(57)【要約】【課題】レーザによる導体層のダメージを軽減し、かつ導体層の表面に凹凸が生じにくくなることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の多層配線基板１０は、樹脂絶縁層２１，２２及び導体層３０を交互に積層した構造を有する。樹脂絶縁層２１，２２は第１樹脂絶縁層２１及び第２樹脂絶縁層２２を有し、導体層３０は第１導体部３１及び第２導体部３２からなる。第１導体部３１の直下にはビア導体２６が存在するものの、第２導体部３２の直下にはビア導体２６が存在していない。第１樹脂絶縁層２１には凹み部３３が形成され、凹み部３３は第２導体部３２の一部を構成する導体３４で埋められる。第２導体部３２は第１導体部３１よりも厚くなる。また、第２導体部３２の直上には、第２樹脂絶縁層２２に形成されたビア導体２７が存在する。【選択図】図１
2017022151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、前記複数の導体層の間が、前記樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板であって、
前記複数の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に積層されるとともに前記第１樹脂絶縁層に隣接する第２樹脂絶縁層とを有し、
前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層との間に形成される前記導体層は、第１導体部及び第２導体部からなり、
前記第１導体部の直下に、前記第１樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する一方、前記第２導体部の直下には、前記第１樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在しておらず、
前記第１樹脂絶縁層の表面において前記第２導体部が配置される領域に凹み部が形成され、
前記凹み部が、前記第２導体部の一部を構成する導体によって埋められており、
前記第２導体部の厚さが、前記第１導体部の厚さよりも厚くなっており、
前記第２導体部の直上に、前記第２樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記凹み部の深さは、０．１μｍ以上であって、前記第１樹脂絶縁層の厚さの１／２以下であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記ビア導体の形成材料と前記第２導体部の一部を構成する導体の形成材料とが同じ種類の材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板を製造する方法であって、
前記第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第１樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成するビア孔形成工程と、
前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第１樹脂絶縁層の表面において前記第２導体部が配置される領域に凹み部を形成する凹み部形成工程と、
前記第１樹脂絶縁層の表面上に前記第１導体部及び前記第２導体部を形成する導体層形成工程と
を含み、
前記導体層形成工程が終了した時点で、前記凹み部に前記第２導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、前記第２導体部が前記第１導体部よりも厚くなる
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ビア孔形成工程と前記凹み部形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項４に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記ビア導体形成工程では、前記ビア導体の形成と同時に、前記凹み部内に前記第２導体部の一部を構成する導体を形成することを特徴とする請求項４または５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記ビア孔形成工程では、紫外線レーザを用いたレーザ加工を施すことにより、前記ビア孔を形成することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、複数の導体層の間が、樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される多層配線基板にも小型化が要求されている。多層配線基板が小型化されると、配線の微細化や高密度化が図られるため、これに伴って、ビア導体の直径（及び、ビア導体用のビア孔の内径）も小さくなる傾向にある。ところが、ビア孔の内径が小さくなると、従来のＣＯ２レーザを用いたビア孔の形成が困難になるため、ＣＯ２レーザよりも短波長の紫外線レーザを用いて、ビア孔を形成することが提案されている。紫外線レーザは、ＣＯ２レーザよりもエネルギー密度が高いため、導体部分への吸収率が高いという特徴がある。
【０００３】
しかしながら、紫外線レーザを用いる場合には、以下の問題が生じる可能性がある。例えば、ビア孔を形成する樹脂絶縁層と下側に隣接する樹脂絶縁層との間に導体層が形成され、導体層の直下にビア導体が存在する場合には、導体層の直下にビア導体が存在しない場合よりも導体部分の体積が大きく、熱容量が大きい。このため、導体部分によって紫外線レーザのエネルギーを確実に吸収することができる。一方、導体層の直下にビア導体が存在しない場合には、熱容量が小さいため、紫外線レーザのエネルギーを確実に吸収できない可能性がある。この場合、導体層へのダメージが大きくなり、導体層を貫通してしまうおそれがある。
