(57)【要約】【課題】基板と接着膜との間に気泡が存在し難い表示装置を提供する【解決手段】電気泳動表示装置１は素子基板２と、素子基板２上に設置された第１画素電極５ａ及び第２画素電極５ｂと、第１画素電極５ａ及び第２画素電極５ｂ上に設置された第１接着膜６と、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に位置し第１接着膜６の外周に開口し気体が通る通路１７と、を備える。【選択図】図３
2017111270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設置された第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極上に設置された接着膜と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置し前記接着膜の外周に開口し気体が通る通路と、を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記通路に沿って設置された凸部を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置であって、
前記基板の厚み方向における前記凸部の高さは前記第１画素電極及び前記第２画素電極の高さと等しいか低いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極は基礎凸部と、前記基礎凸部上に位置する導電膜と、を有し、
前記凸部と前記基礎凸部とは前記基板からの高さが同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の表示装置であって、
前記凸部と前記基礎凸部とは材質が同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
表示装置と、前記表示装置を駆動する駆動装置と、を備え、
前記表示装置が請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の表示装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基板上に凸部を設置する工程と、
前記基板上に第１画素電極及び第２画素電極を設置する工程と、を有し、
前記凸部は前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に第１基礎凸部、第２基礎凸部及び凸部を設置する工程と、
前記第１基礎凸部上に第１画素電極を設置し前記第２基礎凸部上に第２画素電極を設置する工程と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極上に接着膜を設置する工程と、を有し、
前記凸部は前記第１基礎凸部と前記第２基礎凸部との間に位置し同じ高さであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、電子機器および表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電荷を有する粒子が分散媒中を移動する電気泳動表示装置が広く用いられている。電気泳動表示装置は画面のちらつきが少ないので、電子書籍を閲覧する表示装置等に用いられる。この電気泳動表示装置が特許文献１に開示されている。それによると、電気泳動表示装置は電極が設置された一対の基板を備えている。そして、電極間に白色帯電粒子及び黒色帯電粒子を含む分散媒を内蔵するカプセルが敷き詰められた電気泳動シートが設置されている。基板の間に挟まれた電気泳動シートは接着膜により基板に固定されている。
【０００３】
カプセル内では白色帯電粒子が（−）に帯電され、黒色帯電粒子が（＋）に帯電されている。そして、対向する基板に設置された電極に電圧を印加することにより、一方の電極に黒色帯電粒子が誘引され、他方の電極に白色帯電粒子が誘引される。次に、電極の電圧を入れ替えることにより、黒色帯電粒子と白色帯電粒子の位置が入れ替わる。
【０００４】
基板の一方には画素電極が設置され、画素電極が１つの画素となっている。そして、画素毎に黒色帯電粒子及び白色帯電粒子の位置を制御することで所定の図形を表示することが可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０４３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板に電気泳動シートを設置するとき接着膜を介して接着される。このとき、基板と接着膜との間に空気が入って気泡となることがある。そして、気泡は表示パターンを観察するときに見えてしまうので表示パターンを見るときに邪魔になる。そこで、基板と接着膜との間に気泡が存在し難い表示装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる表示装置であって、基板と、前記基板上に設置された第１画素電極及び第２画素電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極上に設置された接着膜と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置し前記接着膜の外周に開口し気体が通る通路と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、表示装置は基板を備え、基板上に第１画素電極及び第２画素電極が設置されている。そして、第１画素電極及び第２画素電極上には接着膜が設置されている。そして、第１画素電極と第２画素電極との間には接着膜の外周に開口し気体が通る通路が設置されている。
【００１０】
表示装置には接着膜が設置されている。接着膜に重ねて電圧に反応して表示色が変化する部材を設置することにより、表示装置は表示パターンを電気制御することができる。接着膜を基板上に設置するとき、基板と接着膜との間に気泡が残留することがある。このとき、接着膜と気泡との間で光が反射するので、表示パターンが見難くなる。本表示装置は第１画素電極と第２画素電極との間に通路があり、通路は基板の外周に開口する。従って、基板と接着膜との間に気泡が残留するときには気泡に圧力を加えることにより、気泡内の気体に通路を通過させて基板の外周に移動させることができる。その結果、第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気泡が存在し難い表示装置にすることができる。
【００１１】
［適用例２］
上記適用例にかかる表示装置において、前記通路に沿って設置された凸部を備えることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、基板と接着膜との間には凸部が設置され、凸部は通路に沿って設置されている。凸部は基板と接着膜との間に空間を形成し、この空間が繋がって通路になる。そして、表示装置が基板の厚み方向に押圧されるときにも、空間が潰れることを凸部が抑制する。従って、表示装置が基板の厚み方向に押圧されるときにも、通路を維持することができる。
【００１３】
［適用例３］
上記適用例にかかる表示装置において、前記基板の厚み方向における前記凸部の高さは前記第１画素電極及び前記第２画素電極の高さと等しいか低いことを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、凸部の高さは第１画素電極及び第２画素電極の高さと等しいか低く設置されている。凸部の高さが第１画素電極及び第２画素電極の高さより高いとき、第１画素電極または第２画素電極と接着膜とが離れる可能性がある。このとき、第１画素電極または第２画素電極と接着膜との間に気泡ができるので表示パターンが見難くなる。本表示装置では凸部の高さが第１画素電極及び第２画素電極の高さより低いので、第１画素電極または第２画素電極と接着膜とが離れることを抑制することができる。その結果、第１画素電極または第２画素電極と接着膜との間に気泡ができることを抑制することができる。
【００１５】
［適用例４］
上記適用例にかかる表示装置において、前記第１画素電極及び前記第２画素電極は基礎凸部と、前記基礎凸部上に位置する導電膜と、を有し、前記凸部と前記基礎凸部とは前記基板からの高さが同じであることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、第１画素電極及び第２画素電極は基礎凸部を備え、基礎凸部上に導電膜が設置されている。そして、凸部と基礎凸部とは基板からの高さが同じである。このとき、基板の厚み方向における第１画素電極及び第２画素電極の高さを凸部より確実に高くすることができる。
【００１７】
［適用例５］
上記適用例にかかる表示装置において、前記凸部と前記基礎凸部とは材質が同じであることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、凸部と基礎凸部とは材質が同じである。このとき、凸部と基礎凸部とは同じ工程にて設置することができる。従って、基礎凸部と凸部とを別の工程で製造するときに比べて表示装置を生産性良く製造することができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例にかかる電子機器であって、表示装置と、前記表示装置を駆動する駆動装置と、を備え、前記表示装置が上記に記載の表示装置であることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、電子機器では駆動装置が表示装置を駆動する。そして、表示装置は表示パターンに気泡のでき難い装置になっている。従って、電子機器は表示パターンに気泡のでき難い表示装置を備えた装置とすることができる。
