(57)【要約】【課題】光源部の配置の自由度が高い表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る表示装置１００は、画素部１１と端子部１２とを有する第一の基板１０と、画素部１１と対向して配置された第二の基板２０と、端子部１２に配置され、第二の基板２０の第一の端面２１に第一の光Ｌ１を照射する第一の光源部４１と、第一の基板１０と第二の基板２０との間に配置される液晶層と、第一の光源部４１を挟んで画素部１１側とは反対側に配置され、端子部１２と電気的に接続された半導体素子５０と、を有し、第一の光Ｌ１は、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら伝播し、液晶層は、伝播する第一の光Ｌ１を変調する。【選択図】図１
2017167527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と端子部とを有する第一の基板と、
前記画素部と対向して配置された第二の基板と、
前記端子部に配置され、前記第二の基板の第一の端面に第一の光を照射する第一の光源部と、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置される液晶層と、
前記第一の光源部を挟んで前記画素部側とは反対側に配置され、前記端子部と電気的に接続された半導体素子と、
を有し、
前記第一の光は、前記第一の基板と前記第二の基板との間を反射しながら伝播し、
前記液晶層は、前記伝播する第一の光を変調する、表示装置。
【請求項２】
前記画素部を挟んで前記第一の光源部と対向する位置に配置され、前記第二の基板の第二の端面に第二の光を照射する第二の光源部を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、前記端子部に実装されている
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記半導体素子と前記第一の光源部との間には、樹脂が設けられている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記端子部と電気的に接続されたフレキシブルプリント回路基板を有し、
前記半導体素子は、前記フレキシブルプリント回路基板に実装されている
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記フレキシブルプリント回路基板の光透過率は、前記第一の基板の光透過率よりも小さい
請求項５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッジライト型の表示装置として、特許文献１〜４に記載の表示装置が知られている。特許文献１〜４の表示装置では、導光板の端部に光源部が配置され、光源部から照射された光が導光板の内部を伝播して面状に広げられる。表示の明るさを高める場合には、光源部が導光板の複数辺に設けられる（特許文献３，４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６９７９２５号公報
【特許文献２】特開２００４−３０９７７４号公報
【特許文献３】特開２０１２−１５０９４６号公報
【特許文献４】特開２０１２−１８５９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光源部の近傍にＩＣチップなどの半導体素子が存在すると、光源部からの強い光によって半導体素子が誤動作する可能性がある。よって、半導体素子が配置される端子部には、光源部が配置されないことが好ましい。しかし、この構成では、光源部の配置が大幅に制限される。
【０００５】
本発明の目的は、光源部の配置の自由度が高い表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る表示装置は、画素部と端子部とを有する第一の基板と、前記画素部と対向して配置された第二の基板と、前記端子部に配置され、前記第二の基板の第一の端面に第一の光を照射する第一の光源部と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置される液晶層と、前記第一の光源部を挟んで前記画素部側とは反対側に配置され、前記端子部と電気的に接続された半導体素子と、を有し、前記第一の光は、前記第一の基板と前記第二の基板との間を反射しながら伝播し、前記液晶層は、前記伝播する第一の光を変調する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第一の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図２は、図１のＣ１−Ｃ２線に沿う断面図である。
