(57)【要約】【課題】長寿命、高効率のアミン化合物及びこれを含む有機電界発光素子を提供する。【解決手段】  本発明はアミン化合物及びこれを含む有機電界発光素子に関する。本発明の一実施形態によるアミン化合物は以下の化学式１で表示される。【化１】2017109992.tif 000185【選択図】図１
2017109992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の化学式１で表されるアミン化合物。
【化１】
2017109992.tif 000131
前記化学式１において、
Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択され、
【化２】
2017109992.tif 000132
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、
Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、
Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、
Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、
Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【請求項２】
以下の化学式３で表される請求項１に記載のアミン化合物。
【化３】
2017109992.tif 000133
【請求項３】
以下の化学式４で表される請求項１に記載のアミン化合物。
【化４】
2017109992.tif 000134
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【請求項４】
以下の化学式５で表される請求項１に記載のアミン化合物。
【化５】
2017109992.tif 000135
【請求項５】
以下の化学式６で表される請求項１に記載のアミン化合物。
【化６】
2017109992.tif 000136
前記化学式６において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【請求項６】
以下の化学式７で表される請求項１に記載のアミン化合物。
【化７】
2017109992.tif 000137
【請求項７】
以下の化学式８で表される示される請求項１に記載のアミン化合物。
【化８】
2017109992.tif 000138
前記化学式８において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【請求項８】
前記Ｌ１は、
単結合、置換若しくは無置換のフェニレン基、又は置換若しくは無置換のビフェニレン基である請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のアミン化合物。
【請求項９】
前記Ａｒ２は、
置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基及び置換若しくは無置換のフルオレニル基の中から選択される請求項１に記載のアミン化合物。
【請求項１０】
前記Ａｒ３は、
置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基又は置換若しくは無置換のナフチル基である請求項１に記載のアミン化合物。
【請求項１１】
以下の化合物群で表される化合物の中のいずれかである請求項１に記載のアミン化合物。
【化９】
2017109992.tif 000139
【化１０】
2017109992.tif 000140
【化１１】
2017109992.tif 000141
【化１２】
2017109992.tif 000142
【化１３】
2017109992.tif 000143
【化１４】
2017109992.tif 000144
【化１５】
2017109992.tif 000145
【化１６】
2017109992.tif 000146
【化１７】
2017109992.tif 000147
【化１８】
2017109992.tif 000148
【化１９】
2017109992.tif 000149
【化２０】
2017109992.tif 000150
【化２１】
2017109992.tif 000151
【化２２】
2017109992.tif 000152
【化２３】
2017109992.tif 000153
【化２４】
2017109992.tif 000154
【化２５】
2017109992.tif 000155
【化２６】
2017109992.tif 000156
【化２７】
2017109992.tif 000157
【請求項１２】
アノードと、
前記アノード上に設けられる正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域上に設けられる発光層と、
前記発光層上に設けられる電子輸送領域と、
前記電子輸送領域上に設けられるカソードと、を含み、
前記正孔輸送領域は、
以下の化学式１で表されるアミン化合物を含む有機電界発光素子。
【化２８】
2017109992.tif 000158
前記化学式１において、
Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択され、
【化２９】
2017109992.tif 000159
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、
Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、
Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、
Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、
Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【請求項１３】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式３で表される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３０】
2017109992.tif 000160
【請求項１４】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式４で表される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３１】
2017109992.tif 000161
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【請求項１５】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式５で表される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３２】
2017109992.tif 000162
【請求項１６】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式６で表される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３３】
2017109992.tif 000163
前記化学式６において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基であるである。
【請求項１７】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式７で表される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３４】
2017109992.tif 000164
【請求項１８】
前記化学式１で表わされるアミノ化合物は、以下の化学式８で表される示される請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３５】
2017109992.tif 000165
前記化学式８において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１９】
前記正孔輸送領域は、以下の化合物群で表される化合物の少なくとも１つを含む請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【化３６】
2017109992.tif 000166
【化３７】
2017109992.tif 000167
【化３８】
2017109992.tif 000168
【化３９】
2017109992.tif 000169
【化４０】
2017109992.tif 000170
【化４１】
2017109992.tif 000171
【化４２】
2017109992.tif 000172
【化４３】
2017109992.tif 000173
【化４４】
2017109992.tif 000174
【化４５】
2017109992.tif 000175
【化４６】
2017109992.tif 000176
【化４７】
2017109992.tif 000177
【化４８】
2017109992.tif 000178
【化４９】
2017109992.tif 000179
【化５０】
2017109992.tif 000180
【化５１】
2017109992.tif 000181
【化５２】
2017109992.tif 000182
