(57)【要約】【課題】暗電流の影響を抑制することが可能な撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、表面に絶縁膜が形成された半導体基板と、半導体基板の絶縁膜上に積層され、入射光を光電変換して信号電荷を生成する有機光電変換膜と、絶縁膜によって半導体基板と絶縁され、光電変換膜で光電変換された信号電荷を蓄積する蓄積部と、半導体基板に形成され、蓄積部に蓄積された信号電荷による信号を出力する出力部と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記絶縁膜上に積層され、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換膜と、
前記絶縁膜によって前記半導体基板と絶縁され、前記光電変換膜で光電変換された前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、
前記半導体基板に形成され、前記蓄積部に蓄積された前記信号電荷による信号を出力する出力部と、
を備える撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記蓄積部をリセットするリセット部を更に備え、
前記リセット部は、前記絶縁膜の上に設けられ前記光電変換膜に接続された第１電極と、前記半導体基板に形成され前記絶縁膜を介して前記第１電極と対向する第２電極とを有し、
前記蓄積部は、少なくとも前記第１電極を含む撮像素子。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子において、
前記リセット部は、前記蓄積部に蓄積された前記信号電荷をトンネル効果により前記半導体基板の側に移動させることで、前記蓄積部をリセットする撮像素子。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記蓄積部をリセットするリセット部を更に備え、
前記リセット部は、前記半導体基板と絶縁された薄膜トランジスタを有し、
前記蓄積部は、少なくとも前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極の一方を含む撮像素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記出力部は、前記半導体基板に設けられたソース電極およびドレイン電極と前記絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを含む増幅トランジスタを有し、
前記蓄積部は、前記ゲート電極を含む撮像素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記光電変換膜を透過した光束を光電変換する光電変換部を更に備える撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子において、
前記光電変換部は、前記半導体基板と前記光電変換膜との間に設けられた、前記光電変換膜とは異なる他の光電変換膜である撮像素子。
【請求項８】
請求項６に記載の撮像素子において、
前記光電変換部は、前記半導体基板に設けられたフォトダイオードである撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体等を使用した光電変換膜によって光電変換を行う撮像素子が知られている（例えば特許文献１）。この技術は、半導体基板内に信号電荷を蓄積するため、半導体基板の暗電流の影響を受けるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６８４７７号公報
【発明の概要】
【０００４】
請求項１に記載の撮像素子は、表面に絶縁膜が形成された半導体基板と、前記半導体基板の前記絶縁膜上に積層され、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換膜と、前記絶縁膜によって前記半導体基板と絶縁され、前記光電変換膜で光電変換された前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、前記半導体基板に形成され、前記蓄積部に蓄積された前記信号電荷による信号を出力する出力部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】第１の実施の形態に係る撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】撮像素子３の構成を示す回路図である。
