(57)【要約】      （修正有）【課題】ヒートサイクルで導体を介する接続信頼性が低下しがたい、隣接する導体間の間隔が小さい、高密度なインターポーザを提供する。【解決手段】第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２と第１面Ｆ１に垂直な第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有し、第３面Ｆ３上に積層されている複数の絶縁層３０１で形成されている絶縁板と、隣接する絶縁層３０１で挟まれ、第１面Ｆ１から露出する第１電極３６Ｄ１から第２面Ｆ２から露出する第２電極３６Ｄ２に延びる複数の略ストレートな導体３６を有する複数の導体層３６０とで形成される。絶縁層３０１は、隣接する導体層３６０間に形成されている導体層間絶縁層３０１Ａと一つの導体層３６０内の隣接する導体３６間に形成されている導体間絶縁層３０１Ｂで形成される第２絶縁層を含み、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは一体的に形成されているインターポーザ１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面に垂直な第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記第３面上に積層されている複数の絶縁層で形成されている絶縁板と、
隣接する前記絶縁層で挟まれ、前記第１面から露出する第１電極から前記第２面から露出する第２電極に延びる複数の略ストレートな導体を有する複数の導体層と、からなるインターポーザであって、
前記導体層で挟まれている前記絶縁層は、隣接する前記導体層間に形成されている導体層間絶縁層と一つの前記導体層内の隣接する前記導体間に形成されている導体間絶縁層で形成されている第２絶縁層を含み、前記導体層間絶縁層と前記導体間絶縁層は一体的に形成されている。
【請求項２】
請求項１のインターポーザであって、前記導体層間絶縁層と前記導体間絶縁層は単一の樹脂フィルムから形成されている。
【請求項３】
請求項１のインターポーザであって、さらに、前記絶縁板の略中央に前記絶縁板を貫通する電子部品収容用の開口を有する。
【請求項４】
請求項１のインターポーザであって、前記導体の断面形状は略矩形であって、前記導体の断面の各辺の長さは５μｍ以上、８０μｍ以下である。
【請求項５】
請求項１のインターポーザであって、前記第１電極は略直角に交わる直線の交点に位置している。
【請求項６】
請求項５のインターポーザであって、前記第１電極は、さらに、前記略直角に交わる直線で区画される最も小さな略矩形の略中央に位置している中心の第１電極を有している。
【請求項７】
請求項１のインターポーザであって、前記第１電極は、前記第１面から凹んでいる。
【請求項８】
請求項７のインターポーザであって、前記第２電極は、前記第２面から凹んでいる。
【請求項９】
請求項１のインターポーザであって、更に、前記第１電極と前記第２電極上に形成されている保護膜を有する。
【請求項１０】
請求項１のインターポーザであって、前記絶縁層は樹脂と補強材で形成され、前記導体は、前記補強材を貫通しない。
【請求項１１】
請求項１のインターポーザであって、前記絶縁層のそれぞれが単一の絶縁層で形成されている。
【請求項１２】
請求項１のインターポーザであって、前記導体は前記絶縁層を貫通しない。
【請求項１３】
請求項１の前記インターポーザと前記請求項１のインターポーザを搭載しているプリント配線板とからなる回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザと回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、５．０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有する中継基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５６６１９号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１は、特許文献１の図８や図９に、積層構造の中継基板を開示している。特許文献１の図８や図９に示されている中継基板では、導体柱が複数の絶縁層を貫通している。
特許文献１の図８や図９に示されている中継基板の各絶縁層が同じ材料で形成されても、隣接する絶縁層の物性を同じにすることは極めて難しいと考えられる。そのため、特許文献１の図８や図９に示されている中継基板がヒートサイクルを受けると、隣接する絶縁層の界面に応力が蓄えられると考えられる。そして、特許文献１の図８や図９の導体柱は隣接する絶縁層の界面を通過している。例えば、特許文献１の図８や図９の技術で隣接する導体柱間の距離が小さくなると、導体柱は細くなると推察される。導体柱が細くなると、応力の影響が大きくなると考えられる。従って、特許文献１の図８や図９の技術で導体柱が細くなると、導体柱を介する接続信頼性が低下すると予想される。そのため、特許文献１の図８や図９の技術で隣接する導体柱間の距離を小さくすることは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るインターポーザは、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面に垂直な第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記第３面上に積層されている複数の絶縁層で形成されている絶縁板と、隣接する前記絶縁層で挟まれ、前記第１面から露出する第１電極から前記第２面から露出する第２電極に延びる複数の略ストレートな導体を有する複数の導体層と、を有する。そして、前記導体層で挟まれている前記絶縁層は、隣接する前記導体層間に形成されている導体層間絶縁層と一つの前記導体層内の隣接する前記導体間に形成されている導体間絶縁層で形成されている第２絶縁層を含み、前記導体層間絶縁層と前記導体間絶縁層は一体的に形成されている。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態のインターポーザによれば、隣接する導体間の間隔を小さくすることができる。高密度なインターポーザを提供することができる。ヒートサイクルで導体を介する接続信頼性が低下しがたい。高い接続信頼性を有するインターポーザや回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態のインターポーザの模式図であり、図１（Ｂ）は導体の斜視図であり、図１（Ｃ）は配置Ａを示し、図１（Ｄ）は配置Ｂを示し、図１（Ｅ）は配置Ｃを示す。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】図５（Ａ）は第１実施形態のインターポーザの応用例の断面図であり、図５（Ｂ）は第２実施形態のインターポーザの応用例の断面図である。
