(57)【要約】【課題】ダイパッドと一体化された所定リードに対し、ダイパッド側から見て、より近い位置にボンド点を設定することができるリードフレームを提供する。【解決手段】半導体素子を搭載するためのダイパッド１と、ダイパッド１の周囲に配置される複数のリード２と、を備え、複数のリード２のうち少なくとも一つの所定リード２がダイパッド１と一体化された構造を有するリードフレームであって、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分にリードフレームの厚み寸法よりも小さい高さ寸法で剪断面９ａ，９ｂが形成され、剪断面９ａ，９ｂの高さ寸法に応じてダイパッド１と所定リード２との間に段差Ｄ１，Ｄ２が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するためのダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置される複数のリードと、を備え、
前記複数のリードのうち少なくとも一つの所定リードが前記ダイパッドと一体化された構造を有するリードフレームであって、
前記ダイパッドに対する前記所定リードの接続部分に前記リードフレームの厚み寸法よりも小さい高さ寸法で剪断面が形成され、前記剪断面の高さ寸法に応じて前記ダイパッドと前記所定リードとの間に段差が設けられている
リードフレーム。
【請求項２】
前記剪断面は、前記ダイパッドと前記所定リードとの境界部に形成されている
請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ダイパッドに対する前記所定リードの接続部分に、前記所定リードの長さ方向に位置をずらして前記剪断面が複数形成され、前記複数の剪断面によって前記ダイパッドと前記所定リードとの間に複数の段差が設けられている
請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記複数の段差が互いに等しい寸法で設けられている
請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記複数の段差が互いに異なる寸法で設けられている
請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項６】
半導体チップを搭載するためのダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置される複数のリードと、を備え、
前記複数のリードのうち少なくとも一つの所定リードが前記ダイパッドと一体化された構造を有するリードフレームの製造方法であって、
前記ダイパッドに対する前記所定リードの接続部分に半抜き加工によって剪断面を形成する工程を有する
リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、およびリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に用いられるリードフレームは、図６に示すように、ダイパッド１と複数のリード２とを備えている。ダイパッド１には半導体素子（半導体チップ）３，４が搭載されている。複数のリード２はタイバー５によって相互につながっている。各々のリード２は、リード長さ方向でインナーリード６とアウターリード７に分かれている。タイバー５は、最終的に複数のリード２を分離するために、所定の段階でリード２から切り離される。
【０００３】
半導体素子３とこれに対応するリード２は、金属製のワイヤ８を用いたワイヤボンディングによって電気的に接続されている。ワイヤボンディングでは、ワイヤ８の一端が半導体素子３の上面（電極パッド）に接続され、ワイヤ８の他端がインナーリード６の上面に接続される。その際、半導体素子３の上面の高さ位置とインナーリード６の上面の高さ位置との高低差を小さくするために、インナーリード６が所定の形状に曲げられている。同様に、半導体素子４とこれに対応するリード２は、ワイヤ８によって電気的に接続されている。また、半導体素子４上の一部の電極パッドにリード２を直接接続することも可能である。上記高低差を小さくする目的でリード２を曲げる技術は、たとえば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２９１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、多くのリードフレームでは、ダイパッドとリードが物理的に分離した構造になっている。ただし、特定の目的のために、たとえば図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、ダイパッド１の周囲に配置された複数のリード２のうち、いずれかのリード２をダイパッド１と一体化した構造を採用する場合がある。その場合、ダイパッド１とリード２とが同じ高さに配置されていると、たとえば、ダイパッド１に半導体素子３を搭載してワイヤボンディングを行う場合に、第１ボンド点と第２ボンド点との高低差（以下、「ワイヤボンディング高低差」ともいう。）が大きくなってしまう。
【０００６】
