(57)【要約】      （修正有）【課題】輝点不良領域を黒点に修正した場合の修正後の黒点を目立ちにくくする表示装置の輝点修正方法を提供する。【解決手段】表示装置は、アクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板と対向する対向基板とを備える。アクティブマトリクス基板及び対向基板には、光を透過する光透過領域ＴＡが設けられている。アクティブマトリクス基板及び対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の光透過領域ＴＡには、光を遮光する黒点化部が設けられている。黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴９１、１０１、１０２に遮光性物質が充填されて形成されている。【選択図】図１０
2017026748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、
を備え、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、
前記黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴に遮光性物質が充填されて形成されている、表示装置。
【請求項２】
前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板の前記対向基板とは反対側の面に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の穴の深さは、当該複数の穴が形成されている基板の厚さの半分の厚さよりも深い、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の穴それぞれの直径Ｒ１と、前記複数の穴のうち、隣接する穴の中心間の距離Ｌ１との間には、Ｒ１／２＜Ｌ１＜３×Ｒ１／４の関係が成り立つ、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記遮光性物質の上面は、前記複数の穴の上端より前記複数の穴の底部側にある、請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記黒点化部はさらに、前記複数の穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記複数の穴の上端までの部分の直径の方が大きい、請求項５または６に記載の表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置は、ＭＥＭＳディスプレイであって、
前記対向基板を挟んで前記アクティブマトリクス基板と対向するように配置されたバックライトと、
前記バックライトの光が前記アクティブマトリクス基板を通過させる量を制御するシャッター機構と、
をさらに備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項９】
光を透過する光透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板及び対向基板を備えた表示装置において、光が常に透過する状態となっている輝点不良領域を修正する表示装置の輝点修正方法であって、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の少なくとも一方の基板において、当該基板と垂直な方向から見て、前記輝点不良領域を覆うように、第１の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、
前記第１の直径を有する複数の穴のそれぞれに遮光性物質を充填するステップと、
を有する表示装置の輝点修正方法。
【請求項１０】
前記遮光性物質を充填するステップの後に、第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、
前記第２の直径を有する複数の穴に透光性物質を充填するステップと、
をさらに有し、
前記第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップでは、前記第２の直径を有する複数の穴と前記第１の直径を有する複数の穴の一部がそれぞれ重なり合うように、前記第２の直径を有する複数の穴を順に形成する、請求項９に記載の表示装置の輝点修正方法。
【請求項１１】
前記第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、前記第２の直径を有する複数の穴に透光性物質を充填するステップとの間に、前記第２の直径を有する複数の穴の内側にエッチング加工を行うステップをさらに有する、請求項１０に記載の表示装置の輝点修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び表示装置の輝点修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ある画素が輝点のままとなる輝点不良が生じた場合に、輝点不良を修正した表示装置が開示されている。この表示装置では、表示装置を構成する基板の表面であって、基板と垂直な方向から見て輝点不良が生じている部分と重なる位置に穴をあけ、穴に遮光材を配置することによって、輝点不良が生じている画素を黒点に修正している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１８９３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の表示装置では、遮光する画素の大きさに応じたペン先手段を用いて１つの穴をあけている。従って、例えば輝点不良が生じている領域が長方形の場合には、長方形の長辺の長さに応じたペン先手段を用いて穴をあけるため、穴をあけなくてもよい広い領域に穴があけられて、修正後の黒点が大きくなって目立ってしまう。
