(57)【要約】      （修正有）【課題】実用性に優れ、良好な深紫外線発光を可能とする新規且つ有用な深紫外線発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】Ｚｎ及びＭｇを含む原料溶液をミスト発生源２４において霧化又は液滴化してミストを生成する霧化工程と、キャリアガス供給手段２２ａおよび２２ｂから供給されるキャリアガスを用いて、基体の表面近傍までミストを搬送する搬送工程と、ミストを基体（基板）２０の表面近傍で熱反応させることで、発光強度のピークが２５０ｎｍ以下である発光層を形成する製膜工程とを経て深紫外線発光素子を製造する。【選択図】図１
2017204642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｎ及びＭｇを含む原料から発光層を形成し、前記発光層を用いて深紫外線発光素子を製造する方法であって、前記原料を含む原料溶液を霧化又は液滴化してミストを生成する霧化工程と、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍までミストを搬送する搬送工程と、前記ミストを前記基体表面近傍で熱反応させることで、発光強度のピークが２５０ｎｍ以下である前記発光層を形成する製膜工程とを含むことを特徴とする深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記原料に含まれるＺｎとＭｇのモル濃度比（Ｚｎ／Ｍｇ）が１以下である、請求項１に記載の深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記原料溶液が、水を含む請求項１又は２に記載の深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記熱反応を、５００℃〜８００℃の温度で行う請求項１〜３のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記熱反応を、大気圧下で行う請求項１〜４のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記基体が、ＭｇＯ基板である請求項１〜５のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
【請求項７】
発光層を備えた深紫外線発光素子であって、前記発光層が、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０である。）を主成分として含み、前記主成分が岩塩構造を有しており、前記発光層の発光強度のピークが２５０ｎｍ以下であることを特徴とする深紫外線発光素子。
【請求項８】
０．６４≦ｘ＜１である、請求項７に記載の深紫外線発光素子。
【請求項９】
ＭｇＯ層をさらに備える、請求項７又は８に記載の深紫外線発光素子。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法により製造された深紫外線発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、深紫外発光素子に関し、より具体的には、２５０ｎｍ以下の波長の光を発光する深紫外発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
深紫外光源は、照明、殺菌、医療、浄水、計測等の様々な分野で使用されている。深紫外光は主に約２００〜約３５０ｎｍの波長の光を意味し、場合によってはそれ以下の１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の波長の光も含む。深紫外光の発生手段としては、水銀ランプ、半導体発光素子（半導体ＬＥＤ）、エキシマランプなどが知られている。
【０００３】
一方、半導体ＬＥＤとしては、窒化物系深紫外発光素子が知られている（下記特許文献１参照）。特許文献１に開示された横型構造の素子では、電流がｎ型ＡｌＧａＮ層中を横方向に流れなければならないため、素子抵抗が高くなって発熱量が増大し、キャリアの注入効率への悪影響が生じる欠点がある。従って、高出力動作に適さない。また、チップサイズを大型化することができない。
【０００４】
この欠点を改善するための素子として、縦型構造の窒化物系深紫外発光素子が知られている（下記特許文献２、３参照）。特許文献２、３に開示された縦型構造によって、素子抵抗を小さくすることができるので、駆動効率を高め、発熱を抑えることができ、高出力動作が可能となる。
【０００５】
しかしながら、これら従来の深紫外光発生手段のうち、水銀ランプは環境に悪い水銀を使用している問題があった。そして、水銀ランプは発生可能な波長が限定されており、寿命が短く、高電圧が必要であり使いにくい問題があった。
また、エキシマランプは、ランプ寿命が短く、大型の装置になるので、特殊な用途に限定される問題があった。
【０００６】
窒化物系深紫外発光素子は、小型であり、水銀ランプに代わるものとして期待されているが、特許文献１に開示された窒化物系深紫外発光素子は発光効率が低く、大出力化に対応できない問題があった。特許文献２、３に開示された窒化物系深紫外発光素子は小型化可能であるが、深紫外領域では、発光効率が低く大出力化が難しいといった問題があった。特に、多層構造が必要であり、ドーピングが必要でその準位が深いため担体濃度を上げることが出来ないという問題があった。また、特に波長が短くなると電極の接触抵抗を下げることが難しく、外部量子効率を上げることが困難であり、製造工程が複雑になるといった問題があった。また、ガリウムは希少金属であり、資源の枯渇や価格の上昇などの心配がある。
