(57)【要約】【課題】シール材の幅が小さくなっても、シール部の信頼性を確保する。【解決手段】第１の基板２００は、前記第１の基板２００の周辺において、前記第１の基板２００の辺に沿って延在する第１の部分と、前記第１の部分から、前記第１の基板の端部に向かって延在する第２の部分が形成された第１の突起１０を有し、前記第１の突起１０の断面の幅は、前記第１の基板２００側よりも先端側で小さく、前記第２の基板１００は、前記第２の基板１００の周辺において、前記第１の基板１００の辺に沿って延在する第２突起２０を有し、前記第２の突起２０の断面の幅は、前記第２の基板１００側よりも先端側で小さく、前記第１の突起１０の前記第２の部分は、前記第２の突起２０と対向し、前記第１の突起１０と前記第２の突起２０の間には、前記シール材が存在していることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板が周辺においてシール材によって接着し、内部に液晶が封止された液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、前記第１の基板の周辺において、前記第１の基板の辺に沿って延在する第１の部分と、前記第１の部分から、前記第１の基板の端部に向かって延在する第２の部分が形成された第１の突起を有し、
前記第１の突起の断面の幅は、前記第１の基板側よりも先端側で小さく、
前記第２の基板は、前記第２の基板の周辺において、前記第１の基板の辺に沿って延在する第２突起を有し、
前記第２の突起の断面の幅は、前記第２の基板側よりも先端側で小さく、
前記第１の突起の前記第２の部分は、前記第２の突起と対向し、
前記第１の突起と前記第２の突起の間には、前記シール材が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の突起の断面は、３角形であり、前記第２の突起の断面は３角形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の突起の断面は、台形であり、前記第２の突起の断面は台形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の突起の断面は、蒲鉾形であり、前記第２の突起の断面は蒲鉾形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板は、表示領域において、前記第１の基板と前記第２の基板の間隔を規定する柱状スペーサを有しており、前記第１の突起は、前記柱状スペーサと同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２の基板は、ＴＦＴ、映像信号線、走査線を有するＴＦＴ基板であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の基板は、前記ＴＦＴを覆う有機パッシベーション膜を有し、前記第２の突起は前記有機パッシベーション膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の突起は、前記第１の基板の辺に沿って全周に形成されており、
前記第２の突起は、前記第２の基板の辺に沿って全周に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第２の基板の間隔は、前記第２の突起および前記第２の突起によって規定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に額縁領域を狭くした場合においてもシール部の信頼性を確保できる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている構成となっている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
特に中小型液晶表示装置においては、外形を小さく保ったまま、表示領域を大きくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域と液晶表示パネルの端部までの領域、すなわち、額縁領域が狭くなる。液晶は、額縁領域に形成されたシール材によってＴＦＴ基板と対向基板の間に封止される。シール材はディスペンサによって塗布され、その後、熱あるいは紫外線によって硬化させる。
【０００４】
シール材の幅が狭くなると、シール材を均一に形成することが難しくなり、シール部の信頼性が問題になる。また、シール材が硬化する前に液晶に接すると液晶がシール材によって汚染され、液晶の抵抗率の低下をきたす場合がある。
【０００５】
