(57)【要約】【課題】光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供する。また、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を容易に製造可能とする波長変換基板の製造方法を提供する。また、波長変換層の周囲が光反射性の隔壁で囲まれ高品質な表示が可能な表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に設けられた格子状の隔壁と、隔壁に囲まれた複数の開口部に設けられた複数の波長変換層と、を有し、隔壁は、金属材料のみを形成材料とし、隔壁の断面形状は、テーパ形状であり、波長変換層は、隔壁に接している波長変換基板。【選択図】図１
2017161604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた格子状の隔壁と、
前記隔壁に囲まれた複数の開口部に設けられた複数の波長変換層と、を有し、
前記隔壁は、金属材料のみを形成材料とし、
前記隔壁の断面形状は、テーパ形状であり、
前記波長変換層は、前記隔壁に接している波長変換基板。
【請求項２】
前記隔壁の表面を覆うめっき層をさらに有し、
前記隔壁は、銅またはニッケルを形成材料とし、
前記めっき層は、クロムまたは銀を形成材料とする請求項１に記載の波長変換基板。
【請求項３】
前記隔壁は、銅を形成材料とし、
前記めっき層は、銀を形成材料とする請求項２に記載の波長変換基板。
【請求項４】
基板の表面に、開口領域を有し断面形状がテーパ状であるレジスト層を形成すると共に、少なくとも前記開口領域から露出する前記基板の表面に、無電解めっき用触媒を含む材料、金属材料、導電性材料からなる群から選ばれる１種以上を形成材料とするシード層を形成する工程と、
前記開口領域において露出した前記シード層の表面にめっき液を接触させ、めっきを行う工程と、
前記レジスト層を除去し前記レジスト層と相補的な断面形状を有する隔壁を形成する工程と、
前記シード層と前記シード層と重なって形成された前記隔壁とからなる隔壁部に囲まれた複数の開口部に、前記隔壁部に接する波長変換層を形成する工程と、を有する波長変換基板の製造方法。
【請求項５】
前記隔壁部を形成する工程は、前記レジスト層と相補的な断面形状を有する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁にめっき処理を施す工程と、を有する請求項４に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項６】
基板の表面に透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜の表面に、蛍光体粒子とネガ型感光性樹脂とを含む感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層を露光し現像して前記透明導電膜を露出させ、波長変換層を形成する工程と、
露出した前記透明導電膜の表面にめっき液を接触させてめっきを行い、前記波長変換層と相補的な断面形状を有し前記波長変換層に接する隔壁を形成する工程と、を有する波長変換基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき液として無電解めっき液を用い、前記めっきとして無電解めっきを行う請求項４から６のいずれか１項に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の波長変換基板と、
前記波長変換基板が有する前記波長変換層に励起光を照射する励起光源と、を有する表示装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の上に設けられた波長変換部と、を有し、
前記波長変換部は、格子状の隔壁と、
前記隔壁に囲まれた複数の開口部に設けられた複数の波長変換層と、を有し、
前記開口部は、前記発光素子と平面的に重なり、
前記発光素子は、前記波長変換層に励起光を照射し、
前記隔壁は、金属材料のみを形成材料とし、
前記隔壁の断面形状は、テーパ形状であり、
前記波長変換層は、前記隔壁に接している表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換基板、波長変換基板の製造方法、表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、励起光を射出する光源と、第１の面から励起光を吸収し第２の面から励起光とは異なる波長の光を射出する波長変換層と、を有する発光装置が知られている。以下の説明においては、波長変換層から射出される「励起光とは異なる波長の光」のことを「変換光」と称することがある。例えば、波長変換層において蛍光体を用いて波長を変換する場合、変換光は蛍光体が発する蛍光である。
【０００３】
例えば、光源として有機ＥＬ素子のような発光素子を用い、波長変換層として、赤色、緑色、青色に対応する変換光を射出する蛍光体を含む層を用いることにより、ＲＧＢ方式の表示装置とすることができる。
【０００４】
一般に、上述のような波長変換層は、各変換光の混色を避ける目的で、隔壁により区画されている。隔壁としては、波長変換層を区画する機能の他、隔壁の表面で変換光を反射または散乱させることで、変換光の射出方向を制御する機能を併せ持つものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５２１３２５７号
【特許文献２】特開２０１４−１８６８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１，２に記載の隔壁では、樹脂材料を用いて形成した隔壁の表面に、反射用の金属膜を成膜することで、光反射機能を有する隔壁としている。しかし、例えば断面形状が逆テーパ状の隔壁に対して金属膜を成膜する場合、蒸着やスパッタ等の方法では、隔壁の側面への成膜が困難であり、成膜不良が生じやすかった。また、波長変換層において光が透過するべき位置に金属膜が形成された場合、別途除去する工程を要し、プロセスが煩雑になる原因ともなっていた。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供することを目的とする。また、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を容易に製造可能とする波長変換基板の製造方法を提供することをあわせて目的とする。また、波長変換層の周囲が光反射性の隔壁で囲まれ高品質な表示が可能な表示装置を提供することをあわせて目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の一形態は、基板と、前記基板上に設けられた格子状の隔壁と、前記隔壁に囲まれた複数の開口部に設けられた複数の波長変換層と、を有し、前記隔壁は、金属材料のみを形成材料とし、前記隔壁の断面形状は、テーパ形状であり、前記波長変換層は、前記隔壁に接している波長変換基板を提供する。
【０００９】