【図６】図６（Ａ）は第２実施形態のインターポーザの平面図であり、図６（Ｂ）は実施形態の導体の断面と配置を示し、図６（Ｃ）は参考例の導体の断面と配置を示し、図６（Ｄ）は金属箔付きインターポーザを示す。
【図７】図７（Ａ）と図７（Ｄ）は実施形態のインターポーザを示し、図７（Ｂ）と図７（Ｃ）は参考例のインターポーザを示す。
【図８】図８（Ａ）は補強材を有する絶縁層の断面図であり、図８（Ｂ）は切断面ＣＦを示す図であり、図８（Ｃ）と図８（Ｄ）は導体の配置の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図５（Ａ）は第１実施形態のインターポーザ１０の応用例１１４の断面を示す。
応用例１１４は、プリント配線板１１０とプリント配線板１１０上に搭載されているインターポーザ１０とインターポーザ１０上に実装されている電子部品２９０Ａ、２９０Ｂを有している。インターポーザ１０とプリント配線板１１０は半田バンプ１７６Ｆを介して接続される。インターポーザ１０とプリント配線板１１０で回路基板１１２が形成される。図５（Ａ）では、インターポーザ１０上に複数の半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂが実装されていて、半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂとインターポーザ１０は、半田バンプ２７６を介して接続される。半導体素子２９０Ａの例はＩＣチップであり、半導体素子２９０Ｂの例はメモリである。
【０００９】
プリント配線板１１０は、コア基板１３０を有する。コア基板１３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板１２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層１３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層１３４Ｓを有する。コア基板はさらに第１導体層１３４Ｆと第２導体層１３４Ｓとを接続しているスルーホール導体１３６を有する。
【００１０】
絶縁基板１２０ｚの第１面Ｆと第１導体層１３４Ｆ上に最上の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。樹脂絶縁層１５０Ｆ上に最上の導体層１５８Ｆが形成されている。導体層１５８Ｆと第１導体層１３４Ｆやスルーホール導体１３６は、樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する最上のビア導体１６０Ｆで接続されている。
【００１１】
絶縁基板１２０ｚの第２面Ｓと第２導体層１３４Ｓ上に最下の樹脂絶縁層１５０Ｓが形成されている。樹脂絶縁層１５０Ｓ上に最下の導体層１５８Ｓが形成されている。導体層１５８Ｓと第２導体層１３４Ｓやスルーホール導体１３６は、樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する最下のビア導体１６０Ｓで接続されている。
【００１２】
最上の樹脂絶縁層１５０Ｆ及び最上の導体層１５８Ｆ上に開口１７１Ｆを有する第１のソルダーレジスト層１７０Ｆが形成されている。開口１７１Ｆから露出する導体層１５８Ｆはパッドを形成し、パッド上に第１の半田バンプ１７６Ｆが形成されている。
【００１３】
最下の樹脂絶縁層１５０Ｓ及び最下の導体層１５８Ｓ上に開口１７１Ｓを有する第２のソルダーレジスト層１７０Ｓが形成されている。開口１７１Ｓから露出する導体層１５８Ｓはパッドを形成し、パッド上に第２の半田バンプ１７６Ｓが形成されている。
【００１４】
図１（Ａ）に、第１実施形態のインターポーザ１０の模式図とＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸が示されている。インターポーザ１０の形状は略立方体である。図１（Ａ）に示されるように、インターポーザ１０は第１面Ｆ１を有する。第１面Ｆ１上に図５（Ｂ）に示される第２のプリント配線板２１０が搭載される。あるいは、図５（Ａ）に示されるように、第１面Ｆ１上に半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂが直接実装される。インターポーザ１０の第１面Ｆ１と第２のプリント配線板２１０が対向する。インターポーザ１０の第１面Ｆ１と半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂが対向する。第１面Ｆ１はＸ−Ｙ平面と略平行である。第１面Ｆ１はＸ軸に平行な辺ＬｘとＹ軸に平行な辺Ｌｙを有し、辺Ｌｘの長さｘは５００μｍ以上、２０００μｍ以下であり、辺Ｌｙの長さｙは５００μｍ以上、２０００μｍ以下である。
図１（Ａ）に示されるように、インターポーザ１０は第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有する。図５（Ａ）や図５（Ｂ）に示されるプリント配線板１１０上にインターポーザ１０の第２面Ｆ２が搭載される。インターポーザ１０の第２面Ｆ２とプリント配線板１１０が対向する。第２面Ｆ２はＸ−Ｙ平面と略平行である。
インターポーザ１０は第１面Ｆ１に垂直な第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４を有する。第３面Ｆ３はＹ−Ｚ平面と略平行である。第４面Ｆ４はＹ−Ｚ平面と略平行である。
インターポーザ１０は、第３面Ｆ３上に積層されている複数の絶縁層３０１を有し、複数の絶縁層３０１で絶縁板３０１０が形成される。各絶縁層３０１の主面はＹ−Ｚ平面に略平行である。第３面Ｆ３はＺ軸に平行な辺Ｌｚを有し、辺Ｌｚの長さｚは５０μｍ以上、２００μｍ以下である。辺Ｌｚの長さｚは辺Ｌｘの長さｘより小さい。辺Ｌｘと辺Ｌｚの比（長さｘ／長さｚ）は２．５以上、４０以下である。辺Ｌｚの長さｚは辺Ｌｙの長さｙより小さい。辺Ｌｙと辺Ｌｚの比（長さｙ／長さｚ）は２．５以上、４０以下である。