【図３】図３は、図２の端子部近傍の構成を拡大して示す図である。
【図４】図４は、液晶層の構成を示す断面図である。
【図５】図５は、非散乱状態の液晶層を示す断面図である。
【図６】図６は、散乱状態の液晶層を示す断面図である。
【図７】図７は、光源部と光入射面との間に隙間が存在する場合の入射光の挙動を説明する図である。
【図８】図８は、光源部と光入射面との間に隙間が存在しない場合の入射光の挙動を説明する図である。
【図９】図９は、第二の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１０】図１０は、第三の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図１１】図１１は、第四の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１２】図１２は、第五の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１３】図１３は、光源部の配置のバリエーションを示す断面図である。
【図１４】図１４は、第七の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図１５】図１５は、第八の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図１６】図１６は、第九の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１７】図１７は、光源の構成を示す断面図である。
【図１８】図１８は、パッシブマトリクス型パネルの概略図である。
【図１９】図１９は、パッシブマトリクス型パネルの等価回路図である。
【図２０】図２０は、アクティブマトリクス型パネルの概略図である。
【図２１】図２１は、アクティブマトリクス型パネルの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
［第一の実施形態］
図１は、第一の実施形態に係る表示装置１００の平面図である。図２は、図１のＣ１−Ｃ２線に沿う断面図である。図３は、図２の端子部近傍の構成を拡大して示す図である。
【００１０】
図１および図２に示すように、表示装置１００は、表示パネル１と、複数の光源部４０と、複数の半導体素子５０と、複数のフレキシブルプリント回路基板（以下、「ＦＰＣ」という。）６０と、を有する。
【００１１】
表示パネル１は、第一の基板１０と、第二の基板２０と、液晶層３０（図３参照）と、を有する。第一の基板１０は、画素部１１と端子部１２とを有する。画素部１１は、例えば、矩形形状を有する。端子部１２は、例えば、画素部１１の第一の辺１１ａに沿う第一の端子部１２ａと、第一の辺１１ａと隣接する第三の辺１１ｃに沿う第二の端子部１２ｂと、を有する。第二の基板２０は、画素部１１と対向して配置されている。第二の基板２０は、第一の基板１０よりも小さい。端子部１２は、第二の基板２０の外側に張り出している。
【００１２】
表示パネル１は、スイッチング素子を有しないパッシブマトリクス型パネルであってもよいし、スイッチング素子を有するアクティブマトリクス型パネルであってもよい。
【００１３】
図１８および図１９に示すように、パッシブマトリクス型パネルＰＭＬＣＤは、平面視で縦方向及び横方向に延在する電極（第一の電極Ｅ１および第二の電極Ｅ２）及び当該電極に電気的に接続された配線ＬＷを有する。当該電極は、例えば透明電極であり、液晶層３０を挟んで、互いに対向されるように配置される。
【００１４】
複数の第１の電極Ｅ１には、例えば、第一のドライバＤ１によってＥ１Ｘ１、Ｅ１Ｘ２、Ｅ１Ｘ３、Ｅ１Ｘ４、Ｅ１Ｘ５、…Ｅ１Ｘｍの順に駆動信号が供給される。複数の第二の電極Ｅ２には、例えば、第二のドライバＤ２によってＥ２Ｙ１、Ｅ２Ｙ２、Ｅ２Ｙ３、Ｅ２Ｙ４、Ｅ２Ｙ５、…Ｅ２Ｙｎの順に駆動信号が供給される。一つの第１の電極と一つの第二の電極とにより液晶層３０が駆動される領域が、一つの副画素である。マトリクス状に配置された複数の副画素によって、画素部１１が形成される。
【００１５】
図２０および図２１に示すように、表示パネル１がアクティブマトリクス型パネルＡＭＬＣＤである場合は、表示パネル１は、平面視で縦方向及び横方向に延在するデータ線ＤＬ及びゲート線ＧＬを有し、データ線ＤＬとゲート線ＧＬの交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。
【００１６】
