(57)【要約】【課題】基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  搬送機構により塗布処理ユニット１２９に基板Ｗが搬送され、基板Ｗの一面の環状領域に処理が行われる。その後、搬送機構により基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの外周部の位置および環状領域の内縁部の位置が検出され、スピンチャック２５の回転中心に対するスピンチャック２５に保持された基板Ｗの中心の位置ずれ量が算出される。スケジュール管理情報に基づいて、塗布処理ユニット１２９への搬入時にスピンチャック２５により保持された基板Ｗの向きとエッジ露光部ＥＥＷへの搬入時に基板回転ユニット５４０により保持された基板Ｗの向きとの関係が特定される。その関係に基づいて、スピンチャック２５の回転中心に対するスピンチャック２５に保持された基板Ｗの中心の位置ずれ方向が判定される。【選択図】図１７
2017041513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板を保持して搬送する搬送機構と、
基板に処理液を用いて処理を行う処理ユニットと、
基板の状態を検出する検出ユニットと、
前記搬送機構による基板の搬送経路および基板の処理の内容を含むスケジュール管理情報に基づいて、前記搬送機構、前記処理ユニットおよび前記検出ユニットの動作を制御する制御部とを備え、
前記搬送機構は、
前記搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、前記処理ユニットに基板を搬入し、前記処理ユニットから処理後の基板を搬出し、前記処理ユニットによる処理後の基板を前記検出ユニットに搬入し、
前記処理ユニットは、
前記搬送機構により搬入された基板を保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により回転される基板の一面の周縁部に処理液を供給することにより前記一面の環状領域に処理を行う処理液供給部とを含み、
前記検出ユニットは、
前記搬送機構により搬入された基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置を検出する位置検出部とを含み、
前記制御部は、
前記位置検出部により検出された基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置に基づいて、前記回転保持装置の回転中心に対する前記回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、
スケジュール管理情報に基づいて、前記搬送機構による前記処理ユニットへの基板の搬入時に前記回転保持装置により保持された基板の向きと前記搬送機構による前記検出ユニットへの基板の搬入時に前記基板保持部により保持された基板の向きとの関係を特定し、前記特定された関係に基づいて、前記回転保持装置の回転中心に対する前記回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向を判定する位置ずれ方向判定部と、
前記算出された位置ずれ量および前記判定された位置ずれ方向に基づいて、前記位置ずれ量の算出後および前記位置ずれ方向の判定後に前記処理ユニットに搬入される基板の中心が前記回転保持装置の回転中心に一致するように前記搬送機構による前記処理ユニットへの基板の搬入動作を調整する調整部とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、
前記制御部は、前記基板保持部により保持された基板が少なくとも１回転するように前記基板保持部を制御する回転制御部をさらに含み、
前記位置検出部は、前記基板保持部により回転される基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置を検出する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板には、当該基板の向きを規定するための位置決め部が形成され、
前記位置検出部は、基板の位置決め部の位置を検出し、
前記回転制御部は、前記位置検出部により検出された基板の位置決め部の位置の変化に基づいて前記基板保持部の回転角度を制御する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記位置検出部は、前記基板保持部により回転される基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、
前記位置ずれ量算出部は、前記画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板の前記環状領域の内縁部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板の前記環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれ量を算出する、請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記位置ずれ量算出部は、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および前記環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて、基板の前記環状領域の半径方向における幅を算出し、算出された幅に基づいて基板の中心の位置ずれ量を算出する、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理ユニットは、前記回転保持装置により回転される基板上に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液供給部をさらに含み、
処理液供給部は、前記塗布液供給部により供給された基板上の塗布液を除去する除去液を処理液として基板の一面の周縁部に供給し、
前記環状領域は、基板上の塗布液が除去された環状の領域である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記塗布液供給部は、感光性を有する塗布膜を形成するための塗布液を供給し、
前記基板処理装置は、前記塗布液供給部により形成された基板の一面の周縁部の塗布膜を露光する周縁露光部をさらに備え、
前記検出ユニットは、前記周縁露光部に設けられる、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給部は、基板上に塗布膜を形成するための塗布液を処理液として基板の一面の周縁部に供給し、
前記環状領域は、基板上の塗布膜が形成された環状の領域である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の搬送経路および基板の処理の内容を含むスケジュール管理情報を取得するステップと、
取得したスケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により基板を搬送するとともに処理ユニットに基板を搬入するステップと、
前記処理ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、前記搬送機構により搬入された基板を前記回転保持装置により保持して回転させるとともに基板の一面の周縁部に処理液を処理液供給部により供給することにより前記一面の環状領域に処理を行うステップと、
スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により前記処理ユニットから処理後の基板を搬出し、前記処理ユニットによる処理後の基板を検出ユニットに搬入するステップと、
前記検出ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、前記搬送機構により搬入された基板を基板保持部により保持するとともに基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置を位置検出部により検出するステップと、
前記位置検出部により検出された基板の外周部の位置および前記環状領域の内縁部の位置に基づいて、前記回転保持装置の回転中心に対する前記回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量を算出するステップと、
スケジュール管理情報に基づいて、前記搬送機構による前記処理ユニットへの基板の搬入時に前記回転保持装置により保持された基板の向きと前記搬送機構による前記検出ユニットへの基板の搬入時に前記基板保持部により保持された基板の向きとの関係を特定し、前記特定された関係に基づいて、前記回転保持装置の回転中心に対する前記回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向を判定するステップと、
