(57)【要約】【課題】第１内部電極の端部と第２内部電極の端部との間の短絡を防止でき、かつ、セラミック誘電体層と被覆用セラミック誘電体層との境界部分にマイクロクラックが発生し難い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、内部電極７及び８の一方の端部７ａ及び８ａは、それぞれ内部電極７及び８側からセラミック積層体２の第１側面２２に向かって、Ｎｉ領域７４ａ及び８４ａからＮｉ−Ｏ領域７６ａ及び８６ａを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａ及び８８ａの順で金属相が配置されている。内部電極７及び８の他方の端部７ｂ及び８ｂは、それぞれ内部電極７及び８側からセラミック積層体２の第２側面２３に向かって、Ｎｉ領域７４ｂ及び８４ｂからＮｉ−Ｏ領域７６ｂ及び８６ｂを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂ及び８８ｂの順で金属相が配置されている。【選択図】図２
2017204560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と第２内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と内部電極が設けられていないセラミック誘電体層とを複数積層して、積層方向に相対する第１主面および第２主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面および第２側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面および第２端面とを有するセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の前記幅方向において、前記第１内部電極の一方の端部および前記第２内部電極の一方の端部が露出した前記セラミック積層体の前記第１側面の表面に設けた第１被覆用セラミック誘電体層、並びに、前記第１内部電極の他方の端部および前記第２内部電極の他方の端部が露出した前記セラミック積層体の前記第２側面の表面に設けた第２被覆用セラミック誘電体層と、
前記第１内部電極が露出した前記セラミック積層体の前記第１端面の表面に設けた第１外部電極、並びに、前記第２内部電極が露出した前記セラミック積層体の前記第２端面の表面に設けた第２外部電極とを備え、
前記第１内部電極と前記第２内部電極とは、前記セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、
前記セラミック積層体の前記幅方向において、前記第１内部電極の一方の端部は、第１内部電極側から前記セラミック積層体の前記第１側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、かつ、前記第１内部電極の他方の端部は、第１内部電極側から前記セラミック積層体の前記第２側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、
前記セラミック積層体の前記幅方向において、前記第２内部電極の一方の端部は、第２内部電極側から前記セラミック積層体の前記第１側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、かつ、前記第２内部電極の他方の端部は、第２内部電極側から前記セラミック積層体の前記第２側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置されていること、
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記セラミック積層体の前記幅方向において、前記第１内部電極および前記第２内部電極のそれぞれの前記一方の端部は、前記積層方向に沿ったずれ量が５μｍ以内であり、前記第１内部電極および前記第２内部電極のそれぞれの前記他方の端部は、前記積層方向に沿ったずれ量が５μｍ以内であること、
を特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
第１内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と第２内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と内部電極が設けられていないセラミック誘電体層とを複数積層して、積層方向に相対する第１主面および第２主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面および第２側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面および第２端面とを有するセラミック積層体を形成する工程と、
前記セラミック積層体の前記第１側面に第１被覆用セラミック誘電体層を形成し、前記セラミック積層体の前記第２側面に第２被覆用セラミック誘電体層を形成する工程と、
前記セラミック積層体を焼成する工程と、
前記セラミック積層体の前記第１端面に第１外部電極を形成し、前記セラミック積層体の前記第２端面に第２外部電極を形成する工程を含み、
前記第１内部電極と前記第２内部電極とは、前記セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、
前記セラミック積層体の前記幅方向において、前記セラミック積層体の前記第１側面には前記第１内部電極および前記第２内部電極のそれぞれの一方の端部が露出し、かつ、前記セラミック積層体の前記第２側面には前記第１内部電極および前記第２内部電極のそれぞれの他方の端部が露出し、
前記セラミック積層体の前記第１端面には前記第１内部電極が露出し、かつ、前記セラミック積層体の前記第２端面には前記第２内部電極が露出している積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記セラミック積層体を焼成する工程は、
１１００℃以下の温度領域で、Ｎ2雰囲気中で、３００℃／分以上１０００℃／分以下の昇温速度で、１．１分以上３．７分以下の時間で前記セラミック積層体を昇温させた後、
１１００℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁以下の還元雰囲気中で、５℃／分以上３０℃／分以下の昇温速度で、８分以上５０分以下の時間で前記セラミック積層体を昇温させた後、
１１５０℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁以下の還元雰囲気で、前記セラミック積層体を１分以上３０分以下の時間で保持すること、
