(57)【要約】【課題】ペーストの滲みを抑制する構造体の製造方法を提供する。【解決手段】下地１２１、１３の表面に、下地１２１、１３とは反対側の上面に開口した凹部１４１を備える第１構造体１４ａを形成する工程と、下地１２１、１３および第１構造体１４ａの表面に印刷により第２構造体を形成する工程と、を備え、第１構造体１４ａの表面に第２構造体を形成する際、第２構造体を構成する材料のうち凹部１４１の上部に置かれた分を凹部１４１に閉じこめられた気泡により弾き、第２構造体を構成する材料が第２構造体の形成予定領域の外へ至る経路の幅を狭め、第２構造体が第２構造体の形成予定領域の外に形成されることを抑制する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地（１２１、１３、２１）の表面に、前記下地とは反対側の上面に開口した凹部（１４１、２２２）を備える第１構造体（１４ａ、２２）を形成する工程と、
前記下地および前記第１構造体の表面に印刷により第２構造体（１５ａ、２３）を形成する工程と、を備え、
前記第１構造体の表面に前記第２構造体を形成する際、前記第２構造体を構成する材料のうち前記凹部の上部に置かれた分を前記凹部に閉じこめられた気泡により弾き、前記第２構造体を構成する材料が前記第２構造体の形成予定領域の外へ至る経路の幅を狭め、前記第２構造体が前記第２構造体の形成予定領域の外に形成されることを抑制することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第１構造体を形成する工程では、前記第１構造体のうち、前記上面と前記下地に接する面とを連結する面を側面として、前記凹部が前記第１構造体の前記上面に加えて前記側面にも開口するように前記第１構造体を形成することを特徴とする請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第１構造体を形成する工程では、前記凹部のうち前記第１構造体の前記側面の側での開口幅を小さくする突起（１４２）が形成されるように前記第１構造体を形成することを特徴とする請求項２に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第１構造体を形成する工程では、前記凹部が前記第１構造体の前記上面にのみ開口するように前記第１構造体を形成することを特徴とする請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第２構造体を形成する工程では、絶縁性または導電性のペースト材料を用いて前記第２構造体を形成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第２構造体を形成する工程では、スクリーン印刷を用いて前記第２構造体を形成することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第１構造体を形成する工程では、前記凹部が複数形成されるように前記第１構造体を形成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第１構造体を形成する工程では、絶縁性または導電性の材料を用いて前記第１構造体を形成することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の構造体の製造方法。
【請求項９】
板状の下部磁性体（１２１）と、
前記下部磁性体の上に渦巻き状に形成されるとともに、前記下部磁性体とは反対側の上面に開口した凹部（１４１）を有する金属配線（１４ａ）と、
前記下部磁性体および前記金属配線の上に形成された絶縁層（１５ａ）と、
前記絶縁層の表面に形成された上部磁性体（１２２）と、を備え、
前記金属配線のうち前記凹部が形成された部分と、前記絶縁層および前記上部磁性体との間に、気泡が閉じこめられていることを特徴とするインダクタ。
【請求項１０】
前記上部磁性体が埋め込まれることにより磁心が形成されるコア部（１６）を備え、
前記金属配線のうち前記凹部が形成された部分は、前記金属配線のうち前記コア部に隣接する部分に位置することを特徴とする請求項９に記載のインダクタ。
【請求項１１】
前記金属配線は、前記金属配線のうち、前記上面と、前記上面とは反対側の面とを連結する面を側面として、前記金属配線の前記上面に加えて前記側面にも開口する前記凹部を有することを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタ。
