(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の基板を高精度に位置合わせして接合する基板同士の組立方法を提供する。【解決手段】配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面５５ｂに形成された第１アライメントマーク５７を有する第１基板５０のアライメントマーク面５５ｂと、配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面４５ｂに形成された第２アライメントマーク４７を有する第２基板４０のアライメントマーク面４５ｂと、を対向させ、第１アライメントマーク５７と第２アライメントマーク４７との相対位置を確認して、第１基板５０と第２基板４０とを接合する工程を有する。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面に形成された第１アライメントマークを有する第１基板の前記アライメントマーク面と、
配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面に形成された第２アライメントマークを有する第２基板の前記アライメントマーク面と、
を対向させ、
前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークとの相対位置を確認して、前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程を有することを特徴とする基板同士の組立方法。
【請求項２】
前記第１基板の前記機能面には、第３基板が接合されていることを特徴とする請求項１に記載の基板同士の組立方法。
【請求項３】
前記第２基板の前記機能面には、第４基板が接合されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板同士の組立方法。
【請求項４】
前記第１基板の前記機能面に、前記配線又は前記機能層のパターンを形成する工程と、
前記第１基板の前記アライメントマーク面に、前記第１アライメントマークを形成する工程と、
前記第２基板の前記機能面に、前記配線又は前記機能層のパターンを形成する工程と、
前記第２基板の前記アライメントマーク面に、前記第２アライメントマークを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板同士の組立方法。
【請求項５】
前記第１基板の前記機能面を露光する工程と、
前記第１基板の前記アライメントマーク面を露光する工程と、
前記第１基板をエッチングして、前記配線又は前記機能層のパターンと前記第１アライメントマークとを形成するエッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の基板同士の組立方法。
【請求項６】
前記第２基板の前記機能面を露光する工程と、
前記第２基板の前記アライメントマーク面を露光する工程と、
前記第２基板をエッチングして、前記配線又は前記機能層のパターンと前記第２アライメントマークとを形成するエッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板同士の組立方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板同士の組立方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、配線又は機能層が形成された機能面を対向させて２枚の基板同士を組立又は接合する方法として、特許文献１および特許文献２に開示されているように、２枚の基板の機能面にそれぞれ形成されたアライメント用のマークをカメラで撮像し位置合わせすることで、２枚の基板を精度良く位置合わせし、組立又は接合する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１６３５９８号公報
【特許文献２】特開平７−３０６００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、配線又は機能層が形成された機能面を対向させて接合した２枚の基板と、配線又は機能層が形成された機能面を対向させて接合した２枚の基板と、を精度良く位置合わせして組立又は接合しようとすると、特許文献１および特許文献２におけるアライメント用のマークは、それぞれ基板の機能面に形成されている。そのため、アライメント用のマーク同士が基板の厚み分だけ離れてしまい、カメラの焦点距離が異なり、２枚が接合された基板同士を精度良く位置合わせできないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る基板同士の組立方法は、配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面に形成された第１アライメントマークを有する第１基板の前記アライメントマーク面と、配線又は機能層を有する機能面と対向するアライメントマーク面に形成された第２アライメントマークを有する第２基板の前記アライメントマーク面と、を対向させ、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークとの相対位置を確認して、前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程を有することを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、第１アライメントマークが形成されたアライメントマーク面と、第２アライメントマークが形成されたアライメントマーク面と、を対向させているため、第１アライメントマークと第２アライメントマークとを近接させることができる。