(57)【要約】      （修正有）【課題】高速研磨と厚みムラの低減の両立が行える、サファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法の提供。【解決手段】砥粒Ａと、アルキルジメチルアミンオキサイドで表わされる両性界面活性剤Ｂ１、アルキルベタイン及びアルキルアミドプロピルベタインで表わされる両性界面活性剤Ｂ２、２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインで表わされる両性界面活性剤Ｂ３から選ばれる少なくとも１種の両性界面活性剤Ｂと、水系媒体と、を含有するサファイア基板用研磨液組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒Ａと、
下記式（１）で表わされる両性界面活性剤Ｂ１、下記式（２）で表わされる両性界面活性剤Ｂ２、及び下記式（３）で表わされる両性界面活性剤Ｂ３から選ばれる少なくとも１種の両性界面活性剤Ｂと、
水系媒体と、を含有するサファイア板用研磨液組成物。
【化１】
2017190363.tif 000005
ただし、Ｒ1及びＲ7は、同一又は異なって、炭素数が６以上２４以下の炭化水素基であり、Ｒ4は、炭素数が５以上２３以下の炭化水素基であり、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ5，及びＲ6は、同一又は異なって、炭素数が１以上３以下の炭化水素基であり、Ｘは、ＣＨ2又はＣＯＮＨ(ＣnＨ2n)であり、Ｙは、ＣmＨ2mであり、ｎは２以上４以下、ｍは１以上４以下である。
【請求項２】
前記砥粒Ａがシリカ粒子である、請求項１記載の研磨液組成物。
【請求項３】
更に、オルトリン酸塩、亜リン酸塩、及び次亜リン酸塩からなる群から選ばれる１種以上の無機リン酸塩化合物を含む、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
【請求項４】
前記無機リン酸塩化合物が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、及びアンモニウム塩のいずれか１種又は２種以上である、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨液組成物。
【請求項５】
前記研磨液組成物中において、１００質量部の前記砥粒Ａに対する前記両性界面活性剤Ｂの含有量は、０．０００２５以上０．０２５以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨液組成物。
【請求項６】
前記研磨液組成物の２５℃におけるｐＨが７以上１２以下である請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨液組成物。
【請求項７】
被研磨サファイア板に対して、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨液組成物を供給して、前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、サファイア板の製造方法。
【請求項８】
被研磨サファイア板に対して、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨液組成物を供給して、前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用した前記研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含むサファイア板の製造方法。
【請求項９】
被研磨サファイア板に対して、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨液組成物を供給して、前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、被研磨サファイア板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイア等の硬脆材料は、光学材料、電子材料又は機械材料として必要不可欠である。
【０００３】
例えば、人工サファイア板は、集積回路基盤、赤外線探知用レンズ、時計、スマートフォン等の携帯端末装置等のさまざまな用途の材料として用いられている。特に、ＬＥＤの急速な普及に伴い、その基板として利用されるサファイア板の需要が急増している。ＬＥＤ用サファイア基板は、ＬＥＤ素子の発光効率の向上のため、その表面平滑性が高いことが望まれる。
【０００４】
サファイア板の表面平滑性を満足させるために、研磨液組成物を用いた仕上げ研磨が行われている。サファイア（α−アルミナ、モース硬度９）板よりも低硬度の砥粒を用いることにより、サファイア板表面にピットやスクラッチが発生しないようにしている。しかしながら、サファイアは、機械的、化学的、熱的安定性に優れてはいるものの、仕上げ研磨において、研磨速度が低いという問題がある。
【０００５】
特許文献１には、研磨対象物を高い研磨速度で研磨し、且つ、研磨対象物表面の傷等の欠陥の発生や研磨パッド又は保持治具等の傷の発生を抑制することを目的し、研磨パッドと研磨対象物との間の不要な摩擦抵抗を低減する添加剤として、例えば、陰イオン性の界面活性剤及び陰イオン性の水溶性高分子からなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含む研磨用組成物が開示されている。特許文献２及び引用文献３には、研磨対象物を高い研磨速度で研磨し、且つ、被研磨面の表面粗度を低減することを目的として、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方を含む、研磨液組成物が開示されている。特許文献４には、半導体基板材料やガラス基板材料等の研磨に使用され、研磨対象物を高い研磨速度で研磨し、且つ、被研磨面の平滑性及び均一性の向上を目的として、親水基とフッ素化炭化水素基とを有する含フッ素化合物を含む研磨液組成物が開示されている。特許文献５には、高い研磨速度と被研磨面の良好な品質の両立を目的として、スルホ基及び/またはその塩を有するとともに芳香環を含む高分子化合物を含んだ研磨液組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−２０３０８１号公報
【特許文献２】特開２００９−２９７８１８号公報
【特許文献３】特開２０１４−３９０５４号公報
