(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性が高く、製造，組立が容易で、優れた高周波特性を有する磁気シールド構造を提供する。【解決手段】誘電体材料からなるケース４０の表面を形成する外面および内面のうち、少なくともいずれか一方の少なくとも一部に、金属メッキで形成した磁気シールド体５０を設けた。前記ケース４０は、ベース１１に嵌合可能な箱形状を有する樹脂成形品である。前記ケース４０は、その外周面に磁気シールド体５０をＭＩＤ成形法で形成してある。前記ＭＩＤ成形法とは、樹脂と導電素材とを混合した材料で形成した成形品に、予め決められたパターンに基づいてレーザ照射し、樹脂を除去した後、露出する前記導電素材に金属メッキを施すことにより、所望の回路パターンを形成する方法である。前記ケース４０の開口縁部から延在した端子部４１の全表面にも筒状磁気シールド部５１が設けられている。プリント基板等のグランドに接続するためである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料からなるハウジングの表面を形成する外面および内面のうち、少なくともいずれか一方の少なくとも一部に、金属メッキで形成した磁気シールド体を設けたことを特徴とする磁気シールド構造。
【請求項２】
前記ハウジングの内面および／または外面のうち、前記ハウジングに配置された高周波伝送路に沿って対向する領域に、前記高周波伝送路の特性インピーダンスが均一になるように前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けたことを特徴とする請求項１に記載の磁気シールド構造。
【請求項３】
前記ハウジングの内面および／または外面のうち、前記ハウジングに配置された高周波伝送路に沿って対向する領域に、前記高周波伝送路の特性インピーダンスが均一になるように前記金属メッキおよび誘電体で前記磁気シールド体を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気シールド構造。
【請求項４】
前記ハウジングが、ベースと、前記ベースに嵌合するケースとからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気シールド構造。
【請求項５】
前記ケースの外面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を形成したことを特徴とする請求項４に記載の磁気シールド構造。
【請求項６】
前記ケースの内面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を形成したことを特徴とする請求項４または５に記載の磁気シールド構造。
【請求項７】
前記ケースの外面に形成した前記磁気シールド体と、前記ケースの内面に形成した前記磁気シールド体とを金属メッキで電気接続したことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の磁気シールド構造。
【請求項８】
前記ベースの底面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を設けたことを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載の磁気シールド構造。
【請求項９】
前記ケースの外面に形成した前記磁気シールド体と、前記ベースの底面に形成した前記磁気シールド体とを前記金属メッキで電気接続したことを特徴とする請求項４ないし８のいずれか１項に記載の磁気シールド構造。
【請求項１０】
前記ハウジングが、プラグ本体と、前記プラグ本体に接続されるソケット本体とからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気シールド構造。
【請求項１１】
前記プラグ本体の少なくとも１部に、前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けたことを特徴とする請求項１０に記載の磁気シールド構造。
【請求項１２】
