(57)【要約】【課題】電極の電極抵抗を低減させたシリコン光変調器を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の光変調器は、基板と、基板上に形成された下部クラッドと、下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、ｐ型半導体領域は、ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、ｎ型半導体領域は、ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、折り目がアーム導波路の光の導波方向と同じ方向になるように基板垂直方向に蛇腹状に折り曲げられ、それぞれが高濃度ｐ型半導体領域及び高濃度ｎ型半導体領域に接続された二枚の電極と、導波路上に形成された上部クラッドとを備える。【選択図】図２
2017045012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部クラッドと、
前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、
前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、
前記上部クラッド上に形成され、前記上部クラッドに形成された複数の溝を介してそれぞれが前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域に接続された二枚の電極と
を備えることを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記二枚の電極の前記溝がすべて、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記二枚の電極の前記溝のうちの一つのみが、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
【請求項４】
前記二枚の電極は、前記基板水平方向に蛇腹状にさらに折り曲げられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光変調器。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成された下部クラッドと、
前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、前記ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、
前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、
前記上部クラッド上面に形成された金属板と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域とを接続する金属板とにより、前記光の導波方向と直交する方向の断面が櫛歯状に形成された電極と
を備えることを特徴とする光変調器。
【請求項６】
前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域とを接続する前記金属板がすべて、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする請求項５に記載の光変調器。
【請求項７】
前記電極は、さらに前記基板水平方向に延びる一の金属板を有し、前記光の導波方向と直交する方向の断面が２段の櫛歯状に形成されることを特徴とする請求項６に記載の光変調器。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された下部クラッドと、
前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、前記ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、
前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、
前記上部クラッド水平方向に形成され、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域に接続する金属板と、水平方向に形成された金属板に接続する複数の金属板とにより、前記光の導波方向と直交する方向の断面が櫛歯状に形成された電極と
を備えることを特徴とする光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光変調器に関し、より詳細には、シリコンオンインシュレータウエハ上に形成したシリコン光変調器に関する．
【背景技術】
【０００２】
近年の光通信の普及に伴い、光通信装置の低コスト化が求められている。その解決策の一つとして、光通信装置を構成する光回路を、シリコンウエハのような大口径ウエハ上に、シリコンフォトニクスのような微小光回路技術を用いて形成する方法がある。これにより、１チップあたりの材料費を劇的に下げ、光通信装置の低コスト化を図ることが出来る。
【０００３】
このような技術を用いてシリコン基板上に形成する代表的な光変調器として、キャリア引抜型のシリコン光変調器がある（例えば特許文献１）。図１は、従来のキャリア引抜型のシリコン光変調器を示す図で、図１（ａ）はシリコン光変調器１００の上面図を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´における断面図を示している。シリコン光変調器１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された下部クラッド１０２と、下部クラッド１０２上に形成された導波路１０３と、下部クラッド１０２上及び導波路１０３上に形成された上部クラッド１０４とを備える。導波路１０３は、入射導波路１０３−１と、入射導波路１０３−１からの光を分波する光分岐器１０３−２と、光分岐器１０３−２からの光が伝搬し、マッハツェンダー干渉計を構成するアーム導波路１０３−３及び１０３−４とを備える。また、導波路１０３は、アーム導波路１０３−３及び１０３−４からの光を合波する光合波器１０３−５と、光合波器１０３−５からの光をシリコン光変調器１００から出射する出力導波路１０３−６とを備える。
