(57)【要約】【課題】マザー基板を切断する際に、シール材やシール材付近に形成された膜等が損傷することを抑制することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】複合基板４００を分割して電気光学装置１００を製造する際、第１マザー基板２００をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第１分割工程では、第１マザー基板２００を第１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで切断するダイシング処理と、第１外面２００ｔに形成した溝を起点に第１マザー基板２００を割断する第１ブレイク処理とを行う。第２マザー基板３００をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第２分割工程では、第２マザー基板３００の第２外面３００ｔに形成した溝を起点に第２マザー基板３００を割断する第２ブレイク処理を行う。【選択図】図７
2017146479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状に設けられたシール材によって第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わされ
た複合基板を分割して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１マザー基板を前記シール材の外縁に沿って分割する第１分割工程と、
前記第２マザー基板を前記シール材の外縁に沿って分割する第２分割工程と、
を備え、
前記第１分割工程では、前記第１マザー基板の前記第２マザー基板とは反対側の面であ
る第１外面から厚さ方向の途中位置まで前記第１マザー基板を切断するダイシング処理と
、前記第１マザー基板の前記第１外面に形成した溝を起点に前記第１マザー基板を割断す
る第１ブレイク処理と、を行い、
前記第２分割工程では、前記第２マザー基板の前記第１マザー基板とは反対側の面であ
る第２外面に形成した溝を起点に前記第２マザー基板を割断する第２ブレイク処理を行う
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記複合基板において第１方向で隣接する第１領域および第２領域の各々に前記シール
材を設け、
前記第２分割工程では、前記第２ブレイク処理により、前記第１領域および前記第２領
域の各々に設けた前記シール材の前記第１方向の一方側に位置する外縁に沿って前記第１
方向と交差する第２方向に延在する第１外形線に沿って前記第２マザー基板の割断を行い
、
前記第１分割工程では、前記第１ブレイク処理により、前記第１領域および前記第２領
域の各々に設けた前記シール材の前記第１方向の他方側に位置する外縁に沿って前記第２
方向に延在する第２外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行った後、前記第１ブレ
イク処理により、前記第１領域および前記第２領域の各々に設けた前記シール材の前記第
１方向の一方側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第３外形線に沿って前記
第１マザー基板の割断を行って前記第１マザー基板を前記第１領域および前記第２領域に
各々分割し、
前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行う際には、前記第１外面に粘着
シートを貼っておき、
前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行った後、前記第１外面に前記粘
着シートを貼った状態で前記第１領域および前記第２領域を前記粘着シートから剥離し、
前記第１マザー基板において前記第２外形線と前記第３外形線とによって分割された分割
片を前記粘着シートに残すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第２外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行った後、前記第１外面に前記粘
着シートを貼った状態で前記第１外形線に沿って前記第２マザー基板の割断を行い、その
後、前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行うことを特徴とする電気光学
装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１外形線に沿って前記第２マザー基板の割断を行う前に前記第２外形線および前
記第３外形線に沿って前記ダイシング処理を行い、
前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断では、前記ダイシング処理によって
前記第３外形線に沿って形成した溝を起点に前記第１ブレイク処理を行うことを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第２外形線に沿って前記第１マザー基板を分割するにあたっては、前記第１ブレイ
ク処理の後、前記ダイシング処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記シール材は、全周で繋がっており、
前記第１分割工程および前記第２分割工程を行う前に、前記シール材で囲まれた領域内に
液状の電気光学層を設けておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１マザー基板には、前記シール材で囲まれた領域内に、凹曲面または凸曲面から
なるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けられていることを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
【請求項８】
第１基板と、
前記第１基板と対向し、前記第１基板から張り出した張り出し部に端子を有する第２基
板と、
前記第１基板の側面である第１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板と
を貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
前記第１側面は、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面から厚さ
方向の途中位置まで形成された第１部分と、前記第１部分より前記第２基板側で前記第１
基板の前記第２基板側の面である第１内面まで形成され、前記第１部分より光散乱性が低
い第２部分と、を備え、
前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記シール材に沿って延在する部分は、前
記第２基板の前記第１基板側の面である第２内面から厚さ方向の途中位置までに前記第１
部分より光散乱性が低い第３部分を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
第１基板と、
前記第１基板と対向し、前記第１基板から張り出した張り出し部に端子を有する第２基
板と、
前記第１基板の側面である第１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板と
を貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
前記第１側面は、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面から厚さ
方向の途中位置まで形成された第１部分と、前記第１部分に前記第２基板側で隣り合う段
部と、前記段部から前記第１基板の前記第２基板側の面である第１内面まで形成され、前
記第１部分より前記電気光学層とは反対側に突出した第２部分と、を備え、
前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記シール材に沿って延在する部分は、前
記第２基板の前記第１基板とは反対側の面である第２外面から厚さ方向の途中位置まで形
成された第３部分と、前記第３部分から前記第２基板の前記第１基板側の面である第２内
面まで形成され、前記第３部分より前記電気光学層の側に凹んだ第４部分と、を備えてい
ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電気光学装置において、
