(57)【要約】      （修正有）【課題】高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法の提供。【解決手段】高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子を含む、原料を提供することと、動的濾過デバイスを提供することであって、前記動的濾過デバイスは、第１の側及び第２の側を有する空洞を備える、ハウジングであって、前記空洞の前記第１の側への少なくとも１つの入口、前記空洞の前記第１の側からの少なくとも１つの生成物出口、及び前記空洞の前記第２の側からの少なくとも１つの透過物出口が存在する、ハウジングと、前記空洞内に配置される、多孔質要素と、前記空洞内に配置される、乱流誘発要素と、圧力源と、を備え、前記動的濾過デバイスにより、前記原料から高アスペクト比銀ナノワイヤを効率的に分離する方法。【選択図】図５
2017020103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法であって、
原料を提供することであって、
母液と、
銀固体と、を含み、
前記原料中の前記銀固体は、高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子を含む、原料を提供することと、
動的濾過デバイスを提供することであって、前記動的濾過デバイスは、
第１の側及び第２の側を有する空洞を備える、ハウジングであって、前記空洞の前記第１の側への少なくとも１つの入口、前記空洞の前記第１の側からの少なくとも１つの生成物出口、及び前記空洞の前記第２の側からの少なくとも１つの透過物出口が存在する、ハウジングと、
前記空洞内に配置される、多孔質要素と、
前記空洞内に配置される、乱流誘発要素と、
圧力源と、を備え、
前記多孔質要素は、前記空洞の前記第１の側と前記空洞の前記第２の側との間に介設され、前記多孔質要素は、前記空洞の前記第  １の側から前記空洞の前記第２の側へ横断する複数の通路を有し、前記複数の通路は、前記母液及び低アスペクト比銀粒子の移送を可能にするのに十分大きく、かつ前記高アスペクト比銀ナノワイヤの移送を阻止するのに十分小さく、
前記多孔質要素及び前記乱流誘発要素は、協働して濾過間隙（ＦＧ）を形成し、
前記多孔質要素及び前記乱流誘発要素のうちの少なくとも１つは、可動である、動的濾過デバイスを提供することと、
前記空洞の前記第１の側への前記少なくとも１つの入口を通じて前記動的濾過デバイスへ前記原料を移送することであって、前記濾過間隙（ＦＧ）は、前記母液により充填され、前記空洞内に配置される前記多孔質要素及び前記乱流誘発要素は両方とも、前記母液と接触している、前記原料を移送することと、
前記圧力源を用いて前記空洞の前記第１の側を加圧して、前記空洞の前記第１の側における第１の側の圧力（ＦＳＰ）をもたらすことであって、前記第１の側の圧力（ＦＳＰ）は、前記空洞の前記第２の側における第２の側の圧力（ＳＳＰ）より高く、それによって、前記空洞の前記第１の側から前記空洞の前記第２の側への前記多孔質要素を挟んだ圧力降下が生じ、前記圧力源は、前記空洞の前記第１の側から前記多孔質要素を通じて前記空洞の前記第２の側への流れを誘発して透過物を提供するための主要な原動力を提供する、前記空洞の前記第１の側を加圧することと、
前記多孔質要素及び前記乱流誘発要素のうちの少なくとも１つを移動させることであって、それによって、剪断応力が、前記濾過間隙（ＦＧ）において前記母液中に発生し、前記濾過間隙（ＦＧ）において前記母液中に発生した前記剪断応力は、前記多孔質要素の汚れを低減するように動作する、前記多孔質要素及び前記乱流誘発要素のうちの少なくとも１つを移動させることと、
前記空洞の前記第２の側からの前記少なくとも１つの透過物出口から、前記透過物を抜き出すことであって、前記透過物は、前記母液の第２の部分及び前記銀固体の第２の部分を含み、前記銀固体の前記第２の部分は、低アスペクト比銀粒子が豊富である、前記透過物を抜き出すことと、
前記空洞の前記第１の側からの前記少なくとも１つの生成物出口から、生成物を抜き出すことであって、前記生成物は、前記母液の第１の部分及び前記銀固体の第１の部分を含み、前記銀固体の前記第１の部分は、低アスペクト比銀粒子が枯渇している、生成物を抜き出すことと、を含み、
前記濾過間隙（ＦＧ）において前記母液中に発生する前記剪断応力と、前記空洞の前記第１の側から前記空洞の前記第２の側への前記多孔質要素を挟んだ前記圧力降下とは、分離している、前記方法。
【請求項２】
輸送流体を提供することと、
前記空洞の前記第１の側への前記少なくとも１つの入口を通じて前記動的濾過デバイスへある体積の輸送流体を移送することと、をさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項３】
前記多孔質要素に対して前記乱流誘発要素を連続的に移動させること、をさらに含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項４】
前記提供された乱流誘発要素は、羽根車を有する撹拌機であり、前記羽根車は、前記空洞の前記第１の側に配置される平面で連続的に回転する、請求項３に記載の前記方法。
【請求項５】
前記多孔質要素は、多孔質膜であり、前記多孔質膜は、平坦であり、かつ上面及び底面を有し、前記上面及び前記底面は、平行であり、前記多孔質膜は、前記上面に垂直な線（Ａ）に沿って前記上面から前記底面まで測定される厚さ（Ｔ）を有し、前記上面は、前記乱流誘発要素に近接する、請求項４に記載の前記方法。
【請求項６】
前記複数の通路における各通路は、前記上面に平行する断面積を有し、前記断面積は、前記多孔質膜の厚さ（Ｔ）にわたって均一である、請求項５に記載の前記方法。
【請求項７】
前記濾過間隙（ＦＧ）は、前記平面と、前記羽根車に近接する前記多孔質要素の前記上面とによって画定される、請求項６に記載の前記方法。
【請求項８】
前記濾過間隙（ＦＧ）は、１〜１００ｍｍである、請求項７に記載の前記方法。
【請求項９】
前記多孔質要素を通る透過物の体積流束は、２８０〜３６０Ｌ／ｍ２・時間である、請求項８に記載の前記方法。
【請求項１０】
前記多孔質要素を挟んだ前記圧力降下は、２０〜３５ｋＰａである、請求項９に記載の前記方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、銀ナノワイヤの製造の分野に関する。特に、本発明は、高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法を対象とし、提供された銀固体は、高アスペクト比銀ナノワイヤを含み、低アスペクト比銀粒子が枯渇している。
【０００２】