【０００４】
アーム導波路１０３−３（１０３−４）の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域１１１であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域１１２である。中央は凸部であり、幅方向中心線には、ｐｎ接合部１１０が形成される。また、ｐ型半導体領域１１１は、ｎ型半導体領域１１２と反対方向の上面の一部が高濃度ｐ型半導体領域１１３となっており、ｎ型半導体領域１１２は、ｐ型半導体領域１１１と反対方向の上面の一部が高濃度ｎ型半導体領域１１４となっている。高濃度ｐ型半導体領域１１３は、溝１１５を介して、電極１１６に接続されている。また、高濃度ｎ型半導体領域１１４は、溝１１７を介して、電極１１８に接続されている。
【０００５】
シリコン光変調器１００は、電極１１６及び１１７を介して信号発生器１０５−１〜１０５−４から印加する高周波電力の電圧を変化させることにより、アーム導波路１０３−３（１０３−４）のｐｎ接合部１１０周辺に形成される空乏層領域を増減させ、空乏層領域を伝播する光の位相等を変化させる。位相の変化した光は、光合波器１０４において干渉されることにより、変調される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５４０４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
シリコン光変調器の変調効率を制限する原因の一つに、電極の抵抗がある。シリコン光変調器１００はマッハツェンダー干渉計を構成する２本のアーム導波路１０３−３、１０３−４に高周波の電力を印加して動作させるものである。高周波電力は、電極１１６及び１１８から、高濃度ｐ型半導体領域１１３および高濃度ｎ型半導体領域１１４に供給される。ここで、電極１１６及び１１８の電極材料は、抵抗を有するため、高周波電力は、進行方向（電極が形成される方向）に伝播するにつれ、電極１１６及び１１８の持つ抵抗により減衰する。したがって、アーム導波路１０３−３（１０３−４）を長くすると、電極１１６及び１１８も長くなり、電力の減衰が大きくなる。従って、シリコン光変調器１００に電力を供給する電力が電気抵抗として消費される結果、シリコン光変調器１００の変調効率が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような問題を解決するものであり、電極の電極抵抗を低減させたシリコン光変調器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、光変調器であって、基板と、前記基板上に形成された下部クラッドと、前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、前記上部クラッド上に形成され、前記上部クラッドに形成された複数の溝を介してそれぞれが前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域に接続された二枚の電極とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第２の態様は、第１の態様の光変調器であって、前記二枚の電極の前記溝がすべて、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の第３の態様は、第１の態様の光変調器であって、前記二枚の電極の前記溝のうちの一つのみが、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の第４の態様は、第１乃至第３のうちの一つの態様の光変調器であって、前記二枚の電極は、前記基板水平方向に蛇腹状にさらに折り曲げられていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の第５の態様は、光変調器であって、基板と、前記基板上に形成された下部クラッドと、前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、前記ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、前記上部クラッド上面に形成された金属板と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域とを接続する金属板とにより、前記光の導波方向と直交する方向の断面が櫛歯状に形成された電極とを備えることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の第６の態様は、第５の態様の光変調器であって、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域とを接続する前記金属板がすべて、前記高濃度ｐ型半導体領域又は前記高濃度ｎ型半導体領域に接続されることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の第７の態様は、第６の態様の光変調器であって、前記電極は、さらに前記基板水平方向に延びる一の金属板を有し、前記光の導波方向と直交する方向の断面が２段の櫛歯状に形成されることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の第８の態様は、光変調器であって、基板と、前記基板上に形成された下部クラッドと、前記下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、前記アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、前記幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、前記幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、