(57)【要約】【課題】線路間隔を狭くしても、インピーダンス整合を行なうことができ、かつ、隣接線路間での結合量が増大しないようにしながら、整合回路を小型化する。【解決手段】整合回路１０を、誘電体基板７の第１面に設けられ、複数のコプレーナ線路１のそれぞれを構成する信号導体２及び第１接地導体３と、第１面の信号導体と第１接地導体との間に設けられたショートスタブ４と、誘電体基板を挟んで第１面の反対側に位置する第２面に設けられた第２接地導体８と、誘電体基板を挟んでショートスタブの反対側に位置し、ショートスタブを挟んで対称な形状となるように第２接地導体に設けられたスリット１２と、ショートスタブの延長線上の位置に設けられ、第１接地導体と第２接地導体とを接続するビア９とを備え、ショートスタブの中央と、スリットの中央と、ビアの中心とが、直線上に並んでいるものとする。【選択図】図１
2017204703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の第１面に設けられ、複数のコプレーナ線路のそれぞれを構成する信号導体及び第１接地導体と、
前記第１面の前記信号導体と前記第１接地導体との間に設けられたショートスタブと、
前記誘電体基板を挟んで前記第１面の反対側に位置する第２面に設けられた第２接地導体と、
前記誘電体基板を挟んで前記ショートスタブの反対側に位置し、前記ショートスタブを挟んで対称な形状となるように前記第２接地導体に設けられたスリットと、
前記ショートスタブの延長線上の位置に設けられ、前記第１接地導体と前記第２接地導体とを接続するビアとを備え、
前記ショートスタブの中央と、前記スリットの中央と、前記ビアの中心とが、直線上に並んでいることを特徴とする整合回路。
【請求項２】
前記スリットは、前記信号導体が延びている方向に平行に延びていることを特徴とする、請求項１に記載の整合回路。
【請求項３】
前記スリットは、前記信号導体が延びている方向に平行に延びている第１部分と、前記信号導体が延びている方向に交差する方向に延びている第２部分とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の整合回路。
【請求項４】
前記第２部分は、前記第１部分の端部から前記第１接地導体が設けられている側へ延びていることを特徴とする、請求項３に記載の整合回路。
【請求項５】
前記スリットは、円弧状に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の整合回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、整合回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネットの普及、Ｍ２Ｍ（Machine to Machine）に代表されるＩｏＴ（Internet of Things）といった新たな利用用途の登場に伴い、従前は放送やごく一部の限られた用途でのみ用いられていた無線通信に対する需要が拡大し続けている。
これにより、従前から利用されている６ＧＨｚ未満のマイクロ波帯の周波数資源が逼迫している。また、無線を介した動画の視聴といった利用用途が普及したことに伴い、通信速度の高速・大容量化に対する要求が一段と強まっている。
【０００３】
こうした理由から、利用可能な周波数帯域が広く、通信速度の高速化が容易な、３０ＧＨｚ以上の周波数であるミリ波帯の利用が検討されている。
しかしながら、周波数が３０ＧＨｚ以上と非常に高くなるミリ波帯では、電波の直進性が高く、また、自由空間内における電波の減衰量もマイクロ波帯と比較して大きい。
これに加えて、免許不要で利用可能な６０ＧＨｚにおいては、空気中の酸素分子による減衰も加わるため、減衰量はさらに大きくなる。
【０００４】
このため、ミリ波帯では、複数のアンテナを格子状に並べて通信可能範囲を決定づけるビーム幅を狭くして利得を高め、ビーム幅が狭いのをカバーするために、複数のアンテナのそれぞれに加える電力の位相を制御して、電波の放射方向（ビーム方向）を可変させる、フェイズドアレイと呼ばれる技術が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９２９７６号公報
【特許文献２】特開昭５１−１４４１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、フェイズドアレイ技術においては、複数のアンテナのそれぞれに加える電力の位相を制御するために、それぞれのアンテナを移相器に接続することになる。
移相器は、通常、高周波集積回路（ＲＦＩＣ：Radio Frequency Integrated Circuit）により実現される。
