(57)【要約】  【課題】  撮像素子に入射する貫通部を含む基板を有する構成であって、フレアの抑制に有効な撮像素子用パッケージ等を提供すること。  【解決手段】  上面から下面にかけて貫通する貫通部１ａを有し、下面のうち貫通部１ａに隣り合う部分に撮像素子11が接続される接続部１ｂを有する第１基板１と、第１基板１の下面のうち搭載部１ｂよりも外側の部分に積層された第２基板２と、貫通部１ａ内において第１基板１の表面に設けられたコート層３とを備えており、コート層３の光の反射率が、貫通部１ａ内における第１基板１の表面の光の反射率よりも小さい撮像素子用パッケージ10等である。【選択図】  図１
2017152530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面から下面にかけて貫通する貫通部を有し、前記下面のうち前記貫通部に隣り合う部分に撮像素子が接続される接続部を有する第１基板と、
前記第１基板の前記下面のうち前記搭載部よりも外側の部分に積層された第２基板と、
前記貫通部内において前記第１基板の表面に設けられたコート層とを備えており、
該コート層の光の反射率が、前記貫通部内における前記第１基板の表面の光の反射率よりも小さい撮像素子用パッケージ。
【請求項２】
前記貫通部が、該貫通部の上部から下部に向かって外側に広がっていることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の撮像素子用パッケージと、
前記接続部に接続された撮像素子を備える撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像装置と、
前記第１基板の前記上面側に配置された光学素子とを備える撮像モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子が搭載される撮像素子用パッケージおよび撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ等の撮像用の電子機器において、各種撮像素子がパッケージに収容されてなる撮像装置が用いられている。この撮像素子用パッケージとして、平板状等の絶縁基板の上面等に撮像素子の搭載部を有し、搭載部から絶縁基板の外表面にかけて配線導体が設けられたものが用いられている。搭載部に撮像素子が搭載され、撮像素子と配線導体とがボンディングワイヤ等を介して電気的に接続されて撮像装置が製作される（例えば特許文献１を参照）。
【０００３】
撮像素子で光電変換によって電気信号に変換された画像データは、配線導体を通って外部電気回路に伝送され、記憶、表示または画像加工等の各種の処理が施される。また、近年、ボンディングワイヤによる光の反射の影響を避けるために、開口部を有する基板の下面側に、開口部に沿って撮像素子を接続するようにしたパッケージ等が提案されている（例えば特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2013−30526号公報
【特許文献２】特開2002−203952号公報
【特許文献３】特開2012−189788号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術においては、開口部の内側面等で反射された不要な光が撮像素子の受光部に入り込む可能性があり、この光の入り込みによるフレア等の不具合を生じる可能性があった。特に、近年、撮像素子の受光部に配置される画素の高密度化等のため、わずかなフレア等によっても画像の劣化等を生じる可能性が高くなってきている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの態様の撮像素子用パッケージは、上面から下面にかけて貫通する貫通部を有し、前記下面のうち前記貫通部に隣り合う部分に撮像素子が接続される接続部を有する第１基板と、前記第１基板の前記下面のうち前記搭載部よりも外側の部分に積層された第２基板と、前記貫通部内において前記第１基板の表面に設けられたコート層とを備えており、該コート層の光の反射率が、前記貫通部内における前記第１基板の表面の光の反射率よりも小さい。
【０００７】
本発明の１つの態様の撮像装置は、上記構成の撮像素子用パッケージと、前記接続部に接続された撮像素子を備える。
【０００８】
本発明の１つの態様の撮像モジュールは、上記構成の撮像装置と、前記第１基板の前記上面側に配置された光学素子とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の１つの態様の撮像素子用パッケージによれば、貫通部内において第１基板の表
面にコート層を有し、このコート層の光の反射率が第１基板の表面の光の反射率よりも小さいため、受光素子の上面に近接した貫通部内の表面で反射された不要な光が撮像素子に入り込む可能性が効果的に低減されている。そのため、撮像装置におけるフレア等の発生を抑制することが容易な撮像素子用パッケージを提供することができる。
