(57)【要約】【課題】液晶内のイオンによる液晶の体積抵抗の減少に起因する黒シミの発生を防止する。【解決手段】ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１５０によって接着し、前記ＴＦＴ基板１００と前記対向基板２００の間に液晶３００が封止され、表示領域５０を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板１００の前記表示領域５０の外側には、第３電極１０が形成され、前記第３電極１０の前記液晶３００側において、有機絶縁膜１０５に凹部３０が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には、第３電極が形成され、前記第３電極の前記液晶側において、有機絶縁膜に凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第３電極以外の配線の上には、前記有機絶縁膜が積層されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第３電極には、走査線と同じ電圧が印加されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記表示領域の外側には走査線駆動回路が形成され、前記第３電極には、前記走査線駆動回路における低電圧が印加され、
前記低電圧は平均電圧がコモン電圧よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第３電極は前記表示領域における走査線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第３電極は前記表示領域における映像信号線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第３電極と前記液晶との間には、配向膜のみが存在していることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記シール材は前記有機絶縁膜とはオーバーラップしていないことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第３電極と前記有機絶縁膜の前記凹部は、前記表示領域を囲んで全周に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第３電極と前記有機絶縁膜の前記凹部は、前記表示領域を囲むように、かつ、間隔を置いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第３電極と前記有機絶縁膜の前記凹部は、前記表示領域のコーナー部の外側のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第３電極と前記有機絶縁膜の前記凹部は、前記表示領域の複数のコーナー部のうちの一部のコーナー部の外側のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第３電極と前記表示領域の間には第４電極が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記液晶表示領域は、前記表示領域において、第１電極の上に絶縁膜を介して第２電極が形成され、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧を印加することによって前記液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記第４電極は、前記第１電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記液晶表示装置は、前記表示領域において、第１電極の上に絶縁膜を介して第２電極が形成され、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧を印加することによって前記液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記第４電極は、前記第２電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶表示装置は、ＴＦＴ基板側に画素電極が形成され、対向基板側にコモン電極が形成された、ＴＮ方式またはＶＡ方式の液晶表示装置であって、
前記第４電極は、前記画素電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にイオン集積に起因する表示むらを対策した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶中には不純物が存在するがこの不純物はイオン化しやすい。イオンは表示領域中を特定方向に移動し、表示領域周辺に局在化しやすい。イオンが局在化すると、液晶の抵抗が低下し、画像を表示した場合、その部分において黒シミが生ずる。
【０００４】
特許文献１には、有機ＥＬ表示装置において、上部透明電極に表示領域外において、スルーホールを介してカソード電圧を供給し、この際、スルーホール部は、金属膜と透明導電膜の２層構成とする構成が記載されている。特許文献２には、表示領域外に形成されるダミー電極に所定の電圧を印加してイオンを表示領域外に集める構成が記載されている。特許文献３には、表示領域の周辺に形成された走査線引き出し線からの走査電圧が表示領域に影響を及ぼすことを防止するために、ＴＦＴ基板側の表示領域外にシールド電極を形成する構成が記載されている。特許文献４には、走査線駆動回路を液晶表示パネル中に内蔵する場合、走査線駆動回路からの直流電圧が液晶に及ぶことを防止するために、走査線駆動回路を覆ってシールド電極を形成する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１４２４５６号公報
