(57)【要約】【課題】電極間の導通信頼性に優れており、高速伝送に対応できる接続構造体を提供する。【解決手段】本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されており、前記第１の電極と対向している前記第２の電極部分の表面積が、０．０５ｍｍ２以上、１ｍｍ２以下であり、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分に、前記接続部中の前記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されており、
前記第１の電極と対向している前記第２の電極部分の表面積が、０．０５ｍｍ２以上、１ｍｍ２以下であり、
前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分に、前記接続部中の前記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている、接続構造体。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置している前記はんだ部の厚みが５μｍ以上、７５μｍ以下である、請求項１に記載の接続構造体。
【請求項３】
１つの前記第１の電極と１つの前記第２の電極との間に、１つの前記はんだ部のみが位置している、請求項１又は２に記載の接続構造体。
【請求項４】
前記第１の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ前記第１の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であるか、又は、
前記第２の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ前記第２の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項５】
前記第１の電極と対向している前記第２の電極部分は、前記第２の接続対象部材の中央よりも一端側に位置しており、
前記第１の接続対象部材と前記接続部と前記第２の接続対象部材との積層部分において、前記第２の接続対象部材の前記一端と他端を結ぶ方向に、前記第１の接続対象部材に対して、前記第２の接続対象部材が１度以上、１０度以下で傾いている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接続構造体。
【請求項６】
前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のはんだ粒子を含む導電材料を用いた接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。
【０００５】
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しない樹脂成分とを含む異方性導電材料が記載されている。上記導電性粒子としては、具体的には、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、銀（Ａｇ）及びタリウム（Ｔｌ）等の金属や、これらの金属の合金が挙げられている。
【０００６】
特許文献１では、上記導電性粒子の融点よりも高く、かつ上記樹脂成分の硬化が完了しない温度に、異方性導電樹脂を加熱する樹脂加熱ステップと、上記樹脂成分を硬化させる樹脂成分硬化ステップとを経て、電極間を電気的に接続することが記載されている。また、特許文献１には、特許文献１の図８に示された温度プロファイルで実装を行うことが記載されている。特許文献１では、異方性導電樹脂が加熱される温度にて硬化が完了しない樹脂成分内で、導電性粒子が溶融する。
【０００７】
下記の特許文献２には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。
【０００８】
また、下記の特許文献３には、複数の電極端子を有する配線基板と対向させて、複数の接続端子を有する半導体チップを配設し、上記配線基板の上記電極端子と、上記半導体チップの上記接続端子とを電気的に接続するフリップチップ実装方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２６０１３１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００８／０２３４５２Ａ１
【特許文献３】特開２００６−１１４８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年、モバイル機器などの電子機器において、薄型化や、高速伝送可能であることが求められている。
【００１１】
従来のはんだ粉や、はんだ層を表面に有する導電性粒子を含む異方性導電ペーストでは、はんだ粉又は導電性粒子が電極（ライン）上に効率的に配置されていないことがある。
【００１２】
また、特許文献１に記載の異方性導電材料を用いて、特許文献１に記載の方法で電極間を電気的に接続すると、導電性粒子におけるはんだが電極（ライン）上に効率的に配置されないことがある。また、特許文献１の実施例では、はんだの融点以上の温度で、はんだを十分に移動させるために、一定温度に保持しており、接続構造体の製造効率が低くなる。特許文献１の図８に示された温度プロファイルで実装を行うと、接続構造体の製造効率が低くなる。
【００１３】
特許文献２，３に記載の異方性導電材料を用いても、導電性粒子が電極（ライン）上に効率的に配置されないことがある。
【００１４】
結果として、接続構造体の導通信頼性が低いことがあり、接続構造体を高速伝送に対応できないことがある。
【００１５】
本発明の目的は、電極間の導通信頼性に優れており、高速伝送に対応できる接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されており、前記第１の電極と対向している前記第２の電極部分の表面積が、０．０５ｍｍ２以上、１ｍｍ２以下であり、前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分に、前記接続部中の前記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている、接続構造体が提供される。
【００１７】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置している前記はんだ部の厚みが５μｍ以上、７５μｍ以下である。
【００１８】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、１つの前記第１の電極と１つの前記第２の電極との間に、１つの前記はんだ部のみが位置している。
【００１９】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ前記第１の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であるか、又は、前記第２の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ前記第２の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下である。
【００２０】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の電極と対向している前記第２の電極部分は、前記第２の接続対象部材の中央よりも一端側に位置しており、前記第１の接続対象部材と前記接続部と前記第２の接続対象部材との積層部分において、前記第２の接続対象部材の前記一端と他端を結ぶ方向に、前記第１の接続対象部材に対して、前記第２の接続対象部材が１度以上、１０度以下で傾いている。
【００２１】
前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、上記接続部の材料が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料であり、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されており、上記第１の電極と対向している上記第２の電極部分の表面積が、０．０５ｍｍ２以上、１ｍｍ２以下であり、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中の上記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されているので、電極間の導通信頼性に優れており、高速伝送に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る接続構造体を模式的に示す部分切欠側面断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法において得られる積層体を説明するための正面断面図である。
【図５】図５は、接続構造体の変形例を示す部分切欠側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２５】
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。上記接続部が、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電材料により形成されている。
【００２６】
本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と対向している上記第２の電極部分の表面積Ａが、０．０５ｍｍ２以上、１ｍｍ２以下である。上記表面積Ａには、上記第１の電極と対向していない部分は含まれない。上記表面積Ａは、接続構造体全体の全ての上記第２の電極部分の表面積が該当する。
【００２７】
本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中の上記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている。
【００２８】
本発明では、上述した構成が備えられているので、電極間の導通信頼性に優れており、高速伝送に対応できる。
【００２９】
本発明に係る接続構造体では、はんだが、上下の対向した電極間、即ち接続されるべき電極間に集まっており、はんだが電極（ライン）上に十分に配置されている。電極が形成されていない領域（スペース）に配置されたはんだの量が少なくなる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。本発明では、接続構造体の作製時において、上記第１の電極と上記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、上記第１の電極と上記第２の電極との間に向かって移動させることが好ましい。
【００３０】
導通信頼性をより一層高め、高速伝送適合性をより一層高める観点からは、上記第１の電極と対向している上記第２の電極部分の表面積Ａは好ましくは１ｍｍ２以下、より好ましくは０．５ｍｍ２以下である。
【００３１】
導通信頼性をより一層高め、高速伝送適合性をより一層高める観点からは、１つの上記第１の電極と１つの上記第２の電極との間に、１つの上記はんだ部のみが位置していることが好ましい。１つの上記第１の電極と１つの上記第２の電極との間において、上記はんだ部は複数箇所に分かれていないことが好ましい。
【００３２】
