(57)【要約】【課題】ダイオードに十分に負荷を与えることができるとともに、ダイオードが破壊した場合にダイオードの破壊の進行を適切に抑制することができる技術を開示する。【解決手段】試験装置２は、電源１０、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０、第１ダイオード４０、第２ダイオード５０、及びインダクタ６０を有する。試験装置２で行う試験方法では、第１ダイオード４０に逆方向に流れるリカバリ電流がピーク電流まで到達するタイミングより前に、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始し、第１ダイオード４０に印加される電圧がピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングより後に、オフ動作を完了させる。【選択図】図１
2017111102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ダイオードを試験する試験方法であって、
試験に用いられる試験装置は、
電源と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、インダクタと、前記第１ダイオードと、第２ダイオードと、を有しており、
前記第１スイッチング素子は、前記電源の正極と前記第２スイッチング素子との間に接続されており、
前記第２スイッチング素子は、前記第１スイッチング素子と前記第１ダイオードのカソードとの間に接続されており、
前記第２ダイオードは、前記第２スイッチング素子と並列に接続されており、前記第２ダイオードのカソードは前記第２スイッチング素子の前記第１スイッチング素子側の端子に接続されており、前記第２ダイオードのアノードは前記第２スイッチング素子の前記第１ダイオード側の端子に接続されており、
前記第１ダイオードのアノードは前記電源の負極に接続されており、
前記インダクタは、一端が前記第２スイッチング素子の前記第１スイッチング素子側の前記端子に接続され、他端が前記第１ダイオードのアノードに接続されており、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子をオンして前記インダクタに電流を流すステップと、
前記電流が流れている状況で前記第１スイッチング素子をオフすることによって、前記インダクタから前記第１ダイオードに向かって、前記第１ダイオードの順方向に流れる還流電流を流すステップと、
前記還流電流が流れている状況で、前記第１スイッチング素子をオンすることによって、前記第１ダイオードに逆方向に流れるリカバリ電流を流すステップと、
前記リカバリ電流がピーク電流まで到達するタイミングより前に、前記第２スイッチング素子のオフ動作を開始し、前記第１ダイオードに印加される電圧がピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングより後に、前記オフ動作を完了させるステップと、
を備える、
試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、ダイオードの試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電源と、コイルと、半導体素子への電流の流入を遮断するための遮断手段を備える試験装置が開示されている。遮断手段は、半導体素子の破壊を検出すると、半導体素子への電流の流入を遮断する。これにより、半導体素子の破壊が進行して試験装置が損傷することの抑制が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１０８８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の試験装置では、遮断手段は、半導体素子の破壊が検出された後に半導体素子の電流を減少させはじめる。そのため、電流を減少させはじめてから遮断が完了するまでの間に、破壊された半導体素子に電流が流入し、半導体素子の破壊が進行するおそれがある。
【０００５】
本明細書では、試験対象のダイオードに十分に負荷を与えることができるとともに、ダイオードが破壊した場合にダイオードの破壊の進行を適切に抑制することができる技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書では、第１ダイオードの試験方法を開示する。この試験方法において、試験に用いられる試験装置は、電源と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、インダクタと、第１ダイオードと、第２ダイオードと、を有している。第１スイッチング素子は、電源の正極と第２スイッチング素子との間に接続されている。第２スイッチング素子は、第１スイッチング素子と第１ダイオードのカソードとの間に接続されている。第２ダイオードは、第２スイッチング素子と並列に接続されており、第２ダイオードのカソードは第２スイッチング素子の第１スイッチング素子側の端子に接続されており、第２ダイオードのアノードは第２スイッチング素子の第１ダイオード側の端子に接続されている。第１ダイオードのアノードは電源の負極に接続されている。インダクタは、一端が第２スイッチング素子の第１スイッチング素子側の端子に接続され、他端が第１ダイオードのアノードに接続されている。そして、試験方法は、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子をオンしてインダクタに電流を流すステップと、電流が流れている状況で第１スイッチング素子をオフすることによって、インダクタから第１ダイオードに向かって、第１ダイオードの順方向に流れる還流電流を流すステップと、還流電流が流れている状況で、第１スイッチング素子をオンすることによって、第１ダイオードに逆方向に流れるリカバリ電流を流すステップと、リカバリ電流がピーク電流まで到達するタイミングより前に、第２スイッチング素子のオフ動作を開始し、第１ダイオードに印加される電圧がピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングより後に、オフ動作を完了させるステップと、を備える。
