(57)【要約】    【課題】  高速信号の減衰を抑えるプリント配線板の提供    【解決手段】  第１ランド５１ＦＬ１と開口５１ＦＨ１との間、上側のランド５２ＦＬと上側のベタパターン５２ＦＳの開口５２ＦＨとの間、最上のランド５３ＦＬと最上のベタパターン５３ＦＳの開口５３ＦＨとの間には、７５μｍ以上、４５０μｍ以下の絶縁間隔が取られる。第１ランドと第１導体回路との間、上側のランドと上側の導体回路との間、最上のランドと最上の導体回路との間でインピーダンス整合を取ることができる。【選択図】  図１
2017059705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１ランドと第２ランドと前記第１ランドと前記第２ランド間の信号配線と前記第１ランドの周りに形成されている第１導体回路とを含む第１導体層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている上側の樹脂絶縁層と、
前記上側の樹脂絶縁層を貫通し前記第１ランドに到る上側のビア導体と、
前記上側の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記上側のビア導体を囲む上側のランドと前記上側のランドの周りに形成されている上側の導体回路を含む上側の導体層と、
前記上側の樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の樹脂絶縁層と、
前記最上の樹脂絶縁層を貫通し前記上側のランドに電気的につながっている最上のビア導体と、
前記最上の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記最上のビア導体を囲む最上のランドと前記最上のランドの周りに形成されている最上の導体回路を含む最上の導体層と、
前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２ランドに直接繋がっているビア導体と、
前記樹脂絶縁層の第２面上に形成され、前記ビア導体に繋がっているビア導体のランドと前記ビア導体のランドの周りに形成されている第２導体回路を含む第２導体層と、
前記樹脂絶縁層の第２面と前記第２導体層上に形成されている下側の樹脂絶縁層と、
前記下側の樹脂絶縁層を貫通し前記ビア導体のランドに電気的に繋がっている下側のビア導体と、
前記下側の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記下側のビア導体を囲む下側のランドと前記下側のランドの周りに形成されている下側の導体回路を含む下側の導体層と、
前記下側の樹脂絶縁層と前記下側の導体層上に形成されている最下の樹脂絶縁層と、
前記最下の樹脂絶縁層を貫通し前記下側のランドに電気的につながっている最下のビア導体と、
前記最下の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記最下のビア導体を囲む最下のランドと最下のランドの周りに形成されている最下の導体回路を含む最下の導体層と、を含むプリント配線板であって、
前記信号配線により、信号は水平方向に最も長く移動し、前記第１ランドと前記第１導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記上側のランドと前記上側の導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記最上のランドと前記最上の導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記最下の導体層と前記下側の導体層との間の距離は４８５μｍ以下であって、前記最下のランドは前記最下の導体回路に形成されている開口の中に形成されていて、前記下側のランドと前記最下のランドと前記下側のランドとの間に形成されている配線が前記最下の導体層に垂直な光で前記最下の導体層に投影されると、前記下側のランドと前記最下のランドと前記下側のランドとの間に形成されている前記配線は前記最下の導体回路の前記開口の中に位置する。