(57)【要約】【課題】プリサイサステージに異物が付着した場合でも、その異物を、飛散させることを防止しつつ、確実に除去することができる半導体チップの実装装置を提供することにある。【解決手段】吸着ノズル３によってウエーハステージ２から取り出した半導体チップＴをプリサイサステージ４に載置した後、プリサイサステージ４に載置された半導体チップＴを実装ツール６で取り出し、基板Ｓに実装するもので、プリサイサステージ４の載置面４１に沿って移動可能に設けられ、載置面４１との対向面に吸引用開口部７１ｂを有し、この吸引用開口部７１ｂに作用する吸引力によって載置面４１との間の対向間隔を狭める方向に移動可能な吸引部材７１を備えてなるクリーニング装置７を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピックアップツールによって供給部から取り出した半導体チップを中間ステージに載置した後、前記中間ステージに載置された前記半導体チップを実装ツールで取り出し、基板に実装する半導体チップの実装装置において、
前記中間ステージにおける前記半導体チップを載置する載置面に沿って移動可能に設けられ、前記載置面との対向面に吸引部を有し、この吸引部に作用する吸引力によって前記載置面との間の対向間隔を狭める方向に移動可能な吸引部材を備えてなる、前記載置面をクリーニングするクリーニング装置を具備する
ことを特徴とする半導体チップの実装装置。
【請求項２】
前記クリーニング装置は、前記吸引部材を支持し、弾性変形が可能な支持部材を有し、
前記支持部材は、前記支持部材の弾性変形によって前記載置面との間の対向間隔を狭める方向に移動することを特徴とする請求項１記載の半導体チップの実装装置。
【請求項３】
前記支持部材は、棒状に形成され、その一端部に前記吸引部材を支持し、
前記吸引部材は、前記支持部材の弾性変形により前記載置面に当接する当接部を有し、
前記当接部は、前記載置面との当接時に前記載置面と平行となる平坦面に形成されることを特徴とする請求項２記載の半導体チップの実装装置。
【請求項４】
前記載置面には、前記半導体チップが載置されるチップ載置領域と、前記チップ載置領域の外側に、前記チップ載置領域を囲むように設けられた環状の凸部が形成されて成り、
前記吸引部材は、前記吸引部に作用される吸引力によって前記凸部に接触することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体チップの実装装置。
【請求項５】
前記凸部の前記載置面に対する高さは、前記載置面に付着する、前記半導体チップに損傷を生じさせる大きさの異物の高さよりも低く形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体チップの実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップの実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをリードフレームやキャリアテープ等の基板に実装する実装装置として、ダイボンダやインナーリードボンダ、フリップチップボンダなどが知られている。このような実装装置は、半導体ウエーハを分割して個片化された半導体チップを、樹脂製シートに貼り付けられた半導体ウエーハや供給トレイなどからピックアップして基板に実装する。
【０００３】
近年、半導体チップは、三次元実装技術の進歩と集積回路の薄厚化の要求により、薄化が進んでいる。半導体チップを薄化すると半導体チップに反りが生じやすくなり、反りが生じた半導体チップは、基板に実装するときの位置検出精度が低下するという不具合が生じる。その為、このような薄厚な半導体チップの実装においては、半導体チップをプリサイサステージと呼ばれる中間ステージに吸着保持させて反りを矯正し、この状態で位置検出を行なうことが、実装精度を向上させる上で有効である。
【０００４】
一方、半導体チップの分割は、半導体ウエーハがダイシングシートと呼ばれる樹脂製のシートに貼着された状態で、ダイシングソーと呼ばれる円盤状のカッターによって切削されることで行なわれる。その為、切削時に生じる切りかすや切断部分の欠片等の異物や樹脂製シートから生じた粘着性の異物が、ダイシングソーによって半導体ウエーハに形成された溝や半導体チップの表面、特に、側面などに残留していることがある。
【０００５】
このような半導体チップを基板に実装する際、半導体チップに付着した異物が、プリサイサステージに付着し、堆積することがある。このような異物上に、半導体チップが載置されると、半導体チップが破損したり、半導体チップが傾き検出位置誤差が生じたりする不具合が生じる原因となる。
