(57)【要約】【課題】レジスト液の温度調整を、簡単な構成で安価に行う温度調整機構を提供する。【解決手段】レジスト液収容器３１０にノズル２４１を設けると共に、このノズル２４１内に、少なくともレジスト塗布工程１回分のレジスト液を貯留させる。レジスト塗布工程を行っていないとき、ノズル２４１の待機位置で、このノズル２４１に所定温度のガスを吹き付けることによって、レジスト液の温度を調整する。そして、レジスト塗布工程で、シリンジ部３１１からノズル２４１に１回分のレジスト液が抽出されると、ノズル２４１からは、温度調整されたレジスト液が、１回分だけ吐出される。このとき、ノズル２４１には、シリンジ部３１１から供給されたレジスト液が新たに貯留される。新たに貯留されたレジスト液は、ノズルが待機位置に戻ったときに、ガスによって温度調整される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液を収容する薬液収容器と、
該薬液収容器から供給された薬液を吐出するノズルと、
を備える製造装置の薬液温度調整機構であって、
前記ノズルは、少なくとも工程１回分の前記薬液を一時的に貯留するように構成され、且つ、
前記ノズルの温度を調整することにより、該ノズル内に貯留された前記薬液の温度を調整する、
ことを特徴とする薬液温度調整機構。
【請求項２】
所定温度のガスを前記ノズルに吹き付けることによって、該ノズルに貯留された前記薬液の温度調整を行うことを特徴とする請求項１に記載の薬液温度調整機構。
【請求項３】
前記薬液は、半導体製造工程で使用されるレジスト液又はレジスト現像液であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薬液温度調整機構。
【請求項４】
前記処理基板の径が２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の薬液温度調整機構。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載の薬液温度調整機構を備えることを特徴とする小型製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薬液の温度を調整する薬液温度調整機構と、この薬液温度調整機構を用いた小型製造装置に関する。例えば、本発明は、小型の半導体ウェハを用いた半導体製造プロセスで使用されるレジスト塗布装置やレジスト現像装置等に適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
従来の薬液温度調整機構について、半導体製造プロセス用のレジスト塗布装置に搭載されたものを例に採って説明する。
【０００３】
従来のレジスト塗布装置としては、例えば、下記特許文献１に記載されたものが知られている。
【０００４】
特許文献１のレジスト塗布装置では、レジスト供給ビンに貯留されたレジスト液を、レジスト配管を介してノズルに供給し、このノズルから半導体ウェハの表面に滴下している。
【０００５】
そして、このレジスト塗布装置では、レジスト供給ビンをレジスト恒温槽に収容することによって、このレジスト供給ビン内のレジスト液を所定温度に保っている。
【０００６】
更に、このレジスト塗布装置では、レジスト配管やノズルを温調液体配管に収容して、この温調液体配管内に温調液体を循環させている。この温調液体の温度は、温度制御装置によって、監視・制御されている。これにより、これらレジスト配管やノズル内を流れるレジスト液を、所定温度に保っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−７４６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の半導体製造工場は、規模が巨大であるため、建設コストや運営コストが非常に高額であった。このような大規模製造システムは、少品種大量生産ではチップの製造単価低減に寄与するが、少量多品種生産の要請に応え難く、市場状況に応じた生産量の調整を困難にすると共に、中小企業の参入を困難にする。これらの問題を解決するためには、小口径ウェハ（例えば、直径２０ｍｍ以下）を用いて低コストで半導体チップを製造できる、小型で安価な半導体製造装置が望まれる。