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記信号配線の長さは２.５mm以上、４０mm以下である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記信号配線の１層上、１層下には配線が設けられず、２層上、２層下にベタパターンが設けられる。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１ランド上の前記上側のビア導体の直上に前記最上のビア導体は配置されている。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第２ランドは前記第２導体回路に形成されている開口の中に形成されていて、
前記第２導体回路に形成されている前記開口が前記第２導体層に垂直な光で投影されると、前記最下の導体回路に形成されている開口と重なり、
前記下側の導体回路は、前記第２導体回路に形成されている前記開口と前記最下の導体回路に形成されている開口との重なりよりも内側に延びていない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層上に第１ランドと第２ランドと第１ランドと第２ランド間の信号配線とを備えるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図１にパッケージ基板と伝送基板とからなるプリント配線板を開示している。そして、特許文献１は、伝送基板内の水平配線で高速信号を伝送することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＵＳ２０１３/２０１１６
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１のプリント配線板はパッケージ基板上に伝送基板を有するので、特許文献１のプリント配線板の厚みが厚くなると予想される。プリント配線板のサイズが大きくなると、パッケージ基板上の伝送基板の重みで、プリント配線板に反りが発生するかもしれない。その場合、水平配線が曲がると予想される。水平配線が曲がると、水平配線を伝送する信号がノイズを含むと予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１ランドと第２ランドと前記第１ランドと前記第２ランド間の信号配線と前記第１ランドの周りに形成されている第１導体回路とを含む第１導体層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面と前記第１導体層上に形成されている上側の樹脂絶縁層と、前記上側の樹脂絶縁層を貫通し前記第１ランドに到る上側のビア導体と、前記上側の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記上側のビア導体を囲む上側のランドと前記上側のランドの周りに形成されている上側の導体回路を含む上側の導体層と、前記上側の樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の樹脂絶縁層と、前記最上の樹脂絶縁層を貫通し前記上側のランドに電気的につながっている最上のビア導体と、前記最上の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記最上のビア導体を囲む最上のランドと前記最上のランドの周りに形成されている最上の導体回路を含む最上の導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第２ランドに直接繋がっているビア導体と、前記樹脂絶縁層の第２面上に形成され、前記ビア導体に繋がっているビア導体のランドと前記ビア導体のランドの周りに形成されている第２導体回路を含む第２導体層と、前記樹脂絶縁層の第２面と前記第２導体層上に形成されている下側の樹脂絶縁層と、前記下側の樹脂絶縁層を貫通し前記ビア導体のランドに電気的に繋がっている下側のビア導体と、前記下側の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記下側のビア導体を囲む下側のランドと前記下側のランドの周りに形成されている下側の導体回路を含む下側の導体層と、前記下側の樹脂絶縁層と前記下側の導体層上に形成されている最下の樹脂絶縁層と、前記最下の樹脂絶縁層を貫通し前記下側のランドに電気的につながっている最下のビア導体と、前記最下の樹脂絶縁層上に形成されていて、前記最下のビア導体を囲む最下のランドと最下のランドの周りに形成されている最下の導体回路を含む最下の導体層と、を含む。