(57)【要約】【課題】成膜装置において、異物がシール部材に付着することを抑制する。【解決手段】成膜装置は、第１窪み部と第１平面部とを備える第１の型を有する成膜容器と、第１平面部の第１窪み部側に配置された内側シール部材と内側シール部材よりも外側に配置された外側シール部材と開閉装置とガス供給装置と制御部とを備える。成膜を行う状態において内側シール部材と外側シール部材とはワークに接触する。第１の型は内側シール部材と外側シール部材との間にガス放出口を有し、ワークは第１の型に向けて突出する凸部を備え、凸部はシール部材がワークに接触した状態において第１の型から離間しかつ内側シール部材と外側シール部材との間の位置でガス放出口と対向しておりに位置し、制御部は、成膜が行われた後、第１の型をワークに対して相対的に移動させる際にガス供給装置を制御してガス放出口を介してガスを放出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの一部に成膜を行う成膜装置であって、
第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを備える第１の型を有する成膜容器と、
前記第１の型の前記第１平面部に設けられ、前記第１窪み部側に配置された内側シール部材と、
前記第１の型の前記第１平面部に設けられ、前記内側シール部材よりも前記成膜容器の外側に配置された外側シール部材と、
前記第１の型を前記ワークに対して相対的に移動させる開閉装置と、
ガス供給装置と、
制御部と、を備え、
前記ワークに成膜を行う状態において、前記内側シール部材と前記外側シール部材とは前記ワークに接触し、前記ワークの被成膜対象部分は前記第１窪み部内の空間に向けられ、
前記第１の型は、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間に前記ガス供給装置に接続されたガス放出口を有し、
前記ワークは、前記第１の型に向けて突出する凸部を備えており、前記凸部は、前記内側シール部材及び前記外側シール部材が前記ワークに接触した状態において、前記第１の型から離間し、かつ、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の位置で前記ガス放出口と対向しており、
前記制御部は、
前記ワークの一部に成膜が行われた後に、前記開閉装置を制御して前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させ、
前記第１の型を移動させる際に、前記ガス供給装置を制御して前記ガス放出口を介してガスを放出する、
成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワークに成膜を行う装置として、特許文献１には、固定テーブル上に載置した真空容器の内部の処理室にて成膜を行う装置が開示されている。この装置は、真空容器自体が開閉部材となり、その閉鎖部分としてのフランジが、固定テーブルの表面に対して上下動するように構成されている。固定テーブルにはフランジに対向する部分に二重のオーリングが設けられている。そして、真空容器とテーブルとが閉鎖される直前に、オーリング間に設けられた通孔から高圧気体を吹き付けることにより、オーリング周辺の清掃を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−１８００２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の装置では、真空容器と固定テーブルとが閉鎖する直前に、高圧気体がフランジに向けて吹き付けられることから、高圧気体とともに異物がフランジからオーリングに跳ね返って付着し、そのまま真空容器と固定テーブルとが閉鎖されるおそれがあった。このような場合には、成膜容器内の気密が保たれなくなるおそれがあった。そのため、成膜装置において、異物がオーリング等のシール部材に付着することを抑制する技術においては、更なる改善の余地があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、ワークの一部に成膜を行う成膜装置が提供される。この装置は、第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを備える第１の型を有する成膜容器と；前記第１の型の前記第１平面部に設けられ、前記第１窪み部側に配置された内側シール部材と；前記第１の型の前記第１平面部に設けられ、前記内側シール部材よりも前記成膜容器の外側に配置された外側シール部材と；前記第１の型を前記ワークに対して相対的に移動させる開閉装置と；ガス供給装置と；制御部と、を備え；前記ワークに成膜を行う状態において、前記内側シール部材と前記外側シール部材とは前記ワークに接触し、前記ワークの被成膜対象部分は前記第１窪み部内の空間に向けられ；前記第１の型は、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間に前記ガス供給装置に接続されたガス放出口を有し；前記ワークは、前記第１の型に向けて突出する凸部を備えており、前記凸部は、前記内側シール部材及び前記外側シール部材が前記ワークに接触した状態において、前記第１の型から離間し、かつ、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の位置で前記ガス放出口と対向しており；前記制御部は；前記ワークの一部に成膜が行われた後に、前記開閉装置を制御して前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させ；前記第１の型を移動させる際に、前記ガス供給装置を制御して前記ガス放出口を介してガスを放出する。このような形態の成膜装置であれば、第１の型がワークに対して相対的に離間される方向に移動されて、成膜容器が開く際には、ガス放出口から放出されたガスがワークの備える凸部に衝突し、凸部の表面及び内側シール部材の表面に沿って内側シール部材よりもさらに内側へ向かう気流と、凸部の表面及び外側シール部材の表面に沿って外側シール部材よりもさらに外側へ向かう気流とが形成される。そのため、内側シール部材及び外側シール部材に異物が付着することを抑制することができる。また、第１の型がワークに対して相対的に離間される方向に移動される際にガス放出口からガスが放出されて、凸部に衝突して分散するため、ガスとともに異物がワークに跳ね返って内側シール部材及び外側シール部材に付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
【０００７】
本発明は、上述した成膜装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、成膜方法や成膜装置の制御方法及び制御装置、それらの方法又は装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態における成膜装置の構成を示す概略断面図。
【図２】成膜装置の分解斜視図。
【図３】内側シール部材及び外側シール部材周辺を示す部分概略断面図。
【図４】成膜装置の構成を部分的に示す部分概略断面図。
【図５】成膜装置による成膜方法について示す工程図。
【図６】ガス放出口を介してガスが放出される様子を示す図。
【図７】成膜容器が開く直前からガス放出口を介してガスが放出される様子を示す図。
【図８】第１実施形態の変形例３における成膜装置を示す図。
【図９】第１実施形態の変形例８における成膜装置を示す図。
【図１０】第２実施形態における成膜方法を示す工程図。
【図１１】第３実施形態における成膜装置の構成を部分的に示す部分概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
Ａ．第１実施形態：
Ａ１．成膜装置の構成：
図１は、本発明の第１実施形態における成膜装置２００の構成を示す概略断面図である。図２は、成膜装置２００の分解斜視図である。図１及び図２には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｙ軸方向は鉛直方向を示し、Ｘ軸方向は水平方向を示し、Ｚ軸方向はＹ軸及びＸ軸に垂直な方向を示す。＋Ｙ方向は上方であり、−Ｙ方向は下方である。このことは、以降の図においても同様である。
【００１０】
成膜装置２００は、ワークＷの一部の被成膜対象部分１０Ａに成膜を行う装置である。本実施形態では、成膜装置２００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、被成膜対象部分１０Ａに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０と、マスキング部材２０と、絶縁部材３０と、パレット１３０と、を含む。本実施形態では、被成膜対象物１０は、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。成膜装置２００は、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに、例えば導電性の炭素系の薄膜を形成する。
