(57)【要約】【課題】回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタへの通電電流を適切に調整できるようにした電磁弁駆動装置を提供する。【解決手段】メモリ６は、インジェクタ３への通電電流に基づいてインジェクタ３を駆動する系を近似モデル化した近似式Ｍ［ｔ］を記憶する。マイコン２は、インジェクタ３への通電電流がメモリ６に記憶された近似式Ｍ［ｔ］に基づく通電電流から閾値定数ａthを超えて変化する特徴点Ｐ１を導出する。マイコン２は、特定された特徴点Ｐ１に応じてインジェクタ３への通電電流を調整する。特徴点Ｐ１は回路又はインジェクタ３の個体差に応じて変化するため、マイコン２が特徴点Ｐ１に応じてインジェクタ３への通電電流を調整すれば、インジェクタ３への通電電流を回路又はインジェクタの個体差に応じて調整できる。【選択図】図１
2017031939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジェクタ（３）を駆動することで電磁弁を開弁／閉弁する電磁弁駆動装置であって、
前記インジェクタへの通電電流又は電圧に基づいて前記インジェクタを駆動する系をモデル化した近似モデル（Ｍ［ｔ］，Ｍ［ｎ，ｔ］）を記憶する記憶部（６）と、
前記インジェクタへの通電電流又は電圧が前記記憶部に記憶された前記近似モデルに基づく通電電流又は電圧から所定レベルを超えて変化する特徴点（Ｐ１）を特定する特徴点特定部（１１）と、
前記特徴点特定部により特定された特徴点に応じてインジェクタへの通電電流を補正する補正処理部（１０）と、
を備えることを特徴とする電磁弁駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載の電磁弁駆動装置において、
前記特徴点特定部は、特定された特徴点に応じて電磁弁の開弁タイミングを見做し特定することを特徴とする電磁弁駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似モデル（Ｍ［ｔ］）を、前記インジェクタへの通電電流又は電圧の近似式（Ｍ［ｔ］）を用いて定義された状態で記憶することを特徴とする電磁弁駆動装置。
【請求項４】
請求項３記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似式について時間（ｔ）を変数として記憶することを特徴とする電磁弁駆動装置。
【請求項５】
請求項１記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似モデル（Ｍ［ｎ，ｔ］）を、前記インジェクタへの通電電流又は電圧のパラメータに応じた近似マップ（Ｍ［ｎ，ｔ］）を用いて記憶することを特徴とする電磁弁駆動装置。
【請求項６】
請求項５記載の電磁弁駆動装置において、
前記記憶部は、前記近似マップについて時間（ｔ）を変数として記憶することを特徴とする電磁弁駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁弁駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電磁弁駆動装置は電磁弁を駆動して燃料を噴射制御する（例えば特許文献１参照）。特許文献１記載の技術によれば、インジェクタを駆動するときにコイルへの通電電流を制御している。例えば、最初のブーストフェーズにおいて第２供給電圧をコイル駆動に用いることでコイルの通電電流を短い間増加して駆動する。このとき、コイルの通電電流は初期値から線形的に増加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公開第２０１１／０２７３８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
