(57)【要約】【課題】より簡単な構造で、より安価に、支持基板からウェハを剥離する場合、粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板からウェハを剥離する。【解決手段】支持基板１に、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する複数の変形部分と、熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する非変形部分とを設ける。変形部分および非変形部分は、一体に形成される。変形していない変形部分および非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力によりウェハを保持できる位置とされる。変形部分と非変形部分とは、交互に配置されている。【選択図】図１
2017028037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状に形成され、ウェハに粘着、接着または静電引力により吸着され、粘着、接着、または吸着されたウェハと共にウェハの加工工程に搬送される支持基板であって、
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する複数の変形部分と、
熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する非変形部分と
を備え、
前記変形部分および前記非変形部分は、一体に形成され、
変形していない前記変形部分および前記非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力により前記ウェハを保持できる位置とされ、
前記変形部分と前記非変形部分とは、交互に配置されている
支持基板。
【請求項２】
請求項１に記載の支持基板において、
変形していない前記変形部分および前記非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、同一とされている
支持基板。
【請求項３】
請求項１に記載の支持基板において、
前記変形部分は、円形の表面に沿う向きの所定の長さ毎に設けられている
支持基板。
【請求項４】
請求項１に記載の支持基板において、
前記変形部分は、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して突出するように変形する
支持基板。
【請求項５】
請求項１に記載の支持基板において、
前記変形部分は、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して凹むように変形する
支持基板。
【請求項６】
請求項１に記載の支持基板において、
円形の周側に配置されている前記変形部分の変形の条件または変形の形状は、円形の中心側に配置されている前記変形部分の変形の条件または変形の形状と異なる
支持基板。
【請求項７】
請求項１に記載の支持基板において、
円形の径で分割される一方の領域に配置されている前記変形部分の変形の条件または変形の形状は、円形の径で分割される他方の領域に配置されている前記変形部分の変形の条件または変形の形状と異なる
支持基板。
【請求項８】
請求項１に記載の支持基板において、
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、隣接する前記変形部分が、順に変形する
支持基板。
【請求項９】
請求項１に記載の支持基板において、
発熱して前記変形部分に加熱する発熱部をさらに備える
支持基板。
【請求項１０】
請求項１に記載の支持基板を加熱する加熱装置において、
前記支持基板の前記変形部分のそれぞれを加熱する加熱部と、
前記変形部分のそれぞれへの前記加熱部による加熱を制御する制御部と
を備える加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は支持基板および加熱装置に関し、特に、ウェハの加工に適した支持基板および加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハが、半導体集積回路や機械要素部品であるMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）の製造に広く用いられている。ウェハは、単結晶シリコンのインゴットを薄い円板状にスライスしたものである。円形のウェハの一方の面に、物理蒸着や化学的気相成長による成膜、拡散、レジスト塗布、露光、現像、メッキ、エッチングなどの加工により半導体集積回路が形成される。半導体集積回路製造の歩留まりの向上のため、ウェハは大径化している。
【０００３】
一方で、電子機器の小型化が進み、半導体集積回路（チップ）自身の小型化が要求されるようになってきている。これに応じて、半導体集積回路が形成されたウェハの裏面が研磨され、ウェハが薄くされる。ウェハが薄くなると、ウェハが、変形したり、割れたりしやすくなる。
【０００４】
そこで、ウェハの半導体集積回路が形成されている面に、円板状の板である支持基板を貼り付けて補強し、ウェハの加工、ウェハの搬送や、ウェハの裏面の研磨において、ウェハの破損を防止している。
【０００５】
従来、両面粘着テープを介して、可撓性を有する支持基板に、分割した半導体ウェハを貼り合わせて所定のウェハ加工を行った後、半導体ウェハの平面性を保持しつつ、ロール状のガイド部材に沿って支持基板を湾曲させながら、半導体ウェハから支持基板を両面粘着テープと共に剥離するようにしたものもある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、少なくとも一方の面に粘着剤層を有する粘着テープが貼付された半導体ウェハから粘着テープを剥離する方法において、粘着テープと半導体ウェハとの接着面積を減少させる刺激を与え、全接着面積の３０％以上が減少した後に、粘着テープと半導体ウェハとの接着面積を更に減少させる刺激を与えるようにしたものもある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２１６８４４号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ウェハの加工、ウェハの搬送や、ウェハの裏面の研磨の後に、支持基板からウェハを剥離することは、ウェハの大径化および薄板化により、より困難になっている。支持基板からウェハを剥離する際には、ウェハに加わる力をより小さくすることが要求されている。
