(57)【要約】【課題】本発明のある態様は、チッピングの発生とチップ割れの発生とを抑制可能なテープを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のある態様は、セパレータと、フィルムとを含むテープに関する。フィルムは、接着剤層と基材層とを含む。接着剤層は、セパレータと基材層との間に位置する。フィルムのウエハ固定部において、接着剤層および基材層の９０度はく離力は０．０１５Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍであることができる。フィルムのダイシングリング固定部において、接着剤層および基材層の１８０度はく離力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータと、
接着剤層および基材層を含むフィルムとを含み、
前記接着剤層は、前記セパレータおよび前記基材層の間に位置し、
前記フィルムのウエハ固定部において、前記接着剤層および前記基材層の９０度はく離力が０．０１５Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍであり、
前記フィルムのダイシングリング固定部において、前記接着剤層および前記基材層の１８０度はく離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上である、
テープ。
【請求項２】
前記接着剤層は前記セパレータと接している、請求項１に記載のテープ。
【請求項３】
前記接着剤層は熱硬化性樹脂を含む、請求項１または２に記載のテープ。
【請求項４】
半導体チップおよびダイシング後接着剤層を含むダイシング後チップを形成する工程を含み、
前記ダイシング後チップを形成する工程は、前記フィルム、前記ウエハ固定部に固定された半導体ウエハおよび前記ダイシングリング固定部に固定されたダイシングリングを含む積層体を形成するステップを含み、
前記積層体を形成するステップは、請求項１〜３のいずれかに記載のテープから前記セパレータを除く段階を含む、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープおよび半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材層と、基材層上に位置する粘着剤層と、粘着剤層上に位置する接着剤層と、接着剤層に接したセパレータとを有する、半導体装置を製造するためのテープ（以下、「３層テープ」という。）がある。
【０００３】
基材層と、基材層上に位置する接着剤層と、接着剤層に接したセパレータとを有するテープ（以下、「２層テープ」ということがある。）もある。２層テープは、３層テープと比べて、安価に製造しうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２８１５６１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１８５２８５号公報
【特許文献３】特許第４２８４９２２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
２層テープは、３層テープと比べて、ダイシング時のチップ欠け（以下、「チッピング」という。）の発生を抑制することが難しい。２層テープは、３層テープと比べて、ピクアップ時のチップ割れの発生を抑制することも難しい。３層テープでは、粘着剤層の厚みや粘着剤層の弾性率を調整することによりダイシング時のチップの振動を抑えることができるが、２層テープは、基材層と接着剤層とを接続する粘着剤層を有さない。
【０００６】
本発明のある態様は、チッピングの発生とチップ割れの発生とを抑制可能なテープを提供することを目的とする。本発明のある態様は、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のある態様は、セパレータと、フィルムとを含むテープに関する。フィルムは、接着剤層と基材層とを含む。接着剤層は、セパレータと基材層との間に位置する。フィルムのウエハ固定部において、接着剤層および基材層の９０度はく離力は０．０１５Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍであることができる。フィルムのダイシングリング固定部において、接着剤層および基材層の１８０度はく離力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であることができる。
【０００８】
ウエハ固定部の９０度はく離力が０．０１５Ｎ／２０ｍｍ以上であり、さらにダイシングリング固定部の１８０度はく離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であると、ダイシング時における半導体チップの振動を抑制可能で、チッピングの発生を抑えることができる。ウエハ固定部の９０度はく離力が０．４Ｎ／２０ｍｍ以下であると、ピックアップ時に半導体チップの割れが生じ難い傾向がある。
【０００９】
基材層の両面は、接着剤層と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義できる。基材層の第１主面は、前処理された領域を含むことができる。基材層の第１主面が前処理された領域を含まないとき、チップ割れは生じにくいものの、ダイシングリングに糊残りが生じやすいことがある。基材層の極性は一般に低いため、基材層と接着剤層との接着力が低いことがあるからである。前処理は、コロナ放電処理、プラズマ処理、下塗剤の塗布、はく離処理、エンボッシング、紫外線処理、加熱処理などであることができる。ロールtoロールに適用できるという観点では、コロナ放電処理、プラズマ処理、下塗剤の塗布が好ましい。エンボッシングでは、凹凸のあるロールなどを使用できる。エンボッシングされた領域の表面凹凸は、たとえば０．１μｍ〜５μｍであることができる。一般に、接着剤層が硬いほど、基材層の表面凹凸に対して点接触になるため、はく離力が低くなる傾向がある。いっぽう、接着剤層が柔らかいほど、接着剤層が表面凹凸に追従するため、はく離力が高くなる傾向がある。
【００１０】
本発明のある態様では、様々な用途にテープを使用できる。たとえば、ダイシングダイボンディングのためにテープを使用できる。このとき、接着剤層は、チップおよび被着体を接着する役割などを担うことができる。フィルムはウエハ裏面保護フィルム、アンダーフィルフィルム、封止フィルムとしても使用できる。
【００１１】
本発明のある態様はまた、半導体チップおよびダイシング後接着剤層を含むダイシング後チップを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。ダイシング後チップを形成する工程は、積層体を形成するステップを含む。積層体は、フィルムと、ウエハ固定部に固定された半導体ウエハとダイシングリング固定部に固定されたダイシングリングとを含む。積層体を形成するステップは、テープからセパレータを除く段階を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ダイシングダイボンディングテープの概略平面図である。
【図２】ダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。
