(57)【要約】【課題】例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報、軍事上の機密情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置や電子回路を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにする。【解決手段】自己破壊素子１を、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータ２と、ヒータの少なくとも一部分を覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層３とを備えるものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、
前記ヒータの少なくとも一部分を覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備えることを特徴とする自己破壊素子。
【請求項２】
前記吸水性材料層は、吸水性ポリマー、ケイ酸ゲル、ゼオライト、非晶質シリカ、アルミナゲルのいずれかの材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の自己破壊素子。
【請求項３】
前記吸水性材料層を覆うバリア層を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の自己破壊素子。
【請求項４】
前記吸水性材料層の表面又は内部に、金属又はセラミックからなるチップを備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の自己破壊素子。
【請求項５】
前記ヒータに電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の自己破壊素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の自己破壊素子を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の自己破壊素子と、
前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記パッケージ基板又は前記インターポーザの前記半導体チップが実装されている側に設けられていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記パッケージ基板又は前記インターポーザと前記半導体チップとの間に設けられていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記半導体チップ上に設けられていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項１１】
金属配線を備え、
前記ヒータは、前記金属配線の一部分に積層されていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の自己破壊素子と、
電子部品とを備え、
前記自己破壊素子が、前記電子部品に取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、前記ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、
前記電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記電子機器の前記破壊制御部が前記自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信することを特徴とする情報保護システム。
【請求項１５】
サーバが、半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、前記ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記電子機器の前記破壊制御部が前記自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする情報保護方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己破壊素子、半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路のメモリ内容への改ざん行為を阻止するために、破壊用キャパシタに電荷を蓄積しておき、その電荷を破壊回路に供給して、半導体集積回路のメモリ情報を破壊又は信号配線を断線させて、自己破壊を行なうことが提案されている。
また、半導体記憶装置において、高電圧を発生させて半導体メモリの格納データを破壊するようにすることも提案されている。
【０００３】
また、安全保障のための電子デバイスにおいて、チップの基板内にマイクロ火薬と雷管が配置されているものも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２０９３号公報
【特許文献２】実開昭６３−１６３５４２号公報
【特許文献３】特表２００５−５３２６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成されている半導体装置は、多くの形態が製品化され、普及していくとともに、機密性の高い重要な情報がその中に入っているケースも増えている。
例えば、携帯電話やタブレット端末には、使用者本人の個人情報が入っており、また、業務で使用するようなコンピュータ等では、顧客情報といった業務上の秘密情報が入っている。
【０００６】
また、例えば、半導体集積回路の製造メーカからすると、半導体装置の構造やＬＳＩの内部構造などの構造情報を秘匿したい場合もある。
このような個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報は漏えいしてしまうと大きな問題となるというセキュリティ社会上の問題があり、このような問題は増加の一途をたどっている。
【０００７】
このほか、例えば、電子デバイスの利用は、もはや戦場までも常識となっており、兵士の情報ツールとして利用されているが、仮に戦闘中に喪失したり、奪われたりした場合、軍事上の機密情報を敵に与えてしまうことになり、また、それを利用されることにもなるため大きな問題となる。
本発明は、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報、軍事上の機密情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置や電子回路を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１つの態様では、自己破壊素子は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、ヒータの少なくとも一部分を覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える。
１つの態様では、半導体装置は、上述の自己破壊素子を備える。
１つの態様では、電子機器は、上述の自己破壊素子又は上述の半導体装置を備える。
【０００９】
１つの態様では、情報保護システムは、半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、サーバは、電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、電子機器の破壊制御部が自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、電子機器に破壊要求信号を送信する。
【００１０】
１つの態様では、情報保護方法は、サーバが、半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、サーバが、電子機器の破壊制御部が自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含む。
