(57)【要約】【課題】インナーリードの先端部を平坦化してダレやバリの残存を解消し、かつ、ワイヤボンディング領域の傷つきを抑制することができるリードフレームを提供する。【解決手段】先端部にワイヤボンディング予定領域１２を有するインナーリード６を備えるリードフレームであって、インナーリード６の先端部とそれ以外の他のインナーリード部分との境界に段差１１を有し、この段差１１によってインナーリード６の先端部のリード面１４が全幅および全長にわたって他のインナーリード部分のリード面１５よりも低位に配置されるとともに、インナーリード６の先端部のリード面１４内に、ワイヤボンディング予定領域１２を保護するための保護壁１６が形成されている。【選択図】図２
2017195314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームであって、
前記インナーリードの先端部とそれ以外の他のインナーリード部分との境界に段差を有し、この段差によって前記インナーリードの先端部のリード面が全幅および全長にわたって前記他のインナーリード部分のリード面よりも低位に配置されるとともに、前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁が形成されている
リードフレーム。
【請求項２】
前記保護壁は、前記ワイヤボンディング予定領域の周囲の少なくも２方向に形成されている
請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記保護壁は、前記ワイヤボンディング予定領域を取り囲む状態で形成されている
請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームの製造方法であって、
前記インナーリードの先端部のリード面を全幅および全長にわたって平坦化する平坦化工程と、
前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁を形成する保護壁形成工程と、
を備えるリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、およびリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用のリードフレームは、半導体素子（半導体チップ）を搭載するためのダイパッドと、このダイパッドに搭載された半導体素子と電気的に接続されるリードとを備えている。リードは、リード長さ方向でインナーリードとアウターリードとに分かれている。また、半導体素子とリードとの電気的な接続方法としてワイヤボンディング法が知られている。ワイヤボンディング法は、半導体素子の電極パッドとこれに対応するリードのインナーリードとを金属のワイヤで接続する方法である。
【０００３】
リードフレームの製造工程では、平板状のリードフレーム素材に打ち抜き加工を施すことによりダイパッドやリードを形成する。その際、リードフレームには打ち抜き加工によって形状的なダレやバリなどが生じるため、インナーリードの先端部の平坦性が損なわれてしまう。その結果、次のような不都合が生じる。
【０００４】
ワイヤボンディング法では、インナーリードをヒートブロックによって加熱しながらインナーリードの先端部にワイヤを接続する。このため、インナーリードの先端部にダレやバリなどが生じていると、たとえばヒートブロックの熱が十分にインナーリードに伝わらず、ワイヤボンディング性が悪化してしまう。そこで特許文献１には、インナーリードの先端部をコイニング加工によって平坦化する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−７０２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、以下のような課題がある。
すなわち、特許文献１の図３、図５および図６に記載された構成では、いずれもインナーリードの先端部が部分的に平坦化された構造になっている。具体的には、特許文献１の図３に記載された構成では、インナーリードの先端部が長さ方向の一部のみ平坦化され、同文献の図５に記載された構成では、インナーリードの先端部が幅方向の一部のみ平坦化され、同文献の図６に記載された構成では、インナーリードの先端部が長さ方向および幅方向の一部のみ平坦化された構造になっている。このようにインナーリードの先端部を部分的に平坦化した構造では、リードフレームの打ち抜き加工時等にインナーリードに生じるダレやバリが平坦化されずに残存するおそれがある。
【０００７】
一方、特許文献１の図８に記載された構成では、インナーリードの先端部全体が平坦化された構造になっているが、この構造ではインナーリードのワイヤボンディング予定領域が傷つきやすいという別の問題が生じる。すなわち、リードフレームに打ち抜き加工によってインナーリードを形成すると、加工時の歪みによってリードの浮き沈みが発生し、インナーリードの位置が厚み方向にばらつく。このため、打ち抜き加工や一連の製造工程を終えた複数のリードフレームを積み重ねて搬送、輸送等する場合に、上下方向で隣り合うリードフレームのインナーリードどうしが接触し、これによってインナーリードのワイヤボンディング予定領域が傷つくおそれがある。特に、リードフレーム素材の厚み寸法が０．４ｍｍ以上になると、個々のリードフレームの質量が大きくなり、それにともなってインナーリードどうしの接触によってリード面が受けるダメージも大きくなるため、ワイヤボンディング予定領域が傷つきやすくなる。
