(57)【要約】      （修正有）【課題】ファイバヒューズの伝搬を確実に停止するファイバヒューズ抑圧ファイバ及び光コネクタを提供する。【解決手段】ファイバヒューズ抑圧ファイバは、クラッド１１内にコア１２と円環形状に配列された複数の空孔１３とを有するファイバヒューズ抑圧ファイバであって、ファイバヒューズ抑圧ファイバの使用波長におけるモードフィールド直径ＭＦＤと、円環形状の内接円の直径ｃとの比（ｃ／ＭＦＤ）が２．３以下、かつ円環形状の外接円内の領域に対する空孔の面積占有率Ｓ１が０．１１（１１％）以上の構造を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッド内にコアと円環形状に配列された複数の空孔とを有するファイバヒューズ抑圧ファイバであって、
前記ファイバヒューズ抑圧ファイバの使用波長におけるモードフィールド直径（ＭＦＤ：Ｍｏｄｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）と、前記円環形状の内接円の直径ｃとの比（ｃ／ＭＦＤ）が２．３以下、かつ前記円環形状の外接円内の領域に対する空孔の面積占有率Ｓ１が０．１１（１１％）以上の構造を有する
ことを特徴とするファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項２】
クラッド内にコアと円環形状に配列された複数の空孔とを有するファイバヒューズ抑圧ファイバであって、
前記ファイバヒューズ抑圧ファイバの使用波長におけるモードフィールド直径（ＭＦＤ：Ｍｏｄｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）と、前記円環形状の内接円の直径ｃとの比（ｃ／ＭＦＤ）が２．３以下、かつ前記円環形状の外接円周と内接円周に囲まれる領域に対する空孔の面積占有率Ｓ２が０．２９（２９％）以上の構造を有する
ことを特徴とするファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項３】
前記空孔の構造を、座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ１）で規定した場合、１，（１．４，０．４０）、２，（１．４４，０．１１）、３，（２．１，０．１６）、４，（２．３，０．４４）の４点で囲まれた多角形の構造領域とする
ことを特徴とする請求項１に記載のファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項４】
前記空孔の構造を、座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ２）で規定した場合、１，（１．４，０．５２）、２，（１．４４，０．２９）、３，（２．１，０．２９）、４，（２．３，０．６７）の４点で囲まれた多角形の構造領域とする
ことを特徴とする請求項２に記載のファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項５】
少なくとも一端に単一モード光ファイバが接続されている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項６】
伝搬する光の波長領域において、当該ファイバヒューズ抑圧ファイバのＭＦＤと前記単一モード光ファイバのＭＦＤとが略等しい
ことを特徴とする請求項５に記載のファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項７】
当該ファイバヒューズ抑圧ファイバの長さが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のファイバヒューズ抑圧ファイバ。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載のファイバヒューズ抑圧ファイバを備える光コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、数Ｗ（ワット）オーダの高パワーの光を光ファイバに入力、伝送したときに生じうるファイバヒューズ現象を停止もしくは抑制し、伝送装置や光ファイバ伝送路を保護するファイバヒューズストッパ、光コネクタ、光伝送システム、及びファイバヒューズ停止方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、インターネットの進展などによって光ファイバ通信の伝送容量の拡大の要求は、日々強まっており、既にコア系の光ネットワークに布設された光ファイバに入力される光の全パワーは１Ｗに近づいてきており、将来的にはさらなる増大が予想される。一方、関連技術に係る光ファイバに、数Ｗオーダの光が入力している状況で、曲げ、切断、加熱などの何らかのきっかけが与えられると、ファイバのコアのガラス部分の加熱による溶融が発生し、これが高温のプラズマ状態となって、光源側に向かって伝搬していく現象（ファイバヒューズ現象）が生じることが知られている。
