(57)【要約】【課題】端末処理に要する作業時間を短縮できるとともに、作業品質を向上できるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係るゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、（Ａ）所要長の外部半導電層を、当該外部半導電層の融点以上の温度で加熱する工程と、（Ｂ）外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、を備える。【選択図】図２
2017103847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、当該外部半導電層の融点以上の温度で加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とするゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項２】
前記工程Ａにおける加熱温度は、前記外部半導電層の融点＋３０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項３】
前記工程Ａにおける加熱温度は、前記外部半導電層の融点＋１００℃以上であることを特徴とする請求項２に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項４】
前記工程Ａは、ガスバーナーによる加熱であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項５】
前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層は、一括押出成形により形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項６】
前記ケーブル絶縁体は、エチレンプロピレンゴムで形成され、
前記外部半導電層は、半導電性の架橋ポリエチレンで形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゴム絶縁ケーブルの端末処理方法に関し、特に、外部半導電層の剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、６６００Ｖ以上の高圧の電力ケーブルは、中心から順に、ケーブル導体、内部半導電層、ケーブル絶縁体、外部半導電層、及びケーブルシース等を備えている。最近では、内部半導電層、ケーブル絶縁体及び外部半導電層を押出成形によって一括に形成する、またはケーブル絶縁体、外部半導電層及びケーブルシースを押出成形によって一括に形成する、三層一括押出という製法が普及し、一般的な製法となっている。三層一括押出製法によれば、作業効率が向上し、製造時のリードタイムを大幅に短縮することができる。
【０００３】
このような電力ケーブルの終端接続部や中間接続部を組み立てる場合、各層を露出させるための端末処理（いわゆる段剥ぎ）が行われる。電力ケーブルの端末処理において、外部半導電層の除去作業は、通常、作業者が外部半導電層に刃物で切り込みを入れ、徐々に外部半導電層を剥離していくことにより行われる。このとき、ケーブル絶縁体が損傷すると電力ケーブルの絶縁破壊リスクが増大するため、外部半導電層の除去作業は、時間をかけて慎重に行われる。特許文献１、２には、外部半導電層の除去作業を容易化するための治具や方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０６９６３０号公報
【特許文献２】特開昭６０−０２０７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ケーブル設計によって外部半導電層の厚さは異なり、刃を入れる深さも異なるため、現状、汎用性に富む治具、工具はなく、実務では臨機応変な対応が要求される。したがって、作業者の熟練度によって仕上がり具合がばらつき、終端接続部や中間接続部の品質にもばらつきが生じる虞がある。
【０００６】
特に、三層一括押出製法によって製造されるゴム絶縁ケーブルの場合、層ごとに押出成形が行われる場合に比較して、ケーブル絶縁体と外部半導電層との密着性が高いため、外部半導電層だけを剥離することは極めて困難である。例えば、外部半導電層に切り込みを入れて短冊状に分割し、ペンチなどで外部半導電層を引き剥がそうとした場合に、外部半導電層にゴム製のケーブル絶縁体が引き攣られて部分的に剥離され、ケーブル絶縁体が損傷することもある。三層一括押出製法によるゴム絶縁ケーブルの場合、熟練者であっても、ケーブル絶縁体を損傷させることなく外部半導電層を除去することは困難であり、場合によっては数十時間を要することもある。
【０００７】
なお、プラスチック絶縁ケーブルは、ゴム絶縁ケーブルに比較してケーブル絶縁体が硬質であるため、三層一括押出製法により製造される場合であっても、従来の端末処理方法によって外部半導電層を剥離することができる。
【０００８】
本発明の目的は、端末処理に要する作業時間を大幅に短縮できるとともに、作業品質を向上できるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面を反映したゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、当該外部半導電層の融点以上の温度で加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ケーブル絶縁体を損傷させることなく、容易に外部半導電層を除去することができる。したがって、作業効率が大幅に改善され、端末処理に要する作業時間を飛躍的に短縮することができるとともに、作業品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る端末処理方法を適用し得るゴム絶縁ケーブルを示す図である。
