(57)【要約】【課題】局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供すること。【解決手段】シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体と、前記導電性基体の前記外周面上に配置され、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む感光層と、を有する電子写真感光体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体と、
前記導電性基体の前記外周面上に配置され、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む感光層と、
を有する電子写真感光体。
【請求項２】
前記導電性基体は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層は、結着樹脂と、前記電荷発生材料と、前記電荷輸送材料として正孔輸送材料及び電子輸送材料と、を含む単層型の感光層である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記電子輸送材料は、下記一般式（１）で表される電子輸送材料及び下記一般式（２）で表される電子輸送材料から選択される少なくとも１種を含む請求項３に記載の電子写真感光体。
【化１】
2017161778.tif 000027
（一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ１８は、アルキル基、−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｌ１９はアルキレン基を示し、Ｒ２０はアルキル基を示す。）
【化２】
2017161778.tif 000028
（一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はフェニル基を示す。）
【請求項５】
前記正孔輸送材料は、下記一般式（３）で表される正孔輸送材料を含む請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
【化３】
2017161778.tif 000029
（一般式（３）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｐ及びｑは、各々独立に０又は１を示す。）
【請求項６】
前記電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項９】
シラザン化合物で外周面が処理された電子写真感光体用導電性基体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び電子写真感光体用導電性基体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる導電性基体上に有機材料からなる電荷発生層、電荷輸送層を含む感光層を備えてなる電子写真用感光体において、前記導電性基体と感光層との間にベーマイト層を有する電子写真用感光体が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、酸化処理されたアルミニウム、又はアルミニウム合金からなる導電性基体上に、直接感光層を設けた電子写真感光体であって、前記導電性基体の表面には、特定の体積抵抗率を有する抵抗層が形成されている、電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−２７８９５７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１０９０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子写真感光体は、導電性基体の外表面を洗浄したのち、該導電性基体上に感光層を塗布して製造される。この導電性基体の外表面の洗浄液には、水、温水、還元水などを用いることが多い。そのため、導電性基体の外表面に少なからず水酸基が存在する。特に高温高湿環境下において水分子が吸着しやすい環境下で、電子写真感光体を用いて画像形成を行うと、水分子を介して局所的な電荷漏れ（リーク）や腐食が起こり、この局所的な欠陥に起因する点状の画像欠陥（色点）が生じる場合がある。特に下引層を用いない電子写真感光体の場合は顕著に発生しやすい。
【０００６】
本発明の課題は、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシラン又は５０℃のイオン交換水で外周面が処理された導電性基体を有する電子写真感光体に比べ、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００８】
請求項１に係る発明は、
シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体と、
前記導電性基体の前記外周面上に配置され、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む感光層と、
を有する電子写真感光体である。
【０００９】
請求項２に係る発明は、
前記導電性基体は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている請求項１に記載の電子写真感光体である。
【００１０】
請求項３に係る発明は、
前記感光層は、結着樹脂と、前記電荷発生材料と、前記電荷輸送材料として正孔輸送材料及び電子輸送材料と、を含む単層型の感光層である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体である。
【００１１】
請求項４に係る発明は、
前記電子輸送材料は、下記一般式（１）で表される電子輸送材料及び下記一般式（２）で表される電子輸送材料から選択される少なくとも１種を含む請求項３に記載の電子写真感光体である。
【００１２】
【化１】
2017161778.tif 000002
【００１３】
（一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ１８は、アルキル基、−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｌ１９はアルキレン基を示し、Ｒ２０はアルキル基を示す。）
【００１４】
【化２】
2017161778.tif 000003
【００１５】
（一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はフェニル基を示す。）
【００１６】
請求項５に係る発明は、
前記正孔輸送材料は、下記一般式（３）で表される正孔輸送材料を含む請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体である。
【００１７】
【化３】
2017161778.tif 000004
【００１８】
（一般式（３）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｐ及びｑは、各々独立に０又は１を示す。）
【００１９】
請求項６に係る発明は、
前記電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。
【００２０】
請求項７に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
【００２１】
請求項８に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置である。
【００２２】
請求項９に係る発明は、
シラザン化合物で外周面が処理された電子写真感光体用導電性基体である。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１、２、３、４、５、又は６に係る発明によれば、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシラン又は５０℃のイオン交換水で外周面が処理された導電性基体を有する電子写真感光体に比べ、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制した電子写真感光体が提供される。
【００２４】
請求項７又は８に係る発明によれば、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシラン又は５０℃のイオン交換水で外周面が処理された導電性基体を有する電子写真感光体を備える場合に比べ、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制したプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【００２５】
請求項９に係る発明によれば、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシラン又は５０℃のイオン交換水で外周面が処理された電子写真感光体用導電性基体に比べ、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制した電子写真感光体が得られる電子写真感光体用導電性基体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略部分断面図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、図面中、同様の機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２８】
［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体（以下「感光体」とも称する）は、シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体と、導電性基体の外周面上に配置され、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む感光層と、を有する。
【００２９】
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層（以下「機能分離型感光層」ともいう）であってもよいし、単層型の感光層（以下「単層型感光層」ともいう）であってもよい。感光層が機能分離型感光層である場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に電荷輸送材料を含む。
【００３０】
本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制する。その理由は、以下に示すように推察される。
【００３１】