【化５３】
2017109992.tif 000183
【化５４】
2017109992.tif 000184
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアミン化合物及びこれを含む有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、映像表示装置として、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が盛んである。有機電界発光表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、アノード及びカソードから注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層において有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現する、いわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
有機電界発光素子としては、例えば、アノード、アノード上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層及び電子輸送層上に配置されたカソードで構成された有機素子が知られている。アノードからは正孔が注入され、注入された正孔は正孔輸送層を移動して発光層に注入される。一方、カソードからは電子が注入され、注入された電子は電子輸送層を移動して発光層に注入される。発光層において注入された正孔と電子とが再結合することによって、発光層の内で励起子が生成される。有機電界発光素子はその励起子の輻射失活によって発生する光を利用して発光する。また、有機電界発光素子は以上に説明した構成に限定されず、様々な変更が可能である。
【０００４】
有機電界発光素子を表示装置に応用するにあたり、有機電界発光素子の低駆動電圧化、高発光効率化、及び長寿命化が要求されている。有機電界発光素子の低電圧駆動、高発光効率化、及び長寿命化を実現するために、正孔輸送層の定常化、安定化等が検討されている。正孔輸送層に使用される正孔輸送材料としては芳香族アミン系化合物が知られているが、電荷耐性が低いので、有機電界発光素子の寿命に課題があった。有機電界発光素子の長寿命化に有利な材料として、例えばヘテロアリール基で置換したアミン誘導体が知られている。
【０００５】
有機電界発光素子においては、赤色発光領域及び緑色発光領域に比べて、特に、青色発光領域の発光効率が低い傾向が存在するため、青色発光領域の発光効率の向上が要求されている。また、ヘテロアリール環で置換したアミン誘導体は有機電界発光素子の熱耐性が十分でなく、新規な材料の開発が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５７００７７１号公報
【特許文献２】特許第４５０６１１３号公報
【特許文献３】国際特許公開第ＷＯ２０１０／１３７６０１号
【特許文献４】国際特許公開第ＷＯ２０１０／０７４４４０号
【特許文献５】国際特許公開第ＷＯ２０１５／０４６９５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は有機電界発光素子の長寿命化、高効率化に寄与するアミン誘導体を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は長寿命、高効率の有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によるアミン化合物は以下の化学式１で表される。
【化１】
2017109992.tif 000003
前記化学式１において、Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択される。
【化２】
2017109992.tif 000004
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【００１０】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式３で表されてもよい。
【化３】
2017109992.tif 000005
【００１１】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式４で表されてもよい。
【化４】
2017109992.tif 000006
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００１２】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式５で表されてもよい。
【化５】
2017109992.tif 000007
【００１３】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式６で表されてもよい。
【化６】
2017109992.tif 000008
前記化学式６において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００１４】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式７で表されてもよい。
【化７】
2017109992.tif 000009
【００１５】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式８で表されてもよい。
【化８】
2017109992.tif 000010
前記化学式８において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００１６】
前記Ｌ１は、単結合、置換若しくは無置換の２価のフェニル基又は置換若しくは無置換の２価のビフェニル基であってもよい。
【００１７】
前記Ａｒ２は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基及び置換若しくは無置換のフルオレニル基の何れかであってもよい。
【００１８】
前記Ａｒ３は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは、無置換のビフェニル基又は置換若しくは無置換のナフチル基であってもよい。
【００１９】
前記化学式１は、下記の化合物群で表される化合物の中から選択されてもよい。
【化９】
2017109992.tif 000011
【化１０】
2017109992.tif 000012
【化１１】
2017109992.tif 000013
【化１２】
2017109992.tif 000014
【化１３】
2017109992.tif 000015
【化１４】
2017109992.tif 000016
【化１５】
2017109992.tif 000017
【化１６】
2017109992.tif 000018
【化１７】
2017109992.tif 000019
【化１８】
2017109992.tif 000020
【化１９】
2017109992.tif 000021
【化２０】
2017109992.tif 000022
【化２１】
2017109992.tif 000023
【化２２】
2017109992.tif 000024
【化２３】
2017109992.tif 000025
【化２４】
2017109992.tif 000026
【化２５】
2017109992.tif 000027
【化２６】
2017109992.tif 000028
【化２７】
2017109992.tif 000029
【００２０】
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、アノード、正孔輸送領域、発光層、電子輸送領域、及びカソードを含む。前記正孔輸送領域は、前記アノード上に提供される。前記発光層は、前記正孔輸送領域上に提供される。前記電子輸送領域は、前記発光層上に提供される。前記カソードは、前記電子輸送領域上に提供される。前記正孔輸送領域は、以下の化学式１で表されるアミン化合物を含む。
【化２８】
2017109992.tif 000030
前記化学式１において、Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択される。
【化２９】
2017109992.tif 000031
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【００２１】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式３で表されてもよい。
【化３０】
2017109992.tif 000032
【００２２】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式４で表されてもよい。
【化３１】
2017109992.tif 000033
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００２３】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式５で表されてもよい。
【化３２】
2017109992.tif 000034
【００２４】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式６で表されてもよい。
【化３３】
2017109992.tif 000035
