(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上に配置された液晶層１５と、第１基材１０ａと液晶層１５との間に配置された第１遮光層３ｃ１と、第１遮光層３ｃ１と液晶層１５との間に配置された第２遮光層３ｃ２と、表示領域に設けられた第１トランジスター３０（３０１）と、表示領域の周辺の領域である周辺領域に設けられた第２トランジスターと、を備え、第１トランジスター３０１は、少なくとも第２遮光層３ｃ２と平面視で重なるように配置され、第２トランジスターは、少なくとも第１遮光層３ｃ１と平面視で重なるように配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された液晶層と、
前記基板と前記液晶層との間に配置された第１遮光層と、
前記第１遮光層と前記液晶層との間に配置された第２遮光層と、
表示領域における前記第２遮光層と前記液晶層との間に設けられた第１トランジスターと、
前記表示領域の周辺の領域である周辺領域における前記第１遮光層と前記液晶層との間に設けられた第２トランジスターと、
を備え、
前記第１トランジスターは、少なくとも前記第２遮光層と平面視で重なるように配置され、
前記第２トランジスターは、少なくとも前記第１遮光層と平面視で重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第１トランジスターは、前記第１遮光層及び前記第２遮光層と平面視で重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、前記第１トランジスターのゲート電極と、１つのコンタクトホールによって電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第１遮光層及び前記第２遮光層のうち少なくとも一方は、光反射性を有する材料であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置であって、
前記第１遮光層及び前記第２遮光層の材料は、タングステンシリサイドであることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としての液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。
【０００３】
液晶装置は、素子基板と、素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板と対向基板とによって挟持された液晶層と、を備えている。素子基板には、上記トランジスターと、トランジスターに液晶プロジェクターからの光を遮光する遮光層とが備えられている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載の液晶装置では、画素領域の基板上にトランジスターが設けられ、基板とトランジスター（活性層）との間に第１遮光膜と第２遮光膜とを設けて、トランジスターに向かう光を遮断する方法が開示されている。特に、液晶プロジェクターの光量が増加することにより、遮光性の向上が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３１２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１には、画素領域における遮光膜の構造は開示されているものの、画素領域周辺の周辺領域の遮光膜の構造は開示されておらず、周辺領域のトランジスターに光が入射すると、トランジスター特性が変動するなど悪影響を及ぼすという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、基板と、前記基板上に配置された液晶層と、前記基板と前記液晶層との間に配置された第１遮光層と、前記第１遮光層と前記液晶層との間に配置された第２遮光層と、表示領域における前記第２遮光層と前記液晶層との間に設けられた第１トランジスターと、前記表示領域の周辺の領域である周辺領域における前記第１遮光層と前記液晶層との間に設けられた第２トランジスターと、を備え、前記第１トランジスターは、少なくとも前記第２遮光層と平面視で重なるように配置され、前記第２トランジスターは、少なくとも前記第１遮光層と平面視で重なるように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、表示領域に配置された画素の第１トランジスターは、第２遮光層と平面視で重なっているので、表示領域に光が入射した場合でも、第１トランジスターを遮光させることができる。一方、周辺領域に配置された第２トランジスターは、第１遮光層と平面視で重なっているので、例えば、外部から漏れた光が入射した場合でも遮光させることができる。更に、第２遮光層は第１遮光層より第１トランジスターに近いレイヤーに配置されているので、光の透過領域にある第１トランジスターに光が入射することをより抑えることができる。また、斜め光に対して遮光性を向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１トランジスターは、前記第１遮光層及び前記第２遮光層と平面視で重なるように配置されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第１遮光層及び第２遮光層の２層と平面視で重なるように第１トランジスターが配置されているので、光が透過する領域（表示領域）の第１トランジスターの遮光性をより向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１遮光層と前記第２遮光層とは、前記第１トランジスターのゲート電極と、１つのコンタクトホールによって電気的に接続されていることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１遮光層及び第２遮光層が、ゲート電極と電気的に接続されているので、フローティングの場合のように電位がばらつくなどトランジスター特性が変動することを抑えることができる。更に、１つのコンタクトホールで接続されているので、開口率を大きく下げることを抑えることができる。また、画素ピッチが狭くなった場合にも効果的に対応させることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１遮光層及び前記第２遮光層のうち少なくとも一方は、光反射性を有する材料であることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、第１遮光層や第２遮光層が光反射性を有するので、第１トランジスターや第２トランジスター（更には液晶装置）が加熱されることを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１遮光層及び前記第２遮光層の材料は、タングステンシリサイドであることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第１遮光層や第２遮光層がタングステンシリサイドであるので、第１トランジスターや第２トランジスター（更には液晶装置）が加熱されることを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、上記液晶装置を備えているので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】図１における液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図６】第１実施形態の表示領域の遮光層の構造を示す概略断面図。
【図７】周辺領域の遮光層の構造を示す概略断面図。
