(57)【要約】【課題】磁気素子を検出対象に近づけなくても検出対象の位置を検出することができる位置センサを提供する。【解決手段】ヨーク２０は、第１ヨーク２１の第１端部２３と第２ヨーク２２の第２端部２４との間に空間部２５を構成する。磁気素子４０は、空間部２５のうち移動方向における検出対象１００の先端部１１０の移動先に対応する位置に配置されている。そして、検出対象１００は、第１端部２３の第１端面２８及び第２端部２４の第２端面２９の両方に対向すると共に、各端面２８、２９の面方向のうち各端部２３、２４が並べられた方向に垂直な移動方向に沿って移動する。これにより、磁気素子４０は、基準位置からの検出対象１００の先端部１１０の移動量に応じて磁束の一部が検出対象１００に流入することによる閉回路２の磁束の増減に対応した検出信号を出力する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる磁束発生部（１０）と、
磁性材料により形成され、前記磁束発生部に固定されており、前記磁束発生部を含んだ前記磁束の閉回路（２）を構成し、前記閉回路の一部に前記磁束が透過する空間部（２５、６４、７９）を構成するヨーク（２０、６０、７０）と、
前記空間部に配置され、磁性体で構成された検出対象（１００）が前記ヨークに対向して移動する際の基準位置からの前記検出対象の先端部（１１０）の移動量に応じて前記磁束の一部が前記検出対象に流入することによる前記閉回路の前記磁束の増減に対応した検出信号を出力する磁気素子（４０、４１）と、
を備えている位置センサ。
【請求項２】
前記ヨーク（２０）は、前記磁束発生部の第１磁極に固定された第１ヨーク（２１）と、前記磁束発生部の第２磁極に固定された第２ヨーク（２２）と、を有し、前記第１ヨークのうちの前記第１磁極とは反対側の第１端部（２３）と前記第２ヨークのうちの前記第２磁極とは反対側の第２端部（２４）との間に前記空間部（２５）を構成し、
前記検出対象は、前記第１端部のうち前記磁束発生部とは反対側の第１端面（２８）及び前記第２端部のうち前記磁束発生部とは反対側の第２端面（２９）の両方に対向すると共に、前記第１端面及び前記第２端面の面方向のうち前記各端部（２３、２４）が並べられた方向に垂直な移動方向に沿って移動し、
前記磁気素子（４０）は、前記空間部のうち前記移動方向における前記先端部の移動先に対応する位置に配置されている請求項１に記載の位置センサ。
【請求項３】
前記磁束発生部は、一方向として長手方向に延びた形状に構成されており、
前記ヨーク（６０）は、前記長手方向に延びると共に前記磁束発生部の第１磁極または第２磁極のどちらかが固定された一面（６３）を有する第１板部（６１）と、前記一面の短手方向の一端側から突出した第２板部（６２）と、を有する断面Ｌ字状に形成され、前記磁束発生部のうち前記一面とは反対側に前記空間部（６４）を構成し、
前記磁気素子（４１）は、前記空間部において前記長手方向に延びた形状に構成されており、
前記検出対象は、前記第２板部のうち前記第１板部側とは反対側の端面（６５）及び前記空間部の両方に対向して前記長手方向に移動し、
さらに、前記磁気素子は、前記先端部の位置に応じて前記磁束の一部が貫通することによって変化する抵抗値に対応した前記検出信号を出力する請求項１に記載の位置センサ。
【請求項４】
前記ヨーク（７０）は、当該ヨークの一部と前記磁束発生部との間に前記先端部が配置される隙間（７８ａ）を構成するか、もしくは、当該ヨークの一部が分離されていると共に前記先端部が配置される隙間（７８ｂ）を構成している請求項１に記載の位置センサ。
【請求項５】
前記ヨークは、前記磁束発生部の隣に配置され、前記磁束発生部から漏れた磁束を当該磁束発生部に戻す分離部（７３）を有している請求項４に記載の位置センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象の位置を検出する位置センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、直線上の位置を検出する位置センサが、例えば特許文献１で提案されている。具体的には、位置センサは、厚さ方向に着磁された磁石の片面に当該磁石の長さ方向に対する幅が当該長さ方向の位置によって異なる磁性板が設けられたセンサ本体を備えている。また、位置センサは、センサ本体の磁性板の上方に一定のギャップを空けて長手方向に沿って移動する磁気変換素子を備えている。
