(57)【要約】【課題】使用環境または経時変化に応じて適切な量のイオンを放出するイオン発生装置および前記イオン発生装置を提供する。【解決手段】放電電極および誘導電極間に電圧を印加して放電によりイオンを発生させるイオン発生素子と、前記イオン発生素子に印加する電圧を発生させる駆動回路と、前記イオン発生素子が発生したイオンのイオン濃度を検出するイオン濃度検出部と、前記イオン発生部の単位時間当たりの放電回数を増減させる放電回数制御部と、前記イオン濃度について予め定められた閾値を保持する記憶部と、前記イオン発生素子、前記駆動回路、前記イオン濃度検出部、前記放電回数制御部および前記記憶部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記イオン濃度が前記閾値よりも低くなったとき、前記放電回数を増加させるを特徴とするイオン発生装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電電極および誘導電極間に電圧を印加して放電によりイオンを発生させるイオン発生素子と、
前記イオン発生素子に印加する電圧を発生させる駆動回路と、
前記イオン発生素子が発生したイオンのイオン濃度を検出するイオン濃度検出部と、
前記イオン発生部の単位時間当たりの放電回数を増減させる放電回数制御部と、
前記イオン濃度について予め定められた閾値を保持する記憶部と、
前記イオン発生素子、前記駆動回路、前記イオン濃度検出部、前記放電回数制御部および前記記憶部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記イオン濃度が前記閾値よりも低くなったとき、前記放電回数を増加させることを特徴とするイオン発生装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、抵抗値の異なる複数の抵抗が切り替え可能に接続され、
前記放電回数制御部は、前記複数の抵抗を切り替えることによって前記放電回数を制御する請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
前記記憶部は、前記放電回数について予め定められた規定回数を保持し、
前記制御部は、前記イオン発生素子に印加すべき電圧の印加時間を増減させることによって前記放電回数を前記規定回数に制御する請求項１または２に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記放電回数制御部に前記複数の抵抗を切り替えさせるか、または、前記電圧の印加時間を増減させるか、いずれの方法によって前記放電回数を増減させるかを前記イオン濃度に応じて決定する請求項３に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記記憶部は、前記イオン濃度について予め定められた第１閾値および第２閾値を保持し、前記第１閾値は、前記第２閾値よりも高く、
前記制御部は、前記イオン濃度が前記第１閾値よりも低く、かつ、前記第２閾値以上のとき、前記放電回数制御部に前記複数の抵抗を切り替えさせるか、または、前記電圧の印加時間を増加させるかいずれか一方によって、前記放電回数を増加させ、前記イオン濃度が前記第２閾値よりも低いとき、上記一方によって前記放電回数を増加させると共に、上記一方とは異なる他方によって、前記放電回数をさらに増加させる請求項３に記載のイオン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コロナ放電等の放電現象を利用して正または負のイオンを発生させるイオン発生素子を備え、発生したイオンを室内等に放出するイオン発生装置を備えた電気機器が知られている。
【０００３】
このようなイオン発生装置を備えた電気機器は、長時間使用すると、しばしば空気中の塵埃が帯電して放電電極針に引き寄せられて付着したり、また、空気中に含まれる水分が針先に結露したりすることによって、イオン濃度が低下することがある。
【０００４】
このような問題を解決すべく、放電電極針と誘導電極間との印加電圧を時間の経過に合わせて上げることにより、放電電極針に付着する塵埃を抑制することができ、イオン性能を継続的に確保できるイオン発生装置およびイオン発生装置を含む電気機器の発明が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１７５３７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
