(57)【要約】【課題】研磨ヘッドのバックパッドの厚さを過度に大きくすることなく、また、そのたわみを抑制することで、ウェーハに均一に荷重をかけることができ、結果、平坦度の高いウェーハを得ることができるウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】研磨ヘッドによりウェーハの裏面を、研磨ヘッドに貼り付けられたバックパッドを介して保持し、ウェーハの表面を定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させることで研磨するウェーハの研磨方法であって、バックパッドとして、研磨ヘッドに貼り付けられる基材層及びウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を有し、かつ、基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものを用いるウェーハの研磨方法。【選択図】  図１
2017127938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨ヘッドによりウェーハの裏面を、前記研磨ヘッドに貼り付けられたバックパッドを介して保持し、前記ウェーハの表面を定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させることで研磨するウェーハの研磨方法であって、
前記バックパッドとして、前記研磨ヘッドに貼り付けられる基材層及び前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を有し、かつ、前記基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものを用いることを特徴とするウェーハの研磨方法。
【請求項２】
前記バックパッドとして、前記基材層の厚さが０．２ｍｍ以上のものを用いることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項３】
前記研磨ヘッドとして、前記バックパッドと、該バックパッドの上面に接着された剛性リングと、該剛性リングの上面に接着された中板と、前記バックパッドと前記剛性リングと前記中板とで区画され、内部の圧力が調整可能な圧力室と、前記バックパッドの下面に接着された、前記ウェーハのエッジ部を保持するためのガイドリングとを具備するものを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項４】
前記ウェーハとして、直径３００ｍｍ以上のものを研磨することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項５】
研磨ヘッドにおいてウェーハの裏面を保持するためのバックパッドの製造方法であって、
前記研磨ヘッドに貼り付けられ、ガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層を形成する工程と、
前記基材層上に、前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を形成する工程と、
を有することを特徴とするバックパッドの製造方法。
【請求項６】
前記ガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層は、エポキシ樹脂又はセルロース樹脂をガラスクロスに塗布することで形成することを特徴とする請求項５に記載のバックパッドの製造方法。
【請求項７】
前記基材層の厚さを０．２ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のバックパッドの製造方法。
【請求項８】
研磨ヘッドにおいてウェーハの裏面を保持するためのバックパッドであって、
前記研磨ヘッドに貼り付けられる基材層及び前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を有し、かつ、前記基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものであることを特徴とするバックパッド。
【請求項９】
前記基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項８に記載のバックパッド。
【請求項１０】
ウェーハの裏面をバックパッドを介して保持する研磨ヘッドであって、
前記バックパッドが請求項８又は請求項９に記載のバックパッドであることを特徴とする研磨ヘッド。
【請求項１１】
前記バックパッドと、該バックパッドの上面に接着された剛性リングと、該剛性リングの上面に接着された中板と、前記バックパッドと前記剛性リングと前記中板とで区画され、内部の圧力が調整可能な圧力室と、前記バックパッドの下面に接着された、前記ウェーハのエッジ部を保持するためのガイドリングとを具備するものであることを特徴とする請求項１０に記載の研磨ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの研磨方法、バックパッドの製造方法、バックパッド、及びそのバックパッドを具備する研磨ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの研磨方法では、例えば、研磨布が貼り付けられた定盤と、定盤上方に研磨ヘッドを具備する研磨装置が用いられる。研磨ヘッドは、例えば、バックパッドを介してウェーハを保持することができ、また、研磨ヘッドは、バックパッドとガラスエポキシ樹脂等の樹脂から成るガイドリングとが一体と成ったテンプレートアセンブリを具備したものを使用できる。このような研磨ヘッドでは、テンプレートアセンブリのバックパッドにウェーハの裏面を水貼りして保持でき、かつ、ガイドリングでウェーハのエッジ部を保持することができる。