特許文献１には、シール材の適正な幅を確保するために、ＴＦＴ基板側と対向基板側に、ライン状スペーサを形成し、これをシール材内に配置する構成が記載されている。特許文献２には、シール材と液晶が接触する面積を小さくするために、拡散防止壁を形成する構成が記載されている。特許文献３には、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を正確に規定するために、シール材の内側と外側に沿って、内側突起と外側突起を配置する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１３３９３０号公報
【特許文献２】特開２００４−１３３１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−１９０５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
額縁領域を狭くしたいという要求は強くなっており、これに伴ってシール材の幅も狭くすることが求められている。しかし、シール材の幅が狭くなると、シール材の塗布のばらつきによって、部分的にシール材が非常に狭い領域がでたり、場合によっては、シール材が途切れたりする場合がある。また、額縁領域が狭いために、シール材の幅が大きくなった部分では、シール材が表示領域にまで、はみ出る現象が生ずる。
【０００８】
画面が高精細化すると、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔のばらつきによる色むら等が発生しやすくなる。シール部においも、このようなＴＦＴ基板と対向基板の間隔のばらつきが生ずると、その影響が表示領域におよび、画面周辺の画質を劣化させることがある。
【０００９】
最近、液晶の注入方法として滴下方式が用いられることが多くなっているが、この場合は、シール材が硬化しないうちに液晶が滴下されるので、液晶が硬化前のシール材と接触することになり、液晶がシール材によって汚染されやすくなる。
【００１０】
本発明の課題は、額縁領域が狭くなった場合でも、シール部の信頼性を確保し、表示領域周辺の画質の劣化を抑え、かつ、シール材の影響による液晶の劣化を軽減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段の主なものは次のとおりである。
【００１２】
第１の基板と第２の基板が周辺においてシール材によって接着し、内部に液晶が封止された液晶表示装置であって、前記第１の基板は、前記第１の基板の周辺において、前記第１の基板の辺に沿って延在する第１の部分と、前記第１の部分から、前記第１の基板の端部に向かって延在する第２の部分が形成された第１の突起を有し、前記第１の突起の断面の幅は、前記第１の基板側よりも先端側で小さく、前記第２の基板は、前記第２の基板の周辺において、前記第１の基板の辺に沿って延在する第２突起を有し、前記第２の突起の断面の幅は、前記第２の基板側よりも先端側で小さく、前記第１の突起の前記第２の部分は、前記第２の突起と対向し、前記第１の突起と前記第２の突起の間には、前記シール材が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図２】シール部の幅が小さくなった場合の問題点を示す模式図である。
【図３】本発明を示す液晶表示装置の平面図である。
【図４】第１の突起と第２の突起の関係を示す斜視図である。
【図５】図３のＡ部の詳細平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】本発明を実施するプロセスを示す平面模式図である。
【図９】本発明を実施する他のプロセスを示す平面模式図である。
【図１０】本発明の他の実施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例２を示す平面図である。
【図１３】実施例２における第１の突起と第２の突起の関係を示す斜視である。
【図１４】図１２のＢ部の拡大平面図である。
【図１５】図１４のＣ−Ｃ断面図である。
【図１６】図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【図１７】本発明の実施例３を示す平面図である。
【図１８】実施例３における第１の突起と第２の突起の関係を示す斜視である。
【図１９】図１７のＣ部の拡大平面図である。
【図２０】図１９のＥ−Ｅ断面図である。
【図２１】図１９のＦ−Ｆ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。図１において、走査線５０や映像信号線６０が形成されたＴＦＴ基板１００と、対向基板２００とが周辺に形成されたシール材１５０によって接着し、内部に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なった部分に表示領域８０が形成され、表示領域８０の外側が額縁領域になっている。