【００２１】
［適用例７］
本適用例にかかる表示装置の製造方法であって、基板上に凸部を設置する工程と、前記基板上に第１画素電極及び第２画素電極を設置する工程と、を有し、前記凸部は前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置することを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、基板上に凸部、第１画素電極及び第２画素電極が設置される。凸部は第１画素電極と第２画素電極との間に位置する。第１画素電極及び第２画素電極上に接着膜が設置される。第１画素電極と第２画素電極との間には凸部が設置されている為、接着膜は凸部と接着し接着膜が基板と接着することが抑制される。従って、第１画素電極と第２画素電極との間には気体が通過する通路が形成される。そして、第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気体が入るときにも気体を通路に容易に移動させることができる。その結果、容易に第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気泡ができ難い表示装置にすることができる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例にかかる表示装置の製造方法であって、基板上に第１基礎凸部、第２基礎凸部及び凸部を設置する工程と、前記第１基礎凸部上に第１画素電極を設置し前記第２基礎凸部上に第２画素電極を設置する工程と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極上に接着膜を設置する工程と、を有し、前記凸部は前記第１基礎凸部と前記第２基礎凸部との間に位置し同じ高さであることを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、基板上に第１基礎凸部、第２基礎凸部及び凸部が設置される。そして、第１基礎凸部上に第１画素電極が設置され、第２基礎凸部上に第２画素電極が設置される。凸部は第１基礎凸部と第２基礎凸部との間に位置する。従って、凸部は第１画素電極と第２画素電極との間に位置する。そして、凸部の高さは第１画素電極及び第２画素電極より低い。
【００２５】
第１画素電極及び第２画素電極上に接着膜が設置される。第１画素電極及び第２画素電極は凸部より高いので、接着膜は第１画素電極及び第２画素電極と密着する。そして、第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気体が入り難くすることができる。そして、第１画素電極と第２画素電極との間には凸部が設置されている。これにより、接着膜は凸部と接着するので接着膜が基板と接着することが抑制される。従って、第１画素電極と第２画素電極との間に気体が通過する通路が形成される。そして、第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気体が入るときにも気体を通路に容易に移動させることができる。その結果、容易に第１画素電極及び第２画素電極と接着膜との間に気泡ができ難い表示装置にすることができる。
【００２６】
凸部と基礎凸部とは同じ工程にて設置することができる。従って、凸部と基礎凸部とを別の工程で製造するときに比べて表示装置を生産性良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の構造を示す模式平断面図。
【図２】電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図。
【図３】素子基板の構造を示す模式平面図。
【図４】素子基板の構造を示す要部模式平面図。
【図５】画素電極及び凸部の構造を示す要部模式側断面図。
【図６】画素電極及び凸部の構造を示す要部模式側断面図。
【図７】電気泳動表示装置の製造方法のフローチャート。
【図８】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図９】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１０】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１１】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１２】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１３】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１４】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１５】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１６】第２の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１７】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１８】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図１９】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２０】第３の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２１】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２２】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２３】第４の実施形態にかかわる素子基板の構造を示す要部模式側断面図。
【図２４】電気泳動表示装置の製造方法のフローチャート。
【図２５】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２６】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２７】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２８】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図２９】第５の実施形態にかかわる素子基板の構造を示す要部模式側断面図。
【図３０】電気泳動表示装置の製造方法のフローチャート。
【図３１】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図３２】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図３３】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図３４】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図３５】電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図。
【図３６】第６の実施形態にかかわる電子ブックの構造を示す概略斜視図。
【図３７】腕時計の構造を示す概略斜視図。
【図３８】比較例における電気泳動表示装置の構造を示す模式平断面図。
【図３９】比較例における画素電極の構造を示す要部模式側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本実施形態では、電気泳動表示装置と、この電気泳動表示装置を製造する特徴的な例について、図に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかわる電気泳動表示装置について図１〜図６に従って説明する。図１は、電気泳動表示装置の構造を示す模式平断面図であり、図２は、電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図である。図１は図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００２９】
図１及び図２に示すように、表示装置としての電気泳動表示装置１は基板としての素子基板２を備えている。素子基板２にはＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の図示しないスイッチング素子がマトリックス状に設置されている。さらに、素子基板２にはスイッチング素子を駆動する駆動回路３が設置されている。そして、素子基板２の一辺にそって端子４が配列して設置され、端子４には図示しないフレキシブルケーブルが設置される。そして、フレキシブルケーブルを通して外部機器から電気泳動表示装置１を制御する制御信号やデータ信号が送信される。
