(57)【要約】【課題】解像度および開口率の低下を抑制しつつ、映像表示と手書き入力とを実現可能な表示装置を提供する。【解決手段】各々が、互いに対向する第１電極と第２電極との間に表示体を有すると共に、印加電圧に応じて表示状態が変化する複数の表示素子と、表示素子毎に設けられ、第１電極へ電圧を印加するためのスイッチングを行う薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタよりも下層に形成された感圧導電層と、感圧導電層を介して第１電極と接続された第３電極と、第１電極への電圧印加経路として、薄膜トランジスタを含む第１の経路と、感圧導電層および第３電極を含む第２の経路とのうちの一方を選択するスイッチとを備える。【選択図】図１
2017026695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、互いに対向する第１電極と第２電極との間に表示体を有すると共に、印加電圧に応じて表示状態が変化する複数の表示素子と、
前記表示素子毎に設けられ、前記第１電極へ電圧を印加するためのスイッチングを行う薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタよりも下層に形成された感圧導電層と、
前記感圧導電層を介して前記第１電極と接続された第３電極と、
前記第１電極への電圧印加経路として、前記薄膜トランジスタを含む第１の経路と、前記感圧導電層および前記第３電極を含む第２の経路とのうちの一方を選択するスイッチと
を備えた
表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタと前記感圧導電層との間に設けられた第１基板と、
前記第１基板を貫通して設けられると共に、前記感圧導電層と前記第１電極とを電気的に接続させる貫通電極と
を備えた
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記貫通電極は、前記表示素子毎に設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記スイッチは、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極と前記第３電極とのうちの一方を選択的に電源に接続するように構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示素子への印加電圧を制御して、前記表示素子を駆動する表示制御部を備え、
前記表示制御部は、前記複数の表示素子のうちの一部に書き込みが行われ、かつ前記スイッチにより前記第２の経路が選択されている場合に、
前記書き込みが行われた際の電圧とは逆極性の電圧を印加する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
先端の向きを認識可能であると共に、前記先端の向きに関する情報を送信可能なセンサを備えたペンを用いて書き込みが行われる場合に、
前記表示制御部は、
前記ペンから前記先端の向きに関する情報を受信し、
受信した前記情報に基づいて前記表示素子の表示状態を変化させる駆動を行う
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記感圧導電層は、前記第３電極の側および前記表示素子の側のうちの少なくとも一方の側に溝を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３電極は、前記複数の表示素子のそれぞれに対応する各領域に共通の電極として設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第３電極は、電気的に分離された複数のサブ電極を含み、
前記スイッチにより前記第２の経路が選択されている場合に、前記複数のサブ電極のうちの選択的なサブ電極に対して電圧を印加可能に構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子の光出射側に、複数色のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を備え、
前記複数のサブ電極はそれぞれ、前記カラーフィルタ層のうちのいずれかのカラーフィルタに対応する領域に設けられている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状を成す
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示素子は電気泳動表示素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記電気泳動表示素子は、マイクロカップ方式の電気泳動表示素子である
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記電気泳動表示素子は、マイクロカプセル方式の電気泳動表示素子である
請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射光を利用して画像表示を行う表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気泳動表示素子を用いた表示装置では、指やペン等で描かれた軌跡を表示すること（手書き入力）が可能な駆動手法が開発されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この特許文献１の手法では、画素内に感圧式スイッチを設けることで、ペン等により加圧された箇所を部分的に駆動し、描かれた軌跡を表示することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９１３２４号公報
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の手法では、感圧式スイッチを画素回路の内部に新たに設けることになる。このため、解像度および開口率が低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、解像度および開口率の低下を抑制しつつ、映像表示と手書き入力とを実現可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、各々が、互いに対向する第１電極と第２電極との間に表示体を有すると共に、印加電圧に応じて表示状態が変化する複数の表示素子と、表示素子毎に設けられ、第１電極へ電圧を印加するためのスイッチングを行う薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタよりも下層に形成された感圧導電層と、感圧導電層を介して第１電極と接続された第３電極と、第１電極への電圧印加経路として、薄膜トランジスタを含む第１の経路と、感圧導電層および第３電極を含む第２の経路とのうちの一方を選択するスイッチとを備えたものである。
【０００８】
本開示の表示装置では、第１電極への電圧印加経路として、薄膜トランジスタを含む第１の経路と、感圧導電層および第３電極を含む第２の経路とが形成され、これらの第１および第２の経路が、スイッチにより選択される。これにより、第１の経路が選択された場合には、薄膜トランジスタを用いた表示駆動（アクティブマトリクス駆動）が可能となる。一方で、第２の経路が選択された場合には、装置表面が加圧(押圧)されることで、その加圧された箇所の表示素子へダイレクトに電圧を印加することができる。また、感圧導電層が、薄膜トランジスタよりも下層に配置されることから、画素回路内に配置される場合に比べ、回路レイアウトへの影響が少ない。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の表示装置によれば、第１電極への電圧印加経路として、薄膜トランジスタを含む第１の経路と、感圧導電層および第３電極を含む第２の経路とが形成され、これらの第１および第２の経路を選択するスイッチが設けられている。これにより、薄膜トランジスタを用いた駆動による表示（映像表示）と、部分的なダイレクト駆動による表示（手書き入力）とを切り替えて実現可能となる。また、感圧導電層が、薄膜トランジスタよりも下層に配置されるようにしたので、画素回路内に配置される場合に比べ、回路レイアウトへの影響を軽減して、解像度および開口率の低下を抑制できる。よって、解像度および開口率の低下を抑制しつつ、映像表示と手書き入力とを実現可能となる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は上述したものに限らず、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示体の構成例を説明するための平面模式図である。
【図３Ａ】図１に示した感圧導電層の機能を説明するための模式図である。
【図３Ｂ】図１に示した感圧導電層の機能を説明するための模式図である。
【図４】図１に示した第１電極、ＴＦＴ層、第１基板、感圧導電層、第３電極およびスイッチの構成を表す断面図である。
【図５】１つの表示素子を駆動するための回路構成をスイッチと共に表す回路図である。
【図６Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を説明するための断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を説明するための断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ａ】図６Ｄに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｃに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｄに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｅに続く工程を説明するための断面図である。
【図７Ｇ】図７Ｆに続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７Ｇに続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに続く工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｂに続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】ＴＦＴ駆動時（映像表示時）における処理フローを説明するための流れ図である。
