(57)【要約】      （修正有）【課題】検査のスループットを向上させることが可能な検査装置を提供する。【解決手段】ウエハ１５を保持するステージ１２と、ウエハ１５上に形成された複数のチップのレイアウト情報４５を記憶する記憶部４２と、ウエハ１５上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、レイアウト情報４５に基づいてステージ１２を移動させて、ステージ１２上に保持されたウエハ１５の欠陥を検査する検査部４４と、を備える。【選択図】図１
2017044671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを保持するステージと、
前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報を記憶する記憶部と、
前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査する検査部と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記記憶部は、前記複数のチップのうちの前記ウエハの端側に位置する基点チップの位置情報を記憶し、
前記検査部は、前記基点チップの位置情報に基づいて前記ステージを移動させた後、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記検査部は、前記複数のチップに形成されたパターンの欠陥は検出されなく、前記ウエハ上に付着した前記パターンよりも大きな異物及び前記ウエハ上の色むらの少なくとも一方は検出される検査条件で、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする請求項１または２記載の検査装置。
【請求項４】
前記検査部は、前記ウエハ内の第１領域を撮像した第１画像と第２領域を撮像した第２画像とを比較することで、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の検査装置。
【請求項５】
前記ステージ上に前記ウエハが載置された後、前記ウエハと前記ステージとの位置ずれが補正されるように、前記ステージの座標を補正座標に変換する補正部を備え、
前記検査部は、前記レイアウト情報と前記補正座標とに基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の検査装置。
【請求項６】
ステージ上にウエハを載せるステップと、
前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査するステップと、を備えることを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などの半導体デバイスでは、製造工程においてウエハの欠陥検査が行われる。半導体デバイスは、高集積化が進んでいることから、１００ｎｍ以下の線幅の配線を有するウエハの欠陥を検査する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、フォトリソグラフィ工程において、ウエハのパターンとレチクルのパターンとを位置合わせすることが行われる。このため、高精度の位置合わせを実現するアライメント方法や、位置合わせ精度を低下させることなく、スループットを向上させるアライメント方法が提案されている（例えば、特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１１９６９４号公報
【特許文献２】特開平８−３３０３９４号公報
【特許文献３】特開２０００−１５６３３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエハの欠陥検査を行うに当たり、ウエハの位置合わせを行うことがなされる。しかしながら、ウエハを高精度に位置合わせしようとすると、検査のスループットの低下が生じてしまう。
【０００６】
本検査装置及び検査方法は、検査のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書に記載の検査装置は、ウエハを保持するステージと、前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報を記憶する記憶部と、前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査する検査部と、を備えることを特徴とする検査装置である。
【０００８】
本明細書に記載の検査方法は、ステージ上にウエハを載せるステップと、前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査するステップと、を備えることを特徴とする検査方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書に記載の検査装置及び検査方法によれば、検査のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施例１に係る検査装置を示す図である。