【０００９】
一方で、特殊な粘着剤や接着剤を使用すると、半導体集積回路の製造のためのコストが高くなってしまう。ウェハの大径化によって、設備の規模が大きくなり、粘着剤や接着剤を洗浄する為の溶剤などの使用量も格段に増加してしまう。
【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、より簡単な構造で、より安価に、支持基板からウェハを剥離する場合、粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面の支持基板は、円板状に形成され、ウェハに粘着、接着または静電引力により吸着され、粘着、接着、または吸着されたウェハと共にウェハの加工工程に搬送される支持基板であって、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する複数の変形部分と、熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する非変形部分とを備え、変形部分および非変形部分は、一体に形成され、変形していない変形部分および非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力によりウェハを保持できる位置とされ、変形部分と非変形部分とは、交互に配置されている。
【００１２】
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられると、複数の変形部分が、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形し、一方、変形部分と交互に配置されている非変形部分が、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持するので、円形の表面が凹凸状となり、ウェハと支持基板とが接する面の面積が減少し、粘着、接着または吸着する力が減少する。これにより、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。また、複数の変形部分と非変形部分とを設ければ良いだけなので、より簡単な構造で、より安価にできる。さらに、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つを加えれば良いだけなので、より安価に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００１３】
変形していない変形部分および非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置を、同一とすることができる。このようにすることで、搬送において、より強い力で、ウェハを粘着、接着または吸着できる。
【００１４】
変形部分を、円形の表面に沿う向きの所定の長さ毎に設けることができる。このようにすることで、変形部分が設けられる周期で凹凸が生じ、ウェハと支持基板とが粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００１５】
変形部分を、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して突出するように変形させることができる。または、変形部分を、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して凹むように変形させることができる。このようにすることで、ウェハと支持基板とが接する面の面積が減少し、ウェハと支持基板とが粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００１６】
円形の周側に配置されている変形部分の変形の条件または変形の形状を、円形の中心側に配置されている変形部分の変形の条件または変形の形状と異なるものとすることができ
持基板の周側からウェハを剥離しやすくなる。
【００１７】
円形の径で分割される一方の領域に配置されている変形部分の変形の条件または変形の形状は、円形の径で分割される他方の領域に配置されている変形部分の変形の条件または変形の形状と異なるものとすることができる。このようにすることで、例えば、一方の領域でウェハが支持基板に保持されたままで、支持基板の他方の領域のいずれかからウェハを剥離しやすくなる。なお、分割は２分に限らず、３分割以上とする場合は、支持基板へのストレスをより低減させる状況でウェハを剥離することが可能となる。
【００１８】
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、隣接する変形部分を、順に変形させることができる。このようにすることで、変形部分の変形によるウェハに加わる応力が小さくなり、ウェハの割れや変形を防止した上で、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００１９】
発熱して変形部分に加熱する発熱部をさらに設けることができる。別途加熱装置を設ける必要がなく、より安価に、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００２０】
支持基板を加熱する加熱装置に、支持基板の変形部分のそれぞれを加熱する加熱部と、変形部分のそれぞれへの加熱部による加熱を制御する制御部とを設けることができる。より確実に、支持基板の変形部分のそれぞれへの加熱を制御することができるので、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【００２１】
本発明の一側面の支持基板においては、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する複数の変形部分と、熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する非変形部分とが設けられ、変形部分および非変形部分は、一体に形成され、変形していない変形部分および非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力によりウェハを保持できる位置とされ、変形部分と非変形部分とは、交互に配置されている。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明の一側面の支持基板によれば、ウェハを補強することができる。
