(57)【要約】【課題】潤滑剤層の厚みが薄くても、環境物質に汚染されにくい磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】保護層３の潤滑剤層４側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、潤滑剤層４は、最表面に接して形成され、下記式（１）〜（３）の化合物Ａ〜Ｃを含み、膜厚が０．５〜２ｎｍである磁気記録媒体。Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ‥（１）、ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ‥（２）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ‥（３）【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とをこの順序で有する磁気記録媒体であって、
前記保護層は、前記潤滑剤層側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、
前記潤滑剤層は、前記最表面に接して形成され、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内であり、下記一般式（１）に示す化合物Ａと、下記一般式（２）に示す化合物Ｂと、下記一般式（３）に示す化合物Ｃとを含み、前記潤滑剤層に含まれる前記化合物Ａ、ＢおよびＣの質量の和に対して、前記化合物Ａの質量の比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．６の範囲内であり、前記化合物Ｂの質量の比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．５の範囲内であり、前記化合物Ｃの質量の比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．９の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の整数である。）。）。）
ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは４〜５０の範囲の整数である。）
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（３）
（一般式（３）中、ｓは整数である。）
【請求項２】
前記化合物Ａの平均分子量が１０００〜２５００の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記化合物Ｂの平均分子量が１０００〜２５００の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記化合物Ｃの平均分子量が１０００〜２０００の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブなどの磁気記録再生装置に好適に用いられる磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
従来、磁気記録媒体として、基板上に情報を記録する記録層と、カーボン等で形成された保護層と、潤滑剤層とをこの順に形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。
【０００４】
このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成している。保護層上に潤滑剤層を設けることによって、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止できるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を低減することができ、耐久性が向上する。
【０００５】
磁気記録媒体に使用される潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水素系潤滑剤などが提案されている。
例えば、特許文献１には、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ−ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）の構造をもつパーフロロアルキルポリエーテル（ジオール）の潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ―ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２―ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）の構造をもつパーフロロアルキルポリエーテル（テトラオール）よりなる潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が開示されている。
特許文献３には、−ＣＦ２Ｏ−または−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−から選ばれたパーフルオロオキシアルキレン単位とホスファゼン化合物を有する磁気記録媒体用途の潤滑剤が開示されている。
【０００７】
特許文献４には、ホスファゼン化合物と、パーフルオロオキシアルキレン単位を有する化合物とを特定の範囲で混合した潤滑剤層を有する磁気記録媒体が記載されている。また、特許文献４には、この潤滑剤層が、保護層との結合力が高く、かつ、保護層の層厚を下げた場合にも高い被覆率が得られることが記載されている。
特許文献５には、Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３で示される化合物を含有する潤滑剤が開示されている。
【０００８】
また、磁気記録媒体上のイオン性の汚染物質の一つとして、磁気記録再生装置の密閉用のゴムシールとして使われるシロキサン系有機Ｓｉからのアウトガスがある。シロキサン系有機Ｓｉからのアウトガスは、磁気記録再生装置の磁気ヘッドの破損や汚染を引き起こす原因となることが知られている（例えば、特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６２−６６４１７号公報
【特許文献２】特開平９−２８２６４２号公報
【特許文献３】特開２００２−２７５４８４号公報
【特許文献４】特開２０１０−１０８５８３号公報
【特許文献５】特開２０１３−１６３６６７号公報
【特許文献６】特開２０１４−１１６０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
磁気記録媒体においては、より磁気ヘッドの浮上量を小さくして記録密度を向上させることが要求されている。このため、潤滑剤層の厚みをより一層薄くすることが求められている。
しかし、潤滑剤層の厚みを薄くすると、潤滑剤層に隙間が形成され、潤滑剤層の隙間から環境物質が侵入して汚染物質が生成され、磁気記録媒体が汚染される。磁気記録媒体が汚染されると、磁気記録媒体上の汚染物質が磁気ヘッドに付着（転写）されてしまう。
【００１１】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、潤滑剤層の厚みが薄くても、環境物質に汚染されにくい磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記課題を解決するために、潤滑剤層に接して配置される保護層の表面と、潤滑剤層の材料との関係に着目して、鋭意検討を重ねた。
