(57)【要約】【課題】歩留まりおよび生産性の向上に資する集合基板を提供することを課題とする。【解決手段】コア用の絶縁層１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１ｂが積層されて成る絶縁基板１の中央部に、コア用の絶縁層１ａを貫通する複数のスルーホール４およびスルーホール４内を充填するめっき導体から成るスルーホール導体２ａを有する複数の製品領域Ｘが縦横の並びで配設されているとともに、絶縁基板１の外周部に、中央部を取り囲む捨て代領域Ｙが配設されて成る集合基板Ａであって、捨て代領域Ｙのコア用の絶縁層１ａに、めっき導体から成るダミーのスルーホール導体２Ｄにより充填されたダミーのスルーホール４Ｄが形成されており、捨て代領域Ｙのビルドアップ用の絶縁層１ｂに、ダミーのスルーホール４Ｄを露出させる開口部１Ｄが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア用の絶縁層の上下面にビルドアップ用の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の中央部に、前記コア用の絶縁層を貫通する複数のスルーホールおよび該スルーホール内を充填するめっき導体から成るスルーホール導体を有する複数の製品領域が縦横の並びで配設されているとともに、前記絶縁基板の外周部に、前記中央部を取り囲む捨て代領域が配設されて成る集合基板であって、前記捨て代領域の前記コア用の絶縁層に、前記めっき導体から成るダミーのスルーホール導体により充填されたダミーのスルーホールが形成されており、前記捨て代領域の前記ビルドアップ用の絶縁層に、前記ダミーのスルーホールを露出させる開口部が形成されていることを特徴とする集合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度な配線導体を有する集合基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２に、従来の集合基板Ｂの平面図および要部拡大断面図を示す。
集合基板Ｂは、絶縁基板１０と、配線導体１２と、ソルダーレジスト層１３とから成る。
また、絶縁基板１０は上面視において、個々の配線基板になる複数の製品領域Ｘと、製品領域Ｘを囲繞する捨て代領域Ｙとを有している。
なお、本例では説明の便宜上、６個の製品領域Ｘを記しているが実際には数十〜数百個の製品領域Ｘを有している。
【０００３】
絶縁基板１０は、コア用の絶縁層１０ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１０ｂを積層して成る。
製品領域Ｘに対応するコア用の絶縁層１０ａには、複数のスルーホール１４が形成されている。スルーホール１４の内側には、配線導体１２の一部から成るスルーホール導体１２ａが充填されている。コア用の絶縁層１０ａの厚みは、およそ０．２〜２ｍｍ程度である。スルーホール１４の径は、およそ５０〜３００μｍ程度である。
製品領域Ｘに対応するビルドアップ用の絶縁層１０ｂには、複数のビアホール１５が形成されている。ビアホール１５の内側には、配線導体１２の一部から成るビア導体１２ｂが充填されている。ビルドアップ用の絶縁層１０ｂの厚みは、およそ０．０１〜０．１ｍｍ程度である。ビアホール１５の径は、およそ３０〜１００μｍ程度である。
【０００４】
配線導体１２は、絶縁基板１０の表面および内部に形成されている。配線導体１２は、例えば周知のめっき法を用いて、例えば銅めっき等の良導電性金属から形成される。
絶縁基板１０の上表面に形成された配線導体１２の一部は半導体素子接続パッド１６として機能する。半導体素子接続パッド１６には、半導体素子の電極が半田を介して接続される。
絶縁基板１０の下表面に形成された配線導体１２の一部は外部接続パッド１７として機能する。外部接続パッド１７は、外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
これにより、半導体素子と外部電気回路基板とが電気的に接続され、配線導体１２を介して電気信号を送受信することで半導体素子が作動する。
【０００５】
ソルダーレジスト層１３は、絶縁基板１０の上下表面に形成されている。上表面に形成されたソルダーレジスト層１３は、半導体素子接続パッド１６の中央部を露出する開口部１３ａを有している。下表面に形成されたソルダーレジスト層１３は、外部接続パッド１７の中央部を露出する開口部１３ｂを有している。
【０００６】
ところで、従来の集合基板Ｂは、上述のようにスルーホール１４の内側に銅めっきが充填されている。ところが、配線の高密度化に伴いコア用の絶縁層１０ａの厚みに対してスルーホール１４の径が小さくなってくると、上述のスルーホール導体１２ａ形成時のめっき液がスルーホール１４内へ十分に供給されず、スルーホール導体１２ａの充填が不完全になる場合がある。
このようにスルーホール導体１２ａの充填が不完全になると、スルーホール１４内においてスルーホール導体１２ａが断線して半導体素子が安定的に作動しない恐れがある。
そのため、スルーホール導体１２ａの充填具合を確認する必要があるが、電気検査では充填が不完全でも通電してしまうことが多く採用ができない。そこで、スルーホール導体１２ａの充填状態を視覚的に確認する必要があるが、製品である配線基板のスルーホール１４上には、ビルドアップ用の絶縁層１０ｂやソルダーレジスト層１３が積層されているため上面からの確認ができず、配線基板を切断してスルーホール１４の断面を研磨して露出させることで確認する必要がある。
