(57)【要約】      （修正有）【課題】活性層にｎ型酸化物半導体を用い、簡易な構成で良好なＴＦＴ特性を実現し、優れた後工程耐性と動作安定性を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極２６と、ソース電極２３及びドレイン電極２４と、ｎ型酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート絶縁層と２５を備える。ｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、ドーパントの価数が、ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きい。ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含む。【選択図】図１
2017195355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン、及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、
前記ドーパントの価数が、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きく、
前記ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも前記活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属、並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含む、ことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース電極と前記活性層との間、及び、前記ドレイン電極と前記活性層との間にオーミック接触が形成されている請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記ｎ型酸化物半導体において、前記ドーパントにより置換される対象となる前記金属イオンの前記ｎ型酸化物半導体に含まれるモル数と前記ドーパントのモル数との和を１００％とした時の前記ドーパントのモル数の割合が、０．０１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％である請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記金属イオンが、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＴｉの少なくともいずれかのイオンを含有する請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
前記ｎ型酸化物半導体が、更にＳｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ、及びアルカリ土類金属の少なくともいずれかを含有する請求項４に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ｎ型酸化物半導体からなる活性層の少なくともいずれかの上に絶縁層が積層されている請求項１から５のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項１から６のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子。
【請求項８】
前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項７に記載の表示素子。
【請求項９】
画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項７から８のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ（ＯＬＥＤ）、電子ペーパー等の平面薄型ディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）は、非晶質シリコンや多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を含む駆動回路により駆動されている。そして、ＦＰＤは、さらなる大型化、高精細化、高速駆動性が求められており、それに伴って、キャリア移動度が高く、特性の経時変化が小さく、素子間のばらつきが小さいＴＦＴが求められている。
【０００３】
しかしながら、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコン（特に低温ポリシリコン：Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＴＰＳ）を活性層に用いたＴＦＴは、それぞれに一長一短があり、同時に全ての要求を満たすことは困難であった。
【０００４】
例えば、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴは、大画面のＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を高速駆動するには移動度が不足しており、また連続駆動時の閾値電圧シフトが大きいという欠点を抱えている。ＬＴＰＳ−ＴＦＴは、移動度は大きいが、エキシマレーザーアニーリングによって活性層を結晶化するプロセスのために閾値電圧のバラツキが大きく、量産ラインのマザーガラスサイズを大きくできないという問題が存在する。
【０００５】
そこで、室温成膜が可能でアモルファス状態でａ−Ｓｉ以上の移動度を示すＩｎＧａＺｎＯ４（ａ−ＩＧＺＯ）が提案され（非特許文献１参照）、これをきっかけとして、移動度の高いアモルファス酸化物半導体が精力的に研究されるに至った。
【０００６】
しかしながら、これらの酸化物半導体を活性層とするＴＦＴにおいては、その特性の安定性や後工程に対する耐性に関して多くの課題が存在する。それらの課題を整理すると、活性層である酸化物半導体の特性に起因するものと、ソース・ドレイン電極の特性に起因するものの２つに分けられる。
【０００７】
これらの課題を解決するために、活性層を改良する技術（例えば、特許文献１）、バッファ層を設ける技術（例えば、特許文献２及び３）、ソース・ドレイン電極を改良する技術（例えば、特許文献４）、特定のｎ型酸化物半導体を用いる技術（例えば、特許文献５参照）などが提案されている。
【０００８】
しかし、活性層にｎ型酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、簡易な構成で良好なＴＦＴ特性を実現し、優れた後工程耐性と動作安定性を有する電界効果型トランジスタは得られておらず、そのような電界効果型トランジスタが求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、活性層にｎ型酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、簡易な構成で良好なＴＦＴ特性を実現し、優れた後工程耐性と動作安定性を有する電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の電界効果型トランジスタは、
ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン、及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、
前記ドーパントの価数が、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きく、
前記ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも前記活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属、並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、活性層にｎ型酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、簡易な構成で良好なＴＦＴ特性を実現し、優れた後工程耐性と動作安定性を有する電界効果型トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、トップコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図２】図２は、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図３】図３は、トップコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図４】図４は、ボトムコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図５】図５は、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置の一例を示す概略構成図である。
【図６】図６は、図５における画像表示装置を説明するための図（その１）である。
【図７】図７は、図５における画像表示装置を説明するための図（その２）である。
【図８】図８は、図５における画像表示装置を説明するための図（その３）である。
【図９】図９は、本発明の表示素子の一例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の一例を示す概略構成図である。
【図１１】図１１は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の他の一例を示す概略構成図である。
【図１２】図１２は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
【図１３】図１３は、表示制御装置を説明するための図である。
【図１４】図１４は、液晶ディスプレイを説明するための図である。
【図１５】図１５は、図１４における表示素子を説明するための図である。
【図１６】図１６は、実施例１の電界効果型トランジスタのトランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図１７】図１７は、実施例１の電界効果型トランジスタ（保護層形成前）の出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図１８】図１８は、実施例１の電界効果型トランジスタ（保護層形成後）の出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図１９】図１９は、実施例１の電界効果型トランジスタ（アニール後）の出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２０】図２０は、比較例１の電界効果型トランジスタのトランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２１】図２１は、比較例１の電界効果型トランジスタ（アニール後）の出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２２】図２２は、比較例２の電界効果型トランジスタのトランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２３】図２３は、比較例２の電界効果型トランジスタ（アニール後）の出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２４】図２４は、ストレス試験を実施した後の実施例１の電界効果型トランジスタのトランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２５】図２５は、ストレス試験を実施した後の実施例１の電界効果型トランジスタの出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【図２６】図２６は、ストレス試験を実施した後の比較例１の電界効果型トランジスタのトランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する技術について説明する。
【００１４】