【０００５】
本発明は、修正後の黒点が目立ちにくい表示装置、及び表示装置の輝点修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴に遮光性物質が充填されて形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本実施形態の開示によれば、黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴に遮光性物質が充填されて形成されているので、輝点不良領域の大きさに応じた１つの穴があけられて遮光性物質が充填されている構成と比べて、修正後の黒点が小さくなり、目立ちにくい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、表示装置の一部の領域における等価回路図である。
【図３】図３は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。
【図４】図４は、シャッター体の開口が第１基板の光透過領域と重なっている状態を示すシャッター機構の平面図である。
【図５】図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】図６は、シャッター体の開口以外の部分が第１基板の光透過領域と重なっている状態を示すシャッター機構の平面図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【図８】図８は、第１基板の断面図である。
【図９】図９は、第１の実施形態において、輝点不良領域となっている画素の光透過領域を遮光するために形成された黒点化部を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態において、輝点修正のためにあけられた穴の大きさを示す図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態において、輝点不良領域となっている画素の光透過領域を遮光するために形成された黒点化部を示す断面図である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態において、輝点修正のためにあけられた穴の大きさを示す図である。
【図１３】図１３は、第２基板の第１基板とは反対側の面に形成された黒点化部を示す断面図である。
【図１４】図１４は、従来の方法によって、輝点不良領域を黒点に修正するためにあけられた穴の大きさを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴に遮光性物質が充填されて形成されている（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、黒点化部は、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴に遮光性物質が充填されて形成されているので、輝点不良領域の大きさに応じた１つの穴があけられて遮光性物質が充填されている構成と比べて、修正後の黒点が小さくなり、目立ちにくい。
【００１１】
第１の構成において、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板の前記対向基板とは反対側の面に形成されている構成としてもよい（第２の構成）。
【００１２】
黒点化部を対向基板側に形成した場合、遮光性物質が対向基板に設けられている反射膜とバックライトの裏側に配置されている反射板との間で反射し合うことによって、細長い影として見える場合がある。しかしながら、第２の構成によれば、遮光性物質の上述したような反射が無いので、細長い影が見えることはない。従って、表示装置の商品性が向上する。
【００１３】
第１または第２の構成において、前記複数の穴の深さは、当該複数の穴が形成されている基板の厚さの半分の厚さよりも深い構成としてもよい（第３の構成）。
【００１４】
第１から第３のいずれかの構成において、前記複数の穴それぞれの直径Ｒ１と、前記複数の穴のうち、隣接する穴の中心間の距離Ｌ１との間には、Ｒ１／２＜Ｌ１＜３×Ｒ１／４の関係が成り立つようにしてもよい（第４の構成）。
【００１５】
第１から第４のいずれかの構成において、前記遮光性物質の上面は、前記複数の穴の上端より前記複数の穴の底部側にある構成としてもよい（第５の構成）。
【００１６】
第５の構成によれば、複数の穴それぞれの一部の深さにだけ遮光性物質が充填されているので、基板の斜め方向から見たときに、遮光性物質が目立ちにくくなる。従って、修正後の黒点が目立ちにくい。
【００１７】
第５の構成において、前記黒点化部はさらに、前記複数の穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有する構成としてもよい（第６の構成）。
【００１８】
第６の構成によれば、透光性物質によって遮光性物質を保護することができる。
【００１９】
第５または第６の構成において、前記複数の穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記複数の穴の上端までの部分の直径の方が大きい構成としてもよい（第７の構成）。
【００２０】
第７の構成によれば、遮光性物質の上面から穴の上端までの間に遮光性物質が付着せず、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。
【００２１】
第１から第７のいずれかの構成において、表示装置はＭＥＭＳディスプレイであって、前記対向基板を挟んで前記アクティブマトリクス基板と対向するように配置されたバックライトと、前記バックライトの光が前記アクティブマトリクス基板を通過させる量を制御するシャッター機構と、をさらに備える構成としてもよい（第８の構成）。