前記ｐ型半導体領域は、前記ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、前記ｎ型半導体領域は、前記ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、前記下部クラッド及び前記導波路上に形成された上部クラッドと、前記上部クラッド水平方向に形成され、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記高濃度ｎ型半導体領域に接続する金属板と、水平方向に形成された金属板に接続する複数の金属板とにより、前記光の導波方向と直交する方向の断面が櫛歯状に形成された電極とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高周波電力を印加する電極の抵抗を下げることが出来るため、長尺に渡り、シリコン光変調器に対し電力供給が可能となり、低電圧駆動を実現でき、ひいてはシリコン光変調器の高効率化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来のキャリア引抜型のシリコン光変調器を示す図で、（ａ）はシリコン光変調器の上面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´における断面図を示している。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかるシリコン光変調器を示す図で、（ａ）はシリコン光変調器の上面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ´における断面図を示している。
【図３】本発明の第１の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２０】
［第１の実施形態］
図２は、本発明の第１の実施形態にかかるシリコン光変調器を示す図で、図２（ａ）はシリコン光変調器２００の上面図を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ´における断面図を示している。シリコン光変調器２００は、基板２０１と、基板２０１上に形成された下部クラッド２０２と、下部クラッド２０２に形成された導波路２０３と、導波路２０３上に形成された上部クラッド２０４とを備える。導波路２０３は、入射導波路２０３−１と、入射導波路２０３−１からの光を分波する光分岐器２０３−２と、光分岐器２０３−２からの光が伝搬し、マッハツェンダー干渉計を構成するアーム導波路２０３−３及び２０３−４とを備える。また、導波路２０３は、アーム導波路２０３−３及び２０３−４からの光を合波する光合波器２０３−５と、光合波器２０３−５からの光をシリコン光変調器２００から出射する出力導波路２０３−６とを備える。
【００２１】
アーム導波路２０３−３（２０３−４）は、リブ形導波路により構成されている。ここで、アーム導波路２０３−３（２０３−４）の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域２１１であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域２１２である。中央は凸部であり、幅方向中心線は、ｐｎ接合部２１０が形成される。また、ｐ型半導体領域２１１は、ｎ型半導体領域２１２と反対方向の上面の一部が高濃度ｐ型半導体領域２１３となっており、ｎ型半導体領域２１２は、ｐ型半導体領域２１１と反対方向の上面の一部が高濃度ｎ型半導体領域２１４となっている。
【００２２】
高濃度ｐ型半導体領域２１３は、溝２１５−１〜２１５−３を介して、電極２１６に接続されている。また、高濃度ｎ型半導体領域２１４は、溝２１７−１〜２１７−３を介して、電極２１８に接続されている。電極２１６及び２１８は、信号発生器２０５−３、２０５−４から高周波変調電力が供給される。
【００２３】
電極２１６（２１８）は、断面構造が蛇腹状である。つまり、一枚の金属板を、折り目がアーム導波路の光の導波方向と同じ方向になるように基板２０１水平方向に蛇腹状に折り曲げる。このとき、蛇腹の一方の（基板２０１側の）折り返し端すべてが高濃度ｐ型半導体領域２１３（高濃度ｎ型半導体領域２１４）に接続するような構造、言い換えれば複数の溝２１５−１〜２１５−３（２１７−１〜２１７−３）を形成する構造となっている。電極２１６（２１８）は、断面構造を蛇腹状にすることにより、電極表面積を増大させている。高周波電力は電極表面を伝播するため、電極表面積を増大することで電極の抵抗を低減することができる。なお、溝２１５−１〜２１５−３（２１７−１〜２１７−３）には、クラッドが充填されてもよい。
【００２４】
（変形例）
図３及び図４は、本発明の第１の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【００２５】
図３のシリコン光変調器３００は、電極３１６（３１８）の断面が蛇腹状となっている点は図２のシリコン光変調器２００と同じである。しかし、図３のシリコン光変調器３００は、基板３０１側の蛇腹の複数の折り返し端の一つのみが高濃度ｐ型半導体領域３１３（高濃度ｎ型半導体領域３１４）に接続するような構成となっている。
【００２６】
図４のシリコン光変調器４００は、電極４１６（４１８）の断面が二次元方向の蛇腹状に形成されている。つまり、光変調器基板垂直方向に折り返されるだけでなく、基板水平方向にも折り返されている形態である。
【００２７】
図２〜図４に記載のいずれのシリコン光変調器の電極も、通常の半導体製造プロセスで用いられるリソグラフィ技術ならびにダマシン技術で実現可能である。
【００２８】
［第２の実施の形態］
図５は、本発明の第２の実施形態にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。図５のシリコン光変調器５００は、基板５０１と、基板５０１上に形成された下部クラッド５０２と、下部クラッド５０２に形成されたアーム導波路５０３と、アーム導波路５０３上に形成された上部クラッド５０４とを備える。
【００２９】
