(57)【要約】【課題】大きな保持容量および開口率を確保しつつ製造コストの上昇を抑制することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置９１は、ゲート電極２と、第１絶縁膜３と、素子層４と、第１透明電極５と、第２透明電極９とを有している。ゲート電極２は複数の画素の各々に設けられている。第１絶縁膜３は、ゲート電極２を覆う部分を含んでいる。素子層４は、第１絶縁膜３上に直接配置されており、第１絶縁膜３を介してゲート電極２と対向するチャネル領域４６を有しており、透明酸化物から作られている。第１透明電極５は、素子層４から離れて第１絶縁膜３上に直接配置されており、素子層４の組成と同一の組成を有している。第２透明電極９は、第１透明電極５から電気的に絶縁されつつ第１透明電極５と対向することにより、第１透明電極５と共に保持容量を形成している。【選択図】図１
2017116622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う部分を含む第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に直接配置され、前記第１絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するチャネル領域を有し、透明酸化物から作られた素子層と、
前記素子層から離れて前記第１絶縁膜上に直接配置され、前記素子層の組成と同一の組成を有する第１透明電極と、
前記第１透明電極から電気的に絶縁されつつ前記第１透明電極と対向することにより、前記第１透明電極と共に保持容量を形成する第２透明電極と、
を備える、液晶表示装置。
【請求項２】
前記素子層は、前記チャネル領域によって隔てられた第１端部および第２端部を含み、
前記素子層の前記チャネル領域を覆う部分と、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間を隔てる部分とを有し、前記第１端部を露出する第１開口部と前記第２端部を露出する第２開口部とが設けられた第２絶縁膜をさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は第１絶縁膜よりも薄い、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１透明電極の抵抗率は前記素子層の前記チャネル領域の抵抗率よりも低い、請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１透明電極の電子キャリア濃度が前記素子層の前記チャネル領域の電子キャリア濃度よりも高い、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
複数の画素の各々にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う部分を含む第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に透明酸化物層を成膜する工程と、
前記透明酸化物層から、前記第１絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するチャネル領域を含む素子層と、前記素子層から離れた第１透明電極と、を形成する工程と、
前記第１透明電極から電気的に絶縁されつつ前記第１透明電極と対向することにより前記第１透明電極と共に保持容量を形成する第２透明電極を形成する工程と、
を備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記素子層および前記第１透明電極を形成する工程は、
前記透明酸化物層上に、前記素子層および前記第１透明電極に対応するパターンを有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層を用いて前記透明酸化物層のパターニングを行う工程と、
を含む、請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記素子層および前記第１透明電極を形成する工程は、前記第１透明電極にエネルギー線を照射することによって前記第１透明電極の抵抗率を低減する工程を含む、請求項６または７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１透明電極の抵抗率を低減する工程において、前記素子層の前記チャネル領域は前記エネルギー線から前記ゲート電極によって遮蔽される、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、マトリクス状に配置された多数の画素を有するアクティブマトリクス型表示装置が知られている。アクティブマトリクス型表示装置は、各画素を独立して駆動可能とするために、各画素に、薄膜半導体素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有している。これら表示用途のＴＦＴのチャネル層の半導体としては、従来から、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が多く用いられている。そして近年では、高精細化の需要が高まる中、ａ−Ｓｉに代わり、より高い移動度を有する酸化物半導体が適用され始めている。
【０００３】
アクティブマトリクス型表示装置としては、液晶を用いた表示装置である液晶表示装置が広く用いられている。この装置は、一般的には、互いに貼り合わされた１対の透明基板と、それらの間に封入された液晶組成物とを有している。１対の透明基板はＴＦＴ基板および対向基板によって構成されている。ＴＦＴ基板には各画素用のＴＦＴが設けられている。対向基板にはカラーフィルターが設けられ得る。
【０００４】
液晶表示装置は、縦電界方式のものと横電界方式のものとに大別される。縦電界方式においては、１対の透明基板の一方（例えばＴＦＴ基板）に画素電極が設けられ、他方（例えば対向基板）に共通電極が設けられている。横電界方式においては、１対の透明基板の一方（例えばＴＦＴ基板）上に画素電極および共通電極の両方が設けられている。例えば、横電界方式の一種であるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式では、これらの電極が同一基板上の異なる層に配置されている。ＦＦＳ方式は、低電圧駆動が可能であるとともに、高視野角および高コントラストを有しており、さらに、透過率が高いので明るい表示が可能である。
【０００５】
さらに、液晶表示装置は、透過型と、反射型と、透過型および反射型の特徴を兼ね備えた半透過型とに分けられる。透過型は、画素電極および共通電極として透明電極を有しており、バックライト装置からの光を透過させることで表示を行う。反射型は、画素電極および共通電極の少なくともいずれか一方として反射電極を有しており、フロントライト装置または外部環境からの光を反射させることで表示を行う。
【０００６】
液晶表示装置には、一般に、各画素に保持容量が設けられる。保持容量は、主に、ＴＦＴがオフ状態の保持期間において、画素電極の電圧が走査配線または信号配線の電圧変化によるフィードスルー電圧の影響を受けるのを防止するために使用される。寄生容量に比べて十分な大きさの保持容量が確保できていないと、フィードスルー電圧の影響により、フリッカーまたは焼き付きと呼ばれる現象が発生し得る。その結果、表示装置の画質が劣化し得る。
【０００７】
