(57)【要約】【課題】基板の寿命を延ばすこととスループットを向上させることを目的とする。【解決手段】基板に処理を施す処理室と、基板を収納する第１及び第２の基板収納容器と、前記処理室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結し、基板を搬送する搬送室とを備えた基板処理装置における基板収納方法であって、前記第１の基板収納容器に収納された未処理基板を前記第２の基板収納容器に搬送する第１ステップと、前記第２の基板収納容器に収納された未処理基板を前記処理室に搬送し、前記未処理基板を処理する第２ステップと、前記未処理基板を処理した後の処理済基板を前記処理室から前記第１の基板収納容器に搬送する第３ステップと、前記第１の基板収納容器内に不活性ガスを導入する第４ステップと、を有する基板収納方法が提供される。【選択図】図１
2017028209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す処理室と、基板を収納する第１及び第２の基板収納容器と、前記処理室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結し、基板を搬送する搬送室とを備えた基板処理装置における基板収納方法であって、
前記第１の基板収納容器に収納された未処理基板を前記第２の基板収納容器に搬送する第１ステップと、
前記第２の基板収納容器に収納された未処理基板を前記処理室に搬送し、前記未処理基板を処理する第２ステップと、
前記未処理基板を処理した後の処理済基板を前記処理室から前記第１の基板収納容器に搬送する第３ステップと、
前記第１の基板収納容器内に不活性ガスを導入する第４ステップと、
を有する基板収納方法。
【請求項２】
前記第３ステップは、
前記第１の基板収納容器に未処理基板がない場合、処理済基板を前記処理室から前記第１の基板収納容器に搬送する、
請求項１の基板収納方法。
【請求項３】
前記第１の基板収納容器内の未処理基板のうち、最後に搬出する所定枚数の未処理基板は、前記第２の基板収納容器を介さずに前記処理室に搬送され、前記第１の基板収納容器に戻される、
請求項１又は２に記載の基板収納方法。
【請求項４】
前記第３ステップは、
前記第１の基板収納容器に未処理基板がある場合、処理済基板を前記処理室から前記第２の基板収納容器に搬送し、
すべての未処理基板が前記第１の基板収納容器から搬出された後、前記第２の基板収納容器内の処理済基板を前記第１の基板収納容器に搬送する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板収納方法。
【請求項５】
前記第２ステップは、
前記第１の基板収納容器からすべての未処理基板が搬出された後、未処理基板を前記第２の基板収納容器から前記処理室に搬送する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板収納方法。
【請求項６】
基板に処理を施す処理室と、基板を収納する第１及び第２の基板収納容器と、前記処理室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結し、基板を搬送する搬送室と制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第１の基板収納容器に収納された未処理基板を前記第２の基板収納容器に搬送し、
前記第２の基板収納容器に収納された未処理基板を前記処理室に搬送し、前記未処理基板を処理し、
前記未処理基板を処理した後の処理済基板を前記処理室から前記第１の基板収納容器に搬送し、