【図２】図２は、実施例１に係る検査装置の制御部による制御を示すフローチャートである。
【図３】図３（ａ）は、図２のステップＳ１２を説明する図、図３（ｂ）は、図２のステップＳ１６を説明する図、図３（ｃ）は、図２のステップＳ１８を説明する図である。
【図４】図４は、比較例１に係る検査装置を示す図である。
【図５】図５は、比較例１に係る検査装置の制御部による制御を示すフローチャートである。
【図６】図６（ａ）は、図５のステップＳ５６、Ｓ５８を説明する図、図６（ｂ）は、図５のステップＳ６０を説明する図である。
【図７】図７は、比較例１の変形例１に係る検査装置を示す図である。
【図８】図８は、比較例２に係る検査装置を示す図である。
【図９】図９（ａ）は、図５のステップＳ５６を説明する図、図９（ｂ）は、図５のステップＳ５８を説明する図、図９（ｃ）は、図５のステップＳ６０を説明する図である。
【図１０】図１０は、実施例１に係る検査装置の効果を説明するための図である。
【図１１】図１１は、実施例２に係る検査装置を示す図である。
【図１２】図１２は、実施例２に係る検査装置の制御部による制御を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、図１２のステップＳ３６を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、実施例１に係る検査装置１００を示す図である。図１のように、実施例１の検査装置１００は、検査室１０と、格納室３０と、処理部４０と、を備える。検査室１０内には、サブステージ１１、ステージ１２、光源１３、及び撮像部１４が設けられている。サブステージ１１は、ウエハ１５をステージ１２に載せる前のプリアライメントを行うために、ウエハ１５を保持する。ステージ１２は、ウエハ１５表面の欠陥を検査するために、ウエハ１５を保持する。ステージ１２は、駆動部１６により回転可能で且つウエハ１５の表面の面方向に移動可能となっている。
【００１３】
光源１３は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。光源１３は、例えば可視光又は紫外線などの照明光をウエハ１５の表面に照射する。光源１３からは、複数の波長の光がウエハ１５に照射できるようになっている。撮像部１４は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラであり、ウエハ１５の表面の画像を撮像する。撮像部１４は、例えばウエハ１５の全景を撮像できる距離に設置され、ウエハ１５の一部をズームアップして撮像できるようになっている。
【００１４】
格納室３０には、複数枚のウエハ１５を保持するＦＯＵＰ（Front Open Unified Pod）３１がセットされる。ＦＯＵＰ３１には、例えば２５枚のウエハ１５が格納できる。ＦＯＵＰ３１に保持されたウエハ１５は、不図示のハンドラーによって、検査室１０内のサブステージ１１上に搬送される。
【００１５】
処理部４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）を含んで構成される制御部４１を備える。さらに、処理部４０は、データを記憶する記憶部４２と、データを表示する表示部４３と、を備える。制御部４１は、記憶部４２に記憶されている欠陥検査用のプログラムを実行することで各種の機能を実現する。詳しくは後述するが、制御部４１は、例えば検査部４４としての機能を有する。
【００１６】
記憶部４２には、ウエハ１５上に形成される複数のチップのレイアウト情報４５と、複数のチップのうちの基点チップの位置情報４６と、が記憶されている。レイアウト情報４５と基点チップの位置情報４６とは、半導体デバイスの品種毎に記憶されている。レイアウト情報４５と基点チップの位置情報４６とは、半導体デバイスの製造に用いるマスクの設計情報などを利用して記憶部４２に記憶されるようにすればよい。レイアウト情報４５は、ウエハ１５上に形成される複数のチップの配置情報のことであり、例えばウエハ１５の中心を原点とした各チップの位置座標及び各チップの大きさなどを含むものである。基点チップの位置情報４６は、ウエハ１５上に形成される複数のチップの中から選択された１つのチップの位置情報のことであり、例えばウエハ１５の中心を原点とした当該チップの位置座標を含むものである。
【００１７】
また、記憶部４２には、欠陥検査の検査条件（例えば光源１３から出射される光の波長、出力、及びフォーカス位置や、撮像部１４の感度（例えばＣＣＤ感度）、検査枚数など）が記憶されている。例えば、記憶部４２には、ウエハ１５上の複数のチップに形成されるパターンの欠陥は検出されなく、チップのパターンよりも大きな異物やウエハ１５の色むらは検出される検査条件が記憶されている。例えば、記憶部４２には、１００μｍよりも小さい異物などは検出され難くて、１００μｍ以上の大きさの異物や色むらなどは検出され易い検査条件が記憶されている。なお、記憶部４２に記憶された検査条件は、検査対象の膜（例えば銅、アルミニウム、又はレジストなど）に応じて変えてあってもよい。