【００１５】
図１（Ａ）に示されるように、インターポーザ１０は複数の導体層３６０を有する。各導体層３６０は複数の導体３６で形成されている。各導体３６は略平行に形成されている。また、各導体層３６０は隣接する絶縁層３０１で挟まれている。図１（Ａ）では、導体層３６０と導体３６は簡単に表されている。第１面Ｆから露出する導体の端部のみが描かれている。各導体３６の断面形状は略矩形である。導体３６の断面はＸ−Ｙ平面上に形成される。導体３６の一端は第１面Ｆ１から露出し、他端は第２面Ｆ２から露出する。第１面Ｆ１から露出する導体３６の端部は第１電極３６Ｄ１であり、第２面Ｆ２から露出する導体３６の端部は第２電極３６Ｄ２である。第２電極Ｄ２は図１（Ａ）に示されていない。図１（Ｂ）に第１電極３６Ｄ１と第２電極３６Ｄ２を有する１つの導体３６とＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸が示されている。導体３６は第１電極３６Ｄ１から第２電極３６Ｄ２に向かって略真っすぐに延びている。導体３６は第１面Ｆ１に対し略垂直に形成されている。導体３６はＺ軸に略平行に形成されている。導体３６はＹ−Ｚ平面上に形成されている。
【００１６】
図１（Ｃ）と図１（Ｄ）、図１（Ｅ）に絶縁層３０１と導体層３６０の配置の例を示す。各図に隣接する導体層３６０、３６０と隣接する導体層３６０、３６０で挟まれる１つの絶縁層３０１が示されている。図１（Ｃ）と図１（Ｄ）に示される絶縁層３０１は第２絶縁層である。図中の絶縁層３０１は下面ＬＦと下面ＬＦと反対側の上面ＵＦを有する。また、図中下に描かれている導体層３６０は下側の導体層３６０Ｌであり、図中上に描かれている導体層３６０は上側の導体層３６０Ｕである。図１（Ｃ）の例は配置Ａであり、図１（Ｄ）の例は配置Ｂであり、図１（Ｅ）の例は配置Ｃである。
配置Ａでは、下側の導体層３６０Ｌは絶縁層３０１に埋まっていて、上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１上に形成されている。上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１の上面ＵＦから突出している。
配置Ｂでは、下側の導体層３６０Ｌは絶縁層３０１に埋まっていて、上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１上に埋まっている。
配置Ｃでは、下側の導体層３６０Ｌは絶縁層３０１上に形成され、上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１上に形成されている。上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１の上面ＵＦから突出している。下側の導体層３６０Ｌは絶縁層３０１の下面ＬＦから突出している。
実施形態のインターポーザ１０は、配置Ａと配置Ｂと配置Ｃの中から選ばれる少なくとも１つの配置を有する。インターポーザ１０は配置Ａのみで形成されても良い。インターポーザ１０は配置Ａと配置Ｂを有しても良い。インターポーザ１０は配置Ａと配置Ｂと配置Ｃを有しても良い。
【００１７】
配置Ａの絶縁層（第２絶縁層）３０１は、図１（Ｃ）に示されるように、隣接する導体層３６０Ｕ、３６０Ｌ間に形成されている導体層間絶縁層３０１Ａと一つの導体層３６０Ｌ内の隣接する導体３６間に形成されている導体間絶縁層３０１Ｂで形成されている。図１（Ｃ）の絶縁層３０１内に点線が描かれている。点線は、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂの境界を示している。しかしながら、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは一体的に形成されているので、点線は界面を示していない。配置Ａでは、絶縁層３０１は１つの導体層間絶縁層３０１Ａと１つの導体間絶縁層３０１Ｂで形成されている。
配置Ｂの絶縁層（第２絶縁層）３０１は、図１（Ｄ）に示されるように、隣接する導体層３６０Ｕ、３６０Ｌ間に形成されている導体層間絶縁層３０１Ａと一つの導体層３６０Ｕ、３６０Ｌ内の隣接する導体３６間に形成されている導体間絶縁層３０１Ｂで形成されている。図１（Ｄ）の絶縁層３０１内に点線が描かれている。点線は、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂの境界を示している。しかしながら、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは一体的に形成されているので、点線は界面を示していない。配置Ｂでは、絶縁層３０１は１つの導体層間絶縁層３０１Ａと２つの導体間絶縁層３０１Ｂで形成されている。
導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは同時に形成されている。導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは一体的に形成されている。導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは１つの樹脂フィルムから形成されている。各絶縁層３０１は単一の絶縁層で形成されている。全ての絶縁層３０１は単一の絶縁層で形成されている。従って、配置Ａと配置Ｂの絶縁層３０１は単一の絶縁層で形成されている。第２絶縁層は導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂで形成される。
配置Ｃでは、下側の導体層３６０Ｌと上側の導体層３６０Ｕは絶縁層３０１に埋まっていない。そのため、配置Ｃの絶縁層３０１の厚みＤ１は均一になりやすい。配置Ｃの下側の導体層３６０Ｌ内の導体３６と上側の導体層３６０Ｕ内の導体３６は信号を伝送するための導体であることが好ましい。例えば、絶縁層３０１を介して向かい合っている２つの導体３６ＳＵ、３６ＳＬが信号を伝送するための導体であることが好ましい。特性インピーダンスの制御が容易になる。データが導体３６を通過している時、データが劣化しがたい。