高透明度と共に高導電度を呈するフィルムは、例えば、タッチスクリーンディスプレイ及び太陽電池を含む、広範囲の電子用途における電極またはコーティングとしての使用に非常に価値が高い。これらの用途のための現在の技術は、物理蒸着法によって沈着されるスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）含有フィルムの使用を伴う。物理蒸着プロセスの資本コスト高は、代替の透明な導電性材料及びコーティング手段を見出したいという所望につながっている。浸透網として分散された銀ナノワイヤの使用は、ＩＴＯ含有フィルムの有望な代替物として浮上している。銀ナノワイヤの使用は、ロールツーロール技法を用いて加工可能であるという利点を提供する可能性がある。したがって、銀ナノワイヤは、従来のＩＴＯ含有フィルムよりも高い透明度及び導電度を提供する可能性を有する低コスト製造の利点を提供する。
【０００３】
透明な導電性材料において用いるための銀ナノワイヤの製造に種々の方法が提案されている。残念ながら、銀ナノワイヤを製造する従来の方法は、多分散銀固体を常に産出し、固体は、種々の形及びサイズを含む構造の混合物を含む。しかしながら、透明な導電性材料において用いる場合、高アスペクト比銀ナノワイヤの均一な懸濁を提供することが望ましい。低アスペクト比粒子は、透明な導電性材料の望ましい導電特性への僅かな寄与を提供するが、一方で、ヘイズ及び透過等の透明な導電性材料の光学的特性に著しい悪影響を有する。
【０００４】
望ましい高アスペクト比銀ナノワイヤから低アスペクト比粒子を分離する試みにおいて利用される従来の方法は、不十分であることが証明されている。
【０００５】
この問題への一代替手段は、Ｓｐａｉｄらによって米国特許出願公開第２００９／０３２１３６４号に開示されている。Ｓｐａｉｄらは、ナノワイヤを含有する溶液から汚染物質粒子を分離するための方法を開示し、ナノワイヤを含有する溶液を濾過するために、溶液の流れを発生させ、溶液の流れは、狭い幅を有する開口部を画定する通路を通じて方向付けられるか、または溶液を濾過するように構成される微細構造表面上に方向付けられる。
【０００６】
それにもかかわらず、高アスペクト比銀ナノワイヤの著しい損失または生成物において回収された銀ナノワイヤの平均長さの著しい低減なく、低アスペクト比銀粒子を高アスペクト比銀ナノワイヤから効率的に分離することが依然として必要とされている。
【０００７】
本発明は、高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法を提供し、本方法は、母液と、銀固体とを含む原料であって、原料中の銀固体が、高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子を含む、原料を提供することと、動的濾過デバイスを提供することであって、動的濾過デバイスは、第１の側及び第２の側を有する空洞を備える、ハウジングであって、空洞の第１の側への少なくとも１つの入口、空洞の第１の側からの少なくとも１つの生成物出口、及び空洞の第２の側からの少なくとも１つの透過物出口が存在する、ハウジングと、空洞内に配置される、多孔質要素と、空洞内に配置される、乱流誘発要素と、圧力源と、を備え、多孔質要素は、空洞の第１の側と空洞の第２の側との間に介設され、多孔質要素は、空洞の第１の側から空洞の第２の側へ横断する複数の通路を有し、複数の通路は、母液及び低アスペクト比銀粒子の移送を可能にするのに十分大きく、かつ高アスペクト比銀ナノワイヤの移送を阻止するのに十分小さく、多孔質要素及び乱流誘発要素は、協働して濾過間隙（ＦＧ）を形成し、多孔質要素及び乱流誘発要素のうちの少なくとも１つは、可動である、動的濾過デバイスを提供することと、空洞の第１の側への少なくとも１つの入口を通じて動的濾過デバイスへ原料を移送することであって、濾過間隙（ＦＧ）は、母液により充填され、空洞内に配置される多孔質要素及び乱流誘発要素は両方とも、母液と接触している、原料を移送することと、圧力源を用いて空洞の第１の側を加圧して、空洞の第１の側における第１の側の圧力（ＦＳＰ）をもたらすことであって、第１の側の圧力（ＦＳＰ）は、空洞の第２の側における第２の側の圧力（ＳＳＰ）より高く、それによって、空洞の第１の側から空洞の第２の側への多孔質要素を挟んだ圧力降下が生じ、圧力源は、空洞の第１の側から多孔質要素を通じて空洞の第２の側への流れを誘発して透過物を提供するための主要な原動力を提供する、空洞の第１の側を加圧することと、多孔質要素及び乱流誘発要素のうちの少なくとも１つを移動させることであって、それによって、剪断応力が、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生し、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生した剪断応力は、多孔質要素の汚れを低減するように動作する、多孔質要素及び乱流誘発要素のうちの少なくとも１つを移動させることと、空洞の第２の側からの少なくとも１つの透過物出口から、透過物を抜き出すことであって、透過物は、母液の第２の部分及び銀固体の第２の部分を含み、銀固体の第２の部分は、低アスペクト比銀粒子が豊富である、透過物を抜き出すことと、空洞の第１の側からの少なくとも１つの生成物出口から、生成物を抜き出すことであって、生成物は、母液の第１の部分及び銀固体の第１の部分を含み、銀固体の第１の部分は、低アスペクト比銀粒子が枯渇している、生成物を抜き出すことと、を含み、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生する剪断応力と、空洞の第１の側から空洞の第２の側への多孔質要素を挟んだ圧力降下とは、分離している。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の動的濾過デバイスの描写である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図の描写である。
【図３】本発明の動的濾過デバイス内に配置された多孔質要素の斜視図の描写である。
【図４】関連した透過物容器を有する本発明の動的濾過デバイスの描写である。
【図５】関連する透過物容器及び輸送流体コンポーネントを有する本発明の動的濾過デバイスの描写である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
望ましい高アスペクト比銀ナノワイヤの著しい損失または生成物において回収された銀ナノワイヤの平均長さの著しい低減なく、原料中に存在する銀固体からの低アスペクト比銀粒子の効果的な分離を意外にも提供する、高アスペクト比銀ナノワイヤを製造するための方法が見出された。
【００１０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「高アスペクト比銀ナノワイヤ」は、アスペクト比＞３を有する銀固体を指す。
【００１１】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「低アスペクト比銀粒子」は、≦３のアスペクト比を有する銀固体を指す。
