(57)【要約】【課題】大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された半導体基板と、半導体基板の表面に位置する電極と、半導体基板上に配置され、電極の位置に開口を有する第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、第１の樹脂層の開口を通して電極に電気的に接続された銅（Ｃｕ）の配線と、配線の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層と、被覆層上に配置され、所定の位置に開口を有する第２の樹脂層と、第２の樹脂層の開口を通して被覆層に接続された半田端子とを備える。【選択図】図２
2017033984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の表面に位置する電極と、
前記半導体基板上に配置され、前記電極の位置に開口を有する第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上に配置され、前記第１の樹脂層の開口を通して前記電極に電気的に接続された銅（Ｃｕ）の配線と、
前記配線の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層と、
前記被覆層上に配置され、所定の位置に開口を有する第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層の開口を通して前記被覆層に接続された半田端子と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の樹脂層と前記配線との間にバリア層をさらに備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線は、前記バリア層に接する第１の部分と、前記第１の樹脂層から間隔をあけて配置されると共に前記バリア層に接しない第２の部分とを含み、前記被覆層が、前記第１の樹脂層と前記配線の第２の部分との間に延在する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記バリア層が、チタンタングステン（ＴｉＷ）を含む、請求項２又は３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半田端子が、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、及び、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置を備える電子機器。
【請求項７】
回路が形成された半導体基板上に、前記半導体基板の表面に位置する電極の位置に開口を有する第１の樹脂層を形成する工程（ａ）と、
前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の開口を通して前記電極に電気的に接続される銅（Ｃｕ）の配線を形成する工程（ｂ）と、
前記配線の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層を無電解メッキによって形成する工程（ｃ）と、
前記被覆層上に、所定の位置に開口を有する第２の樹脂層を形成する工程（ｄ）と、
前記第２の樹脂層の開口を通して前記被覆層に接続される半田端子を形成する工程（ｅ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。さらに、本発明は、そのような半導体装置を用いた電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度実装を実現するために、例えば、ウエハーレベルでパッケージングが行われるＷＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package：ウエハーレベル・チップサイズ・パッケージ）が提案されている。ＷＣＳＰにおいては、ポリイミド樹脂上に銅（Ｃｕ）の配線を形成し、配線の接続部分以外をソルダーレジストで覆う構造が一般的であった。
【０００３】
しかしながら、そのような構造において、ソルダーレジスト下の銅の配線が大電流印加時に発熱によって高温となり、配線の表面から酸化が進行する場合がある。その場合に、抵抗値の増加によってさらに発熱して酸化が加速することにより、配線の溶断に至る。銅の酸化は、２００℃程度の温度でも進行する。また、発熱を伴わない使用状態においても、配線の表面から酸化が徐々に進行し、配線抵抗の増加によって信頼性の低下を招いてしまう。
【０００４】
関連する技術として、特許文献１には、パッシベーション膜を構成する第１の樹脂層の上に、外部端子を形成する際の応力緩和機能を有する第２の樹脂層が形成され、第２の樹脂層の上に、銅（Ｃｕ）の配線が形成された半導体装置が開示されている。この半導体装置においては、第１の樹脂層の材料と第２の樹脂層の材料との間の線膨張係数等のミスマッチによる第１の樹脂層の破断を防止するために、第２の樹脂層が第１の樹脂層の上面及び側面を覆っている。
【０００５】