配置Ｃの絶縁層３０１の厚みＤ１は均一になりやすい。そのため、配置Ｃの上側の導体層３６０Ｕ内の導体３６が電源用の導体であって、配置Ｃの下側の導体層３６０Ｌ内の導体３６がアース用の導体であることが好ましい。図１（Ｅ）内の上側の導体層３６０Ｕ内の導体３６Ｐと下側の導体層３６０Ｌ内の導体３６Ｅは絶縁層３０１を介して向かい合っている。そして、導体３６Ｐが電源用の導体であって、導体３６Ｅがアース用の導体であることが好ましい。絶縁層３０１の厚みが均一なので、電源とアースが向かい合っても、絶縁信頼性が低下しがたい。
【００１８】
図６（Ｂ）に、実施形態の導体３６の断面と配置を示す。図６（Ｃ）に、参考例の導体３６Ｒの断面と配置を示す。図６（Ｂ）の導体３６の断面は正方形であり、一辺の長さはａ１μｍである。図６（Ｃ）の導体３６Ｒの断面は円であり、直径はａ１μｍである。導体３６の断面の一辺の長さと導体３６Ｒの断面の直径は等しい。図６（Ｂ）の導体３６の配置と図６（Ｃ）の導体３６Ｒの配置は同様である。隣接する導体３６間の距離と隣接する導体３６Ｒ間の距離は等しく、両者の距離はｂ１μｍである。図６（Ｂ）の導体３６と図６（Ｃ）の導体３６Ｒが同様に配置されると、導体３６の断面積は導体３６Ｒの断面積より大きくなる。導体３６の断面が略矩形であると、導体３６の抵抗が小さくなる。導体３６の強度が高くなるので、ヒートサイクルで導体３６が劣化しがたい。導体３６を介する接続信頼性が高くなる。導体３６と絶縁層３０１との間の接触面積が大きくなる。導体３６から絶縁層３０１が剥がれがたくなる。
【００１９】
図７（Ａ）に、実施形態のインターポーザ１０の断面が示され、図７（Ｂ）に、参考例のインターポーザ１０Ｒの断面が示される。図７（Ａ）と図７（Ｂ）にＸ軸とＹ軸、Ｚ軸が示されている。図７（Ａ）のインターポーザ１０の絶縁層３０１はＹ−Ｚ平面に平行に形成されていて、図７（Ｂ）のインターポーザ１０Ｒの絶縁層３０１ＲはＸ−Ｙ平面に平行に形成されている。図７（Ａ）のインターポーザ１０の絶縁層３０１の数と図７（Ｂ）のインターポーザ１０Ｒの絶縁層３０１Ｒの数は同じである。両者の絶縁層の数は５である。図７（Ａ）のインターポーザ１０では、絶縁層３０１は左から絶縁層３０１１、絶縁層３０１２、絶縁層３０１３、絶縁層３０１４、絶縁層３０１５である。図７（Ｂ）のインターポーザ１０では、絶縁層３０１Ｒは下から絶縁層３０１１Ｒ、絶縁層３０１２Ｒ、絶縁層３０１３Ｒ、絶縁層３０１４Ｒ、絶縁層３０１５Ｒである。
また、図７（Ａ）のインターポーザ１０はＺ軸に平行な導体３６を有し、導体３６は隣接する絶縁層３０１間に形成されている。図７（Ｂ）のインターポーザ１０はＺ軸に平行な導体３６Ｒを有し、導体３６Ｒは全ての絶縁層３０１Ｒを貫通している。導体３６、３６Ｒは線で描かれている。図７（Ａ）のインターポーザ１０の各絶縁層３０１の物性を同じにすることは難しい。そのため、インターポーザ１０がヒートサイクルを受けると、隣接する絶縁層３０１の界面Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４にストレスが蓄積すると考えられる。
図７（Ａ）では、導体３６は隣接する絶縁層３０１で挟まれるので、例えば、絶縁層３０１１と絶縁層３０１２に挟まれる導体３６は界面Ｉ１からストレスを受ける。図７（Ａ）の例では、導体３６は１つの界面からストレスを受け、そのストレスは導体３６の４つの側面に働く。
図７（Ｂ）のインターポーザ１０の各絶縁層３０１Ｒの物性を同じにすることは難しい。そのため、インターポーザ１０Ｒがヒートサイクルを受けると、隣接する絶縁層の界面Ｉ１Ｒ、Ｉ２Ｒ、Ｉ３Ｒ、Ｉ４Ｒにストレスが蓄積すると考えられる。図７（Ｂ）では、導体３６Ｒは全ての絶縁層３０１Ｒを貫通するので、導体３６Ｒは全ての界面Ｉ１Ｒ、Ｉ２Ｒ、Ｉ３Ｒ、Ｉ４Ｒからストレスを受ける。図７（Ｂ）の例では、導体３６Ｒは４つの界面からストレスを受け、そのストレスは導体３６の断面に働く。
図７（Ａ）の例と図７（Ｂ）の例が比較されると、図７（Ｂ）の導体３６Ｒは４つの界面からストレスを受けるのに対し、図７（Ａ）の導体３６は１つの界面からストレスを受ける。このように、図７（Ｂ）の例は図７（Ａ）の例より多くのストレスを受けると考えられる。そして、図７（Ｂ）の例では、ストレスが導体３６Ｂの断面に働くのに対し、図７（Ａ）の例では、ストレスが導体３６の側面に働く。ストレスを受ける面積が比較されると、図７（Ａ）の例が図７（Ｂ）の例より大きいと考えらえる。従って、図７（Ａ）の導体３６と図７（Ｂ）の導体３６Ｒが同様なヒートサイクルを受けると、図７（Ｂ）の導体３６Ｒを介する接続信頼性は、図７（Ａ）の導体３６を介する接続信頼性より低くなりやすい。
【００２０】
実施形態では、複数の絶縁層３０１が第３面Ｆ３上に積層されている。そのため、隣接する絶縁層３０１、３０１の界面がＹ−Ｚ平面に位置する。従って、Ｘ軸に平行な力に対し、インターポーザ１０は弱いかもしれない。図５（Ａ）に示されるように、インターポーザ１０はプリント配線板１１０と半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂで挟まれている。インターポーザ１０の熱膨張係数とプリント配線板１１０の熱膨張係数を同じにすることは難しい。インターポーザ１０の熱膨張係数と半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂの熱膨張係数を同じにすることは難しい。そのため、インターポーザがＸ軸に平行な力を受けると考えられ
る。Ｘ軸に平行な力に起因する不具合がインターポーザ１０に発生するかもしれない。絶縁層にクラックが発生するかもしれない。そのクラックにより導体３６が断線するかもしれない。そのようなリスクを小さくするため、実施形態では、配置Ａと配置Ｂの各絶縁層３０１は導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂで形成され、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂは１つの樹脂層から形成されている。従って、導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂとの間に界面は存在しない。Ｙ−Ｚ平面に平行な界面が少なくなるので、インターポーザがＸ軸に平行な力を受けても不具合が発生しがたい。不具合の発生を防止するため、導体層間絶縁層３０１Ａは補強材と無機粒子と樹脂で形成される。導体間絶縁層３０１Ｂは無機粒子と樹脂で形成される。補強材で絶縁層が強化される。補強材でインターポーザ１０が強化される。