【図３】撮像素子３の断面の模式図である。
【図４】露光制御のタイミングチャートである。
【図５】第２の実施の形態に係る撮像素子３の断面の模式図である。
【図６】有機光電変換膜３０１と、下方に設けた別の光電変換部５０１との対応関係を例示する模式図である。
【図７】有機光電変換膜３０１の下方に、別の光電変換部５０１である有機光電変換膜５０１０を設けた例を示す模式図である。
【図８】有機光電変換膜３０１の下方に、別の光電変換部５０１であるフォトダイオード５０１１を設けた例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。撮像装置１は、撮像光学系２、撮像素子３、制御部４、および表示部６を備える。撮像光学系２は、撮像素子３の撮像面に被写体像を結像させる。撮像素子３は、有機光電変換膜を用いた撮像素子である。撮像素子３は、被写体像を撮像して撮像信号を出力する。制御部４は、撮像素子３等の各部を制御する。制御部４は、撮像素子３により出力された撮像信号に対して種々の画像処理を施し、被写体の画像データを作成する。制御部４は、作成した画像データを不図示の記録媒体に記録したり、画像データに基づく画像を表示部６に表示したりする。表示部６は、例えば液晶パネル等の表示部材を有する表示装置である。
【０００７】
図２は、撮像素子３の構成を示す回路図である。なお、撮像素子３は、二次元状に配列された多数の画素３０を有しているが、図２では、２行２列に配列された計４つの画素３０のみを図示している。
【０００８】
撮像素子３は、垂直走査回路３１、信号蓄積部３２、水平走査回路３３、および複数の画素３０を有する。垂直走査回路３１は、垂直制御信号線ＳＥＬ（ｎ）に、垂直制御信号φＳＥＬ（ｎ）を出力する。各々の画素３０からの出力信号は、垂直制御信号φＳＥＬ（ｎ）により、行ごとに独立して制御される。例えば、垂直走査回路３１が所定のハイレベル（Ｈレベル）の垂直制御信号φＳＥＬ（１）を出力すると、１行目の画素３０からの出力信号が、垂直信号線Ｖ（ｎ）に出力される。ここで制御部４が転送制御線ＴＳにＨレベルの転送制御信号φＴＳを出力すると、垂直信号線Ｖ（ｎ）に出力されている１行目の画素３０からの出力信号が、信号蓄積部３２に蓄積される。水平走査回路３３は、信号蓄積部３２に蓄積された行ごとの画素３０からの出力信号を、１列ずつ、制御部４に順次出力する。制御部４は、この画素３０ごとの出力信号（すなわち撮像信号）に基づき、被写体の画像データを作成する。
【０００９】
各々の画素３０は、有機光電変換膜３０１、電荷蓄積容量３０２、増幅トランジスタ３０３、および選択トランジスタ３０４を有する。有機光電変換膜３０１の一方の面には、上部電極３０５が配置される。有機光電変換膜３０１の他方の面には、下部電極３０６が配置される。上部電極３０５には、正電圧ＶＰＨＴが印加されている。下部電極３０６は、増幅トランジスタ３０３のゲート電極および電荷蓄積容量３０２に接続されている。有機光電変換膜３０１は、入射した所定波長域（例えば可視光域）の光を光電変換して、光量に応じた量の電荷（電子正孔対）を生成する。電子正孔対のうちの一方（ここでは電子とする）は、上部電極３０５に導かれる。電子正孔対のうちの他方（ここでは正孔とする）は、下部電極３０６を介して、増幅トランジスタ３０３のゲート電極および電荷蓄積容量３０２に導かれる。結果として、有機光電変換膜３０１への入射光量に応じた量の正孔が、下部電極３０６、増幅トランジスタ３０３のゲート電極、電荷蓄積容量３０２、およびこれらの各部を接続する配線部分に蓄積される。つまり、下部電極３０６、増幅トランジスタ３０３のゲート電極、電荷蓄積容量３０２、およびこれらの各部を接続する配線部分は、信号電荷を蓄積する蓄積部として機能する。
【００１０】
