(57)【要約】【課題】反射防止特性がさらに向上し、かつ、作製が容易な、新規かつ改良された光学体、原盤、及び光学体の製造方法を提供する。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、凸形状または凹形状を有する構造体が可視光波長以下の平均周期で配列された凹凸構造を有する光学体であって、構造体は、光学体の厚さ方向に垂直ないずれか一の面方向に関して非対称な形状を有する、光学体が提供される。上記観点によれば、反射防止特性がさらに向上し、かつ、作製が容易となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸形状または凹形状を有する構造体が可視光波長以下の平均周期で配列された凹凸構造を有する光学体であって、
前記構造体は、前記光学体の厚さ方向に垂直ないずれか一の面方向に関して非対称な形状を有する、光学体。
【請求項２】
前記構造体の平面視形状が前記一の面方向に関して非対称な形状を有する、請求項１記載の光学体。
【請求項３】
前記構造体に外接する四角形を前記構造体の配列方向に沿って二等分する直線で前記構造体の平面視形状を２つの領域に分割した場合、それぞれの面積が異なることを特徴とする、請求項２記載の光学体。
【請求項４】
前記２つの領域のうち、小さい方の領域の面積を大きい方の面積で除算することで得られる面積比は、０．９７以下であることを特徴とする、請求項３記載の光学体。
【請求項５】
前記面積比が０．９５以下であることを特徴とする、請求項４記載の光学体。
【請求項６】
前記面積比が０．９５以下、０．３３以上であることを特徴とする、請求項４または５に記載の光学体。
【請求項７】
前記構造体の垂直断面形状が前記一の面方向に関して非対称な形状を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項８】
前記構造体の垂直断面形状の頂点の位置が、前記構造体のトラック方向の中心点に対して前記トラック方向に変位していることを特徴とする、請求項７記載の光学体。
【請求項９】
前記頂点の位置の変位量を、前記構造体のドットピッチで除した変位比が０．０３以上であることを特徴とする、請求項８記載の光学体。
【請求項１０】
前記変位比が０．０３以上、０．５以下あることを特徴とする、請求項９記載の光学体。
【請求項１１】
前記構造体の前記一の面方向上の配列ピッチは、前記凹凸構造の他の面方向上の配列ピッチと異なる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項１２】
前記構造体は凸形状を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項１３】
前記構造体は凹形状を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項１４】
前記構造体は、硬化性樹脂の硬化物で構成されている、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項１５】
隣接する前記構造体同士が接している、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光学体。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の凹凸構造の反転形状が表面に形成された原盤。
【請求項１７】
前記原盤は、板状、円筒形状、または円柱形状である、請求項１６記載の原盤。
【請求項１８】
請求項１６または１７記載の原盤を転写型として用いて基材上に前記凹凸構造を形成する、光学体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学体、原盤、及び光学体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、テレビなどの表示装置、およびカメラレンズなどの光学素子では、表面反射を減少させ、かつ透過光を増加させるために、光の入射面に反射抑制処理が施されている。このような反射抑制処理としては、例えば、表面に凹凸構造が形成された光学体を光の入射面に形成させることが提案されている。ここで、光学体の表面に形成された凹凸構造は、複数の凸部及び凹部で形成され、凸部間の配列ピッチ及び凹部間の配列ピッチが可視光波長以下となっている。
【０００３】
このような光学体の表面では、入射光に対する屈折率の変化が緩やかになるため、反射の原因となる急激な屈折率の変化が発生しない。したがって、このような凹凸構造を光の入射面の表面に形成することにより、広い波長帯域にわたって入射光の反射を抑制することができる。
【０００４】
特許文献１〜３は、このような光学体に関する技術を開示する。特許文献１に開示された技術では、鋳型への転写材の充填不良、剥離抵抗による転写品の凸部欠損、及び、転写された微細凹凸構造の凸部のパターン倒れを防止するために、光学体の表面に凸部の密集箇所をランダムに配置する。
【０００５】
特許文献２に開示された技術では、回折光の発生を抑制するために、凹凸の配列パターンを正多角形状の配列パターンからずらす。特許文献３に開示された技術では、凹凸の配列ピッチ等を容易に制御するために、スパッタリング法により凹凸をランダムに形成する。特許文献４に開示された技術では、対称な形状を有する凹凸を所定の配列パターンで配列する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−０６６９７６号公報
【特許文献２】特開２０１５−０３８５７９号公報
【特許文献３】特開２０１５−０６０９８３号公報
【特許文献４】特開２００９−２５８７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜４に開示された技術では、光学体の反射防止特性が依然として十分ではなかった。なお、光学体の反射防止特性を高める方法として、特許文献４に開示されているように、凹凸構造を構成する凸部同士を重なり合わせる方法が提案されている。この方法によれば、凹凸構造の密度が向上するので、光学体の反射防止特性が向上することが期待できる。しかし、従来の凹凸構造にこの方法を適用する場合、所望の反射防止特性を実現させるためには、凸部同士を大きく重なり合わせる必要があった。このため、原盤の凹凸構造の転写性が悪化するという別の問題があった。
【０００８】
すなわち、光学体は、表面に凹凸構造が形成された原盤を転写型として用いて作製される。原盤の表面に形成された凹凸構造は、光学体の表面に形成された凹凸構造の反転形状を有する。この方法では、基材上に未硬化樹脂層を形成し、この未硬化樹脂層に原盤の凹凸構造を転写する。その後、未硬化樹脂層を硬化する。ついで、原盤を硬化した未硬化樹脂層、すなわち硬化樹脂層から剥離する。硬化樹脂層には、原盤の凹凸構造が転写されている。以上の工程により、光学体を作製する。ここで、凸部同士を大きく重なり合わせた場合、凹部が非常に微細な形状となる。すなわち、凹部の底面積が非常に小さくなる。したがって、原盤上に形成される凸部は非常に微細な形状となる。このため、原盤の凹凸構造を未硬化樹脂層に正確に転写することが非常に難しくなる。すなわち、原盤の凹凸構造の転写性が悪化する。そして、転写性が悪化すると、原盤の凹凸構造が正確に光学体に反映されないので、光学体の反射防止特性が悪化する可能性がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、反射防止特性がさらに向上し、かつ、作製が容易な、新規かつ改良された光学体、原盤、及び光学体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、凸形状または凹形状を有する構造体が可視光波長以下の平均周期で配列された凹凸構造を有する光学体であって、構造体は、光学体の厚さ方向に垂直ないずれか一の面方向に関して非対称な形状を有する、光学体が提供される。
【００１１】
ここで、構造体の平面視形状が一の面方向に関して非対称な形状を有していてもよい。
【００１２】
また、構造体に外接する四角形を構造体の配列方向に沿って二等分する直線で構造体の平面視形状を２つの領域に分割した場合、それぞれの面積が異なっていてもよい。
【００１３】
また、２つの領域のうち、小さい方の領域の面積を大きい方の面積で除算することで得られる面積比は、０．９７以下であってもよい。
【００１４】
また、面積比が０．９５以下であってもよい。
【００１５】
また、面積比が０．９５以下、０．３３以上であってもよい。
【００１６】
また、構造体の垂直断面形状が一の面方向に関して非対称な形状を有していてもよい。
【００１７】
また、構造体の垂直断面形状の頂点の位置が、構造体のトラック方向の中心点に対してトラック方向に変位していてもよい。
【００１８】
また、頂点の位置の変位量を、構造体のドットピッチで除した変位比が０．０３以上であってもよい。
【００１９】
また、変位比が０．０３以上、０．５以下あってもよい。
【００２０】
また、構造体の一の面方向上の配列ピッチは、凹凸構造の他の面方向上の配列ピッチと異なっていてもよい。
【００２１】
また、構造体は凸形状を有していてもよい。
【００２２】
また、構造体は凹形状を有していてもよい。
【００２３】
また、構造体は、硬化性樹脂の硬化物で構成されていてもよい。
【００２４】
また、隣接する構造体同士が接していてもよい。
【００２５】
本発明の他の観点によれば、上記に記載の凹凸構造の反転形状が表面に形成された原盤が提供される。
【００２６】
ここで、原盤は、板状、円筒形状、または円柱形状であってもよい。
【００２７】
本発明の他の観点によれば、上記の原盤を転写型として用いて基材上に凹凸構造を形成する、光学体の製造方法が提供される。
【００２８】
上記観点によれば、構造体は、光学体の厚さ方向に垂直ないずれか一の面方向に関して非対称な形状を有する。したがって、構造体同士を大きく重なって合わせなくても、高い反射防止特性が実現される。このため、原盤の凹凸構造の転写性が高いので、光学体の作製も容易となる。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように上記観点によれば、反射防止特性がさらに向上し、かつ、作製が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施形態に係る光学体の外観例を示す平面図である。