【図３】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図４】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図５】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図６】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図７】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図８】変形例８におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。
【図９】変形例９におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。
【図１０】変形例１０におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。
【図１１】実施例１などにおけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１２】実施例５におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１３】実施例６におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１４】実施例７におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１５】実施例８におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１６】実施例９におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【図１７】比較例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１４】
実施形態１
図１に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１は、セパレータ１１とダイシングダイボンディングフィルム１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、……、１２ｍ（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム１２」と総称する。）とを含む。ダイシングダイボンディングテープ１はロール状をなすことができる。セパレータ１１はテープ状をなす。セパレータ１１は、たとえばはく離処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどである。ダイシングダイボンディングフィルム１２はセパレータ１１上に位置している。ダイシングダイボンディングフィルム１２ａとダイシングダイボンディングフィルム１２ｂのあいだの距離、ダイシングダイボンディングフィルム１２ｂとダイシングダイボンディングフィルム１２ｃのあいだの距離、……ダイシングダイボンディングフィルム１２ｌとダイシングダイボンディングフィルム１２ｍのあいだの距離は一定である。ダイシングダイボンディングフィルム１２は円盤状をなす。
【００１５】
図２に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ウエハ固定部１２Ａとダイシングリング固定部１２Ｂとを含む。ウエハ固定部１２Ａは、たとえば円盤状をなすことができる。ダイシングリング固定部１２Ｂは、ウエハ固定部１２Ａの周辺に位置する。ダイシングリング固定部１２Ｂは、たとえばドーナツ板状をなすことができる。
【００１６】
ダイシングダイボンディングフィルム１２は接着剤層１２１を含む。接着剤層１２１は円盤状をなす。接着剤層１２１の厚みは、たとえば２μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。接着剤層１２１の厚みは、たとえば２００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。接着剤層１２１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。接着剤層１２１の第１主面はセパレータ１１と接している。接着剤層１２１は、ウエハ固定部１２Ａに少なくとも従属する接着剤層第１部１２１Ａを含む。接着剤層１２１は、ダイシングリング固定部１２Ｂに少なくとも従属する接着剤層第２部１２１Ｂを含む。接着剤層１２１は、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとの間に位置する接着剤層第３部１２１Ｃを含む。接着剤層第３部１２１Ｃは、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとを接続している。接着剤層第３部１２１Ｃは、たとえばドーナツ板状をなすことができる。
【００１７】
ダイシングダイボンディングフィルム１２は基材層１２２を含む。基材層１２２は円盤状をなす。基材層１２２の厚みは、たとえば５０μｍ〜１５０μｍである。基材層１２２の両面は、接着剤層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。基材層１２２の第１主面は、ウエハ固定部１２Ａに第１領域１２２Ａを含む。第１領域１２２Ａは、前処理されていない領域である。前処理は、コロナ放電処理、プラズマ処理、下塗剤の塗布、はく離処理、エンボッシング、紫外線処理、加熱処理などである。はく離処理のためのはく離剤は、たとえばシリコーン系はく離剤、ふっ素系はく離剤を挙げることができる。基材層１２２の第１主面は、ダイシングリング固定部１２Ｂに第２領域１２２Ｂを含む。第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理された領域である。
【００１８】
ウエハ固定部１２Ａにおいて、接着剤層１２１および基材層１２２の９０度はく離力は０．０１５Ｎ／２０ｍｍ〜０．４Ｎ／２０ｍｍである。ダイシングリング固定部１２Ｂにおいて、接着剤層１２１および基材層１２２の１８０度はく離力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以上である。ウエハ固定部１２Ａの９０度はく離力が０．０１５Ｎ／２０ｍｍ以上であり、さらにダイシングリング固定部１２Ｂの１８０度はく離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、ダイシング時における半導体チップの振動を抑制可能で、チッピングの発生を抑えることができる。ダイシングリング固定部１２Ｂの１８０度はく離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であるので、ダイシングリングののり残りを抑えることができる。ウエハ固定部１２Ａの９０度はく離力が０．４Ｎ／２０ｍｍ以下であるので、ピックアップ時に半導体チップの割れが生じ難い傾向がある。
【００１９】
基材層１２２は、たとえばポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルムおよびポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルムなどから選択することが可能である。基材層１２２は、ある程度の伸縮性を有することが望ましいため、好ましくは、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルムである。
【００２０】
接着剤層１２１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂としては、たとえばアクリル樹脂を挙げることができる。
