(57)【要約】      （修正有）【課題】静電耐圧を向上させることが可能な表示体デバイスおよび表示装置を提供する。【解決手段】表示体デバイス１０Ｅは、配線基板３０と、配線基板３０に配置された発光素子１２および駆動用ＩＣ１３と、最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、発光素子１２および駆動用ＩＣ１３のグラウンドと同電位を有する配線３６とを備える。【選択図】図１
2017161634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に配置された機能素子と、
最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、前記機能素子のグラウンドと同電位を有する第１配線と
を備えた表示体デバイス。
【請求項２】
前記配線基板は対向する第１面および第２面を有し、
前記機能素子は前記第１面側に、前記第１配線は前記第２面側にそれぞれ設けられている、請求項１に記載の表示体デバイス。
【請求項３】
前記第１配線は、前記配線基板の周縁部に連続して設けられている、請求項１に記載の表示体デバイス。
【請求項４】
前記配線基板の端面は絶縁膜によって被覆されている、請求項２に記載の表示体デバイス。
【請求項５】
前記絶縁膜の膜厚は、前記第１面側から前記第１配線までの経路における絶縁耐力（Ａ）と、前記第１面側から前記配線基板の前記第１面と前記第２面との間に設けられた第２配線までの経路における絶縁耐力（Ｂ）において、Ａ＜Ｂの関係が成り立つ、請求項４に記載の表示体デバイス。
【請求項６】
前記絶縁膜は遮光性を有する、請求項４に記載の表示体デバイス。
【請求項７】
前記絶縁膜は、遮光性を有する第１絶縁膜と絶縁性を有する第２絶縁膜との積層膜である、請求項４に記載の表示体デバイス。
【請求項８】
前記絶縁膜は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、ブタジエンスチレンゴム、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ブチルゴム、ポリアミド、ポリエステル、ポリ四フッ化エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ニポキシ樹脂、ポリ三フッ化塩化エチレン、塩化ビニリデン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリイミドのうちのいずれか１種または２種以上によって形成されている、請求項４に記載の表示体デバイス。
【請求項９】
前記配線基板は、
コア基板と、前記コア基板の両面にそれぞれ１層以上形成されると共に、層間の電気的な接続がビアでなされたビルドアップ層とを有し、
前記第１配線は、前記ビルドアップ層に形成されている、請求項１に記載の表示体デバイス。
【請求項１０】
前記機能素子は、発光素子および前記発光素子の発光を制御する駆動ＩＣである、請求項１に記載の表示体デバイス。
【請求項１１】
前記配線基板は、前記発光素子および前記駆動ＩＣを含む表面を被覆する樹脂層を有する、請求項１０に記載の表示体デバイス。
【請求項１２】
１または複数の表示体デバイスと、１または複数の前記表示体デバイスを制御する制御回路とを有し、
前記表示体デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板に配置された機能素子と、
最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、前記機能素子のグラウンドと同電位を有する第１配線と
を備えた表示装置。
【請求項１３】
前記複数の表示体デバイスは、支持部材によって支持されている、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記支持部材は金属板である、請求項１３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えばタイリングディスプレイ等を構成する表示体デバイスおよびこれを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
目地のないタイリングディスプレイの実現を目的として作製された映像デバイス（表示体デバイス）は、その端部近傍まで素子が配置されている。このため、静電気に対して非常に弱いという特徴がある。また、このような表示体デバイスの側面部には、メッキや検査のための配線が露出している場合もあり、その露出している配線から印加される静電気によって素子が破壊されやすいという課題もある。
【０００３】
これに対して、例えば特許文献１では、搭載された複数のチップの外側に、接地パターンと電気的に接続された周辺パターンが基板の上面および下面に設けられた回路基板が開示されている。この回路基板では、上面に設けられた周辺パターンは一部が露出しており、発生した静電気は上面の周辺パターンから下面の周辺パターンを介して装置へ逃がすことによってチップの静電破壊を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１４４３０号公報
【特許文献２】特開２００２−３２４９５４号公報
【特許文献３】特開平２−１７４２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、チップよりも外側に電極（周辺パターン）を設ける必要があるため、端部近傍まで素子が配置されたタイリングディスプレイ用の表示体デバイスへの応用には適さなかった。この他、例えば特許文献２や特許文献３では、ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）対策として、何らかの手段によって周辺電極とデバイスとを互いに遮蔽する構造が開示されているが、これらの技術は視認性の観点から表示体デバイスへの応用は難しかった。また、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）対策として考えた場合には、印加された静電気を確実にグラウンド（ＧＮＤ）線へ導くことは難しかった。このように、デバイスの静電耐圧を向上させる方法はあるものの、目地のないタイリングディスプレイを構成する、端部近傍まで素子が配置された表示体デバイスに適した方法とはいえなかった。
【０００６】
