(57)【要約】【課題】半導体装置の製造に使用した場合、ボイドを抑制しつつ良好な接続（接触）を確保するができ、且つ、良好な耐リフロ性を得ることができる半導体用接着剤を提供すること。【解決手段】（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分、（ｂ）硬化剤、（ｃ）シラノール化合物、及び、（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートを含有する、半導体用接着剤。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分、（ｂ）硬化剤、（ｃ）シラノール化合物、及び、（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートを含有する、半導体用接着剤。
【請求項２】
前記（ｃ）シラノール化合物が２５℃で固形である、請求項１記載の半導体用接着剤。
【請求項３】
（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分を更に含有する、請求項１又は２記載の半導体用接着剤。
【請求項４】
前記（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分が、重量平均分子量３００００以上であり、且つ、ガラス転移温度が１００℃以下である、請求項３記載の半導体用接着剤。
【請求項５】
フィルム状である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
【請求項６】
半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置を、前記接続部の金属の融点より低温で圧着する第一工程と、前記接続部の金属の融点以上の高温で加熱処理することで金属結合を形成する第二工程と、を経て製造する際に、前記接続部の封止に用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着剤。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤又はその硬化物を備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着剤、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップと基板を接続するには金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されてきたが、半導体装置に対する高機能・高集積・高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板間で直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
【０００３】
フリップチップ接続方式としては、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだ、スズ、金、銀、銅等を用いて金属接合させる方法が一般的である。
【０００４】
例えば、半導体チップと基板間の接続においては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）型の接続方式もフリップチップ接続方式である。また、フリップチップ接続方式は、半導体チップ上にバンプ又は配線を形成して、半導体チップ間で接続するＣＯＣ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）型の接続方式にも広く用いられている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００５】
更なる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されたパッケージでは、上述した接続方式を積層・多段化したチップスタック型パッケージ、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）等も広く普及し始めている。平面状でなく立体状に配置することでパッケージを小さくできることから、これらの技術は多用され、半導体の性能向上及びノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であり、次世代の半導体配線技術として注目されている。
【０００６】
また、生産性向上の観点から、ウエハ上に半導体チップを圧着（接続）した後に個片化して半導体パッケージを作製するＣＯＷ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｗａｆｅｒ）、ウエハ同士を圧着（接続）した後に個片化して半導体パッケージを作製するＷＯＷ（Ｗａｆｅｒ  Ｏｎ  Ｗａｆｅｒ）も注目されている。
【０００７】
例えば、ウエハ上又はマップ基板上に個片化したチップを位置合わせして複数仮圧着した後（第一工程）、複数のチップを一括に大面積圧着ツールで加熱圧着して接続を確保する（第二工程）ギャングボンディング方式、また、同様に、ウエハ上又はマップ基板上に個片化したチップを位置合わせして複数仮圧着した後（第一工程）、リフロ炉又はオーブン等の高温処理可能な槽内で熱処理して接続を確保する（第二工程）方式は、第二工程が複数個のパッケージを一括で組立て可能なことから生産性向上が見込まれる。これらの方式では、高信頼性の観点から、金属の融点以上に加熱して金属結合を形成する傾向がある。
【０００８】
また、圧着ツールで半導体用接着剤が供給された半導体チップをピックアップする場合、接続部の金属の融点以上（例えば、Ｓｎ／Ａｇはんだであれば約２２０℃以上）の温度でピックアップすると、半導体用接着剤の粘性発現によるピックアップ不良又は半導体用接着剤の硬化進行による実装不良（流動性不足による接続不良又はボイド発生）が発生するため、圧着ツールを冷却する必要がある。
【０００９】
第一工程（位置あわせして仮圧着する工程）と第二工程（接続部の金属の融点以上の温度で熱処理して接続を確保する工程）に分けてパッケージを組立てることでツール冷却を省略することができ、生産性が向上する。
【００１０】
