(57)【要約】【課題】回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法に関し、水溶性フラックス起因の膜ダメージを抑制する。【解決手段】配線及びパッドを形成した基板の表面に設けられ、少なくとも前記パッドを露出する開口部を有する有機樹脂膜の表面部分を、前記有機樹脂膜の他の部分より高密度化する。【選択図】図１
2017059654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線及びパッドを形成した基板と、
前記基板の表面に少なくとも前記パッドを露出する開口部を有する有機樹脂膜とを有し、
前記有機樹脂膜の表面部分が、前記有機樹脂膜の他の部分より高密度化していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
配線及びパッドを形成した基板の表面に前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜を形成する工程と、
前記有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、
前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程と
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記有機樹脂膜が、感光性有機絶縁膜であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理後の熱処理を、酸素を１容量％以上含むガス中で行うことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
配線及びパッドを形成した基板の表面に設けられ、前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、
前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程と、
前記パッドを含む前記有機樹脂膜の表面に水溶性フラックスを塗布する工程と、
前記パッドにはんだを当接する工程と、
前記はんだを１５０℃〜２６０℃でリフローする工程と、
前記リフロー後に前記水溶性フラックスを洗浄する工程と、
前記はんだに、電子デバイスに設けたパッドを当接して前記電子デバイスを実装する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイス実装装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法に関するものであり、例えば、半導体デバイスやパッケージ基板等をはんだ接合する際のフラックス起因の膜ダメージの抑制に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体デバイスやパッケージ基板等をはんだ接合する際、接合する金属とはんだとの濡れ性の改善や金属表面の酸化物除去を行うため、松脂等のロジン系フラックスが用いられてきた。しかし、ロジン系フラックスは洗浄を行う際に残渣になりやすく、特にＣ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｃｏｌｌａｐｓｅ  Ｃｈｉｐ  Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）バンプやマイクロバンプのような狭ピッチなバンプ接合部に対して著しく信頼性を低下させることが懸念される。
【０００３】
この対策として、近年ではフラックス残渣の抑制やフラックス除去の容易さから有機酸やアミン系化合物をベースとした水溶性フラックスが注目を集めているので、ここで、図１５を参照して従来の半導体パッケージの製造工程を説明する。
【０００４】
図１５は従来の半導体パッケージの製造工程の説明図であり、まず、図１５（ａ）に示すように、パッド６２を露出するように有機樹脂膜によるカバー膜６３を設けた基板６１を用意し、全面に水溶性フラックス６４を塗布する。次いで、図１５（ｂ）に示すように、パッド６２に当接するようにはんだボール６５を搭載する。
【０００５】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、加熱処理によりはんだボール６５をリフローする。次いで、図１５（ｄ）に示すように、洗浄により水溶性フラックス６４を除去する。以降は、図示を省略するが、はんだボール６５に半導体チップに設けたパッドを当接した状態でリフローしたのち、リッド（蓋）により半導体チップを覆う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−３０７２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、水溶性フラックスはカバー膜６３となる有機樹脂膜の変質や剥離、膨潤などの膜ダメージを発生しやすいという問題がある。
【０００８】
一方、水溶性フラックスは親水性であるため、疎水性表面の有機樹脂膜との濡れ性を向上させるために、有機樹脂膜の表面をプラズマ処理を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、このような処理を施すことで水溶性フラックスと有機樹脂膜との親和性が高くなり、前記のような膜ダメージがより深刻となる。