他方、発明者は、インジェクタへの通電電流の変化を利用して次回のインジェクタへの通電電流を調整する技術を開発している。しかし、インジェクタへの通電電流の変化はわずかであり、回路又はインジェクタの個体差に応じてバラつきを生じやすく、この影響を調整可能にすることが望まれている。
【０００５】
本発明の目的は、回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタへの通電電流を適切に調整できるようにした電磁弁駆動装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の発明は、インジェクタ（３）を駆動することで電磁弁を開弁／閉弁する電磁弁駆動装置を対象としている。この請求項１記載の発明によれば、記憶部（６）はインジェクタ（３）への通電電流又は電圧に基づいてインジェクタ（３）を駆動する系を近似モデル化した近似モデル（Ｍ［ｔ］，Ｍ［ｎ，ｔ］）を記憶する。特徴点特定部（１１）は、インジェクタ（３）への通電電流又は電圧が記憶部（６）に記憶された近似モデル（Ｍ［ｔ］，Ｍ［ｎ，ｔ］）に基づく通電電流又は電圧から所定レベルを超えて変化する特徴点（Ｐ１）を導出する。補正処理部（１０）は、特徴点特定部（１１）により特定された特徴点に応じてインジェクタへの通電電流を補正する。特徴点特定部（１１）が特定する特徴点（Ｐ１）は回路又はインジェクタの個体差に応じて変化するため、補正処理部（１０）が特徴点特定部（１１）により特定された特徴点（Ｐ１）に応じてインジェクタ（３）への通電電流を調整すれば、インジェクタ（３）への通電電流を回路又はインジェクタ（３）の個体差に応じて調整できる。これにより、回路又はインジェクタに個体差を生じたとしてもインジェクタ（３）への通電電流を適切に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態の電磁弁駆動装置を概略的に示す電気的構成図
【図２】インジェクタの通電電流波形、磁性体のリフト挙動、実通電電流と近似モデルに基づく通電電流との差
【図３】動作を概略的に示すフローチャート
【図４】第２実施形態に係る動作を概略的に示すフローチャート
【図５】第３実施形態において近似式の工程学習処理の流れを概略的に示すフローチャート
【図６】第４実施形態において近似マップの工程学習処理の流れを概略的に示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、電磁弁駆動装置の幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１は電磁弁駆動装置の電気的構成例を概略的なブロック図により示している。本実施形態では、説明を簡略化するため１気筒分の電磁弁駆動装置の説明を行うが、２気筒分以上の電磁弁駆動装置に適用することもできる。
【００１０】
電磁弁駆動装置としての電子制御装置１（以下、ＥＣＵ：Electronic Control Unit）は、通電指示値に応じて噴射パルス、及び、駆動設定値を出力するマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略す）２と、マイコン２から噴射パルス及び駆動設定値を受付けてインジェクタ３を駆動制御する制御ＩＣ４とを備える。これらのマイコン２及び制御ＩＣ４は電気的に接続されている。マイコン２は、ＣＰＵ５、メモリ６、及び、Ａ／Ｄ変換部７を備える。メモリ６は、例えばＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなどにより記憶部として構成される。
【００１１】
マイコン２は、メモリ６に予め記憶されているプログラムをＣＰＵ５が実行することで電磁弁駆動装置を実現する。ＣＰＵ５はプログラムを実行することで、噴射パルス・駆動電流設定値生成部（以下生成部と略す）８、補正部９としての機能を備える。補正部９は、補正処理部としての補正ロジック部１０、特徴点特定部としての比較部１１、近似モデル生成部１２、としての機能を備える。制御ＩＣ４は、ロジック部１３、電流制御部１４、駆動部１５、１６、及び、ゲイン部１７としての電気的構成ブロックを備える。