【０００６】
そのため、プリサイサステージに設けられた半導体チップの載置面をブラシでクリーニングして（特許文献１参照）、プリサイサステージの載置面を清浄な状態に保つことが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４９９２８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ブラシによるクリーニングでは、除去された異物が飛散し、プリサイサステージの周辺や実装装置内部に付着、堆積してしまうおそれがある。仮に、飛散した異物の吸引捕集機構を設けたとしても、よほど大がかりな機構でないと確実に異物の飛散を防止することはできない。
【０００９】
本発明の目的は、中間ステージに付着した異物を、飛散させることを防止しつつ、確実に除去することができる半導体チップの実装装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る実施の形態の半導体チップの実装装置は、
ピックアップツールによって供給部から取り出した半導体チップを中間ステージに載置した後、前記中間ステージに載置された前記半導体チップを実装ツールで取り出し、基板に実装する半導体チップの実装装置において、
前記中間ステージにおける前記半導体チップを載置する載置面に沿って移動可能に設けられ、前記載置面との対向面に吸引部を有し、この吸引部に作用する吸引力によって前記載置面との間の対向間隔を狭める方向に移動可能な吸引部材を備えてなる、前記載置面をクリーニングするクリーニング装置を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、中間ステージに付着した異物を、飛散させることを防止しつつ、確実に除去することができる。よって、中間ステージの載置面に付着した異物に起因する半導体チップの破損や検出位置ずれが防止され、半導体チップが実装された実装基板の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１の実施の形態の半導体チップの実装装置の主要部分の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態の半導体チップの実装装置のクリーニング装置の構成を示す概略図である。
【図３】図３は、第１の実施の形態の半導体チップの実装装置のクリーニング装置の動作を示す模式図である。
【図４】図４は、第２の実施の形態の半導体チップの実装装置のプリサイサステージの構成を示す概略図である。
【図５】図５は、第２の実施の形態の半導体チップの実装装置のクリーニング装置の動作を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態について、図１〜図３を用いて説明する。
【００１４】
図１は、本発明の第１の実施の形態である半導体チップの実装装置としてのダイボンダの主要部の構成を示す斜視図である。
【００１５】
図１に示すように、ダイボンダ１は、半導体チップＴを供給する供給部としてのウエーハテーブル２と、ウエーハテーブル２から半導体チップＴを一つずつ取り出すピックアップツールとしての吸着ノズル３と、ウエーハテーブル２から取り出された半導体チップＴが載置される中間ステージとしてのプリサイサステージ４と、プリサイサステージ４を挟んでウエーハテーブル２とは反対側に設けられた、基板Ｓを搬送および位置決めする搬送装置５と、プリサイサステージ４に載置された半導体チップＴを取り出し、搬送装置５によって位置決めされた基板Ｓに実装する実装ツール６と、プリサイサステージ４をクリーニングするクリーニング装置７と、クリーニング装置７を含む各構成要素を制御する制御装置８を備える。なお、基板Ｓは、例えば、リードフレームである。
【００１６】
ウエーハテーブル２は、粘着性の樹脂製シート２１を支持した円環状のウエーハリング２２を載置する。この樹脂製シート２１には、半導体チップＴ毎に分割された半導体ウエーハＷが貼着されている。なお、ウエーハリング２２は、図示しないウエーハリング供給装置によってウエーハテーブル２に対して供給並びに搬出される。
【００１７】
また、ウエーハテーブル２は、図示しない水平駆動装置、θ方向駆動装置によって図中の矢印Ｘ、Ｙ軸方向及びθ方向に駆動される。
【００１８】
