(57)【要約】【課題】簡易かつ信頼性の高い、多層回路基板の製造方法の提供。【解決手段】相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程（ａ）、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程（ｂ）、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第１の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程（ｃ）、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程（ｄ）、前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程（ｅ）、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程（ｆ）、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程（ｇ）を備える多層回路基板の製造方法の提供。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、
コア基板又は第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程（ａ）、
前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程（ｂ）、
前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第１の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程（ｃ）、
前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程（ｄ）、
前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程（ｅ）、
前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程（ｆ）、及び
前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程（ｇ）
を備える多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜である、請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、
前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜である、請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含む、請求項１〜４のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程が、主成分としてアミン化合物を含み、さらに、少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理である、請求項１〜５のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ性エッチング剤がさらに有機酸を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層形成工程（ａ）〜前記エッチング工程（ｇ）を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備える、請求項１〜７のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板の技術分野に属し、特に、アディティブ法を用いた多層回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとする携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、各種情報家電機器、等の電気機器においては、高機能化及びコンパクト化が急速に進行している。それに伴い、これら電気機器に搭載される回路基板には電気回路の高密度化がますます要求されている。このような回路基板の高密度化を実現するために、より狭い線幅及び線間隔を有する回路を正確に形成する方法が求められている。高密度化された配線においては、配線間における短絡やマイグレーションの発生が生じ易くなる。また、細い幅の配線においては、配線の機械的強度が低下して、衝撃等により回路切れが生じ易くなる。さらに、積層数が増えることにより、回路形成面に生じる凹凸が大きくなることにより微細回路の形成が困難になる。
【０００３】
従来から、回路基板の回路の形成方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、金属箔張積層板の表面の回路を形成したい部分以外の金属箔を除去（サブトラクティブ）することにより、回路を形成する方法である。一方、アディティブ法は、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解メッキを施すことにより、回路を形成する方法である。
【０００４】
一般に、サブトラクティブ法は、厚膜の金属箔をエッチングすることにより、回路形成部分のみに金属箔を残す方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになる。一方、アディティブ法は、金属配線を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成することができるために金属を浪費しない。この点からも、アディティブ法は好ましい回路形成方法である。
【０００５】
従来の代表的なアディティブ法の一つであるフルアディティブ法は、例えば次のようにして行われる。まず、絶縁基材の表面にメッキ触媒を被着させる。次に、メッキ触媒の上にフォトレジスト層を形成する。次に、所定の回路パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト層の表面を露光する。次に、回路パターンを現像する。そして、現像により形成された回路パターンの表面に無電解メッキを施すことにより、回路パターンの部分に金属配線を形成する。このような工程により絶縁基材に電気回路が形成される。
