(57)【要約】【課題】高い光反射率とともに、優れた耐熱性、製膜性を備えた光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、信頼性の高い光半導体装置、光半導体素子を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂および白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が５０〜４２０ｎｍであり、かつ有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が７．５〜２３体積％である光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂および白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が５０〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が７．５〜２３体積％であることを特徴とする光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
下記の（Ａ）〜（Ｄ）を含有し、熱硬化性樹脂組成物全体における（Ｄ）無機質充填剤の占める割合が６０〜８５体積％であり、かつ熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離が５０〜２５０ｎｍである請求項１記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）白色顔料。
（Ｄ）上記（Ｃ）白色顔料以外の無機質充填剤。
【請求項３】
熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１００〜３５０である請求項２記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離が５０〜２３５ｎｍであり、上記硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１６０〜２７０である請求項２または３記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料が、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差（ｙ）と、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離（ｘ）の関係（すなわち、縦軸：白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差（ｙ）−横軸：白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離（ｘ））において、境界線を含む下記の式（１）〜式（４）にて囲まれた領域を満足するものである請求項２〜４のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
ｙ＝０．２ｘ＋１５０      ・・・（１）
ｙ＝ｘ＋３０      ・・・（２）
ｙ＝０．８ｘ＋１２０      ・・・（３）
ｙ＝０．４ｘ＋１７０      ・・・（４）
〔ただし、式（１）において、５０≦ｘ≦１５０であり、式（２）において、１５０≦ｘ≦２３３であり、式（３）において、５０≦ｘ≦１２５であり、式（４）において、１２５≦ｘ≦２３３である。〕
【請求項６】
（Ｃ）白色顔料の含有割合が熱硬化性樹脂組成物全体の３〜３０体積％である請求項２〜５のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｃ）白色顔料の平均粒径が０．１〜０．５μｍである請求項２〜６のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を含有し、かつ白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が３００〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が１０〜２３体積％である請求項１記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項９】
熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１００〜３５０である請求項８記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１０】
シート状である請求項８または９記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１１】
白色顔料の平均粒径が０．１〜０．５μｍである請求項８〜１０のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１２】
互いに隙間を隔てて配置される複数のプレート部と、上記隙間に設けられたリフレクタとを備えた、厚み方向の片面のみに光半導体素子を搭載可能な板状の光半導体装置用リードフレームであって、上記隙間に設けられたリフレクタが、請求項２〜７のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項１３】
光半導体素子搭載領域と、それ自体の少なくとも一部で光半導体素子搭載領域の周囲を囲むよう形成されたリフレクタとを備えた立体状の光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、請求項２〜７のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項１４】
リードフレームの片面にのみ上記リフレクタが設けられた請求項１３記載の光半導体装置用リードフレーム。
【請求項１５】
その片面に光半導体素子搭載領域を有する複数のプレート部と、上記プレート部を互いに隔てるよう、プレート部の間に設けられた隙間と、上記光半導体素子搭載領域の所定位置に搭載された光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、上記隙間に、請求項２〜７のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されたリフレクタが設けられてなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１６】
光半導体素子搭載領域を備えたリードフレームと、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲むよう形成されたリフレクタと、上記素子搭載領域の所定位置に搭載されてなる光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、上記リフレクタが、請求項２〜７のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１７】
リフレクタで囲まれた光半導体素子を含む領域がシリコーン樹脂からなる封止樹脂層に形成されてなる請求項１６記載の光半導体装置。
【請求項１８】
発光素子と、上記発光素子の少なくとも一部を被覆するリフレクタとを備えた、光半導体素子であって、上記リフレクタが、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、光半導体素子から発する光を反射させる、リフレクタ（反射部）の形成材料となる光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、光半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体素子を搭載してなる光半導体装置は、例えば、図１に示すように、第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる金属リードフレーム上に光半導体素子３が搭載され、上記光半導体素子３の周囲を囲むように、さらに第１のプレート部１と第２のプレート部２の間を埋めるように、樹脂材料からなる光反射用のリフレクタ４が形成されているという構成をとる。そして、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面として形成される凹部５に搭載された光半導体素子３を、必要に応じて蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の透明樹脂を用いて樹脂封止することにより封止樹脂層６が形成されている。図１において、７，８は金属リードフレームと光半導体素子３とを電気的に接続するボンディングワイヤーであり、必要に応じて設けられるものである。
【０００３】
このような光半導体装置では、近年、上記リフレクタ４を、エポキシ樹脂等に代表される熱硬化性樹脂を用いて、例えば、トランスファー成形等により成形し製造している。リフレクタ４の材料としては、従来ではセラミックスを使用していたため、薄く成形すると割れが生じる問題があったが、上記熱硬化性樹脂製のリフレクタ４により、この問題が解消されている。そして、上記熱硬化性樹脂には、従来から白色顔料として酸化チタンを配合し、上記光半導体素子３から発する光を反射させている（特許文献１参照）。
一方で、熱可塑性樹脂に、酸化チタン等の光反射性微粒子および無機難燃剤を配合し、光反射性とともに難燃性を付与してなる光反射板形成材料なるものが提案されている（特許文献２参照）。
また、上記光半導体装置とは構成が異なり、高エネルギーの光を発光することができる光半導体装置（発光装置）として、図６に示すように、基板２９と、上記基板２９上に実装される発光素子（発光ダイオード：ＬＥＤ）２４と、上記基板２９上に実装されたＬＥＤ２４の側面全面に形成されてなるリフレクタ２５とを備えたＬＥＤ装置４５がある。さらに、上記リフレクタ２５形成済みＬＥＤ２４のＬＥＤ２４露呈面およびリフレクタ２５上面を、必要に応じて蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の透明樹脂を用いて樹脂封止することにより封止樹脂層３０が形成されている。上記ＬＥＤ装置４５のリフレクタ２５においては、シリコーン樹脂に代表される熱硬化性樹脂を用いて、これに白色顔料を配合させてなるリフレクタ２５形成材料が用いられており、例えば、シート状のリフレクタ２５形成材料を用いて上記リフレクタ２５を形成することが行なわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５８８４５号公報
【特許文献２】特開２０１５−６９１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１，２をはじめとする高分子材料を用いてリフレクタ４を形成した場合、高い光反射率とともに、リフレクタ４を形成してなる光半導体装置における高い耐熱性に関して満足のいくものが得られていないのが実情であり、高い光反射率と、優れた耐熱性を備えることにより、例えば、光半導体装置全体の反りの発生を抑制することのできるリフレクタ４形成材料となりうるものが求められている。
【０００６】
一方、上記ＬＥＤ装置４５においてリフレクタ２５を形成する場合、シート状のリフレクタ２５形成材料を用いてＬＥＤ２４を被覆することにより、所望のリフレクタ２５を形成することが行なわれている。しかしながら、上記ＬＥＤ装置４５におけるリフレクタ２５においても、上記の光半導体装置と同様、高い光反射率が要望されているとともに、上記シート状のリフレクタ２５形成材料を製造する際の、良好なシート成形性、すなわち、製膜性に優れたリフレクタ２５形成材料となりうるものが求められている。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、高い光反射率とともに、優れた耐熱性あるいは製膜性を備えた光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに信頼性の高い光半導体装置、光半導体素子の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意研究を重ね、その過程で、光半導体装置や光半導体素子のリフレクタ形成材料である熱硬化性樹脂組成物の成形硬化物中に存在する白色顔料間の粒子間距離に着目した。すなわち、従来のリフレクタ形成材料においては、白色顔料の分散が過密状態であることから、白色顔料が本来有する光散乱能が低下してしまい、目的とする光反射性が得られていないことを突き止めた。このようなことから、白色顔料の有する光散乱能は、硬化体中の上記白色顔料間の粒子間距離が大きく関与するという知見を得たのである。そして、これらの知見に基づき、上記白色顔料間の粒子間距離、さらには樹脂組成物中の白色顔料と有機成分の合計体積量に対する白色顔料の体積比率を中心に実験を重ねた。その結果、上記白色顔料間の粒子間距離を５０〜４２０ｎｍとし、かつ樹脂組成物中の白色顔料と有機成分の合計体積量に対する白色顔料の体積比率を７．５〜２３体積％とすると、白色顔料本来の光散乱能が発揮されて光反射率が大きく向上するとともに、優れた耐熱性を備えるようになり、光半導体装置の反りの発生が抑制される、あるいはシート状に形成する際の製膜性が良好となることを見出したのである。
