(57)【要約】      （修正有）【課題】溝及び穴のためのエッチングプロセス、ＨＥＭＴの製造、ＬＥＤの製造、並びにエッチングプロセスにおける選択性の向上などの、広範囲の用途に適した、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII−Ｖ材料を除去するＡＬＥ方法、及び装置を提供する。【解決手段】改質されたIII−Ｖ表面層を形成するために、基板にバイアスをかけることなくIII−Ｖ材料を塩素含有プラズマに曝すことと、改質されたIII−Ｖ表面層をプラズマに曝しつつ基板にバイアス電圧を印可し、それによって、改質されたIII−Ｖ表面層を除去することと、を伴う。【選択図】図１Ａ
2017022368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のIII−Ｖ材料をエッチングする方法であって、
（ａ）改質されたIII−Ｖ表面層を形成するために、前記基板にバイアスをかけることなく前記III−Ｖ材料を塩素含有プラズマに曝し、
（ｂ）前記改質されたIII−Ｖ表面層を不活性プラズマに曝しつつ前記基板にバイアス電圧を印可し、それによって、前記改質されたIII−Ｖ表面層を除去する、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
（ａ）及び（ｂ）を１回以上繰り返す、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイアス電圧は、前記除去が自己制限レジームにあるようなレベルである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記塩素含有プラズマは、ホウ素含有化合物を含むプロセスガスから生成され、前記プロセスガスの（体積にして）約０．５％から１０％は、ホウ素含有化合物である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、更に、
（ａ）及び（ｂ）のサイクルを１回以上追加で実施し、前記バイアス電圧は、前記１回以上の追加サイクルでは引き下げられる、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記III−Ｖ材料は、ＧａＮである、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
ＧａＮは、下層を除去することなく除去される、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記下層は、ＡｌＧａＮである、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイアス電圧は、約２０Ｖから１２０Ｖの間である、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイアス電圧は、約５０Ｖから１２０Ｖの間である、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイアス電圧は、約５０Ｖから１００Ｖの間である、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記塩素含有プラズマは、塩素含有ガスとホウ素含有ガスとの混合から生成される、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
前記塩素含有プラズマは、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合から生成される、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、
（ｂ）における前記不活性プラズマは、アルゴン含有プラズマである、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイアス電圧は、前記エッチングが下層材料に対して選択性であるようなレベルである、方法。
【請求項１６】
半導体基板を処理するための装置であって、
基板サポートを備えたプロセスチャンバと、
前記基板サポートに接続された電源と、
プラズマ発生器と、
少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラと
を備え、
前記コントローラの前記少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリは、互いに通信可能方式で接続され、
前記メモリには、
（ｉ）前記プラズマ発生器内へ塩素含有ガスを導入するためのマシン読み取り可能命令と、
（ii）前記プラズマ発生器内で塩素含有プラズマを点火するためのマシン読み取り可能命令と、
（iii）基板上のIII−Ｖ層を改質するために、前記基板にバイアスをかけることなく前記基板を前記塩素含有プラズマに曝すためのマシン読み取り可能命令と、
（iv）前記プラズマ発生器内へ不活性ガスを導入するためのマシン読み取り可能命令と、
（ｖ）前記プラズマ発生器内で不活性プラズマを点火するためのマシン読み取り可能命令と、
（vi）前記改質された層を除去するために、前記電源を使用し、前記基板を前記不活性プラズマに曝しつつ前記基板にバイアス電圧を印可するためのマシン読み取り可能命令と、
が格納されている装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、参照によって本明細書に組み込まれる２０１６年６月５日に出願された米国仮特許出願第６２／１７１，５７０号の優先権を主張する。
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、及び紫外線（ＵＶ）検出器に使用される、バンドギャップが広いバイナリIII−Ｖ半導体である。代表的な用途では、ｎ型アルミニウムガリウム窒化物（ＡｌＧａＮ）／ｐ型ＧａＮヘテロ接合を含むＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴが、その電圧の高さ、電流の高さ、及びオン抵抗の低さゆえに、高電力−高効率の工業用途及び自動車用途で使用されてよい。
【発明の概要】
【０００３】