【図１３】ＴＦＴ駆動時における表示素子（第１電極）への電圧印加経路について説明するための回路図である。
【図１４】ＴＦＴ駆動時における表示状態を説明するための断面模式図である。
【図１５】手書き入力時における処理フローを説明するための流れ図である。
【図１６】手書き入力時における表示素子（第１電極）への電圧印加経路について説明するための回路図である。
【図１７】手書き入力時における表示状態を説明するための断面模式図である。
【図１８Ａ】比較例１に係る表示装置の作用（視差大）について説明するための模式図である。
【図１８Ｂ】図１に示した表示装置の作用（視差小）について説明するための模式図である。
【図１９Ａ】変形例１に係る駆動動作（部分消去動作）について説明するための模式図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに続く駆動動作を説明するための模式図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｂに続く駆動動作を説明するための模式図である。
【図２０】部分消去時における表示素子（第１電極）への電圧印加経路について説明するための回路図である。
【図２１】変形例２に係る表示装置の構成を入力ペンと共に表す機能ブロック図である。
【図２２】図２１に示した表示装置の入力ペンを用いた部分消去動作の一例を表す模式図である。
【図２３】変形例３に係る感圧導電層の構成を表す断面模式図である。
【図２４Ａ】比較例２に係る感圧導電層の作用を説明するための断面模式図である。
【図２４Ｂ】図２３に示した感圧導電層の作用を説明するための断面模式図である。
【図２５】変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２６】図２５に示した第３電極の斜視構成を表す模式図である。
【図２７】図２５に示した表示装置の手書き入力時の表示状態を説明するための断面模式図である。
【図２８】変形例５に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２９】適用例に係るタブレットパーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
１．実施の形態（ＴＦＴ駆動と感圧導電層を用いた駆動とをスイッチにより選択切り替えが可能な反射型の表示装置の例）
２．変形例１（部分消去駆動の例）
３．変形例２（傾斜センサを搭載した入力ペンを用いた部分消去駆動の例）
４．変形例３（感圧導電層に溝を設けた例）
５．変形例４（カラー反射型の表示装置において、第３電極を分割して配置した例）
６．変形例５（モノクロ反射型の表示装置において、第３電極を分割して配置した例）
７．適用例（電子機器）
【００１２】
＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態の表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。表示装置１は、例えば電気泳動表示素子等の表示素子（表示素子１０）を用いて、光反射率制御により画像を表示するモノクロ反射型の表示装置である。
【００１３】
この表示装置１は、第１基板１１上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）層１２と、例えばマトリクス状に配置された複数の表示素子１０とを備えたものである。各表示素子１０は、第１電極１３と第２電極１６との間に表示体１０Ａを有するものである。表示体１０Ａは、スペーサ（隔壁）１５によって表示素子１０毎（画素毎）に分離されている。また、第２電極１６上には、第２基板１７が設けられている。第１電極１３と表示体１０Ａとの間にはシール層１４が介在する。なお、図１は表示装置１の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。以下、各部の構成について説明する。
【００１４】
第１基板１１は、例えば、無機材料、金属材料およびプラスチック材料等のうちのいずれか１種類または２種類以上により形成されている。無機材料は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、窒化ケイ素（ＳｉＮx）または酸化アルミニウム（ＡｌＯx）等であり、その酸化ケイ素には、例えば、ガラスまたはスピンオングラス（ＳＯＧ）等が含まれる。金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）またはステンレス等である。プラスチック材料は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリイミド（ＰＩ）またはポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等である。
【００１５】
この第１基板１１は、光透過性を有していてもよいし、有していなくともよい。また、第１基板１１は、ウェハ等の剛性を有する基板であってもよいし、可撓性を有する薄層ガラスまたはフィルム等であってもよい。但し、フレキシブル（折り曲げ可能）な電子ペーパーディスプレイを実現できることから、可撓性を有する材料からなることが望ましい。この第１基板１１には、詳細は後述するが、例えば表示素子１０毎に貫通電極１１Ａが形成されている。
【００１６】
ＴＦＴ層１２は、例えば後述のＴＦＴ１２Ａを含む画素回路が形成された層である。このＴＦＴ層１２の詳細構成について後述する。
【００１７】
第１電極１３は、表示素子１０毎に設けられている。第１電極１３は、例えば、Ａｌ，Ｍｏ，ＩＴＯ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃ（炭素），Ａｕ（金），Ａｇ（銀）またはＣｕ（銅）等の導電性材料のいずれか１種類または２種類以上を含んでいる。この第１電極１３には、後述するＴＦＴ１２Ａを介して、あるいは感圧導電層１８を介して、表示素子１０毎に設定された電圧（Ｖsig）を印加可能となっている。
【００１８】
シール層１４は、例えば熱硬化樹脂および紫外線硬化樹脂などの樹脂材料から構成されている。スペーサ１５は、例えば感光性樹脂などから構成されている。スペーサ１５の形状は、特に限定されないが、泳動粒子３２の第１電極１３および第２電極１６間の移動を妨げないと共に、それを均一分布させることができる形状であることが好ましく、例えば、格子状である。スペーサ１５の厚みは、特に限定されないが、中でも、消費電力を低くするためにできるだけ薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。
【００１９】
第２電極１６は、例えば、光透過性を有する導電性材料（透明導電材料）を１種類または２種類以上を含んでいる。導電性材料としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化アンチモン−酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）およびアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等が挙げられる。この第２電極１６の厚みは、例えば０．００１μｍ以上１μｍ以下である。この第２電極１６は、例えば、第２基板１７の一面に、例えば表示可能な領域の全面にわたって形成され、各表示素子１０に共通の電極となっている。但し、第１電極１３と同様に、素子毎に複数に分割されていても構わない。
【００２０】
第２基板１７の表面（表示面Ｓ１）に画像が表示される場合には、第２電極１６を介して表示体１０Ａを見ることになるため、第２電極１６の光透過率はできるだけ高いことが好ましく、例えば、８０％以上である。また、第２電極１６の電気抵抗は、できるだけ低いことが好ましく、例えば、１００Ω／□（スクエア）以下である。
【００２１】
第２基板１７は、例えば、ＰＥＴ，ＴＡＣ，ＰＥＮ，ＰＣ，アクリル，ガラス等により構成されている。第２基板１７としては、この他にも、第１基板１１の構成材料として挙げたものの中から光透過性を有するものを用いることができる。第２基板１７の上面側に画像が表示されるため、第２基板１７は光透過性である必要があるからである。この第２基板１７の厚みは、例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下である。
【００２２】
表示体１０Ａは、第１電極１３と第２電極１６とを通じて印加される電圧の変化に応じて、その表示状態（光反射率）を変化させるものである。表示体１０Ａは、例えば電気泳動現象を利用してコントラストを生じさせるものであり、印加電界に応じて一対の電極（第１電極１３および第２電極１６）の間を移動可能な泳動粒子３２を含んでいる。
【００２３】
このような表示体１０Ａをもつ表示素子１０としては、例えばマイクロカップ方式またはマイクロカプセル方式の電気泳動表示素子が挙げられる。マイクロカップ方式では、例えば、表示体１０Ａが、黒色に着色された泳動粒子（泳動粒子３２）と、白色に着色された液体または多孔質層とを含むと共に、弾性率の高いリブ（スペーサ１５）によって隔てられた構成を有している。また、このマイクロカップ方式では、１粒子タイプであってもよいし、２粒子タイプであってもよい。あるいは、２粒子タイプのマイクロカプセル方式であっても構わない。マイクロカプセル方式では、例えば、それぞれに、白色に着色された泳動粒子と黒色に着色された泳動粒子とが封入された複数のカプセルが用いられる。但し、マイクロカップ方式を用いた場合の方が、マイクロカプセル方式を用いた場合に比べ、手書き入力により表示（描画）される線幅をより精細に制御し易い。また、表示素子１０としては、この他にも、多孔質層３３を用いずに、液体そのものを着色したものを用いてもよい。あるいは、エレクトロクロミック表示素子などが用いられてもよい。ここでは、一例として、１粒子タイプのマイクロカップ方式の電気泳動表示素子を挙げて説明する。
【００２４】
（表示体１０Ａの構成例）
図２は、表示体１０Ａの一例を表したものである。表示体１０Ａは、例えば、絶縁性液体３１中に多孔質層３３と泳動粒子３２とを含むものである。
【００２５】
絶縁性液体３１は、例えば有機溶媒などの非水溶媒であり、具体的には、パラフィンまたはイソパラフィンなどを含んで構成されている。この絶縁性液体３１の粘度および屈折率は、できるだけ低いことが好ましい。泳動粒子３２の移動性（応答速度）が向上すると共に、それに応じて泳動粒子３２の移動に要するエネルギー（消費電力）が低くなるからである。また、絶縁性液体３１の屈折率と多孔質層３３の屈折率との差が大きくなるため、その多孔質層３３の光反射率が高くなるからである。