静電耐圧を向上させることが可能な表示体デバイスおよび表示装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態の表示体デバイスは、配線基板と、配線基板に配置された機能素子と、最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、機能素子のグラウンドと同電位を有する第１配線とを備えたものである。
【０００８】
本開示の一実施形態の表示装置は、１または複数の上記表示体デバイスと、１または複数の表示体デバイスを制御する制御回路とを有するものである。
【０００９】
本開示の一実施形態の表示体デバイスおよび一実施形態の表示装置では、機能素子が配置された配線基板の最も外側に、少なくとも一部が露出されると共に、機能素子のグラウンドと同電位を有する配線（第１配線）を設ける。これにより、表示体デバイスに印加される静電気を、グラウンドと同電位を有する第１配線に選択的に流すことが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一実施形態の表示体デバイスおよび一実施形態の表示装置によれば、機能素子が配置された配線基板の最も外側に、少なくとも一部が露出されると共に、機能素子のグラウンドと同電位を有する配線（第１配線）を設けるようにした。これにより、表示体デバイスに印加される静電気は選択的に第１配線に流れるようになり、機能素子に流れることなくグラウンドに流される。よって、静電耐圧が向上した表示体デバイスおよびこれを備えた表示装置を提供することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示体デバイスの一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示体デバイスの全体を表す平面模式図である。
【図３】図１に示した表示体デバイスを備えた表示装置の構成を表す斜視図である。
【図４】図３に示した実装基板の構成を表す斜視図である。
【図５】図４に示したユニット基板の構成を表す斜視図である。
【図６】図１に示した表示体デバイスの回路構成の一例を表す図である。
【図７】図６に示した発光素子の平面構成の一例を表す図である。
【図８】図６に示した駆動ＩＣの平面構成の一例を表す図である。
【図９】静電気の放電位置を説明する模式図である。
【図１０】本開示の表示体デバイス（Ａ）および一般的な表示体デバイス（Ｂ）における絶縁膜の厚みとＥＳＤ耐性との関係を表す特性図である。
【図１１】本開示の一実施の形態に係る表示体デバイスの他の例を表す断面図である。
【図１２Ａ】図１に示した表示体デバイスの製造方法の一例を表す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く工程の一例を表す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂに続く工程の一例を表す図である。
【図１３Ａ】図１２Ｃに続く工程の一例を表す図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程の一例を表す図である。
【図１４Ａ】本開示の変形例に係る表示体デバイスの一例を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに示した表示体デバイスの全体を表す平面模式図である。
【図１４Ｃ】本開示の変形例に係る表示体デバイスの他の例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示を一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（グラウンドと同電位の配線を裏面側に設けた例）
１−１．表示装置の構成
１−２．表示体デバイスの構成
１−３．表示体デバイスの製造方法
１−４．作用・効果
２．変形例（グラウンドと同電位の配線を表示面側に設けた例）
【００１３】
＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示体デバイス（表示体デバイス１０Ｅ）の断面構成を表したものであり、図２は、図１に示した表示体デバイス１０Ｅの平面の全体構成を模式的に表したものである。なお、図１は、図２におけるＩ−Ｉ矢視線における断面を表したものである。この表示体デバイス１０Ｅは、例えば、いわゆるタイリングディスプレイ等の表示装置（表示装置１；図３参照）を構成するセルとして用いられるものである。本実施の形態の表示体デバイス１０Ｅは、例えば図１に示したように、表面および裏面に複数の配線が多層的に設けられた多層配線基板（配線基板３０）の最も外側に、一部が露出されると共に、グラウンドと同電位を有する配線３６（第１配線）が配置された構成を有する。
【００１４】
（１−１．表示装置の構成）
図３は、本開示の表示体デバイス１０Ｅを用いた表示装置１の全体構成を表したものである。表示装置１は、例えば、図３に示したように、表示パネル１０と、表示パネル１０（具体的には、表示体デバイス１０Ｅ）を制御する制御回路２０とを備えている。
【００１５】
表示パネル１０は、実装基板１０Ａと、対向基板１０Ｂとを互いに重ね合わせたものである。対向基板１０Ｂの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。対向基板１０Ｂは、例えば、所定の間隙を介して、実装基板１０Ａと対向する位置に配置されている。なお、対向基板１０Ｂが、実装基板１０Ａの上面に接していてもよい。対向基板１０Ｂは、例えば、可視光を透過する光透過性の基板を有しており、例えば、ガラス基板、透明樹脂基板、または透明樹脂フィルム等を有している。
【００１６】
図４は、実装基板１０Ａの構成の一例を表したものである。実装基板１０Ａは、例えば、図４に示したように、タイル状に配置された複数のユニット基板１０Ｃで構成されている。図５は、ユニット基板１０Ｃの構成の一例を表したものである。ユニット基板１０Ｃは、例えば、タイル状に配置された複数の表示体デバイス１０Ｅと、各表示体デバイス１０Ｅを支持する支持基板１０Ｄとを有している。各ユニット基板１０Ｃは、さらに、制御基板（図示せず）を有している。制御基板は、例えば、後述する各電極パッド３４を介して、各表示体デバイス１０Ｅと電気的に接続されている。支持基板１０Ｄは、例えば、金属フレーム（金属板）、もしくは、配線基板等で構成されている。支持基板１０Ｄが配線基板で構成されている場合には、制御基板を兼ねることも可能である。このとき、支持基板１０Ｄおよび制御基板の少なくとも一方が、各電極パッド３４を介して、各表示体デバイス１０Ｅ（または後述の配線基板３０）と電気的に接続されている。