【０００３】
また、上記のように、テンプレートアセンブリはガイドリングとバックパッドが組合せられたものである。一般的に、バックパッドはウェーハの裏面を保持するナップ層（ＮＡＰ層）が形成されているものである。例えば、バックパッドは、一般に、厚さ１８８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、発泡ウレタン等から成るナップ層が形成されたものである。また、ガイドリングは、ガラスエポキシ樹脂板をリング状に切り出して作製でき、バックパッドのナップ層側に感熱圧着等の手段で貼り付けられたものとすることができる。
【０００４】
上記の研磨装置では、定盤上部に研磨ヘッドが吊り下げられた状態から、研磨ヘッドが定盤上で下降移動して研磨布にウェーハの表面を接触させ、その間に研磨スラリーを介在させながらウェーハの表面を研磨布に摺接して研磨を行うことができる。
【０００５】
上記のような研磨装置に配設される研磨ヘッドとして、例えば、特許文献１には、図７のように、内部に封入された水などの流体がバックパッド１０１を直接押圧する圧力室１０６を具備する研磨ヘッド１００が開示されている。このような研磨ヘッド１００は、例えば、特許文献２、３に開示された、図８のような、バックパッド２０１の全面をセラミクスプレート２０９に貼り付けた構造を有する研磨ヘッド２００や、図９のような、バックパッド３０１の全面をラバー膜３１０に貼り付けた構造を有する研磨ヘッド３００よりも、平坦度の高いウェーハを得ることができる。これは、特許文献１に記載の研磨ヘッドでは、セラミクスプレートやラバー膜の表面形状の凹凸がバックパッドを介してウェーハに転写することが無いためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−３５３９３号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１０／０２３８２９
【特許文献３】特開２０１０−２４７２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方で、図７のような研磨ヘッドにおいては、バックパッド１０１が、主にその外周部のみで固定されている。また、圧力室１０６に封入されている流体により直接バックパッド１０１に荷重をかけられ、また、流体自体の重量も直接バックパッド１０１にかかる。これらのことなどが原因となり、ＰＥＴフィルム上にナップ層を形成した従来のバックパッドが大きくたわんでしまう。これにより、バックパッドで保持したウェーハを均一に研磨布に接触させることができず、その結果、研磨後のウェーハの平坦性が悪化し、特に、ウェーハ外周部にかかる研磨荷重が増えて、ウェーハの外周部の形状変化が大きくなってしまうという問題が有った。
【０００８】
また、たわみを小さくするために、ＰＥＴフィルムをより厚くすることが考えられるが、たわみを十分に小さくするために必要なＰＥＴフィルムの厚さが大きすぎると、ＰＥＴフィルムの厚さのばらつきが大きくなるため、研磨ヘッドに装備させるには適さないバックパッドとなってしまう。
【０００９】
図７に示す研磨ヘッドにおいて、基材層としてＰＥＴを用いたバックパッドに１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけた場合の、ＰＥＴ製の基材層の厚さとたわみ量との関係を図１０に示す。なお、ここでいう「たわみ量」とは、バックパッドの中心部の、バックパッドに対し垂直な方向への変位量で規定する値である。一般的なバックパッドは、ＰＥＴ製の基材層の厚さが１８８μｍ程度であるが、その場合には、図１０のように、たわみ量が１．２３ｍｍ程度と大きくなってしまう。また、たわみ量は、３０μｍ以下であることが特に望ましいが、図１０からわかるように、ＰＥＴを用いた場合、２５００μｍ（２．５ｍｍ）程度の厚さが必要となってしまう。
【００１０】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、研磨ヘッドのバックパッドの厚さを過度に大きくすることなく、また、そのたわみを抑制することで、ウェーハに均一に荷重をかけることができ、結果、平坦度の高いウェーハを得ることができるウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。また、本発明は、たわみの少ないバックパッド及びその製造方法、並びに、そのバックパッドを具備する研磨ヘッドを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、研磨ヘッドによりウェーハの裏面を、前記研磨ヘッドに貼り付けられたバックパッドを介して保持し、前記ウェーハの表面を定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させることで研磨するウェーハの研磨方法であって、前記バックパッドとして、前記研磨ヘッドに貼り付けられる基材層及び前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を有し、かつ、前記基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものを用いることを特徴とするウェーハの研磨方法を提供する。