吸着ノズル３は、図示しない水平および垂直駆動装置によって、図中の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能に設けられ、ウエーハテーブル２上のピックアップ位置とプリサイサステージ４との間を移動する。この吸着ノズル３は、真空吸引によって半導体チップＴを吸着保持する。
【００１９】
プリサイサステージ４は、図示しないθ方向駆動装置によって、図中の矢印θ方向に駆動可能であり、載置面４１に載置された半導体チップＴの向きを基板Ｓに対する実装方向に合わせて回転させる。
【００２０】
また、プリサイサステージ４の載置面４１には、表面粗さが１０μ以下となるような加工、例えば、研磨加工や樹脂コーティング等が施される。さらに、図２に示すように、載置面４１におけるチップ載置領域４１ａには、半導体チップＴを吸引保持するための複数（本実施の形態では、５つ）の吸引孔４１ｂが形成される。
【００２１】
搬送装置５は、基板Ｓを支持する一対のガイドレール５１、５２と、図示しない基板移送装置を備え、基板Ｓ上の各チップ搭載部ｍを半導体チップＴの実装位置に順次位置付けるように、基板Ｓを間欠搬送する。
【００２２】
実装ツール６は、図示しない水平および垂直駆動装置によって、図中の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能に設けられ、プリサイサステージ４と搬送装置５上の基板Ｓに対する実装位置との間を移動する。この実装ツール６は、真空吸引によって半導体チップＴを吸着保持する。
【００２３】
クリーニング装置７は、プリサイサステージ４の載置面４１を清掃する吸引部材７１と、吸引部材７１を載置面４１に沿う方向（この実施の形態では、Ｘ軸方向）に移動させるＸ軸移動装置７２と、吸引部材７１の吸引面７１ａ（図２（Ｂ）参照）と載置面４１との対向間隔が所定の間隔ｄとなるように、Ｘ軸移動装置７２の可動台７２ａに一端部が固定され他端部に吸引部材７１を支持する角柱棒状の支持部材７３と、吸引部材７１の吸引面７１ａに形成された吸引部としての吸引用開口部７１ｂに接続された吸引管７４と、吸引管７４に接続された吸引ポンプ７５と、吸引管７４の途中に設けられ、吸引管７４を開閉する開閉弁７６と、開閉弁７６と吸引用開口部７１ｂの途中に設けられたフィルタ部材７７と、を備える。
【００２４】
ここで、プリサイサステージ４の載置面４１を清掃する吸引部材７１の幅となるＹ軸方向の長さは、図２（Ａ）に示すように、Ｘ軸移動装置７２によるＸ軸方向の１回の移動により、プリサイサステージ４の載置面４１の全面を清掃できる長さとなっている。
【００２５】
また、支持部材７３は、弾性変形可能な部材、例えば、バネ鋼や樹脂などの材料を用いて形成されている。このようにすることにより、吸引部材７１を載置面４１と対向する位置に位置付けた状態で、吸引用開口部７１ｂに吸引ポンプ７５による吸引力を作用させたときに、その吸引力によって、支持部材７３が撓み変形し、吸引部材７１が載置面４１に引き寄せられて、対向間隔ｄが狭められ、図３（Ｂ）に示すように、吸引部材７１が傾斜した状態で載置面４１に当接するようになっている。
【００２６】
このとき、吸引部材７１が載置面４１に当接する力（以下「当接力」という。）の大きさは、前述した吸引部材７１の吸引面７１ａと載置面４１との対向間隔ｄと、吸引用開口部７１ｂに作用させる吸引力の大きさと、支持部材７３の剛性とを調整することによって設定する。
【００２７】
より詳細には、支持部材７３は、吸引用開口部７１ｂに吸引力が作用されない状態で、少なくとも、吸引部材７１の吸引面７１ａがプリサイサステージ４の載置面４１に対して平行を保てる剛性とする。そして、対向間隔ｄと、吸引用開口部７１ｂに作用させる吸引力は、吸引部材７１が載置面４１に引き寄せられる力が作用したときに、その力によって支持部材７３に撓み変形が生じ、それによって、吸引部材７１を載置面４１に、載置面４１が傷つけられることが無いように当接する大きさとなるよう設定される。
【００２８】
一方、吸引部材７１の吸引面７１ａには、載置面４１と当接した際に、載置面４１との接触が面接触となるように、載置面４１と当接する当接部が傾斜面７１ｃに形成されている。具体的には、図２（Ａ）に想像線で斜線を付して示したように、吸引部材７１の吸引面７１ａにおける支持部材７３とは反対側の辺７１ｄから吸引用開口部７１ｂにおける支持部材７３とは反対側の縁７１ｅに至るまでの領域が、吸引部材７１の長手方向の全域にわたり、側面視において支持部材７３の辺７１ｄから吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅに向けて角度θの下り傾斜となる平坦な傾斜面７１ｃに形成されている。
【００２９】
