(57)【要約】      （修正有）【課題】モールドをインプリント材に接触させる際にインプリント材の粘弾性により発生する力を抑制し、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】モールド２を用いて基板４上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、モールド２を保持するモールド保持部３と、基板４を保持する基板保持部と、モールド保持部と基板保持部の相対位置を変化させる駆動機構７と、制御部と、を備え、制御部は、モールド２と基板４上のインプリント材が接触した状態でモールド保持部３と基板保持部５の相対位置を変化させる時に、インプリント材の粘弾性に応じて発生する駆動力が小さくなるように駆動機構７を制御して、モールド保持部３と基板保持部５の相対位置を変化させる。【選択図】図３
2017103430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させる駆動機構と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記モールドと前記基板上の前記インプリント材が接触した状態で前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させる時に、前記インプリント材の粘弾性に応じて発生する駆動力が小さくなるように前記駆動機構を制御して、前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記モールドと前記インプリント材が接触した状態で前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を、前記基板の面方向に変化させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記駆動機構が前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させるための移動量について、前記モールドと前記インプリント材が接触する前に、前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を前記移動量の移動方向と反対方向に変化させておくことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記移動量は、前記基板と前記インプリント材の間に供給される密着層の材質、前記モールドの材質、前記モールドに形成されたパターン配列、前記インプリント材の粘度、前記インプリント材の供給量、前記インプリント材の塗布パターン、の少なくとも一つから求めることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記モールドを、前記基板に対して凸形状に変形させるモールド変形機構を有し、
前記モールド変形機構により前記モールドを変形させた状態で、前記駆動機構は前記モールドのパターンが形成された面と前記基板の表面を相対的に傾け、
前記制御部は、前記モールドのパターンが形成された面と前記基板の表面を相対的に傾けた状態で前記モールドと前記インプリント材を接触させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記モールドに形成されたパターンの一部が前記基板上に転写される場合に、前記基板上にパターンが形成される領域で前記モールドと前記基板上のインプリント材が接触するように、前記駆動機構は、前記モールドのパターンが形成された面と前記基板の表面を相対的に傾けることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項８】
モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板上のインプリント材を接触させる工程と、
前記モールドと前記基板上のインプリント材が接触した状態で前記モールドを保持するモールド保持部と前記基板を保持する基板保持部の相対位置を変化させる時に、前記インプリント材の粘弾性に応じて発生する駆動力が小さくなるように前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させて前記モールドと前記基板の位置合わせする工程を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
