(57)【要約】【課題】強度を向上することができる配線基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の配線基板１０は、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち積層方向の一端に配置された第１絶縁樹脂層１１と、第１絶縁樹脂層１１に貫通した状態に形成され、半導体素子３０を収容するキャビティ２０と、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち第１絶縁樹脂層１１と反対側の端部に配置され、上面に複数のパッド２６を有する第４導電層１７が積層され、繊維状又は布状の補強材１９を含む第３絶縁層１６と、を備え、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち第３絶縁層１６を除く残りを占める絶縁樹脂層１１，１４の全てが、繊維状又は布状の補強材１９を含まない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電路を含んでなる複数の導電層と複数の絶縁層とを積層してなり、前記絶縁層により導電層同士の間が絶縁されている配線基板において、
前記複数の絶縁層のうち積層方向の一端に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通する収容部と、
前記収容部に収容される半導体素子と、
前記複数の導電層のうち前記積層方向の一端と反対側の端部に配置され、複数のパッドを有する最外導電層と、
前記複数の絶縁層のうち前記第１絶縁層と反対側の端部に配置され、前記積層方向の一端と反対側の面に前記最外導電層が積層され、繊維状又は布状の補強材を含む最外絶縁層と、を備え、
前記複数の絶縁層のうち前記最外絶縁層を除く残りを占める絶縁層の全てが、前記繊維状又は布状の補強材を含まない。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記第１絶縁層のうち前記積層方向の一端側の面である副面側に形成されている第１導電層と、
前記第１絶縁層のうち前記積層方向の一端と反対側の面である主面に積層されている第２導電層と、
前記第１絶縁層に積層されて前記第２導電層と前記半導体素子とを覆うと共に前記収容部内の前記半導体素子との隙間を充填し、かつ、前記繊維状又は布状の補強材を含まない第２絶縁層と、を備える。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板であって、
前記第１導電層は、前記第１絶縁層の前記副面側に埋め込まれかつ前記副面に一部が露出している。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板であって、
前記第１導電層における前記第１絶縁層の前記副面側の面は、前記第１絶縁層の前記副面よりも内側に位置している。
【請求項５】
請求項２乃至４の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記半導体素子は、前記第１絶縁層の前記主面側に、端子を有するアクティブ面を備える一方、前記第１絶縁層の前記副面側に、端子を有しない非アクティブ面を備え、
前記第１導電層は、前記収容部に一部が露出して前記半導体素子の前記非アクティブ面が接合されるプレーン部を備える。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記繊維状又は布状の補強材は、ガラスクロス、炭素繊維、ガラス不織布、アラミドクロス、及びアラミド不織布のうちの少なくとも１種類からなる。
【請求項７】
導電路を含んでなる複数の導電層と複数の絶縁層とを積層してなり、前記絶縁層により導電層同士の間が絶縁されている配線基板の製造方法であって、
支持部材を準備することと、
主面と、前記主面と反対側の面である副面とを有し、繊維状又は布状の補強材を含まない第１絶縁層を、前記副面が前記支持部材に向くように、前記支持部材上に積層することと、
前記第１絶縁層を貫通する収容部を形成することと、
前記収容部に半導体素子を収容すること、
前記第１絶縁層を、前記複数の絶縁層のうち積層方向の一端に配することと、
前記複数の導電層のうち前記積層方向の一端と反対側の端部に、複数のパッドを有する最外導電層を配することと、
前記複数の絶縁層のうち前記第１絶縁層と反対側の端部に、前記積層方向の一端と反対側の面である主面に前記最外導電層が積層され、かつ、繊維状又は布状の補強材を含む最外絶縁層を配することと、
前記支持部材を剥離することと、を行うと共に、
前記収容部の形成及び前記半導体素子の収容を、前記支持部材を剥離する前に行う。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１絶縁層の前記主面に第２導電層を形成することと、
