(57)【要約】【課題】薄型でシンプルな構造を有し、電波の放出の少ない電子部品内蔵基板の提供。【解決手段】実施形態の電子部品内蔵基板１は、電子部品を収容する貫通孔１０ａを備えている絶縁基板１０と、貫通孔１０ａ内に収容されている電子部品２ａ〜２ｃと、貫通孔１０ａ内に充填され、電子部品２ａ〜２ｃを被覆する封止部材５と、を有している。そして、絶縁基板１０の貫通孔１０ａを囲む内壁に第１金属膜３１が形成されており、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側において電子部品２ａ〜２ｃの端子２１ａ〜２１ｃが封止部材５から露出しており、絶縁基板１０の一面１０Ｆと反対側の他面１０Ｓ側に第２金属膜３２が形成されており、貫通孔１０ａの絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の開口部は第２金属膜３２によって覆われている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収容する貫通孔を備えている絶縁基板と、
前記貫通孔内に収容されている電子部品と、
前記貫通孔内に充填され、前記電子部品を被覆する封止部材と、
を有する電子部品内蔵基板であって、
前記絶縁基板の前記貫通孔を囲む内壁に第１金属膜が形成されており、前記絶縁基板の一面側において前記電子部品の端子が前記封止部材から露出しており、
前記絶縁基板の前記一面と反対側の他面側に第２金属膜が形成されており、
前記貫通孔の前記他面側の開口部は前記第２金属膜によって覆われている。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品内蔵基板であって、前記第１金属膜は前記絶縁基板の前記他面まで延長して形成され、前記第２金属膜は前記第１金属膜に接続されており、前記電子部品は、前記絶縁基板の前記一面側を除く周囲を前記第１金属膜および前記第２金属膜によって囲まれている。
【請求項３】
請求項１記載の電子部品内蔵基板であって、前記第１金属膜は、前記絶縁基板の前記一面まで延長して形成され、前記貫通孔の開口部の周囲を囲んでいる。
【請求項４】
請求項１記載の電子部品内蔵基板であって、さらに、前記絶縁基板の前記一面側に、ソルダーレジスト層、および前記ソルダーレジスト層に周囲を被覆されている第１導体パッドを含む第１導体層を有しており、前記電子部品の端子は前記第１導体パッドに電気的に接続されている。
【請求項５】
請求項４記載の電子部品内蔵基板であって、前記第１導体層はさらに第２導体パッドを含み、前記第１金属膜は前記絶縁基板の前記一面上まで延長して形成されており、前記第２導体パッドは前記絶縁基板の前記一面上の前記第１金属膜に接続されている。
【請求項６】
請求項４記載の電子部品内蔵基板であって、さらに、前記絶縁基板の前記一面上に、前記第１導体層および前記ソルダーレジスト層を少なくとも介して、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記絶縁基板と反対側の表面に一面を露出して前記第１樹脂絶縁層に埋め込まれている第２導体層とを有しており、
前記第２導体層は、前記電子部品の端子に電気的に接続されている第３導体パッド、および、前記第１金属膜に電気的に接続されている第４導体パッドを含み、
前記第２導体層の前記第１樹脂絶縁層から露出する前記一面は、前記第１樹脂絶縁層の前記表面よりも凹んでいる。
【請求項７】
請求項４記載の電子部品内蔵基板であって、前記第１導体パッドの露出面は、前記ソルダーレジスト層の表面よりも凹んでいる。
【請求項８】
請求項１記載の電子部品内蔵基板であって、前記第１金属膜は、前記絶縁基板の前記一面上まで延長して形成されており、前記第１金属膜の前記絶縁基板の前記一面上の部分の表面と、前記封止部材から露出する前記電子部品の端子の表面とが略面一である。
【請求項９】
請求項１記載の電子部品内蔵基板であって、前記貫通孔内に複数の前記電子部品が収容されており、前記複数の電子部品は、受動部品および能動部品を含んでいる。
【請求項１０】
絶縁基板に貫通孔を形成することと、
前記絶縁基板の前記貫通孔を囲んでいる内壁に第１金属膜を形成することと、
前記貫通孔の一方の開口部を塞ぐベース部材を用意することと、
前記ベース部材と前記絶縁基板とを重ね合せることと、
前記貫通孔内の前記ベース部材上に直接または導電体を介して電子部品を配置することと、
前記貫通孔内に樹脂材料を充填することと、
前記貫通孔の前記ベース部材と反対側の開口部を覆う第２金属膜を、前記第１金属膜に接触するように形成することと、
前記ベース部材を除去することと、を含む電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記ベース部材を用意する工程は、金属箔上、または前記金属箔の上に形成されている樹脂絶縁層の表面上に所定の導体パターンを有する導体層を形成することと、前記導体パターン上に開口を有するソルダーレジスト層を形成することとを含み、
前記ベース部材と前記絶縁基板とを重ね合せる工程は、前記絶縁基板を前記導体層上にはんだ付けすることを含み、
前記電子部品を配置する工程は、前記電子部品を前記導体層にはんだ付けすることを含んでいる。
【請求項１２】
請求項１１記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、前記絶縁基板および前記電子部品は、はんだリフローにより同時に前記導体層にはんだ付けされる。
【請求項１３】
請求項１０記載の電子部品内蔵基板の製造方法であって、
前記樹脂材料の充填により前記貫通孔内に前記電子部品を覆う封止部材が形成され、