【００１１】
成膜装置２００は、成膜容器１００と、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと、外側シール部材６１ｓ、６２ｓと、開閉装置５０と、ガス供給装置８０と、制御部９５と、を備える。成膜装置２００は、さらに、搬送装置５５と、電力印加部７０と、排気装置９０と、を備える。なお、図２では、開閉装置５０と、搬送装置５５と、電力印加部７０及びその電力導入部７１と、ガス供給装置８０と、ガス供給装置８０からガスが供給される供給口８１と、ガス供給装置８０からガスが放出されるガス放出口８３、８４と、排気装置９０及び排気口９１、９２と、制御部９５と、は図示を省略している。
【００１２】
成膜容器１００は、分割可能な金属製の容器である。成膜容器１００は、第１窪み部１１４と第１窪み部１１４の周囲に配置された第１平面部１１１とを備える第１の型１１０を有する。第１の型１１０は、ガス供給装置８０に接続されたガス放出口８３を備える。第１窪み部１１４はワークＷから離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａから見て上方に窪んでいる。また、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備える。第１の型１１０の底部１１３には、排気口９１が備えられている。本実施形態では、成膜容器１００は、さらに、第２窪み部１２４と第２窪み部１２４の周囲に配置された第２平面部１２１とを備える第２の型１２０を有する。第２の型１２０は、第１の型１１０に対向して配置されている。第２の型１２０は、ガス供給装置８０に接続されたガス放出口８４を備える。第２窪み部１２４は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａから見て下方に窪んでいる。また、第２窪み部１２４は、側部１２２と底部１２３とを備える。第２平面部１２１は、第１の型１１０の第１平面部１１１に対応する部分に配置されている。第２の型１２０の底部１２３には、排気口９２が備えられている。本実施形態において、第１平面部１１１及び第２平面部１２１は、ＸＺ平面と平行である。なお、本実施形態では、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。また、第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。第１の型１１０及び第２の型１２０は、ガス放出口８３、８４及び排気口９１、９２に加え、成膜容器１００内にガス供給装置８０からガスを供給するための供給口８１を備える。ガス放出口８３、８４、排気口９１、９２及び供給口８１には、開閉可能な弁が設けられている。また、第２の型１２０は、ワークＷに電圧を印加するための電力導入部７１を備える。第２の型１２０と電力導入部７１との間は、絶縁部材３５によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、成膜容器１００は、アース電位を有している。成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷは第１平面部１１１及び第２平面部１２１から離間され、かつ、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは第１窪み部１１４内の空間及び第２窪み部１２４内の空間に向けられる。
【００１３】
マスキング部材２０は、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂを覆う部材である。言い換えると、マスキング部材２０は、被成膜対象部分１０Ａにおいて開口する部材である。本実施形態では、マスキング部材２０は、上側マスキング部材２１と下側マスキング部材２２とを有する。上側マスキング部材２１は、被成膜対象物１０の上面側に配置されている。下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０の下面側に配置されている。本実施形態において、下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０を支持する。マスキング部材２０は、導電性の部材で形成されている。被成膜対象物１０とマスキング部材２０とは、接触することにより電気的に接続されている。
【００１４】
絶縁部材３０は、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置されている。絶縁部材３０は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａを第１窪み部１１４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第１平面部１１１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。また、本実施形態では、絶縁部材３０は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａを第２窪み部１２４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第２平面部１２１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。本実施形態では、絶縁部材３０は、下側マスキング部材２２に接触して下側マスキング部材２２を支持する。絶縁部材３０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミックスで形成されている。
【００１５】
パレット１３０は、金属製の板状部材である。パレット１３０は、第１の型１１０に向けて突出する凸部１３１を備えている。本実施形態では、パレット１３０は、さらに、第２の型１２０に向けて突出する凸部１３２を備えている。凸部１３１、１３２の外形は曲面状であり、いわゆるＲ形状である。本実施形態では、パレット１３０は、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とを成膜容器１００内に搬送する部材でもある。パレット１３０には、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０及び上側マスキング部材２１が、この順に上方に積載される。本実施形態において、パレット１３０は、アース電位を有している。
【００１６】
内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つための部材である。内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、絶縁性の部材である。本実施形態では、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、ゴム製の環状部材である。本実施形態では、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓは、オーリングを用いている。
【００１７】
図３は、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓ周辺を示す部分概略断面図である。図３には、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。図３には、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと、外側シール部材６１ｓ、６２ｓと、パレット１３０に設けられた凸部１３１、１３２と、第１の型１１０及びガス放出口８３と、第２の型１２０及びガス放出口８４と、が示されている。第１の型１１０の有するガス放出口８３は、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓとの間に位置している。内側シール部材６１ｕは、第１の型１１０の第１平面部１１１に設けられており、第１窪み部１１４側に配置されている。外側シール部材６１ｓは、第１の型１１０の第１平面部１１１に設けられており、内側シール部材６１ｕよりも外側に配置されている。内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓは、第１平面部１１１に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態においてワークＷを第１平面部１１１から離間させた状態でワークＷに接触する。内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓがワークＷに接触した状態において、凸部１３１は、第１の型１１０から離間しており、かつ、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓとの間の位置でガス放出口８３と対向している。