前記第１絶縁層に前記繊維状又は布状の補強材を含まない第２絶縁層を積層し、その第２絶縁層により前記第２導電層と前記半導体素子とを覆うと共に前記収容部内の前記半導体素子との隙間を充填することと、を行う。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１絶縁層の積層に先立って、さらに、前記支持部材上に第１導電層を形成することを含み、
前記第１絶縁層の積層を、前記第１導電層を前記第１絶縁層の前記副面側に埋め込むように行う。
【請求項１０】
請求項９に記載の配線基板の製造方法であって、
さらに、前記支持部材として、支持基板の上面に第１金属膜を有するものを使用することと、
前記第１金属膜付きの前記第１絶縁層を前記支持基板から剥離した後、前記第１金属膜をエッチングにより除去することと、を含む。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板の製造方法であって、
さらに、前記第１導電層を形成する前に、前記第１金属膜上のうち前記第１導電層が形成される箇所に、前記第１金属膜及び前記第１導電層と異種の材料からなる第２金属膜を形成することと、
前記第１金属膜をエッチングにより除去した後に、前記第２金属膜を選択性エッチングにより除去することと、を含む。
【請求項１２】
請求項９乃至１１の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記半導体素子を収容するときに、前記第１絶縁層の前記主面側に端子を有するアクティブ面を配し、かつ、前記第１絶縁層の前記副面側に端子を有しない非アクティブ面を配することと、
前記支持部材上に、前記第１導電層の一部として、前記収容部に露出して前記半導体素子の前記非アクティブ面が接合されるプレーン部を積層することと、を行う。
【請求項１３】
請求項７乃至１２の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記繊維状又は布状の補強材を、ガラスクロス、炭素繊維、ガラス不織布、アラミドクロス、及びアラミド不織布のうちの少なくとも１種類から構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導電層と複数の絶縁層とを積層してなる配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の配線基板として、半導体素子が内蔵されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０５９９９２（段落［００２１］、図１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した配線基板においては、強度の向上が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る配線基板は、導電路を含んでなる複数の導電層と複数の絶縁層とを積層してなり、前記絶縁層により導電層同士の間が絶縁されている配線基板において、前記複数の絶縁層のうち積層方向の一端に配置される第１絶縁層と、前記第１絶縁層を貫通する収容部と、前記収容部に収容される半導体素子と、前記複数の導電層のうち前記積層方向の一端と反対側の端部に配置され、複数のパッドを有する最外導電層と、前記複数の絶縁層のうち前記第１絶縁層と反対側の端部に配置され、前記積層方向の一端と反対側の面に前記最外導電層が積層され、繊維状又は布状の補強材を含む最外絶縁層と、を備え、前記複数の絶縁層のうち前記最外絶縁層を除く残りを占める絶縁層の全てが、前記繊維状又は布状の補強材を含まない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板の側断面図
【図２】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図３】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図４】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図５】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図６】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図７】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図８】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図９】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１０】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１１】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１２】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１３】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１４】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１５】配線基板の使用状態を示す側断面図