【０００７】
発明者による鋭意研究の結果、上記の試験装置を用いて試験を行う場合、第１ダイオードが破壊されるのは、多くの場合、第１ダイオードに流れるリカバリ電流がピーク電流まで到達するまでの間もしくは到達した後であることが判明した。また、第１スイッチング素子のオンに伴って第１ダイオードに印加される電圧がピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングまで第１ダイオードにリカバリ電流を流すことができれば、第１ダイオードに十分な負荷を与えられることも判明した。
【０００８】
第１ダイオードが破壊すると、第１ダイオードには、第２スイッチング素子から第１ダイオードに向かう逆電流（即ち第１ダイオードの逆方向の電流）が流れる。この点、上記の試験方法では、第１ダイオードに流れるリカバリ電流がピーク電流まで到達するタイミングより前に、第２スイッチング素子のオフ動作を開始する。即ち、第１ダイオードが破壊されるか否かに関わらず、第１ダイオードに流れるリカバリ電流がピーク電流まで到達するタイミングより前に、第１ダイオードが破壊された場合に第１ダイオードに流れる逆電流の遮断が開始されることになる。従って、仮に第１ダイオードが破壊された場合であっても、第１ダイオードの破壊を検知してから逆電流の遮断を開始する場合に比べて、早いタイミングで逆電流を遮断することができ、それ以上の第１ダイオードの破壊が防止される。また、上記の試験方法では、第１ダイオードに印加される電圧がピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングより後に、第２スイッチング素子のオフ動作を完了させる。即ち、第１ダイオードには、ピーク電圧まで到達した後に安定するタイミングまで電圧を印加することができる。そのため、上記の試験方法によれば、第１ダイオードに十分な負荷を与えることができる。従って、上記の試験方法によると、試験対象である第１ダイオードに十分に負荷を与えることができるとともに、第１ダイオードが破壊した場合に第１ダイオードの破壊の進行を適切に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の試験装置を示す回路図。
【図２】実施例において、第１ダイオードが破壊されない場合におけるＶｇ、Ｉｄ、Ｖｄのそれぞれの値の推移を示すグラフ。
【図３】実施例において、第１ダイオードが破壊される場合におけるＶｇ、Ｉｄ、Ｖｄのそれぞれの値の推移を示すグラフ。
【図４】比較例において、第１ダイオードが破壊される場合におけるＶｇ、Ｉｄ、Ｖｄのそれぞれの値の推移を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施例）
（試験装置２の構成；図１）
図１に示すように、本実施例の試験装置２は、試験対象である第１ダイオード４０に対してスイッチング試験（転流試験）を行うための装置である。この試験装置２は、電源１０、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０、第１ダイオード４０、第２ダイオード５０、インダクタ６０、及び、ゲート電圧制御回路７０を有している。この試験装置２では、試験対象である第１ダイオード４０は、試験を行う毎に交換される。
【００１１】
電源１０は、試験対象である第１ダイオード４０に供給する電源電圧を発生させる。電源電圧は例えば６００Ｖである。
【００１２】
第１スイッチング素子２０は、電源１０の正極と第２スイッチング素子３０との間に接続されている。第１スイッチング素子２０は、ＩＧＢＴである。変形例では、第１スイッチング素子２０は、他の任意のスイッチング素子であってもよい。本実施例の試験装置２を用いた試験では、第１スイッチング素子２０は、後述の所定のタイミングでオンオフされるように、ゲート電圧制御回路７０によって制御されている。
【００１３】
第２スイッチング素子３０は、第１スイッチング素子２０と第１ダイオード４０のカソードとの間に接続されている。第２スイッチング素子３０は、ＩＧＢＴである。変形例では、第２スイッチング素子３０は、他の任意のスイッチング素子であってもよい。第２スイッチング素子３０は、第１ダイオード４０が故障する場合に、第１ダイオード４０に逆方向の電流（以下では「逆電流」と呼ぶ場合がある）が流れることを遮断するための遮断機構として機能する。第２スイッチング素子３０は、例えば第１スイッチング素子２０と比べて定格電流が低い（即ちサイズが小さい）ものであることが好ましい。即ち、第２スイッチング素子３０がオフ状態の間は、第１ダイオード４０への逆電流の流入が遮断される。本実施例の試験装置２を用いた試験では、第２スイッチング素子３０は、後述の所定のタイミングでターンオフを開始するように、ゲート電圧制御回路７０によって制御されている。
