(57)【要約】【課題】  圧粉成形体である磁性コアの内部にコイル体が埋め込まれた薄型のインダクタンス素子において、等価回路の容量成分Ｃを低下させることで、Ｌピーク不良の不良率を低下できるようにする。【解決手段】  磁性粉末の集合体である圧粉成形体の磁性コアの内部にコイル体が埋設されている。サンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）は、コイル体を形成している金属製帯体の被覆層にポリアミド樹脂を使用している。これにより容量成分Ｃを低下させることができる。さらに、サンプル群（ｉ）は、磁性粉としてアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用することで、インダクタンスを高くできる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粉末で形成された磁性コアの内部にコイル体が埋め込まれているインダクタンス素子において、
前記磁性コアでの前記磁性粉末の平均充填密度が７６％以上であり、等価回路の容量成分が６．５ｐＦ以下であることを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項２】
前記容量成分が３ｐＦ以上である請求項１記載のインダクタンス素子。
【請求項３】
前記平均充填密度をＤ、前記容量成分をＣとしたときに、
前記Ｃは、０．６３×Ｄ−４４以下で、３以上（ただし、単位はｐＦ）である請求項２記載のインダクタンス素子。
【請求項４】
前記コイル体の絶縁被覆がポリイミド樹脂で形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載のインダクタンス素子。
【請求項５】
前記平均充填密度が７９％以上であり、前記容量成分が４．５ｐＦ以上である請求項１記載のインダクタンス素子。
【請求項６】
前記平均充填密度をＤ、前記容量成分をＣとしたときに、
前記Ｃは、０．６３×Ｄ−４４以下で、４．５以上（ただし、単位はｐＦ）である請求項５記載のインダクタンス素子。
【請求項７】
インダクタンス素子のインダクタンス成分Ｌ（μＨ）と前記コイル体の直流抵抗値ＤＣＲ（ｍΩ）とから求められるＬ／ＤＣＲの値を、前記磁性コアの外形から求められる体積Ｖ（ｍｍ３）で除した値であるＬ／（ＤＣＲ・Ｖ）が、０．００４（μＨ／ｍΩ・ｍｍ３）以上である請求項５または６記載のインダクタンス素子。
【請求項８】
前記磁性粉末は、アモルファス磁性粉末と結晶性磁性粉末の双方を含んでいる請求項５ないし７のいずれかに記載のインダクタンス素子。
【請求項９】
前記磁性粉末での前記アモルファス磁性粉末の割合が５０重量％以上である請求項１ないし８のいずれかに記載のインダクタンス素子。
【請求項１０】
前記磁性コアの比誘電率εが１２０以下である請求項１ないし９のいずれかに記載のインダクタンス素子。
【請求項１１】
前記磁性コアは、圧粉成形コアである請求項１ないし１０のいずれかに記載のインダクタンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性粉末（磁性粒子）で圧粉成形された磁性コアにコイル体が埋め込まれたインダクタンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１にコイル封入圧粉磁芯に関する発明が記載されている。
このコイル封入圧粉磁芯は、絶縁被覆された平角導線を巻線したコイルが圧粉磁芯内に埋設されている。圧粉磁芯は、Ｆｅ，Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金のいずれかの強磁性金属粒子がシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの絶縁材でコーティングされた磁性粉末で形成されている。
【０００３】
コイル封入圧粉磁芯は、磁性粉末中にコイルを設け粉末成形機で圧力を与えて成形する。
【０００４】
この発明では、コイルに使用する平角導線の絶縁被膜の平均厚さをｔ、磁性粉末の平均粒子径をφとし、φ＜ｔ×３としている。これにより、強磁性金属粉末を経由して、コイル導線間のショート不具合が発生するのを回避できるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２７２９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されたコイル封入圧粉磁芯は、強磁性金属粉末がコイル導線間に入り込むのを防止して、ショート不具合が発生しようとするのを防止しているが、コイル封入圧粉磁芯の不良は、ショート不具合を回避するだけで解消できるものではない。
