(57)【要約】      （修正有）【課題】送受信周波数間隔が狭い周波数帯域において、受信周波数帯域のノイズの発生を抑制する電力増幅モジュールを提供する。【解決手段】電力増幅モジュール１００Ａは、第１の周波数帯域における第１の送信信号が入力される第１の入力端子ＩＮ１と、第１の周波数帯域よりも送受信周波数間隔が狭い第２の周波数帯域における第２の送信信号が入力される第２の入力端子ＩＮ２と、第１の送信信号が入力され、第１の送信信号を増幅した第１の増幅信号を出力する第１の増幅回路ＰＡ３と、第２の送信信号が入力され、第２の送信信号を増幅した第２の増幅信号を出力する第２の増幅回路ＰＡ４と、第１又は第２の増幅信号が入力され、第１又は第２の増幅信号を増幅した出力信号を出力する第３の増幅回路ＰＡ５と、第２の入力端子と第２の増幅回路との間に設けられ、第２の周波数帯域における受信周波数帯域の成分を減衰させる減衰回路ＭＮ４とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の周波数帯域における第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、
前記第１の周波数帯域よりも送受信周波数間隔が狭い第２の周波数帯域における第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、
前記第１の送信信号が入力され、前記第１の送信信号を増幅した第１の増幅信号を出力する第１の増幅回路と、
前記第２の送信信号が入力され、前記第２の送信信号を増幅した第２の増幅信号を出力する第２の増幅回路と、
前記第１又は第２の増幅信号が入力され、前記第１又は第２の増幅信号を増幅した出力信号を出力する第３の増幅回路と、
前記第２の入力端子と前記第２の増幅回路との間に設けられ、前記第２の周波数帯域における受信周波数帯域の成分を減衰させる減衰回路と、
を備える電力増幅モジュール。
【請求項２】
前記減衰回路が、前記第２の増幅回路の前段に設けられた回路の出力インピーダンスと、前記第２の増幅回路の入力インピーダンスとを整合するように動作する、
請求項１に記載の電力増幅モジュール。
【請求項３】
前記減衰回路が、前記第２の周波数帯域における前記受信周波数帯域の成分を減衰させるバンドパスフィルタを備える、
請求項１又は２に記載の電力増幅モジュール。
【請求項４】
前記バンドパスフィルタが弾性表面波フィルタである、
請求項３に記載の電力増幅モジュール。
【請求項５】
前記第１の増幅回路を構成するトランジスタのエミッタ面積より、前記第２の増幅回路を構成するトランジスタのエミッタ面積が大きい、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電力増幅モジュール。
【請求項６】
前記電力増幅モジュールが、
前記第１の送信信号とは通信規格が異なる第３の送信信号を増幅する第４の増幅回路と、
前記第１の入力端子から入力される前記第１又は第３の送信信号を、前記第１又は第４の増幅回路に出力するスイッチ素子と、
をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電力増幅モジュール。
【請求項７】
前記スイッチ素子は、前記第２の入力端子に前記第２の送信信号が入力される場合に、前記第１の入力端子と前記第１の増幅回路との間を電気的に遮断する、
請求項６に記載の電力増幅モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の移動体通信機においては、基地局へ送信する無線周波数（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号の電力を増幅するために、電力増幅器モジュールが用いられる。例えば、特許文献１には、マルチモードマルチバンドに対応した電力増幅器モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２−５２７１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、移動体通信機において使用可能な周波数帯域の拡大に伴い、送受信周波数間隔が比較的狭い周波数帯域が使用されることがある。しかし、特許文献１に開示される電力増幅器モジュールでは、送信周波数帯域の信号を増幅する際に受信周波数帯域と重なるノイズが重畳し、ノイズも併せて増幅されるため、送受信周波数間隔が比較的狭い周波数帯域においては特に、受信感度が悪化するという問題がある。