(57)【要約】【課題】共通電極が分断されることを防止しつつ、隣り合う画素から発光された光の混色を防止する。【解決手段】表示装置は、画素電極、画素電極にそれぞれ重なる貫通穴を有し、画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層、絶縁層に積層し貫通穴を介して画素電極と接続する自発光素子層、絶縁層及び自発光素子層に積層される共通電極を有する。単位画素は、第１方向に同一色の単位画素が並び、第１方向に交差する第２方向には異なる色の単位画素が隣り合う。絶縁層は、自発光素子層に対向する面に貫通穴のそれぞれの開口を有する。貫通穴のそれぞれの内面は、発光方向に進むほど開口が拡大する方向に傾斜する順テーパ面と、開口が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面を含む。順テーパ面は第１方向に隣り合う単位画素の間に形成され、逆テーパ面は第２方向に隣り合う単位画素の間に形成される。【選択図】図３
2017117767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数色からなる複数の単位画素によって構成されるカラー画像を表示する表示装置であって、
前記複数の単位画素にそれぞれ対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有し、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層に積層し、前記複数の貫通穴を介して前記複数の画素電極と接続された自発光素子層と、
前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層された共通電極と、
を有し、
前記複数の単位画素は、第１方向には同一色の前記単位画素が並び、前記第１方向に交差する第２方向には異なる色の前記単位画素が隣り合うように配列され、
前記絶縁層は、前記自発光素子層に対向する面に、前記複数の貫通穴のそれぞれの開口を有し、
前記複数の貫通穴のそれぞれの内面は、発光方向に進むほど前記開口が拡大する方向に傾斜する順テーパ面と、前記開口が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面と、を含み、
前記順テーパ面は、前記第１方向に隣り合う前記単位画素の間に形成され、
前記逆テーパ面は、前記第２方向に隣り合う前記単位画素の間に形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の単位画素にそれぞれ対応して、複数色からなる複数の着色領域を含むカラーフィルタ層をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置において、前記自発光素子層は、前記複数の着色領域に向けて、単一色の光を発するように構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記絶縁層は、遮光性を有するように構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記絶縁層は、前記第２方向にそれぞれが延びて前記第１方向に相互に間隔をあけて並ぶ複数の第１リブ部と、隣同士の前記第１リブ部の前記間隔を接続するように前記第１方向にそれぞれが延びて前記第２方向に相互に間隔をあけて並ぶ複数の第２リブ部と、を含む格子の形状を有し、
前記順テーパ面は、それぞれの前記第１リブ部が有する前記第１方向を向く第１側面の少なくとも一部であり、
前記逆テーパ面は、それぞれの前記第２リブ部が有する前記第２方向を向く第２側面の少なくとも一部であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
断面視において、
前記第２リブ部の上面は、前記第１リブ部の上面より高く形成され、前記第１リブ部と前記第２リブ部の高さ差は前記共通電極の厚み以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置において、
前記複数の第２リブ部と前記複数の第１リブ部は、段差がなく面一になるように接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５に記載された表示装置において、
断面視において、前記第２リブ部の上面は前記第１リブ部の上面より低く形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項５に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極、前記絶縁層、前記自発光素子層及び前記共通電極を覆う封止層をさらに有し、
前記封止層と直下にある層との間の界面は、前記複数の第１リブ部の上方で、前記逆テーパ面に対応した形状になっていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
複数色からなる複数の単位画素によって構成されるカラー画像を表示する表示装置の製造方法であって、