そこで、ワイヤボンディング高低差を小さくするために、ダイパッド１と一体化したリード２を曲げ加工により斜めに折り曲げている。ちなみに、ボンド点とは、ワイヤ端が接続される箇所をいい、第１ボンド点とは、２点間にワイヤを掛け渡して接続する場合に、先にワイヤ端が接続される側のボンド点をいい、第２ボンド点とは、後にワイヤ端が接続される側のボンド点をいう。
【０００７】
しかしながら、上述のようにリード２に曲げ加工を施すと、曲げ加工によって傾斜させたリード２の傾斜部分２ｓを避けて、リード２にボンド点を設定する必要がある。このため、第1ボンド点と第２ボンド点間の距離（以下、「ワイヤボンディング距離」）が長くなってしまう。
【０００８】
本発明の主な目的は、ダイパッドと一体化された所定リードに対し、ダイパッド側から見て、より近い位置にボンド点を設定することができるリードフレーム、およびリードフレームの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（第１の態様）
本発明の第１の態様は、
半導体素子を搭載するためのダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置される複数のリードと、を備え、
前記複数のリードのうち少なくとも一つの所定リードが前記ダイパッドと一体化された構造を有するリードフレームであって、
前記ダイパッドに対する前記所定リードの接続部分に前記リードフレームの厚み寸法よりも小さい高さ寸法で剪断面が形成され、前記剪断面の高さ寸法に応じて前記ダイパッドと前記所定リードとの間に段差が設けられている
リードフレームである。
（第２の態様）
本発明の第２の態様は、
半導体チップを搭載するためのダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置される複数のリードと、を備え、
前記複数のリードのうち少なくとも一つの所定リードが前記ダイパッドと一体化された構造を有するリードフレームの製造方法であって、
前記ダイパッドに対する前記所定リードの接続部分に半抜き加工によって剪断面を形成する工程を有する
リードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ダイパッドと一体化された所定リードに対し、ダイパッド側から見て、より近い位置にボンド点を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリードフレームの構成を示すもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ１−Ｙ１断面図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ２−Ｙ２断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るリードフレームの構成を示すもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ３−Ｙ３断面図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２実施形態に係るリードフレームの製造方法を説明する図である。
【図６】半導体装置の製造に用いられるリードフレームの概要を説明する図である。
【図７】ダイパッドと一体化したリードを曲げ加工した例を示すもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ４−Ｙ４断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
（リードフレームの構成）
図１は本発明の第１実施形態に係るリードフレームの構成を示すもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ１−Ｙ１断面図である。
図１においては、ダイパッド１の周囲に３つのリード２が配置されている。３つのリード２のうち、両側２つのリード２は、ダイパッド１と分離した構造になっており、中央のリード２は、ダイパッド１と一体化された構造になっている。ダイパッド１に対してリード２が分離した構造とは、ダイパッド１の外縁部からリード２の先端部が離れている構造をいい、ダイパッド１に対してリード２が一体化された構造とは、ダイパッド１の外縁部にリード２の先端部が一体につながっている構造をいう。
【００１４】
本発明の実施形態では、ダイパッド１と一体化されたリード２を、他のリード２と区別するために、「所定リード２」という。１つのダイパッド１につき所定リード２の本数は１本でも複数本でもかまわない。
【００１５】
ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分には、上下に対をなして剪断面９ａ，９ｂが形成されている。剪断面９ａ，９ｂは、ダイパッド１と所定リード２の境界部に位置している。剪断面９ａ，９ｂは、後述する半抜き加工によって上記所定リード２の接続部分に形成される面である。このため、剪断面９ａ，９ｂは、それぞれリードフレームの厚み方向Ｚに筋（縦筋）の入った面となる。
【００１６】