【００１２】
インジェクタ３は、例えば磁性体、及び、磁性体に近接したソレノイドコイル３ａ、バネ（図示せず）等を内蔵する電磁式であり、例えばバネの弾性力、付勢力を補助的に利用して電磁弁を開弁／閉弁する。ＥＣＵ１は、ソレノイドコイル３ａへの通電／断電に応じて電磁弁を開弁／閉弁する。インジェクタ３は、例えばソレノイドコイル３ａに通電されることで磁性体がバネの弾性力に逆らって動作し始めることで電磁弁を開弁開始するように設けられる。ソレノイドコイル３ａは、電気的にはＥＣＵ１のハイサイド型の出力端子１ａとロウサイド側の出力端子１ｂとの間に接続されている。
【００１３】
ＥＣＵ１は、マイコン２及び制御ＩＣ４の他に、昇圧電源部１８、放電スイッチ１９、定電流スイッチ２０、気筒選択スイッチ２１、を主要部品として備え、その他、ダイオードＤ１〜Ｄ３、ツェナーダイオードＺＤ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、抵抗Ｒ１、Ｒ２などの周辺回路を備える。ＥＣＵ１には例えばバッテリ電源電圧による電源電圧ＶＢが供給されている。
【００１４】
昇圧電源部１８は、ＥＣＵ１に供給された電源電圧ＶＢを昇圧し、放電スイッチ１９の一端子に印加する。放電スイッチ１９は、例えばＰチャネル型のＭＯＳトランジスタにより構成され、制御ＩＣ４のロジック部１３及び駆動部１５の駆動制御に基づいてオンオフされるスイッチであり、昇圧電源部１８の出力とハイサイド側の出力端子１ａとの間に接続されている。この放電スイッチ１９は、噴射パルスに基づく通電開始タイミングからインジェクタ３の通電電流のピークとなる駆動設定値までオンされ、放電スイッチ１９がオンされると昇圧電源部１８の昇圧電圧をインジェクタ３のソレノイドコイル３ａに印加する。
【００１５】
定電流スイッチ２０は、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタにより構成され、制御ＩＣ４のロジック部１３及び駆動部１６の駆動制御に基づいてオンオフされるスイッチであり、電源電圧ＶＢの供給端子とハイサイド側の出力端子１ａとの間に接続されている。この定電流スイッチ２０は、前記した放電スイッチ１９を通じて昇圧電圧がインジェクタ３に印加し印加停止された後、インジェクタ３に定電流を印加するために用いられる。
【００１６】
気筒選択スイッチ２１は、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタにより構成され、制御ＩＣ４のロジック部１３の駆動制御に基づいてオンオフされ、インジェクタ３のロウサイド側の出力端子１ｂとグランドとの間に接続されている。気筒選択スイッチ２１は、ロジック部１３によりオン制御されると該当する気筒への通電が有効化される。
【００１７】
ダイオードＤ１は、定電流スイッチ２０とハイサイド側の出力端子１ａとの間に接続されており、昇圧電圧の逆流保護を図るために用いられる。また、ハイサイド側の出力端子１ａとグランドとの間にはダイオードＤ２、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ１が並列接続されており、ハイサイド側の出力端子１ａのノイズ除去などに用いられている。また、ロウサイド側の出力端子１ｂとグランドとの間にはコンデンサＣ２が接続されており、このコンデンサＣ２によりノイズ除去が図られている。さらに、気筒選択スイッチ２１を構成するＮチャネル型のＭＯＳトランジスタのドレインゲート間には、ダイオードＤ３及びツェナーダイオードＺＤ１が互いに逆方向接続されており、これにより気筒選択スイッチ２１の保護が図られている。
【００１８】
インジェクタ３のソレノイドコイル３ａの通電経路には電流検出用の抵抗Ｒ２が接続されている。この抵抗Ｒ２は、例えば気筒選択スイッチ２１の下流側、すなわちグランド側に接続されており、インジェクタ３のソレノイドコイル３ａの通電電流を検出する。抵抗Ｒ２の検出電圧は、制御ＩＣ４のゲイン部１７に入力されている。制御ＩＣ３のゲイン部１７は、電流検出用抵抗Ｒ２による検出電圧を増幅し、電流制御部１４及びマイコン２内のＡ／Ｄ変換部７に出力する。