前記複数の単位画素にそれぞれ対応する複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有する格子の形状を有し、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に積層し、前記複数の貫通穴を介して前記複数の画素電極に電気的に接続し、電流によって輝度が制御されて発光する自発光素子層を形成する工程と、
前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層して、前記複数の画素電極とともに、前記自発光素子層に前記電流を流すための共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記複数の単位画素は、第１方向には同一色の前記単位画素が並び、前記第１方向に交差する第２方向には異なる色の前記単位画素が隣り合うように配列され、
前記絶縁層は、前記自発光素子層に対向する面に、前記複数の貫通穴のそれぞれの開口を有し、
前記複数の貫通穴のそれぞれの内面は、前記開口が拡大する方向に傾斜する順テーパ面と、前記開口が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面と、を含み、
前記絶縁層を形成する工程は、
露光によって現像液に対する溶解性が低下するネガ型の第１感光性樹脂層を形成する工程と、
前記第１感光性樹脂層をパターニングして、前記第２方向にそれぞれが延びて前記第１方向に隣り合って前記単位画素の間に並ぶ複数の第１リブ部を、前記第１方向を向く第１側面の少なくとも一部に前記順テーパ面を有するように形成する工程と、
前記第１感光性樹脂層をパターニングした後に、露光によって現像液に対する溶解性が増大するポジ型の第２感光性樹脂層を形成する工程と、
前記第２感光性樹脂層をパターニングして、隣同士の前記第１リブ部の前記間隔を接続するように前記第１方向にそれぞれが延びて前記第２方向に隣り合う前記単位画素の間に並ぶ複数の第２リブ部を、前記第２方向を向く第２側面の少なくとも一部に前記逆テーパ面を有するように形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報化に伴い、薄型表示装置のニーズが高まっている。例えば、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、および有機ＥＬ表示装置等の薄型表示装置が実用化されている。そして、各薄型表示装置の高精細化、表示品位の向上や製造コスト低減等の研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１によれば、下層側が逆テーパ形状を有し、上層側が順テーパ形状を有する２層の隔壁を形成することで、陰極電極を下層側の隔壁によって一部を分断する構成を記載している。これにより、有機層に含まれる水分を放出することができ、水分による輝度低下といった素子の劣化を軽減する点を開示している。
【０００４】
また、例えば、下記特許文献２によれば、隔壁の断面形状を平行四辺形状とし、上端面の一方の側縁に鋭角のエッジ部が形成されるようにすることによって、その上方に蒸着等により製膜する陰極材料を、鋭角のエッジ部において分断する構成を記載している。これよって、マスク等を用いることなく、電気的に絶縁された複数の陰極を形成することができ、製造工程の負荷を軽減する点を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１７９１６３号公報
【特許文献２】特開２００１−８５１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１４は、従来の有機ＥＬ表示装置において、隣り合う画素の光の混色について説明するための図である。図１４に示すように、下ガラス基板４０１上に形成された無機絶縁層４０２及び画素トランジスタ４１４を含むように形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）層４０３の上層側に、画素電極４０４及び自発光素子層４０５，４０６と、絶縁層４０８が設けられ、自発光素子層４０５及び４０６と絶縁層４０８を覆うように共通電極４０７が形成されている。
【０００７】
そして、絶縁層４０８が逆テーパ形状を含んで形成された場合、共通電極４０７が絶縁層４０８の段差によって分断される。このような場合、共通電極の抵抗値が高くなり、電圧降下が起こる。そこで、当該共通電極４０７の分断を防止する為に、絶縁層４０８は順テーパ形状で形成されることが一般的である。しかしながら、隣り合う画素から発光された光は、順テーパの壁面に添って、図１４に示すように、封止層４１３を介して配置された上ガラス基板４０９に向かって広がりながら進むため、上ガラス基板４０９上では隣り合う画素から発光された光が混色する現象が生じる。
【０００８】
