(57)【要約】      （修正有）【課題】液体吐出ヘッドの内部構造やＥＳＤの発生場所によらず、ＥＳＤ破壊の発生を抑える液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板の第１の領域Ｒ１に、第１のエネルギー発生素子５と、第１のエネルギー発生素子５を覆う第１の導電膜１７と、を形成し、基板の、スクライブライン２４ａを挟んで第１の領域Ｒ１と隣接する第２の領域Ｒ２に、第２のエネルギー発生素子と、第２のエネルギー発生素子を覆う第２の導電膜と、を形成する。スクライブライン２４ａに、基板と第１の導電膜１７とに電気的に接続された第１の電気接続部３１ａを形成し、スクライブライン２４ａを含む第１及び第２の領域Ｒ１，Ｒ２の周縁部に沿って基板を切断する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の領域に、液体に吐出のためのエネルギーを与える第１のエネルギー発生素子と、前記第１のエネルギー発生素子を覆う第１の導電膜と、を形成する工程と、
前記基板の、スクライブラインを挟んで前記第１の領域と隣接する第２の領域に、液体に吐出のためのエネルギーを与える第２のエネルギー発生素子と、前記第２のエネルギー発生素子を覆う第２の導電膜と、を形成する工程と、
前記スクライブラインに、前記基板と前記第１の導電膜とに電気的に接続された第１の電気接続部を形成する工程と、
前記スクライブラインを含む前記第１及び第２の領域の周縁部に沿って前記基板を切断し、前記第１のエネルギー発生素子と前記第１の導電膜とを有する第１の素子基板と、前記第２のエネルギー発生素子と前記第２の導電膜とを有する第２の素子基板と、を得る工程と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の領域及び前記スクライブラインに、前記第１の電気接続部と前記第１の導電膜とに接続された導電性の配線膜が形成される、請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１の領域及び前記スクライブラインに、複数の前記配線膜が形成される、請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１のエネルギー発生素子と前記第１の導電膜との間に、前記スクライブラインまで延びる絶縁性の保護膜が形成され、前記保護膜は、前記スクライブラインの前記配線膜と対向する位置で、前記配線膜の幅より小さい幅の開口を有している、請求項２または３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１のエネルギー発生素子と電気的に接続されたパッドを含むパッド列が前記周縁部を構成する一部の辺に沿って形成され、前記スクライブラインは他の前記辺に沿って形成される、請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記スクライブラインに、前記基板と前記第２の導電膜とに電気的に接続され、前記第１の電気接続部と電気的に分離された第２の電気接続部が形成される、請求項１から５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記基板を切断する前に、前記第１の領域において前記第１の導電膜と前記基板とを電気的に接続する工程を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１の領域に前記第１の導電膜と前記基板とに接続されたパッドを形成することで、前記第１の導電膜と前記基板とを電気的に接続する、請求項７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記パッドは金めっきで形成される、請求項８に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導電膜と前記基板とを電気的に接続する工程の前に、前記第１の導電膜に負電圧を印加し、前記第１のエネルギー発生素子に接地電圧を印加することによって、前記第１の導電膜と前記第１のエネルギー発生素子との間の絶縁性を検査する工程を有する、請求項７から９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２の導電膜はタンタルまたはイリジウムからなる単層膜、またはタンタル及びイリジウムが積層されてなる積層膜である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と第２の領域とを仕切るスクライブラインと、を有する基板であって、前記スクライブラインを含む前記第１及び第２の領域の周縁部に沿って切断される基板を有し、