前記算出された位置ずれ量および前記判定された位置ずれ方向に基づいて、前記位置ずれ量の算出後および前記位置ずれ方向の判定後に前記処理ユニットに搬入される基板の中心が前記回転保持装置の回転中心に一致するように前記搬送機構による前記処理ユニットへの基板の搬入動作を調整するステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を用いて基板処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルから塗布液が吐出されることにより、基板の表面に塗布膜が形成される。ここで、基板の周縁部に塗布膜が形成されると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部に塗布膜が形成されることを防止するため、基板の表面全体への塗布液の供給後に基板の周縁部に塗布液を除去する除去液が供給される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載された基板処理システムにおいては、レジスト塗布装置により基板の表面にレジスト膜が形成されるとともに、基板の周縁部のレジスト膜が除去される。その後、基板は欠陥検出装置に搬送される。欠陥検出装置においては、基板の表面の画像が撮像される。得られた画像データからレジスト膜の除去領域の幅が測定される。測定された幅からレジスト塗布装置における基板の保持位置の位置ずれが算出される。算出された位置ずれに基づいて基板の保持位置を調整（センタリング調整）することが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２０３４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、上記の構成により「センタリング調整を簡単な方法で行うことができる」と記載されている。しかしながら、欠陥検出装置において基板の保持位置を調整すべき向きとレジスト塗布装置において基板の保持位置を調整すべき向きとが等しいとは限らない。そのため、欠陥検出装置から得られた位置ずれだけでは実際にレジスト塗布装置において容易にセンタリング調整することはできない。
【０００６】
本発明の目的は、基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板を保持して搬送する搬送機構と、基板に処理液を用いて処理を行う処理ユニットと、基板の状態を検出する検出ユニットと、搬送機構による基板の搬送経路および基板の処理の内容を含むスケジュール管理情報に基づいて、搬送機構、処理ユニットおよび検出ユニットの動作を制御する制御部とを備え、搬送機構は、搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、処理ユニットに基板を搬入し、処理ユニットから処理後の基板を搬出し、処理ユニットによる処理後の基板を検出ユニットに搬入し、処理ユニットは、搬送機構により搬入された基板を保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により回転される基板の一面の周縁部に処理液を供給することにより一面の環状領域に処理を行う処理液供給部とを含み、検出ユニットは、搬送機構により搬入された基板を保持する基板保持部と、基板保持部により保持された基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置を検出する位置検出部とを含み、制御部は、位置検出部により検出された基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、スケジュール管理情報に基づいて、搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと搬送機構による検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係を特定し、特定された関係に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向を判定する位置ずれ方向判定部と、算出された位置ずれ量および判定された位置ずれ方向に基づいて、位置ずれ量の算出後および位置ずれ方向の判定後に処理ユニットに搬入される基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作を調整する調整部とを含む。
【０００８】
この基板処理装置においては、スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により基板が搬送されるとともに、処理ユニットに基板が搬入される。処理ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板が回転保持装置により保持されて回転されるとともに基板の一面の周縁部に処理液が処理液供給部により供給される。これにより、基板の一面の環状領域に処理が行われる。
【０００９】
その後、スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により処理ユニットから処理後の基板が搬出され、処理ユニットによる処理後の基板が検出ユニットに搬入される。検出ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板が基板保持部により保持されるとともに基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置が位置検出部により検出される。
【００１０】
位置検出部により検出された基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量が算出される。スケジュール管理情報に基づいて、搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと搬送機構による検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係が特定される。特定された関係に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向が判定される。
【００１１】
算出された位置ずれ量および判定された位置ずれ方向に基づいて、位置ずれ量の算出後および位置ずれ方向の判定後に処理ユニットに搬入される基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作が調整される。
【００１２】
上記の構成によれば、スケジュール管理情報に基づいて、処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係が特定される。そのため、処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとが一致しない場合でも、基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作を調整することができる。その結果、基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることができる。
【００１３】
（２）基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、制御部は、基板保持部により保持された基板が少なくとも１回転するように基板保持部を制御する回転制御部をさらに含み、位置検出部は、基板保持部により回転される基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置を検出してもよい。
【００１４】
この場合、小型の位置検出部を用いて基板の一面の周縁部の全体を検出することができる。これにより、検出ユニットを小型化することができる。
【００１５】
（３）基板には、当該基板の向きを規定するための位置決め部が形成され、位置検出部は、基板の位置決め部の位置を検出し、回転制御部は、位置検出部により検出された基板の位置決め部の位置の変化に基づいて基板保持部の回転角度を制御してもよい。
【００１６】
この場合、基板の位置決め部に基づいて基板保持部の回転角度を容易に検出することができる。したがって、基板保持部の回転角度を検出するためのエンコーダ等の部材を検出ユニットに部材を追加する必要がない。これにより、基板処理装置のコストの増加を抑制することができる。
【００１７】
（４）位置検出部は、基板保持部により回転される基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、位置ずれ量算出部は、画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板の環状領域の内縁部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板の環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれ量を算出してもよい。
【００１８】
この場合、画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および環状領域の内縁部の位置の変化が検出される。検出された基板の外周部の位置の変化および環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれ量が算出される。これにより、基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれ量を画像処理を用いて容易に算出することができる。
【００１９】
（５）位置ずれ量算出部は、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて、基板の環状領域の半径方向における幅を算出し、算出された幅に基づいて基板の中心の位置ずれ量を算出してもよい。
【００２０】
この場合、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および環状領域の内縁部の位置の変化に基づいて、基板の環状領域の半径方向における幅が算出される。算出された幅に基づいて基板の中心の位置ずれ量が算出される。これにより、基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれ量をより容易に算出することができる。