【００２３】
また、本発明の一側面の支持基板によれば、より簡単な構造で、より安価に、支持基板からウェハを剥離する場合、粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板からウェハを剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】支持基板１の使用の態様の例を示す図である。
【図２】ウェハ１１が粘着されている支持基板１を示す図である。
【図３】変形部分５１が変形していない支持基板１の構成を示す図である。
【図４】変形部分５１が変形している支持基板１の構成を示す図である。
【図５】ウェハ１１が粘着され、変形部分５１が変形している支持基板１を示す図である。
【図６】変形部分５１の形状の例を示す図である。
【図７】変形部分５１の変形の例を示す図である。
【図８】変形部分５１の配置の例を示す図である。
【図９】変形部分５１の変形の順序の例を示す図である。
【図１０】本発明の一実施の形態の支持基板１の他の例を示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態の加熱装置２０１の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、本発明の構成要件と、発明の詳細な説明に記載の実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。この記載は、本発明をサポートする実施の形態が、発明の詳細な説明に記載されていることを確認するためのものである。従って、発明の詳細な説明中には記載されているが、本発明の構成要件に対応する実施の形態として、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が構成要件に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件以外の構成要件には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００２６】
本発明の一側面の支持基板は、円板状に形成され、ウェハに粘着、接着または静電引力により吸着され、粘着、接着、または吸着されたウェハと共にウェハの加工工程に搬送される支持基板（例えば、図３の支持基板１）であって、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する複数の変形部分（例えば、図３の変形部分５１）と、熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する非変形部分（例えば、図３の非変形部分５２）とを備え、変形部分および非変形部分は、一体に形成され、変形していない変形部分および非変形部分の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力によりウェハを保持できる位置とされ、変形部分と非変形部分とは、交互に配置されている。
【００２７】
発熱して変形部分に加熱する発熱部（例えば、図１０の発熱回路１０３）をさらに設けることができる。
【００２８】
支持基板を加熱する加熱装置（例えば、図１１の加熱装置２０１）に、支持基板の変形部分のそれぞれを加熱する加熱部（例えば、図１１の加熱回路２０３）と、変形部分のそれぞれへの加熱部による加熱を制御する制御部（例えば、図１１の加熱制御部２０４）とを設けることができる。
【００２９】
以下、図１乃至図１０を参照して、本発明の一実施の形態の支持基板１の例について説明する。
【００３０】
図１は、研磨の工程における、支持基板１の使用の態様の例を示す図である。図２は、ウェハ１１が粘着されている支持基板１を示す図である。図２（Ａ）は、支持基板１の上面図であり、図２（Ｂ）は、支持基板１の側面図である。
【００３１】
支持基板１は、円板状に形成されている。支持基板１は、所定の強度を有する材料で形成され、曲げなどに対して所定の強さおよび剛性を有している。支持基板１は、ウェハ１１に粘着されるか、接着されるか、または静電引力により吸着される。すなわち、支持基板１には、ウェハ１１が装着される。支持基板１は、装着されているウェハ１１を補強する。
【００３２】
支持基板１は、粘着、接着、または吸着されたウェハ１１と共に、研磨工程などのウェハ１１の加工工程に搬送される。ウェハ１１は、支持基板１に粘着、接着、または吸着されたままで、研磨など加工される。加工が終了した、ウェハ１１は、支持基板１に粘着、接着、または吸着されたままで、その加工工程から取り出され、搬送される。
【００３３】
以下、支持基板１をウェハ１１に粘着する場合を例に説明する。
【００３４】
なお、ウェハ１１が装着されている面を上側にして支持基板１が載置される状態を基準として、支持基板１に対して前後の方向をＹ軸で図示し、上下の方向をＺ軸で図示し、左右の方向をＸ軸で図示する。また、以下、Ｘ軸方向のうち、図１中の左上側を単に左側と称し、Ｘ軸方向のうち、図１中の右下側を単に右側と称する。さらに、以下、Ｙ軸方向のうち、図１中の左下側を手前側と称し、Ｙ軸方向のうち、図１中の右上側を奥側と称する。さらにまた、以下、Ｚ軸方向のうち、図１中の上側を単に上側と称し、Ｚ軸方向のうち、図１中の下側を単に下側と称する。また、Ｚ軸方向を、単に上下方向とも称し、Y軸方向を、単に前後方向とも称し、Ｘ軸の方向を左右方向とも称する。
【００３５】
ウェハ１１は、単結晶シリコンなどで形成されている円柱状のインゴットを、薄い円板状にスライスして成形される。なお、ウェハ１１は、シリコンウェハに限らず、シリコンカーバイドウェハ、サファイアウェハ、またはガリウムヒ素若しくは窒化ガリウムなどの化合物半導体ウェハのいずれかとすることができる。ウェハ１１の円形の面のうちの一方には、半導体集積回路または機械要素部品であるMEMSが形成される。支持基板１は、ウェハ１１の円形の面のうちの一方または他方に粘着される。例えば、ウェハ１１の面のうち、半導体集積回路が形成されていない側である裏面を研磨する場合、支持基板１は、ウェハ１１の面のうち、半導体集積回路が形成されている側である表面に粘着される。
【００３６】