【０００７】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、磁気特性を低下させることなく容量成分の上昇を抑制することで、不良率を低下させることを可能にしたインダクタンス素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、磁性粉末で形成された磁性コアの内部にコイル体が埋め込まれているインダクタンス素子において、前記磁性コアでの前記磁性粉末の平均充填密度が７６％以上であり、等価回路の容量成分が６．５ｐＦ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明のインダクタンス素子は、前記容量成分の下限が３ｐＦである。
本発明のインダクタンス素子は、前記平均充填密度をＤ、前記容量成分をＣとしたときに、前記Ｃは、０．６３×Ｄ−４４以下で、３以上（ただし、単位はｐＦ）であることが好ましい。
【００１０】
上記各条件は、前記コイル体の絶縁被覆をポリイミド樹脂で形成することで実現可能である。
【００１１】
さらに、本発明のインダクタンス素子は、前記平均充填密度が７９％以上であり、前記容量成分が４．５ｐＦ以上であることが好ましい。
【００１２】
上記インダクタンス素子では、前記平均充填密度をＤ、前記容量成分をＣとしたときに、前記Ｃは、０．６３×Ｄ−４４以下で、４．５以上（ただし、単位はｐＦ）であることが好ましい。
【００１３】
さらに本発明のインダクタンス素子は、インダクタンス素子のインダクタンス成分Ｌ（μＨ）と前記コイル体の直流抵抗値ＤＣＲ（ｍΩ）とから求められるＬ／ＤＣＲの値を、前記磁性コアの外形から求められる体積Ｖ（ｍｍ3）で除した値であるＬ／（ＤＣＲ・Ｖ）が、０．００４（μＨ／ｍΩ・ｍｍ3）以上であることが好ましい。
【００１４】
前記インダクタンス素子は、前記磁性粉末が、アモルファス磁性粉末と結晶性磁性粉末の双方を含むことで実現可能である。
【００１５】
本発明のインダクタンス素子は、前記磁性粉末での前記アモルファス磁性粉末の割合が５０重量％以上であることが好ましい。
【００１６】
また本発明のインダクタンス素子は、前記磁性コアの比誘電率εが１２０以下であることが好ましい。
本発明のインダクタンス素子は、前記磁性コアが、圧粉成形コアである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、コイル体が磁性コアに埋め込まれたインダクタンス素子において、容量成分の上昇を抑制することで不良率を低下できることに着目してなされたものである。本発明は、磁気特性を低下させることなく容量成分の上昇を抑制する構造を採用することで、不良率を下げることを可能にした。
【００１８】
特に、本発明は、コイル体の絶縁被覆の材質を改善し、さらに磁性粉末の成分を改善することで、磁気特性を低下させることなく容量成分の上昇を抑制する構造を実現できるようにしている。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態のインダクタンス素子を、底面を上向きで示す斜視図、
【図２】図１に示すインダクタンス素子をＩＩ−ＩＩ線で切断し底面を下向きで示す部分断面図、
【図３】磁性コアを圧粉成形する過程を示す側面図、
【図４】図１に示すＩＶ−ＩＶで切断したコイル体の断面図、
【図５】インダクタンス素子の等価回路図、
【図６】インダクタンス素子の等価回路の容量成分と不良率との関係を示す説明図、
【図７】（Ａ）はインダクタンス素子の特性の好ましい状態を示す線図、（Ｂ）は不良が発生したときの特性を示す説明図、
【図８】磁性粉末の平均充填率と等価回路の容量成分との関係を示す説明図、
【図９】磁性粉末の平均充填率とインダクタンス／コイルＤＣＲとの関係を示す説明図、
【図１０】磁性粉末の平均充填率と比誘電率との関係を示す説明図、
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜インダクタンス素子１の構造＞
図１に示す本発明の実施の形態のインダクタンス素子１は、圧粉成形体である磁性コア２０すなわち圧粉成形コアにコイル体１０が埋め込まれている。
図１に示すように、コイル体１０は、金属製帯体１１を巻いて形成されている。図４に示すように、金属製帯体１１の断面形状は、幅方向の寸法Ａが厚さ方向の寸法Ｂよりも大きい長方形状である。
【００２１】
金属製帯体１１は銅または銅を含む合金で形成されており、金属製帯体１１の表面に被覆層１２が形成されている。被覆層１２はポリイミド樹脂で形成されている。被覆層１２の厚さは３μｍ以上で７μｍ以下である。
【００２２】
