(57)【要約】【課題】従来と同等以上の性能を有しながら銅材の使用量を減らしたマグネトロンを実現する。【解決手段】アノードシリンダ１２を、内周部１２Ａと外周部１２Ｂからなる二重構造とし、内側の内周部１２Ａに、非磁性の無酸素銅ではなく、非磁性の無酸素銅と比べて、強度、導電率、融点、熱電動率が総じて高く、高温化でのガス放出も極めて少ないグラフェンを用いるようにした。これにより、従来のマグネトロンと同等以上の性能を有しながら、銅材の使用量を減らしたマグネトロン１を実現できる。【選択図】図２
2017111955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管軸に沿って円筒状に延びるアノードシリンダと、前記アノードシリンダの内面から、前記管軸に向かって延び、遊端がベイン内接円を形成する複数のベインと、前記複数のベインを交互に短絡する径の異なる大小２つのストラップリングとを有するアノード部と、
前記複数のベインの遊端によって形成される空間内に前記管軸に沿って配置されたカソードを有するカソード部と
を具備するマグネトロンにおいて、
前記アノード部の一部又は全部がグラフェンを構成要素とする炭素材により形成されている
ことを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
前記アノード部のアノードシリンダの一部又は全部が前記グラフェンを構成要素とする炭素材により形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【請求項３】
前記アノードシリンダは、
円筒状の内周部と、当該内周部より大径の円筒状でなる外周部とで構成された二重構造でなり、
前記内周部と前記外周部の少なくとも一方がグラフェンを構成要素とする炭素材により形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載のマグネトロン。
【請求項４】
前記アノードシリンダの内周部は、前記外周部よりも管軸方向の長さが短く、
前記アノードシリンダは、
管軸方向の両端部の内側に、前記内周部と前記外周部の管軸方向の長さの違いによる段差が形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載のマグネトロン。
【請求項５】
グラフェンを構成要素とする炭素材で形成されている、前記アノード部の一部又は全部を、所定の金属でメッキする
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマグネトロン。
【請求項６】
前記アノードシリンダの管軸方向の両端側にそれぞれ配置され、前記複数のベインの遊端と前記カソード間の空間へ磁束を導くポールピースと、
少なくとも１つの前記ベインから引き出されたアンテナと
をさらに具備し、
前記ポールピースと前記アンテナの少なくとも一方がグラフェンを構成要素とする炭素材により形成されている
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンに関するものであり、電子レンジ等のマイクロ波加熱機器に用いられる連続波マグネトロンに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
２４５０ＭＨｚ帯の電波を発振する一般的な電子レンジ用マグネトロンは、発振部と入力部と出力部とを有している。発振部は、筒状の陽極円筒（アノードシリンダ）と、このアノードシリンダの内周面から中心の管軸に向かって突出する複数のベインと、複数のベインを交互に短絡する径の異なる大小２つのストラップリングとを有するアノード部と、アノードシリンダの中心軸（すなわち管軸）上に配置された螺旋状陰極（カソード）を有するカソード部と、アノードシリンダの中心軸方向の両端に配置された一対のポールピースなどで構成されている。
【０００３】
このような構成でなるマグネトロンは、入力部からカソードに電流を供給することでアノード部とカソード部との間に電圧を印加すると、発振部がマイクロ波発振して、出力部からマイクロ波を出力するようになっている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０４６３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、マグネトロンが所望の性能を有するには、アノード部の素材として、アノード部に要求される電気伝導性、熱電動性、ガスバリア性、機械的強度などの物性に優れた素材を用いる必要があり、従来、このような条件に適合する素材として非磁性の無酸素銅が用いられている。