増幅トランジスタ３０３のドレイン電極には、電圧ＶＤＤが印加される。増幅トランジスタ３０３のドレイン・ソース間には、上述の蓄積部に蓄積された信号電荷の量に応じた大きさの電流が流れる。増幅トランジスタ３０３のソース電極は、選択トランジスタ３０４のドレイン電極に接続される。選択トランジスタ３０４のゲート電極は、上述した垂直制御信号線ＳＥＬ（ｎ）に接続される。選択トランジスタ３０４のソース電極は、垂直信号線Ｖ（ｎ）に接続される。垂直走査回路３１が垂直制御信号線ＳＥＬ（ｎ）にＨレベルの垂直制御信号φＳＥＬ（ｎ）を出力すると、選択トランジスタ３０４のドレイン・ソース間には、上述の蓄積部に蓄積された信号電荷の量に応じた大きさの電流である出力信号（撮像信号）が出力される。すなわち、増幅トランジスタ３０３および選択トランジスタ３０４は、上述の蓄積部に蓄積された信号電荷による信号を出力する出力部として機能する。
【００１１】
電荷蓄積容量３０２の他方の電極は、リセット信号線ＲＳＴに接続される。制御部４はリセット信号線ＲＳＴに所定のローレベル（Ｌレベル）のリセット信号φＲＳＴを出力することで、リセット信号線ＲＳＴの電位を所定のリセットレベル（例えばグランドレベル）にする。リセット信号線ＲＳＴの電位がリセットレベルになると、上述した電荷蓄積部に蓄積された信号電荷（正孔）は、トンネル効果により電荷蓄積容量３０２を介してリセット信号線ＲＳＴに引き抜かれる。これにより、電荷蓄積部はリセットされる。
【００１２】
図３は、撮像素子３の断面の模式図である。説明の都合上、図３では、１つの画素３０の断面のみを図示している。撮像素子３は、上部電極３０５と、有機光電変換膜３０１と、下部電極３０６と、配線層３０７と、絶縁膜３０８と、半導体基板３０９とを、この順で積層した構造を有している。
【００１３】
有機光電変換膜３０１は、可視光を吸収し、吸収した光の量に応じた量の電荷（電子正孔対）を生成する。有機光電変換膜３０１の一方の面（上面）には、透明な上部電極３０５が設けられている。有機光電変換膜３０１の他方の面（下面）には、透明な下部電極３０６が設けられている。有機光電変換膜３０１は、全ての画素３０に共通な１枚の薄膜として形成されている。上部電極３０５は、全ての画素３０について共通な１つの電極として設けられている。上部電極３０５には、正電圧ＶＰＨＴが印加される。下部電極３０６は、画素３０ごとに互いに分離して設けられている。下部電極３０６は、上部電極３０５と対向するように設けられている。なお、有機光電変換膜３０１を、画素３０ごとに異なる特性を有するように構成してもよい。例えば、画素３０ごとに、光電変換の対象となる（吸収する）波長を異ならせてもよい。具体的には、ある画素３０は緑の光を光電変換し、ある画素３０は赤の光を光電変換し、ある画素３０は青の光を光電変換するようにしてもよい。
【００１４】
有機光電変換膜３０１に可視光が入射すると、入射位置において、入射光量に応じた量の電荷が生成される。生成された電荷のうちの正孔は、その入射位置に設けられた画素３０が有する下部電極３０６に導かれる。換言すると、各々の画素３０に入射した光は、各々の画素３０が有する有機光電変換膜３０１により光電変換される。
【００１５】
下部電極３０６は、配線層３０７内の配線により、電荷蓄積容量３０２が有する第１電極３０２１と、増幅トランジスタ３０３のゲート電極３０３１とに接続される。第１電極３０２１およびゲート電極３０３１は、配線層３０７に設けられる。すなわち第１電極３０２１およびゲート電極３０３１は、絶縁膜３０８の上側に設けられる。有機光電変換膜３０１で生成された正孔は、下部電極３０６から第１電極３０２１とゲート電極３０３１とこれらを互いに接続する配線とに導かれ蓄積される。つまり、有機光電変換膜３０１で生成された正孔は、絶縁膜３０８の上側にのみ蓄積される。下部電極３０６と第１電極３０２１とゲート電極３０３１とこれらを互いに接続する配線とは、正孔を蓄積する蓄積部として機能する。
【００１６】
増幅トランジスタ３０３が有するドレイン電極３０３２およびソース電極３０３３は、半導体基板３０９に設けられる。すなわちドレイン電極３０３２およびソース電極３０３３は、絶縁膜３０８の上側に設けられる。ドレイン電極３０３２には、電圧ＶＤＤが供給される。ソース電極３０３３の電位はゲート電極３０３１に印加された電圧値に応じた電位となる。なお、増幅トランジスタ３０３が有するソース電極３０３３は、選択トランジスタ３０４のドレイン電極を兼ねている。