なお、傾斜面７１ｃの表面は、表面粗さが、プリサイサステージ４の載置面４１の表面粗さよりも滑らかになるように加工されている。
【００３０】
このような傾斜面７１ｃが載置面４１に当接した状態において、吸引部材７１の吸引面７１ａに対して垂直に形成された、吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅにつながる側壁は、載置面４１とのなす角が、鋭角となる。
【００３１】
また、吸引部材７１の吸引面７１ａに形成される吸引用開口部７１ｂは、Ｘ軸移動装置７２による移動方向とは直交する方向、つまり、Ｙ軸方向の長さが、チップ載置領域４１ａのＹ軸方向の長さよりも大きな長さに形成される。
【００３２】
Ｘ軸移動装置７２は、モータを駆動源とするボールねじ機構やリニアモータ、或いは、エアーシリンダなどによって可動台７２ａをＸ軸方向に移動可能とする。そして、Ｘ軸移動装置７２は、吸引部材７１を、図２に示す、吸引部材７１をプリサイサステージ４の載置面４１上から退避させた退避位置と、図３（Ａ）に示す、吸引部材７１の吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅが載置面４１におけるクリーニング装置７とは反対側の端部上（吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅが載置面４１を超えない状態）に位置するクリーニング開始位置との間で移動させることが可能なストロークを有する。
【００３３】
吸引ポンプ７５は、吸引用開口部７１ｂに作用させる吸引力の供給源として作用し、その駆動は制御装置８によって制御される。なお、本実施の形態では、吸引ポンプ７５は、ダイボンダ１による半導体チップＴの実装に係る動作中、常時駆動されており、吸引用開口部７１ｂに対する吸引力の供給／停止は、制御装置８による開閉弁７６の開閉制御によって行なうようにしている。
【００３４】
フィルタ部材７７は、吸引用開口部７１ｂから吸引された異物を捕捉する。
【００３５】
次に、このダイボンダ１の動作について説明する。
【００３６】
半導体チップＴの実装動作が開始されると、まず、吸着ノズル３によって、ウエーハテーブル２上のウエーハＷから半導体チップＴのうちピックアップ位置に位置付けられた半導体チップＴがピックアップされる。
【００３７】
吸着ノズル３によってピックアップされた半導体チップＴは、プリサイサステージ４の載置面４１に載置される。
【００３８】
一方、基板Ｓは、搬送装置５によって搬送され、所定の搭載部ｍが実装位置に位置付けられる。
【００３９】
なお、図１は、基板Ｓに設けられた３つの搭載部ｍのうち先頭の搭載部ｍに対する半導体チップＴの実装が完了し、２つ目の搭載部ｍが実装位置に位置付けられ、吸着ノズル３が２つ目の搭載部ｍに搭載する半導体チップＴをピックアップした状態を示している。
【００４０】
プリサイサステージ４に載置された半導体チップＴは、不図示の位置検出用カメラを用いて位置検出されるとともに、プリサイサステージの回動によって、搭載部ｍへの実装向きに合わせて回転方向の位置が調整される。
【００４１】
この後、半導体チップＴは、実装ツール６によって吸着保持され、実装位置に位置付けられた搭載部ｍ上に実装される。
【００４２】
このような、半導体チップＴの実装動作を繰り返して、ウエーハＷ上の半導体チップＴが基板Ｓの各搭載部ｍに順次実装されるが、本実施の形態においては、この実装の動作中における予め設定されたタイミングで、クリーニング装置７によるプリサイサステージ４のクリーニングが実行される。
【００４３】
予め設定されたタイミングとは、１つの半導体チップＴを実装する毎、１枚の基板Ｓに対する半導体チップＴの実装が完了する毎、１枚のウエーハＷから全ての半導体チップＴのピックアップが完了する毎、設定された個数の半導体チップＴのピックアップが完了する毎などが考えられる。そして、このタイミングは、制御装置８に内蔵、あるいは、接続された記憶部に、オペレータによる入力等によって設定される。
【００４４】
なお、この実施の形態においては、設定された個数の半導体チップＴのピックアップが完了する毎にクリーニングを実行するものとし、設定された個数は、１枚の基板Ｓに対する半導体チップＴの実装個数（この実施の形態では、３個）とした例で説明する。
【００４５】
上述の半導体チップＴの実装動作において、３つの半導体チップＴのピックアップが完了する毎に、クリーニング装置７によるプリサイサステージ４のクリーニングが実行される。
【００４６】