前記シール材は、全周で繋がっており、
前記電気光学層は、液状であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１基板には、前記シール材で囲まれた領域内に、凹曲面または凸曲面からなるレ
ンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けられていることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機
器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マザー基板を分割する工程を有する電気光学装置の製造方法、電気光学装置
、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置は、枠状に設けられたシール材によって第１基板と第２基板
とが貼り合わされており、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内
に電気光学層が設けられている。かかる電気光学装置を製造するにあたっては、第１基板
を得るための第１マザー基板と第２基板を得るための第２マザー基板とをシール材によっ
て貼り合わせておき、第１マザー基板および第２マザー基板を分割する。その際、第１マ
ザー基板と第２マザー基板とにおいて分割予定線が重なっている部分で第１マザー基板を
分割する際には、第１マザー基板の外面からダイシングソーを、第２マザー基板の表面に
切り込みが形成されるまで深く進入させることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１８１６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ダイシングソーによって第２マザー基板をシール材の外縁に沿うように
切断する際に、第２マザー基板の表面に切り込みが形成されるまでダイシングソーを深く
進入させると、ダイシングソーの振動等によって、シール材やシール付近に形成されてい
る膜等のシール部分が損傷することがある。かかる損傷は、外部から水分が侵入するとい
う問題や、電気光学層として用いた液晶材料が外部に漏れるという問題の原因となるため
、好ましくない。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、マザー基板を切断する際に、シール材やシー
ル材付近に形成された膜等が損傷することを抑制することのできる電気光学装置の製造方
法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、枠状に設けられたシー
ル材によって第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わされた複合基板を分割して電
気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第１マザー基板を前記シー
ル材の外縁に沿って分割する第１分割工程と、前記第２マザー基板を前記シール材の外縁
に沿って分割する第２分割工程と、を備え、前記第１分割工程では、前記第１マザー基板
の前記第２マザー基板とは反対側の面である第１外面から厚さ方向の途中位置まで前記第
１マザー基板を切断するダイシング処理と、前記第１マザー基板の前記第１外面に形成し
た溝を起点に前記第１マザー基板を割断する第１ブレイク処理と、を行い、前記第２分割
工程では、前記第２マザー基板の前記第１マザー基板とは反対側の面である第２外面に形
成した溝を起点に前記第２マザー基板を割断する第２ブレイク処理を行うことを特徴とす
る。
【０００７】
本発明では、第１マザー基板をシール材の外縁に沿って分割する第１分割工程では、ダ
イシング処理を行うため、第１マザー基板を分割した際、形状や第１外面となす角度等が
適正な側面を得ることができる。この場合でも、ダイシング処理は、厚さ方向の途中位置
まで行うだけであり、残りの部分はブレイク処理（第１ブレイク処理）によって分割され
ている。従って、ダイシングソーが浅く進入するので、ダイシングソーの振動によって、
シール材やシール材付近に形成されている膜が損傷するという事態が発生しにくい。また
、第２マザー基板をシール材の外縁に沿って分割する第２分割工程では、ブレイク処理（
第２ブレイク処理）を利用するため、ダイシング処理の際のダイシングソーの振動によっ
て、シール材やシール材付近に形成されている膜が損傷するという事態が発生しにくい。
それ故、シール部の損傷を抑制することができるので、水分の侵入や電気光学層の漏れ等
が発生しにくい。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記複合基板において第１方向で隣接
する第１領域および第２領域の各々に前記シール材を設け、前記第２分割工程では、前記
第２ブレイク処理により、前記第１領域および前記第２領域の各々に設けた前記シール材
の前記第１方向の一方側に位置する外縁に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延在
する第１外形線に沿って前記第２マザー基板の割断を行い、前記第１分割工程では、前記
第１ブレイク処理により、前記第１領域および前記第２領域の各々に設けた前記シール材
の前記第１方向の他方側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第２外形線に沿
って前記第１マザー基板の割断を行った後、前記第１ブレイク処理により、前記第１領域
および前記第２領域の各々に設けた前記シール材の前記第１方向の一方側に位置する外縁
に沿って前記第２方向に延在する第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行って
前記第１マザー基板を前記第１領域および前記第２領域に各々分割し、前記第３外形線に
沿って前記第１マザー基板の割断を行う際には、前記第１外面に粘着シートを貼っておき
、前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断を行った後、前記第１外面に前記粘
着シートを貼った状態で前記第１領域および前記第２領域を前記粘着シートから剥離し、
前記第１マザー基板において前記第２外形線と前記第３外形線とによって分割された分割
片を前記粘着シートに残す態様を採用することができる。かかる構成によれば、分割片が
飛び散らないという利点がある。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、前記第２外形線に沿って前記第１マ
ザー基板の割断を行った後、前記第１外面に前記粘着シートを貼った状態で前記第１外形
線に沿って前記第２マザー基板の割断を行い、その後、前記第３外形線に沿って前記第１
マザー基板の割断を行う態様を採用することができる。かかる態様によれば、第３外形線
に沿って第１マザー基板を割断する際、第１外形線に沿って第２マザー基板を割断する際
に用いた粘着シートによって分割片を保持することができる。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１外形線に沿って前記第２マザ
ー基板の割断を行う前に前記第２外形線および前記第３外形線に沿って前記ダイシング処
理を行い、前記第３外形線に沿って前記第１マザー基板の割断では、前記ダイシング処理
によって前記第３外形線に沿って形成した溝を起点に前記第１ブレイク処理を行う態様を
採用してもよい。かかる構成によれば、第１マザー基板に対するダイシング処理を纏めて
行うことができるので、生産効率を向上することができる。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２外形線に沿って前記第１マザ
ー基板を分割するにあたっては、前記第１ブレイク処理の後、前記ダイシング処理を行う
態様を採用してもよい。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記シール材は、全周で繋がっており
、前記第１分割工程および前記第２分割工程を行う前に、前記シール材で囲まれた領域内
に液状の電気光学層を設けておく態様を採用することができる。かかる構成の場合、電気
光学材料の廃棄が少ない等の利用がある一方、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液