【００３０】
素子基板２は基材を備え、基材上にはスイッチング素子や配線が設置されている。基材は、例えば３０μｍ〜５００μｍ程度の厚さを有する板状部材である。基材の構成材料としては、例えばガラス基板、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等の無機基板や、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板等が挙げられる。本実施形態では、例えば、基材の材質にガラス基板を用いている。
【００３１】
素子基板２上にはスイッチング素子と対向する場所に画素電極５が設置されている。画素電極５はスイッチング素子と同様にマトリックス状に配置されている。
【００３２】
素子基板２の厚み方向をＺ方向とし、画素電極５が配列する方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向は素子基板２の２つの辺が延びる方向である。そして、駆動回路３は素子基板２の−Ｙ方向側に位置しＸ方向に長い形状である。
【００３３】
画素電極５上には接着膜としての第１接着膜６が設置され、第１接着膜６上にはマイクロカプセル７が設置されている。マイクロカプセル７はＺ方向から見た形状が円形であり、マイクロカプセル７の直径は３０μｍから１００μｍである。マイクロカプセル７のＸ方向及びＹ方向から見た形状は略円形になっている。マイクロカプセル７は密閉された容器であり、マイクロカプセル７の内部には分散媒７ａ、黒色粒子７ｂ、白色粒子７ｃが封入されている。黒色粒子７ｂ及び白色粒子７ｃの一方は正に帯電され、他方は負に帯電されている。
【００３４】
分散媒７ａには、水やアルコール系溶媒、各種エステル類、ケトン類、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩またはその他の種々の油類等を用いることができる。そして、分散媒７ａにはこれらの材質を単独で用いる他、これらの混合物に界面活性剤等を配合して用いることができる。
【００３５】
黒色粒子７ｂにはカーボンブラック、アニリンブラック、酸窒化チタン等の黒色顔料からなる粒子、高分子、コロイドを用いることができる。白色粒子７ｃには二酸化チタン等の白色顔料を用いることができる。これらの顔料には、必要に応じて電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加しても良い。これらの添加材を加えることにより、反応性良く黒色粒子７ｂ及び白色粒子７ｃを移動させ、長期に安定して動作させることができる。
【００３６】
黒色粒子７ｂ及び白色粒子７ｃの他にもモノアゾのアゾ系顔料、イソインドリノン等の黄色顔料、モノアゾのアゾ系顔料、キナクリドンレッド等の赤色顔料、フタロシアニンブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等の１種または２種以上を用いることができる。
【００３７】
図中では図を見易くするために画素電極５とマイクロカプセル７とが対向して配置されている。画素電極５とマイクロカプセル７とは１対１で対向していなくても良く。画素電極５に対してマイクロカプセル７が不規則に配置されていても良い。画素電極５に対してマイクロカプセル７が小さくて個数が多い方が大きくて個数が少ないときに比べて滑らかな線を表示することができる。
【００３８】
マイクロカプセル７上には第２接着膜８、共通電極９、透明基板１０がこの順に重ねて設置されている。そして、第１接着膜６、マイクロカプセル７、第２接着膜８、共通電極９及び透明基板１０により電気泳動シート１１が構成されている。画素電極５の材質は導電性のある材質であれば良く特に限定されず、銅、アルミニウム、ニッケル、金、銀、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の他、銅箔上にニッケル膜や金膜を積層した物、アルミニウム箔上にニッケル膜や金膜を積層した物を用いることができる。本実施形態では、例えば、画素電極５はアルミニウムと銅とを積層した配線上に金膜を設置した構造になっている。
【００３９】
共通電極９は、透明導電膜であれば良く特に限定されない。例えば、共通電極９にはＭｇＡｇ、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｃｅｒｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）等を用いることができる。本実施形態では、例えば、共通電極９にＩＴＯを用いている。
【００４０】
透明基板１０の材質は光透過性、強度及び絶縁性があれば良く特に限定されない。透明基板１０の材質はガラスやアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）等の光透過性の高い材料を用いることができる。透明基板１０の＋Ｚ方向側の面には、不図示の防湿シート等が配置されても良い。
【００４１】
第１接着膜６、第２接着膜８及び第３接着膜１５の材質は挟まれた各部材を接着可能であり、絶縁性を有する材質であれば良く特に限定されない。例えば、第１接着膜６、第２接着膜８及び第３接着膜１５の材質にはポリウレタン、ポリ尿素、ポリ尿素−ポリウレタン、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホンアミド等が用いることができる。他にも、例えば、第１接着膜６、第２接着膜８及び第３接着膜１５の材質にはポリカーボネイト、ポリスルフィネート、エポキシ樹脂、ポリアクリル酸エステル等のアクリル樹脂、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ゼラチン、フェノール樹脂、ビニル樹脂等が用いることができる。本実施形態では、例えば、第１接着膜６、第２接着膜８及び第３接着膜１５の材質に紫外性硬化型のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いている。
【００４２】
第１接着膜６及び第２接着膜８より共通電極９及び透明基板１０は−Ｘ方向に突出している。そして、共通電極９及び透明基板１０が突出した場所では素子基板２と共通電極９との間に導通部１２が設置されている。導通部１２により共通電極９に電圧が印加される。
【００４３】
素子基板２上には電気泳動シート１１を囲んで枠部１３が設置され、枠部１３の＋Ｚ方向側には保護基板１４が設置されている。そして、電気泳動シート１１と保護基板１４とが第３接着膜１５により接着されている。枠部１３は、電気泳動シート１１よりも外側に位置し素子基板２上に設けられている。枠部１３は保護基板１４と素子基板２とで挟まれている。枠部１３は例えばアクリル系樹脂やＰＥＴ等の有機材料によって構成されている。保護基板１４及び素子基板２の周縁部にそれぞれ密着していると共に周縁部をそれぞれ固定した状態になっている。これらの各部材はレーザー溶着によって固定させても良く、接着固定させても良い。
【００４４】
保護基板１４は、電気泳動表示装置１の視認側に設けられている。保護基板１４の板材は、光透過性が高く、平坦度が優れ、キズつき難い材料が適しており、アクリル系の板材や強化ガラス等を用いることができる。第２接着膜８及び第３接着膜１５には透明率が高い光学接着剤を用いることが好ましい。
【００４５】
図３は、素子基板の構造を示す模式平面図であり、図１からマイクロカプセル７及び第１接着膜６を除いた図である。図４は、素子基板の構造を示す要部模式平面図である。図３及び図４において、Ｙ方向に並ぶ画素電極５の列の１つにおける画素電極５を第１画素電極５ａとする。さらに、第１画素電極５ａの隣に位置する画素電極５を第２画素電極５ｂとする。
【００４６】
このとき、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間にはＹ方向に延びる凸部１６が設置されている。凸部１６は第１接着膜６の外周まで伸びている。凸部１６は各列の画素電極５の間に位置する。さらに、凸部１６は＋Ｘ方向側の端の列の画素電極５の＋Ｘ方向側にも位置する。さらに、凸部１６は−Ｘ方向側の端の列の画素電極５の−Ｘ方向側にも位置する。Ｘ方向の凸部１６の両側は気体としての空気が通過する通路１７になっている。通路１７は凸部１６に沿っており第１接着膜６の外周にて開口する。
【００４７】
図５及び図６は画素電極及び凸部の構造を示す要部模式側断面図である。図５及び図６に示すように、画素電極５及び凸部１６上に第１接着膜６が設置される。第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に凸部１６がないときには第１接着膜６が素子基板２側に垂れ下がり、第１接着膜６が第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間を埋める。このため、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に空気が通る空間がなくなる。
【００４８】
