(57)【要約】      （修正有）【課題】光強度の偏差の増大を抑制することができる光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュールは、半導体製のＭＭＩカプラと、ＭＭＩカプラから引き出された半導体製の光導波路を含む光ハイブリッド素子と、光ハイブリッド素子を搭載するキャリア２９を備える。光ハイブリッド素子は、長手方向及び短手方向を有しており、キャリア２９の光ハイブリッド素子と対向する面２９ａにおける、ＭＭＩカプラが形成された光ハイブリッド素子の領域に対向する対向領域、及び対向領域から短手方向の全体に亘って延びる領域に窪みＣが形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面を有し、前記表面に半導体ＭＭＩカプラと、前記ＭＭＩカプラから引き出された半導体光導波路を含む半導体基板と、
前記裏面に対向し、前記半導体基板を、半田を介して搭載するキャリアと、を備え、
前記半導体基板の裏面は、前記ＭＭＩカプラが形成された領域に対向する領域を含み、前記光導波路が伸び出す方向に直交する方向全ての領域に渡り、前記半導体基板と前記キャリアとの間が固定されていない、
光モジュール。
【請求項２】
前記キャリアの前記半導体基板搭載面は、前記全ての領域に対応して窪みを有する、
請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面は、前記全ての領域以外の領域に金属膜を有し、当該金属膜と前記キャリアとの間が半田により固定されている、
請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記半導体基板はＩｎＰ製であり、前記キャリアはアルミナ製である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記ＭＭＩカプラは、２つの入力光を入力して４つの出力光を出力する２入力４出力の第１カプラと、前記第１カプラからの２つの出力光を入力する２入力２出力の第２カプラを含み、
前記ＭＭＩカプラは、前記２つの入力光のうちの一方の入力光の前記２つの入力光に対する０°成分の正位相及び逆位相、並びに９０°成分の正位相及び逆位相、の４つの出力光を生成する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、２×４ＭＭＩカプラと２×２ＭＭＩカプラを備えた光９０°ハイブリッドが記載されている。２×４ＭＭＩカプラは、ＱＰＳＫ信号光又は差分ＱＰＳＫ変調信号光を一対の第１光信号、及び一対の第２光信号に変換する。一対の第１光信号は互いに同相関係にあり、一対の第２光信号も互いに同相関係にある。２×２ＭＭＩカプラは、第１光信号又は第２光信号を直交位相関係にある一対の第３光信号に変換する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１７１９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、コヒーレント光通信用光デバイスの小型化及び高密度化が進み、ＭＭＩカプラ及びＰＤ（Photodiode）をＩｎＰ製の半導体基板上に一体に形成し、高集積化を図った光ハイブリッド素子が開発されている。光ハイブリッド素子を実装する際には、例えば、ＣｕＷ製のベース上にキャリアを搭載し、そのキャリア上に光ハイブリッド素子を搭載することが行われる。ここで、搭載前に光ハイブリッド素子の二つの出力光の強度偏差（Positive-Phase信号とNegative-Phase信号の強度差）が０付近であるにもかかわらず、キャリア上に搭載した後に当該強度偏差が増大することがある。このような光強度の偏差の増大を抑制することが求められている。
【０００５】
