(57)【要約】【課題】滴下方式によって液晶を充填する液晶表示装置において、硬化前のシール材によって汚染された液晶が表示領域に移動するのを抑制し、表示領域における黒シミを防止する。【解決手段】第１の基板２００と第２の基板１００が周辺においてシール材１１０によって接着し、前記第１の基板２００と前記第２の基板２００の間に液晶２０が封止され、表示領域５０を有する液晶表示装置であって、前記第１の基板２００には、前記シール材１１０と前記表示領域５０の端部の間に、前記液晶２０を表示領域５０側と前記シール材１１０側とを隔てる壁１０が形成され、前記壁１０の先端と前記第２の基板１００側との間には、間隔が存在していることを特徴とする液晶表示装置とすることによって、汚染された液晶２１が表示領域５０に移動することを抑止する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とがシール材によって接着し、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、前記シール材と前記表示領域との間に、前記液晶を前記表示領域側と前記シール材側とに隔てる壁が形成され、
前記壁の先端と前記第２の基板側との間には、前記液晶が存在する間隔が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記表示領域において、前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第２の基板の間隔を規定する第１のスペーサが形成され、
前記壁は前記第１のスペーサと同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記壁の高さは、前記第１のスペーサと同じ高さであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記表示領域には、前記第１のスペーサよりも高さが低い第２のスペーサが形成され、前記壁は前記第２のスペーサと同時に形成され、前記壁は、前記第２のスペーサと同じ高さであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記壁の幅方向の断面において、前記壁の最も高い部分に対して９５％の高さの部分を壁の上部と定義し、前記シール材の内側端部と前記壁の前記上部の外側端部との間隔は５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記壁の前記上部の内側端部と前記表示領域の端部との間隔は、４０μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記壁の前記上部における幅は６μｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記壁の先端と前記第２の基板に形成された配向膜との間隔は、０．１μｍ以上で、前記表示領域における液晶の層厚の１／３以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記壁は、前記表示領域の全周を囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記壁は、前記表示領域のコーナー部に対応する部分において、他の部分よりも幅が大きくなっていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記壁は、前記表示領域を囲むように、かつ、互いに間隔を置いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記壁は、前記表示領域のコーナー部に対応する部分のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２の基板の前記第１の基板と対向していない部分には端子部が形成され、前記壁は、前記端子部が形成されている側の辺には形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記壁は、前記端子部が形成されている側の辺と対向する側の辺には形成されていないことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記壁と前記シール材の間には、イオントラップ用の電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記イオントラップ用の電極には、コモン電圧よりも低い電圧が印加されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
第１の基板と第２の基板が周辺においてシール材によって接着し、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、前記シール材と前記表示領域の端部の間に、前記液晶を表示領域側と前記シール材側とを隔てる第１の壁が形成され、
