(57)【要約】【課題】  素体に有機物が含有され、かつ、素体と外部電極とが十分な接合強度を備え、外部電極が十分な導電性、はんだ付け性を備えた電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  未焼成セラミック素体を作製する工程と、未焼成セラミック素体を焼成してセラミック素体１を作製する工程と、セラミック素体１に有機物（有機系充填剤）を充填する工程と、セラミック素体１の表面に化学エッチングを施す工程と、セラミック素体１の表面に少なくとも１対の外部電極５、６を形成する工程と、を順に備えるようにした。有機物は、予めセラミック素体に含まれていても良い。【選択図】  図１
2017059604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物と有機物とを含んだ素体を備えた電子部品の製造方法であって、  
前記素体の表面に化学エッチングを施す工程と、
前記素体の表面に少なくとも１対の外部電極を形成する工程と、を順に備えた電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記有機物がシリコーン化合物またはフッ素化合物である、請求項１に記載された電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記化学エッチングが、過マンガン酸カリウムを使用しておこなわれる、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記外部電極の形成が、前記素体への無電解めっきによりおこなわれる、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記素体の表面が導電性または半導体性を備え、前記外部電極の形成が、前記素体への電解めっきによりおこなわれる、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記外部電極の形成が、前記素体へのスパッタリングによりおこなわれる、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記無機物がセラミックであり、前記有機物が有機系充填剤であり、前記素体がセラミック素体である、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項８】
未焼成セラミック素体を作製する工程と、
前記未焼成セラミック素体を所定のプロファイルで焼成して前記セラミック素体を作製する工程と、
前記セラミック素体に含まれる空隙に前記有機系充填剤を充填する工程と、
前記セラミック素体の表面に化学エッチングを施す工程と、
前記セラミック素体の表面に少なくとも１対の外部電極を形成する工程と、を順に備えた、請求項７に記載された電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品がセラミック層と内部電極とが積層された積層型の電子部品であり、
前記未焼成セラミック素体を作製する工程が、
複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記セラミックグリーンシートの少なくとも一部のものの表面に、内部電極用導電性  ペーストを所定の形状に塗布する工程と、
前記セラミックグリーンシートを所定の順番に積層する工程と、を備える、請求項８に記載された電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品がＰＴＣサーミスタである、請求項１ないし９のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記ＰＴＣサーミスタが、積層型のＰＴＣサーミスタである、請求項１０に記載された電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法に関し、更に詳しくは、セラミック素体に形成された空隙に有機系充填剤が充填され、かつ、セラミック素体と外部電極とが十分な接合強度を備え、外部電極が十分な導電性、はんだ付け性を備えた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の理由により、電子部品のセラミック素体に形成された空隙に、シリコーン化合物などの有機系充填剤が充填される場合がある。
【０００３】
