(57)【要約】【課題】品質が良好なモールド樹脂で囲繞されたデバイスを得ることができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを、モールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央に分割起点を該ストリートに沿って形成する分割起点形成工程と、分割起点形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、分割起点からストリートを二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程とを含む。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを、モールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
該隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央に分割起点を該ストリートに沿って形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、該分割起点から該ストリートを二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハは、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該隙間を表出させ該隙間に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程とを実施することにより構成する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該分割起点形成工程は、切削ブレードによって該分割起点としての切削溝を形成する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該分割起点形成工程は、スクレーバーによって該分割起点としてのスクライブ溝を形成する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該分割起点形成工程は、レーザー加工によって該分割起点としてのレーザー加工溝を形成する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
近年、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに、個々のデバイスを樹脂で被覆するパッケージ技術が開発されている。このパッケージ技術の一つであるウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）と呼ばれるパッケージ技術が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
下記特許文献１に開示されたパッケージ技術は、ウエーハの裏面に樹脂を被覆し、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って樹脂に達する切削溝を形成し、ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設して各デバイスを被覆するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設した後、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に充填されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）に分割する。
【０００５】
また、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）を製造するウエーハの加工方法として次の技術が開発されている。
（１）ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する。
（２）ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する。
（３）ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。
（４）ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）に分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかるに、上述したいずれの加工方法においても、切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断すると、モールド樹脂の抵抗によって切削ブレードの切れ刃が撓み、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）を構成するモールド樹脂で囲繞されたデバイスの側面に傷をつけるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、品質が良好なモールド樹脂で囲繞されたデバイスを得ることができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを、モールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
該隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央に分割起点を該ストリートに沿って形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、該隙間に埋設されたモールド樹脂を該分割起点から該ストリートを二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【００１０】
上記所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハは、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、該分割溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該隙間を表出させ該隙間に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程とを実施することにより構成する。
上記分割起点形成工程は、切削ブレードによって分割起点としての切削溝を形成する。
上記分割起点形成工程は、スクレーバーによって分割起点としてのスクライブ溝を形成する。
上記分割起点形成工程は、レーザー加工によって分割起点としてのレーザー加工溝を形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明におけるウエーハの加工方法は、所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを、モールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央に分割起点をストリートに沿って形成する分割起点形成工程と、該分割起点形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、隙間に埋設されたモールド樹脂を分割起点からストリートを二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程とを含んでいるので、隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を切削ブレードによって切断することはないため、切削ブレードの切れ刃が撓み、デバイスをモールド樹脂で囲繞されたデバイスの側面に傷をつけるという問題が解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハを製造するための半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における溝形成工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールディング工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法におけるバンプ露出工程を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法によって加工される所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法における分割起点形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図および切削ブレードの要部を拡大して示す断面図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法における分割起点形成工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法における分割起点形成工程の第２の実施形態を示す説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法における分割起点形成工程の第３の実施形態を示す説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
