(57)【要約】【課題】表示装置にドライバＩＣを接続する場合の接続不良を無くする。【解決手段】表示領域を有し、ドライバＩＣ１０が接続された端子部を有する表示装置であって、前記ドライバＩＣ１０は、平面が矩形であり、第１の主面と第２の主面を有し、前記第１の主面の第１の辺には第１のバンプ１１が形成され、前記第１の主面の前記第１の辺に対向する第２の辺には第２のバンプ１２が形成され、平面で視て、前記第２の主面には、前記第１のバンプに対応する部分に、第１部材２０が形成され、前記第２のバンプに対応する部分には、第２部材２０が形成され、前記第１部材２０と前記第２部材２０は離間して形成されていることを特徴とする表示装置。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を有し、ドライバＩＣが接続された端子部を有する表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１の主面と第２の主面を有し、前記第１の主面の第１の辺には第１のバンプが形成され、前記第１の主面の前記第１の辺に対向する第２の辺には第２のバンプが形成され、
前記第２の主面には、前記第１のバンプに対応する部分に、第１部材が形成され、前記第２のバンプに対応する部分には、第２部材が形成され、
前記第１部材と前記第２部材は離間して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１のバンプおよび前記第２のバンプは異方性導電膜を介して前記端子部に形成された端子と接続していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記部材は樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記部材の厚さは、前記第１のバンプあるいは前記第２のバンプの厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１のバンプは前記第１の辺に沿って形成され、前記第２のバンプは前記第２の辺に沿って形成され、前記第１のバンプと前記第２のバンプの間には、走査線あるいは映像線と接続されていない、ダミーバンプが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１部材は前記第１のバンプに対応してストライプ状に形成され、前記第２部材は、前記第２のバンプに対応してストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
第１の主面と第２の主面を有し、前記第１の主面の第１の辺には第１のバンプが形成され、前記第１の主面の前記第１の辺に対向する第２の辺には第２のバンプが形成されたドライバＩＣであって、
前記第２の主面には、前記第１のバンプに対応する部分に、第１部材が形成され、前記第２のバンプに対応する部分には、第２部材が形成され、
前記第１部材と前記第２部材は離間して形成されていることを特徴とするドライバＩＣ。
【請求項８】
前記部材は樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載のドライバＩＣ。
【請求項９】
前記部材の厚さは、前記第１のバンプあるいは前記第２のバンプの厚さよりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のドライバＩＣ。
【請求項１０】
前記第１のバンプは前記第１の辺に沿って形成され、前記第２のバンプは前記第２の辺に沿って形成され、前記第１のバンプと前記第２のバンプの間には、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプと接続されていない、ダミーバンプが形成されていることを特徴とする請求項７に記載のドライバＩＣ。
【請求項１１】
前記第１部材は前記第１のバンプに対応してストライプ状に形成され、前記第２部材は、前記第２のバンプに対応してストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のドライバＩＣ。
【請求項１２】
表示領域を有し、ドライバＩＣが接続された端子部を有する表示装置の製造方法であって、
前記ドライバＩＣは、第１の主面と第２の主面を有し、
前記第１の主面の第１の辺には第１のバンプが形成され、前記第１の主面の前記第１の辺に対向する第２の辺には第２のバンプが形成されたものであり、
前記ドライバＩＣの前記第１のバンプと前記第２のバンプを各々、前記端子部に形成された第１の端子と第２の端子に位置合わせするステップと、
前記第ドライバＩＣの前記第２の主面に緩衝材を介して熱圧着ヘッドを押し付けることによって、前記第１のバンプと前記第1の端子を熱圧着し、かつ、前記第２のバンプと前記第２の端子を熱圧着するステップを有し、
前記緩衝材は、前記第１のバンプに対応する第１の部分と、前記第２の部分に対応する第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分の間に対応する第３の部分と、を有し、
前記第１の部分と前記第２の部分にかかる圧力は、前記第３の部分にかかる圧力よりも大きく、