【０００９】
そして、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、上記検討に加えて、白色顔料とともに配合される無機質充填剤の割合を中心にさらに実験を重ねた。その結果、上記白色顔料間の粒子間距離を５０〜２５０ｎｍとし、かつ無機質充填剤の含有割合を全体の６０〜８５体積％とすると、白色顔料本来の光散乱能が発揮されて光反射率が大きく向上するとともに、無機質充填剤の分散性が良好となり、優れた耐熱性を備えるようになり、光半導体装置の反りの発生が一層抑制されることを見出したのである。
【００１０】
また、例えば、熱硬化性樹脂がシリコーン樹脂の場合、さらに検討を重ねた結果、上記白色顔料間の粒子間距離を３００〜４２０ｎｍとし、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が１０〜２３体積％とすると、白色顔料本来の光散乱能が発揮されて光反射率が大きく向上するとともに、しかも、シート状に形成する際の製膜性が一層向上するようになることを見出したのである。
【００１１】
〈発明の要旨〉
上記目的を達成するために、本発明は、熱硬化性樹脂および白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が５０〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が７．５〜２３体積％である光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物とする。
【００１２】
（第１の態様：エポキシ樹脂組成物）
そして、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）を含有し、熱硬化性樹脂組成物全体における（Ｄ）無機質充填剤の占める割合が６０〜８５体積％であり、かつ熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離が５０〜２５０ｎｍである光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）白色顔料。
（Ｄ）上記（Ｃ）白色顔料以外の無機質充填剤。
【００１３】
そして、本発明は、互いに隙間を隔てて配置される複数のプレート部と、上記隙間に設けられたリフレクタとを備えた、厚み方向の片面のみに光半導体素子を搭載可能な板状の光半導体装置用リードフレームであって、上記隙間に設けられたリフレクタが、上記第１の要旨の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体装置用リードフレームを第２の要旨とする。また、本発明は、光半導体素子搭載領域と、それ自体の少なくとも一部で光半導体素子搭載領域の周囲を囲むよう形成されたリフレクタとを備えた立体状の光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、上記第１の要旨の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体装置用リードフレームを第３の要旨とする。
【００１４】
さらに、本発明は、その片面に光半導体素子搭載領域を有する複数のプレート部と、上記プレート部を互いに隔てるよう、プレート部の間に設けられた隙間と、上記光半導体素子搭載領域の所定位置に搭載された光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、上記隙間に、第１の要旨の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されたリフレクタが設けられてなる光半導体装置を第４の要旨とする。また、本発明は、光半導体素子搭載領域を備えたリードフレームと、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲むよう形成されたリフレクタと、上記素子搭載領域の所定位置に搭載されてなる光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、上記リフレクタが、上記第１の要旨の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体装置を第５の要旨とする。
【００１５】
（第２の態様：シリコーン樹脂組成物）
また、本発明は、熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を含有し、かつ白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が３００〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が１０〜２３体積％である光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物を第６の要旨とする。
【００１６】
そして、本発明は、発光素子と、上記発光素子の少なくとも一部を被覆するリフレクタとを備えた、光半導体素子であって、上記リフレクタが、上記第６の要旨の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体素子を第７の要旨とする。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明は、熱硬化性樹脂および白色顔料を含有する熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が５０〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が７．５〜２３体積％である熱硬化性樹脂組成物である。このため、高い光反射率（初期光反射率）を示し、さらに優れた耐熱性をも備え、また良好な製膜性が付与されるようになる。したがって、上記光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物を用いてリフレクタを形成してなる光半導体装置では、反りの発生が一層抑制された、信頼性の高い光半導体装置が得られる。あるいは、良質なシート状リフレクタ形成材料を用いて、リフレクタが形成された、信頼性の高い光半導体素子が得られるようになる。
【００１８】
そして、前記（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）酸無水物系硬化剤と、（Ｃ）白色顔料と、（Ｄ）無機質充填剤を含有する熱硬化性樹脂組成物からなる成形硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離が５０〜２５０ｎｍであり、かつ熱硬化性樹脂組成物全体における（Ｄ）無機質充填剤の占める割合が６０〜８５体積％である光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であると、高い光反射率（初期光反射率）を示し、さらに優れた耐熱性をも備えるようになる。したがって、上記光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物を用いてリフレクタを形成してなる光半導体装置では、反りの発生が一層抑制された、信頼性の高い光半導体装置が得られる。
【００１９】
また、熱硬化性樹脂組成物からなる成形硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１００〜３５０であると、より一層優れた反り発生の抑制効果を備えるようになる。
【００２０】
熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離が５０〜２３５ｎｍであり、上記成形硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１６０〜２７０であると、より一層優れた初期光反射率および反り発生の抑制効果を備えるようになる。
【００２１】
そして、熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料が、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離（ｘ）と、白色顔料（Ｃ）の粒子間距離（分散）における標準偏差（ｙ）の関係（横軸：粒子間距離（ｘ）−縦軸：白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差（ｙ））において、後述の式（１）〜式（４）にて囲まれた領域（境界線を含む）を満足するものであると、より一層優れた初期光反射率および反り発生の抑制効果を備えるようになる。
【００２２】
さらに、上記（Ｃ）白色顔料の含有割合が熱硬化性樹脂組成物全体の３〜３０体積％であると、より一層優れた初期光反射率を備えるようになる。
【００２３】
また、上記（Ｃ）白色顔料の平均粒径が０．１〜０．５μｍであると、白色顔料本来の光散乱特性が発揮されて光反射率が大きく向上するようになる。
【００２４】
熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を含有し、かつ白色顔料を含有する光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物であって、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離が３００〜４２０ｎｍであり、かつ樹脂組成物中の有機成分と白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率が１０〜２３体積％であると、高い光反射率（初期光反射率）を示し、さらに優れた製膜性をも備えるようになる。したがって、上記光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物を用いて容易にシート状リフレクタ形成材料を製造することが可能となり、リフレクタを形成してなる光半導体素子を製造することが可能となる。
【００２５】
また、熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離における標準偏差が１００〜３５０であると、高い光反射率とともにより一層優れた製膜性を備えるようになる。
【００２６】
また、上記白色顔料の平均粒径が０．１〜０．５μｍであると、白色顔料本来の光散乱特性が発揮されて光反射率が大きく向上するようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】光半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】光半導体装置の他の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】上記図２に示す光半導体装置の他の構成を模式的に示す平面図のＸ−Ｘ'矢視断面図である。
【図４】熱硬化性樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）からなる硬化物中の、（Ｃ）白色顔料の粒子間距離の定義を示す模式図である。
【図５】熱硬化性樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）からなる硬化物中の、（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差（ｙ）と、（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離（ｘ）の関係（縦軸：白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差σ（ｙ）−横軸：白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離（ｘ））を示す一次関数の関係図である。
