(57)【要約】【課題】クラックや成膜ダメージの発生を抑えつつも共通電極が低抵抗化された表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  各画素に対応する複数の画素電極Ｐ１と、複数の画素電極Ｐ１のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層ＢＮＫと、複数の画素電極Ｐ１のそれぞれに接触して積層されるように設けられた自発光層Ｅ１と、自発光層Ｅ１に接触するように積層して、絶縁層ＢＮＫに載るように設けられた第１共通電極Ｃ１と、絶縁層ＢＮＫの上方で第１共通電極Ｃ１の一部との積層を避けて、複数の画素電極Ｐ１の上方で第１共通電極Ｃ１に積層する光透過性層ＬＴと、複数の画素電極Ｐ１の上方で光透過性層ＬＴに積層し、絶縁層ＢＮＫの上方で第１共通電極Ｃ１に接触するように積層する第２共通電極Ｃ２と、自発光層Ｅ１を封止するように、第２共通電極Ｃ２の上方に積層する封止層ＰＲと、を有することを特徴とする表示装置。【選択図】図３
2017059314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層と、
前記複数の画素電極のそれぞれに接触するように積層している自発光層と、
前記複数の画素電極のそれぞれの上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた第１共通電極と、
前記絶縁層の上方で前記第１共通電極の一部との積層を避けて、前記複数の画素電極の上方で前記第１共通電極に積層する光透過性層と、
前記複数の画素電極の上方で前記光透過性層に積層し、前記絶縁層の上方で前記第１共通電極に接触するように積層する第２共通電極と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、前記第２共通電極が積層される上面を有し、前記上面は平坦であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、前記第２共通電極が積層される上面を有し、
前記上面は、前記第２共通電極の方向に凸となる凸領域又は凹となる凹領域を、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記封止層の上方には、前記光透過性層とは異なる屈折率の材料からなる充填層が積層され、
前記自発光層から垂直に発光して前記凸領域又は前記凹領域に入射する光を集光又は発散するように、前記充填層は屈折させる、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
通過する光の波長域がそれぞれ異なる複数色の着色層を含むカラーフィルタ層をさらに有し、
前記自発光層は、前記複数色の着色層のそれぞれを通過する前記光を含むように発光することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、通過する光の波長域がそれぞれ異なる複数色の着色層からなり、
前記自発光層は、前記複数色の着色層のそれぞれを通過する前記光を含むように発光することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、紫外線を遮断して可視光線を通すことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１共通電極は、前記第２共通電極よりも薄いことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置において、
前記第１共通電極は光を通すことが可能な金属膜であり、前記第２共通電極は透明金属酸化物膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置において、
赤発光を行う前記自発光層の厚みよりも、緑発光を行う前記自発光層の厚みが薄く、緑発光を行う前記自発光層の厚みよりも、青発光を行う前記自発光層の厚みが薄いことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス(ＥＬ：Electro Luminescence）素子や有機ＥＬ素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置をはじめとする表示装置においては、各画素にて個別に配置される画素電極と、各画素にて共通となるように画素電極の上側に配置される共通電極と、画素電極および共通電極によって挟持される自発光層とによって自発光素子が形成される。
【０００３】
なお特許文献１には、上部電極の電圧降下を防止し、画面輝度が均一なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を実現する旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−９４３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自発光表示装置の共通電極としては、共通電極の厚みを増大させて低抵抗化をすることで、シェーディングの発生や駆動電圧を低下させることが考えられる。
【０００６】
しかしながら共通電極の厚みを大きくすると、内部応力が生じることで共通電極や自発光層にてクラックが発生しやすくなる。また、成膜工程の時間が増大することで、自発光層等に与えるダメージが大きくなることも懸念される。
