(57)【要約】【課題】電力増幅器において優れた利得を得ることができる配線構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板１２１と、第１の基板１２１に隣接した第２の基板１２２、１２３と、第１の基板１２１及び第２の基板１２２、１２３上の配線膜１２９と、が含まれる。第１の基板１２１の第１の誘電率は第２の基板１２２、１２３の第２の誘電率よりも高く、配線膜１２９を伝播する信号の経路長は第２の基板１２２、１２３上で第１の基板１２１上よりも長い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に隣接した第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜と、
を有し、
前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、
前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長いことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記配線膜は、前記第２の基板上において、信号の伝播方向に対してテーパ状に広がる部分を有することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
前記第１の基板及び前記第２の基板が実装された実装基板を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記第１の基板及び前記第２の基板を封止するモールド樹脂を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線構造。
【請求項５】
第１の基板及び第２の基板を互いに隣接して配置する工程と、
前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜を形成する工程と、
を有し、
前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、
前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長いことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板及び前記第２の基板を配置する工程は、
実装基板上に前記第１の基板及び前記第２の基板を実装する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の配線構造の製造方法。
【請求項７】
前記第１の基板及び前記第２の基板をモールド樹脂で封止する工程を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のトランジスタを信号の伝播方向に対して垂直方向に配置した電力増幅器が知られている。この電力増幅器では、複数のトランジスタのゲート電極が１本の入力信号線に接続され、複数のトランジスタのドレイン電極が１本の出力信号線に接続される。この電力増幅器によれば、ゲート幅が大きく、高出力を得ることができる。
【０００３】
しかしながら、従来の電力増幅器では、入力信号線から出力信号線までの信号経路が複数のトランジスタの間で相違しているため、この電力増幅器の利得は１個のトランジスタの利得よりも低くなってしまう。
【０００４】
高出力を得ながら、利得の低下を避けることを目的とした技術も提案されているが、この技術によっても十分な利得が得られない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−６４６１０号公報
【特許文献２】特開２００５−４５６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、電力増幅器において優れた利得を得ることができる配線構造及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
配線構造の一態様には、第１の基板と、前記第１の基板に隣接した第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜と、が含まれる。前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長い。
【０００８】
配線構造の製造方法の一態様では、第１の基板及び第２の基板を互いに隣接して配置し、前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜を形成する。前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長い。
【発明の効果】
【０００９】
上記の配線構造等によれば、信号の経路長と誘電率との関係が適切な第１の基板及び第２の基板が含まれるため、電力増幅器において優れた利得を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】電力増幅器における配線パターンを示す模式図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の動作を示す図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【図６】図５に引き続き、半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を工程順に示す断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図９Ａ】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに引き続き、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、電力増幅器、入力側配線構造及び出力側配線構造を備えた半導体装置に関する。図１は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図２は、電力増幅器における配線パターンを示す模式図である。