【００１７】
選択トランジスタ３０４が有するゲート電極３０４１は、配線層３０７に設けられる。すなわちゲート電極３０４１は、絶縁膜３０８の上側に設けられる。選択トランジスタ３０４が有するドレイン電極３０３３およびソース電極３０４２は、半導体基板３０９に設けられる。すなわちドレイン電極３０３３およびソース電極３０４２は、絶縁膜３０８の上側に設けられる。ゲート電極３０４１は、垂直制御信号線ＳＥＬ（ｎ）に接続される。ソース電極３０４２は、垂直信号線Ｖ（ｎ）に接続される。ある画素３０のゲート電極３４１に流された垂直制御信号φＳＥＬ（ｎ）がＬレベルであるとき、その画素３０から垂直信号線Ｖ（ｎ）には信号が流れない。ある画素３０のゲート電極３０４１に印加された垂直制御信号φＳＥＬ（ｎ）がＨレベルであるとき、その画素３０から垂直信号線Ｖ（ｎ）には、電荷蓄積部に蓄積された正孔の量に応じた大きさの出力信号電圧（撮像信号）が出力される。
【００１８】
電荷蓄積容量３０２は、配線層３０７に設けられた第１電極３０２１に加えて、半導体基板３０９に設けられた第２電極３０２２を有している。第２電極３０２２は、リセット信号線ＲＳＴに接続される。リセット時、制御部４は、リセット信号線ＲＳＴにＬレベルのリセット信号φＲＳＴを出力することで、リセット信号線ＲＳＴの電位をリセットレベルにする。リセット信号線ＲＳＴの電位がリセットレベルになると、上述した蓄積部に蓄積された信号電荷は、トンネル効果により電荷蓄積容量３０２を介してリセット信号線ＲＳＴに引き抜かれる。これにより、蓄積部はリセットされる。
【００１９】
電荷蓄積容量３０２の第１電極３０２１と、増幅トランジスタ３０３との間には、酸化膜３１０が設けられる。酸化膜３１０は、例えばＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法により形成される。酸化膜３１０は、電荷蓄積容量３０２と増幅トランジスタ３０３とを電気的に分離する。
【００２０】
図４は、露光制御のタイミングチャートである。最初に、期間Ｔ１において、制御部４はリセット信号φＲＳＴをローレベルにする。これにより、画素３０のリセットが為される。次の期間Ｔ２において、制御部４は、不図示のシャッター幕を走行させる。画素３０は、この期間Ｔ２に入射した被写体光を光電変換し、蓄積部に被写体光の光量に応じた量の正孔を蓄積させる。次の期間Ｔ３において、制御部４は、１行目の画素３０に対応する垂直制御信号φＳＥＬ（１）をＨレベルにすると共に、転送制御信号φＴＳをＨレベルにして、１行目の画素３０から出力される撮像信号を読み出す。次の期間Ｔ４において、制御部４は、２行目の画素３０に対応する垂直制御信号φＳＥＬ（２）をＨレベルにすると共に、転送制御信号φＴＳをＨレベルにして、２行目の画素３０から出力される撮像信号を読み出す。その後、制御部４は、３行目、４行目と行毎に順次撮像信号を読み出す。
【００２１】
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）下部電極３０６と第１電極３０２１とゲート電極３０３１とこれらを互いに接続する配線とを含む蓄積部は、絶縁膜３０８によって半導体基板３０９と絶縁されている。このようにしたので、半導体基板３０９で発生する暗電流の影響を受けることがなく、Ｓ／Ｎ比の高い画像を得ることができる。
【００２２】
（２）電荷蓄積容量３０２を含むリセット部は、絶縁膜３０８の上に設けられ有機光電変換膜３０１に接続された第１電極３０２１と、半導体基板３０９に形成され絶縁膜３０８を介して第１電極３０２１と対向する第２電極３０２２とを有する。蓄積部は、少なくとも第１電極３０２１を含む。このようにしたので、微細化が容易になる。また、リセット制御の実行速度を速くすることができる。
【００２３】
（３）リセット部は、蓄積部に蓄積された信号電荷をトンネル効果により半導体基板３０９の側に移動させることで、蓄積部をリセットする。このようにしたので、通常時には蓄積部を半導体基板３０９から絶縁した状態を保ちつつ、蓄積部をリセット可能に構成することができる。