先ず、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての、所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを製造する実施形態について、図１乃至図８を参照して説明する。
図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハを製造するための半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この各デバイス２２は、全て同一の構成をしている。デバイス２２の表面にはそれぞれ複数の突起電極であるバンプ２３が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って所定幅の隙間をもって個々のデバイス２２に分割し、個々のデバイスの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該隙間にモールド樹脂を埋設するウエーハの加工方法について説明する。
【００１５】
先ず、半導体ウエーハ２の表面側から分割予定ライン２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さと所定幅を有する溝を形成する溝形成工程を実施する。この溝形成工程は、図示の実施形態においては図２に示す切削装置３を用いて実施する。図２に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図２において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１６】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された環状の切れ刃３２３ａを備えた切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２ａで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａは、図示の実施形態においては厚みが４０μｍに設定されている。上記撮像手段３３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１７】
上述した切削装置３を用いて溝形成工程を実施するには、図２に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１８】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１の一端（図３の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図３の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図３の（ａ）および図３の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの下端が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、３００μｍ）に設定されている。
【００２０】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図３の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図３の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、３００μｍ）で幅が４０μｍの溝２１０が形成される（溝形成工程）。
【００２１】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図３の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図３の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した溝形成工程を実施する。そして、上述した溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。
【００２２】
上述した溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂を敷設するとともに溝２１０にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。このモールディング工程は、図４の（ａ）に示すように樹脂被覆装置４の保持テーブル４１の上面である保持面上に上記溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テーブル４１の保持面上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、保持テーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、保持テーブル４１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図４の（ａ）に示すように樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中心部に位置付け、図示しない樹脂供給手段を作動して、樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１からモールド樹脂４０を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中央領域に所定量滴下する。半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域へ所定量のモールド樹脂４０を滴下したならば、図４の（ｂ）に示すように保持テーブル４１を矢印４１ａで示す方向に所定の回転速度で所定時間回転することにより、図４の（ｂ）および（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０が敷設されるとともに溝２１０にモールド樹脂４０が埋設される。なお、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるモールド樹脂４０の厚みは、図示の実施形態においては１００μｍに設定されている。このモールド樹脂４０は、図示の実施形態においては熱硬化性の液状樹脂（エポキシ系の樹脂）にシリカ粒子が混入されたものが用いられており、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるとともに溝２１０に埋設された後、１５０℃程度で加熱することにより硬化せしめられる。なお、液状樹脂（エポキシ系の樹脂）に混入されるシリカ粒子は、粒径が上記溝２１０の幅の２分の１以下に設定されており、半導体ウエーハ２の膨張率と同一の膨張率となるように体積比率で９０％に設定されている。
【００２３】
