止（シール）するシール部３８がある。
【０００３】
図４（ｂ）に示すように、２列を成す２個の発光素子33a,33bに対して１組の駆動回路が形成されており、１組の駆動回路は、シフトレジスタ４０、論理和否定（ＮＯＲ）回路４１、インバータ４２、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43a,43b、薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor：ＴＦＴ）44a,44bを有している。ＴＦＴ44a,44bの各ドレイン電極部に有機ＬＥＤ素子等から成る発光素子33a,33bがそれぞれ接続されている。
【０００４】
１組の駆動回路は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ４０は、クロック端子（ＣＬＫ）にハイ（「１」）のクロック信号（ＣＬＫ）が入力されるとともに入力端子（ｉｎ）にハイの同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が入力されたときに、出力端子（Ｑ）からハイの信号が出力されるとともに反転出力端子（ＸＱ）からロー（「０」）の信号が出力される。次に、ＮＯＲ回路４１は、反転出力端子（ＸＱ）からローの信号が入力されるとともに反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ）であるローの信号が入力されて、ハイの信号を出力する。次に、インバータ４２はローの信号を出力する。次に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43aは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１１）がＴＦＴ44aのゲート電極部に入力されてＴＦＴ44aがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33aに供給される。同時に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43bは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１２）がＴＦＴ44bのゲート電極部に入力されてＴＦＴ44bがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33bに供給される。以上の一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子３３が順次発光していく。
【０００５】
また図５は、他の従来例を示す図であり、基板３１の長手方向に沿って４列（４行または４段）に並べられて配置された複数の発光素子３３を有する構成を示す。この場合、上側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する上側の駆動回路ブロック３２群と、下側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する下側の駆動回路ブロック３２群と、を有している。
【０００６】
図６は、図５のＤ部を拡大して示す部分拡大平面図、図７は、図６のＥ１−Ｅ２線における断面図である。これらの図に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板５１上に形成されたＴＦＴ６２と、ＴＦＴ６２上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１の絶縁層５７を挟んで積層された有機発光体部７１と、有機発光体部７１とＴＦＴ６２のドレイン電極56bとを導電接続するコンタクトホール７２と、を含む発光素子を有している。有機発光体部７１は、ＴＦＴ６２の側からコンタクトホール７２に電気的に接続された第１の電極層５８、有機発光層６０、第２の電極層６１が積層されており、第１の絶縁層５７及び第１の電極層５８上に有機発光層６０を囲むようにアクリル樹脂等から成る第２の絶縁層５９が形成されている。
【０００７】
また、図６、図７において、７０は第１の電極層５８及び第２の電極層６１によって有機発光層６０に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。また、第１の電極層５８が陽極であってインジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成り、第２の電極層６１が陰極であってＡｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数（約４．０Ｖ以下）が低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層６０で発光した光は基板５１側から出射される。即ち、発光方向（図７の白抜き矢印で示す方向）が下方（底部方向）であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第１の電極層５８が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第２の電極層６１が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方（頂部方向）であるトップエミッション型の発光装置となる。
【０００８】
ＴＦＴ６２は、基板５１側から、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、チャネル部としてのポリシリコン膜５４及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域54aから成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等から成る絶縁膜５５、ソース電極56a及びドレイン電極56bが、順次積層された構成を有している。なお、図６において、56aLはソース電極56aにソース信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源線）であり、52Lはゲート電極５２にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線52Lに入力するゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層６０の発光強度を制御することができる。すなわち、ソース信号線56aLは電源線として機能する。
【０００９】
また、第２の絶縁層５９は、図４及び図５における有機保護層３９であり、発光部７０を除いて、発光素子３３、駆動回路ブロック３２のほぼ全体を覆うように形成されている。
【００１０】