【特許文献４】特開２００１−３０３０２７号公報
【特許文献５】特開２０１４−２０４０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、サファイア板のうちの外周近傍における研磨量が、それより内側部分の研磨量よりも大きくて、当該外周近傍における厚みが当該内側部分における厚みよりも薄くなる、という厚みムラが生じることがある。また、生産性の向上を目的として、サファイア板の研磨速度をさらに向上させることが望まれている。
【０００８】
そこで、本発明では、高速研磨と厚みムラの低減の両立が行える、サファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のサファイア板用研磨液組成物は、砥粒Ａと、下記式（１）で表わされる両性界面活性剤Ｂ１、下記式（２）で表わされる両性界面活性剤Ｂ２、及び下記式（３）で表わされる両性界面活性剤Ｂ３からなる群から選ばれる少なくとも１種の両性界面活性剤Ｂと、水系媒体と、を含有するサファイア板用研磨液組成物である。
【化１】
2017190363.tif 000002
ただし、Ｒ1及びＲ7は、同一又は異なって、炭素数が６以上２４以下の炭化水素基であり、Ｒ4は、炭素数が５以上２３以下の炭化水素基であり、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ5，及びＲ6は、同一又は異なって、炭素数が１以上３以下の炭化水素基であり、Ｘは、ＣＨ2又はＣＯＮＨ(ＣnＨ2n)であり、Ｙは、ＣmＨ2mであり、ｎは２以上４以下、ｍは１以上４以下である。
【００１０】
本発明のサファイア板の製造方法の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して、被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、サファイア板の製造方法である。
【００１１】
本発明のサファイア板の製造方法の他の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して、被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用したサファイア板用研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含むサファイア板の製造方法である。
【００１２】
本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して、前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、被研磨サファイア板の研磨方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高速研磨と厚みムラの低減の両立が行えるサファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、砥粒と水系媒体とを含むサファイア板用研磨液組成物が、特定の両性界面活性剤を含むことにより、高速研磨と厚みムラの低減の両立が行えるという、知見に基づく。
【００１５】
本発明のサファイア板用研磨液組成物（以下「サファイア板用研磨液組成物」を「研磨液組成物」と略称する場合もある。）は、砥粒Ａと、特定の両性界面活性剤Ｂと、水系媒体とを含む。本発明の研磨液組成物が特定の両性界面活性剤Ｂを含むことにより、高速研磨と厚みムラの低減の両立が行える理由は定かではないが、以下のように推察される。
【００１６】
本発明の研磨液組成物に含まれる特定の両性界面活性剤Ｂは、炭化水素基と、負電荷と正電荷の両方をもつ親水基と、を有し、当該親水基が砥粒に吸着し、当該炭化水素基が疎水性相互作用によって被研磨サファイア板に吸着してバインダー効果を発現する。その結果、砥粒の被研磨サファイア板への濡れ性が向上して、被研磨面に対する研磨液組成物の液回り性の向上し、高速研磨と厚みムラの低減の両立が可能となったものと推測される。但し、本発明はこれらの推定に限定されるものではない。
【００１７】
[砥粒Ａ]
本発明の研磨液組成物は、砥粒Ａを含む。砥粒Ａとしては、研磨速度の向上の観点から、無機粒子が好ましく、シリカ粒子、アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化マンガン粒子、窒化ホウ素粒子、及び酸化チタニウム粒子から選ばれる１種以上の粒子が挙げられる。砥粒Ａは、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくはシリカ粒子、アルミナ粒子、酸化ケイ素粒子、及びダイヤモンド粒子から選ばれる１種以上の粒子、より好ましくはシリカ粒子、アルミナ粒子及びダイヤモンド粒子から選ばれる１種以上の粒子、更に好ましくはシリカ粒子である。
【００１８】
砥粒Ａの平均二次粒径は、研磨速度向上の観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは８０ｎｍ以上であり、そして、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、更に好ましくは２００ｎｍ以下である。
【００１９】
本発明の研磨液組成物中の砥粒Ａの含有量は、研磨速度の向上の観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上であり、そして、研磨液組成物のコスト低減及び保存安定性の向上の観点から、好ましくは５５質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、更に好ましくは４５質量％以下である。
【００２０】
（シリカ粒子）
好ましい砥粒Ａであるシリカ粒子（以下、「シリカ粒子Ａ」ともいう）の平均二次粒径は、研磨速度向上の観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは８０ｎｍ以上であり、そして、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、更に好ましくは２００ｎｍ以下である。前記平均二次粒径は、動的光散乱法で測定することができ、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。
【００２１】