を特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記第１内部電極および前記第２内部電極にはそれぞれＮｉが含まれ、前記第１被覆用セラミック誘電体層および前記第２被覆用セラミック誘電体層にはそれぞれＭｇが含まれていること、を特徴とする請求項３に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、静電容量の取得効率を高めることができる、特許文献１に記載の構造の積層セラミックコンデンサが知られている。この積層セラミックコンデンサは、第１内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と、第２内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と、内部電極が設けられていないセラミック誘電体層とを複数積層して構成されたセラミック積層体を備えている。第１内部電極と第２内部電極とは、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向している。
【０００３】
そして、この積層セラミックコンデンサは、第１内部電極および第２内部電極のそれぞれの幅方向の端部をセラミック積層体の側面に露出させた後、セラミック積層体の側面を被覆用セラミック誘電体層で覆うようにして形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−２３７７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、積層セラミックコンデンサの場合、第１内部電極と第２内部電極との間の絶縁性が担保されている必要がある。しかし、特許文献１に記載の構造の積層セラミックコンデンサの場合、第１内部電極の幅方向の端部および第２内部電極の幅方向の端部には電界が集中し易いにも関わらず、両者の端部同士の沿面距離はセラミック誘電体層の厚み分のみであり、近接した状態である。従って、第１内部電極の端部と第２内部電極の端部とが短絡する心配があった。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、第１内部電極の端部と第２内部電極の端部との間の短絡を防止でき、かつ、セラミック誘電体層と被覆用セラミック誘電体層との境界部分にマイクロクラックが発生し難い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、第１内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と第２内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と内部電極が設けられていないセラミック誘電体層とを複数積層して、積層方向に相対する第１主面および第２主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面および第２側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面および第２端面とを有するセラミック積層体と、セラミック積層体の幅方向において、第１内部電極の一方の端部および第２内部電極の一方の端部が露出したセラミック積層体の第１側面の表面に設けた第１被覆用セラミック誘電体層、並びに、第１内部電極の他方の端部および第２内部電極の他方の端部が露出したセラミック積層体の第２側面の表面に設けた第２被覆用セラミック誘電体層と、第１内部電極が露出したセラミック積層体の第１端面の表面に設けた第１外部電極、並びに、第２内部電極が露出したセラミック積層体の第２端面の表面に設けた第２外部電極と、を備え、第１内部電極と第２内部電極とは、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、セラミック積層体の幅方向において、第１内部電極の一方の端部は、第１内部電極側からセラミック積層体の第１側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、かつ、第１内部電極の他方の端部は、第１内部電極側からセラミック積層体の第２側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、セラミック積層体の幅方向において、第２内部電極の一方の端部は、第２内部電極側からセラミック積層体の第１側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置され、かつ、第２内部電極の他方の端部は、第２内部電極側からセラミック積層体の第２側面に向かって、ＮｉからＮｉ−Ｏを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏの順で金属相が配置されていること、を特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【０００８】
また、この発明は、セラミック積層体の幅方向において、第１内部電極および第２内部電極のそれぞれの一方の端部は、積層方向に沿ったずれ量が５μｍ以内であり、第１内部電極および第２内部電極のそれぞれの他方の端部は、積層方向に沿ったずれ量が５μｍ以内であること、を特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【０００９】
また、この発明は、第１内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と第２内部電極が表面に設けられたセラミック誘電体層と内部電極が設けられていないセラミック誘電体層とを複数積層して、積層方向に相対する第１主面および第２主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面および第２側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面および第２端面とを有するセラミック積層体を形成する工程と、セラミック積層体の第１側面に第１被覆用セラミック誘電体層を形成し、セラミック積層体の第２側面に第２被覆用セラミック誘電体層を形成する工程と、セラミック積層体を焼成する工程と、セラミック積層体の第１端面に第１外部電極を形成し、セラミック積層体の第２端面に第２外部電極を形成する工程を含み、第１内部電極と第２内部電極とは、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、セラミック積層体の幅方向において、セラミック積層体の第１側面には第１内部電極および第２内部電極のそれぞれの一方の端部が露出し、かつ、セラミック積層体の第２側面には第１内部電極および第２内部電極のそれぞれの他方の端部が露出し、セラミック積層体の第１端面には第１内部電極が露出し、かつ、セラミック積層体の第２端面には第２内部電極が露出している積層セラミックコンデンサの製造方法であって、セラミック積層体を焼成する工程は、１１００℃以下の温度領域で、Ｎ2雰囲気中で、３００℃／分以上１０００℃／分以下の昇温速度で、１．