(57)【要約】      （修正有）【課題】シート抵抗率及び反射率が共に低く、かつ温水浸漬試験に対する耐久性に優れるアルミニウム合金窒化薄膜を含むアルミニウム合金窒化積層薄膜の提供。【解決手段】Ｃｕを５．０原子％以上と窒素を３０〜４５原子％とを含み、残部はＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜、又はＣｕを５．０〜２０原子％と窒素とを含み、かつ、Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ又はＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部はＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜からなるアルミニウム合金窒化薄膜と、単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属電極薄膜とを含むアルミニウム合金窒化積層薄膜。（含有量）Ｙ：１．０〜５．０原子％以下、Ｓｉ：０．５〜１０．０原子％以下、Ｎｉ：３．０〜３０．０原子％以下、Ｔｉ：１．０〜６．０原子％以下、Ｎｄ：１．０〜１０．０原子％以下【選択図】図８
2017043806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜、又は
Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、窒素を４０原子％以上５７原子％以下、並びにＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜からなることを特徴とするアルミニウム合金窒化薄膜。
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
【請求項２】
アルミニウム合金窒化薄膜と金属電極薄膜とを含むアルミニウム合金窒化積層薄膜であって、
前記アルミニウム合金窒化薄膜は、
Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜、又は
Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、及び窒素を含み、かつ、Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜からなり、
前記金属電極薄膜の単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であるアルミニウム合金窒化積層薄膜。
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
【請求項３】
請求項１に記載のアルミニウム合金窒化薄膜、または請求項２に記載のアルミニウム合金窒化積層薄膜を構成するアルミニウム合金窒化薄膜の成膜に用いられるスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光吸収性を有するアルミニウム合金窒化薄膜に関し、特に光吸収薄膜に利用可能な、入力装置内の金属電極に用いられ、温水浸漬試験に対して優れた耐久性を有するアルミニウム合金窒化薄膜に関する。また、前記アルミニウム合金窒化薄膜を金属電極薄膜上に積層したアルミニウム合金窒化積層薄膜である低反射な導電膜にも関する。
【背景技術】
【０００２】
以下に入力装置の代表例としてタッチパネルセンサーを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されない。
タッチパネルセンサーは、液晶表示装置や有機ＥＬ装置などの表示装置の表示画面上に入力装置として貼り合わせて使用される。タッチパネルセンサーは、その使い勝手の良さから、ＡＴＭ、カーナビ、コピー機等の操作画面などに使用されており、近年では携帯電話やタブレットＰＣに至るまで幅広く使用されている。
【０００３】
タッチパネルセンサーの入力ポイントの検出方式には、抵抗膜方式、静電容量方式、光学式、圧電式等が挙げられる。これらのうち、携帯電話やタブレットＰＣには、静電容量方式が、応答性が良くコストがかからず構造が単純である等の理由から好適に用いられている。
【０００４】
静電容量方式のタッチパネルセンサーは、一例として、ガラス基板などの透明基板上に、二方向の透明電極が直交して配置され、その表面に保護ガラスなどの絶縁体であるカバーが被覆された構造を有している。上記構成のタッチパネルセンサーの表面を指やペン等でタッチすると、両透明電極間の静電容量が変化するため、当該静電容量を介して流れる電流量の変化をセンサーで感知することにより、タッチされた箇所を把握することができる。
【０００５】
上記構成のタッチパネルセンサーに用いられる透明基板として、タッチパネルセンサー専用の基板を用いても良いが、表示装置に用いられる透明基板を用いることもできる。具体的には、液晶表示装置に用いられるカラーフィルター基板や、有機ＥＬ装置に用いられるガラス基板などが例として挙げられる。このような表示装置用透明基板の使用により、タッチパネルセンサーに要求される特性、例えば、ディスプレイのコントラスト比の向上、輝度の向上、スマートフォンなどの薄型化などに対応可能となる。
【０００６】
最近では、上記透明電極薄膜を用いた場合の接触感度向上やノイズ低減のために、電極薄膜として、低抵抗な金属電極薄膜の使用が検討されている。しかし、金属電極薄膜は反射率が高く、使用者の肉眼で見える、即ち視認されるため、コントラスト比が低下するという問題がある。
【０００７】