次に、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０を研磨して、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３を露出するバンプ露出工程を実施する。このバンプ露出工程は、図５の（ａ）に示す研磨装置５を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研磨装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研磨する研磨手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に回転せしめられる。研磨手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研磨工具５２４とを具備している。この研磨工具５２４は、円形状の基台５２５と、該基台５２５の下面に装着された研磨パッド５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。なお、研磨パッド５２６は、図示の実施形態においては、フェルトに研磨材としてシリカからなる砥粒が混入されている。
【００２４】
上述した研磨装置５を用いて上記バンプ露出工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、研磨手段５２の研磨工具５２４を図５の（ａ）において矢印５２４ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめて、図５の（ｂ）に示すように研磨パッド５２６を被加工面である表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の上面に接触せしめ、研磨工具５２４を図５の（ａ）および図５の（ｂ）において矢印５２４ｂで示すように所定の研磨送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研磨送りする。この結果、図５の（ｃ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が研磨され、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３が露出せしめられる。
なお、上記モールディング工程においてバンプ２３を被覆しないで半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。
【００２５】
上述したバンプ露出工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図６に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００２６】
次に、保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面を研削して分割溝２１０を表出させ分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図７に示す研削装置７を用いて実施する。図７の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図７の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段７２は、スピンドルハウジング７２１と、該スピンドルハウジング７２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル７２２と、該回転スピンドル７２２の下端に装着されたマウンター７２３と、該マウンター７２３の下面に取り付けられた研削ホイール７２４とを具備している。この研削ホイール７２４は、円環状の基台７２５と、該基台７２５の下面に環状に装着された研削砥石７２６とからなっており、基台７２５がマウンター７２３の下面に締結ボルト７２７によって取り付けられている。
【００２７】
上述した研削装置７を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図７の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図７の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図７の（ａ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図７の（ｂ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール７２４を図７の（ａ）および図７の（ｂ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図７の（ｃ）で示すように溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。
【００２８】
以上のように、溝形成工程、モールディング工程、バンプ露出工程、保護部材貼着工程、裏面研削工程を実施することにより、図８の（ａ）および（ｂ）に示すように所定幅（図示の実施形態においては４０μｍ）の隙間（溝２１０）をもって格子状に配設された複数のデバイス２２の表面にモールド樹脂４０が敷設されるとともに隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００を有するウエーハ２０が製造される。
【００２９】
次に、所定幅の隙間をもって格子状に配設された複数のデバイスの表面にモールド樹脂が敷設されるとともに該隙間にモールド樹脂が埋設されたストリートを有するウエーハを製造する他の形態について説明する。この形態は、所定のサブストレートにリングを配設し、リング内においてサブストレート上に予め個々に分割された複数のデバイスを表面を上側にして所定幅の隙間をもって格子状に配列する。次に、格子状に配列された複数のデバイスを表面にモールド樹脂を敷設するとともに隙間にモールド樹脂を埋設せしめる。
【００３０】
以上のようにして製造されたウエーハをモールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割する方法について説明する。なお、ウエーハとしては、上記図８の（ａ）および（ｂ）に示すウエーハ２０を用いて説明する。
上記図８の（ａ）および（ｂ）に示すように構成されたウエーハ２０をモールド樹脂で囲繞されたデバイスに分割するには、先ず、ウエーハ２０の裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図９に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープＴの表面にウエーハ２０の裏面２ｂを貼着する。そして、ウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着されたウエーハ２０は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。
【００３１】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、図８の（ａ）および（ｂ）に示すようにウエーハ２０の隙間（分割溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央に分割起点をストリート４００に沿って形成する分割起点形成工程を実施する。この分割起点形成工程の第１の実施形態は、図示の実施形態においては図１０の（ａ）および（ｂ）に示す切削装置３０を用いて実施する。なお、図１０の（ａ）および（ｂ）に示す切削装置３０は、上記図２に示す切削装置３と切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図１０の（ａ）および（ｂ）に示す切削装置３０における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂは、図１０の（ｂ）に拡大して示すように外周部が断面Ｖ字状に形成されている。
なお、分割起点形成工程を実施するウエーハとしては、上記図８の（ａ）および（ｂ）に示すウエーハ２０を用いて説明する。
【００３２】