第二工程ではフィレット抑制、接続部へのダメージ抑制の観点から、低荷重もしくは無荷重でリフロ炉又はオーブン等の高温処理可能な槽内で熱処理して接続を確保する方式が期待されている。
【００１１】
第二工程は荷重レスのため、接続確保及びボイド抑制に影響を与える樹脂流動（半導体用接着剤の流動）が乏しいため、低温の第一工程で流動性を確保する必要がある。
【００１２】
第一工程でボイドレス化し、接続（接触）を確保することで、第二工程後の実装性（ボイド抑制、接続確保）を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−２９４３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
生産性向上が可能な、第一工程と第二工程に分けて組立てる製造法において、第一工程では、半導体用接着剤の流動性が乏しくボイドが残存しやすく、接続（接触）を確保することが困難であった。第一工程でボイド抑制と接続（接触）の確保が不可となると、第二工程後もボイドが残存し、接続不良となる。
【００１５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、上記第一工程及び第二工程を経て半導体装置を製造する方法に使用した場合であっても、ボイドを抑制しつつ良好な接続（接触）を確保するができ、且つ、良好な耐リフロ性を得ることができる半導体用接着剤、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上述した課題を解決するためのものであり、本発明の半導体用接着剤を用いることで、第一工程で十分な流動性を確保し、ボイド抑制と接続（接触）を確保することで、第二工程で高生産性が見込める一括で組立てる方式（リフロ炉等の加熱処理）でも高信頼性（ボイド抑制、接続確保、耐リフロ性）を確保することができる。また、上記課題を解決するために、半導体用接着剤にシラノール化合物を添加すると、高流動性は確保できるが、接着力が低下し、耐リフロ性が低下する場合がある。これに対し、特定のアルミキレート化合物を添加することで、硬化性を促進して半導体用接着剤の接着力が向上し、耐リフロ性を向上させることができる。
【００１７】
本発明は、下記［１］〜［８］を提供する。
【００１８】
［１］（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分、（ｂ）硬化剤、（ｃ）シラノール化合物、及び、（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートを含有する、半導体用接着剤。
［２］上記（ｃ）シラノール化合物が２５℃で固形である、［１］記載の半導体用接着剤。
［３］（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分を更に含有する、［１］又は［２］記載の半導体用接着剤。
［４］上記（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分が、重量平均分子量３００００以上であり、且つ、ガラス転移温度が１００℃以下である、［３］記載の半導体用接着剤。
［５］フィルム状である、［１］〜［４］のいずれかに記載の半導体用接着剤。
［６］半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置を、上記接続部の金属の融点より低温で圧着する第一工程と、上記接続部の金属の融点以上の高温で加熱処理することで金属結合を形成する第二工程と、を経て製造する際に、上記接続部の封止に用いられる、［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体用接着剤。
［７］［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。
［８］［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体用接着剤又はその硬化物を備える半導体装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、上記第一工程及び第二工程を経て半導体装置を製造する方法に使用した場合であっても、ボイドを抑制しつつ良好な接続（接触）を確保するができ、且つ、良好な耐リフロ性を得ることができる半導体用接着剤、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、場合により図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００２２】
本実施形態に係る半導体用接着剤は、（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分、（ｂ）硬化剤、（ｃ）シラノール化合物、及び、（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートを含有する。本実施形態に係る半導体用接着剤は更に、（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分、フラックス剤、フィラー等を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
【００２３】
（（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分）
（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分としては、特に制限はないが、（ｂ）硬化剤と反応する方が好ましい。重量平均分子量が小さい成分は加熱時に分解等してボイドの原因となるため、硬化剤と反応する方が耐熱性の観点から好ましい。（ａ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００２４】
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。これらは単独又は２種以上の混合体として使用することができる。耐熱性、取り扱い性の観点から、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型がより好ましい。
【００２５】