本開示の態様は、III−Ｖ半導体材料をエッチングする方法、及び関連の装置に関する。一部の実施形態では、これらの方法は、改質されたIII−Ｖ表面層を形成するために、基板にバイアスをかけることなくIII−Ｖ材料を塩素含有プラズマに曝すことと、改質されたIII−Ｖ表面層をプラズマに曝しつつ基板にバイアス電圧を印可し、それによって、改質されたIII−Ｖ表面層を除去することと、を伴う。一部の実施形態では、改質されたIII−Ｖ表面層を形成する動作及び改質されたIII−Ｖ表面層を除去する動作は、１回以上繰り返されてよい。一部の実施形態では、バイアス電圧は、上記１回以上の繰り返しでは引き下げられる。一部の実施形態では、バイアス電圧は、上記除去が自己制限レジームにあるようなレベルである。
【０００４】
一部の実施形態では、III−Ｖ材料は、ＧａＮである。一部の実施形態では、ＧａＮは、下層を除去することなく除去される。下層の例として、アルミニウムガリウム窒化物（ＡｌＧａＮ）が挙げられる。一部の実施形態では、バイアス電圧は、エッチングが下層材料に対して選択的であるようなレベルである。
【０００５】
一部の実施形態では、バイアス電圧は、約２０Ｖから１２０Ｖの間である。一部の実施形態では、バイアス電圧は、約５０Ｖから１２０Ｖの間である。一部の実施形態では、バイアス電圧は、約５０Ｖから１００Ｖの間である。
【０００６】
一部の実施形態では、塩素含有プラズマは、塩素含有ガスとホウ素含有ガスとの混合から生成される。一部の実施形態では、塩素含有プラズマは、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合から生成される。一部の実施形態では、改質された層を除去するために使用されるプラズマは、下層材料に対するアルゴン含有プラズマである。
【０００７】
本開示の別の態様は、半導体基板を処理するための装置であり、この装置は、基板サポートを備えたプロセスチャンバと、基板サポートに接続された電源と、プラズマ発生器と、少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラとを含み、少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリは、互いに通信可能方式で接続され、メモリは、プラズマ発生器内へ塩素含有ガスを導入するためのマシン読み取り可能命令と、プラズマ発生器内でプラズマを点火するためのマシン読み取り可能命令と、基板上のIII−Ｖ層を改質するために、基板を塩素含有ガスに曝すためのマシン読み取り可能命令と、改質された層を除去するために、電源を使用し、基板を塩素含有プラズマに曝しつつ基板にバイアス電圧を印可するためのマシン読み取り可能命令とを格納している。
【０００８】
これらの及びその他の態様が、図面を参照にして以下で更に詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】開示される実施形態にしたがって方法の動作を実施するためのプロセスフローを示した図である。
【００１０】
【図１Ｂ】原子層エッチング（ＡＬＥ）サイクルの一例を示した概略図である。
【００１１】
【図１Ｃ】Ｃｌ2及びＡｒを使用してＧａＮのＡＬＥを行って、Ａｒによる除去動作中にバイアスを印可した場合における、バイアス電圧（Ｖｂ）対エッチング量の曲線の一例を示した図である。
【００１２】
【図１Ｄ】ＧａＮ／ＡｌＧａＮエッチング選択比をバイアス電圧の関数として示した図である。
【００１３】
【図１Ｅ】ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合を含むＧａＮ  ＨＥＭＴデバイスの製造における特定の動作を示した図である。
【００１４】
【図２】本明細書における特定の実施形態を実現するのに適した誘導結合プラズマ装置を断面により概略的に示す概略構成図である。
【００１５】
【図３】真空移送モジュールと境界を接する様々なモジュールを備えた半導体プロセスクラスタアーキテクチャを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下の説明では、提示された概念の完全な理解を与えるために、数々の具体的詳細が明記されている。開示される実施形態は、これらの詳細の一部又は全部を伴うことなく実施されてもよい。また、開示される実施形態を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。開示される実施形態は、具体的な実施形態との関連のもとで説明されるが、これは、開示される実施形態を限定することを意図していないと理解される。
【００１７】
特徴サイズの縮小にともなって、原子層エッチング（ＡＬＥ）などの原子スケールの処理の必要性が増している。ＡＬＥは、膜厚の段階的な細かい変化をもたらす名目上自己制限的な工程をサイクル単位で繰り返すプロセスである。プロセスは、滑らかさ及び共形性（下の構造に形が添っていること）によって特徴付けられてよい。また、ＡＬＥのタイプ次第では、更に指向性によっても特徴付けられる。
【００１８】
本明細書で提供されるのは、ガリウム窒化物（ＧａＮ）などのIII−Ｖ材料を除去するＡＬＥ方法である。
【００１９】
ＧａＮは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、及び紫外線（ＵＶ）検出器で使用される、バンドギャップが広いバイナリIII−Ｖ半導体である。代表的な用途では、ｎ型アルミニウムガリウム窒化物（ＡｌＧａＮ）／ｐ型ＧａＮヘテロ接合を含むＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴが、その電圧の高さ、電流の高さ、及びオン抵抗の低さゆえに、高電力−高効率の工業用途及び自動車用途で使用されえる。
【００２０】
開示される方法は、溝及び穴のためのエッチングプロセス、ＨＥＭＴの製造、ＬＥＤの製造、並びにエッチングプロセスにおける選択性の向上などの、広範囲の用途に適している。以下の説明は、主としてＧａＮについて言及しているが、説明される技術は、後述のように、その他のIII−Ｖ半導体材料にも使用されえる。
【００２１】
ＡＬＥは、逐次的な自己制限反応を使用して薄い材料層を除去する技術である。総じて、ＡＬＥは、任意の適切な技術を使用して実施されてよい。原子層エッチング技術の例が、２０１４年１１月１１日付けで発行された米国特許第８，８８３，０２８号及び２０１４年８月１９日付けで発行された米国特許第８，８０８，５６１号に記載されており、これらの特許は、代表的な原子層エッチング及びエッチング技術を説明する目的で、参照によって本明細書に組み込まれる。様々な実施形態において、ＡＬＥは、プラズマによって実施されてよい、又は熱によって実施されてよい。
【００２２】
