(57)【要約】【課題】半導体製造装置のメンテナンス時間を短縮し、半導体製造ラインの生産性を向上する。【解決手段】先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去した半導体製造装置により半導体ウエハを処理する。【選択図】図３
2017022343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法；
ａ）半導体ウエハの主面上に薄膜を形成する工程、
ｂ）前記薄膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程、
ｃ）フォトリソグラフィにより前記フォトレジスト膜に所定の回路パターンを転写し、マスクパターンを形成する工程、
ｄ）先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去したドライエッチング装置により、前記半導体ウエハにドライエッチング処理を施す工程。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具の先端部分の返しにより反応生成物をウエハリフトピン穴の外部へ掻き取る半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は掻き取った反応生成物を吸引する貫通孔を備え、
前記貫通孔を介して掻き取った反応生成物をウエハリフトピン穴の外部へ排出する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は当該清掃治具の先端部に溶剤を供給する貫通孔を備え、
前記貫通孔を介して前記先端部に溶剤を供給し、前記先端部から溶剤を噴出することによりウエハリフトピン穴内部の反応生成物を溶解除去する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は、少なくとも先端部分が帯電し難い材料で形成されている半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜は、アルミニウム膜、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜のいずれかである半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体ウエハを処理する処理室と、
前記処理室内において、前記半導体ウエハを搭載するステージと、
前記ステージの表面から裏面に掛けて貫通して設けられた貫通孔と、
前記貫通孔の内部を貫通して設けられ、前記ステージ上において前記半導体ウエハを上下に移動するウエハリフトピンと、
前記ウエハリフトピン内部に設けられ、所定の操作により前記ウエハリフトピンの外部へ突出する返しと、を備える半導体製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体製造装置であって、
前記ウエハリフトピンは下部に押し込み部を備え、
前記押し込み部を押し込むことにより前記返しを前記ウエハリフトピンの外部へ突出させ、前記ウエハリフトピンを上下に動作させることにより、前記貫通孔内に付着した反応生成物を除去する半導体製造装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体製造装置であって、
前記返しにより前記貫通孔内に付着した反応生成物を除去する際、前記処理室への不活性ガスの導入と前記処理室の真空引きを交互に繰り返すサイクルパージを行う半導体製造装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体製造装置であって、
前記ウエハリフトピンが下降する際、前記処理室へ不活性ガスを導入し、
前記ウエハリフトピンが上昇する際、前記処理室の真空引きを行う半導体製造装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体製造装置であって、
前記半導体製造装置は、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置のいずれかである半導体製造装置。
【請求項１２】
一端に把持部を有し、
他端に少なくとも１つ以上の返しを有する棒状のウエハリフトピン穴清掃治具。
【請求項１３】
請求項１２に記載のウエハリフトピン穴清掃治具であって、
前記一端から前記他端に掛けて貫通する貫通孔を有するウエハリフトピン穴清掃治具。
【請求項１４】
請求項１２に記載のウエハリフトピン穴清掃治具であって、