【０００４】
この問題を解決するために、導体層（配線層１２）の表面（上面）に、導体層へのレーザの吸収を防止するためのレーザ遮断層（導電層１５）を形成する技術が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようにすれば、導体層へのダメージを軽減することができるため、歩留まりが高くなり、信頼性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−５４９９号公報（図７等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１に記載の従来技術では、導体層の表面上にレーザ遮断層が形成されるため、導体層とレーザ遮断層とからなる導体部分の表面に凹凸が生じやすい。その結果、製造される多層配線基板の寸法安定性が低下するため、信頼性が低下するおそれがある。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザによる導体層のダメージを軽減し、かつ導体層の表面に凹凸が生じにくくなることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、前記複数の導体層の間が、前記樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板であって、前記複数の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に積層されるとともに前記第１樹脂絶縁層に隣接する第２樹脂絶縁層とを有し、前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層との間に形成される前記導体層は、第１導体部及び第２導体部からなり、前記第１導体部の直下に、前記第１樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する一方、前記第２導体部の直下には、前記第１樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在しておらず、前記第１樹脂絶縁層の表面において前記第２導体部が配置される領域に凹み部が形成され、前記凹み部が、前記第２導体部の一部を構成する導体によって埋められており、前記第２導体部の厚さが、前記第１導体部の厚さよりも厚くなっており、前記第２導体部の直上に、前記第２樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在することを特徴とする多層配線基板がある。
【０００９】
従って、手段１に記載の発明によると、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層との間に形成される導体層において、第１樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在しない第２導体部が、第１樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在する第１導体部よりも厚くなっている。つまり、直下にビア導体が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第２導体部においても、第２導体部を厚くすることによって導体部分の体積を大きくしているため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、レーザのエネルギーを第２導体部によって確実に吸収できるため、レーザによる第２導体部のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第２導体部が厚く形成されるために、レーザによる第２導体部の貫通を防止できる。しかも、第１樹脂絶縁層の表面に凹み部を形成し、第２導体部の一部を構成する導体で凹み部を埋めることによって第２導体部を厚くしているため、第２導体部を厚くしたとしても第２導体部の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板の信頼性が向上する。なお、「第１導体部の厚さ」とは、第１樹脂絶縁層の表面と平行かつ同じ高さに規定した仮想平面から測定した厚さのことをいう。
【００１０】
上記多層配線基板は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有している。例えば、複数の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層と、第１樹脂絶縁層上に積層されるとともに第１樹脂絶縁層に隣接する第２樹脂絶縁層とを有する。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成する高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００１１】
また、導体層は、導電性を有する金属材料などによって形成することが可能である。例えば、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層との間に形成される導体層は、第１導体部及び第２導体部からなる。導体層を構成する金属材料としては、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、導体層は、導電性が高く安価な銅からなることがよい。また、導体層は、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、複数の導体層を高精度かつ均一な寸法に形成することができる。仮に、導体層を例えば金属ペーストの印刷によって形成すると、導体層を高精度かつ均一な寸法に形成することが困難になるため、個々の導体層の高さにバラツキが生じるおそれがある。
【００１２】
