(57)【要約】【課題】溶断されているか否かを高い精度で特定することができる保護装置、及び、該保護装置を備える電源システムを提供する。【解決手段】保護装置５では、バッテリ２から負荷２，３，４夫々への３つの電流経路夫々にヒューズ５２，５３，５４が設けられている。マイコン５１は、パルスの位置が相互に異なるパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を合成回路５０に出力する。パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々はヒューズ５２，５３，５４夫々に対応する。合成回路５０は、ヒューズ５２，５３，５４の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズに対応するパルス信号を合成する。マイコン５１は、合成回路５０が合成した合成信号Ｐｔに基づいて、溶断されているヒューズを特定する。【選択図】図２
2017117745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に各別に設けられた複数のヒューズを備える保護装置において、
前記複数のヒューズ夫々に対応し、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する出力部と、
該出力部が出力した複数のパルス信号の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である前記ヒューズに対応する前記パルス信号を合成する合成回路と、
該合成回路が合成した合成信号に基づいて、溶断されている前記ヒューズを特定する特定部と
を備えることを特徴とする保護装置。
【請求項２】
前記合成回路は、
前記複数のパルス信号夫々が入力される複数の入力端子と、
前記複数のヒューズ夫々に対応し、前記複数の入力端子夫々に一端が接続される複数のスイッチと、
該複数のスイッチ夫々の他端に接続される出力端子と
を有し、
該複数のスイッチ夫々は、自身に対応する前記ヒューズの下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である場合に前記パルス信号を通過させるように構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項３】
バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に各別に設けられた複数のヒューズを備える保護装置において、
前記複数のヒューズはＫ（≧２）個のヒューズ群に分けられており、
該Ｋ個のヒューズ群中の一又は複数のヒューズ群夫々に属する１つのヒューズに対応し、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する出力部と、
前記Ｋ個のヒューズ群夫々に対応し、夫々は、該出力部によって出力され、かつ、自身に対応する前記ヒューズ群に属するＭ（≧２）個のヒューズに対応するＭ個の前記パルス信号の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である前記ヒューズに対応する前記パルス信号を合成するＫ個の合成回路と、
該Ｋ個の合成回路が合成したＫ個の合成信号中の１つを選択する選択部と、
該選択部が選択した前記合成信号を出力する第２の出力部と、
該第２の出力部が出力した合成信号に基づいて、溶断されている前記ヒューズを特定する特定部と
を備えることを特徴とする保護装置。
【請求項４】
前記Ｋ個の合成回路夫々は、
自身に対応する前記ヒューズ群に属するＭ個のヒューズ夫々に対応するＭ個の前記パルス信号が各別に入力されるＭ個の入力端子と、
前記Ｍ個のヒューズ夫々に対応し、前記Ｍ個の入力端子夫々に一端が接続されるＭ個のスイッチと、
該Ｍ個のスイッチ夫々の他端に接続される出力端子と
を有し、
該Ｍ個のスイッチ夫々は、自身に対応する前記ヒューズの下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である場合に前記パルス信号を通過させるように構成されていること
を特徴とする請求項３に記載の保護装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の保護装置と、
前記バッテリと、
前記保護装置を介して該バッテリから電力が供給される前記複数の負荷と
を備えることを特徴とする電源システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バッテリから負荷への電流経路に設けられたヒューズを有する保護装置と、該保護装置を備える電源システムとに関する。
【背景技術】
【０００２】
車両には、バッテリから複数の負荷に電力を供給する電源システムが搭載されている。このような電源システムの中には、複数の負荷夫々を過電流から保護する保護装置を備える電源システムがある（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の保護装置は、バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に各別に設けられた複数のヒューズを有する。所定電流以上の電流が１つの電流経路を流れた場合、この電流経路に設けられたヒューズが溶断されるため、負荷が過電流から保護される。
【０００４】
また、特許文献１に記載の保護装置では、複数のヒューズ夫々に、抵抗及び発光ダイオードによって構成される直列回路が並列に接続されている。ヒューズが溶断されていない場合、このヒューズに並列に接続されている直列回路の両端間の電圧は略ゼロＶであるため、この直列回路に電流が流れることはなく、該直列回路に含まれる発光ダイオードが発光することはない。ヒューズが溶断されている場合、このヒューズに並列に接続されている直列回路に電流が流れるため、この直列回路に含まれている発光ダイオードが発光する。
【０００５】
特許文献１に記載の保護装置では、１つの受光素子が複数の発光ダイオード夫々が発した光を受光する。複数の直列回路夫々に含まれる抵抗の抵抗値、又は、複数の直列回路に含まれる複数の発光ダイオード夫々と受光素子との距離が相互に異なっている。このため、複数の発光ダイオードについて、大きさが同じ電流が流れた場合に発する光の強度が同じである場合、受光素子が受光する光の強度に基づいて、発光している発光ダイオード、即ち、溶断しているヒューズを特定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２９６８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の保護装置では、発光ダイオードの発光面の向きのずれ、又は、発光ダイオードが発する光の強度の低下等によって、受光素子が受光する光の強度に誤差が生じやすいため、溶断されているヒューズを高い精度で特定することができないという問題がある。
【０００８】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、溶断されているヒューズを高い精度で特定することができる保護装置、及び、該保護装置を備える電源システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る保護装置は、バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に各別に設けられた複数のヒューズを備える保護装置において、前記複数のヒューズ夫々に対応し、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する出力部と、該出力部が出力した複数のパルス信号の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である前記ヒューズに対応する前記パルス信号を合成する合成回路と、該合成回路が合成した合成信号に基づいて、溶断されている前記ヒューズを特定する特定部とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明にあっては、バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に複数のヒューズが各別に設けられている。複数のヒューズ夫々について、溶断されていない場合、下流側の一端の電圧は、バッテリの出力電圧に略一致しており、閾値以上である。複数のヒューズ夫々について、溶断されている場合、下流側の一端の電圧は、略ゼロＶであり、閾値未満である。
