(57)【要約】【課題】    外観上、カメラ等が見えにくい撮像装置を提供する。【解決手段】    当該撮像装置は、撮像軸上にある対象を撮像することができるカメラと、前記カメラの撮像軸上に配置され、透光状態と遮光状態とを切り替えることができるエレクトロデポジション素子と、前記カメラの撮像を制御し、また、前記エレクトロデポジション素子の透光状態および遮光状態を切り替える制御装置であって、前記エレクトロデポジション素子が透光状態にあるときに前記カメラが撮像を行うように、前記カメラおよび前記エレクトロデポジション素子を制御する制御装置と、を有する。【選択図】    図２
2017204773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像軸上にある対象を撮像することができるカメラと、
前記カメラの撮像軸上に配置され、透光状態と遮光状態とを切り替えることができるエレクトロデポジション素子と、
前記カメラの撮像を制御し、また、前記エレクトロデポジション素子の透光状態および遮光状態を切り替える制御装置であって、前記エレクトロデポジション素子が透光状態にあるときに前記カメラが撮像を行うように、前記カメラおよび前記エレクトロデポジション素子を制御する制御装置と、
を有する撮像装置。
【請求項２】
さらに、前記エレクトロデポジション素子に向かって光を出射する光源と、を有する請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記光源は、赤外線を出射する光源であり、前記エレクトロデポジション素子の、前記カメラが配置される面と同じ面側に配置され、前記制御装置により、前記エレクトロデポジション素子が透光状態にあるときに赤外線を出射するように制御される、請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記エレクトロデポジション素子において、遮光状態は光反射状態であり、
前記光源は、白色光を出射する光源であり、前記エレクトロデポジション素子の、前記カメラが配置される面とは反対の面側に配置され、前記制御装置により、前記エレクトロデポジション素子が光反射状態にあるときに白色光を出射するように制御される、請求項２記載の撮像装置。
【請求項５】
前記エレクトロデポジション素子は、
対向配置される第１および第２の基板と、
前記第１の基板の、前記第２の基板との対向面側に配置される第１の電極と、
前記第２の基板の、前記第１の基板との対向面側に配置される第２の電極と、
前記第１および第２の基板に挟持され、銀を含むエレクトロデポジション材料を含有する電解質層と、
を含む請求項１〜４いずれか１項記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロデポジション素子を利用した撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、外観上、カメラ（ないしそれを構成するレンズ）が見えない／見えにくいカメラ一体型照明装置が開示されている。この装置は、カメラ前方（撮像方向）に導光板が配置される構成を有する。特許文献１によれば、このような装置は、防犯（セキュリティ）分野で利用することができる。
【０００３】
特許文献２，３には、いわゆるエレクトロデポジション素子が開示されている。エレクトロデポジション素子は、定常時（電圧無印加時）、透光状態を実現している。エレクトロデポジション素子に所定の電圧を印加すると、当該エレクトロデポジション素子は、鏡面状態または吸光状態を実現する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９７６４９号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８１３８９号公報