前記第２の基板には、前記シール材と前記表示領域の端部の間に、前記液晶を表示領域側と前記シール材側とを隔てる第１の壁が形成され、
前記第１の壁と前記第２の壁は互いに対向するように配置され、
前記第１の壁と前記第２の壁の間には間隔が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
前記表示領域において、前記第１の基板には第１のスペーサが形成され、前記第２の基板には前記第１のスペーサと対向する部分に第２のスペーサが形成され、前記第１のスペーサと前記第２スペーサによって前記第１の基板と前記第２の基板の間隔が規定され、
前記第１のスペーサと前記第１の壁は同時に形成され、前記第２のスペーサと前記第２の壁は同時に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１のスペーサと前記第１の壁は同じ高さであり、前記第２のスペーサと前記第２の壁は同じ高さであることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１の壁と前記第２の壁の間隔は、０．１μm以上で、表示領域における液晶の層厚の１／３以下であることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にイオン集積に起因する表示むらを対策した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶中に不純物が存在すると、液晶の抵抗率を低下させ、透過率が変化する。不純物が部分的に存在すると、画像を表示した場合、その部分が黒くなり、表示品質の劣化（黒シミ）として現れる。液晶表示パネルはＴＦＴ基板と対向基板がシール材によって接着しているが、硬化する前のシール材に液晶が接するとシール材の一部が液晶に溶け込み、不純物になる。
【０００４】
「特許文献１」には、硬化する前にシール材に液晶が接するのを防止するために、シール部を２層構成とし、内側に弾性体を配置し、外側に樹脂を配置することによって、液晶が硬化前に樹脂と接触することを防止するとともに、接着時の基板のそりを防止する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１２３５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板の間には、従来は、液晶を真空注入する方法が採用されていたが、液晶表示パネルが大型化すると、液晶の注入に時間がかかる。また、１枚のマザー基板に多数の液晶表示パネルを作りこむ場合は、真空注入法では効率が悪い。そこで、近年は、ＴＦＴ基板と対向基板を貼りあわせる前に、一方の基板に液晶を滴下して、液晶を充填する方向が採用されている。
【０００７】
滴下法の場合は、シール材が硬化する前に液晶を注入する。硬化前のシール材からは、シール材の材料が液晶中に溶け込みやすい。そうすると、液晶中に不純物が入り込み、表示時における黒シミ等の原因となる。
【０００８】
一方、近年は、液晶表示パネルの外形を抑えて表示領域を大きくしたいという要求が強くなっている。そうすると、いわゆる額縁が狭くなる。特許文献１のように、液晶中へのシール材の溶け込みを防止するために、シール材を２層構造にすると、額縁を狭くすることが困難になる。
【０００９】
本発明の課題は、滴下方法によって液晶を配置する場合において、シール材の液晶への溶け込みを防止するとともに、狭額縁を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
（１）第１の基板と第２の基板が周辺においてシール材によって接着し、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、前記第１の基板には、前記シール材と前記表示領域の端部の間に、前記液晶を表示領域側と前記シール材側とを隔てる壁が形成され、前記壁の先端と前記第２の基板側との間には、間隔が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
（２）前記表示領域において、前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第２の基板の間隔を規定する第１のスペーサが形成され、前記壁は前記第１のスペーサと同時に形成されることを特徴とする（２）に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図２】本発明における液晶表示装置のシール部の断面図である。
【図３】図１の拡大平面図である。
【図４】本発明における液晶表示装置のシール部の模式断面図である。
【図５】壁の幅方向の断面図である。
【図６】本発明の他の形態を示す平面図である。
【図７】本発明のさらに他の形態を示す平面図である。