【００１１】
出力部は、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する。ここで、複数のパルス信号夫々は複数のヒューズに対応している。合成回路は、出力部が出力した複数のパルス信号の中で、溶断されている（又は溶断されていない）ヒューズに対応するパルス信号を合成する。合成回路が合成した合成信号において、パルスが存在する位置（又はパルスが存在しない位置）に基づいて、溶断されているヒューズを特定する。このように、下流側の一端の電圧に基づいて、溶断されているヒューズを高い精度で特定することが可能である。
【００１２】
本発明に係る保護装置は、前記合成回路は、前記複数のパルス信号夫々が入力される複数の入力端子と、前記複数のヒューズ夫々に対応し、前記複数の入力端子夫々に一端が接続される複数のスイッチと、該複数のスイッチ夫々の他端に接続される出力端子とを有し、該複数のスイッチ夫々は、自身に対応する前記ヒューズの下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である場合に前記パルス信号を通過させるように構成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明にあっては、複数のパルス信号夫々が複数の入力端子に入力される。複数の入力端子夫々には複数のスイッチの一端に接続され、複数のスイッチ夫々の他端は出力端子に接続される。複数のスイッチ夫々は、自身に対応するヒューズが溶断されている場合（又は自身に対応するヒューズが溶断されていない場合）、パルス信号を通過させる。このように、合成回路を複数のスイッチを用いて簡単に構成することが可能である。
【００１４】
本発明に係る保護装置は、バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に各別に設けられた複数のヒューズを備える保護装置において、前記複数のヒューズはＫ（≧２）個のヒューズ群に分けられており、該Ｋ個のヒューズ群中の一又は複数のヒューズ群夫々に属する１つのヒューズに対応し、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する出力部と、前記Ｋ個のヒューズ群夫々に対応し、夫々は、該出力部によって出力され、かつ、自身に対応する前記ヒューズ群に属するＭ（≧２）個のヒューズに対応するＭ個の前記パルス信号の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である前記ヒューズに対応する前記パルス信号を合成するＫ個の合成回路と、該Ｋ個の合成回路が合成したＫ個の合成信号中の１つを選択する選択部と、該選択部が選択した前記合成信号を出力する第２の出力部と、該第２の出力部が出力した合成信号に基づいて、溶断されている前記ヒューズを特定する特定部とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明にあっては、バッテリから複数の負荷夫々への複数の電流経路に複数のヒューズが各別に設けられている。複数のヒューズ夫々について、溶断されていない場合、下流側の一端の電圧は、バッテリの出力電圧に略一致しており、閾値以上である。複数のヒューズ夫々について、溶断されている場合、下流側の一端の電圧は、略ゼロＶであり、閾値未満である。
【００１６】
複数のヒューズはＫ個のヒューズ群に分けられている。出力部は、パルスの位置が相互に異なる複数のパルス信号を出力する。ここで、複数のパルス信号夫々は、Ｋ個のヒューズ群中の一又は複数のヒューズ群夫々に含まれるヒューズに対応する。例えば、１つのパルス信号は、Ｋ個のヒューズ群中の２つのヒューズ群夫々に属する１つのヒューズに対応する。
【００１７】
Ｋ個の合成回路夫々はＫ個のヒューズ群に対応する。Ｋ個の合成回路夫々は、自身に対応するヒューズ群に属するＭ個のヒューズに対応するＭ個のパルス信号の中で、溶断されている（又は溶断されていない）ヒューズに対応するパルス信号を合成する。１つの合成回路が合成した合成信号において、パルスが存在する位置（又はパルスが存在しない位置）に基づいて、この合成回路に対応するヒューズ群に属する複数のヒューズの中で溶断されているヒューズを特定する。選択する合成信号を変更することによって、第２の出力部が出力する合成信号を変更し、全てのヒューズについて溶断されているか否かを判断することが可能である。
【００１８】
従って、下流側の一端の電圧に基づいて、溶断されているヒューズを高い精度で特定することが可能である。更に、１つのパルス信号に複数のヒューズを対応付けることが可能であるため、出力部が出力するパルス信号の数は少ない。
【００１９】
本発明に係る保護装置は、前記Ｋ個の合成回路夫々は、自身に対応する前記ヒューズ群に属するＭ個のヒューズ夫々に対応するＭ個の前記パルス信号が各別に入力されるＭ個の入力端子と、前記Ｍ個のヒューズ夫々に対応し、前記Ｍ個の入力端子夫々に一端が接続されるＭ個のスイッチと、該Ｍ個のスイッチ夫々の他端に接続される出力端子とを有し、該Ｍ個のスイッチ夫々は、自身に対応する前記ヒューズの下流側の一端の電圧が閾値未満（又は閾値以上）である場合に前記パルス信号を通過させるように構成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明にあっては、Ｋ個の合成回路夫々について、Ｍ個のパルス信号夫々がＭ個の入力端子に入力される。Ｍ個の入力端子夫々にはＭ個のスイッチの一端に接続され、Ｍ個のスイッチ夫々の他端は出力端子に接続される。Ｍ個のスイッチ夫々は、自身に対応するヒューズが溶断されている場合（又は自身に対応するヒューズが溶断されていない場合）、パルス信号を通過させる。このように、スイッチを用いた簡単な構成で合成回路が構成される。
【００２１】
本発明に係る電源システムは、前述した保護装置と、前記バッテリと、前記保護装置を介して該バッテリから電力が供給される前記複数の負荷とを備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明にあっては、前述した保護装置を介して、バッテリから複数の負荷に電力が供給される。保護装置では、１つの負荷に所定電流以上の電流が流れた場合、この負荷とバッテリとを接続しているヒューズが溶断される。このため、複数の負荷夫々は過電流から保護される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、溶断されているヒューズを高い精度で特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態１における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【図２】保護装置の要部構成を示すブロック図である。
【図３】合成回路の回路図である。
【図４】パルス信号及び合成信号の波形図である。
【図５】マイコンが実行する動作の手順を示すフローチャートである。
【図６】実施の形態２における電源システムの要部構成を示すブロック図である。
【図７】実施の形態２における保護装置の要部構成を示すブロック図である。
【図８】パルス信号及び合成信号の波形図である。