前記ソケット本体の少なくとも１部に、前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の磁気シールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気シールド構造、特に、ハウジングに金属メッキを施して形成した磁気シールド構造である。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気シールド構造の一例としては、例えば、リレー本体１に別体の金属ケース２を嵌合し、前記リレー本体１全体を被覆することにより、磁気シールドされた高周波リレーがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３４００８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記高周波リレーは、ボディ２０にカバー２２を被せて構成されたリレー本体１に、金属ケース２を被せて構成されている。このため、前記高周波リレーは別体の金属ケース２を必要とし、部品点数，組立工数が多く、生産性が低い。
また、金属ケースの外形寸法や金属ケースと高周波伝送部品との位置関係が高周波特性に影響を与える。このため、前記金属ケースの製造，組立において高い寸法精度，組立精度を必要とし、製造，組立が容易でない。
そして、前記金属ケース２は、前記リレー本体１の設置面を除いた露出面全体を被覆する。このため、前記金属ケース２が、伝送路構造の特性を却って悪化させる領域や不要な領域を被覆することにより、結果として所望の高周波特性が得られないという問題点がある。
本発明は、前記問題点に鑑み、生産性が高く、製造，組立が容易で、優れた高周波特性を有する磁気シールド構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る磁気シールド構造は、前記課題を解決すべく、誘電体材料からなるハウジングの表面を形成する外面および内面のうち、少なくともいずれか一方の少なくとも一部に、金属メッキで形成した磁気シールド体を設けた構成としてある。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ハウジングに磁気シールド体を直接設けるので、部品点数，組立工数が少なく、生産性の高い磁気シールド構造が得られる。
また、ハウジングの必要な領域に、磁気シールド体を直接形成する。このため、ハウジングの寸法精度、組立精度のバラツキに基づく高周波特性の低下を防止できる。
そして、ハウジングの必要な領域に限定して磁気シールド体を形成する。このため、従来例のように伝送路構造の特性を却って悪化させる領域や不要な領域に磁気シールド体を形成しない。これにより、結果として優れた高周波特性を有する磁気シールド構造が得られるという効果がある。
【０００７】
本発明の実施形態としては、前記ハウジングの内面および／または外面のうち、前記ハウジングに配置された高周波伝送路に沿って対向する領域に、前記高周波伝送路の特性インピーダンスが均一になるように前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けておいてもよい。
本実施形態によれば、ハウジングの内面および／または外面の全面に金属メッキで常に磁気シールド体を設ける必要がない。このため、原材料を節約でき、生産性の高い磁気シールド構造が得られる。
【０００８】
本発明の他の実施形態としては、前記ハウジングの内面および／または外面のうち、前記ハウジングに配置された高周波伝送路に沿って対向する領域に、前記高周波伝送路の特性インピーダンスが均一になるように前記金属メッキおよび誘電体で前記磁気シールド体を設けておいてもよい。
本実施形態によれば、ハウジングの内面および／または外面の全面に金属メッキおよび誘電体で磁気シールド体を常に設ける必要がない。このため、原材料を節約でき、生産性の高い磁気シールド構造が得られる。
【０００９】
本発明の別の実施形態としては、前記ハウジングが、ベースと、前記ベースに嵌合するケースとで構成されていてもよい。
本実施形態によれば、汎用性の磁気シールド構造が得られる。
【００１０】
本発明の新たな実施形態としては、前記ケースの外面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を形成してもよい。また、前記ケースの内面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を形成してもよい。
本実施形態によれば、必要に応じて必要な領域に磁気シールド体を形成できるので、より一層優れた高周波特性を有する磁気シールド構造が得られる。
【００１１】
本発明の別の実施形態としては、前記ケースの外面に形成した前記磁気シールド体と、前記ケースの内面に形成した前記磁気シールド体とを前記金属メッキで電気接続してもよい。
本実施形態によれば、より一層、優れた高周波特性を有する磁気シールド構造が得られる。
【００１２】
本発明の異なる実施形態としては、前記ベースの底面の少なくとも一部に、前記磁気シールド体を設けておいてもよい。
本実施形態によれば、必要に応じて必要な領域に磁気シールド体を形成できるので、用途の広い磁気シールド構造が得られる。
【００１３】
