(57)【要約】      （修正有）【課題】接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる製造方法を提供する。【解決手段】複数のバンプ２２が形成されているバンプ付部材２のバンプ形成面に樹脂層１３を形成する工程と、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を研削により除去する工程とを備える。この時、樹脂層だけでなくバンプの一部も除去することで、バンプ高さを均一に揃える。【選択図】図３
2017084903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、
前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を研削により除去する工程と、を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を研削により除去する工程において、前記樹脂層とともに前記バンプの一部を研削により除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削に用いる装置が、ダイサーである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削に用いる装置が、グラインダである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研削に用いる装置が、サーフェスプレーナである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化や薄型化に伴い、半導体パッケージの薄型化や小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体素子の実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップの電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板の電極とチップの電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式の実装方法が提案されている。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付ウエハやバンプ付チップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
【０００３】
しかしながら、樹脂層がバンプを覆っている場合には、バンプ上の樹脂層を機械的に押しのけて、バンプと基板の電極との電気的な接続を確保しなければならない。そのため、バンプ付チップと基板との接続信頼性の点で問題があった。また、リフロー処理により、バンプ付チップと基板とを接続する場合には、バンプに由来する溶融はんだが樹脂層に覆われているため、セルフアライメント効果（チップおよび基板の電極同士の位置合わせ精度が悪く、ずれを生じていてもリフロー時に正常な位置へ自動的に補正される現象）が得られないという問題があった。
上記のような問題を解決するために、例えば、バンプ付ウエハの裏面を研削する工程において、回路面と接する熱硬化性樹脂層と、この層の上に積層され、バンプを埋め込むための柔軟性のある熱可塑性樹脂層と、この層の上に積層される最外層とを備える積層シートを用いる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２８７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の積層シートを用いる場合には、バンプに熱硬化性樹脂層を貫通させた上で、この熱硬化性樹脂層以外の層を剥離する。そのため、バンプ付ウエハのバンプの形状を針状などにする必要があった。また、バンプの断面形状が半円形や台形の場合には、バンプ上に樹脂層が残りやすく、接続信頼性の点で問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を研削により除去する工程と、を備えることを特徴とする方法である。
この構成によれば、バンプ付部材のバンプ形成面に、様々な目的に応じて、樹脂層を設けることができる。この樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
そして、バンプの表面を覆っている樹脂層を研削により、簡便で効率よく除去できる。研削のような機械的処理であれば、樹脂層の種類に依らずに、樹脂層を除去できる。そして、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる。
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を研削により除去する工程において、前記樹脂層とともに前記バンプの一部を研削により除去することが好ましい。
この構成によれば、研削により、樹脂層だけでなく、バンプの一部も除去している。そのため、複数のバンプの高さを任意の高さに調整できる。また、複数のバンプの高さを均一な高さに揃えることができる。さらに、バンプの一部が研削されるために、バンプの表面を確実に露出させることができ、また、バンプの表面が露出する面積を大きくできる。そのため、表面が露出されたバンプにより、バンプ付部材および基板の電極同士をはんだ接合で接続できる。さらに、バンプの高さを任意の均一な高さで揃えれば、バンプの高さやそのバラツキにより生じ得る接続不良も防止できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
【０００９】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記研削に用いる装置が、ダイサーであることが好ましい。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記研削に用いる装置が、グラインダであることが好ましい。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記研削に用いる装置が、サーフェスプレーナであることが好ましい。
このように、研削に用いる装置として、ダイサー、グラインダおよびサーフェスプレーナなどの装置を用いる場合には、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
