(57)【要約】【課題】特定の直線偏光を含む入射光に対して、導電材への光吸収が抑制され、高透過率が得られる異方性透光性導電体膜を提供する。【解決手段】異方性透光性導電体膜２０は、平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、第１方向および第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部２１と、平面視にて、導電部２１のパターン間隙に形成された非導電部２２とを有し、導電部２１の第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、導電部２１の第２方向の周期が５００ｎｍ以上であり、導電部の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２の屈折率ｎ２とが、ｎ２＞ｎ１またはｎ１＞ｎ２を充足する。【選択図】図３Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、前記第１方向および前記第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、前記導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
前記導電部の前記第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
前記導電部の前記第２方向の周期が５００ｎｍ以上であり、
前記導電部の屈折率の実部をｎ１とし、前記非導電部の屈折率をｎ２としたとき、ｎ２＞ｎ１である、
異方性透光性導電体膜。
【請求項２】
前記導電部は、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも１種の導電材を含む、請求項１に記載の異方性透光性導電体膜。
【請求項３】
ｎ２−ｎ１≧０．１である、請求項１または２に記載の異方性透光性導電体膜。
【請求項４】
前記第２方向に略平行な直線偏光を出射する直線偏光子と、
前記直線偏光子の光出射側に配置された、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性透光性導電体膜とを含む、
光学デバイス。
【請求項５】
平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、前記第１方向および前記第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、前記導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
前記導電部の前記第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
前記導電部の前記第２方向の周期が５００ｎｍ以上あり、
前記導電部の屈折率の実部をｎ１とし、前記非導電部の屈折率をｎ２としたとき、ｎ１＞ｎ２である、
異方性透光性導電体膜。
【請求項６】
前記導電部は、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも１種の導電材を含む、請求項５に記載の異方性透光性導電体膜。
【請求項７】
ｎ１−ｎ２≧０．１である、請求項５または６に記載の異方性透光性導電体膜。
【請求項８】
前記第１方向に略平行な直線偏光を出射する直線偏光子と、
前記直線偏光子の光出射側に配置された、請求項５〜７のいずれかに記載の異方性透光性導電体膜とを含む、
光学デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性透光性導電体膜およびこれを用いた光学デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ、タッチパネル、および太陽電池等の用途において、電極、配線、および電磁波遮蔽材等として、透光性導電体膜が広く用いられている。透光性導電体膜は、パターン形成される場合がある。
【０００３】
従来、透光性導電体膜としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）膜等の金属酸化膜が一般的に用いられている。
しかしながら、金属酸化膜は、気相成膜のため生産性が低く、樹脂基材等の耐熱性の低い基材上への形成が困難である。金属酸化膜はまた、基材変形に対する追従性が低く、基材変形が生じた場合に膜にクラックが生じて導電性が低下する恐れがある。更には、材料自身が光吸収性を有するため、高透過率の実現が困難である。
【０００４】
一方、基材上に、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子等の少なくとも１種の導電材と媒体（分散媒または溶媒）とを含む塗工剤を塗工または印刷する工程を含む液相法が検討されている。液相法では、より簡便にかつより低温で、基材追従性のある透光性導電体膜を成膜することができる。
【０００５】
特許文献１〜３には、液相法を用いた所望のパターンの透光性導電体膜の製造方法が開示されている。
【０００６】
特許文献１には、カーボンナノチューブの網目状薄膜を含む透明電極が開示されている（請求項１）。
特許文献１には、
（ａ）粒状物とカーボンナノチューブとを混合して混合組成物を形成する段階と、
（ｂ）前記混合組成物を用いて、透明基板上に混合組成物の薄膜を形成する段階と、
（ｃ）前記混合組成物の薄膜から前記粒状物を除去し、カーボンナノチューブを残して、カーボンナノチューブの網目状薄膜を形成する段階とを含む、
カーボンナノチューブパターンの透明電極の製造方法が開示されている（請求項１１）。
特許文献１には、
（ａ）透明基板上に粒状物を配列して薄膜を形成する段階と、
（ｂ）前記粒状物の薄膜中にカーボンナノチューブの組成物を注入し、混合組成物を生成して、カーボンナノチューブの組成物が注入された薄膜を形成する段階と、
（ｃ）前記カーボンナノチューブの組成物が注入された薄膜から前記粒状物を除去し、カーボンナノチューブを残して、カーボンナノチューブの網目状薄膜を形成する段階とを含む、
カーボンナノチューブパターンの透明電極の製造方法が開示されている（請求項１２）。
【０００７】
特許文献２には、フィルム基材上に親水性溶媒と疎水性溶媒と導電性繊維とを含むエマルションを塗布することにより、導電性繊維を含有する導電性パターンを形成する透明導電性フィルムの製造方法が開示されている（請求項１）。