ＩＧＺＯに代表されるｎ型酸化物半導体では一般的にキャリア電子を酸素空孔によって作り出しているため、大気中の酸素や活性層に隣接した層に含まれる酸素の影響を受けて特性が変動しやすいという不安定性がある。例えば、大気や隣接した層に含まれる酸素が活性層に取り込まれると、キャリア電子の密度は減少する。逆に、活性層中の酸素が奪われると、キャリア電子の密度は増加する。キャリア密度の増減によってＴＦＴ特性は変化するため、このような酸化物半導体を活性層に用いたＴＦＴは動作が不安定となってしまう。
【００１５】
酸化物半導体からなる活性層に対しては多くの場合保護層が積層される。また、ＴＦＴを用いた表示装置では、ＴＦＴの上部に発光層等を含む表示素子が積層される。従ってＴＦＴには、このような後工程を経ても特性が劣化しない耐性を有することが求められる。特に加熱を伴う後工程に対する耐性は重要である。酸化物半導体と外部（雰囲気や隣接する層）との間の酸素のやり取りが加熱により促進されることにより、ＴＦＴの特性劣化が引き起こされると、結果として良好なデバイス特性が得られない。
すなわち、後工程における特性の劣化が無く、製造後の動作安定性にも優れる活性層を持つＴＦＴが求められている。
【００１６】
ソース・ドレイン電極に関しては、抵抗率が低く、かつその低い抵抗率が後工程を経た後も保たれるような材料を用いることが求められる。これは、大面積の表示を行う表示装置では、配線からＴＦＴのチャネルまでの抵抗に起因する信号の遅延が問題となるためである。更に、ソース・ドレイン電極に関しては、活性層との間に良好な電気的接触が形成できることも求められる。ソース・ドレイン電極と活性層との間が非オーミック接触になっているとＴＦＴが正常に動作しなかったり、接触抵抗がチャネル抵抗と比べて無視できないほど大きいとＴＦＴの特性（例えばｏｎ／ｏｆｆ比など）が悪化したりするためである。また、良好な電気的接触がＴＦＴ形成後の工程を経ても保たれることも必須の要件であるが、この課題に関してはソース・ドレイン電極を形成する材料の特性だけを考慮するのでは不十分であり、活性層の特性も合わせて考える必要があることを後述する。
【００１７】
低抵抗で、かつその低い抵抗率が後工程を経ても保たれるといった観点では、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等に代表される金属がソース・ドレイン電極材料として優れている。しかしこれらの金属は仕事関数が大きく、その値がｎ型酸化物半導体の仕事関数よりも大きいとショットキー障壁が発生したり、接触抵抗が増大したりする等の不具合が発生する。逆に、良好な電気的接触を実現できる仕事関数の小さい金属（Ａｌ、Ｔｉ等）は後工程に対する耐性が低く、加熱処理を経ると酸化して抵抗が上がったり活性層との接触抵抗が増大したり、オーミック接触が得られなくなったりするといった課題が存在する。
【００１８】
活性層の特性変動を防いでＴＦＴの安定性を高めることを目的とした従来技術として、活性層の酸化物半導体をＩ型（真性）化する技術が開示されている（特開２０１１−１２９８９５号公報）。この技術では、キャリアの発生源となる酸化物半導体中の不純物を除去すると共に酸素を供給して酸素欠損を極力なくし、活性層中のキャリア濃度を１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下とすることで、信頼性を高めるとしている。しかし、本発明者らの検討によれば、このように極端にキャリア濃度が低い活性層とソース・ドレイン電極との間では、限られた接触面積で良好な電気的接触を形成することが困難であることがわかった。また、キャリア濃度が低いとオン電流（ＴＦＴがオン状態での電流値）が小さくなることから、実際はＴＦＴのチャネル長を極端に小さくし且つチャネル幅を大きくして電流値を稼がない限り実用的な電流値に到達することができない。チャネル長を微細にパターニングするプロセスの困難さや、チャネル幅を大きくするためにＴＦＴサイズが大きくなるといった点が課題として存在し、実用的な技術とは言い難い。
【００１９】
一方、ソース・ドレイン電極に低抵抗で耐性の高い金属を使用することでＴＦＴの安定性を高めることを目的とした従来技術として、電極と活性層との間に、活性層よりも抵抗率の低いｎ型酸化物からなるバッファ層を形成する技術が開示されている（例えば、特許第５１１８８１１号公報及び特開２０１０−６２５４６号公報）。バッファ層があることによって、仕事関数が大きい材料を電極に用いたとしても良好な電気的接触が形成できるため、ソース・ドレイン電極に例えばＡｕを用いることができる（特許第５１１８８１１号公報の実施の形態参照。）。
或いは、特開２０１１−１０３４０２号公報には、ソース・ドレイン電極をＴｉとＡｕの積層膜で形成し、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と接する側に仕事関数の小さいＴｉを配置することで接触を良くする技術が開示されている。いずれの従来技術においてもＴＦＴの構成は複雑なものとなり、その製造工程ではバッファ層を形成したり、複数の金属を成膜しフォトリソグラフィで加工したりする工程が追加されるという課題が存在する。
【００２０】
また、特開２０１３−４５５５号公報の実施例によると、ｎ酸化物半導体からなる活性層の上にＡｕからなるソース・ドレイン電極を直接（バッファ層無しで）積層し、良好な特性が得られたことを開示しているが、この文献においては後工程に対する耐性についての記述が無い。特開２０１３−４５５５号公報の明細書中にはＴＦＴに積層する保護層についての一般的な材料や形成プロセスについての記述があるが、実施例に示されたＴＦＴ特性は保護層を形成するプロセスを経ていないＴＦＴのものであり、保護層形成後のＴＦＴ特性については言及されていない。
【００２１】
本発明者らの検討によれば、従来技術の範疇では、ソース・ドレイン電極とｎ型酸化物半導体からなる活性層との間の良好な電気的接触がＴＦＴを形成した時点で得られていたとしても、後工程を経ることで電気的接触は悪化しＴＦＴ特性が劣化する場合があることがわかった。例えば特許第５１１８８１１号公報に記載の低抵抗ｎ型酸化物からなるバッファ層を用いた構成のＴＦＴでは、後工程で熱が加わると酸素含有量の多い活性層からバッファ層へ酸素が拡散することによりバッファ層が高抵抗化し、バッファ層としての機能が弱まることで接触が悪化する。また、特開２０１３−４５５５号公報で示されている特性の活性層とＡｕ電極を接触させる構成のＴＦＴでは、大気中の加熱によって接触抵抗が増大し、ＴＦＴのオン電流値が極端に減少する。この接触抵抗の増大は、活性層のキャリア電子が酸素欠損に起因するものであったため、加熱により活性層中に酸素が取り込まれ高抵抗化したことによる。
【００２２】
後工程におけるＴＦＴの特性劣化を防ぎ、連続駆動やストレス試験においても特性が変動しないといった安定性に優れたＴＦＴを得るためには、活性層の特性変動が無く且つソース・ドレイン電極の状態変化（主に酸化の影響）が無いことが必要である。しかし、このように従来技術はそのどちらかのみを考慮しており、ＴＦＴ全体としての後工程耐性・動作安定性を確保するには議論が不足していた。また、複雑な層構成や煩雑なプロセスを用いず、実用に即した特性のＴＦＴを得る技術は確立していないのが現状であった。
【００２３】
従って、複数回の加熱や酸化雰囲気中での処理といった後工程を経ても半導体特性が劣化しないｎ型酸化物半導体材料によって活性層が形成され、低抵抗で且つその低い抵抗値が後工程を経ても保たれる材料によってソース・ドレイン電極が形成され、バッファ層等の複雑な構成無しで活性層とソース・ドレイン電極との間に良好な電気的接触が確保でき、活性層とソース・ドレイン電極の両方が後工程に対する優れた耐性を有することによってＴＦＴ全体としての後工程耐性・動作安定性が実現されるｎ型酸化物ＴＦＴが求められている。
【００２４】
本発明は係る要求に応える発明である。
【００２５】
（電界効果型トランジスタ）
本発明の電界効果型トランジスタは、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層と、ゲート絶縁層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００２６】
＜ゲート電極＞
前記ゲート電極としては、ゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属乃至合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００２７】
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００２８】
前記ゲート電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００２９】
＜ゲート絶縁層＞
前記ゲート絶縁層としては、前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられた絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート絶縁層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ等の既に広く量産に利用されている材料や、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２等の高誘電率材料、ポリイミド（ＰＩ）やフッ素系樹脂等の有機材料などが挙げられる。
【００３０】
前記ゲート絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）等の真空成膜法、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の印刷法などが挙げられる。
【００３１】
前記ゲート絶縁層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜３μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００３２】
＜活性層＞
前記活性層は、前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられた層である。
【００３３】
本発明の電界効果型トランジスタにおいては、活性層を形成するｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン、及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、ドーパントの価数が、ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きいことを特徴とする。なお、前記置換ドーピングは、ｎ型ドーピングともいう。
【００３４】
この置換ドーピングされたｎ型酸化物半導体においては、母相であるｎ型酸化物半導体を構成する金属イオンの一部が、価数がより大きいドーパントによって置換され、価数に差があることで過剰となり放出された電子がｎ型電導のキャリアとして寄与する。このような置換ドーピングによって生成されたキャリア電子が半導体特性を担っている場合、その特性はより安定なものとなる。なぜなら、酸素欠損由来のキャリア電子数が、半導体と外部（雰囲気や隣接する層）との間で酸素がやり取りされることによる酸化・還元反応や膜表面への酸素吸着等の影響を受けて容易に変動するのに対し、置換ドーピング由来のキャリア電子数はそのような状態変化の影響を比較的受けないからである。
また、置換ドーピング由来のキャリア電子数は制御性が良く、所望のキャリア濃度を容易に実現できる点も利点の一つである。前述のように、酸素は比較的容易に半導体の外部に出入りすることから、その量を精密にコントロールしたり、所望の値に保ったりすることが難しい。一方、置換ドーピング由来のキャリア電子数は、主にドーパント元素の種類とドープ量の選択によって容易かつ精密にコントロールすることができる。
【００３５】
置換ドープされたｎ型酸化物半導体においては、酸素欠損由来のキャリア電子と置換ドーピング由来のキャリア電子が共存しているのが一般的であるが、活性層としては酸素欠損を極力減らし、置換ドーピング由来のキャリア電子が電気的な特性を担っている状態がより好ましい。これは、活性層中のキャリア電子数の変動は直接そのトランジスタの特性変動につながるため、変動しやすい酸素欠損由来のキャリア電子数の寄与を減らすことでトランジスタ特性をより安定なものにすることができるからである。すなわち、活性層の半導体特性を支配するキャリア電子が主に置換ドーピングによって生成されている場合に、後工程においてキャリア電子数が変動せず、より耐性の高いトランジスタが得られる。
【００３６】
