(57)【要約】【課題】  ｐ型金属酸化物半導体材料を提供する。【解決手段】  ｐ型金属酸化物半導体材料は、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されている。このｐ型金属酸化物半導体材料は、トランジスタに適用され得る。このトランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層によってゲート電極から隔てられたチャネル層と、チャネル層の両側に接触するソース電極及びドレイン電極と、を含み得る。チャネル層は、上記のｐ型金属酸化物半導体材料である。【選択図】図２
2017103446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されたｐ型金属酸化物半導体材料。
【請求項２】
アモルファスである、請求項１に記載のｐ型金属酸化物半導体材料。
【請求項３】
抵抗率が１０−３Ω・ｃｍ〜１０３Ω・ｃｍである、請求項１に記載のｐ型金属酸化物半導体材料。
【請求項４】
正孔移動度が０．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１〜７５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１である、請求項１に記載のｐ型金属酸化物半導体材料。
【請求項５】
正孔キャリア濃度が１０１３ｃｍ−３〜１０２１ｃｍ−３である、請求項１に記載のｐ型金属酸化物半導体材料。
【請求項６】
ゲート電極と、
ゲート絶縁層によって前記ゲート電極から隔てられたチャネル層と、
前記チャネル層の両側に接触するソース電極及びドレイン電極と、
を含むトランジスタであって、  
前記チャネル層は、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されたｐ型金属酸化物半導体材料である、トランジスタ。
【請求項７】
前記ｐ型金属酸化物半導体材料はアモルファスである、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ｐ型金属酸化物半導体材料の抵抗率は、１０−３Ω・ｃｍ〜１０３Ω・ｃｍ〜である、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ｐ型金属酸化物半導体材料の正孔移動度は、０．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１〜７５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１である、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記ｐ型金属酸化物半導体材料の正孔キャリア濃度は、１０１３ｃｍ−３〜１０２１ｃｍ−３である、請求項６に記載のトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術分野は、ｐ型金属酸化物半導体材料に関し、より詳細には、ｐ型金属酸化物半導体材料の組成物及び応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ技術の急速な発展に伴い、様々な次世代製品及び材料が登場している。これらの製品においては、例えば透明性及び製品のインターオペラビリティ（ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ）などの長所のために、透過型ディスプレイ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙｓ）及びこの関連技術が近年特に注目されている。金属酸化物半導体材料は、透明薄膜トランジスタを製造するのに用いることができる。金属酸化物半導体材料で製造される透明薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンで製造される薄膜トランジスタに比べて、薄膜トランジスタのより小さいサイズ、より高い開口率、高精細化、改善された解像度、及び、より高いキャリア移動度（例えば電子移動度）を実現し得る。さらに、ディプレイにシンプルな外部回路を組み込むことができるので、電子デバイスをより軽く、より薄くすることができ、且つ、電力をより節約できるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中国特許出願公開第１０１８４０８６３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年発展してきている透明金属酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）半導体材料は概ねｎ型であり、従来のｐ型金属酸化物半導体材料は、より不安定で再現性がより低いという性質を有している。このため、従来のｎ型金属酸化物半導体材料と組み合わせて用いることの可能な新規なｐ型金属酸化物半導体材料が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施形態では、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されたｐ型金属酸化物半導体材料を提供する。
【０００６】
本開示の一実施形態では、ゲート電極と、ゲート絶縁層によってゲート電極から隔てられたチャネル層と、チャネル層の両側に接触するソース電極およびドレイン電極と、を含むトランジスタであって、チャネル層が、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されたｐ型金属酸化物半導体材料である、トランジスタを提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、ｐ型金属酸化物半導体材料の組成物及びこれを用いるデバイスが得られる。