【０００８】
特許文献３には、
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する微細金属構造体の製造方法であって、
前記ペーストは、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含むペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用する、
微細金属構造体の製造方法が開示されている（請求項１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−１７７１６５号公報
【特許文献２】特開２００９−２７７４６６号公報
【特許文献３】特開２０１３−１１１６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１〜３に記載の方法では、所望のパターンの透光性導電体膜を製造することができ、導電体のネットワークによる導電性向上が可能であるが、導電材の材料自身の光吸収による透過率低下の課題を解決することはできない。
【００１１】
また、携帯電話および携帯情報端末等の用途では、液晶表示パネルとタッチパネルとを組み合わせた光学デバイスが広く用いられている。
液晶表示パネルからは特定の直線偏光が選択的に出射される。そのため、タッチパネルに搭載される電極は、液晶表示パネルから出射される特定の直線偏光に対して、高透過率を有することが好ましい。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、特定の直線偏光を含む入射光に対して、導電材への光吸収が抑制され、高透過率が得られる異方性透光性導電体膜を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、以下の［１］〜［８］の異方性透光性導電体膜および光学デバイスを提供する。
【００１４】
［１］  平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、前記第１方向および前記第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、前記導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
前記導電部の前記第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
前記導電部の前記第２方向の周期が５００ｎｍ以上であり、
前記導電部の屈折率の実部をｎ１とし、前記非導電部の屈折率をｎ２としたとき、ｎ２＞ｎ１である、
異方性透光性導電体膜。
【００１５】
［２］  前記導電部は、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも１種の導電材を含む、［１］の異方性透光性導電体膜。
【００１６】
［３］  ｎ２−ｎ１≧０．１である、［１］または［２］の異方性透光性導電体膜。
【００１７】
［４］  前記第２方向に略平行な直線偏光を出射する直線偏光子と、
前記直線偏光子の光出射側に配置された、［１］〜［３］のいずれかの異方性透光性導電体膜とを含む、光学デバイス。
【００１８】
［５］  平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、前記第１方向および前記第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、前記導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
前記導電部の前記第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
前記導電部の前記第２方向の周期が５００ｎｍ以上あり、
前記導電部の屈折率の実部をｎ１とし、前記非導電部の屈折率をｎ２としたとき、ｎ１＞ｎ２である、
異方性透光性導電体膜。
【００１９】
［６］  前記導電部は、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも１種の導電材を含む、［５］の異方性透光性導電体膜。
【００２０】
［７］  ｎ１−ｎ２≧０．１である、［５］または［６］の異方性透光性導電体膜。
【００２１】
［８］  前記第１方向に略平行な直線偏光を出射する直線偏光子と、
前記直線偏光子の光出射側に配置された、［５］〜［７］のいずれかの異方性透光性導電体膜とを含む、
光学デバイス。
【００２２】
本発明の［１］および［５］の異方性透光性導電体膜において、導電部の平面視パターンがストライプパターンである場合、導電部の第２方向の周期は無限大である。
【００２３】
本明細書において、特に明記しない限り、「ナノ粒子」および「ナノワイヤ」のサイズは、最小径が４００ｎｍ未満である。
【００２４】
本明細書において、特に明記しない限り、導電部および非導電部の屈折率は、構成材料の屈折率である。
屈折率は、公知方法にて測定することができる。屈折率の測定方法としては、最小偏角法、臨界角法、Ｖブロック法、反射率から推定する方法、およびエリプソメトリ法等が挙げられる。
【００２５】
本明細書において、特に明記しない限り、「略平行方向」は完全平行方向±５°の範囲内の方向と定義される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、特定の直線偏光を含む入射光に対して、導電材への光吸収が抑制され、高透過率が得られる異方性透光性導電体膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜の模式平面図である。
【図１Ｂ】本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜の模式断面図である。
【図２Ａ】本発明に係る第２実施形態の異方性透光性導電体膜の模式平面図である。
【図２Ｂ】本発明に係る第２実施形態の異方性透光性導電体膜の模式断面図である。
【図３Ａ】本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｂ】本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図３Ｃ】本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明に係る一実施形態の光学デバイスの模式断面図である。