研磨機１２は、下側に設けられている円形の研磨輪（バフ）１３を回転させる。研磨機１２は、図示せぬ駆動軸により、上下方向、前後方向、および左右方向に移動させられる。テーブル１４には、支持基板１に粘着されているウェハ１１が上側になるように、支持基板１およびウェハ１１が載置される。研磨機１２は、回転するテーブル１４に支持基板１と共に載置されているウェハ１１に、研磨剤が付いた研磨輪１３を押し当てて、回転させることにより、ウェハ１１を研磨する。
【００３７】
ウェハ１１が薄く研磨されても、支持基板１によって補強されるので、ウェハ１１が割れたり、反ってしまったりすることが防止できる。また、例えば、ウェハ１１は、５０μｍの厚さまで研磨されても、支持基板１によって補強されるので、割れたり、反ったりすることなく、研磨工程から取り出して、次の工程や収納庫などに搬送することができる。
【００３８】
支持基板１は、円板状のウェハ１１の径よりも大きい径またはウェハ１１の径と同じ径の円板状に形成されている。図２（Ａ）は、円板状のウェハ１１の径よりも大きい径の支持基板１の例を示す。例えば、ウェハ１１の径は、一般的に、５０ｍｍ（２インチ）乃至３００ｍｍ（１２インチ）なので、周側に５ｍｍから２５ｍｍの余裕を持たせるために、支持基板１の径は、６０ｍｍ乃至３５０ｍｍ程度とされる。本発明の実施の形態において、円板状のウェハ１１の径よりも大きい径の支持基板１を例に説明する。
【００３９】
図２（Ｂ）に示されるように、例えば、支持基板１の厚さは、０．１ｍｍ乃至１０ｍｍ程度とされる。支持基板１は、ウェハ１１に、両面粘着テープ３１により粘着される。両面粘着テープ３１の厚さは、０．０１ｍｍ乃至１ｍｍ程度である。両面粘着テープ３１は、上部粘着剤層３２、基材３３、および下部粘着剤層３４からなる。上部粘着剤層３２および下部粘着剤層３４は、それぞれ、粘着力の強いアクリル系樹脂またはフェノール系樹脂からなる。基材３３は、ポリエチレンテレフタラート（polyethylene terephthalate（ＰＥＴ））などの樹脂フィルムで形成される。両面粘着テープ３１は、上部粘着剤層３２によってウェハ１１に粘着し、下部粘着剤層３４によって支持基板１に粘着する。
【００４０】
図３は、変形部分５１が変形していない状態の支持基板１の構成を示す図である。図３（Ａ）は、支持基板１の構成を示す上面図であり、図３（Ｂ）は、支持基板１の構成を示す側面図である。
【００４１】
支持基板１は、変形部分５１と非変形部分５２とからなる。支持基板１において、変形部分５１と非変形部分５２とは、一体に形成されている。なお、変形部分５１と非変形部分５２とを別々に製造して、溶接や溶着、接着などにより一体に形成してもよく、変形部分５１と非変形部分５２とを１つの材料から一体に製造することもできる。
【００４２】
変形部分５１は、銅若しくはチタンやニッケルなどを主成分とする形状記憶合金、ポリノルボルネンなどの形状記憶樹脂（形状記憶ポリマー）、またはバイメタルなど、熱が加えられて温度が上昇し所定の温度に達すると変形する素材で形成されている。変形部分５１の変形する温度は、素材の成分などにより可変とすることができる。例えば、変形部分５１の変形する温度は、最高で摂氏３００度とすることができる。例えば、変形部分５１の変形する温度は、最低で摂氏２０度とすることができる。なお、変形部分５１の変形する温度は、最低で室温とすることができる。
【００４３】
図３において、変形部分５１は、点線で示されている。図３に示される支持基板１には、それぞれ同一の形状の複数の変形部分５１が設けられている。例えば、変形部分５１は、上側から見て円形状に形成され、前後方向および左右方向に直線上に並ぶように配置されている。変形部分５１は、円形の表面に沿う向きの所定の長さ毎に設けられていると言える。
【００４４】
支持基板１において、非変形部分５２は、変形部分５１を繋ぐように配置されている。非変形部分５２は、金属、樹脂、ガラス、サファイア、またはシリコンなど、熱が加えられても変形しない素材で形成されている。また、非変形部分５２は、熱が加えられて温度が上昇し所定の温度に達しても変形しない形状記憶合金で形成することもできる。
【００４５】
支持基板１において、変形部分５１は、一定の間隔で配置されている。１つの変形部分５１と、これに隣接する変形部分５１とは、変形部分５１の径より長いピッチで配置されている。すなわち、隣接する変形部分５１の間には、非変形部分５２が配置される。言い換えると、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示されるように、変形部分５１と非変形部分５２とは、交互に配置されている。
【００４６】
変形部分５１が変形していない場合、変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面は、凹凸なく、平滑となる。より好ましくは、変形していない変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面は、面一となる。すなわち、変形部分５１が変形していない場合、変形部分５１の上側の面のＺ軸方向の位置と非変形部分５２の上側の面のＺ軸方向の位置とは、同じとされる。
【００４７】
変形していない変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面の凹凸の高さを、両面粘着テープ３１の厚さ以下とするのが好ましい。さらに好ましくは、変形していない変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面の凹凸の高さは、両面粘着テープ３１の下部粘着剤層３４の厚さ以下とされる。すなわち、変形していない変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面の凹凸の高さは、０．０１ｍｍ乃至１ｍｍとされる。少なくとも、変形部分５１が変形していない場合、変形部分５１と非変形部分５２とからなる支持基板１の円形の面は、ウェハ１１と貼り合せたとき、平滑になる。
【００４８】
このようにすることで、ウェハ１１が、両面粘着テープ３１により粘着され、保持できる。
【００４９】
言い換えれば、少なくとも、変形していない変形部分５１および非変形部分５２の上側の面のＺ軸方向の位置は、両面粘着テープ３１により粘着されるウェハ１１を保持できる位置とされる。言い換えれば、変形していない変形部分５１および非変形部分５２の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着によりウェハ１１を保持できる位置とされている。