さらに、複数の導体層の間は、樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される。ビア導体は、導電性を有する金属材料などによって形成することが可能である。ビア導体を構成する金属材料としては、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、ビア導体は、導電性が高く安価な銅からなることがよい。また、ビア導体は、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、ビア導体を簡単かつ低コストで形成することができる。しかし、ビア導体は、金属ペーストを印刷することによって形成されていてもよい。
【００１３】
また、第１樹脂絶縁層の表面において第２導体部が配置される領域には凹み部が形成される。凹み部の深さは特に限定される訳ではないが、例えば、０．１μｍ以上であって、第１樹脂絶縁層の厚さの１／２以下であることがよい。仮に、凹み部の深さが０．１μｍ未満になると、凹み部に一部が充填される第２導体部が薄くなりすぎるため、第２導体部に対するレーザの貫通を防止できなくなる。一方、凹み部の深さが第１樹脂絶縁層の厚さの１／２よりも大きくなると、凹み部が第１樹脂絶縁層を貫通してしまい、凹み部に一部が形成される第２導体部が、第１樹脂絶縁層とその下層側に隣接する樹脂絶縁層との間に形成された導体層に接触する可能性がある。
【００１４】
なお、ビア導体の形成材料と第２導体部の一部を構成する導体の形成材料とが同じ種類の材料からなることがよい。このようにすれば、第２導体部の一部の形成に際してビア導体とは別の材料を準備しなくても済む。よって、多層配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、多層配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。
【００１５】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の多層配線基板を製造する方法であって、前記第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第１樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成するビア孔形成工程と、前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第１樹脂絶縁層の表面において前記第２導体部が配置される領域に凹み部を形成する凹み部形成工程と、前記第１樹脂絶縁層の表面上に前記第１導体部及び前記第２導体部を形成する導体層形成工程とを含み、前記導体層形成工程が終了した時点で、前記凹み部に前記第２導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、前記第２導体部が前記第１導体部よりも厚くなることを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００１６】
従って、手段２に記載の発明によると、導体層形成工程が終了した時点で凹み部に第２導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、第１樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在しない第２導体部が、第１樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在する第１導体部よりも厚くなる。つまり、直下にビア導体が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第２導体部においても、第２導体部が厚くなることによって導体部分の体積が大きくなるため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、レーザのエネルギーを第２導体部によって確実に吸収できるため、レーザによる第２導体部のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第２導体部が厚く形成されるために、レーザによる第２導体部の貫通を防止できる。しかも、凹み部形成工程において、第１樹脂絶縁層の表面に凹み部を形成し、導体層形成工程が終了した時点で、第２導体部の一部を構成する導体で凹み部が埋まることによって第２導体部が厚くなる。このため、第２導体部を厚くしたとしても第２導体部の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板の信頼性が向上する。
【００１７】
以下、手段２の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００１８】
まず、ビア孔形成工程を行い、第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、第１樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成する。ここで、ビア孔の形成に用いられるレーザとしては、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザまたはＣＯ２レーザなどが挙げられるが、ビア孔形成工程では、紫外線レーザを用いたレーザ加工を施すことにより、ビア孔を形成することがよい。このようにすれば、ビア孔が小径であったとしても、短波長の紫外線レーザを用いることにより、ビア孔を確実に形成することができる。
【００１９】
ビア孔形成工程後のビア導体形成工程では、ビア孔内にビア導体を形成する。また、凹み部形成工程では、第１樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、第１樹脂絶縁層の表面において第２導体部が形成される領域に凹み部を形成する。ここで、凹み部の形成に用いられるレーザとしては、ＣＯ２レーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられるが、加工面積や生産性を考慮すると、ＣＯ２レーザを選択することが好適である。
