(57)【要約】【課題】省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る放射線検出器は、複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記アレイ基板の上に設けられ、平面視において枠状を呈し、前記シンチレータ層を囲む基部と、前記基部の上に前記基部と一体に設けられ、前記基部から前記シンチレータ層に向けて突出するオーバーハング部と、前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が前記少なくともオーバーハング部の上面に接合された防湿体と、を備えている。【選択図】図２
2017111082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
前記アレイ基板の上に設けられ、平面視において枠状を呈し、前記シンチレータ層を囲む基部と、
前記基部の上に前記基部と一体に設けられ、前記基部から前記シンチレータ層に向けて突出するオーバーハング部と、
前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合された防湿体と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記シンチレータ層は、周縁部分に、厚み寸法が前記シンチレータ層の外側に向かうに従い漸減する傾斜部を有し、
前記オーバーハング部の少なくとも一部は、平面視において前記傾斜部と重なっている請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記オーバーハング部は、前記シンチレータ層の周端面と密着している請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記オーバーハング部と前記シンチレータ層の周端面との間、および、前記オーバーハング部と前記アレイ基板との間の少なくともいずれかには隙間が設けられている請求項１または２に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記基部と前記オーバーハング部とは、無機材料を含むフィラー材、吸湿剤、および放射線を蛍光に変換する第１の蛍光体材料の少なくともいずれかと、樹脂と、を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の放射線検出器。  
【請求項６】
前記シンチレータ層は、放射線を蛍光に変換する第２の蛍光体材料を含み、
前記第２の蛍光体材料は、前記第１の蛍光体材料と異なる請求項５記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記シンチレータ層は、放射線を蛍光に変換する第２の蛍光体材料を含み、
前記第２の蛍光体材料は、前記第１の蛍光体材料と同じである請求項５記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記無機材料は、ケイ酸塩鉱物、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化アルミニウム、少なくともケイ素と酸素とを含む複合化合物、アルミニウム、および、アルミニウムより比重の小さい金属のいずれかである請求項４記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記防湿体は、周縁近傍に、前記アレイ基板側に向けて突出する屈曲部を有する請求項１〜８のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記防湿体は、エンボス状の応力吸収部を有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【請求項１１】
前記防湿体は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む請求項１〜１０のいずれか１つに記載の放射線検出器。
【請求項１２】
アレイ基板に設けられた複数の光電変換素子の上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成する工程と、
前記アレイ基板の上に、平面視において枠状を呈し前記シンチレータ層を囲む基部を形成する工程と、
前記基部の上に、前記基部から前記シンチレータ層に向けて突出するオーバーハング部を形成する工程と、
前記シンチレータ層の上方を覆う防湿体の周縁部近傍を、少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合する工程と、
を備えた放射線検出器の製造方法。
【請求項１３】
前記シンチレータ層を形成する工程において、前記シンチレータ層の周縁部分に、厚み寸法が前記シンチレータ層の外側に向かうに従い漸減する傾斜部を形成し、
前記オーバーハング部を形成する工程においては、少なくともその一部が平面視において前記傾斜部と重なる前記オーバーハング部を形成する請求項１２記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１４】
前記オーバーハング部を形成する工程において、前記シンチレータ層の周端面と密着するように前記オーバーハング部が形成される請求項１２または１３に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１５】
前記オーバーハング部を形成する工程において、前記オーバーハング部と前記シンチレータ層の周端面との間、および、前記オーバーハング部と前記アレイ基板との間の少なくともいずれかに隙間が設けられるように前記オーバーハング部が形成される請求項１２または１３に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１６】
前記オーバーハング部を形成する工程において、放射線を蛍光に変換する第１の蛍光体材料と樹脂とを含む前記オーバーハング部を形成する請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１７】
遅延硬化型接着剤、自然硬化型接着剤、および加熱硬化型接着剤のいずれかを用いて、前記防湿体の周縁部近傍を少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合する工程をさらに備える請求項１２〜１６のいずれか１つに記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１８】
前記防湿体の周縁部近傍を少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合する工程において、大気圧よりも減圧された環境において、前記防湿体の周縁部近傍を少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合する請求項１７記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、放射線検出器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、ガラスなどの透光性材料から形成された基板と、基板の上にマトリクス状に設けられた複数の光電変換部と、複数の光電変換部を覆い、Ｘ線を可視光すなわち蛍光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層を覆う防湿体などが設けられている。  
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
