(57)【要約】【課題】表示面に対して斜め方向から黒点化された部分を見た場合であっても、黒点化された部分を目立ちにくくする。【解決手段】表示装置は、アクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板と対向する対向基板とを備える。アクティブマトリクス基板及び対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられている。アクティブマトリクス基板及び対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の光透過領域ＴＡには、光を遮光する黒点化部８００が設けられている。黒点化部８００は、アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に遮光性物質８１１が充填され、遮光性物質８１１の上面は、穴の上端より底部の側にある。【選択図】図１１
2017026747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、
前記黒点化部は、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある、表示装置。
【請求項２】
前記黒点化部は、さらに、前記穴において、当該穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの部分の直径が大きい、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記穴において、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの表面は、エッチング加工されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板と、さらに、反射板を有し、前記光を照射する照射部とを備え、
前記アクティブマトリクス基板は、前記アクティブマトリクス基板の透過領域の光の透過を制御するシャッター機構をさらに備え、
前記対向基板は、前記照射部と前記アクティブマトリクス基板との間に配置され、さらに、前記対向基板の透過領域以外の領域に、金属材料で構成された前記光を遮光する遮光領域をさらに有し、
前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板に設けられている、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）表示装置。
【請求項６】
前記穴における前記遮光性物質の底面の位置は、前記アクティブマトリクス基板において前記穴が形成された面より前記対向基板側の面に近い位置にある、請求項５に記載のＭＥＭＳ表示装置。
【請求項７】
透光性を有する透光性基板と、当該透光性基板上に形成された複数の透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板と対向基板とを備える表示装置において、黒色を表示した際に輝点となっている輝点領域を黒点化する輝点修正方法であって、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の透光性基板において、前記輝点領域に第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に遮光性物質を充填するステップと、
前記第１の穴部に重ねて第２の穴部を形成するステップと、を備え、
前記遮光性物質の上面は、前記透光性基板における前記第１の穴部及び前記第２の穴部が形成された面よりも前記透光性基板の内部側に位置する、輝点修正方法。
【請求項８】
前記第２の穴部を形成するステップの後、さらに、前記第２の穴部の内側にエッチング加工を行うステップを備える、請求項７に記載の輝点修正方法。
【請求項９】
さらに、前記第２の穴部に、透過性物質を充填するステップを備える、請求項７又は８に記載の輝点修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び輝点修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶パネルなどの表示パネルにおける輝点欠陥を黒点化するための様々な輝点修正技術が提案されている。例えば、下記特許文献１には、液晶パネルの表示領域における画素周辺部に黒点化に必要な黒色粉末を封入しておき、輝点欠陥が存在する画素周辺における黒色粉末が封入された領域をレーザで照射することにより、黒色粉末を拡散させ、輝点欠陥画素を黒点化する技術が開示されている。また、下記特許文献２には、輝点画素を不透明材料で覆うことにより黒点化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９９４４号公報
【特許文献２】特開２００３−２２８０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
黒点化された修正箇所は、表示面に対して垂直な方向から見た場合に目立たないだけでなく、表示面に対して斜め方向から見ても目立たない方が望ましい。
【０００５】
