(57)【要約】【課題】第一パターン孔及び第二パターン孔の製造プロセスのバラツキによる、画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積の過剰変化を抑制可能な液晶表示パネルの提供。【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、第一基板、薄膜トランジスタ素子、絶縁層、画素電極、第二基板及び液晶層を含む。第一基板は、画素領域を有する。薄膜トランジスタ素子は、第一基板上且つ画素領域内に位置する。絶縁層は、画素内に位置するとともに薄膜トランジスタ素子を覆う。絶縁層は、第一方向に延びる第一長軸及び第二方向に延びる第二長軸を有するコンタクトホールを含む。第一長軸は、第二長軸に対して角度をなすように配置される。第二長軸は、第一長軸よりも長い。画素電極は、コンタクトホールによって薄膜トランジスタ素子に電気的に接続される。液晶層は、第一基板と第二基板との間に位置する。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルであって、
画素領域を有する第一基板と、
前記第一基板上且つ前記画素領域内に位置する薄膜トランジスタ素子と、
前記画素領域内に位置するとともに前記薄膜トランジスタ素子を覆い、第一方向に延びる第一長軸及び第二方向に延びる第二長軸を有するコンタクトホールを備え、前記第一長軸が前記第二長軸に対して角度をなすようになっており、前記第二長軸が前記第一長軸よりも長い絶縁層と、
前記コンタクトホールによって前記薄膜トランジスタ素子に電気的に接続される画素電極と、
第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に位置する液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記絶縁層内に位置し、前記コンタクトホールを囲むように形成される開口を有する共通電極層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ素子は、積層して配置される複数のサブ金属層を含み、
前記サブ金属層は、上層及び下層を含み、
前記画素電極は、前記コンタクトホールによって前記サブ金属層の前記上層の表面に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ素子は、積層して配置される複数のサブ金属層を含み、
前記サブ金属層は、上層、中層及び下層を含み、
前記画素電極は、前記コンタクトホールによって前記サブ金属層の前記上層の側辺に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
液晶表示パネルであって、
複数の画素領域を有する第一基板と、
前記第一基板上に設置される第一金属層と、
前記第一金属層上に設置される第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に設置される第二金属層と、
前記第二金属層上に設置される第二絶縁層と、
前記第二絶縁層上に設置される第三絶縁層と、
前記第三絶縁層上に設置される第四絶縁層と、
前記第四絶縁層上に設置される画素電極と、
第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に位置する液晶層と、を含み、
前記第一金属層、前記第一絶縁層、前記第二金属層、前記第二絶縁層、前記第三絶縁層及び前記第四絶縁層は、複数の前記画素領域のうちの少なくとも１つの中に位置し、
前記第三絶縁層は、第一方向に延びる第一長軸を有する第一パターン孔を含み、
前記第二絶縁層及び前記第四絶縁層には、第二方向に延びる第二長軸を有する第二パターン孔が形成され、
前記画素電極は、前記第一パターン孔及び前記第二パターン孔によって前記第二金属層に電気的に接続され、
前記第二パターン孔の前記第二長軸は、前記第一パターン孔の前記第一長軸よりも長いことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項６】
前記第二パターン孔の前記第二長軸の一端から前記第一パターン孔までの最短距離は、第一最短距離とされ、
前記第二パターン孔の前記第二長軸の他端から前記第一パターン孔までの最短距離は、第二最短距離とされ、
前記第一最短距離は、前記第二最短距離よりも長いことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記第二パターン孔の一方の側壁は、前記第二方向に延びる線分に対して第一傾きを有し、