本発明の新たな実施形態としては、前記ケースの外面に形成した前記磁気シールド体と、前記ベースの底面に形成した前記磁気シールド体とを前記金属メッキで電気接続してもよい。
本実施形態によれば、ベースの底面に設けた磁気シールド体を介してグランドに接続できる。
【００１４】
本発明の他の実施形態としては、前記ハウジングが、プラグ本体と、前記プラグ本体に接続されるソケット本体とで構成されていてもよい。
本実施形態によれば、汎用性の磁気シールド構造が得られる。
【００１５】
本発明の別の実施形態としては、前記プラグ本体の少なくとも１部に、前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けてもよい。また、前記ソケット本体の少なくとも１部に、前記金属メッキで前記磁気シールド体を設けておいてもよい。
本実施形態によれば、必要に応じて必要な領域に磁気シールド構造を形成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る磁気シールド構造を適用した第１実施形態の電磁継電器を示す斜視図である。
【図２】図１に示した電磁継電器からケースを消去し状態を示す斜視図である。
【図３】図１に示した電磁継電器の正面図断面図である。
【図４】図１に示した電磁継電器の中央正面断面図である。
【図５】図１に示した電磁継電器の側面断面図である。
【図６】図１に示した電磁継電器の部分拡大断面図である。
【図７】図１に示した磁気シールド体だけの斜視図である。
【図８】第１実施形態に係る実施例，比較例の解析結果を示すグラフ図である。
【図９】本発明に係る磁気シールド構造の第２実施形態を示すケースの斜視図である。
【図１０】図９に示したケースに設けた磁気シールド体だけの斜視図である。
【図１１】図１０において内側に位置する磁気シールド体だけの斜視図である。
【図１２】図９に示したケースを異なる視点から見た斜視図である。
【図１３】図１０に示したシールド体だけを異なる角度から見た斜視図である。
【図１４】図９に示したケースの部分拡大断面図である。
【図１５】図１４に示したケースの磁気シールド体だけの部分拡大断面図である。
【図１６】本発明に係る磁気シールド構造を適用した第３実施形態のスイッチを示す斜視図である。
【図１７】図１６に示したスイッチを異なる視点から見た斜視図である。
【図１８】図１６に示したスイッチの中央正面断面図である。
【図１９】図１６に示したスイッチからケースを消去した状態を示す斜視図である。
【図２０】図１９から操作レバーを消去した状態を示す斜視図である。
【図２１】図２０からベースを消去した状態を示す斜視図である。
【図２２】図１６に示した磁気シールド体だけの断面斜視図である。
【図２３】本発明に係る磁気シールド構造を適用した第４実施形態のコネクタを示す分解斜視図である。
【図２４】図２３に示したコネクタの断面分解斜視図である。
【図２５】図２４に示したコネクタから樹脂成形部分を消去した状態を示す斜視図である。
【図２６】図２５に示した磁気シールド体だけを異なる角度から見た斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係る磁気シールド構造の実施形態を図１ないし図２５に添付図面に従って説明する。
第１実施形態は、図１ないし図７に示すように、磁気シールドされた自己保持型の電磁継電器１０に適用した場合である。
前記電磁継電器１０は、図１および図２に示すように、ベース１１にケース４０を嵌合して形成した内部空間に、可動ブロック３０を回動可能に支持してある。なお、説明の便宜上、前記ケース４０に設けた磁気シールド体５０は散点模様で図示してある。
【００１８】
前記ベース１１は、図２ないし図６に示すように、電磁石ブロック２０を一体成形したものである。また、前記ベース１１は、図２に示すように、その上面の隅部に固定接点１２，１４を配置してある。前記固定接点１２，１４は、前記ベース１１に一体成形された固定接点端子１３，１５にそれぞれ接続されている。また、前記ベース１１は、その上面の対向する両側縁部に共通接続受け部１６を設けてある。前記共通接続受け部１６は、前記ベース１１に一体成形された共通端子１７に接続されている。なお、前記ベース１１に一体成形されているコイル端子１８は、後述する電磁石ブロック２０のコイル２２に接続されている。
【００１９】
前記電磁石ブロック２０は、図３および図５に示すように、断面門型の鉄芯２１に絶縁シート（図示せず）を介してコイル２２を巻回し、かつ、前記鉄芯２１および前記コイル２２をスプール２３に一体成形したものである。そして、前記鉄芯２１の磁極部２１ａ，２１ｂが前記ベース１１の上面の両側縁部から露出している（図４）。
【００２０】
