(57)【要約】【課題】  低背化と、かつ製造における工程の簡略化とを図ることが可能な固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】  弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体と、多孔質焼結体２１に一部が挿入された陽極ワイヤ２２と、多孔質焼結体２１を覆う誘電体層２３と、誘電体層２３を覆い、かつ陰極を構成する陰極部２４と、を有するコンデンサ素子Ｂと、陽極ワイヤ２２に接続された陽極端子３と、陰極部２４に接続された陰極端子４と、コンデンサ素子Ｂの厚さ方向である第１方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂主面６１および樹脂底面６２を有し、かつコンデンサ素子Ｂを覆う封止樹脂６と、を備え、陽極端子３は、樹脂底面６２に接する陽極薄膜部３１を有し、陰極端子４は、樹脂底面６２に接する陰極薄膜部４１を有し、陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１は、ともに同一の厚さであり、かつ同一のめっき層である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体に一部が挿入された陽極ワイヤと、前記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆い、かつ陰極を構成する陰極部と、を有するコンデンサ素子と、
前記陽極ワイヤに接続された陽極端子と、
前記陰極部に接続された陰極端子と、
前記コンデンサ素子の厚さ方向である第１方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂底面を有し、かつ前記コンデンサ素子を覆う封止樹脂と、を備えた固体電解コンデンサであって、
前記陽極端子は、前記樹脂底面に接する陽極薄膜部を有し、
前記陰極端子は、前記樹脂底面に接する陰極薄膜部を有し、
前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部は、ともに同一の厚さであり、かつ同一のめっき層であることを特徴とする、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部の双方は、互いに積層されたＣｕ層およびＮｉ層から構成される、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記陽極端子は、前記陽極薄膜部から前記第１方向に起立し、かつ前記陽極薄膜部と前記陽極ワイヤとの間に介在するスペーサ部と、前記スペーサ部および前記陽極ワイヤの双方に接する陽極接合部と、をさらに有し、
前記スペーサ部および前記陽極接合部は、ともにめっき層である、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記スペーサ部は、互いに積層されたＣｕ層およびＮｉ層から構成される、請求項３に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
前記陽極接合部は、Ｓｎを含む合金層から構成される、請求項３または４に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
前記スペーサ部および前記陽極接合部には、前記コンデンサ素子の長さ方向であり、かつ前記第１方向に対して直角である第２方向に沿って形成された係合溝が形成され、
前記第１方向視である平面視において、前記係合溝内に前記陽極ワイヤの軸心が位置している、請求項３ないし５のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記多孔質焼結体の形状は、直方体状である、請求項３ないし６のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
前記陽極ワイヤは、前記第１方向において前記多孔質焼結体の中央よりも前記樹脂底面寄りに位置する、請求項７に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項９】
前記陰極端子は、前記陰極薄膜部および前記陰極部の双方に接する陰極接合部をさらに有し、
前記陰極接合部は、めっき層である、請求項１ないし８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１０】
前記陰極接合部は、Ｓｎを含む合金層から構成される、請求項９に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１１】
前記陽極端子は、前記陽極薄膜部に接する陽極パッド部をさらに有し、
前記陰極端子は、前記陰極薄膜部に接する陰極パッド部をさらに有し、
前記陽極パッド部および前記陰極パッド部は、ともに同一の厚さであり、かつ同一のめっき層である、請求項１ないし１０のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１２】
前記陽極パッド部および前記陰極パッド部の双方は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される、請求項１１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１３】
前記陽極薄膜部と前記陰極薄膜部との間に介在する絶縁層をさらに備え、前記絶縁層の厚さは、前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部の厚さと同一である、請求項１ないし１２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１４】
前記絶縁層は、感光性ポリイミドからなる、請求項１３に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１５】
前記弁作用金属は、ＴａまたはＮｂである、請求項１ないし１４のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１６】
前記陽極ワイヤは、前記多孔質焼結体と同一の金属からなる、請求項１５に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１７】
前記陰極部は、前記誘電体層を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層を覆う第１陰極層と、前記第１陰極層を覆う第２陰極層と、を有し、前記第２陰極層はＡｇからなる、請求項１ないし１６のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１８】
前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂からなる、請求項１ないし１７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１９】
弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体に一部が挿入された陽極ワイヤと、前記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆い、かつ陰極を構成する陰極部と、を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、
前記コンデンサ素子を形成する工程と、
基材に下地処理を施す工程と、
前記基材に導電層を形成する工程と、
前記導電層に前記コンデンサ素子を接続する工程と、
前記コンデンサ素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、
前記基材に下地処理を施す工程では、Ｓｉからなる前記基材に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うシード層を形成する工程と、前記シード層の一部を覆う絶縁層を形成する工程と、を含み、
前記導電層は、電解めっきにより形成されることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２０】
前記基材に下地処理を施す工程において形成される前記保護膜は、Ｃ4Ｆ8からなる、請求項１９に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２１】
前記基材に下地処理を施す工程では、フォトリソグラフィにより前記絶縁層が形成される、請求項１９または２０に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２２】
前記基材に下地処理を施す工程では、前記保護膜を形成する工程と前記シード層を形成する工程との間に、前記保護膜および前記シード層の双方に接するバリア層を形成する工程をさらに含み、前記バリア層はＴｉからなる、請求項１８ないし２１のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２３】
前記基材に下地処理を施す工程では、ともにスパッタリング法により前記バリア層および前記シード層が形成される、請求項２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記導電層を形成する工程では、前記絶縁層に覆われていないシード層に薄膜部を形成する工程と、前記薄膜部の一部を覆う陰極接合部を形成する工程と、前記薄膜部から前記コンデンサ素子の厚さ方向である第１方向に起立するスペーサ部および前記スペーサ部の一部を覆う陽極接合部を形成する工程と、を含む、請求項１８ないし２３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記スペーサ部および前記陽極接合部を形成する工程では、前記スペーサ部および前記陽極接合部を分断する係合溝が前記導電層に形成される、請求項２４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２６】
前記コンデンサ素子を接続する工程では、前記第１方向視である平面視において、前記係合溝内に前記陽極ワイヤの軸心が位置するように前記コンデンサ素子を配置した後、前記陰極接合部および前記陽極接合部をともに加熱により溶融させた後に、冷却により固化させることで、前記導電層が前記コンデンサ素子に接続される、請求項２５に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２７】
前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記絶縁層および前記導電層から前記基材を剥離する工程と、エッチングにより前記シード層を除去する工程と、をさらに備える、請求項１８ないし２６のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２８】
前記シード層を除去する工程の後に、前記導電層に接するパッド層を形成する工程をさらに備える、請求項２７に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２９】
前記パッド層を形成する工程では、無電解めっきにより前記パッド層が形成される、請求項２８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に弁作用金属の焼結体からなる陽極を有するコンデンサ素子を備え、かつ表面実装される樹脂パッケージ形式の固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における電子機器の小型化や高機能化の進展によって、該電子機器に供給される電源には高周波領域での駆動が要求されている。それに伴い、ノイズ対策や電源電圧の平滑化が必要となり、電子回路におけるコンデンサが果たす役割が重要になってきている。こうした中で、小型で静電容量が大きく、かつ周波数特性に優れ、さらにはインピーダンスが低い固体電解コンデンサに対する需要が高まっている。
【０００３】
固体電解コンデンサに対する需要の高まりを受け、工程の簡略化による製造効率の向上が求められている。たとえば特許文献１には、工程の簡略化による製造効率の向上を可能とした固体電解コンデンサの一例が開示されている。ここで、弁作用金属（ＴａまたはＮｂなど）の焼結体からなる陽極を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサの陽極部は、一般的にリードフレームに由来する部分である陽極端子と、前記コンデンサ素子から延出した陽極ワイヤとの間に導電性を有したスペーサが介在し、前記陽極端子および前記陽極ワイヤが溶接により前記スペーサに接合されている。特許文献１に開示されている固体電解コンデンサは、陽極ワイヤの先端部の形状を垂直方向（固体電解コンデンサの厚さ方向）に延出した偏平状にすることによって、スペーサが廃止され、かつ溶接工数が低減されることから、工程の簡略化による製造効率の向上が可能となる。
【０００４】
ただし、固定電解コンデンサの陽極ワイヤは比較的断面積が小さな部材であるため、特許文献１に開示されているように、陽極ワイヤの先端部の形状をスペーサが不要となる程度まで偏平状に加工することは困難である。このような加工を可能とするためには、陽極ワイヤの断面積を従来よりも大きく確保する必要があり、この場合、固体電解コンデンサの低背化を図ることが困難になるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１０５９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑み、低背化を図りつつ、工程の簡略化による製造効率の向上が可能な固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される固体電解コンデンサは、弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体に一部が挿入された陽極ワイヤと、前記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆い、かつ陰極を構成する陰極部と、を有するコンデンサ素子と、前記陽極ワイヤに接続された陽極端子と、前記陰極部に接続された陰極端子と、前記コンデンサ素子の厚さ方向である第１方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂底面を有し、かつ前記コンデンサ素子を覆う封止樹脂と、を備えた固体電解コンデンサであって、前記陽極端子は、前記樹脂底面に接する陽極薄膜部を有し、前記陰極端子は、前記樹脂底面に接する陰極薄膜部を有し、前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部は、ともに同一の厚さであり、かつ同一のめっき層であることを特徴としている。