前記第１の領域には、液体に吐出のためのエネルギーを与える第１のエネルギー発生素子と、前記第１のエネルギー発生素子を覆う第１の導電膜と、が設けられ、
前記第２の領域には、液体に吐出のためのエネルギーを与える第２のエネルギー発生素子と、前記第２のエネルギー発生素子を覆う第２の導電膜と、が設けられ、
前記スクライブラインには、前記基板と前記第１の導電膜とに電気的に接続された第１の電気接続部が設けられている、液体吐出ヘッドのウエハ。
【請求項１３】
前記第１の領域において前記第１の導電膜と前記基板とが電気的に接続されている、請求項１２に記載の液体吐出ヘッドのウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドの素子基板の製造方法及び液体吐出ヘッドのウエハに関する。本発明は特に、素子基板の静電気放電（ＥＳＤ; Electro-Static Discharge）による破壊（以下、ＥＳＤ破壊という）を抑制することが可能な液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所望の文字や画像等の情報を紙やフィルム等の記録媒体に記録する情報出力装置の一つとして、インクジェットプリンタなどの液体吐出装置が知られている。液体吐出装置は、インクなどの液滴を吐出し記録媒体に着弾させることで記録を行う液体吐出ヘッドを備えている。液体吐出ヘッドにおける液体吐出方式の一つとして、サーマルインクジェット方式が知られている。サーマルインクジェット方式では、液体に接する発熱抵抗素子に数μ秒程度通電することで熱エネルギーを発生させ、熱エネルギーで誘発された液体の発泡現象を液滴の吐出に利用する。一般に、サーマルインクジェット方式の液体吐出ヘッドは、液滴の吐出に必要な発熱抵抗素子を有する素子基板を搭載している。素子基板は、シリコンからなる支持基板と、支持基板上に形成され、発熱抵抗素子などを備えた素子形成部と、素子形成部の上に形成され、吐出口を備えた吐出口形成部材と、を有している。
【０００３】
素子基板の製造工程や液体吐出ヘッドの記録動作において、素子基板にＥＳＤ破壊が生じる可能性のあることが知られている。特許文献１には、発熱抵抗素子（ヒータ）のＥＳＤ破壊を防止するため、発熱抵抗素子と並列にダミーＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）を設けることが記載されている。パッドから流入する電流をダミーＭＯＳに流すことで、発熱抵抗素子に大電流が流入することが防止される。
特許文献２には、耐キャビテーション層をゲート接地型ＭＯＳに接続することが記載されている。耐キャビテーション層に流れ込んだＥＳＤによる電流は、ゲート接地型ＭＯＳを介して支持基板に流れる。このため、耐キャビテーション層と発熱抵抗素子の電極との間の保護膜のＥＳＤ破壊が生じにくくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−０５０６３６号公報
【特許文献２】米国特許第７２６７４３０Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＳＤは素子基板の様々な場所で発生する。このうち、吐出口形成部材の表面で発生したＥＳＤによる電流は、吐出口形成部材の表面に沿って進行する。この現象は沿面放電と呼ばれる。特許文献１に開示された構成では、例えばパッドよりも吐出口の近傍で発生したＥＳＤによる電流は、吐出口から素子基板の内部に沿面放電によって進入し、保護膜のＥＳＤ破壊などを引き起こす可能性がある。パッドは一般に素子基板の端部に設けられているため、ＥＳＤによる電流の多くは、パッドではなく素子基板の内部に進入する可能性がある。
【０００６】
特許文献２に開示された構成は、ゲート接地型ＭＯＳと発熱抵抗素子との距離が大きい場合、その間の保護膜の絶縁性が低い部位でＥＳＤ破壊が生じるおそれがある。特に、長尺化された液体吐出ヘッドでは、ゲート接地型ＭＯＳと発熱抵抗素子との距離が大きくなりやすく、ＥＳＤ破壊が生じやすい。