また、他の従来例として、特定のコンタクトホール以外の領域に保護膜が形成されている有機ＥＬアレイプリントヘッドが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平９−２２６１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図４〜図７に示す上記従来の発光装置においては、一般に吸水性、透水性を有することが多い有機保護層３９が、発光部７０の周辺で有機発光層６０に接しており、また発光素子３３、駆動回路ブロック３２のほぼ全体を覆うほどの大面積及び体積を有しているために、発光部７０の周辺部において有機発光層６０が水分の影響で経時的に劣化していた。その結果、発光部７０の周辺部の輝度が大幅に低下したり、発光部７０の周辺部がほとんど発光しなくなるという事態が発生していた。
【００１３】
また、特許文献１には上記問題点を解消する構成については何等開示されていない。
【００１４】
本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、有機保護層に含まれる水分の影響によって、発光部の周辺部において有機発光層が経時的に劣化し、発光部の周辺部の輝度が大幅に低下したり、発光部の周辺部がほとんど発光しなくなることを抑えることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の発光装置は、発光素子基板と、前記発光素子基板上に配置された複数の発光素子を囲むように形成されているシール部と、前記シール部によって取り付けられた封止基板と、を有しており、
前記発光素子は、第１の電極層、有機発光層及び第２の電極層が接した状態で順次重なっている発光部を有している発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光部の周囲に平面視形状が枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子とそれに隣接する前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子との間の間隙部が、前記有機保護層の非形成部とされている構成である。
【００１６】
本発明の発光装置は、好ましくは、前記枠状の有機保護層は、アクリル系樹脂層である。
【００１７】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記枠状の有機保護層は、前記シール部の外側表面よりも内側にある。
【００１８】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記発光素子は、前記発光部の周囲に前記第１の電極層と前記有機発光層が接していない非発光部を有しているとともに、前記非発光部において、前記第１の電極層と前記有機発光層との間にそれらに接して前記枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層は、前記有機発光層に接する面が滑らかな面とされている。
【００１９】
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記第１の電極層は、配線部を有しており、前記枠状の有機保護層は、前記配線部を覆う延出部を有している。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の発光装置は、発光素子基板と、前記発光素子基板上に配置された複数の発光素子を囲むように形成されているシール部と、前記シール部によって取り付けられた封止基板と、を有しており、
前記発光素子は、第１の電極層、有機発光層及び第２の電極層が接した状態で順次重なっている発光部を有している発光装置であって、
前記発光素子は、前記発光部の周囲に平面視形状が枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子とそれに隣接する前記枠状の有機保護層を有する前記発光素子との間の間隙部が、前記有機保護層の非形成部とされている構成であることから、有機保護層の面積及び体積を大幅に減少させることができ、その結果、有機保護層から有機発光層へ入り込む水分の量を大幅に減少させることができる。従って、有機保護層に含まれる水分の影響によって、発光部の周辺部において有機発光層が経時的に劣化し、発光部の周辺部の輝度が大幅に低下したり、発光部の周辺部がほとんど発光しなくなるのを抑えることができる。
【００２１】
本発明の発光装置は、前記枠状の有機保護層は、アクリル系樹脂層である場合、透水性を有するが、耐久性に優れ、光透過率が９３％程度と高く、加工性が高く、安価であるという優れた特性を有する有機保護層となる。
【００２２】
また本発明の発光装置は、前記枠状の有機保護層は、前記シール部の外側表面よりも内側にある場合、有機保護層に外部環境から大気中の水分、他の部材、装置等の水分等の水分が吸着し入り込むことを抑えることができる。その結果、有機保護層に外部環境から水分が補給されることがなくなり、上記本発明の効果がより向上する。
【００２３】
また本発明の発光装置は、前記発光素子は、前記発光部の周囲に前記第１の電極層と前記有機発光層が接していない非発光部を有しているとともに、前記非発光部において、前記第１の電極層と前記有機発光層との間にそれらに接して前記枠状の有機保護層が配置されており、
前記枠状の有機保護層は、前記有機発光層に接する面が滑らかな面とされている場合、枠状の有機保護層の有機発光層に接する面の接触面積が小さくなる。その結果、有機保護層から有機発光層へ入り込む水分の量をより減少させることができ、上記本発明の効果がより向上する。
【００２４】
また本発明の発光装置は、前記第１の電極層は、配線部を有しており、前記枠状の有機保護層は、前記配線部を覆う延出部を有している場合、電源電流等が流れて発熱しやすい配線部の熱を有機保護層によって吸熱し、配線部の熱による高抵抗化等の機能低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の全体の平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図３】図３は、図２のＢ１−Ｂ２線における断面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、従来の発光装置の１例を示す図であり、（ａ）は発光装置の全体の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ部及びその周辺部を拡大して示す回路図である。
【図５】図５は、従来の発光装置の他例を示す図であり、発光装置の全体の平面図である。
【図６】図６は、図５のＤ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図７】図７は、図６のＥ１−Ｅ２線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の発光装置を説明するための主要部を示している。従って、本発明の発光装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。
【００２７】