すなわち、制御装置８は、吸着ノズル３が３つ目の半導体チップＴをプリサイサステージ４の載置面４１上に載置し、その後、ウエーハリング２２上に移動した時点で、吸着ノズル３の動作を停止させる。なお、吸着ノズル３の停止は、４つ目の半導体チップＴをピックアップした段階で行なうようにしても良いが、ピックアップした半導体チップＴの裏面、つまり、基板Ｓに実装される面に塵埃等が付着する可能性を考慮すると、４つ目の半導体チップＴをピックアップする前に停止させる方が好ましい。
【００４７】
また、制御装置８は、実装ツール６を、プリサイサステージ４に載置された３つ目の半導体チップＴを基板Ｓの搭載部ｍに実装した後、図１に示すように、実装位置の上方で待機させる。
【００４８】
吸着ノズル３の動作を停止させたならば、制御装置８は、クリーニング装置７を作動させる。
【００４９】
まず、Ｘ軸移動装置７２に駆動させ、退避位置に位置する吸引部材７１を、図３（Ａ）に示す、クリーニング開始位置に移動させる。次いで、開閉弁７６を開操作し、吸引部材７１の吸引用開口部７１ｂに吸引力を作用させる。
【００５０】
吸引用開口部７１ｂに吸引力が作用されると、図３（Ｂ）に示すように、吸引力により支持部材７３が撓み変形し、吸引部材７１の傾斜面７１ｃがプリサイサステージ４の載置面４１に当接する。
【００５１】
この状態で、Ｘ軸移動装置７２を駆動させ、吸引部材７１を退避位置へ向けて移動させる。この移動中、載置面４１に付着した異物ｇは、吸引用開口部７１ｂに作用される吸引力によって吸引除去される。
【００５２】
また、異物ｇが吸引力によって除去できない程度の強さで載置面４１に付着している場合であっても、この異物ｇは、図３（Ｃ）に示すように、吸引部材７１の移動方向において後方側に位置し、載置面４１に接触しつつ移動する吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅ、および、この縁７１ｅにつながり、載置面４１に対して鋭角を成す吸引用開口部７１ｂの側壁によって欠き取られて除去される。
【００５３】
また、この移動中、吸引部材７１は、図３（Ｄ）に示すように、吸引用開口部７１ｂが載置面４１上からある程度外れた段階で、支持部材７３の弾性力によって元の高さに復帰する。これは、吸引用開口部７１ｂが載置面４１上から外れることによって、吸引力によって吸引部材７１が吸い寄せられる力が減少したことによる。
【００５４】
この後、図２に示す退避位置まで吸引部材７１が移動した時点で、Ｘ軸移動装置７２の駆動を停止させ、開閉弁７６を閉操作し、プリサイサステージ４のクリーニングを完了する。
【００５５】
クリーニングが完了したら、吸着ノズル３による半導体チップＴのピックアップ動作を再開させる。この後は、半導体チップＴを３回ピックアップする毎に、プリサイサステージ４のクリーニングを実行する。
【００５６】
上述した本発明の第１の実施の形態によれば、プリサイサステージ４の載置面４１に、吸引部材７１の移動方向において後方側に位置する吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅを接触させた状態で、吸引部材７１によるプリサイサステージ４のクリーニングを行なうようにした。その為、載置面４１に付着した異物ｇが、吸引部材７１の吸引用開口部７１ｂに作用される吸引力によって吸引除去されることは勿論のこと、粘着性の異物ｇ等が吸引力では除去できないような付着力で載置面４１に付着していた場合であっても、搬送方向において後方側に位置する、載置面４１に接触された吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅによって、異物ｇが欠き取られて確実に除去される。しかも、欠き取った異物ｇは、吸引力によって吸引されて除去されるので、欠き取った異物ｇが飛散することを防止することができる。そのため、プリサイサステージ４の載置面４１に、半導体チップＴに割れや欠けなどの破損を生じさせたり、プリサイサステージ４上での位置検出時の検出位置ずれの原因となるような傾きを生じさせたりするような異物ｇが付着して残ることを防止することができる。この結果、半導体チップＴが実装された基板Ｓの品質を向上させることが可能となる。
【００５７】
また、吸引部材７１が載置面４１に当接した状態で、吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅにつながる吸引用開口部７１ｂの側壁が載置面４１に対して成す角度が鋭角とされている。これにより、吸引用開口部７１ｂの側壁が載置面４１に対して垂直である場合に比べて、載置面４１に付着した異物ｇを欠き取りやすくすることができる。そのため、載置面４１に付着した異物ｇを確実に除去することができる。