すなわち、特許文献１，２のいずれに開示された構成も、ＥＳＤがパッドやゲート接地型ＭＯＳなどの接地要素から離れたところで発生した場合、ＥＳＤ破壊が生じやすい。ＥＳＤ破壊の生じやすさは液体吐出ヘッドの内部構造にも依存する。
【０００７】
本発明の目的は、液体吐出ヘッドの内部構造やＥＳＤの発生場所によらず、ＥＳＤ破壊が生じにくい液体吐出ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、基板の第１の領域に、液体に吐出のためのエネルギーを与える第１のエネルギー発生素子と、第１のエネルギー発生素子を覆う第１の導電膜と、を形成する工程と、基板の、スクライブラインを挟んで第１の領域と隣接する第２の領域に、液体に吐出のためのエネルギーを与える第２のエネルギー発生素子と、第２のエネルギー発生素子を覆う第２の導電膜と、を形成する工程と、スクライブラインに、基板と第１の導電膜とに電気的に接続された第１の電気接続部を形成する工程と、スクライブラインを含む第１及び第２の領域の周縁部に沿って基板を切断し、第１のエネルギー発生素子と第１の導電膜とを有する第１の素子基板と、第２のエネルギー発生素子と第２の導電膜とを有する第２の素子基板と、を得る工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、第１の素子基板と第２の素子基板の間に延びるスクライブラインに、基板と第１の導電膜とに電気的に接続された第１の電気接続部が形成される。スクライブラインは、完成した液体吐出ヘッドの素子基板からは取り除かれる領域である。このため、スクライブラインに形成される第１の電気接続部は、配置個数や配置位置に関して大きな制約を受けない。従って、本発明によれば、液体吐出ヘッドの内部構造やＥＳＤの発生場所によらずＥＳＤ破壊が生じにくい液体吐出ヘッドの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体吐出ヘッドの素子基板を示す斜視図である。
【図２】吐出口形成部材の図示を省略した素子基板の平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った素子基板の概略断面図である。
【図４】液体吐出ヘッドの製造フローを示す概略図である。
【図５】液体吐出ヘッドの製造に用いられるウエハの平面図である。
【図６】図５に示すウエハのＡ部の詳細図である。
【図７】パッドの近傍の断面図である。
【図８】図６のＣ−Ｃ線に沿った、第１のスクライブラインの断面図である。
【図９】ＥＳＤの発生メカニズムを示す概略図である。
【図１０】導電膜に印加する電圧とリーク電流との関係を示す模式図である。
【図１１】めっき加工の工程を示すパッドの近傍の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の液体吐出ヘッドとその製造方法を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る液体吐出ヘッドの素子基板を示す斜視図、図２は、吐出口形成部材の図示を省略した素子基板の平面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿った素子基板の概略断面図である。液体吐出ヘッドの素子基板１は、インクジェットプリンタなどの液体吐出装置の一部を構成している。一例では、素子基板１は幅Ｗｓｕｂが２．２ｍｍ、長さＬｓｕｂが３０．０ｍｍの長方形である。素子基板１の形状は平行四辺形、三角形その他の多角形でもよい。本実施形態の液体吐出ヘッドはインクを吐出するインクジェットヘッドであるが、インク以外の液体を吐出する液体吐出ヘッドも本発明に含まれる。
【００１２】
素子基板１は、シリコンからなる支持基板２と、支持基板２の上に設けられた吐出口形成部材３と、を有している。吐出口形成部材３はエポキシ系樹脂材料で形成されている。吐出口形成部材３は、インクが吐出する吐出口２０を備えた天井部材３ａと、発泡室４を形成する側壁部材３ｂと、から構成されている。支持基板２の発泡室４に面する位置には、インクに吐出のためのエネルギーを与えるエネルギー発生素子５が形成されている。エネルギー発生素子５は、インクを加熱し気泡を発生させる発熱抵抗体（ヒータ）である。なお、支持基板２の上には後述するように複数の層が形成されているが、図１ではこれらの層を省略して示している。
