(57)【要約】【課題】隣接画素からの光漏れや混色の発生が抑制された表示装置を提供する。【解決手段】画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極ＰＸと、複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた光透過性の絶縁層ＢＮＫと、複数の画素電極のそれぞれに周縁部に囲まれる中央部で接触するように積層して、電流によって輝度が制御されて発光するように設けられた自発光層Ｅ１と、複数の画素電極の上方で自発光層Ｅ１に接触するように積層して、絶縁層ＢＮＫに載るように設けられた共通電極Ｃ１と、を有し、複数の画素電極ＰＸのそれぞれは、絶縁層ＢＮＫ及び自発光層Ｅ１が上に載る表面を有し、周縁部は、表面において、光吸収性及び光透過性のいずれかを有し、中央部は、表面において、光反射性を有することを特徴とする表示装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた光透過性の絶縁層と、
前記複数の画素電極のそれぞれに前記周縁部に囲まれる中央部で接触するように積層して、電流によって輝度が制御されて発光するように設けられた自発光層と、
前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた共通電極と、
を有し、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記絶縁層及び前記自発光層が上に載る表面を有し、
前記周縁部は、前記表面において、光吸収性及び光透過性のいずれかを有し、
前記中央部は、前記表面において、光反射性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記表面を構成する層を有し、
前記周縁部は、前記層において、金属に還元可能で前記光吸収性を有する化合物から形成され、
前記中央部は、前記層において、前記金属からなることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記表面を構成する層を有し、
前記周縁部は、前記層において、金属に還元可能で前記光透過性を有する化合物から形成され、
前記中央部は、前記層において、前記金属からなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記光反射性を有する第１層と、前記第１層に積層して前記光吸収性を有する第２層と、を有し、
前記中央部では、前記第１層によって前記表面が構成され、
前記周縁部では、前記第２層によって前記表面が構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極を設ける工程と、
前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように光透過性の絶縁層を設ける工程と、
前記絶縁層をマスクとして、前記周縁部に囲まれる中央部で、前記複数の画素電極の表面を改質する工程と、
電流によって輝度が制御されて発光する自発光層を、改質された前記複数の画素電極のそれぞれに前記中央部で接触するように積層する工程と、
前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触し、前記絶縁層に載るように、共通電極を設ける工程と、
を有し、
前記複数の画素電極を設ける工程で、前記複数の画素電極を、光吸収性及び光透過性のいずれかを有するように形成し、
前記表面を改質する工程で、前記表面を、前記中央部で、光反射性を有するように改質することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
前記複数の画素電極を設ける工程で、前記複数の画素電極を、金属に還元可能で前記光吸収性を有する化合物から形成し、
前記表面を改質する工程で、前記化合物を金属に還元することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
前記複数の画素電極を設ける工程で、前記複数の画素電極を、金属に還元可能で前記光透過性を有する化合物から形成し、
前記表面を改質する工程で、前記化合物を金属に還元することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
前記複数の画素電極を設ける工程は、前記光反射性を有する第１層を形成する工程と、前記第１層に前記光吸収性を有する第２層を積層する工程と、を含み、
前記表面を改質する工程で、前記中央部で、前記第２層を除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス(ＥＬ：Electro Luminescence）素子や有機ＥＬ素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置をはじめとする自発光表示装置においては、共通電極と、反射性を有する画素電極との間にて自発光層が挟持される。自発光表示装置の各画素は、光透過性の絶縁層によって構成されるバンク層によって分離されており、画素電極は画素毎に個別に配置されて、画素電極の周縁部がバンク層に覆われる。
【０００３】