【００１０】
本発明の１つの態様の撮像装置によれば、上記構成の撮像素子用パッケージを含むことから、フレア等の不具合の発生が効果的に抑制された撮像装置を提供することができる。
【００１１】
本発明の１つの態様の撮像モジュールによれば、上記構成の撮像装置を含むことから、フレア等の不具合の発生が効果的に抑制された撮像モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態の撮像素子用パッケージおよび撮像装置を含む撮像モジュールを示す断面図である。
【図２】図１に示す撮像素子用パッケージおよび撮像装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示す撮像モジュールの変形例を示す断面図である。
【図４】図１に示す撮像装置の変形例における要部を拡大して示す断面図である。
【図５】（ａ）は図１に示す撮像装置の他の変形例を分解して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態の撮像素子用パッケージ、撮像装置および撮像モジュールを、添付の図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態の撮像素子用パッケージおよび撮像装置を含む撮像モジュールを示す断面図である。また、図２は、図１に示す撮像素子用パッケージおよび撮像装置の要部を拡大して示す断面図である。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に撮像素子用パッケージおよび撮像装置が使用されるときの上下を特定するものではない。また、以下における光の反射率は可視光の反射率であり、単に反射率という場合もある。
【００１４】
撮像素子用パッケージ10は、上面から下面にかけて貫通する貫通部１ａを有する第１基板１と、第１基板１の下面外周部に積層された第２基板２と、貫通部１ａ内において第１基板１の表面に設けられたコート層３とを有している。また、第１基板１は、その下面のうち貫通部１ａに隣り合う部分に、撮像素子11が接続される接続部１ｂを有している。第１基板１の下面のうちこの接続部１ｂよりも外側の部分に第２基板２が積層されている。また、コート層３の光の反射率が、貫通部１ａ内における第１基板１の表面の光の反射率よりも小さい。
【００１５】
貫通部１ａ内における第１基板１の表面およびコート層３の光の反射率は、例えば光源と分光器とを備えた反射率測定用の測定器で測定することができる。この場合、測定器のプローブ等の照射部分からコート層３等の比測定面に光を照射して、分光器によって測定された反射光から反射率が測定される。なお、貫通部１ａ内における第１基板１の表面の反射率は、例えば、表面にコート層３が設けられていない貫通部を有する測定用の試料としての第１基板（図示せず）を準備して、この貫通部内の表面の反射率を測定することによって検知することができる。
【００１６】
上記の撮像素子用パッケージ10に撮像素子11が接続されて、実施形態の撮像装置20が基本的に構成されている。また、この撮像装置20の第１基板１上にレンズ31等の光学素子が配置されて、実施形態の撮像モジュール30が基本的に構成されている。
【００１７】
第１基板１および第２基板２は、撮像素子11を接続して固定するための基体（符号なし）を構成している。また、第１基板１および第２基板２は、撮像素子11と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続するための配線導体４等の導体を、互いに電気的に絶縁された状態で保持する機能も有する。
【００１８】
この実施形態の例では、第１基板１の下面に、貫通部１ａの開口に沿って接続部１ｂが設けられ、この接続部１ｂから第２基板２の下面にかけて配線導体４が形成されている。配線導体４のうち搭載部１ｂに配置された部分に撮像素子11が対向して電気的および機械的に接続されて、撮像素子11が上記基体に固定される。この配線導体４のうち第２基板２の下面に配置された部分が外部電気回路に電気的に接続されれば、撮像素子11と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。上記基体に固定された撮像素子11が、第１基板１の貫通部１ａを介して外部から入射される光を受光し、光電変換して撮像を行なう。撮像による画像データは、電気信号として外部電気回路に送信される。
【００１９】