前記接触させる工程は、前記モールドを前記基板に対して凸形状に変形させた状態で、前記モールドのパターンが形成された面と前記基板の表面を相対的に傾けて、前記モールドと前記インプリント材を接触させることを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、モールド（型）を用いて基板上に供給されたインプリント材に微細なパターンを形成するインプリント技術が注目されている。例えば、インプリント技術の１つに、光硬化法がある。
【０００３】
この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域（インプリント領域）にインプリント材を供給（塗布）する。次に、基板上に供給されたインプリント材と型を接触させる。そして、光（紫外線）を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。
【０００４】
モールドと基板上のインプリント材を互いに接触させると、モールドとインプリント材の間（モールドに形成されたパターンの凹部）に気泡が混入する場合がある。気泡が混入した状態でインプリント材が硬化すると、基板上に形成されるインプリント材のパターンに欠けが生じる恐れがある。
【０００５】
そこで、このようなパターンの欠けの発生を抑えるために、特許文献１は、モールドを基板に対して凸形状に撓ませた状態で、インプリント材に接触させる。モールドをインプリント材に接触させた後、徐々にモールドを平面にすることでモールドに形成されたパターンの全面をインプリント材に接触させるインプリント方法を開示している。特許文献１に示すインプリント方法のように、モールドを変形させながらインプリント材に接触させると、モールドとインプリント材の接触領域は徐々に大きくなり、最終的にモールドのパターンが形成された領域（パターン形成領域）にまで拡がる。このようにモールドを凸形状にしてパターン形成領域の中心からインプリント材と接触させることにより、モールドとインプリント材の間に気体が閉じ込められるのを抑制することができる。
【０００６】
しかしながら、モールドの撓み状態やパターンを形成する基板上の場所によっては、モールドとインプリント材を接触させる際に、接触領域の中心（図心）がパターン形成領域の中心からずれることがある。そこで、特許文献２に示すようにモールドを基板に対して傾けてモールドをインプリント材に接触させることで、モールドとインプリント材が最初に接触する位置（接触領域）を基板上のインプリント領域の中心となるように制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−０９９７９０号公報
【特許文献２】特開２００９−２００３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
モールドを基板に対して傾けた状態でモールドをインプリント材に接触させた後、モールドの傾きを基板と平行になるように制御する必要がある。モールドとインプリント材が接触した状態でモールドと基板を相対的に移動させると、モールドと基板にはインプリント材の粘弾性による力が加わる。このような力によって、モールドに形成されたパターンが変形して、モールドのパターンと基板のショット領域との間に相対的な形状差が発生してしまう。
【０００９】
また、インプリント材の粘弾性により発生した力は、モールドと基板の位置合わせを行う際に駆動機構のスムーズな動作を妨げ、モールド側パターンと基板側パターンとの間の重ね合わせ精度が低下する要因となる。
【００１０】
本発明は、モールドをインプリント材に接触させる際にインプリント材の粘弾性により発生する力を抑制し、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のインプリント装置は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させる駆動機構と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記モールドと前記基板上の前記インプリント材が接触した状態で前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させる時に、前記インプリント材の粘弾性に応じて発生する駆動力が小さくなるように前記駆動機構を制御して、前記モールド保持部と前記基板保持部の相対位置を変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のインプリント装置を示す図である。
【図２】本発明のインプリント動作のシーケンスを示すブロック図である。
【図３】第１実施形態におけるインプリント装置の状態を示す図である。