【００５０】
図４は、変形部分５１が変形している状態の支持基板１の構成を示す図である。図４（Ａ）は、支持基板１の構成を示す上面図であり、図４（Ｂ）は、支持基板１の構成を示す側面図である。
【００５１】
変形部分５１は、それぞれ、熱が加えられて温度が上昇し所定の温度に達すると上向きに突出するように変形する。すなわち、変形部分５１は、熱が加えられた場合、支持基板１の円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する。
【００５２】
非変形部分５２は、熱が加えられて温度が上昇しても変形しない。すなわち、非変形部分５２は、熱が加えられた場合、支持基板１の円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する。
【００５３】
熱が加えられると、変形部分５１は上向きに突出するように変形し、非変形部分５２は、変形せずに形状を維持するので、図４（Ｂ）に示されるように、支持基板１の円形の表面に凹凸が形成されることになる。
【００５４】
図５は、ウェハ１１が粘着され、変形部分５１が変形している状態の支持基板１を示す図である。図５（Ａ）は、支持基板１の上面図であり、図５（Ｂ）は、支持基板１の側面図である。
【００５５】
熱が加えられると、変形部分５１は上向きに突出するように変形し、非変形部分５２は、変形せずに形状を維持するので、ウェハ１１および両面粘着テープ３１は変形部分５１によって押し上げられ、両面粘着テープ３１と非変形部分５２との間に隙間が形成される。両面粘着テープ３１の下部粘着剤層３４は、非変形部分５２から引き剥がされて、変形部分５１とのみ粘着している状態になる。言い換えれば、両面粘着テープ３１と支持基板１との粘着している粘着面の面積が減少することになる。これにより、ウェハ１１と支持基板１との間の粘着力を低減させることができる。
【００５６】
非変形部分５２の上面から変形した変形部分５１の上面までの高さを、両面粘着テープ３１の下部粘着剤層３４の厚さ以上とするのが好ましい。さらに好ましくは、非変形部分５２の上面から変形した変形部分５１の上面までの高さは、両面粘着テープ３１の厚さ以上とされる。すなわち、非変形部分５２の上面から変形した変形部分５１の上面までの高さは、０．０１ｍｍ乃至１ｍｍとされる。なお、非変形部分５２の上面から変形した変形部分５１の上面までの高さは、０．０１ｍｍ乃至５ｍｍとすることができる。
【００５７】
このような状態で、ウェハ１１と支持基板１との間に平行に刃を挿入して、両面粘着テープ３１を切ることで、ウェハ１１に加わる力をより小さくして、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。または、ウェハ１１を上側から吸着し、支持基板１を下側から吸着して、引き剥がすことで、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【００５８】
このように、より簡単な構造で、より安価に、支持基板１からウェハ１１を剥離する場合、粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【００５９】
変形部分５１は、所望の時間で変形するようできる。例えば、変形部分５１は、変形を開始してから完了するまで１８０秒で変形するようにできる。また、例えば、変形部分５１は、変形を開始してから完了するまで１ミリ秒で変形するようにできる。さらにまた、変形する温度範囲を広くして、加熱による温度の変化の時間を調整できるようにして、変形部分５１の変形する時間を可変にすることもできる。
【００６０】
図６は、支持基板１の円形の面上の変形部分５１の形状の例を示す図である。図６（Ａ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、円形状に形成することができる。また、図６（Ｂ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、楕円状に形成することができる。なお、変形部分５１は、長円状に形成してもよい。
【００６１】
さらに、図６（Ｃ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、正方形状に形成することができる。また、図６（Ｄ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、長方形状に形成することができる。なお、変形部分５１は、菱形や台形状など四角状に形成してもよい。
【００６２】
さらにまた、図６（Ｅ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、三角形状に形成することができる。また、図６（Ｆ）に示されるように、変形部分５１を、支持基板１の円形の面上において、六角形状に形成することができる。なお、変形部分５１は、五角形など多角形状に形成してもよい。
【００６３】
また、１つの支持基板１に、図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）のいずれかに示される異なる形状の変形部分５１を配置するようにしても、変形部分５１を、図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）に示される形状を組み合わせた形状とすることもできる。１つの支持基板１に形成される変形部分５１の形状は、同一のものであっても、異なるものであってもよい。また、１つの支持基板１に形成される変形部分５１の大きさは、同一のものであっても、異なるものであってもよい。
【００６４】
さらに、１つの支持基板１に形成される変形部分５１の（形状の）向きは、同一であっても、異なるものであってもよい。
【００６５】
さらにまた、変形部分５１の周の全体が、非変形部分５２と繋がっていても、変形部分５１の周の一部が、非変形部分５２と切り離されていても良い。
【００６６】