【００２２】
第８の構成によれば、修正後の黒点が目立ちにくいＭＥＭＳディスプレイを提供することができる。
【００２３】
表示装置の輝点修正方法は、光を透過する光透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板及び対向基板を備えた表示装置において、光が常に透過する状態となっている輝点不良領域を修正する表示装置の輝点修正方法であって、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の少なくとも一方の基板において、当該基板と垂直な方向から見て、前記輝点不良領域を覆うように、第１の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、前記第１の直径を有する複数の穴のそれぞれに遮光性物質を充填するステップと、を備える（第９の構成）。
【００２４】
第９の構成によれば、輝点不良領域よりも小さく、一部がそれぞれ重なり合う、第１の直径を有する複数の穴をあけ、その穴に遮光性物質を充填することによって、輝点不良領域を黒点に修正するので、輝点不良領域の大きさに応じた１つの穴をあけて遮光性物質を充填する構成と比べて、修正後の黒点を小さくすることができる。これにより、修正後の黒点を目立ちにくくすることができる。
【００２５】
第９の構成において、前記遮光性物質を充填するステップの後に、第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、前記第２の直径を有する複数の穴に透光性物質を充填するステップと、をさらに有し、前記第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップでは、前記第２の直径を有する複数の穴と前記第１の直径を有する複数の穴の一部がそれぞれ重なり合うように、前記第２の直径を有する複数の穴を順に形成する構成としてもよい（第１０の構成）。
【００２６】
第１０の構成によれば、複数の穴それぞれの一部の深さにだけ遮光性物質を充填するので、基板の斜め方向から見たときに、遮光性物質が目立ちにくくなる。従って、修正後の黒点を目立ちにくくすることができる。また、第１の直径を有する複数の穴に遮光性物質を充填し,その後にあけた第２の直径を有する複数の穴に透光性物質を充填するので遮光性物質を保護することができる。
【００２７】
第１０の構成において、前記第２の直径を有し、一部がそれぞれ重なり合う複数の穴を順に形成するステップと、前記第２の直径を有する複数の穴に透光性物質を充填するステップとの間に、前記第２の直径を有する複数の穴の内側にエッチング加工を行うステップをさらに有するようにしてもよい（第１１の構成）。
【００２８】
第１１の構成によれば、第２の直径を有する複数の穴の内側の面の光の屈折率が略均一化されるため、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。
【００２９】
［実施の形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００３０】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態における表示装置１０の構成例を示す斜視図である。図２は、表示装置１０の一部の領域における等価回路図である。第１の実施形態における表示装置１０は、透過型ＭＥＭＳディスプレイである。
【００３１】
表示装置１０は、第１基板１１、第２基板２１、バックライト３１及び反射板４１が順に積層された構成を有する。第１基板１１はアクティブマトリクス基板であり、第２基板２１は対向基板である。
【００３２】
第１基板１１には、画像を表示するための複数の画素Ｐが配置される表示領域１３が設けられている。表示領域１３には、光を透過する光透過領域と、光を遮光する遮光領域とが存在する。第１基板１１にはまた、各画素Ｐの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２及びゲートドライバ１４が設けられている。第２基板２１は、バックライト３１のバックライト面を覆うように設置されている。
【００３３】
バックライト３１は、各画素Ｐにバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。光源は、例えば冷陰極管（ＣＣＦＬ）、ＬＥＤ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等である。
【００３４】
反射板４１は、バックライト３１に対して第１基板１１及び第２基板２１とは反対側に設けられており、バックライト光を反射する機能を有する。
【００３５】
図２に示すように、第１基板１１には、複数のデータ線１５及び複数のゲート線１６が設けられている。データ線１５は、第１の方向に延伸しており、第１の方向と直交する第２の方向に所定の間隔で複数設けられている。ゲート線１６は、第２の方向に延伸しており、第１の方向に所定の間隔で複数設けられている。
【００３６】
画素Ｐは、データ線１５とゲート線１６とによって区切られた領域に形成されている。各画素Ｐには、後述するシャッター機構Ｓが設けられている。
【００３７】
各データ線１５はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１６はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１６に、ゲート線１６を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１６を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１６の走査に同期して、各データ線１５にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１６に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。