【図４】基板に対するインプリント位置を示した図である。
【図５】第２実施形態におけるモールドと基板の位置関係を示した図である。
【図６】第２実施形態におけるインプリント装置の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の実施形態に係るインプリント装置１００について説明する。図１は、インプリント装置の構成を示す図である。なお、モールド２（基板４）が配置される面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として、図に示したように各軸を決める。
【００１６】
インプリント装置１００は、基板４上に供給されたインプリント材にモールド２を接触させ、接触させた状態でインプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、基板上にインプリント材のパターンを形成する装置である。インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、放射線、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。ここでは、光（紫外線）を照射してインプリント材を硬化させる光硬化法を適用したインプリント装置について説明するが、熱を与えることでインプリント材を硬化させる熱硬化法を適用してもよい。
【００１７】
インプリント装置１００は、照明ユニット１と、モールド２を保持するモールド保持機構３と、基板４を保持する基板保持機構５と、基板ステージ６（基板駆動機構）と、モールド駆動機構７と、検出部８と、制御部１０を備える。さらに、インプリント装置１００は、不図示の基板搬送機構、モールド搬送機構、インプリント材を基板上に供給する塗布機構を備える。
【００１８】
照明ユニット１は、インプリント材を硬化させる際にモールド２に対して紫外線を照射する照明手段である。モールド２は、紫外線に対して透明であるため、照明ユニット１はモールド２を介してインプリント材に紫外線を照射することができる。モールド２に対する紫外線の照射軸はＺ方向に平行である。この照明ユニット１は、光源と、該光源から射出された紫外線を適切な光に調整するための光学素子を含む。
【００１９】
モールド２（型、金型）は、矩形の外周形状を有し、基板４に対向する面（パターン面）に３次元状に形成された所定のパターン（回路パターン等の基板４上に転写すべき凹凸パターン）２ｂを含む。モールド２は、石英などの紫外線を透過させることが可能な材料で構成される。またモールド２はある程度の深さを有するキャビティ空間２ａ（凹部）が形成された形状としてもよい。
【００２０】
モールド保持機構３は、真空吸着力や静電力によってモールド２を保持（固定）するためのモールド保持部である。モールド保持部は、モールド保持機構３を保持して移動させるモールド駆動機構７（駆動機構）を含む。モールド駆動機構７は、モールド保持機構３に保持されたモールド２をＺ方向移動させることができる。さらに、モールド駆動機構７は、モールド２を基板４に対して傾けたり、Ｚ軸回りに回転させたりするための回転機構や、モールド２と基板４の面内方向における相対位置を合わせるためにＸ方向、Ｙ方向へ移動させる駆動機構を備えていてもよい。モールド保持機構３及びモールド駆動機構７は、照明ユニット１からの紫外線が基板４上のインプリント材に照射されるように、中心部（内側）に開口を有する。
【００２１】
また、モールド保持機構３にはモールド２とで囲まれるキャビティ空間２ａを密閉空間とするための光透過部材（例えば、ガラス板）が構成されている。キャビティ空間２ａの圧力は、圧力調整機構９（モールド変形機構）によって制御される。例えば、モールド２をインプリント材に接触させる際に、圧力調整機構９によって、キャビティ空間２ａの圧力を外部の圧力よりも高くして、モールド２のパターン２ｂを基板４に対して凸形状に撓ませる。
【００２２】
基板保持機構５は、基板搬送機構によって搬入された基板４を、真空吸着力や静電力によって保持（固定）するための基板保持部である。基板保持部は、基板保持機構５を保持して駆動する基板ステージ６を含む。基板ステージ６は、基板保持機構５に保持された基板４をＸＹ平面（基板４の面方向）に移動させることができる。基板ステージ６の制御自由度はＸＹ方向に限らない。基板ステージ６は基板４を回転（各軸周りのωｘ、ωｙ、ωｚ）させるための回転機構やＺ方向に移動させる駆動機構を備えていてもよい。各々の自由度は、レーザ干渉計やエンコーダ、静電容量センサ、光学センサ、レーザ変位計などで計測することができる。
【００２３】