【００１８】
なお、記憶部４２には、後述する比較例１及び比較例２のような、ウエハ１５上に形成されたアライメントパターンと比較することでアライメントを行う基準アライメントパターンの画像情報及び位置情報は記憶されていない。
【００１９】
制御部４１は、駆動部１６を用い、記憶部４２に記憶されたレイアウト情報４５及び基点チップの位置情報４６に基づいてステージ１２を移動させ、光源１３及び撮像部１４を用い、ウエハ１５の欠陥を検査する検査部４４として機能する。
【００２０】
表示部４３は、例えば液晶ディスプレイであり、制御部４１の指示の下、ウエハ１５に対して行った欠陥検査の結果などを表示する。
【００２１】
図２は、実施例１に係る検査装置１００の制御部４１による制御を示すフローチャートである。図３（ａ）は、図２のステップＳ１２を説明する図、図３（ｂ）は、図２のステップＳ１６を説明する図、図３（ｃ）は、図２のステップＳ１８を説明する図である。図２のように、制御部４１は、不図示のハンドラーを用い、格納室３０内のＦＯＵＰ３１からサブステージ１１にウエハ１５を搬送して、サブステージ１１上にウエハ１５を載せ置く（ステップＳ１０）。その後、制御部４１は、図３（ａ）のように、サブステージ１１上に載置されたウエハ１５に光を照射してノッチ１９を検出することで、ウエハ１５のプリアライメントを行う（ステップＳ１２）。プリアライメントが終了した後、制御部４１は、不図示のハンドラーを用い、サブステージ１１上のウエハ１５をステージ１２に搬送して、ステージ１２上にウエハ１５を載せ置く（ステップＳ１４）。
【００２２】
次に、制御部４１（検査部４４）は、駆動部１６を用い、記憶部４２に記憶され、作業者が特定した品種の基点チップの位置情報４６に基づいてステージ１２を移動させる（ステップＳ１６）。すなわち、制御部４１（検査部４４）は、図３（ｂ）のように、ウエハ１５上に形成された複数のチップ１７のうちの基点チップ１７ａの位置情報４６に基づいて、ステージ１２を移動させる。これにより、基点チップ１７ａが光源１３に照らされ且つ撮像部１４で撮像される範囲に入るようになる。ここでは、基点チップ１７ａと第１方向に並んで形成された全てのチップを含む領域１８ａが、光源１３に照らされ且つ撮像部１４で撮像される範囲に入るものとして説明する。なお、第１方向は、ノッチ１９に対して横方向であり、第２方向は、第１方向に交差し、ノッチ１９からノッチ１９とは反対側のウエハ１５の端に向かう方向であるとする。
【００２３】
次に、制御部４１（検査部４４）は、駆動部１６を用い、記憶部４２に記憶され、作業者が特定した品種のレイアウト情報４５に基づいてステージ１２を移動させつつ、撮像部１４を用いてウエハ１５の表面を撮像する。制御部４１（検査部４４）は、撮像部１４によって撮像された画像を用いてウエハ１５の欠陥を検査する（ステップＳ１８）。すなわち、制御部４１（検査部４４）は、図３（ｃ）のように、撮像部１４を用いてウエハ１５の領域１８ａを撮像した後、レイアウト情報４５に基づいて、第２方向にチップ送りされるようにステージ１２を移動させる。これにより、領域１８ｂが、光源１３に照らされ且つ撮像部１４で撮像される範囲に入る。制御部４１（検査部４４）は、撮像部１４を用いてウエハ１５の領域１８ｂを撮像する。制御部４１（検査部４４）は、領域１８ａでの撮像画像と領域１８ｂでの撮像画像とを比較し差分を取ることで、ウエハ１５の欠陥を検査する。このような欠陥検査を、ウエハ１５の領域１８ｎまで繰り返し行う。この際、制御部４１（検査部４４）は、チップ１７に形成されたパターンの欠陥は検出されなく、当該パターンよりも大きな異物や色むらは検出される検査条件で欠陥検査を行う。例えば、制御部４１（検査部４４）は、１００μｍよりも小さな異物は検出され難く、１００μｍ以上の大きさの異物や色むらは検出され易い検査条件で欠陥検査を行う。
【００２４】
制御部４１は、欠陥検査が終了した後、検査結果を表示部４３に表示する（ステップＳ２０）。例えば、制御部４１は、欠陥検査によって検出された欠陥の個数を表示部４３に表示する。
【００２５】
次に、制御部４１は、不図示のハンドラーを用いて、ステージ１２上のウエハ１５を格納室３０内のＦＯＵＰ３１に格納する（ステップＳ２２）。その後、制御部４１は、記憶部４２に記憶された検査条件の検査枚数に基づいて、欠陥検査を行う最後のウエハであったか否かを判断する（ステップＳ２４）。最後のウエハではなく、検査を行うウエハが残っている場合は、ステップＳ１０に戻る。最後のウエハであり、検査を行うウエハが残っていない場合は、検査を終了する。なお、制御部４１は、ＦＯＵＰ３１内の全てのウエハを検査したか否かに基づいて、最後のウエハであったか否かを判断してもよい。
【００２６】