図１にコイル体１０の巻き中心線Ｏが示されている。コイル体１０は、金属製帯体１１の板面が巻き中心線Ｏとほぼ垂直となる向きで、板面どうしが巻き中心線Ｏに沿って重なるように巻かれている。図１では、金属製帯体１１が中心線Ｏの回りに楕円形となるように巻かれているが、中心線Ｏの回りで円輪状に周回するように巻かれてもよい。
【００２３】
図１に示すように、コイル体１０が楕円状に巻かれた状態で、コイル体１０から金属製帯体１１の第１の端部１３と第２の端部１６とが突出している。ここで、端部１３，１６とは、金属製帯体１１のうちのコイル体１０として巻かれていない両端部分を意味している。
【００２４】
第１の端部１３は、複数の折れ線によって曲げられて、その先部に第１の端子部１５が形成されている。図２に示すように第１の端子部１５とコイル体１０を構成する金属製帯体１１の板面は、中心線Ｏの延びる方向において距離Ｈを空けて対向している。第２の端部１６も複数の折れ線によって曲げられ、その先部に第２の端子部１８が形成されている。第２の端子部１８とコイル体１０を構成する金属製帯体１１の板面も、中心線Ｏの延びる方向において距離Ｈを空けて対向している。
【００２５】
図３に、磁性コア２０を圧粉成形体（圧粉成形コア）として成形する工程が示されている。
【００２６】
図３に示すプレス機３０は、金型本体３１の内部に下型３２が設けられ、その上方にキャビティ３４が形成されている。コイル体１０がキャビティ３４の内部に挿入され、第１の端子部１５の外側の板面と第２の端子部１８の外側の板面が、下型３２の上面に当接するように位置決めされる。
【００２７】
その後、磁性粉末とバインダー樹脂とから成るコア材料が、キャビティ３４の内部に供給されると、キャビティ３４の上方から上型３３が挿入され、下型３２と上型３３とでコア材料が加圧力Ｆで加圧されて、圧粉成形体である磁性コア２０が形成される。この圧粉成形工程では、バインダー樹脂が磁性粉末どうしを結合するための結合剤として機能する。このとき、キャビティ３４を、必要に応じて加熱してもよい。
【００２８】
図１に示すように、圧粉成形体である磁性コア２０は、上面２１（図１では下向き）と下面２２（図１では上向き）を有しさらに４つの側面２３を有する立方体形状である。図２に示すように、コイル体１０から延びる金属製帯体１１の端部１３，１６で形成された第１の端子部１５と第２の端子部１８が磁性コア２０の下面２２に露出し、それぞれの端子部１５，１８の外側に向く板面が磁性コア２０の下面２２とほぼ同一面となる。
【００２９】
図３に示すように、キャビティ３４内では、下型３２と上型３３との間で、磁性粉末とバインダー樹脂とから成るコア材料が加圧力Ｆで加圧されると同時に、コイル体１０ならびに第１の端子部１５と第２の端子部１８も加圧力Ｆを受けて加圧される。
【００３０】
磁性コア２０が圧粉成形された後に、アニール処理に移行する。このアニール処理は、３００℃〜５００℃程度の温度に加熱して行われるものであり、磁性コア２０の内部歪みを緩和し、磁歪を低減するための工程である。
【００３１】
図２に示すように、アニール処理の後に、磁性コア２０の外面の全域に保護樹脂層４１がコーティングされる。第１の端子部１５と第２の端子部１８が存在している部分で、前記保護樹脂層４１の一部が除去され、さらに、第１の端子部１５および第２の端子部１８の外側に向く板面を覆っている被覆層１２が除去されて露出部４１ａが形成される。そして、保護樹脂層４１の表面に銀ペーストなどの導電性樹脂が塗布され、その上に金などによる低抵抗金属層がめっき処理により形成され、端子導通部４２が形成される。端子導通部４２は、第１の端子部１５と第２の端子部１８のそれぞれを覆うように形成される。
【００３２】
磁性コア２０を構成するコア材料に含まれる磁性粉末は磁性合金粉末（磁性合金粒子）である。磁性粉末（磁性粒子）は、Ｆｅを主体とし、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｓｉなどの各種金属が含まれたＦｅ基非結晶合金（アモルファス合金）の粉末（アモルファス磁性粉末）であり、水アトマイズ法により粉末化されたものが使用される。あるいは、磁性粉末は、前記Ｆｅ基非結晶合金の粉末（アモルファス磁性粉末）と、結晶性磁性粉末（結晶性金属粒子）との混合体が使用される。磁性コア２０のインダクタンス成分Ｌを高く設定する場合には、磁性粉末として、Ｆｅ基非結晶合金の粉末（アモルファス磁性粉末）と結晶性磁性粉末との混合体を使用することが好ましい。
【００３３】
結晶性磁性粉末は、ＦｅまたはＦｅ−Ｓｉ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金などであり、水アトマイズ法やその他の方法で形成されたものが使用される。
【００３４】
