(57)【要約】      （修正有）【課題】金属配線の側面での光の反射を抑制した導電性基板を提供する。【解決手段】導電性基板は、絶縁性基材１と、絶縁性基材１の少なくとも一方の面上に配置された金属配線２と、金属配線２の上面及び側面に配置された黒化層４と、を有する。金属配線２の上面及び側面に配置された黒化層４により、金属配線２の側面での光の反射を抑制した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置された金属配線と、
前記金属配線の上面、及び側面に配置された黒化層と、を有する導電性基板。
【請求項２】
前記黒化層が、ニッケル及び硫黄を含有する請求項１に記載の導電性基板。
【請求項３】
絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属配線を形成する金属配線形成工程と、
前記金属配線の上面及び側面に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有する導電性基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属配線形成工程は、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成ステップと、
前記金属層をパターン化し、前記金属配線を形成するパターン化ステップと、
を有する請求項３に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項５】
前記黒化層形成工程では、無電解めっき法により前記黒化層を形成する請求項３または４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項６】
前記黒化層が、ニッケル及び硫黄を含有する請求項３乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板、導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の配線材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。
【０００３】
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる配線材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。
【０００４】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。
【０００５】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯにかえて銅等による金属配線を用いることが検討されている。しかし、金属配線の材料である金属は金属光沢を有するため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、絶縁性基材上に金属層を形成後、金属層の上面に乾式めっき法等により金属層表面での光の反射を抑制する黒化層を形成してから、金属層、及び黒化層をパターン化することで、金属配線の上面に黒化層を形成した導電性基板とすることが検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、金属層の上面に黒化層を形成した後、金属層をパターン化して金属配線を形成すると、金属配線の側面部分は黒化層に覆われていないため、光を反射し、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
【０００９】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では金属配線の側面での光の反射を抑制した導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置された金属配線と、
前記金属配線の上面、及び側面に配置された黒化層と、を有する導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一側面によれば、金属配線の側面での光の反射を抑制した導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の導電性基板、及び本発明の実施形態に係る導電性基板における黒化層の構成についての説明図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の構成説明図。
【図３】本発明の実施形態に係る導電性基板の構成説明図。
【図４】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の構成説明図。
【図５】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。
【図６】ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成説明図。
【図７】実施例、及び比較例で作製した導電性基板の視認性の評価方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板、積層導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、絶縁性基材と、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置された金属配線と、金属配線の上面、及び側面に配置された黒化層と、を有することができる。
【００１４】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１５】
絶縁性基材としては特に限定されるものではなく、例えば可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等の透明基材を好ましく用いることができる。
【００１６】
可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
【００１７】
絶縁性基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。絶縁性基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、絶縁性基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、絶縁性基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
絶縁性基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。絶縁性基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
【００１９】
なお絶縁性基材の全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００２０】
絶縁性基材は第１の主平面と、第２の主平面とを有することができる。なお、ここでいう主平面とは絶縁性基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第１の主平面と、第２の主平面とは１つの絶縁性基材の中で対向して配置された面を意味する。
【００２１】
次に、金属配線について説明する。
【００２２】
金属配線は、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に配置することができる。そして、所望の配線パターンに対応したパターン形状を有することができる。
【００２３】
なお、金属配線の形成方法は特に限定されるものではない。金属配線は例えば、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成し、該金属層をパターン化することにより形成することができる。このため、ここではまず、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成し、該金属層をパターン化して形成する場合を例に金属配線について説明する。
【００２４】
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種類以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
【００２５】
絶縁性基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、絶縁性基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように絶縁性基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、金属層は密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２６】
絶縁性基材、または密着層の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。
【００２７】
例えば絶縁性基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、絶縁性基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。
