(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱により完全に硬化しても、封止工程での基板の凹凸埋込み性に優れた接着剤層を備える接着フィルムを提供する。【解決手段】エポキシ樹脂と、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体とを含む接着剤組成物からなり、チップを多段積層する際に基板凹凸を埋込む最下段の接着フィルムの厚みが３〜２３μｍであり、ワイヤを埋込む２段目以降の接着フィルムの厚みが４２〜６２μｍで、接着フィルムの硬化後の１７５℃での貯蔵弾性率が１〜３１ＭＰａである。2017045934.tif 000007【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体とを含む接着剤組成物からなる接着フィルムを用い、チップを多段積層する際に基板凹凸を埋込む最下段の接着フィルムの厚みが３〜２３μｍであり、ワイヤを埋込む２段目以降の接着フィルムの厚みが４２〜６２μｍで、接着フィルムの硬化後の１７５℃での貯蔵弾性率が１〜３１ＭＰａであり、前記（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤が、下記一般式（１）で表されるフェノール樹脂を含有する接着フィルム。
【化１】
2017045934.tif 000006
（一般式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
【請求項２】
前記（ｃ）成分のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が、−５０〜３０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつ、エポキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を０．５〜３．０質量％含み、重量平均分子量が１０万以上の共重合体である請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記（ａ）エポキシ樹脂と前記（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の総計の質量Ａと、前記（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量Ｂとの比率Ａ／Ｂが、０．１〜４．１である請求項１又は請求項２に記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記接着剤組成物が、さらに、（ｄ）平均粒子径が０．００５〜０．５μｍである無機フィラーを（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の総計１００体積部に対して１〜５０体積部含む、請求１〜３のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項５】
接着フィルムの８０℃での溶融粘度が、５００〜１００００Ｐａ・ｓである請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用配線基板との接合には、銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される配線基板にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。銀ペーストを用いた接合では、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着層の膜厚の制御困難性、接着層のボイド発生等により上記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、半導体素子と半導体素子搭載用配線基板との接合に、フィルム状の接着剤（接着フィルム）が使用されるようになってきている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
一般に、実装基板作製プロセスは、下記のように行われる。まず、接着フィルムをダイシングテープと貼り合わせた後、接着フィルムのもう片面を半導体ウェハの裏面に貼付ける。その後、ダイシング工程にて接着フィルムが貼付された半導体ウェハを接着フィルム付き半導体素子に個片化する。次に、ダイボンディング工程にて個片化した接着フィルム付き半導体素子をピックアップし、配線基板に接合する。次いで、配線基板に接合した半導体素子が搬送中に剥がれたり、取れたりすることを防ぐために、オーブンにて短時間硬化を行う。その後、ワイヤボンディング工程、封止工程、封止材硬化工程及び半田ボール付けを行うリフロー工程を経ることで、実装基板が得られる。
【０００４】
半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板に最も重要な特性の一つとして、信頼性がある。製造される半導体装置の信頼性向上のため、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を考慮したフィルム状接着剤の開発も行われている。このようなフィルム状接着剤として、例えば、特許文献３には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体を含む接着フィルムが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−１９２１７８号公報
【特許文献２】特開平４−２３４４７２号公報
【特許文献３】特開２００２−２２０５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、配線基板に接着フィルム付き半導体素子を多段に積層させることで実装基板の高容量化が進んでおり、半導体素子を多段に積層するためにダイボンディング工程とワイヤボンディング工程とが繰り返し行われている。ダイボンディング工程にて配線基板上面に貼り付けた接着フィルムは、ワイヤボンディング工程を経た後、封止工程での高い温度と圧力によって、配線基板上面の凹凸を埋め込む必要がある。しかし、従来の接着フィルムでは、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程での繰り返し加熱により接着フィルムの硬化が進み高弾性化していまい、封止工程で配線基板上の凹凸を埋め込むことが困難となり、結果として実装基板の信頼性を低下させることがある。
【０００７】