また、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に関しては、電極の形状アスペクト比（対向部電極長さ／対向部電極幅）は、好ましくは５以上、好ましくは２０以下である。上記比が上記下限以上であると、十分な電極面積が確保でき、狭ピッチで電極を配置できる。上記比が上記上限以下であると、１つの上記第１の電極と１つの上記第２の電極との間に、１つの上記はんだ部のみが位置することが容易になる。
【００３３】
はんだ部が複数存在する場合、一方の接続対象部材から、他方の接続対象部材への信号伝送経路が、複数存在することとなり、それにより、アイダイアグラムの開口部が狭くなることがある。
【００３４】
導通信頼性をより一層高め、高速伝送適合性をより一層高める観点からは、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに（例えば図２の手前から奥側にみたときに）、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中の上記はんだ部１００％（面積）中の８０％以上が配置されている接続構造体を得ることが好ましく、上記接続部中の上記はんだ部１００％（面積）中の９０％以上が配置されている接続構造体を得ることがより好ましい。
【００３５】
上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに（例えば、図２の上側から下側にみたとき）、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得ることが好ましい。はんだ部の面積は、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、はんだ部の輪郭により囲まれた部分の面積として算出される。
【００３６】
本発明では、第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部を配置させる場合に、電極間に導電性成分を十分に配置するためには、はんだ粒子を用いることには大きな意味がある。例えば、導電部の外表面部分がはんだではない導電性粒子を用いたり、基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを有する導電性粒子を用いたりした場合には、電極間に配置される導電性成分の量を十分に多くできないことがあり、結果として導通信頼性が低くなる傾向があり、更に接続信頼性が低くなる傾向がある。
【００３７】
本発明の効果が効果的に発揮されることから、本発明に係る接続構造体では、上記第１の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、上記第１の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であるか、又は、上記第２の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、上記第２の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であることが好ましい。この場合に、上記第１の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ上記第１の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であり、上記第２の接続対象部材の電極幅が、１００μｍ以下であり、かつ上記第２の接続対象部材の電極間幅が、１００μｍ以下であってもよい。上記電極幅は、Ｌ／Ｓにおけるライン（Ｌ）の幅であり、上記電極間幅は、Ｌ／Ｓにおけるスペース（Ｓ）の幅である。
【００３８】
インピーダンスの変化量をより一層低くする観点からは、上記電極幅は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。インピーダンスの変化量をより一層低くする観点からは、上記電極間幅は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。また、上記電極幅は、１０μｍ以上であってもよい。上記電極間幅は、１０μｍ以上であってもよい。
【００３９】
本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と対向している上記第２の電極は、上記第２の接続対象部材の中央よりも一端側に位置していてもよい。本発明に係る接続構造体では、上記第１の接続対象部材と上記接続部と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が１度以上、１０度以下で傾いていることが好ましい。この場合には、接続構造体では、第２の接続対象部材の反りが小さくなり、更にはんだが、接続されるべき電極間に十分に配置されており、かつ、電極間の導通信頼性に優れる。
【００４０】
上記第１の電極と対向している上記第２の電極部分の全体が、上記第２の接続対象部材の一端から他端に向けて３ｍｍまでの距離よりも、一端側に配置されていることが好ましい。この場合には、上記第１の電極及び上記第２の電極以外でのはんだの凝集が過度に生じにくくなる。
【００４１】
上記第１の電極と対向している上記第２の電極部分の全体が、上記第２の接続対象部材の一端から他端に向けて０．５ｍｍ以上離れて、一端側に配置されていることが好ましい。この場合には、一端部分にてショートが発生しにくくなる。
【００４２】
上記第１の電極と上記第２の電極とが対向している位置における上記はんだ部の厚みＤ１は好ましくは５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは７５μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。上記厚みＤ１が上記下限以上であると、接続部と接続対象部材との接続信頼性がより一層高くなり、かつ第１の電極と対向している第２の電極部分の表面積Ａが小さいにも関わらず高速伝送に十分に対応可能になる。上記厚みＤ１が上記上限以下であると、接続部の形成時にはんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなり、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【００４３】
また、本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。導電フィルムではなく導電ペーストを用いることにより、ボイドの発生を抑え、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されやすい傾向があるという問題がある。
【００４４】
また、導電材料は、対流添加剤を含まないことが好ましい。導電材料に対流添加剤などを添加しないことによって、対流添加剤に起因する導電ペーストの品質の低下を抑えることができ、対流添加剤に起因する電極間の接続抵抗の低下を抑えることができる。また、導電材料の基本性能が、対流添加剤により低下することを抑えることができる。
【００４５】
上記接続構造体は、例えば、上記第１の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する工程と、上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置して、積層体を得る工程と、上記はんだ粒子の融点以上に加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程を経て得ることができる。
【００４６】
また、接続構造体の作製時に、はんだ融点温度以下で、はんだ粒子が溶融前に隣接粒子同士で、網目構造を形成させることが好ましい。これにより、隣り合う電極間に残存するはんだ粒子の量を低減させることができる。
【００４７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明する。
【００４８】
図１は、本発明の一実施形態に係る接続構造体を模式的に示す正面断面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る接続構造体を模式的に示す部分切欠側面断面図である。図２では、図１の右側からみた断面図が拡大して示されている。
【００４９】
図１，２に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材３と、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含む導電材料により形成されている。本実施形態では、上記バインダーは、熱硬化性成分を含む。なお、上記バインダーは、熱硬化性成分を含んでいなくてもよい。
【００５０】
接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。本実施形態では、はんだ部４Ａを形成するために、導電性粒子として、はんだ粒子を用いている。はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもが、はんだにより形成されている。
【００５１】
第１の電極２ａと対向している第２の電極３ａ部分の表面積Ａは上述した範囲内にある。
【００５２】
第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。複数の第１の電極２ａは、図１の手前側から奥側及び図２の右側から左側に向けて、並んで配置されている。第２の接続対象部材３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。複数の第２の電極３ａは、図１の手前側から奥側及び図２の右側から左側に向けて、並んで配置されている。図１に示すように、第１の電極２ａと対向している第２の電極３ａ部分は、第２の接続対象部材３の中央よりも一端３ｂ側において位置している。
【００５３】
第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだは存在しない。はんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ部４Ａと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだが存在していてもよい。
【００５４】
図１，２に示すように、接続構造体１では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電材料にフラックスが含まれる場合に、フラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。
【００５５】
接続構造体１では、第１の接続対象部材２と接続部４と第２の接続対象部材３との積層部分（図１の破線で囲まれた領域）において、第２の接続対象部材３が、一方側から他方側にむけて傾斜している。第２の接続対象部材３の一端３ｂと他端３ｃを結ぶ方向に、第１の接続対象部材２に対して、第２の接続対象部材３が１度以上（図１に示す傾斜角度α）傾いている。一端３ｂ側で他端３ｃ側よりも、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３との間の距離が狭い。第２の接続対象部材は傾いていなくてもよい。
【００５６】
なお、第１の接続対象部材と接続部と第２の接続対象部材との積層部分よりも側方において、第２の接続対象部材の一端と他端とを結ぶ方向に、第１の接続対象部材に対して、第２の接続対象部材は、傾いていてもよく、傾いていなくてもよい。
【００５７】
接続構造体において、第１の接続対象部材と接続部と第２の接続対象部材との積層部分において、第２の接続対象部材の一端と他端を結ぶ方向に、第１の接続対象部材に対する第２の接続対象部材の傾斜角度αは、０度以上であってもよく、好ましくは１度以上、より好ましくは２度以上であり、好ましくは１０度以下、より好ましくは８度以下である。