【０００６】
このような非磁性の無酸素銅などの銅材は、価格が上昇しつつあり、マグネトロンのコストを下げる為には、銅材の使用量を減らすことが望ましい。しかしながら、単純に銅材を他の素材に変えると、その素材の物性によっては、マグネトロンの性能が低下してしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、上記課題を解決する為になされたものであり、従来と同等以上の性能を有しながら銅材の使用量を減らしたマグネトロンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成する為に、本発明に係るマグネトロンは、管軸に沿って円筒状に延びるアノードシリンダと、前記アノードシリンダの内面から、前記管軸に向かって延び、遊端がベイン内接円を形成する複数のベインと、前記複数のベインを交互に短絡する径の異なる大小２つのストラップリングとを有するアノード部と、前記複数のベインの遊端によって形成される空間内に前記管軸に沿って配置されたカソードを有するカソード部とを具備し、前記アノード部の一部又は全部がグラフェンを構成要素とする炭素材により形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アノード部の一部又は全部に、銅材ではなくグラフェンを構成要素とする炭素材を用いるようにした。グラフェンを構成要素とする炭素材は銅材と同等以上の物性（電気伝導性、熱電動性、ガスバリア性、機械的強度など）を有している為、従来と同等以上の性能を有しながら銅材の使用量を減らしたマグネトロンを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係るマグネトロンの全体の縦断面図である。
【図２】本発明に係るマグネトロンの冷却フィンの平面図及び側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明に係るマグネトロンの一実施の形態を、図面を参照して説明する。尚、以下の実施の形態は、単なる例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１２】
［１．マグネトロンの構成］
図１は、本実施の形態のマグネトロン１の構成の概略を示す図である。この図１は、マグネトロン１の中心軸である管軸ｍと直交する方向から見た場合の側面図であり、一部（主に左半分）が縦断面図となっている。このマグネトロン１は、２４５０ＭＨｚ帯のマイクロ波を発生する電子レンジ用のマグネトロンである。マグネトロン１は、２４５０ＭＨｚ帯のマイクロ波を発生する発振部２、発振部２の中心に位置するカソード３に電力を供給する入力部４、発振部２から発振されたマイクロ波を管外（マグネトロン１外）に取り出す出力部５を有している。発振部２、入力部４及び出力部５は、管軸ｍに沿って設けられている。つまり、発振部２の管軸方向の一端側（図中下側）に入力部４が設けられ、他端側（図中上側）に出力部５が設けられている。
【００１３】
これら入力部４及び出力部５は、それぞれ発振部２に対し、入力側の金属封着体６及び出力側の金属封着体７によって真空気密に接合されている。これにより、発振部２内は真空状態に保たれるようになっている。
【００１４】
発振部２は、アノード部１０とカソード部１１とを有している。アノード部１０は、アノードシリンダ１２と、複数枚（例えば１０枚）のベイン１３と、４本の円環状のストラップリング１４とを有している。アノードシリンダ１２は、円筒状に形成され、その中心軸が、マグネトロン１の中心軸である管軸ｍを通るように配置されている。
【００１５】
各ベイン１３は、板状に形成され、アノードシリンダ１２の内側に管軸ｍを中心に放射状に配置されている。各ベイン１３の外側の端部はアノードシリンダ１２の内周面に接合され、内側の端部は遊端になっている。そして、複数枚のベイン１３の遊端に囲まれた円筒状の空間が電子作用空間となっている。４本のストラップリング１４は、大小２本を１組として、複数枚のベイン１３の管軸ｍ方向の上端側と下端側とにそれぞれに１組ずつ固定されている。
【００１６】
カソード部１１は、カソード３、２つのエンドハット１５、１６、２本のサポートロッド１７を有している。尚、サポートロッド１７は、エンドハット１５に接続される１本と、エンドハット１６に接続される１本の計２本存在するが、図中では、エンドハット１５に接続される方のサポートロッド１７については省略している。カソード３は、螺旋状の陰極であり、電子作用空間の管軸ｍ上に設けられている。このカソード３の入力側の端部（下端部）と出力側の端部（上端部）とに、それぞれ電子の飛び出しを防ぐ為のエンドハット１５、１６が固定されている。