【０００３】
ここで、水蒸気などに起因する解像度特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）などからなる場合には、湿度などによる解像度特性の劣化が大きくなるおそれがある。  
そのため、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部を基板と接合する技術が提案されている。  
シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば部を基板と接合すれば、高い防湿性能を得ることができる。
【０００４】
この場合、ハット形状の防湿体のつば部と基板との間の封止性を確保し、且つ高い信頼性を得るためには、防湿体のつば部の幅寸法を長くすることが好ましい。  
ところが、防湿体のつば部の幅寸法を長くすると、その幅寸法に応じた余分なスペースが必要となる。また、防湿体のつば部から外側にはみ出す接着剤の量を制御することは困難である。さらに、フレキシブルプリント基板と電気的に接続される配線パッドは、接着剤がはみ出すことを考慮してさらに外側に設ける必要がある。  
そのため、防湿体のつば部の幅寸法を長くし、且つ接着剤がはみ出す領域を確保しようとすると、有効画素エリアの周辺に設けることが必要となる領域の寸法が増加し、ひいてはＸ線検出器の寸法の増加や重量の増加を招くおそれがある。
【０００５】
また、シンチレータ層を囲む包囲リングを設け、包囲リングの上面にカバーを接着する構造が提案されている。  
この場合、包囲リングの上面とカバーとの封止性を確保し、且つ高い信頼性を得るためには、包囲リングの幅寸法を長くすることが好ましい。  
ところが、包囲リングの幅寸法を長くすると、有効画素エリアの周辺に設けることが必要となる領域の寸法が増加し、ひいてはＸ線検出器の寸法の増加や重量の増加を招くおそれがある。  
また、この様な構造では、高い防湿性能を得ることが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１２８０２３号公報
【特許文献２】特開２００１−１８８０８６号公報
【特許文献３】特開平５−２４２８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、省スペース化と防湿性能の向上とを図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係る放射線検出器は、複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記アレイ基板の上に設けられ、平面視において枠状を呈し、前記シンチレータ層を囲む基部と、前記基部の上に前記基部と一体に設けられ、前記基部から前記シンチレータ層に向けて突出するオーバーハング部と、前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が少なくとも前記オーバーハング部の上面に接合された防湿体と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
【図２】Ｘ線検出器１の模式断面図である。
【図３】他の実施形態に係る壁体１９を例示するための模式断面図である。
【図４】他の実施形態に係る壁体２９を例示するための模式断面図である。
【図５】他の実施形態に係る防湿体１７を例示するための模式断面図である。
【図６】他の実施形態に係る防湿体２７を例示するための模式断面図である。
【図７】他の実施形態に係る反射層１６を例示するための模式断面図である。
【図８】比較例に係るＸ線検出器５１の模式断面図である。
【図９】高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における透湿量の変化を例示するためのグラフ図である。
【図１０】高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
【００１１】
（第１の実施形態）  
まず、第１の実施形態に係るＸ線検出器１について例示をする。  
図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。  
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６、防湿体７、接合層８、壁体９などを省いて描いている。  
図２は、Ｘ線検出器１の模式断面図である。  
なお、煩雑となるのを避けるために、図２においては、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、信号処理部３、画像伝送部４などを省いて描いている。  
放射線検出器であるＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができる。ただし、Ｘ線検出器１の用途は、一般医療用途に限定されるわけではない。
【００１２】
図１および図２に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、接合層８、および壁体９が設けられている。  
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および保護層２ｆを有する。
【００１３】
基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。  
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。  
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。  
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。
【００１４】
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。  
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。図示しない蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が図示しない蓄積キャパシタを兼ねることができる。
【００１５】
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。  
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極は、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極は、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極は、対応する光電変換素子２ｂ１と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。
【００１６】
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向に延びている。  
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない制御回路とそれぞれ電気的に接続されている。
【００１７】
データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。  
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない増幅・変換回路とそれぞれ電気的に接続されている。