【００５８】
また、吸引部材７１の吸引面７１ａにおける載置面４１に当接する部分を傾斜面７１ｃに形成し、載置面４１と面接触させるようにした。そのため、同じ当接力で当接した場合、吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅのみが線接触するような場合に比べて、単位面積当たりに作用する荷重を小さくすることが可能となる。この結果、吸引部材７１の当接によって、載置面４１を傷つけてしまうことが防止され、載置面４１にコーティングが施されているような場合でも、そのコーティングに与えるダメージを少なくすることができる。
【００５９】
また、吸引部材７１の傾斜面７１ｃの表面は、載置面４１の表面よりも滑らかに加工されている。このことによっても、吸引部材７１が傾斜面７１ｃを載置面４１に当接つつ移動したときに、載置面４１に与えるダメージを軽減させることができる。
【００６０】
また、吸引部材７１の吸引面７１ａと載置面４１との対向間隔ｄと、吸引用開口部７１ｂに作用させる吸引力の大きさと、支持部材７３の剛性とを調整することによって、吸引部材７１の載置面４１への当接力を調整するようにした。このようにすることによって、吸引部材７１を載置面４１に対して極力弱い当接力で当接させることができる。これによっても、吸引部材７１の当接が載置面４１に与えるダメージを少なくすることができる。
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００６１】
図４は、第２の実施の形態のダイボンダが備えるプリサイサステージの構成を示す平面図と側面図である。
【００６２】
なお、この第２の実施の形態においては、第１の実施の形態と異なる部分についてのみ説明し、第１の実施の形態と共通する部分については説明を省略する。
【００６３】
第２の実施の形態は、プリサイサステージ４の載置面４１の構成が第１の実施の形態と相違する。
【００６４】
図４に示すように、プリサイサステージ４の載置面４１には、円環状の凸部４２が形成されている。この凸部４２は、載置面４１上において半導体チップＴの載置領域４１ａと載置面４１の外周縁との間の領域に形成される。また、この凸部４２は、所定の高さｈに形成される。所定の高さｈとは、半導体チップＴに、割れや欠けなどの破損を生じさせたり、プリサイサステージ４上での位置検出時に検出位置ずれの原因となるような傾きを生じさせたりするような大きさの異物ｇの高さよりも低い高さである。例えば、前述の異物ｇの高さが３０μｍであれば、凸部４２の高さを３０μｍ未満の高さに設定する。
【００６５】
このような、第２の実施の形態の動作について説明する。
【００６６】
図５は、第２の実施の形態のダイボンダ１のクリーニング動作を示す図である。
【００６７】
第１の実施の形態と同様に、予め設定された個数、つまり、３つの半導体チップＴのピックアップが完了すると、制御装置８は、吸着ノズル３が３つ目の半導体チップＴをプリサイサステージ４の載置面４１上に載置し、その後、ウエーハリング２２上に移動した時点で、吸着ノズル３の動作を停止させる。
【００６８】
また、制御装置８は。実装ツール６を、プリサイサステージ４に載置された３つ目の半導体チップＴを基板Ｓの搭載部ｍに実装した後、実装位置の上方で待機させる。
【００６９】
吸着ノズル３の動作を停止させたならば、制御装置８は、クリーニング装置７のＸ軸移動装置７２に駆動させ、退避位置に位置する吸引部材７１を、図５（Ａ）に示す、クリーニング開始位置に移動させる。そして、開閉弁７６を開操作し、吸引部材７１の吸引用開口部７１ｂに吸引力を作用させる。
【００７０】
吸引用開口部７１ｂに吸引力が作用されると、図５（Ｂ）に示すように、吸引力により支持部材７３が撓み変形し、吸引部材７１の傾斜面７１ｃがプリサイサステージ４の凸部４２に当接する。
【００７１】
この状態で、Ｘ軸移動装置７２を駆動させ、吸引部材７１を退避位置へ向けて移動させる。この移動中、載置面４１に付着した異物ｇは、吸引用開口部７１ｂに作用される吸引力によって吸引除去される。
【００７２】
また、異物ｇが、吸引力によって除去できない程度の強さで載置面４１に付着している場合であっても、その異物ｇの高さが凸部４２の高さｈを超える高さであれば、図５（Ｃ）に示すように、吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅに当接して欠き取られて除去される。このとき、仮に、異物ｇが完全に除去されなかったとしても、異物ｇの高さは吸引用開口部７１ｂの縁７１ｅによる欠き取りにより、凸部４２の高さｈ以下の高さに削られている。したがって、異物ｇの高さを、半導体チップＴに、割れや欠けなどの破損を生じさせたり、プリサイサステージ４上での位置検出時に検出位置ずれの原因となるような傾きを生じさせたりするような高さよりも低い高さにすることができる。
