(57)【要約】【課題】信頼性の高い有機発光装置を提供する。【解決手段】基板１０の上に、複数の画素２が基板１０の長手方向に沿って少なくとも一列配置されており、画素２が、基板１０側から第一電極２１と、有機化合物層２２と、第二電極２３と、がこの順で設けられてなる発光素子部２０を有し、発光素子部２０の上に封止層４０が設けられており、封止層４０が、基板１０の表面又は基板１０の上であって有機化合物層２２の下方にある無機材料層５０の端部を被覆し、少なくとも基板１０の短手方向において、封止層４０の端部が基板１０の端部よりも内側に設けられる有機発光装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、複数の画素が前記基板の長手方向に沿って少なくとも一列配置されている有機発光装置において、
前記画素が、前記基板側から第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順で設けられてなる発光素子部を有し、
前記発光素子部の上に封止層が設けられており、
前記封止層が、前記基板の表面又は前記基板の上であって前記有機化合物層の下方にある無機材料層の端部を被覆し、
少なくとも前記基板の短手方向において、前記封止層の端部が前記基板の端部よりも内側に設けられることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記無機材料層が複数の層を有し、前記封止層が、前記無機材料層に含まれる各層の端部を全て被覆することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記無機材料層の端部の断面が、テーパー角が４５度よりも小さい順テーパー状であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記封止層の全ての端部が前記基板の端部よりも内側に設けられることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記有機化合物層が、全ての画素に共通する層であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第二電極が、全ての画素に共通する電極であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記無機材料層に酸化珪素を有する層が含まれることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記第二電極が前記封止層によって被覆されていることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記封止層が、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、シリコン酸化物又はアルミ酸化物を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記封止層が、複数の層を有する積層体であることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記画素が、前記基板の長手方向に沿ってｎ行（ｎ≦４）配列され、前記基板の短手方向に沿ってｍ列（ｍ≧１００）配列されていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記画素が、前記基板の長手方向に沿って千鳥状に配列されていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部が、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機発光装置を有し、
前記有機発光装置が複数の発光部を有し、
前記複数の発光部が、前記感光体の長軸方向に沿って配置されていることを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１４】
感光体を露光する露光装置であって、
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機発光装置を有し、
前記有機発光装置が複数の発光部を有し、
前記複数の発光部が、前記感光体の長軸方向に沿って配置されていることを特徴とする、露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真技術に基づくレーザースキャン方式のプリンタが広く普及している。一般的なレーザービームプリンターは、レーザー光源から出射された光をスキャンユニットで走査して感光体を露光するが、レーザースキャンユニットはその構造上、装置サイズを小さくすることが難しい。
【０００３】
一方で、発光素子を列状に配置した長尺状の露光光源（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＥＤ）を用いて、感光体を露光する方式のＬＥＤプリンタ方式が検討されている。この方式は、光源ユニットを小さくすることができるため、プリンタ装置のサイズダウンを図る上で有用である。またＬＥＤの中でも、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と表記する）は、高精細、低消費電力の発光素子であり、プリンタ装置の光源ユニット用の発光装置に好適である。ここで特許文献１には、露光光源として有機ＥＬ素子を用いた画像形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２８００６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子は優れた発光素子である一方で、水分によってその特性が劣化することが知られている。一方で、生産性を高めるため、一枚のマザーガラス基板からより多くの有発光装置を生産させるためには、有機発光装置一基当たりの基板のサイズは可能な限り小さい又は細い方がよい。このため基板の端部であって発光画素を設ける領域から外れる額縁領域と呼ばれる領域の幅は狭い方がよいが、その場合、基板の端部における封止性能の低下が懸念される。従って、有機ＥＬ素子の発光性能を維持するためには、如何にして基板の端部から有機ＥＬ素子へ侵入する水分を抑制するのかが重要となる。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、信頼性の高い有機発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機発光装置は、基板の上に、複数の画素が前記基板の長手方向に沿って少なくとも一列配置されている有機発光装置において、