【請求項１２】
前記金属配線のうち前記凹部が形成された部分の前記側面に形成されるとともに、前記凹部のうち前記金属配線の前記側面の側での開口幅を小さくする突起（１４２）を備えることを特徴とする請求項１１に記載のインダクタ。
【請求項１３】
前記金属配線は、前記金属配線の前記上面にのみ開口する前記凹部を有することを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の製造方法およびこの構造体の製造方法を用いて製造されるインダクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大電流を扱う小型パワーインダクタでは、金属配線、絶縁層、磁性体等の各構成を厚く形成する必要がある。その要求から、安価でかつ厚塗りが可能なスクリーン印刷手法で各構成部分を形成することが有効である。
【０００３】
例えば、特許文献１では、スクリーン印刷を用いて導体と絶縁体を積層し、コイルを製造する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−６９０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属配線および絶縁層が磁性体で覆われた形状であるＰｏｔ−ｃｏｒｅ形状のプレーナ型パワーインダクタ（コイル）は高いエネルギー密度を実現できるため、多くの小型オンチップパワーインダクタおよびトランスに採用されている。
【０００６】
Ｐｏｔ−ｃｏｒｅ形状コイルの一般的プロセスでは、磁性体を２段階で成膜する。具体的には、下部磁性体を成膜し、下部磁性体の上面に金属配線および絶縁層を形成する。そして、金属配線および絶縁層を覆うように上部磁性体を成膜するとともに、芯部分の埋め込みを行う。
【０００７】
このようなＰｏｔ−ｃｏｒｅ形状コイルの製造において絶縁層の形成にスクリーン印刷を用いる場合、絶縁層を構成するペースト材料の芯部分への滲みが問題となる。各構成を厚く形成するためには絶縁材料ペーストの高充填圧を要するため、絶縁層の形成予定領域の外、特に芯部分へのペーストの滲みが顕著化する。絶縁材料ペーストの滲みにより、上部磁性体が埋め込まれる磁心の体積が実質的に減り、インダクタの特性低下が懸念される。
【０００８】
また、この問題は、スクリーン印刷を用いてＰｏｔ−ｃｏｒｅ形状コイルを製造する場合以外においても同様に発生する。例えば、凸版印刷を用いて金属パターンの上に絶縁層を形成する場合においても、絶縁層を構成する材料の滲みが問題となる。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、ペーストの滲みを抑制する構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、下地（１２１、１３、２１）の表面に、下地とは反対側の上面に開口した凹部（１４１、２２２）を備える第１構造体（１４ａ、２２）を形成する工程と、下地および第１構造体の表面に印刷により第２構造体（１５ａ、２３）を形成する工程と、を備え、第１構造体の表面に第２構造体を形成する際、第２構造体を構成する材料のうち凹部の上部に置かれた分を凹部に閉じこめられた気泡により弾き、第２構造体を構成する材料が第２構造体の形成予定領域の外へ至る経路の幅を狭め、第２構造体が第２構造体の形成予定領域の外に形成されることを抑制することを特徴としている。
【００１１】
これによれば、第１構造体が凹部を備えており、第１構造体の表面に第２構造体を形成する際、凹部に閉じこめられた気泡が第２構造体を構成する材料を弾くため、第２構造体を構成するペーストの滲みを抑制することができる。
【００１２】
また、請求項９に記載の発明では、板状の下部磁性体（１２１）と、下部磁性体の上に渦巻き状に形成されるとともに、下部磁性体とは反対側の上面に開口した凹部（１４１）を有する金属配線（１４ａ）と、下部磁性体および金属配線の上に形成された絶縁層（１５ａ）と、絶縁層の表面に形成された上部磁性体（１２２）と、を備え、金属配線のうち凹部が形成された部分と、絶縁層および上部磁性体との間に、気泡が閉じこめられていることを特徴としている。
【００１３】
これによれば、インダクタの製造において、凹部に閉じこめられた気泡が絶縁層を構成する材料を弾くため、絶縁層を構成するペーストの滲みを抑制することができる。
【００１４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態が適用されるインダクタの斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態が適用されるインダクタの平面図である。
