(57)【要約】      （修正有）【課題】チップ積層型パッケージにおいて全体を樹脂で封止した構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】主面１ａを有する基板１を備え、主面１ａ上には第一の樹脂２ａを介して配置した第一の半導体チップ３ａと、基板１の主面１ａ上に第一の樹脂２ａを介し、かつ、第一の半導体チップ３ａと隣接して配置した第二の半導体チップ３ｂを備える。第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂ上部には第三の半導体チップ３ｃを備える。第一の半導体チップ３ａと第三の半導体チップ３ｃとが対向する領域、第二の半導体チップ３ｂと第三の半導体チップ３ｃとが対向する領域及び第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂとが対向する領域には第一の樹脂２ａとは異なる第二の樹脂２ｂを有する。第一、第二及び第三の半導体チップ３ａ、３ｂ、３ｃは第一及び第二の樹脂２ａ、２ｂとは異なる第三の樹脂２ｃで封止される。【選択図】図２
2017059767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
前記基板の前記主面上に第一の樹脂を介して配置した第一の半導体チップと、
前記基板の前記主面上に前記第一の樹脂を介し、かつ、前記第一の半導体チップと隣接
して配置した第二の半導体チップと、
前記第一の半導体チップ及び前記第二の半導体チップの上部に配置した第三の半導体チ
ップと、
前記第一の半導体チップと前記第三の半導体チップとが対向する領域、前記第二の半導
体チップと前記第三の半導体チップとが対向する領域及び前記第一の半導体チップと前記
第二の半導体チップとが対向する領域に位置する前記第一の樹脂とは異なる第二の樹脂と
、
前記第一、第二及び第三の半導体チップを封止する、前記第一及び第二の樹脂とは異な
る第三の樹脂と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第二の樹脂はＦＯＷ用ＤＡＦであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置
。
【請求項３】
前記第二の樹脂は、前記第一の樹脂より厚いことを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置。
【請求項４】
前記第二の樹脂は、前記第一の樹脂よりも粘度が低いことを特徴とする請求項1乃至３
のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一及び第二の半導体チップは前記基板とワイヤによって電気的に接続され、前記
第一の半導体チップと前記第三の半導体チップとの間において前記ワイヤが前記第二の樹
脂で覆われていることを特徴とする請求項1乃至４のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項６】
主面を有する基板と、
前記基板の前記主面上に第一の樹脂を介して配置した第一の半導体チップと、
前記基板の前記主面上に前記第一の樹脂を介し、かつ、前記第一の半導体チップと隣接
して配置した第二の半導体チップと、
前記第一の半導体チップ及び前記第二の半導体チップの上部に配置した第三の半導体チ
ップと、
前記第一、第二及び第三の半導体チップを封止する第二の樹脂と、
前記第一の半導体チップと前記第三の半導体チップとが対向する領域、前記第二の半導
体チップと前記第三の半導体チップとが対向する領域及び前記第一の半導体チップと第二
の半導体チップとが対向する領域に位置する前記第一の樹脂と、
を備えた半導体装置。
【請求項７】
前記第一の樹脂はＦＯＷ用ＤＡＦであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置
。
【請求項８】
第一の半導体チップを、第一の樹脂を介して基板の主面上に接着する工程と、
第二の半導体チップを、前記第一の樹脂を介し、かつ、前記第一の半導体チップと隙間
を介して前記主面上に接着する工程と、
前記第一及び第二の半導体チップと前記基板と電気的に接続する工程と、
前記第一及び第二の半導体チップの上面に、前記隙間を跨ぐように第三の半導体チップ
を前記第一の樹脂とは異なる第二の樹脂を介して接着し、前記隙間を前記第二の樹脂で埋
める工程と、
前記第三の半導体チップと前記基板とを電気的に接続する工程と、
前記第一、第二及び第三の半導体チップを前記第一及び第二の樹脂とは異なる第三の樹
脂により封止する工程と、
前記基板の裏面に外部端子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第二の樹脂は、前記第一の樹脂よりも粘度が低いことを特徴とする請求項８に記載