【００１４】
第２ダイオード５０は、第２スイッチング素子３０と並列に接続されている。第２ダイオード５０のカソードは第２スイッチング素子３０の第１スイッチング素子２０側の端子（具体的には、コレクタ端子）に接続されており、第２ダイオード５０のアノードは第２スイッチング素子３０の第１ダイオード４０側の端子（具体的には、エミッタ端子）に接続されている。
【００１５】
第１ダイオード４０のアノードは、電源１０の負極に接続されている。
【００１６】
インダクタ６０は、一端が第２スイッチング素子３０の第１スイッチング素子２０側の端子に接続され、他端が第１ダイオード４０のアノードに接続されている。
【００１７】
ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０のゲート電圧と、第２スイッチング素子３０のゲート電圧とを制御する。
【００１８】
（試験装置２を用いた試験）
図２及び図３は、本実施例の試験装置２を用いた試験を実施する場合における、第２スイッチング素子３０に印加されるゲート電圧Ｖｇ、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄ、及び、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄの値を示すグラフである。図２は、試験中に第１ダイオード４０が破壊されない場合（即ち、第１ダイオード４０が正常である場合）の各値を示す。図３は、試験中に第１ダイオード４０が破壊される場合（即ち、第１ダイオード４０に異常が存在する場合）の各値を示す。
【００１９】
（第１ダイオード４０が破壊されない場合；図２）
試験中に第１ダイオード４０が破壊されない場合の例を説明する。試験が開始されるとまず、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０をオンする。即ち、第１スイッチング素子２０のゲート電極と第２スイッチング素子３０のゲート電極には、それぞれ、所定の値のゲート電圧（即ちオン電圧）が印加される。第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０がオンされることにより、インダクタ６０に電流が流れる。
【００２０】
次いで、インダクタ６０に上記の電流が流れている状況で、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０をオフする。即ち、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０のゲート電極に印加される電圧をゲート電圧から０に移行させる。第１スイッチング素子２０がオフすることにより、インダクタ６０に流れる電流が減少する。これにより、インダクタ６０、第１ダイオード４０、及び、第２ダイオード５０を経由する閉回路内で還流電流が流れる。還流電流は、インダクタ６０から第１ダイオード４０に向かう方向に流れる。即ち、還流電流は、第１ダイオード４０の順方向に流れる電流である。図２のタイミングＴ０は、この状態を示している。即ち、タイミングＴ０では、第１スイッチング素子２０がオフされ、第２スイッチング素子３０がオンされており、第１ダイオード４０には還流電流（順方向（正）の電流）が流れている。第２スイッチング素子３０のゲート電極には、第２スイッチング素子３０をオンするための所定の値のゲート電圧Ｖｇが印加されている。第１ダイオード４０には、所定の値の還流電流（Ｉｄ）が流れている。このとき、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄは低い値を示している。
【００２１】
その後、第１ダイオード４０に還流電流が流れている間であって、上記のタイミングＴ０より後のタイミングＴ１（図２参照）において、ゲート電圧制御回路７０は、再び第１スイッチング素子２０をオンさせる。これにより、再びインダクタ６０に電流が流れる。その結果、第１ダイオード４０には、逆方向の電流（以下では「リカバリ電流」と呼ぶ）が流れる。リカバリ電流は、所定のピーク電流に向けて増加する。第１ダイオード４０にリカバリ電流が流れることにより、図２に示すように、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄの値は、タイミングＴ１以降、所定のピーク電流の値（即ち図２中の負の値）に向けて徐々に変化する。第１ダイオード４０に流れる逆方向の電流Ｉｄ（即ちリカバリ電流）は、タイミングＴ３においてピーク電流に到達し、その後、０に向かって徐々に変化し、最終的に０になる。
【００２２】
また、タイミングＴ１において第１スイッチング素子２０がオンされると、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが上昇し始める。電圧Ｖｄは、電源電圧（６００Ｖ）よりも高いピーク電圧まで上昇する。電圧Ｖｄは、ピーク電圧まで上昇した後、タイミングＴ４以降は、電源電圧に近い一定の値で安定する。
【００２３】