【００１８】
第２の型１２０の有するガス放出口８４は、内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓとの間に位置している。内側シール部材６２ｕは、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けられており、第２窪み部１２４側に配置されている。外側シール部材６２ｓは、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けられており、内側シール部材６２ｕよりも外側に配置されている。内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓは、第２平面部１２１に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態においてワークＷを第２平面部１２１から離間させた状態でワークＷに接触する。内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓがワークＷに接触した状態において、凸部１３２は、第２の型１２０から離間しており、かつ、内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓとの間の位置でガス放出口８４と対向している。
【００１９】
図１に戻り、開閉装置５０は、成膜容器１００を開閉するための装置である。開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。本実施形態では、開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に上方に移動させて成膜容器１００を開き、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に下方に移動させて成膜容器１００を閉じる。
【００２０】
搬送装置５５は、ワークＷを１００内へ搬送し、ワークＷを成膜容器１００外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、成膜容器１００が開いた状態において、パレット１３０及びパレット１３０に積載された絶縁部材３０、マスキング部材２０、被成膜対象物１０を成膜容器１００内に搬送する。また、搬送装置５５は、搬送したワークＷを下方に移動させることによってワークＷを内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓを介して第２の型１２０上に設置する。また、本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させることも可能である。また、搬送装置５５は、上方に移動させたパレット１３０をＸＺ平面に沿って移動させて成膜容器１００外へ搬送することも可能である。なお、開閉装置５０がパレット１３０に接続可能であることとし、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させる動作を開閉装置５０が行ってもよい。
【００２１】
電力印加部７０は、プラズマを発生させるための装置である。電力印加部７０は、ワークＷのうちのマスキング部材２０及び被成膜対象物１０に電力を印加する。電力印加部７０は、成膜容器１００内に供給された原料ガスをプラズマ化するための電場を生成する。本実施形態では、電力導入部７１、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０は陰極であり、第１の型１１０、第２の型１２０及びパレット１３０は陽極である。本実施形態では、電力印加部７０は、下側マスキング部材２２を通じて被成膜対象物１０にバイアス電圧を印加する。電力印加部７０は、例えば、電力導入部７１に−３０００Ｖの電圧を印加することができる。なお、本実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース（０Ｖ）に接続されている。
【００２２】
ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４を介して不活性ガスを放出する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、不活性ガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを放出する。ガス供給装置８０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。なお、「第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際」は、「成膜容器１００が開く際」と言い換えることができる。また、「成膜容器１００が開く際」とは、「成膜容器１００内の気密が解除される際」との意味である。すなわち、ガス供給装置８０は少なくとも成膜容器１００内の気密が解除される時に、ガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。また、ガス供給装置８０は、供給口８１を介して成膜容器１００内にガスを供給する。ガス供給装置８０は、成膜容器１００内にキャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、キャリアガスとして例えば窒素ガスやアルゴンガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）ガスを供給する。ガス供給装置８０は、異なる種類のガスを貯留するタンクと接続されている。ガス供給装置８０は、各タンクと供給口８１及びガス放出口８３、８４との間に設けられた切替弁が操作されることにより、供給口８１に供給されるガスの種類や、ガス放出口８３、８４に放出されるガスの種類を切り替えることが可能である。また、ガス供給装置８０は、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０が成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、成膜装置２００による成膜後に成膜容器１００内に例えば窒素ガスを供給することが可能である。なお、ガス供給装置８０は、ガス放出口８３、８４からガスを放出するための装置と、供給口８１から成膜容器１００内にガスを供給するための装置と、を分けて備えていてもよい。
【００２３】
排気装置９０は、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気可能な装置である。排気装置９０は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプにより構成される。排気装置９０は、成膜が行われる前に、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。
【００２４】
制御部９５は、成膜装置２００全体の動作を制御する。制御部９５は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、成膜装置２００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。制御部９５は、ワークＷの一部に成膜が行われた後に、開閉装置５０を制御して第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。また、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４を介してガスを放出する。また、制御部９５は、搬送装置５５を制御してワークＷを搬送する。また、制御部９５は、排気装置９０を制御して成膜容器１００内を排気し、ガス供給装置８０を制御して成膜容器１００内にガスを供給する。また、制御部９５は、電力印加部７０を制御して下側マスキング部材２２を通じて被成膜対象物１０に電力を印加する。
【００２５】