また、本発明の一形態は、基板の表面に、開口領域を有し断面形状がテーパ状であるレジスト層を形成すると共に、少なくとも前記開口領域から露出する前記基板の表面に、無電解めっき用触媒を含む材料、金属材料、導電性材料からなる群から選ばれる１種以上を形成材料とするシード層を形成する工程と、前記開口領域において露出した前記シード層の表面にめっき液を接触させ、めっきを行う工程と、前記レジスト層を除去し前記レジスト層と相補的な断面形状を有する隔壁を形成する工程と、前記シード層と前記シード層と重なって形成された前記隔壁とからなる隔壁部に囲まれた複数の開口部に、前記隔壁部に接する波長変換層を形成する工程と、を有する波長変換基板の製造方法を提供する。
【００１０】
また、本発明の一形態は、基板の表面に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜の表面に、蛍光体粒子とネガ型感光性樹脂とを含む感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を露光し現像して前記透明導電膜を露出させ、波長変換層を形成する工程と、露出した前記透明導電膜の表面にめっき液を接触させてめっきを行い、前記波長変換層と相補的な断面形状を有し前記波長変換層に接する隔壁を形成する工程と、を有する波長変換基板の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明の一形態は、基板と、前記基板の上に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられた波長変換部と、を有し、前記波長変換部は、格子状の隔壁と、前記隔壁に囲まれた複数の開口部に設けられた複数の波長変換層と、を有し、前記開口部は、前記発光素子と平面的に重なり、前記発光素子は、前記波長変換層に励起光を照射し、前記隔壁は、金属材料のみを形成材料とし、前記隔壁の断面形状は、テーパ形状であり、前記波長変換層は、前記隔壁に接している表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供することができる。また、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を容易に製造可能とする波長変換基板の製造方法を提供することができる。また、波長変換層の周囲が光反射性の隔壁で囲まれ高品質な表示が可能な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の波長変換基板を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の波長変換基板の効果を示す説明図。
【図３】第２実施形態の波長変換基板を示す概略断面図。
【図４】第２実施形態の波長変換基板の効果を示す説明図。
【図５Ａ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図５Ｂ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図５Ｃ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図６Ａ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図６Ｂ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図６Ｃ】第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図７Ａ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図７Ｂ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図７Ｃ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図８Ａ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図８Ｂ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図８Ｃ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図８Ｄ】第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図９】本発明の第５実施形態に係る波長変換基板の説明図。
【図１０Ａ】第５実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１０Ｂ】第５実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１０Ｃ】第５実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１０Ｄ】第５実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１１】本発明の第６実施形態に係る波長変換基板の説明図。
【図１２Ａ】第７実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１２Ｂ】第７実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１２Ｃ】第７実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第８実施形態に係る波長変換基板の説明図。
【図１４Ａ】第９実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１４Ｂ】第９実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１４Ｃ】第９実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１４Ｄ】第９実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図。
【図１５】本発明の第９実施形態に係る表示装置の説明図。
【図１６】本発明の第１０実施形態に係る表示装置の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
＜波長変換基板＞
以下、図１を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る波長変換基板について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
【００１５】
図１は、本実施形態の波長変換基板を示す概略断面図である。図１に示すように、本実施形態の波長変換基板１は、基板１０、隔壁部２０、波長変換層３０を有している。以下、順に説明する。
【００１６】
基板１０としては、透明基板を用いることができる。透明基板の形成材料としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料などが挙げられる。また、光透過性を備えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いた基板を採用することもできる。また、基板１０の表面には、樹脂材料を用いて公知の平坦化層を形成していてもよい。
【００１７】
基板１０の上には、隔壁部２０、波長変換層３０が設けられている。
【００１８】