本発明は、表示面に対して斜め方向から黒点化された部分を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくい表示装置及び輝点修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の構成によれば、表示面に対して斜め方向から黒点化された部分を見た場合であっても、黒点化された部分を目立ちにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施の形態における表示装置の構成例を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示す表示装置の一部の領域における等価回路図である。
【図３】図３は、図１に示す表示装置の概略断面図である。
【図４】図４は、１つの画素におけるシャッター機構の構成例を示す模式図である。
【図５】図５は、シャッター機構の平面図である。
【図６】図６は、図５のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図７】図７は、シャッター機構の平面図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。
【図９】図９は、アクティブマトリクス基板の断面図である。
【図１０】図１０は、アクティブマトリクス基板における輝点画素に形成された黒点化部の平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＩ−Ｉ線における概略断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、アクティブマトリクス基板に第１の穴部が形成された状態を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ａに示す第１の穴部に遮光性物質が充填された状態を示す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ｂに示すアクティブマトリクス基板に第２の穴部が形成された状態を示す図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ｃに示す第２の穴部に透過性物質が充填された状態を示す図である。
【図１３】図１３は、変形例１における黒点化部を説明する断面図である。
【図１４】図１４は、変形例４における黒点化部を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の光透過領域に黒点化部を備える。黒点化部は、アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有する。遮光性物質の上面は、穴の上端より底部側にある。つまり、黒点化部において、遮光性物質の上面から穴の上端までは遮光性物質が充填されておらず、光が透過する。そのため、穴全体に遮光性物質が充填されている場合と比べ、遮光性物質が充填された部分の長さが短くなる。その結果、斜め方向から表示面を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくくなる。
【００１１】
第１の構成において、前記黒点化部は、さらに、前記穴において、当該穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有することとしてもよい（第２の構成）。
【００１２】
第２の構成によれば、透光性物質によって遮光性物質を保護することができる。
【００１３】
第１又は第２の構成において、前記穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの部分の直径が大きいこととしてもよい（第３の構成）。
【００１４】
第３の構成によれば、遮光性物質の上面から穴の上端までの間に遮光性物質が付着せず、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。
【００１５】
第２又は第３の構成において、前記穴において、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの表面は、エッチング加工されていることとしてもよい（第４の構成）。
【００１６】
第４の構成によれば、遮光性物質が充填されていない部分の光の屈折率が略均一化されるため、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。
【００１７】
本発明の一実施形態におけるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）表示装置は、第１から第４のいずれかの構成における前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板と、さらに、反射板を有し、前記光を照射する照射部とを備え、前記アクティブマトリクス基板は、前記アクティブマトリクス基板の透過領域の光の透過を制御するシャッター機構をさらに備え、前記対向基板は、前記照射部と前記アクティブマトリクス基板との間に配置され、さらに、前記対向基板の透過領域以外の領域に、金属材料で構成された前記光を遮光する遮光領域をさらに有し、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板に設けられている（第５の構成）。
【００１８】
第５の構成によれば、黒点化部が対向基板に設けられる場合と比べ、反射板と対向基板における遮光領域との間の光の反射の影響を受けにくく、斜め方向から表示面を見た場合に遮光性物質を目立ちにくくすることができる。