【図１６】配線基板の拡大側断面図
【図１７】変形例に係る配線基板の側断面図
【図１８】変形例に係る配線基板の側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１６に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、絶縁樹脂層１１，１４，１６（本発明の「絶縁層」に相当する）と導電路を含む導電層１２，１３，１５，１７とが複数ずつ交互に積層されてなるビルドアップ層２４を有している。
【０００８】
ビルドアップ層２４の複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち積層方向の一端には、本発明の第１絶縁樹脂層１１が配置されている。第１絶縁樹脂層１１のうち積層方向の一端と反対側の面である主面１１Ａには、第２導電層１３が積層されている。一方、第１絶縁樹脂層１１のうち主面１１Ａと反対側の副面１１Ｂ側には第１導電層１２が配されている。この第１導電層１２は、第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂ側に埋め込まれかつ副面１１Ｂに一部が露出している。また、第１導電層１２における第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂ側の面は、第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂよりも内側に位置している。なお、本実施形態においては、第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂから主面１１Ａに向かう方を「上方」とする。また、第１絶縁樹脂層１１は、後述する第２及び第３の絶縁樹脂層１４，１６よりも厚くなっている。
【０００９】
また、第１絶縁樹脂層１１には、ビアホール１１Ｈとキャビティ２０（本発明の「収容部」に相当する）とが形成されている。ビアホール１１Ｈは、主面１１Ａ側から副面１１Ｂ側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっている。ビアホール１１Ｈ内にめっきが充填されてビア導体１１Ｄが形成されている。そして、この第１絶縁樹脂層１１のビア導体１１Ｄによって、第１導電層１２と第２導電層１３との間が接続されている。
【００１０】
キャビティ２０は、主面１１Ａ側から副面１１Ｂ側に向かって徐々に縮径した四角錐台状の空間を有する形状をなし、第１絶縁樹脂層１１を貫通している。また、第１導電層１２のうちキャビティ２０の下方部分はプレーン部１８になっていて、プレーン部１８の上面がキャビティ２０内に底面として露出している。
【００１１】
キャビティ２０には、半導体素子３０が収容されている。半導体素子３０は、第１絶縁樹脂層１１の主面１１Ａ側に、端子３０Ａ，３０Ａを有するアクティブ面３０Ｃを備える一方、第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂ側に、端子を有しない非アクティブ面３０Ｄを備えていて、非アクティブ面３０Ｄがプレーン部１８に接着剤３１によって接合されている。また、半導体素子３０はキャビティ２０から僅かに突出し、端子３０Ａ，３０Ａの上面が第２導電層１３の上面と略面一になっている。
【００１２】
第１絶縁樹脂層１１の主面１１Ａ上には、第２導電層１３を覆う第２絶縁樹脂層１４が積層されている。第２絶縁樹脂層１４の一部は、半導体素子３０とキャビティ２０の内側面との間に入り込み、半導体素子３０を覆っている。また、第２絶縁樹脂層１４の上面には第３導電層１５が形成されている。
【００１３】
第２絶縁樹脂層１４上には、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち第１絶縁樹脂層１１と反対側の端部に配されている本発明の「最外絶縁層」に相当する第３絶縁樹脂層１６が積層されている。第３絶縁樹脂層１６上には、第４導電層１７（本発明の「最外導電層」に相当する）が形成され、第４導電層１７上には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５には、複数のパッド用孔が形成され、第４導電層１７のうちパッド用孔から露出した部分がパッド２６になっている。なお、パッド２６には、ニッケル層、パラジウム層、金層からなる金属膜２７が形成されている。