そして、アンテナ及びアンテナに電力を供給するための給電線路は、通常、誘電体基板に例えばエッチング等により金属パターンを設けて実現される。
【０００７】
このため、ＲＦＩＣと給電線路を接続する手法が必要となり、その代表的な手法として金属ワイヤでＲＦＩＣと給電線路を接続するワイヤボンディングと呼ばれる手法がある。
ワイヤボンディングに使われる金属ワイヤは、通常、直径が約２５ミクロン程度と極めて細く、故に高いインピーダンスを有する。一方、ＲＦＩＣの高周波端子や給電線路の特性インピーダンスは、通常、５０オームである。このため、金属ワイヤによってインピーダンスがずれてしまう。
【０００８】
また、ＲＦＩＣを裏返しにして、ＲＦＩＣの最上位金属層に設けられるパッドと、誘電体基板上に設けられるパッドを直接接触させて実装するフリップチップ実装と呼ばれる手法もある。
フリップチップ実装においては金属ワイヤを使わないが、パッドに生じる容量成分などによりインピーダンスは必ずしも５０オームになるとは限らない。
【０００９】
そこで、ＲＦＩＣからアンテナなどへの伝達量を最大にするために、整合回路が用いられる。
整合回路では、例えば、給電線路をグランド付きコプレーナ線路により構成し、コプレーナ線路を構成する信号導体と接地導体との間にショートスタブを設け、このショートスタブの長さによって整合に必要なインピーダンスを得ることが考えられる。
【００１０】
しかしながら、例えば、１つのＲＦＩＣと複数のコプレーナ線路を接続する場合、ショートスタブの長さを長くすると、ショートスタブの延長線上の位置にビアを設けることができず、隣接線路間での結合量が増大してしまう。このため、線路間隔を広くしなければならず、整合回路の小型化を図るのが難しい。
なお、ここでは、フェイズドアレイ技術に用いられる整合回路における課題として説明しているが、これに限られるものではない。つまり、複数のコプレーナ線路を備え、コプレーナ線路を構成する信号導体と接地導体との間に設けられたショートスタブの長さによって整合に必要なインピーダンスを得る整合回路であれば同様の課題がある。
【００１１】
本発明は、線路間隔を狭くしても、インピーダンス整合を行なうことができ、かつ、隣接線路間での結合量が増大しないようにしながら、整合回路を小型化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１つの態様では、整合回路は、誘電体基板の第１面に設けられ、複数のコプレーナ線路のそれぞれを構成する信号導体及び第１接地導体と、第１面の前記信号導体と第１接地導体との間に設けられたショートスタブと、誘電体基板を挟んで第１面の反対側に位置する第２面に設けられた第２接地導体と、誘電体基板を挟んでショートスタブの反対側に位置し、ショートスタブを挟んで対称な形状となるように第２接地導体に設けられたスリットと、ショートスタブの延長線上の位置に設けられ、第１接地導体と第２接地導体とを接続するビアとを備え、ショートスタブの中央と、スリットの中央と、ビアの中心とが、直線上に並んでいる。
【発明の効果】
【００１３】
１つの側面として、線路間隔を狭くしても、インピーダンス整合を行なうことができ、かつ、隣接線路間での結合量が増大しないようにしながら、整合回路を小型化することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態にかかる整合回路及び高周波モジュールの構成を示す模式的平面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる整合回路の構成を示す模式的断面図であって、（Ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿う断面図であり、（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿う断面図であり、（Ｃ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿う断面図である。
【図３】本実施形態にかかる整合回路に備えられるショートスタブ、スリット、ビアの位置関係を示す模式的平面図である。
【図４】本実施形態にかかる整合回路において基板の裏面側に設けられる接地導体を流れる電流の経路を示す模式図である。
【図５】比較例の整合回路及び高周波モジュールの構成を示す模式的平面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、比較例の整合回路の構成を示す模式的断面図であって、（Ａ）は図５のＡ−Ａ′線に沿う断面図であり、（Ｂ）は図５のＢ−Ｂ′線に沿う断面図であり、（Ｃ）は図５のＣ−Ｃ′線に沿う断面図である。
【図７】本実施形態の整合回路及び比較例の整合回路を用いた場合の周波数特性を示す図である。