【００１２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「原料重量分率」または「ＷＦ原料」は、原料中に含有される銀固体の総重量で割った、原料中の高アスペクト比銀ナノワイヤの重量を意味する。
【００１３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「透過物重量分率」または「ＷＦ透過物」は、透過物中に含有される銀固体の総重量で割った、透過物中の高アスペクト比銀ナノワイヤの重量を意味する。
【００１４】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「生成物重量分率」または「ＷＦ生成物」は、生成物中に含有される銀固体の総重量によって割られた、生成物中の高アスペクト比銀ナノワイヤの重量を意味する。
【００１５】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「第１の側の圧力」または「ＦＳＰ」は、ハウジング（２０）の外側の気圧に対して空洞（３０）の第１の側（３５）において測定された圧力を意味する。
【００１６】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「第２の側の圧力」または「ＳＳＰ」は、ハウジング（２０）の外側の気圧に対して空洞（３０）の第２の側（４５）において測定された圧力を意味する。
【００１７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「多孔質要素を挟んだ圧力降下」または「ＰＥΔ」は、第１の側の圧力（ＦＳＰ）と第２の側の圧力（ＳＳＰ）との間の差、すなわち、以下を意味する。
ＰＥΔ＝ＦＳＰ‐ＳＳＰ
【００１８】
多孔質要素（５０）を通じた通路（５５）の断面積（Ｘ面積）に関して本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「実質的に一定」は、多孔質要素（５０）の厚さ（Ｔ）を通じた透過物の流れに垂直の所与の通路によって呈される最大の断面積（ＬＸ面積）が、通路によって呈される最小のそのような断面積（ＳＸ面積）の２０％以内であることを意味する。
【００１９】
多孔質要素（５０）を通じた通路（５５）の対称軸（ａｘｉｓｓｙｍ）に関して本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、用語「実質的に垂直」は、対称軸（ａｘｉｓｓｙｍ）が、８５〜９５°の角度γで多孔質要素（５０）の上面（５２）と交差することを意味する。
【００２０】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、原料（５）を提供することであって、母液と、銀固体と、を含み、原料（５）中の銀固体は、高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子を含む（好ましくは、原料は、原料重量分率（ＷＦ原料）を有する）、原料を提供することと、動的濾過デバイス（１０）を提供することであって、動的濾過デバイス（１０）は、第１の側（３５）及び第２の側（４５）を有する空洞（３０）を備える、ハウジング（２０）であって、空洞（３０）の第１の側（３５）への少なくとも１つの入口（３２）、空洞（３０）の第１の側（３５）からの少なくとも１つの出口（３７）、及び空洞（３０）の第２の側（４５）からの少なくとも１つの出口（４７）が存在する、ハウジング（２０）と、空洞（３０）内に配置される、多孔質要素（５０）と、空洞（３０）内に配置される、乱流誘発要素（６０）と、圧力源（７０）と、を備え、多孔質要素（５０）は、空洞（３０）の第１の側（３５）と空洞（３０）の第２の側（４５）との間に介設され、多孔質要素（５０）は、空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）へ横断する複数の通路（５５）を有し、複数の通路（５５）は、母液及び低アスペクト比銀粒子の移送を可能にするのに十分大きく、かつ高アスペクト比銀ナノワイヤの移送を阻止するのに十分小さく、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）は、協働して濾過間隙（ＦＧ）を形成し、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）のうちの少なくとも１つは可動である、動的濾過デバイス（１０）を提供することと、空洞（３０）の第１の側（３５）への少なくとも１つの入口（３２）を通じて動的濾過デバイス（１０）へ原料（５）を移送することであって、濾過間隙（ＦＧ）は、母液により充填され、空洞（３０）内に配置される多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）は両方とも、母液と接触している、原料（５）を移送することと、圧力源（７０）を用いて空洞（３０）の第１の側（３５）を加圧して、空洞（３０）の第１の側（３５）における第１の側の圧力（ＦＳＰ）をもたらすことであって、第１の側の圧力（ＦＳＰ）は、空洞（３０）の第２の側（４５）における第２の側の圧力（ＳＳＰ）より高く、それによって、空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）への多孔質要素（５０）を挟んだ圧力降下（ＰＥΔ）が生じ、圧力源（７０）は、空洞（３０）の第１の側（３５）から多孔質要素（５０）を通じて空洞（３０）の第２の側（４５）への流れを誘発して透過物を提供するための主要な原動力を提供する、空洞（３０）の第１の側（３５）を加圧することと、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）のうちの少なくとも１つを移動させること（好ましくは、連続的に移動させること）であって、それによって、剪断応力が、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生し、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生した剪断応力は、多孔質要素（５０）の汚れを低減するように動作する、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）のうちの少なくとも１つを移動させることと、空洞（３０）の第２の側（４５）からの少なくとも１つの出口（４７）���ら、透過物を抜き出すことであって、透過物は、母液の第２の部分及び銀固体の第２の部分を含み、銀固体の第２の部分は、低アスペクト比銀粒子が豊富である（好ましくは、透過物は、透過物重量分率（ＷＦ透過物）を有する）、好ましくは、ＷＦ原料＞ＷＦ透過物であり、より好ましくは、ＷＦ原料＞ＷＦ透過物≦０．０５であり、さらにより好ましくは、ＷＦ原料＞ＷＦ透過物≦０．