(57)【要約】【課題】本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の精密研磨後の主表面の表面粗さを十分に低減でき、且つ、欠陥および異物の発生も顕著に抑制される研磨用コロイダルシリカスラリーを提供する。【解決手段】本発明は、平均粒径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコロイダルシリカを２質量％以上３０質量％以下含み、かつ分散媒が水であり、（１）有機酸を含む；（２）コロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させる界面活性剤を含む；（３）ｐＨが３以上６以下である；および（４）コロイダルシリカのζ電位が−２５ｍＶ以下である、という要件を満たす研磨用コロイダルシリカスラリーに関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコロイダルシリカを２質量％以上３０質量％以下含み、且つ分散媒が水である研磨用コロイダルシリカスラリーであって、下記（１）〜（４）の要件を満たす研磨用コロイダルシリカスラリー。
（１）有機酸を含む。
（２）前記コロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させる界面活性剤を含む。
（３）ｐＨが３以上６以下である。
（４）前記研磨用コロイダルシリカスラリー中の前記コロイダルシリカのζ電位が−２５ｍＶ以下である。
【請求項２】
前記界面活性剤が、親水基としてスルフォン酸ナトリウムおよび硫酸ナトリウムの少なくとも一方を有し、且つ疎水基としてアルキル基を有することを特徴とする請求項１に記載の研磨用コロイダルシリカスラリー。
【請求項３】
ガラス基板の主表面を研磨した後、研磨された前記主表面を、コロイダルシリカスラリーからなる研磨液を用いて研磨する研磨工程と、前記研磨工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記研磨液が、請求項１または２に記載の研磨用コロイダルシリカスラリーである磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨用コロイダルシリカスラリーおよびこれを用いた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報インフラの拡大に伴い、年々、データの蓄積量が飛躍的に増加している。これに対応するため、磁気ディスクの記憶容量の高容量化が期待されている。一方で、磁気ディスクを高容量化するためには、磁気ディスクの基板側と読み取りヘッド側をできる限り近づけ、より微小な磁性体の向きを読み取れることが必要になってきている。基板と読み取りヘッドを近づけるには、磁気ディスク用ガラス基板の品質として、Ｒａ（表面粗さ）を小さくすること、また欠陥および異物が少ないこと等が求められる。
【０００３】
一般的に磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の主表面を研磨した後、研磨された前記主表面を、コロイダルシリカスラリーからなる研磨液を用いて研磨する研磨工程と、前記研磨工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程と経て製造されている。洗浄工程では、アルカリ洗浄液が使用されることが多い。一般的に研磨工程がガラス基板の主表面のＲａに影響を及ぼし、洗浄工程が欠陥や異物の除去に影響を及ぼしている。しかし、洗浄工程、とくにアルカリ洗浄液を用いた洗浄工程では、欠陥や異物を多く発生させるという問題点があった。
【０００４】
なお、例えば特許文献１には、シリカ粒子と、スルフォン酸基を含有する重合体と、水とを含有し、前記スルフォン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数が１．５〜５．０Ｌ／ｇである、磁気ディスク用アルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、水系媒体とコロイダルシリカ粒子を含有してなる研磨液組成物中におけるコロイダルシリカ粒子のゼータ電位を−５〜３０ｍＶに調整し、該研磨液組成物を用いてガラスメモリーハードディスク基板の研磨速度を向上させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５７１５４７２号公報
【特許文献２】特許第４４１４２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら従来技術では、磁気ディスク用ガラス基板の精密研磨後の主表面（以下「研磨面」ともいう）の表面粗さを十分に低減できず、また欠陥および異物の発生が抑制できない、という問題点があった。