【０００９】
したがって、回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法において、水溶性フラックス起因の膜ダメージを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
開示する一観点からは、配線及びパッドを形成した基板と、前記基板の表面に少なくとも前記パッドを露出する開口部を有する有機樹脂膜とを有し、前記有機樹脂膜の表面部分が、前記有機樹脂膜の他の部分より高密度化していることを特徴とする回路基板が提供される。
【００１１】
また、開示する別の観点からは、配線及びパッドを形成した基板の表面に前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【００１２】
また、開示するさらに別の観点からは、配線及びパッドを形成した基板の表面に設けられ、前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程と、前記パッドを含む前記有機樹脂膜の表面に水溶性フラックスを塗布する工程と、前記パッドにはんだを当接する工程と、前記はんだを１５０℃〜２６０℃でリフローする工程と、前記リフロー後に前記水溶性フラックスを洗浄する工程と、前記はんだに、電子デバイスに設けたパッドを当接して前記電子デバイスを実装する工程とを含むことを特徴とする電子デバイス実装装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
開示の回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法よれば、水溶性フラックス起因の膜ダメージを抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態の回路基板の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態の回路基板の製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１の回路基板の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例１の作用効果の説明図である。
【図５】本発明の実施例２の回路基板の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例２の作用効果の説明図である。
【図７】本発明の実施例３の回路基板の製造工程の説明図である。
【図８】本発明の実施例３の作用効果の説明図である。
【図９】本発明の実施例４の回路基板の製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の実施例４の作用効果の説明図である。
【図１１】本発明の実施例５の半導体パッケージの製造工程の途中までの説明図である。
【図１２】本発明の実施例５の半導体パッケージの製造工程の図１１以降の途中までの説明図である。
【図１３】本発明の実施例５の半導体パッケージの製造工程の図１２以降の途中までの説明図である。
【図１４】本発明の実施例５の半導体パッケージの製造工程の図１３以降の説明図である。
【図１５】従来の半導体パッケージの製造工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
ここで、図１及び図２を参照して、本発明の実施の形態の回路基板及びその製造方法を説明する。図１に示すように、配線２及びパッド３を形成した基板１の表面に少なくともパッド３を露出する開口部を有する有機樹脂膜５を設け、この有機樹脂膜５の表面部分を有機樹脂膜５の他の部分より高密度化している部分６とする。なお、符号４は、基板１の裏面に設けたプリント回路基板等との接続に用いるパッドである。
【００１６】
このように、有機樹脂膜５の表面部分を高密度化している部分６とすることにより、水溶性フラックスの浸透を抑制することができ、それによって、水溶性フラックス起因の膜ダメージを抑制することができる。なお、高密度化している部分６の厚さは、プラズマ処理の時間にもよるが、１００ｎｍ以上であることが望ましい。
【００１７】
また、有機樹脂膜５としては、パッド３を露出させる工程において、フォトレジスト等が不要になるので、感光性有機絶縁膜が望ましい。このような有機樹脂膜としては、回路基板に適用される電気的特性や機械的特性などの要求特性を満たしていれば特に限定されないが、フェノール系樹脂、ポリミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、或いは、ポリベンゾシクロブテン系樹脂のいずれかであることが望ましい。
【００１８】
また、回路基板の製造工程としては、まず、図２（ａ）に示すように、配線（２）及びパッド３を形成した基板１の表面に設けられ、パッド３を露出する開口部を有する有機樹脂膜５に対してプラズマ７によるプラズマ処理を行う。このプラズマ処理工程において、有機樹脂膜５の表面の結合手が切られて小さな分子は解離して飛散するとともに、ダングリングボンドが形成される。このダングリングボンドが水分との反応や水溶性フラックスの浸透の原因と推測される。