一般に、電子写真感光体に用いられる導電性基体は、例えばアルミニウム基体におけるベーマイト処理のような表面処理が施されていても、僅かながら表面に水酸化アルミニウムの水酸基が存在する。表面に水酸基を有する導電性基体を用いた電子写真感光体では、特に高温高湿（例えば、温度３０℃、湿度８５％）環境下において、導電性基体の水酸基に水分子が吸着しやすい。そして、導電性基体の外周面に水分子が吸着した電子写真感光体を用いて画像形成を行うと、水分子を介して局所的な電荷漏れ（リーク）が起こり、この局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥（色点）が生じる場合がある。
【００３２】
これに対して本実施形態では、導電性基体としてシラザン化合物で外周面が処理された導電性基体を用いる。以下、シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体を「シラザン処理基体」、シラザン化合物で外周面が処理されていない基体を「シラザン処理前の導電性基体」と称する場合がある。
ここで、シラザン処理基体は、シラザン処理前の導電性基体の外周面における水酸基全体又は水酸基の水素原子が、シラザン化合物のシリル基（Ｓｉ−Ｎ結合の窒素原子に結合するシリル基）に置換されたものである。シラザン化合物は、例えば下記一般式（Ｓ）で表される構造を有しており、水酸基に対する反応性が高い化合物である。そして、水酸基を有する導電性基体の表面を、一般式（Ｓ）で表される構造を有するシラザン化合物で処理すると、Ｓｉ−Ｎ結合が解離し、水酸基そのもの（−ＯＨ）又は水酸基の水素原子（−Ｈ）が下記一般式（Ａ）で表されるシリル基に置換される。以下、下記一般式（Ａ）で表されるシリル基を「−Ａ」と表す場合がある、例えばシラザン処理前の導電性基体がアルミニウムで構成されている場合、アルミニウムの表面に結合した水酸基「Ａｌ−ＯＨ」が、シリル基「−Ａ」によって置換されて「Ａｌ−Ｏ−Ａ」又は「Ａｌ−Ａ」となる。
【００３３】
【化４】
2017161778.tif 000005
【００３４】
上記一般式（Ｓ）中、ＲＳ１〜ＲＳ３は各々独立に水素原子又は１価の有機基を表し、一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３はそれぞれ一般式（Ｓ）中のＲＳ１〜ＲＳ３と同じ基（水素原子又は１価の有機基）を表し、＊は導電性基体の外周面に結合する位置を表す。
【００３５】
なお、シラザン処理前の導電性基体の外周面における水酸基をシリル基に置換する方法としては、例えばシランカップリング剤によるシリル化も考えられる。一般的なシランカップリング剤としては、例えば、Ｘ−Ｓｉ−（ＯＲｃ）３で表される化合物が挙げられる。上記Ｘ及びＲｃはそれぞれ独立に１価の有機基である。上記シランカップリング剤を用いたシリル化は、まずシランカップリング剤の加水分解によりＸ−Ｓｉ−（ＯＨ）３とした上で、加熱を行うことにより、加水分解されたシランカップリング剤のシラノール基と導電性基体表面の水酸基とを脱水縮合させる。
【００３６】
上記脱水縮合は、シラザン化合物と水酸基との反応に比べて反応性が低いため、シラザン処理前の導電性基体の外周面をシランカップリング剤によってシリル化しても、一部の水酸基がシリル基に置換されずに残ると考えられる。それに加え、加水分解されたシランカップリング剤自体が複数の水酸基（シラノール基）を有するため、導電性基体の外周面に結合したシリル基に含まれる水酸基（シラノール基）の一部も、脱水縮合されずに残ると考えられる。
【００３７】
一方、シラザン化合物は、シランカップリング剤に比べて水酸基との反応性が高く、加水分解による水酸基の生成も起こりにくい。そのため、導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理すると、導電性基体の外周面における水酸基がシリル基「−Ａ」に置換されることに加え、加水分解による水酸基（シラノール基）の生成が起こりにくいことから、外周面における水酸基の少ない導電性基体が得られる。
【００３８】
このように、シラザン処理基体、すなわち外周面における水酸基の少ない導電性基体を用いることで、導電性基体の外周面に水分子が吸着しにくくなる。そして、前述の水分子を介した局所的な電荷漏れが起こりにくくなり、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥が抑制される。
【００３９】
以上の理由により、本実施形態に係る電子写真感光体は、局所的な電荷漏れに起因する点状の画像欠陥を抑制すると推測される。
【００４０】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例として、電子写真感光体７Ａの一部の断面を概略的に示す概略部分断面図である。
図１に示した電子写真感光体７Ａは、例えば、導電性基体１を備え、導電性基体１上に単層型の感光層２が設けられて構成されている。
なお、電子写真感光体７Ａは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、導電性基体１と単層型の感光層２との間に設けられる下引層、単層型の感光層２上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００４１】
図１に示した電子写真感光体７Ａでは、導電性基体１として、シラザン処理基体が用いられている。
図１に示した電子写真感光体７Ａを製造する方法としては、例えば、シラザン処理前の導電性基体を準備する工程と、準備されたシラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理してシラザン処理基体（導電性基体１）を得る工程と、シラザン処理基体（導電性基体１）の前記外周面上に電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む単層型の感光層２を形成する工程と、を経て、電子写真感光体７Ａを得る方法が挙げられる。
【００４２】
図２は、本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例として、電子写真感光体７Ｂの一部の断面を概略的に示す概略部分断面図である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂは、導電性基体１上に、下引層３、電荷発生層４、及び電荷輸送層５がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層４及び電荷輸送層５が機能分離型の感光層６を構成している。
なお、電子写真感光体７Ｂは、下引層３が設けられていない層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ｂは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、電荷輸送層５上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００４３】
図２に示した電子写真感光体７Ｂにおいても、導電性基体１として、シラザン処理基体が用いられている。
図２に示した電子写真感光体７Ｂを製造する方法としては、例えば、シラザン処理前の導電性基体を準備する工程と、準備されたシラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理してシラザン処理基体（導電性基体１）を得る工程と、シラザン処理基体（導電性基体１）の前記外周面上に下引層３を形成する工程と、下引層３上に電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む機能分離型の感光層６を形成する工程と、を経て、電子写真感光体７Ａを得る方法が挙げられる。なお、上記機能分離型の感光層６を形成する工程は、下引層３上に電荷発生材料を含む電荷発生層４を形成する工程と、電荷発生層４上に電荷輸送材料を含む電荷輸送層５を形成する工程と、を含む。
【００４４】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００４５】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００４６】
導電性基体としては、電子写真感光体に適した電気特性を有するという観点から、アルミニウムを含むことが好ましく、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されたものがより好ましい。導電性基体を構成するアルミニウム合金としては、アルミニウムのほかに、例えば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、及びＴｉの少なくとも１種を含むアルミニウム合金が挙げられる。導電性基体を構成するアルミニウム合金におけるアルミニウムの含有量は、５０質量％以上が挙げられ、加工性の観点から、９０．０％以上であることが好ましく、９３．０％以上であることがより好ましく、９５．０％以上がより更に好ましい。
【００４７】
本実施形態では、導電性基体として、シラザン化合物で外周面が処理された導電性基体（シラザン処理基体）を用いる。
ここで、シラザン化合物とは、Ｓｉ−Ｎ結合を有する化合物をいう。前述のように、シラザン化合物は、例えば、前記一般式（Ｓ）で表される構造を有する。そして、シラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理すると、導電性基体の外周面における水酸基そのもの（−ＯＨ）又は水酸基の水素原子（−Ｈ）が、シラザン化合物のシリル基「−Ａ」（前記一般式（Ａ）で表されるシリル基）に置換される。そして、外周面にシリル基「−Ａ」を有する導電性基体（シラザン処理基体）が得られる。
【００４８】
シラザン処理基体の外周面に存在するシリル基「−Ａ」（すなわち、シラザン処理に用いたシラザン化合物のシリル基）は、点状の画像欠陥抑制の観点から、ＯＨ基を有さないことが好ましく、ＯＨ基及びＳｉ−Ｏ結合のいずれも有さないことがより好ましい。また、一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３を構成する原子のうちＳｉ原子に直接結合する原子は、水素原子、炭素原子、及びＳｉ原子の少なくとも１種であることが好ましい。
なお、シリル基「−Ａ」の分子量としては、例えば、５０以上２５０以下が挙げられ、点状の画像欠陥抑制の観点から、５５以上２００以下が好ましい。
【００４９】
一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３で表される１価の有機基としては、それぞれ独立に、例えば、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のシリル基等が挙げられる。
【００５０】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基としては、例えば、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上１０以下）の直鎖状アルキル基、炭素数３以上１０以下（好ましくは３以上４以下）の分岐状アルキル基が挙げられる。
