(57)【要約】      （修正有）【課題】品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を得ることができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成され区画された複数の領域に表面にバンプ２３を備えたデバイスが形成されたウエーハ２の加工方法であって、第１の厚みを有する切削ブレード３２３によってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する工程と、ウエーハの表面にモールド樹脂４０を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する工程と、ウエーハの表面に保護部材６を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面２ｂを研削して切削溝２１０を表出させる工程と、ウエーハの裏面側から切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割する工程と、表面に貼着されている保護部材を剥離する工程とを含む。【選択図】図９
2017022162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面側から該切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該切削溝に沿って切断してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程が実施されたウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該分割工程は、該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該切削溝に沿って切削してウエーハを個々のデバイスに分割する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該分割工程は、ウエーハの裏面側から該切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部に該第１の厚みより細いレーザー光線を該切削溝に沿って照射してウエーハを個々のデバイスに分割する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
近年、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに、個々のデバイスを樹脂で被覆するパッケージ技術が開発されている。このパッケージ技術の一つであるウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージ技術が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
下記特許文献１に開示されたパッケージ技術は、ウエーハの裏面に樹脂を被覆し、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って樹脂に達する切削溝を形成し、ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設して各デバイスを被覆するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設した後、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に充填されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。
【０００５】
また、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を製造するウエーハの加工方法として次の技術が開発されている。
（１）ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する。
（２）ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する。
（３）ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。
（４）ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したいずれの加工方法においても、切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断する際、ウエーハの表面にはモールド樹脂が敷設されているため、デバイスに形成されモールド樹脂の表面から露出されている突起電極であるバンプを基準として分割予定ラインに沿って形成された切削溝に埋設されているモールド樹脂を間接的に検出して切削ブレードを位置付けている。しかるに、バンプと分割予定ラインとが必ずしも正確な位置関係なっていないことに起因して切削ブレードが分割予定ラインに形成された切削溝に埋設されているモールド樹脂から外れてウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成するデバイスの側面に傷をつけるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を得ることができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面側から該切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該切削溝に沿って切断してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程が実施されたウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
上記分割工程は、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を切削溝に沿って切削してウエーハを個々のデバイスに分割する。
また、上記分割工程は、ウエーハの裏面側から切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部に上記第１の厚みより細いレーザー光線を切削溝に沿って照射してウエーハを個々のデバイスに分割する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明におけるウエーハの加工方法は、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面側から該切削溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該切削溝に沿って切断してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、該分割工程が実施されたウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程とを含んでおり、分割工程は、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って形成された切削溝に埋設され裏面に露出するモールド樹脂を切断するので、切削溝に埋設されているモールド樹脂を確実に検出することができ、モールド樹脂の幅方向中央部を切削ブレードやレーザー光線によって正確に切断することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題やデバイスを損傷させるという問題が解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法におけるモールディング工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法におけるバンプ露出工程を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の第１の実施形態を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の第１の実施形態の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の第２の実施形態を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の第２の実施形態の説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法におけるサポート部材貼着工程の説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法によって個々に分割されたデバイスの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この各デバイス２２は、全て同一の構成をしている。デバイス２２の表面にはそれぞれ複数の突起電極であるバンプ２３が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法について説明する。
【００１５】
先ず、第１の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の表面側から分割予定ライン２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図示の実施形態においては図２に示す切削装置３を用いて実施する。図２に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図２において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１６】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された環状の切れ刃３２３ａを備えた切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２ａで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａは、図示の実施形態においては第１の厚みである５０μｍに設定されている。上記撮像手段３３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１７】
上述した切削装置３を用いて切削溝形成工程を実施するには、図２に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１８】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１の一端（図３の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図３の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図３の（ａ）および図３の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの下端が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、２００μｍ）に設定されている。