また、上記のタイミングＴ１で第１スイッチング素子２０がオンしたことにより第１ダイオード４０にリカバリ電流が流れている間であって、リカバリ電流がピーク電流に到達するタイミングＴ３より前のタイミングＴ２で、ゲート電圧制御回路７０は、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始する。詳しく言うと、ゲート電圧制御回路７０は、タイミングＴ２から、第２スイッチング素子３０のゲート電圧Ｖｇの値の低減を開始する。以下、このゲート電圧Ｖｇの低減開始の動作のことを、第２スイッチング素子３０のオフ動作の開始と呼ぶ。その後、第２スイッチング素子３０のゲート電圧Ｖｇの値は、所定の値（オン電圧）から徐々に低減し、所定時間経過後のタイミングＴ５で０になる。ゲート電圧Ｖｇが０になると、第２スイッチング素子３０が完全にオフ状態に移行する。即ち、第２スイッチング素子３０のゲート電圧Ｖｇが０になることで、上記のオフ動作が完了する。本実施例の試験装置２では、ゲート電圧Ｖｇが０になる（即ち、第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了する）タイミングＴ５は、上記の第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが一定の値で安定するタイミングＴ４よりも後になるように設定されている。
【００２４】
ここで、試験装置２を用いて第１ダイオード４０のスイッチング試験を行う場合、タイミングＴ１で第１スイッチング素子２０がオンされたことによって第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄがピーク電圧まで上昇した後に電源電圧に近い一定の値で安定するタイミングＴ４まで第１ダイオード４０にリカバリ電流を流すことができれば、第１ダイオード４０に十分な負荷を与えられる。上記の通り、図２の例では、第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了するタイミングＴ５は、タイミングＴ４より後であるので、タイミングＴ４まで第１ダイオード４０にリカバリ電流を流すことが可能であり、第１ダイオード４０に十分な負荷を与えることができる。従って、本実施例の試験装置２を用いて試験を行えば、第１ダイオード４０の試験を適切に行うことができる。
【００２５】
（第１ダイオード４０が破壊される場合；図３）
続いて、試験中に第１ダイオード４０が破壊される場合の例を説明する。この例でも、試験開始後、まず、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０をオンする。これによりインダクタ６０に電流が流れる。
【００２６】
次いで、この例でも、インダクタ６０に上記の電流が流れている状況で、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０をオフする。これにより、インダクタ６０、第１ダイオード４０、及び、第２ダイオード５０を経由する閉回路内で還流電流が流れる。図３でも、タイミングＴ０は、この状態を示している。タイミングＴ０では、第２スイッチング素子３０のゲート電極には、第２スイッチング素子３０をオンするための所定の値のゲート電圧Ｖｇが印加されている。第１ダイオード４０には、所定の値の順方向の電流（即ち還流電流）Ｉｄが流れている。第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄは低い値を示している。
【００２７】
その後、図３の例でも、第１ダイオード４０に還流電流が流れている間であって、上記のタイミングＴ０より後のタイミングＴ１（図３参照）において、ゲート電圧制御回路７０は、再び第１スイッチング素子２０をオンさせる。これにより、再びインダクタ６０に電流が流れる。この結果、第１ダイオード４０にはリカバリ電流が流れる。図３の例でも、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄ（即ちリカバリ電流）は、タイミングＴ３においてピーク電流に到達し、その後、０に向かって徐々に変化する。また、タイミングＴ１において第１スイッチング素子２０がオンされると、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが上昇し始める。電圧Ｖｄは、電源電圧（６００Ｖ）よりも高いピーク電圧まで上昇する。この例でも、電圧Ｖｄは、ピーク電圧まで上昇した後、電源電圧に近い一定の値で安定しようとする。
【００２８】
ただし、図３の例では、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄがピーク電流に到達した後、０になる前のタイミングであるＴ１０で、第１ダイオード４０が破壊される。第１ダイオード４０が破壊されると、第１ダイオード４０には逆電流（Ｉｄ）が流れ始める。逆電流は時間の経過とともに大きくなる。また、第１ダイオード４０が破壊されると、Ｖｄの値はその後０になる。
【００２９】
一方、図３の例でも、上記のタイミングＴ１で第１スイッチング素子２０がオンしたことにより第１ダイオード４０にリカバリ電流が流れている間であって、リカバリ電流がピーク電流に到達するタイミングＴ３より前のタイミングＴ２で、ゲート電圧制御回路７０は、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始する。この例でも、第２スイッチング素子３０のゲート電圧Ｖｇの値は、所定の値（オン電圧）から徐々に低減し、所定時間経過後のタイミングＴ５で０になる。ゲート電圧Ｖｇが０になると、上記のオフ動作が完了する。
【００３０】