直鎖状アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状アルキル基の具体例としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
【００５１】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シクロアルキル基、アリール基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
アルキル基を置換しうるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
アルキル基を置換しうるシクロアルキル基、アリール基、及びシリル基としては、例えば、それぞれ後述するＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシクロアルキル基、アリール基、及びシリル基と同様の基が挙げられる。
アルキル基を置換しうるアルコキシ基及びアルキルチオ基としては、例えば、それぞれ−Ｏ−又は−Ｓ−にアルキル基が結合した基が挙げられる。なお、−Ｏ−又は−Ｓ−に結合するアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
アルキル基を置換しうるアミノ基としては、例えば、−ＮＨ２（一級アミン）、アルキル基で置換されたアルキルアミノ基（二級アミン）、アルキル基が２つ結合したジアルキルアミノ基（三級アミン）等が挙げられる。アルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基が有するアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
【００５２】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシクロアルキル基としては、例えば、炭素数３以上１２以下（好ましくは４以上８以下）のシクロアルキル基が挙げられる。
シクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロプロピルシクロプロピル基等が挙げられる。
【００５３】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシクロアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアリール基及びシリル基としては、例えば、それぞれ後述するＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアリール基及びシリル基と同様の基が挙げられる。
【００５４】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアリール基としては、例えば、炭素数６以上１８以下（好ましくは６以上１２以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【００５５】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアリール基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
アリール基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アリール基を置換しうるアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基を置換しうるシリル基としては、例えば、後述するＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシリル基と同様の基が挙げられる。
【００５６】
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシリル基としては、例えば、−ＳｉＨ３が挙げられる。
ＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシリル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シリル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、アミノアルキル基等が挙げられる。
シリル基を置換しうるハロゲン原子としては、例えば、それぞれ前述のアルキル基を置換しうるハロゲン原子と同様の基が挙げられる。
シリル基を置換しうるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びシリル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びシリル基と同様の基が挙げられる。
シリル基を置換しうるアルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、及びアミノアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基のうち、それぞれ前述のアルキル基を置換しうるアルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基で置換された基と同様の基が挙げられる。
【００５７】
一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３は、点状の画像欠陥抑制の観点から、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のシリル基が好ましく、水素原子、炭素数１以上４以下の無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、又は無置換のシリル基がより好ましく、水素原子、炭素数１以上２以下の無置換の直鎖状アルキル基、炭素数３以上４以下の無置換の分岐状アルキル基、無置換のフェニル基、ハロゲン原子で置換されたフェニル基、又は無置換のシリル基がさらに好ましい。
また、一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３は、同じ基であっても互いに異なる基であってもよいが、ＲＳ１〜ＲＳ３のうち２以上の基が同じ基であることが好ましく、ＲＳ１〜ＲＳ３のすべてが同じ基であることがより好ましい。さらに、一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３のうち２以上の基が１価の有機基であることが好ましく、ＲＳ１〜ＲＳ３のすべてが１価の有機基であることがより好ましい。
以下、一般式（Ａ）の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００５８】
【化５】
2017161778.tif 000006
【００５９】
シラザン処理基体を得る方法としては、例えば、まず、シラザン処理前の導電性基体を準備する工程と、準備されたシラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理する工程と、を経て、シラザン処理基体を得る方法が挙げられる。
【００６０】
シラザン処理前の導電性基体における外周面の処理に用いるシラザン化合物は、Ｓｉ−Ｎ結合を有するものであれば特に限定されないが、Ｓｉ−Ｎ結合の窒素原子に直接結合するシリル基が、前記一般式（Ａ）で表されるシリル基であることが好ましい。
シラザン化合物におけるＳｉ−Ｎ結合の窒素原子に直接結合するシリル基は、点状の画像欠陥抑制の観点から、ＯＨ基を有さないことが好ましく、ＯＨ基及びＳｉ−Ｏ結合のいずれも有さないことがより好ましい。
シラザン化合物全体の分子量としては、例えば、１００以上３００以下が挙げられ、水酸基との反応性及び点状の画像欠陥の抑制の観点から、１１０以上２００以下が好ましい。また、シラザン化合物に含まれるＳｉ原子に結合する原子は、水素原子、炭素原子、及びＳｉ原子の少なくとも１種であることが好ましい。
導電性基体の外周面の処理に用いるシラザン化合物としては、例えば、下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表されるシラザン化合物が挙げられる。
【００６１】
【化６】
2017161778.tif 000007
【００６２】
上記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）中、ＲＳ１１〜ＲＳ１５、ＲＳ２１〜ＲＳ２７、及びＲＳ３１〜ＲＳ３７は、それぞれ独立に水素原子又は１価の有機基を表し、ＲＳ１４及びＲＳ１５は互いに結合して環を形成していてもよい。
【００６３】
上記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）中のＲＳ１１〜ＲＳ１３、ＲＳ２１〜ＲＳ２３、ＲＳ２５〜ＲＳ２７、及びＲＳ３１〜ＲＳ３３は、いずれも前記一般式（Ａ）中のＲＳ１〜ＲＳ３と同様である。
また、上記一般式（Ｓ２）中のＲＳ２１〜ＲＳ２３とＲＳ２５〜ＲＳ２７とは、互いに同じであってもよく、異なっていても良いが、同じであることが好ましい。すなわち、上記一般式（Ｓ２）で表されるシラザン化合物が有する２つのシリル基は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
【００６４】
上記一般式（Ｓ１）中のＲＳ１４及びＲＳ１５で表される１価の有機基としては、それぞれ独立に、例えば、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のアルキルカルボニル基等が挙げられる。
また、ＲＳ１４とＲＳ１５とが互いに結合して形成された環としては、例えば、置換若しくは無置換の窒素含有複素環が挙げられる。
【００６５】
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アミノ基等が挙げられる。
アルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アルキル基を置換しうるシクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基としては、例えば、それぞれ後述するＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるシクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【００６６】
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるシクロアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシクロアルキル基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるシクロアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アミノ基等が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアリール基及びアルキルカルボニル基としては、例えば、それぞれ後述するＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアリール基及びアルキルカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【００６７】