【００２６】
尚、絶縁性液体３１は、必要に応じて、各種材料を含んでいてもよい。例えば、絶縁性液体３１は、着色剤、電荷制御剤、分散安定剤、粘度調製剤、界面活性剤または樹脂などを含んでいてもよい。また、絶縁性液体３１の代わりに、微弱導電性液体が用いられてもよい。
【００２７】
泳動粒子３２は、第１電極１３と第２電極１６との間を移動可能な１種類または２種類以上の荷電粒子であり、絶縁性液体３１中に分散されている。この泳動粒子３２は、任意の光学的反射特性（光反射率）を有している。泳動粒子３２の光反射率は、特に限定されないが、少なくとも泳動粒子３２が多孔質層３３を遮蔽可能となるように設定されることが好ましい。泳動粒子３２の光反射率と多孔質層３３の光反射率との違いを利用してコントラストを生じさせるためである。
【００２８】
泳動粒子３２の構成材料としては、例えば、有機顔料、無機顔料、染料、炭素材料、金属材料、金属酸化物、ガラスまたは高分子材料（樹脂）などのいずれか１種類または２種類以上の粒子（粉末）が挙げられる。なお、泳動粒子３２は、上記した粒子を含む樹脂固形分の粉砕粒子またはカプセル粒子などでもよい。ただし、炭素材料、金属材料、金属酸化物、ガラスまたは高分子材料に該当する材料は、有機顔料、無機顔料または染料に該当する材料から除かれることとする。この泳動粒子３２としては、上記の中のいずれか１種類が用いられてもよいし、複数種類のものが用いられてもよい。
【００２９】
有機顔料は、例えば、アゾ系顔料、メタルコンプレックスアゾ系顔料、ポリ縮合アゾ系顔料、フラバンスロン系顔料、ベンズイミダゾロン系顔料、フタロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、アントラピリジン系顔料、ピランスロン系顔料、ジオキサジン系顔料、チオインジゴ系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料またはインダンスレン系顔料等である。無機顔料は、例えば、亜鉛華、アンチモン白、カーボンブラック、鉄黒、硼化チタン、ベンガラ、マピコエロー、鉛丹、カドミウムエロー、硫化亜鉛、リトポン、硫化バリウム、セレン化カドミウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、クロム酸鉛、硫酸鉛、炭酸バリウム、鉛白またはアルミナホワイト等である。染料は、例えば、ニグロシン系染料、アゾ系染料、フタロシアニン系染料、キノフタロン系染料、アントラキノン系染料またはメチン系染料等である。炭素材料は、例えば、カーボンブラック等である。金属材料は、例えば、金、銀または銅等である。金属酸化物は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、銅−クロム酸化物、銅−マンガン酸化物、銅−鉄−マンガン酸化物、銅−クロム−マンガン酸化物または銅−鉄−クロム酸化物等である。高分子材料は、例えば、可視光領域に光吸収域を有する官能基が導入された高分子化合物等である。このように可視光領域に光吸収域を有する高分子化合物であれば、その種類は特に限定されない。
【００３０】
泳動粒子３２の具体的な形成材料は、上記材料の中から、例えば、コントラストを生じさせるために泳動粒子３２が担う役割に応じて選択される。例えば、泳動粒子３２により暗表示（黒表示）される場合の材料は、黒色の材料、例えば、炭素材料または金属酸化物などである。炭素材料は、例えば、カーボンブラックなどであり、金属酸化物は、例えば、銅−クロム酸化物、銅−マンガン酸化物、銅−鉄−マンガン酸化物、銅−クロム−マンガン酸化物または銅−鉄−クロム酸化物などである。中でも、炭素材料が好ましい。優れた化学的安定性、移動性および光吸収性が得られるからである。一方、泳動粒子３２により明表示（白表示）される場合の材料は、白色の材料、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムまたはチタン酸カリウムなどの金属酸化物であり、中でも、酸化チタンが好ましい。電気化学的安定性および分散性などに優れていると共に、高い反射率が得られるからである。
【００３１】
絶縁性液体３１中における泳動粒子３２の含有量（濃度）は、特に限定されないが、例えば、０．１重量％〜１０重量％である。泳動粒子３２の遮蔽（隠蔽）性および移動性が確保されるからである。この場合には、０．１重量％よりも少ないと、泳動粒子３２が多孔質層３３を遮蔽しにくくなる可能性がある。一方、１０重量％よりも多いと、泳動粒子３２の分散性が低下するため、その泳動粒子３２が泳動しにくくなり、場合によっては凝集する可能性がある。
【００３２】
泳動粒子３２の平均粒径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００３３】
なお、泳動粒子３２は、絶縁性液体３１中で長期間に渡って分散および帯電しやすいと共に多孔質層３３に吸着されにくいことが好ましい。このため、静電反発により泳動粒子３２を分散させるために分散剤（または電荷調整剤）を用いたり、泳動粒子３２に表面処理を施してもよい。また、両者を併用してもよい。
【００３４】
分散剤は、例えばLubrizol社製のSolsperseシリーズ、BYK-Chemie社製のBYKシリーズまたはAnti-Terra シリーズ、あるいはICI Americas 社製Spanシリーズ等である。
【００３５】
表面処理は、例えば、ロジン処理、界面活性剤処理、顔料誘導体処理、カップリング剤処理、グラフト重合処理またはマイクロカプセル化処理等である。中でも、グラフト重合処理、マイクロカプセル化処理またはそれらの組み合わせが好ましい。長期間の分散安定性等が得られるからである。
【００３６】
表面処理用の材料は、例えば、泳動粒子３２の表面に吸着可能な官能基と重合性官能基とを有する材料（吸着材料）等である。吸着可能な官能基の種類は、泳動粒子３２の形成材料に応じて決定される。一例を挙げると、カーボンブラック等の炭素材料に対しては４−ビニルアニリン等のアニリン誘導体であり、金属酸化物に対してはメタクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピル等のオルガノシラン誘導体である。重合性官能基は、例えば、ビニル基、アクリル基、メタクリル基等である。
【００３７】
また、表面処理用の材料は、例えば、重合性官能基が導入された泳動粒子３２の表面にグラフト可能な材料（グラフト性材料）である。このグラフト性材料は、重合性官能基と、絶縁性液体３１中に分散可能であると共に、立体障害により分散性を保持可能な分散用官能基とを有していることが好ましい。重合性官能基の種類は、吸着性材料について説明した場合と同様である。分散用官能基は、例えば、絶縁性液体３１がパラフィンである場合には分岐状のアルキル基等である。グラフト性材料を重合およびグラフトさせるためには、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等の重合開始剤を用いればよい。
【００３８】
参考までに、上記したように絶縁性液体３１中に泳動粒子３２を分散させる方法の詳細については、「超微粒子の分散技術とその評価〜表面処理・微粉砕と気中／液中／高分子中の分散安定化〜（サイエンス＆テクノロジー社）」等の書籍に掲載されている。
【００３９】
多孔質層３３は、例えば、図２に示したように、繊維状構造体３３１により形成された３次元立体構造物（不織布のような不規則なネットワーク構造物）である。この多孔質層３３は、繊維状構造体３３１が存在していない箇所に、泳動粒子３２が通過するための複数の隙間（細孔３３３）を有している。
【００４０】
繊維状構造体３３１は、１または２以上の非泳動粒子３３２を含み、その非泳動粒子３３２は、繊維状構造体３３１により保持されている。３次元立体構造物である多孔質層３３では、１本の繊維状構造体３３１がランダムに絡み合っていてもよいし、複数本の繊維状構造体３３１が集合してランダムに重なっていてもよいし、また、両者が混在していてもよい。繊維状構造体３３１が複数本である場合、各繊維状構造体３３１は、１または２以上の非泳動粒子３３２を保持していることが好ましい。なお、図２では、複数本の繊維状構造体３３１により多孔質層３３が形成されている場合を示している。
【００４１】
繊維状構造体３３１に非泳動粒子３３２が含まれているのは、外光がより乱反射しやすくなるため、多孔質層３３の光反射率がより高くなるからである。これにより、非泳動粒子３３２が含まれていない場合に比べ、コントラストをより高めることができる。
【００４２】
繊維状構造体３３１は、繊維径（直径）に対して長さが十分に大きい繊維状物質である。この繊維状構造体３３１は、例えば、高分子材料または無機材料などのいずれか１種類または２種類以上を含んでおり、他の材料を含んでいてもよい。高分子材料は、例えば、ナイロン、ポリ乳酸、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンオキシド、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルクロライド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリサルフォン、ポリビニルピロリドン、ポリビニリデンフロリド、ポリヘキサフルオロプロピレン、セルロースアセテート、コラーゲン、ゼラチン、キトサンまたはそれらのコポリマーなどである。無機材料は、例えば、酸化チタンなどである。中でも、繊維状構造体３３１の形成材料としては、高分子材料が好ましい。反応性（光反応性など）が低い（化学的に安定である）ため、繊維状構造体３３１の意図しない分解反応が抑制されるからである。なお、繊維状構造体３３１が高反応性の材料により形成されている場合には、その繊維状構造体３３１の表面は任意の保護層により被覆されていることが好ましい。
【００４３】
繊維状構造体３３１の形状（外観）は、上記したように繊維径に対して長さが十分に大きい繊維状であれば、特に限定されない。具体的には、直線状でもよいし、縮れていたり、途中で折れ曲がっていてもよい。また、一方向に延在しているだけに限らず、途中で１または２以上の方向に分岐していてもよい。この繊維状構造体３３１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、相分離法、相反転法、静電（電界）紡糸法、溶融紡糸法、湿式紡糸法、乾式紡糸法、ゲル紡糸法、ゾルゲル法またはスプレー塗布法などであることが好ましい。繊維径に対して長さが十分に大きい繊維状物質を容易かつ安定に形成しやすいからである。