【００１９】
第５の構成において、前記穴における前記遮光性物質の底面の位置は、前記アクティブマトリクス基板において前記穴が形成された面より前記対向基板側の面に近い位置にあることとしてもよい（第６の構成）。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る輝点修正方法は、透光性を有する透光性基板と、当該透光性基板上に形成された複数の透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板と対向基板とを備える表示装置において、黒色を表示した際に輝点となっている輝点領域を黒点化する輝点修正方法であって、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の透光性基板において、前記輝点領域に第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に遮光性物質を充填するステップと、前記第１の穴部に重ねて第２の穴部を形成するステップと、を備え、前記遮光性物質の上面は、前記透光性基板における前記第１の穴部及び前記第２の穴部が形成された面よりも前記透光性基板の内部側に位置する（第７の構成）。
【００２１】
第７の構成によれば、遮光性物質が充填された第１の穴部に重ねて第２の穴部が形成されることにより、第１の穴部と第２の穴部が連結される。そして、第２の穴部の形成によって、第１の穴部の一部に遮光性物質が残る。そのため、１つの穴の全体に遮光性物質を充填して輝点領域を黒点化する場合と比べ、遮光性物質が充填された部分の長さが短くなる。その結果、斜め方向から表示面を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくくなる。
【００２２】
第７の構成において、前記第２の穴部を形成するステップの後、さらに、前記第２の穴部の内側にエッチング加工を行うステップを備えることとしてもよい（第８の構成）。
【００２３】
第８の構成によれば、第２の穴部の内側の面の光の屈折率が略均一化されるため、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。
【００２４】
第７又は第８の構成において、さらに、前記第２の穴部に、透過性物質を充填するステップを備えることとしてもよい（第９の構成）。
【００２５】
第９の構成によれば、透過性物質により遮光性物質を保護することができる。
【００２６】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００２７】
以下では、本発明による表示装置を透過型のＭＥＭＳディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用した実施形態について説明する。
【００２８】
図１は、一実施形態における表示装置１０の構成例を示す斜視図である。図２は、表示装置１０の一部の領域における等価回路図である。
【００２９】
表示装置１０は、アクティブマトリクス基板１１、対向基板２１及び照射部３１が順に積層された構成を有する。
【００３０】
アクティブマトリクス基板１１には、画像を表示するための複数の画素Ｐが配置される表示領域１３が設けられている。表示領域１３には、後述するように、光を透過する光透過領域と、光を遮光する遮光領域とが存在する。また、アクティブマトリクス基板１１には、各画素Ｐの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２及びゲートドライバ１４が設けられている。
【００３１】
図２に示すように、アクティブマトリクス基板１１には、複数のデータ線１５及び複数のゲート線１６が設けられている。データ線１５は、第１の方向に延伸しており、第１の方向と直交する第２の方向に所定の間隔で複数設けられている。ゲート線１６は、第２の方向に延伸しており、第１の方向に所定の間隔で複数設けられている。
【００３２】
画素Ｐは、データ線１５とゲート線１６とによって区切られた領域に形成されている。各画素Ｐには、シャッター機構Ｓが設けられている。なお、シャッター機構Ｓの詳細な説明は後述するものとする。
【００３３】
各データ線１５はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１６はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１６に、ゲート線１６を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１６を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１６の走査に同期して、各データ線１５にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１６に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。
【００３４】
図３は、１つの画素Ｐにおけるアクティブマトリクス基板１１、対向基板２１、及び照射部３１の概略断面図である。なお、便宜上、図３において、アクティブマトリクス基板１１におけるシャッター機構Ｓの図示を省略しているが、アクティブマトリクス基板１１の対向基板２１側の面にはシャッター機構Ｓが配置されている。
【００３５】