前記シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積は、研磨速度向上の観点から、好ましくは１０ｍ2/ｇ以上、より好ましくは２０ｍ2/ｇ以上、更に好ましくは３０ｍ2/ｇ以上、そして、同様の観点から、好ましくは２００ｍ2/ｇ以下、より好ましくは１００ｍ2/ｇ以下、更に好ましくは６０ｍ2/ｇ以下である。前記比表面積は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。
【００２２】
前記シリカ粒子Ａの平均一次粒径は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、更に好ましくは２００ｎｍ以下、更により好ましくは１５０ｎｍ以下であり、そして、研磨速度の向上の観点から、好ましくは４５ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上である。前記平均一次粒径は、例えば、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。
【００２３】
本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子Ａの粒子形状としては、球状及び非球状のシリカ粒子が挙げられ、研磨速度の向上の観点から、好ましくは球状のシリカ粒子及び以下に示す異形型のシリカ粒子Ａｂから選ばれる少なくとも１種であり、そして、高研磨速度と厚みムラの低減の両立の観点から、より好ましくは球状のシリカ粒子である。尚、「球状のシリカ粒子」とは、真球に近い球形状の粒子(一般的に市販されているコロイダルシリカ粒子)をいう。
【００２４】
前記非球状シリカ粒子の絶対最大長の平均値（以下、「平均絶対最大長」ともいう。）は、研磨速度向上の観点から、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは９０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、更により好ましくは１１０ｎｍ以上、更により好ましくは１２０ｎｍ以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、更に好ましくは３００ｎｍ以下、更により好ましくは２００ｎｍ以下、更により好ましくは１５０ｎｍ以下である。ここで、前記絶対最大長とは、電子顕微鏡観察等で投影された粒子の輪郭線上の任意の２点間の距離の最大長をいう。平均絶対最大長は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００２５】
前記非球状シリカ粒子の面積比（ａ／ｂ×１００）の平均値は、研磨速度向上の観点から、好ましくは９０％以下であり、そして、同様の観点から、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、更に好ましくは６５％以上、更により好ましくは７０％以上である。ここで、前記面積比（ａ／ｂ×１００）とは、電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａを、粒子の絶対最大長を直径とする円の面積ｂで除して１００を乗じた値（％）をいう。面積比（ａ／ｂ×１００）の平均値は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００２６】
前記非球状のシリカ粒子としては、研磨速度向上の観点から、好ましくは、シリカ粒子Ａの二次粒子径よりも粒径が小さいシリカ粒子を前駆体粒子として、複数の前駆体粒子が、凝集又は融着した形状である。非球状のシリカ粒子としては、同様の観点から、金平糖型のシリカ粒子Ａａ、異形型のシリカ粒子Ａｂ、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａｃから選ばれる少なくとも１種が好ましく、異形型のシリカ粒子Ａｂがより好ましい。
【００２７】
前記金平糖型のシリカ粒子Ａａ（以下、「粒子Ａａ」ともいう）は、球状の粒子表面に特異な疣状突起を有するシリカ粒子をいう。粒子Ａａは、好ましくは、最も大きい前駆体粒子ａ１と、粒径が前駆体粒子ａ１の１／５以下である１個以上の前駆体粒子ａ２とが、凝集又は融着した形状である。粒子Ａａは、好ましくは粒径の小さい複数の前駆体粒子ａ２が粒径の大きな１個の前駆体粒子ａ１に一部埋没した状態である。粒子Ａａは、例えば、特開２００８−１３７８２２号公報に記載の方法により、得られうる。前駆体粒子の粒径は、ＴＥＭ等による観察画像において１個の前駆体粒子内で測定される円相当径、すなわち、前駆体粒子の投影面積と同じ面積である円の直径として求められうる。シリカ粒子Ａｂ及びシリカ粒子Ａｃにおける前駆体粒子の粒径も同様に求めることができる。
【００２８】
前記異形型のシリカ粒子Ａｂ（以下、「粒子Ａｂ」ともいう）は、２個以上の前駆体粒子、好ましくは２個以上１０個以下の前駆体粒子が凝集又は融着した形状のシリカ粒子をいう。粒子Ａｂは、好ましくは、最も小さい前駆体粒子の粒径を基準にして、粒径が１．５倍以内の２個以上の前駆体粒子が、凝集又は融着した形状である。粒子Ａｂは、例えば、特開２０１５−８６１０２号公報に記載の方法により、得られうる。
【００２９】
前記異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａｃは、前記粒子Ａｂを前駆体粒子ｃ１とし、最も大きい前駆体粒子ｃ１と、粒径が前駆体粒子ｃ１の１／５以下である１個以上の前駆体粒子ｃ２とが、凝集又は融着した形状である。
【００３０】
シリカ粒子Ａとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられ、研磨された被研磨対象物の平滑性向上の観点から、好ましくはコロイダルシリカである。
【００３１】
シリカ粒子Ａは、コロイダルシリカである場合、製造容易性及び経済性の観点から、珪酸アルカリ水溶液を原料とした粒子成長による方法（以下、「水ガラス法」ともいう）又はアルコキシシランの加水分解物の縮合による方法により得たものであることが好ましく、水ガラス法により得たものであることがより好ましい。水ガラス法により得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。シリカ粒子Ａの使用形態としては、操作性の観点からスラリー状が好ましい。
【００３２】
前記シリカ粒子Ａは、粒子表面をシランカップリング剤等で表面処理されたものであってもよく、研磨速度向上の観点から、好ましくは表面処理されていないシリカ粒子である。前記シリカ粒子Ａは、Ａｌ、Ｚｒ等のＳｉ以外の無機元素を含んでも良い。シリカ粒子中のＳｉＯ2の含有量は、研磨速度向上の観点から、無水酸化物換算で、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、更に好ましくは９９質量％以上である。