【００１９】
プラズマ処理は、Ａｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３から選ばれた単一または複数のガスを成分としたプラズマであれば特に限定されない。但し、プラズマ照射条件によっては有機樹脂膜５がドライエッチングされる可能性があるため、ドライエッチングを抑制したい場合は、Ａｒ又はＮ２を主成分とすることが望まれる。また、プラズマ照射時間は有機樹脂膜５の表面が以後の熱処理により１００ｎｍ以上の厚さで高密度化すれば特に限定されない。
【００２０】
次いで、図２（ｂ）に示すように、１５０℃以上且つ有機樹脂膜の耐熱温度以下の温度による熱処理を行う。この熱処理により、プラズマ処理により吸着した汚染成分が除去されるとともに、プラズマ処理によって分子切断された有機樹脂を化学反応によってダングリングボンドを結合して分子修復して表面に高密度化している部分６が形成されることになる。この高密度化している部分６の厚さは、プラズマ処理の時間にもよるが、１００ｎｍ以上とすることが望ましい。プラズマ照射後の加熱処理は、酸素を１容量％以上含む雰囲気中であれば特に限定されない。
【００２１】
このように、回路基板の製造工程の段階でプラズマ処理とその後の熱処理を行えば良い。或いは、プラズマ処理とその後の熱処理を行っていない基板を購入等で用意して半導体チップ等の電子デバイスチップを回路基板に実装する場合には、はんだの形成前にプラズマ処理とその後の熱処理を行えば良い。
【００２２】
例えば、プラズマ処理とその後の熱処理を行っていない基板を用意し、図２（ａ）に及び図２（ｂ）に示すように、プラズマ処理とその後の熱処理を行う。次いで、図２（ｃ）に示すように、水溶性フラックス９を全面に塗布したのち、はんだ１０をパッド３に当接して１５０℃〜２６０℃ではんだ１０をリフロー処理したのち、水溶性フラックス９を洗浄により除去すれば良い。なお、はんだ１０は、典型的にははんだボールである。
【００２３】
このリフロー工程によっても、有機樹脂膜５の表面に高密度化している部分６が形成されているので、水溶性フラックスの浸透が抑制される。また、洗浄工程においても、水分等の浸透が抑制される。
【実施例１】
【００２４】
次に、図３及び図４を参照して、本発明の実施例１の回路基板の製造工程を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、パッド２２を形成した基板２１上にフェノール系感光性有機樹脂２３を塗布する。次いで、図３（ｂ）に示すように、フェノール系感光性有機樹脂２３にパッド２２を露出する開口部２４を露光・現像により形成したのち、キュアする。
【００２５】
次いで、図３（ｃ）に示すようにＡｒプラズマ２５を用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によりフェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２６では分子切断によりダングリングボンドが形成される。このプラズマ処理は、流量２００ｓｃｃｍ、圧力１０Ｐａ、出力１００Ｗ、処理時間２分の条件でＡｒスパッタとして行う。
【００２６】
次いで、図３（ｄ）に示すように、大気中において２００℃の加熱温度で６０分間の加熱処理を行う。この加熱処理により、フェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２７では分子修復が起こり高密度化する。
【００２７】
図４は、本発明の実施例１の作用効果の説明図であり、ここでは、基板としてＳｉウェーハを用い、その上に厚さが５μｍのフェノール系感光性有機樹脂を塗布してキュアしたものに対してフラックスを塗布し、リフローに相当する加熱処理及び洗浄処理を行った試料についてＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光）分析と膜厚測定を行った。なお、加熱温度は１５０℃〜２６０℃とし、洗浄は４５℃の純水で３分間洗浄したのち、流水で５分間の洗浄を行う。
【００２８】
図４（ａ）はＦＴ−ＩＲ分析によるフラックス浸透度のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、ここでは、フラックス成分に対応する１１３０ｃｍ−１のピーク強度比を用いている。なお、比較のために、プラズマ処理後に加熱処理を行わなかった比較例の測定結果も併せて示している。
【００２９】
図に示すように、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度、即ち、リフロー処理温度の上昇とともに、ピーク強度比、即ち、フラックスの浸透量が増大する。一方、本発明の実施例１の場合には、２４０℃程度まではフラックスの浸透がほとんど見られなかった。
【００３０】
図４（ｂ）は膜厚変化のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度の上昇とともに、膜厚が変化し、２４０℃近傍で５０％程度の膜厚増加が見られた。一方、本発明の実施例１の場合には、２４０℃程度までは膜厚変化は見られなかった。
【００３１】