そのため、位置合わせするカメラの焦点距離が第１アライメントマークと第２アライメントマークとがそれぞれ略同等となり、第１アライメントマークと第２アライメントマークとの相対位置を正確に確認することができ、第１基板と第２基板とを精度良く位置合わせし接合することができるという効果がある。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の基板同士の組立方法において、前記第１基板の前記機能面には、第３基板が接合されていることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、第１基板の機能面を第３基板で保護することができ、特性を安定化させることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の基板同士の組立方法において、前記第２基板の前記機能面には、第４基板が接合されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第２基板の機能面を第４基板で保護することができ、特性を安定化させることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の基板同士の組立方法において、前記第１基板の前記機能面に、前記配線又は前記機能層のパターンを形成する工程と、前記第１基板の前記アライメントマーク面に、前記第１アライメントマークを形成する工程と、前記第２基板の前記機能面に、前記配線又は前記機能層のパターンを形成する工程と、前記第２基板の前記アライメントマーク面に、前記第２アライメントマークを形成する工程と、を有することが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、配線又は機能層を形成する工程とアライメントマークを形成する工程とを分けることにより、第１基板および第２基板の機能面に形成した配線又は機能層に対応して、第１アライメントマークおよび第２アライメントマークを第１基板および第２基板のアライメントマーク面に位置精度良く形成することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の基板同士の組立方法において、前記第１基板の前記機能面を露光する工程と、前記第１基板の前記アライメントマーク面を露光する工程と、前記第１基板をエッチングして、前記配線又は前記機能層のパターンと前記第１アライメントマークとを形成するエッチング工程と、を有することが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、第１基板の配線又は機能層のパターンと第１アライメントマークとを同時に形成することができるため、作業効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の基板同士の組立方法において、前記第２基板の前記機能面を露光する工程と、前記第２基板の前記アライメントマーク面を露光する工程と、前記第２基板をエッチングして、前記配線又は前記機能層のパターンと前記第２アライメントマークとを形成するエッチング工程と、を有することが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第２基板の配線又は機能層のパターンと第２アライメントマークとを同時に形成することができるため、作業効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る撮像装置の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った撮像装置の概略断面図。
【図３】本実施形態に係る撮像装置の組立方法を、工程順に示すフローチャート。
【図４Ａ】本実施形態に係る第１基板の構成を示す概略平面図。
【図４Ｂ】図４ＡのＢ−Ｂ’線に沿った第１基板の概略断面図。
【図５Ａ】本実施形態に係る第３基板の構成を示す概略平面図。
【図５Ｂ】図５ＡのＣ−Ｃ’線に沿った第３基板の概略断面図。
【図６】第１基板と第３基板とのアライメントを説明する概略断面図。
【図７】第１基板のアライメントマークと第３基板のアライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図。
【図８Ａ】本実施形態に係る第２基板の構成を示す概略平面図。
【図８Ｂ】図８ＡのＤ−Ｄ’線に沿った第２基板の概略断面図。
【図９Ａ】本実施形態に係る第４基板の構成を示す概略平面図。
【図９Ｂ】図９ＡのＥ−Ｅ’線に沿った第４基板の概略断面図。