【００１３】
図１に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置１００には、電力増幅器１１０、入力側の配線構造１２０及び出力側の配線構造１３０が含まれる。電力増幅器１１０は、例えば、並列接続された複数のＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（high electron mobility transistor：ＨＥＭＴ）等のトランジスタを含む。図２に示すように、各トランジスタのソース電極１１１、ゲート電極１１２及びドレイン電極１１３は櫛歯状に配列しており、ソース電極１１１がソース配線１１６に共通に接続され、ゲート電極１１２がゲート配線１１７に共通に接続され、ドレイン電極１１３がドレイン配線１１８に共通に接続されている。
【００１４】
入力側の配線構造１２０には、基板１２１、基板１２１に隣接した基板１２２、基板１２１に隣接した基板１２３、並びに基板１２１、基板１２２及び基板１２３上の配線膜１２９が含まれる。基板１２１の誘電率は基板１２２の誘電率及び基板１２３の誘電率より高く、配線膜１２９を伝播する信号の経路長は基板１２２上及び基板１２３で基板１２１上よりも長い。例えば、配線膜１２９は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部分を含む。つまり、この部分は信号の伝播方向に対してテーパ状に広がっている。基板１２１は第１の基板の一例であり、基板１２２及び基板１２３は第２の基板の一例である。
【００１５】
出力側の配線構造１３０には、基板１３１、基板１３１に隣接した基板１３２、基板１３１に隣接した基板１３３、並びに基板１３１、基板１３２及び基板１３３上の配線膜１３９が含まれる。基板１３１の誘電率は基板１３２の誘電率及び基板１３３の誘電率より高く、配線膜１３９を伝播する信号の経路長は基板１３２上及び基板１３３で基板１３１上よりも長い。例えば、配線膜１３９は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部分を含む。つまり、この部分は信号の伝播方向に対してテーパ状に広がっている。基板１３１は第１の基板の一例であり、基板１３２及び基板１３３は第２の基板の一例である。
【００１６】
配線膜１２９の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のゲート配線１１７に接続され、配線膜１３９の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のドレイン配線１１８に接続される。ソース配線１１６は、例えば接地される。
【００１７】
図３（ａ）に示すように、入力側の配線構造１２０から電力増幅器１１０を経由して出力側の配線構造１３０に至る信号経路には、並列接続された複数のトランジスタのうちの中央部分の経路１５１、一方の端部近傍の経路１５２、及び他方の端部近傍の経路１５３が含まれる。経路１５２に基板１２２上の部分及び基板１３２上の部分が含まれ、経路１５３に基板１２３上の部分及び基板１３３上の部分が含まれる一方で、経路１５１には基板１２２上の部分も基板１３２上の部分も含まれない。
【００１８】
一般に、基板上の線路の実効誘電率εrと実効波長λrとの関係は「λr＝λ／εrε0」で表される。ここで、ε0は真空の誘電率、λは真空中における波長である。本実施形態では、経路１５１及び経路１５２の上方の物質はいずれも空気であるが、経路１５１の下方の基板１２１の誘電率は経路１５２の下方の基板１２２のそれより高い。このため、経路１５１の実効誘電率は経路１５２の実効誘電率より高く、経路１５１を伝播する信号の実効波長は経路１５２を伝播する信号の実効波長より短い。従って、基板１２１の誘電率が基板１２２の誘電率と等しい場合と比較して、経路１５１を伝播する信号と経路１５２を伝播する信号との間の位相差が縮小される。同様に、基板１２１の誘電率が基板１２３の誘電率と等しい場合と比較して、経路１５１を伝播する信号と経路１５３を伝播する信号との間の位相差が縮小される。従って、位相差に起因する利得の低下を抑制して、優れた利得を得ることができる。特に、最も長さの差が大きい２つの経路間での位相差が実質的に０であれば、極めて優れた利得を得ることができる。
【００１９】
図３（ｂ）中の実線は、第１の実施形態における周波数と利得との関係を示し、破線は基板１２１の誘電率が基板１２２のそれと等しい参考例における周波数と利得との関係を示す。周波数が低い場合は、第１の実施形態及び参考例との間に利得の相違は実質的に生じない。これは、波長が長く、位相差の影響が極めて小さいからである。一方、周波数が高くなると、波長が短くなって位相差の影響が大きくなる。このため、高周波帯域において、利得の相違が大きくなる。