【０００９】
しかしながら、従来のレジスト塗布装置は、上述のように、レジスト液の温度を調整するために、レジスト恒温槽や、温調液体配管、温度制御装置等が必要であり、装置の大型化や高価格化の原因になっていた。
【００１０】
このような欠点は、レジスト塗布装置だけで無く、薬液を使用する他の半導体製造装置（例えば、レジスト現像装置）にも生じる。更には、このような課題は、例えばサファイア基板やアルミニウム基板等に処理を施して電子デバイスを製造する装置や、光学デバイスを製造する装置等にも生じる。
【００１１】
本発明の課題は、簡単な構造で、安価に、薬液の温度調整を行うことができる薬液温度調整機構及びこれを用いた小型製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明に係る薬液温度調整機構は、薬液を収容する薬液収容器と、該薬液収容器から供給された薬液を吐出するノズルと、を備える製造装置の薬液温度調整機構であって、前記ノズルは、少なくとも工程１回分の前記薬液を一時的に貯留するように構成され、且つ、前記ノズルの温度を調整することにより、該ノズル内に貯留された前記薬液の温度を調整することを特徴とする。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の構成に加え、所定温度のガスを前記ノズルに吹き付けることによって、該ノズルに貯留された前記薬液の温度調整を行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項１又は２の構成に加え、前記薬液が、半導体製造工程で使用されるレジスト液又はレジスト現像液であることを特徴とする。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れかの構成に加え、前記処理基板の径が２０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１６】
請求項５の発明に係る小型製造装置は、請求項１乃至４の何れかに記載の薬液温度調整機構を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明によれば、少なくとも工程１回分の薬液をノズルに貯留させて、該ノズルに貯留された薬液の温度調整を行うので、薬液収容容器等の温度調整を行う必要がなく、従って、簡単な構造で、安価に、薬液の温度調整を行うことができる。
【００１８】
請求項２の発明によれば、所定温度のガスをノズルに吹き付けることによって、ノズルに貯留された薬液の温度調整を行うので、薬液温度調整機構を非常に簡単且つ安価に構成することができる。
【００１９】
請求項３の発明によれば、レジスト液又はレジスト現像液の温度調整に本発明を適用することにより、レジスト塗布工程やレジスト現像工程を安価に行うことができる。
【００２０】
請求項４の発明によれば、処理基板の径を２０ｍｍ以下とすることにより、温度調整機構の小型化が容易になる。
【００２１】
請求項５の発明によれば、請求項１乃至４の何れかに記載の温度調整機構を用いることにより、製造装置の小型化や低価格化が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１に係る小型製造装置の全体構成を示す概念的斜視図である。
【図２】実施の形態１に係るレジスト塗布装置の構成を示す概念的平面図である。
【図３】実施の形態１に係る温度調整機構の構成を示す断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
［発明の実施の形態１］
以下、本発明の実施の形態１について、本発明を小型半導体ウェハ用のレジスト塗布装置に適用した場合を例に採って説明する。
【００２４】
図１は、この実施の形態１に係る小型半導体製造装置の全体構成を概念的に示す斜視図である。
【００２５】
図１から解るように、この実施の形態１に係る小型半導体製造装置１００（本発明の「小型製造装置」に相当する）は、処理室としてのレジスト塗布装置１１０と、装置前室１２０とを収容する。レジスト塗布装置１１０と装置前室１２０とは、分離可能に構成されている。
【００２６】
