(57)【要約】【課題】高い出力を有するハイパワー太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】ハイパワー太陽電池モジュールは、カバープレートと、バックプレートと、第一封止フィルムと、第二封止フィルムと、複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池と、複数の反射接続リボンを備える。各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は受光面及び受光面と向かい合う非受光面を有する。反射接続リボンは第一封止フィルムと第二封止フィルムとの間に位置し、いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池は少なくとも４つの反射接続リボンにより第一方向に沿って列ねられる。各反射接続リボンは複数三角柱状構造を有する。各三角柱状構造はカバープレートに向けて第一方向に沿って延伸する。【選択図】  図１
2017028238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバープレートと、
前記カバープレートと向かい合うバックプレートと、
前記カバープレートと前記バックプレートとの間に位置する第一封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記バックプレートとの間に位置する第二封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、受光面及び前記受光面と向かい合う非受光面を有する複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池と、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、前記カバープレートに向けて前記第一方向に沿って延伸する複数の三角柱状構造を有する複数の反射接続リボンと、を備え、
いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池は少なくとも４つの反射接続リボンにより第一方向に沿って列ねられることを特徴とするハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記バックプレートが前記カバープレートに面する表面にマイクロ構造を備え、前記マイクロ構造は前記カバープレートから前記ハイパワー太陽電池モジュールに入射した光束を反射し、前記光束を前記カバープレートの最表面で全反射させることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第一封止フィルム及び前記第二封止フィルムが波長２５０ｎｍから３４０ｎｍの範囲において光束の透過率が７０％より高いことを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項４】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、
前記受光面と前記非受光面との間に位置する第一表面及び前記第一表面と前記非受光面との間に位置する第二表面とを有するＰ型ドーピング基板と、
前記第一表面上に設けられるＮ型ドーピング層と、
前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、４つのバスバ電極を有する第一電極層と、
前記第二表面上に設けられ、複数の開口を有する絶縁層と、
第二電極層と、
少なくとも一部分の前記複数の開口に設けられる裏面電極層と、を備え、
各前記反射接続リボンはそのうち一つのバスバ電極上に位置することを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項５】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、前記第一電極層以外の領域に位置する反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記裏面電極層が前記絶縁層上にさらに設けられることを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記絶縁層は酸化物層、窒化物層又はこれら二者を重ねた層を含むことを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項８】
各前記反射接続リボンは、その幅が０．８ｍｍから１.５ｍｍの範囲にあり、その厚さが０．１５ｍｍから０．３ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記複数の反射接続リボンは熱硬化性導電接着層によってそれぞれ前記複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池上に固定されていることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項１０】