前記化学式６において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００２５】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式７で表されてもよい。
【化３４】
2017109992.tif 000036
【００２６】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、以下の化学式８で表されてもよい。
【化３５】
2017109992.tif 000037
前記化学式８において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００２７】
前記正孔輸送領域は下記の化合物群で表される化合物の中の少なくとも１つであってもよい。
【化３６】
2017109992.tif 000038
【化３７】
2017109992.tif 000039
【化３８】
2017109992.tif 000040
【化３９】
2017109992.tif 000041
【化４０】
2017109992.tif 000042
【化４１】
2017109992.tif 000043
【化４２】
2017109992.tif 000044
【化４３】
2017109992.tif 000045
【化４４】
2017109992.tif 000046
【化４５】
2017109992.tif 000047
【化４６】
2017109992.tif 000048
【化４７】
2017109992.tif 000049
【化４８】
2017109992.tif 000050
【化４９】
2017109992.tif 000051
【化５０】
2017109992.tif 000052
【化５１】
2017109992.tif 000053
【化５２】
2017109992.tif 000054
【化５３】
2017109992.tif 000055
【化５４】
2017109992.tif 000056
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一実施形態によれば、長寿命、高効率に寄与する有機電界発光素子を提供することができる。
【００２９】
本発明の一実施形態によれば、長寿命、高効率の表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以上の本発明の目的、他の目的、特徴及び長所は、添付された図面及び以下の望ましい実施形態を通じて容易に理解されるべきである。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもあり得る。むしろ、ここで紹介される実施形態は、本発明によって開示された技術思想をより明確にし、そして本発明が属する分野で通常の技術者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために提供されるものである。
【００３２】
各図面を説明しながら、同一の参照符号を類似の構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確にするために実際より拡大して図示したものである。「第１」、「第２」等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と称されることができる。単数の表現は文脈の上に明確に表現しない限り、複数の表現を含む。
【００３３】
本明細書で、“含む”等の用語は明細書中に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらの組み合わせが存在することを表現しようするものであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらの組み合わせの存在又は付加可能性を予め排除しないものとして理解されるべきである。また、層、膜、領域、板等が他の構成の“上に”あるとする場合、これは、他の構成の“直上に”ある場合のみでなく、その中間にその他の構成が介在する場合も含む。反対に、層、膜、領域、板等のが他の構成の“下に”あるとする場合、これは、他の構成の“直下に”ある場合のみでなく、その中間にその他の構成がある場合も含む。
【００３４】
以下では本発明の一実施形態によるアミン化合物について説明する。
【００３５】
本発明の一実施形態によるアミン化合物は、以下の化学式１で表される。
【化５５】
2017109992.tif 000057
【００３６】
前記化学式１において、Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択される。
【化５６】
2017109992.tif 000058
【００３７】
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【００３８】
化学式（２）で表わされる官能基において、互いに隣接するＲ及びＲ’は互いに結合して環を形成してもよい。
【００３９】
本明細書で“置換若しくは無置換の”という用語は、重水素、ハロゲン原子、ニトリル基、ニトロ基、アミノ基、ホスフィンオキシド基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオキシ基、アリールチオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、シリル基、ホウ素基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アラルケニル基、アルキルアリール基、アルキルアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アリールアミノ基、又はヘテロ環からなる群から選択された１つ以上の置換基で置換されるか、若しくは無置換であるか、或いは前記例示された置換基の中で２つ以上の置換基が連結された置換基で置換されるが、若しくは無置換であることを意味する。例えば、“２つ以上の置換基が連結された置換基”はビフェニル基である。即ち、ビフェニル基はアリール基であり、２つのフェニル基が連結された置換基として解釈することができる。
【００４０】
アリール基は、例えば、単環式アリール基又は多環式アリール基であることができる。単環式アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等である。多環式アリール基としては、例えば、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基等であってもよい。
【００４１】
2017109992.tif 000059
【００４２】
シリル基は、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基等であってもよい。
【００４３】
アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチル−ブチル基、１−エチル−ブチル基、ペンチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３、３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２、２−ジメチルヘプチル基、１−エチル−プロピル基、１、１−ジメチル−プロピル基、イソヘキシル基、２−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基等があるが、これらに限定されない。
【００４４】
隣接する基と互いに結合して環を形成するという意味は隣接する基と互いに結合して置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環、置換若しくは無置換の脂肪族ヘテロ環、又は置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環を形成することを意味する。
【００４５】
本明細書において、“隣接する基”とは、該当置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、該当置換基と立体構造的に最も近く位置した置換基、又は該当置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味することができる。例えば、ベンゼン環でオルト（ｏｒｔｈｏ）位置に置換された２つの置換基及び脂肪族環で同一炭素に置換された２つの置換基は互いに“隣接する基”として解釈することができる。
【００４６】
前記Ｌ１は単結合、置換若しくは無置換のフェニレン基又は置換若しくは無置換のビフェニレン基であってもよい。Ｌ１がフェニレン基である時、アミノ基のＮとＹを含む環とはフェニル基の１番、３番位置又は１番、４番位置に結合されることが好ましい。
【００４７】
前記Ａｒ２は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基及び置換若しくは無置換のフルオレニル基の中から選択されてもよい。
【００４８】
前記Ａｒ３は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基又は置換若しくは無置換のナフチル基であってよい。
【００４９】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式３で表される。
【化５７】
2017109992.tif 000060
【００５０】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式９で表される。
【化５８】
2017109992.tif 000061