【００３８】
図３は、１つの画素Ｐにおけるシャッター機構Ｓの詳細な構成例を示す斜視図である。シャッター機構Ｓは、シャッター体３と、第１電極部４ａと、第２電極部４ｂとを備える。
【００３９】
シャッター体３は、板状の形状を有する。なお、図３では、図示の便宜上、シャッター体３は平面形状を有するように示しているが、実際には、後述する図５や図７の断面図に示すように、シャッター体３の長手方向（長辺方向）に折り目を有した形状である。シャッター体３の長手方向に垂直な方向、すなわち短手方向（短辺方向）がシャッター体３の駆動方向（移動方向）である。
【００４０】
シャッター体３は、長手方向に延びる開口３ａを有する。開口３ａは、シャッター体３の長手方向に長辺を持つ矩形に形成されている。
【００４１】
シャッター体３には、シャッタービーム５１、５２の一端が接続されている。シャッタービーム５１、５２の他端は、第１基板１１に固定された支持部であるシャッタービームアンカー８１、８２に接続されている。シャッタービーム５１、５２は、弾性変形可能である。
【００４２】
第１シャッタービーム５１（以下、単にシャッタービーム５１とも呼ぶ）は、駆動方向におけるシャッター体３の一方の端部に接続され、第２シャッタービーム５２（以下、単にシャッタービーム５２とも呼ぶ）は、駆動方向におけるシャッター体３の他方の端部に接続されている。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されているシャッター体３の端部と反対側の端部に接続されている。この例では、シャッター体３の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続されている。第１シャッタービーム５１は、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第１シャッタービームアンカー８１に接続されている。また、第２シャッタービーム５２は、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。ここでは一例として、第１シャッタービーム５１は一対のシャッタービームで構成されているが、１本のシャッタービームで構成することもできる。第２シャッタービーム５２も同様である。
【００４３】
このように、シャッタービーム５１、５２は、第１基板１１に対して固定されたシャッタービームアンカー８１、８２と、シャッター体３とを接続する。シャッタービーム５１、５２は可撓性を有するので、シャッター体３は、第１基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体３は、シャッタービームアンカー８１、８２及びシャッタービーム５１、５２を介して、第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。
【００４４】
駆動ビーム６１、６２は、シャッター体３の駆動方向における両側に隣接して設けられている。第１駆動ビーム６１（以下、単に駆動ビーム６１とも呼ぶ）はシャッター体３の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２（以下、単に駆動ビーム６２とも呼ぶ）はシャッター体３の駆動方向における他方の端部に対向して設けられている。すなわち、駆動ビーム６１、６２は、シャッター体３に接続されたシャッタービーム５１、５２に対向する位置に配置されている。後述するように、シャッター体３の駆動時に、駆動ビーム６１または６２は、対向するシャッタービーム５１または５２と接触する。
【００４５】
駆動ビーム６１、６２の端部は、第１基板１１に固定された駆動ビームアンカー７１、７２にそれぞれ接続されている。駆動ビーム６１、６２は、駆動ビームアンカー７１、７２を介して、第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されているが、１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。
【００４６】
第１駆動ビーム６１及び第１駆動ビームアンカー７１により、第１電極部４ａが構成されている。また、第２駆動ビーム６２及び第２駆動ビームアンカー７２により、第２電極部４ｂが構成されている。第１電極部４ａ及び第２電極部４ｂには、後述するように、所定の電圧が与えられる。
【００４７】
第１基板１１は、光を透過する光透過領域ＴＡを有する。図３に示す例では、第１基板１１には、１つの画素につき２つの光透過領域ＴＡが設けられている。光透過領域ＴＡは、シャッター体３の開口３ａに対応した矩形形状を有する。２つの光透過領域ＴＡは、シャッター体３の短手方向に並ぶように配置されている。
【００４８】
本実施形態において、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、第１電極部４ａと第２電極部４ｂに、一定時間ごとに極性の異なる電位を供給している。また、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、シャッター体３に対して、正の極性または負の極性の固定電位を供給する。
【００４９】