【０００８】
本発明の主な目的は、インナーリードの先端部を平坦化してダレやバリの残存を解消し、かつ、ワイヤボンディング領域の傷つきを抑制することができるリードフレーム、およびリードフレームの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（第１の態様）
本発明の第１の態様は、
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームであって、
前記インナーリードの先端部とそれ以外の他のインナーリード部分との境界に段差を有し、この段差によって前記インナーリードの先端部のリード面が全幅および全長にわたって前記他のインナーリード部分のリード面よりも低位に配置されるとともに、前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁が形成されている
リードフレームである。
（第２の態様）
本発明の第２の態様は、
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームの製造方法であって、
前記インナーリードの先端部のリード面を全幅および全長にわたって平坦化する平坦化工程と、
前記前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁を形成する保護壁形成工程と、
を備えるリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、インナーリードの先端部を平坦化してダレやバリの残存を解消し、かつ、ワイヤボンディング領域の傷つきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態を適用可能なリードフレームの概要を説明するための図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ１−Ｘ１断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態にリードフレームの製造方法として、（Ａ）は平坦化工程、（Ｂ）は保護膜形成工程を示す図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１実施形態に係るリードフレームの変形例を説明する図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造方法の変形例を説明する図である。
【図６】発明の第２実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ２−Ｘ２断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２実施形態に係るリードフレームの変形例を説明する図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ３−Ｘ３断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
＜リードフレームの概要＞
まず、本発明の実施形態を適用可能なリードフレームの概要について、図１を用いて説明する。
図１においては、ダイパッド１の周囲に複数のリード２が設けられている。ダイパッド１およびリード２は、それぞれリードフレームの構成要素となる。
【００１４】
（ダイパッド）
ダイパッド１は、平面視四角形（図例では長方形）に形成されている。ダイパッド１上には２つの半導体素子３，４が搭載されている。各々の半導体素子３，４は、導電性ペースト等を用いてダイパッド１の上面に固定されている。各々の半導体素子３，４の上面には、図示しない電極パッドが設けられている。なお、ダイパッド１に搭載する半導体素子の個数は適宜、変更が可能である。
【００１５】
（リード）
複数のリード２はタイバー５によって相互につながっている。タイバー５は、リードフレームの構成要素の一つとなる。タイバー５は、最終的に複数のリード２を分離するために、所定の段階でリード２から切り離される。各々のリード２は、リード長さ方向でインナーリード６とアウターリード７に分かれている。タイバー５は、インナーリード６とアウターリード７の境界部に位置している。そして、タイバー５よりダイパッド１に近い側のリード２の部分がインナーリード６、それと反対側のリード２の部分がアウターリード７となっている。インナーリード６は、所定の形状に曲げられている。具体的には、インナーリード６の先端側がクランク状に立ち上がった形状に曲げられている。
【００１６】
半導体素子３とこれに対応するリード２とは、金属細線からなるワイヤ８を用いたワイヤボンディング法によって接続されている。ワイヤ８の一端は半導体素子３の電極パッドに接続（圧着）され、ワイヤ８の他端はインナーリード６の所定の領域（以下、「ワイヤボンディング予定領域」）に接続（圧着）されている。これにより、半導体素子３とリード２とが、ワイヤ８によって電気的に接続されている。ワイヤ８は、半導体素子３とインナーリード６との間にループ形状に掛け渡されている。