隔壁部２０は、格子状に形成されたシード層２１と、シード層２１に重なって格子状に設けられた隔壁２２と、を有している。隔壁２２は、平面視矩形の複数の開口部２３を有している。
【００１９】
シード層２１は、無電解めっき用の触媒を含む材料、金属、導電性材料からなる群から選ばれる１種以上の材料を形成材料としている。例えば、シード層を構成する材料としては、ＣｕやＰｄを挙げることができる。シード層２１は、例えば無電解めっきの触媒となるＰｄ微粒子を、感光性樹脂やポリイミド等の樹脂材料に混合した混合物を形成材料とすることができる。このような混合物には、カーボンブラックや、染料、顔料等の色材を混合することとしてもよい。
【００２０】
また、シード層２１を構成する材料は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｃｏ等の金属材料、またはこれらの金属材料の合金や、ＩＴＯ(酸化インジウム錫)，ＩＺＯ(酸化亜鉛インジウム)，ＩＴＺＯ(酸化亜鉛インジウム錫)の様な透明導電体材料等も挙げることができる。
【００２１】
隔壁２２は、金属材料のみを形成材料としている。また、隔壁２２は、光反射性を有している。隔壁２２の形成材料としては、例えばＡｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｎ等の金属材料、またはこれらの金属材料の合金を挙げることができる。これらの中でも、可視光領域の光の光反射率が高いことから、Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉが好ましい。
【００２２】
隔壁２２は、断面形状が逆テーパ形状である。
【００２３】
波長変換層３０は、バインダー３１と、バインダー３１の内部に分散した複数の蛍光体粒子３２と、を含んでいる。波長変換層３０は、隔壁部２０に接して形成されている。
【００２４】
波長変換層３０は、励起光を吸収し赤色光に変換して射出する波長変換層３０Ｒ，励起光を吸収し緑色光に変換して射出する波長変換層３０Ｇを含んでいる。波長変換層３０Ｒは、赤色蛍光体３２Ｒを含む。波長変換層３０Ｇは、緑色蛍光体３２Ｇを含む。
【００２５】
バインダー３１の形成材料としては、光透過性を有する硬化性樹脂を用いることができる。このようなバインダー３１の形成材料としては、例えば、アクリル樹脂（屈折率１．４９）、メラミン樹脂（屈折率１．５７）、ナイロン（屈折率１．５３）、ポリスチレン（屈折率１．６０）、ポリカーボネート（屈折率１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率１．４６）、ポリエチレン（屈折率１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率１．４９）、中密度ポリエチレン（屈折率１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率１．５４）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率１．３５）等が例示できる。
【００２６】
本実施形態の波長変換層３０に用いることが可能な蛍光体材料としては、公知の有機系蛍光体材料、無機系蛍光体材料を挙げることができる。
【００２７】
緑色蛍光体３２Ｇに用いることができる有機系緑色蛍光体としては、例えば、
２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、１０−（ベンゾチアゾール−２−イル）−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−［１］ベンゾピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１１−オン（クマリン５４５）、クマリン５４５Ｔ、クマリン５４５Ｐなどのクマリン系色素；
ＢＯＤＩＰＹ４９３／５０３、ＢＯＤＩＰＹ  ＦＬ−Ｘ、ＢＯＤＩＰＹ  ＦＬ、ＢＯＤＩＰＹ  Ｒ６Ｇ、ＢＯＤＩＰＹ  ５３０／５５０などのボロン−ジピロメチン（ＢＯＤＩＰＹ）系色素；
ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー９８、ソルベントイエロー１１６、ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４などのナフタルイミド系色素；
ルモゲンイエロー、ルモゲングリーン、ソルベントグリーン５などのペリレン系色素；
フルオレセイン系色素；アゾ系色素；フタロシアニン系色素；アントラキノン系色素；キナクリドン系色素；イソインドリノン系色素；チオインジゴ系色素；ジオキサジン系色素等が挙げられる。
【００２８】
また、赤色蛍光体３２Ｒに用いることができる有機系赤色蛍光体としては、例えば、
４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなどのＤＣＭ系色素；
１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素；
ローダミン６４０（Ｒ６４０）、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２などのキサンテン系色素；
ＢＯＤＩＰＹ  ＴＲ−Ｘ、ＢＯＤＩＰＹ  ６３０／６５０−Ｘ、ＢＯＤＩＰＹ  ６５０／６６５−Ｘなどのボロン−ジピロメチン（ＢＯＤＩＰＹ）系色素；
ルモゲンオレンジ、ルモゲンピンク、ルモゲンレッド、ソルベントオレンジ５５などのペリレン系色素；
オキサジン系色素；クリセン系色素；チオフラビン系色素；ピレン系色素；アントラセン系色素；アクリドン系色素；アクリジン系色素；フルオレン系色素；ターフェニル系色素；エテン系色素；ブタジエン系色素；ヘキサトリエン系色素；オキサゾール系色素；クマリン系色素；スチルベン系色素；トリフェニルメタン系色素；チアゾール系色素；チアジン系色素；ナフタルイミド系色素；アントラキノン系色素等が挙げられる。
【００２９】
各色蛍光体として有機蛍光体材料を用いる場合には、励起光や太陽光、照明などの外光によって劣化しにくい色素を用いることが望ましい。
【００３０】
また、緑色蛍光体３２Ｇに用いることができる無機系緑色蛍光体として、例えば、（ＢａＭｇ）Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）Ａｌ１２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＢａＭｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７−Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ２＋、（ＢａＣａＭｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８−２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋、Ｚｒ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
【００３１】