【図２】同実施形態に係る光学体のＣＣ断面図である。
【図３】凸部の面積比の算出方法を説明するための説明図である。
【図４】凹凸構造の変形例を示す平面図である。
【図５】凹凸構造の変形例を示す平面図である。
【図６】凹凸構造の変形例を示す顕微鏡写真である。
【図７】凹凸構造の変形例を示す側断面図である。
【図８】本実施形態に係る原盤の外観例を示す斜視図である。
【図９】露光装置の構成例を示すブロック図である。
【図１０】レーザ光のパルス波形の従来例を示すタイミングチャートである。
【図１１】本実施形態に係るパルス波形の一例を示すタイミングチャートである。
【図１２】本実施形態に係るパルス波形の一例を示すタイミングチャートである。
【図１３】本実施形態に係るパルス波形の一例を示すタイミングチャートである。
【図１４】本実施形態に係るパルス波形の一例を示すタイミングチャートである。
【図１５】光学体をロールツーロールで製造する転写装置の一例を示す模式図である。
【図１６】実施例１に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図１７】実施例２に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図１８】比較例１に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図１９】比較例２に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図２０】実施例１に係る光学体の外観を示す顕微鏡写真である。
【図２１】実施例３に係る光学体の外観を示す顕微鏡写真である。
【図２２】比較例１に係る光学体の外観を示す顕微鏡写真である。
【図２３】実施例１、３及び比較例１に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図２４】実施例４に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図２５】実施例５に係る光学体の反射スペクトルを示すグラフである。
【図２６】凸部の平面視形状の面積比の下限値を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３２】
＜１．光学体の構成＞
次に、図１〜図３に基づいて、光学体１０の構成について説明する。光学体１０は、基材１１と、基材１１の一方の表面に形成された凹凸構造１２とを備える。なお、基材１１と凹凸構造１２とは一体成型されてもよい。例えば、基材１１を熱可塑性樹脂フィルムとすることで、基材１１と凹凸構造１２とを一体成型することができる。詳細は後述する。
【００３３】
凹凸構造１２は、光学体１０の膜厚方向に凸である複数の凸部１３（構造体）と、光学体１０の膜厚方向に凹である複数の凹部１４（構造体）とを有する。凸部１３及び凹部１４は、光学体１０上に周期的に配置される。例えば、図１の例では、凸部１３及び凹部１４は正六方格子状（言い換えれば、対称な千鳥格子状）に配置される。
【００３４】
すなわち、凹凸構造１２は、複数の凸部１３及び凹部１４からなるトラック（行）が互いに平行に配列されたものであると言える。なお、どの方向に並んだ凸部１３及び凹部１４をトラックと定義するのかについて特に制限はないが、例えば、光学体１０が長尺な光学体（あるいは長尺な光学体を切断することで得られる光学体）となる場合、長尺な光学体の長さ方向に並んだ凸部１３及び凹部１４をトラックと定義しても良い。図１の例では、この方法に従ってトラックを定義している。具体的には、図１の例では、トラックは矢印Ｂ方向（すなわち、左右方向）に伸びており、上下方向に並んでいる。また、隣接するトラック間に配置された凸部１３（または凹部１４）は、互いに凸部１３（または凹部１４）の半分の長さだけトラックの長さ方向（すなわち、トラック方向）にずれている。
【００３５】
もちろん、凸部１３及び凹部１４は他の配列パターンで配置されていても良い。例えば、凸部１３及び凹部１４は他の正多角格子状（例えば矩形格子状）に配置されていても良い。また、凸部１３及び凹部１４は、歪んだ多角格子状に配置されていても良い。また、凸部１３及び凹部１４は、ランダムに配置されていてもよい。
【００３６】
また、凸部１３は、光学体１０の厚さ方向に垂直ないずれか一の面方向に関して非対称な形状を有する。図１の例では、凸部１３は、矢印Ｂ方向に関して非対称な形状を有する。すなわち、凸部１３は、対称な形状を矢印Ｂ方向に歪ませた形状を有する。以下、凸部１３の形状について詳細に説明する。
【００３７】
本実施形態では、図３に示すように、凸部１３の平面視形状は、矢印Ｂ方向に関して非対称となっている。ここで、凸部１３の平面視形状とは、凸部１３を光学体１０の厚さ方向に垂直な平面に投影することで得られる形状（すなわち、図１や図３に示す形状）である。
【００３８】
そして、凸部１３の平面視形状に外接する四角形Ｘを描く。ここで、四角形Ｘは、凸部１３の平面視形状を内包する四角形のうち、最小の四角形を意味する。そして、この四角形Ｘを矢印Ｂに垂直な線分Ｘ１で二等分する。ここで、線分Ｘ１は、凸部１３の配列方向に沿って四角形Ｘを二等分する線分である。そして、線分Ｘ１の中点Ａを凸部１３の中心点（すなわち、凸部１３のトラック方向の中心点）と定義する。凸部１３の平面視形状は、この線分Ｘ１によって２つの領域Ｘ１１、Ｘ１２に区分される。そして、「凸部１３の平面視形状が矢印Ｂ方向に関して非対称である」とは、これらの領域Ｘ１１、Ｘ１２が線分Ｘ１に関して非対称であること、すなわち、領域Ｘ１１、Ｘ１２の面積が異なることを意味する。したがって、凸部１３の平面視形状は、線分Ｘ１に関して対称な形状（例えば真円）を矢印Ｂ方向に歪ませた形状となっている。領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は特に制限されないが、０．９７以下であることが好ましく、０．９５以下であることがより好ましく、０．９５以下０．３３以上であることがより好ましい。面積比が０．９７以下となる場合、後に述べる底面積を大きくすることができる。また、凸部１３の平面視形状が物理的な非対称性の限界となる三角形形状となる場合（図２６参照）、面積比が０．３３となる。このため、下限値の好ましい範囲を０．３３とした。ここで、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は、領域Ｘ１１及び領域Ｘ１２のうち、小さい方の面積を大きい方の面積で除算することで得られる。この場合、光学体１０の反射防止特性が特に向上する。なお、凸部１３の平面視形状が真円となる場合、領域Ｘ１１、Ｘ１２は線分Ｘ１に関して対称な形状となる。なお、凸部１３毎に面積比が異なる場合もありうる。この場合、いくつかの凸部１３の面積比を求め、これらを算術平均してもよい。
【００３９】
凸部１３の平面視形状同士は互いに離間していても、接触していても（すなわち、隣接する凸部１３同士が互いに接していても）、一部で重なりあっていても良い。図１の例では、凸部１３の平面視形状同士が接触している。光学体１０の反射防止特性を高めるという観点からは、凸部１３の平面視形状同士が接触しているか、一部で重なりあっていることが好ましい。ただし、凸部１３の平面視形状同士が大きく重なり合っていると、凹部１４の底面積が小さくなるので、原盤１００の転写性が悪化する可能性がある。このため、原盤１００の転写性が悪化しない程度で凸部１３の平面視形状同士を重なり合わせれば良い。また、平面視形状の観察方法としては、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、あるいは断面透過型電子顕微鏡（断面ＴＥＭ）等を用いることができ、平面視時の構造体の境界観察が困難な場合は、構造体の高さに対して５％程度の高さの面で断面加工を行い底面に相当する形状を観察することもできる。
【００４０】
さらに、本実施形態では、図１及び図２に示すように、凸部１３のＣＣ断面形状（すなわち、垂直断面形状）が矢印Ｂ方向に関して非対称となっている。ここで、ＣＣ断面は、点Ａを通り、かつ、矢印Ｂ方向及び光学体１０の厚さ方向に平行な断面を意味する。
【００４１】
そして、凸部１３の頂点１３ａは、ＣＣ断面上に配置される。そして、頂点１３ａは、点Ａを通り、かつ光学体１０の厚さ方向に平行な直線Ｌ１からずれた（変位した）位置に配置される。すなわち、凸部１３の垂直断面形状の頂点１３ａの位置が、凸部１３のトラック方向の中心点Ａに対してトラック方向に変位している。具体的には、頂点１３ａを通り、かつ光学体１０の厚さ方向に平行な直線Ｌ２は、直線Ｌ１から矢印Ｂ方向に距離Ｔ１（頂点の位置の変位量）だけ離れている。したがって、「凸部１３の垂直断面形状が矢印Ｂ方向に関して非対称である」とは、頂点１３ａが直線Ｌ１から矢印Ｂ方向にずれた位置に配置されることを意味する。したがって、凸部１３の垂直断面形状は、直線Ｌ１に関して対称な形状を矢印Ｂ方向に歪ませた形状となっている。したがって、凸部１３は、矢印Ｂ方向に傾斜していると言える。距離Ｔ１の長さは特に制限されないが、平面視形状の半径ｒの２％以上であることが好ましい。ここで、平面視形状の半径ｒは、ＣＣ断面と凸部１３の外縁部分との交点から中心点までの距離を意味する。また、距離Ｌ１（ｎｍ）を構造体のドットピッチ（ｎｍ）で除した値、すなわち変位比（％）は０．０３以上であることが好ましく、０．０３以上、０．５以下であることがより好ましく、０．０３以上、０．１以下であることがより好ましい。なお、凸部１３及び凹部１４がランダムに配置されている場合、変位比は、距離Ｌ１を凹凸構造１２の平均周期で除算した値となる。また、距離Ｌ１が構造体１２毎に異なる場合、いくつかの構造体１２について距離Ｌ１を算出し、これらの算術平均値を距離Ｌ１とすればよい。
【００４２】
なお、図１に示す例では、凸部１３の平面視形状及び垂直断面形状の双方が矢印Ｂ方向に関して非対称となっているが、いずれか一方の形状のみが矢印Ｂ方向に関して非対称となっていてもよい。また、凸部１３は、矢印Ｂ方向以外の面方向に関しては対称であっても非対称であってもよいが、対称であることがより好ましい。原盤１００の転写性を向上させるためである。