そこで特許文献１では、金属電極薄膜を用いる際に、金属薄膜に黒色化処理を施して反射率を低減させる方法が開示されている。具体的には、透明性基板上に形成された反射防止膜であって、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％未満であり、主成分がＡｌであるＡｌ系膜と、前記Ａｌ系薄膜の上層、又は／及び下層に形成され、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％以上であり、かつ、主成分がＡｌであり、添加物として少なくともＮ元素を含むＡｌ系Ｎ含有膜と、を備え、比抵抗値が１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下であり、前記Ａｌ系Ｎ含有薄膜の可視光領域における反射率が５０％以下である反射防止膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第５１９７４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１に開示された反射防止膜はＡｌ系Ｎ含有薄膜である。一般にＡｌ系Ｎ含有薄膜を形成するアルミナイトライドは、水との反応性を有し、水和し溶解する。一般に、液晶ディスプレイやタッチパネルディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは洗浄工程に温水洗浄処理を行うことがある。特許文献１におけるＡｌ系Ｎ含有薄膜は、洗浄工程に実施される温水洗浄処理により反射防止膜が溶解し、金属薄膜が露出するため、電極部が可視化する課題がある。そのため、フラットパネルディスプレイの光吸収膜として利用する場合、光吸収膜自体が温水浸漬試験に対して優れた耐久性を有することが求められる。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、シート抵抗率及び反射率が共に低く、かつ温水浸漬試験に対して耐久性に優れる新規なアルミニウム合金窒化薄膜および、金属電極薄膜上に前述のアルミニウム合金窒化薄膜を積層したアルミニウム合金窒化積層薄膜（低反射導電膜）を提供することを目的とする。また、アルミニウム合金窒化薄膜の成膜に用いられるスパッタリングターゲットを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、アルミニウム合金窒化薄膜において特定の組成を採用することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［３］に係るものである。
［１］  Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜、又は
Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、窒素を４０原子％以上５７原子％以下、並びにＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜からなることを特徴とするアルミニウム合金窒化薄膜。
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
［２］  アルミニウム合金窒化薄膜と金属電極薄膜とを含むアルミニウム合金窒化積層薄膜であって、
前記アルミニウム合金窒化薄膜は、
Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜、又は
Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、及び窒素を含み、かつ、Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜からなり、
前記金属電極薄膜の単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であるアルミニウム合金窒化積層薄膜。
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
［３］  前記［１］に記載のアルミニウム合金窒化薄膜、または前記［２］に記載のアルミニウム合金窒化積層薄膜を構成するアルミニウム合金窒化薄膜の成膜に用いられるスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、温水浸漬試験において、アルミニウム合金窒化薄膜が溶解することなく優れた耐久性を有することから、前記アルミニウム合金窒化薄膜を利用することで安価な光吸収薄膜および低反射導電膜を得られるとともに、安定した製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜の一構造例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜の一構造例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜の一構造例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜の一構造例を示す概略断面図である。
【図５】図５は、アルミニウム窒化薄膜と本発明のアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）の膜中窒素量に対する波長５５０ｎｍにおける反射率（膜厚５０ｎｍ）を示すグラフである。
【図６】図６は、純アルミニウム薄膜（膜厚２５０ｎｍ）上にアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）を膜厚５０ｎｍ〜１０ｎｍ積層した時の反射率スペクトルである。
【図７】図７は、純銀薄膜（膜厚２５０ｎｍ）上にアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）を膜厚５０ｎｍ〜１０ｎｍ積層した時の反射率スペクトルである。
【図８】図８は、純銅薄膜（膜厚２５０ｎｍ）上にアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）を膜厚５０ｎｍ〜１０ｎｍ積層した時の反射率スペクトルである。