図３に示すように、アクティブマトリクス基板１１における１つの画素Ｐは、照射部３１からの光を遮光する遮光膜２０１が形成され、遮光膜２０１と遮光膜２０１の間に、光を透過する２つの光透過領域ＴＡが形成されている。
【００３６】
対向基板２１は、例えば、ガラスなどの透光性基板２１０と遮光膜２１１とを備える。遮光膜２１１は、透光性基板２１０のアクティブマトリクス基板１１側の面に所定の間隔で設けられている。これにより、対向基板２１において、照射部３１からの光を透過させる光透過領域ＴＢと、光を遮光する遮光領域とが形成される。光透過領域ＴＢは、アクティブマトリクス基板１１の光透過領域ＴＡに対向する位置に形成される。また、遮光膜２１１の材料としては、例えば、チタン、クロム等の金属膜が用いられる。
【００３７】
照射部３１は、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）の各色の光源を有するバックライト３１１と、バックライト３１１から照射された各色の光を対向基板２１の方向へ反射させる反射板３１２とを有する。照射部３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させ、画素Ｐにバックライト光を照射する。光源は、例えば冷陰極管（ＣＣＦＬ）、ＬＥＤ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等である。
【００３８】
照射部３１から照射されたバックライト光は、後述するシャッター機構Ｓの制御に応じて、対向基板２１における光透過領域ＴＢとアクティブマトリクス基板１１における光透過領域ＴＡを透過したり、シャッター機構Ｓによって遮光されたりする。以下、シャッター機構Ｓについて具体的に説明する。
【００３９】
（シャッター機構Ｓ）
図４は、１つの画素Ｐにおけるシャッター機構Ｓの詳細な構成例を示す斜視図である。シャッター機構Ｓは、シャッター体３と、第１電極部４ａと、第２電極部４ｂとを備える。
【００４０】
シャッター体３は、板状の形状を有する。なお、図４では、図示の便宜上、シャッター体３は平面形状を有するように示しているが、実際には、後述する図６や図８の断面図に示すように、シャッター体３の長手方向（Ｙ軸方向）に折り目を有した形状を有する。シャッター体３の長手方向に垂直な方向、すなわち短手方向（Ｘ軸方向）がシャッター体３の駆動方向（移動方向）である。
【００４１】
シャッター体３は、長手方向（Ｙ軸方向）を長辺とする矩形形状の開口３ａを有する。
【００４２】
また、シャッター体３には、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２の一端が接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２の他端は、アクティブマトリクス基板１１に固定された支持部である第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は、弾性変形可能である。
【００４３】
第１シャッタービーム５１は、駆動方向におけるシャッター体３の一方の端部に接続され、第２シャッタービーム５２は、駆動方向におけるシャッター体３の他方の端部に接続されている。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されているシャッター体３の端部と反対側の端部に接続されている。この例では、シャッター体３の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２はそれぞれ、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。
【００４４】
このように、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は、アクティブマトリクス基板１１に対して固定された第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２と、シャッター体３とを接続する。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は可撓性を有するので、シャッター体３は、アクティブマトリクス基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体３は、第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２と、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２とを介して、アクティブマトリクス基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。
【００４５】
第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、シャッター体３の駆動方向における両側に隣接して設けられている。第１駆動ビーム６１はシャッター体３の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２はシャッター体３の駆動方向における他方の端部に対向して設けられている。すなわち、第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、シャッター体３に接続された第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２に対向する位置に配置されている。