【図５Ａ】実施例１−１の構造体内における電場分布図である。
【図５Ｂ】実施例３−１の構造体内における電場分布図である。
【図６】入射光の波長と実施例１−１の構造体および比較例１−１の構造体で吸収される光吸収量との関係を示すグラフである。
【図７】比較例１−１の構造体の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
「異方性透光性導電体膜」
本発明の第１の異方性透光性導電体膜は、
平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、第１方向および第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
導電部の第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
導電部の第２方向の周期が５００ｎｍ以上であり、
導電部の屈折率の実部ｎ１と非導電部の屈折率ｎ２がｎ２＞ｎ１を充足するものである。
【００２９】
本発明の第２の異方性透光性導電体膜は、
平面視にて、第１方向に周期構造を有するストライプパターン、または、第１方向および第１方向に対して垂直方向である第２方向に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部と、
平面視にて、導電部のパターン間隙に形成された非導電部とを有し、
導電部の第１方向の周期が１００〜４００ｎｍであり、
導電部の第２方向の周期が５００ｎｍ以上あり、
導電部の屈折率の実部ｎ１と非導電部の屈折率ｎ２がｎ１＞ｎ２を充足するものである。
【００３０】
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態および第２実施形態の異方性透光性導電体膜の構造について、説明する。
図１Ａは、第１実施形態の異方性透光性導電体膜の模式平面図である。
図１Ｂは、第１実施形態の異方性透光性導電体膜の模式断面図である。
図２Ａは、第２実施形態の異方性透光性導電体膜の模式平面図である。
図２Ｂは、第２実施形態の異方性透光性導電体膜の模式断面図である。
【００３１】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｓは、平面視にて、Ｘ方向（第１方向）に周期構造を有するストライプパターンで形成された導電部２１Ｓと、
平面視にて、導電部２１Ｓのパターン間隙に形成された非導電部２２Ｓとを有する。
【００３２】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第２実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｇは、平面視にて、Ｘ方向（第１方向）およびＹ方向（第２方向）に周期構造を有するグリッドパターンで形成された導電部２１Ｇと、
平面視にて、導電部２１Ｇのパターン間隙に形成された非導電部２２Ｇとを有する。
【００３３】
第１実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｓと第２実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｇは基本的な構成は同様であり、導電部と非導電部の平面視パターンのみが異なる。そこで、以下の説明では、適宜、以下の統合符号を使用する。
符号２０は、第１実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｓと第２実施形態の異方性透光性導電体膜２０Ｇの統合符号である。
符号２１は、平面視ストライプパターンの導電部２１Ｓと平面視グリッドパターンの導電部２１Ｇの統合符号である。
符号２２は、非導電部２２Ｓと非導電部２２Ｇの統合符号である。
これらの統合符号については、図３Ｃを参照されたい。
【００３４】
図１Ｂおよび図２Ｂに示すように、異方性透光性導電体膜２０は透光性基材１０上に形成することができる。
透光性基材１０としては特に制限されず、ガラス等の透光性無機材料、（メタ）アクリル系樹脂等の透光性樹脂、および、これらの複合材料からなる基板またはフィルム等を用いることができる。
ガラス等の透光性無機材料は、耐熱性が要求される用途に好適である。
透光性樹脂フィルムを用いた場合、異方性透光性導電体膜２０の取扱い性等が容易となり、好ましい。
ガラス基板等の透光性無機基板または（メタ）アクリル系樹脂基板等の透光性樹脂基板の上に、（メタ）アクリル系樹脂フィルム等の透光性樹脂フィルムを積層したものを透光性基材１０とし、この上に、異方性透光性導電体膜２０を形成してもよい。
透光性基材１０は、電極および／または配線等を含む導電層を含んでいてもよいが、少なくとも異方性透光性導電体膜２０の下地である透光性基材１０の最表面は、非導電性である必要がある。
【００３５】
上記したように、導電部２１の平面視パターンは、ストライプパターンまたはグリッドパターンである。ストライプパターンは１次元方向に導電性を持たせる場合に適し、グリッドパターンは２次元方向に導電性を持たせる場合に適している。
複数のラインパターンからなるストライプパターンの導電部２１Ｓでは、必要に応じて、Ｙ方向（第２方向）の少なくとも一方の端部において複数のラインパターンを互いに導通する導通部を設けるようにしてもよい（図示略）。
【００３６】
導電部２１は、少なくとも１種の公知の導電材を含む。
導電材としては特に制限されず、材料コスト、生産性、および所望の導電性能等に応じて、適宜選択することができる。
透光性基材１０上に、少なくとも１種の導電材と媒体（分散媒または溶媒）とを含む塗工剤を塗工または印刷する工程を含む液相法により導電部２１を簡易に形成できることから、導電部２１は、カーボンナノチューブ、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤ、および導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも１種の導電材を含むことが好ましい。
【００３７】
導電材の保護および屈折率調整等の目的で、導電部２１には１種または２種以上の非導電性ナノ粒子を含有させることができる。
例えば、シリカナノ粒子等の無機ナノ粒子または任意材質の公知の中空ナノ粒子を含有させることで、導電部２１の屈折率の実部ｎ１を相対的に低下させることができる。
