(57)【要約】【課題】高電圧でも部分放電が起こりにくい、半導体封止用の硬化性組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）成分として１分子中に少なくとも２つのＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｂ）成分として１分子中に少なくとも２つのビニル基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｃ）成分としてヒドロシリル化触媒と、（Ｄ）成分として下記一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリシロキサン化合物と、を含有し、（Ｄ）成分の含量が、（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．２５質量部である硬化性組成物である。2017210520.tif 000032【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分として１分子中に少なくとも２つのＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｂ）成分として１分子中に少なくとも２つのビニル基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｃ）成分としてヒドロシリル化触媒と、（Ｄ）成分として下記一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリシロキサン化合物と、を含有し、前記（Ｄ）成分の含量が、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．２５質量部であることを特徴とする硬化性組成物。
2017210520.tif 000026
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ７は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ６は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ１は炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または下記一般式（２）で表される基を表し、Ｘ２は下記一般式（２）で表される基を表し、ａ１およびａ２はａ１＋ａ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｂは０〜１０００の数を表す。但し、ｂが０の数の場合、Ｘ１は下記一般式（２）で表される基を表す。）
2017210520.tif 000027
（式中、Ｒ８は炭素原子数１〜４のアルキレン基を表し、Ｘ３は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基またはアセチル基を表し、ｃは１〜１００の数を表し、ｄは０〜１００の数を表す。）
【請求項２】
前記（Ａ）成分が、下記一般式（３）で表されるポリシロキサン化合物である請求項１記載の硬化性組成物。
2017210520.tif 000028
（式中、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１３は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１およびＲ１２は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１４は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ４は水素原子または下記一般式（４）で表される基を表し、ｅ１およびｅ２はｅ１＋ｅ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。）
2017210520.tif 000029
（式中、Ｒ１５は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｆは２〜５の数を表す。）
【請求項３】
前記（Ｂ）成分が、下記一般式（５）で表されるポリシロキサン化合物である請求項１または２記載の硬化性組成物。
2017210520.tif 000030
（式中、Ｒ１6、Ｒ１7およびＲ２０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１８およびＲ１９は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２１は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ５はビニル基または下記一般式（６）で表される基を表し、ｇ１およびｇ２はｇ１＋ｇ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。）
2017210520.tif 000031
（式中、Ｒ２２は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｈは２〜５の数を表す。）
【請求項４】
さらに、（Ｅ）成分としてフッ素変性シリコーンオイルを含有する請求項１〜３のうちいずれか一項記載の硬化性組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の封止剤、特に、パワー半導体の封止剤として有用な硬化性組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、パワー半導体の封止剤には、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が使用されている。シリコーン樹脂はエポキシ樹脂よりも高価格であるが、耐熱性、耐候性、電気絶縁性等に優れていることから、より過酷な条件となる場合にはシリコーン樹脂系の封止剤が使用される。パワー半導体の封止剤には、エポキシ変性シリコーン樹脂（例えば、特許文献１，２を参照）や、付加硬化型シリコーン樹脂（例えば、特許文献３〜１２を参照）が使用されている。
【０００３】
現在、パワー半導体にはシリコン半導体が使用されている。炭化ケイ素（以下、「ＳｉＣ」とも称する）はシリコンと比較して、バンドギャップが広い（シリコンの約３倍）、絶縁破壊強度が高い（シリコンの約１０倍）、高耐熱性等の特性があることから、パワー半導体のシリコンをＳｉＣに置換えることにより、活性層を非常に薄くでき、高耐電圧、低損失で、使用可能温度が高く、大電流の制御が可能になる。そのため、次世代のパワー半導体としてＳｉＣ半導体が注目されており、その封止剤として付加硬化型シリコーン樹脂（例えば、特許文献１０を参照）が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１０２３４４号公報
【特許文献２】特開２０１５−１８７２０９号公報