【図６】光半導体装置（発光装置）の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ'）は光半導体素子（発光素子）の製造工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物（以下、「熱硬化性樹脂組成物」ともいう）は、熱硬化性樹脂および白色顔料を含有するものである。そして、上記熱硬化性樹脂組成物としては、使用用途（リフレクタ形成の対象物）等に応じ、大別して、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物と、熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を用いたシリコーン樹脂組成物の二つの態様があげられる。
以下、態様毎に説明する。
【００２９】
＜第１の態様：エポキシ樹脂組成物＞
本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、先に述べたように、図１に示す光半導体装置あるいは後述の図２および図３に示す光半導体装置の、リフレクタ４，１１形成材料として用いられるものである。このような本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、酸無水物系硬化剤（Ｂ）と、白色顔料（Ｃ）と、無機質充填剤（Ｄ）とを用いて得られるものであり、通常、液状、あるいはシート状、粉末状、もしくはその粉末を打錠しタブレット状にしてリフレクタ４，１１形成材料に供される。
【００３０】
〈Ａ：エポキシ樹脂〉
上記エポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、モノグリシジルイソシアヌレート、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタンおよびイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族および脂環式エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これらエポキシ樹脂の中でも、透明性および耐変色性に優れるという点から、脂環式エポキシ樹脂や、トリグリシジルイソシアヌレート等のイソシアヌル環構造を有するものを単独でもしくは併せて用いることが好ましい。同様の理由から、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸、メチルナジック酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルも好適である。また、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸等のグリシジルエステル等もあげられる。
【００３１】
上記エポキシ樹脂（Ａ）としては、常温で固形であっても液状であってもよいが、一般に、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が９０〜１０００のものが好ましく、また、固形の場合には、取り扱い性の利便性の観点から、軟化点が５０〜１６０℃のものが好ましい。すなわち、エポキシ当量が小さすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物が脆くなる場合がある。また、エポキシ当量が大きすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられるからである。
【００３２】
〈Ｂ：酸無水物系硬化剤〉
上記酸無水物系硬化剤（Ｂ）としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、およびその核水素化物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸−２，３−無水物、およびその位置異性体、シクロヘキサン−１，２，３，４−テトラカルボン酸−３，４−無水物、およびその位置異性体、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。また、飽和脂肪鎖骨格、不飽和脂肪鎖骨格、またはシリコーン骨格の末端基、ないし、側鎖としてこれら酸無水物を有するオリゴマーも単独で、もしくは２種以上併せて上記酸無水物と併せて用いることができる。これら酸無水物系硬化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。さらに、酸無水物系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の酸無水物系硬化剤が好ましい。また、上記酸無水物の加水分解物であるカルボン酸を併用してもよい。
【００３３】
ここで、上記エポキシ樹脂（Ａ）と上記酸無水物系硬化剤（Ｂ）との配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ）中のエポキシ基１当量に対して、酸無水物系硬化剤（Ｂ）中におけるエポキシ基と反応可能な活性基（酸無水基あるいはカルボキシ基）が０．３〜１．３当量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは０．５〜１．１当量である。すなわち、活性基が少なすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられ、活性基が多すぎると耐湿性が低下する傾向がみられるからである。
【００３４】
さらに、その目的等に応じて、上述の酸無水物系硬化剤（Ｂ）以外の他のエポキシ樹脂用硬化剤、例えば、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの等の硬化剤を、酸無水物系硬化剤（Ｂ）の使用による効果を阻害しない範囲にて単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。なお、これら硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、上述のエポキシ樹脂（Ａ）と酸無水物系硬化剤（Ｂ）との配合割合（当量比）に準じればよい。
【００３５】
上記イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、例えば、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート等があげられる。そして、これらイソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の硬化剤が好ましい。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。
【００３６】
〈Ｃ：白色顔料〉
上記白色顔料（Ｃ）としては、例えば、無機系の白色顔料である、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、硫化亜鉛等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、優れた光反射率が得られる観点から、酸化チタンを用いることが好ましく、特にルチル型の結晶構造を有するものを用いることが好ましい。さらにそのなかでも、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が０．０１〜１μｍのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という観点から、０．１〜０．５μｍである。なお、上記平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
【００３７】
そして、本発明においては、熱硬化性樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）からなる硬化物中での、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離が、通常５０〜４２０ｎｍであり、好ましくは５０〜２５０ｎｍである。より好ましくは６０〜２４０ｎｍであり、特に好ましくは６５〜１８０ｎｍである。また、（Ｄ）無機質充填剤としてシリカ微粒子とこのシリカ微粒子よりも粒径の大きい通常のシリカ粒子を併用する場合における、上記白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離は好ましくは５０〜２３５ｎｍである。すなわち、粒子間距離が短すぎると、白色顔料（Ｃ）が過密状態で分散されていることとなり、光散乱特性が低下し、結果、光反射率が低下することとなる。また、粒子間距離が長すぎると、光抜けが発生し、光反射率が低下することとなる。
【００３８】
本発明において、上記白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離とは、つぎの方法に従って測定される値をいう。まず、リフレクタ形成材料を用いて、所定の硬化条件（例えば、１７５℃×２分間）にて所定の大きさの硬化物（例えば、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み１ｍｍ）を作製する。この硬化物を、その厚み方向、すなわち、表面に対して直交する方向に沿って全長に亘って切断する。つぎに、硬化物の切断面を、顕微鏡等（たとえば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：日立ハイテクノロジーズ社製、ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４７００））にて撮影を行う。撮影は１２８０×９６０（ピクセル）の視野で行い、酸化チタンの粒子間距離を正確に算出するために、一つの粒子が視野の半分以上の面積を占める領域を除外して、測定領域を選定する。つぎに画像解析ソフト等にて白色顔料（Ｃ）を抽出、二値化し、近接する３点間の重心間距離を算出する。この重心間距離から白色顔料（Ｃ）の粒径を差し引きすることにより、白色顔料（Ｃ）の粒子間距離、さらには白色顔料（Ｃ）粒子の粒子間距離（分散）における標準偏差を算出する。
【００３９】
そして、近接する白色顔料（Ｃ）における粒子間距離は、具体的にはつぎのように定義する。断面観察画面の一定の領域内において現れる白色顔料（Ｃ）粒子の各々について、微粒子〔白色顔料（Ｃ）〕Ｃｎの重心Ｐｎを中心とし、Ｃｎの面積に等しい真円を近似円Ｑｎとして描き、直径Ｌｎを算出する。そして、各微粒子Ｃｎの各近似円Ｑｎの各重心Ｐｎを各微粒子Ｃｎの中心と設定する。各微粒子Ｃｎについて、微粒子Ｃｎの重心Ｐｎと、この微粒子Ｃｎに隣接する微粒子Ｃｍの重心Ｐｍとを結ぶ直線Ｌｎｍ（重心間距離）を描き、この直線Ｌｎｍと、微粒子Ｃｎおよび微粒子Ｃｍの各近似円ＱｎおよびＱｍとの交点ＴｎおよびＴｍ間の距離Ｄｎｍ（近似円間の最短距離）を測定する。そして、上記近似円間の最短距離Ｄｎｍを微粒子Ｃｎ，Ｃｍの粒子間距離、すなわち、白色顔料（Ｃ）における粒子間距離とする。
【００４０】
なお、上記近接する白色顔料（Ｃ）、すなわち、互いに隣接する微粒子〔白色顔料（Ｃ）〕とは、微粒子Ｃｎ、Ｃｍの重心Ｐｎ、Ｐｍ同士を直線Ｌｎｍで結んだ場合に、他の微粒子Ｃｓの近似円Ｑｓが上記直線Ｌｎｍ上に存在しない場合、これらの微粒子Ｃｎ、Ｃｍは互いに隣接する微粒子とする。例えば、図４において、微粒子Ｃ1と微粒子Ｃ2とは、微粒子Ｃ1、Ｃ2の重心Ｐ1、Ｐ2同士を結ぶ直線Ｌ12上に他の微粒子が存在しないことから両者は互いに隣接するといえる。また、同様に、微粒子Ｃ1と微粒子Ｃ3とは、微粒子Ｃ1、Ｃ3の重心Ｐ1、Ｐ3同士を結ぶ直線Ｌ13上に他の微粒子が存在しないことから両者は互いに隣接するといえる。一方、微粒子Ｃ1と微粒子Ｃ4とは、微粒子Ｃ1、Ｃ4の重心Ｐ1、Ｐ4同士を結ぶ直線Ｌ14上に微粒子Ｃ2の近似円Ｑ2が存在することから、互いに隣接する微粒子とは言わない。
【００４１】