具体的には、自発光素子層４０４，４０５から発光された光は、隣接する画素の方向に、順テーパ面に沿って広がりながら進む。従って、自発光素子層４０４，４０５とカラーフィルタ層４１０，４１１，１４０１の下面との距離、及び、絶縁層４０８の順テーパ面４１８における内角に応じて、絶縁層４０８の幅を確保しなければ、隣接する単位画素２０４から発光された光が混合することを防止することが出来ない。この為、絶縁層４０８の幅を確保する、遮光層４１２を広く設ける等の措置が必要となり、例えば、高精細化の妨げとなる。
【０００９】
例えば、上記特許文献１のように、隔壁を２層の構造とし、下層側を逆テーパ形状としても、上層側を順テーパ形状とすると上記のような混色が生じるおそれがある。また、上記特許文献２のように、隔壁を平行四辺形の形状とした場合であっても、隔壁の側面の一方は逆テーパ形状となるが、他方は順テーパ形状となることから上記のような混色が生じるおそれがある。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、共通電極が分断されることによる電圧降下発生を防止しつつ、隣り合う画素から発光された光の混色を防止した表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、複数色からなる複数の単位画素によって構成されるカラー画像を表示する表示装置であって、前記複数の単位画素にそれぞれ対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有し、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、前記絶縁層に積層し、前記複数の貫通穴を介して前記複数の画素電極と接続された自発光素子層と、前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層された共通電極と、を有し、前記複数の単位画素は、第１方向には同一色の前記単位画素が並び、前記第１方向に交差する第２方向には異なる色の前記単位画素が隣り合うように配列され、前記絶縁層は、前記自発光素子層に対向する面に、前記複数の貫通穴のそれぞれの開口を有し、前記複数の貫通穴のそれぞれの内面は、発光方向に進むほど前記開口が拡大する方向に傾斜する順テーパ面と、前記開口が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面と、を含み、前記順テーパ面は、前記第１方向に隣り合う前記単位画素の間に形成され、前記逆テーパ面は、前記第２方向に隣り合う前記単位画素の間に形成されることを特徴としたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】有機ＥＬパネルを表示する側から見た構成を示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｂ）は、単位画素周辺部を拡大した平面図及び俯瞰図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、図３（ｂ）におけるIVa−IVa断面乃至IVd−IVd部に相当する断面を示す図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｂ）は、画素電極を形成する工程を説明する為の平面図及びVb−Vb断面を示す図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｂ）は、第１リブ部を形成する工程を説明する為の平面図及びVIb−VIb断面を示す図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、第１リブ部を形成する工程を説明する為の平面図、VIIb−VIIb断面及びVIIc−VIIc断面を示す図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、第１リブ部を形成する工程を説明する為の平面図、VIIIb−VIIIb断面及びVIIIc−VIIIc断面を示す図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、第２リブ部を形成する工程を説明する為の平面図、IXb−IXb断面及びIXc−IXc断面を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、第２リブ部を形成する工程を説明する為の平面図、Xb−Xb断面及びXc−Xc断面を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｂ）は、第２リブ部を形成する工程を説明する為の平面図及び俯瞰図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｄ）は、図１１（ｂ）におけるXIIa−XIIa断面乃至XIId−XIId部に相当する断面を示す図である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｄ）は、他の実施例について説明するための図である。
【図１４】従来技術において生じる光の混色について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１０１及び下フレーム１０２に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００を含むように構成されている。