【０００８】
以下の実施形態において、添付の図面を参照しながら詳細な説明を行う。
【０００９】
添付の図面を参照しながら以下の詳細な説明及び実施例を読むことによって、本開示の内容をより十分に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係るアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ１）のシミュレーション及び計算結果を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係るアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ２）のシミュレーション及び計算結果を示す図である。
【図２】一実施形態に係るトランジスタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の詳細な記載においては、説明の目的で、開示された実施形態が十分に理解されるように多数の特定の詳細が記載される。しかしながら、これらの特定の詳細がなくとも、一つ以上の実施形態が実施可能であることは明らかであろう。また、図を簡潔にするため、周知の構造及び装置については概略的に示されている。
【００１２】
本開示の実施形態では、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ  ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）（ＧｅＯまたはＧｅＯ２）のｐ型金属酸化物半導体材料を形成する条件は、予備（ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ）のシミュレーション及び計算手順（ｐｒｏｃｅｄｕｒｅｓ）により得られる。次いで、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のｐ型金属酸化物半導体材料を、成膜（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はソフト化学プロセスによって合成する。
【００１３】
かかるシミュレーション及び計算手順は、以下のように示される。本開示では、ＶＡＳＰ（Ｖｉｅｎｎａ  Ａｂ−ｉｎｉｔｉｏ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）を用いて、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のｐ型金属酸化物半導体材料におけるエネルギーに対する状態密度（ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  ｓｔａｔｅｓ，ＤＯＳ）の変化を計算した。その結果が、図１Ａ及び図１Ｂに示されている。
【００１４】
図１Ａは、ＶＡＳＰシミュレーション及び計算手順から得られた例示的なアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ）の状態密度対エネルギーのグラフを示している。シミュレーション及び計算手順から、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のフェルミ準位が価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ  ｂａｎｄ，  ＶＢ）にシフトしていることが分かるので、このアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物は、ｐ型金属酸化物半導体材料である。ゲルマニウム酸化物におけるＧｅ原子の１／１６は、Ａｌ原子で置換されるように設定されている（すなわち、Ａｌ１Ｇｅ１５Ｏ１６）ことに留意されたい。実際にシミュレーション及び計算手順を実行する際、過大なデータや長い計算時間等の問題を回避するために、通常、選択した置換基の比率の予備計算を行う。予備計算の結果を確認した後に、置換基の含有量を調整して合成工程を行い、予備計算の結果を検証する。ここで、選択した置換基の比率以外では、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ）がｐ型半導体の特性を示さないということではない。
【００１５】
図１Ｂは、ＶＡＳＰシミュレーション及び計算手順から得られた例示的なアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２）の状態密度対エネルギーのグラフを示している。シミュレーション及び計算手順から、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のフェルミ準位が価電子帯（ＶＢ）にシフトしていることが分かるので、このアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物は、ｐ型金属酸化物半導体材料である。ゲルマニウム酸化物におけるＧｅ原子の１／１６は、Ａｌ原子で置換されるように設定されている（すなわち、Ａｌ１Ｇｅ１５Ｏ３２）ことに留意されたい。実際にシミュレーション及び計算手順を実行する際、過大なデータや長い計算時間等の問題を回避するために、通常、選択した置換基の比率の予備計算を行う。予備計算の結果を確認した後に、置換基の含有量を調整して合成工程を行い、予備計算の結果を検証する。ここで、選択した置換基の比率以外では、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２）がｐ型半導体の特性を示さないということではない。