検出部８は、モールド２に形成されたモールドアライメントマーク１１と基板４に形成された基板アライメントマーク１２を検出する。検出部８は、モールド保持部に設けてモールド２と基板４に形成されたアライメントマークを直接検出しても良いし、アライメントマークと検出部８の間にレンズなどの光学部材を介して検出しても良い。
【００２４】
制御部１０は、検出部８によって検出されたアライメントマークの結果からアライメントマークのＸ軸及びＹ軸の各方向への位置ずれを計測し、モールド２と基板４の面内方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の相対位置（位置ずれ）を求める。制御部１０は、求めたモールド２と基板４の相対位置に基づいて、モールド２の位置と基板４の位置とが互いに整合するように、基板ステージ６を移動させる（基板ステージ６の位置を調整する）。
【００２５】
なお、モールド２と基板４の相対位置は、基板ステージ６上に構成された基準マークに対するモールドアライメントマーク１１の相対位置、及び、基板アライメントマーク１２の相対位置をそれぞれ測定した結果を用いて相対位置を算出してもよい。また、基板アライメントマーク１２は、基板４のショット領域のそれぞれ配置することでショット領域毎に位置合わせを行うこともできるが、基板４上の少なくても２箇所以上ショット領域に形成された基板アライメントマーク１２の位置を計測しても良い。いわゆるサンプルショット領域に形成されたアライメントマークの計測結果を統計的に処理しても良い。基板の平面および回転方向のずれや、倍率誤差を考慮した座標系として補正するアライメント方式を採用してもよい。
【００２６】
また、制御部１０はモールド２に形成されたモールドアライメントマーク１１の検出結果に基づきパターン２ｂの形状を求めることができる。さらに、制御部１０は基板４に形成された基板アライメントマーク１２の検出結果に基づき基板４に形成されたパターン形状（ショット領域形状）を求めることができる。従って、検出部８はインプリント処理の対象となる基板４のショット領域形状とモールド２に形成されたパターン２ｂの形状との間の整合状態を計測する装置としても機能する。
【００２７】
このように、基板ステージ６は基板４を所望の位置に移動させる基板駆動機構であり、モールド２（パターン２ｂ）に対して基板４のショット領域が位置決めされるように駆動する。そのため基板ステージ６は、リソグラフィ装置として要求されるナノメートルオーダの位置決め精度が求められる。モールド２とインプリント材が接触した状態で、モールド２と基板４をＸＹ面に沿った方向に相対位置を変化させるためには、インプリント材の粘弾性に対応した駆動力が必要となる。この大きさは、モールド２とインプリント材が接触した状態で位置合わせを行う際の基板ステージ６（基板駆動機構）の駆動力である。インプリント材の粘弾性が大きくなるほど位置合わせを行う際に必要となる基板ステージ６の駆動力は大きくなる。位置合わせを行うために基板ステージ６を駆動させる場合について説明したが、位置合わせのためにモールド駆動機構７（モールド保持機構３）を駆動させてもよい。この場合、インプリント材の粘弾性が大きくなるほど位置合わせを行う際にモールド駆動機構７の駆動力は大きくなる。そこで、基板ステージ６に圧力センサ等を備えて、インプリント材の粘弾性により発生する力（せん断力）を測定する。または基板ステージ６に対する駆動量の指令値と実際の駆動量の差に基づいてインプリント材の粘弾性により発生する力を求める。
【００２８】
インプリント材の粘弾性が大きいほど、位置合わせを行うために基板ステージ６を駆動させる駆動力が大きくなる。基板ステージ６を駆動させる駆動力の大きさと位置合わせ誤差との間には相関がみられ、高精度な位置合わせを行うためには、駆動力を小さくする必要がある。
【００２９】
次に図２を用いて本発明のインプリント動作のシーケンスについて説明する。図２は、インプリント動作のシーケンスを示すブロック図である。
【００３０】
Ｓ２０１でインプリント処理が開始する。モールド２は、不図示のモールド搬送機構によってインプリント装置１００内に搬入され、モールド保持機構３によって保持される。基板４は、不図示の基板搬送機構によってインプリント装置１００内に搬入され、基板保持機構５によって保持される。
【００３１】
Ｓ２０２で不図示の塗布機構によって、基板４上のショット領域にインプリント材が供給（塗布）される。インプリント材が供給されたショット領域がモールド２のパターン２ｂの下に配置されるように基板ステージ６が移動する。
【００３２】
