(57)【要約】【課題】  ポリカーボネートに対して金属薄膜を成膜する場合において、金属薄膜の剥離を防止し、また、その他の樹脂に金属薄膜を成膜する場合に、金属の反射率を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】  ワークＷの樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０への搬送が、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷの表面に水分が付着しないだけの、６０秒以内という短時間の間に完了される。これにより、ポリカーボネート製のワークＷの表面で成膜中に加水分解が生じることを防止し、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象を防止することが可能となる。また、樹脂基材への水分付着の低減により、Ａｌの酸化を防ぎ、良好な反射率を得ることが可能である。【選択図】        図１
2017043803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成型機により成型されたポリカーボネート製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記ワークを収納するチャンバーと、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極とを備えた成膜部と、
前記樹脂成型機により成型されたワークを、前記樹脂成型機から前記チャンバーに、当該ワークの表面に水分が付着しないだけの短時間の間に搬送する搬送部と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記搬送部は、前記樹脂成型機から前記チャンバーまで、ワークを６０秒以内に搬送する成膜装置。
【請求項３】
樹脂成型機により成型された樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記ワークを収納するチャンバーと、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極とを備えた成膜部と、
前記樹脂成型機により成型されたワークを、前記樹脂成型機から前記成膜部におけるチャンバーに搬送する搬送部と、を備え、
前記搬送部には、当該搬送部により搬送されるワークの表面に水分が付着することを防止する水分除去機構が配設されることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項３に記載の成膜装置において、
前記水分除去機構は、前記搬送部における搬送路内に乾燥した気体を供給する乾燥気体供給機構である成膜装置。
【請求項５】
請求項３に記載の成膜装置において、
前記水分除去機構は、前記搬送部における搬送路内を加熱する加熱機構である成膜装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の成膜装置において、
前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチメートル当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源を備える成膜装置。
【請求項７】
樹脂成型機により成型されたポリカーボネート製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜方法であって、
樹脂成型機により前記ワークを成型する成型工程と、
前記樹脂成型機により成型されたワークを、当該ワークの表面に水分が付着しないだけの短時間の間に、前記樹脂成型機からチャンバーに搬送する搬送工程と、
前記チャンバー内を減圧するとともに、前記チャンバー内に配設されたターゲット材料を備えるスパッタ電極を使用して前記ワークの表面に金属薄膜を成膜する成膜工程と、
を備えたことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
樹脂成型機により成型された樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜方法であって、
樹脂成型機により前記ワークを成型する成型工程と、
前記樹脂成型機により成型されたワークを、乾燥した気体が供給された、または、加熱された搬送路を介して、当該ワークの表面に水分が付着することを防止した状態で、前記樹脂成型機からチャンバーに搬送する搬送工程と、
前記チャンバー内を減圧するとともに、前記チャンバー内に配設されたターゲット材料を備えるスパッタ電極を使用して前記ワークの表面に金属薄膜を成膜する成膜工程と、
を備えたことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