前記緩衝材の前記第１の部分を前記第１のバンプに対応するように、かつ、前記緩衝材の前記第２の部分を前記第２のバンプに対応するように配置して前記熱圧着することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記緩衝材は、樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第３の部分は、前記第１の部分及び前記第２の部分よりも板厚が小さいことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記緩衝材の前記第１の部分と前記緩衝材の第２の部分の膜板厚をｔ１とし、前記緩衝材の前記第３の部分の板膜厚をｔ２とした場合、ｔ１−ｔ２は前記第１のバンプまたは前記第２のバンプの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第３の部分には、前記緩衝材が形成されていないことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の部分の材料と前記第２の部分の材料は第１の樹脂で形成され、前記第３の部分には前記第１樹脂よりも柔らかい、第２の樹脂が存在していることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，表示装置、表示装置に使用されるドライバＩＣ、及び、ドライバＩＣを搭載した表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
画素には走査線を介して走査信号が、映像線を介して映像信号が供給される。走査信号や映像信号を形成するために、ドライバＩＣが用いられる。ドライバＩＣは、ＴＦＴ基板の端子部にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によって接続される。ＣＯＧは、ドライバＩＣのバンプと端子部の端子とをＡＣF（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、異方性導電膜）を介して接続するものである。
【０００４】
ＡＣFは熱可塑性のプラスチックフィルムに導電性の微粒子が分散されたものである。このＡＣＦを介して、ドライバＩＣを加熱された圧着ヘッドによって熱圧着すると、ドライバＩＣのバンプと端子とが導電性微粒子によって接続され、導通を確保できる。
【０００５】
ドライバＩＣには多くのバンプが存在し、この多くのバンプと対応する多くの端子とを、全て確実に接続する必要がある。特許文献１には、ドライバＩＣと端子とが確実に接続されたか否かを検出するための検査システムが記載されている。
【０００６】
一方、ドライバＩＣを熱圧着によって接続する場合、ドライバＩＣが撓むために、バンプが均一に加圧されない現象が生ずる。特許文献２には、これを対策するために、入力側バンプと出力側バンプとの間にダミーバンプを配置することによって、接続不良を解消する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−４９４３５
【特許文献２】特開２０１４−２６０４２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
表示装置、特に液晶表示装置では高精細化が進んでおり、ドライバＩＣに形成されたバンプ（以後単にバンプと呼ぶ）の数、および、対応する端子の数が多くなっており、それに伴い、バンプあるいは端子の面積も小さくなっている。したがって、ドライバＩＣと端子の接続は高い信頼性が要求されている。
【０００９】
ドライバＩＣは平面が長方形であり、長辺、短辺を有している。第１の長辺側にＩＣへの入力のためのバンプがライン状に配置し、第１の長辺に対向する第２の長辺側にＩＣからの出力のためのバンプがライン状に配置している。ドライバＩＣを熱圧着する際、ドライバＩＣが短辺の方向に撓むと、最外側のバンプに十分に圧力が加わらないために、接続不良が生ずる。特許文献２に記載の技術は、このドライバＩＣの撓みを軽減する技術であるが、必ずしも十分ではない。
【００１０】
本発明は、以上のような課題を解決するものであり、ドライバＩＣと端子の接続を確実に行い、信頼性の高い表示装置を実現することである。なお、このような課題は、液晶表示装置に限らず、ドライバＩＣを用いている、有機ＥＬ表示装置等の表示装置においても同様に存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、表示領域を有し、ドライバＩＣが接続された端子部を有する表示装置であって、前記ドライバＩＣは、第１の主面と第２の主面を有し、前記第１の主面の第１の辺には第１のバンプが形成され、前記第１の主面の前記第１の辺に対向する第２の辺には第２のバンプが形成され、前記第２の主面には、前記第１のバンプに対応する部分に、第１部材が形成され、前記第２のバンプに対応する部分には、第２部材が形成され、前記第１部材と前記第２部材は離間して形成されていることを特徴とする表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。
【図２】ドライバＩＣの熱圧着プロセスを示す斜視図である。
【図３】熱圧着時の問題点を示すドライバＩＣの斜視図である。
【図４】比較例１での熱圧着の問題点を示す模式断面図である。
【図５】比較例２での熱圧着の問題点を示す模式断面図である。
【図６】比較例１での熱圧着の他の問題点を示す模式断面図である。
【図７】本発明の実施例１における熱圧着を示す模式断面図である。
【図８】本発明の実施例１における熱圧着の他の例を示す模式断面図である。
【図９】本発明の実施例１における熱圧着のさらに他の例を示す模式断面図である。
【図１０】実施例１におけるドライバＩＣの斜視図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ断面図である。
【図１２】実施例１のドライバＩＣの他の例を示す断面図である。
【図１３】ドライバＩＣにおいて、バンプが形成されている側の平面図である。
【図１４】比較例１でのバンプにおける圧着力の分布である。
【図１５】比較例２でのバンプにおける圧着力の分布である。
【図１６】本発明の実施例１でのバンプにおける圧着力の分布である。
【図１７】実施例１と比較例１及び２との圧着力の分布の差を示すグラフである。
【図１８】実施例１におけるドライバＩＣのバンプと部材の位置関係の例を示す平面図である。