【００５８】
なお、第１の接続対象部材２では、第２の電極３ａと対向される第１の電極２ａ部分の側方、及び接続部４の側方において、第１の電極２ａの表面上にソルダーレジスト膜５が形成されている。ソルダーレジスト膜の形成によって、導通信頼性及び高速伝送適合性がより一層高くなる。第２の接続対象部材３では、第１の電極２ａと対向される第２の電極３ａ部分の側方において、第２の電極３ａの表面上にカバーレイ６が形成されている。
【００５９】
なお、図２に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図５に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図２に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
【００６０】
はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。
【００６１】
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは８００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは５００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度が上記下限以上であると、導電材料が塗布直後に過度に流れ出しにくくなる。上記粘度が上記上限以下であると、はんだがより一層効率的に凝集する。
【００６２】
２５℃からはんだ融点より１０℃低い温度までの上記導電材料の最低溶融粘度は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは０．５Ｐａ・ｓ以下である。最低溶融粘度が上記上限以下であると、上記はんだ粒子の網目構造の形成を容易にし、はんだ溶融時に粒子の凝集性を向上させることができる。
【００６３】
上記粘度は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。
【００６４】
上記粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。
【００６５】
次に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法を説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、図１に対応する部分の部分切欠正面断面図である。図４は、図３（ｂ）に対応する部分の正面断面図である。
【００６６】
先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、図３（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上に、熱硬化性成分１１Ｂと、複数のはんだ粒子１１Ａとを含む導電材料１１を配置する（第１の工程）。
【００６７】
第１の接続対象部材２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電材料１１を配置する。導電材料１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。
【００６８】
導電材料１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。
【００６９】
また、第２の電極３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材３を用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上の導電材料１１において、導電材料１１の第１の接続対象部材２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材３を配置して、積層体を得る（第２の工程、積層体を得る工程）。導電材料１１の表面上に、第２の電極３ａ側から、第２の接続対象部材３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。
【００７０】
図３（ｂ）に対応する図４に示すように、本実施形態では、上記積層体を得る工程において、第１の接続対象部材２と導電材料１１と第２の接続対象部材３との積層部分（図４の破線で囲まれた領域）において、第２の接続対象部材３の一端３ｂと他端３ｃを結ぶ方向に、第１の接続対象部材２に対して、第２の接続対象部材３を１度以上（傾斜角度α）傾けて配置している。第２の接続対象部材３の第２の電極３ａがある一端３ｂ側で、第２の接続対象部材３の一端３ｂ側とは反対の他端３ｃ側よりも、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３との間の距離が狭くなる。このように傾けることで、高速伝送により一層最適な接続構造体が得られる。但し、第２の接続対象部材を傾けなくてもよい。
【００７１】
上記積層体を得る工程において、第１の接続対象部材２に対して、第２の接続対象部材３の傾斜角度αは１度以上であることが好ましい。
【００７２】
第２の接続対象部材の反りを効果的に小さくし、電極間の導通信頼性を高める観点からは、加熱前の上記積層体において、第１の接続対象部材と導電材料と第２の接続対象部材との積層部分において、上記傾斜角度αは好ましくは２度以上であり、好ましくは１０度以下、より好ましくは８度以下である。第１の接続対象部材と導電材料と第２の接続対象部材との積層部分よりも側方においては、第１の接続対象部材に対して、第２の接続対象部材は、傾いていてもよく、傾いていなくてもよい。
【００７３】
次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上に導電材料１１を加熱する（第３の工程、加熱工程）。好ましくは、熱硬化性成分１１Ｂ（バインダー）の硬化温度以上に導電材料１１を加熱する。上記加熱工程において、第１の接続対象部材２に対して、第２の接続対象部材３が傾いた状態で、加熱を開始する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まる（自己凝集効果）。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子１１Ａは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分１１Ｂは熱硬化する。この結果、図３（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４を、導電材料１１により形成する。導電材料１１により接続部４が形成され、複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａが十分に移動すれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
【００７４】
本実施形態では、第１の接続対象部材２と接続部４と第２の接続対象部材３との積層部分において、第２の接続対象部材３の一端３ｂと他端３ｃを結ぶ方向に、第１の接続対象部材２に対して、第２の接続対象部材３が１度以上、１０度以下で傾いている接続構造体を得ている。
【００７５】
上記加熱工程において、上記第１の接続対象部材と上記導電材料と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が傾いた状態で、加熱を開始し、上記はんだ粒子の上記第１の電極と上記第２の電極との間への移動が開始した後に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材の傾きをなくすか又は小さくしてもよい。
【００７６】
上記第１の接続対象部材と上記接続部と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が傾いていないか又は１度未満で傾いている接続構造体を得るか、又は、上記第１の接続対象部材と上記接続部と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が１度以上、１０度以下で傾いている接続構造体を得ることが好ましい。
【００７７】
第２の接続対象部材の傾斜が小さいことが求められる場合には、上記第１の接続対象部材と上記接続部と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が傾いていないか又は１度未満で傾いている接続構造体を得ることが好ましい。第２の接続対象部材の反りを効果的に抑え、導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記第１の接続対象部材と上記接続部と上記第２の接続対象部材との積層部分において、上記第２の接続対象部材の上記一端と他端を結ぶ方向に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が１度以上、１０度以下で傾いている接続構造体を得ることが好ましい。
【００７８】
本発明では、上記加熱工程において、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が傾いた状態で、加熱を開始し、上記はんだ粒子の上記第１の電極と上記第２の電極との間への移動が開始した後に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材の傾きをなくすか又は小さくして、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材が傾いていないか又は１度未満で傾いている接続構造体を得てもよい。上記はんだ粒子の上記第１の電極と上記第２の電極との間への移動が開始した後に、上記第１の接続対象部材に対して、上記第２の接続対象部材の傾きを１０度未満に小さくしてもよい。
【００７９】
本実施形態では、上記第２の工程及び上記第３の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電材料１１には、第２の接続対象部材３の重量が加わる。このため、接続部４の形成時に、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に効果的に集まる。なお、上記第２の工程及び上記第３の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第１の電極と第２の電極との間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。
【００８０】
ただし、第１の電極と第２の電極との間隔を確保できれば、加圧を行ってもよい。電極間の間隔を確保する手段として、例えば、所望の電極間の間隔に相当する絶縁性粒子（スペーサー）を添加し、少なくとも１個、好ましくは３個以上の絶縁性粒子が電極間に配置されるようにすればよい。
【００８１】