また、赤色蛍光体３２Ｒに用いることができる無機系赤色蛍光体としては、例えば、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ３＋、Ｃａ２Ｙ２（ＳｉＯ４）６：Ｅｕ３＋、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋、ＣａＳ：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：Ｍｎ４＋、Ｍｇ４ＧｅＯ６：Ｍｎ４＋、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５等が挙げられる。
【００３２】
無機系蛍光体として、ナノ粒子または量子ドット蛍光体であることも好ましい。具体的には、ＣｄＳｅやＺｎＳ、またはその混合物が挙げられ、粒径を制御することで、各色に発光することができる。
【００３３】
さらに、励起光として青色光を用いる場合、青色光を散乱する光散乱層３５を有する。光散乱層３５は、バインダー３１と、バインダー３１の内部に分散した複数の光散乱粒子３６と、を含む構成とすることができる。
【００３４】
光散乱粒子３６は、有機材料及び無機材料のいずれからなるものでもよい。
前記有機材料としては、ポリメタクリル酸メチル（屈折率１．４９）、アクリル樹脂（屈折率１．５０）、アクリル−スチレン共重合体（屈折率１．５４）、メラミン樹脂（屈折率１．５７）、高屈折率メラミン樹脂（屈折率１．６５）、ポリカーボネート（屈折率１．５７）、ポリスチレン（屈折率１．６０）、架橋ポリスチレン（屈折率１．６１）、ポリ塩化ビニル（屈折率１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒド樹脂（屈折率１．６８）、シリコーン（屈折率１．５０）等が例示できる。
【００３５】
前記無機材料としては、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫及びアンチモンからなる群から選ばれる１種又は２種以上の金属の酸化物が例示できる。これらの中でも好ましいものとしては、シリカ（屈折率１．４４）、アルミナ（屈折率１．６３）、酸化チタン（屈折率２．５０（アナタース型）、２．７０（ルチル型））、二酸化ジルコニウム（屈折率２．０５）、酸化亜鉛（屈折率２．００）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）（屈折率２.４）等が例示できる。
【００３６】
これらの中でも、前記光散乱粒子は、無機材料からなるものが好ましい。無機材料からなる光散乱粒子を用いることにより、外部（例えば、発光素子）からの指向性を有する光を、より等方的に効果的に拡散又は散乱させることができる。また、光散乱層３５の光及び熱に対する安定性を向上させることができる。
【００３７】
前記光散乱粒子は、透明度が高いものが好ましく、低屈折率の母材中にこの母材よりも高屈折率の微粒子が分散されてなるものが好ましい。
【００３８】
また、光散乱粒子の粒径は、１００ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。このような範囲であることで、光散乱層において青色光がミー散乱によってより効果的に散乱される。
【００３９】
これら光散乱粒子は、各波長変換層に含まれることとしても構わない。
【００４０】
また、励起光が紫外線である場合には、光散乱層３５の代わりに、励起光を吸収し青色光に変換して射出する波長変換層を有することとしてもよい。このような波長変換層には、青色蛍光体を含む。
【００４１】
青色蛍光体に用いることができる有機系青色蛍光体としては、例えば、
１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼンなどのスチルベンゼン系色素；
７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン、２，３，６，７−テトラヒドロ−１１−オキソ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−［１］ベンゾピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１０−カルボン酸エチル（クマリン３１４）、１０−アセチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−［１］ベンゾピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１１−オン（クマリン３３４）などのクマリン系色素；
９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンなどのアントラセン系色素；
ペリレン等が挙げられる。
【００４２】
また、青色蛍光体に用いることができる無機系青色蛍光体としては、例えば、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ４＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
【００４３】
さらに、波長変換基板１は、カラーフィルタ４０（赤色カラーフィルタ４０Ｒ、緑色カラーフィルタ４０Ｇ、青色カラーフィルタ４０Ｂ）を備えていることが好ましい。カラーフィルタ４０は、波長変換層３０に対して励起光が入射する側とは反対側に設けられる。図１では、基板１０と波長変換層３０との間に設けられているが、基板１０に対し波長変換層３０とは反対側に設けることとしてもよい。
【００４４】
カラーフィルタ４０を備えることで、波長変換層３０により吸収されずに透過してしまう励起光について、外部への漏れを防止できる。そのため、波長変換層３０から射出される変換光と、励起光との混色による色純度の低下を防止できる。
【００４５】
さらに、各画素の色純度を高めることで、有機ＥＬ素子の色再現範囲をより拡大できる。
【００４６】
また、波長変換層３０中の波長変換物質を励起する可能性がある外光を吸収することで、外光に起因した波長変換層３０での波長変換を抑制でき、コントラストの低下を抑制できる。
【００４７】
赤色カラーフィルタ４０Ｒ、緑色カラーフィルタ４０Ｇおよび青色カラーフィルタ４０Ｂとしては、公知の材質のものが適宜使用できる。
【００４８】
なお、ここでは、赤色の蛍光を射出する波長変換層３０Ｒ、緑色の蛍光を射出する波長変換層３０Ｇ，青色光を散乱する光散乱層３５を備えた波長変換基板を示しているが、本発明に係る波長変換基板は、これに限らない。これら以外にシアンの蛍光を射出する波長変換層、黄色の蛍光を射出する波長変換層等の他の色の蛍光を射出する波長変換層を備えたものでもよい。この場合には、それぞれの色に対応したカラーフィルタを設けてもよい。
【００４９】
図２は、波長変換基板１の効果を示す説明図である。ここでは、基板１０に対し波長変換層３０側から励起光が照射される場合について説明する。
【００５０】
図２に示すように、波長変換基板１に照射された励起光は、波長変換層３０中の蛍光体粒子３２に吸収される。蛍光体粒子３２は、励起光とは異なる波長を有する蛍光を発光する。
【００５１】
その際、得られる蛍光は、蛍光体粒子３２から等方的に射出されるため、蛍光の一部は基板１０側に射出されるが、大部分は波長変換層３０の内部を横方向（基板１０の面方向）に伝搬することが知られている。波長変換基板１においては、横方向に伝搬した蛍光は、反射性を有する逆テーパ形状の隔壁２２で反射し、基板１０の方向へ反射される。これにより、波長変換基板１によれば、波長変換された蛍光の光取出し効率が向上する。