【００１５】
図２は、図１の有機ＥＬパネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、有機ＥＬパネル２００は、アレイ基板２０１と、対向基板２０２と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０３と、を有する。アレイ基板２０１は、後述する自発光素子層等が配置され、封止層４１３（図４参照）によって対向基板２０２と接着される。駆動ＩＣ２０３は、例えば、フルカラーの１画素を構成する複数の副画素のそれぞれに相当する単位画素２０４に対応して配置された画素トランジスタ４１４（図４（ａ）参照）の走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタ４１４のデータ信号線に対して単位画素２０４の階調値に対応する電流を流す。駆動ＩＣ２０３によって、有機ＥＬパネル２００は、複数色からなる複数の単位画素２０４によって構成されるカラー画像を表示領域２０５に表示する。
【００１６】
続いて、有機ＥＬパネル２００の平面構成について説明する。図３（ａ）は、図２における単位画素２０４の周辺を拡大した図である。図３（ａ）に示すように、複数の単位画素２０４は、図面の上下方向（以下、第１方向３０４とする）には同一色の単位画素２０４が並び、第１方向３０４に交差する図面上左右方向（以下、第２方向３０５とする）には異なる色の単位画素２０４が隣り合うように配列される。具体的には、第１方向３０４には、赤色、緑色又は青色の単位画素３０１，３０２又は３０３が並んで配置される。また、第２方向３０５には、赤色、緑色及び青色の単位画素３０１，３０２及び３０３が順に配置される。
【００１７】
続いて、有機ＥＬパネル２００の断面構成について説明する。図３（ｂ）は、図３（ａ）において、２個の緑色の単位画素３０２及び２個の青色の単位画素３０３を含む、４個の単位画素２０４付近を俯瞰的に見た図である。また、図４は、図３（ｂ）において図示するIVa-IVa乃至IVd-IVdの４箇所に相当する部分の断面を表す図である。なお、図３（ｂ）は、有機ＥＬパネル２００の概略を示す図であり、図４におけるＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路層や封止層４１３等の一部を省略している。なお、本発明における有機ＥＬパネル２００は、トップエミッション方式を採用している。図４において、上方向に発射する光の方向を発光方向とする。
【００１８】
図４（ａ）は、図３（ｂ）におけるIVa−IVa部に相当する断面示す図である。図４（ａ）に示すように、アレイ基板２０１は、下ガラス基板４０１と、一又は複数の無機絶縁層４０２と、該無機絶縁層４０２上に対向基板２０２に向かって順に形成された、ＴＦＴ回路層４０３と、画素電極４０４と、緑色自発光素子層４０５及び青色自発光素子層４０６と、共通電極４０７と、絶縁層４０８とを含んで構成される。また、有機ＥＬパネル２００は、アレイ基板２０１の他に、上ガラス基板４０９と上ガラス基板４０９の下に形成されたカラーフィルタ層４１０，４１１及び遮光層４１２を含んで構成される対向基板２０２、及び、アレイ基板２０１と対向基板２０２の間を封止する封止層４１３を含む。
【００１９】
なお、下ガラス基板４０１及び上ガラス基板４０９の材質は、ガラスに限定されず、例えば可撓性を有するポリイミド基板であっても良い。可撓性を有する基板の場合、混色に対してはより厳しくなる為、本構成は最適である。無機絶縁層４０２としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなり、複数層で形成されても良い。
【００２０】
ＴＦＴ回路層４０３は、ソース配線、ドレイン配線、ゲート配線や半導体層を含んで構成される画素トランジスタ４１４を有する。画素トランジスタ４１４のソース配線又はドレイン配線の一方は、画素電極４０４と接続される。画素トランジスタ４１４の詳細な構造については、従来技術と同様である為説明を省略する。
【００２１】
画素電極４０４は、複数の単位画素２０４（図３（ａ））にそれぞれ対応して形成される。具体的には、各画素電極４０４は、ＴＦＴ回路層４０３の上層側に、各単位画素２０４に対応して形成された画素トランジスタ４１４と電気的に接続するように形成される。
【００２２】
自発光素子層４０５，４０６は、複数の貫通穴４１６を有する絶縁層４０８に積層し、複数の貫通穴４１６を介して複数の画素電極４０４と接続する。具体的には、図４（ａ）に示すように、自発光素子層４０５，４０６は、逆テーパ面４１５が形成された絶縁層４０８の左右両側かつ画素電極４０４の上部に形成される。
【００２３】
ここで、自発光素子層４０５，４０６の上方において、対向基板２０２には、カラーフィルタ４１０，４１１が形成される。カラーフィルタ４１０，４１１は、複数色からなる着色領域を有する。具体的には、例えば、カラーフィルタ４１０，４１１は、上ガラス基板４０９に設けられた遮光層４１２の間に、赤色の光を選択的に透過させる赤色カラーフィルタ、緑色の光を選択的に透過させる緑色カラーフィルタ４１０、青色の光を選択的に透過させる青色カラーフィルタ４１１を含んで構成される。