各前記反射接続リボンは、前記複数の三角柱状構造上に設けられ、その反射率が９５％より高いことである反射層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記反射層の材質は銀を含み、その厚さが０．５μｍから１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１０に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池モジュールに係り、特にハイパワー太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は太陽エネルギを電気エネルギに変換でき、且つ光電変換過程において二酸化炭素又は窒化物など環境に有害な物質を発生しないので、太陽電池は近年再生エネルギ研究において非常に重要であり、且つ歓迎されている。
【０００３】
太陽電池の種類は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、薄膜、色素太陽電池を有する。単結晶シリコンはＮ型太陽電池とＰ型太陽電池が有る。Ｎ型太陽電池は相対的に高い光電変換効率を有し、６０枚の６インチのＮ型太陽電池からなる太陽電池モジュールは３００Ｗ以上のパワーを達成できる。しかしながら、Ｎ型太陽電池はコストが非常に高く、製造工程の複雑さ及び歩留まりの低さの問題が存在する。Ｎ型太陽電池に対して、Ｐ型太陽電池のコストは相対的に低く、製造工程は相対的に簡易であり、歩留まりは相対的に高い。しかしながら、Ｐ型太陽電池の光電変換効率はＮ型太陽電池に及ばないため、Ｐ型太陽電池の出力は一般的にＮ型太陽電池の出力より低い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
現有する技術において、Ｐ型太陽電池の出力は改善されているが、このような改善の効果において、まだまだ改善の余地がある。
【０００５】
本発明は高い出力を有するハイパワー太陽電池モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明におけるハイパワー太陽電池モジュールは、カバープレートと、バックプレートと、第一封止フィルムと、第二封止フィルムと、複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池（Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｒｅａｒ  Ｃｏｎｔａｃｔ，ＰＥＲＣ）と、複数の反射接続リボンを備える。バックプレートはカバープレートと向かい合う。第一封止フィルムはカバープレートとバックプレートとの間に位置する。第二封止フィルムは第一封止フィルムとバックプレートとの間に位置する。Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は第一封止フィルムと第二封止フィルムとの間に位置し、各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は受光面及び受光面と向かい合う非受光面を有する。反射接続リボンは第一封止フィルムと第二封止フィルムとの間に位置し、いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池は少なくとも４つの反射接続リボンにより第一方向に沿って列ねられる。各反射接続リボンは複数三角柱状構造を有する。各前記三角柱状構造はカバープレートに向けて第一方向に沿って延伸する。
【０００７】
本発明の実施形態において、前記バックプレートが前記カバープレートに面する表面にマイクロ構造を備える。マイクロ構造はカバープレートからハイパワー太陽電池モジュールに入射した光束を反射し、光束をカバープレートの最表面で全反射（ｔｏｔａｌ  ｉｎｎｅｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）させる。
【０００８】
本発明の実施形態において、前記第一封止フィルム及び前記第二封止フィルムが波長２５０ｎｍから３４０ｎｍの範囲において光束の透過率が７０％より高い。
【０００９】
本発明の実施形態において、前記各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、Ｐ型ドーピング基板と、Ｎ型ドーピング層と、第一電極層と、絶縁層と、第二電極層と、裏面電極層とを備える。Ｐ型ドーピング基板は第一表面及び第二表面を有する。第一表面は受光面と非受光面との間に位置する。第二表面は第一表面と非受光面との間に位置する。Ｎ型ドーピング層は第一表面上に設けられる。第一電極層はＮ型ドーピング層上に設けられ、４つのバスバ電極を有する。各反射接続リボンはそのうち一つのバスバ電極上に位置する。絶縁層は第二表面上に設けられ、複数の開口を有する。裏面電極層は少なくとも一部分の開口に設けられる。
【００１０】
本発明の実施形態において、前記各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は反射防止層をさらに備える。反射防止層はＮ型ドーピング層上に設けられ、第一電極層以外の領域に位置する。
【００１１】
本発明の実施形態において、前記裏面電極層が絶縁層上にさらに設けられる。
【００１２】
本発明の実施形態において、前記絶縁層は酸化物層、窒化物層又は前記二者を重ねた層を含む。
【００１３】
本発明の実施形態において、前記各反射接続リボンは、その幅が０．８ｍｍから１.５ｍｍの範囲にあり、その厚さが０．１５ｍｍから０．３ｍｍの範囲にある。
【００１４】
本発明の実施形態において、前記反射接続リボンは熱硬化性導電接着層によってそれぞれＰ型裏面パッシベーション型太陽電池上に固定されている。
【００１５】