【００４３】
一方、凸部１３同士の間に凹部１４が配置される。すなわち、凹部１４は、凸部１３の外周面によって形成される。したがって、凹部１４の形状も、必然的に凸部１３と同様の特徴を有する。すなわち、凹部１４の平面視形状及び垂直断面形状は、矢印Ｂ方向に関して非対称となる。凹部１４の平面視形状及び垂直断面形状は、凸部１３の平面視形状及び垂直断面形状と同様に定義される。なお、凹部１４の平面視形状は凹部１４の開口面の形状となり、凹部１４の平面視形状の重心が凸部１３の頂点１３ａに対応する。
【００４４】
本実施形態では、凸部１３及び凹部１４が矢印Ｂ方向に関して非対称な形状となっているので、後述する実施例に開示されるように、凸部１３同士を重なり合わせないことや、もしくは、大きく重なり合わせなくても、高い反射防止特性を実現できる。このため、本実施形態では、凸部１３同士を大きく重なり合わせなくても、高い反射防止特性を実現できる。すなわち、本実施形態では、特許文献４のように凸部１３同士を大きく重なり合わせなくても、高い反射防止特性を得ることができる。さらに、本実施形態では、原盤１００の剥離性が向上する。すなわち、本実施形態では、凸部１３が矢印Ｂ方向に関して非対称な形状となっているので、原盤１００を光学体１０から矢印Ｂ方向に剥離することで、原盤１００を容易に光学体１０から剥離することができる。
【００４５】
凸部１３及び凹部１４の形状は、上述した要件が満たされるのであれば特に制限されない。凸部１３及び凹部１４の形状は、例えば、砲弾型、錐体状、柱状、針状であってもよい。
【００４６】
また、凸部１３及び凹部１４の平均周期（構造体の平均周期）は、可視光波長以下（例えば、８３０ｎｍ以下）であり、好ましくは、１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１３０〜２７０ｎｍである。したがって、凹凸構造１２は、いわゆるモスアイ構造となっている。ここで、平均周期が１００ｎｍ未満である場合、凹凸構造１２の形成が困難になる可能性があるため好ましくない。また、平均周期が３５０ｎｍを超える場合、可視光の回折現象が生じる可能性があるため好ましくない。
【００４７】
ここで、凸部１３及び凹部１４の平均周期は、例えば、互いに隣り合う凸部１３間及び凹部１４間の距離の算術平均値である。なお、凹凸構造１２は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、あるいは断面透過型電子顕微鏡（断面ＴＥＭ）等によって観察可能である。凸部１３の平均周期は、例えば以下の方法によって測定される。すなわち、隣り合う凸部１３の組み合わせを複数個ピックアップする。そして、凸部１３の頂点間の距離を測定する。そして、測定値の算術平均値を凸部１３の平均周期とすればよい。また、凹部１４の平均周期は、例えば以下の方法によって測定される。すなわち、隣り合う凹部１４の組み合わせを複数個ピックアップする。そして、凹部１４の重心間の距離を測定する。そして、測定値を算術平均することで、凹部１４の平均周期を算出すればよい。
【００４８】
なお、凸部１３及び凹部１４が光学体１０上に周期的に配列される場合、凸部１３及び凹部１４の平均周期（すなわち、平均ピッチ）は、例えば、ドットピッチＬ１２及びトラックピッチＬ１３に区分される。ドットピッチＬ１２は、トラックの長さ方向上に配列された凸部１３（または凹部１４）間の平均周期である。トラックピッチＬ１３は、トラックの配列方向（図１中上下方向）上に配列された凸部１３（または凹部１４）間の平均周期である。本実施形態では、ドットピッチＬ１２及びトラックピッチＬ１３はいずれも可視光波長以下となる。ドットピッチＬ１２及びトラックピッチＬ１３は同じであっても異なっていても良い。凸部１３及び凹部１４の平均周期は、ドットピッチＬ１２とトラックピッチＬ１３の算術平均値となる。
【００４９】
また、凸部１３の高さ（言い換えれば、凹部１４の深さ）は特に制限はなく、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下である。
【００５０】
凹凸構造１２の平均周期及び高さを上記の範囲内の値とすることで、光学体１０の反射防止特性をより向上させることができる。具体的には、凹凸構造１２の分光反射率（波長３５０〜８００ｎｍにおける分光正反射率）の下限値を０．０１〜０．１％程度とすることができる。また、上限値を０．５％以下、好ましくは０．４％以下、更に好ましくは０．３％以下、更に好ましくは０．２％以下とすることができる。また、後述するように凹凸構造１２を転写法によって形成する場合、転写後に光学体１０を原盤１００から容易に剥離することができる。なお、凸部１３の高さは、凸部１３毎に異なっていてもよい。
【００５１】
凹凸構造１２は、例えば硬化性樹脂の硬化物で構成される。硬化性樹脂の硬化物は、透明性を有することが好ましい。硬化性樹脂は、重合性化合物と硬化開始剤とを含む。重合性化合物は、硬化開始剤によって硬化する樹脂である。重合性化合物としては、例えばエポキシ重合性化合物、及びアクリル重合性化合物等が挙げられる。エポキシ重合性化合物は、分子内に１つまたは２つ以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、またはプレポリマーである。エポキシ重合性化合物としては、各種ビスフェノール型エポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型、Ｆ型等）、ノボラック型エポキシ樹脂、ゴムおよびウレタン等の各種変性エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、及びこれらのプレポリマー等が挙げられる。
【００５２】
アクリル重合性化合物は、分子内に１つまたは２つ以上のアクリル基を有するモノマー、オリゴマー、またはプレポリマーである。ここで、モノマーは、さらに分子内にアクリル基を１つ有する単官能モノマー、分子内にアクリル基を２つ有する二官能モノマー、分子内にアクリル基を３つ以上有する多官能モノマーに分類される。
【００５３】
「単官能モノマー」としては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル又は脂環類のモノマー（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル−アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル−アクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどが挙げられる。
【００５４】
「二官能モノマー」としては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン−ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。
【００５５】
「多官能モノマー」としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどが挙げられる。
【００５６】
上記で列挙したアクリル重合性化合物以外の例としては、アクリルモルフォリン、グリセロールアクリレート、ポリエーテル系アクリレート、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルカプロラクトン、エトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、脂肪族ウレタンオリゴマー、ポリエステルオリゴマー等が挙げられる。重合性化合物は、光学体１０の透明性の観点からは、アクリル重合性化合物が好ましい。
【００５７】
硬化開始剤は、硬化性樹脂を硬化させる材料である。硬化開始剤の例としては、例えば、熱硬化開始剤、光硬化開始剤等が挙げられる。硬化開始剤は、熱、光以外の何らかのエネルギー線（例えば電子線）等によって硬化するものであってもよい。硬化開始剤が熱硬化開始剤となる場合、硬化性樹脂は熱硬化性樹脂となり、硬化開始剤が光硬化開始剤となる場合、硬化性樹脂は光硬化性樹脂となる。
【００５８】
ここで、光学体１０の透明性の観点からは、硬化開始剤は、紫外線硬化開始剤であることが好ましい。したがって、硬化性樹脂は、紫外線硬化性アクリル樹脂であることが好ましい。紫外線硬化開始剤は、光硬化開始剤の一種である。紫外線硬化開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどが挙げられる。
【００５９】
また、凹凸構造１２を構成する樹脂は、親水性、撥水性、曇り防止等の機能性が付与された樹脂であっても良い。
【００６０】
また、凹凸構造１２には、光学体１０の用途に応じた添加剤を添加してもよい。このような添加剤としては、例えば、無機フィラー、有機フィラー、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などが挙げられる。なお、無機フィラーの種類としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子が挙げられる。
【００６１】
基材１１の種類は特に制限されないが、光学体１０を反射防止フィルムとして使用する場合、透明かつ破断しにくいフィルムであることが好ましい。基材１１の例としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム等が挙げられる。光学体１０を反射防止フィルムとして使用する場合には、基材１１は、透明性に優れた材料で構成されることが好ましい。また、基材１１の厚さは、光学体１０の用途、すなわち光学体１０に求められるハンドリング性によって適宜調整すればよい。基材１１はケイ素系の材料で構成されていてもよい。また、基材１１の形状はフィルム形状に限定されるものではなく、板状、曲面状、レンズ形状といった各種の形状のものを用いても良い。また、基材１１の材料としては、無機系材料、例えば、ガラス材料やＡｌ２Ｏ３系の材料を用いてもよい。基材１１と凹凸構造１２とは異なる材料で構成されていてもよく、同一の材料で構成されていてもよい。基材１１と凹凸構造１２とを異なる材料で構成した場合、これらの間に屈折率調整用のインデックスマッチ層等を形成してもよい。基材１１の厚さは、例えば５０〜１２５μｍであってもよい。基材１１は平板状であってもよく、他の形状（例えば凹形状、凸形状）であってもよい。また、基材１１及び凹凸構造１２のうち、少なくとも一方は着色されていても良い。