「ＡＬＥサイクル」の概念は、本明細書における様々な実施形態の議論に関わっている。総じて、ＡＬＥサイクルは、単分子層をエッチングするなどのエッチングプロセスを１回実施するために使用される最小の動作集合である。１つのサイクルの結果は、基板表面上の膜層の少なくとも一部がエッチングされることである。通常、ＡＬＥサイクルは、反応性の層を形成するための改質動作と、その後に続く、この改質された層のみを除去又はエッチングするための除去動作とを含む。サイクルは、反応物又は副生成物のいずれかを一掃するなどの、何らかの補助的な動作を含んでいてよい。総じて、１つのサイクルは、固有な一連の動作一式を含んでいる。一例として、ＡＬＥサイクルは、（ｉ）反応物ガス及び随意としてのプラズマを供給する動作と、（ii）反応物ガスをチャンバからパージする動作と、（iii）除去ガス及び随意としてのプラズマを供給する動作と、（iv）チャンバをパージする動作とを含んでいてよい。一部の実施形態では、エッチングは、非共形式に（下の構造の形に添わないやり方で）実施されてよい。
【００２３】
図１Ａは、開示される実施形態にしたがって方法の動作を実施するためのプロセスフローを示した図である。図１Ａにおける動作は、例えば約１ミリトールから約１トールまでなどの、約１ミリトールから約１００トールまでのチャンバ圧力で実施されてよい。動作１０２では、基板が処理チャンバに提供される。チャンバは、チャンバが複数ある装置のなかの１つのチャンバ、又は単一チャンバの装置であってよい。基板は、その上に誘電体材料、導体材料、又は半導体材料などの材料の層を１枚以上有するウエハを含む、例えば２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、又は４５０ｍｍウエハなどのシリコンウエハであってよい。基板は、III−Ｖ化合物材料の露出表面を含む。
【００２４】
III−Ｖ材料は、少なくとも１つのIII族元素と、少なくとも１つのＶ族元素とを含む化合物である。III−Ｖ化合物の例として、バイナリ半導体ＧａＮ、ガリウムリン（ＧａＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、及びインジウムリン（ＩｎＰ）が挙げられる。化合物III−Ｖ材料は、今後のデバイス内でシリコンに取って代わる能力（機能）があるものとして検討されている高電子移動度材料である。一部の実施形態では、III−Ｖ材料は、１つ以上の追加の元素を含んでいてよい。例えば、III−Ｖ材料は、ヒ化物、リン化物、窒化物、及びアンチモン化物などの三元合金III−Ｖを含む。例として、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）、インジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）、アルミニウムガリウム窒化物（ＡｌＧａＮ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）が挙げられる。なお、化学式ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＮなどは、構成元素間のいかなる特定の比率を示すものでもないことが、理解されるべきである。
【００２５】
一部の実施形態では、基板は、III−Ｖ化合物のブランケット層を含む。基板は、基板上に事前に堆積されてパターン形成されたパターン化マスク層を含んでいてよい。例えば、ブランケットIII−Ｖ化合物を含む基板上に、マスク層が堆積されてパターン形成されてよい。
【００２６】
図１Ａの動作１０４では、基板は、III−Ｖ表面を改質するために、塩素（Ｃｌ）含有反応剤に曝される。様々な実施形態にしたがうと、塩素含有反応剤は、塩素（Ｃｌ2）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）、又はこれらの組み合わせであってよい。以下で更に詳しく論じられるように、一部の実施形態では、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合が使用される。特定の実施形態にしたがうと、これらに追加して又はこれらに代わって、その他のＣｌ含有ガスが使用されてもよい。後述のように、一部の実施形態では、動作１０４においてプラズマが点火されてよく、これは、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、又はその他の塩素含有ガスから様々な活性種を発生させるだろう。本明細書で言及されるＣｌ含有ガスは、このようなガスから生成された種を含むと理解される。様々な実施形態にしたがうと、プラズマは、動作１０４中におけるチャンバ内の活性種が主として又は実質的にラジカル種であるように制御されてよい。一部の実施形態では、基本的に、チャンバ内にイオン種は存在しない。
【００２７】
動作１０４では、Ｃｌ含有エッチングガスがチャンバに流される間に、随意としてキャリアガスが流されてよい。キャリアガスの例として、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及びこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２８】
改質動作は、その後に続く除去動作において非改質材料よりも容易に除去される厚さを有する薄い反応性表面層を形成する。改質動作では、塩素含有反応剤をチャンバに導入することによって、基板が塩素化されてよい。一部の実施形態では、塩素含有反応剤は、基板と反応してよい、又は基板の表面に吸着されてよい。様々な実施形態において、塩素は、ガス状でチャンバに導入され、随意として、上述されたうちの任意であってよいキャリアガスを伴ってよい。一部の実施形態では、キャリアガスは、表面改質中に流されることはない。反応剤は、基板の上面のみを改質するように流されてよい。
【００２９】
一部の実施形態では、動作１０４においてプラズマが点火されてよい。塩素含有プラズマは、基板を収容しているプラズマチャンバ内でプラズマを形成することによって、直接的に生成することができる、又は基板を収容していないプロセスチャンバ内で遠隔的に生成されて、基板を収容しているプロセスチャンバに供給することができる。一部の実施形態では、プラズマは、純粋に熱的なプロセスである改質動作では使用されない。一部の実施形態では、動作１０４において、別の形態の活性化エネルギが用いられてよい。例として、紫外線（ＵＶ）照射に曝すことが挙げられる。動作１０４におけるラジカル種の生成は、実施形態によっては、スループットを大幅に向上させることができる。