【００３３】
本発明の研磨液組成物に含まれる砥粒Ａがシリカ粒子である場合、研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の含有量は、研磨速度の向上の観点から、無水酸化物（ＳｉＯ2）換算濃度で、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上であり、そして、研磨液組成物のコスト低減及び保存安定性の向上の観点から、ＳｉＯ2換算濃度で、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、更に好ましくは４０質量％以下である。
【００３４】
（アルミナ粒子）
アルミナ粒子としては、α−アルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられ、なかでも、研磨速度向上の観点から、好ましくはα−アルミナである。
【００３５】
アルミナ粒子の平均二次粒径は、研磨速度向上の観点から、好ましくは２００ｎｍ以上、より好ましくは２５０ｎｍ以上、更に好ましくは３００ｎｍ以上、更により好ましくは３５０ｎｍ以上であり、そして、厚みムラの低減の観点から、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは９５０ｎｍ以下、更に好ましくは９００ｎｍ以下、更により好ましくは８００ｎｍ以下である。前記平均二次粒径は、動的光散乱法で測定することができ、例えば、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００３６】
アルミナ粒子のα化率は、研磨速度の向上及びスクラッチ数の低減の観点から、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上である。前記α化率は、粉末Ｘ線回折により測定でき、例えば、実施例の方法により測定できる。
【００３７】
本発明の研磨液組成物中のアルミナ粒子のＢＥＴ比表面積は、研磨機の動作安定性の向上の観点から、好ましくは１ｍ2/ｇ以上、より好ましくは２ｍ2/ｇ以上、更に好ましくは４ｍ2/ｇ以上であり、そして、研磨速度向上の観点から、好ましくは２００ｍ2/ｇ以下、より好ましくは１００ｍ2/ｇ以下、更に好ましくは６０ｍ2/ｇ以下である。
【００３８】
本発明の研磨液組成物に含まれる砥粒Ａがアルミナ粒子である場合、研磨液組成物に含まれるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度の向上の観点から、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは７質量％以上、更により好ましくは１０質量％以上であり、そして、研磨機への砥粒の固着低減の観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、更に好ましくは４０質量％以下である。
【００３９】
（ダイヤモンド粒子）
ダイヤモンド粒子としては、単結晶ダイヤモンド粒子、単結晶ダイヤモンド粒子に熱処理を施した単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子等が挙げられ、なかでも、製造コスト低減の観点から、好ましくは多結晶ダイヤモンド粒子である。
【００４０】
ダイヤモンド粒子の平均二次粒径は、研磨速度向上の観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、更に好ましくは１０ｎｍ以上であり、そして、厚みムラの低減の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。前記ダイヤモンド粒子の平均二次粒径は、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。
【００４１】
本発明の研磨液組成物に含まれる砥粒Ａがダイヤモンド粒子である場合、研磨液組成物に含まれるダイヤモンド粒子の含有量は、研磨速度の向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、更により好ましくは１０質量％以上であり、そして、経済性の観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、更に好ましくは４０質量％以下である。
【００４２】
＜両性界面活性剤Ｂ＞
本発明の研磨液組成物に含まれる両性界面活性剤Ｂは、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、下記式（１）で表わされる両性界面活性剤Ｂ１、下記式（２）で表わされる両性界面活性剤Ｂ２、及び下記式（３）で表わされる両性界面活性剤Ｂ３からなる群から選ばれる少なくとも１種の両性界面活性剤である。
【化２】
2017190363.tif 000003
ただし、Ｒ1及びＲ7は、同一又は異なって、炭素数が６以上２４以下の炭化水素基であり、Ｒ4は、炭素数が５以上２３以下の炭化水素基であり、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ5，及びＲ6は、同一又は異なって、炭素数が１以上３以下の炭化水素基であり、Ｘは、ＣＨ2又はＣＯＮＨ(ＣnＨ2n)であり、Ｙは、ＣmＨ2mであり、ｎは２以上４以下、ｍは１以上４以下である。
【００４３】
両性界面活性剤Ｂ１は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくはアルキルジメチルアミンオキサイドである。上記式（１）において、Ｒ1は、同様の観点から、好ましくはアルキル基である。Ｒ1の炭素数は、同様の観点から、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１２以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは１８以下、より好ましくは１６以下、更に好ましくは１４以下である。
【００４４】