【発明の効果】
【００１１】
１つの側面として、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報、軍事上の機密情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置や電子回路を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態にかかる自己破壊素子の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本実施形態にかかる自己破壊素子の構成の一例を示す模式的斜視図である。
【図３】本実施形態にかかる自己破壊素子に備えられるヒータの規模を検証した結果を示す図である。
【図４】各種有機材料の吸水特性を示す図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる自己破壊素子による破壊のメカニズムを説明するための模式的断面図である。
【図６】本実施形態にかかる自己破壊素子を備える半導体装置の構成例を示す模式的断面図である。
【図７】本実施形態にかかる自己破壊素子を備える半導体装置の構成例を示す模式的断面図である。
【図８】本実施形態にかかる自己破壊素子を備える半導体装置の構成例を示す模式図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる自己破壊素子を備える半導体装置の構成例における破壊過程を説明するための模式的断面図である。
【図１０】本実施形態にかかる自己破壊素子を備える電子機器の構成例を示す模式的斜視図である。
【図１１】本実施形態にかかる自己破壊素子の変形例の構成を示す模式的断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる自己破壊素子及びこれを備える半導体装置の変形例の構成を示す模式的断面図である。
【図１３】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例の構成を示す模式図である。
【図１４】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例における処理を示すフローチャートである。
【図１５】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例におけるＬＳＩチップの内部の回路の構成例を示すブロック図である。
【図１６】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の他の具体例の構成を示す模式図である。
【図１７】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の具体例の構成を示す模式図である。
【図１８】本実施形態にかかる半導体装置を備える具体例の電子機器及びサーバからなるシステムにおける処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる自己破壊素子、半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法について、図１〜図１８を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体装置は、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報、軍事上の機密情報などの情報を有する半導体デバイスであって、例えば、電子機器に備えられ、半導体集積回路を含む半導体チップ（ＬＳＩチップ；マイクロチップ）、あるいは、これを含む半導体パッケージである。
【００１４】
ここで、電子機器は、例えば携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などのモバイル端末、例えばパーソナルコンピュータやサーバなどのコンピュータ、例えば車載用の制御機器、家電機器、事務機器などである。なお、電子機器を電子デバイスともいう。
そして、本実施形態の半導体装置や電子機器は、自己破壊素子を備える（例えば図６〜図８、図１０参照）。なお、自己破壊素子をヒューズ素子ともいう。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態の自己破壊素子１は、ヒータ２と、吸水性材料層３とを備える。
ここでは、自己破壊素子１は、基板４上に設けられており、可搬性を有するものとなっている。また、ヒータ２（即ち、ヒータ機能を持った配線）と吸水性材料層３とを積層した積層構造は薄く、シート状になっているため、自己破壊素子１に汎用性を持たせることが可能である。
【００１６】
なお、これに限られるものではなく、例えば、自己破壊素子１は、吸水性材料層３の内部にヒータ２が内包された構造を有するものとしても良い（例えば図７、図１１参照）。
ここで、ヒータ２を構成する金属材料は、イオン化傾向（イオン化エネルギー）が高い材料であり（例えばＣｕよりもイオン化傾向が高い材料であり）、酸化しやすい金属材料である。
【００１７】
ここでは、ヒータ２は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなる。この場合、ヒータ２は、これらの金属材料を主成分とする金属材料であれば良い。
ここでは、ヒータ２は、配線状の金属層によって構成されており、電流を流すと通電加熱されて発熱し、抵抗加熱によって自己加熱されるようになっている。
【００１８】
なお、ヒータ２は、抵抗加熱で発熱するものであるため、抵抗加熱ヒータともいう。また、ヒータ２は、配線状になっているため、配線又は配線状ヒータともいう。
例えば、配線密度を上げて、単位面積当たりの発熱量を大きくするために、ヒータ２は、図２に示すように、細い配線を折り返した折り返し配線構造を有するものとするのが好ましい。
【００１９】
また、例えば、ヒータ２に、金属配線６［例えばＣｕ配線やアルミニウム（Ａｌ）配線］を介して制御回路５を接続し、外部からの信号によって制御回路５が駆動され、金属配線６を介して、ヒータ２に電流が供給されるようにすれば良い。なお、制御回路５及び金属配線６を破壊制御部８ともいう。
なお、ヒータ２を含む回路（ここではヒータ２、制御回路５、金属配線６を含む回路）を、自己破壊回路ともいう。また、ヒータ２をヒータ回路ともいう。また、自己破壊素子１を自己破壊回路モジュールともいう。
【００２０】
ここで、図３は、自己破壊回路１の動作に必要な回路規模を検証した結果を示している。
ここでは、ヒータ２にＭｇ配線を用い、折り返し配線とし、配線幅約１０μｍ、配線高さを約１０μｍとし、配線ピッチを約２０μｍとした場合のヒータ回路２における発熱量を計算した結果を示している。なお、配線材料の抵抗率は約４．４２μΩｃｍ、Ｍｇの比熱容量は約１．０２５Ｊ／ｋｇＫ、密度は約１．７４ｇ／ｃｍ３としている。
【００２１】
図３中、実線Ａで示すように、ヒータ２の回路規模を約１ｍｍ×約１ｍｍ〜約１０ｍｍ×約１０ｍｍとした場合、回路全体の熱容量は回路規模が大きくなるほど高くなる。
しかしながら、実際の回路では、例えばマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）の駆動電源で動作させる場合、電源電圧は約３．３Ｖが一般的であり、印加電圧に制限がある。また、ヒータ２を構成する配線のマイグレーションによる断線が生じてしまうため、ヒータ２を構成する金属配線自身の許容電流密度を高くすることができない。ここでは、許容電流密度は１Ｅ６Ａ／ｃｍ２と程度である。
【００２２】
このため、ヒータ２の温度Ｋは、図３中、実線Ｂで示すように、回路規模が大きくなるほど上昇することになるが、回路規模が約３ｍｍ×約３ｍｍよりも小さい場合は、配線の許容電流密度（１Ｅ６Ａ／ｃｍ２）による制約を受けるため、十分に温度が上がらず、回路規模が約３ｍｍ×約３ｍｍよりも大きい場合は、電源電圧（３．３Ｖ）による制約を受けるため、回路規模を大きくしても温度が上昇しなくなる。