【００５２】
以上のような構成の波長変換基板１によれば、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供することができる。
【００５３】
［第２実施形態］
＜波長変換基板＞
図３は、第２実施形態の波長変換基板を示す概略断面図であり、第１実施形態の図１に対応する図である。なお、以下の実施形態の説明においては、既に説明した実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５４】
図３に示すように、本実施形態の波長変換基板２は、基板１０、隔壁部２４、波長変換層３０を有している。波長変換層３０は、隔壁部２４に接して形成されている。
【００５５】
隔壁部２４は、格子状に形成されたシード層２１と、シード層２１に重なって格子状に設けられた隔壁２５と、を有している。隔壁２５は、平面視矩形の複数の開口部２６を有している。
【００５６】
隔壁２５は、金属材料のみを形成材料としている。隔壁２５の形成材料としては、第１実施形態の隔壁２２と同じものを用いることができる。隔壁２５は、断面形状が順テーパ形状である。
【００５７】
図４は、波長変換基板２の効果を示す説明図である。図４に示すように、波長変換基板２に照射された励起光の一部は、波長変換層３０中の蛍光体粒子３２に吸収される。また、励起光の他の一部は、順テーパ形状の隔壁２５で反射し、蛍光体粒子３２に吸収される。
【００５８】
すなわち、蛍光体粒子３２には、隔壁が順テーパ形状を有さない場合と比べ、多くの励起光が照射されることとなる。また、励起光は、隔壁が順テーパ形状を有さない場合と比べ、波長変換層３０の内部を長く伝搬することとなり、蛍光体粒子に吸収される確率が上がる。これにより、より効率的に励起光が蛍光体粒子に吸収されることになり、波長変換層で変換され射出される蛍光が増加する。
【００５９】
以上のような構成の波長変換基板２によれば、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供することができる。
【００６０】
［第３実施形態］
＜波長変換基板の製造方法＞
図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の第３実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図である。ここでは、第１実施形態の波長変換基板１を製造する方法を示している。
【００６１】
まず、図５Ａに示すように、基板１０の表面に無電解めっき用触媒を含むシード層２１Ａを形成する。シード層２１Ａの形成材料は、上述のシード層２１と同じものを用いることができる。ここでは、シード層２１Ａとして、スパッタ法によりＣｕ膜を膜厚約２０ｎｍで成膜した膜を用いるものとする。
【００６２】
次いで、シード層を覆って感光性樹脂膜５０Ａを形成する。感光性樹脂膜５０Ａは、公知のポジ型フォトレジストを用いて形成することができる。ここでは、感光性樹脂膜５０Ａとして、ポジ型フォトレジストであるＴＧＭＲ−９５０（東京応化工業社製）を、スピンコート法により膜厚約１０μｍで成膜した膜を用いることとする。
【００６３】
次いで、図５Ｂに示すように、所望のパターンを有するマスクＭＡを介して、感光性樹脂膜５０ＡにＵＶ光（ｉ線：３６５ｎｍ）を露光する。マスクＭＡは、図１の波長変換基板１における隔壁部２０に対応する位置に光透過部Ｍ１が設けられ、他の位置は遮光部Ｍ２となっている。光透過部Ｍ１の幅は、例えば６μｍである。
【００６４】
次いで、図５Ｃに示すように、感光性樹脂膜５０Ａを構成するポジ型フォトレジストに適切な現像液を用い、露光部分を現像する。これにより、シード層２１Ａが露出するまで露光した位置の感光性樹脂を除去し、所定のパターンを有するレジスト層５０が得られる。レジスト層５０において、現像により除去された開口領域５１の側面５１ａは、基板１０から遠ざかるに従って開口領域５１が拡大するテーパ形状の斜面となっている。
【００６５】
また、レジスト層５０において、開口領域５１の底には、シード層２１Ａが露出している。開口領域５１において露出するシード層２１Ａの幅は、例えばマスクＭＡの光透過部Ｍ１とほぼ同様の６μｍである。
【００６６】
次いで、図６Ａに示すように、所定のパターンを有するレジスト層５０が設けられた基板１０をＮｉ無電解めっき浴に浸漬する。これにより、開口領域５１の底において露出したシード層２１Ａの表面に無電解めっき液を接触させて、無電解めっきを行う。シード層２１Ａ上には、選択的にめっき皮膜が析出し、隔壁２２が形成される。このとき、隔壁２２の厚みは、無電解めっき浴への浸漬時間を調整することで制御可能である。例えば、無電解めっきにより厚み約６μｍの隔壁２２を形成する。このようにして形成可能な隔壁２２の形成材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｎ等の金属材料、またはこれらの金属材料の合金を挙げることができる。
【００６７】
次いで、図６Ｂに示すように、レジスト層５０を構成するポジ型フォトレジストを、適切な剥離液を用いて除去する。さらに、基板１０の表面に形成されたシード層２１Ａの一部を、隔壁２２をマスクとしてウエットエッチングにより除去する。例えば、市販のＣｕウエットエッチング液（ＣｕＥ−３０００Ｍ、和光純薬社製）は、ＣｕとＮｉとのエッチング速度比がＣｕ：Ｎｉ＝１００００：１と高い選択性を示すため、隔壁２２への影響がほぼ問題とならず、隔壁２２の開口部２３に露出したシード層２１Ａのみを除去することができる。
【００６８】
形成される隔壁２２は、平面視矩形の複数の開口部２３を有し、格子状を呈する。隔壁２２はレジスト層５０と相補的な断面形状を有している。すなわち、開口部２３の側面２３ａは、レジスト層５０の開口領域５１の形状が転写され、基板１０から遠ざかるに従って開口部２３が縮小する逆テーパ形状の断面形状を有する斜面となっている。
【００６９】
次いで、図６Ｃに示すように、複数の開口部２３に公知の形成材料を用いて、カラーフィルタ４０および隔壁に接する波長変換層３０を形成する。カラーフィルタ４０や波長変換層３０は、開口部２３の内部に選択的に材料を配置して形成してもよく、開口部２３の内部を含め、隔壁部２０を覆う基板１０の上面にカラーフィルタ４０や波長変換層３０の形成材料を配置した後、フォトリソグラフィ法を用いて不要な部分を除去してもよい。隔壁２２が金属材料のみを用いて形成されているため、耐久性が高く、複数のプロセスを経ても隔壁２２の劣化が少ない。
【００７０】
本実施形態の波長変換基板１の製造方法は、以上のようなものである。
【００７１】
また、以上のような構成の波長変換基板の製造方法によれば、上記波長変換基板を容易に製造することができる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、形成される隔壁２２における開口部２３の側面２３ａは、断面形状が逆テーパ形状であることとしたが、これに限らない。レジスト層５０を形成する際、開口領域５１の形状（テーパ角、線幅等）は、従来のフォトリソグラフィー法を用い、適宜条件を調整することができる。そのため、レジスト層５０を形成する条件を制御することにより、側面５１ａを順テーパ形状のみならず、逆テーパ形状や、基板１０に対して垂直面とすることもでき、所望の形状の隔壁を有する波長変換基板を製造することができる。
【００７３】