樹脂成型機により成型されたポリカーボネート等の樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車のヘッドランプのリフレクターや計器類等の光学部品は、従来は、ガラス等の無機材料基材が使用されてきた。しかしながら、自動車の燃費向上等を目的とした軽量化の要請から、樹脂基材への置換が進んでいる。また、従来は金属膜の成膜についてはメッキ法が多用されてきたが、近年は環境負荷低減のため、スパッタリング法等のドライプロセスへの置換が進んでいる。このため、このような部品については、射出成型された樹脂製品に対しては、鏡面仕上げや金属質感を持たせる目的から、アルミニウム等の金属をターゲットとしたスパッタリングによる成膜がなされている。
【０００３】
また、スパッタリングによる成膜後には、金属膜の酸化防止や表面の傷付き等の保護のため、プラズマＣＶＤによる酸化シリコン保護膜等の成膜が実行されることが多い。すなわち、スパッタリングによる成膜後のワークは、別の成膜装置に搬送され、その成膜装置のチャンバー内でＨＭＤＳＯ（ヘキサ−メチル−ジ−シロキサン）等のモノマーガスを利用したプラズマＣＶＤを行うことにより、スパッタリングによる成膜後の表面に保護膜の成膜を行っている。
【０００４】
スパッタリングによる成膜と複合成膜あるいは重合成膜とを同一のチャンバー内で実行する装置も提案されている。特許文献１には、スパッタリング用電極と複合成膜あるいは重合成膜用電極とを所定距離だけ離隔した位置に配置した成膜装置が開示されている。この成膜装置においては、最初に、ワークとスパッタリング電極とを対向配置するとともに、チャンバー内に不活性ガスを導入した後、スパッタリング電極に直流を印加してスパッタリングによる成膜を実行する。次に、ワークを移動させてワークと複合成膜あるいは重合成膜用電極とを対向配置するとともに、チャンバー内にＨＭＤＳＯ等のモノマーガスを導入した後、複合成膜あるいは重合成膜用電極に高周波電圧を印加して、複合成膜あるいは重合成膜を実行している。この特許文献１に記載の成膜装置においては、使用しないターゲット上にシャッターを配置する構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−５８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなスパッタリングによる成膜を実行するワークの材質として、ポリカーボネート（ＰＣ）が使用される場合がある。ポリカーボネートは、スパッタリング時に金属薄膜との密着性が良好であるという性質を有する。しかしながら、ワークの材質としてポリカーボネートを使用した場合、スパッタリング時にポリカーボネートの表面に水分が存在すると、スパッタリング時のエネルギーによって加水分解が発生し、ポリカーボネートの表面が劣化して、金属薄膜が剥離するという現象が発生する。このような現象は、樹脂に対して低真空下でのスパッタリングを可能とするために、スパッタ電極に対して高い電圧を印加した場合において特に顕著に発生する現象である。
【０００７】
また、ワークの材質として、ポリカーボネート以外の樹脂を使用した場合においても、スパッタリング時に樹脂の表面に水分が存在すると、スパッタ成膜中に金属薄膜が酸化し、金属の薄膜の反射率が低下するという問題も発生する。
【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ポリカーボネートに対して金属薄膜を成膜する場合において、金属薄膜の剥離を防止し、また、その他の樹脂に金属薄膜を成膜する場合に、金属の反射率を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明は、樹脂成型機により成型されたポリカーボネート製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜装置であって、前記ワークを収納するチャンバーと、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極とを備えた成膜部と、前記樹脂成型機により成型されたワークを、前記樹脂成型機から前記チャンバーに、当該ワークの表面に水分が付着しないだけの短時間の間に搬送する搬送部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
第２の発明は、前記搬送部は、前記樹脂成型機から前記チャンバーまで、ワークを６０秒以内に搬送する。
【００１１】
第３の発明は、樹脂成型機により成型された樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜装置であって、前記ワークを収納するチャンバーと、ターゲット材料を備え前記チャンバー内に配設されたスパッタ電極とを備えた成膜部と、前記樹脂成型機により成型されたワークを、前記樹脂成型機から前記成膜部におけるチャンバーに搬送する搬送部と、を備え、前記搬送部には、当該搬送部により搬送されるワークの表面に水分が付着することを防止する水分除去機構が配設されることを特徴とする。