【００３０】
プラズマは、もし用いられるならば、様々な実施形態にしたがうと、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマであってよい。誘導結合プラズマは、約５０Ｗから約２０００Ｗの間のプラズマに設定されてよい。基板バイアスが印可されてよい間は、スパッタリングを回避するために、動作１０４ではバイアスは印可されないのがより一般的である。
【００３１】
一部の実施形態では、改質動作後にパージが実施されてよい。パージ動作では、プロセスチャンバから、表面に結合されていない活性塩素種が除去されてよい。これは、改質された層を除去することなく、プロセスチャンバをパージ及び／又は排気して活性種を除去することによって行うことができる。塩素プラズマ内で形成される種は、単純にプラズマを停止させ、残りの種の減衰を可能にすることによって除去することができ、これは、随意として、チャンバのパージ及び／又は排気と組み合わされる。パージは、Ｎ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、及びこれらの組み合わせなどの任意の不活性ガスを使用して行うことができる。
【００３２】
動作１０６では、改質された基板の層が基板から除去される。除去動作では、基板は、指向性エッチングによって基板をエッチングするために、アルゴン又はヘリウムなどのエネルギ源（例えば、活性化ガス若しくはスパッタリングガス、又は除去を誘発する化学的に反応性の種）に曝されてよい。スパッタリングガスは、キャリアガスと同じであってよい、又はキャリアガスと異なっていてよい。一部の実施形態では、除去動作は、イオン衝撃によって実施されてよい。除去中は、指向性スパッタリングを促すために、随意としてバイアスがオンにされてよい。一部の実施形態では、ＡＬＥは、異方性であってよい。
【００３３】
スパッタリングガスの量は、目標とされる量の材料のみをエッチングするように制御されてよい。様々な実施形態において、チャンバの圧力は、改質動作と除去動作との間で変更されてよい。ガスの圧力は、チャンバのサイズ、ガスの流量、リアクタの温度、基板のタイプ、及びエッチングされる基板のサイズ次第であってよい。図１Ｃ及び図１Ｄに関連して、以下で、基板バイアスレベルについて更に論じられる。一部の実施形態では、チャンバは、除去動作後にパージされてよい。パージプロセスは、改質動作後のパージに使用されるプロセスのうちの任意であってよい。動作１０６は、様々な実施形態にしたがって、動作１０４と同じ又は異なるチャンバ内で行われてよい。
【００３４】
一部の実施形態では、動作１０６におけるプラズマは、不活性プラズマである。不活性プラズマは、酸素又はハロゲンなどの化学的に反応性の種を実質的に含まないプラズマである。不活性プラズマの例として、アルゴンプラズマ及びヘリウムプラズマが挙げられる。
【００３５】
本明細書で説明されるように、チャンバに材料が導入される動作は、実施形態によってはプラズマを使用した原子層エッチングを伴うものであり、このような動作では、リアクタ又はチャンバが、基板又はウエハの処理に先立ってチャンバに化学剤を導入することによって安定化されてよい。チャンバの安定化は、安定化に続く動作で使用される化学剤と同じ流量、圧力、温度、及びその他の条件を使用してよい。一部の実施形態では、チャンバの安定化は、異なるパラメータを伴ってよい。一部の実施形態では、動作１０４及び動作１０６において、Ｎ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、及びこれらの組み合わせなどのキャリアガスが継続的に流される。一部の実施形態では、キャリアガスは、動作１０６でのみ使用される。一部の実施形態では、キャリアガスは、除去中には流されない。
【００３６】
動作１０４及び動作１０６の実施は、一部の実施形態では、原子層エッチングの１回の実施を構成してよい。もし、III−Ｖ材料が十分にエッチングされなかった場合は、動作１０４及び動作１０６が繰り返されてよい。様々な実施形態において、改質動作及び除去動作は、約１サイクルから約３０サイクル、又は約１サイクルから約２０サイクルのように、サイクル単位で繰り返されてよい。所望の量の膜をエッチングするために、任意の適切な数のＡＬＥサイクルが含まれてよい。一部の実施形態では、基板上の層の表面を約１Åから約５０Åエッチングするために、ＡＬＥがサイクル単位で実施される。一部の実施形態では、ＡＬＥのサイクルは、基板上の層の表面を約２Åから約５０Åエッチングする。
【００３７】
図１Ｂは、ＡＬＥサイクルの一例を示した概略図である。１７１ａでは、III−Ｖ表面を含む基板が提供される。１７１ｂでは、反応性の層を形成するために、基板の表面が改質される。図１Ｂの例では、これは、例えば基板の表面上に塩素を吸着させることによるIII−Ｖ表面の塩素化を伴う。１７１ｃでは、過剰な塩素含有反応剤ガスが、チャンバからパージされてよい。１７１ｄでは、塩素化されたIII−Ｖ化合物の層が、エッチングされている。一例では、塩素化された基板表面を除去するために、指向性プラズマとともに除去用のアルゴンガスが導入されて、イオン衝撃が実施される。基板は、１７１ｅでは、塩素化された層を除去された状態で示されている。
【００３８】
１つのサイクルは、材料を約０．１ｎｍから約５０ｎｍ、又は約０．１ｎｍから約５ｎｍ、又は約０．２ｎｍから約５０ｎｍ、又は約０．２ｎｍから約５ｎｍだけ部分的にエッチングしてよい。
【００３９】
様々な実施形態において、台座温度、チャンバ温度、チャンバ圧力、ガス流量、ガス流の化学的性質、パルスの持続時間、暴露の持続時間、パージの持続時間、プラズマ周波数、プラズマ電力、及びバイアス電力などのプロセス条件は、開示される実施形態が実行される用途のタイプ、及び装置又はツールのタイプに応じて調整されてよい。
【００４０】
本明細書で説明されるＡＬＥプロセスは、同等なプロセス条件下で同じ化学剤を使用する連続波プラズマよりも大幅に滑らかな表面を提供する。これは、ＨＥＭＴなどの用途にとって有利になりえる。
【００４１】