少なくとも返しが設けられている部位は帯電し難い材料で形成されているウエハリフトピン穴清掃治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体製造装置のメンテナンスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造ラインで用いられるドライエッチング装置やＣＶＤ装置（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング装置等の半導体製造装置は、真空中で半導体ウエハを処理する処理室を備えており、処理室内のステージ（下部電極）上に半導体ウエハを搭載し、プラズマによるドライエッチング等の各種処理が施される。
【０００３】
処理室内のステージには、表面側から裏面側に掛けて貫通する貫通孔が設けられており、その貫通孔の内部をウエハリフトピンが上下動作することで、ウエハ搬送アームとステージとの間で半導体ウエハの受け渡しを行う構造になっている。
【０００４】
これらの半導体製造装置では、処理室内で半導体ウエハを処理する際、反応生成物が生成され、ウエハリフトピンが上下するステージの貫通孔（リフトピン穴）の内部やウエハリフトピンの支持部（リフトピングリッパー）にも反応生成物が付着する。
【０００５】
リフトピン穴内部の反応生成物の堆積が多くなると、リフトピンが反応生成物に引っ掛かり、リフトピンがリフトピン支持部から抜けてしまう恐れがある。また、リフトピン支持部への反応生成物の堆積量が増えるとリフトピン支持部の摺動性が悪化し、同様にリフトピン抜けが懸念される。
【０００６】
そこで、リフトピン穴内部やリフトピン支持部に付着した反応生成物を定期的に除去する清掃が必要となるが、該当部分を清掃する為にはステージ（下部電極）を分解しなければならず、清掃のための多くの手間と装置停止時間が必要となっている。
【０００７】
ステージ（下部電極）を分解することなく、リフトピン穴内部の反応生成物を除去する方法として、例えば、特許文献１のような清掃用具を用いることが考えられる。特許文献１は、人体の歯の間の汚れを除去する歯間ブラシに関するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１３７５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体製造装置のリフトピン穴の清掃に上記特許文献１の清掃用具を用いようとした場合、リフトピン穴内部の反応生成物を除去するための十分な強度を持たないため、反応生成物を効果的に除去するのは困難である。また、除去した反応生成物がリフトピン穴の下部に落下するのを防ぐのも難しい。さらに、特許文献１の清掃用具は元来、歯間ブラシとして用いられるものであり、半導体製造装置の清掃に用いた場合、汚染の原因となる恐れもある。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施の形態によれば、先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去した半導体製造装置により半導体ウエハを処理する。
【００１２】
また、他の一実施の形態によれば、処理室内の穴部に付着した反応生成物を除去するクリーニング機能を備えた半導体製造装置である。
【００１３】
また、別の一実施の形態によれば、半導体製造装置の処理室内の穴部に付着した反応生成物を除去する清掃治具である。
【発明の効果】
【００１４】
前記一実施の形態によれば、半導体製造装置のメンテナンス時間を短縮することができ、半導体製造ラインの生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置および清掃治具の一部断面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＡ部拡大図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置および清掃治具の一部断面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＢ部拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置および清掃治具の一部断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置および清掃治具の一部断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の一部断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の一部断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の一部断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の処理室の断面図である。