本発明の実施形態において、前記各反射接続リボンは反射層をさらに備える。反射層は三角柱状構造上に設けられ、その反射率は９５％より高いことである。
【００１６】
本発明の実施形態において、前記反射層の材質は銀を含み、その厚さが０．５μｍから１０μｍの範囲にある。
【発明の効果】
【００１７】
上記に基づき、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池はパッシベーションエミッタのバックコンタクトの構造を採用してＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の光電変換効率の向上をもたらし、反射接続リボンの数量及び三角柱状構造の設計は光の利用効率の向上をもたらし、本発明のハイパワー太陽電池モジュールは高い出力を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
本発明の上述した特徴と利点を更に明確化するために、以下、幾つかの実施形態を挙げて図面と共に詳細な内容を説明する。
【００１９】
【図１】本発明の実施形態におけるハイパワー太陽電池モジュールの断面図。
【図２】図１のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の断面図。
【図３】図１のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の正面図。
【図４】図１のハイパワー太陽電池モジュールの裏面図
【図５】図２のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の部分的な拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は本発明の実施形態におけるハイパワー太陽電池モジュールの断面図である。図２は図１のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の断面図である。図３は図１のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の正面図である。図４は図１のハイパワー太陽電池モジュールの裏面図であり、図１の第二封止フィルム及びバックプレートは省略されている。図５は図２のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の部分的な拡大図である。図１から図５に示すように、ハイパワー太陽電池モジュール１００はカバープレート１１０、バックプレート１２０、第一封止フィルム１３０、第二封止フィルム１４０、複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０、複数の反射接続リボン１６０を備える。
【００２１】
Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０が外力による衝撃を受けて損傷しないように、カバープレート１１０はその下方に位置するＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の保護に適する。また、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０が外界からの光束Ｌを吸収する影響を避けるために、カバープレート１１０の材質は透明である。上記透明の材質は一般的に高い透過率を有する材質を指しており、透過率が１００％である材質に限定する必要はない。例えば、カバープレート１１０は低鉄ガラスであることができるが、これに限定されない。
【００２２】
Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０が外力による衝撃を受けて損傷しないように、バックプレート１２０はカバープレート１１０と向かい合い、その上方に位置するＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の保護に適する。本実施形態において、光利用率を向上させるために、バックプレート１２０は反射バックプレートを用いることができる。例えば、バックプレート１２０はカバープレート１１０に面する表面（即ち、バックプレート１２０と第二封止フィルム１４０が接触する表面）は複数のマイクロ構造（図示せず）を有する。マイクロ構造はカバープレート１１０からハイパワー太陽電池モジュール１００に入射した光束Ｌを反射し、光束Ｌをカバープレート１１０に伝達させる。光束Ｌはカバープレート１１０の表面で全反射し、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に入射する。このように、ハイパワー太陽電池モジュール１００の出力の向上をもたらす。
【００２３】