前記第二パターン孔の他方の側壁は、前記第二方向に延びる線分に対して第二傾きを有し、
前記第一傾きは、前記第二傾き以下であることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記第一基板の平面方向において、前記第二パターン孔は、前記第一パターン孔の対向する両側から突出する第一周縁部及び第二周縁部を有し、
前記第一周縁部及び前記第二周縁部は、それぞれ第一周長及び第二周長を有し、
前記第一周長は、前記第二周長よりも長いことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
前記第一基板の平面方向において、前記第一パターン孔は、前記第二パターン孔と第一重なり周長及び第二重なり周長で重なり、
前記第一重なり周長は、前記第二重なり周長よりも長いことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記第三絶縁層の側壁は、前記第一方向に延びる線分に対して異なる複数の傾きを有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記第三絶縁層と前記第四絶縁層との間に位置する共通電極層をさらに含み、
前記共通電極層は、前記第一パターン孔及び前記第二パターン孔を囲むように形成される開口を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記第二金属層は、積層して配置される複数のサブ金属層を含み、
前記画素電極は、前記第二パターン孔によって前記第二金属層の表面に電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項１３】
前記第二金属層は、積層して配置される複数のサブ金属層を含み、
前記サブ金属層は、上層、中層及び下層を含み、
前記画素電極は、前記第二パターン孔によって前記サブ金属層の前記上層の側辺に電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関し、特に、製造プロセスに対して競争力の高い液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイは、携帯電話、ノートパソコン（ｎｏｔｅｂｏｏｋ）及びタブレットＰＣ（Ｔａｂｌｅｔ  ＰＣ）等の各種の電子機器に広く使用されつつある。さらに、大型フラットパネルディスプレイ市場の急速な発展に伴い、軽量や薄型等の特性をもつ液晶ディスプレイは重要な役割を果たしており、ブラウン管を用いたディスプレイ（ＣＲＴ）から置き換わって現在主流になりつつある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、各種の液晶ディスプレイの製造プロセスにおいては技術開発に伴って新たな問題が生じやすくて、表示品質に悪影響を与える。そのため、優れた表示品質を有し、且つ製造プロセスに対して競争力の高い液晶表示パネルを提供することが、産業界の共通課題となっている。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、コンタクトホールの第二パターン孔の第二長軸を第一パターン孔の第一長軸よりも長くすることで、第一パターン孔及び第二パターン孔の製造プロセスのバラツキによる画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積の過剰変化を抑制可能な液晶表示パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルは、画素領域を有する第一基板と、第一基板上且つ画素領域内に位置する薄膜トランジスタ素子と、画素領域内に位置するとともに薄膜トランジスタ素子を覆い、第一方向に延びる第一長軸及び第二方向に延びる第二長軸を有するコンタクトホールを備え、第一長軸が第二長軸に対して角度をなすようになっており、第二長軸が前記第一長軸よりも長い絶縁層と、コンタクトホールによって薄膜トランジスタ素子に電気的に接続される画素電極と、第二基板と、第一基板と第二基板との間に位置する液晶層と、を含む。
【０００６】