１分以上３．７分以下の時間で前記セラミック積層体を昇温させた後、１１００℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁以下の還元雰囲気中で、５℃／分以上３０℃／分以下の昇温速度で、８分以上５０分以下の時間で前記セラミック積層体を昇温させた後、１１５０℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁以下の還元雰囲気で、前記セラミック積層体を１分以上３０分以下の時間で保持すること、を特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【００１０】
また、この発明は、第１内部電極および第２内部電極にはそれぞれＮｉが含まれ、第１被覆用セラミック誘電体層および第２被覆用セラミック誘電体層にはそれぞれＭｇが含まれていること、を特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、第１内部電極の端部と第２内部電極の端部との間の短絡を防止でき、かつ、セラミック誘電体層と被覆用誘電体層との境界部分にマイクロクラックが発生し難い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１２】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す外観斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態を示す分解斜視図である。外観斜視図である。
【図５】図４に続く製造方法を示す外観斜視図である。
【図６】図５に続く製造方法を示す外観斜視図である。
【図７】図６に続く製造方法を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１．積層セラミックコンデンサ
本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施の形態について説明する。図１は積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図であり、積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの断面および積層方向Ｔの断面（以下、ＷＴ断面という）を示す。図３は図１のＢ−Ｂ断面図であり、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの断面および積層方向Ｔの断面（以下、ＬＴ断面という）を示す。
【００１５】
積層セラミックコンデンサ１は、セラミック積層体２と、セラミック積層体２の一方の端部の外表面上に形成された第１外部電極４と、セラミック積層体２の他方の端部の外表面上に形成された第２外部電極５と、セラミック積層体２の一方の側部の外表面上に形成された第１被覆用セラミック誘電体層１５と、セラミック積層体２の他方の端部の外表面上に形成された第２被覆用セラミック誘電体層１６とを備えている。
【００１６】
（１）セラミック積層体
セラミック積層体２は、第１内部電極７が表面に設けられた複数のセラミック誘電体層１０と、第２内部電極８が表面に設けられた複数のセラミック誘電体層１０と、内部電極が設けられていない第１外層用セラミック誘電体層１２および第２外層用セラミック誘電体層１３とを積層して構成されている。セラミック積層体２は、積層方向Ｔに相対する第１主面２０および第２主面２１と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１側面２２および第２側面２３と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１端面２４および第２端面２５とを有する。
【００１７】
さらに、セラミック積層体２の角部および稜線部は、丸みがつけられていることが好ましい。角部はセラミック積層体２の３面が交る部分であり、稜線部はセラミック積層体２の２面が交る部分である。
【００１８】
セラミック積層体２のサイズは、積層方向Ｔが０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、長さ方向Ｌが０．２ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、幅方向Ｗが０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。セラミック積層体２のサイズは、マイクロメータもしくは光学顕微鏡で測定される。
【００１９】
（ａ）セラミック誘電体層
セラミック積層体２を構成するセラミック誘電体層は、セラミック積層体２の積層方向Ｔに積層された複数のセラミック誘電体層１０と、積層された複数のセラミック誘電体層１０を間に挟むようにその上に配置された第１外層用セラミック誘電体層１２およびその下に配置された第２外層用セラミック誘電体層１３とを含む。
【００２０】
セラミック誘電体層１０と第１外層用セラミック誘電体層１２と第２外層用セラミック誘電体層１３との材料としては、ＢａＴｉＯ3またはＣａＴｉＯ3またはＳｒＴｉＯ3またはＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。
【００２１】
複数のセラミック誘電体層１０と第１外層用セラミック誘電体層１２と第２外層用セラミック誘電体層１３との総層数は、１００層以上９００層以下であることが好ましい。内層であるセラミック誘電体層１０の厚みは、０．５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。第１外層用セラミック誘電体層１２および第２外層用セラミック誘電体層１３の厚みは、それぞれ１５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
（ｂ）内部電極
第１内部電極７は矩形状であり、第２内部電極８に対向する対向電極部７０と、対向電極部７０からセラミック積層体２の第１端面２４に引き出された引出電極部７２とを有している。第２内部電極層８は矩形状であり、第１内部電極７に対向する対向電極部８０と、対向電極部８０からセラミック積層体２の第２端面２５に引き出された引出電極部８２とを有している。
【００２３】