それぞれのスイッチング素子Ｔｒには、それぞれ画素電極Ｅ３が接続されている。第一の基板１０には、複数の画素電極Ｅ３がマトリクス状に設けられている。複数のゲート線ＧＬには、例えば、第三のドライバＤ３によってＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５、…ＧＬｍの順にゲート信号が供給される。複数のデータ線ＤＬには、例えば、第四のドライバＤ４によってＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４、ＤＬ５、…ＤＬｎの順に画像信号が供給される。
【００１７】
第二の基板２０には、各画素電極Ｅ３に共通の共通電極Ｅ４が設けられている。スイッチング素子Ｔｒを介して画素電極Ｅ３に供給された画像信号（駆動電圧）は、画素電極Ｅ３と共通電極Ｅ４とにより形成された容量素子ＣＬに保持される。各画素電極Ｅ３と共通電極Ｅ４とにより液晶層３０が駆動される領域が、一つの副画素である。マトリクス状に配置された複数の副画素によって、画素部１１が形成される。
【００１８】
スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いてもよい。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。また、薄膜トランジスタの半導体層として、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、あるいは、酸化物半導体を用いてもよい。本実施の形態では、表示パネル１として、例えば、アクティブマトリクス型パネルＡＭＬＣＤを用い、薄膜トランジスタとして、例えば、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタを用いる。
【００１９】
端子部１２では、画素部１１からの配線と複数の半導体素子５０が電気的に接続されている。本実施形態では、例えば、複数の半導体素子５０として、第一の端子部１２ａと電気的に接続された複数の第一の半導体素子５１と、第二の端子部１２ｂと電気的に接続された複数の第二の半導体素子５２と、が設けられている。第一の半導体素子５１は、例えば、データ線と電気的に接続されている半導体素子である。第二の半導体素子５２は、例えば、ゲート線と電気的に接続されている半導体素子である。複数の半導体素子５０は、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により端子部１２に実装されている。端子部１２には、各半導体素子５０に対応した複数のＦＰＣ６０が電気的に接続されている。半導体素子５０は、対応するＦＰＣ６０を介して外部機器と電気的に接続されている。
【００２０】
なお、画素部１１からの配線とは、表示パネル１がパッシブマトリクス型パネルであれば、平面視で縦方向及び横方向に延在する電極又は配線のいずれか一方あるいはその両方を示す。また表示パネル１がアクティブマトリクス型パネルであれば、ゲート線又はデータ線、あるいはその両方を示す。ゲート線とデータ線は、一つの半導体素子と電気的に接続されてもよい。
【００２１】
画素部１１の周囲には、複数の光源部４０が設けられている。光源部４０は、画素部１１に向けて光Ｌを照射する。本実施形態では、例えば、複数の光源部４０として、第一の光源部４１と、第二の光源部４２と、第三の光源部４３と、第四の光源部４４と、が設けられている。第一の光源部４１は、第一の端子部１２ａに配置されている。第二の光源部４２は、画素部１１を挟んで第一の光源部４１と対向する位置に配置されている。第三の光源部４３は、第二の端子部１２ｂに配置されている。第四の光源部４４は、画素部１１を挟んで第三の光源部４３と対向する位置に配置されている。
【００２２】
第一の光源部４１は、画素部１１の第一の辺１１ａに沿って配置され、第二の基板２０の第一の端面２１に第一の光Ｌ１を照射する。第二の光源部４２は、画素部１１の第二の辺１１ｂに沿って配置され、第二の基板２０の第二の端面２２に第二の光Ｌ２を照射する。第三の光源部４３は、画素部１１の第三の辺１１ｃに沿って配置され、第二の基板２０の第三の端面２３に第三の光Ｌ３を照射する。第四の光源部４４は、画素部１１の第四の辺１１ｄに沿って配置され、第二の基板２０の第四の端面２４に第四の光Ｌ４を照射する。
【００２３】
図３に示すように、光源部４０は、例えば、端子部１２に接着されたＦＰＣ４５と、ＦＰＣ４５に実装された複数の光源４６と、を有する。複数の光源４６は、画素部１１の外周に沿って並んでいる。光源４６としては、例えば、発光ダイオードが用いられる。光源部４０は、光照射面４０ａを第二の基板２０の端面に向けた状態で、第二の基板２０の端面と対向配置されている。光照射面４０ａと対向する第二の基板２０の端面は、光Ｌが入射する光入射面ＳＥである。光照射面４０ａと光入射面ＳＥとの間には、隙間が設けられている。隙間は、空気層Ｇとなっている。光源部４０から照射された光Ｌは、第一の基板１０の外面（液晶層３０側とは反対側の面）１０Ａおよび第二の基板２０の外面２０Ａで反射しながら、光入射面ＳＥから遠ざかる方向に伝播する。