前記画素が、前記基板側から第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順で設けられてなる発光素子部を有し、
前記発光素子部の上に封止層が設けられており、
前記封止層が、前記基板の表面又は前記基板の上であって前記有機化合物層の下方にある無機材料層の端部を被覆し、
少なくとも前記基板の短手方向において、前記封止層の端部が前記基板の端部よりも内側に設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。また本発明は、特に、長尺状の有機発光装置において有用である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す平面模式図である。
【図２】図１の有機発光装置のＡ−Ａ’断面を示す断面模式図である。
【図３】画素の配列パターンの例を示す模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置の製造の際に使用されるマザーガラス基板の例を示す平面模式図である。
【図５】図１の有機発光装置のＢ−Ｂ’断面を示す断面模式図である。
【図６】無機材料層の端部断面のテーパー角を説明する模式図である。
【図７】封止層と基板表面露出部との関係を説明する平面模式図である。
【図８】本発明の有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、図８の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図８の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図１０】（ａ）は、比較例１で作製した有機発光装置の短手方向側端部の断面模式図であり、（ｂ）は、比較例２で作製した有機発光装置の短手方向側端部の断面模式図であり、（ｃ）は、比較例３で作製した有機発光装置の短手方向側端部の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、基板の上に、複数の画素が当該基板の長手方向に沿って少なくとも一列配置されている有機発光装置に関する。本発明は、長手方向の辺と短手方向の辺とを有する矩形状の基板、特に、長尺状の基板上に複数の画素が一列以上に配置されてなる有機発光装置に関するものである。具体的には、画素が基板の長手方向に沿ってｎ行（ｎ≦４）配列され、基板の短手方向に沿ってｍ列（１００≦ｍ）配列されている有機発光装置に関する発明である。尚、以下の説明において、「画素」は、発光画素と同意である。
【００１１】
本発明において、画素は、基板側から第一電極と、有機化合物層と、第二電極と、がこの順で設けられてなる発光素子部を有する。尚、ここでいう「発光素子部」は、有機ＥＬ素子と同意である。本発明において、第一電極は、発光素子部に含まれる電極のうち、基板側に近い電極をいい、第二電極は、第一電極よりも基板側から離れている電極をいう。例えば、基板の上に第一電極と第二電極とが順次積層されている場合、第一電極は下部電極に相当し、第二電極は上部電極に相当する。また本発明において、有機化合物層は、複数ある発光素子部において、個別に設けられていてもよいが、好ましくは、複数の画素の共通する層として設けられる。特に好ましくは、有機発光装置に含まれる全ての画素に共通する層として設けられる。本発明において、有機化合物層の成膜領域は特に限定されないが、複数の画素の共通する層として設けられる場合、画素の配列にならって有機化合物層が形成され、平面から視て長尺状となる。また本発明において、第二電極は、複数ある発光素子部において、個別に設けられていてもよいが、好ましくは、全ての画素に共通する層として設けられる。全ての画素に共通する層として第二電極を設けることにより、この第二の電極により有機化合物層が被覆される。
【００１２】
本発明において、発光素子部の上には封止層が設けられている。本発明において、封止層は、基板の表面又は基板の上であって有機化合物層の下方にある無機材料層の端部を被覆している。尚、本発明において、無機材料層は、駆動回路や配線等の設け方によっては、一つの層で構成されることがあるし、二つ以上の複数の層で構成されることもある。また本発明においては、少なくとも基板の短手方向において、封止層の端部が基板の端部よりも内側に設けられている。このように封止層の端部を規定することにより、基板の端部には、封止層が除去されて形成される基板表面露出部が設けられる。尚、基板表面露出部の形成によって生じる作用効果については、後述する。
【００１３】
［有機発光装置］
以下、本発明について、適宜図面を参照しながらその実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また以下の説明において特段説明されていない部分や、図面において特段図示されなかった部分に関しては、当該技術分野の周知或いは公知の技術を適用することができる。
【００１４】
図１は、本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す平面模式図である。以下、図１に基づいて平面的視点から本発明の有機発光装置について説明する。
【００１５】
図１の有機発光装置１は、基板１０上に複数の部材、即ち、複数の画素２と、複数の画素回路１８と、電源線１７と、走査回路１６と、データ線１９と、配線パッド２５等を有している。
【００１６】
図１の有機発光装置１において、画素２は、後述する発光素子部を有している。基板１０上に設けられる複数の画素２は、長尺状（細長い矩形状）の基板１０の上に、基板１０の長手方向であるＸ方向に沿って一列に並べて配置されている。本発明において、有機発光装置に含まれる画素２の配列態様については、基板１０の長手方向（Ｘ方向）に沿って少なくとも一列配列されていれば、特に制限はない。具体的には、画素２が基板１０の長手方向（Ｘ方向）に沿ってｎ行（ｎ≦４）配列され、基板１０の短手方向（Ｙ方向）に沿ってｍ列（１００≦ｍ）配列されている。ここで、画素２がｎ行×ｍ列（ｎ≦４、かつ１００≦ｍ）で配置された有機発光装置をＡ４サイズの用紙に印字するレーザービームプリンターの露光光源として使用する場合、画素２が並んだ長手方向（Ｘ方向）の全幅はＡ４サイズの用紙の短辺に相当する２１．２ｃｍ程度となる。