そして、前記信号配線により、信号は水平方向に最も長く移動し、前記第１ランドと前記第１導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記上側のランドと前記上側の導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記最上のランドと前記最上の導体回路との間の間隔は７５μｍ以上、４５０μｍ以下であって、前記最下の導体層と前記下側の導体層との間の距離は４８５μｍ以下であって、前記最下のランドは前記最下の導体回路に形成されている開口の中に形成されていて、前記下側のランドと前記最下のランドと前記下側のランドとの間に形成されている配線が前記最下の導体層に垂直な光で前記最下の導体層に投影されると、前記下側のランドと前記最下のランドと前記下側のランドとの間に形成されている前記配線は前記最下の導体回路の前記開口の中に位置する。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、第１ランドと第１導体回路との間、上側のランドと上側の導体回路との間、最上のランドと最上の導体回路との間でインピーダンス整合を取ることができる。また、下側のランドと最下のランドと下側のランドとの間に形成されている配線のインピーダンス整合を取ることができる。インピーダンス整合が取られることで、反射損失が低減され、高速信号の減衰を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１導体層の平面図であり、図１（Ｃ）は下側の導体層の平面図であり、図１（Ｄ）は比較例のプリント配線板の断面図である。
【図２】第２実施形態のプリント配線板の断面図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板と比較例のプリント配線板との伝送損失をシミュレーションした結果を示す図表。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、中央に第１面Ｆと該第１面と反対側の第２面Ｓとを有する中央樹脂絶縁層４０を有する。中央樹脂絶縁層４０の第１面Ｆ上に第１導体層５１Ｆが形成され、第２面Ｓ上に第２導体層５１Ｓが形成されている。図１（Ｂ）は第１導体層５１Ｆの一部を示す平面図である。第１導体層５１Ｆは、第１ランド５１ＦＬ１と第２ランド５１ＦＬ２と第１ランドと第２ランド間の信号配線５１ＦＩと第１ランド、第２ランドの周りに形成されている第１ベタパターン（Solid Pattern）５１ＦＳとを含む。第１ベタパターン５１ＦＳに形成された開口５１ＦＨ１の中央部に第１ランド５１ＦＬ１が、開口５１ＦＨ２の中央部に第２ランド５１ＦＬ２が配置されている。開口５１ＦＨ１と第１ランド５１ＦＬ１との間には３００μｍの絶縁間隔が設けられている。信号配線５１ＦＩは水平方向にプリント配線板中で最も長く配線されている信号線である。信号配線５１ＦＩの長さは２.５mm以上、４０mm以下である。中央樹脂絶縁層４０には、中央樹脂絶縁層を貫通し第２ランド５１ＦＬ２に直接繋がっているビア導体３６が形成されている。第２導体層５１Ｓは、中央樹脂絶縁層の第２面Ｓ上に形成され、ビア導体３６に繋がっているランド５１ＳＬとランド５１ＳＬの周りに形成されている第２ベタパターン５１ＳＳを含む。
【０００９】