撮像素子11としては、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）型およびＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）型等の固体撮像素子が挙げられる。この撮像素子11は、シリコン基板等の基板本体の上面にフォトダイオード等の複数の光電変換素子（図示せず）が配列されて形成されている。これらの光電変換素子が配列された領域が撮像素子11の上面に配置された受光部になっている。撮像素子11の上面のうち受光部よりも外側に、光電変換素子と電気的に接続された複数の電極（図示せず）が配置され、これらの電極が撮像素子用パッケージ10の配線導体４とはんだ等の導電性の接続材12を介して電気的および機械的に接続される。
【００２０】
第１基板１は、上記基体のうち撮像素子11が実際に接続される部分である。第１基板１は、例えば、平面視で正方形状または長方形状等の矩形状（全体として直方体状）の外形を有し、中央部に貫通部１ａを有している。言い換えれば、この実施形態における第１基板１は、外形が矩形状の枠状部材である。
【００２１】
貫通部１ａは第１基板１の上面および下面に開口を有し、第１基板１を厚み方向に貫通している。貫通部１ａは、撮像素子用パッケージ10において外部の光を通過させる窓部分として機能する。貫通部１ａのうち第１基板１の上面側の開口から外部の光が入射し、この光が、第１基板１の下面側の開口の近くで撮像素子11に受光される。そのため、貫通部１ａは、平面視において撮像素子11の形状と同様の形状であり、例えば平面視で長方形状または正方形状の開口を有している。
【００２２】
実施形態の撮像素子用パッケージ10では、この貫通部１ａ内における第１基板１の表面に、この表面よりも光の反射率が小さいコート層３が設けられている。コート層３は貫通部１ａ内における光の反射を抑制するためのものである。そのため、コート層３は光の反射率が比較的小さいものとされている。コート層３によって貫通部１ａ内においてコート層３の表面による光の反射を抑制し、撮像素子11への不要な光の入り込みを抑制することができる。コート層３の詳細については後述する。
【００２３】
配線導体４は、上記のように、撮像素子用パッケージ10に接続される撮像素子11と外部電気回路とを互いに電気的に接続させるための導電路として機能する。そのため、配線導体４は、撮像素子11が接続される第１基板１の搭載部１ｂから第２基板２の下面にかけて設けられている。
【００２４】
配線導体４のうち搭載部１ｂに設けられた部分は撮像素子11の電極が対向して接続される部分である。この部分は、電極の接続に適した円形状、楕円形状または四角形状等の多角形状等の、いわゆる接続パッドの形状であってもよい。また、配線導体４のうち第２基
板２の下面に設けられた部分は外部電気回路に対向して接続される部分であり、この部分についても、上記のような接続パッドの形状であって構わない。また、配線導体４のうちこれらの接続パッドの部分同士を互いに接続させる部分は、例えば第１基板１および第２基板２の内部または表面に設けられた部分である。図１に示す例では、配線導体４は第１基板１および第２基板２を厚み方向の少なくとも一部において貫通する貫通導体（符号なし）の部分も含んでいる。
【００２５】
第１基板１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体によって形成されている。
【００２６】
第１基板１は、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、まず酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形して四角シート状のセラミックグリーンシートを作製する。その後、このセラミックグリーンシートを適当な寸法および形状（枠状等）に、切断または打ち抜き加工等の方法で成形し、これを1300〜1600℃の温度で焼成する。以上の工程によって第１基板１を製作することができる。
【００２７】
この場合に、複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製し、この積層体を焼成して第１基板１を製作するようにしてもよい。焼成された複数のセラミックグリーンシートが、それぞれ第１基板１を形成する絶縁層（符号なし）になる。すなわち、第１基板１は、複数の絶縁層からなるものであってもよい。
【００２８】
第２基板２は、上記基体のうち外部電気回路に対向して接続される部分である。第２基板２は、例えば、平面視で正方形状または長方形状等の矩形状の外形を有する枠状の部材である。この枠状の第２基板２が、矩形状等の第１基板１の下面の外周部に積層されている。
【００２９】
第２基板２は、例えば第１基板と同様の材料によって形成されている。第２基板２についても、第１基板１と同様の方法で製作することができる。第２基板２は、第１基板１との同時焼成によって作製することもできる。この場合には、第１基板１となる枠状のセラミックグリーンシート上に第２基板２となるセラミックグリーンシートを積層し、この積層体を焼成することによって、第１基板１および第２基板２（上記基体）を一体的に製作することができる。このように第１基板１と第２基板２とが一体的に製作されている場合には、第１基板１と第２基板２との互いの接合の強度を効果的に高めることができる。つまり基体の機械的な強度向上について有利である。