【図１０】第２基板と第４基板とのアライメントを説明する概略断面図。
【図１１】第２基板のアライメントマークと第４基板のアライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図。
【図１２】第３基板が接合された第１基板と第４基板が接合された第２基板とのアライメントを説明する概略断面図。
【図１３】第１基板の第１アライメントマークと第２基板の第２アライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図。
【図１４】組立を完了した撮像装置を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００２０】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２１】
（実施形態）
先ず、本実施形態に係る基板同士の組立方法として、撮像装置１を一例として挙げ、図１および図２を参照し説明する。
図１は、本実施形態に係る撮像装置の構成を示す分解斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った撮像装置の概略断面図である。
【００２２】
＜撮像装置の概要＞
本実施形態に係る撮像装置１は、被照射体（図示省略）に光を照射し、被照射体からの反射光を電気信号に変換するイメージセンサーである。撮像装置１は、被照射体を照らす発光素子５２や、被照射体から反射された検査対象の光（検査光）を検出する光電変換素子としてのフォトダイオード１３などが配置されたセンシング領域５を有している。センシング領域５の形状は正方形であり、図１および図２において破線で図示されている。
以降、端子１４に近接したセンシング領域５の一辺に沿った方向をＸ軸方向、当該１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交し、撮像装置１の厚さ方向をＺ軸方向として説明する。
【００２３】
図１および図２に示すように、撮像装置１には、Ｚ軸（＋）方向に第４基板としてのセンサー基板１０、センサー基板１０と第２基板としての遮光基板４０とに所定の間隔を形成する部材（シール材２０、透光性部材３０）、遮光基板４０、第１基板としての照明基板５０、および第３基板としての集光基板６０が、この順に積層されている。また、遮光基板４０と照明基板５０、および照明基板５０と集光基板６０は、透明な接着剤６３（図２）によってそれぞれ接着されている。
【００２４】
センサー基板１０は、被照射体からの反射光を電気信号に変換する役割を有している。センサー基板１０は、センサー基板本体１１、並びにセンサー基板本体１１のＺ軸（＋）方向側の面に形成されたフォトダイオード１３、回路部１２、および端子１４などを備えている。センサー基板本体１１は、絶縁基板であればよく、ガラス、石英、樹脂、セラミックなどを使用することができる。フォトダイオード１３は、例えば、ＰＩＮ型半導体層を光電変換層とした光電変換素子で構成され、近赤外域の光を検出することができる。センシング領域５には、フォトダイオード１３がＸ方向およびＹ方向に等間隔で配列され、その間隔（配列ピッチ）は、概略１００μｍである。回路部１２は、例えば、ｎチャネル型トランジスターとｐチャネル型トランジスターとを備えた相補型トランジスターで構成されている。端子１４は、外部回路（図示省略）に接続され、外部回路からの制御信号を回路部１２に供給している。
【００２５】
シール材２０は、センサー基板１０と遮光基板４０との間に所定の間隔（概略１００μｍ）を形成するギャップ材（図示省略）を含み、センシング領域５を囲んで枠状に配置されている。枠状のシール材２０によって、センサー基板１０と遮光基板４０とは、概略１００μｍの間隔に配置される。
【００２６】
透光性部材３０は、台座３１と、透光性の樹脂３５とによって構成され、センサー基板１０と遮光基板４０との間に、センシング領域５を覆って配置されている。台座３１はセンサー基板１０側に配置され、台座３１の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は概略７０μｍである。台座３１は、センサー基板１０のセンシング領域５に配置されているフォトダイオード１３を機械的衝撃から保護する役割を有している。透光性の樹脂３５は遮光基板４０側（台座３１と遮光基板４０との間）に配置され、透光性の樹脂３５の厚さは、概略３０μｍである。このように、センサー基板１０と遮光基板４０との間のセンシング領域５には、厚さ１００μｍの透光性部材３０が配置（充填）されているので、センシング領域５におけるセンサー基板１０と遮光基板４０とを、均一な間隔（概略１００μｍ）で配置することができる。
さらに、シール材２０と透光性部材３０との間には、空隙３９（図２参照）が形成されている。空隙３９は、後述する製造工程で台座３１からあふれ出た透光性の樹脂３５を溜める貯蔵スペースであり、シール材２０の外側への透光性の樹脂３５のはみ出しを抑制する役割を有している。
なお、台座３１を遮光基板４０側に配置し、透光性の樹脂３５をセンサー基板１０側に配置する構成であっても良い。
【００２７】