図３に示すように、セラミック積層体２の長さ方向Ｌにおいて、対向電極部７０とセラミック積層体２の第２端面２５との間にはギャップＬ１が形成されている。対向電極部８０とセラミック積層体２の第１端面２４との間にはギャップＬ２が形成されている。そして、対向電極部７０と対向電極部８０とが、セラミック誘電体層１０を間に挟んで互いに対向することによって静電容量が形成されている。
【００２４】
図２に示すように、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、第１内部電極７の一方の端部７ａは、セラミック積層体２の第１側面２２に向かって延在し、端部７ａの先端は第１側面２２に露出している。第１内部電極７の他方の端部７ｂは、セラミック積層体２の第２側面２３に向かって延在し、端部７ｂの先端は第２側面２３に露出している。同様に、第２内部電極８の一方の端部８ａは、セラミック積層体２の第１側面２２に向かって延在し、端部８ａの先端は第１側面２２に露出している。第２内部電極８の他方の端部８ｂは、セラミック積層体２の第２側面２３に向かって延在し、端部８ｂの先端は第２側面２３に露出している。
【００２５】
第１内部電極７の一方の端部７ａと第２内部電極８の一方の端部８ａとは、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、積層方向Ｔに沿った相互のずれ量が５μｍ以内に抑えられている。第１内部電極７の他方の端部７ｂと第２内部電極８の他方の端部８ｂとは、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、積層方向Ｔに沿った相互のずれ量が５μｍ以内に抑えられている。
【００２６】
ここで、第１内部電極７の一方の端部７ａは、端部７ａの先端から１０μｍ以内と規定する。第２内部電極８の一方の端部８ａは、端部８ａの先端から１０μｍ以内と規定する。従って、本実施の形態の場合、セラミック積層体２の第１側面２２から内側へ１０μｍの距離Ｓ１の所までが、端部７ａおよび端部８ａの範囲となる。同様に、第１内部電極７の他方の端部７ｂは、端部７ｂの先端から１０μｍ以内と規定する。第２内部電極８の他方の端部８ｂは、端部８ｂの先端から１０μｍ以内と規定する。従って、本実施の形態の場合、セラミック積層体２の第２側面２３から内側へ１０μｍの距離Ｓ２の所までが、端部７ｂおよび端部８ｂの範囲となる。
【００２７】
第１内部電極７および第２内部電極８の材料としては、ＮｉまたはＮｉを主成分とする合金が用いられる。そして、第１内部電極７の一方の端部７ａは、この端部７ａ内で、第１内部電極７側からセラミック積層体２の第１側面２２に向かって、Ｎｉ領域７４ａからＮｉ−Ｏ領域７６ａを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａの順で金属相が配置されている。第１内部電極７の他方の端部７ｂは、この端部７ｂ内で、第１内部電極７側からセラミック積層体２の第２側面２３に向かって、Ｎｉ領域７４ｂからＮｉ−Ｏ領域７６ｂを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂの順で金属相が配置されている。同様に、第２内部電極８の一方の端部８ａは、この端部８ａ内で、第２内部電極８側からセラミック積層体２の第１側面２２に向かって、Ｎｉ領域８４ａからＮｉ−Ｏ領域８６ａを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ａの順で金属相が配置されている。第２内部電極８の他方の端部８ｂは、この端部８ｂ内で、第２内部電極８側からセラミック積層体２の第２側面２３に向かって、Ｎｉ領域８４ｂからＮｉ−Ｏ領域８６ｂを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ｂの順で金属相が配置されている。
【００２８】
積層セラミックコンデンサ１は、第１内部電極７の一方の端部７ａおよび他方の端部７ｂ、並びに、第２内部電極８の一方の端部８ａおよび他方の端部８ｂが、以上の構造からなる金属相を有しているので、一方の端部７ａと一方の端部８ａ間の絶縁性および他方の端部７ｂと他方の端部８ｂ間の絶縁性を担保できる。特に、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ａの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ｂの長さが、それぞれ０．５μｍ以上１μｍ以下であれば、一方の端部７ａと一方の端部８ａ間の絶縁性および他方の端部７ｂと他方の端部８ｂ間の絶縁性が向上する。なお、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ａの長さおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ｂの長さは、電界放出型の波長分散型Ｘ線分析装置（ＦＥ−ＷＤＸ）にて分析が可能である。また、通常の電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用することによっても、２次電子像と反射電子像の２枚から識別可能である。
【００２９】
さらに、焼成条件を制御することで金属相であるＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ａが体積膨張を調整し、セラミック誘電体層１０と第１被覆用セラミック誘電体層１５との境界部分で発生するマイクロクラックを低減することができると共に、Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂおよびＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ｂが体積膨張することによって、セラミック誘電体層１０と第２被覆用セラミック誘電体層１６との境界部分で発生するマイクロクラックを低減することができる。
【００３０】
第１内部電極７および第２内部電極８は、更にセラミック誘電体層１０と第１外層用セラミック誘電体層１２と第２外層用セラミック誘電体層１３とに含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいても良い。第１内部電極７および第２内部電極８の厚みは、それぞれ０．３μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。第１内部電極７と第２内部電極８との総数は、５０以上８５０以下であることが好ましい。
【００３１】
（２）被覆用セラミック誘電体層
