(57)【要約】【課題】額縁領域の幅を狭くした場合でも、不純物イオンが表示領域の内部に広がって移動すること、及び、シールが剥がれること、を防止又は抑制する。【解決手段】基板ＢＳは、表示領域ＤＰＡの外側に位置する額縁領域ＦＡ１と、額縁領域ＦＡ１よりも基板ＢＳの外周側に位置する額縁領域ＦＡ２と、額縁領域ＦＡ２よりも基板ＢＳの外周側に位置する額縁領域ＦＡ３と、を有する。また、基板ＢＳは、額縁領域ＦＡ１に形成された電極ＥＣ１と、額縁領域ＦＡ２に形成された電極ＥＣ２と、額縁領域ＦＡ３に形成された電極ＥＣ３と、を有する。電極ＥＣ１には、第１電位が印加され、電極ＥＣ２には、絶対値が第１電位よりも大きい第２電位が印加され、電極ＥＣ３には、第２電位と異なる第３電位が印加される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１画素領域を含む表示領域を有する基板と、
平面視において前記表示領域の外側に形成された遮光膜と、
前記表示領域と対向した液晶層と、
を備えた表示装置であって、
前記基板は、
平面視において前記遮光膜と重畳し、かつ、平面視において前記表示領域の外側に位置する第１周辺領域と、
前記第１周辺領域よりも平面視において前記基板の外周側に位置する第２周辺領域と、
前記第２周辺領域よりも平面視において前記外周側に位置する第３周辺領域と、
前記第１周辺領域に形成された第１電極と、
前記第２周辺領域に形成された第２電極と、
前記第３周辺領域に形成された第３電極と、
を有し、
前記第１電極には、第１電位が印加され、
前記第２電極には、絶対値が前記第１電位よりも大きい第２電位が印加され、
前記第３電極には、前記第２電位と異なる第３電位が印加される、表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記第１周辺領域は、複数の第２画素領域を含み、
前記第１電極は、前記第２画素領域に形成されている、表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記基板は、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、
前記第１画素領域に形成された画素電極と、
を有し、
前記第３電極と前記画素電極とは、同一の層に形成されている、表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記基板は、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、
を有し、
前記第３電極は、前記絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜は、前記第２周辺領域に溝部を有し、
前記溝部の底部に前記第２電極が形成されている、表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記基板は、
複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差する複数の映像線と、
を有し、
前記複数の第１画素領域は、前記複数の走査線と前記複数の映像線とが互いに交差することによって形成され、
前記第２電極は、前記走査線に接続される走査引き出し線、又は、前記映像線に接続される映像引き出し線である、表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第３電極には、前記第２電位と逆極性の前記第３電位が印加される、表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記液晶層を封止するシールを備え、
前記第２電極は、平面視において前記シールと重畳せず、
前記第３電極は、平面視において前記シールと重畳している、表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第３電極には、前記第２電位よりも絶対値が大きい前記第３電位が印加される、表示装置。
【請求項９】
請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記基板は、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、
前記液晶層を配向させる配向膜と、
前記第３周辺領域に形成され、前記液晶層を封止するシールと、
を有し、
前記第３周辺領域において前記シールと前記配向膜とは接し、
前記第３周辺領域において前記絶縁膜と前記配向膜との間に前記第３電極が形成されている、表示装置。
【請求項１０】
請求項４に記載の表示装置において、
前記溝部は、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極とが配列している方向に、交差する方向に延在している、表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記基板は、
複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差する複数の映像線と、
を有し、
前記複数の第１画素領域は、前記複数の走査線と前記複数の映像線とが互いに交差することによって形成され、
前記第２電極は、前記映像線と同じ材料からなる、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、例えば、複数の画素が設けられた表示領域を有する表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示領域に設けられた複数の画素に、複数の信号線を介して信号を供給し、画像を表示させる表示装置がある。このような表示装置では、表示装置を小型化し、かつ、表示領域を大きくするために、表示領域の外側の額縁領域の幅を縮小することが求められる。
【０００３】
表示装置は、表示面側の基板と、表示面側と反対側の基板と、表示面側の基板と表示面側と反対側の基板との間に配置された液晶層と、を有する。また、このような表示装置は、平面視において、額縁領域に形成され、液晶層を封止するシールを有する。
【０００４】
特開２００８−２６８６９号公報（特許文献１）には、表示装置において、画素電極を有するアレイ基板と、アレイ基板に対向配置され、対向電極を有する対向基板と、表示領域を囲むように形成され、アレイ基板及び対向基板を貼り合わせるシール材と、を備える技術が記載されている。
【０００５】
特開２００９−２６５４８４号公報（特許文献２）には、液晶表示装置において、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向し、カラーフィルタが形成された対向基板との間に液晶層が挟持され、液晶層はＴＦＴ基板と対向基板の周辺に形成されたシール材によって封止される技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２６８６９号公報
【特許文献２】特開２００９−２６５４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような表示装置においては、表示装置の外部から浸入した水分、又は、表示装置の各部分に含まれている不純物から、不純物イオンが発生する。発生した不純物イオンは、各配線により形成される電界により移動し、徐々に集まる。そのため、発生する不純物イオンの量が多い場合、又は、額縁領域の幅が狭い場合には、発生する不純物イオンは、表示領域の内部にも広がって移動し、表示領域で表示される画像に不良が発生するおそれがある。
【０００８】
また、表示装置の外部から水分が浸入することを防止するためには、表示面と反対側の基板からシールが剥がれることを防止することが重要であるが、シールが剥がれることを防止するためには、シールの幅を太くする必要があるので、額縁領域の幅を容易に狭くすることはできない。
【０００９】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、額縁領域の幅を狭くした場合でも、不純物イオンが表示領域の内部に広がって移動すること、及び、シールが剥がれること、を防止又は抑制することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明の一態様としての表示装置は、複数の第１画素領域を含む表示領域を有する基板と、平面視において表示領域の外側に形成された遮光膜と、表示領域と対向した液晶層と、を備えている。基板は、平面視において遮光膜と重畳し、かつ、平面視において表示領域の外側に位置する第１周辺領域と、第１周辺領域よりも平面視において基板の外周側に位置する第２周辺領域と、第２周辺領域よりも平面視において外周側に位置する第３周辺領域と、を有する。また、基板は、第１周辺領域に形成された第１電極と、第２周辺領域に形成された第２電極と、第３周辺領域に形成された第３電極と、を有する。第１電極には、第１電位が印加され、第２電極には、絶対値が第１電位よりも大きい第２電位が印加され、第３電極には、第２電位と異なる第３電位が印加される。