【００２４】
具体的には、緑色単位画素３０２（図３（ａ））には緑色自発光素子層４０５が形成され、青色単位画素３０３（図３（ａ））には青色自発光素子層４０６が形成される。絶縁層４０８は、さらに、図４（ａ）には記載していないが、赤色単位画素３０１には赤色自発光素子層が形成される。自発光素子層４０５，４０６は、画素電極４０４から共通電極４０７に流れる電流によって発光する。また、自発光素子層４０５，４０６は、IVa−IVa断面においては、絶縁層４０８（第２リブ部４１９）を避けて積層されているが、後述するIVb−IVb断面においては絶縁層４０８（第１リブ部４２０）の上側に積層される。
【００２５】
なお、図４においては、自発光素子層は、複数の色の光を発光する自発光素子層４０５，４０６を含んで構成されているが、白色の光を発光する自発光素子層にのみから構成されていてもよい（図１３参照）。本構成は、白色の光を発光する自発光素子層にのみから構成される実施例に比べて、NTSC比があがり、光学特性の向上を見込める。
【００２６】
また、各自発光素子層４０５，４０６は、画素電極４０４の上層側に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層して構成される。ここで、発光層は有機ＥＬ材料によって形成され、上記赤色自発光素子層、緑色自発光素子層４０５、青色自発光素子層４０６ごとに、それぞれ対応する材料を用いて形成される。ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び、電子注入層については、従来技術と同様であるため説明を省略する。
【００２７】
絶縁層４０８は、複数の画素電極４０４にそれぞれ重なる複数の貫通穴４１６を有し、複数の画素電極４０４のそれぞれの周縁部を覆うように形成される。具体的には、例えば、図４（ａ）に示すように、絶縁層４０８は、自発光素子層４０５，４０６に対向する面に複数の貫通穴４１６のそれぞれの開口４１７を有し、画素電極４０４の周縁部を覆う領域に形成される。貫通穴４１６の内面は、発光方向に進むにつれて、開口４１７が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面４１５を含んで形成される。当該逆テーパ面４１５は、第２方向３０５に隣り合う単位画素２０４（図３（ａ）参照）の間に形成される。
【００２８】
また、図４（ｂ）を用いて後述するが、絶縁層４０８は、図３（ａ）に示す第１方向３０４に隣り合う単位画素２０４の間には、発光方向に進むにつれて、開口４１７が拡大する方向に傾斜する順テーパ面４１８を含んで形成される。すなわち、絶縁層４０８は、図３（ａ）に示す第２方向３０５にそれぞれ延びて第１方向３０４に相互に間隔をあけて並ぶ複数の第１リブ部４２０と、隣同士の第１リブ部４２０の間隔を接続するように第１方向３０４にそれぞれが延びて第２方向３０５に相互に間隔をあけて並ぶ複数の第２リブ部４１９と、を含む格子の形状を有するように形成される。なお、逆テーパ面４１５は、それぞれの第２リブ部４１９が有する第２方向３０５を向く第２側面の少なくとも一部に有する構成であってもよい。
【００２９】
また、絶縁層４０８は、遮光性を有するように構成されている。絶縁層４０８が遮光性を有し、かつ、第２方向３０５に隣り合う単位画素２０４の間に逆テーパ面４１５が形成されることにより、隣り合う単位画素２０４が発光する異なる色の光が、第２方向３０５において混色することを防止できる。
【００３０】
共通電極４０７は、絶縁層４０８及び自発光素子層４０５，４０６に積層される。具体的には、図３（ｂ）及び図４（ａ）に示すように、共通電極４０７は、絶縁層４０８と自発光素子層４０５，４０６を覆うように形成される。そして、共通電極４０７は、上記のように、画素電極４０４との間で電流を流すことにより、自発光素子層４０５，４０６を発光させる。
【００３１】
遮光層４１２は、光を遮断する材料を用いて、第１方向３０４に形成された第２リブ部４１６に対応する位置に形成される。具体的には、図４（ａ）に示すように、アレイ基板２０１に形成された絶縁層４０８の第２リブ部４１９の上部の領域に、上ガラス基板４０９にアレイ基板２０１側へ向かって形成される。後述する第２リブ部４１９による混色防止効果により、遮光層４１２の幅は従来に比べて細く形成することが出来る為、画素を高精細化出来る。
【００３２】
封止層４１３は、複数の画素電極４０４、絶縁層４０８、自発光素子層４０５，４０６及び共通電極４０７を覆うように形成される。具体的には、図４（ａ）に示すように、封止層４１３と直下にある層との間の界面は、絶縁層４０８の第２リブ部４１９の上方で、逆テーパ面４１５に対応した形状となるように形成される。
【００３３】
続いて、図３（ｂ）におけるIVb−IVb部に相当する断面構成について、図４（ｂ）を用いて説明する。なお、IVa−IVa断面と異なる点についてのみ説明し、ＴＦＴ回路層４０３等の同様の構成については説明を省略する。
【００３４】