また、前記可動ブロック３０は、図４に示すように、短冊状の可動鉄片３１の下面に板状の永久磁石３２を配置するとともに、図２に示すように、前記可動鉄片３１の両側に可動接触片３３，３３を平行に配置し、一体成形したものである。そして、前記可動接触片３３は、図２および図５に示すように、その片側縁部から平面略Ｔ字形状の接続舌片３４を側方に延在してある。前記接続舌片３４は、図２に示すように、前記可動ブロック３０の両側端面から同一軸心上に突出している。さらに、前記可動接触片３３の両端部は、図３に示すように、巾方向に２分割された各分割片に、可動接点３５，３６をそれぞれ設けたツイン接点構造を有している。
【００２１】
そして、図５に示すように、前記ベース１１の前記共通接続受け部１６に前記可動ブロック３０の前記接続舌片３４を溶接一体化することにより、前記可動ブロック３０が回動可能に支持される。これにより、可動鉄片３１の両端部３１ａ，３１ｂが鉄芯２１の磁極部２１ａ，２１ｂに交互に接離可能に対向する。また、可動接触片３３の可動接点３５，３６が、固定接点１２，１４に交互に接離可能に対向する。
【００２２】
前記ケース４０は、前記ベース１１に嵌合可能な箱形状を有する樹脂成形品である。そして、前記ケース４０は、その外周面に磁気シールド体５０をＭＩＤ成形法で形成してある。前記ＭＩＤ成形法とは、樹脂と導電素材とを混合した材料で形成した成形品に、予め決められたパターンに基づいてレーザ照射し、樹脂を除去した後、露出する前記導電素材に金属メッキを施すことにより、所望の回路パターンを形成する方法である。また、前記ケース４０の開口縁部から延在した端子部４１の全表面にも筒状磁気シールド部５１が設けられている（図７）。図示しないプリント基板等のグランドに接続するためである。
【００２３】
前記磁気シールド体５０は、高周波伝送路において特性インピーダンスにバラツキあると、高周波信号が漏れやすいという知見に基づいて設けられている。したがって、前記磁気シールド体５０は、高周波信号の漏れを低減するため、高周波伝送路における特性インピーダンスのバラツキを小さくするように形成される。
要するに、前記ケース４０の外周面全体に金属メッキで磁気シールド体を形成するのではなく、必要な領域に適切な磁気シールド体５０を形成する。これにより、前記磁気シールド体５０は、例えば、マイクロストリップ構造、ストリップライン構造、および、コプレーナライン構造を構成している。
【００２４】
前記磁気シールド体５０を形成する領域としては、ベースおよびケースからなるハウジングの内面および／または外面のうち、前記ハウジングに設置された高周波伝送路に沿って対向する領域が挙げられる。
より具体的には、高周波伝送路の特性インピーダンスが均一になるように金属メッキおよび／または誘電体を配置，形成することが好ましい。なお、空気も誘電体として考えることは勿論である。
例えば、高周波伝送路の各領域におけるそれぞれの特性インピーダンスが基準値の５０Ωに揃うように、金属メッキおよび／または誘電体を配置，形成することが好ましい。高周波伝送路の領域毎に特性インピーダンスに差があると、その差がある領域の境界から高周波が漏れやすく、高周波特性が低下するからである。
【００２５】
本実施形態におけるマイクロストリップ構造としては、例えば、図６に示すように、高周波伝送路である共通端子１７を、誘電体である電磁石ブロック２０の樹脂製のスプール２３と、磁気シールド体５０を設けた誘電体である樹脂製のケース４０とで、挟持した構造が挙げられる。
【００２６】
また、ストリップライン構造としては、例えば、図６に示すように、高周波伝送路である可動接触片３３の上方に、磁気シールド体５０を設けた誘電体である樹脂製のケース４０を配置した構造が挙げられる。
【００２７】
そして、コプレーナライン構造としては、例えば、図１に示すように、コイル端子１８と、誘電体である樹脂製のケース４０の外周面に形成された磁気シールド体５０との間に微小な空隙部を形成した構造が挙げられる。固定接点端子１３，１５および共通端子１７も同様に、コプレーナライン構造を構成している。
【００２８】
次に、前述の構成からなる自己保持型の電磁継電器の操作方法を説明する。
例えば、図４に示す前記電磁石ブロック２０のコイル２２に電圧が印加されていない場合には、鉄芯２１の一方の磁極部、例えば、磁極部２１ａに可動鉄片３１の一端部３１ａが吸着し、磁気回路を構成している。このため、図３に示す可動接触片３３の可動接点３５が固定接点１２に接触し、可動接点３６が固定接点１４から開離している。
【００２９】