【００１７】
（１−２．表示体デバイスの構成）
表示体デバイス１０Ｅは、表面および裏面に複数の層にわたって複数の配線が設けられた配線基板３０と、配線基板３０の表面（上面）に接して形成された微細Ｌ／Ｓ層４０と、微細Ｌ／Ｓ層４０の上面に、例えば図２に示したように行列状に配置された複数の画素１１とを有している。各画素１１は、発光素子１２と、発光素子１２を駆動する駆動ＩＣ１３とを含んでいる。発光素子１２および駆動ＩＣ１３は、本開示の機能素子の一具体例に相当する。配線基板３０は、さらに、例えば各画素１１を含む表面を被覆する封止層４４と、封止層４４に接して形成された遮光層４５と、配線基板３０の裏面に接して形成された絶縁層５０と、表示体デバイス１０Ｅの端面（側面）を被覆する絶縁膜６０とを有している。
【００１８】
配線基板３０は、例えば、層間の電気的な接続がビアでなされた積層基板である。配線基板３０の上面には、上記のように、例えば、発光素子１２および駆動ＩＣ１３を含む画素１１が設けられている。配線基板３０の裏面には、外部端子としての複数の電極パッド３４が設けられている。電極パッド３４は、例えば、後述するデータ線ＳｉｇＲ１、データ線ＳｉｇＧ１、データ線ＳｉｇＢ１、ゲート線Ｇａｔｅ１、ゲート線Ｇａｔｅ２、電源線ＶＤＤ１、参照電圧線Ｒｅｆ１、参照電圧線Ｒｅｆ２およびのこぎり電圧線Ｓａｗごとに１つ以上設けられている。電極パッド３４は、配線基板３０の裏面に接して形成された絶縁層５０の配線３５上に設けられた開口５０Ａによって、例えば、配線３５の一部が露出されたものである。
【００１９】
配線基板３０は、微細Ｌ／Ｓ層４０内で引き回された複数の配線１６と、複数の電極パッド３４とを電気的に接続する複数の貫通配線を有している。各貫通配線は、配線基板３０を厚み方向に貫通する配線である。ある貫通配線は、ある層内で列方向に延在する配線層と、配線基板３０内の一部の層を貫通する複数のビアとを含んで、例えばデータ線Ｓｉｇを形成している。
【００２０】
本実施の形態では、配線基板３０の裏面に、データ線Ｓｉｇ等を形成する貫通配線および電極パッド３４よりも外側、例えば配線基板３０の概端部（周縁部）に配線３６（第１配線）が設けられている。この配線３６は、ある貫通配線を介して配線１６と電気的に接続されており、さらに、例えば発光素子１２や駆動ＩＣ１３のグラウンドと同電位を有する。配線３６は、例えば配線３５と同じ層に形成されており、少なくとも一部は絶縁層５０に設けられた開口５０Ｃによって露出している。配線３６は、図２に示したように、表示体デバイス１０Ｅの概端部に連続して設けられていることが好ましい。また、配線３６を露出させる開口５０Ｃも配線３６上に連続して形成されていることが好ましい。特に、開口５０Ｃは、図１および図２に示したように、表示体デバイス１０Ｅの最外端を含んで開口していることが好ましい。即ち、配線３６は、表示体デバイス１０Ｅの外端部において、全周にわたって露出していることが好ましい。
【００２１】
図６は、表示体デバイス１０Ｅにおける回路構成の一例を表したものである。表示体デバイス１０Ｅは、表示領域と対向する領域に、列方向に延在する複数の信号線（データ線Ｓｉｇ）と、行方向に延在する複数の選択線（ゲート線Ｇａｔｅ）とを有している。データ線Ｓｉｇおよびゲート線Ｇａｔｅは、例えば、銅によって形成されている。
【００２２】
表示体デバイス１０Ｅは、さらに、表示領域と対向する領域に、例えば、複数ののこぎり電圧線Ｓａｗと、複数の電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２と、複数の参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２と、複数のグラウンド線ＧＮＤとを有している。各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、行方向に延在している。各電源線ＶＤＤ１、各電源線ＶＤＤ２、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、それぞれ、例えば、列方向に延在している。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤの少なくとも１つについては、駆動方式によっては省略され得る。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤは、例えば、銅によって形成されている。なお、以下では、データ線Ｓｉｇ、電源線ＶＤＤ１、電源線ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１、参照電圧線Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤの総称として、列配線を用いる。また、以下では、ゲート線Ｇａｔｅおよびのこぎり電圧線Ｓａｗの総称として、行配線を用いる。
【００２３】
各データ線Ｓｉｇは、映像信号に応じた信号が制御回路２０によって入力される配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光素子１２の発光輝度を制御するものである。複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、発光素子１２の発光色数に対応した種類の配線からなる。発光素子１２が、例えば３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光色を有する場合には、複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む。各データ線ＳｉｇＲは、赤色の映像信号に応じた信号が制御回路２０によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＧは、緑色の映像信号に応じた信号が制御回路２０によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＢは、青色の映像信号に応じた信号が制御回路２０によって入力される配線である。
【００２４】