本発明の他の実施形態に係る液晶表示パネルは、複数の画素領域を有する第一基板と、第一基板上に設置される第一金属層と、第一金属層上に設置される第一絶縁層と、第一絶縁層上に設置される第二金属層と、第二金属層上に設置される第二絶縁層と、第二絶縁層上に設置される第三絶縁層と、第三絶縁層上に設置される第四絶縁層と、第四絶縁層上に設置される画素電極と、第二基板と、第一基板と第二基板との間に位置する液晶層と、を含む。第一金属層、第一絶縁層、第二金属層、第二絶縁層、第三絶縁層及び第四絶縁層は、複数の画素領域のうちの少なくとも１つの中に位置する。第三絶縁層は、第一方向に延びる第一長軸を有する第一パターン孔を含む。第二絶縁層及び第四絶縁層には、第二方向に延びる第二長軸を有する第二パターン孔が形成される。画素電極は、第一パターン孔及び第二パターン孔によって第二金属層に電気的に接続される。第二パターン孔の第二長軸は、第一パターン孔の第一長軸よりも長い。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る液晶表示パネルによれば、第一パターン孔及び第二パターン孔の製造プロセスのバラツキによる、画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積の過剰変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの上面図である。
【図２Ａ】図１のＡ１−Ａ１’線における液晶表示パネルの断面図である。
【図２Ｂ】図１のＢ１−Ｂ１’線における液晶表示パネルの断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る液晶表示パネルの上面図である。
【図４Ａ】図３のＡ２−Ａ２’線における液晶表示パネルの断面図である。
【図４Ｂ】図３のＢ２−Ｂ２’線における液晶表示パネルの断面図である。
【図５】本発明の別の実施形態のコンタクトホールの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、液晶表示パネルにおいて、コンタクトホールの第二パターン孔の第二長軸を第一パターン孔の第一長軸よりも長くすることで、第一パターン孔及び第二パターン孔の製造プロセスのバラツキによる画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積の過剰変化を抑制することができる。本発明の詳細な説明及び技術内容は、添付した図面を参照することによって、より明確になる。同一構成要素または類似の構成要素に関しては、同じ符号を付する。ただし、図面は、参照および説明用に過ぎず、決して本発明を限定するものではないことを理解されたい。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの上面図である。図２Ａは、図１のＡ１−Ａ１’線における液晶表示パネルの断面図である。図２Ｂは、図１のＢ１−Ｂ１’線における液晶表示パネルの断面図である。図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、液晶表示パネル１０は、第一基板１１０、薄膜トランジスタ素子（図示せず）、絶縁層ＩＬ、画素電極１２０、第二基板１４０及び液晶層１５０を含む。第一基板１１０は、少なくとも１つの画素領域Ｐを含む。薄膜トランジスタ素子は、第一基板１１０上且つ画素領域Ｐ内に位置する。絶縁層ＩＬは、画素領域Ｐ内に位置し、且つ薄膜トランジスタ素子を覆う。絶縁層ＩＬは、コンタクトホールＣを有する。コンタクトホールＣは、第一方向ＤＲ１に延びる第一長軸Ｌ１と、第二方向ＤＲ２に延びる第二長軸Ｌ２とを有する。第一長軸Ｌ１は、第二長軸Ｌ２に対して角度θをなすようになっている。第二長軸Ｌ２は、第一長軸Ｌ１よりも長い。画素電極１２０は、コンタクトホールＣによって薄膜トランジスタ素子に電気的に接続される。
【００１１】
本明細書の長軸とは、上記の領域内に定義された最長距離のことである。本発明の実施形態では、コンタクトホールＣの第一長軸Ｌ１は、例えば、第一方向ＤＲ１における、第三絶縁層ＩＬ３の一方の縁部から第三絶縁層ＩＬ３の他方の縁部までの最長距離である。コンタクトホールＣの第二長軸Ｌ２は、例えば、第一方向ＤＲ１と異なる第二方向ＤＲ２における、第四絶縁層ＩＬ４の一方の縁部から第四絶縁層ＩＬ４の他方の縁部までの最長距離である。
【００１２】