【図３】図２のIII−III線における断面図である。
【図４】図２のIV−IV線における断面図である。
【図５】図２の二点鎖線で囲んだ領域の部分拡大図である。
【図６】金属配線の斜視図である。
【図７】第１実施形態における構造体の製造方法を示す断面図であって、図２のIII−III断面に相当する図である。
【図８】第１実施形態における構造体の製造方法を示す平面図である。
【図９】気泡がトラップされた様子を示す平面図である。
【図１０】第１実施形態における構造体の製造方法を示す断面図であって、図２のIV−IV断面に相当する図である。
【図１１】従来の構造体の製造方法により製造されるインダクタの平面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態が適用されるインダクタの平面図であって、図２の二点鎖線で囲んだ領域に相当する部分を示した図である。
【図１３】本発明の第３実施形態が適用されるインダクタの平面図であって、図２の二点鎖線で囲んだ領域に相当する部分を示した図である。
【図１４】本発明の第４実施形態が適用される半導体装置の平面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態が適用されるインダクタの断面図であって、図３に相当する図である。
【図１６】本発明の他の実施形態が適用されるインダクタの断面図であって、図４に相当する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１７】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。ここでは、本実施形態の構造体の製造方法を用いて図１に示すインダクタ１を製造する方法について説明する。図１に示すように、インダクタ１は、コア部１６の周りに形成された金属配線１４が磁性体１２に覆われるとともに、コア部１６に磁性体１２が埋め込まれたＰｏｔ−ｃｏｒｅ形状のプレーナ型パワーインダクタである。図２、図３に示すように、インダクタ１は、基板１１と、磁性体１２と、絶縁層１３と、金属配線１４と、絶縁層１５と、コア部１６とを備える。なお、図２では絶縁層１５および後述する上部磁性体１２２の図示を省略している。
【００１８】
基板１１は、例えば、Ｓｉウェハで構成される。図３、図４に示すように、磁性体１２は、下部磁性体１２１と、上部磁性体１２２とを備えている。下部磁性体１２１および上部磁性体１２２は、Ｆｅ、ＮｉＦｅ等の磁性材料を含む材料で構成されている。図２、図３に示すように、インダクタ１は、基板１１の上面に円板状の下部磁性体１２１が形成され、下部磁性体１２１の上面に形成された絶縁層１３、金属配線１４および絶縁層１５を上部磁性体１２２が覆う構造とされている。
【００１９】
本実施形態では、下部磁性体１２１および上部磁性体１２２は導電性材料で構成されており、下部磁性体１２１の表面には、絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３は、例えばポリイミド等の絶縁性材料で構成される。絶縁層１３は、本発明の下地に相当する。
【００２０】
金属配線１４は、例えばＣｕ等の導電性材料で構成されている。後述するように、金属配線１４は２段階に分けて形成される。金属配線１４のうち、先に形成される部分を金属配線１４ａ、後に形成される部分を金属配線１４ｂとする。
【００２１】
図２に示すように、金属配線１４ａは、絶縁層１３の上面に、上部磁性体１２２が埋め込まれるコア部１６を中心として渦巻き状に形成されている。金属配線１４ａは、本発明の第１構造体に相当する。
【００２２】
図２、図６に示すように、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分には、金属配線１４ａの上面に開口する凹部１４１が形成されている。凹部１４１は、気泡をトラップし、トラップした気泡により絶縁層１５を構成する材料を弾き、絶縁層１５が絶縁層１５の形成予定領域の外に形成されることを抑制するものである。
【００２３】
図２、図６に示すように、本実施形態では、凹部１４１は複数形成されている。また、凹部１４１は金属配線１４ａの上面に加えて側面にも開口している。なお、金属配線１４ａのうち、絶縁層１３とは反対側の面を上面とする。また、金属配線１４ａのうち、上面と、上面とは反対側の面、つまり、絶縁層１３に接する面とを連結する面を側面とする。