【０００７】
上記問題に対し、近年においては、より豊富にある資源で構成され、より大きなバンドギャップを持つ半導体発光素子として、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇＺｎＯ）系薄膜を用いた深紫外発光素子が注目されている。特許文献４では、ＭＢＥ法を用いてＭｇＺｎＯ系基板上にウルツァイト型結晶構造を有するＭｇＺｎＯ層を形成し、約４００ｎｍの発光波長を持つ半導体発光素子を作製している。さらに特許文献５では、ＭＯＶＰＥ法を用いて、サファイア基板又はＳｉＣ基板上に、バッファ層を介してウルツァイト型結晶構造を有するＭｇＺｎＯ層を形成し、Ｍｇ及びＺｎの混晶比を調整することによって波長２８０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線発光を行う半導体発光素子を得ている。しかし、これらの方法はいずれも装置構造が複雑でかつ高価であり、また発光波長をこれ以上短くすることが困難であるといった問題があった。また、岩塩構造を有するＭｇＺｎＯ系薄膜を作製した場合には、結晶性の十分に優れた薄膜が得られないといった問題もあった。
【０００８】
以上の通り、従来の深紫外発光素子ではまだまだ満足のいくものはなく、そのため、実用性に優れ、良好な深紫外発光を可能とする新規且つ有用な深紫外発光素子が待ち望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−３０７８１１号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８５５４号公報
【特許文献３】特表２００６−１０４０６３号公報
【特許文献４】特開２００９−４３９２０号公報
【特許文献５】特開２００６−０８６１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、実用性に優れ、良好な深紫外線発光を可能とする新規且つ有用な深紫外線発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、Ｚｎ及びＭｇを含む原料から、ミストＣＶＤ法を用いて、岩塩構造を有するＭｇＺｎＯを主成分として含む発光層を備えた深紫外線発光素子を作製すると、驚くべきことに、得られた深紫外線発光素子が、２５０ｎｍ以下の深紫外光を発光すること及び発光強度が良好であることを見出し、このような深紫外線発光素子及びその製造方法が、上記した従来の課題を一挙に解決できるものであることを知見した。
【００１２】
また、本発明者らは、上記知見を得たのち、さらに検討を重ね、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の発明に関する。
［１］  Ｚｎ及びＭｇを含む原料から発光層を形成し、前記発光層を用いて深紫外線発光素子を製造する方法であって、前記原料を含む原料溶液を霧化してミストを生成する霧化工程と、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍までミストを搬送する搬送工程と、前記ミストを前記基体表面近傍で熱反応させることで、発光強度のピークが２５０ｎｍ以下である前記発光層を形成する製膜工程とを含むことを特徴とする深紫外線発光素子の製造方法。
［２］  前記原料に含まれるＺｎとＭｇのモル濃度比（Ｚｎ／Ｍｇ）が１以下である、前記［１］に記載の深紫外線発光素子の製造方法。
［３］  前記原料溶液が、水を含む前記［１］又は［２］に記載の深紫外線発光素子の製造方法。
［４］  前記熱反応を、５００℃〜８００℃の温度で行う前記［１］〜［３］のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
［５］前記熱反応を、大気圧下で行う前記［１］〜［４］のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
［６］  前記基体が、ＭｇＯ基板である前記［１］〜［５］のいずれかに記載の深紫外線発光素子の製造方法。
［７］  発光層を備えた深紫外線発光素子であって、前記発光層が、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０である。）を主成分として含み、前記主成分が岩塩構造を有しており、前記発光層の発光強度のピークが２５０ｎｍ以下であることを特徴とする深紫外線発光素子。
［８］  ０．６４≦ｘ＜１である、前記［７］に記載の深紫外線発光素子。
［９］  ＭｇＯ層をさらに備える、前記［７］又は［８］に記載の深紫外線発光素子。
［１０］  前記［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法により製造された深紫外線発光素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の深紫外線発光素子は、実用性に優れ、良好な深紫外発光を可能とし、特に２５０ｎｍ以下の短波長において良好な深紫外発光を可能とするものである。また、本発明の製造方法は、このような深紫外線発光素子を工業的有利に製造することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１において用いられる製膜装置（ミストＣＶＤ）の概略構成図である。