【００１２】
このように、バックパッドの基材層として、ＰＥＴではなくガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いることで、荷重によるバックパッドの伸びが少なく、バックパッドのたわみをより小さく抑えることができる。これにより、ウェーハにかかる荷重をウェーハの裏面全面で均一にすることができ、外周ダレなどが少ない高平坦なウェーハが得られる。また、基材層としてガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いる場合、その厚さを過度に大きくすることなくたわみを十分に低減できる。
【００１３】
このとき、本発明では、前記バックパッドとして、前記基材層の厚さが０．２ｍｍ以上のものを用いることが好ましい。
【００１４】
ガラスエポキシ樹脂製又はセルロース樹脂製の基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、たわみの量をより低減できる。ウェーハの研磨において、たわみ量は３０μｍ以下であることが特に好ましいが、基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であればより確実に、バックパッドのたわみ量を３０μｍ以下に低減させることができる。
【００１５】
またこのとき、前記研磨ヘッドとして、前記バックパッドと、該バックパッドの上面に接着された剛性リングと、該剛性リングの上面に接着された中板と、前記バックパッドと前記剛性リングと前記中板とで区画され、内部の圧力が調整可能な圧力室と、前記バックパッドの下面に接着された、前記ウェーハのエッジ部を保持するためのガイドリングとを具備するものを用いることができる。
【００１６】
バックパッドのたわみは、特に、バックパッドにダイレクトに荷重を掛ける機能を有する、このような研磨ヘッドに関して生じやすいため、本発明の研磨方法はこのような研磨ヘッドを用いる場合に特に好適である。
【００１７】
このとき、前記ウェーハとして、直径３００ｍｍ以上のものを研磨することが好ましい。
【００１８】
直径３００ｍｍ以上のウェーハを研磨する場合、研磨ヘッドが大型化し、バックパッドのたわみが大きくなりやすいため、本発明の研磨方法はこのようなウェーハを研磨する場合に特に好適である。
【００１９】
また、上記目的を達成するために、本発明は、研磨ヘッドにおいてウェーハの裏面を保持するためのバックパッドの製造方法であって、前記研磨ヘッドに貼り付けられ、ガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層を形成する工程と、前記基材層上に、前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を形成する工程と、を有することを特徴とするバックパッドの製造方法を提供する。
【００２０】
このようにして、基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るバックパッドを容易に製造できる。
【００２１】
このとき、前記ガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層は、エポキシ樹脂又はセルロース樹脂をガラスクロスに塗布することで形成することができる。
【００２２】
より具体的には、このようにして基材層を形成することができる。
【００２３】
またこのとき、前記基材層の厚さを０．２ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００２４】
基材層の厚さを０．２ｍｍ以上とすれば、バックパッドのたわみ量をより確実に低減させることができる。
【００２５】
また、上記目的を達成するために、本発明は、研磨ヘッドにおいてウェーハの裏面を保持するためのバックパッドであって、前記研磨ヘッドに貼り付けられる基材層及び前記ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層を有し、かつ、前記基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものであることを特徴とするバックパッドを提供する。
【００２６】
このようなバックパッドは、基材層が、ＰＥＴではなくガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂であるため、荷重によるバックパッドの伸びが少なく、たわみがより少ないものとなる。これにより、研磨ヘッドに用いた場合に、ウェーハにかかる荷重をウェーハの裏面全面で均一にすることができるものとなる。また、基材層としてガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いているため、バックパッドのたわみを十分に低減するために基材層を過度に厚くする必要が無い。
【００２７】
このとき、本発明のバックパッドは、前記基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、バックパッドのたわみ量をより確実に低減できるものとなる。
【００２９】
またこのとき、上記目的を達成するために、本発明は、ウェーハの裏面をバックパッドを介して保持する研磨ヘッドであって、前記バックパッドが上記のバックパッドであることを特徴とする研磨ヘッドを提供する。
【００３０】