【図８】本発明のさらに他の形態を示す平面図である。
【図９】本発明のさらに他の形態を示す平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の形態を示す平面図である。
【図１１】実施例２の断面図である。
【図１２】実施例３の断面図である。
【図１３】液晶表示装置の製造プロセス図である。
【図１４】本発明を適用しない場合における液晶表示装置のシール部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、液晶にシール材が溶け込んで表示領域に不純物が拡散するメカニズムを説明する。図１３は滴下方法によって液晶表示パネルを形成するプロセス図である。液晶表示パネルでは、走査線、映像信号線、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板と、ブラックマトリクス等が形成された対向基板を別個に作成し、シール材によってＴＦＴ基板と対向基板を貼りあわせる。
【００１３】
図１３は、シール材を対向基板側に形成した場合のフローである。シール材は、エポキシ樹脂等の有機材料によって形成され、ディスペンサ等によって表示領域を囲んで対向基板の周辺に塗布される。なお、シール材はＴＦＴ基板側に塗布されることもある。シール材の塗布方法は、ディスペンサの他に印刷等によって塗布することも可能である。
【００１４】
図１３において、シール材を塗布した後、表示領域内に液晶が滴下される。液晶の滴下は、ＴＦＴ基板側でもよいが、シール材が形成されている側に液晶を滴下するほうが一般的である。この時は、シール材はまだ硬化していない状態であるので、溶媒等種々の物質を含んでおり、液晶と接触すると、これらの物質が液晶中に溶け込み、不純物となる。
【００１５】
その後、対向基板を別途形成されているＴＦＴ基板とシール材によって貼り合わせる。その後、シール材の種類によって、シール材を紫外線あるいは、熱、あるいはその両者によって硬化させる。シール材が硬化した後は、シール材は安定であり、不純物が液晶中に溶け込むことはない。したがって、液晶滴下から、シール材の硬化までに、シール材から液晶に溶け込む不純物を如何に少なくするかが重要である。
【００１６】
なお、図１３における対向基板は、対向基板が多数形成されたマザー対向基板、および、ＴＦＴ基板が多数形成されたマザーＴＦＴ基板と置き換えることができる。すなわち、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼りあわせてマザー基板を形成し、最後の工程においてマザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する。
【００１７】
図１４は本発明を使用しない場合のシール部の状態を示す断面図である。図１４はＴＦＴ基板１００と対向基板２００を貼りあわせた状態におけるシール部の断面図である。図１４において、シール材１１０に液晶２１が接している。図における液晶は、シール材から不純物が溶け出した状態をハーフトーンで表現している。
【００１８】
すなわち、図１４は、シール材と接した液晶２１には多くの不純物が存在し、表示領域５０側に近づくにしたがって、不純物の濃度が小さくなる状態を示している。不純物が表示領域外に存在していれば画像表示には問題無いが、不純物が表示領域５０内に移動すると、この部分において、黒シミが発生し、表示品質を劣化させる。
【００１９】
本発明は、液晶内に溶け込む不純物の量を小さくすることと、液晶内に溶け込んだ不純物が表示領域内に拡散しづらくすることによって、表示領域５０における黒シミ等の不純物の影響を小さくすることである。なお、シール部における断面構造の詳細は、図２において説明する。以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は発明を適用した例としての、携帯電話等に使用される液晶表示パネルの平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１１０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分は端子部１５０となっている。端子部１５０には、ドライバＩＣ３０が配置され、また、液晶表示パネルに外部から電源や信号を供給するための、フレキシブル配線基板が接続される。
【００２１】
図１において、表示領域５０とシール材１１０の間に、液晶の流動を抑制する抑制壁（以後単に壁１０という）が表示領域５０を囲むように形成されている。液晶はシール材１１０の内側端部にまで充填されているが、液晶の動きは、壁１０の外側と内側では異なっている。液晶表示パネルの額縁、すなわち、表示領域の端部から液晶表示パネルの外端までの幅は小さい。また、長辺側の額縁の幅と短辺側の額縁の幅は異なる場合が多い。例えば、長辺における額縁の幅ｗｆａは０．５ｍｍ、短辺における額縁の幅ｗｆｂは０．９ｍｍである。