一部の実施形態では、除去動作中に基板バイアスが印可される。バイアスレベルは、Ａｒイオン又はその他の除去用の種によるスパッタリングゆえにエッチング速度が大幅に増加するレベルよりも下であるように設定されてよい。一部の実施形態では、バイアスレベルは、除去が自己制限レジームにあるように設定される。図１Ｃは、Ｃｌ2及びＡｒを使用してＧａＮのＡＬＥを行って、Ａｒによる除去動作中にバイアスを印可した場合における、バイアス電圧（Ｖｂ）対エッチング量の曲線の一例を示している。この曲線は、おおよそ５０Ｖから８０Ｖまでの間では、除去が自己制限レジームにあることを示している。約１００Ｖを超えると、エッチング速度は急激に増加し、これは、Ａｒによるスパッタリングを示している。エッチングを生じさせるために、バイアス電圧は、この場合は約２０Ｖである閾値電圧よりも上に設定される。したがって、様々な実施形態において、バイアス電圧は、閾値電圧と、スパッタリングが生じる電圧との間に維持される。更に、一部の実施形態では、バイアス電圧は、少なくとも幾つかのＡＬＥプロセスサイクルにわたって自己制限レジームに維持される。自己制限レジームは、ＧａＮについて図１Ｃに示されるように、任意の特定のエッチング対象表面及びエッチングプロセス条件について決定されえる。
【００４２】
一部の実施形態では、バイアス電圧は、エッチングプロセスの終わりに近づくにつれて引き下げられてよい。例えば、バイアス電圧は、エッチングされずに残っている量が０．５ｎｍ、１ｎｍ、又はその他の適切な量であるときに引き下げられてよい。一部の実施形態では、バイアス電圧は、下層材料に対して高い選択性を提供する電圧に変更されてよい。バイアス電圧を使用した選択性の制御は、図１Ｄに関連して以下で更に論じられる。もし、除去工程中にバイアスが印可される場合、そのバイアスは、一定であってよい又はパルス状であってよい。パルスバイアスは、高周波数（例えば、１ｋＨｚ）で印可することができる。
【００４３】
本明細書でやはり提供されるのは、イオンエネルギを制御することによって、ＧａＮ及びその他のIII−Ｖ化合物材料をそれよりも硬い材料に対して選択的にエッチングする方法である。イオンエネルギは、例えばバイアス電圧を制御するなどの任意の適切な方法によって制御されてよい。一部の実施形態では、無限の選択比が得られるだろう。図１Ｄは、ＧａＮ／ＡｌＧａＮエッチング選択比をバイアス電圧の関数として示している。２５ＶのＡｌＧａＮ閾値電圧の付近では、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ選択比が無限に近づく。その他のIII−Ｖ化合物の場合のエッチング選択比を同様に実現するために、閾値電圧の差が利用されてよい。図１Ｅは、ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合を含むＧａＮ  ＨＥＭＴデバイスの製造における特定の動作を示している。ＧａＮのＡＬＥは、損傷を及ぼさない高選択性のエッチングを提供するために実施される。
【００４４】
より複雑な表面ゆえに、化合物III−Ｖ材料のＡＬＥは、例えば化学量論組成を維持する観点からすると、シリコンのＡＬＥよりも更に困難だろう。多くの用途では、電子特性の低下を防ぐために、表面の化学量論組成をバルク（内部）のそれとほぼ同一にすることが望ましい。本明細書で開示される方法の実施形態は、表面の化学量論組成を調整するIII−Ｖ材料のＡＬＥを含む。一部の実施形態では、エッチング前における表面の化学量論組成が維持される。一部の実施形態では、方法は、Ｃｌ2と、ＢＣｌ3などのホウ素含有化合物との混合を使用することを含む。特定の理論にとらわれることなく、ホウ素の添加は、望ましくない表面酸化を阻止するだろうと信じられている。しかしながら、多すぎるホウ素は、堆積を招く恐れがある。一部の実施形態では、Ｃｌ2／ＢＣｌ3混合は、ＢＣｌ3が（体積にして）０．５％から１０％の間であり、例えば、ＢＣｌ3が約５％である。ＢＣｌ3の添加は、表面粗度を向上させるだろう。
【００４５】
装置
次に、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタが説明される。このようなリアクタは、特定の実施形態では、原子層エッチング（ＡＬＥ）に適しているだろう。このようなＩＣＰリアクタは、２０１３年１２月１０日付けで出願されて発明の名称を「ＩＭＡＧＥ  ＲＥＶＥＲＳＡＬ  ＷＩＴＨ  ＡＨＭ  ＧＡＰ  ＦＩＬＬ  ＦＯＲ  ＭＵＬＴＩＰＬＥ  ＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧ（複数のパターン形成のためのＡＨＭギャップ充填を伴う画像反転）」とする米国特許出願公開第２０１４／０１７０８５３号でも説明されている。この出願公開は、あらゆる目的のために、参照によってその全体を本明細書に組み込まれる。本明細書では、ＩＣＰリアクタについて説明されるが、実施形態によっては容量結合プラズマリアクタが使用されてもよいことが、理解されるべきである。
【００４６】
図２は、本明細書における特定の実施形態を実現するのに適した誘導結合プラズマ装置２００の断面を概略的に示している。装置の一例は、カリフォルニア州フリーモントのＬａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｒｐ．によって製造されているＫｉｙｏ（商標）リアクタである。誘導結合プラズマ装置２００は、チャンバ壁２０１と窓２１１とによって構造的に定められた全体プロセスチャンバを含む。チャンバ壁２０１は、ステンレス鋼又はアルミニウムで製作されてよい。窓２１１は、石英又はその他の誘電体材料で製作されてよい。随意の内部プラズマ格子２５０が、全体プロセスチャンバを上方サブチャンバ２０２と下方サブチャンバ２０３とに分ける。大半の実施形態では、プラズマ格子２５０が取り外されて、上方サブチャンバ２０２と下方サブチャンバ２０３とで形成されたチャンバ空間が利用されてよい。チャック２１７が、下方サブチャンバ２０３内における底部の内側表面近くに位置決めされる。チャック２１７は、エッチングプロセス及び堆積プロセスが実施される半導体ウエハ２１９を受けて保持するように構成される。チャック２１７は、ウエハ２１９が存在するときにそのウエハ２１９を支持するための静電チャックであることが可能である。一部の実施形態では、エッジリング（不図示）がチャック２１７を取り囲み、チャック２１７上にあるときのウエハ２１９の上面とおおよそ同一平面である上面を有する。チャック２１７は、ウエハを把持する及び解放するための静電電極も含む。この目的のために、フィルタ及びＤＣクランプ電源（不図示）が提供されてよい。ウエハ２１９をチャック２１７から持ち上げるための、その他の制御システムを提供することもできる。チャック２１７は、ＲＦ電源２２３を使用して電気的に充電することができる。ＲＦ電源２２３は、接続部２２７を通じて整合回路構成２２１に接続される。整合回路構成２２１は、接続部２２５を通じてチャック２１７に接続される。このようにして、ＲＦ電源２２３は、チャック２１７に接続される。