【図１９】実施例１におけるドライバＩＣのバンプと部材の位置関係の他の例を示す平面図である。
【図２０】実施例１におけるドライバＩＣのバンプと部材の位置関係のさらに他の例を示す平面図である。
【図２１】本発明において、ドライバＩＣの幅を縮小した例を示す模式断面図である。
【図２２】ドライバＩＣから庇を除去した場合のバンプと部材の位置関係の例を示す平面図である。
【図２３】ドライバＩＣから庇を除去した場合のバンプと部材の位置関係の他の例を示す平面図である。
【図２４】ドライバＩＣから庇を除去した場合のバンプと部材の位置関係のさらに他の例を示す平面図である。
【図２５】本発明により、端子部の幅を縮小し、表示装置の外形を小さくした例である。
【図２６】本発明の実施例２を示す模式断面図である。
【図２７】実施例２におけるドライバＩＣと樹脂シートの斜視図である。
【図２８】図２７のＢ−Ｂ断面図である。
【図２９】本発明の実施例２でのバンプにおける圧着力の分布を示す平面図である。
【図３０】実施例２と比較例１及び２との圧着力の分布の差を示すグラフである。
【図３１】実施例２におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の例を示す平面図である。
【図３２】実施例２におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の他の例を示す平面図である。
【図３３】実施例２におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係のさらに他の例を示す平面図である。
【図３４】実施例２におけるドライバＩＣの熱圧着のプロセスの例を示す模式図である。
【図３５】実施例２の第２の形態におけるドライバＩＣと樹脂シートの斜視図である。
【図３６】図３５のＣ−Ｃ断面図である。
【図３７】実施例２の第２の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の例を示す平面図である。
【図３８】実施例２の第２の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の他の例を示す平面図である。
【図３９】実施例２の第２の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係のさらに他の例を示す平面図である。
【図４０】実施例２の第３の形態を示すドライバＩＣと樹脂シートの斜視図である。
【図４１】図４０のＤ−Ｄ断面図である。
【図４２】実施例２の第３の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の例を示す平面図である。
【図４３】実施例２の第３の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係の他の例を示す平面図である。
【図４４】実施例２の第３の形態におけるドライバＩＣのバンプと樹脂シートの位置関係のさらに他の例を示す平面図である。
【図４５】実施例２の第４の形態を示すドライバＩＣと樹脂シートの斜視図である。
【図４６】図４５のＥ−Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明において、対向基板側を上、ＴＦＴ基板側を下とする。また、ここでは表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺のシール材１６０を介して接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向している部分に表示領域９０が形成されている。表示領域９０には、走査線８１が第１方向に延在して第２方向に配列しており、映像信号線８２が第２方向に延在して第１方向に配列している。走査線８１と映像信号線８２で囲まれた領域が画素８０になっている。
【００１５】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分が端子部１５０となっている。端子部１５０には、走査信号、あるいは映像信号を供給するためのドライバＩＣ１０がＣＯＧによって接続している。また、端子部１５０には、外部から映像信号、電源等を供給するためのフレキシブル配線基板５０が接続している。
【００１６】
図２は、ドライバＩＣ１０を端子部１５０にＣＯＧによって接続する場合の模式図である。図２において、ＴＦＴ基板１００の端子部にドライバＩＣ１０がＡＣＦ１５を介して配置している。ドライバＩＣ１０には多くのバンプが形成されており、このバンプは、ＡＣＦ１５を介して、端子部１５０に形成された端子と接続する。
【００１７】
図２において、ヒータ４１で加熱された圧着ヘッド４０が、緩衝のための樹脂シート３０を介して、ドライバＩＣ１０を端子に圧着する。ドライバＩＣ１０とＴＦＴ基板１００の端子との間には、ＡＣＦ１５が配置されている。ＡＣＦ１５は熱可塑性のプラスチックフィルムに導電性微粒子が分散された構成を有しており、熱を加えて圧着すると、導電性微粒子がバンプと端子を導通し、電気的な接続をとることが出来る。なお、以後の図面ではＡＣＦは省略されている。
【００１８】
図２に示すように、ドライバＩＣ１０を圧着ヘッド４０によってＴＦＴ基板１００に圧着する際、ドライバＩＣ１０が図３に示すように、短辺方向において撓む現象が生ずる。ドライバＩＣ１０の第１の長辺側には入力バンプ１１が配置し、第２の辺には出力バンプ１２が配置している。図３のように、ドライバＩＣ１０が撓むと、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２と端子との圧着が不十分になり、接続不良を生ずる。
【００１９】