また、本実施形態では、加圧を行っていないため、導電材料を塗布した第１の接続対象部材に、第２の接続対象部材を重ね合わせた際に、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材の電極のアライメントがずれた状態で、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材との電極を接続させることができる（セルフアライメント効果）。これは、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材の電極との間に自己凝集したはんだの溶融物（溶融したはんだ）が、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材の電極との間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料のはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。
【００８２】
このようにして、図１，２に示す接続構造体１が得られる。なお、上記第２の工程と上記第３の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第２の工程を行った後に、得られる第１の接続対象部材２と導電材料１１と第２の接続対象部材３との積層体を、加熱部に移動させて、上記第３の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。
【００８３】
上記第３の工程における上記加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上であり、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。
【００８４】
なお、上記第３の工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、第１の接続対象部材又は第２の接続対象部材を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだの融点以上、より好ましくははんだの融点（℃）＋１０℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだの融点（℃）＋１００℃以下であってもよい。
【００８５】
上記第３の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性化合物の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。
【００８６】
局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。
【００８７】
また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。
【００８８】
上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第１，第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。
【００８９】
上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだが電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだを電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。
【００９０】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【００９１】
上記導電材料及び上記バインダーは、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電材料及び上記バインダーは、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電材料及び上記バインダーは、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電材料及び上記バインダーは、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記バインダーは、２５℃で液状成分であるか、又は導電接続時に液状になる成分であることが好ましい。
【００９２】
以下、本発明の他の詳細を説明する。
【００９３】
（はんだ粒子）
上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である。
【００９４】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子の外表面（はんだの外表面）に、カルボキシル基が存在することが好ましく、上記はんだ粒子の外表面（はんだの外表面）に、Ｓｉ−Ｏ結合、エーテル結合、エステル結合又は下記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも１つ有する基が共有結合していることが好ましい。下記式（Ｘ）において、左端部及び右端部は結合部位を表す。
【００９５】
【化１】
2017022112.tif 000003
【００９６】
はんだの表面に水酸基が存在する。この水酸基とカルボキシル基を含む基とを共有結合させることにより、他の配位結合（キレート配位）等にて結合させる場合よりも強い結合を形成できるため、電極間の接続抵抗を低くし、かつボイドの発生を抑えることが可能なはんだ粒子が得られる。
【００９７】
上記はんだ粒子では、はんだの表面と、カルボキシル基を含む基との結合形態に、配位結合が含まれていなくてもよく、キレート配位による結合が含まれていなくてもよい。
【００９８】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物（以下、化合物Ｘと記載することがある）を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることにより得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができ、はんだの表面にエーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を得ることもできる。上記はんだの表面の水酸基に上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることで、はんだの表面に、上記化合物Ｘを共有結合の形態で化学結合させることができる。
【００９９】
上記水酸基と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基及びカルボニル基等が挙げられる。水酸基又はカルボキシル基が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。
【０１００】
水酸基と反応可能な官能基を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物であることが好ましい。
【０１０１】
上記化合物Ｘは、フラックス作用を有することが好ましく、上記化合物Ｘははんだの表面に結合した状態でフラックス作用を有することが好ましい。フラックス作用を有する化合物は、はんだの表面の酸化膜及び電極の表面の酸化膜を除去可能である。カルボキシル基はフラックス作用を有する。
【０１０２】
フラックス作用を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸及び４−フェニル酪酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記フラックス作用を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０３】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基が、水酸基又はカルボキシル基であることが好ましい。上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。上記水酸基と反応可能な官能基がカルボキシル基である場合には、上記化合物Ｘは、カルボキシル基を少なくとも２個有することが好ましい。カルボキシル基を少なくとも２個有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子が得られる。
【０１０４】
上記はんだ粒子の製造方法は、例えば、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、触媒及び溶媒を混合する工程を備える。上記はんだ粒子の製造方法では、上記混合工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。
【０１０５】
また、上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、上記水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、上記触媒及び上記溶媒を混合し、加熱することが好ましい。混合及び加熱工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子をより一層容易に得ることができる。
【０１０６】
上記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒や、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、トルエンであることがより好ましい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０７】
上記触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及び１０−カンファースルホン酸等が挙げられる。上記触媒は、ｐ−トルエンスルホン酸であることが好ましい。上記触媒は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０８】
上記混合時に加熱することが好ましい。加熱温度は好ましくは９０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは１１０℃以下である。
【０１０９】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させる工程を経て得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記イソシアネート化合物とを反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基の窒素原子が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。上記はんだの表面の水酸基に上記イソシアネート化合物を反応させることで、はんだの表面に、上記イソシアネート基に由来する基を共有結合の形態で化学結合させることができる。
【０１１０】
また、イソシアネート基に由来する基には、シランカップリング剤を容易に反応させることができる。上記はんだ粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する基が、カルボキシル基を有するシランカップリング剤を用いた反応により導入されているか、又は、シランカップリング剤を用いた反応の後に、シランカップリング剤に由来する基にカルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることで導入されていることが好ましい。上記はんだ粒子は、上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。
【０１１１】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、カルボキシル基を複数有することが好ましい。