なお特許文献１には、発光ディスプレイにおいて半透明電極に接して黒色材料を設置する旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２５５９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ表示装置の自発光層にて発光した光の一部は、バンク層の内部に入射して画素電極にて反射されることがある。自発光層からの発光が、バンク層の下に存在する画素電極の周縁部で反射されると、隣接画素から外部に出射して光漏れや混色が発生して表示画質の低下を引き起こすおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、隣接画素からの光漏れや混色の発生が抑制された表示装置を提供することを目的とする。また本発明は、上記のような課題に鑑みて、隣接画素からの光漏れや混色の発生が抑制された表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、上記のような課題に鑑みて、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた光透過性の絶縁層と、前記複数の画素電極のそれぞれに前記周縁部に囲まれる中央部で接触するように積層して、電流によって輝度が制御されて発光するように設けられた自発光層と、前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた共通電極と、を有し、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記絶縁層及び前記自発光層が上に載る表面を有し、前記周縁部は、前記表面において、光吸収性及び光透過性のいずれかを有し、前記中央部は、前記表面において、光反射性を有することを特徴とする。
【０００８】
また本発明に係る表示装置の製造方法は、上記のような課題に鑑みて、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極を設ける工程と、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように光透過性の絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層をマスクとして、前記周縁部に囲まれる中央部で、前記複数の画素電極の表面を改質する工程と、電流によって輝度が制御されて発光する自発光層を、改質された前記複数の画素電極のそれぞれに前記中央部で接触するように積層する工程と、前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触し、前記絶縁層に載るように、共通電極を設ける工程と、を有し、前記複数の画素電極を設ける工程で、前記複数の画素電極を、光吸収性及び光透過性のいずれかを有するように形成し、前記表面を改質する工程で、前記表面を、前記中央部で、光反射性を有するように改質することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態にかかる自発光表示装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態における自発光表示装置の画素回路の様子を示す概略図である。
【図３】第１の実施形態における自発光表示装置の画素の概略平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ断面の様子を示す概略断面図である。
【図５】第１の実施形態における自発光表示装置の画素電極を形成する様子を示す図である。
【図６】第２の実施形態における自発光表示装置の画素の概略断面図である。
【図７】第２の実施形態における自発光表示装置の画素電極を形成する様子を示す図である。
【図８】第２の実施形態の変形例における自発光表示装置の画素の概略断面図である。
【図９】第３の実施形態における自発光表示装置の画素の概略断面図である。
【図１０】第４の実施形態における自発光表示装置の画素の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の自発光表示装置としての有機ＥＬ表示装置１を説明するための斜視図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第１基板Ｂ１に、第２基板Ｂ２が張り合わされて構成され、第１基板Ｂ１において第２基板Ｂ２から露出した領域（露出領域ＥＸ）には、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのドライバ半導体装置ＩＣが配置される。さらに第１基板Ｂ１の露出領域ＥＸの端部近辺にはフレキシブルプリント基板ＦＰＣが配置される。
【００１２】
図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰにおける画素回路の様子を示す図である。有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＰと、走査信号線駆動部ＧＤＲと、映像信号線駆動部ＤＤＲと、電源駆動部ＥＤＲとを備える。
【００１３】