【図８】本実施形態の整合回路及び比較例の整合回路を用いた場合の結合量を示す図である。
【図９】本実施形態の整合回路を用いた場合の周波数特性及び結合量の計算モデルを示す模式的平面図である。
【図１０】比較例の整合回路を用いた場合の周波数特性及び結合量の計算モデルを示す模式的平面図である。
【図１１】本実施形態にかかる整合回路及び高周波モジュールの変形例の構成を示す模式的平面図である。
【図１２】本実施形態にかかる整合回路及び高周波モジュールの変形例の構成を示す模式的平面図である。
【図１３】本実施形態にかかる整合回路及び高周波モジュールの変形例の構成を示す模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる整合回路について、図１〜図１３を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる整合回路は、図１に示すように、複数のコプレーナ線路１を備え、コプレーナ線路１を構成する信号導体２と接地導体３との間に設けられたショートスタブ４の長さによって整合に必要なインピーダンスを得る整合回路１０であり、高周波回路において用いられるのが好ましい。
【００１６】
例えば、本整合回路１０は、フェイズドアレイ技術において、複数のアンテナ（アンテナ素子）５のそれぞれに加える電力の位相を制御するために、それぞれのアンテナ５に接続される移相器として機能する高周波集積回路（ＲＦＩＣ）チップ６と、複数のアンテナ５とを接続するのに用いられるのが好ましい。なお、ＲＦＩＣチップ６を高周波用半導体素子あるいは単にＲＦＩＣともいう。
【００１７】
この整合回路１０では、アンテナ５に電力を供給するための給電線路（伝送線路）を複数のコプレーナ線路１により構成し、コプレーナ線路１を構成する信号導体２と接地導体３との間にショートスタブ４を設け、このショートスタブ４の長さによって整合に必要なインピーダンスを得ることになる。
ここでは、コプレーナ線路１により構成される給電線路は、高密度且つ平行に並ぶように設けられている。なお、ショートスタブ４をショートスタブ回路ともいう。
【００１８】
ここでは、例えばＰＣＢなどの誘電体基板７に金属パターンを設けることによって信号導体２、接地導体３、ショートスタブ４を備える整合回路が実現され、その表面上にＲＦＩＣチップ６が実装され、さらに、複数のアンテナ５が接続されて、複数のコプレーナ線路１を介してＲＦＩＣチップ６と複数のアンテナ５とが接続されることになる。
この整合回路１０では、図１、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、誘電体基板７の表面側に、信号導体２と接地導体（表面接地導体）３からなるコプレーナ線路１を設け、誘電体基板７の裏面側に、裏面接地導体（グランド）８を設け、誘電体基板７を貫通し、表面接地導体３と裏面接地導体８とを接続する複数のビア９を設けている。
【００１９】
また、複数のビア９の間隔は、使用周波数の１／４波長以下になっている。なお、ビア９の間隔は、製造上、基板の層構成などの制約条件などによって形成される。
なお、誘電体基板７の表面側にコプレーナ線路１を備え、裏面側にグランド８を備えるものを、グランド付きコプレーナ線路という。また、誘電体基板７は、複数の誘電体基板が積層されている多層基板であっても良い。この場合、多層基板の表面又は裏面（最上位層又は最下位層）にコプレーナ線路１が設けられ、裏面グランド８が、多層基板を構成する複数の誘電体基板の間に設けられることもある。
【００２０】
このようにして構成される高周波モジュールは、整合回路１０と、誘電体基板７上に設けられ、整合回路１０に接続されたＲＦＩＣチップ６とを備えるものとなる。
ここでは、整合回路１０とＲＦＩＣチップ６とは、ワイヤボンディングで接続されている。つまり、整合回路１０に備えられるコプレーナ線路１とＲＦＩＣチップ６とは、金属ワイヤ１１により接続されている。
【００２１】
なお、図１では、金属ワイヤ１１によって、ＲＦＩＣチップ６とコプレーナ線路１の信号導体２とを接続しているが、実際の使用に際しては、信号導体２に加えて接地導体３とも接続される。
ところで、例えば、１つのＲＦＩＣチップ６と複数のコプレーナ線路１を接続する場合、ショートスタブ４の長さを長くすると、ショートスタブ４の延長線上の位置にビア９を設けることができず、隣接線路間での結合量が増大してしまう。このため、線路間隔を広くしなければならず、整合回路１０の小型化を図るのが難しい。
【００２２】
そこで、本実施形態では、線路間隔を狭くしても、インピーダンス整合を行なうことができ、かつ、隣接線路間での結合量が増大しないようにしながら、整合回路１０を小型化することができるようにすべく、整合回路１０を、以下のように構成している。