前記第２金属膜の形成前に、さらに、前記封止部材の表面が前記第１金属膜の前記第２金属膜との接触面とほぼ面一となるように、前記封止部材を研磨することを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を囲む金属膜を有する電子部品内蔵基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、高周波信号を発生する送信回路を有する高周波モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０６９６５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の高周波モジュールでは、送信回路を構成する集積回路装置やトランジスタなどの電子部品が基板上に実装されている。これらの電子部品は基板ごとケースに覆われている。そのため、モジュール全体の厚さは、基板および電子部品の厚さの合計に、ケースの肉厚、およびケースと電子部品との適度なクリアランス長を加えた厚さになると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子部品内蔵基板は、電子部品を収容する貫通孔を備えている絶縁基板と、前記貫通孔内に収容されている電子部品と、前記貫通孔内に充填され、前記電子部品を被覆する封止部材と、を有している。そして、前記絶縁基板の前記貫通孔を囲む内壁に第１金属膜が形成されており、前記絶縁基板の一面側において前記電子部品の端子が前記封止部材から露出しており、前記絶縁基板の前記一面と反対側の他面側に第２金属膜が形成されており、前記貫通孔の前記他面側の開口部は前記第２金属膜によって覆われている。
【０００６】
本発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、絶縁基板に貫通孔を形成することと、前記絶縁基板の前記貫通孔を囲んでいる内壁に第１金属膜を形成することと、前記貫通孔の一方の開口部を塞ぐベース部材を用意することと、前記ベース部材と前記絶縁基板とを重ね合せることと、前記貫通孔内の前記ベース部材上に直接または導電体を介して電子部品を配置することと、前記貫通孔内に樹脂材料を充填することと、前記貫通孔の前記ベース部材と反対側の開口部を覆う第２金属膜を、前記第１金属膜に接触するように形成することと、前記ベース部材を除去することと、を含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、電子部品は金属膜に囲まれた貫通孔内に収容されるので、外部への電波の漏れが少なく、しかも厚さの薄い電子部品内蔵基板が提供される。また、外部と電子部品の端子との間を短い経路で接続できるので、入出力信号の品質の低下が少なく、電子部品内蔵基板の特性が安定すると考えられる。さらに、ケースなどを必要としないため、容易に、かつ、安い製造コストで電子部品内蔵基板が製造されると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の一例の断面図。
【図２Ａ】図１の電子部品内蔵基板の一例の平面図。
【図２Ｂ】図１の電子部品内蔵基板の第２導体層側の表面の一例を示す下面図。
【図３】図１の電子部品内蔵基板の第２導体層の他の例を示す拡大図。
【図４Ａ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｈ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｉ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｊ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｋ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【図４Ｌ】本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の電子部品内蔵基板が、図面を参照しながら説明される。図１、２Ａおよび２Ｂに示されるように、実施形態の電子部品内蔵基板１は、貫通孔１０ａを備えている絶縁基板１０と、貫通孔１０ａ内に収容されている電子部品２ａ〜２ｃと、貫通孔１０ａ内に充填され、前記電子部品２ａ〜２ｃを被覆する封止部材５と、を有している。そして、絶縁基板１０の貫通孔１０ａを囲む内壁に、下層膜３１ａおよび上層膜３１ｂからなる第１金属膜３１が形成されている。また、図１に示されるように、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側において電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの端子２１ａ〜２１ｃが封止部材５から露出している。なお、図１は、図２Ｂに示されるＩ−Ｉ線における断面図である。
【００１０】
電子部品２ａ〜２ｃは、絶縁基板１０内の貫通孔１０ａによる空洞部分に配置されている。それにより、電子部品内蔵基板１全体の厚さのうちで、絶縁基板１０および電子部品２ａ〜２ｃによって占められる部分の厚さが薄くなると考えられる。すなわち、絶縁基板１０の表面に電子部品２ａ〜２ｃが実装される場合と比べて、電子部品内蔵基板１全体の厚さが薄くなると考えられる。
【００１１】
また、貫通孔１０ａを囲む絶縁基板１０の内壁に第１金属膜３１が形成されているため、貫通孔１０ａ内の電子部品２ａ〜２ｃから少なくとも側方（絶縁基板１０の厚さ方向と直交する方向）への電波の漏れが抑制されると考えられる。外部に漏れる電波の少ない良好な特性の電子部品内蔵基板１が得られると考えられる。電子部品内蔵基板１の周囲の電気回路などへの悪影響が少ないと推察される。特に、電子部品内蔵基板１では、図２Ａに示されるように、第１金属膜３１は、貫通孔１０ａを囲む内壁全体に形成されている。貫通孔１０ａの周縁が全周にわたって第１金属膜３１に囲まれている。電子部品２ａ〜２ｃの側方の全方位において、電波の漏出が少ないと考えられる。しかし、内壁の一部だけに第１金属膜３１が形成されていてもよい。少なくとも第１金属膜３１を有する部分からの電波の漏れが少なくなると考えられるからである。
【００１２】
さらに、本実施形態では、絶縁基板１０の一面１０Ｆと反対側の他面１０Ｓ側に、第２金属膜３２が形成されている。第２金属膜３２は、絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の封止部材５の表面上に主に形成され、封止部材５の表面全体を覆っている。すなわち、第２金属膜３２によって、絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の貫通孔１０ａの開口部が覆われている。そのため、電子部品２ａ〜２ｃから絶縁基板１０の他面１０Ｓ側への電波の漏れが抑制されると考えられる。図１および図２Ａに示される例では、第２金属膜３２上に被覆層３３が形成されている。被覆層３３は、第２金属膜３２を覆っている。