［第４実施形態］
＜波長変換基板の製造方法＞
図７Ａ〜図７Ｃ、図８Ａ〜図８Ｃは、本発明の第４実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図である。
【００７４】
第３実施形態の波長変換基板の製造方法では、基板１０の表面にシード層２１Ａを形成後、シード層２１Ａの上にレジスト層５０を形成することとしたため、レジスト層５０の開口領域５１を形成すると同時に開口領域５１の底にはシード層２１Ａが露出した。しかし、本発明の波長変換基板の製造方法においては、開口領域５１から露出する基板１０の表面に、無電解めっき用触媒を含むシード層を形成する順番は、レジスト層５０の形成前、形成後のどちらであってもよい。本実施形態においては、レジスト層５０の形成後に開口領域５１内の基板１０の表面にシード層を形成することとして説明する。
【００７５】
まず、図７Ａに示すように、基板１０の表面に感光性樹脂膜５０Ａを形成する。次いで、図７Ｂ、図７Ｃに示すように、所望のパターンを有するマスクＭＡを介して、感光性樹脂膜５０ＡにＵＶ光（ｉ線：３６５ｎｍ）を露光し、現像することで、基板１０が露出するまで露光した位置の感光性樹脂を除去し、所定のパターンを有するレジスト層５０が得られる。レジスト層５０において、現像により除去された開口領域５１の側面５１ａは、基板１０から遠ざかるに従って開口領域５１が拡大するテーパ形状の斜面となっている。
【００７６】
次いで、図８Ａに示すように、開口領域５１に露出する基板１０の表面に、無電解めっき用触媒となるＰｄ微粒子を分散させた黒色樹脂を用いて、ブラックマトリクス（ＢＭ）２７を形成する。ＢＭ２７は、黒色樹脂を溶媒に溶解し、さらにＰｄ微粒子を分散させた組成物を、ディスペンサやインクジェット装置等を用いて開口領域５１に塗布し、乾燥させることで形成することができる。
【００７７】
次いで、図８Ｂに示すように、ＢＭ２７が設けられた基板１０をＮｉ無電解めっき浴に浸漬する。これにより、ＢＭ２７の表面に無電解めっき液を接触させて、無電解めっきを行う。ＢＭ２７上には、選択的にめっき皮膜が析出し、隔壁２２が形成される。このとき、隔壁２２の厚みは、無電解めっき浴への浸漬時間を調整することで制御可能である。
【００７８】
次いで、図８Ｃに示すように、レジスト層５０を構成するポジ型フォトレジストを、適切な剥離液を用いて除去する。
【００７９】
次いで、図８Ｄに示すように、複数の開口部２３に公知の形成材料を用いて、カラーフィルタ４０および隔壁に接する波長変換層３０を形成する。
本実施形態の波長変換基板３の製造方法は、以上のようなものである。
【００８０】
以上のような構成の波長変換基板の製造方法によっても、上記波長変換基板を容易に製造することができる。
【００８１】
［第５実施形態］
＜波長変換基板＞
図９は、本発明の第５実施形態に係る波長変換基板の説明図である。図９に示すように、本実施形態の波長変換基板４は、基板１０、隔壁部２８、波長変換層３０を有している。波長変換層３０は、隔壁部２８に接して形成されている。
【００８２】
隔壁部２８は、平面視で格子状に形成されたシード層２９と、シード層２９に重なって格子状に設けられた隔壁２２と、を有している。
【００８３】
シード層２９は、隔壁２２と基板１０との間、および隔壁２２の側面に付きまわって形成されている。シード層２９は、例えば無電解めっき用触媒である金属Ｐｄの薄膜である。
【００８４】
＜波長変換基板の製造方法＞
図１０Ａ〜図１０Ｄは、本実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図である。
【００８５】
まず、図１０Ａに示すように、上述した第４実施形態の図７Ａ〜図７Ｃと同様にして、基板１０上に所定のパターンを有するレジスト層５０を形成する。
【００８６】
次いで、レジスト層５０を形成した基板１０を、塩化スズ溶液に浸漬し、続いて塩化パラジウム溶液に浸漬する。これにより、まず開口領域５１を含む基板１０およびレジスト層５０の表面にＳｎ２＋イオンが吸着され、さらにＳｎ２＋イオンによりＰｄ２＋イオンが還元される。そのため、開口領域５１を含む基板１０およびレジスト層５０の表面に金属Ｐｄが析出し、Ｐｄ薄膜（シード層）２９Ａが形成される。なお、図ではＰｄ薄膜２９Ａが、連続した膜であることとして示しているが、Ｐｄ薄膜２９Ａは、レジスト層５０が露出する隙間を有していてもよい。
【００８７】
この時、基板１０の裏面等、Ｐｄ薄膜２９Ａの形成が不要な部分は、塩化スズ溶液や、塩化パラジウム溶液に接触しない様に保護してもよい。また、基板１０を塩化スズ溶液や、塩化パラジウム溶液に浸漬する代わりに、スプレー装置等を用いて溶液を吹き付けることにより、所望の範囲にのみＰｄ薄膜２９Ａを形成してもよい。
【００８８】
次いで、図１０Ｂに示すように、Ｐｄ薄膜２９Ａが設けられた基板１０をＮｉ無電解めっき浴に浸漬する。これにより、Ｐｄ薄膜２９Ａの表面に無電解めっき液を接触させて、無電解めっきを行う。このとき、めっき皮膜２２Ａの厚みは、無電解めっき浴への浸漬時間を調整することで制御可能である。レジスト層５０の膜厚に対して、めっき皮膜２２Ａの膜厚が薄くなるように調整することにより、開口領域５１上端の部分（図中、符号αで示す）では、めっき皮膜が薄くなり、レジスト層５０が露出し易くなる。
【００８９】
次いで、図１０Ｃに示すように、レジスト層５０を構成するポジ型フォトレジストを、適切な剥離液を用いて除去する。これにより、隔壁部２８が形成される。
【００９０】
次いで、図１０Ｄに示すように、複数の開口部２３に公知の形成材料を用いて、カラーフィルタ４０および隔壁に接する波長変換層３０を形成する。
本実施形態の波長変換基板４の製造方法は、以上のようなものである。
【００９１】
以上のような構成の波長変換基板の製造方法によっても、上記波長変換基板を容易に製造することができる。
【００９２】
［第６実施形態］
＜波長変換基板＞
図１１は、本発明の第６実施形態に係る波長変換基板５の説明図である。図１１に示すように、本実施形態の波長変換基板５は、基板１０、隔壁部６０、波長変換層３０を有している。波長変換層３０は、隔壁部６０に接して形成されている。
【００９３】
隔壁部６０は、格子状に形成されたシード層２１と、シード層２１に重なって格子状に設けられた隔壁２２と、シード層２１および隔壁２２の表面を覆うめっき層６１と、を有している。
【００９４】
めっき層６１の形成材料としては、例えば、Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｓｎ、ＮｉＢ合金，Ｃｏ合金（ＣｏＢ，ＣｏＷＢ）が挙げられる。これらの中でも、Ｃｒ，Ａｇ，Ｎｉが好ましい。
【００９５】
めっき層６１は、隔壁２２の形成材料に応じて選択可能な材料が異なる。例えば、隔壁２２として銅またはＮｉを形成材料とする場合、めっき層６１の形成材料としてはＣｒやＡｇが好ましい。さらに隔壁２２として銅を形成材料とする場合、めっき層６１の形成材料としてはＡｇが好ましい。
【００９６】
一般に、Ｃｕは比抵抗が低いため、隔壁２２の形成材料としてＣｕを選択すると、隔壁２２を配線の一部として用いることも可能となり、波長変換基板や波長変換基板を有する装置の設計の自由度が高まる。一方で、波長変換基板の隔壁としてＣｕを採用すると、隔壁の表面で反射した光が色付くため、表示装置に採用した場合、所望の色合いの表示が困難となるおそれがあった。
【００９７】