【００４６】
第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２の端部は、アクティブマトリクス基板１１に固定された第１駆動ビームアンカー７１、及び第２駆動ビームアンカー７２にそれぞれ接続されている。第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、第１駆動ビームアンカー７１、及び第２駆動ビームアンカー７２を介して、アクティブマトリクス基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されているが、１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。
【００４７】
第１駆動ビーム６１及び第１駆動ビームアンカー７１により、第１電極部４ａが構成されている。また、第２駆動ビーム６２及び第２駆動ビームアンカー７２により、第２電極部４ｂが構成されている。第１電極部４ａ及び第２電極部４ｂには、後述するように、所定の電圧が与えられる。
【００４８】
アクティブマトリクス基板１１は、光を透過する光透過領域ＴＡを有する。図４に示す例では、アクティブマトリクス基板１１には、１つの画素につき２つの光透過領域ＴＡが設けられている。光透過領域ＴＡは、シャッター体３の開口３ａに対応した矩形形状を有する。２つの光透過領域ＴＡは、シャッター体３の短手方向（Ｘ軸方向）に並ぶように配置されている。シャッター体３と第１電極部４ａの間、及びシャッター体３と第２電極部４ｂの間に電気的な力が働いていない場合、シャッター体３の開口３ａは、光透過領域ＴＡと部分的に重なっている。
【００４９】
本実施形態において、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、第１電極部４ａと第２電極部４ｂに、一定時間ごとに極性の異なる電位を供給している。また、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、シャッター体３に対して、正の極性または負の極性の固定電位を供給する。
【００５０】
シャッター体３にＨ（Ｈｉｇｈ）レベルの電位が供給されている場合を例に説明すると、第１電極部４ａの駆動ビーム６１の電位がＨレベル、第２電極部４ｂの駆動ビーム６２の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルのとき、静電気力によって、シャッター体３は、Ｌレベルの第２電極部４ｂ側に移動する。ここで、図５は、この状態のシャッター機構Ｓの平面図であり、図６は、図５のＶ−Ｖ線における概略断面図である。図５及び図６に示すように、シャッター体３の開口３ａがアクティブマトリクス基板１１の２つの光透過領域ＴＡのうちの１つと重なり、照射部３１（図３参照）からの光がアクティブマトリクス基板１１を透過する（開状態）。
【００５１】
一方、第１電極部４ａの電位がＬレベル且つ第２電極部４ｂの電位がＨレベルのときには、シャッター体３は、第１電極部４ａ側に移動する。図７は、この状態のシャッター機構Ｓの平面図であり、図８は、図７のＶＩＩ−ＶＩＩ線における概略断面図である。図７及び図８に示すように、シャッター体３の開口３ａ以外の部分が、光透過領域ＴＡと重なる。この場合、照射部３１（図３参照）からの光がアクティブマトリクス基板１１を透過しない（閉状態）。
【００５２】
従って、本実施形態のシャッター機構Ｓでは、シャッター体３、第１電極部４ａ、及び第２電極部４ｂの電位を制御することにより、シャッター体３を移動させ、アクティブマトリクス基板１１の光透過領域ＴＡの開状態と閉状態との切り替えを行うことができる。なお、シャッター体３にＬレベルの電位が供給されている場合には、シャッター体３は上記とは逆の動作をする。
【００５３】
次に、アクティブマトリクス基板１１の詳細な構成について説明する。図９は、アクティブマトリクス基板１１の断面図である。図９に示すように、アクティブマトリクス基板１１は、絶縁基板である透光性基板（例えば、ガラス基板）１００上に、遮光部２００、ＴＦＴ３００、及びシャッター機構Ｓが形成された構成を有する。ＴＦＴ３００及びシャッター機構Ｓは、透光性基板１００上にマトリクス状に配置されている。なお、図９では１つのＴＦＴを示しているが、実際には、単一の画素Ｐに複数のＴＦＴを含んでいる。遮光部２００は、遮光膜２０１及び透明絶縁膜２０２を含む。
【００５４】
ＴＦＴ３００は、ゲート電極３０１、酸化物半導体膜３０２、エッチストッパ層３０３，ソース電極３０４、及びドレイン電極３０５を含む。
【００５５】
遮光膜２０１は、透光性基板１００上に設けられている。遮光膜２０１は、表示領域１３（図１参照）のうち、光透過領域ＴＡ以外を覆うように形成されている。これにより、視認側から表示装置１０に進入した外光が遮光膜２０１よりも対向基板２１側に入っていくのを抑制することができる。
【００５６】