発光素子１２の発光色は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に限られず、４色以上（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）であってもよい。複数のデータ線Ｓｉｇが、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む場合には、１つのデータ線ＳｉｇＲ、１つのデータ線ＳｉｇＧおよび１つのデータ線ＳｉｇＢからなる一組のデータ線Ｓｉｇが、例えば、１画素列ごとに割り当てられる。駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、複数画素列ごとに割り当てられる。また、駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、単一のデータ線Ｓｉｇに置き換えられ得る。
【００２５】
各ゲート線Ｇａｔｅは、発光素子１２を選択する信号が制御回路２０によって入力される配線である。発光素子１２を選択する信号は、例えば、データ線Ｓｉｇに入力された信号のサンプリングを開始するとともに、サンプリングされた信号を発光素子１２に入力させ、発光素子１２の発光を開始させる信号である。１つのゲート線Ｇａｔｅが、例えば、１画素行ごとに割り当てられる。各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、のこぎり状の波形を有する信号が制御回路２０によって入力される配線である。のこぎり状の波形を有する信号は、サンプリングされた信号と対比され、例えば、のこぎり状の波形を有する信号の波高値が、サンプリングされた信号の波高値よりも高くなっている期間だけ、サンプリングされた信号が発光素子１２に入力される。１つののこぎり電圧線Ｓａｗが、例えば、２画素行ごとに割り当てられる。各電源線ＶＤＤ２は、発光素子１２に対して供給される駆動電流が制御回路２０によって入力される配線である。１つの電源線ＶＤＤ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。各電源線ＶＤＤ１、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、固定の電圧が制御回路２０によって入力される配線である。各グラウンド線ＧＮＤには、グラウンド電位が入力される。１つの電源線ＶＤＤ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。１つの参照電圧線Ｒｅｆ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つの参照電圧線Ｒｅｆ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つのグラウンド線ＧＮＤが、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。
【００２６】
図７は、発光素子１２の平面構成の一例を表したものである。図７において四角で囲まれた記号は、その記号に隣接する端子が後述の図８に記載の同一の記号に隣接する端子に電気的に接続されることを示している。発光素子１２は、複数色の光を発するチップ状部品である。発光素子１２の発光色が３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である場合、発光素子１２は、例えば、赤色光を発する発光素子１２Ｒ、緑色光を発する発光素子１２Ｇおよび青色光を発する発光素子１２Ｂを含んでいる。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、樹脂等からなる保護体１２ｉによって被覆されている。
【００２７】
発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ＬＥＤチップである。ここで、ＬＥＤチップは、マイクロメータオーダーのチップサイズとなっており、例えば、数１０μｍ角となっている。ＬＥＤチップは、例えば、導電型の互いに異なる半導体層で活性層を挟み込んだ積層構造を含む半導体層と、この半導体層の共通の面（同一面）に配置された２つの電極とを有している。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、互いに別々のチップとなっていてもよいし、互いに共通の単一のチップとなっていてもよい。
【００２８】
発光素子１２は、例えば、６つの電極パッド１２ａ〜１２ｆを有している。発光素子１２Ｇにおいて、一方の電極は、電極パッド１２ａおよび配線１６を介して駆動ＩＣ１３の電極パッド１３ｍと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド１２ｂおよび配線１６を介してグラウンド線ＧＮＤと電気的に接続されている。発光素子１２Ｒにおいて、一方の電極は、電極パッド１２ｃおよび配線１６を介して駆動ＩＣ１３の電極パッド１３ｏと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド１２ｄおよび配線１６を介してグラウンド線ＧＮＤと電気的に接続されている。発光素子１２Ｂにおいて、一方の電極は、電極パッド１２ｅおよび配線１６を介して駆動ＩＣ１３の電極パッド１３ｐと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド１２ｆおよび配線１６を介してグラウンド線ＧＮＤと電気的に接続されている。
【００２９】
配線１６は、例えば、画素１１と、データ線Ｓｉｇ、ゲート線Ｇａｔｅ、電源線ＶＤＤ１、電源線ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１、参照電圧線Ｒｅｆ２、のこぎり電圧線Ｓａｗ、またはグラウンド線ＧＮＤとを互いに電気的に接続する配線である。配線１６は、例えば、画素１１内において、発光素子１２と、駆動ＩＣ１３とを互いに電気的に接続する配線でもある。配線１６は、例えば、スパッタリングやめっきによって形成されている。
【００３０】
各配線１６は、互いに同一の層内（もしくは同一の面内）に形成されている。複数の配線１６のうち一部の配線１６は、画素１１と、上記各種行配線や上記各種列配線とを互いに直接、接続している。複数の配線１６のうち他の配線１６は、断続的に形成された複数の部分配線からなっている。複数の部分配線からなる各配線１６では、各部分電極は、各配線１６よりも下層（例えば後述の配線層３２Ｅ)に形成された１または複数の配線（例えば１または複数の中継配線１５）を介して連結されている。中継配線１５は、例えば、銅で形成されている。
【００３１】
図８は、駆動ＩＣ１３の平面構成の一例を表したものである。図８において四角で囲まれた配線名は、その配線名に隣接する端子に電気的に接続される配線の名称を示している。駆動ＩＣ１３は、発光素子１２の発光を制御するものであり、例えば、１４個の電極パッド１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ，１３ｋ，１３ｍ，１３ｎ，１３ｏ，１３ｐを有している。