【図２】実施例１におけるＸＲＤ測定結果を示す図である。横軸が回析角（ｄｅｇ．）、縦軸が回析強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）を示す。
【図３】実施例１におけるＣＬ測定結果を示す図である。横軸（下）が光子エネルギー（ｅＶ）、横軸（上）が波長（ｎｍ）、縦軸がＣＬスペクトル（ｃｏｕｎｔｓ／１０ｓ）を示す。
【図４】実施例２における断面ＴＥＭ像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
【００１６】
本発明の深紫外線発光素子の製造方法は、Ｚｎ及びＭｇを含む原料を含有する原料溶液を霧化してミストを生成し（霧化工程）、キャリアガスを用いて基体の表面近傍まで前記ミストを搬送し（搬送工程）、ついで前記ミストを前記基体表面近傍で熱反応させることで、発光強度のピークが２５０ｎｍ以下である前記発光層を形成する（製膜工程）ことを特長とする。
【００１７】
（霧化工程）
霧化工程は、前記原料溶液を霧化する。霧化手段は、原料溶液を霧化できさえすれば特に限定されず、公知の手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化手段が好ましい。超音波を用いて得られたミストは、初速度がゼロであり、空中に浮遊するので好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊してガスとして搬送することが可能なミストであるので衝突エネルギーによる損傷がないため、非常に好適である。ミストのサイズは、特に限定されず、数ｍｍ程度のミストであってもよいが、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍである。
【００１８】
（原料溶液）
前記原料は、Ｍｇ又はＺｎを含んでいれば特に限定されず、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム化合物、亜鉛（Ｚｎ）、亜鉛化合物、ＭｇとＺｎとの混合物、及びＭｇとＺｎとを含む化合物のいずれであってもよい。本発明においては、前記原料に含まれるＺｎとＭｇのモル濃度比（Ｚｎ／Ｍｇ）が１以下であるのが好ましい。前記原料溶液は、前記原料を含んでいれば特に限定されず、Ｍｇ又はＺｎを含んでいればそれでよい。無機材料であっても、有機材料であってもよいが、本発明においては、Ｍｇ又はＺｎを錯体又は塩の形態で有機溶媒または水に溶解又は分散させたものを好適に用いることができる。錯体の形態としては、例えば、アセチルアセトナート錯体、カルボニル錯体、アンミン錯体、ヒドリド錯体などが挙げられる。塩の形態としては、例えば、有機金属塩（例えば金属酢酸塩、金属シュウ酸塩、金属クエン酸塩等）、硫化金属塩、硝化金属塩、リン酸化金属塩、ハロゲン化金属塩（例えば塩化金属塩、臭化金属塩、ヨウ化金属塩等）などが挙げられる。本発明においては、前記原料溶液が、Ｍｇ及びＺｎを含むのが好ましく、Ｍｇ及びＺｎの有機金属塩を含むのがより好ましく、Ｍｇ及びＺｎの酢酸塩を含むのが最も好ましい。
【００１９】
前記原料溶液の溶媒は、特に限定されず、水等の無機溶媒であってもよいし、アルコール等の有機溶媒であってもよいし、無機溶媒と有機溶媒の混合溶液であってもよい。本発明においては、前記溶媒が水を含むのが好ましく、水と酸の混合溶媒であるのがより好ましい。前記水としては、より具体的には、例えば、純水、超純水、水道水、井戸水、鉱泉水、鉱水、温泉水、湧水、淡水、海水などが挙げられるが、本発明においては、超純水が好ましい。また、前記酸としては、より具体的には、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸等の有機酸；三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテラート、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが挙げられるが、本発明においては、酢酸が好ましい。
【００２０】
（基体）
前記基体は、前記発光層を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
【００２１】
前記基板は、板状であって、前記発光層の支持体となるものであれば特に限定されない。絶縁体基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、導電性基板であってもよいが、前記基板が、絶縁体基板であるのが好ましく、また、表面に金属膜を有する基板であるのも好ましい。前記基板としては、例えば、コランダム構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板、または岩塩構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板などが挙げられる。ここで、「主成分」とは、前記特定の結晶構造を有する基板材料が、原子比で、基板材料の全成分に対し、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上含まれることを意味し、１００％であってもよいことを意味する。