図４は、成膜装置２００の構成を部分的に示す部分概略断面図である。図４には、図１に破線で示したＸ部分が拡大して示されている。図４には、マスキング部材２０と絶縁部材３０との接触点Ｐ１及び接触点Ｐ２が示されている。接触点Ｐ１は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第１平面部１１１に対向する箇所である。接触点Ｐ２は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第２平面部１２１に対向する箇所である。図４にはさらに、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１と、被成膜対象物１０と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１と、が示されている。距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４の底部１１３との距離である。なお、以降の説明において、ワークＷのうちの陰極とは、マスキング部材２０と被成膜対象物１０を指す。また、図４には、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２と、被成膜対象物１０と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２と、が示されている。距離Ｂ２は、第２窪み部１２４と対向するワークＷのうちの陰極と、第２窪み部１２４の底部１２３との距離である。成膜装置２００において、距離Ａ１は距離Ｂ１よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４とで形成される空間よりも小さい。また、本実施形態では、距離Ａ２は、距離Ｂ２よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４とで形成される空間よりも小さい。
【００２６】
本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と陽極である成膜容器１００との間に電力を印加した場合に、ワークＷのうちの陰極と成膜容器１００（第１平面部１１１、第２平面部１２１）との間に形成されるシースよりも短い。本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、２．０ｍｍ以下である。なお、成膜容器１００と被成膜対象物１０及びマスキング部材２０との絶縁性を十分に保つ観点から、距離Ａ１及び距離Ａ２は、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２７】
図４には、さらに、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離Ｃが示されている。距離Ｃは、第１窪み部１１４の側部１１２及び第２窪み部１２４の側部１２２から、接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離でもある。本実施形態では、距離Ｃは、０（ゼロ）よりも大きい。本実施形態では、距離Ｃは、１０ｍｍ以上である。
【００２８】
Ａ２．成膜方法：
図５は、成膜装置２００による成膜方法について示す工程図である。成膜装置２００による成膜では、まず、ワークＷが成膜容器１００内に搬送される（ステップＳ１０）。本実施形態では、パレット１３０上に、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０が積載され、さらに、被成膜対象物１０の上に上側マスキング部材２１が積載される。こうすることによって、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂが、マスキング部材２０によって覆われる。その後、成膜容器１００の第１の型１１０が開閉装置５０によって上方に移動され、絶縁部材３０、マスキング部材２０及び被成膜対象物１０が積載されたパレット１３０が、搬送装置５５によって成膜容器１００内に搬送される。搬送されたパレット１３０は、下方に移動されて、内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓを介して第２の型１２０上に配置される。
【００２９】
次に、成膜容器１００が閉じられる（ステップＳ２０）。本実施形態では、成膜容器１００内にパレット１３０が搬送された後、開閉装置５０によって第１の型１１０が下方に移動される。成膜容器１００が閉じられると、被成膜対象部分１０Ａは成膜容器１００の第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４内の空間に向けられた状態になる。ワークＷのうちの陰極は、第１平面部１１１及び第２平面部１２１から離間された状態になる。また、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第１窪み部１１４との距離Ｂ１よりも小さくなる。ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第２窪み部１２４との距離Ｂ２よりも小さくなる。
【００３０】
次に、成膜容器１００内が排気される（ステップＳ３０）。本実施形態では、成膜装置２００は、例えば、窒素ガス雰囲気に設置されている。ステップＳ３０では、排気装置９０によって排気口９１、９２を介して成膜容器１００内の窒素ガスが排気され、成膜容器１００内が真空化される。
【００３１】
成膜容器１００内が排気されると、成膜容器１００内に原料ガスが供給される（ステップＳ４０）。ステップＳ４０では、ガス供給装置８０によって供給口８１を介して成膜容器１００内にキャリアガス及び原料ガスが供給される。成膜容器１００内には、キャリアガスとして、例えば、水素ガス及びアルゴンガスが供給される。また、原料ガスとして、窒素ガス及びピリジンガスが供給される。ステップＳ４０では、成膜容器１００内の圧力値は、例えば、１１Ｐａである。なお、例えば成膜速度を高めるために、原料ガスが供給される前に、電力印加部７０によりワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力を印加して、ワークＷの温度を昇温させてもよい。
【００３２】
次に、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力が印加される（ステップＳ５０）。電力印加部７０によって電力が印加されると、第１窪み部１１４内及び第２窪み部１２４内にプラズマが発生し、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに薄膜が形成される。ステップＳ５０では、電力印加部７０によって、ワークＷのうちの陰極に例えば−３０００Ｖの電力が印加される。ステップＳ５０が終了すると、原料ガスの供給と電力の印加とが停止される。以上のようにして、ワークＷの一部に成膜が行われる。
【００３３】
成膜が行われると、成膜容器１００内の圧力が調整される（ステップＳ５５）。本実施形態では、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、ガス供給装置８０によって成膜容器１００内に窒素ガスが供給される。
【００３４】
次に、第１の型１１０がワークＷに対して相対的に移動されて、成膜容器が開かれる（ステップＳ６０）。本実施形態では、制御部９５が開閉装置５０を制御して第１の型１１０をワークＷに対して相対的に上方に移動させることによって、成膜容器１００が開かれる。なお、ワークＷを第２の型１２０に対して相対的に離間させる方向に移動させることによって、成膜容器１００が開かれてもよい。成膜容器１００が開くと、成膜容器１００内の気密が解除される。
【００３５】
ステップＳ６０が開始される際には、制御部９５がガス供給装置８０を制御することによりガス放出口８３、８４を介してガスが放出される（ステップＳ６３）。以上のようにして成膜装置２００による一連の成膜方法が終了する。
【００３６】
図６は、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される様子を示す図である。図６には、成膜容器１００が開く際における、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。図６には、第１の型１１０及び第２の型１２０がワークＷから相対的に移動されて、成膜容器１００が開いた様子を示している。図６及び以降の図では、開閉装置５０、搬送装置５５、電力印加部７０、ガス供給装置８０、排気装置９０及び制御部９５は図示を省略している。図６には、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓ周辺に形成された気流の向きを示す矢印が示されている。成膜容器１００が開く際に、ガス供給装置８０により第１の型１１０のガス放出口８３を介してガスが放出されると、ガス放出口８３から放出されたガスが、凸部１３１に衝突する。そのため、図６に示すように、凸部１３１の表面及び内側シール部材６１ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３１の表面及び外側シール部材６１ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。同様に、ガス供給装置８０により第２の型１２０のガス放出口８４を介してガスが放出されると、ガス放出口８４から放出されたガスが、凸部１３２に衝突する。そのため、図６に示すように、凸部１３２の表面及び内側シール部材６２ｕの表面に沿って内側シール部材６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３２の表面及び外側シール部材６２ｓの表面に沿って外側シール部材６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。