【０００３】
このような構成によると、磁石から出る磁界が幅の異なる磁性板によって遮蔽されるので、磁性板の表面の磁界強さが磁石の長さ方向の位置によって変化する。したがって、移動する磁気変換素子からの出力を検知することで、磁気変換素子の磁石に対する位置を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２６４３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、磁石に対する磁性板の幅によって磁束の大きさを変化させているので、磁気変換素子をセンサ本体に近づけなければ磁束の変化を検出することができない。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、磁気素子を検出対象に近づけなくても検出対象の位置を検出することができる位置センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、位置センサは、磁束を発生させる磁束発生部（１０）を備えている。位置センサは、磁性材料により形成され、磁束発生部に固定されており、磁束発生部を含んだ磁束の閉回路（２）を構成し、閉回路の一部に磁束が透過する空間部（２５、６４、７９）を構成するヨーク（２０、６０、７０）を備えている。
【０００８】
また、位置センサは、空間部に配置され、磁性体で構成された検出対象（１００）がヨークに対向して移動する際の基準位置からの検出対象の先端部（１１０）の移動量に応じて磁束の一部が検出対象に流入することによる閉回路の磁束の増減に対応した検出信号を出力する磁気素子（４０、４１）を備えている。
【０００９】
これによると、ヨークに対する検出対象の対向面積の変化に応じて閉回路の磁束が変化する。このため、検出対象が磁気素子から離れていても、検出対象の移動量に応じて磁気素子に流入する磁束を変化させることができる。したがって、磁気素子を検出対象に近づけなくても検出対象の位置を検出することができる。
【００１０】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】検出対象移動量に対する信号処理後の出力を示した図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図６】図５のVI−VI断面図である。
【図７】基準抵抗及び磁気素子のハーフブリッジ回路を示した図である。
【図８】図５のVIII−VIII断面図である。
【図９】磁気素子に印加される磁束のＢｙ成分とＢｚ成分とを説明するための図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る位置センサの側面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る位置センサの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１３】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る位置センサは、検出対象の位置を検出するものである。図１に示されるように、位置センサ１は、磁石１０、ヨーク２０と、支持基板３０、磁気素子４０、及び信号処理部５０を備えて構成されている。なお、図１では、ヨーク２０を破線で示している。
【００１４】
磁石１０は、磁束を発生させる部品である。本実施形態では、磁石１０は、一方向として長手方向に延びた細長い板状に構成されている。
【００１５】
ヨーク２０は、磁性材料により形成されていると共に、磁気回路を構成するための部品である。図２に示されるように、ヨーク２０は、第１ヨーク２１及び第２ヨーク２２を有して構成されている。第１ヨーク２１は、磁石１０の第１磁極に固定されている。第２ヨーク２２は、磁石１０の第２磁極に固定されている。第１磁極は例えばＮ極であり、第２磁極は例えばＳ極である。この関係は逆でも良い。
【００１６】
また、各ヨーク２１、２２は磁石１０の長手方向に垂直な断面がＵ字状になっている。そして、ヨーク２０は、第１ヨーク２１のうちの第１磁極とは反対側の第１端部２３と第２ヨーク２２のうちの第２磁極とは反対側の第２端部２４との間に磁束が透過する空間部２５を構成している。