【図９】切替え回路の動作を説明するための図表である。
【図１０】マイコンが実行する動作の手順を示すフローチャートである。
【図１１】実施の形態３における合成回路の回路図である。
【図１２】合成信号の波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。電源システム１は、車両に好適に搭載されており、３つの負荷２，３，４、保護装置５、バッテリ６及び報知部７を備える。バッテリ６の正極は保護装置５に接続されている。保護装置５には、更に、負荷２，３，４夫々の一端と、報知部７とが接続されている。負荷２，３，４夫々の他端と、バッテリ６の負極とは接地されている。
【００２６】
バッテリ６は、保護装置５を介して３つの負荷２，３，４夫々に電力を供給する。負荷２，３，４夫々は、バッテリ６から供給された電力によって作動する。
【００２７】
保護装置５は、負荷２，３，４夫々を過電流から保護する。負荷２，３，４の少なくとも１つに、バッテリ６から所定電流以上の電流が流れた場合、負荷２，３，４の中で、所定電流以上の電流が流れた負荷とバッテリ６との接続を遮断し、報知信号を報知部７に出力する。
報知部７は、報知信号が入力された場合、図示しない表示部へのメッセージの表示、又は、図示しないランプの点灯等によって報知を行う。
【００２８】
図２は保護装置５の要部構成を示すブロック図である。保護装置５は、合成回路５０、マイクロコンピュータ（以下、マイコンと記載する）５１及び３つのヒューズ５２，５３，５４を有する。ヒューズ５２，５３，５４夫々の一端はバッテリ６の正極に接続されている。ヒューズ５２，５３，５４夫々の他端は負荷２，３，４の一端に接続されている。
【００２９】
電流は、バッテリ６の正極からヒューズ５２，５３，５４夫々を介して負荷２，３，４に流れる。保護装置５では、このように、バッテリ６から負荷２，３，４夫々への３つの電流経路が設けられており、３つのヒューズ５２，５３，５４夫々は３つの電流経路に各別に設けられている。ヒューズ５２，５３，５４夫々は、自身に所定電流以上の電流が流れた場合に溶断される。これにより、バッテリ６の正極と、溶断されたヒューズの他端に接続されていた負荷との接続が遮断される。
【００３０】
ヒューズ５２，５３，５４夫々の下流側の一端は、合成回路５０に各別に接続されている。合成回路５０は、更にマイコン５１に接続されている。マイコン５１は、更に報知部７に接続されている。
【００３１】
合成回路５０には、ヒューズ５２，５３，５４夫々の下流側の一端の電圧、即ち、負荷２，３，４夫々の両端間の電圧が入力されている。ヒューズ５２，５３，５４夫々について、溶断されていない場合、接地電位を基準とした下流側の一端の電圧は、バッテリ６の出力電圧に略一致しており、予め設定されている閾値以上である。また、ヒューズ５２，５３，５４夫々について、溶断されている場合、接地電位を基準とした下流側の一端の電圧は、略ゼロＶであり、閾値未満である。
【００３２】
マイコン５１は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)を有し、図示しない記憶部に記憶されている制御プログラムを実行することによって種々の処理を行う。
マイコン５１は、３つのヒューズ５２，５３，５４夫々に対応する３つのパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を合成回路５０に出力する。マイコン５１は出力部として機能する。合成回路５０は、マイコン５１が出力した３つのパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズに対応するパルス信号を合成し、合成した合成信号Ｐｔをマイコン５１に出力する。パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４及び合成信号Ｐｔの電圧は、接地電位を基準とした電圧である。
【００３３】
なお、３つのヒューズ５２，５３，５４の中に、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズが存在しない場合、合成信号Ｐｔでは略ゼロＶが維持されている。また、３つのヒューズ５２，５３，５４の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズの数が１つである場合、合成信号Ｐｔは、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズに対応するパルス信号と一致する。例えば、ヒューズ５３が溶断されている場合、合成信号Ｐｔはパルス信号Ｐ３に一致する。
【００３４】
マイコン５１は、合成回路５０から入力された合成信号Ｐｔに基づいて、３つのヒューズ５２，５３，５４の中から溶断されているヒューズを特定する。マイコン５１は、３つのヒューズ５２，５３，５４の中に溶断されているヒューズが存在する場合、溶断されている一又は複数のヒューズを示す報知信号を報知部７に出力する。報知部７は、マイコン５１から報知信号が入力された場合、表示部へのメッセージの表示、又は、ランプの点灯等を行うことによって、報知信号が示す一又は複数のヒューズを報知する。
【００３５】
図３は合成回路５０の回路図である。合成回路５０は、半導体スイッチ２０，３０，４０、抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ３０，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３，Ｒ４０，Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ５０、入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４及び出力端子Ｂｔを有する。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はＰＮＰ型のバイポーラトランジスタである。
【００３６】
入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４夫々はマイコン５１に接続されている。入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４夫々にはパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が入力される。入力端子Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４夫々はヒューズ５２，５３，５４の下流側の一端に接続されている。入力端子Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４には、ヒューズ５２，５３，５４の下流側の一端の電圧が入力される。出力端子Ｂｔはマイコン５１に接続されている。出力端子Ｂｔから、合成信号Ｐｔがマイコン５１に出力される。
【００３７】
合成回路５０内において、入力端子Ａ２は半導体スイッチ２０のエミッタに接続されている。半導体スイッチ２０のエミッタ及びベース間には抵抗Ｒ２０が接続されている。半導体スイッチ２０のベースには抵抗Ｒ２１の一端が更に接続されている。抵抗Ｒ２１の他端は、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３夫々の一端に接続されている。抵抗Ｒ２２の他端は入力端子Ｔ２に接続されている。抵抗Ｒ２３の他端は接地されている。
【００３８】