【００６２】
＜２．凹凸構造の変形例＞
（２−１．第１の変形例）
次に、凹凸構造の各種変形例について説明する。図４は、凹凸構造１２の第１の変形例を示す。第１の変形例では、凸部１３の平面視形状は、図１に示す平面視形状にくらべて上下方向にやや扁平している。第１の変形例においても、図１の凹凸構造１２と同様の効果が期待できる。
【００６３】
（２−２．第２の変形例）
図５は、凹凸構造１２の第２の変形例を示す。第２の変形例では、凸部１３及び凹部１４の配列パターンが正六方格子パターンからずれたパターンとなっている。具体的には、第２の変形例では、トラックピッチＬ３が図１に示すトラックピッチＬ３よりも若干狭くなっている。第２の変形例においても、図１の凹凸構造１２と同様の効果が期待できる。
なお、第２の変形例のような凹凸構造１２を得るためには、トラックピッチ及びドットピッチを適宜変更すればよい。例えば、トラックピッチを１００〜１８０ｎｍ、ドットピッチを１８０〜２７０ｎｍとすればよい。
【００６４】
（２−３．第３の変形例）
図６は、凹凸構造１２の第３の変形例を示す。図６中、上下方向がトラック方向（矢印Ｂ方向に相当）となる。第３の変形例では、凸部１３は、トラック方向とは異なる方向（ここでは、右上方向）に関して非対称な形状となっている。すなわち、凸部１３の平面視形状は、右上方向に関して非対称な形状となっている。例えば、図３と同様の領域Ｘ１１、Ｘ１２を定義した場合、右上側の領域Ｘ１１は、左下側の領域Ｘ１２よりも大きい。また、頂点１３ａは、中心点Ａよりも右上方向にずれている。第３の変形例においても、図１の凹凸構造１２と同様の効果が期待できる。なお、図６に示すような凹凸構造１２を得るためには、後述する露光装置２００において、対物レンズ２２３の光路方向手前側に非対称形状のアパーチャを設ければ良い。アパーチャの平面視形状は、凸部１３の平面視形状に略一致する。このようなアパーチャを配置することで、対物レンズ２２３によりフーリエ変換後の像として集光されるレーザ光を非対称な形状とすることができる。
【００６５】
（２−４．第４の変形例）
第４の変形例では、凹凸構造１２は、図１に示す凹凸構造１２の反転形状を有する。すなわち、第４の変形例では、図１の凸部１３が凹部１４に置き換わり、図１の凹部１４が凸部１３に置き換わっている。図７は、第４の変形例に係る凹凸構造１２のＣＣ断面図を示す。第４の変形例においても、図１の凹凸構造１２と同様の効果が期待できる。この場合、凹部１４の平面視形状及び垂直断面形状は、矢印Ｂ方向に関して非対称となる。凹部１４の平面視形状及び垂直断面形状は、図１に示す凸部１３の平面視形状及び垂直断面形状と同様に定義される。なお、凹部１４の平面視形状は凹部１４の開口面の形状となり、凹部１４の平面視形状の重心が図１に示す凸部１３の頂点１３ａに対応する。
【００６６】
＜３．原盤の構成＞
凹凸構造１２は、例えば図８に示す原盤１００を用いて作製される。そこで、次に、原盤１００の構成について説明する。原盤１００は、例えば、ナノインプリント法で使用される原盤であり、円筒形状となっている。原盤１００は円柱形状であっても、他の形状（例えば平板状）であってもよい。ただし、原盤１００が円柱または円筒形状である場合、ロールツーロール方式によって原盤１００の凹凸構造（すなわち、原盤凹凸構造）１２０を樹脂基材等にシームレス的に転写することができる。これにより、原盤１００の原盤凹凸構造１２０が転写された光学体１０を高い生産効率で作製することができる。このような観点からは、原盤１００の形状は、円筒形状または円柱形状であることが好ましい。
【００６７】
原盤１００は、原盤基材１１０と、原盤基材１１０の周面に形成された原盤凹凸構造１２０とを備える。原盤基材１１０は、例えば、ガラス体であり、具体的には、石英ガラスで形成される。ただし、原盤基材１１０は、ＳｉＯ２純度が高いものであれば、特に限定されず、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラス等で形成されてもよい。原盤基材１１０は、金属母材上に上記の材料を積層したものや金属母材であってもよい。原盤基材１１０の形状は円筒形状であるが、円柱形状、他の形状であってもよい。ただし、上述のように、原盤基材１１０は円筒形状または円柱形状であることが好ましい。原盤凹凸構造１２０は、凹凸構造１２の反転形状を有する。
【００６８】
＜４．原盤の製造方法＞
つぎに、原盤１００の製造方法を説明する。まず、原盤基材１１０上に、基材レジスト層を形成（成膜）する。ここで、基材レジスト層を構成するレジスト材は特に制限されず、有機レジスト材及び無機レジスト材のいずれであってもよい。有機レジスト材としては、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどが挙げられる。また、無機レジスト材としては、例えば、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物等が挙げられる。ただし、熱反応リソグラフィを行うためには、基材レジスト層は、金属酸化物を含む熱反応型レジストで形成されることが好ましい。
【００６９】
有機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層は、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはスクリーン印刷等を用いることで原盤基材１１０上に形成されてもよい。また、基材レジスト層に無機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層は、スパッタ法を用いることで形成されてもよい。
【００７０】
次に、露光装置２００（図９参照）により基材レジスト層の一部を露光することで、基材レジスト層に潜像を形成する。具体的には、露光装置２００は、レーザ光２００Ａを変調し、レーザ光２００Ａを基材レジスト層に対して照射する。これにより、レーザ光２００Ａが照射された基材レジスト層の一部が変性するため、基材レジスト層に原盤凹凸構造１２０に対応する潜像を形成することができる。潜像は、可視光波長以下の平均周期で基材レジスト層に形成される。
【００７１】
続いて、潜像が形成された基材レジスト層上に現像液を滴下することで、基材レジスト層を現像する。これにより、基材レジスト層に凹凸構造が形成される。ついで、基材レジスト層をマスクとして原盤基材１１０及び基材レジスト層をエッチングすることで、原盤基材１１０上に原盤凹凸構造１２０を形成する。なお、エッチングの方法は特に制限されないが、垂直異方性を有するドライエッチングであることが好ましく、例えば、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）であることが好ましい。以上の工程により、原盤１００を作製する。なお、アルミニウムを陽極酸化して得られる陽極酸化ポーラスアルミナを原盤として使用してもよい。陽極酸化ポーラスアルミナは、例えば国際公開第２００６／０５９６８６号公報に開示されている。また、非対称形状のレチクルマスクを用いたステッパーにより原盤１００を作製してもよい。
【００７２】
ここで、詳細は後述するが、本実施形態では、レーザ光２００Ａの照射態様を調整することで、原盤凹凸構造１２０を形成する。これにより、原盤凹凸構造１２０の形状を凹凸構造１２の反転形状とすることができる。すなわち、原盤凹凸構造１２０の形状は、原盤１００のいずれか一の面方向（ここでは、原盤１００の周方向）に関して非対称な形状となる。
【００７３】
＜５．露光装置の構成＞
次に、図９に基づいて、露光装置２００の構成について説明する。露光装置２００は、基材レジスト層を露光する装置である。露光装置２００は、レーザ光源２０１と、第１ミラー２０３と、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：ＰＤ）２０５と、偏向光学系と、制御機構２３０と、第２ミラー２１３と、移動光学テーブル２２０と、スピンドルモータ２２５と、ターンテーブル２２７とを備える。また、原盤基材１１０は、ターンテーブル２２７上に載置され、回転することができるようになっている。
【００７４】
レーザ光源２０１は、レーザ光２００Ａを発する光源であり、例えば、固体レーザまたは半導体レーザなどである。レーザ光源２０１が発するレーザ光２００Ａの波長は、特に限定されないが、例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色光帯域の波長であってもよい。また、レーザ光２００Ａのスポット径（レジスト層に照射されるスポットの直径）は、原盤凹凸構造１２０の凹部の開口面の直径より小さければよく、例えば２００ｎｍ程度であればよい。レーザ光源２０１から発せられるレーザ光２００Ａは制御機構２３０によって制御される。
【００７５】
レーザ光源２０１から出射されたレーザ光２００Ａは、平行ビームのまま直進し、第１ミラー２０３で反射され、偏向光学系に導かれる。
【００７６】
第１ミラー２０３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー２０３を透過した偏光成分は、フォトダイオード２０５によって受光され、光電変換される。また、フォトダイオード２０５によって光電変換された受光信号は、レーザ光源２０１に入力され、レーザ光源２０１は、入力された受光信号に基づいてレーザ光２００Ａの位相変調を行う。
【００７７】
また、偏向光学系は、集光レンズ２０７と、電気光学偏向素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃ  Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＥＯＤ）２０９と、コリメータレンズ２１１とを備える。
【００７８】