シャッター体３にＨ（Ｈｉｇｈ）レベルの電位が供給されている場合を例に説明すると、第１電極部４ａの駆動ビーム６１の電位がＨレベル、第２電極部４ｂの駆動ビーム６２の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルのとき、静電気力によって、シャッター体３は、Ｌレベルの第２電極部４ｂ側に移動する。その結果、図４及び図５に示すように、シャッター体３の開口３ａが第１基板１１の２つの光透過領域ＴＡのうちの１つと重なり、バックライト３１の光が第１基板１１側に透過する開状態となる。ただし、図４はシャッター機構Ｓの平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。また、図５には、第１基板１１に設けられた遮光膜２０１、及び第２基板２１に設けられた遮光膜１５１も示している。
【００５０】
一方、第１電極部４ａの電位がＬレベル且つ第２電極部４ｂの電位がＨレベルのときには、シャッター体３は、第１電極部４ａ側に移動する。これにより、図６及び図７に示すように、シャッター体３の開口３ａ以外の部分が、光透過領域ＴＡと重なる。この場合、バックライト３１の光が第１基板１１側に透過しない閉状態となる。ただし、図６は、シャッター機構Ｓの平面図であり、図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。また、図７には、第１基板１１に設けられた遮光膜２０１、及び第２基板２１に設けられた遮光膜１５１も示している。
【００５１】
すなわち、本実施形態のシャッター機構Ｓでは、シャッター体３、第１電極部４ａ、及び第２電極部４ｂの電位を制御することにより、シャッター体３を移動させ、第１基板１１の光透過領域ＴＡの開状態と閉状態との切り替えを行うことができる。なお、シャッター体３にＬレベルの電位が供給されている場合には、シャッター体３は上記とは逆の動作をする。
【００５２】
（第１基板）
図８は、第１基板１１の断面図である。
【００５３】
第１基板１１は、透光性基板（例えば、ガラス基板）１００上に、遮光部２００、ＴＦＴ３００、及びシャッター機構Ｓが形成された構成を有する。なお、図８では１つのＴＦＴを示しているが、実際には、単一の画素Ｐに複数のＴＦＴを含んでいる。
【００５４】
遮光部２００は、遮光膜２０１、第１透明絶縁膜２０２、第２透明絶縁膜２０３、光透過膜２０４、及び第３透明絶縁膜２０５を含む。
【００５５】
ＴＦＴ３００は、ゲート電極３０１、酸化物半導体膜３０２、エッチストッパ層３０３，ソース電極３０４、及びドレイン電極３０５を含む。
【００５６】
遮光膜２０１は、透光性基板１００上に設けられている。遮光膜２０１は、表示領域１３のうち、光透過領域ＴＡ以外を覆うように形成されている。これにより、表示視認側から表示装置１０に進入した外光が遮光膜２０１よりも第２基板２１側に入っていくのを抑制することができる。
【００５７】
遮光膜２０１は、光を反射しにくい材料で形成されている。これにより、表示視認側から表示装置１０に進入した外光が、遮光膜２０１で反射して表示視認側に戻っていくのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、高抵抗の材料で形成されている。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間に大きな寄生容量が形成されるのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、ＴＦＴ製造プロセスよりも前に形成されるので、遮光膜２０１の材料としては、後工程でのＴＦＴ製造プロセス処理においてＴＦＴ特性への影響がなく、かつＴＦＴ製造プロセス処理に耐えうる材料を選択する必要がある。このような条件を満足する遮光膜２０１の材料としては、例えば、カーボン粒子（カーボンブラック）を含有することによって暗色に着色された高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜等が挙げられる。遮光膜２０１の膜厚は、例えば０．５μｍである。
【００５８】
光透過膜２０４は、遮光膜２０１を覆って設けられている。光透過膜２０４は、例えば、塗布型の材料で形成されている。塗布型の材料とは、塗布により成膜可能な材料を意味する。具体的には、光透過膜２０４は、例えば、透明の高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ膜で形成されている。なお、光透過膜２０４を感光性材料で形成しても良い。
【００５９】
光透過膜２０４を塗布型材料で形成することにより、遮光膜２０１のパターンで生じた凹凸を平坦にすることができる。そのため、ＴＦＴ３００の製造工程において、パターニングするときに、レジスト等の液溜まりを無くすことができ、パターニング精度を向上させることができる。
【００６０】
光透過膜２０４の膜厚は、遮光膜２０１の膜厚に対して少なくとも０．５μｍ以上厚い。光透過膜２０４を塗布型材料で形成することにより、光透過膜２０４の厚さ（遮光膜２０１が形成されている部分の厚さ）を１．０〜３．０μｍ程度にまで厚くすることができる。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間隔を大きく確保することができ、両者の間に生じる寄生容量を低減することができる。
【００６１】
遮光膜２０１と光透過膜２０４との間には、第１透明絶縁膜２０２及び第２透明絶縁膜２０３が設けられている。第１透明絶縁膜２０２が設けられているので、遮光膜２０１をパターンニングするときのレジスト材料との濡れ性及び密着性を向上することができる。また、遮光膜２０１の全面を覆うように、第２透明絶縁膜２０３が設けられているので、遮光膜２０１中のカーボンブラック等の暗色材料が高温アニールにより酸化されて遮光膜２０１が透明化するのを防ぐことができる。
【００６２】
なお、第２透明絶縁膜２０３は省略可能である。また、第３透明絶縁膜２０５が遮光膜２０１の全面を覆う場合には、第３透明絶縁膜２０５が高温アニールによるカーボンブラックの酸化を防ぐことができるので、第１透明絶縁膜２０２を省略することもできる。
【００６３】