【００１７】
図１において、画素回路１８は、基板１０上に設けられる部材である。画素回路１８は、画素２の列に隣接し、基板１０の長手方向（Ｘ方向）に対して平行に、かつ画素２と同様に列状に並んで配置されている。画素回路１８は、画素２の駆動電流を制御するためのものであり、一つの画素２に対して一つずつ配置されている。このため、図１において、画素２が複数の行（ｎ≧２）で配列されている場合、画素回路１８も画素２に合わせて複数の行で配列されている。
【００１８】
電源線１８及び走査回路１７は、基板１０上に、画素回路１８の列に隣接して配置されている。また、データ線１９は、画素１２の列を基準として画素回路１８の列が配置されている側とは反対側に配置されている。画素回路１８、電源線１８、走査回路１７及びデータ線２０は、それぞれ複数の画素２を個別に又は一斉に駆動させるための駆動回路を構成している。画素回路１６及び走査回路１７は、例えば、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子や、アルミニウムやモリブデン等の金属配線等により形成されている。電源線１８及びデータ線１９も、同様の金属配線により形成されている。尚、上述したスイッチング素子や金属配線の詳細については、後述する。
【００１９】
図１の有機発光装置１のように、複数の画素２を列状に並べて配置する有機発光装置では、画素２を駆動させるための駆動回路は、画素を設ける領域の周囲の四辺に配置することが困難である。このため、図１に示すように、画素２の列を挟むように、画素２の列の両側部の２辺に駆動回路が配置される。尚、図１の有機発光装置１は、画素回路１６、電源線１８、走査回路１７及びデータ線１９の配置の一例を示したものである。画素回路１６、電源線１８、走査回路１７及びデータ線１９をそれぞれ画素２の列のどちら側に配置するか、どの順番で配置するか、については、個々に決定することができる。
【００２０】
図１において、配線パッド２５は、長尺状の基板の片側の短辺に近接する態様で配置される。ただし、配線パッド２５の配置態様は、図１に示されるように装置内に一ヶ所のみ配置される態様に限定されるものではない。基板の両側の短辺にそれぞれ近接する態様で、合計二ヶ所設けられていてもよい。尚、電源線１８、走査回路１６、データ線１９及び上部電極２３は、この配線パッド２５とそれぞれ電気接続している。また配線パッド２５は、ＡＣＦ（異方性導電膜）等を用いてフレキシブルケーブルに電気接続される。
【００２１】
図１の有機発光装置１において、各画素２に対応した駆動回路から適宜入力される制御信号により、各画素２の発光は制御される。画素２から出力された光で、例えば、感光体を露光することにより、図１の有機発光装置１を電子写真方式のプリンタ等の機器を構築する部材として利用できる。
【００２２】
図２は、図１の有機発光装置のＡ−Ａ’断面を示す断面模式図である。以下、図２に基づいて断面的視点から本発明の有機発光装置について説明する。
【００２３】
図２において、ガラス基板等よりなる基板１０上には、酸化シリコン（ＳｉＯx）や窒化シリコン（ＳｉＮx）等の無機絶縁材料よりなるアンダーコート層１２が形成されている。アンダーコート層１２上には、チャネル層３１、ゲート絶縁膜３３及びゲート電極３２を含む薄膜トランジスタ３０が形成されている。図２において、薄膜トランジスタ３０は、図１中の画素回路１８や走査回路１７等で示される駆動回路のいずれかを構成するスイッチング素子である。
【００２４】
図２において、薄膜トランジスタ３０が形成されたアンダーコート層１２上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１３（第一の層間絶縁膜）が形成されている。層間絶縁膜１３上には、層間絶縁膜１３の所定の領域を加工することにより形成された接続孔（不図示）を介して薄膜トランジスタ３０に含まれるチャネル層３１やゲート電極３２に電気的に接続されたソース／ドレイン電極３５や、図１中の電源線１７やデータ線１９を構成する金属配線３４が形成されている。
【００２５】
図２において、ソース／ドレイン電極３５や金属配線３４等が形成された層間絶縁膜１３上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１４（第二の層間絶縁膜）が形成されている。層間絶縁膜１４上には、層間絶縁膜１４の所定の領域に形成された接続孔（不図示）を介して薄膜トランジスタ３０に含まれるソース／ドレイン電極３５に電気的に接続された第一電極２１（下部電極）が形成されている。
【００２６】
第一電極２１が形成された層間絶縁膜１４上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる画素分離膜１５が形成されている。画素分離膜１５は、発光素子部２０（有機ＥＬ素子）の発光領域を画定するためのものであり、具体的には、第一電極２１上の所定の領域を発光領域とするために開口部２４を有している。ここの開口部２４により、各画素２の発光領域は画定されている。
【００２７】
図２において、発光素子部２０は、第一電極２１（下部電極）と、有機化合物層２２と、第二電極２３（上部電極）と、が基板１０側からこの順番で順次積層されている有機ＥＬ素子である。尚、図１及び図２において、各画素２が設けられている領域は、発光素子部２０の発光領域、即ち、画素分離膜１５の所定の領域に形成された開口部２４を設けることによって画素分離膜１５に被覆されていない第一電極２１の領域に相当する。
【００２８】
画素分離膜１５上には、開口部２４内において下部電極２１に接し、この開口部２４内から画素分離膜１５上に延在するように、有機化合物層２２が形成されている。尚、本発明において、有機化合物層２２の形成態様としては特に限定されないが、図１に示されるように、ライン状の配列されている複数の画素２の全てに共通する態様で長尺状に形成されるのが好ましい。
【００２９】