【００２０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、電力増幅器、入力側配線構造及び出力側配線構造を備えた半導体装置に関する。図４は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【００２１】
図４に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置２００には、電力増幅器１１０、入力側の配線構造２２０及び出力側の配線構造２３０が含まれる。
【００２２】
入力側の配線構造２２０には、基板２２１、基板２２１に隣接した基板２２２、及び基板２２１に隣接した基板２２３が含まれる。基板２２１は基板２２２及び基板２２３の間に位置する。基板２２１の誘電率は基板２２２の誘電率及び基板２２３の誘電率より高い。基板２２１、基板２２２及び基板２２３は実装基板２５０に実装されている。例えば、基板２２１はＳＺＴ基板、又はＢａＯ基板であり、基板２２２及び基板２２３はアルミナ基板である。基板２２１は第１の基板の一例であり、基板２２２及び基板２２３は第２の基板の一例である。
【００２３】
配線構造２２０には、基板２２１上の配線膜２２６、基板２２２上の配線膜２２７及び基板２２３上の配線膜２２８が含まれる。ワイヤボンディング又はめっき処理等により、配線膜２２６と配線膜２２７及び配線膜２２８とが互いに電気的に接続されており、配線膜２２６、配線膜２２７及び配線膜２２８の集合体２２５は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部位を含む。集合体２２５を伝播する信号の経路長は基板２２２上及び基板２２３で基板２２１上よりも長い。
【００２４】
出力側の配線構造２３０には、基板２３１、基板２３１に隣接した基板２３２、及び基板２３１に隣接した基板２３３が含まれる。基板２３１は基板２３２及び基板２３３の間に位置する。基板２３１の誘電率は基板２３２の誘電率及び基板２３３の誘電率より高い。基板２３１、基板２３２及び基板２３３は実装基板２５０に実装されている。例えば、基板２２１はＳＺＴ基板、又はＢａＯ基板であり、基板２３２及び基板２３３はアルミナ基板である。基板２３１は第１の基板の一例であり、基板２３２及び基板２３３は第２の基板の一例である。
【００２５】
配線構造２３０には、基板２３１上の配線膜２３６、基板２３２上の配線膜２３７及び基板２３３上の配線膜２３８が含まれる。ワイヤボンディング又はめっき処理等により、配線膜２３６と配線膜２３７及び配線膜２３８とが互いに電気的に接続されており、配線膜２３６、配線膜２３７及び配線膜２３８の集合体２３５は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部位を含む。集合体２３５を伝播する信号の経路長は基板２３２上及び基板２３３で基板２３１上よりも長い。
【００２６】
集合体２２５の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のゲート配線１１７に接続され、集合体２３５の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のドレイン配線１１８に接続される。ソース配線１１６は、例えば実装基板２５０を介して接地される。
【００２７】
例えば、電力増幅器１１０の信号の伝播方向の寸法は１ｍｍであり、これに直交する方向の寸法は５ｍｍであり、基板２２１及び２３１の信号の伝播方向に直交する方向の寸法は１ｍｍであり、基板２２２、２２３、２３２及び２３３の信号の伝播方向に直交する方向の寸法は２ｍｍである。例えば、基板２２１〜２２３の厚さは１００μｍ〜２００μｍであり、基板２２１及び２３１の比誘電率は３０〜８０程度、基板２２２、２２３、２３２及び２３３の比誘電率は９〜１０程度である。例えば、配線膜２２６〜２２８及び２３６〜２３８はＡｕを含む。
【００２８】
図４に示すように、入力側の配線構造２２０から電力増幅器１１０を経由して出力側の配線構造２３０に至る信号経路には、並列接続された複数のトランジスタのうちの中央部分の経路２５１、一方の端部近傍の経路２５２、及び他方の端部近傍の経路２５３が含まれる。経路２５１の実効誘電率は経路２５２の実効誘電率より高く、経路２５１を伝播する信号の実効波長は経路２５２を伝播する信号の実効波長より短い。同様に、経路２５１の実効誘電率は経路２５３の実効誘電率より高く、経路２５１を伝播する信号の実効波長は経路２５３を伝播する信号の実効波長より短い。従って、第１の実施形態と同様に、位相差に起因する利得の低下を抑制して、優れた利得を得ることができる。特に、最も長さの差が大きい２つの経路間での位相差が実質的に０であれば、極めて優れた利得を得ることができる。
【００２９】
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例について説明する。図５乃至図６は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例を工程順に示す断面図である。図５（ａ）及び図６（ａ）は平面図、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は図５（ａ）及び図６（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【００３０】
先ず、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、実装基板２５０上に、電力増幅器１１０、配線膜２２６が形成された基板２２１、及び配線膜２３６が形成された基板２３１を実装する。