なお、本発明において、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離を「熱硬化性樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）からなる硬化物中」とするのは、通常、白色顔料（Ｃ）は凝集性が高く二次粒子化しやすい性質だからである。従って、より正確な粒子間距離を測定するため、本発明では、熱硬化性樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）の硬化物中に分散させて一次粒子化させた後、その粒子間距離を測定している。
【００４２】
そして、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差は、上記白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離と同様にして測定して、算出される。上記エポキシ樹脂組成物からなる硬化物中の（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差は、好ましくは１００〜３５０であり、より好ましくは１５０〜３００である。また、（Ｄ）無機質充填剤としてシリカ微粒子とこのシリカ微粒子よりも粒径の大きい通常のシリカ粒子を併用する場合は、上記（Ｃ）白色顔料間の粒子間距離における標準偏差は１６０〜２７０であることが好ましい。標準偏差が上記範囲内であることにより、より一層優れた初期光反射率および反り発生の抑制効果を備えるようになる。
【００４３】
さらに、反り発生の抑制効果および初期光反射率の向上の観点から、エポキシ樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料（Ｃ）が、図５に示すように、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離における標準偏差（ｙ）と、白色顔料（Ｃ）間の粒子間距離（ｘ）の関係（縦軸：粒子間距離における標準偏差σ（ｙ）−横軸：粒子間距離（ｘ））において、下記の式（１）〜式（４）にて囲まれた領域（境界線を含む）を満足するものであることが好ましい。
【００４４】
ｙ＝０．２ｘ＋１５０      ・・・（１）
ｙ＝ｘ＋３０      ・・・（２）
ｙ＝０．８ｘ＋１２０      ・・・（３）
ｙ＝０．４ｘ＋１７０      ・・・（４）
〔ただし、式（１）において、５０≦ｘ≦１５０であり、式（２）において、１５０≦ｘ≦２３３であり、式（３）において、５０≦ｘ≦１２５であり、式（４）において、１２５≦ｘ≦２３３である。〕
【００４５】
エポキシ樹脂組成物からなる硬化物中の白色顔料（Ｃ）が、その粒子間距離（ｘ）と、その粒子間距離における標準偏差（ｙ）の関係において、上記式（１）〜式（４）にて囲まれた領域（境界線を含む）を満足することにより、白色顔料（Ｃ）の分散性、さらには後述の無機質充填剤（Ｄ）の分散性が特に良好となり、結果、より一層の初期光反射率の向上効果および反り発生の抑制効果が得られるようになる。
【００４６】
上記白色顔料（Ｃ）の含有割合は、エポキシ樹脂組成物全体に対して、好ましくは３〜３０体積％であり、より好ましくは５〜２０体積％である。すなわち、白色顔料（Ｃ）の含有割合が少なすぎると、充分な光反射性、特に優れた初期光反射率が得られ難くなる傾向がみられる。また、白色顔料（Ｃ）の含有割合が多すぎると、著しい増粘により混練等でのエポキシ樹脂組成物の作製に関して困難が生じる可能性がみられるからである。
【００４７】
また、樹脂組成物中の有機成分および白色顔料（Ｃ）の合計体積量に対する白色顔料（Ｃ）の体積比率は、７．５〜２３体積％とする必要がある。好ましくは１０〜２３体積％、特に好ましくは１４〜２３体積％である。すなわち、白色顔料（Ｃ）の体積比率が小さすぎると、光抜けが発生して光反射率が低下し、大きすぎると、白色顔料が過密状態で分散されていることとなり、光散乱特性が低下し、結果、光反射率が低下する。
【００４８】
〈Ｄ：無機質充填剤〉
上記無機質充填剤（Ｄ）は、上述の白色顔料（Ｃ）を除く各種無機質充填剤が用いられる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末等があげられる。中でも、線膨張係数の低減等の観点から、溶融シリカ粉末を用いることが好ましく、特に高充填性および高流動性という観点から、溶融球状シリカ粉末を用いることが好ましい。そして、上記無機質充填剤（Ｄ）の平均粒径は、０．０５〜１００μｍであることが好ましい。また、シリカ微粒子とこのシリカ微粒子よりも粒径の大きい通常のシリカ粒子を併用する場合は、シリカ微粒子の平均粒径は０．０５〜１０μｍ未満であり、併用する通常のシリカ粒子の平均粒径は、特に好ましくは１０〜８０μｍである。なお、上記平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
【００４９】
そして、上記無機質充填剤（Ｄ）の含有割合は、エポキシ樹脂組成物全体の６０〜８５体積％に設定することが好ましく、特に好ましくは６５〜８０体積％である。すなわち、上記含有割合が少なすぎると、成形時に反りが発生する等の問題が生じる。また、含有割合が多すぎると、配合成分を混練する際、混練機に多大な負荷がかかり、混練が不可能となり、結果、エポキシ樹脂組成物を作製することが困難となる。
【００５０】
さらに、上記白色顔料（Ｃ）と無機質充填剤（Ｄ）との混合割合は、初期光反射率の観点から、体積比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．０３５〜０．２５であることが好ましく、より好ましくは０．０３７５〜０．２４である。すなわち、白色顔料（Ｃ）と無機質充填剤（Ｄ）との混合割合が、上記範囲を外れ、体積比が小さすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化体の初期光反射率が低下する傾向がみられ、体積比が大きすぎると、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が上昇して混練が困難になる傾向がみられる。
【００５１】
〈他の添加剤〉
そして、本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記（Ａ）〜（Ｄ）以外に、必要に応じて、硬化促進剤、離型剤、シラン化合物を配合することができる。さらには、変性剤（可塑剤）、酸化防止剤、難燃剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。
【００５２】
上記硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノシクロヘキサン等の３級アミン類、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート、テトラフェニルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、トリエチレンジアンモニウム・オクチルカルボキシレート等の４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これら硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。その中でも、着色が少ない硬化物を得るためには、リン化合物を用いることが特に好ましい。
【００５３】
上記硬化促進剤の含有量は、上記エポキシ樹脂（Ａ）に対して０．００１〜８重量％に設定することが好ましく、より好ましくは０．０１〜５重量％である。すなわち、硬化促進剤の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また硬化促進剤の含有量が多すぎると、得られる硬化物に変色が生じる傾向がみられるからである。
【００５４】
上記離型剤としては、各種離型剤が用いられるが、中でもエーテル結合を有する離型剤を用いることが好ましく、例えば、下記の一般式（α）で表される構造式を備えた離型剤があげられる。
【００５５】
ＣＨ3・（ＣＨ2）ｋ・ＣＨ2Ｏ（ＣＨＲｍ・ＣＨＲｎ・Ｏ）ｘ・Ｈ  ・・・（α）
［式（α）中、Ｒｍ，Ｒｎは水素原子または一価のアルキル基であり、両者は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、ｋは１〜１００の正数であり、ｘは１〜１００の正数である。］
【００５６】
上記式（α）において、Ｒｍ，Ｒｎは水素原子または一価のアルキル基であり、好ましくは、ｋは１０〜５０の正数、ｘは３〜３０の正数である。より好ましくはＲｍおよびＲｎは水素原子であり、ｋは２８〜４８の正数、ｘは５〜２０の正数である。すなわち、繰り返し数ｋの値が小さすぎると、離型性が低下し、また繰り返し数ｘの値が小さすぎると、分散性が低下するため、安定した強度と離型性が得られなくなる傾向がみられる。一方、繰り返し数ｋの値が大きすぎると、融点が高くなるため混練が困難となり、エポキシ樹脂組成物の製造工程において困難を生じる傾向がみられ、繰り返し数ｘの値が大きすぎると、離型性が低下する傾向がみられるからである。
【００５７】
上記離型剤の含有量は、エポキシ樹脂組成物体全体の０．００１〜３重量％の範囲に設定することが好ましく、０．０１〜２重量％の範囲に設定することがより好ましい。すなわち、離型剤の含有量が少なすぎたり、多すぎたりすると、硬化体の強度不足を招いたり、離型性の低下を引き起こす傾向がみられるからである。
【００５８】
上記シラン化合物としては、シランカップリング剤やシランがあげられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等があげられる。また、上記シランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエチルシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デジルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、加水分解性基を含むシロキサン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００５９】
上記変性剤（可塑剤）としては、例えば、シリコーン類、１〜５価アルコール類等があげられる。
【００６０】
上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等があげられる。
【００６１】
上記難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、臭素系難燃剤、窒素系難燃剤、リン系難燃剤等があげられ、さらに三酸化アンチモン等の難燃助剤を用いることもできる。
【００６２】
上記消泡剤としては、例えば、各種シリコーン系化合物等の一般的な消泡剤があげられる。
【００６３】
〈エポキシ樹脂組成物〉
本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、前記（Ａ）〜（Ｄ）、さらには硬化促進剤および離型剤、ならびに必要に応じて用いられる各種添加剤を適宜配合した後、混練機等を用いて溶融混合し、ついで、これを冷却し固化して粉砕することにより粉末状のエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００６４】
そして、上記得られたエポキシ樹脂組成物を、例えば、トランスファー成形または射出成形することにより得られる硬化物としては、その初期光反射率が、波長４５０〜８００ｎｍにおいて９４％以上であることが好ましく、特に好ましくは９５％以上である。なお、上限は、通常１００％である。実質的な好適範囲としては、上記硬化物の波長４５０ｎｍにおける初期光反射率が９４〜９９％である。上記初期光反射率は、つぎのようにして測定される。すなわち、厚み１．０ｍｍのエポキシ樹脂組成物の硬化物を、所定の硬化条件、例えば、１７５℃×２分間の成形、１５０℃×２時間のキュア後、室温（２５℃）にて上記範囲内の波長での上記硬化物の初期光反射率を分光光度計（例えば、日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０）を用いることにより測定することができる。
【００６５】