【００４７】
プラズマ生成のための構成要素は、窓２１１の上方に位置決めされたコイル２３３を含む。実施形態によっては、開示される実施形態にコイルが使用されない。コイル２３３は、導電性材料で作成され、少なくとも１回の完全な巻きを含む。図２に示されたコイル２３３の例は、３回の巻きを含む。図では、コイル２３３の断面が記号で示されており、「Ｘ」を有するコイルは、ページに進入する方向に巻いており、「●」を有するコイルは、ページから突き出す方向に巻いている。プラズマ生成のための構成要素は、ＲＦ電力をコイル２３３に供給するように構成されたＲＦ電源２４１も含む。通常、ＲＦ電源２４１は、接続部２４５を通じて整合回路構成２３９に接続される。整合回路構成２３９は、接続部２４３を通じてコイル２３３に接続される。このようにして、ＲＦ電源２４１は、コイル２３３に接続される。コイル２３３と窓２１１との間には、随意のファラデーシールド２４９が位置決めされる。ファラデーシールド２４９は、コイル２３３に対して相隔たれた関係に維持される。ファラデーシールド２４９は、窓２１１の真上に配される。コイル２３３、ファラデーシールド２４９、及び窓２１１は、それぞれ、互いに実質的に平行であるように構成される。ファラデーシールドは、プラズマチャンバの誘電体窓に金属又はその他の種が堆積するのを阻止するだろう。
【００４８】
上方チャンバ内に位置決めされた１つ以上の主要ガス流入口２６０を通じて及び／又は１つ以上の脇ガス流入口２７０を通じて、プロセスガス（例えば塩素、三塩化シリコン、アルゴン、窒素など）がプロセスチャンバに流し込まれてよい。同様に、図には明示されていないが、プロセスガスを容量結合プラズマ処理チャンバに供給するために、同様なガス流入口が使用されてよい。プロセスガスをプロセスチャンバから引き出すために及びプロセスチャンバ内の圧力を維持するために、１段階若しくは２段階の機械式ドライポンプ、及び／又はターボ分子ポンプ２４０などの、真空ポンプが使用されてよい。例えば、ポンプは、ＡＬＥのパージ動作中にチャンバを排気するために使用されてよい。真空ポンプを処理チャンバに流体的に接続し、真空ポンプによって提供される真空環境の適用を選択的に制御するために、弁制御式の導管が使用されてよい。これは、操作式のプラズマ処理中に、絞り弁（不図示）又は振り子弁（不図示）などの閉ループ制御式の流量制限機器を用いてなされてよい。同様に、容量結合プラズマ処理チャンバへの、真空ポンプ及び弁によって制御される流体接続も用いられてよい。
【００４９】
装置の動作中は、ガス流入口２６０及び／又は２７０を通じて１種以上のプロセスガスが供給されてよい。特定の実施形態では、プロセスガスは、主要ガス流入口２６０を通じてのみ、又は脇ガス流入口２７０を通じてのみ供給されてよい。場合によっては、図に示されているガス流入口は、例えば、より複雑なガス流入口や、１つ以上のシャワーヘッドで置き換えられてよい。ファラデーシールド２４９及び／又は随意の格子２５０は、チャンバへのプロセスガスの供給を可能にする内部通路及び穴を含んでいてよい。ファラデーシールド２４９及び随意の格子２５０は、そのいずれか又は両方が、プロセスガスの供給のためのシャワーヘッドとして機能してよい。一部の実施形態では、液状の反応剤が気化されるとガス流入口２６０及び／又は２７０を通じてチャンバ内へ導入されるように、チャンバ２０１の上流に液体気化・供給システムが配されてよい。液状反応剤の例として、ＳｉＣｌ4が挙げられる。
【００５０】
ＲＦ電源２４１からコイル２３３には、ＲＦ電流をコイル２３３に流れさせるための高周波電力が供給される。コイル２３３を流れるＲＦ電流は、コイル２３３の周囲に電磁場を発生させる。この電磁場は、上方サブチャンバ２０２内に誘導電流を発生させる。生成された様々なイオン及びラジカルとウエハ２１９との物理的及び化学的相互作用は、ウエハ上の層の特徴を選択的にエッチングする。
【００５１】
もし、上方サブチャンバ２０２及び下方サブチャンバ２０３の両方があるように、プラズマ格子が使用されるならば、誘導電流は、上方サブチャンバ２０２内に存在するガスに作用して、上方サブチャンバ２０２内に電子・イオンプラズマを発生させる。この随意の内部プラズマ格子２５０は、下方サブチャンバ２０３内における高温電子の量を制限する。一部の実施形態では、装置は、下方サブチャンバ２０３内に存在するプラズマがイオン・イオンプラズマであるように設計され動作される。
【００５２】
上方の電子・イオンプラズマ及び下方のイオン・イオンプラズマは、ともに、陽イオン及び陰イオンを含んでいてよく、ただし、イオン・イオンプラズマは、陽イオンよりも高い割合で陰イオンを有する。下方サブチャンバ２０３からポート２２２を通じて、揮発性のエッチング及び／又は堆積副生成物が除去されてよい。本明細書で開示されるチャック２１７は、約１０℃から約２５０℃の範囲にわたる高温で動作してよい。温度は、プロセスの動作及び具体的なレシピに依存する。
【００５３】
チャンバ２０１は、洗浄室内又は製造施設内に設置されるときに、設備（不図示）につながれてよい。設備は、処理ガス、真空、温度制御、及び環境粒子制御を提供する配管系統を含む。これらの設備は、対象の製造施設内に設置されるときに、チャンバにつながれる。また、チャンバは、代表的な自動化を使用してチャンバに対してロボットが半導体ウエハを出し入れすることを可能にする移送チャンバにつながれてよい。
【００５４】
一部の実施形態では、処理チャンバの動作の一部又は全部を、システムコントローラ２３０（１つ以上の物理的又は論理的コントローラが挙げられる）が制御する。システムコントローラ２３０は、１つ以上のメモリデバイスと、１つ以上のプロセッサとを含んでいてよい。一部の実施形態では、装置は、開示される実施形態が実施されるときに流量及び持続時間を制御するための切り替えシステムを含む。一部の実施形態では、装置は、最長で約５００ｍｓの、又は最長で約７５０ｍｓの切り替え時間を有していてよい。切り替え時間は、流れの化学的性質、選ばれるレシピ、リアクタの構造、及びその他の要素に依存してよい。
【００５５】