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアリール基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアリール基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アミノ基等が挙げられる。
アリール基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アリール基を置換しうるアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基及びシクロアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基を置換しうるアルキルカルボニル基としては、例えば、後述するＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキルカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【００６８】
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキルカルボニル基としては、例えば、カルボニル基に前述のＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基が結合した基が挙げられる。
ＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキルカルボニル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アミノ基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アルキルカルボニル基を置換しうるシクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるシクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【００６９】
ＲＳ１４とＲＳ１５とが互いに結合して形成された窒素含有複素環としては、例えば、環を構成する原子数（以下「環構成原子数」ともいう）が３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上９以下）の窒素含有複素環が挙げられる。なお、上記環構成原子数は、Ｓｉ−Ｎ結合を形成する窒素原子も含む数である。また、窒素含有複素環は、Ｓｉ−Ｎ結合を形成する窒素原子に加え、さらにヘテロ原子を有していてもよい。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
窒素含有複素環の具体例としては、例えば、エチレンイミン環、アザシクロブタン環、ピロール環、ピペリジン環、ヘキサメチレンイミン環、アザトロピリデン環、ピロリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、イミダゾリン環、モルホリン環、チアジン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、プリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
【００７０】
窒素含有複素環は、さらに置換基を有していてもよい。窒素含有複素環を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アミノ基等が挙げられる。
窒素含有複素環を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
窒素含有複素環を置換しうるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１４及びＲＳ１５で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアルキルカルボニル基と同様の基が挙げられる。
【００７１】
一般式（Ｓ１）中のＲＳ１４及びＲＳ１５は、シラザン化合物と導電性基体の表面における水酸基との反応性の観点から、水素原子、無置換のアルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、無置換のアルキルカルボニル基、ハロゲン原子で置換されたアルキルカルボニル基、及びＲＳ１４とＲＳ１５とが互いに結合して形成された無置換の窒素含有複素環が好ましく、水素原子、炭素数１以上１２以下の無置換のアルキル基、無置換の炭素数１以上１２以下のアルキル基がカルボニル基に結合したアルキルカルボニル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１以上１２以下のアルキル基がカルボニル基に結合したアルキルカルボニル基、及びＲＳ１４とＲＳ１５とが互いに結合して形成された環構成原子数が５以上９以下の無置換の窒素含有複素環がより好ましい。
また、ＲＳ１４とＲＳ１５とが環を構成していない場合、ＲＳ１４及びＲＳ１５は同じ基であっても互いに異なる基であってもよいが、少なくとも一方が１価の有機基であることが好ましく、両方とも１価の有機基であることがより好ましい。
【００７２】
上記一般式（Ｓ２）中のＲＳ２４で表される１価の有機基としては、例えば、無置換のアルキル基が挙げられる。
ＲＳ２４で表されるアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（Ｓ２）中のＲＳ２４は、シラザン化合物と導電性基体の表面における水酸基との反応性の観点から、水素原子又は炭素数１以上１２以下の無置換のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００７３】
上記一般式（Ｓ３）中のＲＳ３４で表される１価の有機基としては、例えば、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基等が挙げられる。
【００７４】
ＲＳ３４で表されるアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ３４で表されるアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
アルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アルキル基を置換しうるシクロアルキル基及びアリール基としては、例えば、それぞれ後述するＲＳ３４で表されるシクロアルキル基及びアリール基と同様の基が挙げられる。
【００７５】
ＲＳ３４で表されるシクロアルキル基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるシクロアルキル基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ３４で表されるシクロアルキル基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ３４で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
シクロアルキル基を置換しうるアリール基としては、例えば、後述するＲＳ３４で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
【００７６】
ＲＳ３４で表されるアリール基としては、例えば、前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
ＲＳ３４で表されるアリール基を置換しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基等が挙げられる。
アリール基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ１〜ＲＳ３で表されるアルキル基を置換しうるハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、及びアミノ基と同様の基が挙げられる。
アリール基を置換しうるアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、それぞれ前述のＲＳ３４で表されるアルキル基及びシクロアルキル基と同様の基が挙げられる。
【００７７】
一般式（Ｓ３）中のＲＳ３４は、シラザン化合物と導電性基体の表面における水酸基との反応性の観点から、水素原子、無置換のアルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基が好ましく、水素原子、炭素数１以上１２以下の無置換のアルキル基がより好ましい。
【００７８】
シラザン化合物としては、一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される化合物が好ましく、一般式（Ｓ１）又は（Ｓ２）で表される化合物がより好ましい。
以下、シラザン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
【化７】
2017161778.tif 000008
【００８０】
シラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理する場合、シラザン化合物をそのまま用いて処理してもよいが、シラザン化合物と溶媒と必要に応じて添加剤とを混合して希釈した混合液を用いて処理してもよい。以下、シラザン化合物を含む混合液を「シラザン含有混合液」と称する場合がある。
シラザン含有混合液に含まれる溶媒は特に限定されないが、例えば、ヘキサン、ベンゼン、エーテル、トルエン等が挙げられる。
シラザン含有混合液に含まれる添加剤は特に限定されないが、例えば、トリフルオロ酢酸、塩化水素、硫化アンモニウム等の触媒等が挙げられる。
シラザン含有混合液中に含まれるシラザン化合物の量は特に限定されないが、例えば、１０質量％以上９０質量％以下の範囲が挙げられる。
【００８１】
シラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理する方法としては、例えば、乾燥雰囲気下においてシラザン処理前の導電性基体をシラザン化合物又はシラザン含有混合液に浸漬して処理する方法、及びシラザン処理前の導電性基体の外周面にシラザン化合物又はシラザン含有混合液をスプレー処理する方法等が挙げられる。
シラザン化合物により処理を行う際におけるシラザン化合物又はシラザン含有混合液の温度は、シラザン化合物の含有量によっても異なるが、例えば２０℃以上１００℃以下が挙げられ、３０℃以上７０℃以下が好ましい。