つまり、図１〜図３に示すように、整合回路１０を、誘電体基板７の表面（第１面）に設けられ、複数のコプレーナ線路１のそれぞれを構成する信号導体２及び接地導体３（第１接地導体；第１面側接地導体）と、第１面の信号導体２と第１接地導体３との間に設けられたショートスタブ４と、誘電体基板７を挟んで第１面の反対側に位置する第２面（誘電体基板７の裏面）に設けられた第２接地導体８（裏面接地導体；第２面側接地導体）と、誘電体基板７を挟んでショートスタブ４の反対側に位置し（ショートスタブ４の位置と相対し）、ショートスタブ４を挟んで対称な形状となるように第２接地導体８に設けられたスリット１２と、ショートスタブ４の延長線上の位置に設けられ、第１接地導体３と第２接地導体８とを接続するビア９とを備えるものとし、ショートスタブ４の中央と、スリット１２の中央と、ビア９の中心とが、直線上に並んでいるものとする。
【００２３】
このように、誘電体基板７を挟んでショートスタブ４の反対側の裏面接地導体８に、ショートスタブ４を挟んで対称な形状となるように、スリット１２（ここでは長方形のスリット）を設けている。
つまり、誘電体基板７の表面側に設けられたショートスタブ４の下方（ここでは直下）の裏面接地導体８に、ショートスタブ４を挟んで対称な構造となるように、金属のないパターンであるスリット１２を設けている。
【００２４】
ここでは、裏面接地導体８は、誘電体基板７の裏面の全面に設けられている。また、スリット１２は、裏面接地導体８を構成する金属パターンがない領域、即ち、裏面接地導体８を構成する金属パターンをくり抜いた領域である。また、スリット１２は、信号導体２が延びている方向に平行に延びている。また、スリット１２は、長さがショートスタブ４の長さに応じて調整されている。
【００２５】
例えば、複数のショートスタブ４及びスリット１２が設けられている場合、少なくとも一部のショートスタブ４の長さ及びスリット１２の長さが異なっていても良い。
また、例えば、一部のコプレーナ線路１が曲がっている場合、ショートスタブ４の位置（ＲＦＩＣ６からの離隔距離）が異なることがあり、このような場合に、ショートスタブ４の長さやスリット１２の長さが調整されて、これらが異なっていても良い。
【００２６】
また、ショートスタブ４の延長線上の位置に、コプレーナ線路１を構成する接地導体３（表面接地導体）と裏面接地導体８とを接続するビア９を設けている。
また、図３に示すように、ショートスタブ４、スリット１２、ビア９は、ショートスタブ４の中央と、スリット１２の中央と、ビア９の中心とが直線上に並ぶように、設けられている。
【００２７】
このように、スリット１２及びビア９を設けることで、ショートスタブ４を介して流れる電流の経路の電気的な長さ（電気長）を長くすることができるため、ショートスタブ４の長さを短くしても整合をとることが可能となる。
つまり、ショートスタブ４に流れる高周波電流は、図４に示すように、ビア９を伝って裏面接地導体８のショートスタブ４の下方を、スリット１２の周囲を迂回するように流れる。
【００２８】
つまり、ショートスタブ４からビア９を介して裏面接地導体８に流れる電流は、裏面接地導体８において、スリット１２を挟んで電流経路が対称に迂回することになる。
このため、ショートスタブ４を含む電流経路の電気長を長くすることが可能になる。
したがって、ショートスタブ４を設けてインピーダンスを調整する場合に、スリット１２の長さによってインピーダンスを調整できることになる。
【００２９】
この結果、スリット１２の長さを調整することによって、ショートスタブ４の長さが短くても、整合を得るために必要なインピーダンスを得ることが可能となる。
この場合、ショートスタブ４は、コプレーナ線路１を構成する信号導体２と接地導体３との間にのみ設ければ良く（この場合、ショートスタブ４の長さは信号導体２と接地導体３との間隔と等しくなる）、ショートスタブ４の延長線上の位置にビア９を設けることが可能となる。
【００３０】
これにより、線路間隔を狭くしても、隣接線路間での結合量（カップリング量）が増大しないようにすることができ、整合回路１０の小型化を図ることが可能となる。
この結果、線路面積やＲＦＩＣが大きくなることによる高コスト化、製造歩溜まりの劣化を防止することが可能となる。なお、線路間隔を、信号導体間隔、チャネル間隔あるいは給電線路間隔ともいう。
【００３１】
これに対し、ショートスタブ４の長さのみによって整合に必要なインピーダンスを得ようとすると、例えば図５及び図６に示すように、コプレーナ線路１を構成する接地導体３にショートスタブ４が食い込むようにショートスタブ４を設けることになる（これを比較例という）。