活性層中の酸素欠損を減らすには、ｎ型酸化物半導体層の成膜工程においてより多くの酸素を膜中に導入することが有効である。例えば、スパッタ法でｎ型酸化物半導体層を形成する場合、スパッタ雰囲気中の酸素濃度を高めることで酸素欠損の少ない膜を形成できる。或いは、組成物の塗布・焼成によってｎ型酸化物半導体層を形成する場合、焼成時の雰囲気中の酸素濃度を高めることで酸素欠損の少ない膜を形成できる。
また、ｎ型酸化物半導体の組成によって、酸素欠損量を減少させることもできる。例えば、酸素との親和性の高い金属元素（Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ、及びアルカリ土類金属等）を一定量導入することで、酸素欠損の発生を抑制できる。
上記のような方法で酸素欠損を極力減らした場合、ｎ型酸化物半導体中のキャリア電子数をドーパントの種類とドープ量によって制御することができ、これらを適切に選択することで欲しい半導体特性を実現することができる。
【００３７】
ドーパントの種類は、イオン半径、配位数、軌道エネルギー等を考慮して選択することが好ましい。ドーパント濃度は、母相の材料、ドーパントの種類や置換するサイト、成膜プロセス、所望のＴＦＴ特性等に応じて、適切に選択することができる。
理論的には、一つの原子が置換された場合に生成される電子の数は、ドーパントであるカチオンの価数からｎ型酸化物半導体を構成する母相の金属原子の価数を引いた値となる。すなわち、より少ないドープ量で同じ数の電子を発生させるためには、ドーパントの価数が大きいことが好ましい。更に、ドーパントの価数とｎ型酸化物半導体を構成する金属原子の価数との差が大きい方が好ましい。ドーパントは多量に存在すると結晶構造や原子の配列を乱しキャリア電子の移動を妨げる要因となってしまうため、なるべく少ないドープ量で必要充分なキャリア電子を発生させることは好ましい形態である。
また、イオン半径が置換される原子のものと近いドーパントを選択することも好ましい形態である。これにより置換効率が上がり、キャリア生成に寄与しない不要なドーパントがトランジスタ特性を悪化させることを抑制できる。
ドーピングによるキャリア生成効率はＴＦＴ作製時の各種プロセス条件にも依存するため、生成効率が上がるプロセス条件を選択することも重要である。例えば、スパッタ法でｎ型酸化物半導体層を形成する場合の基板温度や、組成物の塗布・焼成によってｎ型酸化物半導体層を形成する場合の焼成温度、ｎ型酸化物半導体層を形成した後に施すアニールの温度等を適切に選択することで、より少ないドープ量で所望のキャリア濃度を達成することができる。
【００３８】
ドーパントの濃度は、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、移動度及び立ち上がり特性の点から、０．０１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％が好ましく、０．０１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％がより好ましく、０．０５ｍｏｌ％〜２ｍｏｌ％が特に好ましい。ここでのｍｏｌ％とは、置換される金属元素の半導体中のモル数（即ち、前記ｎ型酸化物半導体に含まれる、前記ドーパントにより置換される対象となる前記金属イオンのモル数）とドーパントのモル数との和を１００％とし、それに対するドーパントのモル数の割合を表したものである。この範囲のドープ量で且つプロセス条件を適切に設定することにより、酸化物半導体のキャリア濃度を１．０×１０１８ｃｍ−３以上、キャリア移動度を０．１ｃｍ２／Ｖｓ以上とすることができ、これらは本発明のトランジスタの活性層として好ましい特性である。特に、活性層のキャリア濃度が１．０×１０１８ｃｍ−３以上、より好ましくは５．０×１０１８ｃｍ−３以上であることは、本発明のトランジスタの電極との間に良好な電気的接触を形成でき、オンオフ比の高いＴＦＴ特性を得る点で有利である。
【００３９】
活性層を形成するｎ型酸化物半導体において、置換ドーピングが効果的に作用するために、該酸化物半導体は単結晶或いは多結晶となっていることが好ましい。或いは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）等で回折線が観測されず長距離秩序が存在しない場合（一般にはこれをアモルファス状態と呼んでいる。）であっても、短距離においては秩序を持って原子が配列しているリジッドな構造を有していることが好ましい。これは、母相となる酸化物半導体がアモルファス性の高い材料である場合、置換ドープを行ったとしても局所的に安定した状態に構造が変化してしまうことでキャリアが発生しないからである。リジッドな構造を有する酸化物であれば、酸素配位多面体（例えばＷＯ６やＩｎＯ６八面体）やその連結様式（例えばＩｎＯ６稜共有鎖）が維持され、置換ドーピングが有効に作用する。このような構造においてはアモルファス状態特有の裾状態（Ｔａｉｌ  Ｓｔａｔｅｓ）の状態密度は小さいため、サブギャップ吸収は少なく、その結果、光劣化特性は、アモルファス性の高い材料よりも優れる。
長距離秩序が存在する単結晶・多結晶状態であっても、同様にドーピングは有効である。重金属イオンの４ｓ、５ｓ、６ｓバンドで伝導帯が構成される場合は粒界の影響も少なく、多結晶状態であっても良好な特性が得られる。但し、ドープ量が過多でドーパントが粒界に偏析するような場合には、ドーパント濃度を下げることが好ましい。また、ソース・ドレイン電極と活性層との界面の密着性や電気的な接触を良好にするために、２００℃〜３００℃でポストアニールすることも好ましい。また、より高温でアニールして結晶性を高めてもよい。
【００４０】
前記活性層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００４１】
本発明者らの検討では、ｎ型酸化物半導体の母相として、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＴｉの少なくともいずれかを含有する酸化物を選択した場合に、置換ドーピングがより有効に機能しより良好なトランジスタ特性が得られた。
また、酸素欠損を減らすため、酸素親和性の高い元素を活性層に含有させることが有効であると前述したが、そのような酸素親和性の高い元素としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ、及びアルカリ土類金属が適していることを見出した。
【００４２】
前記活性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
置換ドーピングは、活性層を形成する際の母層の原料にドーパントの原料を添加することで容易に達成される。例えば、スパッタ法により活性層を形成する場合は、所望の濃度でドーパント元素を添加した母相のターゲットを用いれば良い。ただし、所望のドープ量が小さい場合（例えば０．２ｍｏｌ％以下）においては、そのような僅かな量の原子を正確な値でかつターゲット全体に均一に含有させることが難しいという問題点がある。
ドープ量の制御性の面から、活性層を塗布プロセスで形成することはより好ましい形態である。塗布プロセスにおいては、半導体原料化合物と、前記ドーパントとなる元素を含有する化合物（ドーパント元素含有化合物）と、溶媒とを含有するｎ型酸化物半導体製造用組成物を被塗布物上に塗布し、焼成を行うことで活性層を形成する。この組成物において、半導体原料化合物に対する前記ドーパント元素含有化合物の配合比率を所望のドープ量に対応させることで、所望のドーピングが実現される。組成物においては、ドーパント量として０．２ｍｏｌ％以下といったごく微量の割合で前記ドーパント元素含有化合物を添加し均一に攪拌することも容易にできるため、置換ドーピングされたｎ型酸化物半導体の形成方法としては塗布プロセスがより適していると言える。
【００４３】
本発明の電界効果型トランジスタにおいては、前述のようなｎ型酸化物半導体を活性層に用い、半導体特性を担う電子キャリアが酸素欠損ではなく主に置換ドーピングによって生成されているため、複数回の加熱や酸化雰囲気中での処理といった後工程において活性層に含有される酸素量が変化しても半導体特性が受ける影響は小さく、結果として後工程に対する耐性が高く動作安定性に優れたトランジスタが実現される。
【００４４】
＜ソース電極、及びドレイン電極＞
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、電流を取り出すための電極である。
本発明の電界効果型トランジスタにおいては、ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属、並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含む。ここで挙げた材料は酸化されにくい性質を持つため、後工程の影響を抑えることができる。
【００４５】
前記合金は、Ｘ（Ｘ＝Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ）を主成分とする合金であることが好ましい。前記合金としては、以下のような合金が好ましい。
・Ｘを５０ａｔ．％以上含む合金
・３元以上の合金であって、最も大きい組成比を占める元素がＸである合金
【００４６】
従来の酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタでは、活性層とソース電極及びドレイン電極との電気的接触を良好なものとするため、Ａｌ、Ｔｉ、ＩＴＯ等の仕事関数の低い金属或いは金属酸化物しか前記ソース電極及び前記ドレイン電極の材質として使用できなかった。しかし、本発明の電界効果型トランジスタは、前述のような仕事関数の高い電極材料を使用する点に特徴がある。活性層が置換ドーピングされたｎ型酸化物半導体であって電子キャリアが効率的かつ安定に生成されていることで、仕事関数の高い電極材料であっても活性層との間に良好な電気的接触を形成することができるため、前述のような材料の使用が可能となっている。
【００４７】
活性層を、主に置換ドーピングによってキャリア電子が生成されているｎ型酸化物で形成することにより、後工程に対する特性変動を抑制できることを前述したが、電界効果型トランジスタとしての後工程に対する耐性や動作安定性を高めるためには活性層の特性を考慮するだけでは不十分である。まず、ソース電極及びドレイン電極自体の耐性が高くなければならない。本発明の電界効果型トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極が酸化されにくい材料を含み、加熱処理や酸化性雰囲気処理を経てもソース電極及びドレイン電極の抵抗率が低く保たれることで高い耐性を有する。また、ソース電極及びドレイン電極と活性層との間の界面が酸化耐性の高い電極材料と置換ドーピングされた酸化物半導体によって構成されているため、接触抵抗が十分小さく且つそのような良好な電気的接触が変動せず保たれる効果を得る。
このようなトランジスタの構成をとることにより、ソース電極と活性層との間及びドレイン電極と活性層との間にはオーミック接触が形成されていることが好ましい。接触の状態はトランジスタの原点周りの出力特性に影響を与え、非オーミックであると原点周りの出力特性が直線からずれて正常な出力が得られない。オーミック接触は、後工程や連続駆動を経ても保たれていることが好ましい形態である。
【００４８】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ゲート電極の説明において記載した形成方法と同じ方法が挙げられる。
【００４９】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００５０】
＜絶縁層＞
ソース電極、ドレイン電極、及び活性層の少なくともいずれかの上に絶縁層が積層されている構成も、特性の安定な電界効果型トランジスタとして好ましい形態である。この絶縁層は多くの場合、ソース電極、ドレイン電極、及び活性層が直接大気中の酸素や水分に触れて特性が変化することを防ぐ所謂保護層の役割を果たす。また、電界効果型トランジスタを用いた表示装置においては、トランジスタの上部に発光層等を含む表示素子が積層されることがあるが、その際はこの絶縁層がトランジスタの形状に応じた段差を吸収して面を平滑にする所謂平坦化膜の役割を兼ねる場合もある。
【００５１】
前記絶縁層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ等の既に広く量産に利用されている材料や、ポリイミド（ＰＩ）やフッ素系樹脂等の有機材料などが挙げられる。
【００５２】