遮光基板４０は、遮光基板本体４１および遮光基板本体４１のＺ軸（−）方向側の面に配置された遮光膜４２で構成されている。遮光基板本体４１は、透光性の基板であり、ガラス、石英、樹脂などを使用することができる。遮光膜４２は、遮光性を有する膜であればよく、例えばＣｒなどの金属膜を使用することができる。遮光膜４２には、フォトダイオード１３に対応する位置に開口部４３が形成され、被照射体から反射された検査光７は開口部４３を通過し、フォトダイオード１３に入射するようになっている。
上述したように、センサー基板１０と遮光基板４０との間には透光性部材３０が配置され、開口部４３を通過した検査光７は、透光性部材３０を通過してフォトダイオード１３に入射するようになっている。透光性部材３０の屈折率は、遮光基板本体４１の屈折率と略同等になっている。その結果、開口部４３において遮光基板本体４１と透光性部材３０との境界での界面反射が抑制されるので、検査光７の減衰を抑制することができる。
【００２８】
照明基板５０は、照明基板本体５１および照明基板本体５１のＺ軸（＋）方向側の面に形成された発光素子５２などを備えている。発光素子５２は、Ｚ軸（＋）方向に近赤外域の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、陽極（図示省略）と発光機能層（図示省略）と陰極（図示省略）とで構成されている。また、発光素子５２は、センシング領域５にマトリックス状に配列され、被照射体を均一に照らすようになっている。
【００２９】
集光基板６０は、「集光基板」の一例であり、被照射体から反射された検査対象の光を集光し、フォトダイオード１３に導く役割を有している。集光基板６０は、集光基板本体６１および集光基板本体６１のＺ軸（−）方向側の面に形成されたマイクロレンズ６２などで構成されている。集光基板本体６１は、透光性基板であり、ガラス、石英、樹脂などを使用することができる。マイクロレンズ６２は、透明樹脂やガラスなどで形成された球面レンズ、または非球面レンズであり、センシング領域５にマトリックス状に配置されている。マイクロレンズ６２は、リフロー法、面積階調マスク法、微小レンズ法、成形加工法などを用いて形成することができる。
【００３０】
＜センシング領域の概要＞
次に、センシング領域５の概要（検査光７の検出方法など）を説明する。
センシング領域５には、フォトダイオード１３、開口部４３、発光素子５２、およびマイクロレンズ６２などが、マトリックス状に配列され、それぞれ一対一に対応するようになっている。図１および図２において一点鎖線で図示された光軸６は、複数配列されたうちの１つのマイクロレンズ６２ａの中心と開口部４３の中心とを結ぶ仮想線であり、Ｚ軸方向と平行になっている。図２において、符号７が付された矢印は、複数配列されたうちの１つのフォトダイオード１３に入射する検査光７を示している。なお、当該フォトダイオード１３はマイクロレンズ６２ａと対応している。符号８が付された矢印は、隣り合うマイクロレンズ６２ｂと当該フォトダイオード１３とを結ぶ光路上を進行する光、すなわち隣り合うマイクロレンズ６２ｂから当該フォトダイオード１３に向かって進行する検査光７以外の光（以下、不要な光８と称す）である。
【００３１】
マイクロレンズ６２ａ、開口部４３、およびフォトダイオード１３は、光軸６上に配置され、発光素子５２は、光軸６から離れた位置に配置されている。その結果、マイクロレンズ６２ａで集光された検査光７は、発光素子５２によって遮光されることはない。また、照明基板５０の光軸６と交差する領域（検査光７が通過する領域）は、透光性を有しており、検査光７は照明基板５０を通過（透過）するようになっている。
【００３２】
図２に示すように、マイクロレンズ６２ａで集光され、光軸６に沿って進行する光が、検査光７となる。すなわち、検査光７は、集光基板６０のマイクロレンズ６２ａ、照明基板５０の透光性領域、遮光基板４０の開口部４３、および透光性部材３０を通過し、センサー基板１０のフォトダイオード１３に入射するようになっている。換言すれば、マイクロレンズ６２ａの真上（Ｚ軸方向）からマイクロレンズ６２ａに入射する光が、光軸６に沿って進行し、フォトダイオード１３に入射する。すなわち、センシング領域５では、Ｚ軸方向からマイクロレンズ６２ａに入射する被写体の画像情報を、撮像することができる。
【００３３】
マイクロレンズ６２ａは、いわゆる凸レンズであり、マイクロレンズ６２ａで集光された光（被写体の画像情報）は、フォトダイオード１３の受光面に結像するようになっている。さらに、遮光基板４０は、透光性部材３０によってセンサー基板１０から概略１００μｍ離れて配置されている。遮光基板４０とセンサー基板１０との間隔は、センサー基板１０のセンシング領域５に配列されているフォトダイオード１３の配列ピッチ（概略１００μｍ）と同等になっている。センサー基板１０と遮光基板４０とが概略１００μｍの間隔で対向配置された状態で、開口部４３の開口寸法は、マイクロレンズ６２ａで集光された検査光７が開口部４３を通過可能な最少寸法に加工されている。その結果、隣り合うマイクロレンズ６２ｂから差し込む不要な光８は、遮光基板４０の遮光膜４２によって反射（遮光）され、フォトダイオード１３への入射が抑制される。当該不要な光８以外にも、検査光７以外の光は存在する。これら検査光７以外の光は、全て光軸６に対して斜め方向に進行する光であり、遮光基板４０の遮光膜４２によって遮光され、フォトダイオード１３への入射が抑制されている。検査光７以外の光はフォトダイオード１３の検出ノイズとなるので、検査光７以外の光を遮光することによって、フォトダイオード１３によって検出ノイズの小さい高精度の画像情報を撮像することができる。