特開平２−８１０２９号公報（特許文献１）の記載によれば、以下の内容が開示されている。液晶表示装置において、表示電極に対し保持容量（補助容量）絶縁膜を介して補助容量電極が対向配置される。その製造方法において、ゲート用絶縁膜と補助容量絶縁膜とは同一絶縁膜で形成される。その後、当該絶縁膜の補助容量絶縁膜相当部が所定の膜厚にエッチングされる。この製造方法によれば、同一の絶縁膜がゲート用および補助容量用のそれぞれに最適な膜厚とされる。従って、ゲート用絶縁膜として用いる部分においてはゲート金属膜とその上部のドレイン、ソース金属膜とのショートが発生しないように十分な膜厚を確保できる。その上、補助容量用絶縁膜として用いる部分においては、高容量化、薄膜化が図れ、補助容量電極と表示用透明電極との重なり面積を大きくとる必要がなくなる。このことは、ゲート金属膜を同時に補助容量として用いる素子構造においては、ゲート用金属膜によって遮光される部分を少なくし、画素の開口率を向上させる。
【０００８】
透過型液晶表示装置においては、バックライトからの光を効率的に利用するため、高い開口率が望まれる。上記公報に記載の技術においては、保持容量を形成する電極の一方が金属材料であり、当該材料は不透明であるので光を遮断する。このため上記技術では、保持容量を確保しつつ開口率を高める効果が不十分となり得る。そこで、例えば特開平８−１７９３６３号公報（特許文献２）によれば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、酸化スズ、酸化インジウムなどの透明性導電材からなる保持容量電極を有する、縦電界方式の液晶表示装置が開示されている。
【０００９】
横電界方式の一種であるＦＦＳ方式では、画素電極と共通電極との重畳面積が平面視で大きいために、これら電極だけでも、比較的大きな保持容量が確保される。しかしながら、近年、液晶表示装置の超高精細化に伴う画素サイズの微細化により電極を形成可能な面積が確保しにくくなってきている。このため、ＦＦＳ方式においても、画素電極および共通電極だけでは十分な保持容量を確保しにくくなってきている。そこで、例えば特開２００９−０５８９１３号公報（特許文献３）によれば、透明の保持容量電極が別途設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平２−８１０２９号公報
【特許文献２】特開平８−１７９３６３号公報
【特許文献３】特開２００９−０５８９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特開平８−１７９３６３号公報または特開２００９−０５８９１３号公報（特許文献２および３）に記載の技術が一般的なＴＦＴ基板の製造方法に対して適用される場合、保持容量電極を形成するための成膜工程およびパターニング工程を追加する必要がある。この結果、製造コストが増大してしまう。
【００１２】
本発明は上記の課題を解消するためのなされたものであり、その目的は、大きな保持容量および開口率を確保しつつ製造コストの上昇を抑制することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
液晶表示装置は、ゲート電極と、第１絶縁膜と、素子層と、第１透明電極と、第２透明電極とを有している。ゲート電極は複数の画素の各々に設けられている。第１絶縁膜は、ゲート電極を覆う部分を含んでいる。素子層は、第１絶縁膜上に直接配置されており、第１絶縁膜を介してゲート電極と対向するチャネル領域を有しており、透明酸化物から作られている。第１透明電極は、素子層から離れて第１絶縁膜上に直接配置されており、素子層の組成と同一の組成を有している。第２透明電極は、第１透明電極から電気的に絶縁されつつ第１透明電極と対向することにより、第１透明電極と共に保持容量を形成している。
【００１４】
液晶表示装置の製造方法は、次の工程を有している。複数の画素の各々にゲート電極が形成される。ゲート電極を覆う部分を含む第１絶縁膜が形成される。第１絶縁膜上に透明酸化物層が成膜される。透明酸化物層から、第１絶縁膜を介してゲート電極と対向するチャネル領域を含む素子層と、素子層から離れた第１透明電極と、が形成される。第１透明電極から電気的に絶縁されつつ第１透明電極と対向することにより第１透明電極と共に保持容量を形成する第２透明電極が形成される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、大きな保持容量および開口率を確保しつつ製造コストの上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線Ｉ−Ｉ（図２）に沿って概略的に示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の液晶表示装置が有するＴＦＴ基板の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第１工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第２工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第３工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第４工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第５工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第６工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第７工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第８工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第９工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第１０工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第１１工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第１２工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方法の第１３工程を、図１に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線ＸＶＩ−ＸＶＩ（図１７）に沿って概略的に示す部分断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２の液晶表示装置が有するＴＦＴ基板の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第１工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第２工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第３工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第４工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第５工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第６工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第７工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方法の第８工程を、図１６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線ＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ（図２７）に沿って概略的に示す部分断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態３の液晶表示装置が有するＴＦＴ基板の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の製造方法の第４工程を、図２６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の製造方法の第５工程を、図２６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の製造方法の第６工程を、図２６に対応する視野で概略的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１８】