その結果、保護層と潤滑剤層とを以下に示すものとすることで、潤滑剤層の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体の汚染を防止できるという知見を得た。すなわち、保護層として、潤滑剤層側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含むものを用いる。そして、潤滑剤層として、保護層の上記最表面に接して形成され、アイランド状または網目状となることなく窒素含有層との高い結合力が得られる特定の組成を有する化合物からなるものを用いる。
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであり、その要旨は以下のとおりである。
【００１３】
［１］  非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とをこの順序で有する磁気記録媒体であって、
前記保護層は、前記潤滑剤層側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含み、
前記潤滑剤層は、前記最表面に接して形成され、平均膜厚が０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内であり、下記一般式（１）に示す化合物Ａと、下記一般式（２）に示す化合物Ｂと、下記一般式（３）に示す化合物Ｃとを含み、前記潤滑剤層に含まれる前記化合物Ａ、ＢおよびＣの質量の和に対して、前記化合物Ａの質量の比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．６の範囲内であり、前記化合物Ｂの質量の比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．５の範囲内であり、前記化合物Ｃの質量の比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５〜０．９の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１４】
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の整数である。）。）。）
【００１５】
ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは４〜５０の範囲の整数である。）
【００１６】
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（３）
（一般式（３）中、ｓは整数である。）
【００１７】
［２］  前記化合物Ａの平均分子量が１０００〜２５００の範囲内であることを特徴とする［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］  前記化合物Ｂの平均分子量が１０００〜２５００の範囲内であることを特徴とする［１］または［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］  前記化合物Ｃの平均分子量が１０００〜２０００の範囲内であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００１８】
［５］  ［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の磁気記録媒体は、潤滑剤層側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む保護層と、保護層の最表面に接して形成され、化合物Ａと化合物Ｂと化合物Ｃとを所定の割合で含む潤滑剤層とを有する。このため、本発明の磁気記録媒体は、潤滑剤層がアイランド状または網目状とならず、潤滑剤層と保護層とが強い結合力で結合されたものとなる。よって、潤滑剤層の平均膜厚を０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲内に薄くしても、潤滑剤層の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体の汚染を防止できる。したがって、本発明の磁気記録媒体は、潤滑剤層の厚みを十分薄くして、さらなる記録密度の向上に対応できる。
【００２０】
また、本発明の磁気記録再生装置は、汚染されにくい本発明の磁気記録媒体を具備している。このため、本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体上に存在する汚染物質が磁気記録再生装置の磁気ヘッドに転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることを防止できる。よって、本発明の磁気記録再生装置は、安定した磁気記録再生特性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態である磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
図１に示すように、本発明の実施形態である磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と保護層３と潤滑剤層４とがこの順序で積層されたものである。
【００２３】
なお、本実施形態においては、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と軟磁性下地層とシード層と配向制御層とがこの順序で積層されている場合を例に挙げて説明する。密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層は、必要に応じて設けられるものであり、これらのうちの一部または全部は設けられていなくてもよい。
【００２４】
（非磁性基板）
非磁性基板１としては、ＡｌまたはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。また、非磁性基板１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。
【００２５】
（密着層）
密着層は、非磁性基板１と密着層上に設けられる軟磁性下地層とを接して配置した場合における非磁性基板１の腐食の進行を防止するものである。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択できる。密着層の厚みは、密着層を設けることによる効果が十分に得られるように２ｎｍ以上であることが好ましい。
密着層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００２６】
（軟磁性下地層）
軟磁性下地層は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング(ＡＦＣ)した構造を有していることが好ましい。軟磁性下地層がＡＦＣした構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００２７】
軟磁性下地層の膜厚は、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化する恐れがあるため、好ましくない。一方、軟磁性下地層の膜厚が８０ｎｍを超えると、生産性が著しく低下するため好ましくない。
【００２８】
第１および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。第１および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなるものである場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
【００２９】