【０００８】
本発明は、上記した課題を解決するためになされたものであって、磁気ディスク用ガラス基板の研磨において、研磨面の表面粗さを低減するとともに、欠陥および異物の発生を顕著に抑制し得る研磨用コロイダルシリカスラリーおよびこれを用いた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は鋭意検討を重ねた結果、研磨用コロイダルシリカスラリーに含まれる複数の成分の特性を特定化することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち本発明は以下の通りである。
１．平均粒径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコロイダルシリカを２質量％以上３０質量％以下含み、且つ分散媒が水である研磨用コロイダルシリカスラリーであって、下記（１）〜（４）の要件を満たす研磨用コロイダルシリカスラリー。
（１）有機酸を含む。
（２）前記コロイダルシリカのζ（ゼータ）電位を２０ｍＶ以上低下させる界面活性剤を含む。
（３）ｐＨが３以上６以下である。
（４）前記研磨用コロイダルシリカスラリー中の前記コロイダルシリカのζ電位が−２５ｍＶ以下である。
２．前記界面活性剤が、親水基としてスルフォン酸ナトリウムおよび／または硫酸ナトリウムを有し、かつ疎水基としてアルキル基を有することを特徴とする前記１に記載の研磨用コロイダルシリカスラリー。
３．ガラス基板の主表面を研磨した後、研磨された前記主表面を、コロイダルシリカスラリーからなる研磨液を用いて研磨する研磨工程と、前記研磨工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨液が、前記１または２に記載の研磨用コロイダルシリカスラリーであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の研磨用コロイダルシリカスラリーおよびこれを用いた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、研磨用コロイダルシリカスラリーが前記（１）〜（４）の要件を満たしているため、コロイダルシリカの分散性が高まるとともに、コロイダルシリカの研磨性を保ちながらコロイダルシリカのガラス基板表面への付着が抑制され、続く洗浄工程での洗浄性が高まる。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の精密研磨後の主表面の表面粗さを十分に低減でき、かつ、欠陥および異物の発生も顕著に抑制されるという効果を奏する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
本発明の研磨用コロイダルシリカスラリー（以下、単にスラリーと言うことがある）は、平均粒径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコロイダルシリカを２質量％以上３０質量％以下含み、且つ分散媒が水である研磨用コロイダルシリカスラリーであって、下記（１）〜（４）の要件をすべて満たすことを特徴とする。
（１）有機酸を含む。
（２）前記コロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させる界面活性剤を含む。
（３）ｐＨが３以上６以下である。
（４）前記研磨用コロイダルシリカスラリー中の前記コロイダルシリカのζ電位が−２５ｍＶ以下である。
【００１４】
本発明のスラリーにおいて、コロイダルシリカは酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の微粒子であり、研磨砥粒として用いられる。コロイダルシリカの種類は特に限定されず、種々の公知の方法で製造されるものを使用できる。コロイダルシリカの種類としては、ケイ酸ナトリウムをイオン交換した後、粒子成長させて（水ガラス法）製造されたコロイダルシリカが一般的である。なお、コロイダルシリカは、通常、あらかじめコロイダルシリカが水に分散した状態のコロイダルシリカスラリーとして供給されるが、そのｐＨは８〜１１であることが好ましく、９〜１０であることがより好ましい。
【００１５】
コロイダルシリカの平均粒径は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、好ましくは１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、より好ましくは１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。１０ｎｍ未満であるとコロイダルシリカがガラス表面に付着しやすくなり洗浄性が悪化し、５０ｎｍを超えると研磨後のガラス表面形状が悪化しやすくなる。なお、本発明におけるコロイダルシリカの平均粒径は、平均一次粒子径であり、マイクロトラック法（レーザー回折・散乱法）によって測定されたＤ５０の値を指す。
