(57)【要約】【課題】優れた耐摩耗性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、めっき層の脆化を抑制するのに好適な錫めっき／金めっき積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属基材の表面に形成された錫めっき層の上に金めっき層を形成させるめっき積層体の製造方法であって、錫めっき層の表面の任意の領域にニッケルめっき処理を施してニッケルめっき層を形成させる第一工程と、ニッケルめっき層の表面の任意の領域にストライクめっき処理を施す第二工程と、当該第二工程を施した後のニッケルめっき層の表面の領域の少なくとも一部に金めっき処理を施す第三工程と、を含むこと、を特徴とするめっき積層体の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材の表面に形成された錫めっき層の上に金めっき層を形成させるめっき積層体の製造方法であって、
前記錫めっき層の表面の任意の領域にニッケルめっき処理を施してニッケルめっき層を形成させる第一工程と、
前記ニッケルめっき層の表面の任意の領域に銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理を施す第二工程と、
前記第二工程を施した後の前記ニッケルめっき層の表面の少なくとも一部に金めっき処理を施す第三工程と、を含むこと、
を特徴とするめっき積層体の製造方法。
【請求項２】
前記第一工程の前処理として、前記ニッケルめっき層を形成させる前記錫めっき層の表面の任意の領域に、銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理を施すこと、
を特徴とする請求項１に記載のめっき積層体の製造方法。
【請求項３】
前記ニッケルめっき層の厚さが０．０５μｍ〜１０μｍであること、
を特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のめっき積層体の製造方法。
【請求項４】
前記金めっき層の厚さが０．０１μｍ〜１．０μｍであり、
前記金めっき層のビッカース硬度が１０ＨＶ〜３００ＨＶであること、
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のめっき積層体の製造方法。
【請求項５】
金属基材の表面に形成された錫めっき層と、
前記錫めっき層の上に形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層の上に形成された金めっき層と、を有し、
前記金めっき層は前記ニッケルめっき層に対して冶金的に接合され、
前記ニッケルめっき層は前記錫めっき層に対して冶金的に接合されていること、
を特徴とするめっき積層体。
【請求項６】
請求項５に記載のめっき積層体を有すること、
を特徴とする接続端子。
【請求項７】
耐摩耗性が要求される嵌合部の最表面を錫めっき層とし、
電導性が要求される接点部の最表面を金めっき層とすること、
を特徴とする請求項６に記載の接続端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっき積層体の製造方法及びその製造方法により得られるめっき積層体に関し、より具体的には、優れた耐摩耗性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、めっき層の脆化を抑制するのに好適な錫めっき／金めっき積層体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金めっきは電導性、低接触抵抗性及び耐熱性等に優れた特性を有し、各種接点、端子、コネクタ、スイッチ等の電気・電子部品に広く利用されている（例えば、特許文献１（特開２０１３−１４７６９６号公報）参照）。
【０００３】
近年、電気自動車やプラグインハイブリッド車等の普及が進んでおり、それに伴って家庭用充電装置及び急速充電装置等の充電装置の普及も進んでいる。自動車と充電装置とを連結する充電コネクタの端子は、高電圧及び高電流下での使用に加え、数万回にも及ぶ抜き差し動作に耐えなければならない。
【０００４】
ここで、上述の電気・電子部品の端子には、銅基板の上に錫めっきやリフロー錫めっきを施した材料が用いられることが多く、当該材料の表面に良好な金めっきを施すことができれば、端子に優れた耐摩耗性と電導性を付与することができると思われる。
【０００５】
しかしながら、卑な金属である錫の上に貴な金属である金をめっきすることは極めて困難であり、錫と金との電位差により錫と金との置換が発生し（互いに拡散し合い）、金めっきの剥離等が生じてしまう。このような理由から、錫めっきの上に良好な金めっきを積層させる技術は存在しないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１４７６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のような従来技術における問題点に鑑み、本発明の目的は、優れた耐摩耗性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、めっき層の脆化を抑制するのに好適な錫めっき／金めっき積層体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記目的を達成すべく、錫めっき上に金めっきを積層させる方法について鋭意研究を重ねた結果、錫と金との拡散及び反応を抑制し、密着性に優れた錫めっき／金めっき積層体を得るためには、金めっきの予備処理として、錫めっきに対してニッケルめっきを施してニッケルめっき層を形成させ、当該ニッケルめっき層に対して銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理を施すことが極めて有効であることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
即ち、本発明は、
金属基材の表面に形成された錫めっき層の上に金めっき層を形成させるめっき積層体の製造方法（即ち、金属基材、錫めっき層及び金めっき層を有するめっき積層体の製造方法）であって、
前記錫めっき層の表面の任意の領域にニッケルめっき処理を施してニッケルめっき層を形成させる第一工程と、
前記ニッケルめっき層の表面の任意の領域に銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理を施す第二工程と、
前記第二工程を施した後の前記ニッケルめっき層の表面の少なくとも一部に金めっき処理を施す第三工程と、を含むこと、
を特徴とするめっき積層体の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明のめっき積層体の製造方法においては、前記第三工程の前処理として、前記ニッケルめっき層の表面における任意の領域に、銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理（第二ストライクめっき）を施すことで、当該ニッケルめっき層と金めっき層との密着性を向上させることができる。
【００１１】