特許文献１の半導体装置によれば、第２の樹脂層が第１の樹脂層の上面及び側面を覆っているので、第１の樹脂層の特定の箇所に応力が集中することが抑制され、第１の樹脂層の破断が抑制される。しかしながら、特許文献１には、銅（Ｃｕ）の配線の酸化を抑制することに関しては、特に開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１９２１８９号公報（段落０００２−０００６、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の第１の目的は、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置を提供することである。また、本発明の第２の目的は、そのような半導体装置を用いた電子機器等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の１つの観点に係る半導体装置は、回路が形成された半導体基板と、半導体基板の表面に位置する電極と、半導体基板上に配置され、電極の位置に開口を有する第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、第１の樹脂層の開口を通して電極に電気的に接続された銅（Ｃｕ）の配線と、配線の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層と、被覆層上に配置され、所定の位置に開口を有する第２の樹脂層と、第２の樹脂層の開口を通して被覆層に接続された半田端子とを備える。
【０００９】
本発明の１つの観点に係る半導体装置によれば、第１の樹脂層上に銅（Ｃｕ）の配線を配置し、その配線の表面を被覆する被覆層を設けることにより、第１の樹脂層及び被覆層が配線を囲む構造となる。それにより、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる。また、半田端子の主成分である錫（Ｓｎ）、又は、錫（Ｓｎ）を含む合金の被覆層を設けることにより、被覆層の半田濡れ性が良好になるので、被覆層上に半田端子を直接配置することができる。
【００１０】
ここで、半導体装置は、第１の樹脂層と配線との間にバリア層をさらに備えるようにしても良い。それにより、配線を構成する銅（Ｃｕ）の酸化や腐食や拡散を抑制すると共に、第１の樹脂層に対する密着性を確保することができる。
【００１１】
その場合に、配線は、バリア層に接する第１の部分と、第１の樹脂層から間隔をあけて配置されると共にバリア層に接しない第２の部分とを含み、被覆層が、第１の樹脂層と配線の第２の部分との間に延在するようにしても良い。それにより、バリア層がサイドエッチングされて、第１の樹脂層と配線との間に隙間が生じたとしても、その隙間を被覆層が埋めることにより、配線の側面及び下面も被覆層によって保護されるので、配線を構成する銅（Ｃｕ）の酸化等を効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、バリア層が、チタンタングステン（ＴｉＷ）を含むようにしても良い。それにより、第１の樹脂層に対する密着性を確保しつつ、配線を構成する銅（Ｃｕ）の酸化や腐食や拡散を抑制する効果が高められる。
【００１３】
以上において、半田端子が、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、及び、銅（Ｃｕ）を含むようにしても良い。それにより、人体に有害な鉛（Ｐｂ）を用いることなく、プリント配線基板との接合性や加速試験における対環境性等に優れる半導体装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の１つの観点に係る電子機器は、上記いずれかの半導体装置を備える。本発明の１つの観点に係る電子機器によれば、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置を用いて、回路の小型化を図りながら、耐用寿命を向上させることが可能となる。
【００１５】
本発明の１つの観点に係る半導体装置の製造方法は、回路が形成された半導体基板上に、半導体基板の表面に位置する電極の位置に開口を有する第１の樹脂層を形成する工程（ａ）と、第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の開口を通して電極に電気的に接続される銅（Ｃｕ）の配線を形成する工程（ｂ）と、配線の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層を無電解メッキによって形成する工程（ｃ）と、被覆層上に、所定の位置に開口を有する第２の樹脂層を形成する工程（ｄ）と、第２の樹脂層の開口を通して被覆層に接続される半田端子を形成する工程（ｅ）とを備える。
【００１６】