【００４４】
この繊維状構造体３３１は、泳動粒子３２とは異なる光学的反射特性を有していることが好ましい。例えば、泳動粒子３２により暗表示がなされる場合、黒色の泳動粒子３２と、白色の繊維状構造体３３１とが用いられる。泳動粒子３２により明表示がなされる場合には、白色の泳動粒子３２と、黒色の繊維状構造体３３１とが用いられる。
【００４５】
非泳動粒子３３２は、繊維状構造体３３１に固定されており、電気的に泳動しない粒子である。この非泳動粒子３３２の形成材料は、例えば、泳動粒子３２の形成材料と同様であり、非泳動粒子３３２が担う役割に応じて選択される。この非泳動粒子３３２は、泳動粒子３２とは異なる光学的反射特性を有している。
【００４６】
本実施の形態では、上記のような表示装置１において、ＴＦＴ層１２よりも下層に、例えば第１基板１１の裏面に、感圧導電層１８と第３電極１９とがこの順に形成されている。
【００４７】
感圧導電層１８は、圧力（加圧状態）に応じて、電気抵抗が変化する構造物であり、具体的には、加圧されることで電気抵抗が小さくなる（導電性を発揮する）材料、例えば、感圧導電ゴムにより構成されている。その一例を、図３Ａおよび図３Ｂに示す。但し、図３Ａは、非加圧状態の断面構成を、図３Ｂは、加圧状態の断面構成を、それぞれ模式的に示している。このように、感圧導電層１８Ａは、例えばゴム材料等により構成された絶縁層１８１中に、導電素子１８２を分散させたものである。非加圧状態（図３Ａ）では、絶縁層１８１中において各導電素子１８２が離散しているため、電気抵抗が高い。一方、図３Ｂに示したように、加圧状態（Ｙ軸方向に沿って圧力Ｐを印加した状態）では、感圧導電層１８Ａが撓み（変形し）、絶縁層１８１中において各導電素子１８２が連なる、あるいは近接する。これにより、感圧導電層１８Ａ内に、導電経路Ｒが形成される（電気抵抗が低くなる）。なお、感圧導電層１３の厚みは、特に限定されないが、例えば、１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
尚、感圧導電層１８Ａの構成材料としては、上記のような感圧導電ゴムの他にも、例えば感圧インク、異方性導電膜、荷電粒子を含有した粘着材または異方性導電ゴムなどを用いることができる。
【００４９】
この感圧導電層１８は、例えば複数の表示素子１０に共通の層として、第１基板１１の全面にわたって連続して形成されている。
【００５０】
第３電極１９は、例えば、Ａｌ，Ｍｏ，ＩＴＯ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃ，Ａｕ，ＡｇまたはＣｕ等の導電性材料のいずれか１種類または２種類以上を含んでいる。この第３電極１９の厚みは、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第３電極１９は、例えば複数の表示素子１０に共通の層として、感圧導電層１８の裏面に（ここでは、感圧導電層１８と支持基板２０との間に）、連続して形成されている。この第３電極１９の裏面には、更に支持基板（支持フィルム）２０が貼り合わせられている。
【００５１】
本実施の形態では、ＴＦＴ層１２と第３電極１９とを選択的に切り替えて電圧印加部４０（電源）に接続するスイッチ４１を備えている。ここでは、スイッチ４１として、ＴＦＴ層１２と電圧印加部４０との間にスイッチ４１Ａが、第３電極１９と電圧印加部４０との間には、スイッチ４１Ｂがそれぞれ設けられている。
【００５２】
図４は、ＴＦＴ層１２の詳細構成を、第１電極１３、第１基板１１、感圧導電層１８、第３電極１９およびスイッチ４１の構成と共に表したものである。図５は、１つの表示素子１０に対応する領域（画素に対応する領域）の回路構成を表したものである。このように、ＴＦＴ層１２は、例えばＴＦＴ１２Ａと保持容量１２Ｂとを含んで構成されている。
【００５３】
具体的には、第１基板１１上の選択的な領域に、平坦化膜１２１を介して、ゲート電極１２２ａと下部電極１２２ｂとが形成されている。これらのゲート電極１２２ａと下部電極１２２ｂとを覆うようにゲート絶縁膜１２３が形成されている。ゲート絶縁膜１２３上のゲート電極１２２ａと対向する領域には、半導体層１２４が形成されている。この半導体層１２４に電気的に接続されて（半導体層１２４の一部に重畳して）、ソース・ドレイン電極１２５Ａ，１２５Ｂが形成されている。ソース・ドレイン電極１２５Ｂの一部は、下部電極１２２ｂ上にゲート絶縁膜１２３を介して積層されており、これらの積層部分が保持容量１２Ｂを成している。半導体層１２４の上面のうち、ソース・ドレイン電極１２５Ａ，１２５Ｂから露出した部分は保護膜１２６によって覆われている。これらのＴＦＴ１２Ａおよび保持容量１２Ｂを覆って、層間絶縁膜１２７が形成されており、この層間絶縁膜１２７上に、第１電極１３が配置されている。
【００５４】
ＴＦＴ１２Ａは、例えばボトムゲート構造の薄膜トランジスタであり、ｎチャネル型またはｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）により構成されている。ゲート電極１２２ａは、ゲート線１３１に接続されており、このゲート線１３１を介したゲート電圧Ｖｇの印加によってＴＦＴ１２Ａのオン状態およびオフ状態が切り替えられる（スイッチング動作がなされる）ようになっている。ソース・ドレイン電極１２５Ａ，１２５Ｂは、一方がソース電極、他方がドレイン電極として機能するものである。これらのうちソース・ドレイン電極１２５Ａ（例えばソース電極）は、配線１３２ａを介してスイッチ４１（スイッチ４１Ａ）に接続されている。ソース・ドレイン電極１２５Ｂ（例えばドレイン電極）は、層間絶縁膜１２７に設けられたコンタクトホールＨ３を介して、第１電極１３と電気的に接続されている。このソース・ドレイン電極１２５Ｂの一部は、保持容量１２Ｂの上部電極を兼ねている（保持容量１２Ｂの一端に接続されている）。半導体層１２４は、例えば酸化物半導体、有機半導体、多結晶シリコン、非結晶シリコンまたは微結晶シリコン等から構成されている。
【００５５】
保持容量１２Ｂの一端（上部電極）は、ソース・ドレイン電極１２５Ｂおよび第１電極１３に電気的に接続されている。保持容量１２Ｂの他端（下部電極１２２ｂ）は、共通電位線１３３に接続されており、例えば一定の電圧Ｖcomに保持されている。表示素子１０の第２電極１６も、その共通電位線１３３に接続されている（第２電極１６は電圧Ｖcomに保持されている）。
【００５６】
本実施の形態では、このようなＴＦＴ層１２よりも下層に感圧導電層１８および第３電極１９が配置されている。感圧導電層１８は、第１基板１１に設けられた貫通電極１１Ａに隣接しており、貫通電極１１Ａは、第１電極１３と電気的に接続されている。ここでは、ＴＦＴ１２Ａのソース・ドレイン電極１２５Ｂが貫通電極１１Ａの形成箇所まで延設されており、この延設された部分が、コンタクトホールＨ２を介して貫通電極１１Ａと電気的に接続されている。感圧導電層１８および第３電極１９は、配線１３２ｂを介してスイッチ４１（スイッチ４１Ｂ）に接続されている。貫通電極１１Ａは、例えば表示素子１０毎に設けられ、即ち１つの第１電極１３に対して１つの貫通電極１１Ａが設けられている。
【００５７】
貫通電極１１Ａは、例えばＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等の導電材料により構成されている。尚、貫通電極１１Ａは、図示した構成に限らず、２以上の表示素子１０に対して１つの貫通電極１１Ａが設けられていてもよいし、１つの表示素子１０に対して、２以上の貫通電極１１Ａが設けられていても構わない。貫通電極１１Ａの形状、大きさ、ピッチ等は、様々な構成を取り得る。
【００５８】
上記構成により、本実施の形態では、第１電極１３への電圧印加経路として、ＴＦＴ１２Ａを含む第１の経路（後述の経路Ｒ１）と、感圧導電層１８および第３電極１９を含む第２の経路（後述の経路Ｒ２）とが、スイッチ４１により、選択可能となっている。換言すると、スイッチ４１が、ＴＦＴ１２Ａのソース・ドレイン電極１２５Ａ（ソース電極）と、第３電極１９とを選択的に電源（電圧印加部４０）に接続するように構成されている。このスイッチ４１の切り替えは、自動でなされてもよいし、外部入力信号（例えばユーザ等からの入力信号）に基づいてなされてもよい。詳細は後述するが、このスイッチ４１の切り替えによって、ＴＦＴ１２Ａまたは感圧導電層１８を介して、第１電極１３への信号電圧Ｖsigの供給が可能となる。
【００５９】
［製造方法］
本実施の形態の表示装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００６０】
まず、図６Ａに示したように、支持基板２１０の一面に、剥離層２２０を介して第１基板１１を貼り合わせる。この後、図６Ｂに示したように、第１基板１１の選択的な領域に、コンタクトホールＨ１を形成する。続いて、図６Ｃに示したように、このコンタクトホールＨ１を埋め込むように、導電層１１ａ１を例えばめっきにより形成する。その後、図６Ｄに示したように、形成した導電層１１ａ１の表面をエッチバックすることにより、貫通電極１１Ａを形成する。
【００６１】
次に、ＴＦＴ層１２を形成する。具体的には、まず、図７Ａに示したように、平坦化膜１２１を形成する。尚、この平坦化膜１２１に代えてバリア膜を形成してもよいし、平坦化膜１２１とバリア膜とを積層しても構わない。この後、図７Ｂに示したように、平坦化膜１２１上の選択的な領域にゲート電極１２２ａと下部電極１２２ｂとをパターン形成する。続いて、図７Ｃに示したように、ゲート電極１２２ａおよび下部電極１２２ｂを覆うように、ゲート絶縁膜１２３を形成する。この後、図７Ｄに示したように、ゲート絶縁膜１２３上の選択的な領域に、半導体層１２４をパターン形成する。その後、図７Ｅに示したように、ゲート絶縁膜１２３および平坦化膜１２１のうちの貫通電極１１Ａに対向する領域を部分的にエッチングすることにより、コンタクトホールＨ２を形成する。これにより貫通電極１１Ａを、平坦化膜１２１およびゲート絶縁膜１２３から露出させる。続いて、図７Ｆに示したように、ソース・ドレイン電極１２５Ａ，１２５Ｂをパターン形成する。この際、ソース・ドレイン電極１２５Ｂを、コンタクトホールＨ２を介して貫通電極１１Ａに接するように、パターニングする。その後、図７Ｇに示したように、半導体層１２４上のソース・ドレイン電極１２５Ａ，１２５Ｂから露出した部分を覆うように、保護膜１２６をパターン形成する。これにより、ＴＦＴ１２Ａおよび保持容量１２Ｂを形成することができる。