【００２２】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２の表示領域５０では、いわゆるＩＰＳ方式をはじめ、他の方式の画素が設けられている。ＩＰＳ方式は、画素電極とコモン電極がＴＦＴ基板側に形成されているということが特徴である。すなわち、平面状に形成されたＩＴＯ等の透明電極による第１の電極と、容量絶縁膜を挟んで、ＩＴＯ等の透明電極による第２の電極との間に信号電圧を印加して、液晶分子を回転させることによって画素毎に透過率を制御して画像を形成する。第１の電極は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。また、第２の電極は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。
【００２３】
図２において、ＴＦＴ基板１００にはゲート絶縁膜１０１が形成され、その上にゲート電極、走査線、或いは、ゲート電極と同じ層で形成された遮光膜１０２が形成されている。遮光膜は、後で説明するブラックマトリクス溝２０１１の部分をバックライトからの光を遮光する役割を有する。また、遮光膜１０２およびゲート絶縁膜１０１の上には、層間絶縁膜１０３が形成されている。層間絶縁膜１０３の上には、映像信号線と同層で形成され、映像信号線等と端子部のＩＣドライバとを接続するための引き出し線１０４が形成されている。
【００２４】
引き出し線１０４を覆って有機パッシベーション膜１０５が形成されている。有機パッシベーション膜１０５は平坦化膜を兼ねているので、２〜３μｍと厚く形成される。有機パッシベーション膜１０５を通して、外部から水分が表示領域に浸透することを防止するために、有機パッシベーション膜溝１０５２が形成され、有機パッシベーション膜１０５を介しての水分の浸透を防止している。また、有機パッシベーション膜１０５には、シール材１１０よりも表示領域５０側において、有機パッシベーション膜の段部１０５１が形成されており、表示領域５０側では有機パッシベーション膜１０５の厚さは例えば３μｍ、段部よりもシール材側では有機パッシベーション膜１０５の厚さは２μｍとなっている。シール材１１０側において有機パッシベーション膜１０５の厚さが小さくなっていることによって、その分シール材１１０を多く形成することが出来、接着の信頼性を向上させることが出来る。
【００２５】
有機パッシベーション膜１０５の上には、表示領域５０においては、ＩＴＯで形成された第１電極が形成されているが、図２のシール部においては、存在していない。図２において、有機パッシベーション膜１０５の上には、表示領域５０において、第１電極と第２電極を絶縁する容量絶縁膜１０６が形成されている。容量絶縁膜１０６は表示領域５０においては、画素電極とコモン電極との間の画素容量を形成しているので、容量絶縁膜と呼ばれる。容量絶縁膜１０６の上には、ＩＴＯ膜１０７が形成される。このＩＴＯ膜１０７は表示領域５０における、ＩＴＯで形成された第２電極の形成と同時に形成される。容量絶縁膜１０７と配向膜１０８とは接着がよくないために、ＩＴＯ膜１０７によって、接着の信頼性を向上させている。ＩＴＯ膜１０７および容量絶縁膜１０６を覆って配向膜１０８が形成されている。配向膜１０８は、表示領域５０において、液晶分子の初期配向の方向を規定するものである。
【００２６】
図２において、シール材１１０を介してＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向して配置されている。対向基板２００の上にはブラックマトリクス２０１が形成されている。ブラックマトリクス２０１は表示領域においては、カラーフィルタとカラーフィルタの間に形成されて画面のコントラストを向上させる。図２のシール部においては、ブラックマトリクス２０１は遮光膜としての役割を有している。ブラックマトリクス２０１は有機物で形成されているので、ブラックマトリクスを介して外部から水分が浸透してくることを防止するために、ブラックマトリクス溝２０１１が形成されている。ブラックマトリクス溝２０１１を通してバックライトからの光が漏れるのを防止するために、ＴＦＴ基板１００側に、ゲート電極と同時に形成された遮光膜１０２が配置されている。
【００２７】
図２において、対向基板２００側の端部にカラーフィルタ２０２が形成されている。カラーフィルタ２０２は表示領域５０において、カラー画像を形成するためのものであるが、図２に示すシール部においては、スペーサ１１５の土台として使用されている。ブラックマトリクス２０１およびカラーフィルタ２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上には、本発明の特徴である、液晶の流動を抑制するための壁１０が形成されている。表示領域５０においては、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定するためのスペーサが形成されているが、図２の壁１０はスペーサを形成すると同時に同じ材料によって形成されている。壁１０は図１に示すように、表示領域を囲んで形成されている。