そして、図４に示す前記永久磁石３２の磁力線を打ち消す方向の磁力線が生じるように、前記コイル２２に電圧を印加すると、前記永久磁石３２の磁力に抗し、図３に示す可動鉄片３１の他端部３１ｂが鉄芯２１の磁極部２１ｂに吸引される。このため、可動ブロック３０が接続舌片３４（図５）を中心として回動する。この結果、図３に示す可動接触片３３の可動接点３６が固定接点１４に接触した後、図４に示す可動鉄片３１の他端部３１ｂが鉄芯２１の磁極部２１ｂに吸着し、磁気回路が形成される。
ついで、前記コイル２２に対する電圧の印加を停止しても、前記永久磁石３２の磁力により、可動ブロック３０は、その状態を維持し続ける。
【００３０】
最後に、図４に示す前記コイル２２に、前述の電圧の印加方向と逆方向の電圧を印加する。これにより、発生した磁力線が永久磁石３２の磁力線に打ち勝つと、図４に示す可動鉄片３１の一端部３１ａが鉄芯２１の磁極部２１ａに吸引され、可動ブロック３０が接続舌片３４（図５）を中心として回動する。このため、図３に示す可動接触片３３の一端部に設けた可動接点３５が固定接点１２に接触した後、図４に示す可動鉄片３１の一端部３１ａが鉄芯２１の磁極部２１ａに吸着する。
以後、同様な操作を繰り返すことにより、接点が切り換えられる。
【実施例】
【００３１】
本実施形態に係る磁気シールド体５０を備えた電磁継電器の高周波特性について解析を行った。解析結果を図８のグラフ図に示す。
【比較例】
【００３２】
第１実施形態と同一の電磁継電器のケースに金属メッキの磁気シールド体を形成せず、前記ケース全体を被覆する金属ケースを被せたものを比較例とした。他は前述の第１実施形態と同一の条件で高周波特性を解析した。解析結果を図８のグラフ図で示す。
【００３３】
なお、図８はＴＤＲ手法によって測定されている。前記ＴＤＲ手法とは、高速のパルスあるいはステップ信号入力を被測定物に印加し、返ってくる反射波形を測定する手法をいう。前記反射波形から高周波伝送路の経路における特性インピーダンスを検出できる。そして、図８において、
（Ａ）端子部とは、図２における共通端子１７のうち、プリント基板に表面実装される先端領域だけの特性インピーダンスを示している。
（Ｂ）固定接点端子とは、前記共通端子１７のうち、前記先端領域の境界から共通接続受け部１６まで領域における特性インピーダンスを示している。
（Ｃ）可動接触片とは、可動接触片３３の接続舌片３４の基部から可動接点３６までの領域における特性インピーダンスを示している。
（Ｄ）固定接点端子とは、固定接点端子１５のうち、前記固定接点端子１５に設けた固定接点１４からプリント基板に表面実装される先端領域の境界までの領域における特性インピーダンスを示している。
（Ｅ）端子部とは、前記固定接点端子１５のうち、プリント基板に表面実装される先端領域だけの特性インピーダンスを示している。
【００３４】
図８から明らかなように、実施例の反射波形が比較例の反射波形よりも特性インピーダンス（５０Ω）に接近していることが判った。これにより、比較例よりも実施例の方が特性インピーダンスに対するバラツキが小さく、高周波信号の漏れが少ないことが判明した。
【００３５】
第２実施形態は、図９ないし図１５に示すように、前述の第１実施形態と同様、電磁継電器のケース４０に適用した場合である。異なる点は前記ケース４０の内周面にも磁気シールド体６０をＭＩＤ成形法で形成した点である。このため、異なる点について説明し、同一部分については同一番号を附して説明を省略する。
【００３６】
前記磁気シールド体６０は、前記ケース４０の内周面の対向する隅部にそれぞれ設けられている。特に、前記磁気シールド体６０は、図１１に示すように、両端部から一対の腕部６１を延在している。前記腕部６１は第１実施形態の可動接触片３３の両端部を囲む形状となっている。また、前記磁気シールド体６０は、下方に向けて延在する脚部６２を介し、前記磁気シールド体５０の筒状磁気シールド部５１に電気接続されている。
【００３７】
本実施形態によれば、図１４および図１５に示すように、誘電体である樹脂製のケースの内面に取り付けた磁気シールド体６０と、その腕部６１との間に、微小な空隙を形成するように可動接触片３３の両端部を配置してある。これにより、第１実施形態と同様なコプレーナライン構造を構成している。
したがって、第２実施形態によれば、磁気シールド体５０だけでなく、磁気シールド体６０を設けることにより、特性インピーダンスが調整しやすい。このため、高周波伝送路における特性インピーダンスのバラツキをより一層低減しやすくなり、高周波特性を改善できる。このため、設計の自由度が広がり、用途がより一層拡大するという利点がある。
【００３８】
第３実施形態は、図１６ないし図２２に示すように、スイッチ７０に適用した場合である。前記スイッチ７０は、板状ベース７１と、箱形ケース８０と、前記箱形ケース８０に組み付けられた操作レバー１００とで、形成されている。
【００３９】