【０００７】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、クラックや成膜ダメージの発生を抑えつつも共通電極が低抵抗化された表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る表示装置は、上記のような課題に鑑みて、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層と、前記複数の画素電極のそれぞれに接触するように積層して、電流によって輝度が制御されて発光するように設けられた自発光層と、前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた第１共通電極と、前記絶縁層の上方で前記第１共通電極の一部との積層を避けて、前記複数の画素電極の上方で前記第１共通電極に積層する光透過性層と、前記複数の画素電極の上方で前記光透過性層に積層し、前記絶縁層の上方で前記第１共通電極に接触するように積層する第２共通電極と、前記自発光層を封止するように、前記第２共通電極の上方に積層する封止層と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態にかかる自発光表示装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態における自発光表示装置の画素回路の様子を示す概略図である。
【図３】第１の実施形態における自発光表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【図４】第１の実施形態における自発光表示装置の画素および額縁領域の様子を説明するための断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態における光透過性層を形成する工程の様子を説明するための図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態の変形例における光透過性層を形成する工程の様子を説明するための図である。
【図６】第２の実施形態における自発光表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【図７】第３の実施形態における自発光表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【図８】第４の実施形態における自発光表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【図９】第５の実施形態における自発光表示装置の一画素の様子を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の自発光表示装置としての有機ＥＬ表示装置１を説明するための概略平面図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第１基板Ｂ１に、第２基板Ｂ２が張り合わされて構成され、第１基板Ｂ１において第２基板Ｂ２から露出した領域（露出領域ＥＸ）には、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのドライバ半導体装置ＩＣが配置される。さらに第１基板Ｂ１の露出領域ＥＸの端部近辺にはフレキシブルプリント基板ＦＰＣが配置される。
【００１２】
図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰにおける画素回路の様子を示す図である。有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示領域ＤＰと、走査信号線駆動部ＧＤＲと、映像信号線駆動部ＤＤＲと、電源駆動部ＥＤＲとを備える。
【００１３】
表示領域ＤＰにおいては、複数画素のそれぞれに対応して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬ、および、画素回路ＰＸがマトリクス状に配置されており、画素回路ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴ１、容量素子ＣＡＰ、および薄膜トランジスタＴＦＴ２で構成される。走査信号線駆動部ＧＤＲと映像信号線駆動部ＤＤＲ、電源駆動部ＥＤＲは、画素回路ＰＸを駆動して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光を制御する。
【００１４】
走査信号線駆動部ＧＤＲは、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線ＧＬに接続されて、順番に選択された走査信号線ＧＬに走査信号を出力する。
【００１５】
映像信号線駆動部ＤＤＲは、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線ＤＬに接続されて、走査信号線駆動部ＧＤＲによる走査信号線ＧＬの選択にあわせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線ＤＬに出力をする。当該電圧は、画素回路ＰＸ内のキャパシタに書き込まれて、書き込まれた電圧に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに供給される。
【００１６】
電源駆動部ＥＤＲは、画素列ごとに設けられた駆動電源線ＳＬに接続されて、画素回路ＰＸ内のスイッチング素子を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬに電流を供給する。
【００１７】
そして後述のように、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬは２層に分かれた共通電極（カソード）を有しており、これらは共に接地電位に接続される。
【００１８】