また、任意の工程として、前記第一工程の前処理として、前記錫めっき層の表面における任意の領域に、銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっき処理（第一ストライクめっき）を施してもよい。このように任意の第一ストライクめっきを施すことで、当該錫めっき層とニッケルめっき層との密着性を向上させることができる。
【００１２】
ここで、第一工程のニッケルめっき処理によって形成されるニッケルめっき層は、連続する膜形状であることが好ましく、当該ニッケルめっき層の厚さは０．０５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。０．０５μｍ未満であるとバリア効果に乏しく、１０μｍ超であると曲げ加工時にクラックが発生し易くなる。また、より好しいニッケルめっき層の厚さは０．５μｍ〜２μｍである。なお、ニッケルめっき層は、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよく、この場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。
【００１３】
また、第二工程によって形成されるストライクめっき層は、連続する膜形状であっても、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよい。後者の場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。なお、第三工程の金めっき処理によって、第二ストライクめっき層の上に金めっき層が形成され、概略的には単一の金めっき層が得られる。第二ストライクめっき層の厚さは０．０１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。
【００１４】
また、本発明のめっき積層体の製造方法においては、上記第三工程の金めっき処理を経て得られる上記単一の金めっき層の厚さが０．０２μｍ〜１．５μｍであること、が好ましい。なお、当該厚さは第二ストライクめっき層と金めっき層とを合わせた値である。
【００１５】
第三工程の金めっき処理を経て得られる上記単一の金めっき層は基本的に一定の厚さを有するが、本発明の効果を損なわない範囲で、部分的に薄くなっていたり厚くなっていたりしてもよい。また、上記金めっき層のビッカース硬度が１０ＨＶ〜３００ＨＶであることが好ましい。
【００１６】
なお、本発明における錫めっき層とは、電着後そのままの錫めっき層と、電着後リフロー処理を施したリフロー錫めっき層とを含む概念である。なお、リフロー錫めっき層とは、電着した錫めっき層を加熱して一旦溶融し、急冷する処理を施された錫めっき層を意味する（以下、同様）。
【００１７】
また、本発明は、上記のめっき積層体の製造方法により得られるめっき積層体も提供するものであり、当該めっき積層体は、
金属基材の表面に形成された錫めっき層と、
前記錫めっき層の上に形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層の上に形成された金めっき層と、を有し、
前記金めっき層は前記ニッケルめっき層に対して冶金的に接合され、
前記ニッケルめっき層は前記錫めっき層に対して冶金的に接合されていること、
を特徴とする。
【００１８】
冶金的な接合とは、錫めっき層と金めっき層とがアンカー効果等の機械的接合や接着剤等の異種接合層を介して接合されているのではなく、お互いの金属同士が直接接合されていることを意味する。冶金的な接合とは結晶学的整合（エピタキシー）による接合を当然に含む概念であり、本発明において、各めっき層は互いに結晶学的整合（エピタキシー）による接合が達成されていることが好ましい。
【００１９】
また、本発明は上記本発明のめっき積層体を含む接続端子にも関し、当該接続端子は、雄端子及び／又は雌端子が上記の本発明のめっき積層体で構成されている。
【００２０】
上記の本発明の接続端子においては、耐摩耗性が要求される嵌合部の最表面を錫めっき層とし、電導性が要求される接点部の最表面を金めっき層とすること、が好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のめっき積層体の製造方法によれば、優れた耐摩耗性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、めっき層の脆化を抑制するのに好適な錫めっき／金めっき積層体及びその製造方法を提供することができる。また、本発明の錫めっき／金めっき積層体は、優れた耐摩耗特性と電導性とを必要とする接続端子用の材料として好適に用いることができ、優れた耐摩耗性と電導性、及び嵌合性を兼ね備えた接続端子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のめっき積層体の製造方法の工程図である。
【図２】本発明の金めっき積層体の第一実施形態の概略断面図である。
【図３】本発明の金めっき積層体の第二実施形態の概略断面図である。
【図４】本発明の金めっき積層体の第三実施形態の概略断面図である。
【図５】本発明の金めっき積層体の第四実施形態の概略断面図である。
【図６】本発明の接続端子の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら本発明のめっき積層体の製造方法、めっき積層体、及び接続端子の代表的な実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。なお、以下の説明では、同一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。また、図面は、本発明を概念的に説明するためのものであるから、表された各構成要素の寸法やそれらの比は実際のものとは異なる場合もある。
【００２４】
≪めっき積層体の製造方法≫
図１は、本発明のめっき積層体の製造方法の工程図である。本発明のめっき積層体の製造方法は、金属基材の表面に形成された錫めっき層の上に金めっき層を形成させるめっき積層体の製造方法であって、錫めっき層の表面の任意の領域にニッケルめっき処理を施してニッケルめっき層を形成させる第一工程（Ｓ０１）と、ニッケルめっき層の表面の任意の領域に第二ストライクめっき処理を施す第二工程（Ｓ０２）と、第二ストライクめっき処理を施した後のニッケルめっき層の表面の少なくとも一部に金めっき処理を施す第三工程（Ｓ０３）と、を含んでいる。
【００２５】
金属基材に用いる金属は、電導性を有している限り特に限定されず、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、鉄及び鉄合金、チタン及びチタン合金、ステンレス、銅及び銅合金等を挙げることができるが、なかでも、電導性・熱伝導性・展延性に優れているという理由から、銅及び銅合金を用いることが好ましい。
【００２６】
金属基材に錫めっきを施したものに対し、洗浄処理を行い、第一工程（Ｓ０１）、第二工程（Ｓ０２）、及び第三工程（Ｓ０３）を経てめっき積層体を得ることができる。以下、各処理について詳細に説明する。
【００２７】
（１）錫めっき処理
金属基材に錫めっきを施した材料については市販のものを使用することができる。また、錫めっきには、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の錫めっき手法を用いることができる。
【００２８】