Ｓ２０３でキャビティ空間２ａの圧力を外部の圧力よりも高くして、モールド２のパターン２ｂを基板４に対して凸形状に撓ませるようにしてモールド２を変形させる。Ｓ２０３のモールド２の変形は、Ｓ２０２の基板上にインプリント材を供給するのと並行して行うようにしても良い。
【００３３】
Ｓ２０４でモールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材を接触させるためにモールド２と基板４の間隔を狭くする。ここでは、モールド駆動機構７を基板４側に（−Ｚ方向）移動させることでモールド２と基板４の間隔を狭くする。モールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材を接触させる動作は、モールド駆動機構７により、モールド保持機構３（モールド２）を基板側（−Ｚ方向）へ移動させることで行う。Ｓ２０５でモールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材を接触させる。
【００３４】
図３は、第１実施形態のインプリント動作時におけるモールド２のパターン２ｂが基板４上のインプリント材と接触した状態を示す図である。圧力調整機構９によってキャビティ空間２ａの圧力を外部の圧力よりも高くすることで、モールド２のパターン２ｂは基板に対して凸形状に撓む。これにより、モールド２のパターン２ｂは、基板４上のインプリント材に対しパターン２ｂの中心部から接触させることができるため、モールド２のパターン２ｂとインプリント材との間に気体が閉じ込められるのを低減することができる。また、モールド２を撓ませることで、モールド２をインプリント材に接触させてから短い時間でパターン２ｂの凹部にインプリント材を充填させることができる。
【００３５】
Ｓ２０６で凸形状に撓ませたモールド２のパターン２ｂを、キャビティ空間２ａの圧力を下げることにより元の平面状態に戻す（撓みを戻す）。モールド２の撓みを戻す方法は、モールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材とが接触後、接触面積の広がりに合わせてキャビティ空間２ａの圧力を下げることができる。また、キャビティ空間２ａの圧力が高い状態でモールド２を基板４に対して押し付けることにより接触面積を広げた後に、キャビティ空間２ａの圧力を下げてもよい。
【００３６】
Ｓ２０７でモールド駆動機構７によるモールド２の−Ｚ方向への移動が終了し、モールド２のパターン２ｂの凹部にインプリント材の充填が完了する。
【００３７】
Ｓ２０８で照明ユニット１は紫外線をインプリント材に照射し、基板４上のインプリント材を硬化させる。
【００３８】
Ｓ２０９でモールド２のパターン２ｂを基板４上の硬化したインプリント材から離すためにモールド２と基板４の間隔を広くする。ここでは、モールド駆動機構７を＋Ｚ方向に移動させることでモールド２のパターン２ｂと基板４上の硬化したインプリント材から引き離す（離型）。モールド２を硬化したインプリント材から引き離した後、他にパターンを形成するショット領域が存在する場合には、Ｓ２０２に戻ってパターンを形成するショット領域にインプリント材の供給を行う。ショット領域ごとに一連のインプリント動作を繰り返し行うことで、基板４上の複数のショット領域にインプリント材のパターンを形成することができる。
【００３９】
Ｓ２１０でインプリント処理が終了する。基板４上のショット領域にパターンが形成され、次にパターンを形成するショット領域が無い場合、基板４は、不図示の基板搬送機構によって基板保持機構５からインプリント装置１００外に搬入される。また、モールド２を交換する場合、不図示のモールド搬送機構によってモールド保持機構３からインプリント装置１００外に搬出される。
【００４０】
インプリント動作時は、モールド２に形成されたモールドアライメントマーク１１と基板４に形成された基板アライメントマーク１２を検出部８によって検出し、モールド２と基板４との相対位置を求める。求めた相対位置の情報を基に基板ステージ６を移動させることで、ＸＹ平面上（基板４の面内）の位置合わせを行う。位置合わせを行うための駆動力が大きくなるとモールド２のパターン２ｂに力が加わりパターン２ｂの形状が変化したり、位置合わせの精度が低下したりする恐れがある。
【００４１】
そこで本発明のインプリント装置１００は、Ｓ２１１で基板ステージ６に発生するＸＹ平面に対する駆動力（またはせん断力）の計測を行う。Ｓ２１１は、モールド２のパターン２ｂが基板４上のインプリント材に接触してからパターン２ｂが硬化したインプリント材から離れるまでの間、基板ステージ６に発生するＸＹ平面に対する駆動力（またはせん断力）の計測を行う。
【００４２】