本発明は、光強度の偏差の増大を抑制することができる光モジュールを提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一の形態の光モジュールは、表面と裏面を有し、表面に半導体ＭＭＩカプラと、ＭＭＩカプラから引き出された半導体光導波路を含む半導体基板と、裏面に対向し、半導体基板を、半田を介して搭載するキャリアと、を備え、半導体基板の裏面は、ＭＭＩカプラが形成された領域に対向する領域を含み、光導波路が伸び出す方向に直交する方向全ての領域に渡り、半導体基板とキャリアとの間が固定されていない。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一形態では、光強度の偏差の増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の光モジュールを示す平面図である。
【図２】（ａ）は実施形態の光モジュールのブロック図である。（ｂ）は光ハイブリッド素子のブロック図である。
【図３】第１ベース、第２ベース、キャリア、及び光ハイブリッド素子を示す斜視図である。
【図４】光ハイブリッド素子を示す平面図である。
【図５】第１ベース、キャリア、及び光ハイブリッド素子を示す側面図である。
【図６】実施形態のキャリアを示す断面斜視図である。
【図７】実施形態のキャリアを示す平面図である。
【図８】第１比較例のキャリアを示す断面斜視図である。
【図９】第２比較例のキャリアを示す断面斜視図である。
【図１０】（ａ）はＩｎＰの線膨張係数を示すグラフである。（ｂ）はアルミナの線膨張係数を示すグラフである。
【図１１】（ａ）は実施形態のキャリアの応力を示すグラフである。（ｂ）は第１比較例のキャリアの応力を示すグラフである。（ｃ）は第２比較例のキャリアの応力を示すグラフである。
【図１２】（ａ）は第２実施形態の光ハイブリッド素子を示す平面図である。（ｂ）は比較例の光ハイブリッド素子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら光モジュールの実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の光モジュール１を示す平面図である。光モジュール１は、略直方体状のパッケージ２と、信号光入力ポート３と、局発光入力ポート４を備える。信号光入力ポート３及び局発光入力ポート４は、パッケージ２の一端面２ａに設けられている。信号光入力ポート３は、シングルモードファイバ５に接続されており、このシングルモードファイバ５から受信信号光（ＳＩＧｎａｌ；以下、信号光という）を受ける。局発光入力ポート４は、偏波保持ファイバ６に接続されており、この偏波保持ファイバ６から局発発振光（Ｌｏｃａｌ；以下、局発光という）を受ける。
【００１１】
光モジュール１は、例えば、光ハイブリッド素子７、偏光ビームスプリッタ（Polarization Beam Splitter）８、スキュー調整素子９、第１レンズ系１０、半波長板（λ／２板）１１、第１ミラー１２、及び第２レンズ系１３を備える。偏光ビームスプリッタ８と信号光入力ポート３の間には、ビームスプリッタ（Beam Splitter）１４、可変光減衰器（ＶＯＡ： Variable Optical Attenuator）１５及びコリメートレンズ１６が配置されている。ビームスプリッタ１４は信号光入力ポート３から入力された信号光の一部を分離し、その一方をパワーモニタ用フォトダイオード（モニタ用ＰＤ）１７に入力する。光モジュール１は、更に、ビームスプリッタ１８、スキュー調整素子１９、第３レンズ系２０、第２ミラー２１、及び第４レンズ系２２を備える。また、ビームスプリッタ１８と局発光入力ポート４の間には偏光子２３が配置されている。
【００１２】