【００３４】
このように、不要な光８を遮光し、検査光７をフォトダイオード１３に選択的に入射させるためには、遮光基板４０とセンサー基板１０とを、フォトダイオード１３の配列ピッチ以上の間隔で、平行に配置することが重要である。
基板の反りなどで、遮光基板４０がセンサー基板１０に対して斜めに配置された領域が発生すると、当該領域では、フォトダイオード１３は光軸６上に配置されず、検査光７が入射しなくなるという不具合が発生する。このような不具合を回避するためには、遮光基板４０とセンサー基板１０との間隔を、±５％以下の精度で形成することが好ましい。
本実施形態では、フォトダイオード１３の配列ピッチは概略１００μｍであり、遮光基板４０とセンサー基板１０とは、概略１００μｍの均一な間隔で、平行に配置されている。
【００３５】
＜撮像装置の組立方法＞
次に、本実施形態に係る基板同士の組立方法である撮像装置１の組立方法について、図３〜図１４を参照して説明する。
図３は、本実施形態に係る撮像装置の組立方法を、工程順に示すフローチャートである。
撮像装置１の組立方法は、図３に示すように、第１基板としての照明基板５０と第３基板としての集光基板６０とを接合する第１基板・第３基板接合工程（Ｓｔｅｐ４）と、第２基板としての遮光基板４０と第４基板としてのセンサー基板１０とを接合する第２基板・第４基板接合工程（Ｓｔｅｐ８）と、第３基板が接合された第１基板と第４基板が接合された第２基板とを接合する第１基板・第２基板接合工程（Ｓｔｅｐ９）、とを含み構成されている。
【００３６】
先ず、照明基板５０と集光基板６０とを接合する第１基板・第３基板接合工程（Ｓｔｅｐ４）までの工程について、図４Ａ〜図７を参照して説明する。
図４Ａは、本実施形態に係る第１基板の構成を示す概略平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ’線に沿った第１基板の概略断面図である。図５Ａは、本実施形態に係る第３基板の構成を示す概略平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＣ−Ｃ’線に沿った第３基板の概略断面図である。図６は、第１基板と第３基板とのアライメントを説明する概略断面図である。図７は、第１基板のアライメントマークと第３基板のアライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図である。
【００３７】
＜第１基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ１）＞
第１基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ１）では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１基板としての照明基板５０の機能面５５ａに、Ｚ軸（＋）方向に近赤外域の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、陽極（図示省略）と発光機能層（図示省略）と陰極（図示省略）とで構成されている配線又は機能層の機能パターンとなる発光素子５２をセンシング領域５にマトリックス状に配列するように、フォトリゾ技術により形成する。また、機能面５５ａでセンシング領域５より外側に対角状に中央部が貫通した枠状のアライメントマーク５６を、フォトリゾ技術により形成する。
【００３８】
＜第１アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ２）＞
第１アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ２）では、照明基板５０の機能面５５ａに対向するアライメントマーク面５５ｂに、クロムなどの金属膜を成膜し、アライメントマーク５６が形成された位置と反対方向の対角に中央部が貫通した枠状の第１アライメントマーク５７を、フォトリゾ技術により形成する。
【００３９】
なお、第１基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ１）と第１アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ２）とにおいて、照明基板５０の機能面５５ａを露光する工程と、照明基板５０のアライメントマーク面５５ｂを露光する工程と、を行った後に、照明基板５０をエッチングして、配線又は機能層の機能パターンとなる発光素子５２と第１アライメントマーク５７とを形成するエッチング工程と、を含んでいても構わない。これにより、照明基板５０の配線又は機能層の機能パターンとなる発光素子５２と第１アライメントマーク５７とを同時に形成することができるため、作業効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。
【００４０】