【００６２】
続いて、図８に示したように、層間絶縁膜１２７を形成する。このとき、ソース・ドレイン電極１２５Ｂの一部に対向して、コンタクトホールＨ３を形成する。このようにして、ＴＦＴ層１２を形成することができる。
【００６３】
次に、図９に示したように、層間絶縁膜１２７上に、コンタクトホールＨ３を埋めるように、第１電極１３をパターン形成する。
【００６４】
この後、図１０に示したように、支持基板２１０を第１基板１１から剥離する。これにより、貫通電極１１Ａを有する第１基板１１上にＴＦＴ層１２が形成されてなる素子基板（駆動基板）を形成することができる。
【００６５】
一方で、図１１Ａに示したように、第２基板１７の一面に第２電極１６を、例えばスパッタ法等の成膜手法により形成する。この後、図１１Ｂに示したように、第２電極１６上に、スペーサ１５を、例えばインプリント法等によりパターン形成する。具体的には、スペーサ１５の構成材料（例えば感光性樹脂材料）を含む溶液を、第２電極１６上に塗布した後、この塗布膜に凹部を有する型を押し当て、感光させた後、型を外す。これにより、柱状のスペーサ１５を形成することができる。スペーサ１５を、図示したような逆テーパ形状とすることで、型を容易に外すことができる。
【００６６】
続いて、図１１Ｃに示したように、スペーサ１５によって囲まれる領域（セル１５０）内に、多孔質層３３を形成する。具体的には、まず、紡糸溶液に例えば非泳動粒子３３２として酸化チタンを加えて十分に攪拌した後、これを紡糸する。紡糸溶液は、例えばＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドに、繊維状構造体３３１としてポリアクリロニトリルを分散または溶解させて調製する。紡糸法としては、例えば静電紡糸法が挙げられる。静電紡糸法に代えて、相分離法、相反転法、溶融紡糸法、湿式紡糸法、乾式紡糸法、ゲル紡糸法、ゾルゲル法およびスプレー塗布法などを用いるようにしてもよい。
【００６７】
尚、繊維状構造体３３１の形成には、上記のような紡糸法を用いることが好ましい。繊維状構造体３３１の形成手法としては、紡糸法の他にも、例えば、高分子フィルムにレーザ加工を用いて孔開けを行う手法等があるが、このような手法では、孔径が大きくなる傾向がある。紡糸法を用いることで、孔径を小さく制御し易く、繊維状構造体３３１により泳動粒子３２を遮蔽し易くなる。
【００６８】
上記のようにして紡糸により繊維状構造体３３１を形成した後、これを分断して、各セル１５０内に収める。形成した繊維状構造体３３１を上方（第２基板１７と反対の方向）から押圧すると、スペーサ１５によって摺り切られる。この分断された繊維状構造体３３１をスペーサ１５によって囲まれる領域内に収容することで、繊維状構造体３３１に非泳動粒子３３２が保持されてなる多孔質層３３を、各セル１５０内に形成することができる。
【００６９】
この後、多孔質層３３が形成されたセル１５０内に、泳動粒子３２を分散させた絶縁性液体３１を塗布することにより、表示体１０Ａを形成する（図１１Ｃには図示せず）。続いて、この表示体１０Ａに、例えば、封止剤（図示せず）を介してシール層１４が配設された剥離部材（図示せず）を対向させる。その後、剥離部材を剥がしたのち、シール層１４上に粘着層（図示せず）を介して、上述のフローで形成された、貫通電極１１Ａをもつ駆動基板を貼合する。
【００７０】
最後に、第１基板１１の裏面に、導電性の粘着剤等を介して、感圧導電層１８、第３電極１９および支持基板２０を貼り合わせる。尚、支持基板２０は必要に応じて用いられ、なくても構わない。以上の工程により、表示装置１を完成する。
【００７１】
［駆動方法］
本実施の形態の表示装置１では、図示しない制御部からの制御信号に基づいて、スイッチ４１が制御され、例えばスイッチ４１Ａおよびスイッチ４１Ｂのうちの一方がオン状態、他方がオフ状態とされる。これにより、ＴＦＴ１２Ａを用いた表示駆動（アクティブマトリクス駆動による映像表示）と、感圧導電層１８を用いた表示駆動（手書き入力）とを選択的に切り替えて実現することが可能となる。以下、各駆動動作について説明する。
【００７２】
（ＴＦＴ駆動による映像表示）
図１２は、ＴＦＴ駆動時の処理フローを表したものである。図１３は、ＴＦＴ駆動時における電圧印加経路について説明するための回路図である。このように、ＴＦＴ駆動が選択される（スイッチ４１Ａがオン状態、スイッチ４１Ｂがオフ状態に切り替えられる）（ステップＳ１１）と、ＴＦＴ１２Ａ（ソース・ドレイン電極１２５Ａ）が電源（電圧印加部４０）に接続される（ステップＳ１２）。
【００７３】
この後、外部から画像データが取り込まれ（ステップＳ１３）、取りこまれた画像データに対し所定の信号処理が施される（ステップＳ１４）。この信号処理が施された画像データに基づいて、ＴＦＴ１２Ａのソース・ドレイン電極１２５Ａに信号電圧Ｖsigが印加される。一方で、ＴＦＴ１２Ａのゲート電極１２２ａには、表示素子１０毎に所定のオン電圧が印加される。このＴＦＴ１２Ａのスイッチング（ステップＳ１５）により、ＴＦＴ１２Ａのソースおよびドレイン間が導通状態となり、経路Ｒ１が形成される（経路Ｒ１が選択される）。このＴＦＴ１２Ａを含む経路Ｒ１を介して、各表示素子１０の第１電極１３へ、映像信号に対応する信号電圧Ｖsig（例えば−１００Ｖ〜＋１００Ｖ）が供給される。
【００７４】
ここで、第２電極１６は、共通電位線１３３に接続され、一定の電圧Ｖcom（例えば０Ｖ，ＧＮＤ）に保持されていることから、各表示素子１０では、第１電極１３と第２電極１６との間（表示体１０Ａ）に例えば０〜１００Ｖ程度のバイアス電圧が印加される。例えば、泳動粒子３２が、マイナス（負）に帯電した黒色粒子である場合、図１４に示したように、第１電極１３に例えば０Ｖが印加された画素ａ１，ａ３では、泳動粒子３２は第１電極１３側に留まり、白表示（明表示）となる。他方、第１電極１３に例えば−１５Ｖが印加された画素ａ２では、泳動粒子３２は第２電極１６側に移動することから、黒表示（暗表示）となる。このようにして表示面Ｓ１に、画素毎の映像表示（ディスプレイ表示）がなされる（ステップＳ１６）。上記のように、スイッチ４１によりＴＦＴ１２Ａ（経路Ｒ１）が選択されることで、表示素子１０毎（画素毎）の表示駆動、即ちアクティブマトリクス駆動による映像表示が実現される。
【００７５】
（感圧導電層１８を用いた手書き入力）
図１５は、手書き入力時の処理フローを表したものである。図１６は、手書き入力時における電圧印加経路について説明するための回路図である。図１７は、手書き入力時の表示状態を説明するための模式図である。このように、手書き入力が選択される（スイッチ４１Ｂがオン状態、スイッチ４１Ａがオフ状態に切り替えられる）（ステップＳ２１）と、第３電極１９（感圧導電層１８の一端側）が、電源（電圧印加部４０）に接続される（ステップＳ２２）。これにより、第３電極１９には、所定の信号電圧Ｖsig（例えば−１５Ｖ）が印加可能となる。
【００７６】
この状態で、表示面Ｓ１がペン等により加圧（押圧）される（ステップＳ２３）と、加圧箇所に対応する部分の感圧導電層１８が局所的に変形し、該部分の電気抵抗が低くなる。これにより、経路Ｒ２が形成される（経路Ｒ２が選択される）。即ち、加圧箇所に対応する表示素子１０の第１電極１３と第３電極１９とが、感圧導電層１８および貫通電極１１Ａを介して電気的に接続される。これにより、信号電圧Ｖsig（例えば−１５Ｖ）が、加圧箇所に対応する表示素子１０の第１電極１３に供給される。
【００７７】
ここで、第２電極１６は、上述したように、一定の電圧Ｖcom（例えば０Ｖ，ＧＮＤ）に保持されていることから、加圧箇所に対応する表示素子１０では、第１電極１３と第２電極１６との間（表示体１０Ａ）にバイアス電圧が印加される。例えば、泳動粒子３２が、マイナス（負）に帯電した黒色粒子である場合、図１７に示したように、圧力Ｐが印加されていない画素ａ４，ａ６では、泳動粒子３２は第１電極１３側に留まり、白表示（明表示）となる。他方、圧力Ｐが印加された箇所に対応する画素ａ５では、泳動粒子３２は第２電極１６側に移動し、黒表示（暗表示）となる。このようにして、複数の表示素子１０が部分的に駆動され、ペン等で描かれた軌跡が表示面Ｓ１に表示（ディスプレイ表示）される（ステップＳ２４）。このように、スイッチ４１により、感圧導電層１８および第３電極１９を含む経路Ｒ２が選択されることで、加圧箇所に対応する表示素子１０にダイレクトに（表示駆動回路等を介すことなく）、電圧が印加される（電界が発生する）。該表示素子１０では、泳動粒子３２が第２電極１６側に移動して、表示状態が変化する。これにより、表示装置１の表示面Ｓ１には、ペン等でなぞられた軌跡に沿って、黒い線が描画される。即ち、手書き入力が実現される。
【００７８】
なお、表示面Ｓ１を加圧するペンは、表示装置１に専用のペンである必要はなく、表示面Ｓ１に圧力を印加できるものであれば、その形状や構造は特に限定されない。また、上記例では、白地（白の背景色）に黒い線を描画する場合について説明したが、黒地（黒の背景色）に白い線を描画することも可能である。
【００７９】
［作用、効果］
本実施の形態では、表示素子１０の第１電極１３への電圧印加経路として、ＴＦＴ１２Ａを含む経路Ｒ１と、感圧導電層１８および第３電極１９を含む経路Ｒ２との２つの経路が形成され、これらの経路Ｒ１，Ｒ２が、スイッチ４１により選択される。これにより、経路Ｒ１が選択された場合には、ＴＦＴ１２Ａを用いた表示駆動（アクティブマトリクス駆動）が可能となる。一方で、経路Ｒ２が選択された場合には、表示面Ｓ１が加圧(押圧)されることで、加圧された箇所の表示素子１０へダイレクトに電圧を印加することができる。また、感圧導電層１８が、ＴＦＴ層１２よりも下層に配置されると共に、感圧導電層１８と第１電極１３との電気的接続は、第１基板１１に設けられた貫通電極１１Ａを介して確保される。感圧導電層１８が、画素回路内（ＴＦＴ層１２内）に配置される場合に比べ、回路レイアウトへの影響が少ない。
【００８０】
これにより、ＴＦＴ１２Ａを用いた駆動による表示（映像表示）と、表示素子１０のダイレクト駆動による表示（手書き入力）とを切り替えて実現可能となる。また、感圧導電層１８の、回路レイアウトへの影響を軽減して、解像度および開口率の低下を抑制できる。
【００８１】
また、本実施の形態では、第１電極１３および貫通電極１１Ａが表示素子１０毎に形成されることで、加圧箇所の軌跡を、画素単位で表示することが可能となる。このため、描画線幅を精細化することが可能となる。加えて、感圧導電層１８が、貫通電極１１Ａを介して各第１電極１３に接続されているため、表示素子１０毎の表示が均一化され、むらの少ないシャープな線を描画することができる。