磁性粉末は、Ｆｅ基非結晶合金の粉末が５０質量％以上で９０質量％以下含まれているものが好ましく、さらには、Ｆｅ基非結晶合金の粉末が６０質量％以上で８０質量％以下含まれているものが好ましい。前述のように、磁性粉末はＦｅ基非結晶合金の粉末のみで形成されていてもよいので、磁性粉末における、Ｆｅ基非結晶合金の粉末の含有率は５０質量％以上が好ましく、さらには６０質量％以上が好ましい。
【００３５】
前記コア材料に含まれるバインダー樹脂は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などである。前記コア材料として、前記磁性粉末が前記バインダー樹脂でコーティングされたものが使用されている。あるいは、磁性粉末と粉末状のバインダー樹脂とが単に混合されたものをコア材料としてもよい。
【００３６】
＜インダクタンス素子１の特性＞
（１）等価回路での容量成分Ｃと不良率との関係
図５に、インダクタンス素子１の等価回路が示されている。等価回路は、インダクタンス成分Ｌと容量成分Ｃおよび抵抗成分Ｒを有している。図７（Ａ）は正常な状態のインダクタンス素子１の特性を示しており、図７（Ｂ）は不良が生じているインダクタンス素子１の特性を示している。図７（Ａ）（Ｂ）は、いずれも横軸が周波数を示し、左側の縦軸がインダクタンス成分Ｌで、右側の縦軸がＱ値を示している。
【００３７】
本明細書では、共振周波数におけるプラス側のインダクタンスの値をＬｐとし、１ＭＨｚのときのインダクタンスの値をＬｓとしたときに、Ｌｐ／Ｌｓが１．１以下のときに不良（Ｌピーク不良）と判定する。図７（Ａ）（Ｂ）の例では、共振周波数がほぼ１．９×１０７Ｈｚであり、図７（Ａ）では、Ｌｐ／Ｌｓが５程度なのに対し、図７（Ｂ）では、Ｌｐ／Ｌｓが１．１よりも十分に小さい値となっている。
【００３８】
図６には、インダクタンス素子１の等価回路での容量成分Ｃ（ｐＨ）と、Ｌピーク不良率との関係が示されている。等価回路での容量成分Ｃは、インダクタンスＬのｆ（周波数）特曲線において、インダクタンスの値がピークとなるとき（Ｌｐ）の周波数をｆｐとしたときに、下記式により求められる 。
ｆｐ＝１／{２π√（Ｌｓ・Ｃ）}
ここで、Ｌｓは１ＭＨｚでのインダクタンス値であり、Ｃは容量成分である。したがって、インダクタンス素子１の透過回路での容量成分は、以下の式で求められる。
Ｃ＝１／{（２πｆｐ）２・Ｌｓ}
【００３９】
磁性コア２０を構成する磁性粉末は、水アトマイズ法で製造したＦｅ基のアモルファス材料の磁性粉末（Ｆｅ基非結晶合金の粉末）が７０質量％で、水アトマイズ法で製造したＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末が３０質量％の混合体である。Ｆｅ基のアモルファス材料の磁性粉末は平均粒径が５μｍ以上で７μｍ以下であり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末は平均粒径が４μｍのものを使用した。下記に示すインダクタンス素子１においては、Ｆｅ基のアモルファス磁性粉末は下記組成式により示されるＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス磁性合金よりなるものを用いた。
Ｆｅ１００原子％-ａ-ｂ-ｃ-ｘ-ｙ-ｚ-ｔＮｉａＳｎｂＣｒｃＰｘＣｙＢｚＳｉｔ
【００４０】
ここで、０原子％≦ａ≦１０原子％、０原子％≦ｂ≦３原子％、０原子％≦ｃ≦６原子％、６．８原子％≦ｘ≦１３原子％、２．２原子％≦ｙ≦１３原子％、０原子％≦ｚ≦９原子％、０原子％≦ｔ≦７原子％であるＦｅ基非晶質合金が挙げられる。上記の組成式において、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｃｒ，ＢおよびＳｉは任意添加元素である。具体的にはＦｅ７１．４Ｎｉ６Ｃｒ２Ｐ１０．８Ｃ７．８Ｂ２なる組成を有するものを用いている。但し、本発明において、Ｆｅ基のアモルファス材料はＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料に限定されるものではなく、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス材料を用いても良い。
【００４１】
磁性コア２０の外形寸法を、約２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．８ｍｍないしは約２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍとし、磁性粉末の充填密度を変化させ、あるいはバインダー樹脂の量を変化させるなどして、等価回路の容量成分Ｃを変化させたものを複数種類（複数ロット）製造した。同じ構造のインダクタンス素子１のサンプル（それぞれのロットのサンプル）を３０００個ずつ製造し、同じ構造（同じロット）の３０００個のインダクタンス素子のそれぞれについて、図７に示すインダクタンス特性とＱ値の特性を求め、Ｌｐ／Ｌｓが１．１以下となるＬピーク不良の不良率を求めた。