半導体スイッチ３０、抵抗Ｒ３０，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３及び入力端子Ａ３，Ｔ３は、半導体スイッチ２０、抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３及び入力端子Ａ２，Ｔ２と同様に接続されている。半導体スイッチ４０、抵抗Ｒ４０，Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３及び入力端子Ａ４，Ｔ４は、半導体スイッチ２０、抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３及び入力端子Ａ２，Ｔ２と同様に接続されている。
半導体スイッチ２０，３０，４０夫々のコレクタは抵抗Ｒ５０の一端と、出力端子Ｂｔとに接続されている。抵抗Ｒ５０の他端は接地されている。
【００３９】
半導体スイッチ２０，３０，４０夫々について、エミッタの電位を基準としたベースの電圧が負の所定電圧未満である場合、電流がエミッタ及びコレクタ間を流れることが可能である。このとき、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はオンである。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々について、エミッタを基準としたベースの電圧が所定電圧以上である場合、電流がエミッタ及びコレクタ間を流れることはない。このとき、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はオフである。
【００４０】
抵抗Ｒ２２，Ｒ２３は、入力端子Ｔ２に入力された電圧を分圧し、分圧した電圧を、抵抗Ｒ２１を介して半導体スイッチ２０のベースに印加する。抵抗Ｒ３２，Ｒ３３は抵抗Ｒ２２，Ｒ２３と同様に作用し、抵抗Ｒ４２，Ｒ４３も抵抗Ｒ４２，Ｒ４３と同様に作用する。
従って、抵抗Ｒ３２，Ｒ３３は、入力端子Ｔ３に入力された電圧を分圧し、分圧した電圧を、抵抗Ｒ３１を介して半導体スイッチ３０のベースに印加する。抵抗Ｒ４２，Ｒ４３は、入力端子Ｔ４に入力された電圧を分圧し、分圧した電圧を、抵抗Ｒ４１を介して半導体スイッチ４０のベースに印加する。
【００４１】
図４はパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４及び合成信号Ｐｔの波形図である。図４には、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合における合成信号Ｐｔの波形と、ヒューズ５３が溶断されている場合における合成信号Ｐｔの波形とが示されている。
【００４２】
パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々は、マイコン５１が矩形状のパルスを一定の周期で出力することによって生成される。パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々について、周期、パルス幅及びパルス振幅は略同じである。パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々について、パルスの位置は互いに異なっている。パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々に関して、パルス振幅は所定電圧よりも高く、パルス以外の部分は略ゼロＶである。
【００４３】
ヒューズ５２が溶断されていない場合、即ち、ヒューズ５２の下流側の一端の電圧が閾値以上である場合、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３が抵抗Ｒ２１を介して半導体スイッチ２０のベースに出力する電圧は、パルス信号Ｐ２のパルス振幅よりも高い。このため、ヒューズ５２が溶断されていない場合、半導体スイッチ２０において、エミッタの電位を基準としたベースの電圧が負の所定電圧未満になることはなく、半導体スイッチ２０はオフである。従って、ヒューズ５２が溶断されていない場合、パルス信号Ｐ２は半導体スイッチ２０を通過することはない。
【００４４】
ヒューズ５２が溶断されている場合、即ち、ヒューズ５２の下流側の一端の電圧が閾値未満である場合において、パルス信号Ｐ２のパルスが半導体スイッチ２０のエミッタに入力されたとき、半導体スイッチ２０のエミッタの電位を基準としたベースの電圧は負の所定電圧未満であり、半導体スイッチ２０はオンである。
このため、ヒューズ５２が溶断されている場合、パルス信号Ｐ２は半導体スイッチ２０を通過する。
【００４５】
なお、ヒューズ５２が溶断されている場合において、パルス信号Ｐ２のパルス以外の部分が半導体スイッチ２０のエミッタに入力されたとき、半導体スイッチ２０のエミッタの電位を基準としたベースの電圧は、略ゼロＶであり、半導体スイッチ２０のエミッタの電位を基準としたベースの電圧は所定電圧以上である。このとき、半導体スイッチ２０はオフである。
【００４６】
半導体スイッチ３０及び抵抗Ｒ３０，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３夫々は、半導体スイッチ２０及び抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３と同様に作用する。このため、パルス信号Ｐ３は、ヒューズ５３が溶断されていない場合、半導体スイッチ３０を通過することはなく、ヒューズ５３が溶断されている場合、半導体スイッチ３０を通過する。
【００４７】
半導体スイッチ４０及び抵抗Ｒ４０，Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３夫々は、半導体スイッチ２０及び抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３と同様に作用する。このため、パルス信号Ｐ４は、ヒューズ５４が溶断されていない場合、半導体スイッチ４０を通過することはなく、ヒューズ５４が溶断されている場合、半導体スイッチ４０を通過する。
【００４８】
以上のように、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はヒューズ５２，５３，５４に対応する。また、合成回路５０を３つの半導体スイッチ２０，３０，４０を用いて簡単に構成することができる。
【００４９】
合成回路５０では、３つのヒューズ５２，５３，５４の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズに対応する一又は複数のパルス信号の合成信号Ｐｔが出力端子Ｂｔからマイコン５１に出力される。
【００５０】
１つの例として、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合、パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々は半導体スイッチ２０，３０，４０を通過することはない。このため、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合、図４に示すように、合成信号Ｐｔでは、電圧は接地電位を基準として略ゼロＶに維持されている。
【００５１】
もう１つの例として、ヒューズ５３のみが溶断されている場合、パルス信号Ｐ２，Ｐ４夫々は半導体スイッチ２０，４０を通過せず、パルス信号Ｐ３は半導体スイッチ３０を通過する。このため、ヒューズ５３のみが溶断されている場合、図４に示すように、合成信号Ｐｔではパルス信号Ｐ３、即ち、ヒューズ５３に対応する位置にパルスが存在する。
【００５２】
合成信号Ｐｔでは、ヒューズ５２，５３，５４の中で溶断されているヒューズに対応する位置にパルスが存在する。従って、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されている場合、合成信号Ｐｔではパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に対応する位置にパルスが存在する。
【００５３】