【００３０】
なお、第１基板１、第２基板２および貫通部１ａの平面視における形状は、上記の例に限らず、撮像素子11の形状、撮像装置20が実装される部分の形状、撮像素子用パッケージ10に求められる機械的強度もしくは寸法等の制約等の条件に応じて、適宜設定されて構わない。例えば、第１基板１および第２基板２がともに円環状であり、貫通部１ａが円形状であっても構わない。
【００３１】
配線導体４は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属材料によって形成されている。また配線導体４は、これらの金属材料を含む合金材料等によって形成されていてもよい。このような金属材料等は、メタライズ層、めっき層および薄膜層等の形態から適宜選択される形態の金属層として、第１基板１および第２基板２の表面等に設けられている。第１基板１および第２基板２の少なくとも一方が複数の絶縁層からなる場合であれば、これらの絶縁層の表面等に上記の金属層が設けられて配線導体４になる。
【００３２】
配線導体４は、タングステンのメタライズ層である場合には、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを第１基板１となるセラミックグリーンシートおよび第２基板２となるセラミックグリーンシートの表面等にスクリーン印刷法等の方法で印刷して焼成する方法で形成することができる。
【００３３】
この配線導体４は、第１基板１の搭載部１ｂおよび第２基板２の下面等の外表面に露出する部分において、メタライズ層上に、電解めっき法または無電解めっき法等のめっき法でニッケルおよび金等のめっき層がさらに被着されたものであってもよい。
【００３４】
コート層３は、上記のように貫通部１ａ内における第１基板１の表面の光の反射率よりも小さい反射率を有するものである。このようなコート層３は、例えば黒色、褐色、暗緑色等の暗色を示す、金属材料の酸化物（金属酸化物）等によって形成されている。また、コート層３は、このような金属酸化物を含有する混合材料によって形成されているものでもよい。このような金属材料としては、マンガン、クロム、ニオブ、鉄、モリブデン、タングステン、ジルコニウムおよびチタン等が挙げられる。すなわち、コート層３は、例えばマンガン、クロム、ニオブ、鉄、モリブデン、タングステン、ジルコニウムおよびチタン等の金属材料のうち少なくとも１種の金属材料を含有している。
【００３５】
コート層３は、上記の金属酸化物以外の材料を含む混合材料であってもよい。この混合材料としては、金属酸化物以外にガラス材料、セラミック材料樹脂等の成分を含有しているものが挙げられる。例えば、混合材料におけるガラス成分が母材として第１基板１の表面に接合し、この母材中に金属（酸化物）が分散してコート層３を形成していてもよい。
【００３６】
コート層３は、例えば、上記の金属酸化物または混合材料に有機溶剤等を添加して作製したペーストを貫通部１ａ内における第１基板１の表面（貫通部１ａの内側面）に塗布し、加熱して内側面に接合させる方法で形成することができる。また、このようなコート層３となるペーストを、第１基板１となるセラミックグリーンシートの貫通部内における表面に塗布し、これらを同時焼成する方法でコート層３を形成することもできる。同時焼成の場合には、コート層３の第１基板１に対する接合強度および撮像素子用パッケージ10の生産性等を効果的に向上させることもできる。
【００３７】
前述したように、上記のような撮像素子用パッケージ10に撮像素子11が接続されて撮像装置20が製作されている。また、撮像素子11の上面に配置された複数の電極が配線導体４と接続材12を介して電気的および機械的に接続される。
【００３８】
接続材12は、上記のようにはんだ等であり、例えば、スズ−銀系、スズ−銅系、スズ−銀−銅系またはスズ−鉛系等の種々のはんだを用いることができる。また、接続材12は、銀−銅合金材料等の金属バンプを含むものでもよく、導電性接着剤等の複合材料であってもよい。
【００３９】
接続材12がはんだである場合には、例えば、ペースト状のはんだを介して撮像素子11の電極を所定の配線導体４に位置合わせして、ジグ等で仮固定しながら加熱して接続材12となるはんだ等を溶融させることで、撮像素子11を撮像素子用パッケージ10に電気的および機械的に接続することができる。また、撮像素子11と撮像素子用パッケージ10との機械的な接続を補強するための補助接続材（図示せず）を撮像素子11の上面と第１基板１の下面との間に介在させるようにしてもよい。
【００４０】