【００１３】
支持基板２の上には熱酸化膜１１と下部蓄熱層１２と上部蓄熱層１３とが設けられている。下部蓄熱層１２と上部蓄熱層１３の間にはスイッチング素子１８が形成されている。上部蓄熱層１３の上にはヒータ層１４が設けられている。ヒータ層１４の上には、互いに間隔をあけて共通電極１５ａと個別電極１５ｂが設けられている。個別電極１５ｂはスイッチング素子１８と接続されている。ヒータ層１４の共通電極１５ａと個別電極１５ｂで挟まれた領域がエネルギー発生素子５を形成する。エネルギー発生素子５と共通電極１５ａと個別電極１５ｂは保護膜１６で覆われている。保護膜１６は、電気的な絶縁性に優れるＳｉＮまたはインクに対する化学的安定性に優れるＳｉＣで形成することができる。保護膜１６は導電膜１７で覆われている。導電膜１７は、インクの発泡及び消泡時における熱的、物理的、化学的衝撃からエネルギー発生素子５を保護する耐キャビテーション層として機能する。導電膜１７は発泡室４の壁面の一部を構成している。なお、導電膜１７はタンタルやイリジウムからなることが好ましく、また、導電膜１７は単層膜に限らずこれらの材料を積層した積層膜であってもよい。支持基板２は、支持基板２を貫通し発泡室４に連通する液体供給路１９を有している。液体供給路１９は、一つのエネルギー発生素子５の列（ヒータ列）につき複数設けられてもよい。インクは液体供給路１９から発泡室４に導入され、エネルギー発生素子５で加熱されて吐出口２０から吐出する。
【００１４】
支持基板２には複数のパッド２１が設けられている。パッド２１は支持基板２の少なくとも一つの辺、本実施形態では２つの短辺に沿って配列し、それぞれパッド列２１ｄを形成している。ヒータ電圧の入力パッド２１ａが共通ヒータ電極２２に、グランド電圧の入力パッド（以下、グランドパッド２１ｂという）が共通グランド電極２３に接続されている。共通ヒータ電極２２は、各エネルギー発生素子５に共通する共通電極１５ａを介して、エネルギー発生素子５と接続されている。共通グランド電極２３は、各エネルギー発生素子５に対応したスイッチング素子１８と個別電極１５ｂとを介して、エネルギー発生素子５に接続されている。データ入力パッド２１ｃは、制御回路（不図示）を介して、各エネルギー発生素子５に接続されている。制御回路は入力されたデータに基づいて各スイッチング素子１８を制御する。
【００１５】
次に、以上説明した液体吐出ヘッドの製造方法の一例を説明する。図４は、液体吐出ヘッドの製造フローを示す概略図である。図５は、液体吐出ヘッドの製造に用いられるウエハの平面図を示している。本明細書では、ウエハ２５はシリコン等からなる基板３６と、その上に形成された様々な要素とを含む概念として定義される。基板３６はウエハ２５の切断後、個々の液体吐出ヘッドの支持基板２となる。
【００１６】
図５を参照すると、ウエハ２５（基板３６）はスクライブライン２４によって複数の領域に仕切られている（分割されている）。ウエハ２５をスクライブライン２４に沿って切断することによって、各領域に対応した複数の液体吐出ヘッドが作成される。以下の説明では、複数の領域を第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２等と呼ぶ。図６は、図５に示すウエハのＡ部の詳細図を示している。図６には第１〜第３の領域Ｒ１〜Ｒ３を示しているが、他の領域も同じ構成を有している。第１〜第３の領域Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ４つの辺からなる周縁部で確定されている。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２は第１のスクライブライン２４ａを挟んで隣接し、第２の領域Ｒ２と第３の領域は第２のスクライブライン２４ｂを挟んで隣接している。以下の説明で、第１の領域Ｒ１に対応する素子基板１を第１の素子基板１０１、第２の領域Ｒ２に対応する素子基板１を第２の素子基板１０２等と呼ぶことがある。同様に、本明細書及び特許請求の範囲では、エネルギー発生素子５、導電膜１７等についても、それらが属する領域ないし素子基板に対応して、「第１の」、「第２の」等の先行詞を付す場合がある。
【００１７】