第１被覆用セラミック誘電体層１５は、セラミック積層体２の第１側面２２の表面に形成され、第１側面２２に露出している第１内部電極７の一方の端部７ａの先端および第２内部電極８の一方の端部８ａの先端を被覆している。従って、図２に示すように、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、第１内部電極７の一方の端部７ａおよび第２内部電極８の一方の端部８ａは、外界との間に、第１被覆用セラミック誘電体層１５の厚み分のギャップＷ１が形成されている。従って、第１内部電極７の一方の端部７ａおよび第２内部電極８の一方の端部８ａは、第１被覆用セラミック誘電体層１５が形成するギャップＷ１によって、外界との絶縁が確保されている。
【００３２】
一方、第２被覆用セラミック誘電体層１６は、セラミック積層体２の第２側面２３の表面に形成され、第２側面２３に露出している第１内部電極７の他方の端部７ｂの先端および第２内部電極８の他方の端部８ｂの先端を被覆している。従って、セラミック積層体２の幅方向Ｗにおいて、第１内部電極７の他方の端部７ｂおよび第２内部電極８の他方の端部８ｂは、外界との間に、第２被覆用セラミック誘電体層１６の厚み分のギャップＷ２が形成されている。従って、第１内部電極７の他方の端部７ｂおよび第２内部電極８他一方の端部８ｂは、第２被覆用セラミック誘電体層１６が形成するギャップＷ２によって、外界との絶縁が確保されている。
【００３３】
また、ギャップＷ１およびギャップＷ２は、それぞれ５μｍ以上４０μｍ以下が好ましいので、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６の厚みは、それぞれ５μｍ以上４０μｍ以下になるように形成される。
【００３４】
第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６の材料として、ＢａＴｉＯ3またはＣａＴｉＯ3またはＳｒＴｉＯ3またはＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。そして、これらの主成分に、Ｍｇ化合物の副成分を添加したものを用いることが好ましい。また、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６の材料が、セラミック誘電体層１０および第１外層用セラミック誘電体層１２および第２外層用セラミック誘電体層１３の材料と同じ材料の場合、後記の焼成工程において、同一条件でこれらを焼成することができると共に、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６と、セラミック誘電体層１０および第１外層用セラミック誘電体層１２および第２外層用セラミック誘電体層１３との間の境界部分で異常な反応が生じない。
【００３５】
（３）外部電極
第１外部電極４は、セラミック積層体２の一方の端面２４の表面上に形成され、その端部はセラミック積層体２の第１主面２０および第２主面２１、並びに、第１被覆用セラミック誘電体層１５の外側表面および第２被覆用セラミック誘電体層１６の外側表面に延在している。第２外部電極５は、セラミック積層体２の他方の端面２５の表面上に形成され、その端部はセラミック積層体２の第１主面２０および第２主面２１、並びに、第１被覆用セラミック誘電体層１５の外側表面および第２被覆用セラミック誘電体層１６の外側表面に延在している。第１外部電極４は、セラミック積層体２の第１端面２４に露出している内部電極７の引出電極部７２に接合している。第２外部電極５は、セラミック積層体２の第２端面２５に露出している内部電極８の引出電極部８２に接合している。
【００３６】
第１外部電極４は、下地電極層４０と下地電極層４０上に形成されためっき層４２とを含む。第２外部電極５は、下地電極層５０と下地電極層５０上に形成されためっき層５２とを含む。
【００３７】
下地電極層４０および下地電極層５０は、焼付け層および樹脂層および薄膜層等から選択される少なくとも１つから成る。焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属は、例えばＣｕまたはＮｉまたはＡｇまたはＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金またはＡｕ等から選択される少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストをセラミック積層体２の端部に塗布して焼き付けたものである。焼付け層は、セラミック積層体２と同時焼成してもよく、セラミック積層体２を焼成した後に焼き付けてもよい。焼付け層の厚みは、最も厚い部分で１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
めっき層４２およびめっき層５２の材料としては、例えばＣｕまたはＮｉまたはＡｇまたはＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金またはＡｕ等から選択される少なくとも１つが用いられる。めっき層４２およびめっき層５２は、それぞれ複数層により形成されていてもよく、好ましくは、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地電極層４０および下地電極層５０が積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができる。Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、積層セラミックコンデンサ１の実装を容易にする。めっき層一層毎の厚みは、５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００３９】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下は前記積層セラミックコンデンサ１を量産する場合を例にして説明する。量産する場合には、複数のセラミック積層体２を含むマザーセラミック積層体として製造される。図４はマザーセラミック積層体１４０の分解斜視図である。
【００４０】
（１）マザーセラミックグリーンシートの作成工程
セラミック誘電体層１０の原料であるセラミック誘電体スラリーが、図示しないポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの支持フィルム上にシート状に成型され、マザーセラミック誘電体グリーンシート１００が作成される。第１外層用セラミック誘電体層１２の原料であるセラミック誘電体スラリーが、支持フィルム上にシート状に成型され、第１外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１２０が作成され、第２外層用セラミック誘電体層１３の原料であるセラミック誘電体スラリーが、支持フィルム上にシート状に成型され、第２外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１３０が作成される。