このような研磨ヘッドは、基材層にガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂が用いられているバックパッドを具備しているため、研磨の際にバックパッドがたわみ難い。よって、ウェーハの裏面全面に均一な荷重をかけることが可能であり、平坦度の高いウェーハを得ることができる研磨ヘッドとなる。
【００３１】
このとき、本発明の研磨ヘッドは、前記バックパッドと、該バックパッドの上面に接着された剛性リングと、該剛性リングの上面に接着された中板と、前記バックパッドと前記剛性リングと前記中板とで区画され、内部の圧力が調整可能な圧力室と、前記バックパッドの下面に接着された、前記ウェーハのエッジ部を保持するためのガイドリングとを具備するものであることが好ましい。
【００３２】
圧力室からバックパッドにダイレクトに荷重を掛ける機能を有する、このような研磨ヘッドであっても、本発明であれば基材層にガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いたバックパッドであるので、たわみを抑制できる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のウェーハの研磨方法、バックパッドの製造方法、バックパッド、及び研磨ヘッドであれば、研磨ヘッドのバックパッドのたわみを抑制することで、ウェーハに均一に荷重をかけることができ、その結果として、平坦度の高いウェーハを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のバックパッドの一例を示した側面概略図である。
【図２】本発明の研磨ヘッドの一例を示した側面断面図である。
【図３】本発明のウェーハの研磨方法において使用できる研磨装置の一例を示す概略図である。
【図４】実施例１、２、比較例１におけるバックパッドのたわみ量を示すグラフである。
【図５】実施例１、比較例１の研磨における取り代の断面プロファイルである。
【図６】実施例２、比較例２の研磨における取り代の断面プロファイルである。
【図７】バックパッドを流体により直接押圧する構造を有する研磨ヘッドの一例を示す概略図である。
【図８】バックパッドを間接的に押圧する構造を有する研磨ヘッドの一態様を示す概略図である。
【図９】バックパッドを間接的に押圧する構造を有する研磨ヘッドの他の態様を示す概略図である。
【図１０】ＰＥＴ製の基材層の厚さとたわみ量の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３６】
上記のように、特に、図７に示すような研磨ヘッドにおいては、研磨時にバックパッドが大きくたわんでしまい、ウェーハを均一に研磨布に接触させることができないという問題があった。
【００３７】
そこで、本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、バックパッドの基材層に、従来のＰＥＴではなくガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いることで、バックパッドのたわみを低減できることに想到し、本発明を完成させた。
【００３８】
まず、本発明のバックパッド及びその製造方法について説明する。図１に示すように、本発明のバックパッド１は、研磨ヘッドに貼り付けられる基材層２及びウェーハの裏面に接触し保持するナップ層３を有し、基材層２がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものである。
【００３９】
本発明のバックパッドは、基材層がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るものであるため、荷重によるバックパッドの伸びが少なく、たわみがより少ないものとなる。これにより、研磨ヘッドに用いた場合に、ウェーハにかかる荷重をウェーハの裏面全面で均一にすることができるものとなる。また、基材層としてガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いているため、バックパッドのたわみを十分に低減するために基材層を過度に厚くする必要が無い。
【００４０】
また、基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であることが好ましい。ガラスエポキシ樹脂製又はセルロース樹脂製の基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、たわみの量をより低減できる。ウェーハの研磨において、たわみ量は３０μｍ以下であることが特に好ましいが、基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、バックパッドのたわみ量をより確実に３０μｍ以下に低減させることができる。なお、基材層の厚さのムラなどを考慮した場合、基材層は１．５ｍｍ以下であることが望ましい。
【００４１】
以上のようなバックパッド１は、以下の手順で製造することができる。まず、ガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層２を形成する。基材層２は、より具体的には、エポキシ樹脂又はセルロース樹脂をガラスクロスに塗布することで形成することができる。
【００４２】
また、基材層２は、０．２ｍｍ以上の厚さで形成することが好ましい。このようにすれば、上記のように、研磨時のバックパッドのたわみを３０μｍ以下により確実に低減できるバックパッド１を製造できる。
【００４３】
