(57)【要約】【課題】電磁波放出源から放出される電磁波に対するシールド性能を従来よりも高める。【解決手段】電磁波シールド構造体は、電磁波放出源が搭載された基板と、基板上に設けられ、電磁波放出源の外周を囲み且つ基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、枠体の開口端を塞ぎ、電磁波放出源と対向する第１の面および第１の面とは反対側の第２の面が、枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体と、を含む。【選択図】図１
2017103291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波放出源が搭載された基板と、
前記基板上に設けられ、前記電磁波放出源の外周を囲み且つ前記基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、
前記枠体の開口端を塞ぎ、前記電磁波放出源と対向する第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面が、前記枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体と、
を有する電磁波シールド構造体。
【請求項２】
前記蓋体は、金属部を含み、前記金属部が前記枠体に当接されている
請求項１に記載の電磁波シールド構造体。
【請求項３】
前記絶縁体部は、前記第１の面および前記第２の面に凹凸を有し、
前記導電膜は、前記凹凸に沿って設けられている
請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド構造体。
【請求項４】
前記絶縁体部は、内部に空隙部を含む中空構造を有する
請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド構造体。
【請求項５】
前記絶縁体部は、絶縁体層と導電体層とが交互に積層された積層体を含む
請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド構造体。
【請求項６】
前記枠体は、前記枠体の内側面および外側面が前記所定の電位が与えられる導電膜によって覆われた絶縁体部を含む
請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド構造体。
【請求項７】
半導体装置が搭載された基板と、
前記基板上に設けられ、前記半導体装置の外周を囲み且つ前記基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、
前記枠体の開口端を塞ぎ、前記半導体装置と対向する第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面が、前記枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体と、
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、電磁波シールド構造体および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波半導体等の電磁波放出源から放出される電磁波を遮蔽する技術として以下の技術が知られている。
【０００３】
例えば、ベースの表面に取り付けられた複数の電子部品と、ベースの表面に取り付けられ、外表面の全体および内表面の一部がめっきされた電磁波吸収性熱可塑性材料で構成されたカバーと、を含むパッケージ化マイクロ波装置が知られている。
【０００４】
また、電子回路基板を内部に収容して固定する骨組構造体と、樹脂織布を金属メッキした導電性織布からなり、骨組構造体に保持されて電子回路基板を覆う基板包囲布と、からなる基板包囲具が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３４９８７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６５８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
配線基板上に搭載された高周波半導体装置等の電磁波放出源から放出される高周波の電磁波を遮蔽する方法として、金属板を箱型に成型した構造物で電磁波放出源を覆う方法が考えられる。しかしながら、今後、高周波半導体装置の性能向上に伴って、高周波半導体装置から放出される電磁波の周波数がさらに高くなると（例えば１００ＭＨｚ以上）、上記のような単純な構成の構造物では、電磁波を十分に遮蔽することが困難となることが想定される。
【０００７】