【００２１】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
【００２２】
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００２３】
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
【００２４】
アクリル樹脂は、官能基を含むことが好ましい。官能基は、たとえばヒドロキシル基、カルボキシ基、ニトリル基などである。ヒドロキシル基、カルボキシ基が好ましい。
【００２５】
樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。１０重量％以上であると、可撓性が良好である。樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
【００２６】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを挙げることができる。
【００２７】
エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
【００２８】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上である。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。
【００２９】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００３０】
フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下である。
【００３１】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００３２】
樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。
【００３３】
接着剤層１２１は無機充填剤を含むことができる。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田、カーボンなどが挙げられる。なかでも、シリカ、アルミナ、銀などが好ましく、シリカがより好ましい。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。フィラーの平均粒径は、次の方法で測定できる。接着剤層１２１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させ、得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ  １３  ３２０」；湿式法）を用いて平均粒径を求める。
【００３４】
接着剤層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは０重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、よりさらに好ましくは２０重量％以上である。接着剤層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下である。
【００３５】
接着剤層１２１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、シランカップリング剤、硬化促進剤、架橋剤などを適宜含有してよい。
【００３６】
ダイシングダイボンディングフィルム１２の作成方法は、たとえば基材層１２２の第２領域１２２Ｂにコロナ放電処理する工程と、基材層１２２上に接着剤層１２１を形成する工程とを含む。コロナ処理は、プラスチックフィルム、紙、金属箔などの基材表面をコロナ放電照射により改質する表面処理技術である。金属電極の間に誘電体を挿入し、高周波高電圧を印加すると、電極間にストリーマコロナと呼ばれる、フィラメント状のプラズマが時間的、空間的にランダムに形成される。高エネルギーの電子は、対極側を通過する高分子フィルムの表面層に達し、高分子結合の主鎖や側鎖を切り離す。切断された高分子表層はラジカルな状態となり、気相中の酸素ラジカルやオゾン層が主鎖や側鎖と再結合することで、水酸基、カルボニル基などの極性官能基が導入される。基材表面に親水性が付与されるため、疎水性高分子に対する密着性（濡れ性）が向上し、接着力が高くなる。導入された官能基と接着剤層１２１とが化学的に結合すると、接着力がさらに高くなる。コロナ放電処理後における基材層１２２の表面エネルギーは、たとえば３０ダイン／ｃｍ以上、好ましくは３５ダイン／ｃｍ以上である。
【００３７】
コロナ処理を部分的に行うための主な方法として、ふたつの方法を挙げることができる。ひとつめは、基材層１２２の一部を、コロナ処理されないようにマスク（遮蔽物）で保護する方法である。基材層１２２と放電電極の間にマスクを配置することによって、基材層１２２の一部をマスクで遮蔽する。マスクは、たとえば非導電材料からなる。マスクを複数有するロール状の物体、マスクを複数有する長尺状の非接着性フィルム、マスクを複数有する弱粘着のテープは、繰り返し使用することができる。ふたつめは、放電電極と凹凸を有する誘電体ロールとの間に基材層１２２をとおす方法である。この方法では、凸部のみを改質できる。誘電体ロールは、たとえば金属芯と、金属芯に巻きつけられた誘電体層とを含む。誘電体層が凹凸を有する。凹部と電極との距離は、好ましくは２ｍｍ以上である。誘電体層は、たとえば、絶縁性と導電性とコロナ放電耐性とを有することができる。誘電体層は、たとえば、塩素系ゴム、ＰＥＴゴム、シリコーンゴム、セラミックなどからなる。ふたつめの方法は、ひとつめの方法より簡単である。しかし、ふたつめの方法は、コロナ処理部と未処理部との境界がひとつめの方法よりもあいまいになる傾向がある。
【００３８】
ダイシングダイボンディングテープ１は、半導体装置を製造するために使用できる。
【００３９】
図３に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングリング９１と加熱テーブル９２で温められた半導体ウエハ４とをロール９３でダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する。たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上で半導体ウエハ４を固定する。たとえば１００℃以下、好ましくは９０℃以下で半導体ウエハ４を固定する。圧力は、たとえば１×１０５Ｐａ〜１×１０７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。
【００４０】
図４に示すように、積層体２は、ダイシングダイボンディングフィルム１２と、ウエハ固定部１２Ａに固定された半導体ウエハ４と、ダイシングリング固定部１２Ｂに固定されたダイシングリング９１とを含む。
【００４１】
図５に示すように、半導体ウエハ４に水を吹きかけながら半導体ウエハ４をダイシングブレードで切断する。ダイシングブレードは基材層１２２に達する。ダイシング後チップ５は、半導体チップ４１と、半導体チップ４１上に位置するダイシング後接着剤層１２１とを含む。半導体チップ４１は電極パッドを有する。
【００４２】
ダイシング後チップ５をニードルで突き上げ、ダイシング後チップ５をピックアップする。
【００４３】