例えば、酸化チタンナノ粒子および酸化ジルコニアナノ粒子等の無機ナノ粒子を含有させることで、導電部２１の屈折率の実部ｎ１を相対的に増加させることができる。
【００３８】
非導電部２２に用いる材料としては特に制限されず、生産性および耐久性等の点で、少なくとも１種の公知の透光性樹脂が好ましい。透光性樹脂としては特に制限されず、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、および熱可塑性樹脂等が挙げられる。
非導電部２２においては、耐久性向上および屈折率調整等の目的で、上記の透光性樹脂をマトリクス樹脂とし、さらに１種または２種以上の非導電性ナノ粒子を含有させてもよい。
例えば、シリカナノ粒子等の無機ナノ粒子および任意材質の中空ナノ粒子等の非導電性ナノ粒子を含有させることで、非導電部２２の屈折率ｎ２を相対的に低下させることができる。
例えば、酸化チタンナノ粒子および酸化ジルコニアナノ粒子等の無機ナノ粒子等を含有させることで、非導電部２２の屈折率ｎ２を相対的に増加させることができる。
【００３９】
材料特性だけを考慮すれば、導電材を含む導電部２１は光を吸収し、導電材を含まない非導電部２２は光を吸収しない。
一般的に、光吸収体においては、ある任意の領域の光吸収量は、入射光の光強度と、入射光の波長に対する領域の厚さに比例する傾向がある。光強度と入射光の波長が一定の条件であれば、領域の厚さが大きい程、光吸収量は増加する傾向がある。
一方で、光の波長と同等オーダーの周期パターン構造を有する構造体では、Ｗｏｏｄｓのアノマリー（回折異常）とよばれる複雑な光学現象が知られている。この現象は、回折角度が９０°付近に到達し、回折光とエバネッセント波とが共鳴するために生じ、この回折異常領域においては、構造体内の光強度分布が大きく変化する。この回折異常を利用することで、非導電部２２に光強度を集中させ、導電部２１への光吸収を低減することができる。
本発明では、異方性透光性導電体膜２０において、導電部２１のＸ方向（第１方向）の周期Ｐｘを１００〜４００ｎｍの範囲内とし、導電部２１のＹ方向（第２方向）の周期Ｐｙを５００ｎｍ以上とし、導電部２１の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２の屈折率ｎ２とを非同一、すなわち、ｎ２＞ｎ１またはｎ１＞ｎ２とする。かかる構成では、特定の直線偏光を含む入射光に対して、上記回折異常による非導電部２２への光強度集中が生じ、導電部２１への光吸収を低減することができる。
【００４０】
ｎ２＞ｎ１を充足する異方性透光性導電体膜２０における非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果は、Ｙ方向（第２方向）に略平行な電場の振動方向を有する直線偏光に対して有効である。
ｎ２とｎ１の差は大きい程、非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果が効果的に発現する。したがって、好ましくはｎ２−ｎ１≧０．１、より好ましくはｎ２−ｎ１≧０．２、特に好ましくはｎ２−ｎ１≧０．３である。
ただし、ｎ２とｎ１との差が大きくなると、使用できる材料の選択が制限されるため、好ましくはｎ２−ｎ１≦１．０、より好ましくはｎ２−ｎ１≦０．７である。
【００４１】
ｎ１＞ｎ２を充足する異方性透光性導電体膜２０における非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果は、Ｘ方向（第１方向）に略平行な電場の振動方向を有する直線偏光に対して有効である。
ｎ１とｎ２の差は大きい程、非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果が効果的に発現する。したがって、好ましくはｎ１−ｎ２≧０．１、より好ましくはｎ１−ｎ２≧０．２、特に好ましくはｎ１−ｎ２≧０．３である。
ただし、ｎ１とｎ２との差が大きくなると、使用できる材料の選択が制限されるため、好ましくはｎ１−ｎ２≦１．０、より好ましくはｎ１−ｎ２≦０．７である。
【００４２】
導電部２１の屈折率の実部ｎ１は、導電材の種類、必要に応じて添加される非導電性ナノ粒子の種類、および、導電材と必要に応じて添加される非導電性ナノ粒子との質量比等によって、調整することができる。
導電部２１において、添加する非導電性ナノ粒子の種類と屈折率の実部ｎ１の増減との関係例については、先の記載を参照されたい。
【００４３】
非導電部２２の屈折率ｎ２は、透光性樹脂（マトリクス樹脂）の種類、必要に応じて添加される非導電性ナノ粒子の種類、および、透光性樹脂（マトリクス樹脂）と必要に応じて添加される非導電性ナノ粒子との質量比等によって、調整することができる。
非導電部２２において、添加する非導電性ナノ粒子の種類と屈折率ｎ２の増減との関係例については、先の記載を参照されたい。
【００４４】
ｎ２＞ｎ１とｎ１＞ｎ２のいずれの場合においても、回折異常による非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果が得られることから、Ｘ方向（第１方向）の周期Ｐｘは１００〜４００ｎｍであり、Ｙ方向（第２方向）の周期Ｐｙは５００ｎｍ以上である必要がある。
非導電部２２への光強度集中効果および導電部２１への光吸収低減効果がより効果的に発現し、回折による着色も小さくなることから、Ｐｘは、好ましくは１２０〜３５０ｎｍ、より好ましくは１５０〜３００ｎｍである。Ｐｙは好ましくは７００ｎｍ以上である。
なお、導電部２１の平面視パターンがストライプパターンである場合、導電部２１のＹ方向（第２方向）の周期Ｐｙは無限大である。
【００４５】
異方性透光性導電体膜２０は、ディスプレイ、タッチパネル、および太陽電池等の用途において、電極、配線、および電磁波遮蔽材等として、用いることができる。
異方性透光性導電体膜２０は、後記製造方法により製造することができ、生産性が高い。
【００４６】
「異方性透光性導電体膜の製造方法」
異方性透光性導電体膜２０の製造方法は特に制限されない。
異方性透光性導電体膜２０の製造方法としては、大きく分けて、先に非導電部２２をパターン形成した後、非導電部２２のパターン間隙に導電部２１を形成する方法と、先に導電部２１をパターン形成した後、導電部２１のパターン間隙に非導電部２２を形成する方法とがある。
【００４７】
（第１実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法）