開示の技術は、１つの側面として、電磁波放出源から放出される電磁波に対するシールド性能を従来よりも高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示の技術に係る電磁波シールド構造体は、電磁波放出源が搭載された基板と、前記基板上に設けられ、前記電磁波放出源の外周を囲み且つ前記基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、を含む。該電磁波シールド構造体は、前記枠体の開口端を塞ぎ、前記電磁波放出源と対向する第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面が、前記枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体を有する。
【発明の効果】
【０００９】
開示の技術は、一つの側面として、電磁波放出源から放出される電磁波に対するシールド性能を従来よりも高めることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体を含む電子機器の構成を示す断面図である。
【図２】構成部品を分解して示した開示の技術の実施形態に係る電子機器の斜視図である。
【図３Ａ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の概略の構成を示す斜視図である。
【図３Ｂ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の概略の構成を示す斜視図である。
【図３Ｃ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の概略の構成を示す斜視図である。
【図４Ａ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｃ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｄ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｅ】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図５】開示の技術の実施形態に係る蓋体のベース部の構造を模擬した試験片と、単層の金属板で構成された比較例に係る試験片の電磁波に対するシールド性能を測定した結果を示すグラフである。
【図６Ａ】開示の技術の実施形態に係る蓋体の構成を示す断面図である。
【図６Ｂ】開示の技術の実施形態に係る蓋体の構成を示す断面図である。
【図６Ｃ】開示の技術の実施形態に係る蓋体の構成を示す断面図である。
【図６Ｄ】開示の技術の実施形態に係る蓋体の構成を示す断面図である。
【図７】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体を含む電子機器の構成を示す断面図である。
【図８】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体を含む電子機器の構成を示す断面図である。
【図９】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体を含む電子機器の構成を示す断面図である。
【図１０】開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体を含む電子機器の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与し、重複する説明は省略する。
【００１２】
[第１の実施形態]
図１は、開示の技術の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０を含む電子機器１００の構成を示す断面図である。図２は、構成部品を分解して示した電子機器１００の斜視図である。
【００１３】
電子機器１００は、一例として、タブレット型のコンピュータであり、前面ケース４２と背面ケース４１との間に形成される収容空間Ａ１内に配置された配線基板２０および液晶ユニット３４を備える。
【００１４】
前面ケース４２は、両端部において収容空間Ａ１内に突き出した接合部４２ａにおいて背面ケース４１と接合されている。前面ケース４２の中央には、液晶ユニット３４の表示面を露出させる開口部４３（図２参照）が設けられている。なお、図２において、液晶ユニット３４は、前面ケース４２内に収容されており、図示されていない。
【００１５】
液晶ユニット３４と配線基板２０との間には、補強用板金３２が設けられている。補強用板金３２の一方の面は、両面テープ３１ｂによって液晶ユニット３４の表示面とは反対側の面に接合され、補強用板金３２の他方の面は、両面テープ３１ａによって、配線基板２０の前面ケース４２側の面に接合されている。
【００１６】
配線基板２０から出力される映像信号は、フレキシブルケーブル３５を介して液晶ユニット３４に供給される。液晶ユニット３４の表示面には、フレキシブルケーブル３５を介して供給される映像信号に応じた表示内容が表示される。
【００１７】
背面ケース４１は、収容空間Ａ１内に伸びる支持部４１ａを有する。配線基板２０は、ネジ３３によって補強用板金３２とともに支持部４１ａに固定されている。
【００１８】