＜実施の形態１＞
（全体構成）
図１は、本実施の形態の液晶表示装置９１の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線Ｉ−Ｉ（図２）に沿って概略的に示す部分断面図である。図２は、液晶表示装置９１が有するＴＦＴ基板７１の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。なお図２においては、図を見やすくするために、第１配向膜１３（図１）は図示されておらず、また第３透明電極１１（図１）についてはそのスリット状開口部ＯＰＳのみが二点鎖線で示されている。
【００１９】
液晶表示装置９１はＦＦＳ構造を有している。液晶表示装置９１は、ＴＦＴ基板７１（アレイ基板）と、カラーフィルター（ＣＦ）基板８１（対向基板）と、液晶層２２とを有している。液晶層２２はＴＦＴ基板７１とＣＦ基板８１との間に設けられている。液晶層２２の厚みは、ＴＦＴ基板７１とＣＦ基板８１との間に設けられた柱状スペーサー（図示省略）によって均一に維持されている。
【００２０】
ＴＦＴ基板７１は複数の走査配線層３１および複数の信号配線層３２を有している。走査配線層３１は互いに平行に配置されている。信号配線層３２は互いに平行に配置されている。各走査配線層３１は複数の信号配線層３２と交差している。各信号配線層３２は複数の走査配線層３１と交差している。以上のような配置を有する走査配線層３１および信号配線層３２により、ＴＦＴ基板７１の透過表示領域は複数の画素領域に区画されている。
【００２１】
（ＴＦＴ基板７１の構成）
ＴＦＴ基板７１は、第１透明基板１と、ゲート電極２と、第１絶縁膜３と、素子層４と、第１透明電極５と、第２絶縁膜６と、ソース電極７と、ドレイン電極８と、第２透明電極９と、第３絶縁膜１０と、第３透明電極１１と、共通電極配線層１２と、第１配向膜１３と、走査配線層３１と、信号配線層３２とを有している。ソース電極７および信号配線層３２は第１導体層ＬＹ１として一体に形成されている。よってソース電極７には信号配線層３２を介して電圧が印加される。ゲート電極２および走査配線層３１は第２導体層ＬＹ２として一体に形成されている。よってゲート電極２には走査配線層３１を介して電圧が印加される。各画素領域において、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜としての第１絶縁膜３と、チャネルを構成する素子層４と、ソース電極７と、ドレイン電極８とにより、ＴＦＴが構成されている。
【００２２】
第１透明基板１はＴＦＴ基板７１の基体である。第１透明基板１は透明絶縁性材料から作られており、透明絶縁性材料としては、例えば、ガラス、石英またはプラスチックを用い得る。
【００２３】
ゲート電極２および走査配線層３１を有する第２導体層ＬＹ２は、第１透明基板１の、液晶層２２に面する面上に配置されている。ゲート電極２は複数の画素の各々に設けられている。具体的には、各画素領域において、ゲート電極２は走査配線層３１からＴＦＴに向かって延在している。よって第２導体層ＬＹ２において、走査配線層３１とゲート電極２とが合わさった部分の幅（図２における縦方向の寸法）は、走査配線層３１が単独で延在している部分の幅よりも大きい。第２導体層ＬＹ２は金属材料から作られており、金属材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはクロム（Ｃｒ）を用い得る。
【００２４】
第１絶縁膜３は、第１透明基板１の、第２導体層ＬＹ２が設けられた面を覆っている。よって第１絶縁膜３は、ゲート電極２を覆う部分を含んでいる。第１絶縁膜３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）もしくは酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、またはこれらの積層体によって作られている。
【００２５】
素子層４は、第１絶縁膜３上に直接配置されている。素子層４は、第１端部４７（図１における左端部）と、第２端部４８（図１における右端部）と、これら端部を隔てるチャネル領域４６とを有している。チャネル領域４６は第１絶縁膜３を介してゲート電極２と対向している。よって、第１絶縁膜３のうち、チャネル領域４６とゲート電極２とによって挟まれた部分は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。
【００２６】
素子層４は透明酸化物から作られている。透明酸化物としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）およびスズ（Ｓｎ）のうち少なくとも１つの元素を含む材料を用いることができる。透明酸化物としては、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム亜鉛スズ（ＩＴＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＴＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いることができる。
【００２７】
第１透明電極５は、ＴＦＴ基板７１の透過表示領域において、素子層４から離れて第１絶縁膜３上に直接配置されている。第１絶縁膜３は、第１絶縁膜３の素子層４に接する部分と、第１絶縁膜３の第１透明電極５に接する部分との間において、連続的に延在している。言い換えれば、素子層４および第１透明電極５の各々は、共通の第１絶縁膜３上に直接配置されている。なお、第１透明電極５と第１透明基板１との間は、絶縁体のみによって隔てられていることが好ましい。言い換えれば、第１透明電極５と第１透明基板１との間に、電気的経路を構成する非絶縁体部材（導電性部材）が配置されないことが好ましい。例えば図１に示された構成においては、第１透明電極５と第１透明基板１との間が第１絶縁膜３のみによって隔てられている。
【００２８】
第１透明電極５は、透明酸化物から作られており、素子層４の組成と同一の組成を有している。この理由は、詳しくは後述するように、ＴＦＴ基板７１の製造において、第１透明電極５および素子層４となる部分を含む透明酸化物層４０（図５）が第１絶縁膜３上に成膜され、この透明酸化物層４０のパターニングによって第１透明電極５および素子層４が同時に形成されるためである。ただしエネルギー線の選択的な照射により、第１透明電極５の電子キャリア濃度は、素子層４のチャネル領域４６の電子キャリア濃度よりも高くされていることが好ましい。その場合、電子キャリアの濃度の違いにより、第１透明電極５は、素子層４のチャネル領域４６の抵抗率よりも低い抵抗率を有する。