【００１０】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る樹脂層を形成するための積層シートを示す概略断面図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係るバンプ付部材（バンプ付ウエハ）を示す概略断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係るバンプ付部材（バンプ付ウエハ）のバンプ形成面に樹脂層が形成された状態を示す概略図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ形成面の上方から見た、ダイシングブレードおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ付ウエハの側方から見た、ダイシングブレードおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ形成面の上方から見た、ダイサーにより研削した後のバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図８】図７のVIII−VIII断面を示す断面図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ形成面の上方から見た、グラインダのホイールおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図１０】本発明の第二実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ付ウエハの側方から見た、グラインダのホイールおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図１１】本発明の第三実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ形成面の上方から見た、サーフェスプレーナのスピンドルおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図１２】本発明の第三実施形態に係る樹脂研削工程において、バンプ付ウエハの側方から見た、サーフェスプレーナのスピンドルおよびバンプ付ウエハを示す概略図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る樹脂研削工程後のバンプ付ウエハを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第一実施形態］
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる接着シートおよびバンプ付ウエハについて説明する。
【００１３】
（接着シート）
本実施形態に用いる接着シート１は、図１に示すように、支持体層１１と、粘着剤層１２と、接着剤を含有する樹脂層１３と、を備えている。なお、樹脂層１３の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
【００１４】
支持体層１１としては、接着シートの支持体として公知の支持体を用いることができ、例えば、プラスチックフィルムなどを用いることができる。このような支持体層１１は、被着体を加工している間に、被着体を支持する。
プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、およびフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、１種のフィルムを積層してもよく、２種以上のフィルムを積層してもよい。
【００１５】
粘着剤層１２は、接着シートの粘着剤として公知の粘着剤を用いて形成することができる。このような粘着剤層１２により、被着体を加工している間は支持体層１１と樹脂層１３の間を強固に固定し、その後、樹脂層１３を被着体に固着残存させて支持体層１１から剥離することが容易となる。なお、粘着剤層１２に、紫外線などのエネルギー線を照射することで硬化させて、樹脂層１３との剥離が容易になるようにしてもよい。
粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびウレタン系粘着剤などが挙げられる。
【００１６】
樹脂層１３は、接着シートの接着剤として公知の接着剤を用いて形成することができる。このような接着剤を含有する樹脂層１３により、後述するバンプ付チップ２ａと基板４とを接着することができる。
接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化剤とを含有するものが挙げられる。また、接着剤は、硬化物の熱膨張係数を調整するという観点から、無機充填材をさらに含有していてもよい。無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、および窒化ホウ素などが挙げられる。
【００１７】
（バンプ付ウエハ）
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２（バンプ付部材）は、図２に示すように、半導体ウエハ２１と、バンプ２２と、を備えている。なお、バンプ２２は、半導体ウエハ２１の回路のある側に形成される。
【００１８】
半導体ウエハ２１としては、公知の半導体ウエハを用いることができ、例えば、シリコンウエハなどを用いることができる。
半導体ウエハ２１の厚みは、通常、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上７５０μｍ以下である。
【００１９】
バンプ２２の材料としては、公知の導電性材料を用いることができ、例えば、ハンダなどを用いることができる。ハンダとしては、公知のハンダ材料を用いることができ、例えば、スズ、銀および銅を含有する鉛フリーハンダを用いることができる。
バンプ２２の高さは、通常、５μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上５００μｍ以下である。
バンプ２２の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ２２の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、およびキューブバンプなどが挙げられる。
【００２０】
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３は、第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２の裏面を貼り合わせる工程（ダイシングテープ貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図３（Ｄ）に示すように、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去する（樹脂研削工程）。なお、本実施形態においては、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部を研削により除去しているが、これに限定されず、樹脂層１３のみを研削により除去してもよい。
そして、図３（Ｅ）および（Ｆ）に示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする工程（ダイシング工程）と、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