【特許文献３】特許第５７５１５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、外観上、カメラ等が見えにくい撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の主な観点によれば、撮像軸上にある対象を撮像することができるカメラと、前記カメラの撮像軸上に配置され、透光状態と遮光状態とを切り替えることができるエレクトロデポジション素子と、前記カメラの撮像を制御し、また、前記エレクトロデポジション素子の透光状態および遮光状態を切り替える制御装置であって、前記エレクトロデポジション素子が透光状態にあるときに前記カメラが撮像を行うように、前記カメラおよび前記エレクトロデポジション素子を制御する制御装置と、を有する撮像装置、が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
外観上、カメラ等が見えにくい撮像装置が提供される。撮影対象者に気づかれることなく、撮影を行うことができる。このような撮像装置は、たとえば防犯・セキュリティ分野や医療・介護分野で利用することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１Ａは、エレクトロデポジション素子の基本的な構造を示す断面図であり、図１Ｂおよび図１Ｃは、当該エレクトロデポジション素子の光透過率および光反射率の波長依存性を示すグラフである。
【図２】図２Ａは、第１の実施例による撮像装置を概略的に示す模式図であり、図２Ｂは、当該撮像素子を構成するエレクトロデポジション素子、光源およびカメラの制御タイミングを示すチャートである。
【図３】図３Ａは、第２の実施例による撮像装置を概略的に示す模式図であり、図３Ｂは、当該撮像素子を構成するエレクトロデポジション素子、光源およびカメラの制御タイミングを示すチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
最初に、エレクトロデポジション素子（ＥＤ素子）の基本的な動作について説明する。
【００１０】
図１Ａは、ＥＤ素子５０の基本構造を示す断面図である。ＥＤ素子５０は、主に、対向配置される下側および上側基板１０，２０と、下側および上側基板１０，２０に挟持される電解質層（電解液）３１およびシール枠部材３３と、を備える。
【００１１】
下側基板１０は、支持基板１２表面のほぼ全面に、透明電極１４および装飾電極１６が順次積層する構造を有する。また、上側基板２０は、支持基板２２表面のほぼ全面に、透明電極２４が積層する構造を有する。透明電極１４（ないし装飾電極１６）および透明電極２４は、相互に対向するように配置されている。
【００１２】
支持基板１２，２２には、透光性を有する基板が用いられ、たとえば、青板ガラスなどのプレート基板や、ポリカーボネートなどにより構成されるフィルム基板などが用いられる。透明電極１４，２４は、たとえばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など、透光性および導電性を有する部材により構成される。
【００１３】
装飾電極１６は、ナノメートルサイズの微粒子が堆積することにより構成される。装飾電極１６の表面は、微細な凹凸形状を有しており、少なくとも透明電極１４，２４の表面よりも粗くなっている。装飾電極１６を構成する微粒子は、透光性および導電性を有する部材、たとえばＩＴＯ等を含む。
【００１４】
シール枠部材３３は、樹脂などで構成され、下側ないし上側基板１０，２０面内において、下側および上側基板１０，２０の周縁に沿って閉じた形状で設けられている。電解質層３１は、溶媒中にエレクトロデポジション（ＥＤ）材料（たとえば銀）が溶解しているものであり、下側および上側基板１０，２０、ならびに、シール枠部材３３により画定される空間３２に充填されている。なお、電源装置５２が、透明電極１４，２４に接続されており、透明電極１４，２４（ないし装飾電極１６）を介して、電解質層３１に種々の電圧を印加することができる。
【００１５】
図１Ｂおよび図１Ｃは、定常時（電圧無印加時）若しくは電圧印加時におけるＥＤ素子５０の光透過スペクトルおよび光反射スペクトルを示すグラフである。図１Ｂおよび図１Ｃにおいて、横軸は、ＥＤ素子に入射される光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は、それぞれ入射光の波長に対する透過率（％）および反射率（％）を示す。
【００１６】