【００１６】
本発明のスラリー中のコロイダルシリカの量は、２質量％以上３０質量％以下であり、好ましくは５質量％以上２０質量％以下であり、より好ましくは６質量％以上１５質量％以下である。コロイダルシリカの含有量が、スラリーの全質量に対して２質量％未満では、十分な研磨速度が得られないことがあり、逆に３０質量％を超えると、砥粒濃度の増加に見合った研磨速度の向上が認めらにくくなりやすく、また、研磨液の粘性が上がり過ぎる場合がある。
【００１７】
本発明のスラリーにおいて、水は、研磨砥粒であるコロイダルシリカを分散させるとともに、有機酸および界面活性剤を溶解させ、さらに、その他必要に応じて添加される任意成分を分散・溶解するための媒体である。水については、特に制限はないが、他の配合成分に対する影響、不純物の混入、ｐＨ等への影響から、純水又は脱イオン水が好ましい。水はスラリーの流動性を制御する機能を有するので、その含有量は、研磨速度、平坦化特性等の目標とする研磨特性に合わせて適宜設定することができる。
【００１８】
スラリー中の水の量は、コロイダルシリカ、有機酸、界面活性剤、その他必要に応じて添加される添加剤を除いた残部である。
【００１９】
なお、本実施形態に用いられるスラリーの水の量とは、前記水の含有量の範囲より少ない量の水を含有するコロイダルシリカスラリーを用いた場合は、その他の水溶液等を加えることにより最終的に到達するスラリー中に含まれる水の量とする。
【００２０】
本発明のスラリーは有機酸を含有する。有機酸としては、カルボン酸が好ましい。カルボン酸としては、例えば、メトキシ酢酸、アスコルビン酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、フマル酸、マレイン酸およびフタル酸等を挙げることができる。これらの中でも、カルボン酸基を２以上有する２価以上の多価カルボン酸がより好ましい。２価以上の多価カルボン酸として具体的には、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、フマル酸、マレイン酸およびフタル酸等が挙げられ、特にクエン酸が好ましい。
【００２１】
有機酸は、コロイダルシリカスラリーのｐＨ調整剤として利用した場合、弱酸性でも分散安定性が得られることが知られている。ｐＨを弱酸性にした場合、ガラスのリーチング特性が弱まることが知られているが、２価以上の多価カルボン酸を使用することによりガラス成分のアルカリ、アルカリ土類またはアルミニウムなどの金属原子をキレートし、研磨の促進剤として機能する。
【００２２】
本発明のスラリー中の有機酸の量は、好ましくは１ｍｍｏｌ／Ｌ以上１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下であり、より好ましくは５ｍｍｏｌ／Ｌ以上５０ｍｍｏｌ／Ｌ以下である。有機酸の含有量を、スラリーの全質量に対して１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下とすることにより、スラリーが凝集するのを抑制できる。また、１ｍｍｏｌ／Ｌ以上とすることにより、スラリーが異物に対して安定となる。 
【００２３】
本発明のスラリーは、コロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させる界面活性剤を含有する。換言すれば、本発明で使用する界面活性剤は、コロイダルシリカの粒子に付着可能であるということができる。本発明で使用される界面活性剤は、該条件を達成できるものであればとくに制限されないが、例えば、親水基としてスルフォン酸ナトリウムおよび硫酸ナトリウムの少なくとも一方を有し、かつ疎水基としてアルキル基を有する界面活性剤が挙げられる。該アルキル基の炭素数は、５〜２５が好ましく、６〜２０がより好ましい。
【００２４】
上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム等のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム；ラウリル硫酸ナトリウム、ステアリル硫酸ナトリウムおよびオイレル硫酸ナトリウム等の高級アルコール硫酸エステルナトリウム塩；ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル硫酸ナトリウム塩；グリセリン脂肪酸エステルの硫酸ナトリウム塩；ドデシルベンゼンスルフォン酸ナトリウム等のアルキルアリールスルフォン酸ナトリウム；アルキルスルフォン酸ナトリウム；α−オレフィンスルフォン酸ナトリウム；高級脂肪酸エステルのスルフォン酸ナトリウム塩；ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム等のジアルキルスルホコハク酸ナトリウム塩；Ｎ−ココイルメチルタウリンナトリウム等の高級脂肪酸アミドのスルフォン酸ナトリウム塩；ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸ナトリウム等のアルキルエーテルカルボン酸ナトリウム塩；等を挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。中でもポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウムまたはアルキルアリルスルホコハク酸ナトリウムが好ましい。
