(57)【要約】【課題】狭額縁化に対応し、曲がりやすく、水分を含まない封止層を形成することを目的とする。【解決手段】発光層５２並びに発光層５２を挟む陽極及び陰極を含む発光素子５６と、発光素子５６を封止する封止層５８と、を有し、封止層５８は、有機層６０と、有機層６０を上下で挟む第１無機層６２及び第２無機層６４と、を含む。第１無機層６２の周縁部及び第２無機層６４の周縁部は、有機層６０を周囲で封止して、相互に側方に端面を覆わないように上下に重なる。第１無機層６２及び第２無機層６４の少なくとも一方は、酸化アルミニウム膜である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層並びに前記発光層を挟む陽極及び陰極を含む発光素子と、
前記発光素子を封止する封止層と、
を有し、
前記封止層は、有機層と、前記有機層を上下で挟む第１無機層及び第２無機層と、を含み、
前記第１無機層の周縁部及び前記第２無機層の周縁部は、前記有機層を周囲で封止して、相互に側方に端面を覆わないように上下に重なり、
前記第１無機層及び前記第２無機層の少なくとも一方は、酸化アルミニウム膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１無機層及び前記第２無機層の一方は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第１無機層及び前記第２無機層の他方は、シリコン窒化膜であることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス層などの発光素子層は、吸湿によって劣化するため、大気から遮断するために封止膜で覆うことが必要である。封止膜の材料にＳｉＮを使用すると膜厚が大きくなり、フレキシブルディスプレイであれば曲げた時に封止膜が割れてしまう可能性が有る。また、成膜方法によっては、ＳｉＮはＨ２を含むので、薄膜トランジスタを透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ（Transparent Amorphous Oxide Semiconductor））で形成した場合、Ｈ２の拡散がＴＡＯＳにまで至ると閾値電圧（Vth）がシフトしてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２３０２３号公報
【特許文献２】特許第４３０３５９１号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３２６４号公報
【特許文献４】特開２００４−０６３４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１及び２には、酸化アルミニウム膜を含む封止膜が開示されているが、酸化アルミニウム膜は、他の膜で封止されている。特許文献３には、酸化アルミニウム膜を含む封止膜が開示されている。特許文献４には、ダイヤモンドライクカーボンを使用した封止膜が開示されている。表示装置には、表示領域を囲む枠の幅を狭くする狭額縁化の要求が高まっているが、これらの特許文献では考慮されていない。
【０００５】
本発明は、狭額縁化に対応し、曲がりやすく、水分を含まない封止層を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、発光層並びに前記発光層を挟む陽極及び陰極を含む発光素子と、前記発光素子を封止する封止層と、を有し、前記封止層は、有機層と、前記有機層を上下で挟む第１無機層及び第２無機層と、を含み、前記第１無機層の周縁部及び前記第２無機層の周縁部は、前記有機層を周囲で封止して、相互に側方に端面を覆わないように上下に重なり、前記第１無機層及び前記第２無機層の少なくとも一方は、酸化アルミニウム膜であることを特徴とする。本発明によれば、第１無機層の周縁部及び第２無機層の周縁部が、相互に端面を覆わない。したがって、一方の周縁部が他方の周縁部の端面を覆う場合と比較して、封止層の形成領域が小さくなるので、狭額縁化に対応することができる。また、封止層の１層が酸化アルミニウム膜であるため、曲がりやすく、水分を含まない封止層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面図である。
【図３】図２に一点鎖線で囲む部分IIIの拡大図である。
【図４】図２に示す表示装置の端部を示す断面図である。
【図５】実施形態の第１変形例に係る表示装置を示す断面図である。
【図６】実施形態の第２変形例に係る表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置１００として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置１００は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素（ピクセル）を形成し、フルカラーの画像を表示領域１０に表示するようになっている。
【００１２】
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面図である。表示装置１００は、屈曲して、屈曲の内側にスペーサ１２が配置されている。スペーサ１２は、表示装置１００の屈曲を規制するガイドになっている。表示装置１００には、集積回路チップ１４が搭載され、フレキシブル基板１６が接続されている。
【００１３】
図３は、図２に一点鎖線で囲む部分IIIの拡大図である。表示装置１００は、樹脂などの柔軟性を有する材料からなる第１基板１８を有する。第１基板１８は、図２に示す屈曲の内側に位置する。屈曲の内側において、表示装置１００の少なくとも表示領域１０の裏側には、第１基板１８に第１補強フィルム２０が貼りつけられている。また、図２に示すように、第１補強フィルム２０と対向するように、第２補強フィルム２２が貼りつけられ、第１補強フィルム２０及び第２補強フィルム２２は、粘着剤２４を介して貼り合わせられ、これにより、表示装置１００の屈曲状態が保持される。
【００１４】