導体３６を細くすることができる。例えば、導体３６の断面の辺ａ、ｂの長さａ２、ｂ２は１０μｍ以上、３０μｍ以下である。補強材の例はガラスクロスや無機繊維や樹脂繊維である。補強材は第３面（Ｙ−Ｚ平面）に平行に形成されている。補強材は絶縁層３０１の主面に平行に形成されている。導体３６が補強材を貫通しない。補強材に貫通孔が形成されないので、補強材の強度が低下しない。また、図７（Ｃ）に示されるように、隣接する導体３６Ｒ、３６Ｒが同じ補強材ＲＭを貫通すると、隣接する導体３６Ｒ、３６Ｒ間の補強材ＲＭに沿ってマイグレーションが発生しやすい。しかしながら、実施形態では、導体３６が補強材を貫通しないので、補強材に起因する導体３６間の短絡を防止することができる。隣接する導体３６間のピッチＰを小さくすることができる。隣接する導体３６の中心間の距離がピッチＰである。もしくは、隣接する導体３６の重心間の距離がピッチＰである。ピッチＰの例は、３０μｍ以上、５０μｍ以下である。無機粒子の例はシリカ粒子やアルミナ粒子である。樹脂の例
はエポキシやポリイミドである。導体層間絶縁層３０１Ａの無機粒子と導体間絶縁層３０１Ｂの無機粒子は同じである。導体層間絶縁層３０１Ａの樹脂と導体間絶縁層３０１Ｂの樹脂は同じである。導体間絶縁層３０１Ｂが補強材を有しないと、マイグレーションによるショートが防止される。
【００２１】
図８（Ｃ）と図８（Ｄ）に導体３６の配置や形状の例が示される。導体３６の配置や形状は第１電極３６Ｄ１の配置や形状で説明される。図８（Ｃ）や図８（Ｄ）にＸ軸に平行な直線ＸとＹ軸に平行な直線Ｙが描かれている。直線Ｘと直線Ｙは略直角に交差している。図８（Ｃ）の例では、直線Ｘと直線Ｙの各交点に第１電極（交点上の第１電極）３６Ｄ１Ｃが配置されている。図８（Ｃ）の例では、第１電極３６Ｄ１は交点上の第１電極３６Ｄ１Ｃで形成される。図８（Ｄ）の例では、第１電極３６Ｄ１は交点上の第１電極３６Ｄ１Ｃと中心の第１電極３６Ｄ１Ｔで形成されている。中心の第１電極３６Ｄ１Ｔは、直線Ｘと直線Ｙで区画される最も小さな略矩形の略中央に位置している。第２電極３６Ｄ２の配置は第１電極３６Ｄ１の配置と同様である。
【００２２】
図８（Ｃ）や図８（Ｄ）の第１電極３６Ｄ１の形状は略矩形であり、第１電極３６Ｄ１は辺ａと辺ｂを有する。実施形態の導体３６は複数の絶縁層３０１を貫通していない。また、絶縁層３０１は単一の絶縁層で形成されている。そのため、導体３６を細くすることができる。導体３６が細いと、Ｘ−Ｙ方向のインターポーザ１０のサイズが小さくなる。導体ポスト３６の断面に働くストレスが小さくなる。従って、辺ａの長さａ２や辺ｂの長さｂ２が５μｍ以上、８０μｍ以下であっても、導体３６にクラックが入りがたい。ヒートサイクルで導体３６を介する接続信頼性が低下しがたい。導体３６が太くなると、Ｘ−Ｙ方向のインターポーザ１０のサイズが大きくなる。導体ポスト３６の断面に働くストレスが大きくなる。辺ａの長さａ２や辺ｂの長さｂ２が８０μｍを越えると、導体３６を介する接続信頼性が低下しやすい。辺ａの長さａ２や辺ｂの長さｂ２が５μｍ未満であると、導体３６が細いため、導体３６を介する接続信頼性が低下しやすい。
【００２３】
図８（Ｃ）や図８（Ｄ）にピッチＰとスペースＳが示されている。スペースＳは隣接する導体３６間の距離である。ピッチＰやスペースＳは５μｍ以上、８０μｍ以下である。高密度なインターポーザ１０を提供することができる。スペースＳが１５μｍ以上、２５μｍ以下であって、ピッチＰが３０μｍ以上、５０μｍ以下であると、隣接する導体３６間の距離が適切である。導体３６を介するデータの伝送距離が短くなる。データが導体３６を伝送している時、データが劣化しがたい。
【００２４】
辺ａの長さａ２や辺ｂの長さｂ２が１５μｍ以上、２５μｍ以下であって、ピッチＰが３５μｍ以上、４５μｍ以下であると、導体３６の太さやピッチＰが適切である。そのため、Ｘ−Ｙ方向のインターポーザ１０のサイズが適切になる。適切なサイズを有するインターポーザ１０が導体３６で補強される。ヒートサイクルでインターポーザ１０の反りが小さくなる。プリント配線板１１０に実装されているＩＣチップと第２のプリント配線板２１０に実装されているメモリがインターポーザ１０の導体３６を介して接続されても、ＩＣチップの熱によりメモリが誤動作しがたい。
【００２５】
図７（Ｄ）は、実施形態のインターポーザ１０の一部を示す断面図である。図７（Ｄ）のインターポーザは第１面Ｆ１と第２面Ｆ２と導体３６と第１電極３６Ｄ１と第１電極３６Ｄ１の上面３６Ｄ１Ｕと第２電極３６Ｄ２と第２電極３６Ｄ２の上面３６Ｄ２Ｕと絶縁層３０１と絶縁板３０１０とを有する。上面３６Ｄ１Ｕは第１面Ｆ１から露出する面であり、上面３６Ｄ２Ｕは第２面Ｆ２から露出する面である。上面３６Ｄ１Ｕと第１面Ｆ１は共通な平面を形成してよいが、図７（Ｄ）では、上面３６Ｄ１Ｕと第１面Ｆ１は同一の平面上に位置していない。上面３６Ｄ１Ｕは第１面Ｆ１から凹んでいる。上面３６Ｄ１Ｕと第１面Ｆ１との間の距離Ｋ１は１μｍ以上、１０μｍ以下である。上面３６Ｄ２Ｕと第２面Ｆ２は共通な平面を形成してよいが、図７（Ｄ）では、上面３６Ｄ２Ｕと第２面Ｆ２は同一の平面上に位置していない。上面３６Ｄ２Ｕは第２面Ｆ２から凹んでいる。上面３６Ｄ２Ｕと第２面Ｆ２との間の距離Ｋ２は１μｍ以上、１０μｍ以下である。インターポーザ１０が距離Ｋ１、Ｋ２を持つので、導体３６が衝撃を直接受けない。導体３６が細くても、導体３６が長期に安定である。隣接する第１電極３６Ｄ１間の絶縁信頼性が高い。隣接する第２電極３６Ｄ２間の絶縁信頼性が高い。第１電極３６Ｄ１と第２電極３６Ｄ２上にバンプが形成されても、隣接するバンプ間の絶縁信頼性が高い。
【００２６】
第１電極３６Ｄ１の上面３６Ｄ１Ｕ上に第１電極３６Ｄ１の酸化を防止するための保護膜７２Ｕを形成することができる。保護膜７２Ｕは第１面Ｆ１から露出する面（上面）を有し、保護膜７２Ｕの上面は第１面Ｆ１から凹んでいる。保護膜７２Ｕの上面と第１面Ｆ１との間の距離Ｋ３は１μｍ以上、１０μｍ以下である。第２電極３６Ｄ２の上面３６Ｄ２Ｕ上に第２電極３６Ｄ２の酸化を防止するための保護膜７２Ｌを形成することができる。保護膜７２Ｌは第２面Ｆ２から露出する面（上面）を有し、保護膜７２Ｌの上面は第２面Ｆ２から凹んでいる。保護膜７２Ｌの上面と第２面Ｆ２との間の距離Ｋ４は１μｍ以上、１０μｍ以下である。距離Ｋ３、Ｋ４が存在すると、導体３６が衝撃を直接受けない。導体３６が細くても、導体３６が長期に安定である。隣接する第１電極３６Ｄ１間の絶縁信頼性が高い。隣接する第２電極３６Ｄ２間の絶縁信頼性が高い。第１電極３６Ｄ１と第２電極３６Ｄ２上にバンプが形成されても、隣接するバンプ間の絶縁信頼性が高い。