この場合、ショートスタブ４の延長線上の位置にビア９を設けることができず、隣接線路間での結合量が増大してしまうため、信号導体２間の間隔をある距離以上確保するために、線路間隔を広くしなければならず、整合回路１０の小型化を図るのが難しい。また、ビア９の位置が、ショートスタブ４の延長線上の位置からずれていると、必要なインピーダンスが得られず、整合を行なうのが難しくなる。
【００３２】
ここで、図７は、本実施形態の整合回路１０を用いた場合（図９参照）の周波数特性の計算結果、及び、上述の比較例の整合回路１０を用いた場合（図１０参照）の周波数特性の計算結果を示している。
なお、図７では、本実施形態の整合回路１０を用いた場合の反射を、実線Ａで示しており、その損失を破線Ｂで示しており、比較例の整合回路１０を用いた場合の反射を、一点鎖線Ｃで示しており、その損失を二点鎖線Ｄで示している。
【００３３】
ここで、本実施形態の整合回路１０を用いた場合の信号導体２の間隔は、図９に示すように、約６００ミクロンであり、比較例の整合回路１０を用いた場合の信号導体２の間隔は、図１０に示すように、約７００ミクロンである。
また、反射係数は、ＲＦＩＣ６上に３つある信号パッド１３のうち１番上の信号パッド１３から、同じく一番上のコプレーナ線路１を見たときの反射係数である。
【００３４】
また、本計算においては、誘電体基板７は、誘電率約２．２、誘電正接約０．０００９、厚さ約０．１２７ｍｍとし、信号導体２、接地導体３、８、ショートスタブ４などの金属パターンは、厚さ約３５ミクロンの銅とし、ＲＦＩＣ６は、誘電率約１１のシリコンとし、金属ワイヤ１１は、直径約２５ミクロンの金としている。
図８から分かるように、本実施形態の整合回路１０では、信号導体２の間隔（線路間隔）を狭くし、整合回路１０の大きさを小型化しても、周波数特性は、比較例の整合回路１０とほぼ変わらない性能が得られている。
【００３５】
ところで、複数のコプレーナ線路１を備える整合回路１０においては、隣接線路間の結合量（カップリング量；信号導体間の結合量）も問題となる。
つまり、結合量が増えると、グレーティングローブレベルの増加といった問題を引き起こし、ひいては、通信速度の低下といった問題につながる。
ここで、図８は、本実施形態の整合回路１０と比較例の整合回路１０を用いた場合の結合量の計算結果を示している。
【００３６】
なお、図８では、本実施形態の整合回路１０を用いた場合の結合量を、実線Ａで示しており、比較例の整合回路１０を用いた場合の結合量を、破線Ｂで示している。
図８に示すように、本実施形態の整合回路１０を用いた場合、結合量は、信号導体間隔（線路間隔）が狭くなっているにもかかわらず、比較例の整合回路１０とほぼ同等の結合量が得られている。
【００３７】
このように、本実施形態の整合回路１０を用いることで、比較例の整合回路１０を用いる場合よりも、整合回路１０を小型化しつつ、ほぼ同等の性能を得ることが可能になる。
ところで、上述の実施形態の高周波モジュールにおいて、スリット１２は、長さがショートスタブ４とＲＦＩＣチップ６との間の距離に応じて調整されていても良い。
つまり、整合をとるため、ＲＦＩＣチップ６からある離隔距離をもってショートスタブ４が設けられていても良い。例えば、スリット１２の長さを調整するだけでは、整合に必要なインピーダンスを得ることができない場合などに有効である。
【００３８】
ここで、ショートスタブ４及びスリット１２の位置、即ち、ＲＦＩＣチップ６からの離隔距離は、例えばＲＦＩＣのインピーダンスや誘電体基板の電気的特性によって決められる。
このため、上述の実施形態の場合（図１参照）と比較して、例えば図１１に示すように、ショートスタブ４及びスリット１２の位置が、ＲＦＩＣチップ６から遠く、そして、スリット１２の長さが長くなることもある。逆に、ＲＦＩＣチップ６に近く、そして、スリット１２の長さが短くなることもある。
【００３９】
したがって、本実施形態にかかる整合回路１０によれば、線路間隔を狭くしても、インピーダンス整合を行なうことができ、かつ、隣接線路間での結合量が増大しないようにしながら、整合回路１０を小型化することができるという効果を有する。
なお、上述の実施形態では、スリット１２は、信号導体２が延びている方向に平行に延びているものとしているが、これに限られるものではない。
【００４０】
例えば図１２に示すように、スリット１２は、信号導体２が延びている方向に平行に延びている第１部分１２Ａと、信号導体２が延びている方向に交差する方向に延びている第２部分１２Ｂとを備えるものとしても良い。
この場合、インピーダンスの変化を小さくし、損失を抑えるために、第２部分１２Ｂは、第１部分１２Ａの端部（先端）から表面接地導体（第１接地導体）３が設けられている側へ延びているものとするのが好ましい。
【００４１】