入力された信号光及び局発光は、前述の各光部品により２個の光ハイブリッド素子７のそれぞれに振り分けられる。光ハイブリッド素子７は、インジウムリン（ＩｎＰ）製の半導体基板を用いたＰＤ集積型マルチモードハイブリッドである。光ハイブリッド素子７に集積されたＰＤによって生成された光電流は、アンプ２４によって電圧信号に変換される。この電圧信号は複数の端子２５の何れかから出力される。
【００１３】
図２（ａ）は光モジュール１の、図２（ｂ）は光ハイブリッド素子の、それぞれ機能ブロック図を示している。光ハイブリッド素子７は、信号光と局発光を光結合する平面導波路によって形成されたＭＭＩ（Multi-Mode Interference）カプラを含んでいる。光ハイブリッド素子７とアンプ２４の間には、光ハイブリッド素子７が生成する干渉出力光を検出するフォトダイオード（ＰＤ）２６が集積されている。
【００１４】
光ハイブリッド素子７は、２入力４出力の２×４ＭＭＩカプラ（第１カプラ）２７と、２入力２出力の２×２ＭＭＩカプラ（第２カプラ）２８、二つの光入力ポート（Ｌｏ、Ｓｉｇ）、及び４つの出力ポートを備えている。第１カプラ２７及び第２カプラ２８は、共に半導体製であり、互いに直列に接続されている。入力ポートと２×４ＭＭＩカプラ２７の間、二つのＭＭＩカプラ２７、２８と出力ポートの間、及び二つのＭＭＩカプラ２７、２８の間は半導体導波路で接続される。第１カプラ２７には信号光と局発光の２つの入力光が入力する。入力した信号光と局発光は、第１カプラ２７と第２カプラ２８のそれぞれによって干渉及び分離して、４つの出力光（ＩＰ：In-phase Positive，ＩＮ：In-phase Negative，ＱＰ：Quadrature Positive，ＱＮ：Quadrature Negative）となる。このように、第１カプラ２７及び第２カプラ２８は、受信信号光の０°成分の正位相及び逆位相、並びに９０°成分の正位相及び逆位相、の４つの出力光を生成する。
【００１５】
光ハイブリッド素子７から出力した４つの出力光はＰＤ２６に入射し、ＰＤ２６は入射した出力光の強度を検知する。光ハイブリッド素子７からは、仮に、入力光が信号光のみであっても４つの出力光が得られ、入力光が局発光のみであっても４つの出力光が得られる。
【００１６】
ところで、従来の半導体ベースのＭＭＩは、Ｓｉ基板上に形成した導波路により光ハイブリッド素子を構成し、Ｓｉ基板とは別にＰＤをＳｉ導波路に光結合させる構造が主流であった。しかしながら、本実施形態の光ハイブリッド素子７では、ＰＤ２６、第１カプラ２７、及び第２カプラ２８をＩｎＰ基板上に一体に形成し高集積化を図った光ハイブリッド素子３０を採用している。
【００１７】
図３は光ハイブリッド素子３０をキャリア２９を介してベース３２上に搭載する様子を示す斜視図である。光ハイブリッド素子３０は、第１ベース３２上に、キャリア２９を介して実装される。また、第１ベース３２上には、既に説明した各種光部品を搭載する第２ベース３１も搭載されている。キャリア２９及び第２ベース３１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる矩形の板状部材であり、第１ベース３２は銅１０％を含むＣｕＷ合金からなる矩形状の板状部材である。第１ベース３２の厚さは０．５５ｍｍ、キャリア２９の厚さは０．５０ｍｍ、光ハイブリッド素子３０の厚さは０．１０ｍｍである。前述のように、光ハイブリッド素子３０は、第１カプラ２７及び第２カプラ２８を含むＩｎＰ製である。
【００１８】
ここで、光ハイブリッド素子が半導体材料で構成されている場合には、誘電体材料を主体とする光ハイブリッド素子と比較し、前者の材料の誘電率が大きいため、逆に、ＭＭＩカプラ等の光学部品の物理的寸法が小さくなる。そのため、微小な物理的寸法の変動がハイブリッド素子の光学特性に大きく影響し、４つの出力光の強度（位相及び振幅）にバラツキが容易に生じてしまう。このバラツキの一つとしてＰＮ強度偏差（Positive-Phase信号とNegative-Phase信号の出力強度差）が挙げられる。光ハイブリッド素子３０をキャリア２９上に実装する際には、ＰＮ強度偏差が大きくならないこと、理想的には、実装の前後でＰＮ強度偏差が変化しないことが求められる。