まず、基板３６上に熱酸化膜１１、下部蓄熱層１２、スイッチング素子１８などの回路パターンを形成する（ステップＳ１）。スイッチング素子１８の下部はｐ型の不純物拡散領域２６となっており、スイッチング素子１８の上部はスイッチング素子電極層２７となっている。不純物拡散領域２６の上にはゲート酸化膜２８が形成され、スイッチング素子電極層２７とゲート酸化膜２８は下部蓄熱層１２を貫通するビア２９で接続される。次に、下部蓄熱層１２とスイッチング素子１８の上にＳｉＯからなる上部蓄熱層１３を形成し、所定の形状にパターニングする。一例では、上部蓄熱層１３はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって９００ｎｍ厚さで成膜される。上部蓄熱層１３に平坦化処理を行ってもよい。次に、ＴａＳｉＮからなるヒータ層１４を、例えば１０ｎｍ厚さで成膜し、さらにＡｌＣｕ層を成膜する（ステップＳ２）。一例では、ＡｌＣｕ層はスパッタリングによって１０００ｎｍ厚さで成膜される。これらの成膜は連続して行われる。その後、エネルギー発生素子５に対応する位置のＡｌＣｕ層を除去して、共通電極１５ａと個別電極１５ｂを作製する。次にＳｉＣＮからなる保護膜１６をＣＶＤによって３００ｎｍ厚さで成膜する（ステップＳ３）。次に導電膜１７をスパッタリングによって２００ｎｍ厚さで成膜し、所定の形状にパターニングする（ステップＳ４）。
【００１８】
第１の領域Ｒ１において、全てのエネルギー発生素子５は導電膜１７で覆われる。導電膜１７は各列のエネルギー発生素子５を覆う複数の直線状の部分１７ａと、部分１７ａと平行に延びる複数の直線状の部分１７ｂと、部分１７ａ，１７ｂを互いに接続し、部分１７ａ，１７ｂと直交する方向に延びる２つの部分１７ｃと、を有している。部分１７ａ，１７ｂ，１７ｃは全体として一体の連続した配線を構成している。この結果、導電膜１７は第１の領域Ｒ１内で共通の電位となる。さらに、第１の領域Ｒ１には、第１の領域Ｒ１の長辺とエネルギー発生素子５の列との間を延びる部分１７ｂから分岐する導電性の第１の配線膜３０ａが形成される。他の第１の配線膜３０ａ１は部分１７ｃから分岐し、金属膜３２の近傍まで形成される。この段階では他の第１の配線膜３０ａ１は金属膜３２とは接続されない。第１の配線膜３０ａ，３０ａ１は導電膜１７と同時に形成され、パターニングされる。従って、第１の配線膜３０ａ，３０ａ１は導電膜１７と同じ材料からなり、同じ膜厚を有している。導電膜１７に接続された第１の配線膜３０ａは、支持基板２のパッド２１が配列していない長辺まで延びている。第１の配線膜３０ａはさらに第１のスクライブライン２４ａまで延びて、後述の第１の電気接続部３１ａに接続される。第１の配線膜３０ａはパッド列２１ｄとの干渉を避けるため、パッド列２１ｄと平行に延びている。
【００１９】
第１の配線膜３０ａは、第１の領域Ｒ１の短辺方向に関して両端の部分１７ｂからそれぞれ複数本延びており、これによって第１の配線膜３０ａのインピーダンスを低下させることが可能となる。ただし、第１の配線膜３０ａの本数は複数本に限定されず、導電膜１７のいずれかの部分から分岐する少なくとも一つの第１の配線膜３０ａが設けられていればよい。本実施形態では後述するように、第１の配線膜３０ａはＥＳＤによる電流を基板３６に逃がす機能を有している。素子基板１が短い場合でも少なくとも一つ、素子基板１が長い場合には好ましくは複数の第１の配線膜３０ａを設けることで、素子基板１内の位置による上記機能のばらつきが抑制される。特に、図６からも分かるとおり、第１の配線膜３０ａの個数や位置に大きな制約はなく、素子基板１の寸法に応じて適切に設定することができる。
【００２０】
図７は、パッドの近傍の断面図を示している。共通ヒータ電極２２（または共通グランド電極２３）の上には金属層３２が設けられ、その中央部は露出している。金属層３２の近傍には第１の配線膜３０ａ１は設けられておらず、金属層３２と第１の配線膜３０ａ１は電気的に分離されている。
【００２１】
以上の工程において、第１〜第２のスクライブライン２４ａ〜２４ｂにも第１〜第３の領域Ｒ１〜Ｒ３と同様の構成の多層膜が形成される。図８は、図６のＣ−Ｃ線に沿った、第１のスクライブライン２４ａの断面図を示している。図示は省略するが、第２のスクライブライン２４ｂも第１のスクライブライン２４ａと同様の構成を有している。
【００２２】
