(57)【要約】【課題】クロムレス位相シフトマスクにおいては、面積の広いパターン上の所望の箇所のみに遮光性膜を残す必要があり、重ねデータの生成や重ね工程、さらには特殊な検査工程などにより製造工程が増えかつ複雑になり、工期は長くなり、品質の低下が懸念される。【解決手段】透明基板の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成された遮光性領域を備え、前記遮光性領域は、いずれも外形が平面視で多角形であり、前記遮光性領域の大きさは多角形の相対する２辺間、若しくは相対する１辺と１頂角間のもっとも短い距離を６００ｎｍ以上とし、さらには前記遮光性領域は、いずれも平面視で前記掘り込み部と前記非掘り込み部からなるストライプ状または格子状のパターンにより形成されたクロムレス位相シフトマスクとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光に対する透明基板に掘り込み部を設けるクロムレス位相シフトマスクにおいて、前記透明基板の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成された遮光性領域を備えることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項２】
前記遮光性領域は、いずれも外形が平面視で多角形であり、前記遮光性領域の大きさは多角形の相対する２辺間、若しくは相対する１辺と１頂角間のもっとも短い距離が６００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項３】
前記遮光性領域は、いずれも平面視で前記掘り込み部と前記非掘り込み部からなるストライプ状または格子状のパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１、または２に記載の位相シフトマスク。
【請求項４】
前記ストライプ状または格子状のパターンを形成する、前記掘り込み部の１本の線幅、及び前記掘り込み部に囲まれた前記非掘り込み部の１本の線幅は、前記遮光性領域の大きさに応じ、いずれも６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の位相シフトマスク。
【請求項５】
前記の遮光性領域の露光波長に対する透過率は、前記遮光性領域内の任意の位置において１０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項６】
露光光に対する透明基板に掘り込み部を設けるクロムレス位相シフトマスクの製造方法において、ストライプ状または格子状のパターンデータを作成し、前記透明基板に複数の掘り込み部を形成して遮光性領域を作製することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの特に位相シフトマスク、及び製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
（位相シフトマスクの説明）
位相シフトマスクとは、光の位相や透過率を制御することにより、ウェハへの露光時の解像度や焦点深度を改善し、転写特性を向上させることができる超解像技術を有したフォトマスクである。近年の半導体デバイスの製造プロセスでは、露光波長以下の微細なパターンが要求されるため、標準的に使用されている技術である。
【０００３】
（クロムレス位相シフトマスクの説明）
位相シフトマスクの中でも、特に強い超解像技術を有しているのが、透明基板（通常は石英−Ｑｚ−）掘り込み型のクロムレス位相シフトマスク（以下、ＣＬ−ＰＳＭ）である。ＣＬ−ＰＳＭは、掘り込み部と非掘り込み部に略１８０°の位相差を与えることで、微細なパターン（クリティカルなメインパターン）に高コントラストの光学像を得て、微細な遮光部を形成するもので、良好な露光裕度や低ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ  Ｅｒｒｏｒ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｆａｃｔｏｒ：マスクエラー増幅因子）効果が得られる。
【０００４】
（ＣＬ−ＰＳＭ上の遮光性膜の説明）
しかしながら一般にＣＬ−ＰＳＭでは、線幅の大きい大面積パターンの遮光部を形成するためには、パターン上に遮光性膜を残す必要があるため、所望の箇所のみに精度良く遮光性膜を残す工程が必要である。
【０００５】
（遮光性膜が無い場合）
図８に従来のＣＬ−ＰＳＭの微細なメインパターン部６０の（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を模式的に示す。このように、微細なパターンでは掘り込み部と非掘り込み部の略１８０°の位相差によりパターン部で光強度が低下し、レジストパターン解像のためのしきい値と交差するために、高コントラストの光学像が得られ、パターンが形成される。図９に、同じく大面積パターン部８０に遮光性膜が存在しないときの（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を模式的に示す。大面積パターン部においてはパターンの中心領域から光が透過してしまい、光強度が低下しないため、しきい値と交差せず所望のパターンとは異なるパターンがウェハ上へ転写されてしまう。尚、図９では光強度がしきい値と交差しなくなる境界付近の線幅の大面積パターンの光強度分布を示している。