前述したように、マイコン５１は、パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を合成回路５０の入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４に出力し、合成回路５０の出力端子Ｂｔから出力された合成信号Ｐｔに基づいて、３つのヒューズ５２，５３，５４の中から溶断されているヒューズを特定する。
【００５４】
図５はマイコン５１が実行する動作の手順を示すフローチャートである。マイコン５１は、まず、パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々を合成回路５０の入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４に出力することによって、合成回路５０の出力端子Ｂｔから出力された合成信号Ｐｔを取得する（ステップＳ１）。
【００５５】
次に、マイコン５１は、ステップＳ１で取得した合成信号Ｐｔにおけるパルスの位置に基づいて、３つのヒューズ５２，５３，５４の中で溶断されている一又は複数のヒューズを特定する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、マイコン５１は、合成信号Ｐｔにパルスが存在しない場合、溶断されているヒューズは存在しないと判定する。マイコン５１は特定部としても機能する。
【００５６】
次に、マイコン５１は、ステップＳ２で行った特定の結果に基づいて、溶断されているヒューズがあるか否かを判定する（ステップＳ３）。マイコン５１は、溶断されているヒューズがあると判定した場合（Ｓ３：ＹＥＳ）、ステップＳ２で特定した一又は複数のヒューズを示す報知信号を報知部７に出力する（ステップＳ４）。これにより、報知部７は、前述したように、報知信号が示す一又は複数のヒューズを報知する。
【００５７】
マイコン５１は、溶断されているヒューズがないと判定した場合（Ｓ３：ＮＯ）、又は、ステップＳ４を実行した後、動作を終了する。マイコン５１は、前述した動作を周期的に繰り返し実行する。
【００５８】
以上のように構成された保護装置５においては、マイコン５１は、下流側の一端の電圧に基づいて、３つのヒューズ５２，５３，５４の中から、溶断されているヒューズを高い精度で特定することができる。
【００５９】
また、報知部７によって、ヒューズ５２，５３，５４の中で溶断されているヒューズが報知されるので、ヒューズ５２，５３，５４夫々について、溶断されているか否かを、例えば目視で確認する必要はない。このため、ヒューズ５２，５３，５４を視認性の悪い場所に配置することが可能である。これにより、ヒューズ５２，５３，５４の配置に係る自由度が向上し、電源システム１における配線長を短くすることができる。更に、溶断されているヒューズを目視で特定する必要がないため、ヒューズ５２，５３，５４中の１つのヒューズが溶断された後の修理に係る時間も短くすることができる。
【００６０】
なお、半導体スイッチ２０，３０，４０は、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタに限定されず、例えばＰチャネル型のＦＥＴ(Field Effect Transistor)であってもよい。この場合、エミッタ、コレクタ及びベース夫々はソース、ドレイン及びゲートに対応する。
【００６１】
（実施の形態２）
図６は、実施の形態２における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。
以下では、実施の形態２について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
実施の形態２における電源システム１も、好適に車両に搭載され、実施の形態１と同様に、保護装置５、バッテリ６及び報知部７を備える。これらは、実施の形態１と同様に接続されている。実施の形態２における電源システム１は、更に、８つの負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄを備える。負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々の一端は保護装置５に接続されている。負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々の他端と、バッテリ６の負極とは接地されている。
【００６３】
バッテリ６は、保護装置５を介して８つの負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々に電力を供給する。負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々は、バッテリ６から供給された電力によって作動する。
【００６４】
保護装置５は、負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々を過電流から保護する。負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄの少なくとも１つに、バッテリ６から所定電流以上の電流が流れた場合、負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄの中で、所定電流以上の電流が流れた負荷とバッテリ６との接続を遮断し、報知信号を報知部７に出力する。
【００６５】
図７は実施の形態２における保護装置５の要部構成を示すブロック図である。実施の形態２における保護装置５は、Ｋ（＝４）個の合成回路５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ、マイコン５１、８つのヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄ及び切替え回路５５を有する。
【００６６】
実施の形態２における負荷２ａ，３ａ、バッテリ６、合成回路５０ａ及びヒューズ５２ａ，５３ａは、実施の形態１における負荷２，３、バッテリ６、合成回路５０及びヒューズ５２，５３と同様に接続される。
【００６７】
負荷２ｂ，３ｂ、バッテリ６、合成回路５０ｂ及びヒューズ５２ｂ，５３ｂも、実施の形態１における負荷２，３、バッテリ６、合成回路５０及びヒューズ５２，５３と同様に接続される。
負荷２ｃ，３ｃ、バッテリ６、合成回路５０ｃ及びヒューズ５２ｃ，５３ｃも、実施の形態１における負荷２，３、バッテリ６、合成回路５０及びヒューズ５２，５３と同様に接続される。
負荷２ｄ，３ｄ、バッテリ６、合成回路５０ｄ及びヒューズ５２ｄ，５３ｄも、実施の形態１における負荷２，３、バッテリ６、合成回路５０及びヒューズ５２，５３と同様に接続される。
【００６８】
８つのヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄはＫ（＝４）個のヒューズ群に分けられている。２つのヒューズ５２ａ，５３ａによって１つのヒューズ群が構成され、このヒューズ群に合成回路５０ａが対応する。２つのヒューズ５２ｂ，５３ｂによって１つのヒューズ群が構成され、このヒューズ群に合成回路５０ｂが対応する。２つのヒューズ５２ｃ，５３ｃによって１つのヒューズ群が構成され、このヒューズ群に合成回路５０ｃが対応する。２つのヒューズ５２ｄ，５３ｄによって１つのヒューズ群が構成され、このヒューズ群に合成回路５０ｄが対応する。
実施の形態２における電源システム１は、Ｋ（＝４）個のヒューズ群を備える。各ヒューズ群には、Ｍ（＝２）個のヒューズが属している。
【００６９】
実施の形態２における保護装置５では、電流は、バッテリ６の正極からヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄ夫々を介して負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄに流れる。実施の形態２における保護装置５では、バッテリ６から負荷２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ，２ｄ，３ｄ夫々への８つの電流経路が設けられており、８つのヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄ夫々は８つの電流経路に各別に設けられている。