図１〜図３は本発明の発光装置を示すものであり、図１は、本発明の発光装置の全体の平面図、図２は、図１のＡ部を拡大して示す部分拡大平面図、図３は、図２のＢ１−Ｂ２線における断面図である。これらの図に示すように、本発明の発光装置は、ガラス基板、プラスチック基板等から成る発光素子基板１と、発光素子基板１上に配置された複数の発光素子２３を囲むように形成されているシール部２８と、シール部２８によって取り付けられた封止基板２６と、を有しており、発光素子２３は、第１の電極層８、有機発光層１０及び第２の電極層１１が接した状態で順次重なっている発光部１５を有している発光装置であって、発光素子２３は、発光部１５の周囲に平面視形状が枠状の有機保護層９が配置されており、枠状の有機保護層９を有する発光素子２３とそれに隣接する枠状の有機保護層９を有する発光素子２３との間の間隙部23aが、有機保護層９の非形成部とされている構成である。この構成により、有機保護層９の面積及び体積を大幅に減少させることができ、その結果、有機保護層９から有機発光層１０へ入り込む水分の量を大幅に減少させることができる。従って、有機保護層９に含まれる水分の影響によって、発光部１５の周辺部において有機発光層１０が経時的に劣化し、発光部１５の周辺部の輝度が大幅に低下したり、発光部１５の周辺部がほとんど発光しなくなるのを抑えることができる。
【００２８】
本発明の発光装置は、枠状の有機保護層９は、アクリル系樹脂層であることが好ましい。この場合、透水性を有するが、耐久性に優れ、光透過率が９３％程度と高く、加工性が高く、安価であるという優れた特性を有する有機保護層９となる。また、有機保護層９は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ樹脂）、ポリシロキサン、ポリシラザン等の樹脂材料、またこれら樹脂材料の感光性のものを用いて形成することができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合によって骨格構造が形成されたものである。またポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。さらに有機保護層９は、感光性の樹脂材料から成る場合、耐久性が良いという理由等から、感光性のアクリル樹脂、感光性のポリイミド、感光性のポリシロキサンから成ることがよい。
【００２９】
また本発明の発光装置は、枠状の有機保護層９は、シール部２８の外側表面よりも内側にあることが好ましい。この場合、有機保護層９に外部環境から大気中の水分、他の部材、装置等の水分等の水分が吸着し入り込むことを抑えることができる。その結果、有機保護層９に外部環境から水分が補給されることがなくなる。また有機保護層９は、シール部２８に接していないことがより好ましい。この場合、シール部２８が吸水性、透水性を有する樹脂から成っていたとしても、シール部２８から有機保護層９に水分が入り込むことをなくすことができる。シール部２８は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、合成ゴム等の樹脂材料から成るが、接着力に優れていること、液状（ペースト状）から硬化した後に十分な硬度が得られること、吸水性が小さいことから、エポキシ樹脂から成ることが好ましい。またシール部２８は、幅が０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度、好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍ程度であり、発光素子基板２１と封止基板２６との間の隙間（ギャップ）に相当する厚みが５μｍ〜１５μｍ程度である。
【００３０】
また本発明の発光装置は、発光素子は、発光部１５の周囲に第１の電極層８と有機発光層１０が接していない非発光部を有しているとともに、非発光部において、第１の電極層８と有機発光層１０との間にそれらに接して枠状の有機保護層９が配置されており、枠状の有機保護層９は、有機発光層１０に接する面が滑らかな面とされていることが好ましい。この場合、枠状の有機保護層９の有機発光層１０に接する面の接触面積が小さくなる。その結果、有機保護層９から有機発光層１０へ入り込む水分の量をより減少させることができる。このような滑らかな面は、例えば、有機保護層９をＣＶＤ法等の薄膜形成法によって成膜するときに、成膜速度を制御することによって形成し得る。すなわち、成膜速度を通常よりも遅くすることによって、緻密な層質で表面の凹凸の少ない滑らかな面とすることができる。
【００３１】
また本発明の発光装置は、第１の電極層８は、配線部８ａを有しており、枠状の有機保護層９は、配線部８ａを覆う延出部９ａを有していることが好ましい。この場合、電源電流等が流れて発熱しやすい配線部８ａの熱を有機保護層９によって吸熱し、配線部８ａの熱による高抵抗化等の機能低下を抑えることができる。このような効果を奏するためには、有機保護層９は１μｍ〜４μｍ程度の厚みを有していることが好ましい。
【００３２】
本発明の発光装置の詳細な構成について、以下に説明する。発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する発光素子基板２１上に形成されたＴＦＴ１２と、そのＴＦＴ１２上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る絶縁層７を挟んで積層された有機発光体部１４と、その有機発光体部１４とＴＦＴ１２のドレイン電極６ｂとを導電接続するコンタクトホール１３と、を含む発光素子を有している。有機発光体部１４は、ＴＦＴ１２の側からコンタクトホール１３に電気的に接続された第１の電極層８、有機発光層１０、第２の電極層１１が積層されており、絶縁層７及び第１の電極層８上に有機発光層１０を囲むようにアクリル樹脂等から成る有機保護層９が形成されている。
【００３３】
ＴＦＴ１２は、発光素子基板２１側から、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、チャネル部としてのポリシリコン膜４及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域４ａから成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮx），酸化シリコン（ＳｉＯ2）等から成る絶縁膜５、ソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂが、順次積層された構成を有している。ＴＦＴ１２のソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂに適用される金属層は、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ネオジウム（Ｎｄ）等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料から成る。ＴＦＴ１２を構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-Temperature  Poly  Silicon：ＬＴＰＳ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium  Gallium  Zinc  Oxide：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体などから成っていてもよい。図３に示すＴＦＴ１２はゲート電極２がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のＴＦＴであるが、ゲート電極２がチャネル部の上方にあるトップゲート型のＴＦＴであってもよく、ゲート電極２がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のＴＦＴであってもよい。トップゲート型のＴＦＴ、ダブルゲート型のＴＦＴは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極２がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。