図７は、変形部分５１の変形の例を示す図である。図７（Ａ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から円弧状に上向きに突出するように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が円弧状に突出するように変形させることができる。また、図７（Ｂ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から円弧状に下向きに凹むように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が円弧状に凹むように変形させることができる。
【００６７】
また、図７（Ｃ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から、上面が平らな多角形状に上向きに突出するように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して上面が平らな多角形状の断面で突出するように変形させることができる。また、図７（Ｄ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から上面が平らな多角形状に下向きに凹むように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して上面が平らな多角形状の断面で凹むように変形させることができる。
【００６８】
さらにまた、図７（Ｅ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から斜め上向きに突出するように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が直線状に上向きに突出するように変形させることができる。この場合、変形部分５１の周の一部が、非変形部分５２と切り離されている。
【００６９】
なお、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から斜め下向きに凹むように変形させてもよい。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が直線状に下向きに凹むように変形させることができる。
【００７０】
また、図７（Ｆ）に示されるように、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面から「へ」の字状（欧州文字のキャレット（caret）字状）に突出するように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が両側から直線状に上向きに突出し、中央部分が最も高くなるように変形させることができる。
【００７１】
なお、変形部分５１を、それぞれ、Ｙ軸方向に見て、支持基板１の上面からＶの字状に凹むように変形させることができる。すなわち、変形部分５１を、ウェハ１１と粘着される円形の表面に対して断面が両側から直線状に下向きに凹み、中央部分が最も低くなるように変形させることができる。
【００７２】
１つの支持基板１に形成される変形部分５１の突出の形状は、同一のものであっても、異なるものであってもよい。また、１つの支持基板１に形成される変形部分５１の突出の高さ（低さ）は、同一のものであっても、異なるものであってもよい。
【００７３】
図８は、変形部分５１の配置の例を示す図である。例えば、図８に示される支持基板１には、それぞれ同一の形状の複数の変形部分５１−１、変形部分５１−１−１、変形部分５１−１−２、および変形部分５１−２と非変形部分５２とが設けられている。例えば、図８に示される支持基板１において、変形部分５１−１、変形部分５１−１−１、変形部分５１−１−２、および変形部分５１−２は、支持基板１の円形の面の中心に対して放射状および同心円の周上に並ぶように配置されている。
【００７４】
図８（Ａ）に示されるように、支持基板１の周側に配置されている変形部分５１−１は、支持基板１の中心側に配置されている変形部分５１−２に比較して、より少ない熱またはより低い温度で変形する。または、支持基板１の周側に配置されている変形部分５１−１は、支持基板１の中心側に配置されている変形部分５１−２に比較して、円形の表面に対してより大きな変位で変形する（より高く突出するか、またはより低く凹む）。
【００７５】
すなわち、円形の周側に配置されている変形部分５１−１の変形の条件または変形の形状は、円形の中心側に配置されている変形部分５１−２の変形の条件または変形の形状と異なる。
【００７６】
また、図８（Ｂ）に示されるように、支持基板１の中心側に配置されている変形部分５１−１は、支持基板１の周側に配置されている変形部分５１−２に比較して、より少ない熱またはより低い温度で変形する。または、支持基板１の中心側に配置されている変形部分５１−１は、支持基板１の周側に配置されている変形部分５１−２に比較して、円形の表面に対してより大きな変位で変形する（より高く突出するか、またはより低く凹む）。
【００７７】
すなわち、円形の中心側に配置されている変形部分５１−１の変形の条件または変形の形状は、円形の周側に配置されている変形部分５１−２の変形の条件または変形の形状と異なる。
【００７８】
さらに、図８（Ｃ）に示されるように、変形部分５１−１−１は、円板状の支持基板１の周側であって、中心を通る１つの径の上に、中心に対し点対象に配置される。変形部分５１−１−２は、円板状の支持基板１の周側であって、変形部分５１−１−１が配置される径と直交し、中心を通る１つの径の上に、中心に対し点対象に配置される。
【００７９】
変形部分５１−１−１および変形部分５１−１−２は、変形部分５１−２に比較して、より少ない熱またはより低い温度で変形する。さらに、変形部分５１−１−２は、変形部分５１−１−１に比較して、より少ない熱またはより低い温度で変形する。例えば、変形部分５１−１−１は、摂氏１００度で変形し、変形部分５１−１−２は、摂氏８０度で変形する。
【００８０】
または、変形部分５１−１−１および変形部分５１−１−２は、変形部分５１−２に比較して、円形の表面に対してより大きな変位で変形する（より高く突出するか、またはより低く凹む）。さらにまた、変形部分５１−１−１は、変形部分５１−１−２に比較して、円形の表面に対してより大きな変位で変形する。
【００８１】
また、図８（Ｄ）に示されるように、円板状の支持基板１の半円状の一方の領域に配置されている変形部分５１−１は、円板状の支持基板１の半円状の他方の領域に配置されている変形部分５１−２に比較して、より少ない熱またはより低い温度で変形する。または、円板状の支持基板１の半円状の一方の領域に配置されている変形部分５１−１は、円板状の支持基板１の半円状の他方の領域に配置されている変形部分５１−２に比較して、円形の表面に対してより大きな変位で変形する（より高く突出するか、またはより低く凹む）。