なお、図１Ｂにおいて、スペクトルＴｏｆｆは、定常時（電圧無印加時）におけるＥＤ素子の光透過スペクトルである。スペクトルＴｏｎｕは、下側基板１０（透明電極１４）に対して上側基板２０（透明電極２４）に負の直流電圧（−２．５Ｖ）を印加したときのＥＤ素子の光透過スペクトルである。スペクトルＴｏｎｌは、上側基板２０（透明電極２４）に対して下側基板１０（透明電極１４）に負の直流電圧（−２．５Ｖ）を印加したときのＥＤ素子の光透過スペクトルである。
【００１７】
また、図１Ｃにおいて、スペクトルＲｏｆｆは、定常時（電圧無印加時）におけるＥＤ素子の光反射スペクトルである。スペクトルＲｏｎｕは、下側基板１０（透明電極１４）に対して上側基板２０（透明電極２４）に負の直流電圧（−２．５Ｖ）を印加したときのＥＤ素子の光反射スペクトルである。スペクトルＲｏｎｌは、上側基板２０（透明電極２４）に対して下側基板１０（透明電極１４）に負の直流電圧（−２．５Ｖ）を印加したときのＥＤ素子の光反射スペクトルである。
【００１８】
図１ＢのスペクトルＴｏｆｆに示されるように、定常時、ＥＤ素子の光透過率は極めて高く、ＥＤ素子は光透過状態（透光状態）を実現する。これは、電解質層が概ね透明なためである。なお、電解質層の溶媒の種類を変更する、または、電解質層の厚みを薄くする（下側基板と上側基板との間隔を狭くする）、等により、定常時における光透過スペクトルをよりフラットに近づけることができる。
【００１９】
また、図１ＣのスペクトルＲｏｎｕに示されるように、下側基板に対して上側基板に負電圧を印加すると、ＥＤ素子の光反射率は極めて高くなり、ＥＤ素子は光反射状態（鏡面状態）を実現する。これは、電解質層中のＥＤ材料（たとえば銀）が、電圧印加により、比較的平坦な上側基板の透明電極表面に析出し、その析出したＥＤ材料が鏡面を構成するためである。
【００２０】
なお、電圧印加を停止すると、透明電極表面に析出したＥＤ材料は、再度、電解質層（溶媒）中に溶解して、透明電極表面から消失する。これによりＥＤ素子は再度透光状態を実現する。さらに、鏡面状態にあるＥＤ素子において、ＥＤ材料が析出している電極とは反対側の電極に負の電圧を印加する（上側基板に対して下側基板に負の電圧を印加する）と、より早くＥＤ素子を透光状態に戻すことができる。
【００２１】
さらに、図１ＢのスペクトルＴｏｎｌおよび図１ＣのスペクトルＲｏｎｌに示されるように、上側基板に対して下側基板に負電圧を印加すると、ＥＤ素子の光透過率および光反射率は極めて低くなり、ＥＤ素子は光吸収状態（吸光状態）を実現する。これは、電解質層中のＥＤ材料（たとえば銀）が、電圧印加により、比較的凸凹な下側基板の装飾電極表面に析出するためであり、その析出したＥＤ材料に光が入射するとプラズモン吸収（ないし乱反射）が起こるためである。
【００２２】
なお、電圧印加を停止すると、装飾電極表面に析出したＥＤ材料は、再度、電解質層（溶媒）中に溶解して、装飾電極表面から消失する。これによりＥＤ素子は再度透光状態を実現する。さらに、吸光状態にあるＥＤ素子において、ＥＤ材料が析出している電極とは反対側の電極に負の電圧を印加する（下側基板に対して上側基板に負の電圧を印加する）と、より早くＥＤ素子を透光状態に戻すことができる。
【００２３】
以上のように、ＥＤ材料が平坦な面（つまり透明電極表面）に析出すると、そのＥＤ材料が析出する領域は鏡面領域となり、ＥＤ材料が凸凹な面（つまり装飾電極表面）に析出すると、そのＥＤ材料が析出する領域は吸光領域となる。ＥＤ素子５０は、少なくとも、透光状態、鏡面状態および吸光状態の３つの状態を実現し得る。なお、以降では、鏡面状態および吸光状態を総じて、遮光状態と呼ぶことがある。
【００２４】
再度、図１Ａを参照しながら、実施例に用いるＥＤ素子の製造方法について、具体的に説明する。なお、図中に示す各構成部材の相対的なサイズや位置関係などは、実際のものとは異なっている。
【００２５】
まず、下側基板１０を作製する。青板ガラスなどの支持基板１２を準備する。支持基板１２の平面形状は、たとえば一辺３０ｃｍ程度の矩形状である。
【００２６】
そして、支持基板１２表面のほぼ全面に、スパッタリング法や真空蒸着法などにより、透明電極１４を形成する。透明電極１４は、たとえばＩＴＯなどにより形成される。その後、フォトリソグラフィ法などを用いて、透明電極１２を所望の平面形状に成形（パターニング）してもよい。
【００２７】