【００２８】
壁１０よりもシール材１１０側に存在している液晶２１は、硬化前のシール材１１０の成分によって汚染されている。汚染の度合いは、シール材１１０と接触している部分において、最も大きく、壁１０側に向かうにしたがって、汚染の度合いは小さくなっている。そして、壁１０よりも表示領域側の液晶は殆ど汚染されていない。すなわち、汚染された液晶は、図２の矢印で示すように、シール材１１０と壁１０の間を対流するだけであり、表示領域５０側には出てこない。したがって、表示領域５０において、液晶の汚染物質による黒シミの発生を抑制することが出来る。
【００２９】
このように、汚染された液晶２１を壁１０よりもシール材１１０側に閉じ込めるためには壁１０の高さが重要である。図２において、表示領域５０における液晶層の厚さは例えば３μｍである。この場合、壁とＴＦＴ基板１００側の配向膜１０８との間隔は例えば、０．５μｍ〜０．７μｍである。この間隔が大きすぎると汚染された液晶を壁１０とシール材１１０の間に閉じ込めることが出来なくなる。そのため、表示領域５０における液晶の層厚の３０％以下とする必要がある。また、この間隔が小さすぎると、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合せる際、液晶がシール材１１０側に入っていかない、あるいは、液晶がこの領域を充填する時間が長くなるので、０．１μｍ以上が必要である。
【００３０】
なお、壁１０は表示領域５０におけるスペーサと同時に形成するが、壁１０の高さ調整は、ハーフ露光を用いて行ってもよいし、ハーフ露光を用いず、表示領域５０のスペーサと同じ高さとしてもよい。つまり、表示領域５０における柱状スペーサの土台にカラーフィルタ２０２が存在している場合において、壁１０の土台にカラーフィルタ２０２が存在していなければ、カラーフィルタの厚さ分、壁１０の高さを表示領域５０のスペーサよりも低くすることが出来る。
【００３１】
また、表示領域５０のスペーサは、スペーサが対向する基板に常時接触しているメインスペーサと、外部から液晶表示パネルに圧力が加わった時に対向する基板に接触するサブスペーサが存在する。本発明における壁１０は、表示領域５０のメインスペーサあるいはサブスペーサのいずれかの高さと同じにすることにより、新たな、ハーフ露光条件を用いなくとも壁１０の高さ調整を行うことが出来る。
【００３２】
なお、個々の液晶表示パネルは、マザー基板完成後、スクライビングラインに沿ってマザー基板から分離される。図２のシール材１０の外側端部の対向基板２００側には、スクライビング用のスペーサ１１５が形成されている。このスペーサ１１５は土手状にスクライビングラインに沿って形成されている。この土手状スペーサ１１５も表示領域５０のスペーサと同時に形成される。また、ＴＦＴ基板１００側の端部に有機パッシベーション膜１０５が厚さ３μｍで形成されている。したがって、基板端部であるスクライビング部分にはシール材１１０は、殆ど存在していない。個々の液晶表示パネルを分離するとき、スクライビングライン上にシール材１１０が存在すると、スクライビング後の破断において、破断線が不規則になるが、図２のような構成によって、破断面は規則的な形状にすることが出来る。
【００３３】
図３は図１の一部拡大平面図である。図３において、液晶の流動を抑制する壁１０が表示領域５０を囲んで形成されている。図３は、対向基板２００をＴＦＴ基板１００側から見た平面図である。図３において、シール材１１０の端部から壁１０までの幅はｗ１、壁１０の幅はｗ２、壁１０から表示領域５０までの距離はｗ３である。ｗ１、ｗ２、ｗ３は、図４に示すように、壁１０の上部で測定する。なお、壁の上部とは、図５に示すように、壁１０の最大の高さをｈ２とした場合、ｈ１＝０．９５×ｈ２を指す。この場合、壁１０の幅は、図５に示すようにｗ２である。なお、図５は壁１０の幅方向の断面図である。また、図４は図３のＢ−Ｂ断面に相当する液晶表示パネルの断面図である。尚、壁１０をオーバーコート膜２０３と一体に形成した場合、壁１０の高さとはオーバーコート膜２０３の平坦面からの高さを示す。
【００３４】
図３および図４において、ｗ１が小さいと汚染された液晶を保持するスペースが十分でなく、汚染された液晶が表示領域側に流動する確率が高くなる。したがって、ｗ１は５０μｍ以上を確保することが好ましい。典型的には、８０μｍ程度である。一方、表示領域５０から壁１０の端部までの距離ｗ３が小さいと、壁１０を越えて出てきた汚染された液晶２１が表示領域に到達する時間が小さくなる、あるいは、汚染された液晶２１が表示領域５０に到達する量が多くなる、等から、４０μｍ以上を確保することが好ましい。典型的には５０μｍ程度である。