【０００３】
図１は、ファイバヒューズ現象の概念図である。図１に示す光ファイバは、互いに異なる比屈折率差を有するクラッド１１とコア１２で構成されている。このファイバヒューズ現象の発生自体は確率的に起こるものであり、特定の条件下においても必ず発生するものではない。しかし、一度発生すると、その伝搬を停止させるには、「１．光源からの入力光のパワーを、ある閾値（ヒューズ伝搬閾値）よりも相対的に小さくする方法」と、「２．ヒューズが伝搬する前に伝送路自体を切断する方法」と、がある。
【０００４】
しかし、この２つの他に有効な方法は知られていない。発生したファイバヒューズを停止させないと、発生点から光源までの光ファイバ伝送路を破壊するだけに留まらず、光源（伝送装置）までも破壊してしまう。このため、ファイバヒューズ現象を防止、あるいは発生したヒューズを停止させる方法が強く求められるようになってきている。
【０００５】
前記１の方法におけるヒューズの伝搬閾値は、関連技術に係る光ファイバでは、光ファイバの種類によって多少の幅があるが、ＳＭＦ（１．３μｍ帯ゼロ分散ファイバ、ＩＴＵ−Ｔ、Ｇ．６５２）における伝搬閾値は１．５Ｗ、ＤＳＦ（分散シフトファイバ、ＩＴＵ−Ｔ、Ｇ．６５３）では１．２Ｗ程度であると報告されている。関連技術に係る光ファイバでは、この伝搬閾値は、モードフィールド直径（ＭＦＤ：Ｍｏｄｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）と強い相関を持ち、両者はほぼ比例の関係にあることが知られている（例えば、非特許文献１を参照。）。
【０００６】
そこで、伝送路における対策として、関連技術では、各種の光ファイバ型のヒューズストッパが提案されている。ヒューズストッパを用いる際は、入力光のパワーをストッパ部分の伝搬閾値以下に設定しておけば、仮にストッパ以外の部分でヒューズが発生したとしても、ストッパ部でヒューズが停止し、残った伝送路と光源部が保護できる。ヒューズストッパとしては、光伝送路の一部に伝搬閾値が特に高いファイバを小型の光部品（ヒューズストッパ）として挿入するものが提案されている。
【０００７】
例えば、第１の関連技術では、ＭＦＤの大きいマルチモードファイバ（ＧＩＦ：グレッテッドインデックスファイバ）をＳＭＦに融着接続したもので、２〜３Ｗ程度の入力パワー条件で、伝搬してきたファイバヒューズの停止を実現している（例えば非特許文献１、参照。）。
【０００８】
また、第２の関連技術では、ＤＳＦの一部分を加熱し、コア径とＭＦＤを拡大し、ＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ−ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｅｘｐａｎｄｅｄ  Ｃｏｒｅ）ファイバ化する手法が提案されている（例えば非特許文献２、参照。）。また、第３の関連技術では、ＳＭＦの１２５μｍφのクラッド部分をエッチングによって外径１０〜３０μｍφ程度まで細くし、ヒューズ伝搬閾値を向上させる方法が提案されている（例えば非特許文献３、参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／０２３８８１号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】藤田  他，「ＧＩファイバによるファイバヒューズの遮断」，２００４年電子情報通信学会通信ソサイエテイ大会，Ｂ−１０−５，２００４
【非特許文献２】柳  他，「ファイバ・ヒューズ遮断部品の開発」，信学技報，ＯＰＥ２００４−１７８，２００４