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、送受信周波数間隔が狭い周波数帯域において、受信周波数帯域のノイズの発生を抑制する電力増幅モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、第１の周波数帯域における第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、第１の周波数帯域よりも送受信周波数間隔が狭い第２の周波数帯域における第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、第１の送信信号が入力され、第１の送信信号を増幅した第１の増幅信号を出力する第１の増幅回路と、第２の送信信号が入力され、第２の送信信号を増幅した第２の増幅信号を出力する第２の増幅回路と、第１又は第２の増幅信号が入力され、第１又は第２の増幅信号を増幅した出力信号を出力する第３の増幅回路と、第２の入力端子と第２の増幅回路との間に設けられ、第２の周波数帯域における受信周波数帯域の成分を減衰させる減衰回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、送受信周波数間隔が狭い周波数帯域において、受信周波数帯域のノイズの発生を抑制する電力増幅モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態である電力増幅モジュール１００Ａの構成を示す図である。
【図２】本発明の他の実施形態である電力増幅モジュール１００Ｂの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール１００Ａの構成を示す図である。電力増幅モジュール１００Ａは、複数の通信規格及び複数の周波数帯域のＲＦ信号の電力を増幅する機能を有する。電力増幅モジュール１００Ａは、携帯電話機等のユーザ端末において、基地局に送信される送信信号を処理するための送信ユニットに含まれる。また、図１には図示していないが、ユーザ端末は、基地局から受信した受信信号を処理するための受信ユニットも備える。送信ユニット及び受信ユニットは、例えば、一つの通信ユニットとして提供される。
【００１１】
電力増幅モジュール１００Ａは複数の通信規格（モード）に対応している。図１に示す例では、２Ｇ（第２世代移動通信システム）、３Ｇ（第３世代移動通信システム）、及び４Ｇ（第４世代移動通信システム）のマルチモードであるが、通信規格はこれに限定されず、例えば３Ｇ、４Ｇ及び５Ｇ（第５世代移動通信システム）のマルチモードであってもよい。さらに、電力増幅モジュール１００Ａが対応する通信規格の数は三つに限られず、一つ又は二つ以上であってもよい。
【００１２】
また、電力増幅モジュール１００Ａは、複数の周波数帯域（バンド）に対応している。図１では、３Ｇ／４Ｇの周波数帯域の一例として、Ｂ１（送信周波数帯域：１９２０〜１９８０ＭＨｚ）、Ｂ２（送信周波数帯域：１８５０〜１９１０ＭＨｚ）、Ｂ３（送信周波数帯域：１７１０〜１７８５ＭＨｚ）、Ｂ５（送信周波数帯域：８２４〜８４９ＭＨｚ）、Ｂ８（送信周波数帯域：８８０〜９１５ＭＨｚ）、Ｂ１２（送信周波数帯域：６９９〜７１６ＭＨｚ）、Ｂ１７（送信周波数帯域：７０４〜７１６ＭＨｚ）の七つについて図示しているが、周波数帯域はこれに限定されない。本実施形態では、Ｂ１、Ｂ２及びＢ３の三つの周波数帯域をハイバンド、Ｂ５、Ｂ８、Ｂ１２及びＢ１７の四つの周波数帯域をローバンドという。また、ローバンドのうち、Ｂ１２、Ｂ１７は、送信周波数帯域（Ｂ１２の場合、６９９〜７１６ＭＨｚ）の中心周波数と受信周波数帯域（Ｂ１２の場合、７２９〜７４６ＭＨｚ）の中心周波数との間隔を示す送受信周波数間隔が比較的狭い周波数帯域である。例えば、Ｂ１２、Ｂ１７の送受信周波数間隔は、Ｂ５やＢ８の送受信周波数間隔より狭い。また、２Ｇの周波数帯域の例として、ＧＳＭ（登録商標）（ｇｌｏｂａｌ  ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）のハイバンド（ＧＳＭ＿ＨＢ）及びローバンド（ＧＳＭ＿ＬＢ）の二つについて図示している。
【００１３】