【特許文献２】特開２０１４−２０６６２２号公報
【特許文献３】特開２００９−１１６９８１号公報
【特許文献４】特開平８−３２８０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示パネルは、外形の大きさを抑えて表示領域を出来るだけ小さくしたいという要求が強くなっている。この場合、表示領域端部から液晶表示パネルの端部までの幅、いわゆる額縁の幅が小さくなる。一方、特定の画素電極パターンの場合、イオンが額縁領域に集められる特性を有する。この場合、表示領域外に集められたイオンが表示領域周辺にはみ出てきて黒シミの原因を作りやすくなる。
【０００７】
本発明の課題は、以上の問題を解決するものである。つまり、額縁領域に集められたイオンが再び、表示領域に漏れだすのを抑制することによって画面周辺に生ずる黒シミを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
（１）ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には、第３電極が形成され、前記第３電極の前記液晶側において、有機絶縁膜に凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０００９】
（２）前記第３電極以外の配線の上には、前記有機絶縁膜が積層されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１０】
（３）前記第３電極には、走査線と同じ電圧が印加されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図２】実施例１の１形態を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施例１の他の形態を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】実施例１のさらに他の形態を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図５】実施例１のさらに他の形態を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図６】実施例２を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図７】実施例３の１形態を示す平面図である。
【図８】実施例３の他の形態を示す平面図である。
【図９】実施例３のさらに他の形態を示す平面図である。
【図１０】液晶表示装置におけるイオンの動きを示す平面図である。
【図１１】液晶表示装置におけるイオンの動きを示す他の平面図である。
【図１２】液晶表示装置において、集積されたイオンが表示領域にはみ出してきた状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、液晶中に溶け込んだイオンの挙動について説明する。液晶中のイオンは、プラスに帯電する場合が多い。液晶は、画素電極とコモン電極の間に印加される電圧によって駆動されるが、画素電極の形状等の影響によって、液晶中のイオンは特定の方向に集積される。
【００１３】
図１０はこの様子を示す平面模式図である。図１０において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。図１０は、イオンが、画面の左上方向に集められることを示している。イオンは画素電極の形状等の影響によって、画面の特定方向に集められる傾向がある。図１０において、シール材１５０の内側には、遮光膜２０１が形成され、遮光膜２０１の下側にイオンが集積している。図のプラスマークはプラスイオンを示している。図１１は、動作時間が経過して、液晶が画面の周辺にさらに集積された状態を示している。図１１では、イオンは、まだ表示領域５０の外、すなわち、遮光膜２０１の下に存在しているので、画像には影響しない。
【００１４】
図１２は、さらに動作時間が経過して、表示領域５０の左上周辺に集められたイオンが遮光膜２０１の下だけにとどまらず、表示領域５０内にはみ出してきた状態を示している。図１２では、表示領域５０の左上にイオンがはみだし、この部分において黒シミが発生していることを示している。
【００１５】
このような表示領域周辺におけるイオンのはみだしの現象は、額縁の幅がせまいほど生じやすくなる。本発明の課題は、このような黒シミの発生を防止することである。以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明を適用した例としての、携帯電話等に使用される液晶表示パネルの平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１５０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分は端子部１６０となっている。端子部１６０には、ドライバＩＣ６０が配置され、また、液晶表示パネルに外部から電源や信号を供給するための、フレキシブル配線基板が接続される。
【００１７】