【００２４】
なお、凹部１４１の寸法が大きすぎると、凹部１４１が気泡をトラップしにくくなる。また、凹部１４１の寸法が小さすぎると、凹部１４１がトラップした気泡により絶縁層１５を構成する材料を弾く効果が小さくなる。また、金属配線１４ａの寸法を考慮し、凹部１４１を、インダクタ１の基本機能を阻害しない寸法とする必要がある。
【００２５】
図５に示すように、本実施形態では、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分において、凹部１４１と、凹部１４１とは反対側の側面とで挟まれた部分の幅は２００μｍとされている。また、凹部１４１のうち金属配線１４ａの側面における開口部に対向する底部は、金属配線１４ａの延設方向における幅が５０〜５００μｍ程度とされている。また、凹部１４１のうち金属配線１４ａの側面における開口部とこの底部との距離は２００μｍとされている。
【００２６】
図３、図４に示すように、金属配線１４ａは、絶縁層１５により覆われている。絶縁層１５は、例えばポリイミド等の絶縁性材料で構成され、後述するように、２段階に分けて形成される。絶縁層１５のうち先に形成される部分を絶縁層１５ａ、後に形成される部分を絶縁層１５ｂとすると、金属配線１４ａは、絶縁層１５ａに覆われている。なお、絶縁層１５ａは、金属配線１４ａの両端部のうち内側の端部の上面が露出するように形成されている。絶縁層１５ａは、本発明の第２構造体に相当する。
【００２７】
図２、図３に示すように、渦巻き状に形成された金属配線１４ａの両端部のうち、外側の端部は、絶縁層１３の表面を通って基板１１の表面に至るように延設されている。絶縁層１５ａは、金属配線１４ａのうち、下部磁性体１２１の上部に位置する部分の表面に形成されている。また、図２、図４に示すように、金属配線１４ｂは、金属配線１４ａの内側の端部に接続され、絶縁層１５ａおよび絶縁層１３の表面を通って基板１１の表面に至るように延設されている。絶縁層１５ｂは、金属配線１４ｂのうち、下部磁性体１２１の上部に位置する部分を覆っている。
【００２８】
図３、図４に示すように、絶縁層１３および絶縁層１５の上面には、上部磁性体１２２が形成されている。また、コア部１６には、上部磁性体１２２が埋め込まれ、磁心が形成されている。
【００２９】
なお、絶縁層１５ａの成膜の際、絶縁層１５ａを構成するペースト材料は、凹部１４１がトラップした気泡により弾かれる。また、この気泡は上部磁性体１２２を形成する際にも凹部１４１にトラップされており、上部磁性体１２２を構成するペースト材料もこの気泡により弾かれる。そして、上部磁性体１２２は、この気泡を覆うように形成され、金属配線１４ａのうち凹部１４１が形成された部分と、絶縁層１５ａおよび上部磁性体１２２との間に、気泡が閉じこめられる。よって、凹部１４１の周辺では、金属配線１４と上部磁性体１２２とが、凹部１４１がトラップした気泡と絶縁層１５により電気的に絶縁される。
【００３０】
本実施形態の構造体の製造方法を用いてインダクタ１を製造する方法について図７〜図１０を用いて説明する。図７（ａ）に示す工程では、スクリーン印刷を用いて、基板１１の上面に下部磁性体１２１を円板状に形成する。また、スクリーン印刷を用いて、下部磁性体１２１の表面に絶縁層１３を形成する。
【００３１】
図７（ｂ）に示す工程では、絶縁層１３の表面に、絶縁層１３とは反対側の上面に開口した凹部１４１を備える金属配線１４ａをめっきにより形成する。金属配線１４ａは、後述する図１０（ｃ）に示す工程で上部磁性体１２２が埋め込まれ、磁心が形成される領域であるコア部１６を中心として渦巻き状に形成される。本実施形態では、凹部１４１は、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分に複数形成され、各凹部１４１は、金属配線１４ａの上面に加えて側面にも開口している。また、金属配線１４ａの外側の端部は、絶縁層１３の表面から基板１１の表面に至るように形成される。
【００３２】
図７（ｃ）に示す工程では、絶縁層１３および金属配線１４ａの表面に印刷により絶縁層１５ａを形成する。本実施形態では、図８に示すように、基板１１の上面に平行な一方向に印刷機のカートリッジヘッドを移動させ、スクリーン印刷を用いて絶縁層１５ａを塗布する。
【００３３】