レジスト塗布装置１１０は、図示しないウェハ搬送口を介して装置前室１２０から半導体ウェハ（図示せず）を受け取る。そして、この半導体ウェハに対して、レジスト膜形成処理を行う。レジスト塗布装置１１０についての詳細な説明は、後述する。この実施の形態１では、半導体ウェハとして、径が２０ｍｍ以下（例えば１２．５±０．２ｍｍ）の小径のものを使用する。
【００２７】
一方、装置前室１２０は、ウェハ搬送容器（図示せず）に収容された半導体ウェハを取り出して、レジスト塗布装置１１０に搬送するための部屋である。装置前室１２０の天板１２０ａには、ウェハ搬送容器を載置するための容器載置台１２１と、載置されたウェハ搬送容器を上方から押圧固定する押さえレバー１２２と、小型半導体製造装置１００の操作を行うための操作釦１４１等を有する操作パネル１２４が設けられている。また、装置前室１２０は、ウェハ搬送容器から下方に取り出した半導体ウェハをレジスト塗布装置１１０に搬入するための搬送ロボット（図示せず）を備えている。
【００２８】
図２は、レジスト塗布装置１１０の構成を概念的に示す平面図である。図２に示したように、この実施の形態１では、１台のレジスト塗布装置１１０（例えば筐体の水平断面の一辺が３０ｃｍ）の内部に、搬送ユニット２１０、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理ユニット２２０、スピンコーターユニット２３０、レジストノズルユニット２４０、ＥＢＲ（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）ノズルユニット２５０、ベーク処理ユニット２６０等が収容されている。
【００２９】
搬送ユニット２１０は、半導体ウェハを上述の搬送ロボット（図示せず）から受け取って、ＨＭＤＳ処理ユニット２２０、スピンコーターユニット２３０、ベーク処理ユニット２６０に順次搬送する。搬送ユニット２１０の本体部２１１は、一対のハンド部２１２ａ，２１２ｂを備えている。ハンド部２１２ａ，２１２ｂの先端部分には、円弧状のウェハ載置部２１３ａ，２１３ｂが、互いに対向するように形成されている。半導体ウェハは、これらウェハ載置部２１２ａ，２１２ｂに外縁部が当接するように、載置される。ハンド部２１２ａ，２１２ｂは、互いに遠ざかる方向に開いたり、互いに近づく方向に閉じたりすることができる。図２は、ハンド部２１２ａ，２１２ｂが閉じた状態である。搬送ユニット２１０は、図示しない機構により、本体部２１１を回転させることができると共に、ハンド部２１２ａ，２１２ｂを伸縮させることができる。
【００３０】
ＨＭＤＳ処理ユニット２２０は、ＨＭＤＳ処理（すなわち、レジスト膜と半導体ウェハとの密着性を向上させるために、半導体ウェハ表面のＯ−Ｈ基をＨＭＤＳで置換する処理）を行うための機構である。ＨＭＤＳ処理ユニット２２０は、ホットプレート２２１と、例えば４本の載置ピン２２２ａ〜２２２ｄとを備えている。載置ピン２２２ａ〜２２２ｄは、このホットプレート２２１の外縁部の内側に略均等に配置されている。これら載置ピン２２２ａ〜２２２ｄは、図示しない昇降機構によって昇降させることができ、最下降したときにはホットプレート２２１内に収容される。半導体ウェハをホットプレート２２１上に載置する為には、まず、ハンド部２１２ａ，２１２ｂが閉じた状態で、ウェハ載置部２１３ａ，２１３ｂ上に半導体ウェハを載置し、搬送ユニット２１０の本体部２１１を、ホットプレート２２１に対向する位置まで回転させ、更に、ハンド部２１２ａ，２１２ｂをホットプレート２２１上まで前進させる。そして、載置ピン２２２ａ〜２２２ｄを上昇させて半導体ウェハを下方から持ち上げることで、ハンド部２１２ａ，２１２ｂから離間させる。続いて、このハンド部２１２ａ，２１２ｂを開いて、後退させる。その後、ホットプレート２２１内に収容される位置まで、載置ピン２２２ａ〜２２２ｄを下降させることにより、ホットプレート２２１上に半導体ウェハが載置される。
【００３１】
スピンコーターユニット２３０は、半導体ウェハに対するレジスト膜の形成や、ＥＢＲ処理、裏面洗浄処理等を行うための機構である。スピンコーターユニット２３０は、半導体ウェハを保持して回転させるための、載置部２３１を備えている。
【００３２】