【００２８】
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として例えば湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も絶縁性基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００２９】
なお、ここでは絶縁性基材上に金属層を形成した例で説明したが、絶縁性基材と金属層との間に密着層を形成する場合、密着層上に同様にして金属薄膜層、または金属薄膜層と金属めっき層とを形成することで、密着層上に金属層を直接形成することができる。
【００３０】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００３１】
ただし、金属層が厚くなると、金属配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３３】
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００３４】
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３５】
金属層は所望の配線パターンに対応した形状にパターン化することにより金属配線とすることができる。金属配線のパターン形状は特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される配線パターンに対応した形状とすることができる。
【００３６】
金属層をパターン化する方法は特に限定されるものはないが、例えば絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成した後、まず金属層の絶縁性基材と対向する面とは反対側の面上に、形成する配線パターンの形状に対応した開口部を有するマスクを配置する。そして、エッチング処理を行うことで金属配線を形成することができる。
【００３７】
金属配線は例えば上述の様に金属層をパターン化することで形成することができる。このため、金属層が金属薄膜層から構成されている場合には、金属配線はパターン化した金属薄膜層を有することができる。また、金属層が金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属配線は、パターン化した金属薄膜層と、パターン化した金属めっき層とを有することもできる。
【００３８】
金属層は導電層の材料として従来用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層をパターン化した金属配線を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
【００３９】
ここまで金属配線について、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成後、金属層をパターン化することにより形成する場合を例に説明したが、金属配線の形成方法は係る形態に限定されるものではない。例えば、絶縁性金属層上に金属層を形成することなく、印刷法等により、絶縁性基材上に直接、金属配線を形成することもできる。また、金属配線はアディティブ法や、セミアディティブ法等により形成することもできる。
【００４０】
金属配線は、その形成方法により、例えば既述のように金属薄膜層と、金属めっき層とのように複数の層を有していてもよく、１つの層から構成されていてもよい。
【００４１】
なお、印刷法や、その他の方法により金属配線を形成する場合であっても、金属配線を構成する材料は特に限定されるものではない。
【００４２】
例えば既述の金属層を構成する材料として好適に用いることができる材料を、金属配線を構成する材料として好適に用いることができる。すなわち金属配線を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属配線は銅から構成される銅配線とすることもできる。
【００４３】
金属配線の厚さについても特に限定されるものではないが、例えば５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
また、金属配線の厚さの下限値についても特に限定されないが、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属配線は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００４５】
次に黒化層について説明する。
【００４６】
黒化層は、金属配線の上面、及び側面に配置することができる。
【００４７】
図１（Ａ）、図１（Ｂ）を用いて、従来の導電性基板の黒化層、及び本実施形態の導電性基板の黒化層の構成について説明する。なお、図１（Ａ）、図１（Ｂ）は絶縁性基材上に金属配線、及び黒化層を積層した導電性基板における、各層の積層方向と平行な面における断面図を示している。そして、図１（Ａ）は従来の導電性基板の、図１（Ｂ）は本実施形態の導電性基板の構成例をそれぞれ示している。
【００４８】
まず、図１（Ａ）を用いて従来の導電性基板における構成例について説明する。タッチパネル等を用途とする導電性基板において金属配線を用いる場合に、金属配線表面での光の反射を抑制するため、絶縁性基材１上に配置された金属配線２の上面に黒化層３を形成することが検討されてきた。従来の導電性基板の製造方法によれば、絶縁性基材の上面全体に金属層、及び黒化層を形成してからパターン化して金属配線、及びパターン化された黒化層とする必要があった。このため、金属配線２の側面部分２ａは黒化層３に覆われておらず露出しているため光を反射し、係る導電性基板をディスプレイ上に配置した場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
【００４９】
これに対して、図１（Ｂ）に示したように、本実施形態の導電性基板においては、絶縁性基材１上に配置された金属配線２の上面、及び側面に黒化層４が配置されている。すなわち、金属配線２は絶縁性基材１と接する面以外は、黒化層４により覆われた構成とすることができる。このため、金属配線２の表面での光の反射を特に抑制することができ、タッチパネル用の導電性基板として用いた場合にディスプレイの視認性を高めることができる。なお、図１（Ｂ）では絶縁性基材１上に直接金属配線２を配置した例を示しているが、絶縁性基材１と、金属配線２との間には密着層を配置することもできる。密着層を配置した場合、密着層も金属配線２と同様にパターン化されていることが好ましく、金属配線２は密着層に接する面以外が黒化層４により覆われていることが好ましい。
【００５０】
本実施形態の導電性基板において黒化層を形成する方法は特に限定されるものではなく、金属配線の上面、及び側面に黒化層を形成できる方法であればよいが、例えば黒化層は無電解めっき法により形成されていることが好ましい。
【００５１】
黒化層を形成する方法として、従来は主に乾式めっき法を用いることが検討されてきた。しかしながら、乾式めっき法により黒化層を形成する場合、既述のように絶縁性基材上に金属層を形成後、金属層の上面全体に黒化層を形成してから、金属層及び黒化層をパターン化する必要がある。このため、金属層をパターン化した金属配線の側面部分には黒化層を形成することができず、導電性基板の金属配線、及び黒化層、は例えば図１（Ａ）に示したような断面構造を有していた。
【００５２】
これに対して、黒化層を無電解めっき法により形成する場合、所望の形状にパターン化された金属配線を形成してから、黒化層を形成することができる。そして、金属配線の露出した部分、すなわち金属配線の上面、及び側面に黒化層を形成できる。このため、本実施形態の導電性基板においては既述のように、黒化層は無電解めっき法により形成されていることが好ましい。
【００５３】
黒化層の材料は特に限定されるものではなく、金属配線表面における光の反射を抑制できる材料であれば好適に用いることができる。例えば黒色等、金属配線表面での光の反射を抑制できる色を有する材料を好ましく用いることができる。
【００５４】
ただし、黒化層は既述のように無電解めっき法により好適に形成することができるため、黒化層の材料は無電解めっき法により形成できる材料であることが好ましい。
【００５５】
上述の様に黒化層に含まれる材料は特に限定されるものではないが、例えば黒化層は、Ｎｉ（ニッケル）を含有することが好ましい。また、黒化層は２種類以上の元素を同時に含有することもでき、例えばＮｉ（ニッケル）と、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（すず）、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｎ（亜鉛）から選択された１種類以上の元素と、を含むこともできる。
【００５６】
特に黒化層は、Ｎｉ、ＮｉとＳｎ、ＮｉとＳ、ＮｉとＺｎ、ＮｉとＳとＳｎ、ＮｉとＣｏとＳ、ＮｉとＺｎとＳから選択されるＮｉ、またはＮｉを含む２種類以上の元素の組み合わせのいずれかを含有することが好ましい。
【００５７】
なお、黒化層は、上述のＮｉ、またはＮｉを含む２種類以上の元素の組み合わせのいずれかから構成することもできる。また、上述の元素、または２種類以上の元素の組み合わせのいずれかと、さらにそれ以外の成分とをさらに含有することもできる。
【００５８】