【０００８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部の双方は、互いに積層されたＣｕ層およびＮｉ層から構成される。
【０００９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極端子は、前記陽極薄膜部から前記第１方向に起立し、かつ前記陽極薄膜部と前記陽極ワイヤとの間に介在するスペーサ部と、前記スペーサ部および前記陽極ワイヤの双方に接する陽極接合部と、をさらに有し、前記スペーサ部および前記陽極接合部は、ともにめっき層である。
【００１０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記スペーサ部は、互いに積層されたＣｕ層およびＮｉ層から構成される。
【００１１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極接合部は、Ｓｎを含む合金層から構成される。
【００１２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記スペーサ部および前記陽極接合部には、前記コンデンサ素子の長さ方向であり、かつ前記第１方向に対して直角である第２方向に沿って形成された係合溝が形成され、前記第１方向視である平面視において、前記係合溝内に前記陽極ワイヤの軸心が位置している。
【００１３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記多孔質焼結体の形状は、直方体状である。
【００１４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極ワイヤは、前記第１方向において前記多孔質焼結体の中央よりも前記樹脂底面寄りに位置する。
【００１５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陰極端子は、前記陰極薄膜部および前記陰極部の双方に接する陰極接合部をさらに有し、前記陰極接合部は、めっき層である。
【００１６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陰極接合部は、Ｓｎを含む合金層から構成される。
【００１７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極端子は、前記陽極薄膜部に接する陽極パッド部をさらに有し、前記陰極端子は、前記陰極薄膜部に接する陰極パッド部をさらに有し、前記陽極パッド部および前記陰極パッド部は、ともに同一の厚さであり、かつ同一のめっき層である。
【００１８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極パッド部および前記陰極パッド部の双方は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。
【００１９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極薄膜部と前記陰極薄膜部との間に介在する絶縁層をさらに備え、前記絶縁層の厚さは、前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部の厚さと同一である。
【００２０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記絶縁層は、感光性ポリイミドからなる。
【００２１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記弁作用金属は、ＴａまたはＮｂである。
【００２２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陽極ワイヤは、前記多孔質焼結体と同一の金属からなる。
【００２３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記陰極部は、前記誘電体層を覆う固体電解質層と、前記固体電解質層を覆う第１陰極層と、前記第１陰極層を覆う第２陰極層と、を有し、前記第２陰極層はＡｇからなる。
【００２４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂からなる。
【００２５】
本発明の第２の側面によって提供される固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体に一部が挿入された陽極ワイヤと、前記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆い、かつ陰極を構成する陰極部と、を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、前記コンデンサ素子を形成する工程と、基材に下地処理を施す工程と、前記基材に導電層を形成する工程と、前記導電層に前記コンデンサ素子を接続する工程と、前記コンデンサ素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、前記基材に下地処理を施す工程では、Ｓｉからなる前記基材に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を覆うシード層を形成する工程と、前記シード層の一部を覆う絶縁層を形成する工程と、を含み、前記導電層は、電解めっきにより形成されることを特徴としている。
【００２６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記基材に下地処理を施す工程において形成される前記保護膜は、Ｃ4Ｆ8からなる。
【００２７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記基材に下地処理を施す工程では、フォトリソグラフィにより前記絶縁層が形成される。
【００２８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記基材に下地処理を施す工程では、前記保護膜を形成する工程と前記シード層を形成する工程との間に、前記保護膜および前記シード層の双方に接するバリア層を形成する工程をさらに含み、前記バリア層はＴｉからなる。
