(57)【要約】【課題】製造工程の負荷を軽減しつつ、端子に傷が生じることを防止する膜を歩留り良く形成された画像表示装置及び画像表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置であって、前記端子領域に形成された端子配線と、前記画素に形成された画素配線と、前記端子領域において、前記端子配線の上層に形成されるとともに、前記表示領域において前記画素配線の上層に形成される絶縁膜と、前記端子領域において、前記絶縁膜の上層に形成される防止膜と、を有し、前記端子配線は、前記端子領域の電気的接続領域において露出している、ことを特徴とする。【選択図】図３
2017152231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置であって、
前記端子領域に形成された端子配線と、
前記画素に形成された画素配線と、
前記端子領域において、前記端子配線の上層に形成されるとともに、前記表示領域において前記画素配線の上層に形成される絶縁膜と、
前記端子領域において、前記絶縁膜の上層に形成される防止膜と、
を有し、
前記端子配線は、前記端子領域の電気的接続領域において露出している、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素において、さらに、前記絶縁膜の上層に形成された陽極電極を有し、
前記絶縁膜は、前記陽極電極と前記画素配線の間に静電容量を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、窒化ケイ素によって形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記防止膜は、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムによって形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示装置は、さらに、
前記画素において、前記陽極電極の上層に形成される自発光素子膜と、
前記自発光素子膜の上層に形成され、前記陽極電極との間に電圧を印加することで前記自発光素子膜を発光させる陰極電極と、
前記陰極電極の上層に、表示領域全体を覆うように形成される封止膜と、
を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置の製造方法であって、
前記端子領域に端子配線を形成する工程と、
前記画素に画素配線を形成する工程と、
前記端子領域の電気的接続領域を除く領域に、前記画素配線の上層に絶縁膜、及び、該絶縁膜の上層に防止膜を形成する工程と、
前記表示領域及び前記端子領域の全面を覆うように封止膜を形成する工程と、
前記端子領域に形成された前記封止膜をエッチングし、前記電気的接続領域において、前記端子配線を露出させる工程と、
を含み、
前記封止膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記防止膜は、前記絶縁膜にプラズマ処理を行い、前記絶縁膜の表面を酸化させることによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜及び前記防止膜を形成する工程は、
前記端子領域を覆うように、前記絶縁膜を形成する工程と、
前記電気的接続領域に形成された前記絶縁膜をエッチングし、前記端子配線を露出させる工程と、
前記電気的接続領域を除く領域において、前記絶縁膜の上層に前記防止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表示装置の製造方法は、さらに、前記画素において陽極電極を形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、前記絶縁膜は、前記端子領域を覆うように形成されるとともに、前記表示領域において、前記画素配線の上層に形成されることで前記画素配線と前記陽極電極との間で静電容量を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro-luminescent）素子を用いた有機ＥＬ表示装置や、液晶表示装置等の表示装置が実用化されている。ここで、有機ＥＬ表示装置においては、外部の水分子に触れると有機ＥＬ素子が劣化してしまうため、有機ＥＬ素子を封止膜で覆う構成が一般的である。当該封止膜は、有機ＥＬ素子全体を覆う為に、アレイ基板全体に形成されることから、アレイ基板と対向基板を貼り合せた後に端子配線上の封止膜をエッチング除去する端子出しという工程が必要となる。