図４は比較例における圧着工程を示す模式断面図である。図４において、受台６０の上にＴＦＴ基板１００が配置し、その上にバンプ１１、１２を有するドライバＩＣ１０が配置している。ドライバＩＣ１０のバンプは樹脂シート３０を介して圧着ヘッド４０によって、ＴＦＴ基板１００側に熱圧着される。この時、圧力の分布の影響によって、ドライバＩＣ１０が図４に示すように、短辺方向に撓む。そうすると、特に、ドライバＩＣ１０の長辺の端部側に存在するバンプへの圧力が不足して導通不良をきたす。なお、樹脂シート３０は本来、平板であるが、図４乃至６では、圧力分布によって撓んで、変形していることを示している。
【００２０】
図５はこの現象を軽減するために、入力バンプ１１と出力バンプ１２との間にダミーバンプ１３を形成した例である。図５ではダミーバンプ１３によってドライバＩＣ１０の撓みを軽減し、入力バンプ１１と出力バンプ１２に係る圧力を均一にする構成となっている。しかし、後で説明するように、ダミーバンプ１３を配置しても、圧着力分布は十分に均一にはならない。図５の他の構成は図４で説明したのと同様である。なお、ダミーバンプ１３は、少なくとも、走査線あるは映像信号線等と接続されておらず、熱圧着時のドライバＩＣ１０の撓みを軽減する目的で使用されるものである。
【００２１】
図６は、ドライバＩＣ１０を熱圧着する際に生ずる他の問題を示す模式図である。すなわち、ドライバＩＣ１０の短辺の中央付近において、大きな曲げ圧力がかかると、この部分でドライバＩＣ１０が破壊するという問題である。ドライバＩＣ１０の端部では、曲げ圧力に対する応力が生じやすいからである。
【００２２】
図７は、以上のような問題点を対策する本発明の第１の実施例を示す模式断面図である。図７が図４と大きく異なるところは、ドライバＩＣ１０と樹脂シート３０との間にスペーサとして用いられる部材２０が配置していることである。この部材２０はドライバＩＣ１０の上側表面に形成され、平面で視て、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２に対応する部分に形成されている。この部材２０によって、圧着ヘッド４０の圧力は、主に、入力バンプ１１および出力バンプ１２にかかることになり、ドライバＩＣ１０の撓みは大幅に軽減される。したがって、ドライバＩＣ１０の導通不良及びドライバＩＣ１０の破壊を防止することが出来る。
【００２３】
樹脂シート３０は、一般には、テフロン（登録商標）等の耐熱性のプラスチックが使用されるが、仮に、熱や圧力等によって、樹脂シートが変形したとしても、図８に示すように、部材２０の存在によって、ドライバＩＣ１０への影響は回避することが出来る。
【００２４】
図９は、ドライバＩＣ１０にダミーバンプ１３を配置した例である。ダミーバンプ１３の存在によって、ドライバＩＣ１０にかかる圧力はさらに均一化され、ドライバＩＣ１０と端子の接続の信頼性をより高めることが出来る。
【００２５】
図１０は、本発明のドライバＩＣ１０を示す斜視図である。図１０において、ドライバＩＣ１０の下面には、第１の長辺に沿って入力バンプ１１が配置し、第１の長辺に対向する第２の長辺沿って出力バンプ１２が配置している。ドライバＩＣ１０の上面には、入力バンプ１１が形成されている領域と出力バンプ１２が形成されている領域に対応して、部材２０がストライプ状に形成されている。ドライバＩＣ１０のバンプ１１、１２が形成されている面を第１の主面、部材２０が形成されている面を第２の主面ということもある。また、ドライバＩＣ１０の平面は長方形あるいは矩形である。
【００２６】
図１１は図１０のＡ−Ａ断面図である。図１１において、ドライバＩＣ１０の下面、すなわち第１の主面の第１の長辺側には入力バンプ１１が１列形成され、第２の長辺側には出力バンプ１２が３列形成されている。ドライバＩＣ１０では、出力バンプ１２の数が入力バンプ１１の数よりもはるかに多いので、バンプの大きさは出力バンプ１２の方が小さくなっている。またこのため、入力バンプ１１は１列であるのに対し、出力１２バンプは３列形成されている。
【００２７】
入力バンプ１１の占める幅はｗｂ１であり、ドライバＩＣの端部から入力バンプ１１の端部までの距離はｗｃ１である。出力バンプ１２の占める幅は、３列の合計でｗｂ２であり、ドライバＩＣ１０の端部から出力バンプ１２の端部までの距離はｗｃ２である。また入力バンプ１１および出力バンプ１２の厚さはｔｂである。
【００２８】
ドライバＩＣ１０の上面、すなわち第２の主面で、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２に対応する部分に部材２０が形成されている。入力バンプ１１側の部材２０の幅はｗｓ１、出力バンプ１２側の部材２０の幅はｗｓ２である。ｗｓ１＝ｗｂ１±２５μｍ、ｗｓ２＝ｗｂ２±２５μｍ程度であることが望ましい。なお、以上の幅はドライバＩＣ１０の短辺方向の幅である。
【００２９】
ドライバＩＣ１０と熱圧着ヘッド４０との間の樹脂シート３０の厚さが３０μｍとした場合、部材２０の厚さｔｓは、ＡＣＦの中の導電性微粒子の径よりも大きく、バンプの厚さｔｂ以下であることが望ましい。導電性微粒子の径は３〜５μｍであり、入力バンプ１１および出力バンプ１２の厚さｔｂは１２〜１８μｍであるから、この場合、部材２０の厚さｔｓは３〜１８μｍ程度である。一方、樹脂シート３０の厚さがこれより大きくなった場合は、それに比例して、スペーサ２０の厚さｔｓも大きくしたほうが良い。これは、熱圧着時の樹脂シート３０の変形も大きくなるからである。例えば、樹脂シート３０が６０μｍであるとした場合、スペーサ２０の厚さｔｓは６〜３６μｍ程度が適切となる。
【００３０】
部材２０は、ドライバＩＣ１０の上面に塗布によって形成できる耐熱性の樹脂材料であることが望ましい。例えば、２液性のエポキシ樹脂等である。部材２０は、ドライバＩＣ１０を端子に熱圧着する時には、固化していることが望ましいが、必ずしも完全硬化している必要はなく、乾燥して固化するものでもよい。これは、部材２０がスペーサとしての役割を有すればよいからである。また、熱圧着後、形が崩れるものであってもの良い。さらに、部材２０は、樹脂に限らず、金属で形成しても良い。金属の部材は、例えばメッキによって形成することが出来る。
