(57)【要約】【課題】光導波路に対する電極の位置精度が高い光変調器を効率よく製造可能な光変調器の製造方法、光導波路に対する電極の位置精度が高い光変調器、および、前記光変調器を備える画像表示装置を提供すること。【解決手段】変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの製造方法は、基板３０１の上面に絶縁層を形成する工程Ｓ１と、絶縁層をパターニングして第１の層８１を得る工程Ｓ２と、第１の層８１をマスクとして、基板３０１にプロトン交換処理を施し、光導波路３０２を形成する工程Ｓ３と、第１の層８１の上面に第２の層８２を形成する工程Ｓ４と、第２の層８２の上面に第３の層８３を形成する工程Ｓ５と、第３の層８３の上面に導電層３０３０を形成する工程Ｓ６と、第１の層８１に含まれるアライメントパターン８１１を基準にして導電層３０３０をパターニングし、電極３０３を得る工程Ｓ７と、を有する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板の一方の面に、水素を遮断し、絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層をパターニングし、第１の層を得る工程と、
前記第１の層をマスクとして、前記基板にプロトン交換処理を施し、前記基板に光導波路を形成する工程と、
前記第１の層の前記基板側とは反対側に、絶縁性を有する第２の層を形成する工程と、
前記第２の層の前記基板側とは反対側に、導電性を有する導電層を形成する工程と、
前記第１の層に含まれるパターンを基準にして、前記導電層をパターニングし、電極を得る工程と、
を有することを特徴とする光変調器の製造方法。
【請求項２】
前記第１の層の構成材料は、酸化アルミニウムを含む請求項１に記載の光変調器の製造方法。
【請求項３】
前記第１の層の平均厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の光変調器の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層の前記パターニングは、ウエットエッチング法により行う請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項５】
前記基板の一方の面を平面視したとき、前記第１の層の一部がはみ出すように、前記導電層を形成し、
前記パターンとして、前記第１の層の一部を用いる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記第２の層を形成する工程と前記導電層を形成する工程との間に設けられ、前記第２の層と前記導電層との間に、前記第２の層とは構成材料が異なる第３の層を形成する工程を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光変調器の製造方法。
【請求項７】
電気光学効果を有し、光導波路が形成されている基板と、
前記基板の一方の面側に設けられ、水素を遮断し、絶縁性を有する第１の層と、
前記第１の層の前記基板側とは反対側に設けられ、絶縁性を有する第２の層と、
前記第２の層の前記基板側とは反対側に設けられ、前記光導波路に電界を印加する電極と、
を備えることを特徴とする光変調器。
【請求項８】
前記第１の層の平面視形状は、前記光導波路の平面視形状に対応している請求項７に記載の光変調器。
【請求項９】
前記第１の層の構成材料は、酸化アルミニウムを含む請求項７または８に記載の光変調器。
【請求項１０】
光源部から射出された光が入射される請求項７ないし９のいずれか１項に記載の光変調器と、
前記光変調器によって変調された光を空間的に走査する光スキャナーと、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
さらに、ホログラム回折格子を含み、前記光スキャナーによって走査された光を反射する反射光学部を備える請求項１０に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調器の製造方法、光変調器および画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光の強度を変調する外部変調器としてマッハツェンダー型の光変調器が知られている。
マッハツェンダー型の光変調器は、電気光学効果を有する材料で構成された光導波路を含んでいる。この光導波路は、入力光を導波する部分と、入力光を２つの変調部に分岐させる分岐部と、分岐された光を合流させる合流部と、合流した光を出力する部分と、を含んでいる。そして、２つの変調部を導波する光の位相差を変化させることにより、出力光の強度を制御することができる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）の基板と、この基板の表面に形成されたマッハツェンダー型の光導波路と、光導波路に沿って基板の表面に形成された電極と、を備える光変調器が開示されている。
【０００４】
このような光変調器は、次のようにして形成されている。
まず、ＬＮ基板にＴｉ膜を蒸着する。次いで、Ｔｉ膜上にフォトレジストを塗布した後、パターニングし、さらに、それをマスクとしてＴｉ膜をパターニングする。
【０００５】
次いで、Ｔｉを拡散させてＬＮ基板の表面に光導波路を形成する。また、プロトン交換法により、ＬＮ基板の表面に光導波路を形成してもよい。
その後、ＬＮ基板の表面上に、バッファー層およびＳｉ膜を順次成膜する。
【０００６】
次いで、Ｓｉ膜上にＡｕを蒸着した後、パターニングし、電極を形成する。
以上のようにして光変調器が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１７２０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１に記載されている光導波路の形成方法では、Ｔｉ膜をＬＮ基板に拡散して光導波路を形成するか、あるいは、Ｔｉ膜を利用してプロトン交換法により光導波路を形成した後、Ｔｉ膜を除去している。このため、ＬＮ基板上からＴｉ膜を消失させた後、電極を形成している。この電極は、光導波路の位置に合わせて形成する必要がある。
【０００９】
しかしながら、電極を形成する際、光導波路の位置を直接視認することは難しい。このため、光導波路の位置と電極の位置とを高精度に合わせることが難しいという課題を抱えている。光導波路と電極の位置精度が低い場合、光変調効率が低下する。
【００１０】
本発明の目的は、光導波路に対する電極の位置精度が高い光変調器を効率よく製造可能な光変調器の製造方法、光導波路に対する電極の位置精度が高い光変調器、および、前記光変調器を備える画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光変調器の製造方法は、電気光学効果を有する基板の一方の面に、水素を遮断し、絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層をパターニングし、第１の層を得る工程と、
前記第１の層をマスクとして、前記基板にプロトン交換処理を施し、前記基板に光導波路を形成する工程と、
前記第１の層の前記基板側とは反対側に、絶縁性を有する第２の層を形成する工程と、
前記第２の層の前記基板側とは反対側に、導電性を有する導電層を形成する工程と、
前記第１の層に含まれるパターンを基準にして、前記導電層をパターニングし、電極を得る工程と、
を有することを特徴とする。
【００１２】
これにより、第１の層は、プロトン交換処理におけるマスクとしての機能と、電極同士を絶縁する絶縁層としての機能と、を併せ持つものとなる。このため、第１の層は、除去されることなく光変調器の一部として組み込まれ得るものとなるため、製造プロセスの簡略化を図ることができ、光変調器を効率よく製造することができる。また、第１の層内にパターンを含めることにより、このパターンを基準位置として電極を形成することができるので、電極の位置と光導波路の位置とを正確に合わせることができる。その結果、良好な変調特性（光変調効率）を有する光変調器を製造することができる。
【００１３】
本発明の光変調器の製造方法では、前記第１の層の構成材料は、酸化アルミニウムを含むことが好ましい。
【００１４】
これにより、薄く成膜された場合でも水素を十分に遮断し得る第１の層が得られる。その結果、第１の層のパターニング精度が高められ、光導波路の形成精度を高めることに寄与する。また、酸化アルミニウムを含む材料は、ウエットエッチング法でも比較的容易にエッチング可能であるため、基板への悪影響を小さく抑えつつ、絶縁層をエッチングすることができる。さらに、酸化アルミニウムを含む材料は、十分な絶縁性を有するため、第１の層をそのまま光変調器内に残存させた場合でも、電極同士を絶縁することができる。
【００１５】
本発明の光変調器の製造方法では、前記第１の層の平均厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
これにより、水素に対する十分な遮断性と十分な絶縁性とを有するとともに、エッチングされた際の加工精度を十分に高めることができる。
【００１７】
本発明の光変調器の製造方法では、前記絶縁層の前記パターニングは、ウエットエッチング法により行うことが好ましい。
【００１８】
これにより、ドライエッチング法に比べて、基板への悪影響、例えばプラズマによる結晶欠陥の生成、応力の局所集中といった悪影響を小さく抑えることができる。その結果、基板の電気光学効果が意図せず低減するのを防止することができる。
【００１９】
本発明の光変調器の製造方法では、前記基板の一方の面を平面視したとき、前記第１の層の一部がはみ出すように、前記導電層を形成し、
前記パターンとして、前記第１の層の一部を用いることが好ましい。
【００２０】
これにより、第１の層は、光導波路の形成に用いた開口と、パターンの双方を含むことになるので、両者は高い位置精度を保っており、導電層をパターニングする際の基準位置としてパターンを利用することにより、電極と光導波路との位置精度を十分に高くすることができる。その結果、良好な変調特性（光変調効率）を有する光変調器を製造することができる。
【００２１】