配線基板２０の、背面ケース４１側の表面には半導体装置５０が搭載されている。半導体装置５０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）等の演算装置または画像処理装置であり、高周波（例えば１００ＭＨｚ以上）の電磁波を放出する電磁波放出源である。
【００１９】
電子機器１００は、半導体装置５０から放出される電磁波を遮蔽する電磁波シールド構造体１０を有する。図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃは、電磁波シールド構造体１０の概略の構成を示す斜視図である。電磁波シールド構造体１０は、配線基板２０、枠体６０および蓋体７０を含んで構成されている。
【００２０】
図３Ａには、配線基板２０上に搭載された電磁波放出源である半導体装置５０が示されている。枠体６０は、図３Ｂに示すように、配線基板２０上に設けられ、半導体装置５０の外周を囲む導電体を含む枠状の構造部分である。枠体６０は、半導体装置５０の高さよりも高く、半導体装置５０の上方に開口端６６を形成しつつ半導体装置５０の側方を覆っている。枠体６０は、矩形形状の半導体装置５０の各辺に平行となるように配置された４つの辺を有する矩形形状の枠を形成し、半導体装置５０は、枠体６０の内側に配置されている。枠体６０を構成する導電体として、銅、ニッケル、鉄、コバルト、錫、亜鉛、クロム、銀、金、白金、アルミニウム、チタン、マグネシウム、インジウム、炭素、ホウ素、またはこれらを含む合金（例えばステンレス）を用いることが可能である。
【００２１】
枠体６０は、図１に示すように、上端部分を外側に１８０°折り返すことによって構成されるバネ部６５を有する。バネ部６５は、後述するように蓋体７０の取り付けに使用される。枠体６０は、配線基板２０の表面に形成された電極パッド２１に電気的に接続されており、電極パッド２１を介して所定の電位（例えばグランド電位）が与えられる。これにより、枠体６０は、所定の電位に固定される。
【００２２】
蓋体７０は、図３Ｃに示すように、枠体６０の開口端６６を塞ぐように枠体６０に取り付けられる。すなわち、蓋体７０は、半導体装置５０の上方を覆っている。半導体装置５０は、枠体６０と蓋体７０とによって囲まれる遮蔽空間Ａ２（図１参照）内に収容される。
【００２３】
蓋体７０は、図１に示すように、半導体装置５０の上方を覆い且つ配線基板２０の主面と平行な方向に延在するベース部７０１と、ベース部７０１の端部から配線基板２０側に垂直に伸びる側壁部７０２とで構成される箱型形状を有する。蓋体７０は、側壁部７０２が、枠体６０の上端部に形成されたバネ部６５に当接されることにより枠体６０に取り付けられる。蓋体７０は、バネ部６５から付与される、枠体６０の外側に向けて作用する付勢力によって、枠体６０に密着し、枠体６０から容易に脱落しないようになっている。
【００２４】
蓋体７０は、絶縁体部７１と金属部７２とで構成されるハイブリッド材を用いて構成されている。絶縁体部７１は、枠体６０の開口端６６を塞ぐ部分（すなわち、半導体装置５０の上方を覆う部分）に配置されている。つまり、蓋体７０のベース部７０１の大部分が絶縁体部７１で構成されている。絶縁体部７１の材料として、例えば、ＡＢＳ樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＦＡ（フッ素樹脂）等の樹脂材料、またはこれらの樹脂材料に繊維材料（例えばガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維）を７０重量％以下の割合で含有したコンポジット材を用いることができる。絶縁体部７１を樹脂で構成することにより、他の材料で構成した場合と比較して加工が容易となる。なお、絶縁体部７１の材料として、ゴム、エラストマー、ガラス、天然鉱石、紙または布を使用することも可能である。
【００２５】
一方、金属部７２は、枠体６０に当接される部分に配置されている。つまり、蓋体７０の側壁部７０２は、金属部７２で構成されている。金属部７２の材料として、銅、ニッケル、鉄、コバルト、錫、亜鉛、クロム、銀、金、白金、アルミニウム、チタン、マグネシウム、インジウム、炭素、ホウ素、またはこれらを含む合金を用いることが可能である。
【００２６】
絶縁体部７１および金属部７２は、一体成型または接着により一体化される。絶縁体部７１および金属部７２の表面全体が２層の導電膜７３、７４で覆われている。すなわち、絶縁体部７１は、半導体装置５０と対向する（遮蔽空間Ａ２の内側の）第１の面Ｓ１および第１の面Ｓ１とは反対側の（遮蔽空間Ａ２の外側の）第２の面Ｓ２が導電膜７３および７４で覆われている。金属部７２は、枠体６０と接触する部分を含む表面全体が導電膜７３および７４で覆われている。
【００２７】
導電膜７３および７４は、例えばめっき法や蒸着法によって絶縁体部７１および金属部７２の表面に形成される。導電膜７３および７４の材料として、銅、ニッケル、鉄、コバルト、錫、亜鉛、クロム、銀、金、白金、アルミニウム、チタン、マグネシウム、インジウム、炭素、ホウ素、またはこれらを含む合金を用いることが可能である。なお、本実施形態では、絶縁体部７１および金属部７２の表面に２層の導電膜を形成する場合を例示しているが、少なくとも１層の導電膜が絶縁体部７１および金属部７２の表面に形成されていればよい。導電膜を２層とする場合、下層の導電膜７３として導電率の比較的高い材料（例えば銅）を選択し、上層の導電膜７４として下層の導電膜７３の腐食を防止することができる材料（例えばニッケル）を選択することが好ましい。