【００２３】
この検証例では、十分に温度を上げることができるという点で好ましいヒータ２の回路規模は約４ｍｍ×約４ｍｍ以上であり、より効率の高いヒータ２の回路規模は約５ｍｍ×約５ｍｍ程度である。この場合、ヒータ回路自身の発熱は約７００℃〜約８００℃であり、十分赤熱する温度となる。
このように、自己破壊素子１は、例えばＣＰＵなどの小さな部品においても十分機能する大きさで提供可能である。つまり、自己破壊素子１の動作に必要な電力は汎用ＣＰＵの電源でも十分に確保することが可能である。また、ヒータ２の回路規模を大きくするほど大きな爆発が期待できる。
【００２４】
また、吸水性材料層３は、吸水性材料からなり、ヒータ２の少なくとも一部分（全体又は一部分）を覆っている。この吸水性材料層３は、吸水性が高い材料からなるものとするのが好ましい。この吸水性材料層３は、予め水分を吸収しているものとする。
なお、吸水性材料層３を吸湿性材料ともいう。また、吸水性材料層３は、ヒータ２としての配線を被覆する被覆材料からなるものであるため、配線被覆材料層ともいう。また、吸水性材料層３は、保護層や絶縁層としても機能する。
【００２５】
ここでは、吸水性材料層３は、吸水性ポリマー、ケイ酸ゲル、ゼオライト、非晶質シリカ、アルミナゲルのいずれかの材料からなる。この場合、吸水性材料層は、これらの材料が主成分となっている材料であれば良い。
例えば、吸水性材料層３としては、吸水性の高い高吸水性ポリマー材料（Superabsorbent polymer：ＳＡＰ）などの吸水性有機材料層を用いるのが好ましい。
【００２６】
ここで、図４は、各有機材料の吸水特性（吸水率）を示している。
図４に示すように、吸水率は有機材料によって異なるが、その中でも、高吸水性ポリマー材料（高吸水性高分子材料）は、より吸水性能の高い材料である。高吸水性ポリマー材料は、自重の数百倍から約千倍までの水を吸収保持できるため、半導体デバイスや実装パッケージングで使用されているエポキシ樹脂やＰＭＭＡ樹脂よりも数百倍もの吸水が可能である。
【００２７】
このほか、吸水性（吸湿性）の高い材料として、シリカゲル（ケイ酸ゲルなど多孔質構造（細孔構造））やモレキュラーシーブ（ゼオライトの一種）で、多孔質の空孔に分子を吸着、アロフェン（非晶質性シリカ・アルミナゲル）、ゼオライト（吸水率約６０〜約８０％）などを用いることもできる。
このような高吸水性材料は、吸水量（吸水倍率）のみならず、吸水速度、保水性（加圧しても水を再放出しない特性）、徐放性などの特性の違いがあるため、用途に応じて、その特性を利用しても良い。
【００２８】
ところで、例えば高吸水性ポリマー材料などの吸水性材料は、温度を上げて高温にすることで、内部の水を外部に放出する。その放出量（デガス）は、温度によって異なるが、高温になるほどデガス量が多くなり、放出レートも高くなる。
このため、例えば高吸水性ポリマー材料などの吸水性材料からなる吸水性材料層３からのデガスは、自己破壊素子１に備えられるヒータ２による加熱によって行なわれるようになっている。
【００２９】
つまり、ヒータ２を覆うように吸水性材料層３を設け、吸水性材料層３をヒータ２によって加熱することで、吸水性材料層３からのデガスが開始するようになっている。デガスは、吸水性材料層３の表面から放出されるが、上述のようにイオン化傾向の高い金属材料からなるヒータ２との界面にも蒸発・放出されるため、ヒータ２を構成する金属材料の金属酸化反応に必要な酸素・水を供給可能となる。
【００３０】
ここで、このように構成される自己破壊素子１の基本機能及び動作原理について、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）を参照しながら説明する。
自己破壊素子１は、基本機能として、イオン化傾向が高い金属材料（例えばＭｇなど）からなるヒータ２（配線）が、赤熱と共に酸素と反応することで急激な酸化反応を伴う爆発を起こすことで、デバイスを粉砕する機能を有する。
【００３１】
特に、ヒータ２の近傍に、酸素の供給源として吸水性材料層３を設け、この吸水性材料層３から酸素や反応を促進する水分の供給が効率良く行なわれるようになっている。
このような基本機能を有する自己破壊素子１では、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、ヒータ２（配線）の発熱によって吸水性材料層３から気化した水蒸気（デガス）Ｘによって、ヒータ２を構成するイオン化傾向の高い金属材料との急激な酸化反応が促進され、より効果的にデバイスを粉砕することができる。
【００３２】
つまり、（１）抵抗加熱によるヒータ２（配線）の加熱、（２）吸水性材料層３の加熱、（３）吸水性材料層３からの水の気化、（４）ヒータ２を形成している金属と酸素との酸化反応、（５）ヒータ２の酸化反応による自己加熱、（６）連続的且つ急激な酸化反応サイクルの拡大、（７）高温発火、爆発、粉砕、という工程によって、デバイス自身及び被破壊回路をより確実に物理破壊することができる。
【００３３】
なお、例えばマイクロチップなどのデバイスを粉砕するための自己破壊素子１に、イオン化傾向の高い金属材料（例えばＭｇなど）の自己発火特性を利用する場合、自己破壊回路の配線にイオン化傾向の高い金属材料を用い、抵抗加熱により自己発熱とそれに続いて起こる酸化反応を促進し、燃焼温度と酸化の連鎖反応を促進することが望ましい。
しかしながら、酸素の供給に限りがあり、一旦駆動したとしても爆発圧力が足りず、配線の設置構造によっては回路の破壊に至らない可能性がある。
【００３４】
例えば、通常時に配線の酸化反応が起こらないように配線を絶縁層で覆うなどして配線を閉鎖空間に設置することで外部（例えば大気中）から酸化反応に必要な酸素を供給できない場合がある。
また、例えば、パッケージ実装の際のチップを固定するための樹脂によって外部から酸化反応に必要な酸素を供給できない場合がある。
【００３５】
このような場合には、酸素の供給が足りず、破壊に至らない可能性がある。
そこで、上述のように、イオン化傾向の高い金属材料からなるヒータ２を、吸水性材料層３で覆うようにしている。
これにより、ヒータ２に電流が供給されると、ヒータ２が発熱し、この発熱によって吸水性材料層３が加熱されて吸水性材料層３に含まれる水分が気化し、気化した水蒸気がヒータ２を構成するイオン化傾向の高い金属材料と酸化反応を起こすことになる。
【００３６】
そして、この酸化反応（燃焼）によって熱（酸化熱）が発生し、この熱によって吸水性材料層３がさらに加熱されて吸水性材料層３に含まれる水分がさらに気化し、ヒータ２を構成するイオン化傾向の高い金属材料とさらに酸化反応を起こすことになる。
このような連鎖反応によって、高温あるいは発火を含む急激な酸化反応による爆発が起こり、デバイスを確実に粉砕することができるようにしている。
【００３７】
これにより、高効率で急激な酸化反応を促進し、破壊動作の駆動が低電力で可能な構造を提供することができる。
また、このような構造になっているため、外部からの酸素の供給が難しい閉鎖空間にも設置することが可能となり、その場合も効率良く自己破壊が遂行できる構造を提供することができる。
【００３８】
つまり、ヒータ２を構成する配線の酸化反応に吸水性材料層３からの水分デガスを利用することで、水との反応を伴う急激な酸化・爆発を起こさせるため、自己破壊素子１を閉鎖空間に設置した場合であっても、低電力で且つ効率的に駆動することが可能となる。
ところで、上述のように構成される自己破壊素子１は、図６〜図８、図１０に示すように、半導体パッケージ（半導体装置）３０や電子機器３１に設けられる。
【００３９】
例えば、半導体パッケージ３０が、パッケージ基板又はインターポーザ３２と、パッケージ基板又はインターポーザ３２に実装された半導体チップ（半導体装置）３３とを備える場合、図６に示すように、自己破壊素子１を、パッケージ基板又はインターポーザ３２の半導体チップ３３が実装されている側に設けても良いし、図７に示すように、パッケージ基板又はインターポーザ３２と半導体チップ３３との間に設けても良いし、半導体チップ３３上に設けても良い。
【００４０】