放電電極針に塵埃が付着することによるイオン濃度の低下は、一般に時間とともに低下する傾向にあることが知られているが、その低下の度合いは、イオン発生装置の使用環境によって大きく異なる。また、結露についても、一般に時間とともにイオン濃度が低下する傾向になりやすいと考えられるが、その低下の度合いも、周囲の湿度や温度によって大きく異なる。それゆえ、イオン発生装置の使用環境によっては、短時間のうちにイオン濃度が大きく低下することもある。
【０００７】
また、放電電極針に塵埃がある程度付着すると、付着した塵埃が放電電極針から落下してイオン濃度が回復することがある。また、結露の場合も、乾燥によりイオン濃度が回復することもある。
それゆえ、時間の経過とともに単純に印加電圧を上げるだけでは、使用環境に応じた適切なイオン濃度の放出がなされていない可能性がある。
【０００８】
この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであって、その目的は、使用環境または経時変化に応じて適切な量のイオンを放出するイオン発生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
放電電極および誘導電極間に電圧を印加して放電によりイオンを発生させるイオン発生素子と、前記イオン発生素子に印加する電圧を発生させる駆動回路と、前記イオン発生素子が発生したイオンのイオン濃度を検出するイオン濃度検出部と、前記イオン発生部の単位時間当たりの放電回数を増減させる放電回数制御部と、前記イオン濃度について予め定められた閾値を保持する記憶部と、前記イオン発生素子、前記駆動回路、前記イオン濃度検出部、前記放電回数制御部および前記記憶部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記イオン濃度が前記閾値よりも低くなったとき、前記放電回数を増加させることを特徴とするイオン発生装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、使用環境または経時変化に応じて適切な量のイオンを放出するイオン発生装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施形態１に係るイオン発生装置を備えた電気機器の電気的な構成を示す説明図である。
【図２】図１に示す放電電極と誘導電極との間に印加する電圧の一例を示す説明図である。
【図３】図１に示すイオン発生装置の放電回数の制御を示すフローチャートである。
【図４】実施形態２に係るこの発明のイオン発生装置の放電回数の制御を示すフローチャートである。
【図５】実施形態３に係るこの発明のイオン発生装置の放電回数の制御を示すフローチャートである。
【図６】この発明の実施形態３に係るイオン発生装置の電気的な構成を示す説明図である。
【図７】この発明の実施形態４に係るイオン発生装置の電気的な構成を示す説明図である。
【図８】この発明の実施形態４に係る電気機器およびイオン発生装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】この発明の実施形態４に係るイオン発生装置とイオン濃度の閾値との関係を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を用いてこの発明をさらに詳述する。なお、以下の説明は、すべての点で例示であって、この発明を限定するものと解されるべきではない。
【００１３】
（実施形態１）
＜電気機器１００の構成＞
以下、図１〜図３に基づき、この発明の実施形態１に係るイオン発生装置１を備えた電気機器１００について説明する。
図１は、この発明の実施形態１に係るイオン発生装置１を備えた電気機器１００の電気的な構成を示す説明図である。図２は、図１に示す放電電極針２０１と誘導電極２０２および２０３との間に印加する電圧の一例を示す説明図である。図３は、図１に示すイオン発生装置１の放電回数の制御を示すフローチャートである。
【００１４】
電気機器１００としては、例えば、空気清浄機、エアコン、掃除機、洗濯機等の一般的な家電製品が挙げられる。
図１に示されるように、この発明の電気機器１００は、イオン発生装置１、制御部１０、記憶部１１、イオンセンサ１２、入力端子１３、ダイオード１４およびスイッチング回路１５を備える。
【００１５】