状の電気光学層からシール部に圧力が加わりやすい。しかるに本発明によれば、シール部
の損傷を防止することができるので、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液状の電気
光学層からシール部に圧力が加わっても、電気光学層の漏れが発生しにくい。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１マザー基板には、前記シール
材で囲まれた領域内に、凹曲面または凸曲面からなるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレ
ンズ層とが設けられている態様を採用することができる。かかる構成の場合、光の利用効
率を向上させることができる一方、レンズ層を形成した分、シール材付近に厚い膜が形成
されるので、ダイシング処理の際にシール材付近に欠陥が発生しやすい。しかるに本発明
によれば、シール材付近の膜が厚くても、ダイシング処理の際にシール材付近の膜が損傷
することを抑制することができるので、電気光学層の漏れが発生しにくい。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板と対向し、前記第１
基板から張り出した張り出し部に端子を有する第２基板と、前記第１基板の側面である第
１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前
記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を有し、前記第１側面は、
前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面から厚さ方向の途中位置まで
形成された第１部分と、前記第１部分より前記第２基板側で前記第１基板の前記第２基板
側の面である第１内面まで形成され、前記第１部分より光散乱性が低い第２部分と、を備
え、前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記シール材に沿って延在する部分は、
前記第２基板の前記第１基板側の面である第２内面から厚さ方向の途中位置までに前記第
１部分より光散乱性が低い第３部分を備えていることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、ブレイク処理に形成された割断面は、ダイシング処理により形成され
た切断面より光散乱性が低いことから、第１基板の第１側面は、ダイシング処理により形
成された切断面（第１部分）と、ブレイク処理により形成された割断面（第２部分）とを
有する。従って、第１基板を得る際、ダイシング処理を行うため、第１マザー基板を分割
した際、形状や第１外面となす角度等が適正な第１部分を第１側面に設けることができる
。この場合でも、ダイシング処理は、厚さ方向の途中位置まで行い、残りの部分はブレイ
ク処理（第１ブレイク処理）による割断面（第２部分）である。従って、ダイシングソー
が浅く進入するので、ダイシングソーの振動によって、シール材やシール材付近に形成さ
れている膜が損傷するという事態が発生しにくい。また、第２基板を得る際も、ブレイク
処理を利用するため、ダイシングソーによってシール部が損傷するという事態が発生しに
くい。それ故、シール部の損傷に起因する水分の侵入や電気光学層の漏れ等が発生しにく
い。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の別態様は、第１基板と、前記第１基板と対向し、前記第１
基板から張り出した張り出し部に端子を有する第２基板と、前記第１基板の側面である第
１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前
記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を有し、前記第１側面は、
前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面から厚さ方向の途中位置まで
形成された第１部分と、前記第１部分に前記第２基板側で隣り合う段部と、前記段部から
前記第１基板の前記第２基板側の面である第１内面まで形成され、前記第１部分より前記
電気光学層とは反対側に突出した第２部分と、を備え、前記第２基板の側面である第２側
面のうち、前記シール材に沿って延在する部分は、前記第２基板の前記第１基板とは反対
側の面である第２外面から厚さ方向の途中位置まで形成された第３部分と、前記第３部分
から前記第２基板の前記第１基板側の面である第２内面まで形成され、前記第３部分より
前記電気光学層の側に凹んだ第４部分と、を備えている。
【００１７】
本発明において、ダイシング処理により形成された切断面は、ダイシングソーの刃厚の
影響で、ブレイク処理に形成された割断面より凹むことから、第１基板の第１側面は、ダ
イシング処理により形成された切断面（第１部分）と、ブレイク処理により形成された割
断面（第２部分）を有する。すなわち、第１基板を得る際、ダイシング処理を行う。この
ため、第１マザー基板を分割した際、形状や第１外面となす角度等が適正な第１部分を第
１側面に設けることができる。この場合でも、ダイシング処理は、厚さ方向の途中位置ま
で行い、残りの部分はブレイク処理（第１ブレイク処理）による割断面（第２部分）であ
る。従って、ダイシングソーが浅く進入するので、ダイシングソーの振動によって、シー
ル材やシール材付近に形成されている膜が損傷するという事態が発生しにくい。また、第
２基板を得る際も、ブレイク処理を利用するため、ダイシングソーによってシール部が損
傷するという事態が発生しない。それ故、シール部の損傷に起因する水分の侵入や電気光
学層の漏れ等が発生しにくい。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置において、前記シール材は、全周で繋がっており、前記電気
光学層は液状である態様を採用することができる。かかる構成の場合、電気光学材料の廃
棄が少ない等の利用がある一方、電気光学装置の製造工程で液状の電気光学層からシール
部に圧力が加わりやすい。しかる本発明によれば、シール部の損傷が発生しにくいので、
電気光学装置の製造工程で液状の電気光学層からシール材に圧力が加わっても、電気光学
層の漏れが発生しにくい。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置において、前記第１基板には、前記シール材で囲まれた領域
内に、凹曲面または凸曲面からなるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けら
れている態様を採用することができる。かかる構成の場合、光の利用効率を向上させるこ
とができる一方、レンズ層を形成した分、シール材付近に厚い膜が形成されるので、ダイ
シング処理の際にシール材付近に欠陥が発生しやすい。しかるに本発明によれば、シール
材付近の膜が厚くても、ダイシング処理の際にシール材付近の膜が損傷することを抑制す
ることができるので、電気光学層の漏れが発生しにくい。
【００２０】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。かかる電子機器は、例
えば、前記電気光学装置に対して前記素子基板側から光を入射させる光源部を有している
。また、各種電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示
装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によ
って変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明を適用した電気光学装置を第１基板の側から見た平面図である。
【図２】図１に示す電気光学装置のＹ０−Ｙ０′断面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置のＹ方向の両側の端部を拡大して示す説明図である。
【図４】図１に示す電気光学装置のＸ方向の両側の端部を拡大して示す説明図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の製造方法に用いられる複合基板の平面図である。
【図６】図５に示す複合基板の一部を拡大して示す平面図である。