【００１２】
また、他の一態様として、第１周辺領域は、複数の第２画素領域を含み、第１電極は、第２画素領域に形成されていてもよい。
【００１３】
また、他の一態様として、基板は、絶縁性基材と、絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、第１画素領域に形成された画素電極と、を有し、第３電極と画素電極とは、同一の層に形成されていてもよい。
【００１４】
また、他の一態様として、基板は、絶縁性基材と、絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、を有し、第３電極は、絶縁膜上に形成され、絶縁膜は、第２周辺領域に溝部を有し、溝部の底部に第２電極が形成されていてもよい。
【００１５】
また、他の一態様として、基板は、複数の走査線と、複数の走査線と交差する複数の映像線と、を有し、複数の第１画素領域は、複数の走査線と複数の映像線とが互いに交差することによって形成され、第２電極は、走査線に接続される走査引き出し線、又は、映像線に接続される映像引き出し線であってもよい。
【００１６】
また、他の一態様として、第３電極には、第２電位と逆極性の第３電位が印加されてもよい。
【００１７】
また、他の一態様として、当該表示装置は、液晶層を封止するシールを備え、第２電極は、平面視においてシールと重畳せず、第３電極は、平面視においてシールと重畳していてもよい。
【００１８】
また、他の一態様として、第３電極には、第２電位よりも絶対値が大きい第３電位が印加されてもよい。
【００１９】
また、他の一態様として、基板は、絶縁性基材と、絶縁性基材上に形成された絶縁膜と、液晶層を配向させる配向膜と、第３周辺領域に形成され、液晶層を封止するシールと、を有し、第３周辺領域においてシールと配向膜とは接し、第３周辺領域において絶縁膜と配向膜との間に第３電極が形成されていてもよい。
【００２０】
また、他の一態様として、溝部は、第１電極と第２電極と第３電極とが配列している方向に、交差する方向に延在していてもよい。
【００２１】
また、他の一態様として、基板は、複数の走査線と、複数の走査線と交差する複数の映像線と、を有し、複数の第１画素領域は、複数の走査線と複数の映像線とが互いに交差することによって形成され、第２電極は、映像線と同じ材料からなってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。
【図２】実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。
【図３】実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。
【図４】実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。
【図５】比較例の表示装置における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【図６】実施の形態の表示装置の一例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【図７】実施の形態の表示装置の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【図８】実施の形態の表示装置の変形例の一例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【図９】実施の形態の表示装置の変形例の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【図１０】実施の形態の表示装置の変形例の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００２５】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。また、本明細書の表示装置の構造説明において、「上」とは基板ＢＳに対してトランジスタＴｒや制御回路を形成する側を示す。また、「下」は「上」とは反対側を示す。
【００２６】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００２７】
以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域に設けられた複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。上記のような表示装置には、例えば、液晶表示装置、あるいは有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置など、種々の表示装置が例示できる。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。
【００２８】
また、液晶表示装置は、表示機能層である液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の２通りに分類される。すなわち、第１の分類として、表示装置の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される、いわゆる縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertical Alignment）モードなどがある。また、第２の分類として、表示装置の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される、いわゆる横電界モードがある。横電界モードには、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードや、ＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどがある。なお、上述の縦電界モードには、表示装置の厚さ方向と平面方向との間である斜め方向に電界を発生させる場合も含まれる。以下で説明する技術は、縦電界モード及び横電界モードのいずれにも適用できるが、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明する。
【００２９】
（実施の形態）
＜表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について説明する。図１は、実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図２及び図３は、実施の形態の表示装置の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図２のＢ部の拡大断面図である。
【００３０】
なお、図１では、平面視における表示領域ＤＰＡと額縁領域（周辺領域）ＦＬＡの境界を見易くするため、表示領域ＤＰＡの輪郭を二点鎖線で示している。また、図１に示す複数の信号線ＳＬは、額縁領域ＦＬＡから表示領域ＤＰＡまで延びている。しかし、図１では見易さのため、表示領域ＤＰＡでは、信号線ＳＬの図示を省略している。また、図２は、断面であるが、見易さのためにハッチングは省略している。
【００３１】
図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＬＣＤは、画像を表示する表示部ＤＰを有する。基板ＢＳの表示面側である前面ＢＳｆ（図２参照）側の領域であって、表示部ＤＰが設けられた領域が、表示領域ＤＰＡである。また、表示装置ＬＣＤは、平面視において、表示部ＤＰの周囲の枠状の部分であって、画像を表示しない額縁部（周辺部）ＦＬを有する。額縁部ＦＬが設けられた領域が、額縁領域ＦＬＡである。すなわち、額縁領域ＦＬＡは、表示領域ＤＰＡの周囲の枠状の領域であるが、枠状に限定されるものではない。
【００３２】
なお、本願明細書において、平面視において、とは、基板ＢＳの前面ＢＳｆに垂直な方向から視た場合を意味する。
【００３３】
また、表示装置ＬＣＤは、対向配置される一対の基板の間に、表示機能層である液晶層が形成された構造を備える。すなわち、図２に示すように、表示装置ＬＣＤは、表示面側の基板ＦＳと、表示面側と反対側の基板ＢＳと、基板ＦＳと基板ＢＳとの間に配置された液晶層ＬＣＬ（図３参照）と、を有する。液晶層ＬＣＬは、表示領域ＤＰＡと対向している。
【００３４】
基板ＢＳの前面ＢＳｆ（図２参照）内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｙ軸方向及びＸ軸方向とする。このとき、図１に示す基板ＢＳは、平面視において、Ｘ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ１に平行してＸ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ２、Ｘ軸方向に対して交差、好適には直交するＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ３、及び、辺ＢＳｓ３に平行してＹ軸方向に沿って延びる辺ＢＳｓ４を有する。図１に示す基板ＢＳが有する辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、及び辺ＢＳｓ４のそれぞれから表示部ＤＰまでの距離は、同程度であって、辺ＢＳｓ１から表示部ＤＰまでの距離よりも短い。