の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンなどのモバイル端末に搭載される半導体装置は、一般的にＢＧＡ（Ｂａ
ｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージと呼ばれ、パッケージサイズに制約があり、特
に高さを抑える必要がある。そのため、パッケージ内で複数のチップを横に並べた半導体
装置が提供されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００２／１０３７９３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、チップ積層型パッケージにおいて全体を樹脂で封止
した構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を達成するために、実施形態の半導体装置は、主面を有する基板を備える。前
記主面上には第一の樹脂を介して配置した第一の半導体チップと、前記基板の前記主面上
に前記第一の樹脂を介し、かつ、前記第一の半導体チップと隣接して配置した第二の半導
体チップを備える。前記第一の半導体チップ及び前記第二の半導体チップ上部には第三の
半導体チップを備える。前記第一の半導体チップと前記第三の半導体チップとが対向する
領域、前記第二の半導体チップと前記第三の半導体チップとが対向する領域及び前記第一
の半導体チップと前記第二の半導体チップとが対向する領域には前記第一の樹脂とは異な
る第二の樹脂を有する。前記第一、第二及び第三の半導体チップは前記第一及び第二の樹
脂とは異なる第三の樹脂で封止される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な立体図。
【図２】第１の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な断面図。
【図３】第１の実施形態による半導体装置の製造方法の第１段階を工程順に示す模式的な断面図。
【図４】第１の実施形態による半導体装置の製造方法の第２段階を工程順に示す模式的な断面図。
【図５】第２の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な立体図。
【図６】第２の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な断面図。
【図７】第２の実施形態による半導体装置の製造方法の第１段階を工程順に示す模式的な断面図。
【図８】第２の実施形態による半導体装置の製造方法の第２段階を工程順に示す模式的な断面図。
【図９】その他の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な断面図。
【図１０】その他の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な平面図。
【図１１】その他の実施形態による半導体装置の構成を示す模式的な断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第一の実施形態）
以下、実施形態の半導体装置について図１〜図４を参照して説明する。尚、以下の図面
の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号で表している。但し、
図面は厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なり、模式的な
ものである。
【０００８】
図１、図２はチップ積層型の構造を有するＢＧＡパッケージの内部構成を示すもので、
図１は模式的な立体図を示しており、この図１中Ａ１−Ａ２線で示す部分の断面図を図２
に示している。
【０００９】
図２に示す通り、本実施形態にかかる半導体装置は、基板１を有する。基板１の主面１
ａ上には第一の半導体チップ３ａが位置する。第一の半導体チップ３ａと主面１ａとの間
には第一の樹脂２ａを有する。主面１ａ上には第二の半導体チップ３ｂが、第一の半導体
チップ３ａと領域Ｇを有して位置する。つまり、領域Ｇとは、第一の半導体チップと第二
の半導体チップとが対向する領域を意味する。第二の半導体チップ３ｂと主面１ａとの間
には第一の樹脂２ａを有する。領域Ｇには第二の樹脂２ｂが位置する。第一の半導体チッ
プ３ａ、第二の樹脂２ｂを有する領域Ｇ及び第二の半導体チップ３ｂの上部には、第三の
半導体チップ３ｃが第二の樹脂２ｂを介して位置する。主面１ａ上には各半導体チップ３
ａ、３ｂ、３ｃを封止する封止樹脂２ｃを有する。主面１ａの反対の面である裏面１ｂに
は複数の半田ボール４を有する。第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂは
