(57)【要約】【課題】新規な昇華精製方法を提供する。また、新規な昇華精製装置を提供する。【解決手段】物質を気化させて精製する精製部と、温度調整手段と、気体供給手段と、気体排出手段と、を有する精製装置を用いた精製方法である。気体排出手段を用いて、精製部内を第１の圧力とし、温度調整手段を用いて、精製部の温度を勾配させて物質を精製した後、気体供給手段を用いて、精製部内の圧力を第２の圧力とし、温度調整手段を用いて、精製部を冷却する精製方法である。第２の圧力は、第１の圧力より高く、第２の圧力は、大気圧以上である。【選択図】図４
2017189766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質を気化させて精製する精製部と、
前記精製部に設けられた温度調整手段と、
前記精製部の一方の端部に設けられ、前記精製部内に気体を供給する機能を有する気体供給手段と、
前記精製部の他方の端部に設けられ、前記精製部内から気体を排出する機能を有する気体排出手段と、
を有する精製装置を用いた精製方法であって、
前記気体排出手段を用いて、前記精製部内を第１の圧力とし、
前記温度調整手段を用いて、前記精製部の温度を勾配させて前記物質を精製した後、
前記気体供給手段を用いて、前記精製部内の圧力を第２の圧力とし、
前記温度調整手段を用いて、前記精製部を冷却し、
前記第２の圧力は、前記第１の圧力より高く、
前記第２の圧力は、大気圧以上である、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の圧力は、１０Ｐａ以下である、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の圧力は、０．１Ｐａ以上である、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記精製部を加熱して、前記精製部内の一部の温度を１５０℃以上５００℃以下にする、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記精製部から気体を排出して、前記第１の圧力とする、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記精製部に気体を供給して、前記第２の圧力とする、
ことを特徴とする精製方法。
【請求項７】
物質を気化させて精製する精製部と、
前記精製部に設けられた温度調整手段と、
前記精製部の一方の端部に設けられ、前記精製部内に気体を供給する機能を有する気体供給手段と、
前記精製部の他方の端部に設けられ、前記精製部内から気体を排出する機能を有する気体排出手段と、
制御システムと、
を有する精製装置であって、
前記制御システムは、前記気体供給手段と、前記気体排出手段と、前記温度調整手段と、を制御する機能を有し、
前記精製部内を第１の圧力となるよう、前記制御システムは前記気体排出手段を制御する機能を有し、
前記精製部の温度を勾配するよう、前記制御システムは前記温度調整手段を制御する機能を有し、
前記物質を精製した後、前記精製部内の圧力を第２の圧力となるよう、前記制御システムは前記気体供給手段を制御する機能を有し、
前記精製部を冷却するよう、前記制御システムは前記温度調整手段を制御する機能を有し、
前記第２の圧力は、前記第１の圧力より高く、
前記第２の圧力は、大気圧以上である、
ことを特徴とする精製装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の圧力は、１０Ｐａ以下である、
ことを特徴とする精製装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の圧力は、０．１Ｐａ以上である、
ことを特徴とする精製装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記精製部を加熱して、前記精製部内の一部の温度を１５０℃以上５００℃以下にする、
ことを特徴とする精製装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記精製部から気体を排出して、前記第１の圧力とする、
ことを特徴とする精製装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記精製部に気体を供給して、前記第２の圧力とする、
ことを特徴とする精製装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、物質を精製、及び回収するための昇華または蒸留等の精製方法、及び精製装置に関し、特に物質を気化して精製するための方法、及び装置に関する。
【０００２】
また、本発明の一態様は、該精製方法を用いた発光素子または半導体素子の製造方法に関する。または、該発光素子または該半導体素子を有する表示装置、電子機器、及び照明装置の製造方法に関する。
【０００３】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００４】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだ構成である。この素子の電極間に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００５】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００６】
発光性の物質に有機化合物を用い、一対の電極間に当該発光性の有機化合物を含むＥＬ層を設けた発光素子（例えば、有機ＥＬ素子）の場合、一対の電極間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれ発光性のＥＬ層に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって発光性の有機化合物が励起状態となり、励起された発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
【０００７】
このような発光素子の重要な特性の一つに、発光効率および寿命があるが、発光素子の発光効率や寿命といった性能は、発光素子に用いる物質の特性にのみに依存する訳ではなく、当該物質の純度が発光素子の性能に大きな影響を及ぼすことが知られている。そのため、純度が高い物質が必要とされており、特に有機化合物の純度を高める手法として昇華精製法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−８８７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
物質を気化させて精製するとき、当該物質が固体から気体へと昇華する場合と、固体が液体へと融解した後に気体へと蒸発する場合とがあり、前者の場合には精製された物質は気体から固体へと昇華し、後者の場合には精製された物質は気体から液体へと凝縮した後、液体から固体へと凝固する。精製された物質が回収されるときに、該物質の体積に大きな変化が生じる場合、当該体積変化に伴って、該物質が飛散する問題や、精製装置の一部が破損する問題等が生じる場合がある。なお、生産性を高めるためには精製装置の大型化が有効であるが、精製装置が大型化すると当該問題がより顕著になる。
【００１０】
精製装置の一部が破損すると、精製装置の修理や部品の交換が必要となるだけでなく、精製され回収される物質が散乱し、該物質の回収量が減少する問題や、精製装置の破損に伴い不純物が混入することで、該物質の純度が低下する問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の一態様では、新規な精製方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な精製装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、高い純度で物質を精製する新規な精製方法または精製装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、高い収率で物質を精製する新規な精製方法または精製装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な精製方法を用いた発光素子または半導体素子の製造方法を提供することを課題の一とする。
【００１２】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、物質を気化させて精製する精製部と、精製部に設けられた温度調整手段と、精製部の一方の端部に設けられ精製部内に気体を供給する機能を有する気体供給手段と、精製部の他方の端部に設けられ精製部内から気体を排出する機能を有する気体排出手段と、を有する精製装置を用いた精製方法であって、気体排出手段を用いて、精製部内を第１の圧力とし、温度調整手段を用いて、精製部の温度を勾配させて物質を精製した後、気体供給手段を用いて、精製部内の圧力を第２の圧力とし、温度調整手段を用いて、精製部を冷却し、第２の圧力は、第１の圧力より高く、第２の圧力は、大気圧以上である、精製方法である。
【００１４】
上記方法において、第１の圧力は１０Ｐａ以下であると好ましい。また、第１の圧力は、０．１Ｐａ以上であると好ましい。
【００１５】
また、上記各方法において、精製部を加熱して、精製部内の一部の温度を１５０℃以上５００℃以下にすると好ましい。
【００１６】
また、上記各方法において、精製部から気体を排出して、第１の圧力とすると好ましい。また、精製部に気体を供給して、第２の圧力とすると好ましい。
【００１７】
また、本発明の他の一態様は、物質を気化させて精製する精製部と、精製部に設けられた温度調整手段と、精製部の一方の端部に設けられ精製部内に気体を供給する機能を有する気体供給手段と、精製部の他方の端部に設けられ精製部内から気体を排出する機能を有する気体排出手段と、制御システムと、を有する精製装置であって、制御システムは、気体供給手段と、気体排出手段と、温度調整手段と、を制御する機能を有し、精製部内を第１の圧力となるよう、制御システムは気体排出手段を制御する機能を有し、精製部の温度を勾配するよう、制御システムは温度調整手段を制御する機能を有し、物質を精製した後、精製部内の圧力を第２の圧力となるよう、制御システムは気体供給手段を制御する機能を有し、精製部を冷却するよう、制御システムは温度調整手段を制御する機能を有し、第２の圧力は、第１の圧力より高く、第２の圧力は、大気圧以上である、精製装置である。
【００１８】
上記構成において、第１の圧力は、１０Ｐａ以下であると好ましい。また、第１の圧力は、０．１Ｐａ以上であると好ましい。
【００１９】
また、上記各構成において、精製部を加熱して、精製部内の一部の温度を１５０℃以上５００℃以下にすると好ましい。
【００２０】
また、上記各構成において、精製部から気体を排出して、第１の圧力とすると好ましい。また、精製部に気体を供給して、第２の圧力とすると好ましい。
【００２１】
また、上記各構成において、大気圧以上の圧力は、９．０×１０４Ｐａ以上１．５×１０５Ｐａ以下の圧力であると好ましい。
【００２２】
また、上記各構成において、精製装置に供給する気体は、不活性ガスを有すると好ましい。また、不活性ガスは、アルゴンまたは窒素を有すると好ましい。また、不活性ガスは、９９．９９９体積％以上の純度を有すると好ましい。
【００２３】
また、上記各構成において、精製装置は、精製部内に精製管を有し、精製管は、４ｍｍ以上の厚さ又は精製管の管外径に対して２％以上の厚さを有すると好ましい。また、精製管には、ガラスまたは石英を用いると好ましい。
【００２４】
また、本発明の他の一態様は、当該精製方法を用いた発光素子または半導体素子の製造方法である。また、本発明の他の一態様は、当該発光素子または半導体素子を有する表示装置の製造方法である。また、本発明の他の一態様は、当該表示装置を有する電子機器の製造方法である。また、本発明の他の一態様は、当該発光素子を有する照明装置の製造方法である。また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置の製造方法だけでなく、発光装置を有する電子機器の製造方法も範疇に含める。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光素子にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられた表示モジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられた表示モジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装された表示モジュールも発光装置を含む場合がある。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様により、新規な精製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な精製装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高い純度で物質を精製する新規な精製方法または精製装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高い収率で物質を精製する新規な精製方法または精製装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な精製方法または精製装置を用いた発光素子または半導体素子の製造方法を提供することができる。