本発明の１つの観点に係る半導体装置の製造方法によれば、第１の樹脂層上に銅（Ｃｕ）の配線を形成し、その配線の表面を被覆する被覆層を無電解メッキによって形成することにより、第１の樹脂層及び被覆層が配線を囲む構造となる。それにより、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる。また、半田端子の主成分である錫（Ｓｎ）、又は、錫（Ｓｎ）を含む合金で被覆層を形成することにより、被覆層の半田濡れ性が良好になるので、被覆層上に半田端子を直接形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩにおける断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜半導体装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩにおける断面図である。図１及び図２に示すように、この半導体装置は、回路１０ａが形成された半導体基板１０と、半導体基板１０の表面に位置する電極１１と、第１の樹脂層２０と、配線４０と、配線４０の表面を被覆する被覆層５０と、第２の樹脂層６０と、半田端子７０とを含み、第１の樹脂層２０と配線４０との間にバリア層３０をさらに含んでも良い。
【００１９】
半導体基板１０は、例えば、半導体ウエハーであっても良いし、あるいは、半導体チップであっても良い。半導体基板１０に形成された回路１０ａは、トランジスター又はダイオード等の能動素子、抵抗又はキャパシター等の受動素子、又は、能動素子又は受動素子に電気的に接続された配線を含んでいる。
【００２０】
例えば、トランジスターは、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板内に形成された不純物拡散領域であるソース及びドレインとを有している。抵抗は、シリコン基板上に層間絶縁膜を介して配置される。キャパシターは、複数の層間絶縁膜上に配置された対向電極を有している。配線は、シリコン基板上に層間絶縁膜を介して配置され、必要に応じて多層構造を有しても良い。
【００２１】
半導体基板１０の表面（図中の上面）には、回路１０ａに含まれている少なくとも１つの素子又は配線に電気的に接続された電極（パッド）１１が位置している。図１には、複数の素子又は配線に電気的に接続された複数の電極１１が示されている。電極１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で構成される。さらに、図２に示すように、電極１１の周囲に、回路１０ａを保護するパッシベーション膜１０ｂが設けられても良い。パッシベーション膜１０ｂは、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ニ酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、又は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の絶縁膜で構成される。
【００２２】
第１の樹脂層２０は、半導体基板１０上に配置され、電極１１の位置に開口を有している。図１に示すように、第１の樹脂層２０は、開口が形成された部分を除き、半導体基板１０の上面を略覆うように設けられても良い。また、図２に示すように、電極１１の上面における第１の樹脂層２０の開口が電極１１の露出領域の内側に位置することにより、第１の樹脂層２０が電極１１の周辺部に接するようにしても良い。第１の樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、又は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）等で構成される。なお、本願において、「上」とは、半導体基板１０の表面に垂直な方向のうち、表面から電極１１に向かう方向を表す。
【００２３】
配線４０は、第１の樹脂層２０上に配置されても良く、あるいは、図２に示すようにバリア層３０が設けられる場合には、第１の樹脂層２０上にバリア層３０を介して配置されても良い。配線４０は、第１の樹脂層２０の開口を通して電極１１に電気的に接続されている。バリア層３０は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、又は、ニッケル（Ｎｉ）等で構成され、配線４０は、銅（Ｃｕ）で構成される。
【００２４】
バリア層３０を設けることにより、配線４０を構成する銅（Ｃｕ）の酸化や腐食や拡散を抑制すると共に、第１の樹脂層２０に対する密着性を確保することができる。特に、チタンタングステン（ＴｉＷ）を含むバリア層３０を設けることにより、第１の樹脂層２０に対する密着性を確保しつつ、配線４０を構成する銅（Ｃｕ）の酸化や腐食や拡散を抑制する効果が高められる。
【００２５】
図１に示すように、配線４０が、例えば、円形の平面形状を有するランド部４０ａを含んでも良い。また、図２に示すように、配線４０が、銅（Ｃｕ）の複数の層を含んでも良い。図２には、第１の層４１と、第１の層４１よりも厚い第２の層４２とが示されている。例えば、電解メッキによって第２の層４２を形成する場合に、予めバリア層３０上にスパッター等によって第１の層４１を形成しておくことにより、第１の層４１が電解メッキの際のシード層として機能する。
【００２６】
さらに、本実施形態においては、配線４０の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金（錫（Ｓｎ）を含む合金）の被覆層５０が設けられている。錫（Ｓｎ）を含む合金としては、例えば、ニッケル−錫（Ｎｉ−Ｓｎ）の金属間化合物を用いることができる。被覆層５０を設けることにより、配線４０を構成する銅（Ｃｕ）の酸化や腐食や拡散を抑制することができる。
【００２７】