一部の実装形態では、コントローラ２３０は、システムの一部であり、このシステムは、上述された例の一部であってよい。このようなシステムは、１つ若しくは複数の処理ツール、１つ若しくは複数のチャンバ、処理のための１つ若しくは複数のプラットフォーム、及び／又は特定の処理コンポーネント（ウエハ台座やガス流システムなど）などの、半導体処理機器を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板の処理の前、最中、及び後におけるそれらの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてよく、１つ又は複数のシステムの様々なコンポーネント又は副部品を制御してよい。コントローラ２３０は、処理パラメータ及び／又はシステムタイプに応じ、処理ガスの供給、温度の設定（例えば、加熱及び／若しくは冷却）、圧力の設定、真空の設定、電力の設定、高周波（ＲＦ）発生器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数の設定、流量の設定、流体供給の設定、位置及び動作の設定、特定のシステムに接続された若しくはインターフェース接続されたツール及びその他の移送ツール及び／若しくはロードロックに対してウエハを出入りさせるウエハ移送などの、本明細書で開示される任意のプロセスを制御するようにプログラムされてよい。
【００５６】
概して、コントローラ２３０は、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、終点測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、及び／又はソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態をとるチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特殊用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定められたチップ、及び／又はプログラム命令（例えばソフトウェア）を実行する１つ以上のマイクロプロセッサ若しくはマイクロコントローラを含んでいてよい。プログラム命令は、様々な個別設定（又はプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて半導体ウエハに対して若しくは半導体ウエハのために又はシステムに対して特定のプロセスを実行に移すための動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、一部の実施形態では、１枚以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、及び／又はウエハダイの製作における１つ以上の処理工程を実現するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
【００５７】
コントローラは、一部の実現形態では、システムと一体化された、システムにつながれた、それ以外の形でシステムにネットワーク接続された、若しくはそれらを組み合わせた、コンピュータの一部であってよい、又はそのようなコンピュータにつながれてよい。例えば、コントローラは、「クラウド」、すなわちファブホストコンピュータシステムの全体若しくは一部の中にあってよく、これは、ウエハ処理の遠隔アクセスを可能にすることができる。コンピュータは、製作動作の現進行状況を監視し、過去の製作動作の履歴を調査し、複数の製作動作から傾向若しくは性能基準を調査するために、又は現処理のパラメータを変更するために、又は処理億艇を設定して現処理を追跡するために、又は新しいプロセスを開始させるために、システムへの遠隔アクセスを可能にしてよい。一部の例では、遠隔コンピュータ（例えば、サーバ）が、ローカルネットワーク又はインターネットなどであってよいネットワークを通じてシステムにプロセスレシピを提供することができる。遠隔コンピュータは、パラメータ及び／若しくは設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでいてよく、これらのパラメータ及び／又は設定は、次いで、遠隔コンピュータからシステムに伝えられる。一部の例では、コントローラ２３０は、１つ以上の動作中に実施される各処理工程のためのパラメータを指定するデータの形式で命令を受信する。なお、パラメータは、実施されるプロセスのタイプに、及びコントローラがインターフェース接続されるように又は制御するように構成されたツールのタイプに特有であってよいことが理解されるべきである。したがって、上述のように、コントローラ２３０は、ネットワークによって結ばれて本明細書で説明されるプロセス及び制御などの共通の目的に向かって作業する１つ以上の個別のコントローラを含むなどによって分散されてよい。このような目的のための分散コントローラの一例として、（プラットフォームレベルに又は遠隔コンピュータの一部として）遠隔設置されてチャンバにおけるプロセスを協同して制御する１つ以上の集積回路と通じているチャンバ上の１つ以上の集積回路が挙げられる。
【００５８】
代表的なシステムとしては、制限なく、プラズマエッチングチャンバ若しくはプラズマエッチングモジュール、堆積チャンバ若しくは堆積モジュール、スピン・リンスチャンバ若しくはスピン・リンスモジュール、金属めっきチャンバ若しくは金属めっきモジュール、洗浄チャンバ若しくは洗浄モジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ若しくはベベルエッジエッチングモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ若しくはＰＶＤモジュール、化学気相成長（ＣＶＤ）チャンバ若しくはＣＶＤモジュール、ＡＬＤチャンバ若しくはＡＬＤモジュール、ＡＬＥチャンバ若しくはＡＬＥモジュール、イオン注入チャンバ若しくはイオン注入モジュール、追跡チャンバ若しくは追跡モジュール、並びに半導体ウエハの製作及び／若しくは製造に関係付けられる若しくは使用されるその他の任意の半導体処理システムが挙げられる。
【００５９】
上記のように、ツールによって実施される１つ以上の処理工程に応じ、コントローラは、その他のツール回路若しくはツールモジュール、その他のツールコンポーネント、クラスタツール、その他のツールインターフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場の随所にあるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場におけるツール場所及び／若しくは装填ポートに対してウエハ入り容器を出し入れする材料輸送に使用されるツールのうちの、１つ以上とやり取りするだろう。