なお、図１において、電気機器１００の家電製品としての機能に関する構成を省略し、イオン発生装置１の放電回数の制御に関する構成のみを記載した。
【００１６】
イオン発生装置１は、放電回数切替回路１６、コンデンサ１７、昇圧トランス回路１８、高電圧制御回路１９およびイオン発生素子２０を備える。
【００１７】
この発明の「駆動回路」は、入力端子１３、ダイオード１４、コンデンサ１７、昇圧トランス回路１８および高電圧制御回路１９の協働により実現される。また、この発明の「イオン濃度検出部」は、イオンセンサ１２により実現される。また、この発明の「放電回数制御部」は、スイッチング回路１５および放電回数切替回路１６の協働により実現される。
【００１８】
以下、図１に示す各構成要素を説明する。
【００１９】
制御部１０は、マイクロプロセッサ(Microprocessor)を主体とする回路であり、各種装置の制御処理やオペレーティングシステム、アプリケーションソフトウェアなどの処理を行う演算装置である。また、周辺回路として、特定の用途のために設計、製造される集積回路であるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、その他の演算機能を有する回路を含んでいてもよい。
【００２０】
記憶部１１は、電気機器１００の各種機能を実現するために必要な情報や、制御プログラムなどを記憶する素子や記憶媒体である。例えば、ＲＡＭやＲＯＭ等の半導体素子、ハードディスク、フラッシュ記憶部、ＳＳＤ等の記憶媒体が用いられる。
なお、データを保持する領域がハードディスクドライブで、プログラムを保持する領域がフラッシュ記憶部で構成するといったように、プログラムとデータが異なる装置に保持されてもよい。
【００２１】
イオンセンサ１２は、放電電極針２０１が発生したイオンの濃度を検出するセンサである。
具体的には、イオンが発生していないときの状態の基準電位とイオン発生時の電位との電位差を計測し、当該電位差に基づいてイオン濃度を算出する。また、電流値に基づいてイオン濃度を検出するようにしてもよい。
イオンセンサ１２は、イオン発生素子２０の近傍か、または、図示しない送風路に沿ってイオンを含む空気流が送風されるとき、当該空気流の下流に設けられる。
イオンセンサ１２は常時起動している必要性はなく、例えば、所定の時間毎あるいは電気機器１００の電源がＯＮになったタイミングのみ作動するようにしてもよい。
【００２２】
入力端子１３は、外部から交流電圧を印加して電源を入力する部分である。
【００２３】
ダイオード１４は、入力端子１３とスイッチング回路１５との間に直列に接続され、入力端子１３側からスイッチング回路１５側に流れる電流のみを通過させる。
【００２４】
スイッチング回路１５は、放電回数切替回路１６の２種類の抵抗Ｒ１およびＲ２のうち、どの抵抗Ｒ１またはＲ２に接続すべきかを切り替えるための回路である。
【００２５】
放電回数切替回路１６は、抵抗値が異なる複数の抵抗Ｒ１およびＲ２が設けられた回路である。図１において、放電回数切替回路１６は、２つの抵抗Ｒ１およびＲ２（Ｒ１の抵抗値＞Ｒ２の抵抗値）が設けられている。
【００２６】
コンデンサ１７は、放電回数切替回路１６と昇圧トランス回路１８との間に接続され、昇圧トランス回路１８に印加すべき電荷を充電する。
【００２７】
昇圧トランス回路１８は、１次コイル１８１および２次コイル１８２から構成され、入力端子１３から入力された電圧を高電圧に昇圧するように、１次コイル１８１および２次コイル１８２の巻数が定められる。
【００２８】
高電圧制御回路１９は、昇圧トランス回路１８により昇圧された高電圧を制御する回路である。
【００２９】
イオン発生素子２０は、放電電極針２０１、誘導電極２０２および２０３から構成される。
放電電極針２０１は、誘導電極２０２および２０３との間に、高電圧が印加されたとき、針の先端部分でコロナ放電を生じて空気中の気体分子を電離してイオンを生成する。放電電極針２０１は、負イオンと正イオンのどちらか一方、またはその両方を放出するものであってもよい。負イオンと正イオンの両方を放出する場合、特に優れた空気の浄化、殺菌または消臭効果が期待できる。
なお、イオン発生素子２０は、針状の放電電極針２０１の他に、ワイヤ状の放電電極を用いるもの、鋸歯状の放電電極を用いるものであってもよい。
【００３０】
放電電極針２０１が放出したイオンを含む空気は、図示しない送風部によって、外部に送風される。
【００３１】