たとえば、特許文献１（特開２０１３−１９７５０８号公報）には、セラミック素体（本体）に形成された空隙（空隙部）に、シリコーン化合物（シリコン樹脂）が充填された積層型のＰＴＣサーミスタが開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示された積層型のＰＴＣサーミスタは、以下の理由により、セラミック素体に形成された空隙にシリコーン化合物が充填されている。
【０００５】
ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタは、正の温度特性を備え、温度が上昇すると抵抗が増加する。ＰＴＣサーミスタは、その特性を活かし、自己制御型発熱体、過電流保護素子、温度センサなどの用途に使用される。
【０００６】
従来、ＰＴＣサーミスタとしては、主成分であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に微量の希土類元素などを添加した半導体からなるセラミック素体と、そのセラミック素体を挟む１対の外部電極とを備えた単板型のＰＴＣサーミスタが主に用いられてきた。
【０００７】
近年、ＰＴＣサーミスタに対して、消費電力を抑制する目的で、非作動時の常温における抵抗（室温抵抗）が、十分に小さいことが望まれている。ＰＴＣサーミスタの室温抵抗は、電極面積に反比例するため、電極面積が大きいほど室温抵抗を小さくすることができる。そこで、従来の単板型のＰＴＣサーミスタに代わるものとして、複数のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されたセラミック素体を備えた積層型のＰＴＣサーミスタが提案され、使用されるようになってきている。積層型のＰＴＣサーミスタは、セラミック素体の層数を増やし、電極面積を大きくすることにより、室温抵抗を小さくすることができる。
【０００８】
このように、積層型のＰＴＣサーミスタは、単板型のＰＴＣサーミスタに比べて室温抵抗が小さいという利点を有しているが、その構造上、作動時に、単板型のＰＴＣサーミスタに比べて表面温度が高温になってしまう虞がある。すなわち、積層型のＰＴＣサーミスタは、単板型のＰＴＣサーミスタに比べて、電極（内部電極）間に存在するセラミック結晶粒子の結晶粒界の数が少ないため、作動時に１つの結晶粒界あたりに加わる電圧が高くなる。そのため、保証範囲以上の高い電圧が印加されると、セラミック素体内に熱がこもり、表面温度が高温になってしまう虞がある。
【０００９】
そこで、特許文献１に開示された積層型のＰＴＣサーミスタは、セラミック原料の組成や、セラミック素体の焼成条件を調整して、セラミック素体に所定の大きさの空隙を形成し、熱を放散させるようにし、万一、保証範囲以上の高い電圧が印加されたとしても、表面温度が過度に上昇しないようにしている。更に、特許文献１に開示された積層型のＰＴＣサーミスタは、望ましくは、セラミック素体の表面に外部電極を形成した後に（下地電極の焼付け後に）、セラミック素体に、乾燥空気の５倍以上の熱伝導率を有するシリコーン化合物を真空含浸させ、熱の放散性をより高くするようにしている（特許文献１の「発明の詳細な説明」の（００１１）、（００３６）、（００３９）段落などを参照）。また、シリコ―ン化合物の含浸は、後に外部電極にめっきを施す際の耐水性向上にも役立つと記述されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１３−１９７５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した特許文献１に開示されたＰＴＣサーミスタのように、セラミック素体に形成された空隙にシリコーン化合物などの有機系充填剤を充填すると、セラミック素体の作動時の温度上昇を抑制する効果や、セラミック素体の耐水性や耐湿性を向上させる効果を奏することができる。
【００１２】
しかしながら、セラミック素体に形成された空隙への有機系充填剤の充填は、次のような問題点を有していた。
【００１３】
まず、セラミック素体に形成された空隙への有機系充填剤の充填が、セラミック素体の表面に外部電極を形成する前におこなわれる場合には、セラミック素体と外部電極との接合強度が低下するという問題があった。すなわち、セラミック素体の表面の凹凸を有機系充填剤が埋め、セラミック素体の表面が平滑化されてしまうことにより、セラミック素体と外部電極との接合強度が低下してしまうという問題があった。そのため、セラミック素体への外部電極の形成は、比較的接合強度の低い、導電性ペーストの焼付けや、めっきなどの手法によりおこなうことはできず、比較的接合強度の高い、スパッタリングなどの、コストの高い手法におこなわなければならなかった。そして、仮に、スパッタリングなどにより外部電極を形成したとしても、セラミック素体と外部電極との接合強度が低いという問題が残った。