図３（ｂ）に示すように、絶縁層４０８は、複数の貫通穴４１６のそれぞれの内面が、発光方向に進むにつれて、開口４１７が拡大する方向に傾斜する順テーパ面４１８を含んで形成される。当該順テーパ面４１８は、第１方向３０４に隣り合う単位画素２０４の間に形成される。なお、順テーパ面４１８は、それぞれの第１リブ部４２０が有する第１方向３０４を向く第１側面の少なくとも一部に有する構成であってもよい。
【００３５】
ここで、一つの貫通穴４１６において、第１方向３０４に沿った両端部には、第２方向３０５に配列された絶縁層４０８の第１リブ部４２０の順テーパ面４１８が二つ設けられる。この順テーパ面４１８は、第１方向３０４に絶縁層４０８の第１リブ部４２０をはさんで隣接する貫通穴４１６が有する順テーパ面４１８と共に、互いの貫通穴４１６の境界に形成された絶縁層４０８の側面となる。
【００３６】
また、自発光素子層４０５，４０６は、IVb−IVb断面においては、絶縁層４０８の両側が順テーパ面４１８を含んで形成されることから、絶縁層４０８を覆うように形成される。
【００３７】
続いて、図３（ｂ）におけるIVc−IVc部に相当する断面構成、及び、IVd−IVd部に相当する断面構成について、図４（ｃ）及び図４（ｄ）を用いて説明する。IVc−IVc断面及び、IVd−IVd断面においては、図に示すように、ＴＦＴ回路層４０３は、画素トランジスタ４１４に電圧を供給する配線のみが形成される。しかしながら、画素トランジスタ４１４が、IVa−IVa断面とIVc−IVc断面に跨って形成されるようにしてもよい。
【００３８】
IVc−IVc断面における絶縁層４０８の第１リブ部４２０は、IVb−IVb断面における第１リブ部４２０と同様に形成される。第２リブ部４１６は、第１方向３０４に延びるように形成されるが、第１リブ部４２０の形成されている領域においては、第１リブ部４２０上に、共通電極４０７の厚みよりも薄い僅かな段差を有するように形成されるか、第１リブ部４２０と面一になるように形成される。当該構成は、第１リブ部４２０を形成した後で、第２リブ部をフォトリソグラフィ法で形成することによって得られる。
【００３９】
なお、断面視において、第２リブ部４１９の上面は第１リブ部４２０の上面より低く形成されるようにしてもよい。具体的には、例えば、IVc−IVc断面における絶縁層４０８の第２リブ部４１９は、第１リブ部４２０よりも低くなるように形成し、第１リブ部４２０のある部分により断続的に形成されるようにしてもよい。当該構成は、第１リブ部４２０を形成した後で、第２リブ部４１９をインクジェット法で形成することによって得られる。本構成によれば、上記構成よりもさらに、共通電極を段切れしにくくすることができる。
【００４０】
また、IVd−IVd断面における絶縁層４０８の第１リブ部４２０は、第２方向３０５に対して均一な高さで形成される。そして、IVd−IVd断面における絶縁層４０８の第２リブ部４１９は、第１リブ部４２０に載って、連続的に第１方向３０４に延び、第１リブ部４２０の上にも逆テーパ面４１５を有するように形成される。なお、上記と同様に、第２リブ部４１９と第１リブ部４２０は、段差がなく面一になるように接続されるようにしてもよい。
【００４１】
上記のように、本実施形態によれば、順テーパ面４１８は、同じ色の光を発光する隣り合う単位画素２０４の間に形成され、逆テーパ面４１５は、異なる色の光を発光する隣り合う単位画素２０４の間、すなわち、第２方向３０５に隣り合う単位画素２０４の間に形成される。従って、第１方向３０４には同一色の単位画素２０４が並んで形成されることにより異なる色の光が混ざる状態を防止することができ、第２方向３０５には逆テーパ面４１５が形成されることから異なる色の光が混ざる状態を防止することができる。さらに、絶縁層４０８の開口４１７の少なくとも一部には順テーパ面４１８が含まれることから、陰極電極が分断されることを防止することができる。
【００４２】
続いて、図３及び図４で説明したような複数の単位画素２０４によって構成されるカラー画像を表示する表示装置１００の製造方法ついて、図５乃至図１２を参照して説明する。まず、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、下ガラス基板４０１上に、無機絶縁層４０２が形成され、その上に、画素トランジスタ４１４及び各単位画素２０４に対応する画素電極４０４が形成される。ここで、複数の単位画素２０４は、第１方向３０４には同一色の単位画素２０４が並び、第１方向３０４に交差する第２方向３０５には異なる色の単位画素２０４が隣り合うように配列される（図３（ａ）参照）。当該工程については、従来技術と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００４３】
次に、複数の単位画素２０４にそれぞれ対応する複数の画素電極４０４にそれぞれ重なる複数の貫通穴４１６を有する格子の形状を有し、複数の画素電極４０４のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層４０８を形成する（図３（ｂ）参照）。当該工程において、絶縁層４０８は、自発光素子層に対向する面に、複数の貫通穴４１６のそれぞれの開口４１７を有し、複数の貫通穴４１６のそれぞれの内面は、発光方向に進むにつれて、開口４１７が拡大する方向に傾斜する順テーパ面４１８と、開口４１７が縮小する方向に傾斜する逆テーパ面４１５と、を含むように形成される。