【図９】図９は、純アルミニウム薄膜、純銀薄膜または純銅薄膜（膜厚２５０ｎｍ）上にアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）を積層した時の、アルミニウム合金窒化薄膜の膜厚に対する波長８００ｎｍにおける反射率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、任意に変形して実施することができる。
また本明細書において数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。「反射率」とは、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率を意味する。また「ａｔ％」と「原子％」とは同義である。
【００１６】
＜アルミニウム合金窒化積層薄膜＞
本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜は、アルミニウム合金窒化薄膜と金属電極薄膜とを含むアルミニウム合金窒化積層薄膜であって、前記アルミニウム合金窒化薄膜は後述する特定の組成をとり、前記金属電極薄膜の単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１７】
図１〜図４に本発明のアルミニウム合金窒化積層薄膜１０の一構造例の概略断面図を示すが、図１では基板１上に導電層２となる金属電極薄膜（金属膜）を備え、その上にアルミニウム合金窒化薄膜３を備える。導電層２とアルミニウム合金窒化薄膜３の順序に特に制限はなく、図２で示すように基板１上にアルミニウム合金窒化薄膜３を備え、その上にさらに導電層２を備えていてもよい。
また、図３又は図４に示すように、密着層または保護層４を、基板１と導電層２との界面や、導電層２の上下層に積層してもよい。導電層２となる金属電極薄膜の種類によって、密着性の改善や耐食性の改善を目的として、該密着層または保護層４を設けることが好ましい。
【００１８】
（基板）
基板１の材料としてはＰＥＴフィルムやプラスチック等の樹脂基板、ガラス基板、シリコン基板、カラーフィルター基板等、従来公知の材料から適宜選択することができる。
基板の厚みは用途によっても異なるが、厚みの増加は重量の増加につながるため、一般的には０．１〜３ｍｍが好ましい。
【００１９】
（金属電極薄膜）
導電層２となる金属電極薄膜（金属膜）は単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であればよく、１０μΩ・ｃｍ以下が好ましく、８μΩ・ｃｍ以下がより好ましい。電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍを超える場合、アルミニウム合金窒化積層薄膜とした時の目安であるシート抵抗が１．５Ω／ｃｍ２以下となるように厚膜を積層する必要がある。
【００２０】
金属電極薄膜としては、導電性の観点から純アルミニウム薄膜、アルミニウム合金薄膜、純銅薄膜、銅合金薄膜、純銀薄膜、または銀合金薄膜が好ましく、耐熱性や耐薬品性を鑑みると、アルミニウム合金薄膜、銅合金薄膜、または銀合金薄膜がより好ましい。
【００２１】
金属電極薄膜の合金薄膜として含まれていてもよい合金成分としては、Ａｌ、Ｃｕ及びＡｇの他に、Ｎｉ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｚｎ等が挙げられる。これらの主元素でない成分の合計含有量は一般的に０．１〜３．０原子％である。
なお、具体的な金属電極薄膜の例とその電気抵抗率を表２に示す。
【００２２】
金属電極薄膜はスパッタリング法や蒸着法等により成膜することができる。
金属電極薄膜の膜厚は好ましくは５０〜５００ｎｍであり、シート抵抗の点から８０ｎｍ以上がより好ましい。また、膜厚が厚くなると成膜プロセス時間が長くなるため３５０ｎｍ以下がより好ましい。スパッタリング法を用いて金属電極薄膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
【００２３】
（アルミニウム合金窒化薄膜）
アルミニウム合金窒化薄膜３は光吸収膜として機能する。すなわち、アルミニウム合金窒化薄膜からなる光吸収膜は導電層である金属電極薄膜の不可視化を目的に積層する。そのため、アルミニウム合金窒化薄膜は光の入射側または視認する側に設ける。先述したように、アルミニウム合金窒化薄膜は金属電極薄膜上または金属電極薄膜と基板との界面のどちらに設けてもよく、その位置は光の入射側または視認する側に依存する。これにより、金属電極薄膜の低反射化が達成できる。
【００２４】
アルミニウム合金窒化薄膜が単膜である場合、アルミニウム合金窒化薄膜は、下記（Ａ）又は（Ｂ）に示す薄膜からなることを特徴とする。
（Ａ）Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜
（Ｂ）Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、窒素を４０原子％以上５７原子％以下、並びにＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
【００２５】
また、アルミニウム合金窒化薄膜を、金属電極薄膜を含むアルミニウム合金窒化積層薄膜として用いる場合、アルミニウム合金窒化薄膜は、下記（Ａ）’又は（Ｂ）’に示す薄膜からなることを特徴とする。
（Ａ）’Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜
（Ｂ）’Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、及び窒素を含み、かつ、Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜
（含有量）
Ｙ：１．０原子％以上５．０原子％以下
Ｓｉ：０．５原子％以上１０．０原子％以下
Ｎｉ：３．０原子％以上３０．０原子％以下