一部の実施形態においては、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、第一基板１１０、薄膜トランジスタ素子及び絶縁層ＩＬにより、例えば、アレイ基板を構成してもよい。第一基板１１０は、複数の画素領域Ｐを有してもよい。複数の画素領域Ｐのうちの少なくとも１つにおいて、液晶表示パネル１０は、第一基板１１０、第一金属層Ｍ１、第一絶縁層ＩＬ１、第二金属層Ｍ２、第二絶縁層ＩＬ２、第三絶縁層ＩＬ３、第四絶縁層ＩＬ４、画素電極１２０、第二基板１４０及び液晶層１５０を含んでもよい。第一金属層Ｍ１は、第一基板１１０上に設置される。第一絶縁層ＩＬ１は、第一金属層Ｍ１上に設置される。第二金属層Ｍ２は、第一絶縁層ＩＬ１上に設置される。第二絶縁層ＩＬ２は、第二金属層Ｍ２上に設置される。第三絶縁層ＩＬ３は、第二絶縁層ＩＬ２上に設置される。第四絶縁層ＩＬ４は、第三絶縁層ＩＬ３上に設置される。画素電極１２０は、第四絶縁層ＩＬ４上に設置される。第一金属層Ｍ１、第一絶縁層ＩＬ１、第二金属層Ｍ２、第二絶縁層ＩＬ２、第三絶縁層ＩＬ３及び第四絶縁層ＩＬ４は、これら画素領域のうちの少なくとも１つの中に位置する。
【００１３】
本実施形態において、第一金属層Ｍ１は、例えば、走査線であり、第二金属層Ｍ２は、例えば、データ線である。
【００１４】
また、第三絶縁層ＩＬ３は、例えば、有機絶縁層である。第二絶縁層ＩＬ２及び第四絶縁層ＩＬ４は、例えば、無機絶縁層であって、酸化珪素または窒化珪素を含んでもよい。
【００１５】
図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、第三絶縁層ＩＬ３は、第一パターン孔ＣＨ１を有する。第一パターン孔ＣＨ１は、第一方向ＤＲ１に延びる第一長軸Ｌ１を有する。第二絶縁層ＩＬ２及び第四絶縁層ＩＬ４には、第二方向ＤＲ２に延びる第二長軸Ｌ２を有する第二パターン孔ＣＨ２が形成される。第二パターン孔ＣＨ２の第二長軸Ｌ２は、第一パターン孔ＣＨ１の第一長軸Ｌ１よりも長い。
【００１６】
第一金属層Ｍ１（走査線）と第一長軸Ｌ１とのなす角度は、例えば９０±１０°である。第一金属層Ｍ１（走査線）と第二長軸Ｌ２とのなす角度は、例えば０±１０°である。第一長軸Ｌ１と第二長軸Ｌ２とのなす角度θは、例えば９０±２０°である。しかも、角度θは、０°または１８０°以外の角度である。
【００１７】
第一パターン孔ＣＨ１及び第二パターン孔ＣＨ２により、コンタクトホールＣが形成される。画素電極１２０は、第一パターン孔ＣＨ１及び第二パターン孔ＣＨ２によって第二金属層Ｍ２に電気的に接続される。言い換えれば、画素電極１２０は、コンタクトホールＣ及び第二金属層Ｍ２によって、薄膜トランジスタ素子に電気的に接続される。
【００１８】
図１に示すように、第二パターン孔ＣＨ２の第二長軸Ｌ２の一端から第一パターン孔ＣＨ１までの最短距離を第一最短距離Ｄ１、及び、第二パターン孔ＣＨ２の第二長軸Ｌ２の他端から第一パターン孔ＣＨ１までの最短距離を第二最短距離Ｄ２とした場合、第一最短距離Ｄ１は、例えば、第二最短距離Ｄ２よりも長い。
【００１９】
図１及び図２Ａの断面図に示すように、第二パターン孔ＣＨ２の一方の側壁Ｓ１は、第二方向ＤＲ２に延びる線分に対して第一傾きを有し、第二パターン孔ＣＨ２の他方の側壁Ｓ２は、第二方向ＤＲ２に延びる線分に対して第二傾きを有する。第一傾きは、例えば、第二傾き以下である。
【００２０】
図１に示すように、第一基板１１０の平面方向（ｔｏｐ  ｖｉｅｗ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）において、第二パターン孔ＣＨ２は、第一周縁部（ｐｅｒｉｐｈｅｒｙ  ｓｅｇｍｅｎｔ）Ｐ１及び第二周縁部Ｐ２を有する。第一周縁部Ｐ１及び第二周縁部Ｐ２は、それぞれ第一パターン孔ＣＨ１の対向する両側から突出するようになっている。第一周縁部Ｐ１は第一周長を有し、第二周縁部Ｐ２は第二周長を有する。第一周長は、例えば、第二周長よりも長い。
【００２１】
図１に示すように、第一基板１１０の平面方向において、第一パターン孔ＣＨ１は、第二パターン孔ＣＨ２と第一重なり周長Ｄ３及び第二重なり周長Ｄ４で重なる。第一重なり周長Ｄ３は、例えば、第二重なり周長Ｄ４よりも長い。
【００２２】
また、図２Ｂに示すように、第三絶縁層ＩＬ３の側壁Ｓ１は、第一方向ＤＲ１に延びる線分に対して異なる複数の傾きを有する。
【００２３】
一部の実施形態において、図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、液晶表示パネル１０は、共通電極層１３０をさらに含んでもよい。共通電極層１３０は、絶縁層ＩＬ内に位置し、コンタクトホールＣを囲むように形成される開口１３１を有する。
【００２４】
共通電極層１３０は、例えば、第三絶縁層ＩＬ３と第四絶縁層ＩＬ４との間に位置する。開口１３１は、第一パターン孔ＣＨ１及び第二パターン孔ＣＨ２を囲むように形成される。