【００１９】
ＰＮ強度偏差の測定方法としては、まず、光ハイブリッド素子３０に対して先球ファイバを用いて二つの光入力ポート、Ｌｏポート及びＳｉｇポート、それぞれから試験光を導入し、ＰＤ２６それぞれの受光強度を測定する。この時、光ハイブリッド素子３０はチップ状態にあり、ＰＤ２６の出力はプロ―ビングにより検知される。そして、式（１）を用いてＰＮ強度偏差を計算し、偏差の値が所定値以下の光ハイブリッド素子を正常チップとして爾後の工程に使用し、所定値を超える光ハイブリッド素子を不良チップとする。
偏差  ＝  １０×ｌｏｇ10（Ｐｎ／Ｐｐ）  ・・・（１）
【００２０】
ここで、上記のように光ハイブリッド素子を選別しているにもかかわらず、同様の測定を光ハイブリッド素子の実装後に行うと、偏差の値が所定値を超えている場合がある。このように実装後に偏差の値が大きくなる原因としては、光ハイブリッド素子３０の材料（ＩｎＰ）とキャリア２９の材料（アルミナ）の線膨張係数の差が挙げられる。具体的にはアルミナの線膨張係数がＩｎＰの線膨張係数よりも大きいことに起因すると考えられる。キャリア２９上に光ハイブリッド素子３０を実装する際には、例えば３００℃に加熱して光ハイブリッド素子３０をキャリア２９上に熱圧着させるが、その後室温にまで冷却する過程で光ハイブリッド素子３０よりもキャリア２９の方が大きく収縮する。このため、光ハイブリッド素子３０に圧縮応力が誘起されることになり、その結果、光ハイブリッド素子３０のＭＭＩ特性が変わってＰＮ強度偏差が大きくなると考えられる。そこで、本実施形態の光モジュール１では、光ハイブリッド素子３０に誘起される応力を低減させることによって、実装後のＰＮ強度偏差の増大を抑えている。
【００２１】
図４は、本実施形態の光ハイブリッド素子３０を示す平面図である。長手方向は第１カプラ２７及び第２カプラ２８における光が導波する方向であり、当該長手方向に平行に光導波路３３、３４が該ＭＭＩカプラ２７、２８から引き出される。短手方向は長手方向に交差する方向である。例えば、光ハイブリッド素子３０の長手方向の長さは４．１ｍｍ、光ハイブリッド素子３０の短手方向の長さは１．４ｍｍである。
【００２２】
第１カプラ２７及び第２カプラ２８は、光ハイブリッド素子３０の中央付近に配置されている。第１カプラ２７の長手方向の一方側（図４の左側）からは２本の光導波路３３が伸び出しており、他方側からは４本の光導波路３４が伸び出している。光導波路３３の端部にはそれぞれＬｏポート３６及びＳｉｇポート３７が設けられている。光ハイブリッド素子３０の上記二つのポートが設けられている辺の他方側にはＰＤ２６が設けられており、各ＰＤ２６から光導波路３４，３５が光ハイブリッド素子中央側に伸び出している。また、第２カプラ２８の一方側には２本の光導波路３４が接続されており、他方側には２本の光導波路３５が接続されている。
【００２３】
光ハイブリッド素子３０は、光導波路３３，３４，３５の曲率を小さくするために比較的大きなチップサイズを有する。４つのＰＤ２６は光ハイブリッド素子３０上にモノリシックに形成されており光導波路３４，３５に直接光結合する導波路型のＰＤ構造を有する。
【００２４】
ＰＤ２６のアノードは信号パッド（Ｓｉｇパッド）３８に引き出されており、ＰＤ２６のカソードは抵抗素子を介してバイアスパッド３９に引き出されている。バイアスパッド３９と接地パッド４０との間にはＭＩＭキャパシタ４２が形成されている。ＭＩＭキャパシタ４２の電極は接地パッド４０に引き出され、また、接地パッド４０はビア４３を介してＩｎＰ裏面の接地パッドに接続される。
