(57)【要約】      （修正有）【課題】品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージデバイスを提供する。【解決手段】表面に電極バンプ２３を備えたデバイスが形成された半導体ウエーハ２の加工方法であって、ウエーハ２の表面に保護部材を貼着し、ウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成し、ウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離し、ウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレード６２３によって分割予定ラインに沿って切削してウエーハを個々のデバイスに分割し、分割されたウエーハの表面にモールド樹脂７０を敷設するとともに分割溝２１０にモールド樹脂を埋設し、分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成する。【選択図】図１３
2017028160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、
該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、
該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面に電極バンプを形成する電極バンプ形成工程と、
ウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程および該電極バンプ形成工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項３】
該モールド樹脂切断工程は、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切削する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該モールド樹脂切断工程は、ウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部に該第１の厚みより細いレーザー光線を該分割溝に沿って照射して該モールド樹脂の幅方向中央部を切断する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して該分割溝を表出させ該分割溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施し、該モールド樹脂切断工程は該モールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された該分割溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を切断する、請求項１から４のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
【請求項６】
該モールディング工程を実施した後、該モールド樹脂切断工程を実施する前に、デバイスの表面に形成された電極バンプにプローブ針を当ててデバイスの電気的試験を行うプロービング工程を実施する、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法に関する
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
近年、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに、個々のデバイスを樹脂で被覆するパッケージ技術が開発されている。このパッケージ技術の一つであるウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージ技術が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
下記特許文献１に開示されたパッケージ技術は、ウエーハの裏面に樹脂を被覆し、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って樹脂に達する切削溝を形成し、ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設して各デバイスを被覆するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設した後、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に充填されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスに分割する。
【０００５】
また、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスを製造するウエーハの加工方法として次の技術が開発されている。
（１）ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの切削溝を形成する。
（２）ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する。
（３）ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。
（４）ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスに分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したいずれの加工方法においても、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させると、デバイスの仕上がり厚さに相当する深みの切削溝に埋設されたモールド樹脂にムシレが生じてウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスの品質を低下させるとともに、研削砥石に目つぶれを生じさせるという問題がある。
また、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程を実施する際に、デバイスの表面に電極バンプが形成されていると、表面に保護部材を貼着してもウエーハの裏面に電極バンプに対応した研削痕が残るという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスを得ることができるとともに、ウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する際に研削砥石に目つぶれが生ずることがないウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、
該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、
該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面に電極バンプを形成する電極バンプ形成工程と、
ウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程および該電極バンプ形成工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
上記モールド樹脂切断工程は、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハに形成された分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を分割溝に沿って切削する。
また、上記モールド樹脂切断工程は、ウエーハに形成された分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部に上記第１の厚みより細いレーザー光線を分割溝に沿って照射してモールド樹脂の幅方向中央部を切断する。
上記モールディング工程を実施した後に、ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の外周部を環状に除去して分割溝を表出させ分割溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施し、上記モールド樹脂切断工程はモールド樹脂除去工程が実施されウエーハの外周部に露出された分割溝に埋設されたモールド樹脂を検出し、分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を切断する。