第一封止フィルム１３０はカバープレート１１０とバックプレート１２０との間に位置する。第二封止フィルム１４０は第一封止フィルム１３０とバックプレート１２０との間に位置する。さらに、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０を封止するために、第一封止フィルム１３０及び第二封止フィルム１４０はＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の向かい合う２つの表面にそれぞれ位置する。第一封止フィルム１３０及び第二封止フィルム１４０の材質は環境中の水気、酸素を遮断するのに適した材質を用いる。また、第一封止フィルム１３０及び第二封止フィルム１４０の材質は透過率が高い材質を選ぶことができ、紫外線を透過する材質であることができる。このようにして、光束Ｌが第一封止フィルム１３０を透過してＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に伝達する確率を向上でき、バックプレート１２０によって反射した光束Ｌが第二封止フィルム１４０を透過してＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に伝達する確率を向上できる。例えば、第一封止フィルム１３０及び第二封止フィルム１４０の波長２５０ｎｍから３４０ｎｍの範囲において光束の透過率が７０％より高い。また、第一封止フィルム１３０及び第二封止フィルム１４０の材質はエチレンビニルアセテート（Ｅｔｙｙｌｅｎｅ  Ｖｉｎｙｌ  Ａｃｅｔａｔｅ，ＥＶＡ）、ポリビニルブチラール（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｂｕｔｙｒａｌ，ＰＶＢ）、ポリオレフィン（Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、又は、透明高分子絶縁接着剤であることができる。
【００２４】
Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０は第一封止フィルム１３０と第二封止フィルム１４０との間に位置し、各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０は受光面ＳＡ及び受光面ＳＡと向かい合う非受光面ＳＢを有し、受光面ＳＡはカバープレート１１０と非受光面ＳＢとの間に位置する。
【００２５】
図２はＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の一つの実施形態を図示しているが、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の構造は図２が図示するものに限定されない。図２に示すように、各Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０はＰ型ドーピング基板１５１、Ｎ型ドーピング層１５２、第一電極層１５３、絶縁層１５４、第二電極層１５５、裏面電極層１５６を備える。
【００２６】
Ｐ型ドーピング基板１５１は第一表面Ｓ１及び第二表面Ｓ２を有し、第一表面Ｓ１は受光面ＳＡと非受光面ＳＢとの間に位置し、第二表面Ｓ２は第一表面Ｓ１と非受光面ＳＢとの間に位置する。光束Ｌの吸収率を向上させるよう、第一表面Ｓ１及び第二表面Ｓ２の少なくとも一方は（図２の鋸歯状の表面が示すように）テクスチャード加工された（ｔｅｘｔｕｒｅｄ）表面を選択的に形成することができる。図２では第一表面Ｓ１はテクスチャード加工された表面であり、第二表面Ｓ２は平坦であるが、本発明はこれに限定しない。例えば、別の実施形態において、第一表面Ｓ１及び第二表面Ｓ２は同じテクスチャード加工された表面であることができる。
【００２７】
Ｎ型ドーピング層１５２は第一表面Ｓ１上に設けられ、Ｎ型ドーピング層１５２は例えば第一表面Ｓ１に形成される。即ち、Ｎ型ドーピング層１５２はテクスチャード加工された表面に対応して起伏している。
【００２８】
第一電極層１５３はＮ型ドーピング層１５２上に設けられる。第一電極層１５３は受光面ＳＡ側に位置するので、第一電極層１５３が光束Ｌを遮る割合を減らせるよう、第一電極層１５３はパターン化設計を有することができる。図３は第一電極層１５３の一つの実施形態を図示しているが、これに限定はされない。図３に示すように、第一電極層１５３は第一方向Ｄ１に沿って延伸する４つのバスバ電極ＢＥ（ｂｕｓｂａｒ）及びバスバ電極ＢＥから伸びる複数のフィンガ（ｆｉｎｇｅｒ）電極ＦＥを備える。フィンガ電極ＦＥは例えばそれぞれ第二方向Ｄ２に沿って延伸する。第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２は例えば互いに垂直であるが、これに限定されない。
【００２９】
絶縁層１５４は第二表面Ｓ２上に設けられ、複数の開口Ｏを有する。絶縁層１５４は酸化物層、窒化物層又はこれら二者を重ねた層を含むことができる。酸化物層は酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層であることができ、窒化物層は窒化シリコン層であることができるが、これに限定されない。
【００３０】
第二電極層１５５は一部分の開口Ｏに設けられ、裏面電極層１５６はそのほかの部分の開口Ｏに設けられる。図２に示すように、第二電極層１５５は例えばバスバ電極ＢＥに対応する開口Ｏに設けられ、複数のバスバ電極ＢＥ’を有することができ、バスバ電極ＢＥ’及びバスバ電極ＢＥは相似するパターン設計を含むことができるが、これに限定されない。本実施形態において、裏面電極層１５６は絶縁層１５４上にさらに設けることができる。昇温製造工程により、裏面電極層１５６を第二表面Ｓ２付近の開口Ｏにおいて局部裏面電界ＬＢ（Ｌｏｃａｌ  Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ、Ｌｏｃａｌ  ＢＳＦ）を形成させる。このように、キャリアの収集を増加でき、吸収されていない光子を回収でき、光電変換効率を向上できる。別の実施形態において、第二表面Ｓ２に対応する開口Ｏにおいて複数の図示されていない凹みを形成でき、裏面電極層１５６を凹みに充填させて、このように、局部裏面電界の形成をもたらす。