【００３２】
電極パッド１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、配線１６を介して、データ線ＳｉｇＧ，ＳｉｇＲ，ＳｉｇＢに電気的に接続されている。電極パッド１３ｄ，１３ｅは、配線１６を介して、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２に電気的に接続されている。電極パッド１３ｆ，１３ｇは、配線１６を介して、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２に電気的に接続されている。電極パッド１３ｈは、配線１６を介して、グラウンド線ＧＮＤに電気的に接続されている。電極パッド１３ｉは、配線１６を介して、ゲート線Ｇａｔｅに電気的に接続されている。電極パッド１３ｋは、配線１６を介して、のこぎり電圧線Ｓａｗに電気的に接続されている。電極パッド１３ｍ，１３ｏ，１３ｎは、配線１６を介して、発光素子１２の電極パッド１２ａ，１２ｃ，１２ｅに電気的に接続されている。電極パッド１３ｐは、配線１６に接続されていない。
【００３３】
配線基板３０は、例えば、ビルドアップ基板であり、コア基板３１と、コア基板３１の上面に接して形成されたビルドアップ層３２と、コア基板３１の裏面に接して形成されたビルドアップ層３３とを有している。
【００３４】
コア基板３１は、表示体デバイス１０Ｅの剛性を確保するためのものであり、例えば、ガラスエポキシ基板である。ビルドアップ層３２は、１層以上の配線層を有しており、例えば、図１に示したように、配線層３２Ａ、絶縁層３２Ｂ、配線層３２Ｃ、絶縁層３２Ｄおよび配線層３２Ｅを、コア基板３１の上面側からこの順に有している。ビルドアップ層３３は、１層以上の配線層を有しており、例えば、図１に示したように、配線層３３Ａ、絶縁層３３Ｂ、配線層３３Ｃ、絶縁層３３Ｄおよび配線層３３Ｅを、コア基板３１の裏面側からこの順に有している。配線層３２Ａ，３２Ｃ，３２Ｅ，３３Ａ，３３Ｃ，３３Ｅは、例えば、銅で形成されている。絶縁層３２Ｂ，３２Ｄ，３３Ｂ，３３Ｄは、例えば、紫外線硬化樹脂、または、熱硬化性樹脂で形成されている。
【００３５】
上述した各データ線Ｓｉｇは、例えば、ビルドアップ層３３からコア基板３１およびビルドアップ層３２を介して裏面側から表面側まで形成されている。図１には、裏面側に設けられ、表面に開口５０Ａを有する配線３５が、開口４１Ａを介して配線層４２まで電気的に接続されている様子が例示されている。各Ｇａｔｅは、データ線Ｓｉｇとは電気的に絶縁されている配線により構成されており、例えば、中継配線１５に形成されている。各電源線ＶＤＤ２および各グラウンド線ＧＮＤは、例えば、各データ線Ｓｉｇを構成する配線とは異なるビルドアップ層３３からコア基板３１およびビルドアップ層３２を介して裏面側から表面側まで形成されている。図１には、裏面側に設けられ表面に開口５０Ｂ，開口５０Ｃを有する配線３６が開口４１Ｂを介して配線１６に電気６は表示体デバイス１０Ｅの端部近傍まで延在しており、表示体デバイス１０Ｅの端部に的に接続されている様子が例示されている。なお、グラウンド線ＧＮＤを構成する配線３設けられた開口５０Ｃによって一部が露出している。開口５０Ａおよび開口５０Ｂによって、それぞれ裏面に露出された配線３５および配線３６は、コネクタまたは半田を介して、例えば、外部駆動用のＩＣまたは外部駆動用基板のグラウンド線ＧＮＤと電気的に接続されている。
【００３６】
微細Ｌ／Ｓ層４０は、配線層４２と、配線層４２と配線基板３０の上面との間に設けられた絶縁層４１とを有している。絶縁層４１は、配線層４２と、配線基板３０の上面とに接している。配線層４２は、各配線１６を含む層である。従って、配線層４２は、微細Ｌ／Ｓ層４０内に形成されている。また、絶縁層４１は、各配線１６と配線基板３０の上面との間に設けられており、各配線１６と、配線基板３０の上面とに接している。絶縁層４１は、例えば、データ線Ｓｉｇと対向する位置に開口４１Ａを有している。絶縁層４１は、さらに、例えば、上記配線３６と電気的に接続された中継配線１５と対向する位置に開口４１Ｂを有している。絶縁層４１は、例えば、ＶＰＡで形成されている。ＶＰＡは、レジストとして一般に使われるものであり、例えば、新日鉄化学社製のＶＰＡが上市されている。絶縁層４１がＶＰＡで形成されている場合、例えば、ＶＰＡを選択的に露光・現像することによりＶＰＡに開口４１Ａ，４１Ｂを形成することができる。
【００３７】
配線層４２（各配線１６）は、例えば、開口４１Ａ，４１Ｂの底面および側面を含む配線基板３０の上面に接するシード層４２Ａと、シード層４２Ａの上面に接するめっき層４２Ｂとを有している。シード層４２Ａは、製造過程においてめっき層４２Ｂをめっきで形成する際のめっき成長面となる。シード層４２Ａは、開口４１Ａ，４１Ｂの底面と接しており、例えば、データ線Ｓｉｇおよびグラウンド線ＧＮＤと、それぞれ電気的に接続されている。シード層４２Ａは、例えば、銅で形成されている。めっき層４２Ｂは、製造過程においてシード層４２Ａをめっき成長面としてめっき処理により形成されたものである。なお、配線層４２（各配線１６）は、例えば、スパッタリングにより形成された層であってもよい。
【００３８】
配線層４２（各配線１６）をめっきにより形成する際に、配線層４２（各配線１６）と、ゲート線Ｇａｔｅおよびデータ線Ｓｉｇとの接合が、配線層４２（各配線１６）の形成プロセスの中で一括して行われてもよい。配線層４２（各配線１６）は、例えば、画素１１（発光素子１２および駆動ＩＣ１３）とめっき接合されている。配線層４２（各配線１６）をめっきにより形成する際に、配線層４２（各配線１６）と、画素１１との接合が、配線層４２（各配線１６）の形成プロセスの中で一括して行われてもよい。
【００３９】
微細Ｌ／Ｓ層４０のＬ／Ｓ（line and space）は、配線基板３０のＬ／Ｓよりも小さくなっている。Ｌ／Ｓとは、面内で最も狭い配線ピッチを指している。微細Ｌ／Ｓ層４０のＬ／Ｓは、複数の信号線（データＳｉｇ）、複数のゲート線Ｇａｔｅ、複数の電源線ＶＤＤ１、複数の参照電圧線Ｒｅｆ１、複数の参照電圧線Ｒｅｆ２、およびのこぎり電圧線ＳａｗのＬ／Ｓよりも小さくなっている。微細Ｌ／Ｓ層４０のＬ／Ｓは、例えば２５μｍ程度である。一方、配線基板３０のＬ／Ｓは、例えば７５μｍ程度である。
【００４０】