【００８２】
ここで、感圧導電層１８の変形範囲は、表示面Ｓ１に印加される圧力の大きさに応じて異なる。即ち、圧力が大きい場合（強く加圧した場合）には、広範囲での変形となり、圧力が小さい場合（軽く加圧した場合）には、狭小範囲での変形となる。このため、幅方向において電圧が印加される画素の数は、強く加圧した場合には多く、軽く加圧した場合には少なくなる。したがって、上記のように画素単位での表示が可能であることにより、強く加圧した場合には太い線幅で、軽く加圧した場合には細い線幅で、描画することができる。描画線幅を、手書き時の筆圧によって表現することが可能となる。
【００８３】
更に、本実施の形態では、手書き入力時において、感圧導電層１８を用いてダイレクトに表示素子１０に電圧を印加して表示状態を変化させることが可能であることから、例えばタッチパネルを備えた表示装置に比べ、レイテンシー（遅延）が生じにくい。即ち、タッチパネルを用いた表示装置では、ペン等により入力された箇所の位置がセンサーによって検出された後、検出された位置情報に対し、信号処理システムによって演算処理が施される。この演算処理結果に基づいて、ペン入力による軌跡がディスプレイ表示される。このように、タッチパネルを用いた場合には、入力（加圧）から表示までの間に、位置検出と演算処理の時間を要するため、人間の目にはレイテンシーとして感じられる。これに対し、本実施の形態では、感圧導電層１８が用いられることで、タッチパネルを用いた場合のような位置検出および演算処理の工程を経ることなく、加圧箇所の表示素子１０にダイレクトに電圧を印加し、表示状態を変化させることができる。このため、入力から画像表示までの時間を短縮でき、レイテンシーのない、あたかも紙に描いているかのような快適な書き心地を実現することができる。
【００８４】
加えて、感圧導電層１８が、ＴＦＴ層１２よりも下層に配置されていることで、以下のような効果を得ることもできる。ここで、図１８Ａに比較例１に係る表示装置の要部構成を模式的に示す。この表示装置では、表示体１０１５上に、支持基板１０１７が設けられ、この支持基板１０１７上に、更に感圧導電層１０２０が配置されている。この場合、ダイレクトな手書き入力は可能であるものの、支持基板１０１７の厚みに加え、感圧導電層１０２０の厚みがあるため、実際に画像が形成される表示体１０１５の表面と入力ペン（スタイラス）５０のペン先との間の距離が大きくなる。このため、例えば、斜め方向から見た場合と正面方向から見た場合の見え方が異なってしまう（視差ｄｐ100が発生する）。加えて、表示面側に感圧導電層１０２０を配置するためには、輝度低下や解像度低下が生じないよう、感圧導電層１０２０が透明でかつ優れた光学特性を持つことが望まれるが、そのような材料の選択肢は少なく、現実的ではない。また、表示面上に感圧導電層１０２０が配置されることにより、表示光（反射光）の取出し効率が低下し、所望の明るさを確保しにくい。
【００８５】
これに対し、本実施の形態では、感圧導電層１８が、ＴＦＴ層１２Ａよりも下層、即ち表示体１０Ａよりも下方に配置される（表示体１０Ａよりも上に感圧導電層１８が配置されていない）。これにより、図１８Ｂに模式的に示したように、実際に画像が形成される表示体１０Ａの表面と入力ペン５０のペン先との間の距離が、比較例１に比べて小さくなる。この結果、例えば、斜め方向から見た場合と正面方向から見た場合の見え方がほぼ同等となる、視差を低減することができる（ｄｐ1＜ｄｐ100）。
【００８６】
また、感圧導電層１８を表示体１０Ａよりも下層に配置するようにしたので、感圧導電層１８における透明性および光学特性は特に限定されない。このため、感圧導電層１３を構成する材料の選択肢が広がる。
【００８７】
以上説明したように、本実施の形態では、各表示素子１０の第１電極１３への電圧印加経路として、ＴＦＴ１２Ａを含む経路Ｒ１と、感圧導電層１８および第３電極１９を含む経路Ｒ２とが形成され、これらの経路Ｒ１，Ｒ２を選択するスイッチ４１が設けられている。これにより、ＴＦＴ１２Ａを用いた駆動による表示（映像表示）と、表示素子１０のダイレクト駆動による表示（手書き入力）とを切り替えて実現可能となる。また、感圧導電層１８が、ＴＦＴ層１２よりも下層に配置されるようにしたので、画素回路内に配置される場合に比べ、回路レイアウトへの影響を軽減して、解像度および開口率の低下を抑制できる。よって、解像度および開口率の低下を抑制しつつ、映像表示と手書き入力とを実現可能となる。
【００８８】
以下に、上記実施の形態の変形例について説明する。尚、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００８９】
＜変形例１＞
図１９Ａ〜図１９Ｃは、本変形例に係る表示装置の駆動動作（部分消去動作）について説明するための断面模式図である。図２０は、消去モード時の電圧印加経路について説明するための回路図である。上記実施の形態の表示装置１では、スイッチ４１により、ＴＦＴ駆動による映像表示と、感圧導電層１８を用いた手書き入力とを切り替え可能であることを述べたが、本変形例のように、表示されている文字や絵を部分的に消去する駆動を行うことも可能である。
【００９０】
例えば、図１９Ａに示したように、手書き入力時（スイッチ４１により経路Ｒ２が選択された場合）に、第３電極１９に電圧Ｖsig（例えば−１５Ｖ）、第２電極１６に電圧Ｖcom（例えば０Ｖ）がそれぞれ印加された状態では、表示面Ｓ１に圧力Ｐが加わると、この加圧箇所では、例えば黒色かつ負に帯電した泳動粒子３２が第２電極１６側へ移動し、黒表示となる。これにより、表示面Ｓ１には、ペン等でなぞった軌跡が黒い線として描画される（書き込みモード）。これは、上記実施の形態で述べた通りである。
【００９１】
但し、本変形例では、この後、図１９Ｂに示したように、表示体１０Ａに対して、上記手書き入力（書き込みモード）時とは逆極性の電界を印加する駆動を行う。即ち、第１電極１３と第２電極１６との間に印加されるバイアス電圧の正負を逆にする。例えば、第３電極１９に電圧Ｖsig（例えば＋１５Ｖ）、第２電極１６に電圧Ｖcom（例えば０Ｖ）がそれぞれ印加される。
【００９２】
この状態で、表示面Ｓ１に圧力Ｐが印加されると、図１９Ｃおよび図２０に示したように、加圧箇所の第１電極１３には、電圧Ｖsig（例えば＋１５Ｖ）が経路Ｒ２を介して供給される。これにより、例えば黒色かつ負に帯電した泳動粒子３２は、第１電極１３側へ移動し、白表示となる。つまり、表示面Ｓ１に描画された黒い線のうちの任意の部分を、ペン等でなぞって消去することが可能となる（消去モード）。このように、第１電極１３と第２電極１６との間に印加されるバイアス電圧の正負を切り替えることによって、泳動粒子３２を書き込み時と反対の電極側へ移動させ、表示状態を反転させることができる。したがって、表示面Ｓ１に描画された線の一部を選択的に消去することが可能となる。あるいは、描画された線の全部を消去して、全体を白表示とすることも可能である。このように、本変形例では、書き込みモードと消去モードとを任意のタイミングで切り替えることができ、例えば書き直し、あるいは繰り返しの書き込みを行うことが可能となる。尚、これらの駆動動作は、表示制御部（後述の表示制御部３０および駆動回路部３１）により行うことができる。
【００９３】
尚、上記変形例１では、手書き入力によって表示面Ｓ１に描画された線を、手入力で消去する場合について説明したが、上記変形例１の消去モードは、ＴＦＴ駆動による映像表示後に実行するようにしてもよい。例えば、スイッチ４１により経路Ｒ１が選択された状態で、ＴＦＴ１２Ａを表示素子１０毎に駆動し、表示面Ｓ１に映像を表示した後、スイッチ４１により経路Ｒ１から経路Ｒ２への切り替えを行う。この後、電圧Ｖsigとして、例えば黒表示から白表示へ遷移可能な電圧を第３電極１９に印加する。この状態で、表示面Ｓ１を部分的に加圧することにより、加圧箇所に対応して、表示された映像（画像）のうちの任意の部分を消去することができる。
【００９４】
また、表示面Ｓ１に、例えば罫線等の補助線を表示している状態で、上記のような書き込みおよび部分消去を行う場合には、消去モード時に罫線の一部も消えてしまうことがある。そのような場合には、スイッチ４１によりＴＦＴ駆動を選択して、ＴＦＴ１２Ａを用いて、表示面Ｓ１に罫線を再度表示（再描画）するようにしてもよい。
【００９５】
＜変形例２＞
図２１は、変形例２に係る入力ペン５０を用いた表示装置１の動作制御を説明するためのブロック図である。図２２は、消去モードにおける表示状態の一例を表す断面模式図である。上記変形例１では、書き込みモードと消去モードとを任意のタイミングで切り替え可能であることを述べたが、本変形例では、これら２つのモードを、入力ペン５０の先端の向きに応じて自動で切り替える制御がなされる。尚、本変形例では、スイッチ４１は、スイッチ４１Ａがオフ状態、スイッチ４１Ｂがオン状態となるように制御される（第３電極１９が電圧印加部４０に接続される）。
【００９６】
表示装置１は、上述した表示素子１０と、各表示素子１０を駆動制御するための表示制御部３０および駆動回路部３１を備えている。表示制御部３０は、複数の表示素子１０を表示駆動するために必要な信号の生成を行うものであり、例えばタイミングコントローラおよび表示用信号生成部等を有している。駆動回路部３１は、表示制御部３０から供給される制御信号に基づいて、各表示素子１０を駆動するためのゲート駆動回路ユニットおよびソース駆動回路ユニット等を含むと共に、電圧印加部４０等の電源を含む回路部である。本変形例で用いられる入力ペン５０は、内部に傾斜センサ５１を有している。傾斜センサ５１は、入力ペン５０の先端の向き、即ちペン先が上を向いているか、あるいは下を向いているかを認識する機能を有している。この傾斜センサ５１によって、入力ペン５０の先端の向きが認識され（検知され）、検知された向きに関する情報（情報Ｄｓ）が、例えばワイヤレスで表示制御部４０に送信可能となっている。尚、本変形例における表示制御部３０および駆動回路部３１が、本開示の「表示制御部」の一具体例に相当する。
【００９７】
表示制御部３０は、傾斜センサ５１から送信された情報Ｄｓを受信可能であり、受信した情報Ｄｓに基づいて、各表示素子１０の表示状態を切り替える。具体的には、表示制御部３０は、情報Ｄｓに基づいて、表示体１０Ａへ印加するバイアス電圧の正負（具体的には第１電極１３へ供給する電圧Ｖsigの値）を設定する（または、切り替える）。
【００９８】