遮光膜２０１は、光を反射しにくい材料で形成されている。これにより、視認側から表示装置１０に進入した外光が、遮光膜２０１で反射されて視認側に出射するのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、高抵抗の材料で形成されている。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間に大きな寄生容量が形成されるのを抑制することができる。また、遮光膜２０１はＴＦＴ製造プロセスよりも前に形成されるので、遮光膜２０１の材料としては、後工程でのＴＦＴ製造プロセス処理においてＴＦＴ特性への影響がなく、かつＴＦＴ製造プロセス処理に耐えうる材料を選択する必要がある。このような条件を満足する遮光膜２０１の材料としては、例えば、カーボン粒子（カーボンブラック）を含有することによって暗色に着色された高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜等が挙げられる。
【００５７】
光透過膜２０４は、遮光膜２０１が形成されていない領域、すなわち、アクティブマトリクス基板の水平方向から見て、遮光膜２０１の間にのみ設けられている。光透過膜２０４は、例えば、塗布型の材料で形成されている。なお、塗布型の材料とは、塗布により成膜可能な材料を意味する。具体的には、光透過膜２０４は、例えば、透明の高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ膜で形成されている。本実施形態では、遮光膜２０１と、光透過膜２０４の母材は同一である。
【００５８】
遮光膜２０１の上面には、透明絶縁膜２０２が設けられている。透明絶縁膜２０２が設けられていることにより、遮光膜２０１中のカーボン粒子（カーボンブラック）等の暗色材料が高温アニールにより酸化されて、遮光膜２０１が透明化するのを防ぐことができる。
【００５９】
ゲート電極３０１は、第１導電膜Ｍ１で形成されている。第１導電膜Ｍ１は、ＴＦＴ３００のゲート電極３０１の他、配線１１１等も構成している。配線１１１は、例えばゲート線である。また、ソース電極３０４とドレイン電極３０５とは、第２導電膜Ｍ２で形成されている。第２導電膜Ｍ２は、ＴＦＴ３００のソース電極３０４とドレイン電極３０５の他、配線１１２等も構成している。
【００６０】
酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよい。本実施形態では、酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。このような酸化物半導体膜３０２は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む酸化物半導体膜から形成され得る。なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む活性層を有するチャネルエッチ型のＴＦＴを、「ＣＥ−ＩｎＧａＺｎＯ−ＴＦＴ」と呼ぶことがある。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体が好ましい。
【００６１】
ゲート電極３０１は、ゲート絶縁膜１０１で覆われている。ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、パッシベーション膜１０２で覆われている。パッシベーション膜１０２は、さらに、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４で覆われている。ＴＦＴ３００は、酸化物半導体を含み、従来公知の構成を有する。
【００６２】
パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４には、ドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３が形成されている。パッシベーション膜１０４の上には、配線１１３が形成されている。配線１１３の一部１１３ａは、コンタクトホールＣＨ３の表面を覆って設けられ、ドレイン電極３０５と電気的に接続されている。配線１１３は、第３導電膜Ｍ３で形成されている。配線１１３は、シャッター機構Ｓの第１電極部４ａ、第２電極部４ｂ、シャッター体３等に接続されている。なお、配線１１３の一部１１３ａは、パッシベーション膜１０４の表面に設けられた透明導電膜１１４と電気的に接続されていてもよい。配線１１３は、パッシベーション膜１０５で覆われている。
【００６３】
パッシベーション膜１０５の上には、シャッター機構Ｓが設けられている。シャッター機構Ｓの構成は上述の通りである。なお、シャッター体３は、透光性基板１００側のシャッター本体３ｂと金属膜３ｃとが積層された構成を有する。
【００６４】
本実施形態では、例えば、シャッター機構Ｓの動作不良などによって輝点欠陥が存在している画素を黒点化する修正を行う。具体的には、表示装置１０の製造時において、表示領域に黒色を表示させて輝点欠陥が存在している画素（以下、輝点画素）を検出する。そして、その輝点画素における光透過領域ＴＡを黒点化する黒点化部を形成する。以下、黒点化部の詳細について説明する。
【００６５】
図１０は、図９に示すアクティブマトリクス基板１１を視認側（Ｚ軸負方向）から見た模式図であって、輝点画素の光透過領域ＴＡに形成された黒点化部を示す模式図である。図１０において円形枠８００で示す部分が黒点化部である。また、図１１は、図１０に示すアクティブマトリクス基板１１のＩ−Ｉ断面を示す概略断面図である。
【００６６】