第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間のＸ方向の距離に比べて、第１画素電極５ａと凸部１６との間の距離は短い。このため、第１画素電極５ａと凸部１６との間で第１接着膜６は素子基板２側に垂れ下がり難くなる。そして、第１画素電極５ａと凸部１６との間には空気がとおる通路１７ができる。同様に、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの距離に比べて、第２画素電極５ｂと凸部１６との距離は短い。このため、第２画素電極５ｂと凸部１６との間で第１接着膜６は素子基板２側に垂れ下がり難くなる。そして、第２画素電極５ｂとの間にも空気がとおる通路１７ができる。
【００４９】
図３８は比較例における電気泳動表示装置の構造を示す模式平断面図である。図３８に示すように、第１接着膜６を素子基板２上に設置するとき、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８が残留することがある。このとき、第１接着膜６と気泡との間で光が反射するので、表示パターンが見難くなる。電気泳動表示装置１は第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に通路１７があり、通路１７は第１接着膜６の外周に開口する。従って、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８が残留するときには素子基板２と電気泳動シート１１とを押す。そして、気泡１８に圧力を加えることにより、気泡内の気体に通路１７を通過させて第１接着膜６の外周に移動させることができる。その結果、容易に画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８が存在し難い電気泳動表示装置１にすることができる。
【００５０】
図３９は比較例における画素電極の構造を示す要部模式側断面図である。図３９に示すように、第１接着膜６に圧力が加わるとき第１接着膜６が変形する。第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に凸部１６がないときには第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に第１接着膜６が進入する。これにより、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間には空間ができないので、通路１７が形成されない。
【００５１】
図５及び図６に戻って、電気泳動表示装置１では素子基板２と第１接着膜６との間には凸部１６が設置され、凸部１６は通路１７に沿って設置されている。凸部１６は素子基板２と第１接着膜６との間に空間を形成する。そして、電気泳動表示装置１が素子基板２の厚み方向に押圧されるときにも、通路１７が潰れることを凸部１６が抑制する。従って、電気泳動表示装置１が素子基板２の厚み方向に押圧されるときにも、通路１７を維持することができる。
【００５２】
画素電極５のＺ方向の高さを電極高さ５ｃとする。そして、凸部１６のＺ方向の高さを凸部高さ１６ａとする。凸部高さ１６ａは電極高さ５ｃと等しいか低い高さに設定されている。凸部高さ１６ａが電極高さ５ｃより高いとき、画素電極５と第１接着膜６とが離れる可能性がある。このとき、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができるので表示パターンが見難くなる。電気泳動表示装置１では凸部高さ１６ａが電極高さ５ｃより低いので、画素電極５と第１接着膜６とが離れることを抑制することができる。その結果、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【００５３】
次に上述した電気泳動表示装置１の製造方法について図７〜図１５にて説明する。図７は、電気泳動表示装置の製造方法のフローチャートであり、図８〜図１５は電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図である。図７のフローチャートにおいて、ステップＳ１は下電極配線設置工程である。この工程は、素子基板２から画素電極５に通ずる配線を設置する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は凸部設置工程である。この工程は、素子基板２上に凸部１６を設置する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は画素電極設置工程である。この工程は、素子基板２上に画素電極５を設置する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は泳動シート設置工程である。この工程は、素子基板２上に電気泳動シート１１を設置する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は基板組立工程である。この工程は、素子基板２と保護基板１４とを組立てる工程である。以上の工程により電気泳動表示装置１が完成する。
【００５４】
次に、図８〜図１５を用いて、図７に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図８及び図９はステップＳ１の下電極配線設置工程に対応する図である。図８に示すように、基材２１を用意する。基材２１はガラス板を所定の厚みに研削及び研磨して表面粗さを小さくした板を用いる。基材２１上に素子層２２を形成する。素子層２２の形成方法は公知であるので詳細の説明は省略し、概略の製造方法を説明する。素子層２２の形成方法は複数存在し特に限定されない。
【００５５】
まず、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって基材２１上に図示しないＳｉＯ2の下地絶縁膜を形成する。次に、下地絶縁膜上に、ＣＶＤ法等によって膜厚５０ｎｍ程度の非晶質シリコン膜を形成する。その非晶質シリコン膜をレーザー結晶化法等によって結晶化して、多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソグラフィー法等によって島状の多結晶シリコン膜である半導体膜２３ｅを形成する。
【００５６】
次に、半導体膜２３ｅ及び下地絶縁膜を覆うように、ＣＶＤ法等によって膜厚１００ｎｍ程度のＳｉＯ2を形成し、ゲート絶縁膜２３ｆとする。スパッタリング法等によって、ゲート絶縁膜２３ｆ上に膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって島状のゲート電極２３ｇを形成する。イオン注入法によって半導体膜に不純物イオンを注入し、ソース領域２３ｈ、ドレイン領域２３ｊ及びチャネル形成領域２３ｋを形成する。ゲート絶縁膜２３ｆ及びゲート電極２３ｇを覆うように、膜厚８００ｎｍ程度のＳｉＯ2膜を形成し、層間絶縁膜２２ｍとする。
【００５７】
次に、層間絶縁膜２２ｍにソース領域２３ｈに達するコンタクトホールとドレイン領域２３ｊに達するコンタクトホールを形成する。その後、層間絶縁膜２２ｍ上とコンタクトホール及びコンタクトホール内に、スパッタリング法等によって膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、フォトリソグラフィー法によってパターニングして、ソース電極２３ｎ、ドレイン電極２３ｐ及び図示しない配線を形成する。半導体膜２３ｅ、ゲート絶縁膜２３ｆ、ゲート電極２３ｇ、ソース電極２３ｎ及びドレイン電極２３ｐ等によりスイッチング素子２３が構成される。
【００５８】
図９に示すように、層間絶縁膜２２ｍ、ソース電極２３ｎ、ドレイン電極２３ｐ及び配線を覆うように、第１絶縁膜２４を設置する。第１絶縁膜２４はアクリル樹脂等の樹脂膜である。樹脂を溶解した溶液を素子層２２上にスピンナーやロールコーターにて塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて第１絶縁膜２４をパターニングし、第１絶縁膜２４にコンタクトホールを形成する。第１絶縁膜２４のコンタクトホールはドレイン電極２３ｐに到達する孔である。次に、第１絶縁膜２４上に膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ3Ｎ4膜を形成し第２絶縁膜２５とする。次に、フォトリソグラフィー法を用いて第２絶縁膜２５をパターニングし、コンタクトホールにドレイン電極２３ｐを露出させる。尚、第１絶縁間膜２４を形成する前に保護膜を設置してもよい。保護膜の材料としては、例えばシリコンナイトライド等を用いることでよい。これにより、第１絶縁膜２４に可動イオン等が存在しても、当該可動イオンの層間絶縁膜２２ｍ、ソース電極２３ｎ、ドレイン電極２３ｐ及び配線への侵入を防ぐことができる。これにより、素子の特性が変化することを防ぐことができる。
【００５９】
次に、第２絶縁膜２５上とコンタクトホール内に、スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚５００ｎｍ程度のＡｌＣｕ膜を形成する。続いて、ＡｌＣｕ膜をエッチングして画素電極配線２６及び貫通電極２７を形成する。貫通電極２７はコンタクトホールに設置された電極であり、ドレイン電極２３ｐと画素電極配線２６とを接続する。エッチング法は特に限定されないが本実施形態ではウエットエッチング法を用いた。
【００６０】