絶縁層が積層されたトランジスタを製造する際は、トランジスタが絶縁層を形成する工程を経ることになる。その後工程においては、トランジスタが酸化性の雰囲気に晒されたり、加熱によって外部（雰囲気や隣接する層）との間の酸素のやり取りが促進されたりすることによって、トランジスタの特性劣化が引き起こされる場合がある。しかし、本発明の電界効果型トランジスタでは、酸化度が変化してもキャリア電子数が変動しづらいことを特徴とする置換ドープされたｎ型酸化物半導体を活性層に用いており、また酸化による高抵抗化が生じない材料でソース・ドレイン電極を形成しており、更にこれらを組み合わせることで活性層と電極との間の電気的接触を良好に保つことができるため、後工程を経ても特性が劣化せず製造後の動作安定性にも優れる特徴を得る。
【００５３】
前記電界効果型トランジスタの構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トップコンタクト・ボトムゲート型（図１）、ボトムコンタクト・ボトムゲート型（図２）、トップコンタクト・トップゲート型（図３）、ボトムコンタクト・トップゲート型（図４）などが挙げられる。
なお、図１〜図４中、符号２１は基材、符号２２は活性層、符号２３はソース電極、符号２４はドレイン電極、符号２５はゲート絶縁層、符号２６はゲート電極を表す。
【００５４】
前記電界効果型トランジスタは、後述する表示素子に好適に使用できるが、これに限られるものではなく、例えば、ＩＣカード、ＩＤタグなどにも使用することができる。
【００５５】
＜電界効果型トランジスタの製造方法＞
前記電界効果型トランジスタの製造方法においては、前記ｎ型酸化物半導体が、ｎ型酸化物半導体製造用組成物を塗布し、焼成して形成されることが好ましい。
前記ｎ型酸化物半導体用組成物は、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属元素（ただし、前記ドーパントを除く。）を含有する半導体原料化合物と、前記ドーパントとなる元素を含有するドーパント元素含有化合物と、溶媒とを少なくとも含有する、
前記半導体原料化合物としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、無機塩、酸化物、水酸化物、有機酸塩、有機金属、及び金属錯体類の少なくともいずれかであることが好ましい。
前記ドーパント元素含有化合物としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、無機塩、酸化物、水酸化物、有機酸塩、有機金属、及び金属錯体類の少なくともいずれかであることが好ましい。
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機溶媒が好ましい。前記有機溶媒としては、グリコールエーテル類、ジオール類が好ましい。
【００５６】
前記電界効果型トランジスタの製造方法においては、前記ソース電極及びドレイン電極が、塗布液を液滴吐出方式により塗布し、焼成して形成されることが好ましい。この方法は、非常に簡易なプロセスで所望の材料の電極を形成できる好ましい方法である。
前記塗布液は、金属粒子、合金粒子、金属錯体、金属塩、及び有機金属化合物の少なくともいずれかの金属化合物を含む。
前記金属化合物は、金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含有する。
【００５７】
前記電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明する。
【００５８】
まず、基材上にゲート電極を形成する。
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
前記ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラスなどが挙げられる。
前記プラスチック基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などが挙げられる。
なお、前記基材は、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、ＵＶオゾン、ＵＶ照射洗浄等の前処理が行われることが好ましい。
【００５９】
続いて、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する。
続いて、チャネル領域であって前記ゲート絶縁層上に、ｎ型酸化物半導体からなる活性層を形成する。
続いて、前記ゲート絶縁層上に、前記活性層を跨ぐようにソース電極及びドレイン電極を離間して形成する。
以上により、電界効果型トランジスタが製造される。この製造方法では、例えば、図１に示すようなトップコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタが製造される。
【００６０】
本発明によると、ｎ型酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、ｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン、及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、ドーパントの価数が、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きい場合に、加熱処理や酸化性雰囲気での処理を含む後工程における半導体特性の変化を抑制しＴＦＴ特性の劣化を防ぐ効果を得る。また、ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属、並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含み、これらの材料が酸化されにくい性質を持つことから、後工程を経てもソース・ドレイン電極と活性層との間で良好な電気的な接触を有するＴＦＴを得る。ここで、Ｘ（Ｘ＝Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ）を含む合金とは、例えば、Ｘを主成分とする合金であり、例えばＸを５０ａｔ．％以上含む合金或いは３元以上の合金であって最も大きい組成比を占める元素がＸである合金である。ソース・ドレイン電極を形成する材料としては、前述の酸化されにくい材料以外を含んでいても良いが、電極の電気的な特性を担っているのが前述の酸化されにくい材料であることが好ましい形態である。そのような場合であれば、酸化されにくい材料以外の部分の特性が酸化により変化したとしても、電極の電気的特性及びトランジスタの特性は維持されるからである。また、活性層とソース電極との間及び活性層とドレイン電極との間において良好な電気的接触を形成する効果を充分に発現させるためには、それらの接触領域のソース・ドレイン電極側に前述の酸化されにくい材料が存在する部分があり、ソース・ドレイン電極と活性層との間の導通をこの部分が主に担っていることが好ましい。またそのためには、前述の酸化されにくい材料と活性層とが有効な広さの面積で接している必要があり、例えばソース・ドレイン電極と活性層とが接触する部分の全面積に対し前述の酸化されにくい材料が存在する部分の面積が１／４以上であることが好ましく、１／２以上であることがより好ましい。置換ドーピングが施されている半導体と、前述の酸化されにくい金属或いは合金が接していることにより、活性層とソース・ドレイン電極との間において良好な電気的接触が形成でき、且つその状態が後工程を経ても保たれることから、後工程耐性・動作安定性の点で優れたＴＦＴが得られる。
【００６１】
（表示素子）
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００６２】
＜光制御素子＞
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
【００６３】
＜駆動回路＞
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６４】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６５】
前記表示素子は、本発明の前記電界効果型トランジスタを有しているため、高速駆動が可能、長寿命、かつ素子間のばらつきを小さくすることが可能となる。また、前記表示素子に経時変化が起きても駆動トランジスタを一定のゲート電圧で動作させることができる。
【００６６】
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、少なくとも、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００６７】
＜複数の表示素子＞
前記複数の表示素子としては、マトリックス状に配置された複数の本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６８】
＜複数の配線＞
前記複数の配線は、前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６９】
＜表示制御装置＞
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７０】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記画像表示装置は、本発明の前記表示素子を有しているため、素子間のばらつきも小さくすることが可能になり、大画面で高品質の画像を表示することが可能となる。
【００７１】
（システム）
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
前記システムは、本発明の前記画像表示装置を備えているため、画像情報を高精細に表示することが可能となる。
【００７２】
以下、本発明の表示素子、画像表示装置、及びシステムを、図を用いて説明する。
まず、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置を、図５を用いて説明する。なお、図５の構成は一例であって、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置は、これに限定されない。
【００７３】
図５において、テレビジョン装置１００は、主制御装置１０１、チューナ１０３、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）１０４、復調回路１０５、ＴＳ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｓｔｒｅａｍ）デコーダ１０６、音声デコーダ１１１、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２、音声出力回路１１３、スピーカ１１４、映像デコーダ１２１、映像・ＯＳＤ合成回路１２２、映像出力回路１２３、画像表示装置１２４、ＯＳＤ描画回路１２５、メモリ１３１、操作装置１３２、ドライブインターフェース（ドライブＩＦ）１４１、ハードディスク装置１４２、光ディスク装置１４３、ＩＲ受光器１５１、及び通信制御装置１５２を備える。
映像デコーダ１２１と、映像・ＯＳＤ合成回路１２２と、映像出力回路１２３と、ＯＳＤ描画回路１２５とが、画像データ作成装置を構成する。
【００７４】
主制御装置１０１は、ＣＰＵ、フラッシュＲＯＭ、及びＲＡＭなどから構成され、テレビジョン装置１００の全体を制御する。
前記フラッシュＲＯＭには、前記ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及び前記ＣＰＵでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。
また、ＲＡＭは、作業用のメモリである。
【００７５】
チューナ１０３は、アンテナ２１０で受信された放送波の中から、予め設定されているチャンネルの放送を選局する。
【００７６】
ＡＤＣ１０４は、チューナ１０３の出力信号（アナログ情報）をデジタル情報に変換する。
【００７７】
復調回路１０５は、ＡＤＣ１０４からのデジタル情報を復調する。
【００７８】
ＴＳデコーダ１０６は、復調回路１０５の出力信号をＴＳデコードし、音声情報及び映像情報を分離する。
【００７９】
音声デコーダ１１１は、ＴＳデコーダ１０６からの音声情報をデコードする。
【００８０】
ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２は、音声デコーダ１１１の出力信号をアナログ信号に変換する。
【００８１】