ゲート電極３０１は、第１導電膜Ｍ１で形成されている。第１導電膜Ｍ１は、ＴＦＴ３００のゲート電極３０１の他、配線１１１等も構成している。また、ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、第２導電膜Ｍ２で形成されている。第２導電膜Ｍ２は、ＴＦＴ３００のソース電極３０４とドレイン電極３０５の他、配線１１２等も構成している。酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜等で形成されている。
【００６４】
ゲート電極３０１は、ゲート絶縁膜１０１で覆われている。ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、パッシベーション膜１０２で覆われている。パッシベーション膜１０２は、さらに、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４で覆われている。ＴＦＴ３００は、従来公知の構成を有する。
【００６５】
パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４には、ドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３が形成されている。パッシベーション膜１０４の上には、配線１１３が形成されている。配線１１３の一部１１３ａは、コンタクトホールＣＨ３の表面を覆って設けられ、ドレイン電極３０５と電気的に接続されている。配線１１３は、第３導電膜Ｍ３で形成されている。配線１１３は、シャッター機構Ｓの第１電極部４ａ、第２電極部４ｂ、シャッター体３等に接続されている。なお、配線１１３の一部１１３ａは、パッシベーション膜１０４の表面に設けられた透明導電膜１１４と電気的に接続されていてもよい。配線１１３は、パッシベーション膜１０５で覆われている。
【００６６】
パッシベーション膜１０５の上には、シャッター機構Ｓが設けられている。シャッター機構Ｓの構成は上述の通りである。なお、シャッター体３は、透光性基板１００側のシャッター本体３ｂと金属膜３ｃとが積層された構成を有する。
【００６７】
ここで、ＭＥＭＳディスプレイでは、シャッター機構Ｓの制御時に、バックライト３１の光が第１基板１１側に透過しない状態とするために、シャッター体３を第１電極部４ａ側または第２電極部４ｂ側に移動させた場合に、動作不良によって、光透過領域ＴＡがシャッター体３の開口３ａ以外の部分と完全に重ならない場合がある。この場合、シャッター機構Ｓの動作不良によって、常に光が透過する状態となっている領域は、輝点不良領域となり、黒色表示を行った際に微小な輝点となってしまう。
【００６８】
本実施形態では、表示装置１０の製造後の検査工程において上述したような輝点不良領域を発見した場合に、第１基板１１と垂直な方向から見て、輝点不良領域を覆うように、第１基板１１の表示視認側の面（第１基板１１の両面のうち、第２基板２１と対向している面とは反対側の面）にドリルで穴をあけて、その穴に遮光性物質である黒色樹脂を充填する。黒色樹脂は、例えばうるし系の暗色の合成樹脂である。黒色樹脂を充填した部分が遮光部となるので、輝点を黒点に修正することができる。このように、光透過領域に、輝点修正のために形成された遮光部を黒点化部と呼ぶ。
【００６９】
図９は、輝点不良領域となっている画素の光透過領域ＴＡを遮光するために形成された黒点化部９０を示す断面図である。黒点化部９０は、第１基板１１を構成する透光性基板１００と垂直な方向から見て、輝点不良領域である画素の光透過領域ＴＡよりも広い穴９１が透光性基板１００の表示視認側の面にあけられ、その穴９１に黒色樹脂９２が充填されることによって形成されている。透光性基板１００の厚さが例えば０．５ｍｍの場合、透光性基板１００にあけられる穴９１の深さは、例えば０．４ｍｍである。このように、透光性基板１００の内部側における黒点化部９０の底辺は、透光性基板１００の断面から見たときに、透光性基板１００の厚さの半分よりも第２基板２１側に形成される。すなわち、黒点化部９０を形成する穴９１の深さは、穴９１が形成されている透光性基板１００の厚さの半分の厚さよりも深い。
【００７０】
従来、ある画素に輝点不良が生じた場合、当該画素の光透過領域ＴＡより広い１つの穴をあけていた。すなわち、従来は、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡの長辺方向の長さが例えば０．１ｍｍの場合に、この光透過領域ＴＡの大きさに合わせて、例えば直径が０．１５〜０．１８ｍｍのドリルを用いて穴をあけていた。図１４は、従来の穴１６０の大きさを示す図である。この場合、光透過領域ＴＡ以外の広範な領域にも穴があけられるため、黒色樹脂充填後の黒点が大きくなる。従って、穴１６０があけられた領域を含む周辺領域を白表示にした際に、修正後の黒点が大きくて目立ちやすいという問題が生じる。
【００７１】
このため、本実施形態では、従来のドリルよりも小さい直径のドリルを用いて、一部がそれぞれ重なり合うように複数の穴をあけて、それらの穴に黒色樹脂を充填することにより、輝点修正を行う。１つの穴の大きさは、輝点不良領域より小さい。輝点不良領域よりも小さい穴を複数あけることによって、全体として輝点不良領域よりも大きい穴をあけるために、ドリルであけられたそれぞれの穴は、隣接する穴と一部が重なっている。本実施形態において用いるドリルの直径は、例えば０．０４〜０．０８ｍｍである。すなわち、１つの穴の直径は、例えば０．０４〜０．０８ｍｍである。なお、直径が０．１ｍｍより小さいドリルでは、基板に穴をあけた状態でドリルを横に動かすことができない。
【００７２】