以上の結果から、Ａｒプラズマを用いたプラズマ処理とその後の加熱処理により有機樹脂膜の表面を高密度化することにより、フラックスの浸透が抑制されることが分かる。
【実施例２】
【００３２】
次に、図５及び図６を参照して、本発明の実施例２の回路基板の製造工程を説明する。まず、図５（ａ）に示すように、パッド２２を形成した基板２１上にフェノール系感光性有機樹脂２３を塗布する。次いで、図５（ｂ）に示すように、フェノール系感光性有機樹脂２３にパッド２２を露出する開口部２４を露光・現像により形成したのち、キュアする。
【００３３】
次いで、図５（ｃ）に示すようにＮ２，Ｏ２，ＣＦ４混合プラズマ２８を用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によりフェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２６では分子切断によりダングリングボンドが形成される。このプラズマ処理は、Ｎ２：流量２００ｓｃｃｍ、Ｏ２：流量５０ｓｃｃｍ、ＣＦ４：５０ｓｃｃｍ、圧力５Ｐａ、出力１００Ｗ、処理時間２分の条件で表面処理を行う。
【００３４】
次いで、図５（ｄ）に示すように、大気中において２００℃の加熱温度で６０分間の加熱処理を行う。この加熱処理により、フェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２７では分子修復が起こり高密度化する。
【００３５】
図６は、本発明の実施例２の作用効果の説明図であり、ここでも、基板としてＳｉウェーハを用い、その上に厚さが５μｍのフェノール系感光性有機樹脂を塗布してキュアしたものに対してフラックスを塗布し、リフローに相当する加熱処理及び洗浄処理を行った試料についてＦＴ−ＩＲ分析と膜厚測定を行った。なお、加熱温度は１５０℃〜２６０℃とし、洗浄は４５℃の純水で３分間洗浄したのち、流水で５分間の洗浄を行う。
【００３６】
図６（ａ）はＦＴ−ＩＲ分析によるフラックス浸透度のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、ここでも、フラックス成分に対応する１１３０ｃｍ−１のピーク強度比を用いている。なお、比較のために、プラズマ処理後に加熱処理を行わなかった比較例の測定結果も併せて示している。
【００３７】
図に示すように、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度の上昇とともに、ピーク強度比が増大し、２１０℃近傍で増大が止まる。一方、本発明の実施例２の場合には、２６０℃程度まではフラックスの浸透がほとんど見られなかった。
【００３８】
図６（ｂ）は膜厚変化のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度の上昇とともに、膜厚が変化し、１９０℃近傍で２５％程度の膜厚増加が見られ、その後ほぼ一定になった。一方、本発明の実施例２の場合には、２６０℃程度までは膜厚変化は見られなかった。
【００３９】
以上の結果から、Ｎ２，Ｏ２，ＣＦ４混合プラズマを用いたプラズマ処理とその後の加熱処理により有機樹脂膜の表面を高密度化することにより、フラックスの浸透が抑制されることが分かる。また、Ａｒプラズマを用いた場合より、フラックスの浸透が抑制されることが分かる。
【実施例３】
【００４０】
次に、図７及び図８を参照して、本発明の実施例３の回路基板の製造工程を説明する。まず、図７（ａ）に示すように、パッド２２を形成した基板２１上にフェノール系感光性有機樹脂２３を塗布する。次いで、図７（ｂ）に示すように、フェノール系感光性有機樹脂２３にパッド２２を露出する開口部２４を露光・現像により形成したのち、キュアする。
【００４１】
次いで、図７（ｃ）に示すようにＯ２，ＣＦ４混合プラズマ２９を用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によりフェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２６では分子切断によりダングリングボンドが形成される。このプラズマ処理は、Ｏ２：流量１５０ｓｃｃｍ、ＣＦ４：５０ｓｃｃｍ、圧力１０Ｐａ、出力３００Ｗ、処理時間２分の条件で行う。
【００４２】
次いで、図７（ｄ）に示すように、大気中において１５０℃の加熱温度で６０分間の加熱処理を行う。この加熱処理により、フェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２７では分子修復が起こり高密度化する。
【００４３】
図８は、本発明の実施例３の作用効果の説明図であり、ここでも、基板としてＳｉウェーハを用い、その上に厚さが５μｍのフェノール系感光性有機樹脂を塗布してキュアしたものに対してフラックスを塗布し、リフローに相当する加熱処理及び洗浄処理を行った試料についてＦＴ−ＩＲ分析と膜厚測定を行った。なお、加熱温度は１５０℃〜２６０℃とし、洗浄は４５℃の純水で３分間洗浄したのち、流水で５分間の洗浄を行う。
【００４４】
図８（ａ）はＦＴ−ＩＲ分析によるフラックス浸透度のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、ここでも、フラックス成分に対応する１１３０ｃｍ−１のピーク強度比を用いている。なお、比較のために、プラズマ処理後に加熱処理を行わなかった比較例の測定結果も併せて示している。