【００５１】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式４で表される。
【化５９】
2017109992.tif 000062
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００５２】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式５で表される。
【化６０】
2017109992.tif 000063
【００５３】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式１０で表される。
【化６１】
2017109992.tif 000064
【００５４】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式６で表される。
【化６２】
2017109992.tif 000065
前記化学式６において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００５５】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式７で表される。
【化６３】
2017109992.tif 000066
【００５６】
また、前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式１１で表される。
【化６４】
2017109992.tif 000067
【００５７】
また、前記化学式１で表わされる化合物は、例えば、以下の化学式８で表される。
【化６５】
2017109992.tif 000068
前記化学式８において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００５８】
前記化学式１で表わされる化合物は、例えば、以下の化合物群における化合物の何れかである。
【化６６】
2017109992.tif 000069
【化６７】
2017109992.tif 000070
【化６８】
2017109992.tif 000071
【化６９】
2017109992.tif 000072
【化７０】
2017109992.tif 000073
【化７１】
2017109992.tif 000074
【化７２】
2017109992.tif 000075
【化７３】
2017109992.tif 000076
【化７４】
2017109992.tif 000077
【化７５】
2017109992.tif 000078
【化７６】
2017109992.tif 000079
【化７７】
2017109992.tif 000080
【化７８】
2017109992.tif 000081
【化７９】
2017109992.tif 000082
【化８０】
2017109992.tif 000083
【化８１】
2017109992.tif 000084
【化８２】
2017109992.tif 000085
【化８３】
2017109992.tif 000086
【化８４】
2017109992.tif 000087
【００５９】
本発明の一実施形態によるアミン化合物は、長寿命に寄与するアミノ基と電荷耐性が高い環型フルオレニル基とが結合して、アミン周りの共役系（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）によってラジカルの安定性が向上する。したがってアミノ基が有する特性を維持しながら、高電荷耐性を有することができる。
【００６０】
以下では本発明の一実施形態による有機電界発光素子について説明する。以下では先に説明した本発明の一実施形態によるアミン化合物との差異点を主に具体的に説明し、説明されなかった部分は先に説明した本発明の一実施形態によるアミン化合物と同様である。
【００６１】
図１は本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。図２は本発明の別の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。
【００６２】
図１及び図２を参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光素子ＯＬＥＤは、アノードＡＮ、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及びカソードＣＡＴを含む。
【００６３】
アノードＡＮは導電性を有する。アノードＡＮは画素電極又は陽極である。アノードＡＮは透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極である。アノードＡＮが透過型電極である場合、アノードＡＮは、透明金属酸化物、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等から構成されてもよい。アノードＡＮが半透過型の電極又は反射型電極である場合、アノードＡＮは、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ又はこれらの金属の混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含むことができる。また、アノードＡＮは、前記物質で形成された反射膜や半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等で形成された透明導電膜を含む複数の層構造を有してもよい。
【００６４】
正孔輸送領域ＨＴＲはアノードＡＮ上に設けられる。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔バッファ層、及び電子阻止層の少なくとも１つを含む。正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは、例えば約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍである。
【００６５】
正孔輸送領域ＨＴＲは単一物質から構成された単一層、互いに異なる複数の物質から構成された単一層、又は互いに異なる複数の物質から構成された複数の層を有する多層構造を有することができる。
【００６６】
例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ、又は正孔輸送層ＨＴＬの単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質と正孔輸送物質とから構成された単一層の構造を有してもよい。また、正孔輸送領域ＨＴＲは、互いに異なる複数の物質から構成された単一層の構造を有してもよく、或いはアノードＡＮ側から順に積層された正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層、正孔注入層ＨＩＬ／正孔バッファ層、正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層又は正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／電子阻止層の構造を有してもよいが、これらの構造に限定されない。
【００６７】
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等のような多様な方法を利用して形成することができる。
【００６８】
正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層ＨＩＬを含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲは銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等のフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）化合物；ＤＮＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−Ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−ｔｒｉｓ｛Ｎ，−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））等を含むことができるが、これらに限定されない。
【００６９】
正孔輸送領域ＨＴＲが正孔輸送層ＨＴＬを含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲは以下の化学式１で表されるアミン化合物を含む。
【化８５】
2017109992.tif 000088
【００７０】
前記化学式１において、Ｘは以下の化学式２で表わされる官能基から選択される。
【化８６】
2017109992.tif 000089
【００７１】
ＹはＣ、Ｓｉ又はＧｅであり、Ｚ１〜Ｚ６はＣＲ又はＮであり、Ａｒ１〜Ａｒ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上２０以下のアルキル基又は炭素数３以上２０以下のシリル基であり、Ｌ１〜Ｌ３は各々独立的に単結合、置換若しくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリーレン基であり、Ｒ及びＲ’は各々独立的に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、又は炭素数１以上２０以下のアルキル基である。
【００７２】
化学式（２）で表わされる官能基において、互いに隣接するＲ及びＲ’は互いに結合して環を形成してもよい。