エポキシ樹脂の配合量は、半導体用接着剤の全量を基準（１００質量％）として、例えば１０〜５０質量％である。配合量が１０質量％未満の場合、硬化成分が少ないため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することが難しく、５０質量％を超えると硬化物が硬くなりすぎてパッケージの反りが大きくなる傾向がある。
【００２６】
（Ｂ）アクリル樹脂
アクリル樹脂は、分子内に１個以上のアクリロイル基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型、各種多官能アクリル樹脂等を使用することができる。これらは単独又は２種以上の混合体として使用することができる。
【００２７】
アクリル樹脂の配合量は、半導体用接着剤の全量を基準（１００質量％）として、１０〜５０質量％が好ましく、１５〜４０質量％が更に好ましい。配合量が１０質量％未満の場合、硬化成分が少ないため、硬化後も樹脂の流動を十分に制御することが難しく、５０質量％を超えると硬化物が硬くなりすぎてパッケージの反りが大きくなる傾向がある。
【００２８】
アクリル樹脂は室温（２５℃）で固形であることが好ましい。液状に比べて固形の方が、ボイドが発生しにくく、また、硬化前（Ｂステージ）の半導体用接着剤の粘性（タック）が小さく取り扱いに優れる。
【００２９】
アクリロイル基の官能基数は３官能基以下が好ましい。４官能以上だと、官能基数が多いため、短時間での硬化が十分に進行せず、硬化反応率が低下し（硬化のネットワークが急速に進み、未反応基が残存する場合がある）、硬化物特性が低下する傾向がある。
【００３０】
（ａ）樹脂成分の重量平均分子量は１００００未満であるが、耐熱性、流動性の観点から、１００〜９０００であることが好ましく、３００〜７０００であることがより好ましい。（ａ）樹脂成分の重量平均分子量の測定方法は、後述する（ｅ）高分子成分の重量平均分子量の測定方法と同様である。
【００３１】
（（ｂ）硬化剤）
硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤、アゾ化合物、有機過酸化物等が挙げられる。
【００３２】
（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
【００３３】
上記（Ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
【００３４】
（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
【００３５】
上記（Ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
【００３６】
（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。
【００３７】
上記（Ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
【００３８】
（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。
【００３９】
イミダゾール系硬化剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると金属接合が形成される前に半導体用接着剤が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
【００４０】
（ｖ）ホスフィン系硬化剤
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。
【００４１】
ホスフィン系硬化剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると金属接合が形成される前に半導体用接着剤が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
【００４２】
フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種を単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよいが、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。
【００４３】
（ｖｉ）有機過酸化物
有機過酸化物として、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステル等が挙げられる。保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステルが好ましい。更に、耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイドが好ましい。これらは単独で又は２種以上の混合体として使用することができる。
【００４４】
有機過酸化物の含有量は（Ｂ）アクリル樹脂１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、１〜５質量部が更に好ましい。含有量が０．５質量部未満の場合、十分に硬化が進行せず、１０質量部を超える場合、硬化が急激に進行し、反応点が多くなるため、分子鎖が短くなったり、未反応基が残存し信頼性が低下する傾向がある。
【００４５】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アクリル樹脂と硬化剤（ｉ）〜（ｖｉ）の組み合わせは、硬化が進行すれば特に制限はないが、エポキシ樹脂には、取り扱い性、保存安定性、硬化性の観点から、フェノールとイミダゾール、酸無水物とイミダゾール、アミンとイミダゾール、又はイミダゾール単独が好ましい。短時間で接続すると生産性が向上すること、保存安定性の観点から、イミダゾール単独がより好ましい。短時間で硬化すると低分子成分等の揮発分が抑制できることから、ボイド発生抑制も可能である。アクリル樹脂には、取り扱い性、保存安定性の観点から、有機過酸化物が好ましい。
【００４６】
（（ｃ）シラノール化合物）
（ｃ）シラノール化合物は、シラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）を有する化合物である。シラノール化合物において、ケイ素原子に結合する水酸基の数は１〜３であり、２又は３であることが好ましく、高反応性（硬化物強度）の観点から、３であることが好ましい。