【００２０】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図３の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図３の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、２００μｍ）で幅が５０μｍの切削溝２１０が形成される（切削溝形成工程）。
【００２１】
次に、切削ブレード３２３を図３の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図３の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図３の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削溝形成工程を実施する。そして、上述した切削溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。
【００２２】
上述した切削溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝２１０にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。このモールディング工程は、図４の（ａ）に示すように樹脂被覆装置４の保持テーブル４１の上面である保持面上に上記切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テーブル４１の保持面上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、保持テーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、保持テーブル４１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図４の（ａ）に示すように樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中心部に位置付け、図示しない樹脂供給手段を作動して、樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１からモールド樹脂４０を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中央領域に所定量滴下する。半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域へ所定量のモールド樹脂４０を滴下したならば、図４の（ｂ）に示すように保持テーブル４１を矢印４１ａで示す方向に所定の回転速度で所定時間回転することにより、図４の（ｂ）および（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０が敷設されるとともに切削溝２１０にモールド樹脂４０が埋設される。なお、モールド樹脂４０は、図示の実施形態においては熱硬化性の液状樹脂（エポキシ系の樹脂）が用いられており、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるとともに切削溝２１０に埋設された後、１５０℃程度で加熱することにより硬化せしめられる。
【００２３】
次に、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０を研磨して、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３を露出するバンプ露出工程を実施する。このバンプ露出工程は、図５の（ａ）に示す研磨装置５を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研磨装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研磨する研磨手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に回転せしめられる。研磨手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研磨工具５２４とを具備している。この研磨工具５２４は、円形状の基台５２５と、該基台５２５の下面に装着された研磨パッド５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。なお、研磨パッド５２６は、図示の実施形態においては、フェルトに研磨材としてシリカからなる砥粒が混入されている。
【００２４】
上述した研磨装置５を用いて上記バンプ露出工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、研磨手段５２の研磨工具５２４を図５の（ａ）において矢印５２４ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめて、図５の（ｂ）に示すように研磨パッド５２６を被加工面である表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の上面に接触せしめ、研磨工具５２４を図５の（ａ）および図５の（ｂ）において矢印５２４ｂで示すように所定の研磨送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研磨送りする。この結果、図５の（ｃ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が研磨され、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３が露出せしめられる。
なお、上記モールディング工程においてバンプ２３を被覆しないで半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。
【００２５】
上述したバンプ露出工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図６に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。
【００２６】
次に、保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図７に示す研削装置７を用いて実施する。図７の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図７の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段７２は、スピンドルハウジング７２１と、該スピンドルハウジング７２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル７２２と、該回転スピンドル７２２の下端に装着されたマウンター７２３と、該マウンター７２３の下面に取り付けられた研削ホイール７２４とを具備している。この研削ホイール７２４は、円環状の基台７２５と、該基台７２５の下面に環状に装着された研削砥石７２６とからなっており、基台７２５がマウンター７２３の下面に締結ボルト７２７によって取り付けられている。
【００２７】
上述した研削装置７を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図７の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図７の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図７の（ａ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図７の（ｂ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール７２４を図７の（ａ）および図７の（ｂ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図７の（ｃ）で示すように切削溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。
【００２８】
上述した裏面研削工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に沿って露出したモールド樹脂４０の幅方向中央部を切削溝２１０に沿って切断してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程の第１の実施形態について、図８および図９を参照して説明する。
【００２９】
分割工程の第１の実施形態は、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に沿って露出したモールド樹脂４０の幅方向中央部を切削溝２１０に沿って切削して半導体ウエーハ２を個々のデバイスに分割する。この分割工程の第１の実施形態は、図示の実施形態においては図８に示す切削装置３０を用いて実施する。なお、図８に示す切削装置３０は、上記図２に示す切削装置３と切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図８に示す切削装置３０における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂは、上記環状の切れ刃３２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より薄い第２の厚みである２０μｍに設定されている。
【００３０】
図８に示す切削装置３０を用いて分割工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００３１】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段３３によって撮像することにより明確に検出することができる。
【００３２】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図９の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図９の（ａ）において左端）を切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量右側に位置するように位置付けるとともに、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。
【００３３】
このようにして切削装置３０のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図９の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図９の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図９の（ａ）および図９の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの下端が半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着された保護テープ６に達する位置に設定されている。