【０００３】
例えば、特許文献１は、表示部および端子を覆うように封止膜として、ＳｉＮ（窒化ケイ素）を形成した後、当該ＳｉＮを反応性イオンエッチング法によりエッチング除去し、端子を露出させた上で、端子とディスプレイ駆動用ＩＣを接続させる点を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２０５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記先行技術文献のように、端子配線にはＣＯＧ（Chip On Glass）やＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等が接続されることから、端子配線の表面に物理的な傷等が存在する場合、端子配線とＣＯＧ等との間に接続不良が生じるおそれがある。そこで、端子配線を形成後、ＣＯＧ等との接続が行われるまでの間、端子配線の表面を傷に対する耐性の高い材料で覆うことが考えられる。ここで、アレイ基板の画素を形成する際に用いられる一部の膜と端子を保護する膜を同じ工程で形成した場合、製造工程における負荷の増加を抑えることが出来る。
【０００６】
しかしながら、画素を形成する際に用いられる膜は、上記画素と水分子の接触を防止するために設けられる封止膜よりも薄く形成されることが一般的である。そのため、封止膜を除去する際（すなわち端子出し工程時に）、端子を覆う膜もオーバーエッチングなどの処理の影響で除去されてしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、製造工程の負荷を軽減しつつ、端子に傷が生じることを防止する膜を歩留り良く形成された画像表示装置及び画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置であって、前記端子領域に形成された端子配線と、前記画素に形成された画素配線と、前記端子領域において、前記端子配線の上層に形成されるとともに、前記表示領域において前記画素配線の上層に形成される絶縁膜と、前記端子領域において、前記絶縁膜の上層に形成される防止膜と、を有し、前記端子配線は、前記端子領域の電気的接続領域において露出している、ことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の他の一態様は、複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置の製造方法であって、前記端子領域に端子配線を形成する工程と、前記画素に画素配線を形成する工程と、前記端子領域の電気的接続領域を除く領域に、前記画素配線の上層に絶縁膜、及び、該絶縁膜の上層に防止膜を形成する工程と、前記表示領域及び前記端子領域の全面を覆うように封止膜を形成する工程と、前記端子領域に形成された前記封止膜をエッチングし、前記電気的接続領域において、前記端子配線を露出させる工程と、を含み、前記封止膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】有機ＥＬパネルを表示する側から見た構成を示す図である。
【図３】有機ＥＬパネルの表示領域から端子領域にかけての断面について説明するための図である。
【図４】有機ＥＬパネルの端子領域における断面について説明するための図である。
【図５】有機ＥＬパネルの製造工程について説明するための図である。
【図６】有機ＥＬパネルの製造工程について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００を含むように構成されている。
【００１３】
図２は、図１の有機ＥＬパネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、有機ＥＬパネル２００は、アレイ基板２０２と、対向基板２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。また、有機ＥＬパネル２００は、複数の画素２０８によって構成された表示領域２１０と、該表示領域２１０の外側に設けられた端子領域２１２とを備える。端子領域２１２は、有機ＥＬパネル２００の外部から表示領域２１０に形成された画素２０８に信号等を供給するための配線や端子が設けられる領域であって、端子配線３０８（図３参照）が露出した電気的接続領域を有する。電気的接続領域は、駆動ＩＣ２０６と電気的に接続する為の駆動ＩＣ接続領域２１４と、ＦＰＣ（図示なし）と電気的に接続する為のＦＰＣ接続領域２１６が含まれる。アレイ基板２０２は、後述する防止膜３２２、封止膜３２４等が配置され、充填剤３３２及びシール剤３３４によって対向基板２０４と接着される。