撮像装置20は、外部から撮像素子11に入射した光が撮像素子11の受光部で受光され、この光が撮像素子11で電気信号に変換する機能を有する。変換された電気信号が、撮像（静
止画または動画等の画像）情報として外部電気回路に送信される。この画像情報に対して、記憶、加工またはディスプレイへの表示等の各種の処理が行なわれる。
【００４１】
このような撮像装置20によれば、上記構成の撮像素子用パッケージ10を含んでいることから、フレア等が効果的に低減された撮像装置20とすることができる。
【００４２】
また、前述したように、この撮像装置20の第１基板１上にレンズ31等の光学素子が配置されて、実施形態の撮像モジュール30が基本的に構成されている。図１に示す例において、レンズ31は鏡筒32内に配置され、鏡筒32を含む筐体33が第１縁基板１の上面に接合されている。筐体33と第１基板１との接合は、例えばろう材等の接合材（図示せず）による接合またはねじ等の機械的な接続手段（図示せず）による固定によって行なわれる。レンズ31は、例えば可視光を透過するガラス等の透光性材料によって形成されたものであり、凸レンズ等である。
【００４３】
撮像モジュール30において、外部の光はレンズ31を屈折して透過し、撮像素子11の受光部で像を結ぶ。図１に示す例では、この光が通過する筐体33内に光学フィルタ34が配置されている。光学フィルタ34は、例えば赤外線吸収用のフィルタであり、撮像モジュール30における画質の向上等の機能を有する。
【００４４】
このような撮像モジュール30によれば、上記構成の撮像装置20を含むことから、フレア等の不具合の発生が効果的に抑制された撮像モジュール30とすることができる。
【００４５】
このような撮像素子用パッケージ10、撮像装置20および撮像モジュール30において、コート層３が、マンガン、クロムおよびニオブのうち少なくとも１種の金属材料を含有しているものであってもよい。この場合には、これらの金属材料の酸化物と第１基板１との接合強度を向上させることが容易である。また、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる第１基板１との同時焼成によるコート層３の形成が容易である。つまり、撮像素子用パッケージ10等の生産性の点でも有利である。
【００４６】
また、コート層３がマンガンを含む場合には、酸化マンガンが反射光としての赤外線も効果的に吸収することができる。そのため、不要な赤外線が撮像素子11で受光されることによる、撮像素子11による可視光画像の画質が低下する可能性も効果的に低減することができる。
【００４７】
また、コート層３がマンガンからなる場合には、上記のように第１基板１に対する接合に際しての生産性向上が容易であり、主成分としての金属材料（金属酸化物）がマンガンのみであることから、コート層３の成分調整（コート層３となるペーストの作製）が容易であり、撮像素子用パッケージ10の生産性向上に有利である。
【００４８】
また、マンガンの酸化物（Ｍｎ２Ｏ３）が黒色であり、貫通部１ａ内における第１基板１の表面よりも光の反射率が小さいコート層３の形成が容易である。つまり、貫通部１ａの内側面における光の反射率の低減において有利である。
【００４９】
また、コート層３が、クロムおよびニオブの少なくとも１種と、マンガンとからなる場合にも、上記のように第１基板１に対する接合の強度において有利なコート層３とすることができる。また、この場合には、互いに熱膨張率がこクロムおよびニオブの少なくとも１種とマンガンとの含有率の調整によって、コート層３の熱膨張率を第１基板１の熱膨張率に近付けることもできる。また、この場合も、コート層３に含有されるマンガン（酸化物）による不要な赤外線吸収の効果を得ることができる。
【００５０】
図３は、図１に示す撮像モジュール30の変形例を示す断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を用いている。図３に示す例において、貫通部１ａが、貫通部１ａの上部から下部に向かって外側に広がっている。これ以外の点は上記実施形態と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。
【００５１】
図３に示す例では、第１基板１の上面側における貫通部１ａの開口が、第１基板１の下面側における貫通部１ａの開口よりも小さい。この開口の大きさの差に応じて、貫通部１ａの内側面が下方向に向かって外側に傾斜している。この場合には、平面透視において撮像素子11の受光部よりも外側に第１基板１の上面側の部分が被さった形になり、貫通部１ａの上部から撮像素子11に不要な光が入り込む可能性が効果的に低減される。したがって、フレア等の発生が効果的に抑制された撮像装置20の製作が容易な撮像素子用パッケージ10とすることができる。
【００５２】