【００１７】
第１端部２３は、第２端部２４側に突出した第１突出部２６を有する。第２端部２４は、第１端部２３側に突出すると共に第１突出部２６に対向する第２突出部２７を有する。第１突出部２６と第２突出部２７との間の隙間が空間部２５になっている。そして、ヨーク２０は、磁石１０及び空間部２５を含んだ磁束の閉回路２を構成している。すなわち、磁石１０→第１ヨーク２１→空間部２５→第２ヨーク２２→磁石１０という閉回路２である。空間部２５は、閉回路２の一部を構成している。
【００１８】
ここで、検出対象１００は、板状の磁性体によって構成されている。検出対象１００は、ヨーク２０から離れて位置している。また、検出対象１００は、第１端部２３のうち磁石１０とは反対側の第１端面２８及び第２端部２４のうち磁石１０とは反対側の第２端面２９の両方に対向する。そして、検出対象１００の先端部１１０は、第１端面２８及び第２端面２９の面方向のうち各端部２３、２４が並べられた方向に垂直な移動方向に沿って基準位置から移動する。
【００１９】
支持基板３０は、表面３１及び裏面３２を有する細長い板状の部品である。支持基板３０は、図示しないパッドや配線パターンが形成された回路基板である。支持基板３０として、プリント基板等の磁束を透過するものが用いられる。支持基板３０は、磁石１０よりも長く形成されている。したがって、支持基板３０は、一部が空間部２５に配置され、他の部分が空間部２５の外に位置している。なお、支持基板３０の全体が空間部２５に配置されていても良い。
【００２０】
磁気素子４０は、基準位置からの検出対象１００の先端部１１０の移動量に応じて変化する磁束の強弱に対応した検出信号を出力する検出手段である。検出信号は、例えば磁束の強弱に対応した大きさの電圧である。磁気素子４０として、磁気の強さを検出するホール素子等が用いられる。
【００２１】
磁気素子４０は、支持基板３０の表面３１に実装されている。また、図１に示されるように、磁気素子４０は、空間部２５のうち検出対象１００の先端部１１０の移動方向における先端部１１０の移動先に対応する位置に配置されている。磁気素子４０は、検出対象１００の先端部１１０の移動量に応じて磁束の一部が検出対象１００に流入することによる閉回路２の磁束の増減を検出するためである。
【００２２】
信号処理部５０は、磁気素子４０から検出信号を入力して感度やオフセット等の信号処理を行う回路部である。信号処理部５０は、例えばＩＣチップとして構成されている。信号処理部５０は、支持基板３０の表面３１に実装されている。信号処理部５０は、支持基板３０の裏面３２に実装されていても良い。
【００２３】
以上が、位置センサ１の構成である。なお、位置センサ１は、上記各構成を収容する筐体や、他の装置と電気的接続を行うための端子等を備えている。
【００２４】
次に、位置センサ１の作動について説明する。まず、図１に示されるように、移動方向において、ヨーク２０の各端面２８、２９に対する検出対象１００の先端部１１０の位置に応じて、ヨーク２０から検出対象１００に流入する磁束の範囲が変化する。
【００２５】
具体的には、検出対象１００がヨーク２０の各端面２８、２９に対向する位置では、第１ヨーク２１の磁束の一部が磁性体である検出対象１００に優先的に流入する。また、検出対象１００に流入した磁束は、第２ヨーク２２に戻る。したがって、図３に示されるように、磁石１０→第１ヨーク２１→検出対象１００→第２ヨーク２２→磁石１０という閉回路３が構成される。一方、検出対象１００がヨーク２０の各端面２８、２９に対向しない位置では、図２に示された閉回路２が構成される。
【００２６】
そして、検出対象１００の先端部１１０の位置に応じて、磁気素子４０側の閉回路２と、検出対象１００側の閉回路３と、の磁束の割合が変化する。例えば、検出対象１００の先端部１１０が磁気素子４０側に移動すると、磁束の多くが検出対象１００側の閉回路３を通るようになる。このため、磁気素子４０側の閉回路２を通る磁束の量が低下する。つまり、磁気素子４０側の閉回路２の磁束は、検出対象１００側よりも弱くなる。
【００２７】
このように、ヨーク２０の各端面２８、２９のうち検出対象１００が相対している領域と相対していない領域との対向面積の比で磁気素子４０を貫通する磁束密度が決まる。すなわち、検出対象１００の先端部１１０の位置に応じて閉回路２の磁束が増減する。したがって、磁気素子４０は、当該対向面積の比に応じた検出信号を出力する。