【００２９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記基材に下地処理を施す工程では、ともにスパッタリング法により前記バリア層および前記シード層が形成される。
【００３０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層を形成する工程では、前記絶縁層に覆われていないシード層に薄膜部を形成する工程と、前記薄膜部の一部を覆う陰極接合部を形成する工程と、前記薄膜部から前記コンデンサ素子の厚さ方向である第１方向に起立するスペーサ部および前記スペーサ部の一部を覆う陽極接合部を形成する工程と、を含む。
【００３１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記スペーサ部および前記陽極接合部を形成する工程では、前記スペーサ部および前記陽極接合部を分断する係合溝が前記導電層に形成される。
【００３２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記コンデンサ素子を接続する工程では、前記第１方向視である平面視において、前記係合溝内に前記陽極ワイヤの軸心が位置するように前記コンデンサ素子を配置した後、前記陰極接合部および前記陽極接合部をともに加熱により溶融させた後に、冷却により固化させることで、前記導電層が前記コンデンサ素子に接続される。
【００３３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記絶縁層および前記導電層から前記基材を剥離する工程と、エッチングにより前記シード層を除去する工程と、をさらに備える。
【００３４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記シード層を除去する工程の後に、前記導電層に接するパッド層を形成する工程をさらに備える。
【００３５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド層を形成する工程では、無電解めっきにより前記パッド層が形成される。
【発明の効果】
【００３６】
本発明にかかる固体電解コンデンサは、樹脂底面に接する陽極薄膜部および陰極薄膜部を有し、これらは同一の厚さであり、かつ同一のめっき層である。前記陽極薄膜部および前記陰極薄膜部は、従来の固体電解コンデンサにおいては一般的にリードフレームに由来する部分に該当するが、本発明においてはともにめっき層であるため、厚さを従来よりも薄くすることができる。また、本発明にかかる固体電解コンデンサの製造において、シード層を形成した基材を用いることによって、陽極端子および陰極端子となる導電層は全て電解めっきで形成することができる。また、前記基材には保護膜が形成されるため、前記導電層から前記基材を剥離することができる。ここで、電解めっきによって形成される前記導電層のスペーサ部は比較的簡易な構造であり、かつ形成にあたって前記導電層の薄膜部との溶接は不要である。また、陽極ワイヤは従来と同一のものをそのまま用いることができる。したがって、本発明にかかる固体電解コンデンサによれば、低背化を図りつつ、工程の簡略化による製造効率の向上が可能となる。
【００３７】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明にかかる固体電解コンデンサの右側面図（封止樹脂を省略）である。
【図２】図１に示す固体電解コンデンサの平面図（封止樹脂を省略）である。
【図３】図１に示す固体電解コンデンサの正面図（封止樹脂を省略）である。
【図４】図１に示す固体電解コンデンサの底面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図１に示す固体電解コンデンサのコンデンサ素子の部分拡大断面図である。
【図７】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図８】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図９】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１４】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図（断面方向が図１３に対して直角）である。
【図１５】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図（断面方向が図１５に対して直角）である。
【図１７】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図１８】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する平面図である。
【図１９】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図２０】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【図２２】図１に示す固体電解コンデンサの製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００４０】
図１〜図６に基づき、本発明にかかる固体電解コンデンサＡ１０の実施形態について説明する。固体電解コンデンサＡ１０は、コンデンサ素子Ｂ、陽極端子３、陰極端子４、絶縁体５および封止樹脂６を備える。
【００４１】
図１は、固体電解コンデンサＡ１０の右側面図である。図２は、固体電解コンデンサＡ１０の平面図である。図３は、固体電解コンデンサＡ１０の正面図である。図４は、固体電解コンデンサＡ１０の底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、固体電解コンデンサＡ１０のコンデンサ素子Ｂの部分拡大図である。なお、図１〜図３は、理解の便宜上、封止樹脂６を省略し、図１および図３は、省略した封止樹脂６を想像線（二点鎖線）で示している。
【００４２】
これらの図に示す固体電解コンデンサＡ１０は、各種回路基板に表面実装される樹脂パッケージ形式のものである。ここで、説明の便宜上、コンデンサ素子Ｂ（または固体電解コンデンサＡ１０）の厚さ方向を第１方向Ｚと、第１方向Ｚに対して直角であり、かつコンデンサ素子Ｂの長さ方向を第２方向Ｘと、第１方向Ｚおよび第２方向Ｘのいずれに対しても直角であり、かつコンデンサ素子Ｂの幅方向を第３方向Ｙと、それぞれ定義する。固体電解コンデンサＡ１０の形状は、第１方向Ｚ視である平面視（以下「平面視」という。）において矩形状である。
【００４３】
［コンデンサ素子Ｂの構成について］