貫通部１ａの形状を図３に示すような形状とするには、例えば、第１基板１となる枠状のセラミックグリーンを形成する際に、打ち抜き加工に用いる金型を貫通部１ａの形状と同じ形状にしておけばよい。また、レーザ加工で上記のセラミックグリーンシートに貫通部１ａを形成するようにして、このときに、レーザ光の照射方向を調整して貫通部１ａの内側面を傾斜した面とするようにしてもよい。
【００５３】
図４は、図１に示す撮像装置20の変形例における要部を拡大して示す断面図である。図４において図１および図２と同様の部位には同様の符号を用いている。図４に示す例において、コート層３の一部が撮像素子11の下面側まで回り込んでいる。これ以外の点は上記実施形態と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。
【００５４】
図４に示す例では、上記のようにコート層３の一部が回り込んで、接続部１ｂから内側において撮像素子11と第１基板１下面との間の隙間を埋めている。そのため、この隙間の部分における光の不要な反射も効果的に抑制することができる。したがって、この場合にも、撮像素子11に不要な光が入り込む可能性が効果的に低減されて、フレア等の発生が効果的に抑制された撮像装置20の製作が容易な撮像素子用パッケージ10とすることができる。
【００５５】
コート層３の一部を撮像素子11と第１基板１下面との間の隙間に回り込ませるには、例えば上記のようなコート層３用のペーストを貫通部１ａ内に塗布するときに、そのペーストの一部を第１基板１（またはセラミックグリーンシート）の下面の内貫通部１ａに接する部分まで塗布するようにすればよい。
【００５６】
図５（ａ）は、図１に示す撮像装置20の他の変形例を分解して示す断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の要部を拡大して示す断面図である。図５において図１および図２と同様の部位には同様の符号を用いている。図５に示す例において、第１基板１の外側面に溝部１ｃが設けられている。この溝部１ｃは、筐体33の撮像素子用パッケージ10およびこれに接続されている撮像素子11に対する位置合わせを容易とするとともに、その位置精度を高めるための部分である。図５に示す矢印の方向にレンズ31等を含む撮像モジュール30用の部材が移動して、筐体33の下端部が第１基板１の上面の所定位置に接合される。
【００５７】
溝部１ｃ内にも導体（側面導体５）が設けられていてもよい。この場合の側面導体５は、例えば筐体33と第１基板１とをはんだ等の金属材料で接合するときの下地層として機能する。
【００５８】
また、図５に示す例において、コート層３は、貫通部１ａの内側面の上端まで設けられ、第１基板１の上面までは延在していない。この場合にも、コート層３による、不要な光
が撮像素子11に向かって反射されるようなことを効果的に抑制することができる。
【００５９】
また、この場合には、コート層３が第１基板１の上面には設けられていないので、例えばこの上面に電子部品13が搭載されるようなときに、その電子部品13の撮像素子用パッケージ10に対する電気的な接続がコート層３で妨げられるような可能性が効果的に低減されている。
【００６０】
なお、電子部品13は、例えば容量素子または抵抗器等の受動素子であり、撮像モジュール30から外部電気回路への電気信号（画像情報）の伝送を補助する機能を有し、例えば特性インピーダンス値または抵抗値等の調整行なう。また電子部品13は、半導体集積回路素子等の演算または記憶等の機能を有する機能素子が含まれていてもよい。
【００６１】
なお、本発明の撮像素子用パッケージ、撮像装置および撮像モジュールは、上記の実施形態に限らず、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、コート層３は、図５に示す例のように、その上端部が円弧状に成形されているものであってもよい。これによって、コート層３の上端の角部分に欠け等の機械的な破壊が生じる可能性を効果的に低減することができる。そのため、コート層３から脱落した破片等によって撮像素子11による撮像が妨げられるような可能性もう効果的に低減することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・第１基板
１ａ・・・貫通部
１ｂ・・・接続部
１ｃ・・・溝部
２・・・第２基板
３・・・コート層
４・・・配線導体
５・・・側面導体
10・・・撮像素子用パッケージ
11・・・撮像素子
12・・・接続材
13・・・電子部品
20・・・撮像装置
30・・・撮像モジュール
31・・・レンズ
32・・・鏡筒
33・・・筐体
34・・・光学フィルタ
【図１】
2017152530.tif 000003
【図２】
2017152530.tif 000004
【図３】
2017152530.tif 000005
【図４】
2017152530.tif 000006
【図５】
2017152530.tif 000007