＜第３基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ３）＞
第３基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ３）では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、第３基板としての集光基板６０のＺ軸（−）方向側の面である機能面６５ａに、配線又は機能層の機能パターンとなるマイクロレンズ６２をセンシング領域５にマトリックス状に配置するように、リフロー法、面積階調マスク法、微小レンズ法、成形加工法などを用いて形成する。また、機能面６５ａでセンシング領域５より外側に対角状に矩形状のアライメントマーク６６を、フォトリゾ技術により形成する。なお、アライメントマーク６６の大きさは、照明基板５０に形成された枠状のアライメントマーク５６の内縁より、小さいことが好ましい。
【００４１】
＜第１基板・第３基板接合工程（Ｓｔｅｐ４）＞
第１基板・第３基板接合工程（Ｓｔｅｐ４）では、図６に示すように、照明基板５０の機能面５５ａ上に、集光基板６０の機能面６５ａを対向させて近接するように配置し、矢印方向から見て、図７に示すように、照明基板５０の機能面５５ａ上に形成されたアライメントマーク５６の中央部に集光基板６０の機能面６５ａ上に形成されたアライメントマーク６６が配置されるように、位置調整する。その後、照明基板５０と集光基板６０との間隔を広げ、照明基板５０上に透明な接着剤６３（図１２参照）を略均一の厚みに塗布し、再度、照明基板５０と集光基板６０との間隔を狭めて、アライメントマーク５６とアライメントマーク６６との位置調整を行い、集光基板６０側から加圧する。その後、加熱処理することにより、接着剤６３が固まり、照明基板５０と集光基板６０とが接合される。なお、照明基板５０のアライメントマーク５６と集光基板６０のアライメントマーク６６との間隔は、接着剤６３の介在する厚みのため非常に小さく、カメラの焦点距離がずれ難いので照明基板５０と集光基板６０とを精度良く位置合わせし接合することができる。
【００４２】
次に、遮光基板４０とセンサー基板１０とを接合する第２基板・第４基板接合工程（Ｓｔｅｐ８）までの工程について、図８Ａ〜図１１を参照して説明する。
図８Ａは、本実施形態に係る第２基板の構成を示す概略平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＤ−Ｄ’線に沿った第２基板の概略断面図である。図９Ａは、本実施形態に係る第４基板の構成を示す概略平面図である。図９Ｂは、図９ＡのＥ−Ｅ’線に沿った第４基板の概略断面図である。図１０は、第２基板と第４基板とのアライメントを説明する概略断面図である。図１１は、第２基板のアライメントマークと第４基板のアライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図である。
【００４３】
＜第２基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ５）＞
第２基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ５）では、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、第２基板としての遮光基板４０のＺ軸（−）方向側の面である機能面４５ａに、Ｃｒなどの金属膜を成膜し、後述するセンサー基板１０上に形成されたフォトダイオード１３に対応する位置に開口部４３を有する配線又は機能層の機能パターンとなる遮光膜４２を、フォトリゾ技術により形成する。また、機能面４５ａでセンシング領域５より外側に対角状に中央部が貫通した枠状のアライメントマーク４６を、フォトリゾ技術により形成する。
【００４４】
＜第２アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ６）＞
第２アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ６）では、遮光基板４０の機能面４５ａに対向するアライメントマーク面４５ｂに、クロムなどの金属膜を成膜し、アライメントマーク４６が形成された位置と反対方向の対角に矩形状の第２アライメントマーク４７を、フォトリゾ技術により形成する。なお、第２アライメントマーク４７の大きさは、照明基板５０に形成された枠状の第１アライメントマーク５７の内縁より、小さいことが好ましい。
【００４５】
なお、第２基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ５）と第２アライメントマーク形成工程（Ｓｔｅｐ６）とにおいて、遮光基板４０の機能面４５ａを露光する工程と、遮光基板４０のアライメントマーク面４５ｂを露光する工程と、を行った後に、遮光基板４０をエッチングして、配線又は機能層の機能パターンとなる遮光膜４２と第２アライメントマーク４７とを形成するエッチング工程と、を含んでいても構わない。これにより、遮光基板４０の配線又は機能層の機能パターンとなる遮光膜４２と第２アライメントマーク４７とを同時に形成することができるため、作業効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。