放電電極針２０１および誘導電極２０２および２０３間には、図２に示されるようなインパルス波形からなる電圧が印加される。
図２において、横軸は時間を、縦軸は電圧の大きさ（任意単位）を表す。
【００３２】
図２に示されるように、インパルス波形の周期はＴｓｅｃであり、１秒あたりの放電回数は、放電回数切替回路１６の抵抗の大きさに応じて変化する。
それゆえ、制御部１０は、スイッチング回路１５を制御して、放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切り替えることにより、１秒当たりの放電回数を切り替えることができる。
【００３３】
次に、図３に基づき、実施形態１に係る電気機器１００の動作について説明する。
【００３４】
放電の開始後、図３のステップＳ１において、制御部１０は、イオンセンサ１２にイオン発生素子２０から放出されたイオン濃度を計測させる（ステップＳ１）。
【００３５】
次に、ステップＳ２において、制御部１０は、計測されたイオン濃度が予め定められた閾値よりも低いか否かを判定する（ステップＳ２）。
【００３６】
ここで、予め定められた閾値の目安としては、例えば、初期設定のイオン濃度の約４０％、好ましくは約６０％、さらに好ましくは約８０％である。
【００３７】
ステップ２において、計測されたイオン濃度が予め定められた閾値よりも低い場合（ステップＳ２の判定がＹｅｓの場合）、制御部１０は、ステップＳ３において、スイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１をＲ２に切り替えて（抵抗Ｒ１＞Ｒ２）、予め定められた規定回数まで放電回数を増加させる（ステップＳ３）。
その後、制御部１０は、ステップＳ４の判定を行う（ステップＳ４）。
【００３８】
ここで、規定回数の目安としては、例えば、初期設定の放電回数の約１５０％、好ましくは約２００％、さらに好ましくは約３００％である。
【００３９】
一方、計測されたイオン濃度が予め定められた閾値よりも低くない場合（ステップＳ２の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ４の判定を行う（ステップＳ４）。
【００４０】
次に、ステップＳ４において、制御部１０は、放電終了指令が発せられたか否かを判定する（ステップＳ４）。
【００４１】
放電終了指令は、ユーザーにより発せられる指令のほか、例えば、電気機器１００の電源がＯＦＦになったとき、予め定められた時間を経過したとき、あるいは予め定められた条件が満たされたときなどに発せられるようにしてもよい。
【００４２】
放電終了指令が発せられた場合（ステップＳ４の判定がＹｅｓの場合）、制御部１０は、放電を終了させる（ステップＳ４）。
一方、放電終了指令が発せられていない場合（ステップＳ４の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ１の処理を繰り返す（ステップＳ１）。
【００４３】
このようにして、イオンセンサ１２がイオン濃度の低下を検知したタイミングで、放電回数を規定回数に切り替えることで、適切なタイミングで適切な量のイオンを放出することができるイオン発生装置１を実現できる。
【００４４】
（実施形態２）
次に、図４に基づき、この発明の実施形態２に係る電気機器１００について説明する。
図４は、実施形態２に係るこの発明のイオン発生装置１の放電回数の制御を示すフローチャートである。
【００４５】
なお、図４のステップＳ１１〜Ｓ１３およびＳ１６は、図３のステップＳ１〜Ｓ４にそれぞれ対応するため、説明を省略する。
ここでは、図３に記載のないステップＳ１４およびＳ１５について説明する。
【００４６】
図４のステップ１２において、計測されたイオン濃度が予め定められた閾値よりも低くない場合（ステップＳ１２の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ１４において、すでに規定回数まで放電回数を増加させたか否かを判定する（ステップＳ１４）。
【００４７】
ステップＳ１４において、すでに規定回数まで放電回数を増加させていた場合（ステップＳ１４の判定がＹｅｓの場合）、制御部１０は、ステップＳ１５において、スイッチング回路１５を制御して放電回数を初期設定の放電回数まで低下させ（ステップＳ１５）、ステップＳ１６の判定を行う（ステップＳ１１）。
一方、規定回数まで放電回数を増加させていない場合（ステップＳ１４の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ１６の判定を行う（ステップＳ１６）。