【００４５】
図に示すように、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度の上昇とともに、ピーク強度比が増大する。一方、本発明の実施例３の場合には、１９０℃程度まではフラックスの浸透がほとんど見られなかったが、それ以降はピーク強度比の大幅な増加が見られた。これは、プラズマ処理後の加熱処理温度が１５０℃と、実施例１或いは実施例２に比べて低かったのが原因と推測される。
【００４６】
図８（ｂ）は膜厚変化のフラックス加熱処理温度依存性の説明図であり、比較例の場合には、フラックス加熱処理温度の上昇とともに、膜厚が変化し、２１０℃近傍で５０％程度の膜厚増加が見られた。一方、本発明の実施例３の場合には、２３０℃程度までは膜厚変化は見られなかった。
【００４７】
以上の結果から、Ｏ２，ＣＦ４混合プラズマを用いたプラズマ処理とその後の加熱処理により有機樹脂膜の表面を高密度化することにより、フラックスの浸透が抑制されることが分かる。また、加熱処理温度が１５０℃でも図８（ｂ）からは十分な効果があることが分かる。
【実施例４】
【００４８】
次に、図９及び図１０を参照して、本発明の実施例４の回路基板の製造工程を説明する。まず、図９（ａ）に示すように、パッド２２を形成した基板２１上にフェノール系感光性有機樹脂２３を塗布する。次いで、図９（ｂ）に示すように、フェノール系感光性有機樹脂２３にパッド２２を露出する開口部２４を露光・現像により形成したのち、キュアする。
【００４９】
次いで、図９（ｃ）に示すようにＯ２プラズマ３０を用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によりフェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２６では分子切断によりダングリングボンドが形成される。このプラズマ処理は、流量１００ｓｃｃｍ、圧力５Ｐａ、処理時間２分の状件でＯ２スパッタとして行う。
【００５０】
次いで、図９（ｄ）に示すように、大気中において８０℃〜２６０℃の加熱温度で６０分間の加熱処理を行う。この加熱処理により、フェノール系感光性有機樹脂２３の表面部分２７では分子修復が起こり高密度化する。
【００５１】
図１０は、本発明の実施例４の作用効果の説明図であり、ここでも、基板としてＳｉウェーハを用い、その上に厚さが５μｍのフェノール系感光性有機樹脂を塗布してキュアしたものに対してフラックスを塗布し、リフローに相当する加熱処理及び洗浄処理を行った試料についてＦＴ−ＩＲ分析を行った。なお、加熱温度は１５０℃〜２６０℃とし、洗浄は４５℃の純水で３分間洗浄したのち、流水で５分間の洗浄を行う。
【００５２】
図に示すＦＴ−ＩＲ分析によるフラックス浸透度のフラックス加熱処理温度依存性からは、プラズマ処理後の加熱処理が１５０℃以上において、フラックスの浸透がほとんど見られなかった。
【００５３】
以上の結果からは、Ｏ２プラズマを用いたプラズマ処理の場合には、プラズマ処理後の加熱処理を１５０℃以上とすることによって、フラックスの浸透が抑制されることが分かる。
【００５４】
なお、上記の実施例１乃至実施例４においては、カバー膜となる有機樹脂膜として、フェノール系感光性有機樹脂を用いているが、プラズマ処理による分子切断は有機樹脂膜に共通の事象であるので、フェノール系感光性有機樹脂に限られるものではない。例えば、ポリミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、或いは、ポリベンゾシクロブテン系樹脂においても同様の効果が得られる。
【実施例５】
【００５５】
次に、図１１乃至図１４を参照して、本発明の実施例５の半導体パッケージの製造工程を説明する。まず、図１１（ａ）に示すように、パッド４２を露出する開口部４４を有するカバー膜となるフェノール系感光性有機樹脂膜４３を設けた基板４１を用意する。
【００５６】
次いで、図１１（ｂ）に示すようにＡｒプラズマ４５を用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によりフェノール系感光性有機樹脂４３の表面部分４６では分子切断によりダングリングボンドが形成される。このプラズマ処理は、流量２００ｓｃｃｍ、圧力１０Ｐａ、出力１００Ｗ、処理時間２分の条件でＡｒスパッタとして行う。
【００５７】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、大気中において２００℃の加熱温度で６０分間の加熱処理を行う。この加熱処理により、フェノール系感光性有機樹脂４３の表面部分４７では分子修復が起こり高密度化する。
【００５８】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、全面に水溶性フラックス４８を塗布したのち、パッド４２に当接するようにはんだボール４９を搭載する。次いで、図１２（ｅ）に示すように、２００℃における加熱処理によりはんだボール４９をリフローする。次いで、図１２（ｆ）に示すように、４５℃の純水で３分間洗浄したのち、流水で５分間の洗浄を行って水溶性フラックス４８を除去する。
【００５９】