そのため、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程での加熱後、硬化しても弾性率が低い接着フィルムが求められている。
【０００８】
そこで、本発明は、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱により硬化しても、封止工程での凹凸埋込み性に十分に優れる接着剤層を備える接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体とを含む接着剤組成物からなる接着フィルムを用い、チップを多段積層する際に基板凹凸を埋込む最下段の接着フィルムの厚みが３〜２３μｍであり、ワイヤを埋込む２段目以降の接着フィルムの厚みが４２〜６２μｍで、接着フィルムの硬化後の１７５℃での貯蔵弾性率が１〜３１ＭＰａであり、前記（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤が、下記一般式（１）で表されるフェノール樹脂を含有する接着フィルムを提供する。
【００１０】
【化１】
2017045934.tif 000002
（一般式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
【００１１】
本発明の接着フィルムは、（ａ）エポキシ樹脂及び（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体と、（ｂ）一般式（１）で表される特定の構造を有するフェノール樹脂とを含む接着剤組成物から形成された接着剤層を備えることで、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱による硬化の影響を受け難く、封止工程での凹凸埋込み性に十分に優れるものとなる。
【００１２】
本発明の接着フィルムは、前記（ｃ）成分のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が、−５０〜３０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつ、エポキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を０．５〜３．０質量％含み、重量平均分子量が１０万以上の共重合体であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の接着フィルムは、前記（ａ）エポキシ樹脂と前記（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の総計の質量Ａと、前記（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量Ｂとの比率Ａ／Ｂが、０．１〜４．１であると好ましい。
【００１４】
また、本発明の接着フィルムは、前記接着剤組成物が、さらに、（ｄ）平均粒子径が０．００５〜０．５μｍである無機フィラーを（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の総計１００体積部に対して１〜５０体積部含むと好ましい。
また、本発明の接着フィルムは、接着フィルムの８０℃での溶融粘度が、５００〜１００００Ｐａ・ｓであると好ましい。
本発明の接着フィルムは、接着剤組成物が無機フィラーを更に含むことや溶融粘度をその範囲とすることで、埋込み性及び絶縁性に十分に優れ、作製される半導体装置の信頼性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱による硬化の影響を受け難く、封止工程での凹凸埋込み性に十分に優れる接着剤層を備える接着フィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の接着フィルムの好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図における寸法比は、説明のため誇張している部分があり、必ずしも実際の寸法比とは一致しない。
【００１８】
図１は、本発明の接着フィルムの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示した接着フィルム１は、基材フィルム２０と、基材フィルム２０上に設けられた接着剤層１０と、で構成される。接着剤層１０は、本発明に係る接着剤組成物からなる。本発明の接着フィルムは、接着剤層１０上の基材フィルム２０の反対側の面を保護フィルムで被覆してもよい。
【００１９】
本発明の接着フィルムは、（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体とを含む接着剤組成物からなる接着フィルムを用い、チップを多段積層する際に基板凹凸を埋込む最下段の接着フィルムの厚みが３〜２３μｍであり、ワイヤを埋込む２段目以降の接着フィルムの厚みが４２〜６２μｍで、接着フィルムの硬化後の１７５℃での貯蔵弾性率が１〜３１ＭＰａであり、（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤が、一般式（１）で表されるフェノール樹脂を含有する。
【００２０】
まず、本発明に係る接着剤組成物を構成する各成分について詳しく説明する。
【００２１】
（（ａ）エポキシ樹脂）
本実施形態に係る（ａ）成分のエポキシ樹脂は、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２２】
（（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤）
本実施形態に係る（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤は、下記式（１）で表されるフェノール樹脂を含有する。
【００２３】
【化２】
2017045934.tif 000003
【００２４】
一般式（１）中、ｎは１〜２０の整数を示す。
【００２５】
上記フェノール樹脂は、ビフェニレンジメチレン型フェノール樹脂（フェノールビフェニルアラルキル樹脂）であり市販品として入手可能であり、例えば、エア・ウォーター株式会社製のＨＥ２００シリーズの商品名「ＨＥ２００Ｃ−１０」を好適に用いることができる。
【００２６】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、接着剤にしたときの硬化性の観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比が、好ましくは０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０、より好ましくは０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５、さらに好ましくは０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０、特に好ましくは０．５５／０．４５〜０．４５／０．５５である。