本発明者らがスクリーン印刷を用いてそれぞれ複数の金属配線と絶縁層とを交互に積層することによりインダクタを製造した際、図９に示すような気泡が観察された。この気泡は、１つの金属配線の上に積層された絶縁層と、この絶縁層の上に積層された金属配線とで囲まれた領域にトラップされ、これらの絶縁層および金属配線の上に積層された絶縁体を弾いていた。このインダクタでは、図９に示すように金属配線の幅は２００μｍであった。また、気泡がトラップされた領域は、金属配線および絶縁層の積層方向から見て一辺が２００μｍの正方形状であった。なお、図９では絶縁層の図示を省略している。
【００３４】
本実施形態では、金属配線１４ａを形成する工程において、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分に凹部１４１が形成されており、凹部１４１により、図９に示すインダクタと同様に、気泡をトラップすることができる。そのため、金属配線１４ａの表面に絶縁層１５ａを形成する工程において、絶縁層１５ａを構成するペースト材料のうち凹部１４１の上部に置かれた分が凹部１４１に閉じこめられた気泡により弾かれる。
【００３５】
これにより、絶縁層１５ａを構成する材料が絶縁層１５ａの形成予定領域の外へ至る経路の幅が狭められる。具体的には、ペースト材料が絶縁層１３および金属配線１４ａのうち凹部１４１よりも外側の部分から内側の部分へ至る経路の幅が狭められる。
【００３６】
そのため、大量のペースト材料が金属配線１４ａの表面のうちコア部１６に隣接する部分に到達することを抑制し、絶縁層１５ａが絶縁層１５ａの形成予定領域の外に形成されることを抑制することができる。
【００３７】
なお、図７（ｃ）に示す工程では、金属配線１４ａの両端部のうち内側の端部の上面が露出するように絶縁層１５ａが形成される。図１０（ａ）に示す工程では、この露出した部分の上面から絶縁層１５ａ、絶縁層１３、および基板１１の表面に至るように、金属配線１４ｂをめっきにより形成する。
【００３８】
図１０（ｂ）に示す工程では、金属配線１４ｂのうち下部磁性体１２１の上部に位置する部分の表面を覆うように、スクリーン印刷により絶縁層１５ｂを形成する。図１０（ｃ）に示す工程では、絶縁層１３および絶縁層１５の上面に、スクリーン印刷により上部磁性体１２２を形成する。このとき、上部磁性体１２２がコア部１６に埋め込まれることにより磁心が形成される。
【００３９】
従来の構造体の製造方法によりインダクタを製造すると、図１１の矢印で示すように、絶縁層１５ａを構成するペースト材料が絶縁層１５ａの形成予定領域の外、つまり、コア部１６へ滲み、コア部１６の一部に絶縁層１５ａが形成される。そのため、上部磁性体１２２がコア部１６に埋め込まれることにより形成される磁心の実質的体積が損なわれる。なお、図１１では絶縁層１５ａの図示を省略している。
【００４０】
これに対し本実施形態では、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分に凹部１４１が形成され、気泡を閉じこめやすい構造とされている。そのため、前述したように、凹部１４１にトラップされた気泡が絶縁層１５ａの形成時にペースト材料を弾き、金属配線１４ａの表面のうちコア部１６に隣接する部分に到達するペースト材料の量が少なくなる。よって、ペースト材料のコア部１６への滲みを抑制することができる。また、これにより、磁心の実質的体積が損なわれることを抑制し、設計通りのインダクタンスを安価なスクリーン印刷で実現することが可能になる。
【００４１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して凹部１４１の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
図１２に示すように、本実施形態では、金属配線１４ａのうち凹部１４１が形成された部分の側面に、凹部１４１の金属配線１４ａの側面への開口幅を小さくする突起１４２が形成されている。これにより、凹部１４１の内側の空気が金属配線１４ａの側面への開口部を通って凹部１４１の外側へ抜けることが抑制されるため、凹部１４１が気泡をトラップしやすくなる。
【００４３】
図１２に示すように、本実施形態では、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分において、凹部１４１と、凹部１４１とは反対側の側面とで挟まれた部分の幅は２００μｍとされている。また、凹部１４１のうち金属配線１４ａの側面における開口部に対向する底部は、金属配線１４ａの延設方向における幅が５０〜５００μｍ程度とされている。また、凹部１４１のうち金属配線１４ａの側面における開口部とこの底部との距離は２００μｍとされている。