【００１６】
一実施形態では、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物を、上述したシミュレーション結果に基づいてスパッタリングにより形成することができ、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物は、ｐ型金属酸化物半導体材料となり得る。先ず、成膜されるワーク（ｗｏｒｋ  ｐｉｅｃｅ）をスパッタチャンバー（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｃｈａｍｂｅｒ）に入れる。次いで、酸素及びアルゴンのガス混合物をスパッタチャンバー内に導入し、ゲルマニウムターゲット及びアルミニウムターゲットをスパッタして、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物を形成する。酸素とアルゴンとのモル比は５：９５〜１０：９０であり、当該モル比は、ｐ型金属酸化物半導体材料内の酸素含有量によって決まる。一実施形態では、ゲルマニウムターゲット及びアルミニウムターゲットのスパッタの出力、ゲルマニウムターゲットとワークとの間の距離、並びに、アルミニウムターゲットとワークとの間の距離は、所定のＡｌ／Ｇｅの比率に基づいて選択される。スパッタリング中のワークの温度は、半導体材料における置換基の拡散運動エネルギー（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｋｉｎｅｔｉｃ  ｅｎｅｒｇｙ）を提供するように設定されており、この温度は、成膜の配列（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）に有利な温度でもある。
【００１７】
別の実施形態では、アルミニウム塩（硝酸塩又はクエン酸塩）、ゲルマニウム塩（硝酸塩又はクエン酸塩）、及び、キレート剤（例えば酒石酸）を量り取り、溶液中で混合する。次いで、この溶液を加熱し溶媒を蒸発させて、溶液をゲル状にする。そして、このゲルを乾燥して粉末にする。この粉末を焼結し、金属錯体を酸化させて、金属酸化物粉末を作る。続いて、圧縮成形（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｍｏｌｄｉｎｇ）、射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｍｏｌｄｉｎｇ）、冷間等方圧プレス（ｃｏｌｄ  ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓ，ＣＩＰ）、及び、鋳込成形（ｓｌｉｐ  ｃａｓｔｉｎｇ）等の関連する工程を行い、焼結工程及び機械加工工程をさらに行って、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のバルク又はターゲットを作製することができる。このバルク又はターゲットをスパッタ（又は類似する手段）して、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物のｐ型金属酸化物半導体材料薄膜を形成し、次いで、電子デバイス（例えば透過型ディスプレイ、透明電界効果トランジスタ、発光ダイオード若しくは透明集積回路半導体素子又はその他の電子デバイス）の作製に用いることができる。
【００１８】
上述した工程により作られるｐ型金属酸化物半導体材料は、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されている。ｘ又はｙが上記範囲以外の場合には、アルミニウム置換ゲルマニウムは、ｐ型半導体の特性を有しない。一実施形態では、ｐ型金属酸化物半導体材料はアモルファスであり、この抵抗率は１０−３Ω・ｃｍ〜１０３Ω・ｃｍ、正孔移動度（ｈｏｌｅ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）は０．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１〜７５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１、正孔キャリア濃度（ｈｏｌｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）は１０１３ｃｍ−３〜１０２１ｃｍ−３である。
【００１９】
一実施形態では、ｐ型金属酸化物半導体材料は、トランジスタ等の電子デバイスに用いられる。図２に示すように、ゲート電極２０を基板１０上に形成することができる。次に、ゲート絶縁材３０をゲート電極２０上に形成する。次いで、チャネル層４０を、ゲート電極２０に対応するようにゲート絶縁層３０上に形成することができ、さらに、保護層６０を、チャネル層４０の中央部上に形成することができる。そして、保護層６０及びチャネル層４０の上に金属層を形成してから、パターン化して、チャネル層４０の両側に接触すると共に各々の上に重なるようにソース電極５０及びドレイン電極５２を形成する。このようにして、トランジスタ１が完成する。チャネル層４０の材料は、上述したｐ型金属酸化物半導体材料（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ）とすることができる。図２におけるトランジスタ１は例示に過ぎず、ｐ型金属酸化物半導体材料（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ）が、他のトランジスタのチャネル層又は他の電子デバイスのｐ型半導体層として使用可能であることが理解されるべきである。