【００７０】
合成回路５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ夫々は、マイコン５１と、切替え回路５５とに接続されている。切替え回路５５は更にマイコン５１に接続されている。
【００７１】
マイコン５１は、パルス信号Ｐ２，Ｐ３をＫ（＝４）個の合成回路５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ夫々に実施の形態１と同様に出力する。パルス信号Ｐ２はヒューズ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄに対応する。パルス信号Ｐ３はヒューズ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄに対応する。
【００７２】
合成回路５０ａは、実施の形態１における合成回路５０と同様に構成されている。合成回路５０ａは、実施の形態１における合成回路５０の構成部の中で、半導体スイッチ４０、抵抗Ｒ４０，Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３及び入力端子Ａ４，Ｔ４を除く他の構成部を有する。従って、合成回路５０ａは、Ｍ（＝２）個の半導体スイッチ２０，３０、Ｍ（＝２）個の入力端子Ａ２，Ａ３及び出力端子Ｂｔを有する。
【００７３】
合成回路５０ａの入力端子Ａ２，Ａ３には、合成回路５０ａに対応するヒューズ群に属するＭ（＝２）個のヒューズ５２ａ，５３ａ夫々に対応するＭ（＝２）個のパルス信号Ｐ２，Ｐ３が各別に入力される。また、合成回路５０ａが有するＭ（＝２）個の半導体スイッチ２０，３０は、Ｍ（＝２）個のヒューズ５２ａ，５３ａ夫々に対応する。合成回路５０ａが有するＭ（＝２）個の入力端子Ａ２，Ａ３夫々にはＭ（＝２）個の半導体スイッチ２０，３０のエミッタが接続される。合成回路５０ａが有するＭ（＝２）個の半導体スイッチ２０，３０のコレクタは出力端子Ｂｔに接続される。
【００７４】
また、合成回路５０ａは、実施の形態１における合成回路５０と同様に作用する。従って、合成回路５０ａは、マイコン５１によって出力され、かつ、合成回路５０ａに対応するヒューズ群が属するＭ（＝２）個のヒューズ５２ａ，５３ａに対応するＭ（＝２）個のパルス信号Ｐ２，Ｐ３の中で、下流側の一端の電圧が閾値未満であるヒューズに対応するパルス信号を合成する。合成回路５０ａは、合成した合成信号Ｐｔａを切替え回路５５に出力する。
【００７５】
具体的には、合成回路５０ａの半導体スイッチ２０は、半導体スイッチ２０に対応するヒューズ５２ａの下流側の一端の電圧が閾値未満である場合に、パルス信号Ｐ２を通過させる。合成回路５０ａの半導体スイッチ３０は、半導体スイッチ３０に対応するヒューズ５３ａの下流側の一端の電圧が閾値未満である場合に、パルス信号Ｐ３を通過させる。
【００７６】
合成回路５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ夫々の構成及び作用は、合成回路５０ａの構成及び作用と同様である。合成回路５０ａの構成及び作用の説明において、合成回路５０ａ、ヒューズ５２ａ，５３ａ及び合成信号Ｐｔａ夫々を合成回路５０ｂ、ヒューズ５２ｂ，５３ｂ及び合成信号Ｐｔｂに置き換えることによって、合成回路５０ｂの構成及び作用を説明することができる。合成回路５０ａの構成及び作用の説明において、合成回路５０ａ、ヒューズ５２ａ，５３ａ及び合成信号Ｐｔａ夫々を合成回路５０ｃ、ヒューズ５２ｃ，５３ｃ及び合成信号Ｐｔｃに置き換えることによって、合成回路５０ｃの構成及び作用を説明することができる。合成回路５０ａの構成及び作用の説明において、合成回路５０ａ，ヒューズ５２ａ，５３ａ及び合成信号Ｐｔａ夫々を合成回路５０ｄ、ヒューズ５２ｄ，５３ｄ及び合成信号Ｐｔｄに置き換えることによって、合成回路５０ｄの構成及び作用を説明することができる。
従って、実施の形態１と同様に、合成回路５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ夫々を、２つの半導体スイッチ２０，３０を用いて簡単に構成することができる。
【００７７】
図８はパルス信号Ｐ２，Ｐ３及び合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄの波形図である。実施の形態２におけるパルス信号Ｐ２，Ｐ３夫々の周期は、実施の形態１におけるパルス信号Ｐ２，Ｐ３夫々の周期よりも短い。図８には、合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄの一例が示されている。
【００７８】
合成信号Ｐｔａにおいてパルス信号Ｐ２に対応する位置にパルスが存在する場合、合成信号Ｐｔａはヒューズ５２ａが溶断されていることを示す。合成信号Ｐｔａにおいてパルス信号Ｐ２に対応する位置にパルスが存在しない場合、合成信号Ｐｔａはヒューズ５２ａが溶断されていないことを示す。
同様に、合成信号Ｐｔａにおいてパルス信号Ｐ３に対応する位置にパルスが存在する場合、合成信号Ｐｔａはヒューズ５３ａが溶断されていることを示す。合成信号Ｐｔａにおいてパルス信号Ｐ３に対応する位置にパルスが存在しない場合、合成信号Ｐｔａはヒューズ５３ａが溶断されていないことを示す。
【００７９】
合成信号Ｐｔｂは、合成信号Ｐｔａと同様に、ヒューズ５２ｂ，５３ｂ夫々について溶断されているか否かを示す。合成信号Ｐｔｃは、合成信号Ｐｔａと同様に、ヒューズ５２ｃ，５３ｃ夫々について溶断されているか否かを示す。合成信号Ｐｔｄは、合成信号Ｐｔａと同様に、ヒューズ５２ｄ，５３ｄ夫々について溶断されているか否かを示す。
【００８０】
図８の例では、合成信号Ｐｔａの電圧が略ゼロＶに維持されているため、パルス信号Ｐ２，Ｐ３夫々に対応する位置にパルスが存在せず、ヒューズ５２ａ，５３ａ夫々は溶断されていない。合成信号Ｐｔｂでは、パルス信号Ｐ２に対応する位置にパルスが存在せず、パルス信号Ｐ３に対応する位置にパルスが存在するので、ヒューズ５２ｂは溶断されておらず、ヒューズ５３ｂは溶断されている。合成信号Ｐｔｃでは、パルス信号Ｐ２に対応する位置にパルスが存在し、パルス信号Ｐ３に対応する位置にパルスが存在しないので、ヒューズ５２ｃは溶断されており、ヒューズ５３ｃは溶断されていない。合成信号Ｐｔｄの電圧が略ゼロＶに維持されているため、パルス信号Ｐ２，Ｐ３夫々に対応する位置にパルスが存在せず、ヒューズ５２ａ，５３ａ夫々は溶断されていない。
【００８１】
マイコン５１は、切替え回路５５に２つの選択信号α，βを出力する。選択信号α，β夫々は、ハイレベル電圧及びローレベル電圧によって構成される２値信号である。切替え回路５５は、２つの選択信号α，βの内容に基づいて、合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄ中の１つをマイコン５１に出力する。マイコン５１は、Ｋ（＝４）個の合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄ中の１つを選択し、選択結果に応じて２つの選択信号α，βの電圧を設定する。これにより、切替え回路５５は、Ｋ（＝４）個の合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄの中でマイコン５１が選択した合成信号をマイコン５１に出力する。マイコン５１は、出力部及び特定部だけではなく、選択部としても機能し、切替え回路５５は第２の出力部として機能する。
【００８２】