【００４７】
（ｃ）シラノール化合物としては、高反応性（硬化物強度）の観点から、下記一般式（１）で表される３官能シラノールが好ましい。
【化１】
2017218532.tif 000003
［式中、Ｒ１はアルキル基又はフェニル基を示し、Ｒ２はアルキレン基を示す。］
【００４８】
シラノール化合物は耐熱性の観点から、２５℃で固形であることが好ましい。Ｒ１は耐熱性、流動性の観点からアルキル基又はフェニル基が好ましい。アルキル基とフェニル基の混合でもよい。Ｒ１で示される基としては、例えば、フェニル系、プロピル系、フェニルプロピル系、フェニルメチル系等が挙げられる。Ｒ２は特に制限はないが、耐熱性の観点から重量平均分子量１００〜５０００のアルキレン基が好ましい。
【００４９】
半導体用接着剤に（ｃ）シラノール化合物を添加することで、流動性が向上しボイド抑制性と高接続性が向上する。流動性が向上する（粘度が下がる）とチップコンタクト時に巻き込んだボイドを排除しやすくなる。耐熱性の高い（熱重量減少量の小さい）（ｃ）シラノール化合物を用いることでボイド発生をより抑制できる。熱重量減少量が小さいと揮発分が少ないためボイドが減少し、信頼性（耐リフロ性）も向上する。
【００５０】
（ｃ）シラノール化合物の含有量は、半導体用接着剤総量を基準として２〜２０質量％が好ましく、高流動化と硬化物強度（接着力等）の観点から、２〜１０質量％がより好ましい。含有量が２質量％より少ないと効果（高流動化）が発現しにくく、２０質量％より大きいと硬化強度が低下して接着力が低下する恐れがある。含有量が増加するとエポキシ樹脂又はアクリル樹脂の硬化物比率が低下するため、接着力が低下するものと推測される。
【００５１】
（（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレート）
（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートは、アセチルアセトネート配位子を有するアルミキレートであれば特に制限はない。アセチルアセトネートは保存安定性と高反応性を両立可能な配位子として好ましい。（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートとしては、例えば、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムビスアセチルアセトネートモノ（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）等が挙げられる。安定性と高反応性を両立可能な観点からアセチルアセトネート配位子は多座の方が好ましい。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００５２】
（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレートの含有量は、（ｃ）シラノール化合物１００質量部に対して２〜２０質量部が好ましく、保存安定性の観点から、５〜１５質量部が更に好ましい。含有量が２質量部より少ないと硬化不足で接着力が低下する傾向があり、２０質量部より多いと保存安定性が低下する傾向がある。
【００５３】
（（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分）
重量平均分子量１００００以上の高分子成分は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられ、その中でも耐熱性及びフィルム形成性に優れるエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等が望ましく、更に耐熱性、フィルム形成性に優れるエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴムがより好ましい。これらの高分子成分は単独で又は２種以上の混合体又は共重合体として使用することもできる。
【００５４】
半導体用接着剤が（Ａ）エポキシ樹脂を含む場合、（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分と（Ａ）エポキシ樹脂の質量比は、特に制限されないが、フィルム状を保持するためには、（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分１に対して、（Ａ）エポキシ樹脂が０．０１〜５であることが望ましい。より好ましいのは０．０５〜４で、更に好ましいのは０．１〜３である。質量比が０．０１より小さいと硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、５より大きいとフィルム形成性及び膜形成性が低下する恐れがある。
【００５５】
半導体用接着剤が（Ｂ）アクリル樹脂を含む場合、（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分と（Ｂ）アクリル樹脂の質量比は、特に制限されないが、（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分１に対して、（Ｂ）アクリル樹脂は０．０１〜１０であることが望ましい。より好ましくは０．０５〜５で、更に好ましくは０．１〜５である。質量比が０．０１より小さいと硬化性が低下し、接着力が低下する恐れがあり、１０より大きいとフィルム形成性が低下する恐れがある。
【００５６】
（ｅ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、半導体用接着剤の基板又はチップへの貼付性に優れる観点から、１００℃以下、更に８５℃以下がより好ましい。Ｔｇが１２０℃を超える場合には、半導体チップに形成されたバンプ、基板に形成された電極又は配線パターン等の凹凸を半導体用接着剤により埋め込むことが難しく、気泡が残存してボイドが発生しやすい傾向がある。なお、上記Ｔｇとは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇである。
【００５７】