前記板状ベース７１は、図１８に示すように、その上面の両側縁部に固定接点７４，７５が露出するように一対の固定接点端子７２，７３を一体成形してある。また、前記板状ベース７１は、その下面のうち、前記固定接点端子７２，７３の間に４つの位置決め用脚部７６を突設してある。そして、前記板状ベース７１は、前記位置決め用脚部７６を含む下面に磁気シールド体９０をＭＩＤ成形法で形成してある。
【００４０】
前記箱形ケース８０は、前記板状ベース７１の上面を被覆可能な箱形状を有し、その天井面に操作孔８１を形成してある。また、前記箱形ケース８０は、その外側面に環状の磁気シールド体９１をＭＩＤ成形法で形成してある。そして、前記磁気シールド体９１は接続部９２を介して前記磁気シールド体９０に電気接続されている。このため、前記磁気シールド体９１は前記板状ベース７１の位置決め用脚部７６を被覆する磁気シールド体９０を介してグランドに接続できる。
【００４１】
操作レバー１００は、図１８に示すように、断面逆Ｔ字形状を有し、かつ、その下面に設けたカシメ用突起１０１を可動接触片１０５のカシメ孔１０８に挿入して固定してある。前記可動接触片１０５は、その両端部に位置する可動接点１０６，１０７を、前記固定接点７４，７５にそれぞれ接触する断面形状を有している。そして、前記操作レバー１００は、その上面に突設した操作突部１０２を前記箱形ケース８０の操作孔８１から操作可能に突出している。
【００４２】
したがって、前記操作レバー１００の操作突部１０２をスライド移動させることにより、可動接点１０６，１０７が固定接点７４，７５にそれぞれ接触する。そして、高周波信号が固定接点端子７２、可動接触片１０５および固定接点端子７３に流れても、磁気シールド体９０，９１で磁気シールドされている。このため、高周波信号が漏れないだけでなく、外部信号の侵入をも防止できるという利点がある。
【００４３】
第４実施形態は、図２２ないし図２５に示すように、高周波用コネクタに適用した場合である。そして、前記高周波用コネクタは、プラグ１１０と、ソケット１３０とで構成されている。
【００４４】
前記プラグ１１０は、並設した３本の接続ピン１１２，１１３，１１４を、誘電体となる樹脂で成形されたプラグ本体１１１に一体成形したものである。そして、前記プラグ本体１１１には磁気シールド体１２０をＭＩＤ成形法で形成してある。
すなわち、前記磁気シールド体１２０は、前記接続ピン１１２，１１３，１１４を上下から挟むように配置した上片部１２１と下片部１２２とを、接続部１２３で電気接続してある。前記接続部１２３はグランドに接続される接続ピン１１４に電気接続されている。
【００４５】
また、前記ソケット１３０は、並設した３本の受入れピン１３２，１２３３，１３４を、誘電体となる樹脂で成形されたソケット本体１３１に一体成形したものである。そして、前記ソケット本体１３１は磁気シールド体１４０をＭＩＤ成形法で形成してある。
すなわち、前記磁気シールド体１４０は、前記受入れピン１３２，１２３３，１３４を上下から挟むように形成した上片部１４１と下片部１４２とを、接続部１４３で電気接続してある。前記接続部１４３はグランドに接続される受入れピン１３４に電気接続されている。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
前述の電磁継電器、スイッチ、コネクタに限らず、樹脂製ハウジング内に高周波伝送部品を備えた他の電気機器、電子部品に適用してもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  電磁継電器
１１  ベース
１２  固定接点
１３  固定接点端子
１４  固定接点
１５  固定接点端子
１６  共通接続受け部
１７  共通端子
１８  コイル端子
２０  電磁石ブロック
２１  鉄芯
２２  コイル
２３  スプール
３０  可動ブロック
３１  可動鉄片
３２  永久磁石
３３  可動接触片
４０  ケース
４１  端子部
５０  磁気シールド体
５１  筒状磁気シールド部
６０  磁気シールド体
６１  腕部
６２  脚部
７０  スイッチ
７１  板状ベース
７２  固定接点端子
７３  固定接点端子
７４  固定接点
７５  固定接点
７６  位置決め用脚部
８０  箱形ケース
８１  操作孔
９０  磁気シールド体
９１  磁気シールド体
９２  接続部
１１０  プラグ
１１１  プラグ本体
１２０  磁気シールド体
１２１  上片部
１２２  下片部
１２３  接続部
１３０  ソケット
１３１  ソケット本体
１４０  磁気シールド体
１４１  上片部
１４２  下片部
１４３  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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