【００３７】
Ａ３．効果：
Ａ３−１．効果１：
一般的に、２分割される成膜容器によってワークを挟み込み、成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜容器内の気密を保ち成膜を行う場合には、成膜終了後、成膜容器が開く際に、成膜容器内の圧力と成膜容器外の圧力とが平衡になるために、異物がシール部材に付着しやすい。なお、異物とは、例えば、成膜の際に被成膜対象物の他に、成膜容器の内壁に堆積した膜である。また、成膜時の成膜容器の開閉動作や、ワークが成膜容器内に搬送される動作や、ワークが成膜容器外へ搬送される動作により、成膜容器内に堆積した膜が剥がれ落ちることによって生じた異物である。また、これらの動作によって、成膜容器外から成膜容器内に持ち込まれた異物である。また、成膜容器外の異物である。これらの異物がシール部材に付着すると、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密が保たれず、成膜不良が生じるおそれがある。しかし、第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が開く際には、ガス放出口８３、８４から放出されたガスがワークＷの備える凸部１３１、１３２に衝突し、凸部１３１、１３２の表面及び内側シール部材６１ｕ、６２ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流が形成される。また、凸部１３１、１３２の表面及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流が形成される。この気流によって、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。また、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際にガス放出口８３、８４からガスが放出されて、凸部１３１、１３２に衝突して分散するため、ガスとともに異物がワークＷに跳ね返って内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
【００３８】
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、凸部１３１、１３２の外形は曲面状であり、いわゆるＲ形状である。そのため、ワークＷが１００内に搬送された際に位置ずれが生じて凸部１３１、１３２の中心が内側シール部材６１ｕ、６２ｕと外側シール部材６１ｓ、６２ｓの中間の位置からずれたとしても、凸部１３１、１３２の断面形状が例えば三角形状である場合と比較して、ガス放出口８３、８４から放出され、ワークＷの備える凸部１３１、１３２に衝突したガスは、凸部１３１、１３２に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側と外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側とに分散しやすい。そのため、成膜容器１００に対してワークＷがずれた場合であっても、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができるので、成膜不良を抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、凸部１３１、１３２を備えるため、凸部１３１、１３２を備えない場合と比較して、内側シール部材６１ｕと外側シール部材６１ｓと第１の型１１０で形成される空間及び内側シール部材６２ｕと外側シール部材６２ｓと第２の型１２０で形成される空間を小さくすることができる。そのため、凸部１３１、１３２を備えない場合と比較して、これらの空間に位置する異物の量を少なくすることができる。
【００４０】
また、第１実施形態の成膜装置２００によれば、内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓが第１の型１１０及びワークＷに接触し、内側シール部材６２ｕ及び外側シール部材６２ｓが第２の型１２０及びワークＷに接触する。そのため、例えば２００が内側シール部材６１ｕ、６２ｕのみを備える場合と比較して、成膜容器１００が閉じた状態において、成膜容器１００内の気密をより保つことができる。
【００４１】
Ａ３−２．効果２：
第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０、被成膜対象物１０）と接触する絶縁部材３０は第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置され、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１よりも小さい。そのため、プラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行う場合には、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間に第１窪み部１１４や第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ１におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
【００４２】
同様に、第２平面部１２１と対向するワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２よりも小さいため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に第２窪み部１２４や第１窪み部１１４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ２におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
【００４３】
また、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から、絶縁部材３０までのＸ軸に沿った距離Ｃは０（ゼロ）よりも大きいため、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４で形成されるプラズマが発生する空間と、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２とが離れている。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。
【００４４】
また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量が効果的に低減されるので、異常放電の発生を効果的に抑制することができる。
【００４５】
また、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下であるため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間及びワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが一層抑制される。また、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。
【００４６】
また、成膜装置２００において、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは第１窪み部１１４内の空間及び第２窪み部１２４内の空間に向けられており、絶縁部材３０とワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）の端部とは、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に位置している。そのため、ワークＷ全体をプラズマが発生する空間内に収容する場合と比較して、成膜装置２００を小型化することができる。また、成膜装置２００では、成膜のために排気が行われる空間が小さいので、排気に要する時間を短くすることができ、被成膜対象部分１０Ａに成膜を行うために要する時間を短くすることができる。