図３は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における画素の断面の様子を説明するための図である。同図で示されるように、有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬが形成された第１基板Ｂ１と、第１基板Ｂ１に対向して配置されてカラーフィルタ層ＣＦやブラックマトリクスＢＭが形成される第２基板Ｂ２と、第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２の間にて充填される充填層ＦＬを含んで構成される。
【００１９】
ここで特に有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬは、画素電極Ｐ１と、自発光層Ｅ１と、第１共通電極Ｃ１および第２共通電極Ｃ２を含んで構成され、２つの共通電極の間には有機絶縁膜にて形成された光透過性層ＬＴが挟持される。この２つの共通電極は、各画素を分離するために有機絶縁膜（樹脂）で形成されたバンク層ＢＮＫの上側において接触（導通）しており、有機絶縁膜を間に挟んで２層に別れて積層されることにより、クラックや成膜ダメージの発生を低下させつつ、共通電極全体としての低抵抗化をするものとなっている。この２つの共通電極についての更なる詳細は後述する。
【００２０】
有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの画素電極Ｐ１（陽極）は、アルミ等の反射性の高い金属によって形成されて、コンタクトホールＣＨの底部まで延在して透明導電層Ｔ１に接続される。画素電極Ｐ１は、平坦化層ＨＰＬの下方に形成された薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極と導通する。またバンク層ＢＮＫは、画素電極Ｐ１の周縁部に載るようにして設けられる。
【００２１】
本実施形態における自発光層Ｅ１は、共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１の間に形成されて、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を含んで構成される。自発光層Ｅ１における発光層では、自発光層Ｅ１に接触するように積層された画素電極Ｐ１から注入されたホールと、共通電極Ｃ１から注入された電子とが再結合することにより発光する。また自発光層Ｅ１を構成する全ての層が表示領域ＤＰの全体にわたって形成されていてもよいし、画素ごとに個別に形成されていてもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光層の輝度は、薄膜トランジスタＴＦＴ２からの電流によって制御される。
【００２２】
ここで第１共通電極Ｃ１および第２共通電極Ｃ２は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電膜によって形成されて、表示領域ＤＰ内の複数の画素において共通する一層でベタ状に形成される電極となる。また有機絶縁膜で形成された光透過性層ＬＴは、バンク層ＢＮＫによって形成される凹部（自発光層が平坦に形成される部分）であって、第１共通電極Ｃ１及び第２共通電極Ｃ２の間に形成されており、光透過性層ＬＴによって２つの共通電極の間が隔てられる。この光透過性層ＬＴは、バンク層ＢＮＫの上方において第１共通電極Ｃ１の一部との積層を避けるようになっており、第２共通電極Ｃ２は、バンク層ＢＮＫの上方における光透過性層ＬＴが形成されない箇所において、第１共通電極に接触するように積層されるようになっている。また光透過性層ＬＴは、紫外線を遮断して可視光線を通すような材料によって構成されるのが望ましく、これにより、充填層ＦＬを紫外線で硬化する際に生じ得る自発光層Ｅ１へのダメージが抑えられる。
【００２３】
第２共通電極Ｃ２によって共通電極全体としての低抵抗化が図られ、さらに第２共通電極Ｃ２の成膜時は、光透過性層ＬＴによって自発光層Ｅ１が隔てられていることで成膜ダメージが低減される。また第２共通電極Ｃ２によって低抵抗化が図られることで、第１共通電極Ｃ１を薄く形成することができ、これにより、自発光層Ｅ１等のクラックによる破壊が防止される。第１共通電極Ｃ１としては、第２共通電極Ｃ２よりも薄く形成するのが望ましい。
【００２４】
画素電極Ｐ１の下層には、容量素子ＣＡＰを形成するための配線層Ｌ１と、容量絶縁層ＣＰとが配置される。この容量絶縁層ＣＰは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁膜によって形成される。また有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬや容量素子ＣＡＰの下地には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機絶縁膜で形成された平坦化層ＨＰＬが形成される。
【００２５】
また、各画素の有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬは、封止層ＰＲで覆われて保護されるようになっている。本実施形態における封止層ＰＲは、無機絶縁膜によって主に構成され、具体的には、窒化シリコン層と、酸化シリコン層を含んで構成される。
【００２６】