【００２０】
なお、ビア孔形成工程と凹み部形成工程とを同時に行ってもよい。このようにすれば、製造工程数を削減できるため、製造コストを低く抑えることができる。また、ビア導体形成工程では、ビア導体の形成と同時に、凹み部内に第２導体部の一部を構成する導体を形成することがよい。このようにしても、製造工程数を削減できるため、製造コストを低く抑えることができる。
【００２１】
続く導体層形成工程では、第１樹脂絶縁層の表面上に第１導体部及び第２導体部を形成する。以上のプロセスを経て、多層配線基板が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。
【図２】多層配線基板の要部を示す概略斜視図。
【図３】ビア孔形成工程及び凹み部形成工程を示す説明図。
【図４】ビア導体形成工程及び導体層形成工程を示す説明図。
【図５】第２樹脂絶縁層にビア孔を形成する工程を示す説明図。
【図６】他の実施形態における多層配線基板を示す要部断面図。
【図７】他の実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の多層配線基板１０を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２４】
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。多層配線基板１０は、コア基板１１と、コア基板１１の主面１２上に形成されるビルドアップ層２０とからなる。
【００２５】
本実施形態のコア基板１１は、主面１２及び裏面１３を有し、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ４００μｍの略矩形板状をなしている。コア基板１１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなり、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が０〜２０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１０ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２６】
また、コア基板１１には、主面１２及び裏面１３を貫通する複数の貫通孔１４が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔１４内には、銅からなる導体柱１５が設けられている。さらに、コア基板１１の主面１２には、厚さ１５μｍの銅からなる主面側導体層１６が形成され、コア基板１１の裏面１３には、同じく厚さ１５μｍの銅からなる裏面側導体層１７が形成されている。各導体層１６，１７は、導体柱１５に電気的に接続されている。
【００２７】
図１に示されるように、ビルドアップ層２０は、厚さ１０μｍのエポキシ樹脂からなる２層の樹脂絶縁層２１，２２と、銅からなる１層の導体層３０とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層２１，２２の熱膨張係数は１０〜４０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１７ｐｐｍ／℃程度）であり、導体層３０の熱膨張係数は１７ｐｐｍ／℃である。なお、熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。本実施形態では、各樹脂絶縁層２１，２２のうち、第１層の樹脂絶縁層２１が第１樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２１）となり、第２層の樹脂絶縁層２２が第２樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層２２）となっている。第２樹脂絶縁層２２は、第１樹脂絶縁層２１上に積層されるとともに第１樹脂絶縁層２１に隣接している。
【００２８】
図１，図２に示されるように、各樹脂絶縁層２１，２２には、それぞれビア孔２４，２５及びフィルドビア導体２６，２７が設けられている。各ビア孔２４，２５は、各樹脂絶縁層２１，２２に対してレーザ加工を施すことにより形成される。各フィルドビア導体２６，２７は、銅からなり、ビア孔２４，２５内に設けられている。また、第１樹脂絶縁層２１に形成されたフィルドビア導体２６は、導体層３０と主面側導体層１６との間を互いに電気的に接続しており、第２樹脂絶縁層２２に形成されたフィルドビア導体２７は、導体層３０と後述する端子パッド４１との間を互いに電気的に接続している。なお、ビア孔２４，２５及びフィルドビア導体２６，２７は、円錐台形状をなし、いずれも同一方向（図１，図２では上方向）に拡径した形状をなしている。そして、各ビア孔２４，２５及びフィルドビア導体２６，２７は、最大径（図１，図２では上端における径）が３０μｍ、最小径（図１，図２では下端における径）が２５μｍとなっている。
【００２９】
また、図１，図２に示されるように、導体層３０は、第１樹脂絶縁層２１と第２樹脂絶縁層２２との間に形成され、第１導体部３１及び第２導体部３２からなっている。第１導体部３１は、第１樹脂絶縁層２１に形成されたフィルドビア導体２６が直下に存在するとともに、第２樹脂絶縁層２２に形成されたフィルドビア導体２７が直上に存在する導体層３０である。第１導体部３１は、外径６０μｍ、厚さ１０μｍ以下（本実施形態では８μｍ）の円板状をなしている。即ち、第１導体部３１の外径は、フィルドビア導体２６の最大径（３０μｍ）よりも大きくなっている。一方、第２導体部３２は、フィルドビア導体２６が直下に存在しないものの、フィルドビア導体２７が直上に存在する導体層３０である。第２導体部３２において第１樹脂絶縁層２１の表面上に位置する部分は、外径６０μｍ、厚さ１０μｍ以下（本実施形態では８μｍ）の円板状をなしている。