【００４８】
放電回数を規定回数まで増加させた後に、放電電極針２０１に付着した塵埃が落下したり、結露が乾燥したりすることによって、イオン濃度が回復することがあったとしても、上記のように放電回数を初期設定の放電回数に戻すことによって、適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１を実現できる。
【００４９】
（実施形態３）
次に、図５および図６に基づき、この発明の実施形態３に係る電気機器１００について説明する。
図５は、実施形態３に係るこの発明のイオン発生装置１の放電回数の制御を示すフローチャートである。図６は、この発明の実施形態３に係るイオン発生装置１の電気的な構成を示す説明図である。
【００５０】
なお、図５のステップＳ２１、Ｓ２３およびＳ２６は、図３のステップＳ１、Ｓ３およびＳ４に対応するため、説明を省略する。
ここでは、図３に記載のないステップＳ２２、Ｓ２４およびＳ２５について説明する。
【００５１】
図５のステップＳ２２において、制御部１０は、計測されたイオン濃度が予め定められた第１閾値よりも低いか否かを判定する（ステップＳ２２）。
計測されたイオン濃度が予め定められた第１閾値よりも低い場合（ステップＳ２の判定がＹｅｓの場合）、制御部１０は、ステップＳ２３において、スイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切替させて、規定回数まで放電回数を増加させる（ステップＳ２３）。
その後、制御部１０は、ステップＳ２４の判定を行う（ステップＳ２４）。
【００５２】
一方、計測されたイオン濃度が予め定められた第１閾値よりも低くない場合（ステップＳ２２の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ２６の判定を行う（ステップＳ２６）。
【００５３】
次に、ステップＳ２４において、制御部１０は、計測されたイオン濃度が予め定められた第２閾値よりも低いか否かを判定する（ステップＳ２４）。
なお、第２閾値は、第１閾値よりも低い値に設定されるものとする。
【００５４】
ステップＳ２４において、計測されたイオン濃度が予め定められた第２閾値よりも低い場合（ステップＳ２４の判定がＹｅｓの場合）、制御部１０は、ステップＳ２５において、予め定められた値までデューティー比を増加させる（ステップＳ２５）。
その後、制御部１０は、ステップＳ２６の判定を行う（ステップＳ２６）。
【００５５】
ここで、デューティー比とは、イオン発生装置１に印加すべき電圧のＯＮ‐ＯＦＦの時間を表す比であり、ある周期において、全体の時間のうちの電圧をＯＮにした時間の割合を示す。
【００５６】
例えば、放電開始時において、１秒ごとに電圧のＯＮ‐ＯＦＦを切り替えて放電したとき、デューティー比は５０％である。一方、イオン濃度が第２閾値よりも低くなった場合に、１．５秒間電圧をＯＮにし、０．５秒間電圧をＯＦＦにすると、デューティー比は、１．５／２．０＝７５％となる。
【００５７】
このように、イオン濃度が第２閾値よりも低くなった場合、電圧がＯＮになる時間の比率を上げることにより、イオン発生装置１のイオン濃度を増加させる。
【００５８】
電圧のＯＮ‐ＯＦＦの具体的な切替方法としては、スイッチング回路１５のＯＮ‐ＯＦＦを切り替えることによって実現できる。また、図６に示すように、コンデンサ１７と昇圧トランス回路１８の１次コイル１８１との間にスイッチング素子２１を設け、スイッチング素子２１のＯＮ‐ＯＦＦを切り替えることによって、電圧のＯＮ−ＯＦＦを切り替えるようにしてもよい。
【００５９】
一方、ステップＳ２４において、計測されたイオン濃度が予め定められた第２閾値よりも低くない場合（ステップＳ２４の判定がＮｏの場合）、制御部１０は、ステップＳ２６の判定を行う（ステップＳ２６）。
【００６０】
このようにして、計測されたイオン濃度の高さに応じて、放電回数およびデューティー比の２段階でイオン濃度を増加させるため、イオン濃度が大幅に減少した場合であっても、適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１を実現できる。
【００６１】
（実施形態４）
次に、図７〜図９に基づき、この発明の実施形態４に係るイオン発生装置１について説明する。