金等のボンディングワイヤ５によって基板主面１ａ上のコンタクト部と電気的に接続され
る。第三の半導体チップ３ｃも同様である（図示していない）。
【００１０】
本実施形態において、基板１は、インターポーザー基板として、たとえば絶縁樹脂基板
の表面や内部に配線網（図示せず）を設けたものであり、具体的にはガラス繊維を含んだ
エポキシ樹脂（ガラスエポキシ樹脂）のような絶縁樹脂を使用したプリント配線板（多層
プリント基板等）が適用される。
【００１１】
主面１ａ上には複数の半導体チップが搭載される。搭載された半導体チップ３ａ、３ｂ
、３ｃの具体例としては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭのようなメモリチップ
及びコントローラーが挙げられるが、これらに限られるものではない。半導体装置に搭載
されるチップの数は、たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが１、２、または４個、Ｄ
ＲＡＭが１〜４個、コントローラーが1個である。図１は３つの半導体チップで構成され
ているが、半導体チップ数がこれに限定されるものではない。チップは３個以上であれば
良く、具体的な半導体チップの積層数は半導体装置の用途や性能等に応じて適宜に設定さ
れるものである。
【００１２】
各半導体チップ３ａ、３ｂ、３ｃの外形はたとえば矩形である。本実施形態において、
第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂの大きさは、第三の半導体チップ３ｃ
と比較しても小さく、２つ合わせて第三の半導体チップ３ｃほどの大きさであり、かつ第
三の半導体チップ３ｃが第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂに跨って位
置する。ただし、半導体チップの大きさはこれに限ったものではない。
【００１３】
各半導体チップ３ａ、３ｂ、３ｃには基板１とボンディングワイヤ５を介して電気的に
接続するパッド部（図示せず）を有し、前記パッド部分は各半導体チップ３ａ、３ｂ、３
ｃの一辺または二辺に存在する。半導体チップのパッド部分は基板の主面１ａ上のコンタ
クト部とボンディングワイヤ５によって電気的に接続される。
【００１４】
第一の樹脂２ａはたとえばＤＡＦ（Ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈ  ｆｉｌｍ）などのフィルム
を使用する。ＤＡＦは通常チップ間や基板とチップとの接着に用いられ、厚さは１０〜２
５μｍである。
【００１５】
第二の樹脂２ｂはたとえばＦＯＷ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  ｗｉｒｅ）用ＤＡＦのようなフィ
ルムを使用する。ＦＯＷ用ＤＡＦはＦＯＷ技術等に用いられるＤＡＦである。ＦＯＷはチ
ップを直上に積層するための技術であり、チップ間に位置するボンディングワイヤ５がフ
ィルムで埋め込まれた構造を有する。ボンディングワイヤ５の形状を保つため第一の樹脂
２ａで用いるＤＡＦと比較しても粘度が低く、熱で容易に軟化し、やわらかいという特徴
を持つ。厚さは第一の樹脂２ａと比較して厚く、本実施形態におけるＦＯＷ用ＤＡＦの厚
さは５０〜７０μｍである。
【００１６】
封止樹脂２ｃはエポキシ樹脂等の絶縁樹脂がたとえばモールド成形されている。
【００１７】
半田ボール４は裏面１ｂに等間隔を有して複数個存在し、外部端子として機能する。こ
のようにして実施形態の半導体装置が構成されている。
【００１８】
次に半導体装置の製造方法について図３と図４を用いて説明する。
【００１９】
図３（ａ）に示すように、図示しない配線及びコンタクト部が形成された基板１を用意
する。各コンタクト部は基板主面１ａの端に複数存在する。この主面１ａ上のコンタクト
部を避けるように、第一の半導体チップ３ａを配置して、第一の樹脂２ａによって接着す
る。
【００２０】
本実施形態においては、第一の半導体チップ３ａに第一の樹脂２ａを貼着又は塗布した
状態で第一の半導体チップ３ａを主面１ａ上に配置する。ただし、たとえば主面１ａ側に
第一の樹脂２ａを貼付しておいても良い。第一の半導体チップ３ａと同様に第二の半導体
チップ３ｂを主面１ａ上に配置する。この時、本実施形態では第二の半導体チップ３ｂは
第一の半導体チップ３ａとの隙間である領域Ｇを介して配置される。
【００２１】
次に、第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂそれぞれのパッド部と主面
１ａ上のコンタクト部との間を、金等のボンディングワイヤ５で電気的に接続する。ボン
ディングワイヤ５の本数は、たとえば、ＤＲＡＭで１１０本程度、コントローラーで８０