なお、錫めっきへのリフローは時間の経過に伴うウィスカー（針状金属結晶）の成長を抑制するための処理であり、一般的には電着した錫めっき層を加熱して一旦溶融し、急冷する方法が用いられている。錫めっき層を溶融することによって、めっき時の応力（歪み）を除去し、金属基材との拡散層を形成することで経時的な変化を低減することができる。
【００２９】
錫めっき浴としては、酸性浴、中性浴、アルカリ性浴があり、いずれの浴も使用出来る。酸性浴としては硫酸浴や有機スルホン酸浴、中性浴はピロリン酸浴やグルコン酸浴、アルカリ性浴としてはスズ酸カリウム浴やスズ酸ナトリウム浴が一般的である。
【００３０】
リフロー処理は、金属基材表面の一部又は全体に施された錫めっき層を錫の融点以上に加熱して溶融させればよい。錫めっき層の内部応力を緩和するために、好ましい処理温度は２５０〜６００℃であり、より好ましくは３００〜５００℃、更に好ましくは３５０〜４５０℃である。また、めっき外観をよくするために、好ましい処理時間は３〜４０秒間であり、より好ましくは５〜３０秒間、更に好ましくは５〜２０秒間である。その他、加熱処理は還元雰囲気または不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３１】
（２）洗浄処理
洗浄工程は、任意の工程であり、図１には示していないが、錫めっき層を有する金属基材のうちの少なくとも錫めっき層の表面を洗浄する工程である。ここでは、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の洗浄処理液及び処理条件を用いることができる。
【００３２】
洗浄処理液には一般的な非鉄金属用の浸漬脱脂溶液や電解脱脂溶液を使用することができるが、両性金属である錫の腐食を防止するため、ｐＨが２超１１未満の洗浄処理溶液を使用することが好ましく、ｐＨが２以下の強酸浴やｐＨが１１以上の強アルカリ浴の使用は避けることが好ましい。
【００３３】
具体的には、第三リン酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムまたはオルトケイ酸ナトリウム等１０〜５０ｇ／Ｌを水溶した弱アルカリ性の浴に界面活性剤０．１〜１０ｇ／Ｌを加えた浴で浴温２０〜７０℃、１０〜６０秒間浸漬する。または陽極にステンレス鋼、チタン白金板、及び酸化イリジウム等の不溶性陽極を用いて、陰極電流密度２〜５Ａ／ｄｍ２で陰極電解脱脂を行ってもよい。
【００３４】
（３）第一ストライクめっき処理    
図１には示していないが、第一ストライクめっきはニッケルめっき処理（第一工程（Ｓ０１））の予備処理であり、当該第一ストライクめっきを施すことで、錫めっき層とニッケルめっき層との密着性を改善するために施される処理であって、錫めっき層の表面における任意の領域に、銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっきを施すものである。
【００３５】
（Ａ）銀ストライクめっき
銀ストライクめっき浴としては、例えば、シアン化銀及びシアン化銀カリウム等の銀塩と、シアン化カリウム及びピロリン酸カリウム等の電導塩と、を含むものを用いることができる。銀ストライクめっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の銀めっき手法を用いることができるが、通常の銀めっきと比較して、めっき浴中の銀塩の濃度を低く、電導塩の濃度を高くすることが好ましい。
【００３６】
銀ストライクめっき処理に好適に用いることができる銀ストライクめっき浴は、銀塩と、シアン化アルカリ塩と、電導塩と、により構成され、必要に応じて光沢剤が添加されていてもよい。各構成要素の好適な使用量は、銀塩：１〜１０ｇ／Ｌ、シアン化アルカリ塩：８０〜２００ｇ／Ｌ、電導塩：０〜１００ｇ／Ｌ、光沢剤：〜１０００ｐｐｍである。
【００３７】
銀塩としては、例えば、シアン化銀、ヨウ化銀、酸化銀、硫酸銀、硝酸銀、塩化銀等が挙げられ、電導塩としては、例えば、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、ピロリン酸カリウム、ヨウ化カリウム、チオ硫酸ナトリウム等が挙げられる。
【００３８】
光沢剤としては金属光沢剤及び／又は有機光沢剤を用いることができる。また、金属光沢剤としては、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を例示でき、有機光沢剤としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合物、メルカプタン類等を例示することができる。
【００３９】
銀ストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の銀ストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、ステンレス鋼、チタン白金板、及び酸化イリジウム等の不溶性陽極を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：１５〜５０℃、電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、処理時間：５〜６０秒を例示することができる。
【００４０】
（Ｂ）金ストライクめっき
金ストライクめっき浴としては、例えば、金塩、電導塩、キレート剤及び結晶成長剤を含むものを用いることができる。また、金ストライクめっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。
【００４１】
金塩には、例えば、シアン化金、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、亜硫酸金ナトリウム及びチオ硫酸金ナトリウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、クエン酸カリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム及びチオ硫酸カリウム等を用いることができる。キレート剤には、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。結晶成長剤には、例えば、コバルト、ニッケル、タリウム、銀、パラジウム、錫、亜鉛、銅、ビスマス、インジウム、ヒ素及びカドミウム等を用いることができる。なお、ｐＨ調整剤として、例えば、ポリリン酸、クエン酸、酒石酸、水酸化カリウム及び塩酸等を添加してもよい。
【００４２】
光沢剤としては、金属光沢剤及び／又は有機光沢剤を用いることができる。また、金属光沢剤としては、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を例示でき、有機光沢剤としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合物、メルカプタン類等を例示することができる。
【００４３】
金ストライクめっき処理に好適に用いることができる金ストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、金塩：１〜１０ｇ／Ｌ、電導塩：０〜２００ｇ／Ｌ、キレート剤：０〜３０ｇ／Ｌ、結晶成長剤：０〜３０ｇ／Ｌである。
【００４４】
金ストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の金ストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜４０℃、電流密度：０．１〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜６０秒、ｐＨ：０．５〜７．０を例示することができる。