また、上記モールディング工程を実施した後、モールド樹脂切断工程を実施する前に、デバイスの表面に形成された電極バンプにプローブ針を当ててデバイスの電気的試験を行うプロービング工程を実施する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明におけるウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、該分割工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程とを含んでいるので、裏面研削工程を実施する際にはモールド樹脂は存在しない。従って、裏面研削工程を実施することによりデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの切削溝に埋設されたモールド樹脂にムシレが生じてパッケージデバイスの品質を低下させるとともに、研削砥石に目つぶれを生じさせるという問題を未然に防止することができる。
【００１３】
また、本発明におけるウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともにウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離する基板貼り付け工程と、該基板貼り付け工程が実施されたウエーハの表面に電極バンプを形成する電極バンプ形成工程と、ウエーハの表面側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削して分割溝を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、該分割工程および該電極バンプ形成工程が実施され個々のデバイスに分割されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該分割溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハに形成された該分割溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該分割溝に沿って切断してデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程とを含んでいるので、裏面研削工程を実施する際にはモールド樹脂が存在しないとともにデバイスの表面に電極バンプが存在しない。従って、上記発明と同様に裏面研削工程を実施することによりデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの切削溝に埋設されたモールド樹脂にムシレが生じてパッケージデバイスの品質を低下させるという問題および研削砥石に目つぶれを生じさせるという問題が解消するとともに、従来の加工方法のようにデバイスの表面に電極バンプが形成されたウエーハに裏面研削加工を施すことにより、ウエーハの裏面に電極バンプに対応した研削痕が残るという問題を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程の説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における基板貼り付け工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における電極バンプ形成工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールディング工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法におけるバンプ露出工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ移し替え工程の説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂除去工程の説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂切断工程の第１の実施形態を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂切断工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂切断工程の第２の実施形態を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図１５】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂切断工程の第２の実施形態を示す説明図。
【図１６】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールド樹脂切断工程が実施された半導体ウエーハの斜視図および個々の分割されたパッケージデバイスの斜視図。
【図１７】本発明によるウエーハの加工方法におけるプロービング工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この各デバイス２２は、全て同一の構成をしている。デバイス２２の表面にはそれぞれ複数の突起電極である電極バンプ２３が形成されている。なお、電極バンプ２３は必ずしも半導体ウエーハ２の製造時に形成しておく必要はなく、本発明の他の実施形態のように後述する基板貼り付け工程を実施した後、後述する分割工程を実施する前に、デバイス２２の表面に電極バンプを形成してもよい。以下、半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに、個々のデバイスの外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するウエーハの加工方法について説明する。
【００１７】
先ず、半導体ウエーハ２の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに保護部材としての保護テープ３を貼着する。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００１８】
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面を研削して半導体ウエーハ２をデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図３の（ａ）に示す研削装置４を用いて実施する。図３の（ａ）に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図３の（ａ）において矢印４１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円環状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に締結ボルト４２７によって取り付けられている。
【００１９】
上述した研削装置４を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図３の（ａ）に示すようにチャックテーブル４１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル４１を図３の（ａ）において矢印４１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段４２の研削ホイール４２４を図３の（ａ）において矢印４２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図３の（ｂ）に示すように研削砥石４２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール４２４を図３の（ａ）および図３の（ｂ）において矢印４２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル４１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図３の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ２はデバイスの仕上がり厚み（例えば２００μｍ）に形成される。
【００２０】
次に、上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に剛性を有する基板を貼り付けるとともに半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護部材としての保護テープ３を剥離する基板貼り付け工程を実施する。即ち、図４の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の裏面２ｂに剛性を有する基板としてのガラス板５を例えば蝋付けによって貼り付けるとともに、半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ３を剥離する。
【００２１】