偏向光学系において、レーザ光２００Ａは、集光レンズ２０７によって、電気光学偏向素子２０９に集光される。電気光学偏向素子２０９は、レーザ光２００Ａの照射位置を制御することが可能な素子である。露光装置２００は、電気光学偏向素子２０９により、移動光学テーブル２２０上に導かれるレーザ光２００Ａの照射位置を変化させることも可能である（いわゆる、Ｗｏｂｂｌｅ機構）。レーザ光２００Ａは、電気光学偏向素子２０９によって照射位置を調整された後、コリメータレンズ２１１によって、再度、平行ビーム化される。偏向光学系から出射されたレーザ光２００Ａは、第２ミラー２１３によって反射され、移動光学テーブル２２０上に水平かつ平行に導かれる。
【００７９】
移動光学テーブル２２０は、ビームエキスパンダ（Ｂｅａｍ  ｅｘｐａｄｅｒ：ＢＥＸ）２２１と、対物レンズ２２３とを備える。移動光学テーブル２２０に導かれたレーザ光２００Ａは、ビームエキスパンダ２２１により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ２２３を介して、原盤基材１１０上に形成された基材レジスト層に照射される。また、移動光学テーブル２２０は、原盤基材１１０が１回転する毎に矢印Ｒ方向（送りピッチ方向）に１送りピッチ（トラックピッチ）だけ移動する。ターンテーブル２２７上には、原盤基材１１０が設置される。スピンドルモータ２２５はターンテーブル２２７を回転させることで、原盤基材１１０を回転させる。これにより、レーザ光２００Ａを基材レジスト層上で走査させる。ここで、レーザ光２００Ａの走査方向に沿って、基材レジスト層の潜像が形成される。したがって、凹凸構造１２のトラック方向（すなわち、矢印Ｂ方向）は、レーザ光２００Ａの走査方向に対応する。
【００８０】
また、制御機構２３０は、フォーマッタ２３１と、ドライバ２３３とを備え、レーザ光２００Ａの照射を制御する。フォーマッタ２３１は、レーザ光２００Ａの照射を制御する変調信号を生成し、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した変調信号に基づいて、レーザ光源２０１を制御する。これにより、原盤基材１１０へのレーザ光２００Ａの照射が制御される。
【００８１】
フォーマッタ２３１は、基材レジスト層に描画する任意のパターンが描かれた入力画像に基づいて、基材レジスト層にレーザ光２００Ａを照射するための制御信号を生成する。具体的には、まず、フォーマッタ２３１は、基材レジスト層に描画する任意のパターンが描かれた入力画像を取得する。入力画像は、軸方向に基材レジスト層の外周面を切り開いて一平面に伸ばした、基材レジスト層の外周面の展開図に相当する画像である。次に、フォーマッタ２３１は、入力画像を所定の大きさの小領域に分割し（例えば、格子状に分割し）、小領域の各々に描画パターンが含まれるか否かを判断する。続いて、フォーマッタ２３１は、描画パターンが含まれると判断した各小領域にレーザ光２００Ａを照射するよう制御する制御信号に生成する。この制御信号（すなわち、露光信号）は、スピンドルモータ２２５の回転と同期されることが好ましいが、同期されていなくてもよい。また、制御信号とスピンドルモータ２２５の回転との同期は原盤基材１１０が１回転する毎に取り直されても良い。さらに、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した制御信号に基づいてレーザ光源２０１の出力を制御する。これにより、基材レジスト層へのレーザ光２００Ａの照射が制御される。なお、露光装置２００は、フォーカスサーボ、レーザ光２００Ａの照射スポットの位置補正等のような公知の露光制御処理を行ってもよい。フォーカスサーボはレーザ光２００Ａの波長を用いてもよく、他の波長を参照用に用いても良い。
【００８２】
また、レーザ光源２０１から照射されたレーザ光２００Ａは、複数系統の光学系に分岐された後に基材レジスト層に照射されても良い。この場合、複数の照射スポットが基材レジスト層に形成される。この場合、一方の光学系から出射されたレーザ光２００Ａが他方の光学系によって形成された潜像に到達した際に、露光を終了すればよい。
【００８３】
＜６．レーザ光の照射態様の例＞
本実施形態では、レーザ光の照射態様を調整することで、原盤凹凸構造１２０を原盤基材１１０上に形成する。レーザ照射態様の例として、レーザ光のパルス波形が挙げられる。そこで、レーザ光のパルス波形について説明する。
【００８４】
図１０は、パルス波形の従来例を示す。図１０の横軸は時刻、縦軸はレーザ光の出力レベルを示す。図１０の例では、露光装置２００は、高レベル（＝Ｉｗ）のレーザ光と低レベル（＝Ｉｂ）のレーザ光とを交互に原盤基材１１０に照射することで、原盤基材１１０上に原盤凹凸構造１２０を形成する。したがって、レーザ光のパルス波形は、高出力パルスＰ１と、低出力パルスＰ２とに区分される。基材レジスト層は、高レベルのレーザ光が照射された際に潜像が形成されるが、潜像の形状は、低レベルのレーザ光の影響も受ける。この従来例では、高出力パルスＰ１の出力レベルはＩｗとなり、低出力パルスＰ２の出力レベルはＩｂとなる。また、高出力パルスＰ１の出力時間及び提出力パルスＰ２の出力時間はいずれもｔ１となる。この従来例で形成される原盤凹凸構造１２０は、全ての面方向に関して対称な形状を有する。したがって、原盤１００を用いて形成される凹凸構造１２の平面視形状は、例えば真円となる。また、頂点１３ａは直線Ｌ１（図２参照）上に配置される。
【００８５】
図１１は、本実施形態のパルス波形の一例を示す。この例では低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１が図１０の出力レベルＩｂよりも高くなっている。本発明者は、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１を図１０の出力レベルＩｂよりも高くすることで、原盤凹凸構造１２０の形状をレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称にできることを見出した。すなわち、原盤凹凸構造１２０は、図１及び図２に示す凹凸構造１２の凹凸が反転した反転形状を有する。また、レーザ光２００Ａの走査方向と矢印Ｂ方向とは逆方向になる。以下の図１２〜図１４の例においても同様である。この例では、低出力パルスＰ２の出力レベルが変動するので、基材レジスト層の温度の時間変化が変わる。このため、原盤凹凸構造１２０の形状がレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称になると考えられる。
【００８６】
また、出力レベルＩｂ１と出力レベルＩｂとの出力差を小さくすると、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比が大きくなる。また、直線Ｌ２と直線Ｌ１との距離Ｔ１（すなわち、凸部１３の頂点１３ａから凸部１３の中心点Ａまでの矢印Ｂ方向の距離。図２参照）は、大きくなる。なお、出力レベルＩｂ１と出力レベルＩｂとの出力差は、出力レベルＩｂの３０％以上であることが好ましい。この場合、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比を上述した好ましい範囲内の値とすることができるからである。また、出力レベルＩｗと出力レベルＩｂとの比はＩｗ：Ｉｂ＝３：１よりＩｂが小さい値であることが好ましい。この場合、凹凸構造１２を矢印Ｂ方向に関して非対称な形状とすることができるからである。
【００８７】
なお、図１１の例では、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の１周期分の出力時間は図１０の例と変わらない。このため、図１１の例によって形成される原盤凹凸構造１２０の平均周期は、図１０の従来例によって形成される原盤凹凸構造１２０の平均周期とほぼ一致する。高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の１周期分の出力時間によって凹凸構造１２の平均周期（具体的には、ドットピッチＬ２）が変動する。したがって、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の１周期分の出力時間は光学体１０に要求される反射防止特性等に応じて任意に調整されれば良い。以下の図１２〜図１４の例においても同様である。
【００８８】
図１２は、本実施形態のパルス波形の一例を示す。この例では、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１が図１０の出力レベルＩｂよりも高くなっている。さらに、高出力パルスＰ１の出力時間がｔ１より長いｔ２となっている。一方、低出力パルスＰ２の出力時間ｔ３はｔ２よりも短くなる。この例では、低出力パルスＰ２の出力時間ｔ３は２＊ｔ１−ｔ２となる。本発明者は、高出力パルスＰ１の出力時間ｔ２を低出力パルスの出力時間ｔ３よりも長くすることで、原盤凹凸構造１２０の形状をレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称にできることを見出した。すなわち、原盤凹凸構造１２０は、図１及び図２に示す凹凸構造１２の反転形状を有する。この例では、高出力パルスＰ１の出力時間が変動するので、基材レジスト層の温度の時間変化が変わる。このため、原盤凹凸構造１２０の形状がレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称になると考えられる。なお、この例では、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１が図１０の出力レベルＩｂよりも高くなっている。さらに、高出力パルスＰ１の出力時間がｔ１より長いｔ２となっている。このため、非対称の程度は図１１の例よりも大きくなる。したがって、例えば、図４に示す形状の凸部１３が形成される。
【００８９】
また、高出力パルスＰ１の出力時間ｔ２が長くなるほど、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比が大きくなる。また、直線Ｌ２と直線Ｌ１との距離Ｔ１は、大きくなる。出力時間ｔ２と出力時間ｔ３との関係（ｔ３／（ｔ２＋ｔ３））は、４０％以上９０％以下であることが好ましい。この場合、凹凸構造１２を矢印Ｂ方向に関して非対称な形状とすることができるからである。