シラザン化合物による処理にかける時間は、特に限定されず、シラザン化合物の含有量によっても異なるが、例えば１分以上２４時間以下が挙げられる。
【００８２】
上記シラザン化合物による処理を行った後は、疎水性の有機溶剤（例えば、ヘキサン、ベンゼン、エーテル、トルエン等）でシラザン処理基体を洗浄することで未反応のシラザン化合物を除去した後、乾燥させることで疎水性の有機溶剤を除去してもよい。
【００８３】
シラザン処理前の導電性基体の外周面をシラザン化合物で処理したシラザン処理基体においては、前述のように、シラザン処理前の導電性基体の外周面に存在していた水酸基そのもの（−ＯＨ）又は水酸基の水素原子（−Ｈ）がシリル基に置換されている。
そのため、導電性基体がシラザン処理基体であるか否かを確認する方法としては、赤外吸収を測定する方法もあるが、検出が難しい場合は水との接触角を測定する方法が簡便で好ましい。
【００８４】
導電性基体の外周面がシラザン処理により疎水化する前後で接触角が高くなれば、水酸基（−ＯＨ)が反応していることを確認することができる。
【００８５】
なお、前述の通り、シラザン処理前の導電性基体の外周面における水酸基をシリル基に置換する方法として、シランカップリング剤によるシリル化も考えられる。しかしながら、シランカップリング剤は、シラザン化合物に比べて水酸基との反応性が低く、かつ、加水分解によって水酸基（シラノール基）が生成する。そのため、シランカップリング剤による処理がなされた導電性基体は、シラザン処理基体に比べて、外周面に存在する水酸基（−ＯＨ）の数が残りやすい。シランカップリング剤の場合、アルコキシシリル基が結合し、シリル基とは異なるため赤外吸収やガスクロマトグラフィー、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）などでシラザン処理基体であるか、それともシランカップリング剤によるシリル化処理がなされた導電性基体であるか、ある程度の確認がなされる。
【００８６】
導電性基体は、シラザン化合物による処理がされる前に、シラザン化合物による処理以外の他の処理がされてもよい。すなわち、準備されたシラザン処理前の導電性基体が、他の処理がされたものであってもよい。
他の処理としては、例えば、後述する粗面化処理、酸性処理液による処理、ベーマイト処理等が挙げられる。
なお、他の処理は、シラザン化合物による処理の前に行われることが好ましい。
以下、シラザン処理前の導電性基体に行われる他の処理について説明する。
【００８７】
シラザン処理前の導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００８８】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００８９】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００９０】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００９１】
シラザン処理前の導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００９２】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００９３】
（下引層）
図示は省略するが、導電性基体と感光層との間に下引層をさらに設けてもよい。
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００９４】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００９５】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００９６】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００９７】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００９８】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００９９】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１００】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０１】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【０１０２】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【０１０３】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【０１０４】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【０１０５】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【０１０６】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【０１０７】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１０８】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１０９】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１１０】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【０１１１】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１１２】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１１３】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【０１１４】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１５】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１６】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１７】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１１８】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１１９】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１２０】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１２１】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１２２】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１２３】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２４】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは１８μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２５】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１２６】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１２７】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１２８】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１２９】
（単層型感光層）
単層型感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む。単層型感光層は、必要に応じてその他添加剤を含んでもよい。
【０１３０】
−結着樹脂−
結着樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
これらの結着樹脂の中でも、特に、感光層の成膜性の観点から、例えば、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリカーボネート樹脂がよい。
【０１３１】
結着樹脂の感光層の全固形分に対する含有量は、３５質量％以上６０質量％以下であることがよく、好ましくは５０質量％以上６０質量％以下であり、さらに好ましくは５３質量％以上６０質量％以下である。
【０１３２】
−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１３３】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１３４】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１３５】
すなわち、電荷発生材料としては、例えば３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の露光波長の光源を用いる場合には無機顔料が望ましく、７００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の露光波長の光源を用いる場合には、金属及び無金属フタロシアニン顔料が望ましい。
【０１３６】
本実施形態では、電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
電荷発生材料としては、これら顔料を単独で用いてもよいが、必要に応じて併用してもよい。そして、電荷発生材料としては、感光体の高感度化、及び画像の点欠陥抑制の観点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
【０１３７】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、感光体の高感度化及び画像の色点発生抑制の観点から、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がさらに好ましい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。電子写真感光体の材料として用いた場合に、優れた分散性と、十分な感度、帯電性及び暗減衰特性とが得られ易くなる。
【０１３８】
また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましい。一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが特に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