【００２６】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一態様の精製装置を説明する模式図。
【図２】本発明の一態様の精製装置を説明する模式図。
【図３】本発明の一態様の精製方法を説明するフローチャート。
【図４】本発明の一態様に係る物質の状態変化を説明する模式図。
【図５】本発明の一態様に係る精製管を説明する模式図。
【図６】本発明の一態様に係る発光素子の断面模式図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体素子の断面模式図。
【図８】本発明の一態様に係る表示装置を説明する上面図及び断面模式図。
【図９】本発明の一態様に係る表示モジュールを説明する斜視図。
【図１０】本発明の一態様に係る発光装置を説明する斜視図及び断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されない。
【００２９】
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３０】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いており、工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００３１】
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。
【００３２】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３３】
また、本明細書等において蛍光性化合物とは、一重項励起状態から基底状態へ緩和する際に可視光領域に発光を与える化合物である。また、燐光性化合物とは、三重項励起状態から基底状態へ緩和する際に、常温において可視光領域に発光を与える化合物である。換言すると燐光性化合物とは、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な化合物の一つである。
【００３４】
また、本発明の一態様で精製する物質は、有機化合物に限定されず、気化して精製できるあらゆる物質を範疇に含む。また、本明細書等において、精製とは、物質の三態変化を利用するものとし、昇華精製の他、蒸留も範疇に含む。すなわち、常温、常圧で固体の物質が液体を経ずに直接その気体になる現象、及び逆に気体が液体を経ずに直接その固体になる現象を利用する精製の他、常温、常圧で固体の物質が液体を経て気体になる現象、及び逆に気体が液体を経て固体になる現象を利用する精製も含む。したがって、目的の物質は、固体として昇華または凝固するものだけでなく、液体として凝縮するものも含む。また、本明細書等において固体として昇華または凝固することを析出という場合がある。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の精製方法および精製装置について、以下説明する。
【００３６】
＜精製装置＞
図１は、本発明の一態様の精製装置１００を説明する模式図である。
【００３７】
本発明の一態様の精製装置１００は、試料を気化し、目的の物質を精製、回収するための精製部１１０と、試料を気化し、精製するための温度調整手段１２０と、を有する。また、精製装置１００は、精製部の一方の端部に近接して設けられる気体供給手段１５０と、精製部１１０の他方の端部に近接して設けられる気体排出手段１６０と、を有する。なお、本明細書等において試料とは、目的の物質、不純物、及び溶媒等が混在している材料のことを示す。
【００３８】
温度調整手段１２０は、精製部１１０に接して又は近接して設けられ、温度調整手段１２０は、精製部１１０に温度勾配を付ける機能を有する。具体的には、試料が気化する温度領域、目的の物質が析出、凝縮、または昇華する温度領域等、少なくとも目的の物質を単離、精製、回収できるように、温度調整手段１２０は精製部１１０に温度勾配を付ける機能を有する。該温度勾配は、精製部１１０の一方の端部の温度が高く、他方の端部の温度が低くなるようにしてもよく、精製部１１０の中央の温度が高く両端の温度が低くなるようにしてもよい。
【００３９】
精製部１１０中で気化した試料は、蒸気圧が低い方へ拡散する。蒸気圧は、一般に温度の上昇とともに増大する。したがって、気化した試料は温度勾配に従って、温度が低い方へ拡散する。すなわち、気化した試料は、精製部１１０中の圧力及び温度勾配に従って、液体または固体に状態変化する温度領域で、液体として凝縮または固体として昇華する。なお、試料が気化する温度領域が、精製部１１０における温度の最も高い領域である。
【００４０】
精製部１１０は、管状の形状が好ましく、精製部１１０には金属及びガラス等を用いることができる。
【００４１】
温度調整手段１２０としては、ヒータ、またはホットプレート等の加熱手段を用いればよく、少なくとも、試料を気化する領域の近傍に設ける構成が好ましい。なお、図１の精製装置１００では、温度調整手段１２０を精製部１１０に近接して１つ設ける場合の例を示したが、本発明の一態様はこれに限らず、温度調整手段１２０を２つ以上設ける場合であってもよい。温度調整手段１２０の設置場所や個数は、適宜変更可能である。また、精製部１１０にかけた温度勾配の状態を維持できるよう、例えば金属およびガラスウール等を用いたカバー等の保温手段により精製部１１０を囲ってもよい。
【００４２】
なお、精製部１１０の温度を調整する際に、試料が気化する温度、及び目的の物質が凝縮または昇華する温度等に合わせて、精製部１１０の温度勾配を設定することが好ましい。そうすることで、温度勾配を有する精製部１１０中で気化した不純物等を含む試料を、目的の物質と、不純物等（目的の物質と異なる凝縮または昇華する温度および重量を有する）と、に分離することができ、目的の物質の純度を高めることができる。試料が気化する温度領域としては、物質が気化する温度以上、且つ分解する温度未満の温度が好ましく、例えば、目的の物質に有機化合物を用いる場合、常温以上５００℃以下が好ましく、１５０℃以上５００℃以下がより好ましい。
【００４３】
気体供給手段１５０は、精製部１１０の一方の端部に近接して設けられ、精製部１１０内に気体を供給する機能を有し、気体排出手段１６０は、精製部１１０の他方の端部に近接して設けられ、精製部１１０中から気体を排出する機能を有する。気体供給手段１５０を用いて精製部１１０中に気体を供給することで、精製部１１０中の圧力を高めることができる。また、気体排出手段１６０を用いて精製部１１０中から気体を排出することで、精製部１１０中の圧力を低減させることができる。
【００４４】
試料の精製中に、気体供給手段１５０から精製部１１０中に気体をキャリアガスとして供給することで、気化した試料を円滑に精製部１１０中に拡散させることができ、効率よく目的の物質を凝縮または昇華させることができるため好ましい。また、このとき精製部１１０の気体供給手段１５０が近接する一方の端部近傍に、精製する試料を配置し、温度調整手段１２０によって当該領域の温度を高く、気体排出手段１６０が近接する他方の端部に向かって温度が低減するよう温度勾配を設けるとよい。
【００４５】
また、試料の精製は、減圧下で行うことが好ましく、具体的には精製部１１０中の圧力は１０Ｐａ以下が好ましい。精製部１１０中を減圧することで、試料が気化する温度を低下させることができ、目的の物質の熱分解を低減することができる。精製部１１０中の圧力は、精製装置が有する気体排出手段１６０と、気体供給手段１５０とで制御することができる。また、気体排出手段１６０は、精製部１１０との間にコックまたはバルブを有してもよい。当該コックまたはバルブにより、精製部１１０から排出する気体の流量を制御することができる。また、気体供給手段１５０は、精製部１１０との間にコックまたはバルブを有してもよい。当該コックまたはバルブにより、精製部１１０に供給する気体の流量および圧力を制御することができる。
【００４６】
気体供給手段１５０が精製部１１０中に供給する気体としては、目的の物質の酸化や分解等の反応を抑制するため、不活性ガスを用いることが好ましく、具体的には、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、及びキセノン等を用いることが好ましい。また、不活性ガスの純度は、９９．９９９体積％以上が好ましい。
【００４７】
また、気体排出手段１６０としては、真空ポンプを用いることができ、具体的には、ロータリーポンプ、ドライポンプ、拡散ポンプ、及びターボ分子ポンプ等であり、中でもドライポンプ及びターボ分子ポンプが好ましい。
【００４８】
次に、本発明の一態様の精製装置の詳細について、図２（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。なお、図２（Ａ）（Ｂ）において、図１に示す符号と同様の機能及び構成を有する箇所については、その詳細な説明は省略する場合がある。
【００４９】
図２（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の精製装置１００ａ及び精製装置１００ｂを説明する模式図である。
【００５０】
精製装置１００ａ及び精製装置１００ｂにおける精製部１１０は、精製管１８０ａ、精製管１８０ｂ、及び精製管１８０ｃを有する。精製管１８０ａは精製部１１０内部に試料２００を配置するための第１の精製管としての機能を有し、精製管１８０ｂは目的の物質２１０を回収するための第２の精製管としての機能を有する。精製部１１０内部に精製管を設けることで、試料の配置と目的の物質の回収が容易になるため好ましい。なお、精製部１１０中に配置する精製管の個数は、精製部１１０の形状や温度勾配等により適宜変更可能である。
【００５１】
精製管の構造としては、少なくとも気化した試料（目的の物質を含む）が通過できるよう中空であり、隣接する精製管との端部には開口が設けられていればよい。精製装置１００ａのように、管状の構造を有する精製管を用いても良く、精製装置１００ｂのように、精製管の端部が隣接する他の精製管の内部に遊嵌される構造を有する精製管を用いてもよい。
【００５２】
精製管としては、目的の物質との反応が少ない材料で、不純物の混入が少なく、精製の温度および減圧に耐える強度を有する材料を用いることが好ましく、具体的にはガラスまたは石英が好ましい。
【００５３】
また、本発明の一態様の精製装置は、図２（Ｂ）に示す精製装置１００ｂのように、気体排出手段１６０と精製部１１０との間に冷却トラップ２９０を設けても良い。冷却トラップ２９０を設けることにより、常温で固体として凝縮または昇華する物質が気体排出手段１６０まで到達することを防止することができる。また、精製部１１０中の圧力は圧力計２８０（真空計ともいう）を用いて測定すればよい。
【００５４】
＜精製方法＞
次に、本発明の一態様の精製方法について、以下説明する。
【００５５】
図３は、本発明の一態様の精製方法の主な処理を説明するフローチャートであり、図４（Ａ）（Ｂ））（Ｃ）は、本発明の一態様に係る物質の状態変化を説明する模式図（相図または状態図ともいう）である。
【００５６】
図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、気体と液体との境界線は蒸気圧曲線であり、気体と固体との境界線は昇華曲線であり、液体と固体との境界線が溶解曲線である。なお、図４（Ａ）においては、試料が固体から液体を経て気体へと蒸発し、目的の物質が精製部において液体として凝縮する場合の例を示し、図４（Ｂ）においては、試料が固体から液体を経て気体へと蒸発し、目的の物質が精製部において固体として析出（凝縮及び凝固、または昇華）する場合の例を示し、図４（Ｃ）においては、試料が固体から気体へと昇華し、目的の物質が精製部において固体として昇華する場合の例を示したが、本発明の一態様に係る物質としては、これらに限定されない。
【００５７】
第１のステップにおいて、精製装置が有する気体排出手段を制御し、内部に試料を配置した精製部内の圧力を低下させる（図３（Ｓ１）参照）。精製部内の圧力を低下させることにより、試料が気化する温度を低下させることができる。また、精製部内の酸素や水等を取り除くことで、目的の物質における酸化や分解などの反応を抑制することができる。
【００５８】