【００１７】
さらにカソード３は、エンドハット１５、１６を介して、サポートロッド１７と接続されている。サポートロッド１７は、中継板２０を介して管外へ導出されている。
【００１８】
さらに、発振部２には、アノードシリンダ１２の入力側の端部（下端部）の内側と出力側の端部（上端部）の内側に、一対のポールピース２１、２２が、エンドハット１５、１６の間の空間を挟むように対向して設けられている。
【００１９】
入力側のポールピース２１には、その中央部に、貫通孔が設けられ、この貫通孔を中心として、入力側（下方）に向かって広がる漏斗状に形成されている。一方、出力側のポールピース２２も、その中央部に、貫通孔が設けられ、この貫通孔を中心として、出力側（上方）に向かって広がる漏斗状に形成されている。これらポールピース２１、２２は、それぞれ貫通孔の中心を管軸ｍが通るように配置される。
【００２０】
さらに、入力側のポールピース２１には、外周部に、管軸ｍ方向に延びる略筒状の金属封着体６の上端部が固着されている。この金属封着体６は、アノードシリンダ１２の下端部に気密状態で固定されている。一方、出力側のポールピース２２には、外周部に、管軸ｍ方向に延びる略筒状の金属封着体７の下端部が固着されている。この金属封着体７は、アノードシリンダ１２の上端部に気密状態で固定されている。
【００２１】
入力側の金属封着体６は、その下端部に、入力部４を構成するセラミックステム２３が気密状態で接合されている。つまり、セラミックステム２３に植立されたサポートロッド１７は、金属封着体６の内側を通ってカソード３に接続されている。
【００２２】
一方、出力側の金属封着体７は、その上端部に、出力部５を構成するセラミックでなる絶縁筒２４が気密接合されていて、さらに絶縁筒２４の上端には排気管２５が気密接合されている。さらに、複数のベイン１３のうちの１つから導出されたアンテナ２６が、出力側のポールピース２２を貫通し、金属封着体７の内側を通ってその上端側へと延び、先端が排気管２５に挟持され気密状態で固定されている。
【００２３】
金属封着体６、７の外側には、アノードシリンダ１２を管軸ｍ方向に挟むように、一対のリング状の磁石３０、３１が対向して設けられている。さらに、アノードシリンダ１２と磁石３０、３１は、ヨーク３２によって囲われていて、一対の磁石３０、３１とヨーク３２によって強固な磁気回路が形成されている。
【００２４】
尚、ヨーク３２は、入力側の磁石３０とアノードシリンダ１２とを囲うコの字型のインプットヨーク３２Ａと、インプットヨーク３２Ａのコの字の開口部分を塞ぎ、出力側の磁石３１を囲うコの字型のアウトプットヨーク３２Ｂとで構成されている。
【００２５】
さらに、アノードシリンダ１２とインプットヨーク３２Ａの間には、管軸ｍ方向に並べて配置された複数の冷却フィン３３によって構成されるラジエータ３４が設けられていて、カソード３からの輻射熱及び発振部２の熱損失はアノードシリンダ１２を介してラジエータ３４に伝わり、さらにラジエータ３４からインプットヨーク３２Ａ、アウトプットヨーク３２Ｂへと伝わることでマグネトロン１の外部に放出されるようになっている。尚、インプットヨーク３２Ａとアウトプットヨーク３２Ｂの素材は、それぞれ例えば鉄であり、冷却フィン３３の素材は、例えばアルミとなっている。
【００２６】
また、カソード３は、サポートロッド１７を介して、コイル及び貫通コンデンサを有するフィルター回路３５に接続されている。フィルター回路３５は、フィルターボックス３６内に収容されている。マグネトロン１の構成の概略は、以上のようになっている。
【００２７】
[２．アノード部の構成]
次に、図２を用いて、アノード部１０の構成についてさらに詳しく説明する。尚、図２（Ａ）は、アノード部１０の左半分とその周辺部を拡大した縦断面図であり、図２（Ｂ）は、アノード部１０のアノードシリンダ１２を管軸ｍ方向から見た場合の横断面図である。
【００２８】
アノードシリンダ１２は、アノードシリンダ１２の内周部分を形成する円筒状の内周部１２Ａと、内周部１２Ａより大径の円筒状でなりアノードシリンダ１２の外周部分を形成するとともに内周部１２Ａを補強する外周部１２Ｂとで構成された２重構造となっている。内周部１２Ａの外径と外周部１２Ｂの内径は、同一（もしくは内周部１２Ａの外径の方がわずかに大きい）であり、外周部１２Ｂの内側に、内周部１２Ａを圧入するようにして、内周部１２Ａと外周部１２Ｂとが接合されている。