【００１９】
さて、マイコン２の内部のＡ／Ｄ変換部７は、ゲイン部１７の出力電圧をＡ／Ｄ変換処理し、補正部９に出力する。補正部９は、Ａ／Ｄ変換部７のＡ／Ｄ変換結果に応じて生成部８に通電指示値をフィードバック出力する。このとき、補正部９の近似モデル生成部１２はＡ／Ｄ変換部７のＡ／Ｄ変換結果に基づいて近似式Ｍ［ｔ］による近似モデルを生成し、比較部１１がこの近似式Ｍ［ｔ］とメモリ６に記憶されるインジェクタ３の通電電流と照合して比較する。この近似式Ｍ［ｔ］はインジェクタ３を駆動する系を近似モデル化した近似モデルである。
【００２０】
比較部１１は、近似モデル生成部１２による近似式Ｍ［ｔ］と通電電流との差異を算出し、この差異に基づくパラメータ（例えば後述の時間値ｔ２）をメモリ６に格納すると共に補正ロジック部１０に出力する。補正部９の補正ロジック部１０は、この比較部１１の比較結果となるパラメータに基づいて通電指示値を補正し、補正された通電指示値を生成部８に出力する。
【００２１】
生成部８は、補正部９により補正された通電指示値に基づいて、噴射パルスの開始／終了タイミング、ピーク電流設定値による駆動設定値、の少なくとも一つ又は全部を調整する。生成部８は、噴射パルスを制御ＩＣ４に出力すると共に、駆動設定値をピーク電流設定値として制御ＩＣ４に出力する。
【００２２】
制御ＩＣ４のロジック部１３は、マイコン２の生成部８から噴射パルスを受付ける。制御ＩＣ４の電流制御部１４は、マイコン２の生成部８から与えられる駆動設定値、及び、ゲイン部１７の出力信号に基づいて、ロジック部１３に電流制御信号を出力する。ロジック部１３は、生成部８から受付けられた噴射パルス、及び、電流制御部１４により出力される電流制御信号に基づいて、駆動部１５、１６を通じて放電スイッチ１９、定電流スイッチ２０をオンオフ駆動制御すると共に、気筒選択スイッチ２１をオンオフ制御する。
【００２３】
図２は、制御ＩＣ４に噴射パルスが与えられたときのインジェクタ３の通電電流の時間変化と、インジェクタ３を構成する磁性体のリフト挙動の大きさと、実通電電流と近似モデルに基づくインジェクタ３の通電電流との差を示している。マイコン２が噴射パルスをアクティブレベル（例えば「Ｈ」）として制御ＩＣ４に出力すると、制御ＩＣ４は、まず放電スイッチ１９をオンすることで昇圧電圧をインジェクタ３に印加する（図２のｔ０〜ｔａ）。そして、電流制御部１４が、生成部８から入力された駆動設定値に基づいてインジェクタ３の通電電流のピーク電流を検出すると（図２のｔｂ）、放電スイッチ１９をオフ制御し、定電流スイッチ２０をオンオフ制御する（図２のｔｂ〜ｔｃ）。この定電流制御は、噴射パルスがノンアクティブレベル（例えば「Ｌ」）になるまで繰り返される。これにより、インジェクタ３を通電制御できる。
【００２４】
本実施形態では、噴射パルスが入力された後に電磁弁が開弁開始するタイミングをインジェクタ３の通電電流に基づいて推定することを特徴の一つとしている。開弁開始タイミングを正確に推定できれば、回路又はインジェクタの個体差が存在したとしても開弁開始タイミングを均一化できるためである。そこで、電磁弁の開弁タイミングを、インジェクタ３を構成する磁性体の移動開始タイミングと見做す。そして当該磁性体が移動する直前まで、回路による静的な近似モデルに基づくインジェクタ３の通電電流に近似可能であることを利用し、この近似モデルに基づく電流変化を逸脱したときに磁性体が移動し電磁弁が開弁するタイミングであると見做し判定する。
【００２５】
以下、この詳細について説明する。まず、メモリ６には近似式Ｍ［ｔ］が予め記憶されている。この近似式Ｍ［ｔ］は、ＥＣＵ１の内部の回路、インジェクタ３、ＥＣＵ１内の配線等による構成要素、及び、インジェクタ３の通電電流に基づいて定義される式を示すものであり、例えばインジェクタ３を構成する磁性体の挙動変化に基づく特性変化は考慮されていない。例えば、下記に近似モデルの一例を示す。ＶｕｐＢを昇圧電源部１８の出力昇圧電圧、Ｒiniをインジェクタ３及び配線の抵抗、Ｌiniをインジェクタ３及び配線のインダクタンス、ｔを時間、とすると、下記の（１）式のように回路の過渡応答特性について時間ｔを変数として記述できる。