【図２】実施の形態に係る端末処理方法を適用したときの外部半導電層の剥離状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る端末処理方法を適用し得るゴム絶縁ケーブル１を示す図である。図１に示すように、ゴム絶縁ケーブル１は、中心から順に、ケーブル導体１１、内部半導電層１２、ケーブル絶縁体１３、外部半導電層１４、ケーブル遮へい層１５、押さえ巻き層１６、及びケーブルシース（防食層）１７を備える。各層１２〜１７は、ケーブル導体１１と同心円状に形成される。なお、本発明の端末処理方法を適用し得るゴム絶縁ケーブルの構造としては、少なくとも、ケーブル絶縁体１３と、ケーブル絶縁体１３の外周に形成される外部半導電層１４とを備えていればよい。
【００１４】
ケーブル導体１１は、銅又はアルミニウムを主成分とする金属材料からなる素線（例えばすずめっき軟銅線）の集合体であり、円形より線又は分割圧縮より線で構成される。内部半導電層１２及び外部半導電層１４は、例えば半導電性架橋ポリエチレン等、融点がケーブル絶縁体１３に対して低い樹脂材料で形成される。内部半導電層１２はケーブル導体１１の外周に形成され、外部半導電層１４はケーブル絶縁体１３の外周に形成される。
【００１５】
ケーブル絶縁体１３は、外部半導電層１４の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料（例えばエチレンプロピレンゴム等）で形成される。ケーブル遮へい層１５は、外部半導電層１４の外周に、例えば銅テープを螺旋状に巻回することにより形成される。ケーブルシース１７は、ケーブル遮へい層１５の外周に、押さえ巻き層１６を介して、例えば塩化ビニルで形成される。内部半導電層１２、ケーブル絶縁体１３及び外部半導電層１４は、三層一括押出製法によって形成される。
【００１６】
なお、ケーブル絶縁体１３を形成するゴム材料には、エチレンプロピレンゴムの他、例えば天然ゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどを適用できる。また、外部半導電層１４を形成する樹脂材料には、例えば半導電性の架橋ポリエチレンが用いられる。ここでは、ケーブル絶縁体１３は、使用温度が１５０℃であるエチレンプロピレンゴムで形成されているので、外部半導電層１４を形成する架橋ポリエチレンの融点である７０〜１００℃よりも高い使用温度に耐える。
【００１７】
ゴム絶縁ケーブル１の終端接続部又は中間接続部を組み立てる際、ゴム絶縁ケーブル１の端末部から所要長（例えば３ｍ）で段剥ぎすることにより各層が露出される。ケーブルシース１７、押さえ巻き層１６及びケーブル遮へい層１５が所定の方法により除去された後、外部半導電層１４が除去される。この外部半導電層１４の除去作業に、本発明の端末処理方法が適用される。本発明は、少なくとも、ケーブル絶縁体１３と、外部半導電層１４とを備えるゴム絶縁ケーブル１のように、ケーブル絶縁体１３と外部半導電層１４が一括押出製法により形成され、密着性が極めて高い場合に特に有用である。
【００１８】
具体的には、まず、所要長の外部半導電層１４を、当該外部半導電層１４の融点以上の温度で加熱する（工程Ａ）。外部半導電層１４が半導電性の架橋ポリエチレンで形成される場合、融点は７０〜１００℃であるので、加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは２００℃以上である。終端接続部又は中間接続部を組み立てる現場において端末処理を行う場合、外部半導電層１４の加熱にはＬＰガスバーナー（着火温度４９３℃）が用いられる。
【００１９】
そして、外部半導電層１４の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る（工程Ｂ）。工程Ａにより外部半導電層１４は軟化しているので、手で扱きながら捲り上げることにより容易に除去することができる。外部半導電層１４の加熱部分を、冷えないうちに手で扱くため、耐熱性手袋を用いるのが好ましい。
【００２０】
加熱温度を１００℃以上、すなわち架橋ポリエチレンの融点＋３０℃以上とすることで、外部半導電層１４を軟化させることができ、手作業で扱き落とすことができる。さらに、加熱温度を２００℃以上、すなわち架橋ポリエチレンの融点＋１００℃以上とすることで、外部半導電層１４を極めて簡単に剥離することができ、作業時間が格段に短縮される。例えば、加熱温度を１００℃にした場合の作業に比較して、加熱温度を２００℃にした場合の作業は、作業時間で１０分程度短縮される他、外部半導電層１４をより剥ぎ易く、剥離後のケーブル絶縁体１３の表面がより滑らかになる（外部半導電層１４が残らない）ため、作業性が非常に高い。
【００２１】
なお、工程Ａにおける加熱時間は、外部半導電層１４が軟化する程度でよく、例えばガスバーナーで炙る時間は、一箇所につき数秒〜数十秒でよい。また、所要長の外部半導電層を一度に加熱した後で剥離する必要はない。所要長が数ｍに及ぶ場合は、工程Ａ、Ｂを繰り返し行う方が、効率良く外部半導電層１４を除去することができる。また、工程Ａ、Ｂは、剥離した外部半導電層１４を遂次剥離すべき所要長の途中で切断しながら行ってもよい。
【００２２】
図２Ａは、実施の形態に係る端末処理方法を適用したときの外部半導電層１４の剥離状態（仕上がり具合）を示す図である。図２Ｂは、従来の端末処理方法を適用したときの外部半導電層１４の剥離状態を示す図である。
【００２３】
図２Ａに示すように、実施の形態に係る端末処理方法で外部半導電層１４を除去した場合、ケーブル絶縁体１３の剥離面は非常に滑らかとなり、光沢も観察することができる。これに対して、図２Ｂに示すように、従来の端末処理方法で外部半導電層１４を除去した場合、外部半導電層１４にケーブル絶縁体１３が引き攣られて、ケーブル絶縁体１３の剥離面はささくれのように荒れている。このように、実施の形態に係る端末処理方法で外部半導電層１４を除去することにより、絶縁破壊リスクを低減することができる。
【００２４】
また、３００ｃｍの外部半導電層１４を表面が平滑で、ささくれ立たないように剥離するのに要する時間は、従来の端末処理方法では半日から１日かかるのに対して、実施の形態の端末処理方法では２０分程度であり、格段に短縮される。
【００２５】