【００２９】
本明細書において、上記「同一の組成を有している」とは、少なくとも金属組成が同一であることを意味するものとする。金属組成は、透明酸化物の酸素以外の主たる構成要素である金属原子（例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎなど）間での構成比率を指す。一方、酸化物中の水素原子の比率は、組成として考慮されないものとする。水素原子は酸化物中に、不純物として混入したり、局所的な欠陥部分に結合したりすることによって存在し得る。また酸化物中の酸素原子の比率は、成膜後の様々な要因によって変動し得るため、組成として考慮されなくてよい。あるいは、酸化物中の酸素原子の比率は、後述するエネルギー線の照射工程などの成膜後の処理工程に起因した変動量を誤差と見なしつつ、組成として考慮されてもよい。
【００３０】
第２絶縁膜６は、素子層４のチャネル領域４６を覆う部分、および、第１透明電極５と第２透明電極９との間を隔てる部分を有している。第２絶縁膜６のうち素子層４のチャネル領域４６上に形成された部分は、液晶表示装置９１（ＴＦＴ基板７１）の製造工程において、チャネル保護膜（エッチングストッパ膜）として機能する。第２絶縁膜６の材料は、上述した第１絶縁膜３の材料群と同様のものの中から選ばれ得る。第２絶縁膜６は第１絶縁膜３よりも薄い。第２絶縁膜６には、第１端部４７を少なくとも部分的に露出する第１開口部ＯＰ１と、第２端部４８を少なくとも部分的に露出する第２開口部ＯＰ２とが設けられている。また、第２絶縁膜６および第３絶縁膜１０の積層体には、第１透明電極５を部分的に露出する第３開口部ＯＰ３が設けられている。
【００３１】
ソース電極７は、第１開口部ＯＰ１を通って素子層４の第１端部４７に接続されている。ドレイン電極８は、第２開口部ＯＰ２を通って素子層４の第２端部４８に接続されている。ソース電極７を含む第１導体層ＬＹ１には信号配線層３２も含まれている。信号配線層３２は、平面視（図２）において走査配線層３１と交差するように配置されており、図中では直交するように配置されている。第１導体層ＬＹ１の材料は、上述した第２導体層ＬＹ２の材料群と同様のものの中から選ばれ得る。
【００３２】
第２透明電極９は、ドレイン電極８上に配置された部分を有することによりドレイン電極８と接している。これにより、第２透明電極にはＴＦＴを介して電圧を印加することができる。よって第２透明電極は画素電極としての機能を有する。また第２透明電極９は、第２絶縁膜６により第１透明電極５から電気的に絶縁されつつ第１透明電極５と対向している。これにより第２透明電極９は第１透明電極５と共に保持容量を形成している。第２透明電極９は第３開口部ＯＰ３から離れている。これにより第２透明電極９は第３絶縁膜１０によって共通電極配線層１２から絶縁されている。第２透明電極９は、透明酸化物の導電体材料により形成されており、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）により作られている。
【００３３】
第３絶縁膜１０は第２透明電極９を覆っている。また第３絶縁膜１０はＴＦＴ構造を覆っている。ＴＦＴ構造は、前述したように、ソース電極７と、ドレイン電極８と、第２絶縁膜６によって保護されたチャネル領域４６とを有している。また前述したように、第２絶縁膜６および第３絶縁膜１０の積層体には、第１透明電極５を部分的に露出する第３開口部ＯＰ３が設けられている。第３絶縁膜１０の材料は、第１絶縁膜３および第２絶縁膜６の材料群と同様のものの中から選ばれ得る。
【００３４】
共通電極配線層１２は第３絶縁膜１０上に設けられている。共通電極配線層１２は、信号配線層３２と交差するように走査配線層３１と平行に伸びる部分（図２において横方向に延びる部分）を有している。共通電極配線層１２は、第３開口部ＯＰ３を介して第１透明電極５に接することにより、第１透明電極５と電気的に短絡されている。共通電極配線層１２は、対向電極および保持容量電極としての第３透明電極１１に電気的に接続されることによって、対向電極および保持容量電極の抵抗を低減している。また共通電極配線層１２は、保持容量電極としての第１透明電極５に電気的に接続されることによって、保持容量電極の抵抗を低減している。また共通電極配線層１２は、走査配線層３１と交差するように信号配線層３２と平行に伸びる部分（図２において縦方向に延びる部分）を有しており、この部分は平面視において信号配線層３２の経路に沿って配置されている。これにより共通電極配線層１２の抵抗が低減されている。共通電極配線層１２の材料は、第２導体層ＬＹ２の金属材料群と同様のものの中から選ばれ得る。
【００３５】
第３透明電極１１は、第３開口部ＯＰ３を覆うように配置されることで共通電極配線層１２と接している。これにより第３透明電極１１と共通電極配線層１２とは互いに短絡されている。第３透明電極１１は第３絶縁膜１０上に設けられている。言い換えれば、第３透明電極１１は第３絶縁膜１０を介して第２透明電極９上に設けられている。これにより第３透明電極１１は、画素電極としての第２透明電極９に対する対向電極としての機能を有する。また第３透明電極１１は、ＴＦＴ基板７１の透過表示領域において、互いに平行な複数のスリット状開口部ＯＰＳを有している。よって、第２透明電極９および第３透明電極１１により、ＦＦＳのための電界を発生させることができる。具体的には、スリット状開口部ＯＰＳを有する第３透明電極１１と第２透明電極９との間に電圧が印加されることにより、ＴＦＴ基板７１の表面に平行な成分を有する電界を発生させることができる。それにより液晶層２２が駆動される。第３透明電極１１は、対向電極として機能するとともに、第２透明電極９との間に第３絶縁膜１０を介して第２保持容量を形成している。第３透明電極１１は、透明酸化物の導電体材料により形成されており、第２透明電極９の導電体材料群と同様のものの中から選ばれた材料によって形成され得る。なお第３透明電極１１および共通電極配線層１２は、互いに電気的に接続される限り、その形成順が逆となっていてもよい。
【００３６】
第１配向膜１３はＴＦＴ基板７１の最表面に設けられている。第１配向膜１３は、液晶層２２を所定の方向に配向させる機能を有している。
【００３７】
なお、第１透明電極５は、上述した構成を有する部分（図１において示された部分）に加えて、当該部分から分離されかつ信号配線層３２に対応した領域に配置された部分を有してもよい。この場合、信号配線層３２は、第１透明基板１上において、第１透明電極５の一部と、第１導体層ＬＹ１（図２）の一部とがこの順に積層された積層膜によって構成される。この積層構造により信号配線層３２の冗長性が増すので、断線による不良等を防ぐことができる。この場合の信号配線層３２において、第１透明電極５と第１導体層ＬＹ１との間には第２絶縁膜６は形成されず、両者が直接接している必要がある。第１透明電極５のうち信号配線層３２を構成する部分は、後述する第１透明基板１を介したエネルギー線４４（図９）の照射によって、走査配線層３１と交差する部分を除き低抵抗化され得るので、冗長配線として十分に機能し得る。
【００３８】
また、ソース電極７、ドレイン電極８および共通電極配線層１２の少なくともいずれかがチャネル領域４６の上方まで延びることによって、遮光膜が設けられてもよい。これにより、チャネル領域４６への光入射によるＴＦＴ特性のシフトを低減することができる。
【００３９】
（ＴＦＴ基板７１以外の構成）
ＣＦ基板８１は、第２透明基板１７と、遮光膜１８と、ＣＦ１９と、保護膜２０と、第２配向膜２１とを有している。遮光膜１８は、第２透明基板１７の、液晶層２２に面する面上に配置されている。ＣＦ１９は、カラー表示のために画素ごとに所定の色を有している。ＴＦＴ基板７１およびＣＦ基板８１の外側には、位相差板および偏光板（図示せず）が配置されている。また、ＴＦＴ基板７１の走査配線層３１、信号配線層３２および共通電極配線層１２の各々には駆動回路（図示せず）が接続されている。