【００１２】
第４の発明は、前記水分除去機構は、前記搬送部における搬送路内に乾燥した気体を供給する乾燥気体供給機構である。
【００１３】
第５の発明は、前記水分除去機構は、前記搬送部における搬送路内を加熱する加熱機構である。
【００１４】
第６の発明は、前記ターゲット材料の表面積に対して、１平方センチメートル当たり２５ワット以上の投入電力となるように、前記スパッタ電極に直流電圧を印加する直流電源を備える。
【００１５】
第７の発明は、樹脂成型機により成型されたポリカーボネート製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜方法であって、樹脂成型機により前記ワークを成型する成型工程と、前記樹脂成型機により成型されたワークを、当該ワークの表面に水分が付着しないだけの短時間の間に、前記樹脂成型機からチャンバーに搬送する搬送工程と、前記チャンバー内を減圧するとともに、前記チャンバー内に配設されたターゲット材料を備えるスパッタ電極を使用して前記ワークの表面に金属薄膜を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
第８の発明は、樹脂成型機により成型された樹脂製のワークに対して金属薄膜を成膜する成膜方法であって、樹脂成型機により前記ワークを成型する成型工程と、前記樹脂成型機により成型されたワークを、乾燥した気体が供給され、または、加熱された搬送路を介して、当該ワークの表面に水分が付着することを防止した状態で、前記樹脂成型機からチャンバーに搬送する搬送工程と、前記チャンバー内を減圧するとともに、前記チャンバー内に配設されたターゲット材料を備えるスパッタ電極を使用して前記ワークの表面に金属薄膜を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
第１、第２および第７の発明によれば、樹脂成型機により成型されたポリカーボネート製のワークの表面に水分を付着させることなく、成膜部により金属薄膜をスパッタリングにより成膜することが可能となる。このため、ポリカーボネートの表面において加水分解が発生することを防止して、金属薄膜を、ポリカーボネートに強固に密着した状態で成膜することが可能となる。
【００１８】
第３、第４、第５および第８の発明によれば、樹脂成型機により成型された樹脂製のワークの表面に水分を付着させることなく、成膜部により金属薄膜をスパッタリングにより成膜することが可能となる。このため、金属薄膜の反射率を向上させることが可能となる。また、ワークがポリカーボネートである場合においては、ポリカーボネートの表面において加水分解が発生することを防止して、金属薄膜を、ポリカーボネートに強固に密着した状態で成膜することが可能となる。
【００１９】
第６の発明によれば、高い投入電力により低真空下でスパッタリングによる成膜を実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の第１実施形態に係る成膜装置の概要図である。
【図２】この発明に係る成膜装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】成膜動作を示すフローチャートである。
【図４】この発明の第２実施形態に係る成膜装置の概要図である。
【図５】この発明の第３実施形態に係る成膜装置の概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形態に係る成膜装置の概要図である。
【００２２】
この実施形態に係る成膜装置は、樹脂製のワークＷに対してスパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを実行するものである。なお、ワークＷの材質としては、例えば、ポリカーボネートが使用される。ポリカーボネートは、安価であるばかりではなく、機械的強度が強く、耐候性透明度が高いという特性を有する。また、このポリカーボネートは、スパッタリング時において金属薄膜との密着性が高いという特性を有する。但し、スパッタリング時にポリカーボネートの表面に水分が存在すると、スパッタリング時のエネルギーによって加水分解が発生し、ポリカーボネートの表面が劣化して、金属薄膜が剥離するという現象が発生することがある。
【００２３】
図１に示すように、この成膜装置は、本体１１と入口側開閉部１２および出口側開閉部１６とから構成される成膜チャンバー１０を備える。この成膜チャンバー１０は、搬送部６１を介して、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２と接続されている。
【００２４】