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いてなる光半導体装置は、例えば、つぎのようにして製造される。すなわち、金属リードフレームをトランスファー成形機の金型内に設置して上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形によりリフレクタを形成する。このようにして、光半導体素子搭載領域の周囲を囲うように環状のリフレクタが形成されてなる光半導体装置用の金属リードフレームを作製する。ついで、上記リフレクタの内部の、金属リードフレーム上の光半導体素子搭載領域に光半導体素子を搭載し、光半導体素子と金属リードフレームとをボンディングワイヤーを用いて電気的に接続する。そして、上記光半導体素子を含むリフレクタの内側領域を、シリコーン樹脂等を用いて樹脂封止することにより封止樹脂層が形成される。このようにして、例えば、図１に示す立体状（カップ型）の光半導体装置が作製される。この光半導体装置は、前述のとおり、第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる金属リードフレームの第２のプレート部２上に光半導体素子３が搭載され、上記光半導体素子３の周囲を囲むように、本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ４が形成されているという構成をとる。そして、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面とで形成される凹部５には、光半導体素子３を封止する透明性を有する樹脂材料（例えば、シリコーン樹脂等）からなる封止樹脂層６が形成されている。この封止樹脂層６には必要に応じて蛍光体が含有されている。図１において、７，８は金属リードフレームと光半導体素子３とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。
【００６６】
なお、本発明において、上記図１の金属リードフレームに代えて各種基板を用いてもよい。上記各種基板としては、例えば、有機基板、無機基板、フレキシブルプリント基板等があげられる。また、上記トランスファー成形に変えて、射出成形によりリフレクタを形成してもよい。
【００６７】
また、上記構成と異なる光半導体装置として、板状の光半導体装置用リードフレームを用いた、例えば、図２および図３（図２のＸ−Ｘ′矢視断面図）に示す光半導体装置があげられる。この光半導体装置は、互いに一定間隔を設けて配置されたプレート部（光半導体素子搭載領域）が複数設けられてなる金属リードフレーム１０の厚み方向の片面の所定位置（上記搭載領域）に光半導体素子３がそれぞれ搭載され、上記金属リードフレーム１０におけるプレート部（光半導体素子搭載領域）間の隙間に本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ１１が形成されているという構成をとる。すなわち、図３に示すように、金属リードフレーム１０におけるプレート部（光半導体素子搭載領域）間の隙間に本発明のエポキシ樹脂組成物を充填し硬化してなるリフレクタ１１が複数箇所形成されている。なお、図２および図３において、１２は、上記光半導体素子３と金属リードフレーム１０とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。このような光半導体装置は、上記金属リードフレーム１０をトランスファー成形機の金型内に設置してトランスファー成形により、間隔を設けて配置されたプレート部の隙間および金属リードフレーム１０の光半導体素子３搭載面とは反対面に形成された凹部に、エポキシ樹脂組成物を充填し、硬化させることによりリフレクタ１１をそれぞれ形成する。ついで、上記金属リードフレーム１０の所定位置となる光半導体素子搭載領域に光半導体素子３を搭載した後、光半導体素子３と金属リードフレーム１０とをボンディングワイヤー１２を用いて電気的に接続する。そして、コンプレッション成形もしくはシート封止等により、上記光半導体素子３を被覆するように、金属リードフレーム１０上に透明性を有する樹脂材料（例えば、シリコーン樹脂等）からなる封止樹脂層１３を形成する。この封止樹脂層１３には必要に応じて蛍光体が含有されている。このようにして、図２（封止樹脂層１３は省略）および図３に示す光半導体装置が作製される。
【００６８】
＜第２の態様：シリコーン樹脂組成物＞
本発明のシリコーン樹脂組成物は、光半導体素子（発光素子）の少なくとも一部を被覆するリフレクタ形成材料、例えば、図６に示す光半導体装置（発光装置）における光半導体素子（発光素子）２４の側面全面に形成されるリフレクタ２５の、リフレクタ形成材料として用いられるものである。そして、本発明のシリコーン樹脂組成物は、シリコーン樹脂と、白色顔料とを用いて得られるものであり、通常、シート状に成形してリフレクタ形成材料として供される。
【００６９】
〈シリコーン樹脂〉
シリコーン樹脂は、例えば、２段階硬化性、具体的には、２段階熱硬化性または２段階紫外線硬化性、好ましくは、２段階熱硬化性を示すものである。
【００７０】
（シリコーン樹脂の組成）
本発明において、シリコーン樹脂は、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００７１】
つぎに、上記各成分について説明する。
【００７２】
＜アルケニル基含有ポリシロキサン＞
上記アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基およびシクロアルケニル基の少なくとも一方を含有する。そして、上記アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（Ｉ）で示されるものである。
【００７３】
Ｒ1aＲ2bＳｉＯ(4-a-b)/2      ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ1は、炭素数２〜１０のアルケニル基および炭素数３〜１０のシクロアルケニル基の少なくとも一方を示す。Ｒ2は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５〜０．５０であり、ｂは、０．８０〜１．８０である。）
【００７４】
そして、式（Ｉ）中、Ｒ1で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基があげられる。また、Ｒ1で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等の炭素数３〜１０のシクロアルケニル基があげられる。
【００７５】
中でも、Ｒ1として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基があげられる。
【００７６】
上記式（Ｉ）において、Ｒ1で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００７７】
上記式（Ｉ）において、Ｒ2で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
【００７８】
上記非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基があげられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基があげられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基があげられる。
【００７９】
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものがあげられる。
【００８０】
上記置換基としては、例えば、塩素原子等のハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基等があげられる。
【００８１】
上記置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基等があげられる。
【００８２】
上記１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
【００８３】
上記式（Ｉ）において、Ｒ2で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用があげられる。
【００８４】
そして、式（Ｉ）において、ａは、好ましくは、０．１０〜０．４０である。また、ｂは、好ましくは、１．５〜１．７５である。
【００８５】
上記アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００８６】
上記アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００８７】
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類のものを用いてもよく、または２種以上の複数種類のものを併用してもよい。
【００８８】
＜ヒドロシリル基含有ポリシロキサン＞
上記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（ＩＩ）で示される。
【００８９】
ＨcＲ3dＳｉＯ(4-c-d)/2      ・・・（ＩＩ）
（式中、Ｒ3は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基の少なくとも一方を除く。）を示す。ｃは、０．３０〜１．０であり、ｄは、０．９０〜２．０である。）
【００９０】
式（ＩＩ）中、Ｒ3で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、上記式（Ｉ）のＲ2で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基があげられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用があげられる。
【００９１】
そして、式（ＩＩ）において、ｃは、好ましくは、０．３０〜０．５０である。またｄは、好ましくは、１．３〜１．７である。
【００９２】
上記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００９３】
上記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００９４】
上記式（Ｉ）および式（ＩＩ）中、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一方の炭化水素基は、フェニル基を含む。好ましくは、Ｒ2およびＲ3の両方の炭化水素が、フェニル基を含むことである。
【００９５】
上記式（Ｉ）および式（ＩＩ）において、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一方がフェニル基を含む場合、上記式（Ｉ）で示されるアルケニル基含有ポリシロキサン、および、式（ＩＩ）で示されるヒドロシリル基含有ポリシロキサンを含有するシリコーン樹脂は、フェニル基を含有するフェニル系シリコーン樹脂として調製される。
【００９６】
また、上記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類のものを用いてもよく、または２種以上の複数種類のものを併用してもよい。
【００９７】
上記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、好ましくは１／３０〜３０／１、より好ましくは１／３〜３／１となるように調整される。
【００９８】
＜ヒドロシリル化触媒＞
上記ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基の少なくとも一方と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であればよく、例えば、金属触媒があげられる。上記金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテート等の白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒等があげられる。
【００９９】
上記ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、通常、１．０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍ、好ましくは１．０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ、より好ましくは１．０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍである。
【０１００】