【０００６】
前述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層が高精度に現像された場合は、フォトレジストで保護されていない部分のみにメッキ膜を形成させることができる。しかし、フォトレジスト層が高精度に現像されなかった場合には、本来回路を形成したくない部分に不要にメッキ膜が形成される可能性がある。これは、絶縁基材の表面全体にメッキ触媒が被着されるために起こる。不要に形成されたメッキ膜は、隣接する回路間に短絡やマイグレーションを引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔が狭い回路を形成する場合にはより生じ易くなる。
【０００７】
このような問題に対処するために、例えば特許文献１に記載されている次のような技術を適用することが報告されている。まず、絶縁基材上に樹脂の保護膜をコーティングする。次に、前記保護膜でコーティングされた絶縁基材上に機械加工あるいはレーザービームの照射により回路パターンに対応した溝及びスルーホールを描画形成する。次に、前記絶縁基材全面に活性化層を形成する。次に、前記樹脂保護膜を剥離することにより、溝及びスルーホールの内壁面のみに活性化層を残留させる。そして、前記絶縁基材にメッキを施すことにより、前記活性化された溝及びスルーホールの内壁面のみに選択的に導電層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５８−１８６９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したような絶縁基材に埋設回路を形成する方法では、絶縁基材に埋設回路を形成する際、絶縁基材にレーザー加工等により、回路形成用の回路溝を形成する。この回路溝に無電解めっきを施すことにより深さや面積の異なる各種回路を形成することができる。
【００１０】
しかし、従来の技術では、深さや面積の異なる回路配線を一括でメッキ処理する際、メッキむらにより回路部、ビア部、パッド部における導体未充填が生じたり、あるいは、絶縁層表面より高くオーバーメッキされてしまうことによって回路表面が不均一となったり、ショートしてしまったりと、信頼性に問題があった。また、回路表面が不均一になると、回路上への部品実装が、接触不良により困難となる問題もある。さらに、多層化を進める際、メッキむらによる回路両面の凹凸により、絶縁層の積層が不均一になり、それにより絶縁層表面に凹凸が生じるおそれがある。絶縁層表面が平坦でないと、レーザー加工の際に焦点の位置ずれが生じ、レーザー加工に悪影響を及ぼすことや、絶縁層が不均一となり、予期しない反りの発生による基板の実装不良、接続不良が生じるとういった問題が発生する。
【００１１】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、サイズや深さの異なる溝を形成する工程を含む多層回路基板の製造において、溝形成や位置合わせ、並びにメッキ処理による導体充填を簡略化でき、かつ、確実に部品実装を行うことができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程（ａ）、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程（ｂ）、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第１の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程（ｃ）、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程（ｄ）、前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程（ｅ）、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程（ｆ）、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程（ｇ）を備えることを特徴とする。
【００１３】
さらに、上記製造方法において、前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜であることが好ましい。
【００１４】
また、前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜であることが好ましい。
【００１５】
さらに、前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含むことが好ましい。
【００１６】
また、前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含むことが好ましい。
【００１７】
さらに、上記製造方法において、前記エッチング工程が、有機酸ベースのアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理であることが好ましい。
【００１８】
また、上記製造方法は、前記絶縁層形成工程（ａ）〜前記エッチング工程（ｇ）を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、簡易かつ信頼性の高い、多層回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る多層回路基板の製造方法における回路基板準備工程、（ａ）絶縁層形成工程、（ｂ）被膜形成工程、（ｃ）回路溝形成工程、（ｄ）触媒被着工程、（ｅ）被膜除去工程、（ｆ）メッキ処理工程及び（ｇ）エッチング処理工程を示す、断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る多層回路基板の製造方法における、多層化工程を示す概略図である。
【図３】図３は、エッチング処理工程前（Ａ）およびエッチング処理後（Ｂ）の基板を表面から見た概略図である。
【図４】図４は、図３に示すエッチング処理工程前（Ａ）およびエッチング処理後（Ｂ）の基板の断面図である。
【図５】図５は、従来品の基板（Ａ）と本発明の基板（Ｂ）におけるメッキ処理後の部品実装の比較を示す断面図である。