【００２７】
（（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体）
本実施形態に係る（ｃ）成分のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得ることができる。上記官能性モノマーはエポキシ樹脂と非相溶であるため、硬化後にエポキシ樹脂と（メタ）アクリル共重合体とがそれぞれ分離し、接着剤層の耐リフロークラック性及び耐熱性を向上することができる。
ここで、（メタ）アクリル共重合体は、アクリル共重合体又はそれに対応するメタクリル共重合体、それらの混合物を意味する。
【００２８】
（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体からなるゴムである。
【００２９】
すなわち、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体として、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーと、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、アクリロニトリル等との共重合体を用いることができる。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の重合方法は特に限定されず、パール重合、溶液重合等を使用することができる。
【００３０】
接着力の確保とゲル化の防止とを両立する観点から、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体中のエポキシ基を有するモノマーに由来する構造単位は、０．５〜３．０質量％であることが好ましく、２．０〜３．０質量％であることがより好ましい。
【００３１】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、市販品として入手でき、例えば、ナガセケムテックス株式会社製の商品名「ＨＴＲ―８６０Ｐ−３」を用いることができる。
【００３２】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は−５０〜３０℃であることが好ましく、−３０〜３０℃であることがより好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇが−５０℃未満であると、−５０〜３０℃の範囲内にある場合と対比して、接着剤層の柔軟性が高くなりすぎる傾向にある。これにより、ウエハダイシング時に接着剤層を切断し難くなり、その結果バリが発生してダイシング性が低下する傾向にある。またＴｇが＋３０℃を超えると、−５０〜３０℃の範囲内にある場合と対比して、接着剤層の柔軟性が低下する傾向にある。
【００３３】
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。エポキシ基含有アクリル共重合体のＭｗがこの範囲にあると、フィルム状、フィルム状での強度、可撓性、タック性を適切に制御することができると共に、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
【００３４】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の配合量は、（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して２４〜１０００質量部であることが好ましく、２４〜１７０質量部であることがより好ましい。すなわち、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量（Ｂ）に対する、（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の総計の質量（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．１〜４．１であることが好ましく、０．６〜４．１であることがより好ましい。この範囲にあると、成形時の流動性の制御、高温での取り扱い性及び埋込み性をより一層良好することができる。
【００３５】
（（ｄ）無機フィラー）
本実施形態の接着剤組成物には、さらに、（ｄ）無機フィラーを含有することができる。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素及び結晶性シリカ、非晶性シリカが挙げられる。これらは、１種又は２種以上を併用することができる。接着剤層の熱伝導性を向上する観点から、無機フィラーとして、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカを含有することが好ましい。接着剤層の溶融粘度の調整や、接着剤組成物にチキソトロピック性を付与する観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ又は非晶性シリカを含有することが好ましい。
【００３６】
無機フィラーの平均粒子径は、接着性を向上する観点から、０．００５〜０．５μｍが好ましく、０．０１〜０．１μｍがより好ましい。
ここで、平均粒子径とは、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径であり、レーザ回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。
【００３７】
無機フィラーの配合量は、無機フィラーを除いた接着剤組成物（（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の総計）１００体積部に対して１〜５０体積部が好ましく、１０〜４０体積部がより好ましい。無機フィラーの配合量がこの範囲にあると、接着剤層の十分な貯蔵弾性、接着性及び電気特性を確保できる。
【００３８】
また、本実施形態の接着剤組成物には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤は、特に限定されず、各種イミダゾール類を用いることができる。イミダゾール類としては、２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは１種または２種以上を併用することもできる。
【００３９】