図６に示すように、ダイシング後チップ５を被着体６に圧着する。たとえば８０℃以上、好ましくは９０℃以上で圧着をおこなう。たとえば１５０℃以下、好ましくは１３０℃以下で圧着をおこなう。被着体６は、たとえばリードフレーム、インターポーザ、ＴＡＢフィルム、半導体チップなどである。被着体６は端子部を有する。
【００４４】
ダイシング後チップ５付きの被着体６を加圧雰囲気下で加熱することによりダイシング後接着剤層１２１を硬化させる。加圧雰囲気は、たとえば０．５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−２ＭＰａ）以上、好ましくは１ｋｇ／ｃｍ２（９．８×１０−２ＭＰａ）以上、より好ましくは５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−１ＭＰａ）以上である。たとえば１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７０℃以上で加熱をおこなう。上限は、たとえば２６０℃、２００℃、１８０℃などである。
【００４５】
図７に示すように、半導体チップ４１の電極パッドと被着体６の端子部とをボンディングワイヤー７で電気的に接続し、封止樹脂８で半導体チップ４１を封止する。
【００４６】
以上の方法により得られた半導体装置は、半導体チップ４１と被着体６とダイシング後接着剤層１２１とを含む。ダイシング後接着剤層１２１は、半導体チップ４１と被着体６とを接続している。半導体装置は、半導体チップ４１を覆う封止樹脂８をさらに含む。
【００４７】
以上のとおり、半導体装置の製造方法は、ダイシング後チップ５を形成する工程を含む。半導体装置の製造方法は、ダイシング後チップ５を被着体６に圧着する工程をさらに含む。
【００４８】
ダイシング後チップ５を形成する工程は、積層体２を形成するステップを含む。ダイシング後チップ５を形成する工程は、ウエハ固定部１２Ａに固定された半導体ウエハ４をダイシングするステップをさらに含む。
【００４９】
積層体２を形成するステップは、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除く段階を含む。積層体２を形成するステップは、半導体ウエハ４およびダイシングリング９１を接着剤層１２１に固定する段階をさらに含む。
【００５０】
変形例１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。
【００５１】
下塗剤と基材層１２２とは化学的に結合していることが望ましい。下塗剤は、基材層１２２と化学的に結合可能で、接着剤層第２部１２１Ｂに対して強い接着力を示すことができるものが好適である。下塗剤は、たとえば架橋剤とポリマーとを含む。下塗剤の架橋剤は、たとえばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤などである。低温で短時間で反応できるという観点から、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤が好ましい。下塗剤のポリマーは、架橋剤と反応可能な官能基を有することができる。官能基は、たとえば水酸基などである。下塗剤の厚みは、たとえば１μｍである。
【００５２】
変形例２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。
【００５３】
ダイシングダイボンディングフィルム１２の作成方法は、たとえば基材層１２２にコロナ放電処理する工程と、基材層１２２上に接着剤層１２１を形成する工程とを含む。基材層１２２にコロナ放電処理する工程では、第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度を、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度より低くすることができる。第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることもできる。この場合は、接着剤層第１部１２１Ａは離型剤を含むことが好ましい。離型剤としては、フッ素系、シリコーン系、オイル系離型剤などを挙げることができる。いっぽう、接着剤層第２部１２１Ｂは、このような離型剤を含まないことが好ましい。
【００５４】
変形例３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。
【００５５】
下塗剤の極性と接着剤層第１部１２１Ａの極性との両者は、大きく異なっていることが好ましい。下塗剤の表面エネルギーは、たとえば５ダイン／ｃｍ以上３０ダイン／ｃｍ未満である。接着剤層第１部１２１Ａの表面エネルギーは、たとえば３０ダイン／ｃｍをこえ５０ダイン／ｃｍ以下である。下塗剤の弾性率が低いと、接着剤層第１部１２１Ａと基材層１２２とのはく離力が高くなりすぎることがあるため、室温における下塗剤の好適な弾性率は、たとえば１００ＭＰａ以上である。下塗剤の好適な例は、変形例１を準用する。
【００５６】
第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることができる。両者は異なっていてもよい。
【００５７】
変形例４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。
【００５８】
第１領域１２２Ａにおけるコロナ放電処理の強度は、第２領域１２２Ｂにおけるコロナ放電処理の強度と同じであることができる。両者は異なっていてもよい。下塗剤の好適な例は、変形例１を準用する。
【００５９】
変形例５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。
【００６０】
変形例６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。
【００６１】
変形例７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。
【００６２】
変形例８
図８に示すように、接着剤層１２１は、接着剤層第１部１２１Ａと接着剤層第２部１２１Ｂとを含み、接着剤層第３部１２１Ｃを含まない。接着剤層第１部１２１Ａは、たとえば円盤状をなす。接着剤層第２部１２１Ｂは、たとえばドーナツ板状をなす。接着剤層第２部１２１Ｂは、接着剤層第１部１２１Ａと接していない。
【００６３】
接着剤層第２部１２１Ｂの組成・物性は、接着剤層第１部１２１Ａの組成・物性と異なることができる。接着剤層第１部１２１Ａの組成・物性の好適な例は、実施例１を準用する。接着剤層第２部１２１Ｂは、粘着性を有することが好ましい。接着剤層第２部１２１Ｂを構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６４】
接着剤層第２部１２１Ｂは、コロナ放電処理された第２領域１２２Ｂにおける水酸基、カルボン酸基などの官能基と反応できる架橋剤と、樹脂成分とを含むことが好ましい。
【００６５】