【００９０】
図１３は、本実施形態のパルス波形の一例を示す。この例では、高出力パルスＰ１の出力レベルが時間の経過とともに直線的に低下している。本発明者は、高出力パルスＰ１の出力レベルを時間の経過とともに直線的に低下させることで、原盤凹凸構造１２０の形状をレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称にできることを見出した。すなわち、原盤凹凸構造１２０は、図１及び図２に示す凹凸構造１２の反転形状を有する。この例でも、基材レジスト層の温度の時間変化が変わる。このため、原盤凹凸構造１２０の形状がレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称になると考えられる。
【００９１】
また、高出力パルスＰ１の出力レベルの傾きが小さくなる（すなわち、単位時間あたりの出力レベルの減少量が大きくなる）ほど、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比が大きくなる。また、直線Ｌ２と直線Ｌ１との距離Ｔ１は、大きくなる。なお、高出力パルスＰ１の出力レベルの傾きは、Ｉｗに対して９７％以下であることが好ましい。この場合、凹凸構造１２を矢印Ｂ方向に関して非対称な形状とすることができるからである。また、高出力パルスＰ１の出力レベルの傾きは、Ｉｗに対して５０％以上であることがさらに好ましい。この場合、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比を上述した好ましい範囲内の値とすることができるからである。
【００９２】
図１４は、本実施形態のパルス波形の一例を示す。この例では、高出力パルスＰ１の出力レベルが時間の経過とともに段階的に低下している。本発明者は、高出力パルスＰ１の出力レベルを時間の経過とともに段階的に低下させることで、原盤凹凸構造１２０の形状をレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称にできることを見出した。すなわち、原盤凹凸構造１２０は、図１及び図２に示す凹凸構造１２の反転形状を有する。この例でも、基材レジスト層の温度の時間変化が変わる。このため、原盤凹凸構造１２０の形状がレーザ光２００Ａの走査方向に関して非対称になると考えられる。
【００９３】
また、高出力パルスＰ１の最大値と最小値との差が大きくなるほど、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比が大きくなる。また、直線Ｌ２と直線Ｌ１との距離Ｔ１は、大きくなる。なお、高出力パルスＰ１の最大値と最小値との差は、Ｉｗに対して９７％以下であることが好ましい。この場合、凹凸構造１２を矢印Ｂ方向に関して非対称な形状とすることができるからである。また、高出力パルスＰ１の最大値と最小値との差は、Ｉｗに対して５０％以上であることがさらに好ましい。この場合、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比を上述した好ましい範囲内の値とすることができるからである。
【００９４】
また、高出力パルスＰ１の出力レベルを低下させる段数は、図１４の例では１段となっている。もちろん、高出力パルスＰ１の出力レベルを低下させる段数は、他の段数であってもよい。例えば、段数を増やすことで、凸部１３の形状を円滑な転写しやすい形状にすることができるという効果が期待できる。
【００９５】
なお、図１３及び図１４の例では、時間とともにパルス出力が下がるものを用いたが、出力が上がるようなパルスを用いてもよい。この場合、図１３及び図１４の例と同様の効果が得られるが、非対称の向きがほぼ逆になる。
【００９６】
なお、レーザ光２００Ａの他の照射態様としては、レーザ光２００Ａが基材レジスト層上に形成するレーザスポットの形状が挙げられる。レーザスポットの形状をレーザ光２００Ａの走査方向と異なる方向に関して非対称な形状とすることで、原盤凹凸構造１２０の形状をレーザ光２００Ａの走査方向と異なる方向に関して非対称な形状とすることができる。この場合、例えば図６に示す凹凸構造１２を形成することが可能となる。
【００９７】
また、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の具体的な出力レベルは、基材レジスト層の材質、レーザ光２００Ａの波長等によって適宜調整されれば良い。すなわち、原盤基材１１０上に本実施形態に係る原盤凹凸構造１２０が形成されるように、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の出力レベルを調整すればよい。
【００９８】
また、基材レジスト層として熱反応型レジストを用いた際、照射するパルスのパワーのレベルによって温度分布が変わるため、非対称な形状を作製することができる。また、基材レジスト層として光反応型レジストを用いた際は、光量によりレジストの反応スポット形状が変わるため、非対称な形状を作製することができる。
【００９９】
＜７．原盤を用いた光学体の製造方法について＞
次に、図１４を参照して、原盤１００を用いた光学体１０の製造方法の一例について説明する。光学体１０は、原盤１００を用いたロールツーロール方式の転写装置３００によって製造可能である。図１４に示す転写装置３００では、光硬化性樹脂を用いて光学体１０を作製する。
【０１００】
転写装置３００は、原盤１００と、基材供給ロール３０１と、巻取りロール３０２と、ガイドロール３０３、３０４と、ニップロール３０５と、剥離ロール３０６と、塗布装置３０７と、光源３０９とを備える。
【０１０１】
基材供給ロール３０１は、長尺な基材１１がロール状に巻かれたロールであり、巻取りロール３０２は、光学体１０を巻き取るロールである。また、ガイドロール３０３、３０４は、基材１１を搬送するロールである。ニップロール３０５は、未硬化樹脂層３１０が積層された基材１１、すなわち被転写フィルム３ａを原盤１００に密着させるロールである。剥離ロール３０６は、凹凸構造１２が形成された基材１１、すなわち光学体１０を原盤１００から剥離するロールである。
【０１０２】
塗布装置３０７は、コーターなどの塗布手段を備え、未硬化の光硬化性樹脂組成物を基材１１に塗布し、未硬化樹脂層３１０を形成する。塗布装置３０７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーター、またはダイコーターなどであってもよい。また、光源３０９は、光硬化性樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源であり、例えば、紫外線ランプなどであってもよい。
【０１０３】
転写装置３００では、まず、基材供給ロール３０１からガイドロール３０３を介して、基材１１が連続的に送出される。なお、送出の途中で基材供給ロール３０１を別ロットの基材供給ロール３０１に変更してもよい。送出された基材１１に対して、塗布装置３０７により未硬化の光硬化性樹脂組成物が塗布され、基材１１に未硬化樹脂層３１０が積層される。これにより、被転写フィルム３ａが作製される。被転写フィルム３ａは、ニップロール３０５により、原盤１００と密着させられる。光源３０９は、原盤１００に密着した未硬化樹脂層３１０に光を照射することで、未硬化樹脂層３１０を硬化する。これにより、原盤１００の外周面に形成された原盤凹凸構造１２０が未硬化樹脂層３１０に転写される。すなわち、原盤凹凸構造１２０の反転形状を有する凹凸構造１２が基材１１上に形成される。続いて、凹凸構造１２が形成された基材１１、すなわち光学体１０は、剥離ロール３０６により原盤１００から剥離される。ついで、光学体１０は、ガイドロール３０４を介して、巻取りロール３０２によって巻き取られる。なお、原盤１００は縦置きであっても横置きであってもよく、原盤１００の回転時の角度、偏芯を補正する機構を別途設けても良い。例えば、チャッキング機構に偏芯チルト機構を設けても良い。
【０１０４】
このように、転写装置３００では、被転写フィルム３ａをロールツーロールで搬送する一方で、原盤１００の周面形状を被転写フィルム３ａに転写する。これにより、光学体１０が作製される。
【０１０５】
なお、光学体１０を熱可塑性樹脂で作製する場合、塗布装置３０７及び光源３０９は不要となる。また、基材１１を熱可塑性樹脂フィルムとし、原盤１００よりも上流側に加熱装置を配置する。この加熱装置によって基材１１を加熱して柔らかくし、その後、基材１１を原盤１００に押し付ける。これにより、原盤１００の周面に形成された原盤凹凸構造１２０が基材１１に転写される。なお、基材１１を熱可塑性樹脂以外の樹脂で構成されたフィルムとし、基材１１と熱可塑性樹脂フィルムとを積層してもよい。この場合、積層フィルムは、加熱装置で加熱された後、原盤１００に押し付けられる。したがって、転写装置３００は、原盤１００に形成された原盤凹凸構造１２０が転写された転写物、すなわち光学体１０を連続的に作製することができる。
【０１０６】
また、原盤１００の原盤凹凸構造１２０が転写された転写用フィルムを作製し、この転写用フィルムを転写型として用いて光学体１０を作製してもよい。また、電鋳や熱転写などにより原盤１００を複製し、この複製品を転写型として用いてもよい。さらに、原盤１００の形状はロール形状に限られる必要は無く平面状の原盤でもよく、レーザ光２００Ａをレジスト照射する方法のほか、マスクを用いた半導体露光、電子線描画、機械加工、陽極酸化等、種々の加工方法を選択することができる。
【０１０７】
また、原盤１００から光学体１０を剥離する際には、凸部１３が非対称となっている方向（図１の例では、矢印Ｂ方向）に剥離することが好ましい。この場合、凸部１３の傾斜方向と光学体１０の剥離方向とが一致するので、より容易に光学体１０を原盤１００から剥離することができる。また、原盤１００の原盤凹凸構造１２０をより確実に光学体１０に転写することができる。もちろん、本実施形態では、凹部１４の底面積も十分に広いので、光学体１０を他の方向に剥離してもよい。この場合にも、容易に光学体１０を原盤１００から剥離することができる。また、原盤１００の原盤凹凸構造１２０をより確実に光学体１０に転写することができる。