両性界面活性剤Ｂ２は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくはアルキルベタイン及びアルキルアミドプロピルベタインから選ばれる１種以上、より好ましくはアルキルベタインである。上記式（２）において、Ｒ4は、同様の観点から、好ましくはアルキル基であり、そして、Ｘは、同様の観点から、好ましくはＣＨ2である。Ｒ4の炭素数は、同様の観点から、好ましくは７以上、より好ましくは９以上、更に好ましくは１１以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは１７以下、より好ましくは１５以下、更に好ましくは１３以下である。上記式（２）において、ｎは、同様の観点から、好ましくは２以上３以下であり、ｍは、同様の観点から、好ましくは１以上３以下である。
【００４５】
両性界面活性剤Ｂ３は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインである。上記式（３）において、Ｒ7は、同様の観点から、好ましくはアルキル基である。Ｒ7の炭素数は、同様の観点から、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１２以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは１８以下、より好ましくは１６以下、更に好ましくは１４以下である。
【００４６】
両性界面活性剤Ｂとしては、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは両面活性剤Ｂ１及びＢ２から選ばれる１種以上、より好ましくは両面界面活性剤Ｂ１である。両性界面活性剤Ｂとしては、同様の観点から、好ましくは、アルキルジメチルアミンオキサイド、アルキルベタイン、アルキルアミドプロピルベタイン、及び２−アルキル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインからなる群から選ばれる少なくとも１種、より好ましくはアルキルジメチルアミンオキサイド及びアルキルベタインから選ばれる少なくとも１種、更に好ましくはアルキルジメチルアミンオキサイドである。
【００４７】
本発明の研磨液組成物中の両性界面活性剤Ｂの含有量は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは０．１質量ｐｐｍ以上、より好ましくは０．５質量ｐｐｍ以上、更に好ましくは１．０質量ｐｐｍ以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは４０質量ｐｐｍ以下、より好ましくは２０質量ｐｐｍ以下、更に好ましくは１５質量ｐｐｍ以下である。
【００４８】
本発明の研磨液組成物中において、１００質量部の砥粒Ａに対する両性界面活性剤Ｂの含有量（単位：質量部）は、厚みムラの低減の観点から、好ましくは０．０２５以下、より好ましくは０．０１０以下、更に好ましくは０．００５以下であり、そして、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０００２５以上、より好ましくは０．０００５以上、更に好ましくは０．００１以上である。
【００４９】
［水系媒体］
本発明の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が好ましい。水系媒体としては、なかでも、イオン交換水又は超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。前記水系媒体が、水と溶媒との混合媒体である場合、混合媒体全体に対する水の割合は、特に限定されるわけではないが、経済性の観点から、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましく、１００質量％が更により好ましい。
【００５０】
本発明の研磨液組成物における水系媒体の含有量は、特に限定されるわけではなく、砥粒Ａ、両性界面活性剤Ｂ、後述する任意成分の残余であってよい。
【００５１】
本発明の研磨液組成物の２５℃におけるｐＨは、研磨速度向上の観点から、好ましくは７以上、より好ましくは９以上、更に好ましくは１０以上であり、そして、砥粒がシリカ粒子である場合のシリカ粒子の溶解抑制、研磨液組成物の保存安定性向上の観点から、好ましくは１２以下である。
【００５２】
本発明の研磨液組成物は、その使用用途に応じて、従来から公知の任意成分を更に含んでいてもよい。本発明の研磨液組成物が、例えば、半導体素子等の電子部品用サファイア基板用研磨液組成物（例えば、ＬＥＤ用サファイア基板用研磨液組成物）である場合は、本発明の研磨液組成物は、糖骨格を有する化合物、ｐＨ調整剤（酸、アルカリ）、酸化剤、防錆剤、抗菌剤、帯電防止剤、後述する無機リン酸塩化合物等を更に含んでいてもよい。糖骨格を有する化合物、ｐＨ調整剤（酸、アルカリ）、及び酸化剤の具体例としては、例えば、特開２０１５−２２７４４６号公報に記載のものが使用できる。
【００５３】
［無機リン酸塩化合物］
本発明の研磨液組成物は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、無機リン酸塩化合物を含んでいると好ましい。無機リン酸塩化合物としては、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、オルトリン酸塩、亜リン酸塩、及び次亜リン酸塩からなる群から選ばれる１種以上の無機リン酸塩化合物が好ましく、オルトリン酸塩、亜リン酸塩がより好ましい。また、無機リン酸塩化合物は、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、又はアンモニウム塩であると好ましい。アルカリ金属又はアルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、及びカリウムが好ましい。これらのなかでも、砥粒の凝集抑制の観点から、無機リン酸塩化合物は、ナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
【００５４】