図９は切替え回路５５の動作を説明するための図表である。図８では、ハイレベル電圧を「Ｈ」で示し、ローレベル電圧を「Ｌ」で示している。マイコン５１が選択信号α，βの電圧を共にハイレベル電圧に設定した場合、切替え回路５５は合成信号Ｐｔａをマイコン５１に出力する。マイコン５１が選択信号αの電圧をハイレベル電圧に設定し、選択信号βの電圧をローレベル電圧に設定した場合、切替え回路５５は合成信号Ｐｔｂをマイコン５１に出力する。マイコン５１が選択信号αの電圧をローレベル電圧に設定し、選択信号βの電圧をハイレベル電圧に設定した場合、切替え回路５５は合成信号Ｐｔｃをマイコン５１に出力する。マイコン５１が選択信号α，βの電圧を共にローレベル電圧に設定した場合、切替え回路５５は合成信号Ｐｔｄをマイコン５１に出力する。
【００８３】
図１０はマイコン５１が実行する動作の手順を示すフローチャートである。マイコン５１は、まず、パルス信号Ｐ２，Ｐ３を合成回路５０ａ，５０ｂ，５０ｃ夫々に出力している状態で選択信号α，βの電圧を（Ｈ，Ｈ）、（Ｈ，Ｌ）、（Ｌ，Ｈ）及び（Ｌ，Ｌ）の順に変更することによって、切替え回路５５が出力したＫ（＝４）個の合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄを取得する（ステップＳ１１）。ここでも、「Ｈ」はハイレベル電圧を示し、「Ｌ」はローレベル電圧を示す。
【００８４】
次に、マイコン５１は、ステップＳ１１で取得したＫ（＝４）個の合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄ夫々におけるパルスの位置に基づいて、８つのヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄの中で溶断されている一又は複数のヒューズを特定する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において、マイコン５１は、Ｋ（＝４）個の合成信号Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ，Ｐｔｄのいずれにもパルスが存在しない場合、溶断されているヒューズは存在しないと判定する。
【００８５】
次に、マイコン５１は、ステップＳ１２で行った特定の結果に基づいて、溶断されているヒューズがあるか否かを判定する（ステップＳ１３）。マイコン５１は、溶断されているヒューズがあると判定した場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、ステップＳ１２で特定した一又は複数のヒューズを示す報知信号を報知部７に出力する（ステップＳ１４）。これにより、報知部７は、前述したように、報知信号が示す一又は複数のヒューズを報知する。
【００８６】
マイコン５１は、溶断されているヒューズがないと判定した場合（Ｓ１３：ＮＯ）、又は、ステップＳ１４を実行した後、動作を終了する。マイコン５１は、前述した動作を周期的に繰り返し実行する。
【００８７】
実施の形態２における保護装置５においては、実施の形態１と同様に、マイコン５１は、下流側の一端の電圧に基づいて、８つのヒューズ５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５２ｃ，５３ｃ，５２ｄ，５３ｄの中から、溶断されているヒューズを高い精度で特定することができる。更に、切替え回路５５が設けられているため、パルス信号Ｐ２に４つのヒューズ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを対応付けることができ、パルス信号Ｐ３に４つのヒューズ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄを対応付けることができる。このため、マイコン５１が出力するパルス信号の数が少ない。
【００８８】
なお、実施の形態２において、電源システム１が備えるヒューズの数は、８に限定されず、４、５、６、７又は９以上であってもよい。更に、ヒューズ群の数Ｋは４に限定されず、２以上であればよい。前述したように、ヒューズ群の数Ｋと合成回路の数とは同じである。選択信号の数Ｕは２u-1 ＜Ｋ≦２u を満たす。例えば、ヒューズ群の数Ｋが５〜８である場合、選択信号の数Ｕは３である。
【００８９】
また、Ｋ個のヒューズ群夫々に属するヒューズの数Ｍは同一でなくてもよい。例えば、１つのヒューズ群に属するヒューズの数Ｍが２であって、他のヒューズ群に属するヒューズの数Ｍが３であってもよい。この場合、保護装置５が有する１つの合成回路として、３つの入力端子と、３つの半導体スイッチとを有する合成回路、例えば実施の形態１における合成回路５０が用いられる。保護装置５では、入力端子及び半導体スイッチ夫々の数がヒューズの数Ｍと同じである合成回路が用いられる。
【００９０】
各ヒューズ群には２以上のヒューズが属する。マイコン５１が出力するパルス信号の数は、Ｋ個のヒューズ群夫々に属するヒューズの数中の最大値である。例えば、第１ヒューズ群、第２ヒューズ群及び第３ヒューズ群夫々に属するヒューズの数が３、４及び３である場合、パルス信号の数は４である。溶断されているヒューズの特定に係る精度は、電源システム１が備えるヒューズの数に変動されない。
【００９１】
（実施の形態３）
図１１は実施の形態３における合成回路５０の回路図である。
以下では、実施の形態３について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９２】
実施の形態３における合成回路５０では、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタである。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々のコレクタは入力端子Ａ２，Ａ３，Ａ４に接続されている。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々のエミッタは、抵抗Ｒ５０の一端に接続されると共に、出力端子Ｂｔに接続されている。抵抗Ｒ５０の他端は接地されている。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々のエミッタ及びベース間に抵抗Ｒ２０，Ｒ３０，Ｒ４０が接続されている。
【００９３】
半導体スイッチ２０，３０，４０夫々について、エミッタを基準としたベースの電圧が正の第２所定電圧以上である場合、電流がエミッタ及びコレクタ間を流れることが可能である。このとき、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はオンである。半導体スイッチ２０，３０，４０夫々について、エミッタを基準としたベースの電圧が第２所定電圧未満である場合、電流がエミッタ及びコレクタ間を流れることはない。このとき、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はオフである。
【００９４】
図１２はパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４及び合成信号Ｐｔの波形図である。図１２には、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合における合成信号Ｐｔの波形と、ヒューズ５３が溶断されている場合における合成信号Ｐｔの波形とが示されている。
【００９５】
ヒューズ５２が溶断されていない場合、即ち、ヒューズ５２の下流側の一端の電圧が閾値以上である場合、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３が抵抗Ｒ２１を介して半導体スイッチ２０のベースに出力する電圧は高い。このため、半導体スイッチ２０では、エミッタの電位を基準としたベースの電圧は正の第２所定電圧以上であり、半導体スイッチ２０はオンである。従って、ヒューズ５２が溶断されていない場合、パルス信号Ｐ２は半導体スイッチ２０を通過する。