【００１８】
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆うように設けられている。  
保護層２ｆは、窒化ケイ素（ＳｉＮ）やアクリル系樹脂などの絶縁性材料から形成することができる。
【００１９】
信号処理部３は、基板２ａの、光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。  
信号処理部３には、図示しない制御回路と、図示しない増幅・変換回路とが設けられている。  
図示しない制御回路は、各薄膜トランジスタ２ｂ２の動作、すなわち各薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態およびオフ状態を制御する。例えば、図示しない制御回路は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と配線パッド２ｄ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２が受信できるようになる。
【００２０】
図示しない増幅・変換回路は、例えば、複数の電荷増幅器、並列／直列変換器、およびアナログ−デジタル変換器を有している。  
複数の電荷増幅器は、各データライン２ｃ２にそれぞれ電気的に接続されている。  
複数の並列／直列変換器は、複数の電荷増幅器にそれぞれ電気的に接続されている。  
複数のアナログ−デジタル変換器は、複数の並列／直列変換器にそれぞれ電気的に接続されている。  
図示しない複数の電荷増幅器は、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。
【００２１】
そして、図示しない複数の電荷増幅器は、受信した画像データ信号Ｓ２を順次増幅する。
図示しない複数の並列／直列変換器は、増幅された画像データ信号Ｓ２を順次直列信号に変換する。  
図示しない複数のアナログ−デジタル変換器は、直列信号に変換された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。
【００２２】
画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の図示しない増幅・変換回路と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。  画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ−デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。
【００２３】
シンチレータ層５は、複数の光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。  
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が形成される。  
シンチレータ層５の厚み寸法は、例えば、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱（ピラー）の太さ寸法は、例えば、最表面で８μｍ〜１２μｍ程度とすることができる。
【００２４】
ここで、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、シンチレータ層５を形成する領域とほぼ同じ大きさの開口部を有する蒸着マスクが用いられる。そのため、真空蒸着時のシャドウ効果により、シンチレータ層５の周縁部分に、傾斜部５ａが形成される（図２を参照）。
傾斜部５ａの厚み寸法は、シンチレータ層５の外側に向かうに従い漸減している。傾斜部５ａの厚み寸法が変化すると、厚み寸法の変化に応じて発光輝度やＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の変化が生じる。そのため、傾斜部５ａが、有効画素領域Ａの上にあると、傾斜部５ａがある領域における画像品質が低下するおそれがある。そのため、シンチレータ層５の傾斜部５ａは、有効画素領域Ａの外側に位置するようにすることが好ましい。
【００２５】
また、シンチレータ層５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ層５を形成することができる。まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。次に、混合された材料を、有効画素領域Ａを覆うように塗布する。次に、塗布された材料を焼成する。解像度特性を特に重視する場合には、次に、ブレードダイシング法などを用いて、焼成された材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ層５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。これらの溝部により柱状シンチレータ間の光学的なクロストークが低減するので（ライトガイド効果）、解像度特性の改善が図れる。
【００２６】
反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。
【００２７】
反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側を覆っている。  
反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）などからなる光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することもできる。また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。
【００２８】
なお、図２に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５のＸ線の入射側に塗布し、これを乾燥させることで形成したものである。  
この場合、反射層６の厚み寸法は、１２０μｍ程度とすることができる。  
なお、反射層６は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。  
以下においては、反射層６が設けられる場合を例示する。
【００２９】
防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。  
防湿体７は、シンチレータ層５および反射層６の上方を覆っている。この場合、防湿体７と反射層６の上面との間に隙間があってもよいし、防湿体７と反射層６の上面が接触するようにしてもよい。  
例えば、大気圧よりも減圧された環境において、防湿体７と、壁体９（オーバーハング部９ｂ）の上面とを接合すれば、大気圧により防湿体７と反射層６の上面が接触する。
【００３０】
防湿体７の周縁部近傍は壁体９（オーバーハング部９ｂ）の上面に接合されている。  
防湿体７は、膜状体、箔状体、および薄板のいずれかとすることができる。  
防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。  
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、あるいは、樹脂膜と無機材料（アルミニウムやアルミニウム合金などの金属、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック系材料）からなる膜とが積層された低透湿防湿膜（水蒸気バリアフィルム）などから形成することができる。  