【００１５】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になった部分が端子部１６０になっている。端子部１６０には、表示領域８０に走査信号、映像信号、電源等を供給するための端子が形成され、また、液晶を駆動するためにＩＣドライバが配置される。さらに、端子部１６０には、外部から信号や電源を供給するために、いわゆるフレキシブル配線基板が接続される。
【００１６】
図１において、表示領域８０には、走査線５０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線６０が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査信号、映像信号等は、端子部から供給される。走査線５０と映像信号線６０で囲まれた領域が画素７０になっている。各画素７０は、ＴＦＴと画素電極を含んでいる。近年、額縁領域を狭くすることが求められており、図１に示す幅ｗａは、０．５ｍｍ程度になっている。そうすると、額縁領域に形成されるシール材１５０の幅も狭くなり、図１に示す幅ｗｂは、０．３ｍｍ程度になっている。
【００１７】
シール材１５０はディスペンサによって塗布されるが、シール材１５０の幅が小さくなると、塗布のばらつきがシール部の信頼性に大きく影響してくる。図２（Ａ）は、シール材１５０が一部で狭くなり、途切れてしまった例である。シール材１５０の幅がもともと大きければ、途切れるようなことは無いが、図２（Ａ）のような現象は、シール材１５０の幅が狭くなったことに起因する。
【００１８】
図２（Ｂ）は、シール材１５０の塗布位置がばらつき、かつ、その部分でシール材１５０の幅が大きくなった場合であり、シール材１５０が表示領域８０にまではみ出している例である。このような現象は、額縁領域の幅が大きければ生じにくいが、額縁領域が狭くなったことによって生じやすくなっている。なお、シール材は印刷等によって塗布される場合もあるが、同様な問題が生ずる。本発明の課題の一つは、このような現象を対策するものである。以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図３は本発明を示す平面模式図である。図３において、ＴＦＴ基板１００の上に対向基板２００が配置し、内部に液晶が封止されている。シール部において、対向基板２００側には、一部が平面で視てＴ字型になっている突起１０が対向基板２００の周辺全周に形成されている。この突起１０は、一部が平面で視てＴ字型になっているので、以後Ｔ字型突起１０と呼ぶ。一方、ＴＦＴ基板１００側には、周辺に、枠状に突起２０が形成されている。以後これを枠状突起２０と呼ぶ。図３では、図を複雑にしないために、シール材は省略されている。
【００２０】
図４は、図３のＡ部の斜視図である。図４では、図をわかりやすくするために、シール材は省略されている。図４において、Ｔ字型突起１０は、対向基板２００側に形成され、枠状突起２０はＴＦＴ基板１００側に形成されている。Ｔ字型突起１０も枠状突起２０も断面が３角形となっている。Ｔ字型突起１０と枠状突起２０とは、３角形の頂点において接触している。図４において、Ｔ字型突起１０の高さｈ１と枠状突起２０の高さｈ２の和ｈ１＋ｈ２がＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔となっている。ｈ１＝ｈ２である場合が多い。この場合、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔が３μｍであれば、ｈ１、ｈ２は各々１．５μｍ程度である。このように、Ｔ字型突起１０と枠状突起２０はシール部におけるスペーサとしての役割も有している。
【００２１】
Ｔ字型突起１０、枠状突起２０の底部の幅については、以後単に幅という。Ｔ字型突起１０の、対向基板２００の辺と平行な方向な部分の幅ｗ１１、対向基板２００の辺と垂直な方向に延在する部分の幅ｗ１、枠状突起１０の底部の幅ｗ２（以後単に幅という）は各々、例えば１５μｍ程度である。シール材の幅は３００μｍ程度であるから、ｗ１、ｗ１１、ｗ２はシール材の幅に比べれば問題にならない。なお、Ｔ字型突起１０の、対向基板２００の辺と直角方向に延在する方向の幅ｗ５は、シール材の幅と同程度かそれよりも小さくてもよい。Ｔ字型突起１０も枠状突起２０もフォトリソグラフィで形成するので、正確な寸法で形成することが出来る。
【００２２】