Ｔｉ：１．０原子％以上６．０原子％以下
Ｎｄ：１．０原子％以上１０．０原子％以下
【００２６】
アルミニウム合金窒化薄膜は窒素を含むことで、膜中に自由電子が少なくなり、反射率が低下して光吸収が増加すると考えられる。またアルミニウム合金窒化薄膜の光吸収は、純金属窒化物か合金窒化物かに依らず、膜中の窒素量に依存する。
アルミニウム合金窒化薄膜の反射率は５０％以下であることが好ましく、そのためにはアルミニウム合金窒化薄膜中の窒素量は３０原子％以上であることが必要であり、４０原子％以上が好ましい。また、アルミニウム合金窒化薄膜中にＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種が所定量含まれる場合には、５０％以下の反射率を得るために、窒素量は４０原子％以上であることが必要となり、４５原子％以上がより好ましい。
【００２７】
反射率をより低減させるためには窒素量は多いほど好ましい。一方で、窒素含有量が多すぎると透過率が増加する。吸収率は下記式により求められることから、該透過率も低い方が好ましい。
吸収率（％）＝１００−反射率（％）−透過率（％）
そのため、Ｃｕを５．０原子％以上、及び窒素を３０原子％以上４５原子％以下含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金薄膜の場合、窒素量の上限値は４５原子％以下が好ましい。
また、Ｃｕを５．０原子％以上２０原子％以下、窒素を４０原子％以上５７原子％以下、並びにＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種を下記含有量の範囲で含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなる薄膜の場合、窒素含有量の上限値は高くなり、５７原子％以下が好ましく、より好ましくは５５原子％以下である。
【００２８】
なお、アルミニウム合金窒化薄膜を、金属電極薄膜を含むアルミニウム合金窒化積層薄膜として用いる場合、アルミニウム合金窒化薄膜中にＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる元素の少なくとも１種が所定量含まれる際には、窒素含有量は４０原子％に満たなくてもよい。このときの好ましい窒素含有量は、アルミニウム合金窒化薄膜の組成によっても異なるが、例えばＹを１．０原子％以上５．０原子％以下含む場合には、窒素含有量は２５原子％以上が好ましい。
【００２９】
また、温水浸漬試験に対する耐久性（難溶解性）の点からも好適な窒素量が存在する。例えば７．０原子％のＣｕを添加したアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７．０原子％Ｃｕ−Ｎ）の場合には窒素量は４０〜４５原子％がより好ましい。このように、アルミニウム合金窒化薄膜の組成に応じて、最適な窒素量を選択する。
【００３０】
また、アルミニウム合金窒化薄膜はＣｕを含むことで、温水浸漬試験に対する耐久性が向上する。温水浸漬試験に対する耐久性とは、５５〜６０℃の温水中に５分間浸漬した際にアルミニウム合金窒化薄膜が溶解した膜厚が３０ｎｍ以下であることを言い、２５ｎｍ以下がより好ましい。
なお、温水浸漬試験によってアルミニウム合金窒化薄膜が溶解すると、金属電極薄膜からの反射が大きくなる。そのため、温水浸漬試験前後の反射率の変化量からも、温水浸漬試験に対する耐久性を判断することができる。
【００３１】
アルミニウム合金窒化薄膜は、後述するＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ又はＮｄを含まない場合、Ｃｕを５．０原子％以上含むことが温水浸漬試験に対する耐久性の点から好ましく、７．０原子％以上がより好ましい。一方、Ｃｕ添加量が増加すると、アルミニウム合金窒化薄膜を成膜するためのアルミニウム合金ターゲットを製造する際の溶解時にＡｌとＣｕからなる金属間化合物を形成するため、鍛造時に割れて歩留りが低下することから、安価な溶解法での製造が難しい。そのためＣｕ添加量は２０．０原子％以下が好ましい。
【００３２】
またアルミニウム合金窒化薄膜はＣｕに加えてさらにＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を特定量含むことが温水浸漬試験に対する耐久性の点から好ましい。
Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄは窒素と安定な窒化物を形成する。アルミニウム合金窒化薄膜中にＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、ＴｉまたはＮｄの窒化物が分散することで、温水浸漬試験を行った際に、Ａｌ−Ｎ溶解が先に起こり、膜表面のＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、ＴｉまたはＮｄの窒化物の濃度が増加する。それにより、温水浸漬試験を行っても膜の溶解を抑制できるものと考えられる。
また、Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を一定濃度以上添加することで、膜表面をＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、ＴｉまたはＮｄの窒化物で保護することができる点からも、温水浸漬試験による膜の溶解を完全または十分に抑制することができる。
【００３３】
Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む場合、アルミニウム合金窒化薄膜に含まれるＣｕは５．０原子％以上２０原子％以下が好ましい。
またＹ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＮｄの各々の含有量は先述したとおりである。
【００３４】