また、第１および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。軟磁性下地層は、スパッタリング法により形成できる。
【００３０】
（シード層）
シード層は、その上に設けられた配向制御層および磁性層２の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層２の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するために設けられている。
【００３１】
シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。シード層がＮｉＷ合金からなるものである場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
【００３２】
シード層の膜厚は、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の膜厚が２ｎｍ未満であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られない場合がある。一方、シード層の膜厚が２０ｎｍを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
シード層は、スパッタリング法により形成できる。
【００３３】
（配向制御層）
配向制御層は、磁性層２の配向が良好なものとなるように制御するものである。配向制御層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。
【００３４】
配向制御層の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層の膜厚を３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層との間の距離が小さいものとなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。また、配向制御層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、磁性層２の配向を良好に制御できる。
【００３５】
配向制御層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層が複数層からなるものである場合、全ての配向制御層が同じ材料からなるものであってもよいし、少なくとも一部が異なる材料からなるものであってもよい。
配向制御層は、スパッタリング法により形成できる。
【００３６】
（磁性層）
磁性層２は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層２は、ＣｏとＰｔを含むものであり、更にＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを含むものであってもよい。
磁性層２に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが挙げられる。
磁性層２は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる材料からなる複数層からなるものであってもよい。
【００３７】
例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００３８】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００３９】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。
【００４０】
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むものであることにより、磁性粒子の微細化を促進し、結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００４１】
磁性層２の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層２の厚みが５ｎｍ未満であると、十分な再生出力が得られず、熱揺らぎ特性も低下する。また、磁性層２の厚さが２５ｎｍを超えた場合には、磁性層２中の磁性粒子の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される記録再生特性が悪化するため好ましくない。
【００４２】
また、磁性層２が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜（磁性層）を構成する磁性粒子の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【００４３】
磁性層の間に設けられる非磁性層の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の元素を表す。）などを好適に用いることができる。
【００４４】
また、磁性層の間に設けられる非磁性層の材料としては、酸化物、窒化物、又は炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。酸化物の具体例としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが挙げられる。窒化物の具体例としては、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮなどが挙げられる。炭化物の具体例としては、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどをそれぞれ用いることができる。
【００４５】
磁性層の間に設けられる非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。非磁性層の厚みを上記の範囲とすることで、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
非磁性層は、スパッタリング法により形成できる。
【００４６】
また、磁性層２は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
【００４７】
磁性層２は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法など従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
【００４８】
（保護層）
保護層３は、磁性層２を保護するものである。図１に示すように、本実施形態の保護層３は、保護膜層３ａと、保護膜層３ａの潤滑剤層４側（図１においては上面）に形成された窒素含有層３ｂとを有している。
保護膜層３ａは、炭素または水素化炭素を含むものであり、炭素のみ、または水素化炭素のみで形成されていてもよいし、炭素または水素化炭素の他に窒素を含むものであってもよい。保護膜層３ａは、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
【００４９】
窒素含有層３ｂは、窒素と炭素とを含む。窒素含有層３ｂには、窒素原子と炭素原子の他に、水素原子などの他の原子が含まれていてもよい。
窒素含有層３ｂは、炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む最表面（保護層の潤滑剤層側の最表面、窒素含有層３ｂと潤滑剤層４との界面）を有する。窒素含有層３ｂ中の窒素含有量は、均一であってもよいし、例えば、最表面が最も多く、深さが深くなるのに伴って少なくなる濃度勾配を有するものであってもよい。
窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量が上記範囲であると、窒素含有層３ｂと潤滑剤層４を形成している後述する化合物Ａ〜化合物Ｃの各化合物とが、高い結合力で結合される。
【００５０】
窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子は、後述する化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基と強固な結合を形成する。窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量が５０原子％以上であると、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と、化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基との結合数を十分に確保でき、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量は、窒素含有層３ｂに含まれる窒素原子と、化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基との結合数を確保するために、６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。
【００５１】
窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子は、後述する化合物Ａに含まれる六員環（−Ｃ６Ｈ４−）と強固な結合を形成する。窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量が９０原子％以下であると、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子数が十分に確保される。したがって、窒素含有層３ｂに含まれる炭素原子と、化合物Ａに含まれる六員環との結合数を十分に確保でき、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量は、窒素含有層３ｂに含まれる炭素原子と、化合物Ａに含まれる六員環との結合数を確保するために、８０原子％以下であることが好ましい。
【００５２】
本実施形態において、保護層の潤滑剤層側の表面が「炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む」とは、保護層の潤滑剤層側の表面を、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ／ＥＳＣＡ）で測定し、最表面の窒素含有量が、５０原子％〜９０原子％の範囲内である保護層を意味する。
【００５３】
保護層３の膜厚（保護膜層３ａと窒素含有層３ｂの合計の膜厚）は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。保護層３の膜厚が１０ｎｍ以下であると、本実施形態の磁気記録媒体１１を備える磁気記録再生装置における磁気的スペーシングを十分に低減することができ、さらなる記録密度の向上に対応できる。なお、磁気的スペーシングとは、磁気ヘッドと磁性層４との間の距離のことを意味する。磁気的スペーシングを狭くするほど、磁気記録再生装置の電磁変換特性を向上させることができる。保護層３の膜厚が１ｎｍ以上であると、磁性層２を保護する効果が高くなり、耐久性を向上させることができる。
【００５４】
保護層３は、例えば、以下に示す方法により形成できる。
保護膜層３ａが炭素からなるものである場合、例えば、カーボンターゲット材を原料として用いるスパッタ法により形成できる。
保護膜層３ａが水素化炭素からなるものである場合、例えば、エチレンやトルエンなどの炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法などにより形成できる。
保護膜層３ａが炭素または水素化炭素の他に窒素を含む場合、例えば、原料として窒素を含む原料を用いて、上記の保護膜層３ａが炭素からなるものである場合または水素化炭素からなるものである場合と同様の方法により形成できる。
【００５５】
次に、保護膜層３ａ上（潤滑剤層４側表面）を窒化（または、脱水素化および窒化）処理することにより、窒素含有層３ｂを形成する。
保護膜層３ａ上を窒化（または、脱水素化および窒化）処理する方法としては、公知の方法を用いることができる。具体的には、保護膜層３ａ上に窒素イオンを注入する方法、保護膜層３ａ上を窒素プラズマに暴露する方法などが挙げられる。これらの方法により形成した窒素含有層３ｂは、最表面の窒素含有量が最も多く、深さが深くなるのに伴って少なくなる濃度勾配を有するものとなるので、強度の高い硬質炭素膜と、潤滑剤の塗布性の高い窒素を含む炭素膜の両方が得られ好ましい。
窒素イオンを注入する方法を用いる場合、例えば、窒素イオンの注入量を制御することにより、窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量を５０原子％〜９０原子％の範囲内にできる。また、窒素プラズマに暴露する方法を用いる場合、例えば、保護膜層３ａ上を窒素プラズマに暴露する時間（処理時間）および／または窒素プラズマ密度を制御することにより、窒素含有層３ｂの最表面の窒素含有量を５０原子％〜９０原子％の範囲内にできる。
【００５６】
図１に示す例では、保護層３として、保護膜層３ａと、保護膜層３ａ上を窒化（または、脱水素化および窒化）処理してなる窒素含有層３ｂとを有する場合を例に挙げて説明したが、本発明における保護層は、潤滑剤層側の最表面が炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含むものであればよく、如何なるものであってもよい。
例えば、磁性層２上に、炭素と窒素とを含む原料を用いて、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法などにより形成した、炭素と５０原子％〜９０原子％の範囲内の窒素とを含む一層のみからなる保護層であってもよい。この場合、原料に含有させる窒素濃度を制御することによって、保護層の最表面の窒素含有量を５０原子％〜９０原子％の範囲内とすることができる。
【００５７】
（潤滑剤層）
潤滑剤層４は、保護層３の窒素含有層３ｂの最表面に接して形成されている。
潤滑剤層４は、一般式（１）に示す化合物Ａと、一般式（２）に示す化合物Ｂと、一般式（３）に示す化合物Ｃとを含む。
【００５８】
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の整数である。）。）。）
【００５９】
ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは４〜５０の範囲の整数である。）
【００６０】
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（３）
（一般式（３）中、ｓは整数である。）
【００６１】
「化合物Ａ」
化合物Ａでは、末端に近い位置に配置された大きい環状骨格を有する六員環（−Ｃ６Ｈ４−）が、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子と強固な結合を形成する。また、化合物Ａでは、Ｒ１の反対側の末端に位置する水酸基を２つ有する−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基と、中間部の水酸基が、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と強固な結合を形成する。したがって、化合物Ａでは、一方の末端に近い位置で、窒素含有層３ｂの最表面において相対的に含有量の少ない炭素原子と選択的に結合し、他方の末端で、窒素含有層３ｂの最表面の窒素原子に結合する。その結果、化合物Ａは、窒素含有層３ｂの最表面上でアイランド状（島状）になりにくく、面方向に広がって配置されやすい。