（ｅ）成分の重量平均分子量は、ポリスチレン換算で１００００以上であるが、単独で良好なフィルム形成性を示すために、３００００以上が好ましく、４００００以上がより好ましく、５００００以上が更に好ましい。重量平均分子量が１００００未満である場合にはフィルム形成性が低下する傾向がある。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。
【００５８】
半導体用接着剤はフラックス成分、すなわち、フラックス活性（酸化物及び不純物を除去する活性）を示す化合物であるフラックス活性剤を含有することができる。フラックス活性剤としては、イミダゾール類及びアミン類のように非共有電子対を有する含窒素化合物、カルボン酸類、フェノール類、並びにアルコール類が挙げられる。
【００５９】
アルコール等に比べて有機酸の方がフラックス活性を強く発現し、接続性が向上する。接続性と安定性の観点から、カルボン酸がより好ましい。
【００６０】
半導体用接着剤には、粘度及び硬化物の物性を制御するため、並びに、半導体チップ同士又は半導体チップと基板とを接続した際のボイドの発生及び吸湿率の抑制のために、フィラを配合してもよい。絶縁性無機フィラとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられ、その中でも、取り扱い性の観点から、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素等が好ましく、形状統一性（取り扱い性）の観点から、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。ウィスカーとしてはホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。樹脂フィラとしては、ポリウレタン、ポリイミド、メタクリル酸メチル樹脂、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂（ＭＢＳ）等を用いることができる。これらのフィラ及びウィスカーは単独で又は２種以上の混合体として使用することもできる。配合量については、特に制限されない。
【００６１】
分散性及び接着力向上の観点から、表面処理フィラであることが好ましい。表面処理としては、グリシジル系（エポキシ系）、アミン系、フェニル系、フェニルアミノ系また、アクリル系、ビニル系が挙げられる。
【００６２】
表面処理としては、表面処理のしやすさから、エポキシシラン系、アミノシラン系、アクリルシラン系等のシラン化合物によるシラン処理が好ましい。表面処理剤としては、分散性及び流動性に優れ、接着力を更に向上させる観点から、グリシジル系、フェニルアミノ系、アクリル系、メタクリル系の化合物が好ましい。表面処理剤としては、保存安定性の観点から、フェニル系、アクリル系、メタクリル系の化合物が好ましい。
【００６３】
これらのフィラ及びウィスカーは単独で又は２種以上の混合体として使用することもできる。フィラの形状、粒径、及び配合量については、特に制限されない。また、表面処理によって物性を適宜調整してもよい。
【００６４】
粒径に関しては、フリップチップ接続時のかみ込み防止の観点から、平均粒径が１．５μｍ以下が好ましく、視認性（透明性）の観点から、平均粒径が１．０μｍ以下が更に好ましい。
【００６５】
樹脂フィラは無機フィラに比べて、２６０℃等の高温で柔軟性を付与することができるため、耐リフロ性向上に適している。また、柔軟性付与のため、フィルム形成性向上にも効果がある。
【００６６】
絶縁信頼性の観点から、フィラは絶縁性であることが好ましい。銀フィラ、はんだフィラ等導電性の金属フィラは含有していない半導体用接着剤が好ましい。
【００６７】
フィラの配合量は、半導体用接着剤の固形分全体を基準として、３０〜９０質量％が好ましく、４０〜８０質量％が更に好ましい。配合量が３０質量％未満では放熱性が低く、また、ボイド発生、吸湿率が大きくなる等の傾向がある。配合量が９０質量％を超えると粘度が高くなって半導体用接着剤の流動性の低下及び接続部へのフィラの噛み込み（トラッピング）が生じ、接続信頼性が低下する傾向がある。
【００６８】
更に、半導体用接着剤には、イオントラッパー、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤等を配合してもよい。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの配合量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。
【００６９】
本発明の半導体用接着剤は２００℃以上の高温での圧着が可能である。また、はんだ等金属を溶融させて接続を形成するフリップチップパッケージではより効果を発現する。
【００７０】
半導体用接着剤はフィルム状であることが好ましい。フィルム状であると生産性が向上する。
【００７１】
本発明の半導体用接着剤（フィルム状）の作製方法を以下に示す。（ａ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分（エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）、（ｂ）硬化剤、（ｃ）シラノール化合物、及び（ｄ）アセチルアセトネートアルミキレート、並びに、必要に応じて用いられる（ｅ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分、フラックス活性剤（カルボン酸）、及びフィラ（無機フィラ、樹脂フィラ等）などを有機溶媒中に加え、攪拌混合、混錬等により、溶解又は分散させて、樹脂ワニスを調製する。その後、離型処理を施した基材フィルム上に、樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター、ダイコーター、又はコンマコーター等を用いて塗布した後、加熱により有機溶媒を減少させて、基材フィルム上にフィルム状接着剤を形成する。また、加熱により有機溶媒を減少させる前に、樹脂ワニスをウエハ等にスピンコートして膜を形成して、その後、溶媒乾燥を行う方法で、ウエハ上に半導体用接着剤を形成してもよい。
【００７２】
また、基材フィルムとしては、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が例示できる。基材フィルムは、これらのフィルムからなる単層のものに限られず、２種以上の材料からなる多層フィルムであってもよい。