封止層４４は、可視光を透過する光透過性の材料で構成されており、例えば、可視光を透過する光透過性の樹脂層で構成されている。遮光層４５は、可視光を吸収する材料を含んで構成されている。絶縁層５０は、例えば、紫外線硬化樹脂、または、熱硬化性樹脂で形成されている。
【００４１】
遮光層４５は、各発光素子１２と対向する箇所に開口４５Ａを有している。各発光素子１２から発せられた光は各開口４５Ａを介して外部に出射される。
【００４２】
絶縁層５０は、表示体デバイス１０Ｅの外部接続端子としての各電極パッド３４（ここでは、配線３５）および配線３６と対向する箇所にそれぞれ開口５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃを有している。従って、各電極パッド３４および配線３６は、開口５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃを介して、表示体デバイス１０Ｅ（配線基板３０）の裏面に露出している。なお、電極パッド３４は、例えば、開口５０Ａ内に設けられた金属バンプや半田バンプを介して、支持基板１０Ｄと互いに電気的に接続されている。
【００４３】
更に、本実施の形態では、表示体デバイス１０Ｅの端面に絶縁膜６０が設けられている。この絶縁膜６０は、表示体デバイス１０Ｅの静電耐圧をさらに向上させるためのものであり、表示体デバイス１０Ｅを構成する配線基板３０の内部に形成されている各種配線（第２配線）が端面に露出している場合に特に有効となる。絶縁膜６０の厚み（表示体デバイス１０Ｅの平面方向）は、目地のないタイリングを実現するためには、できるだけ薄いことが好ましい、このため、絶縁膜６０は、高い絶縁性を有する材料によって形成されていることが好ましい。このような材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、ブタジエンスチレンゴム、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ブチルゴム、ポリアミド、ポリエステル、ポリ四フッ化エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ニポキシ樹脂、ポリ三フッ化塩化エチレン、塩化ビニリデン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。絶縁膜６０は、これら材料のうちのいずれか１種または２種以上を用いて形成することができる。
【００４４】
なお、上記のように、表示体デバイス１０Ｅの側面に配線３６以外の配線（第２配線）が露出している場合には、絶縁膜６０の厚みは、表示面Ｓ１側から配線３６までの経路における絶縁耐力Ａと、表示面Ｓ１側から配線３６以外の側面配線（例えば、配線層３２Ｅ）までの経路における絶縁耐力Ｂにおいて、Ａ＜Ｂの関係が成り立つことが好ましい。ここで、図９に示したように、静電気が任意の位置で発生した場合、絶縁耐力Ａは、表示面Ｓ１側における静電気の発生位置（任意）から配線３６までの空気の絶縁耐力に対応する。絶縁耐力Ｂは、表示面Ｓ１側における静電気の発生位置（任意）から配線３６以外の側面配線までの空気および絶縁膜６０を合わせた絶縁耐力に対応する。例えば、Ａ＜Ｂの関係が成り立っている場合には、表示面Ｓ１側の任意の位置から静電気が印加で発生する静電気は配線３６に流れる（Ｒ１）。Ａ＜Ｂの関係が成り立っていない場合には、絶縁膜６０の絶縁破壊を伴いながら静電気は露出している配線に流れる（Ｒ２）。ここで、絶縁膜６０の絶縁耐圧は、厚みと絶縁膜６０を構成する材料の物性値によって決まるが、本実施の形態のように、裏面に露出された配線３６を設けた場合には、一定の厚みの絶縁膜６０を設けることで、表示面Ｓ１側で生じた静電気を選択的に配線３６に放電させることが可能となる。絶縁膜６０の絶縁破壊耐圧は、例えば１５ｋＶ／ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４５】
図１０は、本実施の形態の表示体デバイス１０Ｅ（Ａ）および一般的な構造の表示体デバイス（Ｂ）の端面に絶縁膜６０を設けた場合の絶縁膜６０の厚みとＥＳＤ耐性との関係を表したものである。なお、ここでは、絶縁膜６０は、アクリル系樹脂を用いている。一般的な表示体デバイスとは、最も外側に信号線等の各種配線が形成されたものである。図１０から、一般的な表示体デバイスでは、端面に形成される絶縁膜６０の厚みに比例してＥＳＤ耐性が向上する（Ｂ）のに対し、本実施の形態の表示体デバイス１０Ｅでは、絶縁膜６０の厚み１０μｍを境に、ＥＳＤ耐性が大きく向上する（Ａ）ことがわかる。例えば試験電圧１７ｋＶにおいても機能素子が破壊されることはなかった。なお、この結果は、絶縁膜６０の材料としてアクリル系樹脂を用いた場合に限らず、例えば、エポキシ系樹脂等のアクリル系樹脂と同等の絶縁耐圧を有する材料であれば同等の結果が得られる。また、アクリル系樹脂よりも絶縁耐圧の高い材料を用いて絶縁膜６０を形成すれば、絶縁膜６０の必要な厚みは小さくなる。
【００４６】
なお、絶縁膜６０は、例えば図１１に示したように絶縁膜６０Ａとブラックマスク６０Ｂとの積層構造としてもよい。ブラックマスク６０Ｂは、表示体デバイス１０Ｅの端面に面する配線が表示面から視認されることを防ぐと共に、端面からの漏れ光を遮光する機能を有するものである。このため、絶縁膜６０Ａの外側にブラックマスク６０Ｂを形成することで、表示体デバイス１０Ｅおよびこれを組み合わせて構成された表示装置１において、外観を向上させることができる。
【００４７】
（１−３．製造方法）
次に、図１２Ａ〜図１３Ｂを参照しつつ、表示体デバイス１０Ｅの製造方法の一例について説明する。図１２Ａ〜図１３Ｂは、表示体デバイス１０Ｅの製造過程の一例を工程順に表したものである。
【００４８】
まず、図１２Ａに示したように、裏面の概端部にグラウンドと同電位を有する配線３６を有する配線基板３０を用意し、この配線基板３０の裏面に配線３５および配線３６を被覆する絶縁層５０を形成する。続いて、所定の方法で、配線３５および配線３６の上面と対向する位置に開口５０Ａ，５０Ｂを形成すると共に、配線３６を配線基板３０の外端部で露出させる開口５０Ｃを形成する。更に、配線基板３０の表面に絶縁層４１を形成する。なお、ここで配線基板３０は、一般に用いられている多層配線基板と同様の方法を用いて作製することができる。
【００４９】
次に、図１２Ｂに示したように、所定の方法で、絶縁層４１のうち、グラウンド線ＧＮＤおよびデータ線Ｓｉｇの上面と対向する位置に開口４１Ａ，４１Ｂを形成する。このとき、図示しないが、所定の方法で、部分配線と電気的に接続された中継配線１５の上面と対向する位置にも開口を形成する。続いて、開口４１Ａ，４１Ｂの底面および側面を含む配線基板３０の上面にシード層４２Ａを形成する。