成膜チャンバー１０の一部を構成する入口側開閉部１２は、射出成型された樹脂製のワークＷを搬入する搬入位置と、本体１１との間でパッキング１４を介して密閉された成膜チャンバー１０を構成する閉鎖位置との間を移動可能となっている。入口側開閉部１２が搬入位置に移動した状態においては、成膜チャンバー１０の左側側面に、ワークＷを成膜チャンバー１０に対して搬入する開口部が形成されることになる。
【００２５】
同様に、成膜チャンバー１０の一部を構成する出口側開閉部１６は、成膜後の樹脂製のワークＷを搬出する搬出位置と、本体１１との間でパッキング１５を介して密閉された成膜チャンバー１０を構成する閉鎖位置との間を移動可能となっている。出口側開閉部１６が搬出位置に移動した状態においては、成膜チャンバー１０の右側側面に、ワークＷを成膜チャンバー１０から搬出する開口部が形成されることになる。
【００２６】
ワークＷを搬送するためのワーク載置部１３は、そこに載置した射出成型後の複数のワークＷを、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から、搬送部６１を介して、成膜チャンバー１０内に搬送する。また、このワーク載置部１３は、成膜後の複数のワークＷを、成膜チャンバー１０から搬出する。このワーク載置部１３は、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２内に配設された片持ち式の駆動機構により、ワーク導入部６２内におけるワークＷの受け取り位置と、成膜チャンバー１０内の成膜位置と、成膜チャンバー１０からワーク導入部６２とは逆側にワークＷを搬出する搬出位置との間を移動可能に構成されている。そして、このワーク載置部１３の移動動作は、後述する搬送機構駆動部９１により駆動制御される。
【００２７】
また、この成膜装置は、電極部２１とターゲット材料２２とからなるスパッタ電極２３を備える。このスパッタ電極２３は、図示を省略した絶縁部材を介して、成膜チャンバー１０における本体１１に装着されている。なお、成膜チャンバー１０を構成する本体１１は、接地部１９によりアースされている。このスパッタ電極２３は、直流電源４１に接続されている。
【００２８】
なお、この直流電源４１としては、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチメートル当たり２５ワット以上の投入電力となるように、スパッタ電極２３に直流電圧を印加し得るものが使用される。すなわち、この直流電源４１は、スパッタ電極２３への投入電力として、ターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチメートル当たり２５ワット以上を投入する。ターゲット材料２２には、Ａｌ（アルミニウム）が使用される。なお、ＡｌのかわりにＡｌ合金を使用してもよい。
【００２９】
さらに、この成膜装置は、ＣＶＤ電極２４を備える。このＣＶＤ電極２４は、スパッタ電極２３と同様、図示を省略した絶縁部材を介して、成膜チャンバー１０における本体１１に装着されている。また、このＣＶＤ電極２４は、マッチングボックス４６および高周波電源４５と接続されている。
【００３０】
成膜チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３１および流量調整弁３２を介して、アルゴン等の不活性ガスの供給部３３と接続されている。また、成膜チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３４および流量調整弁３５を介して、原料ガスの供給部３６と接続されている。この原料ガスとしては、ＨＭＤＳＯが使用される。但し、Ｓｉを含む気体であれば、ＨＭＤＳＯにかえて、ＨＭＤＳ（ヘキサ−メチル−ジ−シラザン）等を使用してもよい。さらに、成膜チャンバー１０を構成する本体１１は、開閉弁３９を介して、ターボ分子ポンプ３７と接続されており、このターボ分子ポンプ３７は、開閉弁４８を介して補助ポンプ３８と接続されている。さらに、この補助ポンプ３８は、開閉弁４９を介して成膜チャンバー１０を構成する本体１１とも接続されている。
【００３１】
また、この成膜装置は、図１において仮想線で示すように、スパッタ電極２３と当接することによりターゲット材料２２を覆う当接位置と、図１において実線で示すように、成膜チャンバー１０の底部付近において支持部５２により支持される退避位置との間を、エアシリンダ５３の駆動で昇降可能なシャッター５１を備える。このシャッター５１は、金属等の伝導体で、かつ、非磁性体である材料から構成されている。
【００３２】
図２は、この発明に係る成膜装置の制御系を示すブロック図である。
【００３３】
この成膜装置は、論理演算を実行するＣＰＵ、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ等を備え、装置全体を制御する制御部９０を備える。この制御部９０は、図１に示すワーク載置部１３を移動させる搬送機構を駆動制御する搬送機構駆動部９１と、開閉弁３１、３４、３９、４８、４９等を開閉制御する開閉弁駆動部９２と、入口側開閉部１２および出口側開閉部１６を開閉制御する開閉部駆動部９３と、スパッタ電極２３およびＣＶＤ電極２４を駆動制御する電極駆動部９４とも接続されている。