第２のステップにおいて、精製部内に気体を供給するか選択する（図３（Ｓ２）参照）。精製部内に気体を供給しない場合、精製部内の圧力は１０Ｐａ以下、好ましくは１×１０−２Ｐａ以下、より好ましくは１×１０−３Ｐａ以下である。精製部内の圧力を真空度の高い（すなわち圧力の低い）状態とすることで、試料が気化する温度を低下させることができるため、圧力が高い状態で熱分解しやすい物質の精製が可能となる。
【００５９】
また、精製部内に気体を供給する場合、第３のステップにおいて、気体供給手段を制御し、精製部内に気体を供給する（図３（Ｓ３）参照）。精製部内の圧力は０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下が好ましい。精製部内に気体をキャリアガスとして供給することで、気化した試料を円滑に精製部１１０中に拡散させることができ、効率よく目的の物質を凝縮または昇華させることができる。精製部内の圧力は、目的の物質の昇華温度または蒸発温度、及び分解温度を圧力毎に測定し、昇華温度または蒸発温度と、分解温度との温度差が大きい圧力となるよう選択すればよい。また、精製部内が当該圧力になるよう、気体供給手段及び気体排出手段を制御すればよい。
【００６０】
なお、図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）においては、精製部が常温（Ｔａ）且つ目的の圧力（Ｐａ）である状態を（Ｓ３）としている。
【００６１】
精製部が目的の圧力となった後、第４のステップにおいて、温度調整手段を制御し、精製部に温度勾配を設ける（図３（Ｓ４）参照）。試料を精製装置の一方の端部近傍に配置する場合、精製部の温度としては、試料を配置した領域近傍の温度が高く、精製装置の他方の端部に行くに従って温度が低くなるよう温度勾配を設けることが好ましい。
【００６２】
試料を配置する領域近傍の温度としては、試料が気化する温度以上、且つ分解する温度未満の温度（Ｔｂ）に設定する（図４（Ｓ４）参照）。また、精製部の温度勾配により、目的の物質が析出する温度（Ｔｃ）近傍において、目的の物質が精製部内に析出する（図４（Ｓ４）参照）。
【００６３】
第５のステップにおいて、精製が終了したか選択する（図３（Ｓ５）参照）。精製の終了は、精製部内に配置した試料が減少し、目的の物質が凝縮する領域において目的の物質の凝縮が増加しないタイミングを目安とする。なお、精製が終了するタイミングは、時間を決めて精製装置に設定しておいてもよい。
【００６４】
精製後、第６のステップ及び第７のステップにおいて、気体排出手段および気体供給手段を制御し、精製部内の圧力を増加させる（図３（Ｓ６）及び（Ｓ７）参照）。このとき、精製部の圧力としては、大気圧以上の圧力とすることが好ましい。精製部の温度を低減する前に、精製部内の圧力を大気圧以上とする点が、本発明の一態様の精製方法の特徴の一つである。これにより、精製後に液体または固体として析出した目的の物質が再び気化する現象を防止することができる。
【００６５】
ボイル・シャルルの法則より、体積が一定のとき、気体の温度と圧力は比例する。すなわち、精製部の体積は変化しないため、精製部内の圧力を意図的に変化させずに精製部の温度を低下させた場合であっても、精製部の温度が低下するとともに、精製部内の圧力が低下する。このとき、精製部内に液体または固体として析出した目的の物質が再び気化する場合がある。これは、図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）において、Ｔｃの温度且つＰａの圧力から、温度と圧力の双方が低下し、目的の物質が気体となる領域であるＴｃ’の温度且つＰａ’の圧力になる場合に生じる現象である。
【００６６】
本発明の一態様の精製方法においては、精製部の温度を低下させる前に、精製部内の圧力を大気圧以上にする（図４（Ｓ７）参照）。そのため、精製後に目的の物質が液体または固体から再び気化する現象を防止することができる。また、目的の物質が液体または固体から再び気化する場合、急激な体積変化を伴うため、目的の物質の飛散や、精製部の破損、特に精製部が有する精製管等が破損する場合がある。また、目的の物質の飛散や、精製部または精製管等の破損等が生じる場合、目的の物質に不純物等が混入し、目的の物質の純度が低下する場合や、目的の物質が散乱し回収量が低下する場合がある。なお、大気圧は１．０×１０５Ｐａ程度の圧力であるが、本発明の一態様では、大気圧または大気圧近傍以上の圧力であればよく、具体的には５．０×１０４Ｐａ以上２．０×１０５Ｐａ以下、好ましくは９．０×１０４Ｐａ以上１．５×１０５Ｐａ以下であればよい。
【００６７】
また、精製部にて精製された目的の物質が液体であるとき、精製部の下部に集合し塊となる。この塊の状態で、精製部の温度を冷却していくと、温度降下に伴い、精製された目的の物質の液体は凝固点を経て固体へと凝固する場合がある。さらに凝固点から降温することにより該固体の体積が体膨張係数に従って減少する。精製部の温度を低下させる前に精製部内の圧力を大気圧以上とせず、Ｐａの圧力からＰａ’の圧力を保ったまま精製部を降温した場合、凝固点と室温に温度差が大きい程、降温過程における固体の体積変化が大きくなる。そして、当該固体の体積変化に伴い、精製部の固体（目的の物質）が粉砕する場合がある。さらに、精製部の固体（目的の物質）の粉砕に伴い精製された目的の物質が飛散して、不純物等と混合してしまうことで、目的の物質の回収量の低下や純度の低下という問題が生じる。また、精製部に精製される固体（目的の物質）の量が増えると、固体の粉砕に伴って、精製管が破損する問題が生じる。精製部の破損の問題は、昇華精製装置が大きい程発生しやすくなり、例えば精製部１１０の外径が１００ｍｍ以上となると顕著に現れる。
【００６８】
一方、本発明の一態様の精製方法においては、冷却時に精製部内を大気圧以上の圧力とすることで上記のような精製部の破損を防止することができる。また、精製部の破損等に伴う純度の低下や、回収量の低下を抑制することができる。すなわち、本発明の一態様の精製方法により、精製部の破損を防止し、純度の高い目的の物質を、高い収率で得ることができる。
【００６９】
続いて、第８のステップにおいて、精製部内が大気圧以上の圧力であることを確認する処理を行う（図３（Ｓ８）参照）。また、精製部内が大気圧以上であるとき、第９のステップにおいて温度調整手段を制御し、精製部の温度を常温近傍まで低減させる（図３（Ｓ９）参照）。これにより、精製部内において精製された目的の物質を固体として回収することができる（図４（Ｓ９）参照）。
【００７０】
以上のように、本発明の一態様により、精製後における精製部の破損を防止し、純度の高い目的の物質を、高い収率で得る精製方法を提供することができる。
【００７１】
また、本発明の一態様は、上記精製方法だけでなく、気体供給手段と、気体排出手段と、温度調整手段と、を制御する機能を含む制御システムを有する精製装置も含むものとする。当該精製装置においては、図３で示したフローチャートと同様の処理を行うプログラムを制御システムが有すればよい。そうすることで、精製部の破損しにくい精製装置を提供することができる。また、純度の高い目的の物質を、高い収率で得る精製装置を提供することができる。
【００７２】
＜精製管＞
次に、本発明の一態様に係る精製管について、以下説明する。
【００７３】
本発明の一態様に係る精製管の構造としては、少なくとも気化した試料（目的の物質を含む）が通過できるよう中空であり、隣接する精製管との端部には開口が設けられていればよく、管状の構造であればよい。
【００７４】
図５（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本発明の一態様に係る精製管の一例を説明する模式図である。図５（Ａ）は、精製管の端部が隣接する他の精製管の内部に遊嵌されて配置される場合の例である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｌで表される部分の断面に相当する。また、図５（Ｃ）は、気化した試料の流路と垂直方向の断面に相当する。
【００７５】
図５に示す精製管は、両端部に開口を有し、精製管１８０ａの端部が、隣接する精製管１８０ｂの端部に遊嵌されるように配置される。なお、本発明の一態様に係る精製管において、他の精製管に遊嵌されない一方の端部は開口を有さなくてもよい。
【００７６】
図５（Ｃ）に示すように、精製管１８０ｂは、第１の端部２３２、中央部２２２、及び第２の端部２１２を有する。精製管１８０ａも同様に、第１の端部２３１、中央部２２１、及び第２の端部を有する。なお、図５（Ｃ）においては精製管１８０ａの第２の端部は省略し図示していない。図５（Ｃ）においては、少なくとも精製管１８０ａの第１の端部２３１を、精製管１８０ｂの第２の端部２１２の内部に挿入することで、精製管１８０ａと精製管１８０ｂとが遊嵌されるよう配置する。
【００７７】
図５（Ｃ）において、精製管１８０ｂの第１の端部２３２における管内径をｂ１とし管外径をｂ２とし、精製管１８０ｂの中央部２２２における管内径をｃ１とし管外径をｃ２とし、精製管１８０ｂの第２の端部２１２における管内径をｅ１とし管外径をｅ２とし、精製管１８０ａの第１の端部２３１における管内径をｄ１とし管外径をｄ２とする。なお、管内径ｂ１を有する断面と、管内径ｃ１を有する断面と、管内径ｅ１を有する断面は、配する際に簡便になる点で、同心円であると好ましい。
【００７８】
精製管１８０ｂにおいて、第１の端部２３２の厚さ（ｂ２−ｂ１）と、中央部２２２の厚さ（ｃ２−ｃ１）と、第２の端部２１２の厚さ（ｅ２−ｅ１）とは、精製管の強度を保つため、あるいは温度が不均一になることを防ぐため、同程度であることが好ましい。具体的には、精製管の厚さは、４ｍｍ以上の厚さ、または精製管中央部２２２の管外径に対して２％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上の厚さを有すると好ましい。なお、管外径ｃ２が８０ｍｍ以上の場合は、精製管の厚さは、４ｍｍ以上の厚さであることが好ましく、管外径ｃ２が１７０ｍｍ以上の場合は、精製管の厚さは、６ｍｍ以上の厚さであることが好ましい。また、精製管の厚さは、ｃ２−ｅ２以下であると好ましい。
【００７９】
また、精製管１８０ａと精製管１８０ｂとが、遊嵌されるよう配置するためには、精製管１８０ｂの第２の端部２１２における最端部の管内径（ｅ１）を、精製管１８０ａの第１の端部２３１における管外径（ｄ２）よりも大きいことが好ましい。すなわち、ｅ１＞ｄ２を満たすことが好ましく、より好ましくは、０．９９ｅ１≧ｄ２≧０．０１ｅ１であり、さらに好ましくは、０．９５ｅ１≧ｄ２≧０．８５ｅ１である。
【００８０】
また、精製管１８０ｂにおいて、第１の端部２３２及び第２の端部２１２の管外径は、中央部２２２の管内径より小さいことが好ましい。すなわち、ｃ１＞ｅ２＞ｂ２を満たすことが好ましく、より好ましくは、０．９５ｃ１≧ｅ２≧０．６５ｃ１であり、０．７５ｃ１≧ｂ２≧０．５５ｃ１である。
【００８１】
上記構造を有する精製管を遊嵌するよう配置することで、精製管の端部から析出した目的の物質が漏れることを防止することができる。
【００８２】
なお、精製管１８０ａの第１の端部２３１は、精製管１８０ｂの第２の端部２１２と重なる領域を有すれば良い。すなわち、精製管１８０ａと精製管１８０ｂとは遊嵌部において、間隙があってもよく、接してもよい。
【００８３】
なお、上記精製管の構造を有するためには、精製管の外径はある程度大きいことが好ましい。具体的には、精製管の中央部の管外径（ｃ２）は６０ｍｍ以上、好ましくは８０ｍｍ以上であればよい。
【００８４】
以上、本発明の一態様により、高い純度の物質を高い収率で精製することができる。また、本発明の一態様により、高い純度の物質を有する発光素子または半導体素子を提供することができる。また、本発明の一態様により、信頼性の高い発光素子または半導体素子を提供することができる。
【００８５】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００８６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した精製方法を用いた発光素子の製造方法、及びその構成例について、図６（Ａ）（Ｂ）を用いて以下に説明する。
【００８７】
まず、本発明の一態様の発光素子の構成例について、図６（Ａ）（Ｂ）を用いて、以下説明する。
【００８８】
＜発光素子の構成例１＞
図６（Ａ）は、本発明の一態様の発光素子４５０の断面模式図である。
【００８９】
発光素子４５０は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）を有し、該一対の電極間に設けられたＥＬ層４００を有する。ＥＬ層４００は、少なくとも発光層４３０を有する。
【００９０】
また、図６（Ａ）に示すＥＬ層４００は、発光層４３０の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１８、及び電子注入層４１９等の機能層を有する。