【００１３】
また、図１に示される例では、第１金属膜３１は絶縁基板１０の他面１０Ｓ上まで延長して形成されている。絶縁基板１０の他面１０Ｓ上の第１金属膜３１は、貫通孔１０ａの開口部の周囲を囲んでいる。この絶縁基板１０の他面１０Ｓ上の第１金属膜３１に第２金属膜３２の外周部分が積層され、第１金属膜３１と直接接続されている。電子部品２ａ〜２ｃは、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側を除く周囲を、第１金属膜３１および第２金属膜３２によって囲まれている。導電性を有する第１金属膜３１および第２金属膜３２が接続されることにより、側面および天井面を有する電気的に一体的な構造のシールド層３が形成されている。すなわち、電子部品２ａ〜２ｃは、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側を除く周囲をシールド層３によって外部から遮蔽されている。電子部品２ａ〜２ｃから電子部品内蔵基板１の外部への電波の放出が、いっそう効果的に抑制されると考えられる。電子部品内蔵基板１を用いる電子機器などの電気的特性が安定すると考えられる。なお、第１金属膜３１は、絶縁基板１０の他面１０Ｓの面上まで延長されなくてもよい。たとえば、第１金属膜３１は、他面１０Ｓまで達するように形成されるだけでもよい。その場合でも、第１金属膜３１と第２金属膜３２とが接触し得ると考えられる。
【００１４】
一方、図１に示されるように、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側において、電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの端子２１ａ〜２１ｃが、封止部材５の表面５Ｆに露出している。貫通孔１０ａ内に電子部品２ａ〜２ｃとの電気的接続のための配線などを設ける必要がない。絶縁基板１０の一面１０Ｆ側での外部の電気回路と電子部品２ａ〜２ｃとの電気的接続が容易である。電子部品２ａ〜２ｃと外部の電気回路とが短い経路で接続され得る。電子部品内蔵基板１の特性が安定すると考えられる。また、電子部品２ａ〜２ｃと外部の電気回路との接続のためにシールド層３に開口部などを設ける必要が無い。そのような開口部からの電波の放出が防がれる。
【００１５】
図１に示されるように、本実施形態では、電子部品内蔵基板１は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側に、ソルダーレジスト層６および第１導体層７ａを有している。図１の例では、第１導体層７ａは、金属箔７ａａ、シード金属膜７ａｂおよび電解めっき膜７ａｃからなる３層構造を有している。第１導体層７ａは複数の第１導体パッド７ａ１を含んでいる。第１導体層７ａは、第１導体パッド７ａ１の他に、第２導体パッド７ａ２を含んでいる。電子部品２ａ〜２ｃは、第１導体パッド７ａ１に実装されている。電子部品の端子２１ａ〜２１ｃは、導電性の接合材７６によって第１導体パッド７ａ１に固定されると共に、第１導体パッド７ａ１に電気的に接続されている。第１導体パッド７ａ１および第２導体パッド７ａ２はソルダーレジスト層６に周囲を被覆されている。
【００１６】
電子部品内蔵基板１は、さらに、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上に、第１導体層７ａおよびソルダーレジスト層６を介して、樹脂絶縁層７４ｂ、７４ａ、および導体層７ｃ、７ｂを有している。図１の例では、絶縁基板１０から遠い側から、第２導体層７ｂ、第１樹脂絶縁層７４ａ、第３導体層７ｃ、および、第２樹脂絶縁層７４ｂの順に積層され、第２樹脂絶縁層７４ｂ上に、第１導体層７ａおよびソルダーレジスト層６が形成されている。第２導体層７ｂは、第１樹脂絶縁層７４ａの絶縁基板１０と反対側の表面から一面を露出させて第１樹脂絶縁層７４ａに埋め込まれている。第２導体層７ｂの第１樹脂絶縁層７４ａからの露出面上に、はんだなどからなるバンプ７３が形成されている。第２導体層７ｂは、複数の第３導体パッド７ｂ１、および第４導体パッド７ｂ２を含んでいる。第３導体層７ｃは、第１導体層７ａと同様の３層構造を有している。第１および第２樹脂絶縁層７４ａ、７４ｂには、それぞれビア導体７５ａ、７５ｂが形成され、各樹脂絶縁層の両側の導体層同士が、ビア導体７５ａ、７５ｂによって、それぞれ接続されている。第３導体パッド７ｂ１は、ビア導体７５ａ、７５ｂ、および、第１導体パッド７ａ１を介して電子部品の電極２１ａ〜２１ｃのいずれかに電気的に接続されている。第４導体パッド７ｂ２は、ビア導体７５ａ、７５ｂ、および、第２導体パッド７ａ２を介して、第１金属膜３１に電気的に接続されている。
【００１７】
第２導体層７ｂおよび第１樹脂絶縁層７４ａによって、電子部品内蔵基板１の絶縁基板１０の他面１０Ｓと反対側の表層部が形成されている。第１〜第３導体層７ａ〜７ｃに配線パターン（図示せず）を適切な形状で形成することにより、第２導体層７ｂ上の任意の位置で、電子部品２ａ〜２ｃと外部の電気回路とを電気的に接続することができる。また、第２導体層７ｂは第１樹脂絶縁層７４ａに埋め込まれているので、複数の第３導体パッド７ｂ１同士の間、および第３導体パッド７ｂ１と第４導体パッド７ｂ２との間のはんだショートなどが少ないと考えられる。電子部品内蔵基板１を用いる電子機器の実装歩留りや信頼性が高いと考えられる。図１に例示される電子部品内蔵基板１は３つの導体層を有しているため、電子部品内蔵基板１内に、複雑な電気回路を形成することができると考えられる。実施形態の電子部品内蔵基板は、第１導体層３ａと第２導体層３ｂとの間にさらに多くの導体層および樹脂絶縁層を有していてもよい。
【００１８】