なお、図６、図７中、符号３４はバンプを示しており、符号３５はアンダーフィルを示している。また、図６中、符号３６は絶縁膜を示している。また、図７では、パッケージ基板又はインターポーザ３２と半導体チップ３３との間、及び、半導体チップ３３上に、２つの自己破壊素子１を設けているが、いずれか一方の自己破壊素子１を設けるだけでも良い。
【００４１】
また、自己破壊素子１は、例えば、半導体チップ３３やパッケージ基板又はインターポーザ３２を構成する基板（例えばＳｉ基板や有機基板など）などの基板上に設けても良いし、基板に設けられた絶縁層上に設けても良い（例えば図８参照）。
また、例えば、自己破壊素子１は、半導体チップ３３やパッケージ基板又はインターポーザ３２を作製する際に、予め一体的にその内部に組み込んでおいても良いし（例えば図８参照）、例えばＳｉ基板などの基板上に設けてチップ化しておくことで可搬性を持たせて（例えば図２参照）、半導体チップ３３やパッケージ基板又はインターポーザ３２に後から埋め込んだり、取り付けたりするようにしても良い（例えば図６、図７参照）。
【００４２】
特に、自己破壊素子１に可搬性を持たせることで、セキュリティを高めたい部品にユーザ側で自由に設置することが可能となり、汎用性の高いセキュリティを安価に提供することが可能となる。
このように、自己破壊素子１を半導体パッケージ３０に自由に設けることができ、半導体チップ３３や半導体パッケージ３０を自己破壊可能な機能を有するものとすることができる。
【００４３】
つまり、上述のように構成される自己破壊素子１では、酸素供給源として吸水性材料層３を用い、吸水性材料層３の内部に吸蔵されている水を、爆発を起こさせる酸化反応に使用する。
この場合、配線を外部に露出させて大気中の酸素と酸化反応させる必要がないため、半導体チップ３３やパッケージ基板又はインターポーザ３２の外部に露出する箇所だけでなく、これらの内部に設けることもできるし、半導体チップ３３（例えばＣＰＵチップ）とパッケージ基板又はインターポーザ３２との間に設けて、その周囲にアンダーフィル３５を充填してしまうこともできる（例えば図６、図７参照）。
【００４４】
以下、パッケージ基板３２上に半導体チップ３３（例えばＣＰＵチップ）を実装した半導体パッケージ３０のパッケージ基板３２の半導体チップ３３が実装されている側に自己破壊素子１を設けた場合（例えば図６参照）を例に挙げて、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）を参照しながら、より具体的に説明する。
まず、自己破壊素子１が設けられた半導体パッケージ３０の構造について、図９（Ａ）を参照しながら説明する。
【００４５】
図９（Ａ）に示すように、パッケージ基板３２上に、例えばＭｇなどの金属材料からなるヒータ２が設けられている。
ヒータ２を構成する配線は、幅約１０μｍ、高さ約１０μｍ、長さ（配線長）約５ｍであり、折り返し配線構造となっており、配線間の間隔（配線ピッチ）は約１０μｍである。このヒータ２を構成する配線は、半導体プロセスを用いて形成することができる。
【００４６】
また、配線の下方及び折り返し配線構造になっている配線と配線との間には酸化膜（絶縁膜）３６が設けられている。
このようなヒータブロックの大きさは、約１０ｍｍ×約１０ｍｍとなっている。
また、ヒータ２の上面、即ち、配線と配線間の酸化膜３６とからなる配線層の上面は平坦になっており、その上に隣接して吸水性材料層３が設けられている。
【００４７】
ここでは、吸水性材料層３として、厚さ約０．２５ｍｍのシート状ＳＡＰを直接貼り付けている。ＳＡＰ３は、可塑性材料でもあり、貼り付けは約１５０℃で行なえば良い。ＳＡＰ３は、その後、湿度雰囲気で吸水（吸湿）させる。そして、吸水後のＳＡＰ３は、吸水による体積膨張で約１ｍｍに厚さが増加する。このため、パッケージ基板３２に、ＳＡＰ３の増加厚さ分だけ窪みを形成しておく。
【００４８】
その後、半導体チップ３３（例えばＣＰＵチップ）をパッケージ基板３２に搭載し、バンプ３４を介して接合し、アンダーフィル（アンダーフィル樹脂）３５を充填し、封印してある。
次に、このようにして自己破壊素子１を設けた半導体パッケージ３０が破壊に至る過程について、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）を参照しながら説明する。なお、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）では、図９（Ａ）中、点線で囲んでいる部分を拡大して示している。
【００４９】
ここでは、上述のように半導体パッケージ３０に設けられた自己破壊素子１は、制御回路５（コントロール回路；図２参照）を持っており、また、半導体パッケージ３０（具体的には半導体チップ３３）から給電できるようになっている。
そして、外部信号によって自己破壊素子１の動作信号が制御回路５に入ると、半導体パッケージ３０から給電が開始される。ここで、給電は、電源電圧約３．３Ｖで行なわれ、自己破壊素子１に備えられるヒータ２を構成するＭｇ配線は、通電加熱によって加熱される。このときの加熱は約１ｓ以下で、約７００℃まで加熱される。
【００５０】
ＳＡＰ３は、図９（Ｂ）に示すように、加熱と同時に内部の水分を放出し、配線層との界面に気化された高湿度ガスＸが充満し、図９（Ｃ）に示すように、ヒータ２を構成するＭｇ配線は直ちに酸化反応を起こす。
酸化反応による自己加熱によって、ヒータ２を構成するＭｇ配線の温度が上昇する。
高湿度ガスＸ中の水との反応によって、更に、ヒータ２を構成するＭｇ配線は燃焼するが、図９（Ｄ）に示すように、酸化から燃焼反応へと移行すると共に燃焼による膨張によって内部で爆発が生じる。
【００５１】
この爆発による急激な体積膨張が、パッケージ基板３２とその上部の半導体チップ３３（ＣＰＵチップ）との間を押し広げて、半導体パッケージ３０を破壊する。
ここでは、パッケージ基板３２の上部に搭載された半導体チップ３３（ＣＰＵチップ）が粉砕（破断）されて、半導体パッケージ３０が破壊される。
なお、これに限られるものではなく、半導体パッケージ３０（ＣＰＵパッケージモジュール）の機能を停止させることができれば良く、例えば、爆発による急激な体積膨張によって、半導体チップ３３（ＣＰＵチップ）がパッケージ基板３２から脱離して、半導体パッケージ３０が破壊されても良いし、或いは、半導体チップ３３（ＣＰＵチップ）とパッケージ基板３２との接合端子が一部剥がされて、半導体パッケージ３０が破壊されても良い。
【００５２】
また、例えば、図１０に示すように、電子機器３１に備えられる電子部品３７に、自己破壊素子１を取り付けても良い。
この場合、電子機器３１は、自己破壊素子１と、電子部品３７とを備え、自己破壊素子１が、電子部品３７に取り付けられているものとなる。
このように、電子回路を構成する電子部品３７に自由に取り付けることができ、電子回路（電子部品）を自己破壊可能な機能を有するものとすることができる。
【００５３】
この場合、自己破壊素子１は、例えば、有機基板（樹脂基板）などの基板上に設ければ良い。
特に、電子部品３７に貼り付ける場合には、フレキシブル基板上に設けるのが好ましい。
これにより、自己破壊素子１を、フレキシブル性を高めた構造とすることができ、平面構造を有するものだけではなく、例えば電子回路に用いるコンデンサなどの電子部品３７の湾曲した構造を有するものにも貼り付けて設置することが可能となる。
【００５４】
この場合、自己破壊素子１は可搬性を有するため、予め電子部品３７に取り付けられていなくても、後から電子部品３７に貼り付けて取り付けることが可能である。
この場合、自己破壊素子１は、制御回路、駆動電源、外部信号を受信する受信回路などを搭載したモジュールとし、受信回路によって受信した外部信号に応じて、制御回路が、駆動電源からヒータ２へ電流を供給して、ヒータ２を駆動するようにするのが好ましい。これにより、汎用の電子部品３７に安価に取り付けることが可能となる。
【００５５】
特に、自己破壊素子１に可搬性を持たせることで、セキュリティを高めたい部品にユーザ側で自由に設置することが可能となり、汎用性の高いセキュリティを安価に提供することが可能となる。