【００８２】
すなわち、円形の径で分割される一方の領域に配置されている変形部分５１−１の変形の条件または変形の形状は、円形の径で分割される他方の領域に配置されている変形部分５１−２の変形の条件または変形の形状と異なるものとすることができる。なお、分割は２分割に限らず、３分割以上とすることができる。３分割以上とする場合、支持基板１へのストレスをより低減させる状況でウェハ１１を剥離することが可能となる。
【００８３】
変形部分５１が加熱された場合、一定の順序で変形させるようにすることができる。
【００８４】
図９は、変形部分５１の変形の順序の例を示す図である。図９（Ａ）の矢印ａに示されるように、熱が加えられた場合、変形部分５１は、支持基板１の周側からに中心側に向かって、順に変形する。
【００８５】
また、逆に、図９（Ｂ）の矢印ｂに示されるように、熱が加えられた場合、変形部分５１は、支持基板１の中心側からに周側に向かって、順に変形する。
【００８６】
さらにまた、図９（Ｃ）の矢印ｃに示されるように、熱が加えられた場合、変形部分５１は、ラスタースキャン状に順に変形する。すなわち、熱が加えられた場合、変形部分５１は、１つの直線状に順に変形し、次に、その直線に平行であって、逆向きの直線状に変形し、さらに、直前の直線に平行であって、さらに逆向きの直線状に変形することが繰り返されるように、順に変形する。
【００８７】
また、図９（Ｄ）に示されるように、熱が加えられた場合、変形部分５１は、円板状の支持基板１の円形の面を４分割した、扇状の領域ｄ、領域ｅ、領域ｆ、領域ｇ毎に、上から見て、反時計まわりに、順に変形する。
【００８８】
このように、熱が加えられた場合、隣接する変形部分５１を、順に変形させることができる。
【００８９】
支持基板１に、発熱して変形部分５１に加熱する発熱部１０２を設けることができる。
【００９０】
図１０は、本発明の一実施の形態の支持基板１の他の例を示す図である。図１０において、図３に示す場合と同様の部分には同一の符号を付してあり、その説明は省略する。支持基板１は、保持部１０１および発熱部１０２からなる。保持部１０１および発熱部１０２は、同一の径の円板状に形成されている。保持部１０１は、発熱部１０２の上側に、中心および周が重なるように配置されている。
【００９１】
保持部１０１は、変形部分５１と非変形部分５２とからなる。発熱部１０２は、耐熱性を有する金属またはセラミックで形成されている。発熱部１０２には、保持部１０１を均一に加熱できるように、発熱回路１０３が埋め込まれている。発熱回路１０３は、ニクロム線、カーボンナノチューブを含む導通線、銀、銅、若しくは金などの電線などからなり、端子１０４から電流が流されると、発熱する。すなわち、発熱回路１０３は、発熱して変形部分５１に加熱する。
【００９２】
なお、変形部分５１のそれぞれに、発熱回路１０３を設けて、発熱回路１０３が変形部分５１を加熱するようにしてもよい。
【００９３】
さらに、別体の加熱装置２０１によって、支持基板１を加熱することもできる。
【００９４】
図１１は、本発明の一実施の形態の加熱装置２０１の例を示す図である。図１１において、図３に示す場合と同様の部分には同一の符号を付してあり、その説明は省略する。
【００９５】
加熱装置２０１は、支持基板１を載置可能に、円板状に形成されている。加熱装置２０１の周には、リング状の位置決め２０２が配置されている。位置決め２０２の内周は、支持基板１の周より若干大きく形成されている。位置決め２０２の内側に支持基板１を載置すると、加熱装置２０１に対して支持基板１を位置決めすることができる。
【００９６】
加熱装置２０１の支持基板１が載置される面の下には、加熱回路２０３が埋め込まれている。加熱回路２０３は、ニクロム線、カーボンナノチューブを含む導通線、銀、銅、若しくは金などの電線などからなり、加熱制御部２０４からの電力の供給により発熱する。加熱回路２０３は、支持基板１の変形部分５１のそれぞれを加熱する。加熱制御部２０４は、変形部分５１のそれぞれへの加熱回路２０３による加熱を制御する。
【００９７】
例えば、加熱制御部２０４は、それぞれの変形部分５１が所定の順序で変形するように、設定された温度分布に応じて支持基板１の部位のそれぞれを加熱するように加熱回路２０３による加熱（発熱）を制御する。例えば、加熱制御部２０４は、所定の時間にそれぞれの変形部分５１が変形するように、時間毎に設定された温度分布に応じて支持基板１の部位のそれぞれを加熱するように加熱回路２０３による加熱を制御する。
【００９８】
なお、加熱装置２０１は、誘導加熱により、支持基板１を加熱することができる。この場合、加熱回路２０３は、交番磁界を発生させるコイルとして形成される。また、支持基板１は、交番磁界によって渦電流が流れる導体で形成される。
【００９９】
さらに、加熱装置２０１は、誘電加熱により、支持基板１を加熱することができる。この場合、加熱装置２０１には、マグネトロンなどの電磁波発生素子が設けられ、支持基板１は、樹脂などの不導体で形成される。
【０１００】
なお、変形部分５１は、熱が加えられて温度が上昇し所定の温度に達すると変形すると説明したが、電力が加えられた場合に変形するようにしても、磁力が加えられた場合に変形するようにしてもよい。例えば、変形部分５１に、ピエゾ素子または所謂カーボンナノチューブ高分子アクチュエータ（単層カーボンナノチューブ、イオン液体、およびポリマーバインダーであるベース樹脂からなる電極２枚の間に、イオン液体とベース樹脂からなるゲル電解質を挟んだ構造であり、３Ｖ以下の電圧で大きく変形するアクチュエータであり、ナノカーボン高分子アクチュエータとも称する）であるカーボンナノチューブを含むゴムなどの弾性体を採用することで、電力が加えられた場合に変形させることができる。また、例えば、変形部分５１に、磁石を採用することで、磁力が加えられた場合に変形させることができる。
【０１０１】
また、支持基板１は、繰り返し使用する材料や構成とすることもできるし、１回限り使用する材料や構成とすることもできる。例えば、支持基板１を冷却すると、変形部分５１が変形前の形状に戻るようにした場合、支持基板１は、繰り返し使用することができる。また、例えば、支持基板１を冷却しても、変形部分５１が変形したままの形状を維持する場合、支持基板１は、１回限り使用することができる。