図１および図２Ｂに示される例では、第１金属膜３１は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上まで延長して形成されている。絶縁基板１０の一面１０Ｆ上の第１金属膜３１は、貫通孔１０ａの開口部の周囲を囲んでいる。第２導体パッド７ａ２は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上で第１金属膜３１と接続するように枠状に形成され、第１金属膜３１と、接合材７６によって接続されている（なお、バンプ７３と、第３および第４導体パッド７ｂ１、７ｂ２とがほぼ重複するため、図２Ｂでは、バンプ７３は省略されている。また、図２Ｂにおいて第４導体パッド７ｂ２と重なる位置に、第４導体パッド７ｂ２とほぼ同形状の第２導体パッド７ａ２が形成されている）。貫通孔１０ａの周囲を囲む第１金属膜３１および第２導体パッド７ａ２によって、貫通孔１０ａからの絶縁基板１０の一面１０Ｆに沿った電波の伝搬が効果的に抑制されると考えられる。さらに、第４導体パッド７ｂ２をマザーボードのグランドパターンに接続することにより、シールド層３がグランド電位となり得る。シールド層３の電位が安定し、優れたシールド作用が得られると考えられる。なお、第１金属膜３１は、絶縁基板１０の一面１０Ｆの面上まで必ずしも延長されなくてもよい。たとえば、第１金属膜３１は、一面１０Ｆまで達するように形成されるだけでもよい。その場合でも、第１金属膜３１と第２導体パッド７ａ２とが接続し得ると考えられる。
【００１９】
電子部品内蔵基板１の厚さ方向における絶縁基板１０と電子部品２ａ〜２ｃとの位置関係は、接合材７６の供給量や第２導体パッド７ａ２の大きさなどによって調整され得る。たとえば、第１金属膜３１の絶縁基板１０の一面１０Ｆ上の部分の表面（第１導体層７ａに面する表面）が、封止部材５の表面５Ｆに露出する電子部品の端子２１ａ〜２１ｃの表面とほぼ面一になるように、接合材７６の量などが調整されてもよい。封止部材５の熱膨張などによる電子部品２ａ〜２ｃおよび絶縁基板１０を介した接合材７６へのストレスが、比較的偏らずに第１導体パッド７ａ１上および第２導体パッド７ａ２上の接合材７６それぞれに分散されると推察される。
【００２０】
絶縁基板１０の平面形状（絶縁基板１０の厚さ方向と直交する平面への投影形状、以下、「平面形状」は同じ意味で用いられる）は、図２Ａおよび図２Ｂに示される略正方形の形状に限定されず、たとえば、長方形や円形など、任意の形状であってよい。また、絶縁基板１０の厚さは、電子部品内蔵基板１の厚さの大半を占めており、電子部品内蔵基板１のおおよその厚さを規定している。絶縁基板１０の厚さは、たとえば、０．５ｍｍ以上、１．６ｍｍ以下である。貫通孔１０ａ内に完全に収容され得る電子部品２ａ〜２ｃの厚さ（高さ）は、絶縁基板１０の厚さにより定まる。換言すると、絶縁基板１０の厚さは、貫通孔１０ａ内に収容される電子部品の厚さにより適宜選択され得る。絶縁基板１０は、電子部品内蔵基板１に適度な剛性を与え、貫通孔１０ａの形成領域、ならびに第１金属膜３１の形成領域を提供する。絶縁基板１０の材料は、これらの機能を有するものであれば特に限定されない。たとえば、絶縁基板１０の材料はエポキシ樹脂であってよく、シリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。また、絶縁基板１０はガラスクロスなどの補強材を含んでいてもよい。好ましくは、プリプレグが絶縁基板１０の材料として用いられる。
【００２１】
貫通孔１０ａは、たとえば、レーザー光などの照射により絶縁基板１０に形成される。図２Ａに示される例では、貫通孔１０ａは、略正方形の平面形状を有し、絶縁基板１０のほぼ中央部に位置している。しかし、貫通孔１０ａの形状や大きさ、および、絶縁基板１０内での位置は、図２Ａに示される例に限定されない。たとえば、貫通孔１０ａの形状や大きさは、内部に収容すべき電子部品に応じて決定され得る。また、図１では、貫通孔１０ａの周囲の壁面は絶縁基板１０の厚さ方向とほぼ平行である。しかし、たとえば、貫通孔１０ａの周囲の壁面は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側に向かうほど貫通孔１０ａの中心側に向かうように傾斜していても、その逆方向に傾斜していてもよい。すなわち、貫通孔１０ａが絶縁基板１０の一面１０Ｆおよび他面１０Ｓのいずれかに向って広がっていても、すぼんでいてもよい。
【００２２】
貫通孔１０ａ内には、図示されるように複数の電子部品２ａ〜２ｃが収容されてもよいし、電子部品が１つだけ収容されてもよい。貫通孔１０ａ内に配置される電子部品２ａ〜２ｃは、受動部品であっても、能動部品であってもよい。また、受動部品および能動部品の両方が、１つの貫通孔１０ａ内に収容されてもよい。電子部品間の配線長が短縮されることがある。受動部品としては、表面実装型もしくは他の形態のインダクタ、コンデンサ、抵抗などが例示される。また、能動部品としては、ベアチップ、ＷＬＰ、もしくは他の形態の集積回路装置、トランジスタ、またはダイオードなどが例示され、特に高周波で動作する半導体素子が例示される。しかし、受動部品および能動部品のいずれも、これらに限定されない。
【００２３】
第１金属膜３１は、絶縁基板１０の内壁に形成され、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上および他面１０Ｓ上まで延在している。図１に示される例では、第１金属膜３１は、下層膜３１ａと上層膜３１ｂとの２層構造を有している。下層膜３１ａは、たとえば無電解銅めっき膜であり、上層膜３１ｂは、たとえば電解銅めっき膜である。しかし、第１金属膜３１は、図１に示される構造に限定されず、１層だけであっても、３層以上の金属膜を含んでいてもよい。また、第１金属膜３１は、ニッケルなどの他の金属材料からなる膜であってもよく、スパッタリング膜や蒸着膜などであってもよい。また、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上および他面１０Ｓ上の第１金属膜３１は、必ずしも貫通孔１０ａの周囲全体を囲んでいなくてもよい。絶縁基板１０の一面１０Ｆ上および他面１０Ｓ上には、任意のパターンの第１金属膜３１が形成され得る。たとえば、絶縁基板１０の一面１０Ｆおよび他面１０Ｓの面上に第１金属膜３１が形成されていなくてもよい。第１金属膜３１の厚さは、３μｍ以上、１５μｍ以下、好ましくは、５μｍ以上、１０μｍ以下である。良好な電波遮断作用が得られ、しかも第１金属膜３１の形成時間が短いと考えられる。
【００２４】