【図６】図６は、従来品の基板（Ａ）と本発明の基板（Ｂ）における、多層化工程後（２層目の絶縁層形成後）の状態を比較した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程（ａ）、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程（ｂ）、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第１の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程（ｃ）、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程（ｄ）、前記樹脂被膜を前記絶縁層から除去する被膜除去工程（ｅ）、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程（ｆ）、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程（ｇ）を備えることを特徴とする。
【００２２】
このような構成により、本発明の製造方法は、以下のような利点を有する：
まず、１回の溝形成工程にて、サイズや深さの異なる溝を形成することにより、溝形成時に必要となる位置あわせ工程を１回のみで行うことができる。これにより微細配線形成時に問題となる位置ずれの問題を解消できると考えられる。
【００２３】
また、サイズや深さの異なる溝の形成後、メッキにより一括で導体充填を行うことにより、製造工程の簡略化を実現できると考えられる。
【００２４】
絶縁層表面より突出した不要なめっき部を除去し、絶縁層部と回路部とを平坦化するとともに、回路にショートが発生することを防ぐことができる。また、回路表面の平坦化による回路表面上への部品実装の実現を可能とする。
【００２５】
さらに、絶縁層部と回路部とを平坦化することにより、多層化の際に生じる下層回路部上の絶縁層の凹凸形成を抑制し、焦点距離ズレのよるレーザー加工への悪影響の抑制、絶縁層が不均一なことによる不規則な反りの発生を抑制することができると考えられる。
【００２６】
以下、本実施形態に係る製造方法について、必要に応じて図面を参照しながら、具体的に説明する。
【００２７】
図１は本発明に係る製造方法の一実施形態を説明するための工程図（断面図）である。
【００２８】
＜回路基板準備工程＞
本実施形態の製造方法においては、まず、図１の最初に示すように、コア基板又は第１電気回路が形成された回路基板１を準備する（回路基板準備工程）。なお、第１回路基板の形成方法はここでは問わない。例えばサブトラクティブ法やアディティブ法等の従来から知られた回路形成方法で形成されたものでよい。さらに、回路基板は、片面のみに回路形成されたものでも、あるいは両面とも回路形成されたものでもよい。また、多層回路基板であってもよい。
【００２９】
また、コア基板および回路基板としては、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。コア基板の形態としては、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等、特に限定されない。コア基板の厚みも特に限定されず、例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合は、１０〜５００μｍ、好ましくは２０〜２００μｍ程度の厚みである。
【００３０】
＜絶縁層形成工程（ａ）＞
次に、図１（ａ）に示すように、コア基板または第１回路が形成された回路基板１の上面（回路形成面）に絶縁層２を形成する（絶縁層形成工程）。この絶縁層２の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等、樹脂溶液塗布により形成したもの等が挙げられる。前記絶縁層２の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。また、前記絶縁層２としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。絶縁層２は、例えば、基板１の上面に、シート、フィルム、あるいはプリプレグを積層し、加圧して張り合わせた後、硬化させることで形成可能であり、加熱加圧により硬化させることでも形成できる。また、絶縁層２は、基板１の上面に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより形成することもできる。また、金型及び枠型等を用いて絶縁層となる材料を入れて、加圧し、硬化させることで三次元形状の成形体等を形成してもよいし、シート、フィルム、あるいはプリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを、基板１の上面に積層し、加圧張り合わせた後、硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより三次元形状の成形体等を形成してもよい。
【００３１】
前記絶縁層２は、従来から多層回路基板の製造に使用される各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、従来から多層回路基板の製造に使用される、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。
【００３２】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３３】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。
【００３４】
前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
また特に限定されないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、１００ｎｍ〜４００ｎｍ波長領域でのレーザー光の吸収率が良い樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００３６】
また、前記絶縁基材（絶縁層）には、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着性を向上することが可能である。
【００３７】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には０．０１μｍ〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００３８】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３９】