表示領域ＤＰにおいては、画像を構成する複数の単位画素のそれぞれに対応して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬ、および、画素回路Ｐ１がマトリクス状に配置されており、画素回路Ｐ１は薄膜トランジスタＴＦＴ１、容量素子ＣＡＰ、および薄膜トランジスタＴＦＴ２で構成される。走査信号線駆動部ＧＤＲと映像信号線駆動部ＤＤＲ、電源駆動部ＥＤＲは、画素回路Ｐ１を駆動して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光を制御する。
【００１４】
走査信号線駆動部ＧＤＲは、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線ＧＬに接続されて、順番に選択された走査信号線ＧＬに走査信号を出力する。
【００１５】
映像信号線駆動部ＤＤＲは、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線ＤＬに接続されて、走査信号線駆動部ＧＤＲによる走査信号線ＧＬの選択にあわせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線ＤＬに出力をする。当該電圧は、画素回路Ｐ１内のキャパシタに書き込まれて、書き込まれた電圧に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに供給される。
【００１６】
電源駆動部ＥＤＲは、画素列ごとに設けられた駆動電源線ＳＬに接続されて、画素回路Ｐ１内のスイッチング素子を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに電流を供給する。
【００１７】
図３は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における画素の平面的構造を説明するための図である。同図で示されるように、画素電極ＰＸの周縁部には、光透過性の絶縁層であるバンク層ＢＮＫが載るようにして設けられており、画素電極ＰＸの中央部が開口ＯＰによってバンク層ＢＮＫから露出をしている。また、映像信号線ＤＬからの信号に応じた電流を画素電極ＰＸに入力するためのコンタクトホールＣＨがバンク層ＢＮＫと重複する位置において形成される。
【００１８】
図４は、図３のＩＶ−ＩＶ断面の概略的構造を説明するための図である。同図で示されるように、有機ＥＬ表示装置１は、各画素に対応して形成される複数の画素電極ＰＸを有しる第１基板Ｂ１と、第１基板Ｂ１に対向して配置されてカラーフィルタ層ＣＦやブラックマトリクスＢＭが形成される第２基板Ｂ２と、第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２の間にて充填される充填層ＦＬを含んで構成される。
【００１９】
ここで各画素に共通するように形成される共通電極Ｃ１と、画素電極ＰＸの間には、自発光層Ｅ１が挟持されており、これらによって図２における有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬが構成される。共通電極Ｃ１は、複数の画素に共通する一層で形成されて、その上方は封止層ＰＲによって保護される。また画素電極ＰＸおよび容量絶縁膜ＣＰの下方においては、不図示の導電膜が配置されて、これらによって図２における容量素子ＣＡＰが構成される。また第１基板Ｂ１においては回路構成層ＣＬが配置されており、回路構成層ＣＬによる段差を平坦化するための平坦化膜ＨＰＬが配置される。回路構成層ＣＬにおいては図２における薄膜トランジスタＴＦＴ２等の素子が含まれており、画素電極ＰＸに薄膜トランジスタＴＦＴ２がコンタクトホールを介して接続されることで映像信号線ＤＬからの映像信号に応じた電流が各画素に個別に供給されるようになっている。
【００２０】
本実施形態における自発光層Ｅ１は、画素電極ＰＸの周縁部に囲まれる中央部で接触するように積層されて、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を含んで構成される。自発光層Ｅ１における発光層では、画素電極ＰＸから注入されたホールと、共通電極Ｃ１から注入された電子とが再結合することにより発光するものとなっており、電流によって輝度が制御されて発光するようになっている。また自発光層Ｅ１としては、構成する全ての層が表示領域ＤＰの全体にわたって形成されていてもよいし、画素ごとに個別に形成されていてもよい。
【００２１】
ここで特に、画素電極ＰＸは、バンク層ＢＮＫと自発光層Ｅ１が上に載る表面を有しており、自発光層Ｅ１が載る表面を有する画素電極ＰＸの中央部は、光反射性を有し、バンク層ＢＮＫに覆われる表面を有する画素電極ＰＸの周縁部は、光吸収性及び光透過性のいずれかを有するようにして、隣接画素への光漏れや混色が発生しにくくなるようにする。
【００２２】
本実施形態における画素電極ＰＸは、吸収性電極層Ａ１と、反射性電極層Ａ２と、透明導電層ＴＲを含んで構成されて、吸収性電極層Ａ１は、バンク層ＢＮＫと重複して画素電極ＰＸの周縁部に位置するものとなっており、反射性電極層Ａ２は、バンク層ＢＮＫから開口した箇所において自己整合的に形成されて、画素電極ＰＸの中央部に位置するものとなっている。また、透明導電層ＴＲは、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電膜によって形成されて、反射性電極層Ａ２と、回路構成層ＣＬにおける薄膜トランジスタＴＦＴ２とを電気的に接続するためのものとなっている。