【００３５】
以下、本願明細書において、基板ＢＳの周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの外縁を構成する辺ＢＳｓ１、辺ＢＳｓ２、辺ＢＳｓ３、及び、辺ＢＳｓ４のうちのいずれかを意味する。また、単に周縁部と記載した場合には、基板ＢＳの周縁部を意味する。また、基板ＢＳの周縁部を、基板ＢＳの端部と称する場合がある。
【００３６】
表示部ＤＰは、複数の表示素子としての画素Ｐｘ（後述する図４参照）を有する。すなわち、複数の画素Ｐｘは、表示領域ＤＰＡに設けられている。複数の画素Ｐｘは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。本実施の形態では、複数の画素Ｐｘの各々は、基板ＢＳの前面ＢＳｆ側の表示領域ＤＰＡに形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する。
【００３７】
表示装置ＬＣＤの基板ＢＳは、後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線（映像線）ＳＬと、を有する。後述する図４を用いて説明するように、複数の走査線ＧＬの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の画素Ｐｘと電気的に接続され、複数の信号線ＳＬの各々は、Ｙ軸方向に配列された複数の画素Ｐｘと電気的に接続されている。
【００３８】
また、表示装置ＬＣＤは、回路部ＣＣを有する。回路部ＣＣは、走査線駆動回路ＣＧと、信号線駆動回路ＣＳと、を含む。走査線駆動回路ＣＧは、複数の走査線ＧＬを介して、複数の画素Ｐｘと電気的に接続され、信号線駆動回路ＣＳは、複数の信号線ＳＬを介して、複数の画素Ｐｘと電気的に接続されている。
【００３９】
また、図１に示す例では、額縁領域ＦＬＡのうち、基板ＢＳの辺ＢＳｓ１と表示部ＤＰとの間の部分である、額縁領域ＦＬＡ１には、半導体チップＣＨＰが設けられている。半導体チップＣＨＰ内には、信号線駆動回路ＣＳが設けられている。したがって、信号線駆動回路ＣＳは、基板ＢＳの前面ＢＳｆ側の領域であって、表示領域ＤＰＡに対して、Ｙ軸方向における負側に配置された領域である額縁領域ＦＬＡ１に設けられている。
【００４０】
なお、本願明細書における「Ｙ軸方向における負側」とは、図中のＹ軸方向を示す矢印が延びる側と反対側を示す。
【００４１】
また、半導体チップＣＨＰは、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて額縁領域ＦＬＡ１に設けられてもよく、あるいは、基板ＢＳの外部に設けられ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を介して表示装置ＬＣＤと接続されてもよい。また、信号線ＳＬの配置の詳細については、後述する図４を用いて説明する。
【００４２】
表示装置ＬＣＤは、平面視において、額縁領域ＦＬＡに形成されたシール部を有する。シール部は、表示部ＤＰの周囲を連続的に囲むように形成され、図２に示す基板ＦＳと基板ＢＳは、シール部に設けられるシールにより接着固定される。このように、表示部ＤＰの周囲にシール部を設けることで、表示機能層である液晶層ＬＣＬ（図３参照）を封止することができる。
【００４３】
また、図２に示すように、表示装置ＬＣＤの基板ＢＳの表示面側と反対側である背面ＢＳｂ側には、光源ＬＳから発生し観者ＶＷ（図３参照）に向かう光を偏光する偏光板ＰＬ２が設けられている。偏光板ＰＬ２は、基板ＢＳに固定されている。一方、基板ＦＳの表示面側である前面ＦＳｆ側には、偏光板ＰＬ１が設けられている。偏光板ＰＬ１は、基板ＦＳに固定されている。
【００４４】
また、図３に示すように、表示装置ＬＣＤは、基板ＦＳと基板ＢＳの間に配置される複数の画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、を有する。本実施の形態の表示装置ＬＣＤは、上記したように横電界モードの表示装置なので、複数の画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、それぞれ基板ＢＳに形成されている。
【００４５】
図３に示す、基板ＢＳは、ガラス基板などからなる絶縁性の基材ＢＳｇを含み、主として画像表示用の回路が基材ＢＳｇに形成されている。基板ＢＳは、基板ＦＳ側に位置する前面ＢＳｆ及びその反対側に位置する背面ＢＳｂ（図２参照）を有する。また、基板ＢＳの前面ＢＳｆ側には、ＴＦＴなどの表示素子と、複数の画素電極ＰＥがマトリクス状に形成されている。
【００４６】
図３に示す例は、横電界モード（詳しくはＦＦＳモード）の表示装置ＬＣＤを示しているので、共通電極ＣＥは、基板ＢＳが備える基材ＢＳｇの前面側に形成され、絶縁膜ＩＦ２に覆われる。また、複数の画素電極ＰＥは、絶縁膜ＩＦ２を介して共通電極ＣＥと対向するように絶縁膜ＩＦ２の基板ＦＳ側に形成される。
【００４７】
また、図３に示す基板ＦＳは、ガラス基板などからなる基材ＦＳｇに、カラー表示の画像を形成するカラーフィルタＣＦが形成された基板であって、表示面側である前面ＦＳｆ（図２参照）及び前面ＦＳｆの反対側に位置する背面ＦＳｂを有する。基板ＦＳのように、カラーフィルタＣＦが形成された基板は、上記したＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板としての基板ＢＳと区別する際に、カラーフィルタ基板、あるいは、液晶層を介してＴＦＴ基板と対向するため、対向基板と呼ばれる。なお、図３に対する変形例としては、カラーフィルタＣＦをＴＦＴ基板としての基板ＢＳに設ける構成を採用してもよい。
【００４８】
基板ＦＳは、例えばガラス基板などの基材ＦＳｇの一方の面に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の３色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇ及びＣＦｂを周期的に配列して構成された力ラーフィルタＣＦが形成されている。カラー表示装置では、例えばこのＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の３色のサブピクセルを１組として、１画素（１ピクセルともいう）を構成する。基板ＦＳの複数のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇ及びＣＦｂは、基板ＢＳに形成されている画素電極ＰＥを有するそれぞれのサブピクセルと、互いに対向する位置に配置されている。
【００４９】
また、各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇ及びＣＦｂのそれぞれの境界には、遮光膜ＳＦ１が形成されている。遮光膜ＳＦ１は、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属からなる。遮光膜ＳＦ１は、平面視において格子状に形成されている。言い換えれば、基板ＦＳは、格子状に形成された遮光膜ＳＦ１の開口部に形成された、各色のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、ＣＦｇ及びＣＦｂを有する。なお、１画素を構成するものはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に限定されるものではなく、更に透明なフィルタを有するＷ（白）などを有してもよい。また、Ｗ（白）のカラーフィルタは、形成されていなくてもよく、白色又は透明のカラーフィルタでもよい。あるいは、遮光膜ＳＦ１は格子状に限定されるものでなく、ストライプ状のものであってもよい。
【００５０】
表示領域ＤＰＡでは、遮光膜ＳＦ１に複数の開口部が形成され、複数の開口部の内部に、カラーフィルタが埋め込まれている。なお、額縁領域ＦＬＡにダミーのカラーフィルタを設けてもよい。また、基板ＦＳは、カラーフィルタＣＦを覆う樹脂層ＯＣ１及び配向膜ＡＦ１を有してもよく、基板ＢＳは、配向膜ＡＦ２を有してもよい。
【００５１】
また、基板ＦＳと基板ＢＳの間には、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に表示用電圧が印加されることで表示画像を形成する液晶層ＬＣＬが設けられる。液晶層ＬＣＬは、印加された電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。
【００５２】
なお、液晶層ＬＣＬの厚さは、基板ＦＳや基板ＢＳの厚さと比較して極端に薄い。例えば、液晶層ＬＣＬの厚さは、基板ＦＳや基板ＢＳの厚さと比較すると、０．１％〜１０％程度の厚さである。