図２において、有機化合物層２２は、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層を有する部材であり、好ましくは、発光層といくつかの機能分離された層とを有する積層体である。有機化合物層２２に含ませることができる層として、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。本発明において、有機化合物層２２の総膜厚は光学干渉設計によって異なるが、５０ｎｍ乃至３００ｎｍである。
【００３０】
図２において、有機化合物層２２は、有機化合物層２２上に形成されている第二電極２３によって被覆されることが好ましい。ここで「被覆」とは、有機化合物層２２の上面及び膜端が第二電極２３によって覆われていることを意味する。同様に、ある層の上面及び膜端を「ある層」の上に設けられる層によって覆われることを被覆と呼ぶ。
【００３１】
第二電極２３の構成材料は、一般に密度が高く封止性能があるため、有機化合物層２２は第二電極２３によって簡易的に封止される。このため、第二電極２３にて有機化合物層２２を被覆することにより、外部からの水侵入に対して耐久性が強くなり有機発光装置１の信頼性を高めることが可能である。
【００３２】
本発明の有機発光装置は、基板１０とは反対側から（トップエミッション方式）又は基板１０側から（ボトムエミッション方式）発光層から発せられた光が取り出される。このため本発明の有機発光装置は、上述した光の取り出しを可能にするために、第一電極２１もしくは第二電極２３のいずれかを透明電極又は半透明電極にする。尚、透明電極又は半透明電極とした電極の対向電極は、反射電極としてもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】
透明電極の構成材料としては、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物等が挙げられる。半透明電極の構成材料としては、アルミニウムや銀等の金属材料を薄く成膜して、透過性と反射性とを兼ね備えた適度な膜厚とすることで得られる。反射電極の構成材料としては、主にアルミニウムや銀等の可視域の反射率の高い金属材料で形成された電極が好ましい。尚、この金属材料を複数種類組み合わせてなる合金も反射電極の構成材料として使用できる。尚、本発明において、電極（２１、２３）は、一層で構成されていてもよいし、複数の層が積層されてなる積層電極で構成されていてもよい。本発明において、第二電極２３の膜厚は、透過率、反射率、体積抵抗等を考慮して決めればよく、例えば、２０ｎｍ乃至３００ｎｍである。
【００３４】
第二電極２３上には、無機材料を成膜してなる薄膜状の封止層４０が設けられている。封止層４０は、好ましくは、基板１０の全体を覆うように設けられる。これにより、基板１０上に形成された複数の発光素子部２０を、外部雰囲気から遮断することができる。封止層４０の構成材料として、好ましくは、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、シリコン酸化物、アルミ酸化物等の無機材料である。
【００３５】
封止層４０となる薄膜として、好ましくは、スパッタリング法やＣＶＤ法（化学気相成長法）を用いてシリコン窒化物、シリコン窒化酸化物又はシリコン酸化物を成膜して形成される薄膜である。またＡＬＤ法（原子層堆積法）を用いてアルミ酸化物等を成膜して形成される薄膜も、緻密な膜を成膜できるので好ましい。封止層４０は、上述した無機材料のいずれか一種類を成膜してなる薄膜であってもよいし、上述した無機材料を成膜してなる薄膜を積層してなる積層膜であってもよい。
【００３６】
図２に示されるように、第二電極２３は、封止層４０によって被覆されるのが好ましい。ここでいう「被覆」とは、第二電極２３の上面及び膜端が封止層４０によって覆われていることを意味する。このように、第二電極２３を被覆するように封止層４０を形成することにより、発光素子部２０を水分や酸素等の外部雰囲気から遮断することができる。
【００３７】
本発明において、封止膜４０の封止性能の一つである水透過率は、１０-6ｇ／ｍ2・ｄａｙ程度あることが好ましいが、この封止性能の実現のために選ばれる材料種によって本発明は限定されるものではない。尚、配線パッド２５は、有機発光装置の製造プロセスにおいて、封止層４０によって一度被覆されるが、別途工程により露出された後に外部電源等と電気接続される。
【００３８】
本発明において、封止層４０の膜厚は特に限定されるものではないが、封止性能の観点から２μｍ以上であることが好ましい。
【００３９】
また本発明においては、発光素子部２０の簡易封止構造として、封止膜４０を所望の膜厚で設けた後、さらにその上をガラスキャップ（不図示）等で覆う構成であってもよい。
【００４０】
［画素の配列パターン］
本発明の有機発光装置の含まれる複数の画素の配置パターンはいくつか考えられる。例えば、１行×２５０６列で配置されたライン状の発光装置が考えられる。
【００４１】
図３は、画素の配列パターンの例を示す模式図である。図３（ｂ）は、画素２が、基板（図３（ａ）において不図示）の長手方向に１行分設けられている。図３（ａ）は、例えば、画素２の大きさを示すａ×ｂが４２．３μｍ×４２．３μｍであって、画素２のピッチｃが８４．６μｍの場合を示している。上述したように、画素２が１行×２５０６列で配置される場合、露光幅は２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６発光画素）である。また画素２が形成される長尺状の基板においては、上述したように画素２が配列する場合、例えば、基板の長手方向の長さを２１９ｍｍとし、短手方向の長さを４．７ｍｍとすることができる。尚、本発明において、長尺状の基板の短手方向の長さは、短ければその分だけ１枚のマザーガラス基板からの多数個取りができる。具体的には、１０ｍｍ以下が好ましい。１ｍｍ以上１０ｍｍ以下がより好ましい。
【００４２】
図３（ｂ）は、画素２が、基板（図３（ｂ）において不図示）の長手方向に２行分設けられている。図３（ｂ）は、画素２が、例えば、２行×２５０６列で配置された場合の画素２の配列パターンである。図３（ｂ）において、図中のａ、ｂ及びｃの寸法が図３（ａ）と同じであれば、露光幅は、図３（ａ）と同様に２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６発光画素）である。尚、この露光幅は、短手方向のピッチｄ（６７．７μｍ）の影響を受けないパラメータである。