【００４４】
具体的には、まず、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、露光によって現像液に対する溶解性が低下するネガ型の第１感光性樹脂層６０１を形成する。ここでは、有機ＥＬパネル２００全面に第１感光性樹脂層６０１が塗布される。なお、上述のように、絶縁層４０８の第２リブ部４１９を断続的に形成する場合には、第１リブ部４２０をインクジェット法により形成してもよい。
【００４５】
次に、第１感光性樹脂層６０１をパターニングして、第２方向３０５にそれぞれが延びて第１方向３０４に隣り合って単位画素２０４の間に並ぶ複数の第１リブ部４２０を、第１方向３０４を向く第１側面の少なくとも一部に順テーパ面４１８を有するように形成する（図３（ｂ）参照）。
【００４６】
具体的には、図７（ａ）に示すように、画素電極４０４が形成された領域を覆うように、第２方向３０５に添って光を遮光するパターンが形成されたフォトマスク７０１が、有機ＥＬパネル２００に配置される。ここで、図７（ｂ）に示すように、VIIb−VIIb断面においては、第１感光性樹脂層６０１は、全体がマスクパターンに覆われる。また、図７（ｃ）に示すように、VIIc−VIIc断面においては、第１感光性樹脂層６０１は、第１リブ部４２０が形成される領域を除く領域が、マスクパターンに覆われる。
【００４７】
次に、図７のようなフォトマスク７０１が配置された状態で露光されることにより、露光された領域に形成された第１感光性樹脂層６０１は、現像液に対する溶解性が低下する。
【００４８】
そして、現像されることにより、図８（ａ）及び図８（ｃ）のように、露光されなかった領域に形成された第１感光性樹脂層６０１が溶解し、第１リブ部４２０が形成される。ここで、上記のように、第１感光性樹脂層６０１にはネガ型の材料が用いられることから、第１リブ部４２０の側面は順テーパ面４１８を含むように形成される。
【００４９】
次に、図９乃至図１２に示す工程において、第２感光性樹脂層９０１をパターニングして、隣同士の第１リブ部４２０の間隔を接続するように第１方向３０４にそれぞれが延びて第２方向３０５に隣り合う単位画素２０４の間に並ぶ複数の第２リブ部４１９を、第２方向３０５を向く第２側面の少なくとも一部に逆テーパ面４１５を有するように形成する。なお、第２リブ部４１９上面が第１リブ部４２０の上面より低く形成する為には例えば、第２感光性樹脂層９０１をインクジェットで塗布することにより形成すれば良い。
【００５０】
具体的には、まず、図９（ａ）乃至図９（ｃ）に示すように、第１感光性樹脂層６０１をパターニングした後に、露光によって現像液に対する溶解性が増大するポジ型の第２感光性樹脂層９０１を形成する。ここでは、有機ＥＬパネル２００全面に第２感光性樹脂層９０１が塗布される。
【００５１】
続いて、図１０（ａ）乃至図１０（ｃ）に示すように、隣り合う画素電極４０４同士の間の領域を覆うように、第１方向３０４に添って光を遮光するパターンが形成されたフォトマスク１００１が、有機ＥＬパネル２００に配置される。ここで、図１０（ｂ）に示すように、Xb−Xb断面においては、第１リブ部４２０が形成される領域が、マスクパターンに覆われる。また、図１０（ｃ）に示すように、Xc−Xc断面においては、フォトマスク１００１には、光を遮断するパターンは形成されない。
【００５２】
次に、図１０のようなフォトマスク１００１が配置された状態で露光されることにより、露光された領域に形成された第２感光性樹脂層９０１は、現像液に対する溶解性が増大する。
【００５３】
そして、現像されることにより、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のように、露光された領域に形成された第２感光性樹脂層９０１が溶解し、第２リブ部４１９が形成される。上記のように、第２感光性樹脂層９０１にはポジ型の材料が用いられることから、第２リブ部４１９の側面は逆テーパ面４１５を含むように形成される。
【００５４】
図１１（ｂ）は、図４と同様に、図１１（ａ）における４個の単位画素２０４付近を俯瞰的に見た図である。なお、図３と同様に、図１１（ｂ）は、有機ＥＬパネル２００の概略を示す図であり、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路層等の一部を省略している。また、図１２は、図１１（ｂ）において図示するXIIa-XIIa乃至XIId-XIIdの４箇所に相当する部分の断面を表す図である。
【００５５】
図１２（ａ）に示すように、XIIa−XIIa断面における絶縁層４０８は、第２方向３０５に隣り合う単位画素２０４の間には、逆テーパ面４１５を含んで形成される。また、図１２（ｂ）に示すように、XIIb−XIIb断面における絶縁層４０８は、第１方向３０４に隣り合う単位画素２０４の間には、順テーパ面４１８を含んで形成される。そして、図１２（ｃ）に示すように、XIIc−XIIc断面における絶縁層４０８は、複数の第１リブ部４２０があることで、第１方向３０４に延びるように形成される。さらに、図１２（ｄ）に示すように、XIId−XIId断面における絶縁層４０８は、第２リブ部４１９が、第１リブ部４２０に載って連続的に第１方向３０４に延び、第１リブ部４２０の上にも逆テーパ面４１５を有するように形成される。以上のように、図６乃至図１２に示す工程において、絶縁層４０８が格子状に形成される。