硬化促進剤の添加量は、（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して０．０４〜５質量部が好ましく、０．０４〜０．２質量部がより好ましい。硬化促進剤の添加量がこの範囲にあると、硬化性と信頼性を両立することができる。
【００４０】
接着剤組成物は、上述の各成分の他に、必要に応じて、触媒、添加剤、カップリング剤等の各種添加剤を更に含んでもよい。被着体に対して接着力を向上する観点から、カップリング剤を含むことが好ましい。カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤及びアルミニウム系カップリング剤が挙げられ、中でもシラン系カップリング剤を好適に用いることができる。
【００４１】
基材フィルム２０として、特に制限はなく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム等が用いられる。
【００４２】
これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。基材フィルム２０の厚みは、特に制限はなく、接着剤層１０の厚みや接着フィルム１の用途によって適宜選択される。
【００４３】
本発明の接着フィルム１は、例えば、下記のようにして作製することができる。まず、上述の接着剤組成物を構成する各成分を溶剤中で混合、混練してワニスを調製し、このワニスの層を基材フィルム２０上に形成させ、加熱により乾燥することにより接着フィルム１を得ることができる。また、ワニス層の乾燥後に基材フィルム２０を除去して、接着剤層１０のみから構成される接着フィルムとしてもよい。
【００４４】
上記ワニスの調製に用いる溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性等を考慮すると、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるために、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
【００４５】
上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、三本ロール、ボールミル又はビーズミルを使用するのが好ましい。また、無機フィラーと低分子量成分を予め混合した後、高分子量成分を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。さらに、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００４６】
調製したワニスを基材フィルム２０上に塗工して、加熱乾燥して接着剤層１０を形成することにより接着フィルムが得られる。支持体へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常５０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００４７】
接着剤層１０の厚みは、チップを多段積層する際に基板凹凸を埋込む最下段の接着フィルムの厚みは３〜２３μｍであり、ワイヤを埋込む２段目以降の接着フィルムの厚みは４２〜６２μｍであり、３〜６２μｍが好ましい。この範囲にあると、配線基板の凹凸埋込み性を十分に発揮できるともに、経済的である。また、接着剤層１０は、所望の厚さを得るために２枚以上を貼り合わせることもできる。
【００４８】
本発明の接着フィルムは、それ自体で用いても構わないが、本発明の接着フィルムにおける接着剤層を従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着フィルムとして用いることもできる。ダイシングテープ上に接着剤層を積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した接着フィルムをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。なお、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着剤層の膜厚やダイシングテープ一体型接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものである。経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、ダイシングテープの膜厚は、好ましくは６０〜２００μｍであり、より好ましくは７０〜１７０μｍである。
【００４９】
本発明の接着フィルムは、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱による硬化の影響を受け難く、封止工程での半導体素子又は配線基板の凹凸部の埋込み性が良好である。したがって、本発明の接着フィルムを使用することにより、接続信頼性に十分に優れる半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５１】
（実施例１）
表１に示した配合割合（質量部）で各成分を配合して、接着剤組成物を調製した。まず、（ａ）成分のエポキシ樹脂として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成株式会社（新日鉄住金化学株式会社）製、商品名：ＹＤＣＮ−７００−１０、エポキシ当量：２１０ｇ／ｅｑ）１００．０質量部とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＡ８３０−ＣＲＰ、エポキシ当量：１５５ｇ／ｅｑ）１００．０質量部、（ｂ）成分のエポキシ樹脂硬化剤として、一般式（１）で表される構造を有するビフェニレンジメチレン型フェノール樹脂（エア・ウォーター株式会社製、商品名：ＨＥ２００Ｃ−１０、水酸基当量：２０４ｇ／ｅｑ）１５０．０質量部、シランカップリング剤として、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名：Ａ−１８９）０．６質量部及び３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名：Ａ−１１６０）１．２質量部、無機フィラーとして、真球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名：アドマナノ、平均粒径：約０．０５０μｍ）２００．０質量部及びシクロヘキサノン１０００質量部を攪拌混合した。ここに、（ｃ）成分のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体として、アクリルゴム（ナガセケムテック株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、Ｍｗ：８０万、Ｔｇ：１５℃、ブチルアクリレート／エチルアクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレートの質量比：３９．４／２９．３／３０．３／３）１１０．０質量部を加え、混合した後、真空脱気して接着剤組成物のワニスを得た。