【００４５】
（Ｃ）パラジウムストライクめっき
パラジウムストライクめっき浴としては、例えば、パラジウム塩及び電導塩を含むものを用いることができる。また、パラジウムストライクめっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。
【００４６】
パラジウム塩には、例えば、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、ジアミノジクロロパラジウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム、塩化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硝酸ナトリウム、クエン酸カリウム等を用いることができる。キレート剤には、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。
【００４７】
光沢剤としては、サッカリンナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホミド、ブチンジオール、ベンゾアルデヒドスルホン酸ナトリウム等を例示することができる。
【００４８】
パラジウムストライクめっき処理に好適に用いることができるパラジウムストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、パラジウム塩：０．５〜２０ｇ／Ｌ、電導塩：５０〜２００ｇ／Ｌ、光沢剤：０〜５０ｇ／Ｌである。
【００４９】
パラジウムストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のパラジウムストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜５０℃、電流密度：０．１〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜６０秒を例示することができる。
【００５０】
（Ｄ）ニッケルストライクめっき
ニッケルストライクめっき浴としては、例えば、ニッケル塩、陽極溶解促進剤及びｐＨ緩衝剤を含むものを用いることができる。また、ニッケルストライクめっき浴には添加剤が添加されていてもよい。
【００５１】
ニッケル塩には、例えば、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル及び塩化ニッケル等を用いることができる。陽極溶解促進剤には、例えば、塩化ニッケル及び塩酸等を用いることができる。ｐＨ緩衝剤には、例えば、ホウ酸、酢酸ニッケル及びクエン酸等を用いることができる。添加剤には、例えば、１次光沢剤（サッカリン、ベンゼン、ナフタレン（ジ、トリ）、スルホン酸ナトリウム、スルホンアミド、スルフィン酸等）、２次光沢剤（有機化合物：ブチンジオール、クマリン、アリルアルデヒドスルホン酸等、金属塩：コバルト、鉛、亜鉛等）及びピット防止剤（ラウリル硫酸ナトリウム等）等を用いることができる。
【００５２】
ニッケルストライクめっき処理に好適に用いることができるニッケルストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、ニッケル塩：１００〜３００ｇ／Ｌ、陽極溶解促進剤：０〜３００ｇ／Ｌ、ｐＨ緩衝剤：０〜５０ｇ／Ｌ、添加剤：０〜２０ｇ／Ｌである。
【００５３】
ニッケルストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のニッケルストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、電解ニッケル、カーボナイズドニッケル、デポライズドニッケル、サルファニッケル等の可溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜３０℃、電流密度：１．０〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜３０秒、ｐＨ：０．５〜４．５を例示することができる。
【００５４】
第一ストライクめっきは、上記各種ストライクめっきを１種類のみ施しても、複数のストライクめっきを積層させてもよい。
【００５５】
なお、第一ストライクめっきは錫めっき層の全面に施してもよく、第一工程（Ｓ０１）においてニッケルめっきを形成させたい領域のみに施してもよい。また、当該第一ストライクめっきは、錫めっきとニッケルめっきとの密着性を向上させるものであるが、省略可能な任意の工程である。
【００５６】
（４）ニッケルめっき処理（第一工程（Ｓ０１））
ニッケルめっき処理は、錫めっき層と金めっき層との間において、錫と金との拡散及び反応を防止するバリア層として機能するニッケルめっき層を形成させるために施される処理である。錫めっき層と金めっき層との間にニッケルめっき層が存在することで、錫と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物（例えば、ＡｕＳｎ２）の形成による、錫めっき層及び／又は金めっき層の脆化を抑制することができる。
【００５７】
ニッケルめっき浴としては、例えば、ワット浴やスルファミン酸浴を用いることができるが、電着応力の低いスルファミン酸浴を用いることが好ましい。なお、強酸性のウッドストライク浴は避ける方が好ましい。ニッケルめっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のニッケルめっき手法を用いることができる。例えば、ニッケルめっき浴は硫酸ニッケル・スルファミン酸ニッケル・塩化ニッケル等のニッケル塩と、塩化ニッケル等の陽極溶解剤と、ホウ酸・酢酸・クエン酸等のｐＨ緩衝剤とで構成された液に、添加剤として少量の光沢剤やレベリング剤、ピット防止剤等を添加したものを用いることができる。各構成要素の好適な使用量は、ニッケル塩：１００〜６００ｇ／Ｌ、陽極溶解剤：０〜５０ｇ／Ｌ、ｐＨ緩衝剤：２０〜５０ｇ／Ｌ、添加剤：〜５０００ｐｐｍである。
【００５８】
なお、前述のとおり、第二工程のニッケルめっき処理によって形成されるニッケルめっき層は、連続する膜形状であることが好ましく、当該ニッケルめっき層の厚さは０．０５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。０．０５μｍ未満であるとバリア効果に乏しく、１０μｍ超であると曲げ加工時にクラックが発生しやすくなる。なお、ニッケルめっき層は、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよく、その場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。
【００５９】
（５）第二ストライクめっき処理（第二工程（Ｓ０２））
第二ストライクめっき処理は、第一工程（Ｓ０１）によって形成されたニッケルめっき層と金めっき層との密着性を改善するために施される処理であって、ニッケルめっき層の表面における任意の領域に、銀ストライクめっき、金ストライクめっき、パラジウムストライクめっき、ニッケルストライクめっき、銅ストライクめっきの群から選ばれる１または２以上のストライクめっきを施すものである。
