(57)【要約】【課題】本発明は、加熱処理後の半導体量子ドットの蛍光量子収率の低下を抑制できる樹脂組成物、当該樹脂組成物により得られる膜、当該膜を用いた波長変換部材、及び当該樹脂組成物を用いた膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の樹脂組成物は、バインダー樹脂、半導体量子ドット、並びにフェニルホスフィン構造を有する化合物、シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物、チオビスフェノール構造を有する化合物、ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物及びベンゾチアゾール構造を有する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有する。当該樹脂組成物がラジカル捕捉剤をさらに含有するとよい。当該樹脂組成物が重合性化合物をさらに含有するとよい。上記バインダー樹脂が側鎖に脂環式構造を有するとよい。上記バインダー樹脂がアルカリ可溶性樹脂であるとよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー樹脂、
半導体量子ドット、並びに
フェニルホスフィン構造を有する化合物、シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物、チオビスフェノール構造を有する化合物、ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物及びベンゾチアゾール構造を有する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
ラジカル捕捉剤をさらに含有する請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
重合性化合物をさらに含有する請求項１又は請求項２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
上記バインダー樹脂が側鎖に脂環式構造を有する請求項１、請求項２又は請求項３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
上記バインダー樹脂がアルカリ可溶性樹脂である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
上記アルカリ可溶性樹脂が側鎖にカルボキシ基を有する請求項５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
上記半導体量子ドットが、２族元素、１１族元素、１２族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素及び１６族元素よりなる群から選ばれる少なくとも２種の元素を含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
上記半導体量子ドットがＩｎを含む請求項７に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
上記半導体量子ドットが、Ｉｎをコアの構成元素として含むコアシェル型構造を有する請求項８に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
上記半導体量子ドットがＳｉを含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
感放射線性化合物をさらに含有する請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物により形成される膜。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物により形成される膜を備える波長変換部材。
【請求項１４】
基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、及び
上記塗膜を加熱する工程
を備え、
上記塗膜を請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物により形成する膜の形成方法。
【請求項１５】
基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
放射線照射後の上記塗膜を現像する工程、及び
現像後の上記塗膜を加熱する工程
を備え、
上記塗膜を請求項１１に記載の樹脂組成物により形成する膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、膜、波長変換部材、及び膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、硫化カドミウム（ＣｄＳ）やテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等の半導体をナノメートルサイズの大きさに形成して得られた半導体量子ドット（以下、「ＱＤ」ともいう）が注目を集めている。このようなＱＤは、ブロードな光吸収を示すとともにスペクトル幅の狭い蛍光を発するという特殊な光学特性を示すため、現在各種の応用が検討されている。例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等を用いたディスプレイに上述のＱＤが用いられるようになってきている（特開２０１４−１７４４０６号公報参照）。
【０００３】
具体的には、青色発光有機ＥＬ素子と、この青色発光有機ＥＬ素子からの光により励起され緑色の蛍光を発する半導体量子ドット（以下、「Ｇ−ＱＤ」ともいう）と、青色発光有機ＥＬ素子からの光により励起され赤色の蛍光を発する半導体量子ドット（以下、「Ｒ−ＱＤ」ともいう）とを組み合わせたディスプレイが注目を集めている。例えば発光ユニットを構成する基板上にＧ−ＱＤを含む膜（以下、「Ｇ−ＱＤ層」ともいう）及びＲ−ＱＤを含む膜（以下、「Ｒ−ＱＤ層」ともいう）を形成したディスプレイでは、Ｇ−ＱＤ層が青色光を緑色光に変換する波長変換層として機能し、Ｒ−ＱＤ層が青色光を赤色光に変換する波長変換層として機能する。このようなディスプレイにおいては、Ｇ−ＱＤ層からの緑色の蛍光と、Ｒ−ＱＤ層からの赤色の蛍光と、青色発光有機ＥＬ素子から放出された未変換の青色光とを組み合わせることにより、様々な色相の光を再現している。
【０００４】
上記Ｇ−ＱＤ層、Ｒ−ＱＤ層等のＱＤを含む層は、例えばＱＤを含む感放射線性樹脂組成物により基板の一方の面側に塗膜を形成し、フォトリソグラフィー工程によりパターニングした後、パターニングされた塗膜を加熱処理により硬化して得られる。
【０００５】
また、ＱＤを含む膜は、上述のディスプレイ用途以外にも、例えば太陽電池封止用シート、農業用フィルム、照明部品等として用いる波長変換フィルムにも適用可能である。このような膜は、例えばＱＤを含む樹脂組成物を基板上に塗布した後、得られた塗膜を加熱処理することで得られる。
【０００６】
しかしながら、ＱＤは、上記パターニングされた塗膜の加熱処理（以下、「ポストベーク」ともいう）の際に、加熱雰囲気中の酸素等の影響でフリーラジカルが生成し、そのフリーラジカルによりＱＤの結晶構造が変化し、ＱＤの蛍光量子収率が低下する場合がある。このようなＱＤを含むディスプレイ等においては、青色発光有機ＥＬ素子からの青色光の強度に対して、Ｇ−ＱＤからの緑色の蛍光の強度及びＲ−ＱＤからの赤色の蛍光の強度が低下し、これによりディスプレイの色再現性が低下する場合がある。また、ＱＤは、上記基板上に塗布された塗膜の加熱処理の際や、得られた膜を用いて電子機器を製造する工程で熱を印加する際にも同様に蛍光量子収率が低下し、上述の太陽電池封止用シート等の波長変換効率が低下する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−１７４４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の事情に基づいてなされたものであり、その目的は、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できる樹脂組成物、当該樹脂組成物により得られる膜、当該膜を用いた波長変換部材、及び当該樹脂組成物を用いた膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するためになされた発明は、バインダー樹脂（以下、「［Ａ］バインダー樹脂」ともいう）、半導体量子ドット（以下、「［Ｂ］ＱＤ」ともいう）、並びにフェニルホスフィン構造を有する化合物、シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物、チオビスフェノール構造を有する化合物、ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物及びベンゾチアゾール構造を有する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物（以下、「［Ｃ］化合物」ともいう）を含有する樹脂組成物である。
【００１０】
また、本発明は、上述の樹脂組成物により得られる膜、及び上述の樹脂組成物により形成される膜を備える波長変換部材を含む。
【００１１】
さらに、本発明は、上述の樹脂組成物により基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、及び上記塗膜を加熱する工程を備える膜の第１の形成方法を含む。
【００１２】
さらに、本発明は、上述の樹脂組成物により基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、放射線照射後の上記塗膜を現像する工程、及び現像後の上記塗膜を加熱する工程を備える膜の第２の形成方法を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できる樹脂組成物、当該樹脂組成物により得られる膜、当該樹脂組成物により得られる膜を備える波長変換部材、及び当該膜の形成方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る発光表示素子を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜樹脂組成物＞
当該樹脂組成物は、［Ａ］バインダー樹脂、［Ｂ］ＱＤ及び［Ｃ］化合物を含有する。［Ｃ］化合物は、フェニルホスフィン構造を有する化合物、シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物、チオビスフェノール構造を有する化合物、ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物及びベンゾチアゾール構造を有する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、後述するように酸化防止剤として機能すると考えられる。また、当該樹脂組成物は、［Ｃ］化合物以外の酸化防止剤を含有してもよい。［Ｃ］化合物以外の酸化防止剤としては、例えば［Ｃ］化合物に該当しない過酸化物分解剤（以下、「［Ｘ］過酸化物分解剤」ともいう）、［Ｃ］化合物に該当しないラジカル捕捉剤（以下、「［Ｄ］ラジカル捕捉剤」ともいう）等が挙げられる。さらに、当該樹脂組成物は、重合性化合物（以下、「［Ｅ］重合性化合物」ともいう）、感放射線性化合物（以下、「［Ｆ］感放射線性化合物」ともいう）及び／又は溶媒（以下、「［Ｇ］溶媒」ともいう）を含有していてもよい。なお、当該樹脂組成物は、上記成分をそれぞれ２種以上含有していてもよい。
【００１６】
当該樹脂組成物は、上記構成を有することにより、加熱処理後の［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できる。当該樹脂組成物が上記構成を有することで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察される。すなわち、当該樹脂組成物に用いる［Ｃ］化合物は、例えば酸化反応中に生成されるハイドロパーオキサイド（ＲＯＯＨ）を分解して安定な化合物に変えることで連鎖開始反応を阻止する過酸化物分解機能に特に優れる化合物であるため、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率を低下させる原因となるフリーラジカルの発生を効果的に抑制できると考えられる。そのため、当該樹脂組成物により膜（波長変換層）を形成する際の加熱処理時において、フリーラジカルの発生源となる過酸化物が［Ｃ］化合物により分解されるため、加熱処理後の［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できると考えられる。
【００１７】
また、青色発光有機ＥＬ素子を用いたディスプレイにＱＤを適用する際、従来の樹脂組成物では、上述のように加熱処理時のフリーラジカルに起因して青色光の強度に対するＲ−ＱＤからの赤色蛍光の強度及びＧ−ＱＤからの緑色蛍光の強度が低下し、色再現性が低下する場合がある。これに対し、当該樹脂組成物を用いた場合は、上述のように加熱処理時においてフリーラジカルの発生が効果的に抑制されるため、Ｒ−ＱＤやＧ−ＱＤ等の［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制でき、その結果、青色光の強度に対する［Ｂ］ＱＤからの蛍光強度を維持でき、高い色再現性を維持することができると考えられる。