また、前記絶縁層２は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００４１】
また、例えば、基板１及び絶縁層２としてプリプレグを用いる場合には、基板１の上面（回路形成面）に絶縁層２を重ね合わせ、加熱プレスすることにより積層し硬化させてもよい。
【００４２】
なお、基板１を構成する素材の種類及び樹脂の種類等と、絶縁層２を構成する素材の種類及び樹脂の種類等とは、互いに異なっていてもよい。ただし、基板１と絶縁層２とを良好に密着させ積層させる観点からは、互いになじみの良い種類同士とすることが好ましく、典型的には同じ種類同士とすることがより好ましい。
【００４３】
＜被膜形成工程（ｂ）＞
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁層２の外表面部に樹脂被膜３を形成する（被膜形成工程）。樹脂被膜（レジスト）３は、後述する被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂被膜３は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層２の上面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる被膜や、所定の液体（膨潤液）で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる被膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂被膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁層２の表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁層２の表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁層２の表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できる。樹脂被膜を除去するときに樹脂被膜を崩壊させると、その樹脂被膜に被着したメッキ触媒が飛散し、飛散したメッキ触媒が絶縁層に再被着してその部分に不要なメッキ膜が形成される問題がある。絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が防止できる。
【００４４】
樹脂被膜３の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁層２の上面（外表面）に、樹脂被膜３を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を絶縁層２の表面に転写する方法等が挙げられる。また、別の方法としては、絶縁層２の上面（外表面）に、予め形成された樹脂被膜３からなる樹脂フィルムを貼り合せる方法等も挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００４５】
樹脂被膜３を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層２の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。
【００４６】
なお、樹脂被膜の膨潤度（ＳＷ）は、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝｛（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）｝×１００（％）」の式で求められる。
【００４７】
このような樹脂被膜は、絶縁層２の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁層２の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。
【００４８】
エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００４９】
なお、このような樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような、被膜を用いた場合には、後述する触媒被着工程における液性条件と、後述する被膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては樹脂被膜３は絶縁層２に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に樹脂被膜３を剥離除去することができる。
【００５０】
さらに具体的には、例えば、後述する触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、後述する被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００５１】
このような樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下「ＤＦＲ」と記す場合がある）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。
【００５２】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂被膜を形成することができる。また、被膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂被膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂被膜を膨潤させて、絶縁層２の表面から樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基１個当たりのポリマー分子量である。
【００５３】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００５４】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合）には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合）には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００５５】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜５０万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。