【００２８】
信号処理部５０は、検出信号の感度とオフセットを調整する。これにより、図４に示されるように、信号処理部５０は、検出対象１００の移動量に対して比例して変化する出力を得ることができる。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態では、ヨーク２０に対する検出対象１００の対向面積に応じて変化する閉回路２の磁束を検出する構成になっている。この構成により、検出対象１００が磁気素子４０から離れていても、検出対象１００の移動量に応じて磁気素子４０に流入する磁束が変化する。したがって、磁気素子４０を検出対象１００に近づけなくても検出対象１００の位置を検出することができる。
【００３０】
位置センサ１は、例えば、自動車ドライブシャフト、カムシャフト、ギヤ等の回転体の軸方向の移動位置検出、シフトポジション検出、ピストンやバルブ等の位置検出に適用される。もちろん、位置センサ１は自動車以外の他の用途に適用されても良い。
【００３１】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、磁石１０が特許請求の範囲の「磁束発生部」に対応する。
【００３２】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図５に示されるように、位置センサ１は、磁石１０、ヨーク６０、支持基板３０、磁気素子４１、及び信号処理部５０を備えて構成されている。
【００３３】
ヨーク６０は、第１板部６１及び第２板部６２を有している。第１板部６１は、磁石１０の長手方向に沿って延びると共に、磁石１０の第２磁極が固定された一面６３を有している。第１板部６１の一面６３には磁石の第１磁極が固定されても良い。図６に示されるように、第２板部６２は、第１板部６１の一面６３の短手方向の一端側から突出している。これにより、ヨーク６０は、断面Ｌ字状に形成されている。各板部６１、６２は一体化されていても良いし、別体でも良い。
【００３４】
また、ヨーク６０は、磁石１０のうち一面６３とは反対側に空間部６４を構成している。これにより、磁石１０→空間部６４→第２板部６２→第１板部６１→磁石１０という閉回路２が構成されている。支持基板３０及び磁気素子４１は、この空間部６４に配置されている。支持基板３０は、裏面３２が磁石１０の第１磁極に接着剤等で固定されている。磁気素子４１は、支持基板３０の表面３１に接着剤等で固定されている。
【００３５】
磁気素子４１は、磁束の影響を受けたときに抵抗値が変化する磁気抵抗素子として構成されている。磁気素子４１は、空間部６４において長手方向に延びた板状に構成されている。
【００３６】
例えば、磁気素子４１は、下部電極の上にピン磁性層、非磁性層、フリー磁性層、及び上部電極が順に形成されたＧＭＲ素子として構成されている。ピン磁性層は磁化の向きが固定された強磁性金属層である。非磁性層はフリー磁性層からピン磁性層に電流を流すための層である。フリー磁性層は、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。なお、磁気素子４１は、ＧＭＲ素子に限られず、ＴＭＲ素子、ＡＭＲ素子として構成されていても良い。
【００３７】
図７に示されるように、信号処理部５０は、基準抵抗５１及び電圧検出部５２を有している。基準抵抗５１は、磁気素子４１に直列接続されている。言い換えると、磁気素子４１及び基準抵抗５１はハーフブリッジ回路を構成している。基準抵抗５１の抵抗値をＲｆとし、磁気素子４１の抵抗値をＲａとする。Ｒｆは一定値であるが、Ｒａは変化する。そして、磁気素子４１と基準抵抗５１との接続点の電圧が検出信号となる。電圧検出部５２は、当該接続点の電圧を検出する。以上が、位置センサ１の構成である。
【００３８】
なお、基準抵抗５１は、信号処理部５０とは別体として支持基板３０に設けられていても良い。基準抵抗５１が磁気抵抗素子として構成されている場合、支持基板３０のうち磁気の影響を受けない位置に実装される。基準抵抗５１が拡散抵抗として構成されている場合、磁気の影響を受けないので、実装位置は支持基板３０のどこでも良い。
【００３９】