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の異方性透光性導電体膜２０の製造方法について説明する。
本実施形態では、はじめに非導電部２２をパターン形成した後、非導電部２２のパターン間隙に導電部２１を形成する。
図３Ａ〜図３Ｃは工程図であり、各図は図１Ｂおよび図２Ｂに対応した模式断面図である。
【００４８】
はじめに図３Ａに示すように、ガラス基板および透光性樹脂基板等の透光性基材１０上に、透光性樹脂等からなる非導電部２２をパターン形成する。
この工程では、透光性基材１０と非導電部２２との間に非導電部２２と一体の非導電層（図示略）が形成されてもよい。
【００４９】
非導電部２２のパターン形成方法としては特に制限されず、公知方法を採用することができる。
非導電部２２は、ナノインプリント法によりパターン形成することが好ましい。
ナノインプリント法では、あらかじめ、非導電部２２の反転パターンをなす複数の凹部を有するモールドを用意しておく。
上記モールドは、公知方法により製造することができる。例えば、樹脂または金属等からなる平坦基材上に公知方法にてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして平坦基材をエッチングすることで、非導電部２２の反転パターンをなす複数の凹部を有するモールドを製造することができる。
モールドの製造に用いる平坦基材として樹脂フィルムを用いる場合、モールドは、金属ロール等のロール本体の表面に取り付けて、モールドロールの形態とすることができる。
レジストパターンの形成方法としては特に制限されず、平坦基材上にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィー技術または電子線リソグラフィー技術によってレジストをパターニングする方法、および、レジストパターンの反転パターンを有するモールド上に所望のレジストパターンを形成し、これを平坦基材上に転写する方法等が挙げられる。
あらかじめ用意された上記モールド上に、溶融した熱可塑性樹脂、若しくは、未硬化の硬化性樹脂（熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂）等の樹脂材料をモールドの複数の凹部を埋めるように塗工し、固化または硬化する。この工程では、モールドの複数の凹部内に埋め込まれた樹脂によって、所望のパターンの非導電部２２が形成される。この工程では、モールドの複数の凹部内に確実に樹脂を埋め込むために、モールド上に非導電部２２と一体の樹脂層からなる非導電層が形成されることが好ましい。
次に、モールドに形成された非導電部２２、好ましくはモールドに形成された非導電層および非導電部２２からなる非導電体を透光性基材１０上に転写することで、透光性基材１０上に所望のパターンの非導電部２２、好ましくは非導電層および所望のパターンの非導電部２２が形成される。
【００５０】
次に図３Ｂに示すように、所望のパターンの非導電部２２が形成された透光性基材１０上に、公知方法により、少なくとも１種の導電材と公知の媒体（分散媒または溶媒）とを含む塗工剤２１Ｐを塗工する。
図中、符号Ｎは、塗工剤２１Ｐを吐出するノズル等の塗工部材を示す。
塗工剤２１Ｐは、少なくとも非導電部２２のパターン間隙を埋めるように塗工される。塗工剤２１Ｐは、非導電部２２のパターン間隙を確実に埋めるために、図示するように、非導電部２２上および非導電部２２のパターン間隙内に塗工された塗工剤２１Ｐ上にも塗工されることが好ましい。
【００５１】
次に図３Ｃに示すように、スキージ等を用いて、非導電部２２上および非導電部２２のパターン間隙内に塗工された塗工剤２１Ｐ上に塗工された余分な塗工剤２１Ｐを取り除いた後、公知方法にて媒体を乾燥除去する。媒体の乾燥除去方法としては特に制限されず、加熱乾燥、減圧乾燥、および減圧加熱乾燥等が挙げられる。この工程後に、非導電部２２のパターン間隙に導電部２１がパターン形成される。
以上のようにして、異方性透光性導電体膜２０が製造される。
【００５２】
ナノインプリント法を用いて非導電部２２を形成する本実施形態の製造方法は、生産性に優れ、好ましい。
透光性基材１０として樹脂フィルムを用い、非導電部２２のパターン形成に上記モールドロールを用いる場合、異方性透光性導電体膜２０はロールトゥロール（Roll to Roll）プロセスによる連続生産が可能であり、好ましい。
【００５３】
（第２実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法）
ナノインプリント法を用いる上記第１実施形態の製造方法は生産性が良く、好ましい。ただし、ガラス基板等の透光性基材１０の上に、公知方法にて非導電部２２のパターンに対応したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして透光性基材１０をエッチングして、透光性基材１０の表層部に非導電部２２をパターン形成してもよい。
レジストパターンの形成方法は、第１実施形態に記載の方法と同様である。
上記のように公知の微細加工技術にて所望のパターンの非導電部２２を形成した後、第１実施形態の製造方法と同様の方法にて、非導電部２２のパターン間隙に導電部２２を形成することで、異方性透光性導電体膜２０を製造することができる。
この方法では、透光性基材１０と非導電部２２とが一体化された構造の異方性透光性導電体膜２０が製造される。
【００５４】
（第３実施形態の異方性透光性導電体膜の製造方法）
第３実施形態では、先に導電部２１をパターン形成した後、導電部２１のパターン間隙に非導電部２２を形成する。
【００５５】
はじめに、ガラス基板等の透光性基材１０上に少なくとも１種の導電材を含む平坦な導電層を形成する。
平坦な導電層は、公知方法により形成することができる。
平坦な導電層の形成方法としては、少なくとも１種の導電材と公知の媒体（分散媒または溶媒）とを含む塗工剤を塗工し、媒体を乾燥除去する液相法、および、公知の気相法等が挙げられる。生産性の点で、液相法が好ましい。
次に、上記の平坦な導電層上に、公知方法にて導電部２１のパターンに対応したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして平坦な導電層をエッチングして、所望のパターンの導電部２１を形成する。
レジストパターンの形成方法は、第１実施形態に記載の方法と同様である。