中央樹脂絶縁層４０の第１面Ｆと第１導体層５１Ｆ上には上側の樹脂絶縁層４１Ｆが形成されている。上側の樹脂絶縁層４１Ｆには、該上側の樹脂絶縁層を貫通し第１ランド５１ＦＬ１に到る上側のビア導体６１Ｆが形成されている。上側の樹脂絶縁層４１Ｆ上には、上側のビア導体６１Ｆを囲む上側のランド５２ＦＬと上側のランド５２ＦＬの周りに形成されている上側のベタパターン５２ＦＳを含む上側の導体層５２Ｆが形成されている。上側の樹脂絶縁層４１Ｆと上側の導体層５２Ｆ上に最上の樹脂絶縁層４２Ｆが形成されている。最上の樹脂絶縁層４２Ｆには、該最上の樹脂絶縁層を貫通し上側のランド５２ＦＬに電気的につながっている最上のビア導体６２Ｆが形成されている。最上の樹脂絶縁層４２Ｆ上には、最上のビア導体６２Ｆを囲む最上のランド５３ＦＬと最上のランドの周りに形成されている最上のベタパターン５３ＦＳを含む最上の導体層５３Ｆが形成されている。最上の樹脂絶縁層４２Ｆと最上の導体層５３Ｆ上には上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。上側のソルダーレジスト層の開口７１Ｆが、最上のランド５３ＦＬにより構成されるパッド７３Ｆを露出する。
【００１０】
図１（Ｂ）が参照され、上述されたように第１導体層５１Ｆを構成する第１ランド５１ＦＬ１と開口５１ＦＨ１との間には３００μｍの絶縁間隔が設けられている。上側の導体層５２Ｆを構成する上側のランド５２ＦＬと、上側のベタパターン５２ＦＳの開口５２ＦＨとの間には３００μｍの絶縁間隔が設けられている。最上の導体層５３Ｆを構成する最上のランド５３ＦＬと、最上のベタパターン５３ＦＳの開口５３ＦＨとの間には３００μｍの絶縁間隔が設けられている。上側のビア導体６１Ｆの直上に最上のビア導体６２Ｆが設けられる。上側のビア導体６１Ｆと最上のビア導体６２Ｆとは、スタックドビアを構成する。最上のベタパターン５３ＦＳの開口５３ＦＨと、上側のベタパターン５２ＦＳの開口５２ＦＨと、第１ベタパターン５１ＦＳの開口５１ＦＨ１とは同一位置に形成されてる。
【００１１】
第１ランド５１ＦＬ１と開口５１ＦＨ１との間、上側のランド５２ＦＬと上側のベタパターン５２ＦＳの開口５２ＦＨとの間、最上のランド５３ＦＬと最上のベタパターン５３ＦＳの開口５３ＦＨとの間には、７５μｍ以上、４５０μｍ以下の絶縁間隔が取られることが望ましい。第１ランドと第１導体回路との間、上側のランドと上側の導体回路との間、最上のランドと最上の導体回路との間でインピーダンス整合を取ることができる。絶縁間隔が７５μｍ未満ではインピーダンス整合を取ることが難しい。絶縁間隔が４５０μｍ超ではインピーダンス整合を取ることが難しい。
【００１２】
中央樹脂絶縁層４０の第２面Ｓと第２導体層５１Ｓ上には下側の樹脂絶縁層４１Ｓが形成されている。下側の樹脂絶縁層４１Ｓには、該下側の樹脂絶縁層を貫通しビア導体３６のランド５１ＳＬに電気的に繋がっている下側のビア導体６１Ｓが形成されている。下側の樹脂絶縁層４１Ｓ上には、下側のビア導体６１Ｓを囲む下側のランド５２ＳＬと、該ランドに接続された配線５２ＳＩと下側のランド５２ＳＬ及び配線５２ＳＩの周りに形成されている下側のベタパターン５２ＳＳを含む下側の導体層５２Ｓが形成されている。下側の樹脂絶縁層４１Ｓと下側の導体層５２Ｓ上に最下の樹脂絶縁層４２Ｓが形成されている。最下の樹脂絶縁層４２Ｓには、該最下の樹脂絶縁層を貫通し下側のランド５２ＳＬに電気的につながっている最下のビア導体６２Ｓが形成されている。最下の樹脂絶縁層４２Ｓ上には、最下のビア導体６２Ｓを囲む最下のランド５３ＳＬと最下のランドの周りに形成されている最下のベタパターン５３ＳＳを含む最下の導体層５３Ｓが形成されている。図１（Ｃ）は、下側の導体層５２Ｓを構成する下側のランド５２ＳＬ及び配線５２ＳＩの第２面側から見た平面図である。配線５２ＳＩは、最下のビア導体６２Ｓの底部に接続されるランド５２ＳＩＬを有する。最下の樹脂絶縁層４２Ｓと最下の導体層５３Ｓ上には下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。上側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓが、最下のランド５３ＳＬにより構成されるパッド７３Ｓを露出する。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板では、最下の導体層５３Ｓと下側の導体層５２Ｓとの間の距離は４００μｍである。