次に、位置センサ１の作動について説明する。まず、図５に示されるように、検出対象１００は、第２板部６２のうち第１板部６１側とは反対側の端面６５及び空間部６４の両方に対向して移動方向に移動する。そして、移動方向において、ヨーク６０の端面６５に対する検出対象１００の先端部１１０の位置に応じて、ヨーク６０から検出対象１００に流入する磁束の範囲が変化する。
【００４０】
具体的には、検出対象１００が磁気素子４１の正面に位置しない状態ではヨーク６０を介して磁石１０の第１磁極と第２磁極とが結合しているため、図６に示された閉回路２が構成される。一方、検出対象１００が磁気素子４１の正面に位置する状態では、磁束が検出対象１００に引かれるため、図８に示されるように磁石１０→空間部６４→検出対象１００→第２板部６２→第１板部６１→磁石１０という閉回路４が構成される。
【００４１】
したがって、図９に示されるように、検出対象１００が磁気素子４１の正面に位置しない状態では磁気素子４１へ入射する磁束は傾く。このため、磁気素子４１のうち検出対象１００が対向しない部分は、磁束のＢｙ成分の抵抗変化率に従った抵抗値となり、当該Ｂｙ成分によって小さい抵抗値となる。なお、図９に示された磁束のＢｘ成分は移動方向に沿った成分であり、磁気素子４１の抵抗値の変化には影響しない。
【００４２】
一方、検出対象１００が磁気素子４１の正面に位置する状態では磁束が磁気素子４１に垂直に貫通する。このため、磁気素子４１のうち検出対象１００が対向する部分は、磁束のＢｚ成分に従った抵抗値となり、抵抗変化がほぼ無い部分となる。
【００４３】
以上のことから、図７に示されたハーフブリッジ回路の磁気素子４１の総抵抗が、検出対象１００の先端部１１０の位置により決まる。言い換えると、当該総抵抗が磁束のＢｙ成分の抵抗値の変化に応じて決まる。したがって、磁気素子４１は、検出対象１００の先端部１１０の位置に応じて磁束の一部が貫通することによって変化する抵抗値に対応した検出信号を出力する。電圧検出部５２は、当該検出信号を基準抵抗５１の抵抗値Ｒｆと磁気素子４１の総抵抗値Ｒａとの抵抗比に応じた電圧として検出する。
【００４４】
信号処理部５０は、電圧検出部５２によって検出された検出信号の感度とオフセットを調整する。これにより、図４に示されるように、検出対象１００の移動量に対して比例して変化する出力が得られる。そして、第１実施形態と同様の効果が得られる。以上のように、磁気抵抗素子として構成された磁気素子４１を用いて位置センサ１を構成することもできる。
【００４５】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図１０に示されるように、位置センサ１は、磁石１０、ヨーク７０、及び磁気素子４０を備えている。なお、信号処理部５０は図示しないが位置センサ１に設けられている。
【００４６】
ヨーク７０は、第３ヨーク７１、第４ヨーク７２、及び分離部７３を有している。これらはそれぞれ分離した部品になっている。第３ヨーク７１は、Ｕ字状に構成されている。第３ヨーク７１は、一端部７４が磁石１０の第２磁極に固定されていると共に、他端部７５が磁気素子４０に対向している。他端部７５は、先端が磁気素子４０のサイズに応じて小さくなっている。
【００４７】
第４ヨーク７２は、磁石１０と磁気素子４０との間に配置されている。第４ヨーク７２は、一端部７６が磁気素子４０に対向していると共に、先端が磁気素子４０のサイズに応じて小さくなっている。第４ヨーク７２の他端部７７は、磁石１０の第１磁極との間に検出対象１００の先端部１１０が配置される隙間７８ａを構成する。
【００４８】
磁気素子４０は、第３ヨーク７１の他端部７５と第４ヨーク７２の一端部７６との間の空間部７９に配置されている。空間部７９は、磁石１０→隙間７８ａ→第４ヨーク７２→第３ヨーク７１→磁石１０という閉回路２の一部を構成している。
【００４９】
分離部７３は、磁石１０の隣に配置されている。磁石１０の隣とは、磁石１０の第１磁極と第２磁極との境界部分に対応した位置である。また、分離部７３は、磁石１０から漏れた磁束を当該磁石１０に戻す閉回路５の一部を構成している。分離部７３は、検出対象１００の先端部１１０が隙間７８ａに位置するか否かによって、磁束が閉回路２と閉回路５のとのどちらに優先的に流入するかの選択性を高める役割を果たす。
【００５０】