続いて、透明電極１４の表面に、たとえば粒径が１００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子が堆積してなる装飾電極１６を形成する。具体的には、ＩＴＯ微粒子分散液を、スピンコート法などを用いて、透明電極１４表面に塗布し、その後、焼成する。なお、透明電極１４が所定の形状にパターニングされている場合には、透明電極１４の形状に対応するように、装飾電極１６をパターニングしてもよい。
【００２８】
以上により、下側基板１０が完成する。なお、透明電極１４を形成する際に、電源５２に接続するためのパッドや、当該パッドと電極を接続するための引き出し配線などを同時に形成してもよい。また、装飾電極１６が必要なければ（完成したＥＤ素子において吸光状態を実現する必要がなければ）、装飾電極１６を形成しなくてもかまわない。
【００２９】
上側基板２０を作製する。下側基板１０と同様の工程で、支持基板２２（青板ガラス等）の表面のほぼ全面に透明電極２４（ＩＴＯ等）を形成する。なお、透明電極２４表面にも、装飾電極を設けてもかまわない。
【００３０】
次に、下側基板１０または上側基板２０のどちらか、たとえば下側基板１０に、シール枠部材３３を形成する。シール枠部材は、たとえば、矩形枠状の全体的平面形状を有し、紫外線硬化性樹脂により構成される。なお、シール枠部材は、熱硬化性樹脂により構成されていてもかまわない。
【００３１】
続いて、下側基板１０または上側基板２０のどちらか、たとえば上側基板２０に、粒径が５μｍ程度のギャップコントロール剤を散布する。ギャップコントロール剤の密度は、たとえば５０〜１５０個／ｍｍ２程度である。なお、ギャップコントロール剤を散布するかわりに、柱状の突起体（リブ）を形成してもかまわない。
【００３２】
次に、電解液（電解質層）３１を準備する。そして、その電解液３１を、ディスペンサなどを用いて、下側基板１０のシール枠部材内側に滴下する。
【００３３】
電解液３１は、たとえば、ＥＤ材料（ＡｇＮＯ３等）、メディエータ（ＣｕＣｌ２等）、電解質の支持塩（ＬｉＢｒ等）、溶媒（ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ 等）などにより構成される。なお、さらにゲル化用ポリマ（ＰＶＢ：ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ―ｂｕｔｙｒａｌ等）などを添加して、ゲル状（ゼリー状）にしてもよい。実施例においては、溶媒であるＤＭＦ中に、ＥＤ材料としてＡｇＮＯ３を３５０ｍＭ、支持電解質としてＬｉＢｒを７５０ｍＭ、メディエータとしてＣｕＣｌ２を３０ｍＭ、添加したものを用いた。
【００３４】
ＥＤ材料は、ＡｇＮＯ３以外にも、たとえば銀を含むＡｇＣｌＯ４やＡｇＢｒなどを用いることができる。ここで、ＥＤ材料とは、透明電極（ないし装飾電極）の表面において、酸化還元反応などにより、その一部が析出・堆積、または、消失する材料をいう。
【００３５】
メディエータは、銅を含むＣｕＣｌ２以外にも、たとえば銅を含むＣｕＳＯ４やＣｕＢｒ２などを用いることができる。ここで、メディエータとは、銀よりも電気化学的に低いエネルギで酸化・還元する材料をいう。
【００３６】
支持電解質は、ＥＤ材料の酸化還元反応等を促進するものであれば限定されない。たとえば、リチウム塩（ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４等）、カリウム塩（ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等）、ナトリウム塩（ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ等）を好適に用いることができる。
【００３７】
溶媒は、ＥＤ材料等を安定的に保持することができるものであれば限定されない。たとえば、水や炭酸プロピレン等の極性溶媒、極性のない有機溶媒、更にはイオン性液体、イオン導電性高分子、高分子電解質等を用いることができる。具体的には、ＤＭＦの他、炭酸プロピレン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ポリビニル硫酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸等を好適に用いることができる。
【００３８】