【００３１】
次いで、図６（ａ）及（ｂ）に示すように、実装基板２５０上に、基板２２１を間に挟むようにして基板２２２及び基板２２３を実装し、基板２３１を間に挟むようにして基板２３２及び基板２３３を実装する。
【００３２】
その後、配線膜２２６と配線膜２２７及び配線膜２２８とを電気的に接続し、配線膜２３６と配線膜２３７及び配線膜２３８とを電気的に接続する。更に、集合体２２５とゲート配線１１７とを電気的に接続し、集合体２３５とドレイン配線１１８とを電気的に接続する。これらの接続では、例えばワイヤボンディング又はめっき処理を行う。
【００３３】
このようにして、第２の実施形態に係る半導体装置２００を製造することができる。
【００３４】
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例について説明する。図７は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を工程順に示す断面図である。図７には、図４（ｂ）に相当する断面を示す。
【００３５】
先ず、図７（ａ）に示すように、犠牲基板２６０上に、電力増幅器１１０、配線膜２２６が形成された基板２２１、配線膜２２７が形成された基板２２２、配線膜２２８が形成された基板２２３、配線膜２３６が形成された基板２３１、配線膜２３７が形成された基板２３２、及び配線膜２３８が形成された基板２３３をフェースダウンで実装する。次いで、図７（ｂ）に示すように、実装した電力増幅器１１０及び各基板をモールド樹脂２６１により封止する。その後、図７（ｃ）に示すように、基板２２１等の基板の裏面が露出するまでモールド樹脂２６１を研磨する。続いて、犠牲基板２６０を除去し、基板２２１等の基板の裏面に実装基板２５０を貼り付ける。
【００３６】
このようにして、第２の実施形態に係る半導体装置２００を製造することができる。
【００３７】
この例では、実装基板２５０の貼り付けを省略してもよく、その場合は、実装基板２５０とは別の部材を通じてソース配線１１６に接地電位を供給する。
【００３８】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、電力増幅器、入力側配線構造及び出力側配線構造を備えた半導体装置に関する。図８は、第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【００３９】
図８に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置３００には、電力増幅器１１０、入力側の配線構造３２０及び出力側の配線構造３３０が含まれる。
【００４０】
入力側の配線構造３２０には、基板３２１、基板３２１に隣接した基板３２２、及び基板３２１に隣接した基板３２３が含まれる。基板３２１は基板３２２及び基板３２３の間に位置する。基板３２１の誘電率は基板３２２の誘電率及び基板３２３の誘電率より高い。基板３２１、基板３２２及び基板３２３は実装基板３５０に実装されている。例えば、基板３２１はアルミナ基板であり、基板３２２及び基板３２３はモールド樹脂３６１の一部である。基板３２１は第１の基板の一例であり、基板３２２及び基板３２３は第２の基板の一例である。
【００４１】
配線構造３２０には、基板３２１上の配線膜３２６、並びに基板３２２、基板３２３及び配線膜３２６上の配線膜３２９が含まれる。配線膜３２９は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部位を含む。配線膜３２９を伝播する信号の経路長は基板３２２上及び基板３２３で基板３２１上よりも長い。
【００４２】
入力側の配線構造３３０には、基板３３１、基板３３１に隣接した基板３３２、及び基板３３１に隣接した基板３３３が含まれる。基板３３１は基板３３２及び基板３３３の間に位置する。基板３３１の誘電率は基板３３２の誘電率及び基板３３３の誘電率より高い。基板３３１、基板３３２及び基板３３３は実装基板３５０に実装されている。例えば、基板３３１はアルミナ基板であり、基板３３２及び基板３３３はモールド樹脂３６１の一部である。基板３３１は第１の基板の一例であり、基板３３２及び基板３３３は第２の基板の一例である。
【００４３】
配線構造３３０には、基板３３１上の配線膜３３６、並びに基板３３２、基板３３３及び配線膜３３６上の配線膜３３９が含まれる。配線膜３３９は、平面視で電力増幅器１１０に近いほど広がるテーパ状の部位を含む。配線膜３３９を伝播する信号の経路長は基板３３２上及び基板３３３で基板３３１上よりも長い。
【００４４】
配線膜３２９の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のゲート配線１１７に接続され、配線膜３３９の電力増幅器１１０側の端部が電力増幅器１１０のドレイン配線１１８に接続される。ソース配線１１６は、例えば実装基板３５０を介して接地される。
【００４５】
例えば、電力増幅器１１０の信号の伝播方向の寸法は１ｍｍであり、これに直交する方向の寸法は５ｍｍであり、基板３２１及び３３１の信号の伝播方向に直交する方向の寸法は１ｍｍであり、基板３２２、３２３、３３２及び３３３の信号の伝播方向に直交する方向の寸法は２ｍｍである。例えば、基板３２１及び３３１の厚さは１００μｍ〜２００μｍであり、基板３２１及び３３１の比誘電率は９〜１０程度、モールド樹脂３６１の比誘電率は３．５程度である。例えば、配線膜３２９及び３３９はＡｕを含む。
【００４６】