ところで、上述のように構成される自己破壊素子１は、さらに、吸水性材料層３を覆うバリア層３８を備えるものとするのが好ましい（例えば図１１参照）。
【００５６】
このバリア層３８としては、例えばポリイミドやＢＣＢなどの有機材料からなる有機層３９（有機膜；有機バリア被膜；特に酸素透過率の低いものが好ましい）、例えばＡｌなどの金属材料からなる金属層４０（金属膜；金属薄膜；金属バリア被膜）などを設ければ良い（例えば図１１参照）。
このようなバリア層３８で吸水性材料層３の表面（例えば大気側）を被覆することで、吸水性材料層３からの水分の蒸発を防ぐことできる。
【００５７】
これにより、例えば高吸水性ポリマー材料などの吸水性材料からなる吸水性材料層３をヒータ２によって加熱した場合の蒸発水分を、より効率良く、ヒータ２を構成する金属材料の酸化反応に利用することが可能となる。
また、上述のように構成される自己破壊素子１にバリア層３８を設ける場合、基板上にヒータ２を設け、ヒータ２を覆うように吸水性材料層３を設け、吸水性材料層３の表面を覆うようにバリア層３８を設けることになるが、これに限られるものではない。
【００５８】
例えば図１１に示すように、自己破壊素子１を、吸水性材料層３の内部にヒータ２が内包された構造を有するものとし、吸水性材料層３の上下両面を覆うようにバリア層３８を設けるようにしても良い。この場合、バリア層３８が基板（支持基板）としても機能することになる。これにより、ヒータ２が駆動した場合に、内部にデガスが充満し、効率よく酸化爆発反応が促進されることになる。
【００５９】
この場合、バリア層３８は、例えばポリプロピレン（ＰＰ；例えば硬質ＰＰ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂材料からなる樹脂シート３９によって構成するのが好ましい。
また、吸水性材料層３の粘性や熱可塑性が高い場合、その形状保持のために、ヒータ２を構成する配線間にポスト４１（例えば樹脂ポスト）を設けることが好ましい。この場合、ポスト４１は、柱状でも壁状でも良い。
【００６０】
また、バリア層３８としての樹脂シート３９の表面を覆うように、さらに、例えばＡｌなどの金属材料からなる金属保護層４０（例えばＡｌ保護層）を設けても良い。つまり、吸水性材料層３の上下両面を覆うように、樹脂シート３９と金属保護層４０の２層構造のバリア層３８を設けても良い。
なお、これに限られるものではなく、例えば、ポスト４１は設けなくても良い。また、バリア層３８は２層構造にしなくても良い。例えば、バリア層３８として、樹脂シート３９のみを設けても良いし、金属保護層４０のみを設けても良い。また、吸水性材料層３の上下両面にバリア層３８を設けなくても良く、いずれか一方のみにバリア層３８を設けても良い。
【００６１】
また、上述のように構成される自己破壊素子１は、さらに、例えば図１２（Ｂ）、図１２（Ｃ）に示すように、吸水性材料層３の表面又は内部に、金属又はセラミックからなるチップ４２を備えるものとするのが好ましい。これにより、より確実に半導体チップや電子部品を破壊することが可能となる。
例えば、図１２（Ａ）に示すように、パッケージ基板３２上に自己破壊素子１が設けられており、自己破壊素子１に半導体チップ３３が接触しているか又は隣接している場合、半導体チップ３３の側の吸水性材料層３の表面又は内部に、金属又はセラミックからなるチップ４２（金属チップ又はセラミックチップ）を設けることで、爆発による圧力に加え、物理的な破壊力を持たせることが可能となる。より効果的に半導体チップ３３を物理的に破壊する必要がある場合に有効である。
【００６２】
この場合、金属チップ又はセラミックチップ４２の形状は、丸形、四角形、ひし形、三角形のいずれでも良いが、より物理的な破壊力を与えるために、ひし形や三角形のものを用いるのが好ましい。また、金属チップ４２を用いる場合、金属チップ４２の腐食を避けるために、例えばステンレスチップなどを用いるのが好ましい。
なお、本実施形態では、半導体チップ３３に備えられる半導体集積回路（ＬＳＩ回路）を構成する金属配線やパッケージ基板又はインターポーザ３２に設けられる金属配線とは別に、自己破壊素子１を設けている。なお、これを自己破壊機能搭載ＬＳＩ回路あるいは自己破壊機能搭載パッケージともいう。
【００６３】
しかしながら、これに限られるものではなく、例えば、半導体チップ３３に備えられる半導体集積回路を構成する金属配線やパッケージ基板又はインターポーザ３２に設けられる金属配線の一部分に自己破壊素子１を設けても良い。
この場合、半導体装置（半導体チップ又は半導体パッケージ）は、金属配線を備え、ヒータ２は、金属配線の一部分に積層されているものとして構成すれば良い。そして、金属配線は絶縁層で覆われ、ヒータ２は吸水性材料層３で覆われているものとすれば良い。
【００６４】
このような自己破壊機能搭載ＬＳＩ回路は、例えばＳｉ基板上にＳｉデバイスプロセスで形成することができるため、廉価なＳｉデバイス上で機能する自己破壊素子１を実現することができ、例えば軍事システムなどで用いられるものだけでなく、例えば個人レベルや企業レベルで用いられる半導体装置（半導体チップ又は半導体パッケージ）でも確実に破壊することが可能となる。なお、半導体チップは、Ｓｉデバイスに限られるものではなく、例えば化合物半導体からなる半導体チップであっても良い。
【００６５】
ところで、本実施形態では、さらに、例えば図２に示すように、自己破壊素子１は、ヒータ２に電流を供給して破壊する破壊制御部８を備える。
この場合、破壊制御部８として、ヒータ２に接続配線６を介して接続され、外部からの信号によって駆動する制御回路５を設ければ良い。そして、外部からの信号によって制御回路５が駆動すると、電源（駆動電源）から接続配線６を介してヒータ２に電流が供給されるようにすれば良い。
【００６６】
なお、これに限られるものではなく、例えば、破壊制御部８を備えない自己破壊素子１を半導体チップ７（半導体装置）に設け、半導体チップ７を、自己破壊素子１に電流を供給して破壊する破壊制御部８を備えるものとしても良い（例えば図１５参照）。
この場合、破壊制御部８として、自己破壊素子１を電源線１１に接続する接続配線（金属配線）６と、この接続配線６に設けられたセレクタ９と、セレクタ９を制御する制御回路１０とを備えるものとすれば良い（例えば図１５参照）。
【００６７】
なお、セレクタ９をセレクタ回路、回路セレクタ又はスイッチともいう。また、制御回路１０をトリガ回路ともいう。また、自己破壊素子、及び、これに接続される接続配線６、セレクタ９、制御回路１０の全体を、情報保護回路ともいう。また、半導体チップ７を自己破壊機能搭載半導体チップともいう。
そして、外部からの信号あるいは例えばボタンを押すなどのアクションなどによる破壊要求信号によって、制御回路１０がセレクタ９を制御して自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が供給されて、半導体チップ７が破壊されるようになっている（例えば図１５参照）。
【００６８】
つまり、外部からの信号あるいはアクションなどをトリガとして生成された破壊要求信号によって、制御回路１０がセレクタ９をオンとし、セレクタ９及び接続配線６を介して、自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が流れて、半導体チップ７が破壊されるようになっている（例えば図１５参照）。
なお、本実施形態では、破壊制御部８は、半導体チップ７に備えられるものとしているが、これに限られるものではなく、例えば、半導体チップ７を備える半導体パッケージ（半導体装置）や電子機器が、破壊制御部８を備えるものとしても良い。
【００６９】
ここでは、以下に説明するように、自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が流れて、半導体チップ７が破壊されることになる。
図１に示すような自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が流れると、ヒータ２が発熱し、この発熱によって吸水性材料層３が加熱されて吸水性材料層３に含まれる水分が気化し、気化した水蒸気がヒータ２を構成するイオン化傾向の高い金属材料と酸化反応を起こすことになる。