レジストノズルユニット２４０は、レジスト膜形成工程において、回転する半導体ウェハに、レジスト液を塗布するための機構である。レジスト塗布工程を行っていないとき（すなわち、待機時）、レジストノズルユニット２４０のノズル２４１は、溶剤受け２４２の上方で待機している。そして、レジスト液を供給する際、レジストノズルユニット２４０は、アーム２４３を回転させることにより、ノズル２４１を、載置部２３１に載置された半導体ウェハ（図示せず）の中心部上方まで移動させて、この半導体ウェハ上にレジスト液を滴下する。レジストノズルユニット２４０の詳細な構造については、図３及び図４を用いて後述する。
【００３３】
ＥＢＲノズルユニット２５０は、ＥＢＲ工程（すなわち、半導体ウェハの周縁部に形成されたレジスト膜を除去する工程）において、半導体ウェハの周縁部にレジスト溶解液を供給するための機構である。ＥＢＲ工程に際して、ＥＢＲノズルユニット２５０は、ノズル２５１を、溶剤受け２５２の上方から、載置部２３１に載置された半導体ウェハの周縁部上方まで回転移動させて、レジスト溶解液を滴下する。
【００３４】
ベーク処理ユニット２６０は、レジスト膜を固化するために半導体ウェハを加熱する機構である。ベーク処理ユニット２６０は、ホットプレート２６１と、例えば４本の載置ピン２６２ａ〜２６２ｄとを備えている。載置ピン２６２ａ〜２６２ｄは、このホットプレート２６１の外縁部の内側に略均等に配置されており、図示しない昇降機構によって昇降させることができる。半導体ウェハをホットプレート２６１上に載置する際の手順は、ＨＭＤＳ処理ユニット２２０の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００３５】
図３は、レジストノズルユニット２４０の構成を示す側面図である。また、図４は、図３の部分拡大図である。
【００３６】
図３に示したように、この実施の形態１に係るレジストノズルユニット２４０は、レジスト液収容器３１０を備えている。このレジスト液収容器３１０は、シリンジ部３１１と、プランジャ部３１２と、上述のノズル２４１とを備えている。
【００３７】
シリンジ部３１１には、レジスト液Ｒが収容される（図４参照）。シリンジ部３１１は筒形に形成されており、その上側端部には、このシリンジ部３１１と略同じ内径のプランジャ挿入口３１１ａが設けられている。一方、シリンジ部３１１の下側端部には、注出口３１１ｂが突出形成されている。
【００３８】
プランジャ部３１２は、シリンジ部３１１に設けられたプランジャ挿入口３１１ａの内径と略同一の外径を有しており、このプランジャ挿入口３１１ａからシリンジ部３１１に挿入される。また、プランジャ部３１２は、その下端部外周面とシリンジ部３１１の内周面との気密性を保つために、ガスケット等を備えていても良い。
【００３９】
ノズル２４１は、シリンジ部３１１の注出口３１１ｂに嵌め込まれる。このノズル２４１には、図４に示したように、シリンジ部３１１の注出口３１１ｂから注出されたレジスト液Ｒを吐出口２４１ｂに導く液路２４１ａを備えている。液路２４１ａには、少なくともレジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒが一時的に貯留される。径が２０ｍｍ以下の半導体ウェハを使用する場合、一回のレジスト塗布工程で使用するレジスト液の量は、非常に少なくて良い（例えば、内径が０．５６ｍｍのノズルで２滴程度）。従って、ノズル２４１を、少なくともレジスト塗布工程１回分のレジスト液を貯留できるように構成することは、容易である。なお、この実施の形態１では、ノズル２４１を注出口３１１ｂに嵌め込む構成としたが、これらを一体に形成すること（すなわち、注出口３１１ｂを、そのままノズルとして使用できるように構成すること）も可能である。
【００４０】
後述するように、液路２４１ａに貯留されたレジスト液Ｒは、シリンジ部３１１からノズル２４１内に新たなレジスト液Ｒが供給されたときに、この新たなレジスト液Ｒによって押し出されて吐出口２４１ｂから吐出され、半導体ウェハ（図示せず）の表面に滴下される。
【００４１】
溶剤受け２４２は、ノズル２４１が待機位置（すなわち、レジスト塗布工程が行われていないときの位置）にあるときに、このノズル２４１から垂れ落ちるレジスト液Ｒを収容するための容器である。この溶剤受け２４２は、ノズル２４１を挿入する挿入部２４２ａと、垂れ落ちたレジスト液Ｒを受けるカップ部２４２ｂと、このカップ部２４２ｂが受けたレジスト液Ｒを廃液容器（図示せず）に収容するための廃液管２４２ｃとを備えている。