【００５３】
＜表示装置の等価回路＞
次に、図４を参照し、表示装置の等価回路について説明する。図４は、実施の形態の表示装置の等価回路を示す図である。
【００５４】
図４に示すように、表示装置ＬＣＤの表示部ＤＰは、複数の画素Ｐｘを有する。複数の画素Ｐｘは、平面視において、表示領域ＤＰＡ内で、基板ＢＳに設けられ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５５】
また、表示装置ＬＣＤの基板ＢＳは、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線（映像線）ＳＬと、を有する。複数の走査線ＧＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳ（例えば図２参照）に設けられ、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬは、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳに設けられ、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＬと、複数の走査線ＧＬとは、互いに交差する。
【００５６】
複数の画素Ｐｘの各々は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の各々の色を表示する副画素Ｓｘを含む。副画素Ｓｘの各々は、隣り合う２本の走査線ＧＬと、隣り合う２本の信号線ＳＬとに囲まれた領域に設けられているが、他の構成であってもよい。
【００５７】
各副画素Ｓｘは、薄膜トランジスタからなるトランジスタＴｒｄと、トランジスタＴｒｄのドレイン電極に接続される画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥと液晶層を挟んで対向する共通電極ＣＥと、を有する。図４では、液晶層を等価的に示す液晶容量と、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される保持容量とを、容量Ｃｌｃとして示す。なお、薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とは電位の極性によって適宜入れ替わる。
【００５８】
副画素Ｓｘが形成される領域を画素領域ＰＡ１とすると、表示領域ＤＰＡは、複数の画素領域ＰＡ１を含む。画素領域ＰＡ１は、第１画素領域としての画素領域である。画素領域ＰＡ１は、複数の走査線ＧＬと複数の信号線ＳＬとが互いに交差することによって形成されている。
【００５９】
表示装置ＬＣＤの回路部ＣＣ（図１参照）は、信号線駆動回路ＣＳと、走査線駆動回路ＣＧと、制御回路ＣＴＬと、共通電極駆動回路ＣＭと、を有する。
【００６０】
Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳｘのトランジスタＴｒｄの各々のソース電極は、信号線ＳＬに接続されている。また、複数の信号線ＳＬの各々は、信号線駆動回路ＣＳに接続されている。
【００６１】
また、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳｘのトランジスタＴｒｄの各々のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。また、各走査線ＧＬは、走査線駆動回路ＣＧに接続されている。
【００６２】
制御回路ＣＴＬは、表示装置の外部から送信されてくる表示データ、クロック信号及びディスプレイタイミング信号等の表示制御信号に基づいて、信号線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧ及び共通電極駆動回路ＣＭを、制御する。
【００６３】
制御回路ＣＴＬは、表示装置の副画素の配列や、表示方法、ＲＧＢスイッチ（図示は省略）の有無、あるいはタッチパネル（図示は省略）の有無等によって、外部から供給される表示データや表示制御信号を適宜変換して信号線駆動回路ＣＳ、走査線駆動回路ＣＧ及び共通電極駆動回路ＣＭに出力する。
【００６４】
＜額縁領域及び額縁領域付近の構成＞
次に、実施の形態と比較例とを比較しながら、額縁領域及び額縁領域付近の構成を説明する。図５は、比較例の表示装置における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。図６は、実施の形態の表示装置の一例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。図７は、実施の形態の表示装置の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。
【００６５】
まず、比較例の表示装置のうち、実施の形態の表示装置と同様の部分について説明する。言い換えれば、実施の形態の表示装置のうち、比較例の表示装置と同様の部分について説明する。
【００６６】
図５及び図６に示すように、比較例及び実施の形態のいずれにおいても、額縁領域ＦＬＡで、基板ＢＳの前面ＢＳｆには、配線ＷＧと、絶縁膜ＩＦ１と、配線ＷＳと、層間樹脂膜ＩＬ１と、絶縁膜ＩＦ２と、配向膜ＡＦ２と、が設けられている。また、図５及び図６に示すように、比較例及び実施の形態のいずれにおいても、表示領域ＤＰＡで、基板ＢＳの前面ＢＳｆには、絶縁膜ＩＦ１と、信号線ＳＬと、層間樹脂膜ＩＬ１と、共通電極ＣＥと、絶縁膜ＩＦ２と、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＦ２と、が設けられている。
【００６７】
額縁領域ＦＬＡで、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧが形成されている。配線ＷＧは、例えば走査線ＧＬ（図４参照）と同層に形成されており、例えばクロム（Ｃｒ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の金属又はそれらの合金からなる。すなわち、好適には、配線ＷＧは、金属膜又は合金膜などの遮光性を有する導電膜からなる。
【００６８】
額縁領域ＦＬＡで、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成されている。絶縁膜ＩＦ１は、例えば窒化シリコン又は酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。なお、表示領域ＤＰＡで、基材ＢＳｇ上には、絶縁膜ＩＦ１が形成されている。
【００６９】
額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。配線ＷＳは、例えば信号線ＳＬと同層に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。すなわち、好適には、配線ＷＳは、金属膜などの遮光性を有する導電膜からなる。なお、表示領域ＤＰＡで、絶縁膜ＩＦ１上には、信号線ＳＬが形成されている。
【００７０】
額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、保護膜又は平坦化膜としての層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。層間樹脂膜ＩＬ１は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。なお、表示領域ＤＰＡで、絶縁膜ＩＦ１上には、信号線ＳＬを覆うように、層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。
【００７１】
額縁領域ＦＬＡで、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が形成されている。絶縁膜ＩＦ２は、例えば窒化シリコン又は酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。
【００７２】
なお、表示領域ＤＰＡで、層間樹脂膜ＩＬ１上には、共通電極ＣＥが形成されている。共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる。また、表示領域ＤＰＡで、層間樹脂膜ＩＬ１上には、共通電極ＣＥを覆うように、絶縁膜ＩＦ２が形成されている。
【００７３】
額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成されている。配向膜ＡＦ２は、液晶層ＬＣＬを配向させる。配向膜ＡＦ２は、例えばポリイミド樹脂からなる。
【００７４】
なお、表示領域ＤＰＡで、絶縁膜ＩＦ２上には、画素電極ＰＥが形成されている。画素電極ＰＥは、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる。図４にも示したように、画素電極ＰＥは、複数の画素領域ＰＡ１の各々の内部に形成されている。また、表示領域ＤＰＡで、絶縁膜ＩＦ２上には、画素電極ＰＥを覆うように、配向膜ＡＦ２が形成されている。