黒化層が上述の元素、または２種類以上の元素の組み合わせのいずれかから構成される場合でも、黒化層は例えば無電解めっき法により形成することができるため、めっき液由来の不可避成分等が含まれていてもよい。
【００５９】
特に、黒化層は、Ｎｉ及びＳを含有することがより好ましい。これは本発明の発明者らの検討によると、黒化層がＮｉ及びＳを同時に含有する場合に、金属配線表面での光の反射を特に抑制することができ、導電性基板の光の反射率を特に抑制できるからである。なお、黒化層がＮｉ及びＳを含有する場合、黒化層はＮｉ及びＳから構成することもできるが、Ｎｉ及びＳ以外の成分、例えば既述のようにＣｏやＳｎ、Ｚｎ等を含有していてもよい。
【００６０】
黒化層中で、黒化層に含まれる元素の状態は特に限定されるものではない。例えば元素単体の状態を保ったまま黒化層に含まれていてもよい。また、黒化層が２種類以上の元素を含有する場合、金属間化合物や、その他の化合物を形成し、黒化層内に含まれていてもよい。
【００６１】
黒化層が２種類以上の元素を含有する場合、２種類以上の元素の含有割合は特に限定されるものではなく、導電性基板について要求される光の反射の程度や、黒化層の色合い等に応じて任意に選択することができる。
【００６２】
導電性基板は上述の絶縁性基材、金属配線、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【００６３】
上述のように金属層や、金属配線は絶縁性基材上に形成することができるが、絶縁性基材上に金属層や金属配線を直接形成した場合に、絶縁性基材と、金属層や、金属配線との密着性は十分ではない場合がある。このため、絶縁性基材の上面に直接金属層、金属配線を形成した場合、製造過程、または、使用時に絶縁性基材から金属層、金属配線が剥離する場合がある。
【００６４】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、絶縁性基材と、金属層や金属配線との密着性を高めるため、絶縁性基材上に密着層を配置することができる。
【００６５】
絶縁性基材と金属層、金属配線との間に密着層を配置することにより、絶縁性基材と金属層や金属配線との密着性を高め、絶縁性基材から金属層や金属配線が剥離することを抑制できる。
【００６６】
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層や金属配線の下面側、すなわち絶縁性基材側からの光による金属配線表面での光の反射も抑制することが可能になる。
【００６７】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、絶縁性基材や、金属層、金属配線との密着力や、要求される金属配線表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００６８】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。
【００６９】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００７０】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００７１】
密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００７２】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００７３】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、絶縁性基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層や金属配線との密着性も高い。このため、絶縁性基材と金属層や、金属配線との間に密着層を配置することにより、金属層、金属配線の剥離を抑制することができる。
【００７４】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７５】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層や、金属配線における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００７６】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、密着層をパターン化する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７７】
次に、導電性基板の構成例について説明する。
【００７８】
上述のように、本実施形態の導電性基板は絶縁性基材と、金属配線と、黒化層と、を備えた構成とすることができる。
【００７９】
具体的な構成例について、図２（Ａ）、図２（Ｂ）を用いて以下に説明する。
【００８０】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、本実施形態の導電性基板の一構成例を示している。そして、図２（Ａ）は、絶縁性基材１１の金属配線を配置した面と垂直な方向、すなわち絶縁性基材上に配置した金属配線等の積層方向、に沿って、上面側から導電性基板１０を見た図を示している。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＡ−Ａ´線での断面図を示している。
【００８１】
本実施形態の導電性基板は、例えば図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示した導電性基板１０のように、絶縁性基材１１の第１の主平面１１ａ上に、金属配線１２を配置し、金属配線１２の上面１２ａ、及び側面１２ｂに黒化層１３を配置した構成とすることができる（図２（Ｂ）を参照）。
【００８２】
なお、導電性基板１０においては、金属配線１２は複数の直線形状のパターンとなるように形成されており、該複数の直線形状のパターンは、図２（Ａ）中のＹ軸に平行に、かつＸ軸方向に互いに離隔して配置されている。このため、金属配線１２の上面、及び側面に配置された黒化層１３についても、図２（Ａ）に示したように図中のＹ軸と平行でかつ、Ｘ軸方向に互いに離隔して配置された複数の直線形状のパターンとなっている。
【００８３】
ただし、金属配線１２のパターン形状は、図２（Ａ）に示した形態に限定されるものではなく、導電性基板に要求される配線パターンに応じたパターン形状とすることができる。また、金属配線１２の配線幅や、配線間距離についても特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される性能等に応じて任意に選択することができる。
【００８４】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示した導電性基板１０のように、金属配線１２の上面１２ａ、及び側面１２ｂに黒化層１３を配置することで、金属配線１２の上面１２ａに入射した光だけではなく、側面１２ｂに入射した光についても、金属配線１２表面での反射を抑制できる。このため、導電性基板１０をタッチパネル用の導電性基板として用いるため、ディスプレイの表示面上に配置した場合に、ディスプレイの視認性を高くすることができる。
【００８５】
本実施形態の導電性基板の他の構成例として、既述のように、絶縁性基材１１と、金属配線１２との間には、密着層を配置することもできる。
【００８６】
図３に絶縁性基材と金属配線との間に密着層を配置した場合の導電性基板の断面構成例を示す。
【００８７】
図３は、絶縁性基材１１上に配置した密着層２１や金属配線１２等の積層方向と平行な面における導電性基板２０の断面図を示しており、図２（Ａ）、図２（Ｂ）と同じ部材には同じ番号を付している。なお、絶縁性基材１１の金属配線を配置した第１の主平面１１ａと垂直な方向に沿って上面側から導電性基板２０を見た場合、すなわち図中ブロック矢印２２に沿って導電性基板２０を見た場合、密着層は外部から視認できないため、図２（Ａ）と同様の構成となり、図３は図２（Ａ）のＡ−Ａ´線での断面図に相当する。
【００８８】
図３に示した導電性基板２０は、絶縁性基材１１上に、密着層２１、及び金属配線１２が積層されている。そして、密着層２１、及び金属配線１２は略同一の形状にパターン化されており、金属配線１２の上面、及び側面、さらに密着層２１の側面には黒化層１３が配置されることとなる。
【００８９】
図３に示した導電性基板２０のように絶縁性基材１１と、金属配線１２との間に密着層２１を配置することにより、絶縁性基材１１と、金属配線１２との密着性を高めることができる。また、絶縁性基材１１側から金属配線１２へと入射した光が、金属配線１２の底面、すなわち金属配線１２の絶縁性基材１１と対向する面で反射することを抑制することができる。このため、導電性基板２０をタッチパネル用の導電性基板として用いるため、ディスプレイの表示面上に配置した場合に、ディスプレイの視認性を特に高くすることができる。
【００９０】
ここまで、絶縁性基材の第１の主平面上に金属配線を形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。絶縁性基材の第１の主平面、及び第２の主平面に金属配線を形成することもできる。
【００９１】
絶縁性基材の第１の主平面、及び第２の主平面に金属配線を形成した場合の、本実施形態の導電性基板の一構成例について、図４（Ａ）、図４（Ｂ）を用いて以下に説明する。
【００９２】