そして計測した基板ステージ６の駆動力の値を基に、Ｓ２１２でＸＹ平面に対する駆動力が小さくなるような速度および位置を算出し、基板ステージ６を制御する。
【００４３】
このとき、駆動力が小さくなるように基板ステージ６を制御しているため、検出部８でモールドアライメントマーク１１と基板アライメントマーク１２を検出することによって行われる、モールド２と基板４の位置合わせがずれる恐れがある。そこで、駆動力を小さくするための基板ステージ６の移動量δＳを予め求めておき、モールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材が接触する前に、基板ステージ６をδＳ分だけオフセットさせておくことができる。つまり、駆動力を小さくするための基板ステージ６の移動方向とは反対方向に、基板ステージ６をδＳ分だけ変化させておく。これにより、パターン２とインプリント材が接触した後に、駆動力が小さくなるように基板ステージ６を移動させた場合であっても、基板ステージ６の移動後のモールド２と基板４の位置合わせが行いやすくなる。
【００４４】
予め求める基板ステージ６の移動量δＳは、基板とインプリント材の間に供給される密着層の材質、モールド２の材質、モールド２に形成されたパターン配列から決定してもよい。また基板ステージ６の移動量δＳは、インプリント材の粘度、供給量、塗布パターン、などから決定してもよい。このように基板ステージ６の移動量δＳは、モールド２と基板４の相対的な位置を変化させるために必要な駆動力に影響を与える恐れがあるものに基づいて求めることができる。
【００４５】
本実施形態では、駆動力を小さくする方法として基板ステージ６を移動させている。しかし、モールド２と基板４のＸＹ方向の相対位置を変化させることにより駆動力を小さくすることができるため、モールド２を移動させるモールド駆動機構７をＸＹ方向に移動させてもよい。また、基板ステージ６とモールド駆動機構７を同時または、順次移動させてもよい。
【００４６】
上述の駆動力の計測（Ｓ２１１）、及び基板ステージ６の制御（Ｓ２１２）は、インプリント動作を行っている間、常時行っていることが望ましいが断続的に行ってもよい。また、基板ステージ６の移動中は、一時的にモールド駆動機構７のＺ方向の駆動を停止してもよい。
【００４７】
このように、駆動力が小さくなるようにモールド２と基板４の相対位置を変化させることで、駆動力の上昇を抑えることができる。そして、駆動力の上昇を抑えることで位置合わせの精度の低下を防ぐことができる。
【００４８】
（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について説明する。
【００４９】
図４は、基板４に対するインプリント位置（ショット領域）の一例を示した図である。矩形で囲まれた位置がインプリント位置を示している。矩形で示したインプリント位置のうち、基板４の外周（エッジ）を含む領域は周辺ショットＰＳと呼ばれることがある。周辺ショットＰＳには、モールド２に形成されたパターン２ｂの一部が転写される。
【００５０】
図５は周辺ショットＰＳにパターンを形成する際の、モールド２と基板４の位置関係を示した図である。図５は、基板面（モールド面）に垂直な方向（Ｚ方向）からモールド２と基板４を見た状態を示している。
【００５１】
図６は周辺ショットＰＳにパターンを形成する際の、モールド２と基板４の状態を示す図である。図６は、モールド２及び基板４を側面（例えばＹ方向）から見た状態を示している。
【００５２】
本発明の第２実施形態は、図４に示す周辺ショットＰＳにパターンを形成する際（インプリント動作時）の説明であり、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。
【００５３】
基板４の外周を含む周辺部に配置された周辺ショットＰＳにパターンを形成する場合、図５に示すように、モールド２のパターン２ｂは基板４に対して一部しか重ならない。そのため、モールド２のパターン２ｂの中心１３と、基板４上にパターンが形成されるパターン形成領域１４（周辺ショットＰＳの領域）の図心１５の位置がずれる。図４に示したインプリント位置のうち、周辺ショットＰＳを除くインプリント位置（ここでは中心ショットと呼ぶ）にパターンを形成する場合は、パターン２ｂの中心１３とパターン形成領域１４の図心１５の位置はずれない。パターン２ｂの中心とパターン形成領域１４の図心１５の位置がずれていると、中心ショットにパターンを形成する場合と同じようにパターンを形成しようとすると、モールド２が基板４の外周に接触する恐れがある。また、パターン２ｂの中心とパターン形成領域１４の図心１５の位置がずれていると、パターン２ｂにインプリント材が充填するのに時間を要する恐れがある。モールド２をパターン形成領域１４上のインプリント材に接触させる場合、パターン形成領域１４の図心１５から周囲に広がるように接触させるのが望ましい。こうすることで、モールド２と基板４のエッジに接触することを防ぎ、パターン２ｂにインプリント材を充填させる時間を短くすることができる。