【００２１】
（６）処理ユニットは、回転保持装置により回転される基板上に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液供給部をさらに含み、処理液供給部は、塗布液供給部により供給された基板上の塗布液を除去する除去液を処理液として基板の一面の周縁部に供給し、環状領域は、基板上の塗布液が除去された環状の領域であってもよい。この場合、処理ユニットは基板の一面の周縁部に塗布された塗布液を除去する基板処理を行うことができる。
【００２２】
（７）塗布液供給部は、感光性を有する塗布膜を形成するための塗布液を供給し、基板処理装置は、塗布液供給部により形成された基板の一面の周縁部の塗布膜を露光する周縁露光部をさらに備え、検出ユニットは、周縁露光部に設けられてもよい。
【００２３】
この場合、周縁露光部において、基板の状態が検出されるとともに基板の一面の周縁部の塗布膜が露光される。そのため、基板処理装置の大型化およびフットプリントの増加を防止しつつ基板の一面の周縁部の塗布膜を露光することが可能になる。
【００２４】
（８）処理液供給部は、基板上に塗布膜を形成するための塗布液を処理液として基板の一面の周縁部に供給し、環状領域は、基板上の塗布膜が形成された環状の領域であってもよい。この場合、処理ユニットは基板の一面の周縁部に塗布膜を形成する基板処理を行うことができる。
【００２５】
（９）第２の発明に係る基板処理方法は、基板の搬送経路および基板の処理の内容を含むスケジュール管理情報を取得するステップと、取得したスケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により基板を搬送するとともに処理ユニットに基板を搬入するステップと、処理ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板を回転保持装置により保持して回転させるとともに基板の一面の周縁部に処理液を処理液供給部により供給することにより一面の環状領域に処理を行うステップと、スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により処理ユニットから処理後の基板を搬出し、処理ユニットによる処理後の基板を検出ユニットに搬入するステップと、検出ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板を基板保持部により保持するとともに基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置を位置検出部により検出するステップと、位置検出部により検出された基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量を算出するステップと、スケジュール管理情報に基づいて、搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと搬送機構による検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係を特定し、特定された関係に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向を判定するステップと、算出された位置ずれ量および判定された位置ずれ方向に基づいて、位置ずれ量の算出後および位置ずれ方向の判定後に処理ユニットに搬入される基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作を調整するステップとを含む。
【００２６】
この基板処理方法によれば、スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により基板が搬送されるとともに、処理ユニットに基板が搬入される。処理ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板が回転保持装置により保持されて回転されるとともに基板の一面の周縁部に処理液が処理液供給部により供給される。これにより、基板の一面の環状領域に処理が行われる。
【００２７】
その後、スケジュール管理情報に含まれる搬送経路に沿って、搬送機構により処理ユニットから処理後の基板が搬出され、処理ユニットによる処理後の基板が検出ユニットに搬入される。検出ユニットにおいて、スケジュール管理情報に含まれる基板の処理の内容に基づいて、搬送機構により搬入された基板が基板保持部により保持されるとともに基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置が位置検出部により検出される。
【００２８】
位置検出部により検出された基板の外周部の位置および環状領域の内縁部の位置に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ量が算出される。スケジュール管理情報に基づいて、搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと搬送機構による検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係が特定される。特定された関係に基づいて、回転保持装置の回転中心に対する回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれ方向が判定される。
【００２９】
算出された位置ずれ量および判定された位置ずれ方向に基づいて、位置ずれ量の算出後および位置ずれ方向の判定後に処理ユニットに搬入される基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作が調整される。
【００３０】
上記の方法によれば、スケジュール管理情報に基づいて、処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとの関係が特定される。そのため、処理ユニットへの基板の搬入時に回転保持装置により保持された基板の向きと検出ユニットへの基板の搬入時に基板保持部により保持された基板の向きとが一致しない場合でも、基板の中心が回転保持装置の回転中心に一致するように搬送機構による処理ユニットへの基板の搬入動作を調整することができる。その結果、基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、基板の回転中心と基板の幾何学的中心とを容易に一致させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図３】塗布処理ユニットの構成を示す平面図である。
【図４】基板の表面上への反射防止膜の形成手順と反射防止膜の除去範囲とを示す図である。
【図５】基板の表面上へのレジスト膜の形成手順とレジスト膜の除去範囲とを示す図である。
【図６】反射防止膜およびレジスト膜が形成された基板の平面図である。
【図７】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図８】エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。
【図９】エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。
【図１０】エッジ露光部の模式的平面図である。
【図１１】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１２】図２の塗布処理ユニットへの基板の搬入時における搬送機構のハンドの動作を説明するための図である。
【図１３】搬送機構間の基板の受け渡しを説明するための図である。
【図１４】図９のエッジ露光部への基板の搬入時における搬送機構のハンドの動作を説明するための図である。
【図１５】周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。
【図１６】周縁部画像データに基づいて表示される周縁部画像の明るさの分布を示す図である。
【図１７】スピンチャック上および基板回転ユニット上での基板の偏心を示す図である。
【図１８】基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図１９】図１８のメインコントローラの制御部の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
（１）基板処理装置
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
【００３４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００３５】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。
【００３６】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ４００および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ４００は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３７】
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１１参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１１参照）が設けられる。
【００３８】
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１１参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１１参照）が設けられる。