【００２６】
【数１】
2017031939.tif 000003
したがって、下記の（２）式のように、過渡応答の近似式を一般化して記述することができ、この数式がメモリ６に予め記憶されている。この（２）式中において、Ｂ１、Ｂ２は係数として記憶される。なお、近似モデルの一例を示したが、その他、構成を変更した場合には、この変更した構成に応じた近似モデルを用いても良い。
【００２７】
【数２】
2017031939.tif 000004
ＥＣＵ１は、（２）式がメモリ６に記憶されている状態で図３に示す処理を例えば車両走行中に実行する。例えば車両走行中に、マイコン２は、インジェクタ３への通電開始から停止までの通電電流を抵抗Ｒ２、ゲイン部１７、及び、Ａ／Ｄ変換部７を用いて検出（モニタリング）し、デジタル値としてメモリ６に記憶させる（Ｓ１）。マイコン２は、通電開始ｔ＝ｔ０から所定時間ｔ１までの電流（Ｉ［ｔ０］〜Ｉ［ｔ１］）を用いて、近似モデル生成部１２により近似モデルの近似式Ｍ［ｔ］の係数Ｂ１，Ｂ２を算出する（Ｓ２）。ここでは例えば最小二乗法を用いて係数Ｂ１，Ｂ２を求めると良い。
【００２８】
このとき、前述の所定時間ｔ１としては、インジェクタ３を構成する磁性体が動き始めることが想定されるタイミングよりも前のタイミングに予め定められていると良い。この所定時間ｔ１は、ＥＣＵ１の製造時又は設計時に予め定められる。所定時間ｔ１より前の時間の通電電流を用いて近似することで、構成要素の個体差の影響を近似モデル（インピーダンス、インダクタンス）により極力正確にモデル化できる。
【００２９】
この手法を用いると、インジェクタ３の磁性体の移動に伴う磁束変化の影響が反映されないが、この近似式Ｍ［ｔ］の示す値を基準値としてインジェクタ３の通電電流を検出パラメータとすることで、磁性体の移動による磁束変化の影響を顕著に検出できる。
【００３０】
この後、マイコン２は初期設定を行う（Ｓ３）。この初期設定では、マイコン２は変数ｔ＝０に設定し、定数ｔsmp＝サンプリング時間とする。この後、マイコン２は、比較部１１により電流Ｉ［ｔ］から近似式Ｍ［ｔ］を減算した差分値Ａ［ｔ］を算出する（Ｓ４）。そして、マイコン２は、この差分値Ａ［ｔ］が予め設定された閾値定数ａth（所定レベル相当）を超えるか否かを判定する（Ｓ５）。ここで閾値定数ａthは、磁性体の移動に伴い磁束が変化し始めるタイミングを検出可能な値に予め定められる。
【００３１】
マイコン２は、比較部１１により差分値Ａ［ｔ］がこの閾値定数ａthを超えないと判定された場合には、変数ｔにサンプリング時間ｔsmpを加算し、変数ｔ＝所定時間ｔ１に至るまで繰り返す（Ｓ４〜Ｓ６）。そして、マイコン２は、比較部１１が差分値Ａ［ｔ］が閾値定数ａthを超えると判定したときに、比較部１１はこの時間ｔのタイミングを特徴点Ｐ１と見做し、当該時間ｔを時間値ｔ２として格納する（Ｓ７）。マイコン２の補正ロジック部１０は、差分値Ａ［ｔ］に基づいて検出された時間値ｔ２に基づいて通電指示値を補正する（Ｓ８）。そして、生成部８はこの補正された後の通電指示値に応じて噴射パルス、駆動設定値をロジック部１３、電流制御部１４に出力する。これにより、補正制御を終了する。
【００３２】
この時間値ｔ２における特徴点Ｐ１は、図２に示すように、インジェクタ３の電流Ｉ［ｔ］が、インジェクタ３内の磁性体の移動に応じて近似式Ｍ［ｔ］から逸脱し始める位置を示しており、マイコン２がこの特徴点Ｐ１を導出して特定することでこの特徴点Ｐ１を開弁タイミングと見做すことができる。この特徴点Ｐ１は、例えば上に凸となる電流変化が下に凸となる電流変化に変化する変曲点と考慮しても良い。
【００３３】