このように、実施の形態に係るゴム絶縁ケーブル１の端末処理方法は、（Ａ）所要長の外部半導電層１４を、当該外部半導電層１４の融点以上の温度（例えば架橋ポリエチレンの場合は２００℃以上）で加熱する工程と、（Ｂ）外部半導電層１４の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、を備える。
【００２６】
この端末処理方法によれば、刃物によって切り込みを形成しないので、刃の深さを調整する作業が不要となり、また、ケーブル絶縁体１３を傷つける不安がないため、スピード重視で作業を行っても一定の作業品質が確保される。このように、ケーブル絶縁体１３を損傷させることなく、容易に外部半導電層１４を除去することができる。したがって、作業効率が大幅に改善され、ゴム絶縁ケーブル１の端末処理に要する作業時間を飛躍的に短縮することができるとともに、作業品質の向上を図ることができる。
【００２７】
また、耐熱手袋等、耐熱性の保護具を装着するだけで、安全かつ簡便に作業を行うことができる。また、使用する工具は、ＬＰガスバーナー等の汎用品であるため、加熱温度の管理がしやすく、仕上がり品質に生じるばらつきは小さい。さらには、外部半導電層１４を手で扱き落とすという簡便な作業であるため、作業者の習熟度は要求されず、短期間で技術を習得することができる。
【００２８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
【００２９】
例えば、本発明の端末処理方法は、ケーブル絶縁体と外部半導電層が一括押出製法で形成されるゴム絶縁ケーブルだけでなく、層ごとに押出成形されるゴム絶縁ケーブルにも適用できる。
【００３０】
また例えば、外部半導電層を加熱する熱源には、オーブンやリボンヒータを適用することもできる。いずれも入手しやすい設備であるため、汎用性が高い。
【００３１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００３２】
１  ゴム絶縁ケーブル
１１  ケーブル導体
１２  内部半導電層
１３  ケーブル絶縁体
１４  外部半導電層
１５  ケーブル遮へい層
１６  押さえ巻き層
１７  ケーブルシース
【図１】
2017103847.tif 000003
【図２】
2017103847.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成され、前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層が一括押出成形により形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、ガスバーナーにより当該外部半導電層の融点以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とするゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項２】
前記工程Ａにおける加熱温度は、前記外部半導電層の融点＋３０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項３】
前記工程Ａにおける加熱温度は、前記外部半導電層の融点＋１００℃以上であることを特徴とする請求項２に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【請求項４】
前記ケーブル絶縁体は、エチレンプロピレンゴムで形成され、
前記外部半導電層は、半導電性の架橋ポリエチレンで形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面を反映したゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成され、前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層が一括押出成形により形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、ガスバーナーにより当該外部半導電層の融点以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が半導電性の架橋ポリエチレンで形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるエチレンプロピレンゴムで形成され、前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層が一括押出成形により形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、予め切り込みを形成することなく、ガスバーナーにより２００℃以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで全体的に加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とするゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面を反映したゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が半導電性の架橋ポリエチレンで形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるエチレンプロピレンゴムで形成され、前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層が一括押出成形により形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、予め切り込みを形成することなく、ガスバーナーにより２００℃以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで全体的に加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とする。