第１絶縁膜２４と画素電極配線２６との間には第２絶縁膜２５が設置されている。第１絶縁膜２４は樹脂膜であり、画素電極配線２６は金属膜である。樹脂膜上に金属膜を設置すると金属膜が剥がれやすくなる。第２絶縁膜２５は無機質の膜であり、無機質の膜は樹脂膜及び金属膜と接合するとき剥がれ難い。従って、第２絶縁膜２５を設置することにより画素電極配線２６の剥離を抑制することができる。
【００６１】
図１０はステップＳ２の凸部設置工程に対応する図である。図１０に示すように、ステップＳ２において、第２絶縁膜２５上に凸部１６を設置する。凸部１６の材料は剛性があれば良く特に限定されないが本実施形態では例えばアクリル樹脂を用いている。まず、第２絶縁膜２５上に樹脂を溶解した溶液をスピンナー、ロールコーターや各種印刷法にて塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて樹脂膜をパターニングして凸部１６を設置する。
【００６２】
図１１はステップＳ３の画素電極設置工程に対応する図である。図１１に示すように、画素電極配線２６及び貫通電極２７に重ねて画素電極５を設置する。画素電極５は無電解めっき法を用いて形成する。画素電極５の材料としてはめっきの導電性があって無電解めっき法ができれば良く特に限定されない。金、パラジウム、ニッケル等の金属を単体または複数の金属を積層して用いることができる。本実施形態では、例えば、画素電極５の材料に金を用いている。尚、基材２１の下面に保護膜を形成してもよい。当該保護膜の材料としては、シリコンナイトライド等を用いることができる。
【００６３】
図１２〜図１４はステップＳ４の泳動シート設置工程に対応する図である。図１２に示すように、ステップＳ４において、電気泳動シート１１を用意する。まず、透明基板１０の片面に共通電極９を設置する。共通電極９はＩＴＯ膜である。スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚１００ｎｍ程度のＩＴＯ膜を透明基板１０上に形成する。次に、フォトリソグラフィー法によってＩＴＯ膜をパターニングして、共通電極９を形成する。
【００６４】
次に、共通電極９に重ねて第２接着膜８を設置する。図示しない第２台紙に接着剤を塗布し乾燥することにより第２接着膜８を形成する。そして、第２接着膜８が設置された第２台紙を共通電極９上に設置する。次に、透明基板１０において第２接着膜８が設置された面の反対側の面に第３接着膜１５を設置する。第２接着膜８と同様に図示しない第３台紙に接着剤を塗布し乾燥することにより第３接着膜１５を形成する。そして、第３接着膜１５が設置された第３台紙を透明基板１０上に設置する。尚、第２接着膜８及び第３接着膜１５は完全に乾燥させずに粘着性がある程度に乾燥させる。
【００６５】
続いて、第２台紙を除去して第２接着膜８を露出させて第２接着膜８上にマイクロカプセル７を設置する。第２接着膜８上にマイクロカプセル７を撒いて第２接着膜８に付着させる。そして、第２接着膜８に付着しない余分なマイクロカプセル７を除去する。次に、マイクロカプセル７を所定の治具にて微動させてマイクロカプセル７を整列する。
【００６６】
次に、整列したマイクロカプセル７に重ねて第１接着膜６を設置する。第２接着膜８と同様に図示しない第１台紙に接着剤を塗布し乾燥することにより第１接着膜６を形成する。そして、第１接着膜６が設置された第１台紙を整列されたマイクロカプセル７上に設置する。
【００６７】
図１３に示すように、素子基板２上に導通部１２を設置する。導通部１２には導電性ペースト、導電性ゴム、金属片等導電性の有る部材を用いることができる。第１接着膜６から第１台紙を除去して第１接着膜６を露出する。そして、第１接着膜６を画素電極５に接触させる。第１接着膜６を加熱乾燥させて第１接着膜６を固化する。これにより、素子基板２と電気泳動シート１１とが接着される。
【００６８】
図１４に示すように、隣り合う列の画素電極５を第１画素電極５ａ及び第２画素電極５ｂとする。第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間には凸部１６が設置され、凸部１６は画素電極５より低い高さになっている。そして、電気泳動シート１１と素子基板２とを互いに押圧するとき、第１接着膜６は凸部１６と接触するので第１接着膜６は素子基板２側に垂れ下がらない。従って、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間には空気が通る通路１７が形成される。
【００６９】
画素電極５と第１接着膜６との間に気泡ができることがある。第１接着膜６が画素電極５に押圧されるとき気泡内の空気は通路１７に流出する。そして、空気は通路１７を通って第１接着膜６の外周から排出される。その結果、画素電極５と第１接着膜６との間から気泡を無くすことができる。
【００７０】
図１５はステップＳ５の基板組立工程に対応する図である。図１５に示すように、素子基板２上に枠部１３を設置する。そして、電気泳動シート１１から第３台紙を除去して第３接着膜１５を露出させる。次に、第３接着膜１５に重ねて保護基板１４を設置する。続いて、第３接着膜１５を加熱乾燥して固化し、電気泳動シート１１と保護基板１４とを互いに接着する。
【００７１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間には第１接着膜６の外周に開口し気体が通る通路１７が設置されている。第１接着膜６を素子基板２上に設置するとき、素子基板２と第１接着膜６との間に気泡１８が残留することがある。このとき、第１接着膜６と気泡１８との間で光が反射するので、表示パターンが見難くなる。電気泳動表示装置１は第１画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間に通路１７があり、通路１７は第１接着膜６の外周に開口する。従って、素子基板２と第１接着膜６との間に気泡１８が残留するときには気泡１８に圧力を加えることにより、気泡１８内の気体に通路１７を通過させて第１接着膜６の外周に移動させることができる。その結果、容易に画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８がない電気泳動表示装置１にすることができる。
【００７２】
（２）本実施形態によれば、素子基板２と第１接着膜６との間には凸部１６が設置され、凸部１６は通路１７に沿って設置されている。凸部１６は素子基板２と第１接着膜６との間に空間を形成する。そして、電気泳動表示装置１が素子基板２の厚み方向に押圧されるときにも、空間が潰れることを凸部１６が抑制する。従って、電気泳動表示装置１が素子基板２の厚み方向に押圧されるときにも、通路１７を維持することができる。
【００７３】
（３）本実施形態によれば、凸部高さ１６ａは電極高さ５ｃと等しいか低く設置されている。凸部高さ１６ａが電極高さ５ｃより高いとき、画素電極５と第１接着膜６とが離れる可能性がある。このとき、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができるので表示パターンが見難くなる。電気泳動表示装置１では凸部高さ１６ａが電極高さ５ｃより低いので、画素電極５と第１接着膜６とが離れることを抑制することができる。その結果、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【００７４】
（第２の実施形態）
次に、電気泳動表示装置を製造する一実施形態について図１６〜図１９の電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、凸部１６を設置した後で画素電極配線２６を設置する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。尚、第１実施形態と同様な保護膜を設けてもよい。
【００７５】
図１６は第１絶縁膜を設置する工程に対応する図である。すなわち、本実施形態では、図１６に示すように、層間絶縁膜２２ｍ、ソース電極２３ｎ、ドレイン電極２３ｐ及び配線を覆うように、第１絶縁膜２４を設置して、第１絶縁膜２４にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールにドレイン電極２３ｐを露出させる。第１絶縁膜２４の設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００７６】
図１７は凸部設置工程に対応する図である。図１７に示すように、ステップＳ２において、第１絶縁膜２４上に凸部１６を設置する。凸部１６の設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００７７】
図１８は下電極配線設置工程に対応する図である。図１８に示すように、第１絶縁膜２４及び凸部１６上に膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ3Ｎ4膜を形成し第２絶縁膜３０とする。次に、フォトリソグラフィー法を用いて第２絶縁膜３０をパターニングし、コンタクトホールにドレイン電極２３ｐを露出させる。第２絶縁膜３０の設置方法は第１の実施形態における第２絶縁膜２５の設置方法と同じであり、説明を省略する。
【００７８】