図５は図３のＡ部の平面図である。図５は対向基板２００側から見た図である。対向基板２００側にＴ字型突起１０が形成されており、ＴＦＴ基板側１００に枠状突起２０が形成されている。Ｔ字型突起１０における中心の点線は、３角形の頂点を表している。点線となっているのは、平面で視て、裏側に３角形の頂点があるからである。枠状突起２０の中心の線は枠状突起の３角形の頂点を表している。Ｔ字型突起１０と枠状突起２０の間にシール材１５０が充填されている。図５において、左側は表示領域８０となっており、この領域には、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を保持するための柱状スペーサ２０４が形成されている。
【００２３】
図６は図５のＡ−Ａ断面図である。図６において、ＴＦＴ基板１００の上には、有機パッシベーション膜１０１が形成されている。有機パッシベーション膜１０１は、例えばアクリル等の透明樹脂で形成されている。有機パッシベーション膜１０１の下には、ＴＦＴ、絶縁膜等他の層が形成されているが、図６では図を複雑化しないために省略されている。有機絶縁膜はＴＦＴを保護するとともに、平坦化膜としても使用されるので、１乃至４μｍ程度と、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０１の上には、無機絶縁膜１０２が形成されている。この無機絶縁膜１０２の上に、枠状突起２０が形成されている。
【００２４】
図６において、ＴＦＴ基板１００と対向して対向基板２００が配置している。対向基板２００にはシール部では遮光膜となるブラックマトリクス２０１が形成され、表示領域８０においては、カラーフィルタ２０２が形成されている。ブラックマトリクス２０１およびカラーフィルタ２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上にシール部ではＴ字型突起１０が形成され、表示領域８０では柱状スペーサ２０４が形成されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００はシール材によって接着している。
【００２５】
図６において、シール材１５０よりも内側には、液晶３００が充填されている。液晶３００はＴＦＴ基板１００側および対向基板２００側に形成された配向膜によって初期配向を受けるが、図６では、図を複雑化しないために配向膜は省略されている。図６に示すように、シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔は、Ｔ字型突起１０と枠状突起２０によって規定されており、表示領域８０においては、柱状スペーサ２０４によって規定されている。
【００２６】
本実施例では、液晶３００は滴下方式によって内部に充填されるが、液晶を滴下する時は、シール材１５０はまだ硬化していない。シール材１５０が硬化していない状態で、液晶３００とシール材１５０が接すると、シール材１５０の成分が液晶３００内に溶け込むことになり、液晶の特性を低下させる場合がある。本発明においては、図６に示すように、シール材１５０が液晶と接する面積は、Ｔ字型突起１０がある分、小さくなっている。したがって、硬化前にシール材１５０が液晶を汚染する機会は従来構造に比較して小さくなっている。
【００２７】
図７は図５のＢ−Ｂ断面図である。図７はシール部を除いて図６と同様である。図７において、シール材１５０がＴＦＴ基板１００と対向基板２００を接着している。Ｔ字型突起１０の点線は、Ｔ字型突起１０がシール材１５０の裏側に隠れていることを示している。図７に示すように、シール材１５０は、Ｔ字型突起１０の３角形の斜面１１、あるいは、枠状突起２０の３角形の斜面２１と接する分、接触面積が大きくなっているので、シール材１５０による接着力を向上することが出来、シール部の信頼性が向上する。その他の構成は、図６で説明したとおりである。
【００２８】
図８は、本発明における製造方法を実施例１の構成を例にとって説明する模式図である。図８（Ａ）は対向基板２００側であり、図８（Ｂ）はＴＦＴ基板１００側である。図８（Ａ）において、対向基板２００側にＴ字型突起１０を形成する。Ｔ字型突起１０は、表示領域において、柱状スペーサを形成する時に同時に、同じ材料を用いて形成することが出来る。Ｔ字型突起１０の高さは柱状スペーサの高さよりも低いので、例えば、ハーフ露光技術を用いて形成することが出来る。
【００２９】
Ｔ字型突起１０は、オーバーコート膜２０３を形成する時に、ハーフ露光技術を用いてＴ字型突起１０に対応する部分のオーバーコート膜の膜厚を他の領域におけるよりも大きくすることによっても形成することが出来る。その後、Ｔ字型突起１０の上にシール材１５０をディスペンサによって塗布する。その後、Ｔ字型突起１０で囲まれた領域内に液晶３０１を滴下する。この状態ではシール材１５０はまだ硬化していない。しかし、Ｔ字型突起１０によって液晶３０１とシール材１５０とが区画されているので、液晶３０１のシール材１５０による汚染は抑制することが出来る。