次に、基材層２上に、ウェーハの裏面に接触し保持するナップ層３を形成する。ナップ層３としては、例えば、発泡ウレタン樹脂等の発泡樹脂から成る層を形成すればよい。また、ナップ層３の表面をバフ掛け研磨することで、ナップ層３の表面をオープンポアにしても良い。
【００４４】
以上のようにして、本発明のバックパッドを製造できる。また、本発明のバックパッドは、従来のバックパッドのＰＥＴフィルム側（ナップ層とは反対側の面）にガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成る基材層を形成して製造しても良い。即ち、本発明のバックパッドは、従来のバックパッドをガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂により補強して製造しても良い。次に、このバックパッドを具備する本発明の研磨ヘッドについて説明する。
【００４５】
本発明の研磨ヘッドは、ウェーハの裏面をバックパッドを介して保持する研磨ヘッドであり、バックパッドとして本発明のバックパッド１を具備する。このようなバックパッドを具備する研磨ヘッドは、研磨時にバックパッドがたわみにくいため、より平坦度の高いウェーハを得ることができる。
【００４６】
より具体的には、例えば、図２に示すように、本発明の研磨ヘッド１０は、本発明のバックパッド１と、該バックパッド１の上面に接着された剛性リング４と、該剛性リング４の上面に接着された中板５と、バックパッド１と剛性リング４と中板５とで区画され、内部の圧力が調整可能な圧力室６と、バックパッド１の下面に接着された、ウェーハＷのエッジ部を保持するためのガイドリング７とを具備するものとできる。また、圧力室６には、例えば、流体供給手段８によって所定の圧力の流体が供給でき、バックパッド１を流体により他の部材を介することなく直接押圧するようになっている。
【００４７】
このような、流体等によって直接バックパッドに荷重をかけるタイプの研磨ヘッドにおいて、研磨時のバックパッドのたわみは特に大きくなり易いが、本発明のバックパッド１を具備すれば、このような場合であっても、バックパッドのたわみを確実に低減することが可能である。また、このタイプの研磨ヘッドは、バックパッドを介して、研磨ヘッドの構成部材の表面形状がウェーハに転写されることが無いので、特に高平坦なウェーハを得ることができる。
【００４８】
次に、このような本発明の研磨ヘッドを使用した場合の本発明のウェーハの研磨方法を説明する。まず、本発明の研磨ヘッドを具備する研磨装置について説明する。
【００４９】
図３に示すように、研磨装置２０は、研磨布２１が貼り付けられた定盤２２と、研磨剤供給機構２３と、本発明のバックパッド１を具備する研磨ヘッド１０等から構成されている。
【００５０】
本発明のウェーハの研磨方法では、上記のような研磨装置２０において、研磨ヘッド１０で本発明のバックパッド１を介してウェーハＷの裏面を保持し、研磨剤供給機構２３から研磨布２１上に研磨剤を供給するとともに、定盤２２と研磨ヘッド１０をそれぞれ回転させてウェーハＷの表面を研磨布２１に摺接させることにより研磨を行うことができる。即ち、本発明のウェーハの研磨方法では、バックパッドとして、研磨ヘッド１０に貼り付けられる基材層２及びウェーハＷの裏面に接触し保持するナップ層３を有し、かつ、基材層２がガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂から成るバックパッド１を用いて研磨を行う。
【００５１】
このように、バックパッドの基材層として、ＰＥＴではなくガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いることで、荷重によるバックパッドの伸びが少なく、バックパッドのたわみがより少なくなる。これにより、ウェーハにかかる荷重をウェーハの裏面全面で均一にすることができる。また、基材層２としてガラスエポキシ樹脂又はセルロース樹脂を用いる場合、その厚さを過度に大きくすることなくたわみを十分に低減できる。
【００５２】
このとき、本発明では、バックパッド１として、基材層２の厚さが０．２ｍｍ以上のものを用いることが好ましい。ガラスエポキシ樹脂製又はセルロース樹脂製の基材層２の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、たわみの量をより低減できる。ウェーハＷの研磨において、バックパッド１に研磨荷重をかけた際の、バックパッド１の中心部の高さ方向の変位で規定するたわみ量は３０μｍ以下であることが特に好ましいが、基材層の厚さが０．２ｍｍ以上であれば、バックパッド１のたわみ量をより確実に３０μｍ以下に低減させることができる。
【００５３】
また、本発明のウェーハの研磨方法は、ウェーハＷとして、直径３００ｍｍ以上のものを研磨する場合に好適な研磨方法である。直径３００ｍｍ以上のウェーハＷ、例えば、直径３００ｍｍや直径４５０ｍｍのウェーハＷを研磨する場合、研磨ヘッド１０が大型化し、圧力室内に封入される流体量の増加などの影響によって、バックパッド１のたわみが大きくなりやすいが、本発明の研磨方法を適用すれば、たわみの量を低減することができる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５５】
（実施例１）
まず、厚さ０．２ｍｍ（２００μｍ）のガラスエポキシ樹脂板上に、発泡ウレタン樹脂から成るナップ層を形成し、図１に示すような、本発明のバックパッドを作製した。続いて、バックパッドのナップ層側に、ガラスエポキシ樹脂製のガイドリングを熱圧着で接着して、テンプレートアセンブリを作製した。
【００５６】