【００２４】
（４）出力部は、半導体基板３０９に設けられたソース電極３０３３およびドレイン電極３０３２と絶縁膜３０８の上に設けられたゲート電極３０３１とを含む増幅トランジスタ３０３を有し、蓄積部は、ゲート電極３０３１を含む。このようにしたので、蓄積部の容量を大きくすることができる。
【００２５】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、電荷蓄積容量３０２の電極間においてトンネル効果により電子を引き抜くことで、画素３０のリセットを行っていた。第２の実施の形態に係る撮像装置は、絶縁膜３０８の上側に設けた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンオフすることで、画素３０のリセットを行う。以下、第１の実施の形態に係る撮像装置との相違点を中心に説明する。なお、以下の説明において、第１の実施の形態と同一の部分については、第１の実施の形態と同一の符号を付して説明を省略する。
【００２６】
図５は、第２の実施の形態に係る撮像素子３の断面の模式図である。説明の都合上、図５では、１つの画素３０の断面のみを図示している。本実施の形態の画素３０は、電荷蓄積容量３０２（図３）の代わりに、リセットトランジスタ４０２を有している。
【００２７】
リセットトランジスタ４０２は、薄膜トランジスタである。リセットトランジスタ４０２は、絶縁膜３０８の上側に設けられた絶縁膜４１０の上側に設けられる。絶縁膜４１０は、例えばＬＯＣＯＳ法によって絶縁膜３０８の上側に形成される。リセットトランジスタ４０２は、ソース電極４０２１と、ドレイン電極４０２２と、シリコン薄膜４０２３と、ゲート絶縁膜４０２４と、ゲート電極４０２５とを有する。シリコン薄膜４０２３は、ソース電極４０２１およびドレイン電極４０２２の間に配置される。ゲート絶縁膜４０２４は、ソース電極４０２１、ドレイン電極４０２２、およびシリコン薄膜４０２３と、ゲート電極４０２５との間に配置される。ドレイン電極４０２２は、下部電極３０６に接続される。ソース電極４０２１には、電圧ＶＲが印加される。ゲート電極４０２５は、リセット信号線ＲＳＴに接続される。
【００２８】
有機光電変換膜３０１で生成された正孔は、下部電極３０６からリセットトランジスタ４０２のドレイン電極４０２２と増幅トランジスタ３０３のゲート電極３０３１とこれらを互いに接続する配線とに導かれ蓄積される。つまり、有機光電変換膜３０１で生成された正孔は、第１の実施の形態と同様に、絶縁膜３０８の上側の、半導体基板３０９から絶縁された領域にのみ蓄積される。下部電極３０６とドレイン電極４０２２とゲート電極３０３１とこれらを互いに接続する配線とは、正孔を蓄積する蓄積部として機能する。
【００２９】
リセット時、制御部４は、リセット信号線ＲＳＴにＬレベルのリセット信号φＲＳＴを出力することで、ゲート電極４０２５にＨレベルの電圧を印加する。ゲート電極４０２５にＨレベルの電圧が印加されると、上述した蓄積部に蓄積された信号電荷が、ドレイン電極４０２２からシリコン薄膜４０２３を介してソース電極４０２１に移動する。これにより、蓄積部はリセットされる。
【００３０】
上述した実施の形態によれば、第１の実施の形態で説明した作用効果に加えて、更に次の作用効果が得られる。
（５）リセット部は、半導体基板３０９と絶縁された薄膜トランジスタであるリセットトランジスタ４０２を有し、蓄積部は、リセットトランジスタ４０２のドレイン電極４０２２を含む。このようにしたので、蓄積部を半導体基板３０９から絶縁した状態を保ちつつ、蓄積部をリセット可能に構成することができる。
【００３１】
次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
【００３２】
（変形例１）
有機光電変換膜３０１の下方に、更に別の光電変換部を設けてもよい。この光電変換部は、有機光電変換膜３０１を透過した光束を光電変換し、光電変換信号（撮像信号）を出力する。
【００３３】