例えば、差分値Ａ［ｔ］の閾値定数ａthを超えるタイミングが、予め定められた標準タイミングより速いときには、電磁弁の開弁タイミングも速いと見做され、この開弁タイミングを遅くするため、次回の噴射パルスをアクティブレベルにするタイミングを前回のタイミングより遅くすると良い。逆に、差分値Ａ［ｔ］の閾値定数ａthを超えるタイミングが、予め定められた標準タイミングよりも遅いときには、電磁弁の開弁タイミングも遅いと見做され、この開弁タイミングを速くするため、次回の噴射パルスをアクティブレベルにするタイミングを前回のタイミングよりも速くすると良い。
【００３４】
マイコン２が、噴射パルスをアクティブレベルにするタイミングを調整してインジェクタ３への通電電流を調整する形態を示したが、マイコン２から入力される噴射パルスに応じて制御ＩＣ４が昇圧電圧ＶｕｐＢを通電オフ制御するタイミング（図２に示すｔｂ）を調整しても良いし、マイコン２が、インジェクタ３のピーク電流値に対応する駆動設定値を大小調整するようにしても良い。
【００３５】
マイコン２が、前述の制御を行い、通電指示値（例えば、噴射パルスをアクティブレベルとする指示タイミング）を補正することで、電磁弁の開弁タイミングのバラつきを補正できる。すなわち、この開弁タイミングの補正制御処理を、次回の噴射タイミングの噴射パルスに反映させるようにフィードバックすれば、噴射タイミングを高精度に制御できる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、メモリ６には近似式Ｍ［ｔ］が記憶されており、マイコン２の比較部１１は、メモリ６に記憶された電流Ｉ［ｔ］の近似式Ｍ［ｔ］に基づく電流から閾値定数ａthを超えて変化する特徴点Ｐ１を特定し、補正ロジック部１０が特徴点Ｐ１に応じてインジェクタ３への通電電流を補正する。この結果、ＥＣＵ１内の回路、又は、インジェクタ３に個体差を生じたとしても、インジェクタ３への通電電流を適切に調整できる。
【００３７】
マイコン２が、インジェクタ３内の磁性体の移動による磁束変化の影響を顕著に検出可能な特徴点Ｐ１を比較部１１により特定することで、この特徴点Ｐ１に応じて電磁弁の開弁タイミングを見做し特定することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
図４は第２実施形態の追加説明図を示している。第１実施形態では、メモリ６に近似モデルとしての近似式Ｍ［ｔ］を記憶させた形態を示したが、第２実施形態では、この近似式Ｍ［ｔ］に代わる近似マップＭ［ｔ］を近似モデルとして記憶させる形態を示す。図４は図３に対応した動作を概略的に示すフローチャートである。本実施形態では、第１実施形態で説明した近似式Ｍ［ｔ］の中の係数（例えば（２）式の係数Ｂ１，Ｂ２）に対応する変数ｎを予め設定した近似マップＭ［ｎ，ｔ］を用意して、メモリ６に記憶させているものである。
【００３９】
さらに具体的に説明すれば、近似マップＭ［ｎ，ｔ］は、ＥＣＵ１の構成要素（回路、インジェクタ、配線等）及びインジェクタ３のソレノイドコイル３ａの近似モデルの近似式Ｍ［ｔ］に基づき予め設定されるもので、時間tを変数としたインジェクタ３のソレノイドコイル３ａの通電電流の近似マップであり、前述の構成要素の個体差（インピーダンスやインダクタンス）を考慮して、ｎ＝０から所定値まで複数設定されている。
【００４０】
ＥＣＵ１は、この近似マップＭ［ｎ，ｔ］がメモリ６に記憶されている状態で図４に示す処理を例えば車両走行中に実行する。なお、図４には図３と同一処理については同一符号を付しており前述実施形態と同一部分については必要に応じて説明を省略する。例えば車両走行中に、マイコン２は、インジェクタ３への通電開始から停止までの通電電流を検出してメモリ６に記憶、保存させ（Ｓ１）、通電開始ｔ＝ｔ０から所定時間ｔ１までの電流（Ｉ［ｔ０］〜Ｉ［ｔ１］）を用いて近似マップＭ［ｎ，ｔ］を算出する（Ｓ２ａ）。
【００４１】
例えば、近似モデル生成部１２は、近似マップＭ［ｎ，ｔ］のｎを変化させて当該近似マップＭ［ｎ，ｔ］の特性とモニタ電流ｉ［ｔ］の特性とを例えば最小２乗法を用いて照合し、何れのｎの近似マップＭ［ｎ，ｔ］が電流Ｉ［ｔ］と近いか決定する。