【００５６】
また、ＤＦＲとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００５７】
さらに、その他の樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）や、フェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製の「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００５８】
樹脂被膜３は、絶縁層２の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁層２の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００５９】
樹脂被膜３の厚みとしては、例えば、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。また、０．１μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。厚みが厚過ぎる場合は、微細な回路溝をレーザー加工や機械加工等により形成する際に精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄過ぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜３を形成し難くなる傾向がある。
【００６０】
また、前記樹脂被膜３として、例えば、酸等量が１００〜８００程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂（カルボキシル基含有アクリル系樹脂）を主成分とする樹脂被膜もまた好ましく用いられ得る。
【００６１】
さらに、上記のものの他に、前記樹脂被膜３として、次のようなものもまた好適である。すなわち、前記樹脂被膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜が形成された絶縁基材（回路基板や絶縁層等）を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（例えばｐＨ１〜３）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０％程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００６２】
以上のような観点から、前記樹脂被膜３として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。公知技術として、特開平７−２８１４３７、特開２０００−２３１１９０、特開２００１−２０１８５１等が挙げられる。（ａ）単量体の一例として、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（１個）有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。
【００６３】
樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましく、１００〜６００がさらに好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、（ａ）単量体の組成比率は５〜７０質量％が好ましい。
【００６４】
樹脂組成物は、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、５，０００〜５０，０００が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００６５】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを２種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００６６】
フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、０．１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００６７】
その他の添加剤として、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００６８】
次に説明する回路溝形成工程では、樹脂被膜３は、レーザー加工等されるため、レジスト材料にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してＵＶ吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料（樹脂被膜３の材料）としては、これらの波長に対して、ＵＶ吸収率が相対的に高いことが望ましい。ＵＶ吸収率が高くなるほど、レジストの加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、ＵＶ吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。ＵＶ吸収率が低くなるほど、ＵＶ光がレジストを通過するので、その下の絶縁層２の加工にＵＶエネルギーを集中させることができ、絶縁層２が加工しにくい材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、レジストのレーザー加工のしやすさ、絶縁層２のレーザー加工のしやすさ、およびこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。
【００６９】
＜回路溝形成工程（ｃ）＞
次に、図１（ｃ）に示すように、樹脂被膜３の上面（外表面）から少なくとも該樹脂被膜３の厚み以上の所定の深さを有する溝を形成することにより回路溝４を形成する（回路パターン形成工程）。回路溝４は、レーザー加工、切削加工又は型押加工等により形成される。また、回路溝４の溝は、主として電気回路および層間接続用孔（ビア）のための溝であり、用途に応じてサイズや深さが異なる溝であってもよい。また、状況に応じて、回路溝４は、電極パッド用孔を含んでもよい。