ここで、平均粒径が０．２０μｍより大きい場合、又は比表面積値が４５ｍ２／ｇ未満である場合は、顔料粒子が粗大化しているか、又は顔料粒子の凝集体が形成される場合がある。そして、分散性や、感度、帯電性及び暗減衰特性といった特性に欠陥が生じやすい場合があり、それにより画質欠陥を生じ易くなることがある。
【０１３９】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましく、より好ましくは０．３μｍ以下である。かかる最大粒径が上記範囲を超えると、黒点が発生しやすい。
【０１４０】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、感光体が蛍光灯などに暴露されたことに起因する濃度ムラを抑制する観点から、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【０１４１】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【０１４２】
一方、クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、電子写真感光体材料として優れた感度が得られる、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に回折ピークを有するものであることが好ましい。
クロロガリウムフタロシアニン顔料の好適な分光吸収スペクトルの最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及び比表面積値は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。
【０１４３】
感光層の全固形分に対する電荷発生材料の含有量は、１質量％以上５質量％以下がよく、好ましくは１．２質量％以上４．５質量％以下である。
【０１４４】
−電子輸送材料−
電子輸送材料としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；ジシアノメチレンフルオレン等のフルオレン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。これらの電子輸送材料は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４５】
電子輸送材料としては、電荷移動度の観点から、フルオレノン化合物及びフルオレン化合物等のフルオレン骨格を有する化合物並びにキノン系化合物から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、ジシアノメチレン基を有するフルオレン誘導体及びジフェノキノン化合物から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、その中でも式（１）の電子輸送材料（一般式（１）で表わされる電子輸送材料）及び式（２）の電子輸送材料（一般式（２）で表される電子輸送材料）の少なくとも１種を含むことがさらに好ましい。
【０１４６】
まず、式（１）の電子輸送材料（一般式（１）で示される電子輸送材料）について説明する。
【０１４７】
【化８】
2017161778.tif 000009
【０１４８】
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ１８は、アルキル基、−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｌ１９はアルキレン基を示し、Ｒ２０はアルキル基を示す。
【０１４９】
一般式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１５０】
一般式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
【０１５１】
一般式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
【０１５２】
一般式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアリール基としては、フェニル基が好ましい。
一般式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアラルキル基としては、例えば後述するＲ１８が示すアラルキル基と同様の基が挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。
【０１５３】
一般式（１）中、Ｒ１８が示すアルキル基としては、例えば、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数５以上１０以下）の直鎖状のアルキル基、炭素数３以上１０以下（好ましくは炭素数５以上１０以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
炭素数１以上１２以下の直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐状のアルキル基としては、例えば、イソプロピル基、
イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
【０１５４】
一般式（１）中、Ｒ１８が示す−Ｌ１９−Ｏ−Ｒ２０で示される基は、Ｌ１９がアルキレン基を示し、Ｒ２０は、アルキル基を示す。
Ｌ１９が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ２０が示すアルキル基としては、上記Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
【０１５５】
一般式（１）中、Ｒ１８が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
なお、Ｒ１８が示すアリール基は、アルキル基で置換されたアルキル置換アリール基であることが、溶解性の観点で好ましい。アルキル置換アリール基のアルキル基としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
【０１５６】
一般式（１）中、Ｒ１８が示すアラルキル基としては、−Ｒ１８Ａ−Ａｒで示される基が挙げられる。但し、Ｒ１８Ａは、アルキレン基を示す、Ａｒは、アリール基を示す。
Ｒ１８Ａが示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ａｒが示すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基エチルフェニル基等が挙げられる。
【０１５７】
一般式（１）中、Ｒ１８が示すアラルキル基として具体的には、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、フェニルエチル基、メチルフェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等が挙げられる。
【０１５８】
式（１）の電子輸送材料としては、高感度化及び色点の発生抑制の観点から、Ｒ１８が炭素数５以上１０以下の分岐状のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましく、特に、Ｒ１１〜Ｒ１７が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を示し、かつ、Ｒ１８が炭素数５以上１０以下の分岐状のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましい。
【０１５９】
以下、式（１）の電子輸送材料の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（１−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物１５は、「例示化合物（１−１５）」と以下表記する。
【０１６０】
【化９】
2017161778.tif 000010
【０１６１】
【化１０】
2017161778.tif 000011
【０１６２】
なお、上記例示化合物中の略記号等は、以下の意味を示す。
・＊：結合部
・ｎ−Ｂｕ：ｎ−ブチル基
・ｔ−Ｂｕ：ｔ−ブチル基
・Ｃｌ：塩素原子
・Ｍｅ：メチル基
・ＭｅＯ：メトキシ基
・Ｐｈ：フェニル基
【０１６３】
次に、式（２）の電子輸送材料（一般式（２）で示される電子輸送材料）について説明する。
【０１６４】
【化１１】
2017161778.tif 000012
【０１６５】
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、及びＲ２４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又はフェニル基を示す。
【０１６６】
一般式（２）中、Ｒ２１〜Ｒ２４が示すアルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上６以下のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ２１〜Ｒ２４が示すアルキル基は、置換アルキル基であってもよい。置換アルキル基の置換基としては、シクロアルキル基、フッ素置換アルキル基等が挙げられる。
【０１６７】
一般式（２）中、Ｒ２１〜Ｒ２４が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上６以下のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
【０１６８】
一般式（２）中、Ｒ２１〜Ｒ２４が示すハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙げられる。
【０１６９】
一般式（２）中、Ｒ２１〜Ｒ２４が示すフェニル基は、置換フェニル基であってもよい。置換フェニル基の置換基としては、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上６以下のアルコキシ基）、ビフェニル基等が挙げられる。
【０１７０】
式（２）の電子輸送材料としては、高感度化及び色点の発生抑制の観点から、Ｒ２１〜Ｒ２４のうち、少なくとも一つ以上（好ましくは３つ以上）が炭素数４の分岐状のアルキル基を示す電子輸送材料が好ましい。
【０１７１】
以下、式（２）の電子輸送材料の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物に付す番号は、例示化合物（２−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物に付す番号（２）は、「例示化合物（２−２）」と以下表記する。
【０１７２】
【化１２】
2017161778.tif 000013
【０１７３】