【００３１】
図１２は、図１０のＡ−Ａ断面の他の例であり、入力バンプ１１と出力バンプ１２の間にダミーバンプ１３を形成した例である。ダミーバンプ１３のドライバＩＣ１０の短辺方向の幅はｗｂ３であり、厚さは入力バンプ１１、出力バンプ１２と同様、ｔｂである。他の構成は図１１と同様である。
【００３２】
図１３はドライバＩＣ１０のバンプ側の面を示す詳細平面図である。図１３に記載の数値は寸法例であり、単位はμｍである。ドライバＩＣ１０の外形は、長辺が７８９７．５μｍ、短辺が１３６４．６μｍである。詳細図において、入力バンプ１１側にはバンプが１列形成されており、出力バンプ１２側にはバンプが３列形成されている。入力バンプ１１と出力バンプ１２の間にはダミーバンプ１３が配置しているが、ダミーバンプ１３は本発明では必ずしも必要ではない。
【００３３】
図１３において、入力バンプ１１側では、バンプの大きさは５０×１３４．６μｍで、ドライバＩＣ１０の長辺に沿って１１９．９１５μｍのピッチで配列している。また、出力バンプ１２側ではバンプの大きさは１５×９０μｍで、ドライバＩＣ１０の長辺に沿って３６μｍのピッチで配列している。ダミーバンプの大きさは５０×５０μｍで、長辺方向に２００μｍのピッチで配列している。ダミーバンプ１３のドライバＩＣ１０の短辺方向の位置は、入力バンプ１１の内側端部と出力バンプ１２の内側端部の中間点である。
【００３４】
図１３と、図１１あるいは図１２の寸法を対比すると、ｗｂ１＝１３４．６μｍ、ｗｃ１＝５０μｍ、ｗｂ２＝３２０μｍ、ｗｃ２＝５０μｍ、ｗｂ３＝５０μｍである。
【００３５】
図１４乃至１６は、ＣＯＧプロセスでの、ドライバＩＣ１０のバンプにおける圧着力の分布を示したシミュレーション結果である。図１４は比較例１の結果、図１５は、比較例１に対してダミーバンプを配置した比較例２の結果であり、図１６は本発明における実施例１の結果である。なお、図１６ではダミーバンプは使用していない。
【００３６】
図１４乃至図１６において、上側の図はドライバＩＣ１０のバンプ側の面の右半分を示すものである。図１４乃至図１６の下側の図は、上側の図におけるドライバＩＣ１０に中央付近における四角で囲んだ領域における圧着力の分布を示す詳細図である。図１４乃至図１６におけるＭＰａは、圧力の単位である。
【００３７】
図１４乃至図１６の上側の図に示すドライバＩＣ１０において、Ｍｉｎは、圧着力の最も小さな場所を示している。圧着力の最も小さな場所、値とも図１４乃至図１６で異なっている。本発明の目的は、バンプにおける圧着力が極端に小さい場所を無くすこと、すなわち、最小圧着力を上げることである。比較例１における最低圧着力は８ＭＰａである。比較例２における最低圧着力は１７ＭＰａであり、比較例１に比較して大きくなっている。しかし、比較例２でも十分ではない。これに対して、本発明を示す実施例１では、最低圧着力は５２ＭＰａであり、従来例に比較してはるかに改善されている。
【００３８】
ドライバＩＣ１０の長辺端部においては、図６に示したように、曲げ応力によってドライバＩＣ１０が破壊しやすい。比較例を示す図１４においては、長辺端部における圧力は９５ＭＰａであり、比較例２では、６１ＭＰａである。これに対し、本発明を示す実施例では、長辺端部における圧力は１ＭＰａであり、本発明によれば、ドライバＩＣ１０の長辺端部における破壊はほとんど生じなくなる。
【００３９】
図１４乃至図１６の下側の図面において、各バンプに対応した数値は、各バンプにおける圧着力を示したものである。図１４乃至図１６において、入力バンプ１１は１列形成され、出力バンプ１２は３列形成されている。図１４乃至図１６の下側の図面において、１−１は出力バンプ１２の最外バンプの外側の圧着力を示し、１−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。２−１は出力バンプ１２の中央列のバンプにおける外側の圧着力を示し、２−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。３−１は、出力バンプ１２の最も内側の例のバンプにおける外側の圧着力を示し、３−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。４−１は入力バンプ１１の内側の圧着力を示し、４−２は同じバンプの外側の圧着力を示す。
【００４０】
図１４乃至図１６に示すように、一つのバンプ内においても圧着力の大きさは異なっている。バンプ間あるいは各バンプ内における圧着力はできるだけ均一であることが望ましい。比較例１を示す図１４においては、１−１における圧着力は１０ＭＰａであるのに対し、３−２では１０１ＭＰａであり、差は非常に大きい。つまり、外側のバンプでは圧着力が十分でなくなる場合がある。
【００４１】
比較例２を示す図１５では、１−１における圧着力は１９ＭＰａであるのに対し、３−２では８４ＭＰａであり、比較例１の場合よりも圧着力分布は改善している。ダミーバンプを配置したことによる効果である。しかし、この場合でも十分ではない。なお、ダミーバンプにおける圧着力は１３７ＭＰａと非常に大きくなっている。
【００４２】
本発明の実施例１を示す図１６では、１−１における圧着力は７６ＭＰａであるのに対し、３−２では５４ＭＰａであり、圧着力分布は、比較例１および２に対して大幅に改善している。つまり、本発明では、圧着力不足による導通不良発生の確率は大幅に低減することを示している。なお、図１６は、ダミーバンプが配置されていない場合である。ダミーバンプを配置すると、圧着力分布はさらに改善する。
【００４３】