図１の表示領域５０において、走査線１が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線２が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１と映像信号線２とに囲まれた領域に画素３が形成されている。そして、表示領域５０には画素がマトリクス状に形成されている。表示領域５０の長辺の外側には走査線駆動回路が形成されている。
【００１８】
近年、表示領域の端部から液晶表示パネルの端部までの距離、いわゆる額縁の幅は小さくなってきており、例えば、図１に示す長辺側の額縁ｗｆａは０．５ｍｍ以下程度になっている。また、シール材１１０の端部から表示領域５０の端部までの距離ｗｆｃは、０．１ｍｍ程度になる場合もある。額縁の幅は、液晶表示パネルの長辺側と短辺側では、異なる場合もあり、例えば、図１に示す短辺側の額縁幅ｗｆｂは０．９ｍｍ以下程度と、長辺側の額縁よりも大きくなる場合もある。また、短辺側でも、端子部側と端子部と対向する側とで異なる場合もある。
【００１９】
図１において、表示領域外でシール材１５０よりも内側には、イオンをトラップするために第３電極１０が形成されている。第３電極１０にはコモン電圧よりも低い電圧が印加され、プラスイオンを集める役割を有する。あるいは、集積されたイオンを第３電極１０周辺に維持する役割を有する。
【００２０】
図１において、第３電極１０は平面で視て、表示領域５０を囲むように、２重に形成されている。第３電極１０が形成されていない領域には、第３電極よりも高い電圧が印加される配線が形成されている。表示領域外に集められたプラスイオンは、第３電極１０によってトラップされ、表示領域５０にははみ出さない構成となっている。
【００２１】
液晶はシール材１５０の内側に存在しているが、第３電極１０の影響を他の配線よりもより強く液晶に及ぼすために第３電極１０の上方からは有機絶縁膜が除去されている。一方、第３電極１０以外の配線の上からは、この有機絶縁膜は除去されていない。したがって、第３電極１０は、他の電極あるいは配線よりも液晶に対してより近い位置にあるので、強い影響を与えることが出来る。
【００２２】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２の層構造は、いわゆるＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。液晶表示装置は視野角特性が問題であるが、ＩＰＳ方式は、液晶分子を基板と平行方向の電界によって駆動するものであり、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳ方式は、画素電極とコモン電極がＴＦＴ基板１００側に形成されているということが特徴である。すなわち、平面状に形成されたＩＴＯ等の透明電極による第１電極１０６と、容量絶縁膜１０７を挟んで、ＩＴＯ等の透明電極による第２電極１０８の間に信号電圧を印加して、液晶分子を回転させることによって画素毎に透過率を制御して画像を形成する。第１電極１０６は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。また、第２電極１０８は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。
【００２３】
図２において、ＴＦＴ基板１００にはＳｉＮで形成された第１下地膜１０１が形成され、その上にＳｉＯ２で形成された第２下地膜が形成されている。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２は、ガラス基板１００からの不純物が、表示領域に形成されている半導体を汚染することを防止するものである。
【００２４】
第２下地膜１０２の上にはゲート絶縁膜１０３が形成され、その上に第３電極１０が形成されている。第３電極１０は走査線と同層で形成されている。第３電極１０には、ゲート電圧が供給される場合もあるし、表示領域周辺に形成される走査線ドライバ回路のシフトレジスタに供給されるＶＬ（低電圧）の場合もある。また、第３電極１０は、走査線引出し線の場合もあるし、ＶＬ配線の場合もある。すなわち、第３電極として特別に形成したものでなくてもよい。
【００２５】
第３電極１０を覆って層間絶縁膜１０４が形成される。層間絶縁膜１０４は、表示領域５０において、走査線１と映像信号線２を絶縁するものである。層間絶縁膜１０４の上には、映像信号線と同層で形成された配線２０が形成されている。この配線２０は、コモン電極配線、コモン電極、映像信号線引き出し線、走査線駆動回路に形成された配線等で、コモン電圧と同じがコモン電圧よりも大きな電圧が供給される電極あるいは配線の総称をいう。液晶表示装置は交流駆動されるので、映像信号線２０には、プラス電圧とマイナス電圧が供給されるが、ここでいう電圧は、平均電圧のことである。
【００２６】
配線２０を覆って有機パッシベーション膜１０５が形成されている。有機パッシベーション膜１０５は、表示領域５０では平坦化膜を兼ねているので、２〜３μｍと、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０５は第３電極１０が存在している部分では除去され、この部分には凹部３０が形成されている。一方、第３電極１０以外の電極は、有機パッシベーション膜１０５によって覆われている。その結果、第３電極１０は液晶に近くなり、他の電極よりも液晶に対する影響を及ぼしやすくなる。有機パッシベーション膜１０５は、一般には、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の感光性樹脂によって形成されているので、フォトレジストを用いずにパターニングすることが出来る。また、凹部３０は、表示領域内において、画素電極に映像信号を供給するためのスルーホールと同時に形成することが出来るので、プロセス負荷が増大することは無い。