【００３１】
Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０は反射防止層１５７をさらに備えることができる。光束Ｌの吸収率を向上させるよう、反射防止層１５７はＮ型ドーピング層１５２上に設けられ、第一電極層１５３以外の領域に位置する。必要に応じて、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０はその他の膜層をさらに備えることができるが、ここでは説明しない。
【００３２】
反射接続リボン１６０は、第一方向Ｄ１に沿ってＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０を直列に接続し、第二方向Ｄ２に沿って配列する電池ストリングＲを形成するため、第一封止フィルム１３０と第二封止フィルム１４０との間に位置する（図４に図示する）。また、図２に示すように、いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０は少なくとも４つの反射接続リボン１６０により第一方向Ｄ１に沿って列ねられる。さらに、反射接続リボン１６０の一部分はそのうち一つのバスバ電極ＢＥ上に設けられ、バスバ電極ＢＥと反射接続リボン１６０とを一対一の設置関係にさせる。また、各反射接続リボン１６０の別の部分はそのうち一つのバスバ電極ＢＥ’上に設けられ、バスバ電極ＢＥ’と反射接続リボン１６０とを一対一の設置関係にさせる。本実施形態において、各反射接続リボン１６０は、幅Ｗ１６０が０．８ｍｍから１.５ｍｍの範囲にあり、その厚さＨ１６０が０．１５ｍｍから０．３ｍｍの範囲にある。バスバ電極ＢＥ、ＢＥ’の幅ＷＢＥ、ＷＢＥ’は反射接続リボン１６０の幅Ｗ１６０と同じであることができるが、これに限定されない。別の実施形態において、バスバ電極ＢＥ、ＢＥ’の幅ＷＢＥ、ＷＢＥ’は反射接続リボン１６０の幅Ｗ１６０より僅かに小さい。
【００３３】
図４に示すように、電池ストリングＲを直列接続するよう、ハイパワー太陽電池モジュール１００は複数のバスバ１７０をさらに有することができる。必要に応じて、ハイパワー太陽電池モジュール１００は、バイパスダイオードやジャンクションボックスのような本分野で知られているその他の部材を有することできるが、ここでは説明しない。
【００３４】
図５に示すように、各反射接続リボン１６０は複数の三角柱状構造１６２を有する。各三角柱状構造１６２はカバープレート１１０に向けて第一方向Ｄ１に沿って延伸される。本実施形態において、各三角柱状構造１６２は、例えば二等辺三角形であり、各三角柱状構造１６２の頂角θは例えば６０°から９０°の範囲にあるが、これに限定されない。
【００３５】
頂角θの設計は、光の利用効率を最適化するよう、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に対応する反射接続リボン１６０の数量（４つ）に合わせることができる。具体的には、反射接続リボン１６０に照射した光束Ｌの三角柱状構造１６２を経由した反射は順番にカバープレート１１０に伝達され、カバープレート１１０の最表面Ｓ３で全反射し、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に伝達され、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に吸収され、光の利用率の向上をもたらす。全反射された光束ＬがＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０に伝達するかしないかは反射接続リボン１６０の数量と頂角θと関連する。したがって、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０の対応する反射接続リボン１６０の数量（４つ）及び三角柱状構造の設計を調節することは、本実施形態において、光の利用効率を最適化し、ハイパワー太陽電池モジュール１００の出力を向上させる。
【００３６】
現在の市場における６０枚のＰ型太陽電池の太陽電池モジュールにおいて、その出力は約２８０Ｗである。しかしながら、上記設計により、本実施形態におけるハイパワー太陽電池モジュール１００の出力は実際の測定を経て３００Ｗまで達成でき（７．１％の出力の向上）、この出力は現在の６０枚のＰ型太陽電池の太陽電池モジュールが達成できないものである。
【００３７】
反射接続リボン１６０とＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０との間をしっかりと接合させるために、反射接続リボン１６０は熱硬化性導電接着層ＡＤによりＰ型裏面パッシベーション型太陽電池１５０上にそれぞれ固定する。具体的には、熱硬化性導電接着層ＡＤは反射接続リボン１６０とバスバ電極ＢＥとの間、及び反射接続リボン１６０とバスバ電極ＢＥ’との間に位置する。熱硬化性導電接着層ＡＤは導電粒子を含み、昇温製造工程において硬化するいかなる粘着層でもよい。例えば、熱硬化性導電接着層ＡＤは台湾特許公告番号Ｉ２８４３２８に記載される導電性ペーストであることができるが、これに限定されない。
【００３８】
また、反射接続リボン１６０の反射率をさらに向上するよう、反射接続リボン１６０は反射層１６４をさらに備えることができる（反射層１６４は非常に薄く、図５に図示するのみである）。反射層１６４は三角柱状構造１６２上に設けられ、その反射率が９５％より高いことである。例えば、反射層１６４の材料は銀を含むアルミニウムであり、反射層１６４の厚さＨ１６４が０．５μｍから１０μｍの範囲にある。