【００１４】
一方、セラミック素体に形成された空隙への有機系充填剤の充填が、セラミック素体の表面に外部電極を形成した後におこなわれる場合には、有機系充填剤が外部電極の表面に付着し、外部電極の導電性を低下させたり、外部電極のはんだ付け性を低下させたりするという問題があった。なお、特許文献１に開示されたＰＴＣサーミスタでは、外部電極（焼付け外部電極）を形成した後に、シリコーン化合物を真空含浸させ、その後、更に、トルエン等の溶剤で外部電極の表面を洗浄するようにしている。しかしながら、シリコーン化合物の含浸が強固におこなわれた場合には、外部電極の表面からシリコーン化合物を十分洗浄しきれない場合があり、シリコーン化合物の含浸は弱めにおこなわなければならず、シリコーン化合物の充填によるセラミック素体の表面温度の上昇抑制という効果を十分に発揮できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の電子部品の製造方法は、無機物と有機物とを含んだ素体を備えた電子部品の製造方法であって、素体の表面に化学エッチングを施す工程と、素体の表面に少なくとも１対の外部電極を形成する工程と、を順に備えるようにした。
【００１６】
有機物は、たとえば、シリコーン化合物またはフッ素化合物である。これらの有機物は、充填性が高く、高い放熱性、耐湿性、耐水性を備えており、素体に容易に充填して、素体に放熱性、耐湿性、耐水性を持たせることができる。
【００１７】
化学エッチングは、過マンガン酸カリウムを使用しておこなうことが好ましい。過マンガン酸カリウムは、プリント回路基板の表面粗化工程などに広く使用されており、容易かつ安価に入手することができるからである。
【００１８】
素体への外部電極の形成は、たとえば、無電解めっきによりおこなうことができる。本発明によれば、素体と外部電極とが十分な接合強度を備えるため、素体に有機物が含まれていても、無電解めっきにより素体に外部電極を形成することができる。
【００１９】
また、素体への外部電極の形成は、素体の表面が導電性または半導体性を備える場合には、電解めっきによりおこなうことができる。本発明によれば、素体と外部電極とが十分な接合強度を備えるため、素体に有機物が含まれていても、電解めっきにより素体に外部電極を形成することができる。
【００２０】
さらに、素体へ外部電極の形成は、スパッタリングによりおこなうことができる。この場合には、素体に有機物が含まれていても、素体と外部電極の接合強度を低下させることなく、高い接合強度を維持することができる。
【００２１】
無機物は、たとえばセラミックとし、有機物は、たとえば有機系充填剤とし、素体は、たとえばセラミック素体とすることができる。
【００２２】
この場合には、たとえば、未焼成セラミック素体を作製する工程と、未焼成セラミック素体を所定のプロファイルで焼成してセラミック素体を作製する工程と、セラミック素体に含まれる空隙に有機系充填剤を充填する工程と、セラミック素体の表面に化学エッチングを施す工程と、セラミック素体の表面に少なくとも１対の外部電極を形成する工程と、を順に備えることにより、電子部品を製造することができる。
【００２３】
さらに、製造される電子部品は、セラミック層と内部電極とが積層された積層型の電子部品とすることができる。この場合には、未焼成セラミック素体を作製する工程を、複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、セラミックグリーンシートの少なくとも一部のものの表面に、内部電極用導電性ペーストを所定の形状に塗布する工程と、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層する工程と、を備えたものとすることができる。
【００２４】