次に、第２絶縁膜３０上とコンタクトホール内にＡｌＣｕ膜を形成する。続いて、ＡｌＣｕ膜をエッチングして画素電極配線２６及び貫通電極２７を形成する。画素電極配線２６及び貫通電極２７の設置方法は第１の実施形態における画素電極配線２６及び貫通電極２７の設置方法と同じであり、説明を省略する。
【００７９】
図１９は画素電極設置工程に対応する図である。図１９に示すように、画素電極配線２６及び貫通電極２７に重ねて画素電極５を設置する。画素電極５の設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。続いて行われるステップＳ４の泳動シート設置工程及びステップＳ５の基板組立工程は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。以上の工程により電気泳動表示装置３１が完成する。電気泳動表示装置３１においても第１の実施形態と同様に、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【００８０】
（第３の実施形態）
次に、電気泳動表示装置を製造する一実施形態について図２０〜図２２の電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第２の実施形態と異なるところは、凸部１６と第１絶縁膜２４とを一体にて設置する点にある。尚、第１及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。尚、第１実施形態と同様な保護膜を設けてもよい。
【００８１】
図２０は第１絶縁膜及び凸部を設置する工程に対応する図である。すなわち、本実施形態では、図２０に示すように、素子層２２を覆うように、樹脂膜３３を設置する。まず、素子層２２上に樹脂を溶解した溶液をスピンナー、ロールコーターや各種印刷法にて塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて樹脂膜をパターニングして凸部３４及び第１絶縁膜３５を形成する。樹脂膜３３の材質は特に限定されないが、本実施形態では、例えば、アクリル樹脂を用いている。凸部３４は第１の実施形態における凸部１６と同様の部位であり、第１絶縁膜３５は第１の実施形態における第１絶縁膜２４と同様の部位である。
【００８２】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて第１絶縁膜３５をパターニングし、第１絶縁膜３５にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールにドレイン電極２３ｐを露出させる。コンタクトホールの設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００８３】
図２１は下電極配線設置工程に対応する図である。図２１に示すように、第１絶縁膜３５及び凸部３４上に膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ3Ｎ4膜を形成し第２絶縁膜３０とする。次に、フォトリソグラフィー法を用いて第２絶縁膜３０をパターニングし、コンタクトホールにドレイン電極２３ｐを露出させる。第２絶縁膜３０の設置方法は第１の実施形態における第２絶縁膜２５の設置方法と同じであり、説明を省略する。
【００８４】
次に、第２絶縁膜３０上とコンタクトホール内にＡｌＣｕ膜を形成する。続いて、ＡｌＣｕ膜をエッチングして画素電極配線２６及び貫通電極２７を形成する。画素電極配線２６及び貫通電極２７の設置方法は第１の実施形態における画素電極配線２６及び貫通電極２７の設置方法と同じであり、説明を省略する。
【００８５】
図２２は画素電極設置工程に対応する図である。図２２に示すように、画素電極配線２６及び貫通電極２７に重ねて画素電極５を設置する。画素電極５の設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。続いて行われるステップＳ４の泳動シート設置工程及びステップＳ５の基板組立工程は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。以上の工程により電気泳動表示装置３６が完成する。
【００８６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１絶縁膜３５及び凸部３４が同じ樹脂膜３３から形成されている。従って、第１絶縁膜３５と凸部３４とがそれぞれ異なる樹脂膜から製造するときに比べて樹脂膜を設置する工程を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動表示装置３６を製造することができる。電気泳動表示装置３６においても第１の実施形態と同様に、画素電極５と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【００８７】
（第４の実施形態）
次に、電気泳動表示装置の一実施形態について図２３〜図２８を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、画素電極が基礎凸部上に導通膜が設置された構造になっている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００８８】
図２３は素子基板の構造を示す要部模式側断面図である。図２３に示すように、電気泳動表示装置５５は素子基板５６を備え、素子基板５６は基材２１、素子層２２及び第１絶縁膜５７が積ねられた構造になっている。第１絶縁膜５７は無機質の絶縁膜であり酸化シリコンや窒化シリコンの膜である。本実施形態では、例えば、第１絶縁膜５７の材質はＳｉＯ2になっている。素子基板５６の第１絶縁膜５７上に凸部１６及び画素電極５８が設置されている。凸部１６はＸ方向に隣り合う画素電極５８の間に設置されている。Ｘ方向に隣り合う画素電極５８の一方を第１画素電極５８ａとし、他方を第２画素電極５８ｂとする。第１画素電極５８ａと第２画素電極５８ｂとは同じ構造になっている。そして、画素電極５８は基礎凸部５９と基礎凸部５９を覆って設置された第２絶縁膜６０と、さらに、第２絶縁膜６０を覆う導電膜としての電極膜６１により構成されている。
【００８９】
第１画素電極５８ａにおける基礎凸部５９を第１基礎凸部５９ｂとし、第２画素電極５８ｂにおける基礎凸部５９を第２基礎凸部５９ｃとする。第１基礎凸部５９ｂ上に設置する電極膜６１を第１電極膜６１ａとし、第２基礎凸部５９ｃ上に設置する電極膜６１を第２電極膜６１ｂとする。第１絶縁膜５７にはコンタクトホールが設置され、コンタクトホールにはドレイン電極２３ｐと接続する貫通電極６２が設置されている。そして、貫通電極６２は電極膜６１と接続されている。
【００９０】
基礎凸部５９のＺ方向の高さを基礎凸部高さ５９ａとするとき、凸部高さ１６ａと基礎凸部高さ５９ａとは同じ高さになっている。そして画素電極５８の高さを電極高さ５８ｃとする。このとき、電極高さ５８ｃは基礎凸部高さ５９ａに第２絶縁膜６０及び電極膜６１の厚みを加えた高さである。従って、電極高さ５８ｃは凸部高さ１６ａより確実に高い為、画素電極５８上に気泡１８をでき難くすることができる。
【００９１】
凸部１６と基礎凸部５９とは材質が同じ樹脂である。本実施形態では、例えば、凸部１６及び基礎凸部５９の材質はアクリル樹脂になっている。このとき、凸部１６と基礎凸部５９とは同じ工程にて設置することができる。従って、基礎凸部５９と凸部１６とを別の工程で製造するときに比べて電気泳動表示装置５５を生産性良く製造することができる。
【００９２】
次に上述した電気泳動表示装置５５の製造方法について図２４〜図２８にて説明する。図２４は、電気泳動表示装置の製造方法のフローチャートであり、図２５〜図２８は電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図である。図２４のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は絶縁膜設置工程である。この工程は、素子層２２上に第１絶縁膜５７を設置する工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は凸部設置工程である。この工程は、素子基板５６上に凸部１６及び基礎凸部５９を設置する工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３は画素電極設置工程である。この工程は、基礎凸部５９上に第２絶縁膜６０及び電極膜６１を設置する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は泳動シート設置工程である。この工程は、素子基板５６上に電気泳動シート１１を設置する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は基板組立工程である。この工程は、素子基板５６と保護基板１４とを組立てる工程である。以上の工程により電気泳動表示装置５５が完成する。
【００９３】