【図９】半導体製造装置のリフトピンまわりの課題を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を用いて実施例を説明する。なお、各図面において同一の構成については同一の符号を付し、重複する部分についてはその詳細な説明は省略する。
【実施例１】
【００１７】
先ず、図８および図９を用いて、本実施例における半導体製造装置の処理室の構成とリフトピンまわりの課題について説明する。図８はコイル誘導結合プラズマ源を備えたドライエッチング装置の例を示している。また、図９は図８のリフトピンＬＰおよびリフトピンガイドＬＤ周辺の拡大図である。
【００１８】
図８に示すように、本実施例のドライエッチング装置は、エッチングチャンバーＥＣの上部にプラズマ源となるコイルソースＣＳを備えている。コイルソースＣＳには高周波電源ＲＧから高周波電力が供給される。
【００１９】
エッチングチャンバーＥＣには、図示しない真空排気系およびガス供給系が設けられており、エッチングチャンバーＥＣを真空排気した後、エッチングチャンバーＥＣ内にプロセスガスを導入し、コイルソースＣＳに高周波電力を印加することにより、エッチングチャンバーＥＣ内にプラズマを発生させる。
【００２０】
エッチングチャンバーＥＣ内には、ドライエッチング処理の対象となる半導体ウエハＷＦを搭載し保持する静電チャックＥＳ（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ−Ｃｈｕｃｋ）が設けられている。この静電チャックＥＳは、着目する機能により、ステージ或いは下部電極などとも呼ばれる。また、静電チャックＥＳは、アルミニウム（ＡＬ）の母材に誘電体を含んだセラミックをコーティングしたものなどが用いられる。
【００２１】
静電チャックＥＳは、表面から裏面に掛けて貫通する貫通孔を備えており、その貫通孔内をリフトピンＬＰが上下に駆動する構造となっている。この貫通孔はリフトピン穴ＬＨである。
【００２２】
静電チャックＥＳの下には、リフトピンＬＰを支持する保持機構が設けられている。この保持機構は、リフトピンＬＰの一端を保持するリフトピングリッパーＬＧ、リフトピンＬＰの保持部を覆い保護するハウジングＨＳ、リフトピングリッパーＬＧを支持するベースＢＳやステムＳＴなどから構成されている。なお、リフトピングリッパーＬＧは、例えば、ポリイミド樹脂のような耐熱性プラスチックにより形成されている。また、ハウジングＨＳやベースＢＳは、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）により、ステムＳＴは、例えば、フッ素樹脂により、各々形成されている。
【００２３】
リフトピングリッパーＬＧは、ステムＳＴおよびベースＢＳを介してリフトピンスパイダーＬＳと呼ばれる支持アームで支持され、エアシリンダーＡＣにより上下に駆動する。
【００２４】
リフトピンＬＰは、リフトピン穴ＬＨを貫通して配置され、リフトピンＬＰとリフトピン穴ＬＨの間には、リフトピンＬＰができるだけ垂直に上下駆動するようリフトピンガイドＬＤが設けられている。リフトピンＬＰは、例えば、高純度アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を原料とするサファイアにより形成されている。また、リフトピンガイドＬＤは、ポリイミド樹脂などの耐熱性プラスチックにより形成されている。
【００２５】
図示しないウエハ搬送アームにより半導体ウエハＷＦをエッチングチャンバーＥＣ内に搬入した後、リフトピンＬＰが上昇し、ウエハ搬送アームから半導体ウエハＷＦを受け取る。ウエハ搬送アームがエッチングチャンバーＥＣから移動した後、半導体ウエハＷＦを受け取ったリフトピンＬＰは下降し、半導体ウエハＷＦが静電チャックＥＳの表面に搭載される。なお、半導体ウエハＷＦを静電チャックＥＳ上に搭載する際に半導体ウエハＷＦのズレを防止するため、静電チャックＥＳの周辺には石英やシリコン、セラミックなどで形成されるエッジリングＥＲ（ウエハ保持リング）が配置されている。
【００２６】
ここで、上述したように、ドライエッチング装置やＣＶＤ装置、スパッタリング装置などの半導体製造装置では、リフトピン穴ＬＨの内部やリフトピンＬＰの支持部であるリフトピングリッパーＬＧの周辺に堆積する反応生成物によるリフトピン抜けが問題となる。図９に示すように、リフトピンガイドＬＤとリフトピンＬＰの間やリフトピングリッパーＬＧの周辺に反応生成物（デポ物）ＤＰの付着が多くなると、リフトピンＬＰの上下駆動時に反応生成物（デポ物）ＤＰとの引っ掛かりが生じ、リフトピンＬＰの摺動性が悪くなり、リフトピンＬＰがリフトピングリッパーＬＧから抜けるリフトピン抜けに至る場合がある。