第１のスクライブライン２４ａにおいて、基板３６の上にはｐ型の不純物拡散領域２６、層間膜３３、配線層３４、層間膜３５、ヒータ層１４、電極層１５、保護膜１６、第１の配線膜３０ａが順次積層される。これらの層は第１の領域Ｒ１の対応する層と同時に成膜される。層間膜３３は下部蓄熱層１２と、層間膜３５は上部蓄熱層１３と、配線層３４は共通グランド電極２３及び共通ヒータ電極２２と同時に形成される。
【００２３】
保護膜１６は、スクライブライン２４ａの第１の配線膜３０ａと対向する位置に開口１６ａを有している。開口１６ａには第１の配線膜３０ａが設けられている。保護膜１６の開口１６ａは第１の配線膜３０ａの幅より小さい。すなわち、第１の配線膜３０ａは保護膜１６の開口１６ａよりも幅が大きく、開口１６ａの全域を覆っている。第１の配線膜３０ａは保護膜１６の開口１６ａを介して導電性の電極層１５及びヒータ層１４と接続される。ヒータ層１４の下の層間膜３５には開口３５ａが設けられ、ヒータ層１４及び電極層１５が層間膜３５の下方の導電性の配線層３４と電気的に接続される。配線層３４の下方の層間膜３３には開口３３ａが設けられ、配線層３４は開口３３ａを介して不純物拡散領域２６に接続される。不純物拡散領域２６は薄いｐ型の基板３６に接続されている。以上の構成により、導電膜１７及び第１の配線膜３０ａは基板３６と電気的に接続され、ないしは基板３６に接地される。すなわち、保護膜１６の開口１６ａや層間膜３５の開口３５ａによって導電膜１７及び第１の配線膜３０ａと基板３６とを電気的に接続する電気接続部３１ａが画定されている。
【００２４】
ここで、このような電気接続部を設ける理由について説明する。図９はＥＳＤの発生メカニズムを示している。図９（ａ）はエネルギー発生素子の近傍を拡大して示す平面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）におけるＫ−Ｋ線に沿った断面図である。図９（ａ）におけるＬ部において、導電膜１７と共通電極１５ａとの間の保護膜１６でＥＳＤ破壊が発生しやすい。製造工程中に何らかの原因により導電膜１７に放電が生じると、導電膜１７と共通電極１５ａとの間の保護膜１６のうち、絶縁性が劣る、もしくは欠陥のある箇所でＥＳＤ破壊が生じる（破線部）。共通電極１５ａ側でＥＳＤ破壊が多く発生する理由は、共通電極１５ａは共通ヒータ電極２２と接続されているため、個別電極１５ｂと比べて電気容量が大きいためである。放電はウエハ工程中、ウエハ工程後の様々な段階で生じる。最も放電が発生しやすいのはウエハ切断後の洗浄工程（ステップＳ１０）であるが、その前後にも放電は生じ得る。本発明では、ウエハ工程で導電膜１７と同時に第１の配線膜３０ａを形成するので、導電膜１７が形成されてから基板３６が切断されるまでの間、導電膜１７と共通電極１５ａ（または個別電極１５ｂ）との間のＥＳＤ破壊を効率的に抑制することができる。
【００２５】
本実施形態では、ＥＳＤによる電流が導電膜１７から基板３６に誘導される。特に長尺の記録素子基板では、エネルギー損失を低減するため、共通電極１５ａ及び個別電極１５ｂを厚くし配線抵抗を下げることが有効な場合がある。その場合、共通電極１５ａ及び個別電極１５ｂの上に成膜される保護膜１６が均一な厚さで形成されにくく、ＥＳＤ破壊が生じやすくなる可能性がある。このような場合でも、本発明ではＥＳＤ破壊が生じにくくなるため、歩留りが向上する。
【００２６】
図６に示すように、第１のスクライブライン２４ａには第２の領域Ｒ２から延びる第２の配線膜３０ｂと接続された第２の電気接続部３１ｂも形成されている。すなわち、第２の領域Ｒ２の第２の配線膜３０ｂも第１のスクライブライン２４ａまで延ばされ、第２の電気接続部３１ｂに接続される。ただし、第２の電気接続部３１ｂは第１の電気接続部３１ａに対して電気的に分離されている。
【００２７】
次に、電気検査工程を行う（ステップＳ５）。この工程はウエハ２５（基板３６）を切断する前に行われる。電気検査工程では各種回路の動作確認、電圧に対する耐圧性確認だけでなく、使用時にインクと接触する導電膜１７の配線層に対する絶縁性が確認される。配線層のほとんどは共通ヒータ電極２２に接続されたヒータ駆動配線と、共通グランド電極２３に接続されたヒータ駆動グランド配線である。従って、導電膜１７とこれらの配線との間の絶縁性が確保されているかどうかが検査される。なお、液体吐出ヘッドの使用時には、ヒータ駆動配線は共通電極１５ａに接続され、エネルギー発生素子５に正電位ＶＨを印加する。ヒータ駆動グランド配線は個別電極１５ｂに接続され、エネルギー発生素子５にグランド電位ＧＮＤＨを印加する。