【００７５】
図５及び図６に示すように、比較例及び実施の形態のいずれにおいても、額縁領域ＦＬＡで、基板ＦＳの背面ＦＳｂには、遮光膜ＳＦ２と、樹脂層ＯＣ１と、配向膜ＡＦ１と、が設けられている。
【００７６】
額縁領域ＦＬＡで、基板ＦＳの背面ＦＳｂには、遮光膜ＳＦ２が形成されている。すなわち、額縁領域ＦＬＡは、遮光膜ＳＦ２により覆われている。遮光膜ＳＦ２は、平面視において表示領域ＤＰＡの外側に形成されており、表示領域ＤＰＡの各画素領域は、平面視において遮光膜ＳＦ２と重畳しない。遮光膜ＳＦ２は、遮光膜ＳＦ１（図３参照）と同様に、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属からなる。前述したように、平面視において格子状に形成されている遮光膜ＳＦ１とは異なり、遮光膜ＳＦ２は、額縁領域ＦＬＡで、平面視において全面に亘って形成されている。
【００７７】
なお、表示領域ＤＰＡにおいて、基板ＦＳの背面ＦＳｂには、カラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦとして、例えばＲ（赤）のカラーフィルタ画素ＣＦｒ、Ｇ（緑）のカラーフィルタ画素ＣＦｇ、及び、Ｂ（青）のカラーフィルタ画素ＣＦｂ、が形成されている。
【００７８】
額縁領域ＦＬＡで、遮光膜ＳＦ２を覆うように、樹脂層ＯＣ１が形成されている。樹脂層ＯＣ１は、熱硬化性樹脂、又は、光硬化性樹脂を含有する。なお、表示領域ＤＰＡで、樹脂層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦを覆うように、形成されている。
【００７９】
なお、カラーフィルタＣＦは、遮光膜ＳＦ１（図３参照）と基板ＦＳとの間に形成されていてもよい。また、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、スペーサが形成されていてもよい。
【００８０】
額縁領域ＦＬＡにおいて、樹脂層ＯＣ１と基板ＢＳとの間には、樹脂層ＯＣ１を覆うように、配向膜ＡＦ１が形成されている。配向膜ＡＦ１は、液晶層ＬＣＬを配向させる。配向膜ＡＦ１は、例えばポリイミド樹脂からなる。
【００８１】
また、図５及び図６に示すように、比較例及び実施の形態のいずれにおいても、額縁領域ＦＬＡのうち、基板ＢＳの外周側、すなわち基板ＦＳの外周側で、絶縁膜ＩＦ２と樹脂層ＯＣ１との間には、シールＡＤＨが設けられている。すなわち、シールＡＤＨは、基板ＢＳと基板ＦＳとの間に設けられ、基板ＢＳと基板ＦＳとを接着する接着部であり、液晶層ＬＣＬを封止する封止部である。
【００８２】
次に、比較例の表示装置のうち、実施の形態の表示装置と異なる部分、及び、比較例の表示装置における問題点について説明する。
【００８３】
図５に示すように、比較例においては、額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ２は、層間樹脂膜ＩＬ１の全面上に設けられている。また、額縁領域ＦＬＡで、配向膜ＡＦ２は、平面視においてシールＡＤＨと重畳していない。
【００８４】
比較例の表示装置においては、表示装置の外部からシールＡＤＨを超えて水分が額縁領域ＦＬＡに浸入すると、浸入した水分から、不純物イオンが発生する。あるいは、液晶層ＬＣＬ、配向膜ＡＦ１若しくはＡＦ２、シールＡＤＨ、又は、基板ＢＳ若しくはＦＳなどに不純物が含まれていると、その不純物から、不純物イオンが発生する。不純物イオンが発生することにより、液晶層ＬＣＬに印加される電圧が低下するか、各画素で表示される画像に斑が発生するおそれがある。
【００８５】
また、発生した不純物イオンは、表示領域ＤＰＡで走査線ＧＬ（図４参照）及び信号線ＳＬにより形成される電界、並びに、額縁領域ＦＬＡで周辺回路に含まれる配線ＷＧ及びＷＳにより形成される電界により、引き寄せられ、徐々に集まる。そのため、発生する不純物イオンの量が多い場合、又は、額縁領域ＦＬＡの幅が狭い場合には、発生する不純物イオンは、額縁領域ＦＬＡの内部に留まらず、表示領域ＤＰＡの内部にも広がって移動し、表示領域ＤＰＡで表示される画像に不良が発生するおそれがある。
【００８６】
図５では、液晶層ＬＣＬのうち、不純物イオンが少ない部分を部分ＬＣ１とし、不純物イオンが多い部分を部分ＬＣ２とするとき、部分ＬＣ２の表示領域ＤＰＡ側の端部ＥＰ１が、表示領域ＤＰＡの内部に配置されている様子を示している。
【００８７】
一方、図５に示すように、配線ＷＧ及びＷＳを覆う有機絶縁膜からなる層間樹脂膜ＩＬ１を、さらに無機絶縁膜からなる絶縁膜ＩＦ２で覆うことにより、表示装置の外部からの水分の浸入を防止又は抑制し、浸入した水分により配線ＷＧ及びＷＳが腐食しないように配線ＷＧ及びＷＳを保護することができる。
【００８８】
しかし、無機絶縁膜からなる絶縁膜ＩＦ２と、シールＡＤＨとの間の密着力は小さいため、シールＡＤＨが絶縁膜ＩＦ２と接する場合、シールＡＤＨが基板ＢＳから剥がれやすくなる。これは、例えば絶縁膜ＩＦ２を、フッ素を含むガスを用いたドライエッチングによりパターニングする際に、絶縁膜ＩＦ２の表面にフッ素が残留してシールＡＤＨの密着力が弱くなることによると考えられる。
【００８９】
また、絶縁膜ＩＦ２とシールＡＤＨとの間に配向膜ＡＦ２が介在すると、絶縁膜ＩＦ２と、シールＡＤＨとの間の密着力は、さらに弱くなるため、シールＡＤＨは基板ＢＳからさらに剥がれやすくなる。これは、例えばシールＡＤＨの表面粗さと、配向膜ＡＦ２の表面粗さとが異なること、絶縁膜ＩＦ２又は配向膜ＡＦ２の官能基間の化学結合や、分子間力が弱いことなどが原因と考えられる。
【００９０】
このようなシールＡＤＨの剥がれを防止するために、比較例の表示装置では、シールＡＤＨの幅を太くするか、又は、シールＡＤＨが平面視において配向膜ＡＦ２と重畳しないようにする必要があり、額縁領域ＦＬＡの幅を容易に狭くすることができない。
【００９１】
周辺回路に含まれる配線ＷＧ及びＷＳにより形成される電界をシールドして不純物イオンが集まらないようにするため、また、絶縁膜ＩＦ２又は配向膜ＡＦ２とシールＡＤＨとの密着力を向上させるため、額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ２上に、画素電極ＰＥと同層の導電膜を形成することも考えられる。このような導電膜は、額縁領域ＦＬＡで周辺回路に含まれる配線ＷＧ及びＷＳをシールドする電界シールドとして用いられる。
【００９２】
ところが、額縁領域ＦＬＡで、絶縁膜ＩＦ２上に画素電極ＰＥと同層の導電膜を形成しつつ、額縁領域ＦＬＡの幅をさらに狭くする場合、導電膜が電界シールドとして用いられるため、ダミー画素電極としての画素電極を形成する領域を確保することができない。ダミー画素電極が形成されない状態で、表示装置で表示される画像の高精細化が進められた場合、導電膜をパターニングして画素電極ＰＥを形成する際のパターンの面積率が表示領域ＤＰＡと額縁領域ＦＬＡとの間で異なるため、特に額縁領域ＦＬＡと表示領域ＤＰＡの境界近傍で画素電極ＰＥの線幅などの寸法精度の均一性が低下するおそれがある。
【００９３】
本実施の形態の表示装置における技術的思想は、このような比較例の表示装置の問題点を解決するためのものであり、額縁領域ＦＬＡの幅を狭くした場合でも、不純物イオンが表示領域ＤＰＡの内部に広がって移動すること、及び、シールＡＤＨが剥がれること、を防止又は抑制するためのものである。次に、本実施の形態の表示装置における額縁領域及び額縁領域の付近の構成について説明する。実施の形態の表示装置のうち、比較例の表示装置と同様の部分については、既に説明したため、以下では、実施の形態の表示装置のうち、比較例の表示装置と異なる部分について説明する。
【００９４】
図６に示すように、本実施の形態の表示装置では、基板ＢＳは、比較例の表示装置と同様に、額縁領域ＦＬＡを有するが、額縁領域ＦＬＡは、比較例の表示装置と異なり、第１周辺領域としての額縁領域ＦＡ１と、第２周辺領域としての額縁領域ＦＡ２と、第３周辺領域としての額縁領域ＦＡ３と、を含む。額縁領域ＦＡ１は、平面視において遮光膜ＳＦ２と重畳し、かつ、平面視において表示領域ＤＰＡの外側に位置する。額縁領域ＦＡ２は、額縁領域ＦＡ１よりも平面視において基板ＢＳ又はＦＳの外周側に位置する。額縁領域ＦＡ３は、額縁領域ＦＡ２よりも平面視において基板ＢＳ又はＦＳの外周側に位置する。
【００９５】
また、本実施の形態の表示装置では、基板ＢＳは、第１電極としての電極ＥＣ１と、第２電極としての電極ＥＣ２と、第３電極としての電極ＥＣ３と、を有する。電極ＥＣ１は、額縁領域ＦＡ１に形成され、電極ＥＣ２は、額縁領域ＦＡ２に形成され、電極ＥＣ３は、額縁領域ＦＡ３に形成されている。
【００９６】
額縁領域ＦＡ１で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧが形成されている。また、額縁領域ＦＡ１で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成され、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。また、額縁領域ＦＡ１で、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。