Ｙ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｄを添加する効果は元素の種類とその含有量によって異なる。以下に各元素の効果と濃度の一例について説明する。
【００３５】
Ｃｕを５．０原子％以上含み、かつＹを１．０原子％以上５．０原子％以下含むＡｌ−Ｃｕ−Ｙ−Ｎ薄膜は、膜中の窒素量が４０原子％以上５７原子％以下の範囲において、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。Ｙ添加量が１．０原子％未満では、温水浸漬試験によって膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができない。また、５．０原子％超では、Ａｌ−Ｃｕ−Ｙ−Ｎ薄膜の成膜に使用するＡｌ−Ｃｕ−Ｙ合金ターゲットを製造する際に、ＡｌとＹからなる金属間化合物を形成するため安価な溶解法での製造が難しく、Ａｌ合金ターゲットの製造コストが増加する。そのため、Ｙの含有量は１．０原子％以上５．０原子％以下が好ましく、より好ましくは１．５原子％以上３．５原子％以下である。
【００３６】
Ｃｕを５．０原子％以上含み、かつＳｉを０．５原子％以上１０．０原子％以下含むＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｎ薄膜では、膜中の窒素量が４０原子％以上の範囲において、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。Ｓｉ添加量が０．５原子％未満では、温水浸漬試験によって膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができない。また、１０．０原子％超ではＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｎ薄膜の成膜に使用するＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金ターゲットを製造する際にＡｌとＳｉからなる金属間化合物を形成するため安価な溶解法での製造が難しく、Ａｌ合金ターゲットの製造コストが増加する。そのため、Ｓｉの含有量は０．５原子％以上１０．０原子％以下が好ましく、より好ましくは１．０原子％以上５．０原子％以下である。
【００３７】
Ｃｕを５．０原子％以上含み、かつＮｉを３．０原子％以上３０．０原子％以下含むＡｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｎ薄膜では、膜中の窒素量が４０原子％以上５７原子％以下の範囲において、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。Ｎｉ添加量が３．０未満原子％以下では、温水浸漬試験によって膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができない。また、３０．０原子％超ではＡｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｎ薄膜の成膜に使用するＡｌ−Ｃｕ−Ｎｉ合金ターゲットを製造する際にＡｌとＮｉからなる金属間化合物を形成するため安価な溶解法での製造が難しく、Ａｌ合金ターゲットの製造コストが増加する。そのため、Ｎｉの含有量は３．０原子％以上３０．０原子％以下が好ましく、より好ましくは１．０原子％以上１０．０原子％以下である。
【００３８】
Ｃｕを５．０原子％以上含み、かつＴｉを１．０原子％以上６．０原子％以下含むＡｌ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｎ薄膜では、膜中の窒素量が４０原子％以上５７原子％以下の範囲において反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。Ｔｉ添加量１．０原子％未満では、温水浸漬試験によって膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができない。また、６．０原子％超ではＡｌ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｎ薄膜の成膜に使用するＡｌ−Ｃｕ−Ｔｉ合金ターゲットを製造する際にＡｌとＴｉからなる金属間化合物を形成するため安価な溶解法での製造が難しく、Ａｌ合金ターゲットの製造コストが増加する。そのため、Ｔｉの含有量は１．０原子％以上６．０原子％以下が好ましく、より好ましくは１．２原子％以上５．０原子％以下である。
【００３９】
Ｃｕを５．０原子％以上含み、かつＮｄを１．０原子％以上１０．０原子％以下含むＡｌ−Ｃｕ−Ｎｄ−Ｎ薄膜では、膜中の窒素量が３０原子％以上５７原子％以下の範囲において、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。
また、Ｎｄを３．４原子％以上含む場合、膜中の窒素量が３０原子％以上４５原子％以下の範囲において、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を５ｎｍ以下に制御することができる。さらには、Ｎｄを３．５原子％以上含む場合、膜中の窒素量が４８原子％以上５５原子％以下の高窒化な状態であっても、反射率５０％以下、かつ温水浸漬試験による膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができる。
Ｎｄ添加量１．０原子％未満では、温水浸漬試験によって膜の溶解を３０ｎｍ以下に制御することができない。また、１０．０原子％超では、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｄ−Ｎ薄膜の成膜に使用するＡｌ−Ｃｕ−Ｎｄ合金ターゲットを製造する際にＡｌとＮｄからなる金属間化合物を形成するため安価な溶解法での製造が難しく、Ａｌ合金ターゲットの製造コストが増加する。そのため、Ｎｄの含有量は１．０原子％以上１０．０原子％以下が好ましく、より好ましくは２．０原子％以上５．０原子％以下である。