【００２８】
導電膜７３、７４で覆われた蓋体７０の金属部７２（側壁部７０２）が、枠体６０に接触することにより、導電膜７３、７４および金属部７２には、枠体６０および配線基板２０の電極パッド２１を介して所定の電位が与えられる。これにより、絶縁体部７１の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を含む、蓋体７０の表面全体が、枠体６０と同じ電位に固定される。
【００２９】
以下に、電磁波シールド構造体１０の製造方法について説明する。図４Ａ〜図４Ｅは、電磁波シールド構造体１０の製造方法を示す断面図である。
【００３０】
はじめに、厚さ１ｍｍ以下の絶縁体部７１および金属部７２を一体成型または接着により一体化し、蓋体７０の形状を成型する（図４Ａ）。絶縁体部７１の材料として、例えば、ガラス繊維を４０重量％程度含むＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を用いることができ、金属部７２の材料として、例えば、アルミニウムを用いることができる。
【００３１】
次に、絶縁体部７１および金属部７２の表面全体にめっき法または蒸着法によって厚さ１μｍ以上の導電膜７３および７４を形成する。絶縁体部７１は、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２が導電膜７３および７４で覆われる（図４Ｂ）。下層の導電膜７３として、例えば、銅を用いることができ、上層の導電膜７４として、例えば、ニッケルを用いることが可能である。
【００３２】
次に、配線基板２０上に電磁波放出源としての半導体装置５０を搭載する。配線基板２０の表面には、半導体装置５０を挟む位置に所定の電位（例えばグランド電位）が印加される電極パッド２１が設けられている（図４Ｃ）。
【００３３】
次に、配線基板２０上に半導体装置５０の外周を囲む枠体６０を搭載する。枠体６０は、半導体装置５０の上方に開口端６６を形成しつつ半導体装置５０の側方を覆う。枠体６０は、例えば、半田付けによって、配線基板２０の表面に形成された電極パッド２１に電気的および機械的に接続される。これにより、枠体６０は、電極パッド２１を介して所定の電位（例えばグランド電位）が与えられ、枠体６０の電位が固定される（図４Ｄ）。枠体６０の材料として、例えば、ステンレスを用いることができる。
【００３４】
次に、枠体６０の開口端６６を塞ぐように蓋体７０を枠体６０に取り付ける。導電膜７３、７４で覆われた蓋体７０の金属部７２が、枠体６０に当接されることにより、導電膜７３、７４および金属部７２には所定の電位が与えられ、蓋体７０の表面全体が、枠体６０と同じ電位に固定される。半導体装置５０は、枠体６０と蓋体７０とによって囲まれる遮蔽空間Ａ２内に収容される（図４Ｅ）。
【００３５】
本実施形態に係る電磁波シールド構造体１０および電子機器１００において、蓋体７０のベース部７０１を構成する絶縁体部７１の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２の両面が導電膜７３、７４によって覆われる。すなわち、蓋体７０において、絶縁体を導電膜で挟んだコンデンサ構造が形成される。これにより、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に二重の電磁波遮蔽壁が形成される。すなわち、１つ目の電磁波遮蔽壁が絶縁体部７１の第１の面Ｓ１を覆う導電膜７３、７４によって形成され、２つ目の電磁波遮蔽壁が絶縁体部７１の第２の面Ｓ２を覆う導電膜７３、７４によって形成される。このように、電磁波の放出経路上に絶縁体を間に挟んで重なり合う複数の電磁波遮蔽壁を形成することで、単層の金属板によって電磁波遮蔽壁を形成する場合と比較して、電磁波遮蔽壁の面積を増大させることができる。これにより、半導体装置５０から放出される電磁波に対するシールド性能を向上させることができる。
【００３６】
図５は、本実施形態に係る蓋体７０のベース部７０１の構造を模擬した試験片１と、単層の金属板で構成された比較例に係る試験片２の電磁波に対するシールド性能を、アドバンテスト法によって測定した結果を示すグラフである。アドバンテスト法は、シールドボックス内で特定周波数の電磁波を発生させ、試験片を通過する電磁波を受信し、試験片を通過したことによる電磁波の減衰を測定することにより、試験片の電磁波に対するシールド性能を測定する方法である。
【００３７】
試験片１として、厚さ１ｍｍ程度のＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）の両面を、厚さ１μｍ程度の銅めっき膜および厚さ０．２μｍ程度のニッケルめっき膜で被覆した板材を用いた。試験片２として、厚さ１ｍｍ程度のステンレス板を用いた。試験片１および試験片２のサイズを、いずれも２００ｍｍ×２００ｍｍとした。