【００９１】
なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、電極４０１を陽極として、電極４０２を陰極として説明するが、発光素子４５０の構成としては、その限りではない。つまり、電極４０１を陰極とし、電極４０２を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層４１１と、正孔輸送層４１２と、発光層４３０と、電子輸送層４１８と、電子注入層４１９と、が積層する順番とすればよい。
【００９２】
なお、ＥＬ層４００の構成は、図６（Ａ）に示す構成に限定されず、発光層４３０の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１８、及び電子注入層４１９の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、ＥＬ層４００は、正孔または電子の注入障壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
【００９３】
図６（Ａ）における発光素子４５０は、ＥＬ層４００中のいずれかの層に、実施の形態１で説明した精製方法で精製された物質が用いられている発光素子である。
【００９４】
実施の形態１で説明した精製方法は、物質の純度を高めることができることから、当該物質を発光素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることが好ましい。したがって、本実施の形態の構成を用いることで、信頼性が良好な発光素子を提供することができる。
【００９５】
また、発光層４３０は、ゲスト材料４３１と、ホスト材料４３２と、を有する。
【００９６】
ゲスト材料４３１としては、発光性の有機材料を用いればよく、該発光性の有機材料としては、蛍光を発することができる化合物（蛍光性化合物）、または燐光を発することができる化合物（燐光性化合物）を用いることができる。
【００９７】
本発明の一態様の発光素子４５０においては、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞれＥＬ層４００に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって、励起子が形成される。キャリア（電子および正孔）の再結合によって生じる励起子のうち、一重項励起子と三重項励起子の比（以下、励起子生成確率）は、統計的確率により、１：３となる。そのため、蛍光性化合物を用いた発光素子において、発光に寄与する一重項励起子が生成する割合は２５％であり、発光に寄与しない三重項励起子が生成する割合は７５％となる。一方、燐光性化合物を用いた発光素子においは、一重項励起子及び三重項励起子の双方が発光に寄与することができる。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子より、燐光性化合物を用いた発光素子の方が、高い発光効率となるため好ましい。
【００９８】
なお、励起子はキャリア（電子および正孔）対のことである。励起子はエネルギーを有するため、励起子が生成した材料は励起状態となる。
【００９９】
ゲスト材料４３１に蛍光性化合物を用いるとき、ホスト材料４３２のＳ１準位は、ゲスト材料４３１のＳ１準位より高いことが好ましい。そうすることで、ホスト材料４３２が有する一重項励起エネルギーは、ホスト材料４３２のＳ１準位からゲスト材料４３１のＳ１準位へエネルギー移動することができる。その結果、ゲスト材料４３１が一重項励起状態となり、蛍光発光する。
【０１００】
また、ゲスト材料４３１に燐光性化合物を用いるとき、ホスト材料４３２のＴ１準位は、ゲスト材料４３１のＴ１準位より高いことが好ましい。そうすることで、ホスト材料４３２が有する一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーは、ホスト材料４３２のＳ１準位及びＴ１準位からゲスト材料４３１のＴ１準位へエネルギー移動することができる。その結果、ゲスト材料４３１が三重項励起状態となり、燐光発光する。
【０１０１】
ゲスト材料４３１の一重項励起状態から効率よく発光を得るためには、ゲスト材料４３１の蛍光量子収率は高いことが好適であり、具体的には、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上であればよい。
【０１０２】
発光層４３０を上述の構成とすることで、発光層４３０のゲスト材料４３１からの発光を効率よく得ることができる。
【０１０３】
＜発光素子の構成例２＞
次に、発光素子４５０の構成と異なる構成の発光素子、及び当該発光素子の発光機構について、図６（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。なお、図６（Ｂ）において、図６（Ａ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１０４】
図６（Ｂ）は、発光素子４５２の断面模式図である。
【０１０５】
図６（Ｂ）に示す発光素子４５２は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）の間に、複数の発光ユニット（図６（Ｂ）においては、発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８）を有する。つまり、図６（Ａ）で示した発光素子４５０は、１つの発光ユニットを有し、発光素子４５２は、複数の発光ユニットを有する構成である。なお、発光素子４５２において、電極４０１が陽極として機能し、電極４０２が陰極として機能するとして、以下説明するが、発光素子４５２の構成としては、逆であっても構わない。
【０１０６】
また、図６（Ｂ）に示す発光素子４５２において、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８とが積層されており、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８との間には電荷発生層４１５が設けられる。なお、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８は、同じ構成でも異なる構成でもよい。
【０１０７】
また、発光素子４５２は、発光層４２０と、発光層４４０と、を有する。また、発光ユニット４０６は、発光層４２０の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１３、及び電子注入層４１４を有する。また、発光ユニット４０８は、発光層４４０の他に、正孔注入層４１６、正孔輸送層４１７、電子輸送層４１８、及び電子注入層４１９を有する。また、発光層４２０及び発光層４４０には、先の発光素子４５０が有する発光層４３０と同様の構成を用いることができる。
【０１０８】
電荷発生層４１５は、正孔輸送性材料に電子受容体であるアクセプター性物質が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体であるドナー性物質が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１０９】
電荷発生層４１５に、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料が含まれる場合、該複合材料には後に説明する正孔注入層４１１に用いることができる複合材料を用いればよい。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物とアクセプター性物質の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層４１５に接している場合は、電荷発生層４１５が該発光ユニットの正孔注入層または正孔輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには正孔注入層または正孔輸送層を設けない構成であっても良い。あるいは、発光ユニットの陰極側の面が電荷発生層４１５に接している場合は、電荷発生層４１５が該発光ユニットの電子注入層または電子輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには電子注入層または電子輸送層を設けない構成であっても良い。
【０１１０】
なお、電荷発生層４１５は、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、透明導電膜を含む層とを組み合わせて形成してもよい。
【０１１１】
なお、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８とに挟まれる電荷発生層４１５は、電極４０１と電極４０２とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図６（Ｂ）において、電極４０１の電位の方が電極４０２の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層４１５は、発光ユニット４０６に電子を注入し、発光ユニット４０８に正孔を注入する。
【０１１２】
なお、電荷発生層４１５は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性（具体的には、電荷発生層４１５に対する可視光の透過率が４０％以上）を有することが好ましい。また、電荷発生層４１５は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）よりも低い導電率であっても機能する。
【０１１３】
上述した材料を用いて電荷発生層４１５を形成することにより、発光層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１１４】
また、図６（Ｂ）においては、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。発光素子４５２に示すように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な発光素子を実現できる。また、消費電力が低い発光素子を実現することができる。
【０１１５】
なお、複数のユニットのうち、少なくとも一つのユニットに、実施の形態１で示した本発明の一態様の精製方法で精製した物質を有する構成を適用することによって、信頼性の高い発光素子を提供することができる。
【０１１６】
なお、上記各構成において、発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８に用いるゲスト材料が呈する発光色としては、互いに同じであっても異なっていてもよい。発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８で互いに同じ色の発光を呈する機能を有するゲスト材料を有する場合、発光素子４５２は少ない電流値で高い発光輝度を呈する発光素子となり好ましい。また、発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８で互いに異なる色の発光を呈する機能を有するゲスト材料を有する場合、発光素子４５２は多色発光を呈する発光素子となり好ましい。この場合、発光層４２０及び発光層４４０のいずれか一方または双方に発光波長の異なる複数の発光材料を用いることによって、発光素子４５２が呈する発光スペクトルは異なる発光ピークを有する発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる。
【０１１７】
上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層４２０と発光層４４０との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。特に、演色性の高い白色発光、あるいは少なくとも赤色と緑色と青色とを有する発光、になるようゲスト材料を選択することが好適である。
【０１１８】
また、発光層４２０または発光層４４０の少なくとも一つを層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。すなわち、発光層４２０または発光層４４０の少なくとも一つが２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。この場合、第１の発光層と第２の発光層とが有する発光材料は、同じ材料あっても異なる材料であってもよく、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる色の発光を呈する機能を有する材料であってもよい。互いに異なる色の発光を呈する機能を有する複数の発光材料を有する構成により、三原色や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得ることもできる。