電子部品として、たとえば、ＰＴＣサーミスタを製造することができる。そして、そのＰＣＴサーミスタは積層型のＰＴＣサーミスタとすることができ、この場合には、保証範囲以上の高い電圧が印加されてもセラミック素体の表面温度が過度に上昇せず、セラミック素体と外部電極とが十分な接合強度を備え、外部電極が十分な導電性、はんだ付け性を備えた積層型のＰＴＣサーミスタを製造することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電子部品のセラミック素体に形成された空隙に、十分に有機系充填剤を充填することができる。また、本発明により製造された電子部品は、セラミック素体と外部電極とが十分な接合強度を備えている。さらに、本発明により製造された電子部品は、外部電極の表面に有機系充填剤が付着しておらず、外部電極が十分な導電性、はんだ付け性を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態にかかる電子部品の製造方法により製造されたＰＴＣサーミスタ１００を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、有機系充填剤を充填した後のセラミック素体１を示すＳＥＭ画像である。図２（Ｂ）は、化学エッチングをおこなった後のセラミック素体１を示すＳＥＭ画像である。
【図３】実施例、比較例１、比較例２それぞれの、セラミック素体と外部電極との接合強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２８】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００２９】
［第１実施形態］
図１に、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法により製造されたＰＴＣサーミスタ１００を示す。なお、図１は、ＰＴＣサーミスタ１００の断面図である。
【００３０】
ＰＴＣサーミスタ１００は、セラミック素体１を備える。
【００３１】
本実施形態においては、ＰＴＣサーミスタ１００は積層型のＰＴＣサーミスタであり、セラミック素体１は、複数のセラミック層２と複数の内部電極３、４とが積層された構造からなる。
【００３２】
セラミック層２は半導体からなり、たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などからなる主成分に、半導体化剤が添加されたものからなる。半導体化剤としては、たとえば、Ｓｍ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの希土類元素を使用することができる。
【００３３】
セラミック層２には、所定の割合で、所定の大きさからなる空隙（図示せず）が形成されている。ただし、空隙の割合および大きさは、セラミック素体１内における位置により違いがある場合がある。空隙の割合および大きさは、セラミック原料の組成や、セラミック素体の焼成条件などを調整することにより、変化させることができる。また、空隙を形成するために、セラミック原料に、焼成により消失する材料（樹脂ビーズなど）を予め含有させておく場合もある。
【００３４】
セラミック層２に形成された空隙には、有機系充填剤（図示せず）が充填されている。有機系充填剤には、たとえば、シリコーン化合物やフッ素化合物を使用することができる。本実施形態のＰＴＣサーミスタ１００は、空隙に有機系充填剤が充填されたことにより、セラミック素体１の放熱性が高くなっている。また、有機系充填剤は、セラミック素体１の耐水性、耐湿性を向上させる役割も果たしている。
【００３５】
内部電極３は、セラミック素体１の一方の端面に引き出されている。内部電極４は、セラミック素体１の他方の端面に引き出されている。内部電極３、４は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなどを主成分とする金属からなる。
【００３６】
セラミック素体の両端部には、１対の外部電極５、６が形成されている。外部電極５は内部電極３に電気的に接続され、外部電極６は内部電極４に電気的に接続されている。外部電極５、６は多層構造からなり、たとえば、第１層５ａ、６ａがＣｕやＡｇを主成分とする金属からなり、第２層５ｂ、６ｂがＮｉを主成分とする金属からなり、第３層５ｃ、６ｃがＳｎを主成分とする金属からなる。ただし、外部電極５、６の層数や材質は任意であり、この内容には限定されない。
【００３７】
次に、ＰＴＣサーミスタ１００の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックの出発原料として、たとえば、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｓｍ２Ｏ３を準備する。ＢａＣＯ３およびＴｉＯ２は主成分である。Ｓｍ２Ｏ３は半導体化剤である。
【００３９】