【００２５】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、薄膜トランジスタ素子は、積層して配置される複数のサブ金属層（ｓｕｂ−ｍｅｔａｌ  ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。これらサブ金属層は、上層（ｕｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）Ｍ２ａ、中層（ｍｉｄｄｌｅ  ｌａｙｅｒ）Ｍ２ｂ及び下層（ｌｏｗｅｒ  ｌａｙｅｒ）Ｍ２ｃを含んでもよい。さらに、画素電極１２０は、コンタクトホールＣによってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの一方の側辺に電気的に接続される。言い換えれば、本実施形態において、薄膜トランジスタ素子は、第二金属層Ｍ２を含んでもよい。第二金属層Ｍ２は，上層Ｍ２ａ、中層Ｍ２ｂ及び下層Ｍ２ｃを含んでもよい。
【００２６】
詳細には、画素電極１２０の少なくとも一部の領域は、サブ金属層内における上層Ｍ２ａの側辺に隣接する。これにより、画素電極１２０は、この隣接の一部の領域によってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの側辺に電気的に接続される。この隣接の一部の領域は、ほぼ連続または不連続な環状領域である。言い換えれば、画素電極１２０は、この連続または不連続な環状領域によってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの側辺に電気的に接続される。
【００２７】
画素電極１２０は、第二パターン孔ＣＨ２によってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの一方の側辺に電気的に接続される。
【００２８】
サブ金属層内における上層Ｍ２ａ／中層Ｍ２b／下層Ｍ２ｃは、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ有する構造か、またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏを有する構造である。
【００２９】
液晶表示パネル１０は、コンタクトホールＣの画素電極１２０と、サブ金属層内における中層Ｍ２ｂとの間に位置する金属酸化層（図示せず）をさらに含んでもよい。
【００３０】
図３は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示パネル２０の上面図である。図４Ａは、図３のＡ２−Ａ２’線における液晶表示パネルの断面図である。図４Ｂは、図３のＢ２−Ｂ２’線における液晶表示パネルの断面図である。本実施形態では、上記の実施形態と同様または類似の構成要素に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００３１】
図３、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、薄膜トランジスタ素子は、複数のサブ金属層を含んでもよい。これらサブ金属層は、積層して配置される。さらに、画素電極１２０は、第二パターン孔ＣＨ２によって第二金属層Ｍ２の表面に電気的に接続される。
【００３２】
これらサブ金属層は、上層Ｍ２ａ及び下層Ｍ２ｃを含む。さらに、画素電極１２０は、コンタクトホールＣによってこれらサブ金属層における上層Ｍ２ａの表面に電気的に接続される。言い換えれば、本実施形態において、薄膜トランジスタ素子は第二金属層Ｍ２を含んでもよい。第二金属層Ｍ２は、上層Ｍ２ａ及び下層Ｍ２ｃを含んでもよい。
【００３３】
詳細には、画素電極１２０の少なくとも一部の領域は、サブ金属層内における上層Ｍ２ａの表面に隣接する。これにより、画素電極１２０は、この隣接の一部の領域によってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの表面に電気的に接続される。この隣接の一部の領域は、ほぼ連続な全面領域または不連続な局部接触領域である。言い換えれば、画素電極１２０は、この連続な全面領域または不連続な局部接触領域によってサブ金属層内における上層Ｍ２ａの表面に電気的に接続される。
【００３４】
本実施形態では、サブ金属層の上層Ｍ２ａ／下層Ｍ２ｃは、例えば、Ｔｉ／Ｃｕを有する構造である。
【００３５】