【００１８】
以下、当該樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。
【００１９】
〔［Ａ］バインダー樹脂〕
［Ａ］バインダー樹脂は、特に限定されず、膜の母材となり得れば如何なるものであってもよい。
【００２０】
［Ａ］バインダー樹脂として側鎖に脂環式構造を有するものを用いると、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の経時劣化を抑制できるため好ましい。［Ａ］バインダー樹脂として側鎖に脂環式構造を有するものを用いることにより、上記効果が奏される理由は必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察される。すなわち、上記脂環式構造の疎水性により、蛍光量子収率の経時劣化の原因となり得る水分が［Ｂ］ＱＤの表面に付着することを抑制できるため、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の経時劣化を抑制できると考えられる。
【００２１】
側鎖に脂環式構造を有する［Ａ］バインダー樹脂は、例えば脂環式構造を有する不飽和化合物をモノマーとして用いて重合することにより得られる。上記脂環式構造としては、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造、シクロデカン構造等の単環のシクロアルカン構造；シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、シクロペンタジエン構造等の単環のシクロアルケン構造；ノルボルナン構造、アダマンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等の多環のシクロアルカン構造；ノルボルネン構造、トリシクロデセン構造等の多環のシクロアルケン構造等が挙げられる。
【００２２】
上記脂環式構造としては、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造、シクロデカン構造及びトリシクロデカン構造が好ましく、シクロヘキサン構造及びトリシクロデカン構造がより好ましい。上記脂環式構造として上記特定の構造を用いることにより、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の経時劣化をより抑制できる。
【００２３】
側鎖に脂環式構造を有する［Ａ］バインダー樹脂としては、例えば後述するメタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸環状アルキルエステル、アクリル酸環状アルキルエステル及びＮ−シクロヘキシルマレイミドよりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物に由来する構造単位を有する［ａ］樹脂や、環状オレフィン重合体等が挙げられる。
【００２４】
また、当該樹脂組成物をアルカリ現像液によるパターニングが可能な感光性樹脂組成物に適用する場合は、［Ａ］バインダー樹脂として、以下に例示するような［Ａ’］アルカリ可溶性樹脂を用いることが好ましい。
【００２５】
〔［Ａ’］アルカリ可溶性樹脂〕
［Ａ’］アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ性溶液に可溶な樹脂である。［Ａ’］アルカリ可溶性樹脂としては、カルボキシ基を含む不飽和化合物をモノマーとして用いてラジカル重合することにより得られる樹脂（以下、「［ａ］樹脂」ともいう）、ポリイミド、ポリシロキサン、ノボラック樹脂、アルカリ可溶性ポリオレフィン、カルド骨格を有する樹脂及びこれらの組み合わせが好ましい。以下、［ａ］樹脂、ポリイミド、ポリシロキサン、ノボラック樹脂、アルカリ可溶性ポリオレフィン及びカルド骨格を有する樹脂のそれぞれについて詳細に説明する。
【００２６】
［［ａ］樹脂］
［ａ］樹脂はカルボキシ基を含む構造単位を有する。また、感度向上のため、重合性基を含む構造単位を有していてもよい。重合性基を含む構造単位としては、エポキシ基を含む構造単位、（メタ）アクリロイル基を含む構造単位、及びビニル基を含む構造単位が好ましい。［ａ］樹脂が上記特定の重合性基を含む構造単位を有することで、硬化膜を形成する際に表面硬化性及び深部硬化性に優れる樹脂組成物とすることができる。
【００２７】
上記カルボキシ基を含む構造単位は、例えば不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、多価カルボン酸のモノ〔（メタ）アクリロイルオキシアルキル〕エステル等のカルボン酸系不飽和化合物をモノマーとして用いて、適宜他のモノマーと共にラジカル重合することにより形成できる。
【００２８】
上記不飽和モノカルボン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等が挙げられる。
【００２９】
上記不飽和ジカルボン酸としては、例えばマレイン酸、フマル酸等が挙げられる。
【００３０】
上記多価カルボン酸のモノ〔（メタ）アクリロイルオキシアルキル〕エステルとしては、例えばコハク酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕等が挙げられる。
【００３１】
これらのカルボン酸系不飽和化合物のうち、重合性の観点から、アクリル酸、メタクリル酸及びコハク酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕が好ましい。
【００３２】
これらのカルボン酸系不飽和化合物は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３３】
［ａ］樹脂中のカルボキシ基を含む構造単位の含有割合の下限としては、［ａ］樹脂を構成する全構造単位に対して、１モル％が好ましく、５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましい。また、上記構造単位の含含有割合の上限としては、８０モル％が好ましく、７０モル％がより好ましく、６０モル％がさらに好ましい。カルボキシ基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、アルカリ現像液への溶解性をより向上させることができる。
【００３４】
上記エポキシ基を含む構造単位は、例えばエポキシ基含有不飽和化合物をモノマーとして用いて、適宜他のモノマーと共にラジカル重合することにより形成できる。エポキシ基含有不飽和化合物としては、例えばオキシラニル基（１，２−エポキシ構造）、オキセタニル基（１，３−エポキシ構造）等を含む不飽和化合物などが挙げられる。
【００３５】
上記オキシラニル基を有する不飽和化合物としては、例えばメタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−メチルグリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシブチル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロへキシル、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００３６】
上記オキセタニル基を有する不飽和化合物としては、例えば３−（メタクリロイルオキシメチル）オキセタン、３−（メタクリロイルオキシメチル）−２−メチルオキセタン、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン、３−（メタクリロイルオキシメチル）−２−フェニルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−エチルオキセタン、３−（２−メタクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。
【００３７】
これらのエポキシ基含有不飽和化合物のうち、重合性の観点から、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル及び３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタンが好ましい。
【００３８】
これらのエポキシ基含有不飽和化合物は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３９】
［ａ］樹脂がエポキシ基を含む構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、［ａ］樹脂を構成する全構造単位に対して、１モル％が好ましく、５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、８０モル％が好ましく、７０モル％がより好ましく、６０モル％がさらに好ましい。エポキシ基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる膜を形成できる。
【００４０】
上記（メタ）アクリロイル基を含む構造単位は、例えばエポキシ基を有するポリマーと（メタ）アクリル酸とを反応させる方法、カルボキシ基を有するポリマーとエポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルとを反応させる方法、水酸基を有するポリマーとイソシアネート基を有する（メタ）アクリル酸エステルとを反応させる方法、酸無水物基を有するポリマーと（メタ）アクリル酸とを反応させる方法等により形成できる。
【００４１】
上記その他の構造単位を与えるモノマーとしては、例えば（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物、水酸基含有不飽和化合物、その他の不飽和化合物等が挙げられる。
【００４２】
上記（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル等が挙げられる。
【００４３】
上記（メタ）アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロデカニル、メタクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−２−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン−８−イル、アクリル酸イソボルニル等が挙げられる。
【００４４】
上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えばメタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸ベンジル等が挙げられる。
【００４５】
上記マレイミド化合物としては、例えばＮ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）マレイミド、Ｎ−（４−ヒドロキシベンジル）マレイミド等が挙げられる。
【００４６】
上記不飽和芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン等が挙げられる。
【００４７】
上記テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物としては、例えばメタクリル酸テトラヒドロフルフリル等が挙げられる。
【００４８】
上記水酸基含有不飽和化合物としては、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシフェニル、メタクリル酸４−ヒドロキシフェニル、ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン等が挙げられる。
【００４９】
上記その他の不飽和化合物としては、例えばアクリロニトリル等が挙げられる。
【００５０】
上記その他の構造単位を与えるモノマーのうち、重合性の観点から、スチレン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ラウリル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸トリシクロデカニル、ｐ−メトキシスチレン、アクリル酸２−メチルシクロヘキシル、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル及びメタクリル酸２−ヒドロキシエチルが好ましい。
【００５１】
上記その他の構造単位を与えるモノマーは、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００５２】