この場合、実効的な透湿係数がほとんどゼロであるアルミニウムやアルミニウム合金などを用いて防湿体７を形成すれば、防湿体７を透過する水蒸気をほぼ完全になくすことができる。
【００３１】
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線の吸収が大きくなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。  
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔を用いて形成することができる。
【００３２】
接合層８は、オーバーハング部９ｂと、防湿体７との間に設けられ、防湿体７の周縁近傍と壁体９とを接合している。接合層８は、一定範囲内であれば、オーバーハング部９ｂより外側（壁体９の外面）または内側（反射層６やシンチレータ層５の上部など）まで覆うこともできる。
接合層８は、例えば、遅延硬化型接着剤、自然（常温）硬化型接着剤、および加熱硬化型接着剤のいずれかが硬化することで形成されたものとすることができる。  
また、接合層８は、後述する無機材料からなるフィラー材や吸湿材をさらに含むことができる。接合層８に無機材料からなるフィラー材や吸湿材を含めるようにすれば、空気中に含まれる水蒸気が接合層８を透過してシンチレータ層５に到達するのを抑制することができる。
【００３３】
壁体９は、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを有する。  
基部９ａは、平面視において枠状を呈し、シンチレータ層５を囲んでいる。基部９ａは、シンチレータ層５よりは外側であって、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる領域よりは内側に設けられている。基部９ａは、アレイ基板２の上に設けられ、アレイ基板２と密着している。  
オーバーハング部９ｂは、基部９ａの上に設けられている。オーバーハング部９ｂは、基部９ａと一体に設けられている。オーバーハング部９ｂは、基部９ａからシンチレータ層５に向けて突出している。オーバーハング部９ｂは、シンチレータ層５の傾斜部５ａの上に設けられた反射層６と密着している。なお、反射層６が設けられていない場合には、オーバーハング部９ｂは、シンチレータ層５の周端面５ａ１と密着している。
【００３４】
オーバーハング部９ｂをシンチレータ層５の傾斜部５ａの上にかかる様に設ける事は、傾斜部５ａの上部空間を有効に利用して、防湿性や信頼性を高める事に繋がる。
オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、基部９ａとシンチレータ層５の傾斜部５ａとの間を埋めることができるので、空気中に含まれる水蒸気がシンチレータ層５に到達するのを抑制することができる。また、防湿体７と壁体１９との接合面積を大きくできることから、防湿体７と壁体１９との接合界面からの水蒸気の侵入が抑えられるので、防湿性能を高める事ができる。更に、防湿体７と壁体１９との接合強度も面積の増大分だけ大きくなるので、環境温度の変化などで構成部材間の熱膨張差に起因して生じる冷熱ストレスに対しても耐性が強くなる。
一方、オーバーハング部９ｂを設けるようにしても、基部９ａとシンチレータ層５の傾斜部５との間の距離には変わりはない。そのため、有効画素エリアＡの周辺に設ける領域の寸法は影響されない。
オーバーハング部９ｂを形成しても、有効画素エリアＡの寸法には影響を与えない。かつ、Ｘ線検出器１のサイズが大きくなる事もない。その上、防湿性と信頼性のより高い防湿構造を提供する事ができる。
【００３５】
また、オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、接合層８が設けられる領域を確保することが容易となる。この場合、オーバーハング部９ｂの上面は、平坦であることが好ましい。オーバーハング部９ｂの上面が平坦であれば、オーバーハング部９ｂと防湿体７との封止性を確保し、且つ高い信頼性を得ることが容易となる。
【００３６】
基部９ａおよびオーバーハング部９ｂは、同じ材料から形成することができる。基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを同じ材料から形成すれば、基部９ａとオーバーハング部９ｂとの間に界面が形成されるのを抑制することができる。基部９ａとオーバーハング部９ｂとの間に界面が形成されていなければ、界面を介して壁体９の内側に、空気中に含まれる水蒸気が侵入するのを防止することができる。また、基部９ａとオーバーハング部９ｂの接合強度を高めることができる。
【００３７】
基部９ａおよびオーバーハング部９ｂは、透湿係数が低い材料から形成することができる。基部９ａおよびオーバーハング部９ｂは、例えば、無機材料からなるフィラー材と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含むものとすることができる。  
この場合、無機材料は、例えば、ケイ酸塩鉱物、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化アルミニウム、少なくともケイ素と酸素とを含む複合化合物、アルミニウム、および、アルミニウムより比重の小さい金属などとすることができる。
ケイ酸塩鉱物は、例えば、タルク（滑石：Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ）２）とすることができる。  
少なくともケイ素と酸素とを含む複合化合物は、例えば、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎなどとすることができる。
【００３８】
この場合、タルクは、低硬度の無機材質であり、滑り性が高い。そのため、タルクを高い濃度で含有させても、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが脆くなることがない。
また、タルクからなるフィラー材の粒径が、数μｍから数十μｍ程度となるようにサイズや粒径分布を適正化すれば、タルクの濃度を高めることができる。  
タルクの濃度を高めれば、樹脂のみの場合と比較して透湿係数を１ケタ程度低くすることができる。
【００３９】
また、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂは、吸湿材と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含むものとすることもできる。  
基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを形成するための材料は、例えば、吸湿材である塩化カルシウムと、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）と、溶媒を混合して作成したものとすることができる。  
この場合、例えば、密度が２．１ｇ／ｃｃ程度、単位重量当たりの吸湿容量が２７％程度となるようにすることができる。
【００４０】
また、オーバーハング部９ｂは、Ｘ線を蛍光に変換する蛍光体材料（第１の蛍光体材料の一例に相当する）と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含むものとすることもできる。なお、基部９ａは、蛍光体材料を含んでいてもよいし、蛍光体材料を含んでいなくてもよい。基部９ａが蛍光体材料を含んでいない場合であっても、基部９ａに含まれる樹脂とオーバーハング部９ｂに含まれる樹脂とが同じであれば、基部９ａとオーバーハング部９ｂの間に界面が形成されるのを抑制することができる。  