【００９７】
額縁領域ＦＡ１で、層間樹脂膜ＩＬ１上には、電極ＥＣ１の一部としての電極ＥＣ１１が形成されている。電極ＥＣ１１は、共通電極ＣＥと同層に形成されており、共通電極ＣＥと同一の材料、すなわち例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる。そのため、額縁領域ＦＡ１で、絶縁膜ＩＦ２は、層間樹脂膜ＩＬ１上に、電極ＥＣ１１を覆うように、形成されている。
【００９８】
また、額縁領域ＦＡ１で、層間樹脂膜ＩＬ１上には、電極ＥＣ１の他の部分としての電極ＥＣ１２が、複数個形成されている。電極ＥＣ１２は、画素電極ＰＥと同層に形成され、画素電極ＰＥと同一の材料からなる。なお、額縁領域ＦＡ１で、絶縁膜ＩＦ２上には、電極ＥＣ１２を覆うように、配向膜ＡＦ２が形成されている。
【００９９】
電極ＥＣ１１は、配線ＷＧ及びＷＳにより形成される電界をシールドする電界シールドとして用いられる。一方、電極ＥＣ１２は、画素電極ＰＥと同層に形成されるが、表示領域ＤＰＡの外部に配置され、表示領域ＤＰＡで表示される画像の表示には寄与しないため、ダミー画素電極として用いられる。すなわち、額縁領域ＦＡ１で電極ＥＣ１２を形成することにより、額縁領域ＦＬＡのうち、表示領域ＤＰＡの付近の部分に、ダミー画素電極を配置することができる。また、ダミー画素電極としての電極ＥＣ１２は、額縁領域ＦＡ１に含まれる複数の画素領域ＰＡ２の各々の内部に形成されている。画素領域ＰＡ２は、第２画素領域としてのダミー画素領域である。
【０１００】
画素電極ＰＥと同層にダミー画素電極としての電極ＥＣ１２が形成される場合、導電膜をパターニングして画素電極ＰＥを形成する際に、パターンの面積率を、表示領域ＤＰＡと額縁領域ＦＬＡとの間で近づけることができ、画素電極ＰＥの線幅などの寸法精度の均一性を向上させることができる。
【０１０１】
電極ＥＣ１に含まれるダミー画素電極としての電極ＥＣ１２には、電位（第１電位）が印加される。表示領域ＤＰＡで、複数の画素電極ＰＥの各々に印加される電位を、一定の方向に順次駆動、すなわち走査しながら駆動することにより、表示領域ＤＰＡで発生した不純物イオンは、表示領域ＤＰＡの一方の端部に移動しやすい。本実施の形態では、例えば複数の画素電極ＰＥ及び複数の電極ＥＣ１２の各々に印加される電位を走査しながら駆動することにより、表示領域ＤＰＡの一方の端部に移動した不純物イオンを、さらに表示領域ＤＰＡの外側に移動させることができる。すなわち、ダミー画素電極としての電極ＥＣ１２に印加される電位を、画素電極ＰＥに印加される電位と同様に走査しながら駆動することにより、不純物イオンを、表示領域ＤＰＡの外側に移動させ、表示領域ＤＰＡの外側に集積させることができ、不純物イオンが表示領域ＤＰＡに留まることを防止又は抑制することができる。
【０１０２】
一方、電極ＥＣ１に含まれる電極ＥＣ１１に印加される電位を、例えば表示領域ＤＰＡにおける電極の平均的な電位と等しくすることができ、例えば共通電極ＣＥに印加される電位と等しくすることができる。あるいは、画素領域ＰＡ２では、画像を表示する必要がないため、電極ＥＣ１１に印加される電位を、ダミー画素電極としての電極ＥＣ１２に印加される電位（第１電位）と等しくしてもよい。
【０１０３】
あるいは、ダミー画素電極としての電極ＥＣ１２が設けられなくてもよい。このような場合、電極ＥＣ１に含まれるのは、電極ＥＣ１１だけになるが、電極ＥＣ１１に電位（第１電位）が印加され、電極ＥＣ１１をトラップ電極として用いることもできる。また、電極ＥＣ１２が設けられていても、電極ＥＣ１２に電位を印加せず、電極ＥＣ１１に電位を印加してもよい。つまり、電極ＥＣ１は電極ＥＣ１１であってもよい。
【０１０４】
額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧが形成されている。また、額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成され、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。また、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。
【０１０５】
額縁領域ＦＡ２で、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が形成されている。そして、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ２上には、電極ＥＣ２が形成されている。電極ＥＣ２は、画素電極ＰＥと同層に形成されており、画素電極ＰＥと同一の材料、すなわち例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる。なお、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ２上には、電極ＥＣ２を覆うように、配向膜ＡＦ２が形成されている。
【０１０６】
電極ＥＣ２には、正又は負の極性の電位（第２電位）が印加される。電極ＥＣ２に、正の極性の電位が印加される場合、負の極性を有する不純物イオンを捕捉し、集積させ、かつ、保持することができる。一方、電極ＥＣ２に、負の極性の電位が印加される場合、正の極性を有する不純物イオンを捕捉し、集積させ、かつ、保持することができる。
【０１０７】
好適には、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）は、電極ＥＣ１に印加される電位（第１電位）よりも絶対値が大きい。これにより、液晶層ＬＣＬ内の不純物イオンは、電極ＥＣ１よりも電極ＥＣ２に引き寄せられる。
【０１０８】
あるいは、本実施の形態では、後述する実施の形態の変形例と異なり、電極ＥＣ２が、層間樹脂膜ＩＬ１に形成された溝部の底部に形成されないので、電極ＥＣ２下に配線ＷＳが形成される。このような場合には、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）は、電極ＥＣ２下の配線ＷＳに印加される電位と等しくすることが好ましい。これにより、電極ＥＣ２が不純物イオンを捕捉するトラップ電極としての機能を向上させることができる。
【０１０９】
額縁領域ＦＡ３で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧが形成されている。また、額縁領域ＦＡ３で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成され、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳが形成されている。また、額縁領域ＦＡ３で、絶縁膜ＩＦ１上には、配線ＷＳを覆うように、層間樹脂膜ＩＬ１が形成されている。
【０１１０】
額縁領域ＦＡ３で、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が形成されている。そして、額縁領域ＦＡ３で、絶縁膜ＩＦ２上には、電極ＥＣ３が形成されている。電極ＥＣ３は、画素電極ＰＥと同層に形成されており、画素電極ＰＥと同一の材料、すなわち例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる。なお、額縁領域ＦＡ３で、絶縁膜ＩＦ２のうち、額縁領域ＦＡ２側の部分上には、電極ＥＣ３を覆うように、配向膜ＡＦ２が形成されている。また、額縁領域ＦＡ３で、シールＡＤＨは、平面視において、配向膜ＡＦ２と重畳し、配向膜ＡＦ２と接触している。
【０１１１】
額縁領域ＦＡ３で、シールＡＤＨと絶縁膜ＩＦ２との間に電極ＥＣ３が形成されている。これにより、シールＡＤＨと絶縁膜ＩＦ２との間の密着力を向上させることができる。そのため、シールＡＤＨの幅を広くする必要がないので、額縁領域ＦＬＡの幅を容易に狭くすることができる。また、額縁領域ＦＡ３で、シールＡＤＨの一部が、平面視において、配向膜ＡＦ２と重畳している場合でも、シールＡＤＨの他の部分と電極ＥＣ３とが接するため、シールＡＤＨと絶縁膜ＩＦ２との間の密着力を向上させることができる。
【０１１２】
電極ＥＣ２は、平面視においてシールＡＤＨと重畳せず、電極ＥＣ３は、平面視においてシールＡＤＨと重畳している。そして、シールＡＤＨの表示領域ＤＰＡ側の端部は、電極ＥＣ２の表示領域ＤＰＡ側と反対側の端部に対して、表示領域ＤＰＡ側と反対側に配置されている。このような場合、シールＡＤＨは、額縁領域ＦＡ３に形成されるが、額縁領域ＦＡ２には形成されない。そして、シールＡＤＨの幅を狭くすることができる。
【０１１３】
また、絶縁膜ＩＦ２上に電極ＥＣ３が形成される場合、絶縁膜ＩＦ２と層間樹脂膜ＩＬ１との間に共通電極ＣＥと同層に電極ＥＣ３が形成される場合に比べ、電極ＥＣ３と配線ＷＧ及びＷＳとの間の絶縁性を向上させることができる。また、電極ＥＣ３と配線ＷＧとの間、及び、電極ＥＣ３と配線ＷＳとの間の寄生容量を低減することができ、表示装置の回路に与える負荷を低減することができる。