次に、図２５〜図２８を用いて、図２４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図２５はステップＳ１１の絶縁膜設置工程に対応する図である。図２５に示すように、基材２１上に素子層２２を設置する。素子層２２の設置方法は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。さらに、素子層２２上に第１絶縁膜５７を設置する。素子層２２上にＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2の膜を設置する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてＳｉＯ2膜をパターニングしてコンタクトホールを設置する。コンタクトホールを形成するときのエッチング法は特に限定されないが本実施形態では、例えば、ドライエッチング法を用いた。
【００９４】
図２６はステップＳ１２の凸部設置工程に対応する図である。図２６に示すように、第１絶縁膜５７上に凸部１６及び基礎凸部５９を設置する。まず、第１絶縁膜５７上に樹脂を溶解した溶液をスピンナー、ロールコーターや各種印刷法にて塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて樹脂膜をパターニングして凸部１６及び基礎凸部５９を設置する。凸部１６は第１基礎凸部５９ｂと第２基礎凸部５９ｃとの間に位置する。
【００９５】
図２７及び図２８はステップＳ１３の画素電極設置工程に対応する図である。図２７に示すように、第１絶縁膜５７、凸部１６及び基礎凸部５９上に膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ3Ｎ4膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてＳｉ3Ｎ4膜をパターニングし第２絶縁膜６０を設置する。第２絶縁膜６０は基礎凸部５９を覆うように設置し、コンタクトホールのドレイン電極２３ｐを露出させる。
【００９６】
図２８に示すように、次に、第２絶縁膜６０上とコンタクトホール内に、スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚５００ｎｍ程度のＡｌＣｕ膜を形成する。続いて、ＡｌＣｕ膜をエッチングして電極膜６１及び貫通電極６２を形成する。貫通電極６２はコンタクトホールに設置された電極であり、ドレイン電極２３ｐと電極膜６１とを接続する。
【００９７】
この工程において画素電極５８が完成する。第１基礎凸部５９ｂ上に第２絶縁膜６０及び第１電極膜６１ａを設置して第１画素電極５８ａができる。そして、第２基礎凸部５９ｃ上に第２絶縁膜６０及び第２電極膜６１ｂを設置して第２画素電極５８ｂができる。エッチング法は特に限定されないが本実施形態ではウエットエッチング法を用いた。
【００９８】
ステップＳ１３の画素電極設置工程に続いてステップＳ４の泳動シート設置工程及びステップＳ５の基板組立工程が行われる。ステップＳ４では第１電極膜６１ａ及び第２電極膜６１ｂ上に第１接着膜６を設置する。尚、ステップＳ４及びステップＳ５は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００９９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、画素電極５８は基礎凸部５９を備え、基礎凸部５９上に電極膜６１が設置されている。そして、凸部１６と基礎凸部５９とは素子基板５６からの高さが同じである。このとき、Ｚ方向における画素電極５８の高さを凸部１６より確実に高くすることができる。従って、画素電極５８と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【０１００】
（２）本実施形態によれば、凸部１６と基礎凸部５９とは材質が同じである。このとき、凸部１６と基礎凸部５９とは同じ工程にて設置することができる。従って、基礎凸部５９と凸部１６とを別の工程で製造するときに比べて電気泳動表示装置５５を生産性良く製造することができる。
【０１０１】
（３）本実施形態によれば、第１基礎凸部５９ｂ、第２基礎凸部５９ｃ及び凸部１６が設置される。そして、第１基礎凸部５９ｂ上に第１電極膜６１ａが設置され、第２基礎凸部５９ｃ上に第２電極膜６１ｂが設置される。凸部１６は第１基礎凸部５９ｂと第２基礎凸部５９ｃとの間に位置する。従って、凸部１６は第１画素電極５８ａと第２画素電極５８ｂとの間に位置させることができる。
【０１０２】
（第５の実施形態）
次に、電気泳動表示装置の一実施形態について図２９〜図３５を用いて説明する。本実施形態が第４の実施形態と異なるところは、画素電極が基礎凸部上の配線上にめっきにて設置された構造になっている点にある。尚、第４の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０３】
図２９は素子基板の構造を示す要部模式側断面図である。図２９に示すように、電気泳動表示装置６５は素子基板５６の第１絶縁膜５７上に凸部６６及び画素電極６７が設置されている。凸部６６はＸ方向に隣り合う画素電極６７の間に設置されている。Ｘ方向に隣り合う画素電極６７の一方を第１画素電極６７ａとし、他方を第２画素電極６７ｂとする。第１画素電極６７ａと第２画素電極６７ｂとは同じ構造になっている。
【０１０４】
そして、画素電極６７は基礎凸部６８、第２絶縁膜６９、貫通電極７０及び導電膜としての電極膜７１により構成されている。第２絶縁膜６９は基礎凸部６８を覆って設置されている。貫通電極７０は第２絶縁膜６９上からドレイン電極２３ｐに渡って設置された配線である。電極膜７１は基礎凸部６８上で貫通電極７０に重ねて設置された電極である。
【０１０５】
第１絶縁膜５７にはコンタクトホールが設置され、コンタクトホールにはドレイン電極２３ｐと接続する貫通電極６２が設置されている。そして、貫通電極６２は貫通電極７０と接続されている。第１画素電極６７ａにおける基礎凸部６８を第１基礎凸部６８ｂとし、第２画素電極６７ｂにおける基礎凸部６８を第２基礎凸部６８ｃとする。第１基礎凸部６８ｂ上に設置する電極膜７１を第１画素電極７１ａとし、第２基礎凸部６８ｃ上に設置する電極膜７１を第２画素電極７１ｂとする。
【０１０６】
凸部６６のＺ方向の高さを凸部高さ６６ａとし基礎凸部６８のＺ方向の高さを基礎凸部高さ６８ａとする。凸部高さ６６ａと基礎凸部高さ６８ａとは同じ高さになっている。そして画素電極６７の高さを電極高さ６７ｃとする。このとき、電極高さ６７ｃは基礎凸部高さ６８ａに第２絶縁膜６９、貫通電極７０及び電極膜７１の厚みを加えた高さである。従って、電極高さ６７ｃは凸部高さ６６ａより確実に高い為、画素電極６７上に気泡１８をでき難くすることができる。
【０１０７】
凸部６６と基礎凸部６８とは材質が同じ樹脂である。本実施形態では、例えば、凸部６６及び基礎凸部６８の材質はアクリル樹脂になっている。このとき、凸部６６と基礎凸部６８とは同じ工程にて設置することができる。従って、基礎凸部６８と凸部６６とを別の工程で製造するときに比べて電気泳動表示装置６５を生産性良く製造することができる。
【０１０８】
次に上述した電気泳動表示装置６５の製造方法について図３０〜図３５にて説明する。図３０は、電気泳動表示装置の製造方法のフローチャートであり、図３１〜図３５は電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式側断面図である。図３０のフローチャートにおいて、ステップＳ１１は絶縁膜設置工程である。この工程は、素子層２２上に第１絶縁膜５７を設置する工程である。次にステップＳ２２に移行する。ステップＳ２２は凸部設置工程である。この工程は、素子基板５６上に凸部６６及び基礎凸部６８を設置する工程である。次にステップＳ２３に移行する。ステップＳ２３は画素配線設置工程である。この工程は、基礎凸部６８上に第２絶縁膜６９及び貫通電極７０を設置する工程である。次にステップＳ２４に移行する。ステップＳ２４は画素電極設置工程である。この工程は、基礎凸部６８上の貫通電極７０上に電極膜７１を設置する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は泳動シート設置工程である。この工程は、素子基板５６上に電気泳動シート１１を設置する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は基板組立工程である。この工程は、素子基板５６と保護基板１４とを組立てる工程である。以上の工程により電気泳動表示装置６５が完成する。
【０１０９】
次に、図３１〜図３５を用いて、図３０に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図３１はステップＳ１１の絶縁膜設置工程に対応する図である。図３１に示すように、基材２１上に素子層２２を設置する。さらに、素子層２２上に第１絶縁膜５７を設置する。素子層２２及び第１絶縁膜５７の設置方法は第４の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【０１１０】
図３２はステップＳ２２の凸部設置工程に対応する図である。図３２に示すように、第１絶縁膜５７上に凸部６６及び基礎凸部６８を設置する。まず、第１絶縁膜５７上に樹脂を溶解した溶液をスピンナー、ロールコーターや各種印刷法にて塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて樹脂膜をパターニングして凸部６６及び基礎凸部６８を設置する。凸部６６は第１基礎凸部６８ｂと第２基礎凸部６８ｃとの間に位置する。
【０１１１】