【００４１】
シート状に成型する方法としては、種々の方法が採用され、支持フィルムを動かしながら塗工ヘッドからセラミック誘電体スラリーを押し出してシート状に成型してもよい。マザーセラミック誘電体グリーンシート１００の厚みや第１外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１２０および第２外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１３０の厚みは、支持フィルムの移動速度およびセラミック誘電体スラリーの押し出し量により決定される。セラミック誘電体スラリーは、支持フィルムに塗布された後、雰囲気乾燥および冷凍乾燥および遠赤外線乾燥などを組み合わせて乾燥される。
【００４２】
内層となるマザーセラミック誘電体グリーンシート１００の表面には、Ｎｉを電気伝導体の主成分として含有する導電性ペーストがストライプ状にスクリーン印刷される。こうして、第１内部電極７となるべき導電性ペースト膜１０７ａおよび１０７ｂおよび１０７ｃが表面に配設されたマザーセラミック誘電体グリーンシート１００が形成され、第２内部電極８となるべき導電性ペースト膜１０８ａおよび１０８ｂおよび１０８ｃが表面に配設されたマザーセラミック誘電体グリーンシート１００が作成される。印刷方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷またはインクジェットプリンタなどの種々の方法が用いられる。
【００４３】
（２）マザーセラミック積層体の作成工程
導電性ペースト膜１０７ａおよび１０７ｂおよび１０７ｃが表面に配設された複数のマザーセラミック誘電体グリーンシート１００と導電性ペースト膜１０８ａおよび１０８ｂおよび１０８ｃが表面に配設された複数のマザーセラミック誘電体グリーンシート１００とは、支持フィルムが剥がされた後、長さ方向Ｌに相互にずらして積層される。さらに、積層された複数のマザーセラミック誘電体グリーンシート１００を間に挟むようにして、支持フィルムが剥がされた複数の第１外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１２０がその上に積層され、支持フィルムが剥がされた複数の第２外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート１３０がその下に積層される。この積層体は、静水圧プレスまたは剛体プレスにより圧着されて、図５に示すように、マザーセラミック積層体１４０が作成される。
【００４４】
（３）セラミック積層体の作成工程
マザーセラミック積層体１４０は、長さ方向Ｌに平行な複数の切断線Ｃ１に沿って、積層方向Ｔに切断されると共に、幅方向Ｗに平行な複数の切断線Ｃ２に沿って、積層方向Ｔに切断される。こうして、図６に示すように、所定のサイズに切断されたセラミック積層体２が作成される。セラミック積層体２は、第１内部電極７の幅方向Ｗの一方の端部７ａの先端および第２内部電極８の幅方向Ｗの一方の端部８ａの先端が、第１側面２２に露出している。第１内部電極７の幅方向Ｗの他方の端部７ｂの先端および第２内部電極８の幅方向Ｗの他方の端部８ｂの先端が、第２側面２３に露出している。内部電極７の引出電極部７２は、セラミック積層体２の第１端面２４に露出している。内部電極８の引出電極部８２は、セラミック積層体２の第２端面２５に露出している。
【００４５】
（４）被覆用セラミック誘電体層の形成工程
次に、図７に示すように、第１被覆用セラミック誘電体層１５が、セラミック積層体２の第１側面２２に露出している第１内部電極７の一方の端部７ａの先端および第２内部電極８の一方の端部８ａの先端を被覆するように、第１側面２２の表面に形成される。そして、第２被覆用セラミック誘電体層１６が、セラミック積層体２の第２側面２３に露出している第１内部電極７の他方の端部７ｂの先端および第２内部電極８の他方の端部８ｂの先端を被覆するように、第２側面２３の表面に形成される。第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６は、被覆用セラミック誘電体グリーンシートを貼り付ける方法、または、被覆用セラミック誘電体スラリーを塗布する方法で形成される。被覆用セラミック誘電体グリーンシートまたは被覆用セラミック誘電体スラリーは、誘電体セラミックの主成分にＭｇ化合物の副成分を添加したものが用いられ、特に、Ｍｇ量が０．０ｍｏｌ％より多く２．５ｍｏｌ％より少なく含有されるように添加されたものを用いることが好ましい。
【００４６】
（５）セラミック積層体の焼成工程
次に、セラミック積層体２は、バレル研磨されてセラミック積層体２の角部および稜線部に丸みが形成される。その後、セラミック積層体２は焼成される。焼成前のセラミック積層体２は、第１内部電極７および第２内部電極８の酸化度が０％であることが好ましい。第１内部電極７および第２内部電極８の酸化度は、磁化量測定によって測定される。より具体的には、セラミック積層体２の磁化量を測定した後、このセラミック積層体２を還元処理して再び磁化量を測定する。そして、還元処理前後の磁化量の比較によって、第１内部電極７および第２内部電極８の酸化量が測定される。
【００４７】
焼成は、先ず、１１００℃以下の温度領域で、Ｎ2ガス中に微量の空気を投入した雰囲気で、３００℃／分以上１０００℃／分以下の昇温速度で、１．１分以上３．７分以下の時間でセラミック積層体２を昇温させる。これによって、第１被覆用セラミック誘電体層１５に含まれているＯが、セラミック積層体２の第１側面２２に露出している第１内部電極７の一方の端部７ａの端面のＮｉと反応して、第１側面２２の表面から内側に向かって、第１内部電極７の一方の端部７ａの範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉＯ領域が生成して成長する。そして、第１被覆用セラミック誘電体層１５に含まれているＯが、セラミック積層体２の第１側面２２に露出している第２内部電極８の一方の端部８ａの端面のＮｉと反応して、第１側面２２の表面から内側に向かって、第２内部電極８の一方の端部８ａの範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉＯ領域が生成して成長する。
【００４８】