［ａ］樹脂がその他の構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、［ａ］樹脂を構成する全構造単位に対して、１モル％が好ましく、５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、８０モル％が好ましく、７０モル％がより好ましい。上記含有割合が上記範囲内の場合、上述した効果を妨げることなく、例えば［ａ］樹脂の分子量等を調整できる。
【００５３】
［ａ］樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、１，０００が好ましく、２，０００がより好ましく、３，０００がさらに好ましい。一方、上記Ｍｗの上限としては、３０，０００が好ましく、２０，０００がより好ましく、１５，０００がさらに好ましい。［ａ］樹脂のＭｗを上記範囲とすることで、保存安定性及び感度をより向上させることができる。
【００５４】
また、上記Ｍｗと、［ａ］樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）との比、すなわち分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の下限としては、通常１であり、１．２が好ましく、１．５がより好ましい。上記Ｍｗ／Ｍｎの上限としては、５が好ましく、４がより好ましく、３がさらに好ましい。［ａ］樹脂のＭｗ／Ｍｎを上記範囲とすることで、保存安定性及び感度をより向上させることができる。
【００５５】
なお、本明細書におけるＭｗ及びＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した値である。
【００５６】
（［ａ］樹脂の合成方法）
［ａ］樹脂の合成方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば溶媒中で重合開始剤の存在下、上述したモノマーを重合反応させることによって合成できる。
【００５７】
［ポリイミド］
当該樹脂組成物に用いるポリイミドとしては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子化合物であれば特に制限されないが、アルカリ可溶性の観点から、構造単位中にカルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホ基、チオール基、又はこれらの組み合わせを含むポリイミドが好ましい。上記ポリイミドは、構造単位中にこれらのアルカリ可溶性の基を含むことでアルカリ現像性（アルカリ可溶性）を備えることができ、その結果、アルカリ現像時に露光部のスカム発生を抑えることができる。上記ポリイミドは、例えば特開２００６−１９９９４５号公報、特開２００８−１６３１０７号公報、特開２０１１−４２７０１号公報等に記載されている方法などで合成することができる。
【００５８】
［ポリシロキサン］
当該樹脂組成物に用いるポリシロキサンとしては、特に制限されず、例えば国際公開ＷＯ２００９／０２８３６０号公報、国際公開ＷＯ２０１１／１５５３８２号公報、特開２０１０−１５２３０２号公報に記載のもの等が挙げられる。
【００５９】
［ノボラック樹脂］
当該樹脂組成物に用いるノボラック樹脂としては特に制限されず、例えばフェノールノボラック構造を有する樹脂や、レゾールノボラック構造を有する樹脂等が挙げられる。上記ノボラック樹脂は、フェノール化合物とアルデヒド化合物とを反応させて得られる。ノボラック樹脂の具体例としては、例えば特開２００３−１１４５３１号公報、特開２０１２−１３７７４１号公報、特開２０１３−１２７５１８号公報等に記載のものなどが挙げられる。
【００６０】
［アルカリ可溶性ポリオレフィン］
当該樹脂組成物に用いるアルカリ可溶性ポリオレフィンとしては、特に制限されないが、アルカリ可溶性の観点から、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体が好ましい。ここでプロトン性極性基とは、周期律表第１５族又は第１６族に属する原子に水素原子が直接結合している基をいう。上記プロトン性極性基としては、酸素原子に水素原子が直接結合している基、窒素原子に水素原子が直接結合している基、及び硫黄原子に水素原子が直接結合している基が好ましく、酸素原子に水素原子が直接結合している基がより好ましい。上記アルカリ可溶性ポリオレフィンの具体例としては、例えば、特開２０１２−２１１９８８号公報に記載のものなどが挙げられる。
【００６１】
［カルド骨格を有する樹脂］
当該樹脂組成物に用いるカルド骨格を有する樹脂としては、特に制限されない。ここでカルド骨格とは、環状構造を構成している環炭素原子に、別の２つの環状構造が結合した骨格構造をいい、例えば、フルオレン環の９位の炭素原子に２つの芳香環（例えばベンゼン環）が結合した構造等が挙げられる。カルド骨格を有する樹脂の具体例としては、例えば、特許第５１８１７２５号公報、特許第５３２７３４５号公報等に記載のものなどが挙げられる。
【００６２】
〔［Ａ’］アルカリ可溶性樹脂以外の［Ａ］バインダー樹脂〕
当該樹脂組成物をアルカリ現像液によるパターニングが可能な感光性樹脂組成物に適用しない場合は、アルカリ不溶性の［Ａ］バインダー樹脂を用いることができる。アルカリ不溶性の［Ａ］バインダー樹脂としては、例えばアルカリ不溶性ポリオレフィン等が挙げられる。
【００６３】
［アルカリ不溶性ポリオレフィン］
当該樹脂組成物に用いるアルカリ不溶性ポリオレフィンとしては、特に制限されないが、上記プロトン性極性基を有さないポリオレフィンが好ましい。上記アルカリ不溶性ポリオレフィンの具体例としては、例えば炭素数１〜１０のアルケンをモノマーとして用いた重合体、炭素数３〜２０の置換又は非置換のシクロアルケンをモノマーとして用いた重合体（環状オレフィン重合体）などが挙げられる。上記アルケンとしては、例えばエチレン、プロピレン、ブテン等が挙げられる。上記シクロアルケンとしては、例えばシクロペンテン、シクロヘキセン等の単環のシクロアルケンや、ノルボルナン、トリシクロデセン、テトラシクロドデセン等の多環のシクロアルケンなどが挙げられる。上記シクロアルケンの置換基としては、例えば炭素数１〜５のアルキル基や、このアルキル基と−ＣＯ−及び−Ｏ−よりなる群から選ばれる少なくとも１種とを組み合わせた基等が挙げられ、メチル基及びメトキシカルボニル基が好ましい。上記アルカリ不溶性ポリオレフィンとしては、環状オレフィン重合体が好ましく、置換又は非置換のシクロアルケンをモノマーとする重合体がより好ましく、ノルボルナンと置換又は非置換のテトラシクロドデセンとをモノマーとする重合体がさらに好ましい。アルカリ不溶性ポリオレフィンの具体例としては、例えば、特開２０１５−１２７７３３号公報等に記載のものなどが挙げられる。
【００６４】
当該樹脂組成物中の［Ａ］バインダー樹脂の含有量の下限としては、１質量％が好ましく、５質量％がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましい。［Ａ］バインダー樹脂の含有量を上記下限以上とすることにより、感度をより高めつつ、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる膜を形成できる。一方、上記含有量を上記上限以下とすることにより、保存安定性をより向上させることができる。
【００６５】
〔［Ｂ］ＱＤ〕
［Ｂ］ＱＤとしては特に限定されないが、ＣｄやＰｂを構成元素とせず、例えばＩｎ（インジウム）やＳｉ（珪素）等を構成元素として構成された安全な材料からなる半導体量子ドットが好ましい。
【００６６】
［Ｂ］ＱＤとしては、蛍光量子収率等の蛍光特性を向上させる観点から２族元素、１１族元素、１２族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素及び１６族元素よりなる群から選ばれる少なくとも２種の元素を含むものが好ましい。
【００６７】
上記元素としては、例えばＢｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム），Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）、Ｃ（炭素）、Ｓｉ（珪素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（錫）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）、Ｐｏ（ポロニウム）等が挙げられ、蛍光特性を向上させる観点からＩｎが好ましい。
【００６８】
Ｉｎを含む［Ｂ］ＱＤとしては、後述するコアシェル構造型の半導体量子ドット、ＡｇＩｎＳ２からなる半導体量子ドット、及びＺｎドープＡｇＩｎＳ２からなる半導体量子ドットが好ましい。
【００６９】
また、［Ｂ］ＱＤとしては、Ｓｉからなる半導体量子ドット、Ｓｉと他の元素との化合物からなる半導体量子ドット等のＳｉ系半導体量子ドットも好ましい。
【００７０】
また、［Ｂ］ＱＤが、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の緑色光の波長領域に蛍光極大を有する化合物（Ａ）、及び／又は６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の赤色光の波長領域に蛍光極大を有する化合物（Ｂ）を含むことが好ましい。［Ｂ］ＱＤが上記蛍光特性を有する化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）を含むことで、可視光を用いて画像の表示を行う発光表示素子の波長変換層を形成する樹脂組成物として当該樹脂組成物を適用できる。
【００７１】
［Ｂ］ＱＤは、１種の化合物からなる均質構造型であってもよいし、２種以上の化合物からなるコアシェル構造型であってもよい。
【００７２】
コアシェル構造型の［Ｂ］ＱＤは、１つの種類の化合物でコア構造を形成し、別の種類の化合物でコア構造を被覆して構成される。例えばバンドギャップのより大きい半導体を用いてコアの半導体を被覆することにより、光励起によって生成された励起子（電子−正孔対）がコア内に閉じ込められる。その結果、［Ｂ］ＱＤ表面での無輻射遷移の確率が減少し、蛍光量子収率が向上する。
【００７３】
コアシェル構造型の［Ｂ］ＱＤとしては、蛍光特性を向上させる観点からＩｎをコアの構成元素として含むものが好ましく、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、（ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ）固溶体／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、及び（ＺｎＳ／ＡｇＩｎＳ２）固溶体／ＺｎＳが好ましい。なお、上記ＩｎＰ／ＺｎＳは、ＩｎＰをコアとし、ＺｎＳをシェルとする半導体量子ドットである。その他のコアシェル構造型半導体量子ドットも同様である。
【００７４】
［Ｂ］ＱＤの平均粒径の下限としては、０．５ｎｍが好ましく、１．０ｎｍがより好ましい。また、上記平均粒径の上限としては、２０ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましい。平均粒径が上記下限未満である場合は、［Ｂ］ＱＤの蛍光特性が不安定になる場合がある。一方、［Ｂ］ＱＤの平均粒径が上記上限を超える場合は、量子閉じ込め効果が得られない場合があり、所望の蛍光特性が得られなくなるおそれがある。
【００７５】
ここで［Ｂ］ＱＤの平均粒径は、試料を乾燥させた後、透過型電子顕微鏡を用いて観察し、視野中に含まれる任意の１０個の［Ｂ］ＱＤのそれぞれの最長幅を平均することで求められる。
【００７６】
なお、［Ｂ］ＱＤの蛍光の波長領域は、［Ｂ］ＱＤの構成材料や平均粒径を適宜選択することにより制御できる。
【００７７】
［Ｂ］ＱＤの形状は特に限定されず、例えば球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。［Ｂ］ＱＤの形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡により得ることができる。
【００７８】
［Ｂ］ＱＤを得る方法としては、例えば配位性有機溶媒中で有機金属化合物を熱分解する公知の方法を利用することができる。また、コアシェル構造型の［Ｂ］ＱＤは、例えば、反応により均質なコア構造を形成した後、反応系内にコア表面にシェルを形成するための前駆体を添加し、コア表面にシェルを形成した後、反応を停止させ、溶媒から分離することで得られる。［Ｂ］ＱＤの平均粒径を制御する方法としては、例えば反応温度や反応時間等を調整する方法が挙げられる。なお、市販されているものを利用することも可能である。
【００７９】
また、コアシェル構造型半導体量子ドットであるＩｎＰ／ＺｎＳは、例えば技術文献「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．  ２００７，  １２９，  １５４３２−１５４３３」に記載されている方法を参照して合成することもできる。また、コアシェル構造型半導体量子ドットであるＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳは、例えば技術文献「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．  ２００９，  １３１，  ５６９１−５６９７」に記載されている方法や、技術文献「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ．  ２００９，  ２１，  ２４２２−２４２９」に記載されている方法を参照して合成することもできる。