【０１１９】
＜材料＞
次に、本発明の一態様に係わる発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
【０１２０】
≪発光層≫
発光層４３０に用いることができる材料について、それぞれ以下に説明する。なお、発光層４２０及び発光層４４０についても、同様の材料および構成を用いることができる。
【０１２１】
発光層４３０中では、ホスト材料４３２が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料４３１は、ホスト材料４３２中に分散される。
【０１２２】
ゲスト材料４３１としては、特に限定はないが、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキサジン誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましく、例えば以下の材料を用いることができる。
【０１２３】
具体的には、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｔＢｕ−ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−３，８−ジシクロヘキシルピレン−１，６−ジアミン（略称：ｃｈ−１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、２，８−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，１１−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−ジフェニルテトラセン（略称：ＴＢＲｂ）、ナイルレッド、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、５，１０，１５，２０−テトラフェニルビスベンゾ［５，６］インデノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン、などが挙げられる。
【０１２４】
また、ホスト材料４３２の発光ピークが、ゲスト材料４３１の最も長波長側（低エネルギー側）の吸収帯と重なるように、ホスト材料４３２およびゲスト材料４３１とを選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。
【０１２５】
また、ゲスト材料４３１としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
【０１２６】
青色または緑色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。
【０１２７】
また、緑色または黄色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン��テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
【０１２８】
また、黄色または赤色に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
【０１２９】
なお、発光層４３０に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光性化合物の他に、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。したがって、燐光性化合物と記載した部分に関しては、熱活性化遅延蛍光性化合物と読み替えても構わない。熱活性化遅延蛍光性化合物は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーへ変換する機能を有する材料である。そのため、わずかな熱エネルギーによって三重項励起状態を一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈することができる。熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差が、好ましくは０ｅＶより大きく０．３ｅＶ以下、より好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
【０１３０】
熱活性化遅延蛍光性化合物が、一種類の材料から構成される場合、例えば以下の材料を用いることができる。
【０１３１】
まず、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ  ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ  ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ  ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ  ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ  Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
【０１３２】
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光性化合物としては、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。具体的には、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、またはトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため、好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが、好ましい。なお、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、及び９−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール骨格、が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起状態の準位と三重項励起状態の準位の差が小さくなるため、特に好ましい。
【０１３３】
また、熱活性化遅延蛍光を示す材料は、単独で逆項間交差により三重項励起状態から一重項励起状態を生成できる材料であっても良いし、励起錯体（エキサイプレックス、またはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する複数の材料から構成されても良い。
【０１３４】
ホスト材料４３２の発光ピークが、ゲスト材料４３１（燐光性化合物）の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ  ｔｏ  Ｌｉｇａｎｄ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように、ホスト材料４３２およびゲスト材料４３１（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光性化合物に替えて熱活性化遅延蛍光性化合物を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
【０１３５】
ホスト材料４３２としては、以下の正孔輸送性材料および電子輸送性材料を用いることができる。
【０１３６】
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
【０１３７】
これら正孔輸送性の高い材料として、例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１３８】
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１３９】
また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１４０】
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４乃至炭素数４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１４１】
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１４２】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１４３】
また、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−���ミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，６−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰｈＣｚＧＩ）、２，８−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−ジベンゾチオフェン（略称：Ｃｚ２ＤＢＴ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１４４】
電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい材料（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する亜鉛やアルミニウム系金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などが挙げられる。
【０１４５】
例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、９−［４−（４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＴＡＺ１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３−（３，９’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＣｚＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、ＰＣＣｚＰＴｚｎなどのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。上述した複素環化合物の中でも、ジアジン（ピリミジン、ピラジン、ピリダジン）骨格、またはピリジン骨格を有する複素環化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１４６】
なお、実施の形態１で説明した精製方法は、上記に挙げた物質のうち、芳香族アミン骨格またはπ電子過剰型複素芳香環骨格の少なくとも一つを有する物質に特に好適である。中でも、芳香族アミン骨格としてトリアリールアミン骨格を有すると好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環骨格としてピロール骨格を有すると好ましい。また、ピロール骨格としてカルバゾール骨格を有すると好ましい。
【０１４７】
ホスト材料４３２としては、励起錯体を形成できる２種類の化合物の組み合わせを用いてもよい。この場合、該励起錯体の発光ピークが、ゲスト材料４３１（燐光性化合物）の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ  ｔｏ  Ｌｉｇａｎｄ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように、ホスト材料４３２、およびゲスト材料４３１（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光性化合物に替えて熱活性化遅延蛍光性化合物を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
【０１４８】
なお、発光層４３０は２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層４３０とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
【０１４９】
また、発光層４３０において、ゲスト材料４３１、及びホスト材料４３２以外の材料を有していても良い。
【０１５０】
なお、発光層４３０は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有してもよい。
【０１５１】