【００６２】
一般式（１）に示す化合物Ａにおいて、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ１が炭素数１〜４のアルコキシ基であるため、化合物Ａに含まれる六員環（−Ｃ６Ｈ４−）が化合物Ａの末端に近い位置に配置される。化合物ＡにおけるＲ１の炭素数少ない程、六員環の位置が末端に近い位置となり、六員環の位置と−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基とが遠くなり、化合物Ａが窒素含有層３ｂの最表面上に面方向に広がりやすくなるため好ましく、炭素数が１であることが最も好ましい。
【００６３】
一般式（１）に示す化合物Ａにおいて、Ｒ２中のｘ、ｙはそれぞれ０〜１５の整数である。このため、化合物Ａの分子量が適正となる。したがって、化合物Ａの分子量が大きすぎることによって、化合物Ａを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、塗布しにくくなることを防止できる。また、化合物Ａの分子量が小さすぎることにより、化合物Ａの窒素含有層３ｂの最表面上での面方向への広がりが不足することがない。
【００６４】
一般式（１）に示す化合物Ａの平均分子量は、１０００〜２５００の範囲内であることが好ましい。化合物Ａの平均分子量が２５００以下であると、化合物Ａ〜化合物Ｃを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、粘性が低く塗布しやすい潤滑剤が得られやすい。化合物Ａの平均分子量が、１０００以上であると、高温高湿環境下で使用しても厚みが減少しにくい潤滑剤層４が得られやすく、優れた耐久性が得られる。
【００６５】
化合物Ａとしては、例えば、ＡＲＴ−１（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）が挙げられる。ＡＲＴ−１（商品名）は、一般式（１）中のＲ１が炭素数１のアルコキシ基であり、Ｒ２中のｘ、ｙがそれぞれ３〜７の整数であり、平均分子量が１０００〜２５００の範囲内となるように調整されたものである。
【００６６】
「化合物Ｂ」
化合物Ｂは、４つの水酸基を有するものであり、水酸基を２つ有する−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基が両末端に配置されたものである。化合物Ｂでは、両末端で、水酸基と、窒素含有層３ｂの最表面において相対的に含有量の多い窒素原子とが結合する。このため、化合物Ｂは、窒素含有層３ｂとの結合力が強い。
また、化合物Ｂは、環状骨格を有しておらず、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）が適正であるため、適度な硬さを有する。
【００６７】
一般式（２）に示す化合物Ｂにおいて、ｍは４〜５０の範囲の整数である。このため、化合物Ｂの分子量が適正となる。したがって、化合物Ｂの分子量が大きすぎることによって、化合物Ｂを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、塗布しにくくなることを防止できる。また、化合物Ｂの分子量が小さすぎることにより、化合物Ｂの窒素含有層３ｂの最表面上での面方向への広がりが不足することがない。
【００６８】
一般式（２）に示す化合物Ｂの平均分子量は、１０００〜２５００の範囲内であることが好ましい。化合物Ｂの平均分子量が２５００以下であると、化合物Ａ〜化合物Ｃを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、粘性が低く塗布しやすい潤滑剤が得られやすい。化合物Ｂの平均分子量が、１０００以上であると、高温高湿環境下で使用しても厚みが減少しにくい潤滑剤層４が得られやすく、優れた耐久性が得られる。
【００６９】
化合物Ｂとしては、例えば、Ｄ４ＯＨ（ｓ）（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）が挙げられる。Ｄ４ＯＨ（ｓ）（商品名）は、一般式（２）中のｍが４〜５０の範囲の整数であり、平均分子量が１０００〜２５００の範囲内となるように調整されたものである。
【００７０】
「化合物Ｃ」
化合物Ｃは、３つの水酸基を有するものであり、一方の末端に水酸基を２つ有する−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨからなる末端基が配置され、他方の末端に水酸基を１つ有する−ＣＨ２ＯＨからなる末端基が配置されている。化合物Ｃでは、両末端で、水酸基と、窒素含有層３ｂの最表面において相対的に含有量の多い窒素原子とが結合する。このため、化合物Ｃは、窒素含有層３ｂとの結合力が強い。
また、化合物Ｃは、環状骨格を有しておらず、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）が適正であるため、適度な硬さを有する。
化合物Ｃは、３つの水酸基を有するため、４つの水酸基を有する潤滑剤（例えば、化合物Ｂ）と、２つの水酸基を有する潤滑剤（例えば、ジオール）との中間的な特性を有する。また、化合物Ｃは、左右非対称の直鎖型の化学構造を有するため、窒素含有層３ｂ表面において化合物Ｂとは異なった結合状態を得ることができる。よって、本実施形態のように化合物Ｂ、Ｃを混合することで、両化合物で未被覆領域を相互に補うことが可能となり、更に化合物Ａの未被覆領域をも補うことが可能となる。
【００７１】
一般式（３）に示す化合物Ｃの平均分子量は、１０００〜２０００の範囲内であることが好ましい。化合物Ｃの平均分子量が２０００以下であると、化合物Ａ〜化合物Ｃを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、粘性が低く塗布しやすい潤滑剤が得られやすい。化合物Ｃの平均分子量が、１０００以上であると、高温高湿環境下で使用しても厚みが減少しにくい潤滑剤層４が得られやすく、優れた耐久性が得られる。
【００７２】
化合物Ｃとしては、例えば、Ｄ３ＯＨ（ｓ）（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）が挙げられる。Ｄ３ＯＨ（ｓ）（商品名）は、一般式（３）中のｓの値を、平均分子量が１０００〜２０００の範囲内となるように調整されたものである。
【００７３】
本実施形態では、保護層３の最表面に接して化合物Ａ〜化合物Ｃを含む潤滑剤層４が設けられているため、以下に示すように、潤滑剤層４の厚みを薄くできる。
化合物Ａは、上述したように、面方向に広がって配置されやすいため、網目状となりやすく、化合物Ａ同士の間に隙間が形成されやすい。化合物Ｂおよび化合物Ｃは、環状骨格を有しておらず、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）が適正であるため、適度な硬さを有する。このため、本実施形態の潤滑剤層４では、化合物Ａ同士の間に形成された隙間に化合物Ｂおよび化合物Ｃが入り込み、化合物Ａ同士の隙間が埋められる。その結果、潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体１１の汚染を防止でき、潤滑剤層４の厚みを薄くできる。
【００７４】
これに対し、例えば、潤滑剤層４に代えて、化合物Ａのみを用いて平均膜厚２ｎｍ以下の膜を形成した場合、化合物Ａが大きな環状骨格の分子構造を有するため、網目状の膜となり、潤滑剤層４に隙間が形成され、保護層３の表面を十分に高い被覆率で被覆できない。