【００２７】
図９に示した課題以外にも、リフトピン穴ＬＨ内に堆積した反応生成物ＤＰの一部が剥がれて静電チャックＥＳの表面に異物として付着した場合、半導体ウエハＷＦの静電吸着エラーなどの装置トラブルの原因となったり、静電チャックＥＳの表面と半導体ウエハＷＦの裏面との間で異常放電が発生し、製品不良の原因となる恐れもある。
【００２８】
そこで、リフトピン穴ＬＨの内部やリフトピングリッパーＬG周辺の反応生成物ＤＰを除去するための清掃を行おうとすると、静電チャックＥＳ（下部電極）を分解する必要があり、清掃するために多くの手間と装置停止時間が必要となる。
【００２９】
従って、リフトピン穴ＬＨの内部やリフトピングリッパーＬG周辺に堆積した反応生成物ＤＰを如何に効果的にエッチングチャンバーＥＣ外へ排出（除去）できるかが、各半導体製造装置の生産性、ひいては半導体製造ラインの生産性を向上するための重要な課題となっている。
【００３０】
次に、図１Ａおよび図１Ｂを用いて、本実施例におけるウエハリフトピン穴清掃治具について説明する。図１ＡはリフトピングリッパーＬＧからリフトピンを引き抜いた後に、リフトピン穴ＬＨ内に清掃治具ＣＪを挿入した状態を示している。図１Ｂは図１ＡのＡ部を拡大した図である。
【００３１】
本実施例における清掃治具ＣＪは、図１Ａに示すように、リフトピン穴ＬＨに挿入できるよう、棒状に形成されている。清掃治具ＣＪの一端には、清掃時に作業者が保持できるよう把持部ＨＰが設けられている。また、清掃治具ＣＪの先端部（他端）には、少なくとも１つ以上の返しＢＡが設けられている。図１Ａでは、６つの返しＢＡが設けられている例を示している。
【００３２】
清掃治具ＣＪの先端部分に返しを設けることにより、エッチングチャンバーＥＣの定期メンテナンスの際、静電チャックＥＣの上面側からリフトピンＬＰを引き抜いた後に清掃治具ＣＪを挿入し、返しＢＡによりリフトピン穴の内部に堆積した反応生成物をリフトピン穴の外部へ効果的に掻き取る（掻き出す）ことができる。
【００３３】
なお、図１Ｂに示すように、清掃治具ＣＪの返しＢＡの幅（太さ）ｂは、リフトピン穴ＬＨ内に清掃治具ＣＪを挿入できるよう、リフトピン穴ＬＨ内で最も幅が狭いリフトピンガイドＬＤの部分の幅ａよりも狭く（細く）形成されている。つまり、ｂ＜ａの関係となっている。但し、幅ａに比べて幅ｂの寸法が狭すぎる場合、リフトピン穴ＬＨ内部の反応生成物を十分に掻き出すことができないため、返しＢＡの幅（太さ）ｂは、可能な限りリフトピンガイドＬＤの部分の幅ａに近いのが好ましい。
【００３４】
例えば、リフトピンガイドＬＤの部分の幅ａが１．６ｍｍ程度である場合、返しＢＡの幅（太さ）ｂは１．５ｍｍ程度に形成する。
【００３５】
一般的な半導体製造装置では、リフトピンＬＰの太さはφ１．０ｍｍ〜φ２．０ｍｍ程度であるため、リフトピン穴ＬＨ（本実施例ではリフトピンガイドＬＤの部分の幅ａ）の径はφ１．２ｍｍ〜φ２．２ｍｍ程度となる。従って、清掃治具ＣＪの返しＢＡの径はφ１．１ｍｍ〜φ２．１ｍｍ程度に形成するのが目安となる。但し、ここでの数値はあくまでも例示であって、これらに限定されるものではない。
【００３６】
また、清掃治具ＣＪの材質は、リフトピン穴ＬＨ内の反応生成物を効果的に掻き出せるよう、ステンレス鋼（ＳＵＳ）やアルミニウム（ＡＬ）、樹脂など、十分な強度を有するものを用いるのが好ましい。
【００３７】
さらに、清掃治具ＣＪの材質は、清掃治具ＣＪにより掻き取った反応生成物が静電気によりリフトピンガイドＬＤやリフトピン穴ＬＨ内部へ再付着するのを防ぐため、帯電し難いものを用いるのがより好ましい。少なくとも、返しを設ける先端部分は、帯電し難い材料で形成するのが良い。
【００３８】
以上説明したように、図１Ａおよび図１Ｂに示した清掃治具ＣＪを半導体製造装置のリフトピン穴の清掃に用いることにより、リフトピン穴ＬＨ内に堆積した反応生成物を下に落下させることなく、リフトピン穴ＬＨの外部へ掻き出すことができ、効果的にリフトピン穴ＬＨ内部の清掃を行うことができる。
【００３９】
また、静電チャックＥＣ（下部電極）を分解することなくリフトピン穴ＬＨ内に堆積した反応生成物を除去することができるため、装置停止時間を大幅に短縮することができ、半導体製造装置の生産性を飛躍的に高めることができる。
【００４０】
図２Ａおよび図２Ｂを用いて、清掃治具ＣＪの変形例を説明する。なお、図２Ｂは図２ＡのＢ部を拡大した図である。
【００４１】