樹脂成分は、架橋剤と反応できる官能基を有する熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。接着剤層第２部１２１Ｂと基材層１２２とを化学的に結合できるからである。熱可塑性樹脂の官能基は、たとえば水酸基、カルボン酸基、エポキシ基、アミン基、チオール基、フェノール基などである。熱可塑性樹脂としては、官能基の調整などの点からアクリル系重合体が好ましい。アクリル系重合体としては、たとえば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸Ｃ１−Ｃ２０アルキルエステルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルの単独または共重合体；（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、他の共重合性モノマー ―たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、無水マレイン酸などのカルボキシル基または酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリル酸モルホリルなどのアミノ基含有モノマー；（メタ）アクリルアミドなどのアミド基含有モノマー；（メタ）アクリロニトリルなどのシアノ基含有モノマー；（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルなど― との共重合体などを挙げることができる。接着剤層第２部１２１Ｂ中の樹脂成分の含有量は、たとえば９４重量％以上、好ましくは９５重量％以上である。接着剤層第２部１２１Ｂ中の樹脂成分の含有量は、たとえば９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９７重量％以下である。
【００６６】
架橋剤は、たとえばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、過酸化物などである。架橋剤は１種を単独でまたは２種以上を組み合わせることができる。イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤が好ましい。イソシアネート系架橋剤は、たとえばトリレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネートなどの芳香族イソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどの脂環族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族イソシアネートなどである。より具体的には、たとえば、ブチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類、シクロペンチレンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどの脂環族イソシアネート類、２，４−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート類、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＬ）、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＨＬ）、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート体（日本ポリウレタン工業社製，商品名コロネートＨＸ）などのイソシアネート付加物、キシリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物（三井化学社製，商品名Ｄ１１０Ｎ）、ヘキサメチレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物（三井化学社製，商品名Ｄ１６０Ｎ）；ポリエーテルポリイソシアネート、ポリエステルポリイソシアネート、ならびにこれらと各種のポリオールとの付加物、イソシアヌレート結合、ビューレット結合、アロファネート結合などで多官能化したポリイソシアネートなどを挙げることができる。これらのうち、脂肪族イソシアネートを用いることが、反応速度が速いために好ましい。イソシアネート系架橋剤は１種を単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。接着剤層第２部１２１Ｂ中のイソシアネート系架橋剤の含有量は、たとえば樹脂成分１００重量部に対し、０．０１〜５重量部、好ましくは０．０３〜４重量部である。凝集力、耐久性試験での剥離の阻止などを考慮して適宜含有させることが可能である。
【００６７】
接着剤層１２１は、スクリーン印刷、ロータリースクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、ロールtoロールなどで作成できる。生産性の観点からロータリースクリーン印刷が好ましい。これらの塗工方法は１種類のみを使用することができるし、組み合わせて使用することもできる。これらの方法では、塗工中にワニスが空気中にさらされることがある。塗工中のワニス濃度の変化を抑制できる低揮発性の溶剤を使用することが好ましい。このような溶剤は、たとえば、ＭＩＢＫ、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、γブチロラクトン、イソホロン、カルビトールアセテート、ＤＭＳＯ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰなどである。
【００６８】
変形例８．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例８．１は、変形例８と変形例１との組み合わせである。変形例８．１の好適な例は、変形例１を準用する。
【００６９】
変形例８．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例８．２は、変形例８と変形例２との組み合わせである。変形例８．２の好適な例は、変形例２を準用する。
【００７０】
変形例８．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例８．３は、変形例８と変形例３との組み合わせである。変形例８．３の好適な例は、変形例３を準用する。
【００７１】
変形例８．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例８．４は、変形例８と変形例４との組み合わせである。変形例８．４の好適な例は、変形例４を準用する。
【００７２】
変形例８．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例８．５は、変形例８と変形例５との組み合わせである。
【００７３】
変形例８．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例８．６は、変形例８と変形例６との組み合わせである。
【００７４】
変形例８．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例８．７は、変形例８と変形例７との組み合わせである。
【００７５】
変形例９
図９に示すように、接着剤層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１は円盤状をなす。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は第２層１２１２と接している。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面は第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。
【００７６】
変形例９．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例９．１は、変形例９と変形例１との組み合わせである。変形例９．１の好適な例は、変形例１を準用する。