【００１７】
同様に、半導体素子４とこれに対応するリード２との間にはワイヤ８がループ形状に掛け渡され、このワイヤ８によって半導体素子４とリード２とが電気的に接続されている。また、半導体素子４上の一部の電極パッドには、たとえばクリップ方式等によってリード２が直接接続されている。
【００１８】
＜第１実施形態＞
（リードフレームの構成）
図２は本発明の第１実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ１−Ｘ１断面図である。
図２においては、インナーリード６の先端部とそれ以外の他のインナーリード部分との境界に段差１１が形成されている。インナーリード６の先端側には、ワイヤボンディング予定領域１２が設けられている。ワイヤボンディング予定領域１２は、リード２と半導体素子３（又は半導体素子４）とをワイヤ８で接続する場合に、ワイヤ８の端部が接続される予定の領域である。
【００１９】
インナーリード６の先端部のリード面１４（以下、「第１リード面１４」という。）は、段差１１の存在により、他のインナーリード部分のリード面１５（以下、「第２リード面１５」という。）よりも低位に配置されている。第１リード面１４は、インナーリード６の先端部の全幅および全長にわたって第２リード面１５よりも低位に配置されている。図２においては、インナーリード６の先端部の全幅を符号Ｗで示し、インナーリード６の先端部の全長を符号Ｌで示している。
【００２０】
インナーリード６の先端部の厚み寸法Ｔ１は、段差１１の寸法に応じて、他のインナーリード部分の厚み寸法Ｔ２よりも小さくなっている。段差１１による第１リード面１４と第２リード面１５との高低差は、好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下に設定するとよい。また、インナーリード６の第１リード面１４内には、ワイヤボンディング予定領域１２が含まれている。
【００２１】
ワイヤボンディング予定領域１２の周囲には、保護壁１６が配置されている。保護壁１６は、ワイヤボンディング予定領域１２を保護するために形成されたものである。保護壁１６は、インナーリード６の厚み方向に起立する状態で形成されている。また、保護壁１６は、ワイヤボンディング予定領域１２を取り囲むように平面視円形に形成されている。
【００２２】
また、第１リード面１４内には、保護壁１６の存在により、第１リード面１４から所定の寸法だけ凹んだ状態でリード面１７（以下、「第３リード面１７」という。）が形成されている。そして、第３リード面１７内にワイヤボンディング予定領域１２が設定されている。したがって、インナーリード６とこれに対応する半導体素子３（又は半導体素子４）をワイヤ８によって接続する場合、ワイヤ８の端部は、第３リード面１７のワイヤボンディング予定領域１２に接続されることになる。保護壁１６の高さ寸法は、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下に設定するとよい。
【００２３】
（リードフレームの製造方法）
次に、本発明の第１実施形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。
リードフレームは、リードフレーム素材を加工して製造する。リードフレーム素材としては、たとえば、銅または銅系合金、あるいは鉄系合金などからなる金属板が用いられる。リードフレーム素材は、たとえば、数百ｍの長さを有する帯状の金属板をコイルに巻いた、いわゆる金属条の形態で提供される。
【００２４】
リードフレームの製造工程には、リードフレーム素材にプレス加工を施すプレス加工工程が含まれる。プレス加工工程は、たとえば順送プレス加工法によって行うことが可能である。順送プレス加工法では、リードフレーム素材を一方向に順に搬送しながら、その搬送方向に並ぶ複数のプレス加工ステージによりリードフレーム素材に複数回のプレス加工を行い、これによってリードフレーム素材に所望のリードフレームパターンを形成する。順送プレス加工法を適用したプレス加工工程には、複数のリードからなるリードパターンやダイパッドその他のパターンを形成するための打ち抜き加工、各々のリードを所定の形状に曲げる曲げ加工などが含まれる。また、プレス加工工程には、インナーリード６の先端部を平坦化する平坦化工程と、インナーリード６の先端部に保護壁１６を形成する保護膜形成工程と、が含まれる。
【００２５】
（平坦化工程）
平坦化工程では、図３（Ａ）に示すように、インナーリード６の先端部を全幅および全長にわたってコイニング加工により平坦化する。コイニング加工は、図示しないダイとポンチを用いて行う。具体的には、インナーリード６の先端部の下面をダイで支持し、その状態でインナーリード６の先端部の上面をポンチで所定量だけ押しつぶす。このとき、インナーリード６の先端部の上面を全面にわたって押しつぶすことにより、一様に平坦化された第１リード面１４を形成する。
【００２６】
これにより、リードフレームの打ち抜き加工によってインナーリード６の先端部にダレやバリなどが形成されていても、インナーリード６の先端部を全幅および全長にわたって平坦化することにより、ダレやバリの残存を解消することができる。
【００２７】
（保護壁形成工程）