【００７３】
この後、吸引部材７１は、図５（Ｄ）に示すように、吸引用開口部７１ｂが載置面４１上からある程度外れた段階で、支持部材７３の弾性力によって元の高さに復帰した後、退避位置へ戻る。吸引部材７１が退避位置へ戻った時点で、開閉弁７６を閉操作され、プリサイサステージ４のクリーニングが完了される。
【００７４】
このような第２の実施の形態によれば、上述した第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７５】
また、この実施の形態によれば、プリサイサステージ４の載置面４１に凸部４２を形成したので、クリーニング時に、吸引部材７１がチップ載置領域４１ａに接触することを防止でき、吸引部材７１の当接によってチップ載置領域４１ａを傷つけてしまうことがない。そのため、チップ載置領域４１ａに、異物ｇの付着を防止するコーティングなどが施されている場合であっても、そのコーティングを吸引部材７１によって傷つけたり剥離したりすることが確実に防止できる。
【００７６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、これらの実施の形態は、例示であり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００７７】
例えば、上述の実施の形態においては、吸引部材７１をプリサイサステージ４の載置面４１に支持部材７３の弾性変形を利用して、当接および離間させるように構成したが、支持部材７３を、充分な剛性を有する部材で形成し、この支持部材７３に対して吸引部材７１を、バネ等の弾性を有する部材を用いて上下方向に移動できるように弾性支持するようにしても良い。
【００７８】
また、吸引部材７１をプリサイサステージ４の載置面４１に傾斜した状態で当接させた例で説明したが、これに限られるものではなく、傾斜させることなく当接させるようにしてもよい。この場合、吸引部材７１の吸引面７１ａが平坦面であると、載置面４１との当接で吸引用開口部７１ｂが塞がれることが考えられる。そのような場合には、例えば、吸引用開口部７１ｂにおける支持部材７３とは反対側に位置する縁７１ｅに隣接する吸引面７１ａ上に、縁７１ｅに沿う凸条を設け、吸引面７１ａと載置面４１との間に隙間を形成するようにすると良い。
【００７９】
また、吸引部材７１の吸引用開口部７１ｂに吸引力を作用させたときに、吸引部材７１がプリサイサステージ４の載置面４１に当接する例で説明したが、これに限られるものではなく、吸引部材７１は載置面４１に必ずしも当接する必要は無い。例えば、微少な隙間を介して離間していても良い。なお、このときの離間距離は、第２の実施の形態における凸部４２の高さｈと同等、或いは、高さｈよりも小さい大きさに設定すると良い。
【００８０】
また、中間ステージとして、半導体チップＴの向きを基板Ｓに対する実装方向に合わせて回転させるプリサイサステージとして説明したが、これに限られるものではなく、単に半導体チップＴの受け渡し等、半導体チップＴのがウエーハＷからピックアップされ基板Ｓに実装されるまでの経路上に位置する、如何なるステージでも本発明は適用可能である。
【００８１】
また、半導体チップの実装装置としてダイボンダを例に挙げたが、これに限定されるものではなく、フリップチップボンダやインナーリードボンダ等、プリサイサステージを使用した実装装置であれば本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１  ダイボンダ（半導体チップの実装装置）
２  ウエーハテーブル（供給部）
３  吸着ノズル（ピックアップツール）
４  プリサイサステージ（中間ステージ）
４１  載置面
４２  凸部
５  搬送装置
６  実装ツール
７  クリーニング装置
７１  吸引部材
７１ａ  吸引面
７１ｂ  吸引用開口部（吸引部）
７１ｃ  傾斜面
７２  Ｘ軸移動装置
７３  支持部材
７４  吸引管
７５  吸引ポンプ
７６  開閉弁
８  制御装置
Ｔ  半導体チップ
ｇ  異物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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