【００２５】
なお本発明の効果の観点から、芳香族系の界面活性剤、アミド結合を有する界面活性剤、カルボン酸塩を含む界面活性剤は好ましくない。
【００２６】
本発明のスラリー中の界面活性剤の量は、好ましくは０．００１質量％以上２質量％以下であり、より好ましくは０．０１質量％以上１質量％以下である。界面活性剤の量を、スラリーの全質量に対して２質量％以下とすることにより、電解質濃度が高くなるのを防ぎ、ζ電位の低下が少なくなりにくくなるため好ましい。また、０．００１質量％以上とすることにより、砥粒に有効に働き、ζ電位の低下が十分となり好ましい。 
【００２７】
本発明で使用される界面活性剤は、コロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させるものであるため、コロイダルシリカの研磨性を保ちながらコロイダルシリカのガラス基板表面への付着を抑制する機能を有する。これにより、本発明のスラリーを用いてガラス基板の主平面を研磨する際に、主平面に存在する凸部分が選択的に削れやすくなって、研磨面の表面粗さ（Ｒａ）が小さくなる。また、ガラス基板の精密研磨後の洗浄工程において、コロイダルシリカを十分に洗い流すことができ、欠陥および異物の発生を顕著に抑制することができる。
【００２８】
本発明のスラリーは、ｐＨが３以上６以下である。これは、次のような理由による。スラリーのｐＨは低い方が、研磨の際に、ガラス基板からガラス成分の溶出が深くなるため、研磨レートが高くなる。一方で、ｐＨが３未満になると、ガラス基板の研磨面の表面粗さ（Ｒａ）が悪化しやすくなる。また、スラリーのｐＨが上記範囲を超えると、コロイダルシリカが凝集し易いために、その安定性が低くなる。
【００２９】
このように、本発明のスラリーのｐＨが３以上であることで、コロイダルシリカの安定性が高く、研磨面の表面粗さ（Ｒａ）の改善効果を得ることができる。また、ｐＨが６以下であることで、十分に高い研磨レートを得ることができ、また、研磨パッドの破損などによる、研磨面への残さの付着のおそれもない。
【００３０】
本発明のスラリーのｐＨの調整には、ｐＨ調整剤を使用してもよい。ｐＨ調整剤としては、酸、塩基のいずれであってもよい。酸としては、上記の有機酸の他、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸およびホスフィン酸等の無機酸が挙げられる。また、ｐＨ調整剤として、上記した無機酸又は有機酸の塩をさらに添加してもよい。塩基としては、アンモニア化合物、水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩等、具体的には、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、炭酸アンモニウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素カルシウム等を用いることができる。ｐＨ調整剤としては１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
本発明において、ζ電位とは、電気泳動の原理によって、スラリー中のコロイダルシリカに外部から電場をかけた時に、コロイダルシリカの泳動速度から求められる電位をいう。ζ電位の測定装置としては、例えば、「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎａｎｏ  ＺＳＰ」、「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎａｎｏ  ＺＳ」、「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎａｎｏ  Ｓ」、「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎａｎｏ  Ｚ」、「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎａｎｏ  ＺＳ９０」（全てＭａｌｖｅｒｎ社製）、ＳＺ１００（堀場製作所製）、ＥＬＳＺ−２０００ＺＳ（大塚電子製）が挙げられる。