【００１４】
また、第２及び第３の絶縁層１４，１６にも、複数のビアホール１４Ｈ，１６Ｈが形成され、それらビアホール１４Ｈ，１６Ｈ内にめっきが充填されて複数のビア導体１４Ｄ，１６Ｄが形成されている。そして、第２絶縁樹脂層１４のビア導体１４Ｄによって、第２導電層１３と第３導電層１５との間及び半導体素子３０の端子３０Ａ，３０Ａと第３導電層１５との間が接続され、第３絶縁樹脂層１６のビア導体１６Ｄによって、第３導電層１５と第４導電層１７との間が接続されている。
【００１５】
さて、絶縁樹脂層１１，１４，１６はいずれもＢステージの樹脂シート（例えば、プリプレグ、ビルドアップ基板用の絶縁性フィルムなど）から形成されている。ここで、本実施形態の配線基板１０では、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち、第３絶縁樹脂層１６は、例えばガラスクロス等からなる繊維状又は布状の補強材１９（図１６参照）を含んでいるのに対し、第１及び第２の絶縁樹脂層１１，１４は、繊維状又は布状の補強材を含んでいない。以降、繊維状又は布状の補強材を単に「補強材」という。
【００１６】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について説明する。
【００１７】
（１）図２（Ａ）に示すように、支持基板５０の表側の面であるＦ面５０Ｆと裏側の面であるＢ面５０Ｂとに、銅製のキャリア３４，３４（本発明の「支持部材」に設けられている「金属膜」に相当する）が積層されている支持部材５１が用意される。支持基板５０は、樹脂層５０Ａの表裏の両面に銅箔５０Ｂが積層されてなり、支持基板５０の銅箔５０Ｂとキャリア３４とは外周部同士が接着されている。
【００１８】
なお、支持基板５０のＦ面５０Ｆ側のキャリア３４上とＢ面５０Ｂ側のキャリア３４上とには同じ処理が施されるため、以降、Ｆ面５０Ｆ側のキャリア３４上を例にして説明する。
【００１９】
（２）図２（Ｂ）に示すように、支持部材５１のキャリア３４上に所定パターンのめっきレジスト３５が形成される。
【００２０】
（３）図２（Ｃ）に示すように、Ｎｉ電解めっき処理が行われてキャリア３４上のうちめっきレジスト３５から露出している部分にＮｉめっき層３６が形成され、さらに、Ｃｕ電解めっき処理が行われてＮｉめっき層３６上に銅めっき層３７が形成される。
【００２１】
（４）めっきレジスト３５が剥離され、図３（Ａ）に示すように、残された銅めっき層３７より、導電路とプレーン部１８とを含む第１導電層１２が形成される。
【００２２】
（５）図３（Ｂ）に示すように、第１導電層１２上に第１絶縁樹脂層１１としての補強材なしの樹脂シートが積層されて、加熱プレスされる。
【００２３】
（６）図４（Ａ）に示すように、第１絶縁樹脂層１１にＣＯ２レーザが照射されて、ビアホール１１Ｈが形成される。ビアホール１１Ｈは、第１導電層１２における導電路上に配置される。
【００２４】
（７）無電解めっき処理が行われ、第１絶縁樹脂層１１上と、ビアホール１１Ｈ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２５】
（８）図４（Ｂ）に示すように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００２６】
（９）電解めっき処理が行われ、図５（Ａ）に示すように、めっきがビアホール１１Ｈ内に充填されてビア導体１１Ｄが形成され、さらには、第１絶縁樹脂層１１上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜４１が形成される。
【００２７】
（１０）めっきレジスト４０が剥離されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、図５（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４１及び無電解めっき膜により、第１絶縁樹脂層１１上に第２導電層１３が形成される。そして、第１導電層１２と第２導電層１３とがビア導体１１Ｄによって接続される。
【００２８】
（１１）図６（Ａ）に示すように、第１絶縁樹脂層１１のうちプレーン部１８上に、ＣＯ２レーザによってキャビティ２０が形成される。
【００２９】
（１２）図６（Ｂ）に示すように、キャビティ２０内に接着剤３１が注入され、その後、半導体素子３０がマウンター（図示せず）によってキャビティ２０に収められる。このとき、半導体素子３０は、端子３０Ａ，３０Ａが上方を向くように配される。
【００３０】