【００２９】
外側の外周部１２Ｂの素材には、従来と同様、銅材としての非磁性の無酸素銅が用いられている一方、内側の内周部１２Ａの素材には、従来とは異なり、グラフェンを構成要素とする炭素材（以下、これを単にグラフェンとも呼ぶ）が用いられている。尚、銅材でなる外周部１２Ｂと、グラフェンでなる内周部１２Ａとの接合には、例えば、メタライジング法を用いる。メタライジング法では、非金属でなるグラフェンの表面に所定の金属層を形成した後、非磁性の無酸素銅とグラフェンの表面に形成された金属層とをろう付けすることになる。
【００３０】
また、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａの内周面には、複数枚のベイン１３が接合されている。この場合も、グラフェンでなる内周部１２Ａと銅材でなるベイン１３との接合には、例えばメタライジング法を用いる。
【００３１】
さらに、アノードシリンダ１２の外周部１２Ｂは、内周部１２Ａより管軸ｍ方向に長く、入力側の端部（下端部）が内周部１２Ａの入力側の端部（下端部）より入力側（下方）に延びていて、出力側の端部（上端部）も内周部１２Ａの出力側の端部（上端部）より出力側（上方）に延びている。つまり、アノードシリンダ１２の管軸ｍ方向の両端部の内側には、内周部１２Ａと外周部１２Ｂの管軸ｍ方向の長さの違いによる段差が形成されている。
【００３２】
そして、アノードシリンダ１２は、外周部１２Ｂの入力側の端部と金属封着体６とが溶接により接合され、外周部１２Ｂの出力側の端部と金属封着体７とが溶接により接合されることで、金属封着体６、７と気密接合される。また、アノードシリンダ１２と金属封着体６とを接合する際に、金属封着体６の外周部と、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａの入力側の端部（段差となっている部分）との間で、入力側のポールピース２１を挟持させてポールピース２１をアノード部１０に固着するようになっている。同様に、アノードシリンダ１２と金属封着体７とを接合する際に、金属封着体７の外周部と、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａの出力側の端部（段差となっている部分）との間で、出力側のポールピース２２を挟持させてポールピース２２をアノード部１０に固着するようになっている。
【００３３】
また、アノードシリンダ１２は、内周部１２Ａと外周部１２Ｂの厚さが、それぞれ従来のアノードシリンダの半分程度に選定されている。よって、アノードシリンダ１２全体の厚さは、従来のアノードシリンダと同程度となっている。
【００３４】
つまり、アノードシリンダ１２は、その約半分が、非磁性の無酸素銅からグラフェンに置き換えられた構造となっている。こうすることで、マグネトロン１では、従来のマグネトロンと比較して、アノード部１０に用いる銅材の使用量を、内周部１２Ａの分だけ減らすことが可能となっている。
【００３５】
ここで、非磁性の無酸素銅とグラフェンのそれぞれの物性ついて詳しく説明する。尚、アノード部１０の素材として要求される条件は、主に、非磁性であること、強度が高いこと、導電率が良いこと、融点が高いこと、熱電動率が高いこと、ガス放出が少ないことなどである。よって、ここでは、まず非磁性の無酸素銅の物性のうち、アノード部１０に要求される条件と関連する物性について説明する。非磁性の無酸素銅は、非磁性であり、ヤング率は１２９．８（ＧＰａ）、導電率は５．９×１０７（Ｓ／ｍ）、融点は１０８３℃、熱伝導率は３９１（Ｗ／ｍ・Ｋ）、高温化でのガス放出はきわめて少ないという物性を有している。
【００３６】
このように、非磁性の無酸素銅は、他の非磁性金属（例えばステンレス）と比べて、強度、導電率、融点、熱電動率が総じて高く、高温化でのガス放出も極めて少ないことから、アノード部１０に要求される条件を満たす素材として、従来広く利用されている。
【００３７】
一方で、グラフェンは、非磁性であり、ヤング率は１１０００（ＧＰａ）、導電率は７．５×１０７（Ｓ／ｍ）、融点は３０００℃、熱伝動率は４．８４×１０３〜５．３×１０３（Ｗ／ｍ・Ｋ）、高温化でのガス放出は極めて少ないという物性を有している。そのうえ、グラフェンは、気体を通しにくいガスバリア性にも優れている。
【００３８】