本発明の光変調器の製造方法では、さらに、前記第２の層を形成する工程と前記導電層を形成する工程との間に設けられ、前記第２の層と前記導電層との間に、前記第２の層とは構成材料が異なる第３の層を形成する工程を有することが好ましい。
【００２２】
これにより、第２の層と第３の層とで、絶縁性や導電性を適宜考慮しつつ、それぞれの構成材料を選択することが可能になる。その結果、絶縁性と帯電防止性とを両立させることができ、電極が基板に対して電界を効率よく印加し得る光変調器を製造することができる。
【００２３】
本発明の光変調器は、電気光学効果を有し、光導波路が形成されている基板と、
前記基板の一方の面側に設けられ、水素を遮断し、絶縁性を有する第１の層と、
前記第１の層の前記基板側とは反対側に設けられ、絶縁性を有する第２の層と、
前記第２の層の前記基板側とは反対側に設けられ、前記光導波路に電界を印加する電極と、
を備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、第１の層は、プロトン交換処理におけるマスクとしての機能と、電極同士を絶縁する絶縁層としての機能と、を併せ持つものとなる。このため、第１の層は、除去されることなく光変調器の一部として組み込まれ得るものとなるため、製造プロセスの簡略化を図り得る光変調器が得られる。また、第１の層内にパターンを含めることにより、このパターンを基準位置として電極を形成することができるので、電極の位置と光導波路の位置とを正確に合わせることができる。その結果、良好な変調特性（光変調効率）を有する光変調器が得られる。
【００２５】
本発明の光変調器では、前記第１の層の平面視形状は、前記光導波路の平面視形状に対応していることが好ましい。
【００２６】
これにより、第１の層は、光導波路を形成する際のマスクとして利用可能であるとともに、電極同士を絶縁する絶縁層の一部としても利用可能になる。したがって、製造の容易化が図られている光変調器が得られる。
【００２７】
本発明の光変調器では、前記第１の層の構成材料は、酸化アルミニウムを含むことが好ましい。
【００２８】
これにより、薄く成膜された場合でも水素を十分に遮断し得る第１の層が得られる。その結果、第１の層のパターニング精度が高められ、光導波路の形成精度を高めることに寄与する。また、酸化アルミニウムを含む材料は、ウエットエッチング法でも比較的容易にエッチング可能であるため、基板への悪影響を小さく抑えつつ、絶縁層をエッチングすることができる。さらに、酸化アルミニウムを含む材料は、十分な絶縁性を有するため、第１の層をそのまま光変調器内に残存させた場合でも、電極同士を絶縁することができる。
【００２９】
本発明の画像表示装置は、光源部から射出された光が入射される本発明の光変調器と、
前記光変調器によって変調された光を空間的に走査する光スキャナーと、
を備えることを特徴とする。
【００３０】
これにより、光導波路に対する電極の位置精度が高く、変調特性が良好な光変調器を備えた、信頼性の高い画像表示装置が得られる。
【００３１】
本発明の画像表示装置では、さらに、ホログラム回折格子を含み、前記光スキャナーによって走査された光を反射する反射光学部を備えることが好ましい。
【００３２】
これにより、光導波路に対する電極の位置精度が高く、変調特性が良好な光変調器を備えた、信頼性の高い画像表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の画像表示装置の第１実施形態（ヘッドマウントディスプレイ）の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す画像表示装置の部分拡大図である。
【図３】図１に示す画像表示装置の信号生成部の概略構成図である。
【図４】図１に示す走査光出射部に含まれる光走査部の概略構成を示す図である。
【図５】図１に示す画像表示装置の作用を模式的に説明するための図である。
【図６】図３に示す変調器の概略構成を示す斜視図である。
【図７】図６に示す変調器の平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線断面図である。
【図９】本発明の画像表示装置の第２実施形態（ヘッドアップディスプレイ）の概略構成を示す図である。
【図１０】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１５】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１６】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１７】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１８】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図８に示す変調器の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の光変調器の製造方法、光変調器および画像表示装置について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３５】
＜画像表示装置＞
≪第１実施形態≫
まず、本発明の画像表示装置の第１実施形態について説明する。
【００３６】
図１は、本発明の画像表示装置の第１実施形態（ヘッドマウントディスプレイ）の概略構成を示す図、図２は、図１に示す画像表示装置の部分拡大図である。また、図３は、図１に示す画像表示装置の信号生成部の概略構成図、図４は、図１に示す走査光出射部に含まれる光走査部の概略構成を示す図、図５は、図１に示す画像表示装置の作用を模式的に説明するための図である。また、図６は、図３に示す変調器の概略構成を示す斜視図、図７は、図６に示す変調器の平面図、図８は、図７のＡ−Ａ線断面図である。
【００３７】
なお、図１、２では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、その図示した矢印の先端側を「＋（プラス）」、基端側を「−（マイナス）」とする。また、以下の説明では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。
【００３８】
ここで、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、後述する画像表示装置１を使用者の頭部Ｈに装着した際に、Ｙ軸方向が頭部Ｈの上下方向、Ｚ軸方向が頭部Ｈの左右方向、Ｘ軸方向が頭部Ｈの前後方向となるように設定されている。
【００３９】
図１に示すように、本実施形態の画像表示装置１は、眼鏡のような外観を有するヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型画像表示装置）であって、使用者の頭部Ｈに装着して使用され、使用者に虚像による画像を外界像と重畳した状態で視認させる。
【００４０】
この画像表示装置１は、図１に示すように、フレーム２と、信号生成部３と、走査光出射部４と、反射部６と、を備える。
【００４１】
また、画像表示装置１は、図２に示すように、第１光ファイバー７１と、第２光ファイバー７２と、接続部５と、を備える。
【００４２】
この画像表示装置１では、まず、信号生成部３が画像情報に応じて変調された信号光を生成する。この信号光は、第１光ファイバー７１、接続部５および第２光ファイバー７２を介して走査光出射部４へ導かれる。走査光出射部４では、信号光（映像光）を２次元的に走査し、走査光として射出する。反射部６がその走査光を使用者の眼ＥＹに向けて反射する。これにより、画像情報に応じた虚像を使用者に視認させることができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、信号生成部３、走査光出射部４、接続部５、反射部６、第１光ファイバー７１および第２光ファイバー７２をフレーム２の右側にのみ設け、右眼用の虚像のみを形成する場合を例に説明するが、フレーム２の左側を右側と同様に構成することによって、右眼用の虚像と併せて左眼用の虚像も形成してもよいし、左眼用の虚像のみを形成するようにしてもよい。
【００４４】
また、信号生成部３と走査光出射部４との間を光学的に接続する手段は、光ファイバーを介する手段の他、例えば各種の導光体を介する手段で代替することもできる。さらに、接続部５によって第１光ファイバー７１と第２光ファイバー７２が接続される構成でなくてもよく、接続部５を介さずに第１光ファイバー７１のみによって、信号生成部３と走査光出射部４とが光学的に接続されていてもよい。
【００４５】
以下、画像表示装置１の各部を順次詳細に説明する。
（フレーム）
図１に示すように、フレーム２は、眼鏡フレームのような形状をなし、信号生成部３および走査光出射部４を支持する機能を有する。
【００４６】
また、フレーム２は、図１に示すように、走査光出射部４およびノーズパッド部２１を支持するフロント部２２と、フロント部２２に接続されて使用者の耳に当接する１対のテンプル部（つる部）２３と、各テンプル部２３のフロント部２２と反対の端部であるモダン部２４と、を含む。
【００４７】
ノーズパッド部２１は、使用時に使用者の鼻ＮＳに当接して、画像表示装置１を使用者の頭部に対して支持している。フロント部２２には、リム部２５やブリッジ部２６が含まれる。
【００４８】
このノーズパッド部２１は、使用時における使用者に対するフレーム２の位置を調整可能に構成されている。
【００４９】
なお、フレーム２の形状は、使用者の頭部Ｈに装着することができるものであれば、図示のものに限定されない。
【００５０】
（信号生成部）
図１に示すように、信号生成部３は、前述したフレーム２の一方（本実施形態では右側）のモダン部２４（テンプル部２３のフロント部２２とは反対側の端部）に設けられている。
【００５１】
すなわち、信号生成部３は、使用時に使用者の耳ＥＡに対して眼ＥＹとは反対側に配置されている。これにより、画像表示装置１の重量バランスを優れたものとすることができる。
【００５２】
この信号生成部３は、後述する走査光出射部４の光走査部４２で走査される信号光を生成する機能と、光走査部４２を駆動する駆動信号を生成する機能とを有する。
【００５３】
このような信号生成部３は、図３に示すように、信号光生成部３１と、駆動信号生成部３２と、制御部３３と、光検出部３４と、固定部３５と、を備える。
【００５４】