【００５２】
次いで、上記ワニスを、基材フィルムである厚さ３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で５分間及び１３０℃で５分間加熱乾燥して、Ｂステージ状態の接着剤層（膜み２０μｍ）が基材フィルム上に形成された接着フィルムを作製した。
【００５３】
（比較例１）
エポキシ樹脂硬化剤のＨＥ２００Ｃ−１０の配合量を１００．０質量部、ＸＬＣ−ＬＬ（キシリレンフェノール樹脂、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製、商品名）、軟化点７８℃、水酸基当量１７２ｇ／ｅｑ、数平均分子量約１，０５０）の配合量を５０．０質量部に変更した以外は実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。
【００５４】
（比較例２）
エポキシ樹脂硬化剤のＨＥ２００Ｃ−１０の配合量を５０．０質量部、ＸＬＣ−ＬＬの配合量を１００．０質量部に変更した以外は実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。
【００５５】
（比較例３）
エポキシ樹脂硬化剤を、一般式（１）で表される構造を有しないＸＬＣ−ＬＬの配合量を１５０．０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。
【００５６】
【表１】
2017045934.tif 000004
*（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の合計質量Ａと、（ｃ）エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体(アクリルゴム）の質量Ｂとの比率。
【００５７】
＜溶融粘度の測定＞
接着フィルムの接着剤層の溶融粘度は回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製、商品名：ＡＲＥＳ−ＲＤＡ）を用いて測定した。
【００５８】
接着フィルムから基材フィルムを剥離した後、接着剤層を７０℃で張り合わせて膜厚１００〜３００μｍのフィルムとし、直径８ｍｍの円形に打ち抜いた。作製した円形のフィルムを同じく直径８ｍｍの治具２枚ではさみ、サンプルを作製し、治具：パラレルプレート、周波数：１Ｈｚ、歪み：５．０％、設定温度：５０℃から１５０℃まで１０℃／ｍｉｎで昇温させ、溶融粘度を測定した。表２には８０℃での溶融粘度を示した。
８０℃での溶融粘度は、ダイボンディング工程で加えられる加熱温度を想定している。粘度が低い方が好ましい。これは、ダイボンディング工程時に下段のワイヤを埋め込むことを可能にする粘度を意味する。
【００５９】
＜貯蔵弾性率測定＞
接着フィルムの接着剤層の貯蔵弾性率は動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、商品名：ＤＶＥ レオスペクトラ）を用いて測定した。
接着フィルムから基材フィルムを剥離した後、接着剤層を７０℃で張り合わせて膜厚１００〜３００μｍのフィルムとし、長さ５０ｍｍ、幅４ｍｍの短冊状に切断した。作製した短冊状のフィルムを１７５℃で硬化し、チャック間距離１０ｍｍ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで室温（２５℃）から２７０℃までの貯蔵弾性率を測定した。表２には１７５℃での貯蔵弾性率を示した。
【００６０】
設定温度１７５℃での硬化は、完全硬化には十分な加熱条件であり、この硬化したフィルムの貯蔵弾性率を測定することで、半導体チップを多段に積層するダイボンディング工程やワイヤボンディング工程の時間が長くなった場合でも封止工程及び半田ボール付けリフロー工程において基板の溝を埋め込めるだけの弾性率を想定している。
【００６１】
＜基板凹凸の埋込み性の評価＞
接着フィルムの接着剤層面にダイシングシートを貼り付け、基材フィルムを剥離した後、もう一方の接着剤層面に１００μｍ厚の半導体ウェハを熱板上でラミネートする。その後、ダイシング工程を経て半導体ウェハを個片化して、縦７．５ｍｍ、横７．５ｍｍの接着層付き半導体チップとした。
【００６２】
上記接着層付き半導体チップを１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒間の条件で、幅３０μｍ深さ５０μｍの凹凸を有する基板（４００μｍ厚シリコンウエハ）に貼り付けたサンプルを作製し、ホットプレート上で１５０℃、３０分間熱処理した。その後、モールド用封止材（日立化成株式会社製、商品名：ＣＥＬ−９７００ＨＦ）を用いて１７５℃、６．９ＭＰａ、１２０秒間の条件で封止を行い、評価用パッケージを作製した。基板上面の凹凸（幅３０μｍ、深さ５０μｍ）への充填性を、断面観察及び超音波顕微鏡で観察を行い、凹凸部に空隙がないものを「Ａ」、空隙のあるものを「Ｂ」とし、基板凹凸の埋込み性を評価した。
以上の測定、評価結果をまとめて表２に示した。
【００６３】
【表２】
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【００６４】
比較例１〜３の接着フィルムは、１７５℃での貯蔵弾性率が１〜３１ＭＰａの範囲内になく、実施例１は、その範囲内で、比較例に比べ貯蔵弾性率が低い。これにより実施例１は、基板凹凸の埋め込み性に優れる。この貯蔵弾性率は、（ａ）〜（ｃ）成分を用いた組み合わせで達成できる。
本発明の接着フィルムを用いた場合は、ワイヤ埋込み性を維持して配線基板上の凹凸部の埋込み性に十分に優れることが確認できた。すなわち、本発明に係る接着剤層は、ワイヤ埋め込み可能な低粘度物性を持ちつつ、ダイボンディング工程やワイヤボンディング工程で加えられ、硬化が進んでも低弾性な物性を持つ。多段に半導体チップを積層した場合でも、封止工程で配線基板上の充てん性に優れており、本発明の接着フィルムによれば、半導体装置の信頼性を向上すると共に、半導体装置の加工速度、歩留の向上をはかることが可能となる。
【符号の説明】
【００６５】
１…接着フィルム、１０…接着剤層、２０…基材フィルム。
【図１】
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