【００７３】
前記Ｌ１は、単結合、置換若しくは無置換のフェニレン基又は置換若しくは無置換されたビフェニレン基であってもよい。Ｌ１がフェニレン基である時、アミノ基のＮとＹを含む環とはフェニル基の１番、３番位置又は１番、４番位置に結合されることが好ましい。
【００７４】
前記Ａｒ２は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基及び置換若しくは無置換のフルオレン基の中から選択されてもよい。
【００７５】
前記Ａｒ３は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基又は置換若しくは無置換のナフチル基であってもよい。
【００７６】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式３で表わされる。
【化８７】
2017109992.tif 000090
【００７７】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式９で表わされる。
【化８８】
2017109992.tif 000091
【００７８】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式４で表わされる。
【化８９】
2017109992.tif 000092
前記化学式４において、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００７９】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式５で表わされる。
【化９０】
2017109992.tif 000093
【００８０】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式１０で表わされる。
【化９１】
2017109992.tif 000094
【００８１】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式６で表わされる。
【化９２】
2017109992.tif 000095
前記化学式６で、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００８２】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式７で表わされる。
【化９３】
2017109992.tif 000096
【００８３】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式１１で表わされる。
【化９４】
2017109992.tif 000097
【００８４】
前記化学式１で表わされるアミン化合物は、例えば、以下の化学式８で表わされる。
【化９５】
2017109992.tif 000098
前記化学式８で、ＡはＯ、Ｓ、又はＣＲ２Ｒ３であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立的に水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基である。
【００８５】
正孔輸送領域ＨＴＲは、例えば、以下の化合物群における化合物の少なくとも１つを含む。
【化９６】
2017109992.tif 000099
【化９７】
2017109992.tif 000100
【化９８】
2017109992.tif 000101
【化９９】
2017109992.tif 000102
【化１００】
2017109992.tif 000103
【化１０１】
2017109992.tif 000104
【化１０２】
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【化１０３】
2017109992.tif 000106
【化１０４】
2017109992.tif 000107
【化１０５】
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【化１０６】
2017109992.tif 000109
【化１０７】
2017109992.tif 000110
【化１０８】
2017109992.tif 000111
【化１０９】
2017109992.tif 000112
【化１１０】
2017109992.tif 000113
【化１１１】
2017109992.tif 000114
【化１１２】
2017109992.tif 000115
【化１１３】
2017109992.tif 000116
【化１１４】
2017109992.tif 000117
【００８６】
正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍであり、例えば、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍである。正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬの両方を含めば、正孔注入層ＨＩＬの厚さは約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍであり、正孔輸送層ＨＴＬの厚さは約３ｎｍ〜約１００ｎｍである。正孔輸送領域ＨＴＲ、正孔注入層ＨＩＬ、及び正孔輸送層ＨＴＬの厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的に駆動電圧が上昇することなく、満足な程度の正孔輸送特性を得られる。
【００８７】
正孔輸送領域ＨＴＲは、先に言及された物質以外に、導電性向上のために電荷生成物質をさらに含んでもよい。電荷生成物質は、正孔輸送領域ＨＴＲ内に均一に分散されていてもよく、不均一に分散されていてもよい。電荷生成物質は、例えばｐ−ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）である。ｐ−ドーパントはキノン（ｑｕｉｎｏｎｅ）誘導体、金属酸化物及びシアノ（ｃｙａｎｏ）基含有化合物の中のいずれか１つであってもよいが、これらに限定されない。例えば、ｐ−ドーパントの例としては、ＴＣＮＱ（Ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）及びＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）等のようなキノン誘導体、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物等のような金属酸化物等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００８８】
先に言及されたように、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬ以外に、正孔バッファ層及び電子阻止層の少なくとも１つを含む。正孔バッファ層は、発光層ＥＭＬから放出される光の波長による共振距離を補償して光の放出効率を増加させることができる。正孔バッファ層に含まれる物質としては、正孔輸送領域ＨＴＲに含まれることができる物質を使用することができる。電子阻止層は、電子輸送領域ＥＴＲから正孔輸送領域ＨＴＲへの電子注入を防止する役割をする層である。
【００８９】
発光層ＥＭＬは、正孔輸送領域ＨＴＲ上に設けられる。発光層ＥＭＬの厚さは、例えば約１０ｎｍ〜約３０ｎｍである。発光層ＥＭＬは単一物質から構成された単一層、互いに異なる複数の物質から構成された単一層又は互いに異なる複数の物質から構成された複数の層を有する多層構造を有することができる。
【００９０】
発光層ＥＭＬは、レッド光、グリーン光、ブルー光、ホワイト光、イエロー光、シアン光のうちいずれかを発光する。発光層ＥＭＬは、蛍光物質又は燐光物質を含む。また、発光層ＥＭＬは、ホスト及びドーパントを含む。発光層ＥＭＬは、例えば１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚さを有する。
【００９１】
発光層ＥＭＬはホストとして、縮合多環芳香族の誘導体を含有することが望ましく、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、クリセン誘導体、ベンゾアントラセン誘導体及びトリフェニレン誘導体から選択されることが望ましい。特に、発光層ＥＭＬは、アントラセン誘導体又はピレン誘導体を含有することが好ましい。
【００９２】
アントラセン誘導体は、例えば、以下の化学式１２で表示されることができる。
【化１１５】
2017109992.tif 000118
【００９３】
化学式１２で、Ｒ１１〜Ｒ２０は各々独立的に、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数１〜３０のヘテロアリール基、炭素数１〜１５のアルキル基、シリル基、ハロゲン原子、水素原子、又は重水素原子である。隣接する複数のＲ１１〜Ｒ２０は結合して飽和又は不飽和環を形成することができる。また、ｃ及びｄは０〜５である。
【００９４】
Ｒ１１〜Ｒ２０に使用する置換若しくは無置換の炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基としては、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノサリル基等を例示することができるが、これらに限定されない。
【００９５】