前記第１の基板収納容器内に不活性ガスを導入する、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板収納方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数枚のウェハを収納し、搬送するためのＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が存在する。ＦＯＵＰは、基板処理装置に設けられたロードポート（ＬＰ：Load Port）に配置される。ＦＯＵＰ内のウェハは、所定のタイミングに搬出され、基板処理装置に設けられた処理室にて処理後、元のＦＯＵＰに戻される。すべての未処理ウェハがＦＯＵＰから搬出される前に処理済ウェハがそのＦＯＵＰに戻されると、処理済ウェハと未処理ウェハとが混在することで、ウェハ上に形成されたデバイスにディフェクト（欠陥）が生じたり、デバイス特性に変化が生じたりする。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１には、未処理ウェハと処理済ウェハとの混在を防止するために、処理済ウェハをストレージに一時的に退避させることが提案されている。特許文献１では、ＦＯＵＰからすべての未処理ウェハが搬出されたタイミングで、処理済ウェハをストレージからＦＯＵＰに戻すことが開示されている。また、特許文献２には、ＦＯＵＰ内の雰囲気を良好にするために、Ｎ２ガスによりロードポート上のＦＯＵＰ内のガスを置換するＮ２パージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２５１６５５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７９２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ストレージはウェハの一時保管場所であり、処理済ウェハをストレージに退避させる時間が長いほど、ウェハにディフェクトが発生したり、デバイス特性が変化したりしてウェハに形成されたデバイスの寿命（以下、「ウェハの寿命」ともいう。）が短縮される。たとえばストレージ内をＮ２パージした場合とＦＯＵＰ内をＮ２パージした場合では、ＦＯＵＰの方がストレージよりも局所的にＮ２ガスによるガスの置換を行うことができる。このため、ＦＯＵＰ内をＮ２パージする効果は、ストレージ内をＮ２パージする効果よりも高い。よって、ウェハにディフェクト等が発生することを回避するためには、ストレージにウェハを滞在させる時間を減らし、なるべく早く処理済ウェハをロードポート上のＦＯＵＰ内に戻すことが好ましい。
【０００６】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、基板に形成されたデバイスの寿命を延ばすこととスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板に処理を施す処理室と、基板を収納する第１及び第２の基板収納容器と、前記処理室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結し、基板を搬送する搬送室とを備えた基板処理装置における基板収納方法であって、前記第１の基板収納容器に収納された未処理基板を前記第２の基板収納容器に搬送する第１ステップと、前記第２の基板収納容器に収納された未処理基板を前記処理室に搬送し、前記未処理基板を処理する第２ステップと、前記未処理基板を処理した後の処理済基板を前記処理室から前記第１の基板収納容器に搬送する第３ステップと、前記第１の基板収納容器内に不活性ガスを導入する第４ステップと、を有する基板収納方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一の側面によれば、基板に形成されたデバイスの寿命を延ばすこととスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置及び基板収納方法の一例を示す図。
【図２】比較例に係る基板収納方法を示す図。
【図３】一実施形態に係る基板収納処理の一例を示すフローチャート。
【図４】一実施形態に係る基板収納方法の他の例を示す図。
【図５】一実施形態に係る基板収納方法の他の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
［基板処理装置］
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置について、図１を参照しながら説明する。基板処理装置は、処理室（PM：Process Module）１１と、搬送室（VTM:Vacuum Transfer Module, LLM:Load Lock Module）１２と、ローダーモジュール（LM:Loader Module）１３と、３つのロードポート（Load Port）１４〜１６と、ストレージ１７とを有する。