【００４７】
Ａ４．第１実施形態の変形例：
Ａ４−１．第１実施形態の変形例１：
上述の実施形態では、制御部９５がガス供給装置８０を制御することにより、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される（図５、ステップＳ６３）。これに対し、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に移動させる直前（成膜容器１００が開く直前）からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されてもよい。
【００４８】
図７は、成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出される様子を示す図である。図７には、成膜容器１００が開く直前における、図１に破線で示したＲ部分が拡大して示されている。成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されると、内側シール部材６１ｕ、凸部１３１、外側シール部材６１ｓ及び第１平面部１１１で形成される空間にガスが貯留される。また、内側シール部材６２ｕ、凸部１３２、外側シール部材６２ｓ及び第２平面部１２１で形成される空間にガスが貯留される。この状態において成膜容器１００が開かれると、成膜容器１００が開く直前からガス放出口８３、８４を介してガスが放出されていない場合と比較して、貯留されたガスにより、凸部１３１、１３２の表面及び内側シール部材６１ｕ、６２ｕの表面に沿って内側シール部材６１ｕ、６２ｕよりもさらに内側へ向かう気流は強くなる。また、凸部１３１、１３２の表面及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓの表面に沿って外側シール部材６１ｓ、６２ｓよりもさらに外側へ向かう気流は強くなる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密をより保つことができるので、成膜不良をより抑制することができる。
【００４９】
Ａ４−２．第１実施形態の変形例２：
上述の第１実施形態では、ガス供給装置８０は、成膜容器１００が開く際に、第１の型１１０の備えるガス放出口８３及び第２の型１２０の備えるガス放出口８４から、ガスを放出している。これに対し、第２の型１２０の備えるガス放出口８４の弁を閉じたままにし、第１の型１１０の備えるガス放出口８３からガスを放出してもよい。また、第１の型１１０の備えるガス放出口８３の弁を閉じたままにし、第２の型１２０の備えるガス放出口８４からガスを放出してもよい。このようにしても、成膜容器１００が開く際には、第１の型１１０又は第２の型１２０のいずれか一方において、シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、上述の第１実施形態では、パレット１３０は、凸部１３１及び凸部１３２を備えている。これに対し、パレット１３０は、凸部１３１及び凸部１３２のうちいずれか一方を備えていてもよい。例えば、パレット１３０が第１の型１１０に向けて突出する凸部１３１のみを備える場合には、ガス供給装置８０は、第１の型１１０の備えるガス放出口８３のみからガスを放出してもよい。
【００５０】
Ａ４−３．第１実施形態の変形例３：
図８は、第１実施形態の変形例３における成膜装置２００ｂを示す図である。成膜装置２００ｂは、第１実施形態の成膜装置２００とは異なり、第２の型１２０を備えておらず、第１の型１１０ｂがパレット１３０ｂ上に積載されており、被成膜対象物１０の第１窪み部１１４側のみに成膜を行う。そのため、本変形例では、パレット１３０ｂに第１の型１１０ｂに向けて突出した凸部１３２ｂが設けられている。また、パレット１３０ｂ上に絶縁部材３０ｂが接触し、絶縁部材３０ｂ上に下側マスキング部材２２ｂが接触し、下側マスキング部材２２ｂ上に被成膜対象物１０の下側全面が接触する。なお、本変形例では、第１の型１１０ｂ側に電力導入部７１が備えられている。本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、第１の型１１０ｂにはガス放出口８３が設けられている。また、ワークＷのうちの陰極（下側マスキング部材２２）と絶縁部材３０ｂとの接触点Ｐ１ｂと、第１平面部１１１と、の距離は、ワークＷと第１窪み部１１４の底部１１３との距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｂその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。また、本変形例における成膜装置２００ｂによる成膜方法では、成膜容器１００ｂが開く際に第１の型１１０ｂのガス放出口８３からのみガスを放出する点を除き、上述の第１実施形態の成膜装置２００による成膜方法と同様であるため説明を省略する。
【００５１】
本変形例においても、成膜容器１００ｂが開く際には、ガス放出口８３を介してガスが放出される。そのため、内側シール部材６１ｕ及び外側シール部材６１ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００ｂが閉じた状態において成膜容器１００ｂ内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、このような成膜装置２００ｂによっても、上述の第１実施形態と同様に異常放電の発生を抑制することができる。
【００５２】
Ａ４−４．第１実施形態の変形例４：
上述の第１実施形態では、凸部１３１、１３２の外形状は曲面状であり、いわゆるＲ形状を有している。これに対し、凸部１３１、１３２はＲ形状でなくともよい。例えば、凸部１３１、１３２の断面は、ワークＷ（パレット１３０）側に底辺を有し、内側シール部材６１ｕ、６２ｕと外側シール部材６１ｓ、６２ｓから中間の位置に頂点を有する三角形状であってもよい。また、凸部１３１に対向する位置における第１平面部１１１及び凸部１３２に対向する位置における第２平面部１２１は、平面である。これに対し、凸部１３１に対向する位置における第１平面部１１１は凹部を有していてもよく、凸部１３２に対向する位置における第２平面部１２１は凹部を有していてもよい。
【００５３】
Ａ４−５．第１実施形態の変形例５：
上述の第１実施形態及び変形例において、成膜装置２００は、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成させる気流形成部を備えていてもよい。気流形成部の形成する気流の向きは、第１平面部１１１と略直交する向きであってもよい。制御部９５は、気流形成部を制御して、少なくとも成膜容器１００が開く際に、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成してもよい。例えば、気流形成部は、成膜装置２００の上方から下方へ清浄な気体を流すことにより、成膜容器１００外にダウンフローを形成してもよい。このようにすれば、成膜容器１００外には、第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器１００外の異物が成膜容器１００内へ侵入することが抑制される。そのため、異物が外側シール部材６１ｓ、６２ｓへ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。
【００５４】
Ａ４−６．第１実施形態の変形例６：
上述の第１実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とパレット１３０とを含んでいる。これに対し、ワークＷは、マスキング部材２０と被成膜対象物１０とで構成されることとしてもよい。この場合には、凸部１３１、１３２をマスキング部材２０に設けることとしてもよい。また、この場合には、上述の接触点Ｐ１は、マスキング部材２０と内側シール部材６１ｕとの接触する箇所であり、接触点Ｐ２は、マスキング部材２０と内側シール部材６２ｕとの接触する箇所であってもよい。また、上述の距離Ｃは、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所及び第２窪み部１２４と第２平面部１１１との接続箇所から、マスキング部材２０と内側シール部材６１ｕ又は内側シール部材６２ｕとが接触する箇所までのＸ軸に沿った最短距離であってもよい。
【００５５】
Ａ４−７．第１実施形態の変形例７：