【００４３】
また本発明の有機発光装置において、画素２は、図３（ｃ）に示すように、列方向（基板の長手方向）に沿って千鳥状（ジグザグ状）に配置してもよい。この場合、図３（ａ）や（ｂ）と比較して、列方向に高密度に画素２を配置させることができる。図３（ｃ）において、画素２の大きさを示すａ×ｂが４２．３μｍ×２５．４μｍであって、長手方向のピッチｃが８４．６μｍであって、短手方向のピッチｄが５０．８μｍである場合、露光幅は、２１２ｍｍ（４２．３μｍ×５０１２発光画素）となる。
【００４４】
［マザーガラス基板］
図４は、本発明の有機発光装置の製造の際に使用されるマザーガラス基板の例を示す平面模式図である。図４に示される、マザーガラス基板１０ａを一枚使用することで、本発明の有機発光装置を複数個製造することができる。このように、一枚のマザーガラス基板１０ａから本発明の有機発光装置を複数個製造することを多数個取りというが、一枚のマザーガラス基板１０ａから本発明の有機発光装置を多数個取りする場合、封止層４０まで形成した後に、ブレードダイシングやレーザーアブレーションダイシング等によってマザーガラス基板を切断することで有機発光装置が１つずつ切り出される。例えば、第２世代マザーガラス基板１０ａ（４６０ｍｍ×３６５ｍｍ）から、長尺状の有機発光装置１（２１９ｍｍ×４．７ｍｍ）を多数個取りする場合を考える。図４に示すように、有機発光装置１をマザーガラス基板１０ａの中央部に６９行×２列で詰め合わせることで１３８個取りすることができる。マザーガラス基板１０ａの切断によっての長尺状となった基板１０の長手方向の長さは、例えば、露光光源として必要な露光幅で決まってしまうため、とり個数を高めるためには長尺状の基板１０の短手方向の幅をより細くする必要がある。
【００４５】
［封止層の役割］
ところで、上述したように一枚のマザーガラス基板から複数個作製した長尺形状の有機発光装置が、長期間保管した場合でも信頼性の高いものになるためには、下記に示される課題を解決すべきことを、本発明者は見出した。
・無機材料層５０の端部から大気成分（水、酸素等）が浸透（横浸透）するのを防ぐ課題
・マザーガラス基板から切断した際に不良が発生するのを防ぐ課題
【００４６】
図５は、図１の有機発光装置のＢ−Ｂ’断面を示す断面模式図である。本発明の有機発光装置は、図５に示されるように、無機材料層５０の端部が封止層４０によって被覆されている。ここで、封止層４０による無機材料層５０の端部の被覆とは、有機発光装置の短手方向側にある無機材料層５０の端部においては、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるように、無機材料層５０の上面及び側面を露出させないように封止層４０で被覆することをいう。一方、有機発光装置の長手方向側にある無機材料層５０の端部においては、少なくとも無機材料層５０の上面を露出させないように封止層４０によって被覆することをいう。本発明においては、有機発光装置の長手方向側にある無機材料層５０の端部においても、短手方向側にある無機材料層５０の端部と同様に、無機材料層５０の上面及び側面を露出させないように封止層４０によって被覆するのが好ましい。尚、図５（ａ）に示されるように、無機材料層５０が複数の層（１２、１３、１４、１５）からなる積層体である場合、この積層体を構成する各層の端部の全てが封止層４０によって被覆されている。こうすることで、無機材料層５０から浸透し得る水や酸素等の大気成分の劣化を防ぎ、長期保管の信頼性を高めることを本発明者らは見出した。
【００４７】
より好ましい形態としては、図５（ｂ）のように、無機材料層５０の端部の断面形状が、基板１０の中心側、即ち、画素２がある方向に向かって傾いている形状である。尚、図５（ｂ）に示される無機材料層５０の断面形状は、順テーパー状である。
【００４８】
図５（ａ）や図５（ｂ）に示されるように、無機材料層５０を封止層４０で被覆することで、無機材料層５０が大気に対して暴露されることがなくなる。無機材料層５０に含まれる層の中には、多くの場合、層間絶縁層（１３、１４）が含まれている。層間絶縁層（１３、１４）の構成材料としては、酸化珪素（ＳｉＯ、ＳｉＯ2等）が用いられるが、酸化珪素膜は窒化珪素膜に比べて封止性能が劣ることが知られている。このため、酸化珪素を含む層がむき出しになると、基板１０の端部側から水や酸素の侵入をゆっくりではあるが引き起してしまい、有機発光装置を長期間保管する際に輝度劣化の問題を起こしてしまう。
【００４９】
また、水、酸素等の横浸透の防止という観点においては、基板１０の表面又は基板１０の上方であって、有機化合物層２２の下方に設けられる部材（１２、１３、１４、１５）の構成材料としては、無機化合物であることが望ましい。これは当該「部材」の構成材料が、例えば、ポリイミド等の有機化合物である場合、万が一に当該「部材」を被覆する封止層４０に欠陥が生じた際に、当該「部材」から速やかに水や酸素が浸透することで有機発光装置の長期信頼性が低下するためである。また当該「部材」の構成材料が有機化合物である場合、構成材料自身から生じるアウトガスによっても有機発光装置の長期信頼性が低下する。
【００５０】
図５（Ｂ）に示されるように、無機材料層５０の端部の断面を順テーパー状とする場合、テーパー角（無機材料層５０の端部断面の傾き角度）について、図面を参照しながら説明する。図６は、無機材料層５０の端部断面のテーパー角を説明する模式図である。尚、無機材料層５０は、上述したように、複数の層からなるが、図６中では一つの層として考える。無機材料層５０の総膜厚５３が下層に向かって減少を開始する点を５１とし、無機材料層５０の総膜厚がゼロになる点を５２とする。図６において、無機材料層５０のテーパー角は、無機材料層５０の端部断面の傾き角（θ）５５が該当する。尚、図６に示されるように、θが基板１０の中央側で鋭角である場合、無機材料層５０の端部断面は順テーパー状となる。また無機材料層５０の端部断面の傾き領域の幅は、符号５４で示される領域である。
【００５１】
本発明においては、無機材料層５０の端部の形状が、テーパー角（θ）が４５度よりも小さい順テーパー状であることが好ましい。
【００５２】