図１０の（ａ）および（ｂ）に示す切削装置３０を用いて上記図１０の（ａ）および（ｂ）に示すウエーハ２０に分割起点形成工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記ウエーハ支持工程が実施されたウエーハ２０のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上にウエーハ２０をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持されたウエーハ２０は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、ウエーハ２０を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００３３】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によってウエーハ２０に形成された隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂に分割起点となる切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。なお、図示の実施形態においては隙間（溝２１０）が形成されたウエーハ２０の表面にはモールド樹脂４０が敷設されているので、撮像手段３３は分割予定ライン２１を挟んで隣接するデバイス２２に形成されモールド樹脂４０の表面から露出されているバンプ２３を撮像して図示しない制御手段に送る。そして、図示しない制御手段は、隣接するデバイス２２に形成されバンプ２３とバンプ２３の中間位置を隙間（溝２１０）の幅方向中央位置と決定する。このようにして、ウエーハ２０の所定方向に形成されているモールド樹脂４０が埋設された隙間（溝２１０）に対するアライメントを遂行したならば、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された隙間（溝２１０）に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００３４】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されているウエーハ２０の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１１の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００の一端（図１１の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。
【００３５】
このようにして切削装置３０のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図１１の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１１の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１１の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの下端がウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面から５０μｍ内側の位置に設定されている。
【００３６】
次に、切削ブレード３２３を図１１の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図１１の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００の他端（図１１の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図１１の（ｄ）で示すようにウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０における隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央部と対応する位置に、分割起点としての深さが５０μｍのＶ字切削溝４０１がストリート４００に沿って形成される。
【００３７】
次に、切削ブレード３２３を図１１の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図１１の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１１の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された隙間（溝２１０）の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した分割起点形成工程を実施する。そして、上述した分割起点形成工程を半導体ウエーハ２に形成された隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設された全てのストリート４００に沿って実施する。
【００３８】
次に、分割起点形成工程の第２の実施形態について、図１２を参照して説明する。この分割起点形成工程の第２の実施形態は、図１２の（ａ）および（ｂ）に示すスクライブ装置８を用いて実施する。即ち、図１２の（ａ）および（ｂ）に示すスクライブ装置８のチャックテーブル８１上に上記ウエーハ支持工程が実施されたウエーハ２０のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル８１上にウエーハ２０をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル８１上に保持されたウエーハ２０は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。次に、ウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０および隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂に破断起点となるスクライブ溝を形成すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。このアライメント作業は、上記図１０および図１１に示す分割起点形成工程におけるアライメント作業を同様に実施する。
【００３９】
上述したアライメント作業を実施したならば、ウエーハ２０を保持したチャックテーブル８１を加工領域の加工開始位置に移動する。このとき、図１２の（ａ）で示すようにウエーハ２は加工すべき隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００の一端（図１２の（ａ）において左端）がスクライバー８２の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。
【００４０】
このようにしてスクライブ装置９のチャックテーブル８１上に保持されたウエーハ２０が加工領域の加工開始位置に位置付けられたならば、スクライバー８２を図１２の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１２の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１２の（ｃ）に示すようにスクライバー８２の下端がウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面から５０μｍ内側の位置に設定されている。
【００４１】
次に、ウエーハ２０を保持したチャックテーブル８１を図１２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図１２の（ｂ）において右端）がスクライバー８２の直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル８１の移動を停止する。このようにチャックテーブル８１を加工送りすることにより、図１２の（ｄ）で示すようにウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０における隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央部と対応する位置に、分割起点としての深さが５０μｍのＶ字スクライブ溝４０２がストリート４００に沿って形成される。この分割起点形成工程をウエーハ２０の隙間（分割溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設された全てのストリート４００に沿って実施する。
【００４２】