次に、溶融した熱可塑性樹脂、若しくは、未硬化の硬化性樹脂（熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂）等の樹脂材料を塗工し、必要に応じてスキージ等により余分な樹脂材料を取り除いた後、樹脂材料を固化または硬化することによって、導電部２１のパターン間隙に非導電部２２Ｓを形成する。
以上のようにして、異方性透光性導電体膜２０を製造することができる。
【００５６】
以上説明したように、本発明によれば、特定の直線偏光を含む入射光に対して、導電材への光吸収が抑制され、高透過率が得られる異方性透光性導電体膜を提供することができる。
【００５７】
「光学デバイス」
本発明の異方性透光性導電体膜は、特定の直線偏光に対して高透過率を有するので、特定の直線偏光を出射する直線偏光子と組み合わせて用いることが好ましい。
本発明の光学デバイスは、直線偏光子と、直線偏光子の光出射側に配置された上記の本発明の異方性透光性導電体膜とを含む。
【００５８】
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の光学デバイスの構造について、説明する。
図４は、本実施形態の光学デバイスの模式断面図である。
本実施形態の光学デバイス１００は、直線偏光子５０と、上記実施形態の異方性透光性導電体膜２０とを含むデバイスである。
図中、符号Ｌは直線偏光である。
【００５９】
図示する態様では、透光性基材１０上に異方性透光性導電体膜２０が形成され、さらにその上に、透光性非導電体３０が形成されている。この態様では、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０／透光性基材１０の積層体に対して、直線偏光子５０から直線偏光Ｌが入射する。直線偏光Ｌは、透光性非導電体３０側から異方性透光性導電体膜２０に対して入射する。
光学デバイス１００の構成は、図示態様に限らず、適宜設計変更可能である。
【００６０】
直線偏光子５０から異方性透光性導電体膜２０に入射する直線偏光ＬがＹ方向（第２方向）に略平行な直線偏光である場合、
異方性透光性導電体膜２０は、導電部２１の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２の屈折率ｎ２がｎ２＞ｎ１、好ましくはｎ２−ｎ１≧０．１を充足する構成とする。
【００６１】
直線偏光子５０から異方性透光性導電体膜２０に入射する直線偏光ＬがＸ方向（第１方向）に略平行な直線偏光を出射する場合、
異方性透光性導電体膜２０は、導電部２１の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２の屈折率ｎ２がｎ１＞ｎ２、好ましくはｎ１−ｎ２≧０．１を充足する構成とする。
【００６２】
上記のように、特定の直線偏光に対して高透過率を有する異方性透光性導電体膜２０と、特定の直線偏光を出射する直線偏光子５０とを組み合わせることで、高透過率な光学デバイス１００を提供することができる。
【００６３】
光学デバイス１００としてはたとえば、液晶表示パネルにタッチパネルを取り付けた光学デバイスが挙げられる。
一態様の光学デバイスにおいて、直線偏光子５０は液晶表示パネルの光出射側の直線偏光子であり、異方性透光性導電体膜２０はタッチパネルの電極である。この光学デバイスは、携帯電話および携帯情報端末等に搭載されることができる。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明に係る実施例および比較例について、説明する。
【００６５】
［実施例１−１］
図４に示したような、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０／透光性基材１０の積層体に対して、直線偏光Ｌが入射したときの光吸収量を求めた。
計算は、ＲＣＷＡ法による電磁場解析ソフト「ＤｉｆｆｒａｃｔＭＯＤ」（Ｓｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ社製）を用いて行った。
【００６６】
透光性基材１０の屈折率は１．５３と仮定した（例えば、ガラスを想定）。
異方性透光性導電体膜２０は、図１Ａおよび図１Ｂに示したような、Ｘ方向（第１方向）に周期構造を有する平面視ストライプパターンの導電部２１Ｓと、導電部２１Ｓのパターン間隙に形成された非導電部２２Ｓとからなる異方性透光性導電体膜２０Ｓとした。
導電部２１ＳのＸ方向（第１方向）のパターン線幅Ｗｘは１００ｎｍ、非導電部２２Ｓのパターン線幅（Ｐｘ−Ｗｘ）は１００ｎｍとし、導電部２１ＳのＸ方向（第１方向）の周期Ｐｘは２００ｎｍとした。異方性透光性導電体膜２０Ｓの高さＨは１００ｎｍとした。
導電部２１Ｓの屈折率は、吸収を含めると複素数で表され、ｎ１＋ｉｋ＝１．３＋０．０４ｉ（ｉは虚数単位）と仮定した（例えば、フッ素系樹脂にカーボンナノチューブを分散させた材料を想定）。
非導電部２２Ｓの屈折率は、ｎ２＝１．７と仮定した（例えば、チオウレタン系樹脂等の高屈折率樹脂、または、（メタ）アクリル系樹脂等の透光性樹脂に酸化ジルコニアおよび酸化チタン等の光屈折ナノ粒子を分散させた材料を想定）。
透光性非導電体３０の屈折率は１．４７と仮定した（液晶表示パネルと接着するための接着剤層を想定、材料としては光学用の透明接着剤を想定）。
入射光は３８０〜７８０ｎｍの波長域（可視光域）のＹ方向（第２方向）に平行な直線偏光（ＴＥ（Transverse Electric）偏光）とし、透光性非導電体３０側から上記構造体（透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体）の表面に対して垂直方向に入射すると仮定した。
【００６７】
実施例１−１の構造体では、導電部２１ＳのＸ方向の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１ＳのＹ方向の周期Ｐｙが５００ｎｍ以上であり（実施例１−１では、Ｐｙは無限大）、導電部２１Ｓの屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２とがｎ２−ｎ１≧０．１を充足するようにした。
入射光の波長と実施例１−１の構造体（透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体）で吸収される光吸収量との関係を、図６に示す。
図６に示すように、実施例１−１の構造体では、後記比較例１−１の構造体に対して、３８０〜７８０ｎｍの全波長域において光吸収量の低下が見られた。実施例１−１の構造体では、Ｙ方向（第２方向）に平行な直線偏光に対して、透過率の向上効果が得られることが示された。