【００２５】
光ハイブリッド素子３０は、その裏面に金属膜Ｒを有する。金属膜Ｒは、第１カプラ２７及び第２カプラ２８の裏側に位置するＭＭＩカプラ領域Ｒ１と、ＰＤ２６の裏側に位置するＰＤ領域Ｒ２に形成される。また、金属膜Ｒは、ＭＭＩカプラ領域Ｒ１とＰＤ領域Ｒ２の間で分離されている。
【００２６】
ここで、仮に、バイアスパッド３９の裏側に位置する裏面接地パッドがＰＤ領域Ｒ２の裏側に位置する裏面接地パッドに導通している場合、バイアスパッド３９から裏面のＧＮＤパッドに至るリーク電流が増大する。しかしながら、本実施の形態に係る光ハイブリッド素子３０では、ＭＭＩカプラ領域Ｒ１に位置する裏面接地パターンと、ＰＤ領域Ｒ２に位置する裏面接地パターンが分断されているので上記リーク電流の増大を抑えることができる。
【００２７】
図５は、アルミナ製のキャリア２９を介して光ハイブリッド素子３０を第１ベース３２上に実装した状態を示す側面図である。キャリア２９は、例えば導電性接着剤Ａを介して第１ベース３２上に搭載される。光ハイブリッド素子３０は、例えばＡｕＳｎからなる共晶半田Ｈを介してキャリア２９上に搭載される。
【００２８】
キャリア２９は、略直方体状であり、長手方向と短手方向を有する。図６は、キャリア２９の長手方向に延びる面で切断したキャリア２９を示す断面斜視図であり、図７はキャリア２９の平面図である。キャリア２９は、光ハイブリッド素子３０と対向する面２９ａに窪みＣを有する。窪みＣは、第１カプラ２７及び第２カプラ２８が形成された領域Ｂに対応する領域Ｅ１、及びこの領域Ｅ１から短手方向の全体に亘って延びる領域に形成されている。窪みＣは、例えば深さが８０μｍ程度の座刳り加工によって形成される。ＭＭＩカプラが形成された領域に対応する領域Ｅ１を広く覆う座繰りＣが施されている。座繰り加工Ｃは、キャリア２９の短手方向全体に渡っている。
【００２９】
キャリア２９の窪みＣにより、光ハイブリッド素子３０をキャリア２９上に搭載した状態では、第１カプラ２７及び第２カプラ２８が形成された領域ＢのＩｎＰ基板裏面は、キャリア２９から離間した状態となる。
【００３０】
本実施形態の光モジュール１では、キャリア２９が窪みＣを備えることにより、光ハイブリッド素子３０に誘起される応力を低減させて実装後のＰＮ強度偏差の増大を抑えている。以下では、本実施形態のキャリア２９、第１比較例のキャリア、及び第２比較例のキャリアについて光ハイブリッド素子３０に及ぼされる応力について説明する。
【００３１】
図８は第１比較例のキャリア１０１を示す断面斜視図であり、図９は第２比較例のキャリア１０２を示す断面斜視図である。キャリア１０１は、キャリア２９同様、略直方体状であるが、窪みＣを有しない。キャリア１０２も、略直方体状であり、また窪みＫを有するが、この窪みＫは短手方向の全体に亘って延びていない。キャリア１０２では、短手方向の両端部について座刳り加工が省略されている。すなわち、キャリア１０２では、その光ハイブリッド素子３０搭載部の中央が広く座繰られているが、周辺部は光ハイブリッド素子３０に接触している。
【００３２】
以上のキャリア２９、キャリア１０１及びキャリア１０２のそれぞれに光ハイブリッド素子３０を実装し、光ハイブリッド素子３０中央部（カプラ２７，２８が形成された領域Ｂ）に誘起される応力を評価した。この評価では、光ハイブリッド素子３０をキャリア２９，１０１，１０２上に搭載するに際し、キャリア２９，１０１，１０２及び光ハイブリッド素子３０は、半田Ｈの溶融温度である３００℃にまで加熱され、当該温度で光ハイブリッド素子３０とキャリア２９，１０１，１０２が接着される。半田Ｈが溶融している状態では光ハイブリッド素子３０に応力が生じていない。その後、光ハイブリッド素子３０及びキャリア２９，１０１，１０２を室温（２５℃）にまで降温する。
【００３３】