【特許文献３】特開２００５−３２５１７４号公報
【特許文献４】特開２００５−３５０４９４号公報
【特許文献５】特開２００６−０７３９５０号公報
【特許文献６】特開２００８−２６６４８３号公報
【特許文献７】特開２００８−２６６４８４号公報
【特許文献８】特開２００９−２１２３４２号公報
【特許文献９】特開２０１１−０６３６８８号公報
【特許文献１０】ＷＯ２０１２／０１４５６０号パンフレット
【特許文献１１】特開２０１４−２１６５５８号公報
【特許文献１２】特開２０１４−２２９８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
付加硬化型シリコーン樹脂の封止剤は、耐熱性、電気絶縁性、可撓性等に優れているが、印加電圧が高くなると、導体基板と封止剤との間の領域で部分放電が起こる場合があり、ＳｉＣ半導体を高電圧で使用する上での課題となっていた。
【０００６】
そこで本発明の目的は、高電圧下でも部分放電が起こりにくい、半導体封止用の硬化性組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記問題について鋭意研究した結果、組成物中に特定のポリエーテル変性シリコーンを配合することにより上記課題が解決できることを見出して、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の硬化性組成物は、（Ａ）成分として１分子中に少なくとも２つのＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｂ）成分として１分子中に少なくとも２つのビニル基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｃ）成分としてヒドロシリル化触媒と、（Ｄ）成分として下記一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリシロキサン化合物と、を含有し、前記（Ｄ）成分の含量が、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．２５質量部であることを特徴とするものである。
2017210520.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ７は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ６は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ１は炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または下記一般式（２）で表される基を表し、Ｘ２は下記一般式（２）で表される基を表し、ａ１およびａ２はａ１＋ａ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｂは０〜１０００の数を表す。但し、ｂが０の数の場合、Ｘ１は下記一般式（２）で表される基を表す。）
2017210520.tif 000003
（式中、Ｒ８は炭素原子数１〜４のアルキレン基を表し、Ｘ３は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基またはアセチル基を表し、ｃは１〜１００の数を表し、ｄは０〜１００の数を表す。）
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高電圧下でも部分放電が起こりにくい、半導体封止用の硬化性組成物を実現することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】部分放電試験方法を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
本発明の硬化性組成物は、（Ａ）成分として１分子中に少なくとも２つのＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｂ）成分として１分子中に少なくとも２つのビニル基を有するポリシロキサン化合物と、（Ｃ）成分としてヒドロシリル化触媒と、（Ｄ）成分として下記一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリシロキサン化合物と、を含有する。
【００１１】
＜（Ａ）成分＞
本発明に係る（Ａ）成分としての、１分子中に少なくとも２つのＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物について説明する。本発明の（Ａ）成分としては、例えば、下記一般式（３）で表されるポリシロキサン化合物、下記一般式（７）で表される直鎖状ポリシロキサン、下記一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物、下記一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物を分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物で連結したプレポリマー化合物等が挙げられる。
【００１２】
2017210520.tif 000004
（式中、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１３は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１およびＲ１２は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１４は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ４は水素原子または下記一般式（４）で表される基を表し、ｅ１およびｅ２はｅ１＋ｅ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。）
【００１３】
2017210520.tif 000005
（式中、Ｒ１５は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｆは２〜５の数を表す。）
【００１４】
2017210520.tif 000006
（式中、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２７およびＲ２９は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２５およびＲ２６は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２８は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ６は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｉ１およびｉ２はｉ１＋ｉ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｊは０〜１０００の数を表す。但し、ｊが０〜１の数の場合、Ｘ６は水素原子を表す。）