次に、透明電極１４，２４が相対するように、上側基板２０を下側基板１０に貼合する。なお、下側および上側基板１０，２０の貼合は、大気中、真空中ないし窒素雰囲気中で行うことができる。その後、シール枠部材に紫外線を照射して、シール枠部材を硬化させる。これにより、ＥＤ素子５０が完成する。
【００３９】
透明電極１４，２４を、電源５２と接続する。電源５２は、たとえば−５．０Ｖ〜＋５．０Ｖ程度の直流電圧を出力する。なお、電源５２は、パルス電圧を含む交流電圧を出力する電源であってもかまわない。
【００４０】
本発明者らは、作製したＥＤ素子５０の応答速度を測定した。定常状態（電圧無印加状態）から、下側基板ないし上側基板に負の直流電圧（−５．０Ｖ）を印加したとき（つまりＥＤ素子を透光状態から遮光状態にするとき）に、ＥＤ素子の光透過率が１０％以下になるまでの時間（立ち上がり時間）は、約８２．６ｍｓ程度であった。また、電極にＥＤ材料が析出している状態から、当該電極とは反対側の電極に負の直流電圧（−１．９Ｖ）を印加したとき（つまりＥＤ素子を遮光状態から透光状態にするとき）に、ＥＤ素子の光透過率が８０％以上になるまでの時間（立ち下がり時間）は、約８２．５ｍｓ程度であった。
【００４１】
本発明者らの検討によれば、電圧印加方法（パルス駆動）や電解質層の構成材料・比率（特にＥＤ材料の濃度）、電解質層の厚み、温度などを調整することで、ＥＤ素子の応答速度をさらに向上させることができる。これらのパラメータを調整することにより、立ち上がり時間および立ち下がり時間ともに、３ｍｓ程度まで改善できると見積もられる。
【００４２】
図２Ａは、第１の実施例による撮像装置を示す模式図である。撮像装置１０１は、少なくとも、先に作製したＥＤ素子５０、カメラ６０、および、制御装置７１、を具備する。また、必要に応じて、赤外線光源８１を具備する。
【００４３】
撮像装置１０１は、たとえば、鏡Ｍ（洗面鏡など）や壁Ｗ（黒色の仕切り壁など）等に埋設して用いる。カメラ６０、制御装置７１および赤外線光源８１等が、鏡Ｍ／壁Ｗ内部に埋め込まれており、ＥＤ素子５０が、鏡Ｍ／壁Ｗと外面を同一にして配置される。
【００４４】
カメラ６０には、一般的なビデオカメラないしスチールカメラを用いることができる。光学レンズなどの光学系６２を介して、ＣＭＯＳイメージセンサなどの撮像素子６４に、撮影対象物の像が捕捉される。その画像は、半導体メモリなどのメモリ素子６６に記憶される。コントローラ６８が、自律的にまたは外部からの信号・命令により、光学系６２、撮像素子６４およびメモリ素子６６等を制御する。
【００４５】
ＥＤ素子５０は、カメラ６０の撮影方向（撮像軸Ａｃ上）に配置される。また、ＥＤ素子５０は、その下側基板１０または上側基板２０（図１Ａ参照）のどちらか、たとえば下側基板１０がカメラ６０と相対するように配置される。カメラ６０は、ＥＤ素子５０越しに、撮影対象物を撮影する。
【００４６】
撮影環境が極端に暗い場合には、赤外線光源８１を設けてもよい。この場合、赤外線光源８１は、ＥＤ素子５０の、カメラ６０が配置される面と同じ面側（つまり下側基板１０側）に配置される。また、ＥＤ素子５０に向かって、さらにはその先の撮影対象物に向かって、８５０ｎｍ〜９５０ｎｍ程度の波長の光（赤外線）を出射する。
【００４７】
制御装置７１が、ＥＤ素子５０の透光状態／遮光状態の切替え、カメラ６０による撮影、さらには、赤外線光源８１による赤外線の出射、を制御する。制御装置７１には、たとえばパーソナルコンピュータが用いられる。制御装置７１は、ＥＤ素子５０（またはそれを駆動する電源５２，図１Ａ参照）、カメラ６０、および、赤外線光源８１を以下のように制御する。
【００４８】
図２Ｂは、ＥＤ素子５０、カメラ６０および赤外線光源８１の制御タイミングを示すチャートである。上段に、ＥＤ素子５０における光透過率の時間変化を示す。中段に、赤外線光源８１から出射させる赤外線の光強度（赤外線を出射させるタイミング）を示す。下段に、カメラ６０の撮影タイミングを示す。
【００４９】
通常時、ＥＤ素子５０には電圧が印加されており、ＥＤ素子５０は遮光状態（吸光状態または鏡面状態）を実現している。このとき、カメラ６０側から、ＥＤ素子５０の先にある撮影対象物を観察することはできない。逆に言えば、撮影対象物側から、ＥＤ素子５０を通して、カメラ６０等を視認することもできない。
【００５０】