【図７】図５に示す複合基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図８】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。
なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を第１基板２０の側から見た平面図である、図
２は、図１に示す電気光学装置のＹ０−Ｙ０′断面図である。なお、以下の説明において
、Ｙ方向が本発明における「第１方向」であり、Ｘ方向が本発明における「第２方向」で
ある。
【００２４】
図１および図２に示す電気光学装置１００は、液晶装置であり、第１基板２０（対向基
板）と第２基板３０（素子基板）とが、第１基板２０の縁に沿って枠状に延在するシール
材６０によって貼り合わされている。シール材６０は、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、嫌
気硬化性樹脂等の接着剤からなる。電気光学装置１００において、第１基板２０と第２基
板３０との間には、シール材６０に囲まれた領域内に液晶材料からなる液状の電気光学層
５０が設けられており、シール材６０は、第１基板２０と第２基板３０とを貼り合わせる
とともに、電気光学層５０を封止している。シール材６０はギャップ材６９を含有してお
り、ギャップ材６９は第１基板２０と第２基板３０との間隔（電気光学層５０の厚さ）を
制御している。
【００２５】
本形態では、電気光学層５０を設けるにあたって、液晶滴下注入法（ＯＤＦ（ＯｎｅＤ
ｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）法）が用いられている。かかる方法では、例えば、第２基板３０の側
にシール材６０を設けた後、シール材６０の内側に液状の電気光学材料を滴下し、その後
、第１基板２０を第２基板３０と貼り合わせる。このため、シール材６０は全周で繋がっ
ている。なお、シール材６０の一部が途切れた状態で第１基板２０を第２基板３０と貼り
合わせ、その後、シール材６０の途切れ部分から液状の電気光学材料を真空注入してもよ
い。この場合、シール材６０の途切れ部分を封止材によって塞ぐことになる。
【００２６】
電気光学装置１００において、第１基板２０の基板本体２０ｗおよび第２基板３０の基
板本体３０ｗは、ガラスや石英基板等の透光性基板である。また、第１基板２０（基板本
体２０ｗ）および第２基板３０（基板本体３０ｗ）は、いずれも１ｍｍ未満程度の厚さで
平面（ＸＹ平面）において四角形であり、４辺に側面を有する。第１基板２０の側面を第
１側面としたとき、第１基板２０は、Ｙ方向で対向する２つの第１側面２０ｅ、２０ｆと
、Ｘ方向で対向する２つの第１側面２０ｇ、２０ｈとを備えている。また、第２基板３０
の側面を第２側面としたとき、第２基板３０は、Ｙ方向で対向する２つの第２側面３０ｅ
、３０ｆと、Ｘ方向で対向する２つの第２側面３０ｇ、３０ｈとを備えている。電気光学
装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。
【００２７】
電気光学装置１００において、第１基板２０は第２基板３０より小さく、シール材６０
および第２基板３０は、第１基板２０においてＹ方向の一方側Ｙ１に偏った位置に設けら
れている。このため、第２基板３０は、第１基板２０から張り出した張り出し部３７を有
している。具体的には、第２基板３０は、第１基板２０の第１側面２０ｅから張り出して
おり、第２基板３０の第２側面３０ｅと第１基板２０の第１側面２０ｅとの間に張り出し
部３７を有している。これに対して、第１側面２０ｆおよび第２側面３０ｆはいずれも、
Ｙ方向の一方側Ｙ１でシール材６０の外縁６１と平面視で重なっている。第１側面２０ｇ
および第２側面３０ｇはいずれも、Ｘ方向の一方側Ｘ１でシール材６０の外縁６１と平面
視で重なっている。第１側面２０ｈおよび第２側面３０ｈはいずれも、Ｘ方向の他方側Ｘ
２でシール材６０の外縁６１と平面視で重なっている。
【００２８】
第２基板３０において、表示領域１０ａの外側領域では、Ｙ方向の他方側Ｙ２にデータ
線駆動回路３５ａおよび複数の端子３１が形成されており、端子３１は、張り出し部３７
において第２側面３０ｅに沿って配列されている。また、第２基板３０には、第２側面３
０ｇ、３０ｈの各々に沿って走査線駆動回路３５ｂが形成されている。端子３１には、フ
レキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第２基板３０には、フレキシブル配
線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２９】
第１基板２０は、第２基板３０側の面である第１内面２０ｓと、第２基板３０側とは反
対側の面である第１外面２０ｔとを有しており、第１内面２０ｓには共通電極２１が形成
されている。
【００３０】
第２基板３０は、第１基板２０側の面である第２内面３０ｓと、第２基板３０側とは反
対側の面である第２外面３０ｔとを有しており、第２内面３０ｓの側には、表示領域１０
ａに画素電極３８ａや、画素トランジスター（図示せず）等がマトリクス状に配列されて
いる。第２基板３０の第２内面３０ｓにおいて、表示領域１０ａと第１基板２０の第１側
面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈとに挟まれた領域には、画素電極３８ａと同時形成さ
れたダミー画素電極３８ｂが形成されている。ダミー画素電極３８ｂは、共通電位Ｖcom
が印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。
なお、画素電極３８ａおよびダミー画素電極３８ｂの上層には配向膜３６が形成されてい
る。
【００３１】
第１基板２０において、共通電極２１は、表示領域１０ａの略全面あるいは複数の帯状
電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、表示
領域１０ａを含む矩形領域の全面に形成されている。第１基板２０の第１内面２０ｓには
、共通電極２１の下層に保護膜２８および遮光層２７が形成され、共通電極２１の表面に
は配向膜２６が積層されている。遮光層２７は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在す
る額縁部分２７ａとして形成されており、遮光層２７の内周縁によって表示領域１０ａが
規定されている。また、遮光層２７は、隣り合う画素電極３８ａにより挟まれた画素間領
域に重なるブラックマトリクス部２７ｂとしても形成されている。
【００３２】
第１基板２０の第１内面２０ｓの４つの角付近には基板間導通用電極２５が形成されて
おり、第２基板３０の第２内面３０ｓには、第１基板２０の基板間導通用電極２５と対向
する位置に基板間導通用電極３９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極
２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極３９と基板間導通用電極２５と
の間には、銀等の導電粒子を含んだ基板間導通材３９ａが配置されており、第１基板２０
の共通電極２１は、基板間導通用電極３９、基板間導通材３９ａおよび基板間導通用電極
２５を介して、第２基板３０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、
第２基板３０側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３３】
（レンズ２４の構成）
第１基板２０は、複数の画素電極３８ａの各々に対して平面視（第１基板２０のＸＹ平
面に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が
形成されたレンズアレイ基板として構成されており、レンズ２４は、第２基板３０の開口
領域に有効に光を導く役割を果たしている。本形態では、基板本体２０ｗに凹凸面または
凸曲面からなるレンズ面２４０が形成され、レンズ面２４０にレンズ層２４１が積層され
ている。本形態において、レンズ面２４０が凹曲面からなる。また、レンズ層２４１は、
基板本体２０ｗより屈折率が大きい。このため、レンズ面２４０は、正のパワーを有する
レンズ２４として機能する。
【００３４】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極３８ａおよ