【００３５】
また、壁１０の幅ｗ２は、額縁およびシール材１１０の幅が決まり、ｗ１およびｗ３の必要な値が決められると、自動的に決められるが、機械的な強度の面から、６μｍ以上を確保することが好ましい。ｗ２は典型的には１５μｍである。なお、図４に示す、壁１０の先端とＴＦＴ基板１００側の配向膜１０８との間隔ｄは、先に説明したように、０．１μｍ〜（表示領域における液晶の層厚）/３の範囲である。
【００３６】
液晶の流動を抑制する壁１０の役割は、汚染された液晶が表示領域側に移動することを妨げる役割の他に、液晶を滴下した後、液晶が硬化前のシール材１１０と接触する時間を短くし、硬化前のシール材１１０の成分が液晶に溶け込む時間を短くして、液晶中の不純物の絶対量を小さくするという効果もある。
【００３７】
すなわち、液晶滴下後、滴下された基板（例えば対向基板）と他の基板（例えばＴＦＴ基板）と合わせが行われる。この時、滴下された液晶は、壁１０が存在するので、まず、表示領域５０に広がり、表示領域５０に充填された後、壁１０を越えて硬化前のシール材１１０に達する。その後、ただちに紫外線等によるシール材の硬化が行われる。つまり、壁１０の存在によって、液晶が硬化前のシール材１１０と接触する時間を最小限に抑えることが出来、したがって、硬化前のシール材１１０の成分が液晶に溶け込む量を小さくすることが出来る。
【００３８】
図３において、シール材１１０の幅ｗｓは、狭額縁においては、０．４μｍ以下である。図３において、表示領域５０の外端部からシール材１１０の内端部までの距離は辺によって異なる場合が多い。例えば、長辺側における表示領域５０の外端部からシール材１１０の内端部までの距離ｗａは１４３μｍ、短辺側における表示領域の外端部からシール材の内端部までの距離ｗｂは１５３μｍというように、一般的には短辺側の方が大きな値となる。また、同じ短辺でも、端子部１５０側とその反対側では、ｗｂの値は、端子部側の方が大きい。
【００３９】
本発明における、汚染された液晶の流動を抑える壁１０は、表示領域５０からシール材１１０の内端までの距離が小さい場合に特に効果がある。液晶表示パネルの４辺のうち、最もこの距離が大きいのは端子部１５０側の辺であるから、端子部１５０側には、この壁を形成せず、他の３辺にのみ形成しても本発明の効果を得ることが出来る。図６はこの構成を示す液晶表示パネルの平面図である。図６は、端子部１５０側の短辺に壁１０が形成されていない他は図１と同じであるから説明を省略する。さらに、一般的には、図１の短辺側よりも長辺側において、表示領域からシール材の内端までの距離が小さい。したがって、短辺側には壁を形成せず、長辺側にのみ壁を形成しても、本発明の効果を得ることが出来る。
【００４０】
シール材１１０をディスペンサで塗布する場合、４コーナーにおいて、シール材１１０の厚さが大きくなる。そうすると、シール材１１０の端部と表示領域５０の端部の距離が他の部分よりも小さくなる。一方、汚染液晶の流動を抑える壁１０の幅は大きいほうが効果は大きい。したがって、コーナーにおいて、シール材１１０が厚くなるような仕様の液晶表示パネルにおいては、コーナーにおける壁１０の厚さを大きくした方がより効果的な場合がある。図７は、この構成を示す液晶表示パネルの平面図である。図７において、壁１０の幅はコーナーにおいて辺部よりも大きくなっている。図７の他の構成は図１と同様である。
【００４１】
図８は、本発明の他の例である。コーナー部は、他の領域よりもシール材１１０が表示領域５０に近くなる傾向にある。したがって、硬化前のシール材１１０の成分が液晶に溶け込む影響は他の部分よりも大きい。図８では、コーナー部のみに、壁１０を形成することによって、本発明の効果を効率的に生じさせる構成である。
【００４２】
図９は、本発明のさらに他の例である。液晶を滴下した後、液晶は放射状に基板に広がるので、液晶が滴下された位置に近いシール材１１０には液晶が早く到達する。そうすると、この部分において、硬化前のシール材１１０と液晶が接する時間が長くなる。図９は、この現象を抑制するために、液晶が滴下されうる位置に近い部分に壁１０を形成している。これによって、液晶が硬化前のシール材１１０と接する時間を抑え、全体として、硬化前のシール材１１０の成分が液晶に溶け込む量を小さくすることが出来る。
【００４３】
以上は、壁１０が液晶表示パネルの辺に沿って直線的に形成された例である。しかし本発明における壁１０は、直線に限る必要はない。例えば、図１０に示すように、ジグザグに形成してもよい。図１０では、コーナーにおいて、壁１０を９０度に曲げるのではなく、コーナーを短絡するようなコーナーカット形状となっている。このような形状とすることによって、スペースの限られたコーナーにおいて、シール材１１０と壁１０の間の幅ｗ１を確保しやすくなる。なお、壁１０の形状は、図１０に限らず、他の形状にすることも可能である。
【実施例２】
【００４４】