【００３８】
図５に示すグラフの横軸は電磁波の周波数であり、縦軸は試験片のシールド性能である。なお、シールド性能Ｐは、下記の（１）式によって表される。
Ｐ＝−２０ｌｏｇ（Ｘ１／Ｘ２）［ｄＢ］    ・・・（１）
ここでＸ１は、試験片で電磁波を遮蔽した場合において受信側で測定される電磁波の強度であり、Ｘ２は、試験片で電磁波を遮蔽しない場合において受信側で測定される電磁波の強度である。シールド性能Ｐは、その数値が大きい程、電磁波に対する遮蔽能力が高いことを意味する。
【００３９】
図５に示すように、測定した全周波数域において、本実施形態に係る蓋体７０のベース部７０１の構造を模擬した試験片１の方が、単層の金属板で構成された比較例に係る試験片２よりも高いシールド性能が得られた。すなわち、両面が導電膜７３、７４で覆われた絶縁体部７１を含む蓋体７０によって電磁波放出源を覆うことで、単層の金属板で電磁波放出源を覆う場合と比較して高いシールド性能を得ることが可能となる。
【００４０】
また、蓋体７０は、枠体６０に当接される側壁部７０２が、絶縁体部７１よりも強度の高い金属部７２で構成されているので、枠体６０との接触によって、側壁部７０２が破損するリスクを低減することができる。このように、蓋体７０を絶縁体部７１および金属部７２を含むハイブリッド材で構成することで、電磁波に対するシールド性能と、機械的強度を両立することが可能となる。
【００４１】
なお、蓋体７０の絶縁体部７１および金属部７２を、例えば、図６Ａ〜図６Ｄに示すように構成することも可能である。例えば、図６Ａおよび図６Ｄに示すように、蓋体７０のベース部７０１を、２層の絶縁体層７１ａおよび７１ｂを含む絶縁体部７１によって構成してもよい。また、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、蓋体７０のベース部７０１を絶縁体部７１と金属部７２とを積層して構成してもよい。図６Ａ〜図６Ｄに示すいずれの構成においても、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に二重の電磁波遮蔽壁が形成され、高いシールド性能を得ることができる。なお、本実施形態では、電磁波放出源として半導体装置５０を例示しているが、電磁波放出源は、抵抗素子、コイル等の受動素子やその他の電子部品であってもよい。
【００４２】
［第２の実施形態］
図７は、開示の技術の第２の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ａを含む電子機器１００Ａの構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ａは、蓋体７０Ａのベース部７０１を構成する絶縁体部７１Ａの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２が凹凸面となっている。導電膜７３、７４は、絶縁体部７１Ａの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２に形成された凹凸に沿って設けられている。
【００４３】
本実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ａによれば、第１の実施形態と同様、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に二重の電磁波遮蔽壁が形成される。また、絶縁体部７１Ａの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２に形成された凹凸に沿って導電膜７３、７４を形成することで、電磁波遮蔽壁の面積を増大させることができ、電磁波に対するシールド性能の更なる向上を図ることが可能となる。
【００４４】
［第３の実施形態］
図８は、開示の技術の第３の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｂを含む電子機器１００Ｂの構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｂは、蓋体７０Ｂのベース部７０１を構成する絶縁体部７１Ｂの内部に空隙部７６が設けられている。すなわち、絶縁体部７１Ｂは、中空構造を有する。このように絶縁体部７１Ｂの内部に空隙部７６を設けることで、絶縁体部７１Ｂの厚さを増大させることができる。絶縁体部７１の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を覆う導電膜７３、７４は、絶縁体部７１Ｂと金属部７２との接合部に形成された段差部Ｇも覆っている。
【００４５】
本実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｂによれば、第１の実施形態と同様、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に二重の電磁波遮蔽壁が形成される。また、絶縁体部７１Ｂを中空構造として絶縁体部７１Ｂの厚さを増大させることで、導電膜７３、７４の面積を増大させることができる。これにより、電磁波遮蔽壁の面積が増大するので、電磁波に対するシールド性能の更なる向上を図ることが可能となる。