ここで、実施例１の検査装置１００の効果を説明するにあたり、比較例１及び比較例２の検査装置について説明する。図４は、比較例１に係る検査装置５００を示す図である。図４のように、比較例１の検査装置５００は、検査室５０と、格納室７０と、処理部８０と、を備える。検査室５０内には、サブステージ５１、ステージ５２、光源５３、撮像部５４、及びオートフォーカス部５５が設けられている。撮像部５４は、カラーカメラ５６及びイメージセンサ５７を含む。ステージ５２は、駆動部５９により回転可能で且つウエハ５８の表面の面方向に移動可能となっている。
【００２７】
光源５３は、例えば水銀キセノンランプである。光源５３は、例えば可視光又は紫外線をウエハ５８の表面に照射する。撮像部５４は、ウエハ５８の表面の画像を撮像する。オートフォーカス部５５は、光源５３から出射された光のフォーカスをチェックするために設けられている。フォーカスは、光源５３から出射された光が通過するレンズの位置で調整することができる。格納室７０には、複数枚のウエハ５８が保持されたＦＯＵＰ７１がセットされる。
【００２８】
処理部８０は、制御部８１、記憶部８２、及び表示部８３を備える。記憶部８２には、ウエハ５８上に形成される複数のチップのレイアウト情報８６と、低精度及び高精度のアライメントに用いられる基準アライメントパターンの画像情報８７及び位置情報８８と、検査エリア情報８９と、が記憶されている。レイアウト情報８６と、基準アライメントパターンの画像情報８７及び位置情報８８と、検査エリア情報８９とは、半導体デバイスの品種毎に記憶されている。レイアウト情報８６は、実施例１と同様、ウエハ５８上に形成される複数のチップの配置情報であり、ウエハ５８の中心を原点とした各チップの位置座標及び各チップの大きさなどを含むものである。基準アライメントパターンの画像情報８７は、低精度及び高精度のアライメントに用いられるパターンの画像を示す情報を含むものである。基準アライメントパターンの位置情報８８は、低精度及び高精度のアライメントに用いられるパターンのウエハ５８の中心を原点とした位置座標を含むものである。検査エリア情報８９は、検査エリアを画定するウエハ５８の中心を原点とした位置座標及び大きさなどを含むものである。また、記憶部８２には、欠陥検査の検査条件が記憶されている。
【００２９】
制御部８１は、ウエハ５８のアライメントを行うアライメント部８４、ウエハ５８の欠陥を検査する検査部８５として機能する。表示部８３は、制御部８１の指示の下、欠陥検査の結果を表示する。
【００３０】
図５は、比較例１に係る検査装置５００の制御部８１による制御を示すフローチャートである。図６（ａ）は、図５のステップＳ５６、Ｓ５８を説明する図、図６（ｂ）は、図５のステップＳ６０を説明する図である。図５のように、制御部８１は、まずステップＳ５０〜ステップＳ５４を行う。ステップＳ５０〜ステップＳ５４は、実施例１の図２のステップＳ１０〜ステップＳ１４と同様であるため説明を省略する。
【００３１】
ステップＳ５４の後、制御部８１（アライメント部８４）は、記憶部８２に記憶され、作業者が特定した品種の低精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの位置情報８８に基づいてステージ５２を移動させる。これにより、不図示の光学顕微鏡の視野内に低精度アライメントに用いられるアライメントパターンが入る。制御部８１（アライメント部８４）は、光学顕微鏡で検出されたアライメントパターンが、記憶部８２に記憶された低精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの画像情報８７と一致することを確認する。その後、制御部８１（アライメント部８４）は、光学顕微鏡で検出されたアライメントパターンの位置座標と記憶部８２に記憶された低精度アライメント用の基準アライメントパターンの位置情報８８とを比較してずれ量を算出する。制御部８１（アライメント部８４）は、この動作を、図６（ａ）のように、ウエハ５８の複数個所（例えば１〜３の３箇所）で行う。その後、制御部８１（アライメント部８４）は、この低精度アライメントの結果に基づいて、ステージ５２の座標を補正座標に変換する（ステップＳ５６）。
【００３２】
次に、制御部８１（アライメント部８４）は、記憶部８２に記憶され、作業者が特定した品種の高精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの位置情報８８と、上記補正座標と、に基づいてステージ５２を移動させる。これにより、不図示の走査型電子顕微鏡の視野内に高精度アライメントに用いられるアライメントパターンが入る。制御部８１（アライメント部８４）は、走査型電子顕微鏡で検出されたアライメントパターンが、記憶部８２に記憶された高精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの画像情報８７と一致することを確認する。その後、制御部８１（アライメント部８４）は、走査型電子顕微鏡で検出されたアライメントパターンの位置座標と記憶部８２に記憶された高精度アライメント用の基準アライメントパターンの位置情報８８とを比較してずれ量を算出する。制御部８１（アライメント部８４）は、この動作を、図６（ａ）のように、ウエハ５８の複数個所（例えば１〜３の３箇所）で行う。その後、制御部８１（アライメント部８４）は、この高精度アライメントの結果に基づいて、上記補正座標を修正する（ステップＳ５８）。