【００１５】
2017210520.tif 000007
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３２は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｋは２〜６の数を表し、ｌはｋ＋ｌが３〜６の数となる０〜４の数を表す。）
【００１６】
一般式（３）において、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１３は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１およびＲ１２は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１４は炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。ここで、炭素原子数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、炭素原子数６〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基、エチルフェニル基、トリル基、クメニル基、キシリル基、プソイドクメニル基、メシチル基、ｔ−ブチルフェニル基、フェネチル基等が挙げられる。以下において同様である。Ｒ９およびＲ１０としては、耐熱性が高く、製造も容易であることから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ１１およびＲ１２としては、耐熱性が高いことから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ１３としては、耐熱性が高いことから、メチル基、エチル基、フェニル基が好ましく、フェニル基がさらに好ましい。Ｒ１４としては、耐熱性が高いことから、フェニル基が好ましい。
【００１７】
一般式（３）において、ｅ１およびｅ２はｅ１＋ｅ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。ｅ１＋ｅ２の数があまりに小さい場合は十分な可撓性が得られず、またあまりに大きい場合にはハンドリング性が低下することから、ｅ１＋ｅ２は１０〜２０００が好ましく、１５〜１５００がさらに好ましく、２０〜１０００が最も好ましい。また、ｅ１に対するｅ２の割合が大きい場合には耐熱性が向上するが、あまりに大きい場合には可撓性が低下することから、ｅ１：ｅ２は、１００：０〜７０：３０が好ましく、９５：５〜８０：２０がさらに好ましい。Ｘ４は水素原子または一般式（４）で表される基を表す。なお、繰り返し単位がｅ１のユニットおよびｅ２のユニットの重合形式は、ブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００１８】
一般式（４）において、Ｒ１５は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ１５としては、耐熱性が高く、原料の入手が容易であることから、メチル基が好ましい。ｆは２〜５の数を表し、耐熱性が高く、原料の入手が容易であることから、２〜４が好ましく、３〜４がさらに好ましく、３が最も好ましい。
【００１９】
一般式（７）において、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２７およびＲ２９は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２５およびＲ２６は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ２３〜Ｒ２６としては、耐熱性が良好で、可撓性の高い硬化物が得られることから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ２７としては、耐熱性が良好であることから、メチル基、フェニル基が好ましく、可撓性が良好であることからメチル基が更に好ましい。Ｒ２９としては、耐熱性が良好で、原料の入手も容易であることからメチル基、フェニル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ２８は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、耐熱性が良好であることから、フェニル基が好ましい。
【００２０】
一般式（７）において、ｉ１およびｉ２はｉ１＋ｉ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｊは０〜１０００の数を表す。Ｘ６は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。但し、ｊが０〜１の数の場合、Ｘ６は水素原子を表す。ｉ１に対するｉ２の割合が大きい場合には耐熱性が向上するが、あまりに大きい場合には可撓性が低下することから、ｉ１：ｉ２は、１００：０〜７０：３０が好ましく、９５：５〜８０：２０がさらに好ましい。なお、繰り返し単位がｉ１のユニット、ｉ２のユニットおよびｊのユニットの重合形式は、ブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００２１】
一般式（８）において、Ｒ３０〜Ｒ３２は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ３０〜Ｒ３１としては、原料の入手が容易であることから、メチル基が好ましい。Ｒ３２としては、耐熱性が良好となることから、フェニル基が好ましい。ｋは２〜６の数を表し、ｌはｋ＋ｌが３〜６の数となる０〜４の数を表す。製造が容易であることから、ｋ＋ｌは３〜５が好ましく、３〜４がさらに好ましく、４が最も好ましい。
【００２２】
本発明に係る（Ａ）成分が、一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物である場合には、耐熱性が良好であることから、ｌは１〜２の数であることが好ましい。一方、本発明に係る（Ａ）成分が、一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物を分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物で連結したプレポリマー化合物である場合には、ｌは０の数であることが好ましい。
【００２３】
本発明に係る（Ａ）成分が、一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物を分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物で連結したプレポリマー化合物である場合の、分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物とは、例えば、下記一般式（９）〜（１４）で表される化合物が挙げられる。