次いで、図１３（ｇ）に示すように、はんだボール４９の頂面にフラックス（図示は省略）を塗布したのち、半導体チップ５２に設けたパッド５３をはんだボール４９に当接させる。次いで、図１３（ｈ）に示すように、再び、２００℃における加熱処理によりはんだボール４９をリフローして、半導体チップ５２を基板４１に接合する。次いで、図１３（ｉ）に示すように、半導体チップ５２と基板４１との間にアンダーフィル樹脂５４を注入する。
【００６０】
次いで、図１４（ｊ）に示すように、封止剤５５を用いてリッド（蓋）５６を基板４１に固定する、この時、半導体チップ５２の背面にも封止剤５５を設ける。最後に、図１４（ｋ）に示すように、基板４１の裏面に形成したパッド５０にはんだボールを当接し、リフローによりはんだボールバンプ５７を形成することで、半導体パッケージが完成する。なお、図における符号５１はカバー膜となるフェノール系感光性有機樹脂である。
【００６１】
このように、プラズマ処理及びその後の加熱処理を行っていない回路基板を用いて半導体チップを実装する場合には、実装工程の前にプラズマ処理とその後の加熱処理を行うことによって、水溶性フラックス起因の膜ダメージを抑制することができる。
【００６２】
ここで、実施例１乃至実施例５を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）配線及びパッドを形成した基板と、前記基板の表面に少なくとも前記パッドを露出する開口部を有する有機樹脂膜とを有し、前記有機樹脂膜の表面部分が、前記有機樹脂膜の他の部分より高密度化していることを特徴とする回路基板。
（付記２）前記高密度化している部分の厚さが、１００ｎｍ以上であることを特徴とする付記１に記載の回路基板。
（付記３）前記有機樹脂膜が、感光性有機絶縁膜であることを特徴とする付記１または付記２に記載の回路基板。
（付記４）前記有機樹脂膜が、フェノール系樹脂、ポリミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、或いは、ポリベンゾシクロブテン系樹脂のいずれかであることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１に記載の回路基板。
（付記５）配線及びパッドを形成した基板の表面に前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
（付記６）前記有機樹脂膜が、感光性有機絶縁膜であることを特徴とする付記５に記載の回路基板の製造方法。
（付記７）前記有機樹脂膜が、フェノール系樹脂、ポリミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、或いは、ポリベンゾシクロブテン系樹脂のいずれかであることを特徴とする付記５または付記６に記載の回路基板の製造方法。
（付記８）前記プラズマ処理後の熱処理を、酸素を１容量％以上含むガス中で行うことを特徴とする付記５乃至付記７のいずれか１に記載の回路基板の製造方法。
（付記９）配線及びパッドを形成した基板の表面に設けられ、前記パッドを露出する開口部する有機樹脂膜の表面をＡｒ，Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４，ＣＨＦ３のうちの単一または複数のガスを用いてプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理後の前記有機樹脂膜を１５０℃以上で且つ前記有機樹脂膜の耐熱温度以下で熱処理する工程と、前記パッドを含む前記有機樹脂膜の表面に水溶性フラックスを塗布する工程と、前記パッドにはんだを当接する工程と、前記はんだを１５０℃〜２６０℃でリフローする工程と、前記リフロー後に前記水溶性フラックスを洗浄する工程と、前記はんだに、電子デバイスに設けたパッドを当接して前記電子デバイスを実装する工程とを含むことを特徴とする電子デバイス実装装置の製造方法。
（付記１０）前記はんだの少なくとも一部が、はんだボールであることを特徴とする付記９に記載の電子デバイス実装装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板
２  配線
３  パッド
４  パッド  
５  有機樹脂膜
６  高密度化している部分
７  プラズマ
８  表面部分
９  水溶性フラックス
１０  はんだ
２１，４１  基板
２２，４２  パッド
２３，４３  フェノール系感光性有機樹脂膜
２４，４４  開口部
２５，４５  Ａｒプラズマ
２６，４６  表面部分
２７，４７  表面部分
２８  Ｎ２，Ｏ２，ＣＦ４混合プラズマ
２９  Ｏ２，ＣＦ４混合プラズマ
３０  Ｏ２プラズマ
４８  水溶性フラックス
４９  はんだボール
５０  パッド
５１  フェノール系感光性有機樹脂膜
５２  半導体チップ
５３  パッド
５４  アンダーフィル樹脂
５５  封止剤
５６  リッド
５７  はんだボールバンプ
６１  基板
６２  パッド
６３  カバー膜
６４  水溶性フラックス
６５  はんだボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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