図１０に示すように、黒点化部８００は、視認側（Ｚ軸負方向）から見て、輝点画素における光透過領域ＴＡを覆う略円形の形状を有する。また、図１１に示すように、黒点化部８００は、透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面からＺ軸正方向に向かって形成された深さｄを有する穴に設けられた遮光部８１０と透過部８２０とを備える。具体的には、透過部８２０は、透光性基板１００の穴の上端側（Ｚ軸負方向側）、すなわち、透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面に接して設けられている。遮光部８１０は、透光性基板１００の穴の底部側（Ｚ軸正方向側）、すなわち、透過部８２０が設けられる穴の位置より透光性基板１００の内部側に設けられている。
【００６７】
遮光部８１０は、光を遮光する遮光性物質８１１が充填され、透過部８２０は、光を透過する透過性物質８２１が充填されている。つまり、遮光部８１０は、透光性基板１００の穴に充填された遮光性物質８１１の上面が、穴の上端よりも底部側に位置するように、透光性基板１００の内部に設けられている。遮光性物質８１１には、例えば、黒色を有する漆系の合成樹脂等、遮光性を有する材料が用いられる。また、透過性物質８２１には、例えば、透明樹脂等、透光性を有する材料が用いられる。なお、透光性物質は、透光性基板１００と同様の光の屈折率を有する材料が用いられることが望ましい。
【００６８】
また、図１１において、黒点化部８００の全体の深さｄは約０．４０ｍｍであり、遮光部８１０の深さｄ１は約０．１５ｍｍ、透過部８２０の深さｄ２は約０．２５ｍｍである。この例における、透光性基板１００の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は約０．５ｍｍであり、遮光部８１０のＺ軸正方向側の端部から透光性基板１００のＺ軸正方向側の面までの長さは約０．１ｍｍである。
【００６９】
黒点化部８００は、図１０に示すように、光透過領域ＴＡの長手方向の長さＬよりも大きい直径を有する。本実施形態では、黒点化部８００は、例えば、光透過領域ＴＡの長さＬに対し、１．３倍以上、１．４倍以下の直径を有する。具体的には、この例において、光透過領域ＴＡの長さＬは、例えば約１００μｍ、遮光部８１０の直径Ｌ１は、例えば、約０．１７５ｍｍ以上、０．１８０ｍｍ以下であり、透過部８２０の直径Ｌ２は、例えば、約０．２０ｍｍである。つまり、透過部８２０における穴の直径は、遮光部８１０における穴の直径Ｌ１より大きい。なお、上記の各寸法は、表示装置１０の画素数やサイズ等によって異なり、上記寸法に限定されない。
【００７０】
次に、輝点画素を黒点化する輝点修正方法、すなわち、黒点化部８００の形成方法について説明する。
【００７１】
（工程Ａ）
まず、例えば、直径０．１７５ｍｍを有するドリルを用い、輝点画素における光透過領域ＴＡを覆うように、透光性基板１００の視認側の面から深さが約０．４ｍｍの穴（以下、第１の穴部）を形成する。これにより、図１２Ａに示すように、アクティブマトリクス基板１１の透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面に、直径Ｌ１＝約０．１７５ｍｍ、深さｄ＝約０．４ｍｍの第１の穴部８１０Ｒが形成される。
【００７２】
（工程Ｂ）
次に、図１２Ａにおける第１の穴部８１０Ｒに、遮光性物質８１１を充填する。これにより、図１２Ｂに示すように、第１の穴部８１０Ｒの全体に遮光性物質８１１が充填される。
【００７３】
（工程Ｃ）
続いて、例えば、直径０．２０ｍｍを有するドリルを用い、透光性基板１００のＺ軸負方向側の面から深さが約０．２５ｍｍの穴（以下、第２の穴部）を、第１の穴部８１０Ｒに重ねて形成する。これにより、図１２Ｃに示すように、遮光性物質８１１が充填された第１の穴部８１０Ｒは、第１の穴部８１０Ｒの底部側から深さｄ１（＝約０．１５ｍｍ）を残して除去され、遮光部８１０が形成される。そして、直径Ｌ２（＝約０．２０ｍｍ）、深さｄ２（＝約０．２５ｍｍ）の第２の穴部８２０Ｒが形成され、第１の穴部８１０Ｒと連結される。
【００７４】
このように、透光性基板１００の断面において、第１の穴部８１０Ｒにおける遮光性物質８１１の底面が、透光性基板１００の第１の穴部８１０Ｒが形成された面よりも対向基板２０側の面に近い位置になるように遮光部８１０は形成される。
【００７５】
（工程Ｄ）
次に、第２の穴部８２０Ｒの内部に、例えば、フッ酸を含むエッチング液を塗布し、エッチング液を乾燥させる。これにより、第２の穴部８２０Ｒの内側の面における光の屈折率が略均一となる。なお、エッチング液は、遮光性物質８１１の表面にも塗布されるため、遮光性物質８１１がエッチングされない材料が用いられる。
【００７６】
（工程Ｅ）
次に、エッチング加工された第２の穴部８２０Ｒに、透過性物質を充填する。これにより、図１２Ｄに示すように、遮光性物質８１１に接触するように第２の穴部８２０Ｒに透過性物質８２１が充填されて透過部８２０が形成され、黒点化部８００が形成される。
【００７７】
このように、上述した第１の実施の形態では、輝点欠陥が生じている画素において、アクティブマトリクス基板１１の視認側の面に形成された穴の底部に遮光性物質８１１が充填された遮光部８１０と、遮光部８１０から穴の上端まで透光性物質８２１が充填された透過部８２０とによって黒点化部８００が形成される。そのため、穴全体に遮光性物質８１１が充填される場合と比べ、遮光部８１０の長さが短くなり、表示面を斜め方向から見た場合でも、黒点化された部分が目立ちにくい。
【００７８】