【００２４】
図１に示すように、第一の半導体素子５１は、第一の光源部４１を挟んで画素部１１側とは反対側に配置されている。第一の光Ｌ１は、画素部１１側のみに照射され、第一の半導体素子５１側には照射されない。そのため、第一の光Ｌ１によって、第一の半導体素子５１が誤動作しにくい。同様に、第二の半導体素子５２は、第三の光源部４３を挟んで画素部１１側とは反対側に配置されている。第三の光Ｌ３は、画素部１１側のみに照射され、第二の半導体素子５２側には照射されない。そのため、第三の光Ｌ３によって、第二の半導体素子５２が誤動作しにくい。
【００２５】
図３に示すように、第一の半導体素子５１と第一の光源部４１との間には、熱伝導率の低い樹脂５５が設けられている。樹脂５５の熱伝導率は空気よりも小さい。第一の半導体素子５１の第一の光源部４１側の側面は、熱伝導率の低い樹脂５５によって覆われていることが好ましい。熱伝導率の低い樹脂５５により、第一の光源部４１からの熱が第一の半導体素子５１に伝導するのを防ぐことができる。よって、第一の光源部４１からの熱によって第一の半導体素子５１が劣化しにくい。
【００２６】
図示は省略したが、第二の半導体素子５２と第三の光源部４３との間にも、熱伝導率の低い樹脂が設けられている。熱伝導率の低い樹脂５５により、第三の光源部４３からの熱が第二の半導体素子５２に伝導するのを防ぐことができる。よって、第三の光源部４３からの熱によって第二の半導体素子５２が劣化しにくい。なお、当該熱伝導率の低い樹脂５５としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ重合樹脂等が挙げられる。
【００２７】
図２および図３に示すように、第一の基板１０と第二の基板２０との間には、液晶層３０が配置されている。液晶層３０は、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら伝播する光Ｌを変調する。第一の基板１０と第二の基板２０との間には、液晶層３０を封止するシール材３９が設けられている。シール材３９は、画素部１１の外周に沿って枠状に設けられている。画素部１１には、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配置されている。第一の基板１０には、画素ＰＸごとに、画素電極１３が設けられている。複数の画素ＰＸは、複数の引き回し配線（図示略）を介して端子部１２と電気的に接続されていてもよい。第二の基板２０には、各画素ＰＸに共通の共通電極１４が設けられている。
【００２８】
表示パネル１がパッシブマトリクス型パネルである例としては、画素電極１３及び共通電極１４が短冊状に形成され、画素電極１３及び共通電極１４がそれぞれ平面視で縦方向及び横方向に延在する例が挙げられる。画素電極１３及び共通電極１４は、それぞれ配線に接続され、半導体素子と電気的に接続される。表示パネル１がアクティブマトリクス型パネルである例としては、スイッチング素子、例えば薄膜トランジスタが、画素電極１３に電気的に接続される例が挙げられる。ゲート線及びデータ線は、半導体素子と電気的に接続される。
【００２９】
図４は、液晶層３０の構成を示す断面図である。図５は、非散乱状態の液晶層３０を示す断面図である。図６は、散乱状態の液晶層３０を示す断面図である。
【００３０】
図４に示すように、液晶層３０は、高分子によって形成されたバルク３１と、バルク３１内に分散された複数の微粒子３２と、を有する。微粒子３２は、液晶によって形成されている。バルク３１および微粒子３２は、それぞれ光学異方性を有している。
【００３１】
液晶層３０は、例えば、次の方法により形成される。まず、高分子のモノマー中に液晶を分散させた溶液を第一の基板１０と第二の基板２０との間に封入する。第一の基板１０は、第一の基材１９と、第一の基材１９上に設けられた画素電極１３および第一の配向膜６１と、を有する。第二の基板２０は、第二の基材２９と、第二の基材２９上に設けられた共通電極１４および第二の配向膜６２と、を有する。第一の配向膜６１および第二の配向膜６２は、例えば、垂直配向膜である。
【００３２】
次に、モノマーおよび液晶を第一の配向膜６１および第二の配向膜６２によって配向させた状態で、紫外線または熱によってモノマーを重合させ、バルク３１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの液晶層３０が形成される。
【００３３】
微粒子３２に含まれる液晶の配向は、画素電極１３と共通電極１４との間に印加される電圧によって制御される。液晶の配向が変化することにより、光Ｌの散乱の度合が変化する。液晶層３０は、光Ｌの散乱の度合を変化させることにより、光Ｌを変調する。表示パネル１から外部に放射される光Ｌの明るさは、光Ｌの散乱の度合によって変化する。