剪断面９ａ，９ｂは、リードフレームの厚み方向Ｚに沿って起立する状態に形成されている。剪断面９ａの高さ寸法と剪断面９ｂの高さ寸法は、ほぼ同じ寸法になっている。また、剪断面９ａ，９ｂの高さ寸法は、ダイパッド１およびリード２を含むリードフレーム素材の厚み寸法Ｔを１００％とすると、それよりも小さい寸法範囲内で次のように設定することが好ましい。すなわち、剪断面９ａ，９ｂの高さ寸法は、ダイパッド１に搭載される半導体素子の厚みを考慮すると、リードフレームの厚み寸法Ｔの３０％以上６０％以下に設定することが好ましい。
【００１７】
本発明の実施形態においては、リードフレームの厚み方向Ｚのうち、ダイパッド１に対して半導体素子の搭載が予定されている方向を上方向、それと反対方向を下方向とする。そうした場合、剪断面９ａはリードフレームの上面側に配置され、剪断面９ｂはリードフレームの下面側に配置されている。また、所定リード２の上面２ａと剪断面９ａとは、互いに略直角をなす向きに配置されている。同様に、所定リード２の下面２ｂと剪断面９ｂとは、互いに略直角をなす向きに配置されている。ここで記述する「略直角」とは、好ましくは９０±５°の角度範囲、より好ましくは９０±３°の角度範囲をいう。
【００１８】
また、所定リード２の長さ方向（以下、「リード長さ方向」という。）Ｘにおいては、剪断面９ａと剪断面９ｂがほぼ同じ位置に形成されている。ここで記述する「ほぼ同じ位置」とは、半抜き加工で許容される限度において、リード長さ方向Ｘにおける剪断面９ａと剪断面９ｂの位置ズレが極力小さくなる範囲、好ましくは上記位置ズレが０．０４ｍｍ以内、より好ましくは上記位置ズレが０．０２ｍｍ以内をいう。
【００１９】
一方、リードフレームの厚み方向Ｚにおいては、剪断面９ａ，９ｂの高さ寸法に応じて、ダイパッド１と所定リード２との間に段差Ｄ１，Ｄ２が設けられている。段差Ｄ１は、剪断面９ａの高さ寸法に応じて、ダイパッド１の上面１ａと所定リード２の上面２ａとの間に形成される段差であって、この段差の寸法は剪断面９ａの高さ寸法と同じである。段差Ｄ２は、剪断面９ｂの高さ寸法に応じて、ダイパッド１の下面１ｂと所定リード２の下面２ｂとの間に形成される段差であって、この段差の寸法は剪断面９ｂの高さ寸法と同じである。これらの段差Ｄ１，Ｄ２は、ダイパッド１に搭載される半導体素子３，４とこれに対応するリード２とをワイヤボンディングによって接続する場合のワイヤボンディング高低差を小さくするために設けられるものである。段差Ｄ１，Ｄ２は、互いに等しい寸法で設けられている。
【００２０】
（リードフレームの製造方法）
次に、本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。
リードフレームは、リードフレーム素材を加工して製造する。リードフレーム素材としては、たとえば銅または銅系合金、あるいは鉄系合金などからなる金属板が用いられる。リードフレーム素材の厚み寸法Ｔ（図１参照）は、あまり小さすぎると半抜き加工で形成可能な段差の寸法が小さくなるため、好ましくは０．２０ｍｍ以上の金属板を用いるとよい。リードフレーム素材は、たとえば、帯状の金属板をコイルに巻いた、いわゆる金属条の形態で提供される。
【００２１】
リードフレームの製造工程には、リードフレーム素材にプレス加工を施すプレス加工工程が含まれる。プレス加工工程は、たとえば順送プレス加工法によって行うことが可能である。順送プレス加工法では、リードフレーム素材を一方向に順に搬送しながら、その搬送方向に並ぶ複数のプレス加工ステージによりリードフレーム素材に複数回のプレス加工を行う。これにより、リードフレーム素材に所望のリードフレームパターンを形成することができる。順送プレス加工法を適用したプレス加工工程には、複数のリードからなるリードパターンやダイパッドその他のパターンを形成するための打ち抜き加工が含まれる。また、プレス加工工程には、ダイパッドに対する所定リードの接続部分に半抜き加工を施す工程（以下、「半抜き加工工程」という。）が含まれる。
【００２２】
（半抜き加工工程）
半抜き加工加工では、図２（Ａ）に示すように、半抜き加工用のプレス金型として、パンチ１１とダイ１２を用いる。パンチ１１は昇降可能（上下方向に移動可能）に支持されている。パンチ１１には刃側面１１ａが形成され、これに対応してダイ１２にも刃側面１２ａが形成されている。半抜き加工に際しては、たとえば、パンチ１１を上側、ダイ１２を下側に配置する。また、ダイ１２の上にリードフレームの所定リード２部分を位置決めして載置する。このとき、パンチ１１の刃側面１１ａとダイ１２の刃側面１２ａを、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分、好ましくはダイパッド１と所定リード２との境界部に配置する。そして、その状態でパンチ１１を下降させる。
【００２３】
そうすると、パンチ１１が下降の途中でダイパッド１に接触する。これにより、パンチ１１とダイ１２との間に剪断力が発生する。また、パンチ１１は、ダイパッド１に接触してから所定量だけ下降したところで停止する。これにより、図２（Ｂ）に示すように、リードフレームの上面側には、パンチ１１の刃側面１１ａに剪断されて剪断面９ａが形成され、リードフレームの下面側には、ダイ１２の刃側面１２ａに剪断されて剪断面９ｂが形成される。その際、剪断面９ａにはパンチ１１との擦れによって縦筋が入り、剪断面９ｂにはダイ１２との擦れによって縦筋が入る。
【００２４】