以下、接着シート貼着工程、ダイシングテープ貼着工程、支持体剥離工程、樹脂研削工程、ダイシング工程およびボンディング工程について、より詳細に説明する。
【００２１】
接着シート貼着工程においては、図３（Ａ）に示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されている面（バンプ形成面２Ａ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、４０℃以上１２０℃以下が好ましい。ロール圧力は、０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。圧着速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。
また、接着シート１の樹脂層１３の厚みは、バンプ２２の高さ寸法より小さくすることが好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．８倍以下であることがより好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．１倍以上０．７倍以下であることが特に好ましい。樹脂層１３の厚みが前記上限以下であれば、バンプ２２の表面を覆う樹脂層１３を、より薄くすることができ、後述する樹脂研削工程で容易に除去できる。
【００２２】
ダイシングテープ貼着工程においては、図３（Ｂ）に示すように、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されていない面（裏面２Ｂ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。また、ダイシングテープ３についても、公知のダイシングテープを用いることができる。
【００２３】
支持体剥離工程においては、図３（Ｃ）に示すように、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する。
粘着剤層１２が紫外線硬化性を有する場合には、必要に応じて、支持体層１１側から紫外線を照射する。これにより、粘着剤層１２が硬化し、粘着剤層１２と樹脂層１３との界面の接着力が低下して、粘着剤層１２を樹脂層１３から剥離しやすくなる。
【００２４】
樹脂研削工程においては、図３（Ｄ）に示すように、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去する。ここで、樹脂層１３は、その目的に応じて、除去できる。例えば、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２との電気的な接続が目的であれば、電気的な接続ができる程度に除去すればよい。具体的には、接続信頼性と樹脂層１３の機能の確保とのバランスの観点から、樹脂層１３の除去量を調整できる。また、バンプ２２の一部とは、バンプ２２の先端部分のことである。このように、バンプ２２の先端部分が研削により除去されれば、バンプ２２の表面が確実に露出されることになる。そして、バンプ２２の高さを任意の高さに調整するという観点から、バンプ２２の除去量を調整できる。
【００２５】
研削に用いる装置は、ダイサーである。このダイサーを用いて、バンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成されたバンプ付ウエハ２（図４参照）のバンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去する。
【００２６】
具体的には、図５および図６で示すように、ダイサーのダイシングブレード５が移動し回転しながら、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削する。ここで、図５は、バンプ形成面２Ａの上方から見た、ダイシングブレード５およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。また、図６は、バンプ付ウエハ２の側方から見た、ダイシングブレード５およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。
そして、図５および図６で示すように、矢印Ｄ１の方向に、ダイサーのダイシングブレード５が移動し回転しながら研削する。このようにして、図７および図８に示すように、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去できる。この場合に、樹脂層１３およびバンプ２２の一部が研削される研削幅の寸法はＷである。なお、図７は、バンプ形成面２Ａの上方から見た、ダイサーにより研削した後のバンプ付ウエハ２を示す概略図である。また、図８は、図７のVIII−VIII断面を示す断面図である。
また、ダイサーのダイシングブレード５を、研削幅の寸法Ｗの分だけ、ダイシングブレード５の幅方向に移動させて、上記のような研削を繰り返せば、バンプ形成面２Ａの全面にわたり、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去できる。
【００２７】
ダイサーは、特に限定されず、公知のダイサーを用いることができる。また、ダイサーの条件は、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
ダイシングブレード５の矢印Ｄ１の方向への移動速度は、５ｍｍ／ｓｅｃ以上１００ｍｍ／ｓｅｃ以下であることが好ましく、５ｍｍ／ｓｅｃ以上５０ｍｍ／ｓｅｃ以下であることがより好ましい。移動速度が前記下限以上であれば、樹脂層を効率よく除去できる。また、移動速度が前記上限以下であれば、樹脂層のクラックの発生を防止しつつ、樹脂層を除去できる。
ダイシングブレード５の回転数は、樹脂層のクラックの発生を防止するという観点から、１００００ｒｐｍ以上５００００ｒｐｍ以下であることが好ましい。
ダイシングブレード５の幅寸法は、樹脂層を効率よく除去するという観点、および、樹脂層のクラックの発生を防止するという観点から、２０μｍ以上１１０μｍ以下であることが好ましい。
切削水の水圧は、残渣の蓄積を抑制するという観点から、０．２ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００２８】
ダイシング工程においては、図３（Ｅ）に示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする。このようにして、バンプ付ウエハ２をバンプ付チップ２ａに個片化できる。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。なお、樹脂研削工程で用いたダイサーを用いることもできる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードの代わりに、レーザーダイシングおよびステルスダイシングなどを用いてもよい。
【００２９】