【００４２】
図６に示す黒塗りのマーカーは、サンプルが３０００個の各ロット毎のＬピーク不良率を示している。
【００４３】
図６には、等価回路の容量成分Ｃが小さいほどＬピーク不良の率が小さくなることが示されている。その理由は次のように考えられる。
【００４４】
図１に示すインダクタンス素子１の第１の端子部１５から第２の端子部１８に流れる電流に関し、理想的な製品では、全ての電流が第１の端子部１５から第２の端子部１８と流れる。そのためＱ値の低下はない。これに対し、図１に示す第１の端子部１５と第２の端子部１８との間の静電容量、さらには図５に示すコイル体１０と各端子部１５，１８との間の距離Ｈにおける静電容量が大きくなると、インダクタンス素子１を共振周波数付近で使用したときにインピーダンスが低下し、電流の流れ損失が発生しＱ値が低下する。
【００４５】
そこで、本発明では、容量成分Ｃの増加を抑制することで、電流の流れ損失を抑え、Ｑ値の劣化を抑制してＬピーク不良を少し、または無くすことを可能にしている。図６から、容量成分Ｃは、６．５ｐＦ以下であることが好ましい。特に容量成分Ｃが５．８ｐＦ以下であると、図６に示すようにＬピーク不良率がほぼゼロとなるため、より好ましい。
【００４６】
（２）磁性粉末の充填率とインダクタンス素子１の特性との関係
図８には、磁性コア２０における磁性粉末の充填率（面積％）と等価回路での容量成分Ｃとの関係が示されている。充填率は成形体２０を切断後、複数のＳＥＭ写真を撮り、それぞれの画像の中で金属磁性体の部分とそれ以外の部分の面積比率を測定し、全体の面積中に金属磁性体が占める平均的な割合を充填率として算出した。図８では、磁性粉末の充填率を変えた複数種のインダクタンス素子１をサンプルとしている。インダクタンス素子１に使用されている磁性コア２０の寸法は、全て２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍである。
【００４７】
図８において三角形のマーカーでプロットしたサンプル群（ｉ）と四角形のマーカーでプロットしたサンプル群（ｉｉ）は、いずれも、磁性コア２０を形成する磁性粉として、水アトマイズ法で製造したＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末が７０質量％で、水アトマイズ法で製造したＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末が３０質量％の混合体を使用した。Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末は平均粒径が７μｍであり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末は平均粒径が４μｍである。
【００４８】
サンプル群（ｉ）のインダクタンス素子１では、図４に示すコイル体１０を構成する金属製帯体１１の表面の被覆層１２がポリイミド樹脂で形成されている。一方、サンプル群（ｉｉ）のインダクタンス素子１では、金属製帯体１１の被覆層１２がポリアミドイミド樹脂で形成されている。
【００４９】
サンプル群（ｉ）とサンプル群（ｉｉ）とでは、磁性コア２０を構成する磁性粉の構成がほぼ同じであるのにもかかわらず、磁性粉の充填率を基準としたときに、サンプル群（ｉ）の容量成分Ｃの値がサンプル群（ｉｉ）の容量成分Ｃの値よりも小さくなっている。これは、サンプル群（ｉ）に使用されているコイル体１０を構成する金属製帯体１１の被覆層１２であるポリイミド樹脂が、サンプル群（ｉｉ）に使用されている被覆層１２のポリアミドイミド樹脂よりも硬質であるため、磁性コア２０が圧粉成形法で製造される際に、磁性粉が被覆層１２に食い込みにくくなり、コイル体１０を構成する金属製帯体１１と磁性粉との距離を保てるからである。
【００５０】
図８において丸印のマーカーでプロットしたサンプル群（ｉｉｉ）と菱形のマーカーでプロットしたサンプル群（ｉｖ）は、いずれも、磁性コア２０を形成する磁性粉が、水アトマイズ法で製造したＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末のみで構成されている。Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末は平均粒径が５μｍである。
【００５１】