【００８０】
また、Ｓｉ系半導体量子ドットに関しては、例えば技術文献「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．  ２０１０，  １３２，  ２４８−２５３」記載されている方法を参照して合成することができる。
【００８１】
当該樹脂組成物における［Ｂ］ＱＤの含有量の下限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、１質量部が好ましく、１０質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、１５０質量部が好ましく、１００質量部がより好ましい。［Ｂ］ＱＤの含有量を上述の範囲とすることで、優れた蛍光特性を有する膜（波長変換層）を形成することができる。
【００８２】
〔［Ｃ］化合物〕
［Ｃ］化合物は、フェニルホスフィン構造を有する化合物、シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物、チオビスフェノール構造を有する化合物、ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物及びベンゾチアゾール構造を有する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［Ｃ］化合物は、例えば酸化反応中に生成されるハイドロパーオキサイド（ＲＯＯＨ）を分解して安定な化合物に変えることで連鎖開始反応を阻止する優れた過酸化物分解機能を有するため、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率を低下させる原因となるフリーラジカルの発生を効果的に抑制できると考えられる。そのため、［Ｃ］化合物を含有することで、当該樹脂組成物は、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できると考えられる。
【００８３】
（フェニルホスフィン構造を有する化合物）
フェニルホスフィン構造を有する化合物とは、一般式：Ｐ−（Ｒ２）３で表される化合物である。ここでＲ２は、水素原子又は１価の有機基である。３つのＲ２は、同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＲ２は、置換又は非置換のフェニル基である。上記フェニル基の置換基としては、例えば炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基等が挙げられる。フェニルホスフィン構造を有する化合物としては、上記一般式における３つのＲ２がいずれも置換又は非置換のフェニル基であるトリフェニルホスフィン構造を有する化合物が好ましい。
【００８４】
フェニルホスフィン構造を有する化合物としては、例えばトリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、トリ−２，５−キシリルホスフィン、トリ−３，５−キシリルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ−ビニルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン等が挙げられる。
【００８５】
フェニルホスフィン構造を有する化合物としては、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率を低下させる原因となるフリーラジカルの発生をより効果的に抑制する観点から、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、トリ−２，５−キシリルホスフィン、ジフェニル（ｐ−ビニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン及びトリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィンが好ましく、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン及びトリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィンがより好ましい。
【００８６】
（シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物）
シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物とは、一般式：Ｐ−（Ｒ３）３で表される化合物である。ここでＲ３は、水素原子又は１価の有機基である。３つのＲ３は、同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＲ３は、置換又は非置換のシクロアルキル基である。上記シクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。上記シクロアルキル基の置換基としては、例えば炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基等が挙げられる。シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物としては、上記一般式における３つのＲ３がいずれも置換又は非置換のシクロアルキル基であるトリシクロアルキルホスフィン構造を有する化合物が好ましい。
【００８７】
シクロアルキルホスフィン構造を有する化合物としては、トリシクロヘキシルホスフィンが好ましい。
【００８８】
（チオビスフェノール構造を有する化合物）
チオビスフェノール構造を有する化合物とは、一般式：Ｓ−（Ｒ４）２で表される化合物である。ここでＲ４は、置換又は非置換のヒドロキシフェニル基である。２つのＲ４は、同一でも異なっていてもよい。上記ヒドロキシフェニル基の置換基としては、例えば炭素数１〜５のアルキル基等が挙げられる。上記置換されたヒドロキシフェニル基は、炭素数３以上のアルキル基を２以上有さないことが好ましい。
【００８９】
チオビスフェノール構造を有する化合物としては、４，４−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）が好ましい。
【００９０】
（ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物）
ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物とは、一般式：Ｓ−（ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯＯ−Ｒ５）２で表される化合物である。ここでＲ５はアルキル基である。２つのＲ５は、同一でも異なっていてもよい。上記アルキル基としては、炭素数１０以上２０以下の直鎖状アルキル基が好ましい。
【００９１】
ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物としては、例えばジラウリルチオジプロピオネート、ジトリデシルチオジプロピオネート、ジミリスチルチオジプロピオネート、ジステアリルチオジプロピオネート等が挙げられる。
【００９２】
ジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物としては、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率を低下させる原因となるフリーラジカルの発生をより効果的に抑制する観点から、ジラウリルチオジプロピオネート及びジステアリルチオジプロピオネートが好ましい。
【００９３】
（ベンゾチアゾール構造を有する化合物）
ベンゾチアゾール構造を有する化合物とは、置換又は非置換のベンゾチアゾールである。上記ベンゾチアゾールの置換基としては、例えば炭素数１〜１０のアルキル基、ヒドロキシ基、チオエーテル基等が挙げられ、これらの中でチオエーテル基が好ましい。
【００９４】
ベンゾチアゾール構造を有する化合物としては、例えばベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール等が挙げられる。これらの中で、２−メルカプトベンゾチアゾールが好ましい。
【００９５】
［Ｃ］化合物としては、フェニルホスフィン構造を有する化合物及びシクロアルキルホスフィン構造を有する化合物が好ましく、フェニルホスフィン構造を有する化合物がより好ましい。
【００９６】
当該樹脂組成物における［Ｃ］化合物の含有量の下限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、１質量部がより好ましく、２質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、１５質量部が好ましく、１０質量部がより好ましく、８質量部がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲内とすることにより、［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率を低下させる原因となるフリーラジカルの発生をより効果的に抑制できる。また、当該樹脂組成物が硬化性を有する場合に、当該樹脂組成物の硬化反応を妨げることを抑制できる。
【００９７】
〔［Ｘ］過酸化物分解剤〕
［Ｘ］過酸化物分解剤は、［Ｃ］化合物には該当しない酸化防止剤であって、過酸化物分解機能を有する。［Ｘ］過酸化物分解剤は、［Ｃ］化合物には該当しない酸化防止剤であって、過酸化物分解機能を有する。［Ｘ］過酸化物分解剤としては、例えば、リン化合物、硫黄化合物、リン原子及び硫黄原子を含む化合物等が挙げられ、具体的には、ホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物（但し、チオビスフェノール構造を有する化合物及びジアルキルチオジプロピオネート構造を有する化合物を除く）、ベンゾトリアゾール構造を有する化合物、チオホスファイト構造を有する化合物等が挙げられる。
【００９８】
（ホスファイト構造を有する化合物）
ホスファイト構造を有する化合物としては、例えば、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ｐ−ｔ―オクチルフェニル）ホスファイト、トリス〔２，４，６−トリス（α−フェニルエチル）〕ホスファイト、トリス（ｐ−２−ブテニルフェニル）ホスファイト、ビス（ｐ−ノニルフェニル）シクロヘキシルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、３，９−ビス（オクタデシルオキシ）−２，４，８，１０−テトラオキサ−３，９−ジホスファスピロ［５．５］ウンデカン、トリフェニルホスファイト、３，９−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）−２，４，８，１０−テトラオキサ−３，９−ジホスファスピロ［５．５］ウンデカン等が挙げられる。
【００９９】
ホスファイト構造を有する化合物の市販品としては、例えば特開２００３−２６７１５号公報、特開２００９−９７０１０号公報、特開２０１２−２１１９７５号公報、特開２０１４−１２６８１１号公報、特開２０１４−１３４７６３号公報等に記載の化合物などが挙げられる。
【０１００】
（チオエーテル構造を有する化合物）
チオエーテル構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−オクタデシルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ステアリルチオプロピオネート）等が挙げられる。
【０１０１】
チオエーテル構造を有する化合物の市販品としては、例えば、特開２０１４−４８４２８号公報、特開２０１４−１３４７６３号公報等に記載の化合物等が挙げられる。
【０１０２】
（ベンゾトリアゾール構造を有する化合物）
ベンゾトリアゾール構造を有する化合物としては、例えば、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシメチルフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【０１０３】
ベンゾトリアゾール構造を有する化合物の市販品としては、例えば特開２００３−２６７１５号公報、特開２００９−９７０１０号公報、特開２０１２−２１１９７５号公報等に記載の化合物などが挙げられる。
【０１０４】
（チオホスファイト構造を有する化合物）
チオホスファイト構造を有する化合物としては、例えばトリチオ亜リン酸トリラウリル、トリチオ亜リン酸トリブチル、トリチオ亜リン酸トリフェニル等が挙げられる。
【０１０５】
〔［Ｄ］ラジカル捕捉剤〕