次に、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｓｍ２Ｏ３を所定の割合で配合し、純水を加え、ジルコニアボールとともに、たとえば５時間混合粉砕する。続いて、たとえば、１１００℃で２時間仮焼し、仮焼粉を作製する。
【００４０】
次に、仮焼粉に、有機バインダー、分散剤、および純水を加えて、ジルコニアボールとともに数時間混合して、セラミックススラリーを作製する。
【００４１】
次に、セラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形し、乾燥させることにより、複数のセラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの厚みは、たとえば３０μｍとする。
【００４２】
セラミックグリーンシートの作製と並行して、内部電極用導電性ペーストを作製する。具体的には、たとえばＮｉ金属粉末と、有機バインダーとを有機溶剤に分散させて、内部電極用導電性ペーストを作製する。
【００４３】
次に、セラミックグリーンシートの所定のものの表面に、内部電極用導電性ペーストを、スクリーン印刷法により所定の形状に塗布（印刷）する。内部電極用導電性ペーストの塗布厚みは、たとえば、焼結後に内部電極３、４の厚みが０．５〜２μｍとなるように調整する。
【００４４】
次に、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートと、内部電極用導電性ペーストが塗布されていないセラミックグリーンシートとを、所定の順番に、所定の枚数、積層する。具体的には、たとえば、中間部分に、内部電極用導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを２４層積層し、その上下部分にそれぞれ、内部電極用導電性ペーストが塗布されていないセラミックグリーンシートを保護層として５層積層する。続いて、圧着して、複数個分の未焼成セラミック素体を含んだマザー未焼成セラミック素体を作製する。
【００４５】
次に、マザー未焼成セラミック素体を、個々の未焼成セラミック素体に切断する。個々の未焼成セラミック素体の寸法は、焼成後のセラミック素体の寸法が、たとえば、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚み１．０ｍｍとなるように切断する。
【００４６】
次に、未焼成セラミック素体を、脱バインダーの後、所定の焼成プロファイルで焼成し、セラミック素体１を作製する。脱バインダーは、未焼成セラミック素体を、たとえば、２５０〜６００℃程度の大気雰囲気中に、１〜１０時間程度保持することによりおこなう。焼成は、たとえば、脱バインダー後の未焼成セラミック素体を、１１７０〜１２１０℃程度の還元雰囲気中に、０．５〜４時間程度保持することによりおこなう。焼成後に、セラミック素体１を７００℃程度の大気雰囲気中に保持し、セラミック素体１の再酸化をおこなう。焼成後のセラミック素体１（セラミック層２）には、所定の割合および大きさで空隙が形成されている。
【００４７】
次に、セラミック素体１に形成された空隙に、シリコーン化合物、フッ素化合物などの有機系充填剤を充填する。具体的には、まず、圧力可変容器内に複数個のセラミック素体１を収容する。次に、圧力可変容器内の圧力を減圧し、真空にする。次に、圧力可変容器内に有機系充填剤を入れ、セラミック素体１を有機系充填剤内に浸漬させる。次に、圧力可変容器内の圧力を大気圧まで昇圧させ、セラミック素体１に形成された空隙に有機系充填剤を充填する。最後に、セラミック素体１を圧力可変容器から取り出し、セラミック素体１の表面を、たとえばトルエンにより洗浄する。
【００４８】
図２（Ａ）に、空隙に有機系充填剤を充填した後の、セラミック素体１の断面を示す。なお、図２（Ａ）は、倍率５０００倍のセラミック素体１の断面のＳＥＭ画像である。図２（Ａ）から分かるように、空隙に有機系充填剤が充填されている。
【００４９】
次に、空隙に有機系充填剤が充填されたセラミック素体１の表面に、化学エッチングを施し、セラミック素体１の表面近傍の空隙に充填された有機系充填剤を除去する。具体的には、セラミック素体１を、たとえば過マンガン酸カリウムに  １０分間程度、浸漬し、セラミック素体１の表面近傍の空隙に充填された有機系充填剤を除去する。
【００５０】
図２（Ｂ）に、化学エッチングをおこなった後の、セラミック素体１の断面を示す。なお、図２（Ｂ）は、倍率５０００倍のセラミック素体１の断面のＳＥＭ画像である。図２（Ｂ）から分かるように、セラミック素体１の表面近傍の空隙から有機系充填剤が除去されている。