【００２２】
基板材料は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知のものであってよい。前記のコランダム構造を有する基板材料を主成分とする下地基板としては、サファイア基板（好ましくはｃ面サファイア基板）やα型酸化ガリウム基板などが好適な例として挙げられる。岩塩構造を有する基板材料を主成分として含む下地基板としては、ＭｇＯ基板などが好適な例として挙げられる。
【００２３】
本発明においては、前記基体が、岩塩構造を有する基板材料を主成分とする下地基板であるのが好ましく、ＭｇＯ基板であるのがより好ましい。
【００２４】
（搬送工程）
搬送工程では、前記キャリアガスによって前記ミストを基体へ搬送する。キャリアガスの種類としては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが挙げられるが、本発明においては、キャリアガスとして酸素を用いるのが好ましい。また、キャリアガスの種類は１種類であってよいが、２種類以上であってもよく、キャリアガス濃度を変化させた希釈ガス（例えば１０倍希釈ガス等）などを、第２のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も１箇所だけでなく、２箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、０．０１〜２０Ｌ／分であるのが好ましく、１〜１０Ｌ／分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、０．００１〜２Ｌ／分であるのが好ましく、０．１〜１Ｌ／分であるのがより好ましい。
【００２５】
（製膜工程）
製膜工程では、前記ミストを前記基体表面近傍で反応させて、前記基体表面の一部または全部に製膜する。前記反応は、前記ミストまたは前記液滴から膜が形成される反応であれば特に限定されないが、本発明においては、熱反応が好ましい。前記熱反応は、熱でもって前記ミストが反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、通常、溶媒の蒸発温度以上の温度で行うが、高すぎない温度以下が好ましい。本発明においては、前記熱反応を、５００℃〜８００℃の温度で行うのが好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、膜厚は、成膜時間を調整することにより、適宜設定することができ、本発明においては、膜厚を３００ｎｍ以上とするのが好ましい。
【００２６】
本発明においては、前記基体上にそのまま成膜してもよいが、前記基体上にバッファ層を積層したのち、前記基体上にバッファ層を介して成膜してもよい。バッファ層としては、例えば、コランダム構造を含む半導体層、絶縁体層または導電体層などが好適な例として挙げられる。前記のコランダム構造を含む半導体層としては、例えば、α―Ｆｅ２Ｏ３、α―Ｇａ２Ｏ３、α―Ａｌ２Ｏ３などが挙げられる。前記バッファ層の積層手段は特に限定されず、前記発光層の積層手段と同様であってよい。
【００２７】
上記のようにして得られた発光層は、結晶性により優れており、また、２５０ｎｍ以下の発光強度のピークを有しており、発光強度も良好である。また、本発明においては、前記発光層が、２以上の発光強度のピークを有していてもよく、２以上の発光強度のピークを有している場合には、紫外領域においてより良好な発光強度が得られるので、２５０ｎｍ以下及び２５０〜４００ｎｍの発光強度のピークを有しているのが好ましい。また、前記発光層は、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０である。）を主成分として含み、前記主成分が岩塩構造を有している。なお、「主成分」とは、前記発光層中の組成比（原子比）で、前記Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０である。）を５０％以上含むものをいい、好ましくは７０％以上含むものであり、より好ましくは９０％以上含むものである。また、前記Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０である。）においては、０．６４≦ｘ＜１であるのが好ましい。前記発光層は、公知の手段を用いて、深紫外線発光素子等に好適に用いることができ、深紫外線発光素子として、照明、殺菌、医療、浄水、計測等の種々の分野、より具体的には例えば、プールや温泉などの殺菌、３Ｄプリンター造形材料の硬化、難分解性物質の分解、オゾンセンシング、医療用殺菌、紫外線治療などに利用できる。前記深紫外線素子は、前記発光層の他に、ＭｇＯ層をさらに備えるのが好ましく、前記ＭｇＯ層は、例えば、前記した発光層の積層手段において、基板としてＭｇＯ基板を用いることによって形成することができる。
【実施例】
【００２８】
（実施例１）
１．製膜装置