一例を挙げると、情報Ｄｓが、入力ペン５０の先端（ペン先５０Ａ）が下を向いている状態であることを示す場合には、“書き込みモード”として、例えば黒色かつ負に帯電した泳動粒子３２が第２電極１６側へ移動するようなバイアス電圧の極性が設定される（切り替えられる）。これにより、ペン先５０Ａを表示面Ｓ１に押し当てるように加圧すると、“書き込みモード”が実行され、経路Ｒ２を介して第１電極１３に、書き込みモードに対応する電圧Ｖsigが供給される。これにより、加圧箇所の泳動粒子３２が、例えば第２電極１６側へ移動し、黒表示となる。即ち、表示面Ｓ１に、入力ペン５０の軌跡に対応した黒い線が描画される。
【００９９】
この一方で、情報Ｄｓが、ペン先５０Ａが上を向いている状態であることを示す場合には、“消去モード”として、例えば黒色かつ負に帯電した泳動粒子３２が第１電極１３側へ移動するようなバイアス電圧の極性が設定される（切り替えられる）。これにより、例えば図２２に示したように、ペン先５０Ａを上に向けた状態で加圧すると、即ち、ペン尻５０Ｂを表示面Ｓ１に押し当てるように加圧すると、“消去モード”が実行され、経路Ｒ２を介して第１電極１３に、消去モードに対応する電圧Ｖsigが供給される。これにより、加圧箇所の泳動粒子３２が第１電極１３側へ移動し、白表示となる。即ち、表示面Ｓ１に描画された線の一部または全部を消去することができる。
【０１００】
本変形例のように、傾斜センサ５１を有する入力ペン５０を用いることで、例えばユーザが入力ペン５０の先端の向きを変えるだけで、書き込みモードと消去モードとを自動で切り替えることができる。これにより、ユーザは、表示面Ｓ１において、線や文字を書き込み、書き込んだ部分を部分的に消す、といった一連の入力操作を、あたかも消しゴム付きの鉛筆を使っているかのような感覚で行うことができる。
【０１０１】
＜変形例３＞
図２３は、変形例３に係る感圧導電層１８の断面構成を模式的に表したものである。本変形例の感圧導電層１８では、表示素子１０側の面Ｓ２２および第３電極１９側の面Ｓ２１のうちの少なくとも一方の面（例えば、面Ｓ２１）側に、複数の溝１８ａが設けられている。
【０１０２】
複数の溝１８ａは、平面視的に（ＸＺ平面において）、それぞれが一方向に延在して形成され、全体としては、いわゆるストライプ状、または格子状等を成している。また、各溝１８ａの断面形状（ＸＹ断面形状）は、例えば三角形状である。但し、溝１８ａの断面形状は、この三角形状に限定されず、例えば矩形状、半円形状および楕円形状等、様々な形状を取り得る。溝１８ａ内は、例えば、空洞であってもよいし、あるいは、樹脂、ゴムもしくは粘着剤等によって充填されていてもよい。樹脂等によって充填する場合には、例えば、感圧導電層１８よりも柔らかい材料で充填することが好ましい。なお、溝１８ａは、感圧導電層１８を貫通し、感圧導電層１８ａを複数に分割していても構わない。また、溝１８ａの配列ピッチ、個数、大きさ等も、特に限定されるものではない。溝１８ａのレイアウトは、感圧導電層１８に用いられる材料や、厚み、必要とされる線幅等に応じて適宜設定されればよい。本変形例の感圧導電層１８の構成材料としては、上記実施の形態と同様のものを挙げることができる。
【０１０３】
ここで、図２４Ａに、本変形例の比較例２として、溝１８ａを持たない感圧導電層１８の加圧状態における形状変化について模式的に示す。感圧導電層１８が感圧導電ゴムによって構成されている場合、圧力Ｐが印加されると、感圧導電層１８は、表示面Ｓ１においてペン先が実際に接している範囲（圧力印加範囲）よりも広い範囲Ｂ１において撓む（変形する）。このため、この範囲Ｂ１に配置された表示素子１０に電圧が印加され、これらの表示素子１０における表示状態が変化する。したがって、描画される線幅が、実際に使用されたペン先の幅よりも太くなることがある。
【０１０４】
そこで、本変形例のように、感圧導電層１８に複数の溝１８ａを設けることで、例えば、図２４Ｂに示したように、圧力Ｐの印加による変形の拡がりが、溝１８ａによって遮断される。即ち、圧力印加時における感圧導電層１８の変形範囲（範囲Ｂ２）は、溝１８ａによって制限され、この範囲Ｂ２に配置された表示素子１０にのみ電圧が印加される。したがって、感圧導電層１８において、圧力印加によって変形する範囲Ｂ２を、実際の圧力印加範囲に近づけることが可能となる。上記比較例２に比べ、描画線幅をより細くすることができる。
【０１０５】
なお、溝１８Ａの間隔（ピッチ）は、できるだけ細かいことが望ましく、これにより、より精細な幅の線で描画することが可能となる。
【０１０６】
＜変形例４＞
図２５は、変形例４に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。表示装置２は、上記実施の形態の表示装置１と同様、例えば電気泳動表示素子等の表示素子（表示素子１０）を用いて、光反射率制御により画像を表示する反射型の表示装置である。また、表示装置２は、第１基板１１上に、ＴＦＴ層１２と、例えばマトリクス状に配置された複数の表示素子１０とを備えたものである。各表示素子１０では、第１電極１３と第２電極１６との間に、表示体１０Ａとスペーサ１５とが設けられ、第２電極１６上には、第２基板１７が設けられている。第１電極１３と表示体１０Ａとの間にはシール層１４が介在する。なお、図１は表示装置１の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。
【０１０７】
また、上記実施の形態と同様、ＴＦＴ層１２よりも下層、具体的には第１基板１１の裏面に、感圧導電層１８、第３電極（第３電極１９Ａ）および支持基板２０が設けられている。尚、図２５に図示はしないが、本変形例においても、スイッチ４１により、ＴＦＴ１２Ａを含む経路Ｒ１と、感圧導電層１８を含む経路Ｒ２とが切り替え可能となっている。
【０１０８】
但し、本変形例では、上記実施の形態と異なり、第２電極１６と第２基板１７との間に、カラーフィルタ層（カラーフィルタ層２１）が設けられている。即ち、本変形例の表示装置２は、カラー反射型の電気泳動表示装置である。また、本変形例では、第３電極１９Ａが、複数のサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂを含んで構成されている（第３電極１９Ａが複数のサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂに分割されている）。尚、説明上、図２５には、カラーフィルタ２１Ｇとこれに対向する表示素子１０とを含む領域を画素ａ７、カラーフィルタ２１Ｂとこれに対向する表示素子１０とを含む領域を画素ａ８、カラーフィルタ２１Ｒとこれに対向する表示素子１０とを含む領域を画素ａ９として示している。
【０１０９】
画素ａ７は、表示体１０Ａへ印加されるバイアス電圧に応じて、緑色（緑色表示）から黒色（黒表示）の間で表示状態が変化するものである。画素ａ８は、表示体１０Ａへ印加されるバイアス電圧に応じて、青色（青色表示）から黒色（黒表示）の間で表示状態が変化するものである。画素ａ９は、赤色（赤色表示）から黒色（黒表示）の間で表示状態が変化するものである。これらの画素ａ７，ａ８，ａ９の表示状態の組み合わせにより、白表示および黒表示に加え、任意の色の表示を行うことができる。
【０１１０】
カラーフィルタ層２１は、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ）および青（Ｂ）等の複数色のカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを含んでいる。カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、例えば、平面視的にストライプ状を成して配置されている。カラーフィルタ２１Ｒは、例えば表示体１０Ａを出射する光（白色光）のうち赤色に対応する波長の光を選択的に透過して出射するものである。カラーフィルタ２１Ｇは、例えば表示体１０Ａを出射する光（白色光）のうち緑色に対応する波長の光を選択的に透過して出射するものである。カラーフィルタ２１Ｂは、例えば表示体１０Ａを出射する光（白色光）のうち青色に対応する波長の光を選択的に透過して出射するものである。
【０１１１】
第３電極１９Ａを構成するサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂはそれぞれ、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに対向しており、全体としてストライプ状を成している。即ち、サブ電極１９Ｒは、カラーフィルタ２１Ｒに対向配置され、サブ電極１９Ｇは、カラーフィルタ２１Ｇに対向配置され、サブ電極１９Ｂは、カラーフィルタ２１Ｂに対向配置されている。図２６に、サブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂの構成例を示す。尚、各サブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂに対向する領域に、複数の表示素子１０（例えば行方向または列方向に沿って並んで配置された複数の表示素子１０）が配置されている。
【０１１２】
これらのサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂのそれぞれには、スイッチ４１によって手書き入力が選択された場合において、互いに異なる（または同一の）電圧が供給可能となっている。
【０１１３】
上記構成により、本変形例では、手書き入力時において、例えば第３電極１９Ａにおけるサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂのそれぞれに同一のまたは異なる電圧Ｖsigが供給される。これにより、任意の色の線で描画することが可能となる。
【０１１４】
一例を挙げると、図示しない電圧印加部４０により、第２電極１６に電圧Ｖcom（０Ｖ）が印加され、サブ電極１９Ｒ，１９Ｇに−１５Ｖが供給され、サブ電極１９Ｂには０Ｖが供給される。この状態で、表示面Ｓ１が入力ペン５０により加圧されると、加圧箇所（ここでは画素ａ７，ａ８，ａ９）では、感圧導電層１８が変形して経路Ｒ２が形成される。これにより、画素ａ７，ａ９では、第１電極１３に−１５Ｖが供給され、画素ａ８では、第１電極１３に０Ｖが供給される。この結果、図２７に示したように、例えば黒色かつ負に帯電した泳動粒子３２が、画素ａ７，ａ９においては第２電極１６側へ移動し、画素ａ８においては第１電極１３側に留まる。したがって、画素ａ７，ａ９では黒表示となり、画素ａ８では青色光ＬＢが出射される。つまり、この例では、入力ペン５０によってなぞられた軌跡が青色の線として描画される。
【０１１５】