図１０は、本実施形態において、輝点修正のためにあけられた穴の大きさを示す図であり、第１基板１１と垂直な方向から見た図である。図１０に示す例では、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡを覆うように、３つの穴９１、１０１、１０２があけられている。ただし、穴の数は３つに限定されることはなく、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡ（輝点不良領域）の大きさに応じて２つでも良いし、４つ以上でも良い。なお、図９の黒点化部９０は、図１０のＩＸ−ＩＸ線で切断した場合の断面を示している。
【００７３】
第１基板１１と垂直な方向から見て、穴９１は、隣接する穴１０１と一部が重なっている。また、第１基板１１と垂直な方向から見て、穴１０１は、隣接する穴９１及び穴１０２と一部が重なっている。すなわち、第１基板１１と垂直な方向から見て、光透過領域ＴＡを覆うように、隣接する穴同士の一部が重なるように、３つの穴９１、１０１、１０２があけられている。
【００７４】
ここで、穴９１、１０１、１０２の直径をＲ１、隣接する穴の間隔（隣接する穴９１と穴１０１の中心間の距離、隣接する穴１０１と穴１０２の中心間の距離）をＬ１とすると、次式（１）が成り立つように、３つの穴９１、１０１、１０２をあける。
Ｒ１／２＜Ｌ１＜３×Ｒ１／４        …（１）
【００７５】
３つの穴９１、１０１、１０２は、例えば、穴１０２、穴１０１、穴９１の順序であけることができる。ただし、穴をあける順序がこの順序に限定されることはない。例えば、穴１０２、穴９１、穴１０１の順序であけてもよい。この順序で穴をあけることにより、軸ブレすることなく、３つの穴９１、１０１、１０２をあけることができる。すなわち、穴１０２及び穴９１は、重なり合わないのでドリルが軸ブレすることなくあけることができ、穴１０１は、両側の穴９１、１０２とそれぞれ一部が対称に重なるようにあけるので、軸ブレすることなくあけることができる。
【００７６】
図１０と図１４を比較して分かるように、本実施形態では、輝点修正のために、ドリルによってあけられた穴の全体面積は小さい。このため、穴があけられた領域を含む周辺領域を白表示にした際に、修正後の黒点は小さく目立ちにくい。すなわち、本実施形態の表示装置１０によれば、輝点不良領域は確実に黒点に修正されており、かつ、修正後の黒点が目立ちにくい。
【００７７】
また、黒点化部９０を形成する穴は、輝点不良領域よりも小さい複数の穴によって構成されている。従って、第１基板１１と垂直な方向から見て、ドリルの形状と同じ円形形状に限らず、任意の形状の黒点化部９０を形成することができる。換言すると、輝点不良領域の形状に応じた形状のドリルを用意する必要がない。
【００７８】
［第２の実施形態］
図１１は、第２の実施形態における表示装置１０Ａにおいて、輝点不良領域となっている画素の光透過領域ＴＡを遮光するために形成された黒点化部９０Ａを示す断面図である。また、図１２は、第２の実施形態における表示装置１０Ａにおいて、輝点修正のためにあけられた穴の大きさを示す図である。図１１の黒点化部９０Ａは、図１２のＸＩ−ＸＩ線で切断した場合の断面を示している。なお、図１１及び図１２において、第１の実施形態の構成と同じ構成部分については、同一の符号を付して、詳しい説明は省略する。
【００７９】
本実施形態では、図１１に示すように、第１基板１１を構成する透光性基板１００の表示視認側の面に、第１の径を有する穴１１１と、第１の直径よりも大きい第２の直径を有する穴１１２があけられており、第１の直径を有する穴１１１に黒色樹脂１１３が充填されており、第２の直径を有する穴１１２に透明樹脂１１４が充填されることによって、黒点化部９０Ａが形成されている。第１の直径を有する穴１１１は、第２の直径を有する穴１１１２に比べて、透光性基板１００の奥側（第２基板２１側）に位置する。第２の直径を有する穴１１２は、透光性基板１００と垂直な方向から見て、第１の直径を有する穴１１１を覆う位置に形成されている。第１の直径は、例えば０．０６ｍｍであり、第２の直径は、例えば０．０７ｍｍである。
【００８０】
本実施形態でも、第１基板１１と垂直な方向から見て、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡを覆うように、一部が重なり合う複数の穴が形成されている。図１２に示す例では、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡを覆うように、第１の直径を有する３つの穴１１１、１２１、１２３があけられ、それぞれの穴１１１、１２１、１２３に黒色樹脂が充填されている。また、３つの穴１１１、１２１、１２３のそれぞれに対応して、第１の直径よりも大きい第２の直径を有する３つの穴１１２、１２２、１２４があけられ、それぞれの穴１１２、１２２、１２４に透明樹脂が充填されている。
【００８１】
すなわち、黒色樹脂の上面は、透光性基板１００にあけられた穴の上端より穴の底部側にある。また、透明樹脂は、透光性基板１００にあけられた穴の上端と黒色樹脂との間に充填されている。
【００８２】
透光領域内遮光部９０Ａの形成順序について説明しておく。まず始めに、第１基板１１と垂直な方向から見て、輝点不良が生じている画素の光透過領域ＴＡを覆うように、第１基板１１を構成する透光性基板１００の表示視認側の面に、第１の直径を有する複数の穴１１１、１２１、１２３を形成する。第１の直径は、例えば０．０６ｍｍである。透光性基板１００の厚さが例えば０．５ｍｍの場合、第１の直径を有する穴１１１、１２１、１２３の深さは、例えば０．４ｍｍである。第１の直径を有する複数の穴１１１、１２１、１２３は、それぞれ一部が重なり合うように形成する。
【００８３】
次に、第１の直径を有する複数の穴１１１、１２１、１２３に黒色樹脂を充填する。上述したように、黒色樹脂は、例えばうるし系の暗色の合成樹脂である。
【００８４】