【００３２】
本発明のスラリーは、その中に含まれるコロイダルシリカのζ（ゼータ）電位が−２５ｍＶ以下であり、好ましくは−３０ｍＶ以下であり、より好ましくは−４０ｍＶ以下である。ζ電位が−２５ｍＶよりも上昇すると、基板と砥粒が接触しやすくなり、表面粗さが悪化する。コロイダルシリカのζ電位の下限は、特に制限されないが、通常−７０ｍＶ以上であり、好ましくは−６０ｍＶ以上である。ζ電位を−７０ｍＶ未満とすると、研磨レートが著しく低下しやすくなる。
【００３３】
スラリー中に含有するシリカ粒子表面のζ電位が−２５ｍＶを超える場合、ｐＫaが３以下であるような親水基を持つアニオン系界面活性剤を添加することによって、ζ電位をマイナス側にシフトさせることが好ましい。
【００３４】
本発明のスラリーには、本発明の効果を損なわない範囲において、必須成分であるコロイダルシリカ、水、界面活性剤および任意成分であるｐＨ調整剤以外に、通常の精密研磨用の研磨剤が含有するようなその他の任意成分を含有させてもよい。
【００３５】
次に本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。磁気ディスク用ガラス基板は、一般的に次の工程を経て製造される。すなわち、円形のガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、外周及び内周の端面研磨を順次行う。なお、主表面ラッピング工程を、粗ラッピング工程と精ラッピング工程とに分け、それらの間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよい。なお、中央に円孔を有しない磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合には、円形ガラス板中央の孔開けが不要であることはいうまでもない。
【００３６】
上記ガラス基板に用いるガラスについては、通常の磁気ディスク用ガラス基板用のガラスが使用できる。代表的なガラスとしては、アルミノシリケー卜ガラスがある。具体的には、以下のようなガラスが例示される。
モル％表記で、ＳｉＯ２を５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を５〜２５％、Ｂ２Ｏ３を０〜１５％、ＭｇＯを０〜１５％、ＣａＯを０〜１５％、ＳｒＯを０〜１０％、ＢａＯを０〜１０％、Ｎａ２Ｏを０〜１０％、Ｋ２Ｏを０〜１０％、Ｌｉ２Ｏを０〜１５％、ＴｉＯ２を０〜５％、ＺｒＯ２を０〜５％含有し、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの合量）及びＲ２Ｏ（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの合量）の少なくとも一方を５％以上含有し、上記１２成分の含有量の合計が９７％以上であるアルミノシリケー卜ガラス。
【００３７】
ラッピング工程では、ガラス基板の両主表面が研削される。具体的には、ガラス基板の両主表面を同時に研削する両面研削装置が用いられる。この両面研削装置は、例えば酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ジルコニウム、炭化ホウ素、ダイヤモンド等の遊離砥粒、又は固定砥粒を用いて、ガラス基板の両主表面を同時に研削する。なお、ラッピング工程の一部は、素板加工工程の前又は面取工程の前に実施されてもよい。
【００３８】
端面研磨工程は、端面の２つの傾斜面及び垂直面をそれぞれ研磨することにより、２つの傾斜面及び垂直面における加工変質層を除去する。また、端面研磨方法は、例えばブラシ研磨、スポンジ研磨、粘性流体研磨、又は磁性流体研磨等である。
【００３９】
次に、円形ガラス基板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面とする（主表面研磨工程）。主表面研磨工程においては、例えば、平均粒径が０．５〜２．０μｍである酸化セリウムを含有するスラリーとウレタン製研磨パッドとを用いて研磨する。次いで、前記よりも平均粒径の小さい酸化セリウム、例えば、平均粒径が０．１５〜０．５μｍの酸化セリウムを含有するスラリーとウレタンパッドを用いて研磨する。また、主表面研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。
【００４０】
そして、主表面研磨工程の後に、本発明のスラリーを用いた精密研磨工程を行って、磁気ディスク用ガラス基板を製造する。精密研磨工程では、研磨圧力が０．５ｋＰａ〜３０ｋＰａ、好ましくは４ｋＰａ〜２０ｋＰａの条件で、さらに上記で研磨した主表面を研磨する。研磨圧力が４ｋＰａ以上とすれば、研磨時のガラス基板の安定性が低下してばたつきやすくなることを抑制し、そのため主表面のうねりが大きくなるのを抑制することができる。研磨時間は、研磨パッドの硬度や研磨圧力などによって適宜設定することができるが、例えば５〜３０分程度である。