【００４６】
［第４の実施形態］
図９は、開示の技術の第４の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｃを含む電子機器１００Ｃの構成を示す断面図である。第４の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｃは、蓋体７０Ｃのベース部７０１を構成する絶縁体部７１Ｃが、絶縁体層と導電体層とが交互に積層された積層体を含む。より具体的には、絶縁体部７１Ｃにおいて、第１の絶縁体層７１ｘと第２の絶縁体層７１ｙとの間に第１の導電体層７５ａが設けられ、第２の絶縁体層７１ｙと第３の絶縁体層７１ｚとの間に第２の導電体層７５ｂが設けられている。導電膜７３、７４は、絶縁体層７１ｘ、７１ｙ、７１ｚおよび導電体層７５ａ、７５ｂを含む積層体の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を覆っている。
【００４７】
本実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｃによれば、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に設けられる電磁波遮蔽壁の層数を４層とすることができる。すなわち、１つ目の電磁波遮蔽壁が上記積層体の第１の面Ｓ１を覆う導電膜７３、７４によって形成され、２つ目の電磁波遮蔽壁が第１の導電体層７５ａによって形成される。３つ目の電磁波遮蔽壁が第２の導電体層７５ｂによって形成され、４つ目の電磁波遮蔽壁が上記積層体の第２の面Ｓ２を覆う導電膜７３、７４によって形成される。このように、半導体装置５０から放出される電磁波の放出経路上に設けられる電磁波遮蔽壁の層数を４層とすることで、電磁波に対するシールド性能の更なる向上を図ることが可能となる。なお、蓋体７０の絶縁体部７１Ｃを構成する絶縁体層および導電体層の層数は、適宜増減することが可能である。
【００４８】
［第５の実施形態］
図１０は、開示の技術の第５の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｄを含む電子機器１００Ｄの構成を示す断面図である。第５の実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｄは、枠体６０Ａが、蓋体７０と同様、絶縁体部６１および金属部６２を含むハイブリッド材で構成されている。金属部６２は、蓋体７０が当接されるバネ部６５が形成された枠体６０Ａの上端および電極パッド２１に接合される枠体６０Ａの下端に配置されており、絶縁体部６１は、枠体６０Ａの高さ方向中央に配置されている。絶縁体部６１および金属部６２は、それぞれ、蓋体７０を構成する絶縁体部７１および金属部７２の候補材料と同じ材料を使用することができる。絶縁体部６１および金属部６２の表面全体は導電膜６４で覆われている。すなわち、絶縁体部６１は、枠体６０Ａの内側面Ｓ３および外側面Ｓ４が導電膜６４で覆われている。導電膜６４には、電極パッド２１を介して所定の電位（例えばグランド電位）が与えられる。導電膜６４は、蓋体７０を構成する導電膜７３、７４の候補材料と同じ材料を使用することができる。なお、枠体６０Ａの表面を覆う導電膜の層数を２層以上としてもよい。
【００４９】
本実施形態に係る電磁波シールド構造体１０Ｄによれば、枠体６０Ａにおいて、絶縁体を導電膜で挟んだコンデンサ構造が形成される。これにより、半導体装置５０の側方に向けて放出される電磁波の放出経路上に二重の電磁波遮蔽壁が形成される。すなわち、１つ目の電磁波遮蔽壁が絶縁体部６１の内側面Ｓ３を覆う導電膜６４によって形成され、２つ目の電磁波遮蔽壁が絶縁体部６１の外側面Ｓ４を覆う導電膜６４によって形成される。電磁波シールド構造体１０Ｄによれば、半導体装置５０の上方に向けて放出される電磁波は、蓋体７０によって形成される二重の電磁波遮蔽壁によって遮蔽される。更に、半導体装置５０の側方に向けて放出される電磁波は、枠体６０Ａによって形成される二重の電磁波遮蔽壁によって遮蔽される。このように、所定の電位に固定された導電膜で両面が覆われた絶縁体で、電磁波放出源の上方および側方を覆うことで、電磁波に対するシールド性能の更なる向上を図ることが可能となる。
【００５０】
また、枠体６０Ａは、蓋体７０に当接されるバネ部６５が、絶縁体部６１よりも強度の高い金属部６２で構成されているので、蓋体７０との接触によって、バネ部６５が破損するリスクを低減することができる。また、枠体６０Ａは、電極パッド２１との接合部が金属部６２で構成されているので、枠体６０Ａと配線基板２０との接合を半田接合等の高温プロセスを用いることが可能となる。
【００５１】