次に、電力増幅モジュール１００Ａの各構成要素について説明する。図１に示すように、電力増幅モジュール１００Ａは、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０、２Ｇ用チップ１２０、バイアス制御回路１３０、整合回路ＭＮ３，ＭＮ７、スイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷ４、及びキャパシタＣ１〜Ｃ６を備える。
【００１４】
３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０は、入力端子ＩＮ１〜ＩＮ３から供給される３Ｇ／４ＧのＲＦ信号を増幅して出力する。２Ｇ用チップ１２０は、入力端子ＩＮ１，ＩＮ３から供給される２ＧのＲＦ信号を増幅して出力する。３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０及び２Ｇ用チップ１２０の構成の詳細は後述する。
【００１５】
バイアス制御回路１３０は、電力増幅モジュール１００Ａの外部から入力される制御信号Ｂｃｏｎｔに応じてバイアス電流を生成し、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０又は２Ｇ用チップ１２０が備える電力増幅回路ＰＡ１〜ＰＡ１１にバイアス電流を供給する。
【００１６】
整合回路（ＭＮ：Ｍａｔｃｈｉｎｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）ＭＮ３，ＭＮ７は、各々、当該整合回路の前段に設けられた回路の出力インピーダンスと、当該整合回路の後段に設けられた回路の入力インピーダンスとを整合させるための回路であり、キャパシタやインダクタを用いて構成される。なお、後述する整合回路ＭＮ１，ＭＮ２，ＭＮ４〜ＭＮ６，ＭＮ８〜ＭＮ１３についても同様である。
【００１７】
スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２は、各々、入力端子ＩＮ３，ＩＮ１に入力される送信信号の通信規格に基づいて、送信信号が３Ｇ／４Ｇの場合は送信信号を３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０に供給し、送信信号が２Ｇの場合は送信信号を２Ｇ用チップ１２０に供給する。スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２は、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）により電力増幅モジュール１００Ａの基板上に実装することができる。これにより、２Ｇ及び３Ｇ／４Ｇの送信信号の入力端子を統合することができる。従って、通信規格に応じて各々入力端子を設けるよりも、端子数を減少させることができる。
【００１８】
スイッチ素子ＳＷ３，ＳＷ４は、各々、送信信号の周波数帯域に基づいて、増幅された送信信号を、対応する周波数帯域の出力端子ＯＵＴ１（Ｂ１），ＯＵＴ２（Ｂ２），ＯＵＴ３（Ｂ３）のいずれか、又はＯＵＴ４（Ｂ５），ＯＵＴ５（Ｂ８），ＯＵＴ６（Ｂ１２，Ｂ１７）のいずれかに出力する。なお、図１に示すように、周波数帯域ごとに出力端子を一つずつ設けてもよいし、一つの出力端子をいくつかの周波数帯域で共有してもよい。
【００１９】
キャパシタＣ１〜Ｃ６は、送信信号の直流成分を除去する。なお、後述するキャパシタＣ７についても同様である。
【００２０】
次に、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０及び２Ｇ用チップ１２０の構成について説明する。３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０は、電力増幅回路ＰＡ１〜ＰＡ５、整合回路ＭＮ１，ＭＮ２，ＭＮ４〜ＭＮ６、及びキャパシタＣ７を備える。２Ｇ用チップ１２０は、電力増幅回路ＰＡ６〜ＰＡ１１、及び整合回路ＭＮ８〜ＭＮ１３を備える。
【００２１】
電力増幅回路ＰＡ１〜ＰＡ１１は、いずれも送信信号の増幅を行うための回路であり、増幅用のトランジスタにより構成される。増幅用のトランジスタは、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のバイポーラトランジスタである。増幅用のトランジスタとして、電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いてもよい。
【００２２】