図１７は、図１４乃至図１６の結果をグラフにまとめたものである。図１７において、横軸は、圧着力を測定した位置であり、図１４乃至図１６で説明したとおりである。ｄｂは図１５におけるダミーバンプを示し、Ｍｉｎは図１４乃至図１６の上側の図における圧着力が最も小さい位置を示す。図１７の縦軸は圧着力を示し、単位はＭＰａである。
【００４４】
図１７において、比較例１では、圧着力の最小値Minは８ＭＰａであるのに対し、最大値は１０１ＭＰａであり、最大値は最小値の１０倍以上になっている。この場合、圧着力が最小値であるバンプでは、圧着不足による導通不良の懸念が生ずる。一方、比較例２では、ダミーバンプをカウントしなければ、圧着力の最小値Minは１７ＭＰａであるのに対し、最大値は８５ＭＰａであり、最大値は最小値の５倍程度になっている。しかし、この場合でも、圧着力が小さいバンプにおける導通不良の懸念は存在する。
【００４５】
図１７において、本発明を示す実施例１では、圧着力の最小値Minは５２ＭＰａであるのに対し、最大値は７６ＭＰａである。この場合、最大値は最小値の１．５倍以内であり、圧着力分布は大幅に改善している。実施例１の構成であれば、圧着力不足による導通不良の懸念は殆どなくなる。このように、本発明の効果は非常に大きい。
【００４６】
図１８乃至２０は、バンプの位置と部材２０の位置を示す平面図である。バンプはドライバＩＣ１０の下面に形成され、部材２０はドライバＩＣ１０の上面に形成されている。図１８において、入力バンプ１１はドライバＩＣ１０の下面の第１の長辺に沿って１列配置され、出力バンプ１２は他の長辺に沿って２列配置されている。ドライバＩＣ１０の上面に、入力バンプ、出力バンプに対応して部材２０がストライプ状に形成されている。
【００４７】
図１９は入力バンプ１１がドライバＩＣ１０の下面の第１の長辺に沿って形成され、出力バンプ１２が第２の長辺と、両短辺に沿って形成されている。ドライバＩＣ１０の上面には、下面の入力バンプ１１と出力バンプ１２に対応した位置に部材２０が枠状に形成されている。
【００４８】
図２０では、ドライバＩＣ１０の下面において、入力バンプ１１が第１の長辺に沿って形成され、出力バンプ１２が第２の長辺と両短辺に沿って形成されている。図２０では、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２が辺ごとに離間して形成されている。これに対応して、ドライバＩＣ１０の上面に形成されるスペーサ２０も辺毎に離間して形成されている。
【００４９】
ドライバＩＣ１０のバンプは、図１８乃至２０に示す配置の他、ドライバＩＣ１０の第１の主面に、種々の配置をとることが出来るが、本発明における部材２０は、ドライバＩＣ１０における第２の主面に、このバンプの配置に合わせて、配置すればよい。
【００５０】
従来例においては、ドライバＩＣ１０の端部が最外側のバンプよりも外側になるような構成、つまり、庇を形成して、圧着ヘッドによって、外側に配置したバンプにも圧着力を与えることができるようにしている。また、圧着力を均一にするために、入力バンプ１１と出力バンプ１２の間にダミーバンプ１３を配置することが行われてきた。したがって、庇の分及びダミーバンプ１３の分、ドライバＩＣが大きくなるという問題が存在していた。
【００５１】
本発明によれば、バンプに対して均一に圧着力を加えることが出来るので、庇やダミーバンプを形成する必要がなくなる。庇やダミーバンプを除去することが出来れば、ドライバＩＣ１０を小さくすることが出来、一つのマザー基板から取り出せるドライバＩＣの数を多くすることが出来るので、ドライバＩＣのコストを低減することが出来る。
【００５２】
さらに、ドライバＩＣが小さくなると、ＴＦＴ基板１００における端子部の必要面積を小さくできるので、表示パネルの外形を小さくすることが出来る。図２１はこの様子を示す模式断面図である。図２１の上側の図は、従来例において、ドライバＩＣ１０に庇が存在し、また、ダミーバンプ１３が存在する場合である。図２１の上側の図に示される従来例においては樹脂シート３０とドライバＩＣ１０が直接接触している。
【００５３】
図２１の下側の図は本発明を示す図であり、樹脂シート３０とドライバＩＣ１０の間に部材２０が形成されている。部材２０が形成されていることによって、ドライバＩＣ１０に形成された庇とダミーバンプを省略することが出来、その分ドライバＩＣ１０が小さくなっている。これにしたがって、ＴＦＴ基板１００の端子部の幅もｄ２（２辺の庇の幅＋ダミーバンプの幅）だけ小さくすることが出来る。なお、図２１におけるｄ１は、ドライバＩＣと水平方向に対向する対向基板との間のクリアランスであり、最低でも０．３ｍｍ程度必要である。また、図２１は、熱圧着工程を示す図である。
【００５４】
図２２乃至図２４は、ドライバＩＣ１０の庇を無くした場合における入力バンプ１１および出力バンプ１２と部材２０の配置の例を示すものである。図２２乃至、図２４は、ドライバＩＣ１０に庇が無い他は、図１８乃至図２０で説明したのと同様である。
【００５５】
図２５は、ドライバＩＣ１０の庇とダミーバンプを廃止することによるＴＦＴ基板１００の端子部の幅を小さくする例である。図２５は図２１で説明したのと同様であるが、省略する要素による場合分けを記載している。図２５（Ａ）は従来例である。図２５（Ｂ）はドライバＩＣ１０の庇を片側だけ省略した例であり、その分ｄ４だけ、端子部の幅を小さくしたことを示している。図２５（Ｃ）は、ドライバＩＣ１０の庇を両側省略した例であり、その分ｄ５だけ、端子部の幅を小さくしたことを示している。図２５（Ｄ）は、ドライバＩＣ１０の両側の庇とダミーバンプ１３を省略した例であり、その分ｄ６だけ端子部の幅を小さくすることが出来る。図２５では、端子部の幅はｄｄ−ｄ６になったことを示している。図２５のｄ６と図２１のｄ２は同じである。なお、端子部の幅を小さくしなくてもよい場合は、端子部に出来たスペースに電子部品や回路を搭載することが出来る。
【実施例２】
【００５６】