無機リン酸塩化合物の具体例としては、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、リン酸ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）、リン酸カリウム（Ｋ3ＰＯ4）、リン酸一水素二ナトリウム（Ｎａ2ＨＰＯ4）、リン酸二水素一ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ4）、リン酸二水素一カリウム（ＫＨ2ＰＯ4）、リン酸二水素一アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）、リン酸一水素二カリウム（Ｋ2ＨＰＯ4）、リン酸一水素二アンモニウム（（ＮＨ4）2ＨＰＯ4）等のオルトリン酸塩；亜リン酸ナトリウム（Ｎａ2ＨＰＯ3）、亜リン酸カリウム（Ｋ2ＨＰＯ3）等の亜リン酸塩；次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ2）、次亜リン酸カリウム（ＫＨ2ＰＯ2）、次亜リン酸アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ2）等の次亜リン酸塩が挙げられ、これらのなかでも、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、リン酸一水素二ナトリウム、リン酸一水素二カリウム、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、リン酸一水素二アンモニウム（（ＮＨ4）2ＨＰＯ4）及び次亜リン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以上の無機リン酸塩化合物が好ましい。また、これらの無機塩は水和物構造をしていてもよい。
【００５５】
本発明の研磨液組成物に含まれる無機リン酸塩化合物の含有量は、高速研磨と厚みムラの低減の両立の観点から、好ましくは１質量ｐｐｍ以上、より好ましくは１０質量ｐｐｍ以上、更に好ましくは１００質量ｐｐｍ以上、更により好ましくは２００質量ｐｐｍ以上、更により好ましくは５００質量ｐｐｍ以上、更により好ましくは８００ｐｐｍ以上であり、そして、研磨された被研磨対象の厚みムラの低減の観点から、好ましくは５０００質量ｐｐｍ以下、より好ましく４０００質量ｐｐｍ以下、更に好ましくは３０００質量ｐｐｍ以下、更により好ましくは２０００質量ｐｐｍ以下である。
【００５６】
本発明の研磨液組成物中における、砥粒Ａと無機リン酸塩化合物との含有量比［砥粒Ａの含有量（質量ｐｐｍ）／無機リン酸塩化合物の含有量（質量ｐｐｍ）］は、厚みムラの低減の観点から、好ましくは２以上、より好ましく２０以上、更に好ましくは１００以上であり、そして、同様の観点から、好ましくは１００００以下、より好ましく４０００以下、更に好ましくは１０００以下である。
【００５７】
［研磨液組成物の調製方法］
本発明の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。前記研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度や研磨条件等に応じて適宜決定できる。尚、上記した各成分の含有量は、使用時における含有量である。
【００５８】
次に、本発明の研磨液組成物を用いた、本発明のサファイア板の製造方法の一例（以下、「本発明の製造方法の一例」と略称する場合もある。）、及び本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例（以下、「本発明の研磨方法の一例」と略称する場合もある。）について説明する。
【００５９】
［被研磨対象］
本発明の製造方法の一例、及び本発明の研磨方法の一例において研磨される被研磨対象は、サファイア板の無極性面（Ａ面等）、半極性面（Ｍ面、Ｒ面等）、及び極性面（Ｃ面等）のうちのいずれであってもよく、本発明の効果がより顕著に発現する観点から、好ましくは極性面（Ｃ面）である。また、被研磨対象の形状は、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状のみならず、レンズ等の曲面部を有する形状であってもよい。また、前記被研磨対象は、スマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラスとして用いられるサファイア板、ＬＥＤ用サファイア基板等さまざまであり、本発明の研磨液組成物は、ＬＥＤ用サファイア基板、スマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラスとして用いられるサファイア板の製造方法の研磨工程で使用される研磨液組成物として適している。
【００６０】
故に、本発明のサファイア板の製造方法の一例は、ＬＥＤ用サファイア基板又はスマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラス用サファイア板等のサファイア板の製造方法であって、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。また、本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例は、ＬＥＤ用サファイア基板又はスマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラス用サファイア板等のサファイア板の研磨方法であって、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。
【００６１】
前記被研磨サファイア板を研磨する工程は、サファイア単結晶インゴットを薄円板状にスライスして得たウェーハを平面化する第一研磨工程（粗研磨工程）と粗研磨されたウェーハをエッチングした後、ウェーハ表面を鏡面化する第二研磨工程（仕上げ研磨）に分かれ、本発明の研磨液組成物は、第一研磨工程及び第二研磨工程のいずれにも使用できる。しかし、本発明の研磨液組成物は、サファイア板の表面平滑性及び生産性の向上の観点から、第二研磨工程に使用するのが好ましい。第一研磨工程では、ダイヤモンドを砥粒として含む研磨液組成物を用いるのが一般的である。
【００６２】
本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例で用いる研磨装置としては、例えば、被研磨サファイア板を保持する冶具（キャリア：ガラスエポキシ製材料等）と研磨布（研磨パッド）とを備えた研磨装置を用いることができ、両面研磨装置及び片面研磨装置のいずれであってもよい。
【００６３】
前記研磨パッドには、従来公知のものが使用できる。研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられる。前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましい。例えば、不織布研磨パッドとしてＳＵＢＡ８００（ニッタハース製）が好適に用いられる。
【００６４】