サンプル群（ｉｉｉ）のインダクタンス素子１では、コイル体１０を構成する金属製帯体１１の表面の被覆層１２がポリイミド樹脂で形成されており、サンプル群（ｉｖ）のインダクタンス素子１では、金属製帯体１１の被覆層１２がポリアミドイミド樹脂で形成されている。
【００５２】
ここでも、サンプル群（ｉｉｉ）とサンプル群（ｉｖ）とで、磁性コア２０を構成する磁性粉の構成がほぼ同じであるにもかかわらず、磁性粉の充填率を基準としたときに、サンプル群（ｉｉｉ）の容量成分Ｃの値がサンプル群（ｉｖ）の容量成分Ｃの値よりも小さくなっている。
【００５３】
図９には、磁性コア２０における磁性粉の平均充填率（体積％）と、インダクタンス／コイルＤＣＲとの関係が示されている。縦軸のインダクタンス／コイルＤＣＲは、インダクタンス素子１の等価回路でのインダクタンス成分Ｌを、コイル体１０の直流抵抗値（ＤＣＲ）で除した値であり、単位は（μＨ／ｍΩ）である。
【００５４】
図９に示すように、磁性コア２０を形成する磁性粉として、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用したサンプル群（ｉ）（ｉｉ）が、磁性コア２０の磁性粉がＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末のみで構成されているものに対し、インダクタンス成分Ｌが高くなることが示されている。
【００５５】
これは、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末が、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料よりも軟質であるため、圧粉成形体の磁性コア２０が加圧されて成形されるときに、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末がつぶれやすくなるためである。その結果、結晶性磁性粉末を含むサンプル群（ｉ）（ｉｉ）では、磁性粉の充填率が比較的高くすることができる。磁性コア２０を形成する際に、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料粉末（Ｆｅ基のアモルファス材料粉末）とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末とを混合した磁性粉の充填率を高くすることができるため、高いインダクタンスおよびインダクタンス／コイルＤＣＲを得ることが可能になる。
【００５６】
図８と図９によれば、コイル体１０を構成する金属製帯体１１の被覆層１２をポリイミド樹脂で形成したサンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）は、等価回路の容量成分Ｃを６．５ｐＦ以下で３．０ｐＦ以上の低い範囲に設定できる。図６に示したように、容量成分Ｃを６．５ｐＦ以下の低い値に設定することで、Ｌピーク不良率を０．１％以下の範囲に設定することが可能になる。ただし、図６から、Ｌピーク不良率をほぼ０％とするためには、容量成分Ｃを５．８ｐＦ以下とすることがさらに好ましい。また、図８から、サンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）では、磁性コア２０における磁性粉末の平均充填率が７６（体積％）以上である。
【００５７】
図８には、容量成分Ｃが低いサンプル群（i）（ｉｉｉ）と、これに比べて容量成分Ｃが大きいサンプル群（ｉｉ）（iｖ）との境界線（ｂ）が示されている。インダクタンス素子１の充填率が高くなると等価回路の容量成分Ｃは大きくなる傾向が分かる。一方、サンプル群（i）（iii）とサンプル群（ii）、（iv）は、境界線（ｂ）によって、明らかに上下に分かれており、本発明においては、磁性粉末とコイル体１０の被覆層１２を適宜選択することで、境界線（ｂ）以下とすることが可能となる。この境界線（ｂ）の直線の方程式は、平均材料充填率（平均重点密度）をＤとしたときに、Ｃ＝０．６３×Ｄ−４４である。よって、インダクタンス素子１の等価回路の容量成分Ｃは、０．６３×Ｄ−４４以下で３．０以上（単位はｐＦ）であることが好ましい。
【００５８】
図９に示すように、容量成分Ｃが比較的低いサンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）であっても、インダクタンス成分Ｌを比較的高い値に維持することができる。サンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）は、いずれも、インダクタンス／コイルＤＣＲが、０．０１μＨ／ｍΩ以上である。サンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）は、いずれもインダクタンス素子の磁性コア２０の外形寸法が２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍであり、体積Ｖは５ｍｍ３である。よって、インダクタンス／コイルＤＣＲの値、すなわちＬ／ＤＣＲを体積Ｖで除した値であるＬ／（ＤＣＲ・Ｖ）は、０．００２（μＨ／ｍΩ・ｍｍ３）以上である。