図４は、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置１の画素と額縁領域の断面概略図である。図４で示されるように、表示領域ＤＰの外側には、平坦化膜ＨＰＬやバンク層ＢＮＫを分断する構造ＣＴ１〜ＣＴ４が配置される。そして構造ＣＴ３においては、平坦化膜ＨＰＬの下地となる回路構成層ＣＬの無機絶縁膜に至るまでの溝が形成されてその内側に無機絶縁膜や金属層が形成されるようになっており、これによって、内側の平坦化膜ＨＰＬ等を介して自発光層Ｅ１に水分が侵入するのが防止される。また構造ＣＴ１〜ＣＴ４のさらに外側となる、スペーサ粒子ＳＰを含むシール材ＤＭの付近においては、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２に所定の電位を供給するためのカソードコンタクトＣＣが配置される。
【００２７】
本実施形態における封止層ＰＲには、窒化シリコン層と酸化シリコン／窒化シリコン層との２層の無機絶縁膜の他に有機絶縁膜が含まれる。構造ＣＴ１〜ＣＴ４や、カソードコンタクトＣＣにおいては窪みが大きくなるために封止層ＰＲ積層時に隙間ＳＭが形成されやすくなるが、有機絶縁膜が２層の無機絶縁膜の間に充填されることで、隙間ＳＭの発生が防止されることとなる。隙間ＳＭが発生しなくなることで、上層側の窒化シリコン層がコンフォーマルに形成され、水分や酸素が侵入することを有効に防ぐことができる。
【００２８】
図５Ａは、本実施形態における光透過性層ＬＴを形成する工程の様子を説明するための図である。同図において示されるように、本実施形態における光透過性層ＬＴの形成工程では、表示領域ＤＰを全体的に覆うように樹脂による有機絶縁膜が製膜された後、バンク層ＢＮＫ上の第１共通電極Ｃ１が露出するまでドライエッチングされる。図５Ａのように光透過性層ＬＴがエッチングされることで、光透過性層ＬＴの上面がほぼ平坦となって、第２共通電極Ｃ２も略平坦となるように形成されることなる。
【００２９】
また図５Ｂは、本実施形態の変形例における光透過性層ＬＴを形成する工程の様子を説明するための図である。同図において示されるように、変形例における光透過性層ＬＴの形成工程では、表示領域ＤＰを全体的に覆うように樹脂による有機絶縁膜が製膜された後、バンク層ＢＮＫ上に局所的にレーザ照射をして、第１共通電極Ｃ１を確実に露出させるようにする。その後において、第２共通電極Ｃ２を積層することで、バンク層ＢＮＫ上において第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２が確実にコンタクトし、図５Ａの場合と同様に共通電極の低抵抗化が図られることになる。
【００３０】
［第２の実施形態］
次に図６を用いて本発明の第２の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第２の実施形態における自発光表示装置１における光透過性層ＬＴの上面は、第２共通電極Ｃ２の方向に凸となるように形成される凸領域を有して形成される。換言すると、光透過性層ＬＴは、バンク層ＢＮＫに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凸となるように形成される（凸レンズ状に形成される）。また、光透過性層ＬＴの上方にある第２共通電極Ｃ２および封止層ＰＲも光透過性層ＬＴの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第２の実施形態の自発光表示装置１は、このような点で、第１の実施形態における自発光表示装置１とは相違している。
【００３１】
また図６のように光透過性層ＬＴが形成されることで、正面方向の発光が屈折させられて、視野角が改善されることになる。なお光透過性層ＬＴの屈折率と充填層ＦＬの屈折率のうち、光透過性層ＬＴのほうが小さい場合には、図６の左側の画素における矢印のように、正面方向の発光が外側に広がるように屈折させられるが、充填層ＦＬの屈折率の方が小さい場合には、図６の左側の画素における矢印とは逆に、正面方向の発光が内側に集光されるように屈折される。しかしながら充填層ＦＬの屈折率の方が小さい場合であっても、内側に集光された後に外側に広がるように発光が伝播するので、いずれにしても正面方向の発光が外側に広がるように伝播して視野角が改善されることになる。
【００３２】
なお、図６のような光透過性層ＬＴを加工する工程としては、図５Ｂにおいて説明をしたようなバンク層ＢＮＫの上方を露出させるようにするレーザ照射の条件を適宜設定すればよく、これにより凸レンズ状の形状に加工することができる。
【００３３】
また、第１共通電極Ｃ１を半透過・半反射型の極薄の金属（例えば、銀、Ｍｇ、ＭｇＡｇなど）とし、第２共通電極Ｃ２をＩＴＯ等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極Ｐ１と第１共通電極Ｃ１との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層ＬＴがレンズ形状となるため、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。本実施形態において、半透過・半反射型の極薄の金属で形成された第１共通電極Ｃ１は、ＩＴＯ等の透明金属酸化物膜で形成された第２共通電極Ｃ２よりも透過率は低く、反射率は高い形となる。このように第一共通電極Ｃ１を半反射型の極薄の金属、第２共通電極Ｃ２を透明金属酸化物膜とする場合は、自発光層Ｅ１は赤緑青の塗り分け方式がよい。この場合、カラーフィルタ層ＣＦは無い方がよく、代わりに円偏光板やタッチパネルが設けられる方がよい。さらに発光波長の関係で、赤発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの自発光層Ｅ１の厚みは、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの自発光層Ｅ１の厚みよりも厚く、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの自発光層Ｅ１の厚みは、青発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの自発光層Ｅ１の厚みよりも厚くなる。