図７は、この発明の実施形態４に係るイオン発生装置１の電気的な構成を示す説明図である。図８は、この発明の実施形態４に係る電気機器１００およびイオン発生装置１の概略構成を示すブロック図である。図９は、この発明の実施形態４に係るイオン発生装置１とイオン濃度の閾値との関係を示す表である。
【００６２】
図７に示すイオン発生装置１において、実施形態１に係るイオン発生装置１（図１参照）との違いは、制御部１０、記憶部１１、イオンセンサ１２、入力端子１３、ダイオード１４およびスイッチング回路１５もイオン発生装置１内に含まれることである。
【００６３】
なお、図７に示す例は一例であり、必ずしも図７の構成に限られない。例えば、スイッチング回路１５およびダイオード１４をイオン発生装置１内に含み、制御部１０、記憶部１１およびイオンセンサ１２がイオン発生装置１の外部かつ電気機器１００内に設けられる構成であってもよい。
【００６４】
図８に示されるように、イオン発生装置１は、電気機器１００に着脱可能に接続される。
このように構成することで、イオン発生装置１の交換やメンテナンスが容易になる。
【００６５】
また、図９の表に示されるように、イオン濃度の閾値が異なる複数種類のイオン発生装置１Ａ〜１Ｃを予め準備しておくことで、多様な使用環境に応じた適切な量のイオンを放出する電気機器１００を実現できる。
【００６６】
（その他の実施形態）
１．実施形態１〜４において、放電回数切替回路１６は、３以上の抵抗を有し、スイッチング回路１５は、予め定められた閾値に応じて当該３以上の抵抗のいずれかに切り替えるものであってもよい。（実施形態５）
【００６７】
このようにすれば、３段階以上で放電回数を切り替えることができるため、多様な使用環境に応じて適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１およびイオン発生装置１を備えた電気機器１００を実現できる。
【００６８】
２．実施形態１〜５において、湿度センサをさらに備え、イオン濃度だけでなく、湿度センサによって計測された湿度が予め定められた閾値よりも高いか否かにも応じて、イオン濃度の閾値を変化させるものであってもよい。（実施形態６）
【００６９】
湿度の高い環境においては、結露が起こりやすく、このような高湿度の環境においては、通常の環境よりもイオン濃度の低下が起こりやすいと考えられる。それゆえ、イオン濃度および湿度の両方に基づき、放電回数を調整することによって、高湿度の環境においても、環境に応じた適切なイオン濃度の調整が実現できる。
【００７０】
また、ホルムアルデヒドなどの揮発性有機化合物（ＶＯＣ）による電極や基板の腐食によってもイオン濃度が下がることがある。それゆえ、ＶＯＣを検出するセンサを備え、ＶＯＣの濃度に応じてイオン濃度の閾値を変化させるようにしてもよい。
【００７１】
３．実施形態１〜６において、制御部１０は、規定回数まで放電回数を増加させた後、もしくはイオン濃度が所定の閾値よりも高い場合、イオンセンサ１２を停止させるようにしてもよい。（実施形態７）
【００７２】
このようにすれば、イオンセンサ１２がイオン捕集型の場合、イオンセンサ１２を停止させることにより、イオン発生素子２０から発生するイオンがイオンセンサ１２の捕集により減少することを防止できる。
【００７３】
４．実施形態７において、制御部１０は、イオンセンサ１２を停止させた後、予め定められた時間後に報知するようにしてもよい。（実施形態８）
【００７４】
このようにすれば、イオン濃度が初期設定の値よりも減少したことをユーザーに知らせることができ、イオン発生装置１のクリーニングや交換等を促すことが可能となる。
【００７５】
５．実施形態１において、イオン濃度が予め定められた閾値よりも低い場合、スイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切替させて、放電回数を増加させているが、それでもイオン濃度が予め定められた閾値よりも低い場合、さらにデューティー比を増加させるようにしてもよい。（実施形態９）
【００７６】
このようにすれば、放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２の切替によって放電回数を増加させた後、イオン濃度が予め定められた閾値よりも低かった場合であっても、さらにデューティー比の増加によりイオン濃度を増加させるため、適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１を実現できる。