なお、電磁波シールド構造体１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄは、開示の技術における電磁波シールド構造体の一例である。電子機器１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄは、開示の技術における電子機器の一例である。半導体装置５０は、開示の技術における電磁波放出源の一例である。配線基板２０は、開示の技術における基板の一例である。枠体６０、６０Ａは、開示の技術における枠体の一例である。蓋体７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃは、開示の技術における蓋体の一例である。絶縁体部７１、７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃは、開示の技術における絶縁体部の一例である。導電膜７３、７４は、開示の技術における導電膜の一例である。
【００５２】
以上の第１乃至第５の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００５３】
（付記１）
電磁波放出源が搭載された基板と、
前記基板上に設けられ、前記電磁波放出源の外周を囲み且つ前記基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、
前記枠体の開口端を塞ぎ、前記電磁波放出源と対向する第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面が、前記枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体と、
を有する電磁波シールド構造体。
【００５４】
（付記２）
前記蓋体は、金属部を含み、前記金属部が前記枠体に当接されている
付記１に記載の電磁波シールド構造体。
【００５５】
（付記３）
前記絶縁体部は、前記第１の面および前記第２の面に凹凸を有し、
前記導電膜は、前記凹凸に沿って設けられている
付記１または付記２に記載の電磁波シールド構造体。
【００５６】
（付記４）
前記絶縁体部は、内部に空隙部を含む中空構造を有する
付記１または付記２に記載の電磁波シールド構造体。
【００５７】
（付記５）
前記絶縁体部は、絶縁体層と導電体層とが交互に積層された積層体を含む
付記１または付記２に記載の電磁波シールド構造体。
【００５８】
（付記６）
前記枠体は、前記枠体の内側面および外側面が前記所定の電位が与えられる導電膜によって覆われた絶縁体部を含む
付記１または付記２に記載の電磁波シールド構造体。
【００５９】
（付記７）
前記絶縁体部は、樹脂を含んで構成されている
付記１から付記６のいずれか１つに記載の電磁波シールド構造体。
【００６０】
（付記８）
前記枠体は、前記基板上に形成された前記所定の電位が与えられる電極パッドに接合されている
付記１から付記７のいずれか１つに記載の電磁波シールド構造体。
【００６１】
（付記９）
半導体装置が搭載された基板と、
前記基板上に設けられ、前記半導体装置の外周を囲み且つ前記基板から所定の電位が与えられる導電体を含む枠体と、
前記枠体の開口端を塞ぎ、前記半導体装置と対向する第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面が、前記枠体と電気的に接続された導電膜によって覆われた絶縁体部を含む蓋体と、
を有する電子機器。
【００６２】
（付記１０）
前記蓋体は、金属部を含み、前記金属部が前記枠体に当接されている
付記９に記載の電子機器。
【００６３】
（付記１１）
前記絶縁体部は、前記第１の面および前記第２の面に凹凸を有し、
前記導電膜は、前記凹凸に沿って設けられている
付記９または付記１０に記載の電子機器。
【００６４】
（付記１２）
前記絶縁体部は、内部に空隙部を含む中空構造を有する
付記９または付記１０に記載の電子機器。
【００６５】
（付記１３）
前記絶縁体部は、絶縁体層と導電体層とが交互に積層された積層体を含む
付記９または付記１０に記載の電子機器。
【００６６】
（付記１４）
前記枠体は、前記枠体の内側面および外側面が前記所定の電位が与えられる導電膜によって覆われた絶縁体部を含む
付記９または付記１０に記載の電子機器。
【００６７】
（付記１５）
前記絶縁体部は、樹脂を含んで構成されている
付記９から付記１４のいずれか１つに記載の電子機器。
【００６８】
（付記１６）
前記枠体は、前記基板上に形成された前記所定の電位が与えられる電極パッドに接合されている
付記９から付記１５のいずれか１つに記載の電子機器。
【符号の説明】
【００６９】
１０  電磁波シールド構造体
２０  配線基板
２１  電極パッド
５０  半導体装置
６０  枠体
７０  蓋体
７１  樹脂部
７２  金属部
７３  銅めっき膜
７４  ニッケルめっき膜
３１ａ、３１ｂ  両面テープ
３２  補強用板金
３３  ネジ
３４  液晶ユニット
３５  フレキシブルケーブル
４１  背面ケース
４１ａ  支持部
４２  前面ケース
４２ａ  接合部
４３  ガラスパネル
１００  電子機器（タブレット型コンピュータ）
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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