最下の導体層と下側の導体層との間の距離は４８５μｍ以下の場合、図１（Ｃ）で示される下側のランド５２ＳＬと最下のランドと下側のランドとの間に形成されている配線５２ＳＩが最下の導体層に垂直な光で最下の導体層に投影されると、下側のランドと最下のランドと下側のランドとの間に形成されている配線５２ＳＩは最下のベタパターン５３ＳＳの開口５３ＳＨの中に位置する。これにより、下側のランド５２ＳＬと最下のランドと下側のランドとの間に形成されている配線５３ＳＩのインピーダンス整合が取られる。インピーダンス整合が取られることで、反射損失が低減され、高速信号の減衰を抑えることができる。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板では、第２導体層５１Ｓのベタパターン５１ＳＳの開口５１ＳＨと、最外の導体層のベタパターン５３ＳＳの開口を結ぶ線Ｌ１と、下側の導体層５２Ｓとが交差することが無いように配置されている。即ち、下側の導体層５２Ｓが、線Ｌ１を超えて、第２導体層５１Ｓのベタパターン５１ＳＳの開口５１ＳＨ、最外の導体層のベタパターン５３ＳＳの開口の内側まで延びることが無い。これにより、第２導体層、上側の導体層、最上の導体層のインピーダンス整合が取られる。
【００１５】
図１（Ｄ）は比較例のプリント配線板の断面図である。比較例では、第１ランド５１ＦＬ１と開口５１ＦＨとの間、上側のランド５２ＦＬと上側のベタパターン５２ＦＳの開口５２ＦＨとの間、最上のランド５３ＦＬと最上のベタパターン５３ＦＳの開口５３ＦＨとの間に６０μｍの絶縁間隔が取られる。図３は、第１実施形態のプリント配線板と比較例のプリント配線板との伝送損失をシミュレーションした結果を示す図表である。図中で縦軸は伝送損失[dB]を、横軸は周波数[GHz]を表す。実線は第１実施形態のプリント配線板の伝送損失を、鎖線は比較例のプリント配線板の伝送損失を表す。１５GHzを超えると、比較例のプリント配線板は伝送損失が大きくなっている。
【００１６】
[第２実施形態]
図２は、第２実施形態のプリント配線板の断面図を示している。
第２実施形態のプリント配線板は、中央に第１面Ｆと該第１面と反対側の第２面Ｓとを有する中央樹脂絶縁層４０を有する。中央樹脂絶縁層４０の第１面Ｆ上に、上第１樹脂絶縁層４１Ｆ、上第２樹脂絶縁層４２Ｆ、上第３樹脂絶縁層４３Ｆ、上第４樹脂絶縁層４４Ｆ、上第５樹脂絶縁層４５Ｆ、上第６樹脂絶縁層４６Ｆ、上第７樹脂絶縁層４７Ｆ、上第８樹脂絶縁層４８Ｆ、上第９樹脂絶縁層４９Ｆが形成されている。中央樹脂絶縁層４０の第１面Ｆには上第１導体層５１Ｆが形成されている。第１樹脂絶縁層４１Ｆ上には上第２導体層５２Ｆが形成されている。上第２樹脂絶縁層４２Ｆ上には上第３導体層５３Ｆが形成されている。上第３樹脂絶縁層４３Ｆ上には上第４導体層５４Ｆが形成されている。上第４樹脂絶縁層４４Ｆ上には上第５導体層５５Ｆが形成されている。上第５樹脂絶縁層４５Ｆ上には上第６導体層５６Ｆが形成されている。上第６樹脂絶縁層４６Ｆ上には上第７導体層５７Ｆが形成されている。上第７樹脂絶縁層４７Ｆ上には上第８導体層５８Ｆが形成されている。上第８樹脂絶縁層４８Ｆ上には上第９導体層５９Ｆが形成されている。上第９樹脂絶縁層４９Ｆ上には上第１０導体層５１０Ｆが形成されている。上第１樹脂絶縁層４１Ｆ内には上第１ビア導体６１Ｆが形成されている。上第２樹脂絶縁層４２Ｆ内には上第２ビア導体６２Ｆが形成されている。上第３樹脂絶縁層４３Ｆ内には上第３ビア導体６３Ｆが形成されている。上第４樹脂絶縁層４４Ｆ内には上第４ビア導体６４Ｆが形成されている。上第５樹脂絶縁層４５Ｆ内には上第５ビア導体６５Ｆが形成されている。上第６樹脂絶縁層４６Ｆ内には上第６ビア導体６６Ｆが形成されている。上第７樹脂絶縁層４７Ｆ内には上第７ビア導体６７Ｆが形成されている。上第８樹脂絶縁層４８Ｆ内には上第８ビア導体６８Ｆが形成されている。上第９樹脂絶縁層４９Ｆ内には上第９ビア導体６９Ｆが形成されている。上第９樹脂絶縁層４９Ｆ及び上第１０導体層５１０Ｆ上には、開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。
【００１７】