【００５０】
次に、図１２Ｃに示したように、発光素子１２および駆動ＩＣを固定すると共に、配線層４２（各配線１６）を形成する。まず、絶縁層４１およびシード層４２Ａの表面全体に絶縁性の接着剤を塗布する等して、発光素子１２や駆動ＩＣ１３を仮固定するための固定層を形成する。接着剤の代わりに、シリコーン系やアクリル系で代表されるような粘着剤の層を固定層として形成してもよい。続いて、発光素子１２や駆動ＩＣ１３を固定層によって仮固定する。このとき、発光素子１２の電極パッド１２ａ〜１２ｅや、駆動ＩＣ１３の電極パッド１３ａ〜１３ｐを、後述のめっき処理において成長する金属体（めっき層４２Ｂ）と接続可能となる程度に近づけて配置する。次に、発光素子１２や駆動ＩＣ１３を仮固定している部分（固定層のうち、発光素子１２や駆動ＩＣ１３の底面に存在する部分）以外の固定層を除去する。その結果、発光素子１２や駆動ＩＣ１３の底面だけに固定層４３が残る。固定層の除去に際して、例えば、ドライエッチングや有機溶剤浸漬等を行うことができる。なお、あらかじめ、発光素子１２や駆動ＩＣ１３を仮固定する場所にだけ、絶縁性の接着剤を塗布しておいてもよい。
【００５１】
続いて、シード層４２Ａをめっき成長面としてめっき処理を行い、シード層４２Ａの上面にめっき層４２Ｂを形成する。これにより、配線層４２（各配線１６）が形成される。このとき、配線層４２（各配線１６）と、ゲート線Ｇａｔｅおよびデータ線Ｓｉｇとの接合が、配線層４２（各配線１６）の形成プロセスの中で一括して行われる。また、配線層４２（各配線１６）と、画素１１との接合が、配線層４２（各配線１６）の形成プロセスの中で一括して行われる。
【００５２】
次に、図１３Ａに示したように、発光素子１２や駆動ＩＣ１３を埋め込む封止層４４を形成したのち、封止層４４上に遮光層４５を形成する。続いて、所定の方法を用いて、遮光層４５のうち、発光素子１２と対向する位置に開口４５Ａを形成する。
【００５３】
次に、図１３Ｂに示したように、配線基板３０の４辺を、例えばラインＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4に沿って適宜カットしたのち、端面に、例えば塗布法を用いて絶縁膜６０を形成する。これにより、図１に示した表示体デバイス１０Ｅが製造される。
【００５４】
（１−４．作用・効果）
タイリングディスプレイを構成する映像デバイス（表示体デバイス）は、行方向および列方向に等間隔で複数の画素が配置されている。このとき、画素のピッチは、各表示体デバイス内だけでなく、隣接する２つの表示体デバイス間においても等ピッチとなっていることが好ましい。このため、各表示体デバイスでは、駆動用の配線や信号線等を形成する配線層が基板（コア基板）の表面および裏面に絶縁層を介して積層された、いわゆる多層配線構造が採用されている。これにより、画素を配置できない額縁領域を省略したり、最小限に抑えられ、隣接する２つの表示体デバイス間においても画素のピッチが等間隔な、継ぎ目が目立たないタイリングを実現することができる。しかしながら、このような表示体デバイスは、端部近傍まで素子が配置されているため、静電気に対して非常に弱いという問題があった。
【００５５】
これに対して、本実施の形態では、配線基板３０の裏面の概端部に、少なくとも一部が露出された配線３６を設けるようにした。ここで、概端部とは、具体的には、裏面に形成された配線３５やその他の各種配線よりも最も外側となる位置である。これにより、示面側の任意の位置において生じた静電気を配線３６に選択的に流すことが可能となる。更に、本実施の形態では、配線３６は、表示体デバイス１０Ｅに搭載されている発光素子１２および駆動ＩＣ１３のグラウンドと同電位を有する。これにより、配線３６に流れた静電気は、発光素子１２や駆動ＩＣ１３に流れることなく、効果的にグラウンドへ放出させることが可能となる。よって、表示体デバイス１０Ｅの静電耐圧を向上させることが可能となる。
【００５６】
また、本実施の形態では、表示体デバイス１０Ｅの側面に絶縁膜６０を設けることにより、表示体デバイス１０Ｅの静電耐圧をさらに向上させることが可能となる。絶縁膜６０の厚みは、表示面Ｓ１側から配線３６までの経路における絶縁耐力Ａと、表示面Ｓ１側から配線３６以外の側面配線（例えば、配線層３２Ｅ）までの経路における絶縁耐力Ｂにおいて、Ａ＜Ｂの関係が成り立つことが好ましい。これにより、例えば表示体デバイス１０Ｅの側面に配線が露出している場合にも、露出している配線へ静電気が流れることを防ぎ、裏面に形成された配線３６へ選択的に流すことが可能となる。
【００５７】
＜２．変形例＞
図１４Ａは、本開示の変形例に係る表示体デバイス（表示体デバイス２０Ｅ）の断面構成を表したものである。本変形例では、表示体デバイス２０Ｅの表示面側の最も外側に、貫通孔４４Ａによって露出されると共に、グラウンドと同電位を有する配線７５を設けた点が上記実施の形態とは異なる。貫通孔４４Ａは、遮光層４５および封止層４４を貫通するものであり、例えば、図１４Ｂに示したように、表示体デバイス２０Ｅの周縁に複数形成されていることが好ましい。なお、貫通孔４４Ａは、図１４Ｂに示したように、それぞれ個別に形成される以外に、一部が連続していてもよく、あるいは、図２に示した開口５０Ｃのように、例えば、複数配置された画素１１の周囲を連続して囲む溝状に形成されていてもよい。また、貫通孔４４Ａの位置は、概端部であればよく、例えば、図１４Ｃに示したように、発光素子１２よりも内周に形成されていてもよい。また、貫通孔４４Ａの平面形状は限定されず、例えば、図１４Ｂに示したように円形状でもよいし、あるいは矩形状としてもよい。
【００５８】
本変形例の表示体デバイス２０Ｅは、上記実施の形態における表示体デバイス１０Ｅよりもその製造は容易となる。
【００５９】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記各実施の形態およびその変形例では、駆動ＩＣ１３は、発光素子１２ごとに１つずつ設けられている。しかし、駆動ＩＣ１３は、複数の発光素子１２ごとに１つずつ設けられていてもよい。
【００６０】
上記各実施の形態およびその変形例において、例えば対向基板１０Ｂが省略されていてもよい。また、上記各実施の形態およびその変形例において、対向基板１０Ｂはユニット基板１０Ｃごとに、または表示体デバイス１０Ｅごとに１つずつ設けられていてもよい。
【００６１】