【００７３】
更に、塗布後の樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の条件は、具体的には、５０〜２００℃、０．１〜９０分間の加熱を行うことが好ましく、実装後のボイド及び粘度調製に影響がなければ、有機溶媒が１．５質量％以下まで揮発する条件とすることが好ましい。
【００７４】
本実施形態に係る半導体用接着剤は、半導体装置に好適に用いられ、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部の封止に特に好適に用いられる。
【００７５】
本実施形態に係る半導体用接着剤を用いた半導体装置について説明する。半導体装置における接続部は、バンプと配線との金属接合、及び、バンプとバンプとの金属接合のいずれでもよい。半導体装置では、例えば、半導体用接着剤を介して電気的な接続を得るフリップチップ接続が用いられてよい。
【００７６】
図１は、半導体装置の実施形態（半導体チップ及び基板のＣＯＢ型の接続態様）を示す模式断面図である。図１（ａ）に示すように、第１の半導体装置１００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板（回路配線基板）２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線１５と、半導体チップ１０及び基板２０の配線１５を互いに接続する接続バンプ３０と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された半導体用接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている。配線１５及び接続バンプ３０は、半導体用接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。
【００７７】
図１（ｂ）に示すように、第２の半導体装置２００は、互いに対向する半導体チップ１０及び基板２０と、半導体チップ１０及び基板２０の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ３２と、半導体チップ１０及び基板２０間の空隙に隙間なく充填された半導体用接着剤４０とを有している。半導体チップ１０及び基板２０は、対向するバンプ３２が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ３２は、半導体用接着剤４０により封止されており外部環境から遮断されている。
【００７８】
図２は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ同士のＣＯＣ型の接続態様）を示す模式断面図である。図２（ａ）に示すように、第３の半導体装置３００は、２つの半導体チップ１０が配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている点を除き、第１の半導体装置１００と同様である。図２（ｂ）に示すように、第４の半導体装置４００は、２つの半導体チップ１０がバンプ３２によりフリップチップ接続されている点を除き、第２の半導体装置２００と同様である。
【００７９】
半導体チップ１０としては、特に制限はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体などの各種半導体を用いることができる。
【００８０】
基板２０としては、配線回路基板であれば特に制限はなく、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン等を主な成分とする絶縁基板の表面に形成された金属層の不要な個所をエッチング除去して配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線（配線パターン）が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線（配線パターン）が形成された回路基板などを用いることができる。
【００８１】
配線１５、バンプ３２等の接続部は、主成分として金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅、スズ−銀−銅等）、ニッケル、スズ、鉛等を含有しており、複数の金属を含有していてもよい。
【００８２】
配線（配線パターン）の表面には、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅、スズ−銀−銅等）、スズ、ニッケル等を主な成分とする金属層が形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。銅、はんだは安価であることから好ましく、接続信頼性及び反り抑制の観点から、接続部の金属ははんだが更に好ましい。
【００８３】
バンプと呼ばれる導電性突起の材質としては、主な成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は例えば、スズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅、スズ−銀−銅等）、スズ、ニッケル等が用いられ、単一の成分のみで構成されていてもよく、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。バンプは半導体チップ又は基板に形成されていてもよい。接続部の金属としては、銅、はんだは安価であることから好ましく、接続信頼性及び反り抑制の観点から、接続部の金属ははんだが更に好ましい。
【００８４】
パッドと呼ばれる接続部の金属面には主な成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は例えば、スズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅、スズ−銀−銅等）、スズ、ニッケル等が用いられ、単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。接続部の金属としては好ましくは、接続信頼性の観点から金、はんだが好ましい。
【００８５】