【００４１】
精密研磨工程において使用される研磨パッドとしては、ショアＤ硬度が４５〜７５、圧縮率が０．１〜１０％かつ密度が０．５〜１．５ｇ／ｃｍ３である発泡ウレタン樹脂、ショアＡ硬度が５〜８０、圧縮率が１〜６０％かつ密度が０．０５〜０．９ｇ／ｃｍ３である発泡ウレタン樹脂からなるものが典型的である。なお、研磨パッドのショアＡ硬度は２０以上であることが好ましい。２０未満では研磨速度が低下するおそれがある。
【００４２】
なお、ショアＡ硬度及びショアＤ硬度はそれぞれＪＩＳ  Ｋ７２１５（１９８６年）に規定されているプラスチックのデュロメータＡ硬さ及びＤ硬さを測定する方法によって測定される。また、圧縮率（単位：％）は次のようにして測定される。すなわち、研磨パッドから適切な大きさに切り出した測定試料について、ショッパー型厚さ測定器を用いて無荷重状態から１０ｋＰａの応力の負荷を３０秒間加圧した時の材料厚さｔ０を求め、次に厚さがｔ０の状態から直ちに１１０ｋＰａの応力の負荷を５分間加圧した時の材料厚さｔ１を求め、ｔ０及びｔ１の値から（ｔ０−ｔ１）×１００／ｔ０を算出し、これを圧縮率とする。
【００４３】
このようにして、精密研磨工程により、例えば、研磨面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．２ｎｍ以下、好ましくは０．１２ｎｍ以下に研磨される。
【００４４】
また、精密研磨工程後に、研磨後の主表面に付着した研磨液を除去する洗浄工程が行われる。洗浄工程では、上記精密研磨終了後の研磨面を、洗浄液によって洗浄する。この洗浄工程では、通常１回以上、ｐＨ１０以上のアルカリ洗浄液による洗浄が行われる。洗浄方法は、ガラス基板を浸漬して超音波振動を加えてもよいし、スクラブ洗浄を用いてもよい。また、両方を組み合わせてもよい。更に、洗浄の前後に、純水による浸漬工程やリンス工程を行うことが好ましい。アルカリ洗浄液としては、水酸化カリウムまたは炭酸カリウムなど、カリウムを含むものが好ましい。
【００４５】
洗浄工程後は、ガラス基板に圧縮窒素、乾燥空気等を吹き付けて乾燥する方法やイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いたＩＰＡ蒸気乾燥やスピン乾燥等によって乾燥を行ってもよい。
【００４６】
従来技術において、アルカリ洗浄液を用いた洗浄工程では、ガラス基板に欠陥や異物を発生させるという問題点があった。これに対し、本発明のスラリーからなる研磨液は、研磨面にコロイダルシリカが付着しにくいので、これを効果的に除去することができる。これにより、研磨面の表面粗さ（Ｒａ）の悪化を抑制しながら、研磨面を十分に清浄化することが可能となる。
【００４７】
以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、磁気ディスク用ガラス基板の精密研磨において、表面粗さを低減して、より精密な研磨面を得ることができる。さらに、上記洗浄工程を行っても、研磨面の表面粗さ（Ｒａ）の悪化を抑制しながら、研磨面を十分に清浄化することが可能である。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。
【００４９】
（ζ電位の測定条件）
以後示すζ電位の測定条件は以下の通りである。
・測定機器：「ＳＺ１００」（堀場製作所製）
・印加電圧：４．５Ｖ
・測定試料：各々実施例または比較例のスラリーを測定試料とした。
・測定回数：同一試料、同一測定条件にて、３回測定を繰り返し、その３回の平均値をζ電位とした。
【００５０】
［実験例１］
予察試験として、ζ電位の低下の効果を確認するために、以下の組成を有するスラリーを調製し、硝酸を用いてｐＨを５に調整した。
コロイダルシリカ（平均粒径２０ｎｍ、ＳｉＯ２濃度４０質量％水分散液）…８質量％
界面活性剤なし（試験例１）及び下記に示す各種界面活性剤１〜７（試験例２〜８）…０．１質量％
水…残部
【００５１】
界面活性剤１：下記構造を有する化合物（三洋化成工業社製「イオネットＤ−２」）
【００５２】
【化１】
2017190395.tif 000002
【００５３】
界面活性剤２：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム（三洋化成工業社製「ビューライトＮＡ−２５Ｓ」、オキシエチレン基の平均繰り返し数＝２．５）
界面活性剤３：アモルファスビニルアルコール系樹脂（日本合成化学工業社製「Ｇ−ｐｏｌｙｍｅｒ」）
界面活性剤４：ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム（三洋化成工業社製「エレミノールＪＳ−２００」）