０１であり、最も好ましくは、ＷＦ原料＞ＷＦ透過物≦０．００１である）、透過物を抜き出すことと、空洞（３０）の第１の側（３５）からの少なくとも１つの出口（３７）から、生成物を引き出すことであって、生成物は、母液の第１の部分及び銀固体の第１の部分を含み、銀固体の第１の部分は、低アスペクト比銀粒子が枯渇している（好ましくは、生成物は、生成物重量分率（ＷＦ生成物）を有し、好ましくは、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物であり、より好ましくは、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．８であり、さらにより好ましくは、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．８５であり、最も好ましくは、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．９である）、生成物を引き出すことと、を含み、濾過間隙（ＦＧ）において母液中に発生する剪断応力と、空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）への多孔質要素（５０）を挟んだ圧力降下（ＰＥΔ）とは、分離している（すわなち、独立して制御可能である）。（図１参照）。
【００２１】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、提供された原料（５）は、母液及び銀固体を含み、銀固体は、母液中に懸濁される。好ましくは、原料は、≦２重量％銀固体を含有する。より好ましくは、原料は、０．０１〜１重量％（さらにより好ましくは、０．０５〜０．７５重量％、最も好ましくは、０．１〜０．５重量％）銀固体を含有する。
【００２２】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、原料中の母液は、液体である。より好ましくは、原料中の母液は、水及びポリオールからなる群から選択される液体である。さらに、より好ましくは、原料中の母液は、水、ジエチレングリコール、及びエチレングリコールからなる群から選択される液体である。最も好ましくは、原料中の母液は、水である。好ましくは、原料中の母液は、水であり、水は、脱イオン化及び蒸留のうちの少なくとも１つが行われ、偶発的不純物を制限する。より好ましくは、原料中の母液は、水であり、水は、脱イオン化及び蒸留される。最も好ましくは、原料中の母液は、水であり、水は、ＡＳＴＭ  Ｄ１１９３−９９ｅ１（試薬水標準規格）に従う第１種水要件を満たすか、またはそれを超える超純水である。
【００２３】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、原料中に含有された銀固体は、高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子を含む。好ましくは、原料は、高アスペクト比銀ナノワイヤから低アスペクト比銀粒子の原料重量分率（ＷＦ原料）を有する。好ましくは、原料重量分率（ＷＦ原料）は、高アスペクト比銀ナノワイヤを合成するために用いられるプロセスを通じて最大化される。それにもかかわらず、高アスペクト比銀ナノワイヤの合成は、生成物重量分率ＷＦ生成物＞ＷＦ原料となるように望ましくは除去される、ある量の望ましくない低アスペクト比銀粒子を常に産出する。
【００２４】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、提供された原料は、ポリビニルピロリドン、還元糖、還元剤、銅（ＩＩ）イオン源、及びハロゲン化物イオン源のうちの少なくとも１つをさらに含む。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法、提供された原料は、ポリビニルピロリドン及び還元糖をさらに含む。最も好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法、提供された原料は、ポリビニルピロリドン、還元糖、還元剤、銅（ＩＩ）イオン源、及びハロゲン化物イオン源をさらに含む。
【００２５】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において提供された原料に取り込まれる、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）は、２０，０００〜３００，０００ダルトンの重量平均分子量（ＭＷ）を有する。より好ましくは、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）は、３０，０００〜２００，０００ダルトンの重量平均分子量（ＭＷ）を有する。最も好ましくは、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）は、４０，０００〜６０，０００ダルトンの重量平均分子量（ＭＷ）を有する。
【００２６】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において提供された原料に取り込まれる、還元糖は、アルドース（例えば、グルコース、グリセルアルデヒド、ガラクトース、マンノース）、遊離ヘミアセタール単位を有する二糖類（例えば、ラクトース及びマルトース）、及びケトンを有する糖（例えば、フルクトース）のうちの少なくとも１つからなる群から選択される。より好ましくは、還元糖は、アルドース、ラクトース、マルトース、及びフルクトースのうちの少なくとも１つからなる群から選択される。さらにより好ましくは、還元糖は、グルコース、グリセルアルデヒド、ガラクトース、マンノース、ラクトース、フルクトース、及びマルトースのうちの少なくとも１つからなる群から選択される。最も好ましくは、還元糖は、Ｄ−グルコースである。
【００２７】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において提供された原料に取り込まれる、還元剤は、アスコルビン酸、水素化ホウ素塩（例えば、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、ＬｉＢＨ４、Ｃａ（ＢＨ４）２）、ヒドラジン、ヒドラジンの塩、ヒドロキノン、Ｃ１−５アルキルアルデヒド、及びベンズアルデヒドからなる群から選択される。より好ましくは、還元剤は、アスコルビン酸、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）、水素化ホウ素カリウム（ＫＢＨ４）、水素化ホウ素リチウム（ＬｉＢＨ４）、水素化ホウ素カルシウム（Ｃａ（ＢＨ４）２）、ヒドラジン、ヒドラジンの塩、ヒドロキノン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、及びベンズアルデヒドからなる群から選択される。最も好ましくは、還元剤は、アスコルビン酸及び水素化ホウ素ナトリウムのうちの少なくとも１つである。