【００２７】
図２の左方向には画素領域の一部が記載されている。図２において、有機パッシベーション膜１０５の上には第１電極１０６が形成され、その上をＳｉＮによって形成される容量絶縁膜１０７が形成されている。容量絶縁膜１０７の上には、第２電極１０８が形成されている。映像信号が第１電極と第２電極の間に印加されることによって、液晶３００内に電気力線が延在し、液晶分子を回転させて液晶の透過率を制御する。第２電極は配向膜によって覆われている。なお、第１電極１０６と第２電極１０８を絶縁する絶縁膜１０７は、この絶縁膜を介して第1電極１０６と第２電極１０８の間に保持容量を形成するので、容量絶縁膜と呼ばれる。表示領域５０においては、走査線はゲート絶縁膜１０３の上に、映像信号線は層間絶縁膜１０４の上に形成されている。
【００２８】
図２における表示領域外に戻り、有機パッシベーション膜１０５を覆って容量絶縁膜１０７が形成され、その上に配向膜１０９が形成されている。有機パッシベーション膜１０５に形成された凹部３０内には、第３電極１０の影響が強く及ぼされるので、表示領域外に集められたイオンは、この凹部３０に集められる。さらに、この凹部３０は、プラスイオンを貯めるための容器にもなりうる。したがって、表示領域外に集められたイオンが再び表示領域内に移動することを防止することが出来る。表示領域外において、容量絶縁膜１０７の上には配向膜１０９が存在している。配向膜１０９は表示領域５０において、液晶分子の初期配向の方向を規定するものである。
【００２９】
図２において、シール材１５０によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向して接着されている。対向基板２００の上にはブラックマトリクス２０１が形成されている。また、表示領域５０側にはカラーフィルタ２０２が形成されている。ブラックマトリクス２０１は表示領域５０においては、カラーフィルタ２０２とカラーフィルタ２０２の間に形成されて画面のコントラストを向上させる。図２のシール部においては、ブラックマトリクス２０１は遮光膜としての役割を有している。ブラックマトリクス２０１およびカラーフィルタ２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上には配向膜１０９が形成されている。
【００３０】
図２において、第３電極１０は、表示領域５０における、走査線と同層で同時に形成することが出来る。第３電極１０には、負の電圧が印加され、プラスイオンを表示領域外側にトラップし、保持する。負の電圧としては、走査線と同じ電位を印加することでよい。すなわち、走査線はＯＮになった時のみ、大きなプラス電位が印加されるが、ＯＦＦの時は、コモン電圧よりも小さな電圧（負電圧）が印加されている。したがって、走査線と同じ電位とすることによって、走査線がＯＮになる期間以外、すなわち、殆どの時間において、第３電極１０には負電圧が印加されることになる。一般には、この負電位は−５Ｖ〜−７Ｖである。
【００３１】
また、表示領域外側には、シフトレジスタで構成される走査線駆動回路が存在するが、このシフトレジスタに使用される低電圧を印加してもよい。いずれにせよ、第３電極には、平均電圧においてコモン電圧よりも低い電圧が供給される。図２のような構成によって、プラスイオンを第３電極１０付近にトラップし、かつ、有機パッシベーション膜１０５に形成された凹部３０内又はその付近に保持することによって、プラスイオンが表示領域に溢れ出す現象を防止することが出来る。
【００３２】
図３は本実施例の他の形態を示す断面図である。図３が図２と異なるところは、第３電極１０は映像信号線と同層で形成されていることである。印加される電圧は、図２で説明したのと同様、ゲート電圧あるいは、走査線駆動回路を構成するシフトレジスタに供給される低電圧が供給される。図３では、第３電極１０には、層間絶縁膜１０４に形成したスルーホールを介して走査線引出し線等と接続することによって、ゲート電圧を印加することが出来る。
【００３３】
図３の構成では、第３電極１０の上には、容量絶縁膜１０７と配向膜１０９しか存在していないので、図２の場合よりもさらに液晶３００に近づけることが出来るため、第３電極１０の影響をより強くプラスイオンに与えることが出来る。有機パッシベーション膜１０５に形成された凹部３０にプラスイオンを保持することが出来る点は、図２で説明したのと同様である。
【００３４】
図４は本実施例のさらに他の形態を示す断面図である。図４が図２あるいは図３と異なるところは、第３電極１０と液晶３００の間には、配向膜１０９しか存在していないことである。したがって、第３電極１０の影響をさらに強くすることが出来る。
【００３５】
図４において、第３電極１０は映像信号線と同層で形成されていることは図３と同様である。しかし、図４では有機パッシベーション膜１０５の凹部３０においては、容量絶縁膜１０７は除去されている。これによって、第３電極１０と液晶３００の距離をさらに近づけることが出来る。なお、容量絶縁膜１０７は、有機パッシベーション膜１０５の凹部３０の側壁は覆っていた方がよい。有機パッシベーション膜１０５から水分等が液晶側に放出されることを防止するためである。
【００３６】
図５は本実施例のさらに他の形態を示す断面図である。図５が図２乃至図４と異なるところは、有機パッシベーション膜１０５はシール材１０５が形成される部分からは除去されていることである。シール部において有機パッシベーション膜１０５が存在しない分、シール材の厚さを大きくすることが出来るので、接着の信頼性を向上させることが出来る。また、有機パッシベーション膜１０５を介して外部から水分等が侵入することも防止することが出来る。