このように、グラフェンは、非磁性の無酸素銅と比べても、強度、導電率、融点、熱電動率が総じて高く、高温化でのガス放出も極めて少ないことから、アノード部１０に要求される条件をより高いレベルで満たす素材として非常に有用であることがわかる。具体的には、グラフェンの方が、無酸素銅より導電率が高い為、このグラフェンを無酸素銅の代わりにアノード部１０に用いれば、マグネトロン１の電子効率を向上させることができると考えられる。また、グラフェンの方が、無酸素銅より熱電動率が高い為、このグラフェンを無酸素銅の代わりにアノード部１０に用いれば、アノード部１０から冷却フィン３３へ熱を伝わり易くして、放熱効果を向上させることができると考えられる。
【００３９】
さらに、グラフェンは、ガスバリア性にも優れていることから、この点についても、内部を真空状態に保つ必要があるアノード部１０の素材として適している。
【００４０】
このような物性の比較結果から、グラフェンが、アノード部１０の素材として、非磁性の無酸素銅より優れた素材であることが明らかとなった。また、グラフェンは、ガスバリア性にも優れていることから、内部を真空状態に保つ必要があるアノード部１０により適している。
【００４１】
つまり、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａに非磁性の無酸素銅ではなくグラフェンを用いるようにすれば、マグネトロン１として従来と同等以上の性能を有しながら、アノード部１０に用いる銅材の使用量を、従来のマグネトロンと比べて減らすことが可能となることがわかった。
【００４２】
[３．まとめと効果]
ここまで説明したように、本実施の形態のマグネトロン１は、アノードシリンダ１２を、内周部１２Ａと外周部１２Ｂからなる二重構造とし、内側の内周部１２Ａに、非磁性の無酸素銅ではなくグラフェンを用いるようにした。グラフェンは、上述したように、非磁性の無酸素銅と比べて、強度、導電率、融点、熱電動率が総じて高く、高温化でのガス放出も極めて少ないことから、アノード部１０の素材として、非磁性の無酸素銅より優れた素材であると言える。
【００４３】
よって、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａにグラフェンを用いたマグネトロン１では、従来のマグネトロンと同等以上の性能を有しながら、アノード部１０に用いる銅材の使用量を減らすことが可能となる。
【００４４】
また、アノードシリンダ１２の外周部１２Ｂについては、従来と同様、非磁性の無酸素銅とし、この外周部１２Ｂの管軸ｍ方向の両端部と、金属封着体６、７とを溶接により接合するようにした。このように、アノードシリンダ１２と金属封着体６、７との接合については、従来と同様の方法（溶接）で容易に接合できる。
【００４５】
一方で、例えば、アノードシリンダ１２全体をグラフェンにしてもよい。この場合、マグネトロン１の性能をさらに向上させることができ、且つアノード部１０に用いる銅材の使用量をさらに減らすことができるが、その反面、金属封着体６、７との接合については、従来の方法とは異なるメタライジング法などで接合することになる為、接合の容易性については劣ることになる。
【００４６】
さらに、本実施の形態では、アノードシリンダ１２を、内周部１２Ａと外周部１２Ｂからなる二重構造とするとともに、内周部１２Ａの管軸ｍ方向の長さを外周部１２Ｂの管軸ｍ方向の長さより短くして、アノードシリンダ１２の管軸ｍ方向の両端部の内側に、ポールピース２１、２２を金属封着体６、７との間で挟持する為の段差を形成するようにした。つまり、アノードシリンダ１２では、管軸ｍ方向の長さと径が異なる２個のシリンダを重ね合わせて、段差を形成するようになっている。
【００４７】
こうすることで、本実施の形態のアノードシリンダ１２は、従来の単一構造のアノードシリンダのように管軸ｍ方向の両端部の内側を削るなどして段差を形成する場合と比べて、段差の形成が容易であり、二重構造ではあるものの、製造コストを抑えるようになっている。
【００４８】
［４．他の実施の形態]
［４−１．他の実施の形態１］
尚、上述した実施の形態では、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａにグラフェンを用い、外周部１２Ｂに無酸素銅を用いて、例えば、内周部１２Ａと、銅材でなるベイン１３との接合には、メタライジング法を用いた。これに限らず、例えば、グラフェンで形成した内周部１２Ａの全体に銅メッキを施すようにしてもよい。この場合、この銅メッキが施された内周部１２Ａと外周部１２Ｂとでなるアノードシリンダ１２は、従来の無酸素銅でなるアノードシリンダと同様の方法（ろう付けなど）で、他部品と接合できるようになる為、製造コストを抑えることができる。
【００４９】