【００３０】
さらに、第１樹脂絶縁層２１の表面において第２導体部３２が配置される領域には、凹み部３３が形成されている。凹み部３３は、平面視円形状をなし、開口端側（図１では上側）に向かって拡径した形状をなしている。なお、凹み部３３の深さは、０．１μｍ以上であって、第１樹脂絶縁層２１の厚さ（１０μｍ）の１／２以下であり、本実施形態では３μｍに設定されている。また、凹み部３３の最大径（図１では上端における内径）は、フィルドビア導体２６，２７（またはビア孔２４，２５）の最大径（３０μｍ）以上であり、本実施形態では４０μｍに設定されている。なお、凹み部３３の最大径は、フィルドビア導体２６，２７の最大径以上であれば特に問題はない。しかし、最大径が大きすぎると、凹み部３３の加工時間が長くなる可能性があるため、凹み部３３の最大径は、例えば、（フィルドビア導体２６，２７の最大径）＋（凹み部３３の寸法公差）程度に設定されることがよい。
【００３１】
そして、図１，図２に示されるように、凹み部３３は、第２導体部３２の一部を構成する導体３４によって埋められている。導体３４は、フィルドビア導体２６，２７の形成材料（銅）と同じ種類の材料からなる銅めっき層である。なお、導体３４の厚さは、凹み部３３の深さと等しく、かつ第２導体部３２において第１樹脂絶縁層２１の表面上に位置する部分の厚さ（８μｍ）よりも小さくなっており、本実施形態では３μｍに設定されている。そして、第２導体部３２の厚さは、第２導体部３２において第１樹脂絶縁層２１の表面上に位置する部分の厚さ（８μｍ）と導体３４の厚さ（３μｍ）との和（１１μｍ）であり、第１導体部３１の厚さ（８μｍ）よりも厚くなっている。また、導体３４の最大径は、凹み部３３の最大径と等しく、かつ第２導体部３２の最大径（６０μｍ）よりも小さくなっており、本実施形態では４０μｍに設定されている。
【００３２】
そして、図１に示されるように、第２樹脂絶縁層２２の表面上には、フィルドビア導体２７を介して導体層３０に電気的に接続される厚さ１５μｍの端子パッド４１（導体層）がアレイ状に配置されている。また、第２樹脂絶縁層２２の表面は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層５１によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層５１の所定箇所には、ソルダーレジスト層５１を厚さ方向に貫通して端子パッド４１を露出させる開口部５２が形成されている。端子パッド４１の表面上には、複数のはんだバンプ４２が配設されている。そして、各はんだバンプ４２は、ＩＣチップの面接続端子に電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップは、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの矩形平板状をなし、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。
【００３３】
一方、図１に示されるように、コア基板１１の裏面１３上には、ビルドアップ層やソルダーレジスト層が形成されておらず、裏面側導体層１７のみが形成されている。そして、裏面側導体層１７の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ（図示略）が配設されている。
【００３４】
次に、本実施形態の多層配線基板１０の製造方法を説明する。
【００３５】
まず、コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。具体的に言うと、厚さ４００μｍの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備し、コア基板１１の中間製品を得る。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００３６】
次に、コア基板１１（銅張積層板）に対してドリル機を用いた孔あけ加工を行い、導体柱１５を形成するための貫通孔１４を所定位置にあらかじめ形成しておく。さらに、銅めっき等の周知の手法によって導体柱１５を形成する。次に、主面１２上に主面側導体層１６を形成するとともに、裏面１３上に裏面側導体層１７を形成する。具体的には、主面側導体層１６及び裏面側導体層１７を、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などといった周知の手法によって形成する。
【００３７】
次に、従来周知の手法に基づいて主面１２の上にビルドアップ層２０を形成する。具体的に言うと、まず、主面１２上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、第１樹脂絶縁層２１を形成する（図３参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００３８】
続くビア孔形成工程では、第１樹脂絶縁層２１に対して紫外線レーザ（本実施形態では、波長３５５ｎｍのＵＶ−ＹＡＧレーザ）を用いたレーザ加工を行い、フィルドビア導体２６が形成されるべき位置にビア孔２４を形成する（図３参照）。具体的には、第１樹脂絶縁層２１を貫通するビア孔２４を形成し、主面側導体層１６の表面を露出させる。
【００３９】
また、ビア孔形成工程と同時に凹み部形成工程を行う。凹み部形成工程では、上記した紫外線レーザによるレーザ加工と同時に、第１樹脂絶縁層２１に対して波長１０．６μｍまたは９．４μｍのＣＯ２レーザを用いたレーザ加工を行い、第１樹脂絶縁層２１の表面において第２導体部３２が配置される領域に凹み部３３を形成する（図３参照）。
【００４０】