なお、量子ドットとしては、コロイド状量子ドット、合金型量子ドット、コア・シェル型量子ドット、コア型量子ドット、などを用いてもよい。また、２族と１６族、１３族と１５族、１３族と１７族、１１族と１７族、または１４族と１５族の元素グループを含む量子ドットを用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドットを用いてもよい。
【０１５２】
ウェットプロセスに用いる液媒体としては、たとえば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることができる。
【０１５３】
≪正孔注入層≫
正孔注入層４１１は、一対の電極の一方（電極４０１または電極４０２）からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニンや金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体やフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェンやポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）などがその代表例である。
【０１５４】
正孔注入層４１１として、正孔輸送性材料と、これに対して電子受容性を示す材料の複合材料を有する層を用いることもできる。あるいは、電子受容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料間では定常状態、あるいは電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す材料としては、キノジメタン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物である。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１５５】
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、発光層４３０に用いることができる正孔輸送性材料として挙げた芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
【０１５６】
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層４１２は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層４１１の材料として例示した正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層４１２は正孔注入層４１１に注入された正孔を発光層４３０へ輸送する機能を有するため、正孔注入層４１１の最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ、ＨＯＭＯともいう）準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。
【０１５７】
また、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【０１５８】
≪電子輸送層≫
電子輸送層４１８は、電子注入層４１９を経て一対の電極の他方（電極４０１または電極４０２）から注入された電子を発光層４３０へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層４３０に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。また、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層４１８は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【０１５９】
また、電子輸送層４１８と発光層４３０との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１６０】
また、ｎ型の化合物半導体を用いても良く、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、ケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ４）のような酸化物、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化物、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）及び硫化亜鉛（ＺｎＳ）等も用いることができる。
【０１６１】
≪電子注入層≫
電子注入層４１９は電極４０２からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層４１９にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層４１９に、電子輸送層４１８で用いることが出来る物質を用いても良い。
【０１６２】
また、電子注入層４１９に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層４１８を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、ナトリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１６３】
なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
【０１６４】
≪一対の電極≫
電極４０１及び電極４０２は、発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。電極４０１及び電極４０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物や積層体などを用いて形成することができる。
【０１６５】
電極４０１または電極４０２の一方は、光を反射する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌを含む合金等が挙げられる。Ａｌを含む合金としては、ＡｌとＬ（Ｌは、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びランタン（Ｌａ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等が挙げられ、例えばＡｌとＴｉ、またはＡｌとＮｉとＬａを含む合金等である。アルミニウムは、抵抗値が低く、光の反射率が高い。また、アルミニウムは、地殻における存在量が多く、安価であるため、アルミニウムを用いることによる発光素子の作製コストを低減することができる。また、銀（Ａｇ）またはＡｇと、Ｎ（Ｎは、イットリウム（Ｙ）、Ｎｄ、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、Ａｌ、Ｔｉ、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、Ｎｉ、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、または金（Ａｕ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等を用いても良い。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金、銀とイッテルビウムを含む合金等が挙げられる。その他、タングステン、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅、チタンなどの遷移金属を用いることができる。
【０１６６】
また、発光層から得られる発光は、電極４０１及び電極４０２の一方または双方を通して取り出される。したがって、電極４０１または電極４０２の少なくとも一方は、光を透過する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の透過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。
【０１６７】
また、電極４０１及び電極４０２は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成されても良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。例えば、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、チタンを含有した酸化インジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの金属酸化物を用いることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ）の金属薄膜を用いることができる。金属としては、例えば、ＡｇまたはＡｇとＡｌ、ＡｇとＭｇ、ＡｇとＡｕ、ＡｇとＹｂなどの合金等を用いることができる。
【０１６８】
なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する材料は、可視光を透過する機能を有し、且つ導電性を有する材料であればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表される酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、または有機物を含む有機導電体を含む。有機物を含む有機導電体としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料等が挙げられる。また、グラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。また、当該材料の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
【０１６９】
また、上記の材料の複数を積層することによって電極４０１及び電極４０２の一方または双方を形成してもよい。
【０１７０】
また、光取り出し効率を向上させるため、光を透過する機能を有する電極と接して、該電極より屈折率の高い材料を形成してもよい。このような材料としては、可視光を透過する機能を有する材料であればよく、導電性を有する材料であっても有さない材料であってもよい。例えば、上記のような酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、有機物が挙げられる。有機物としては、例えば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電子注入層に例示した材料が挙げられる。また、無機炭素系材料や光が透過する程度の薄膜の金属も用いることができる。これらの屈折率の高い材料を、数ｎｍ乃至数十ｎｍの層を複数積層させてもよい。
【０１７１】
電極４０１または電極４０２が陰極としての機能を有する場合には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を有することが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、ナトリウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、ＡｇとＭｇ、ＡｌとＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、Ｙｂ等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀を含む合金等を用いることができる。
【０１７２】
また、電極４０１または電極４０２を陽極として用いる場合、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。
【０１７３】
また、電極４０１及び電極４０２は、光を反射する機能を有する導電性材料と、光を透過する機能を有する導電性材料との積層としてもよい。その場合、電極４０１及び電極４０２は、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長の光を強めることができるように、光学距離を調整する機能を有することができるため好ましい。
【０１７４】
電極４０１及び電極４０２の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、塗布法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。
【０１７５】
≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光素子は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極４０１側から順に積層しても、電極４０２側から順に積層しても良い。
【０１７６】
なお、本発明の一態様に係る発光素子を形成できる基板としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光素子、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
【０１７７】
例えば、本発明等においては、様々な基板を用いて発光素子を形成することが出来る。基板の種類は、特に限定されない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含むセルロースナノファイバ（ＣＮＦ）や紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
【０１７８】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子を形成してもよい。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素子を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光素子を転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【０１７９】
つまり、ある基板を用いて発光素子を形成し、その後、別の基板に発光素子を転置し、別の基板上に発光素子を配置してもよい。発光素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光素子、耐熱性の高い発光素子、軽量化された発光素子、または薄型化された発光素子とすることができる。
【０１８０】
また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと電気的に接続された電極上に発光素子４５０を作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発光素子４５０の駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
【０１８１】
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の精製方法で精製された物質を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタ（静電誘導トランジスタ：ＳＩＴ）の活性層として用いる形態を例示する。
【０１８３】
素子の構造としては、図７に示すように、薄膜状の活性層３３０をソース電極３０１およびドレイン電極３０２で挟み、ゲート電極３０３が活性層３３０に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極３０３は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極３０１およびドレイン電極３０２は、ソース電極−ドレイン電極間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。なお、ソース電極とドレイン電極とは、互いに機能を入れ替えても良い。
【０１８４】
このような素子構造において、ゲート電極３０３に電圧を印加しない状態においてソース電極−ドレイン電極間に電圧を印加すると、電流が流れる（ＯＮ状態となる）。そして、その状態でゲート電極３０３に電圧を印加するとゲート電極３０３周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなる（ＯＦＦ状態となる）。以上の機構により、有機半導体素子３００はトランジスタとして動作する。
【０１８５】
縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、純度の高い物質が活性層に求められるが、実施の形態１に記載の精製方法により、その条件を十分に満たす物質を提供することができる。
【０１８６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図８（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
【０１８８】
図８（Ａ）は表示装置６００を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ、及び一点鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面図である。表示装置６００は、駆動回路部（信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光素子の発光を制御する機能を有する。
【０１８９】
また、表示装置６００は、素子基板６１０と、封止基板６０４と、シール材６０５と、シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有する。
【０１９０】
なお、引き回し配線６０８は、信号線駆動回路部６０１及び走査線駆動回路部６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）が取り付けられていても良い。
【０１９１】
また、信号線駆動回路部６０１は、Ｎチャネル型のトランジスタ６２３とＰチャネル型のトランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回路部６０１または走査線駆動回路部６０３は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を形成したドライバと画素とを同一の表面上に設けた表示装置を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１９２】
また、画素部６０２は、スイッチング用のトランジスタ６１１と、電流制御用のトランジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されている。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
【０１９３】
また、被覆性を良好にするため、隔壁６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
【０１９４】
なお、トランジスタ（トランジスタ６１１、６１２、６２３、６２４）の構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの極性についても特に限定はなく、Ｎチャネル型およびＰチャネル型のトランジスタを有する構造、及びＮチャネル型のトランジスタまたはＰチャネル型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、錫（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはネオジム（Ｎｄ）を表す）等が挙げられる。
【０１９５】
下部電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および上部電極６１７がそれぞれ形成されている。なお、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能する。
【０１９６】
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（インクジェット法ともいう）、スピンコート法等の塗布法、グラビア印刷法等の種々の方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
【０１９７】
なお、下部電極６１３、ＥＬ層６１６、及び上部電極６１７により、発光素子６１８が形成される。発光素子６１８は、実施の形態２の構成を有する発光素子であると好ましい。
【０１９８】
また、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いることができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥剤を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
【０１９９】
また、発光素子６１８と互いに重なるように、光学素子６２１が封止基板６０４の下方に設けられる。また、封止基板６０４の下方には、遮光層６２２が設けられる。光学素子６２１として、例えば、着色層（カラーフィルタ）、偏光板、反射防止膜等を設けることで、表示装置６００の色純度やコントラスト比を高めること、及び外光反射を低減することができる。また、遮光層６２２として、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることで、外光の反射を抑制し、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐことができる。
【０２００】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２０１】
以上のようにして、実施の形態２に記載の発光素子を有する表示装置を得ることができる。
【０２０２】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態や本実施の形態中の他の構成と適宜組み合わせることが可能である。
【０２０３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示モジュールについて、図９を用いて説明を行う。
【０２０４】
図９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示装置８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
【０２０５】
本発明の一態様の発光素子は、例えば、表示装置８００６に用いることができる。
【０２０６】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示装置８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２０７】
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示装置８００６に重ねて用いることができる。また、表示装置８００６の対向基板（封止基板）に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示装置８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
【０２０８】
フレーム８００９は、表示装置８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２０９】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２１０】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０２１１】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２１２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。
【０２１３】
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図１０（Ａ）に、図１０（Ａ）に示す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図１０（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図１０（Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
【０２１４】
図１０（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
【０２１５】
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方または双方から射出される。図１０（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
【０２１６】
また、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構造である。二重封止構造とすることで、発光素子３００５側に入り込む外部の不純物（例えば、水、酸素など）を、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封止領域３００７のみの構成としてもよい。