本実施形態においては、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０は、ハイバンド用、ローバンド用、ローバンドのうち特定のバンド用の三つの増幅経路により構成される。２Ｇ用チップ１２０は、ハイバンド用及びローバンド用の二つの増幅経路により構成される。具体的には、電力増幅回路ＰＡ１，ＰＡ２は３Ｇ／４Ｇのハイバンド用増幅経路、電力増幅回路ＰＡ３，ＰＡ５は３Ｇ／４Ｇのローバンド用増幅経路、電力増幅回路ＰＡ４，ＰＡ５は３Ｇ／４Ｇのローバンドのうち特定のバンド用増幅経路として設けられ、各々二段の増幅経路を構成する。電力増幅回路ＰＡ６〜ＰＡ８は２Ｇのハイバンド用増幅経路、電力増幅回路ＰＡ９〜ＰＡ１１は２Ｇのローバンド用増幅経路として設けられ、各々三段の増幅経路を構成する。
【００２３】
以下に、例として、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０における送信信号の増幅について詳細に説明する。
【００２４】
３Ｇ／４Ｇのハイバンド（例えば、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）の送信信号ＲＦｈｉｇｈが入力端子ＩＮ３から入力されると、キャパシタＣ１を介して、スイッチ素子ＳＷ１により３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０のハイバンド用増幅経路に供給される。当該信号は、整合回路ＭＮ１を介して、初段（ドライブ段）の電力増幅回路ＰＡ１により増幅される。増幅された信号は、整合回路ＭＮ２を介して二段目（パワー段）の電力増幅回路ＰＡ２により増幅され、増幅された信号が整合回路ＭＮ３へと出力される。
【００２５】
一方、３Ｇ／４Ｇのローバンド（第１の周波数帯域）（例えば、Ｂ５，Ｂ８）の送信信号ＲＦｌｏｗ（第１の送信信号）が入力端子ＩＮ１（第１の入力端子）から入力されると、キャパシタＣ２を介して、スイッチ素子ＳＷ２により３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０のローバンド用増幅経路に供給される。当該信号は、整合回路ＭＮ５を介して、ドライブ段の電力増幅回路ＰＡ３（第１の増幅回路）により増幅される。増幅された信号（第１の増幅信号）は、整合回路ＭＮ６を介してパワー段の電力増幅回路ＰＡ５（第３の増幅回路）により増幅され、増幅された信号（出力信号）が整合回路ＭＮ７へと出力される。
【００２６】
次に、３Ｇ／４Ｇのローバンドのうち、送受信周波数間隔が、他のローバンド（例えば、Ｂ５，Ｂ８）における送受信周波数間隔より狭い周波数帯域（第２の周波数帯域）（以下、一例としてＢ１２，Ｂ１７を用いて説明する）の送信信号が入力された場合について説明する。
【００２７】
周波数帯域Ｂ１２，Ｂ１７の送信信号ＲＦｌｏｗ´（第２の送信信号）は、３Ｇ／４Ｇのローバンド用の入力端子ＩＮ１とは異なる入力端子ＩＮ２（第２の入力端子）から入力される。そして、キャパシタＣ７及び整合回路ＭＮ４（減衰回路）を介して、ドライブ段の電力増幅回路ＰＡ４（第２の増幅回路）により増幅される。増幅された信号（第２の増幅信号）は、整合回路ＭＮ６を介してパワー段の電力増幅回路ＰＡ５（第３の増幅回路）により増幅され、増幅された信号（出力信号）が整合回路ＭＮ７へと出力される。このように、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０においては、送信信号ＲＦｌｏｗ´のために、他のローバンドの入力端子ＩＮ１及び電力増幅回路ＰＡ３とは別に、専用の入力端子ＩＮ２、整合回路ＭＮ４、及び電力増幅回路ＰＡ４を備える。
【００２８】
ここで、周波数帯域Ｂ１２，Ｂ１７については、送受信周波数間隔が狭い（例えば、３０ＭＨｚ程度）ため、送信信号ＲＦｌｏｗ´に含まれるノイズが受信周波数帯域と重なり得る。当該ノイズが増幅されることにより、受信信号に大きな影響を及ぼし、受信感度の低下を招くという問題がある。従って、このような周波数帯域における送信信号の増幅については、ノイズを低減させることが特に重要となる。
【００２９】