【００２８】
インクが発泡室４に充填されている状態では、導電膜１７の電位はグランド電位ＧＮＤＨとなる。これは、導電膜１７が発泡室４の壁面の一部を構成し、インクに接するためである。従って、インクが発泡室４に充填されている状態を模擬して導電膜１７の絶縁性を検査するためには、導電膜１７をグランド電位とし、ヒータ駆動配線とヒータ駆動グランド配線に正電位を印加すればよい。しかし、ヒータ駆動グランド配線に正電位を印加することはできない。これはヒータ駆動グランド配線にはＥＳＤ破壊に対する保護素子（保護回路）が入っており、その耐圧性能上ヒータ駆動グランド配線に高電位をかけられないためである。そのため、本実施形態では、ヒータ駆動配線とヒータ駆動グランド配線をグランド電位ＧＮＤＨとして（接地電圧として）、導電膜１７に負電位（負電圧）を印加する。これによって、電位の相対関係を使用時と合せることができる。図１０は、導電膜１７に印加する電圧と、導電膜１７と配線層との間を流れるリーク電流との関係を模式的に示している。図１０（ａ）は良品の液体吐出ヘッドにおける電圧とリーク電流の関係を示し、図１０（ｂ）は不良品の液体吐出ヘッドにおける電圧とリーク電流の関係を示している。リーク電流が急激に上昇する電圧が閾値より大きければ良品であると判定され、閾値より小さければ不良品と判定することができる。
【００２９】
次に、実装工程時の電気的接点の信頼性向上を目的として、金めっきでパッド２１を形成する（ステップＳ６）。めっき加工は、絶縁性を検査する工程とウエハ２５（基板３６）を切断する工程との間に行われる。
図１１（ａ）はめっき加工されたグランドパッド２１ｂの周辺の断面図を示している。図７に示すように、めっきが形成される前は金属層３２が露出している。他の第１の配線膜３０ａ１は金属層３２の近くまで延びているが電気的に接続されていない。他の第１の配線膜３０ａ１と金属層３２を覆うようにめっき加工することで、第１の領域Ｒ１に、導電膜１７と基板３６とに接続されたグランドパッド２１ｂが形成される。この結果、導電膜１７が基板３６に電気的に接続される。これに対し、図１１（ｂ）に示す他のパッド２１は金属層３２がめっきで覆われるだけである。他の第１の配線膜３０ａ１はウエハ２５（基板３６）が切断された後、すなわち、第１のスクライブライン２４ａがなくなり、第１の配線膜３０ａを介した導電膜１７と基板３６の導通がなくなった後にも、導電膜１７と基板３６の導通を維持する。このように、本発明では、グランドパッド２１ｂがウエハ２５（基板３６）を切断する前に形成されるため、導電膜１７が形成されてから、ウエハ２５が切断されて個々の素子基板１が完成するまでの間、常に導電膜１７が基板３６に接地されている。従って、製造工程中のＥＳＤ破壊の発生確率を低減することができる。
【００３０】
次に、ウエハ２５にドライフイルムを貼り合せ、レジストコーティング等を用いて吐出口形成部材３を形成する（ステップＳ７）。次にウエハ２５にダイシングテープに貼りつける（ステップＳ８）。次にウエハ２５をブレード等により切断する（ステップＳ９）。すなわち、ウエハ２５を、各領域の周縁部に沿って切断する。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２の間の周縁部は前述した第１のスクライブライン２４ａである。その後、個別に切り出された記録素子基板１はダイシングテープに貼りつけられたまま切削屑等を除去するために洗浄される（ステップＳ１０）。洗浄では水と窒素を混合した洗浄体を用いた二流体洗浄が好適に用いられる。洗浄後、ダイシングテープが素子基板１から剥がされて（ステップＳ１１）、素子基板１が液体吐出ヘッドに組み込まれる。
【符号の説明】
【００３１】
５ａ，５ｂ  第１、第２のエネルギー発生素子
１７  導電膜
２４ａ，２４ｂ  第１、第２のスクライブライン
３０ａ，３０ｂ  第１、第２の配線膜
３１ａ，３１ｂ  第１、第２の電気接続部
３６  基板
Ｒ１，Ｒ２  第１、第２の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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