【０００６】
（遮光性膜がある場合）
したがって、大面積パターンにおいては図１０に示すように遮光性膜をパターン上に形成する必要があり、それによって所望の大遮光パターンが得られる。このように大面積パターンに遮光性膜を使用することにより微細パターンと大面積パターンの混載が可能になる。
【０００７】
（遮光性膜の形成について）
前記の遮光性膜のパターニングについては、重ね工程と呼ばれる工程にて形成しており、通常の製造工程に加えて再度レジストを塗布し、重ね描画、重ね現像処理を行った後、微細パターン上の不要な遮光性膜を精度良くエッチングして、大面積パターン上にのみ遮光性膜パターンを形成しなければならない。そのため、製造工程が増え且つ複雑になり、工期が長くなるとともに、品質の低下などフォトマスクの生産性の悪化が懸念される。
【０００８】
（重ね描画について）
また、前記重ね描画においては、そのための描画データの準備が追加で必要になるため、データ生成など複雑な工程が増え、製造工程と同様に工期を長くする要因となる。
【０００９】
（ＣＬ−ＰＳＭの検査の説明）
フォトマスクは設計パターン通りに作製できているかを確認するために検査が実施されるが、ＣＬ−ＰＳＭは通常のバイナリマスク（例えばＣｒ−Ｑｚ）やハーフトーン位相シフトマスク（例えばＭｏＳｉ−Ｑｚ）とは異なり、Ｑｚ−Ｑｚ、すなわちＱｚ掘り込み部と非掘り込み部における検査が必要となる。
【００１０】
（遮光性膜がある場合の検査の説明）
遮光性膜がある場合のＣＬ−ＰＳＭは、掘り込み部、非掘り込み部だけでなく、遮光性膜が含まれるため、Ｑｚ−Ｑｚ−Ｃｒなど、３種のパターンを同時に検査するトライトーン検査が必要となるため、難度が高くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−２４１１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであり、大面積パターンの所望の箇所にのみ遮光性膜を形成する必要がなく、従って、重ねデータの生成や複雑な重ね工程を必要とせず、検査工程においてもトライトーン検査を必要としない、ＣＬ−ＰＳＭの構造、及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の本発明は、露光光に対する透明基板に掘り込み部を設けるクロムレス位相シフトマスクにおいて、前記透明基板の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成された遮光性領域を備えることを特徴とする位相シフトマスクとしたものである。
【００１４】
請求項２に記載の本発明は、前記遮光性領域は、いずれも外形が平面視で多角形であり、前記遮光性領域の大きさは多角形の相対する２辺間、若しくは相対する１辺と１頂角間のもっとも短い距離が６００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスクとしたものである。
【００１５】
請求項３に記載の本発明は、前記遮光性領域は、いずれも平面視で前記掘り込み部と前記非掘り込み部からなるストライプ状または格子状のパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１、または２に記載の位相シフトマスクとしたものである。
【００１６】
請求項４に記載の本発明は、前記ストライプ状または格子状のパターンを形成する、前記掘り込み部の１本の線幅、及び前記掘り込み部に囲まれた前記非掘り込み部の１本の線幅は、前記遮光性領域の大きさに応じ、いずれも６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の位相シフトマスクとしたものである。
【００１７】
請求項５に記載の本発明は、前記遮光性領域の露光波長に対する透過率は、前記遮光性領域内の任意の位置において１０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の位相シフトマスクとしたものである。
【００１８】
請求項６に記載の本発明は、露光光に対する透明基板に掘り込み部を設けるクロムレス
位相シフトマスクの製造方法において、ストライプ状または格子状のパターンデータを作成し、前記透明基板に複数の掘り込み部を形成して遮光性領域を作製することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の位相シフトマスクの構造、及び製造方法によれば、遮光性領域は透明基板の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成されるので、微細なメインパターンと同じ工程にて同時に形成することが可能になる。そのため、重ねデータの生成や複雑な重ね工程、また検査工程においてもトライトーン検査を必要としないなどの利点が得られ、工程のシンプル化、工期短縮、品質劣化抑制など生産性が向上し、高品質の位相シフトマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のＣＬ−ＰＳＭの遮光性領域の（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を示す断面模式図。