ノイズの低減方法の例として、ＨＢＴのベース抵抗を低減させる、すなわち、ＨＢＴのエミッタ面積を増大させることが考えられる。しかし、ＨＢＴのエミッタ面積の増大は、ゲインの低下を伴う。そのため、仮にローバンドの電力増幅を一つの電力増幅回路により構成した場合、送信信号ＲＦｌｏｗ´（例えば７００ＭＨｚ）とは異なる周波数帯域の送信信号ＲＦｌｏｗ（例えば９００ＭＨｚ）にとって、ゲインが不足するという問題がある。一方、本実施形態においては、ドライブ段の電力増幅回路を分割することにより、各々の周波数帯域に対し最適な設計とすることができる。具体的には、電力増幅回路ＰＡ４については、ノイズ削減のためにエミッタ面積を比較的大きくし、電力増幅回路ＰＡ３については、所望のゲイン確保のためにエミッタ面積を比較的小さくすることができる。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗの電力増幅について所望のゲインのレベルを維持しつつ、送信信号ＲＦｌｏｗ´の電力増幅についてノイズを抑制することが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態においては、整合回路ＭＮ５（送信信号ＲＦｌｏｗ用）及び整合回路ＭＮ４（送信信号ＲＦｌｏｗ´用）を別途独立に設計できる。そのため、約７００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚの広帯域に渡る送信信号についてのインピーダンス整合を、一つの整合回路により行う困難性を回避できる。さらに、整合回路ＭＮ４を減衰回路として機能させることができる。すなわち、整合回路ＭＮ４が、送信信号ＲＦｌｏｗ´のうち受信周波数帯域の成分を減衰させる機能を備えることにより、ノイズの発生を抑制し、ノイズが受信信号に及ぼす影響をさらに低減させることができる。
【００３１】
上述の通り、電力増幅モジュール１００Ａは、送信信号ＲＦｌｏｗ´の増幅時において、受信周波数帯域と重なる周波数のノイズの発生が抑制される。
【００３２】
なお、入力端子ＩＮ２から送信信号ＲＦｌｏｗ´が入力された場合は、スイッチ素子ＳＷ２を２Ｇ用チップ１２０のローバンド用増幅経路と接続するか、又は不定状態として入力端子ＩＮ１を電気的に遮断する構成とすることができる。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗ´の増幅時に、入力端子ＩＮ１から３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０の電力増幅回路ＰＡ５にノイズが供給されることが抑制される。
【００３３】
また、本実施形態においては、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０をモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）として、キャパシタＣ７を３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０に内蔵する構成とすることができる。これにより、搭載部品点数を削減することができる。
【００３４】
また、２Ｇ用チップ１２０が備える増幅経路については、ハイバンド用及びローバンド用ともに、３Ｇ／４Ｇのハイバンド用増幅経路の構成に三段目の電力増幅回路が追加された構成である。すなわち、２Ｇのローバンドの送信信号ＧＳＭ＿ＬＢ（第３の送信信号）は、入力端子ＩＮ１から入力され、スイッチ素子ＳＷ２により２Ｇ用チップ１２０のローバンド用増幅経路に割り振られると、整合回路ＭＮ１１を介して電力増幅回路ＰＡ９（第４の増幅回路）により増幅され、整合回路ＭＮ１２を介して電力増幅回路ＰＡ１０により増幅され、整合回路ＭＮ１３を介して電力増幅回路ＰＡ１１により増幅される。２Ｇのハイバンド用増幅経路については、２Ｇのローバンド用増幅経路と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００３５】
なお、図１では、３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０の増幅経路が二段、２Ｇ用チップ１２０の増幅経路が三段の電力増幅回路により構成されるが、いずれのチップも電力増幅回路の段数はこれに限られず、各々一段又は二段であってもよいし、三段以上であってもよい。
【００３６】
図２は、本発明の他の実施形態である電力増幅モジュール１００Ｂの構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール１００Ａと同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。当該実施形態では電力増幅モジュール１００Ａと共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００３７】