【００３３】
次に、制御部８１（検査部８５）は、記憶部８２に記憶され、作業者が特定した品種のレイアウト情報８６と、修正後の上記補正座標と、に基づいてステージ５２を移動させる。制御部８１（検査部８５）は、ステージ５２を移動させつつ、撮像部５４によってウエハ５８の表面を撮像し、撮像画像を比較することでウエハ５８の欠陥を検査する（ステップＳ６０）。例えば、制御部８１（検査部８５）は、図６（ｂ）のように、レイアウト情報８６と修正後の上記補正座標とに基づいて、矢印６１のように順々にチップ送りを行いながら、チップ６０の画像を撮像する。この過程で、制御部８１（検査部８５）は、撮像画像を比較し差分を取ることで、記憶部８２に記憶された検査エリア情報８９で画定された領域の欠陥検査を行う。
【００３４】
制御部８１は、欠陥検査が終了した後、検査結果を表示部８３に表示させると共に、サーバなどの外部機器に出力する（ステップＳ６２）。例えば、制御部８１は、欠陥箇所のウエハ５８の中心からの位置座標に基づいてウエハマップ上で欠陥箇所を明示した画像を表示部８３に表示したり、欠陥の個数を表示部８３に表示したりする。また、制御部８１は、欠陥箇所のウエハ５８の中心からの位置座標を外部機器に出力する。これにより、例えば、作業者は、外部機器（光学顕微鏡又は電子顕微鏡など）を用いて、ウエハ５８の欠陥を容易に観察することができる。
【００３５】
次に、制御部８１は、ステージ５２上のウエハ５８を格納室７０内のＦＯＵＰ７１に格納する（ステップＳ６４）。その後、制御部８１は、欠陥検査を行う最後のウエハであったか否かを判断し（ステップＳ６６）、最後のウエハでない場合はステップＳ５０に戻り、最後のウエハである場合は検査を終了する。
【００３６】
なお、比較例１の検査装置５００は、明視野式の検査装置の場合を例に示したが、図７の比較例１の変形例１に係る検査装置６００のような、暗視野式の検査装置の場合でもよい。図７のように、比較例１の変形例１の検査装置６００では、検査室５０内に、例えば半導体レーザである光源６２と、例えば電子倍増管（ＰＭＴ：Photo Multiplier Tube）である検出部６３と、が設けられている。光源６２から出射されたレーザ光がウエハ５８に照射されることで、ウエハ５８に欠陥が存在すると、光が散乱される。検出部６３が、散乱された光を検出することで、欠陥の位置座標を検出することができる。
【００３７】
図８は、比較例２に係る検査装置７００を示す図である。図８のように、比較例２の検査装置７００は、検査室５０、格納室７０、及び処理部８０を備える。検査室５０内のサブステージ５１、ステージ５２、光源５３、撮像部５４は、実施例１の検査室１０内のサブステージ１１、ステージ１２、光源１３、撮像部１４と同様であるため説明を省略する。格納室７０及び処理部８０は、比較例１と同様であるため説明を省略する。
【００３８】
比較例２の検査装置７００の制御部８１による制御は、比較例１の検査装置５００の制御部８１による制御と同様であるため、図５を用いて比較例２の検査装置７００の制御部８１による制御を説明する。図９（ａ）は、図５のステップＳ５６を説明する図、図９（ｂ）は、図５のステップＳ５８を説明する図、図９（ｃ）は、図５のステップＳ６０を説明する図である。図５のように、制御部８１は、まずステップＳ５０〜ステップＳ５４を行う。ステップＳ５０〜ステップＳ５４は、比較例１と同じであるため説明を省略する。
【００３９】
ステップＳ５４の後、制御部８１（アライメント部８４）は、低精度アライメントを行う。記憶部８２には、位置合わせ用のショット領域の画像が低精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの画像情報８７として記憶されている。また、記憶部８２には、当該ショット領域の位置座標が低精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの位置情報８８として記憶されている。制御部８１（アライメント部８４）は、撮像部５４を用いてウエハ５８の全景を撮像し、撮像画像のうち基準アライメントパターンの位置情報８８で特定されたショット領域を検出する。例えば、制御部８１（アライメント部８４）は、図９（ａ）のように、ウエハ５８の全景の撮像画像のうち基準アライメントパターンの位置情報８８で特定された複数（例えばウエハの上下左右の４箇所）のショット領域６４を検出する。制御部８１（アライメント部８４）は、検出したショット領域６４の画像と基準アライメントパターンの画像情報８７とを照らし合わせる。そして、制御部８１（アライメント部８４）は、検出したショット領域６４の位置座標と基準アライメントパターンの位置情報８８とを比較してずれ量を算出し、ステージ５２の座標を補正座標に変換する（ステップＳ５６）。なお、ショット領域６４とは、縮小露光装置において１回の露光で露光される領域である。