図４（Ａ）は、絶縁性基材１１の第１の主平面と垂直な方向、すなわち絶縁性基材上に配置した金属配線等の積層方向に沿って、上面側から導電性基板３０を見た図を示している。なお、金属配線のパターン形状が分かり易いように、絶縁性基材１１を透過して見える第２の主平面１１ｂ側に形成した金属配線１２Ｂ、及び黒化層１３Ｂも、図４（Ａ）中に示している。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）におけるＢ−Ｂ´線での断面図を示している。
【００９３】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示した導電性基板３０では、絶縁性基材１１の第１の主平面１１ａ上に、金属配線１２Ａを配置し、金属配線１２Ａの上面、及び側面に黒化層１３Ａが配置されている。また、絶縁性基材１１の第２の主平面１１ｂ上にも金属配線１２Ｂを配置し、金属配線１２Ｂの上面、及び側面に黒化層１３Ｂが配置されている（図４（Ｂ）を参照）。
【００９４】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）においては、密着層を配置していない導電性基板の構成例を示したが、既述のように、絶縁性基材と、金属配線との間には密着層を配置することもできる。密着層を配置する場合、金属配線１２Ａと絶縁性基材１１との間、および／または金属配線１２Ｂと絶縁性基材１１との間に密着層を配置することができる。密着層を配置する場合、密着層はそれぞれ金属配線１２Ａ、金属配線１２Ｂと同じパターンとなるようにパターン化することが好ましい。
【００９５】
導電性基板３０においては、金属配線１２Ａ、及び金属配線１２Ｂは複数の直線形状のパターンとなるように形成されており、第１の主平面１１ａ側に形成された金属配線１２Ａは、図４（Ａ）中のＹ軸に平行に、かつＸ軸方向に互いに離隔して配置されている。なお、金属配線１２Ａはその上面、及び側面に黒化層１３Ａが配置されているため、図４（Ａ）では金属配線１２Ａを視認できないが、金属配線１２Ａは、黒化層１３Ａと同様にＹ軸に平行な複数の直線形状のパターンとなるように形成されている。
【００９６】
また、第２の主平面１１ｂ側に形成された金属配線１２Ｂは、図４（Ａ）中のＸ軸に平行に、かつＹ軸方向に互いに離隔して配置されている。このため、金属配線１２Ａ、及び金属配線１２Ｂにより、導電性基板３０は、メッシュ状に配置された金属配線を有する構成となっている。
【００９７】
金属配線の形状、配置は図４（Ａ）に示した形態に限定されるものではなく任意の形状、配置とすることができる。ただし、静電容量式のタッチパネル用の導電性基板においては、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。このため、静電容量式のタッチパネルの用途に用いる場合には、導電性基板３０のようにメッシュ状の金属配線を備えた導電性基板とすることが好ましい。
【００９８】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示した導電性基板３０においても、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されているため、金属配線１２Ａ、１２Ｂの上面に入射した光だけではなく、側面に入射した光についても、金属配線１２Ａ、１２Ｂ表面での反射を抑制できる。このため、導電性基板３０をタッチパネル用の導電性基板として用いるため、ディスプレイの表示面上に配置した場合に、ディスプレイの視認性を高くすることができる。
【００９９】
静電容量式のタッチパネル等に用いる導電性基板については、既述のように、メッシュ状に配置された金属配線を備えていることが好ましい。そして、メッシュ状に配置された金属配線を備えた導電性基板として、図４（Ａ）、図４（Ｂ）では、絶縁性基材の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに金属配線を形成した例を示した。しかしながら、メッシュ状に配置された金属配線を備えた導電性基板は係る形態に限定されるものではなく、例えば既述の導電性基板１０、または導電性基板２０を複数枚積層することで、メッシュ状に配置された金属配線を備えた積層導電性基板とすることもできる。
【０１００】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示した導電性基板１０を２枚用いてメッシュ状の金属配線を備えた積層導電性基板とする場合を例に説明する。
【０１０１】
メッシュ状の金属配線を備えた積層導電性基板は、２枚用意した導電性基板１０について、２枚の導電性基板を積層する際、一方の導電性基板１０の金属配線１２と、他方の導電性基板１０の金属配線１２と、が交差するように積層することで、形成することができる。
【０１０２】
絶縁性基材の一方の主平面に金属配線を形成した導電性基板を用いて、メッシュ状に配置された金属配線を有する導電性基板を形成する場合の一構成例について、図５（Ａ）、図５（Ｂ）を用いて説明する。
【０１０３】
図５（Ａ）は、絶縁性基材１１１（１１２）の第１の主平面と垂直な方向、すなわち絶縁性基材上に配置した金属配線等の積層方向に沿って、上面側から積層導電性基板４０を見た図を示している。なお、金属配線のパターン形状が分かり易いように、絶縁性基材１１２を透過して見える黒化層１３１も図５（Ａ）中に示している。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）におけるＣ−Ｃ´線での断面図を示している。
【０１０４】
図５（Ｂ）に示した導電性基板１０１と、導電性基板１０２とは共に、図２に示した導電性基板１０と同様の構成を有している。具体的には、絶縁性基材１１１、１１２の第１の主平面１１１ａ、１１２ａ上にそれぞれ、複数の直線形状のパターンとなるように形成された金属配線１２１、１２２が配置されている。また、金属配線１２１、１２２の上面、及び側面には黒化層１３１、１３２が配置されている。
【０１０５】
そして、導電性基板１０１の絶縁性基材１１１の第１の主平面１１１ａと、絶縁性基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層することで積層導電性基板とすることができる。なお、上述の様に、積層する際に、絶縁性基材１１１の金属配線１２１と、絶縁性基材１１２の金属配線１２２とが交差するように積層することで、図５（Ａ）に示すようにメッシュ状に配置された金属配線を有する積層導電性基板とすることができる。図５（Ａ）においては、黒化層１３１、１３２の配置を示しているが、黒化層１３１、１３２は、金属配線１２１、１２２の表面に沿って形成されているため、金属配線についても同様にメッシュ状に配置されることとなる。
【０１０６】
また、図５（Ａ）、図５（Ｂ）の場合において、一方の導電性基板１０１の上下を逆にして、絶縁性基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板１０２の絶縁性基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。この場合、図４（Ａ）、図４（Ｂ）と同様の構成を有する積層導電性基板を形成できる。
【０１０７】
２枚の導電性基板を積層した場合、２枚の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により接着、固定することができる。
【０１０８】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）においては、密着層を配置していない積層導電性基板の構成例を示したが、既述のように、絶縁性基材と、金属配線との間には密着層を配置することもできる。例えば、図２（Ｂ）に示した断面形状の導電性基板１０にかえて、図３に示した断面形状の導電性基板２０を用いる点以外は上述の場合と同様に積層することで、絶縁性基材と、金属配線との間に密着層を有する積層導電性基板とすることができる。
【０１０９】
なお、同じ構成の導電性基板を積層する必要はなく、例えば断面形状が図２（Ｂ）に示した導電性基板１枚と、図３に示した導電性基板１枚とを積層して積層導電性基板とすることもできる。
【０１１０】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５（Ａ）、図５（Ｂ）において、複数の直線形状の金属配線を組み合わせてメッシュ状に配置された導電性基板とした例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、金属配線の形状、配置は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状に配置された金属配線を構成する金属配線の形状をそれぞれ、直線形状ではなく、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１１１】
本実施形態の導電性基板、積層導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率（正反射率）は３５％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましい。波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が３５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