図３に示すように、第１基板１８には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート２６が形成され、その上に半導体層２８が形成されている。半導体層２８にソース電極３０及びドレイン電極３２が電気的に接続し、半導体層２８を覆ってゲート絶縁膜３４が形成されている。ゲート絶縁膜３４の上にはゲート電極３６が形成され、ゲート電極３６を覆って層間絶縁膜３８が形成されている。ソース電極３０及びドレイン電極３２は、ゲート絶縁膜３４及び層間絶縁膜３８を貫通している。半導体層２８、ソース電極３０、ドレイン電極３２及びゲート電極３６によって薄膜トランジスタ４０が構成される。薄膜トランジスタ４０を覆うようにパッシベーション膜４２が設けられている。
【００１５】
パッシベーション膜４２の上には、平坦化層４４が設けられている。平坦化層４４の上には、複数の単位画素それぞれに対応するように構成された複数の画素電極４６（例えば陽極）が設けられている。平坦化層４４は、少なくとも画素電極４６が設けられる面が平坦になるように形成される。画素電極４６は、平坦化層４４及びパッシベーション膜４２を貫通するコンタクトホール４８によって、半導体層２８上のソース電極３０及びドレイン電極３２の一方に電気的に接続している。
【００１６】
平坦化層４４及び画素電極４６上に、絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０は、画素電極４６の周縁部に載り、画素電極４６の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層５０によって、画素電極４６の一部を囲むバンクが形成される。
【００１７】
画素電極４６上に発光層５２が設けられている。発光層５２は、画素電極４６ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁層５０にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して青、赤、緑で発光層５２が発光するようになる。変形例として、発光層５２は、複数の画素電極４６に連続的に載るように設けて白色で発光するようにしてもよく、その場合はカラーフィルタを設ける。
【００１８】
発光層５２の上には、共通電極５４（例えば陰極）が設けられている。共通電極５４は、バンクとなる絶縁層５０の上方に載るように形成する。発光層５２並びに発光層５２を挟む画素電極４６（陽極）及び共通電極５４（陰極）から発光素子５６が構成される。発光層５２は、画素電極４６及び共通電極５４に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層５２と画素電極４６（陽極）との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層５２と共通電極５４（陰極）との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００１９】
発光素子５６は、共通電極５４に積層する封止層５８によって覆われることで封止されて、水分から遮断される。封止層５８は、有機層６０と、有機層６０を上下で挟む第１無機層６２及び第２無機層６４と、を含む。第１無機層６２及び第２無機層６４は、いずれも、酸化アルミニウム膜である。酸化アルミニウム膜の厚みは、２５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、特に２５ｎｍ程度であることが好ましい。封止層５８は、その少なくとも１層が酸化アルミニウム膜であるため、曲がりやすく、水分を含まないようになっている。
【００２０】
図４は、図２に示す表示装置の端部を示す断面図である。第１無機層６２の周縁部及び第２無機層６４の周縁部は、有機層６０を周囲で封止するように、相互に上下に重なる。第１無機層６２の周縁部及び第２無機層６４の周縁部は、相互に側方に端面を覆わない。つまり、第１無機層６２及び第２無機層６４の一方の先端が他方の周縁部の外側に存在しない。したがって、一方の周縁部が他方の周縁部の端面を覆う場合と比較して、封止層５８の形成領域が小さくなるので、狭額縁化に対応することができる。
【００２１】
封止層５８には、粘着層６６を介して、樹脂などの柔軟性を有する材料からなる第２基板６８が貼り付けられている。表示装置１００の屈曲の表側で、第２基板６８には第３補強フィルム７０が貼りつけられている（図２参照）。
【００２２】
図５は、実施形態の第１変形例に係る表示装置を示す断面図である。この例では、第１無機層１６２が酸化アルミニウム膜であることは上記実施形態と同じである。第２無機層１６４は、シリコン窒化膜である。シリコン窒化膜の厚みは、１μｍ程度である。封止層１５８は、有機層１６０と、有機層１６０を上下で挟む第１無機層１６２及び第２無機層１６４と、を含む。
【００２３】
図６は、実施形態の第２変形例に係る表示装置を示す断面図である。この例では、第２無機層２６４が酸化アルミニウム膜であることは上記実施形態と同じである。第１無機層２６２は、シリコン窒化膜である。シリコン窒化膜の厚みは、１μｍ程度である。封止層２５８は、有機層２６０と、有機層２６０を上下で挟む第１無機層２６２及び第２無機層２６４と、を含む。
【００２４】
なお、表示装置１００は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００２５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００２６】
１０  表示領域、１２  スペーサ、１４  集積回路チップ、１６  フレキシブル基板、１８  第１基板、２０  第１補強フィルム、２２  第２補強フィルム、２４  粘着剤、２６  アンダーコート、２８  半導体層、３０  ソース電極、３２  ドレイン電極、３４  ゲート絶縁膜、３６  ゲート電極、３８  層間絶縁膜、４０  薄膜トランジスタ、４２  パッシベーション膜、４４  平坦化層、４６  画素電極、４８  コンタクトホール、５０  絶縁層、５２  発光層、５４  共通電極、５６  発光素子、５８  封止層、６０  有機層、６２  第１無機層、６４  第２無機層、６６  粘着層、６８  第２基板、７０  第３補強フィルム、１００  表示装置、１６２  第１無機層、１６４  第２無機層、２６２  第１無機層、２６４  第２無機層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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