潤滑剤層に隙間が存在していると、磁気記録媒体の表面に吸着したイオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑剤層の隙間を通り抜けて、潤滑剤層の下層に侵入する。潤滑剤層の下層に侵入した環境物質は、そこに存在する微少なイオン成分を凝集させて、イオン性の汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）が磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。このような潤滑剤層の隙間からの環境物質の侵入に起因する問題は、磁気記録媒体を高温条件下に保持した場合より顕著に現れる。
【００７５】
また、潤滑剤層４に代えて、化合物Ｂのみを用いて平均膜厚２ｎｍ以下の膜を形成した場合、化合物Ｂと保護層３との結合力（濡れ性）が不十分なため、アイランド状の膜となり、保護層３の表面を十分に高い被覆率で被覆できない。
また、潤滑剤層４に代えて、化合物Ｃのみを用いて平均膜厚２ｎｍ以下の膜を形成した場合、化合物Ｃと保護層３との結合力（濡れ性）が不十分なため、アイランド状の膜となり、保護層３の表面を十分に高い被覆率で被覆できない。
【００７６】
（質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）））
化合物Ａ、ＢおよびＣの質量の和に対する化合物Ａの質量の比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））は０．０５〜０．６の範囲内であり、０．１〜０．５の範囲内であることが好ましい。質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．０５〜０．６の範囲内とすることにより、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基との結合数を確保できるとともに、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子と、化合物Ａに含まれる六員環との結合数を十分に確保できる。よって、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。また、質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．６以下、好ましくは０．５以下とすることで、化合物Ａ同士の間に形成された隙間を、十分な量の化合物Ｂおよび化合物Ｃによって埋めることができ、潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体１１の汚染を防止できる。質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．０５以上、好ましくは０．１以上とすることで、窒素含有層３ｂの最表面上で過剰な化合物Ｂおよび化合物Ｃがアイランド状となることに起因する保護層３の被覆率の低下を防止できる。
【００７７】
質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５未満である場合、化合物Ａが不足して化合物Ｂおよび化合物Ｃが過剰となるため、潤滑剤層４がアイランド状となりやすくなり、保護層３に対する被覆率が不十分になる。また、質量比（Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．６を超える場合、化合物Ｂ、Ｃが不足して、潤滑剤層４が網目状となりやすくなり、保護層３に対する被覆率が不十分になる。
【００７８】
（質量比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）））
本実施形態の潤滑剤層に含まれる、化合物Ａ、ＢおよびＣの質量の和に対する化合物Ｂの質量の比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））は、０．０５〜０．５の範囲内であり、０．１〜０．４の範囲内であることが好ましい。質量比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．５以下、好ましくは０．４以下とすることで、４つの水酸基を有する化合物Ｂが過剰となって、化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基が過剰となることにより、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と結合されない水酸基が生じることが防止される。したがって、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と化合物Ａ化合物Ｃに含まれる水酸基との結合による結合力と、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子と化合物Ａに含まれる六員環との結合力とが、十分に得られる。よって、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。質量比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．０５以上、好ましくは０．１以上とすることで、４つの水酸基を有する化合物Ｂが不足することが防止され、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基との結合数を確保できる。よって、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合される。
【００７９】
質量比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５未満である場合、または、質量比（Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．５を超えた場合は、化合物Ａ、Ｂ、Ｃの混合バランスが悪くなり、各化合物による保護層３表面の未被覆領域の補完がなされず、保護層３の被覆率が不十分になる。
【００８０】
（質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）））
化合物Ａ、ＢおよびＣの質量の和に対する化合物Ｃの質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））は、０．０５〜０．９の範囲内であるものであり、０．１〜０．８の範囲内であることが好ましい。質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．９以下、好ましくは０．８以下とすることで、３つの水酸基を有する化合物Ｃが過剰となって、相対的に化合物Ａが少なくなることにより、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子と化合物Ａに含まれる六員環との結合力が不足することを防止できる。また、質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を０．０５以上、好ましくは０．１以上とすることで、４つの水酸基を有する化合物Ｂが過剰となって、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と結合されない水酸基が生じることが防止されるとともに、化合物Ａが過剰となって、潤滑剤層４が網目状となることが防止される。
【００８１】
質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．０５未満である場合、または、質量比（Ｃ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））が０．９を超えた場合は、化合物Ａ、Ｂ、Ｃの混合バランスが悪くなり、各化合物による保護層３表面の未被覆領域の補完がなされず、保護層３に対する被覆率が不十分になる。