【００４２】
また、挿入部２４２ａの側壁には、ノズル２４１に温度調整用のガスを吹き付けるための給気口２４２ｄが設けられている。この給気口２４２ｄには、図２及び図３に示したように、給気管２４２ｅが連結されている。更に、給気管２４２ｅには、ガス供給バルブ２４２ｆを介して、給気管２４２ｇが連結されている。給気管２４２ｇは、図示しないガス供給機構（ガスボンベ等）に連結されている。
【００４３】
図３において、収容器支持部３２０は、支持部本体３２１と、シリンジ支持具３２２と、プランジャ支持具３２３と、プランジャ移動機構３２４とを備えている。
【００４４】
シリンジ保持具３２２は、保持部本体３２１に固定されると共に、レジスト液収容器３１０のシリンジ部３１１を固定支持している。
【００４５】
プランジャ支持具３２３は、支持部本体３２１の移動部材３２４ｆ（後述）に固定されると共に、レジスト液収容器３１０のプランジャ部３１２を固定支持している。
【００４６】
プランジャ移動機構３２４は、プランジャ支持具３２３を下降させることによって、レジスト液収容器３１０のプランジャ部３１２を下降させる。このプランジャ移動機構３２４において、ステッピングモータ３２４ａがプーリ３２４ｂを回転させると、この回転動力が、ベルト３２４ｃを介して、プーリ３２４ｄに伝達される。そして、このプーリ３２４ｄの回転により、ねじ軸３２４ｅが回転し、これにより、移動部材３２４ｆが下降する。この移動部材３２４ｆには、上述のように、プランジャ支持具３２３が固定支持されている。従って、移動部材３２４ｆの下降によって、プランジャ支持具３２３が下降し、これによって、プランジャ部３１２が下降する。
【００４７】
図３に示したように、この収容器支持部３２０は、アーム３４３（上述）に固定支持されている。このアーム３４３は、アーム駆動部３３０によって、昇降及び回転する。
【００４８】
続いて、この実施の形態１に係るレジストノズルユニット２４０の動作について、詳細に説明する。
【００４９】
待機時には、レジストノズルユニット２４０のノズル２４１は、上述のように、溶剤受け２４２の上方で待機している。このノズル２４１の液路２４１ａには、図４に示したように、少なくともレジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒが貯留されている。そして、このノズル２４１には、給気口２４２ｄから、ガスが吹き付けられる。このガスとしては、温度が調整されたものを使用する。これにより、液路２４１ａ内のレジスト液Ｒが、所定の温度に調整される。ガスの吹き付けは、ノズル２４１が溶剤受け２４２上に退避している間、継続的に行われる。ガスの種類は限定されないが、例えば、空気や窒素を使用することができる。また、このガスとしては、レジスト塗布工程の歩留まりを向上させるために、塵埃が十分に除去された、クリーンなガスを使用することが望ましい。
【００５０】
一方、レジスト塗布工程を行うときには、まず、スピンコーターユニット２３０の載置部２３１（図２参照）に、半導体ウェハ（図示せず）が載置される。そして、アーム駆動部３３０が、アーム２４３を上昇させることによって、ノズル２４１を挿入部２４２ａの上方まで移動させ、更に、アーム２４３を回転させることによって、ノズル２４１を半導体ウェハの中央部上方まで移動させる。そして、ステッピングモータ３２４ａを駆動してプーリ３２４ｂを回転させると、上述のようにして移動部材３２４ｆが下降して、プランジャ部３１２が下降する。このときの下降量は、レジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒが、注出口３１１ｂから注出されるような値に、設定されている。周知のように、ステッピングモータ３２４ａは、入力した電圧パルスの個数によって、回転量が制御される。このため、この実施の形態１では、プランジャ部３１２の下降量を正確に制御でき、従って、レジスト液Ｒの注出量を正確に制御できる。
【００５１】