中央樹脂絶縁層４０の第２面Ｓには下第１導体層５１Ｓ２が形成されている。中央樹脂絶縁層４０内には、上第１導体層５１Ｆと下第１導体層５１Ｓ２とを接続するビア導体３６が形成されている。中央樹脂絶縁層４０の第２面Ｓ上に、下第１樹脂絶縁層４１Ｓ、下第２樹脂絶縁層４２Ｓ、下第３樹脂絶縁層４３Ｓ、下第４樹脂絶縁層４４Ｓ、下第５樹脂絶縁層４５Ｓ、下第６樹脂絶縁層４６Ｓ、下第７樹脂絶縁層４７Ｓ、下第８樹脂絶縁層４８Ｓ、下第９樹脂絶縁層４９Ｓが形成されている。上第１樹脂絶縁層４１Ｓ上には下第２導体層５２Ｓが形成されている。下第２樹脂絶縁層４２Ｓ上には下第３導体層５３Ｓが形成されている。下第３樹脂絶縁層４３Ｓ上には下第４導体層５４Ｓが形成されている。下第４樹脂絶縁層４４Ｓ上には下第５導体層５５Ｓが形成されている。下第５樹脂絶縁層４５Ｓ上には下第６導体層５６Ｓが形成されている。下第６樹脂絶縁層４６Ｓ上には下第７導体層５７Ｓが形成されている。下第７樹脂絶縁層４７Ｓ上には下第８導体層５８Ｓが形成されている。下第８樹脂絶縁層４８Ｓ上には下第９導体層５９Ｓが形成されている。下第９樹脂絶縁層４９Ｓ上には下第１０導体層５１０Ｓが形成されている。下第１樹脂絶縁層４１Ｓ内には下第１ビア導体６１Ｓが形成されている。下第２樹脂絶縁層４２Ｓ内には下第２ビア導体６２Ｓが形成されている。下第３樹脂絶縁層４３Ｓ内には下第３ビア導体６３Ｓが形成されている。下第４樹脂絶縁層４４Ｓ内には下第４ビア導体６４Ｓが形成されている。下第５樹脂絶縁層４５Ｓ内には下第５ビア導体６５Ｓが形成されている。下第６樹脂絶縁層４６Ｓ内には下第６ビア導体６６Ｓが形成されている。下第７樹脂絶縁層４７Ｓ内には下第７ビア導体６７Ｓが形成されている。下第８樹脂絶縁層４８Ｓ内には下第８ビア導体６８Ｓが形成されている。下第９樹脂絶縁層４９Ｓ内には下第９ビア導体６９Ｓが形成されている。下第９樹脂絶縁層４９Ｓ及び下第１０導体層５１０Ｓ上には、開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。
【００１８】
上第４導体層５４Ｆは、第４ビア導体６４Ｆに接続される第１ランド５４ＦＬ１と、第３ビア導体の周りに形成された第２ランド５４ＦＬ２と、第１ランド５４ＦＬ１と第２ランド５４ＦＬ２とを接続する信号配線５４ＦＩとを有する。第２実施形態のプリント配線板では、信号配線５４ＦＩの一層上の第５導体層５５Ｆ、１層下の第３導体層５３Ｆには、信号配線５４ＦＩと重なる位置に配線が設けられていない。信号配線５４ＦＩの二層上の第５導体層５５Ｆ、２層下の第２導体層５２Ｆには、信号配線５４ＦＩと重なる位置にベタパターン５６ＦＳ、５２ＦＳが形成されている。第２実施形態では、高速信号の伝送される信号配線５４ＦＩから上層のベタパターン、下層のベタパターンを距離的に離すことで信号配線５４ＦＩのインピーダンス整合が取られる。インピーダンス整合が取られることで、反射損失が低減され、高速信号の減衰を抑えることができる。
【００１９】
更に、中央樹脂絶縁層４０の第２面Ｓ側に直線状に配置されるビア導体３６、下第１ビア導体６１Ｓ、下第２ビア導体６２Ｓ、下第３ビア導体６３Ｓ、下第４ビア導体６４Ｓ、下第５ビア導体６５Ｓ、下第８ビア導体６８Ｓ、下第９ビア導体６９Ｓからオフセットして下第６ビア導体６６Ｓ及び下第７ビア導体６７Ｓが配置される。下第６ビア導体６６Ｓ及び下第７ビア導体６７Ｓの一層下の下第５導体層５５Ｓ、一層上の第９導体層５９Ｓには、該下第６ビア導体６６Ｓ及び下第７ビア導体６７Ｓと重ねる位置に配線が設けられていない。下第６ビア導体６６Ｓ及び下第７ビア導体６７Ｓのインピーダンス整合が取られる。
【符号の説明】
【００２０】
４０  中央樹脂絶縁層
４１Ｆ  上側の樹脂絶縁層
４１Ｓ  下側の樹脂絶縁層
４２Ｆ  最上の樹脂絶縁層
４２Ｓ  最下の樹脂絶縁層
５１Ｆ  第１導体層
５１ＦＩ  信号配線
５１ＬＩ１  第１ランド
５１Ｓ  第２導体層
５２Ｆ  上側の導体層
５２Ｓ  下側の導体層
５３Ｆ  最上の導体層
５３Ｓ  最下の導体層
６１Ｆ  上側のビア導体
６１Ｓ  下側のビア導体
６２Ｆ  最上のビア導体
６２Ｓ  最下のビア導体
【図１】
2017059705.tif 000003
【図２】
2017059705.tif 000004
【図３】
2017059705.tif 000005