図１を用いて、本実施例で用いたミストＣＶＤ装置を説明する。ミストＣＶＤ装置１９は、基板２０を載置するサセプタ２１と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段２２ａと、キャリアガス供給手段２２ａから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁２３ａと、キャリアガス（希釈）を供給するキャリアガス（希釈）供給手段２２ｂと、キャリアガス（希釈）供給手段２２ｂから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁２３ｂと、原料溶液２４ａが収容されるミスト発生源２４と、水２５ａが入れられる容器２５と、容器２５の底面に取り付けられた超音波振動子２６と、内径４０ｍｍの石英管からなる供給管２７と、供給管２７の周辺部に設置されたヒーター２８とを備えている。サセプタ２１は、石英からなり、基板２０を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室となる供給管２７とサセプタ２１をどちらも石英で作製することにより、基板２０上に形成される膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
【００２９】
２．原料溶液の作製
酢酸マグネシウム四水和物（マグネシウム濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ）と酢酸亜鉛二水和物（亜鉛濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ）を、超純水と酢酸の混合溶液（超純水８０％、酢酸２０％）にマグネシウムと亜鉛のモル濃度比が９：１となるように溶解させ、原料溶液を作製した。
【００３０】
３．製膜準備
上記２．で得られた原料溶液２４ａミスト発生源２４内に収容した。次に、基板２０として、ＭｇＯ（００１）基板をサセプタ２１上に設置し、ヒーター２８の温度を６００℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁２３ａ、２３ｂを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段２２ａ、２２ｂからキャリアガスを供給管２７内に供給し、供給管２７内の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を５．０Ｌ／分に、キャリアガス（希釈）の流量を０．５Ｌ／分にそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
【００３１】
４．膜形成
次に、超音波振動子を振動させ、その振動を、水２５を通じて原料溶液２４ａに伝播させることによって、原料溶液２４ａを霧化させてミストを生成させた。このミストが、キャリアガスによって、供給管２７に搬送され、大気圧下、６００℃にて、基板２０表面近傍でミストが熱反応して基板２０上にＭｇＺｎＯ膜が形成された。なお、製膜時間は３０分であった。
【００３２】
上記４．にて得られた膜について、発光強度を調べ、Ｘ線回析装置を用いて膜の同定をしたところ、得られた膜は、２５０ｎｍ以下に発光強度のピークを有するＭｇ０．７６Ｚｎ０．２３Ｏ膜であった。なお、ＸＲＤの結果を図２に示す。また、同様にして得られたＭｇ０．６４Ｚｎ０．３６膜についてＣＬ測定を行ったところ、２３４ｎｍにて発光することが確認できた。なお、ＣＬ測定結果を図３に示す。図３中、「ＮＢＥ」はバンド端近傍発光を示し、図３から、本発明の深紫外線発光素子における発光層が２５０ｎｍ以下に発光強度のピークを有することがわかる。
【００３３】
（実施例２）
酢酸マグネシウム四水和物のマグネシウム濃度を、０．０５ｍｏｌ／Ｌに代えて０．０３ｍｏｌ／Ｌとしたこと、酢酸亜鉛二水和物の亜鉛濃度を０．０５ｍｏｌ／Ｌに代えて０．０３ｍｏｌ／Ｌとしたこと、および成膜温度を６００℃に代えて７００℃としたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＺｎＯ膜を得た。得られた膜につき、実施例１と同様にして、発光強度を調べ、Ｘ線回析装置を用いて膜の同定をしたところ、得られた膜は、２５０ｎｍ以下に発光強度のピークを有するＭｇ０．７５Ｚｎ０．２５Ｏ膜であり、実施例１と同様、岩塩構造を有していた。また、得られたＭｇ０．７５Ｚｎ０．２５Ｏ膜の断面を、ＴＥＭを用いて観察した。ＴＥＭ像を図４に示す。図４からわかるように、得られたＭｇ０．７５Ｚｎ０．２５Ｏ膜は、転位密度が観察限界以下（１×１０７／ｃｍ２以下）の、結晶性の非常に高い膜であった。また、得られた膜の膜厚は３３０ｎｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の深紫外光発光素子は、照明、殺菌、医療、浄水、計測等の種々の分野に利用することができる。例えば、プールや温泉などの殺菌、３Ｄプリンター造形材料の硬化、難分解性物質の分解、オゾンセンシング、医療用殺菌、紫外線治療などに用いることができる。
【符号の説明】
【００３５】
１９    ミストＣＶＤ装置
２０    基板
２１    サセプタ
２２ａ  キャリアガス供給手段
２２ｂ  キャリアガス（希釈）供給手段
２３ａ  流量調節弁
２３ｂ  流量調節弁
２４    ミスト発生源
２４ａ  原料溶液
２５    容器
２５ａ  水
２６    超音波振動子
２７    供給管
２８    ヒーター
２９    排気口
【図１】
2017204642.tif 000003
【図２】
2017204642.tif 000004
【図３】
2017204642.tif 000005
【図４】
2017204642.tif 000006