【００４０】
（製造方法）
次に、液晶表示装置９１の製造方法について、以下に説明する。
【００４１】
図３を参照して、第１透明基板１として、例えばガラス基板が準備される。続いて、第１透明基板１の全面上に、金属層としてＡｌ膜が、スパッタリング法により、厚み３００ｎｍ程度で成膜される。続いて、このＡｌ膜上に、スピンコーティング法により、感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第１のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、第１のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第１のレジストパターンから露出された、Ａｌ膜の不要部分が、ウェットエッチング法により除去される。その後、第１のレジストパターンが剥離される。以上により、第１透明基板１上において、複数の画素の各々に配置されたゲート電極２（図３）を含む、第２導体層ＬＹ２（図２）が形成される。なおＡｌ膜のウェットエッチングには、例えば、リン酸と酢酸と硝酸との混酸であるＰＡＮ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ，  Ａｃｅｔｉｃ  ａｎｄ  Ｎｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄｓ）薬液を用いることができる。
【００４２】
図４を参照して、ゲート電極２および走査配線層３１を含む第２導体層ＬＹ２（図２）が設けられた第１透明基板１（図３）の全面上に、第１絶縁膜３が形成される。よって第１絶縁膜３は、ゲート電極２を覆う部分と、走査配線層３１を覆う部分とを有する。例えば、第１絶縁膜３としてＳｉＮ膜が、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により厚み４００ｎｍ程度で成膜される。
【００４３】
図５を参照して、第１絶縁膜３の略全面上に、素子層４および第１透明電極５（図１）となる部分を含む透明酸化物層４０が成膜される。例えば、透明酸化物層４０としてＩＧＺＯ膜が、スパッタリング法により厚み８０ｎｍ程度で形成される。
【００４４】
図６を参照して、透明酸化物層４０が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第２のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、透明酸化物層４０上に、素子層４および第１透明電極５（図１）に対応するパターンを有する第２のレジストパターン４１（マスク層）が形成される。第２のレジストパターン４１から露出された、透明酸化物層４０の不要な部分が、ウェットエッチング法により除去される。すなわち、第２のレジストパターン４１を用いて透明酸化物層４０のパターニングが行われる。その後、第２のレジストパターン４１が除去される。
【００４５】
図７を参照して、上記パターニングにより、透明酸化物層４０（図６）から素子層４および第１透明電極５が形成される。より具体的に言えば、第１絶縁膜３を介してゲート電極２と対向するチャネル領域４６を含む素子層４と、素子層４から離れた第１透明電極５と、が形成される。
【００４６】
図８を参照して、素子層４および第１透明電極５が設けられた第１透明基板１の全面上に第２絶縁膜６が形成される。例えば、第２絶縁膜６としてＳｉＮ膜が、プラズマＣＶＤ法により厚み１００ｎｍ程度で形成される。
【００４７】
図９を参照して、第１透明電極５にエネルギー線４４が照射される。例えば、エネルギー線４４として紫外線が照射される。これによって第１透明電極５の抵抗率が低減させられる。ＩＧＺＯをはじめとした一部の透明酸化物材料は、通常は半導体としての特性を示すが、紫外線等のエネルギー線が照射されることでその導電率が増加することにより低抵抗化することが知られている。これは、エネルギー線の照射により、透明酸化物中の酸素−酸素結合または金属−酸素結合の一部が切れることで、（結合に寄与しなくなった余剰の電子が入る）欠陥準位が発生し、それにより電子キャリアが生成するため、と考えられる。
【００４８】
上述した、第１透明電極５の抵抗率を低減する工程において、素子層４のチャネル領域４６は、ゲート電極２によってエネルギー線４４から遮蔽される。言い換えれば、エネルギー線４４の照射において、ゲート電極２が、素子層４のチャネル領域４６のマスクとして機能する。これにより、エネルギー線４４の照射において、素子層４のチャネル領域４６の抵抗はほぼ維持される。一方、素子層４の第１端部４７および第２端部４８には、第１透明電極５と同様にエネルギー線４４が照射される。よって第１端部４７および第２端部４８の抵抗率は、第１透明電極５の抵抗率と同様に低減される。これにより、第１端部４７および第２端部４８のそれぞれとソース電極７およびドレイン電極８とのコンタクト抵抗が低減される。よってＴＦＴの電気特性が改善される。
【００４９】
なおエネルギー線４４の照射において、第１透明基板１と第１透明電極５との間に、図１とは異なり、透明電極または金属電極としての導電性部材が存在したとすると、エネルギー線が第１透明電極５の手前で吸収または反射により大きく減衰してしまう。この減衰を補うためにエネルギー線の強度を高めると、上記の透明電極または金属電極にダメージが生じ得る。このため、素子層４と同時に形成される第１透明電極５は、ＴＦＴ基板７１の透過表示領域において、電気的経路を構成する導電性部材（言い換えれば非絶縁体部材）のうちで最も第１透明基板１に近い位置に配置されていることが好ましい。なお、エネルギー線の照射方向が反対とされれば、このような配置への考慮は不要となる。この場合、チャネル領域４６を含む領域上に遮光マスクを設けた上で、第１透明基板１を介さずに、第１透明基板１上の第１透明電極５が設けられた面上へエネルギー線が照射される。よって、エネルギー線の照射前に、チャネル領域４６を遮光するための遮光マスクを設ける工程が必要である。
【００５０】
図１０を参照して、第２絶縁膜６が形成された第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第３のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、第３のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第３のレジストパターンから露出された、第２絶縁膜６の不要な部分が、ドライエッチング法により除去される。これにより第２絶縁膜６が所望の形状にパターニングされる。すなわち、第２絶縁膜６に第１開口部ＯＰ１および第２開口部ＯＰ２が形成される。
【００５１】
図１１を参照して、第２絶縁膜６が設けられた第１透明基板１の全面上に金属膜が形成される。例えば、Ａｌ膜がスパッタリング法により厚み３００ｎｍで形成される。この金属膜は、第１開口部ＯＰ１および第２開口部ＯＰ２に充填される部分を含む。そして、この金属膜が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜が第４のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、第４のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第４のレジストパターンから露出された、金属膜の不要な部分がエッチングにより除去される。これにより金属膜が所望の形状にパターニングされる。すなわち、金属膜から、一体の信号配線層３２およびソース電極７と、ドレイン電極８とが形成される。