【非特許文献３】Ｅ．Ｍ．Ｄｉａｎｏｖ  ｅｔ．ａｌ．，「Ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃａ  ｆｉｂｅｒ  ｃｌａｄｄｉｎｇ  ｂｙ  ｔｈｅ  ｆｕｓｅ  ｅｆｆｅｃｔ」，ＯＰＴＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ，２９，１６，１８５２−１８５４，２００４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、関連技術には、以下に具体的に述べるような課題がある。第１の関連技術では、ファイバヒューズストッパに関して、ＭＦＤの大きいＧＩＦをＳＭＦに融着接続したものを用い、２〜３Ｗ程度の入力パワー条件でファイバヒューズの停止を実現しているが、挿入損失を低減するためにはＧＩＦを数１００μｍオーダで最適長に調節する必要があり、作製が容易ではないという課題がある。
【００１２】
具体的には、最適長から５００μｍ程度ずれると５ｄＢ程度余剰の損失が生じることになる。またコア径の大きく異なるＳＭＦとＧＩＦを接続するため、ＧＩＦの部分で高次のモードが発生する要因にもなり、高速信号の伝送時の伝送エラーを回避しなければならない、また改善量も２〜３Ｗ程度と比較的低いレベルに留まっているという課題もある。
【００１３】
また、第２の関連技術に係る、光ファイバの一部分を加熱してＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ−ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｅｘｐａｎｄｅｄ  Ｃｏｒｅ）ファイバ化する手法では、ストッパの小型部品化が可能であるが、単一モード条件を保ちながら、ＭＦＤを拡大する際の上限値があり（２０〜３０μｍ程度）、従ってヒューズ伝搬閾値を向上させるにも限界が生じるという課題がある。
【００１４】
例えば、第２の関連技術では、入力光パワーが２Ｗの条件での有効性の確認に留まっている。また、第２の関連技術でもＴＥＣファイバを用いたヒューズストッパの検討結果が示されているが、入力光パワーが４Ｗ程度の条件での有効性の確認に留まっている。また、ＴＥＣ化はコア部に含まれるドーパントを加熱拡散させて行うため、作製時に細かな条件の制御と設定が必要で、ＭＦＤ特性、つまりはヒューズ伝搬閾値を再現性良く作製することは困難であり、コスト面でも不利である。
【００１５】
また、第３の関連技術に係る、ファイバのクラッド部分をエッチングによって外径１０〜３０μｍφ程度まで細くする方法では、ＭＦＤを初期状態の一定の値に保ちつつ、挿入損失を低くすることも可能であるが、硬質な石英ガラスをエッチングによって十分に細径化加工するには長時間が必要となりコスト面で不利である。また、細径化した部分では、ファイバの樹脂被覆も除去してしまうので、ガラス部分の細径化の影響に加えて、ガラス表面に傷が生じやすくなるため、機械的な強度の低下が課題となる。また、第３の関連技術においても、入力光パワーが最大３Ｗの条件での有効性の確認に留まっている。
【００１６】
以上のように、関連技術に係る方法では、４Ｗ付近、さらには４Ｗを大きく超えるような大入力パワー時にも有効であるヒューズストッパの実現は極めて困難である。さらには、挿入損失が十分に低く、高次モード発生や機械的強度の低下の懸念などが小さく、且つ低いコストで性能の歩留まりの良く作製が可能という条件をすべて満たすファイバヒューズストッパの実現は極めて困難であったが、第４の関連技術にＨＡＦ（Ｈｏｌｅ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｆｉｂｅｒ）により挿入損失が十分に低く、機械的強度の低下の懸念などが小さいファイバヒューズストッパが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１７】
しかしながら、第４の関連技術に係るＨＡＦにおいてファイバヒューズが停止する構造が示されているが、ＨＡＦの断面内の空孔構造において、用いられている空孔直径に関する定義が一般的ではない。具体的には、クラッド１１中で空孔が存在する領域の径方向の幅をＷとした時の、ＷとＭＦＤの比、Ｗ／ＭＦＤ（本発明のｄ／ＭＦＤに対応）と、空孔とコア間の最短距離をＲminとしたときの２Ｒmin／ＭＦＤ（本発明のｃ／ＭＦＤに対応）で構造を規定しており、空孔数や空孔直径といった一般的なパラメータを含んでおらず、汎用な定義ではない。