び共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型
の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、図２に矢印Ｌで示すように、第１基板
２０の外面２０ｔから入射した光が第２基板３０から出射される間に変調されて画像を表
示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、Ｉ
ＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極３８ａは、アルミニウム膜
等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）で
は、第１基板２０の外面２０ｔから入射した光が第２基板３０で反射して出射される間に
変調されて画像を表示する。
【００３５】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカ
ラー表示装置として用いることができ、この場合、第１基板２０には、カラーフィルター
（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いるこ
とができる。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０（液晶材料）の種
類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、
位相差フィルム、偏光板等が電気光学装置１００に対して所定の向きに配置される。さら
に、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、
ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装
置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の
光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３６】
（第１基板２０の第１側面２０ｅ〜２０ｈ等の構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００のＹ方向の両側の端部を拡大して示す説明図で
あり、Ｙ０−Ｙ０′断面に相当する。図４は、図１に示す電気光学装置１００のＸ方向の
両側の端部を拡大して示す説明図であり、Ｘ０−Ｘ０′断面に相当する。
【００３７】
図３および図４に示すように、本形態の電気光学装置１００は、図５から図９を参照し
て後述する方法で製造されていることから、第１基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆ、２
０ｇ、２０ｈ、および第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈは、以下
の構成を有している。
【００３８】
まず、第１基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈは、シール材６０の外
縁６１に沿って延在している。かかる第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈの全てが
、第１基板２０の第１外面２０ｔから厚さ方向の途中位置まで形成された第１部分２０６
と、第１部分２０６より第２基板３０側で第１内面２０ｓまで形成された第２部分２０７
とを有しており、第２部分２０７は、第１部分２０６より光散乱性が低くなっている。す
なわち、第１部分２０６は、ダイシング処理による切断面であり、切断時のダイシングソ
ーの痕が微細な凹凸として残っているため、光散乱性が高い。これに対して、第２部分２
０７は、ブレイク処理に第１外面２０ｔに形成した溝を起点にして第１内面２０ｓに到達
した割断面からなり、略鏡面になっている。このため、第２部分２０７は、第１部分２０
６より光散乱性が低い。
【００３９】
また、第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈの全てにおいて、第１部分２０６と第
２部分２０７との間には段部２０８が形成されており、第２部分２０７は、第１部分２０
６より電気光学層５０とは反対側に突出している。すなわち、第１部分２０６は、ダイシ
ングソーの刃厚に起因して第２部分２０７より電気光学層５０の側に凹んでいるため、第
２部分２０７は、第１部分２０６より電気光学層５０とは反対側に突出している。
【００４０】
また、第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈのうち、第２側面３０
ｆ、３０ｇ、３０ｈがシール材６０の外縁６１に沿って延在している。本形態では、第２
基板３０の第２側面３０ｆ、３０ｇ、３０ｈの全てが、第２基板３０の第２内面３０ｓか
ら厚さ方向の途中位置まで第１部分２０６より光散乱性が低い第３部分３０８を備えてい
る。すなわち、第３部分３０８は、ブレイク処理によって形成された割断面からなる。本
形態では、第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈの全てが第３部分３
０８を備えている。
【００４１】
また、第２基板３０において、シール材６０に沿って延在する第２側面３０ｆ、３０ｇ
、３０ｈの全てが、第３部分３０８から第２外面３０ｔまで、第３部分３０８より電気光
学層５０の側に凹んだ第４部分３０９を備えている。かかる第４部分３０９は、ブレイク
処理のために第２外面３０ｔに形成したスクライブ溝からなる。本形態では、第２基板３
０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈの全てが、第３部分３０８と第４部分３０
９とを備えている。
【００４２】
（複合基板４００および外形線の構成）
図５は、図１に示す電気光学装置１００の製造方法に用いられる複合基板４００の平面
図である。複合基板４００は、第１マザー基板２００と第２マザー基板３００で構成され
る。図６は、図５に示す複合基板４００の一部を拡大して示す平面図である。図７は、図
５に示す複合基板４００の一部を拡大して示す断面図であり、図１等に示すＹ０−Ｙ０′
線における断面図に相当する。なお、図５では、第１マザー基板２００と第２マザー基板
３００を認識しやすいように各々の端部をずらして示してある。また、図６では、外形線
を認識しやすいように、外形線とシール材６０とを実際より離間させて示してある。
【００４３】
図１等を参照して説明した電気光学装置１００の製造工程では、図５に示すように、第
１基板２０を多数取りできる第１マザー基板２００と、第２基板３０を多数取りできる第
２マザー基板３００とを準備する。次に、第１マザー基板２００において第１基板２０と
して分割される複数の領域の各々に対して共通電極２１等を形成する一方、第２マザー基
板３００において第２基板３０として分割される複数の領域の各々に対して画素電極３８
ａ等を形成する。次に、第１マザー基板２００と第２マザー基板３００とをシール材６０
によって貼り合せる。その際、シール材６０を全周で繋がった枠状に形成し、シール材６
０で囲まれた領域に電気光学層５０を設けておく。従って、第１マザー基板２００におい
て第２マザー基板３００と対向する面である第１内面２００ｓが第１基板２０の第１内面
２０ｓに相当し、第１マザー基板２００において第２マザー基板３００とは反対側の面で
ある第１外面２００ｔが第１基板２０の第１外面２０ｔに相当する。また、第２マザー基
板３００において第１マザー基板２００と対向する面である第２内面３００ｓが第２基板
３０の第２内面３０ｓに相当し、第２マザー基板３００において第１マザー基板２００と
は反対側の面である第２外面３００ｔが第２基板３０の第２外面３０ｔに相当する。
【００４４】
以下、図５、図６および図７に示す外形線（第１外形線ＬＸ１、第２外形線ＬＸ２、第
３外形線ＬＸ３、第４外形線ＬＹ４、および第５外形線ＬＹ５）に沿って複合基板４００
を分割し、複数の電気光学装置１００に分割する。第１外形線ＬＸ１、第２外形線ＬＸ２
、第３外形線ＬＸ３、第４外形線ＬＹ４、および第５外形線ＬＹ５は、電気光学装置１０
０の第１基板２０および第２基板３０の外形を規定する仮想線からなる分割予定線である
。ここで、複合基板４００では、電気光学装置１００が分割される領域がＹ方向およびＸ
方向で隣接している。従って、以下の説明では、Ｙ方向に隣接する２つの領域（第１領域