【００５２】
上記エッチングはウェットエッチングにより行い得る。金属膜がＡｌ膜の場合、エッチング薬液としてＰＡＮ薬液を用い得る。ＰＡＮ薬液等の酸系の薬液に対して、酸化物半導体は一般に耐性を有していない。よって、ＰＡＮ薬液に触れると酸化物半導体は激しくエッチングされやすい。このため、エッチング薬液を用いた金属膜のパターニングの際に、金属膜と酸化物半導体層との間でエッチング選択性を確保することは難しい。本実施の形態では、酸化物半導体で形成されたチャネル領域４６上には第２絶縁膜６が設けられており、これがチャネル保護膜（エッチストッパ層）として機能する。よって、金属膜のエッチング工程における、チャネル領域４６のバックチャネル側へのダメージが抑制される。言い換えれば、ＴＦＴ基板７１（図１）のＴＦＴはエッチングストッパ構造を有している。
【００５３】
図１２を参照して、ソース電極７、ドレイン電極８および信号配線層３２が設けられた第１透明基板１の全面上に第２の透明酸化物膜が形成される。例えば、第２の透明酸化物膜としてＩＴＯ膜が、スパッタリング法により厚み１００ｎｍで形成される。そして、この第２の透明酸化物膜が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第５のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、第５のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第５のレジストパターンから露出された、第２の透明酸化物膜の不要な部分が、ドライエッチング法により除去される。これにより第２の透明酸化物膜が所定の形状にパターニングされる。すなわち第２透明電極９が形成される。第２透明電極９は、第１透明電極５から電気的に絶縁されつつ第１透明電極５と対向することにより、第１透明電極５と共に保持容量を形成する。
【００５４】
図１３を参照して、第２透明電極９が設けられた第１透明基板１の全面上に第３絶縁膜１０が形成される。例えば、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜が厚み４００ｎｍで成膜される。第３絶縁膜１０が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により、感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第６のフォトマスク（図示せず）を用いてパターニングすることにより、第６のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第６のレジストパターンから露出する、第３絶縁膜１０および第２絶縁膜６の積層体の不要部分が、ドライエッチング法により除去される。これにより第３絶縁膜１０および第２絶縁膜６が所定の形状にパターニングされる。すなわち、第３絶縁膜１０および第２絶縁膜６の積層体に、第１透明電極５を部分的に露出する第３開口部ＯＰ３が形成される。
【００５５】
図１４を参照して、第３絶縁膜１０が設けられた第１透明基板１の全面上に、共通電極配線層１２となる部分を有する金属層が形成される。このとき、金属層は第３開口部ＯＰ３を覆うように形成される。よって金属層は第１透明電極５と接続される。例えば、金属層としてＡｌ膜がスパッタリング法により厚み３００ｎｍで形成される。そして、この金属層が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第８のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、第８のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、この第８のレジストパターンから露出する、金属層の不要な部分が、ウェットエッチング法により除去される。これにより金属層が所定の形状にパターニングされる。すなわち共通電極配線層１２が形成される。
【００５６】
図１５を参照して、共通電極配線層１２が設けられた第１透明基板１の全面上に、第３透明電極１１となる部分を有する第３の透明酸化物膜が形成される。例えば、第３の透明酸化物膜としてＩＴＯ膜が、スパッタリング法により厚み１００ｎｍで形成される。第３の酸化物膜は、共通電極配線層１２上に形成される部分を含む。そして、この第３の透明酸化物膜が設けられた第１透明基板１の全面上に、スピンコーティング法により感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜が、第７のフォトマスク（図示せず）を用いて櫛歯状にパターニングされる。これにより第７のレジストパターン（図示せず）が形成される。さらに、上記第７のレジストパターンから露出する、第３の透明酸化物膜の不要部分が、ウェットエッチング法により除去される。これにより第３の透明酸化物膜が所定の形状にパターニングされる。すなわち第３透明電極１１が形成される。
【００５７】
再び図１を参照して、第１配向膜１３が形成されることにより、ＴＦＴ基板７１が得られる。ＴＦＴ基板７１にＣＦ基板８１が取り付けられる。これら基板の間に液晶層２２が設けられる。以上により、液晶表示装置９１が得られる。
【００５８】
なお上記においては、エネルギー線４４（図９）の照射が第２絶縁膜６の成膜直後に行わる場合について説明した。しかしながら、照射のタイミングはこれに限定されるものではない。エネルギー線の照射は、素子層４および第１透明電極５となる部分を含む透明酸化物層４０の成膜後の任意のタイミングで行われ得る。ただし、本発明者らによれば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）およびスズ（Ｓｎ）のうち少なくとも１つを含む透明酸化物材料からなる半導体膜に対する紫外線等の照射による低抵抗化の効果は、半導体膜単体の状態に比して、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＮ、ＳｉＯまたはＳｉＯＮからなる絶縁膜に半導体膜が挟まれた状態の方が大きいという知見が実験的に得られている。この理論的なメカニズムは完全には明らかでないが、本発明者らは次のように推測している。ＣＶＤ法でＳｉＮ、ＳｉＯまたはＳｉＯＮからなる絶縁膜が成膜される場合、材料ガスとして、通常、水素を含むシランガス（ＳｉＨ4）が用いられる。よってこの絶縁膜に水素原子が含有される。このため、紫外線照射により絶縁膜との界面から酸化物半導体膜中へ水素原子が拡散する。拡散された水素原子がドナーとして働くことで電子キャリアが発生する。これにより酸化物半導体膜の低抵抗化が生じる。したがって、紫外線照射等による第１透明電極５の低抵抗化工程は、第２絶縁膜６の成膜後に実施することが好ましい。また第１絶縁膜３および第２絶縁膜６は、ＳｉＨ4ガスを用いたＣＶＤ法で成膜することが好ましいと考えられる。
【００５９】
（効果）