【００１２】
処理室１１は、ウェハに所定の処理を施す。処理室１１の数は、１つであってもよいし、複数であってもよい。処理室１１は、搬送室１２に連結して配置される。処理室１１と搬送室１２との間は、ゲートバルブによって開閉可能に接続され、所定の真空状態にそれぞれ保持される。処理室１１では、所定の真空雰囲気に減圧された状態でプラズマ又はノンプラズマによりウェハにエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等の所定の処理が施される。
【００１３】
搬送室１２のロードロック室ＬＬＭは、搬送室１２の共通搬送室ＶＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロック室ＬＬＭと共通搬送室ＶＴＭとの間は、ゲートバルブによって開閉可能に接続される。ロードロック室ＬＬＭは、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えてウェハを大気側のローダーモジュールＬＭから真空側の搬送室ＶＴＭへ搬送したり、真空側の搬送室ＶＴＭから大気側のローダーモジュールＬＭへ搬送したりする。
【００１４】
ローダーモジュール１３の長辺の側壁には３つのロードポート１４〜１６が備えられている。ロードポート１４〜１６のそれぞれには、例えば２５枚のウェハが収容されたＦＯＵＰ又は空のＦＯＵＰが取り付けられる。ロードポート１４〜１６上のＦＯＵＰから処理前のウェハ（以下、「未処理ウェハ」ともいう。）が処理室１１へ向けて搬出される。処理室１１にて処理後のウェハ（以下、「処理済ウェハ」ともいう。）は、元のＦＯＵＰに戻される。ロードポートの数は、１つであってもよいし、複数であってもよい。ローダーモジュールＬＭ及び搬送室１２の内部には、ウェハを保持して搬送可能な搬送装置が配置されている。
【００１５】
ストレージ１７は、ウェハを一時保管する。ストレージ１７は、ロードポート１４〜１６のそれぞれよりも広い空間を有し、各ロードポート１４〜１６よりも多くウェハを載置できる。ストレージ１７は、ローダモジュール１３内にあってもよい。
【００１６】
なお、ロードポート１４〜１６は、第１の基板収納容器の一例であり、ストレージ１７は、第２の基板収納容器の一例である。搬送室１２（ＶＴＭ、ＬＬＭ）及びローダーモジュール１３は、ウェハを搬送する搬送室の一例である。
【００１７】
制御部２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１、ＲＯＭ（Read Only Memory）２２、ＲＡＭ（Random Access Memory）２３及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）２４を有する。なお、制御部２０は、ＨＤＤ２４に限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。
【００１８】
ＣＰＵ２１は、プロセスの手順やプロセスの条件が設定されたレシピに従って処理室１１におけるウェハの処理を制御する。ＨＤＤ２４には、ウェハに所定の処理を施す際の手順やプロセス条件が設定されたプロセスレシピが格納されている。ただし、プロセスレシピの記憶領域は、ＲＯＭ２２やＲＡＭ２３であってもよい。ＨＤＤ２４やＲＡＭ２３には、後述される基板収納方法を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。プロセスレシピや基板収納方法を実行するためのプログラムは、記憶媒体に格納して提供されてもよい。また、これらのプロセスレシピ及びプログラムは、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。なお、制御部２０の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作することにより実現されてもよい。
【００１９】
［Ｎ２パージ］