また、第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＯが、セラミック積層体２の第２側面２３に露出している第１内部電極７の他方の端部７ｂの端面のＮｉと反応して、セラミック積層体２の第２側面２３の表面から内側に向かって、第１内部電極７の他方の端部７ｂの範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉＯ領域が生成して成長する。そして、第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＯが、セラミック積層体２の第２側面２３に露出している第２内部電極８の他方の端部８ｂの端面のＮｉと反応して、第２側面２３の表面から内側に向かって、第２内部電極８の他方の端部８ｂの範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉＯ領域が生成して成長する。
【００４９】
次に、１１００℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁還元雰囲気で、５℃／分以上３０℃／分以下の昇温速度で、８分以上５０分以下の時間でセラミック積層体２を昇温させる。その後、１１５０℃以上１３５０℃以下の温度領域で、Ｎｉ−ＮｉＯ平衡酸素分圧より０．１桁以上２桁還元雰囲気で、１分以上３０分以下の時間でセラミック積層体２を保持する。
【００５０】
これによって、第１被覆用セラミック誘電体層１５に含まれているＭｇが、セラミック積層体２の第１側面２２に露出している第１内部電極７の一方の端部７ａの端面のＮｉＯと反応して、セラミック積層体２の第１側面２２の表面から内側に向かって、第１内部電極７の一方の端部７ａの前記ＮｉＯ領域の範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉ−Ｍｇ−Ｏ偏析領域が生成して成長する。その結果、第１内部電極７の一方の端部７ａは、この端部７ａ内で、第１内部電極７側から第１側面２２に向かって、Ｎｉ領域７４ａからＮｉ−Ｏ領域７６ａを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ａの順で金属相が配置される。
【００５１】
そして、第１被覆用セラミック誘電体層１５に含まれているＭｇが、セラミック積層体２の第１側面２２に露出している第２内部電極８の一方の端部８ａの端面のＮｉＯと反応して、セラミック積層体２の第１側面２２の表面から内側に向かって、第２内部電極８の一方の端部８ａの前記ＮｉＯ領域の範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉ−Ｍｇ−Ｏ偏析領域が生成して成長する。その結果、第２内部電極８の一方の端部８ａは、この端部８ａ内で、第２内部電極８側から第１側面２２に向かって、Ｎｉ領域８４ａからＮｉ−Ｏ領域８６ａを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ａの順で金属相が配置される。
【００５２】
また、第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＭｇが、セラミック積層体２の第２側面２３に露出している第１内部電極７の他方の端部７ｂの端面のＮｉＯと反応して、セラミック積層体２の第２側面２３の表面から内側に向かって、第１内部電極７の他方の端部７ｂの前記ＮｉＯ領域の範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉ−Ｍｇ−Ｏ偏析領域が生成して成長する。その結果、第１内部電極７の他方の端部７ｂは、この端部７ｂ内で、第１内部電極７側から第２側面２３に向かって、Ｎｉ領域７４ｂからＮｉ−Ｏ領域７６ｂを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域７８ｂの順で金属相が配置される。
【００５３】
そして、第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＭｇが、セラミック積層体２の第２側面２３に露出している第２内部電極８の他方の端部８ｂの端面のＮｉＯと反応して、セラミック積層体２の第２側面２３の表面から内側に向かって、第２内部電極８の他方の端部８ｂの前記ＮｉＯ領域の範囲内であって所定の距離までの領域にＮｉ−Ｍｇ−Ｏ偏析領域が生成して成長する。その結果、第２内部電極８の他方の端部８ｂは、この端部８ｂ内で、第２内部電極８側から第２側面２３に向かって、Ｎｉ領域８４ｂからＮｉ−Ｏ領域８６ｂを経てＮｉ−Ｍｇ−Ｏ領域８８ｂの順で金属相が配置される。
【００５４】
第１被覆用セラミック誘電体層１５に含まれているＭｇの一部が、第１内部電極７の一方の端部７ａおよび第２内部電極８の一方の端部８ａに遷移し、第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＭｇの一部が、第１内部電極７の他方の端部７ｂおよび第２内部電極８の他方の端部８ｂに遷移するため、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６に含まれているＭｇ量が低減して、第１被覆用セラミック誘電体層１５が形成するギャップＷ１および第２被覆用セラミック誘電体層１６が形成するギャップＷ２の絶縁信頼性が向上する。
【００５５】
（６）外部電極の形成工程
次に、第１外部電極４の下地電極層４０が、セラミック積層体２の一方の端部に形成され、第２外部電極５の下地電極層５０が、セラミック積層体２の他方の端部に形成される。より具体的に説明する。焼成によって、例えば、第１内部電極７が収縮し、セラミック積層体２の第１端面２４に第１内部電極７の引出電極部７２が露出していない場合は、第１外部電極４および第２外部電極を形成する前に第１端面２４が研磨されて、引出電極部７２の端面が第１端面２４に露出された状態にされる。
【００５６】
導電性ペーストがテーブル上に平面状に塗布されて、導電性ペースト層が形成される。その後、セラミック積層体２は、例えば、第１内部電極７の引出電極部７２が露出している第１端面２４が導電性ペースト層に対向するように保持される。保持方法は、弾性体によってセラミック積層体２の相対する第１側面２２と第２側面２３とが挟持されてもよいし、セラミック積層体２の他方の第２端面２５が粘着剤を利用して保持板に保持されてもよい。セラミック積層体２の端部が導電性ペーストに浸漬され、第１端面２４が導電性ペーストで覆われる。なお、導電性ペーストで覆われた第１端面２４は、導電性ペースト層が形成されていない平板に押し付けられることによって、第１端面２４を覆った導電性ペーストの余剰分が取り除かれてもよい。また、セラミック積層体２の端部は、複数回、導電性ペースト層に浸漬されてもよい。また、導電性ペーストが過剰に濡れ上がる場合、セラミック積層体２に導電性ペーストをはじくような処理が予め施され、過剰な濡れ上がりが防止される。同様にして、セラミック積層体２の他方の第２端面２５が、導電性ペーストで覆われる。
【００５７】