このように、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分にパンチ１１とダイ１２を用いて半抜き加工を施すことにより、リードフレームの厚み方向Ｚに沿う剪断面９ａ，９ｂが、所定リード２の接続部分に形成される。また、ダイパッド１と所定リード２との間には、剪断面９ａ，９ｂの高さ寸法に応じて段差Ｄ１，Ｄ２（図１を参照）が設けられる。以上で、ダイパッド１と所定リード２とが一体化された構造のリードフレームが得られる。
【００２５】
（半導体装置の製造工程）
次に、本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の製造方法について、図３（Ａ），（Ｂ）を用いて説明する。
まず、ワイヤボンディングに先立って、リードフレームのダイパッド１に半導体素子３を搭載する。その際、半導体素子３の裏面を導電性ペースト等を用いてダイパッド１の上面１ａに固定する。これにより、ダイパッド１に対して半導体素子３が電気的かつ機械的に接続される。
【００２６】
次に、半導体素子３とこれに対応するリード２をワイヤボンディングによって接続する。ワイヤボンディングは、リール状に巻かれたリードフレームを対象に行ってもよいし、短冊状に切り出されたリードフレームを対象に行ってもよい。ワイヤの材料としては、たとえば、金、銀、アルミニウム、銅などを用いることができる。また、ワイヤボンディングは、キャピラリを用いて行ってもよいし、ウェッジツールを用いて行ってもよい。本実施形態では、一例として、ウェッジツールを用いることとする。その場合のワイヤボンディングの手順を以下に記述する。
【００２７】
まず、ウェッジツールの先端（下端）に所定量だけワイヤ８の一端を突出させる。次に、第１ボンド点となるリード２の上面２ａに向けてウェッジツールを下降させることにより、ワイヤ８の一端をウェッジツールの先端でリード２の上面２ａに押し付ける。このとき、ウェッジツールを通してワイヤ８に熱、超音波、圧力を加える。これにより、ワイヤ８の一端がリード２に接続（圧着）された状態となる。
【００２８】
次に、ワイヤ８を引き出しながらウェッジツールを上昇させた後、第２ボンド点となる半導体素子３の電極パッドに向けてウェッジツールを移動させる。次いで、ウェッジツールが第２ボンド点に到達したら、ウェッジツールの先端でワイヤ８を半導体素子３の電極パッド（不図示）に押し付ける。このとき、ウェッジツールを通してワイヤ８に熱、超音波、圧力を加え、その後、ウェッジツールを上昇させる。これにより、ワイヤ８の他端がリード２に接続（圧着）された状態となる。
【００２９】
以上の手順を、半導体素子３と他のリード２についても同様に行うことにより、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、各々のリード２をワイヤ８によって半導体素子３に接続することができる。また、所定リード２をダイパッド１に一体的に接続した構造を採用すれば、所定リード２を半導体素子３の裏面と同じ電位（たとえば、グラウンド電位）に保つことができる。
【００３０】
（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態によれば、以下に記述する１つまたは複数の効果が得られる。
【００３１】
（１）本第１実施形態においては、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分に剪断面９ａ，９ｂを形成し、この剪断面９ａ，９ｂによってダイパッド１と所定リード２との間に段差Ｄ１，Ｄ２を設けた構成を採用している。このため、ダイパッド１に曲げ加工によって所定リード２を形成する場合（図７を参照）に比べて、所定リード２のボンド点をダイパッド１側に寄せて設定することができる。これにより、ダイパッド１上に半導体素子３を搭載し、この半導体素子３と所定リード２とをワイヤ８で接続する場合に、ワイヤボンディング距離を短くすることができる。このため、リードフレームを用いて製造される半導体装置の外形寸法を小さくすることができる。また、ワイヤボンディングのためのツールの移動距離が短くなるため、ワイヤボンディングを効率よく行うことができる。また、ワイヤボンディングで必要になるワイヤ８の長さが短くなるため、ワイヤ消費量を削減することができる。また、半導体装置の外形寸法を変えることなく、ダイパッド１を大型化して素子搭載領域を広げることも可能となる。
【００３２】
（２）本第１実施形態においては、ダイパッド１と所定リード２との境界部に剪断面９ａ，９ｂが形成された構成を採用している。このため、ダイパッド１に対して、より近い位置に所定リード２のボンド点を設定することができる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図４は本発明の第２実施形態に係るリードフレームの構成を示すもので、（Ａ）はその部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＹ３−Ｙ３断面図である。