【００１４】
駆動ＩＣ２０６は、例えば、１画素２０８を構成する複数の副画素のそれぞれに対応して配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素２０８の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０６によって、有機ＥＬパネル２００は、複数色からなる複数の副画素によって構成されるカラー画像を、表示領域２１０に表示する。
【００１５】
図３は、有機ＥＬパネル２００の表示領域２１０から端子領域２１２にかけての断面について概略的に示す図の一例であり、図２におけるIII−III断面を示す図である。図３に示すように、アレイ基板２０２は、下ガラス基板３００と、下ガラス基板３００上に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路層３０２と、ゲート配線３０４と、層間絶縁膜３０６と、端子配線３０８と、画素配線３１０と、絶縁膜３１２と、陽極電極３１４と、リブ３１６と、自発光素子膜３１８と、陰極電極３２０と、防止膜３２２と、封止膜３２４と、を含んで構成される。対向基板２０４は、上ガラス基板３２６と、カラーフィルタ３２８と、遮光膜３３０とを含んで構成される。また、アレイ基板２０２と対向基板２０４は、２つの基板の間に設けられる充填剤３３２及びシール剤３３４によって貼り合わされる。
【００１６】
ＴＦＴ回路層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極や半導体層等を含んで構成される画素トランジスタを有する。ソース電極またはドレイン電極の一方は、陽極電極３１４と電気的に接続される。
【００１７】
ゲート配線３０４は、端子領域２１２において、下ガラス基板３００上にＡｌ等の材料で形成される。ゲート配線３０４は、アレイ基板２０２と接続されたＣＯＧやＦＰＣから入力された信号を、表示領域２１０に送信する。なお、図３の断面図においては、ゲート配線３０４が記載されているが、異なる位置における断面図の場合、図３におけるゲート配線３０４が記載された箇所に、電源配線などの他の配線が形成される。
【００１８】
層間絶縁膜３０６は、表示領域２１０においてＴＦＴ回路層３０２を覆うように形成され、陽極電極３１４とＴＦＴ回路層３０２に含まれる電極とのショートを防止するとともに、下層側に配置された配線や画素トランジスタによる段差を平坦化する。具体的には、層間絶縁膜３０６は、窒化ケイ素と酸化ケイ素が積層されて形成される。
【００１９】
端子配線３０８は、端子領域２１２に形成される。具体的には、例えば、端子配線３０８は、端子領域２１２において、ゲート配線３０４の上層に形成され、端子領域２１２の電気的接続領域において露出するように形成される。端子配線３０８を介して、アレイ基板２０２と接続されたＣＯＧやＦＰＣとゲート配線３０４は電気的に接続される。端子配線３０８は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉ及びＩＴＯが積層されて形成される。
【００２０】
画素配線３１０は、画素２０８に形成される。具体的には、例えば、画素配線３１０は、画素２０８において層間絶縁膜３０６の上層に形成され、陽極電極３１４の電位を維持する為の静電容量を形成する電極の一部として形成される。
【００２１】
絶縁膜３１２は、端子領域２１２において、端子配線３０８の上層に形成されるとともに、表示領域２１０において画素配線３１０の上層に形成される。具体的には、絶縁膜３１２は、端子領域２１２においては、端子配線３０８の上層に形成されて端子配線３０８を保護するとともに、表示領域２１０においては、画素配線３１０と陽極電極３１４の間に設けられ、静電容量を形成する。
【００２２】
ここで、絶縁膜３１２は、ひっかき傷等の物理的な傷から端子配線３０８を保護する為に、ヤング率の高い材料を用いることが望ましい。また、図３においては、絶縁膜３１２が端子配線３０８を保護する構成を記載しているが、製造工程における負荷を軽減する観点から、表示領域に積層されている他の層が端子配線３０８を保護する構成としてもよい。さらに、詳細については後述するが、絶縁膜３１２は、防止膜３２２に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁膜３１２は、窒化ケイ素によって形成されることが望ましい。
【００２３】