【００４４】
金属配線１４ａのうち凹部１４１が形成された部分の側面に突起１４２が形成された本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、突起１４２が形成され、凹部１４１が気泡をトラップしやすくされているため、絶縁ペーストを気泡により弾く効果を大きくし、ペースト材料のコア部１６への滲みをさらに抑制することができる。
【００４５】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して凹部１４１の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００４６】
図１３に示すように、本実施形態では、凹部１４１が金属配線１４ａの上面にのみ開口している。本実施形態では、金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分において、凹部１４１と、凹部１４１とは反対側の側面とで挟まれた部分の幅は２００μｍとされている。また、凹部１４１は下部磁性体１２１の上面に対する法線方向から見て長方形状とされており、この長方形のうち金属配線１４ａの延設方向に平行な辺の長さは５０〜５００μｍ程度とされ、この辺に垂直な辺の長さは２００μｍとされている。
【００４７】
本実施形態では、凹部１４１が金属配線１４ａの上面にのみ開口することにより、凹部１４１が気泡をさらにトラップしやすくなるため、絶縁層１５ａを構成するペースト材料のコア部１６への滲みをさらに抑制することができる。
【００４８】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。ここでは、本実施形態の構造体の製造方法を用いて図１４に示す半導体装置２を製造する方法について説明する。
【００４９】
図１４に示すように、半導体装置２は、基板２１と、配線層２２と、絶縁層２３とを備えている。基板２１は例えばＳｉ等で構成されており、配線層２２は例えばＣｕ等の導電性材料で構成されており、絶縁層２３は例えばポリイミド等の絶縁性材料で構成されている。基板２１、配線層２２、絶縁層２３は、それぞれ、本発明の下地、第１構造体、第２構造体に相当する。
【００５０】
配線層２２は基板２１の表面に形成されており、絶縁層２３は基板２１および配線層２２の表面に成膜されている。なお、配線層２２は外部の配線と半導体装置２を接続するためのコンタクト部２２１を備えており、絶縁層２３は、コンタクト部２２１が露出するように形成されている。
【００５１】
コンタクト部２２１の外周部のうち、絶縁層２３に隣接する部分には、凹部２２２が形成されている。図１４に示すように、凹部２２２は、コンタクト部２２１の外周部に複数形成されており、各凹部２２２は、コンタクト部２２１の上面および側面に開口している。なお、コンタクト部２２１のうち、基板２１とは反対側の面を上面とし、上面と基板２１に接する面とを連結する面を側面とする。
【００５２】
このような半導体装置２は、めっきにより基板２１の表面に配線層２２を形成し、配線層２２および基板２１の表面にスクリーン印刷を用いて絶縁層２３を形成することにより製造できる。図１４に示すように、本実施形態では、絶縁層２３の印刷の向きを、コンタクト部２２１の側面のうち凹部２２２が開口した側面に対向する向きとして、絶縁層２３を形成する。
【００５３】
コンタクト部２２１の外周部に凹部２２２が形成されているため、絶縁層２３を形成する際、第１実施形態と同様に、凹部２２２にトラップされた気泡により絶縁層２３を構成するペースト材料が弾かれる。そのため、図１４に示すように、絶縁層２３を構成するペースト材料が絶縁層２３の形成予定領域の外であるコンタクト部２２１の上面に滲むことが抑制される。
【００５４】
このように、本実施形態においても第１実施形態と同様に、絶縁層２３を構成するペースト材料のコンタクト部２２１への滲みを抑制することができる。
【００５５】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５６】
例えば、上記第１〜第４実施形態では、第１構造体として導電性の材料で構成される金属配線１４ａ、配線層２２を形成したが、第１構造体を絶縁性の材料で構成してもよい。また、上記第１〜第４実施形態では、第２構造体として絶縁性のペースト材料で構成される絶縁層１５ａ、２３を形成したが、第２構造体を導電性のペースト材料で構成してもよい。
【００５７】