【００７７】
変形例９．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例９．２は、変形例９と変形例２との組み合わせである。変形例９．２の好適な例は、変形例２を準用する。
【００７８】
変形例９．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例９．３は、変形例９と変形例３との組み合わせである。変形例９．３の好適な例は、変形例３を準用する。
【００７９】
変形例９．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例９．４は、変形例９と変形例４との組み合わせである。変形例９．４の好適な例は、変形例４を準用する。
【００８０】
変形例９．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例９．５は、変形例９と変形例５との組み合わせである。
【００８１】
変形例９．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例９．６は、変形例９と変形例６との組み合わせである。
【００８２】
変形例９．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例９．７は、変形例９と変形例７との組み合わせである。
【００８３】
変形例１０
図１０に示すように、接着剤層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１はドーナツ板状をなす。第１層１２１１はダイシングリング固定部１２Ｂに位置する。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は、第２層１２１２と接している。第１層１２１１は粘着性を有することができる。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面はダイシングリング固定部１２Ｂで第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。
【００８４】
変形例１０．１
第２領域１２２Ｂは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例１０．１は、変形例１０と変形例１との組み合わせである。変形例１０．１の好適な例は、変形例１を準用する。
【００８５】
変形例１０．２
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理された領域である。変形例１０．２は、変形例１０と変形例２との組み合わせである。変形例１０．２の好適な例は、変形例２を準用する。
【００８６】
変形例１０．３
第１領域１２２Ａは、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った領域である。変形例１０．３は、変形例１０と変形例３との組み合わせである。変形例１０．３の好適な例は、変形例３を準用する。
【００８７】
変形例１０．４
基材層１２２の第１主面は、コロナ放電処理後に、下塗剤を塗った面である。変形例１０．４は、変形例１０と変形例４との組み合わせである。変形例１０．４の好適な例は、変形例４を準用する。
【００８８】
変形例１０．５
第１領域１２２Ａは、エンボス加工された領域である。変形例１０．５は、変形例１０と変形例５との組み合わせである。
【００８９】
変形例１０．６
第２領域１２２Ｂは、エンボス加工された領域である。変形例１０．６は、変形例１０と変形例６との組み合わせである。
【００９０】
変形例１０．７
基材層１２２の第１主面は、エンボス加工された面である。変形例１０．７は、変形例１０と変形例７との組み合わせである。
【実施例】
【００９１】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００９２】
基材・コロナ処理機
基材フィルムＡ     倉敷紡績社製のフィルム（膜厚１３０μｍ、コロナ処理無し、はく離処理無しのＥＶＡフィルム）
基材フィルムＢ     三菱樹脂化学社製のＭＲＡ３８（シリコーンはく離処理された膜厚３８μｍのＰＥＴフィルム）
コロナ処理機              ＰＩＬＬＡＲ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ社製の５００シリーズ
【００９３】
コロナ処理量
コロナ処理量は下記の式で表される。
放電処理量（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２）＝放電電極の電圧（Ｗ）÷電極幅（ｍ）÷速度（ｍ／ｍｉｎ）
【００９４】
接着剤層Ａの作製
アクリルゴム５４重量部（ナガセケムテックス社製のＳＧ−７０８−６）と、エポキシ樹脂３重量部（ＤＩＣ社製のＨＰ−４７００）と、フェノール樹脂３重量部（明和化成社製のＭＥＨ−７８５１Ｈ）と、シリカフィラー４０重量部(アドマテックス社製のＳＯ−Ｅ２)とをシクロヘキサノン溶剤に溶解することにより、１５ｗｔ％の接着剤層Ａ液を得た。接着剤層Ａ液をセパレータに塗工し、接着剤層Ａを得た。
【００９５】
接着剤層Ｂの作製
熱可塑性樹脂９６重量部（根上工業社製のパラクロンＳＮ−５０、モノマーＢＡ、Ｔｇ−４３℃、水酸基価８．５ ＫＯＨｍｇ／ｇ、重量平均分子量８万）と、イソシアネート系架橋剤４重量部（コロネートＬ、東ソー株式会社製）とをシクロヘキサノンに溶解し、１５ｗｔ％の接着剤層Ｂ液を得た。接着剤層Ｂ液をセパレータに塗工し、接着剤層Ｂを得た。
【００９６】
下塗液の作製
２−ＥＨＡとＨＥＡとの共重合によりアクリルポリマー（水酸基価５５．６ｍｇＫＯＨ／ｇ（計算値）、分子量８４９，０００(ＧＰＣ測定値)、Ｔｇ−６５.１℃）を得た。アクリルポリマー８２重量部と、イソシアネート系架橋剤１８重量部（東ソー社製のコロネートＬ）とをＭＥＫに溶解し、１５ｗｔ％の下塗液を得た。
【００９７】
実施例１〜４・比較例１〜２におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
マスク用フィルム（日東電工社製のＥ−ＭＡＳＫ ＲＰ２０７）を基材フィルムＡにはり付け、表１に示すコロナ照射量でコロナ処理をおこなった。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、コロナ処理後の基材フィルムＡに接着剤層Ａを積層した。これにより、実施例１〜４・比較例１〜２のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７１）」ということがある。）を得た。図１１に示すように、各ダイシングダイボンディングフィルム（７１）は、基材フィルムＡ（７１２）を有する。基材フィルムＡ（７１２）は、コロナ処理されていない直径３２０ｍｍの円盤状部（７１２ａ）を有する。基材フィルムＡ（７１２）は、円盤状部（７１２ａ）の周辺に、コロナ処理で改質された改質部（７１２ｂ）を有する。各ダイシングダイボンディングフィルム（７１）は、基材フィルムＡ（７１２）上に位置する厚み２０μｍの接着剤層Ａ（７１１）をさらに有する。
【００９８】
実施例５におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