上記各実施の形態およびその変形例において、発光素子１２の発光色が単一であってもよい。この場合に、表示体デバイス１０Ｅが、例えば、開口４５Ａ内に、複数色のカラーフィルタを有していてもよい。
【００６２】
上記各実施の形態およびその変形例において、遮光層４５が省略されていてもよい。
【００６３】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００６４】
また、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
配線基板と、
前記配線基板に配置された機能素子と、
最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、前記機能素子のグラウンドと同電位を有する第１配線と
を備えた表示体デバイス。
（２）
前記配線基板は対向する第１面および第２面を有し、
前記機能素子は前記第１面側に、前記第１配線は前記第２面側にそれぞれ設けられている、前記（１）に記載の表示体デバイス。
（３）
前記第１配線は、前記配線基板の周縁部に連続して設けられている、前記（１）または（２）に記載の表示体デバイス。
（４）
前記配線基板の端面は絶縁膜によって被覆されている、前記（２）または（３）に記載の表示体デバイス。
（５）
前記絶縁膜の膜厚は、前記第１面側から前記第１配線までの経路における絶縁耐力（Ａ）と、前記第１面側から前記配線基板の前記第１面と前記第２面との間に設けられた第２配線までの経路における絶縁耐力（Ｂ）において、Ａ＜Ｂの関係が成り立つ、前記（４）に記載の表示体デバイス。
（６）
前記絶縁膜は遮光性を有する、前記（４）または（５）のうちのいずれかに記載の表示体デバイス。
（７）
前記絶縁膜は、遮光性を有する第１絶縁膜と絶縁性を有する第２絶縁膜との積層膜である、前記（４）乃至（６）のうちのいずれかに記載の表示体デバイス。
（８）
前記絶縁膜は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、ブタジエンスチレンゴム、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ブチルゴム、ポリアミド、ポリエステル、ポリ四フッ化エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ニポキシ樹脂、ポリ三フッ化塩化エチレン、塩化ビニリデン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリイミドのうちのいずれか１種または２種以上によって形成されている、前記（４）乃至（７）のうちのいずれかに記載の表示体デバイス。
（９）
前記配線基板は、
コア基板と、前記コア基板の両面にそれぞれ１層以上形成されると共に、層間の電気的な接続がビアでなされたビルドアップ層とを有し、
前記第１配線は、前記ビルドアップ層に形成されている、前記（１）乃至（８）のうちのいずれかに記載の表示体デバイス。
（１０）
前記機能素子は、発光素子および前記発光素子の発光を制御する駆動ＩＣである、前記（１）乃至（９）のうちのいずれかに記載の表示体デバイス。
（１１）
前記配線基板は、前記発光素子および前記駆動ＩＣを含む表面を被覆する樹脂層を有する、前記（１０）に記載の表示体デバイス。
（１２）
１または複数の表示体デバイスと、１または複数の前記表示体デバイスを制御する制御回路とを有し、
前記表示体デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板に配置された機能素子と、
最も外側に配置され、少なくとも一部が露出されると共に、前記機能素子のグラウンドと同電位を有する第１配線と
を備えた表示装置。
（１３）
前記複数の表示体デバイスは、支持部材によって支持されている、前記（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記支持部材は金属板である、前記（１３）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００６５】
１…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…実装基板、１０Ｂ…対向基板、１０Ｃ…ユニット基板、１０Ｄ…支持基板、１０Ｅ，２０Ｅ…表示体デバイス、１１…画素、１２，１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ…発光素子、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ，１３ｋ，１３ｍ，１３ｎ，１３ｏ，１３ｐ…電極パッド、１２ｉ…保護体、１３…駆動ＩＣ、１５…中継配線、１６…配線、１７…貫通配線、２０…制御回路、３０…配線基板、３１…コア基板、３２，３３…ビルドアップ層、３２Ａ，３２Ｃ，３２Ｅ，３３Ａ，３３Ｃ，３３Ｅ…配線層、３２Ｂ，３２Ｄ，３３Ｂ，３３Ｄ…絶縁層、３４…電極パッド、３５，３６…配線、４０…微細Ｌ／Ｓ層、４１…絶縁層、４１Ａ，４１Ｂ…開口，Ｓ１…表示面、４２…配線層、４２Ａ…シード層、４２Ｂ…めっき層、４３，４３Ａ…固定層、４４…封止層、４５…遮光層、４５Ａ…開口、５０…絶縁層、５０Ａ，５０Ｂ…開口、６０…絶縁膜、Ｇａｔｅ，Ｇａｔｅ１，Ｇａｔｅ２…ゲート線、ＧＮＤ…グラウンド線、Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２…参照電圧線、Ｓａｗ…のこぎり電圧線、Ｓｉｇ，ＳｉｇＢ，ＳｉｇＢ１，ＳｉｇＢ２，ＳｉｇＧ，ＳｉｇＧ１，ＳｉｇＧ２，ＳｉｇＲ，ＳｉｇＲ１，ＳｉｇＲ２…データ線、ＶＤＤ１，ＶＤＤ２…電源線。
【図１】
2017161634.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2017161634.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
2017161634.tif 000015
【図１２Ｃ】
2017161634.tif 000016
【図１３Ａ】
2017161634.tif 000017
【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
2017161634.tif 000019
【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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