上述の第１実施形態では、成膜装置２００はプラズマＣＶＤ法により成膜を行っている。これに対し、成膜装置２００は、例えば物理気相成長（Physical Vapor Deposition；ＰＶＤ）法など他の方法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。例えば、成膜装置２００は、成膜容器１００内で成膜材料を蒸発（あるいは昇華）させる機構を備えることとし、蒸着法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、成膜材料を蒸発させた粒子をプラズマ中を通過させる機構を備えることとし、イオンプレーティング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、高いエネルギーをもった粒子を成膜材料（ターゲット）に衝突させる機構を備えることとし、スパッタリング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。
【００５６】
Ａ４−８．第１実施形態の変形例８：
図９は、第１実施形態の変形例８における成膜装置２００ｍを示す図である。本変形例の成膜装置２００ｍでは、第１窪み部１１４ｍと第１平面部１１１ｍとの接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４ｍと第２平面部１２１ｍとの接続箇所Ｑ２から、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２までの第１平面部１１１ｍに沿った最短距離が、０（ゼロ）である。本変形例では、接続箇所Ｑ２と接触点Ｐ２とは、同一のＹＺ平面に位置している。そのため、図９に示すように、成膜容器１００ｍでは、上側マスキング部材２１が、第１の型１１０ｍの第１窪み部１１４ｍ内に露出しており、下側マスキング部材２２の一部が、第２の型１２０ｍの第２窪み部１２４ｍ内に露出している。なお、本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、接触点Ｐ１と第１平面部１１１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４ｍの底部１１３ｍとの距離よりも小さい。また、接触点Ｐ２と第２平面部１２１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４ｍの底部１２３ｍとの距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｍのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。このような成膜装置２００ｍによっても、上述の第１実施形態と同様に成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、異常放電の発生を抑制することができる。
【００５７】
Ａ４−９．第１実施形態のその他の変形例：
上述の第１実施形態では、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１は、ワークＷうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短く、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２は、ワークＷうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短い。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２とのうち、いずれか一方がシースの距離よりも大きくてもよく、両方がシースの距離よりも大きくてもよい。また、上述の第１実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下である。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２のうち、いずれか一方が２．０ｍｍより大きくてもよく、両方が、２．０ｍｍより大きくてもよい。
【００５８】
上述の第１実施形態では、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備えているが、第１窪み部１１４は、第１平面部１１１から被成膜対象物１０と離れる方向に窪んでいればよく、例えば、半球状であってもよい。この場合には、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４のワークＷのうちの陰極から最も離れた箇所と、の距離であってもよい。
【００５９】
上述の実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位であるが、プラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行う場合において、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位でなくてもよい。電力印加部７０は成膜容器１００と被成膜対象物１０との間に被成膜対象物１０を成膜させるための電力を印加できればよい。
【００６０】
Ｂ．第２実施形態：
Ｂ１．成膜装置の構成：
上述の第１実施形態では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４を介してガスを放出した。これに対し、第２実施形態では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、排気装置９０を制御して排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。第２実施形態における成膜装置２００のその他の構成は、上述の第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００６１】
Ｂ２．成膜方法：
図１０は、第２実施形態における成膜方法を示す工程図である。本実施形態においても、第１実施形態と同様に、図５に示したステップＳ１０からステップＳ６０の工程が行われる。本実施形態では、ステップＳ６０が開始される際には、第１実施形態と同様に、制御部９５がガス供給装置８０を制御することによりガス放出口８３、８４を介して成膜容器１００内が排気されるのに加え、本実施形態では、制御部９５が排気装置９０を制御することにより排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気される（ステップＳ６４）。
【００６２】
ステップＳ６４では、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて、成膜容器１００を開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気されるため（図１０、ステップＳ６４）、成膜容器１００内には、第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。また、第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。そのため、成膜によって生じた異物は、第１の型１１０の第１平面部１１１から排気口９１へ向かい、排気口９１を介して成膜容器１００内から排出される。あるいは、第２の型１２０の第２平面部１２１から排気口９２へ向かい、排気口９２を介して成膜容器１００内から排出される。
【００６３】
Ｂ３．効果：
第２実施形態によれば、成膜容器１００が開く際に、第１窪み部１１４の底部１１３の排気口９１を介して成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９１から排出されるので、異物が各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓへ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
【００６４】
また、第２実施形態によれば、第２窪み部１２４の底部１２３の排気口９２を介して排気装置９０により成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９２から排気されるので、異物が各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓへ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
【００６５】