また、透過部８２０を形成する際、遮光部８１０を形成するための第１の穴部８１０Ｒよりも直径が大きい第２の穴部８２０Ｒを形成するため、第２の穴部８２０Ｒの内面に遮光性物質８１１が残らない。そのため、透過部８２０の内面に遮光性物質８１１が付着することなく、遮光性物質８１１を所定の長さに保つことができ、遮光部８１０を目立ちにくくすることができる。また、透過部８２０には、透過性物質８２１が充填されているため、透過性物質８２１が充填されていない場合と比べ、透過部８２０から埃等の異物が混入することを防止し、遮光性物質８１１を保護することができる。
【００７９】
以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【００８０】
（１）上述した実施形態では、では、アクティブマトリクス基板１１に黒点化部８００を形成する例を説明したが、対向基板２１に黒点化部８００を形成してもよい。図１３は、対向基板２１に黒点化部８００を設けた場合の断面図である。この場合も、輝点画素における対向基板２１の光透過領域ＴＢを覆うように、上述した実施形態の工程Ａ〜Ｅを行い、黒点化部８００を形成すればよい。つまり、上記実施形態の工程Ａにおいて、対向基板２１における透光性基板２１０の、バックライト３１１（図３参照）側（Ｚ軸正方向側）の面からＺ軸負方向側に向かって第１の穴部を形成し、工程Ｂにおいて、第１の穴部に遮光性物質を充填する。そして、上記実施形態の工程Ｃ、Ｄを行い、第１の穴部に重ねて、第１の穴部よりも直径が大きい第２の穴部を形成し、第２の穴部にエッチング液を塗布し、エッチング液を乾燥させる。そして、上記実施形態の工程Ｅを行い、第２の穴部に透過性物質を充填する。
【００８１】
このように、対向基板２１に黒点化部８００を設けた場合であっても、黒点化部８００における遮光性物質は、黒点化部８００の穴の一部に設けられ、穴全体に設けられていないため、表示面を斜め方向から見たときに黒点化された部分が目立ちにくい。
【００８２】
なお、図３に示すように、対向基板２１の背面に設けられたバックライト３１１のバックライト光は、反射板３１２と、対向基板２１の遮光膜２１１との間で反射し合う。そのため、本変形例のように、黒点化部８００を対向基板２１に設けた場合、表示面から黒点化部８００を見たときに、黒点化部８００における遮光部８１０の像がＺ軸正方向に重なり合い、実際の遮光部８１０の長さよりも長く見える。そのため、本変形例では、黒点化部８００がアクティブマトリクス基板１１に設けられる場合と比べ、表示面を斜め方向から見たときに、黒点化部８００における遮光部８１０が目立ちやすくなる。従って、視認性をより向上させるためには、黒点化部８００はアクティブマトリクス基板１１に形成する方が望ましい。
【００８３】
（２）上述した実施形態では、黒点化部８００の透過部８２０に透過性物質８２１が充填されている例を説明したが、透過性物質が充填されていなくてもよい。透過性物質が充填されていない場合、透過部８２０は空洞になるため、埃等の異物が混入しやすくなるが、視認性の観点から、黒点化部は、少なくとも、穴の底部側に遮光性物質が充填され、遮光性物質と穴の上端との間に光を透過させる領域が形成されていればよい。
【００８４】
（３）上述した実施形態では、黒点化部８００を形成する際、第２の穴部８２０Ｒにエッチング加工を行う例を説明したが、第２の穴部８２０Ｒにエッチング加工を行わなくてもよい。但し、エッチング加工を行わない場合、第２の穴部８２０Ｒの内面の光の屈折率はばらつく。そのため、視認性をより向上させるためには、第２の穴部８２０Ｒの内面をエッチング加工することが望ましい。
【００８５】
（４）上述した実施形態では、透過部８２０の内面に遮光性物質８１１が付着することを防止するために、第１の穴部８１０Ｒより大きい直径を有する第２の穴部８２０Ｒを形成した。しかしながら、第１の穴部８１０Ｒの底部から深さｄ１までの領域のみに遮光性物質８１１を充填し、それ以外の領域に遮光性物質８１１が付着しないように遮光性物質８１１を充填する方法を採用することもできる。この場合には、図１４に示すように、遮光部８１０と透過部８２０の直径を同じにすることができる。つまり、第１の穴部８１０Ｒを形成した後、第１の穴部８１０Ｒの底部から深さｄ１まで遮光性物質８１１を充填し、その後、遮光性物質８１１の表面から第１の穴部８１０Ｒの上端まで透光性物質８２１を充填してもよいし、透光性物質８２１を充填しなくてもよい。このように構成することで、表示面を斜め方向から見た場合に、黒点化された部分を目立ちにくくすることができるとともに、黒点化部を形成するための工程数を削減することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１０…表示装置、１１…アクティブマトリクス基板、１３…表示領域、２１…対向基板、３１・・・照射部、１００，２１０…透光性基板、２０１，２１１…遮光膜、３１１・・・バックライト、３１２・・・反射板、８００・・・黒点化部、８１０・・・遮光部、８２０・・・透過部、８１０Ｒ・・・第１の穴部、８２０Ｒ・・・第２の穴部、８１１・・・遮光性物質、８２１・・・透過性物質
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３】
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【図１４】
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