電子輸送材料の具体例としては、式（１）の電子輸送材料及び式（２）の電子輸送材料のほかに、その他の電子輸送材料として、例えば、下記構造式（ＥＴ−Ａ）〜（ＥＴ−Ｅ）で示される化合物も挙げられる。下記その他の電子輸送材料は、式（１）の電子輸送材料及び式（２）の電子輸送材料の少なくとも１種と併用して用いてもよい。
【０１７４】
【化１３】
2017161778.tif 000014
【０１７５】
感光層全体に占める、全電子輸送材料の量としては、感光層中の固形分比で２質量％以上３０質量％以下が好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより好ましい。電子輸送材料の含有量がこの範囲であることにより、良好な電気特性が得られ、帯電維持性が良好となる。
【０１７６】
−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の化合物が挙げられる。これらの正孔輸送材料は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１７７】
正孔輸送材料としては、電荷移動度の観点から、トリアリールアミン系化合物を含むことが好ましく、ブタジエン構造を有するトリアリールアミン系化合物を含むことがより好ましく、その中でも式（３）の正孔輸送材料（一般式（３）で表される正孔輸送材料）を含むことがさらに好ましい。
【０１７８】
【化１４】
2017161778.tif 000015
【０１７９】
一般式（３）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｐ及びｑは、各々独立に、０又は１を示す。
【０１８０】
一般式（３）中、Ｒ１〜Ｒ６が示す低級アルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上４以下のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
これらの中でも、低級アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。
【０１８１】
一般式（３）中、Ｒ１〜Ｒ６が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上４以下のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
【０１８２】
一般式（３）中、Ｒ１〜Ｒ６が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１８３】
一般式（３）中、Ｒ１〜Ｒ６が示すフェニル基としては、例えば、未置換のフェニル基；ｐ−トリル基、２，４−ジメチルフェニル基等の低級アルキル基置換のフェニル基；ｐ−メトキシフェニル基等の低級アルコキシ基置換のフェニル基；ｐ−クロロフェニル基等のハロゲン原子置換のフェニル基等が挙げられる。
なお、フェニル基に置換し得る置換基としては、例えば、Ｒ１〜Ｒ６が示す低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
【０１８４】
式（３）の正孔輸送材料の中でも、高感度化及び色点の発生抑制の観点から、ｐ及びｑが１を示す正孔輸送材料が好ましく、Ｒ１〜Ｒ６が各々独立に、水素原子、低級アルキル基、又はアルコキシ基を示し、ｐ及びｑが１を示す正孔輸送材料がより好ましい。
【０１８５】
以下、式（３）の正孔輸送材料の例示化合物を示すがこれに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（３−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物１５は、「例示化合物（３−１５）」と以下表記する。
【０１８６】
【化１５】
2017161778.tif 000016
【０１８７】
【化１６】
2017161778.tif 000017
【０１８８】
【化１７】
2017161778.tif 000018
【化１８】
2017161778.tif 000019
【０１８９】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。
・４−Ｍｅ：フェニル基の４−位に置換するメチル基
・３−Ｍｅ：フェニル基の３−位に置換するメチル基
・４−Ｃｌ：フェニル基の４−位に置換する塩素原子
・４−ＭｅＯ：フェニル基の４−位に置換するメトキシ基
・４−Ｆ：フェニル基の４−位に置換するフッ素原子
・４−Ｐｒ：フェニル基の４−位に置換するプロピル基
・４−ＰｈＯ：フェニル基の４−位に置換するフェノキシ基
【０１９０】
正孔輸送材料の具体例としては、式（３）の正孔輸送材料のほかに、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で示される化合物、下記一般式（Ｂ−２）で示される化合物、及び下記一般式（Ｂ−３）で示される化合物も挙げられる。
【０１９１】
【化１９】
2017161778.tif 000020
【０１９２】
一般式（Ｂ−１）中、ＡｒＢ１０１、ＡｒＢ１０２、及びＡｒＢ１０３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＢ１０４）＝Ｃ（ＲＢ１０５）（ＲＢ１０６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１０７）（ＲＢ１０８）を示す。ＲＢ１０４、ＲＢ１０５、ＲＢ１０６、ＲＢ１０７、及びＲＢ１０８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１９３】
【化２０】
2017161778.tif 000021
【０１９４】
一般式（Ｂ−２）中、ＲＢ８およびＲＢ８’は同一でも異なってもよく、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、を示す。ＲＢ９、ＲＢ９’、ＲＢ１０、およびＲＢ１０’は同一でも異なってもよく、各々独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ（ＲＢ１１）＝Ｃ（ＲＢ１２）（ＲＢ１３）、または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１４）（ＲＢ１５）を示し、ＲＢ１１乃至ＲＢ１５は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。ｍ１２、ｍ１３、ｎ１２およびｎ１３は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
【０１９５】
【化２１】
2017161778.tif 000022
【０１９６】
一般式（Ｂ−３）中、ＲＢ１６およびＲＢ１６’は同一でも異なってもよく、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、を示す。ＲＢ１７、ＲＢ１７’、ＲＢ１８、およびＲＢ１８’は同一でも異なってもよく、各々独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ（ＲＢ１９）＝Ｃ（ＲＢ２０）（ＲＢ２１）、または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ２２）（ＲＢ２３）を示し、ＲＢ１９乃至ＲＢ２３は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。ｍ１４、ｍ１５、ｎ１４およびｎ１５は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
【０１９７】
ここで、一般式（Ｂ−１）で示される化合物、一般式（Ｂ−２）で示される化合物、及び一般式（Ｂ−３）で示される化合物のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１０７）（ＲＢ１０８）」を有する一般式（Ｂ−１）で示される化合物、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１４）（ＲＢ１５）」を有する一般式（Ｂ−２）で示される化合物が望ましい。
【０１９８】
一般式（Ｂ−１）で示される化合物、一般式（Ｂ−２）で示される化合物、及び一般式（Ｂ−３）で示される化合物の具体例としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【０１９９】
【化２２】
2017161778.tif 000023
【０２００】
感光層の全固形分に対する正孔輸送材料の含有量は、１０質量％以上４０質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上３５質量％以下である。
なお、この正孔輸送材料の含有量は、２種以上の正孔輸送材料を併用した場合、それらの正孔輸送材料全体の含有量である。
【０２０１】
−正孔輸送材料と電子輸送材料との比率−
正孔輸送材料と電子輸送材料との比率は、質量比（正孔輸送材料／電子輸送材料）で、５０／５０以上９０／１０以下が好ましく、より好ましくは６０／４０以上８０／２０以下である。
なお、本比率は、他の電荷輸送材料を併用した場合、その合計での比率である。
【０２０２】
−その他添加剤−
単層型の感光層には、界面活性剤、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の周知のその他添加剤を含んでいてもよい。また、単層型の感光層が表面層となる場合、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等を含んでいてもよい。
【０２０３】
−単層型の感光層の形成−
単層型の感光層は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は単独又は２種以上混合して用いる。
【０２０４】
感光層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【０２０５】
感光層形成用塗布液を塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【０２０６】
単層型の感光層の膜厚は、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲に設定される。
【０２０７】
（その他の層）