本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例では、被研磨サファイア板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた研磨定盤で被研磨サファイア板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨サファイア板との間に供給し、被研磨サファイア板と前記研磨パッドとを接触させながら、研磨パッド及び／又は被研磨サファイア板を動かすことにより、被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。
【００６５】
本発明の製造方法の一例及び研磨方法の一例における研磨荷重は、研磨速度向上の観点から、好ましくは５０ｇ／ｃｍ2以上、より好ましくは１００ｇ／ｃｍ2以上、更に好ましくは１５０ｇ／ｃｍ2以上、更により好ましくは２００ｇ／ｃｍ2以上であり、そして、装置、パッド等の耐久性を考慮すると、好ましくは４００ｇ／ｃｍ2以下、より好ましくは３５０ｇ／ｃｍ2以下である。前記研磨荷重の調整は、定盤や被研磨サファイア板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。研磨荷重は、研磨時に被研磨サファイア板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。
【００６６】
本発明の研磨液組成物の供給方法は、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドと被研磨サファイア板の間にポンプ等で供給する方法、研磨の直前の供給ライン内等で前記構成成分を混合して供給する方法等が挙げられる。研磨速度向上の観点及び装置負荷低減の観点から、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で、研磨液組成物を、研磨パッドと被研磨サファイア板の間にポンプ等で供給する方法が好ましい。
【００６７】
研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨サファイア板１ｃｍ2あたり、好ましくは２０ｍＬ／分以下、より好ましくは１０ｍＬ／分以下、更に好ましくは５ｍＬ／分以下であり、そして、研磨速度向上の観点から、被研磨サファイア板１ｃｍ2あたり、好ましくは０．０１ｍＬ／分以上、より好ましくは０．１ｍＬ／分以上、更に好ましくは０．５ｍＬ／分以上である。
【００６８】
本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例では、本発明の研磨液組成物を用いているので、高速研磨と厚みムラの低減の両立ができる。
【００６９】
本発明の製造方法の他の一例では、被研磨サファイア板に対して、本発明の研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用した前記研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含む。
【実施例】
【００７０】
下記の通り、砥粒Ａ、両性界面活性剤Ｂ又はその比較対象物、イオン交換水、ｐＨ調整剤、及び必要に応じて無機リン酸塩化合物を用いて、実施例１〜１６、比較例１〜８の研磨液組成物を調製した。実施例１〜１６、比較例１〜８の研磨液組成物における、砥粒、両性界面活性剤Ｂ又はその比較対象物、及び無機リン酸塩化合物の含有量は、各々表１に記載の通りとした。ｐＨ調整剤の添加量は、実施例１〜１６、比較例１〜８の研磨液組成物の２５℃におけるｐＨが表１に示した値となるよう設定した。研磨液組成物におけるイオン交換水の含有量は、砥粒、両性界面活性剤Ｂ又はその比較対象物、ｐＨ調整剤、及び無機リン酸塩化合物を除いた残量である。
【００７１】
＜実施例１〜４＞
イオン交換水の入ったビーカー内に、表１に記載のベタイン型の両性界面活性剤を添加した後、球状コロイダルシリカ粒子（ＢＥＴ比表面積：３１．７ｍ2/ｇ）水分散液を添加しこれらを撹拌して、添加剤添加球状コロイダルシリカ粒子水分散液を得た。その後すぐに、ｐＨ調整剤として４８質量％水酸化ナトリウム水溶液（関東化学社製）を用いて添加剤添加球状コロイダルシリカ粒子水分散液のｐＨを９．６に調整して、実施例１〜４の研磨液組成物を得た。
【００７２】
＜実施例５＞
ベタイン型の両性界面活性剤Ｂに代えて、アミンオキサイド型の両性界面活性剤Ｂを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例５の研磨液組成物を調製した。
【００７３】
＜実施例６〜９＞
アミンオキサイド型の両性界面活性剤の含有量を変えたこと以外は実施例５と同様にして、実施例６〜９の研磨液組成物を調製した。
【００７４】
＜実施例１０＞
更に、亜リン酸ナトリウムを添加したこと以外は実施例５と同様にして、実施例１０の研磨液組成物を調製した。
【００７５】
＜実施例１１＞
４８質量％水酸化ナトリウム水溶液（関東化学社製）の添加量を変えてｐＨを８．０としたこと以外は実施例５と同様にして、実施例１１の研磨液組成物を調製した。
【００７６】
＜実施例１２＞
４８質量％水酸化ナトリウム水溶液（関東化学社製）の添加量を変えてｐＨを１１．５としたこと以外は実施例５と同様にして、実施例１２の研磨液組成物を調製した。
【００７７】
＜実施例１３＞
Ａ面を研磨するための研磨液組成物として、実施例５と同じ研磨液組成物を用意した。
【００７８】
＜実施例１４＞
球状コロイダルシリカ粒子水分散液に代えて、α−アルミナ粒子（砥粒、α化率９０％、結晶子サイズ  ３２ｎｍ）水分散液を用いたこと以外は実施例５と同様にして、実施例１４の研磨液組成物を調製した。
【００７９】
＜実施例１５＞
球状シリカ粒子水分散液に代えて、異形型のシリカ粒子Ａｂ（表１においては「異形シリカ」と表示。ＢＥＴ比表面積：３４．２ｍ2/ｇ）水分散液を用いたこと以外は、実施例５と同様にして実施例１５の研磨液組成物を調製した。前記非球状シリカ粒子Ａｂの、平均絶対最大長は１２２．６ｎｍ、面積比（ａ／ｂ×１００）の平均値は７２．８％である。
【００８０】
＜実施例１６＞
球状シリカ粒子水分散液に代えて、ダイヤモンド粒子水分散液を用いたこと以外は実施例５と同様にして、実施例１６の研磨液組成物を調製した。
【００８１】
＜比較例１＞
両性界面活性剤を添加しないこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の研磨液組成物を調製した。
【００８２】
＜比較例２＞