【００１８】
さらに、後述するように、第４の関連技術において、ファイバヒューズの伝搬が停止するとされている構造の範囲にあるＨＡＦ、つまりＷ／ＭＦＤが０．３以上で、かつ、２Ｒmin／ＭＦＤが１．２以上２．１以下という条件のＨＡＦについても、実験検証を行ったところ、３種のＨＡＦでファイバヒューズが実際には伝搬することを確認した。従って、現状では、ファイバヒューズの伝搬を停止するためのＨＡＦの空孔の構造条件は不明確である。
【００１９】
前記課題を解決するために、本発明は、以上の課題を鑑み、ファイバヒューズの伝搬を確実に停止するＨＡＦ、およびこれを用いたファイバヒューズストッパ、光コネクタ、光伝送システム、及びファイバヒューズ停止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明では、ファイバヒューズの伝搬が停止可能なＨＡＦの構造を、空孔数と空孔直径の両方を考慮した一般的な定義で表現し、その断面中心から空孔までの距離のＭＦＤに対する比と、空孔の外接円、もしくは空孔の外接円周と空孔の内接円周に囲まれる領域に対する空孔の面積占有率とで表す。これらの手段によって、使用する波長、つまり光ファイバのＭＦＤが決まった際にファイバヒューズが停止できるＨＡＦの構造範囲を提供する。
【００２１】
具体的には、本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバは、
クラッド内にコアと円環形状に配列された複数の空孔とを有するファイバヒューズ抑圧ファイバであって、
前記ファイバヒューズ抑圧ファイバの使用波長におけるモードフィールド直径（ＭＦＤ：Ｍｏｄｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）と、前記円環形状の内接円の直径ｃとの比（ｃ／ＭＦＤ）が２．３以下、かつ前記円環形状の外接円内の領域に対する空孔の面積占有率Ｓ１が０．１１（１１％）以上の構造を有する。
【００２２】
具体的には、本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバは、
クラッド内にコアと円環形状に配列された複数の空孔とを有するファイバヒューズ抑圧ファイバであって、
前記ファイバヒューズ抑圧ファイバの使用波長におけるモードフィールド直径（ＭＦＤ：Ｍｏｄｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）と、前記円環形状の内接円の直径ｃとの比（ｃ／ＭＦＤ）が２．３以下、かつ前記円環形状の外接円周と内接円周に囲まれる領域に対する空孔の面積占有率Ｓ２が０．２９（２９％）以上の構造を有する。
【００２３】
本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバでは、
前記空孔の構造を、座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ１）で規定した場合、１，（１．４，０．４０）、２，（１．４４，０．１１）、３，（２．１，０．１６）、４，（２．３，０．４４）の４点で囲まれた多角形の構造領域としてもよい。
【００２４】
本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバでは、
前記空孔の構造を、座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ２）で規定した場合、１，（１．４，０．５２）、２，（１．４４，０．２９）、３，（２．１，０．２９）、４，（２．３，０．６７）の４点で囲まれた多角形の構造領域としてもよい。
【００２５】
本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバでは、
少なくとも一端に単一モード光ファイバが接続されてもよい。
【００２６】
本発明に係るファイバヒューズ抑圧ファイバでは、
伝搬する光の波長領域において、当該ファイバヒューズ抑圧ファイバのＭＦＤと前記単一モード光ファイバのＭＦＤとが略等しくてもよい。
【００２７】
本発明に係るでは、
当該ファイバヒューズ抑圧ファイバの長さが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよい。
【００２８】
具体的には、本発明に係る光コネクタは、