陽極電極３１４は、絶縁膜３１２の上層に形成される。陽極電極３１４は、表示領域２１０において、層間絶縁膜３０６のコンタクトホールを介して、画素トランジスタのソース又はドレイン電極と電気的に接続されるように形成される。具体的には、例えば、陽極電極３１４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）、Ａｇ、ＩＴＯを積層して形成される。
【００２４】
リブ３１６は、表示領域２１０において、陽極電極３１４のそれぞれの周縁部を覆うように形成される。具体的には、例えば、図３のように、リブ３１６は、表示領域２１０において、層間絶縁膜３０６に設けられたスルーホールに形成された陽極電極３１４の上方に樹脂材料で形成される。当該リブ３１６によって、陽極電極３１４と陰極電極３２０のショートを防止することができる。
【００２５】
自発光素子膜３１８は、陽極電極３１４の上層に形成される。具体的には、自発光素子膜３１８は、表示領域２１０において、陽極電極３１４及びリブ３１６の上層側に形成される。また、自発光素子膜３１８は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、及び、電子輸送層が積層されることによって形成される。発光層は、陽極電極３１４から注入されたホールと、陰極電極３２０から注入された電子とが再結合することにより発光する。ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層については従来技術と同様である為説明を省略する。なお、本実施例では、発光層は、白色の光を発光する材料を用いて形成されるが、赤色、緑色、及び、青色の光を発光する材料を用いて形成されてもよい。
【００２６】
陰極電極３２０は、自発光素子膜３１８の上層に形成され、陽極電極３１４との間に電圧を印加することで自発光素子膜３１８を発光させる。具体的には、例えば、陰極電極３２０は、ＩＴＯやＩＺＯ等の金属を含んで構成される透過性を有する金属薄膜で形成される。
【００２７】
防止膜３２２は、端子領域２１２において、絶縁膜３１２の上層に形成される。具体的には、防止膜３２２は、端子領域２１２の電気的接続領域を除く領域において、絶縁膜３１２の上層に形成される。封止膜３２４と絶縁膜３１２に用いられる材料のエッチング選択比が高くない場合、端子配線３０８を露出させる工程において、オーバーエッチングによって、絶縁膜３１２が、封止膜３２４とともに除去されてしまうおそれがあるが、防止膜３２２を設けることによって絶縁膜３１２が除去されてしまう事態を防止することができる。その為、防止膜３２２は、絶縁膜３１２に対するエッチングの選択比が低い材料で形成されることが望ましい。具体的には、例えば、防止膜３２２は、ＳｉＯｘ（酸化ケイ素）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化ケイ素）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）、ＡｌｘＯｙＮｚ（酸窒化アルミニウム）等によって形成されることが望ましい。
【００２８】
封止膜３２４は、陰極電極３２０の上層に、表示領域２１０全体を覆うように形成される。具体的には、図３に示すように、封止膜３２４は、表示領域２１０において、陰極電極３２０、リブ３１６及び絶縁膜３１２を覆うように形成される。陰極電極３２０を封止膜３２４で覆うことにより、陰極電極３２０の下層に形成された自発光素子膜３１８と水分子の化学反応が生じる事態を防止することができる。封止膜３２４は、例えば、ＳｉＮを用いて形成される。
【００２９】
カラーフィルタ３２８は、は、特定の波長の光のみを透過する材料で形成される。例えば、カラーフィルタは、赤色の光を選択的に透過する赤色カラーフィルタ、緑色の光を選択的に透過する緑色カラーフィルタ、及び、青色の光を選択的に透過する青色カラーフィルタを含んで構成される。なお、発光層を、赤色、緑色及び青色の光を発光する材料で形成する場合には、カラーフィルタ３２８を設けない構成としてもよい。
【００３０】
遮光膜３３０は、光を遮断する材料で形成される。具体的には、例えば、図３に示すように、遮光層は、表示領域２１０におけるカラーフィルタ３２８の間及び上ガラス基板３２６の額縁周辺に形成される。遮光層によって、隣り合う副画素から発光された光が混ざって混色が生じる事態を防止する。
【００３１】