【０１１２】
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。図２（Ｂ）に示した導電性基板において、反射率の測定を行う場合を例に説明すると、黒化層１３の表面１３ａに対して光を照射して測定を行うことができる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３の表面１３ａに対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。
【０１１３】
また、本実施形態の導電性基板、積層導電性基板の黒化層の表面については、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系のうちの明度（Ｌ＊）の数値が小さいことが好ましい。これは明度（Ｌ＊）の数値が小さくなるほど黒化層が目立たなくなるためであり、黒化層の表面の明度（Ｌ＊）は６５以下であることが好ましく、６０以下であることがより好ましく、５０以下であることがさらに好ましい。
【０１１４】
以上に説明した導電性基板、及び該導電性基板を用いた積層導電性基板においては、金属配線の上面、及び側面に黒化層が配置されている。このため、金属配線表面での光の反射を抑制できる。また、金属配線を配置しているため、導電性基板、及び積層導電性基板の電気抵抗値を小さくすることができる。
（導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
【０１１５】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属配線を形成する金属配線形成工程。  
金属配線の上面及び側面に黒化層を形成する黒化層形成工程。
【０１１６】
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
【０１１７】
金属配線形成工程に供する絶縁性基材は予め準備しておくことができる。用いる絶縁性基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。絶縁性基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
【０１１８】
そして、金属配線形成工程では、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属配線を形成することができる。
【０１１９】
金属配線形成工程において、金属配線を形成する方法は特に限定されるものではないが、金属配線形成工程は例えば以下のステップを有することができる。  
絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成ステップ。  
金属層をパターン化し、金属配線を形成するパターン化ステップ。
【０１２０】
ここでまず金属層形成ステップについて説明する。金属層形成ステップでは、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成できる。
【０１２１】
そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成ステップは、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップを有することができる。また、金属層形成ステップは、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップと、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する金属めっき層形成ステップと、を有していてもよい。
【０１２２】
金属薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【０１２３】
金属薄膜層をスパッタリング法により成膜する場合、例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。
【０１２４】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いた場合を例に金属薄膜層の形成方法を説明する。
【０１２５】
図６はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。
【０１２６】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。
【０１２７】
図６において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。
【０１２８】
ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１０−３Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０−４Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
【０１２９】
筐体５１内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、巻取ロール５５等を配置することができる。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロールや、ヒーター５６等を設けることもできる。
【０１３０】
巻出ロール５２、キャンロール５３、巻取ロール５５等にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５５は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって金属薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるように構成できる。
【０１３１】
キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
【０１３２】
スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの金属薄膜層を成膜する基材の幅方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の幅より広いことが好ましい。
【０１３３】
金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで金属薄膜層が成膜される。
【０１３４】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて金属薄膜層を成膜する場合、成膜する組成に対応したターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。そして、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入することができる。気体供給手段５８の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）５８１ａ、５８１ｂ、及びバルブ５８２ａ、５８２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図６ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。スパッタリングガスを筐体５１内に供給する際、スパッタリングガスの流量及び、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
【０１３５】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続成膜することができる。
【０１３６】
なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は上述した部材以外にも任意の部材を設けることができる。例えば図６に示したように、筐体５１内の真空度を測定するための真空計６０ａ、６０ｂや、ベントバルブ６１ａ、６１ｂ等を設けることができる。
【０１３７】
次に金属めっき層形成ステップについて説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する金属めっき層形成ステップにおける条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
【０１３８】
次にパターン化ステップについて説明する。
【０１３９】
パターン化ステップでは、金属層形成ステップで形成した金属層をパターン化し、金属配線を形成することができる。
【０１４０】
金属層をパターン化する方法は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。
【０１４１】
例えば、パターン化ステップはマスク配置ステップと、エッチングステップとを有することができる。マスク配置ステップでは、金属層上に所望のパターンを有するマスクを配置することができる。次いで、エッチングステップでは、金属層の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給することができる。
【０１４２】