【００５４】
そのため、周辺ショット領域ＰＳにパターンを形成する場合には、図６に示されるように基板４の表面に対してモールド２のパターンが形成された面を相対的に傾けた状態から、インプリント動作を開始する。ここで、基板４に対するモールド２の傾斜角度θは、モールド２のパターン２ｂの中心１３とパターン形成領域１４の図心１５とのＸＹ平面の位置関係（オフセット量）に基づいて調整される。図６では、Ｚ方向に対するモールド２のパターン２ｂに垂直な方向の角度を傾斜角度θとして示している。このようにパターン２ｂとパターン形成領域１４に基づいて傾斜角度θを調整することで、図６に示すようにパターン２ｂと周辺ショットＰＳ上のインプリント材との接触開始位置が、パターン形成領域１４の図心１５と合わせることができる。
【００５５】
モールド２を基板４に対して傾ける方法としては、Ｚ方向に駆動するモールド駆動機構７を少なくとも３つ以上構成し、それぞれ駆動機構の移動量を変えることでモールド２を傾ける方法がある。また、モールド駆動機構７とは別に、モールド２を傾けるための駆動機構を構成してもよい。また、モールド２と基板４が相対的に傾いていればよいので、基板４を傾けても良く、モールド２と基板４の双方を傾けても良い。
【００５６】
図６（ａ）に示すように傾けたモールド２は、インプリント動作時に、パターン２ｂと基板４上のインプリント材が接触後に、モールド駆動機構７もしくは別途構成されるモールドを傾けるための駆動機構を駆動させてモールドの傾きを水平位置（ＸＹ面）に戻す。
【００５７】
インプリント動作中は、第１実施形態と同様に基板ステージ６に発生するＸＹ平面に対する駆動力（またはせん断力）の計測を行う。モールド２のパターン２ｂが基板４上のインプリント材に接触してからパターン２ｂが硬化したインプリント材から離れるまでの間、基板ステージ６に発生するＸＹ平面に対する駆動力（またはせん断力）の計測を行う。また第２実施形態では、モールドの傾きをＸＹ面に戻す間に基板ステージ６に発生するＸＹ面に対する駆動力の計測を行う。そして計測した基板ステージ６の駆動力の値を基に、制御部１０はＸＹ平面に対する駆動力が小さくなるような速度および位置を算出し、基板ステージ６を制御する。
【００５８】
このとき、基板ステージ６の駆動力が小さくなるように基板ステージ６の移動量δＳを予め求めておき、モールド２のパターン２ｂと基板４上のインプリント材が接触する前に、基板ステージ６をδＳ分だけオフセットさせておくことができる。これにより、パターン２とインプリント材が接触した後に、モールド２の傾きを戻すように移動させた場合であっても、基板ステージ６の移動後のモールド２と基板４の位置合わせが行いやすくなる。
【００５９】
さらに第２実施形態の場合、モールド２を傾斜させる回転中心１６がパターン２ｂ上にないことから、パターン２ｂと基板４上のインプリント材の接触開始時のパターン２ｂのＸＹ位置は、Ｓ１分だけシフトする。そのため、インプリント動作開始前に、モールド２と基板４のＸＹ平面上の位置を、Ｓ１分も予めオフセットする必要がある。つまり、パターン２ｂと基板４上のインプリント材が接触する前に、予め基板ステージ６をオフセットする量は、δＳ＋Ｓ１となる。Ｓ１の量は、傾斜角度θおよびモールド２の傾斜の回転中心１６からパターン２ｂの中心１３までの距離を用いることで算出できる。
【００６０】
第１実施形態と同様に、予め求める基板ステージ６の移動量δＳは、基板とインプリント材の間に供給される密着層の材質、モールド２の材質、モールド２に形成されたパターン配列から決定してもよい。また基板ステージ６の移動量δＳは、インプリント材の粘度、供給量、塗布パターン、などから決定してもよい。このように基板ステージ６の移動量δＳは、モールド２と基板４の相対的な位置を変化させるために必要な駆動力に影響を与える恐れがあるものに基づいて求めることができる。
【００６１】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１００  インプリント装置
３  モールド保持機構
５  基板保持機構
６  基板ステージ
７  モールド駆動機構
１０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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