ベタイン型の両性界面活性剤に代えて直鎖アルキルベンゼンスルホン酸を添加したこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の研磨液組成物を調製した。
【００８３】
＜比較例３＞
４８質量％水酸化ナトリウム水溶液（関東化学社製）の添加量を変えてｐＨを８．０としたこと以外は比較例１と同様にして、比較例３の研磨液組成物を調製した。
【００８４】
＜比較例４＞
４８質量％水酸化ナトリウム水溶液（関東化学社製）の添加量を変えてｐＨを１１．５としたこと以外は比較例１と同様にして、比較例４の研磨液組成物を調製した。
【００８５】
＜比較例５＞
Ａ面を研磨するための研磨液組成物として、比較例２と同じ研磨液組成物を用意した。
【００８６】
＜比較例６＞
ベタイン型両性界面活性剤に代えてポリスチレンスルホン酸ナトリウムを添加したこと以外は実施例１と同様にして、比較例６の研磨液組成物を調製した。
【００８７】
＜比較例７＞
ベタイン型両性界面活性剤に代えてポリビニルアルコールを添加したこと以外は実施例１と同様にして、比較例７の研磨液組成物を調製した。
【００８８】
＜比較例８＞
ベタイン型両性界面活性剤に代えてパーフルオロアルキルアミンオキサイドを添加したこと以外は実施例１と同様にして、比較例８の研磨液組成物を調製した。
【００８９】
２．各種パラメーターの測定方法
［砥粒の平均一次粒径の測定］
砥粒の平均一次粒径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ＝６／（ρ×S）
ρ：物質の密度（kg/m3）
【００９０】
砥粒の比表面積は、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置 フローソーブＩＩＩ２３０５、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
【００９１】
［前処理］
（ａ）砥粒を含むスラリーを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）前記スラリーをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルターで濾過する。
（ｅ）フィルター上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（砥粒）をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
【００９２】
［砥粒の平均二次粒径の測定］
砥粒の平均二次粒径（分散粒径）は、動的光散乱（ＤＬＳ）粒度分布計（マルバーン社製、ゼータサイザーナノＳ）を用いて下記の条件で測定し、得られる体積換算平均粒径（Ｄ５０）を平均二次粒径（分散粒径）として求めた。
溶媒：水（屈折率１．３３３）
砥粒：コロイダルシリカ粒子（屈折率１．４５、減衰係数０．０２）
測定温度：２５℃
【００９３】
［砥粒の平均絶対最大長及び面積比（ａ／ｂ×１００）の平均値］
砥粒を日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦ（Ｖｅｒ．３．６）」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個の砥粒データについて、個々の砥粒の投影面積ａ及び絶対最大長を求めた。絶対最大長の平均値を平均絶対最大長とした。個々の砥粒の絶対最大長を直径とする円の面積をｂとし、面積比（ａ／ｂ×１００）（％）を算出し、その平均値を面積比（ａ／ｂ×１００）の平均値とした。
【００９４】
［研磨液組成物のｐＨ測定］
ｐＨメーター（東亜電波工業社製、ＨＭ−３０Ｇ）を用い、２５℃にて研磨液組成物のｐＨを測定した。
【００９５】
３．評価
［研磨速度の評価］
サファイア板に対して下記の研磨条件で、研磨液組成物を用いて、３時間循環研磨を行った。そして、サファイア板の研磨前後の重量変化を求め、サファイア密度（３．９８ｇ／ｃｍ3）、サファイア板面積から研磨速度（μｍ／ｈ）を算出した。サファイア板の被研磨面の面積は、Ｃ面については４５．６ｃｍ2、Ａ面については２０．３ｃｍ2とした。実施例１〜１６、比較例１〜８の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度は、比較例１の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度を「１００」とした場合の相対値で、表１に示した。
【００９６】
（研磨条件）
片面研磨機（テクノライズ製ＴＲ１５Ｍ−ＴＲＫ１、定盤径３８ｃｍ）
不織布研磨パッド（ニッタハース製ＳＵＢＡ８００）
研磨荷重３００ｇ／ｃｍ2
定盤回転数１２０ｒｐｍ
キャリア回転数１２０ｒｐｍ
研磨液流量：Ｃ面研磨１２０ｍＬ／ｍｉｎ（循環）
Ａ面研磨１２０ｍＬ／ｍｉｎ（循環）
上記の研磨条件で、サファイア板を研磨した後、超純水に浸漬し、次いで、流水（超純水）で洗い流し、乾燥させた。
【００９７】
［ＴＴＶ（Total Thickness Value）の測定方法］
研磨液組成物を用いてサファイア板を研磨した後、超純水に浸漬し、次いで、流水（超純水）で洗い流し、乾燥させた基板の基板厚みを、
基板中心部１点と基板外周部（基板端部から０．５  ｍｍの位置）５点（５点間の間隔は等間隔）の条件でデジマチックマイクロメーター（株式会社ミツトヨ製  ＭＤＨ−２５Ｍ）で測定し、基板中心部の基板厚み値から、基板外周部５点の基板厚みの平均値の差分を取ることにより、ＴＴＶとした。実施例１〜１６、比較例１〜８の研磨液組成物を用いた場合のＴＴＶは、比較例１の研磨液組成物を用いた場合のＴＴＶを「１００」とした場合の相対値で、表１に示した。
【００９８】
【表１】
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【００９９】
表１に示されるように、実施例の研磨液組成物を用いた場合、比較例の研磨液組成物を用いる場合よりも、高速研磨と厚みムラの低減の両立が良好に行える。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上説明した通り、本発明の研磨液組成物を用いた被研磨サファイア板の研磨において、高速研磨と厚みムラの低減の両立が行える。従って、本発明の研磨液組成物を用いれば、例えば、ＬＥＤの製造やスマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラスの製造に使用されるサファイア板等の生産性が向上する。