Ｒ１１〜Ｒ２０に使用する置換若しくは無置換の炭素数１以上３０以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基を例示することができるが、これらに限定されない。また、Ｒ１１〜Ｒ２０に使用する炭素数１以上１５以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１、２−ジヒドロキシエチル基、１、３−ジヒドロキシイソプロピル基、２、３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１、２−ジクロロエチル基、１、３−ジクロロイソプロピル基、２、３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１、２−ジブロモエチル基、１、３−ジブロモイソプロピル基、２、３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１、２−ジヨードエチル基、１、３−ジヨードイソプロピル基、２、３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１、２−ジアミノエチル基、１、３−ジアミノイソプロピル基、２、３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１、２−ジシアノエチル基、１、３−ジシアノイソプロピル基、２、３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１、２−ジニトロエチル基、１、３−ジニトロイソプロピル基、２、３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１、２、３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。環式のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９６】
発光層ＥＭＬは、以下の化合物群で表される化合物の中の少なくとも１つを含む。
【化１１６】
2017109992.tif 000119
【化１１７】
2017109992.tif 000120
【００９７】
発光層ＥＭＬはドーパントとして、例えば、スチリル誘導体（例えば、１，４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＣｚＶＢ）、４−（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）−４’−［（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ］ｓｔｉｌｂｅｎｅ（ＤＰＡＶＢ）、ａｎｄ／ｏｒ  Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６−（（Ｅ）−４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ｖｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ（Ｎ−ＢＤＡＶＢｉ））、ペリレン及びその誘導体（例えば、２，５，８，１１−ｔｅｔｒａ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｙｌｅｎｅ（ＴＢＰｅ））、ピレン及びその誘導体（例えば、１，１−ｄｉｐｙｒｅｎｅ、１，４−ｄｉｐｙｒｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ、１，４−Ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｙｒｅｎｅ）等含むが、これらに限定されない。
【００９８】
電子輸送領域ＥＴＲは、発光層ＥＭＬ上に設けられる。電子輸送領域ＥＴＲは、電子阻止層、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬのうちの少なくとも１つを含むことができるが、これらに限定されるわけではない。
【００９９】
電子輸送領域ＥＴＲは、単一物質から構成された単一層、互いに異なる複数の物質から構成された単一層、又は互いに異なる複数の物質から構成された複数の層を有する多層構造を有することができる。
【０１００】
例えば、電子輸送領域ＥＴＲは、電子注入層ＥＩＬ又は電子輸送層ＥＴＬの単一層の構造を有することができ、電子注入物質と電子輸送物質とから構成された単一層の構造を有してもよい。また、電子輸送領域ＥＴＲは、互いに異なる複数の物質から構成された単一層の構造を有するか、或いはアノードＡＮ側から順に積層された電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ、正孔阻止層／電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ構造を有することができるが、これらに限定されるわけではない。電子輸送領域ＥＴＲの厚さは、例えば約１００ｎｍ〜約１５０ｎｍである。
【０１０１】
電子輸送領域ＥＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等のような多様な方法を利用して形成されることができる。
【０１０２】
電子輸送領域ＥＴＲが電子輸送層ＥＴＬを含む場合、電子輸送領域ＥＴＲは、Ａｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、２，４，６−ｔｒｉｓ（３’−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅ、２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ、ＴＰＢｉ（１，３，５−Ｔｒｉ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３，５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，３，４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１，Ｏ８）−（１、１’−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ）、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）及びこれらの混合物を含むことができるが、これに限定されるわけではない。電子輸送層ＥＴＬの厚さは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、例えば、約１５ｎｍ〜約５０ｎｍである。電子輸送層ＥＴＬの厚さが前述したような範囲を満たす、実質的に駆動電圧が上昇することなく満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
【０１０３】
電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層ＥＩＬを含む場合、電子輸送領域ＥＴＲは、ＬｉＦ、ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ  ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタノイド族金属、又はＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属等が使用されることができるが、これらに限定されるわけではない。また、電子注入層ＥＩＬは電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ  ｍｅｔａｌ  ｓａｌｔ）とが混合された物質から構成される。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ  ｂａｎｄｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質である。具体的な例を挙げると、有機金属塩は、金属アセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾエート（ｍｅｔａｌ  ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、又は金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。電子注入層ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍ〜約１０ｎｍ、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍである。電子注入層ＥＩＬの厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的に駆動電圧が上昇することなく満足できる程度の電子注入特性を得ることができる。
【０１０４】
電子輸送領域ＥＴＲは、先に言及したように、正孔阻止層を含んでもよい。正孔阻止層は、例えば、ＢＣＰ（２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）及びＢｐｈｅｎ（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これらに限定されるわけではない。
【０１０５】
カソードＣＡＴは、電子輸送領域ＥＴＲ上に設けられる。カソードＣＡＴは、共通電極又は陰極である。カソードＣＡＴは、透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極である。カソードＣＡＴが透過型電極である場合、カソードＣＡＴは透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等等から構成される。