図２Ａおよび図２Ｂに示す吸引孔付清掃治具ＣＪＶは、一方の端部から他方の端部に掛けて貫通する貫通孔を有する点において、図１Ａおよび図１Ｂに示す清掃治具ＣＪと異なる。この貫通孔は、掻き取った反応生成物を清掃治具の先端部から吸引し外部へ排出する際の吸引孔ＶＨとして機能する。
【００４２】
なお、図２Ｂに示す返しＢＡの幅（太さ）ｄとリフトピンガイドＬＤの部分の幅ｃとの関係は、ｄ＜ｃとなっている。このｃとｄの関係は、図１Ｂにおけるａとｂの関係と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００４３】
図３を用いて、吸引孔付清掃治具ＣＪＶの作用をより詳しく説明する。図１Ａおよび図１Ｂにおいて、清掃治具ＣＪをリフトピン穴ＬＨに挿入する際、リフトピンガイドＬＤ付近に堆積した反応生成物は返しＢＡにより削り取られ、一部は下に落下してしまう。そこで、図２Ａおよび図２Ｂの吸引孔付清掃治具ＣＪＶのように、清掃治具の先端部からもう一方の端部に掛けて貫通する貫通孔を設け、リフトピン穴ＬＨに挿入する際に掻き取られた反応生成物ＤＰを先端部から吸引し外部に排出することにより、反応生成物ＤＰの落下を防ぐことができる。
【００４４】
また、吸引孔付清掃治具ＣＪＶをリフトピン穴ＬＨ内で上下動作させてリフトピン穴ＬＨ内の反応生成物ＤＰを返しＢＡにより掻き取る際にも、掻き取った反応生成物ＤＰを先端部から落下させずに吸引することができる。
【００４５】
さらに、吸引できずにリフトピングリッパーＬＧ周辺に落下した反応生成物についても、吸引孔付清掃治具ＣＪＶにより吸い取り、外部へ排出することができる。
【００４６】
図４を用いて、清掃治具ＣＪの別の変形例を説明する。図４に示す溶剤供給孔付清掃治具ＣＪＳは、図３の吸引孔付清掃治具ＣＪＶと同様に、一方の端部から他方の端部に掛けて貫通する貫通孔を有している。この貫通孔は、一方の端部からメタノールなどの溶剤を供給し、他方の端部（先端部）からリフトピン穴ＬＨ内へ溶剤を噴出する際の溶剤供給孔ＳＨとして機能する。
【００４７】
溶剤供給孔付清掃治具ＣＪＳの先端部からリフトピン穴ＬＨ内へ溶剤を噴出することで、反応生成物ＤＰを短時間で溶解除去することができるため、装置停止時間を更に短縮することができる。
【００４８】
なお、供給する溶剤はメタノールに限定されるものではなく、反応生成物を溶解除去できる溶剤であれば良い。清掃の対象となる半導体製造装置のプロセスの種類により反応生成物の成分が異なるため、半導体製造装置のプロセスの種類により溶剤の種類を適宜選択して用いる。
【００４９】
また、供給する溶剤の種類や反応生成物の成分により、溶剤を液状のまま噴出するか、加熱して蒸気の状態で噴出するのかを適宜選択することで、より効果的な清掃が可能となる。
【実施例２】
【００５０】
図５Ａおよび図５Ｂを用いて、本実施例における半導体製造装置について説明する。本実施例の半導体製造装置は、リフトピン穴ＬＨのクリーニング機構を備えた半導体製造装置である。図５Ａは稼動中のリフトピンＬＰまわりの状態を示し、図５Ｂはリフトピン穴ＬＨのクリーニング時の状態を示している。
【００５１】
図５Ａに示すように、本実施例の半導体製造装置のリフトピンＬＰの下部には押し込み部ＰＰが設けられている。図５Ｂに示すように、この押し込み部ＰＰを押し込むことでクリーニング機構ＣＤを動作させて、リフトピン穴ＬＨ内に堆積した反応生成物ＤＰを掻き取る。
【００５２】
クリーニング機構ＣＤは、実施例１で説明した清掃治具ＣＪの返しＢＡをリフトピンＬＰの内部に埋め込んだ構造となっており、リフトピン穴ＬＨの清掃を行う際、リフトピンＬＰ下部の押し込み部ＰＰを押し込むことにより、返しがリフトピンＬＰの外部に突出し、リフトピン穴ＬＨ内に堆積した反応生成物を掻き取る。掻き取った反応生成物は落下し、装置の真空排気により外部へ排出される。
【００５３】
なお、エッチングチャンバーの真空引きとガスの導入を交互に繰り返すサイクルパージを併用することで、掻き取った反応生成物をさらに効率良く装置外へ排出することができる。サイクルパージに用いるガスは、半導体製造装置のプロセス処理に用いるプロセスガスや窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガス（Ａｒ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）などの不活性ガスを用いる。
【００５４】
また、クリーニング機構ＣＤによるリフトピン穴ＬＨ内の反応生成物の掻き取りとサイクルパージを同時に行う場合、リフトピンＬＰが下降する際にエッチングチャンバー内へガスを導入し、リフトピンＬＰが上昇する際にエッチングチャンバーの真空引きを行うことにより、効果的に反応生成物をエッチングチャンバーの外部へ排出することができる。