当該樹脂組成物は［Ｄ］ラジカル捕捉剤をさらに含有してもよい。［Ｄ］ラジカル捕捉剤は、［Ｃ］化合物に該当しない酸化防止剤であって、活性の高い連鎖伝播体（ＲＯＯ・及びＲ・）を捕捉して連鎖反応を止めることで酸化を防ぐ働きをする。当該樹脂組成物により膜（波長変換層）を形成する際の加熱処理時や、電子機器の製造工程において上記膜に過剰な熱が印加された場合等に、膜中にフリーラジカルが発生することがある。このように、膜中にフリーラジカルが発生すると、このフリーラジカルは化学的に不安定であるため、他の化合物と容易に反応してさらに新たなフリーラジカルを作り出しながら連鎖的にＱＤを劣化させ、膜の機能低下を誘発する原因となる。当該樹脂組成物が［Ｄ］ラジカル捕捉剤を含有すると、上述のフリーラジカルが発生しても、［Ｄ］ラジカル捕捉剤によりフリーラジカルが捕捉されるため、加熱処理後の［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の低下をより抑制できる。なお、［Ｄ］ラジカル捕捉剤には、過酸化物を分解する機能を有するものも含まれる。また、本明細書において、過酸化物を分解する機能を有し、かつフリーラジカルを捕捉する機能を有するものは、［Ｄ］ラジカル捕捉剤とする。
【０１０６】
［Ｄ］ラジカル捕捉剤としては、フリーラジカルを捕捉してラジカルを失活させることができるものであれば特に限定されないが、例えばフェノール類、芳香族アミン類を用いることができ、ヒンダードフェノール構造を有する化合物及びヒンダードアミン構造を有する化合物が好ましい。［Ｄ］ラジカル捕捉剤として上記特定の化合物を用いることにより、フリーラジカルをより確実に捕捉できる。
【０１０７】
［ヒンダードフェノール構造を有する化合物］
ヒンダードフェノール構造とは、例えば炭素数３以上１０以下の２個以上の１価の有機基で置換されたヒドロキシフェニル基を有する構造等が挙げられる。ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２’−チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフィエニル）プロピオニルオキシ］エチル］２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］−ウンデカン及びこれらの化合物の重合体等が挙げられる。
【０１０８】
ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えば特開２０１１−２２７１０６号公報、特開２０１３−１６４４７１号公報等に記載の化合物などが挙げられる。
【０１０９】
［ヒンダードアミン構造を有する化合物］
ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）スクシネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−オクトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−ベンジルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス−［４，６−ビス−〔ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ〕−トリアジン−２−イル］−４，７−ジアザデカン−１，１０−ジアミン等の低分子化合物、ピペリジン環がトリアジン骨格を介して複数結合した重合体及びピペリジン環がエステル結合を介して複数結合した重合体が挙げられる。
【０１１０】
ヒンダードアミン構造を有する化合物の市販品としては、例えば特開２０１１−１１２８２３号公報、特開２０１４−１３４７６３号公報等に記載の化合物などが挙げられる。
【０１１１】
［Ｄ］ラジカル捕捉剤としては、フリーラジカルをより確実に捕捉する観点からヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましく、２，２’−チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、及び３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフィエニル）プロピオニルオキシ］エチル］２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］−ウンデカンがより好ましい。
【０１１２】
当該樹脂組成物が［Ｄ］ラジカル捕捉剤を含有する場合、［Ｄ］ラジカル捕捉剤の含有量の下限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、１質量部がより好ましく、２質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましい。上記含有量を上記範囲内とすることにより、フリーラジカルをより確実に捕捉できる。また、当該樹脂組成物が硬化性を有する場合に、当該樹脂組成物の硬化反応を妨げることを抑制できる。
【０１１３】
〔［Ｅ］重合性化合物〕
当該樹脂組成物は［Ｅ］重合性化合物をさらに含有してもよい。当該樹脂組成物が［Ｅ］重合性化合物を含有する場合、当該樹脂組成物の硬化反応を促進させることができる。［Ｅ］重合性化合物は、放射線照射や加熱等により重合する化合物であれば特に限定されないが、感度向上の観点から（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、ビニル基又はこれらの組み合わせを有する化合物が好ましく、分子中に２つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物がより好ましい。
【０１１４】
分子中に２つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する［Ｅ］重合性化合物としては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，１０−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート、トリペンタエリスリトールオクタアクリレート、テトラペンタエリスリトールノナアクリレート、テトラペンタエリスリトールデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、トリペンタエリスリトールオクタメタクリレート、テトラペンタエリスリトールノナメタクリレート、テトラペンタエリスリトールデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）−３−メチルフェニル］フルオレン、（２−アクリロイルオキシプロポキシ）−３−メチルフェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）−３、５−ジメチルフェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）−３、５−ジメチルフェニル］フルオレン等が挙げられる。
【０１１５】
中でも、感度向上の観点から、３つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物が好ましく、４つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物がより好ましく、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート及びトリペンタエリスリトールオクタアクリレートがさらに好ましい。
【０１１６】
当該樹脂組成物が［Ｅ］重合性化合物を含有する場合、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対する［Ｅ］重合性化合物の含有量の下限としては、１質量部が好ましく、１０質量部がより好ましく、２０質量部がさらに好ましい。また、上記含有量の上限としては、２００質量部が好ましく、１５０質量部がより好ましく、１２０質量部がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲内とすることにより、保存安定性及び感度をより高めつつ、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる膜を形成できる。
【０１１７】
〔［Ｆ］感放射線性化合物〕
当該樹脂組成物は［Ｆ］感放射線性化合物をさらに含有してもよい。この場合、当該樹脂組成物に感放射線性を付与できる。［Ｆ］感放射線性化合物は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１８】
［Ｆ］感放射線性化合物としては、例えば感放射線性ラジカル重合開始剤、キノンジアジド化合物、これらの組み合わせ等が挙げられる。
【０１１９】
［感放射線性ラジカル重合開始剤］
上記感放射線性ラジカル重合開始剤は、例えば［Ｅ］重合性化合物としてラジカル重合性の化合物を用いる場合、当該樹脂組成物の放射線による硬化反応をより促進させることができる。
【０１２０】
上記感放射線性ラジカル重合開始剤としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線の露光により、［Ｅ］重合性化合物のラジカル重合反応を開始し得る活性種を発生することができる化合物等が挙げられる。
【０１２１】
上記感放射線性ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、
エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のＯ−アシルオキシム化合物；
２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルホリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン等のα−アミノケトン化合物；
１−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ヒドロキシケトン化合物；
ジフェニル（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等のアシルホスフィンオキシド化合物などが挙げられる。
【０１２２】
上記感放射線性ラジカル重合開始剤としては、放射線による硬化反応をより促進させる観点から、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン、ジフェニル（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド及びビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシドが好ましい。
【０１２３】
［キノンジアジド化合物］
上記キノンジアジド化合物は、当該樹脂組成物をポジ型の感放射線性組成物として用いる場合の感放射線性化合物に好適である。上記キノンジアジド化合物としては、放射線の照射によりカルボン酸を発生する１，２−キノンジアジド化合物を用いることができる。上記１，２−キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
【０１２４】
上記キノンジアジド化合物としては、例えば、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンアジド−４−スルホン酸エステル等の１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル；
４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポリヒドロキシフェニル）アルカンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルなどが挙げられる。キノンジアジド化合物の具体例としては、例えば、特許５４５４３２１号公報、特許５６３００６８号公報、特許５５９２０６４号公報等に記載のものなどが挙げられる。
【０１２５】
上記キノンジアジド化合物としては、当該樹脂組成物の放射線感度を高める観点から、（ポリヒドロキシフェニル）アルカンの１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが好ましく、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルがより好ましい。
【０１２６】
当該樹脂組成物が［Ｆ］感放射線性化合物を含有する場合、［Ｆ］感放射線性化合物の含有量の下限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して１質量部が好ましく、１０質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して１５０質量部が好ましく、１００質量部がより好ましい。上記含有量を上記範囲とすることにより当該樹脂組成物の放射線感度をより高めることができる。
【０１２７】
〔［Ｇ］溶媒〕
当該樹脂組成物は［Ｇ］溶媒をさらに含有してもよい。当該樹脂組成物が［Ｇ］溶媒を含有すると、その塗布性が向上する。［Ｇ］溶媒としては、上記各成分を溶解又は分散させることができる限り特に限定されないが、例えば上述した［ａ］樹脂等の樹脂を合成する際に使用する溶媒等が挙げられる。なお、［Ｇ］溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２８】