図３に示すように、第一周縁部Ｐ１は、第一重なり周長Ｄ３の両端から突出するように構成され、第二周縁部Ｐ２は、第二重なり周長Ｄ４の両端から突出するように構成される。これにより、第二パターン孔ＣＨ２がダンベル状であり、第一周縁部Ｐ１及び第一重なり周長Ｄ３により比較的面積の大きな領域が形成され、且つ、第二周縁部Ｐ２及び第二重なり周長Ｄ４により比較的面積の大きな領域が形成される。本実施形態は、第二パターン孔ＣＨ２がダンベル状でない形態と比べて、第一周縁部Ｐ１及び第二周縁部Ｐ２が両側へ滑らかに延びるため、第一周縁部Ｐ１及び第一重なり周長Ｄ３によって形成された領域、及び、第二周縁部Ｐ２及び第二重なり周長Ｄ４によって形成された領域は、いずれも比較的面積の小さな領域である。このように、本実施形態によれば、第一周縁部Ｐ１及び第一重なり周長Ｄ３によって形成された面積の大きな領域、及び、第二周縁部Ｐ２及び第二重なり周長Ｄ４によって形成された面積の大きな領域は、第二パターン孔ＣＨ２の側壁Ｓ１の第一傾き及び側壁Ｓ２の第二傾きを低下させることができる。しかも、比較的面積の大きな領域及び傾きの低下により、第二パターン孔ＣＨ２を覆う電極層（例えば、画素電極１２０及び／又は共通電極層１３０）の被覆面積を増やして、電極層の断線や空洞の発生を抑制することができ、さらに液晶表示パネルの信頼性及び機能を向上させることができる。
【００３６】
また、図３の上面図に示される液晶表示パネルは、図２Ａ及び図２Ｂに示す断面構造を有してもよい。同様に、図１の上面図に示される液晶表示パネルは、図４Ａ及び図４Ｂに示す断面構造を有してもよい。
【００３７】
図５は、本発明の別の実施形態のコンタクトホールの上面図である。図５に示すように、コンタクトホールＣは、第一パターン孔ＣＨ１及び第二パターン孔ＣＨ２を有する。第二パターン孔ＣＨ２の第二長軸Ｌ２は、第一パターン孔ＣＨ１の第一長軸Ｌ１よりも長い。このように、第一パターン孔ＣＨ１及び第二パターン孔ＣＨ２を製造する過程においては、コンタクトホールＣによる画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積が製造プロセスのバラツキによって過剰に変化することを抑制することができる。
【００３８】
詳細には、コンタクトホールＣの製造プロセスにおいては、まず、第三絶縁層ＩＬ３をエッチングして第一パターン孔ＣＨ１を形成した後、第二絶縁層ＩＬ２及び第四絶縁層ＩＬ４をエッチングして第二パターン孔ＣＨ２を形成する。そのため、図５に示すように、製造プロセスにバラツキがない場合、第一パターン孔ＣＨ１’は、第二パターン孔ＣＨ２の中央に位置する。第二パターン孔ＣＨ２のエッチングプロセスにバラツキがあった場合には、例えば、第二パターン孔ＣＨ２に対する第一パターン孔ＣＨ１の位置関係が変わってしまって、第一パターン孔ＣＨ１が第二パターン孔ＣＨ２の中央に位置しなくなる。本実施形態によれば、第二パターン孔ＣＨ２の第二長軸Ｌ２が第一パターン孔ＣＨ１の第一長軸Ｌ１よりも長いため、製造プロセスのバラツキによる画素電極と薄膜トランジスタ素子との電気接続面積の減少を抑制することができる。
【００３９】
以上、本発明の好ましい実施形態を挙げて説明したが、これは本発明の実施形態に過ぎない。説明した実施形態は、本発明の範囲を限定するものではないことが理解されたい。当業者であれば本発明の精神及び範囲を含む各種の変動や潤色は、本発明の保護を求める範囲内に属するものである。
【符号の説明】
【００４０】
１０、２０ 液晶表示パネル
１１０ 第一基板
１２０ 画素電極
１３０ 共通電極層
１３１ 開口
１４０ 第二基板
１５０ 液晶層
Ｃ コンタクトホール
ＣＨ１、ＣＨ１’第一パターン孔
ＣＨ２ 第二パターン孔
Ｄ１ 第一最短距離
Ｄ２ 第二最短距離
Ｄ３ 第一重なり周長
Ｄ４ 第二重なり周長
ＤＲ１ 第一方向
ＤＲ２ 第二方向
ＩＬ 絶縁層
ＩＬ１ 第一絶縁層
ＩＬ２ 第二絶縁層
ＩＬ３ 第三絶縁層
ＩＬ４ 第四絶縁層
Ｌ１ 第一長軸
Ｌ２ 第二長軸
Ｍ１ 第一金属層
Ｍ２ 第二金属層
Ｍ２ａ 上層
Ｍ２ｂ 中層
Ｍ２ｃ 下層
Ｐ 画素領域
Ｐ１ 第一周縁部
Ｐ２ 第二周縁部
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３側壁
θ 角度
【図１】
2017045034.tif 000003
【図２Ａ】
2017045034.tif 000004
【図２Ｂ】
2017045034.tif 000005
【図３】
2017045034.tif 000006
【図４Ａ】
2017045034.tif 000007
【図４Ｂ】
2017045034.tif 000008
【図５】
2017045034.tif 000009