図６は、有機光電変換膜３０１と、下方に設けた別の光電変換部５０１との対応関係を例示する模式図である。有機光電変換膜３０１を用いて形成された各々の画素３０に対応する別の画素５０を、有機光電変換膜３０１の下方に設けた別の光電変換部５０１に設ける。画素３０は、赤色の光を光電変換する赤色画素と、緑色の光を光電変換する緑色画素と、青色の光を光電変換する青色画素と、を含む。これらの画素３０をベイヤー配列することで、制御部４は、第１の画像を撮像することができる。赤色画素は、赤色の光以外の光（赤色の補色の光）を透過する。下方に設けた別の光電変換部５０１において、赤色画素の下方に形成された画素５０は、赤色の補色の光を受光し、赤色の補色の色情報を有する光電変換信号を出力する。同様に、緑色画素の下方に形成された画素５０は、緑色の補色の色情報を有する光電変換信号を出力し、青色画素の下方に形成された画素５０は、青色の補色の色情報を有する光電変換信号を出力する。制御部４は、これらの画素５０を用いて、第２の画像を撮像することができる。以上のように、制御部４は、同一の被写体について、同時に２つの画像を得ることができる。例えば有機光電変換膜３０１と光電変換部５０１とで露光制御のパラメータ（露光時間や露光感度等）を異ならせてもよいし、露光開始のタイミングを異ならせてもよい。
【００３４】
図７は、有機光電変換膜３０１の下方に、別の光電変換部５０１である有機光電変換膜５０１０を設けた例を示す模式図である。配線層３０７および半導体基板３０９には、有機光電変換膜３０１用の第１光電変換膜用回路６０１と、有機光電変換膜５０１０用の第２光電変換膜用回路６０２が設けられる。第１光電変換膜用回路６０１および第２光電変換膜用回路６０２は、それぞれ、上述した実施の形態で説明した蓄積部や出力部、リセット部等を含む回路である。なお、第１光電変換膜用回路６０１と第２光電変換膜用回路６０２の一部を共通の回路として、回路規模を削減することも可能である。例えば、第１光電変換膜用回路６０１と第２光電変換膜用回路６０２とで単一の出力部を共有してもよい。この場合、画素３０（図６）からの信号読み出しと、画素５０（図６）からの信号読み出しは時分割的に行われる。
【００３５】
図８は、有機光電変換膜３０１の下方に、別の光電変換部５０１であるフォトダイオード５０１１を設けた例を示す模式図である。フォトダイオード５０１１は、半導体基板３０９に設けられる。配線層３０７および半導体基板３０９には、有機光電変換膜３０１用の光電変換膜用回路６０３と、フォトダイオード５０１１用のフォトダイオード用回路６０４が設けられる。光電変換膜用回路６０３は、上述した実施の形態で説明した蓄積部や出力部、リセット部等を含む回路である。フォトダイオード用回路６０４は、フォトダイオード５０１１を制御するための出力部やリセット部等を含む周知の回路である。なお、図７の場合と同様に、光電変換膜用回路６０３とフォトダイオード用回路６０４の一部を共通の回路として、回路規模を削減することも可能である。
【００３６】
上述した変形例１によれば、上述した各実施の形態で説明した作用効果に加えて、更に次の作用効果が得られる。
（６）光電変換部５０１は、有機光電変換膜３０１を透過した光束を光電変換する。このようにしたので、入射光をより効率的に利用することができる。
【００３７】
（変形例２）
第１の実施の形態では、蓄積部に蓄積される信号電荷を正孔とする例について説明したが、信号電荷を電子とすることもできる。この場合、上部電極３０５には負電圧を印加し、下部電極３０６に電子が導かれるようにする。図４に例示したリセット信号φＲＳＴの信号レベルはＬレベルとＨレベルが逆転する。
【００３８】
本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００３９】
１…撮像装置、２…撮像光学系、３…撮像素子、４…制御部、３０、５０…画素、３０１…有機光電変換膜
【図１】
2017103420.tif 000003
【図２】
2017103420.tif 000004
【図３】
2017103420.tif 000005
【図４】
2017103420.tif 000006
【図５】
2017103420.tif 000007
【図６】
2017103420.tif 000008
【図７】
2017103420.tif 000009
【図８】
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