【０１１２】
上記イソシアネート化合物としては、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）及びイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等が挙げられる。これら以外のイソシアネート化合物を用いてもよい。この化合物をはんだの表面に反応させた後、残イソシアネート基と、その残イソシアネート基と反応性を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。
【０１１３】
上記イソシアネート化合物としては、不飽和二重結合を有し、かつイソシアネート基を有する化合物を用いてもよい。例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び２−イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。この化合物のイソシアネート基をはんだの表面に反応させた後、残存している不飽和二重結合に対し反応性を有する官能基を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。
【０１１４】
上記シランカップリング剤としては、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＥ−９００７」）、及び３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製「Ｙ−５１８７」）等が挙げられる。上記シランカップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１５】
上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸、アジピン酸又はグリコール酸が好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１６】
上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を複数有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基と反応させることで、カルボキシル基を少なくとも１つ有する基を残存させることができる。
【０１１７】
上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、かつ、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させて、はんだの表面に、上記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を少なくとも１つ有する基が結合しているはんだ粒子を得る。上記はんだ粒子の製造方法では、上記の工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が導入されたはんだ粒子を容易に得ることができる。
【０１１８】
上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加する。その後、はんだ粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、はんだの表面にシランカップリング剤を共有結合させる。次に、シランカップリング剤のケイ素原子に結合しているアルコキシ基を加水分解することで、水酸基を生成させる。生成した水酸基に、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物のカルボキシル基を反応させる。
【０１１９】
また、上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基と不飽和二重結合を有する化合物を添加する。その後、はんだ粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、共有結合を形成させる。その後、導入された不飽和二重結合に対して、不飽和二重結合、及びカルボキシル基を有する化合物を反応させる。
【０１２０】
はんだ粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒としては、錫系触媒（ジブチル錫ジラウレート等）、アミン系触媒（トリエチレンジアミン等）、カルボキシレート触媒（ナフテン酸鉛、酢酸カリウム等）、及びトリアルキルホスフィン触媒（トリエチルホスフィン等）等が挙げられる。
【０１２１】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。下記式（１）で表される化合物は、フラックス作用を有する。また、下記式（１）で表される化合物は、はんだの表面に導入された状態でフラックス作用を有する。
【０１２２】
【化２】
2017022112.tif 000004
【０１２３】
上記式（１）中、Ｘは、水酸基と反応可能な官能基を表し、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。該有機基は、炭素原子と水素原子と酸素原子とを含んでいてもよい。該有機基は炭素数１〜５の２価の炭化水素基であってもよい。上記有機基の主鎖は２価の炭化水素基であることが好ましい。該有機基では、２価の炭化水素基にカルボキシル基や水酸基が結合していてもよい。上記式（１）で表される化合物には、例えばクエン酸が含まれる。
【０１２４】
上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）で表される化合物であることが好ましく、下記式（１Ｂ）で表される化合物であることがより好ましい。
【０１２５】
【化３】
2017022112.tif 000005
【０１２６】
上記式（１Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１２７】
【化４】
2017022112.tif 000006
【０１２８】
上記式（１Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１２９】
はんだの表面に、下記式（２Ａ）又は下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、下記式（２Ａ）で表される基が結合していることが好ましく、下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることがより好ましい。なお、下記式（２Ａ）及び下記式（２Ｂ）において、左端部は結合部位を表す。
【０１３０】
【化５】
2017022112.tif 000007
【０１３１】
上記式（２Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１３２】
【化６】
2017022112.tif 000008
【０１３３】
上記式（２Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１３４】
はんだの表面の濡れ性を高める観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の分子量は、好ましくは１００００以下、より好ましくは１０００以下、更に好ましくは５００以下である。
【０１３５】
上記分子量は、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体ではない場合、及び上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。
【０１３６】
電極間にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体と、上記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有することが好ましい。上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体をアニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記はんだ粒子は、アニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物による表面処理物であることが好ましい。上記アニオンポリマー及び上記アニオンポリマーとなる化合物はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記アニオンポリマーは、酸性基を有するポリマーである。
【０１３７】
はんだ粒子本体をアニオンポリマーで表面処理する方法としては、アニオンポリマーとして、例えば（メタ）アクリル酸を共重合した（メタ）アクリルポリマー、ジカルボン酸とジオールとから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、ジカルボン酸の分子間脱水縮合反応により得られかつ両末端にカルボキシル基を有するポリマー、ジカルボン酸とジアミンから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、並びにカルボキシル基を有する変性ポバール（日本合成化学社製「ゴーセネックスＴ」）等を用いて、アニオンポリマーのカルボキシル基と、はんだ粒子本体の表面の水酸基とを反応させる方法が挙げられる。
【０１３８】
上記アニオンポリマーのアニオン部分としては、上記カルボキシル基が挙げられ、それ以外には、トシル基（ｐ−Ｈ３ＣＣ６Ｈ４Ｓ（＝Ｏ）２−）、スルホン酸イオン基（−ＳＯ３−）、及びリン酸イオン基（−ＰＯ４−）等が挙げられる。
【０１３９】
また、他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに、付加、縮合反応により重合可能な官能基を有する化合物を用いて、この化合物をはんだ粒子本体の表面上にてポリマー化する方法が挙げられる。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基としては、カルボキシル基、及びイソシアネート基等が挙げられ、付加、縮合反応により重合する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び（メタ）アクリロイル基が挙げられる。
【０１４０】
上記アニオンポリマーの重量平均分子量は好ましくは２０００以上、より好ましくは３０００以上であり、好ましくは１００００以下、より好ましくは８０００以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子の表面に十分な量の電荷、及びフラックス性を導入することができる。これにより、接続対象部材の接続時に、電極の表面の酸化膜を効果的に除去することができる。
【０１４１】
上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子本体の表面上にアニオンポリマーを配置することが容易であり、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。
【０１４２】
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【０１４３】
はんだ粒子本体をアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られたポリマーの重量平均分子量は、はんだ粒子中のはんだを溶解し、ポリマーの分解を起こさない希塩酸等により、はんだ粒子を除去した後、残存しているポリマーの重量平均分子量を測定することで求めることができる。