【００３７】
図５において、第３電極１０は、映像信号線と同層で形成されていることは図３と同様である。有機パッシベーション膜１０５の凹部３０にプラスイオンがトラップされるが、図５では、さらに、有機パッシベーション膜１０５とシール材１５０の間に形成された凹部３０にもプラスイオンがトラップされる構成となっている。
【００３８】
図５では第３電極１０の上には、図２と同様に容量絶縁膜１０７と配向膜１０９が存在しているが、図２と同様に、第３電極１０の上に層間絶縁膜１０７、容量絶縁膜１０７、配向膜１０９が存在する構成でもよいし、図４と同様に、第３電極１０の上に配向膜１０９のみが存在する構成であってもよい。イオンをトラップする効果は、各々図２、図３、図４で説明したのと同様である。
【実施例２】
【００３９】
図６は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。図６も図１のＡ−Ａ断面に相当する。図６は、実施例１における図３に対応した断面構造となっている。すなわち、第３電極１０は映像信号線と同層で形成されている。図６が図３と異なるところは、第３電極１０と表示領域５０との間に第４電極４０が形成されていることである。第４電極４０は、第２電極１０８と同じ透明導電膜で形成することが出来る。
【００４０】
第３電極１０に負電圧が印加されると、液晶中のプラスイオンが第３電極１０に引き寄せられて、表示領域５０におけるプラスイオンによる悪影響を防止することが出来る。しかし、第３電極１０が存在することにより、特に、額縁領域が小さくなった場合、第３電極１０の電位の影響が表示領域５０に及び、これが、液晶の動作に影響して、画面周辺における画像の形成に影響を及ぼす場合がある。
【００４１】
本実施例では、図６に示すように、第３電極１０と表示領域５０との間に第４電極４０を形成することによって、第３電極１０に印加されるトラップ電圧が表示領域５０に漏れることを抑制している。図６の構成は、表示領域５０と第３電極１０の間に第４電極４０が形成されている他は図３の構成と同様である。つまり、表示領域５０から移動してきたイオンは第３電極１０によって捕捉され、有機パッシベーション膜１０５の凹部３０あるいはその付近にとどまる。一方、第３電極１０の表示領域５０への影響は第４電極４０によって抑制されている。
【００４２】
図６の第４電極４０は表示領域５０における第２電極１０８と同じ層に同じ透明導電膜で形成されているが、第１電極１０６と同じ層に同じ透明導電膜で形成することも出来る。また、図６は、図３に対応する構成であるが、図２、図４、図５等の構成に対しても、図６と同様な第４電極４０を形成することによって第３電極１０の表示領域５０への影響を抑制することが出来る。
【実施例３】
【００４３】
本実施例は、液晶表示パネルを平面で視た場合の第３電極１０を含むトラップ構造の形成領域を示すものである。実施例１の図１の構成では、表示領域５０を囲んで全周に第３電極１０を含むトラップ構造が形成されている。一方、イオンが集積する領域は、必ずしも全周ではなく、一部の額縁領域に集中する場合が多い。また、第３電極１０には、ゲート電圧、あるいは、走査線駆動回路を構成するシフトレジスタの低電圧が印加されるが、場所によってはこのような電極を形成することが難しい場合もある。
【００４４】
図７は、このような場合に対応して、第３電極１０を含むトラップ構造を離散的に形成した場合の例である。図８は、イオンが液晶表示パネルのコーナー部に集められやすい場合に、コーナー部のみにトラップ構造１０を形成した例である。イオンは、図１０乃至１２に示すように、特定のコーナーに集中する場合が多い。このような場合、図９に示すように、特定のコーナーのみに第３電極１０を含むトラップ構造を形成すればよい。図９は、端子部１６０側とは反対側のコーナー２か所に第３電極１０を含むトラップ構造を形成した例である。図９は2か所のコーナー部にトラップ構造を形成しているが、１か所でよい場合もある。
【００４５】
以上の説明では、液晶表示装置はＩＰＳ方式の液晶表示装置であるとして説明した。しかし、本発明は、ＩＰＳ方式に限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）等の他の方式の液晶表示装置に対しても適用することが出来る。
【符号の説明】
【００４６】
１…走査線、  ２…映像信号線、  ３…画素、  １０…第３電極、  ２０…配線、  ３０…有機パッシベーション膜、  ４０…第４電極、  ５０…表示領域、  ６０…ドライバＩＣ、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…ゲート絶縁膜、  １０４…層間絶縁膜、  １０５…有機パッシベーション膜、  １０６…第１電極、  １０７…容量絶縁膜、  １０８…第２電極、  １０９…配向膜、  １５０…シール材、  １６０…端子部、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス（遮光膜）、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶
【図１】
2017097190.tif 000003
【図２】
2017097190.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017097190.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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