【図８】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図９】第２実施形態の表示領域の遮光層の構成を示す概略断面図。
【図１０】周辺領域の遮光層の構成を示す概略断面図。
【図１１】第３実施形態の表示領域の遮光層及び第１トランジスターの構成を示す概略平面図。
【図１２】表示領域の遮光層及び第１トランジスターの構成を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２２】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２３】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２４】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２５】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ（基板）、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２６】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。
【００２７】
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。スペーサーは、セルギャップを出すために用いられる。
【００２８】
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。
【００２９】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３０】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３１】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３２】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、信号配線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３３】
また、トランジスター３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造（図示せず）が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、信号配線、第１配向膜２８を含むものである。
【００３４】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
【００３５】
遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３６】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３７】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３８】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３９】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４０】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４１】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４２】
走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４３】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４４】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４７】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
次に、画素の構成について、図４を参照して説明する。図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４８】
図４に示すように、液晶装置１００の画素Ｐは、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英基板である。
【００４９】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる第１遮光層３ｃ１が配置されている。第１遮光層３ｃ１は、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。
【００５０】
第１遮光層３ｃ１及び第１基材１０ａ上には、酸化シリコンなどからなる第１絶縁層１１ａが形成されている。第１絶縁層１１ａ上には、半導体層３０ａの一部の領域と平面視で重なるように、例えば、光反射性を有するタングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる第２遮光層３ｃ２が形成されている。第２遮光層３ｃ２及び第１絶縁層１１ａ上には、酸化シリコンなどからなる第２絶縁層１１ｂが形成されている。
【００５１】
第２絶縁層１１ｂ上には、トランジスター３０及び走査線３ａ等が形成されている。トランジスター３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５２】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のトランジスター３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５３】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、トランジスター３０は、Ｎ型のトランジスターとして形成されている。
【００５４】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第３層間絶縁層１１ｃが形成されている。第３層間絶縁層１１ｃ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５５】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５６】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とトランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５７】
容量素子１６上には、第４層間絶縁層１１ｄを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第３層間絶縁層１１ｃ、誘電体膜１６ｃ、及び第４層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５８】
データ線６ａの上層には、第５層間絶縁層１１ｅを介して画素電極２７が形成されている。第５層間絶縁層１１ｅは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、トランジスター３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第５層間絶縁層１１ｅには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００５９】