また、この場合、銅メッキを使用する分、上述した実施の形態のアノードシリンダ１２より銅の使用量が増えることになるが、アノードシリンダ１２の全てを銅材とする場合と比べれば、銅の使用量を十分減らすことができる。
【００５０】
［４−２．他の実施の形態２］
また、上述した実施の形態では、アノードシリンダ１２を、内周部１２Ａと外周部１２Ｂの二重構造とした。これに限らず、アノードシリンダ１２を従来と同様の単一構造として、アノードシリンダ１２全体をグラフェンで形成するようにしてもよい。この場合、アノードシリンダ１２と他の部品との接合には、例えばメタライジング法を用いればよい。このようにすれば、上述した実施の形態よりも、銅の使用量を減らすことができる。
【００５１】
また、この場合も、グラフェンで形成したアノードシリンダ１２の全体に銅メッキを施すようにして、従来と同様の方法（ろう付けなど）で、他部品と接合するようにしてもよい。
【００５２】
さらに、これに限らず、例えば、アノードシリンダ１２を、内周部と外周部とこれらの間の中央部とからなる三重構造として、中央部のみをグラフェンとするなどしてもよい。つまり、少なくともアノードシリンダ１２の一部がグラフェンで形成されていればよい。また、これに限らず、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａではなく外周部１２Ｂをグラフェンで形成するようにしてもよい。
【００５３】
また、上述した実施の形態では、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａと外周部１２Ｂとを圧入により接合するようにしたが、これに限らず、外周部１２Ｂの内側にスパッタ蒸着によりグラフェンでなる内周部１２Ａを形成するなどしてもよい。
【００５４】
さらに、上述した実施の形態では、アノードシリンダ１２の内周部１２Ａと外周部１２Ｂとを同じ厚さとしたが、これに限らず、例えば、内周部１２Ａの厚さを外周部１２Ｂより厚く又は薄くしてもよい。
【００５５】
［４−３．他の実施の形態３］
さらに、上述した実施の形態では、アノード部１０のアノードシリンダ１２にグラフェンを用いた。これに限らず、アノード部１０を構成する他の部分にグラフェンを用いてもよい。具体的には、ベイン１３の素材として、銅材ではなくグラフェンを用いるようにしてもよい。また、ストラップリング１４の素材として、銅材ではなくグラフェンを用いるようにしてもよい。つまり、アノード部１０の全てをグラフェンで形成するようにしてもよい。ベイン１３及びストラップリング１４についても、アノードシリンダ１２と同様、非磁性であること、強度が高いこと、導電率が良いこと、融点が高いこと、熱電動率が高いこと、ガス放出が少ないことなどが要求される条件となる為、ベイン１３及びストラップリング１４に用いる素材をグラフェンに代えることで、銅材の使用量を一段と減らすことができるとともに、マグネトロン１の性能を向上させることができると考えられる。
【００５６】
また、アノード部１０以外の部分についても、アノード部１０と同様の条件が要求される部分については、用いる素材をグラフェンに代えるようにしてもよい。具体的には、ポールピース２１、２２の素材として、銅材ではなくグラフェンを用いるようにしてもよい。また、アンテナ２６の素材として、銅材ではなくグラフェンを用いるようにしてもよい。
【００５７】
［４−４．他の実施の形態４］
さらに、上述した実施の形態では、アノード部１０のアノードシリンダ１２にグラフェンを構成要素とする炭素材を用いるとしたが、この炭素材には、例えば、黒鉛（グラファイト）、カーボンナノチューブ、フラーレンなどが含まれるものとする。尚、これら以外の炭素材であっても、グラフェンを構成要素とするものであればよい。
【００５８】
［４−５．他の実施の形態５］
さらに、上述した実施の形態では、主に、マグネトロン１のアノードシリンダ１２の構成について説明したが、アノードシリンダ１２の構成以外の部分については、上述したマグネトロン１の構成とは異なる構成であってもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１……マグネトロン、２……発振部、３……カソード、４…入力部、５……出力部、６、７……金属封着体、１０……アノード部、１１……カソード部、１２……アノードシリンダ、１２Ａ……内周部、１２Ｂ……外周部、１３……ベイン、１４……ストラップリング、２１、２２……ポールピース、２６……アンテナ、ｍ……管軸。
【図１】
2017111955.tif 000003
【図２】
2017111955.tif 000004