【００３９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００４０】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１１参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００４１】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１１参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００４２】
（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００４３】
図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す平面図である。図２および図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル３０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
【００４４】
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。駆動装置には、図示しないエンコーダが設けられる。後述する図７のローカルコントローラＬＣ１は、エンコーダの出力信号に基づいてスピンチャック２５の回転角度を常時検出する。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。
【００４５】
各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。基板Ｗに処理液が供給されない待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２０に挿入される。基板Ｗへの処理液の供給時には、待機部２０のいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により保持され、基板Ｗの上方に搬送される。
【００４６】
スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。
【００４７】
スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。基板Ｗへの処理液およびリンス液の供給（以下、塗布処理と呼ぶ。）の詳細については後述する。
【００４８】
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００４９】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００５０】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。なお、スピンチャック３５の駆動装置には、図示しないエンコーダが設けられる。後述する図７のローカルコントローラＬＣ２は、エンコーダの出力信号に基づいてスピンチャック３５の回転角度を常時検出する。スリットノズル３８が移動しつつ回転する各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００５１】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００５２】
（３）塗布処理
図４は、基板Ｗの表面上への反射防止膜の形成手順と反射防止膜の除去範囲とを示す図である。図５は、基板Ｗの表面上へのレジスト膜の形成手順とレジスト膜の除去範囲とを示す図である。
【００５３】
まず、図２の塗布処理室２２（または塗布処理室２４）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ処理液ノズル２８（図３）から基板Ｗの表面上に反射防止液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図４（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着する反射防止液が溶解される。このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域における反射防止液が除去される。
【００５４】
その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図４（ｂ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗの表面上に反射防止膜Ｆ１が形成される。基板Ｗの外周部と反射防止膜Ｆ１の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ１と呼ぶ。
【００５５】
次に、図２の塗布処理室２１（または塗布処理室２３）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ処理液ノズル２８から基板Ｗの表面上にレジスト液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図５（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着するレジスト液が溶解される。このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域におけるレジスト液が除去される。
【００５６】
その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図５（ｂ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１上を覆うようにレジスト膜Ｆ２が形成される。基板Ｗの外周部とレジスト膜Ｆ２の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ２と呼ぶ。
【００５７】
図６は、反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成された基板Ｗの平面図である。図６（ａ）の例では、塗布処理ユニット１２９（図３）において、基板Ｗの幾何学的中心（以下、基板Ｗの中心と呼ぶ。）Ｗ１がスピンチャック２５（図３）の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。スピンチャック２５の軸心Ｐ１は、基板Ｗの回転中心に相当する。この状態で塗布処理が行われた場合、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が均一な設定値となるように反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。
【００５８】
一方、図６（ｂ）の例では、塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置される。この状態で塗布処理が行われた場合、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が不均一になるように基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。
【００５９】
したがって、基板Ｗのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２を検出することにより、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗの偏心量を算出することができる。ここで、基板Ｗの偏心量は、スピンチャック２５の軸心Ｐ１に対する基板Ｗの中心Ｗ１の位置ずれの量をいう。
【００６０】
（４）熱処理部
図７は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図７に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００６１】
熱処理部１２３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ４００からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
【００６２】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００６３】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００６４】
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ４００からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
【００６５】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、後述するように、基板Ｗの周縁部の状態検出処理が行われる。その検出結果に基づいて、塗布処理ユニット１２９（図２）においてスピンチャック２５の軸心に基板Ｗの中心が一致するように基板Ｗがスピンチャック２５に載置されたか否かが判定される。
【００６６】
その後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【００６７】