アーム導波路５０３は、リブ形導波路により構成されている。ここで、アーム導波路５０３の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域５１１であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域５１２である。中央は凸部であり、幅方向中心線は、ｐｎ接合部５１０が形成される。また、ｐ型半導体領域５１１は、ｎ型半導体領域５１２と反対方向の上面の一部が高濃度ｐ型半導体領域５１３となっており、ｎ型半導体領域５１２は、ｐ型半導体領域５１１と反対方向の上面の一部が高濃度ｎ型半導体領域５１４となっている。
【００３０】
高濃度ｐ型半導体領域５１３は、電極５１６に接続されている。また、高濃度ｎ型半導体領域５１４は、電極５１８に接続されている。電極５１６（５１８）は、断面構造が櫛歯状である。つまり、上部クラッド５０４の上面かつアーム導波路５０３の光の導波方向に一枚の金属板５１６−１（５１８−１）が形成され、複数の金属板５１６−２〜５１６〜Ｎ（５１８−２〜５１８−Ｎ）が、アーム導波路５０３の光の導波方向かつ基板垂直方向に上部クラッド５０４内に形成される。このとき、一枚の金属板５１６−１（５１８−１）は、複数の金属板５１６−２〜５１６〜Ｎ（５１８−２〜５１８−Ｎ）の一方の縁に接続しており、また、複数の金属板５１６−２〜５１６〜Ｎ（５１８−２〜５１８−Ｎ）の他方の縁が高濃度ｐ型半導体領域５１３（高濃度ｎ型半導体領域５１４）に接続するような構造となっている。電極５１６（５１８）は、断面構造を櫛歯状にすることにより、電極表面積を増大させている。高周波電力は電極表面を伝播するため、電極表面積を増大することで電極の抵抗を低減することができる。
【００３１】
（変形例）
図６及び図７は、本発明の第２の実施形態の変形例にかかるシリコン光変調器の光の導波方向に直交する方向の断面図を示す図である。
【００３２】
図６のシリコン光変調器６００は、電極６１６（６１８）の断面が櫛歯状となっている点は図５のシリコン光変調器５００と同じである。しかし、図６のシリコン光変調器６００は、一枚の金属板６１６−１（６１８−１）が、上部クラッド６０４中に基板水平方向かつアーム導波路６０３の光の導波方向に形成され、一枚の金属板６１６−１（６１８−１）上に、複数の金属板６１６−２〜６１６〜Ｎ（６１８−２〜６１８−Ｎ）が、アーム導波路６０３の光の導波方向かつ基板垂直方向に形成される。
【００３３】
一枚の金属板６１６−１（６１８−１）は、断面がＬ字型であり、縁が高濃度ｐ型半導体領域６１３（高濃度ｎ型半導体領域６１４）に接続している。金属板６１６−１（６１８−１）の上面は、複数の金属板６１６−２〜６１６〜Ｎ（６１８−２〜６１８−Ｎ）の一方の縁に接続している。また、複数の金属板６１６−２〜６１６〜Ｎ（６１８−２〜６１８−Ｎ）の他方の縁は上部クラッド６０４上に露出している。
【００３４】
図７のシリコン光変調器７００は、電極７１６（７１８）の断面が二段の櫛歯状に形成されている。つまり、電極７１６（７１８）は、水平方向の二つの金属板７１６−１及び７１６−２（７１８−１及び７１８−２）と、垂直方向の複数の金属板７１６−３〜７１６−Ｎ（７１８−３〜７１８−Ｎ）により構成されている。二つの金属板７１６−１及び７１６−２（７１８−１及び７１８−２）は、金属板７１６−３〜７１６−Ｎ（７１８−３〜７１８−Ｎ）それぞれと接続し、金属板７１６−３〜７１６−Ｎ（７１８−３〜７１８−Ｎ）の一方の縁は、高濃度ｐ型半導体領域７１３（高濃度ｎ型半導体領域７１４）に接続するような構造となっている。
【００３５】
図５〜図７に記載のいずれのシリコン光変調器の電極も、通常の半導体製造プロセスで用いられるリソグラフィ技術ならびにダマシン技術で実現可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００  シリコン光変調器
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１  基板
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、７０２  下部クラッド
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７０３  導波路
１０３−１、２０３−１  入射導波路
１０３−２、２０３−２  光分波器
１０３−３、１０３−４、２０３−３、２０３−４  アーム導波路
１０３−５、２０３−５  光合波器
１０３−６、２０３−６  出射導波路
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４、７０４  上部クラッド
１０５−１〜１０５−４、２０５−１〜２０５〜４  信号発生器
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０  ｐｎ接合部
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１  ｐ型半導体領域
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２  ｎ型半導体領域
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３、６１３、７１３  高濃度ｐ型半導体領域
１１４、２１４、３１４、４１４、５１４、６１４、７１４  高濃度ｎ型半導体領域
１１５、１１７、２１５−１〜２１５−３、２１７−１〜２１７−３、３１５−１〜３１５−３、３１７−１〜３１７−３、４１５−１、４１５−２、４１７―１、４１７−２  溝
１１６、１１８、２１６、２１８、３１６、３１８、４１６、４１８、５１６、５１８、６１６、６１８、７１６、７１８  電極
５１６−１〜５１６−Ｎ、５１８−１〜５１８−Ｎ、６１６−１〜６１６−Ｎ、６１８−１〜６１８−Ｎ、７１６−１〜７１６−Ｎ、７１８−１〜７１８−Ｎ  金属板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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