本実施例は、ドライバＩＣ１０のバンプに対して均一な圧着力を加えるために、ドライバＩＣ１０の上面に部材を形成するのではなく、ドライバＩＣ１０と圧着ヘッドとの間の緩衝のための樹脂シートを特別な形状とすることによって課題を解決するものである。
【００５７】
図２６は実施例２を示す模式断面図である。図２６において、受台６０の上にＴＦＴ基板１００が設置され、ＴＦＴ基板１００に形成された端子にドライバＩＣ１０のバンプ１１、１２が熱圧着によって接続される。図２６ではＡＣＦは省略されている。図２６において、ドライバＩＣ１０は圧着ヘッド４０によって熱圧着されるが、圧着ヘッド４０とドライバＩＣ１０の間の樹脂シート３０は、ドライバＩＣ１０の上面とは、入力バンプ１１および出力バンプ１２に対応する部分でのみ接触している。樹脂シート３０には、凹部３１が形成され、ドライバＩＣ１０の入力バンプ１１および出力バンプ１２に対応する部分以外では、樹脂シート３０はドライバＩＣ１０に接触しないようになっている。
【００５８】
図２７は、図２６におけるドライバＩＣ１０と樹脂シート３０のみを取り出した斜視図である。図２８は、図２７のＢ−Ｂ断面図である。図２７及び図２８において、ドライバＩＣ１０と樹脂シート３０は接着しているわけではない。図２７および図２８において、樹脂シート３０には断面が円弧または蒲鉾状の凹部３１が形成されている。したがって、樹脂シート３０は、ドライバＩＣ１０の上面とは、入力バンプ１１、出力バンプ１２が形成された部分と対応する部分でのみ接触している。これによって熱圧着するときに、ドライバＩＣ１０の撓みを抑制することができ、バンプに均一に圧着力を加えることが出来る。
【００５９】
樹脂シート３０の材料は、２００℃程度の圧着ヘッドの温度に耐えられる樹脂材料として、例えば、テフロン、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリイミド等を使用することが出来る。樹脂シート３０の厚さは３０乃至１００μｍ程度である。表示パネルの種類によっては、これよりも厚い場合もあり得る。凹部３１の深さｒｄはバンプ１１、１２の厚さ以上とするのがよい。深さｒｄを実施例１におけるスペーサ２０の厚さよりも大きくするのは、樹脂シート３０は、撓む場合があるからである。バンプ１１，１２の厚さは、１２乃至１８μｍであるから、凹部３１の深さｒｄは１２μｍ以上とするのがよい。なお、凹部３１が形成されている部分における最も厚さが小さい部分の厚さをｒｔした場合、ｒｔ＋ｒｄは樹脂シートの厚さと同じである。
【００６０】
図２９は、本実施例における効果を示す平面図であり、実施例１における図１６に対応する。図２９の構成は図１６において説明したのと同様である。図２９の上側の図において、ドライバＩＣ１０に係る最低圧着力は５４ＭＰａである。つまり、本実施例においても、全てのバンプにおいて必要な圧着力を確保できることを示している。また、ドライバＩＣ１０の短辺の中央部での圧着力は１ＭＰａである。つまり、ドライバＩＣの短辺における破壊を防止することが出来る。いずれも、実施例１における図１６の場合と同様の効果を得ることが出来る。
【００６１】
図２９の下側に示す詳細図において、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２に係る最低圧着力は５４ＭＰａであり、最大圧着力は７０ＭＰａである。つまり、最大圧着力と最低圧着力の比は１．３倍以下となっている。したがって、本実施例においても、図１４に示す比較例１および図１５に示す比較例２に比べて、圧着力は非常に均一化されていることがわかる。
【００６２】
図３０は、実施例２による本発明の効果を比較例１および２と比較したグラフであり、実施例１の図１７に対応するグラフである。図３０の横軸、縦軸は、図１７で説明したのと同様である。また、図３０の比較例１および比較例２は図１７で説明したのと同様である。図３０に示すように、本発明の実施例２の圧着力の最小値Minは５４ＭＰａであり、比較例１および比較例２に比べ非常に大きく、バンプと端子の接続不良は生じにくい。
【００６３】
また、圧着力の最大値と最小値の比は１．３倍以下であり、比較例１の１０倍、比較例２の５倍に比較して、圧着力の分布は、はるかに均一になっている。したがって、実施例２もドライバＩＣ１０の接続不良は生じにくく、また、ストレスによるドライバＩＣ１０の破壊も生じにくい。
【００６４】
図３１乃至３３は、ドライバＩＣ１０における種々のバンプの配置に対応して、樹脂シート３０の接触部を配置した例である。図３１において、入力バンプ１１および出力バンプ１２がドライバＩＣ１０の長辺に沿って形成されている。ドライバＩＣ１０の上面において、樹脂シート３０がドライバＩＣの入力バンプ１１、出力バンプ１２に対応して接触している。樹脂シート３０の凹部３１はドライバＩＣ１０の上面とは接触していない。
【００６５】
図３２は、出力側バンプ１２が長辺の他、短辺にも形成されている例である。これに対応して、樹脂シート３０も枠状にドライバＩＣ１０の上面と接触している。図３３は、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２の群が離間して形成されている例である。樹脂シート３０は、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２に対応して、ドライバＩＣ１０の上面と接触している。
【００６６】
入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２は、図３１乃至３３以外の配置もあるが、樹脂シート３０は、ドライバＩＣ１０の上面において、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２と対応する部分でドライバＩＣ１０と接触する構成とすればよい。
【００６７】