【００７０】
この場合において、樹脂被膜３の厚みの分だけ回路溝４を形成した場合は、絶縁層２は掘り込まれず、絶縁層２の上面（外表面）に回路溝４が載った状態となる（図示せず）。一方、樹脂被膜３の厚みの分を超えて回路溝４を形成した場合には、図１（ｃ）のそれぞれの回路溝４に示すように、絶縁層２が掘り込まれて、絶縁層２の上面（外表面）に回路溝４が埋設された状態となる。
【００７１】
回路溝４における溝の深さ及び幅は特に限定されない。電気回路用、層間接続用孔（ビア）用、パッド用など、用途に応じて溝の深さおよび幅を適宜設定できる。なお、レーザー加工を用いた場合には線幅２０μｍ以下のような微細な溝も容易に形成できる。
【００７２】
好ましい実施態様では、前記溝の深さは２０μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以下である。また、前記溝の幅は、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以下である。
【００７３】
回路溝４を形成する方法は特に限定されない。具体的には、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、型押加工等が用いられる。サイズと深さの異なる高精度の微細な回路溝４を形成するためには、レーザー加工が好ましい。レーザー加工によれば、レーザーの出力（エネルギー又はパワー）を制御することにより、絶縁層２の掘り込み深さ等を容易に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられ得る。
【００７４】
このように所定の回路溝４を形成することにより、後に無電解メッキ膜が付与されて回路などが形成される部分が規定される。
【００７５】
また、本実施形態によれば、一回の溝形成工程によって、サイズや深さの異なる回路溝４を形成することができ、溝形成時に必要となる位置合わせを一回行うだけですむという利点がある。これにより、微細配線形成時に問題となっていた位置ズレの問題を解消できると考えられる。
【００７６】
＜触媒被着工程＞
次に、図１（ｄ）に示すように、樹脂被膜３の表面及び回路溝４の表面にメッキ触媒５を被着させる（触媒被着工程）。つまり、回路溝４が形成された表面及び回路溝４が形成されなかった表面の全体にメッキ触媒５を被着する工程である。ここで、メッキ触媒５は、その前駆体を含む概念である。
【００７７】
メッキ触媒５は、後述するメッキ工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに該メッキ膜を形成させるために予め付与される触媒である。メッキ触媒５としては、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられ得る。また、予めメッキ触媒５の前駆体を被着させ、樹脂被膜３の除去後にメッキ触媒５を生成させてもよい。メッキ触媒５の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等の他、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００７８】
メッキ触媒５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。
【００７９】
はじめに、回路溝４が形成された絶縁層２の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁層２の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓）を起こさせる。これによりメッキ触媒５である金属パラジウムが析出する。
【００８０】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。
【００８１】
このような触媒被着処理により、図１（ｄ）に示したように、樹脂被膜３の表面及び回路溝４の表面にメッキ触媒５を被着させることができる。
【００８２】
＜被膜除去工程＞
次に、図１（ｅ）に示すように、樹脂被膜３を絶縁層２から除去する（被膜除去工程）。つまり、樹脂被膜３が可溶型の樹脂でなる場合は、有機溶剤やアルカリ溶液を用いて樹脂被膜３を溶解し、絶縁層２の表面から除去する。また、樹脂被膜３が膨潤性の樹脂でなる場合は、所定の液体を用いて樹脂被膜３を膨潤させ、絶縁層２の表面から剥離して除去する。
【００８３】
この被膜除去工程によれば、絶縁層２において回路溝４が形成された部分の表面のみにメッキ触媒５を残留させることができる。一方、樹脂被膜３の表面に被着されたメッキ触媒５は、樹脂被膜３と共に絶縁層２から除去される。ここで、絶縁層２から除去されたメッキ触媒５が飛散して絶縁層２の表面に再被着することを防ぐ観点から、樹脂被膜３は、絶縁層２から除去されるときにバラバラに崩壊することなく全体が連続したまま除去され得るものが好ましい。
【００８４】
樹脂被膜３を溶解又は膨潤させる液体としては、基板１、絶縁層２及びメッキ触媒５を実質的に分解や溶解させることなく、樹脂被膜３が容易に絶縁層２から溶解除去又は剥離除去され得る程度に溶解又は膨潤させ得る液体であれば特に限定なく用いられ得る。このような樹脂被膜除去用液体は、樹脂被膜３の種類や厚み等により適宜選択され得る。具体的には、例えば、レジスト樹脂として、光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤、又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、例えば、樹脂被膜３がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合、あるいは、樹脂被膜３として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。
【００８５】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂被膜３が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂被膜は、ｐＨ１１〜１４、好ましくはｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。
【００８６】