本実施の形態の液晶表示装置９１によれば、ＴＦＴ基板７１に第１透明電極５が設けられることにより、大きな保持容量を確保することができる。具体的には、第２絶縁膜６を介して第１透明電極５と第２透明電極９とにより構成された第１保持容量と、第３絶縁膜１０を介して第２透明電極９と第３透明電極１１とにより構成された第２保持容量との２つの保持容量が形成されるので、基板面積当たりの保持容量を増大することができる。特に、上記第１保持容量は、その１対の構成電極が共に平面電極であるため、電極面積を広く確保することができる。また第１透明電極５が透明であることにより、大きな開口率を確保することができる。さらに、第１透明電極５は、素子層４と同様に第１の絶縁膜３上に直接配置されており、かつ素子層４の組成と同一の組成を有している。これにより、第１透明電極５および素子層４について、成膜工程およびパターニング工程の各々を同時に行うことができる。つまり、第１透明電極５の形成のためだけの成膜およびパターニングを行う必要がない。よって、第１透明電極５を設けることに起因した製造コストの上昇を抑えることができる。以上から、大きな保持容量および開口率を確保しつつ製造コストの上昇を抑制することができる。
【００６０】
チャネル領域４６は、シリコン半導体の移動度に比してより高い移動度を有し得る酸化物半導体から作られている。これにより、チャネル領域４６をより小さくすることができる。よってＴＦＴ基板７１の開口率をより高めることができる。
【００６１】
第１透明電極５および第２透明電極９による保持容量を形成するための誘電体層として、これらの間に第２絶縁膜６が設けられる。この第２絶縁膜６は、素子層４のチャネル領域４６を覆う部分を有している。これにより、第２絶縁膜６は、エッチング工程においてダメージを受けやすい酸化物半導体から作られたチャネル領域４６を保護するチャネル保護膜（エッチングストッパ層）としての機能も有する。よって、マスクの数および製造工程の数を増やすことなく、チャネル領域４６を保護することができる。よって製造コストをより抑制することができる。
【００６２】
第１透明電極５および第２透明電極９による保持容量を形成するための誘電体層としての第２絶縁膜６は、ゲート絶縁膜としての第１絶縁膜３よりも薄い。これにより、第２絶縁膜６を薄くすることで保持容量をより高めつつ、ゲート絶縁膜の厚みを十分に確保することができる。ゲート絶縁膜の厚みが十分であることにより、ＴＦＴの耐電圧をより確実に確保することができる。よって液晶表示装置９１の歩留まりを高めることができる。例えば、液晶表示装置９１の動作時には、ゲート電極２とドレイン電極８との間に、典型的には数十Ｖの電圧が印加される。このため、ゲート絶縁膜として機能する第１絶縁膜３の膜厚は、十分な絶縁耐圧のマージンを確保するために、通常３００ｎｍ〜４００ｎｍ以上とする必要がある。一方、画素電極としての第２透明電極９に印加される電圧は数Ｖ以下と低いため、大きな絶縁耐圧は必要ない。よって第２絶縁膜６の膜厚を大きくする必要はない。
【００６３】
第１透明電極５の抵抗率は、素子層４のチャネル領域４６の抵抗率よりも低い。これにより、第１透明電極５によって構成される保持容量の抵抗成分を小さくすることができる。
【００６４】
第１透明電極５の電子キャリア濃度は、素子層４のチャネル領域４６の電子キャリア濃度よりも高い。これにより、第１透明電極５の組成と素子層４の組成とが同一でありながら、第１透明電極５の抵抗率をチャネル領域４６の抵抗率よりも低くすることができる。
【００６５】
本実施の形態の液晶表示装置９１の製造方法によれば、第１透明電極５が設けられることにより、大きな保持容量を確保することができる。また第１透明電極５が透明であることにより、大きな開口率を確保することができる。さらに、第１透明電極５は素子層４と共に、予め成膜された透明酸化物層４０（図６）から形成される。つまり、第１透明電極５の形成のためだけの成膜およびパターニングを行う必要がない。よって、第１透明電極５を設けることに起因した製造コストの上昇を抑えることができる。以上から、大きな保持容量および開口率を確保しつつ製造コストの上昇を抑制することができる。
【００６６】
透明酸化物層４０のパターニングにおいて、素子層４および第１透明電極５に対応するパターンを有する第２のレジストパターン４１（図６）がマスク層として用いられる。これにより、素子層４および第１透明電極５のそれぞれに対応する２つのマスク層を形成する必要がない。よって製造コストの上昇をより抑制することができる。
【００６７】
第１透明電極５の抵抗率の低減はエネルギー線４４（図９）の照射によって行われる。これにより、第１透明電極５の抵抗率の低減を容易に行うことができる。
【００６８】
素子層４のチャネル領域４６は、エネルギー線４４（図９）からゲート電極２によって遮蔽される。これにより、チャネル領域４６をエネルギー線４４から遮蔽するための特別な構成を設ける必要がない。よって製造コストの上昇をより抑制することができる。
【００６９】
第１透明電極５と第１透明基板１との間には、電気的経路を構成する非絶縁体部材（導電性部材）が配置されないことが好ましい。これにより、第１透明基板１を介したエネルギー線４４（図９）の照射において、エネルギー線の大きな減衰、または上記導電性部材の劣化が生じることが避けられる。
【００７０】
＜実施の形態２＞
（構成）
図１６は、本実施の形態の液晶表示装置９２の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線ＸＶＩ−ＸＶＩ（図１７）に沿って概略的に示す部分断面図である。図１７は、液晶表示装置９２が有するＴＦＴ基板７２（アレイ基板）の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。なお図１７においては、図を見やすくするために、第１配向膜１３（図１６）および第３絶縁膜１０は図示されておらず、また第３透明電極１１（図１６）についてはそのスリット状開口部ＯＰＳのみが二点鎖線で示されている。
【００７１】
液晶表示装置９２は、液晶表示装置９１のＴＦＴ基板７１（図１）に代わり、ＴＦＴ基板７２を有している。ＴＦＴ基板７２のＴＦＴ基板７１との主な違いは、共通電極配線層１２に代わり、共通電極配線層１２ｍが設けられていることである。共通電極配線層１２ｍは第１透明基板１上に配置されている。言い換えれば、共通電極配線層１２ｍは、第２導体層ＬＹ２（図１７）と同一層に形成されている。これに付随して、共通電極配線層１２ｍが第１透明電極５および第３透明電極１１と電気的に接続されるための、実施の形態１と異なる構造が設けられている。
【００７２】
共通電極配線層１２ｍは、第１透明基板１の液晶層２２に面する面上において、走査配線層３１に平行に延びる部分（図１７において横方向に延びる部分）を有している。第１絶縁膜３および第１透明電極５の積層体（図１６）は、共通電極配線層１２ｍ上に第３開口部ＯＰ３を有しており、これにより共通電極配線層１２ｍが部分的に露出されている。さらに、第２絶縁膜６および第３絶縁膜１０の積層体は、第３開口部ＯＰ３上に、より大きい第４開口部ＯＰ４を有しており、これにより共通電極配線層１２ｍおよび第１透明電極５が表面に露出されている。第３透明電極１１は、第３開口部ＯＰ３および第４開口部ＯＰ４を覆っている。これにより、第１透明電極５、第３透明電極１１および共通電極配線層１２ｍが、互いに電気的に接続されている。
【００７３】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００７４】
（製造方法）
次に、液晶表示装置９２のＴＦＴ基板７２の製造方法について、以下に説明する。
【００７５】
図１８を参照して、第１透明基板１の全面上に金属層５０が形成される。例えば、金属層５０としてＡｌ膜が、スパッタリング法により厚み３００ｎｍで成膜される。続いて、金属層５０上にスピンコーティング法により、感光性樹脂膜（図示せず）が塗布される。その後、この感光性樹脂膜を第１のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、第１のレジストパターン５１が形成される。さらに、第１のレジストパターン５１から露出する、金属層５０の不要部分が、ウェットエッチング法により除去される。その後、第１のレジストパターン５１が剥離される。