上記基板貼り付け工程を実施したならば、上述した半導体ウエーハ２を製造時においてデバイス２２の表面に電極バンプ２３を形成していない場合には、図５に示すように裏面にガラス板５が貼り付けられた半導体ウエーハ２に形成された複数のデバイス２２の表面に、それぞれ上記図１に示す半導体ウエーハ２の製造時に電極バンプ２３を形成する周知の方法によって電極バンプ２３を形成する（電極バンプ形成工程）。このように、保護部材貼着工程と裏面研削工程および基板貼り付け工程を実施した後に電極バンプ形成工程を実施することにより、以下の作用効果が得られる。即ち、図１に示すように半導体ウエーハ２の製造時にデバイス２２の表面に電極バンプ２３が形成されたものにおいては、上記保護部材貼着工程を実施して半導体ウエーハ２の表面に保護部材としての保護テープ３を貼着した後に上記裏面研削工程を実施しても、電極バンプ２３の突起によって研削された半導体ウエーハ２の裏面に電極バンプ２３に対応した研削痕が残るという問題がある。しかるに、本実施形態においては保護部材貼着工程と裏面研削工程および基板貼り付け工程を実施した後に電極バンプ形成工程を実施するので、裏面研削工程を実施する際にはデバイスの表面に電極バンプは存在しないため、裏面研削工程を実施することにより半導体ウエーハ２の裏面に電極バンプに対応した研削痕が残るという問題を未然に防止することができる。
なお、電極バンプ形成工程は、後述する分割工程を実施した後に実施してもよい。
【００２２】
次に、半導体ウエーハ２の表面２ａ側から第１の厚みを有する切削ブレードによって分割予定ライン２１に沿って切削して分割溝を形成し、半導体ウエーハ２を個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図示の実施形態においては図６に示す切削装置６を用いて実施する。図６に示す切削装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を切削する切削手段６２と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図６において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２３】
上記切削手段６２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング６２１と、該スピンドルハウジング６２１に回転自在に支持された回転スピンドル６２２と、該回転スピンドル６２２の先端部に装着された環状の切れ刃６２３ａを備えた切削ブレード６２３を含んでおり、回転スピンドル６２２がスピンドルハウジング６２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印６２２ａで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａは、図示の実施形態においては第１の厚みである５０μｍに設定されている。上記撮像手段６３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２４】
上述した切削装置６を用いて切削溝形成工程を実施するには、図６に示すようにチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼り付けられたガラス板５側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をガラス板５を介してチャックテーブル６１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル６１にガラス板５を介して保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００２５】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード６２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２６】
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル６１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図７の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１の一端（図７の（ａ）において左端）が切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。次に、切削ブレード６２３を図７の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図７の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図７の（ｃ）に示すように切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａの下端がガラス板５に達する位置に設定されている。
【００２７】
次に、切削ブレード６２３を図７の（ａ）において矢印６２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル６１を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図７の（ｂ）において右端）が切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル６１の移動を停止する。このようにチャックテーブル６１を切削送りすることにより、図７の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って分割溝２１０を形成される（分割工程）。
【００２８】
次に、切削ブレード６２３を図７の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル６１を図７の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図７の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル６１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード６２３と対応する位置に位置付け、次に切削すべき分割予定ライン２１に沿って上述した分割工程を実施する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って上述した分割工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン２１に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に沿って上述した分割工程を実施する。この結果半導体ウエーハ２は、分割予定ライン２１に沿って形成された分割溝２１０によって個々のデバイス２２に分割される。
【００２９】
次に、上記分割工程が実施され個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂を敷設するとともに分割溝２１０にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。このモールディング工程は、図８の（ａ）に示すように樹脂被覆装置７の保持テーブル７１の上面である保持面上に上記分割工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼り付けられたガラス板５側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をガラス板５を介して保持テーブル７１上に吸引保持する。従って、保持テーブル７１にガラス板５を介して保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、保持テーブル７１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図８の（ａ）に示すように樹脂供給ノズル７２の噴出口７２１を保持テーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２の中心部に位置付け、図示しない樹脂供給手段を作動して、樹脂供給ノズル７２の噴出口７２１からモールド樹脂７０を保持テーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２の中央領域に所定量滴下する。半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域へ所定量のモールド樹脂７０を滴下したならば、図８の（ｂ）に示すように保持テーブル７１を矢印７１ａで示す方向に所定の回転速度で所定時間回転することにより、図８の（ｂ）および図８の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂７０が敷設されるとともに分割溝２１０にモールド樹脂７０が埋設される。なお、モールド樹脂７０は、図示の実施形態においては熱硬化性の液状樹脂（エポキシ系の樹脂）が用いられており、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるとともに分割溝２１０に埋設された後、１５０℃程度で加熱することにより硬化せしめられる。