【００５１】
次に、セラミック素体１の両端部に、外部電極５、６を形成する。本実施形態においては、セラミック素体１の表面が導電性（半導体性）を備えているため、電解めっきにより外部電極５、６を形成する。具体的には、まず、各セラミック素体１の表面の、外部電極５、６を形成しない部分に、絶縁インクなどのレジストを塗布する。次に、複数のセラミック素体１を、電解めっき浴に浸漬し、一般的な電解めっき方法により、セラミック素体１の両端部に、たとえば、第１層５ａ、６ａがＣｕ層、第２層５ｂ、６ｂがＮｉ層、第３層５ｃ、６ｃがＳｎ層からなる、外部電極５、６を形成する。
【００５２】
最後に、セラミック素体１の表面からレジストを除去して、ＰＴＣサーミスタ１００を完成させる。
【００５３】
ＰＴＣサーミスタ１００は、セラミック素体１の表面近傍の空隙から有機系充填剤が除去されているため、セラミック素体１の表面に外部電極５、６が高いアンカー効果を発現させた状態で形成されている。
【００５４】
本発明の有効性を確認するため、比較例１、比較例２にかかるＰＴＣサーミスタをそれぞれ作製し、セラミック素体と外部電極との接合強度を、本実施形態にかかるＰＴＣサーミスタ１００（実施例）と比較した。
【００５５】
比較例１は、セラミック素体に形成された空隙に有機系充填剤を充填した後に、化学エッチングをおこなうことなく、スパッタリングにより、第１層がＮｉＣｒ層、第２層がＮｉＣｕ層、第３層がＡｇ層、更に電解めっきにより、第４層がＳｎ層からなる外部電極を形成した。なお、比較例１の方法は、既存製品において実施されている方法である。
【００５６】
比較例２は、セラミック素体に形成された空隙に有機系充填剤を充填した後に、化学エッチングをおこなうことなく、電解めっきにより、第１層がＣｕ層、第２層がＮｉ層、第３層がＳｎ層からなる外部電極を形成した。
【００５７】
実施例、比較例１、比較例２、それぞれの、接合強度を図３に示す。なお、試料数は、各例、それぞれ、５個とした。接合強度は、横押しして測定した。
【００５８】
図３からわかるように、実施例（ＰＴＣサーミスタ１００）は、既存製品と同様に、スパッタリングにより外部電極を形成した比較例１と同等レベルの、セラミック素子と外部電極との接合強度を備えており、十分に実用に耐える結果であった。
【００５９】
［第２実施形態］
第１実施形態にかかる電子部品の製造方法においては、外部電極を電解めっきにより形成した。第２実施形態においては、外部電極の形成方法を、第１実施形態から変更した。具体的には、第２実施形態においては、外部電極の第１層を無電解めっきにより形成し、外部電極の第２層と第３層とを電解めっきにより形成するようにした。
【００６０】
第２実施形態の他の構成は、第１実施形態と同じにした。
【００６１】
以下、第２実施形態にかかる電子部品（ＰＴＣサーミスタ）の製造方法を説明する。
【００６２】
まず、第１実施形態と同様の方法によって、セラミック素体を作製する。
【００６３】
次に、セラミック素体に形成された空隙に、有機系充填剤を充填する。
【００６４】
次に、セラミック素体の表面に化学エッチングを施し、セラミック素体の表面近傍の空隙に充填された有機系充填剤を除去する。
【００６５】
次に、セラミック素体の両端部の、外部電極形成部分のみに、たとえばＰｄからなる触媒を塗布する。
【００６６】
次に、触媒の塗布されたセラミック素体を、Ｃｕ無電解めっき浴に浸漬し、外部電極の第１層としてＣｕ層を形成する。めっき浴の温度は、たとえば３０℃とする。浸漬時間は、たとえば１５分とする。
【００６７】
次に、一般的な電解めっきの方法により、外部電極の第２層としてＮｉ層を形成する。
最後に、一般的な電解めっきの方法により、外部電極の第３層としてＳｎ層を形成し、第２実施形態にかかる電子部品（ＰＴＣサーミスタ）を完成させる。
【００６８】
このように、本発明においては、セラミック素体への外部電極の形成を無電解めっきによりおこなうこともできる。第２実施形態の方法は、セラミック素体の表面が、導電性や半導体性を備えていない場合に有用である。
【００６９】
［第３実施形態］
第３実施形態においても、第１実施形態から、外部電極の形成方法を変更した。すなわち、第３実施形態においては、外部電極をスパッタリングにより形成するようにした。
【００７０】
第３実施形態の他の構成は、第１実施形態と同じにした。
【００７１】
以下、第３実施形態にかかる電子部品（ＰＴＣサーミスタ）の製造方法を説明する。