【００２８】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において提供された原料に取り込まれる、銅（ＩＩ）イオン源は、ＣｕＣｌ２及びＣｕ（ＮＯ３）２のうちのいずれか１つからなる群から選択される。より好ましくは、銅（ＩＩ）イオン源は、ＣｕＣｌ２及びＣｕ（ＮＯ３）２からなる群から選択される。最も好ましくは、銅（ＩＩ）イオン源は、ＣｕＣｌ２であり、ＣｕＣｌ２は、塩化銅（ＩＩ）二水和物である。
【００２９】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において提供された原料に取り込まれる、ハロゲン化物イオン源は、塩化物イオン源、フッ化物イオン源、臭化物イオン源、及びヨウ化物イオン源のうちの少なくとも１つからなる群から選択される。より好ましくは、ハロゲン化物イオン源は、塩化物イオン源及びフッ化物イオン源のうちの少なくとも１つからなる群から選択される。さらにより好ましくは、ハロゲン化物イオン源は、塩化物イオン源である。最も好ましくは、ハロゲン化物イオン源は、塩化物イオン源であり、塩化物イオン源は、アルカリ金属塩化物である。好ましくは、アルカリ金属塩化物は、塩化ナトリウム、塩化カリウム、及び塩化リチウムのうちの少なくとも１つからなる群から選択される。より好ましくは、アルカリ金属塩化物は、塩化ナトリウム及び塩化カリウムのうちの少なくとも１つからなる群から選択される。最も好ましくは、アルカリ金属塩化物は、塩化ナトリウムである。
【００３０】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、輸送流体を提供することと、空洞の第１の側への少なくとも１つの入口を通じて動的濾過デバイスへある体積の輸送流体を移送することと、をさらに含む。好ましくは、ある体積の輸送流体は、単一のショット、複数のショット（ショットは、同一の量または様々な量の輸送流体を含有することができる）、及び連続的のうちの少なくとも１つから選択される方法で、動的濾過デバイスへ移送することができる。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、輸送流体を提供することと、空洞の第１の側への少なくとも１つの入口を通じて動的濾過デバイスへある体積の輸送流体を移送することと、をさらに含み、空洞の第１の側における銀固体の濃度は、空洞の第１の側へ移送されたある体積の輸送流体を調整することによって制御される。最も好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、輸送流体を提供することと、空洞の第１の側への少なくとも１つの入口を通じて動的濾過デバイスへある体積の輸送流体を移送することと、をさらに含み、空洞の第１の側における銀固体の濃度は、≦２重量％で維持される。より好ましくは、動的濾過デバイスへ移送されたある体積の輸送流体は、空洞の第１の側における銀固体の濃度が、０．０１〜１重量％（さらにより好ましくは、０．０５〜０．７５重量％、最も好ましくは、０．１〜０．５重量％）で維持されるように制御される。
【００３１】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、輸送流体は、液体を含む。より好ましくは、輸送流体は、水及びポリオールからなる群から選択される液体を含む。さらに、より好ましくは、輸送流体は、水、ジエチレングリコール、及びエチレングリコールからなる群から選択される液体を含む。最も好ましくは、輸送流体は、水を含む。
【００３２】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、提供された輸送流体は、ポリビニルピロリドン、還元糖、還元剤、銅（ＩＩ）イオン源、及びハロゲン化物イオン源のうちの少なくとも１つをさらに含む。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法、提供された輸送流体は、ポリビニルピロリドンをさらに含む。さらにより好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法、提供された輸送流体は、ポリビニルピロリドン及び還元糖をさらに含む。最も好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法、提供された輸送流体は、ポリビニルピロリドン、還元糖、還元剤、銅（ＩＩ）イオン源、及びハロゲン化物イオン源をさらに含む。
【００３３】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、原料（５）は、流体移動装置（８０）を用いて動的濾過デバイスに移送される。当業者であれば、原料と共に用いるのに適した流体移動装置（８０）を選択することができるであろう。好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、動的濾過デバイス（１０）へ原料（５）を移送するために用いられる流体移動装置（８０）は、動的濾過デバイス（１０）における空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）への多孔質要素（５０）を挟んだ圧力降下（ＰＥΔ）を誘発させるために用いられる駆動力から分離される。より好ましくは、原料は、蠕動ポンプまたはシステムヘッド圧力（例えば、重力または不活性ガス圧力）等の低剪断流体移動装置（８０）を用いて動的濾過デバイス（１０）へ移送される。好ましくは、システムヘッド圧力が流体移動装置（８０）として用いられて、動的濾過デバイス（４０）への原料（５）の移送を促進するとき、流体移動装置（８０）は、原料（５）が動的濾過デバイス（１０）へ移送される速度を調節するように、流体弁（８５）（好ましくは、流体制御弁）をさらに含む。（図１参照）。
【００３４】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、液体レベルセンサー（９０）及び制御回路（９５）を提供することをさらに含み、液体レベルセンサー（９０）及び制御回路（９５）は、動的濾過デバイス（１０）及び流体移動装置（８０）（好ましくは、制御弁（８５）と結合される蠕動ポンプまたはシステムヘッド圧力）と統合されて、濾過間隙（ＦＧ）が母液により充填されたままであるように、ハウジング（２０）において安定した液体レベル（１００）を維持する。（図１参照）。