【００４０】
次に、制御部８１（アライメント部８４）は、高精度アライメントを行う。記憶部８２には、位置合わせ用のショット領域内のチップ交点の画像が高精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの画像情報８７として記憶されている。また、記憶部８２には、当該チップ交点の位置座標が高精度アライメントに用いられる基準アライメントパターンの位置情報８８として記憶されている。制御部８１（アライメント部８４）は、撮像部５４を用いてウエハ５８を撮像し、撮像画像のうち基準アライメントパターンの位置情報８８で特定されたチップ交点を検出する。例えば、制御部８１（アライメント部８４）は、図９（ｂ）のように、ウエハ５８の撮像画像のうち基準アライメントパターンの位置情報８８で特定された複数（例えばウエハの上下左右の４箇所）のチップ交点６５を検出する。制御部８１（アライメント部８４）は、検出したチップ交点６５の画像と基準アライメントパターンの画像情報８７とを照らし合わせる。そして、制御部８１（アライメント部８４）は、検出したチップ交点６５の位置座標と基準アライメントパターンの位置情報８８とを比較してずれ量を算出し、上記補正座標を修正する（ステップＳ５６）。
【００４１】
次に、制御部８１（検査部８５）は、記憶部８２に記憶されたレイアウト情報８６と、修正後の上記補正座標と、に基づいてステージ５２を移動させる。制御部８１（検査部８５）は、ステージ５２を移動させつつ、撮像部５４によってウエハ５８を撮像し、撮像画像を比較することでウエハ５８上の欠陥を検査する（ステップＳ６０）。例えば、制御部８１（検査部８５）は、図９（ｃ）のように、レイアウト情報８６と修正後の上記補正座標とに基づいて第２方向にチップ送りを行いながら、第１方向に並んだ全てのチップ６０を含む領域６６の画像を一括で撮像する。この過程で、制御部８１（検査部８５）は、撮像画像を比較し差分を取ることで、記憶部８２に記憶された検査エリア情報８９で画定された領域の欠陥の検査を行う。
【００４２】
欠陥検査が終了した後、制御部８１は、ステップＳ６２〜ステップＳ６６を行う。ステップＳ６２〜ステップＳ６６は、比較例１と同じであるため説明を省略する。
【００４３】
比較例１及び比較例２によれば、図５のように、ウエハ５８上のアライメントパターンと記憶部８２の基準アライメントパターンとを比較して低精度及び高精度のアライメントを行った後に、ウエハ５８の欠陥検査を行っている。図５のようなフローに沿って欠陥検査を行うことで、ウエハ５８での欠陥箇所の絶対位置を取得することができる。このため、作業者が、欠陥検査が終了したウエハ５８の欠陥を外部機器（例えば光学顕微鏡や電子顕微鏡など）で観察することを容易にできるようになる。しかしながら、低精度及び高精度のアライメントを行っているため、検査時間が長くなってしまう。また、低精度及び高精度のアライメントを行うには、品種毎に予めパターン形成をした実際のウエハを用いて基準アライメントパターンの画像情報８７及び位置情報８８や検査エリア情報８９などを決定し、記憶部８２に記憶させている。このため、作業者の負担が大きく、また、この点も検査時間が長くなる要因となっている。
【００４４】
一方、実施例１によれば、図２のように、ウエハ１５上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、レイアウト情報４５に基づいてステージ１２を移動させて、ウエハ１５の欠陥を検査している（ステップＳ１８）。これにより、アライメント時間を削減することができるため、１枚当たりの検査時間を短くでき、検査のスループットを向上させることができる。また、基準アライメントパターンの画像情報や位置情報などを記憶部に予め記憶させなくて済むため、作業者の負担が軽減され、且つ、この点においても検査のスループットが改善される。
【００４５】
また、実施例１によれば、ウエハ１５上に形成される複数のチップのうちウエハ１５の端側に位置する基点チップ１７ａの位置情報４６が記憶部４２に記憶されている。そして、基点チップ１７ａの位置情報４６に基づいてステージ１２を移動させた後、レイアウト情報４５に基づいてステージ１２を移動させて、ウエハ１５の欠陥を検査している。これにより、ウエハ１５の欠陥検査を効率良く行うことができる。
【００４６】
また、実施例１によれば、ウエハ１５上の複数のチップ１７のパターンの欠陥は検出されなく、チップ１７のパターンよりも大きな異物及びウエハ１５の色むらの少なくとも一方は検出される検査条件で欠陥を検査している。これにより、図１０のように、領域１８ａの撮像画像（実線）と領域１８ｂの撮像画像（点線）とに位置ずれが生じた場合でも、位置ずれの影響を受けずに、それぞれの撮像画像を比較することで異物２０や色むらの欠陥を検査できる。また、撮像画像同士を比較して欠陥を検査することで、例えば記憶部４２に予め記憶させておいたリファレンス画像と比較して欠陥を検査する場合に比べて、ウエハ面内でのプロセス加工バラツキによる誤検査を抑制して、検査感度を改善する利点がある。