【００８２】
（潤滑剤層の膜厚）
潤滑剤層４の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）の範囲内であり、１ｎｍ〜１．９ｎｍの範囲内であることが好ましい。
潤滑剤層４の平均膜厚を０．５ｎｍ以上とすることにより、潤滑剤層４が化合物Ａと化合物Ｂと化合物Ｃとを含むことによる特性が十分に発揮される。すなわち、化合物Ａ同士の間に形成された隙間に化合物Ｂおよび化合物Ｃが入り込み、化合物Ａ同士の隙間が埋められるとともに、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる窒素原子と化合物Ａ〜化合物Ｃに含まれる水酸基との結合による結合力と、窒素含有層３ｂの最表面に含まれる炭素原子と化合物Ａに含まれる六員環との結合力とが十分に得られる。よって、平均膜厚０．５ｎｍ以上の潤滑剤層４は、保護層３と強い結合力で結合され、アイランド状または網目状とならず、潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入による磁気記録媒体１１の汚染を防止できる。
また、潤滑剤層４の平均膜厚を２ｎｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくすることができ、磁気記録媒体１１の記録密度を高くすることができる。
【００８３】
（潤滑剤層の形成方法）
潤滑剤層４は、例えば、非磁性基板１上に保護層３までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、製造途中の磁気記録媒体の保護層３上に、潤滑剤層形成用溶液を塗布することによって形成できる。
【００８４】
潤滑剤層形成用溶液は、例えば、化合物Ａ、ＢおよびＣを、上述した質量比の範囲内となるように混合し、溶媒で希釈して塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑剤層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレルＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒などが挙げられる。
潤滑剤層形成用溶液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法などが挙げられる。
【００８５】
ディップ法をとしては、例えば、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層形成用溶液中に、保護層３までの各層が形成された非磁性基板１を浸漬し、その後、浸漬槽から非磁性基板１を所定の速度で引き上げる方法が挙げられる。ディップ法を用いることで、潤滑剤層形成用溶液を非磁性基板１の保護層３上の表面に均一に塗布することができ、保護層３上に均一な膜厚の潤滑剤層４を形成できる。
【００８６】
（磁気記録再生装置）
次に、本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例について説明する。図２は、本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【００８７】
本発明の実施形態である磁気記録再生装置１０１は、図１に示す本発明の実施形態に係る磁気記録媒体１１と、磁気記録媒体１１を記録方向に駆動する媒体駆動部１２３と、記録部と再生部からなる磁気ヘッド１２４と、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１１に対して相対運動させるヘッド移動部１２６と、磁気ヘッド１２４からの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部１２８とを具備したものである。
【００８８】
磁気ヘッド１２４の素子部（再生部）をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録再生装置を実現することができる。
【００８９】
本実施形態の磁気記録再生装置１０１は、汚染されにくい磁気記録媒体１１を具備しているので、汚染物質が磁気ヘッド１２４に転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることを防止できる。したがって、本実施形態の磁気記録再生装置１０１は、安定した磁気記録再生特性を有する。
【実施例】
【００９０】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で、適宜選択した条件にて実施できる。
【００９１】
（実施例１）
洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
その後、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて、ガラス基板の上に層厚１０ｎｍの密着層を形成した。
【００９２】
次いで、スパッタリング法により、密着層の上に軟磁性下地層を形成した。軟磁性下地層としては、第１軟磁性層と中間層と第２軟磁性層を順に形成した。まず、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｔａ含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。次に、層厚０．７ｎｍのＲｕからなる中間層を形成した。その後、層厚２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層を成膜した。
【００９３】
次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法によりＮｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、層厚５ｎｍのシード層を形成した。
その後、シード層の上に、スパッタリング法により第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を形成した。
【００９４】
続いて、スパッタリング法により、第２の配向制御層の上に、９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１５原子％、Ｐｔ含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２を３ｍｏｌ％｝からなる第１磁性層を、層厚９ｎｍとなるように形成した。ここでのスパッタ圧力は、２Ｐａとした。
【００９５】
次に、スパッタリング法により、第１磁性層の上に、８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金を８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２を１２ｍｏｌ％｝からなる非磁性層を、層厚０．３ｎｍとなるように形成した。
その後、スパッタリング法により、非磁性層の上に、９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１１原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金を９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を５ｍｏｌ％、ＴｉＯ２を３ｍｏｌ％｝からなる第２磁性層を、層厚６ｎｍとなるように形成した。ここでのスパッタ圧力は、２Ｐａとした。
【００９６】
その後、スパッタリング法により、第２磁性層の上に、Ｒｕからなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで形成した。