保護膜７２Ｕ、７２Ｌの例は、Ｎｉ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜である。
【００２７】
[第１実施形態のインターポーザの製造方法]
第１実施形態のインターポーザ１０の製造方法が図２〜図４に示される。
第１支持板２０ｚと金属箔２４が準備される（図２（Ａ））。図２（Ａ）では、第１支持板２０ｚ上に金属箔２４が積層されている。第１支持板２０ｚの例は金属板や両面銅張積層板である。金属箔２４の例は銅箔やニッケル箔である。
銅箔２４上に導体３６を形成するためのめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔２４上に電解めっきにより電解めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜から成る導体３６を有する導体層（第１導体層）３６０が形成される（図２（Ｂ））。第１導体層３６０は複数の導体３６を有し、各導体３６は略平行に並んでいる。第１導体層３６０に含まれる導体３６は電解めっき膜のみで形成されている。
図２（Ｂ）の導体３６の辺ａの長さａ２と辺ｂの長さｂ２は２０μｍであり、スペースＳは２０μｍである。
【００２８】
第１導体層３６０と銅箔２４上に絶縁層３０１が形成される（図２（Ｃ））。絶縁層３０１の厚みＤ１は２０μｍである。
絶縁層３０１は樹脂と補強材と粒子とからなる樹脂フィルムから形成される。樹脂フィルムが第１導体層３６０と銅箔２４上に積層され、加熱プレスが行われる。樹脂フィルム中の樹脂と無機粒子が導体３６間を充填する。導体３６間の樹脂が硬化する。樹脂と無機粒子とからなる導体間絶縁層３０１Ｂが形成される。樹脂フィルムから樹脂と補強材と無機粒子とからなる導体層間絶縁層３０１Ａが第１導体層３６０と導体間絶縁層３０１Ｂ上に形成される。絶縁層３０１は補強材を有する。絶縁層３０１上にシード層が形成される。シード層上に導体３６を形成するためのめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出するシード層上に電解めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜から露出するシード層が除去される。シード層は無電解めっきやスパッタで形成される。シード層とシード層上の電解めっき膜から成る導体層（第２導体層）３６０が形成される（図２（Ｄ））。絶縁層３０１上に第２導体層３６０が形成される。第２導体層３６０は複数の導体３６を有し、各導体３６は略平行に並んでいる。第２導体層３６０に含まれる導体３６は電解めっき膜とシード層で形成されている。これにより、銅箔２４上の第１導体層３６０と第１導体層３６０上の絶縁層３０１と絶縁層３０１上の第２導体層３６０とから成る第１中間体３０ａが形成される。第１中間体３０ａと銅箔２４で第１途中基板３００ａが形成される。絶縁層３０１は第１導体層３６０と第２導体層３６０で挟まれている。シード層の例は無電解銅めっき膜や銅からなるスパッタ膜である。電解めっき膜の例は電解銅めっき膜や電解銀めっき膜である。
【００２９】
第１支持板２０ｚと銅箔２４、第１中間体３０ａを貫通する位置決め用貫通孔４０２が形成される（図３（Ａ））。第１支持板２０ｚと銅箔２４を分離することで、第１支持板２０ｚから第１中間体３０ａが分離される。第１途中基板３００ａが第１支持板２０ｚから分離される（図３（Ｂ））。２つの第１途中基板３００ａと絶縁層３０１を形成するための樹脂フィルム３０２が準備される。樹脂フィルム３０２は位置決め用貫通孔４０２を有する。樹脂と補強材と無機粒子とを含む樹脂フィルム３０２が２つの第１途中基板３００ａで挟まれるように、樹脂フィルム３０２と２つの途中基板３００ａが積層される。貫通孔４０２にピン４０６を挿入することで、２つの第１中間体３０ａ内の導体３６の位置が整合される（図３（Ｃ））。樹脂フィルム３０２を硬化することで、樹脂フィルム３０２から導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂとからなる絶縁層３０１が形成される。導体層間絶縁層３０１Ａは補強材を有する。２つの第１中間体３０ａが絶縁層３０１で接着される。第１中間体３０ａに積層されている銅箔（第１途中基板３００ａを形成している銅箔）２４が除去される。２つの第１中間体３０ａ、３０ａと２つの第１中間体３０ａ、３０ａで挟まれる絶縁層３０１とから成る第２中間体３０ｂが形成される（図３（Ｄ））。第２中間体３０ｂは図１（Ｄ）に示される１つの配置Ｂと図１（Ｃ）に示される２つの配置Ａで形成されている。配置Ｂが２つの配置Ａで挟まれている。図１（Ｃ）の配置Ａの上側の導体層３６０Ｕと図１（Ｄ）の配置Ｂの上側の導体層３６０Ｕが対向するように、配置Ｂ上に絶縁層３０１を介して配置Ａが積層されている。また、図１（Ｄ）の配置Ｂの下側の導体層３６０Ｌと図１（Ｃ）の配置Ａの上側の導体層３６０Ｕが対向するように、配置Ｂ上に絶縁層３０１を介して配置Ａが積層されている。
【００３０】
３つの第２中間体３０ｂと絶縁層３０１を形成するための２つの樹脂フィルム３０２が準備される。各第２中間体３０ｂと各樹脂フィルム３０２に位置決め用貫通孔４０８が形成される（図４（Ａ））。１つの樹脂フィルム３０２が２つの第２中間体３０ｂで挟まれるように、第２中間体３０ｂと樹脂フィルム３０２が積層される。貫通孔４０８にピン４１０を挿入することで、各第２中間体３０ｂ内の導体３６の位置が整合される（図４（Ａ））。樹脂フィルム３０２を硬化することで、樹脂フィルム３０２から補強材を有する絶縁層３０１が形成される。隣接する第２中間体３０ｂが絶縁層３０１で接着される。３つの第２中間体３０ｂ、３０ｂ、３０ｂと第２中間体で挟まれる絶縁層３０１、３０１とから成る第３中間体３０ｃが形成される（図４（Ｂ））。
【００３１】