比視感度の最も高い５５０ｎｍにおける光吸収量は、３.４％であった。
主な計算条件と５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表１に示す。
【００６８】
［比較例１−１］
実施例１−１と同様にして、図７に示すような、透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体に対して直線偏光Ｌが入射したときの光吸収量を求めた
図７は図４に対応した比較用の光学デバイスの模式断面図であり、図６と同じ構成要素には、同じ参照符号を付してある。
図７中、符号１００Ｒは比較用の光学デバイスを示す。
【００６９】
透光性導電体膜２０Ｒの屈折率は、実施例１−１の導電部２１Ｓの屈折率と同じ値とした。
透光性導電体膜２０Ｒの体積を実施例１−１の導電部２１Ｓの体積と合わせるため、透光性導電体膜２０Ｒの高さＨは５０ｎｍ（実施例１−１の導電部２１Ｓの高さの半値）とした。
その他の条件は、実施例１−１と同じ条件とした。
【００７０】
入射光の波長と比較例１−１の構造体（透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体）で吸収される光吸収量との関係を、図６に示す。
図６に示すように、非パターン構造の比較例１−１の構造体では、３８０〜７８０ｎｍの全波長域において、実施例１−１の構造体に対して光吸収量が大きかった。
比視感度の最も高い５５０ｎｍにおける光吸収量は、４.０％であった。
主な計算条件と５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表１に示す。
【００７１】
［比較例１−２］
導電部２１の屈折率の実部ｎ１を１．３とし、非導電部２２の屈折率ｎ２を１．３（ｎ１＝ｎ２＝１．３）とした以外は実施例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体に対して直線偏光が入射したときの光吸収量を求めた。
ｎ１＝ｎ２とした比較例１−２の構造体では、実施例１−１の構造体に対して、光吸収量が大きかった。
比視感度の最も高い５５０ｎｍにおける光吸収量は、４.３％であった。
主な計算条件と５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表１に示す。
【００７２】
［実施例１−２〜１−５］
計算条件を表１に示す条件に変更した以外は実施例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体に対して直線偏光が入射したときの光吸収量を求めた。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表１に示す。
【００７３】
実施例１−２〜１−５の構造体では、導電部２１ＳのＸ方向の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１ＳのＹ方向の周期Ｐｙが５００ｎｍ以上であり（実施例１−２〜１−５では、Ｐｙは無限大）、導電部２１Ｓの屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２とがｎ２−ｎ１≧０．１を充足するようにした。
これら実施例の構造体ではいずれも、Ｙ方向（第２方向）に平行な直線偏光について、比較例１−１、１−２の構造体に対して、光吸収量の低下が見られた。
【００７４】
［実施例１−６］
計算条件を表２に示す条件に変更した以外は実施例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体に対して直線偏光が入射したときの光吸収量を求めた。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表２に示す。
【００７５】
実施例１−６の構造体では、導電部２１ＳのＸ方向の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１ＳのＹ方向の周期Ｐｙが５００ｎｍ以上であり（実施例１−６では、Ｐｙは無限大）、導電部２１Ｓの屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２とがｎ２−ｎ１≧０．１を充足するようにした。
この実施例１−６の構造体では、Ｙ方向（第２方向）に平行な直線偏光について、後記比較例１−３の構造体に対して、光吸収量の低下が見られた。
【００７６】
［比較例１−３］
計算条件を表２に示す条件に変更した以外は比較例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表２に示す。
非パターン構造の比較例１−３の構造体では、実施例１−６の構造体に対して、光吸収量が大きかった。
【００７７】
［実施例２−１、２−２］
異方性透光性導電体膜２０を、図２Ａおよび図２Ｂに示したような、Ｘ方向（第１方向）およびＹ方向（第２方向）に周期構造を有する平面視グリッドパターンの導電部２１Ｇと、導電部２１Ｇのパターン間隙に形成された非導電部２２Ｇとからなる異方性透光性導電体膜２０Ｇとし、計算条件を表３に示す条件とした。その他は実施例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｇ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表３に示す。
【００７８】
実施例２−１、２−２の構造体では、導電部２１ＳのＸ方向の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１ＳのＹ方向の周期Ｐｙが５００ｎｍ以上であり、導電部２１Ｇの屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｇの屈折率ｎ２とがｎ２−ｎ１≧０．１を充足するようにした。
実施例２−１の構造体では、後記比較例２−１、２−３、２−４の構造体に対して、光吸収量の低下が見られた。
実施例２−２の構造体では、後記比較例２−２、２−３、２−４の構造体に対して、光吸収量の低下が見られた。
【００７９】
［比較例２−１、２−２］
比較例２−１では、透光性導電体膜２０Ｒの体積を実施例２−１の導電部２１Ｇの体積と合わせるため、透光性導電体膜２０Ｒの高さを６０ｎｍとした以外は比較例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