信号光生成部３１は、後述する走査光出射部４の光走査部４２（光スキャナー）で走査（光走査）される信号光を生成するものである。
【００５５】
この信号光生成部３１は、波長の異なる複数の光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂと、複数の駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂと、光合成部３１４と、を有する。
【００５６】
光源３１１Ｒ（Ｒ光源）は、信号光として赤色光を出射するものであり、光源３１１Ｇ（Ｇ光源）は、信号光として緑色光を出射するものであり、光源３１１Ｂ（Ｂ光源）は、信号光として青色光を出射するものである。このような３色の光を用いることにより、フルカラーの画像を表示することができる。なお、フルカラーの画像を表示しない場合には、１色または２色の光（１つまたは２つの光源）を用いるようにしてもよく、また、フルカラーの画像の演色性を高めるために、４色以上の光（４つ以上の光源）を用いるようにしてもよい。
【００５７】
このような光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂが、それぞれ特に限定されないが、例えばレーザーダイオード、ＬＥＤを用いることができる。
【００５８】
このような光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂは、それぞれ駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂに電気的に接続されている。
【００５９】
なお、以下では、光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂをまとめて「光源部３１１」ともいい、信号光生成部３１で生成した信号光を「光源部３１１から射出された光」ともいう。
【００６０】
駆動回路３１２Ｒは、前述した光源３１１Ｒを駆動する機能を有し、駆動回路３１２Ｇは、前述した光源３１１Ｇを駆動する機能を有し、駆動回路３１２Ｂは、前述した光源３１１Ｂを駆動する機能を有する。
【００６１】
このような駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂにより駆動された光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂから射出された３つ（３色）の光は、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ（光変調器）を介して、光合成部３１４に入射する。
【００６２】
なお、光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂの各々と変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂとの間にはレンズを設けるようにしてもよい。これにより、光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂから出射された光を平行化したり、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに向けて集光したりすることができ、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに入射する光の損失を低減することができる。
【００６３】
また、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの各々と光合成部３１４との間にコリメーターレンズを設けるようにしてもよい。特に、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに集光して光を入射させる場合には、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂから出射される光が発散光となるため、後段において光を平行化して扱いたい場合には、コリメーターレンズが好ましく用いられる。なお、配置されるレンズはコリメーターレンズに限らず、集光レンズを用いてもよい。
【００６４】
変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、それぞれ互いに独立して、入射された光の強度を任意の減衰幅で減衰させ、出射させることができる。このため、それぞれ任意強度の赤色光、緑色光および青色光を、光合成部３１４に入射させることができる。
なお、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂについては、後に詳述する。
【００６５】
光合成部３１４は、複数の変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂからの光を合成する。これにより、信号光生成部３１で生成される信号光を走査光出射部４へ伝送するための光ファイバーの数を少なくすることができる。そのため、本実施形態では、第１光ファイバー７１、接続部５および第２光ファイバー７２からなる１本の光伝送経路を介して信号生成部３から走査光出射部４へ信号光を伝送することができる。
【００６６】
本実施形態では、光合成部３１４は、３つのダイクロイックミラー３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃを有し、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂから出射された光（赤色光、緑色光および青色光の３色の光）を１つの信号光に合成する。
【００６７】
なお、光合成部３１４は、前述したようなダイクロイックミラーを用いた構成に限定されず、同様の機能を実現可能であれば、例えば、プリズム、光導波路、光ファイバー等を用いた構成であってもよい。また、光導波路や光ファイバーによって光合成部３１４を構成した場合には、光合成部３１４に結合させるためのレンズや、光合成部３１４から出射した光を平行化するためのコリメーターレンズ等を用いるようにしてもよい。
【００６８】
また、本実施形態では、信号光生成部において３色の光を合成（合波）しているが、信号光生成部は、３色の光を合成しないでそのまま走査光出射部へ伝送するように構成されていてもよい。この場合、例えば走査光出射部内において合成してもよく、合成しないで結像させるようにしてもよい。
以上のようにして、信号光生成部３１において信号光（合波光）が生成される。
【００６９】
信号光生成部３１で生成された信号光は、第１光ファイバー７１の一端部に入射する。そして、かかる信号光は、第１光ファイバー７１、接続部５および第２光ファイバー７２をこの順で通過して、後述する走査光出射部４の光走査部４２に伝送される。
【００７０】
駆動信号生成部３２は、後述する走査光出射部４の光走査部４２（光スキャナー）を駆動する駆動信号を生成するものである。
【００７１】
この駆動信号生成部３２は、光走査部４２の水平走査に用いる駆動信号を生成する駆動回路３２１と、光走査部４２の垂直走査に用いる駆動信号を生成する駆動回路３２２と、を有する。
【００７２】
このような駆動信号生成部３２は、図示しない信号線を介して、後述する走査光出射部４の光走査部４２と電気的に接続されている。これにより、駆動信号生成部３２で生成した駆動信号は、後述する走査光出射部４の光走査部４２に入力される。
【００７３】
前述したような信号光生成部３１の駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂおよび駆動信号生成部３２の駆動回路３２１、３２２は、それぞれ制御部３３と電気的に接続されている。
【００７４】
制御部３３は、映像信号（画像信号）に基づいて、信号光生成部３１の駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂおよび駆動信号生成部３２の駆動回路３２１、３２２の駆動を制御する機能を有する。すなわち、制御部３３は、走査光出射部４の駆動を制御する機能を有する。これにより、信号光生成部３１が信号光を生成するとともに、駆動信号生成部３２が画像情報に応じた駆動信号を生成する。
【００７５】
また、制御部３３は、図示しない信号線を介して、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂと個別に電気的に接続されている。これにより、制御部３３で生成した変調器駆動信号は、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに個別に入力される。そして、変調器３０Ｒに入射される赤色光、変調器３０Ｇに入射される緑色光、および変調器３０Ｂに入射される青色光を個別にかつ互いに協調させつつ変調させ、画像情報に応じた色や明るさの光を適切なタイミングで投射することができる。
【００７６】
さらに、制御部３３は、光検出部３４で検出された光の強度の情報を、信号光生成部３１の駆動回路３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂの駆動やその他の駆動の制御に反映させるように構成されている。
【００７７】
（光検出部および固定部）
固定部３５は、第１光ファイバー７１を固定するとともに、光検出部３４を固定する機能を有する。光検出部３４では、前述したように、光源部３１１から出射された光（信号光）のうち第１光ファイバー７１に入射しない残部の光量を検出し、制御部３３にフィードバックすることにより、光源部３１１や変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの駆動の制御に反映させることができる。
【００７８】
また、前述したように、第１光ファイバー７１は、接続部５において第２光ファイバー７２と光学的に接続されている。
【００７９】
なお、上記のような固定部３５を設けることは必須ではなく、光源部３１１から射出される光を意図的に減光させることなく第１光ファイバー７１に結合させる構成であってもよい。また、光検出部３４を固定部３５によって支持することは必須ではなく、光源部３１１の光量を検出できる位置であれば、光検出部３４の配置は特に限定されない。
【００８０】
（走査光出射部）