充填剤３３２は、アレイ基板２０２と対向基板２０４の間に配置される。具体的には、充填剤３３２は、有機系剤料からなり、アレイ基板２０２と対向基板２０４の間を充填するように配置されることでアレイ基板２０２と対向基板２０４を接着する。シール剤３３４は、充填剤３３２の周囲に配置され、アレイ基板２０２と対向基板２０４を接着する。
【００３２】
続いて、有機ＥＬパネル２００の電気的接続領域の断面について説明する。図４は、図２におけるIV−IV断面を示す図である。図４に示すように、IV−IV断面において、有機ＥＬパネル２００は、下ガラス基板３００と、ゲート配線３０４と、層間絶縁膜３０６と、端子配線３０８と、絶縁膜３１２と、防止膜３２２と、を含んで形成される。
【００３３】
ゲート配線３０４は、III−III断面と同様に、下ガラス基板３００上に形成される。なお、図３においては、３本のゲート配線３０４が、記載されている。層間絶縁膜は、各ゲート配線３０４の端部を覆うように形成される。端子配線３０８は、ゲート配線３０４の層間絶縁膜３０６が形成されていない領域及び層間絶縁膜３０６の端部の上層に形成される。絶縁膜３１２及び防止膜３２２は、端子配線３０８の端部及び層間絶縁膜３０６の上層に形成される。上記のように、電気的接続領域におけるIV−IV断面においては、端子配線３０８が、絶縁膜３１２及び防止膜３２２から露出し、ＣＯＧ及びＦＰＣと電気的に接続される。なお、層間絶縁膜３０６は、例えばＳｉＮとＳｉＯが積層されて形成され、端子配線３０８は、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｔｉ及びＩＴＯが積層されて形成されるが、図４においては省略して記載している。
【００３４】
上記のように、本発明の構成によれば、防止膜３２２を設けることによって、端子出し工程におけるオーバーエッチングによって、封止膜３２４とともに絶縁膜３１２が除去されてしまうことを防止することができる。
【００３５】
続いて、本発明における表示装置１００の製造工程について説明する。図５及び図６は、本発明の実施形態における、製造工程を表す図である。まず、図５（ａ）に示すように、下ガラス基板３００上に、表示領域２１０においてＴＦＴ回路層３０２を形成し、端子領域２１２においてゲート配線３０４を形成する。続いて、端子領域２１２から表示領域２１０の端部にかけて、ゲート配線３０４の上層に端子配線３０８を形成する。また、表示領域２１０において、ＴＦＴ回路層３０２を覆うように層間絶縁膜３０６を形成した上で、層間絶縁膜３０６には、画素トランジスタに含まれるソース電極又はドレイン電極と陽極電極３１４を接続するためのスルーホールが設けられる。
【００３６】
さらに、層間絶縁膜３０６の上層に画素配線３１０が形成された後、絶縁膜が、表示領域２１０における層間絶縁膜３０６及び画素配線３１０の上層から、端子領域２１２における端子配線３０８の上層にかけて形成される。具体的には、例えば、絶縁膜３１２は、ＳｉＮを用いて、２００ｎｍの厚みで形成される。
【００３７】
ここで、端子配線３０８が絶縁膜３１２によって覆われることにより、端子配線３０８を露出させる工程までの間、端子配線３０８は絶縁膜３１２によって保護される。当該絶縁膜３１２を形成する工程において、絶縁膜３１２は、端子配線３０８を保護する為に、端子領域２１２を覆うように形成されるとともに、表示領域２１０において、静電容量を形成するために、画素配線３１０の上層に形成される。画素配線３１０と陽極電極３１４との間で静電容量を形成するため層と、端子配線３０８を保護する層とが、共通の工程で形成されることにより、製造工程の負荷が軽減される。
【００３８】
続いて、図５（ｂ）に示すように、表示領域２１０において、陽極電極３１４、リブ３１６、自発光素子膜３１８、及び、陰極電極３２０を順次形成する。当該工程は、従来技術と同様である為、詳細な説明は省略する。
【００３９】
そして、図５（ｃ）に示すように、電気的接続領域に形成された絶縁膜３１２をエッチングし、端子配線を露出させる。そして、同じ電気的接続領域を除く領域において、絶縁膜の上層に絶縁膜３１２の上層に防止膜３２２を形成する。具体的には、例えば、防止膜３２２は、スパッタやＣＶＤ等の方法により、ＳｉＯを用いて、５乃至５０ｎｍの厚み、好ましくは５乃至１０ｎｍの厚みで形成される。
【００４０】
ここで、防止膜３２２は、端子領域２１２を覆うように積層させた後で、フォトリソグラフィによって、電気的接続領域を除く領域に積層された防止膜３２２を除去することによって形成してもよいし、ハードマスクを用いて、電気的接続領域を除く領域にのみ積層することによって形成してもよい。
【００４１】