音声出力回路１１３は、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２の出力信号をスピーカ１１４に出力する。
【００８２】
映像デコーダ１２１は、ＴＳデコーダ１０６からの映像情報をデコードする。
【００８３】
映像・ＯＳＤ合成回路１２２は、映像デコーダ１２１の出力信号とＯＳＤ描画回路１２５の出力信号を合成する。
【００８４】
映像出力回路１２３は、映像・ＯＳＤ合成回路１２２の出力信号を画像表示装置１２４に出力する。
【００８５】
ＯＳＤ描画回路１２５は、画像表示装置１２４の画面に文字や図形を表示するためのキャラクタ・ジェネレータを備えており、操作装置１３２、ＩＲ受光器１５１からの指示に応じて表示情報が含まれる信号を生成する。
【００８６】
メモリ１３１には、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）データ等が一時的に蓄積される。
【００８７】
操作装置１３２は、例えば、コントロールパネルなどの入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置１０１に通知する。
【００８８】
ドライブＩＦ１４１は、双方向の通信インターフェースであり、一例としてＡＴＡＰＩ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）に準拠している。
【００８９】
ハードディスク装置１４２は、ハードディスクと、該ハードディスクを駆動するための駆動装置などから構成されている。駆動装置は、ハードディスクにデータを記録するとともに、ハードディスクに記録されているデータを再生する。
【００９０】
光ディスク装置１４３は、光ディスク（例えば、ＤＶＤなど）にデータを記録するとともに、光ディスクに記録されているデータを再生する。
【００９１】
ＩＲ受光器１５１は、リモコン送信機２２０からの光信号を受信し、主制御装置１０１に通知する。
【００９２】
通信制御装置１５２は、インターネットとの通信を制御する。インターネットを介して各種情報を取得することができる。
【００９３】
図６は、本発明の画像表示装置の一例を示す概略構成図である。
図６において、画像表示装置１２４は、表示器３００と、表示制御装置４００とを有する。
表示器３００は、図７に示されるように、複数（ここでは、ｎ×ｍ個）の表示素子３０２がマトリックス状に配置されたディスプレイ３１０を有する。
また、ディスプレイ３１０は、図８に示されるように、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の走査線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）と、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本のデータ線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・、Ｙｍ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電流供給線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
【００９４】
以下、本発明の表示素子を図９を用いて説明する。
図９は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図９に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子３５０と、該有機ＥＬ素子３５０を発光させるためのドライブ回路３２０とを有している。ドライブ回路３２０は電流駆動型の２Ｔｒ−１Ｃの基本回路であるが、これに限定されるものではない。即ち、ディスプレイ３１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。
【００９５】
図１０には、表示素子３０２における有機ＥＬ素子３５０とドライブ回路としての電界効果型トランジスタ２０との位置関係の一例が示されている。ここでは、電界効果型トランジスタ２０の横に有機ＥＬ素子３５０が配置されている。なお、電界効果型トランジスタ１０及びキャパシタ（図示せず）も同一基材上に形成されている。
【００９６】
図１０には図示されていないが、活性層２２の上部に保護膜を設けることも好適である。前記保護膜の材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、フッ素系ポリマー等、適宜利用できる。
【００９７】
また、例えば、図１１に示されるように、電界効果型トランジスタ２０の上に有機ＥＬ素子３５０が配置されてもよい。この場合には、ゲート電極２６に透明性が要求されるので、ゲート電極２６には、ＩＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｇａが添加されたＺｎＯ、Ａｌが添加されたＺｎＯ、Ｓｂが添加されたＳｎＯ２などの導電性を有する透明な酸化物が用いられる。なお、符号３６０は層間絶縁膜（平坦化膜）である。この層間絶縁膜にはポリイミドやアクリル系の樹脂等を利用できる。
【００９８】
図１２は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
図１２において、有機ＥＬ素子３５０は、陰極３１２と、陽極３１４と、有機ＥＬ薄膜層３４０とを有する。
【００９９】
陰極３１２の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金は、充分厚ければ高反射率電極となり、極薄膜（２０ｎｍ程度未満）では半透明電極となる。図１２では陽極側から光を取り出しているが、陰極を透明、又は半透明電極とすることによって陰極側から光を取り出すことができる。
【０１００】
陽極３１４の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
【０１０１】
有機ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と、発光層３４４と、正孔輸送層３４６とを有する。電子輸送層３４２は、陰極３１２に接続され、正孔輸送層３４６は、陽極３１４に接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると、発光層３４４が発光する。
【０１０２】
ここで、電子輸送層３４２と発光層３４４が１つの層を形成してもよく、また、電子輸送層３４２と陰極３１２との間に電子注入層が設けられてもよく、更に、正孔輸送層３４６と陽極３１４との間に正孔注入層が設けられてもよい。
【０１０３】
また、基材側から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の場合について説明したが、基材と反対側から光を取り出す「トップエミッション」であってもよい。
【０１０４】
図９におけるドライブ回路３２０について説明する。
ドライブ回路３２０は、２つの電界効果型トランジスタ１０及び２０と、キャパシタ３０を有する。
【０１０５】
電界効果型トランジスタ１０は、スイッチ素子として動作する。電界効果型トランジスタ１０のゲート電極Ｇは、所定の走査線に接続され、電界効果型トランジスタ１０のソース電極Ｓは、所定のデータ線に接続されている。また、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄは、キャパシタ３０の一方の端子に接続されている。
【０１０６】
電界効果型トランジスタ２０は、有機ＥＬ素子３５０に電流を供給する。電界効果型トランジスタ２０のゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、電界効果型トランジスタ２０のドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子３５０の陽極３１４に接続され、電界効果型トランジスタ２０のソース電極Ｓは、所定の電流供給線に接続されている。
【０１０７】
キャパシタ３０は、電界効果型トランジスタ１０の状態、即ちデータを記憶する。キャパシタ３０の他方の端子は、所定の電流供給線に接続されている。
【０１０８】
そこで、電界効果型トランジスタ１０が「オン」状態になると、信号線Ｙ２を介して画像データがキャパシタ３０に記憶され、電界効果型トランジスタ１０が「オフ」状態になった後も、電界効果型トランジスタ２０を画像データに対応した「オン」状態に保持することによって、有機ＥＬ素子３５０は駆動される。
【０１０９】
図１３は、本発明の画像表示装置の他の一例を示す概略構成図である。
図１３において、画像表示装置は、表示素子３０２と、配線（走査線、データ線、電流供給線）と、表示制御装置４００とを有する。
表示制御装置４００は、画像データ処理回路４０２と、走査線駆動回路４０４と、データ線駆動回路４０６とを有する。
画像データ処理回路４０２は、映像出力回路１２３の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子３０２の輝度を判断する。
走査線駆動回路４０４は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｎ本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路４０６は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｍ本のデータ線に個別に電圧を印加する。
【０１１０】
また、上記実施形態では、光制御素子が有機ＥＬ素子の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、光制御素子がエレクトロクロミック素子であってもよい。この場合は、上記ディスプレイは、エレクトロクロミックディスプレイとなる。
【０１１１】
また、前記光制御素子が液晶素子であってもよく、この場合ディスプレイは、液晶ディスプレイとなり、図１４に示されるように、表示素子３０２’に対する電流供給線は不要となる。また、図１５に示されるように、ドライブ回路３２０’は、電界効果型トランジスタ１０及び２０と同様の１つの電界効果型トランジスタ４０により構成することができる。電界効果型トランジスタ４０において、ゲート電極Ｇが所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓが所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄが、キャパシタ３６１及び液晶素子３７０の画素電極に接続されている。
【０１１２】
また、前記光制御素子は、電気泳動素子、無機ＥＬ素子、エレクトロウェッティング素子であってもよい。
【０１１３】
以上、本発明のシステムがテレビジョン装置である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、画像及び情報を表示する装置として画像表示装置１２４を備えていればよい。例えば、コンピュータ（パソコンを含む）と画像表示装置１２４とが接続されたコンピュータシステムであってもよい。
【０１１４】
また、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子ＢＯＯＫ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラなどの撮像機器における表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。また、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。さらに、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。
【実施例】
【０１１５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【０１１６】
（実施例１）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−ゲート電極の形成−
ガラス基板上に、１００ｎｍの厚みになるようにＡｌを蒸着し、フォトリソグラフィを行ってライン状にパターニングすることによって、ゲート電極を形成した。
【０１１７】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、プラズマＣＶＤにより、原料にＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスを用い、２００℃の温度で２００ｎｍの厚みのＳｉＯＮを成膜した。これをゲート絶縁層とする。