【００４２】
この後、マイコン２は初期設定を行い（Ｓ３）、比較部１１によりモニタ電流Ｉ[t]から近似マップＭ［ｎ，ｔ］を減算した差分値Ａ［ｔ］を算出する（Ｓ４ａ）。そして、マイコン２の比較部１１は、差分値Ａ［ｔ］が予め設定された閾値定数ａthを超えるタイミングを特徴点Ｐ１と見做し、当該時間ｔを時間値ｔ２として格納する（Ｓ５〜Ｓ７）。そして、マイコン２の補正ロジック部１０は、差分値Ａ［ｔ］に基づいて検出された時間値ｔ２に基づいて通電指示値を補正する（Ｓ８）。そして、生成部８はこの補正された後の通電指示値に応じて噴射パルス、駆動設定値をロジック部１３、電流制御部１４に出力する。これにより、補正制御を終了する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態においても前述実施形態と同様の作用効果を奏する。また、予め用意された近似マップＭ［ｎ，ｔ］の中から選定して近似できるため、誤設定を極力回避できると共に近似マップＭ［ｎ］の算出のための複雑な演算を不要にできる。
【００４４】
（第３実施形態）
図５は第３実施形態の追加説明図を示している。第３実施形態では、例えばＥＣＵ１を製造するときに、第１実施形態で説明した近似式Ｍ［ｔ］の数式について予め工程学習する形態を示す。図５は、ＥＣＵ１の製品製造時に近似式Ｍ［ｔ］を学習するための処理動作を概略的に示している。
【００４５】
ＥＣＵ１の製品製造時には、内部回路構成、配線レイアウトが決定され、その後、部品を全て組付けする。ＥＣＵ１の完成後には製品テストが行われる。このＥＣＵ１の製品テストを行うときには、インジェクタ３として標準となるマスタインジェクタを用いると共に、さらにその他標準的な周辺部品を用いると共に標準的な測定環境を用いてテストが行われる。図５に示すように、このテスト時に、マイコン２は制御ＩＣ４からインジェクタ３に通電し、この通電電流を検出しメモリ６に保存させる（Ｔ１）。
【００４６】
そして、マイコン２は、通電開始ｔ＝ｔ０から所定時間ｔ１までの電流Ｉ［ｔ０］〜Ｉ［ｔ１］を用いて近似モデル生成部１２により近似式Ｍ［ｔ］を設定する（Ｔ２）。そして、マイコン２は、この近似式Ｍ［ｔ］を内部のメモリに保存する（Ｔ３）。この結果、製品テスト時に検出された通電電流に基づいて基本的な近似式Ｍ［ｔ］を予めメモリ６に保存させることができる。
【００４７】
この基本的な近似式Ｍ［ｔ］は、マスタインジェクタなどの標準的な部品を用いると共に標準的な測定環境を用いて設定された近似式であるため、実際に組付けされたインジェクタ３を用いたときには、このインジェクタ３の個体差、配線、環境温度等の実環境に応じて、適切な近似式Ｍ［ｔ］（例えば係数Ｂ１、Ｂ２）が異なることが想定される。
【００４８】
このＥＣＵ１の製品出荷後には、実際に組付けられたインジェクタ３に電流を流し当該インジェクタ３を駆動することになるが、このときの近似式Ｍ［ｔ］における係数Ｂ１、Ｂ２を、この実使用時のインジェクタ３の通電電流に基づいて調整すると良い。
【００４９】
本実施形態によれば、予め近似式Ｍ［ｔ］をＥＣＵ１の製品出荷時に設定することで、その後、インジェクタ３の個体差、電源電圧、温度などの実環境に適合するように近似式Ｍ［ｔ］の係数Ｂ１、Ｂ２を微調整できる。この結果、ＥＣＵ１の製品出荷時にはＥＣＵ１を構成する電気的要素（例えば抵抗の抵抗値など）のバラつきの影響を吸収でき、近似式Ｍ［ｔ］の精度を向上でき、実使用時における誤設定を防止できる。特に予め近似式Ｍ［ｔ］を初期段階からある程度定めているため、近似式Ｍ［ｔ］を実環境に適合させてパラメータを収束させるための時間を極力短くできる。また、実使用時にこれらの近似式Ｍ［ｔ］を高精度に補正できる。
【００５０】
（第４実施形態）
図６は第４実施形態の追加説明図を示している。この第４実施形態ではＥＣＵ１を製造するときに、第２実施形態で説明した近似マップＭ［ｎ，ｔ］について工程学習する形態を示す。図６は、製品製造時に近似マップＭ［ｎ，ｔ］を学習するための処理動作を概略的に示す。