本程度、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリで３０本程度である。これは半導体装置の用途や性
能等に応じて適宜に設定されるものである。
【００２２】
次に、図３（ｂ）に示すように、第三の半導体チップ３ｃを、第一の半導体チップ３ａ
と第二の半導体チップ３ｂの上部に上記２つの半導体チップに跨がり、かつ、前記ボンデ
ィングワイヤ５を避けるように配置して、第二の樹脂２ｂによって接着する。つまり、第
一の半導体チップ３ａ、第二の半導体チップ３ｂ及び領域Ｇの上部には第二の樹脂２ｂが
位置する。本実施形態においては第三の半導体チップ３ｃの裏面に第二の樹脂２ｂを貼着
または塗布した状態で第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂ上に第三の半
導体チップ３ｃを配置する。ただし、たとえば第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チ
ップ３ｂ上に第二の樹脂２ｂを貼付しておいても良い。
【００２３】
たとえば、ダイシングテープとウェーハとの間に第一の樹脂２ａまたは第二の樹脂２ｂ
をはさみ、その後ウェーハをダイシングし、得たチップの裏面にあるダイシングテープを
除去することで、樹脂が裏面に貼付されたチップを得ることができる。樹脂は各半導体チ
ップ３ａ、３ｂ、３ｃの裏面に貼付され、主面１ａと半導体チップ、または半導体チップ
同士が接着することになる。
【００２４】
次に図４（ｃ）に示すように、裏面に第二の樹脂２ｂが貼着または塗布された第三の半
導体チップ３ｃの上部から１００〜１５０度の熱をかけて押圧し、第一の半導体チップ３
ａと第二の半導体チップ３ｂとの間の領域Ｇを第二の樹脂２ｂによって埋める。第二の樹
脂２ｂは１００〜１５０度の熱で軟化し、押圧することで容易に隙間である領域Ｇに入り
込める。あらかじめ、第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂの上部に第二の
樹脂２ｂを貼付した場合も同様に、第三の半導体チップ３ｃを上から熱押圧することで、
チップ上部の第二の樹脂２ｂが容易に隙間である領域Ｇに入り込む。実際には、第二の樹
脂２ｂは押圧によってチップからはみ出て広がるものと考えられる。第一の半導体チップ
３ａ及び第二の半導体チップ３ｂが対向する面と反対の側面は、少なくとも一部が第二の
樹脂２ｂで覆われる。また、はみ出した第二の樹脂２ｂの一部は除去することも可能であ
る。ボンディングワイヤ５は第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂとの接
続部及びボンディングワイヤ５の一部が第二の樹脂２ｂで覆われる。第二の樹脂２ｂは熱
により軟化するが、冷却により再び固化する。
【００２５】
熱押圧後においても、第一の樹脂２ａの厚さは１０〜２５μｍ、第二の樹脂２ｂの厚さ
は４８〜６８μｍ程度で、第二の樹脂２ｂは第一の樹脂２ａよりも厚い。つまり、押圧に
よって、第二の樹脂２ｂの厚さは１〜２μｍ程度減少するのみである。
【００２６】
次に、第三の半導体チップ３ｃと主面１ａとをボンディングワイヤ（図示せず）によっ
て電気的に接続する。
【００２７】
次に、前工程までの半導体装置をモールド金型（図示せず）に装着し、図４（ｄ）に示
すように、主面１ａ上の各半導体チップ３ａ、３ｂ、３ｃを一括して絶縁性の封止樹脂２
ｃで封止する。
【００２８】
最後に基板裏面１ｂの電極パッド部分に外部端子としての半田ボール４を接着し、図１
及び図２に示す通り、本実施形態にかかる半導体装置が得られる。
【００２９】
通常第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂ間の領域Ｇには樹脂の充填が
難しくなるが、本実施形態の構成によれば、容易に領域Ｇを埋めることができる。領域Ｇ
をほぼ完全に埋めることで製品が吸湿した場合に水分が集まるところが無くなり、その結
果、リフロー時の熱で水分が気化することによって生じる配線の断線を防ぐことができる
。
【００３０】
本実施形態の製造方法によれば、第三の半導体チップ３ｃにあらかじめ第二の樹脂２ｂ
を貼着または塗布し、一度樹脂を軟化させることで領域Ｇを埋めるため、全てのチップを
接着した後に生じた領域Ｇに樹脂を充填する方法と比較して、容易に樹脂の充填を行うこ
とが可能であると考えられる。さらに、チップの接着と領域Ｇの充填を同時に行うため、
工程数も削減される。また、樹脂が領域Ｇの上部から下部へと侵入するため、下部から上
部へと侵入するような充填方法と比較してもチップへの小さい押圧で領域Ｇを埋めること
が可能となる。
【００３１】
（第二の実施形態）
次に、第二の実施形態にかかる半導体装置の構成について図５〜図８を用いて説明する
。図５と図６は第二の実施形態におけるチップ積層型の構造を有するＢＧＡパッケージの