図１および図２に示すように、走査光出射部４は、前述したフレーム２のブリッジ部２６近傍（言い換えればフロント部２２の中心近傍）に取り付けられている。
【００８１】
このような走査光出射部４は、図４に示すように、ハウジング４１（筐体）と、光走査部４２と、レンズ４３（カップリングレンズ）と、レンズ４５（集光レンズ）と、支持部材４６と、を備える。
ハウジング４１は、支持部材４６を介してフロント部２２に取り付けられている。
【００８２】
また、支持部材４６のフレーム２とは反対側の部分には、ハウジング４１の外表面が接合されている。
【００８３】
ハウジング４１は、光走査部４２を支持するとともに光走査部４２を収納している。また、ハウジング４１には、レンズ４３およびレンズ４５が取り付けられ、レンズ４３、４５がハウジング４１の一部（壁部の一部）を構成している。
【００８４】
レンズ４３は、第２光ファイバー７２から出射した信号光のスポット径を調整する機能（カップリング機能）を有する。また、レンズ４３は、第２光ファイバー７２から出射した信号光の放射角を調整し、略平行化する機能をも有する。
【００８５】
また、レンズ４３（ハウジング４１の信号光を透過する窓部）は、第２光ファイバー７２に対して離間している。本実施形態では、第２光ファイバー７２の信号光の出射側の端部は、フレーム２のフロント部２２に設けられた反射部１０に臨む位置で、かつ、走査光出射部４に離間している。
【００８６】
反射部１０は、第２光ファイバー７２から出射した信号光を光走査部４２に向けて反射する機能を有する。また、反射部１０は、フロント部２２の内側に開口する凹部２７に設けられている。なお、凹部２７の開口は、透明材料で構成された窓部で覆われていてもよい。また、この反射部１０は、信号光を反射し得るものであれば、特に限定されず、例えば、ミラー、プリズム等で構成することができる。
【００８７】
光走査部４２は、信号光生成部３１からの信号光を反射部６に向けて空間的（２次元的）に走査する光スキャナーである。具体的には、光走査部４２の光反射面に対して信号光を入射させるとともに、駆動信号生成部３２で生成された駆動信号に応じて光走査部４２を駆動することにより、信号光が２次元的に走査される。
【００８８】
また、光走査部４２は、コイル１７および信号重畳部１８を有しており（図４参照）、コイル１７、信号重畳部１８および駆動信号生成部３２は、光走査部４２を駆動する駆動部を構成する。
【００８９】
このような光走査部４２は、２軸まわりに揺動可能な光スキャナーであり、図５に示すように、ミラー（光反射部）が軸Ｊ１、Ｊ２の両軸まわりに揺動する。これにより、ミラーで反射した信号光を軸Ｊ１まわりの第１方向（水平方向）と軸Ｊ２まわりの第２方向（垂直方向）の両方向に２次元的に走査することができる。
【００９０】
また、光走査部４２として、２軸まわりに揺動可能な光スキャナーを用いることによって、光走査部４２の構成や配置（特にアライメント）が簡単になるとともに、光走査部４２の小型化を図ることができる。なお、光走査部４２の構成としては、信号光を２次元的に走査することができれば本実施形態の構成に限定されない。例えば、光走査部４２は、信号光を１次元的に走査する光スキャナーを２つ備えた構成であってもよいし、光スキャナーに替えてガルバノミラーを用いた構成であってもよい。
【００９１】
また、光走査部４２は、コイル１７および信号重畳部１８を有しており（図４参照）、コイル１７、信号重畳部１８および駆動信号生成部３２は、光走査部４２を駆動する駆動部を構成する。
【００９２】
光走査部４２で走査された信号光（走査光）は、レンズ４５を介して、ハウジング４１の外部へ出射され、さらに反射部６で反射されることにより、眼ＥＹに入射する。
【００９３】
なお、走査光出射部４に含まれるレンズ４３、４５は、それぞれ必要に応じて設けられればよく、省略されたり、他の光学要素に置き換えられたりしてもよい。また、レンズの配置は、上記の位置に限定されず、例えば第２光ファイバー７２と反射部１０との間に設けられていてもよい。
【００９４】
以上、走査光出射部４について説明したが、走査光出射部４の構成は、図示したものに限定されない。例えば、図４の光路上に任意の光学要素が配置されていてもよい。
【００９５】
（反射部）
図１に示すように、反射部６（反射光学部）は、前述したフレーム２のフロント部２２に含まれるリム部２５に取り付けられている。
【００９６】
すなわち、反射部６は、使用時に使用者の眼ＥＹの前方かつ光走査部４２よりも当該使用者に対して遠方側に位置するように配置されている。これにより、画像表示装置１に使用者の顔に対して前方側に張り出した部分が形成されるのを防止することができる。
【００９７】
この反射部６は、図５に示すように、光走査部４２からの信号光を当該使用者の眼ＥＹに向けて反射する機能を有する。
【００９８】
本実施形態では、反射部６は、ハーフミラー（半透鏡）であり、外界光を透過させる機能（可視光に対する透光性）をも有する。すなわち、反射部６は、光走査部４２からの信号光（映像光）を反射させるとともに、使用時において反射部６の外側から使用者の眼に向かう外界光を透過させる機能（コンバイナー機能）を有する。これにより、使用者は、外界像を視認しながら、信号光により形成された虚像（画像）を視認することができる。すなわち、シースルー型のヘッドマウントディスプレイを実現することができる。
【００９９】
また、反射部６のうち、使用者側の面は、凹面の反射面になっている。このため、反射部６で反射された信号光は、使用者側に集束する。したがって、使用者は、反射部６の凹面上に形成された画像よりも拡大された虚像を視認することが可能になる。これにより、使用者による視認性を高めることができる。
【０１００】
一方、反射部６のうち、使用者に対して遠方側の面は、前記凹面とほぼ同じ曲率を有する凸面になっている。このため、外界光は、反射部６で大きく偏向させられることなく、使用者の眼に到達する。したがって、使用者は、歪みの少ない外界像を視認することができる。
【０１０１】
なお、反射部６は、回折格子を有していてもよい。この場合、回折格子に様々な光学特性をもたせ、光学系の部品点数を減らしたり、デザインの自由度を高めたりすることができる。例えば、回折格子としてホログラム回折格子を用いることにより、反射部６で反射する信号光の出射方向を調整したり、反射する信号光の波長を選択したりすることができる。また、回折格子にレンズ効果をもたせることによって、反射部６で反射する信号光からなる走査光全体の結像状態を調整したり、凹面で信号光が反射するときの収差を補正したりすることもできる。
【０１０２】
また、本実施形態では、外部変調器である変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを利用しているため、例えば光源の明滅駆動時に発生する波長変動が低減されるといった効果が得られる。したがって、回折格子での回折角変動が抑制され、画像ボケの少ない画像を提供できる。このようなホログラム回折格子としては、光干渉によって有機材料に形成された立体回折格子（体積ホログラム）や、樹脂材料の表面にスタンパーによって凹凸を形成した回折格子を用いることができる。
【０１０３】
また、反射部６は、例えば、透明基板上に金属薄膜や誘電体多層膜等で構成された半透過反射膜を形成したものであってもよく、偏光ビームスプリッターを用いてもよい。偏光ビームスプリッターを用いる場合には、光走査部４２からの信号光が偏光となるように構成し、光走査部４２からの信号光に対応する偏光を反射させるように構成すればよい。
【０１０４】
（光検出部および固定部）
固定部３５は、第１光ファイバー７１の一端部を固定する機能を有する。
【０１０５】
また、固定部３５は、光検出部３４を固定する機能をも有する。これにより、光源部３１１から出射された光（信号光）のうち第１光ファイバー７１に入射しない残部を光検出部３４の検出に有効利用することができる。また、第１光ファイバー７１の一端部と光検出部３４との位置関係を固定（一定に維持）することができる。
【０１０６】
このように固定部３５に固定された光検出部３４は、光源３１１Ｂ、３１１Ｇ、３１１Ｒから出射された信号光を分岐する光学系を設けなくても、出射された光の強度を光検出部３４で検出することができる。また、光検出部３４で検出された光の強度に基づいて、光源３１１Ｂ、３１１Ｇ、３１１Ｒから出射される光の強度や変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂで変調される光の強度を制御部３３で調整することができる。
【０１０７】
なお、上記のような固定部３５を設けることは必須ではない。また、光検出部３４を固定部３５に設けることは必須ではなく、光源部３１１の光量を検出できる位置であれば、光検出部３４の位置は特に限定されない。
【０１０８】
また、本発明の画像表示装置の実施形態は、上述したヘッドマウントディスプレイのような網膜走査方式の表示原理を有する実施形態に限定されない。すなわち、本発明の画像表示装置の実施形態は、例えば、ヘッドアップディスプレイ、レーザープロジェクター、レーザーテレビのような網膜走査方式以外の表示原理を有するものであってもよい。
【０１０９】
（（変調器））
ここで、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ（本発明の光変調器の実施形態）について説明する。
【０１１０】
変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、それぞれ、基板３０１と、基板３０１に形成された光導波路３０２と、基板３０１上に設けられた電極３０３と、基板３０１と電極３０３との間に介挿されたバッファー層３０４と、を備えている。また、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの構造は、各部の寸法が異なる以外、互いに同様である。
【０１１１】
基板３０１は、平面視で長方形をなす平板状をなしており、電気光学効果を有する材料で構成されている。電気光学効果は、物質に電界を加えたときに物質の屈折率が変化する現象であり、屈折率が電界に比例するポッケルス効果や電界の２乗に比例するカー効果がある。このような基板３０１に、途中で分岐した光導波路３０２を形成し、さらに基板３０１に電界を加えると、分岐した光導波路３０２の一方の屈折率を変化させることができる。これを利用することで、分岐した光導波路３０２の一方を伝搬する光に、他方を伝搬する光に対する位相差を与えるとともに、分岐した光を再び合流させることによって、位相差に基づいた強度変調を行うことができる。