このように、製品である配線基板を破壊して断面確認を行うため、歩留まりおよび生産性が悪化するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−２８３５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、スルーホール内に充填されたスルーホール導体を製品である配線基板を破壊することなく効率的に確認することで、歩留まりおよび生産性の向上に資する集合基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、コア用の絶縁層の上下面にビルドアップ用の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の中央部に、コア用の絶縁層を貫通する複数のスルーホールおよびスルーホール内を充填するめっき導体から成るスルーホール導体を有する複数の製品領域が縦横の並びで配設されているとともに、絶縁基板の外周部に、中央部を取り囲む捨て代領域が配設されて成る集合基板であって、捨て代領域のコア用の絶縁層に、めっき導体から成るダミーのスルーホール導体により充填されたダミーのスルーホールが形成されており、捨て代領域のビルドアップ用の絶縁層に、ダミーのスルーホールを露出させる開口部が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の集合基板によれば、捨て代領域のコア用の絶縁層に、めっき導体から成るダミーのスルーホール導体により充填されたダミーのスルーホールが形成されている。そして、捨て代領域のビルドアップ用の絶縁層にダミーのスルーホールを露出させる開口部が形成されている。このため、この開口部内に露出するダミーのスルーホール導体の充填状態を上面および下面から視覚的に確認することができる。これにより、製品を破壊することなく効率的にスルーホール導体の充填状態を確認することで歩留まりおよび生産性の向上に資する集合基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の集合基板の実施の形態の一例を示す概略平面図および要部拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、従来の集合基板の実施の形態の一例を示す概略平面図および要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、図１を基にして本発明の集合基板Ａの実施形態の一例を説明する。
集合基板Ａは、絶縁基板１と、配線導体２と、ソルダーレジスト層３とから成る。
また、絶縁基板１は上面視において、個々の配線基板になる複数の製品領域Ｘと、製品領域Ｘを囲繞する捨て代領域Ｙとを有している。
【００１３】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁樹脂を含浸して硬化させた電気絶縁材料から成るコア用の絶縁層１ａの上下面に、同様の絶縁樹脂から成るビルドアップ用の絶縁層１ｂを積層して成る。
コア用の絶縁層１ａは、製品領域Ｘにおいて複数のスルーホール４を有している。スルーホール４の内側には、配線導体２の一部から成るスルーホール導体２ａが充填されている。コア用の絶縁層１ａの厚みは、およそ０．２〜２ｍｍ程度である。スルーホール４は、例えばドリル加工やブラスト加工により形成され、直径はおよそ５０〜３００μｍ程度である。
ビルドアップ用の絶縁層１ｂは、製品領域Ｘにおいて複数のビアホール５を有している。ビアホール５の内側には、配線導体２の一部から成るビア導体２ｂが充填されている。ビアホール５は、例えばレーザー加工により形成され、直径は、およそ３０〜１００μｍ程度である。ビルドアップ用の絶縁層１ｂの厚みは、およそ０．０１〜０．１μｍ程度である。
また、コア用の絶縁層１ａは、捨て代領域Ｙにおいて複数のダミーのスルーホール４Ｄを有している。ダミーのスルーホール４Ｄの内側には、配線導体２の一部から成りスルーホール導体２ａと同時に形成されたダミーのスルーホール導体２Ｄが充填されている。ダミーのスルーホール４Ｄは、スルーホール４と同様に、例えばドリル加工やブラスト加工により形成され、直径はおよそ５０〜３００μｍ程度である。
さらに、ビルドアップ用の絶縁層１ｂは、捨て代領域Ｙにおいてダミーのスルーホール４Ｄを露出させる開口部１Ｄを有している。
開口部１Ｄは、例えばブラスト加工により形成される。
【００１４】
配線導体２は、例えば周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により絶縁基板１の表面および内部に銅等の良導電性金属により形成されている。
絶縁基板１の上表面に形成された配線導体２の一部は、半導体素子接続パッド６として機能する。半導体素子接続パッド６には、半導体素子の電極が半田を介して接続される。
絶縁基板１の下表面に形成された配線導体２の一部は、外部接続パッド７として機能する。外部接続パッド７は、外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。
これにより、半導体素子と外部電気回路基板とが電気的に接続され、配線導体２を介して電気信号を送受信することで半導体素子が作動する。
【００１５】
ソルダーレジスト層３は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁シートあるいはペーストを絶縁基板１の上下表面に被着あるいは塗布して熱硬化することで形成される。上表面に形成されたソルダーレジスト層３は、半導体素子接続パッド６の中央部を露出する開口部３ａを有している。下表面に形成されたソルダーレジスト層３は、外部接続パッド７の中央部を露出する開口部３ｂを有している。
また、ソルダーレジスト層３は、捨て代領域Ｙにおいて上述のダミーのスルーホール４Ｄを露出させる開口部３Ｄを有している。
【００１６】
ところで、本発明の集合基板Ａでは、捨て代領域Ｙのコア用の絶縁層１ａに、めっき導体から成るダミーのスルーホール導体２Ｄにより充填されたダミーのスルーホール４Ｄが形成されている。そして、捨て代領域Ｙに、ビルドアップ用の絶縁層１ｂに形成された開口部１Ｄ、およびソルダーレジスト層３に形成された開口部３Ｄが形成されており、これらの開口部１Ｄ、３Ｄ内にダミーのスルーホール４Ｄが露出している。このため、これらの開口部１Ｄ、３Ｄ内に露出するダミーのスルーホール導体２Ｄの状態を上面および下面から視覚的に確認することで、集合基板Ａにおけるスルーホール導体２ａの充填具合を確認できる。これにより、製品を破壊することなく効率的にスルーホール導体の充填具合を確認することで歩留まりおよび生産性の向上に資する集合基板を提供することができる。
【符号の説明】
【００１７】
１            絶縁基板
１ａ          コア用の絶縁層
１ｂ          ビルドアップ用の絶縁層
１Ｄ          開口部
２ａ          スルーホール導体
２Ｄ          ダミーのスルーホール導体
４            スルーホール
４Ｄ          ダミーのスルーホール
Ａ            集合基板
Ｘ            製品領域
Ｙ            捨て代領域
【図１】
2017045819.tif 000003
【図２】
2017045819.tif 000004