【００２４】
2017210520.tif 000008
（式中、ｍは１または２の数を表す。）
【００２５】
2017210520.tif 000009
（式中、ｎは１または２の数を表す。）
【００２６】
2017210520.tif 000010
（式中、Ｒ３３は炭素原子数１〜４のアルキル基、グリシジル基またはアリル基を表す。）
【００２７】
2017210520.tif 000011
（式中、Ｒ３４およびＲ３５は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。）
【００２８】
2017210520.tif 000012
（式中、Ｒ３６〜Ｒ３８は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｏ１およびｏ２は各々独立して０〜５の数を表し、ｐは１または２の数を表す。）
【００２９】
2017210520.tif 000013
（式中、Ｒ３９およびＲ４０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｑは０〜５の数を表す。）
【００３０】
一般式（９）で表される化合物は、１分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物である。一般式（９）において、ｍは１または２の数を表す。ｍが１の数である一般式（９）で表される化合物としては、１，２−ジビニルベンゼン、１，３−ジビニルベンゼン、１，４−ジビニルベンゼンが挙げられる。ｍが２の数である一般式（９）で表される化合物としては、１，２，４−トリビニルベンゼン、１，３，５−トリビニルベンゼンが挙げられる。
【００３１】
一般式（１０）で表される化合物は、１分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物である。一般式（１０）において、ｎは１または２を表す。ｎが１の数である一般式（１０）で表される化合物としては、１，２−ジビニルシクロヘキサン、１，３−ジビニルシクロヘキサン、１，４−ジビニルシクロヘキサンが挙げられる。ｎが２の数である一般式（１０）で表される化合物としては、１，２，４−トリビニルシクロヘキサン、１，３，５−トリビニルシクロヘキサンが挙げられる。
【００３２】
一般式（１１）で表される化合物は、１分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物である。一般式（１１）において、Ｒ３３は炭素原子数１〜４のアルキル基、グリシジル基またはアリル基を表す。Ｒ３３としては、メチル基、エチル基、グリシジル基、アリル基が好ましい。一般式（１１）で表される化合物の中で、好ましい化合物としては、１，３−ジアリル−５−メチルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−エチルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジルイソシアヌレート、１，３，５−トリアリルイソシアヌレート等が挙げられる。
【００３３】
一般式（１２）で表される化合物は、１分子中に２つのビニル基を有する化合物である。一般式（１２）において、Ｒ３４およびＲ３５は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。一般式（１２）で表される化合物の中で、好ましい化合物としては、１，２−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼン、１，２−ビス（ジエチルビニルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（ジエチルビニルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルビニルシリル）ベンゼン等が挙げられ、１，２−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼン１，４−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼンが好ましく、１，４−ビス（ジメチルビニルシリル）ベンゼン１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンがさらに好ましい。
【００３４】
一般式（１３）で表される化合物は、１分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物である。一般式（１３）において、Ｒ３６〜Ｒ３８は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｏ１およびｏ２は各々独立して０〜５の数を表し、ｐは１または２の数を表す。ｐが１の数である一般式（１３）で表される化合物の中で、好ましい化合物としては、ジメチルジビニルシラン、ジエチルジビニルシラン、ジフェニルジビニルシラン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエチル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジフェニル−１，５−ジビニルトリシロキサン、１，１，７，７−テトラメチル−３，３，５，５−テトラフェニル−１，７−ジビニルトリシロキサン等が挙げられ、ジメチルジビニルシラン、ジエチルジビニルシラン、ジフェニルジビニルシランが好ましく、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサンがさらに好ましい。ｐが２の数である一般式（１３）で表される化合物の中で、好ましい化合物としては、メチルトリビニルシラン、エチルトリビニルシラン、フェニルトリビニルシラン、１，１，３，５，５−ペンタメチル−１，３，５−トリビニルトリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３−フェニル−１，３，５−トリビニルトリシロキサン、トリス（ジメチルビニルシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルビニルシロキシ）フェニルシラン等が挙げられる。
【００３５】
一般式（１４）で表される化合物は、１分子中に２つのビニル基を有する化合物である。一般式（１４）において、Ｒ３９およびＲ４０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｑは０〜５の数を表す。一般式（１４）で表される化合物の中で、好ましい化合物としては、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３，５，５−メキサメチル−１，５−ジビニルトリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジフェニル−１，５−ジビニルトリシロキサン等が挙げられる。