【００３９】
以上のように、Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池はパッシベーションエミッタのバックコンタクトの構造を採用してＰ型裏面パッシベーション型太陽電池の光電変換効率の向上をもたらし、反射接続リボンの数量及び三角柱状構造の設計は光の利用効率の向上をもたらし、本発明のハイパワー太陽電池モジュールは高い出力を備える。
【００４０】
本発明は以上の実施形態のように示したが、本発明は、これに限られるものではなく、当業者が本発明の精神の範囲から逸脱しない範囲において、変更又は修正することが可能であるが故に本発明の保護範囲は均等の範囲にまで及ぶものとする。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は高い出力を有するハイパワー太陽電池モジュールを提供する。
【符号の説明】
【００４２】
１００：ハイパワー太陽電池モジュール
１１０：カバープレート
１２０：バックプレート
１３０：第一封止フィルム
１４０：第二封止フィルム
１５０：Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池
１５１：Ｐ型ドーピング基板
１５２：Ｎ型ドーピング層
１５３：第一電極層
１５４：絶縁層
１５５：第二電極層
１５６：裏面電極層
１５７：反射防止層
１６０：反射接続リボン
１６２：三角柱状構造
１６４：反射層
１７０：バスバ
ＡＤ：熱硬化性導電接着層
ＢＥ、ＢＥ’：バスバ電極
Ｄ１：第一方向
Ｄ２：第二方向
ＦＥ：フィンガ電極
Ｈ１６０、Ｈ１６４：厚さ
Ｌ：光束
ＬＢ：局部裏面電界
Ｏ：開口
Ｒ：電池ストリング
Ｓ１：第一表面
Ｓ２：第二表面
Ｓ３：最表面
ＳＡ：受光面
ＳＢ：非受光面
Ｗ１６０、ＷＢＥ、ＷＢＥ’：幅
θ：頂角
【図１】
2017028238.tif 000003
【図２】
2017028238.tif 000004
【図３】
2017028238.tif 000005
【図４】
2017028238.tif 000006
【図５】
2017028238.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバープレートと、
前記カバープレートと向かい合うバックプレートと、
前記カバープレートと前記バックプレートとの間に位置する第一封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記バックプレートとの間に位置する第二封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、受光面及び前記受光面と向かい合う非受光面を有する複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池と、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、前記カバープレートに向けて第一方向に沿って延伸する複数の三角柱状構造を有する複数の反射接続リボンと、を備え、
いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池は少なくとも４つの反射接続リボンにより前記第一方向に沿って列ねられ、
前記複数の反射接続リボンは導電性ペーストによってそれぞれ前記複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池上に固定されていることを特徴とするハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記バックプレートが前記カバープレートに面する表面にマイクロ構造を備え、前記マイクロ構造は前記カバープレートから前記ハイパワー太陽電池モジュールに入射した光束を反射し、前記光束を前記カバープレートの最表面で全反射させることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第一封止フィルム及び前記第二封止フィルムが波長２５０ｎｍから３４０ｎｍの範囲において光束の透過率が７０％より高いことを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項４】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、
前記受光面と前記非受光面との間に位置する第一表面及び前記第一表面と前記非受光面との間に位置する第二表面とを有するＰ型ドーピング基板と、
前記第一表面上に設けられるＮ型ドーピング層と、
前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、４つのバスバ電極を有する第一電極層と、
前記第二表面上に設けられ、複数の開口を有する絶縁層と、
第二電極層と、
少なくとも一部分の前記複数の開口に設けられる裏面電極層と、を備え、