【００７７】
６．実施形態１において、イオン濃度が予め定められた閾値よりも低い場合、まずデューティー比を増加させて、放電回数を増加させ、それでもイオン濃度が予め定められた閾値よりも低い場合、さらにスイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切替させるようにしてもよい。（実施形態１０）
【００７８】
このようにすれば、デューティー比の増加により放電回数を増加させた後、イオン濃度が予め定められた閾値よりも低かった場合であっても、さらに放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２の切替によりイオン濃度を増加させるため、適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１を実現できる。
【００７９】
７．実施形態３において、イオン濃度が第１閾値よりも低くなった場合、スイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切替させ、イオン濃度が第２閾値よりも低くなった場合、さらにデューティー比を増加させているが、イオン濃度が第１閾値よりも低くなった場合、デューティー比を増加させ、イオン濃度が第２閾値よりも低くなった場合、さらにスイッチング回路１５に放電回数切替回路１６の抵抗Ｒ１およびＲ２を切替させるようにしてもよい。（実施形態１１）
【００８０】
このようにすれば、計測されたイオン濃度の高さに応じて、デューティー比および放電回数の２段階でイオン濃度を増加させるため、イオン濃度が大幅に減少した場合であっても、適切な量のイオンを放出するイオン発生装置１を実現できる。
【００８１】
以上に述べたように、
（ｉ）この発明のイオン発生装  置は、放電電極および誘導電極間に電圧を印加して放電によりイオンを発生させるイオン発生素子と、前記イオン発生素子に印加する電圧を発生させる駆動回路と、前記イオン発生素子が発生したイオンのイオン濃度を検出するイオン濃度検出部と、前記イオン発生部の単位時間当たりの放電回数を増減させる放電回数制御部と、前記イオン濃度について予め定められた閾値を保持する記憶部と、前記イオン発生素子、前記駆動回路、前記イオン濃度検出部、前記放電回数制御部および前記記憶部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記イオン濃度が前記閾値よりも低くなったとき、前記放電回数を増加させることを特徴とする。
【００８２】
この発明において、「イオン発生装置」は、コロナ放電等の放電現象により正または負のイオンを発生するイオン発生素子を備え、発生したイオンを室内等に放出する装置である。
「予め定められた閾値」は、初期設定（工場出荷状態または放電開始時）のイオン濃度よりも予め定められた値だけ低い値に定められる。
ここで、閾値の目安としては、例えば、初期設定のイオン濃度の約４０％、好ましくは約６０％、さらに好ましくは約８０％である。
【００８３】
さらに、この発明の好ましい態様について説明する。
（ii）この発明によるイオン発生装置において前記駆動回路は、抵抗値の異なる複数の抵抗が切り替え可能に接続され、前記放電回数制御部は、前記複数の抵抗を切り替えることによって前記放電回数を制御するものであってもよい。
【００８４】
このようにすれば、抵抗を切り替えるだけで放電回数を制御できるため、簡単かつ安価に放電回数を制御できるイオン発生装置を実現できる。また、オゾンの発生量を増加させることなく、イオンの発生量を増加させることも可能となる。
【００８５】
（iii）この発明によるイオン発生装置において、前記記憶部は、前記放電回数について予め定められた規定回数を保持し、前記放電回数制御部は、前記駆動回路を制御して前記イオン発生素子に印加すべき電圧の印加時間を増減させることによって前記放電回数を前記規定回数に制御するものであってもよい。
【００８６】
このようにすれば、駆動回路の通電状態を制御して印加電圧の印加時間を増減させるだけで放電回数を制御できるため、簡単かつ安価に放電回数を制御することのできるイオン発生装置を実現できる。
【００８７】
「予め定められた規定回数」は、初期設定の放電回数よりも予め定められた値だけ多い回数に定められる。
ここで、規定回数の目安としては、例えば、初期設定の放電回数の約１５０％、好ましくは約２００％、さらに好ましくは約３００％である。
【００８８】