ここで、このテンプレートアセンブリのバックパッドに１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけ、その時のたわみ量を測定した。その結果、図４に示すように、１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけた際のたわみ量は、後述の比較例１におけるバックパッドのたわみ量よりも、非常に小さく抑えられていることが分かった。
【００５７】
続いて、作製したテンプレートアセンブリを用いて、図２に示したような研磨ヘッドを作製した。そして、図３に示すような研磨装置において、この研磨ヘッドを用いてシリコンウェーハの研磨を実施した。その後、研磨によるシリコンウェーハの取り代を評価した。
【００５８】
また、研磨条件は以下の通りとした。
（研磨条件）
研磨装置：  不二越機械製片面研磨機  ＳＲＥＤ
シリコンウェーハ：  直径３００ｍｍ、Ｐ−品、＜１００＞
研磨布：  不織布
研磨スラリー：  ＫＯＨベースコロイダルシリカ
【００５９】
また、シリコンウェーハの取り代の評価は以下のように行った。まず、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ２を用いて、研磨前後のシリコンウェーハの、ノッチに対して０°／４５°／９０°／１３５°の直径上の断面プロファイルを測定した。続いて、測定した断面プロファイルをそれぞれ平均化した後、研磨前から研磨後の値を引くことで、取代の断面プロファイルを作成した。こうして得られた断面プロファイルから、シリコンウェーハの取り代の評価を行った。
【００６０】
図５に示すように、シリコンウェーハの取り代は、シリコンウェーハの全面において略均一であることが分かった。また、実施例１は、後述する比較例１と比べると、シリコンウェーハの外周部における取り代の変化量が非常に小さく、特に、外周ダレ量が小さく、外周部における平坦度が高いシリコンウェーハを得ることができることも確認された。
【００６１】
（比較例１）
バックパッドの基材層として、厚さ０．１８８ｍｍ（１８８μｍ）のＰＥＴを用いたテンプレートアセンブリを用いたこと以外、実施例１と同様な条件でシリコンウェーハを研磨した。また、実施例１と同様な方法でシリコンウェーハの取り代を評価した。
【００６２】
また、比較例１においても、実施例１と同様に、テンプレートアセンブリのバックパッドに１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけ、その時のたわみ量を測定した。その結果、図４に示すように、実施例１に比べてたわみ量が大幅に増加した。
【００６３】
また、図５に示すように、比較例１では、シリコンウェーハの中央部付近の取り代と、外周部の取り代に大きく差が発生してしまった。
【００６４】
（実施例２）
バックパッドのガラスエポキシ樹脂製の基材層の厚さを１２５μｍとして、シリコンウェーハを研磨した。また、実施例１と同様な方法でシリコンウェーハの取り代を評価した。
【００６５】
また、実施例２においても、実施例１と同様に、テンプレートアセンブリのバックパッドに１５０ｇ／ｃｍ２の荷重をかけ、その時のたわみ量を測定した。その結果、図４に示すように、実施例２より厚い基材層を用いた比較例１によりも、たわみ量を大幅に低減できていることが確認できた。
【００６６】
また、図６に示すように、実施例２におけるシリコンウェーハの取り代は、シリコンウェーハの全面において略均一であることが分かった。また、実施例２は、後述の比較例２の場合と比べると、シリコンウェーハの外周部における取り代の変化量が非常に小さく、特に、外周ダレ量が小さく、外周部における平坦度が高いシリコンウェーハを得ることができることも確認された。
【００６７】
（比較例２）
比較例１と同様のバックパッドを用いたこと以外、実施例２と同じ研磨条件でシリコンウェーハを研磨した。また、実施例１と同様な方法でシリコンウェーハの取り代を評価した。
【００６８】
また、図６に示すように、比較例２では、シリコンウェーハの中央部付近の取り代と、外周部の取り代に大きく差が発生してしまった。
【００６９】
以上の実施例、比較例の結果より、本発明の研磨方法であれば、バックパッドのたわみを効果的に低減することができ、それによって、平坦度がより高いウェーハを研磨によって得られることが確認できた。また、本発明であれば、基材層の厚さを、従来のＰＥＴ製の基材層と、同等又はそれよりも薄くした場合も、従来よりもたわみを小さくできることが確認された。
【００７０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７１】
１…バックパッド、  ２…基材層、  ３…ナップ層、
４…剛性リング、  ５…中板、  ６…圧力室、
７…ガイドリング、  ８…流体供給手段、
１０…研磨ヘッド、
２０…研磨装置、  ２１…研磨布、  ２２…定盤、  ２３…研磨剤供給機構、
Ｗ…ウェーハ。
【図１】
2017127938.tif 000003
【図２】
2017127938.tif 000004
【図３】
2017127938.tif 000005
【図４】
2017127938.tif 000006
【図５】
2017127938.tif 000007
【図６】
2017127938.tif 000008
【図７】
2017127938.tif 000009
【図８】
2017127938.tif 000010
【図９】
2017127938.tif 000011
【図１０】
2017127938.tif 000012