導電性ペーストが両端部にそれぞれ付着されたセラミック積層体２は、乾燥された後、７００℃以上９５０℃以下の温度で、導電性ペーストがセラミック積層体２の表面に焼付けられる。こうして、セラミック積層体２の第１端面２４を覆う下地電極層４０が形成され、第２端面２５を覆う下地電極層５０が形成される。
【００５８】
次に、下地電極層４０の表面にめっき層４２が形成され、下地電極層５０の表面にめっき層５２が形成される。より具体的には、めっき浴槽に満たされためっき液内で、カソード電極とアノード電極の間にめっき電圧を印加し、セラミック積層体２に形成された下地電極層４０および下地電極層５０にカソード電極が接触するようにした状態で通電することによって、下地電極層４０の表面にめっき層４２が析出されると共に、下地電極層５０の表面にめっき層５２が析出される。なお、めっき浴内にセラミック積層体２と共に導電メディアを入れて、導電メディアを介してセラミック積層体２の下地電極層４０および下地電極層５０に通電させてもよい。導通させる方法としては、種々の方法があり、例えば、振動によりセラミック積層体２と導電メディアとを攪拌することでめっきする振動めっき法、または、バレル内に入れられた導電メディアとセラミック積層体２とを回転攪拌させながらめっきする回転バレルめっき法、または、バレルの遠心力によりセラミック積層体２を攪拌してめっきする遠心めっき法などがある。
【００５９】
なお、この発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
（実験例）
【００６０】
１．評価試料の作成
積層セラミックコンデンサ１が、前述の製造方法を使用して、以下の条件に基づいて作成された。
（ａ）設計条件
・セラミック積層体２のサイズ：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・セラミック誘電体層１０の材料：ＢａＴｉＯ3を主成分とするセラミック誘電体
・被覆用セラミック誘電体グリーンシートの材料：セラミック誘電体層１０のセラミック誘電体と同じ組成系で、Ｍｇ量をＴｉ１００に対して表１に示すように変化させて５種類の積層セラミックコンデンサ１を作成した。
・セラミック誘電体層１０の厚み：１．０μｍ
・第１内部電極７および第２内部電極８の材料：Ｎｉ
・第１内部電極７および第２内部電極８の厚み：０．６μｍ
・第１外部電極４および第２外部電極５の材料：Ｃｕ
・第１外部電極４および第２外部電極５の厚み：４０μｍ
【００６１】
（ｂ）製造条件
・セラミック積層体２の焼成温度：最高温度が１１８５℃で、焼成炉の入口から出口までの時間が２０分の焼成
・セラミック積層体２の焼成雰囲気：還元雰囲気
・第１外部電極４および第２外部電極５の焼付け温度：最高温度が８５０℃で、焼付け炉の入口から出口までの時間が１時間の焼付け
・第１外部電極４および第２外部電極５の焼付け雰囲気：還元雰囲気
【００６２】
２．評価項目および評価方法
（ａ）構造欠陥
セラミック積層体２の中心を通るＷＴ断面が研磨によって露出された後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察され、マイクロクラックの有無が確認された。１つでもマイクロクラックがあった場合は×とし、１つもマイクロクラックが無かった場合は○とした。試料数は３個である。
【００６３】
（ｂ）信頼性
超加速限界（ＨＡＬＴ）試験を１５０℃の温度域で１６Ｖの電圧により抵抗値を歪ブルプロットから信頼性が評価された。１つでも信頼性の劣化があった場合は×とし、１つも信頼性の劣化が無かった場合は○とした。試料数は１８個である。
【００６４】
３．評価結果
表１に示すように、全ての評価試料において、マイクロクラックの発生が抑制されていることが認められた。また、評価試料番号Ｎｏ．１の積層セラミックコンデンサ１の場合、セラミック誘電体グリーンシートのＭｇ量が０．０ｍｏｌ％であったので、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６の焼結不足が起こり、信頼性の低下が認められた。さらに、評価試料番号Ｎｏ．５の積層セラミックコンデンサ１の場合、被覆用セラミック誘電体グリーンシートのＭｇ量が２．５ｍｏｌ％であったので、絶縁抵抗（ＩＲ）劣化が認められた。従って、第１被覆用セラミック誘電体層１５および第２被覆用セラミック誘電体層１６の材料である被覆用セラミック誘電体グリーンシートとして、Ｍｇ量が０．０ｍｏｌ％より多く２．５ｍｏｌ％より少なく含有されているＭｇ化合物の副成分を添加したシートを用いることが好ましいことが認められた。
【００６５】
【表１】
2017204560.tif 000003
【００６６】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００６７】
１  積層セラミックコンデンサ
２  セラミック積層体
４  第１外部電極
５  第２外部電極
７  第１内部電極
７ａ  幅方向の第１内部電極の一方の端部
７ｂ  幅方向の第１内部電極の他方の端部
８  第２内部電極
８ａ  幅方向の第２内部電極の一方の端部
８ｂ  幅方向の第２内部電極の他方の端部
１０  セラミック誘電体層
１２，１３  外層用セラミック誘電体層
１５  第１被覆用セラミック誘電体層
１６  第２被覆用セラミック誘電体層
２０  第１主面
２１  第２主面
２２  第１側面
２３  第２側面
２４  第１端面
２５  第２端面
４０，５０  下地電極層
４２，５２  めっき層
７０，８０  対向電極部
７２，８２  引出電極部
７４ａ，７４ｂ，８４ａ，８４ｂ  Ｎｉ領域
７６ａ，７６ｂ，８６ａ，８６ｂ  Ｎｉ−Ｏ領域
７８ａ，７８ｂ，８８ａ，８８ｂ  Ｎｉ−Ｍｇ−Ｏ領域
１００  マザーセラミック誘電体グリーンシート
１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ  導電性ペースト膜
１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ  導電性ペースト膜
１２０  第１外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート
１３０  第２外層用マザーセラミック誘電体グリーンシート
１４０  マザーセラミック積層体
Ｌ  長さ方向
Ｔ  積層方向
Ｗ  幅方向
Ｌ１，Ｌ２  長さ方向のギャップ
Ｗ１，Ｗ２  幅方向のギャップ
Ｃ１  長さ方向Ｌに平行な切断線
Ｃ２  幅方向Ｗに平行な切断線
【図１】
2017204560.tif 000004
【図２】
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【図３】
2017204560.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017204560.tif 000010