例えば、スリット１２は、信号導体２と平行に延びた後で片方に直角に曲がるように設けても良いし、また、信号導体２と平行に延びた部分の先端から両方向に分岐して延びるように設けても良い。
このような場合も、スリット１２は、ショートスタブ４を挟んで対称な形状となっている。
【００４２】
このほか、例えば、スリット１２は、円弧状に設けられているものとしても良い。つまり、スリット１２は、ある半径を持って円弧状に曲がっていても良い。
このような構成であったとしても、上述の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
また、上述の実施形態では、整合回路１０とＲＦＩＣチップ６とをワイヤボンディングによって接続しているが、これに限られるものではなく、例えば図１３に示すように、ＲＦＩＣチップ６が、フリップチップ実装されていても良い。
【００４３】
つまり、ＲＦＩＣチップ６は、ワイヤボンディングではなく、ＲＦＩＣチップ６を裏返して、ＲＦＩＣチップ６の最上位金属層に設けられるパッドと、誘電体基板７上に設けられるパッドを直接接触させることで、ワイヤを使わずに誘電体基板７上に実装するフリップチップ実装によって、実装されていても良い。
このような構成であったとしても、上述の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００４４】
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
誘電体基板の第１面に設けられ、複数のコプレーナ線路のそれぞれを構成する信号導体及び第１接地導体と、
前記第１面の前記信号導体と前記第１接地導体との間に設けられたショートスタブと、
前記誘電体基板を挟んで前記第１面の反対側に位置する第２面に設けられた第２接地導体と、
前記誘電体基板を挟んで前記ショートスタブの反対側に位置し、前記ショートスタブを挟んで対称な形状となるように前記第２接地導体に設けられたスリットと、
前記ショートスタブの延長線上の位置に設けられ、前記第１接地導体と前記第２接地導体とを接続するビアとを備え、
前記ショートスタブの中央と、前記スリットの中央と、前記ビアの中心とが、直線上に並んでいることを特徴とする整合回路。
【００４５】
（付記２）
前記スリットは、前記信号導体が延びている方向に平行に延びていることを特徴とする、付記１に記載の整合回路。
（付記３）
前記スリットは、前記信号導体が延びている方向に平行に延びている第１部分と、前記信号導体が延びている方向に交差する方向に延びている第２部分とを備えることを特徴とする、付記１に記載の整合回路。
【００４６】
（付記４）
前記第２部分は、前記第１部分の端部から前記第１接地導体が設けられている側へ延びていることを特徴とする、付記３に記載の整合回路。
（付記５）
前記スリットは、円弧状に設けられていることを特徴とする、付記１に記載の整合回路。
【００４７】
（付記６）
前記スリットは、長さが前記ショートスタブの長さに応じて調整されていることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の整合回路。
（付記７）
付記１〜６に記載の整合回路と、
前記誘電体基板上に設けられ、前記整合回路に接続された高周波集積回路チップとを備えることを特徴とする高周波モジュール。
【００４８】
（付記８）
前記整合回路と前記高周波集積回路チップとが、ワイヤボンディングで接続されていることを特徴とする、付記７に記載の高周波モジュール。
（付記９）
前記高周波集積回路チップは、フリップチップ実装されていることを特徴とする、付記７に記載の高周波モジュール。
【００４９】
（付記１０）
前記スリットは、長さが前記ショートスタブと前記高周波集積回路チップとの間の距離に応じて調整されていることを特徴とする、付記７〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【符号の説明】
【００５０】
１  コプレーナ線路
２  信号導体
３  接地導体（表面接地導体；第１接地導体；第１面側接地導体）
４  ショートスタブ
５  アンテナ（アンテナ素子）
６  高周波集積回路（ＲＦＩＣ）チップ
７  誘電体基板
８  裏面接地導体（第２接地導体；第２面側接地導体；グランド）
９  ビア
１０  整合回路
１１  金属ワイヤ
１２  スリット
１２Ａ  第１部分
１２Ｂ  第２部分
１３  信号パッド
【図１】
2017204703.tif 000003
【図２】
2017204703.tif 000004
【図３】
2017204703.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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