例えば、ＣＶＤ法（化学気相成長法）によりシリコン窒化物を成膜して封止層４０を形成する場合を考える。基板１０側から成長していく窒化珪素膜を、鋭い凸部上やテーパー角θが４５°以上の断面上に形成する場合、ＣＶＤ成膜において成長境界が発生し空隙を伴う亀裂が発生したまま封止層４０中に残ってしまう可能性がある。この空隙や亀裂が、水や酸素といった有機ＥＬ素子を劣化させるような大気ガス成分の侵入路となってしまう。このような理由から、無機材料層５０の端部断面のテーパー角（θ）は４５°未満であることが好ましい。こうすることで、封止層４０の内部に発生し得る欠陥を防ぐことができ、より信頼性の高い有機発光装置が得られる。
【００５３】
図５（ｂ）に示されるように、無機材料層５０の端部の断面形状を順テーパー状にする場合、有機化合物層２２を形成する前に、無機材料層５０の端部を、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによって加工することが好ましい。あるいは、無機材料層５０に含まれる層（１２、１３、１４、１５）を順次形成していく過程で、駆動回路や配線等を形成、加工する工程中に、無機材料層５０に含まれる層の加工を適宜行ってもよい。
【００５４】
もうひとつの課題である、マザーガラス基板からの切断時に生じ得る有機発光装置の不良の解決方法について以下に説明する。図５には、基板１０の端部において、基板１０の表面が露出している部分、即ち、基板表面露出部分６０が存在し、この基板表面露出部分６０により、マザーガラス基板からの切断時に生じ得る有機発光装置の不良を解決することができる。図５では、基板１０の切断面６１と符号６２で示される封止層４０の端部との間には、幅ｘ1の空間があり、この空間において基板１０の表面が露出している。当該空間を設けることで形成された基板表面露出部６０は、少なくとも図１のＢ−Ｂ’のように基板１０の短手方向側に設けられる。これは、上述したように、生産性の観点でとり個数を高めるために基板の額縁領域の中でも特に短手方向側の幅を極めて狭くすると画素２と基板１０の端部とが近付いてしまうためである。そこで本発明では、少なくとも、図７（ａ）に示されるように、基板１０の長手方向（Ｘ方向）に沿って、基板１０の短手方向（Ｙ方向）側の端部に、基板表面露出部６０が形成されるように、封止層４０の端部が基板１０の端部よりも内側に設ける。好ましくは、図７（ｂ）のように、基板１０の全周囲にわたって基板表面露出部（６０ａ、６０ｂ）が設けられるように、封止層４０の全ての端部が基板１０の端部よりも内側に設けられる。
【００５５】
尚、図７においては、基板表面露出部６０を設ける領域が一つの連続した領域となっているが、製造工程のバラつきで、基板表面露出部６０を設ける領域が一部不連続になっている場合でも本発明には含まれるものとする。
【００５６】
このように、基板表面露出部６０を設けることで、マザーガラス基板から切断する際に各有機発光装置においてそれぞれ設けられる封止層４０が不連続になる。こうすることで、切断時の熱や応力等が原因で発光不良となる封止欠陥が発生するのを防ぐことができる。尚、基板表面露出部６０の幅（図５中のｘ1）は、特に規定するものではないが、切断時の熱の伝搬や衝撃等を考慮し１０μｍ以上あることが好ましい。またその幅は切断方法がスクライブ方式なのかレーザーによる切断なのかによって異なっていてもよい。
【００５７】
基板表面露出部６０は、封止層４０を加工することで形成される。このため基板表面露出部６０は、封止層４０を除去して配線パッド２５を形成する工程と同一の工程で行うことが好ましい。
【００５８】
尚、図５において、封止層４０が基板１０と接触する領域の幅ｘ2は、封止層４０の封止性能によって適宜設定できるが、少なくともｘ2は、２μｍ以上であれば好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。
【００５９】
［有機発光装置の用途］
本発明の有機発光装置は、例えば、電子写真方式の画像形成装置の露光光源等の用途がある。
【００６０】
本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して静電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像剤を付与し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光装置を含んでいる。
【００６１】
また本発明の有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【００６２】
図８は、本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図８の画像形成装置７は、感光体７１と、露光光源７２と、現像器７４と、帯電部７５と、転写器７６と、搬送ローラー７７と、定着器７９と、を有している。
【００６３】
図８の画像形成装置７は、露光光源７２から感光体７１へ向けて光７３が照射され、感光体７１の表面に静電潜像が形成される。図８の画像形成装置７において、露光光源７２は、本発明に係る有機発光装置である。また図８の画像形成装置７において、現像器７４は、トナー等を有している。図８の画像形成装置７において、帯電部７５は、感光体７１を帯電させるために設けられている。図８の画像形成装置７において、転写器７６は、現像された画像を紙等の記録媒体７８に転写するために設けられている。尚、記録媒体７８は、搬送ローラー７７によって転写機７６へ搬送される。図８の画像形成装置７において、定着器７９は、記録媒体７８に形成された画像を定着させるために設けられている。
【００６４】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図８の画像形成装置７を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図９（ｃ）は、図８の画像形成装置７を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図９（ａ）及び図９（ｂ）は、露光光源７２に有機発光素子を含む発光部７２ａが長尺状の基板７２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合７２ｂの矢印は、発光部７２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体７１が回転する軸の方向と同じである。