処理済ウェハがロードポート１４〜１６上のＦＯＵＰに搬入されると、一の処理済ウェハからのアウトガスが他の処理済ウェハからのアウトガスと反応することでウェハＷ上のデバイスにディフェクトが生じたり、デバイス特性に変化が生じたりする。
【００２０】
そこで、本実施形態にかかるロードポート１４〜１６では、ウェハに形成されたデバイスの寿命を延ばすためにロードポート１４〜１６内にＮ２（窒素）ガスを導入し、ＦＯＵＰの内部のガスをＮ２ガスで置換するＮ２パージが行われる。Ｎ２ガスの替わりにＡｒ（アルゴン）ガス等の不活性ガスを導入してもよい。これにより、ウェハからのアウトガスをロードポート１４〜１６外に排気することができる。また、ストレージ１７についてもその内部にＮ２ガスを導入し、ストレージ１７内のガスをＮ２ガスで置換するＮ２パージを行ってもよい。
【００２１】
［基板収納方法：比較例］
ここで、比較例にかかる基板収納方法について、図２を参照しながら説明する。比較例にかかる基板収納方法では、ロードポート１４上のＦＯＵＰ内の未処理ウェハ「１０１」，「１０２」・・・が順に真空処理側に搬送され、処理室１１にて処理され、処理済ウェハ「１０１」，「１０２」・・・が順にストレージ１７に搬送された状態が示されている。処理済ウェハ「１０１」，「１０２」・・・は、ロードポート１４上の元のＦＯＵＰに戻される。
【００２２】
処理済ウェハをストレージ１７からロードポート１４上のＦＯＵＰに搬送する際、ロードポート１４上のＦＯＵＰ内に未処理ウェハがあるか否かが判定される。図２（ａ）に示すようにＦＯＵＰ内に未処理ウェハがあると、処理済ウェハ「１０１」，「１０２」・・・は、ストレージ１７からＦＯＵＰへ搬送されない。他方、図２（ｂ）に示すようにＦＯＵＰ内が空になると、処理済ウェハ「１０１」，「１０２」・・・は、ストレージ１７からＦＯＵＰへ搬送される。
【００２３】
その際、処理済ウェハをストレージ１７に退避させる時間が長いほど、ウェハ上にディフェクトが発生したり、デバイス特性が変化したりしてウェハに形成されたデバイスの寿命が短縮される。たとえばストレージ１７内をＮ２パージした場合とロードポート１４〜１６内をＮ２パージした場合では、ロードポート１４〜１６の方がストレージ１７よりも局所的にＮ２パージを行うことができるため、ディフェクト等の発生をより抑制できる。このため、ウェハの寿命を延ばすためには、ストレージ１７にウェハを滞在させる時間を減らし、なるべく早く処理済ウェハをロードポート１４〜１６上のＦＯＵＰ内に戻すことが好ましい。そこで、本実施形態では、以下に説明する基板収納方法により基板を搬送する。
【００２４】
［基板収納方法：本実施形態例］
本実施形態にかかる基板収納方法について、図１及び図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態に係る基板収納処理の一例を示すフローチャートである。図１は、本実施形態に係る基板処理装置を用いた基板収納方法の一例を示す。
【００２５】
図３に示す基板収納処理が開始されると、制御部２０は、ロードポート上のＦＯＵＰに収納された未処理ウェハをストレージ１７に搬送する（ステップＳ１０：第１ステップ）。例えば、図１（ａ）に示すように、ロット開始直後、ロードポート１４上のＦＯＵＰ内の未処理ウェハの搬送が開始され、すべての未処理ウェハ「１０１」〜「１２５」がストレージ１７に搬送され、収納される。
【００２６】
次に、制御部２０は、元のＦＯＵＰが空か否かを判定する（ステップＳ１２）。制御部２０は、元のＦＯＵＰが空になるまで待ち、元のＦＯＵＰが空になったと判定したとき、ストレージ１７に収納された未処理ウェハを、ローダーモジュール１３及び搬送室１２を介して処理室１１に搬送し、処理室１１にて未処理ウェハに所定の処理を施す（ステップＳ１４：第２ステップ）。
【００２７】
次に、処理済ウェハを処理室１１から元のＦＯＵＰに搬送する（ステップＳ１６：第３ステップ）。次に、制御部２０は、ＦＯＵＰ内にＮ２ガスを導入し（ステップＳ１８：第４ステップ）、本処理を終了する。なお、ＦＯＵＰ内にＮ２ガスを導入するタイミングは、第３ステップの動作前又は第３ステップの動作と並行して行われてもよい。これにより、図１（ｂ）に示すように、処理済ウェハが、未処理ウェハと混在しない状態でＮ２パージされたロードポート１４上のＦＯＵＰ内に配置される。
【００２８】