【００４０】
アルミニウム合金窒化薄膜はスパッタリング法や蒸着法等により成膜することができる。
スパッタリング法においては、目的とする膜組成の金属元素比のスパッタリングターゲットを用いて成膜するが、平坦性が高く均一な組成の成膜が可能なため、スパッタリング法による成膜が好ましい。スパッタ時にＡｒ等の不活性ガスとＮ２ガスの混合ガス流通下でスパッタリングを行うことにより、スパッタリングターゲットと同じ金属元素比のアルミニウム合金窒化薄膜が得られる。アルミニウム合金窒化薄膜における窒素量は、スパッタ時に流通させるＮ２ガスの流量や温度により所望の値にすることができる。
【００４１】
スパッタの条件は通常スパッタが行われている範囲であればよく、例えば、到達真空度は１×１０−６Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、基板温度は室温〜１００℃が好ましく、成膜温度は室温〜１００℃が好ましく、スパッタ時のガス圧は１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒが好ましい。
【００４２】
アルミニウム合金窒化薄膜の膜厚は、該アルミニウム合金窒化薄膜の組成や積層する金属電極薄膜の種類にもよっても異なるが、反射率をより低減できることから２０ｎｍ以上が好ましく、２５ｎｍ以上がより好ましい。膜厚が厚くなりすぎると、成膜プロセス時間の超過につながるため、２００ｎｍ以下が好ましい。
スパッタリング法を用いてアルミニウム合金窒化薄膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
【００４３】
アルミニウム合金窒化薄膜は上記成分以外のその他の成分として酸素等の元素や不可避不純物が含まれていてもよい。その他の成分の含有量は、アルミニウム合金窒化薄膜における窒素含有量やその他の元素組成によっても異なるが、例えば酸素は、一般的には１０．０原子％以下含んでいてもよく、５．０原子％以下がより好ましい。
不可避不純物としてはＣやＦｅ、Ｍｇ等の金属元素が挙げられる。不可避不純物の含有量の上限は、合計で０．１原子％未満である。
【００４４】
（密着層または保護層）
密着層または保護層は、金属電極薄膜の種類によって、密着性の改善や耐食性の改善を目的として適宜設ける。
例えば、金属電極薄膜が純Ａｌ薄膜またはＡｌ合金薄膜である場合には、加熱によるヒロック発生を抑制するため、保護層としてＴｉ、Ｍｏ、ＴｉＮまたはＭｏＮを積層することが好ましい。金属電極薄膜が純Ｃｕ薄膜またはＣｕ合金薄膜である場合には、密着性の向上や耐熱性向上を目的としてＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣＮを積層することが好ましい。金属電極薄膜が純Ａｇ薄膜またはＡｇ合金薄膜である場合には、密着性の向上や耐熱性向上を目的としてＩＴＯ薄膜やＩＺＯ薄膜に代表される透明導電膜を積層することが好ましい。
【００４５】
密着層または保護層はスパッタリング法やＣＶＤ法、蒸着法等により成膜することができる。
密着層または保護層の膜厚は、金属電極薄膜の種類等にもよっても異なるが、連続的に表面が平坦な膜を得るためには１０ｎｍ以上が好ましい。また膜厚の増加は成膜プロセス時間が長くなるため、５００ｎｍ以下が好ましい。
スパッタリング法を用いて密着層または保護層を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、その趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
［評価方法］
（１）：窒化薄膜中の窒素量
純アルミニウム窒化薄膜及びアルミニウム合金窒化薄膜における膜中の窒素量（膜中Ｎ濃度  原子％）はパ−キン・エルマ−社製のＰＨＩ６５０走査型オージェ電子分光装置を用いて、エネルギー  ３ｋｅＶ、電流  約５０ｎＡの電子線を７５°の角度で膜表面に照射し、ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒ  ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを測定した。膜の深さ方向については、Ａｒ＋のイオンスパッタでエッチングしながら、上記と同様の条件で測定を行った。
【００４７】
（２）：窒化薄膜の反射率、透過率、吸収率
純アルミニウム窒化薄膜及びアルミニウム合金窒化薄膜における反射率及び透過率は、日本分光社製Ｖ−５７０分光光度計を用い、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの反射率スペクトルと透過率スペクトルを測定した。表１には波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率と透過率を記載した。また各波長における吸収率は下記式より求めた。
吸収率（％）＝１００−反射率（％）−透過率（％）
【００４８】
（３）：窒化薄膜及びアルミニウム合金窒化積層薄膜の温水浸漬試験
温度５５℃以上６０℃以下の温水中に純アルミニウム窒化薄膜、アルミニウム合金窒化薄膜またはアルミニウム合金窒化積層薄膜を５分間浸漬することにより温水浸漬試験を行った。
【００４９】
（４）：温水浸漬試験後における窒化薄膜の溶解膜厚
上記（３）の温水浸漬試験によって溶解した膜の厚みはヤマト科学株式会社製の半導体製造用検査装置（型式：アルファステップＩＱ）を用い、触針式段差測定法にて測定した。
【００５０】
（５）：窒化薄膜、金属電極薄膜及びアルミニウム合金窒化積層薄膜の電気抵抗率、シート抵抗
窒化薄膜、金属電極薄膜及びアルミニウム合金窒化積層薄膜のシート抵抗はそれぞれ四端子法で測定した。なお窒化薄膜及び金属電極薄膜の単膜の電気抵抗率は、上記で得られたシート抵抗の値に膜厚を掛けることにより算出した。