【０１４４】
アニオンポリマーのはんだ粒子の表面における導入量に関しては、はんだ粒子１ｇあたりの酸価が、好ましくは１ｍｇＫＯＨ以上、より好ましくは２ｍｇＫＯＨ以上であり、好ましくは１０ｍｇＫＯＨ以下、より好ましくは６ｍｇＫＯＨ以下である。
【０１４５】
上記酸価は以下のようにして測定可能である。はんだ粒子１ｇを、アセトン３６ｇに添加し、超音波にて１分間分散させる。その後、指示薬として、フェノールフタレインを用い、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化カリウムエタノール溶液にて滴定する。
【０１４６】
上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。
【０１４７】
なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０１４８】
上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。
【０１４９】
上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
【０１５０】
上記はんだ粒子は、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。
【０１５１】
上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０１５２】
上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、より一層好ましくは４０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下、更に一層好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【０１５３】
上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。
【０１５４】
上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、５％未満であってもよい。
【０１５５】
上記変動係数（ＣＶ値）は下記式で表される。
【０１５６】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：はんだ粒子の粒子径の平均値
【０１５７】
上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状などの球形状以外の形状であってもよい。
【０１５８】
上記導電材料１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは２０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。
【０１５９】
（熱可塑性成分）
上記熱可塑性成分は、熱可塑性化合物であることが好ましい。上記熱可塑性化合物としては、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６０】
上記導電材料１００重量％中、上記熱可塑性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上であり、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱可塑性化合物の含有量は多い方が好ましい。
【０１６１】
（熱硬化性化合物：熱硬化性成分）
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６２】
上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。常温（２３℃）で固体であり、かつ溶融温度がはんだの融点以下であるエポキシ化合物が好ましい。溶融温度は好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下であり、好ましくは４０℃以上である。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との位置ずれを抑制することができ、なおかつ、硬化時の熱により、粘度を大きく低下させることができ、はんだ粒子の凝集を効率よく進行させることができる。
【０１６３】
上記導電材料１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上であり、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。
【０１６４】
（熱硬化剤：熱硬化性成分）
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤等のチオール化合物、酸無水物、熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６５】
なかでも、導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１６６】
電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤は、チオール硬化剤であることが好ましい。本発明における接続構造体のはんだ部の厚みが薄い場合であっても、上記チオール硬化剤を用いることで、接続構造体の高速伝送適合性がより一層良好になる。
【０１６７】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１６８】
上記チオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１６９】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１７０】
上記熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【０１７１】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
【０１７２】
上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。
【０１７３】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１７４】
上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。
【０１７５】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電材料を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
【０１７６】
上記熱硬化剤が上記チオール硬化剤である場合には、上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記チオール硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。上記チオール硬化剤の含有量が上記下限以上であると、電極間にはんだを効率的に配置することができ、また導電材料を十分に硬化させることが容易である。上記チオール硬化剤の含有量が上記上限以下であると、高速伝送適合性がより一層良好になる。
【０１７７】
（フラックス）
上記導電材料は、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７８】
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１７９】
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１８０】
上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、より一層好ましくは１６０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、更に一層好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１９０℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。
【０１８１】
フラックスの活性温度（融点）が８０℃以上、１９０℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸（融点１８６℃）、グルタル酸（融点９６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、ピメリン酸（融点１０４℃）、スベリン酸（融点１４２℃）等のジカルボン酸、安息香酸（融点１２２℃）、リンゴ酸（融点１３０℃）等が挙げられる。
【０１８２】
また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。
【０１８３】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１８４】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１８５】
上記フラックスは、導電材料中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。
【０１８６】
フラックスの融点が、はんだの融点より高いことにより、電極部分にはんだ粒子を効率的に凝集させることができる。これは、接合時に熱を付与した場合、接続対象部材上に形成された電極と、電極周辺の接続対象部材の部分とを比較すると、電極部分の熱伝導率が電極周辺の接続対象部材部分の熱伝導率よりも高いことにより、電極部分の昇温が速いことに起因する。はんだ粒子の融点を超えた段階では、はんだ粒子の内部は溶解するが、表面に形成された酸化被膜は、フラックスの融点（活性温度）に達していないので、除去されない。この状態で、電極部分の温度が先に、フラックスの融点（活性温度）に達するため、優先的に電極上に来たはんだ粒子の表面の酸化被膜が除去され、はんだ粒子が電極の表面上に濡れ拡がることができる。これにより、電極上に効率的にはんだ粒子を凝集させることができる。
【０１８７】
上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。
【０１８８】
上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）が挙げられる。
【０１８９】
上記導電材料１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上であり、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。
【０１９０】
（フィラー）
上記導電材料には、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、基板の全電極上に対して、はんだ粒子を均一に凝集させることができる。
【０１９１】
上記導電材料は、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを５重量％以下で含むことが好ましい。結晶性熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだが移動しやすくなる。
【０１９２】