【００３４】
例えば、図５に示すように、画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加されていない状態では、バルク３１の光軸Ａｘ１と微粒子３２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子３２の光軸Ａｘ２は、液晶層３０の層厚方向と平行である。バルク３１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層３０の層厚方向と平行である。
【００３５】
バルク３１と微粒子３２の常光屈折率は互いに等しい。バルク３１と微粒子３２の異常光屈折率は互いに等しい。画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク３１と微粒子３２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層３０は、光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光Ｌは、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら、光源部４０から遠ざかる方向に伝播する。
【００３６】
図６に示すように、画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加された状態では、微粒子３２の光軸Ａｘ２は、画素電極１３と共通電極１４との間に発生する電界によって傾く。バルク３１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク３１の光軸Ａｘ１と微粒子３２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。液晶層３０は、光Ｌを散乱する散乱状態となる。光Ｌは、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら伝播し、散乱状態となった画素ＰＸにおいて散乱される。散乱された光Ｌは、表示パネル１の外部に放射され、画像光として観察される。
【００３７】
なお上記には、第一の配向膜６１および第二の配向膜６２が垂直配向膜である例について述べたが、第一の配向膜６１および第二の配向膜６２は、それぞれ水平配向膜であってもよい。第一の配向膜６１および第二の配向膜６２は、モノマーを高分子化する際に、モノマーを所定の方向に配向させる機能を有していれば良い。これにより、モノマーは、所定の方向に配向した状態で高分子化したポリマーとなる。第一の配向膜６１および第二の配向膜６２が水平配向膜の場合は、画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加されていない状態で、バルク３１の光軸Ａｘ１と微粒子３２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しく、膜厚方向と直交する方向となる。当該膜厚方向と垂直な方向とは、平面視で第一の基板１０の辺に沿った方向に該当する。
【００３８】
以上説明した本実施形態の表示装置１００では、第一の光源部４１からの第一の光Ｌ１が直接第一の半導体素子５１に入射しない。また、第三の光源部４３からの第三の光Ｌ３が直接第二の半導体素子５２に入射しない。よって、第一の半導体素子５１および第二の半導体素子５２の誤動作を抑制しながら、第一の光源部４１および第三の光源部４３を端子部１２に配置することができる。この構成では、光源部４０の位置が端子部１２の位置によって制約されないため、光源部４０の配置の自由度が高い。そのため、例えば、複数の光源部４０を画素部１１の周囲に対称に配置することができる。この構成では、画素部１１全体に均一に光Ｌが照射されるため、画素部１１の明るさが向上し、明るさの均一性も高まる。
【００３９】
また、本実施形態では、図７に示すように、光源部４０と表示パネル１の光入射面ＳＥとの間には空気層Ｇが設けられている。光源部４０から照射された光Ｌは、空気層Ｇを介して表示パネル１の光入射面ＳＥに入射する。光Ｌは、光入射面ＳＥで屈折し、第二の基板２０の外面２０Ａに浅い角度で入射する。そのため、外面２０Ａから表示パネル１の外部に漏れにくい。例えば、図８に示すように、光源部４０と光入射面ＳＥとが接触している場合には、光源部４０から照射された光Ｌは、光入射面ＳＥで屈折することなく、そのまま外面２０Ａに入射する。そのため、外面２０Ａに入射する角度が大きくなる。よって、光Ｌは、外面２０Ａで全反射せずに表示パネル１の外部に漏れだす可能性がある。本実施形態では、表示パネル１の外部に漏れだす光Ｌが少ないため、明るい画像が得られる。