（シリコーン樹脂の調製）
シリコーン樹脂は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより調製することができる。
【０１０１】
具体的には、シリコーン樹脂は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒の配合によって、２段階硬化性（好ましくは、２段階熱硬化性）樹脂組成物のＡステージ状（液体状）に調製される。
【０１０２】
なお、Ａステージ状のシリコーン樹脂は、Ａステージ状（液体状）からＢステージ状（半硬化の固体状あるいは半固体状）を経由してＣステージ状（完全硬化の固体状）となることが可能である。
【０１０３】
より具体的には、Ａステージ状のシリコーン樹脂は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基の少なくとも一方と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とが、例えば、加熱温度７０〜１２０℃、好ましくは８０〜１００℃で、加熱時間５分〜３０分、好ましくは８分〜２０分の条件にてヒドロシリル化反応することにより、Ｂステージ状のシリコーン樹脂を生成する。
【０１０４】
シリコーン樹脂の配合割合は、シリコーン樹脂組成物全体に対して、通常、２０〜７０重量％、好ましくは２５〜５０重量％であり、より好ましくは上限値は５０重量％未満、さらに好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。シリコーン樹脂の配合割合が上記範囲内であれば、良好な製膜性が付与されることとなる。
【０１０５】
〈白色顔料〉
上記白色顔料としては、前述のエポキシ樹脂組成物において用いられる白色顔料（Ｃ）と同様のものがあげられる。例えば、無機系の白色顔料である、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、硫化亜鉛等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、優れた光反射率が得られる観点から、酸化チタンを用いることが好ましく、特にルチル型の結晶構造を有するものを用いることが好ましい。さらにそのなかでも、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が０．０１〜１μｍのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という観点から、０．１〜０．５μｍである。なお、上記平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
【０１０６】
そして、本発明においては、熱硬化性樹脂組成物（シリコーン樹脂組成物）からなる硬化物中での、白色顔料間の粒子間距離は、通常５０〜４２０ｎｍであり、好ましくは３００〜４２０ｎｍである。より好ましくは３１０〜４００ｎｍであり、特に好ましくは３３０〜４００ｎｍである。すなわち、粒子間距離が短すぎると、白色顔料が過密状態で分散されていることとなり、光散乱特性が低下し、結果、光反射率が低下することとなる。また、粒子間距離が長すぎると、光抜けが発生し、光反射率が低下することとなる。
【０１０７】
上記白色顔料間の粒子間距離は、前記エポキシ樹脂組成物の白色顔料（Ｃ）で述べた方法と同様の方法に従って測定される値である。すなわち、上記シリコーン樹脂組成物からなるリフレクタ形成材料を用いて、所定の硬化条件（例えば、１５０℃×３時間）にて所定の大きさの硬化物（例えば、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み１ｍｍ）を作製する。この硬化物を用い、前述の同様の方法にて測定し、算出することにより得られる値である。
【０１０８】
なお、本発明において、白色顔料間の粒子間距離を「熱硬化性樹脂組成物（シリコーン樹脂組成物）からなる硬化物中」とするのは、通常、白色顔料は凝集性が高く二次粒子化しやすい性質を有するからである。従って、より正確な粒子間距離を測定するため、本発明では、熱硬化性樹脂組成物（シリコーン樹脂組成物物）からなる硬化物中に分散させて一次粒子化させた後、その粒子間距離を測定している。
【０１０９】
そして、白色顔料間の粒子間距離における標準偏差は、上記白色顔料間の粒子間距離と同様にして測定して、算出される。上記熱硬化性樹脂組成物（シリコーン樹脂組成物）からなる硬化物中の白色顔料間の粒子間距離における標準偏差は、好ましくは１００〜３５０であり、より好ましくは１００〜３００である。標準偏差が上記範囲内であることにより、より一層優れた初期光反射率および製膜性を備えるようになる。
【０１１０】
上記白色顔料の含有割合は、シリコーン樹脂組成物全体に対して、好ましくは３〜３０体積％であり、より好ましくは１０〜２５体積％である。すなわち、白色顔料の含有割合が少なすぎると、充分な光反射性、特に優れた初期光反射率が得られ難くなる傾向がみられる。また、白色顔料の含有割合が多すぎると、著しい増粘により混練等でのエポキシ樹脂組成物の作製に関して困難が生じる可能性がみられるからである。
【０１１１】
また、樹脂組成物中の有機成分および白色顔料の合計体積量に対する白色顔料の体積比率は、７．５〜２３体積％とする必要がある。好ましくは１２．５〜２０．０体積％である。すなわち、白色顔料の体積比率が小さすぎると、光抜けが発生して光反射率が低下し、大きすぎると、白色顔料が過密状態で分散されていることとなり、光散乱特性が低下し、結果、光反射率が低下する。
【０１１２】
上記シリコーン樹脂組成物には、上述の白色顔料を除く各種無機質充填剤を配合することができる。無機質充填剤は、通常、シリコーン樹脂組成物をシート成形性の向上を図る目的で配合される。具体的には、無機質充填剤は、Ａステージ状のシリコーン樹脂に配合される。無機質充填剤としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ2）、タルク（Ｍｇ3（Ｓｉ4Ｏ10）（ＨＯ）2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）等の酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）等の窒化物等、各種無機質充填剤があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。また、無機質充填剤として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子があげられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子等）があげられる。
【０１１３】
上記複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモン等を副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、４０重量％を超え、好ましくは、５０重量％以上であり、また、例えば、９０重量％以下、好ましくは、８０重量％以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部となる。
【０１１４】
複合無機酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミル等によって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工（具体的には、球体化等）を施して、得られる。
【０１１５】
無機質充填剤の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状等があげられる。好ましくは、流動性の観点から、球状があげられる。無機質充填剤の平均粒径は、１０〜５０μｍ、好ましくは１５〜４０μｍであり、より好ましくは１５〜３０μｍ、特に好ましくは１５〜２５μｍである。無機質充填剤の平均粒径が大きすぎると、シリコーン樹脂組成物（ワニス状）において無機質充填剤が沈降する傾向がある。一方、無機質充填剤の平均粒径が小さすぎると、シリコーン樹脂組成物のシート成形性が低下したり、あるいは、透明性が低下する傾向がある。無機質充填剤の平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布計により測定される。
【０１１６】
さらには、上記無機質充填剤に比べて平均粒径がより小さいナノサイズの無機質充填剤を併用することができる。ナノサイズの無機質充填剤としては、例えば、いわゆる、ナノシリカと呼ばれる、平均粒径が数十〜数百ｎｍ、具体的には平均粒径１〜２００ｎｍの大きさの二酸化ケイ素からなる微粒子等が好ましく用いられる。
【０１１７】
無機質充填剤の屈折率は、１．５０以上、好ましくは１．５２以上であり、また、１．６０以下、好ましくは１．５８以下である。無機質充填剤の屈折率が上記範囲内にあれば、シートとして成形した場合、透明性を向上させることができる。無機質充填剤の屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。
【０１１８】
そして、上記無機質充填剤の含有割合は、用途等を考慮して、シリコーン樹脂組成物全体の１〜３０体積％であることが好ましく、特に好ましくは５〜２０体積％である。すなわち、上記含有割合が少なすぎると、各種配合物の分散状態が不均一になる等の問題が生じる傾向がある。また、含有割合が多すぎると、配合成分を混合・分散する際、著しく増粘してしまい、結果、シリコーン樹脂組成物製のシートを作製することが困難となる。
【０１１９】
さらに、上記白色顔料と無機質充填剤との混合割合は、初期光反射率の観点から、体積比で、（Ｃ）／（Ｄ）＝０．６〜１．５であることが好ましく、より好ましくは０．７〜１．３である。すなわち、白色顔料と無機質充填剤との混合割合が、上記範囲を外れ、体積比が小さすぎると、シリコーン樹脂組成物硬化体の初期光反射率が低下する傾向がみられ、体積比が大きすぎると、シリコーン樹脂組成物の溶融粘度が上昇して、シリコーン樹脂組成物製のシートの作製が困難になる傾向がみられる。
【０１２０】
〈他の添加剤〉
そして、本発明のシリコーン樹脂組成物には、上記シリコーン樹脂、白色顔料、無機質充填剤以外に、変性剤（可塑剤）、酸化防止剤、難燃剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。
【０１２１】
上記変性剤（可塑剤）としては、例えば、シリコーン類、１〜５価アルコール類等があげられる。
【０１２２】
上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等があげられる。
【０１２３】
上記難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、臭素系難燃剤、窒素系難燃剤、リン系難燃剤等があげられ、さらに三酸化アンチモン等の難燃助剤を用いることもできる。
【０１２４】
上記消泡剤としては、例えば、各種シリコーン系化合物等の一般的な消泡剤があげられる。
【０１２５】
〈シリコーン樹脂組成物〉
本発明のシリコーン樹脂組成物を用いた、シート状のシリコーン樹脂組成物の製造方法について説明する。
まず、シリコーン樹脂、白色顔料、無機質充填剤、さらには必要に応じて他の添加剤を配合してシリコーン樹脂組成物を調製する。具体的には、シリコーン樹脂が２段階硬化性である場合には、Ａステージ状のシリコーン樹脂と、白色顔料、無機質充填剤とを含有するシリコーン樹脂組成物を調製する。これによって、白色顔料および無機質充填剤がシリコーン樹脂中に分散されたシリコーン樹脂組成物を、ワニスとして調製する。
【０１２６】
ついで、調製したワニスを、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム等の高分子フィルムや、金属箔等の剥離シート表面に塗布する。このワニスの離型シートへの塗布によって、塗膜が形成される。
【０１２７】
その後、塗膜を半硬化させる。具体的には、シリコーン樹脂が２段階熱硬化性を有するものであれば、塗膜を加熱する。加熱条件として、加熱温度が、通常、７０〜１２０℃、好ましくは８０〜１００℃である。加熱温度が上記範囲であれば、塗膜を確実にＢステージ状にすることができる。また、加熱時間は、通常、５〜３０分、好ましくは８〜２０分である。
【０１２８】