【００６５】
ところで図９（ａ）では、発光部７２ａは、感光体７１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図９（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部７２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図９（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【００６６】
また図９（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部７２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部７２α同士の間隔に対応する位置に発光部７２βを有する。即ち、図９（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【００６７】
尚、図９（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（７２α、７２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【００６８】
以上説明の通り、本発明の有機発光装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示が可能である。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。尚、実施例にて作製される有機発光装置において、下地を形成する工程から画素分離膜を形成するまでの工程においては、実施例にて説明されていないものであっても半導体プロセスにおいて一般的に行われるものであれば本発明に含まれるものとする。また後述する電極付基板の層構成は、駆動回路によって変わるため、以下の説明ではその層構成の一例を記載するものである。また使用した基材は、ガラス以外にもシリコン等でもよい。また以下の実施例では、発光層を赤色発光層としているが、別の色の発光層でもよいし、装置内に２種類以上（複数色）の発光層が含まれていてもよい。また発光画素の配置についても特に限定されない。以下の実施例において、画素の配列に関する説明はあるが基板のサイズ等は画素配列等によって制約されないので、説明は省略する。同様に、有機化合物層や第二電極（上部電極）の長手方向の長さについても説明が省略しているが、基板のサイズに合わせて長さを適宜設定すればよい。
【００７０】
［実施例１］
以下に説明する方法により、図１の有機発光装置１を作製した。
【００７１】
（１）ガラス基板上に電極付基板の構成部材を形成するまでの工程
まず、ガラス基板（基板１０）上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンの無機絶縁材料よりなるアンダーコート層１２を形成した。次いで、アンダーコート層１２上に、公知の薄膜トランジスタの製造方法と同様にして、チャネル層３１、ゲート電極３２及びゲート絶縁膜３３を有する薄膜トランジスタ３０を形成した。次いで、薄膜トランジスタ３０が形成されたアンダーコート層１２上に、ＣＶＤ法により、酸化シリコンの無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１３を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜１３の一部の領域に、薄膜トランジスタ３０の電極上に開口された接続孔（不図示）を形成した。この後、この接続孔を介して薄膜トランジスタ３０に接続されたソース／ドレイン電極３５や金属配線３４等を形成した。次いで、ソース／ドレイン電極３５及び金属配線３４が形成された層間絶縁膜１３上に、ＣＶＤ法により、酸化シリコンや無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１４を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜１４に、ソース／ドレイン電極３５上に開口された接続孔（不図示）を形成後、層間絶縁膜１４上の所定の領域にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜して、層間絶縁膜１４の加工により形成された接続孔を介してソース／ドレイン電極３５に接続された下部電極２１を形成した。次いで、下部電極２１が形成された層間絶縁膜１４上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる画素分離膜１５を膜厚２００ｎｍで形成した。尚、以上の工程で基板１０上に形成したアンダーコート層１２、層間絶縁膜（１３、１４）及び画素分離膜１５がこの順で積層されている積層体は、無機材料層５０である。
【００７２】
（２）無機材料層の加工工程
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより画素分離膜１５のパターニングを行い、発光領域を４０μｍ角に画定する開口部２４を形成した。このとき基板１０上には、画素総数が５００画素であるｎ＝１、ｍ＝５００の画素２が、有機発光装置１の長手方向（図１中のＸの方向）に沿ってライン状に形成された。
【００７３】
ところで、開口部２４の形成は、図３のようにマザーガラス基板上で行われ、後の工程で、切断用にアライメントマークが設けられ、当該アライメントマークを横切る切断予定線（不図示）で切断されることで有機発光装置１が得られる。そこで本実施例では、画素分離膜１５の加工プロセスに加えて、無機材料層５０の加工も行った、具体的には、基板１０の短手方向側において、基板１０の切断予定線から４０μｍだけ各有機発光装置１の中心側に無機材料層５０の膜端が形成されるように各有機発光装置に含まれる無機材料層５０の加工を行った。より具体的には、矩形状となる基板１０の短手方向側の端部に形成されている無機材料層５０を加工した。これにより、各有機発光装置１の長手方向に沿って４０μｍ後退した無機材料層５０の膜端が形成された。この後、有機化合物層２２を形成する前に、真空で２５０℃程度のベークを行って基板１０等の部材の脱水を行った。