【００３６】
上記一般式（９）〜（１４）で表される化合物の中でも、原料の入手の容易さと、反応性から、一般式（９）または一般式（１０）で表わされる化合物が好ましい。
【００３７】
一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物を分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物で連結したプレポリマー化合物の分子量は、耐熱性およびハンドリング性の点から、質量平均分子量で１０００〜１０万であることが好ましく、３０００〜７万であることがさらに好ましく、５０００〜５万であることが最も好ましい。なお、本発明において、質量平均分子量とは、テトラヒドロフランを溶媒としてＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ；Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）分析を行った場合のポリスチレン換算の質量平均分子量をいう。また、質量平均分子量は重量平均分子量という場合もある。
【００３８】
一般式（８）で表される環状ポリシロキサン化合物は、分子中に２つまたは３つのビニル基を有する化合物と、ＳｉＨ基とビニル基とをヒドロシリル化反応させることにより連結される。このヒドロシリル化反応は、白金系触媒を用いて行うことが好ましい。白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニルビニルメチル錯体（Ｏｓｓｋｏ触媒）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ＫａＲｓｔｅｄｔ触媒）、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド錯体、白金−ホスフィン錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］４、ＰｔＣｌ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］３、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ４Ｈ９）３）４］、白金−ホスファイト錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）３］４）、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ４Ｈ９）３］４）、ジカルボニルジクロロ白金等が挙げられる。触媒の使用量は反応性の点から、各原料の合計量の５質量％以下が好ましく、０．０００１〜１．０質量％がさらに好ましく、０．００１〜０．１質量％が最も好ましい。ヒドロシリル化の反応条件は特に限定されず、上記触媒を使用して従来公知の条件で行なえばよいが、反応速度の点から、室温（２５℃）〜１３０℃で行うことが好ましく、反応時にトルエン、ヘキサン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の従来公知の溶媒を使用してもよい。
【００３９】
本発明に係る（Ａ）成分としては、耐熱性の高い硬化物が得られることから、一般式（３）で表されるポリシロキサン化合物が好ましい。一般式（３）において、Ｘ４が水素原子の場合には硬度の低い硬化物が得られ、一般式（４）で表される基の場合には架橋度が上がり硬度の高い硬化物が得られることから、本発明の硬化性組成物が使用される用途により適宜選択すればよく、Ｘ４が水素原子である化合物と、Ｘ４が一般式（４）で表される基である化合物とを併用してもよい。
【００４０】
＜（Ｂ）成分＞
次に、本発明に係る（Ｂ）成分である１分子中に少なくとも２つのビニル基を有するポリシロキサン化合物について説明する。本発明に係る（Ｂ）成分としては、例えば、下記一般式（５）で表されるポリシロキサン化合物、下記一般式（１５）で表される直鎖状ポリシロキサン、下記一般式（１６）で表される環状ポリシロキサン化合物等が挙げられる。
【００４１】
2017210520.tif 000014
（式中、Ｒ１6、Ｒ１7およびＲ２０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１８およびＲ１９は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２１は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ５はビニル基または下記一般式（６）で表される基を表し、ｇ１およびｇ２はｇ１＋ｇ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。）
2017210520.tif 000015
（式中、Ｒ２２は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｈは２〜５の数を表す。）
【００４２】
2017210520.tif 000016
（式中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５およびＲ４７は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ４３およびＲ４４は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ４６は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｘ７は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｒ１およびｒ２はｒ１＋ｒ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｓは０〜１０００の数を表す。但し、ｓが０〜１の数の場合、Ｘ７はビニル基を表す。）
【００４３】
2017210520.tif 000017
（式中、Ｒ４８〜Ｒ５０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、ｔは２〜６の数を表し、ｕはｔ＋ｕが３〜６の数となる０〜４の数を表す。）
【００４４】
一般式（５）において、Ｒ１6、Ｒ１7およびＲ２０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ１８およびＲ１９は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２１は炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ１６およびＲ１７としては、耐熱性が高く、製造も容易であることから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ１８およびＲ１９としては耐熱性が高いことから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ２０としては、耐熱性が高いことから、メチル基、エチル基、フェニル基が好ましく、フェニル基がさらに好ましい。Ｒ２１としては耐熱性が高いことから、フェニル基が好ましい。