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、金属層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。
【０１４３】
なお、後述するように、密着層形成工程を実施する場合には、エッチングステップでは、金属層に加えて、密着層もエッチングすることができる。この場合、金属層をエッチングするエッチング液と、密着層をエッチングするエッチング液とは、同じであっても良く、異なっていてもよい。金属層を構成する材料と、密着層を構成する材料とに応じて任意にエッチング液を選択することができる。
【０１４４】
また、パターン化ステップで形成するパターンは特に限定されない。例えば金属層を、複数の直線形状のパターンの金属配線となるようにパターン化することができる。金属層を複数の直線形状のパターンの金属配線にパターン化した場合、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、金属配線１２は互いに平行に、かつ離隔するようなパターンとすることができる。
【０１４５】
ここまで金属配線形成工程が、金属層形成ステップと、パターン化ステップとを有する場合を例に説明したが、金属配線形成工程は、係る形態に限定されるものではない。
【０１４６】
金属配線は例えば絶縁性基材上に印刷法等により形成することもできる。また、金属配線は、アディティブ法や、セミアディティブ法等により形成することもできる。
【０１４７】
例えば金属配線を印刷法により形成する場合、金属配線形成工程は、絶縁性基材の少なくとも一方の面上に、金属配線を印刷する金属配線印刷ステップを有することができる。なお、この際の印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法や、インクジェット印刷法等を用いることができる。
【０１４８】
また、アディティブ法等その他の方法により金属配線を形成する場合においても、金属配線形成工程は、金属配線の形成方法に対応して、所定のステップを有することができる。
【０１４９】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【０１５０】
黒化層形成工程においては、金属配線の上面、及び側面に黒化層を形成することができる。金属配線の上面、及び側面に黒化層を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば無電解めっき法により黒化層を形成することが好ましい。
【０１５１】
黒化層を無電解めっき法により形成することで、金属層をパターン化して形成した金属配線の上面、及び側面に容易に黒化層を形成することができる。
【０１５２】
無電解めっき法により黒化層を形成する場合に用いるめっき液の組成等は特に限定されるものではなく、形成する黒化層を構成する材料を含むめっき液を用いることができる。
【０１５３】
既述のように黒化層に含まれる材料は特に限定されるものではないが、例えば黒化層は、Ｎｉ（ニッケル）を含有することが好ましい。また、黒化層は２種類以上の元素を同時に含有することもでき、例えばＮｉ（ニッケル）と、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（すず）、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｎ（亜鉛）から選択された１種類以上と、を含むこともできる。
【０１５４】
黒化層は特に、Ｎｉ、ＮｉとＳｎ、ＮｉとＳ、ＮｉとＺｎ、ＮｉとＳとＳｎ、ＮｉとＣｏとＳ、ＮｉとＺｎとＳから選択される元素、または２種類以上元素の組み合わせを含有することが好ましい。
【０１５５】
特に黒化層は、Ｎｉ及びＳを含有することが好ましい。これは本発明の発明者らの検討によると、黒化層がＮｉ及びＳを含有する場合に、特に金属配線表面での光の反射を抑制する性能が高く、導電性基板の光の反射率を特に抑制できるからである。なお、この場合でもＮｉ及びＳ以外の成分を含有していてもよく、例えばＳｎやＣｏ、Ｚｎ等をさらに含有していてもよい。
【０１５６】
また、本実施形態の導電性基板の製造方法は、さらに任意の工程を有することができる。例えば絶縁性基材と金属配線との間に密着層を配置する場合、絶縁性基材の金属配線を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属配線形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができる。なお、密着層形成工程を実施する場合、金属配線形成工程において金属層や、金属配線は本工程で絶縁性基材上に密着層を形成した基材上に形成することができる。
【０１５７】
密着層を形成する場合、密着層は絶縁性基材の第１の主平面、および／または第２の主平面に形成することができる。
【０１５８】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、絶縁性基材や、金属層、金属配線との密着力や、金属配線表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１５９】
密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素も添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１６０】
密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【０１６１】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【０１６２】
反応性スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、絶縁性基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【０１６３】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、絶縁性基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層、金属配線との密着性も高い。このため、絶縁性基材と金属層、金属配線との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【０１６４】
密着層は例えば図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。
【０１６５】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１６６】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて密着層を成膜する場合、密着層を構成する金属のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、密着層を形成する基材、例えば絶縁性基材を巻出ロール５２にセットする。そして、装置内、例えば筐体５１内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気する。そしてその後、アルゴンガス等のスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
【０１６７】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の密着層を連続成膜することができる。
【０１６８】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、絶縁性基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層や金属配線との密着性も高い。このため、絶縁性基材と金属層や金属配線との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【０１６９】
なお、密着層形成工程を実施する場合は、密着層形成工程を実施した後に、既述の金属配線形成工程を実施することができる。
【０１７０】
密着層を形成した場合、密着層も金属配線のパターン形状にあわせてパターン化することが好ましいが、密着層をパターン化するタイミングは特に限定されない。
【０１７１】
例えば金属配線形成工程で、金属層を形成し、金属層をパターン化する場合、金属層をパターン化する際に密着層もあわせてパターン化することもできる。
【０１７２】
また、例えば密着層上に所定のパターンの金属配線を形成後、金属配線をマスクとして密着層をパターン化することもできる。
【０１７３】
そして、ここまで説明した導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。
【０１７４】
積層工程では例えば、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示したパターン化された導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示したように、一方の導電性基板１０１の絶縁性基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板１０２の絶縁性基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層することにより実施できる。