【００５１】
第３実施形態と同様であるが、図６に示すように、ＥＣＵ１の製品テスト時には、マイコン２が制御ＩＣ４からインジェクタ３のソレノイドコイル３ａに通電し、この通電電流を検出してメモリ６に保存させる（Ｔ１）。このときマイコン２は、通電開始ｔ＝ｔ０から所定時間ｔ１までの電流Ｉ［ｔ０］〜Ｉ［ｔ１］を用いて近似式Ｍ［ｔ］を近似モデル生成部１２により設定する（Ｔ２）。そして、マイコン２はこの近似式Ｍ［ｔ］に基づいて、個体差を考慮して、複数の近似マップＭ［ｎ，ｔ］を設定し（Ｔ４）、メモリ６に保存させる（Ｔ５）。コンデンサＣ１、Ｃ２、抵抗Ｒ１、ダイオードＤ１〜Ｄ３及びＺＤ１は、例えば電源電圧ＶＢや環境温度などに応じてその値が変化するが、値ｎはこの電源電圧ＶＢや環境温度に依存して変化する回路パラメータを考慮したものであり、この回路パラメータを変化させた近似マップＭ［ｎ，ｔ］をメモリ６に保存させる。この結果、製品テスト時に検出されたインジェクタ３の通電電流に基づいて、基本的な近似マップＭ［ｎ，ｔ］を予めメモリ６に保存させることができる。
【００５２】
この基本的な近似マップＭ［ｎ，ｔ］は、ＥＣＵ１の外部にマスタインジェクタ、マスタ回路などの標準的な部品を用い、予め定められた電源電圧ＶＢや環境温度などのパラメータを用いて測定された近似マップである。このため、実際に車両に組付けされたインジェクタ３を用いるときには、このインジェクタ３の個体差に応じた適切な近似マップＭ［ｎ，ｔ］を選定することで、より適切な近似マップＭ［ｎ，ｔ］を選定できる。
【００５３】
このＥＣＵ１の製品出荷後には、ＥＣＵ１は実際に組付けられたインジェクタ３に電流を流して当該インジェクタ３を駆動することになるが、実使用時のインジェクタ３の通電電流に基づいて近似マップＭ［ｎ，ｔ］のｎを設定することで近似マップＭ［ｎ，ｔ］を設定する。
【００５４】
このように、近似マップＭ［ｎ，ｔ］を製品出荷時にメモリ６に記憶させることで、その後、実使用時の電源電圧、温度などに適合した近似マップＭ［ｎ，ｔ］のｎを設定できる。この結果、ＥＣＵ１の製品出荷時には、ＥＣＵ１を構成する電気的要素（例えば、ダイオードＤ１〜Ｄ３の順方向電圧Ｖｆ、ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧、抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗値など）のバラつきの影響を吸収でき、近似マップＭ［ｎ，ｔ］の近似精度を向上でき、実使用時における誤設定を防止できる。特に予め近似マップＭ［ｎ，ｔ］を初期段階からある程度定めているため、近似マップＭ［ｎ，ｔ］を実環境に適合させてパラメータを収束させるための時間を極力短くできる。
【００５５】
（他の実施形態）
本発明は、上記説明した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。例えば以下に示す変形又は拡張が可能である。
インジェクタ３への通電電流の近似式Ｍ［ｔ］、近似マップＭ［ｎ，ｔ］を用いた形態を示しているが、インジェクタ３の端子電圧の近似式、近似マップなどの近似モデルを用いても良い。
前述実施形態では、説明の簡略化のため、１気筒分のインジェクタを表記して説明を行ったが、２気筒以上の場合においても同様の内容を実施できる。
【符号の説明】
【００５６】
図面中、１は電子制御装置（ＥＣＵ、電磁弁駆動装置）、２はマイクロコンピュータ、３はインジェクタ、６はメモリ（記憶部）、１０は補正ロジック部（補正処理部）、１１は比較部（特徴点特定部）、Ｍ［ｔ］は近似式（近似モデル）、Ｍ［ｎ，ｔ］は近似マップ（近似モデル）、を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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