【００４５】
ｇ１およびｇ２はｇ１＋ｇ２が５〜５０００となる０〜５０００の数を表す。ｇ１＋ｇ２の数があまりに小さい場合には十分な可撓性が得られず、またあまりに大きい場合にはハンドリング性が低下することから、ｇ１＋ｇ２は１０〜２０００が好ましく、１５〜１５００がさらに好ましく、２０〜１０００が最も好ましい。また、ｇ１に対するｇ２の割合が大きい場合には耐熱性が向上するが、あまりに大きい場合には可撓性が低下することから、ｇ１：ｇ２は、１００：０〜７０：３０が好ましく、９０：１０〜７５：２５がさらに好ましい。Ｘ５はビニル基または下記一般式（６）で表される基を表す。なお、繰り返し単位がｇ１のユニットおよびｇ２のユニットの重合形式はブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００４６】
一般式（６）において、Ｒ２２は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ２２としては、耐熱性が高く、原料の入手が容易であることから、メチル基が好ましい。ｈは２〜５の数を表し、耐熱性が高く、原料の入手が容易であることから、２〜４が好ましく、３〜４がさらに好ましく、３が最も好ましい。
【００４７】
一般式（１５）において、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４５およびＲ４７は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ４３およびＲ４４は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ４１〜Ｒ４４としては、耐熱性が良好で、可撓性の高い硬化物が得られることから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ４５としては、耐熱性が良好であることからメチル基、フェニル基が好ましく、可撓性が良好であることからメチル基がさらに好ましい。Ｒ４７としては、耐熱性が良好で、原料の入手も容易であることからメチル基、フェニル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ４６は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、耐熱性が良好であることからフェニル基が好ましい。
【００４８】
一般式（１５）において、ｒ１およびｒ２はｒ１＋ｒ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｓは０〜１０００の数を表す。Ｘ７は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。但し、ｓが０〜１の数の場合、Ｘ７はビニル基を表す。ｒ１に対するｒ２の割合が大きい場合には耐熱性が向上するが、あまりに大きい場合には可撓性が低下することから、ｒ１：ｒ２は、１００：０〜７０：３０が好ましく、９０：１０〜７５：２５がさらに好ましい。なお、繰り返し単位がｒ１のユニット、ｒ２のユニットおよびｓのユニットの重合形式はブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００４９】
一般式（１６）において、Ｒ４８〜Ｒ５０は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表す。Ｒ４８〜Ｒ４９としては原料の入手が容易であることからメチル基が好ましい。Ｒ５０としては耐熱性が良好となることからフェニル基が好ましい。ｔは２〜６の数を表し、ｕはｔ＋ｕが３〜６の数となる０〜４の数を表す。製造が容易であることから、ｔ＋ｕは３〜５が好ましく、３〜４がさらに好ましく、４が最も好ましい。
【００５０】
本発明に係る（Ｂ）成分としては、耐熱性の高い硬化物が得られることから、一般式（５）で表されるポリシロキサン化合物が好ましい。一般式（５）において、Ｘ５がビニル基の場合には硬度の低い硬化物が得られ、一般式（６）で表される基の場合には架橋度が上がり硬度の高い硬化物が得られることから、本発明の硬化性組成物が使用される用途により適宜選択すればよく、Ｘ５がビニル基である化合物と、Ｘ５が一般式（６）で表される基である化合物とを併用してもよい。
【００５１】
本発明の硬化性組成物は、ＳｉＨ基とビニル基とのヒドロシリル化により硬化することから、（Ｂ）成分の配合量は、本発明の硬化性組成物中のＳｉＨ基とビニル基との反応比に応じて決めればよい。本発明の硬化性組成物では、ＳｉＨ基に対するビニル基の比はモル比で、０．７〜２が好ましく、０．８〜１．５がさらに好ましく、０．８〜１．３が最も好ましい。
【００５２】
＜（Ｃ）成分＞
次に、本発明に係る（Ｃ）成分であるヒドロシリル化触媒について説明する。ヒドロシリル化触媒としては、反応性が良好であることから、白金系触媒が好ましい。白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニルビニルメチル錯体（Ｏｓｓｋｏ触媒）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ＫａＲｓｔｅｄｔ触媒）、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体、白金−オクチルアルデヒド錯体、白金−ホスフィン錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］４、ＰｔＣｌ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］３、Ｐｔ［Ｐ（Ｃ４Ｈ９）３）４］）、白金−ホスファイト錯体（例えば、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）３］４）、Ｐｔ［Ｐ（ＯＣ４Ｈ９）３］４）、ジカルボニルジクロロ白金等が挙げられる。触媒の使用量は反応性の点から、各原料の合計量の５質量％以下が好ましく、０．０００１〜１．０質量％がさらに好ましく、０．００１〜０．１質量％が最も好ましい。ヒドロシリル化の反応条件は特に限定されず、上記触媒を使用して従来公知の条件で行えばよいが、反応速度の点から、室温（２５℃）〜１３０℃で行うことが好ましく、反応時にトルエン、ヘキサン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の従来公知の溶媒を使用してもよい。
【００５３】
＜（Ｄ）成分＞