〔［Ｈ］その他の成分〕
当該樹脂組成物は、上述した成分以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、熱重合開始剤、保存安定剤、接着助剤等の［Ｈ］その他の成分を含有してもよい。［Ｈ］その他の成分は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。当該樹脂組成物が［Ｈ］その他の成分を含有する場合、その含有量の上限としては、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対して１０質量部が好ましく、１質量部がより好ましい。
【０１２９】
当該樹脂組成物は、適宜の方法により調製することが可能であるが、例えば［Ｇ］溶媒中で、［Ａ］バインダー樹脂、［Ｂ］ＱＤ、［Ｃ］化合物及び必要に応じて任意成分を混合することにより調製できる。混合する際の組成物中の固形分の濃度の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。また、上記濃度の上限としては、８０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましい。固形分の濃度を上記範囲とすることにより、塗布性を向上させることができる。なお、上記「固形分」とは、試料を１７５℃のホットプレートで１時間乾燥して揮発物質を除いた残分をいう。
【０１３０】
＜膜＞
当該膜は、当該樹脂組成物により得られる。当該膜は当該樹脂組成物により得られるため、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下が抑制され、例えば高い色再現性を有する波長変換層としての膜を提供することができる。当該膜は、パターン化されていてもよいし、パターン化されていなくてもよいが、当該膜がパターン化されていると、サブ画素として有用な波長変換層に適用することができる。当該膜は、波長変換層として好適に使用できるよう、通常加熱処理によって揮発成分の除去や各種化学反応の促進が行われている。当該膜は、架橋樹脂を母材とする膜（以下、「硬化膜」ともいう）でも、非架橋樹脂を母材とする膜でもよい。上記硬化膜は、例えば硬化性を有する当該樹脂組成物を用いることで得ることができる。当該樹脂組成物に硬化性を付与する方法としては、例えば［Ａ］バインダー樹脂として熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂を用いる方法や、［Ｅ］重合性化合物や他の架橋剤等を含有させる方法などが挙げられる。
【０１３１】
＜波長変換部材＞
当該膜は、発光表示素子、波長変換フィルム等の波長変換部材が備える波長変換層として好適である。以下、当該膜を備える当該波長変換部材の好適な実施形態として、波長変換フィルムと、発光表示素子とを例に説明する。
【０１３２】
〔波長変換フィルム〕
当該波長変換部材の一実施形態である波長変換フィルムは、太陽電池封止用シート、農業用フィルム、照明部品等に用いる波長変換部材として好適である。上記波長変換フィルムにおける波長変換層の平均厚さとしては、例えば１μｍ以上１，０００μｍ以下とすることができる。なお、上記波長変換フィルムは、当該膜（波長変換層）のみにより構成される単層フィルムでもよく、他の層をさらに備える多層フィルムでもよい。
【０１３３】
〔発光表示素子〕
図１は、一実施形態の発光表示素子１００を模式的に示す断面図である。発光表示素子１００は、第１基材１２上に波長変換層１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）及びブラックマトリクス１４を設けて構成された波長変換基板１１と、波長変換基板１１上に接着剤層１５を介して貼り合わされた光源基板１８とを有する。
【０１３４】
第１基材１２は、ガラス、石英、透明樹脂等により構成される。上記透明樹脂としては、例えば透明ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、環状オレフィン系樹脂等が挙げられる。
【０１３５】
波長変換基板１１の波長変換層１３は、上述した樹脂組成物を用い、パターニングして形成される。波長変換層１３は、当該樹脂組成物を用いて形成しているため、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制することができる。
【０１３６】
波長変換基板１１は、波長変換層１３のそれぞれが含有するＱＤにより、光源基板１８の光源１７からの励起光を波長変換し、所望とする波長の蛍光を発する。波長変換基板１１では、第１波長変換層１３ａと第２波長変換層１３ｂと第３波長変換層１３ｃとが、それぞれ異なるＱＤを含んで構成され、異なる蛍光を発することができる。例えば波長変換基板１１は、第１波長変換層１３ａが励起光を赤色の光に変換し、第２波長変換層１３ｂが励起光を緑色の光に変換し、第３波長変換層１３ｃが励起光を青色の光に変換するように構成することができる。
【０１３７】
その場合、各波長変換層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、それぞれが所望とする蛍光特性を有するように、含有するＱＤの選択がなされる。そのため、波長変換基板１１の各波長変換層１３ａ、１３ｂ、１３ｃの形成においては、異なる発光特性のＱＤを含む、例えば３種の樹脂組成物が準備される。
【０１３８】
波長変換基板１１の波長変換層１３の平均厚さの下限としては、１００ｎｍが好ましく、１μｍがより好ましい。また、上記平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましい。上記平均厚さが上記下限未満であると、励起光を十分吸収することができず、光変換効率が低下するために発光表示素子の輝度が十分に確保できないといった問題が生じる可能性がある。
【０１３９】
第１基材１２上の各波長変換層１３の間には、ブラックマトリクス１４が配置されている。ブラックマトリクス１４は、公知の遮光性の材料を用い、公知の方法に従ってパターニングして形成することができる。なお、ブラックマトリクス１４は、波長変換基板１１において、必須の構成要素ではなく、波長変換基板１１は、ブラックマトリクス１４を設けない構成とすることも可能である。
【０１４０】
接着剤層１５は、後述する紫外光又は青色光を透過する公知の接着剤を用いて形成される。なお、接着剤層１５は、図１に示すように、第１基材１２上に各波長変換層１３の全面を被覆するように設ける必要はなく、波長変換基板１１の外縁のみに設けることも可能である。
【０１４１】
光源基板１８は、第２基材１６と、第２基材１６の波長変換基板１１側に配置された光源１７とを備えている。光源１７からはそれぞれ励起光として紫外光又は青色光が出射される。
【０１４２】
光源１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ）としては、特に限定されるものではなく、公知の構造の紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子等の使用が可能であり、公知の製造方法により作製することが可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが３６０ｎｍ以上４３５ｎｍ以下であることが好ましく、青色光としては、主発光ピークが４３５ｎｍを超えて４８０ｎｍ以下であることが好ましい。光源１７は、それぞれの出射光が対向する波長変換層１３を照射するように、指向性を有していることが好ましい。
【０１４３】
発光表示素子１００は、第１光源１７ａからの励起光を波長変換基板１１の第１波長変換層１３ａのＱＤにより波長変換する。同様に、第２光源１７ｂからの励起光を波長変換基板１１の第２波長変換層１３ｂのＱＤにより波長変換し、第３光源１７ｃからの励起光を波長変換基板１１の第３波長変換層１３ｃのＱＤにより波長変換する。このようにして、各光源１７からの励起光が、それぞれ所望とする波長の可視光に変換されて表示に用いられる。
【０１４４】
発光表示素子１００においては、第１波長変換層１３ａの設けられた部分が、赤色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、波長変換基板１１の第１波長変換層１３ａは、光源基板１８の対向する第１光源１７ａからの励起光を赤色光に変換する。また、第２波長変換層１３ｂの設けられた部分が、緑色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、第２波長変換層１３ｂは、光源基板１８の対向する第２光源１７ｂからの励起光を緑色光に変換する。また、第３波長変換層１３ｃの設けられた部分が、青色表示を行うサブ画素を構成する。例えば励起光として紫外光を用いる場合、第３波長変換層１３ｃは、光源基板１８の対向する第３光源１７ｃからの紫外光を青色光に変換する。
【０１４５】
なお、発光表示素子１００においては、第３光源１７ｃからの励起光として青色光を用いることもできる。この場合、波長変換基板１１は、第３波長変換層１３ｃの代わりに樹脂中に光散乱粒子を分散して構成された光散乱層を用いることも可能である。こうすることで、励起光である青色光を波長変換することなく、そのままの波長特性で使用することができる。
【０１４６】
発光表示素子１００は、第１波長変換層１３ａを備えたサブ画素、第２波長変換層１３ｂを備えたサブ画素及び第３波長変換層１３ｃを備えたサブ画素の３種のサブ画素により、画像を構成する最小単位となる１つの画素を構成する。
【０１４７】
以上の構成を有する発光表示素子１００は、第１波長変換層１３ａを備えたサブ画素、第２波長変換層１３ｂを備えたサブ画素及び第３波長変換層１３ｃを備えたサブ画素毎に、赤色、緑色又は青色の光の発光が制御され、フルカラーの表示が行われる。
【０１４８】
なお、発光表示素子１００においては、波長変換層１３と第１基材１２との間に、カラーフィルタを設けることが可能である。すなわち、第１波長変換層１３ａと第１基材１２との間に赤色のカラーフィルタを設け、第２波長変換層１３ｂと第１基材１２との間に緑色のカラーフィルタを設け、第３波長変換層１３ｃと第１基材１２との間に青色のカラーフィルタを設けることができる。これにより、表示の色の純度を高めることができる。ここで、カラーフィルタとしては、液晶表示素子用等として公知のものを公知の方法で形成して用いることができる。
【０１４９】
＜膜の第１の形成方法＞
当該膜の第１の形成方法は、波長変換フィルムの波長変換層等として用いるパターン化されていない膜を好適に形成できる。当該膜の第１の形成方法は、基板の一方の面側に塗膜を形成する工程（以下、「塗膜形成工程」ともいう）、及び上記塗膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）を備え、当該樹脂組成物により上記塗膜を形成する。
【０１５０】
当該膜の第１の形成方法によれば、上述した当該樹脂組成物を用いているため、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下が抑制された膜を容易かつ確実に形成することができる。ここで「塗膜」とは、十分な加熱処理を行っていない膜状部材をいう。以下、各工程についてそれぞれ説明する。
【０１５１】
［塗膜形成工程］
塗膜形成工程では、例えば当該樹脂組成物を基板上に塗布することにより塗膜を形成する。塗膜形成工程では、当該樹脂組成物を塗布後、塗布面をホットプレート、オーブン等の適当な加熱装置により加熱することにより溶媒等を除去してもよい。加熱条件としては、例えば７０℃以上１３０℃以下の加熱温度で１分以上１０分以下の加熱時間とすればよい。
【０１５２】
塗膜を形成する基板としては、当該膜の第２の形成方法において後述する基板と同様のもの等を用いることができる。
【０１５３】
当該樹脂組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の方法を採用することができる。
【０１５４】
［加熱工程］
加熱工程では、上記塗膜をホットプレート、オーブン等の適当な加熱装置により加熱する。これにより、上記塗膜に含まれる揮発成分の除去やイミド化等の各種化学反応の促進などを行うことができ、その結果、形成される膜の特性等を調節することができる。加熱工程では、例えば１５０℃以上２５０℃以下の加熱温度で５分以上１８０分以下の加熱時間とすればよい。
【０１５５】
加熱工程により、基板上に積層された膜が得られるため、この基板及び膜の積層体を波長変換フィルム等として用いることができる。また、本方法において硬化性を有する当該樹脂組成物を用いている場合、上記加熱により当該樹脂組成物で架橋反応が生じることで硬化膜が得られる。
【０１５６】
＜膜の第２の形成方法＞
当該膜の第２の形成方法は、パターン化された膜を好適に形成できる。当該膜の第２の形成方法は、基板の一方の面側に塗膜を形成する工程（以下、「塗膜形成工程」ともいう）、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射（露光）する工程（以下、「放射線照射工程」ともいう）、放射線照射後の塗膜を現像する工程（以下、「現像工程」ともいう）、及び塗膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）を備え、感放射線性化合物を含有する当該樹脂組成物により上記塗膜を形成する。また、当該膜の第２の形成方法は、現像工程と加熱工程との間に、現像後のパターンを露光する工程（以下、「ポスト露光工程」ともいう）を備えていてもよい。