【０１７５】
積層後、２枚の導電性基板１０１、１０２は例えば接着剤等により固定することができる。
【０１７６】
なお、一方の導電性基板１０１の上下を逆にして、一方の導電性基板１０１の絶縁性基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板１０２の絶縁性基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。
【０１７７】
メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする場合、積層工程では、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示したように、一方の導電性基板１０１に予め形成した金属配線１２１と、他方の導電性基板１０２に予め形成した金属配線１２２と、が交差するように積層できる。
【０１７８】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）においては、直線形状にパターン化された金属配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する金属配線の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１７９】
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板によれば、金属配線の上面、及び側面に黒化層が配置されているため、金属層表面での光の反射を抑制することができる。このため、ディスプレイの表示面上に配置した場合でも、ディスプレイの視認性が低下することを抑制できる。
【０１８０】
また、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を用いて作製された積層導電性基板についても同様のことがいえる。
【実施例】
【０１８１】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（１）評価方法
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（黒化層の形状の観察）
後述するように、以下の実施例では、上面から見た場合の形態が図２（Ａ）、図２（Ａ）のＡ−Ａ´線での断面の形態が図３となる導電性基板を作製した。このため、作製した導電性基板について、図２（Ａ）のＡ−Ａ´線において切断し、断面を走査型電子顕微鏡（日本電子社製  型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ）により観察した。そして、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されているかについて確認を行った。
【０１８２】
また、比較例においても絶縁性基材の一方の面上に複数の直線形状のパターンとなるように金属配線を形成した。このため、図２（Ａ）のＡ−Ａ´線に相当する絶縁性基材の一方の面、及び金属配線のパターンの直線方向と垂直な面で切断し、断面を走査型電子顕微鏡により観察した。
（視認性の評価）
視認性の評価方法について図７を用いて説明する。
【０１８３】
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板７１を黒色の紙７２上に載置した。なお、この際、導電性基板の金属配線、及び黒化層を形成した第１の主平面が上面となるように、すなわち、第１の主平面の反対側の面である第２の主平面が黒色の紙７２と対向するように載置した。また、３波長昼白色ランプ７３により、導電性基板７１の表面において照度が２０００ｌｍとなるように導電性基板７１に対して光を照射した。
【０１８４】
光を照射した状態で、導電性基板７１及び黒色の紙７２を、図中の軸７４を回転軸として、矢印７５、または矢印７６に沿って、導電性基板７１の底面が図中の点線７１１、７１２の位置まで移動するように左右に８０度ずつ徐々に動かした。そして、導電性基板７１及び黒色の紙７２を動かしている間に金属配線が視認できるか評価した。
【０１８５】
なお、回転軸とした軸７４は紙面と垂直方向と平行であり、導電性基板７１の幅方向の中央、及び導電性基板７１の底面を通る。
【０１８６】
また、上記評価を行う際は、導電性基板７１を水平に載置した際の、導電性基板７１の第１の主平面の法線方向と平行な直線に沿って、すなわち図中のブロック矢印７７に沿って、導電性基板７１を観察した。
【０１８７】
評価は３人で行い、３人全員が金属配線を視認できた場合には×、１人、または２人が金属配線を視認できた場合には△、金属配線を視認できた人数が０人の場合には〇と評価した。
【０１８８】
（波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率）
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１８９】
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率（正反射率）とした。
（明度）
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面について、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２６００）により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して明度を測定した。
（２）試料の作製条件、評価結果
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
（密着層形成工程）
幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の絶縁性基材を図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の巻出ロール５２にセットした。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
【０１９０】
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により、絶縁性基材の一方の主平面に密着層を成膜した。密着層としては酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金層を形成した。
【０１９１】
密着層の成膜条件について説明する。
【０１９２】
図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄにニッケル６５ｗｔ％と、銅３５ｗｔ％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットを接続した。
【０１９３】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５６を１００℃に加熱し、絶縁性基材を加熱し、絶縁性基材中に含まれる水分を除去した。
【０１９４】
続いて筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内にアルゴンガスと酸素ガスとを導入した。アルゴンガス、酸素ガスを筐体５１内に供給し、筐体５１内の圧力が２Ｐａになるように調整した。
【０１９５】
そして、絶縁性基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、絶縁性基材上に所望の密着層を連続成膜した。係る操作により絶縁性基材の一方の主平面上に密着層を厚さ２０ｎｍになるように成膜した。
（金属配線形成工程）
金属配線形成工程では、金属層形成ステップ、及びパターン化ステップを実施した。また、金属層形成ステップでは、金属薄膜層形成ステップと、金属めっき層形成ステップと、を実施した。
【０１９６】
まず、金属薄膜層形成ステップについて説明する。
【０１９７】
金属薄膜層形成ステップでは、密着層上にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により金属薄膜層を成膜した。金属薄膜層としては銅薄膜層を形成した。
【０１９８】
金属薄膜層形成ステップでは、図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに銅のターゲットを接続して成膜し、基材としては、密着層形成工程で絶縁性基材上に密着層を成膜したものを用いた。
【０１９９】
金属薄膜層の成膜時の条件としては、以下の２点と上述のようにターゲットを変更した点以外は密着層形成工程と同様にして実施した。
【０２００】
筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、筐体５１内の圧力が１．３Ｐａになるように調整した点。
【０２０１】
金属薄膜層である銅薄膜層を膜厚が１５０ｎｍになるように成膜した点。
【０２０２】
次に、金属めっき層形成ステップにおいては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。電気めっき法により、銅めっき層を厚さが２．０μｍになるように成膜した。
【０２０３】
次にパターン化ステップについて説明する。
【０２０４】
金属層形成ステップで形成した金属層の上面、すなわち金属層の絶縁性基材と対向する面とは反対側の面上にマスクを形成した（マスク配置ステップ）。