【００５１】
（６）：アルミニウム合金窒化積層薄膜の反射率
アルミニウム合金窒化積層薄膜の反射率は、日本分光社製Ｖ−５７０分光光度計を用い、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの反射率スペクトルを測定した。表３には波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍ及び８００ｎｍにおける反射率を、表４には温水浸漬試験前後の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率をそれぞれ記載した。また表４には温水浸漬試験前後の波長５５０ｎｍにおける反射率の差を反射率変化量として記載した。
【００５２】
［アルミニウム合金窒化薄膜の評価：試験例１−１〜１−３０］
アルミニウム合金窒化薄膜の光吸収特性についての評価を行うため、純アルミニウム窒化薄膜（試験例１−１〜１−４）及びアルミニウム合金窒化薄膜（試験例１−５〜１−３０）を表１に記載の組成となるように下記条件でスパッタリング法により成膜した。基板には厚みが０．７ｍｍのコーニング社製ＥＡＧＬＥ  ＸＧガラスを用いた。
【００５３】
（スパッタリング条件）
・成膜装置：ＵＬＶＡＣ社製  型式ＣＳ−２００
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・成膜ガス：ＡｒガスとＮ２ガスからなる混合ガス
・成膜パワー：ＤＣ５００Ｗ
・基板温度：室温
なお、成膜ガスは表１に記載の膜中窒素量（膜中Ｎ濃度  ａｔ％）になるように、ＡｒガスとＮ２ガスの混合量を変えて成膜を行った。
【００５４】
得られた試験例１−１〜１−３０の純アルミニウム窒化薄膜またはアルミニウム合金窒化薄膜の組成及び評価結果を表１に示す。表１中、反射率が５０％以下、かつ温水浸漬試験による溶解膜厚が３０ｎｍ以下であれば、評価を「○」とした。
【００５５】
【表１】
2017043806.tif 000003
【００５６】
試験例１−１〜１−４は純アルミニウムまたは純アルミニウムの窒化物の薄膜であるが、膜中の窒素量が３０原子％以上においては、反射率が５０％以下となるものの、温水浸漬試験による溶解膜厚が３０ｎｍを超え、温水浸漬試験に対する耐久性を満たさなかった。
【００５７】
試験例１−５〜１−１０はＡｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ薄膜である。Ｃｕを含むことにより反射率が下がり、膜中の窒素量が３０原子％以上４５原子％以下では要求する反射率５０％以下、温水浸漬試験による溶解膜厚３０ｎｍ以下を満たした。
【００５８】
試験例１−１１はＭｇを添加したＡｌ−１３．２原子％Ｃｕ−８．４原子％Ｍｇ−Ｎ薄膜であるが、Ｍｇを含むことにより、温水浸漬試験に対する耐久性が劣化し、溶解膜厚が増加した。
【００５９】
試験例１−１２及び１−１３はＹを添加したＡｌ−７．０原子％Ｃｕ−Ｙ−Ｎ薄膜である。Ｙを含むことにより温水浸漬試験に対する耐久性が著しく向上する。これは、試験例１−１３を窒素量が同じ試験例１−８と比較すると顕著である。また、試験例１−１２において膜中の窒素量が２１．２原子％と低いと、反射率が５０％超と高かった。
試験例１−１４または１−１５は、ＳｉまたはＮｉを添加したＡｌ−Ｃｕ−（Ｓｉ／Ｎｉ）−Ｎ薄膜である。膜中の窒素量が同程度の試験例１−８や１−９とそれぞれ比較すると、温水浸漬試験による溶解膜厚が少なくなっていることがわかった。
【００６０】
試験例１−１６〜１−１９は、Ｔｉを添加したＡｌ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｎ薄膜である。Ｔｉ添加量を１．０原子％以上添加することで、膜中の窒素量が同程度であるＡｌ−Ｃｕ−Ｎ薄膜よりも温水浸漬試験による溶解膜厚が少なくなっていることがわかった。
試験例１−２０〜１−３０は、Ｎｄを添加したＡｌ−Ｃｕ−Ｎｄ−Ｎ薄膜である。Ｎｄ添加量を１．０原子％以上添加することで、膜中の窒素量が同程度であるＡｌ−Ｃｕ−Ｎ薄膜よりも温水浸漬試験による溶解膜厚が少なくなっていることがわかった。
【００６１】
なお、Ａｌ窒化薄膜と本発明のアルミニウム合金窒化薄膜（Ａｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ）の膜中窒素量に対する波長５５０ｎｍにおける反射率（膜厚５０ｎｍ）を図５のグラフにまとめた。図５中のプロットは試験例１−１〜１−１０に相当するが、純金属窒化物であるＡｌ−Ｎと合金窒化物であるＡｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎの膜中窒素量に対する反射率依存性は一致しており、純金属窒化物と合金窒化物によらず光吸収は膜中窒素量に依存していることが分かった。
【００６２】
［金属電極薄膜の評価：試験例２−１〜２−３４］
金属電極薄膜の評価を行うため、表２に記載の電気抵抗率を参考に金属電極薄膜を選択した。試験例１−７のアルミニウム合金窒化薄膜を成膜し、次いで表３に記載の各金属電極薄膜の所望の組成の純金属ターゲットまたは合金ターゲットを用いて下記条件で連続スパッタすることで金属電極薄膜を成膜した。
【００６３】
（スパッタリング条件）
・成膜装置：ＵＬＶＡＣ社製  型式ＣＳ−２００
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・成膜ガス：Ａｒガス
・成膜パワー：ＤＣ５００Ｗ
・基板温度：室温
なお、アルミニウム合金窒化薄膜及び金属電極薄膜の膜厚は成膜時間を変更することで調整した。得られた薄膜の膜厚は触針式段差計により測定した。
【００６４】
【表２】
2017043806.tif 000004
【００６５】
得られた試験例２−１〜２−３４の金属電極薄膜の組成、各薄膜の膜厚及び積層膜の反射率及びシート抵抗を表３に示す。表３中、反射率が５０％以下、かつシート抵抗が１．５Ω／ｃｍ２以下であれば、評価を「○」とした。