固体電解コンデンサＡ１０の主たる構成要素であるコンデンサ素子Ｂの構成について説明する。コンデンサ素子Ｂは、図１〜図４に示すように、素子主面１１、素子底面１２および素子側面１３を有する。また、図５および図６に示すように、コンデンサ素子Ｂは、多孔質焼結体２１、陽極ワイヤ２２、誘電体層２３および陰極部２４を備える。陽極ワイヤ２２を除くコンデンサ素子Ｂの形状は直方体状である。
【００４４】
図１〜図３に示すように、素子主面１１は図１に示すコンデンサ素子Ｂの第１方向Ｚ上方を向く面であり、素子底面１２は図１に示すコンデンサ素子Ｂの第１方向Ｚ下方を向く面である。素子主面１１および素子底面１２は、互いに離間し、かつ反対側を向いている。素子主面１１および素子底面１２の面積は略同一である。素子側面１３は、素子主面１１と素子底面１２との間に挟まれ、かつ第２方向Ｘに離間した一対の素子側面１３と、第３方向Ｙに離間した一対の素子側面１３とから構成される。素子側面１３のうち第２方向Ｘに離間した一方の素子側面１３から、棒状の陽極ワイヤ２２が第２方向Ｘに沿って突出している。本実施形態においては、第２方向Ｘに離間した一対の素子側面１３の面積は、第３方向Ｙに離間した一対の素子側面１３の面積よりも小である。
【００４５】
図１に示すように、コンデンサ素子Ｂは、陽極ワイヤ２２の先端が陽極端子３に導通している。また、コンデンサ素子Ｂは、素子底面１２が陰極端子４に導通している。
【００４６】
図５に示すように、多孔質焼結体２１は、陽極ワイヤ２２の一部を覆う部分である。多孔質焼結体２１は、誘電体層２３および陰極部２４に覆われ、かつ陽極ワイヤ２２とともにコンデンサ素子Ｂの陽極を構成している。コンデンサ素子Ｂにおいて、多孔質焼結体２１の厚さは一様であり、かつ誘電体層２３および陰極部２４の厚さよりも十分に厚く設定されている。よって、陽極ワイヤ２２を除くコンデンサ素子Ｂの形状は、多孔質焼結体２１の形状に基づいたものとなっている。したがって、多孔質焼結体２１の形状は直方体状である。多孔質焼結体２１は弁作用金属からなり、本実施形態にかかる該弁作用金属はＴａまたはＮｂからなる。図６に示すように、多孔質焼結体２１の表面は多数の細孔２１１が形成されていることから、多孔質焼結体２１の表面積が細孔２１１によって拡大されている。
【００４７】
図５に示すように、陽極ワイヤ２２は、多孔質焼結体２１に一部が挿入された棒状で、かつ横断面形状が円形状の部分である。本実施形態にかかる陽極ワイヤ２２は、第１方向Ｚにおいて多孔質焼結体２１の中央よりも後述する封止樹脂６の樹脂底面６２寄り、すなわち素子底面１２寄りに位置している。また、本実施形態にかかる陽極ワイヤ２２は、多孔質焼結体２１と同一の金属、すなわち同一の弁作用金属であるＴａまたはＮｂからなる。
【００４８】
図５および図６に示すように、誘電体層２３は、多孔質焼結体２１を覆う部分である。誘電体層２３は、多孔質焼結体２１の表面を酸化させることで形成される。よって、誘電体層２３は弁作用金属の酸化物であり、本実施形態においては、Ｔａ2Ｏ5またはＮｂ2Ｏ5からなる。
【００４９】
図５および図６に示すように、陰極部２４は、固体電解質層２４１、第１陰極層２４２および第１陰極層２４２を有し、これらが互いに積層された部分である。陰極部２４は、誘電体層２３を覆い、かつコンデンサ素子Ｂの陰極を構成している。固体電解質層２４１は、多孔質焼結体２１の細孔２１１を埋めつつ、誘電体層２３を覆う部分である。固体電解質層２４１は、たとえばＭｎＯ2または導電性ポリマーからなる。固体電解コンデンサＡ１０の作動時は、誘電体層２３と固体電解質層２４１との界面に電荷が蓄積される。第１陰極層２４２は、固体電解質層２４１を覆い、かつ固体電解質層２４１に導通する部分である。第１陰極層２４２は、たとえばグラファイト（黒鉛）からなる。第２陰極層２４３は、第１陰極層２４２を覆い、かつ第１陰極層２４２を介して固体電解質層２４１に導通する部分である。コンデンサ素子Ｂの表面は、第２陰極層２４３が露出した状態となっている。本実施形態においては、第２陰極層２４３はＡｇからなる。
【００５０】
［その他の構成について］
次に、固体電解コンデンサＡ１０のうち、コンデンサ素子Ｂ以外の構成要素である陽極端子３、陰極端子４、絶縁体５および封止樹脂６の構成について説明する。
【００５１】
陽極端子３は、図１〜図４に示すように、導電性を有し、かつ陽極ワイヤ２２に接続されることにより固体電解コンデンサＡ１０の陽極を構成する部材である。陽極端子３は、陽極薄膜部３１、スペーサ部３２、陽極接合部３３、係合溝３４および陽極パッド部３５を有する。
【００５２】
図１および図２に示すように、陽極薄膜部３１は、後述する封止樹脂６の樹脂底面６２に接し、かつ平面視における形状が第３方向Ｙに延出した帯状の部分である。本実施形態にかかる陽極薄膜部３１はめっき層からなり、互いに積層されたＣｕ層３１１およびＮｉ層３１２から構成される。Ｎｉ層３１２は、Ｃｕ層３１１および樹脂底面６２の双方に接している。Ｎｉ層３１２の厚さは、Ｃｕ層３１１の厚さよりも薄い。
【００５３】
図１および図３に示すように、スペーサ部３２は、陽極薄膜部３１から第１方向Ｚに起立し、かつ陽極薄膜部３１と陽極ワイヤ２２との間に介在する、形状が直方体状の部分である。スペーサ部３２の厚さは、陽極薄膜部３１の厚さよりも厚く設定されている。また、図２に示すように、スペーサ部３２の平面視における面積は、陽極薄膜部３１の平面視における面積よりも小である。本実施形態にかかるスペーサ部３２はめっき層からなり、陽極薄膜部３１と同じく互いに積層されたＣｕ層３２１およびＮｉ層３２２から構成される。Ｎｉ層３２２は、Ｃｕ層３２１に接し、かつ第１方向Ｚにおいて陽極ワイヤ２２寄りに位置している。また、陽極薄膜部３１と同様に、Ｎｉ層３２２の厚さはＣｕ層３２１の厚さよりも薄い。
【００５４】
図１および図３に示すように、陽極接合部３３は、スペーサ部３２および陽極ワイヤ２２の双方に接する部分である。陽極接合部３３は、固着によってスペーサ部３２を陽極ワイヤ２２に接続させる機能を果たす。図２に示すように、陽極接合部３３の平面視における面積は、スペーサ部３２の平面視における面積と同一である。本実施形態にかかる陽極接合部３３はめっき層からなり、Ｓｎを含む合金層から構成される。該合金層として具体的には、たとえばＳｎ−Ｓｂ系合金、またはＳｎ−Ａｇ系合金などの鉛フリー半田である。
【００５５】
図２および図３に示すように、係合溝３４は、スペーサ部３２および陽極接合部３３に、第２方向Ｘに沿って形成された部分である。係合溝３４に陽極ワイヤ２２が係合している。本実施形態にかかる係合溝３４は、第３方向Ｙにおける中央でスペーサ部３２および陽極接合部３３を分断している。また、係合溝３４の平面視および第２方向Ｘにおける形状は、ともに矩形状であり、かつ一様である。本実施形態においては、平面視において係合溝３４内に陽極ワイヤ２２の軸心Ｎ（図２に示す一点鎖線）が位置している。
【００５６】
図１および図４に示すように、陽極パッド部３５は、陽極薄膜部３１に接し、かつ平面視における形状が第３方向Ｙに延出した帯状の部分である。図２および図４に示すように、陽極パッド部３５の平面視における面積は、陽極薄膜部３１の平面視における面積と同一である。本実施形態にかかる陽極パッド部３５はめっき層からなり、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。積層の順は、陽極薄膜部３１に近い方からＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順である。