【０１５７】
当該膜の第２の形成方法によれば、上述した当該樹脂組成物を用いているため、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下が抑制された膜を容易かつ確実に形成することができる。なお、当該膜の第２の形成方法で得られる膜は、通常硬化膜である。以下、各工程についてそれぞれ説明する。
【０１５８】
［塗膜形成工程］
塗膜形成工程では、例えば当該樹脂組成物を基板上に塗布することにより塗膜を形成する。当該樹脂組成物を塗布後、塗布面を加熱（プレベーク）することにより溶媒等を除去してもよい。
【０１５９】
塗膜を形成する基板の材質としては、特に限定されるものではないが、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂の具体例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの付加重合体、環状オレフィンの開環重合体、その水素添加物等が挙げられる。また、これらの基板には、所望により、シランカップリング剤等による薬剤処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、真空蒸着等の前処理を施しておいてもよい。
【０１６０】
当該樹脂組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法及びスリットダイ塗布法が好ましい。加熱（プレベーク）の条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば７０℃以上１３０℃以下の温度で１分以上１０分以下の加熱時間とすればよい。
【０１６１】
［放射線照射工程］
放射線照射工程では、基板上に形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。塗膜の一部にのみ放射線を照射する際には、例えば所望の形状のパターンを有するフォトマスクを介して放射線を照射してもよい。このフォトマスクを用いることにより、照射された放射線の一部がフォトマスクを通過し、その一部の放射線が塗膜に照射される。
【０１６２】
照射に使用される放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等が挙げられる。これらの放射線の中でも、波長が１９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲にある放射線が好ましく、波長３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。
【０１６３】
放射線照射工程における積算照射量（露光量）の下限としては、１００Ｊ／ｍ２が好ましく、２００Ｊ／ｍ２がより好ましい。また、上記積算照射量の上限としては、２，０００Ｊ／ｍ２が好ましく、１，０００Ｊ／ｍ２がより好ましい。なお、本明細書において「積算照射量」とは、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を照度計（例えばＯＡＩ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ  Ｉｎｃ．社の「ＯＡＩ  ｍｏｄｅｌ  ３５６」）により測定した値の積算値をいう。
【０１６４】
［現像工程］
現像工程では、放射線照射後の塗膜を現像して不要な部分を除去する。
【０１６５】
現像に使用される現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解した水溶液を使用することができる。上述のアルカリ性化合物の水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒を適当量添加して使用することもできる。
【０１６６】
現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、スプレー法等が挙げられる。現像時間は、樹脂組成物の組成によって異なるが、その現像時間の下限としては、５秒が好ましく、１０秒がより好ましい。また、現像時間の上限としては、３００秒が好ましく、１８０秒がより好ましい。現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒以上９０秒以下の時間で行った後、圧縮空気や圧縮窒素で乾燥させることにより、所望のパターンが得られる。
【０１６７】
［ポスト露光工程］
例えば［Ｆ］感放射線性化合物としてキノンジアジド化合物を用いる場合、非露光部が赤色を呈するので、本工程において現像後の非露光部に対してポスト露光することにより、塗膜を無色化することができる。この際のポスト露光条件としては、例えば上述した露光工程と同様の条件とすればよい。
【０１６８】
［加熱工程］
加熱工程では、塗膜をホットプレート、オーブン等の適当な加熱装置により加熱する（ポストベーク）。これにより基板上に膜が形成される。
【０１６９】
加熱温度の下限としては１５０℃が好ましい。また、加熱温度の上限としては２５０℃が好ましい。加熱をホットプレートで行う場合、加熱時間の下限としては、５分が好ましく、上限としては３０分が好ましい。また、加熱をオーブン中で行う場合、加熱時間の下限としては１０分が好ましく、上限としては１８０分が好ましい。
【０１７０】
上述した発光表示素子１００の波長変換層の形成に上記方法を適用する場合は、３種の樹脂組成物をそれぞれ用いて、上述した工程を含む波長変換層の形成方法を繰り返して、第１波長変換層１３ａ、第２波長変換層１３ｂ及び第３波長変換層１３ｃをそれぞれ形成すればよい。
【０１７１】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば上記好適な実施形態では、本発明の樹脂組成物を発光表示素子のサブ画素に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されず、液晶ディスプレイのバックライトユニット等にも適用することができる。例えばバックライトユニットの光源として青色発光ダイオードを用いる場合、上述したＧ−ＱＤ及びＲ−ＱＤを含む本発明の樹脂組成物により得られた膜と組み合わせることで、純度の高い白色光を再現できる。また、上記好適な実施形態では、当該膜の第１の形成方法として基板上に積層された膜の形成方法を説明したが、当該膜は、例えばキャスト法等の他のフィルム成形法によっても形成でき、この場合、例えば単層フィルム状の当該膜を得ることができる。
【実施例】
【０１７２】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１７３】
［重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）］
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりＭｗ及びＭｎを測定した。また、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は得られたＭｗ及びＭｎより算出した。
【０１７４】
装置：昭和電工社の「ＧＰＣ−１０１」
カラム：昭和電工社の「ＧＰＣ−ＫＦ−８０１」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０２」、「ＧＰＣ−ＫＦ−８０３」及び「ＧＰＣ−ＫＦ−８０４」を連結したもの
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
【０１７５】
＜バインダー樹脂（［ａ］樹脂）の合成＞
［合成例１］樹脂（Ａ−１）の合成
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０質量部を仕込んで窒素置換した。８０℃に加熱して、同温度で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５０質量部、メタクリル酸１０質量部、メタクリル酸シクロヘキシル３０質量部、スチレン１０質量部、コハク酸モノ〔２−メタクリロイルオキシエチル〕２０質量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３質量部、メタクリル酸２−エチルヘキシル１５質量部、Ｎ−フェニルマレイミド１２質量部及び２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）６質量部の混合溶液を２時間かけて滴下し、この温度を保持して１時間重合した。その後、反応溶液の温度を９０℃に昇温させ、さらに１時間重合することにより、樹脂（Ａ−１）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液（固形分濃度：３３質量％）を得た。得られた樹脂は、Ｍｗ＝１０，８００、Ｍｎ＝５，９００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８３であった。
【０１７６】
［合成例２］樹脂（Ａ−２）の合成
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０質量部を仕込んで窒素置換した。８０℃に加熱して、同温度で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５０質量部、メタクリル酸５質量部、メタクリル酸トリシクロデカニル２５質量部、スチレン１０質量部、コハク酸モノ〔２−メタクリロイルオキシエチル〕２０質量部、メタクリル酸２−エチルヘキシル１８質量部、Ｎ−フェニルマレイミド１２質量部、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン１０質量部及び２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）６質量部の混合溶液を２時間かけて滴下し、この温度を保持して１時間重合した。その後、反応溶液の温度を９０℃に昇温させ、さらに１時間重合することにより、樹脂（Ａ−２）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液（固形分濃度：３３質量％）を得た。得られた樹脂は、Ｍｗ＝１１，１００、Ｍｎ＝６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８５であった。
【０１７７】
［合成例３］樹脂（Ａ−３）の合成
窒素置換した反応容器に、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−３−ドデセン、及びビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンの８０モル：２０モルの混合物４３０質量部と、トルエン７５０質量部とを仕込み、６０℃に加熱した。これに、トリエチルアルミニウム（１．５モル／Ｌ）のトルエン溶液０．６２質量部と、ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ５ＯＨ／ＣＨ３ＯＨで変性（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９ＯＨ／ＣＨ３ＯＨ／Ｗ＝０．３５モル／０．３モル／１モル）したＷＣｌ６溶液（濃度０．０５モル／Ｌ）３．７質量部とを加え、８０℃で３時間加熱攪拌し、加水分解重合体である樹脂（Ａ−３）を得た。この重合反応における重合転化率は９５％であり、樹脂（Ａ−３）の重量平均分子量は２１，０００であった。
【０１７８】
＜樹脂組成物の調製、膜の形成、及び物性評価＞
各樹脂組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
【０１７９】
［［Ａ］バインダー樹脂］
Ａ−１：樹脂（Ａ−１）
Ａ−２：樹脂（Ａ−２）
Ａ−３：樹脂（Ａ−３）
【０１８０】
［［Ｂ］ＱＤ］
Ｂ−１：コアシェル構造型半導体量子ドットであるＩｎＰ／ＺｎＳ（平均粒径：４ｎｍ）
Ｂ−２：コアシェル構造型半導体量子ドットであるＣｄＳｅ／ＺｎＳ−ＴＯＰＯ（平均粒径：４ｎｍ、国際公開ＷＯ２００６／１０３９０８号公報における実施例４で用いられている量子ドット）
【０１８１】
なお、［Ｂ］ＱＤの平均粒径は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクフィールディング社の「Ｈ−７６５０」）を用いて観察し、視野中に含まれる任意の１０個の［Ｂ］ＱＤのそれぞれの最長幅を平均することで求めた。
【０１８２】
［［Ｃ］化合物］
Ｃ−１：トリフェニルホスフィン
Ｃ−２：トリ−ｏ−トリルホスフィン
Ｃ−３：トリ−ｍ−トリルホスフィン
Ｃ−４：トリ−ｐ−トリルホスフィン
Ｃ−５：トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン
Ｃ−６：トリ−２，５−キシリルホスフィン
Ｃ−７：ジフェニル（ｐ−ビニルフェニル）ホスフィン