また、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、成膜容器１００が開く際には、ガス放出口８３、８４を介してガスが放出される。そのため、第１実施形態と同様に、内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに異物が付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。
【００６６】
また、本実施形態によれば、ガス放出口８３、８４からガスが放出され、内側シール部材６１ｕ、６２ｕのさらに内側へ向かう気流によって異物が第１窪み部１１４、第２窪み部１２４内へ移動した場合であっても、成膜容器１００内の異物が排気口９１、９２から排出されるので、成膜容器１００内の異物を低減することができる。
【００６７】
Ｂ４．第２実施形態の変形例：
上述の第２実施形態において、排気装置９０は、成膜容器１００が開かれる直前から成膜容器１００が開かれた時にかけて、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気してもよい。なお、排気装置９０は、成膜が行われる前に１００内を排気するための装置と、成膜容器１００が開く際に１００内を排気する装置と、を分けて備えていてもよい。成膜容器１００が開く際に１００内を排気する排気装置は、例えば集塵装置であってもよい。
【００６８】
Ｃ．第３実施形態：
Ｃ１．成膜装置の構成：
図１１は、第３実施形態における成膜装置２００ｄの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図１１には、図１のＸ部分に相当する部分Ｘ１が示されている。本実施形態における成膜装置２００ｄは、第１の型１１０ｄの第１窪み部１１４ｄ（側部１１２ｄ）と第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。また、第２の型１２０ｄの第２窪み部１２４ｄ（側部１２２ｄ）と第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。
【００６９】
図１１には、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ１が示されている。また、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ２が示されている。本実施形態では、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは等しい。例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−１０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約３ｍｍ以上であることが好ましい。また、例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−３０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約９ｍｍ以上であることが好ましい。このように、距離Ｌ１、Ｌ２は、電力印加部７０によって印加される電力と、成膜容器１００ｄ内の圧力（真空度）とに応じて変更可能である。本実施形態の成膜装置２００ｄのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。
【００７０】
Ｃ２．効果：
電力が印加されるワークのうちの陰極と成膜容器との間にプラズマを発生させて被成膜対象部分に成膜を行うために、被成膜対象部分と成膜容器との間は、いわゆるシースの距離よりも離れていることが好ましく、被成膜対象部分と成膜容器とが近接している箇所ではプラズマが発生せず、被成膜対象部分の端部において成膜不良が発生する場合がある。しかし、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、成膜容器１００ｄの第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。
【００７１】
また、成膜容器１００ｄの第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、上述の第１実施形態の効果２と同様の効果を奏する。すなわち、異常放電の発生を抑制することができる。
【００７３】
Ｃ３．第３実施形態の変形例：
上述の第３実施形態では、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ１と、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ２は、等しい。これに対し、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは異なっていてもよい。例えば、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１のみが、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよく、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２のみが、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよい。
【００７４】
Ｄ．その他の変形例：
上述の実施形態及び変形例では、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させる際に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、ガス放出口８４からガスを放出させている。これに対し、制御部９５は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に近づける方向に移動させる際に、ガス放出口８３、８４からガスを放出させてもよい。言い換えると、制御部９５は、成膜容器１００を閉じる直前に、ガス供給装置８０を制御してガス放出口８３、８４からガスを放出させてもよい。このようにしても、ガス放出口８３、８４から放出されたガスは凸部に衝突して分散するため、異物が内側シール部材６１ｕ、６２ｕ及び外側シール部材６１ｓ、６２ｓに付着することを抑制することができる。
【００７５】
上述の実施形態では、被成膜対象物１０はセパレータであるが、被成膜対象物１０は、導電性を有する部材であればよい。また、上述の実施形態では、成膜装置２００、２００ｂ、２００ｄは炭素系の薄膜を成膜しているが、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）など他の導電性の元素の薄膜を形成するものとしてもよい。
【００７６】
上述の実施形態では、各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓはゴム製の環状部材である。これに対し、各シール部材６１ｕ、６１ｓ、６２ｕ、６２ｓは、成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄが閉じた状態において成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｍ内の気密を保つための部材であればよい。
【００７７】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…被成膜対象物
１０Ａ…被成膜対象部分
１０Ｂ…非被成膜対象部分
２０…マスキング部材
２１…上側マスキング部材
２２、２２ｂ…下側マスキング部材
３０、３０ｂ…絶縁部材
３５…絶縁部材
５０…開閉装置
５５…搬送装置
６１ｓ、６２ｓ…外側シール部材
６１ｕ、６２ｕ…内側シール部材
７０…電力印加部
７１…電力導入部
８０…ガス供給装置
８１…供給口
８３、８４…ガス放出口
９０…排気装置
９１、９２…排気口
９５…制御部
１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｍ…成膜容器
１１０、１１０ｂ、１１０ｄ、１１０ｍ…第１の型
１１１、１１１ｄ、１１１ｍ…第１平面部
１１２、１１２ｄ…側部
１１３、１１３ｍ…底部
１１４、１１４ｄ、１１４ｍ…第１窪み部
１２０、１２０ｄ、１２０ｍ…第２の型
１２１、１２１ｄ…第２平面部
１２２、１２２ｄ、１２３ｍ…側部
１２３…底部
１２４、１２４ｄ、１２４ｍ…第２窪み部
１３０、１３０ｂ…パレット
１３０ｔ…端部
１３１、１３２、１３２ｂ…凸部
２００、２００ｂ、２００ｄ、２００ｍ…成膜装置
Ｐ１、Ｐ１ｂ、Ｐ２…接触点
Ｑ１、Ｑ２…接続箇所
Ｗ…ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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