第３中間体３０ｃの両面に絶縁層３０１、３０１が形成される。第３中間体３０ｃの両面に積層される絶縁層３０１、３０１は第１の最外の絶縁層３０４１と第２の最外の絶縁層３０４２である。第１の最外の絶縁層３０４１は第３面Ｆ３を有し、第３面Ｆ３は外に露出する。第２の最外の絶縁層３０４２は第４面Ｆ４を有し、第４面Ｆ４は外に露出する。第１の最外の絶縁層３０４１の厚みＤ２と第２の最外の絶縁層３０４２の厚みＤ３は、それ以外の絶縁層（内側の絶縁層）の厚みより厚くてもよい。インターポーザ１０の強度が高くなる。ヒートサイクルで導体３６が劣化しがたい。最外の絶縁層３０４１、３０４２以外の絶縁層（内側の絶縁層）３０１の厚みＤ１は隣接する導体層間の距離である。第１の最外の絶縁層３０４１の厚みＤ２は第３面Ｆ３と第１の最外の絶縁層３０４１上に形成されている導体層３６０との間の距離である。第２の最外の絶縁層３０４２の厚みＤ３は第４面Ｆ４と第２の最外の絶縁層３０４２上に形成されている導体層３６０との間の距離である。厚みＤ１は図１（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示されている。厚みＤ２、Ｄ３は図４（Ｃ）に示されている。厚みＤ２と厚みＤ１との比（厚みＤ２／厚みＤ１）は１．２以上、２以下である。厚みＤ３と厚みＤ１の比（厚みＤ３／厚みＤ１）は１．２以上、２以下である。インターポーザ１０のサイズと強度が適切である。ヒートサイクルで導体３６が劣化しがたい。内側の絶縁層は第１の最外の絶縁層３０４１と第２の最外の絶縁層３０４２との間に形成されている絶縁層３０１である。
【００３２】
第３中間体３０ｃの両面に最外の絶縁層３０４１、３０４２を積層することで、インターポーザ１０が完成する（図４（Ｃ））。あるいは、複数のインターポーザ１０を有する第４中間体１０Ｉ４が完成する。あるいは、製品以外の領域とインターポーザ１０を有する第５中間体１０Ｉ５が完成する。あるいは、製品以外の領域と複数のインターポーザ１０を有する第６中間体１０Ｉ６が完成する。
【００３３】
図６（Ｄ）に示されるように、第１の最外の絶縁層３０４１の第３面Ｆ３上に金属箔４１６を積層することができる。第２の最外の絶縁層３０４２の第４面Ｆ４上に金属箔４１６を積層することができる。金属箔付きインターポーザ１０Ｍが完成する。あるいは、複数の金属箔付きインターポーザ１０Ｍを有する第７中間体１０Ｍ７が完成する。あるいは、製品以外の領域と金属箔付きインターポーザ１０Ｍを有する第８中間体１０Ｍ８が完成する。あるいは、製品以外の領域と複数の金属箔付きインターポーザ１０Ｍを有する第９中間体１０Ｍ９が完成する。金属箔４１６の例は、銅箔やニッケル箔である。金属箔付きインターポーザ１０Ｍによれば、金属箔４１６によりインターポーザ１０内の導体３６がシールドされる。データが導体３６を伝送する時、データが劣化しがたい。
【００３４】
第４中間体１０Ｉ４から個々のインターポーザ１０を製造するため、第４中間体１０Ｉ４は切断される。第４中間体１０Ｉ４を切断する面は導体３６に略垂直である。第４中間体１０Ｉ４を切断する面はＸ−Ｙ平面と略平行である。インターポーザ１０の第１面Ｆ１と第２面Ｆ２は切断面である。図８（Ｂ）に切断面ＣＦが示されている。図８（Ｂ）では、第４中間体１０１４は５つのインターポーザ１０に分割される。
【００３５】
第７中間体１０Ｍ７から個々の金属箔付きインターポーザ１０Ｍを製造するため、第７中間体１０Ｍ７は切断される。第７中間体１０Ｍ７を切断する面は導体３６に略垂直である。第７中間体１０Ｍ７を切断する面はＸ−Ｙ平面と略平行である。金属箔付きインターポーザ１０Ｍの第１面Ｆ１と第２面Ｆ２は切断面である。
【００３６】
第５中間体１０Ｉ５からインターポーザ１０を製造するため、製品以外の領域は切断で除去される。第５中間体１０Ｉ５を切断する面は導体３６に略平行である。第５中間体１０Ｉ５を切断する面はＹ−Ｚ平面と略平行である。第５中間体１０１５は図４（Ｃ）の直線ＣＴ１に沿って切断される。位置決め用貫通孔４０２、４０８は製品以外の領域に形成されている。
【００３７】
第８中間体１０Ｍ８から金属箔付きインターポーザ１０Ｍを製造するため、製品以外の領域は切断で除去される。第８中間体１０Ｍ８を切断する面は導体３６に略平行である。第８中間体１０Ｍ８を切断する面はＹ−Ｚ平面と略平行である。第８中間体１０Ｍ８は図６（Ｄ）の直線ＣＴ２に沿って切断される。位置決め用貫通孔４０２、４０８は製品以外の領域に形成されている。
【００３８】
第６中間体１０Ｉ６から個々のインターポーザ１０を製造するため、第６中間体１０Ｉ６は切断で分割される。また、製品外の領域が切断で除去される。第６中間体１０Ｉ６を分割する面は導体３６に略垂直である。第６中間体１０Ｉ６を分割する面はＸ−Ｙ平面と略平行である。製品外の領域を除去するため、第６中間体１０Ｉ６を切断する面は導体３６に略平行である。製品外の領域を除去するための切断面はＹ−Ｚ平面と略平行である。インターポーザ１０の第１面Ｆ１と第２面Ｆ２は切断面である。
【００３９】
第９中間体１０Ｍ９から個々の金属箔付きインターポーザ１０を製造するため、第９中間体１０Ｍ９は切断で分割される。また、製品外の領域が切断で除去される。第９中間体１０Ｍ９を分割する面は導体３６に略垂直である。第９中間体１０Ｍ９を分割する面はＸ−Ｙ平面と略平行である。製品外の領域を除去するため、第９中間体１０Ｍ９を切断する面は導体３６に略平行である。製品外の領域を除去するための切断面はＹ−Ｚ平面と略平行である。金属箔付きインターポーザ１０Ｍの第１面Ｆ１と第２面Ｆ２は切断面である。
【００４０】
金属箔付きインターポーザ１０Ｍの金属箔４１６を除去することで、金属箔付きインターポーザ１０Ｍからインターポーザ１０を製造することができる。切断で個々のインターポーザ１０が製造されると、切断により、インターポーザ１０は微小な傷を有するかもしれない。微小な傷により、ヒートサイクルでインターポーザ１０が劣化するかもしれない。それに対し、金属箔付きインターポーザによれば、金属箔４１６が微小な傷の発生を抑制することができる。従って、金属箔付きインターポーザ１０Ｍや金属箔付きインターポーザ１０Ｍの金属箔４１６を除去することで製造されるインターポーザ１０はヒートサイクルで劣化しがたい。
【００４１】
エッチングにより、第１面Ｆ１から露出する導体３６の端部と第２面Ｆ２から露出する導体３６の端部が除去される。これにより、第１電極３６Ｄ１は第１面Ｆ１から凹み、第２電極３６Ｄ２は第２面Ｆ２から凹む。第１電極３６Ｄ１と第２電極３６Ｄ２上に保護膜７２を形成することができる（図７（Ｄ））。
【００４２】
図５（Ａ）に示されるように、プリント配線板１１０のパッドとインターポーザ１０の導体３６を半田バンプ１７６Ｆで接続することで、プリント配線板１１０上にインターポーザ１０が搭載される。インターポーザ１０の導体３６と半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂの電極を半田バンプ２７６で接続することで、インターポーザ上に複数の半導体素子２９０Ａ、２９０Ｂが実装される。ＭＣＭパッケージが形成される。