【０１０６】
カソードＣＡＴが半透過型の電極又は反射型電極である場合、カソードＣＡＴはＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ又はこれらの化合物、或いは混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含むことができる。また、前記物質で形成された反射膜や半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等で形成された透明導電膜を含む複数の層構造であってもよい。
【０１０７】
図示しなかったが、カソードＣＡＴは補助電極と接続されてもよい。カソードＣＡＴが補助電極と接続されれば、カソードＣＡＴの抵抗を減少させることができる。
【０１０８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤで、アノードＡＮとカソードＣＡＴとに各々電圧が印加されることによって、アノードＡＮから注入された正孔（ｈｏｌｅ）は正孔輸送領域ＨＴＲを経て発光層ＥＭＬへ移動し、カソードＣＡＴから注入された電子は電子輸送領域ＥＴＲを経て発光層ＥＭＬへ移動する。電子と正孔とは発光層ＥＭＬで再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子が励起状態から基底状態に遷移しながら、発光する。
【０１０９】
有機電界発光素子ＯＬＥＤが前面発光型である場合、アノードＡＮは反射型電極であり、カソードＣＡＴは透過型電極又は半透過型電極である。有機電界発光素子ＯＬＥＤが背面発光型である場合、アノードＡＮは透過型電極又は半透過型電極であり、カソードＣＡＴは反射型電極である。
【０１１０】
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は長寿命を有するアミノ基と電荷耐性が高い環型フルオレニル基とが結合したアミン化合物を正孔輸送領域に含む。前記アミン化合物はアミン周りの共役系（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）によってラジカルの安定性が向上し、これによってアミノ基が有する特性を維持しながら、高電荷耐性を有することができる。したがって、本発明の一実施形態による有機電界発光素子は長寿命、高効率を達成することができる。
【０１１１】
以下、具体的な実施例を通じて本発明をより具体的に説明する。以下の実施例は本発明の理解を助けるための例示に過ぎず、本発明の範囲がこれに限定されるわけではない。
【実施例】
【０１１２】
［化合物６１の合成］
（化合物Ａの合成）
【化１１８】
2017109992.tif 000121
【０１１３】
５００ｍＬの三口フラスコに１−ブロモジベンゾフラン（１−Ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ）１０．６ｇ（４２．９ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液７０ｍＬを加えて−７８℃で撹拌した。ここに１．５８Ｍのｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を２７ｍＬ（４２．９ｍｍｏｌ）を滴下し、２．５時間撹拌した。ここに３−ブロモベンゾフェノン（３−Ｂｒｏｍｏｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ）９．３０ｇ（３５．６ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液８５ｍＬを滴下して２時間撹拌した後、室温で３時間撹拌した。反応の後、この混合液に１Ｎの塩酸水溶液を加え、１時間撹拌した。これを水で洗浄し、得られた有機相を濃縮してキャンディ形状の物質を得た。５００ｍＬナスフラスコ（ｅｇｇｐｌａｎｔ  ｆｌａｓｋ）に、前記キャンディ形状の物質と、氷酢酸５０ｍＬと、塩酸２．４ｍＬを加え、窒素雰囲気下１３０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。反応混合液を氷の中に保管した３５０ｍＬの水に滴下した。白色結晶を析出するために、生じた固体を濾過し、メタノールで洗浄した後、乾燥させた。目的物である化合物Ａの白色粉末を１３．３ｇ（収率７８％）得た。
【０１１４】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物Ａの分子量は４１１であった。
【０１１５】
（化合物６１の合成）
【化１１９】
2017109992.tif 000122
【０１１６】
Ａｒ雰囲気下で、２００ｍＬの三口フラスコに化合物Ａを４．１０ｇ、化合物Ｂを４．４２ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）２を０．５６３ｇ、（ｔ−Ｂｕ）３Ｐを０．２３ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．１３ｇを加えて、１４０ｍＬトルエン溶媒の中で３時間加熱還流撹拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製した後、白色固体化合物６１を６．６２ｇ（収率８８％）得た。
【０１１７】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物６１の分子量は７５２であった。また、１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物６１のケミカルシフト値（δ）は（８．５６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．６０Ｈｚ）、８．０５−８．０２（ｍ、１Ｈ）、７．８７−７．８４（ｍ、４Ｈ）、７．８０（ｓ、１Ｈ）、７．７０−７．５０（ｍ、１１Ｈ）、７．４０−７．２７（ｍ、１０Ｈ）、７．１６−７．１１（ｍ、３Ｈ）、７．０８−７．０３（ｍ、６Ｈ）であった。
【０１１８】
［化合物１０９の合成］
（化合物Ｃの合成）
【化１２０】
2017109992.tif 000123
【０１１９】
５００ｍＬ三口フラスコに、４−ブロモフェナントレン（４−Ｂｒｏｍｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）１１．０ｇ（４２．９ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液７０ｍＬを加えて−７８℃で撹拌した。ここに１．５８Ｍのｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を２７ｍＬ（４２．９ｍｍｏｌ）滴下し、２．５時間撹拌した。ここに３−ブロモベンゾフェノン（３−Ｂｒｏｍｏｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ）９．３０ｇ（３５．６ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液８５ｍＬを滴下して２時間撹拌した後、室温で３時間撹拌した。反応後、この混合液に１Ｎの塩酸水溶液を加えて１時間撹拌した。これを水で洗浄した。得られた有機相を濃縮して白色固体を得た。５００ｍＬナスフラスコ（ｅｇｇｐｌａｎｔ  ｆｌａｓｋ）に、このキャンディ形状の物質と、氷酢酸５０ｍＬと塩酸２．４ｍＬを加え、窒素雰囲気下、１３０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合液を氷の中に保管した３５０ｍＬの水に滴下した。白色結晶を析出するために、生じた固体を濾過し、メタノールで洗浄した後、乾燥させた。目的物である白色粉末を１３．８ｇ（収率８１％）得た。
【０１２０】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物Ｃの分子量は４２１であった。
【０１２１】
（化合物１０９の合成）
【化１２１】
2017109992.tif 000124
【０１２２】
Ａｒ雰囲気下で、２００ｍＬの三口フラスコに化合物Ｃを４．２３ｇ、化合物Ｂを５．００ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）２を０．５６３ｇ、（ｔ−Ｂｕ）３Ｐを０．２３ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−Ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．１３ｇ加えて、１４０ｍＬのトルエン溶媒中で３時間加熱還流した。空冷後、水を添加して有機層を分取して溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンとの混合溶媒を使用）に精製した後、白色固体化合物１０９を６．２４ｇ（収率８２％）得た。
【０１２３】
ＦＡＢ−ＭＳ測定により測定された化合物１０９の分子量は、７６１であった。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物１０９のケミカルシフト値δは８．５７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、８．３５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、８．０４−８．０２（ｍ、２Ｈ）、７．８８−７．８４（ｍ、４Ｈ）、７．８０（ｓ、１Ｈ）、７．６０−７．５０（ｍ、１１Ｈ）、７．３６−７．２７（ｍ、１０Ｈ）、７．１６−７．１１（ｍ、３Ｈ）、７．０８−７．０５（ｍ、６Ｈ）であった。