【００９６】
ヒューズ５２が溶断されている場合、即ち、ヒューズ５２の下流側の一端の電圧が閾値未満である場合において、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３が抵抗Ｒ２１を介して半導体スイッチ２０のベースに出力する電圧は低い。このため、半導体スイッチ２０では、エミッタの電位を基準としたベースの電圧は正の第２所定電圧未満であり、半導体スイッチ２０はオフである。従って、ヒューズ５２が溶断されている場合、パルス信号Ｐ２は半導体スイッチ２０を通過することはない。
【００９７】
半導体スイッチ３０及び抵抗Ｒ３０，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３夫々は、半導体スイッチ２０及び抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３と同様に作用する。このため、パルス信号Ｐ３は、ヒューズ５３が溶断されていない場合、半導体スイッチ３０を通過し、ヒューズ５３が溶断されている場合、半導体スイッチ３０を通過することはない。
【００９８】
半導体スイッチ４０及び抵抗Ｒ４０，Ｒ４１，Ｒ４２，Ｒ４３夫々は、半導体スイッチ２０及び抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３と同様に作用する。このため、パルス信号Ｐ４は、ヒューズ５４が溶断されていない場合、半導体スイッチ４０を通過し、ヒューズ５４が溶断されている場合、半導体スイッチ４０を通過することはない。
【００９９】
以上のように構成された実施の形態３における合成回路５０は、マイコン５１が出力した３つのパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の中で、下流側の一端の電圧が閾値以上であるヒューズに対応する一又は複数のパルス信号を合成する。合成回路５０は、一又は複数のパルス信号が合成された合成信号Ｐｔをマイコン５１に出力する。
【０１００】
実施の形態３においても、半導体スイッチ２０，３０，４０夫々はヒューズ５２，５３，５４に対応し、合成回路５０を３つの半導体スイッチ２０，３０，４０を用いて簡単に構成することができる。
【０１０１】
１つの例として、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合、パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々は半導体スイッチ２０，３０，４０を通過する。このため、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されていない場合、図１２に示すように、合成信号Ｐｔでは、パルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４夫々に対応するパルスが存在する。
【０１０２】
もう１つの例として、ヒューズ５３のみが溶断されている場合、パルス信号Ｐ２，Ｐ４夫々は半導体スイッチ２０，４０を通過し、パルス信号Ｐ３は半導体スイッチ３０を通過しない。このため、ヒューズ５３のみが溶断されている場合、図１２に示すように、合成信号Ｐｔではパルス信号Ｐ３、即ち、ヒューズ５３に対応する位置にパルスが存在しない。
【０１０３】
合成信号Ｐｔでは、ヒューズ５２，５３，５４の中で溶断されているヒューズに対応する位置にパルスは存在しない。従って、ヒューズ５２，５３，５４の全てが溶断されている場合、合成信号Ｐｔでは、電圧は接地電位を基準として略ゼロＶに維持されている。
【０１０４】
実施の形態３におけるマイコン５１は、実施の形態１におけるマイコン５１と同様に動作する。ただし、ステップＳ２において、実施の形態３におけるマイコン５１は、合成信号Ｐｔにパルス信号Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に対応するパルスの全てが存在する場合、溶断されているヒューズは存在しないと判定する。
【０１０５】
ステップＳ２では、実施の形態３におけるマイコン５１は、合成信号Ｐｔにおいて不在となっているパルスの位置から、溶断されている一又は複数のヒューズを特定する。
【０１０６】
以上のように構成された実施の形態３における保護装置５も、実施の形態１における保護装置５と同様の効果を奏する。
【０１０７】
なお、実施の形態３において、半導体スイッチ２０，３０，４０は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタに限定されず、例えばＮチャネル型のＦＥＴであってもよい。この場合、コレクタ、エミッタ及びベース夫々はドレイン、ソース及びゲートに対応する。
【０１０８】
また、実施の形態１，３において、負荷の数は３に限定されず、２又は４以上であってもよい。負荷の数と、ヒューズの数と、合成回路５０が有する半導体スイッチの数とは同じである。溶断されているヒューズの特定に係る精度はヒューズの数によって変動することはない。実施の形態１，３における保護装置５では、入力端子及び半導体スイッチ夫々の数がヒューズの数と同じである合成回路５０が用いられる。
【０１０９】
（実施の形態４）
実施の形態２におけるＫ個の合成回路夫々は、実施の形態３における合成回路５０と同様に構成されてもよい。
この場合、Ｋ個の合成回路夫々は、マイコン５１によって出力され、かつ、自身に対応するヒューズ群が属するＭ個のヒューズに対応するＭ個のパルス信号の中で、下流側の一端の電圧が閾値以上であるヒューズに対応するパルス信号を合成する。Ｋ個の合成回路夫々は、合成した合成信号を切替え回路５５に出力する。また、各合成回路において、Ｍ個の半導体スイッチ夫々は、自身に対応するヒューズの下流側の一端の電圧が閾値以上である場合に、パルス信号を通過させる。
【０１１０】
実施の形態４において上述した構成を除く他の構成は、実施の形態２と同様の構成であるので、その詳細な説明を省略する。
以上のように構成された実施の形態４における保護装置５も、実施の形態２における保護装置５と同様の効果を奏する。
【０１１１】
開示された実施の形態１〜４は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１２】
１  電源システム
２，３，４，２ａ，３ａ，２ｂ，３ｂ，２ｃ，３ｃ  負荷
２０，３０，４０  半導体スイッチ
５  保護装置
５０，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ  合成回路
５１  マイコン（出力部、選択部、特定部）
５２，５３，５４，５２ａ，５３ａ，５２ｂ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂ  ヒューズ
５５  切替え回路（第２の出力部）
６  バッテリ
Ａ２，Ａ３，Ａ４  入力端子
Ｂｔ  出力端子
Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４  パルス信号
Ｐｔ，Ｐｔａ，Ｐｔｂ，Ｐｔｃ  合成信号
【図１】
2017117745.tif 000003
【図２】
2017117745.tif 000004
【図３】
2017117745.tif 000005
【図４】
2017117745.tif 000006
【図５】
2017117745.tif 000007
【図６】
2017117745.tif 000008
【図７】
2017117745.tif 000009
【図８】
2017117745.tif 000010
【図９】
2017117745.tif 000011
【図１０】
2017117745.tif 000012
【図１１】
2017117745.tif 000013
【図１２】
2017117745.tif 000014