このように、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、状態検出処理およびエッジ露光処理を行うことが可能である。そのため、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。
【００６８】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００６９】
（５）エッジ露光部
図８は、エッジ露光部ＥＥＷの一側面を模式的に示す図である。図９は、エッジ露光部ＥＥＷの他の側面を模式的に示す図である。また、図１０は、エッジ露光部ＥＥＷの模式的平面図である。図８および図９に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０および状態検出処理ユニット５８０を備える。
【００７０】
投光部５１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部５１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。投光部保持ユニット５２０は、投光部５１０をＸ方向およびＹ方向に移動可能に保持する。基板回転ユニット５４０は、基板Ｗを吸着保持するとともに、基板Ｗを回転させる。
【００７１】
図１０に示すように、状態検出処理ユニット５８０は、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ５８３を備える。照明部５８１は、Ｙ方向に沿うように基板Ｗの周縁部の上方に配置される。反射ミラー５８２は、照明部５８１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２の上方にＣＣＤラインセンサ５８３が配置される。ＣＣＤラインセンサ５８３は、画素の配列方向がＹ方向に沿うように配置される。
【００７２】
照明部５８１から基板Ｗの周縁部の状態を検出するための帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー５８２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３に投射される。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの周縁部での反射光の明るさの分布に対応する。
【００７３】
ここで、基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布は、基板Ｗの周縁部の状態によって異なる。具体的には、基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成されている場合、反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２の形成領域に応じて基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が異なる。本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、後述の基板Ｗの周縁部の状態検出処理が行われる。
【００７４】
（６）搬送部
図１１は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１１に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００７５】
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図７）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図７）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図７）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図７）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
【００７６】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００７７】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００７８】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８１】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、現像ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００８２】
（７）搬送機構
各搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８は２つのハンドＨ１，Ｈ２を有する。搬送機構１２７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１１）および上段熱処理部３０１（図７）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１１）および下段熱処理部３０２（図７）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００８３】
搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１１）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１１）および上段熱処理部３０３（図７）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１１）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１１）および下段熱処理部３０４（図７）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００８４】
図１２は、図２の塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入時における搬送機構１２７のハンドＨ１の動作を説明するための図である。図１３は、搬送機構１２７，１３７間の基板Ｗの受け渡しを説明するための図である。図１４は、図９のエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入時における搬送機構１３７のハンドＨ１の動作を説明するための図である。
【００８５】
図１２〜図１４では、搬送機構１２７，１３７、塗布処理ユニット１２９、基板載置部ＰＡＳＳ５およびエッジ露光部ＥＥＷの構成の一部が上面図で示されている。また、搬送機構１２７，１３７のハンドＨ２の動作はハンドＨ１の動作と同様である。さらに、図１１の搬送機構１２８，１３８のハンドＨ１，Ｈ２の動作は、搬送機構１２７，１３７のハンドＨ１，Ｈ２の動作と同様である。
【００８６】
図１２（ａ）において、矢印で示されるように、搬送機構１２７のハンドＨ１により保持された基板Ｗが塗布処理ユニット１２９の基板搬入口１２９ａから塗布処理ユニット１２９内に搬入される。ハンドＨ１とスピンチャック２５との位置関係は予め設定されている。
【００８７】
次に、図１２（ｂ）に示すように、塗布処理ユニット１２９内に搬入された基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。その後、図１２（ｃ）に示すように、ハンドＨ１が塗布処理ユニット１２９の基板搬入口１２９ａから搬出される。塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗに塗布処理が行われる。
【００８８】
本実施の形態においては、塗布処理時には基板ＷがＮ回（Ｎは自然数）だけ回転するようにスピンチャック２５がローカルコントローラＬＣ１（図７）により制御される。したがって、塗布処理後に塗布処理ユニット１２９から搬出されるときの基板Ｗの向きは、塗布処理ユニット１２９に搬入されるときの基板Ｗの向きと等しい。ここで、本実施の形態においては、基板Ｗの向きとは、予め設定された基準方向ＲＲに対して基板Ｗの中心Ｗ１からノッチＮＴまでを結ぶ直線が成す角度をいう。
【００８９】
基準方向ＲＲは、スピンチャック２５，３５（図２）および基板回転ユニット５４０（図８）ごとに固有に設定される。本例では、スピンチャック２５においては、スピンチャック２５の軸心Ｐ１から最短距離で塗布処理ユニット１２９の基板搬入口１２９ａへ向かう方向を基準方向ＲＲとする。後述する図１４（ａ）〜（ｃ）の基板回転ユニット５４０においては、基板回転ユニット５４０の軸心Ｐ２から最短距離でエッジ露光部ＥＥＷの基板搬入口ＥＥＷａへ向かう方向を基準方向ＲＲとする。
【００９０】
図５（ｂ）の反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成された基板Ｗは、図１３（ａ）に示すように搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５に搬入され、図１３（ｂ）に示すように基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。その後、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、図１３（ｃ）に示すように搬送機構１３７により搬出される。
【００９１】
図１４（ａ）において、矢印で示されるように、搬送機構１３７のハンドＨ１により保持された基板Ｗはエッジ露光部ＥＥＷの基板搬入口ＥＥＷａからエッジ露光部ＥＥＷ内に搬入される。ハンドＨ１と基板回転ユニット５４０との位置関係は予め設定されている。