ボンディング工程においては、図３（Ｆ）に示すように、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、基材４１と電極４２とを備える基板４に接着固定する。バンプ付チップ２ａのバンプ２２は、樹脂層１３が除去され、表面が露出されているため、バンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することができる。
基板４としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハおよびシリコンチップなどを用いることができる。基材４１の材質としては、特に限定されないが、セラミックおよびプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、およびポリイミドなどが挙げられる。
【００３０】
ボンディング工程においては、必要に応じて、加熱処理を施して、接着剤を硬化させてもよい。
加熱処理の条件は、接着剤の種類などに応じて、適宜設定できる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、リフロー処理を施して、バンプ付チップ２ａのバンプ２２を溶融させて、バンプ付チップ２ａと基板４とをはんだ接合させてもよい。
リフロー処理の条件は、はんだの種類などに応じて、適宜設定できる。
以上のようにして、半導体装置１００を製造することができる。
【００３１】
（第一実施形態の作用効果）
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を研削により、簡便で効率よく除去できる。研削のような機械的処理であれば、樹脂層１３の種類に依らずに、樹脂層１３を除去できる。また、バンプ２２の側方から見た断面形状が半円形、半楕円形、円形、長方形または台形である場合でも、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。
（２）研削により、樹脂層１３だけでなく、バンプ２２の一部も除去している。そのため、複数のバンプ２２の高さを任意の高さに調整できる。また、複数のバンプ２２の高さを均一な高さに揃えることができる。さらに、バンプ２２の一部が研削されるために、バンプ２２の表面を確実に露出させることができ、また、バンプ２２の表面が露出する面積を大きくできる。そのため、表面が露出されたバンプ２２により、バンプ付チップ２ａおよび基板４の電極同士をはんだ接合で接続できる。さらに、バンプ２２の高さを任意の均一な高さで揃えれば、バンプ２２の高さやそのバラツキにより生じ得る接続不良を防止できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（３）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（４）バンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層（樹脂層１３）を設けることができる。
（５）バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を設け、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去した後に、バンプ付チップ２ａに個片化しているので、複数のバンプ付チップ２ａにまとめて樹脂層１３を設けることができる。
【００３２】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、研削に用いる装置が異なる以外は第一実施形態と同様の構成であるので、研削に用いる装置であるグラインダについて説明し、それ以外の説明を省略する。
研削に用いる装置は、グラインダである。このグラインダを用いて、バンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成されたバンプ付ウエハ２のバンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去する。
【００３３】
具体的には、図９および図１０で示すように、グラインダのホイール６および砥石６１が移動し回転しながら、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削する。ここで、図９は、バンプ形成面２Ａの上方から見た、グラインダのホイール６およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。また、図１０は、バンプ付ウエハ２の側方から見た、グラインダのホイール６およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。
そして、図９および図１０で示すように、矢印Ｄ２の方向に、グラインダのホイール６および砥石６１が移動し回転しながら研削する。このようにして、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去できる。
【００３４】
グラインダは、特に限定されず、公知のグラインダを用いることができる。また、グラインダの条件は、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
砥石６１の粗さは、残渣の蓄積を抑制するという観点から、４００番以上の細かい番手であることが好ましい。
ホイール６の回転数は、残渣の蓄積を抑制するという観点から、１０００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。
切削水の水圧は、残渣の蓄積を抑制するという観点から、０．３ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下であることが好ましい。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（５）と同様の作用効果を奏することができる。
【００３５】
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、研削に用いる装置が異なる以外は第一実施形態と同様の構成であるので、研削に用いる装置であるサーフェスプレーナについて説明し、それ以外の説明を省略する。
研削に用いる装置は、サーフェスプレーナである。このサーフェスプレーナを用いて、バンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成されたバンプ付ウエハ２のバンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去する。
【００３６】
具体的には、図１１および図１２で示すように、サーフェスプレーナのスピンドル７およびバイト７１が移動し回転しながら、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削する。ここで、図１１は、バンプ形成面２Ａの上方から見た、サーフェスプレーナのスピンドル７およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。また、図１２は、バンプ付ウエハ２の側方から見た、サーフェスプレーナのスピンドル７およびバンプ付ウエハ２を示す概略図である。