【実施例】
【０１０８】
＜１．実施例１＞
（１−１．光学体の作製）
実施例１では、以下の工程により原盤１００を作製した。熱酸化ケイ素からなる平板状の原盤基材１１０を準備した。ついで、原盤基材１１０上にポジ型のレジスト材をスピンコートすることで、原盤基材１１０上に基材レジスト層を形成した。ここで、レジスト材としては、タングステン（Ｗ）を含む金属酸化物レジストを用いた。
【０１０９】
ついで、露光装置２００を用いて基材レジスト層に正六方格子状の潜像を形成した。ここで、レーザ光２００Ａの波長は４０５ｎｍとし、対物レンズ２２３のＮＡは０．８５とした。また、レーザ光２００Ａのパルス波形を図１１に示すものとした。また、高出力パルスＰ１の出力レベルＩｗを９．５ＭＷ／ｃｍ２（基材レジスト層の単位面積あたりの出力レベル）とし、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１を１．６ＭＷ／ｃｍ２とした。また、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の出力時間ｔ１を２０ｎｓとした。
【０１１０】
続いて、基材レジスト層上に現像液を滴下することで、潜像を除去した。すなわち、現像処理を行った。ついで、基材レジスト層をマスクとして用いてドライエッチングを行った。これにより、原盤基材１１０上に原盤凹凸構造１２０を形成した。エッチングガスはＣＨＦ３を用いた。ついで、原盤凹凸構造１２０上にフッ素系の離型処理剤をコーティングした。
【０１１１】
ついで、原盤１００を転写型として用いて光学体１０を作製した。具体的には、基材１１としてポリエチレンテレフタレートフィルムを準備し、この基材１１上にアクリル樹脂アクリレートからなる未硬化樹脂層を形成した。ついで、未硬化樹脂層に原盤１００の原盤凹凸構造１２０を転写した。ついで、未硬化樹脂層に１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで未硬化樹脂層を硬化させた。ついで、光学体１０を矢印Ｂ方向（すなわち、トラック方向）に原盤１００から剥離した。以上の工程により、光学体１０を作製した。
【０１１２】
（１−２．特性評価）
光学体１０の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。ＳＥＭ写真を図２０に示す。図２０から明らかな通り、光学体１０の表面に凹凸構造１２が形成されていることを確認できた。また、凹凸構造１２の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤１００の転写性が良好であることが確認できた。この理由として、後述するように、底面比率が大きいこと、凸部１３が矢印Ｂ方向に非対称な形状を有していることが考えられる。また、ドットピッチは２５０ｎｍ、トラックピッチは２００ｎｍであった。
【０１１３】
また、凸部１３は矢印Ｂ方向に非対称な形状となっていた。具体的には、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は０．９５であった。また、凸部１３の高さは１８０ｎｍであった。また、凸部１３同士は隣接していたものの、ほとんど重なりあっていなかった。
【０１１４】
ついで、シミュレーションにより光学体１０の分光反射スペクトルを計算した。シミュレーションの手法としてはＲＣＷＡ法を用いた。また、非対称の面積比を０．９５とした。また、シミュレーションで用いた他のパラメータは以下の通りとした。
構造体配置：六方格子
偏光：無偏光
屈折率：１．５２
格子間隔（ドットピッチ）：２５０ｎｍ
構造体高さ（凸部の高さ）：１８０ｎｍ
【０１１５】
この結果を図１６に示す。図１６の横軸は入射光の波長を示し、縦軸は光学体１０の分光反射率を示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１〜０．４５％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１５％であった。したがって、光学体１０が広い波長帯域に対して高い反射防止特性を有していることを確認できた。
【０１１６】
また、市販のデータ解析ソフト（Ｗｏｌｆｒａｍ社  Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａ、以下同じ）を用いて底面比率を測定した。底面比率は、基材１１の表面（すなわち、凹凸構造１２が形成された表面）の総面積に対する全凹部１４の底面積の比率である。この結果、底面比率は８．０％と比較的大きな値となった。
【０１１７】
このように、実施例１では、凸部１３同士が重なりあっていない（すなわち、底面比率が比較的大きい）にも関わらず、高い反射防止特性が得られた。本発明者は、凸部１３が矢印Ｂ方向に関して非対称な形状を有するために、このような反射防止特性が得られたと考えている。
【０１１８】
＜２．実施例２＞
（２−１．光学体の作製）
光学体１０を作製する際の条件を以下のように変更した他は、実施例１と同様の処理を行うことで、光学体１０を作製した。具体的には、レーザ光２００Ａのパルス波形を図１２に示すものとした。また、高出力パルスＰ１の出力レベルＩｗを９．５ＭＷ／ｃｍ２とし、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂ１を１．６ＭＷ／ｃｍ２とした。また、高出力パルスＰ１の出力時間ｔ２を２４ｎｓとし、低出力パルスＰ２の出力時間ｔ３を２＊ｔ１−ｔ２＝１６ｎｓとした。
【０１１９】
（２−２．特性評価）
光学体１０の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。この結果、光学体１０の表面に凹凸構造１２が形成されていることを確認できた。また、凹凸構造１２の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤１００の転写性が良好であることが確認できた。また、ドットピッチは２５０ｎｍ、トラックピッチは２００ｎｍであった。
【０１２０】
また、凸部１３は矢印Ｂ方向に非対称な形状となっていた。具体的には、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は０．８３であり、距離Ｔ１は２０ｎｍであった。また、凸部１３の高さは１８０ｎｍであった。また、凸部１３同士は隣接していたものの、ほとんど重なりあっていなかった。
【０１２１】
ついで、実施例１と同様の方法により、光学体１０の分光反射スペクトルを計算した。結果を図１７に示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０１〜０．３％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０２％であった。
【０１２２】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて底面比率を測定したところ、底面比率は９．７％と実施例１よりも大きな値となった。
【０１２３】
したがって、光学体１０が広い波長帯域に対して高い反射防止特性を有していることを確認できた。また、実施例１よりも底面比率が高いにもかかわらず、高い反射防止特性が得られた。この理由として、実施例２の面積比が好ましい範囲内の値であることが考えられる。
【０１２４】
＜３．比較例１＞
（３−１．光学体の作製）
光学体を作製する際の条件を以下のように変更した他は、実施例１と同様の処理を行うことで、光学体を作製した。具体的には、レーザ光２００Ａのパルス波形を図１０に示すものとした。また、高出力パルスＰ１の出力レベルＩｗを９．５ＭＷ／ｃｍ２とし、低出力パルスＰ２の出力レベルＩｂを１．１ＭＷ／ｃｍ２（０．３５ｍＷ）とした。また、高出力パルスＰ１及び低出力パルスＰ２の出力時間ｔ１を２０ｎｓとした。
【０１２５】
（３−２．特性評価）
光学体の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。ＳＥＭ写真を図２２に示す。図２２から明らかな通り、光学体の表面に凹凸構造（凸部５００、凹部６００）が形成されていることを確認できた。また、凹凸構造の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤の転写性が良好であることが確認できた。また、ドットピッチは２５０ｎｍであった。
【０１２６】
また、凸部５００は全ての面方向に関して対称であった。具体的には、凸部５００の平面視形状は真円であり（すなわち、面積比はほぼ１．０であり）、距離Ｔ１はほぼゼロであった。また、凸部の高さは１８０ｎｍであった。また、凸部５００同士は隣接していたものの、ほとんど重なりあっていなかった。
【０１２７】
ついで、実施例１と同様の方法により、光学体の分光反射スペクトルを計算した。結果を図１８に示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１〜０．５５％程度であることが確認できた。さらに、４５０〜５５０ｎｍの波長帯域で分光反射率が特に高くなっていた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．２９％であった。
【０１２８】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて底面比率を測定したところ、底面比率は１０％であった。
【０１２９】
したがって、光学体の分光反射率は、実施例１に対して全体的に高くなった。さらに、４５０〜５５０ｎｍの波長帯域で分光反射率が特に高くなっていた。比較例１では、底面比率が大きいため、凹部１４の底面で入射光の反射が起こっていると考えられる。また、実際の測定では、凹凸構造の欠陥などにより、分光反射率は図１８に示す値よりも高くなった（図２３参照）。
【０１３０】
＜４．比較例２＞
（４−１．光学体の作製）
高出力パルスＰ１の出力レベルＩｗを１１．０ＭＷ／ｃｍ２とした他は、比較例１と同様の処理を行うことで、光学体を作製した。
【０１３１】
（４−２．特性評価）