保護膜形成工程では、図３（Ｂ）に示すように、上記平坦化工程で平坦化した第１リード面１４内にコイニング加工によって保護壁１６を形成する。具体的には、インナーリード６の先端部の下面をダイで支持し、その状態でインナーリード６の第１リード面１４をポンチで所定量だけ押しつぶす。このとき、ワイヤボンディング予定領域１２よりも一回り大きな外径でポンチの下端部を形成しておく。そして、ワイヤボンディング予定領域１２を中心に第１リード面１４をポンチの下端部で押しつぶすことにより、第１リード面１４内にワイヤボンディング予定領域１２を囲むように保護壁１６を形成する。また、第１リード面１４を部分的に押しつぶすことにより、第１リード面１４内にこれよりも凹んだ第３リード面１７を形成する。
【００２８】
これにより、複数のリードフレームを積み重ねた状態で搬送、輸送等する場合に、ワイヤボンディング予定領域１２が保護壁１６によって保護される。すなわち、ワイヤボンディング予定領域１２は、保護壁１６と一緒に形成された第３リード面１７に存在し、この第３リード面１７が第１リード面１４よりも凹んだ状態になる。このため、上下方向で隣り合うリードフレームのインナーリード６どうしが接触しても、ワイヤボンディング予定領域１２は保護壁１６によって保護される。したがって、ワイヤボンディング予定領域１２の傷つきを回避することができる。
【００２９】
（第１実施形態の効果）
本発明の第１実施形態によれば、以下に記述する１つまたは複数の効果が得られる。
【００３０】
（１）本第１実施形態においては、インナーリード６の先端部を全幅および全長にわたって平坦化して第１リード面１４を形成しているため、リードフレームの打ち抜き加工等によってインナーリード６の先端部に生じるダレやバリの残存を解消することができる。また、第１リード面１４内に保護壁１６を形成しているため、ワイヤボンディング予定領域１２が傷つきにくくなる。したがって、ワイヤボンディング性が良好なリードフレームを提供することができる。これにより、リード２と半導体素子３（又は半導体素子４）をワイヤ８で接続する場合に、ワイヤ８の剥がれや圧着不良等の発生を低減することが可能となる。
【００３１】
（２）本第１実施形態においては、ワイヤボンディング予定領域１２を取り囲む状態で保護壁１６を形成している。このため、ワイヤボンディング予定領域１２をより確実に保護することができる。
【００３２】
なお、本第１実施形態では、ワイヤボンディング予定領域１２を取り囲むように保護壁１６を平面視円形に配置したが、これに限らず、たとえば図４（Ａ）に示すように平面視略四角形（正方形、長方形を含む）、あるいは図４（Ｂ）に示すように平面視長円形（楕円形を含む）に配置してもよい。
【００３３】
また、本第１実施形態では、第１リード面１４や第３リード面１７に対して保護壁１６を垂直に形成したが、これに限らず、保護壁１６を斜めに形成してもよい。この点は段差１１の部分についても同様である。
【００３４】
また、本第１実施形態においては、平坦化工程を行った後に保護膜形成工程を行うものとしたが、これに限らず、保護膜形成工程を行った後に平坦化工程を行ってもよい。その場合は、まず、保護膜形成工程において、図５（Ａ）に示すようにインナーリード６の先端部の上面にコイニング加工によって保護壁１６と第３リード面１７を形成する。次に、平坦化工程において、図５（Ｂ）に示すように、インナーリード６の先端部のリード面（第１リード面１４となる面）を全幅および全長にわたってコイニング加工によって平坦化することにより、段差１１と第１リード面１４を形成する。
【００３５】
このように平坦化工程と保護膜形成工程の順序と入れ替えた場合は、保護膜形成工程でインナーリード６の先端部に保護壁１６を形成した際に、保護壁１６の縁に生じるリードフレーム素材の盛り上がり部分を、その後に行う平坦化工程で押しつぶして平坦化することができる。なお、平坦化工程と保護膜形成工程は、１回のコイニング加工で同時に行うことも可能である。
【００３６】
＜第２実施形態＞
図６は本発明の第２実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ２−Ｘ２断面図である。
本第２実施形態においては、上記第１実施形態と比較して保護壁１６の形態が異なり、それ以外はリードフレームの製造方法を含めて上記第１実施形態と同様である。
【００３７】
図示のように、保護壁１６は、３つの壁１６ａ，１６ｂ，１６ｃによって構成されている。このうち、２つの壁１６ａ，１６ｂは、インナーリード６の幅方向において、ワイヤボンディング予定領域１２を挟んで対向する状態に配置されている。壁１６ｃは、ワイヤボンディング予定領域１２から見てインナーリード６の長さ方向の一方（リード後端側）に配置されている。また、壁１６ａ，１６ｂは、インナーリード６の長さ方向と平行に形成され、壁１６ｃは、インナーリード６の幅方向と平行に形成されている。これにより、保護壁１６は、ワイヤボンディング予定領域１２の周囲において、インナーリード６の先端側方向（図の右方向）を除く３方向に形成されている。
【００３８】
このような形態で保護壁１６を形成した場合でも、上記第１実施形態と同様に、インナーリード６の先端部に生じるダレやバリの残存を解消し、あわせてワイヤボンディング予定領域１２の傷つきを抑制することができる。
【００３９】