なお、電気的接続領域に形成された絶縁膜３１２を除去する工程、及び、電気的接続領域を除く領域に防止膜３２２を形成する工程は、陽極電極３１４、リブ３１６、自発光素子膜３１８、及び、陰極電極３２０を順次形成する工程の途中又は前であってもよい。端子配線３０８を露出させる工程の後、封止膜３２４を形成する工程までの間、電気的接続領域における端子配線３０８は露出しており、ひっかき傷等が生じる可能性があることから、封止膜３２４を形成する工程の直前に絶縁膜３１２を除去することが望ましい。
【００４２】
また、防止膜３２２は、絶縁膜３１２にプラズマ処理を行い、絶縁膜３１２の表面を酸化させることによって形成するようにしてもよい。具体的には、例えば、防止膜３２２は、ＳｉＮで形成された絶縁膜３１２に対して、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより、絶縁膜の一部をＳｉＯに酸化させることによって形成してもよい。なお、プラズマ処理を用いて防止膜３２２を形成する場合には、端子配線３０８が酸化することを防止するため、電気的接続領域に形成された絶縁膜３１２を除去する前にプラズマ処理を行うことが望ましい。この場合、プラズマ処理後、電気的接続領域に形成された防止膜３２２と絶縁膜３１２をともに除去する。
【００４３】
続いて、図６（ａ）に示すように、アレイ基板２０２の表示領域２１０及び端子領域２１２の全面を覆うように封止膜３２４を形成する。封止膜３２４によって、表示領域２１０に形成された自発光素子膜３１８や、電気的接続領域で露出された端子配線３０８が保護される。
【００４４】
続いて、図６（ｂ）に示すように、アレイ基板２０２に対して、シール剤３３４及び充填剤３３２が滴下される。具体的には、例えば、ディスペンサーを用いて、表示領域２１０を囲うようにシール剤３３４が滴下を滴下するとともに、表示領域２１０には、一定間隔毎に、充填剤３３２を滴下する。そして、シール剤３３４及び充填剤３３２が滴下されたアレイ基板２０２とカラーフィルタ３２８及び遮光膜３３０が形成された対向基板２０４とを貼り合せる。ここで、対向基板２０４の製造方法は従来技術と同様である為説明を省略する。
【００４５】
そして、図６（ｃ）に示すように、端子領域２１２に形成された封止膜３２４をエッチングし、電気的接続領域において、端子配線３０８を露出させる端子出し工程を行う。具体的には、例えば、フッ素系ガス(ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４など)および酸素ガスの混合ガスを利用して、ドライエッチングを行うことによって、端子領域２１２の形成された封止膜３２４を除去する。ここで、対向基板２０４をハードマスクとしてドライエッチングを行うことにより、フォトリソグラフィ等のパターンを形成する工程を省略することができる。
【００４６】
さらに、端子領域２１２の電気的接続領域を除く領域に形成された防止膜３２２によって、電気的接続領域を除く領域に形成された絶縁膜３１２が端子出し工程において、封止膜３２４とともに除去されてしまう事態を防止することができる。そのため、防止膜３２２が端子出し工程において除去されてしまわないように、封止膜３２４は、防止膜３２２に対するエッチングの選択比が高い材料で形成され、かつ、絶縁膜３１２は、前記防止膜３２２に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることが望ましい。
【００４７】
以上の工程により、端子出し工程の際、防止膜３２２がエッチストッパとして機能することによって、封止膜３２４とともに絶縁膜３１２が除去されてしまうことが防止された有機ＥＬパネル２００が完成する。
【００４８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  有機ＥＬパネル、２０２  アレイ基板、２０４  対向基板、２０６  駆動ＩＣ、２０８  画素、２１０  表示領域、２１２  端子領域、２１４  駆動ＩＣ接続領域、２１６  ＦＰＣ接続領域、３００  下ガラス基板、３０２  ＴＦＴ回路層、３０４  ゲート配線、３０６  層間絶縁膜、３０８  端子配線、３１０  画素配線、３１２  絶縁膜、３１４  陽極電極、３１６  リブ、３１８  自発光素子膜、３２０  陰極電極、３２２  防止膜、３２４  封止膜、３２６  上ガラス基板、３２８  カラーフィルタ、３３０  遮光膜、３３２  充填剤、３３４  シール剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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