【００３５】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、ある体積（１５０）の輸送流体は、液体移動装置（１４０）を用いて動的濾過デバイス（１０）へ移送される。当業者であれば、輸送流体と共に用いるのに適した液体移動装置（１４０）を選択することができるであろう。好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、動的濾過デバイス（１０）へある体積（１５０）の輸送流体を移送するために用いられる液体移動装置（１４０）は、動的濾過デバイス（１０）における空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）への多孔質要素（５０）を挟んだ圧力降下（ＰＥΔ）を誘発するために用いられる駆動力から分離される。より好ましくは、ある体積の輸送流体は、ポンプまたはシステムヘッド圧力（例えば、重力または不活性ガス圧力）を用いて動的濾過デバイス（１０）へ移送される。好ましくは、動的濾過デバイス（１０）は、動的濾過デバイス（１０）への輸送流体の移送を調節するように、液体弁（１４５）（好ましくは液体制御弁（１４５））をさらに備える。（図５参照）。
【００３６】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、液体レベルセンサー（９０）及び制御回路（９５）を提供することをさらに含み、液体レベルセンサー（９０）及び制御回路（９５）（好ましくは、制御回路は、プログラマブル論理制御装置を含む）は、動的濾過デバイス（１０）、流体移動装置（８０）（好ましくは、流体制御弁（８５）と結合される蠕動ポンプまたはシステムヘッド圧力）、及び液体制御弁（１４５）と統合されて、濾過間隙（ＦＧ）が母液により充填されたままであるように、ハウジング（２０）において安定した液体レベル（１００）を維持する。（図５参照）。
【００３７】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、動的濾過デバイス（１０）で用いられる多孔質要素（５０）は、空洞（３０）の第１の側（３５）から空洞（３０）の第２の側（４５）へ横断する複数の通路（５５）を有し、複数の通路（５５）は、母液及び低アスペクト比銀粒子の移送を可能にするのに十分大きく、高アスペクト比銀ナノワイヤの移送を阻止するのに十分小さい。より好ましくは、複数の通路（５５）における各通路（５５）は、多孔質要素（５０）の厚さ（Ｔ）を通じた透過物の流れに垂直な断面積（Ｘ面積）を有し、断面積（Ｘ面積）は、多孔質要素（５０）の厚さ（Ｔ）にわたって実質的に一定である。好ましくは、多孔質要素（５０）は、定格が１〜１０μｍ（より好ましくは、２〜８μｍ、さらにより好ましくは、２〜５μｍ、最も好ましくは、２．５〜３．５μｍ）の細孔径を有する。好ましくは、多孔質要素は、湾曲した多孔質要素及び平坦な多孔質要素から選択される。より好ましくは、多孔質要素は、平坦な多孔質要素である。好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、動的濾過デバイス（１０）で用いられる多孔質要素（５０）は、多孔質膜である。より好ましくは、多孔質要素（５０）は、トラックエッチングポリカーボネート（ＰＣＴＥ）膜である。（図１〜３参照）。
【００３８】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、剪断応力が濾過間隙（ＦＧ）に存在する母液中に発生し、剪断応力は、多孔質要素（５０）の上面（５２）に接線方向の母液中の十分な動きを誘発して、多孔質要素の目詰まりまたは汚れを低減または防止する。剪断応力は、濾過間隙（ＦＧ）に隣接する、多孔質要素（５０）と乱流誘発要素（６０）との間の相対運動によって発生する。
【００３９】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、多孔質要素（５０）は、空洞（３０）に対して定常であり、乱流誘発要素（６０）は、多孔質要素（５０）に対して移動する。好ましくは、多孔質要素（５０）が、定常かつ平坦な多孔質要素のとき、乱流誘発要素（６０）は、多孔質要素（５０）の上面（５２）に近接する平面で回転する。より好ましくは、多孔質要素（５０）が、平坦な多孔質膜のとき、乱流誘発要素（６０）は、撹拌機である。好ましくは、撹拌機は、撹拌棒、軸に依存し、固定される（または軸と統合される）撹拌棒、及び軸に搭載される羽根車からなる群から選択される。好ましくは、多孔質膜は、平坦であり、かつ上面（５２）及び底面（５４）を有し、上面（５２）及び底面（５４）は、平行であり、多孔質膜は、上面に垂直な線（Ａ）に沿って上面から底面まで測定される厚さ（Ｔ）を有し、上面（５２）は、乱流誘発要素（６０）に面する。好ましくは、平坦な多孔質膜と共に提供された乱流誘発要素（６０）は、羽根車を有する撹拌機であり、羽根車は、空洞（３０）の第１の側（３５）に配置される平面で連続的に回転する。好ましくは、濾過間隙は、羽根車が連続的に回転する上面と、羽根車に近接する多孔質要素（５０）の上面（５２）とによって画定される（より好ましくは、平面は、多孔質要素の上面と並行である）。（図１〜３参照）。
【００４０】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、乱流誘発要素は、透過性表面を有する。より好ましくは、乱流誘発要素が、透過性表面を有するとき、透過性表面は、空洞の第１の側と空洞の第２の側との間に介設され、動的濾過デバイスから抜き出された透過物のうちの少なくとも一部は、空洞の第１の側からと空洞の第２の側へ乱流誘発要素の透過性表面を通過する。好ましくは、乱流誘発要素が、透過性表面を有するとき、乱流誘発要素の透過性表面は、多孔質要素の複数の通路に面する。好ましくは、乱流誘発要素が、透過性表面を有するとき、透過性表面は、湾曲し、回転中心軸の周りに配置され、乱流誘発要素は、中心軸の周りを回転する。より好ましくは、乱流誘発要素が、湾曲透過性表面を有するとき、回転中心軸の周りに配置され、乱流誘発要素は、中心軸の周りを回転し、多孔質要素はまた、回転中心軸の周りに配置された湾曲表面を有し、多孔質要素湾曲表面は、空洞の第１の側から空洞の第２の側へ横断する複数の通路を有し、多孔質要素は、その中心軸の周りを回転し、乱流誘発要素湾曲透過性表面は、多孔質要素湾曲表面に面し、乱流誘発要素湾曲透過性表面と多孔質要素湾曲表面との間に介設される空間は、濾過間隙（ＦＧ）を画定する。好ましくは、乱流誘発要素の回転中心軸と多孔質要素の回転中心軸は、平行である。好ましくは、乱流誘発要素及び多孔質要素は、同一の方向に回転する。好ましくは、乱流誘発要素及び多孔質要素カウンタは、回転する。
【００４１】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、濾過間隙（ＦＧ）は、フィルタハウジング内に配置され、空洞（３０）の第１の側（３５）と空洞（３０）の第２の側（４５）との間に介設され、濾過間隙（ＦＧ）は、２つの対向表面によって画定され、対向表面のうちの少なくとも１つは、可動であり、多孔質要素（５０）は、対向表面のうちの少なくとも１つを提供する。濾過間隙（ＦＧ）は、１〜２５ｍｍ（好ましくは、１〜２０ｍｍ、より好ましくは、１〜１５ｍｍ、最も好ましくは、１〜１０ｍｍ）の距離で離間する、対向して配置される向き合う面の間に典型的には形成される。好ましくは、濾過間隙（ＦＧ）のサイズは、多孔質要素（５０）によって提供される対向表面にわたって実質的に一定である（すなわち、対向表面間の最大濾過間隙サイズ（ＦＧＳＬ）及び最小濾過間隙サイズ（ＦＧＳＳ）は、以下の通りに関連している：０．９  ＦＧＳＬ≦ＦＧＳＳ≦ＦＧＳＬ）。（図１、４、及び５参照）。