【００４６】
＜第４基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ７）＞
第４基板機能パターン形成工程（Ｓｔｅｐ７）では、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第４基板としてのセンサー基板１０のＺ軸（＋）方向側の面である機能面１５ａに、配線又は機能層の機能パターンとなるセンシング領域５内でＸ方向およびＹ方向に等間隔で配列されたフォトダイオード１３、回路部１２、および端子１４を、フォトリゾ技術により形成する。また、機能面１５ａでシール材２０より外側に対角状に矩形状のアライメントマーク１６を、フォトリゾ技術により形成する。その後、フォトダイオード１３や回路部１２を囲むようにシール材２０を形成する。
【００４７】
＜第２基板・第４基板接合工程（Ｓｔｅｐ８）＞
第２基板・第４基板接合工程（Ｓｔｅｐ８）では、図１０に示すように、センサー基板１０の機能面１５ａ上のシール材２０の内側に台座３１を形成した後に、台座３１上に透光性の樹脂３５を略均一の厚みに塗布し、透光性部材３０を形成する。その後、機能面１５ａ上に、遮光基板４０の機能面４５ａを対向させて近接するように配置し、矢印方向から見て、図１１に示すように、センサー基板１０の機能面１５ａ上に形成されたアライメントマーク１６が遮光基板４０の機能面４５ａ上に形成されたアライメントマーク４６の中央部に配置されるように、位置調整する。その後、遮光基板４０側から加圧し、加熱処理することにより、シール材２０上に設けられている接着剤（図示せず）が固まり、センサー基板１０と遮光基板４０とが接合される。なお、センサー基板１０のアライメントマーク１６と遮光基板４０のアライメントマーク４６との間隔は、シール材２０が介在するためカメラの焦点距離が多少ずれるがセンサー基板１０と遮光基板４０とを精度良く位置合わせし接合することができる。
【００４８】
最後に、集光基板６０が接合された照明基板５０と、センサー基板１０が接合された遮光基板４０と、を接合する第１基板・第２基板接合工程（Ｓｔｅｐ９）について、図１２〜図１４を参照して説明する。
図１２は、第３基板が接合された第１基板と第４基板が接合された第２基板とのアライメントを説明する概略断面図である。図１３は、第１基板の第１アライメントマークと第２基板の第２アライメントマークとをアライメントした状態を示す概略平面図である。図１４は、組立を完了した撮像装置を示す概略断面図である。
【００４９】
＜第１基板・第２基板接合工程（Ｓｔｅｐ９）＞
第１基板・第２基板接合工程（Ｓｔｅｐ９）では、図１２に示すように、センサー基板１０が接合された遮光基板４０のアライメントマーク面４５ｂ上に、集光基板６０が接合された照明基板５０のアライメントマーク面５５ｂを対向させて近接するように配置し、矢印方向から見て、図１３に示すように、遮光基板４０のアライメントマーク面４５ｂ上に形成された第２アライメントマーク４７に、照明基板５０のアライメントマーク面５５ｂ上に形成された第１アライメントマーク５７の中央部が配置されるように、位置調整する。その後、遮光基板４０と照明基板５０との間隔を広げ、遮光基板４０上に透明な接着剤６３（図１４参照）を略均一の厚みに塗布し、再度、遮光基板４０と照明基板５０との間隔を狭めて、第２アライメントマーク４７と第１アライメントマーク５７との位置調整を行い、集光基板６０側から加圧する。その後、加熱処理することにより、接着剤６３が固まり、センサー基板１０が接合された遮光基板４０と、集光基板６０が接合された照明基板５０と、が接合される。
【００５０】
なお、遮光基板４０の第２アライメントマーク４７と照明基板５０の第１アライメントマーク５７との間隔は、接着剤６３の介在する厚みのため非常に小さく、カメラの焦点距離がずれ難いのでセンサー基板１０が接合された遮光基板４０と、集光基板６０が接合された照明基板５０と、を精度良く位置合わせし接合することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１…撮像装置、５…センシング領域、６…光軸、７…検査光、８…不要な光、１０…第４基板としてのセンサー基板、１１…センサー基板本体、１２…回路部、１３…フォトダイオード、１４…端子、１５ａ…機能面、１６…アライメントマーク、２０…シール材、３０…透光性部材、３１…台座、３５…透光性の樹脂、３９…空隙、４０…第２基板としての遮光基板、４１…遮光基板本体、４２…遮光膜、４３…開口部、４５ａ…機能面、４５ｂ…アライメントマーク面、４６…アライメントマーク、４７…第２アライメントマーク、５０…第１基板としての照明基板、５１…照明基板本体、５２…発光素子、５５ａ…機能面、５５ｂ…アライメントマーク面、５６…アライメントマーク、５７…第１アライメントマーク、６０…第３基板としての集光基板、６１…集光基板本体、６２…マイクロレンズ、６３…接着剤、６５ａ…機能面、６６…アライメントマーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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