そして、ビア孔形成工程及び凹み部形成工程後に、ビア導体形成工程及び導体層形成工程を行う。ビア導体形成工程では、ビア孔２４内にフィルドビア導体２６を形成するとともに、凹み部３３内に第２導体部３２の一部を構成する導体３４を形成する。導体層形成工程では、第１樹脂絶縁層２１の表面上に第１導体部３１及び第２導体部３２を形成する。具体的には、第１樹脂絶縁層２１の表面上、ビア孔２４の内面及び凹み部３３の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。その結果、ビア孔２４内にフィルドビア導体２６が形成されると同時に、凹み部３３内に導体３４が形成される（図４参照）。さらに、第１樹脂絶縁層２１の表面上に第１導体部３１及び第２導体部３２が形成される（図４参照）。なお、導体層形成工程が終了した時点で、凹み部３３に導体３４が形成されることにより、第２導体部３２が第１導体部３１よりも厚くなる。
【００４１】
次に、第１樹脂絶縁層２１上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着し、紫外線レーザ（本実施形態ではＵＶ−ＹＡＧレーザ）を用いたレーザ加工を行うことにより、フィルドビア導体２７が形成されるべき位置にビア孔２５を有する第２樹脂絶縁層２２を形成する（図５参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔２５の内部にフィルドビア導体２７を形成する。これと同時に、第２樹脂絶縁層２２上に端子パッド４１を形成する。
【００４２】
次に、第２樹脂絶縁層２２上に感光性エポキシ樹脂を塗布することにより、ソルダーレジスト層５１を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層５１に開口部５２を形成する。さらに、端子パッド４１上にはんだバンプ４２を形成し、かつ、裏面側導体層１７上にはんだバンプを形成する。なお、この状態のものは、多層配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である多層配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００４３】
その後、多層配線基板１０を構成するビルドアップ層２０の表面にＩＣチップを載置する。このとき、ＩＣチップ側の面接続端子と各はんだバンプ４２とを位置合わせする。そして、２２０℃〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ４２をリフローすることにより、各はんだバンプ４２と面接続端子とを接合し、多層配線基板１０側とＩＣチップ側とを電気的に接続する。その結果、多層配線基板１０にＩＣチップが搭載される。
【００４４】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４５】
（１）本実施形態の多層配線基板１０では、第１樹脂絶縁層２１と第２樹脂絶縁層２２との間に形成される導体層３０において、フィルドビア導体２６が直下に存在しない第２導体部３２が、フィルドビア導体２６が直下に存在する第１導体部３１よりも厚くなっている。つまり、直下にフィルドビア導体２６が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第２導体部３２においても、第２導体部３２を厚くすることによって導体部分の体積を大きくしているため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、第２樹脂絶縁層２２のビア孔２５の形成に用いられるレーザのエネルギーを、第２導体部３２によって確実に吸収できるため、レーザによる第２導体部３２のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第２導体部３２が厚く形成されるために、レーザによる第２導体部３２の貫通を防止できる。しかも、第１樹脂絶縁層２１の表面に凹み部３３を形成し、第２導体部３２の一部を構成する導体３４で凹み部３３を埋めることによって第２導体部３２を厚くしているため、第２導体部３２を厚くしたとしても第２導体部３２の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板１０の信頼性が向上する。
【００４６】
（２）ところで、レーザによる第２導体部３２のダメージを軽減する別の手法として、例えば、ビア孔２５の形成に用いられるレーザのエネルギーを低下させたり、１つのビア孔２５を形成する際におけるレーザの照射回数（レーザショット数）を増やしたりするなどして、少しずつ第２樹脂絶縁層２２を掘削する方法が考えられる。しかし、エネルギーの低下やレーザショット数の増加は、加工時間の大幅な増加となる。また、熱の影響を小さくするために、レーザを連続照射（バースト加工）するのではなく、レーザを所定時間ごとに複数回照射（サイクル加工）する方法も考えられる。しかし、照射位置の移動が増えてしまうため、この場合も、加工時間の大幅な増加に繋がるおそれがある。
【００４７】
一方、本実施形態では、第２導体部３２を厚くすることにより、レーザによる第２導体部３２のダメージの軽減を図っている。よって、加工時間の増加に繋がるレーザの照射条件の変更を行わなくても済むため、多層配線基板１０の製造効率低下を防止することができる。
【００４８】
（３）本実施形態では、導体層３０のうち、レーザが貫通しやすい部分である第２導体部３２のみを厚く形成しておけば、他の部分（第１導体部３１）を薄くすることができる。よって、導体層３０の薄膜化、ひいては、多層配線基板１０の小型化が可能となる。
【００４９】
（４）本実施形態では、第２導体部３２の一部を構成する導体３４の形成材料が、第２導体部３２において第１樹脂絶縁層２１の表面上に位置する部分の形成材料、第１導体部３１の形成材料、及び、フィルドビア導体２６，２７の形成材料等と同じ種類の材料（具体的には銅）からなっている。即ち、導体部３１，３２やフィルドビア導体２６，２７等の電気抵抗が等しくなるため、多層配線基板１０の導体部分における電気特性の変化を防止することができる。