なお、ＥＤ素子５０（ないし撮像装置１０１全体）が鏡Ｍに埋め込まれる場合、ＥＤ素子５０は、透光状態と鏡面状態との間で切り替えられるようにする。また、ＥＤ素子５０（ないし撮像装置１０１全体）が黒壁Ｗに埋め込まれる場合には、ＥＤ素子５０は透光状態と吸光状態との間で切り替えられるようにする。
【００５１】
時点ｔ１において、ＥＤ素子５０への電圧印加を停止する、または、ＥＤ材料が析出する電極とは反対側の電極に負電圧を印加する。ＥＤ素子５０の光透過率は徐々に上昇し、時点ｔ２において、ＥＤ素子５０は透光状態（たとえば透過率が８０％以上）を実現する。この時点で、カメラ６０側から、ＥＤ素子５０越しに、撮影対象物を見通すことができる。時間［ｔ１−ｔ２］は、たとえばＥＤ素子５０の立ち上がり時間に等しく、約８２ｍｓである。
【００５２】
また、時点ｔ２において、赤外線光源８１から赤外線を出射させる。赤外線は、ＥＤ素子５０を通って、撮影対象物を照射する。
【００５３】
時点ｔ２以降の、時点ｔ３から時点ｔ４の間に、カメラ６０により撮影を行う。時間［ｔ３−ｔ４］の間に、撮像素子６４により捕捉された画像が、メモリ素子６６に記憶される。カメラ６０による撮影時間［ｔ３−ｔ４］は、たとえば１０ｍｓ程度である。
【００５４】
時点ｔ４以降の、時点ｔ５に、赤外線光源８１からの赤外線の出射を停止し、また、ＥＤ素子５０に電圧を印加して、ＥＤ素子５０を遮光状態に戻す。ＥＤ素子５０の光透過率は徐々に低下し、時点ｔ６において、ＥＤ素子５０は遮光状態（たとえば透過率が１０％以下）を実現する。時間［ｔ５−ｔ６］は、たとえばＥＤ素子５０の立ち下がり時間に等しく、約８２ｍｓである。
【００５５】
時点ｔ６以降の、時点ｔ７に、再度、ＥＤ素子５０を透光状態にする。以降、同様のタイミングで、ＥＤ素子５０、カメラ６０、および、赤外線光源８１を制御する。このような制御は、たとえば周期的に行う。その周期（時間［ｔ１−ｔ７］）は、たとえば１秒程度である。
【００５６】
通常時、ＥＤ素子５０は、遮光状態（鏡に埋め込まれる場合は鏡面状態、黒壁に埋め込まれる場合は吸光状態）にあり、鏡Ｍ／壁Ｗと一体化しているため、撮影対象者は、鏡Ｍ／壁Ｗ内部のカメラ６０等の存在には気づかないであろう。また、ＥＤ素子５０が透光状態にある時間［ｔ１−ｔ６］（ないし時間［ｔ２−ｔ５］）を、人間の肉眼では追従・認知できないほど短い時間にすることで、撮影対象者にカメラ６０等の存在を気づかれることなく、撮影を行うことができる。
【００５７】
ＥＤ素子５０が透光状態にある時間［ｔ１−ｔ６］は、３００ｍｓ以下であることが望ましいであろう。また、ＥＤ素子が遮光状態にある時間［ｔ６−ｔ７］は、少なくともＥＤ素子が透光状態にある時間［ｔ１−ｔ６］よりも長いことが好ましく、より言えば４００ｍｓ以上であることが好ましいであろう。
【００５８】
なお、前述したように、各種パラメータを調整することで、ＥＤ素子の立ち上がり時間および立ち下がり時間を３ｍｓ程度にすることができる。この場合、時間［ｔ１−ｔ２］（立ち上がり時間）と時間［ｔ５−ｔ６］（立ち下がり時間）をともに３ｍｓ程度とし、時点ｔ２と時点ｔ３とを同じタイミングにし、また、時点ｔ４と時点ｔ５とを同じタイミングにして時間［ｔ２，ｔ３−ｔ４，ｔ５］を４ｍｓ程度とすることで、時間［ｔ１−ｔ６］を１０ｍｓ以下とすることが好ましい。このとき、時間［ｔ１−ｔ７］は、たとえば５００ｍｓ程度とすることが好ましい。
【００５９】
図３Ａは、第２の実施例による撮像装置を示す模式図である。撮像装置１０２は、ＥＤ素子５０、カメラ６０、制御装置７２、および、白色光源８２を具備する。
【００６０】
ＥＤ素子５０は、カメラ６０の撮影方向（撮像軸Ａｃ上）に配置される。また、ＥＤ素子５０は、撮像軸に対して、たとえば４５°傾いている。ＥＤ素子５０は、たとえば下側基板１０（図１Ａ参照）側がカメラ６０に向くように配置される。なお、第２の実施例では、ＥＤ素子５０は、透光状態と鏡面状態との間で切り替えることができればよい。
【００６１】
白色光源８２は、たとえば、その光軸が、ＥＤ素子５０上で撮像軸と直交するように配置される。白色光源８２は、ＥＤ素子５０の、カメラ６０が配置される面とは反対の面側（つまり上側基板２０側）に配置される。
【００６２】
光源８２は、白色光を出射できるものであれば、特に限定されない。たとえば、窒化物半導体を含むＬＥＤライトを用いることができる。