【００６０】
（Ａ）銀ストライクめっき
銀ストライクめっき浴としては、例えば、シアン化銀及びシアン化銀カリウム等の銀塩と、シアン化カリウム及びピロリン酸カリウム等の電導塩と、を含むものを用いることができる。銀ストライクめっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の銀めっき手法を用いることができるが、通常の銀めっきと比較して、めっき浴中の銀塩の濃度を低く、電導塩の濃度を高くすることが好ましい。
【００６１】
銀ストライクめっき処理に好適に用いることができる銀ストライクめっき浴は、銀塩と、シアン化アルカリ塩と、電導塩と、により構成され、必要に応じて光沢剤が添加されていてもよい。各構成要素の好適な使用量は、銀塩：１〜１０ｇ／Ｌ、シアン化アルカリ塩：８０〜２００ｇ／Ｌ、電導塩：０〜１００ｇ／Ｌ、光沢剤：〜１０００ｐｐｍである。
【００６２】
銀塩としては、例えば、シアン化銀、ヨウ化銀、酸化銀、硫酸銀、硝酸銀、塩化銀等が挙げられ、電導塩としては、例えば、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム、ピロリン酸カリウム、ヨウ化カリウム、チオ硫酸ナトリウム等が挙げられる。
【００６３】
光沢剤としては金属光沢剤及び／又は有機光沢剤を用いることができる。また、金属光沢剤としては、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を例示でき、有機光沢剤としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合物、メルカプタン類等を例示することができる。
【００６４】
銀ストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の銀ストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、ステンレス鋼、チタン白金板、及び酸化イリジウム等の不溶性陽極を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：１５〜５０℃、電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、処理時間：５〜６０秒を例示することができる。
【００６５】
なお、銀ストライクめっきはニッケルめっき層の全面に施してもよく、第三工程（Ｓ０３）において金めっきを形成させたい領域のみに施してもよい。
【００６６】
（Ｂ）金ストライクめっき
金ストライクめっき浴としては、例えば、金塩、電導塩、キレート剤及び結晶成長剤を含むものを用いることができる。また、金ストライクめっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。
【００６７】
金塩には、例えば、シアン化金、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、亜硫酸金ナトリウム及びチオ硫酸金ナトリウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、クエン酸カリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム及びチオ硫酸カリウム等を用いることができる。キレート剤には、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。結晶成長剤には、例えば、コバルト、ニッケル、タリウム、銀、パラジウム、錫、亜鉛、銅、ビスマス、インジウム、ヒ素及びカドミウム等を用いることができる。なお、ｐＨ調整剤として、例えば、ポリリン酸、クエン酸、酒石酸、水酸化カリウム及び塩酸等を添加してもよい。
【００６８】
光沢剤としては、金属光沢剤及び／又は有機光沢剤を用いることができる。また、金属光沢剤としては、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を例示でき、有機光沢剤としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合物、メルカプタン類等を例示することができる。
【００６９】
金ストライクめっき処理に好適に用いることができる金ストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、金塩：１〜１０ｇ／Ｌ、電導塩：０〜２００ｇ／Ｌ、キレート剤：０〜３０ｇ／Ｌ、結晶成長剤：０〜３０ｇ／Ｌである。
【００７０】
金ストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の金ストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜４０℃、電流密度：０．１〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜６０秒、ｐＨ：０．５〜７．０を例示することができる。
【００７１】
なお、金ストライクめっきはニッケルめっき層の全面に施してもよく、第三工程（Ｓ０３）において金めっきを形成させたい領域のみに施してもよい。
【００７２】
（Ｃ）パラジウムストライクめっき
パラジウムストライクめっき浴としては、例えば、パラジウム塩及び電導塩を含むものを用いることができる。また、パラジウムストライクめっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。
【００７３】
パラジウム塩には、例えば、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、ジアミノジクロロパラジウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム、塩化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硝酸ナトリウム、クエン酸カリウム等を用いることができる。キレート剤には、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。
【００７４】
光沢剤としては、サッカリンナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホミド、ブチンジオール、ベンゾアルデヒドスルホン酸ナトリウム等を例示することができる。
【００７５】
パラジウムストライクめっき処理に好適に用いることができるパラジウムストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、パラジウム塩：０．５〜２０ｇ／Ｌ、電導塩：５０〜２００ｇ／Ｌ、光沢剤：０〜５０ｇ／Ｌである。
【００７６】
パラジウムストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のパラジウムストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜５０℃、電流密度：０．１〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜６０秒を例示することができる。
【００７７】
なお、パラジウムストライクめっきはニッケルめっき層の全面に施してもよく、第三工程（Ｓ０３）において金めっきを形成させたい領域のみに施してもよい。