【００５９】
すなわち、コイル体１０を構成する金属製帯体１１の被覆層１２をポリイミド樹脂で構成することで、容量成分Ｃを低くしてＬピーク不良率を低下させることができるが、この場合も、Ｌ／（ＤＣＲ・Ｖ）を比較的高い値に維持することが可能であり、インダクタンス素子１としての磁気特性を確保することができる。
【００６０】
なお、インダクタンス／コイルＤＣＲをさらに高く設定するには、サンプル群（ｉ）のインダクタンス素子１を使用することが好ましい。サンプル群（ｉ）では、図８から容量成分Ｃが４．５ｐＦ以上で６．５ｐＦ以下である。また、磁性粉末の平均充填密度が７９％以上である。
【００６１】
図９によれば、サンプル群（ｉ）のインダクタンス素子１は、インダクタンス／コイルＤＣＲを、０．０２μＨ／ｍΩ以上にできる。この場合、インダクタンス／コイルＤＣＲすなわちＬ／ＤＣＲを体積Ｖで除した値であるＬ／（ＤＣＲ・Ｖ）は、０．００４（μＨ／ｍΩ・ｍｍ３）以上となる。
【００６２】
図８と図９とから、サンプル群（ｉ）（ｉｉｉ）のように、コイル体１０の金属製帯体１１の被覆層１２をポリイミド樹脂で形成することで、インダクタンス素子１の等価回路の容量成分Ｃを下げて、図６に示すＬピーク不良の不良率を低下させることができる。さらに、サンプル群（ｉ）のように、磁性コア２０を形成する磁性粉末として、Ｆｅ基のアモルファス材料、特にＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用することで、インダクタンス成分Ｌを比較的大きくでき、インダクタンス素子１の磁気特性をさらに向上させることが可能になる。
【００６３】
次に、図１０は、磁性コア２０の磁性粉末の平均充填率と比誘電率との関係を示している。サンプル群（ｖ）は図８と図９で示したのと同様に、磁性粉末を粒径が５μｍのＦｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料のみで構成したものである。
【００６４】
サンプル群（ｖｉ）は、磁性粉末として、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用したものである。アモルファスの磁性粉末は７０質量％含まれ粒径は５μｍである。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末の粒径は４μｍである。
【００６５】
サンプル群（ｖｉｉ）は、磁性粉末として、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用したものである。アモルファスの磁性粉末は７０質量％含まれ粒径は６．５μｍである。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末の粒径は４μｍである。
【００６６】
サンプル群（ｖｉｉｉ）は、磁性粉末として、Ｆｅ−Ｐ−Ｃ系のアモルファス材料の磁性粉末とＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末との混合体を使用したものである。アモルファスの磁性粉末は７０質量％含まれ粒径は７μｍである。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒの結晶性磁性粉末の粒径は４μｍである。
いずれも比誘電率を１２０以下とすることができる。
【００６７】
図１０より、材料充填率を上げると比誘電率は高くなる傾向となることが分かる。図８において、材料充填率が上がると容量成分Ｃも高くなる傾向にあるのは、このように比誘電率が上がることによる。しかしながら、本発明では比誘電率を１２０以下に抑えることで、容量成分Ｃを６．５ｐＦ以下で３．０ｐＦ以上の低い値を満たすことを可能としている。
【符号の説明】
【００６８】
１  インダクタンス素子
１０  コイル体
１１  金属製帯体
１３  第１の端部
１５  第１の端子部
１６  第２の端部
１８  第２の端子部
２０  磁性コア
３０  プレス機
３２  下型
３３  上型
３４  キャビティ
Ｏ  巻き中心線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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