（１３）図７（Ａ）に示すように、第１絶縁樹脂層１１上に、第２導電層１３の上から第２絶縁樹脂層１４としての補強材なしの樹脂シートが積層されて加熱プレスされる。その際、第２導電層１３同士の間が樹脂シートにて埋められると共に、樹脂シートから染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ２０の内面と半導体素子３０との隙間に充填される。
【００３１】
（１４）図７（Ｂ）に示すように、第２絶縁樹脂層１４の第２導電層１３上にＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール１４Ｈが形成される。
【００３２】
（１５）図８（Ａ）に示すように、第２絶縁樹脂層１４における半導体素子３０の端子３０Ａ上にＵＶレーザが照射されて、第２導電層１３上のビアホール１４Ｈよりも径が小さいビアホール１４Ｈが形成される。
【００３３】
（１６）無電解めっき処理が行われ、第２絶縁樹脂層１４上と、ビアホール１４Ｈ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３４】
（１７）図８（Ｂ）に示すように、第２絶縁樹脂層１４上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４２が形成される。
【００３５】
（１８）電解めっき処理が行われ、図９（Ａ）に示すように、めっきがビアホール１４Ｈ内に充填されてビア導体１４Ｄが形成され、さらには、第２絶縁樹脂層１４上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４２から露出している部分に電解めっき膜４３が形成される。
【００３６】
（１９）めっきレジスト４２が剥離されると共に、めっきレジスト４２の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、図９（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４３、及び無電解めっき膜により、第２絶縁樹脂層１４上に第３導電層１５が形成される。そして、第３導電層１５の一部と第２導電層１３とがビア導体１４Ｄによって接続されると共に、第３導電層１５の他の一部と半導体素子３０とがビア導体１４Ｄによって接続された状態になる。
【００３７】
（２０）第２絶縁樹脂層１４上に、第３導電層１５の上から第３絶縁樹脂層１６としての補強材１９（図１６参照）入りの樹脂シートが積層されて加熱プレスされた後、上記した（１４）〜（１９）と同様の処理が施されることにより、図１０に示すように、第３導電層１５上に補強材１９入りの第３絶縁樹脂層１６と第４導電層１７とが形成されて、第４導電層１７と第３導電層１５とがビア導体１６Ｄによって接続された状態になる。
【００３８】
（２１）図１１に示すように、第４導電層１７上にソルダーレジスト層２５が積層される。
【００３９】
（２２）図１２に示すように、ソルダーレジスト層２５の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成され、第４導電層１７のうちパッド用孔から露出した部分がパッド２６になる。
【００４０】
（２３）パッド２６上に、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図１３に示した金属膜２７が形成される。なお、金属膜２７の代わりに、ＯＳＰ（プリフラックス）による表面処理をおこなっても良い。
【００４１】
（２４）図１４に示すように、支持基板５０から剥離される。
【００４２】
（２５）キャリア３４とＮｉめっき層３６とがそれぞれエッチングにより除去される。以上で図１に示される配線基板１０が完成する。
【００４３】
本実施形態の配線基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に配線基板１０の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態の配線基板１０は、例えば、図１５に示すように、第４導電層１７側がマザーボード９０に接続される一方、第１導電層１２側にＣＰＵ等の電子部品９５が搭載されて使用される。具体的には、パッド２６上に半田バンプ２８が形成され、その半田バンプ２８をマザーボード９０に向けた状態でマザーボード９０上に載置され、かつ、第１導電層１２における導電路の一部の下面上にも半田バンプ２８が形成され、その半田バンプ２８上に電子部品９５が実装されている。
【００４４】
ところで、本実施形態の配線基板１０では、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６の中に補強材１９入りの樹脂シートにより構成されているもの（第３絶縁樹脂層１６）が含まれているため、全ての絶縁樹脂層が補強材１９なしの樹脂シートにより構成されているものと比べて、強度を向上することができる。