【００９２】
次に、図１４（ｂ）に示すように、エッジ露光部ＥＥＷ内に搬入された基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１が基板回転ユニット５４０の軸心Ｐ２と一致するように基板回転ユニット５４０上に載置される。その後、図１４（ｃ）に示すように、ハンドＨ１がエッジ露光部ＥＥＷの基板搬入口ＥＥＷａから搬出される。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗに状態検出処理およびエッジ露光処理が行われる。
【００９３】
（８）エッジカット幅の検出
状態検出処理において、基板Ｗが１回転されつつ基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。本例では、基板ＷのノッチＮＴの位置がＣＣＤラインセンサ５８３で検出されることにより、基板Ｗが１回転するように基板回転ユニット５４０が制御される。そのため、本例では、エッジ露光部ＥＥＷの基板回転ユニット５４０にエンコーダは設ける必要がない。これにより、基板処理装置１００のコストの増加を抑制することができる。
【００９４】
基板Ｗが１回転する期間に、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が連続的にローカルコントローラＬＣ２を通してメインコントローラ４００に与えられる。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部の全体での反射光の明るさの分布を示す周縁部画像データがメインコントローラ４００により作成される。
【００９５】
図１５は、周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における照明光の照射状態が順に示され、図１５（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で作成される周縁部画像データがそれぞれ示される。なお、図１５（ａ）〜（ｃ）において、照明光が照射された基板Ｗ上の領域にハッチングが付される。また、図１５（ｄ）〜（ｆ）においては、理解を容易にするために、周縁部画像データがその周縁部画像データに基づいて表示される画像の形態で表示される。
【００９６】
図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の周縁部に継続的に照明光が照射されつつ基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に照明光が照射される。基板Ｗが１回転すると、基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。基板Ｗが１回転する期間に連続的に得られるＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、図１５（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の周縁部画像データｄ１が作成される。
【００９７】
周縁部画像データｄ１の縦方向の位置は、ＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の位置（基板Ｗの半径方向の位置）に対応し、周縁部画像データｄ１の横方向の位置は、基板Ｗの回転角度に対応する。この場合、周縁部画像データｄ１の縦方向の変化は、基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での基板Ｗの半径方向における反射光の明るさの分布を表わす。周縁部画像データｄ１の横方向の変化は、基板Ｗの周方向における基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での反射光の明るさの分布を表わす。
【００９８】
基板Ｗが１回転した時点で、基板Ｗの周縁部全体での反射光の明るさの分布が１つの矩形の周縁部画像データｄ１として得られる。周縁部画像データｄ１に基づいて基板Ｗの周縁部の画像（以下、周縁部画像と呼ぶ。）が表示される。周縁部画像データｄ１における基板Ｗの外周部ＥＤＧの位置からの距離に基づいて、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が検出される。
【００９９】
図１６は、周縁部画像データｄ１に基づいて表示される周縁部画像の明るさの分布を示す図である。スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下である場合には、図１６（ａ）に示すように、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２がほぼ一定となる。一方、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていた場合には、図１６（ｂ）に示すように、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が大きく変化する。
【０１００】
（９）搬送機構の動作の調整
上述のように、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２の変化に基づいて基板Ｗの偏心量が算出される。基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていた場合には、以降にスピンチャック２５に搬入される基板Ｗについては、スピンチャック２５の軸心Ｐ１に基板Ｗの中心Ｗ１が載置されるように搬送機構１２７，１２８の動作が調整される。
【０１０１】
ここで、本実施の形態においては、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板載置部ＰＡＳＳ５を挟んで基板Ｗが搬送機構１２７から搬送機構１３７に搬送される。搬送機構１２７に対する基板ＷのノッチＮＴの向きと搬送機構１３７に対する基板ＷのノッチＮＴの向きとは１８０度異なる。そのため、図１２（ｃ）および図１４（ｃ）に示すように、スピンチャック２５上での基板Ｗの向きと基板回転ユニット５４０上での基板Ｗの向きとは１８０度異なる。
【０１０２】
図１７（ａ），（ｂ）は、スピンチャック２５上および基板回転ユニット５４０上での基板Ｗの偏心を示す図である。図１７（ａ）の例では、基板Ｗは、その中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１から矢印ｒ１の向きに偏心して載置されている。ここで、矢印ｒ１の向きは、基準方向ＲＲに対して所定の角度を成す向きである。この場合、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜Ｆ２の中心Ｗ２は、基板Ｗの中心Ｗ１とは異なる位置に形成される。
【０１０３】
その後、当該基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬送される。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、図１７（ｂ）に示すように、スピンチャック２５の軸心Ｐ１に対応する中心Ｗ２からの中心Ｗ１の偏心量が算出される。また、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、中心Ｗ１は中心Ｗ２から矢印ｒ２の向きに位置する。ここで、矢印ｒ２の向きは、矢印ｒ１の向きとは逆である。そのため、基板Ｗの中心Ｗ１を中心Ｗ２に重ねるためには、基板Ｗの位置を矢印ｒ１の方向に移動させなければならない。
【０１０４】
しかしながら、スピンチャック２５において基板Ｗが矢印ｒ１の方向に移動するように搬送機構１２７，１２８の動作を調整すると、中心Ｗ１が中心Ｗ２からますます遠ざかるように基板Ｗがスピンチャック２５に載置されることとなる。このように、偏心量が算出されただけではスピンチャック２５の軸心Ｐ１に基板Ｗの中心Ｗ１が載置されるように搬送機構１２７，１２８の動作を調整することはできない。
【０１０５】
そこで、スピンチャック２５の軸心Ｐ１に基板Ｗの中心Ｗ１が載置されるように搬送機構１２７，１２８の動作を調整するために、メインコントローラ４００は以下の構成を有する。図１８は、基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。図１８に示すように、メインコントローラ４００は、制御部４１０および記憶部４２０を含む。
【０１０６】
記憶部４２０には、基板処理を実行するためのプログラム４２１が記憶される。また、記憶部４２０には、基板処理の条件として基板Ｗの搬送経路および処理内容等を含むスケジュール管理情報４２２が記憶される。
【０１０７】
制御部４１０は、搬送制御部４１１、処理制御部４１２、偏心量算出部４１３および偏心方向判定部４１４を含む。制御部４１０が記憶部４２０に記憶されたプログラム４２１を実行することにより、搬送制御部４１１、処理制御部４１２、偏心量算出部４１３および偏心方向判定部４１４の機能が実現される。制御部４１０には、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２が接続される。
【０１０８】
搬送制御部４１１は、スケジュール管理情報４２２に含まれる搬送経路に沿って搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が基板Ｗを搬送するようにローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２を制御する。処理制御部４１２は、スケジュール管理情報４２２に含まれる処理内容に基づいて塗布ブロック１２，現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４が基板処理を行うようにローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２を制御する。