第２の樹脂層６０は、被覆層５０上に配置され、所定の位置（ランド部４０ａの位置）に開口６０ａを有している。図１に示すように、第２の樹脂層６０は、開口６０ａが形成された部分を除き、配線４０が配置された第１の樹脂層２０の上面を略覆うように設けられても良い。第２の樹脂層６０としては、例えば、感光性のエポキシ樹脂等で構成されるソルダーレジストが用いられる。
【００２８】
半田端子７０は、第２の樹脂層６０の開口６０ａを通して被覆層５０に接続されている。半田端子７０は、例えば、球の一部の形状を有する半田ボールであっても良い。このように、配線４０のランド部４０ａ上に被覆層５０を介して半田端子７０を配置することにより、半導体基板１０内の回路１０ａに含まれている少なくとも１つの素子又は配線が半田端子７０に電気的に接続される。半田端子７０は、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、及び、銅（Ｃｕ）を含むようにしても良い。その場合には、人体に有害な鉛（Ｐｂ）を用いることなく、プリント配線基板との接合性や加速試験における対環境性等に優れる半導体装置を提供することができる。
【００２９】
さらに、第２の樹脂層６０上に、半田端子７０の根元部（図中の下端部）を覆う保護膜（図示せず）が設けられても良い。保護膜は、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はポリイミド樹脂等の絶縁膜で構成される。保護膜を設けることにより、半田端子７０の少なくとも根元部が補強されるので、半導体装置がプリント配線基板等に実装された後に、半田端子７０に加えられる応力を保護膜によって緩和することができる。
【００３０】
このような半導体装置において、第１の樹脂層２０上に銅（Ｃｕ）の配線４０を配置し、配線４０の接続部分以外を第２の樹脂層６０で覆うだけでは、第２の樹脂層６０の開口６０ａ又は第１の樹脂層２０と第２の樹脂層６０との隙間等から酸素が侵入して、配線４０が酸化するおそれがある。
【００３１】
本実施形態に係る半導体装置によれば、第１の樹脂層２０上に銅（Ｃｕ）の配線４０を配置し、その配線４０の表面を被覆する被覆層５０を設けることにより、第１の樹脂層２０及び被覆層５０が配線４０を囲む構造となる。それにより、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる。また、半田端子７０の主成分である錫（Ｓｎ）、又は、錫（Ｓｎ）を含む合金の被覆層５０を設けることにより、被覆層５０の半田濡れ性が良好になるので、被覆層５０上に半田端子７０を直接配置することができる。
【００３２】
さらに、図２に示すように、配線４０が、バリア層３０に接する第１の部分４０ｂと、第１の樹脂層２０から間隔をあけて配置されると共にバリア層３０に接しない第２の部分４０ｃとを含み、被覆層５０が、第１の樹脂層２０と配線４０の第２の部分４０ｃとの間に延在するようにしても良い。その場合には、バリア層３０がサイドエッチングされて、第１の樹脂層２０と配線４０との間に隙間が生じたとしても、その隙間を被覆層５０が埋めることにより、配線４０の側面及び下面も被覆層５０によって保護されるので、配線４０を構成する銅（Ｃｕ）の酸化等を効果的に抑制することができる。
【００３３】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、図１及び図２に示す半導体装置の製造方法について説明する。
図３（Ａ）〜図４（Ｋ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図であり、図２の断面図に対応している。
【００３４】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１の工程において、回路１０ａが形成された半導体基板１０が準備される。半導体基板１０の表面（図中の上面）には、回路１０ａに含まれている少なくとも１つの素子又は配線に電気的に接続された電極（パッド）１１が位置している。さらに、電極１１の周囲に、回路１０ａを保護するパッシベーション膜１０ｂが設けられても良い。
【００３５】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第２の工程において、半導体基板１０上に、半導体基板１０の表面に位置する電極１１の位置に開口を有する第１の樹脂層２０が形成される。例えば、半導体基板１０上に感光性ポリイミド樹脂の膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって、電極１１の位置に開口を有する第１の樹脂層２０が形成される。
【００３６】
次に、図３（Ｃ）に示すように、第３の工程において、第１の樹脂層２０が形成された半導体基板１０上に、バリア層となるチタンタングステン（ＴｉＷ）等の膜３０ａが、スパッターによって形成される。さらに、その上に、配線の第１の層となる銅（Ｃｕ）の膜４１ａが、スパッターによって形成される。なお、バリア層となるチタンタングステン（ＴｉＷ）等の膜３０ａの形成を省略して、第１の樹脂層２０上に、配線の第１の層となる銅（Ｃｕ）の膜４１ａを直接形成しても良い。
【００３７】