第２金属膜３２は、貫通孔１０ａの絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の開口部を覆っている。第２金属膜３２は、たとえば、無電解銅めっき膜である。しかし、第２金属膜３２は、銅以外の、たとえばニッケルなどの他の金属材料により他の成膜方法で形成された金属膜であってもよい。図１に示されるように、第２金属膜３２が、貫通孔１０ａの開口部全体を覆い、かつ、貫通孔１０ａの開口部の全周にわたって第１金属膜３１に接続されていると、貫通孔１０ａからの電波の遮断効果が高まると考えられる。しかし、第２金属膜３２は、貫通孔１０ａの開口部上の一部に形成されているだけでもよい。また、第２金属膜３２は、貫通孔１０ａの開口部の周囲において部分的に第１金属膜３１と接続されるだけでもよい。貫通孔１０ａの開口部上の少なくとも一部に第２金属膜３２が形成されれば、貫通孔１０ａからの電波の放出が少なくなると考えられるからである。第２金属膜３２の厚さは、０．０５μｍ以上、１μｍ以下、好ましくは、０．１μｍ以上、０．５μｍ以下である。電波の遮断作用が得られ、しかも第２金属膜３２の形成時間が短いと考えられる。
【００２５】
封止部材５は、貫通孔１０ａ内に形成され、電子部品内蔵基板１の外部からの機械的ストレスなどに対して電子部品２ａ〜２ｃを保護している。封止部材５は、また、温度変化による接合材７６へのストレスを軽減することがある。封止部材５は、具体的には、主にソルダーレジスト層６および電子部品２ａ〜２ｃを被覆している。また、封止部材５は、ソルダーレジスト層６および電子部品２ａ〜２ｃに覆われていない第１導体層７ａや接合材７６の露出部も被覆し得る。封止部材５は絶縁性を有する任意の樹脂組成物により形成され得る。封止部材５の材料としては、エポキシ樹脂が例示される。エポキシ樹脂はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーの含有率は、たとえば、６０質量％以上、９０質量％以下、好ましくは、７０質量％以上、９０質量％以下である。
【００２６】
第１導体パッド７ａ１は、電子部品の端子２１ａ〜２１ｃに応じて設けられている。第２導体パッド７ａ２は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上の第１金属膜３１のパターンに応じて設けられ、任意の形状および大きさに形成され得る。第１導体層７ａを構成する金属箔７ａａ、シード金属膜７ａｂおよび電解めっき膜７ａｃの材料としては銅が例示される。第１導体層７ａの材料は、良好な導電性を有していれば、特に銅に限定されない。第２導体層７ｂの材料も特に限定されない。第２導体層７ｂは、好ましくは、電解銅めっき膜からなる。第３導体層７ｃの材料も特に限定されず、第１導体層７ａと同様の材料が用いられ得る。第１および第３導体層７ａ、７ｃの層構造は、図１に例示される３層構造に限定されず、単層、または、３層よりも多い、もしくは少ない多層構造であってもよい。
【００２７】
図１の例では、第２導体層７ｂの第１樹脂絶縁層７４ａから露出する一面は、第１樹脂絶縁層７４ａの表面とほぼ面一に形成されている。しかし、図３に示されるように、第１樹脂絶縁層７４ａの表面７４ａａから露出する第２導体層７ｂの一面７ｂａは、第１樹脂絶縁層７４ａの表面７４ａａよりも凹んでいてもよい。なお、図３は、図１において一点鎖線で囲まれているIII部に相当する部分の拡大図である（図１に示されているバンプ７３は省略されている）。第２導体層の一面７ｂａが第１樹脂絶縁層の表面７４ａａよりも凹んでいると、バンプ７３（図１参照）同士の接触不良が生じ難いと考えられる。第２導体層の一面７ｂａの第１樹脂絶縁層の表面７４ａａからの凹み量は、たとえば、０．１μｍ以上、５μｍ以下である。第２導体層の一面７ｂａが凹み得る理由は後述される。
【００２８】
ソルダーレジスト層６は、少なくとも貫通孔１０ａ内の第１導体層７ａの各パターン間に形成されている。すなわち、ソルダーレジスト層６は、少なくとも第１導体パッド７ａ１同士の間、および第１導体パッド７ａ１と第２導体パッド７ａ２との間に形成されている。各導体パッド間での接合材７６同士の接触が防止され得る。ソルダーレジスト層６は、図１および図２Ｂの例と異なり、貫通孔１０ａの周囲の領域にも形成されていてもよい。たとえば、第２導体パッド７ａ２が、貫通孔１０ａの全周にわたって形成されていない場合は、ソルダーレジスト層６は、その第２導体パッド７ａ２の非形成領域にも形成され得る。
【００２９】
ソルダーレジスト層６は、第１および第２導体パッド７ａ１、７ａ２上に開口を有している。接合材７６は、この開口内に供給され、電子部品２ａ〜２ｃと第１導体パッド７ａ１とを接合し、絶縁基板１０と第２導体パッド７ａ２とを接合している。接合材７６は、良好な導電性および強固な接合力を有するものであれば特に限定されない。たとえば、はんだや導電性接着剤が、接合材７６に用いられる。
【００３０】
被覆層３３は、第２金属膜３２の全面を覆っている。被覆層３３によって、電子部品内蔵基板１の製造時および使用時に晒される外部環境などから第２金属膜３２が保護される。たとえば、第２金属膜３２が銅で形成されている場合、酸化による錆などの発生が防がれる。また、後述のように、電子部品内蔵基板１の製造時に、第２金属膜３２がエッチング液などから保護され得る。被覆層３３は、第２金属膜３２と異なる、たとえばニッケルなどの金属膜であってよく、たとえばエポキシ樹脂などによる樹脂膜であってもよい。被覆層３３の材料は、これらに限定されない。
【００３１】
図１の例では、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側には、第１導体層７ａを含めて複数の導体層が形成されている。しかし、絶縁基板１０の一面１０Ｆ側には、導体層が１つだけ形成されていてもよい。
【００３２】
一実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法が、図１に示される電子部品内蔵基板１を例にして、図４Ａ〜４Ｌを参照して説明される。
【００３３】
図４Ａに示されるように、絶縁基板１０が用意される。絶縁基板１０は、前述のように、適度な剛性などを有していれば、材料について特に限定されない。たとえば、プリプレグを本硬化させてなるガラスエポキシ板や、プリプレグの両面に銅箔が積層されてなる両面銅張積層板が用意される。図４Ａは銅箔などを有さない絶縁基板１０の例である。
【００３４】