樹脂被膜３を除去させる方法としては、例えば、樹脂被膜除去用液体に、樹脂被膜３で被覆された絶縁層２を所定の時間浸漬する方法等が挙げられる。また、溶解除去性又は剥離除去性を高めるために、浸漬中に超音波照射すること等が特に好ましい。なお、剥離除去又は溶解除去し難い場合等には、例えば、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００８７】
＜メッキ処理工程＞
次に、図１（ｆ）に示すように、絶縁層２に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒５が残留する回路溝４の部分に無電解メッキ膜６を形成して前記絶縁層２に回路を形成する。または、層間接続用孔（ビア）用溝にメッキ膜６を形成することによって、基板１と接続する金属柱を形成することもできる。
【００８８】
このような無電解メッキ処置により、回路溝４が形成された部分に無電解メッキ膜６が析出する。この処理により、サイズや深さの異なる回路溝に一括して導体を充填することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００８９】
なお、本実施形態では、図１（ｆ）に示されるように、回路溝４がメッキ膜６により完全に充填されていることが好ましい。あるいは、メッキ膜６が回路溝４から多少突出するようにメッキ処理することが好ましい。具体的なメッキ時間は特に限定されないが、ビアホールおよびトレンチの大きさ等に応じて、適宜変更することが可能である。たとえば、３０〜６００分間、基板を無電解メッキ液中に浸漬させることによりメッキ処理を行うことができる。このメッキ時間を長めに設定することによって、回路溝４に対し、絶縁層２表面から突出するレベルまでメッキ処理（オーバーメッキ）を施すことができる。また、メッキ処理温度は、銅イオン等の金属イオンが還元反応を生じる程度の温度であれば特に限定されないが、還元反応を効率的に行う観点によりメッキ液の温度を２０〜９０℃に設定することが好ましく、５０〜７０℃に設定することがより好ましい。
【００９０】
上述のように回路溝４に対し、絶縁層２表面から突出するレベルまでメッキ処理（オーバーメッキ）を施し、後述のエッチング処理工程において、このはみ出した部分のメッキを除去することによって、絶縁層と回路部とを平坦化でき、回路のショートの発生を防ぎ、メッキ未充填の空孔による接続不良などの発生を抑制することができる。
【００９１】
無電解メッキ処理の方法としては、部分的にメッキ触媒５が被着された絶縁層２を無電解メッキ液に浸漬して、メッキ触媒５が被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。
【００９２】
無電解メッキに用いられる金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらのうちでは、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【００９３】
無電解メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００９４】
メッキ処理工程により、絶縁層２の表面のメッキ触媒５が残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。そのために、回路やビア等を形成したい部分に導体層を形成することができる。一方、回路溝４を形成していない部分に対する無電解メッキ膜の析出を抑制することができる。
【００９５】
＜エッチング処理工程＞
次に、図１（ｇ）に示すように、メッキ処理工程により形成されたメッキ膜６のうち、絶縁層２表面より突出したはみ出し部分のメッキ膜６をエッチング処理によって除去し、回路７を形成する。
【００９６】
具体的には、まず、図１（ｆ）において絶縁層２の表面より突出したメッキ膜６について、はみ出し量の測定を行う。測定は、例えば、ＯＬＹＭＰＵＳ製  走査型共焦点レーザー顕微鏡  ＬＥＸＴ  ＯＬＳ３０００を用い、基板表面から突出しためっきはみ出し部の高さ測定を行う。得られた測定量に応じて、エッチングすべき量を設定し、エッチング処理を行う。エッチング処理は、特に限定はされないが、エッチング剤を用いて行うことができる。
【００９７】
本実施形態で使用されるエッチング剤としては、アルカリ性エッチング剤であることが好ましい。具体的には、主成分としてアミン化合物と、さらに少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いることができる。このようなエッチング剤を使用することによって、オーバーメッキした部分のメッキ膜を効率よくかつ簡便に除去することができると考えられる。前記エッチング剤は、さらに有機酸を含んでいることが好ましい。さらには、前記エッチング液がマイクロエッチング液であることが好ましい。
【００９８】
本実施形態のエッチング処理は、例えば、上述したようなエッチング剤を基板にスプレー処理することにより行うことができる。スプレー条件は、オーバーめっき部を過不足無く処理できれば特に限定されないが、エッチング処理量調整の観点から、水溶液温度を２０℃〜４０℃、スプレー圧を０．０１ＭＰａ〜０．２ＭＰａ程度に設定することが好ましく、スプレー処理時間は、オーバーめっき部の量や処理条件により適宜決定することが好ましい。
【００９９】
このようなエッチング処理により、過剰なメッキ膜６を除去し、信頼性の高い回路や層間接続ビアを形成することができる。図３は、エッチング前後の基板の表面を示す図である。左図はエッチング前の状態であり、オーバーメッキされて隣接する回路同士がショートを起こしているのがわかる。右図はエッチング処理後の状態であるが、エッチング前に生じていたショートが解消している。
【０１００】
また、図４は、エッチング前後の基板を断面図である。図３と同じく、左図はエッチング前の状態を示し、右図はエッチング処理後の状態を示す。図４から明らかなように、エッチング処理後は、埋設回路部もビア部も表面が平坦化されていることがわかる。
【０１０１】
上述したような工程（ａ）〜（ｇ）を経て、絶縁層２表面に回路またはビアなどを有する回路基板を製造することができる。
【０１０２】
さらに、得られた回路基板の上に、図２に示すように、上述の工程（ａ）〜（ｇ）を繰り返すことにより多層化を行い、多層回路基板を製造することができる。このようにして得られる回路基板には、回路保護のためにソルダーレジストが形成されていてもよい。
【０１０３】