また、蛍光体材料を含むオーバーハング部９ｂとする場合には、オーバーハング部９ｂの一部は、平面視において傾斜部５ａと重なる様にする。また、シンチレータ層５の傾斜部５ａの上に反射層６を設けないようにする。すなわち、オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとの間に反射層６を設けないようにする（例えば、図７を参照）。
【００４１】
蛍光体材料は、Ｘ線を蛍光に変換できるものであれば特に限定はない。  
蛍光体材料は、例えば、ヨウ化セシウム：タリウム、ヨウ化ナトリウム：タリウム、酸硫化ガドリニウム：テルビウム（Ｔｂ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）：銅（Ｃｕ）などとすることができる。なお、オーバーハング部９ｂに含まれる蛍光体材料は、シンチレータ層５に含まれる蛍光体材料（第２の蛍光体材料の一例に相当する）と異なるものであってもよいし、同じものであってもよい。ただし、オーバーハング部９ｂに含まれる蛍光体材料は、シンチレータ層５に含まれる蛍光体材料と同じとすることが好ましい。この様にすれば、発光輝度の差やＸ線エネルギーによる特性差を小さくすることが容易となる。
【００４２】
前述したように、シンチレータ層５の傾斜部５ａにおいては、発光輝度が低下する。オーバーハング部９ｂに蛍光体材料が含まれていれば、傾斜部５ａにおいて低下した発光輝度を、オーバーハング部９ｂにおいて生じた蛍光の発光輝度により補うことができる。そのため、オーバーハング部９ｂに蛍光体材料を含めるようにすれば、シンチレータ層５の傾斜部５ａは、有効画素領域Ａの上に位置するようにすることができる（例えば、図７を参照）。その結果、有効画素エリアＡの周辺に設けることが必要となる領域の寸法を小さくすることができる。
【００４３】
ここで、シンチレータ層５の中央領域と、オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとが設けられた領域とでは、発光輝度が同等にならない場合もある。  
また、反射層６がオーバーハング部９ｂの全体を覆うか一部を覆うか、或いは覆わないかにより反射層６の周縁端の内側と外側とで一定の輝度差が生じる。
【００４４】
しかしながら、前述した画像伝送部４において、Ｘ線画像を構成する際に輝度差により生じた感度差を補正する電気的な処理（画像補正、感度補正）を行うことができる。  
そのため、シンチレータ層５の中央領域と、オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとが設けられた領域とにおける輝度差が所定の範囲内であれば、画像品質上の問題は生じない。
【００４５】
また、シンチレータ層５は、複数の柱状結晶の集合体からなる。そのため、シンチレータ層５においては、発光の拡がりが抑制されるので、解像度特性が向上する。  
一方、オーバーハング部９ｂは、柱状結晶を有していないので、シンチレータ層５に比べて発光の拡がりが大きくなるおそれがある。そのため、オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとが設けられた領域は、シンチレータ層５の中央領域に比べて解像度特性が悪くなるおそれがある。  
しかしながら、一般的には、重要な検出は有効画素領域Ａの中央領域において行われ、有効画素領域Ａの周縁領域（オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとが設けられた領域）においては撮影領域の輪郭を判断することなどが行われる。すなわち、有効画素領域Ａの周縁領域においては高精細な画像を必要とする重要な検出が行われることは考えにくく、有効画素領域Ａの周縁領域における解像度特性が若干低下する程度であれば、実用上問題がない。  
つまり、シンチレータ層５の中央領域と、オーバーハング部９ｂと傾斜部５ａとが設けられた領域とで解像度特性に所定の範囲内の差が生じたとしても実用上問題がない。
【００４６】
本発明者らの得た知見によれば、オーバーハング部９ｂに含まれる蛍光体材料の割合を、体積充填率で４０％以上とすれば、輝度や解像度特性に実用上の問題が発生することはない。この場合、オーバーハング部９ｂに含まれる蛍光体材料の割合を、体積充填率で６０％以上とすればより望ましい。
【００４７】
また、焼結体などからなる蛍光体材料は、一般的な樹脂と比較すれば透湿係数が低い材料が多い。そのため、蛍光体材料を含む基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、樹脂材料のみを含む基部９ａおよびオーバーハング部９ｂの場合に比べて、透湿係数を低下させることができる。透湿係数を低下させることができれば、空気中に含まれる水蒸気が基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを透過してシンチレータ層５に到達するのを抑制することができる。そのため、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制することができる。
【００４８】
以上に説明したように、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂには、無機材料からなるフィラー材、吸湿材、および蛍光体材料の少なくともいずれかが含まれていればよい。  
また、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを形成するための材料には、エポキシ化亜麻仁油などのエポキシ化植物油をさらに加えることもできる。エポキシ化植物油を加えれば、可撓性を有する基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを形成することができる。可撓性を有する基部９ａおよびオーバーハング部９ｂとすれば、基部９ａとアレイ基板２との間、オーバーハング部９ｂとシンチレータ層５との間に熱応力が発生したとしても、その柔軟性により剥がれが生じるのを抑制することができる。
【００４９】
基部９ａを形成する際には、基部９ａを形成するための材料をシンチレータ層５を囲むようにアレイ基板２上に枠状に塗布する。オーバーハング部９ｂを形成する際には、オーバーハング部９ｂを形成するための材料を基部９ａの上に塗布する。材料の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。なお、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂの形成に関する詳細は後述する。
【００５０】
図３は、他の実施形態に係る壁体１９を例示するための模式断面図である。  
図３に示すように、壁体１９は、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂ１を有する。基部９ａとオーバーハング部９ｂ１は、一体化されている。  
オーバーハング部９ｂ１は、基部９ａの上に設けられている。オーバーハング部９ｂ１は、基部９ａからシンチレータ層５に向けて突出している。オーバーハング部９ｂ１の材料は、前述したオーバーハング部９ｂの材料と同じとすることができる。オーバーハング部９ｂ１は、シンチレータ層５の傾斜部５ａの上に設けられた反射層６と密着している。なお、反射層６が設けられていない場合には、オーバーハング部９ｂ１は、シンチレータ層５の周端面５ａ１と密着している。
【００５１】