そして、図１１および図１２で示すように、矢印Ｄ３の方向に、サーフェスプレーナのスピンドル７およびバイト７１が移動し回転しながら研削する。このようにして、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３およびバンプ２２の一部を研削により除去できる。
【００３７】
サーフェスプレーナは、特に限定されず、公知のサーフェスプレーナを用いることができる。また、サーフェスプレーナの条件は、特に限定されず、適宜設定できる。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（５）と同様の作用効果を奏することができる。
【００３８】
［実施形態の変形］
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、樹脂研削工程において、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部を研削により除去しているが、これに限定されない。すなわち、本発明においては、樹脂研削工程において、図１３に示すように、樹脂層１３のみを研削により除去してもよい。
【００３９】
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層として設けられているが、これに限定されない。すなわち、本発明においては、樹脂層を、様々な目的に応じて、設けることができる。例えば、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４との接続を補強するためのアンダーフィル層として設けられてもよい。また、樹脂層１３は、バンプ付ウエハ２またはバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられてもよい。なお、このような場合、樹脂層１３の材料としては、アンダーフィルまたは保護層の材料として公知の材料を用いることができる。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａおよび基板４の両方に接しているが、これに限定されない。例えば、樹脂層１３がバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられる場合には、樹脂層１３はバンプ付チップ２ａに接していればよく、基板４に接していなくともよい。
【００４０】
前述の実施形態では、バンプ付部材として、バンプ付ウエハ２を用いているが、これに限定されない。例えば、バンプ付部材は、バンプを有するパッケージ（例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  ｓｉｚｅ  ｐａｃｋａｇｅ）など）であってもよい。
前述の実施形態では、接着シート１を用いて樹脂層１３をバンプ形成面２Ａに形成し、バンプ２２を覆っているが、これに限定されない。例えば、樹脂組成物をバンプ形成面２Ａに塗布し硬化させることにより樹脂層１３を形成し、バンプ２２を覆ってもよい。
前述の実施形態では、支持体層１１、粘着剤層１２および樹脂層１３を備える接着シート１を用いているが、これに限定されない。例えば、接着シート１は、支持体層１１および樹脂層１３を備える積層シートであってもよい。この場合、支持体剥離工程において、樹脂層１３から支持体層１１を剥離すればよい。
【実施例】
【００４１】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１］
バンプ付チップ（チップの大きさ：６ｍｍ×６ｍｍ、チップの厚み：２００μｍ、バンプの種類：ボールバンプ、バンプの高さ：２００μｍ、バンプの直径：２５０μｍ、バンプのピッチ：４００μｍ）を準備した。また、下記樹脂組成物からなる樹脂層と、粘着剤層（ＵＶ硬化系）と、支持体層とを備える積層シートを準備した。
（樹脂組成物）
アクリル重合体：１００質量部
シリカフィラー：３０質量部
エポキシ樹脂：３０質量部
エポキシ樹脂硬化剤：１質量部
積層シートの樹脂層をバンプ付チップのバンプ形成面に貼り合わせた後、積層シート側からＵＶ照射（積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ２）を行い、積層シートの粘着剤層を硬化させた。その後、積層シートの支持体層および粘着剤層を、樹脂層から剥離し、この樹脂層に、熱処理（処理温度：１３０℃、処理時間：２時間）を施した。このようにして、バンプ付チップのバンプ形成面に樹脂層を形成した。そして、ダイサーを用いて、下記の条件にて、バンプの表面を覆っている樹脂層を研削により除去して（樹脂研削工程）、樹脂層形成バンプ付チップを得た。得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、バンプ上の樹脂層が残渣なく完全に除去されていた。
（ダイサーの条件）
ダイシングブレード：ＮＢＣ−ＺＨ２０５０（２７ＨＥＣＣ）、ディスコ社製
ダイシングブレードの移動速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレードの回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシングブレードの幅寸法（カーフ幅）：２５〜３０μｍ
切削水の水圧：０．３ＭＰａ
得られた樹脂層形成バンプ付チップを、評価用基板に載せた後に、リフロー装置に入れてはんだを溶融させて接合した。そして、この接合後に、導通が取れているか否かを、テスターを用いて評価した。その結果、導通が取れており、樹脂層形成バンプ付チップの電極と、評価用基板の電極とが、はんだ接合されていることが確認された。
【００４２】
［比較例１］
樹脂研削工程を行わなかった以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップを、評価用基板に載せた後に、リフロー装置に入れてはんだを溶融させて接合した。そして、この接合後に、導通が取れているか否かを、テスターを用いて評価した。その結果、導通が取れておらず、樹脂層形成バンプ付チップの電極と、評価用基板の電極とが、はんだ接合されていないことが確認された。
【００４３】
実施例１および比較例１との比較結果からも明らかなように、実施例１で得られた樹脂層形成バンプ付チップを用いた場合には、樹脂層形成バンプ付チップおよび基板の電極同士をはんだ接合で接続できることが確認できた。従って、実施例１の半導体装置の製造方法によれば、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、半導体装置の製造方法に利用できる。
【符号の説明】
【００４５】
１３…樹脂層、２…バンプ付ウエハ、２２…バンプ、２ａ…バンプ付チップ、４…基板、４２…電極、１００…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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