このような厚さ関係とすることで、赤発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの第一共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１との間の距離が、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの第一共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１との間の距離よりも大きくなる。同じく緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの第一共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１との間の距離が、青発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの第一共通電極Ｃ１と画素電極Ｐ１との間の距離よりも大きくなる。このような距離関係とすることで、マイクロキャビティ効果を有効に得ることができる。有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬが白発光である場合は、マイクロキャビティ効果を得るためには上述したような形で赤緑青にて自発光層Ｅ１の膜厚を変える必要があり、本来白発光にて不必要なファインマスクが必要である。赤緑青の塗り分け方式であれば、それぞれの色ごとに元々自発光層Ｅ１をファインマスクにて作り分ける必要があるので、特に製造コストが上がることはないために有効である。半反射型の極薄の金属は透明金属酸化物膜よりも厚みが薄いために、自発光層Ｅ１に対するダメージが少ない。これは半反射型の極薄の金属は薄いためにすぐにスパッタ等で形成されるので、自発光層Ｅ１に対するダメージが小さい。透明金属酸化物膜は光透過性層ＬＴ１があるために、ある程度長い時間でスパッタ等で形成されたとしてもダメージは光透過性層ＬＴ１に吸収されるため、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬの発光特性が良好となる。
【００３４】
第２の実施形態における自発光表示装置１は、上述のような点で第１の実施形態における自発光表示装置１と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第１の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
【００３５】
［第３の実施形態］
次に図７を用いて本発明の第３の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第３の実施形態における自発光表示装置１における光透過性層ＬＴの上面は、第２共通電極Ｃ２の方向に凹となるように形成される凹領域を有して形成される。換言すると、光透過性層ＬＴは、バンク層ＢＮＫに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凹となるように形成される（凹レンズ状に形成される）。また、光透過性層ＬＴの上方にある第２共通電極Ｃ２および封止層ＰＲも光透過性層ＬＴの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第３の実施形態の自発光表示装置１は、このような点で、第１の実施形態における自発光表示装置１とは相違している。
【００３６】
また図７のように光透過性層ＬＴが形成されることで、正面方向の発光が屈折させられて、視野角が改善されることになる。なお光透過性層ＬＴの屈折率と充填層ＦＬの屈折率のうち、充填層ＦＬのほうが小さい場合には、図７の左側の画素における矢印のように、正面方向の発光が外側に広がるように屈折させられるが、光透過性層ＬＴの方が小さい場合には、図７の左側の画素における矢印とは逆に、正面方向の発光が内側に集光されるように屈折される。しかしながら光透過性層ＬＴの屈折率の方が小さい場合であっても、内側に集光された後に外側に広がるように発光が伝播するので、いずれにしても正面方向の発光が外側に広がるように伝播して視野角が改善されることになる。
【００３７】
なお、図７のような光透過性層ＬＴを加工する工程としては、インクジェットにより光透過性層ＬＴを形成し、その条件を適宜設定すればよい。
【００３８】
また、第１共通電極Ｃ１を半透過・半反射型の極薄の金属（例えば、銀、Ｍｇ、ＭｇＡｇなど）とし、第２共通電極Ｃ２をＩＴＯ等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極Ｐ１と第１共通電極Ｃ１との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層ＬＴがレンズ形状となるため、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。このことは第２の実施形態にて説明した内容と同様であり、カラーフィルタ層ＣＦの構成や有機エレクトトロルミネッセンス素子ＯＬの構成においても同様である。
【００３９】
第３の実施形態における自発光表示装置１は、上述のような点で第１の実施形態における自発光表示装置１と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第１の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