【００５７】
陰極端子４は、図１、図２および図４に示すように、導電性を有し、かつ陰極部２４に接続されることにより固体電解コンデンサＡ１０の陽極を構成する部材である。陰極端子４は、陰極薄膜部４１、陰極接合部４３および陰極パッド部４５を有する。
【００５８】
図１および図２に示すように、陰極薄膜部４１は、後述する封止樹脂６の樹脂底面６２に接する、かつ平面視における形状が第３方向Ｙに延出した帯状の部分である。本実施形態にかかる陰極薄膜部４１の厚さは、陽極薄膜部３１の厚さと同一である。また、本実施形態にかかる陰極薄膜部４１は、陽極薄膜部３１と同一のめっき層からなり、互いに積層されたＣｕ層４１１およびＮｉ層４１２から構成される。Ｎｉ層４１２は、Ｃｕ層４１１および樹脂底面６２の双方に接している。また、Ｃｕ層４１１およびＮｉ層４１２の各層の厚さは、Ｃｕ層３１１およびＮｉ層３１２の各層の厚さと同一である。
【００５９】
図１に示すように、陰極接合部４３は、陰極薄膜部４１および陰極部２４の双方に接する部分である。陰極接合部４３は、固着によって陰極薄膜部４１を陰極部２４に接続させる機能を果たす。本実施形態にかかる陰極接合部４３は、陽極接合部３３と同一のめっき層からなり、Ｓｎを含む合金層から構成される。該合金層として具体的には、たとえばＳｎ−Ｓｂ系合金、またはＳｎ−Ａｇ系合金などの鉛フリー半田である。
【００６０】
図１および図４に示すように、陰極パッド部４５は、陰極薄膜部４１に接し、かつ平面視における形状が第３方向Ｙに延出した帯状の部分である。図２および図４に示すように、陰極パッド部４５の平面視における面積は、陰極薄膜部４１の平面視における面積と同一である。本実施形態にかかる陰極パッド部４５の厚さは、陽極パッド部３５の厚さと同一である。また、本実施形態にかかる陰極パッド部４５は、陽極パッド部３５と同一のめっき層からなり、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。積層の順は、陰極薄膜部４１に近い方からＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順である。また、陰極パッド部４５のＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層の各層の厚さは、陽極パッド部３５のＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層の各層の厚さと同一である。
【００６１】
絶縁体５は、図１、図２および図４に示すように、電気絶縁性を有し、かつ陽極薄膜部３１と陰極薄膜部４１との間に介在する部材である。絶縁体５は、後述する封止樹脂６の樹脂底面６２に接している。本実施形態にかかる絶縁体５の厚さは、陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１の厚さと同一である。また、本実施形態にかかる絶縁体５は、感光性ポリイミドからなる。
【００６２】
封止樹脂６は、図１〜図５に示すように、コンデンサ素子Ｂと、陽極端子３および陰極端子４のそれぞれ一部ずつとを覆う合成樹脂からなる部材である。本実施形態にかかる封止樹脂６は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂からなる。封止樹脂６は、樹脂主面６１、樹脂底面６２および樹脂側面６３を有する。樹脂主面６１は、図５に示す封止樹脂６の第１方向Ｚ上方を向く面である。樹脂底面６２は、図５に示す封止樹脂６の第１方向Ｚ下方を向く面である。樹脂主面６１および樹脂底面６２の平面視における形状は、ともに矩形状である。また、樹脂主面６１および樹脂底面６２の面積は、ともに同一である。樹脂側面６３は、樹脂主面６１と樹脂底面６２との間に挟まれた固体電解コンデンサＡ１０の外側を向く４つの面である。本実施形態においては、樹脂側面６３のうち第２方向Ｘに離間した一方の樹脂側面６３から、陽極ワイヤ２２、スペーサ部３２および陽極接合部３３がそれぞれ露出している。
【００６３】
次に、図７〜図２２に基づき、固体電解コンデンサＡ１０の製造方法の一例について説明する。図７〜図２２のうち、図１４、図１６および図１８を除いた図は、いずれも固体電解コンデンサＡ１０の製造方法を説明する断面図である。該断面図における断面位置は、図５に示す断面位置と同一である。図１４は、断面方向が図１３に対して直角である固体電解コンデンサＡ１０を説明する断面図である。図１６は、断面方向が図１５に対して直角である固体電解コンデンサＡ１０を説明する断面図である。図１８は、固体電解コンデンサＡ１０の製造方法を説明する平面図である。
【００６４】
最初に、図７に示すように、コンデンサ素子８１を形成する。コンデンサ素子８１が、固体電解コンデンサＡ１０のコンデンサ素子Ｂに相当する。まず、陽極ワイヤ８１１の一部を覆うように、弁作用金属からなり、かつ陽極を構成する多孔質焼結体２１を形成する。多孔質焼結体２１は、ＴａまたはＮｂなどの弁作用金属の微粉末を、陽極ワイヤ８１１とともに金型に装填して加圧成形することによって形成される。この場合において、陽極ワイヤ８１１は、多孔質焼結体２１と同一の弁作用金属であることが好ましい。その後、長手状の支持部材８２に、溶接などによって陽極ワイヤ８１１の端部を固定する。このとき、多孔質焼結体２１は、陽極ワイヤ８１１を介して支持部材８２に吊り下げ支持された状態となる。
【００６５】
次いで、多孔質焼結体２１を覆う誘電体層２３を形成する。誘電体層２３は、多孔質焼結体２１をリン酸水溶液などの化成処理液に浸漬させて、多孔質焼結体２１の表面を酸化処理することで形成される。
【００６６】
次いで、誘電体層２３を覆い、かつ陰極を構成する陰極部２４を形成する。陰極部２４の形成にあたっては、誘電体層２３を覆う固体電解質層２４１を形成した後に、固体電解質層２４１を覆う第１陰極層２４２および第２陰極層２４３を積層して形成する。先述したＭｎＯ2からなる固体電解質層２４１は、誘電体層２３に覆われた多孔質焼結体２１を硝酸マンガン水溶液に浸漬させた後、焼成処理をすることで形成される。また、先述した導電性ポリマーからなる固体電解質層２４１は、誘電体層２３に覆われた多孔質焼結体２１を酸化剤溶液に浸漬させた後、導電性を有するモノマー溶液に浸漬させてから乾燥処理をすることで生じる重合反応によって形成される。第１陰極層２４２は、有機溶剤を溶媒としたグラファイト溶液に、誘電体層２３および固体電解質層２４１に覆われた多孔質焼結体２１を浸漬させた後、乾燥または焼成処理をすることで形成される。第２陰極層２４３は、有機溶剤を溶媒としたＡｇフィラー溶液に、誘電体層２３、固体電解質層２４１および第１陰極層２４２に覆われた多孔質焼結体２１を浸漬させた後、乾燥または焼成処理をすることで形成される。以上の工程を経ることによって、コンデンサ素子８１が形成される。
【００６７】