各前記反射接続リボンはそのうち一つのバスバ電極上に位置することを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項５】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、前記第一電極層以外の領域に位置する反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記裏面電極層が前記絶縁層上にさらに設けられることを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記絶縁層は酸化物層、窒化物層又はこれら二者を重ねた層を含むことを特徴とする請求項４に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項８】
各前記反射接続リボンは、その幅が０．８ｍｍから１.５ｍｍの範囲にあり、その厚さが０．１５ｍｍから０．３ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項９】
各前記反射接続リボンは、前記複数の三角柱状構造上に設けられ、反射層をさらに備え、
前記反射層の材質は銀を含み、その厚さが０．５μｍから１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の実施形態において、前記各反射接続リボンは反射層をさらに備える。反射層は三角柱状構造上に設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、反射接続リボン１６０の反射率をさらに向上するよう、反射接続リボン１６０は反射層１６４をさらに備えることができる（反射層１６４は非常に薄く、図５に図示するのみである）。反射層１６４は三角柱状構造１６２上に設けられる。例えば、反射層１６４の材料は銀を含み、反射層１６４の厚さＨ１６４が０．５μｍから１０μｍの範囲にある。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバープレートと、
前記カバープレートと向かい合うバックプレートと、
前記カバープレートと前記バックプレートとの間に位置する第一封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記バックプレートとの間に位置する第二封止フィルムと、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、受光面及び前記受光面と向かい合う非受光面を有する複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池と、
前記第一封止フィルムと前記第二封止フィルムとの間に位置し、前記カバープレートに向けて第一方向に沿って延伸する複数の三角柱状構造を有する複数の反射接続リボンと、を備え、
いずれか２つの隣り合うＰ型裏面パッシベーション型太陽電池は少なくとも４つの反射接続リボンにより前記第一方向に沿って列ねられ、
前記複数の反射接続リボンは導電性ペーストによってそれぞれ前記複数のＰ型裏面パッシベーション型太陽電池上に固定されており、
前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池のバスバ電極と前記反射接続リボンとは、一対一の設置関係にあることを特徴とするハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第一封止フィルム及び前記第二封止フィルムが波長２５０ｎｍから３４０ｎｍの範囲において光束の透過率が７０％より高いことを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項３】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、
前記受光面と前記非受光面との間に位置する第一表面及び前記第一表面と前記非受光面との間に位置する第二表面とを有するＰ型ドーピング基板と、
前記第一表面上に設けられるＮ型ドーピング層と、
前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、４つのバスバ電極を有する第一電極層と、
前記第二表面上に設けられ、複数の開口を有する絶縁層と、
第二電極層と、
少なくとも一部分の前記複数の開口に設けられる裏面電極層と、を備え、
各前記反射接続リボンはそのうち一つのバスバ電極上に位置することを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項４】
各前記Ｐ型裏面パッシベーション型太陽電池は、前記Ｎ型ドーピング層上に設けられ、前記第一電極層以外の領域に位置する反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記裏面電極層が前記絶縁層上にさらに設けられることを特徴とする請求項３に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記絶縁層は酸化物層、窒化物層又はこれら二者を重ねた層を含むことを特徴とする請求項３に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項７】
各前記反射接続リボンは、その幅が０．８ｍｍから１.５ｍｍの範囲にあり、その厚さが０．１５ｍｍから０．３ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。
【請求項８】
各前記反射接続リボンは、前記複数の三角柱状構造上に設けられ、反射層をさらに備え、
前記反射層の材質は銀を含み、その厚さが０．５μｍから１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー太陽電池モジュール。