【００７６】
図１９を参照して、上記エッチングにより、ゲート電極２を含む第２導体層ＬＹ２（図１７）と、共通電極配線層１２ｍとが、一括して形成される。
【００７７】
図２０を参照して、図５〜図７（実施の形態１）とほぼ同様の方法により、第１絶縁膜３、素子層４および第１透明電極５が形成される。本実施の形態においては、第１絶縁膜３が共通電極配線層１２ｍを覆う。また第１透明電極５に、第３開口部ＯＰ３（図１６）の一部となる開口が形成される。この開口は第１絶縁膜３を部分的に露出する。
【００７８】
図２１を参照して、図８〜図１０（実施の形態１）と同様の方法により、第２絶縁膜６の形成と、エネルギー線の照射とが行われる。図２２および図２３を参照して、図１１および図１２（実施の形態１）と同様に、一体の信号配線層３２およびソース電極７と、ドレイン電極８と、第２透明電極９とが形成される。
【００７９】
図２４を参照して、図１３（実施の形態１）と同様に、第３絶縁膜１０が形成される。また本実施の形態においては、第３絶縁膜１０および第２絶縁膜６に第４開口部ＯＰ４が形成される。さらに、第１透明電極５の開口内を充填していた第２絶縁膜６が除去され、さらに第１絶縁膜３に開口が形成されることで、第３開口部ＯＰ３が形成される。第４開口部ＯＰ４および第３開口部ＯＰ３の形成はウェットエッチングにより行い得る。具体的には、第３絶縁膜１０および第２絶縁膜６をエッチングするためのエッチング液として、第１透明電極５との選択比の高いエッチング液が用いられる。これにより、第１透明電極５のパターンを残したまま、第３絶縁膜１０、第２絶縁膜６および第１絶縁膜３を除去することができる。このエッチングにより、共通電極配線層１２ｍと第１透明電極５との両方が表面に露出した開口部を形成することができる。
【００８０】
図２５を参照して、図１５（実施の形態１）と同様に、第３透明電極１１が形成される。本実施の形態においては、第３透明電極１１は、第３開口部ＯＰ３および第４開口部ＯＰ４を覆う。
【００８１】
上記以降の、ＴＦＴ基板７２を得るための工程、およびそれを用いて液晶表示装置９２を得るための工程は、実施の形態１と同様であるため、その説明を繰り返さない。
【００８２】
（効果）
本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。さらに本実施の形態によれば、図１８および図１９に示すように、ゲート電極２を含む第２導体層ＬＹ２（図１７）と、共通電極配線層１２ｍとを、同時に形成することができる。このため、工程数およびマスク数を削減することができる。よって製造コストをより低減することが可能である。
【００８３】
＜実施の形態３＞
（構成）
上記実施の形態１および２ではＦＦＳ方式の液晶表示装置９１および９２について説明した。すなわち横電界方式の液晶表示装置について説明した。本実施の形態においては、縦電界方式の液晶表示装置について説明する。
【００８４】
図２６は、本実施の形態の液晶表示装置９３の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で線ＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ（図２７）に沿って概略的に示す部分断面図である。図２７は、液晶表示装置９３が有するＴＦＴ基板７３の構成を、１つの画素領域に対応する範囲で概略的に示す部分平面図である。なお図２７においては、図を見やすくするために、第１配向膜１３（図２６）は図示されていない。液晶表示装置９３は、ＴＦＴ基板７３（アレイ基板）と、液晶層２２と、ＣＦ基板８３（対向基板）とを有している。
【００８５】
実施の形態２と異なり、ＴＦＴ基板７３は第３絶縁膜１０（図１６）を有しておらず、第４開口部ＯＰ４は第２絶縁膜６に形成されている。またＴＦＴ基板７３は、第３透明電極１１（図１６）の代わりに第３透明電極２７を有している。第３透明電極２７は、第３透明電極１１と同様に、第３開口部ＯＰ３および第４開口部ＯＰ４を覆うことで第１透明電極５と共通電極配線層１２ｍとの間を電気的に接続している。第３透明電極２７は、画素電極として機能する第２透明電極９と同一層に形成されている。第２透明電極９と第３透明電極２７とは、パターニングにより電気的に分離されている。
【００８６】
ＣＦ基板８３は、ＣＦ基板８１（図１６）の構成に加えて、透明電極である対向電極２８を有している。この構成により、ＣＦ基板８３の対向電極２８と、ＴＦＴ基板７３の第２透明電極９との間に、液晶層２２を駆動するための、ＴＦＴ基板７３の表面に垂直な成分を有する電界を発生させることができる。
【００８７】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００８８】
（製造方法）
次に、液晶表示装置９３のＴＦＴ基板７３の製造方法について、以下に説明する。なお図２０までは実施の形態２と同様の工程が行われる。
【００８９】
図２８を参照して、第２絶縁膜６を成膜後、第３絶縁膜１０（図２４：実施の形態２）は形成せずに、実施の形態２と同様の方法により第４開口部ＯＰ４および第３開口部ＯＰ３が形成される。図２９を参照して、実施の形態２と同様に、ソース電極７およびドレイン電極８が形成される。
【００９０】
図３０を参照して、実施の形態１および２と同様に、第２の透明酸化物膜が成膜される。第２の透明酸化物膜がパターニングされることにより、透過表示領域のうち第４開口部ＯＰ４を除いた領域からドレイン電極８上にかけての領域と、第４開口部ＯＰ４を覆うように形成された領域とを有するパターンが同時に形成される。前者は第２透明電極９に、後者は第３透明電極２７に対応する。このパターニングにより、第２透明電極９と第３透明電極２７とは物理的に分離される。
【００９１】
上記以降の、ＴＦＴ基板７３を得るための工程は、実施の形態２とほぼ同様であるため、その説明を繰り返さない。ＴＦＴ基板７３にＣＦ基板８３が取り付けられ、さらに液晶層２２が設けられることにより、液晶表示装置９３が得られる。
【００９２】
（効果）
本実施の形態の液晶表示装置９３によれば、ＴＦＴ基板７３に第１透明電極５が設けられることにより、保持容量を確保することができる。具体的には、第２絶縁膜６を介して第１透明電極５と第２透明電極９とにより保持容量が形成される。その他、実施の形態２とほぼ同様の効果が得られる。
【００９３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００９４】
ＯＰ１  第１開口部、ＯＰ２  第２開口部、ＯＰ３  第３開口部、ＯＰ４  第４開口部、ＬＹ１  第１導体層、ＬＹ２  第２導体層、ＯＰＳ  スリット状開口部、１  第１透明基板、２  ゲート電極、３  第１絶縁膜、４  素子層、５  第１透明電極、６  第２絶縁膜、７  ソース電極、８  ドレイン電極、９  第２透明電極、１０  第３絶縁膜、１１，２７  第３透明電極、１２，１２ｍ  共通電極配線層、１３  第１配向膜、１７  第２透明基板、１８  遮光膜、２０  保護膜、２１  第２配向膜、２２  液晶層、２８  対向電極、３１  走査配線層、３２  信号配線層、４０  透明酸化物層、４１  第２のレジストパターン（マスク層）、４４  エネルギー線、４６  チャネル領域、４７  第１端部、４８  第２端部、５０  金属層、５１  第１のレジストパターン、７１，７２，７３  ＴＦＴ基板（アレイ基板）、８１，８３  ＣＦ基板（対向基板）、９１〜９３  液晶表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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