また、本第２実施形態においては、インナーリード６に先端側に保護壁１６を配置せずに、インナーリード６の先端側を開放しているため、ワイヤボンディングの際にキャピラリが保護壁１６に接触するリスクを低減することができる。
【００４０】
なお、本第２実施形態では、保護壁１６を構成する壁１６ｃをインナーリード６の幅方向と平行に形成したが、これに限らず、図７（Ａ）に示すように壁１６ｃを円弧状に形成してもよい。また、図７（Ｂ）に示すように、２つの壁１６ａ，１６ｂの対向距離がインナーリード６の先端側に向かって徐々に大きくなるように、各々の壁１６ａ，１６ｂを斜めに形成してもよい。これにより、ワイヤボンディングの際にキャピラリが保護壁１６に接触するリスクをより一層低減することができる。さらに、図示はしないが、インナーリード６と半導体素子３（又は半導体素子４）との間に掛け渡されるワイヤ８の向きに合わせて、各々の壁１６ａ，１６ｂの向きをインナーリード６ごとに変えてもよい。この場合もキャピラリが保護壁１６に接触するリスクをより一層低減することができる。
【００４１】
＜第３実施形態＞
図８は本発明の第３実施形態に係るリードフレームが備えるインナーリードの構成を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ３−Ｘ３断面図である。
本第３実施形態においては、上記第１実施形態と比較して保護壁１６の形態が異なり、それ以外はリードフレームの製造方法を含めて上記第１実施形態と同様である。
【００４２】
図示のように、保護壁１６は、２つの壁１６ａ，１６ｂによって構成されている。２つの壁１６ｄ，１６ｅは、インナーリード６の長さ方向において、ワイヤボンディング予定領域１２を挟んで対向する状態に配置されている。また、各々の壁１６ｄ，１６ｅは、インナーリード６の幅方向と平行に形成されている。これにより、保護壁１６は、ワイヤボンディング予定領域１２の周囲の２方向に形成されている。
【００４３】
このような形態で保護壁１６を形成した場合でも、上記第１実施形態と同様に、インナーリード６の先端部に生じるダレやバリの残存を解消し、あわせてワイヤボンディング予定領域１２の傷つきを抑制することができる。
【００４４】
＜好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームであって、
前記インナーリードの先端部とそれ以外の他のインナーリード部分との境界に段差を有し、この段差によって前記インナーリードの先端部のリード面が全幅および全長にわたって前記他のインナーリード部分のリード面よりも低位に配置されるとともに、前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁が形成されている
リードフレーム。
（付記２）
前記保護壁は、前記ワイヤボンディング予定領域の周囲の少なくも２方向に形成されている
付記１に記載のリードフレーム。
（付記３）
前記保護壁は、前記インナーリードの厚み方向に起立する状態で形成されている
付記１または２に記載のリードフレーム。
（付記４）
前記保護壁は、前記ワイヤボンディング予定領域の周囲において、前記インナーリードの先端側方向を除く３方向に形成されている
付記２に記載のリードフレーム。
（付記５）
前記保護壁は、前記ワイヤボンディング予定領域を取り囲む状態で形成されている
付記２に記載のリードフレーム。
（付記６）
前記保護壁は、平面視円形に配置されている
付記５に記載のリードフレーム。
（付記７）
前記保護壁は、平面視長円形に配置されている
付記５に記載のリードフレーム。
（付記８）
前記保護壁は、平面視四角形に配置されている
付記５に記載のリードフレーム。
（付記９）
先端部にワイヤボンディング予定領域を有するインナーリードを備えるリードフレームの製造方法であって、
前記インナーリードの先端部のリード面を全幅および全長にわたって平坦化する平坦化工程と、
前記インナーリードの先端部のリード面内に、前記ワイヤボンディング予定領域を保護するための保護壁を形成する保護壁形成工程と、
を備えるリードフレームの製造方法。
（付記１０）
前記平坦化工程を前記保護壁形成工程の後に行う
付記９に記載のリードフレームの製造方法。
（付記１１）
前記平坦化工程を前記保護膜形成工程の前に行う
付記１０または１１に記載のリードフレームの製造方法。
（付記１２）
前記平坦化工程と前記保護膜形成工程を、それぞれコイニング加工によって行う
付記９〜１１のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法。
【符号の説明】
【００４５】
１…ダイパッド
２…リード
３，４…半導体素子
５…タイバー
６…インナーリード
７…アウターリード
８…ワイヤ
１１…段差
１２…ワイヤボンディング予定領域
１４…第１リード面
１５…第２リード面
１６…保護壁
１７…第３リード面
【図１】
2017195314.tif 000003
【図２】
2017195314.tif 000004
【図３】
2017195314.tif 000005
【図４】
2017195314.tif 000006
【図５】
2017195314.tif 000007
【図６】
2017195314.tif 000008
【図７】
2017195314.tif 000009
【図８】
2017195314.tif 000010