図１１は、本発明の他の実施例を示すシール部の断面図である。硬化前のシール材１１０から液晶に溶け込む不純物は、イオン化しているものも多い。図１１では、汚染された液晶２１の表示領域５０側への移動を抑える壁１０とシール材１１０の間にイオントラップ用の電極１０９を形成した例である。トラップ電極１０９は、例えば、図２におけるＩＴＯ膜１０７と同様に、表示領域における第２電極を形成すると同時にＩＴＯによって形成することが出来る。図１１のその他の構成は図４と同様である。
【００４５】
液晶中に溶け込むイオンはプラスイオン化する場合が多い。その場合、トラップ電極１０９に負の電圧を印加することによってプラスイオンを壁１０よりもシール材１１０側に封止込めることが出来る。なお、負の電圧とは、コモン電極よりも負であるということで、例えば、ＯＦＦ状態の走査信号と同じ電位を印加することが出来る。
【００４６】
なお、図２におけるＩＴＯ膜に負の電圧を印加することによって、トラップ電極としての効果を発揮させることも出来る。
【実施例３】
【００４７】
図１２は、本発明のさらに他の実施例を示すシール部の断面図である。実施例１および２における液晶の流動を抑える壁１０は、表示領域において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定するためのスペーサと同じ工程で形成される。ところで、スペーサを一方の基板のみに形成せず、両方に基板に形成して、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定することも出来る。この場合、スペーサの平面形状を長方形状とし、一方の基板のスペーサの長軸と他の基板のスペーサの長軸とを所定の角度で交差させることによって、一方のスペーサと他方のスペーサとが対向できる裕度を増加している。このような構成をクロススペーサと呼んでいる。
【００４８】
図１２は、このような表示領域の構成に対応して、壁をＴＦＴ基板１００側と対向基板２００側の両方に形成した例である。図１２に示す構成の場合も、対向する上側の壁１０と下側の壁１０の間隔ｄは、実施例１で説明したのと同様に、０．１μｍ以上を確保し、かつ、表示領域のおける液晶の層厚の１／３以下とするのが良い。図１２のその他の構成は図４で説明したのと同様である。
【００４９】
実施例１および２の説明では、壁１０は対向基板２００に形成されているとして説明したが、表示領域５０におけるスペーサがＴＦＴ基板１００側に形成されている場合は、壁１０をＴＦＴ基板１００側に形成することが出来る。また、ＴＦＴ基板の有機パッシベーション膜１０５をカラーフィルタで形成することも可能である。また、ＴＦＴ基板上に有機パッシベーション膜やカラーフィルタ等の有機膜を設けない構成であってもよい。尚、有機膜１０５の段差部１０５１は、壁１０とシール材１１０との間に位置しているが、壁１０と表示領域５０との間に位置してもよい。また、壁１０からＴＦＴ基板までの距離を制御するために、壁１０自体の高さを制御する方法や、壁１０と対向基板２００との間にカラーフィルタを設ける等の構成を開示しているが、壁１０に対向する基板に設けられた有機膜に凹部を設けることで液晶の流動を制御してもよい。更に、有機膜の段差１０５１を壁１０と表示領域５０との間に設け、壁１０と段差１０５１との距離を制御することで液晶の流動を制御することも可能である。また、以上の説明では、ＩＰＳ方式の液晶を前提に説明したが、本発明は、ＩＰＳ方式に限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）あるいはＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）等の他の方式の液晶表示装置についても適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５０】
１０…壁、  ２０…液晶、  ２１…汚染された液晶、  ２５…滴下された液晶、  ３０…ＩＣドライバ、  ５０…表示領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート絶縁膜、  １０２…遮光膜（ゲート電極層）、  １０３…層間絶縁膜、  １０４…引出し線（映像信号線層）、  １０５…有機パッシベーション膜、  １０６…容量絶縁膜、  １０７…ＩＴＯ膜、  １０８…配向膜、  １０９…トラップ電極、  １１０…シール材、  １１５…スクライビング用スペーサ、  １５０…端子部、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  １０５１…有機パッシベーション膜段部、  １０５２…有機パッシベーション膜溝、  ２０１１…ブラックマトリクス溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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