内部構成を示すもので、図５は模式的な立体図を示しており、この図５中Ａ１−Ａ２線で
示す部分の断面図を図６に示している。
【００３２】
第二の実施形態にかかる半導体装置は図５及び図６に示すように、第一の樹脂２ａと第
二の樹脂２ｂの粘度が同じである点が第一の実施形態とは異なる。第一の樹脂２ａ及び第
二の樹脂２ｂは、たとえばＦＯＷ技術時に用いられるＤＡＦのような、粘度が低く、熱で
容易に軟化する厚さが５０〜７０μｍ程度と厚いものを使用する。
【００３３】
次に半導体装置の製造方法について図７〜図８を用いて説明する。
【００３４】
第一の実施形態と同様に、図示しない配線及びコンタクトが形成された基板１の主面１
ａ上に第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂを配置する。第一の半導体チ
ップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂは、たとえば、あらかじめチップ裏面に第一の樹脂
２ａを貼着または塗布したものである。図７（ａ）において、第一の半導体チップ３ａと
第二の半導体チップ３ｂとの間には領域Ｇを有する。
【００３５】
次に、第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂそれぞれのパッド部と主面
１ａ上のコンタクト部との間を、金等のボンディングワイヤ５で電気的に接続する。
【００３６】
次に、図７（ｂ）に示すように、あらかじめその裏面に第二の樹脂２ｂを貼着または塗
布した第三の半導体チップ３ｃを第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂの
上部に跨がり、かつ、前記ボンディングワイヤ５を避けるように配置する。つまり、第一
の半導体チップ３ａ、第二の半導体チップ３ｂ及び領域Ｇの上部には第二の樹脂２ｂが位
置する。
【００３７】
次に、図８（ｃ）に示すように、第三の半導体チップ３ｃを上部から１００〜１５０度
の熱をかけて押圧する。本実施形態において第一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂは同一な
粘度が低いフィルムであるため、第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂとの
間の隙間である領域Ｇが第一の樹脂２ａと第二の樹脂２ｂの両方によって埋まる。つまり
、第一の樹脂２ａは領域Ｇの下側から、第二の樹脂２ｂは領域Ｇの上側から侵入する。第
一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂは熱可塑性の樹脂であるので熱で軟化し、さらに粘度が
低いため押圧することで容易に隙間である領域Ｇに入り込める。本実施形態において、第
一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂは上部からの押圧により、第一及び第二の半導体チップ
３ａ、３ｂの側面よりもはみ出し、端部が広がった構造になる。第一及び第二の半導体チ
ップ３ａ、３ｂの側面は第一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂで少なくとも一部が覆われる
。
【００３８】
次に、第三の半導体チップ３ｃと主面１ａとをボンディングワイヤ（図示せず）によっ
て電気的に接続する。
【００３９】
次に、前工程までの半導体装置をモールド金型（図示せず）に装着し、図８（ｄ）に示
すように、主面１ａ上の各半導体チップ３ａ、３ｂ、３ｃを一括して絶縁性の封止樹脂２
ｃで封止する。
【００４０】
最後に主面１ａの反対の面である裏面１ｂの電極パッド部分に外部端子としての半田ボ
ール４を接着し、図５及び図６に示す通り、本実施形態にかかる半導体装置が得られる。
【００４１】
本実施形態の構成によれば、第一の実施形態同様に、半導体チップ間にできた隙間であ
る領域Ｇを容易に埋めることができ、半導体装置の信頼性を向上させるものである。
【００４２】
本実施形態の製造方法によれば、第一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂは共に低粘性の樹
脂であり、第三の半導体チップ３ｃ上部を押圧した際に、第一の樹脂２ａと第二の樹脂２
ｂが第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂとの間の領域Ｇにそれぞれ主面１
ａ側と第三の半導体チップ３ｃ底面側の両方向から入り込み、領域Ｇを埋める。樹脂を一
方向から充填する第一の実施形態と比較して、小さい押圧で領域Ｇを充填することができ
る。また、第一の樹脂２ａ及び第二の樹脂２ｂを同じ樹脂にすることで製造が簡易となる
。
【００４３】
図５〜図８では、第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂとの間の隙間であ