ただし、オーバーハング部９ｂ１とアレイ基板２との間には、隙間１９ａが設けられている。隙間１９ａは、平面視において枠状を呈するように連続的に設けることもできるし、断続的に設けることもできる。隙間１９ａを設けるようにすれば、オーバーハング部９ｂ１と傾斜部５ａの上に設けられた反射層６との密着面積（反射層６が設けられていない場合には、オーバーハング部９ｂ１と周端面５ａ１との密着面積）を小さくすることができる。そのため、オーバーハング部９ｂ１とシンチレータ層５との間に熱応力が発生したとしても、剥がれが生じるのを抑制することができる。
【００５２】
オーバーハング部９ｂ１を形成する際に粘度の高い材料を基部９ａの上に塗布すれば、塗布された材料がアレイ基板２側に流れるのを抑制することができる。そのため、オーバーハング部９ｂを形成するための材料の粘度を適宜調整することで、オーバーハング部９ｂ１および隙間１９ａを形成することができる。
【００５３】
図４は、他の実施形態に係る壁体２９を例示するための模式断面図である。  
図４に示すように、壁体２９は、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂ２を有する。基部９ａとオーバーハング部９ｂ２は、一体化されている。  
オーバーハング部９ｂ２は、基部９ａの上に設けられている。オーバーハング部９ｂ２は、基部９ａからシンチレータ層５に向けて突出している。オーバーハング部９ｂ２の材料は、前述したオーバーハング部９ｂの材料と同じとすることができる。
【００５４】
オーバーハング部９ｂ２と、シンチレータ層５の傾斜部５ａの上に設けられた反射層６との間には、隙間２９ａが設けられている。なお、反射層６が設けられていない場合には、オーバーハング部９ｂ２と、シンチレータ層５の周端面５ａ１との間には、隙間２９ａが設けられている。
【００５５】
隙間２９ａは、連続的に設けることもできるし、断続的に設けることもできる。すなわち、オーバーハング部９ｂ２と傾斜部５ａとは全く接触していなくてもよいし、一部が密着していてもよい。  
隙間２９ａを設けるようにすれば、オーバーハング部９ｂ２と傾斜部５ａの上に設けられた反射層６との密着面積（反射層６が設けられていない場合には、オーバーハング部９ｂ２と周端面５ａ１との密着面積）を小さくすることができる。そのため、環境温度等の変化によってオーバーハング部９ｂ２とシンチレータ層５との間に熱膨張差により生じる応力が発生するのを防止する事ができる。その結果、シンチレータ層５が損傷したり、壁体２９やシンチレータ層５が基板２ａから剥がれたりするのを抑制することができる。
【００５６】
オーバーハング部９ｂ２を形成する際に粘度の高い材料を基部９ａの上に塗布すれば、塗布された材料がアレイ基板２側に流れるのを抑制することができる。この場合、１回の塗布量を少なくすれば（１回の塗布で形成される層の厚み寸法を小さくすれば）、オーバーハング部９ｂ２の形状と外形寸法の制御が容易となる。そのため、オーバーハング部９ｂを形成するための材料の粘度、１回の塗布量、および塗布回数を適宜調整することで、オーバーハング部９ｂ２および隙間２９ａを形成することができる。
【００５７】
図５は、他の実施形態に係る防湿体１７を例示するための模式断面図である。  
図５に示すように、防湿体１７の周縁近傍には、基板２ａ側に向けて突出する屈曲部１７ａが設けられている。  
屈曲部１７ａは、防湿体１７の周縁を囲むように設けられている。  
屈曲部１７ａは、接合層８を介して、オーバーハング部９ｂの上面に接合されている。  屈曲部１７ａを有する防湿体１７とすれば、剛性を高めることができる。  
また、防湿体１７をオーバーハング部９ｂの上面に接合する際に、オーバーハング部９ｂの上面に設けられた凹部に、屈曲部１７ａをはめ込むことで位置決めを行うこともできる。
【００５８】
そのため、防湿体１７をオーバーハング部９ｂの上面に接合する際の作業性や接合精度を向上させることができる。  
また、屈曲部１７ａを設けるようにすれば、接合面積を大きくすることができる。そのため、接合強度の向上や防湿性能の向上を図ることができる。
【００５９】
図６は、他の実施形態に係る防湿体２７を例示するための模式断面図である。  
図６に示すように、防湿体２７には、エンボス状の応力吸収部２７ａが設けられている。応力吸収部２７ａのシンチレータ層５側とは反対側の面（Ｘ線が入射する側の面）２７ａ１は、防湿体２７のシンチレータ層５側とは反対側の面２７ｂから突出している。
応力吸収部２７ａのシンチレータ層５側の面２７ａ２は、防湿体７のシンチレータ層５側の面２７ｃから面２７ａ１と同じ方向に突出している。
【００６０】
応力吸収部２７ａの肉厚寸法は、防湿体２７の応力吸収部２７ａ以外の部分の肉厚寸法とほぼ同じとなっている。  
すなわち、応力吸収部２７ａは、防湿体２７の一方の面２７ｂの一部が凸状に形成され、面２７ｂが凸状に形成された部分において、防湿体２７の他方の面２７ｃが凹状に形成されたものである。
【００６１】
応力吸収部２７ａは、例えば、アルミニウム箔やアルミニウム合金箔にプレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）を施すことで形成することができる。  
なお、樹脂膜と無機材料からなる膜とが積層された低透湿防湿膜であっても、プレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）を施すことで応力吸収部２７ａを形成することができる。
【００６２】
応力吸収部２７ａの高さ寸法は、防湿体２７の応力吸収部２７ａ以外の部分の肉厚寸法よりも大きくすることができる。例えば、防湿体２７の応力吸収部２７ａ以外の部分の肉厚寸法を０．１ｍｍ程度、応力吸収部２７ａの高さ寸法を、０．５ｍｍ程度とすることができる。  
応力吸収部２７ａの幅寸法には特に限定はない。応力吸収部２７ａの幅寸法は、後述する熱応力の大きさや、防湿体２７の大きさなどに応じて適宜決定することができる。
【００６３】
ここで、基板２ａの材料となる無アルカリガラスの熱膨張係数は、室温で約４ｐｐｍ／ｄｅｇ程度である。  
防湿体２７の材料の一例であるアルミニウムの熱膨張係数は、室温で約２４ｐｐｍ／ｄｅｇ程度である。  
そのため、周囲の温度が変化した際に、材料間の熱膨張量の差により熱応力が発生し、防湿体２７と基板２ａとの間に形成された構造体に応力が加わる。  
具体的には、防湿体２７と接合層８との界面、接合層８と壁体９との界面、壁体９と基板２ａとの界面に応力が加わる。更には、これら界面に加わる応力により、壁体９および接合層８など各要素に対しても応力が加わる。
【００６４】
応力吸収部２７ａは弾性変形をすることができるので、熱膨張係数の差に基づく熱膨張量の差を吸収することができる。そのため、応力吸収部２７ａを設けるようにすれば、発生する熱応力を低減させることができる。
【００６５】
図７は、他の実施形態に係る反射層１６を例示するための模式断面図である。  
前述したように、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂは、蛍光体材料を含むものとすることができる。
【００６６】
基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが蛍光体材料を含むものである場合には、図７に示すように、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂの下方にまで有効画素領域Ａを設けることができる。この様にすれば、有効画素エリアＡの周辺に設けることが必要となる領域の寸法を小さくすることができる。
【００６７】
この場合、反射層１６は、シンチレータ層５、基部９ａ、およびオーバーハング部９ｂを覆うようにすることができる。なお、オーバーハング部９ｂが蛍光体材料を含み、基部９ａが蛍光体材料を含まない場合には、反射層１６は、シンチレータ層５およびオーバーハング部９ｂを覆うようにすることができる。
