(57)【要約】【課題】素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止できる。【解決手段】半導体装置は、基板１１に配置された素子と、第１絶縁層１７と、第１絶縁層上に配置され、素子の上方に位置する第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂと、第１絶縁層上、前記第１及び第２パッドそれぞれの側面上及び上面上に配置された第２絶縁層１９を含み、第２絶縁層は、前記第１及び第２パッドそれぞれの上面に位置する開口部１９ａ，１９ｂを有し、前記第１及び第２パッドそれぞれの厚さは２μｍ以上であり、前記第２絶縁層の厚さは、前記第１及び第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下であり、前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離は、前記第１及び第２パッドそれぞれの厚さの４倍以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に配置された素子と、
前記素子及び前記基板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、前記素子の上方に位置する第１パッドと、
前記第１絶縁層上に配置された第２パッドと、
前記第１絶縁層上、前記第１パッドの側面上及び上面上、並びに前記第２パッドの側面上及び上面上に配置された第２絶縁層と、
を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１パッドの上面に位置する開口部及び前記第２パッドの上面に位置する開口部を有し、
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さは２μｍ以上であり、
前記第２絶縁層の厚さは、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下であり、
前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離は、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの４倍以上である半導体装置。
【請求項２】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれはボンディングワイヤーまたはバンプが接合されており、
前記第１パッドは側面に凸部を有し、
前記第２パッドは側面に凸部を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面上に位置する前記第２絶縁層がクラックまたは割れ部を有する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの平面形状は多角形または円形である、請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの材質はＡｌまたはＡｌ合金である、請求項１〜４のいいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面上に位置する前記第２絶縁層の厚さは、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面上に位置する前記第２絶縁層の厚さの４／５倍以下である、請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置を備える電子機器。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置を備える移動体。
【請求項９】
基板に素子を形成する工程（ａ）と、
前記素子及び前記基板上に第１絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
前記第１絶縁層上に、前記素子の上方に位置する第１パッドを形成するとともに第２パッドを形成する工程（ｃ）と、
前記第１絶縁層、前記第１パッド及び前記第２パッド上に第２絶縁層を形成する工程（ｄ）と、
前記第１パッドの上面及び前記第２パッドの上面それぞれに開口部を形成する工程（ｅ）と、
を含み、
前記工程（ｃ）において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さを２μｍ以上に形成し、前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離を、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの４倍以上に形成し、
前記工程（ｄ）において、前記第２絶縁層の厚さを、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下に形成する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｅ）の後に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれにボンディングワイヤーを接合することで、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面に凹部を形成し、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成する工程を有する、請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｅ）の後に、前記第１パッド上に第１バンプを形成するとともに前記第２パッド上に第２バンプを形成する工程（ｆ）と、実装基板上の第１電極に前記第１バンプを接合するとともに前記実装基板上の第２電極に前記第２バンプを接合することで、半導体装置を前記実装基板に実装する工程（ｇ）を有し、
前記工程（ｇ）で前記半導体装置を前記実装基板に実装する際に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面に凹部を形成し、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成する、請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成する際に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に位置する前記第２絶縁層にクラックまたは割れ部を形成する、請求項１０または１１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。さらに、本発明は、そのような半導体装置を備えた電子機器及び移動体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置は、半導体基板に形成された素子領域と、この素子領域の直上に配置されたパッドと、パッド上に形成されたバンプを有する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、上記従来の半導体装置のバンプを実装基板の電極に接合することで、実装基板に半導体装置を実装する際に、パッドにストレスが加えられ、そのストレスによってパッド直下の素子が破壊されることがある。
【０００４】
また、素子上にパッドを形成すると、そのパッドにボンディングワイヤーを接合する際や検査工程でパッドにプローブ針を接触させる際に、パッドにストレスが加えられ、そのストレスによってパッド直下の素子が破壊されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平４−７４８５８号公報（第４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の幾つかの態様は、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止できる半導体装置及びその製造方法に関連している。