【００３０】
図８（Ｂ）は、ＴＦＴ基板１００側に枠状突起２０を形成した状態を示している。枠状突起２０は、無機絶縁膜の上に例えば有機パッシベーション膜と同じ材料によって形成することが出来るが、他の有機材料でもよい。あるいは、ハーフ露光技術を用いることによって、枠状突起２０に対応する部分の有機パッシベーション膜の膜厚を他の領域におけるよりも大きくすることによって、枠状突起２０を形成することも出来る。
【００３１】
その後、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００をシール材１５０を介して貼りあわせる。この時、シール材１５０は、Ｔ字型突起１０と枠状突起２０によって押し広げられるので、図２（Ａ）に示すような、シール材１５０の途切れは防ぐことが出来る。また、図２（Ｂ）に示すようなシール材１５０の表示領域８０へのはみだしに対しては、Ｔ字型突起１０の存在によって抑制することが出来る。また、シール材１５０の外側へのはみだしも枠状突起２０の存在によって抑制することが出来る。
【００３２】
図９は、本発明における製造方法の他の例である。図９が図８と異なる点は、図９では対向基板２００側に枠状突起２０を形成し、ＴＦＴ基板１００側にＴ字型突起１０を形成している点である。ＴＦＴ基板１００のＴ字型突起１０は、図８で説明したのと同様に形成することが出来る。図９においては、ＴＦＴ基板１００側にシール材１５０が形成され、液晶３０１が滴下される。
【００３３】
一方、枠状突起２０は対向基板２００側に形成される。この場合の枠状突起２０は、図８で説明したＴ字型突起１０を形成するのと同様にして形成することが出来る。その後、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００をシール材１５０を介して貼りあわせる。この時、シール材１５０は、Ｔ字型突起１０と枠状突起２０によって押し広げられるので、図２（Ａ）に示すような、シール材２０の途切れは防ぐことが出来る。また、図２（Ｂ）に示すようなシール材２０の表示領域へのはみだしに対しては、Ｔ字型突起１０の存在によって抑制することが出来る。また、シール材１５０の外側へのはみだしも枠状突起１０の存在によって抑制することが出来る。
【００３４】
以上の説明では、Ｔ字型突起１０、枠状突起２０、柱状スペーサ２０４等の断面は、３角形であるとして説明したが、本発明はこれに限る必要はない。図１０はＴ字型突起１０、枠状突起２０、柱状スペーサ２０４等の断面が台形の場合である。この場合も、以上で説明した効果を得ることが出来る。図１１は、Ｔ字型突起１０、枠状突起２０、柱状スペーサ２０４等の断面が蒲鉾状である場合の例である。この場合も同様な効果を得ることが出来る。
【実施例２】
【００３５】
図１２は実施例２を示す平面模式図である。図１２が実施例１の図３と異なる点は、ＴＦＴ基板側１００に枠状突起２０が並行して２本形成されている点である。枠状突起２０を２本形成することによって、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を貼りあわせた時に、シール材１５０をより均一に広げることが出来る。その他の構成は図３で説明したのと同様である。
【００３６】
図１３は、図１２のＢ部の斜視図である。図で１３は、図をわかりやすくするために、シール材は省略されている。図１３が実施例１の図４と異なる点は、ＴＦＴ基板１００側に枠状突起１０が２本形成されていることである。そして、２本の枠状突起２０の３角形の頂点がＴ字型突起１０の３角形の頂点と接触している。図１３における、Ｔ字型突起１０の幅ｗ１、ｗ１１と２本の枠状突起１０の各々の幅ｗ２は各々１５μｍであり、図４で説明したのと同様である。また、Ｔ字型突起１０の高さｈ１、枠状突起２０の高さｈ２も図４で説明したのと同様である。
【００３７】
図１４は図１２のＢ部の平面図である。図１２は対向基板２００側から見た図である。図１４が実施例１の図５と異なる点は、ＴＦＴ基板１００側に枠状突起２０が２本形成されている点である。シール材１５０の幅は３００μｍ程度であるのに対し、枠状突起２０の幅は１５μｍ程度なので、枠状突起２０を２本配置してもスペース的には問題ない。その他の構成は図５と同様である。
【００３８】
図１５は、図１４のＣ−Ｃ断面図である。図１５が実施例１の図６と異なる点は、枠状突起２０が並行して２本形成され、いずれもがＴ字型突起１０と接している点である。枠状突起２０が２本存在することによって、シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔をより安定して保持することが出来る。