図１０（ａ）はＩｎＰの線膨張係数を示すグラフであり、図１０（ｂ）はアルミナの線膨張係数を示すグラフである。光ハイブリッド素子３０の材料であるＩｎＰ、キャリア２９，１０１，１０２の材料であるアルミナ、及び第１ベース３２の材料であるＣｕＷは、それぞれ固有の線膨張係数を有する。よって、前述のように３００℃から２５℃にまで降温すると、２７５℃の温度差に起因して各部材間に物理的な寸法差による歪みが生じ、この歪みが光ハイブリッド素子３０に対する応力となって現れる。特にＩｎＰとアルミナの線膨張係数の差が応力に支配的に寄与する。
【００３４】
ＩｎＰの線膨張係数（単位は×１０-6／Ｋ）は、３００℃から２５℃に降温するときに、６．９８から４．６７に変動し（図１０（ａ））、アルミナの線膨張係数は７．６５から５．４０に変動する（図１０（ｂ））。ＣｕＷの線膨張係数も７．３９から６．６６に変動するが、この変動はＩｎＰ及びアルミナよりも小さく、また、ＣｕＷ製ベースはアルミナ製キャリアを介してＩｎＰ基板に接しているので、ＣｕＷの線膨張係数は上記評価に際し二次的考慮として差し支えない。そして、３００℃から２５℃の全範囲に亘って、アルミナの線膨張係数（図１０（ｂ））はＩｎＰの線膨張係数（図１０（ａ））を上回っている。よって、３００℃から２５℃に降温したときにキャリア２９，１０１，１０２が光ハイブリッド素子３０よりも収縮した状態になり、２５℃では、光ハイブリッド素子３０は上に凸の状態になる。従って、光ハイブリッド素子３０には、上に凸の状態を平坦な状態に戻そうとする圧縮応力が誘起される。
【００３５】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、本実施形態のキャリア２９、第１比較例のキャリア１０１、及び第２比較例のキャリア１０２のそれぞれについて、光ハイブリッド素子３０に誘起される応力を長手方向全体に亘って評価した結果を示す。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）において、Ｘはキャリアの長手方向を示し、Ｙはキャリアの短手方向を示し、ＺはＸ及びＹに直交する方向を示している。
【００３６】
図１１（ｂ）に示されるように、第１比較例のキャリア１０１は、平坦な搭載面全体に亘り光ハイブリッド素子３０を接着した従来の例であるが、光ハイブリッド素子３０全体に−２８ＭＰａ程度の応力が誘起されている。一方、図１１（ｃ）に示されるように、第２比較例のキャリア１０２は、短手方向両端部に光ハイブリッド素子３０の接着領域を残した例であるが、概ね従来のキャリア１０１と同程度の応力が誘起されている。キャリア１０２では、短手方向両端にキャリア１０２と光ハイブリッド素子３０の裏面との接触領域が残されているため、誘起される応力の挙動はキャリア１０１と実質的に同じとなっている。
【００３７】
一方、図１１（ａ）に示されるように、本実施形態のキャリア２９では、長手方向Ｘについては、その端部が光ハイブリッド素子３０と接着されている。よって、長手方向Ｘについて、誘起される応力は、多少緩和されるものの概ねキャリア１０１，１０２と同様となる。しかしながら、短手方向Ｙについては、その端部が完全に開放されているので、誘起される応力はキャリア１０１，１０２と異なっており、光ハイブリッド素子３０の中央部で１．３ｍｍ〜２．１ｍｍの位置において応力が０に近くなっている。ここで、カプラ２７，２８は光ハイブリッド素子３０の中央付近のみに所定の長さを有して配置されておりＭＭＩ特性に影響を与えるのは領域Ｂに限定されるが、この領域ＢにおいてＹ方向に実質的な応力が誘起されていない。
【００３８】
以上のように、本実施形態では、キャリア２９の光ハイブリッド素子３０の搭載面２９ａであって、カプラ２７，２８が形成された光ハイブリッド素子３０の領域Ｂに対向する領域Ｅ１、及びこの領域Ｅ１を大きく含みキャリア２９の短手方向の全体に亘って窪みＣが形成されている。すなわち、領域Ｅ１を大きく含む領域が光ハイブリッド素子３０の裏面と接触していない。従って、カプラ２７，２８が形成された領域Ｂで誘起される応力を抑えることができる。