図８に示すように、入力側の配線構造３２０から電力増幅器１１０を経由して出力側の配線構造３３０に至る信号経路には、並列接続された複数のトランジスタのうちの中央部分の経路３５１、一方の端部近傍の経路３５２、及び他方の端部近傍の経路３５３が含まれる。経路３５１の実効誘電率は経路３５２の実効誘電率より高く、経路３５１を伝播する信号の実効波長は経路３５２を伝播する信号の実効波長より短い。同様に、経路３５１の実効誘電率は経路３５３の実効誘電率より高く、経路３５１を伝播する信号の実効波長は経路３５３を伝播する信号の実効波長より短い。従って、第１の実施形態と同様に、位相差に起因する利得の低下を抑制して、優れた利得を得ることができる。特に、最も長さの差が大きい２つの経路間での位相差が実質的に０であれば、極めて優れた利得を得ることができる。
【００４７】
次に、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の例について説明する。図９Ａ乃至図９Ｂは、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００４８】
先ず、図９Ａ（ａ）に示すように、犠牲基板２６０上に、電力増幅器１１０、配線膜３２６が形成された基板３２１、配線膜３３６が形成された基板３３１をフェースダウンで実装する。次いで、図９Ａ（ｂ）に示すように、電力増幅器１１０、基板３２１及び基板３３１をモールド樹脂３６１により封止する。その後、図９Ａ（ｃ）に示すように、電力増幅器１１０、基板３２１及び基板３３１の裏面が露出するまでモールド樹脂３６１を研磨する。続いて、図９Ｂ（ｄ）に示すように、犠牲基板２６０を除去し、電力増幅器１１０、基板３２１及び基板３３１の裏面に実装基板３５０を貼り付ける。次いで、図９Ｂ（ｅ）に示すように、モールド樹脂３６１及び配線膜３２６上に配線膜３２９を形成し、モールド樹脂３６１及び配線膜３３６上に配線膜３３９を形成する。配線膜３２９及び配線膜３３９は、例えばめっき法により形成することができる。
【００４９】
このようにして、第３の実施形態に係る半導体装置３００を製造することができる。
【００５０】
実装基板３５０の貼り付けを省略してもよく、その場合は、実装基板３５０とは別の部材を通じてソース配線１１６に接地電位を供給する。
【００５１】
なお、基板の表層の一部に溝を形成し、そこに基板とは誘電率が相違する材料を埋め込むことで利得を増加させることは可能であるが、十分な利得が得られる程度の溝を形成すると、基板の強度が著しく低くなってしまう。基板を厚くすれば強度を確保することが可能となるが、その一方で特性インピーダンスに影響が及んでしまう。このため、安定した特性を得ることはできない。
【００５２】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５３】
（付記１）
第１の基板と、
前記第１の基板に隣接した第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜と、
を有し、
前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、
前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長いことを特徴とする配線構造。
【００５４】
（付記２）
前記配線膜は、前記第２の基板上において、信号の伝播方向に対してテーパ状に広がる部分を有することを特徴とする付記１に記載の配線構造。
【００５５】
（付記３）
前記第１の基板及び前記第２の基板が実装された実装基板を有することを特徴とする付記１又は２に記載の配線構造。
【００５６】
（付記４）
前記第１の基板及び前記第２の基板を封止するモールド樹脂を有することを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の配線構造。
【００５７】
（付記５）
前記配線膜の前記第１の基板上の部分と、前記配線膜の前記第２の基板上の部分とが、ワイヤボンディングされていることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の配線構造。
【００５８】
（付記６）
第１の基板及び第２の基板を互いに隣接して配置する工程と、
前記第１の基板及び前記第２の基板上の配線膜を形成する工程と、
を有し、
前記第１の基板の第１の誘電率は前記第２の基板の第２の誘電率よりも高く、
前記配線膜を伝播する信号の経路長は前記第２の基板上で前記第１の基板上よりも長いことを特徴とする配線構造の製造方法。
【００５９】
（付記７）
前記第１の基板及び前記第２の基板を配置する工程は、
実装基板上に前記第１の基板及び前記第２の基板を実装する工程を有することを特徴とする付記６に記載の配線構造の製造方法。
【００６０】
（付記８）
前記第１の基板及び前記第２の基板をモールド樹脂で封止する工程を有することを特徴とする付記６又は７に記載の配線構造の製造方法。
【符号の説明】
【００６１】
１００、２００、３００：半導体装置
１１０：電力増幅器
１２０、２２０、３２０：入力側配線構造
１２１、１２２、１２３、２２１、２２２、２２３、３２１、３２２、３２３：基板
１２９、２２６、２２７、２２８、３２９：配線膜
１３０、２３０、３３０：出力側配線構造
１３１、１３２、１３３、２３１、２３２、２３３、３３１、３３２、３３３：基板
１３９、２３６、２３７、２３８、３３９：配線膜
２６１、３６１：モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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