図３４は本実施例におけるＣＯＧプロセスを示す例である。図３４において、ドライバＩＣ１０がバンプをＴＦＴ基板１００側に向けて載置されている。樹脂シート３０は、必要に応じて供給されるように、ロール状になっている。フィーダによって樹脂シート３０を矢印の方向に移動させて、ドライバＩＣ１０の上側に配置する。
【００６８】
ヒータ４１で加熱された圧着ヘッド４０が樹脂シート３０を介してドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００側に圧着する。ドライバＩＣ１０が圧着されると、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００で形成された表示パネルは矢印の方向に移動し、他の表示パネルが送られてくる。このようにして、ドライバＩＣ１０は表示パネル毎に連続して接続される。
【００６９】
図３５は樹脂シート３０の本実施例の第２の実施形態を示す斜視図である。図３５が図２７と異なる点は、樹脂シート３０に凹部を形成する代わりに、凹部の部分を樹脂シートよりも柔らかい樹脂等で充填していることである。すなわち、樹脂シート３０の中央部を柔らかい材料とすれば、ドライバＩＣ１０は、主として両側の固い樹脂シート３０のみによって押されることになり、ドライバＩＣ１０が撓むことが抑制され、その結果、バンプに均一に圧着力が係るようになる。
【００７０】
図３６は、図３５のＣ−Ｃ断面図である。図３６において、ドライバＩＣ１０の上面において、入力バンプ１１と出力バンプ１２に対応する領域の間には、樹脂シート３０よりも柔らかい材料が充填された部分が存在する。樹脂シート３０よりも柔らかい材料としては、例えば、ウレタン等である。ウレタンが充填された範囲は、例えば、図２８において、樹脂シート３０に形成された凹部と同じ範囲である。
【００７１】
図３７乃至図３９は、樹脂シート３０において、柔らかい材料３６が充填された領域を示す平面図である。図３７乃至図３９において、柔らかい樹脂が充填された領域は、図３１乃至図３３において、樹脂シートに形成された凹部３０と同じ範囲である。図３７乃至図３９のその他の構成は、図３１乃至図３３と同様である。本実施例によれば、樹脂シートは均一な厚さになるので、樹脂シートの取り扱いが容易になる。
【００７２】
図４０は本実施例の第３の実施形態を示すドライバＩＣと樹脂シートの斜視図である。図４０の樹脂シートが図２７と異なる点は、図２７の樹脂シートの凹部３１に対応する部分が貫通孔３７になっている点である。図４０のような貫通孔３７であれば、深さの管理が容易である。図４１は図４０のＤ−Ｄ断面図である。図４１における貫通孔３７の位置は、図２８における凹部３１の位置と同じである。
【００７３】
図４２は、樹脂シート３０とドライバＩＣ１０を組み合わせた状態において、樹脂シート３０、あるいは、樹脂シート３０の貫通孔３７とドライバＩＣ１０に形成された入力バンプ１１および出力バンプ１２の関係を示す平面図である。樹脂シート３０が入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２が存在する部分において、ドライバＩＣ１０の上面と接触している点は、本実施例の他の態様と同じである。
【００７４】
本実施形態における樹脂シート３０は、貫通孔３７が形成されているので、樹脂シート３０にはいずれの態様においても、外枠が必ず存在している。図４２乃至図４４のその他の構成は、図３１乃至図３３等と同様である。
【００７５】
図４５は、本実施例の第４の実施形態を示すドライバＩＣ１０おおび樹脂シート３０の斜視図である。図４６は図４５のＥ−Ｅ断面図である。図４５および図４６の実施形態は、図４０および図４１に記載された貫通孔に樹脂シート３０の材料よりも柔らかい材料３６、例えばウレタンを充填したものである。このような構成によっても、図３５および図３６で説明したように、本発明の目的を達成することが出来る。貫通孔の中に、柔らか材料３６を充填することによって、樹脂シートの厚さが均一になるので、扱いが容易になるという効果を得ることが出来る。
【００７６】
本実施例においても、バンプの圧着力をバンプ間、あるいは、バンプ内において均一にすることが出来るので、ドライバＩＣの庇、あるいはダミーバンプを省略することが出来る。したがって、ドライバＩＣの外形を小さくでき、その結果、ドライバＩＣのコストを低減できること、端子部にスペースを形成できること、あるいは、端子部を縮小することによって、液晶表示パネルの外形を小さくすることが出来ること等は実施例１で述べたのと同様である。
【００７７】
以上の構成は、液晶表示装置を前提として説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置にも適用することが出来る。なお、有機ＥＬ表示装置の場合、対向基板は必ずしも必要ではなく、走査線あるいは映像信号線、発光素子等が形成された素子基板を無機パッシベーション膜あるいは有機パッシベーション膜で保護した構成の場合もありうる。この場合も、素子基板の端子部にドライバＩＣが配置されることには変わりない。
【符号の説明】
【００７８】
１０…ドライバＩＣ、  １１…入力バンプ、  １２…出力バンプ、  １３…ダミーバンプ、  ２０…部材、  ３０…樹脂シート、  ３１…凹部、  ３５…樹脂シートの薄い部分、  ３６…軟材料、  ３７…貫通孔、  ４０…圧着ヘッド、４１…ヒータ、  ５０…フレキシブル配線基板、  ６０…受台、  ８０…画素、  ８１…走査線、  ８２…映像線、９０…表示領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １５０…端子部、  １６０…シール材、  ２００…対向基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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