【００６８】
図８は、比較例に係るＸ線検出器５１の模式断面図である。  
図８に示すように、比較例に係るＸ線検出器５１には、アレイ基板２、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、接合層８、充填部５８、および壁体５９が設けられている。また、図示は省略するが、Ｘ線検出器１と同様に、Ｘ線検出器５１には信号処理部３および画像伝送部４が設けられている。  
すなわち、比較例に係るＸ線検出器５１には、前述した壁体９に代えて、充填部５８および壁体５９が設けられている。
充填部５８は、反射層６により覆われたシンチレータ層５の側面と、壁体９の内面５９ａとの間に設けられている。  
壁体５９は、枠状を呈している。壁体９は、平面視において、シンチレータ層５よりは外側であって、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる領域よりは内側に設けられている。
充填部５８および壁体５９の材料は、透湿係数が低いものとすることができる。充填部５８および壁体５９は、例えば、無機材料からなるフィラー材と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含む。  
フィラー材は、例えば、タルクなどから形成されたものとすることができる。
【００６９】
図９は、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における透湿量の変化を例示するためのグラフ図である。  
なお、図９は、材料の６０℃−９０％ＲＨにおける透湿係数と、構成要素の形状寸法から透湿量の変化を試算した結果である。
また、図９中の「２００」は、基部９ａのみを設け、オーバーハング部９ｂを設けない場合である。なお、「２００」は、無機材料からなるフィラー材を含まず、樹脂のみを含む基部９ａが設けられた場合である。壁体９が基部９ａのみの場合には、防湿体７と壁体９との接合面積は小さくなる。また、壁体９は無機材料からなるフィラー材を含まないので、壁体９の透湿係数が大きくなり、壁体９を透過する水蒸気の量（透湿量）が多くなる。
図９中の「２１０」は、図８に例示をしたＸ線検出器５１の場合である。すなわち、「２１０」は、壁体９が充填部５８と壁体５９に分割された場合である。
図９中の「１００」は、図２に例示をした基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが設けられた場合である。なお、「１００」は、無機材料からなるフィラー材と、樹脂を含む基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが設けられた場合である。  
図９中の「１００」から分かるように、壁体９にオーバーハング部９ｂを設けて防湿体７と壁体９とのの接合面積を大きくし、更に無機材料からなるフィラー材を添加して壁体９自体の透湿係数を低減させるようにすれば、防湿構造全体としての透湿量の低減を図ることができる。
【００７０】
図１０は、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における解像度特性の変化を例示するためのグラフ図である。  
なお、図１０中の「２００」は、基部９ａのみを設け、オーバーハング部９ｂを設けない場合である。なお、「２００」は、無機材料からなるフィラー材を含まず、樹脂のみを含む基部９ａが設けられた場合である。  
図１０中の「２１０ａ」、「２１０ｂ」、「２１０ｃ」は、図８に例示をしたＸ線検出器５１の場合である。
図１０中の「１００」は、図２に例示をした基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが設けられた場合である。なお、「１００」は、無機材料からなるフィラー材と、樹脂を含む基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが設けられた場合である。
【００７１】
また、輝度よりも、湿度に対してより敏感な解像度特性により評価することにした。  
この場合、シンチレータ層５と反射層６とによって得られる解像度特性が、高温高湿環境下（６０℃−９０％ＲＨ）における保存時間の経過とともにどのように劣化するかで評価した。  
解像度特性は、解像度チャートを各サンプルの表面側に配し、ＲＱＡ−５相当のＸ線を照射して、裏面側から２Ｌｐ／ｍｍのＣＴＦ（Contrast transfer function）を測定する方法で求めた。  
図１０中の「１００」から分かるように、オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、解像度特性の劣化を格段に小さくすることができる。
【００７２】
また、図９中の「２１０」から分かるように、壁体９を充填部５８と壁体５９に分割しても透湿率を抑制することができる。
しかしながら、壁体９を充填部５８と壁体５９に分割すれば、充填部５８と壁体５９を別々に製造することになる。この場合、壁体５９は、形状を維持することが必要となるので、高粘度（例えば１００〜４００Ｐａ・ｓｅｃ程度）の材料を用いて形成される。これは、ディスペンサー法などで材料を塗付した際に、高さを極力保持し、かつ横方向への広がりを抑える為に必要な条件である。一方、充填部５８は、隙間なく充填されることが重要なポイントとなるので、低粘度（例えば０．１〜１０Ｐａ・ｓｅｃ程度）の材料を用いて形成される。ところが、低粘度の材料は、硬化時の体積収縮率が大きいものが多い。そのため、充填部５８と壁体５９の間の密着性が悪くなったり、隙間や気泡などが生じ易くなったりするおそれがある。
また、粘度や硬化方式（紫外線硬化、紫外線遅延硬化、加熱硬化、自然硬化など）などの他の製造性の違いから、壁体９と充填部５８とが同一の材料系から形成されない場合も多い。例えば、壁体９のベース樹脂がエポキシ系樹脂、充填部５８のベース樹脂がアクリル系樹脂となる場合などである。このような場合には、材料間における相溶性の低下を招き、界面の密着性が更に悪くなる可能性が高くなる。
これらの理由により、充填部５８と壁体５９の界面に剥がれや隙間などが生じた場合には、界面を介して水蒸気が侵入しやすくなる。
その結果、図１０中の「２１０ａ」、「２１０ｂ」、「２１０ｃ」に示すように、解像度特性の変化（防湿性能）にばらつきが生じることになる。
また、界面の密着性が不十分である場合やばらつきがある場合には、加熱と冷却が繰り返される環境において、壁体９と充填部５８との界面における剥がれが生じ易くなる。剥がれが生じれば、剥がれにより生じた隙間から水蒸気が容易に侵入する為、その後は急激な解像度の低下を招いてしまう。
【００７３】
以上に説明したように、オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、オーバーハング部９ｂの上面に防湿体７、１７、２７を接合することができるので、壁体９の外側に防湿体７、１７、２７を接合するためのスペースを設ける必要がなくなる。  
そのため、Ｘ線検出器１の小型化や軽量化などを図ることができる。  
この場合、蛍光体材料を含むオーバーハング部９ｂとすれば、有効画素エリアＡの周辺に設けることが必要となる領域の寸法をさらに小さくすることができる。また、蛍光体材料を含むオーバーハング部９ｂおよび基部９ａとすれば、有効画素エリアＡの周辺に設けることが必要となる領域の寸法を最小にすることができる。  