【００３４】
次に、以上のような構成を有する成膜装置による成膜動作について説明する。図３は、成膜動作を示すフローチャートである。
【００３５】
この成膜装置により成膜動作を実行するときには、射出成型されたワークＷを、ワーク載置部１３により、樹脂成型機６３より搬出し、成膜チャンバー１０内に搬入する（ステップＳ１）。このときには、入口側開閉部１２を搬入位置に移動させた上で、図１において実線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、成膜チャンバー１０内のＣＶＤ電極２４と対向する位置に配置する。このときには、図１において仮想線で示すように、シャッター５１を、スパッタ電極２３と当接してターゲット材料２２を覆う当接位置に配置する。この状態においては、エアシリンダ５３のシリンダロッド５４は、エアシリンダ５３の本体内に収納された縮収状態となっている。
【００３６】
このワークＷの樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０への搬送は、ワーク載置部１３により、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷの表面に水分が付着しないだけの短時間の間に完了される。より具体的には、ワーク載置部１３は、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０まで、ワークＷを６０秒以内に搬送する。
【００３７】
一般的に、樹脂成形が実行された直後のワークＷには、吸湿・付着している水分量はほとんどない。しかしながら、樹脂成型機６３から搬出されたワークＷが成膜チャンバー１０に搬入されるまでの間に時間を要すると、ワークＷの表面に水分が付着することになる。ポリカーボネート製のワークＷの表面に水分が付着した状態でスパッタリングによる成膜を実行すると、ワークＷの表面で加水分解が生じることにより、ワークＷの表面で脆化が生じ、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象が生ずる。また、その他の樹脂製のワークＷであっても、ワークＷの表面に水分が付着した状態でスパッタリングによる成膜を実行すると、金属薄膜が酸化されて金属薄膜の反射率が低下するという問題を生ずる。
【００３８】
このため、この発明に係る成膜装置においては、このワークＷの樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０への搬送が、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷの表面に水分が付着しないだけの、６０秒以内という短時間の間に完了される。これにより、ポリカーボネート製のワークＷの表面で加水分解が生じることを防止し、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象を防止することが可能となる。また、その他の樹脂製のワークＷであっても、ワークＷの表面に水分が付着しない状態でスパッタリングによる成膜が実行されることから、例えば、金属としてアルミニウムを使用した場合においては、９０パーセント程度の良好な反射率を有するアルミニウム薄膜を得ることが可能となる。
【００３９】
成膜チャンバー１０内にワークＷが搬入されれば、入口側開閉部１２を閉鎖位置に配置する。なお、入口側開閉部１２とワーク載置部１３との干渉を避けるため、入口側開閉部１２には切欠等が形成されている。しかる後、成膜チャンバー１０内を０．１パスカルから１パスカル程度の低真空まで減圧する（ステップＳ２）。ターボ分子ポンプ３７による減圧前に、ロータリーポンプ等の補助ポンプ３８を使用して、１００パスカル程度まで高速で減圧を行う。その後、その最大排気速度が１秒当たり３００リットル以上のターボ分子ポンプ３７を使用していることから、成膜チャンバー１０内を２０秒程度の時間で、０．１パスカルから１パスカル程度の低真空まで減圧することができる。
【００４０】
成膜チャンバー１０内が減圧されれば、開閉弁３１を開放することにより、不活性ガスの供給部３３から成膜チャンバー１０内に不活性ガスとしてのアルゴンを供給し、成膜チャンバー１０内の真空度が０．５〜３パスカルとなるように、成膜チャンバー１０内をアルゴンで充満させる（ステップＳ３）。
【００４１】
そして、スパッタリング成膜を実行する（ステップＳ４）。このときには、図１において仮想線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、成膜チャンバー１０内のスパッタ電極２３と対向する位置に配置する。また、図１において実線で示すように、シャッター５１は、成膜チャンバー１０の底部付近の退避位置に配置される。スパッタリング成膜を行う場合には、スパッタ電極２３に対して直流電源４１から直流電圧を付与する。これにより、スパッタリング現象でターゲット材料２２であるＡｌの薄膜がワークＷの表面に形成される。