【００４２】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）のうちの少なくとも１つは、互いに対して移動して、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）の対向表面の間の濾過間隙（ＦＧ）において母液中に剪断応力を発生させる。より好ましくは、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）のうちの少なくとも一方は、他方に対して連続的に移動して、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）の対向表面の間の濾過間隙（ＦＧ）において母液中に剪断応力を発生させる。好ましくは、濾過間隙（ＦＧ）において発生する剪断応力は、空洞（３０）の第１の側（３５）に面する多孔質要素の表面に接線方向の母液中の十分な動きを誘発して、多孔質要素の目詰まりまたは汚れを低減または防止する。好ましくは、多孔質要素（５０）及び乱流誘発要素（６０）は、０．４〜１．５ｍ／ｓ（より好ましくは、０．６〜１．３ｍ／ｓ、最も好ましくは、０．９〜１．１ｍ／ｓ）の相対速度で互いに対して移動する。
【００４３】
好ましくは、濾過間隙（ＦＧ）内に配置される母液中に発生する剪断応力と、空洞の第１の側から空洞の第２の側への多孔質要素を挟んだ圧力降下とは、分離している。最も好ましくは、濾過間隙（ＦＧ）内に配置される母液中に発生する剪断応力と、空洞の第１の側から空洞の第２の側への多孔質要素を挟んだ圧力降下は、独立して制御可能である。
【００４４】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法において、圧力源は、多孔質要素を通じて空洞の第２の側への透過物の通過のための主要な原動力を提供する。好ましくは、圧力源は、空洞の第１の側にかかるガス圧力である。より好ましくは、空洞の第１の側にかかるガス圧力は、不活性ガスである。最も好ましくは、空洞の第１の側にかかるガス圧力は、窒素である。ガス圧力は、空洞内の液体レベルより上のガスヘッドスペースの形で、空洞の第１の側に印加することができる。代替的に、提供された空洞の第１の側は、ブラダーをさらに備え得、ブラダーは、ガスで加圧される。好ましくは、圧力源は、５〜７０ｋＰＡ（好ましくは、１０〜５５ｋＰａ、より好ましくは、１５〜４０ｋＰａ、最も好ましくは、２０〜３５ｋＰａ）の多孔質要素を挟んだ圧力降下を誘発する。
【００４５】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、多孔質要素（５０）を通じて空洞（３０）の第２の側（４５）から空洞（３０）の第１の側（３５）への逆流を周期的に提供することをさらに含む。当業者であれば、逆流を提供するための適切な手段を選択することが分かっているであろう。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、多孔質要素（５０）を通じて空洞（３０）の第２の側（４５）から空洞（３０）の第１の側（３５）への逆流を周期的に提供することをさらに含み、逆流は、１０〜６０秒（より好ましくは、１５〜４０秒、最も好ましくは、２０〜３０秒）ごとに、１〜１０秒（より好ましくは、２．５〜７．５秒、最も好ましくは、３〜５秒）の期間の間提供される。
【００４６】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、空洞（３０）の第２の側（４５）からの少なくとも１つの出口（４７）から容器（１２５）へ透過物を移送するための導管（１２０）を提供することをさらに含む（好ましくは、導管（１２０）と容器（１２５）との間に空隙（１３０）が存在する）。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、空洞（３０）の第２の側（４５）からの少なくとも１つの出口（４７）から容器（１２５）へ透過物を移送するための導管（１２０）を提供することと（好ましくは、導管（１２０）と容器（１２５）との間に空隙（１３０）が存在する）、圧力源（７０）を解放することによって（例えば、空洞の第１の側を大気に放出することによって）、空洞（３０）の第１の側（３５）を周期的かつ瞬間的に減圧することと、を含み、導管（１２０）は、動的濾過デバイス（１０）において液体レベル（１００）より高い高さにある、ある体積の透過物を保持し、（好ましくは、液体レベル（１００）より高い高さにある、ある体積の透過物は、空洞（３０）の第１の側（３５）を周期的に瞬間的に減圧するときに、多孔質要素（５０）を通じて空洞（３０）の第２の側（４５）から空洞（３０）の第１の側（３５）への流れの逆流が存在するように、２０〜５００ｍｍ（より好ましくは、１００〜３７５ｍｍ、最も好ましくは、１５０〜３００ｍｍ）のヘッドを有する。好ましくは、周期的かつ瞬間的な減圧は、１０〜６０秒（より好ましくは、１５〜４０秒、最も好ましくは、２０〜３０秒）の加圧毎に、１〜１０秒（より好ましくは、２．５〜７．５秒、最も好ましくは、３〜５秒）の期間の間提供される。（図４〜５参照）。
【００４７】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、振動エネルギー源を提供することと、振動エネルギー源から多孔質要素へ振動エネルギーを周期的に印加することと、をさらに含む。
【００４８】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、超音波エネルギー源を提供することと、超音波エネルギー源から多孔質要素へ超音波エネルギーを周期的に印加することと、をさらに含む。
【００４９】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、２０〜１，０００Ｌ／ｍ２・時間（より好ましくは、１４０〜５４０Ｌ／ｍ２・時間、最も好ましくは、２８０〜３６０Ｌ／ｍ２・時間）の多孔質要素を通る透過物の体積流束を提供する。
【００５０】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、生成物中の銀固体は、≦４０ｎｍ（好ましくは、２０〜４０ｎｍ、より好ましくは、２０〜３５、最も好ましくは、２０〜３０ｎｍ）の平均直径を有する。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、生成物中の銀固体は、≦４０ｎｍ（好ましくは、２０〜４０ｎｍ、より好ましくは、２０〜３５、最も好ましくは、２０〜３０ｎｍ）の平均直径及び１０〜１００μｍの平均長さを有する。好ましくは、生成物中の銀固体は、＞５００の平均アスペクト比を有する。