界面活性剤５：ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム（三洋化成工業社製「サンモリンＯＴ−７０」）
界面活性剤６：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム（三洋化成工業社製「サンデットＥＮ」、オキシエチレン基の平均繰り返し数＝２）
界面活性剤７：下記構造を有する化合物（三洋化成工業社製「ビューライトＡ５００００」）
【００５４】
Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｏ［ＣＨ２ＣＨ２Ｏ］ｎ−ＣＯ−ＣＨ−ＳＯ３Ｎａ
ＣＨ２−ＣＯＯＮａ  
【００５５】
上記で調製した各種スラリーのコロイダルシリカのζ電位を測定した。
【００５６】
結果を表１にコロイダルシリカのζ電位（ｍＶ）を示す。表１においてコントロールは、スラリーに界面活性剤を添加しない場合のζ電位である。
【００５７】
【表１】
2017190395.tif 000003
【００５８】
表１に示すように、界面活性剤２、４、５、６にコロイダルシリカのζ電位の絶対値を大きく低下させる能力があることがわかった。
【００５９】
［実験例２］
界面活性剤２（ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム（三洋化成工業社製ビューライトＮＡ−２５Ｓ、オキシエチレン基の平均繰り返し数＝２．５））と、界面活性剤５（ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム（三洋化成工業社製サンモリンＯＴ−７０）とを用い、硝酸の代わりにクエン酸またはマレイン酸を用いてスラリーのｐＨを５に調整したこと以外は、実験例１を繰り返した。結果を表２に示す。
【００６０】
【表２】
2017190395.tif 000004
【００６１】
表２に示すように、硝酸に代えて有機酸を用いた場合でも、界面活性剤２および５によるコロイダルシリカのζ電位を２０ｍＶ以上低下させる能力に変化がないことがわかった。
【００６２】
［実験例３］
（ガラス基板の作製）
フロート法で成形されたシリケートガラス板（モル％表示含有量が、Ｎａ２Ｏ：５％、Ｋ２Ｏ：８％、ＭｇＯ：１１％）を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。なお、内周面及び外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス板上下面のラッピングは固定砥粒パッドを用いて行った。
【００６３】
次に、内外周の端面の面取り加工を行った。内外周加工の後、研磨液として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてブラシを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。
【００６４】
その後、研磨液として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてウレタンパッドを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。
【００６５】
次に、上記で作製された円形ガラス板の主表面に対して、下記の組成を有するスラリーからなる研磨液による精密研磨を行った。なお、いずれもコロイダルシリカは平均粒径２０ｎｍ、ＳｉＯ２濃度４０質量％の水分散液のものを１７質量％混合して用いた。残部はいずれも水である。
【００６６】
スラリー１（コントロール）：
クエン酸…０．６質量％
ｐＨ＝４．０
【００６７】
スラリー２（比較例）：
マレイン酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤１）…０．１質量％
ｐＨ＝５．５
【００６８】
スラリー３（実施例）：
マレイン酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤２）…０．１質量％
ｐＨ＝５．５
【００６９】
スラリー４（実施例）：
マレイン酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤５）…０．１質量％
ｐＨ＝５．４
【００７０】
精密研磨は、上記で調製した研磨液を用い、研磨具としてＩＲＨＤ硬度が５５．５、ショアＡ硬度が５３．５、圧縮率が１．９％かつ密度が０．２４ｇ／ｃｍ３である発泡ウレタン樹脂からなる研磨パッドを用い、スピードファム社製ＦＡＭ１２Ｂを用いて、研磨圧力を１２ｋＰａ、定盤回転数を４０ｒｐｍとして２０分間研磨した。その後、研磨後のガラス基板を、アルカリ洗浄液（花王社製商品名ＰＣ３１５）によりスクラブ洗浄し、続いてエアーガン乾燥することにより、ガラス基板を調製した。
【００７１】