【０１１８】
−活性層の形成−
前記ゲート絶縁層上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法で、ＷをドーピングしたＭｇＩｎ２Ｏ４を５０ｎｍの膜厚で成膜した。ターゲットにはＭｇＩｎ１．９９Ｗ０．０１Ｏ４の組成を有する多結晶焼結体を用いた。スパッタガスとしてアルゴンガス及び酸素ガスを導入した。全圧を１．１Ｐａに固定し、酸素濃度を２０体積％とした。パターニングはメタルマスクを介して成膜することで行った。これによって得られる活性層では、ＭｇＩｎ２Ｏ４中のＩｎに対しＷが０．５ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされている。続けて、オーブンを用い、大気中で１時間３５０℃のアニール処理を行った。このようなアニール処理は、活性層とゲート絶縁膜との間の界面欠陥準位密度を減らすことによりトランジスタ特性を向上させることを目的として一般的に行われるものである。
【０１１９】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
前記ゲート絶縁層上及び前記活性層上に、真空蒸着法を用いて厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。蒸着源にはＡｕを用いた。パターニングはメタルマスクを介して成膜することで行い、チャネル幅を４００μｍ、チャネル長を５０μｍとした。
【０１２０】
以上のプロセスにより、図１に類似のトップコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを得た。
【０１２１】
＜トランジスタ性能評価＞
得られた電界効果型トランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザ装置（アジレントテクノロジー社製、半導体パラメータ・アナライザ４１５６Ｃ）を用いて、トランジスタ性能評価を実施した。ソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓを２０Ｖとし、ゲート電圧Ｖｇを−２０Ｖから＋２０Ｖに変化させてソース・ドレイン間電流Ｉｄｓを計測し、トランスファー特性（Ｖｇ−Ｉｄｓ特性）を評価した。得られた結果を図１６に示した。続いて、ソース・ドレイン間電圧Ｖｄｓを１０Ｖから０Ｖまで変化させてソース・ドレイン間電流Ｉｄｓを計測し、出力特性（Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性）を評価した。Ｖｇは１０．０Ｖ、７．５Ｖ、５．０Ｖ、２．５Ｖ、０Ｖとした。得られた結果を図１７に示した。
トランスファー特性の測定結果を用い、飽和領域において電界効果移動度μ及び閾値電圧Ｖｔｈを算出した。また、Ｉｄｓのオン／オフ比を算出した。ここでは、オン状態のＩｄｓをＶｇ＝２０Ｖでの値とし、オフ状態のＩｄｓをＶｇ＝−２０Ｖでの値として計算した。結果を表１に示した。
なお、図１６〜図２６において、「ｅ」は、１０のべき乗を表す。即ち、「１ｅ−３」は、「１×１０−３」を表し、「１ｅ−１０」は「１×１０−１０」を表す。
【０１２２】
＜保護層の形成＞
電界効果型トランジスタの活性層を覆う領域に、プラズマＣＶＤにより、原料にＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスを用い、２００℃の温度で２００ｎｍの厚みのＳｉＯＮを成膜した。このＳｉＯＮ層は、活性層が大気中の酸素や水分に直接触れることを防ぐ保護層の役割を果たす。保護層を形成した後に前と同じ方法でトランジスタ性能の評価を行い、実用に適した特性が保たれているかを確認した。トランスファー特性のグラフを図１６に示した。出力特性のグラフを図１８に示した。電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表１に示した。
【０１２３】
＜加熱処理＞
保護層を形成した後のトランジスタに対し大気中１時間３００℃の加熱処理を行った。その後、前述の方法でトランジスタ性能を評価し、後工程において熱処理が行われた場合の耐性を確認した。トランスファー特性のグラフを図１６に示した。出力特性のグラフを図１９に示した。電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表１に示した。
【０１２４】
＜ホール測定素子の作製と評価＞
トランジスタの活性層に用いた酸化物半導体のキャリア密度を見積もるため、全く同じ条件で成膜した酸化物半導体膜に対してホール測定を行った。
【０１２５】
−ｎ型酸化物半導体膜の形成−
上記の電界効果型トランジスタの活性層の形成と同様の条件で、ガラス基板上にシャドウマスクを用いて８ｍｍ角のｎ型酸化物半導体膜をパターン形成した。
【０１２６】
−コンタクト電極の形成−
真空蒸着法を用い、ｎ型酸化物半導体膜上の四隅にシャドウマスクを用いてホール測定用のコンタクト電極を形成した。蒸着源にはＡｌを用いた。
【０１２７】
−電子キャリア濃度の評価−
得られたホール測定素子について、ホール効果測定システム（東陽テクニカ社製、ＲｅｓｉＴｅｓｔ８３００）を用いて、比抵抗測定及びホール効果測定を行い、ｎ型酸化物半導体膜の電子キャリア濃度（ｃｍ−３）を求めた。結果は、１．４×１０１８／ｃｍ３であった。
【０１２８】
実施例１の電界効果型トランジスタでは、ＷがドープされたＩｎ２ＭｇＯ４膜を活性層に用いている。Ｉｎに対しＷを０．５ｍｏｌ％の濃度で置換ドープし、Ｉｎの価数（＋３価）とＷの価数（＋６価）の違いによって、キャリアとなる電子を発生させている。一方で、活性層をスパッタで成膜する際に、２０体積％という比較的多い量の酸素をチャンバー内に導入しており、これによって活性層中の酸素欠損の発生を抑えている。比較的堅牢なスピネル構造を取るＩｎ２ＭｇＯ４膜において効率的に置換ドープが働いた結果、活性層中のキャリア密度は１．４×１０１８／ｃｍ３となっている。
実施例１では、キャリアが主に置換ドープによって生成されていることで、活性層の特性が安定したものとなる。また、ソース・ドレイン電極がＡｕで形成されているため高い耐性を有する。その結果として、保護層成膜プロセスを経た後のトランスファー特性は、高い電界効果移動度とオンオフ比を示し、ＩｄｓがＶｇ＝０Ｖ近傍で充分急峻に立ち上がるという実用に適した良好な特性を示している。また、３００℃の加熱を経ても電極が酸化したり活性層のキャリア密度が大きく変化したりすることがないため、良好な特性が保たれている。
図１７、図１８、図１９の出力特性を見ると、いずれにおいても原点周りにおいてＶｄｓとＩｄｓとの間に線形の相関関係が見られた。すなわち、初期特性の状態でソース電極と活性層との間及びドレイン電極と活性層との間にはオーミック接触が形成されており、良好なオーミック接触の状態は保護層成膜後及び加熱後においても保たれていることがわかる。
【０１２９】
【表１】
2017195355.tif 000003
【０１３０】
（比較例１）
活性層の形成方法を以下のように変えた以外は、実施例１と同様にしてトランジスタの作製及び性能評価を行った。トランスファー特性のグラフを図２０に示した。電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表２に示した。また、保護層成膜後の加熱を行った後の出力特性を図２１に示した。
また、下記と同様の方法で形成したｎ型酸化物半導体膜を用い、実施例１と同じようにホール測定素子を作製し、電子キャリア濃度の測定を行った。結果は、１．１×１０１８／ｃｍ３であった。
【０１３１】
−活性層の形成−
ゲート絶縁層上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法でＭｇＩｎ２Ｏ４を５０ｎｍの膜厚で成膜した。ターゲットにはＭｇＩｎＯ４の組成を有する多結晶焼結体を用いた。スパッタガスとしてアルゴンガス及び酸素ガスを導入した。全圧を１．１Ｐａに固定し、酸素濃度を０．８体積％とした。パターニングはメタルマスクを介して成膜することで行った。
【０１３２】
比較例１の電界効果型トランジスタでは、ドープがされていないＩｎ２ＭｇＯ４膜を活性層に用いている。活性層をスパッタで成膜する際の雰囲気中の酸素濃度を０．８体積％と小さく設定し、酸素欠損によって１．１×１０１８／ｃｍ３の密度のキャリアを発生させている。ソース・ドレイン電極はＡｕで形成されているため、電極は高い耐性を有する。
トランジスタの初期特性においては、５ｃｍ２／Ｖｓ以上の電界効果移動度及び１０７以上のオンオフ比が得られている点で特性は良好であるが、保護層成膜プロセスを経ると電界効果移動度の低下やトランスファー特性の立ち上がりの鈍りといった特性劣化が見られる。また、３００℃のアニールを施すと、エンハンスへのシフトと共にオン電流の減少が顕著に見られ、電界効果移動度は１ｃｍ２／Ｖｓ以下となり実用的なレベルを下回る。この特性劣化は、加熱の際に保護層であるＳｉＯＮ中の酸素が活性層へ拡散し、活性層の酸素欠損量が減少して高抵抗化したことと、それに伴ってＡｕからなるソース・ドレイン電極と活性層との間の電気的な接触が悪化したことに起因する。加熱後の出力特性である図２１を見ると、原点近傍ほどＩｄｓの増加の仕方が緩やかになっており、ソース・ドレイン電極と活性層との間の接触がオーミック接触となっていないことがわかる。ここでは、活性層中のキャリアが酸素欠損によって生成されていたために酸素量の変動がトランジスタ特性に大きな影響を与え、トランジスタ特性の不安定性を引き起こした。
【０１３３】
【表２】
2017195355.tif 000004
【０１３４】
（比較例２）
ソース・ドレイン電極の形成方法を以下のように変えた以外は、実施例１と同様にしてトランジスタの作製及び性能評価を行った。トランスファー特性のグラフを図２２に示した。電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表３に示した。また、保護層成膜後の加熱を行った後の出力特性を図２３に示した。
【０１３５】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
前記ゲート絶縁層上及び前記活性層上に、真空蒸着法を用いて厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。蒸着源にはＡｌを用いた。パターニングはメタルマスクを介して成膜することで行い、チャネル幅を４００μｍ、チャネル長を５０μｍとした。
【０１３６】
比較例２の電界効果型トランジスタでは活性層に実施例１と同じ酸化物半導体を用いており、キャリアが主に置換ドープによって生成されていることで活性層の特性は安定したものとなっている。ソース・ドレイン電極はＡｌで形成されており、酸化の影響を受け易い。
トランジスタの初期特性は、ややキャリア過多のデプレッションの傾向が強いが、保護層形成プロセスを経ても特性に殆ど変化が無い。しかし、３００℃の加熱工程を経ると、Ｖｇを上げてもＩｄｓが増加しなくなりトランスファー特性は顕著に劣化する。これは、加熱の際に、ソース・ドレイン電極を形成しているＡｌが酸化して高抵抗化した影響と考えられる。すなわち、比較例２のトランジスタにおいては、活性層の特性は安定していても電極材料が酸化により劣化してしまうため、熱処理に対する耐性が確保できていない。加熱工程後の出力特性（図２３）を見ても、正常なトランジスタ動作が得られていないことがわかる。
【０１３７】
【表３】
2017195355.tif 000005
【０１３８】
（実施例２〜５）
活性層の形成方法を以下のように変更した以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製した。
【０１３９】
−活性層の形成−
前記ゲート絶縁層上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法で５０ｎｍの膜厚の活性層を成膜した。ターゲットには表４に示す組成の多結晶焼結体を用いた。スパッタガスとしてアルゴンガス及び酸素ガスを導入し、全圧を１．１Ｐａ、酸素濃度を表４に示す値に固定した。パターニングはメタルマスクを介して成膜することで行った。
実施例２の活性層では、ＺｎＯ中のＺｎ（＋２価）に対しＡｌ（＋３価）が５ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされている。
実施例３の活性層では、ＴｉＯ２中のＴｉ（＋４価）に対しＮｂ（＋５価）が１ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされている。