比較例２−２では、透光性導電体膜２０Ｒの体積を実施例２−２の導電部２１Ｇの体積と合わせるため、透光性導電体膜２０Ｒの高さを５５ｎｍとした以外は比較例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表４に示す。
非パターン構造の比較例２−１の構造体では、実施例２−１の構造体に対して、光吸収量が大きかった。
非パターン構造の比較例２−２の構造体では、実施例２−２の構造体に対して、光吸収量が大きかった。
【００８０】
［比較例２−３］
計算条件を表３に示す条件とした以外は実施例２−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｇ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表３に示す。
Ｙ方向の周期Ｐｙを５００ｎｍ未満とした比較例２−３の構造体の光吸収量は、後記比較例２−４の構造体の光吸収量と同等であり、実施例２−１、２−２の構造体の光吸収量より大きかった。
【００８１】
［比較例２−４］
比較例２−４では、透光性導電体膜２０Ｒの体積を比較例２−３の導電部２１Ｇの体積と合わせるため、透光性導電体膜２０Ｒの高さを７５ｎｍとした以外は比較例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／パターン構造のない平坦な透光性導電体膜２０Ｒ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表４に示す。
非パターン構造の比較例２−４の構造体の光吸収量は、実施例２−１、２−２の構造体に対して、光吸収量が大きかった。
【００８２】
［実施例３−１〜３−４］
計算条件を表４に示す条件に変更し、入射光を３８０〜７８０ｎｍの波長域（可視光域）のＸ方向（第１方向）に平行な直線偏光（ＴＭ（Transverse Magnetic）偏光）とした以外は実施例１−１と同様にして、透光性非導電体３０／異方性透光性導電体膜２０Ｓ／透光性基材１０の積層体について、光吸収量の計算を実施した。
５５０ｎｍにおける光吸収量の計算結果を表４に示す。
【００８３】
実施例３−１〜３−４の構造体では、導電部２１ＳのＸ方向の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１ＳのＹ方向の周期Ｐｙが５００ｎｍ以上であり（実施例３−１〜３−４では、Ｐｙは無限大）、導電部２１Ｓの屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２とがｎ１−ｎ２≧０．１を充足するようにした。
これら実施例の構造体ではいずれも、Ｘ方向（第１方向）に平行な直線偏光について、実施例１−１、１−３、１−４と同等レベルの光吸収量の低下が見られた。
【００８４】
［電場分布の計算例（ｎ２＞ｎ１）］
透光性基材１０上に、
平面視パターンがストライプパターンまたはグリッドパターンである導電部２１と、導電部２１のパターン間隙に形成された非導電部２２とを有し、導電部２１のＸ方向（第１方向）の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２がｎ２＞ｎ１、好ましくはｎ２−ｎ１≧０．１を充足する異方性透光性導電体膜２０が形成され、
さらにその上に、透光性非導電体３０が形成された図４に示す構造体について、
Ｙ方向（第２方向）と電場の振動方向が一致する直線偏光を入射した場合の構造体内における電場分布を計算した例を、図５Ａに示す。
図５Ａは、図４の断面図に対応しており、構造体の断面方向の電場分布を白黒のグラデーションで示す図である。
図５Ａは、実施例１−１の構造体についての計算結果を示す図である。
図５Ａに示す計算結果から、実施例１−１の構造体では、導電部２１の電場強度が非導電部２２の電場強度よりも小さく、導電部２１の光強度（すなわち、光吸収）が低減されることが示された。
【００８５】
［電場分布の計算例（ｎ１＞ｎ２）］
透光性基材１０上に、
平面視パターンがストライプパターンまたはグリッドパターンである導電部２１と、導電部２１のパターン間隙に形成された非導電部２２とを有し、導電部２１のＸ方向（第１方向）の周期Ｐｘが１００〜４００ｎｍの範囲内であり、導電部２１の屈折率の実部ｎ１と非導電部２２Ｓの屈折率ｎ２がｎ１＞ｎ２を充足する異方性透光性導電体膜２０が形成され、
さらにその上に、透光性非導電体３０が形成された図４に示す構造体について、
Ｘ方向（第１方向）と電場の振動方向が一致する直線偏光を入射した場合の構造体内における電場分布を計算した例を、図５Ｂに示す。
図５Ｂは、図４の断面図に対応しており、構造体の断面方向の電場分布を白黒のグラデーションで示す図である。
図５Ｂは、実施例３−１の構造体についての計算結果を示す図である。
図５Ｂに示す計算結果から、実施例３−１の構造体では、導電部２１の電場強度が非導電部２２の電場強度よりも小さく、導電部２１の光強度（すなわち、光吸収）が低減されることが示された。
【００８６】
【表１】
2017162643.tif 000003
【００８７】
【表２】
2017162643.tif 000004
【００８８】
【表３】
2017162643.tif 000005
【００８９】
【表４】
2017162643.tif 000006
【００９０】
本発明は上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、適宜設計変更が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  透光性基材
２０、２０Ｓ、２０Ｇ  異方性透光性導電体膜
２１、２１Ｓ、２１Ｇ  導電部
２２、２２Ｓ、２２Ｇ  非導電部
３０  透光性非導電体
５０  直線偏光子
１００  光学デバイス
Ｌ  直線偏光
Ｐｘ  導電部のＸ方向（第１方向）の周期
Ｐｙ  導電部のＹ方向（第２方向）の周期
Ｗｘ  導電部のＸ方向（第１方向）のパターン線幅
Ｈ  導電部の高さ
【図１Ａ】
2017162643.tif 000007
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
2017162643.tif 000015
【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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