次いで、スパッタリング法により、非磁性層の上に、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０原子％、Ｐｔ含有量１４原子％、Ｂ含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして第３磁性層を層厚７ｎｍで形成した。
【００９７】
「保護層の形成」
磁性層の表面に、原料ガスとしてガス化したトルエンを用い、イオンビーム蒸着法により、水素化炭素膜を形成した。水素化炭素膜を成膜する際には、まず成膜室に供給する原料ガスのガス流量を２．９ＳＣＣＭ、反応圧力を０．２Ｐａとした。さらに、原料ガスの励起源であるカソード電力を２２５Ｗ（ＡＣ２２．５Ｖ、１０Ａ）とした。そして、カソード電極とそれを覆うアノード電極間の電圧を７５Ｖ、電流を１６５０ｍＡ、イオンの加速電圧を２００Ｖ、電流を１８０ｍＡ、成膜時間を１．５秒とし、厚さが３．５ｎｍになるように水素化炭素膜を成膜した。水素化炭素膜の形成後、原料ガスの供給を停止し、成膜室内を２秒間排気した。
【００９８】
次いで、ガス流量２ＳＣＣＭ、反応圧力を５Ｐａとして、成膜室内に窒素ガスを供給した。そして、カソード電力を１２８Ｗ（ＡＣ１６Ｖ、８Ａ）とし、カソード電極とアノード電極間の電圧を７５Ｖ、電流を１０００ｍＡ、イオンの加速電圧を２００Ｖ、電流を９０ｍＡ、処理時間を１秒とし、窒素ガスから形成した窒素イオンを、水素化炭素膜の表面に照射し、窒素プラズマに暴露した。これにより、水素化炭素膜の表面を脱水素化および窒化した。
【００９９】
水素化炭素膜の表面処理（脱水素化および窒化）後、その最表面（保護層の最表面）の組成を、Ｘ線光電子分光法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ（ＥＳＣＡ））で測定した。その結果を表１に示す。
【０１００】
「潤滑剤層の形成」
次に、表１および以下に示す化合物を、表１に示す質量比でバートレルＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、潤滑剤層形成用溶液を得た。潤滑剤層形成用溶液中に含まれる化合物の濃度は、０．３質量％とした。
【０１０１】
次に、ディップ法を用いて、潤滑剤層形成用溶液を、非磁性基板の保護層上に塗布した。
すなわち、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層形成用溶液中に、保護層までの各層が形成された非磁性基板を浸漬し、その後、浸漬槽から非磁性基板を一定の速度で引き上げた。このようにして潤滑剤層の層厚が１．３ｎｍとなるように、潤滑剤層形成用溶液を非磁性基板の保護層上の表面に塗布した。
その後、潤滑剤層形成用溶液の塗布された表面を乾燥させることにより、潤滑剤層を形成し、実施例１の磁気記録媒体を得た。
【０１０２】
（実施例２〜９、比較例１〜１６）
水素化炭素膜の表面処理（脱水素化および窒化）の処理時間を調整することにより、保護層の最表面の組成を変化させたことと、潤滑剤層の形成の形成に用いた化合物の種類および質量比を表１に示すように変化させたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜９、比較例１〜１６の磁気記録媒体を得た。なお、比較例１１および比較例１２においては、その他の化合物の質量を化合物Ａの質量とみなして質量比を算出した。
また、実施例２〜９、比較例１〜１６の磁気記録媒体を製造する途中における水素化炭素膜の表面処理が終了した段階で、水素化炭素膜の最表面（保護層の最表面）の組成を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で測定した。その結果を表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2017059290.tif 000003
【０１０４】
実施例および比較例において、潤滑剤層の形成の形成に用いた化合物は以下のとおりである。
ＡＲＴ−１（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）平均分子量１７００
Ｄ４ＯＨ（ｓ）（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）平均分子量１６００
Ｄ３ＯＨ（ｓ）（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）平均分子量１７００
Ａ２ＯＨ；Ａ２ＯＨ−２０００（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）
ＡＤＯＨ；ＡＤＯＨ−２０００（商品名：松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）
【０１０５】
Ａ２ＯＨ−２０００は、下記一般式（４）において、ｘを５とし、Ｒ１をＣＦ３とし、Ｒ２を、−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｔ（ＣＦ２Ｏ）ｕＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（ｔは１０．５，ｕは１０．１）としたものである。
ＡＤＯＨ−２０００は、下記一般式（４）において、ｘを５とし、Ｒ１をＣＦ３とし、Ｒ２を、−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（ｐは１０．７，ｑは１０．４）としたものである。
【０１０６】
【化１】
2017059290.tif 000004
【０１０７】
（磁気記録媒体の耐環境性評価）
実施例１〜９および比較例１〜１６の磁気記録媒体の耐環境性について、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染の状態を調べる手法の一つを用いて評価した。以下に示す耐環境性の評価では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された汚染物質量として、Ｓｉ吸着量を測定した。
【０１０８】
具体的には、まず、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、ＳＩＭＳを用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度を評価した。なお、Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの相対的な数値を用いて評価した。その結果を表１に示す。
【０１０９】
表１より、実施例１〜９の磁気記録媒体では、比較例１〜１６の磁気記録媒体と比較して、Ｓｉ吸着量が少なく、高温環境下において環境物質に汚染されにくいことが明らかになった。これは、実施例１〜９の磁気記録媒体では、潤滑剤層がアイランド状または網目状とならず、潤滑剤層と保護層とが強い結合力で結合されているため、潤滑剤層の平均膜厚が薄くても、潤滑剤層によって高い被覆率で保護層が被覆されていることによるものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置は、高記録密度の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を利用・製造する産業において利用可能性がある。
【符号の説明】
【０１１１】
１…非磁性基板、２…磁性層、３…保護層、４…潤滑剤層、１１…磁気記録媒体、１０１…磁気記録再生装置、１２３…媒体駆動部、１２４…磁気ヘッド、１２６…ヘッド移動部、１２８…記録再生信号処理部。
【図１】
2017059290.tif 000005
【図２】
2017059290.tif 000006