【００４０】
［第４の実施形態］
次に図８を用いて本発明の第４の実施形態の自発光表示装置１について説明をする。第４の実施形態においては、光透過性層ＬＴがカラーレジストによって形成されて、カラーフィルタとしての機能を果たすようになっている点で第１の実施形態の自発光表示装置１とは相違している。
【００４１】
図８で示されるように、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２の間において、青色光透過性層ＬＴｂと、赤色光透過性層ＬＴｒと、緑色光透過性層ＬＴｇが配置されて、自発光層Ｅ１の近傍にて着色されるようになっている。このようにカラーフィルタとして機能して、通過する光の波長域がそれぞれ異なる光透過性層ＬＴｒ，ＬＴｂ，ＬＴｇが配置されることで、混色の発生が低減されると共に、対向基板Ｂ２を省略することも出来るため低コストな自発光表示装置を実現することができる。
【００４２】
第４の実施形態における自発光表示装置１は、上述のような点で第１の実施形態における自発光表示装置１と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第１の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
【００４３】
［第５の実施形態］
次に図９を用いて第５の実施形態の自発光表示装置１について説明をする。第１の実施形態の自発光表示装置１では、複数の画素に共通するように自発光層Ｅ１が形成されて、自発光層Ｅ１が単一色で発光する（複数色のカラーフィルタＣＦのそれぞれを通過する光を含むように発光する）ようになっているが、第５の実施形態においては、複数の画素において個別に自発光層Ｅ１が形成されて、複数色のいずれかで発光するように自発光層Ｅ１が塗り分けられている点で相違している。
【００４４】
なお、図９における対向基板Ｂ２においては、通過する光の波長域がそれぞれ異なる着色層を含むカラーフィルタやブラックマトリクスが形成されていてもよい。さらに第２の実施形態において説明したように、第１共通電極Ｃ１を半透過・半反射型の極薄の金属とし、第２共通電極Ｃ２をＩＴＯ等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極Ｐ１と第１共通電極Ｃ１との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層ＬＴがレンズ形状となるため、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。このことは第２の実施形態にて説明した内容と同様であり、カラーフィルタ層ＣＦの構成や有機エレクトトロルミネッセンス素子ＯＬの構成においても同様である。
【００４５】
第５の実施形態における自発光表示装置１は、上述のような点で第１の実施形態における自発光表示装置１と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第１の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
【００４６】
なお上記の各実施形態における自発光表示装置１としては、第１共通電極Ｃ１と第２共通電極Ｃ２とが複数の画素に共通するようにベタ状に形成されるようになっているが、必ずしもこのような態様には限定されない。
【００４７】
なお第１の実施形態における第１共通電極Ｃ１と第２共通電極の一方において、半透過・半透明の金属が使用されて、マイクロキャビティ効果を促すようになっていてもよい。
【００４８】
なお、上記の実施形態における自発光表示装置としては、有機ＥＬ表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような自発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００４９】
なお第１の実施形態においては、平坦化膜ＨＰＬやバンク層ＢＮＫを分断する構造ＣＴ１〜ＣＴ４が配置されて、これらの構造によって発生する封止層ＰＲにおける隙間を埋めるべく、有機絶縁膜が２層の無機絶縁膜の間に充填されているが、本発明は、このような態様に限定されないことは言うまでもなく、構造ＣＴ１〜ＣＴ４が存在しておらずともよいし、封止層ＰＲにおいて有機絶縁膜が含まれていなくともよい。
【００５０】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１  有機ＥＬ表示装置、ＤＰ  表示領域、Ｂ１  第１基板、Ｂ２  第２基板、ＥＸ  露出領域、ＦＰＣ  フレキシブルプリント基板、ＩＣ  ドライバ半導体装置、ＧＤＲ  走査信号線駆動部、ＤＤＲ  映像信号線駆動部、ＥＤＲ  電源駆動部、ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、ＰＸ  画素回路、ＯＬ  有機エレクトロルミネッセンス素子、ＣＦ  カラーフィルタ、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＦＬ  充填層、ＰＲ  封止層、ＤＭ  シール材、ＳＰ  スペーサ粒子、Ｃ１  第１共通電極、Ｃ２  第２共通電極、ＬＴ  光透過性層、Ｅ１  自発光層、Ｐ１  画素電極、ＣＰ  容量絶縁層、Ｌ１  配線層、ＣＨ  コンタクトホール、ＢＮＫ  バンク層、ＨＰＬ  平坦化層、ＣＬ  回路構成層、Ｔ１  透明導電層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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