【００３９】
（第２実施形態）
第１実施形態の光モジュール１では、キャリア２９に対してその短手方向全体に延びる窪みＣを形成することによって、実装時にキャリア２９と光ハイブリッド素子３０の間に空隙を形成する。第２実施形態の光モジュールでは、図１２（ａ）に示されるように、光ハイブリッド素子５０の裏面の金属膜Ｒを、その短手方向全体に渡って除去し、光ハイブリッド素子５０をキャリア２９に搭載した時にキャリア２９と光ハイブリッド素子５０が密に接着されない領域を形成する。
【００４０】
第２実施形態の光ハイブリッド素子５０の構成は、金属膜Ｒが除去されること以外は光ハイブリッド素子３０の構成と同一である。光ハイブリッド素子５０の金属膜Ｒが残されている領域は半田Ｈによってキャリアに接着されるが、金属膜Ｒが除去されている領域は半田Ｈが拡がらず、光ハイブリッド素子５０をキャリア２９に搭載した際には、空隙が生ずるか、もしくは接触していても固定されていない状態となる。
【００４１】
第２実施形態の光ハイブリッド素子５０、及び図１２（ｂ）に示される比較例の光ハイブリッド素子１３０を評価する。光ハイブリッド素子１３０は、カプラ２７，２８が形成された領域Ｘ１の金属膜Ｒは除去されているが、短手方向の両端について金属膜Ｒが残されている。この光ハイブリッド素子１３０では、誘起される応力は、金属膜Ｒを全く除去していない光ハイブリッド素子と実質的に同じであった。しかしながら、第２実施形態の光ハイブリッド素子５０では、短手方向についてその端部がも含めて開放されているので、短手方向には実質的な応力が誘起されない。
【００４２】
以上のように、第２実施形態では、光ハイブリッド素子５０の裏面における、カプラ２７，２８が形成された領域Ｘ１、及び領域Ｘ１から短手方向の全体に亘って延びる領域Ｘ２、に位置する金属膜Ｒが除去されている。すなわち、光ハイブリッド素子５０の領域Ｘ１、及び領域Ｘ１から短手方向の全体に亘って延びる領域Ｘ２、の裏面以外の位置に金属膜Ｒが設けられる。従って、カプラ２７，２８が形成された領域Ｘ１で誘起される応力を抑えることができるので、ＭＭＩ特性への影響を低減させて実装後のＰＮ強度偏差の増大を抑えることができる。
【００４３】
以上、実施形態について説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によっても容易に認識される。
【符号の説明】
【００４４】
１…光モジュール、２…パッケージ、２ａ…一端面、３…信号光入力ポート、４…局発光入力ポート、５…シングルモードファイバ、６…偏波保持ファイバ、７…光ハイブリッド素子、８…偏光ビームスプリッタ、９，１９…スキュー調整素子、１０…第１レンズ系、１１…λ／２板、１２…第１ミラー、１３…第２レンズ系、１４，１８…ビームスプリッタ、１５…可変光減衰器（ＶＯＡ）、１６…コリメートレンズ、１７…モニタ用ＰＤ、２０…第３レンズ系、２１…第２ミラー、２２…第４レンズ系、２３…偏光子、２４…アンプ、２５…端子、２６…ＰＤ、２７…第１カプラ、２８…第２カプラ、２９…キャリア、２９ａ…面、３０，５０…光ハイブリッド素子、３１…第２ベース、３２…第１ベース、３３，３４，３５…光導波路、３６…Ｌｏポート、３７…Ｓｉｇポート、３９…バイアスパッド、４０…接地パッド、４２…ＭＩＭキャパシタ、４３…ビア、Ａ…導電性接着剤、Ｂ，Ｘ１，Ｘ２…領域、Ｅ１…領域、Ｈ…半田、Ｍ…溝、Ｒ…金属膜、Ｒ１…ＭＭＩカプラ領域、Ｒ２…ＰＤ領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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