これによって、塗膜におけるＡステージ状のシリコーン樹脂組成物をＢステージ状にする。すなわち、シリコーン樹脂において、アルケニル基およびシクロアルケニル基の少なくとも一方と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止することによりＢステージとなるのである。
【０１２９】
つぎに、上記シート状のシリコーン樹脂組成物を用いてリフレクタが形成されてなる光半導体素子（発光素子）の製造方法について説明する。
【０１３０】
図７は、光半導体素子（発光素子）の製造方法の一実施形態を示す工程図である。図７（ａ）に示すように、支持シート２２上に複数の発光素子２４を配置する。一方、発光素子２４の上方には、剥離シート３３上に積層形成されたシート状のシリコーン樹脂組成物（層）２５ａを、発光素子２４とシリコーン樹脂組成物（層）２５ａが対峙するよう配置する。ついで、図７（ｂ）に示すように、シリコーン樹脂組成物（層）２５ａを発光素子２４に向けて圧着させ、シリコーン樹脂組成物（層）２５ａ内に発光素子２４を埋設した後、剥離シート３３を剥離し除去する。ついで、図７（ｃ）に示すように、全体を所定の条件にて加熱することにより、シリコーン樹脂組成物（層）２５ａを加熱硬化させることにより、シリコーン樹脂組成物２５ａからなるリフレクタ２５を形成する（加熱硬化工程）。
【０１３１】
上記加熱条件は、Ｂステージ状のシリコーン樹脂組成物２５ａを完全硬化させるための条件であり、加熱温度は、通常、１００〜１８０℃、好ましくは１３５〜１６５℃である。また、加熱時間は、通常、３０〜６００分、好ましくは１２０〜２４０分である。
【０１３２】
つぎに、図７（ｄ）の破線で示すように、リフレクタ２５を切断する（切断工程）。切断に際しては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）４１を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射による切断装置等が用いられる。また、切断工程では、例えば、切り目２８が支持シート２２を貫通しないように切断する。上記切断工程によって、発光素子２４と、上記発光素子２４の側面全面を被覆するリフレクタ２５とを備えたリフレクタ２５形成済み発光素子（光半導体素子）２４を、支持シート２２面に密着した状態で得られる。
【０１３３】
つぎに、上記切断工程後、図７（ｅ）に示すように、支持シート２２を面方向に延伸させながら、支持シート２２からリフレクタ２５形成済み発光素子２４を剥離する。具体的には、図７（ｄ）において矢印で示すように、支持シート２２を面方向外側に延伸させる。これによって、図７（ｅ）に示すように、リフレクタ２５形成済み発光素子２４は、支持シート２２に密着した状態で、切り目２８に引張応力が集中するので、切り目２８が広がり、各リフレクタ２５形成済み発光素子２４が互いに離間して、隙間３９が形成される。その後、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を支持シート２２の上面から剥離する（剥離工程）。
【０１３４】
上記剥離工程を具体的に説明すると、図７（ｅ'）に示すように、針などの押圧部材３４と、コレットなどの吸引部材３６とを備えるピックアップ装置によって、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を支持シート２２から剥離する。上記ピックアップ装置では、押圧部材３４が、剥離したいリフレクタ２５形成済み発光素子２４に対応する支持シート２２を下方から押圧する（押し上げる）ことによって、剥離したいリフレクタ２５形成済み発光素子２４を上方に押し上げて、押し上げられたリフレクタ２５形成済み発光素子２４を吸引部材３６によって吸引しながら支持シート２２から剥離する。このようにして、支持シート２２から剥離されてなるリフレクタ２５形成済み発光素子２４が得られる。
【０１３５】
そして、剥離工程後、図６に示すように、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を基板２９に実装する。すなわち、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を、発光素子２４のバンプ（図示せず）が基板２９の上面に設けられる端子（図示せず）と対向するよう、基板２９と対向配置させることにより、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を基板２９にフリップチップ実装する。
【０１３６】
その後、必要に応じて、図６に示すように、リフレクタ２５形成済み発光素子２４の発光素子２４露呈面およびリフレクタ２５上面を被覆するように、蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の透明樹脂を用いて封止樹脂層３０を設ける。このようにして、リフレクタ２５形成済み発光素子２４が搭載されたＬＥＤ装置４５（すなわち、光半導体装置）が得られる。
【実施例】
【０１３７】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【０１３８】
＜第１の態様：エポキシ樹脂組成物＞
まず、エポキシ樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。
【０１３９】
［エポキシ樹脂（Ａ）］
トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００）
【０１４０】
［酸無水物系硬化剤（Ｂ）］
４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（酸無水物当量１６８）
【０１４１】
［硬化促進剤］
メチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート（日本化学工業社製，ヒシコーリンＰＸ−４ＭＰ）
【０１４２】
［酸化チタン（Ｃ）］
ルチル型、平均粒径０．３６μｍ
【０１４３】
［シリカ粉末Ｄ１］
溶融球状シリカ粉末（平均粒径２０μｍ）
［シリカ粉末Ｄ２］
溶融球状シリカ粉末（シリカ微粒子：平均粒径０．１μｍ）
［シリカ粉末Ｄ３］
溶融球状シリカ粉末（シリカ微粒子：平均粒径５μｍ）
［シリカ粉末Ｄ４］
溶融球状シリカ粉末（シリカ微粒子：平均粒径０．５μｍ）
【０１４４】
〔実施例１〜１１、比較例１〜３〕
まず、エポキシ樹脂組成物の硬化物中での、酸化チタン（白色顔料）の粒子間距離、および、粒子間距離における標準偏差の各値を得るため、つぎのようにして測定を行なった。すなわち、上記の各材料を用いて、後記の表１に示す配合割合となるように、各材料を配合し、混練機にて溶融混練（温度２５〜１５０℃）を行ない、室温（２５℃）まで冷却した後、粉砕することにより粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。ついで、上記エポキシ樹脂組成物を用いて、１７５℃×２分間にて加熱硬化、さらに１５０℃×２時間のキュアを行なうことにより、樹脂硬化体（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み１ｍｍ）を作製し、これを測定用試料とした。
【０１４５】
〔酸化チタンの粒子間距離・標準偏差の測定〕
上記測定用試料を用い、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立ハイテクノロジーズ社製、ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４７００）にて、１００００倍の倍率で撮影してＳＥＭ断面画像の観察を行ない、画像解析ソフトＩｍａｇｅＪ  Ｉｇｏｌにて酸化チタンを二値化し、近接する３点間の重心間距離を算出した。この重心間距離から酸化チタンの粒径を差し引きすることにより、酸化チタンの粒子間距離、さらには酸化チタン粒子の粒子間距離における標準偏差を算出した。
【０１４６】
これらの結果を後記の表１に併せて示す。
【０１４７】
＜エポキシ樹脂組成物の作製＞
上記の各材料を、後記の表１に示す割合で配合し、ニーダーで溶融混練（温度２５〜１５０℃）を行ない、熟成した後、室温（２５℃）まで冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【０１４８】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って各種評価［初期光反射率、反り量測定］の測定を行なった。その結果を後記の表１に示す。
【０１４９】
［初期光反射率］
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１７５℃×２分間の成形＋１５０℃×２時間のキュア）にて作製し、この試験片（硬化物）を用いて初期光反射率を測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０を使用して、波長４５０ｎｍの光反射率を室温（２５℃）にて測定した。なお、判定では、初期光反射率が９５％以上のものを「◎」、初期光反射率が９４％のものを「○」、初期反射率が９３％以下のものを「×」と評価した。
【０１５０】
［反り量測定］
上記各エポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体（発光）装置を製造した。すなわち、銅（銀メッキ）製のリードフレームをトランスファー成形機に設置し、トランスファー成形（成形条件：１７５℃×２分間の成形＋１５０℃×２時間のキュア）を行なうことにより、図１に示す、リフレクタ４と、そのリフレクタ４に形成された凹部５と、その凹部５内に設けられた第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる構造を縦に１３個、横に１３個配置した外寸が５０ｍｍ×５９ｍｍのリードフレームを製造した。
【０１５１】
このようにして得られた上記リードフレーム（サンプル）を、常温（２５℃）にて平坦な台の上に静置して、レーザー変位計（ティーテック社製、温度可変レーザー三次元測定機）を用い、台からみてサンプルの位置する最高点と最低点を測定し、その差を最大の反り量とした。その結果、最大の反り量が６５０μｍ以下のものを「◎」、６５０μｍを超え１０００μｍ未満のものを「○」、１０００μｍ以上のものを「×」として評価した。
【０１５２】
【表１】
2017063194.tif 000002
【０１５３】
上記結果から、本発明に規定した特定の粒子間距離を備えた白色顔料である酸化チタンを配合してなる実施例品は、高い初期光反射率が得られ、反り測定においても反り量が小さく優れた結果が得られた。そして、上記特定の粒子間距離とともに、酸化チタン粒子間距離における特定の標準偏差を備えた実施例１〜９品は、初期光反射率および反り測定の双方とも、あるいはいずれか一方において、特に優れた結果が得られた。中でも、エポキシ樹脂組成物からなる硬化物中の酸化チタンが、酸化チタン間の粒子間距離（ｙ）と、酸化チタン粒子間距離における標準偏差（ｘ）の関係（縦軸：酸化チタン間の粒子間距離における標準偏差σ（ｙ）−横軸：酸化チタン間の粒子間距離（ｘ））において、前述の式（１）〜式（４）にて囲まれた領域（境界線を含む：図５参照）を満足する実施例１〜４，９品、および、平均粒径２０μｍの溶融シリカ粉末とともに平均粒径が０．１〜５μｍの範囲の溶融球状シリカ粉末（シリカ微粒子）を併用してなる実施例５〜７品は、初期光反射率および反り測定の双方ともに、特に優れた結果が得られた。
【０１５４】
これに対して、本発明の規定から外れる粒子間距離を備えるよう酸化チタンを配合してなる比較例１，２品は、反り判定に関しては良好な結果が得られたが、初期光反射率に劣る結果が得られた。また、本発明に規定した特定の粒子間距離を備えた白色顔料である酸化チタンを配合しているが、酸化チタンの体積比率が規定範囲を外れ大きい比較例３品は、初期光反射率に関しては優れた結果が得られたが、反り量が多く反り評価に劣る結果となった。
【０１５５】
［１．光半導体（発光）装置（１）の作製］
つぎに、上記実施例１品である粉末を打錠したタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体（発光）装置を製造した。すなわち、銅（銀メッキ）製の複数の対となった第１のプレート部１と第２のプレート部２を有する金属リードフレームをトランスファー成形機の金型内に設置し、上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形（条件：１７５℃×２分間の成形＋１５０℃×２時間のキュア）を行なうことにより、図１に示す、金属リードフレームの所定位置にリフレクタ４（最薄厚み０．２ｍｍ）を形成した。ついで、光半導体（発光）素子（大きさ：０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）３を搭載し、この光半導体素子３と上記金属リードフレームをボンディングワイヤー７，８にて電気的に接続することにより、リフレクタ４と、金属リードフレームと、光半導体素子３とを備えたユニットを製造した。