上記に記載のファイバヒューズ抑圧ファイバを備える。
【００２９】
なお、上記各発明は、可能な限り組み合わせることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、ファイバヒューズの伝搬を確実に停止するＨＡＦ、およびこれを用いたファイバヒューズストッパ、光コネクタ、光伝送システム、及びファイバヒューズ停止方法を提供することができる。
【００３１】
また、挿入損失が十分に低く、高次モード発生や機械的強度の低下の懸念などが小さく、低いコストで性能の歩留まりの良く作製が可能で、高い入力パワー時に発生したファイバヒューズを停止させるファイバヒューズストッパ、および光コネクタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】ファイバヒューズ現象の概念図を示す図である。
【図２】本実施形態に係るＨＡＦの断面図の一例を示す図である。
【図３】本実施形態に係るＨＡＦのファイバヒューズの伝搬閾値の測定評価系の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係るファイバヒューズの伝搬が停止可能なＨＡＦ構造のｃ／ＭＦＤと空孔の面積占有率とを示す図である。
【図５】本実施形態に係るファイバヒューズの伝搬が停止可能なＨＡＦ構造のｃ／ＭＦＤと空孔の面積占有率とを示す図である。
【図６】本実施形態に係るファイバヒューズの伝搬が停止可能なＨＡＦ構造を用いたヒューズストッパ（ａ）の一例を示す図である。
【図７】本実施形態に係るファイバヒューズの伝搬が停止可能なＨＡＦ構造を用いたヒューズストッパ（ｂ）の一例を示す図である。
【図８】ファイバヒューズ伝搬の有無を確認したＨＡＦ構造の具体例を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものではない。これらの実施の例は例示に過ぎず、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した形態で実施することができる。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
（実施形態１）
【００３４】
本実施形態に係るファイバヒューズストッパに用いられるＨＡＦの断面内の構造の例と、光伝送路内での使用例を図２を用いて以下に説明する。図２は本発明で用いるＨＡＦの断面図の一例を示す図である。図中に示す光ファイバ（ＨＡＦ）は、クラッド１１、コア１２及び空孔１３を有し、クラッド１１内にコア１２と円環形状に配列された複数の空孔１３とで構成されている。図２では、それぞれ空孔直径をｄ、空孔１３の内接円直径をｃ、空孔１３の外接円直径をｃ’と示した。図３は、ＨＡＦの伝搬閾値を測定評価する系の一例を示す。ＨＡＦ４１と商用の単一モード光ファイバ４２（ＳＭＦ：Ｓｉｎｇｌｅ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｂｅｒ）を融着接続し、単一モード光ファイバ４２の終端でファイバヒューズを発生させ、接続点４３を通過して、ファイバヒューズがＨＡＦ４１を伝搬するか否かを確認評価した。
【００３５】
評価において、光源４４の波長は光通信の代表的な使用波長である１５５０ｎｍ付近とした。ＨＡＦ４１においては、入力パワーが小さい時の方が、ファイバヒューズがＨＡＦ４１に侵入する距離が長い、つまり伝搬しやすいという結果が報告されているため、標準の単一モード光ファイバの伝搬閾値に近い２Ｗで評価を行った。２Ｗの条件でファイバヒューズが停止したＨＡＦについては、さらに１５Ｗでの評価も行い、１５Ｗの条件においてもファイバヒューズが停止することを確認した。
【００３６】
図８における表は、異なる構造を持つ２０種類のＨＡＦを、図３の実験系においてファイバヒューズ伝搬の有無を確認した実験の結果である。表中には、空孔直径ｄ、空孔１３の内接円直径ｃ、波長１５５０ｎｍにおけるＭＦＤ、ｄ／ＭＦＤ、ｃ／ＭＦＤ、空孔数、空孔１３の外接円に対する空孔１３の面積占有率Ｓ１、空孔１３の内接円周と外接円周に囲まれるドーナツ状の領域に対する空孔１３の面積占有率Ｓ２を示す。ヒューズの伝搬を確認した８種のファイバについては、ヒューズの伝搬閾値も評価したところ、すべて約１．５Ｗであった。
【００３７】