また、オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、壁体９がオーバーハング部を持たない場合に比べて、防湿体７と壁体９全体との密着面積を大きくすることができる。その結果、防湿性能の向上、ひいては解像度特性の劣化の抑制を図ることもできる。また、防湿体７と壁体９全体との密着面積が大きい事は、環境温度が変化した場合に防湿体７とアレイ基板２との熱膨張差によって生じる応力に対しても、接着界面が大きい分だけ剥離し難くなる。従って、温度変化に対しても高い信頼性を得る事が出来る。
すなわち、オーバーハング部９ｂを設けるようにすれば、省スペース化と防湿性能と環境温度変化に対する信頼性の向上とを図ることができる。
【００７４】
（第２の実施形態）  
次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器１の製造方法について例示をする。  
まず、アレイ基板２を作成する。  
アレイ基板２は、例えば、基板２ａの上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成することで作成することができる。  
アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。
【００７５】
次に、アレイ基板２に設けられた複数の光電変換部２ｂの上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層５を形成する。  
シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８μｍ〜１２μｍ程度とすることができる。
【００７６】
次に、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）の面を覆うように反射層６を形成する。  
反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。なお、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂが蛍光体材料を含むものである場合には、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂを形成した後に、シンチレータ層５、基部９ａおよびオーバーハング部９ｂの上に反射層６を形成する。
【００７７】
次に、アレイ基板２の上に、平面視において枠状を呈しシンチレータ層５を囲む基部９ａを形成する。  
基部９ａは、例えば、フィラー材、樹脂、および溶媒を混合して作成した材料を、シンチレータ層５の周囲に塗布し、これを硬化させることで形成することができる。  
材料の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。  
この場合、材料の塗布と、硬化とを複数回繰り返すことで、基部９ａを形成することもできる。また、材料には、吸湿剤や蛍光体材料を混合させることもできる。
【００７８】
次に、基部９ａの上に、基部９ａからシンチレータ層５に向けて突出するオーバーハング部９ｂを形成する。  
オーバーハング部９ｂは、例えば、フィラー材、樹脂、および溶媒を混合して作成した材料を、基部９ａの上に塗布し、これを硬化させることで形成することができる。  
材料の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。また、材料には、吸湿剤や蛍光体材料を混合させることもできる。  
この場合、シンチレータ層５の周端面５ａ１と密着するようにオーバーハング部９ｂを形成することができる。  
また、オーバーハング部９ｂ２とシンチレータ層５の周端面５ａとの間、および、オーバーハング部９ｂ１とアレイ基板２との間の少なくともいずれかに隙間２９ａ、１９ａが設けられるようにオーバーハング部９ｂを形成することもできる。  
この場合、材料の粘度、１回の塗布量、および塗布回数を適宜調整することで、オーバーハング部９ｂ２および隙間２９ａを形成することができる。  
また、材料の粘度を適宜調整することで、オーバーハング部９ｂ１および隙間１９ａを形成することができる。
【００７９】
また、前述したシンチレータ層５を形成する工程において、真空蒸着法を用いて、シンチレータ層５の周縁部分に、厚み寸法がシンチレータ層５の外側に向かうに従い漸減する傾斜部５ａを形成することができる。
そして、オーバーハング部９ｂを形成する工程において、Ｘ線を蛍光に変換する蛍光体材料と樹脂とを含み、平面視において一部が傾斜部５ａと重なるオーバーハング部９ｂを形成することができる。
【００８０】
次に、シンチレータ層５の上方を覆う防湿体７、２７の周縁部近傍を、オーバーハング部９ｂの上面に接合する。または、オーバーハング部９ｂ１の上面に防湿体１７の周縁部近傍を接合する。この際、オーバーハング部９ｂ１の上面に設けられた凹部に、屈曲部１７ａをはめ込むようにすることができる。また、オーバーハング部９ｂ１が固まる前に、屈曲部１７ａをオーバーハング部９ｂ１に押し付けるようにすることもできる。
【００８１】
例えば、オーバーハング部９ｂ１の上面に紫外線硬化型接着剤を塗布し、紫外線硬化型接着剤の上に防湿体７、１７、２７を載せ、紫外線硬化型接着剤に紫外線を照射してこれを硬化させて接合層８を形成するとともに、防湿体７、１７、２７と、オーバーハング部９ｂ１の上面とを接合する。この場合、紫外線硬化型接着剤は、紫外線照射後に遅延して硬化が進行する遅延硬化型接着剤とすることができる。  
遅延硬化型接着剤を用いるようにすれば、紫外線照射後に、紫外線硬化型接着剤の上に防湿体７、１７、２７を載せればよいので、遮蔽物などがあって紫外線の照射が困難な場合にも接合を行うことができる。  
なお、接着剤は、自然硬化型接着剤や加熱硬化型接着剤などであってもよい。  
また、大気圧よりも減圧された環境（例えば、１０ＫＰａ程度）において、防湿体７、１７、２７の周縁部近傍をオーバーハング部９ｂ１の上面に接合することもできる。
【００８２】
次に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。  
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。  
その他、回路部品などを適宜実装する。
【００８３】
次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。  
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常の有無や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験などを行う。  
以上のようにして、Ｘ線検出器１を製造することができる。
なお、製品の防湿信頼性や温度環境変化に対する信頼性を確認するために、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを実施することもできる。
【００８４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１  Ｘ線検出器、２  アレイ基板、２ａ  基板、２ｂ  光電変換部、３  信号処理部、４  画像伝送部、５  シンチレータ層、５ａ  傾斜部、５ａ１  周端面、６  反射層、７  防湿体、９  壁体、９ａ  基部、９ｂ  オーバーハング部、９ｂ１  オーバーハング部、９ｂ２  オーバーハング部、１９  壁体、１９ａ  隙間、２９  壁体、２９ａ  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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