このようにして、レジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒが、レジスト液収容器３１０の注出口３１１ｂからノズル２４１に注出されると、このノズル２４１の液路２４１ａに貯留されていたレジスト液Ｒが押し出されて、ノズル２４１の吐出口２４１ｂから吐出される。そして、吐出されたレジスト液Ｒが、半導体ウェハ（図示せず）上に滴下される。このとき、吐出口２４１ｂから吐出されるレジスト液Ｒの量も、レジスト塗布工程１回分に相当する量である。
【００５２】
上述のように、液路２４１ａには、少なくともレジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒが貯留されており、待機時にガスを吹き付けることによって温度調整されている。従って、半導体ウェハの表面に滴下されるレジスト液Ｒは、所定温度に調整されたレジスト液Ｒである。一方、注出口３１１ｂからノズル２４１に注出されたレジスト液Ｒは、そのまま、ノズル２４１の液路２４１ａ内に、新たに貯留される。
【００５３】
レジスト塗布工程が終了すると、アーム駆動部３３０がアーム２４３を回転させることによって、ノズル２４１が待機位置（すなわち、溶剤受け２４２の上方）まで移動する。続いて、アーム２４３が下降して、ノズル２４１が挿入部２４２ａに収容される。そして、ノズル２４１に対するガスの吹き付けが再開されて、液路２４１ａ内に貯留されたレジスト液Ｒの温度が再度調整される。これにより、ノズル２４１の液路２４１ａに新たに貯留されたレジスト液Ｒも、所定の温度に調整される。
【００５４】
以上説明したように、この実施の形態１では、ノズル２４１の液路２４１ａに、レジスト塗布工程１回分のレジスト液Ｒを貯留して、温度調整を行う。このため、この実施の形態１によれば、レジスト液収容器３１０内のレジスト液Ｒの温度調整を行う必要がなく、従って、簡単な構造で、安価に、レジスト液の温度調整を行うことができる。
【００５５】
また、この実施の形態１によれば、所定温度のガスをノズル２４１に吹き付けることによって、この液路２４１ａに貯留された薬液の温度調整を行うので、温度調整用の液体を使用する場合等と比較して、温度調整のための機構を非常に簡単且つ安価に構成することができる。
【００５６】
加えて、この実施の形態１によれば、径が２０ｍｍ以下の半導体ウェハを使用する小型の半導体製造装置１００を、安価に提供することができる。
【００５７】
なお、この実施の形態１では、本発明をレジスト塗布装置に適用した場合を例に採って説明したが、例えばレジスト現像装置等、他の半導体製造装置にも適用することができ、更には、半導体製造装置以外の製造装置にも適用することができる。
【００５８】
また、半導体ウェハを用いる製造装置だけでなく、他の種類の基板（例えばサファイア基板等の絶縁性基板や、アルミニウム基板等の導電性基板）や、非円盤形状（例えば矩形）の処理基板からデバイスを製造する製造装置にも適用することができる。
【００５９】
更に、この実施の形態１では、レジスト収容器３１０に直接ノズル２４１を設けてなる製造装置に本発明を適用した場合を例に採って説明したが、配管を介してレジスト収容器とノズルとを連結した製造装置にも、本発明を適用することができる。
【００６０】
加えて、この実施の形態１では、本発明を小型製造装置に適用した場合を例に採って説明したが、例えば８インチや１２インチ等の大径半導体ウェハを使用する半導体製造装置等、大型の製造装置にも使用できる。
【符号の説明】
【００６１】
１００  小型半導体製造装置
１１０  処理室（レジスト塗布装置）
１２０  装置前室
１２１  容器載置台
１２２  押さえレバー
１２４  操作パネル
２１０  搬送ユニット
２２０  ＨＭＤＳ処理ユニット
２３０  スピンコーターユニット
２４０  レジストノズルユニット
２４１  ノズル
２４１ａ  液路
２４１ｂ  吐出口
２４２  溶剤受け
２４２ａ  挿入部
２４２ｂ  カップ部
２４２ｃ  廃液管
２４２ｄ  給気口
２４２ｅ，２４２ｇ  給気管
２４２ｆ  ガス供給バルブ
２４３  アーム
２５０  ＥＢＲノズルユニット
２６０  ベーク処理ユニット
３１０  レジスト液収容器
３１１  シリンジ部
３１１ａ  注出口
３１２  プランジャ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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