次に、図３（Ｄ）に示すように、第４の工程において、銅（Ｃｕ）の膜４１ａ等が形成された半導体基板１０上に液状のフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってフォトレジストの一部を硬化させることにより、硬化したフォトレジスト８０が形成される。
【００３８】
さらに、図３（Ｅ）に示すように、第５の工程において、フォトレジスト８０等が形成された半導体基板１０上に、銅（Ｃｕ）の膜４１ａをシード層として、銅（Ｃｕ）の配線の第２の層４２が、電解メッキによって形成される。その後、図３（Ｆ）に示すように、第６の工程において、フォトレジスト８０が剥離される。
【００３９】
次に、図４（Ｇ）に示すように、第７の工程において、少なくとも配線の第２の層４２をマスクとして、銅（Ｃｕ）の膜４１ａを薬液によりエッチングすることにより、配線の第１の層４１がパターニングされる。それにより、第１の層４１及び第２の層４２を含む銅（Ｃｕ）の配線４０が形成される。
【００４０】
次に、図４（Ｈ）に示すように、第８の工程において、少なくとも配線４０をマスクとして、チタンタングステン（ＴｉＷ）等の膜３０ａを薬液によりエッチングすることにより、バリア層３０がパターニングされる。図４（Ｈ）に示す例においては、バリア層３０がサイドエッチングされて、第１の樹脂層２０と配線４０との間に僅かな隙間が生じている。
【００４１】
このようにして、第３〜第８の工程において、第１の樹脂層２０上にバリア層３０を介して、第１の樹脂層２０の開口を通して電極１１に電気的に接続される銅（Ｃｕ）の配線４０が形成される。配線４０は、半田端子が形成される位置にランド部４０ａを有している。
【００４２】
次に、図４（Ｉ）に示すように、第９の工程において、銅（Ｃｕ）の配線４０の表面を被覆する錫（Ｓｎ）又は錫合金の被覆層５０が、無電解メッキによって形成される。無電解メッキによれば、スパッターによる場合とは異なり、銅（Ｃｕ）が表面に露出している箇所に錫（Ｓｎ）又は錫合金が必ず析出するので、第１の樹脂層２０と配線４０との間の隙間を、被覆層５０で埋めることができる。その結果、配線４０の側面及び下面も被覆層５０によって保護されるので、配線４０を構成する銅（Ｃｕ）の酸化等を効果的に抑制することができる。
【００４３】
次に、図４（Ｊ）に示すように、第１０の工程において、被覆層５０で被覆された配線４０を第１の樹脂層２０との間で挟み、所定の位置（ランド部４０ａの位置）に開口６０ａを有する第２の樹脂層６０が形成される。例えば、被覆層５０等が形成された半導体基板１０上に液状のソルダーレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってソルダーレジストの一部を硬化させることにより、開口６０ａを有する第２の樹脂層６０が形成される。
【００４４】
次に、図４（Ｋ）に示すように、第１１の工程において、第２の樹脂層６０の開口６０ａを通して被覆層５０に接続される半田端子７０が形成される。このように、配線４０のランド部４０ａ上に被覆層５０を介して半田端子７０を配置することにより、半導体基板１０内の回路１０ａに含まれている少なくとも１つの素子又は配線が半田端子７０に電気的に接続される。
【００４５】
その後、必要に応じて、半田端子７０の根元部（図中の下端部）を覆う保護膜（図示せず）を形成しても良い。さらに、半導体基板１０が半導体ウエハーである場合には、半導体基板１０を切断して複数の半導体チップに分離することにより、個々の半導体装置が完成する。その場合には、半導体ウエハー単位でパッケージングがなされるので、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【００４６】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第１の樹脂層２０上に銅（Ｃｕ）の配線４０を形成し、その配線４０の表面を被覆する被覆層５０を無電解メッキによって形成することにより、第１の樹脂層２０及び被覆層５０が配線４０を囲む構造となる。それにより、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる。また、半田端子７０の主成分である錫（Ｓｎ）、又は、錫（Ｓｎ）を含む合金で被覆層５０を形成することにより、被覆層５０の半田濡れ性が良好になるので、被覆層５０上に半田端子７０を直接形成することができる。
【００４７】
＜電子機器＞
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置を用いた電子機器について説明する。以下においては、一例として、電子機器がサーマル方式又はインクジェット方式のプリンターである場合について説明する。
【００４８】
図５は、本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図である。図５に示すように、電子機器１００は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１１０を含み、さらに、プリントヘッド１１１と、印字媒体搬送部１１２と、ＣＰＵ（中央演算装置）１２０と、操作部１３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）１４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）１５０と、通信部１６０と、表示部１７０とを含んでも良い。なお、図５に示す構成要素の一部を省略又は変更しても良いし、あるいは、図５に示す構成要素に他の構成要素を付加しても良い。