【図２】本発明の構造を適用する遮光性領域の大きさを説明するための特性図。
【図３】本発明の構造を適用する（ａ）大面積パターン部、（ｂ）遮光性領域を説明するための平面視図。
【図４】本発明のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（メインパターン部、ネガレジストの場合）。
【図５】本発明のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（遮光性領域、ネガレジストの場合）。
【図６】本発明のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（メインパターン部、ポジレジストの場合）。
【図７】本発明のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（遮光性領域、ポジレジストの場合）。
【図８】従来のＣＬ−ＰＳＭのメインパターン部の（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を示す断面模式図。
【図９】従来のＣＬ−ＰＳＭの大面積パターン部に遮光性膜が存在しないときの（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を示す断面模式図。
【図１０】従来のＣＬ−ＰＳＭの遮光性領域の（ａ）構造、及び（ｂ）光強度分布を示す断面模式図。
【図１１】従来のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（メインパターン部、ネガレジストの場合）。
【図１２】従来のＣＬ−ＰＳＭの製造工程図（遮光性領域、ネガレジストの場合）。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明のＣＬ−ＰＳＭの構造の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明のＣＬ−ＰＳＭの構造の特徴である、遮光性領域の断面を模式的に示している。本発明のＣＬ−ＰＳＭは、透明基板１の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成された遮光性領域２０を備えている（図１（ａ）では簡単のため１領域のみ示している）。
【００２２】
図１（ｂ）は、本発明のＣＬ−ＰＳＭの遮光性領域の光強度分布を示す模式図である。本発明のＣＬ−ＰＳＭでは大面積パターン部が、前記のように透明基板１の複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部のみで形成されているので、隣り合うすべての掘り込み部と非掘り込み部の間で位相が略１８０°変化するため、光強度分布は図１（ｂ）の左図のようになり、合成された光強度は大面積パターン部で低下し、同右図のようにレジストパターン解像のためのしきい値と交差するようになり、遮光性領域が形成される。
【００２３】
図２は、本発明の構造を適用する遮光性領域の大きさを説明するための特性図である。図２は、ＣＬ−ＰＳＭ上の掘り込みパターンサイズ（線幅）に対するウェハ上の転写寸法
（線幅）の典型的な例をシミュレーションにより求めている。微細なパターン（パターンサイズ＜６００ｎｍ）においては光強度が解像のためのしきい値と交差するため転写パターンが得られるが、６００ｎｍ以上の大面積パターンになるとパターンの中心領域から光が透過してしまい、光強度がしきい値と交差せず所望のパターンが形成されないことが分かる。これにより本発明では、パターンサイズ６００ｎｍ以上の大面積パターンに対して本発明の構造を適用し、遮光性領域を形成する。
【００２４】
図３（ａ）は、本発明の構造を適用して遮光性領域を形成する大面積パターン部の平面視図の例である。本発明の構造を適用する大面積パターン部は、外形が平面視で多角形であり（図３（ａ）では４角形と６角形の場合を例示している）、多角形の相対する２辺間のもっとも短い距離（Ｌ）を、上述の理由により６００ｎｍ以上とする。尚、多角形が頂点の数が奇数の多角形の場合は、相対する１辺と１頂角間のもっとも短い距離を６００ｎｍ以上とする。
【００２５】
図３（ｂ）には、大面積パターンが４角形のときに本発明の構造を適用して遮光性領域を形成するために、大面積パターンのパターンデータを分割する方法を示す。図３（ｂ）左図では透明基板の掘り込み部と非掘り込み部がストライプ状のパターンを形成しており、同右図では格子状のパターンを形成している。
【００２６】
本発明では、複数の掘り込み部と複数の非掘り込み部で合成された光強度が、確実にエリアとして遮光に寄与する強度分布を形成するために、前記ストライプ状または格子状のパターンを形成する、掘り込み部の１本の線幅、及び掘り込み部に囲まれた非掘り込み部の１本の線幅（図３（ｂ）で示すａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ）を、いずれも６００ｎｍ以下、望ましくは２００ｎｍ以下、さらに望ましくは１００ｎｍ以下とする。
【００２７】
本発明では、遮光性領域の露光波長に対する透過率は、遮光性領域内の任意の位置において１０％以下が好適である。
【００２８】