【００５０】
（５）本実施形態では、ビア孔２４，２５に加えて、凹み部３３を形成しているため、工数の増加となる。しかし、比較的高速加工が可能なＣＯ２レーザを用いてレーザ加工を行うことにより、凹み部３３を形成しているため、加工時間の大幅な増加を防止することができる。
【００５１】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、第２導体部３２の直下に、第１樹脂絶縁層２１に形成されたフィルドビア導体２６が存在しておらず、第１樹脂絶縁層２１の下層側に隣接するコア基板１１に、導体柱１５、主面側導体層１６及び裏面側導体層１７が存在していた。そして、第２導体部３２の一部を構成する導体３４によって埋められる凹み部３３の深さが、第１樹脂絶縁層２１の厚さの１／２以下となっていた。
【００５３】
しかし、図６に示されるように、コア基板６１から導体柱１５、主面側導体層１６及び裏面側導体層１７を省略し、第２導体部６２の一部を構成する導体６３によって埋められる凹み部６４の深さを、第１樹脂絶縁層６５の厚さの１／２より大きくしてもよい。また、図７に示されるように、第１樹脂絶縁層７１とコア基板７２との間に樹脂絶縁層７３を配置してもよい。そして、凹み部７４の深さ（即ち、凹み部７４を埋める導体７５の厚さ）を第１樹脂絶縁層７１の厚さよりも大きくし、凹み部７４の底部が樹脂絶縁層７３内に到達するようにしてもよい。
【００５４】
・上記実施形態では、凹み部３３を埋める導体３４、即ち、第２導体部３２の一部を構成する導体３４の最大径が、第２導体部３２の最大径よりも小さくなっていた。しかし、導体３４の最大径を、第２導体部３２の最大径と等しくしてもよいし、第２導体部３２の最大径よりも大きくしてもよい。
【００５５】
・上記実施形態では、ビア孔２４，２５の形成に用いられるレーザをＵＶ−ＹＡＧレーザ（紫外線レーザ）とし、凹み部３３の形成に用いられるレーザをＣＯ２レーザとしていた。即ち、上記実施形態では、ビア孔２４，２５の形成に用いられるレーザと凹み部３３の形成に用いられるレーザとが、互いに異なる種類のレーザであった。しかし、ビア孔２４，２５の形成に用いられるレーザと凹み部３３の形成に用いられるレーザとを同じ種類のレーザ（例えばＵＶ−ＹＡＧレーザ）としてもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、ビア孔形成工程と凹み部形成工程とを同時に行っていたが、ビア孔形成工程後に凹み部形成工程を行ってもよいし、凹み部形成工程後にビア孔形成工程を行ってもよい。
【００５７】
・上記実施形態のビア導体形成工程では、フィルドビア導体２６の形成と同時に、凹み部３３内に第２導体部３２の一部を構成する導体３４を形成していた。しかし、フィルドビア導体２６の形成後に導体３４を形成してもよいし、導体３４の形成後にフィルドビア導体２６を形成してもよい。また、ビア導体形成工程においてフィルドビア導体２６のみを形成し、ビア導体形成工程後の導体層形成工程において、第１導体部３１及び第２導体部３２の形成と同時に、凹み部３３内に導体３４を形成してもよい。
【００５８】
・上記実施形態の多層配線基板１０は、２層の樹脂絶縁層２１，２２を積層することによって構成されていたが、３層以上の樹脂絶縁層を積層することによって構成されていてもよい。
【００５９】
・上記実施形態の多層配線基板１０は、コア基板１１の主面１２のみにビルドアップ層２０を有するビルドアップ多層配線基板であった。しかし、コア基板の主面及び裏面の両方にそれぞれビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板や、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板などを、本発明の多層配線基板として適用してもよい。
【００６０】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６１】
（１）上記手段１において、前記凹み部の最大径は、前記ビア導体の最大径以上であることを特徴とする多層配線基板。
【００６２】
（２）上記手段１において、前記第２導体部の一部を構成する導体の最大径は、前記第２導体部の最大径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
【００６３】
（３）上記手段１において、前記第２導体部の一部を構成する導体の厚さは、前記第２導体部の厚さよりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
【００６４】
（４）上記手段１において、前記第２導体部の一部を構成する導体は、めっき層であることを特徴とする多層配線基板。
【００６５】
（５）上記手段１において、前記ビア導体はフィルドビア導体であることを特徴とする多層配線基板。
【００６６】
（６）上記手段２において、前記ビア導体形成工程では、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記ビア導体を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１０…多層配線基板
１６…導体層としての主面側導体層
２１，６５，７１…樹脂絶縁層としての第１樹脂絶縁層
２２…樹脂絶縁層としての第２樹脂絶縁層
２４…ビア孔
２６，２７…ビア導体としてのフィルドビア導体
３０…導体層
３１…第１導体部
３２，６２…第２導体部
３３，６４，７４…凹み部
３４，６３，７５…第２導体部の一部を構成する導体
４１…導体層としての端子パッド
７３…樹脂絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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