【００７２】
まず、第１実施形態と同様の方法によって、セラミック素体を作製する。
【００７３】
次に、セラミック素体に形成された空隙に、有機系充填剤を充填する。
【００７４】
次に、セラミック素体の表面に化学エッチングを施し、セラミック素体の表面近傍の空隙に充填された有機系充填剤を除去する。
【００７５】
次に、セラミック素体の両端部の、外部電極形成部分に、外部電極を形成しない部分に、絶縁インクなどのレジストを塗布する。
【００７６】
次に、スパッタリングにより、外部電極の第１層としてＮｉＣｒ層を形成する。
【００７７】
次に、スパッタリングにより、外部電極の第２層としてＮｉＣｕ層を形成する。
【００７８】
次に、スパッタリングにより、外部電極の第３層としてＡｇ層を形成する。
【００７９】
次に、スパッタリングにより、外部電極の第４層としてＳｎ層を形成し、更に、レジストを除去し、第３実施形態にかかる電子部品（ＰＴＣサーミスタ）を完成させる。
【００８０】
スパッタリングにより形成された外部電極は、一般的に、電解めっきや無電解めっきにより形成された外部電極と比べて、セラミック素体に対して高い接合強度を備えている。しかしながら、スパッタリングにより形成された外部電極であっても、外部電極の形成前に、セラミック素体に形成された空隙に有機系充填剤を充填すると、セラミック素体との接合強度が低下してしまう。しかしながら、第３実施形態のように、有機系充填剤の充填後、外部電極の形成前に、セラミック素体の表面に化学エッチングを施し、セラミック素体の表面近傍の空隙に充填された有機系充填剤を除去すると、接合強度の低下を抑制し、高い接合強度を維持することができる。
【００８１】
以上、第１実施形態〜第３実施形態にかかる電子部品の製造方法について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更を加えることができる。
【００８２】
上述した実施形態においては、いずれも、電子部品として積層型のＰＴＣサーミスタを製造したが、本発明の製造対象となる電子部品はＰＴＣサーミスタには限定されない。本発明により、たとえば、コンデンサ、インダクタ、ＮＴＣサーミスタなど、他の種類の電子部品を製造することができる。また、電子部品の構造はセラミック層と内部電極とが積層された積層型の電子部品には限定されず、本発明により、単板型の電子部品、その他の構造の電子部品を製造することができる。
【００８３】
また、上述した実施形態においては、セラミック素体に形成された空隙にシリコーン化合物やフッ素化合物を充填したが、充填される有機系充填剤の種類はこれらには限定されず、他の種類の有機系充填剤を充填させるようにしても良い。
【００８４】
また、上述した実施形態においては、過マンガン酸カリウムを使用して化学エッチングをおこなったが、使用するエッチング液の種類はこれには限定されず、他の種類のエッチング液を使用するようにしても良い。
【００８５】
さらに、外部電極の層数、材質、形成方法も任意であり、上述した内容には限定されることはない。たとえば、上述した、電解めっき、無電解めっき、スパッタリングに代えて、蒸着、ＣＶＤ、低温での導電性ペーストの焼付け、転写などの方法により、外部電極を形成するようにしも良い。
【００８６】
さらに、上述した実施形態においては、無機物をセラミックとし、素体をセラミック素体としたが、素体に含まれる無機物はセラミックには限定されない。たとえば、ガラスや金属などであっても良い。
【００８７】
また、上述した実施形態においては、作製された素体（焼成後のセラミック素体）に、後から有機物を有機系充填剤として充填したが、有機物は後から充填するのではなく、素体を作製するときに素体に含有されたものであっても良い。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・セラミック素体
２・・・セラミック層
３、４・・・内部電極
５、６・・・外部電極
５ａ、６ａ・・・第１層（外部電極）
５ｂ、６ｂ・・・第２層（外部電極）
５ｃ、６ｃ・・・第３層（外部電極）
１００・・・電子部品（ＰＴＣサーミスタ）
【図１】
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【図３】
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【図２】
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