【００３０】
上述した実施形態においては、保護部材貼着工程と裏面研削工程と基板貼り付け工程と分割工程を実施した後にモールディング工程を実施するので、裏面研削工程を実施する際にはモールド樹脂は存在しない。従って、裏面研削工程を実施することによりデバイスの仕上がり厚みに相当する深さの切削溝に埋設されたモールド樹脂にムシレが生じてウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスの品質を低下させるとともに、研削砥石に目つぶれを生じさせるという問題を未然に防止することができる。
【００３１】
次に、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂７０を研磨して、デバイス２２の表面に形成された電極バンプ２３を露出するバンプ露出工程を実施する。このバンプ露出工程は、図９の（ａ）に示す研磨装置８を用いて実施する。図９の（ａ）に示す研磨装置８は、被加工物を保持するチャックテーブル８１と、該チャックテーブル８１に保持された被加工物を研磨する研磨手段８２を具備している。チャックテーブル８１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図９の（ａ）において矢印８１ａで示す方向に回転せしめられる。研磨手段８２は、スピンドルハウジング８２１と、該スピンドルハウジング８２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル８２２と、該回転スピンドル８２２の下端に装着されたマウンター８２３と、該マウンター８２３の下面に取り付けられた研磨工具８２４とを具備している。この研磨工具８２４は、円形状の基台８２５と、該基台８２５の下面に装着された研磨パッド８２６とからなっており、基台８２５がマウンター８２３の下面に締結ボルト８２７によって取り付けられている。なお、研磨パッド８２６は、図示の実施形態においては、フェルトに研磨材としてシリカからなる砥粒が混入されている。
【００３２】
上述した研磨装置８を用いて上記バンプ露出工程を実施するには、図９の（ａ）に示すようにチャックテーブル８１の上面（保持面）に上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼り付けられたガラス板５側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をガラス板５を介してチャックテーブル８１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル８１上にガラス板５を介して保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａに敷設されたモールド樹脂７０が上側となる。このようにチャックテーブル８１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル８１を図９の（ａ）において矢印８１ａで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、研磨手段８２の研磨工具８２４を図９の（ａ）において矢印８２４ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめて、図８の（ｂ）に示すように研磨パッド８２６を被加工面である表面２ａに敷設されたモールド樹脂７０の上面に接触せしめ、研磨工具８２４を図９の（ａ）および図９の（ｂ）において矢印８２４ｂで示すように所定の研磨送り速度で下方（チャックテーブル８１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研磨送りする。この結果、図９の（ｃ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂７０が研磨され、デバイス２２の表面に形成された電極バンプ２３が露出せしめられる。
なお、上記モールディング工程において電極バンプ２３を被覆しないで半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂７０を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。
【００３３】
次に、上記モールディング工程およびバンプ露出工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に蝋付けによって貼り付けられたガラス板５を剥離して、半導体ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ移し替え工程を実施する。即ち、図１０の（ａ）に示すように、上記モールディング工程およびバンプ露出工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面に蝋付けによって貼り付けられたガラス板５を剥離し、図１０の（ｂ）に示すようにガラス板５が剥離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴの表面に貼着する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂７０が上側となる。
【００３４】
上述したウエーハ移し替え工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂７０の外周部を環状に除去して分割溝２１０を表出させ分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を半導体ウエーハ２の表面に露出させるモールド樹脂除去工程を実施する。このモールド樹脂除去工程は、図示の実施形態においては図１１の（ａ）に示す切削装置６０を用いて実施する。なお、図１１の（ａ）に示す切削装置６０は、上記図６に示す切削装置６と切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図１１の（ａ）に示す切削装置６０における切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ｂは、厚みが２〜３ｍｍに設定されている。
【００３５】
図１１の（ａ）に示す切削装置６０を用いてモールド樹脂除去工程を実施するには、切削装置６０のチャックテーブル６１上に上記ウエーハ移し替え工程が実施された半導体ウエーハ２のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル６１上にダイシングテープＴを介して半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル６１上にダイシングテープＴを介して保持された半導体ウエーハ２は、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂７０が上側となる。なお、図１１の（ａ）においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、切削ブレード６２３による切削加工領域に移動され、図１１の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２の外周部を切削ブレード６２３の直下に位置付ける。
【００３６】
次に、切削ブレード６２３を図１１の（ａ）において矢印６２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめるとともに矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りする。この切り込み送り位置は、モールド樹脂７０が敷設された半導体ウエーハ２の表面に達する位置に設定されている。そして、チャックテーブル６１を図１１の（ａ）において矢印６１ａで示す方向に１回転させる。この結果、図１１の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂７０の外周部が環状に除去されて分割溝２１０が表出されるとともに分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０は半導体ウエーハ２の表面に露出される。
【００３７】