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６０】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第５層間絶縁層１１ｅ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６１】
一方、対向基板２０の絶縁層３３上（液晶層１５側）には、例えば、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６２】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６３】
後述するプロジェクター１０００の光は、例えば、液晶装置１００の裏面側（素子基板１０側）から入射する。
【００６４】
＜遮光層の構成＞
次に、第１実施形態の遮光層の構成について、図５〜図７を参照して説明する。図５は、図１における液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。図６は、表示領域の遮光層（第２遮光層）の構造を示す概略断面図である。図７は、周辺領域の遮光層（第１遮光層）の構造を示す概略断面図である。
【００６５】
図５に示すように、液晶装置１００は、第１トランジスター３０１を有する画素Ｐが配置された表示領域Ｅと、第２トランジスター３０２を有する周辺回路が配置された周辺領域Ｅ１と、を有する。
【００６６】
表示領域Ｅには、例えば、第１基材１０ａ側から第１絶縁層１１ａ、第２遮光層３ｃ２、第２絶縁層１１ｂ、及び半導体層３０ａ１の順に積層されている。第２遮光層３ｃ２は、半導体層３０ａ１と平面視で重なるように配置されている。具体的には、第２遮光層３ｃ２は、少なくとも半導体層３０ａ１のＬＤＤ領域と平面視で重なるように配置されている。
【００６７】
周辺領域Ｅ１には、例えば、第１基材１０ａ側から第１遮光層３ｃ１、第１絶縁層１１ａ、第２絶縁層１１ｂ、及び半導体層３０ａ２の順に積層されている。第１遮光層３ｃ１は、半導体層３０ａ２と平面視で重なるように配置されている。具体的には、第１遮光層３ｃ１は、少なくとも半導体層３０ａ２のＬＤＤ領域と平面視で重なるように配置されている。
【００６８】
第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２の材料としては、遮光性や光反射性を有する材料であればよく、例えば、遮光膜１８と同様に、光反射性のタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。このようにタングステンシリサイドを用いることにより、トランジスターに熱が加わることを抑えることができる。
【００６９】
表示領域Ｅに設けられた第２遮光層３ｃ２は、第１トランジスター３０１と平面視で重なるように配置されていると共に、第１遮光層３ｃ１のレイヤーと比較して近い位置で遮光させることが可能となり、プロジェクターなどの光が透過する光透過領域において遮光性を向上させることができる。
【００７０】
周辺領域Ｅ１に設けられた第１遮光層３ｃ１は、第２トランジスター３０２と平面視で重なるように配置されているので、外部から漏れた光などを遮光させることが可能となり、例えば、トランジスター特性が変動することを抑えることができる。
【００７１】
第１遮光層３ｃ１の膜厚は、例えば、２００ｎｍ以上である。第２遮光層３ｃ２の膜厚は、例えば、１００ｎｍ以上である。第１絶縁層１１ａの膜厚は、例えば、２０００Åである。第２絶縁層１１ｂの膜厚は、例えば、２０００Åである。
【００７２】
＜電子機器の構成＞
図８は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図８を参照しながら説明する。
【００７３】
図８に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された照明系としての偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
【００７４】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７５】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７６】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７７】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００７８】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系１４００を構成する投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００７９】
液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８０】
以上のような構成の電子機器は、上述した実施形態の液晶装置１００を用いるため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター１０００を提供することができる。
【００８１】
なお、上記液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８２】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８３】
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅに配置された画素Ｐの第１トランジスター３０１は、第２遮光層３ｃ２と平面視で重なっているので、表示領域Ｅにプロジェクター１０００からの光が入射した場合でも、第１トランジスター３０１を光から遮光させることができる。一方、周辺領域Ｅ１に配置された周辺回路の第２トランジスター３０２は、第１遮光層３ｃ１と平面視で重なっているので、例えば、外部から漏れた光が入射した場合でも遮光させることが可能となり、周辺回路の特性不良なく遮光することができる。更に、第２遮光層３ｃ２は第１遮光層３ｃ１より第１トランジスター３０１に近いレイヤーに配置されているので、光の透過領域にある第１トランジスター３０１に光が入射することをより抑えることができる。また、第１トランジスター３０１から近い位置で遮光できるため、斜め光に対して遮光性を向上させることができる。
【００８４】
（２）第１実施形態の液晶装置１００によれば、第１遮光層３ｃ１や第２遮光層３ｃ２に光反射性を有するタングステンシリサイドが用いられているので、第１トランジスター３０１や第２トランジスター３０２（更には液晶装置１００）が加熱されることを抑えることができる。
【００８５】
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えるので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【００８６】
（第２実施形態）
＜遮光層の構成＞
次に、第２実施形態の遮光層の構成について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、表示領域の遮光層の構成を示す概略断面図である。図１０は、周辺領域の遮光層の構成を示す概略断面図である。
【００８７】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、表示領域Ｅに第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２の２層を配置している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８８】