【００２３】
吸収性電極層Ａ１は、金属に還元可能で光吸収性を有する化合物によって構成され、具体的には、光吸収性を有する金属酸化物、ハロゲン化金属、金属硫化物によりなる。また、画素電極ＰＸの中央部の反射性電極層Ａ２は、この金属酸化物等を金属に還元することによって形成される。具体的には、吸収性電極層Ａ１としては、例えば、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ等の金属の酸化物、ハロゲン化物、硫化物にて構成されるようにし、反射性電極層Ａ２は、吸収性電極層Ａ１の材料が水素や一酸化炭素等の還元性流体によってＡｇ等の金属に還元されることによって形成される。
【００２４】
このように画素電極ＰＸの周縁部において光吸収性の物質が配置されて、かつ、自発光層Ｅ１による発光をカラーフィルタ層ＣＦ側に向かうように反射する反射性の電極層が画素電極ＰＸの中央部にて配置されるようにすることで、図４の矢印において示されるように、バンク層ＢＮＫの内部へと伝播した発光が隣接画素へとさらに伝播するのが抑制されるようになる。
【００２５】
図５は、本実施形態における自発光表示装置１の画素電極ＰＸを形成する様子を示す図である。本実施形態の自発光表示装置１の製造工程では、まず、各画素において画素電極ＰＸを形成した後に、画素電極ＰＸの周縁部にのるバンク層ＢＮＫを形成し、バンク層ＢＮＫをマスクとして露出された画素電極ＰＸの中央部の表面を改質する。その後、自発光層Ｅ１を改質された画素電極ＰＸの中央部にて接触するように積層し、さらに、自発光層Ｅ１やバンク層ＢＮＫに載るように共通電極Ｃ１を形成する。
【００２６】
ここで特に、図５において示されるように、本実施形態における画素電極ＰＸは、光吸収性を有するように形成して、中央部の表面が光反射性を有するように改質するようになっている。具体的には、画素電極ＰＸを構成する透明導電層ＴＲ上に吸収性電極層Ａ１と同一の材料の膜が積層されて、さらにバンク層ＢＮＫが画素電極ＰＸの周縁部にて積層された状態において、第１の基板Ｂ１は還元性流体の雰囲気下に曝されて加熱される。これにより、バンク層ＢＮＫから開口していた箇所の吸収性電極層Ａ１から、酸素や塩素等が取り除かれる還元反応が生じ、反射性の金属による反射性電極層Ａ２が自己整合的に形成される。
【００２７】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態の自発光表示装置１について説明をする。
【００２８】
図６は、第２の実施形態の自発光表示装置１の画素の概略的構造を示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ断面に対応するものとなっている。同図で示されるように、第２の実施形態の自発光表示装置１の画素電極ＰＸは、反射電極ＲＦと、光吸収性電極層ＢＬとを含んで構成される。具体的には、光吸収性電極層ＢＬは、画素電極ＰＸにおいてバンク層ＢＮＫが載る表面に対応しており、反射電極ＲＦは、画素電極ＰＸにおいて自発光層Ｅ１が載る表面に対応している。
【００２９】
反射電極ＲＦは、例えば、アルミニウムや銀等を主成分とする金属膜によって構成され、光吸収性電極層ＢＬは、クロム等の光吸収性を有する黒色膜によって構成されるようにする。図７において示されるように、第２の実施形態における画素電極ＰＸは、まず、反射電極ＲＦに光吸収性電極層ＢＬが積層された後に、画素電極ＰＸの周縁部にて積層されたバンク層ＢＮＫをマスクとして画素電極ＰＸの中央部における光吸収性電極層ＢＬがエッチング（除去）されて、中央部が改質されて形成されるようになっている。なお光吸収性電極層ＢＬとしては、必ずしも金属によって形成されることに限定されない。
【００３０】
また図８は、第２の実施形態の変形例における自発光表示装置１の画素の概略的構造を示す断面図である。同図で示されるように、変形例にかかる自発光表示装置１の画素電極ＰＸは、反射電極ＲＦと光吸収性電極層ＢＬの他に、ＩＴＯ等の透明金属によって形成された透明導電層ＴＲを含んで構成される。具体的には、変形例にかかる画素電極ＰＸは、反射電極ＲＦの上側に接して透明導電層ＴＲが積層され、透明導電層ＴＲの上側に光吸収性電極層ＢＬが積層される。光吸収性電極層ＢＬは、図７の場合と同様にしてバンク層ＢＮＫから開口した箇所がエッチングによって取り除かれる。
【００３１】
図８の変形例の場合では、透明導電層ＴＲが画素電極ＰＸの中央部において自発光層Ｅ１を載置する表面となっており、反射電極ＲＦと自発光層Ｅ１との間に透明導電層ＴＲが介在することで仕事関数が改善されて、自発光層Ｅ１における発光が促進されるようになる。
【００３２】
第２の実施形態の自発光表示装置１、および、第２の実施形態の変形例にかかる自発光表示装置１は、上述のような点を除いて第１の実施形態の自発光表示装置１とほぼ同様であり、ほぼ同様となる点についての説明は省略するものとする。
【００３３】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態の自発光表示装置１について説明をする。
【００３４】