【００４９】
プリントヘッド１１１としては、例えば、サーマル方式、ピエゾ方式、又は、静電方式のプリントヘッドが用いられる。半導体装置１１０は、プリントヘッド１１１を駆動するための複数の駆動回路を内蔵している。駆動回路は、図１及び図２に示す配線４０を介して、プリントヘッド１１１に電気的に接続される。特に、プリントヘッド１１１がサーマルヘッドである場合には、駆動回路が、配線４０を介してサーマルヘッドに大電流を供給する必要がある。
【００５０】
印字媒体搬送部１１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラテンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。半導体装置１１０に内蔵された駆動回路は、プリントヘッド１１１を駆動することにより、印字媒体搬送部１１２によって搬送された用紙に印字を行う。
【００５１】
ＣＰＵ１２０は、ＲＯＭ１４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理を行う。例えば、ＣＰＵ１２０は、操作部１３０から供給される操作信号に応じて半導体装置１１０及び印字媒体搬送部１１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うために通信部１６０を制御したり、表示部１７０に各種の情報を表示させるための表示信号を生成したりする。
【００５２】
操作部１３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ１２０に出力する。ＲＯＭ１４０は、ＣＰＵ１２０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ１５０は、ＣＰＵ１２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ１４０から読み出されたプログラムやデータ、又は、操作部１３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
【００５３】
通信部１６０は、例えば、アナログ回路及びデジタル回路で構成され、ＣＰＵ１２０と外部装置との間のデータ通信を行う。従って、図５に示すプリンターは、外部のホストコンピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部１７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ１２０から供給される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。
【００５４】
本実施形態に係る電子機器によれば、大電流印加時の発熱に伴う酸化の加速による配線の溶断や、徐々に進行する配線表面からの酸化による配線抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置を用いて、回路の小型化を図りながら、耐用寿命を向上させることが可能となる。
【００５５】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。例えば、本発明は、プリンター以外の各種の電子機器に適用することも可能である。そのような電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視鏡）等が該当する。
【００５６】
なお、本願において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（または下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）が配置される（位置する）というとき、Ａの上（または下）に直接Ｂが配置される（位置する）場合に限定されない。Ａの上（または下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢが配置される（位置する）場合も含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体基板、１０ａ…回路、１０ｂ…パッシベーション膜、１１…電極、２０…樹脂層、３０…バリア層、３０ａ…チタンタングステン（ＴｉＷ）等の膜、４０…配線、４０ａ…ランド部、４０ｂ…配線の第１の部分、４０ｃ…配線の第２の部分、４１…配線の第１の層、４１ａ…銅（Ｃｕ）の膜、４２…配線の第２の層、５０…被覆層、６０…樹脂層、６０ａ…開口、７０…半田端子、８０…フォトレジスト、１００…電子機器、１１０…半導体装置、１１１…プリントヘッド、１１２…印字媒体搬送部、１２０…ＣＰＵ、１３０…操作部、１４０…ＲＯＭ、１５０…ＲＡＭ、１６０…通信部、１７０…表示部。
【図１】
2017033984.tif 000003
【図２】
2017033984.tif 000004
【図３】
2017033984.tif 000005
【図４】
2017033984.tif 000006
【図５】
2017033984.tif 000007