次に、上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央部を分割溝２１０に沿って切断してデバイス２２の外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程を実施する。このモールド樹脂切断工程の第１の実施形態について、図１２および図１３を参照して説明する。
【００３８】
モールド樹脂切断工程の第１の実施形態は、図１２に示す切削装置６００を用いて実施する。なお、図１２に示す切削装置６００は、上記図６に示す切削装置６と切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図１２に示す切削装置６００における切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ｃは、上記環状の切れ刃６２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より薄い第２の厚みである２０μｍに設定されている。
【００３９】
図１２に示す切削装置６００を用いて切削工程を実施するには、チャックテーブル６１上に上記モールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハ２のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂７０が上側となる。なお、図１２においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００４０】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の外周に露出し所定方向に形成されている分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０と、切削ブレード６２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このアライメント工程においては、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を撮像手段６３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００４１】
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル６１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の一端（図１３の（ａ）において左端）を切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ｃの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央を切削ブレード６２３と対応する位置に位置付ける。
【００４２】
このようにして切削装置６００のチャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード６２３を図１３の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１３の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１３の（ｃ）に示すように切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ｃの下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着されたダイシングテープＴに達する位置に設定されている。
【００４３】
次に、切削ブレード６２３を図１３の（ａ）において矢印６２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル６１を図１３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の他端（図１３の（ｂ）において右端）が切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ｃの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル６１の移動を停止する。このようにチャックテーブル６１を切削送りすることにより、図１３の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂７０および分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０はダイシングテープＴに達する幅が２０μｍの切削溝７１０によって完全切削される（モールド樹脂切断工程）。このモールド樹脂切断工程は、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央を切削ブレード６２３と対応する位置に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂７０が敷設されていても分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央を切削ブレード６２３によって分割溝２１０に沿って正確に切削することができ、デバイスの側面に傷を付けることはない。
【００４４】
次に、切削ブレード６２３を図１３の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル６１を図１３の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１３の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル６１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂７０が埋設された分割溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を切削ブレード６２３と対応する位置に位置付け、次に切削すべき分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿って上述したモールド樹脂切断工程を実施する。このようにして所定方向に形成された全ての分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿って上述したモールド樹脂切断工程を実施したならば、チャックテーブル６１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿って上述したモールド樹脂切断工程を実施する。
【００４５】
次に、モールド樹脂切断工程の第２の実施形態について、図１４および図１５を参照して説明する。このモールド樹脂切断工程の第２の実施形態は、図１４に示すレーザー加工装置９を用いて実施する。図１４に示すレーザー加工装置９は、被加工物を保持するチャックテーブル９１と、該チャックテーブル９１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段９２と、チャックテーブル９１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段９３を具備している。チャックテーブル９１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図１４において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００４６】
上記レーザー光線照射手段９２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング９２１の先端に装着された集光器９２２からパルスレーザー光線を照射する。なお、集光器９２２から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットは、図示の実施形態においては上記切削装置６における切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より小さい直径である１０μｍに設定されている。また、上記レーザー光線照射手段９２を構成するケーシング９２１の先端部に装着された撮像手段９３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００４７】
上述したレーザー加工装置９を用いて実施する分割工程の第２の実施形態について、図１４および図１５を参照して説明する。