【００６３】
制御装置７２は、ＥＤ素子５０の透光状態／遮光状態（鏡面状態）の切替え、カメラ６０による撮影、さらには、白色光源８２による白色光の出射、を制御する。制御装置７２は、ＥＤ素子５０（またはそれを駆動する電源５２，図１Ａ参照）、カメラ６０、および、白色光源８２を以下のように制御する。
【００６４】
図３Ｂは、ＥＤ素子５０、カメラ６０および赤外線光源８２の制御タイミングを示すチャートである。上段に、ＥＤ素子５０における光透過率の時間変化を示す。中段に、白色光源８２から出射される白色光の光強度（白色光を出射させるタイミング）を示す。下段に、カメラ６０の撮影タイミングを示す。
【００６５】
通常時、ＥＤ素子５０には電圧が印加されており、ＥＤ素子５０は遮光状態（鏡面状態）を実現している。カメラ６０側から、ＥＤ素子５０の先にある撮影対象物を観察することはできない。
【００６６】
また、通常時、白色光源８２から白色光が出射される。白色光源８２から出射される白色光は、鏡面状態にあるＥＤ素子５０に反射され、撮影対象物を照射する。すなわち、撮像装置１０２は、通常時、一般的な照明装置として機能している。
【００６７】
時点ｔ１において、ＥＤ素子５０への電圧印加を停止する、または、ＥＤ材料が析出する電極とは反対側の電極に負電圧を印加する。時点ｔ２において、ＥＤ素子５０は透光状態を実現する。この時点で、カメラ６０側から、ＥＤ素子５０越しに、撮影対象物を見通すことができる。
【００６８】
また、時点ｔ２において、白色光源８２からの白色光の出射を停止する。時点ｔ２以降の、時点ｔ３から時点ｔ４の間に、カメラ６０により撮影を行う。
【００６９】
時点ｔ４以降の、時点ｔ５に、白色光源８２から白色光を出射し、また、ＥＤ素子５０に電圧を印加して、ＥＤ素子５０を鏡面状態に戻す。時点ｔ６において、ＥＤ素子５０は鏡面状態を実現する。
【００７０】
時点ｔ６以降の、時点ｔ７に、再度、ＥＤ素子５０を透光状態にする。以降、同様のタイミングで、ＥＤ素子５０、カメラ６０、および、白色光源８２を制御する。このような制御は周期的に行ってもよい。
【００７１】
通常時、ＥＤ素子５０は鏡面状態にあり、白色光源８２からの白色光を反射して、撮影対象者を照射するため、撮影対象者には、一般的な照明装置として認識されるであろう。また、ＥＤ素子５０が透光状態にある時間［ｔ１−ｔ６］を、肉眼では追従・認知できないほど短い時間にすることで、撮影対象者にカメラ６０等の存在を気づかれることなく、撮影を行うことができる。ＥＤ素子が鏡面状態であるときと透光状態であるときとの光強度（ないし照度）の差が大きいため、撮影対象者は、ＥＤ素子の奥にあるカメラ等の存在により気づきにくいであろう。
【００７２】
以上のように、第１および第２の実施例による撮像装置１０１，１０２は、撮影対象者にカメラ等の存在を気づかれることなく、撮影を行うことができる。また、撮影対象者に、撮影されているというストレスを感じさせることなく、撮影を行うことができる。このような撮像装置は、防犯カメラや監視カメラ、病人・高齢者のための介護用カメラ（見守りカメラ）等に利用することが可能であろう。
【００７３】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、第２の実施例に用いるＥＤ素子は、透光状態／鏡面状態の切替えができればよいため、装飾電極１６（図１Ａ参照）を設けなくてもかまわない。その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００７４】
１０…下側基板、１２…下側支持基板、１４…下側透明電極、１６…装飾電極、２０…上側基板、２２…上側支持基板、２４…上側透明電極、３１…電解質層、３２…閉塞空間、３３…シール枠部材、５０…エレクトロデポジション素子、５２…電源装置、６０…カメラ、６２…光学系、６４…撮像素子、６６…メモリ素子、６８…コントローラ、７１…制御装置（第１実施例）、７２…制御装置（第２実施例）、８１…赤外線光源、８２…白色光源、１０１…撮像装置（第１実施例）、１０２…撮像装置（第２実施例）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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