【００４０】
［第二の実施形態］
図９は、第二の実施形態に係る表示装置２００の断面図である。本実施形態において、第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
本実施形態において第一の実施形態と異なる点は、半導体素子５０がＦＰＣ６０に実装されている点である。表示パネル１における表示方式は、第一の実施形態と同じである。すなわち、図５に示したように、画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加されていない状態では、液晶層３０は、光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光Ｌは、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら、光源部４０から遠ざかる方向に伝播する。図６に示したように、画素電極１３と共通電極１４との間に電圧が印加された状態では、液晶層３０は、光Ｌを散乱する散乱状態となる。光Ｌは、第一の基板１０と第二の基板２０との間を反射しながら伝播し、散乱状態となった画素ＰＸにおいて散乱される。散乱された光Ｌは、表示パネル１の外部に放射され、画像光として観察される。
【００４２】
この構成でも、光源部４０からの光Ｌが半導体素子５０に入射することが抑制される。よって、半導体素子５０の誤動作を抑制しながら、光源部４０を端子部１２に配置することができる。また、本実施形態では、半導体素子５０がＦＰＣ６０に実装されるため、半導体素子５０と光源部４０との距離が大きい。よって、光源部４０からの熱によって半導体素子５０が劣化しにくい。
【００４３】
また、ＦＰＣ６０は、ポリイミドなどにより形成され、ＦＰＣ６０の光透過率は第一の基板１０の光透過率よりも小さい。そのため、第一の基板１０の外面１０Ａで反射して半導体素子５０に向かう光Ｌの一部がＦＰＣ６０で遮られる。よって、半導体素子５０の誤動作が抑制される。
【００４４】
［第三の実施形態］
図１０は、第三の実施形態に係る表示装置３００の平面図である。本実施形態において、第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
本実施形態において第一の実施形態と異なる点は、光源部４０が端子部１２のみに設けられている点である。第一の基板１０の外側には、光源部４０は設けられていない。
【００４６】
本実施形態では、例えば、複数の光源部４０として、第一の光源部４１と、第三の光源部４３と、が設けられている。第一の光源部４１から照射された第一の光Ｌ１は、第一の辺１１ａから第二の辺１１ｂに向けて進行する。第三の光源部４３から照射された第三の光Ｌ３は、第三の辺１１ｃから第四の辺１１ｄに向けて進行する。
【００４７】
第一の半導体素子５１は、第一の光Ｌ１および第三の光Ｌ３が伝播する方向には設けられていない。第二の半導体素子５２は、第一の光Ｌ１および第三の光Ｌ３が伝播する方向には設けられていない。そのため、第一の半導体素子５１および第二の半導体素子５２に誤動作が生じることが抑制される。
【００４８】
また、この構成では、全ての光源部４０が第一の基板１０上に集約される。そのため、表示パネル１と光源部４０とを一体として取り扱うことができ、搬送や組み立て作業などが容易になる。また、全ての光源部４０が第二の基板２０に対して位置決めされた状態で固定されている。そのため、表示装置３００をケースに収容する場合には、ケース内に光源部４０の位置決め機構を設ける必要がない。そのため、ケースの構造が簡略化できる。
【００４９】
［第四の実施形態］
図１１は、第四の実施形態に係る表示装置４００の断面図である。本実施形態において、第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５０】
本実施形態において第一の実施形態と異なる点は、端子部１２に配置されていない光源部４０が、表示パネル１の厚みと同程度の高さを有する点である。例えば、第二の光源部４２および第四の光源部４４は、表示パネル１の厚みと同程度の高さを有する。
【００５１】
第二の光源部４２および第四の光源部４４は、第一の基板１０と第二の基板２０の双方に対向して配置されている。第二の光源部４２および第四の光源部４４は、第一の基板１０の端面と第二の基板２０の端面の双方に同時に光Ｌを入射させる。そのため、表示パネル１に入射する光Ｌの光量が多くなり、明るい画像が得られる。
【００５２】
［第五の実施形態］
図１２は、第五の実施形態に係る表示装置５００の断面図である。本実施形態において、第二の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５３】