【００７０】
そして、この酸化反応（燃焼）によって熱（酸化熱）が発生し、この熱によって吸水性材料層３がさらに加熱されて吸水性材料層３に含まれる水分がさらに気化し、ヒータ２を構成するイオン化傾向の高い金属材料とさらに酸化反応を起こすことになる。
このような連鎖反応によって、高温あるいは発火を含む急激な酸化反応による爆発が起こり、半導体チップ７が粉砕されることになる。
【００７１】
このようにして、半導体チップ７を物理的に破壊することができるため、例えばデータを復元することも難しく、確実に情報を保護することが可能となる。
なお、例えば、破壊手段として、回路に通常よりも大電流を流したりするだけでは、配線が断線して電流が流れなくなるだけであり、大半の回路はそのまま残ることになるため、確実に情報を保護することは難しい。また、例えば、暗号キー、データフラッシュ、配線の焼損などの方法では、確実に情報の漏洩を防ぐのは難しい。
【００７２】
このような自己破壊素子１を備える半導体チップ７は、重要な情報を保有するチップ、あるいは、システム内におけるデータの経路に位置するチップに適用すると効果的である。例えば、先進的な技術や材料を用いて製造されたチップ（その構造自体に機密情報としての価値が高いもの）、暗号化復号化回路を有するＳＳＤ及びＨＤＤのコントローラチップ、ＳＳＤを構成するＮＡＮＤフラッシュ自体、パスワード保存用の不揮発性メモリ、クラウドサーバへのアクセス用ＮＩＣチップなどに適用することが考えられる。
【００７３】
以下、具体例を挙げて説明する。
まず、一の具体例は、上述のような自己破壊素子１及び破壊制御部８を備える半導体チップ７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）のＬＳＩ自体の構造を秘匿するための構成例である。この場合、保護すべき情報はチップ構造である。
この具体例では、図１３に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板１３上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７と、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ１４と、他のチップ部品１５とが搭載された電子機器１６で、起動時にパスワードの入力を要求する場合を例に挙げて説明する。
【００７４】
この場合、一定回数（例えば５回）のパスワードの不一致をもって破壊要求信号が発生するようにすれば良い（例えば図１４参照）。
また、この具体例では、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７は、図１５のブロック図に示すように、制御回路１０と、セレクタ回路９と、メイン回路１７とを備え、メイン回路１７が保護すべき情報（重要情報）を含むため、これを秘匿すべく、メイン回路１７を破壊するために自己破壊素子１が設けられている。また、セレクタ回路９を介して自己破壊素子１に電源線１１が接続されており、制御回路１０によってセレクタ回路９が制御されて、セレクタ回路９を介して自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が供給されるようになっている。なお、制御回路１０を介してメイン回路１７に信号線バス１８が接続されており、電源線１１は、制御回路１０やメイン回路１７にも接続されている。また、メイン回路１７は、ＬＳＩチップの本来の機能を実現するために設ける回路である。
【００７５】
ここで、図１４は、この具体例の電子機器１６の起動時の処理を示すフローチャートである。
まず、電子機器１６は、起動時にパスワードの入力を促し、入力されたパスワードが正しいか否か、即ち、入力されたパスワードが登録されているパスワードと一致するか否かを判定する（ステップＳ１）。
【００７６】
この判定の結果、入力されたパスワードが登録されているパスワードと一致した場合は、ＯＫルートへ進み、通常起動信号を発生する。
一方、不一致の場合は、一定回数（例えば５回）の不一致があるまで、上述の処理を繰り返す。そして、一定回数（例えば５回）の不一致を持って、ＮＧルートへ進み、破壊信号（破壊要求信号）を発生する。
【００７７】
なお、例えば、パスワード入力要求は、例えばタイマーによって一定時間（例えば２４時間）毎に行なわれるようにするのが好ましい（ステップＳ２）。
また、電源が入ると、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が起動し、外部からの信号（ここではＣＰＵ１４からの信号）をデコードする。
デコードした信号が通常起動信号の場合、メイン回路１７を、通常起動し、通常動作させる。
【００７８】
一方、デコードした信号が破壊信号の場合、制御回路１０は、セレクタ回路９をＯＮ状態にし、自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が印加される。これにより、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊される。
なお、ここでは、ＣＰＵ１４が破壊要求信号を発生するようにしているが、これに限られるものではなく、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が、外部からの信号やアクションに基づいて破壊要求信号を発生するようにしても良い。なお、破壊要求信号を発生する部分を破壊要求信号発生部ともいう。
【００７９】
このようにして、例えば盗難等にあったとしても、パスワードの不一致によって破壊信号が発生し、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊されるため、パスワードで守られ、破壊対象となる重要情報（ここではチップ構造）を秘匿することができる。
次に、他の具体例は、上述のような自己破壊素子１及び破壊制御部８を備える半導体チップ７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）が例えばＳＳＤやＨＤＤのコントローラとしての機能を有するコントローラチップであって、その内部に秘匿したい情報として暗号・復号化キーを記録している場合の構成例である。
【００８０】
この具体例では、図１６に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板１８上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）と、このコントローラチップ７によって暗号化されたデータを記録するＳＳＤ又はＨＤＤ（記憶装置）１９とが搭載されており、これに、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ２０が接続されている電子機器２１（例えばパーソナルコンピュータなどのローカルマシン）で、起動時にパスワードの入力を要求する場合を例に挙げて説明する。
【００８１】
この場合、上述の一の具体例の場合と同様に、一定回数（例えば５回）のパスワードの不一致をもって破壊要求信号が発生するようにすれば良い。
また、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の回路構成（図１５参照）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７や電子機器による処理手順（図１６参照）なども、上述の一の具体例の場合と同様にすれば良い。
【００８２】
これにより、例えば盗難等にあったとしても、パスワードの不一致によって破壊信号が発生し、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）が破壊されるため、パスワードで守られ、破壊対象となる重要情報（ここでは暗号・復号化キー）を秘匿することができる。これにより、ＳＳＤ又はＨＤＤ１９内の暗号化データが復号不可能になるため、ＳＳＤ又はＨＤＤ１９内のデータを秘匿することができる。