Ｃ−８：トリシクロヘキシルホスフィン
Ｃ−９：４，４−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）
Ｃ−１０：ジラウリルチオジプロピオネート
Ｃ−１１：ジステアリルチオジプロピオネート
Ｃ−１２：２−メルカプトベンゾチアゾール
【０１８３】
［［Ｘ］過酸化物分解剤］
Ｘ−１：ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］
Ｘ−２：３，９−ビス（オクタデシルオキシ）−２，４，８，１０−テトラオキサ−３，９−ジホスファスピロ［５．５］ウンデカン
Ｘ−３：ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート
Ｘ−４：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）
【０１８４】
［［Ｄ］ラジカル捕捉剤］
Ｄ−１：２，２’−チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５」）
【０１８５】
［［Ｅ］重合性化合物］
Ｅ−１：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
Ｅ−２：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
【０１８６】
［［Ｆ］感放射線性化合物］
Ｆ−１：ジフェニル（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社の「ＬＵＣＩＲＩＮ（登録商標）ＴＰＯ」）
Ｆ−２：ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）８１９」）
Ｆ−３：２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）９０７」）
Ｆ−４：エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０２」
Ｆ−５：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル
Ｆ−６：１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］（ＢＡＳＦ社の「イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１」）
【０１８７】
［［Ｇ］溶媒］
Ｇ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１８８】
［実施例１］
上記合成した樹脂（Ａ−１）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液９０質量部（［Ａ］バインダー樹脂としての（Ａ−１）３０質量部、及び［Ｇ］溶媒としての（Ｇ−１）６０質量部を含有）に、［Ｂ］ＱＤとしての（Ｂ−１）１０質量部、［Ｃ］化合物としての（Ｃ−１）２質量部、［Ｅ］重合性化合物としての（Ｅ−１）３０質量部、及び［Ｆ］感放射線性化合物としての（Ｆ−１）５質量部を加え、実施例１の樹脂組成物を調製した。
【０１８９】
［実施例２〜１８及び比較例１〜８］
各配合成分の種類及び配合量を下記表１に記載の通りとしたこと以外は、実施例１と同様にして各樹脂組成物を調製した。なお、表１中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
【０１９０】
得られた実施例１〜１８及び比較例１〜８の樹脂組成物について、下記の方法に従い評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９１】
［パターニング性］
パターニング性は、下記形成方法により得られたＱＤ含有パターン膜について光学顕微鏡で観察し、現像残渣がなく、パターンの直線部分が直線状に形成されている場合をＡ（良好）とし、現像残渣が有る場合及び／又はパターンの直線部分が直線状に形成されていない場合をＢ（不良）と判断した。
【０１９２】
（実施例１のＱＤ含有パターン膜の形成方法）
無アルカリガラス基板上に、実施例１の樹脂組成物をスピンナにより塗布した後、９０℃のホットプレート上で２分間プレベークすることにより塗膜を形成した。次に、所定のパターンを備えたフォトマスクを介し、高圧水銀ランプを用いて３６５ｎｍ、４０５ｎｍ及び４３６ｎｍの各波長を含む放射線を７００Ｊ／ｍ２の積算照射量で照射した。次に、０．０４質量％の水酸化カリウム水溶液にて２５℃、９０秒間の条件で現像を行い、平均厚さ５μｍのＱＤ含有パターン膜を形成した。
【０１９３】
（実施例２〜１８及び比較例１〜８のＱＤ含有パターン膜の形成方法）
実施例２のＱＤ含有パターン膜は、上記実施例１のＱＤ含有パターン膜の形成方法において、実施例２の樹脂組成物を用いたことと、積算照射量を１，０００Ｊ／ｍ２としたこと以外は同様の方法で形成した。また、実施例１４、１７及び１８並びに比較例６〜７のＱＤ含有パターン膜は、上記実施例１のＱＤ含有パターン膜の形成方法において、それぞれ実施例１４、１７及び１８並びに比較例６〜７の樹脂組成物を用いたことと、積算照射量を８００Ｊ／ｍ２としたこと以外は同様の方法で形成した。また、実施例１３のＱＤ含有パターン膜は、上記実施例１のＱＤ含有パターン膜の形成方法において、実施例１３の樹脂組成物を用い、積算照射量を２，０００Ｊ／ｍ２とし、さらに現像後のパターンに、高圧水銀ランプを用いて積算照射量１０，０００Ｊ／ｍ２として紫外線照射を行ったこと以外は同様の方法で形成した。さらに、実施例３〜１２、１５及び１６、並びに比較例１〜５及び８のＱＤ含有パターン膜は、上記実施例１のＱＤ含有パターン膜の形成方法において、実施例３〜１２、１５及び１６、並びに比較例１〜５及び８の樹脂組成物を用い、積算照射量を１，５００Ｊ／ｍ２としたこと以外は同様の方法で形成した。
【０１９４】
［耐収縮性］
上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成したＱＤ含有パターン膜について、さらに高圧水銀ランプを用いて積算照射量１０，０００Ｊ／ｍ２の紫外線照射を行い、この紫外線照射前後でのＱＤ含有パターン膜の平均厚さを触針式膜厚測定機（ＫＬＡテンコール社の「アルファステップＩＱ」）で測定した。そして、残膜率を以下の式により算出し、この残膜率が９９％以上の場合をＡ（耐収縮性が良好）とし、９９％未満の場合をＢ（耐収縮性が不良）と判断した。
残膜率（％）＝（処理後の平均厚さ／処理前の平均厚さ）×１００
【０１９５】
［耐光性］
上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成したＱＤ含有パターン膜について、さらに紫外線照射装置（ウシオ社の「ＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＪＳ０１」）を用いて、１３０ｍＷの照度で８００，０００Ｊ／ｍ２の紫外線を照射し、この紫外線照射前後でのＱＤ含有パターン膜の平均厚さを触針式膜厚測定機（ＫＬＡテンコール社の「アルファステップＩＱ」）で測定した。そして、膜減り量を以下の式により算出し、この膜減り量が２％以下の場合をＡ（耐光性が良好）とし、２％超の場合をＢ（耐光性が不良）と判断した。
膜減り量（％）＝｛（処理前の平均厚さ−処理後の平均厚さ）／処理前の平均厚さ｝×１００
【０１９６】
［蛍光量子収率］
蛍光量子収率は、上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成したＱＤ含有パターン膜について、絶対ＰＬ蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス社の「Ｃ１１３４７−０１」）を用いて、２５℃において測定した。励起光の波長は４５０ｎｍとした。また、別途、上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成したＱＤ含有パターン膜をクリーンオーブンにて１８０℃×２０分の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより硬化膜を形成し、上記と同様の方法で蛍光量子収率を測定した。前者の蛍光量子収率を「未処理」とし、後者の蛍光量子収率を「加熱処理後」として表１に示す。
【０１９７】
［蛍光量子収率の変化率］
蛍光量子収率の変化率は、上記未処理の蛍光量子収率をΦ１とし、上記加熱処理後の蛍光量子収率をΦ２として以下の式で算出した。この蛍光量子収率の変化率が小さいほど、加熱処理後（ポストベーク後）の［Ｂ］ＱＤの蛍光量子収率の低下が抑制されていると評価できる。
蛍光量子収率の変化率（％）＝｛（Φ１−Φ２）／Φ１｝×１００
【０１９８】
［波長変換評価］
波長変換評価は、上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成した加熱処理後（ポストベーク後）のＱＤ含有パターン膜について、絶対ＰＬ蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス社の「Ｃ１１３４７−０１」）を用いて、２５℃において測定した。具体的には量子収率と同時に測定される蛍光極大波長の数値を読み取ることにより行った。励起光の波長は４５０ｎｍとした。この蛍光極大波長（ｎｍ）を波長変換評価（ｎｍ）とした。波長変換評価は、６３０ｎｍに近いほど加熱処理後においても所望の波長へと変換できているため良いことを示す。
【０１９９】
［蛍光半値幅］
蛍光半値幅は、上記パターニング性評価の場合と同様の方法により形成した加熱処理後（ポストベーク後）のＱＤ含有パターン膜について、絶対ＰＬ蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス社の「Ｃ１１３４７−０１」）を用いて、２５℃において測定した。具体的には量子収率と同時に測定される蛍光半値幅の数値を読み取ることにより行った。励起光の波長は４５０ｎｍとした。蛍光半値幅（ｎｍ）は、その値が小さいほど加熱処理後においても色純度の高い蛍光に波長変換できているため良いことを示す。
【０２００】
【表１】
2017031398.tif 000003
【０２０１】
表１の結果から明らかなように、［Ｃ］化合物を含有する樹脂組成物を用いた実施例１〜１８は、いずれもパターニング性、耐収縮性及び耐光性が良好であり、かつ比較例１〜８と比べて蛍光量子収率の変化率、波長変換評価及び蛍光半値幅が小さかった。また、実施例１〜１８の中でも、［Ｃ］化合物としてフェニルホスフィン構造を有する化合物又はシクロアルキルホスフィン構造を有する化合物を用いた実施例１〜８、１３及び１５〜１８は、他の実施例よりも蛍光量子収率の変化率及び蛍光半値幅が小さかった。さらに、［Ｃ］化合物として（Ｃ−２）〜（Ｃ−５）を用いた実施例２〜５、１６及び１８は、実施例１〜１８の中でも蛍光量子収率の変化率及び蛍光半値幅が特に小さかった。
【０２０２】
［実施例１９〜２２及び比較例９］
各配合成分の種類及び配合量を下記表２に記載の通りとしたこと以外は、実施例１と同様にして各樹脂組成物を調製した。なお、表２中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
【０２０３】
得られた実施例１９〜２２及び比較例９の樹脂組成物について、下記の方法に従い評価した。評価結果を表２に示す。
【０２０４】
（実施例１９〜２２及び比較例９のＱＤ含有膜の形成方法）
無アルカリガラス基板上に、実施例１９〜２２及び比較例９の樹脂組成物をスピンナにより塗布した後、９０℃のホットプレート上で２分間加熱することにより塗膜を形成した。次に、上記塗膜を形成した基板を２００℃のホットプレート上で３０分間加熱処理（ベーク）することにより平均厚さ５μｍのＱＤ含有膜を形成した。
【０２０５】
ＱＤ含有パターン膜の替わりにＱＤ含有膜を用い、それ以外の点は実施例１〜１８及び比較例１〜８と同様に操作し、耐収縮性、耐光性、蛍光量子収率及びその蛍光量子収率の変化率、波長変換評価並びに蛍光半値幅を評価した。
【０２０６】
【表２】
2017031398.tif 000004
【０２０７】
表２の結果から明らかなように、実施例１９〜２２は、耐収縮性が良好であり、かつ比較例９と比べて蛍光量子収率及びその変化率、波長変換評価並びに蛍光半値幅の評価項目が良好であった。また、［Ａ］バインダー樹脂１００質量部に対する［Ｃ］化合物の含有量を２質量部以上とした実施例１９、２１及び２２は、耐光性についても良好であった。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明によれば、加熱処理後のＱＤの蛍光量子収率の低下を抑制できる樹脂組成物、当該樹脂組成物により得られる膜、当該膜を用いた波長変換部材、及び当該樹脂組成物を用いた膜の形成方法を提供できる。
【符号の説明】
【０２０９】
１１  波長変換基板
１２  第１基材
１３  波長変換層
１３ａ  第１波長変換層
１３ｂ  第２波長変換層
１３ｃ  第３波長変換層
１４  ブラックマトリクス
１５  接着剤層
１６  第２基材
１７  光源
１７ａ  第１光源
１７ｂ  第２光源
１７ｃ  第３光源
１８  光源基板
１００  発光表示素子
【図１】
2017031398.tif 000005