次に、分割起点形成工程の第３の実施形態について、図１３を参照して説明する。この分割起点形成工程の第３の実施形態は、図１３の（ａ）および（ｂ）に示すレーザー加工装置９を用いて実施する。即ち、図１３の（ａ）および（ｂ）に示すレーザー加工装置９のチャックテーブル９１上に上記ウエーハ支持工程が実施されたウエーハ２０のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル９１上にウエーハ２０をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル９１上に保持されたウエーハ２０は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。次に、ウエーハ２０に形成された隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂に分割起点となるレーザー加工溝を形成すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。このアライメント作業は、上記図１０および図１１に示す分割起点形成工程におけるアライメント作業を同様に実施する。
【００４３】
上述したアライメント作業を実施したならば、図１３の（ａ）で示すようにチャックテーブル９１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段９２の集光器９２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設されたストリート４００の一端（図１３の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段９２の集光器９２１の直下に位置付けるとともに、図１３の（ｃ）に示すように隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を集光器９２１の直下に位置付ける。そして、集光器９２１から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図１２の（ｃ）に示すように隙間（溝２１０）に埋設されウエーハ２の裏面２ｂに露出されたモールド樹脂４０の上面付近に位置付ける。なお、集光器９２１から照射されるパルスレーザー光線の集光スポット径は、図示の実施形態においてはφ１０μｍに設定されている。次に、集光器９２１からモールド樹脂４０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル９１を図１３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図１３（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段８２の集光器９２１の照射位置が隙間（溝２１０）の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル９１の移動を停止する。この結果、図１３（ｄ）で示すようにウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０における隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央部と対応する位置に、分割起点としてのレーザー加工溝４０３がストリート４００に沿って形成される。この分割起点形成工程をウエーハ２０の隙間（溝２１０）にモールド樹脂４０が埋設された全てのストリート４００に沿って実施する。
【００４４】
以上のようにして分割起点形成工程を実施したならば、ウエーハ２０に外力を付与し、分割起点からストリート４００を二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１４の（ａ）に示す分割装置１０を用いて実施する。即ち、上記分割起点形成工程が実施されたウエーハ２０をダイシングテープＴを介して支持する環状のフレームＦを円筒状のベース１１の載置面１１ａ上にダイシングテープＴ側を上にして載置し、円筒状のベース１１の外周に配設されたクランプ１２によって固定する。そして、ウエーハ２０の表面に敷設されたモールド樹脂４０側を曲げ荷重付与手段１３を構成する平行に配設された円柱状の複数の支持部材１３１上に載置する。このとき、支持部材１３１と１３１との間に上記Ｖ字切削溝４０１またはスクライブ溝４０２またはレーザー加工溝４０３が形成されたストリート４００が位置付けられるように載置する。そして、ウエーハ２０の裏面に貼着されたダイシングテープＴ側から押圧部材１３２によりストリート４００に沿って押圧する。この結果、ウエーハ２０にはストリート４００に沿って曲げ荷重が作用してストリート４００に沿って形成された上記Ｖ字切削溝４０１またはスクライブ溝４０２またはレーザー加工溝４０３側に引っ張り荷重が発生し、図１４の（ｂ）に示すようにウエーハ２０の隙間（分割溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０はＶ字切削溝４０１またはレーザー加工溝４０２またはＶ字スクライブ溝４０３が分割の起点となってストリート４００に沿って分割される。
【００４５】
そして、所定方向にＶ字切削溝４０１またはレーザー加工溝４０２またはＶ字スクライブ溝４０３が形成されたストリート４００に沿って分割したならば、円筒状のベース１１を９０度回動せしめて、上記所定方向と直交する方向に上記Ｖ字切削溝４０１またはスクライブ溝４０２またはレーザー加工溝４０３が形成されたストリート４００に沿って上記分割作業を実施することにより、ウエーハ２０は表面および側面がモールド樹脂４０で覆われた個々のデバイス２２に分割することができる。なお、個々に分割されたデバイス２２は、裏面がダイシングテープＴに貼着されているので、バラバラにはならずウエーハ２０の形態が維持されている。このようにして分割されたデバイス２２は、図１４の（ｃ）に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって囲繞されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）を構成している。
【００４６】
以上のように、図示の実施形態におけるウエーハの加工方法は、ウエーハ２０に形成された隙間（溝２１０）に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央に分割起点としての上記Ｖ字切削溝４０１またはスクライブ溝４０２またはレーザー加工溝４０３をストリート４００に沿って形成する分割起点形成工程と、該分割起点形成工程が実施されたウエーハ２０に外力を付与し、分割起点としての上記Ｖ字切削溝４０１またはスクライブ溝４０２またはレーザー加工溝４０３からストリート４００を二分してモールド樹脂で囲繞したデバイスに分割する分割工程とを含んでいるので、隙間に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を切削ブレードによって切断することはないため、切削ブレードの切れ刃が撓み、デバイスをモールド樹脂で囲繞されたデバイスの側面に傷をつけるという問題が解消される。
なお、上述した実施形態においては、ウエーハ２０の表面側から分割起点を形成する例について説明したが、裏面研削工程の後、ウエーハ支持工程を実施する前にウエーハ２０の裏面側からストリート４００に沿って分割起点を形成してもよい。
【符号の説明】
【００４７】
２：半導体ウエーハ
２０：ウエーハ
２２：デバイス
３，３０：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：樹脂被覆装置
４０：モールド樹脂
５：研磨装置
５１：研磨装置のチャックテーブル
５２：研磨手段
５２４：研磨工具
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
７２４：研削ホイール
８：スクライブ装置
８１：スクライブ装置のチャックテーブル
８２：スクライバー
９：レーザー加工装置
９１：レーザー加工装置のチャックテーブル
９２：レーザー光線照射手段
９２１：集光器
１０：分割装置
１３：曲げ荷重付与手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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