光学体の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。この結果、光学体の表面に凹凸構造が形成されていることを確認できた。ただし、凸部同士が大きく重なり合っており、凹凸構造の欠落が散見された。また、ドットピッチは２５０ｎｍであった。
【０１３２】
また、凸部は全ての面方向に関して対称であった。具体的には、凸部の平面視形状は真円であり（すなわち、面積比はほぼ１．０であり）、距離Ｔ１はほぼゼロであった。また、凸部の高さは１８０ｎｍであった。ついで、実施例１と同様の方法により、光学体の分光反射スペクトルを計算した。結果を図１９に示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０１〜０．３％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０２％であった。ただし、この分光反射率は、あくまでシミュレーションの結果である。上述したように、比較例２では、凹凸構造の欠陥が散見された。したがって、実際の分光反射率は図１９よりも高くなることが予想される。
【０１３３】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて底面比率を測定したところ、底面比率は５．５％と非常に小さな値となった。比較例２では、凸部同士が大きく重なりあっているために、底面比率が小さくなった。このため、シミュレーションでは分光反射率が良好な値となった。しかし、実際に凹凸構造を観察したところ、凹凸構造の欠陥が散見されたため、実際の分光反射率は図１９よりも高くなることが予想される。すなわち、特許文献４のように凸部１３同士を大きく重なり合わせた場合、凹凸構造の欠陥により分光反射率が低下することが予想される。
【０１３４】
＜５．実施例３＞
（５−１．光学体の作製）
高出力パルスＰ１の出力時間ｔ２を２２〜２５ｎｓの間でランダムに変更しながら露光を行った他は、実施例２と同様の処理を行うことで、光学体１０を作製した。
【０１３５】
（５−２．特性評価）
光学体１０の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。ＳＥＭ写真を図２１に示す。この結果、光学体１０の表面に凹凸構造１２が形成されていることを確認できた。また、凹凸構造１２の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤１００の転写性が良好であることが確認できた。また、実施例４では凹凸がランダムに配置されている。そこで、隣接する凸部１３の組み合わせを複数ピックアップし、これらのピッチの算術平均値を平均周期として算出した。この結果、平均周期は、２５０ｎｍであった。
【０１３６】
また、凸部１３は矢印Ｂ方向（図２１の上下方向）に非対称な形状となっていた。具体的には、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は０．８３であり、距離Ｔ１は２５ｎｍであった。また、凸部１３の高さは１８０ｎｍであった。また、凸部１３同士はほとんど重なりあっていなかった。
【０１３７】
ついで、光学体１０の分光反射スペクトルを実測した。測定には、日本分光社Ｖ−５５０を用いた。結果を図２３に示す。図２３には、比較のために、実施例１、比較例１の実測データも記載した。この結果、実施例３の３５０〜８００ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０８〜０．２％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０９％であった。したがって、光学体１０が広い波長帯域に対して高い反射防止特性を有していることを確認できた。また、実施例１の分光反射率も概ね０．２％以下であることが確認できたが、実施例３では、実施例１よりも高い反射防止特性が得られた。この理由として、凸部１３がランダムに配置されていることが考えられる。
【０１３８】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて底面比率を測定したところ、底面比率は１０％であった。
【０１３９】
＜６．実施例４＞
（６−１．光学体の作製）
実施例１にて作製された原盤１００の原盤凹凸構造１２０が転写された転写用フィルムを作製した。そして、この転写用フィルムを原盤１００の代わりに用いた他は、実施例１と同様の処理を行うことで、光学体１０を作製した。
【０１４０】
（６−２．特性評価）
光学体１０の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。この結果、光学体１０の表面に凹凸構造１２が形成されていることを確認できた。凹凸構造１２のＣＣ断面は図７に示す形状となっていた。また、凹凸構造１２の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤１００の転写性が良好であることが確認できた。また、ドットピッチは２５０ｎｍ、トラックピッチは２００ｎｍであった。
【０１４１】
また、凹部１４は矢印Ｂ方向に非対称な形状となっていた。具体的には、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は０．９であり、距離Ｔ１は１５ｎｍであった。また、凹部１４の深さは１８０ｎｍであった。また、凹部１４同士はほとんど重なりあっていなかった。
【０１４２】
ついで、実施例１と同様の方法により、光学体１０の分光反射スペクトルを計算した。結果を図２４に示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．０５〜０．３％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１０％であった。したがって、光学体１０が広い波長帯域に対して高い反射防止特性を有していることを確認できた。
【０１４３】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて平面視した底面比率を測定したところ、底面比率は９．８％であった。なおここでいう底面とは、原盤の代わりに用いた転写用フィルムの底面にあたり、得られた光学体１０では凸部１３の上面（上端面）となる。
【０１４４】
＜７．実施例５＞
（７−１．光学体の作製）
光学体１０を作製する際の条件を以下のように変更した他は、実施例１と同様の処理を行うことで、光学体１０を作製した。具体的には、原盤凹凸構造１２０上に無機材料系の離型処理剤をコーティングした。
【０１４５】
（７−２．特性評価）
光学体１０の表面構造をＳＥＭ及びＴＥＭで確認した。この結果、光学体１０の表面に凹凸構造１２が形成されていることを確認できた。また、凹凸構造１２の欠落はほとんど確認されなかった。したがって、原盤１００の転写性が良好であることが確認できた。また、ドットピッチは２５０ｎｍ、トラックピッチは２００ｎｍであった。
【０１４６】
また、凸部１３は矢印Ｂ方向に非対称な形状となっていた。具体的には、領域Ｘ１１と領域Ｘ１２との面積比は０．９７であった。また、凸部１３の高さは１８０ｎｍであり、距離Ｔ１は８ｎｍであった。また、凸部１３同士は隣接していたものの、ほとんど重なりあっていなかった。面積比が実施例１と変化したのは、離形処理剤のコーティングの状態が変わったためと考えられる。
【０１４７】
ついで、実施例１と同様の方法により、光学体１０の分光反射スペクトルを計算した。結果を図２５に示す。この結果、４００〜６５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１５〜０．５％程度であることが確認できた。また、５５０ｎｍの波長に対する分光反射率は０．１７％であった。
【０１４８】
また、市販のデータ解析ソフトを用いて底面比率を測定したところ、底面比率は８．０％と実施例１と誤差範囲で同じ値となった。表１に結果をまとめて示す。なお、表１において、実施例１、２、４、５、比較例１、２の５５０ｎｍ反射率の値はシミュレーションの値であり、実施例３の５５０ｎｍ反射率の値は実測値である。また、表１には、変位比も示した。したがって、実施例に係る光学体１０が広い波長帯域に対して高い反射防止特性を有していることを確認できた。
【０１４９】
【表１】
2017097344.tif 000003
【０１５０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１５１】
１０      光学体
１１      基材
１２      凹凸構造
１３      凸部
１３ａ    頂点
１４      凹部
１００      原盤
１１０      原盤基材
１２０      原盤凹凸構造
【図１】
2017097344.tif 000004
【図２】
2017097344.tif 000005
【図３】
2017097344.tif 000006
【図４】
2017097344.tif 000007
【図５】
2017097344.tif 000008
【図６】
2017097344.tif 000009
【図７】
2017097344.tif 000010
【図８】
2017097344.tif 000011
【図９】
2017097344.tif 000012
【図１０】
2017097344.tif 000013
【図１１】
2017097344.tif 000014
【図１２】
2017097344.tif 000015
【図１３】
2017097344.tif 000016
【図１４】
2017097344.tif 000017
【図１５】
2017097344.tif 000018
【図１６】
2017097344.tif 000019
【図１７】
2017097344.tif 000020
【図１８】
2017097344.tif 000021
【図１９】
2017097344.tif 000022
【図２０】
2017097344.tif 000023
【図２１】
2017097344.tif 000024
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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