対して、本実施形態の波長変換基板５においては、隔壁２２の形成材料としてＣｕを採用し、隔壁２２の表面を例えばＡｇを形成材料とするめっき層６１で覆われた構造とすることによって、電気的特性と光学的特性の両方の特性を向上させることができる。
【００９８】
以上のような構成の波長変換基板５によれば、光反射性の隔壁を有する新規な波長変換基板を提供することができる。
【００９９】
［第７実施形態］
＜波長変換基板の製造方法＞
図１２Ａ〜図１２Ｃは、本実施形態に係る波長変換基板の製造方法を示す工程図である。
【０１００】
まず、図１２Ａに示すように、上述した第３実施形態の図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ，図６Ｂと同様にして、基板１０上に所定のパターンを有する隔壁部２０を形成する。その際、例えば、隔壁２２の形成材料としてＣｕを選択する。
【０１０１】
次いで、図１２Ｂに示すように、シード層２１および隔壁２２の表面にＡｇからなるめっき層６１を自己整合的に形成する。めっき層６１の形成は、例えば、ＣｕとＡｇの置換型無電解めっき法を用いて、Ｃｕ表面にＡｇからなる皮膜を析出させることにより行うことができる。
【０１０２】
具体的には、シード層２１および隔壁２２を形成した基板１０を、置換型無電解銀めっき液（エスダイヤＡＧ−４０、佐々木化学社製）に浸漬することで、めっき液の内部では、Ｃｕの溶解とＡｇイオンの還元とが生じ、めっき層６１が形成される。隔壁２２の表面がすべてめっき層６１で覆われると、Ｃｕの溶解が起こらず、溶液中のＡｇイオンに電子が供給されなくなるため、めっき層６１の形成反応が停止する。このように形成するめっき層６１の膜厚は、サブミクロンオーダーである。
【０１０３】
Ａｇを形成材料としてめっき層６１を形成する場合、めっき層６１の変色を抑制するため、防錆材をメッキ液に添加してもよい。また、めっき層６１の形成後に防錆処理を行ってもよい。防錆剤としては、Ａｇに配位する有機化合物が使用可能であり、例えばイミダゾール誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体などが用いられる。
【０１０４】
なお、めっき層６１を形成する際の、隔壁２２の形成材料とめっき層６１の形成材料との組み合わせは、上述したものに限らない。例えば、置換型無電解めっきであれば、隔壁２２の形成材料としてＣｕを用い、めっき層６１の形成材料としてＳｎを用いることもできる。さらに、隔壁２２の形成材料としてＮｉを用い、めっき層６１の形成材料としてＡｇを用いることもできる。
【０１０５】
置換型では無く、還元剤を用いた自己触媒型の無電解めっきによりめっき層を形成することも可能である。この場合、めっき層６１の膜厚は、処理時間によって制御可能である。
【０１０６】
自己触媒型の無電解めっきにおいては、隔壁２２の形成材料としてＣｕを用い、めっき層６１の形成材料としてＮｉ合金（ＮｉＢ）やコバルト合金（ＣｏＢ（ボロン）、ＣｏＷＢ（タングステン・ボロン））を用いることができる。Ｃｏ合金は、反射率ではＡｇに劣るが、Ｃｕの表面を覆うことでＣｕイオンを透過させないバリア膜として機能する。
【０１０７】
さらに、隔壁２２の形成材料としてＮｉ（ＮｉＰ合金）を用い、めっき層６１の形成材料としてＡｇを用いることもできる。
【０１０８】
さらに、電解めっきによりめっき層６１を形成することとしてもよい。電解めっきを採用する場合、隔壁２２に通電することで、隔壁２２の表面にめっき層６１を形成することができる。例えば、隔壁２２の形成材料としてＮｉを用い、めっき層６１の形成材料としてＣｒを用いることができる。
【０１０９】
次いで、図１２Ｃに示すように、公知の形成材料を用いて、カラーフィルタ４０および隔壁に接する波長変換層３０を形成する。
本実施形態の波長変換基板５の製造方法は、以上のようなものである。
【０１１０】
以上のような構成の波長変換基板の製造方法によっても、上記波長変換基板を容易に製造することができる。
【０１１１】
［第８実施形態］
＜波長変換基板＞
図１３は、本発明の第８実施形態に係る波長変換基板６の説明図である。図１３に示すように、本実施形態の波長変換基板６は、基板１０、透明導電膜７０、隔壁（隔壁部）２２、波長変換層３０を有している。波長変換層３０は、隔壁２２に接して形成されている。
【０１１２】
透明導電膜７０は、基板１０の表面全面を覆って形成されている。透明導電膜７０の形成材料としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＴＯを挙げることができる。本実施形態においては、透明導電膜７０の形成材料として、ＩＴＯを用いたこととする。
【０１１３】
波長変換層３０は、隔壁２２の膜厚と同等または隔壁２２よりも厚くなるように形成されている。
【０１１４】
本実施形態においては、バインダー３１の形成材料として、ネガ型の感光性樹脂を用いる。本実施形態で用いる感光性樹脂は、可視光領域で透明であり、紫外線を照射した部分が不溶化する。
【０１１５】
＜波長変換基板の製造方法＞
図１４Ａ〜図１４Ｄは、本実施形態に係る波長変換基板６の製造方法を示す工程図である。
【０１１６】
まず、図１４Ａに示すように、基板１０の表面に公知の方法にて透明導電膜７０を形成する。次いで、透明導電膜７０の表面に赤色蛍光体３２Ｒが分散したネガ型感光性樹脂組成物を塗布し、感光性樹脂層３０Ａを形成する。
【０１１７】
次いで、所望のパターンを有するマスクＭＢを介して、感光性樹脂層３０ＡにＵＶ光（ｉ線：３６５ｎｍ）を露光する。マスクＭＢは、図１３の波長変換基板６における波長変換層３０に対応する位置に光透過部Ｍ３が設けられ、他の位置は遮光部Ｍ４となっている。これにより、露光部が不溶化する。
【０１１８】
次いで、図１４Ｂに示すように、所定の現像液を用いて現像することで、赤色蛍光体３２Ｒを含む波長変換層３０Ｒが形成される。
【０１１９】
次いで、図１４Ｃに示すように、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる蛍光体粒子の種類を変更すること以外は図１４Ａ，図１４Ｂと同様にして、緑色蛍光体３２Ｇを含む波長変換層３０Ｇ、青色光を散乱する光散乱層３５を形成する。
【０１２０】
次いで、図１４Ｄに示すように、波長変換層３０を形成した基板１０をＮｉ無電解めっき液に浸漬することで、波長変換層３０の間に露出した透明導電膜７０の表面にＮｉを析出させ、波長変換層３０に接する隔壁２２を形成する。隔壁２２の膜厚は、無電解めっき液への浸漬時間を調整することで制御可能である。
【０１２１】
また、隔壁２２は、電解めっきにより形成してもよい。その場合、例えば、波長変換層３０を形成した基板１０をＮｉ電解めっき液に浸漬し、透明導電膜７０をカソード、金属の供給源となるＮｉ金属板をアノードとする直流電源に接続する。このような状態で透明導電膜７０に通電することで、電流量を調整しながら金属Ｎｉを透明導電膜７０の表面にのみ析出させ、隔壁２２を形成することができる。
本実施形態の波長変換基板６の製造方法は、以上のようなものである。
【０１２２】
以上説明した波長変換基板の製造方法では、透明導電膜７０を用いることにより、他の不透明な金属シード層を用いる場合と比較して、金属シード層を事後的に取り除く工程が不要となる。すなわち、不透明な金属シード層を用いる場合には、フォトリソグラフィー法等の方法により金属シード層をパターニングして、波長変換層の下部に位置する金属シード層を取り除く工程が必要となるが、透明導電膜を用いる場合には当該工程が不要となり、工程が簡便となる。