本実施形態において第二の実施形態と異なる点は、端子部１２に配置されていない光源部４０が、表示パネル１の厚みと同程度の高さを有する点である。例えば、第二の光源部４２および第四の光源部４４は、表示パネル１の厚みと同程度の高さを有する。
【００５４】
第二の光源部４２および第四の光源部４４は、第一の基板１０と第二の基板２０の双方に対向して配置されている。第二の光源部４２および第四の光源部４４は、第一の基板１０の端面と第二の基板２０の端面の双方に同時に光Ｌを入射させる。そのため、表示パネル１に入射する光Ｌの光量が多くなり、明るい画像が得られる。
【００５５】
［第六の実施形態］
図１３は、光源部４０の配置のバリエーションを示す断面図である。
【００５６】
第一の実施形態では、光入射面ＳＥに入射した光Ｌが直接表示パネル１を通り抜けて外部に漏れだすことを抑制するために、光源部４０と表示パネル１の光入射面ＳＥとの間に空気層Ｇが設けられた。本実施形態では、光源部４０と光入射面ＳＥとの間に空気層Ｇが設けられるかわりに、光漏れが生じる位置に反射層７０が設けられている。反射層７０が設けられる範囲は、第二の基板２０の屈折率および光Ｌの広がり角によって決まる。光Ｌが臨界角よりも小さな角度で外面２０Ａに入射する範囲に反射層７０が設けられる。
【００５７】
この構成によれば、光入射面ＳＥと光源部４０との距離が短くなるため、端子部１２を小さくすることができる。よって、表示パネル１からの光漏れを抑制しながら、表示装置の小型化が図られる。
【００５８】
［第七の実施形態］
図１４は、第七の実施形態に係る表示装置６００の平面図である。本実施形態において、第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５９】
本実施形態において第一の実施形態と異なる点は、端子部１２が第一の基板１０の一つの辺のみに設けられている点である。画素部１１の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン、例えばＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）を用いた薄膜トランジスタである。半導体素子５０は、画素部１１から引き出されたゲート線およびデータ線と電気的に接続されている。半導体素子５０は、ＦＰＣ６０上に実装されている。光源部４０は、画素部１１と半導体素子５０との間に配置され、画素部１１に向けて光Ｌを照射する。
【００６０】
この構成においても、光源部４０からの光Ｌは、半導体素子５０に直接入射されない。そのため、半導体素子５０の誤動作が抑制される。
【００６１】
［第八の実施形態］
図１５は、第八の実施形態に係る表示装置７００の平面図である。本実施形態において、第七の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６２】
本実施形態では、画素部１１の周囲に、複数の光源部４０が設けられている。例えば、複数の光源部４０として、第一の光源部４１と、第二の光源部４２と、が設けられている。第一の光源部４１は、画素部１１と半導体素子５０との間に配置されている。第二の光源部４２は、画素部１１を挟んで第一の光源部４１と対向する位置に配置されている。
【００６３】
第一の光源部４１は、画素部１１に向けて第一の光Ｌ１を照射する。第一の光Ｌ１は、直接半導体素子５０に入射しないため、第一の光Ｌ１によって半導体素子５０が誤動作することが抑制される。第二の光源部４２から照射された第二の光Ｌ２は、半導体素子５０に向けて伝播するが、伝播の過程で減衰するため、半導体素子５０に誤動作が生じにくい。よって、半導体素子５０の誤動作を抑制しながら、複数の光源部４０によって画素部１１を照明することができる。
【００６４】
［第九の実施形態］
図１６は、第九の実施形態に係る表示装置８００の断面図である。図１７は、光源４６の構成を示す断面図である。本実施形態において、第一の実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６５】
図１７に示すように、光源４６は、発光体７５と、蛍光体７６と、リフレクター７７と、を有する。リフレクター７７は、発光体７５および蛍光体７６を収容する凹部７７ａを有する。発光体７５は、凹部７７ａの底面に固定されている。発光体７５は、蛍光体７６によって覆われている。蛍光体７６は、発光体７５から放射された光の一部を吸収して、発光体７５の発光波長とは異なる波長の光を放射する。発光体７５は、例えば、青色の光を放射する。蛍光体７６は、例えば、青色の光を黄色の光に変換する。これにより、光源部４０から白色の光Ｌが放射される。凹部７７ａ内に露出した蛍光体７６の表面が、光照射面４０ａである。
【００６６】