次に（Ｄ）成分である前記一般式（１）で表されるポリエーテル変性ポリシロキサン化合物について説明する。一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ７は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ３およびＲ４は各々独立して炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ４としては、耐熱性が良好で、可撓性の高い硬化物が得られることから、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ５としては、耐熱性が良好であることから、メチル基、フェニル基が好ましく、可撓性が良好であることからメチル基がさらに好ましい。Ｒ７としては、耐熱性が良好で、原料の入手も容易であることからメチル基、フェニル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ｒ６は炭素原子数６〜１０のアリール基を表し、耐熱性が良好であることからフェニル基が好ましい。
【００５４】
一般式（１）において、Ｘ１は炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または一般式（２）で表される基を表し、Ｘ２は一般式（２）で表される基を表す。ａ１およびａ２はａ１＋ａ２が３〜１０００の数となる０〜１０００の数を表し、ｂは０〜１０００の数を表す。但し、ｂが０の数の場合、Ｘ１は一般式（２）で表される基を表す。ａ１に対するａ２の割合が大きい場合には可撓性が低下することから、ａ１＋ａ２は、１００：０〜７０：３０が好ましく、１００：０〜８０：２０がさらに好ましい。なお、繰り返し単位がａ１のユニット、ａ２のユニットおよびｂのユニットの重合形式はブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００５５】
一般式（２）において、Ｒ８は炭素原子数１〜４のアルキレン基を表す。炭素原子数１〜４のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、１−メチルエチレン基、２−メチルエチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。Ｒ８としては、合成が容易であることからプロピレン基が好ましい。Ｘ３は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基またはアセチル基を表し、耐電圧性が向上することから、水素原子、メチル基、アセチル基が好ましく、水素原子、メチル基がさらに好ましく、メチル基が最も好ましい。ｃは１〜１００の数を表し、ｄは０〜１００の数を表す。耐電圧性が向上することから、ｃ＋ｄは５〜１００が好ましく、１０〜７０がさらに好ましく、１５〜５０が最も好ましい。また、ｃ：ｄは１００：０〜５０：５０が好ましく、９８：２〜６０：４０がさらに好ましく、９５：５〜７０：３０が最も好ましい。なお、繰り返し単位がｃのユニットおよびｄのユニットの重合形式はブロック状でもよいしランダム状でもよい。
【００５６】
本発明の硬化性組成物における（Ｄ）成分の含量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．２５質量部である。（Ｄ）成分の含量が０．００１質量部よりも少ない場合および０．２５質量部よりも多い場合は、部分放電の抑制効果が得られない。（Ｄ）成分の含量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００５〜０．２質量部が好ましく、０．０１〜０．１５質量部がさらに好ましく、０．０２〜０．１５質量部が最も好ましい。
【００５７】
＜（Ｅ）成分＞
本発明の硬化性組成物は、部分放電の抑制効果が向上することから、さらに、（Ｅ）成分としてフッ素変性シリコーンオイルを含有することが好ましい。フッ素変性シリコーンオイルはポリジメチルシロキサンの一部のメチル基がフロロアルキル基で置換された化合物であり、例えば、下記一般式（１７）で表される化合物が挙げられる。
【００５８】
2017210520.tif 000018
（式中、ｘは０〜１０００の数を表し、ｙは１〜１０００を表す。）
【００５９】
フッ素変性シリコーンオイルの市販品としては、例えば、信越化学工業のＦＬ−１００（商品名）、ＦＡ−６３０（商品名）、ワッカー・ケミー社のＡＦ９８（商品名）、ダウコーニング社のＦＳ１２６５（商品名）等が挙げられる。
【００６０】
（Ｅ）成分の含量があまりに少ない場合には、部分放電の抑制効果が向上せず、またあまりに多い場合には添加量に見合う効果の向上が得られないことから、（Ｅ）成分の含量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対して、０．００１〜０．１質量部が好ましく、０．０１〜０．０５質量部が更に好ましく、０．０２〜０．０４質量部が最も好ましい。
【００６１】
本発明の硬化性組成物には、この他、任意成分として無機微粉末、耐候性付与剤を配合してもよい。本発明の硬化性組成物が無機微粉末を含有する場合は、本発明の硬化性組成物の流動性やチクソトロピー性が改良されるとともに、本発明の硬化物の熱伝導性を改良し放熱性を付与することができる。無機微粉末としては、例えば、フュームドシリカ、沈降法シリカ等のシリカ類；石英、マイカ、モンモリロナイト、けい石、珪藻土類、セリサイト、カオリナイト、フリント、長石粉、蛭石、アタパルジャイト、タルク、ミネソタイト、パイロフィライト等の鉱物類；窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウム等の金属酸化物；硫酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属硫酸塩；炭化ケイ素、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛が挙げられる。無機微粉末は、本発明の各成分との配合性を高めるために、無機微粉末の表面をシランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤等で処理してもよい。中でも、シリカ類はチクソトロピー性の改良効果が高いことから好ましく、シリカ類と熱伝導性が高い無機微粉末、例えば、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、炭化ケイ素等と併用することが好ましい。
【００６２】
無機微粉末の平均粒径は、配合性の点から、０．０５〜５００μｍが好ましく、０．１〜２００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが最も好ましい。また、本発明の硬化性組成物中の含有量は、耐熱性およびハンドリングの点から、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、１０〜２００質量部が好ましく、２０〜１００質量部がさらに好ましい。
【００６３】