図４Ａに示される２つの二点鎖線Ｃの間の領域が除去され、図４Ｂに示されるように、絶縁基板１０に貫通孔１０ａが形成される。図４Ｂには、電子部品内蔵基板１（図１参照）よりも大きな大判の絶縁基板１００が示されている。大判の絶縁基板１００に複数の貫通孔１０ａが形成されている。このように大判の絶縁基板１００を用いると、複数の電子部品内蔵基板１が同時に製造され得る。電子部品内蔵基板１が、短期間で、安価かつ大量に製造され得る。しかし、電子部品内蔵基板１は、貫通孔１０ａの形成から完成まで、１つずつ製造されてもよい。なお、図４Ａ、４Ｃ、および４Ｇ〜４Ｋは、１つの貫通孔１０ａの周辺部分の断面を示している。貫通孔１０ａは、たとえば、レーザー光の照射、ルーターによる切断、ドリルによる切削、金型などによる打ち抜きなど、絶縁基板１０に過度なストレスを与えない、あらゆる適切な加工方法を用いて形成され得る。
【００３５】
図４Ｃに示されるように、貫通孔１０ａの周囲の内壁に第１金属膜３１が形成される。図４Ｃの例では、第１金属膜３１は、絶縁基板１０の一面１０Ｆおよび他面１０Ｓにも延長して形成されている。第１金属膜３１は、下層膜３１ａおよび上層膜３１ｂの成膜により形成される。たとえば、下層膜３１ａが、無電解めっき、スパッタリング、または蒸着などにより、絶縁基板１０の一面１０Ｆ、他面１０Ｓ、および、貫通孔１０ａの周囲の内壁面全体に形成される。続いて、下層膜３１ａ上の全面に、たとえば電解めっきにより、上層膜３１ｂが形成され、２層構造の第１金属膜３１が形成される。下層膜３１ａ、上層膜３１ｂには、好ましくは銅が用いられる。ニッケルなどの他の金属材料が用いられてもよい。
【００３６】
必要に応じて、絶縁基板１０の一面１０Ｆおよび他面１０Ｓ上の第１金属膜３１は、テンティング法などによりパターニングされる。図４Ｃの例では、他面１０Ｓ上の第１金属膜３１の一部が除去されている。第１金属膜３１は、絶縁基板１０の一面１０Ｆ上および他面１０Ｓ上のいずれにおいても、貫通孔１０ａ内から貫通孔１０ａの周囲全周にわたって延在している。第１金属膜３１は、必ずしも、絶縁基板１０の一面１０Ｆおよび／または他面１０Ｓ上に形成されなくてもよい。また、上層膜３１ｂは、必要な領域だけにパターンめっき法により形成されてもよい。
【００３７】
図４Ａ〜４Ｃに示される絶縁基板１０に対する工程と別に、図４Ｄ〜４Ｆに示されるように、ベース部材８が用意される。
【００３８】
図４Ｄに示されるように、ベース部材８として、金属箔８１が用意される。好ましくは、後工程の第２導体層７ｂ（図４Ｅ参照）の形成時などに必要な剛性が得られるように、図４Ｄに示されるように、キャリア金属箔８２に接着されている金属箔８１が用意され、キャリア金属箔８２側でベース基板８３と接合される。金属箔８１とキャリア金属箔８２とは、たとえば、全面を熱可塑性などの分離可能な接着剤で接着されているか、外周付近の余白部分だけで接着されている。金属箔８１およびキャリア金属箔８２は、好ましくは、銅箔である。ニッケル箔などの他の金属箔が用いられてもよい。キャリア金属箔８２とベース基板８３とは、たとえば、熱圧着により接合される。接着剤などが用いられてもよい。ベース基板８３には、たとえば、銅などからなる金属板やプリプレグが用いられる。プリプレグが用いられる場合は、キャリア金属箔８２との熱圧着時に硬化されてもよい。
【００３９】
図４Ｅに示されるように、金属箔８１上に、所定の領域に複数の第３導体パッド７ｂ１および第４導体パッド７ｂ２を有する第２導体層７ｂが形成される。第２導体層７ｂは、たとえば、第３および第４導体パッド７ｂ１、７ｂ２の形成領域に開口を有するめっきレジストを用いて電解銅めっきにより形成される。金属箔８１がシード層として用いられ得る。エッチングを用いないので、ファインピッチで第３および第４導体パッド７ｂ１、７ｂ２が形成され得る。なお、第２導体層７ｂは、第３および第４導体パッド７ｂ１、７ｂ２以外の任意の導体パターンを含むように形成されてもよい。
【００４０】
図４Ｆに示されるように、第２導体層７ｂ上に、第１樹脂絶縁層７４ａ、第３導体層７ｃ、第２樹脂絶縁層７４ｂ、および第１導体層７ａが形成される。第１導体層７ａは、複数の第１導体パッド７ａ１、および第２導体パッド７ａ２を有するように形成される。また、第１導体パッド７ａ１と第３導体パッド７ｂ１とを接続すると共に、第２導体パッド７ａ２と第４導体パッド７ｂ２とを接続するビア導体７５ａ、７５ｂが形成される。第１樹脂絶縁層７４ａ、第３導体層７ｃ、第２樹脂絶縁層７４ｂ、第１導体層７ａ、およびビア導体７５ａ、７５ｂは、たとえば、一般的なビルドアップ配線板の製造方法と同様の方法で形成され得る。たとえば、第１樹脂絶縁層７４ａが、第２導体層７ｂおよび金属箔８１の露出部分上にフィルム状のエポキシ樹脂などを金属箔と共に熱圧着することにより形成される。レーザー光の照射などにより第１樹脂絶縁層７４ａにビアホールが形成され、無電解めっきもしくはスパッタリングなどによるシード金属膜の形成、および、パターンめっきによる電解めっき膜の形成により第３導体層７ｃおよびビア導体７５ａが形成される。シード金属膜およびその下の金属箔の不要部分はエッチングなどにより除去される。そして、第２樹脂絶縁層７４ｂ、第１導体層７ａおよびビア導体７５ｂが、第１樹脂絶縁層７４ａ、第３導体層７ｃおよびビア導体７５ａとそれぞれ同様の方法で形成される。第１導体層７ａには、第１導体パッド７ａ１および第２導体パッド７ａ２を含む所定の導体パターンが形成される。第１および第３導体層７ａ、７ｃは、パネルめっきと、テンティング法によるパターニングとにより形成されてもよい。
【００４１】
第１導体パッド７ａ１および第２導体パッド７ａ２上に開口６ｂを有するソルダーレジスト層６が、第１導体層７ａ、および第１導体層７ａから露出する第２樹脂絶縁層７４ｂの表面上に形成される。たとえば、感光性のエポキシ樹脂材料の層が第１導体層７ａ上および第２樹脂絶縁層７４ｂの露出部上に印刷やスプレーコーティングなどにより形成され、フォトリソグラフィ技術により開口６ｂが形成される。図４Ｆに示されるように、ベース基板８３と反対側の表面に第１導体層７ａおよびソルダーレジスト層６を備える金属箔８１からなるベース部材８が用意される。
【００４２】
図４Ｄ〜４Ｆの例では、ベース基板８３の一方の面だけに、キャリア金属箔８２を介して金属箔８１が積層されている。しかし、ベース基板８３の他方の面に、さらに金属箔８１が積層されてもよい。その場合、後工程はベース部材８の両方の面において行われ得る。図４Ｇ〜４Ｌおよび以下の説明では、ベース部材８の他方の面の側の図示および説明は省略されている。しかし、図４Ｇ〜４Ｌに示される工程は、ベース部材８の他方の面においても、一方の面とほぼ同時に行われてもよい。