【０１０２】
また、支持基板１は、ウェハ１１に限らず、表示装置などに用いられるガラスを支持することができる。
【０１０３】
さらに、本発明は、支持基板１に限らず、自動車や家電製品の部品、建築資材などに採用して、加熱することで変形し、容易に解体できるようにすることができる。
【０１０４】
以上のように、支持基板１は、円板状に形成され、ウェハ１１に粘着、接着または静電引力により吸着され、粘着、接着、または吸着されたウェハ１１と共にウェハ１１の加工工程に搬送される。支持基板１に複数設けられている変形部分５１は、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形する。支持基板１に設けられている非変形部分５２は、熱、電力、または磁力が加えられた場合、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持する。変形部分５１および非変形部分５２は、一体に形成される。変形していない変形部分５１および非変形部分５２の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置は、粘着、接着、または静電引力によりウェハ１１を保持できる位置とされる。変形部分５１と非変形部分５２とは、交互に配置されている。
【０１０５】
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられると、複数の変形部分５１が、円形の表面に対して交差する向きに表面の位置が変位するように変形し、一方、変形部分と交互に配置されている非変形部分５２が、円形の表面に対して交差する向きの表面の位置を維持するので、円形の表面が凹凸状となり、ウェハ１１と支持基板１とが接する面の面積が減少し、粘着、接着または吸着する力が減少する。これにより、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。また、複数の変形部分５１と非変形部分５２とを設ければ良いだけなので、より簡単な構造で、より安価にできる。さらに、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つを加えれば良いだけなので、より安価に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１０６】
変形していない変形部分５１および非変形部分５２の円形の表面の位置であって、表面に対して交差する向きの位置を、同一とすることができる。このようにすることで、搬送において、より強い力で、ウェハ１１を粘着、接着または吸着できる。
【０１０７】
変形部分５１を、円形の表面に沿う向きの所定の長さ毎に設けることができる。このようにすることで、変形部分５１が設けられる周期で凹凸が生じ、ウェハ１１と支持基板１とが粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１０８】
変形部分５１を、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して突出するように変形させることができる。または、変形部分５１を、熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、円形の表面に対して凹むように変形させることができる。このようにすることで、ウェハ１１と支持基板１とが接する面の面積が減少し、ウェハ１１と支持基板１とが粘着、接着または吸着する力を低減して、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１０９】
円形の周側に配置されている変形部分５１の変形の条件または変形の形状を、円形の中心側に配置されている変形部分５１の変形の条件または変形の形状と異なるものとすることができる。このようにすることで、例えば、中心側でウェハ１１が支持基板１に保持されたままで、支持基板１の周側からウェハ１１を剥離しやすくなる。
【０１１０】
円形の径で分割される一方の領域に配置されている変形部分５１の変形の条件または変形の形状は、円形の径で分割される他方の領域に配置されている変形部分５１の変形の条件または変形の形状と異なるものとすることができる。このようにすることで、例えば、一方の領域でウェハ１１が支持基板１に保持されたままで、支持基板１の他方の領域からウェハ１１を剥離しやすくなる。
【０１１１】
熱、電力、または磁力の少なくともいずれか1つが加えられた場合、隣接する変形部分５１を、順に変形させることができる。このようにすることで、変形部分５１の変形によるウェハ１１に加わる応力が小さくなり、ウェハ１１の割れや変形を防止した上で、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１１２】
発熱して変形部分５１に加熱する発熱回路１０３をさらに設けることができる。別途加熱装置を設ける必要がなく、より安価に、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１１３】
支持基板１を加熱する加熱装置２０１に、支持基板１の変形部分５１のそれぞれを加熱する加熱回路２０３と、変形部分５１のそれぞれへの加熱回路２０３による加熱を制御する加熱制御部２０４とを設けることができる。より確実に、支持基板１の変形部分５１のそれぞれへの加熱を制御することができるので、より確実に、支持基板１からウェハ１１を剥離することができる。
【０１１４】
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１  支持基板，  １１  ウェハ，  ３１  両面粘着テープ，  ３２  上部粘着剤層，  ３３  基材，  ３４  下部粘着剤層，  ５１，５１−１，５１−１−１，５１−１−２，５１−２  変形部分，  ５２  非変形部分，  １０１  保持部，  １０２  発熱部，  １０３  発熱回路，  １０４  端子，  ２０１  加熱装置，  ２０２  位置決め，  ２０３  加熱回路，  ２０４  加熱制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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