【００４２】
なお、このスパッタリング成膜工程においては、スパッタ電極２３におけるターゲット材料２２の表面積に対して、１平方センチメートル当たり２５ワット以上の投入電力となるように、直流電源４１からスパッタ電極２３に直流電圧が印加される。これにより、成膜チャンバー１０内が低真空である場合であっても、樹脂製のワークＷの表面にＡｌの薄膜が好適に成膜される。なお、このような大きな投入電力によりスパッタリング成膜を実行する場合において、ワークＷとしてポリカーボネート製のものを使用した場合であっても、上述したようにワークＷの表面に水分が付着しない状態でスパッタリングによる成膜が実行されることから、ポリカーボネート製のワークＷの表面で加水分解が生じることを防止し、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象を防止することが可能となる。
【００４３】
以上の工程によりスパッタリングによる成膜が完了すれば、引き続き、Ｓｉ酸化物のプラズマＣＶＤによる成膜を実行する。プラズマＣＶＤ成膜を実行する場合には、図１において実線で示すように、ワーク載置部１３に載置されたワークＷを、成膜チャンバー１０内のＣＶＤ電極２４と対向する位置に配置する。また、図１において仮想線で示すように、シャッター５１を、スパッタ電極２３と当接してターゲット材料２２を覆う当接位置に配置する。
【００４４】
この状態において、開閉弁３４を開放することにより、原料ガスの供給部３６から成膜チャンバー１０内に原料ガスであるＨＭＤＳＯを供給し、成膜チャンバー１０内の真空度を０．１〜１０パスカルとする（ステップＳ５）。そして、ＣＶＤ電極２４に対してマッチングボックス４６を介して高周波電源４５から高周波電圧を付与することにより、プラズマＣＶＤによる成膜（プラズマ重合処理）を実行する（ステップＳ６）。これにより、プラズマＣＶＤ反応で原料ガスによる保護膜１０３がワークＷの表面（Ａｌの薄膜の表面）に堆積する。
【００４５】
プラズマＣＶＤによる成膜が完了すれば、成膜チャンバー１０内をベントする。そして、出口側開閉部１６を搬出位置に配置した上で、図１において仮想線で示すように、ワーク載置部１３を成膜チャンバー１０の外部まで移動させることにより、ワーク載置部１３上に載置された成膜完了後のワークＷを、図示を省略した搬送機構により搬出する（ステップＳ７）。
【００４６】
そして、全てのワークＷに対する処理が終了しているか否かを判断する（ステップＳ８）。全てのワークＷに対する処理が終了した場合には、装置を停止させる。一方、未処理のワークＷが存在する場合には、ステップＳ１に戻る。
【００４７】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図４は、この発明の第２実施形態に係る成膜装置の概要図である。なお、上述した第１実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４８】
上述した第１実施形態に係る成膜装置においては、ワーク搬入工程（ステップＳ１）において、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０へのワークＷの搬送を、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷの表面に水分が付着しないだけの６０秒以内の短時間の間に完了せることにより、ワークＷの表面に水分が付着することを防止している。これに対して、この第２実施形態に係る成膜装置においては、樹脂成型機６３から成膜チャンバー１０にワークＷを搬送する搬送部６１に対し、この搬送部６１により搬送されるワークＷの表面に水分が付着することを防止する水分除去機構を配設している。そして、この第２実施形態に係る成膜装置においては、この水分除去機構として、搬送部６１における搬送路内に乾燥した気体を供給する乾燥気体供給機構を採用している。
【００４９】
すなわち、図４に示すように、この第２実施形態に係る成膜装置は、搬送部６１に対して、乾燥気体供給部７２と排気ポンプ７３とを付設した点が、上述した第１実施形態と異なる。この乾燥気体供給部７２は、搬送部６１に対して、ドライエアや不活性ガス等の、水分を含まない乾燥気体を供給する。また、排気ポンプ７３は、開閉弁７４を開放することにより、搬送部６１内の雰囲気を外部に排気する。
【００５０】
この第２実施形態に係る成膜装置においては、排気ポンプ７３により搬送部６１内の雰囲気を排気した後、搬送部６１内に乾燥気体を供給することにより搬送部６１を乾燥気体によりパージする動作を、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０へワークＷを搬送する前に、完了しておく。これにより、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷが搬送部６１を通過する間に、ワークＷの表面に水分が付着することを防止することが可能となる。