【０１１２】
なお、以下の説明では、説明の便宜上、基板３０１の短辺に平行な方向をｘ方向とし、基板３０１の長辺に平行な方向をｙ方向とし、基板３０１の厚さ方向をｚ方向とする。また、図６、７には、ｘ方向に平行なｘ軸、ｙ方向に平行なｙ軸、およびｚ方向に平行なｚ軸を、それぞれ矢印で図示している。そして、ｘ軸の先端側を「＋（プラス）」とし、ｘ軸の基端側を「−（マイナス）」とする。ｙ軸およびｚ軸についても同様とする。
【０１１３】
電気光学効果を有する材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（ＰＬＺＴ）、リン酸チタン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ４）のような無機系材料等が挙げられる。
【０１１４】
このうち、特にニオブ酸リチウムが好ましく用いられる。ニオブ酸リチウムは、電気光学係数が比較的大きいので、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおいて光の強度を変調する際、駆動電圧を低くすることができ、また、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの小型化が図られる。
【０１１５】
また、これらの材料は、単結晶または固溶体結晶であるのが好ましい。これにより、基板３０１には透光性が付与され、基板３０１中に形成される光導波路３０２の光伝送効率を高めることができるようになる。
【０１１６】
光導波路３０２は、基板３０１の一部を改質して形成された導光路である。基板３０１中に光導波路３０２を形成する方法として、プロトン交換法が用いられる。プロトン交換法は、酸の溶液中に基板を浸漬し、基板中のイオンの溶出と引き換えにプロトンを基板に侵入させることによってその領域の屈折率を変化させる方法である。この方法によれば、特に耐光性に優れた光導波路３０２が得られる。
【０１１７】
このようにして形成された光導波路３０２は、基板３０１のうち相対的に屈折率が高い部位であってｙ方向に延伸する長尺状のコア部３０２１と、コア部３０２１に隣接し相対的に屈折率が低いクラッド部３０２２と、で構成される。なお、本明細書では、説明の便宜上、コア部３０２１のみを指して「光導波路３０２」ということもある。
【０１１８】
また、以下の説明では、光導波路３０２のうち、信号光が入射される側を「入射側」といい、伝搬した信号光が出射する側を「出射側」という。
【０１１９】
また、コア部３０２１は、基板３０１の２つの短辺に端部が露出するように形成されている。この２つの端部のうち、一方が光の入射端となり、他方が光の出射端となる。
【０１２０】
また、光導波路３０２は、その入射端側に位置する分岐部３０２３において、第１光導波路３０２ａと第２光導波路３０２ｂの２つに分岐している。さらに、第１光導波路３０２ａおよび第２光導波路３０２ｂは、合流部３０２４において再び１つに合流している。
【０１２１】
電極３０３は、グランド電極３０３１と、グランド電極３０３２と、信号電極３０３３とで構成されている。
【０１２２】
このうち、グランド電極３０３１は、基板３０１の平面視において第１光導波路３０２ａのコア部３０２１と重なるように配置されている。一方、グランド電極３０３２は、第２光導波路３０２ｂの第１光導波路３０２ａ側とは反対側に位置するクラッド部３０２２と重なるように配置されている。また、信号電極３０３３は、第２光導波路３０２ｂのコア部３０２１の少なくとも一部と重なるように配置されている。
【０１２３】
グランド電極３０３１およびグランド電極３０３２は、それぞれ電気的に接地されている。一方、信号電極３０３３には、グランド電極３０３１、３０３２との間に電位差（電圧）が生じるように、電気信号に基づいた電位が与えられる。このように信号電極３０３３とグランド電極３０３１、３０３２との間に電位差が生じると、それらの間に生じた電気力線が通過するコア部３０２１に電界が作用する。その結果、電気光学効果に基づいてコア部３０２１の屈折率が変化する。この電気力線の向きは、第１光導波路３０２ａと第２光導波路３０２ｂとで互いに逆になるため、電気光学効果に基づく屈折率の変化の方向も第１光導波路３０２ａと第２光導波路３０２ｂとで互いに逆になる。したがって、第１光導波路３０２ａを通過する信号光と、第２光導波路３０２ｂを通過する信号光との間には、屈折率の変化に伴う位相差が生じる。このようにして位相差が生じた２つの信号光を、合流部３０２４において合流させることにより、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに入射する前の光強度（入射強度）に対して減衰した強度（出射強度）の光を外部へ出射させることができる。
【０１２４】
この際、信号電極３０３３とグランド電極３０３１、３０３２との間に生じる電位差を調整することにより、第１光導波路３０２ａを伝搬する信号光と第２光導波路３０２ｂを伝搬する信号光との位相差を制御することができるので、入射強度に対する合波光の減衰幅を制御することができる。
【０１２５】
また、本実施形態に係る変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂによれば、３色の信号光の強度をそれぞれ外部変調させることができる。このため、光源部３１１から出射する３色の信号光の強度を直接変調させる場合に比べて、高速変調が可能になる。加えて、電極３０３に印加する電圧を変化させることにより、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおいて信号光の強度を所定の相関関係に基づいて、より高い分解能で調整することができる。その結果、眼ＥＹの網膜に描画される画像の諧調をさらに増やすことができ、さらなる高諧調化を図ることができる。
【０１２６】
さらに、本実施形態では、光源部３１１を直接変調させる必要がないので、一定の強度の信号光が射出されるように光源部３１１を駆動すればよい。したがって、発光効率が最も高い条件あるいは発光安定性が最も高い条件で光源部３１１を駆動することができ、画像表示装置１の低消費電力化あるいは動作の安定化を図るとともに、眼ＥＹの網膜に描画される画像の高画質化を図ることができる。
【０１２７】
しかも、光源部３１１を直接変調するために必要な駆動回路が不要になる一方、光源部３１１を連続駆動する回路は比較的簡単で低コストであることから、光源部３１１にかかるコストの削減および光源部３１１の小型化を図ることができる。
【０１２８】
なお、上述した信号生成部３では、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを光源３１１Ｒ、３１１Ｇ、３１１Ｂとダイクロイックミラー３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃとの間に配置しているが、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの配置はこれに限定されない。
【０１２９】
また、上述した変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、電気光学効果を利用して信号光の強度を外部変調させているが、これにより特に高速での変調が可能になるため、表示される画像の高画質化を図ることができる。
【０１３０】
また、バッファー層３０４は、基板３０１と電極３０３との間に設けられ、例えば光導波路３０２を導波する光の吸収が少ない媒質により構成される。
【０１３１】
ここで、本実施形態に係るバッファー層３０４は、複数の層が積層されることにより構成されている。具体的には、図８に示すように、バッファー層３０４は、基板３０１側から順に積層された、第１の層８１、第２の層８２および第３の層８３を含んでいる。このようなバッファー層３０４を設けることにより、信号電極３０３３とグランド電極３０３１、３０３２との間をより確実に絶縁することができる。
【０１３２】
一方、第１の層８１の平面視形状は、光導波路３０２の平面視形状に対応している。すなわち、第１の層８１は、光導波路３０２が形成されている領域に対応して選択的に開口するようにパターニングされてなる。このような第１の層８１は、光導波路３０２を形成する際にマスクとして利用可能であるとともに、電極３０３同士を絶縁する絶縁層の一部としても利用可能である。したがって、第１の層８１を含む変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、マスクおよび絶縁層の双方の機能を有する第１の層８１を含むことによって、製造の容易化が図られている。
【０１３３】
加えて、第１の層８１は、図７、８に示すように、アライメントパターン８１１を含んでいる。このアライメントパターン８１１は、光導波路３０２が形成されている領域から十分に離れた位置に設けられており、後述するように、電極３０３を形成する際の位置基準として用いられる。なお、図７に示すアライメントパターン８１１の位置は、一例であり、基板３０１上のいかなる位置であってもよい。
【０１３４】
以上、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂについて説明したが、本実施形態では、反射部６としてホログラム回折格子を用いる例を後述している。この場合、外部変調器である変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを用いることにより、反射部６に入射する信号光の波長安定性を高められるため、設計波長に近い信号光をホログラム回折格子に入射させることができる。その結果、ホログラム回折格子における回折角の設計値からのずれを小さくすることができ、画像のボケを抑制することができる。
【０１３５】
また、本実施形態では、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂが互いに独立しているが、これらの機能を１つの基板３０１上に集約するようにしてもよい。換言すれば、変調器３０Ｒの基板３０１、変調器３０Ｇの基板３０１および変調器３０Ｂの基板３０１が互いに一体化されていてもよい。これにより、互いの位置精度を高めることができるので、赤色光、緑色光および青色光の出射方向を互いに高精度に合わせることができる。