以上、本実施形態にかかる基板収納方法によれば、ＦＯＵＰ内で未処理ウェハと処理済ウェハが混在することを回避しながら、Ｎ２パージされたＦＯＵＰ内に処理済ウェハを配置することで、ウェハにディフェクト等が生じることを抑制することができる。これにより、ウェハに形成されたデバイスの寿命を延ばすことができる。
【００２９】
具体的には、ロットの開始直後にロードポート上の未処理ウェハをすべてストレージ１７に搬送しておくことで、処理済ウェハと未処理ウェハとの混在を防止しつつ、より早くＮ２パージされたロードポート上の元のＦＯＵＰ内に処理済ウェハを戻すことができる。これにより、Ｎ２パージの効果をより高めることができ、ディフェクトやデバイス特性に変化が生じることを効果的に抑制して、ウェハの寿命を延ばすことができる。
【００３０】
また、本実施形態にかかる基板収納方法によれば、スループットを向上させることができる。従前のシーケンスでは、ＦＯＵＰが空になるまで待ち、ＦＯＵＰが空になってからストレージからＦＯＵＰへのウェハの回収が行われる。このような方法では、処理室１１でのウェハの処理時間が長くなると、ＦＯＵＰが空になるのが遅くなるため、ウェハの回収作業の開始が遅くなる。これに対して、本実施形態にかかる基板収納方法では、処理室１１での処理時間が長くなっても、処理室１１にて最初のウェハが処理された段階でＦＯＵＰが空になっているため、処理室１１における処理時間に律速せずウェハのＦＯＵＰへの回収を行うことができる。これにより、スループットを向上させることができる。
【００３１】
［搬送タイミング］
以上に説明した本実施形態にかかる基板収納方法では、ロードポート上のＦＯＵＰからすべての未処理ウェハが搬出された後、ストレージ１７に収納された未処理ウェハを処理室１１に搬送してもよい。
【００３２】
（変形例１）
他の変形例としては、ＦＯＵＰ内のすべての未処理ウェハがストレージ１７に搬入される前に、ストレージ１７に収納された未処理ウェハを処理室１１へ向けて搬出する方法が挙げられる。例えば、ＦＯＵＰ内の未処理ウェハが所定枚数（例えば１枚〜数枚）になった時点でストレージ１７に収納された未処理ウェハを処理室１１に搬送してもよい。これにより、スループットを高めることができる。
【００３３】
（変形例２）
また、例えばＦＯＵＰから最後に搬出される所定枚数の未処理ウェハは、ストレージ１７に搬送せずに、直接処理室１１に搬送し、処理後、直接元のＦＯＵＰに戻すようにしてもよい。
【００３４】
例えばストレージ１７に搬入する未処理ウェハを「１２５」，「１２４」・・・というように、ウェハ番号が後ろの未処理ウェハから順番に搬送してもよい。最後の未処理ウェハ「１０１」は、直接処理室１１に搬送し、処理後、ＦＯＵＰ内が空になっていたら直接元のＦＯＵＰに戻すと、スループットが向上するため好ましい。最後から二枚目のウェハ「１０２」は、ストレージ１７に搬送してもよいし、搬送室１２に搬送し、ウェハ「１０１」の処理後、処理室１１に搬送してもよい。処理済ウェハ「１０２」は、一枚目の処理済ウェハ「１０１」と同様に元のＦＯＵＰ内に戻すことが好ましい。更に、未処理ウェハ「１０３」及びそれ以降の未処理ウェハを、搬送室１２に搬送し、順番に処理室１１に搬送してもよい。この場合にも、処理済ウェハを直接元のＦＯＵＰ内に戻すと、スループットが更に向上するため好ましい。
【００３５】
図４（ａ）には、ＦＯＵＰから最後に搬出される３枚の未処理ウェハ「１０１」、「１０２」、「１０３」は、ストレージ１７に搬送せずに、直接処理室１１に搬送され、処理後、直接元のＦＯＵＰに戻す例が示されている。ＦＯＵＰからストレージ１７に搬送された残りの未処理ウェハ「１０４」〜「１２５」は、未処理ウェハ「１０１」、「１０２」、「１０３」の処理後、処理室１１に搬送され、処理後、元のＦＯＵＰに戻される。これにより、ストレージ１７を介して処理室１１に搬送されるウェハの枚数を減らし、スループットを高めることができる。
【００３６】