【００８３】
ところで、上述のような自己破壊素子１を備える半導体チップ７や電子機器を用いて、セキュリティに関するソリューションの提供、即ち、セキュリティーソリューションモデルの提供を行なうこともできる。
この場合、情報保護システムを、自己破壊素子１が設けられ、破壊制御部８を含む半導体チップ７を備える電子機器２６と、電子機器２６にネットワーク２７を介して接続されたサーバ２８とを備えるものとし、サーバ２８が、電子機器２６を破壊する破壊要求を登録するとともに、電子機器２６の破壊制御部８が自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流を供給して破壊するように、電子機器２６に破壊要求信号を送信するようにすれば良い（例えば図１７、図１８参照）。
【００８４】
また、情報保護方法を、サーバ２８が、自己破壊素子１が設けられ、破壊制御部８を含む半導体チップ７を備える電子機器２６を破壊する破壊要求を登録するステップと、サーバ２８が、電子機器２６の破壊制御部８が自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流を供給して破壊するように、電子機器２６に破壊要求信号を送信するステップとを含むものとすれば良い（例えば図１７、図１８参照）。
【００８５】
なお、これらの情報保護システムや情報保護方法において、例えば、電子機器２６は、自己破壊素子１が設けられ、破壊制御部８を含まない半導体チップ（半導体装置）と、破壊制御部８とを備えるものとして構成しても良い。この場合、破壊制御部８は半導体パッケージ（半導体装置）に設けられていても良いし、電子機器２６のそれ以外のところに設けられていても良い。
【００８６】
また、例えば、電子機器２６は、破壊制御部８を含む自己破壊素子１が設けられ、破壊制御部８を含まない半導体チップ又は半導体パッケージ（半導体装置）を備えるものとして構成しても良い。
また、例えば、電子機器２６は、破壊制御部８を含む自己破壊素子１が設けられ、破壊制御部８を含まない電子部品を備えるものとして構成しても良い。
【００８７】
このように、電子機器２６は、半導体装置又は電子部品に設けられた自己破壊素子１と、破壊制御部８とを備えるものとすれば良い。つまり、半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータ２と、ヒータ２を覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層３とを備える自己破壊素子１と、自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流を供給して破壊する破壊制御部８とを備えるものとすれば良い。
【００８８】
以下、具体例を挙げて説明する。
この具体例は、上述のような自己破壊素子１及び破壊制御部８を備える半導体チップ７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）が例えばネットワーク通信用のコントローラとしての機能を有するコントローラチップであって、その内部に秘匿したい情報としてサーバへのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報を記録している場合の構成例である。
【００８９】
この具体例では、図１７に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板２２上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）と、このコントローラチップ７によってパスワード保護されたネットワーク経路に設けられた部品２３［有線のネットワーク（例えば有線ＬＡＮではイーサネット（登録商標）のＬＡＮソケットであり、無線のネットワーク（例えば無線ＬＡＮ）ではアンテナである）］とが搭載されているネットワーク・インターフェイス・カード（ＮＩＣ）２４を備え、これに、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ２５が接続されている電子機器２６（例えばパーソナルコンピュータ、モバイル機器、情報機器、プリンタなどのローカルマシン）が、図１８に示すように、ネットワーク２７を介してサーバ２８に接続され、サーバ２８上にデータを保存するなどのクラウドサービスの提供を受ける場合を例に挙げて説明する。
【００９０】
この場合、クラウドサービスとして、データの保管と共に電子機器２６に対する破壊要求の登録・送信を行なうようにすることで、盗難等にあった電子機器２６が破壊されるようにすることで、セキュリティに関するソリューションの提供が可能となる。
また、このような電子機器２６に備えられる自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の回路構成（図１５参照）は、上述の一の具体例の場合と同様にすれば良い。
【００９１】
ここで、図１８は、この具体例の電子機器２６及びサーバ２８（クラウドサーバ）からなるシステムにおける処理を示す図である。
まず、例えば、電子機器２６が盗難等にあった場合、利用者は別の電子機器２９からサーバ２８にアクセスし、盗難等にあった電子機器２６（図１７参照）を破壊するための破壊要求をサーバ２８に登録する。つまり、サーバ２８は、盗難等にあった電子機器２６を破壊する破壊要求を登録する。なお、利用者の破壊要求を、管理者が例えば電話などで受け、これをサーバ２８に登録するようにしても良い。
【００９２】
そして、盗難等にあった電子機器２６は、電源が入ると（起動時に）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が起動し、メイン回路１７の一部が限定的に動作して、特定のサーバ２８（クラウドサーバ）に接続し（ステップＡ１）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７及びネットワーク２７を介して、破壊要求の確認を行なう（ステップＡ２）。なお、ステップＡ１で、サーバ２８に接続できなかった場合は、電源を落とすか、あるいは、ネットワーク再設定のみ可能等の限定的な動作を行なうようにすれば良い。
【００９３】
この破壊要求の確認に応じて、サーバ２８は、破壊要求の登録があった場合には、盗難等にあった電子機器２６に、破壊要求信号（破壊信号）を送信する。つまり、サーバ２８は、盗難等にあった電子機器２６の破壊制御部８が自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流を供給して破壊するように、盗難等にあった電子機器２６に破壊要求信号を送信する。なお、破壊要求の登録がなかった場合には、通常起動信号を送信する。
【００９４】
そして、盗難等にあった電子機器２６は、サーバ２８から送信されてきた信号（外部からの信号）をデコードする。
デコードした信号が通常起動信号の場合、ステップＡ３で「無し」ルートへ進み、メイン回路１７を、通常起動し、通常動作させる。
一方、デコードした信号が破壊信号の場合、ステップＡ３で「有り」ルートへ進み、制御回路１０は、セレクタ回路９をＯＮ状態にし、自己破壊素子１（具体的にはヒータ２）に電流が印加される。これにより、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊される。
【００９５】
つまり、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ネットワークコントローラチップ）が、サーバ２８に保管されているデータにアクセスするためのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報を保持しており、起動時に破壊信号がないことを確認した後で、サーバ２８とのデータの送受信を行なう。