【００３４】
また、図３において、１５は第１の電極層８及び第２の電極層１１によって有機発光層１０に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。また、第１の電極層８が陽極であってインジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成り、第２の電極層１１が陰極であってＡｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数（約４．０Ｖ以下）が低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層１０で発光した光は発光素子基板２１側から出射される。即ち、発光方向（図３の白抜き矢印で示す方向）が下方（底部方向）であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第１の電極層８が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第２の電極層１１が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方（頂部方向）であるトップエミッション型の発光装置となる。
【００３５】
なお、図２において、6aLはソース電極６ａにソース信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源線）であり、２Ｌはゲート電極２にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線２Ｌに入力するゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層１０の発光強度を制御することができる。このようにソース信号線6aLは電源線として機能する。
【００３６】
第１の電極層８または第２の電極層１１に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インイジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン，ボロンを含むシリコン（Ｓｉ）等の導電性材料であって透光性を有する材料から成る。また絶縁層７は、その材料として、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ樹脂）、ポリシロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合によって骨格構造が形成されたものである。ポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。絶縁層７として上記の有機材料から成るものを用いると、表面の平坦性を高めることができ、平坦化層とすることが容易である。また、絶縁層７の材料として、窒化シリコン（ＳｉＮx）等の無機材料を用いてもよい。
【００３７】
有機発光層１０は、バックライトが不要な自発光型の有機電界発光性を有するものである。例えば有機発光層１０は数１００ｎｍ程度の厚みを有する積層構造体であり、陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を積層したものである。電極層間の各層の厚みは数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度である。電極層を含む厚みは１μｍ程度である。有機発光層１０の発光層の発光材料としては、低分子蛍光色素材料、蛍光性の高分子材料、金属錯体材料等が採用し得る。
【００３８】
発光層に正孔を注入しやすくするためには発光層のイオン化エネルギーが６．０ｅＶ以下であることがよく、発光層に電子を注入しやすくするためには発光層の電子親和力が２．５ｅＶ以上であることがよい。発光層の発光材料としては、トリス（8-キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ（p−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス（4-ジ-p-アミノフェニル）シクロヘキサン、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。
【００３９】
第１の電極層８、有機発光層１０、第２の電極層１１は、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法等によって形成され得る。例えば、第１の電極層８はスパッタリング法等によって形成でき、有機発光層１０は真空蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等によって形成でき、第２の電極層１１は電子ビーム（Electron  Beam：ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。
【００４０】
なお、本発明の発光装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良が施されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の発光装置は、図１に示すように長板状の発光素子基板２１の長手方向に複数の発光素子２３を列状に並ぶように形成することによって有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドとして構成し得る。また、発光素子基板２１が矩形状等の形状であり、複数の発光素子２３を２次元的（平面的に）並ぶように形成することによって有機ＥＬ表示装置として構成し得る。さらに本発明の発光装置及び発光装置を用いた有機ＥＬ表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
【符号の説明】
【００４２】
１、２１  発光素子基板
８  第１の電極層
８ａ  配線部
９  有機保護層
９ａ  延出部
１０  有機発光層
１１  第２の電極層
１２  ＴＦＴ
１５  発光部
２３  発光素子
２３ａ  間隙部
２６  封止基板
２８  シール部
【図１】
2017084698.tif 000003
【図２】
2017084698.tif 000004
【図３】
2017084698.tif 000005
【図４】
2017084698.tif 000006
【図５】
2017084698.tif 000007
【図６】
2017084698.tif 000008
【図７】
2017084698.tif 000009