【００６６】
【表３】
2017043806.tif 000005
【００６７】
試験例２−１〜２−４、試験例２−２０〜２−２３及び試験例２−２９〜２−３２はそれぞれ、金属電極薄膜が純Ａｌ薄膜、純Ａｇ薄膜及び純Ｃｕ薄膜の場合である。金属電極薄膜が純Ａｇ薄膜、純Ｃｕ薄膜の場合、該金属電極薄膜上にアルミニウム合金窒化薄膜を膜厚２０ｎｍ以上積層することで、反射率が５０％以下となることが分かった。また金属電極薄膜が純Ａｌ薄膜の場合、該金属電極薄膜上にアルミニウム合金窒化薄膜を膜厚２５ｎｍ以上積層することで、反射率が５０％以下となることが分かった。
【００６８】
また試験例２−１〜２−４の反射スペクトルを図６に、試験例２−２０〜２−２３の反射スペクトルを図７に、試験例２−２９〜２−３２の反射スペクトルを図８にそれぞれ示す。これらはいずれもアルミニウム合金窒化薄膜の膜厚の違いによる反射スペクトルである。
その結果、純アルミニウム薄膜、純銀薄膜、純銅薄膜いずれの金属電極薄膜を導電層として用いても、アルミニウム合金窒化薄膜の膜厚を３０ｎｍ以上積層することで反射率を５０％以下にできることがわかった。より具体的には、金属電極薄膜が純Ａｇ薄膜または純Ｃｕ薄膜である場合にはアルミニウム合金窒化薄膜の膜厚は２０ｎｍ以上、金属電極薄膜が純Ａｌ薄膜である場合にはアルミニウム合金窒化薄膜の膜厚は２５ｎｍ以上とすることで良好な反射率が得られた。
なお、短波長側より長波長側で一様に反射率が高かった。そこで、可視光域の最大長波長である８００ｎｍにおける、反射率のアルミニウム合金窒化薄膜依存性を図９に示す。図９からも好適なアルミニウム合金窒化薄膜の膜厚を見積もることができる。
【００６９】
試験例２−７〜２−１０は表２に示した各金属電極薄膜の中でも単膜の電気抵抗が１２μΩ・ｃｍと高いＡｌ−１ａｔ％Ｎｉ−０．５ａｔ％Ｃｕ−０．３ａｔ％Ｌａを金属電極薄膜とした場合である。単膜の電気抵抗が１２μΩ・ｃｍと高い場合であっても、金属電極薄膜の膜厚を８０ｎｍ以上とすることにより、シート抵抗１．５Ω／ｃｍ２以下を達成できることが分かった。
【００７０】
［アルミニウム合金窒化積層薄膜の評価：試験例３−１〜３−３０］
アルミニウム合金窒化積層薄膜の評価を行うため、試験例１−１〜１−３０のアルミニウム合金窒化薄膜を成膜し、次いで試験例２−１２の金属電極薄膜を連続スパッタすることで表４に記載の組成のアルミニウム合金窒化積層薄膜をそれぞれ成膜した。
【００７１】
得られた試験例３−１〜３−３０のアルミニウム合金窒化積層薄膜の組成及び評価結果を表４に示す。表３中、反射率が５０％以下、温水浸漬試験前後での波長５５０ｎｍにおける反射率変化量が１０％以下、かつシート抵抗が１．５Ω／ｃｍ２以下であれば、評価を「○」とした。
【００７２】
【表４】
2017043806.tif 000006
【００７３】
試験例３−１〜３−４は純アルミニウムまたは純アルミニウムの窒化物をアルミニウム合金窒化薄膜とした積層薄膜であるが、試験例３−１〜３−３のように膜中の窒素量が３０原子％未満であると単膜反射率が高いため、温水浸漬試験前であっても反射率が５０％超であった。
試験例３−４において膜中の窒素量が３０原子％以上となることにより、初期反射率は５０％以下と低くなるが、温水浸漬試験後の溶解膜厚が大きく、温水浸漬試験後の金属電極薄膜からの反射率が高くなった。
【００７４】
試験例３−５〜３−１０のアルミニウム合金窒化薄膜はＡｌ−７原子％Ｃｕ−Ｎ薄膜である。Ｃｕを含み、かつ膜中の窒素量が３０原子％以上４５原子％以下では要求する反射率５０％以下、温水浸漬試験前後における反射率変化量が１０％以下を満たした。
【００７５】
試験例３−１１のアルミニウム合金窒化薄膜はＡｌ−１３．２原子％Ｃｕ−８．４原子％Ｍｇ−Ｎ薄膜である。初期反射率は小さく５０％以下となるものの、Ｍｇを含むことにより温水浸漬試験後の溶解膜厚が大きくなり、温水浸漬試験後における金属電極薄膜からの反射率が高くなるため、反射率変化量が１０％超となった。
【００７６】
試験例３−１２及び３−１３のアルミニウム合金窒化薄膜はＹを添加したＡｌ−７．０原子％Ｃｕ−Ｙ−Ｎ薄膜である。試験例３−１２は試験例１−１２と同様膜中の窒素量が２１．２原子％であるが、この場合単膜反射率が高く、反射率５０％超となった。試験例３−１３において窒素量を４６．１原子％と増やすことにより反射率５０％以下、かつ反射率変化量１０％以下を満足した。
【００７７】
試験例３−１４または３−１５のアルミニウム合金窒化薄膜は、ＳｉまたはＮｉを添加したＡｌ−Ｃｕ−（Ｓｉ／Ｎｉ）−Ｎ薄膜である。試験例３−１４及び３−１５共に、反射率５０％以下、反射率変化量１０％以下を満足した。
【００７８】
試験例３−１６〜３−１９のアルミニウム合金窒化薄膜はＴｉを添加したＡｌ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｎ薄膜である。これらはいずれも反射率５０％以下、反射率変化量１０％以下を満足した。
【００７９】
試験例３−２０〜３−３０のアルミニウム合金窒化薄膜はＮｄを添加したＡｌ−Ｃｕ−Ｎｄ−Ｎ薄膜である。これらはいずれも反射率５０％以下、反射率変化量１０％以下を満足した。
【符号の説明】
【００８０】
１  基板
２  導電層（金属電極薄膜）
３  アルミニウム合金窒化薄膜
４  密着層または保護層
１０  アルミニウム合金窒化積層薄膜
【図１】
2017043806.tif 000007
【図２】
2017043806.tif 000008
【図３】
2017043806.tif 000009
【図４】
2017043806.tif 000010
【図５】
2017043806.tif 000011
【図６】
2017043806.tif 000012
【図７】
2017043806.tif 000013
【図８】
2017043806.tif 000014
【図９】
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