このようにして、例えば盗難等にあったとしても、破壊要求がサーバ２８に登録されている場合、サーバ２８からの破壊信号に基づいて、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ネットワークコントローラチップ）が破壊されるため、破壊対象となる重要情報（ここではサーバへのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報）を秘匿することができる。これにより、サーバ２８へのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報が使用できなくなり、サーバ２８に保管されているデータへのアクセスが不可能となるため、サーバ２８に保管されているデータを秘匿することができる。
【００９６】
したがって、本実施形態にかかる、自己破壊素子、半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法によれば、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報、軍事上の機密情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置や電子回路（電子部品）を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることができるという効果を有する。
【００９７】
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、
前記ヒータの少なくとも一部分を覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備えることを特徴とする自己破壊素子。
【００９８】
（付記２）
前記吸水性材料層は、吸水性ポリマー、ケイ酸ゲル、ゼオライト、非晶質シリカ、アルミナゲルのいずれかの材料からなることを特徴とする、付記１に記載の自己破壊素子。
（付記３）
前記吸水性材料層を覆うバリア層を備えることを特徴とする、付記１又は２に記載の自己破壊素子。
【００９９】
（付記４）
前記吸水性材料層の表面又は内部に、金属又はセラミックからなるチップを備えることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の自己破壊素子。
（付記５）
前記ヒータに電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の自己破壊素子。
【０１００】
（付記６）
付記１〜５のいずれか１項に記載の自己破壊素子を備えることを特徴とする半導体装置。
（付記７）
付記１〜４のいずれか１項に記載の自己破壊素子と、
前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする半導体装置。
【０１０１】
（付記８）
前記破壊制御部は、前記自己破壊素子を電源線に接続する接続配線と、前記接続配線に設けられたセレクタと、前記セレクタを制御する制御回路とを備えることを特徴とする、付記７に記載の半導体装置。
（付記９）
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記パッケージ基板又は前記インターポーザの前記半導体チップが実装されている側に設けられていることを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１０２】
（付記１０）
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記パッケージ基板又は前記インターポーザと前記半導体チップとの間に設けられていることを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１０３】
（付記１１）
パッケージ基板又はインターポーザと、
前記パッケージ基板又は前記インターポーザに実装された半導体チップとを備え、
前記自己破壊素子は、前記半導体チップ上に設けられていることを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１０４】
（付記１２）
金属配線を備え、
前記ヒータは、前記金属配線の一部分に積層されていることを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記１３）
付記６〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【０１０５】
（付記１４）
付記１〜５のいずれか１項に記載の自己破壊素子と、
電子部品とを備え、
前記自己破壊素子が、前記電子部品に取り付けられていることを特徴とする電子機器。
（付記１５）
付記１〜４のいずれか１項に記載の自己破壊素子と、
前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備え、
前記自己破壊素子が、半導体装置又は電子部品に設けられていることを特徴とする電子機器。
【０１０６】
（付記１６）
前記破壊制御部は、前記自己破壊素子を電源線に接続する接続配線と、前記接続配線に設けられたセレクタと、前記セレクタを制御する制御回路とを備えることを特徴とする、付記１５に記載の電子機器。
（付記１７）
半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、前記ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、
前記電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記電子機器の前記破壊制御部が前記自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信することを特徴とする情報保護システム。
【０１０７】
（付記１８）
サーバが、半導体装置又は電子部品に設けられ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏのいずれかの金属材料からなるヒータと、前記ヒータを覆い、吸水性材料からなる吸水性材料層とを備える自己破壊素子と、前記自己破壊素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記電子機器の前記破壊制御部が前記自己破壊素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする情報保護方法。
【符号の説明】
【０１０８】
１  自己破壊素子
２  ヒータ
３  吸水性材料層
４  基板
５  制御回路
６  金属配線（接続配線）
７  半導体チップ（半導体装置）
８  破壊制御部
９  セレクタ
１０  制御回路
１１  電源線
１３  配線基板（ＰＣＢ）
１４  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
１５  チップ部品
１６  電子機器
１７  メイン回路
１８  信号線バス
１９  ＳＳＤ又はＨＤＤ（記憶装置）
２０  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
２１  電子機器
２２  配線基板（ＰＣＢ）
２３  ネットワーク経路に設けられた部品
２４  ネットワーク・インターフェイス・カード（ＮＩＣ）
２５  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
２６  電子機器
２７  ネットワーク
２８  サーバ
２９  別の電子機器
３０  半導体パッケージ（半導体装置）
３１  電子機器
３２  パッケージ基板又はインターポーザ
３３  半導体チップ（半導体装置）
３４  バンプ
３５  アンダーフィル
３６  酸化膜（絶縁膜）
３７  電子部品
３８  バリア層
３９  有機層（樹脂シート）
４０  金属層（金属保護層）
４１  ポスト
４２  チップ（金属チップ又はセラミックチップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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