上記の構成において、検出対象１００の先端部１１０は、隙間７８ａを移動する。すなわち、検出対象１００は、磁石１０と第４ヨーク７２との間を隙間７８ａに平行に移動する。そして、検出対象１００が隙間７８ａに位置していない場合は、磁石１０から出た磁束は第３ヨーク７１を介して結合するものが主となる。
【００５１】
一方、検出対象１００の先端部１１０が移動して隙間７８ａに入ると、隙間７８ａのうち検出対象１００が位置しない部分よりも検出対象１００が位置する部分の磁気抵抗が小さくなる。すなわち、第３ヨーク７１及び第４ヨーク７２で構成される閉回路２の抵抗が下がり、閉回路５よりも閉回路２を通る磁束が増加する。その結果、磁気素子４０を貫通する磁束が増加する。そして、磁気素子４０を貫通する磁束の量は検出対象１００が隙間７８ａに入った移動量で決まる。
【００５２】
磁気素子４０は隙間７８ａにおける検出対象１００の先端部１１０の位置に応じた磁束密度を電圧に変換して検出信号として出力する。したがって、信号処理部５０は、図４に示されるように、検出対象１００の移動量に対して比例して変化する出力を得ることができる。また、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、検出対象１００は、図１０の紙面に平行な方向ではなく、紙面に垂直な方向に移動しても良い。
【００５３】
（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分について説明する。図１１に示されるように、本実施形態に係る位置センサ１では、第４ヨーク７２の他端部７７が磁石１０の第１磁極に固定されている。また、第３ヨーク７１の一部が分離されていると共に、検出対象１００の先端部１１０が配置される隙間７８ｂが構成されている。このように、検出対象１００が第３ヨーク７１の隙間７８ｂを移動する構成とすることもできる。
【００５４】
（第５実施形態）
本実施形態では、第３、第４実施形態と異なる部分について説明する。図１２に示されるように、本実施形態に係る位置センサ１では、第４ヨークが廃止されている。そして、第３ヨーク７１の一部が分離されていると共に、磁気素子４０が配置される空間部７９が構成されている。また、第３ヨーク７１の他端部７５と磁石１０との間に検出対象１００の先端部１１０が配置される隙間７８ａが構成されている。このような構成とすることもできる。
【００５５】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された位置センサ１の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、ヨーク２０、６０、７０の形状は一例であり、他の形状としても良い。
【００５６】
上記各実施形態では、磁束を発生させるものとして磁石１０が用いられていたが、これは構成の一例である。例えば、電磁石等の磁束発生手段が用いられても良い。
【００５７】
上記各実施形態では、検出対象１００は板状に構成されていたが、これは形状の一例である。したがって、検出対象１００は板状に限られず、他の形状でも良い。
【００５８】
第３実施形態では、ヨーク７０は分離部７３を有していたが、これはヨーク７０の構成の一例である。ヨーク７０は分離部７３を有していなくても良い。
【符号の説明】
【００５９】
２                閉回路
１０              磁石（磁束発生部）
２０、６０、７０  ヨーク
２５、６４、７９  空間部
４０、４１        磁気素子
１００            検出対象
１１０            先端部
【図１】
2017207360.tif 000003
【図２】
2017207360.tif 000004
【図３】
2017207360.tif 000005
【図４】
2017207360.tif 000006
【図５】
2017207360.tif 000007
【図６】
2017207360.tif 000008
【図７】
2017207360.tif 000009
【図８】
2017207360.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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