【００５５】
以上説明したように、本実施例の半導体製造装置によれば、処理室（チャンバー）を大気開放することなくリフトピン穴ＬＨを清掃することができるため、さらに装置停止時間を短縮することができる。
【００５６】
なお、本実施例においては、クリーニング機構の例として、図５Ａおよび図５Ｂのように、リフトピンＬＰ下部の押し込み部ＰＰを押し込むことにより返しがリフトピンＬＰの外部に突出する構造を示したが、クリーニング機構の構造はこれに限定されるものではなく、他の所定の操作により返しがリフトピンの外部へ突出する構造であっても良い。
【実施例３】
【００５７】
図６から図７Ｅを用いて、本実施例における半導体装置の製造方法について説明する。図６は、実施例１で説明した清掃治具を用いてリフトピン穴を清掃した半導体製造装置、或いは、実施例２で説明した半導体製造装置を用いてプロセス処理を行い製造した半導体装置の一部を示している。図６の左側は回路形成領域を示し、右側はパッド配置領域を示す。また、図７Ａから図７Ｅは、図６の最上層の配線層ＭＨに形成される最上層配線ＴＭやパッド電極ＰＤの形成フローを示している。
【００５８】
図６に示すように、本実施例における半導体装置は、半導体基板ＳＳの主面に拡散層ＤＬおよびゲート電極ＧＥからなるトランジスタなどの各種素子が形成されている。
【００５９】
各種素子の上には下層から順に、第１配線層Ｍ１、第２配線層Ｍ２、第３配線層Ｍ３、第４配線層Ｍ４、第５配線層Ｍ５、第６配線層Ｍ６、最上層の配線層ＭＨが形成されている。各配線層は、層間絶縁膜ＩＤおよび絶縁膜ＩＦからなる積層膜中に配線ＭＷおよびビアＶＩが埋め込まれたかたちで形成されている。第１配線層Ｍ１から第６配線層Ｍ６では、シングルダマシンプロセス或いはデュアルダマシンプロセスで形成された銅（Ｃｕ）配線および銅（Ｃｕ）ビアが主に採用される。また、トランジスタなどの各種素子が形成される層においては、銅（Ｃｕ）による各種素子の汚染を避けるため、タングステン（Ｗ）のコンタクトＣＯが主に用いられる。
【００６０】
最上層の配線層ＭＨにおいては、回路形成領域ではタングステン（Ｗ）ビアＴＶ上に最上層配線ＴＭが形成されている。また、パッド配置領域ではタングステン（Ｗ）ビアＴＶ上にパッド電極ＰＤが形成されている。最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤは、主にアルミニウム（ＡＬ）膜により形成される。最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤ上には、最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤ上を覆うように、ポリイミド樹脂などのパッシベーション膜（保護膜）ＰＦが形成されている。なお、パッド電極ＰＤ上のパッシベーション膜（保護膜）ＰＦは、一部が除去されており、パッド電極ＰＤの一部が表面に露出している。
【００６１】
この最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤは、比較的大きな電流が流れるため、他の配線層の配線に比べて膜厚が厚く形成される。例えば、４５μｍプロセス世代の製品では１．５μｍ〜２．０μｍ程度である。この最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤは、最上層の層間絶縁膜ＩＤ上にスパッタリング装置によりアルミニウム（ＡＬ）膜を成膜した後、ドライエッチング装置によりドライエッチング処理されて、最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤに加工される。最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤには膜厚の厚いアルミニウム（ＡＬ）膜が用いられるため、ドライエッチング処理の時間が長くなり、ドライエッチング装置のエッチングチャンバー内で生成する反応生成物の量も多くなる。
【００６２】
従って、エッチングチャンバー内のリフトピン穴ＬＨ内に堆積する反応生成物の量も多くなり、図９で説明したような反応生成物（デポ物）付着によるリフトピン抜けが生じ易くなる。
【００６３】
そこで、最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤを加工する際に使用するドライエッチング装置の定期メンテナンス時に実施例１で説明した清掃治具ＣＪや吸引孔付清掃治具ＣＪＶ、溶剤供給孔付清掃治具ＣＪＳを用いることでドライエッチング装置の停止時間を大幅に短縮することが可能となる。これにより、半導体製造ラインの生産性が飛躍的に向上する。