（iv）この発明によるイオン発生装置において、前記制御部は、前記放電回数制御部に前記複数の抵抗を切り替えさせるか、または、前記電圧の印加時間を増減させるか、いずれの方法によって前記放電回数を増減させるかを前記イオン濃度に応じて決定するものであってもよい。
【００８９】
このようにすれば、イオン濃度に応じて放電回数の増減方法を決定することにより、状況に応じて放電回数を柔軟に制御することのできるイオン発生装置を実現できる。
【００９０】
（ｖ）この発明によるイオン発生装置において、前記記憶部は、前記イオン濃度について予め定められた第１閾値および第２閾値を保持し、前記第１閾値は、前記第２閾値よりも高く、前記制御部は、前記イオン濃度が前記第１閾値よりも低く、かつ、前記第２閾値以上のとき、前記放電回数制御部に前記複数の抵抗を切り替えさせるか、または、前記電圧の印加時間を増加させるかいずれか一方によって、前記放電回数を増加させ、前記イオン濃度が前記第２閾値よりも低いとき、上記一方によって前記放電回数を増加させると共に、上記一方とは異なる他方によって、前記放電回数をさらに増加させるものであってもよい。
【００９１】
このようにすれば、イオン濃度が第２閾値よりも低いとき、複数の抵抗の切り替えに加え、電圧の印加時間も増大させることにより、より効率的にイオン濃度を増大させるイオン発生装置を実現できる。
【００９２】
（vi）この発明によるイオン発生装置において、前記制御部は、前記放電回数が前記規定回数まで増加した場合において、イオン濃度検出部によって検出された前記イオン濃度が初期設定の前記イオン濃度よりも高くなったとき、前記放電回数制御部に前記放電回数を初期設定の放電回数にまで減少させるものであってもよい。
【００９３】
このようにすれば、イオン濃度を増加させた後に、イオン発生素子に付着していた塵埃が落ちたり、結露が乾燥したりすることなどにより、イオン濃度の低下が自発的に回復した場合であっても、初期設定のイオン濃度に戻すイオン発生装置を実現できる。
【００９４】
（vii）前記イオン発生装置を備えた電気機器であってもよい。
【００９５】
このようにすれば、使用環境に応じて適切な量のイオンを放出する電気機器を実現できる。
【００９６】
（viii）使用環境に応じて予め定められた前記閾値および前記規定回数を保持する前記イオン発生装置を着脱可能に備えた電気機器であってもよい。
【００９７】
このようにすれば、使用環境に応じて適切な量のイオンを放出するイオン発生装置を実現できる。
【００９８】
なお、「イオン濃度検出部」、「放電回数制御部」および「制御部」は、図１に示されるように、イオン発生装置でなく、電気機器が備える構成であってもよい。
また、「放電回数制御部」をイオン発生装置が備え、「イオン濃度検出部」および「制御部」を電気機器が備える構成であってもよい。
【００９９】
「使用環境に応じて予め定められた前記閾値および前記規定回数を保持する」とは、使用が想定される様々な環境に対応した閾値および前記規定回数を予め記憶部に保持することである。例えば、海の近くなどの湿度の高い環境で使用する場合は、結露によるイオン濃度の低下が頻繁に起こる可能性が高いため、閾値を高めに設定する。
【０１００】
この発明の好ましい態様は、上述した複数の態様のうちの何れかを組み合わせたものも含む。
前述した実施形態の他にも、この発明について種々の変形例があり得る。それらの変形例は、この発明の範囲に属さないと解されるべきものではない。この発明には、請求の範囲と均等の意味及び前記範囲内でのすべての変形とが含まれるべきである。
【符号の説明】
【０１０１】
１，１Ａ，１Ｂ：イオン発生装置、    １Ｃ：イオン発生装置、    １０：制御部、    １１：記憶部、    １２：イオンセンサ、    １３：入力端子、    １４：ダイオード、    １５：スイッチング回路、    １６：放電回数切替回路、    １７：コンデンサ、    １８：昇圧トランス回路、    １９：高電圧制御回路、    ２０：イオン発生素子、    ２１：スイッチング素子、    １００：電気機器、    １８１：１次コイル、    １８２：２次コイル、    ２０１：放電電極針、    ２０２，２０３：誘導電極、    Ｒ１，Ｒ２：抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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