【００５１】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、生成物中の銀固体は、≦２６ｎｍ（好ましくは、１〜２６ｎｍ、より好ましくは、５〜２０ｎｍ、最も好ましくは、１０〜１５ｎｍ）の直径標準偏差を有する。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、生成物中の銀固体は、≦４０ｎｍ（好ましくは、２０〜４０ｎｍ、より好ましくは、２０〜３５、最も好ましくは、２０〜３０ｎｍ）の平均直径を有し、直径標準偏差は、≦２６ｎｍ（好ましくは、１〜２６ｎｍ、より好ましくは、５〜２０ｎｍ、最も好ましくは、１０〜１５ｎｍ）である。最も好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、生成物中の銀固体は、≦４０ｎｍ（好ましくは、２０〜４０ｎｍ、より好ましくは、２０〜３５、最も好ましくは、２０〜３０ｎｍ）の平均直径を有し、直径標準偏差は、≦２６ｎｍ（好ましくは、１〜２６ｎｍ、より好ましくは、５〜２０ｎｍ、最も好ましくは、１０〜１５ｎｍ）であり、平均長さは、１０〜１００μｍである。
【００５２】
好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物である。より好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．８である。さらにより好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．８５である。最も好ましくは、本発明の高アスペクト比銀ナノワイヤを製造する方法は、生成物を提供し、ＷＦ原料＜ＷＦ生成物≧０．９である。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態は、これから以下の実施例において詳細に説明される。
【００５４】
以下の実施例で使用される水を、水精製装置の下流に位置付けられた細孔径０．２μｍの中空繊維フィルタを有するＴｈｅｒｍｏＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｂａｒｎｓｔｅａｄ  ＮＡＮＯＰｕｒｅ精製システムを用いて得た。
【００５５】
比較実施例Ａ
３μｍのトラックエッチング膜を有するＳｔｅｒｌｉｔｅｃｈ濾過セルを用いて、２５０ｍＬの原料溶液を濾過し、原料溶液は、０．２重量％の銀を含有するポリオール溶液であった。原料溶液は、４００ｍＬ／分の体積流量でＭａｓｔｅｒｆｌｅｘ（登録商標）蠕動ポンプを用いて濾過セルを通過させた。５分毎に、水を、濾過セルを通してバックフラッシュした。収集した残余分をあと５回濾過セルに通して、生成物溶液を得た。ＩｍａｇｅＪ分析を用いて、表１に提供した粒子対ワイヤの面積を判定し、低アスペクト比粒子は、３未満のアスペクト比を有すると分類されたものであった。表１に提供した直径データは、ＦＥＩの自動画像取得（ＡＩＡ）プログラムを用いたＦＥＩ  Ｎｏｖａ  ＮａｎｏＳＥＭ電界放出銃走査電子顕微鏡を用いて、シリコンウエハ上で一滴の溶液を真空乾燥することによって調製された試料から得た走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像から判定した。少なくとも１００個の別々のワイヤのそれぞれの直径が、ＩｍａｇｅＪにおいて測定された。生成物溶液中の銀ナノワイヤの長さは、原料溶液中の銀ナノワイヤの長さより短く見えたことが認められ、これは、原料溶液中の銀ナノワイヤが、濾過プロセス中に損傷したことを示唆する。
【００５６】
【表１】
2017020103.tif 000003
【００５７】
実施例１
高アスペクト比銀ナノワイヤ及び低アスペクト比銀粒子の両方を含む銀固体を含有する供給水溶液を、１６２ｃｍ２の濾過面を有し、磁気円柱ロッド羽根車を装備したＡｄｖａｎｔｅｃ／ＭＦＳモデルＵＨＰ  １５０撹拌セルフィルタハウジングを用いて濾過した。フィルタハウジングを、ＭｅｔｔｌｅｒモデルＳＢ３２００１ＤＲ平衡／磁気撹拌装置に置いた。用いた多孔質媒体は、フィルタハウジングの下部に支持される５μｍ親水性ポリカーボネートトラックエッチング（ＰＣＴＥ）フィルタ膜であった。窒素圧を用いて多孔質媒体を挟んだ圧力降下を生成するための原動力を提供した。窒素を、フィルタハウジング内のヘッドスペースに提供した。ヘッドスペースにおける圧力を、Ｃｏｌｅ−Ｐａｒｍｅｒモデル６８０７５−１６圧力トランスデューサーを用いて測定した。フィルタハウジングに供給された窒素を、フィルタハウジングの上部に搭載された三方ボール弁に通した。三方弁は、窒素の流れの周期的な中断及びフィルタハウジングのヘッドスペースにおける圧力の大気への周期的な解放を可能にした。これは、フィルタ膜を通じて放出ラインからフィルタハウジングへ戻る濾液材料の重力誘発逆流を可能にした。２５秒毎に、フィルタハウジングへの窒素供給が中断し、フィルタハウジングが窒素供給を再開する前に５秒間大気に通気されるように、Ｃａｍｉｌｌｅプロセス制御コンピュータを用いて三方弁を制御した。秤量した量の原料をフィルタハウジングへ注いだ。デジタルドライブ及びサイズ１６  Ｃ−Ｆｌｅｘホースを有するＭａｓｔｅｒｆｌｅｘモデル７７８００−１６Ｅａｓｙ‐Ｌｏａｄ３蠕動ポンプを用いて、輸送流体をフィルタハウジングへ供給した。フィルタハウジングへ移送されたある体積の輸送流体を、手動で制御して、濾過プロセス全体を通してフィルタハウジングにおいて一定のレベルを維持した。フィルタハウジングの下部を出る濾液は、上方を、４．１ｍｍのＩＤ可撓性プラスチック管を通って上部開口型容器内へ入った。濾液管における流体ヘッドは、ヘッドスペースが、三方弁を用いて大気へ周期的に開放されるとき、フィルタハウジング内への逆流に対する駆動力を提供した。原料中及び生成物濾液中の銀固体を、比較実施例Ａと同一の方法で分析した。結果を表２に提供する。生成物溶液中の銀ナノワイヤの長さは、比較実施例Ａの場合のように濾過プロセス時に損なわれたように見えなかったことが認められた。
【００５８】
【表２】
2017020103.tif 000004
【図１】
2017020103.tif 000005
【図２】
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【図４】
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【図５】
2017020103.tif 000008
【図３】
2017020103.tif 000009
【外国語明細書】
2017020103000001.pdf