【０１２３】
また、以上説明した波長変換基板の製造方法では、波長変換層３０が隔壁２２を形成するための相補的なパターンとして利用できる。そのため、隔壁２２を形成するためのパターンの作製および除去の工程が不要となり、工程が簡便となる。
【０１２４】
以上のような構成の波長変換基板の製造方法によっても、上記波長変換基板を容易に製造することができる。
【０１２５】
［第９実施形態］
＜表示装置＞
図１５は、本発明の第９実施形態に係る表示装置１０００の説明図である。図１５に示すように、本実施形態の表示装置１０００は、上述の波長変換基板と、波長変換基板が有する波長変換層に励起光を照射する有機ＥＬ装置（励起光源）１００とを有している。本実施形態の表示装置は、第１実施形態の波長変換基板１を有することとしている。もちろん、上述した他の波長変換基板を備えることとしてもよい。
【０１２６】
有機ＥＬ装置１００は、素子基板（基板）１１０、発光素子１２０、隔壁１３０、封止部１４０、導通部１５０を有している。本実施形態の表示装置１０００が備える有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型の構造を有している。
【０１２７】
素子基板１１０は、基板上に不図示の画素選択ＴＦＴ素子、駆動用ＴＦＴ素子、これらに接続された各配線を有している。
【０１２８】
発光素子１２０は、素子基板１１０の上に複数設けられている。発光素子１２０は、下部電極１２１、発光部１２２、上部共通電極１２３の積層構造を有している。本実施形態の発光素子１２０は、白色光を射出する構成となっている。
【０１２９】
下部電極１２１は、サブ画素毎にパターニングされ、素子基板１１０上に複数設けられている。
【０１３０】
発光部１２２は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など通常知られた構成の積層構造を有している。
【０１３１】
上部共通電極１２３は、複数の発光部１２２に跨り、複数の発光部１２２の上面を覆って設けられている。
【０１３２】
隔壁１３０は、複数の下部電極１２１および複数の発光部１２２をサブ画素毎に分割している。上部共通電極１２３は、隔壁１３０の頂部を覆って設けられている。また、隔壁１３０の内部には、基板厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられ、貫通孔内には、素子基板１１０の配線と上部共通電極１２３とを接続するビア１３１が設けられている。
【０１３３】
封止部１４０は、素子基板１１０の表面において、複数の発光素子１２０および隔壁１３０を覆って設けられている。発光素子１２０は、一般に酸素や水分に弱く容易に劣化してしまう。封止部１４０は、酸素や水分から発光素子１２０を保護する機能を有している。
【０１３４】
導通部１５０は、上部共通電極１２３に接続され、封止部１４０の表面に露出している。
【０１３５】
このような有機ＥＬ装置１００において、各部の形成材料については、公知のものを用いることができる。
【０１３６】
有機ＥＬ装置１００の封止部１４０の上には、波長変換基板１が配置されている。波長変換基板１は、波長変換層３０が有機ＥＬ装置１００の各サブ画素と平面的に重なるように配置されている。
【０１３７】
また、波長変換層３０の周囲および波長変換層３０と有機ＥＬ装置１００との間には、封止部１８０が設けられている。
【０１３８】
さらに、波長変換層３０は、隔壁２２が有機ＥＬ装置１００の封止部１４０に接するように配置されている。封止部１４０の表面において、隔壁部２０の隔壁２２と導通部１５０とが電気的に接続されている。導通部１５０は、例えば、平面視で格子状に形成されている隔壁２２の交点において隔壁２２と接続されている。
【０１３９】
なお、図１５で示した断面図において、同断面図のすべての位置の隔壁２２に対して導通部１５０が接続されることとして示されているが、導通部１５０と接続しない隔壁２２があってもよい。
【０１４０】
本実施形態の表示装置１０００においては、導通部１５０を介して接続された隔壁２２が、有機ＥＬ装置１００の補助配線として機能する。この際、本発明の波長変換基板１においては、隔壁２２が金属材料のみを用いて形成されているため、例えば、樹脂材料を形成材料とする隔壁の表面に金属膜が形成されたような従来構造の隔壁と比べると、導体断面積が極めて大きいものとなる。したがって、従来構造の隔壁を補助配線として用いた場合と比べ、上部共通電極の導通がスムーズなものとなり、高性能な表示装置とすることができる。
【０１４１】
以上のような構成の表示装置によれば、波長変換層の周囲が光反射性の隔壁で囲まれ高品質な表示が可能な表示装置を提供することができる。
【０１４２】
［第１０実施形態］
＜表示装置＞
図１６は、本発明の第１０実施形態に係る表示装置１１００の模式図である。図１６に示すように、本実施形態の表示装置１１００は、有機ＥＬ装置１００と波長変換部２００とを有している。
【０１４３】
波長変換部２００は、隔壁部２４、波長変換層３０、光散乱層３５、カラーフィルタ４０、封止層１９０を有している。
【０１４４】
隔壁部２４、波長変換層３０、光散乱層３５は、有機ＥＬ装置１００の封止部１４０の上に直接形成されている。また、波長変換層３０および光散乱層３５の上面を覆って、カラーフィルタ４０が形成されている。
【０１４５】
封止層１９０は、封止部１４０の上において、隔壁部２４、波長変換層３０、光散乱層３５、カラーフィルタ４０の上面を覆って全面に形成されている。封止層１９０は、酸素や水分から波長変換層３０、カラーフィルタ４０を保護する機能を有している。
【０１４６】
本実施形態の表示装置１１００は、有機ＥＬ装置１００を一体の基板として考えた場合、上述した第２実施形態の波長変換基板２と同様の構成と考えることができる。そのため、本実施形態の表示装置１１００は、第３実施形態の波長変換基板の製造方法と同様の方法にて製造することができる。
【０１４７】
以上のような構成の表示装置によれば、波長変換層の周囲が光反射性の隔壁で囲まれ高品質な表示が可能な表示装置を提供することができる。
【０１４８】
なお、上記実施形態においては、封止部１４０の表面に直接隔壁部が接触する構成としたが、これに限らず、封止部１４０の表面を平坦化層やガラス基板で覆い、これら平坦化層やガラス基板と隔壁部とが接触する構成としてもよい。
【０１４９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１５０】
１〜６…波長変換基板、１０…基板、２０，２４，２８，６０…隔壁部、２１，２１Ａ，２９…シード層、２９Ａ…Ｐｄ薄膜（シード層）、２２，２５…隔壁、２３，２６…開口部、３０，３０Ｇ，３０Ｒ…波長変換層、３０Ａ…感光性樹脂層、３２，３２Ｇ，３２Ｂ…蛍光体粒子、３５…光散乱層、５０…レジスト層、５１…開口領域、６１…めっき層、７０…透明導電膜、１００…有機ＥＬ装置（励起光源）、１１０…素子基板（基板）、１２０…発光素子、２００…波長変換部、１０００，１１００…表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６】
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