【０１３６】
なお、電極３０３の形状や配置は、基板３０１に含まれる結晶軸の方向等に応じて適宜設定され、図示したものに限定されない。例えば、電極３０３は、基板３０１の平面視において、光導波路３０２と重ならない位置に設けられていてもよい。
【０１３７】
また、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおける変調方式は、上述したいわゆるマッハツェンダー型の変調方式に限定されない。代替可能な変調方式としては、例えば、方向性結合型等が挙げられる。
【０１３８】
なお、マッハツェンダー型の変調方式は、比較的簡単な構造で実現することができ、しかも、変調幅を任意に調整し易いことから、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおける変調方式として有用である。変調幅を任意に調整することで、例えば表示画像の高コントラスト化を図ることができる。
【０１３９】
また、本実施形態に係る光源部３１１と変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂとを、モジュール化することにより、光学モジュールを構成するようにしてもよい。このような光学モジュールは、光源部３１１を直接変調せず、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂによって外部変調させた光を出射可能なモジュールである。したがって、光源部３１１を連続発光させつつ変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂで変調させることができるので、光源部３１１の安定駆動と変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおける高速変調とを両立させ、高速で変調された光を安定して出射可能な光学モジュールが得られる。
【０１４０】
≪第２実施形態≫
次に、本発明の画像表示装置の第２実施形態について説明する。
【０１４１】
図９は、本発明の画像表示装置の第２実施形態（ヘッドアップディスプレイ）の概略構成を示す図である。
【０１４２】
以下、第２実施形態について説明するが、以下の説明では、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。また、図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【０１４３】
第２実施形態に係る画像表示装置１は、使用者の頭部に装着されるのではなく、自動車の天井部に装着されて使用されるものである以外、第１実施形態に係る画像表示装置１と同様である。
【０１４４】
すなわち、第２実施形態に係る画像表示装置１は、自動車ＣＡの天井部ＣＥに装着して使用される。すなわち、本実施形態に係る画像表示装置１は、使用者の頭部の鉛直上方に配置された状態で使用される。そして、使用者に虚像による画像を、自動車ＣＡのフロントウィンドウＷを介して外界像と重畳した状態で視認させる。
【０１４５】
この画像表示装置１は、図９に示すように、信号生成部３および走査光出射部４を内蔵する光源ユニットＵＴと、反射部６と、光源ユニットＵＴと反射部６と接続するフレーム２’と、を備える。
【０１４６】
また、本実施形態では、光源ユニットＵＴ、フレーム２’および反射部６を、自動車ＣＡの天井部ＣＥに装着している場合を例に説明するが、これらを自動車ＣＡのダッシュボード上に装着してもよいし、一部の構成をフロントウィンドウＷに固定するようにしてもよい。さらに、画像表示装置１は、自動車のみならず、航空機、船舶、建設機械、重機、二輪車、自転車、宇宙船のような各種移動体に装着されるものであってもよい。
【０１４７】
以下、画像表示装置１の各部を順次詳細に説明する。
光源ユニットＵＴは、いかなる方法で天井部ＣＥに固定されていてもよいが、例えばバンドやクリップ等を用いてサンバイザーに装着する方法により固定される。
【０１４８】
フレーム２’は、例えば１対の長尺状の部材を備えており、光源ユニットＵＴと反射部６のＺ軸方向の両端とを接続することにより、光源ユニットＵＴと反射部６とを固定している。
【０１４９】
光源ユニットＵＴは、信号生成部３および走査光出射部４を内蔵しており、走査光出射部４からは反射部６に向けて信号光が出射される。
【０１５０】
本実施形態に係る反射部６も、ハーフミラーであり、外界光を透過させる機能を有する。すなわち、反射部６は、光源ユニットＵＴからの信号光（映像光）を反射させるとともに、使用時において自動車ＣＡ外からフロントウィンドウＷを経て使用者の眼ＥＹに向かう外界光を透過させる機能を有する。これにより、使用者は、外界像を視認しながら、信号光により形成された虚像（画像）を視認することができる。すなわち、シースルー型のヘッドアップディスプレイを実現することができる。
【０１５１】
＜変調器の製造方法＞
次に、図８に示す変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを製造する方法（本発明の光変調器の製造方法の実施形態）について説明する。
【０１５２】
図１０〜１９は、それぞれ、図８に示す変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１〜１９の上方を「上」、下方を「下」という。
【０１５３】
変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの製造方法は、図１０に工程図として示すように、［１］基板３０１の上面（一方の面）に絶縁層８１０を形成する工程Ｓ１と、［２］絶縁層８１０をパターニングして第１の層８１を得る工程Ｓ２と、［３］第１の層８１をマスクとして、基板３０１にプロトン交換処理を施し、光導波路３０２を形成する工程Ｓ３と、［４］第１の層８１の上面（基板３０１側とは反対側）に第２の層８２を形成する工程Ｓ４と、［５］第２の層８２の上面（基板３０１側とは反対側）に第３の層８３を形成する工程Ｓ５と、［６］第３の層８３の上面（基板３０１側とは反対側）に導電層３０３０を形成する工程Ｓ６と、［７］第１の層８１に含まれるアライメントパターン８１１を基準にして導電層３０３０をパターニングし、電極３０３（信号電極３０３３）を得る工程Ｓ７と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【０１５４】
［１］
まず、基板３０１を用意する。基板３０１は、前述したように、電気光学効果を有する材料で構成されている。
【０１５５】
次に、図１１に示すように、基板３０１の上面に絶縁層８１０を形成する。絶縁層８１０は、後述する工程においてパターニングされることにより、第１の層８１を形成することができる。
【０１５６】
絶縁層８１０は、水素を遮断し、かつ、絶縁性を有するものであれば、いかなるものであってもよい。このような絶縁層８１０は、パターニングが施されて第１の層８１となることにより、後述するプロトン交換処理におけるマスクとして機能するとともに、電極３０３同士を絶縁する絶縁層としても機能する。
【０１５７】
絶縁層８１０（第１の層８１）の構成材料としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ケイ素（シリカ）、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化タンタルのような金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化チタンのような金属窒化物、炭化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化チタンのような金属炭化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が用いられる。
【０１５８】
このうち、酸化アルミニウムを含む材料が好ましく用いられる。酸化アルミニウムを含む材料は、薄く成膜された場合でも水素を十分に遮断することができる。このため、薄く成膜された場合でもプロトン交換処理におけるマスクとして十分に機能し得る第１の層８１が得られる。すなわち、第１の層８１がプロトン交換処理においてプロトンの侵入を防止し、第１の層８１に形成された開口においてのみ、プロトンの侵入を許容することになるため、目的とする領域のみにプロトン交換処理を施すことができる。
【０１５９】
また、絶縁層８１０の薄膜化が図られることにより、パターニング精度の高い第１の層８１が得られる。かかる第１の層８１は、光導波路３０２の形成精度を高めることに寄与する。すなわち、例えばウエットエッチング法では、エッチングが等方的に進行するため、第１の層８１の薄膜化が図られることにより、その分、第１の層８１の延在方向におけるエッチングの進行幅を抑えることができる。
【０１６０】
また、酸化アルミニウムを含む材料は、ウエットエッチング法でも比較的容易にエッチング可能である。このため、後述するように、基板３０１への悪影響を小さく抑えつつ、絶縁層８１０をエッチングすることができる。
【０１６１】
一方、酸化アルミニウムを含む材料は、十分な絶縁性を有する。このため、第１の層８１は、プロトン交換処理におけるマスクとして用いられるだけでなく、そのまま除去されることなく残されることにより、電極３０３同士を絶縁するバッファー層３０４の一部として用いることも可能になる。
【０１６２】
このように、絶縁層８１０は、水素を遮断するとともに絶縁性を有するため、第１の層８１は、プロトン交換処理におけるマスクとしての機能と、電極３０３同士を絶縁する絶縁層としての機能と、を併せ持つものとなる。このため、絶縁層８１０をパターニングしている第１の層８１は、除去されることなくバッファー層３０４の一部として組み込まれ得るものとなるため、製造プロセスの簡略化の観点から有用である。
【０１６３】
加えて、酸化アルミニウムを含む材料は、絶縁層８１０を薄くすることを可能にするため、絶縁層８１０をウエットエッチング法でエッチングした際の加工精度をより高めることに寄与する。したがって、酸化アルミニウムを含む絶縁層８１０は、ウエットエッチング法が適用されても高い寸法精度の第１の層８１を形成することができる。