元のＦＯＵＰ内に未処理ウェハが存在しない場合、処理済ウェハ「１０１」、「１０２」、「１０３」は、処理後、直ちに、処理室１１から直接元のＦＯＵＰ内に戻される。他方、元のＦＯＵＰ内に未処理ウェハが存在する場合、図４（ｂ）に示すように、処理室１１にて処理された処理済ウェハ「１０１」は、ストレージ１７内に一時的に保管される。そして、ＦＯＵＰ内の未処理ウェハがすべて搬出された後に処理済ウェハ「１０１」をストレージ１７から元のＦＯＵＰに搬送してもよい。この場合、処理済ウェハ「１０１」は、ストレージ１７内の未処理ウェハの載置場所となるべく離れた場所に保管することが好ましい。これにより、ウェハ上にディフェクト等が発生するリスクを減らすことができる。処理済ウェハ「１０２」、「１０３」は、処理室１１にて処理された後、処理済ウェハ「１０１」が搬送された元のＦＯＵＰ内に処理室１１から直接戻される。
【００３７】
（変形例３）
また、例えば処理室１１が複数ある場合には、少なくとも処理室１１の個数の未処理ウェハを処理室１１側に直接搬送し、元のＦＯＵＰ内が空になっていたら、処理済ウェハを直接ＦＯＵＰ内に戻すと、スループットがより向上するため好ましい。
【００３８】
（変形例４）
また、例えば同一ＦＯＵＰ内の未処理ウェハに対して施す処理の条件（プロセス条件）が異なる場合、プロセス条件によって搬送ルートを異ならせるようにしてもよい。例えば、処理済ウェハからのアウトガスによりディフェクトが生じ易いプロセス条件Ａと、生じ難いプロセス条件Ｂがある場合、ディフェクトが生じ易いプロセス条件Ａの処理が施された処理済ウェハは、処理室１１から直接ＦＯＵＰ内に返すようにしてもよい。そして、ディフェクトが生じ難いプロセス条件Ｂの処理が施された処理済ウェハは、処理室１１からストレージ１７に一旦納め、ストレージ１７からＦＯＵＰ内に戻すようにしてもよい。これにより、アウトガスによってディフェクトが生じ易い処理済ウェハをＦＯＵＰ内に極力早期に戻し、プロセス条件が異なる処理済ウェハがＦＯＵＰ内で混在する時間を減らすことができる。これにより、ＦＯＵＰ内のＮ２パージの効果を高め、ウェハに形成されたデバイスの寿命を延ばすことができる。
【００３９】
例えば、図５（ａ）に示すように、処理済ウェハからのアウトガスによりディフェクトが生じ易いプロセス条件Ａによる処理が実行されるウェハ「１０１」〜「１０３」は、直接処理室１１へ搬送される。そして、処理後、ウェハ「１０１」〜「１０３」は、直接ＦＯＵＰ内に返され第２の搬送ルートを経由してもよい。
【００４０】
一方、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、処理済ウェハからのアウトガスによりディフェクトが生じ難いプロセス条件Ｂによる処理が実行されるウェハ「１０４」〜「１２５」は、ストレージ１７→処理室１１→元のＦＯＵＰに返される第１の搬送ルートを経由してもよい。ウェハ「１０４」〜「１２５」は、ストレージ１７→処理室１１→ストレージ１７→元のＦＯＵＰに返されるように搬送ルートを変更してもよい。
【００４１】
以上、基板収納方法及び基板処理装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる基板収納方法及び基板処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００４２】
例えば、本発明に係る基板収納方法は、二つ以上（例えば六つ）の処理室を有する基板処理装置や例えば二つの処理室を有するパラレル型の基板処理装置に適用することができる。処理室では、ウェハにプラズマ処理や熱処理が施される。ウェハにプラズマ処理が施される場合、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置を用いることができる。
【００４３】
本明細書では、エッチング対象として半導体ウェハＷについて説明したが、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００４４】
１１：処理室
１２：搬送室
１３：ローダーモジュール
１４：ロードポート
１４〜１６：ロードポート
１７：ストレージ
１０１〜１２５：ウェハ
ＬＬＭ：ロードロック室
ＶＴＭ：共通搬送室
【図１】
2017028209.tif 000003
【図２】
2017028209.tif 000004
【図３】
2017028209.tif 000005
【図４】
2017028209.tif 000006
【図５】
2017028209.tif 000007