【０１１４】
電極ＥＣ３には、電極ＥＣ１に印加される電位（第１電位）と等しいか、又は、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）と逆極性の電位が印加される。これにより、電極ＥＣ２に捕捉される不純物イオンと極性が異なる不純物イオンを捕捉し、集積させ、かつ、保持することができる。
【０１１５】
例えばシールＡＤＨから不純物イオンとして陰イオンが発生し、液晶層ＬＣＬから不純物イオンとして陽イオンが発生する場合には、電極ＥＣ３に印加される電位（第３電位）を正極性とし、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）を負極性とする。これにより、電極ＥＣ３によりシールＡＤＨからの陰イオンを捕捉し、電極ＥＣ２により液晶層ＬＣＬからの陽イオンを捕捉することができる。
【０１１６】
なお、電極ＥＣ３には、単に電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）と異なる電位（第３電位）が印加されてもよい。しかし、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）と逆極性の電位が電極ＥＣ３に印加された方が、電極ＥＣ２に捕捉される不純物イオンと極性が異なる不純物イオンを捕捉できるので、電極ＥＣ３の不純物イオンを捕捉するトラップ電極としての機能を高めることができる。
【０１１７】
このように、本実施の形態の表示装置では、電極ＥＣ２及びＥＣ３により、互いに逆極性を有する不純物イオンを捕捉することができ、表示領域ＤＰＡに表示される画像に不良が発生することを防止又は抑制することができる。
【０１１８】
すなわち、本実施の形態の表示装置では、電極ＥＣ２には、電極ＥＣ１に印加される電位（第１電位）よりも絶対値が大きい電位（第２電位）が印加され、電極ＥＣ３には、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）と異なる電位（第３電位）が印加される。これにより、額縁領域ＦＬＡの幅を狭くした場合でも、不純物イオンが表示領域ＤＰＡの内部に広がって移動すること、及び、シールＡＤＨが剥がれること、を防止又は抑制することができる。
【０１１９】
図６では、液晶層ＬＣＬのうち、不純物イオンが少ない部分を部分ＬＣ１とし、不純物イオンが多い部分を部分ＬＣ２とするとき、部分ＬＣ２の表示領域ＤＰＡ側の端部ＥＰ１が、表示領域ＤＰＡの外部に配置されている様子を示している。
【０１２０】
また、好適には、電極ＥＣ３に印加される電位（第３電位）は、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）よりも絶対値が大きい。これにより、電位の絶対値が、電極ＥＣ１、電極ＥＣ２、電極ＥＣ３の順に大きくなり、電極ＥＣ１、ＥＣ２及びＥＣ３のうち、基板ＢＳの最も外周側の電極ＥＣ３により、不純物イオンを確実に捕捉することができる。
【０１２１】
又は、例えばシールＡＤＨから不純物イオンとして陰イオンが発生し、液晶層ＬＣＬから不純物イオンとして陽イオンが発生する場合には、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）、及び、電極ＥＣ３に印加される電位（第３電位）のいずれも負の電位であることが好ましい。これにより、シールＡＤＨから不純物イオンとして発生する陰イオンは、電極ＥＣ３に阻まれて、液晶層ＬＣＬ側に移動することができず、液晶層ＬＣＬから不純物イオンとして発生する陽イオンは、電極ＥＣ３に引き寄せられ、捕捉されて、シールＡＤＨ側に移動する。
【０１２２】
あるいは、図７に本実施の形態の別の例を示すように、額縁領域ＦＡ２で、層間樹脂膜ＩＬ１上に、電極ＥＣ２が形成され、電極ＥＣ２上に、絶縁膜ＩＦ２が形成されてもよい。このとき、電極ＥＣ２は、共通電極ＣＥと同層に形成され、共通電極ＣＥと同一の材料、すなわち例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる。
【０１２３】
ただし、図６に示すように、絶縁膜ＩＦ２上に電極ＥＣ２が形成される場合、図７に示すように、絶縁膜ＩＦ２と層間樹脂膜ＩＬ１との間に共通電極ＣＥと同層に電極ＥＣ２が形成される場合に比べ、電極ＥＣ２と配線ＷＧ及びＷＳとの間の絶縁性を向上させることができる。また、電極ＥＣ２と配線ＷＧとの間、及び、電極ＥＣ２と配線ＷＳとの間の寄生容量を低減することができ、表示装置の回路に与える負荷を低減することができる。
【０１２４】
なお、本実施の形態では、本実施の形態の表示装置を、横電界モードの表示装置としてのＦＦＳモードの表示装置について適用した例を説明した。しかし、本実施の形態の表示装置を、横電界モードの表示装置に代え、例えばＶＡモードなどの縦電界モードの表示装置に適用可能である。このような場合、共通電極ＣＥ及び電極ＥＣ１１を、対向基板としての基板ＦＳの背面ＦＳｂに設けることができる。
【０１２５】
＜実施の形態の表示装置の変形例＞
次に、本実施の形態の変形例について説明する。図８は、実施の形態の表示装置の変形例の一例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。図９は、実施の形態の表示装置の変形例の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の断面図である。図１０は、実施の形態の表示装置の変形例の別の例における額縁領域及び額縁領域付近の平面図である。なお、図９は、図１０のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。また、図１０では、絶縁膜ＩＦ２よりも上側（基板ＦＳ側）の部分であって、かつ、画素電極ＰＥ、電極ＥＣ１２および電極ＥＣ３よりも上側（基板ＦＳ側）の部分を除去して透視した状態を示している。
【０１２６】
本変形例では、額縁領域ＦＡ２で、電極ＥＣ２が、絶縁膜ＩＦ２及び層間樹脂膜ＩＬ１に形成された溝部ＴＰ１の底部に形成されている。
【０１２７】
図８に示すように、本変形例の表示装置でも、額縁領域ＦＬＡは、実施の形態の表示装置と同様に、第１周辺領域としての額縁領域ＦＡ１と、第２周辺領域としての額縁領域ＦＡ２と、第３周辺領域としての額縁領域ＦＡ３と、を含む。本変形例の表示装置で、額縁領域ＦＡ１及びＦＡ３に形成された各部分は、実施の形態の表示装置で、額縁領域ＦＡ１及びＦＡ３に形成された各部分と同様であり、それらの説明を省略する。
【０１２８】
本変形例では、実施の形態と同様に、額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧが形成されている。また、額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上には、配線ＷＧを覆うように、絶縁膜ＩＦ１が形成されている。
【０１２９】
一方、本変形例では、実施の形態と異なり、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ１上には、電極ＥＣ２が形成されている。電極ＥＣ２は、配線ＷＳ及び信号線ＳＬと同層に形成されており、配線ＷＳ及び信号線ＳＬと同じ材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。また、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ１上には、電極ＥＣ２を覆うように、層間樹脂膜ＩＬ１が形成され、層間樹脂膜ＩＬ１上には、絶縁膜ＩＦ２が形成されている。
【０１３０】
また、本変形例では、実施の形態と異なり、額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ２及び層間樹脂膜ＩＬ１を貫通して電極ＥＣ２に達する溝部ＴＰ１が形成され、溝部ＴＰ１の底部には、電極ＥＣ２が露出している。すなわち、絶縁膜ＩＦ２及び層間樹脂膜ＩＬ１は、額縁領域ＦＡ２に溝部ＴＰ１を有し、溝部ＴＰ１の底部には、電極ＥＣ２が形成されている。そして、溝部ＴＰ１の底部に露出した電極ＥＣ２上、溝部ＴＰ１の側面、及び、溝部ＴＰ１の外部の絶縁膜ＩＦ２上には、配向膜ＡＦ２が形成されている。
【０１３１】
本変形例でも、実施の形態と同様に、電極ＥＣ２には、正又は負の極性の電位（第２電位）が印加される。電極ＥＣ２に、正の極性の電位が印加される場合、負の極性を有する不純物イオンを捕捉し、集積させ、かつ、保持することができる。一方、電極ＥＣ２に、負の極性の電位が印加される場合、正の極性を有する不純物イオンを捕捉し、集積させ、かつ、保持することができる。そのため、好適には、電極ＥＣ２に印加される電位（第２電位）は、電極ＥＣ１に印加される電位（第１電位）よりも絶対値が大きい。
【０１３２】