図９は、第３の実施形態の自発光表示装置１の画素の概略的構造を示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ断面に対応するものとなっている。同図で示されるように、第３の実施形態の自発光表示装置１の画素電極ＰＸは、透明化合物層ＴＣと金属層ＴＸとを含んで構成される。
【００３５】
透明化合物層ＴＣは、金属に還元可能で光透過性を有する化合物によって形成されるものであり、例えば、金属酸化物半導体によって形成される。また金属層ＴＸは、透明導電層ＴＣが還元性流体の雰囲気下に曝されて加熱されることにより形成されるものとなっており、第１の実施形態の場合と同様に、バンク層ＢＮＫから露出した箇所において還元反応により自己整合的に形成されるものとなっている。
【００３６】
光透過性を有する化合物である透明化合物層ＴＣとしては、具体的には、酸化スズ（ＳｎＯ２）やＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等を使用してもよい。透明化合物層ＴＣが金属に還元されることにより、画素電極ＰＸの中央部が反射性と導電性も有するものになるようにする。
【００３７】
第３の実施形態の自発光表示装置１のように、バンク層ＢＮＫから開口する中央部における画素電極ＰＸの表面を、透明化合物層ＴＣから還元された金属からなる金属層ＴＸに改質するとともに、さらに、バンク層ＢＮＫと重複する周縁部における画素電極ＰＸの表面を、光透過性を有する透明化合物層ＴＣによって構成されるようにすることで、自発光層Ｅ１からの光の周縁部における反射が少なくなって隣接画素への光漏れ等が抑えられる。
【００３８】
第３の実施形態の自発光表示装置１は、上述のような点を除いて第１の実施形態の自発光表示装置１とほぼ同様であり、ほぼ同様となる点についての説明は省略するものとする。
【００３９】
［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態の自発光表示装置１について説明をする。
【００４０】
図１０は、第４の実施形態の自発光表示装置１の画素の概略的構造を示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ断面に対応するものとなっている。同図で示されるように、第４の実施形態の自発光表示装置１の画素電極ＰＸは、第１の透明導電層ＴＲ１と、第２の透明導電層ＴＲ２と、吸収性電極層Ａ１と、反射性電極層Ａ２とを含んで構成される。
【００４１】
吸収性電極層Ａ１と反射性電極層Ａ２は、第１の実施形態の場合と同様であり、第１のバンク層ＢＮＫ１から露出された開口を介して吸収性電極層Ａ１の材料が還元されることで自己整合的に反射性電極層Ａ２が形成される。第１の透明導電層ＴＲ１および第２の透明導電層ＴＲ２は、ＩＴＯ等の透明金属を含んで構成される。
【００４２】
第４の実施形態の自発光表示装置１の画素は、還元反応により反射電極層Ａ２が形成された後、さらに各画素において個別となる第２の透明導電層ＴＲ２が形成されて、第２のバンク層ＢＮＫ２が第２の透明導電層ＴＲ２の周縁部を覆って形成されるようになっている。自発光層Ｅ１及び共通電極Ｃ１は、第２の透明導電層ＴＲ２の上方に形成されるものとなっており、自発光層Ｅ１と反射電極層Ａ２の間にて第２の透明導電層ＴＲ２が介在することで、仕事関数が改善されて自発光層Ｅ１における発光が促進されるようになる。
【００４３】
第４の実施形態の自発光表示装置１は、上述のような点を除いて第１の実施形態の自発光表示装置１とほぼ同様であり、ほぼ同様となる点についての説明は省略するものとする。
【００４４】
なお、上記の実施形態における自発光表示装置としては、有機ＥＬ表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような自発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００４５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１  自発光表示装置、ＤＰ  表示領域、Ｂ１  第１基板、Ｂ２  第２基板、ＥＸ  露出領域、ＦＰＣ  フレキシブルプリント基板、ＩＣ  ドライバ半導体装置、ＧＤＲ  走査信号線駆動部、ＤＤＲ  映像信号線駆動部、ＥＤＲ  電源駆動部、ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、Ｐ１  画素回路、ＯＬ  有機エレクトロルミネッセンス素子、ＣＦ  カラーフィルタ層、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＦＬ  充填層、ＰＲ  封止層、Ｃ１  共通電極、Ｅ１  自発光層、ＰＸ  画素電極、ＣＰ  容量絶縁層、ＣＨ  コンタクトホール、ＢＮＫ  バンク層、ＢＮＫ１  第１のバンク層、ＢＮＫ２  第２のバンク層、ＨＰＬ  平坦化層、ＣＬ  回路構成層、ＴＲ  透明導電層、ＴＲ１  第１の透明導電層、ＴＲ２  第２の透明導電層、ＴＣ  透明化合物層、ＴＸ  金属層、Ａ１  吸収性電極層、Ａ２  反射性電極層、ＢＬ  光吸収性電極層、ＲＦ  反射電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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