本実施形態に係る感光体には、前記の通り、必要に応じてその他の層を設けてもよい。その他の層としては、例えば、感光層上に最表面層として設けられる保護層が挙げられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善したりする目的で設けられる。そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０２０８】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０２０９】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０２１０】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０２１１】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０２１２】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０２１３】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０２１４】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０２１５】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０２１６】
保護層形成用塗布液を感光層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０２１７】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２１８】
（機能分離型感光層）
機能分離型感光層は、例えば、導電性基体側から電荷発生層と電荷輸送層とがこの順に積層した層である。
【０２１９】
−電荷発生層−
機能分離型感光層における電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。
電荷発生材料及び結着樹脂については、それぞれ、単層型感光層に用いられる電荷発生材料及び結着樹脂と同様である。また電荷発生層の形成方法についても、単層型感光層と同様である。
【０２２０】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０２２１】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２２２】
−電荷輸送層−
機能分離型感光層における電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送材料の詳細は、単層型感光層に用いられる正孔輸送材料及び電子輸送材料と同様である。また電荷輸送層の形成方法についても、単層型感光層と同様である。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０２２３】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２２４】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０２２５】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０２２６】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０２２７】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０２２８】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０２２９】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０２３０】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０２３１】
図３におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０２３２】
なお、図３には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０２３３】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０２３４】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０２３５】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０２３６】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０２３７】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０２３８】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０２３９】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０２４０】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０２４１】
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【０２４２】
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【０２４３】
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
【実施例】
【０２４４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２４５】
［導電性基体］
（導電性基体１の作製）
直径３０ｍｍ、長さ２４４ｍｍのアルミニウム基体（アルミニウムで構成されたシラザン処理前の導電性基体）を、ヘキサメチルジシラザン（シラザン化合物、例示化合物Ｓ−１）に浸漬し、２５℃で３分間処理した。その後、シラザン化合物で処理された導電性基体（シラザン処理基体）をヘキサンで洗浄し、２５℃で１時間風乾することで、導電性基体１を得た。
【０２４６】
（導電性基体２の作製）
直径３０ｍｍ、長さ２４４ｍｍのアルミニウム基体（アルミニウムで構成されたシラザン処理前の導電性基体）を、ヘキサメチルジシラザン（シラザン化合物、例示化合物Ｓ−１）とトルエンとを質量比で１：９の割合で混合した混合液（シラザン含有混合液）に浸漬し、５０℃で１０分間処理した。その後、シラザン化合物で処理された導電性基体（シラザン処理基体）をヘキサンで洗浄し、２５℃で１時間風乾することで、導電性基体２を得た。
【０２４７】
（導電性基体３の作製）
直径３０ｍｍ、長さ２４４ｍｍのアルミニウム基体（アルミニウムで構成されたシラザン処理前の導電性基体）を、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルアセトアミド（シラザン化合物、例示化合物Ｓ−１１）とトルエンとを質量比で１：９の割合で混合した混合液（シラザン含有混合液）に浸漬し、３０℃で５時間処理した。その後、シラザン化合物で処理された導電性基体（シラザン処理基体）をヘキサンで洗浄し、２５℃で１時間風乾することで、導電性基体３を得た。
【０２４８】
（導電性基体４の作製）
直径３０ｍｍ、長さ２４４ｍｍのアルミニウム基体（アルミニウムで構成されたシラザン処理前の導電性基体）を、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシランとトルエンと酢酸とを質量比で１：９：０．０１の割合で混合した混合液に浸漬し、６０℃で２時間処理した。その後、シランカップリング剤で処理された導電性基体をヘキサンで洗浄し、２５℃で１時間風乾することで、導電性基体４を得た。
【０２４９】
（導電性基体５）
直径３０ｍｍ、長さ２４４ｍｍのアルミニウム基体（アルミニウムで構成されたシラザン処理前の導電性基体）を、５０℃のイオン交換水で１０分間浸漬処理したものを導電性基体５とした。
【０２５０】
（導電性基体の測定）
得られた導電性基体１〜５について、水との接触角を測定した。
具体的には、協和界面化学制ＣＡ-Ｘ型接触角計を用い、室温（２５℃）下で蒸留水を導電性基体表面に滴下し、１０秒後の液滴の接触角を測定した。
結果を表１に示す。
【０２５１】
【表１】
2017161778.tif 000024
【０２５２】
［単層型感光層の形成］
電荷発生材料としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１．５質量部、結着樹脂としての下記式（Ｐ）で表される共重合型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量５万）４９質量部、テトラヒドロフラン２５０質量部、及びトルエン２０質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて３時間分散した後、ガラスビーズをろ別して、分散液を得た。
なお、式（Ｐ）中の数字は、各構成単位の含有量（モル比）を示す。
【０２５３】
【化２３】
2017161778.tif 000025
【０２５４】
得られた分散液に、表２に示す正孔輸送材料３０質量部、表２に示す電子輸送材料１１質量部、及びシリコーンオイルＫＰ３４０（信越化学工業製）０．００１質量を添加し、１晩（１２時間）攪拌して感光層形成用塗布液を得た。
得られた感光層形成用塗布液を、表２に示す導電性基体に浸漬塗布し、１３０℃、１時間乾燥して、膜厚が２２μｍの単層型感光層を形成することで、感光体を得た。
【０２５５】
［感光体の評価］
（点状の画像欠陥の評価）
室温３０℃、湿度８５％の環境下で、Ｂｒｏｔｈｅｒ社製ＨＬ-２３６０Ｄを用い、２０％ハーフトーン画像を６０００枚形成し、１０時間後にさらに２０％ハーフトーン画像を１０枚形成した。１０時間後に形成した１０枚のうち１０枚目の画像を目視で評価し、色点の有無を以下の基準で評価した。結果を表２に示す。
Ａ：色点の発生なし
Ｂ：色点が９個以下で、画質上許容できるレベル
Ｃ：色点が１０個以上発生し、実使用上問題となるレベル。
【０２５６】
【表２】
2017161778.tif 000026
【０２５７】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、点状の画像欠陥が抑制されていることがわかる。
【０２５８】
なお、表２の略称等の詳細は以下の通りである。
・１−２：式（１）の電子輸送材料の例示化合物（１−２）
・１−３：式（１）の電子輸送材料の例示化合物（１−３）
・１−５：式（１）の電子輸送材料の例示化合物（１−５）
・２−１：式（２）の電子輸送材料の例示化合物（２−１）
・２−２：式（２）の電子輸送材料の例示化合物（２−２）
・３−１：式（３）の正孔輸送材料の例示化合物（３−１）
・ＨＴ−１：一般式（Ｂ−２）で示される化合物の例示化合物（ＨＴ−１）
・ＨＴ−４：一般式（Ｂ−１）で示される化合物の例示化合物（ＨＴ−４）
【符号の説明】
【０２５９】
１  導電性基体、２  単層型の感光層、３  下引層、４  電荷発生層、５  電荷輸送層、６  機能分離型の感光層、７  電子写真感光体、７Ａ  電子写真感光体、７Ｂ  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
2017161778.tif 000030
【図２】
2017161778.tif 000031
【図３】
2017161778.tif 000032
【図４】
2017161778.tif 000033