本実施形態の製造方法によれば、溝形成時の位置合わせを一回で行うことができ、深さやサイズの異なる溝を一括で充填（フィリング）することができるため、製造工程が簡略化され生産性も上がる。また、絶縁層と回路部・ビア部が平坦化されるため、回路表面上への部品実装が可能となり、回路のショートも解消できる。
【０１０４】
図５は、従来の製法によって作成した埋設回路（左図）と、本実施形態によって作成した埋設回路（右図）を比較する断面図である。従来の製法では、導体となるメッキ膜６の回路溝４への充填が不十分な場合、回路上に部品９を実装すると、メッキ未充填の空孔が生じているため、回路部と実装部品９との接続が不十分であることがわかる。また、回路溝４にメッキ膜６が十分に充填されていた場合でも、回路表面の過剰なメッキ膜６の凹凸により、回路部と実装部品９との接続が十分ではないことがわかる。これに対し、図５右図に示される本実施形態の製法により得られる回路基板では、回路７の表面と絶縁層２の表面が平坦化されているため、回路７表面に部品９を実装できている。
【０１０５】
図６は、多層化工程を経て得られた、従来法による多層回路基板（左図）と本実施形態の製法による多層回路基板（右図）を示す断面図である。従来の製法では、導体となるメッキ膜６の回路溝４への充填が不十分な場合、第２の絶縁層（２層目の絶縁層）１２をその上に形成すると、窪んだ回路溝に絶縁層を形成する樹脂が充填されてしまい、第２の絶縁層１２表面に凹みが発生してしまう。凹みが発生してしまうと二層目以降のレーザー加工、部品実装等に支障が出るという問題がある。本実施形態では、基板表面を平坦化することにより、二層目以降も絶縁層を平坦に作成することが出来、信頼性の高い多層回路基板を製造することができる。
【０１０６】
本明細書は、上述したように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。
【０１０７】
本発明の一態様に係る多層回路基板の製造方法は、相互に接続する電気回路と層間接続用孔とを有する多層回路基板の製造方法であって、コア基板又は第１の電気回路が形成された回路基板の回路形成面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程（ａ）、前記絶縁層の外表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程（ｂ）、前記樹脂被膜の外表面を基準として前記樹脂被膜の厚み以上の深さを有する溝を形成することにより、前記コア基板又は前記第１の電気回路が形成された回路基板を露出させる回路溝形成工程（ｃ）、前記樹脂被膜の表面及び前記回路溝の表面にメッキ触媒を被着させる触媒被着工程（ｄ）、前記樹脂被膜を膨潤させて前記絶縁層から除去する被膜除去工程（ｅ）、前記絶縁層に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒が残留する部分にメッキ膜を形成するメッキ処理工程（ｆ）、及び前記絶縁層表面から突出したメッキ部分をエッチングにより除去するエッチング工程（ｇ）を備えることを特徴とする。
【０１０８】
このような構成により、簡易かつ信頼性の高い、多層回路基板の製造方法を提供することができる。特に、上記エッチング工程により、絶縁層と回路部・ビア部が平坦化されるため、回路表面上への部品実装が可能となり、回路のショートも解消できると考えられる。
【０１０９】
さらに、上記製造方法において、前記樹脂被膜は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁層から溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂被膜であることが好ましい。このような樹脂被膜を用いることにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるため、上述したような効果をより確実に得ることができる。
【０１１０】
また、前記触媒被着工程が酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がアルカリ性溶液中で前記樹脂被膜を膨潤又は溶解させる工程を備え、前記樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対しては膨潤又は溶解せず、前記アルカリ性溶液に対しては膨潤又は溶解する樹脂被膜であることが好ましい。
【０１１１】
それにより、絶縁層表面から樹脂被膜を容易かつ良好に除去できるため、上述したような効果をより確実に得ることができる。
【０１１２】
さらに、前記回路溝形成工程が、電気回路用回路パターンと層間接続用孔とを設けるために、レーザー加工によりサイズや深さの異なる溝を形成することを含むことが好ましい。それにより、溝形成時の位置合わせを一回で行うことができ、深さやサイズの異なる溝を一括でメッキ充填（フィリング）することができるため、製造工程が簡略化され生産性もより向上すると考えられる。
【０１１３】
また、前記メッキ処理工程が、前記メッキ触媒が残留する回路溝に選択的にメッキ膜が形成されることにより、前記回路溝がメッキにより完全に充填されること含むことが好ましい。それにより、絶縁層と回路部・ビア部がより確実に平坦化されると考えられる。
【０１１４】
さらに、上記製造方法において、前記エッチング工程が、主成分としてアミン化合物を含み、さらに、少なくとも過酸化水素水と硫酸を含むアルカリ性エッチング剤を用いるエッチング処理であることが好ましい。それにより、オーバーメッキした部分のメッキ膜が除去され、上記効果がより確実に得られると考えられる。
【０１１５】
また、前記アルカリ性エッチング剤がさらに有機酸を含むことが好ましい。それにより、上記効果がより確実に得られると考えられる。
【０１１６】
また、上記製造方法は、前記絶縁層形成工程（ａ）〜前記エッチング工程（ｇ）を繰り返すことにより多層化を行う多層化工程を備えていてもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
１    コアまたは回路基板
２，１２    絶縁層
３、１３    樹脂被膜
４，１４    回路溝（電気回路用溝および層間接続用孔）
５，１５    メッキ触媒
６，１６    無電解メッキ膜
７，１７    回路又は層間接続用ビア
８    ハンダボール
９    実装部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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