一方、第４の関連技術においては、ファイバヒューズ停止に適したＨＡＦ構造の範囲は当該文献中の一方の記載により規定される。そこで、図８における表中のＨＡＦが当該文献中の記載の範囲内か範囲外かについても検討したところ、Ｎｏ.４，１２，１７，１８の４種のＨＡＦでは当該文献の記載の範囲内を満たす。さらに、これらのＨＡＦは第４の関連技術の他方の規定も満たす（Ｓ２の値が０．２つまり２０％以上のため）。しかしながら、ファイバヒューズが伝搬している。これは、第４の関連技術のＨＡＦ構造の規定に不備があることを示している。
【００３８】
図４は、ＨＡＦ４１におけるファイバヒューズの伝搬または停止と、空孔１３の外接円に対する空孔１３の面積占有率Ｓ１およびｃ／ＭＦＤとの関係を示す図である。ｃ／ＭＦＤの値が２．３以下かつＳ１の値が０．１１（１１％）以上の構造領域が本発明のファイバヒューズストッパとして好適となる。
【００３９】
さらに、ＨＡＦ４１の構造を座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ１）で表記したとき、１，（１．４，０．４０）、２，（１．４４，０．１１）、３，（２．１，０．１６）、４，（２．３，０．４４）とすると、前記１〜４で囲まれる多角形で示される構造領域を選定することで、ＨＡＦ４１はファイバヒューズを停止でき、本発明のファイバヒューズストッパとして好適となる。
【００４０】
図５は、ＨＡＦ４１におけるファイバヒューズ伝搬または停止と、空孔１３の外接円周と内接円周に囲まれる領域に対する空孔１３の面積占有率Ｓ２およびｃ／ＭＦＤとの関係を示す図である。ｃ／ＭＦＤの値が２．３以下かつＳ２の値が０．２９（２９％）以上の構造領域が本発明のファイバヒューズストッパとして好適となる。
【００４１】
さらに、ＨＡＦ４１の構造を座標（ｃ／ＭＦＤ，Ｓ２）で表記したとき、１，（１．４，０．５２）、２，（１．４４，０．２９）、３，（２．１、０．２９）、４，（２．３，０．６７）とすると、前記１〜４で囲まれる多角形で示される構造領域を選定することで、ＨＡＦはファイバヒューズを停止でき、本発明のファイバヒューズストッパとして好適となる。
【００４２】
図４、図５に示した構造のＨＡＦ４１において、図３の実験系で実験検証を行ったところ、ファイバヒューズがＨＡＦ４１内に侵入した侵入長は大半が０．５ｍｍ以下であり、最長でも５ｍｍに到達することはなかった。従って、前記構造のＨＡＦをヒューズストッパとして用いる場合、ＨＡＦ４１の長さを０．５〜５ｍｍ程度とすることが好適となる。
【００４３】
また、図６（ａ）のように前記長さのＨＡＦ７１に適当な長さの単一モード光ファイバ（ＳＭＦ）７２を融着接続する構成とすることも可能である。ただし、この場合は融着接続時に、条件によっては接続点７３の近傍で空孔１３が放電によって潰れてしまうことがあり、融着条件に留意するか、融着後にＨＡＦ７１の空孔部の長さが０．５ｍｍ以上確保されているかを確認する必要がある。
【００４４】
また、融着接続損失を抑制するためには、ＨＡＦ７１のＭＦＤと前記単一モード光ファイバ（ＳＭＦ）７２のＭＦＤとが、概略等しいことが好ましい。また、図７（ｂ）のように両端に光コネクタ７４を付け、光コード化した構成にすることも可能である。なお、図では融着による接続点７３が光コネクタ７４の外部にある形状にしているが、前記のようにＨＡＦ７１は０．５ｍｍ〜数ｍｍのごく短尺で良いため、接続点７３をコネクタの内部に含めて、これを保護する構成にしても良い。
【００４５】
このような光コード化した構成の場合、伝送装置の近傍や伝送路途中に挿入することが容易である。仮に、光ファイバ伝送路中でファイバヒューズが発生した場合も、前記のヒューズストッパでファイバヒューズを停止できるので、伝送装置や光ファイバ伝送路を、ファイバヒューズによる破壊から保護することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は情報通信産業に適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１１：クラッド
１２：コア
１３：空孔
４１、７１：ＨＡＦ
４２、７２：単一モード光ファイバ
４３、７３：接続点
４４：光源
７４：光コネクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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