また、上記第１〜第３実施形態では金属配線１４ａのうちコア部１６に隣接する部分に凹部１４１を形成したが、絶縁層１５ａを構成するペースト材料の滲みを抑制する領域に隣接する他の部分に凹部１４１を形成してもよい。例えば、渦巻き状に形成された金属配線１４ａの最も外側に位置する部分に凹部１４１を形成してもよい。これにより、金属配線１４ａの外側へのペーストの滲みが抑制される。
【００５８】
また、上記第１〜第３実施形態では、凹部１４１は複数形成されているが、凹部１４１が１つのみ形成されていてもよい。また、上記第４実施形態では、凹部２２２は複数形成されているが、凹部２２２が１つのみ形成されていてもよい。
【００５９】
また、図１２に示すように、上記第２実施形態では、突起１４２が形成されることにより、金属配線１４ａの延設方向における凹部１４１の幅が場所により変化している。具体的には、凹部１４１のうち金属配線１４ａの側面における開口部から、この開口部に対向する底部へ向けて凹部１４１の幅が増加している。より具体的には、凹部１４１の上面形状、つまり、下部磁性体１２１の上面に対する法線方向から見た形状は、底辺の１つが開口部に位置する台形状とされている。
【００６０】
しかし、凹部１４１の上面形状を、突起１４２により開口部の幅が小さくされた他の形状としてもよい。例えば、凹部１４１の上面形状を、一部が開口した楕円形状等、開口部と底部とで挟まれた内部の幅が開口部の幅および底部の幅それぞれよりも大きい形状としてもよい。また、突起１４２の角部が丸みを帯びていてもよい。
【００６１】
また、上記第１〜第４実施形態では、金属配線１４ａ、配線層２２をめっきにより形成したが、金属配線１４ａおよび配線層２２をスクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、平板印刷、インクジェット、ディスペンサ、フォトリソグラフィーにより形成してもよい。また、金属配線１４ａおよび配線層２２をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）により形成してもよい。
【００６２】
また、上記第１〜第４実施形態では、絶縁層１３、１５ａ、２３をスクリーン印刷により形成したが、絶縁層１３、１５ａ、２３を凸版印刷、凹版印刷、平板印刷、インクジェット、ディスペンサ等の印刷手法により形成してもよい。
【００６３】
また、上記第４実施形態では、絶縁層２３の印刷の向きを、図１４の紙面上向き、つまり、コンタクト部２２の側面のうち凹部２２２が開口した側面に対向する向きとしたが、絶縁層２３の印刷の向きを、他の向きとしてもよい。例えば、絶縁層２３の印刷の向きを図１４の紙面下向きとしてもよい。
【００６４】
また、上記第１実施形態では、下部磁性体１２１を導電性材料で構成したが、下部磁性体１２１を絶縁性材料で構成してもよい。下部磁性体１２１を絶縁性材料で構成する場合、図１５、図１６に示すように、下部磁性体１２１の表面に絶縁層１３が形成されず、金属配線１４および絶縁層１５が下部磁性体１２１の上面に形成されていてもよい。下部磁性体１２１の表面に絶縁層１３を形成しない場合、下部磁性体１２１が本発明の下地に相当する。また、基板１１をＳｉウェハ以外で構成してもよい。
【００６５】
また、上記第１実施形態では、図２、図６、図８に示すように、金属配線１４ａを全体が円形となるような渦巻き状に形成したが、金属配線１４ａを他の渦巻き状、例えば、全体が四角形となるような渦巻き状に形成してもよい。
【００６６】
また、本発明をインダクタ、半導体装置以外に適用してもよい。
【００６７】
また、上記第１〜第４実施形態では、第１構造体の表面に第２構造体を形成する場合について説明したが、複数の第１構造体と複数の第２構造体とを交互に積層する場合にこれらの実施形態を適用してもよい。また、この場合、第２構造体と、この第２構造体の上部に形成される第１構造体との間に、この第２構造体の下部に形成された第１構造体がトラップした気泡を覆う上部磁性体１２２のような層を形成してもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１２１  下部磁性体
１３    絶縁層
１４ａ  金属配線
１４１  凹部
１５ａ  絶縁層
２１    基板
２２    配線層
２２２  凹部
２３    絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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