【００７４】
（３）有機化合物層の形成工程
次いで、画素分離膜１５の開口部２４内に露出した下部電極２１上に、蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、所定の成膜領域に有機化合物層２２を形成した。尚、有機化合物層２２を形成する際には、使用した蒸着マスクを基板１０と密着させた状態で行った。また、本実施例においては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層をこの順に成膜して有機化合物層２２を形成した。また有機化合物層２２に含まれる各層の構成材料としては市販されている公知材料を使用し、感光材料の感光波長に合わせて発光層の発光色を赤色とした。
【００７５】
（４）上部電極の形成工程
次に、有機化合物層２２を被覆するように、上部電極２３を成膜した。上部電極２３の構成材料としてアルミニウムを用い、蒸着マスクを用いた真空蒸着法により所定の成膜領域に上部電極層２３を膜厚２００ｎｍで形成した。
【００７６】
（５）封止層の形成工程
次いで、基板１０上の全面にわたって、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる薄膜状の封止層４０を２μｍの膜厚で形成した。これにより、上部電極２３は封止層４０により被覆された。
【００７７】
（６）封止層の加工工程
次に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを行い、封止層４０に被覆された配線パッド２５を露出させた。また同工程において、有機発光装置１の基材１１の短手側の切断予定線に対して１０μｍだけ有機発光装置１の中心側に封止層４０の端部が形成されるよう各有機発光装置に対して加工した。これにより、図７（ａ）に示されるように、各有機発光装置１の長手方向に沿って１０μｍ後退した封止層４０の膜端が形成された。
【００７８】
（７）基板の切断工程
前記マザーガラス基板に対して切断予定線上をレーザーカッターにより切断することにより、長尺形状の有機発光装置１を得た。
【００７９】
［実施例２］
実施例１（２）において、基板１０の短手方向側及び長手方向側において、基板１０の切断予定線から４０μｍだけ各有機発光装置１の中心側に無機材料層５０の膜端が形成されるように各有機発光装置に含まれる無機材料層５０の加工を行った。具体的には、矩形状となる基板１０の短手方向側及び長手方向側の端部に形成されている無機材料層５０を加工した。これにより、各有機発光装置１の短手方向及び長手方向に沿って４０μｍ後退した無機材料層５０の膜端が形成された。また実施例１（６）において、有機発光装置１の全周囲にわたり基板１０の切断予定線に対して１０μｍだけ有機発光装置１の中心側に封止層４０の端部が形成されるよう各有機発光装置に対して加工した。これにより、図７（ｂ）に示されるように、各有機発光装置１の全周囲にわたって１０μｍ後退した封止層４０の膜端が形成された。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置１を得た。
【００８０】
［比較例１］
実施例１（２）において、基板１０の切断予定線上に設けられる無機材料層５０の加工を省略し、また、実施例１（６）において、基板１０の切断予定線上に設けられる封止層４０の加工を省略した。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を得た。尚、本比較例にて得られた有機発光装置の短手方向側端部の断面は図１０（ａ）に示される通りになった。
【００８１】
［比較例２］
実施例１（２）において、基板１０の切断予定線上に設けられる無機材料層５０の加工を省略したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を得た。尚、本比較例においては、実施例１（６）と同様の方法により封止層４０の加工を行った際に、封止層４０の下方にあった無機材料層５０も一緒に除去された。また本比較例にて得られた有機発光装置の短手方向側端部の断面は図１０（ｂ）に示される通りになった。
【００８２】
［比較例３］
実施例１（６）において、封止層４０の加工を省略したこと以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を得た。尚、本比較例にて得られた有機発光装置の短手方向側端部の断面は図１０（ｃ）に示される通りになった。
【００８３】
［信頼性評価］
長期保管信頼性を確認するために、温度８５℃湿度８５％の恒温層にて５００時間の保管試験を行った後、有機発光装置を駆動して発光状態を評価した。その結果、実施例１では概ね良好な発光を保っていたが、配線パッド２５とは反対側の長手方向側の端部から近い発光画素の一部について発光不良が見られた。また実施例２の有機発光装置は、全画素にわたって良好な発光状態を保っていた。一方、比較例１及び３の有機発光装置は、基板の切断部周辺に切断時のダメージによる封止層４０の損傷が欠陥となって、そこから水や酸素が侵入してしまい、発光不良が発生していた。また比較例１及び２の有機発光装置は、露出している無機材料層５０の端部からの水や酸素が侵入することにより、実施例の有機発光装置と比べて同じ電圧で駆動した際の輝度が低下していた。
【００８４】
以上の評価結果から、矩形状の基板の少なくとも短手側に無機材料層５０の膜端を封止層４０が被覆し、さらにこの封止層４０端を、基材１１の端部から後退して基材１１の表面が露出した領域６０を設けることで、長期信頼性の高い有機発光装置が得られたことがわかった。
【符号の説明】
【００８５】
１：有機発光装置、２：画素、１０：基板、１５：画素分離膜、１６：走査回路、１７：電源線、１８：画素回路、１９：データ線、２０：有機発光素子、２１:下部電極、２２：有機化合物層、２３：上部電極、２４：開口部、２５：配線パッド、３０：薄膜トランジスタ、３４：金属配線、４０：封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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