また、本発明の幾つかの態様は、そのような半導体装置を備えた電子機器、移動体等を提供することに関連している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、基板と、前記基板に配置された素子と、前記素子及び前記基板上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、前記素子の上方に位置する第１パッドと、前記第１絶縁層上に配置された第２パッドと、前記第１絶縁層上、前記第１パッドの側面上及び上面上、並びに前記第２パッドの側面上及び上面上に配置された第２絶縁層と、を含み、前記第２絶縁層は、前記第１パッドの上面に位置する開口部及び前記第２パッドの上面に位置する開口部を有し、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さは２μｍ以上であり、前記第２絶縁層の厚さは、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下であり、前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離は、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの４倍以上である半導体装置である。
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、第１パッド及び第２パッドそれぞれの厚さを２μｍ以上とし、第２絶縁層の厚さを第１パッド及び第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下とする。これにより、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【０００９】
また、本発明の第１の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれはボンディングワイヤーまたはバンプによって接合されており、前記第１パッドは側面に凸部を有し、前記第２パッドは側面に凸部を有するとよい。これにより、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１０】
また、本発明の第１の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面上に位置する前記第２絶縁層がクラックまたは割れ部を有するとよい。これにより、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの平面形状は多角形または円形であるとよい。これにより、第１パッド及び第２パッドがより衝撃を吸収しやすくなり、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１２】
また、本発明の第１の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの材質はＡｌまたはＡｌ合金であるとよい。これにより、第１パッド及び第２パッドがより衝撃を吸収しやすくなり、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面上に位置する前記第２絶縁層の厚さは、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面上に位置する前記第２絶縁層の厚さの４／５倍以下であるとよい。これにより、第１パッド及び第２パッドそれぞれの側面に位置する第２絶縁層がより衝撃を吸収しやすくなり、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１４】
本発明の第２の態様は、前記本発明の一態様に記載の半導体装置を備える電子機器である。
【００１５】
本発明の第３の態様は、前記本発明の一態様に記載の半導体装置を備える移動体である。
【００１６】
本発明の第４の態様は、基板に素子を形成する工程（ａ）と、前記素子及び前記基板上に第１絶縁層を形成する工程（ｂ）と、前記第１絶縁層上に、前記素子の上方に位置する第１パッドを形成するとともに第２パッドを形成する工程（ｃ）と、前記第１絶縁層、前記第１パッド及び前記第２パッド上に第２絶縁層を形成する工程（ｄ）と、前記第１パッドの上面及び前記第２パッドの上面それぞれに開口部を形成する工程（ｅ）と、を含み、前記工程（ｃ）において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さを２μｍ以上に形成し、前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離を、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの４倍以上に形成し、前記工程（ｄ）において、前記第２絶縁層の厚さを、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下に形成する、半導体装置の製造方法である。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、第１パッド及び第２パッドそれぞれの厚さを２μｍ以上とし、第２絶縁層の厚さを第１パッド及び第２パッドそれぞれの厚さの２／５倍以下とする。これにより、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１８】
また、本発明の第４の態様において、前記工程（ｅ）の後に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれにボンディングワイヤーを接合することで、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面に凹部を形成し、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成する工程を有するとよい。これにより、第１パッド及び第２パッドによってボンディングワイヤー接合時の衝撃を吸収することができ、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００１９】
また、本発明の第４の態様において、前記工程（ｅ）の後に、前記第１パッド上に第１バンプを形成するとともに前記第２パッド上に第２バンプを形成する工程（ｆ）と、実装基板上の第１電極に前記第１バンプを接合するとともに前記実装基板上の第２電極に前記第２バンプを接合することで、半導体装置を前記実装基板に実装する工程（ｇ）を有し、前記工程（ｇ）で前記半導体装置を前記実装基板に実装する際に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの上面に凹部を形成し、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成するとよい。これにより、第１パッド及び第２パッドによって実装時の衝撃を吸収することができ、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【００２０】
また、本発明の第４の態様において、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に凸部を形成する際に、前記第１パッド及び前記第２パッドそれぞれの側面に位置する前記第２絶縁層にクラックまたは割れ部を形成するとよい。これにより、素子上にパッドを形成しても素子の破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（Ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置のパッドを示す平面図、（Ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図２】図１に示すパッド及びパッシベーション膜の寸法を説明する断面図。
【図３】（Ａ）はボンディングワイヤーを接合した後のパッドを示す平面図、（Ｂ）はパッドにボンディングワイヤーを接合した後の半導体装置を示す断面図。