実施例４の活性層では、ＳｎＯ２中のＳｎ（＋４価）に対しＳｂ（＋５価）が２ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされている。
実施例５の活性層では、Ｃｕ２ＷＯ４中のＣｕ（＋１価）に対しＺｎ（＋２価）が５ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされている。
続けて、オーブンを用い、大気中で１時間のアニール処理を行った。設定温度は表４の通りとした。
【０１４０】
【表４】
2017195355.tif 000006
【０１４１】
各トランジスタに対し、実施例１と同様の方法で保護層の成膜及び３００℃の加熱を行った。トランスファー特性を計測し、得られた電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表５〜７に示した。いずれの実施例においても、保護層成膜工程及び加熱工程を経た後での正常なトランジスタ動作が確認でき、後工程耐性の高さが示された。また、初期、保護層成膜後、及び加熱後に出力特性を測定したところ、いずれにおいても原点周りでＶｄｓとＩｄｓとの間に線形の相関関係が見られた。すなわちソース電極と活性層との間及びドレイン電極と活性層との間にオーミック接触が形成されていることが確認できた。
【０１４２】
【表５】
2017195355.tif 000007
【０１４３】
【表６】
2017195355.tif 000008
【０１４４】
【表７】
2017195355.tif 000009
【０１４５】
【表８】
2017195355.tif 000010
【０１４６】
（実施例６）
活性層の形成方法とソース電極及びドレイン電極の形成方法を下記のように変え、また活性層の形成プロセスとソース電極及びドレイン電極の形成プロセスの順序を逆にした以外は、実施例１と同様にして、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１４７】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
前記ゲート絶縁層上に、金ナノメタルインク（アルバックマテリアル社製、Ａｕ−１Ｃｈｂ、平均粒子径５ｎｍ、金属含有量５０質量％）を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中３００℃で３０分間加熱し、厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は４００μｍ、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は５０μｍとした。
【０１４８】
−活性層の形成−
３５．４８８ｇの硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ａ液とした。
１．２１１ｇの酸化レニウム（Ｒｅ２Ｏ７）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル５００ｍＬに溶解し、Ｂ液とした。
２．３３０ｇの塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｃ液とした。
Ａ液９９．９ｍＬ、Ｂ液２０ｍＬ、及びＣ液５０ｍＬと、エチレングリコールモノメチルエーテル４０．１ｍＬ、及び１，２−プロパンジオール２１０ｍＬとを室温で混合撹拌し、ｎ型酸化物半導体製造用塗布液を作製した。
次に、ゲート絶縁層上であってソース電極とドレイン電極を跨ぐ領域に、上記ｎ型酸化物半導体製造用塗布液をインクジェット法で所望の場所に塗布し、４００℃で１時間大気中で焼成し活性層を形成した。これによって得られる活性層の酸素以外の元素の比率はＩｎ：Ｒｅ：Ｚｒ＝９９．９：０．１：５である。Ｉｎ（＋３価）に対してＲｅ（＋７価）が０．１ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされており、これによってキャリアが発生する。Ｚｒは酸素欠損の発生を抑制する目的で加えている。
【０１４９】
続いて、実施例１と同様の方法で保護層の成膜及び３００℃の加熱を行った。トランスファー特性を計測し、得られた電界効果移動度、閾値電圧、オン／オフ比の値を表１０−１に示した。
【０１５０】
（実施例７）
活性層の形成方法とソース電極及びドレイン電極の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例１と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−１に示した。
【０１５１】
−活性層の形成方法−
実施例６と同様にして、活性層を形成した。
【０１５２】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
形成した活性層上に、Ｐｔレジネート溶液（大研化学社製、有機白金化合物、金属含有量１０質量％）を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中３００℃６０分間加熱し、厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は４００μｍ、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は５０μｍとした。
【０１５３】
（実施例８）
活性層の形成方法とソース電極及びドレイン電極の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例１と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−１に示した。
【０１５４】
−活性層の形成−
実施例６と同様にして、インジウム化合物を含むＡ液とジルコニウム化合物を含むＣ液を用意した。
０．６３６ｇの酸化オスミウム（ＯｓＯ４）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル５００ｍＬに溶解し、Ｂ液とした。
Ａ液９９．９ｍＬ、Ｂ液２０ｍＬ、及びＣ液５０ｍＬと、エチレングリコールモノメチルエーテル４０．１ｍＬ、及び１，２−プロパンジオール２１０ｍＬとを室温で混合撹拌し、ｎ型酸化物半導体製造用塗布液を作製した。
次に、ゲート絶縁層上に、上記ｎ型酸化物半導体製造用塗布液をインクジェット法で所望の場所に塗布し、４００℃で１時間大気中で焼成し活性層を形成した。これによって得られる活性層の酸素以外の元素の比率はＩｎ：Ｏｓ：Ｚｒ＝９９．９：０．１：５である。Ｉｎ（＋３価）に対してＯｓ（＋８価）が０．１ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされており、これによってキャリアが発生する。Ｚｒは酸素欠損の発生を抑制する目的で加えている。
【０１５５】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
形成した活性層上に、Ａｕレジネート溶液（大研化学社製、有機金化合物、金属含有量２０質量％）を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中４００℃６０分間加熱し、厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は４００μｍ、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は５０μｍとした。
【０１５６】
（実施例９）
活性層の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例８と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−１に示した。
【０１５７】
−活性層の形成−
３５．４８８ｇの硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ａ液とした。
１．８９６ｇの塩化スズ（ＳｎＣｌ２）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｂ液とした。
３．９９９ｇの硝酸ガリウム（Ｇａ（ＮＯ３）３・８Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｃ液とした。
Ａ液９９．６ｍＬ、Ｂ液１００ｍＬ、及びＣ液４ｍＬと、エチレングリコールモノメチルエーテル６．４ｍＬ、及び１，２−プロパンジオール２１０ｍＬとを室温で混合撹拌し、ｎ型酸化物半導体製造用塗布液を作製した。
次に、前記ゲート絶縁層上に、上記ｎ型酸化物半導体製造用塗布液をインクジェット法で所望の場所に塗布し、４００℃で１時間大気中で焼成して活性層を形成した。これによって得られる活性層の酸素以外の元素の比率はＩｎ：Ｓｎ：Ｇａ＝９９．６：０．４：１０である。Ｉｎ（＋３価）に対してＳｎ（＋４価）が０．４ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされており、これによってキャリアが発生する。Ｇａは酸素欠損の発生を抑制する目的で加えている。
【０１５８】
（実施例１０）
ソース電極及びドレイン電極の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例９と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−１に示した。
【０１５９】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
形成した活性層上に、Ｐｄレジネート溶液（大研化学社製、有機パラジウム化合物、金属含有量５質量％）を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中３００℃６０分間加熱し、厚み１００ｎｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は４００μｍ、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は５０μｍとした。
【０１６０】
（実施例１１）
活性層の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例８と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−１に示した。
【０１６１】
−活性層の形成−
３５．４８８ｇの硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ａ液とした。
１８．９６１ｇの塩化スズ（ＳｎＣｌ２）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｂ液とした。
３．２８２ｇの二酸化モリブデン（ＶＩ）ビス（アセチルアセトナート）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル８９．３１７ｍＬに溶解し、Ｃ液とした。
１．０６８ｍＬの１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル９８．９３２ｍＬに溶解し、Ｄ液とした。
Ａ液４９．９ｍＬ、Ｂ液５０．０ｍＬ、Ｃ液１．０ｍＬ、及びＤ液５０．０ｍＬと、エチレングリコールモノメチルエーテル４９．１ｍＬ、及び１，２−プロパンジオール２１０ｍＬとを室温で混合撹拌し、ｎ型酸化物半導体製造用塗布液を作製した。
次に、前記ゲート絶縁層上に、上記ｎ型酸化物半導体製造用塗布液をインクジェット法で所望の場所に塗布し、４００℃で１時間大気中で焼成して活性層を形成した。これによって得られる活性層の酸素以外の元素の比率はＩｎ：Ｓｎ：Ｍｏ：Ｓｉ＝４９．９：５０：０．１：５である。Ｉｎ２Ｓｎ２Ｏ７のＩｎ（＋３価）に対してＭｏ（＋６価）が０．２ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされており、これによってキャリアが発生する。Ｓｉは酸素欠損の発生を抑制する目的で加えている。
【０１６２】
（実施例１２〜１９）
活性層の形成方法を下記のように変えた以外は、実施例８と同様にして、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。続けて、保護層の成膜と３００℃の加熱を実施例１と同じ方法で行った。実施例１と同様にしてトランスファー特性を評価し、結果を表１０−２に示した。
【０１６３】
−活性層の形成−
３５．４８８ｇの硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ａ液とした。