【００２０】
以下に、当該分野における当業者が容易に理解できるように、添付の図面を参照しながら例示的な実施形態を詳細に記載する。本発明の概念は、本明細書にて述べられた例示的な実施形態に限定されることなく、様々な形で具体化され得る。明確にするために、既知の部分についての記述を省いており、全体を通して、類似する参照番号が類似の構成要素に言及しているものとする。
【実施例】
【００２１】
実施例１
【００２２】
試料の作製にはオフアクシスＤＣ反応性マグネトロンスパッタリング法を採用し、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物薄膜を成長させた。純度９９．９９９％、直径３インチ、厚さ６ｍｍのゲルマニウム金属ターゲットと、純度９９．９９９９％、直径２インチ、厚さ６ｍｍのアルミニウム金属ターゲットとは、Ｕｌｔｉｍａｔｅ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ製のものを用いた。スパッタリング法の反応ガスは、純度の高い酸素（Ｏ２、９９．９９９５％）とアルゴン（Ａｒ、９９．９９９％）との混合物とした。先ず、ガラス基板（Ｅａｇｌｅ  ＸＧ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｇｌａｓｓ社製）をロードロックチャンバー内のチャックに入れ、次いで、当該ロードロックチャンバーを真空引きした。次いで、このガラス基板をスパッタの主チャンバーに移し、当該主チャンバーを５×１０−６ｔｏｒｒまで真空引きした後、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）でアルゴンを当該主チャンバー内に導入し、プレスパッタリング（ｐｒｅ−ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）ステップを１０分間行ってゲルマニウムターゲット及びアルミニウムターゲット表面の酸化物および汚れを除去した。プレスパッタリングの後、酸素及びアルゴンを混ぜてＭＦＣによりチャンバー内に導入し、次いで、シャッターを開けてスパッタを開始し、アモルファスアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物薄膜（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ１）を得た。アルミニウム置換比率が異なる薄膜ごとに、抵抗率、正孔移動度及び正孔キャリア濃度を表１に示す。表１における薄膜のアルミニウム置換比率は、ＩＣＰ−Ｍａｓｓにより決定したものである。薄膜の抵抗率、正孔移動度及び正孔キャリア濃度を、ホール効果測定システム（Ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ，  ＨＬ５５００ＰＣ）で測定した。基本的なスパッタリングファクター（ｂａｓｉｃ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｆａｃｔｏｒｓ）は以下のとおりである。ガラス基板とゲルマニウムターゲットとの距離は７．２ｃｍ、ガラス基板とアルミニウムターゲットとの距離は１３．５ｃｍ、スパッタ時間は１０分、アルゴンと酸素の総流量は２０ｓｃｃｍ、ガス混合物に酸素が占める割合は５％、スパッタ圧（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）は２０ｍｔｏｒｒ、スパッタ時の基板の温度は約３８０℃、ゲルマニウムターゲットのスパッタ出力（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｐｏｗｅｒ）は８０Ｗ、アルミニウムターゲットのスパッタ出力は０〜２００Ｗ。
【００２３】
【表１】
2017103446.tif 000003
【００２４】
表１に示すように、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物薄膜（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ１）は、ｐ型半導体材料であった。
【００２５】
実施例２
【００２６】
実施例２は実施例１と類似しており、実施例２で相違しているのは、酸素がガス混合物の１０％を占める点である。その他の工程及び測定は実施例１と同様であるため、関連する記載については省くものとする。実施例２で形成されたアルミニウム置換ゲルマニウム酸化物薄膜（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ２）は、アモルファスｐ型半導体材料であった。アルミニウム置換比率が異なる薄膜ごとに、抵抗率、正孔移動度及び正孔キャリア濃度を表２に示す。
【００２７】
【表２】
2017103446.tif 000004
【００２８】
表２に示すように、アルミニウム置換ゲルマニウム酸化物薄膜（ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏ２）は、ｐ型半導体材料であった。
【００２９】
開示した方法及び物質に各種の変更及び変形を加え得ることが当業者には明らかであろう。明細書及び実施例は、単に例示として見なされることを意図しており、本発明の真の範囲は、添付の特許請求の範囲及びこれらの均等物によって示される。
【符号の説明】
【００３０】
１…トランジスタ
１０…基板
２０…ゲート電極
３０…ゲート絶縁層
４０…チャネル層
５０…ソース電極
５２…ドレイン電極
６０…保護層
【図１Ａ】
2017103446.tif 000005
【図１Ｂ】
2017103446.tif 000006
【図２】
2017103446.tif 000007