マスク用フィルム（日東電工社製のＥ−ＭＡＳＫ ＲＰ２０７）を基材フィルムＡにはり付け、表１に示すコロナ照射量でコロナ処理をおこなった。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、基材フィルムＡにおけるコロナ処理されていない部分に、円盤状の接着剤層Ａを積層した。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、基材フィルムＡにおけるコロナ処理された部分に、ドーナツ板状の接着剤層Ｂを積層した。オーブンで５０℃、２４時間で熟成（エージング）した。これにより、実施例５のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７２）」ということがある。）を得た。図１２に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７２）は基材フィルムＡ（７２２）を有する。基材フィルムＡ（７２２）は、コロナ処理されていない直径３２０ｍｍの円盤状部（７２２ａ）を有する。基材フィルムＡ（７２２）は、円盤状部（７２２ａ）の周辺に、コロナ処理で改質された改質部（７２２ｂ）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム７２は、円盤状部（７２２ａ）上に位置する厚み２０μｍ、直径３３０ｍｍの円盤状の接着剤層Ａ（７２１１）をさらに有する。ダイシングダイボンディングフィルム７２は、改質部（７２２ｂ）上に位置する厚み２０μｍのドーナツ板状の接着剤層Ｂ（７２１２）をさらに有する。
【００９９】
実施例６におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡにコロナ処理をおこない、コロナ処理後の基材フィルムＡに下塗液を塗工し、５０℃で１０分乾燥し、オーブンで５０℃、２４時間で熟成（エージング）した。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、熟成後の基材フィルムＡに円盤状の接着剤層Ａを積層した。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、ドーナツ板状の接着剤層Ｂを基材フィルムＡに積層した。オーブンで５０℃、２４時間で熟成（エージング）した。これにより、実施例６のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７３）」ということがある。）を得た。図１３に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７３）は基材フィルムＡ（７３２）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７３）は、基材フィルムＡ（７３２）上に位置する、厚み２０μｍ、直径３３０ｍｍの円盤状の接着剤層Ａ（７３１１）をさらに有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７３）は、基材フィルムＡ（７３２）上に位置する厚み２０μｍのトーナツ板状の接着剤層Ｂ（７３１２）をさらに有する。
【０１００】
実施例７におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡのコロナ処理をおこなった。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、コロナ処理後の基材フィルムＡに、接着剤層Ａを積層した。これにより、実施例７のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７４）」ということがある。）を得た。図１４に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７４）は、基材フィルムＡ（７４２）を有する。基材フィルムＡ（７４２）は、５５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された直径３２０ｍｍの円盤状部（７４２ａ）を有する。基材フィルムＡ（７４２）は、円盤状部（７４２ａ）の周辺に、１６５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された改質部（７４２ｂ）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７４）は、基材フィルムＡ（７４２）上に位置する厚み２０μｍの接着剤層Ａ（７４１）をさらに有する。
【０１０１】
実施例８におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡのコロナ処理をおこなった。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、基材フィルムＡにおける５５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された部分に、円盤状の接着剤層Ａを積層した。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、基材フィルムＡにおける１６５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された部分に、ドーナツ板状の接着剤層Ｂを積層した。オーブンで５０℃、２４時間で熟成（エージング）した。これにより、実施例８のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム」ということがある。）を得た。図１５に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７５）は基材フィルムＡ（７５２）を有する。基材フィルムＡ（７５２）は、５５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された直径３２０ｍｍの円盤状部（７５２ａ）を有する。基材フィルムＡ（７５２）は、円盤状部（７５２ａ）の周辺に、１６５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２で改質された改質部（７５２ｂ）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７５）は、円盤状部（７５２ａ）上に位置する厚み２０μｍ、直径３３０ｍｍの円盤状の接着剤層Ａ（７５１１）をさらに有する。ダイシングダイボンディングフィルムは、改質部（７５２ｂ）上に位置する厚み２０μｍのドーナツ板状の接着剤層Ｂ（７５１２）をさらに有する。
【０１０２】
実施例９におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡにコロナ処理をおこない、コロナ処理後の基材フィルムＡの一部に下塗液を塗工し、真空状態で５０℃で１０分乾燥し、オーブンで真空状態で５０℃、２４時間で熟成（エージング）した。６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃ、０．１５ＭＰａで、熟成後の基材フィルムＡに接着剤層Ａを積層した。これにより、実施例９のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７６）」ということがある。）を得た。図１６に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７６）は、基材フィルムＡ（７６２）を有する。基材フィルムＡ（７６２）は、下塗処理されていない直径３２０ｍｍの円盤状部（７６２ａ）を有する。基材フィルムＡ（７６２）は、円盤状部（７６２ａ）の周辺に、下塗処理された改質部（７６２ｂ）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７６）は、基材フィルムＡ（７６２）上に位置する厚み２０μｍの接着剤層Ａ（７６１）をさらに有する。