【００４５】
ここで、全ての絶縁樹脂層を補強材１９入りの樹脂シートにより構成することも考えられるが、一般的に、補強材１９入りの樹脂シートでは、補強材１９なしの樹脂シートよりも、ビア導体のビア径を小さくしにくいし、配線パターンを密（ファイン）にしにくいと考えられる。これに伴い、全ての絶縁樹脂層を補強材１９入りの樹脂シートにより構成すると、配線板の厚みが大きくなってしまうという問題も発生し得る。
【００４６】
これに対して、本実施形態の配線基板１０では、複数の絶縁樹脂層１１，１４，１６のうち第３絶縁樹脂層１６のみに補強材１９を含有させているため、強度を向上しつつ、ビア導体のビア径が大きくなることや配線パターンが疎になることを、最小限に抑えることができる。
【００４７】
しかも、補強材１９入りの絶縁樹脂層として、マザーボード９０側に配される第３絶縁樹脂層１６を選択したので、比較的密であることが望まれる電子部品９５側の配線パターンをマザーボード９０側の配線パターンよりも密にしやすくなる。
【００４８】
また、本実施形態の配線基板１０では、第１導電層１２が第１絶縁樹脂層１１に埋め込まれているので、第１導電層１２を第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂ上に形成するものよりも配線基板１０全体の厚さを小さくすることができる。さらに、第１導電層１２の下面が第１絶縁樹脂層１１の副面１１Ｂよりも内側に位置しているので、第１導電層１２と電子部品９５との不必要な接触を抑えることができる。
【００４９】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５０】
（１）上記実施形態では、１つのキャビティ２０に半導体素子３０が１つ収容されていたが、１つのキャビティ２０に複数の半導体素子３０が収容されていてもよい。
【００５１】
（２）上記実施形態では、第１絶縁樹脂層１１が第２及び第３の絶縁樹脂層１４，１６よりも厚くなっていたが、第２及び第３の絶縁樹脂層１４，１６が厚くなっていてもよいし、両者の厚さが同じであってもよい。
【００５２】
（３）上記実施形態では、第４導電層１７側がマザーボード９０に接続される一方、第１導電層１２側にＣＰＵ等の電子部品９５が搭載されて使用されていたが、逆であってもよい。
【００５３】
（４）上記実施形態では、キャリア３４上にＮｉめっき層３６が形成された後、第１導電層１２となる銅めっき層３７が形成される構成であったが、キャリア３４上に第１導電層１２となる銅めっき層３７が直接形成される構成であってもよい。
【００５４】
（５）上記実施形態では、絶縁樹脂層の数が３層であったが、２層であってもよいし、４層以上であってもよい。
【００５５】
（６）上記実施形態では、第１導電層１２が第１絶縁樹脂層１１に埋め込まれていたが、第１絶縁樹脂層１１上に積層される構成であってもよい。
【００５６】
（７）上記実施形態では、第１導電層１２に、半導体素子３０が接合されるプレーン部１８が設けられていたが、図１７に示すように、プレーン部１８が設けられず、半導体素子３０の下の接着剤３１が露出する構成であってもよい。
【００５７】
（８）「繊維状又は布状の補強材」はガラスクロスであってもよいし、炭素繊維、ガラス不織布、アラミドクロス又はアラミド不織布等であってもよいし、これらを組み合わせたものであってもよい。
【００５８】
（９）上記実施形態では、第２絶縁樹脂層１４が１層構造であったが、図１８に示すように、第１層１４Ａと第２層１４Ｂとからなる２層構造であってもよい。この場合、キャビティ２０を、第１絶縁樹脂層１１と第２絶縁樹脂層１４のうちの第１層１４Ａとを合わせて貫通して形成し、第２絶縁樹脂層１４のうちの第２層１４Ｂをこのキャビティ２０の中に入り込ませて半導体素子３０を覆う構成とすることで、キャビティ２０が形成された後にプレーン部１８上の樹脂残渣を除去するときなどに、誤って第２導電層１３の一部が除去されることを防ぐことができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０    配線基板
１１    第１絶縁樹脂層（第１絶縁層）
１１Ａ    主面
１１Ｂ    副面
１６    第３絶縁樹脂層（最外絶縁層）
１７    第４導電層（最外導電層）
１８    プレーン部
１９    補強材（繊維状又は布状の補強材）
２０    キャビティ（収容部）
３０    半導体素子
３０Ａ    端子
３０Ｃ    アクティブ面
３０Ｄ    非アクティブ面
３４    キャリア（第１金属膜）
３６    Ｎｉめっき層（第２金属膜）
５０    支持基板
５１    支持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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