次に、本発明のＣＬ−ＰＳＭの構造を得るための製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、メインパターンと遮光性領域は１枚のＣＬ−ＰＳＭ上にあるため、工程中の共通なプロセスは両パターンに対して同時に進行するが、以下では個別に図を用いて説明を行う。
【００２９】
まず本発明と比較するために、従来のＣＬ−ＰＳＭの製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、透明基板５１上に遮光性膜５２が成膜されたブランク上に感光性樹脂であるレジスト５３を塗布する。レジスト５３に描画し、現像することでレジストパターン５３ａを形成する（図１１（ｂ））。その後、図１１（ｃ）に示すようにレジストパターン５３ａをマスクとして遮光性膜をエッチングし、レジストパターン５３ａを除去して遮光性膜パターン５２ａを形成する。次いで図１１（ｄ）に示すように、遮光性膜パターン５２ａをマスクとして透明基板５１を掘り込み、メインパターンとなる透明基板の掘り込み部５１ａを形成する。
【００３０】
その後、図１１（ｅ）に示すように、重ね工程において大面積パターン上にのみ遮光性膜パターンを残すために、重ね工程用レジスト５４を塗布し、図１１（ｆ）に示すように重ね描画後に現像により重ね工程用レジスト５４を除去する（このとき、後述のように大面積パターン部においては、重ね工程レジストパターンが形成され、遮光性膜を残すようになっている）。次に、遮光性膜パターン５２ａをエッチングにて除去することでメインパターン６０が作製される（図１１（ｇ））。
【００３１】
大面積パターン部においては、図１２（ａ）〜（ｅ）までは、図１１（ａ）〜（ｅ）と
同様の工程にて処理される。図１２（ｆ）においてはメインパターン部とは異なり、遮光性膜パターン５２ｂを残すため重ねレジストパターン５４ｂが形成されている。メインパターン部の遮光性膜パターン５２ａを除去した後、重ねレジストパターン５４ｂを除去することにより、図１２（ｇ）に示すように、大面積パターン７０が作製される。
【００３２】
次に本発明のＣＬ−ＰＳＭの製造方法を説明する。メインパターン部においては、図４（ａ）〜（ｄ）まで従来の製造方法（図１１（ａ）〜（ｄ））と同じ工程にて処理されていく。しかし、図１１（ｅ）（ｆ）に示すような重ね工程を必要としないため、図４（ｅ）のように、遮光性膜パターン２ａをエッチングするだけでメインパターン１０を作製できる。
【００３３】
大面積パターン部については、本発明では、図３に示すようなストライプ状または格子状の描画パターンデータに分割処理を行う。分割処理後の描画、レジストプロセスにより図５（ｂ）に示すようなレジストパターン３ｂを形成する。このレジストパターン３ｂをマスクとして遮光性膜２をエッチングし、レジストパターン３ｂを除去して遮光性膜パターン２ｂを形成する。次いで図５（ｄ）に示すように、遮光性膜パターン２ｂをマスクとして透明基板１を掘り込み、透明基板の掘り込み部１ｂを形成する。その後、図５（ｅ）に示すように、メインパターン部と同時の工程にて遮光性膜パターン２ｂをエッチング除去し、遮光性領域２０を作製する。
【００３４】
以上のように、本発明のＣＬ−ＰＳＭの構造は、透明基板掘り込み部と非掘り込み部で形成された構造により遮光性領域を作製するので、メインパターンと遮光性領域は、終始一貫した同時の工程にて製造することが可能になる。そのため、遮光性膜形成用の重ねデータの生成や複雑な重ね工程、また検査工程においてもトライトーン検査を必要としないなどの利点が得られ、工程のシンプル化、工期短縮、品質劣化抑制など生産性が向上し、高品質の位相シフトマスクを提供することができる。
【実施例１】
【００３５】
以下、本発明のＣＬ−ＰＳＭを製造した第１の実施例を説明する。第１の実施例の説明図は図３〜図５と同じである。はじめにＣｒ遮光性膜２付き６インチＱｚ基板１を準備し、この基板に化学増幅型ネガレジスト３を２００ｎｍ膜厚にて塗布した（図４（ａ））。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すようなレジストパターン３ａを形成するため、電子線描画機にて描画を行い、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）及び現像処理を行った。その後、レジストパターン３ａをマスクとして塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒ遮光性膜をエッチングした後レジストパターン３ａを除去して図４（ｃ）に示すＣｒパターン２ａを形成した。その後、Ｃｒパターン２ａをマスクとしてフッ素系ガスを用いたエッチングにより、図４（ｄ）に示すＱｚ基板の掘り込み部１ａを形成した。掘り込み部をＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：原子間力顕微鏡）により段差測定した結果、１７２．５ｎｍであった。この掘り込み深さは掘り込み部と非掘り込み部に略１８０°の位相差を与える深さである。最後に塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒパターン２ａを除去して図４（ｅ）に示すＣＬ−ＰＳＭのクリティカルなメインパターン１０を作製した。
【００３７】