【０１０９】
偏心量算出部４１３は、ローカルコントローラＬＣ２を介して図９のエッジ露光部ＥＥＷのＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布を取得する。また、偏心量算出部４１３は、取得したＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて基板Ｗの偏心量を算出する。
【０１１０】
偏心方向判定部４１４は、記憶部４２０に記憶されたスケジュール管理情報４２２から基板Ｗの搬送経路および処理内容についての情報を取得する。また、偏心方向判定部４１４は、スピンチャック２５から基板回転ユニット５４０までの基板Ｗの搬送経路およびスピンチャック２５による基板Ｗの回転角度に基づいて、スピンチャック２５上での基板Ｗの向きと基板回転ユニット５４０上での基板Ｗの向きとの関係を特定する。さらに、偏心方向判定部４１４は、特定した関係に基づいて、スピンチャック２５の軸心Ｐ１に対するスピンチャック２５に保持された基板Ｗの中心Ｗ１の偏心方向を判定する。
【０１１１】
搬送制御部４１１は、偏心量算出部４１３により算出された偏心量および偏心方向判定部４１４により判定された偏心方向に基づいて、以降に塗布ブロック１２に搬入される基板Ｗについての搬送機構１２７，１３７の搬入動作を調整する。これにより、以降に塗布ブロック１２に搬入される基板Ｗは、その中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に一致するように塗布処理ユニット１２９に搬入される。
【０１１２】
（１０）状態検出処理
図１９は、図１８のメインコントローラ４００の制御部４１０の動作を示すフローチャートである。以下の説明では、エッジカット幅Ｄ１についての基板Ｗの周縁部の状態検出処理を説明するが、エッジカット幅Ｄ２についての基板Ｗの周縁部の状態検出処理もエッジカット幅Ｄ１についての基板Ｗの周縁部の状態検出処理と同様である。
【０１１３】
まず、制御部４１０は、ローカルコントローラＬＣ２を通して図１１の搬送機構１３７を制御することにより、図８のエッジ露光部ＥＥＷの基板回転ユニット５４０上に基板Ｗを載置させる。また、制御部４１０は、ローカルコントローラＬＣ２を通して図８の基板回転ユニット５４０を制御することにより、基板回転ユニット５４０上に基板Ｗを吸着保持させる（ステップＳ１）。
【０１１４】
次に、制御部４１０は、ローカルコントローラＬＣ２を通して基板回転ユニット５４０を制御することにより、基板回転ユニット５４０に保持された基板Ｗを１回転させる（ステップＳ２）。基板Ｗが１回転する期間に、制御部４１０は、図８のＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、周縁部画像データｄ１を作成する（ステップＳ３）。
【０１１５】
続いて、制御部４１０は、作成した周縁部画像データｄ１に基づいて、エッジカット幅Ｄ１の変化を検出する（ステップＳ４）。また、制御部４１０は、検出したエッジカット幅Ｄ１の変化に基づいて、基板Ｗの偏心量を算出する（ステップＳ５）。
【０１１６】
次に、制御部４１０は、基板ＷのステップＳ５で算出された基板Ｗの偏心量の絶対値が予め設定された許容上限値以下であるか否かを判定する（ステップＳ６）。偏心量の絶対値が許容上限値以下である場合、制御部４１０は、ステップＳ１の処理に戻る。これにより、次の基板Ｗについて状態検出処理が行われる。
【０１１７】
一方、ステップＳ６において偏心量の絶対値が許容上限値を超える場合、制御部４１０は、記憶部４２０に記憶されたスケジュール管理情報４２２に基づいて、スピンチャック２５上での基板Ｗの向きと基板回転ユニット５４０上での基板Ｗの向きとの関係を特定する（ステップＳ７）。続いて、制御部４１０は、ステップＳ５において算出した基板Ｗの偏心量およびステップＳ７において特定した基板Ｗの向きの関係に基づいて搬送機構１２７の動作を調整し（ステップＳ８）、ステップＳ１の処理に戻る。これにより、次の基板Ｗについて状態検出処理が行われる。
【０１１８】
上記の処理によれば、基板処理の最中にスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対する基板Ｗの中心Ｗ１の位置ずれが生じた場合でも、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、その位置ずれが検出される。また、以降の基板Ｗについては、その中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に載置されるように搬送機構１２７の動作が調整される。これにより、製品を作製するために利用可能な基板Ｗの領域を増加させることができる。
【０１１９】
（１１）基板処理
図１、図２、図７および図１１を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１１）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１１）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【０１２０】
塗布ブロック１２において、搬送機構１２７（図１１）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１１）に順に搬送する。
【０１２１】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１２２】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１１）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１１）に搬送する。
【０１２３】
搬送機構１２８（図１１）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１１）に順に搬送する。
【０１２４】
また、搬送機構１２８（図１１）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１１）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１１）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図７）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図７）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１２５】
現像ブロック１３において、搬送機構１３７（図１１）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図７）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１１）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗに状態検出処理およびエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【０１２６】
また、搬送機構１３７（図１１）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図７）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図７）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１１）に順に搬送する。
【０１２７】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【０１２８】
搬送機構１３８（図１１）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図７）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１１）に順に搬送する。
【０１２９】
また、搬送機構１３８（図１１）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図７）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図７）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１１）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１３０】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１１）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１１）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１３１】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１１）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図７）および上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１３２】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１１）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１１）に搬送する。