【００７８】
（Ｄ）ニッケルストライクめっき
ニッケルストライクめっき浴としては、例えば、ニッケル塩、陽極溶解促進剤及びｐＨ緩衝剤を含むものを用いることができる。また、ニッケルストライクめっき浴には添加剤が添加されていてもよい。
【００７９】
ニッケル塩には、例えば、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル及び塩化ニッケル等を用いることができる。陽極溶解促進剤には、例えば、塩化ニッケル及び塩酸等を用いることができる。ｐＨ緩衝剤には、例えば、ホウ酸、酢酸ニッケル及びクエン酸等を用いることができる。添加剤には、例えば、１次光沢剤（サッカリン、ベンゼン、ナフタレン（ジ、トリ）、スルホン酸ナトリウム、スルホンアミド、スルフィン酸等）、２次光沢剤（有機化合物：ブチンジオール、クマリン、アリルアルデヒドスルホン酸等、金属塩：コバルト、鉛、亜鉛等）及びピット防止剤（ラウリル硫酸ナトリウム等）等を用いることができる。
【００８０】
ニッケルストライクめっき処理に好適に用いることができるニッケルストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、ニッケル塩：１００〜３００ｇ／Ｌ、陽極溶解促進剤：０〜３００ｇ／Ｌ、ｐＨ緩衝剤：０〜５０ｇ／Ｌ、添加剤：０〜２０ｇ／Ｌである。
【００８１】
ニッケルストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のニッケルストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、電解ニッケル、カーボナイズドニッケル、デポライズドニッケル、サルファニッケル等の可溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜３０℃、電流密度：１．０〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜３０秒、ｐＨ：０．５〜４．５を例示することができる。
【００８２】
なお、ニッケルストライクめっきはニッケルめっき層の全面に施してもよく、第三工程（Ｓ０３）において金めっきを形成させたい領域のみに施してもよい。
【００８３】
第二ストライクめっきは、上記各種ストライクめっきを１種類のみ施しても、複数のストライクめっきを積層させてもよい。
【００８４】
（６）金めっき処理（第三工程（Ｓ０３））
金めっき処理は第二工程（Ｓ０２）においてストライクめっきされた領域のうちの少なくとも一部に、概略的には単一のより厚い金めっき層を形成させるための処理である。
【００８５】
金めっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の金めっき手法を用いることができるが、通常の金ストライクめっきと比較して、めっき浴中の金塩の濃度を高く、電導塩の濃度を低くすることが好ましい。
【００８６】
金めっき処理に好適に用いることができる金めっき浴は、例えば、金塩、電導塩、キレート剤及び結晶成長剤を含むものを用いることができる。また、金めっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。各構成要素の好適な使用量は、金塩：１〜１０ｇ／Ｌ、電導塩：〜２００ｇ／Ｌ、キレート剤：〜３０ｇ／Ｌ、結晶成長材：〜３０ｇ／Ｌ、光沢剤：〜１００ｐｐｍである。
【００８７】
金塩としては、例えば、シアン化金、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、亜硫酸金ナトリウム及びチオ硫酸金ナトリウム等が挙げられ、電導塩としては、例えば、クエン酸カリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム及びチオ硫酸カリウム等が挙げられる。
【００８８】
キレート剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。結晶成長剤には、例えば、コバルト、ニッケル、タリウム、銀、パラジウム、錫、亜鉛、銅、ビスマス、インジウム、ヒ素及びカドミウム等を用いることができる。なお、ｐＨ調整剤として、例えば、ポリリン酸、クエン酸、酒石酸、水酸化カリウム及び塩酸等を添加してもよい。
【００８９】
光沢剤としては、金属光沢剤及び／又は有機光沢剤を用いることができる。また、金属光沢剤としては、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を例示でき、有機光沢剤としては、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸化合物、メルカプタン類等を例示することができる。
【００９０】
金めっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の金めっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０〜４０℃、電流密度：０．１〜５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１〜１４４０秒、ｐＨ：０．５〜７．０を例示することができる。
【００９１】
なお、金めっきは金属基材、錫めっき層、及びニッケルめっき層の全面に施してもよく、第二工程（Ｓ０２）において第二ストライクめっきを形成させた領域のみに施してもよい。
【００９２】
≪めっき積層体≫
（１）第一実施形態
図２は、本発明のめっき積層体の第一実施形態の概略断面図である。めっき積層体１は、金属基材２の表面に錫めっき層４が形成され、該錫めっき層４の表面全体に第一ストライクめっき層が形成され（図示せず）、該第一ストライクめっき層の表面全体にニッケルめっき層６が形成されている。更に、ニッケルめっき層６の表面全体に第二ストライクめっき層８が形成され、第二ストライクめっき層８の表面全体に金めっき層１０が形成されている。
【００９３】
金属基材２の金属は、電導性を有している限り特に限定されず、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、鉄及び鉄合金、チタン及びチタン合金、ステンレス、銅及び銅合金等を挙げることができるが、なかでも、電導性・熱伝導性・展延性に優れているという理由から、銅及び銅合金を用いることが好ましい。
【００９４】
錫めっき層４は電着後そのままの場合と、電着後にリフロー処理が施されている場合が存在するが、リフロー処理が施されている場合は金属基材２と錫めっき層４との界面近傍に拡散層が形成されている。
【００９５】
ニッケルめっき層６は、連続する膜形状であることが好ましく、ニッケルめっき層６の厚さは０．０５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。また、より好ましいニッケルめっき層の６の厚さは０．５μｍ〜２μｍである。なお、ニッケルめっき層６は、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよく、その場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。
【００９６】