また、本変形例では、実施の形態と異なり、額縁領域ＦＡ１と額縁領域ＦＡ３との間の額縁領域ＦＡ２で、絶縁膜ＩＦ２及び層間樹脂膜ＩＬ１に、溝部ＴＰ１が形成されている。そのため、額縁領域ＦＡ３で発生した不純物イオンは、溝部ＴＰ１の底部に形成された電極ＥＣ２に一旦捕捉されると、溝部ＴＰ１を超えて額縁領域ＦＡ１及び表示領域ＤＰＡに移動しにくくなり、より効率良く捕捉される。また、額縁領域ＦＡ１で発生した不純物イオンは、溝部ＴＰ１の底部に形成された電極ＥＣ２に一旦捕捉されると、溝部ＴＰ１の外部に移動しにくくなり、より効率良く捕捉される。すなわち、電極ＥＣ２のトラップ電極としての機能が高まる。
【０１３３】
また、シールＡＤＨの外部から浸入し、額縁領域ＦＡ３を額縁領域ＦＡ１側に移動してきた水分は、溝部ＴＰ１を超えて額縁領域ＦＡ１及び表示領域ＤＰＡに移動しにくくなる。すなわち、表示領域ＤＰＡに水分が浸入することを、より確実に防止又は抑制することができる。
【０１３４】
また、本変形例では、電極ＥＣ２は、例えばアルミニウムをモリブデン等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。そのため、電極ＥＣ２が例えば透明導電材料からなる実施の形態よりも、電極ＥＣ２の抵抗を低くすることができ、電極ＥＣ２に電位を印加する際の電極ＥＣ２内での電位の均一性を向上させ、電極ＥＣ２に電位を印加する回路の消費電力を低減することができる。
【０１３５】
電極ＥＣ２は、信号線（映像線）ＳＬに接続される信号引き出し線（映像引き出し線）ＳＬ１であってもよい。このような場合、電極ＥＣ２に電位を印加する回路を新たに設けなくてもよく、信号線ＳＬに信号を入力する信号線駆動回路ＣＳ（図４参照）により、電極ＥＣ２に電位を印加することができる。
【０１３６】
あるいは、図９に本変形例の別の例を示すように、額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上に、電極ＥＣ２が形成されてもよい。また、額縁領域ＦＡ２で、基材ＢＳｇ上に、電極ＥＣ２を覆うように、絶縁膜ＩＦ１、層間樹脂膜ＩＬ１及び絶縁膜ＩＦ２が順次形成され、絶縁膜ＩＦ２、層間樹脂膜ＩＬ１及び絶縁膜ＩＦ１を貫通して電極ＥＣ２に達する溝部ＴＰ１が形成されてもよい。このとき、電極ＥＣ２は、配線ＷＧと同層に形成され、配線ＷＧと同一の材料、すなわち例えばクロム（Ｃｒ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の金属又はそれらの合金からなる。
【０１３７】
図１０に示すように、図９に示す例における平面配置では、好適には、溝部ＴＰ１は、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に、交差する方向に延在している。これにより、電極ＥＣ３側から層間樹脂膜ＩＬ１を通って電極ＥＣ２側に水分が浸入することを、防止又は抑制することができる。
【０１３８】
また、さらに好適には、溝部ＴＰ１は、基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に延在している。これにより、表示装置の外部から層間樹脂膜ＩＬ１を通って水分が浸入することを、防止又は抑制することができる。
【０１３９】
図１０に示すように、画素電極ＰＥは、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に、交差する方向に、延在している。また、図１０に拡大して示すように、画素電極ＰＥは、画素電極ＰＥの延在方向にそれぞれ延在し、かつ、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に配列された複数のスリットＳＬＴを有する。また、図１０に示すように、電極ＥＣ１２は、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に、交差する方向に、延在している。また、図１０に拡大して示すように、電極ＥＣ１２は、電極ＥＣ１２の延在方向にそれぞれ延在し、かつ、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に配列された複数のスリットを有する。
【０１４０】
図１０に示すように、平面視において、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に対して時計方向に傾斜した画素電極ＰＥと、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に対して反時計方向に傾斜した画素電極ＰＥとが、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向において、交互に配列されていてもよい。これにより、液晶分子を見る方向によって発生する色相差（リタデ−ション）を低減することができる。あるいは、平面視において、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に対して時計方向に傾斜した電極ＥＣ１２と、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に対して反時計方向に傾斜した電極ＥＣ１２とが、溝部ＴＰ１の延在方向又は基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向において、交互に配列されていてもよい。
【０１４１】
なお、図８に示す例における平面配置も、電極ＥＣ２が、配線ＷＧと同層に形成されておらず、配線ＷＳ及び信号線ＳＬと同層に形成されている点を除き、図１０の平面図と同様にすることができる。したがって、図８に示す例でも、好適には、溝部ＴＰ１は、電極ＥＣ１と電極ＥＣ２と電極ＥＣ３とが配列している方向に、交差する方向に、延在し、さらに好適には、溝部ＴＰ１は、基板ＢＳの端部ＥＰ２の延在方向に延在している。
【０１４２】
電極ＥＣ２は、走査線ＧＬ（図４参照）に接続される走査引き出し線ＧＬ１であってもよい。このような場合、電極ＥＣ２に電位を印加する回路を新たに設けなくてもよく、走査線ＧＬに信号を入力する走査線駆動回路ＣＧ（図４参照）により、電極ＥＣ２に電位を印加することができる。
【０１４３】
ただし、図８に示すように、絶縁膜ＩＦ１上に配線ＷＳ及び信号線ＳＬと同層に電極ＥＣ２が形成される場合、図９に示すように、絶縁膜ＩＦ１と基材ＢＳｇとの間に配線ＷＧと同層に電極ＥＣ２が形成される場合に比べ、電極ＥＣ２の抵抗を低くすることができる。そのため、電極ＥＣ２に電位を印加する際の電極ＥＣ２内での電位の均一性をより向上させ、電極ＥＣ２に電位を印加する回路の消費電力をより低減することができる。
【０１４４】
なお、電極ＥＣ２が層間樹脂膜ＩＬ１上の上方に形成されている場合、すなわち実施の形態においても、電極ＥＣ２を、信号引き出し線又は走査引き出し線とすることができる。
【０１４５】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４６】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０１４７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１４８】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は、表示装置に適用して有効である。
【符号の説明】
【０１５０】
ＡＤＨ  シール
ＡＦ１、ＡＦ２  配向膜
ＢＳ  基板
ＢＳｂ  背面
ＢＳｆ  前面
ＢＳｇ  基材
ＢＳｓ１〜ＢＳｓ４  辺
ＣＣ  回路部
ＣＥ  共通電極
ＣＦ  カラーフィルタ
ＣＦｂ、ＣＦｇ、ＣＦｒ  カラーフィルタ画素
ＣＧ  走査線駆動回路
ＣＨＰ  半導体チップ
Ｃｌｃ  容量
ＣＭ  共通電極駆動回路
ＣＳ  信号線駆動回路
ＣＴＬ  制御回路
ＤＥ  ダミー画素電極
ＤＰ  表示部
ＤＰＡ  表示領域
ＥＣ１、ＥＣ１１、ＥＣ１２、ＥＣ２、ＥＣ３  電極
ＥＰ１、ＥＰ２  端部
ＦＡ１〜ＦＡ３、ＦＬＡ、ＦＬＡ１  額縁領域
ＦＬ  額縁部
ＦＳ  基板
ＦＳｂ  背面
ＦＳｆ  前面
ＦＳｇ  基材
ＧＬ  走査線
ＧＬ１  走査引き出し線
ＩＦ１、ＩＦ２  絶縁膜
ＩＬ１  層間樹脂膜
ＬＣ１、ＬＣ２  部分
ＬＣＤ  表示装置
ＬＣＬ  液晶層
ＬＳ  光源
ＯＣ１  樹脂層
ＰＡ１、ＰＡ２  画素領域
ＰＥ  画素電極
ＰＬ１、ＰＬ２  偏光板
Ｐｘ  画素
ＳＦ１、ＳＦ２  遮光膜
ＳＬ  信号線（映像線）
ＳＬ１  信号引き出し線（映像引き出し線）
ＳＬＴ  スリット
Ｓｘ  副画素
ＴＰ１  溝部
Ｔｒ、Ｔｒｄ  トランジスタ
ＶＷ  観者
ＷＧ、ＷＳ  配線
【図１】
2017111396.tif 000003
【図２】
2017111396.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2017111396.tif 000008
【図７】
2017111396.tif 000009
【図８】
2017111396.tif 000010
【図９】
2017111396.tif 000011
【図１０】
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