【００６４】
また、アルミニウム（ＡＬ）膜のドライエッチング処理に、実施例２で説明したリフトピン穴クリーニング機構を備えるドライエッチング装置を用いることもでき、同様に半導体製造ラインの生産性を向上することができる。
【００６５】
図７Ａから図７Ｅに、上記で説明した最上層配線ＴＭおよびパッド電極ＰＤの形成フローを示す。
【００６６】
先ず、タングステンビアＴＶが形成された最上層の層間絶縁膜ＩＤ上に、スパッタリング装置によりアルミニウム（ＡＬ）膜ＡＦを成膜する。（図７Ａ）
次に、塗布装置によりアルミニウム（ＡＬ）膜ＡＦ上にフォトレジスト膜ＰＲを塗布する。（図７Ｂ）
続いて、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜ＰＲに所望の回路パターン（ここでは、最上層配線ＴＭやパッド電極ＰＤのパターン）を転写し、現像装置により現像処理を行い、フォトレジスト膜ＰＲのマスクパターンを形成する。（図７Ｃ）
さらに、フォトレジスト膜ＰＲのマスクパターンをドライエッチングマスクとしてドライエッチング装置によりドライエッチング処理を行い、余分なアルミニウム（ＡＬ）膜ＡＦを除去する。このドライエッチング処理には、エッチング対象となる薄膜がアルミニウム（ＡＬ）膜である場合、主に塩素（ＣＬ２）／三塩化ホウ素（ＢＣＬ３）の混合ガスがプロセスガスとして用いられる。（図７Ｄ）
【００６７】
ここで、上記で説明したように、最上層配線ＴＭやパッド電極ＰＤのように膜厚の厚いアルミニウム（ＡＬ）膜のドライエッチング処理は処理時間が長くなる。そこで、このアルミニウム（ＡＬ）膜のドライエッチングに、実施例１で説明した先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去したドライエッチング装置を用いる。或いは、実施例２で説明したリフトピン穴クリーニング機構を備えるドライエッチング装置を用いる。
最後に、エッチングされずに残ったマスクパターン（フォトレジスト膜ＰＲ）を酸素（Ｏ２）プラズマなどによりアッシング処理することで、最上層配線ＴＭやパッド電極ＰＤが形成される。（図７Ｅ）
以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチング装置に代表される半導体製造装置の定期メンテナンスによる装置停止時間を短縮することができ、半導体製造ラインの生産性を飛躍的に向上することができる。
【００６８】
なお、実施例３においては、対象となる半導体製造装置をドライエッチング装置の例で示し、対象となるプロセスをアルミニウム（ＡＬ）膜のドライエッチングプロセスの例で示したが、これらに限定されるものではない。
【００６９】
対象となる半導体製造装置は、同様のウエハリフトピン構造を採用するものであれば良く、例えば、ＣＶＤ装置やスパッタリング装置等も対象となり得る。また、対象となるプロセスについても、アルミニウム（ＡＬ）膜のドライエッチングプロセス以外にも、チャンバー（処理室）内に多くの反応生成物が生成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜）のドライエッチングプロセスに用いることで、同様の効果を得ることができる。
【００７０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００７１】
ＥＣ…エッチングチャンバー、ＲＧ…高周波電源、ＣＳ…コイルソース、ＥＳ…静電チャック（ＥＳＣ）、ＬＰ…リフトピン、ＨＳ…ハウジング、ＬＧ…リフトピングリッパー、ＢＳ…ベース、ＳＴ…ステム、ＬＤ…リフトピンガイド、ＬＨ…リフトピン穴、ＬＳ…リフトピンスパイダー、ＡＣ…エアシリンダー、ＥＲ…エッジリング、ＷＦ…ウエハ、ＤＰ…反応生成物、ＣＪ…清掃治具、ＨＰ…把持部、ＢＡ…返し、ＣＪＶ…吸引孔付清掃治具、ＶＨ…吸引孔、ＣＪＳ…溶剤供給孔付清掃治具、ＳＨ…溶剤供給孔、ＰＰ…押し込み部、ＣＤ…クリーニング機構、ＳＳ…半導体基板、ＤＬ…拡散層、ＧＥ…ゲート電極、ＣＯ…コンタクト、ＩＤ…層間絶縁膜、ＩＦ…絶縁膜、ＭＷ…配線、ＶＩ…ビア、ＰＦ…パッシベーション膜（保護膜）、ＰＤ…パッド電極、ＴＶ…タングステン（Ｗ）ビア、ＴＭ…最上層配線、Ｍ１…第１配線層、Ｍ２…第２配線層、Ｍ３…第３配線層、Ｍ４…第４配線層、Ｍ５…第５配線層、Ｍ６…第６配線層、ＭＨ…最上層の配線層、ＡＦ…アルミニウム（ＡＬ）膜、ＰＲ…フォトレジスト膜。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【図９】
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