【０１５６】
つぎに、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面とで形成される凹部５に、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ−２５００）を充填して上記光半導体素子３を樹脂封止（成形条件：１５０℃×４時間）することにより透明な封止樹脂層６を形成し、リフレクタごとにダイシングにより個片化し、図１に示す光半導体（発光）装置を作製した。得られた光半導体（発光）装置は、高い初期光反射率を備えるとともに反り発生が抑制された高信頼性を備えた良好なものであった。
【０１５７】
［２．光半導体（発光）装置（２）の作製］
上記実施例１品である粉末を打錠したタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図２および図３に示す構成を備えた光半導体（発光）装置を製造した。すなわち、銅（銀メッキ）製の金属リードフレーム１０をトランスファー成形機の金型内に設置し、上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形（１７５℃×２分間の成形＋１５０℃×２時間のキュア）を行なうことにより、図２に示す、金属リードフレーム１０の所定位置にリフレクタ１１を形成した。ついで、光半導体（発光）素子（大きさ：０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）３を搭載し、この光半導体素子３と上記金属リードフレーム１０をボンディングワイヤー１２にて電気的に接続することにより、リフレクタ１１と、金属リードフレーム１０と、光半導体素子３とを備えたユニットを製造した。
【０１５８】
つぎに、図２のユニット上に、コンプレッション成形もしくはシート封止により、封止樹脂層１３を形成することで、光半導体（発光）装置を作製した（図３参照）。得られた光半導体（発光）装置は、高い初期光反射率を備えるとともに反り発生が抑制された高信頼性を備えた良好なものであった。
【０１５９】
＜第２の態様：シリコーン樹脂組成物＞
まず、シート状のシリコーン樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。
【０１６０】
＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
（合成例１）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０１６１】
平均単位式：
（ＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2）0.15（ＣＨ3Ｃ6Ｈ5ＳｉＯ2/2）0.60（Ｃ6Ｈ5ＳｉＯ3/2）0.25
平均組成式：
（ＣＨ2＝ＣＨ）0.15（ＣＨ3）0.90（Ｃ6Ｈ5）0.85ＳｉＯ1.05
【０１６２】
すなわち、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、式（Ｉ）において、Ｒ1がビニル基、Ｒ2がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である。
【０１６３】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
【０１６４】
（合成例２）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０１６５】
平均単位式：
（ＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2）0.31（（Ｃ6Ｈ5）2ＳｉＯ2/2）0.22（Ｃ6Ｈ5ＳｉＯ3/2）0.47
平均組成式：
（ＣＨ2＝ＣＨ）0.31（ＣＨ3）0.62（Ｃ6Ｈ5）0.91ＳｉＯ1.08
【０１６６】
すなわち、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、式（Ｉ）において、Ｒ1がビニル基、Ｒ2がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である。
【０１６７】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
【０１６８】
（合成例３）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
【０１６９】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０１７０】
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2）0.33（（Ｃ6Ｈ5）2ＳｉＯ2/2）0.22（Ｃ6Ｈ5ＰｈＳｉＯ3/2）0.45
平均組成式：
Ｈ0.33（ＣＨ3）0.66（Ｃ6Ｈ5）0.89ＳｉＯ1.06
【０１７１】
すなわち、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、式（ＩＩ）において、Ｒ3がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である。
【０１７２】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
【０１７３】
さらに、シリコーン樹脂の調製のために、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０重量％）を準備した。
【０１７４】
［シリコーン樹脂の調製］
（シリコーン樹脂）
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合して、シリコーン樹脂を調製した。
【０１７５】
［複合無機酸化物粒子］
屈折率１．５５、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の複合無機酸化物粒子であり、平均粒子径２０μｍである。
【０１７６】
［ナノシリカ］
Ｒ９７６Ｓ（日本アエロジル社製、フュームドシリカ）
【０１７７】
［酸化チタン］
ルチル型、平均粒径０．３６μｍ
【０１７８】
〔実施例１２〜１３、比較例４〕
まず、シリコーン樹脂組成物の硬化物中での、酸化チタン（白色顔料）の粒子間距離、および、粒子間距離における標準偏差の各値を得るため、つぎのようにして測定を行なった。すなわち、上記の各材料を用いて、後記の表２に示す配合割合となるように、各材料を配合し、シリコーン樹脂組成物のワニスとして調製した。ついで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚み６００μｍの剥離シート（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが６００μｍとなるように塗布し、その後、９０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるシリコーン樹脂組成物をＢステージ状化（半硬化）させた。これにより、Ｂステージ状のシリコーン樹脂組成物を製造した。つぎに、１５０℃×１８０分間にて加熱硬化（完全硬化）を行なうことにより、シリコーン樹脂組成物硬化体（縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み０．１ｍｍ）を作製し、これを測定用試料とした。
【０１７９】
〔酸化チタンの粒子間距離・標準偏差の測定〕
上記測定用試料を用い、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立ハイテクノロジーズ社製、ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４７００）にて、１００００倍の倍率で撮影してＳＥＭ断面画像の観察を行ない、画像解析ソフトＩｍａｇｅＪ  Ｉｇｏｌにて酸化チタンを二値化し、近接する３点間の重心間距離を算出した。この重心間距離から酸化チタンの粒径を差し引きすることにより、酸化チタンの粒子間距離、さらには酸化チタン粒子の粒子間距離における標準偏差を算出した。
【０１８０】
これらの結果を後記の表２に併せて示す。
【０１８１】
＜シリコーン樹脂組成物の作製＞
上記の各材料を、後記の表２に示す割合で配合し、上記と同様にして目的とするシート状のシリコーン樹脂組成物（Ｂステージ状）を作製した。
【０１８２】
このようにして得られた実施例および比較例のシリコーン樹脂組成物を用い、下記の方法に従って各種評価［初期光反射率、製膜性］の測定・評価を行なった。その結果を後記の表２に示す。
【０１８３】
［初期光反射率］
上記各シート状のシリコーン樹脂組成物（Ｂステージ状）を用い、厚み０．１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１５０℃×１８０分間）にて作製し、この試験片（硬化物）を用いて初期光反射率を測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計Ｖ−６７０を使用して、波長４５０ｎｍの光反射率を室温（２５℃）にて測定した。なお、判定では、初期光反射率が９５％以上のものを「◎」、初期光反射率が９４％のものを「○」、初期反射率が９３％以下のものを「×」と評価した。
【０１８４】
［製膜性（シート生産性）］
上記シート状のシリコーン樹脂組成物（Ｂステージ状）を作製した際の塗膜の膜厚均一性に着目し、つぎの基準に従い評価した。すなわち、気泡の巻き込みがなく塗膜の膜厚が均一な状態を「○」、気泡を巻き込みシートの膜厚が不均一な状態を「△」、気泡の巻き込みが著しくシートとしての性状をなさないものを「×」と評価した。
【０１８５】
【表２】
2017063194.tif 000003
【０１８６】
上記結果から、本発明に規定した特定の粒子間距離を備えた白色顔料である酸化チタンを配合してなる実施例１２，１３品は、高い初期光反射率が得られ、製膜性においても特に劣る評価ではなかった。これに対して、本発明の規定から外れる粒子間距離を備えるよう酸化チタンを配合してなる比較例４品は、製膜性に関しては良好な評価結果が得られたが、初期光反射率に劣る結果が得られた。
【０１８７】
［３．ＬＥＤ装置の作製］
つぎに、上記実施例１２品であるシート状のシリコーン樹脂組成物を用いて、図６に示す構成の光半導体素子（発光素子）を製造した。すなわち、シート状のシリコーン樹脂組成物を用い、先に述べた図７に示す、リフレクタが形成されてなる光半導体素子（発光素子）の製造方法に従い、リフレクタ２５形成済み発光素子２４を製造した。ついで、上記リフレクタ２５形成済み発光素子２４を基板２９にフリップチップ実装した。実装後、リフレクタ２５形成済み発光素子２４の発光素子２４露呈面およびリフレクタ２５上面を封止するように、シリコーン樹脂を用いて封止樹脂層３０を形成してＬＥＤ装置４５を作製した。得られたＬＥＤ装置４５は、高い初期光反射率を備えた良好なものであった。
【産業上の利用可能性】
【０１８８】
本発明の光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物は、光半導体装置に内蔵された光半導体素子から発する光を反射させるリフレクタの形成材料として有用である。
【符号の説明】
【０１８９】
１  第１のプレート部
２  第２のプレート部
３，２４  光半導体素子（発光素子）
４，１１，２５  リフレクタ
５  凹部
６，３０  封止樹脂層
７，８，１２  ボンディングワイヤー
１０  金属リードフレーム
２９  基板
４５  ＬＥＤ装置
【図１】
2017063194.tif 000004
【図２】
2017063194.tif 000005
【図３】
2017063194.tif 000006
【図４】
2017063194.tif 000007
【図５】
2017063194.tif 000008
【図６】
2017063194.tif 000009
【図７】
2017063194.tif 000010