図４においては、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分に、リード長さ方向Ｘに位置をずらして複数の剪断面９ａ，９ｂおよび１０ａ，１０ｂが形成されている。すなわち、剪断面９ａ，９ｂは、ダイパッド１と所定リード２との境界部に形成され、剪断面１０ａ，１０ｂは、上記境界部よりも少し所定リード２側に入り込んだ位置に形成されている。また、リード長さ方向Ｘにおいて、剪断面９ａと剪断面１０ａとの間には階段面１４ａが形成され、剪断面９ｂと剪断面１０ｂとの間には階段面１４ｂが形成されている。階段面１４ａ，１４ｂは、所定リード２の上面２ａと平行に配置されている。これにより、リードフレームの上面側には、剪断面９ａ，１０ａと階段面１４ａによって２つの段差Ｄ１，Ｄ３が階段状に設けられ、リードフレームの下面側にも、剪断面９ｂ，１０ｂと階段面１４ｂによって２つの段差Ｄ２，Ｄ４が階段状に設けられている。段差Ｄ１，Ｄ２と段差Ｄ３，Ｄ４は、互いに同じ寸法になっている。
【００３４】
本発明の第２実施形態に係るリードフレームを製造する場合は、半抜き加工工程で２回の半抜き加工を行う。その様子を図５（Ａ），（Ｂ）を用いて説明する。
まず、図５（Ａ）に示すように、パンチ１１−１とダイ１２−１を用いた半抜き加工により、ダイパッド１と所定リード２の境界部に剪断面９ａ，９ｂを形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、パンチ１１−２とダイ１２−２を用いた半抜き加工により、先ほどよりも少し所定リード２側に入り込んだ位置に剪断面１０ａ，１０ｂを形成する。これにより、上記図４に示すように、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分に剪断面９ａ，９ｂによって段差Ｄ１，Ｄ３を形成し、かつ、剪断面１０ａ，１０ｂによって段差Ｄ２，Ｄ４を形成することができる。
【００３５】
本発明の第２実施形態によれば、上記第１実施形態で記述した（１）の効果に加えて、次のような効果が得られる。
すなわち、本第２実施形態においては、ダイパッド１に対する所定リード２の接続部分に、リード長さ方向Ｘに位置をずらして複数の剪断面９ａ，９ｂおよび１０ａ，１０ｂが形成された構成を採用している。このため、ダイパッド１と所定リード２との間に、より大きな段差Ｄ１，Ｄ３およびＤ２，Ｄ４を設けることができる。
【００３６】
＜変形例等＞
本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００３７】
たとえば、上記第１実施形態においては、ダイパッド１とリード２との境界部に剪断面９ａ，９ｂを形成したが、これに限らず、ダイパッド１とリード２との境界部よりも少しリード２側に入り込んだ位置に剪断面９ａ，９ｂを形成してもよい。
【００３８】
また、上記第１実施形態においては、ワイヤボンディングの方式として、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングを例に挙げて説明したが、これに限らず、キャピラリを用いたボールボンディングを採用してもよい。
【００３９】
また、上記第１実施形態においては、ワイヤボンディングの第１ボンド点をリード２に設定し、かつ、第２ボンド点を半導体素子３に設定したが、これに限らず、第１ボンド点を半導体素子３に設定し、第２ボンド点をリード２に設定してもよい。
【００４０】
また、上記第２実施形態においては、剪断面９ａ，９ｂを形成した後に、剪断面１０ａ，１０ｂを形成したが、これと逆に、剪断面１０ａ，１０ｂを形成した後に、剪断面９ａ，９ｂを形成してもよい。
【００４１】
また、上記第２実施形態においては、リードフレームの上面側と下面側に、それぞれ２つずつ剪断面９ａ，１０ａおよび剪断面９ｂ，１０ｂを形成することにより、２段の段差Ｄ１，Ｄ３および段差Ｄ２，Ｄ４を設けるようにしたが、これに限らず、剪断面の数を増やして３段以上の段差を設けてもよい。
【００４２】
また、上記第２実施形態においては、段差Ｄ１，Ｄ２と段差Ｄ３，Ｄ４を互いに同じ寸法（Ｄ１≒Ｄ３、Ｄ２≒Ｄ４）としたが、これに限らず、段差Ｄ１，Ｄ２と段差Ｄ３，Ｄ４を互いに異なる寸法（Ｄ１≠Ｄ３、Ｄ２≠Ｄ４）としてもよい。さらに、その場合は、段差Ｄ１と段差Ｄ３を寸法関係を「Ｄ１＜Ｄ３」とし、段差Ｄ２と段差Ｄ４の寸法関係を「Ｄ２＜Ｄ４」とすることにより、たとえば、次のような効果が期待できる。すなわち、ダイパッド１と所定リード２の境界部では、段差Ｄ１，Ｄ２の寸法が相対的に小さくなることで機械的強度が大きく確保される。このため、２回の半抜き加工により、剪断面９ａ，９ｂを形成した後に、剪断面１０ａ，１０ｂを形成する場合に、後の半抜き加工時にダイパッド１と所定リード２の境界部に変形等が生じにくくなる。
【符号の説明】
【００４３】
１…ダイパッド
２…リード
３，４…半導体素子
８…ワイヤ
９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ…剪断面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2017195313.tif 000007
【図６】
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【図７】
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