上記導電材料１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは０重量％（未含有）以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは２重量％以下、更に好ましくは１重量％以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。
【０１９３】
（高誘電率を有する化合物）
上記導電材料には、水酸基、チオール基又はカルボキシル基を有する化合物、アミン化合物、並びにイミダゾール化合物等の高誘電率を有する化合物を添加してもよい。高誘電率を有する化合物は、高誘電率を有する硬化剤であってもよい。このような化合物の使用により、高速伝送適合性がより一層良好になる。
【０１９４】
また、上記高誘電率を有する化合物は、エポキシ基と反応する官能基を有する化合物であることが好ましい。上記高誘電率を有する化合物の誘電率は、４以上であり、好ましくは５以上、好ましくは７以下である。上記高誘電率を有する化合物は、硬化剤であることが好ましい。
【０１９５】
上記導電材料１００重量％中、上記高誘電率を有する化合物及び誘電率が５以上である硬化剤の各含有量は好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。
【０１９６】
（他の成分）
上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１９７】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１９８】
熱硬化性化合物１：２，４−ビス（グリシジルオキシ）ベンゾフェノン（結晶性熱硬化性化合物、融点：９４℃、分子量３６２）
【０１９９】
２，４−ビス（グリシジルオキシ）ベンゾフェノンの合成：
３つ口フラスコに、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン２７ｇ、エピクロルヒドリン２３０ｇ、ｎ−ブタノール７０ｇ、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド１ｇを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、７０℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液（濃度４８重量％）４５ｇを滴下した。滴下は、４時間かけて行った。その後、７０℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら２時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
【０２００】
得られた反応生成物を、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）：ｎ−ブタノール＝３：１（重量比）の混合溶剤４００ｇに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（濃度１０重量％）５ｇを添加し、８０℃で２時間加熱した。
【０２０１】
その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。
【０２０２】
ｎ−ヘキサンを用い、上記反応生成物３４ｇを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。
【０２０３】
得られたエポキシ化合物：ＤＳＣによる融点は９４℃、エポキシ当量は１７６ｇ／ｅｑ．、マススペクトルによる分子量は３６２、１５０℃での溶融粘度は５ｍＰａ・ｓであった。
【０２０４】
・示差走査熱量測定（ＤＳＣ）測定装置及び測定条件
装置；日立ハイテクサイエンス社製「Ｘ−ＤＳＣ７０００」、サンプル量；３ｍｇ、温度条件；１０℃／ｍｉｎ
・１５０℃における溶融粘度：ＡＳＴＭ  Ｄ４２８７に準拠し、エムエスティーエンジニアリング社製のＩＣＩコーンプレート粘度計を用いて測定
・エポキシ当量の測定：ＪＩＳ  Ｋ７２３６：２００１に準拠して測定
・分子量の測定：マススペクトル  ＧＣ−ＭＳ装置（日本電子社製「ＪＭＳ  Ｋ−９」）を用いて測定
【０２０５】
熱硬化性化合物２：４，４’−ビス（グリジジルオキシ）ベンゾフェノン（結晶性熱硬化性化合物、融点：１３２℃、分子量３６２）
【０２０６】
４，４’−ビス（グリジジルオキシ）ベンゾフェノンの合成：
３つ口フラスコに、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン２７ｇ、エピクロルヒドリン２３０ｇ、ｎ−ブタノール７０ｇ、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド１ｇを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、７０℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液（濃度４８重量％）４５ｇを滴下した。滴下は、４時間かけて行った。その後、７０℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら２時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
【０２０７】
得られた反応生成物を、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）：ｎ−ブタノール＝３：１（重量比）の混合溶剤４００ｇに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（濃度１０重量％）５ｇを添加し、８０℃で２時間加熱した。
【０２０８】
その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。
【０２０９】
ｎ−ヘキサンを用い、上記反応生成物３４ｇを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。
【０２１０】
得られたエポキシ化合物：ＤＳＣによる融点は１３２℃、エポキシ当量は１７６ｇ／ｅｑ．、マススペクトルによる分子量は３６２、１５０℃での溶融粘度は１２ｍＰａ・ｓであった。
【０２１１】
熱硬化性化合物３：エポキシ基含有アクリルポリマー、日油社製「ＭＡＲＰＲＯＯＦ  Ｇ−０１５０Ｍ」
【０２１２】
熱硬化剤１：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、昭和電工社製「カレンズＭＴ  ＰＥ１」
【０２１３】
潜在性エポキシ熱硬化剤１：Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製「フジキュア７０００」
【０２１４】
フラックス１：グルタル酸、和光純薬工業社製、融点（活性温度）１５２℃
【０２１５】
はんだ粒子１〜３の作製方法：
はんだ粒子１：
ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「ＤＳ−１０」、平均粒径（メディアン径）１２μｍ）と、グルタル酸（２つのカルボキシル基を有する化合物、和光純薬工業社製「グルタル酸」）とを、触媒であるｐ−トルエンスルホン酸を用いて、トルエン溶媒中９０℃で脱水しながら８時間攪拌することにより、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子１を得た。
【０２１６】
得られたはんだ粒子１では、ＣＶ値２０％、表面を構成しているポリマーの分子量Ｍｗ＝２０００であった。
【０２１７】
はんだ粒子２：
ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「ＤＳ−１０」、平均粒子径（メディアン径）１２μｍ）２００ｇ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＥ−９００７」）１０ｇ、アセトン７０ｇを３つ口フラスコに秤量した。室温で撹拌しながら、はんだ粒子表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒であるジブチルスズラウレート０．２５ｇを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、６０℃で３０分加熱した。その後、メタノールを５０ｇ添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、６０℃で１０分間加熱した。
【０２１８】
その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、真空乾燥にて、室温で１時間脱溶剤を行った。
【０２１９】
上記はんだ粒子を、３つ口フラスコに入れ、アセトン７０ｇ、アジピン酸モノエチル３０ｇ、エステル交換反応触媒であるモノブチルスズオキサイド０．５ｇを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下で６０℃で１時間反応させた。
【０２２０】
これにより、シランカップリング剤由来のシラノール基に対して、アジピン酸モノエチルのエステル基をエステル交換反応により反応させ、共有結合させた。
【０２２１】
その後、アジピン酸を１０ｇ追加し、６０℃で１時間反応させることで、アジピン酸モノエチルのシラノール基と反応していない残エチルエステル基に対して、アジピン酸を付加させた。
【０２２２】
その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、ろ紙上でヘキサンにてはんだ粒子を洗浄し、未反応、及びはんだ粒子の表面に非共有結合にて付着している、残アジピン酸モノエチル、アジピン酸を除去したのち、真空乾燥にて、室温で１時間脱溶剤を行った。
【０２２３】
得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のＣＶ値となるように篩を選択した。
【０２２４】
はんだの表面に形成されたポリマーの分子量は、０．１Ｎの塩酸を用い、はんだを溶解後、ポリマーをろ過により回収し、ＧＰＣにより重量平均分子量を求めた。
【０２２５】
これにより、はんだ粒子２を得た。得られたはんだ粒子２では、ＣＶ値２０％、表面を構成しているポリマーの分子量Ｍｗ＝９８００であった。
【０２２６】
はんだ粒子３：
上記はんだ粒子２を得る工程にて、アジピン酸モノエチルをグルタル酸モノエチルに変更し、アジピン酸をグルタル酸に変更したこと以外は同様にしてはんだ粒子３を得た。
【０２２７】
得られたはんだ粒子３では、ＣＶ値２０％、表面を構成しているポリマーの分子量Ｍｗ＝９６００であった。
【０２２８】
（はんだ粒子のＣＶ値）
ＣＶ値を、レーザー回折式粒度分布測定装置（堀場製作所社製「ＬＡ−９２０」）にて、測定した。
【０２２９】
（実施例１）
（１）異方性導電ペーストの作製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
【０２３０】
（２）第１の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝３００μｍ／２００μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが３００μｍ／２００μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが３００μｍ／２００μｍ、電極長さ５ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。ガラスエポキシ基板の電極と対向されるフレキシブルプリント基板の電極部分は、フレキシブルプリント基板の中央よりも一端側に位置している。ガラスエポキシ基板、フレキシブルプリント基板とも隣接する配線での差動インピーダンスを９０Ωとした（周波数５ＧＨｚ、クロック立ち上がり時間５０（ｐｓ）、ＴＤＲ法にて測定）。