上記の通り、図３の例では、タイミングＴ１０において、第１ダイオード４０が破壊され、その後第１ダイオード４０に流れる逆電流（Ｉｄ）が大きくなる。しかしながら、その後、タイミングＴ５で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了することにより、第１ダイオード４０への逆電流の流入が遮断される。即ち、タイミングＴ５で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了することにより、第１ダイオード４０に流れる逆電流Ｉｄは０になる。即ち、タイミングＴ１０で第１ダイオード４０が破壊されたことによって流れ始めた逆電流は、タイミングＴ５で０になる。
【００３１】
（比較例；図４）
ここで、本実施例の試験装置の作用効果を十分に説明するために、図４を参照して、従来の試験装置を用いて本実施例と同様の試験を行った場合の比較例を説明する。従来の試験装置も、図１に示す試験装置２と同様に、電源１０、第１スイッチング素子２０、第２スイッチング素子３０、第１ダイオード４０、第２ダイオード５０、インダクタ６０、及び、ゲート電圧制御回路７０を有している。ただし、従来の試験装置では、第１ダイオード４０が破壊されたことが検出された後で、遮断機構である第２スイッチング素子３０のオフ動作が開始されるように制御されている点が本実施例とは異なる。
【００３２】
比較例でも、試験開始後、まず、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０と第２スイッチング素子３０をオンする。これによりインダクタ６０に電流が流れる。次いで、インダクタ６０に上記の電流が流れている状況で、ゲート電圧制御回路７０は、第１スイッチング素子２０をオフする。これにより、インダクタ６０、第１ダイオード４０、及び、第２ダイオード５０を経由する閉回路内で還流電流が流れる。図４のタイミングＴ２０は、この状態を示している。タイミングＴ１００では、第２スイッチング素子３０のゲート電極には、第２スイッチング素子３０をオンするための所定の値のゲート電圧Ｖｇが印加されている。第１ダイオード４０には、所定の値の順方向の電流（即ち還流電流）Ｉｄが流れている。第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄは低い値を示している。
【００３３】
その後、図４の例でも、第１ダイオード４０に還流電流が流れている間であって、上記のタイミングＴ１００より後のタイミングＴ１１０（図４参照）において、ゲート電圧制御回路７０は、再び第１スイッチング素子２０をオンさせる。これにより、再びインダクタ６０に電流が流れ、第１ダイオード４０にはリカバリ電流が流れる。図４の例でも、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄ（即ちリカバリ電流）は、タイミングＴ１２０においてピーク電流に到達し、その後、０に向かって徐々に変化する。また、タイミングＴ１１０において第１スイッチング素子２０がオンされると、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが上昇し始める。電圧Ｖｄは、電源電圧（６００Ｖ）よりも高いピーク電圧まで上昇する。この例でも、電圧Ｖｄは、ピーク電圧まで上昇した後、電源電圧に近い一定の値で安定しようとする。
【００３４】
ただし、図４の例では、第１ダイオード４０に流れる電流Ｉｄがピーク電流に到達した後、０になる前のタイミングであるＴ１３０で、第１ダイオード４０が破壊される。第１ダイオード４０が破壊されると、第１ダイオード４０に流れる逆電流（Ｉｄ）が大きくなる。また、第１ダイオード４０が破壊されると、Ｖｄの値はその後０になる。
【００３５】
図４の例では、ゲート電圧制御回路７０は、タイミングＴ１３０で第１ダイオードが破壊されたことを検出した後のタイミングＴ１４０で、遮断機構である第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始する。その後、第２スイッチング素子３０のゲート電圧Ｖｇの値は、所定の値（オン電圧）から徐々に低減し、所定時間経過後のタイミングＴ１５０で０になる。ゲート電圧Ｖｇが０になると、上記のオフ動作が完了する。
【００３６】
上記の通り、図４の例では、タイミングＴ１３０において、第１ダイオード４０が破壊されることにより、第１ダイオード４０に流れる逆電流（Ｉｄ）が流れ始める。逆電流の値は時間の経過とともに大きくなる。その後、上記のタイミングＴ１５０で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了することにより、第１ダイオード４０への逆電流の流入が遮断される。即ち、タイミングＴ１５０で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了することにより、第１ダイオード４０に流れる逆電流Ｉｄは０になる。
【００３７】