図３３及び図３４はステップＳ２３の画素配線設置工程に対応する図である。図３３に示すように、第１絶縁膜５７、凸部６６及び基礎凸部６８上に膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ3Ｎ4膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてＳｉ3Ｎ4膜をパターニングし第２絶縁膜６９を設置する。第２絶縁膜６９は基礎凸部６８を覆うように設置し、コンタクトホールのドレイン電極２３ｐを露出させる。
【０１１２】
図３４に示すように、次に、第２絶縁膜６９上とコンタクトホール内に、スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚５００ｎｍ程度のＡｌＣｕ膜を形成する。続いて、ＡｌＣｕ膜をエッチングして貫通電極７０を形成する。貫通電極７０はコンタクトホールに設置された電極であり、ドレイン電極２３ｐから基礎凸部６８上まで続く配線である。エッチング法は特に限定されないが本実施形態ではウエットエッチング法を用いた。
【０１１３】
図３５はステップＳ２４の画素電極設置工程に対応する図である。図３５に示すように、貫通電極７０に重ねて電極膜７１を設置する。第１基礎凸部６８ｂ上の第２絶縁膜６９及び貫通電極７０に重ねて第１画素電極７１ａを設置する。第２基礎凸部６８ｃ上の第２絶縁膜６９及び貫通電極７０に重ねて第２画素電極７１ｂを設置する。電極膜７１の設置方法は第１の実施形態における画素電極５の設置方法と同じであり、説明を省略する。ステップＳ２４に続いてステップＳ４の泳動シート設置工程及びステップＳ５の基板組立工程が行われる。ステップＳ４では第１画素電極７１ａ及び第２画素電極７１ｂ上に第１接着膜６を設置する。ステップＳ４及びステップＳ５は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。以上の工程により電気泳動表示装置６５が完成する。
【０１１４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、画素電極６７は基礎凸部６８を備え、基礎凸部６８上に電極膜７１が設置されている。そして、凸部６６と基礎凸部６８とは素子基板５６からの高さが同じである。このとき、Ｚ方向における画素電極６７の高さを凸部６６より確実に高くすることができる。従って、画素電極６７と第１接着膜６との間に気泡１８ができることを抑制することができる。
【０１１５】
（２）本実施形態によれば、凸部６６と基礎凸部６８とは材質が同じである。このとき、凸部６６と基礎凸部６８とは同じ工程にて設置することができる。従って、基礎凸部６８と凸部６６とを別の工程で製造するときに比べて電気泳動表示装置６５を生産性良く製造することができる。
【０１１６】
（３）本実施形態によれば、第１基礎凸部６８ｂ、第２基礎凸部６８ｃ及び凸部６６が設置される。そして、第１基礎凸部６８ｂ上に第２絶縁膜６９、貫通電極７０及び第１画素電極７１ａが設置され、第２基礎凸部６８ｃ上に第２絶縁膜６９、貫通電極７０及び第２画素電極７１ｂが設置される。凸部６６は第１基礎凸部６８ｂと第２基礎凸部６８ｃとの間に位置する。従って、凸部６６は第１画素電極６７ａと第２画素電極６７ｂとの間に位置させることができる。
【０１１７】
（第６の実施形態）
次に、電気泳動表示装置を搭載した電子機器の一実施形態について図３６及び図３７を用いて説明する。図３６は電子ブックの構造を示す概略斜視図であり、図３７は腕時計の構造を示す概略斜視図である。図３６に示すように、電子機器としての電子ブック８３は板状のケース８４を備えている。ケース８４には蝶番８５を介して蓋部８６が設置されている。さらに、ケース８４には操作ボタン８７と表示装置としての表示部８８とが設置されている。操作者は操作ボタン８７を操作して表示部８８に表示する内容を操作することができる。
【０１１８】
ケース８４の内部には電子ブック８３を制御する制御部８９と表示部８８を駆動する駆動装置としての駆動部９０が設置されている。制御部８９は駆動部９０に表示データを出力する。駆動部９０は表示データを入力して表示部８８を駆動する。そして、駆動部９０は表示部８８に表示データに対応する内容を表示させる。表示部８８には電気泳動表示装置１、電気泳動表示装置３１、電気泳動表示装置３６、電気泳動表示装置５５または電気泳動表示装置６５のいずれかが用いられている。従って、電子ブック８３は表示部８８に気泡１８のでき難い電気泳動表示装置を表示部８８に用いた装置とすることができる。
【０１１９】
図３７に示すように、電子機器としての腕時計９３は板状のケース９４を備えている。ケース９４にはバンド９５が設置され、操作者はバンド９５を腕に巻いて腕時計９３を腕に固定することができる。さらに、ケース９４には操作ボタン９６と表示装置としての表示部９７とが設置されている。操作者は操作ボタン９６を操作して表示部９７に表示する内容を操作することができる。
【０１２０】
ケース９４の内部には腕時計９３を制御する制御部９８と表示部９７を駆動する駆動装置としての駆動部９９が設置されている。制御部９８は駆動部９９に表示データを出力する。駆動部９９は表示データを入力して表示部９７を駆動する。そして、駆動部９９は表示部９７に表示データに対応する内容を表示させる。そして、表示部９７には電気泳動表示装置１、電気泳動表示装置３１、電気泳動表示装置３６、電気泳動表示装置５５または電気泳動表示装置６５のいずれかが用いられている。従って、腕時計９３は表示部９７に気泡１８のでき難い電気泳動表示装置を表示部９７に用いた装置とすることができる。
【０１２１】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、各列の画素電極５の間に凸部１６が設置された。２列の画素電極５に対して１列の凸部１６を設置しても良い。また、凸部１６はＹ方向に延びる直線状の形状であった。凸部１６は階段状にＸ方向及びＹ方向に延びる形状でも良い。このときにも、画素電極５と第１接着膜６との間の気泡１８は通路１７を通って排出させることができる。
【０１２２】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、マイクロカプセル７の形状が円形であった。マイクロカプセル７の形状は特に限定されず四角、多角形、楕円形にしても良い。マイクロカプセル７の形状によらず気泡１８を排出することができる。
【０１２３】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、画素電極５の形状は四角形であった。画素電極５の形状は特に限定されず多角形、円形、楕円形にしても良い。画素電極５の形状によらず気泡１８を排出することができる。凸部１６はＸ方向の幅が一定になっていた。凸部１６の幅は一定でなくても良い。画素電極５の形状に合わせて変化させても良い。尚、変形例１〜変形例３の内容は前記第２の実施形態〜第５の実施形態にも適用しても良い。
【０１２４】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、凸部１６を設置した後で画素電極５を設置した。順番を逆にして画素電極５を設置した後で凸部１６を設置しても良い。製造し易い工程順にしても良い。
【符号の説明】
【０１２５】
１…表示装置としての電気泳動表示装置、２…基板としての素子基板、３…駆動回路、４…端子、５…画素電極、５ａ…第１画素電極、５ｂ…第２画素電極、６…接着膜としての第１接着膜、７…マイクロカプセル、７ａ…分散媒、７ｂ…黒色粒子、７ｃ…白色粒子、８…第２接着膜、９…共通電極、１０…透明基板、１１…電気泳動シート、１２…導通部、１３…枠部、１４…保護基板、１５…第３接着膜、１６…凸部、１７…通路、１８…気泡、２１…基材、２２…素子層、２２ｍ…層間絶縁膜、２３…スイッチング素子、２３ｅ…半導体膜、２３ｆ…ゲート絶縁膜、２３ｇ…ゲート電極、２３ｈ…ソース領域、２３ｊ…ドレイン領域、２３ｋ…チャネル形成領域、２３ｎ…ソース電極、２３ｐ…ドレイン電極、２４…第１絶縁膜、２５…第２絶縁膜、２６…画素電極配線、２７…貫通電極、３０…第２絶縁膜、３１…電気泳動表示装置、３３…樹脂膜、３４…凸部、３５…第１絶縁膜、３６…電気泳動表示装置、５５…電気泳動表示装置、５６…素子基板、５７…第１絶縁膜、５８…画素電極、５８ａ…第１画素電極、５８ｂ…第２画素電極、５９…基礎凸部、５９ｂ…第１基礎凸部、５９ｃ…第２基礎凸部、６０…第２絶縁膜、６１…電極膜、６１ａ…第１電極膜、６１ｂ…第２電極膜、６２…貫通電極、６５…電気泳動表示装置、６６…凸部、６７…画素電極、６７ａ…第１画素電極、６７ｂ…第２画素電極、６８…基礎凸部、６８ｂ…第１基礎凸部、６８ｃ…第２基礎凸部、６９…第２絶縁膜、７０…貫通電極、７１…導電膜としての電極膜、７１ａ…第１画素電極、７１ｂ…第２画素電極、８３…電子機器としての電子ブック、８４…ケース、８５…蝶番、８６…蓋部、８７…操作ボタン、８８…表示部、８９…制御部、９０…駆動装置としての駆動部、９３…電子機器としての腕時計、９４…ケース、９５…バンド、９６…操作ボタン、９７…表示装置としての表示部、９８…制御部、９９…駆動装置としての駆動部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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