【０２０５】
この際、マスクには、エッチングを行った場合に、密着層及び金属層について、図２（Ａ）に示したように互いに平行な複数の直線形状のパターンが残るように開口部を形成した。
【０２０６】
そして、マスクの上面からエッチング液を供給することにより、金属層、及び密着層をエッチングした（エッチングステップ）。
【０２０７】
なお、金属層をエッチングして形成した金属配線は上述の様に複数の直線形状のパターンとなるように形成しており、各直線形状のパターンは幅３μｍ、長さ５００ｍｍとなるように形成している。また、隣接する直線形状のパターン間の幅は０．２ｍｍとしている。
（黒化層形成工程）
めっき液としては、ＮｉとＳｎとを含有し、めっき液中のＮｉと、Ｓｎとが重量比でＮｉ：Ｓｎ＝３：１となるように調製した黒色無電解めっき液を用い、無電解めっき法により、金属配線の上面、及び側面に黒化層を厚さが６０ｎｍとなるように成膜した。
【０２０８】
以上の工程により、絶縁性基材の金属配線等を配置した面、すなわち第１の主平面１１ａと垂直な方向に沿って、絶縁性基材の上面側から導電性基板を見た場合の構成が図２（Ａ）となり、図２（Ａ）のＡ−Ａ´線における断面図が図３の構成となる導電性基板を得た。
【０２０９】
得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２１０】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２１１】
また、ここまで説明した方法と同様の手順により、同じ構成の導電性基板をもう１枚作製した。
【０２１２】
そして、作製した２枚の導電性基板を図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示したように積層し、両導電性基板を接着剤により固定することによって積層導電性基板を作製した。なお、図５（Ａ）、図５（Ｂ）においては密着層が設けられていない例が示されているが、本実施例では絶縁性基材１１１と金属配線１２１との間、及び絶縁性基材１１２と金属配線１２２との間に、金属配線１２１、金属配線１２２と同じパターンにパターン化された密着層が配置されている。
［実施例２］
黒化層形成工程において、めっき液を変更した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０２１３】
めっき液としては、Ｎｉを含有する無電解めっき液を用いた。
【０２１４】
得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２１５】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２１６】
また、同様の手順により、同じ構成の導電性基板をもう１枚作製し、２枚の導電性基板を用いて実施例１の場合と同様にして積層導電性基板を作製した。
［実施例３］
黒化層形成工程において、めっき液を変更した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０２１７】
めっき液としては、ＮｉとＳとを含有し、めっき液中のＮｉと、Ｓとが重量比でＮｉ：Ｓ＝５：１となるように調製した黒色無電解めっき液を用いた。
【０２１８】
得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２１９】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２２０】
また、同様の手順により、同じ構成の導電性基板をもう１枚作製し、２枚の導電性基板を用いて実施例１の場合と同様にして積層導電性基板を作製した。
［実施例４］
黒化層形成工程において、めっき液を変更した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０２２１】
めっき液としては、ＮｉとＳとＳｎとを含有し、めっき液中のＮｉと、Ｓと、Ｓｎとが重量比で５：１：２となるように調製した黒色無電解めっき液を用いた。
【０２２２】
得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２２３】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２２４】
また、同様の手順により、同じ構成の導電性基板をもう１枚作製し、２枚の導電性基板を用いて実施例１の場合と同様にして積層導電性基板を作製した。
［実施例５］
黒化層形成工程において、めっき液を変更した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
【０２２５】
めっき液としては、ＮｉとＳとＣｏとを含有し、めっき液中のＮｉと、Ｓと、Ｃｏとが重量比でＮｉ：Ｓ：Ｃｏ＝７：２：１となるように調製した黒色無電解めっき液を用いた。
【０２２６】
得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２２７】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面、及び側面に黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２２８】
また、同様の手順により、同じ構成の導電性基板をもう１枚作製し、２枚の導電性基板を用いて実施例１の場合と同様にして積層導電性基板を作製した。
［比較例１］
金属配線形成工程の金属層形成ステップまでは、実施例１と同様にして実施した。そして、金属層形成ステップ後、パターン化ステップを実施せずに、黒化層形成工程を実施した。
【０２２９】
黒化層形成工程では、金属配線形成工程の金属層形成ステップで形成した金属層の上面、すなわち金属層の絶縁性基材と対向する面とは反対側の面、の全面に乾式めっき法により黒化層を形成した。
【０２３０】
黒化層形成工程は、基材として、絶縁性基材の一方の面上に、密着層、及び金属層が形成された基材を用いた点を除いては、実施例１で既述の密着層形成工程の場合と同様にして成膜した。
【０２３１】
絶縁性基材上に、密着層、金属層、黒化層を形成した後、密着層、金属層、及び黒化層を同じパターンとなるようにパターン化した。パターン化に当たってはまず、黒化層の上面、すなわち黒化層の金属層と対向する面とは反対側の面上にマスクを形成した（マスク配置ステップ）。
【０２３２】
この際、マスクには実施例１のパターン化ステップで形成したマスクと同様の開口部を形成した。
【０２３３】
そして、マスクの上面からエッチング液を供給することにより、黒化層、金属層、及び密着層をエッチングした（エッチングステップ）。
【０２３４】
なお、金属層をエッチングして形成した金属配線は複数の直線形状のパターンとなるように形成しており、各直線形状のパターンは幅３μｍ、長さ５００ｍｍとなるように形成している。また、隣接する直線形状のパターン間の幅は０．２ｍｍとしている。
【０２３５】
以上の工程により得られた導電性基板について、上述の黒化層の形状の観察、視認性の評価、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率、明度を評価した。
【０２３６】
黒化層の形状の観察を行ったところ、金属配線の上面のみに黒化層が形成されていることを確認できた。その他の評価結果については表１に示す。
【０２３７】
【表１】
2017027446.tif 000003
表１に示した結果によると、金属配線の上面のみに黒化層を形成した比較例１の導電性基板においては、視認性の評価が×となることが確認できた。これに対して、金属配線の上面、及び側面に黒化層を形成した、実施例１〜実施例５においては、視認性の評価が〇となることが確認できた。
【０２３８】
これは、金属配線の側面にも黒化層を形成することで、金属配線側面での光の反射を抑制することができたためといえる。
【０２３９】
また、実施例１〜実施例５においては、いずれも波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が３５％以下となっており、黒化層により金属配線表面での光の反射率を抑制できていることが確認できた。
【０２４０】
特に黒化層がニッケル及び硫黄を含有する実施例３〜５においては、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が２１．２％、１１．１％、１８．３％となっており、特に金属配線表面での光の反射を抑制する効果が高いことを確認できた。
【０２４１】
さらに実施例１〜実施例５においては、黒化層の表面の明度（Ｌ＊）は６５以下であることが確認できた。従って、目立ちにくい色調の黒化層を形成できたことを確認できた。
【符号の説明】
【０２４２】
１０、２０、３０、７１、１０１、１０２  導電性基板
１、１１、１１１、１１２                      絶縁性基材
２、１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２１、１２２      金属配線
４、１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２      黒化層
【図１】
2017027446.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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