上記の比較例では、タイミングＴ１３０で第１ダイオード４０が破壊されたことが検出された後のタイミングＴ１４０で、第２スイッチング素子３０のオフ動作が開始される。そのため、図４の例のように、タイミングＴ１３０で第１ダイオード４０が破壊される場合、タイミングＴ１３０からある程度時間が経過した後のタイミングＴ１５０にならないと、第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了しない。即ち、比較例では、第１ダイオード４０が破壊されたタイミングＴ１３０から、逆電流が遮断されるタイミングＴ１５０までの時間が長い。また、第１ダイオード４０に流れる逆電流は、タイミングＴ１３０からタイミングＴ１５０までの間に大きくなる。即ち、図４の比較例では、破壊後の第１ダイオード４０に大きい逆電流が長時間に亘って流れる。従って、従来の試験装置を用いて試験を行い、第１ダイオード４０が破壊される場合には、第１ダイオード４０の破壊が進行してしまうと共に、試験装置にも多大な負荷が加わる。
【００３８】
これに対し、図２、図３に示すように、本実施例では、上記のタイミングＴ１で第１スイッチング素子２０がオンしたことにより第１ダイオード４０にリカバリ電流が流れている間であって、リカバリ電流がピーク電流に到達するタイミングＴ３より前のタイミングＴ２で、ゲート電圧制御回路７０は、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始する。そのため、図３に示すように、タイミングＴ２より後のタイミングＴ１０において、第１ダイオード４０が破壊されることによって第１ダイオード４０に逆電流（Ｉｄ）が流れる場合であっても、その後、タイミングＴ５で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了することにより、第１ダイオード４０への逆電流の流入が遮断される。そのため、タイミングＴ２の後のタイミングＴ１０で第１ダイオード４０が破壊される場合であっても、タイミングＴ１０の経過後、比較的早いタイミングＴ５で第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了する。そのため、図３に示すように、破壊後の第１ダイオード４０には、タイミングＴ１０からタイミングＴ５までの比較的短い期間、しかも、比較的小さい逆電流が流れるに過ぎない。従って、第１ダイオード４０が破壊される場合であっても、第１ダイオード４０の破壊の進行が少なく済む。試験装置２に与えられる負荷も少なく済む。
【００３９】
従って、本実施例の試験装置２を用いて試験を行うことにより、第１ダイオード４０に十分に負荷を与えながら試験を適切に行うことができるとともに、試験中に第１ダイオード４０が破壊した場合においても、第１ダイオード４０の破壊の進行を抑制することができる。
【００４０】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４１】
（参考変形例１）上記の実施例では、図２に示すように、ゲート電圧制御回路７０が、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始するタイミングＴ２は、第１スイッチング素子２０がオフするタイミングＴ１より後であり、第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了するタイミングＴ５は、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが一定の値で安定するタイミングＴ４よりも後である。これに限られず、本変形例では、第２スイッチング素子３０のオフ動作に要する期間が、実施例の第２スイッチング素子３０のオフ動作に要する期間よりも長くてもよい。そのため、本変形例では、第２スイッチング素子３０のオフ動作に要する期間に応じて、ゲート電圧制御回路７０が、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始するタイミングＴ２を早くしてもよい。例えば、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始するタイミングＴ２が、第１スイッチング素子２０がオフするタイミングＴ１より先であってもよい。その場合も、第２スイッチング素子３０のオフ動作が完了するタイミングＴ５は、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが一定の値で安定するタイミングＴ４よりも後であればよい。
【００４２】
（参考変形例２）また、第２スイッチング素子３０のオフ動作に要する期間が、実施例の第２スイッチング素子３０のオフ動作に要する期間よりも短くてもよい。即ち、第２スイッチング素子３０として、実施例で用いられている第２スイッチング素子３０よりも定格電流が小さい素子が用いられていてもよい。この場合は、実施例と同様に、ゲート電圧制御回路７０が、第２スイッチング素子３０のオフ動作を開始するタイミングＴ２は、第１スイッチング素子２０がオフするタイミングＴ１より後であり、リカバリ電流がピーク電流に到達するタイミングＴ３までの間であればよく、オフ動作が完了するタイミングＴ５は、第１ダイオード４０に印加される電圧Ｖｄが一定の値で安定するタイミングＴ４よりも後であればよい。
【００４３】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４４】
２：試験装置
１０：電源
２０：第１スイッチング素子
３０：第２スイッチング素子
４０：第１ダイオード
５０：第２ダイオード
６０：インダクタ
７０：ゲート電圧制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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