１４．８７４ｇの硝酸亜鉛（Ｚｎ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｂ液とした。
３．９６５ｇの塩化タングステン（ＷＣｌ６）を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、Ｃ液とした。
各実施例において、表９に示した通りに元素Ａを含む化合物を秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル１００ｍＬに溶解し、それぞれの実施例のＤ液とした。ただし実施例１５のみ、溶解性の問題から、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりにエチレングリコールを用い、Ｄ液を作製した。
Ａ液４９．９ｍＬ、Ｂ液５０．０ｍＬ、Ｃ液１．０ｍＬ、及びＤ液３７．５ｍＬと、エチレングリコールモノメチルエーテル７１．６ｍＬ、及び１，２−プロパンジオール２１０ｍＬとを室温で混合撹拌し、ｎ型酸化物半導体製造用塗布液を作製した。
次に、前記ゲート絶縁層上に、上記ｎ型酸化物半導体製造用塗布液をインクジェット法で所望の場所に塗布し、４００℃で１時間大気中で焼成して活性層を形成した。これによって得られる活性層の酸素以外の元素の比率はＩｎ：Ｚｎ：Ｗ：Ａ＝１．９９６：１：０．００４：０．１５である。Ｉｎ２ＺｎＯ３のＩｎ（＋３価）に対してＷ（＋６価）が０．２ｍｏｌ％の濃度で置換ドープされており、これによってキャリアが発生する。元素Ａは酸素欠損の発生を抑制する目的で加えている。
【０１６４】
【表９】
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【０１６５】
【表１０−１】
2017195355.tif 000012
【０１６６】
【表１０−２】
2017195355.tif 000013
【０１６７】
表１０−１、表１０−２の結果より、実施例６〜１９のいずれの実施例においても、保護層成膜工程及び加熱工程を経た後での正常なトランジスタ動作が確認でき、後工程耐性の高さが示された。また、初期、保護層成膜後、及び加熱後に出力特性を測定したところ、いずれにおいても原点周りでＶｄｓとＩｄｓとの間に線形の相関関係が見られた。すなわちソース電極と活性層との間及びドレイン電極と活性層との間にオーミック接触が形成されていることが確認できた。
【０１６８】
（実施例２０）
実施例１と同様の手順で作製し、保護層の形成プロセスを経た後のトランジスタに対し、下記の条件でストレス試験を実施し、トランスファー特性のストレスによる変動を確認した。
ストレス条件としては、温度を５０℃とし、ゲート電圧Ｖｇを２０Ｖ、ソース・ドレイン間の電圧Ｖｄｓを２０Ｖに設定した状態を１０５秒保持した。ストレス試験開始時（０秒）及びストレス印加から１０２秒後、１０３秒後、１０４秒後、１０５秒後の各タイミングで前と同様の方法でトランスファー特性を測定した。トランスファー特性のグラフを図２４に示した。電界効果移動度と閾値電圧の値を表１１に示した。また、１０５秒間のストレス印加の後に測定した出力特性を図２５に示した。
【０１６９】
【表１１】
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【０１７０】
図２４からわかるように、１０５秒間のストレス印加によってトランスファー特性は殆ど変化していない。ストレスに対する安定性評価の際は閾値電圧の変化量（Ｖｔｈシフト）に着目することが多いが、表１１の結果から、閾値電圧の変動は±０．３Ｖと充分に小さく、実施例２０のトランジスタが高い安定性を有することが示された。
また、図に示した出力特性においては原点周りでＶｄｓとＩｄｓとの間に線形の相関関係が見られた。すなわちストレス印加後においてもソース電極と活性層及びドレイン電極と活性層との間にオーミック接触が形成されていることが確認できた。
【０１７１】
（比較例３）
比較例１と同様の手順で作製し、保護層の形成プロセスを経た後のトランジスタに対し、実施例２０と同じ条件でストレス試験及びトランスファー特性の計測を実施した。トランスファー特性のグラフを図２６に示した。電界効果移動度と閾値電圧の値を表１２に示した。
【０１７２】
【表１２】
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【０１７３】
図２６に示されているように、ストレスの印加に伴い、トランスファー特性はエンハンスにシフトする傾向がある。表１２によると、閾値電圧の値は時間経過と共に単調増加する傾向にあり、１０５秒には変化量が１．５Ｖを超える。実施例２０と比べて明らかに変化が大きいが、これは活性層の特性（キャリア密度）が変動しやすいかどうかという活性層の安定性に起因した差であると考えられる。
【０１７４】
（実施例２１〜２３）
実施例７、実施例１０、及び実施例１２と同様の手順で作製し、保護層の形成プロセスを経た後のトランジスタに対し、実施例２０と同じ条件でストレス試験を実施しトランスファー特性のストレスによる変動を確認した。表１３に、ストレス印加前と１０５秒間のストレスを印加した後のトランジスタの電界効果移動度と閾値電圧の値を記す。
【０１７５】
【表１３】
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【０１７６】
実施例２１〜２３のいずれにおいても、ストレス印加による閾値電圧の変化量は充分小さく、トランジスタ特性の安定性が確認できた。
【０１７７】
なお、実施例２１〜２３の電界効果型トランジスタの出力特性を１０５秒間のストレス印加後に測定したところ、原点周りではＶｄｓとＩｄｓとの間に線形の相関関係が見られた。すなわちソース電極と活性層及びドレイン電極と活性層との間のオーミック接触がストレスの影響を受けず維持できていた。
【０１７８】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ｎ型酸化物半導体が、２価のカチオン、３価のカチオン、４価のカチオン、５価のカチオン、６価のカチオン、７価のカチオン、及び８価のカチオンの少なくともいずれかのドーパントで置換ドーピングされており、
前記ドーパントの価数が、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属イオン（ただし、前記ドーパントを除く）の価数よりも大きく、
前記ソース電極及びドレイン電極が、少なくとも前記活性層との接触領域において、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄのいずれかの金属、並びにＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含む合金から選択される材料を含む、ことを特徴とする電界効果型トランジスタである。
＜２＞  前記ソース電極と前記活性層との間、及び、前記ドレイン電極と前記活性層との間にオーミック接触が形成されている前記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタである。
＜３＞  前記ｎ型酸化物半導体において、前記ドーパントにより置換される対象となる前記金属イオンの前記ｎ型酸化物半導体に含まれるモル数と前記ドーパントのモル数との和を１００％とした時の前記ドーパントのモル数の割合が、０．０１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜４＞  前記金属イオンが、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＴｉの少なくともいずれかのイオンを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜５＞  前記ｎ型酸化物半導体が、更にＳｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ、及びアルカリ土類金属の少なくともいずれかを含有する前記＜４＞に記載の電界効果型トランジスタである。
＜６＞  前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ｎ型酸化物半導体からなる活性層の少なくともいずれかの上に絶縁層が積層されている前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜７＞  駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子である。
＜８＞  前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記＜７＞に記載の表示素子である。
＜９＞  画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記＜７＞から＜８＞のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置である。
＜１０＞  前記＜９＞に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステムである。
＜１１＞  前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ｎ型酸化物半導体が、ｎ型酸化物半導体製造用組成物を塗布し、焼成して形成され、
前記ｎ型酸化物半導体製造用組成物が、前記ｎ型酸化物半導体を構成する金属元素（ただし、前記ドーパントを除く。）を含有する半導体原料化合物と、前記ドーパントとなる元素を含有するドーパント元素含有化合物と、溶媒とを少なくとも含有する、
ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜１２＞  前記半導体原料化合物が、無機塩、酸化物、水酸化物、有機酸塩、有機金属、及び金属錯体類の少なくともいずれかであり、
前記ドーパント元素含有化合物が、無機塩、酸化物、水酸化物、有機酸塩、有機金属、及び金属錯体類の少なくともいずれかである前記＜１１＞に記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜１３＞  前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極及びドレイン電極が、塗布液を液滴吐出方式により塗布し、焼成して形成され、
前記塗布液が、金属粒子、合金粒子、金属錯体、金属塩、及び有機金属化合物の少なくともいずれかの金属化合物を含み、
前記金属化合物が、金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ及びＰｄの少なくともいずれかを含有する、
ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
【符号の説明】
【０１７９】
１０    電界効果型トランジスタ
２０    電界効果型トランジスタ
２２    活性層
２３    ソース電極
２４    ドレイン電極
２５    ゲート絶縁層
２６    ゲート電極
４０    電界効果型トランジスタ
３０２、３０２’  表示素子
３１０  ディスプレイ
３２０、３２０’  ドライブ回路
３７０  液晶素子
４００  表示制御装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１８０】
【特許文献１】特開２０１１−１２９８９５号公報
【特許文献２】特許第５１１８８１１号公報
【特許文献３】特開２０１０−６２５４６号公報
【特許文献４】特開２０１１−１０３４０２号公報
【特許文献５】特開２０１３−４５５５号公報
【非特許文献】
【０１８１】
【非特許文献１】Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ，他５名、「Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ｕｓｉｎｇ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、ＮＡＴＵＲＥ、ＶＯＬ４３２、Ｎｏ．２５、ＮＯＶＥＭＢＥＲ、２００４、ｐ．４８８−４９２
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2017195355.tif 000033
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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