【０１６４】
また、酸化アルミニウムの線膨張係数は、ニオブ酸リチウムのような電気光学効果を有する材料と、酸化ケイ素のような第２の層８２の構成材料との間にあることが多い。このため、第１の層８１の構成材料として酸化アルミニウムを用いることにより、熱膨張差を緩和することができ、熱膨張差に伴う剥離等の不具合を抑制することができる。
【０１６５】
なお、絶縁層８１０の形成方法は、特に限定されないが、ＣＶＤのような化学蒸着法、真空蒸着、スパッタリングのような物理蒸着法等が挙げられる。このうち、原子層成長法（Atomic Layer Epitaxy）が好ましく用いられる。原子層成長法によれば、極めて薄い絶縁層８１０を効率よく均一に成膜することができる。
【０１６６】
絶縁層８１０（第１の層８１）の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのがより好ましい。絶縁層８１０の厚さを前記範囲内に設定することにより、水素に対する十分な遮断性と十分な絶縁性を有するとともに、エッチングされた際の加工精度を十分に高めることができる。
【０１６７】
なお、第１の層８１の平均厚さは、例えば、断面を電子顕微鏡等で観察し、１０か所以上の厚さを平均することで求められる。
【０１６８】
また、絶縁層８１０（第１の層８１）は、結晶質であってもよいが、非晶質であるのが好ましい。非晶質の絶縁層８１０では、ランダムな原子配列に基づいて、電子伝導性が特に抑えられている。このため、絶縁層８１０を薄くした場合でも、十分な絶縁性を確保することができる。また、薄膜化に伴って、基板３０１と電極３０３との離間距離を縮めることができるので、基板３０１に対する電界印加効率も高めることができる。
【０１６９】
なお、絶縁層８１０が非晶質であることは、例えばＸ線回折法により特定することができる。
【０１７０】
また、絶縁層８１０の結晶化率は５０％以下であるのが好ましい。これにより、絶縁層８１０において非晶質性が支配的になるため、十分な絶縁性を得ることができる。なお、絶縁層８１０の結晶化率は、例えば透過型電子顕微鏡による観察像において、結晶質が占める面積率として求めることができる。
【０１７１】
［２］
次に、絶縁層８１０の上面にレジスト膜９１を形成する。レジスト膜９１は、例えば、絶縁層８１０の上面全体にレジスト材料が形成された後、露光、現像を経て、目的とする形状にパターニングされることにより形成される。すなわち、図１２に示すように、絶縁層８１０を除去すべき領域に開口を有するようにパターニングを施し、レジスト膜９１を得る。
なお、レジスト膜９１は、いかなる方法でパターニングされてもよい。
【０１７２】
次に、図１３に示すように、レジスト膜９１をマスクとして、絶縁層８１０をパターニングする。これにより、絶縁層８１０のうち、レジスト膜９１に設けられた開口に対応する領域が除去され、光導波路形成用開口８１２が形成される。
【０１７３】
絶縁層８１０は、例えばウエットエッチング法、ドライエッチング法のような各種エッチング法により選択的に除去され、パターニングされる。このうち、ウエットエッチング法が好ましく用いられる。ウエットエッチング法によれば、ドライエッチング法に比べて、基板３０１への悪影響、例えばプラズマによる結晶欠陥の生成、応力の局所集中といった悪影響を小さく抑えることができる。その結果、基板３０１の電気光学効果が意図せず低減するのを防止することができる。
【０１７４】
ここで、本実施形態では、絶縁層８１０を除去しないことから、第１の層８１中にアライメントパターン８１１を含めることが可能である。すなわち、絶縁層８１０をパターニングする際には、光導波路３０２を形成するための光導波路形成用開口８１２を形成する他、アライメントパターン８１１を形成することができ、このアライメントパターン８１１は、最終的に作製される変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂにおいても残存させることができる。すなわち、第１の層８１は、光導波路形成用開口８１２と、アライメントパターン８１１と、を含むものである。このため、アライメントパターン８１１は、以降の工程において、光導波路３０２を形成する位置と厳密な位置関係を有する基準位置として利用可能なものとなる。
【０１７５】
なお、アライメントパターン８１１は、絶縁層８１０をパターニングすることによって、光導波路形成用開口８１２と同時に（一括で）形成することが可能である。このため、アライメントパターン８１１と光導波路形成用開口８１２との間には、高い位置精度が保たれることとなる。この位置精度に基づいて、アライメントパターン８１１を前述した基準位置として好適に利用することが可能になる。
【０１７６】
また、本実施形態では、第１の層８１がアライメントパターン８１１を含むように、絶縁層８１０がパターニングされる。アライメントパターン８１１は、光導波路３０２が形成される領域から十分に離れた位置に設けられる。これにより、後述する工程において、アライメントパターン８１１が導電層３０３０に隠され難くなる。その結果、電極３０３を形成する際に、アライメントパターン８１１を確実に視認することができる。
【０１７７】
また、アライメントパターン８１１の平面視形状は、特に限定されず、線や図形であっても、文字や記号であってもよい。なお、平面視形状とは、基板３０１の上面の法線方向から平面視したときの形状のことをいう。
【０１７８】
［３］
次に、レジスト膜９１を除去した後、第１の層８１をマスクとして、基板３０１に対してプロトン交換処理を施す。具体的には、第１の層８１が設けられた基板３０１の上面を、酸の溶液に接触させる。これにより、基板３０１の上面のうち、第１の層８１に形成された光導波路形成用開口８１２に露出する領域からイオンが溶出するとともに、それと引き換えにプロトンが侵入する（プロトン交換）。これにより、この領域の屈折率が上昇し、図１４に示すように、光導波路形成用開口８１２に対応する位置にコア部３０２１が形成される。一方、コア部３０２１の周囲では、プロトン交換がなされないので、屈折率は変化しない。したがって、この領域は、コア部３０２１よりも屈折率が相対的に低くなるので、図１４に示すように、クラッド部３０２２が形成される。
【０１７９】
なお、図１４では、光導波路形成用開口８１２のみにプロトンが侵入してコア部３０２１が形成される様子を図示しているが、アライメントパターン８１１の周囲にもプロトンが侵入してもよいし、何らかの方法でプロトンの侵入を防止するようにしてもよい。なお、アライメントパターン８１１の周囲で屈折率が上昇しても、コア部３０２１と十分な距離が確保されていれば、コア部３０２１における光の伝搬に影響を及ぼす確率は十分に低くなるため、特に差し支えない。
【０１８０】
プロトン交換処理には、例えば、安息香酸、ピロリン酸、リン酸、硫酸等の各種酸を含む溶液が用いられる。そして、第１の層８１が設けられた基板３０１の上面にこの溶液を接触させ、その状態で、２００℃以上４００℃以下程度の温度に加熱しつつ、１０分以上１００時間以下程度の時間維持する。これにより、基板３０１中の一価陽イオンがプロトンと交換される。
【０１８１】
ここで、第１の層８１は、前述したように水素を遮断する機能を有しているので、酸の溶液に接触したとき、光導波路形成用開口８１２から露出する領域以外にはプロトンを侵入させないように作用する。これにより、目的とする位置に光導波路３０２を形成することができる。
【０１８２】
なお、プロトン交換処理後、必要に応じて、加熱処理を施すようにしてもよい。加熱処理の処理条件を適宜調整することにより、選択的に侵入させたプロトンをさらに拡散させ、コア部３０２１の横断面積を広げることができる。
【０１８３】
［４］
次に、図１５に示すように、第１の層８１の上面に第２の層８２を形成する。第２の層８２は、絶縁性を有するため、電極３０３同士を絶縁する。そして、バッファー層３０４の一部として用いられる。
【０１８４】
第２の層８２の構成材料としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ケイ素（シリカ）、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化タンタルのような金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化チタンのような金属窒化物、炭化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化チタンのような金属炭化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が用いられる。
【０１８５】
このうち、酸化ケイ素を含む材料が好ましく用いられる。酸化ケイ素を含む材料は、薄く成膜された場合でも十分な絶縁性を有する。このため、電極３０３同士をより確実に絶縁するバッファー層３０４を実現することができる。
【０１８６】
第２の層８２の形成方法は、特に限定されないが、ＣＶＤのような化学蒸着法、真空蒸着、スパッタリングのような物理蒸着法等が挙げられる。
【０１８７】
第２の層８２の平均厚さは、特に限定されないが、２ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。第２の層８２の厚さを前記範囲内に設定することにより、十分な絶縁性が確保される。
【０１８８】
なお、第２の層８２の平均厚さは、例えば、断面を電子顕微鏡等で観察し、１０か所以上の厚さを平均することで求められる。
【０１８９】
［５］
次に、図１６に示すように、第２の層８２の上面に第３の層８３を形成する。第３の層８３は、絶縁性を有するため、電極３０３同士を絶縁する。そして、基板３０１側から、第１の層８１、第２の層８２および第３の層８３がこの順で積層されてなるバッファー層３０４が得られる。なお、バッファー層３０４の一部は、第２の層８２および第３の層８３の２層で構成されている。
【０１９０】