【００４７】
なお、実施例１では、記憶部４２に記憶された検査条件の一例として、１００μｍ以上の大きさの異物や色むらの検査に適した条件を挙げたが、これに限られない。例えば、１５０μｍ以上の大きさの異物の検査に適した条件や、２００μｍ以上の大きさの異物の検査に適した条件などの場合でもよい。図１０のように撮像画像に位置ずれが生じた場合でも、チップ１７のパターンの欠陥は検出され難く、パターンよりも大きな異物や色むらは検出され易い条件であればよい。なお、このような検査条件は、光源１３から出射される光の波長、出力、入射角度、及びフォーカス、並びに、撮像部１４の位置及び撮像感度の少なくとも１つによって調整することができる。
【００４８】
なお、実施例１では、図３（ｃ）のように、第１方向で並んだ複数のチップ１７を含む領域を一括で撮像した撮像画像を比較することで欠陥を検査する場合を例に示したが、この場合に限られるわけではない。チップ１７毎に撮像した撮像画像を比較して欠陥を検査してもよいし、ショット領域毎に撮像した撮像画像を比較して欠陥を検査してもよい。また、複数のチップ１７又は複数のショット領域を撮像した撮像画像を比較して欠陥を検査してもよい。
【００４９】
なお、実施例１では、記憶部４２に記憶されたレイアウト情報４５及び基点チップの位置情報４６は、半導体デバイスの品種毎に異なる場合を例に示したが、この場合に限られるわけではない。基点チップの位置情報４６として、複数の品種間で共通の位置座標が記憶されている場合でもよい。
【００５０】
なお、実施例１では、明視野式の検査装置の場合を例に示したが、比較例１の変形例１のような暗視野式の検査装置の場合でもよい。
【実施例２】
【００５１】
図１１は、実施例２に係る検査装置２００を示す図である。図１１のように、実施例２の検査装置２００では、制御部４１ａは、検査部４４に加えて、ステージ１２とウエハ１５との位置ずれを補正する補正部４７を含む。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。
【００５２】
図１２は、実施例２に係る検査装置２００の制御部４１ａによる制御を示すフローチャートである。図１３は、図１２のステップＳ３６を説明する図である。図１２のように、制御部４１ａは、まず実施例１のステップＳ１０〜ステップＳ１４と同じ内容のステップＳ３０〜ステップＳ３４を行う。
【００５３】
次に、制御部４１ａ（補正部４７）は、図１３のようなノッチ１９とウエハ１５の外郭に設けられ、ノッチ１９に対する距離が決められた複数個所（例えば３箇所）のマーク２１とを用い、ステージ１２とウエハ１５の位置ずれを補正する。すなわち、制御部４１ａ（補正部４７）は、ノッチ１９と複数のマーク２１とを用いて、ウエハ１５とステージ１２の中心位置ずれ量及び回転ずれ角度を算出する。そして、制御部４１ａ（補正部４７）は、中心位置ずれ量及び回転ずれ角度に基づいて、ステージ１２とウエハ１５の位置ずれが補正されるよう、ステージ１２の座標を補正座標に変換する（ステップＳ３６）。
【００５４】
次に、制御部４１ａ（検査部４４）は、記憶部４２に記憶され、作業者が特定した品種の基点チップの位置情報４６と、上記補正座標と、に基づいて、ステージ１２を移動させる（ステップＳ３８）。その後、制御部４１ａ（検査部４４）は、記憶部４２に記憶され、作業者が特定した品種のレイアウト情報４５と、上記補正座標と、に基づいて、ステージ１２を移動させつつ、撮像部１４を用いてウエハ１５の表面を撮像する。制御部４１（検査部４４）は、撮像部１４によって撮像された画像を比較することでウエハ１５の欠陥を検査する（ステップＳ４０）。
【００５５】
その後、制御部４１は、実施例１のステップＳ２０〜ステップＳ２４と同じ内容のステップＳ４２〜ステップＳ４６を行う。
【００５６】
実施例２によれば、ステージ１２上にウエハ１５が載置された後、ウエハ１５とステージ１２との位置ずれが補正されるよう、ステージ１２の座標を補正座標に変換する（ステップＳ３６）。そして、レイアウト情報４５と補正座標とに基づいてステージ１２を移動させて、ウエハ１５の欠陥を検査する（ステップＳ４０）。これにより、ウエハ１５とステージ１２との位置ずれが補正された状態で、ウエハ１５上の欠陥検査を行うことができるため、欠陥検査の精度を向上させることができる。
【００５７】
なお、実施例２では、ノッチ１９と複数のマーク２１とを用いて、ステージ１２の座標を補正座標に変換する場合を例に示したが、ノッチ１９を用いず、複数のマーク２１だけで補正座標に変換する場合でもよい。