次いで、図８〜図１０に示すように、導電層８５の形成対象となる基材８３に下地処理を施す。基材８３に下地処理を施す工程では、基材８３に保護膜８３１を形成する工程と、保護膜８３１およびシード層８３３の双方に接するバリア層８３２を形成する工程と、保護膜８３１およびバリア層８３２を覆うシード層８３３を形成する工程と、シード層８３３の一部を覆う絶縁層８４を形成する工程とを含む。
【００６８】
まず、図８に示すように、基材８３に保護膜８３１を形成する。本実施形態にかかる基材８３は、Ｓｉの単結晶材料からなる。また、本実施形態にかかる保護膜８３１は、Ｃ4Ｆ8からなる。保護膜８３１は、深掘りＲＩＥ（Reactive Ion Etching）の代表例であるボッシュプロセス（Bosch process）のうち、保護膜形成ステップを活用することによって形成される。この場合、Ｃ4Ｆ8ガスからプラズマによりラジカルを生成させることによって、基材８３に保護膜８３１を形成することができる。保護膜８３１は、基材８３の全面にわたって形成される。
【００６９】
次いで、図９に示すように、保護膜８３１を覆うバリア層８３２およびシード層８３３をそれぞれ形成する。バリア層８３２およびシード層８３３の形成範囲は、保護膜８３１の形成範囲と同一である。先にバリア層８３２を形成した後、シード層８３３を形成する。バリア層８３２およびシード層８３３は、ともにスパッタリング法により形成される。本実施形態にかかるバリア層８３２はＴｉからなり、シード層８３３はＣｕからなる。
【００７０】
次いで、図１０に示すように、シード層８３３の一部を覆う絶縁層８４を形成する。絶縁層８４が、固体電解コンデンサＡ１０の絶縁体５に相当する。絶縁層８４はフォトリソグラフィによって形成される。本実施形態にかかる絶縁層８４は、感光性ポリイミドである。基材８３に形成されたシード層８３３の全面に感光性ポリイミドを塗布した後、該感光性ポリイミドに対して露光・現像を行うことにより絶縁層８４が形成される。本実施形態にかかる感光性ポリイミドはポジ型であるため、露光された該感光性ポリイミドの部分は現像によって除去され、シード層８３３が露出する。
【００７１】
次いで、図１１〜図１６に示すように、基材８３に導電層８５を形成する。導電層８５が、固体電解コンデンサＡ１０の陽極端子３および陰極端子４に相当する。導電層８５は、絶縁層８４に覆われていないシード層８３３に形成される。導電層８５を形成する工程では、絶縁層８４に覆われていないシード層８３３に薄膜部８５１を形成する工程と、薄膜部８５１の一部を覆う陰極接合部８５２を形成する工程と、薄膜部８５１から第１方向Ｚに起立するスペーサ部８５３およびスペーサ部８５３の一部を覆う陽極接合部８５４を形成する工程とを含む。導電層８５を構成する薄膜部８５１、陰極接合部８５２、スペーサ部８５３および陽極接合部８５４は、いずれもシード層８３３を活用した電解めっきにより形成される。
【００７２】
まず、図１１に示すように、絶縁層８４に覆われていないシード層８３３に薄膜部８５１を形成する。薄膜部８５１が、固体電解コンデンサＡ１０の陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１に相当する。薄膜部８５１の形成にあたっては、先に形成された絶縁層８４がシード層８３３に対するマスクとして機能する。薄膜部８５１は、互いに積層されたＣｕ層８５１ａおよびＮｉ層８５１ｂから構成されるめっき層である。薄膜部８５１の形成にあたっては、先にＣｕ層８５１ａを形成した後、Ｎｉ層８５１ｂを形成する。薄膜部８５１の厚さは、絶縁層８４の厚さと同一である。
【００７３】
次いで、図１２に示すように、薄膜部８５１の一部を覆う陰極接合部８５２を形成する。陰極接合部８５２が、固体電解コンデンサＡ１０の陰極接合部４３に相当する。陰極接合部８５２の形成にあたっては、フォトリソグラフィにより薄膜部８５１に対するマスクを形成する。陰極接合部８５２は、Ｓｎを含む合金層から構成されるめっき層である。
【００７４】
次いで、図１３〜図１６に示すように、薄膜部８５１から第１方向Ｚに起立するスペーサ部８５３およびスペーサ部８５３の一部を覆う陽極接合部８５４を形成する。スペーサ部８５３が、固体電解コンデンサＡ１０のスペーサ部３２に相当し、陽極接合部８５４が、固体電解コンデンサＡ１０の陽極接合部３３に相当する。まず、図１３に示すように、薄膜部８５１および陰極接合部８５２に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する。該マスクの形成にあたっては、絶縁層８４、薄膜部８５１および陰極接合部８５２の全面を覆うように基材８３にレジスト層８８１を形成した後、レジスト層８８１に対して露光・現像を行うことによって、薄膜部８５１および陰極接合部８５２に対してマスクが形成される。レジスト層８８１は、フォトレジストをたとえばスプレー塗布することにより形成され、本実施形態にかかる該フォトレジストはポジ型であるため、露光されたレジスト層８８１の部分が現像によって除去される。このとき、図１４に示すように、レジスト層８８１に一対の凹部８８２が形成される。一対の凹部８８２の形状は、それぞれ同一かつ直方体状である。
【００７５】
次いで、図１５に示すように、スペーサ部８５３および陽極接合部８５４を形成する。スペーサ部８５３は、薄膜部８５１と同じく互いに積層されたＣｕ層８５３ａおよびＮｉ層８５３ｂから構成されるめっき層である。また、陽極接合部８５４は、陰極接合部８５２と同じくＳｎを含む合金層から構成されるめっき層である。スペーサ部８５３および陽極接合部８５４の形成にあたっては、一対の凹部８８２を埋めるように、Ｃｕ層８５３ａ、Ｎｉ層８５３ｂ、陽極接合部８５４の順に形成する。スペーサ部８５３および陽極接合部８５４を形成した後、基材８３に形成されたレジスト層８８１を全て除去する。このとき、図１６に示すように、第３方向Ｙにおけるスペーサ部８５３および陽極接合部８５４の中央を分断する係合溝８５５が、第２方向Ｘに沿って形成される。以上の工程を経ることによって、基材８３に導電層８５が形成される。
【００７６】
次いで、図１７に示すように、導電層８５にコンデンサ素子８１を接続する。まず、陽極ワイヤ８１１が支持部材８２に固定された状態のコンデンサ素子８１を、陽極ワイヤ８１１が陽極接合部８５４に、陰極部２４が陰極接合部８５２にそれぞれ接するように配置する。このとき、図１８に示すように、平面視において係合溝８５５内に陽極ワイヤ８１１の軸心Ｎ（図１８に示す一点鎖線）が位置するようにコンデンサ素子８１を配置する。そして、リフロー炉内において陰極接合部８５２および陽極接合部８５４をともに加熱により溶融させた後に、冷却により固化させることで、導電層８５がコンデンサ素子８１に固着により接続される。最後に、支持部材８２に固定された陽極ワイヤ８１１の不要となる部分を切除する。
【００７７】