続いて、透光性基板１００の表示視認側の面に、第１の直径より大きい第２の直径を有する複数の穴１１２、１２２、１２４を形成する。上述したように、第２の直径を有する穴は、第１基板１１と垂直な方向から見て、第１の直径を有する穴を覆う位置に形成する。第２の直径を有する複数の穴１１２、１２２、１２４の中心は、第１の直径を有する複数の穴１１１、１２１、１２３の中心とそれぞれ一致しているとなおよい。第２の直径は、例えば０．０８ｍｍである。透光性基板１００の厚さが例えば０．５ｍｍの場合、第２の直径を有する穴の深さは、例えば０．２５ｍｍである。第２の直径を有する複数の穴１１２、１２２、１２４は、それぞれ一部が重なり合うように形成する。
【００８５】
その後、第２の直径を有する複数の穴１１２、１２２、１２４に透明樹脂を充填する。
【００８６】
第２の実施形態の構成によれば、透光性基板１００に設けられた、ある深さの穴のうちの一部の深さにだけ黒色樹脂が充填されている。これにより、透光性基板１００と垂直な方向において、黒色樹脂が充填されている部分の長さが短くなる。従って、透光性基板１００に設けられている黒点化部９０Ａを透光性基板１００に対して斜め方向から見た際に、黒色樹脂が目立ちにくくなる。すなわち、第２の実施形態の構成によれば、輝点修正後の黒点を目立ちにくくすることができる。
【００８７】
ここで、第２の直径を第１の直径よりも大きくしているのは、以下の理由による。第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４は、第１の直径を有する穴１１１、１２１、１２３に黒色樹脂を充填した後に形成する。このため、第２の直径と第１の直径を同じにすると、第２の直径を有する穴をあけたときに、第２の直径を有する穴の表面に黒色樹脂が付着した状態となっている場合がある。これを防ぐために、第２の直径を第１の直径よりも大きくしている。
【００８８】
しかしながら、第１の直径と第２の直径を同じにしても、第２の直径を有する穴の表面に黒色樹脂が付着しない製造方法を採用することにより、第１の直径と第２の直径を同じとすることができる。この場合、例えば、透光性基板１００に穴をあけて、穴の一部の深さにだけ黒色樹脂を充填し、残りの部分に黒色樹脂が付着していない状態で透明樹脂を充填するようにしてもよい。
【００８９】
また、第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４には、透明樹脂を充填しない構成とすることもできる。ただし、第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４に透明樹脂を充填することにより、第１の直径を有する穴１１１、１２１、１２３に異物が混入するのを防いで、黒色樹脂を保護することができるので、透明樹脂を充填した構成とする方が好ましい。
【００９０】
また、第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４の内側の表面に、ガラス用エッチング液を塗布することによって、エッチング加工を施してから、透明樹脂を充填するようにしてもよい。ガラス用エッチング液は、例えばフッ化アンモニウム及びフッ化水素アンモニウムの混合物と、硫酸を含む。第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４の内側の表面にエッチング加工を施すことにより、穴の表面が滑らかになるので、第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４の内側の面における光の屈折率が略均一となる。これにより、第２の直径を有する穴１１２、１２２、１２４を目立たなくさせることができる。なお、エッチング液は、黒色樹脂の表面にも塗布されるため、黒色樹脂がエッチングされない材料を用いる。
【００９１】
以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【００９２】
例えば、上述した実施形態では、黒点化部９０、９０Ａを、アクティブマトリクス基板である第１基板１１の第２基板２１とは反対側の面に形成したが、第２基板２１の第１基板１１とは反対側の面（バックライト３１と対向する面）に形成することもできる。
【００９３】
図１３は、第２基板２１の第１基板１１とは反対側の面に形成された黒点化部９０Ｄを示す断面図である。第２基板２１には、第２基板２１と垂直な方向から見て、第１基板１１の遮光膜２０１と重なる位置に遮光膜１５１が設けられている。遮光膜１５１が設けられていない領域は、光透過領域ＴＢであり、第２基板２１と垂直な方向から見て、第１基板１１の光透過領域ＴＡと重なる位置にある。黒点化部９０Ｄは、第２基板２１と垂直な方向から見て、輝点不良領域である画素の光透過領域ＴＢよりも広い穴９１Ｄがあけられ、その穴９１Ｄに黒色樹脂９２Ｄが充填されることによって形成されている。
【００９４】
ここで、遮光膜１５１は、例えば金属膜であり、バックライト光を反射する機能を有する。従って、第２基板２１の第１基板１１と反対側の面に黒点化部９０Ｄを形成すると、黒色樹脂９２Ｄが遮光膜１５１とバックライト３１の裏側に配置されている反射板４１との間で反射し合うことによって、表示装置を表示視認側から見た際に、細長い影として見える場合がある。しかしながら、上述した第１〜第４の実施形態で説明したように、黒点化部９０、９０Ａを、第１基板１１の第２基板２１とは反対側の面に形成した場合には、黒色樹脂９２Ｄの上述したような反射は生じないので、上述したような細長い影は発生しない。従って、黒点化部９０、９０Ａは、第１基板１１の第２基板２１とは反対側の面に形成する方が好ましい。
【符号の説明】
【００９５】
１０、１０Ａ…表示装置、１１…第１基板（アクティブマトリクス基板）、２１…第２基板（対向基板）、９０、９０Ａ、９０Ｄ…黒点化部、ＴＡ、ＴＢ…光透過領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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