第一ストライクめっき層及び第二ストライクめっき層８は、連続する膜形状であっても、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよい。後者の場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。なお、ストライクめっき条件によっては、第二ストライクめっき層８の識別が困難な場合も存在する。第二ストライクめっき層８の厚さは０．０１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。
【００９７】
第二ストライクめっき層８の表面には、金めっき層１０が形成されている。金めっき層１０の厚さは０．０１μｍ〜１．０μｍであることが好ましい。０．１μｍ未満では金めっき層１０の耐摩耗性を利用することができず、１．０μｍより厚い場合は金の使用量が増加するため経済的でないためである。また、ビッカース硬度は１０ＨＶ〜３００ＨＶであることが好ましい。
【００９８】
（２）第二実施形態
図３は、本発明のめっき積層体の第二実施形態の概略断面図である。めっき積層体１は、金属基材２の表面に錫めっき層４が形成され、該錫めっき層４の表面全体にニッケルめっき層６が形成されている。更に、ニッケルめっき層６の表面全体に第二ストライクめっき層８が形成され、第二ストライクめっき層８の表面の一部に金めっき層１０が形成されている。なお、第二ストライクめっき層８の一部に金めっき層１０が形成されている以外は、第一実施形態と同様である。
【００９９】
（３）第三実施形態
図４は、本発明のめっき積層体の第三実施形態の概略断面図である。めっき積層体１は、金属基材２の表面に錫めっき層４が形成され、該錫めっき層４の表面全体又は表面の一部にニッケルめっき層６が形成されている。更に、ニッケルめっき層６の表面全体に第二ストライクめっき層８が形成され、第二ストライクめっき層８の表面全体に金めっき層１０が形成されている。なお、錫めっき層４の表面の一部にニッケルめっき層６が形成され、ニッケルめっき層６の表面全体に第二ストライクめっき層８が形成され、第二ストライクめっき層８の表面全体に金めっき層１０が形成されている以外は、第一実施形態と同様である。
【０１００】
（４）第四実施形態
図５は、本発明のめっき積層体の第四実施形態の概略断面図である。めっき積層体１は、金属基材２の表面に錫めっき層４が形成され、該錫めっき層４の表面全体にニッケルめっき層６が形成されている。更に、ニッケルめっき層６の表面の一部に第二ストライクめっき層８が形成され、該第二ストライクめっき層８の表面全体に金めっき層１０が形成されている。なお、錫めっき層４の表面全体にニッケルめっき層６が形成され、ニッケルめっき層６の表面の一部に第二ストライクめっき層８が形成され、第二ストライクめっき層８の表面全体に金めっき層１０が形成されている以外は、第一実施形態と同様である。また、第一実施形態〜第四実施形態においては錫めっき層４が金属基材２の全面に形成されているが、錫めっき層４は金属基材２の一部に形成されていてもよい。
【０１０１】
≪接続端子≫
本発明のめっき積層体は、各種接続端子に好適に用いることができる。具体的には、耐摩耗性が要求される嵌合部の最表面を錫めっき層４とし、電導性が要求される接点部の最表面を金めっき層１０とすることで、安価で高性能な接続端子を製造することができる。ここでいう嵌合部とは、屈曲やカシメ等により他の部材を挟む等して、他の部材と接続される部分のことである。
【０１０２】
図６は、本発明の接続端子の一例を示す（透視）概略図である。図６に示されている接続端子１２は高圧端子であるが、接続端子１２において電導性が要求される接点部分１４の最表面は金めっき層１０となっており、耐摩耗性を要求されるハーネスとの接続部分１６は最表面が錫めっき層４となっている。
【０１０３】
従来、接続端子には軸受性及び加工性に優れたリフロー錫めっきが多く用いられてきたが、耐摩耗性に乏しい、電気抵抗が高い、といった問題が存在した。これに対し、最表面を金めっき層１０とすることで、金めっき層１０が有する優れた耐摩耗性、低い電気抵抗、及び良好な耐熱性を利用することができる。
【０１０４】
本発明のめっき積層体１では、第一ストライクめっき層が施された錫めっき層４と、第二ストライクめっき層８と、の間にニッケルめっき層６が存在するため、第一ストライクめっき層が施された錫めっき層４と、第二ストライクめっき層８と、の間において、ニッケルめっき層６が錫と金との拡散及び反応を防止するバリア層として機能する。つまり、第一ストライクめっき層を施した錫めっき層４と、第二ストライクめっき層８と、の間にニッケルめっき層６が存在することで、錫と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物（例えば、ＡｕＳｎ２）の形成による、錫めっき層及び／又は金めっき層の脆化を抑制することができる。
【０１０５】
また、本発明のめっき積層体１では金めっき層１０と金属基材２との間に錫めっき層４及びニッケルめっき層６が存在し、加えて、錫めっき層４がリフロー錫めっき層の場合は拡散層及び／又は反応層も存在するため、金属基材２（例えば銅又は銅合金）から金めっき層１０への金属基材２に起因する金属（例えば銅）の拡散（乃至は置換）が抑えられ、めっき積層体１の経時変化を抑制することができる。
【０１０６】
更に、摺動摩耗が顕著な領域の最表面を金めっき層１０とすることで、摺動摩耗によって飛散した錫めっき層４の破片を原因とする、発火及び感電等の重大な事故を防止することができる。
【０１０７】
以上、本発明の代表的な実施形態について説明したが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく、種々の設計変更が可能であり、それら設計変更は全て本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【０１０８】
≪実施例１≫
市販の錫めっき材（厚さ０．６ｍｍの銅合金材へ錫めっきを施し、リフローを施したもの）に以下の工程で１．０μｍのニッケルめっき層及び０．０５μｍの金めっき層を形成させた。キザイ株式会社製のマックスクリーンＮＧ−３０を４０ｇ／Ｌ含有する５０℃の洗浄処理液に、上記錫めっき材を６０秒間浸漬させることで、錫めっき層の表面に洗浄処理を施した。
【０１０９】
次に、３ｇ／Ｌのシアン化銀、１５０ｇ／Ｌのシアン化カリウム、及び１５ｇ／Ｌの炭酸カリウムを含む銀ストライクめっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料を洗浄処理後の錫めっき材として、浴温：室温、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件で銀ストライクめっき処理を施した。
【０１１０】
ついで、３００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、５ｇ／Ｌの塩化ニッケル・６水和物、１０ｇ／Ｌのホウ酸、及び０．２ｇ／Ｌのラウリル硫酸ナトリウムを含むニッケルめっき浴を用い、陽極材料をサルファニッケル板、陰極材料を洗浄処理及び銀ストライクめっき処理後の錫めっき材として、浴温：５０℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件でニッケルめっき処理を施した（第一工程）。
【０１１１】