４００ａおよび第２領域４００ｂ）を中心に説明する。
【００４５】
本形態において、第１外形線ＬＸ１は、第２マザー基板３００に対する切断予定線であ
り、Ｙ方向で隣接する第１領域４００ａおよび第２領域４００ｂの各々に設けたシール材
６０のＹ方向の一方側Ｙ１に位置する外縁６１に沿ってＸ方向に延在している。第２外形
線ＬＸ２は、第１マザー基板２００に対する切断予定線であり、Ｙ方向で隣接する第１領
域４００ａおよび第２領域４００ｂの各々に設けたシール材６０のＹ方向の他方側Ｙ２に
位置する外縁６１に沿ってＸ方向に延在している。第３外形線ＬＸ３は、第１マザー基板
２００に対する切断予定線であり、Ｙ方向で隣接する第１領域４００ａおよび第２領域４
００ｂの各々に設けたシール材６０のＹの一方側Ｙ１に位置する外縁６１に沿ってＸ方向
に延在する切断予定線である。従って、第１外形線ＬＸ１と第３外形線ＬＸ３とは平面視
で重なっている。
【００４６】
第４外形線ＬＹ４は、第２マザー基板３００に対する切断予定線であり、Ｙ方向で隣接
する第１領域４００ａおよび第２領域４００ｂの各々に設けたシール材６０のＸ方向の両
側に位置する外縁６１に沿ってＹ方向に延在している。第５外形線ＬＹ５は、第１マザー
基板２００に対する切断予定線であり、Ｙ方向で隣接する第１領域４００ａおよび第２領
域４００ｂの各々に設けたシール材６０のＸ方向の両側に位置する外縁６１に沿ってＹ方
向に延在している。従って、第４外形線ＬＹ４と第５外形線ＬＹ５とは平面視で重なって
いる。
【００４７】
（電気光学装置１００の製造方法）
図８および図９は、図１に示す電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である
。なお、図８および図９では、図面に向かって左側にＹ０−Ｙ０′断面を示し、図面に向
かって右側にＸ０−Ｘ０′断面を示してある。但し、図８および図９では、電気光学層５
０等の図示を省略してある。
【００４８】
本形態では、図８および図９を参照して以下に説明するように、第１マザー基板２００
をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第１分割工程では、第１マザー基板２００の
第１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで第１マザー基板２００を切断するダイシン
グ処理と、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔに形成した溝を起点に第１マザー基
板２００を割断する第１ブレイク処理（後述する第２割断工程および第３割断工程）とを
行う。
【００４９】
また、第２マザー基板３００をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第２分割工程
では、第２マザー基板３００の第２外面３００ｔに形成した溝を起点に第２マザー基板３
００を割断する第２ブレイク処理（後述する第１割断工程）を行う。
【００５０】
より具体的には、図８に示す工程ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３において、第１マザー基板２
００に対する第２外形線ＬＸ２でのブレイク処理（第１ブレイク処理）を行う。その際に
は、図８に示す工程ＳＴ１において、第１マザー基板２００を上向きにし、ダイヤモンド
カッターや超硬カッターを備えたスクライブヘッド７５１によって、第１マザー基板２０
０の第１外面２００ｔに第２外形線ＬＸ２に沿って延在するスクライブ溝２０２ａを形成
する。次に、図８に示す工程ＳＴ２において、第２マザー基板３００を上向きにして、第
２マザー基板３００の第２外面３００ｔに第１粘着シート７０１を貼り付ける。次に、図
８に示す工程ＳＴ３において、ブレイクバー７５２によって、第１粘着シート７０１を介
して第２マザー基板３００を押圧する。その結果、第１マザー基板２００に負荷が加わっ
て応力が発生し、スクライブ溝２０２ａを起点に割断面２０２ｂが第１マザー基板２００
の第１内面２００ｓまで到達する。従って、第１マザー基板２００が第２外形線ＬＸ２に
沿って割断される（第２割断工程）。
【００５１】
次に、図８に示す工程ＳＴ４において、第１マザー基板２００に対する第５外形線ＬＹ
５、第２外形線ＬＸ２および第３外形線ＬＸ３でのダイシング処理を行う。より具体的に
は、まず、図８に示す工程ＳＴ４においては、第１粘着シート７０１を除去した後、第１
マザー基板２００を上向きにし、第１マザー基板２００に対する第５外形線ＬＹ５でのダ
イシング処理を行う。その際、第５外形線ＬＹ５において、ダイシングソー７５３を第１
マザー基板２００の第１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで進入させ、第１マザー
基板２００を厚さ方向の途中位置までダイシング溝２０５ｃを形成する。
【００５２】
次に、第２外形線ＬＸ２において、ダイシングソー７５３を第１マザー基板２００の第
１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで進入させ、第１マザー基板２００を厚さ方向
の途中位置までダイシング溝２０２ｃを形成する（第１分割工程のダイシング処理）。
【００５３】
次に、第３外形線ＬＸ３において、ダイシングソー７５３を第１マザー基板２００の第
１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで進入させ、第１マザー基板２００を厚さ方向
の途中位置までダイシング溝２０３ｃを形成する（第１分割工程のダイシング処理）。
【００５４】
次に、図９に示す工程ＳＴ５、ＳＴ６、ＳＴ７では、第２マザー基板３００に対する第
１外形線ＬＸ１および第４外形線ＬＹ４でのブレイク処理（第２分割工程の第２ブレイク
処理）を行う。より具体的には、まず、図９に示す工程ＳＴ５において、第１マザー基板
２００を上向きにして、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔに第２粘着シート７０
２を貼り付ける。次に、図９に示す工程ＳＴ６において、第２マザー基板３００を上向き
にし、スクライブヘッド７５１によって、第２マザー基板３００の第２外面３００ｔに第
１外形線ＬＸ１に沿って延在するスクライブ溝３０１ａを形成する。
【００５５】
また、スクライブヘッド７５１によって、第２マザー基板３００の第２外面３００ｔに
第４外形線ＬＹ４に沿って延在するスクライブ溝３０４ａを形成する。
【００５６】
次に、図９に示す工程ＳＴ７において、第１マザー基板２００を上向きにし、ブレイク
バー７５２によって、第２粘着シート７０２を介して第１マザー基板２００を押圧する。
その結果、第２マザー基板３００に負荷が加わって応力が発生し、スクライブ溝３０１ａ
を起点に割断面３０１ｂが第２マザー基板３００の第２内面３００ｓまで到達する。従っ
て、第２マザー基板３００が第１外形線ＬＸ１に沿って割断される（第１割断工程）。
【００５７】
また、ブレイクバー７５２によって、第２粘着シート７０２を介して第１マザー基板２
００を押圧すると、第２マザー基板３００に負荷が加わって応力が発生し、スクライブ溝
３０４ａを起点に割断面３０４ｂが第２マザー基板３００の第２内面３００ｓまで到達す
る。従って、第２マザー基板３００が第４外形線ＬＹ４に沿って分割される。
【００５８】
次に、図９に示す工程ＳＴ８では、第１マザー基板２００に対する第５外形線ＬＹ５お
よび第３外形線ＬＸ３でのブレイク処理（第１分割工程の第１ブレイク処理）を行う。よ
り具体的には、まず、図９に示す工程ＳＴ８において、第１マザー基板２００に対する第
５外形線ＬＹ５でのブレイク処理では、第２マザー基板３００を上向きにし、保護シート
７０３を介して第２マザー基板３００を押圧する。その結果、第１マザー基板２００に負
荷が加わって応力が発生し、ダイシング溝２０５ｃを起点に割断面２０５ｂが第１マザー
基板２００の第１内面２００ｓまで到達する。従って、第１マザー基板２００が第５外形
線ＬＹ５に沿って割断される。
【００５９】
また、第１マザー基板２００に対する第３外形線ＬＸ３でのブレイク処理では、第２マ
ザー基板３００を上向きにし、保護シート７０３を介して第２マザー基板３００を押圧す
る。その結果、第１マザー基板２００に負荷が加わって応力が発生し、ダイシング溝２０
３ｃを起点に割断面２０３ｂが第１マザー基板２００の第１内面２００ｓまで到達する。