【０１０３】
比較例３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
基材フィルムＡに接着剤層Ａを積層した。これにより、比較例３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。ダイシングダイボンディングフィルムは、基材フィルムＡを有する。ダイシングダイボンディングフィルムは、基材フィルムＡ上に位置する厚み２０μｍの接着剤層Ａをさらに有する。
【０１０４】
比較例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
基材フィルムＢの一部において、シリコーンはく離剤を、トルエンを染みこませたワイパー（ベンコット（登録商標））で拭き取った。基材フィルムＢに接着剤層Ａを積層した。
これにより、比較例４のダイシングダイボンディングフィルム（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム（７８）」ということがある。）を得た。図１７に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム（７８）は、基材フィルムＢ（７８２）を有する。基材フィルムＢ（７８２）は、シリコーンはく離剤を有さない直径３２０ｍｍの円盤状部（７８２ａ）を有する。基材フィルムＢ（７８２）は、円盤状部（７８２ａ）の周辺に、シリコーンはく離剤を有する改質部（７８２ｂ）を有する。ダイシングダイボンディングフィルム（７８）は、基材フィルムＢ（７８２）上に位置する厚み２０μｍの接着剤層Ａ（７８１）をさらに有する。
【０１０５】
比較例５におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡのコロナ処理をおこなったこと以外は、実施例８と同じ方法で、比較例５のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
【０１０６】
比較例６におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡのコロナ処理をおこなったこと以外は、実施例５と同じ方法で、比較例６のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
【０１０７】
比較例７におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
表１に示すコロナ照射量で基材フィルムＡのコロナ処理をおこなったこと以外は、実施例８と同じ方法で、比較例７のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
【０１０８】
定義
基材フィルムＡと基材フィルムＢとを「基材フィルム」と総称する。接着剤層Ａと接着剤層Ｂとを「接着剤層」と総称する。
【０１０９】
ウエハ固定部７１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａ、７５ａ、７６ａ、７７ａ、７８ａは、ウエハを固定するための部分を指す。ダイシングリング固定部７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ、７５ｂ、７６ｂ、７７ｂ、７８ｂは、ダイシングリングを固定するための部分を指す。
【０１１０】
ウエハ固定部における、接着剤層と基材フィルムとのはく離力
ダイシングダイボンディングフィルムの接着剤層に裏打ちテープ(日東電工社製のＢＴ-３１５)を室温ではりつけ、ウエハ固定部から７０ｍｍ×１０ｍｍのダイシングダイボンディングフィルム試験片を切り出した。オートグラフＡＧＳ−Ｊ（島津製作所製）を用いて、引きはがし角度９０度、引きはがし速度３００ｍｍ／ｍｉｎでＴはく離試験をした。はく離力の平均値を表１に示す。
【０１１１】
ダイシングリング固定部における、接着剤層と基材フィルムとのはく離力
ダイシングダイボンディングフィルムの接着剤層に裏打ちテープ(日東電工社製のＢＴ-３１５)を室温ではりつけ、ダイシングリング固定部から７０ｍｍ×１０ｍｍのダイシングダイボンディングフィルム試験片を切り出した。オートグラフＡＧＳ−Ｊ（島津製作所製）を用いて、引きはがし角度１８０度、引きはがし速度３００ｍｍ／ｍｉｎではく離試験をした。はく離力の平均値を表１に示す。
【０１１２】
ＳＵＳ板と接着剤層とのはく離力
ＳＵＳ板（ＳＵＳ３０４、４００μｍ）表面の汚れを除くため、トルエンを染みこませたワイパー（旭化成社製のベンコット（登録商標） ＴＲ−７Ｆ）で拭き、メタノールを染みこませたワイパーで拭き、ワイパーベンコットで乾拭きした。ダイシングダイボンディングフィルムのウエハ固定部から、幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍのウエハ固定部試験片を切り出した。気泡が入らないように、ウエハ固定部試験片をＳＵＳ板に２ｋｇローラーではりつけた。引きはがし角度１８０度、引きはがし速度３００ｍｍ／ｍｉｎではく離試験をした。はく離試験で接着剤層と基材フィルムとのはく離が発生したときは、基材フィルムを除き、接着剤層に裏打ちテープ(日東電工社製のＢＴ-３１５)を室温ではりつけ、この結果物ではく離試験をした。はく離力の平均値を表１に示す。
【０１１３】
ダイシング
厚み１００μｍのウエハとダイシングリングとにダイシングダイボンディングフィルムをマウンター装置（日東精機社製のＭＡ−３０００II）で６０℃ではりつけた。ダイシング装置（ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）で、回転数４００００ｒｐｍ、送り速度３０ｍｍ／秒でチップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングをおこなった。
【０１１４】
ピックアップ
ダイシング後、ダイボンディング装置（新川社製のＳＰＡ−３００）を用いて、接着剤層つきのチップをピックアップした。すべてのチップでチップ割れが発生しなかったときは○と判定した。少なくともひとつのチップでチップ割れが発生したときは×と判定した。結果を表１に示す。
【０１１５】
チッピング（チップ欠け）
各例につきチップ２０個の側面を観察し、チップ裏におけるチップ欠けの深さ（以下、「チッピング距離」という）を測定し、平均値を求めた。平均値が５μｍ未満のときは○と判定した。平均値が５μｍ以上のときは×と判定した。結果を表１に示す。
【０１１６】
糊残り
ウェハマウント装置（日東精機社製のＭＡ−３０００II）で、１０ｍｍ／ｓｅｃ、６０℃でＳＵＳダイシングリングにダイシングダイボンディングフィルムをはりつけ、室温で１週間放置し、ＳＵＳダイシングリングからダイシングダイボンディングフィルムを剥がした。接着剤がＳＵＳダイシングリングに残っていないかどうかを確認した。各例につき１０個のダイシングダイボンディングフィルムで接着剤残りを確認した。すべてのダイシングダイボンディングフィルムで接着剤が残らなかったときは○と判定した。少なくともひとつのダイシングダイボンディングフィルムで接着剤が残ったときは×と判定した。結果を表１に示す。
【０１１７】
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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