【図４】（Ａ）はボンディングワイヤーを接合した後のパッドを示す平面図、（Ｂ）はパッドにボンディングワイヤーを接合した後の半導体装置の他の例を示す断面図。
【図５】（Ａ）は図１の変更例に係る半導体装置のパッドを示す平面図、（Ｂ）は図１の変更例に係る半導体装置の断面図。
【図６】（Ａ）は図１の変更例に係る半導体装置のパッドを示す平面図、（Ｂ）は図１の変更例に係る半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００２３】
図１（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示すパッドの平面図である。ただし、図１（Ｂ）においてシリコン基板１１上に形成されるゲート絶縁層及び複数の層間絶縁層の各層の境界は示していない。
図２は、図１に示すパッド及びパッシベーション膜（第２絶縁層ともいう）１９の寸法を説明するための断面図である。
図３（Ｂ）は、図１（Ｂ）のパッド１８ａ，１８ｂにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合した後の半導体装置を示す断面図であり、図３（Ａ）は、図３（Ｂ）に示すパッドの平面図である。
【００２４】
半導体基板としてのシリコン基板１１に素子を形成する。詳細には、シリコン１１上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にゲート電極１２を形成する。ゲート電極１２をマスクとしてシリコン基板１１に不純物をイオン注入し、熱処理を施すことで、シリコン基板１１にソース拡散層１３及びドレイン拡散層１４を形成する。その結果、シリコン基板１１に、ＭＯＳトランジスターが配置される。
【００２５】
次に、ゲート電極１２及びシリコン基板１１上に第１の層間絶縁層を形成し、第１の層間絶縁層上に第１の配線層１５を形成する。次いで、第１の配線層１５及び第１の層間絶縁層上に第２の層間絶縁層を形成し、第２の層間絶縁層上に第２の配線層１６を形成する。次いで、第２の配線層１６及び第２の層間絶縁層上に第３の層間絶縁層（第１絶縁層ともいう）１７を形成する。
【００２６】
この後、第３の層間絶縁層１７上にＡｌまたはＡｌ合金からなる金属層を形成し、この金属層をパターニングすることで、第３の層間絶縁層１７上に金属層からなる第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂを形成する。第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれは素子の上方に位置している。
【００２７】
次に、第１パッド１８ａ、第２パッド１８ｂ及び第３の層間絶縁層１７上にパッシベーション膜１９を形成する。パッシベーション膜１９は、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面および上面を覆うように形成する。パッシベーション膜１９は、単層でも複数層を積層したものでもよく、例えば窒化シリコン層または酸化シリコン層の単層でもよいし、酸化シリコン層と窒化シリコン層の積層でもよい。
【００２８】
この後、パッシベーション膜１９をエッチング加工することで、パッシベーション膜１９に第１パッド１８ａの上面に位置する開口部１９ａ及び第２パッド１８ｂの上面に位置する開口部１９ｂを形成する。このようにして、第３の層間絶縁層１７上、第１パッド１８ａの側面上及び上面上、並びに第２パッド１８ｂの側面上及び上面上にパッシベーション膜１９が配置される。なお、本願において、「面上」とは、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの面に垂直な方向のうち、パッドから離れる方向を表す。
【００２９】
図２に示すように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔは２μｍ以上（好ましくは３μｍ以上）であるとよい。またパッシベーション膜１９の厚さＬ１，Ｌ２は、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔの２／５倍以下であるとよい。また第１パッド１８ａと第２パッド１８ｂとの間の距離ｄは、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔの４倍以上であるとよい。また第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面に位置するパッシベーション膜１９の厚さＬ２は、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの上面に位置するパッシベーション膜１９の厚さＬ１の４／５倍以下であるとよい。
【００３０】
次に、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合する。この際に第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂに圧力を加える。これにより、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの上面に凹部２２を形成し、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面に凸部２１を形成する。
【００３１】
図４（Ｂ）は、図１（Ｂ）のパッドにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合した後の半導体装置の他の例を示す断面図であり、図４（Ａ）は、図４（Ｂ）に示すパッドの平面図である。
【００３２】
図４に示すように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの上面に凹部２２を形成し、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面に凸部２１を形成する際に、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂに加える圧力を大きくして、凸部２１の突出幅を大きくしてパッシベーション膜１９にクラックまたは割れ部２３を形成する。
【００３３】
本実施形態によれば、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔは２μｍ以上と厚くしている。これにより、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合した際に第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれに凹部２２、凸部２１を形成することで衝撃を吸収することができる。従って、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂにストレスが加えられても、そのストレスを第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂによって吸収することができる。その結果、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの直下の素子が破壊されることを防止することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能となる。
【００３４】