【０１３３】
（１２）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、記憶部４２０に記憶されたスケジュール管理情報４２２に基づいて、塗布処理ユニット１２９への搬入時にスピンチャック２５により保持された基板Ｗの向きとエッジ露光部ＥＥＷへの搬入時に基板回転ユニット５４０により保持された基板Ｗの向きとの関係が特定される。そのため、塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入時にスピンチャック２５により保持された基板Ｗの向きとエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入時に基板回転ユニット５４０により保持された基板Ｗの向きとが一致しない場合でも、基板Ｗの中心がスピンチャック２５の回転中心に一致するように搬送機構１２７，１２８による塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入動作を調整することができる。その結果、基板Ｗの回転中心と基板Ｗの幾何学的中心とを容易に一致させることができる。
【０１３４】
（１３）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、基板処理として基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止液またはレジスト液を除去する処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。基板処理として基板Ｗの周縁部に処理液の膜を形成する処理が行われてもよい。
【０１３５】
例えば、基板Ｗの周縁部の表面が粗いために基板Ｗの周縁部に異物が付着しやすくなることがある。このような場合、基板Ｗの周縁部に処理液の膜を形成することにより、基板Ｗの周縁部が被覆される。これにより、基板Ｗの周縁部に異物が付着することを防止することができる。
【０１３６】
（ｂ）上記実施の形態においては、エッジ露光部ＥＥＷの基板回転ユニット５４０にエンコーダは設けられないが、本発明はこれに限定されない。基板回転ユニット５４０にエンコーダが設けられてもよい。この場合、基板ＷのノッチＮＴの位置が検出されずに、エンコーダにより検出される基板回転ユニット５４０の回転角度に基づいて基板Ｗが１回転するように基板回転ユニット５４０が制御される。
【０１３７】
（ｃ）上記実施の形態において、位置検出部としてＣＣＤラインセンサ５８３が状態検出処理ユニット５８０に設けられるが、本発明はこれに限定されない。位置検出部として画素の配列方向がＸ方向およびＹ方向に沿うように配置された二次元状のセンサが状態検出処理ユニット５８０に設けられてもよい。ここで、位置検出部の検出領域が基板Ｗの寸法よりも大きい場合には、状態検出処理時に基板Ｗが回転されなくてもよい。
【０１３８】
（ｄ）上記実施の形態において、状態検出処理ユニット５８０は現像ブロック１３のエッジ露光部ＥＥＷに設けられるが、これに限定されない。状態検出処理ユニット５８０は、例えば塗布ブロック１２またはインターフェイスブロック１４等の他のブロックに設けられてもよいし、現像処理ユニット１３９等の他のユニットに設けられてもよい。
【０１３９】
また、状態検出処理ユニット５８０として基板の表面状態を検査するマクロ検査装置が設けられてもよい。この場合、マクロ検査装置のＣＣＤカメラにより基板Ｗの表面が撮像される。撮像された基板Ｗの表面の画像に基づいて、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が算出される。
【０１４０】
（ｅ）上記実施の形態の塗布処理において、反射防止液またはレジスト液に金属成分が含有されてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部に金属成分が残存することを防止するために、金属成分を除去するアルカリ性または酸性を有する除去液が基板Ｗの周縁部に吐出されてもよい。
【０１４１】
（１４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４２】
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が搬送機構の例であり、塗布処理ユニット１２９が処理ユニットの例である。状態検出処理ユニット５８０が検出ユニットの例であり、スケジュール管理情報４２２がスケジュール管理情報の例であり、制御部４１０が制御部の例である。スピンチャック２５が回転保持装置の例であり、エッジリンスノズル３０が処理液供給部の例であり、基板回転ユニット５４０が基板保持部の例であり、ＣＣＤラインセンサ５８３が位置検出部および画像データ検出部の例である。
【０１４３】
偏心量算出部４１３が位置ずれ量算出部の例であり、偏心方向判定部４１４が位置ずれ方向判定部の例であり、搬送制御部４１１が調整部の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。処理制御部４１２が回転制御部の例であり、ノッチＮＴが位置決め部の例であり、処理液ノズル２８が塗布液供給部の例であり、エッジ露光部ＥＥＷが周縁露光部の例である。
【０１４４】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明は、種々の基板処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４６】
１１  インデクサブロック
１２  塗布ブロック
１３  現像ブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
２０  待機部
２１〜２４  塗布処理室
２５，３５  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３０  エッジリンスノズル
３１〜３４  現像処理室
３８  スリットノズル
３９  移動機構
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１２９ａ，ＥＥＷａ  基板搬入口
１３１  現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
４００  メインコントローラ
４１０  制御部
４１１  搬送制御部
４１２  処理制御部
４１３  偏心量算出部
４１４  偏心方向判定部
４２０  記憶部
４２１  プログラム
４２２  スケジューラ
５１０  投光部
５２０  投光部保持ユニット
５４０  基板回転ユニット
５８０  状態検出処理ユニット
５８１  照明部
５８２  反射ミラー
５８３  ＣＣＤラインセンサ
ＣＰ  冷却ユニット
Ｄ１，Ｄ２  エッジカット幅
ｄ１  周縁部画像データ
ＥＥＷ  エッジ露光部
Ｆ１  反射防止膜
Ｆ２  レジスト膜
Ｈ１，Ｈ２  ハンド
ＬＣ１，ＬＣ２  ローカルコントローラ
ＮＴ  ノッチ
Ｐ１，Ｐ２  軸心
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
Ｗ１，Ｗ２  中心
【図１】
2017041513.tif 000003
【図２】
2017041513.tif 000004
【図３】
2017041513.tif 000005
【図４】
2017041513.tif 000006
【図５】
2017041513.tif 000007
【図６】
2017041513.tif 000008
【図７】
2017041513.tif 000009
【図８】
2017041513.tif 000010
【図９】
2017041513.tif 000011
【図１０】
2017041513.tif 000012
【図１１】
2017041513.tif 000013
【図１２】
2017041513.tif 000014
【図１３】
2017041513.tif 000015
【図１４】
2017041513.tif 000016
【図１５】
2017041513.tif 000017
【図１６】
2017041513.tif 000018
【図１７】
2017041513.tif 000019
【図１８】
2017041513.tif 000020
【図１９】
2017041513.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この場合、基板の位置決め部に基づいて基板保持部の回転角度を容易に検出することができる。したがって、基板保持部の回転角度を検出するためのエンコーダ等の部材を検出ユニットに追加する必要がない。これにより、基板処理装置のコストの増加を抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。なお、スピンチャック３５の駆動装置には、図示しないエンコーダが設けられる。後述する図７のローカルコントローラＬＣ２は、エンコーダの出力信号に基づいてスピンチャック３５の回転角度を常時検出する。スリットノズル３８が移動しつつ回転する各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１１）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１１）に搬送する。