大面積パターン部については、あらかじめ図３に示すようにデータ分割の処理を行った。本実施例においてはデータ分割（１）の処理を適用した。分割データを用いて、電子線描画機にて描画を行い、ＰＥＢ、現像により図５（ｂ）に示すようなレジストパターン３ｂを形成した。次に、レジストパターン３ｂをマスクとして塩素系ガスを用いたエッチングにより、図５（ｃ）に示すようにＣｒパターン２ｂを形成した。さらに、Ｃｒパターン２ｂをマスクとしてフッ素系ガスを用いたエッチングにより、図５（ｄ）に示すＱｚ基板の掘り込み部１ｂを形成した。この掘り込み部についてもＡＦＭにて段差を測定した結果、１７２．３ｎｍとメインパターン部とほぼ同等量掘り込まれていることを確認した。最後に、塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒパターン２ｂを除去して図５（ｅ）に示すＣＬ−ＰＳＭの遮光性領域２０を作製した。遮光性領域の作製は、上述のメインパターン作製と同時に進行させた。
【００３８】
作製したＣＬ−ＰＳＭをウェハ露光波長と同一の波長光を持つ外観検査装置により検査したところ、トライトーンではないことから問題無く検査をすることができ、実欠陥個数は３個と非常に良好であった。またＡＩＭＳ（Ａｅｒｉａｌ  Ｉｍａｇｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｓｙｓｔｅｍ：光学空間像シミュレーションシステム）を用いて図５（ｅ）の構造の遮光効果を確認したところ、図１（ｂ）と同様の光強度分布になり、遮光効果を確認することができた。
【実施例２】
【００３９】
次に本発明のＣＬ−ＰＳＭを製造した第２の実施例を、図６、図７により説明する。はじめにＣｒ遮光性膜１２付き６インチＱｚ基板１１を準備し、この基板に化学増幅型ポジレジスト１３を２００ｎｍ膜厚にて塗布した（図６（ａ））。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すようなレジストパターン１３ａを形成するため、電子線描画機にて描画を行い、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）及び現像処理を行った。その後、レジストパターン１３ａをマスクとして塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒ遮光性膜をエッチングした後レジストパターン１３ａを除去して図６（ｃ）に示すＣｒパターン１２ａを形成した。その後、Ｃｒパターン１２ａをマスクとしてフッ素系ガスを用いたエッチングにより、図６（ｄ）に示すＱｚ基板の掘り込み部１１ａを形成した。掘り込み部をＡＦＭにより段差測定した結果、１７２．０ｎｍであった。この掘り込み深さは掘り込み部と非掘り込み部に略１８０°の位相差を与える深さである。最後に塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒパターン１２ａを除去して図６（ｅ）に示すＣＬ−ＰＳＭのクリティカルなメインパターン３０を作製した。
【００４１】
大面積パターン部については、あらかじめ図３に示すようにデータ分割の処理を行った。本実施例においてはデータ分割（２）の処理を適用した。分割データを用いて、電子線描画機にて描画を行い、ＰＥＢ、現像により図７（ｂ）に示すようなレジストパターン１３ｂを形成した。次に、レジストパターン１３ｂをマスクとして塩素系ガスを用いたエッチングにより、図７（ｃ）に示すようにＣｒパターン１２ｂを形成した。さらに、Ｃｒパターン１２ｂをマスクとしてフッ素系ガスを用いたエッチングにより、図７（ｄ）に示すＱｚ基板の掘り込み部１１ｂを形成した。この掘り込み部についてもＡＦＭにて段差を測定した結果、１７１．５ｎｍとメインパターン部とほぼ同等量掘り込まれていることを確認した。最後に、塩素系ガスを用いたエッチングによりＣｒパターン１２ｂを除去して図７（ｅ）に示すＣＬ−ＰＳＭの遮光性領域４０を作製した。遮光性領域の作製は、上述のメインパターン作製と同時に進行させた。
【００４２】
作製したＣＬ−ＰＳＭを、ＡＩＭＳを用いて図７（ｅ）の構造の遮光効果を確認したところ、図１（ｂ）と同様の光強度分布になり、遮光効果を確認することができた。
【符号の説明】
【００４３】
１、５１・・・・・・透明基板
１ａ、１ｂ、１１ａ、１１ｂ、５１ａ、５１ｂ・・・透明基板掘り込み部
２、５２・・・・・・遮光性膜
２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、５２ａ、５２ｂ・・・遮光性膜パターン
３、１３、５３・・・レジスト
３ａ、３ｂ、１３ａ、１３ｂ、５３ａ、５３ｂ・・・レジストパターン
５４・・・・・・・・重ね工程用レジスト
５４ｂ・・・・・・重ね工程レジストパターン
１０、３０、６０・・・メインパターン部
２０、４０、７０・・・遮光性領域
８０・・・・・・・・・大面積パターン部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017111222.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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