【０２１７】
なお、図１０（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例えば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
【０２１８】
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態に記載の基板と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形態に記載の発光素子と同様の構成とすればよい。
【０２１９】
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラスリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されてもよい。
【０２２０】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
【０２２１】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レーザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。また、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
【０２２２】
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
【０２２３】
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
【０２２４】
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
【０２２５】
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
【０２２６】
また、図１０（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３００７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域には、第１の領域３０１１が形成される。また、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００７に囲まれた領域には、第２の領域３０１３が形成される。
【０２２７】
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス等の不活性ガスが充填されていると好ましい。あるいは、アクリルやエポキシ等の樹脂が充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
【０２２８】
また、図１０（Ｂ）に示す構成の変形例を図１０（Ｃ）に示す。図１０（Ｃ）は、発光装置３０００の変形例を示す断面図である。
【０２２９】
図１０（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける構成である。それ以外の構成については、図１０（Ｂ）に示す構成と同じである。
【０２３０】
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着によって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用いることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
【０２３１】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例】
【０２３２】
本実施例では、本発明の一態様の精製方法を用いて有機化合物の精製を行った例について説明する。
【０２３３】
本実施例で用いた精製装置の構成は図２（Ｂ）を、精製管の構成は図５を、それぞれ参酌すればよい。また、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、本実施例で用いた精製装置の精製部の管外径は１００ｍｍであり、精製管の中央部の管外径は８０ｍｍ、厚さは４ｍｍである。
【０２３４】
【化１】
2017189766.tif 000003
【０２３５】
＜化合物の精製例１＞
２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を含む黄色固体３０ｇを試料として用いた。当該試料を入れたボートを精製装置の精製部に配置し、気体排気手段としてターボ分子ポンプを用いて精製部内を減圧した。また、精製部内に供給する気体としてはアルゴンを用いた。精製の条件としては、精製部内の圧力が３．４Ｐａになるよう、アルゴンを流速１５ｍＬ／ｍｉｎで精製部内に供給し、温度調整手段を用いて試料を３８０℃まで昇温し、同温度で１１時間加熱した。精製部内に、精製された２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑが液体として凝縮し、ボート中に試料がほとんど無いことを目視で確認した後、気体排出装置のバルブを閉じ、精製部内にアルゴンを供給することで、精製部内の圧力を大気圧（約１．０×１０５Ｐａ）としてから、ターボ分子ポンプを停止した。その後、精製部を放冷することで、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑが凝固し、精製された２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑを２０ｇ、回収率６７％で得た。２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑの固体は、精製部の冷却後も粉砕及び飛散することなく精製管内から回収された。
【０２３６】
＜化合物の精製例２＞
Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）を含む固体３５．３ｇを試料として用いた。当該試料を入れたボートを精製装置の精製部に配置し、気体排気手段としてターボ分子ポンプを用いて精製部内を減圧した。また、精製部内に供給する気体としてはアルゴンを用いた。精製の条件としては、精製部内の圧力が３．４Ｐａになるよう、アルゴンを流速１５ｍＬ／ｍｉｎで精製部内に供給し、温度調整手段を用いて試料を２０分かけて１２５℃まで昇温し、同温度で３０分保持した後、４０分かけて２４０℃まで昇温し、同温度で３０分保持し、次いで２時間かけて２７０℃まで昇温し、同温度で３０分保持し、さらに３０分かけて３４５℃まで昇温し、同温度で１１時間加熱した。精製部内に、精製されたＰＣＢＢｉＦが液体として凝縮し、ボート中に試料がほとんど無いことを目視で確認した後、１時間かけて２８０℃まで降温した後、気体排出装置のバルブを閉じ、精製部内にアルゴンを供給することで、精製部内の圧力を大気圧（約１．０×１０５Ｐａ）としてから、ターボ分子ポンプを停止した。その後、精製部を放冷することで、ＰＣＢＢｉＦが凝固し、精製されたＰＣＢＢｉＦの固体を２６．７ｇ、回収率７６％で得た。ＰＣＢＢｉＦの固体は、精製部の冷却後も粉砕及び飛散することなく精製管内から回収された。
【０２３７】
また、回収した２６．７ｇのＰＣＢＢｉＦをＬＣ／ＭＳ分析によって純度測定を行ったところ、純度は９９．９％であり、高い純度を有することが確認された。また、０．１％の不純物としては、ＰＣＢＢｉＦからメチル基が外れたと予想される物質が検出された。なお、純度測定に用いたＬＣ／ＭＳ分析は、ＬＣ（液体クロマトグラフィー）分離をウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ  ＵＰＬＣにより、ＭＳ分析（質量分析）をウォーターズ社製Ｘｅｖｏ  Ｇ２  Ｔｏｆ  ＭＳにより行った。ＬＣ分離で用いたカラムはＡｃｑｕｉｔｙ  ＵＰＬＣ  ＢＥＨ  Ｃ８  （２．１×１００ｍｍ  １．７μｍ）を用いた。
【０２３８】
＜化合物の精製例３＞
上記精製例２の比較として、精製後に精製部の圧力を大気圧とすることなく精製部を冷却する精製例を示す。
【０２３９】
精製例２と同様に、ＰＣＢＢｉＦを含む固体３５．２ｇを試料として用いた。当該試料を入れたボートを精製装置の精製部に配置し、気体排気手段としてターボ分子ポンプを用いて精製部内を減圧した。また、精製部内に供給する気体としてはアルゴンを用いた。精製の条件としては、精製部内の圧力が３．４Ｐａになるよう、アルゴンを流速１５ｍＬ／ｍｉｎで精製部内に供給し、温度調整手段を用いて試料を２０分かけて１２５℃まで昇温し、同温度で３０分保持した後、４０分かけて２４０℃まで昇温し、同温度で３０分保持し、次いで２時間かけて２７０℃まで昇温し、同温度で３０分保持し、さらに３０分かけて３４５℃まで昇温し、同温度で１１時間加熱した。精製部内に、精製されたＰＣＢＢｉＦが液体として凝縮し、ボート中に試料がほとんど無いことを目視で確認した後、１時間かけて２８０℃まで降温した後、精製部内の圧力を精製中の圧力に保持したまま精製部を放冷することで、ＰＣＢＢｉＦが凝固し、精製されたＰＣＢＢｉＦの固体を２３．６ｇ、回収率６７％で得た。なお、精製部の冷却中に、精製されたＰＣＢＢｉＦが粉砕し、精製部内に飛散する現象が生じた。飛散したＰＣＢＢｉＦの固体は２．５ｇであった。
【０２４０】
以上の結果より、本発明の一態様の精製方法を用いることで、目的の物質が粉砕および飛散することなく精製できることが示された。また、目的の物質を高い純度、且つ高い回収率で得ることができることが示された。
【符号の説明】
【０２４１】
１００    精製装置
１００ａ    精製装置
１００ｂ    精製装置
１１０    精製部
１２０    温度調整手段
１５０    気体供給手段
１６０    気体排出手段
１８０ａ    精製管
１８０ｂ    精製管
１８０ｃ    精製管
２００    試料
２１０    物質
２１２    端部
２２１    中央部
２２２    中央部
２３１    端部
２３２    端部
２８０    圧力計
２９０    冷却トラップ
３００    有機半導体素子
３０１    ソース電極
３０２    ドレイン電極
３０３    ゲート電極
３３０    活性層
４００    ＥＬ層
４０１    電極
４０２    電極
４０６    発光ユニット
４０８    発光ユニット
４１１    正孔注入層
４１２    正孔輸送層
４１３    電子輸送層
４１４    電子注入層
４１５    電荷発生層
４１６    正孔注入層
４１７    正孔輸送層
４１８    電子輸送層
４１９    電子注入層
４２０    発光層
４３０    発光層
４３１    ゲスト材料
４３２    ホスト材料
４４０    発光層
４５０    発光素子
４５２    発光素子
６００    表示装置
６０１    信号線駆動回路部
６０２    画素部
６０３    走査線駆動回路部
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    領域
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ
６１０    素子基板
６１１    トランジスタ
６１２    トランジスタ
６１３    下部電極
６１４    隔壁
６１６    ＥＬ層
６１７    上部電極
６１８    発光素子
６２１    光学素子
６２２    遮光層
６２３    トランジスタ
６２４    トランジスタ
３０００    発光装置
３００１    基板
３００３    基板
３００５    発光素子
３００７    封止領域
３００９    封止領域
３０１１    領域
３０１３    領域
３０１８    乾燥剤
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチセンサ
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示装置
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
【図１】
2017189766.tif 000004
【図２】
2017189766.tif 000005
【図３】
2017189766.tif 000006
【図４】
2017189766.tif 000007
【図５】
2017189766.tif 000008
【図６】
2017189766.tif 000009
【図７】
2017189766.tif 000010
【図８】
2017189766.tif 000011
【図９】
2017189766.tif 000012
【図１０】
2017189766.tif 000013