さらに、２ｇ／Ｌのシアン化金カリウム、１００ｇ／Ｌのクエン酸カリウム、５ｇ／Ｌのキレート剤、２ｇ／Ｌの硫酸コバルトを含む金ストライクめっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料をニッケルめっき処理後の錫めっき材として、浴温：室温、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件で金ストライクめっき処理を施した（第二工程）。
【０１１２】
その後、４ｇ／Ｌのシアン化金カリウム、１００ｇ／Ｌのシアン化カリウム、５ｇ／Ｌのキレート剤、及び２ｇ／Ｌの硫酸コバルトを含む金めっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料を金ストライクめっき処理後の錫めっき材として、浴温：４０℃、電流密度：０．１５Ａ／ｄｍ２の条件で金めっき処理を施した（第三工程）。
【０１１３】
［評価］
（１）密着性評価１
上記のようにして作製しためっき積層体について密着性の評価を行った。セロハンテープ（ニチバン株式会社製の＃４０５）を指圧にて金めっき層に押し付け、当該セロハンテープを引き剥がした後に金めっき層の剥がれや膨れが発生しなかった場合は○、発生した場合は×とし、得られた結果を表１に示した。
【０１１４】
（２）密着性評価２
さらに、上記のようにして作製しためっき積層体を１ｍｍのカット間隔で基盤目状にカット（クロスカット試験）を行った後に密着性の評価を行った。セロハンテープ（ニチバン株式会社製の＃４０５）を指圧にて金めっき層に押し付け、当該セロハンテープを引き剥がした後に金めっき層の剥がれや膨れが発生しなかった場合は○、発生した場合は×とし、得られた結果を表１に示した。
【０１１５】
≪実施例２≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金ストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．１μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１１６】
≪実施例３≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金ストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１１７】
≪実施例４≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金ストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを１．０μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１１８】
≪実施例５≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに銀ストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１１９】
≪実施例６≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらにパラジウムストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。なお、上記パラジウムストライクめっき処理には、ジクロロジアンミンパラジウム３ｇ／Ｌ、リン酸カリウム１００ｇ／Ｌを含むパラジウムストライクめっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料をニッケルめっき処理後の錫めっき材として、浴温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２、の処理条件を用いた。
【０１２０】
≪実施例７≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらにニッケルストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。上記ニッケルストライクめっき処理には、塩化ニッケル１００ｇ／Ｌ、塩酸５０ｍｌ／Ｌを含むニッケルストライクめっき液を用い、陽極材料をニッケル板、陰極材料をニッケルめっき処理後の錫めっき材として、浴温２０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２、の処理条件を用いた。
【０１２１】
≪実施例８≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに銅ストライクめっきを厚さ０．０５μｍ施した後に金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。上記銅ストライクめっき処理には、１０ｇ／Ｌのシアン化銅、３０ｇ／Ｌのシアン化カリウム、及び１５ｇ／Ｌの炭酸カリウムを含む銅ストライクめっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料を剥離処理後の錫めっき材として、浴温：室温、電流密度：２Ａ／ｄｍ２、の処理条件を用いた。
【０１２２】
≪比較例１≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金めっきを０．０５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２３】
≪比較例２≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金めっきを０．１μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２４】
≪比較例３≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金めっきを０．５μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２５】
≪比較例４≫
実施例１と同様の工程を用い、銀ストライクめっきを厚さ０．１μｍ施した後にニッケルめっきを厚さ１．０μｍ施し、さらに金めっきを１．０μｍ施した。当該条件で作成しためっき積層体に対して上記２種の密着性評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【０１２６】
【表１】
2017218663.tif 000003
【０１２７】
表１に示す結果から、本発明の実施例に関しては、ニッケルめっき層及び金めっき層の厚さに係らず、各めっき層間（錫めっき層／ニッケルめっき層、及びニッケルめっき層／金めっき層）が良好に接合されていることが分かる（実施例１〜８）。これに対し、第二ストライクめっきを施さない場合はクロスカット試験となる密着性評価２によって金めっき層が剥離しており、金めっき層とニッケルめっき層とが良好に接合されていないことが確認された（比較例１〜４）。
【符号の説明】
【０１２８】
１・・・めっき積層体、
２・・・金属基材、
４・・・錫めっき層、
６・・・ニッケルめっき層、
８・・・第二ストライクめっき層、
１０・・・金めっき層、
１２・・・接続端子、
１４・・・接点部分、
１６・・・接続部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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