【００４３】
図４Ｇに示されるように、絶縁基板１０とベース部材８とが重ね合わされ、貫通孔１０ａ内に電子部品２ａ〜２ｃが配置される。図４Ｇの例では、絶縁基板１０は、一面１０Ｆをベース部材８側に向けて、第１導体層７ａなどを介してベース部材８に積層される。貫通孔１０ａの絶縁基板１０の一面１０Ｆ側の開口部が、第１導体層７ａなどを介してベース部材８によって塞がれる。電子部品２ａ〜２ｃは、導電体（図４Ｇの例では第１および第３導体パッド７ａ１、７ｂ１ならびにビア導体７５ａ、７５ｂ）を介して金属箔８１、すなわちベース部材８上に配置される。電子部品２ａ〜２ｃそれぞれの端子２１ａ〜２１ｃは、接合材７６を介して第１導体パッド７ａ１に電気的に接続される。絶縁基板１０の一面１０Ｆ上の第１金属膜３１は、接合材７６を介して第２導体パッド７ａ２に電気的に接続される。なお、図４Ｇには、第１金属膜３１は、１層に簡略化して示されている（図４Ｈ〜４Ｋにおいても、第１金属膜３１は簡略化されている）。ベース部材８はベース基板８３を備えているため、撓みなどが生じ難い。そのため、第１導体パッド７ａ１および第２導体パッド７ａ２の接続面がほぼ平坦であると考えられる。電子部品２ａ〜２ｃや絶縁基板１０が安定して接続され得る。接合材７６としては、たとえば、はんだが例示される。しかし、接合材７６は、はんだに限定されず、たとえば、導電性の粒子と樹脂材料とを含む導電性接着剤であってもよい。
【００４４】
接合材７６にはんだが用いられる場合、電子部品２ａ〜２ｃおよび絶縁基板１０は、好ましくは、はんだリフローによって第１導体層７ａに同時にはんだ付けされる。接合材７６が第１導体層７ａ上に一度に供給され得るうえ、別々にはんだリフローする場合に起こり得る、はんだの再溶融が回避され得る。信頼性の高い電子部品内蔵基板１が効率よく製造され得る。接合材７６に、たとえば導電性接着剤などの他の接合材が用いられる場合も、電子部品２ａ〜２ｃと絶縁基板１０とは、第１導体層７ａに同時に接続され得る。たとえば、第１および第２導体パッド７ａ１、７ａ２に同時に接合材７６が供給され、電子部品２ａ〜２ｃおよび絶縁基板１０の配置後の加熱により接合材７６が硬化され、電子部品２ａ〜２ｃおよび絶縁基板１０が同時に接続されてもよい。しかし、電子部品２ａ〜２ｃと絶縁基板１０とは、別々に第１導体層７ａに接続されてもよい。また、電子部品２ａ〜２ｃと絶縁基板１０とで、接合材７６として異なる種類の接合材が用いられてもよい。たとえば、電子部品２ａ〜２ｃの接続用にはんだが用いられ、絶縁基板１０の接続用に導電性接着剤が用いられてもよい。そして、先に導電性接着剤からなる接合材７６によって絶縁基板１０と第２導体パッド７ａ２とが接続され、その後、はんだペーストなどが第１導体パッド７ａ１上にディスペンサなどで供給され、電子部品２ａ〜２ｃがはんだリフローによって実装されてもよい。
【００４５】
図４Ｈに示されるように、貫通孔１０ａ内に樹脂材料が充填され、電子部品２ａ〜２ｃの周囲を覆う封止部材５が形成される。たとえば適量の無機フィラーなどを含むエポキシ樹脂が、マスク印刷やノズルからの吐出などにより、貫通孔１０ａの上方および／または貫通孔１０ａ内に塗布もしくは注入される。または、フィルム状に成型された樹脂材料が貫通孔１０ａを覆うように絶縁基板１０の他面１０Ｓ上に積層されてもよい。いずれの方法でも、貫通孔１０ａ内に隈なく樹脂材料が充填されるように、樹脂材料の軟化温度で一次加熱が行われてもよい。また、ボイドなどが発生しないように、真空または減圧雰囲気中で樹脂材料が充填されてもよい。貫通孔１０ａ内に充填された樹脂材料が所定の硬化温度で加熱され、本硬化することにより封止部材５が形成され得る。
【００４６】
封止部材５は、好ましくは、貫通孔１０ａを完全に埋めるように形成される。電子部品２ａ〜２ｃが外的ストレスから十分に保護されると共に、後工程の第２金属膜３２（図４Ｊ参照）の形成が容易になるからである。そのため、封止部材５は、図４Ｈに示されるように、絶縁基板１０の他面１０Ｓ、または他面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面よりもさらに突出するように形成されるのが好ましい。樹脂材料の供給量の細かな制御を要することなく貫通孔１０ａ内が確実に埋められるからである。
【００４７】
封止部材５が絶縁基板１０の他面１０Ｓよりも突出するように形成される場合、封止部材５の形成後、図４Ｉに示されるように、封止部材５の突出部分が研磨される。ベルトサンダによる研磨、バフ研磨、または化学機械研磨などにより、封止部材５が研磨される。封止部材５は、封止部材５の絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の表面５Ｓが、絶縁基板１０の他面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面とほぼ面一となるように研磨される。第１金属膜３１が絶縁基板１０の他面１０Ｓまで達していないときは、封止部材５は、絶縁基板１０の他面１０Ｓと表面５Ｓとがほぼ面一となるように研磨され得る。絶縁基板１０の他面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面は、後工程で形成され得る第２金属膜３２（図４Ｊ参照）との接触面である。絶縁基板１０の他面１０Ｓの面上に第１金属膜３１が形成されていないときは、他面１０Ｓ側の第１金属膜３１の端面が、「他面１０Ｓ上の第１金属膜３１の表面」である。封止部材５の研磨により、均一な膜厚を有し安定したシールド効果をもたらす第２金属膜３２が形成されると考えられる。
【００４８】
図４Ｊに示されるように、封止部材５の表面５Ｓ上に、第２金属膜３２が形成される。第２金属膜３２は、たとえば、無電解めっきにより形成される。第２金属膜３２は、スパッタリングや蒸着により形成されてもよい。無電解めっきなどに加えて、電解めっきが行われてもよい。第２金属膜３２によって、貫通孔１０ａの絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の、封止部材５により内部が埋められている開口部が覆われる。図４Ｊの例では、第２金属膜３２は、絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の全面に形成されている。すなわち、第２金属膜３２は、第１金属膜３１と接するように、絶縁基板１０の他面１０Ｓ上の第１金属膜３１上にも形成されている。第１金属膜３１と第２金属膜３２とにより、電子部品２ａ〜２ｃを囲むシールド層３が形成される。第２金属膜３２は、絶縁基板１０の他面１０Ｓ側の全面に形成された後、機能的に特に必要のない部分をエッチングなどで除去されてもよい。たとえば、貫通孔１０ａの上方でも第１金属膜３１上でもない部分の第２金属膜３２が除去されてもよい。また、大判の絶縁基板１００（図４Ｂ参照）から複数の電子部品内蔵基板１が製造される場合に、個片化のための切断線Ｓ（図４Ｌ参照）の近傍の第２金属膜３２が除去されてもよい。