【００３９】
図１６は図１４のＤ−Ｄ断面図である。図１６が実施例１の図７と異なる点は、２個の枠状突起２０がＴ字型突起１０と接していることである。図１６に示すように、２本の枠状突起２０の３角形の斜面２１、Ｔ字型突起１０の３角形の斜面１１がシール材１５０と接着しているので、実施例１の場合よりもさらにシール材１５０の接着強度を上げることが出来る。
【００４０】
本実施例の他の構成および効果は実施例１で説明したのと同様である。
【実施例３】
【００４１】
図１７は実施例３を示す平面模式図である。図１７が実施例１の図３と異なる点は、対向基板２００側にＴ字型突起ではなく、Ｈ字型突起３０が周辺に形成されている点である。ＴＦＴ基板１００側には、Ｈ字型突起３０のブリッジ部の中央部を横切るようにＴＦＴ基板１００の辺と平行に枠状突起２０が形成されている。枠状突起２０は実施例１における枠状突起２０と同様である。Ｈ字型突起３０はブリッジ部において、枠状突起と接している。
【００４２】
図１８は、図１７のＣ部の斜視図である。図１７では、シール材は省略されている。図１８において、Ｈ字型突起３０の断面は、頂点が下側である３角形である。ＴＦＴ基板１００に形成された枠状突起２０の断面である３角形の頂点がＨ字型突起３０のブリッジ部と接触している。図１８において、Ｈ字型突起３０の対向基板２００の辺と平行な部分の幅ｗ３１とＨ字型突起３０のブリッジ部の幅ｗ３、枠状突起２０の幅ｗ２はいずれも１５μｍ程度である。Ｈ字型突起３０、枠状突起２０の高さは、実施例１におけるＴ字型突起１０、枠状突起２０と同様である。
【００４３】
図１９は図１７のＣ部の平面図である。図１９において、Ｈ字型突起３０の内部領域にシール材１５０が配置されている。図１９におけるＨ字型突起３０の中心線である点線は、裏側に存在している３角形の断面の頂点を表している。ＴＦＴ基板１００に形成された枠状突起２０の頂点は、Ｈ字型突起３０のブリッジ部の中央付近において、Ｈ字型突起３０の頂点と接している。
【００４４】
図２０は、図１９のＥ−Ｅ断面図である。図２０において、対向基板２００に形成されたＨ字型突起３０のブリッジ部がＴＦＴ基板１００に形成された枠状突起２０と接している。これによってＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を維持している。図２０のその他の構成は、実施例１の図６と同様である。
【００４５】
図２１は、図１９のＦ−Ｆ断面図である。図２１におけるＨ字型突起３０の点線は、Ｈ字型突起３０のブリッジ部がシール材１５０に隠れていることを示している。図２１において、ＴＦＴ基板１００に形成された枠状突起１０の先端が、Ｈ字型突起３０と接している。図２１において、対向基板２００に形成されたＨ字型突起３０の断面の３角形の斜面、および、ＴＦＴ基板１００に形成された枠状突起２０の断面の３角形の斜面において、シール材１５０の接着面積が大きくなるので、接着力が向上し、シール部の信頼性を向上させることが出来る。
【００４６】
実施例１乃至３では、Ｔ字型突起、枠状突起、Ｈ字型突起はＴＦＴ基板あるいは対向基板の全周に形成されているとして説明したが、これに限らず、基板の辺に沿って飛び飛びに形成しても効果を上げることが出来る。また、シール材の幅等の制御が比較的難しい、基板のコーナー部に対応する位置のみに形成してもよい。
【００４７】
また、図９において説明したように、本発明は、ＴＦＴ基板側にＴ字型突起あるいはＨ字型突起を形成し、対向基板側に枠状突起を形成した構成であってもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０…Ｔ字型突起、１１…Ｔ字型突起の斜面、  ２０…枠状突起、  ２１…枠状突起の斜面、  ３０…Ｈ字型突起、  ３１…Ｈ字型突起の斜面、  ５０…走査線、  ６０…映像信号線、  ７０…画素、  ８０…表示領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…有機パッシベーション膜、  １０２…無機絶縁膜、  １５０…シール材、  １６０…端子部、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  ２０４…柱状スペーサ、  ３００…液晶、  ３０１…滴下液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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