第３の層８３の構成材料としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ケイ素（シリカ）、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化タンタルのような金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化チタンのような金属窒化物、炭化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化チタンのような金属炭化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が用いられる。
【０１９１】
このうち、第３の層８３の構成材料としては、第２の層８２とは構成材料の異なる材料が好ましく用いられる。これにより、第２の層８２と第３の層８３とで、絶縁性や導電性を適宜考慮しつつ、それぞれの構成材料を選択することが可能になる。その結果、絶縁性と帯電防止性とを両立し得るバッファー層３０４を実現することができる。
【０１９２】
また、第３の層８３の構成材料としては、第２の層８２よりも比抵抗の小さい材料が好ましく用いられる。このような材料は、第２の層８２よりも導電性がやや高くなるため、焦電現象によってバッファー層３０４が帯電するのを抑制する効果をもたらす。その結果、バッファー層３０４の帯電を抑制することができるので、電極３０３が基板３０１に対して電界を効率よく印加することができる。
【０１９３】
また、第３の層８３の構成材料としては、特に、窒化ケイ素を含む材料が好ましく用いられる。窒化ケイ素を含む材料は、酸化ケイ素を含む材料よりも導電性がやや高いため、焦電現象によってバッファー層３０４が帯電するのを抑制することができる。
【０１９４】
第３の層８３の形成方法は、特に限定されないが、ＣＶＤのような化学蒸着法、真空蒸着、スパッタリングのような物理蒸着法等が挙げられる。
【０１９５】
第３の層８３の平均厚さは、第２の層８２の平均厚さよりも薄いのが好ましく、より好ましくは第２の層８２の平均厚さの７０％以下とされ、さらに好ましくは５０％以下とされる。これにより、バッファー層３０４の絶縁性が低下するのを抑制しつつ、バッファー層３０４の帯電を抑制することができる。
【０１９６】
なお、第３の層８３の平均厚さは、例えば、断面を電子顕微鏡等で観察し、１０か所以上の厚さを平均することで求められる。
また、第３の層８３は、必要に応じて設けられればよく、省略されてもよい。
【０１９７】
また、第１の層８１、第２の層８２および第３の層８３は、必ずしも基板３０１の全面に設けられる必要はなく、例えば、アライメントパターン８１１上には、第２の層８２および第３の層８３を成膜しないようにしてもよい。
【０１９８】
［６］
次に、図１７に示すように、第３の層８３の上面に導電層３０３０を形成する。導電層３０３０は、パターニングされることにより、電極３０３を形成することができる。
【０１９９】
導電層３０３０（電極３０３）の構成材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されないものの、例えば、アルミニウム、銅、銀、金のような金属単体またはこれらを含む合金等が用いられる。
【０２００】
導電層３０３０の形成方法は、特に限定されないが、真空蒸着、スパッタリングのような物理蒸着法、めっき法等が挙げられる。
【０２０１】
導電層３０３０の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であるのが好ましい。
【０２０２】
なお、導電層３０３０は、図１７に示すように、アライメントパターン８１１を覆わないように成膜される。換言すれば、アライメントパターン８１１（第１の層８１の一部）がはみ出すように、導電層３０３０を形成する。これにより、以降の工程においてもアライメントパターン８１１を視認することができる。この場合、マスク等でアライメントパターン８１１を覆った状態で導電層３０３０を形成するようにすればよい。
【０２０３】
なお、この際、アライメントパターン８１１と光導波路３０２との間に十分な距離を確保しておくことにより、アライメントパターン８１１を含むおおよその範囲をマスク等で覆えばよいため、かかる作業は簡易的なもので足りる。
【０２０４】
［７］
次に、導電層３０３０の上面にレジスト膜９２を形成する。レジスト膜９２は、導電層３０３０の上面全体にレジスト材料が形成された後、露光、現像を経て、目的とする形状にパターニングされることにより形成される。すなわち、図１８に示すように、導電層３０３０を除去すべき領域に開口を有するようにパターニングを施し、レジスト膜９２を得る。
【０２０５】
換言すれば、レジスト膜９２は、電極３０３を形成する領域に設けられる。そして、基板３０１がいわゆるＺ板である場合、この電極３０３は、光導波路３０２のコア部３０２１の上方に設けられる。このとき、電極３０３の位置とコア部３０２１の位置とができるだけ正確に合っている必要がある。仮に、電極３０３の位置とコア部３０２１の位置とがずれると、変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの変調特性（光変調効率）が低下し易くなる。
【０２０６】
そこで、本実施形態では、成膜されたレジスト材料を露光する際に、アライメントパターン８１１を基準位置として光導波路３０２の位置を推定し、それに基づいて露光領域を設定する。これにより、露光領域と光導波路３０２の位置とを正確に合わせることができる。その結果、レジスト膜９２の位置を光導波路３０２の位置と正確に合わせることができ、最終的には、信号電極３０３３の位置と光導波路３０２のコア部３０２１の位置とを正確に合わせることができる。このようにして得られた変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂは、良好な変調特性（光変調効率）を有するものとなる。
【０２０７】
次に、図１９に示すように、レジスト膜９２をマスクとして、導電層３０３０をパターニングする。これにより、導電層３０３０のうち、レジスト膜９２に対応する領域以外が除去され、信号電極３０３３を含む電極３０３が形成される。
【０２０８】
導電層３０３０は、例えばウエットエッチング法、ドライエッチング法のような各種エッチング法により選択的に除去される。このうち、ウエットエッチング法が好ましく用いられる。ウエットエッチング法によれば、ドライエッチング法に比べて、基板３０１への悪影響、例えばプラズマによる結晶欠陥の生成、応力の局所集中といった悪影響を小さく抑えることができる。その結果、基板３０１の電気光学効果が意図せず低減するのを防止することができる。
以上のようにして図８に示す変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂが得られる。
【０２０９】
以上のような本実施形態によれば、第１の層８１が、プロトン交換処理におけるマスクとしての機能と、電極３０３同士を絶縁する絶縁層としての機能と、を併せ持つものとなる。このため、第１の層８１は、除去されることなくバッファー層３０４の一部として組み込むことが可能なものとなり、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【０２１０】
また、第１の層８１に、光導波路形成用開口８１２とアライメントパターン８１１とを含ませることにより、導電層３０３０をパターニングして電極３０３を形成する際に、アライメントパターン８１１を基準位置として利用することが可能になる。これにより、電極３０３の位置と光導波路３０２の位置とを正確に合わせることができ、良好な変調特性（光変調効率）を有する変調器３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを製造することができる。
【０２１１】
以上、本発明の光変調器の製造方法、光変調器および画像表示装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０２１２】
例えば、本発明の光変調器および画像表示装置では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０２１３】
また、本発明の光変調器の製造方法では、任意の目的の工程を付加することができる。
また、本発明の画像表示装置は、上述したヘッドマウントディスプレイやヘッドアップディスプレイに限定されず、光量の変調を利用する表示原理を有するものであれば、いかなる形態の画像表示装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【０２１４】
１…画像表示装置、２…フレーム、２’…フレーム、３…信号生成部、４…走査光出射部、５…接続部、６…反射部、１０…反射部、１７…コイル、１８…信号重畳部、２１…ノーズパッド部、２２…フロント部、２３…テンプル部、２４…モダン部、２５…リム部、２６…ブリッジ部、２７…凹部、３０Ｂ…変調器、３０Ｇ…変調器、３０Ｒ…変調器、３１…信号光生成部、３２…駆動信号生成部、３３…制御部、３４…光検出部、３５…固定部、４１…ハウジング、４２…光走査部、４３…レンズ、４５…レンズ、４６…支持部材、７１…第１光ファイバー、７２…第２光ファイバー、８１…第１の層、８２…第２の層、８３…第３の層、９１…レジスト膜、９２…レジスト膜、３０１…基板、３０２…光導波路、３０２ａ…第１光導波路、３０２ｂ…第２光導波路、３０３…電極、３０４…バッファー層、３１１…光源部、３１１Ｂ…光源、３１１Ｇ…光源、３１１Ｒ…光源、３１２Ｂ…駆動回路、３１２Ｇ…駆動回路、３１２Ｒ…駆動回路、３１４…光合成部、３１４ａ…ダイクロイックミラー、３１４ｂ…ダイクロイックミラー、３１４ｃ…ダイクロイックミラー、３２１…駆動回路、３２２…駆動回路、８１０…絶縁層、８１１…アライメントパターン、８１２…光導波路形成用開口、３０２１…コア部、３０２２…クラッド部、３０２３…分岐部、３０２４…合流部、３０３０…導電層、３０３１…グランド電極、３０３２…グランド電極、３０３３…信号電極、ＣＡ…自動車、ＣＥ…天井部、ＥＡ…耳、ＥＹ…眼、Ｈ…頭部、Ｊ１…軸、Ｊ２…軸、ＮＳ…鼻、Ｓ１…工程、Ｓ２…工程、Ｓ３…工程、Ｓ４…工程、Ｓ５…工程、Ｓ６…工程、Ｓ７…工程、ＵＴ…光源ユニット、Ｗ…フロントウィンドウ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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