次いで、図１９に示すように、コンデンサ素子８１を覆う封止樹脂８６を基材８３に形成する。封止樹脂８６が、固体電解コンデンサＡ１０の封止樹脂６に相当する。本実施形態にかかる封止樹脂８６は、ガラスフリットが混入され、かつ流動性を有するエポキシ樹脂を、トランスファモールド成形によって熱硬化させることで形成される。このとき、第１方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂主面８６１および樹脂底面８６２が形成される。このうち樹脂底面８６２は、図１９に示す封止樹脂８６の下面であり、樹脂底面８６２に絶縁層８４および薄膜部８５１がともに接する。
【００７８】
次いで、図２０に示すように、樹脂底面８６２に接する絶縁層８４および導電層８５から、基材８３を剥離する。このとき、基材８３は、保護膜８３１とバリア層８３２との界面において剥離される。
【００７９】
次いで、図２１に示すように、エッチングによりバリア層８３２およびシード層８３３を全て除去する。該エッチングは、たとえばウェットエッチングである。バリア層８３２およびシード層８３３が除去された部分から、絶縁層８４および薄膜部８５１が露出する。
【００８０】
次いで、図２２に示すように、導電層８５の薄膜部８５１に接するパッド層８７を形成する。パッド層８７が、固体電解コンデンサＡ１０の陽極パッド部３５および陰極パッド部４５に相当する。本実施形態にかかるパッド層８７は、無電解めっきによりＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に各層を析出させることで形成される。
【００８１】
最後に、封止樹脂８６に覆われたコンデンサ素子８１と、樹脂底面８６２に接する絶縁層８４および導電層８５とについて、コンデンサ素子８１ごとの個片に分割する。該分割は、図２２に示す切断線ＣＬに沿って、たとえばプラズマダイシングにより切断することによって行われる。該個片が固体電解コンデンサＡ１０となる。以上の工程を経ることによって、固体電解コンデンサＡ１０が製造される。
【００８２】
次に、固体電解コンデンサＡ１０の作用効果について説明する。
【００８３】
固体電解コンデンサＡ１０は、樹脂底面６２に接する陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１を有し、これらは同一の厚さであり、かつ同一のめっき層である。陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１は、従来の固体電解コンデンサにおいては一般的にリードフレームに由来する部分に該当する。陽極薄膜部３１および陰極薄膜部４１は、ともにめっき層であるため、厚さをリードフレームよりも薄くすることができる。したがって、固体電解コンデンサＡ１０の低背化を図ることが可能となる。
【００８４】
また、固体電解コンデンサＡ１０の製造において、シード層８３３を形成した基材８３を用いることによって、陽極端子３および陰極端子４となる導電層８５は全て電解めっきで形成することができる。また、基材８３には保護膜８３１が形成されるため、導電層８５から基材８３を剥離することができる。ここで、電解めっきによって形成されるスペーサ部８５３は比較的簡易な構造であり、かつ形成にあたって薄膜部８５１との溶接は不要である。また、陽極ワイヤ８１１は従来と同一のものをそのまま用いることができる。したがって、固体電解コンデンサＡ１０の製造において、工程の簡略化による製造効率の向上が可能となる。さらに、基材８３に、保護膜８３１を覆うＴｉからなるバリア層８３２を形成することによって、導電層８５から基材８３を剥離する際、導電層８５に作用する機械的負荷を低減することができる。
【００８５】
コンデンサ素子Ｂについて、陽極ワイヤ２２が第１方向Ｚにおいて多孔質焼結体２１の中央よりも樹脂底面６２寄り、すなわち素子底面１２寄りに位置していることによって、スペーサ部３２の高さを低く抑えることができる。
【００８６】
陽極端子３のスペーサ部３２および陽極接合部３３に係合溝３４が形成されることによって、固体電解コンデンサＡ１０の製造において、陽極ワイヤ８１１を精度よくスペーサ部８５３に配置することができる。また、陽極接合部３３はＳｎを含む合金層から構成され、半田のリフローと同一の要領でスペーサ部８５３に陽極ワイヤ８１１を接続することができる。したがって、固体電解コンデンサＡ１０の製造において、溶接をせずにスペーサ部８５３に陽極ワイヤ８１１を接続することが可能となる。
【００８７】
陰極接合部４３は、陽極接合部３３と同じくＳｎを含む合金層から構成される。固体電解コンデンサＡ１０の製造において、導電層８５にコンデンサ素子８１を接続する際、従来は陰極部２４への接続工程と、陽極ワイヤ８１１への接続工程との２工程が必要であったが、このような構成をとることによってリフローによる接続工程の１工程のみで導電層８５にコンデンサ素子８１を接続することが可能となる。
【００８８】
絶縁体５は、固体電解コンデンサＡ１０の陽極端子３と陰極端子４とのショート防止のみならず、固体電解コンデンサＡ１０の製造において、薄膜部８５１を基材８３に形成する際、基材８３に対するマスクとして機能する。よって、薄膜部８５１の形成にあたって、フォトリソグラフィによるマスク形成を省略することができる。
【００８９】
仮に封止樹脂６に亀裂が発生した場合、該亀裂がコンデンサ素子Ｂの陰極部２４内まで進展すると、固体電解コンデンサＡ１０のＥＳＲ（Equivalent Series Resistance：等価直列抵抗）が増加するおそれがある。そこで、封止樹脂６の材質をガラスフリットが混入されたエポキシ樹脂とすることによって、封止樹脂６の強度の増加を図り、かつ封止樹脂６への亀裂発生を抑止することができる。
【００９０】
本発明は、先述した実施の形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００９１】
Ａ１０：固体電解コンデンサ
Ｂ：コンデンサ素子
１１：素子主面
１２：素子底面
１３：素子側面
２１：多孔質焼結体
２１１：細孔
２２：陽極ワイヤ
２３：誘電体層
２４：陰極部
２４１：固体電解質層
２４２：第１陰極層
２４３：第２陰極層
３：陽極端子
３１：陽極薄膜部
３１１：Ｃｕ層
３１２：Ｎｉ層
３２：スペーサ部
３２１：Ｃｕ層
３２２：Ｎｉ層
３３：陽極接合部
３４：係合溝
３５：陽極パッド部
４：陰極端子
４１：陰極薄膜部
４１１：Ｃｕ層
４１２：Ｎｉ層
４３：陰極接合部
４５：陰極パッド部
５：絶縁体
６：封止樹脂
６１：樹脂主面
６２：樹脂底面
６３：樹脂側面
８１：コンデンサ素子
８１１：陽極ワイヤ
８２：支持部材
８３：基材
８３１：保護膜
８３２：バリア層
８３３：シード層
８４：絶縁層
８５：導電層
８５１：薄膜部
８５１ａ：Ｃｕ層
８５１ｂ：Ｎｉ層
８５２：陰極接合部
８５３：スペーサ部
８５３ａ：Ｃｕ層
８５３ｂ：Ｎｉ層
８５４：陽極接合部
８５５：係合溝
８６：封止樹脂
８６１：樹脂主面
８６２：樹脂底面
８７：パッド層
８８１：レジスト層
８８２：凹部
Ｚ：第１方向
Ｘ：第２方向
Ｙ：第３方向
Ｎ：軸心
ＣＬ：切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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