【００６０】
図３は、真空移送モジュール３３８（ＶＴＭ）と境界を接する様々なモジュールを伴う半導体プロセスクラスタアーキテクチャを示している。複数の貯蔵設備と処理モジュールとの間でウエハを「移送する」ための移送モジュールの配置構成は、「クラスタツールアーキテクチャ」システムと呼ばれてよい。ＶＴＭ３３８では、ロードロック、移送モジュール、又はエアロックモジュール３３０としても知られるエアロック３３０が、４つの処理モジュール３２０ａ〜３２０ｄとともに示されている。これら４つの処理モジュールは、様々な製作プロセスを実施するように個別に最適化されてよい。例えば、処理モジュール３２０ａ〜３２０ｄは、基板エッチング、堆積、イオン注入、ウエハ洗浄、スパッタリング、及び／又はその他の半導体プロセスを実施するように実装されてよい。例えば、一部の実施形態では、ＡＬＥプロセスと同じモジュール内で、ＡＬＤプロセスが実施されてよい。一部の実施形態では、ＡＬＤ及びＡＬＥは、同じツールの異なるモジュール内で実施される。基板エッチング処理モジュールは、その１つ以上（３２０ａ〜３２０ｄの任意）が、本明細書で開示されるように、即ち共形膜を堆積させるために、ＡＬＤによって膜を選択的に堆積させるために、パターンをエッチングするために、及び開示される実施形態にしたがったその他の適切な機能に合わせて実装されてよい。エアロック３３０、及び処理モジュール３２０ａ〜３２０ｄのそれぞれは、「ステーション」と呼ばれてよい。各ステーションは、それをＶＴＭ３３８につなぐファセット３３６を有する。各ファセットの内部では、対応するステーション間で移動されるときのウエハ３２６の通過を検出するために、センサ１〜１８が使用される。
【００６１】
ロボット３２２が、ステーション間でウエハ３２６を移送する。一実施形態では、ロボット３２２は、１本のアームを有し、別の一実施形態では、ロボット３２２は、２本のアームを有し、各アームは、搬送のためにウエハ３２６などのウエハを拾い上げるためのエンドエフェクタ３２４を有する。ウエハ３２６をカセット、即ちロードポートモジュール（ＬＰＭ）３４２内の前面開閉式一体化ポッド（ＦＯＵＰ）から、エアロック３３０に移送するために、大気圧移送モジュール（ＡＴＭ）３４０内のフロントエンドロボット３３２が使用される。プロセスモジュール３２０内のモジュールセンタ３２８は、ウエハ３２６を置くための１つの場所である。ウエハを位置合わせするために、ＡＴＭ３４０内のアライナ３４４が使用される。
【００６２】
代表的な処理方法では、ＬＰＭ３４２内のＦＯＵＰ３３４の１つにウエハが入れられる。フロントエンドロボット３３２が、ウエハをＦＯＵＰ３３４からアライナ３４４に移送し、アライナ３４４は、ウエハ３２６がエッチング前又は処理前に正しく中心合わせされることを可能にする。位置を揃えられた後、ウエハ３２６は、フロントエンドロボット３３２によってエアロック３３０内へ移動される。エアロックモジュールは、ＡＴＭとＶＴＭとの間で環境を一致させる機能を有するので、ウエハ３２６は、損傷されることなく２つの圧力環境間で移動することができる。エアロックモジュール３３０からは、ウエハ３２６は、ロボット３２２によってＶＴＭ３３８を経てプロセスモジュール３２０ａ〜３２０ｄの１つに移動される。このウエハ移動を実現するために、ロボット３２２は、その各アーム上のエンドエフェクタ３２４を使用する。ウエハ３２６は、ひとたび処理されたら、ロボット３２２によってプロセスモジュール３２０ａ〜３２０ｄからエアロックモジュール３３０へ移動される。ここから、ウエハ３２６は、フロントエンドロボット３３２によってＦＯＵＰ３３４の１つ又はアライナ３４４へ移動されてよい。
【００６３】
なお、ウエハ移動を制御しているコンピュータは、クラスタアーキテクチャの内部にあること、又はクラスタアーキテクチャの外の製造現場内にあること、又は遠隔地にあってネットワークを通じてクラスタアーキテクチャに接続されることが可能である。図２に関連して上述されたコントローラが、図３におけるツールに実装されてよい。
【００６４】
実験
ＧａＮのブランケット層が、ＡＬＥによってエッチングされた。ＡＬＥ化学剤は、Ｃｌ2による改質及びＡｒによる除去であり、除去中は、５０Ｖのバイアスがかけられた。ＡＬＥサイクルの繰り返しによって、２２ｎｍのＧａＮがエッチングされた。ＡＬＥによるエッチング後のＲＭＳ粗度が、エッチング前と比べて僅かに改善された。
【００６５】
ＧａＮ  ＡＬＥ（Ｃｌ2／Ａｒ）が、ＧａＮに対するＣｌのみによるエッチング及びＧａＮに対するＡｒのみによるスパッタリングによるエッチングと比較された。Ｃｌのみによるエッチングは、ＧａＮのエッチングをもたらさなかった（１００サイクル）。ＡＬＥエッチングは、Ａｒによるスパッタリングが単独で行われた場合と比べて１０倍近くのエッチングをもたらした。この結果は、ＡＬＥプロセスには強い相乗効果があり、上述のようなＡＬＥメカニズムの発生を後押しすることを示している。
【００６６】
様々なＣｌ2／ＢＣｌ3混合を使用したＡＬＥプロセス後に、ＡｌＧａＮ表面の滑らかさが測定された。０％／１００％、５％／９５％、１５％／８５％、及び１００％／０％のＣｌ2／ＢＣｌ3を有する混合が使用された。粗度は、ＢＣｌ3濃度によって改善された。
【００６７】
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾分詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で何らかの変更及び修正が加えられてよいことが明らかである。着目すべきは、これらの実施形態のプロセス、システム、及び装置を実現する代替のやり方が多く存在することである。したがって、これらの実施形態は、例示的なものであって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｅ】
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【図２】
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【図３】
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【図１Ｃ】
2017022368.tif 000008
【図１Ｄ】
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【外国語明細書】
2017022368000001.pdf