従って、第１マザー基板２００が第３外形線ＬＸ３に沿って割断される（第３割断工程）
。
【００６０】
その結果、第１領域４００ａおよび第２領域４００ｂが各々、電気光学装置１００とし
て複合基板４００から分離される。従って、吸着チャック７６０によって、第１領域４０
０ａおよび第２領域４００ｂを各々、電気光学装置１００として複合基板４００から剥離
し、回収する。その際、複合基板４００には、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔ
に第２粘着シート７０２が貼り付けられているので、第１マザー基板２００において第２
外形線ＬＸ２、第３外形線ＬＸ３および第５外形線ＬＹ５によって分割された分割片２７
０が粘着シート７０２に残る。
【００６１】
このように構成した電気光学装置１００では、第１外形線ＬＸ１に相当する部分によっ
て、第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆが形成され、第４外形線ＬＹ４に相当する部
分によって、第２基板３０の第２側面３０ｇ、３０ｇが形成される。
【００６２】
また、第２外形線ＬＸ２に相当する部分によって、第１基板２０の第１側面２０ｅが形
成され、第３外形線ＬＸ３に相当する部分によって、第１基板２０の第１側面２０ｆが形
成され、第５外形線ＬＹ５に相当する部分によって、第２基板３０の第１側面２０ｇ、２
０ｈが形成される。
【００６３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１マザー基板２００をシール材６０の外縁６１に
沿って分割する第１分割工程では、ダイシング処理を行うため、第１マザー基板を分割し
た後の第１基板２０では、形状や第１外面２０ｔとなす角度等が適正な第１側面２０ｅ、
２０ｆ、２０ｇ、２０ｈを得ることができる。それ故、電気光学装置１００を電子機器に
搭載する際、第１基板２０の外形を基準に高い精度で位置決めすることができる。
【００６４】
この場合でも、ダイシング処理は、厚さ方向の途中位置まで行うだけであり、残りの部
分はブレイク処理（第１ブレイク処理）によって分割されている。従って、ダイシング処
理の際のダイシングソー７５３の進入が浅いので、ダイシングソー７５３の振動の影響に
よって、シール材６０やシール材６０付近に形成されている膜が損傷するという事態が発
生しにくい。また、第２マザー基板３００をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第
２分割工程でも、ブレイク処理（第２ブレイク処理）を利用するため、ダイシング処理の
際のダイシングソー７５３の振動によって、シール材６０やシール材６０付近に形成され
ている膜が損傷するという事態が発生しにくい。それ故、シール材６０やシール材６０付
近に形成されている膜等のシール部の損傷を抑制することができるので、水分の侵入や電
気光学層５０の漏れ等が発生しにくい。
【００６５】
特に電気光学層５０を設ける際にＯＤＦ法を用いた場合、第１分割工程や第２分割工程
等の製造工程において液状の電気光学層５０からシール材６０やシール材６０付近に形成
されている膜等のシール部に圧力が加わりやすい。しかるに本形態によれば、シール部の
損傷を防止することができるので、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液状の電気光
学層５０からシール部に圧力が加わっても、シール部の損傷を防止することができる。そ
れ故、シール部を介しての電気光学層５０への水分の侵入や電気光学層５０の漏れが発生
しにくい。
【００６６】
また、第１基板２０ではレンズ層２４１を形成した分、シール材６０付近に厚い膜が形
成されるので、ダイシング処理の際にシール材６０付近の膜に損傷が発生しやすい。しか
るに本形態によれば、ダイシング処理時にシール材６０付近の膜に大きな振動が加わらな
いので、シール材６０付近に厚い膜が存在していても、シール材６０付近の膜が損傷する
ことを抑制することができる。それ故、シール部を介しての電気光学層５０への水分の侵
入や電気光学層５０の漏れが発生しにくい。
【００６７】
また、複合基板４００から電気光学装置１００を回収する際、第１マザー基板２００に
発生する分割片２７０を第２粘着シート７０２に残すことができる。それ故、分割片２７
０が飛び散らないという利点がある。
【００６８】
また、第２割断工程（工程ＳＴ３）を行った後、第１マザー基板２００の第１外面２０
０ｔに第２粘着シート７０２を貼った状態で第１割断工程（工程ＳＴ７）を行い、その後
、第３割断工程（ＳＴ８）を行う。このため、第３割断工程（ＳＴ８）では、第１割断工
程（工程ＳＴ７）で用いた第２粘着シート７０２によって分割片２７０を保持することが
できる。
【００６９】
また、第１割断工程（工程ＳＴ７）の前に第３外形線ＬＸ３に沿ってダイシング処理を
行い、第１割断工程（工程ＳＴ７）の後、第３割断工程（工程ＳＴ８）では、ダイシング
溝２０３ｃを起点にブレイク処理を行う。このため、第１割断工程（ＳＴ７）の前に第１
マザー基板２００に対するダイシング処理を纏めて行うことができるので、生産効率を向
上することができる。
【００７０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気泳動表示
装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置に本発明を適用してもよ
い。
【００７１】
［電子機器への搭載例］
図１０は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）
の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数
の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を
適用した電気光学装置１００が用いられている。
【００７２】
図１０に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロ
ジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示す
る。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６
０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜
１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイ
クロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９に
より合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１
１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投
射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム
１１９は、光学ユニット１５０を構成している。
【００７３】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレ
ンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズア
レイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデン
サーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青
色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源
１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の
断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレン
ズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６
４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する
偏光にする。
【００７４】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒ
を透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１
４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光
Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３
、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分
離する色分離光学系を構成している。
【００７５】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバ
ルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤
色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ラ
イトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の
偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７６】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光
Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａお
よび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態
で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪
むのを回避することができる。
【００７７】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である
。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、
電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備え
ている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、
１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ
偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は
、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）
に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過さ
せる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変
調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００７８】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と
同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電
気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１
７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー
１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射する
ことから、ｓ偏光となっている。
【００７９】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光
Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１
７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８０】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラ
ー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射
ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイッ
クミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１
２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青
色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００８１】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成
し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００８２】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１
９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一
般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光
とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投
射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム
１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【００８３】
［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い
、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成して
もよい。
【００８４】
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型の
ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）
、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓ
ｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に
用いてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
ＬＸ１…第１外形線、ＬＸ２…第２外形線、ＬＸ３…第３外形線、ＬＹ４…第４外形線
、ＬＹ５…第５外形線、１０ａ…表示領域、２０…第１基板、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、
２０ｈ…第１側面、２０ｓ、２００ｓ…第１内面、２０ｔ、２００ｔ…第１外面、２０ｗ
、３０ｗ…基板本体、２１…共通電極、２４…レンズ、３０…第２基板、３０ｅ、３０ｆ
、３０ｇ、３０ｈ…第２側面、３０ｓ、３００ｓ…第２内面、３０ｔ、３００ｔ…第２外
面、３１…端子、３７…張り出し部、３８ａ…画素電極、５０、５６…電気光学層、６０
…シール材、６１…外縁、１００…電気光学装置、１１０…投射型表示装置、１１１…被
投射部材、１６１…光源部、２００…第１マザー基板、３００…第２マザー基板、２０２
ａ、３０１ａ、３０４ａ…スクライブ溝、２０２ｂ、２０３ｂ、２０５ｂ、３０１ｂ、３
０４ｂ…割断面、２０２ｃ、２０３ｃ、２０５ｃ…ダイシング溝、２０６…第１部分、２
０７…第１部分、２０８…段部、２４０…レンズ面、２４１…レンズ層、２７０…分割片
、３０８…第３部分、３０９…第４部分、４００…複合基板、４００ａ…第１領域、４０
０ｂ…第２領域、７０１…第１粘着シート、７０２…第２粘着シート、７５１…スクライ
ブヘッド、７５２…ブレイクバー、７５３…ダイシングソー、７６０…吸着チャック。
【図１】
2017146479.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017146479.tif 000009
【図８】
2017146479.tif 000010
【図９】
2017146479.tif 000011
【図１０】
2017146479.tif 000012