【００４３】
[第２実施形態]
図６（Ａ）は本発明の第２実施形態のインターポーザ１０の平面図であり、図５（Ｂ）は第２実施形態に係るインターポーザ１０の応用例１１４０の断面図である。応用例１１４０は電子部品１９０を実装しているプリント配線板１１０と開口３２を有するインターポーザ１０と電子部品２９０を実装している第２のプリント配線板２１０で形成されている。電子部品１９０、２９０の例は半導体素子である。電子部品１９０の例はＩＣチップであり、電子部品２９０の例はメモリである。電子部品は半田バンプ１７６Ｆやワイヤ２３６でプリント配線板１１０、２１０に接続される。
ＩＣチップ１９０はプリント配線板１１０の略中央部に実装されている。インターポーザ１０の開口３２は電子部品１９０を収容するための開口であり、インターポーザ１０を貫通している。開口は絶縁板３０１０を貫通している。また、図６（Ａ）に示されるように、開口３２はインターポーザ１０の略中央に形成されている。開口３２は絶縁板３０１０の略中央に形成されている。
プリント配線板１１０のパッドとインターポーザ１０の導体３６は半田バンプ１７６Ｆで接続されている。インターポーザ１０の導体３６と第２のプリント配線板２１０のパッドは半田バンプ２７６で接続されている。
第２実施形態では、インターポーザ１０は、開口３２内にＩＣチップ１９０を収容する。このため、応用例（ＰＯＰモジュール）１１４０の厚みを薄くすることができる。実施形態のインターポーザ１０の導体３６は細い。隣接する導体３６間の間隔が狭い。高密度に導体３６が配置されている。そのため、インターポーザ１０が開口３２を有しても、小さなサイズのインターポーザ１０でＩＣチップ１９０とメモリ２９０間のデータの伝送が可能になる。第２実施形態のインターポーザ１０は金属箔付きインターポーザ１０Ｍであってもよい。
【００４４】
第２実施形態のインターポーザ１０は第１実施形態のインターポーザ１０とほぼ同様な方法で製造される。第２実施形態では、インターポーザ１０の中央部分に導体３６が形成されない。インターポーザ１０の外周領域のみに導体３６が形成される。そして、中央部分の絶縁層３０１がパンチングやレーザ、ルーターで除去される。あるいは、第１実施形態のインターポーザ１０の中央部分を除去することで、第２実施形態のインターポーザ１０を製造することができる。開口３２を有するので、第２実施形態のインターポーザは応力を解放し易い。また、インターポーザ１０の収縮量を小さくすることができる。導体３６に働くストレスが小さくなる。
【００４５】
インターポーザを製造するため、中間体を製造することは必須でない。支持板上に全ての絶縁層３０１と全ての導体層を交互に積層することで、インターポーザ１０を製造することができる。例えば、支持板上に金属箔が積層され、その後、金属箔上に第１の最外の絶縁層３０４１が積層される。それから、導体層３６０と絶縁層３０１が交互に積層される。導体層と絶縁層の積層は第２の最外の絶縁層３０４２で終了する。そして、第２の最外の絶縁層３０４２上に金属箔が積層される。支持板を除去することで、金属箔付きインターポーザ１０Ｍが製造される。金属箔を除去することでインターポーザ１０が製造される。
【００４６】
インターポーザ１０は、電解めっき膜のみで形成される導体（導体Ａ）３６とシード層とシード層上の電解めっき膜でされる導体（導体Ｂ）３６を有する。そして、１つの導体層は導体Ａのみで形成される。あるいは、１つの導体層は導体Ｂのみで形成される。シード層の物性と電解めっき膜の物性は異なる。そのため、導体Ａで形成される導体層と導体Ｂで形成される導体層の配置により、インターポーザの強度や熱膨張係数を微妙に調整することができる。インターポーザ内の応力やインターポーザの反りが小さくなる。インターポーザが長期に安定する。物性の例はヤング率や熱膨張係数である。
【００４７】
図８（Ａ）に１つの絶縁層３０１と絶縁層３０１を挟む２つの導体層３６０が示されている。図８（Ａ）に点線３０１Ｄが描かれている。点線３０１Ｄは導体層間絶縁層３０１Ａと導体間絶縁層３０１Ｂの境界を示している。導体層間絶縁層３０１Ａは補強材ＲＭを含んでいる。補強材ＲＭは導体３６の上面に接している。導体の動きが抑制されるので、導体３６を介する接続信頼性が高くなる。
【００４８】
金属箔付きインターポーザ１０Ｍは第１面Ｆ１と第２面Ｆ２以外の面（側面）上に金属箔を有してもよい。金属箔は第３面Ｆ３と第４面Ｆ４上に形成される。あるいは、第１面Ｆ１と第２面Ｆ２以外の４つの側面Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６上に金属箔は形成される。側面Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６は図１（Ａ）に示されている。側面Ｆ３と第３面Ｆ３は同じ面であり、側面Ｆ４と第４面Ｆ４は同じ面である。側面Ｆ５と側面Ｆ６は、第１面Ｆ１に垂直であり、側面Ｆ５と側面Ｆ６は対向している。
【００４９】
実施形態では、導体３６がめっきレジストを用い形成されている。細い導体３６を製造することができる。導体３６間のピッチを小さくすることができる。貫通孔をめっきで充填する方法で実施形態と同様な導体を形成することは難しい。なぜなら、貫通孔の径が小さいと、ボイドを含むことなく貫通孔を充填することは難しい。導体３６がボイドを含むと導体３６の信頼性が低下する。実施形態ではボイドを含まない導体３６を提供することができる。
【００５０】
第２実施形態のインターポーザ１０や金属箔付きインターポーザ１０Ｍは図７（Ｄ）に示される距離Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４を有しても良い。
【符号の説明】
【００５１】
１０  インターポーザ
１０Ｍ  金属箔付きインターポーザ
３０１  絶縁層
３２  開口
３６  導体
１１０  プリント配線板
１１２  第２のプリント配線板
１１４、１１４０  インターポーザ１０の応用例
３０１Ａ  導体層間絶縁層
３０１Ｂ  導体間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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