【０１２４】
［化合物１３の合成］
（化合物Ｘの合成）
【化１２２】
2017109992.tif 000125
【０１２５】
５００ｍＬの三口フラスコに、４−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン（４−Ｂｒｏｍｏ−９、９−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）９．４０ｇ（４２．９ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液７０ｍＬを加えて−７８℃で撹拌した。ここに１．５８Ｍのｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液を２７ｍＬ（４２．９ｍｍｏｌ）滴下し、２．５時間撹拌した。ここに３−ブロモベンゾフェノン（３−Ｂｒｏｍｏｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ）９．３０ｇ（３５．６ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液８５ｍＬを滴下して２時間撹拌した後、室温で３時間撹拌した。反応後、この混合液に１Ｎの塩酸水溶液を加えて１時間撹拌した。これを水で洗浄した。得られた有機相を濃縮して白色固体を得た。５００ｍＬのナスフラスコ（ｅｇｇｐｌａｎｔ  ｆｌａｓｋ）に、このキャンディ形状の物質と、氷酢酸５０ｍＬと塩酸２．４ｍＬとを加え、窒素雰囲気下で１３０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合液を氷の中に保管した３５０ｍＬの水に滴下した。白色結晶を析出するために、発生した固体を濾過し、メタノールで洗浄した後、乾燥させた。目的物である白色粉末を９．５０ｇ（収率６１％）得た。
【０１２６】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物Ｘの分子量は４３７であった。
【０１２７】
（化合物１３の合成）
【化１２３】
2017109992.tif 000126
【０１２８】
Ａｒ雰囲気下で、２００ｍＬの三口フラスコに化合物Ｘを３．７０ｇ、化合物Ｂを４．４２ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）２を０．５６３ｇ、（ｔ−Ｂｕ）３Ｐを０．２３ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．１３ｇ加えて、１４０ｍＬトルエン溶媒の中で３時間加熱還流撹拌した。空冷後、水を添加して有機層を分取して溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンとの混合溶媒を使用）に精製した後、白色固体化合物１３を６．６２ｇ（収率８８％）得た。
【０１２９】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって、測定された化合物１３の分子量は７７８であった。また、１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物１３のケミカルシフト値（δ）は８．３６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．６０Ｈｚ）、８．１５−８．１２（ｍ、１Ｈ）、７．９９−７．８４（ｍ、４Ｈ）、７．８０（ｓ、１Ｈ）、７．７０−７．５０（ｍ、１０Ｈ）、７．４０−７．２７（ｍ、１１Ｈ）、７．１９−７．１１（ｍ、３Ｈ）、７．０６−７．０３（ｍ、６Ｈ）であった。
【０１３０】
［化合物１４５の合成］
【化１２４】
2017109992.tif 000127
【０１３１】
Ａｒ雰囲気下で、２００ｍＬの三口フラスコに化合物Ｃを４．２１ｇと化合物ＸＸを３．３５ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）２を０．５６３ｇ、（ｔ−Ｂｕ）３Ｐを０．２３ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．１３ｇ加えて、１４０ｍＬトルエン溶媒の中で３時間加熱還流撹拌した。空冷後、水を添加して有機層を分取して溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンとの混合溶媒を使用）に精製した後、白色固体化合物１４５を６．３８ｇ（収率８２％）得た。
【０１３２】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって、測定された化合物１４５の分子量は７７８であった。また、１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物１４５のケミカルシフト値（δ）は８．５７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、８．２１（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、８．０４−８．０２（ｍ、２Ｈ）、７．９８−７．９４（ｍ、４Ｈ）、７．８０（ｓ、１Ｈ）、７．６４−７．５８（ｍ、５Ｈ）、７．４４−７．２９（ｍ、１０Ｈ）、７．１６−７．１１（ｍ、３Ｈ）、７．０８−７．０５（ｍ、６Ｈ）であった。
【０１３３】
［化合物１４７の合成］
【化１２５】
2017109992.tif 000128
【０１３４】
Ａｒ雰囲気下で、２００ｍＬの三口フラスコに化合物Ａを４．１１ｇ、化合物ＸＸを３．３５ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）２を０．５６３ｇ、（ｔ−Ｂｕ）３Ｐを０．２３ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．１３ｇ加えて、１４０ｍＬトルエン溶媒の中で３時間加熱還流撹拌した。空冷後、水を添加して有機層を分取して溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンとの混合溶媒を使用）に精製した後、白色固体化合物１４７を６．２２ｇ（収率８０％）得た。
【０１３５】
ＦＡＢ−ＭＳ測定によって、測定された化合物１４７の分子量は６６６であった。また、１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）測定で測定された化合物１４７のケミカルシフト値（δ）は８．５７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、８．０４（ｓ、１Ｈ）、７．９８−７．９４（ｍ、４Ｈ）、７．８０（ｓ、１Ｈ）、７．６４−７．５８（ｍ、５Ｈ）、７．４９−７．２９（ｍ、１０Ｈ）、７．１６−７．１１（ｍ、３Ｈ）、７．０８−７．０２（ｍ、６Ｈ）であった。
【０１３６】
［有機電界発光素子の作製］
ＩＴＯで１５０ｎｍ厚さの陽極２０４を形成し、２−ＴＮＡＴＡで６０ｎｍ厚さの正孔注入層を形成し、３０ｎｍ厚さの正孔輸送層を形成し、ＡＤＮにＴＢＰを３％ドープした２５ｎｍ厚さの発光層を形成し、Ａｌｑ３で２５ｎｍ厚さの電子輸送層を形成し、ＬｉＦで１ｎｍ厚さの電子注入層を形成し、Ａｌで１００ｎｍ厚さの陰極を形成した。
【０１３７】
実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例５で正孔輸送層を形成するのに使用した化合物は表２に示した。
【０１３８】
製作した電界発光素子に対して、駆動電圧、半減寿命を評価した。なお、電圧は１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１、０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。評価結果を表１に示す。
【表１】
2017109992.tif 000129
【表２】
2017109992.tif 000130
【０１３９】
表１を参照すれば、実施例１〜実施例８の有機電界発光素子が比較例１〜比較例５の有機電界発光素子より長寿命を有することを確認することができる。比較例１及び比較例２はフルオレニル基と結合した置換基の体積が大きいので、立体障害（ｓｔｅｒｉｃ  ｈｉｎｄｒａｎｃｅ）が大きく、これにしたがって化合物自体の安定性が低下して有機電界発光素子の寿命が低下した。比較例３及び比較例５はフルオレニル基とアミノ基との結合のみで電荷耐性が低いので、寿命が低下し、比較例４はフルオレニル基と結合して環を形成した結合基の体積が大きいので、立体障害（ｓｔｅｒｉｃ  ｈｉｎｄｒａｎｃｅ）が大きく、これにしたがって化合物自体の安定性が低下されて有機電界発光素子の寿命が低下された。
【０１４０】
以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須的な特徴と変形しなく、他の具体的な形態に実施できることは理解するべきである。したがって、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではない。
【符号の説明】
【０１４１】
１０    有機電界発光素子
ＡＮ    アノード
ＨＴＲ    正孔輸送領域
ＥＭＬ    発光層
ＢＦＬ    バッファ層
ＥＴＲ    電子輸送領域
ＣＡＴ    カソード
【図１】
2017109992.tif 000186
【図２】
2017109992.tif 000187