【００５１】
なお、このワーク搬入工程（ステップＳ１）以降の動作は、上述した第１実施形態と同様である。
【００５２】
この第２実施形態に係る成膜装置においても、ポリカーボネート製のワークＷの表面で加水分解が生じることを防止し、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象を防止することが可能となる。また、その他の樹脂製のワークＷであっても、ワークＷの表面に水分が付着しない状態でスパッタリングによる成膜が実行されることから、例えば、金属としてアルミニウムを使用した場合においては、９０パーセント程度の良好な反射率を有するアルミニウム薄膜を得ることが可能となる。
【００５３】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図５は、この発明の第３実施形態に係る成膜装置の概要図である。なお、上述した第１、第２実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５４】
この第３実施形態に係る成膜装置においても、樹脂成型機６３から成膜チャンバー１０にワークＷを搬送する搬送部６１に対し、この搬送部６１により搬送されるワークＷの表面に水分が付着することを防止する水分除去機構を配設している。そして、この第３実施形態に係る成膜装置においては、この水分除去機構として、搬送部６１における搬送路内を加熱する加熱機構を採用している。
【００５５】
すなわち、図５に示すように、この第３実施形態に係る成膜装置は、搬送部６１に対して、ヒータ７１を付設した点が、上述した第１、第２実施形態と異なる。このヒータ７１は、搬送部６１を取り囲む形状を有し、搬送部６１における搬送路内を、搬送部６１の外周部から加熱する構成を有する。このヒータ７１の作用により、搬送路を摂氏８０度〜摂氏１５０度程度の温度まで加熱することができる。なお、この加熱温度は、ワークＷを構成する樹脂のガラス転移温度より数十度程度低い温度とすることが好ましい。
【００５６】
この第３実施形態に係る成膜装置においては、ヒータ７１の作用により搬送部６１内を所定の温度まで加熱する動作を、樹脂成型機６３におけるワーク導入部６２から成膜チャンバー１０へワークＷを搬送する前に、完了しておく。これにより、樹脂成型機６３から搬出された成型後のワークＷが搬送部６１を通過する間に、ワークＷの表面に水分が付着することを防止することが可能となる。
【００５７】
なお、このワーク搬入工程（ステップＳ１）以降の動作は、上述した第１、第２実施形態と同様である。
【００５８】
この第３実施形態に係る成膜装置においても、ポリカーボネート製のワークＷの表面で加水分解が生じることを防止し、スパッタリングにより成膜された金属薄膜が剥離するという現象を防止することが可能となる。また、その他の樹脂製のワークＷであっても、ワークＷの表面に水分が付着しない状態でスパッタリングによる成膜が実行されることから、例えば、金属としてアルミニウムを使用した場合においては、９０パーセント程度の良好な反射率を有するアルミニウム薄膜を得ることが可能となる。
【００５９】
なお、上述した実施形態においては、いずれも、スパッタリングによる成膜とプラズマＣＶＤによる成膜とを、同一の成膜チャンバー１０内で連続して実行する成膜装置にこの発明を適用した場合について説明したが、スパッタリングによる成膜のみを実行する成膜装置にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０    成膜チャンバー
１１    本体
１２    入口側開閉部
１３    ワーク載置部
１５    出口側開閉部
１９    接地部
２１    電極部
２２    ターゲット材料
２３    スパッタ電極
２４    ＣＶＤ電極
３１    開閉弁
３２    流量調整弁
３３    不活性ガスの供給部
３４    開閉弁
３５    流量調整弁
３６    原料ガスの供給部
３７    ターボ分子ポンプ
３８    補助ポンプ
３９    開閉弁
４１    直流電源
４５    高周波電源
４６    マッチングボックス
４８    開閉弁
４９    開閉弁
５１    シャッター
６１    搬送部
６２    ワーク導入部
６３    樹脂成型機
７１    ヒータ
７２    乾燥気体供給部
７３    排気ポンプ
７４    開閉弁
９０    制御部
９１    搬送機構駆動部
９２    開閉弁駆動部
９３    開閉部駆動部
９４    電極駆動部
Ｗ      ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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