電力増幅モジュール１００Ｂは、電力増幅モジュール１００Ａの構成に加えて、フィルタ回路１４０をさらに備える。
【００３８】
フィルタ回路１４０は、入力端子ＩＮ２と３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０が備える特定のローバンド用増幅経路の間に設けられ、送信信号ＲＦｌｏｗ´についてフィルタリング処理を行う。具体的には、送信信号ＲＦｌｏｗ´のうち、受信周波数帯域の成分について減衰させるフィルタリングを行う。これにより、受信周波数帯域の成分の信号の増幅が抑制され、電力増幅モジュール１００Ａに比べて、より受信感度の悪化を抑制することができる。
【００３９】
フィルタ回路１４０は、例えば、送信信号ＲＦｌｏｗ´のうち送信周波数帯域の成分を通過させ、受信周波数帯域の成分を減衰させるバンドパスフィルタを用いることができる。バンドパスフィルタの例としては、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタを用いることができるが、フィルタはこれに限定されない。
【００４０】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅モジュール１００Ａ，１００Ｂは、送受信周波数間隔が比較的狭い周波数帯域について、他の周波数帯域とは異なる入力端子ＩＮ２、ドライブ段の電力増幅回路ＰＡ４、及び減衰回路を備える。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗ´に含まれる受信周波数帯域の成分を減衰させつつ、送信周波数帯域の成分のみを増幅することが可能となる。従って、送信信号ＲＦｌｏｗ´の電力増幅時にノイズの発生を抑制し、受信感度の悪化を抑制することが可能となる。
【００４１】
また、減衰回路は電力増幅回路ＰＡ４の前段に備えられた整合回路ＭＮ４が担っても良い。これにより、回路規模を増大させることなく、ノイズを削減することができる。
【００４２】
また、電力増幅モジュール１００Ｂでは、減衰回路としてフィルタ回路１４０をさらに備える。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗ´に含まれる受信周波数帯域の成分をさらに減衰でき、受信感度の悪化をさらに抑制することができる。
【００４３】
また、前記フィルタ回路１４０は、バンドパスフィルタとすることができ、例えば弾性表面波フィルタとすることができる。
【００４４】
また、電力増幅モジュール１００Ａ，１００Ｂは、電力増幅回路ＰＡ３を構成するＨＢＴのエミッタ面積より、電力増幅回路ＰＡ４を構成するＨＢＴのエミッタ面積を大きくすることができる。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗの電力増幅について所望のゲインのレベルを維持しつつ、送信信号ＲＦｌｏｗ´の電力増幅についてノイズを抑制することが可能となる。
【００４５】
また、電力増幅モジュール１００Ａ，１００Ｂは、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２を備える。これにより、２Ｇ及び３Ｇ／４ＧのＲＦ信号の入力端子を統合することができる。従って、通信規格に応じて各々入力端子を設けるよりも、端子数が減少する。
【００４６】
また、電力増幅モジュール１００Ａ，１００Ｂは、送信信号ＲＦｌｏｗ´の電力増幅時に、スイッチ素子ＳＷ２を２Ｇ用チップ１２０のローバンド用増幅経路と接続するか、又は入力端子ＩＮ１を電気的に遮断することができる。これにより、送信信号ＲＦｌｏｗ´の増幅時に、入力端子ＩＮ１から３Ｇ／４Ｇ用チップ１１０の電力増幅回路ＰＡ５にノイズが供給されることが抑制される。
【００４７】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。すなわち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４８】
１００Ａ，１００Ｂ  電力増幅モジュール
１１０  ３Ｇ／４Ｇ用チップ
１２０  ２Ｇ用チップ
１３０  バイアス制御回路
１４０  フィルタ回路
ＡＰ１〜ＡＰ１１  電力増幅回路
ＭＮ１〜ＭＮ１３  整合回路
ＳＷ１〜ＳＷ４  スイッチ素子
Ｃ１〜Ｃ７  キャパシタ
【図１】
2017103655.tif 000003
【図２】
2017103655.tif 000004