る領域Ｇに上部と下部の両方向から樹脂が充填する様をわかり易く示すため、第一の樹脂
２ａと第二の樹脂２ｂを分けて記載しているが、樹脂は必ずしも第一の樹脂２ａ及び第二
の樹脂２ｂの両方が充填する必要はなく、どちらか一方の樹脂で領域Ｇが充填されていて
も良い。
【００４４】
（その他の実施形態）
上記実施形態の変形例について説明する。
【００４５】
第一の半導体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂを主面１ａ上に配置する際に、図１
〜図８では主面１ａと水平に半導体チップを配置したが、図９に示すように第一の半導体
チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂの互いに向かい合った側面が、第一の半導体チッ
プ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂの他の側面よりも下部に傾いて配置することも可能で
ある。つまり、第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂと主面１ａとの距離
は一定ではなく、基板の中央では基板の外側よりも半導体チップと主面１ａとの距離が短
い。そうすることで第二の樹脂２ｂが、隙間である領域Ｇに入り込み易くなる。ただし、
このように第一の半導体チップ３aと第二の半導体チップ３ｂとを傾けて配置するには、
第一の樹脂２ａは、チップを傾けて配置できる程度の厚さと粘度を持った、たとえばＦＯ
Ｗ技術用ＤＡＦのようなフィルムを用いる。本実施形態のＦＯＷ用ＤＡＦは５０〜７０μ
ｍ程度の厚さである。
【００４６】
図１０は別の実施形態にかかる半導体装置の主面１ａ、第一の半導体チップ３ａ、第二
の半導体チップ３ｂ、第三の半導体チップ３ｃを上面からみた平面図である。第一の半導
体チップ３ａと第二の半導体チップ３ｂとの位置関係をわかりやすくするため、チップの
みを図示している。
【００４７】
図１〜図８ではチップ間の領域Ｇの距離が、第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体
チップ３ｂの対向する側面方向において一定であるが、図１０に示すように必ずしも一定
でなく側面方向に変化しても良い。さらにチップの側面の一部が接触するような場合も可
能である。つまり、第一の半導体チップ３ａ及び第二の半導体チップ３ｂの側面を上面か
ら見ると、図１０のようなＶ字形を取ることも可能である。そうすることで、矩形ではな
い半導体チップにも対応できる。
【００４８】
上記全ての実施形態において、３つの半導体チップによる構成の半導体装置を示したが
、チップの数は４個以上でも良く、その場合、図１１（ａ）（ｂ）に示すように第四の半
導体チップ３ｄが第一の樹脂２ａまたは第二の樹脂２ｂによって第三の半導体チップ３ｃ
上に積層され、第三の半導体チップ３ｃと第四の半導体チップ３ｄ同士がボンディングワ
イヤによって接続される（図示せず）。図１１（ａ）及び（ｂ）では、第四の半導体チッ
プ３ｄは、ＤＡＦのような１０〜２５μｍ程度の厚さの薄いフィルムを用いている。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したもの
であり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他
の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省
略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要
旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
【符号の説明】
【００４９】
１    基板  １ａ  基板主面  １ｂ  基板裏面
２ａ  第一の樹脂  ２ｂ  第二の樹脂  ２ｃ  封止樹脂
３ａ  第一の半導体チップ  ３ｂ  第二の半導体チップ  ３ｃ  第三の半導体チップ
３ｄ  第四の半導体チップ
４    半田ボール
５    ボンディングワイヤ
【図１】
2017059767.tif 000003
【図２】
2017059767.tif 000004
【図３】
2017059767.tif 000005
【図４】
2017059767.tif 000006
【図５】
2017059767.tif 000007
【図６】
2017059767.tif 000008
【図７】
2017059767.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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