（表面粗さの測定）
上記洗浄後のガラス基板の主表面を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、１μｍ×１μｍ（２５６ｐｉｘｅｌ×２５６ｐｉｘｅｌ）で観察し、表面粗さ（Ｒａ：ｎｍ）を測定した。結果を界面活性剤の種類、有機酸の種類、コロイダルシリカのζ電位とともに表３に示す。
【００７２】
【表３】
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【００７３】
表３に示すように、本発明のスラリーは、その中に含まれるコロイダルシリカのζ電位が−２５ｍＶ以下であり、ガラス基板のＲａを低減できることがわかった。
【００７４】
［実験例４］
（ガラス基板の作製）
フロート法で成形されたシリケートガラス板（モル％表示含有量が、Ｎａ２Ｏ：５％、Ｋ２Ｏ：８％、ＭｇＯ：１１％）を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。なお、内周面及び外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス板上下面のラッピングは固定砥粒パッドを用いて行った。
【００７５】
次に、内外周の端面の面取り加工を行った。内外周加工の後、研磨液として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてブラシを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。
【００７６】
その後、研磨液として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてウレタンパッドを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。
【００７７】
次に、上記で作製された円形ガラス板の主表面に対して、下記の組成を有するスラリーからなる研磨液による精密研磨を行った。なお、いずれもコロイダルシリカは平均粒径２０ｎｍ、ＳｉＯ２濃度４０質量％の水分散液のものを１７質量％混合して用いた。残部はいずれも水である。
【００７８】
スラリー５（比較例）：
クエン酸…６質量％
ｐＨ＝４．０
【００７９】
スラリー６（実施例）：
マレイン酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤２）…０．１質量％
ｐＨ＝５．５
【００８０】
スラリー７（実施例）：
マレイン酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤２）…１質量％
ｐＨ＝５．４
【００８１】
スラリー８（実施例）：
メトキシ酢酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤２）…０．１質量％
ｐＨ＝５．０
【００８２】
スラリー９（実施例）：
メトキシ酢酸…０．１４質量％
界面活性剤（界面活性剤２）…１質量％
ｐＨ＝４．９
【００８３】
精密研磨は、上記で調製した研磨液を用い、研磨具としてＩＲＨＤ硬度が５５．５、ショアＡ硬度が５３．５、圧縮率が１．９％かつ密度が０．２４ｇ／ｃｍ３である発泡ウレタン樹脂からなる研磨パッドを用い、スピードファム社製ＦＡＭ１２Ｂを用いて、研磨圧力を１２ｋＰａ、定盤回転数を４０ｒｐｍとして２０分間研磨した。その後、研磨後のガラス基板を、流水中で３分間水洗し、続いて７０℃、３０分のオーブン乾燥を行うことにより、ガラス基板を調製した。
【００８４】
（砥粒付着数の測定）
得られたガラス基板の表面をＳＥＭ観察することにより、砥粒付着数をカウントした。その結果をＰａｒｔｉｃｌｅ  Ｃｏｕｎｔ（個）として、界面活性剤の種類、有機酸の種類、その添加量、コロイダルシリカのζ電位とともに表４に示す。
【００８５】
【表４】
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【００８６】
表４に示すように、本発明のスラリーを用いることにより、ガラス基板の欠陥、異物の発生が顕著に抑制されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明の研磨用コロイダルシリカスラリーは、コロイダルシリカの分散性が高まるとともに、コロイダルシリカの研磨性を保ちながらコロイダルシリカのガラス基板表面への付着が抑制され、続く洗浄工程での洗浄性が高まる。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の精密研磨後の主表面の表面粗さを十分に低減でき、かつ、欠陥および異物の発生も顕著に抑制されるという効果を奏する。したがって、本発明の研磨用コロイダルシリカスラリーは、高記録密度化の要求される磁気ディスク用ガラス基板の製造に好適である。