【００３４】
次に、切削ブレード３２３を図９の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図９の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図９の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０および半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０は保護テープ６に達する幅が２０μｍの分割溝４０１によって完全切削される（分割工程）。この分割工程は、分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に埋設され半導体ウエーハ２の裏面に露出するモールド樹脂４０を切削するので、モールド樹脂４０の幅方向中央を切削ブレード３２３によって切削溝２１０に沿って正確に切削することができるため、デバイスの側面に傷を付けるという問題が解消される。
【００３５】
次に、切削ブレード３２３を図９の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図９の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図９の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した分割工程を実施する。そして、上述した分割工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に実施する。
【００３６】
次に、分割工程の第２の実施形態について、図１０および図１１を参照して説明する。この分割工程の第２の実施形態は、図１０に示すレーザー加工装置８を用いて実施する。図１０に示すレーザー加工装置８は、被加工物を保持するチャックテーブル８１と、該チャックテーブル８１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８２と、チャックテーブル８１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段８３を具備している。チャックテーブル８１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図１０において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００３７】
上記レーザー光線照射手段８２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング８２１の先端に装着された集光器８２２からパルスレーザー光線を照射する。なお、集光器８２２から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットは、図示の実施形態においては上記切削装置３における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より小さい直径である１０μｍに設定されている。また、上記レーザー光線照射手段８２を構成するケーシング８２１の先端部に装着された撮像手段８３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００３８】
上述したレーザー加工装置８を用いて実施する分割工程の第２の実施形態について、図１０および図１１を参照して説明する。
この分割工程は、先ず上述した図１０に示すレーザー加工装置８のチャックテーブル８１上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル８１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル８１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル８１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段８３の直下に位置付けられる。
【００３９】
チャックテーブル８１が撮像手段８３の直下に位置付けられると、撮像手段８３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段８３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０と、該切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８２の集光器８２２との位置合わせを行うためのアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このアライメント工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面に露出されているので、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を撮像手段８３によって撮像することにより明確に検出することができる。
【００４０】
以上のようにしてチャックテーブル８１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図１１の（ａ）で示すようにチャックテーブル８１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８２の集光器８２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図１１の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段８２の集光器８２２の直下に位置付けるとともに、図１１の（ｃ）に示すように切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の幅方向中央を集光器８２２の直下に位置付ける。そして、集光器８２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図１１の（ｃ）に示すように切削溝２１０に埋設され半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出されたモールド樹脂４０の上面付近に位置付ける。なお、集光器８２２から照射されるパルスレーザー光線の集光スポット径は、図示の実施形態においてはφ１０μｍに設定されている。従って、集光器８２２は上記切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの第１の厚み（５０μｍ）より細いパルスレーザー光線を照射する。次に、集光器８２２からモールド樹脂４０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル８１を図１１の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図１１（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段８２の集光器８２２の照射位置が切削溝２１０の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル８１の移動を停止する。この結果、図１１（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０には、幅方向中央部に切削溝２１０に沿って保護テープ６に達する幅が略１０μｍのレーザー加工溝４０２が形成される。
【００４１】
なお、上記分割工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：２Ｗ
集光スポット径          ：φ１０μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００４２】
上述したように所定の分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に沿って上記分割工程を実施したら、チャックテーブル８１を図１１（ｂ）において紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に形成された全ての切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って上記分割工程を実施したならば、チャックテーブル８１を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン２１に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って上記分割工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、分割予定ライン２１によって形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って個々のデバイスに分割される。この分割工程は、分割予定ライン２１に沿って形成された切削溝２１０に埋設され裏面に露出するモールド樹脂４０にレーザー光線を照射するので、モールド樹脂４０の幅方向中央に切削溝２１０に沿って確実にレーザー光線を照射することができるため、デバイスを損傷することはない。
【００４３】
上述した分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。即ち、図１２に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した分割工程の第１の実施形態または第２の実施形態が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、ウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハ２は、次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、図１３に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。
【符号の説明】
【００４４】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
３，３０：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：樹脂被覆装置
４０：モールド樹脂
５：研磨装置
５１：研磨装置のチャックテーブル
５２：研磨手段
５２４：研磨工具
６：保護テープ
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
７６：研削ホイール
８：レーザー加工装置
８１：レーザー加工装置のチャックテーブル
８２：レーザー光線照射手段
８２２：集光器
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017022162.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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