【００４９】
第２金属膜３２の形成後、第２金属膜３２を覆う被覆層３３が形成される。たとえば、第２金属膜３２をシード層とする電解めっきにより、第２金属膜３２とは異なる材料の電解めっき膜からなる被覆層３３が形成される。この場合の被覆層３３の材料には、第２金属膜３２が銅からなる場合、たとえばニッケルが用いられる。めっき膜からなる被覆層３３の材料は、ニッケルに限定されず、第２金属膜３２の材料に応じて、適宜選択され得る。
【００５０】
被覆層３３は、樹脂材料により形成されてもよい。たとえば、フィルム状に成形された樹脂が第２金属膜３２上に積層され、加熱される。加熱により一旦溶融した樹脂材料が第２金属膜３２と密着する。更なる加熱により樹脂材料が本硬化し、それにより被覆層３３が形成される。樹脂材料からなる被覆層３３は、第２金属膜３２を外部の導電体との間で絶縁し得る点で好ましい。この場合の被覆層３３の材料としては、エポキシ樹脂が例示される。封止部材５の材料と同等の線膨張率を有する材料が、被覆層３３の材料として好ましい。第２金属膜３２に生じる熱応力が少ないと考えられるからである。
【００５１】
図４Ａ〜４Ｌに示される実施形態の製造方法の例では、被覆層３３の形成後に、ベース基板８３と共にキャリア金属箔８２が、金属箔８１と分離される。たとえば、金属箔８１とキャリア金属箔８２とを接着している熱可塑性接着剤が加熱されることにより軟化し、その状態で、金属箔８１とキャリア金属箔８２とが引き離される。金属箔８１とキャリア金属箔８２とが外周部分だけで接着されている場合は、接着部が切除されてもよい。
【００５２】
キャリア金属箔８２との分離により露出する金属箔８１、すなわちベース部材８が除去される。たとえば、エッチングにより金属箔８１が除去される。このエッチングの際、第２金属膜３２は、被覆層３３により覆われている。そのため、第２金属膜３２に金属箔８１と同じ材料が用いられていても、第２金属膜３２は除去されない。
【００５３】
金属箔８１のエッチングによる除去の際に、第２導体層７ｂの各導体パッド間が確実に電気的に分離されるように、金属箔８１の消失後もエッチングが継続され得る。その間、金属箔８１の消失により露出する第２導体層７ｂの表面がエッチングされる。それにより、第２導体層７ｂの一面が第１樹脂絶縁層７４ａの表面よりも凹み得る（図３参照）。
【００５４】
第３および第４導体パッド７ｂ１、７ｂ２の露出面上には、図４Ｋに示されるように、バンプ７３が形成され得る。バンプ７３は、たとえば、はんだペーストの印刷、または、はんだボールの配置、およびはんだリフローにより形成される。バンプ７３の材料および形成方法は、特にこれらに限定されない。
【００５５】
絶縁基板１０が、電子部品内蔵基板１を構成する部分以外の余白部分を備えている場合、その余白部分が切除される。たとえば、図４Ｋに二点鎖線Ｄで示される位置などで、絶縁基板１０が、第１および第２金属膜３１、３２ならびに第１〜第３導体層７ａ〜７ｃなどと共に、ルーターなどで切断される。それにより、図１に示される最終形態の電子部品内蔵基板１が得られる。また、大判の絶縁基板１００（図４Ｂ参照）を用いて複数個同時に電子部品内蔵基板１が製造されている場合は、個々の電子部品内蔵基板１に個片化される。たとえば、図４Ｌに二点鎖線で示される、個々の貫通孔１０ａの周囲の切断線Ｓの位置で、大判の絶縁基板１００が切断される。それにより、アレイ状に形成された複数の電子部品内蔵基板１が、最終的な外形を有する個々の電子部品内蔵基板１に個片化される。以上の工程により、図１に示される電子部品内蔵基板１が完成する。
【００５６】
図４Ａ〜４Ｌに示される実施形態の製造方法の例では、キャリア金属箔８２は、被覆層３３の形成後に、金属箔８１、すなわちベース部材８と分離されている。しかし、第２導体パッド７ａ２と絶縁基板１０との接続が可能であれば、キャリア金属箔８２と金属箔８１とは、ソルダーレジスト層６の形成後の任意の工程で分離され得る。また、その場合、金属箔８１の除去も、キャリア金属箔８２と金属箔８１との分離後の任意の工程で行われてもよい。その場合、キャリア金属箔８２の分離後の金属箔８１の露出面上や、金属箔８１の除去後の第２導体層７ｂおよび第１樹脂絶縁層７４ａの露出面上に、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂からなる保護フィルムが設けられてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１      電子部品内蔵基板
２ａ〜２ｃ      電子部品
２１ａ〜２１ｃ  電子部品の端子
３      シールド層
３１    第１金属膜
３２    第２金属膜
５      封止部材
６      ソルダーレジスト層
７ａ    第１導体層
７ａ１  第１導体パッド
７ａ２  第２導体パッド
７ｂ    第２導体層
７ｂ１  第３導体パッド
７ｂ２  第４導体パッド
７３    バンプ
７４ａ  第１樹脂絶縁層
７４ｂ  第２樹脂絶縁層
８      ベース部材
８１    金属箔
１０    絶縁基板
１０ａ  貫通孔
１０Ｆ  絶縁基板の一面
１０Ｓ  絶縁基板の他面
１００  大判の絶縁基板
【図１】
2017162989.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
2017162989.tif 000015
【図４Ｊ】
2017162989.tif 000016
【図４Ｋ】
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【図４Ｌ】
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