図９に示すように、第２実施形態の液晶装置２００の表示領域Ｅには、第１基材１０ａ側から第１遮光層３ｃ１、第１絶縁層１１ａ、第２遮光層３ｃ２、第２絶縁層１１ｂ、及び半導体層３０ａ１の順に積層されている。第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２は、半導体層３０ａ１と平面視で重なるように配置されている。具体的には、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２は、少なくとも半導体層３０ａ１のＬＤＤ領域と平面視で重なるように配置されている。
【００８９】
図１０に示すように、周辺領域Ｅ１には、第１実施形態と同様に、第１基材１０ａ側から第１遮光層３ｃ１、第１絶縁層１１ａ、第２絶縁層１１ｂ、及び半導体層３０ａ２の順に積層されている。第１遮光層３ｃ１は、半導体層３０ａ２と平面視で重なるように配置されている。具体的には、第１遮光層３ｃ１は、少なくとも半導体層３０ａ２のＬＤＤ領域と平面視で重なるように配置されている。
【００９０】
表示領域Ｅの第１トランジスター３０１は、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２と平面視で重なるように配置されているので、第２遮光層３ｃ２のみの場合と比較して、遮光性を向上させることができる。特に、光透過領域において遮光性を大きく向上させることができる。
【００９１】
周辺領域Ｅ１に設けられた第１遮光層３ｃ１は、第１実施形態と同様に、第２トランジスター３０２と平面視で重なるように配置されているので、外部から漏れた光などを遮光させることが可能となり、例えば、トランジスター特性が変動することを抑えることができる。
【００９２】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、上記した第１実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９３】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、表示領域Ｅにおいて、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２の２層と平面視で重なるように第１トランジスター３０１が配置されているので、プロジェクター１０００の光が第１トランジスター３０１に入射することを抑えることが可能となり、遮光性を向上させることができる。
【００９４】
（第３実施形態）
＜遮光層の構成＞
次に、第３実施形態の遮光層の構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は、表示領域の遮光層及び第１トランジスターの構成を示す概略平面図である。図１２は、表示領域の遮光層及び第１トランジスターの構成を示す概略断面図である。
【００９５】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第２実施形態の液晶装置２００と比べて、表示領域Ｅに第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２の２層が配置され、更に第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２がゲート電極３０ｇと電気的に接続されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９６】
図１１及び図１２に示すように、第３実施形態の液晶装置３００の表示領域Ｅには、第２実施形態と同様に、第１基材１０ａ側から第１遮光層３ｃ１、第１絶縁層１１ａ、第２遮光層３ｃ２、第２絶縁層１１ｂ、及び半導体層３０ａ１の順に積層されている。更に、半導体層３０ａ１の上には、ゲート絶縁層１１ｇを介してゲート電極３０ｇが配置されている。
【００９７】
第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２は、コンタクトホールＣＮＴ１１を介して、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されている。また、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２は、コンタクトホールＣＮＴ１２を介して、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されている。
【００９８】
周辺領域Ｅ１の構造は、第１実施形態及び第２実施形態と同様である。
【００９９】
表示領域Ｅの第１トランジスター３０１は、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２とゲート電極３０ｇとが電気的に接続されて、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２をゲート電位にできるので、トランジスター特性を向上させることができる。
【０１００】
また、１つのコンタクトホールＣＮＴ１１（又はＣＮＴ１２）で第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２をゲート電極３０ｇと電気的に接続できるので、平面的な領域が広がることを抑えることが可能となり、開口率を維持することができる。更に、画素ピッチを狭くする際に効果的である。
【０１０１】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０２】
（５）第３実施形態の液晶装置３００によれば、第１遮光層３ｃ１及び第２遮光層３ｃ２が、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されているので、フローティングの場合のように電位がばらつくなどトランジスター特性が変動することを抑えることができる。更に、１つのコンタクトホールＣＮＴ１１（又はＣＮＴ１２）で接続されているので、開口率を大きく低下させることを抑えることができる。また、画素ピッチが狭くなった場合にも効果的に対応させることができる。更に、レイアウト上の制約を受けることが少ない。
【０１０３】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０４】
（変形例１）
上記したように、周辺領域Ｅ１の遮光層は、第１遮光層３ｃ１のみに限定されず、第１遮光層３ｃ１と第２遮光層３ｃ２との２層を配置するようにしてもよい。
【０１０５】
（変形例２）
上記した第１実施形態の第２遮光層３ｃ２は、フローティング状態であることに限定されず、例えば、コンタクトホールを設けてゲート電極３０ｇと電気的に接続するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ１…第１遮光層、３ｃ２…第２遮光層、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…第１絶縁層、１１ｂ…第２絶縁層、１１ｃ…第３層間絶縁層、１１ｄ…第４層間絶縁層、１１ｅ…第５層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、６５…外部接続用端子、１００，２００，３００…液晶装置、３０１…第１トランジスター、３０２…第２トランジスター、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン、１４００…投写光学系。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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