【００５８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５９】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）ウエハを保持するステージと、前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報を記憶する記憶部と、前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査する検査部と、を備えることを特徴とする検査装置。
（付記２）前記記憶部は、前記複数のチップのうちの前記ウエハの端側に位置する基点チップの位置情報を記憶し、前記検査部は、前記基点チップの位置情報に基づいて前記ステージを移動させた後、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記１記載の検査装置。
（付記３）前記検査部は、前記複数のチップに形成されたパターンの欠陥は検出されなく、前記ウエハ上に付着した前記パターンよりも大きな異物及び前記ウエハ上の色むらの少なくとも一方は検出される検査条件で、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記１または２記載の検査装置。
（付記４）前記検査部は、前記ウエハ上に付着した１００μｍ以上の大きさの異物及び前記ウエハ上の色むらの少なくとも一方が検出される検査条件で、前記ウエハ上の欠陥を検査することを特徴とする付記１から３のいずれか記載の検査装置。
（付記５）前記検査部は、前記ウエハ内の第１領域を撮像した第１画像と第２領域を撮像した第２画像とを比較することで、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の検査装置。
（付記６）前記ステージ上に前記ウエハが載置された後、前記ウエハと前記ステージとの位置ずれが補正されるように、前記ステージの座標を補正座標に変換する補正部を備え、前記検査部は、前記レイアウト情報と前記補正座標とに基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の検査装置。
（付記７）ステージ上にウエハを載せるステップと、前記ウエハ上のアライメントパターンを基準アライメントパターンと比較するアライメントは行われずに、前記ウエハ上に形成された複数のチップのレイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ステージ上に保持された前記ウエハの欠陥を検査するステップと、を備えることを特徴とする検査方法。
（付記８）前記複数のチップのうちの基点チップの位置情報に基づいて、前記ウエハを保持する前記ステージを移動させるステップを備え、前記検査するステップは、前記基点チップの位置情報に基づいて前記ステージを移動させた後、前記レイアウト情報に基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記７記載の検査方法。
（付記９）前記検査するステップは、前記複数のチップに形成されたパターンの欠陥は検出されなく、前記ウエハ上に付着した前記パターンよりも大きな異物及び前記ウエハ上の色むらの少なくとも一方は検出される検査条件で、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記７または８記載の検査方法。
（付記１０）前記検査するステップは、前記ウエハ上に付着した１００μｍ以上の大きさの異物及び前記ウエハ上の色むらの少なくとも一方は検出される検査条件で、前記ウエハ上の欠陥を検査することを特徴とする付記７から９のいずれか記載の検査方法。
（付記１１）前記検査するステップは、前記ウエハ内の第１領域を撮像した第１画像と第２領域を撮像した第２画像とを比較することで、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記７から１０のいずれか記載の検査方法。
（付記１２）前記ウエハを載せるステップの後、前記ウエハと前記ステージとの位置ずれが補正されるように、前記ステージの座標を補正座標に変換するステップを備え、前記検査するステップは、前記レイアウト情報と前記補正座標とに基づいて前記ステージを移動させて、前記ウエハの欠陥を検査することを特徴とする付記７から１１のいずれか記載の検査方法。
【符号の説明】
【００６０】
１０  検査室
１１  サブステージ
１２  ステージ
１３  光源
１４  撮像部
１５  ウエハ
１６  駆動部
１７  チップ
１７ａ  基点チップ
１８ａ〜１８ｎ  領域
１９  ノッチ
２０  異物
２１  マーク
３０  格納室
４０  処理部
４１、４１ａ  制御部
４２  記憶部
４３  表示部
４４  検査部
４５  レイアウト情報
４６  基点チップの位置情報
４７  補正部
１００、２００  検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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