本発明の硬化性組成物が耐候性付与剤を含有する場合の耐候性付与剤としては、光安定剤、紫外線吸収剤、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等の周知一般に用いられているものを使用することができる。例えば、光安定剤としてはヒンダードアミン類が挙げられ、紫外線吸収剤としては、２−ヒドロキシベンゾフェノン類、２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール類、２−（２−ヒドロキシフェニル）−４，６−ジアリール−１，３，５−トリアジン類、ベンゾエート類、シアノアクリレート類が挙げられ、フェノール系酸化防止剤としてはトリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−パラクレゾール（ＤＢＰＣ）等が挙げられ、硫黄系酸化防止剤としては、ジアルキルチオジプロピオネート類、β−アルキルメルカプトプロピオン酸エステル類が挙げられ、リン系酸化防止剤としては、有機ホスファイト類が挙げられる。
【００６４】
上記耐候性付与剤を使用する場合、その含有量は、耐熱性、電気特性、硬化性、力学特性、保存安定性、ハンドリング性の点から、本発明の硬化性組成物中において０．０００１〜５０質量％が好ましく、０．００１〜１０質量％がさらに好ましい。
【００６５】
次に、本発明の硬化性組成物を硬化させた硬化物について説明する。当該硬化物は、上記で説明した本発明の硬化性組成物を硬化させたものである。硬化は（Ａ）成分のＳｉＨ基と（Ｂ）成分のビニル基とが、（Ｃ）成分を触媒として反応することにより起こる。硬化させる場合の加熱温度は１００〜２５０℃が好ましく、１１０〜２００℃がさらに好ましく、１３０〜１８０℃が最も好ましい。硬化時間は０．１〜１０時間が好ましく、０．５〜６時間がより好ましい。
【００６６】
本発明の硬化性組成物によれば、可撓性に優れ、高温における電気絶縁性が良好で、高温で使用しても電気絶縁性の低下の少ない硬化物が得られることから、本発明の硬化性組成物は、特に、中〜高容量パワー半導体として用いられる炭化珪素パワー半導体や、これらを組み合わせたモジュールや装置の封止剤として好適に使用できる。このようなパワー半導体装置としては、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ  Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）サイリスタ、絶縁ゲートバイポーラートランジスタ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ：Ｓｔａｔｉｃ  Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ダイオード、パワートランジスタ、サイリスタ、トライアック等が挙げられる。また、モジュールとしては、汎用インバータモジュール、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）、自動車用インバータモジュール等が挙げられる。
【００６７】
本発明の硬化性組成物を封止剤に使用したパワー半導体装置は、鉄道車両、重電プラント、ハイブリッド自動車、電気自動車、ロボット溶接機、エレベーター、エアコン、ＵＰＳ（無停電電源装置）、汎用インバーター（汎用モーターの制御機）、洗濯機、電子レンジ、電磁調理器、扇風機、冷蔵庫、電気炊飯器、ＶＴＲ、オーディオ機器等に使用される。
【実施例】
【００６８】
以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、特に限定のない限り、実施例中の「部」や「％」は質量基準によるものである。
【００６９】
（Ａ）〜（Ｄ）成分として下記の化合物を用い、下記の表１に示す組成にて、実施例１〜１０および比較例１〜１０の硬化性組成物を調製した。なお、下記の表１中の（Ａ）〜（Ｄ）成分の数字は質量部である。
【００７０】
（Ａ）成分
化合物Ａ１：
2017210520.tif 000019
化合物Ａ２：
2017210520.tif 000020
（Ｂ）成分
化合物Ｂ１：
2017210520.tif 000021
（Ｃ）成分
Ｃ１：白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体
（Ｄ）成分
Ｄ１：
2017210520.tif 000022
Ｄ２：
2017210520.tif 000023
Ｄ３：
2017210520.tif 000024
（Ｅ）成分
フッ素変性シリコーンオイル（信越化学工業製、商品名：ＦＡ−６３０）
【００７１】
実施例１〜１０および比較例１〜１０の硬化性組成物について、下記の方法で、絶縁破壊電圧および部分放電開始電圧を測定した。結果を下記の表１に併せて示す。
【００７２】
［絶縁破壊電圧］
縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのアルミ板に、膜厚が１００μｍになるように硬化性組成物を塗布し、１００℃で６０分加熱して硬化させたものを試験片として用いた。
ＪＩＳ  Ｃ２１１０−１（固体電気絶縁材料−絶縁破壊の強さの試験方法−第１部：商用周波数交流電圧印加による試験）に準拠し、絶縁破壊耐電圧試験機（安田精機製作所製、型式：Ｎо．１７５）を用いて、同径電極（直径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍ、縁端部に半径３ｍｍの丸み）を使用し、試験片の硬化物の面に対して５０Ｈｚの正弦波交流電圧を昇圧速度１０００Ｖ／ｓで印加し、リーク電流が１００ｍＡ検出された電圧を絶縁破壊電圧とした。絶縁破壊電圧が高いほど、電気絶縁性が高いことを示す。
【００７３】
［部分放電開始電圧］
窒化アルミ製絶縁基板１（縦３０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）の表裏両面に、ボンディングワイヤー３を有する銅製電極２（縦２８ｍｍ、横３８ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）を、端からの距離が縦横それぞれ１ｍｍとなるように接着させた。これを、図１の概略図に示すように、樹脂製容器４に入れ、硬化性組成物５を注入し、１００℃で６０分加熱して硬化させたものを、試験片として用いた。銅製電線から、５０Ｈｚの正弦波交流電圧を昇圧速度１０００Ｖ／ｓで印加し、リーク電流が初めて検出された電圧を部分放電開始電圧とした。部分放電開始電圧が高いほど、部分放電が起こりにくいことを示す。
【００７４】
【表１】
2017210520.tif 000025
【００７５】
上記表中の結果から、組成物中に（Ｄ）成分を所定量で含有させることにより、部分放電が起こりにくくなり、特に（Ｅ）成分を含有すると、さらに部分放電が起こりにくくなることがわかる。これに対し、（Ｄ）成分の含量が０．３質量部と多くなると、部分放電は起こりにくいが絶縁破壊電圧が下がってしまい、パワー半導体の封止剤として重要な電気絶縁性が低下してしまうことがわかる。
【符号の説明】
【００７６】
１  窒化アルミ製絶縁基板
２  銅製電極
３  ボンディングワイヤー
４  樹脂製容器
５  硬化性組成物
【図１】
2017210520.tif 000033