このモールド樹脂切断工程は、先ず上述した図１４に示すレーザー加工装置９のチャックテーブル９１上に上記モールド樹脂除去工程が実施された半導体ウエーハ２のダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル９１上に半導体ウエーハ２をダイシングテープＴを介して吸引保持する。従って、チャックテーブル９１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂７０が上側となる。なお、図１４においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル９１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル９１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段９３の直下に位置付けられる。
【００４８】
チャックテーブル９１が撮像手段９３の直下に位置付けられると、撮像手段９３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段９３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の外周に露出し所定方向に形成されている分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０と、該分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段９２の集光器９２２との位置合わせを行うためのアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このアライメント工程においては、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０が半導体ウエーハ２の外周部表面に露出されているので、分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を撮像手段９３によって撮像することによって明確に検出することができる。
【００４９】
以上のようにしてチャックテーブル９１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１に沿って形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図１５の（ａ）で示すようにチャックテーブル９１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段９２の集光器９２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の一端（図１５の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段９２の集光器９２２の直下に位置付けるとともに、図１５の（ｃ）に示すように分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央を集光器９２２の直下に位置付ける。そして、集光器９２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図１５の（ｃ）に示すように分割溝２１０に埋設され半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出されたモールド樹脂７０の上面付近に位置付ける。なお、集光器９２２から照射されるパルスレーザー光線の集光スポット径は、図示の実施形態においてはφ１０μｍに設定されている。従って、集光器９２２は上記切削ブレード６２３の環状の切れ刃６２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より細いパルスレーザー光線を照射する。次に、集光器９２２からモールド樹脂７０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル９１を図１５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図１５（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段９２の集光器９２２の照射位置が分割溝２１０の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル９１の移動を停止する。この結果、図１５（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂７０および分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０には、分割溝２１０に沿ってダイシングテープＴに達する幅が略１０μｍのレーザー加工溝７２０が形成される。このモールド樹脂切断工程の第２の実施形態においては、上述したアライメント工程において検出され半導体ウエーハ２の外周部表面に露出された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央を集光器９２２の直下に位置付けて実施するので、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂７０が敷設されていても分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０の幅方向中央に分割溝２１０に沿ってパルスレーザー光線を照射することができ、デバイスを損傷することはない。
【００５０】
なお、上記モールド樹脂除去工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：２Ｗ
集光スポット径          ：φ１０μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００５１】
上述したように所定の分割予定ライン２１に沿って形成された分割溝２１０に沿って上記モールド樹脂切断工程を実施したら、チャックテーブル９１を図１５（ｂ）において紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂７０が埋設された分割溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、上記モールド樹脂切断工程を実施する。このようにして所定方向に形成された全ての分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿って上記モールド樹脂切断工程を実施したならば、チャックテーブル９１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０に沿って上記モールド樹脂切断工程を実施する。
【００５２】
上述したモールド樹脂切断工程における第１の実施形態または第２の実施形態を実施した結果、半導体ウエーハ２は図１６の（ａ）に示すように分割溝２１０に埋設されたモールド樹脂７０を切断した切削溝７１０またはレーザー加工溝７２０によって個々のデバイスに分割され、個々に分割されたデバイス２２は図１６の（ｂ）に示すように表面および側面がモールド樹脂７０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージデバイスを構成している。
【００５３】
次に、半導体ウエーハ２に形成されたデバイス２２の電気的試験を行うプロービング工程について説明する。このプロ−ビング工程は、上記モールディング工程を実施した後、上記モールド樹脂切断工程を実施する前に実施する。即ち、図１７に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたデバイス２２表面に形成された電極バンプ２３に検査回路１０に接続されたプローブ針１０１を当ててデバイス２２の電気的試験を行う。このようにプロ−ビング工程を実施することにより、デバイス２２の外周がモールド樹脂で覆われたパッケージデバイスを生成するモールド樹脂切断工程を実施する前に個々のデバイス２２の良否を確認することができる。
【符号の説明】
【００５４】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
３：保護テープ
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２２：研削ホイール
５：ガラス板
６，６０，６００：切削装置
６１：切削装置のチャックテーブル
６２：切削手段
６２３：切削ブレード
７：樹脂被覆装置
７０：モールド樹脂
８：研磨装置
８１：研磨装置のチャックテーブル
８２：研磨手段
８２４：研磨工具
９：レーザー加工装置
９１：レーザー加工装置のチャックテーブル
９２：レーザー光線照射手段
９２２：集光器
１０１：プローブ針
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
2017028160.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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