【０２３１】
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、１５ｍｍ×１ｍｍとし、接続した電極数は２０対とした。ガラスエポキシ基板の電極と対向させるフレキシブルプリント基板の電極部分の表面積Ａは０．３ｍｍ２とした。
【０２３２】
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ１００μｍとなるように、メタルマスクを用い、スクリーン印刷にて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層し、第１の積層体を得た。このとき、ガラスエポキシ基板と異方性導電ペースト層とフレキシブルプリント基板との積層部分において、フレキシブルプリント基板の一端と他端を結ぶ方向に、ガラスエポキシ基板に対して、フレキシブルプリント基板を１度（傾斜角度α）傾けた。フレキシブルプリント基板の一端側で他端側よりも、ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との間の距離が狭くなる。また、この積層時に、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。
【０２３３】
その後、異方性導電ペースト層の温度が１９０℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を１９０℃で１０秒間硬化させ、第１の接続構造体を得た。
【０２３４】
（３）第２の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、電極長さ５ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。ガラスエポキシ基板の電極と対向されるフレキシブルプリント基板の電極部分は、フレキシブルプリント基板の中央よりも一端側に位置している。ガラスエポキシ基板、フレキシブルプリント基板とも隣接する配線での差動インピーダンスを９０Ωとした（周波数５ＧＨｚ、クロック立ち上がり時間５０（ｐｓ）、ＴＤＲ法にて測定）。
【０２３５】
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、１５ｍｍ×１ｍｍとし、接続した電極数は２０対とした。ガラスエポキシ基板の電極と対向させるフレキシブルプリント基板の電極部分の表面積Ａは０．３ｍｍ２とした。
【０２３６】
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ１００μｍとなるように、メタルマスクを用い、スクリーン印刷にて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層し、第２の積層体を得た。このとき、ガラスエポキシ基板と異方性導電ペースト層とフレキシブルプリント基板との積層部分において、フレキシブルプリント基板の一端と他端を結ぶ方向に、ガラスエポキシ基板に対して、フレキシブルプリント基板を１度（傾斜角度α）傾けた。フレキシブルプリント基板の一端側で他端側よりも、ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との間の距離が狭くなる。また、この積層時に、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。
【０２３７】
その後、異方性導電ペースト層の温度が１９０℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を１９０℃で１０秒間硬化させ、第２の接続構造体を得た。
【０２３８】
（実施例２〜４及び比較例１）
ガラスエポキシ基板の電極と対向しているフレキシブルプリント基板の電極部分の表面積Ａを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２の接続構造体を得た。
【０２３９】
（実施例５〜８）
得られた第１，第２の積層体（加熱開始前）における傾斜角度αを下記の表１に示すように設定したこと、並びに、上記表面積Ａを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２の接続構造体を得た。
【０２４０】
（実施例９）
加熱工程において、ガラスエポキシ基板と異方性導電ペースト層とフレキシブルプリント基板との積層部分において、フレキシブルプリント基板の一端と他端を結ぶ方向に、ガラスエポキシ基板に対して、フレキシブルプリント基板が傾いた状態で、加熱を開始し、はんだ粒子の第１の電極と第２の電極との間への移動が開始した後に、ガラスエポキシ基板に対して、フレキシブルプリント基板の傾きを無くしたこと、並びに、上記表面積Ａを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２の接続構造体を得た。
【０２４１】
（実施例１０〜１５）
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合したこと、並びに、上記表面積Ａを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２の接続構造体を作製した。
【０２４２】
（評価）
（１）導電ペーストの粘度
異方性導電ペーストの２５℃での粘度を、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定した。
【０２４３】
（２）はんだ部の厚み
得られた第１の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に位置しているはんだ部の厚みを評価した。
【０２４４】
（３）電極上のはんだの配置精度１
得られた第１，第２の接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Ｘを評価した。電極上のはんだの配置精度１を下記の基準で判定した。
【０２４５】
［電極上のはんだの配置精度１の判定基準］
○○：割合Ｘが７０％以上
○：割合Ｘが６０％以上、７０％未満
△：割合Ｘが５０％以上、６０％未満
×：割合Ｘが５０％未満
【０２４６】
（４）電極上のはんだの配置精度２
得られた第１，第２の接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、接続部中のはんだ部１００％中、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分に配置されている接続部中のはんだ部の割合Ｙを評価した。電極上のはんだの配置精度２を下記の基準で判定した。
【０２４７】
［電極上のはんだの配置精度２の判定基準］
○○：割合Ｙが９９％以上
○：割合Ｙが９０％以上、９９％未満
△：割合Ｙが７０％以上、９０％未満
×：割合Ｙが７０％未満
【０２４８】
（５）上下の電極間の導通信頼性
得られた第１，第２の接続構造体（ｎ＝１５個）において、上下の電極間の１接続箇所当たりの接続抵抗をそれぞれ、４端子法により、測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０２４９】
［導通信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が５０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が５０ｍΩを超え、７０ｍΩ以下
△：接続抵抗の平均値が７０ｍΩを超え、１００ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が１００ｍΩを超える、又は接続不良が生じている
【０２５０】
（６）横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第１，第２の接続構造体（ｎ＝１５個）において、８５℃、湿度８５％の雰囲気中に１００時間放置後、横方向に隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
【０２５１】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が１０７Ω以上
○：接続抵抗の平均値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：接続抵抗の平均値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：接続抵抗の平均値が１０５Ω未満
【０２５２】
（７）上下の電極間の位置ずれ
得られた第１，第２の接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極の中心線と第２の電極の中心線とが揃っているか否かを観察し、並びに位置ずれの距離を評価した。上下の電極間の位置ずれを下記の基準で判定した。
【０２５３】
［上下の電極間の位置ずれの判定基準］
○○：位置ずれが１５μｍ未満
○：位置ずれが１５μｍ以上、２５μｍ未満
△：位置ずれが２５μｍ以上、４０μｍ未満
×：位置ずれが４０μｍ以上
【０２５４】
（８）フレキシブルプリント基板の反り
得られた第１，第２の接続構造体の断面を、電極部横方向、縦方向にて観察し、（はんだ部の厚みの最大値と最小値との差／はんだ部の厚み）×１００で算出される値Ａを求めた。その値Ａから反りを下記の基準で判定した。
【０２５５】
［反りの判定基準］
○○：値Ａが１０％以下
○：値Ａが１０％より大きく２０％以下
△：値Ａが２０％より大きく３０％以下
×：値Ａが３０％より大きい
【０２５６】
（９）高速伝送適合性
得られた第１，第２の接続構造体において、接続部の差動インピーダンスを、アジレントテクノロジー社製「Ｅ５０７２Ａ  ＥＮＡ」を用い、周波数５ＧＨｚ、クロック立ち上がり時間５０（ｐｓ）、ＴＤＲ法にて測定した。接続部分での差動インピーダンス平均値と初期値９０Ωとの差から、高速伝送適合性を以下の基準で判定した。
【０２５７】
［高速伝送適合性の判定基準］
○○：差が３Ω以下
○：差が３Ωより大きく、５Ω以下
△：差が５Ωより大きく、１０Ω以下
×：１０Ωより大きい
【０２５８】
詳細及び結果を下記の表１に示す。
【０２５９】
【表１】
2017022112.tif 000009
【０２６０】
なお、実施例で得られた接続構造体では、ガラスエポキシ基板の１つの電極とフレキシブルプリント基板の１つの電極との間に、１つのはんだ部のみが位置していた。
【０２６１】
フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。
【符号の説明】
【０２６２】
１，１Ｘ…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
２ｂ…一端
２ｃ…他端
３…第２の接続対象部材
３ａ…第２の電極
３ｂ…一端
３ｃ…他端
４，４Ｘ…接続部
４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
５…ソルダーレジスト膜
６…カバーレイ
１１…導電材料
１１Ａ…はんだ粒子
１１Ｂ…熱硬化性成分
【図１】
2017022112.tif 000010
【図２】
2017022112.tif 000011
【図３】
2017022112.tif 000012
【図４】
2017022112.tif 000013
【図５】
2017022112.tif 000014