図１６に示すように、第一の半導体素子５１（５０）は、例えば、第一の光源部４１によって第二の光Ｌ２の影が形成される位置に配置されている。表示パネル１の内部を伝播して第一の端面１ａから出射した第二の光Ｌ２は、第一の光源部４１によって遮られる。第一の光源部４１に入射した第二の光Ｌ２は、リフレクター７７によって反射され、第一の半導体素子５１に入射しない。よって、第一の半導体素子５１の誤動作が抑制される。図示は省略したが、第二の半導体素子５２も、第四の光源部４４によって第四の光Ｌ４の影が形成される位置に配置されている。よって、第四の光Ｌ４が第二の半導体素子５２に入射することが抑制される。
【００６７】
なお、本実施の形態は、第一乃至第八の実施形態に適用される。
【００６８】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した発明を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての発明も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の技術的範囲に属する。
【００６９】
例えば、上記の実施形態では、端子部１２が画素部１１の二辺に沿ってＬ字状に設けられているが、端子部１２の形状はこれに限定されない。端子部１２は、画素部１１の一辺または三辺以上の辺に沿って設けられてもよい。また、光源部４０の数は四つまたは二つに限定されず、一つまたは三つでもよい。また、半導体素子５０の種類および数は、上述の実施形態に示したものに限定されない。
【００７０】
本発明は、以下の態様に係る表示装置に広く適用可能である。
【００７１】
（１）画素部と端子部とを有する第一の基板と、
前記画素部と対向して配置された第二の基板と、
前記端子部に配置され、前記第二の基板の第一の端面に第一の光を照射する第一の光源部と、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置される液晶層と、
前記第一の光源部を挟んで前記画素部側とは反対側に配置され、前記端子部と電気的に接続された半導体素子と、
を有し、
前記第一の光は、前記第一の基板と前記第二の基板との間を反射しながら伝播し、
前記液晶層は、前記伝播する第一の光を変調する、表示装置。
【００７２】
（２）前記画素部を挟んで前記第一の光源部と対向する位置に配置され、前記第二の基板の第二の端面に第二の光を照射する第二の光源部を有する
（１）に記載の表示装置。
【００７３】
（３）前記半導体素子は、前記端子部に実装されている
（１）または（２）に記載の表示装置。
【００７４】
（４）前記半導体素子と前記第一の光源部との間には、樹脂が設けられている
（３）に記載の表示装置。
【００７５】
（５）前記端子部と電気的に接続されたフレキシブルプリント回路基板を有し、
前記半導体素子は、前記フレキシブルプリント回路基板に実装されている
（１）または（２）に記載の表示装置。
【００７６】
（６）前記フレキシブルプリント回路基板の光透過率は、前記第一の基板の光透過率よりも小さい
（５）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００７７】
１０  第一の基板
１１  画素部
１２  端子部
２０  第二の基板
２１  第一の端面
２２  第二の端面
３０  液晶層
４１  第一の光源部
４２  第二の光源部
５０  半導体素子
６０  フレキシブルプリント回路基板
１００、２００、３００  表示装置
Ｌ１  第一の光
Ｌ２  第二の光
【図１】
2017167527.tif 000003
【図２】
2017167527.tif 000004
【図３】
2017167527.tif 000005
【図４】
2017167527.tif 000006
【図５】
2017167527.tif 000007
【図６】
2017167527.tif 000008
【図７】
2017167527.tif 000009
【図８】
2017167527.tif 000010
【図９】
2017167527.tif 000011
【図１０】
2017167527.tif 000012
【図１１】
2017167527.tif 000013
【図１２】
2017167527.tif 000014
【図１３】
2017167527.tif 000015
【図１４】
2017167527.tif 000016
【図１５】
2017167527.tif 000017
【図１６】
2017167527.tif 000018
【図１７】
2017167527.tif 000019
【図１８】
2017167527.tif 000020
【図１９】
2017167527.tif 000021
【図２０】
2017167527.tif 000022
【図２１】
2017167527.tif 000023