【００５６】
続いて、絶縁層４０８に積層し、複数の貫通穴４１６を介して複数の画素電極４０４に電気的に接続し、電流によって輝度が制御されて発光する自発光素子層４０５，４０６を形成する。そして、絶縁層４０８及び自発光素子層４０５，４０６に積層して、複数の画素電極４０４とともに、自発光素子層４０５，４０６に電流を流すための共通電極４０７を形成する。さらに、カラーフィルタ層４１０，４１１及び遮光層４１２が形成された対向基板２０２とアレイ基板２０１を封止層４１３で接着することにより、図３及び図４で示す有機ＥＬパネル２００が完成する。
【００５７】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施形態においては、上記有機ＥＬパネル２００が赤色、緑色及び青色の光を発光する３色の単位画素２０４を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、赤色、緑色、青色、及び、白色の４色の光を発光する自発光素子が配置された４個の単位画素２０４が１画素を構成するようにしてもよい。また、１画素を構成する単位画素２０４は４個以上であってもよい。
【００５８】
図１３に示す本変形例における各断面図は、上記実施例における図４に相当する図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、自発光素子層は、全ての単位画素２０４において、白色の光を発光するように白色自発光素子層１３０３を形成してもよい。この場合、発光層に用いられる材料は、白色の光を発光する有機ＥＬ材料が用いられる。また、白色自発光素子層１３０３は、絶縁層４０８の上部を覆うように形成してもよい。
【００５９】
対向基板２０２には、カラー表示を行う為のカラーフィルタ４１０，４１１が形成される。カラーフィルタ４１０，４１１は、画素電極４０４の上方に、複数色からなる着色領域を有する。具体的には、例えば、カラーフィルタ４１０，４１１は、上ガラス基板４０９に設けられた遮光層４１２の間に、赤色の光を選択的に透過させる赤色カラーフィルタ（図示なし）、緑色の光を選択的に透過させる緑色カラーフィルタ４１０、青色の光を選択的に透過させる青色カラーフィルタ４１１を含んで構成される。カラーフィルタによって、自発光素子層４０５，４０６から発光された光の中から特定の色の光が選択的に透過することにより、有機ＥＬパネル２００はカラー表示を行う。
【００６０】
より具体的には、図１３（ａ）に示す断面図において、カラーフィルタは、左側の単位画素２０４には緑色カラーフィルタ４１０を含み、右側の単位画素２０４には青色カラーフィルタ４１１を含んで形成される。また、図１３（ｂ）に示す断面図において、カラーフィルタは、左右に隣り合う２個の単位画素２０４にはそれぞれ青色カラーフィルタ４１１を含んで形成される。そして、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に示す断面図において、カラーフィルタは、遮光層４１２を含んで形成される。
【００６１】
これにより、自発光素子層が、複数色の光を発光する発光層から形成される場合と同様に、表示装置１００はカラー表示を行う。自発光素子層を単一色の光を発光するように構成することによって、製造時の負荷を軽減することができる。
【００６２】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
１００  表示装置、１０１  上フレーム、１０２  下フレーム、２００  有機ＥＬパネル、２０１  アレイ基板、２０２  対向基板、２０３  駆動ＩＣ、２０４  単位画素、２０５  表示領域、３０１  赤色単位画素、３０２  緑色単位画素、３０３  青色単位画素、３０４  第１方向、３０５  第２方向、４０１  下ガラス基板、４０２  無機絶縁層、４０３  ＴＦＴ回路層、４０４  画素電極、４０５  緑色自発光素子層、４０６  青色自発光素子層、４０７  共通電極、４０８  絶縁層、４０９  上ガラス基板、４１０  緑色カラーフィルタ、４１１  青色カラーフィルタ、４１２  遮光層、４１３  封止層、４１４  画素トランジスタ、４１５  逆テーパ面、４１６  貫通穴、４１７  開口、４１８  順テーパ面、４１９  第２リブ部、４２０  第１リブ部、６０１  第１感光性樹脂層、７０１  フォトマスク、９０１  第２感光性樹脂層、１００１  フォトマスク、１３０１  白色自発光素子層、１４０１  赤色カラーフィルタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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