また、本実施形態では、パッシベーション膜１９の厚さＬ１，Ｌ２を、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔの２／５倍以下としている。これにより、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合する際に第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂに凹部２２および凸部２１を形成する。その凸部２１によってパッシベーション膜１９に割れ部２３等を形成しやすくすることができる。それにより、強い衝撃を吸収することができる。従って、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂにストレスが加えられても、そのストレスをパッシベーション膜１９に割れ部２３等を形成することによって吸収することができる。その結果、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの直下の素子が破壊されることを防止することができる。そして、第１パッド１８ａと第２パッド１８ｂとの間の距離ｄを、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの厚さｔの４倍以上とすることで、パッシベーション膜１９にクラックまたは割れ部２３を形成し、第１パッド１８ａの凸部２１と第２パッド１８ｂの凸部２１との間隔が狭くしても、第１パッド１８ａと第２パッド１８ｂがショートすることを防止することができる。
【００３５】
また、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面に位置するパッシベーション膜１９の厚さＬ２を、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの上面に位置するパッシベーション膜１９の厚さＬ１の４／５倍以下とする。これにより、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合する際に第１パッド１８ａ等に凹部２２および凸部２１を形成する。その凸部２１によってパッシベーション膜１９を突き破って割れ部２３等を形成しやすくすることができる。それにより、強い衝撃を吸収することができる。従って、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂにストレスが加えられても、そのストレスをパッシベーション膜１９に割れ部２３等を形成することによって吸収することができる。その結果、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの直下の素子が破壊されることを防止することができる。
【００３６】
なお、本実施形態では、図３及び図４に示すように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれにボンディングワイヤー２０ａ，２０ｂを接合しているが、以下のように変更して実施することも可能である。
【００３７】
開口部１９ａによって露出した第１パッド１８ａ上に第１バンプ（図示せず）を形成するとともに開口部１９ｂによって露出した第２パッド１８ｂ上に第２バンプ（図示せず）を形成する。次いで、実装基板上の第１電極に第１バンプを接合するとともに実装基板上の第２電極に第２バンプを接合することで、半導体装置を実装基板に実装する（図示せず）。この際に第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂに圧力を加える。これにより、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの側面に凸部２１が形成する。
【００３８】
上記のように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの側面に凸部２１を形成する際に、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂに加える圧力を大きくして、凸部２１の突出幅を大きくしてパッシベーション膜１９にクラックまたは割れ部２３を形成する。
【００３９】
上記の変更例においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
また、上述した変更例以外で、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂにプローブ針を接触させて検査する検査工程においても第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂにストレスが加えられることがある。この場合でも、そのストレスを第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂによって吸収することができ、また、そのストレスをパッシベーション膜１９に割れ部２３等を形成することによって吸収することができる。その結果、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂの直下の素子が破壊されることを防止することができる。従って、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態では、図１に示すように、第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの平面形状を四角形としているが、他の形状に変更して実施することも可能である。
【００４２】
第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの平面形状を四角形以外の多角形に変更してもよく、図５に示すように第１パッド２８ａ及び第２パッド２８ｂそれぞれの平面形状を８角形に変更しても良い。
また、図６に示すように、第１パッド３８ａ及び第２パッド３８ｂそれぞれの平面形状を円形に変更してもよい。これにより、ボンディングワイヤーの接合時、実装時、検査工程時等の際の衝撃を、第１パッド３８ａ及び第２パッド３８ｂが等方的に吸収することができる。第１パッド１８ａ及び第２パッド１８ｂそれぞれの平面形状は、楕円形または扇形でもよい。
【００４３】
また、本発明の一態様は、図１及び図３〜図６のいずれかの半導体装置を備えた電子機器であってもよい。
【００４４】
上記の電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピューター、プリンター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視鏡）等が該当する。
【００４５】
また、本発明の一態様は、図１及び図３〜図６のいずれかの半導体装置を備えた移動体であってもよい。
【００４６】
上記の移動体としては、例えば、自動車、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、又は、人工衛星等が該当する。
【００４７】
なお、本発明の一態様において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（又は下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を形成する（Ｂが形成される）というとき、Ａの上（又は下）に直接Ｂを形成する（Ｂが形成される）場合に限定されない。Ａの上（又は下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢを形成する（Ｂが形成される）場合も含まれる。
【００４８】
また、上（又は下）との表現による構成は、必ずしも一方向に限定されるものではなく、例えばＡの上（又は下）にＢを形成する（Ｂが形成される）というとき、半導体装置が天地逆転して使用される際には、Ａの下（又は上）にＢを形成する（Ｂが形成される）という場合も含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
１１…シリコン基板、１２…ゲート電極、１３…ソース拡散層、１４…ドレイン拡散層、１５…第１の配線層、１６…第２の配線層、１７…第３の層間絶縁層（第１絶縁層）、１８ａ…第１パッド、１８ｂ…第２パッド、１９…パッシベーション膜（第２絶縁層）、１９ａ，１９ｂ…開口部、２０ａ，２０ｂ…ボンディングワイヤー、２１…凸部、２２…凹部、２３…割れ部、２８ａ…第１パッド、２８ｂ…第２パッド、３８ａ…第１パッド、３８ｂ…第２パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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