本変形例のように、カラー反射型の表示装置２において、第３電極１９Ａを複数のサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂに分割することで、任意の色の線で手書き入力（色付きペンでの描画）を行うことが可能となる。
【０１１６】
また、第３電極１９Ａがサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂに細分化されることから、上記実施の形態よりも、より精細な描画線幅を実現することができる。例えば、図２７に模式的に示したように、入力ペン５０のペン先５０Ａは、１画素のスケールよりも大きい。また、上記変形例３でも述べたように、感圧導電層１８の変形範囲は、表示面Ｓ１において実際にペン先５０Ａが接している範囲よりも広くなる。このため、描画線幅が太くなる傾向があるが、本変形例では、手書き入力時においても、サブ電極単位での電圧駆動が可能であるため、描画線幅を精細化することが可能である。
【０１１７】
＜変形例５＞
図２８は、変形例５に係る表示装置の断面構成を表したものである。上記変形例４では、カラー反射型の表示装置２において、第３電極１９Ａをカラーフィルタ層２１のフィルタ配列に対応させて複数のサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂに分割したが、この第３電極１９Ａの構成は、本変形例のようなモノクロ反射型の表示装置にも適用可能である。本変形例では、上記実施の形態と同様、第１基板１１上に、ＴＦＴ層１２、第１電極１３、シール層１４、表示体１０Ａ、第２電極１６および第２基板１７を備えている。第１基板１１の裏面には、感圧導電層１８および第３電極１９Ａが形成されている。第３電極１９Ａは、複数のサブ電極１９Ａ１，１９Ａ２，１９Ａ３に分割されている。
【０１１８】
サブ電極１９Ａ１，１９Ａ２，１９Ａ３は、上記変形例４のサブ電極１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂと同様、全体としてストライプ状を成している。また、各サブ電極１９Ａ１，１９Ａ２，１９Ａ３に対向する領域に、複数の表示素子１０（例えば行方向または列方向に沿って並んで配置された複数の表示素子１０）が配置されている。これらのサブ電極１９Ａ１，１９Ａ２，１９Ａ３のそれぞれには、スイッチ４１によって手書き入力が選択された場合において、互いに異なる（または同一の）電圧が供給可能となっている。
【０１１９】
このように、モノクロ反射型の表示装置においても、第３電極１９Ａを分割した構成としてもよい。この場合には、上記変形例４の場合と同様、上記実施の形態よりも、より精細な描画線幅を実現することができる。つまり、サブ電極単位での電圧駆動が可能であることから、感圧導電層１８の変形範囲に拘らず（変形範囲よりも狭い範囲で）、線を表示することが可能である。
【０１２０】
＜適用例＞
次に、上記実施の形態および変形例等で説明した表示装置（表示装置１を例に挙げる）の適用例について説明する。但し、以下で説明する電子機器の構成はあくまで一例であるため、その構成は適宜変更可能である。
【０１２１】
図２９は、タブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、表示部３１０および筐体３２０を有しており、表示部３１０が上記実施の形態の表示装置１により構成されている。
【０１２２】
また、この他にも、上記実施の形態の表示装置１は、電子掲示板等に適用してもよい。
【０１２３】
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態等で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、表示素子１０（電気泳動表示素子）の表示体１０Ａとして、絶縁性液体３１、泳動粒子３２および多孔質層３３を備えた構成を例示したが、表示体１０Ａの構成は、このような多孔質層３３を用いたものに限定されず、電気泳動現象を利用して画素ごとに光反射によるコントラスト形成が可能なものであればよい。例えば、カプセルタイプのものや、繊維状構造体の無いタイプ（液体そのものを着色したもの）を用いてもかまわない。
【０１２４】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【０１２５】
また、本開示は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
各々が、互いに対向する第１電極と第２電極との間に表示体を有すると共に、印加電圧に応じて表示状態が変化する複数の表示素子と、
前記表示素子毎に設けられ、前記第１電極へ電圧を印加するためのスイッチングを行う薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタよりも下層に形成された感圧導電層と、
前記感圧導電層を介して前記第１電極と接続された第３電極と、
前記第１電極への電圧印加経路として、前記薄膜トランジスタを含む第１の経路と、前記感圧導電層および前記第３電極を含む第２の経路とのうちの一方を選択するスイッチと
を備えた
表示装置。
（２）
前記薄膜トランジスタと前記感圧導電層との間に設けられた第１基板と、
前記第１基板を貫通して設けられると共に、前記感圧導電層と前記第１電極とを電気的に接続させる貫通電極と
を備えた
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記貫通電極は、前記表示素子毎に設けられている
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記スイッチは、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極と前記第３電極とのうちの一方を選択的に電源に接続するように構成されている
上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記表示素子への印加電圧を制御して、前記表示素子を駆動する表示制御部を備え、
前記表示制御部は、前記複数の表示素子のうちの一部に書き込みが行われ、かつ前記スイッチにより前記第２の経路が選択されている場合に、
前記書き込みが行われた際の電圧とは逆極性の電圧を印加する
上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
先端の向きを認識可能であると共に、前記先端の向きに関する情報を送信可能なセンサを備えたペンを用いて書き込みが行われる場合に、
前記表示制御部は、
前記ペンから前記先端の向きに関する情報を受信し、
受信した前記情報に基づいて前記表示素子の表示状態を変化させる駆動を行う
上記（５）に記載の表示装置。
（７）
前記感圧導電層は、前記第３電極の側および前記表示素子の側のうちの少なくとも一方の側に溝を有する
上記（１）〜（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第３電極は、前記複数の表示素子のそれぞれに対応する各領域に共通の電極として設けられている
上記（１）〜（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記第３電極は、電気的に分離された複数のサブ電極を含み、
前記スイッチにより前記第２の経路が選択されている場合に、前記複数のサブ電極のうちの選択的なサブ電極に対して電圧を印加可能に構成されている
上記（１）〜（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記表示素子の光出射側に、複数色のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を備え、
前記複数のサブ電極はそれぞれ、前記カラーフィルタ層のうちのいずれかのカラーフィルタに対応する領域に設けられている
上記（９）に記載の表示装置。
（１１）
前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状を成す
上記（９）または（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記表示素子は電気泳動表示素子である
上記（１）〜（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
前記電気泳動表示素子は、マイクロカップ方式の電気泳動表示素子である
上記（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記電気泳動表示素子は、マイクロカプセル方式の電気泳動表示素子である
上記（１２）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０１２６】
１，２…表示装置、１０…表示素子、１１…第１基板、１１Ａ…貫通電極、１２…ＴＦＴ層、１２Ａ…ＴＦＴ、１２Ｂ…保持容量、１３…第１電極、１４…シール層、１５…スペーサ、１６…第２電極、１７…第２基板、１８…感圧導電層、１８ａ…溝、１９，１９Ａ，１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ａ１，１９Ａ２，１９Ａ…第３電極、２０…支持基板、３０…表示制御部、３１…駆動回路部、４０…電圧印加部、４１，４１Ａ，４１Ｂ…スイッチ、５０…入力ペン、５１…傾斜センサ。
【図１】
2017026695.tif 000003
【図２】
2017026695.tif 000004
【図３Ａ】
2017026695.tif 000005
【図３Ｂ】
2017026695.tif 000006
【図４】
2017026695.tif 000007
【図５】
2017026695.tif 000008
【図６Ａ】
2017026695.tif 000009
【図６Ｂ】
2017026695.tif 000010
【図６Ｃ】
2017026695.tif 000011
【図６Ｄ】
2017026695.tif 000012
【図７Ａ】
2017026695.tif 000013
【図７Ｂ】
2017026695.tif 000014
【図７Ｃ】
2017026695.tif 000015
【図７Ｄ】
2017026695.tif 000016
【図７Ｅ】
2017026695.tif 000017
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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