接続は、上述したバンプ−バンプ間、バンプ−パッド間、バンプ−配線間で行われる。本接続工程（第二工程）はどちらか片方の接続部の金属が融点以上になるように行えばよい。
【００８６】
また、図１又は図２に示すような半導体装置（パッケージ）を積層して金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ−銀、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−銅、スズ−銀−銅等）、スズ、ニッケル等で電気的に接続してもよい。銅、はんだは安価であることから一般的に使用されているため好ましい。例えば、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）技術で見られるような、本実施形態の半導体用接着剤を半導体チップ間に介して、フリップチップ接続又は積層し、半導体チップを貫通する孔を形成し、パターン面の電極とつなげてもよい。
【００８７】
図３は、半導体装置の他の実施形態（半導体チップ積層型の態様（ＴＳＶ））を示す模式断面図である。図３に示すように、第５の半導体装置５００では、インターポーザ５０上に形成された配線１５が半導体チップ１０の配線１５と接続バンプ３０を介して接続されることにより、半導体チップ１０とインターポーザ５０とはフリップチップ接続されている。半導体チップ１０とインターポーザ５０との間の空隙には半導体用接着剤４０が隙間なく充填されている。上記半導体チップ１０におけるインターポーザ５０と反対側の表面上には、配線１５、接続バンプ３０及び半導体用接着剤４０を介して半導体チップ１０が繰り返し積層されている。半導体チップ１０の表裏におけるパターン面の配線１５は、半導体チップ１０の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極３４により互いに接続されている。なお、貫通電極３４の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。
【００８８】
このようなＴＳＶ技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することができる。更には、半導体チップ１０内に貫通電極３４を垂直に通すため、対向する半導体チップ１０間、又は半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。本実施形態に係る半導体用接着剤は、このようなＴＳＶ技術において、対向する半導体チップ１０間、又は半導体チップ１０及びインターポーザ５０間の封止材料として好適に用いられる。
【００８９】
また、エリアバンプチップ技術等の自由度の高いバンプ形成方法では、インターポーザを介さないでそのまま半導体チップをマザーボードに直接実装できる。本実施形態に係る半導体用接着剤は、このような半導体チップをマザーボードに直接実装する場合にも好適に用いられる。なお、本実施形態に係る半導体用接着剤は、２つの配線回路基板を積層する場合に、基板間の空隙を封止する際に好適に用いられる。
【００９０】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、本実施形態に係る半導体用接着剤を用いて、半導体チップ及び配線回路基板、又は、複数の半導体チップ同士を接続する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、半導体用接着剤を介して半導体チップ及び配線回路基板を互いに接続すると共に半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程、又は、半導体用接着剤を介して複数の半導体チップを互いに接続すると共に複数の半導体チップのそれぞれの接続部を互いに電気的に接続して半導体装置を得る工程を備える。
【００９１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、接続部を互いに金属接合によって接続することができる。すなわち、半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部を互いに金属接合によって接続する、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部を互いに金属接合によって接続する。
【００９２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例として、図４に示す第６の半導体装置６００の製造方法について説明する。第６の半導体装置６００は、配線（銅配線）１５を有する基板（例えばガラスエポキシ基板）６０と、配線（例えば銅ピラー、銅ポスト）１５及び接続バンプ（はんだバンプ）３０を有する半導体チップ１０とが半導体用接着剤４０を介して互いに接続されている。半導体チップ１０の配線１５と基板６０の配線１５とは、接続バンプ（はんだバンプ）３０により電気的に接続されている。基板６０における配線１５が形成された表面には、接続バンプ３０の形成位置を除いてソルダーレジスト７０が配置されている。基板６０における配線１５には金めっきが施されている。接続部の金属ははんだ（スズ−銀）−金であり、融点の低いはんだが融点以上に達すれば接続は可能である。なお、第６の半導体装置６００は、半導体チップ同士が接続されたものであってもよい。
【００９３】
第６の半導体装置６００の製造方法では、まず、ソルダーレジスト７０が形成された基板６０上に半導体用接着剤（フィルム状接着剤等）４０を貼付する。貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。半導体用接着剤４０の供給面積及び厚みは、半導体チップ１０又は基板６０のサイズ、バンプ高さ等によって適宜設定される。半導体用接着剤４０は半導体チップ１０に貼付してもよく、半導体ウエハに本実施形態の半導体用接着剤を貼付した後にダイシングして半導体チップ１０に個片化することによって、半導体用接着剤４０を貼付した半導体チップ１０を作製してもよい。半導体用接着剤４０を基板６０又は半導体チップ１０に貼り付けた後、半導体チップ１０の配線１５上の接続バンプ３０と、基板６０の配線１５とをフリップチップボンダー等の接続装置（圧着装置）を用いて位置合わせした後、圧着し（第一工程）、半導体チップ１０と基板６０を接続バンプ３０の融点以上の温度で加熱処理し（第二工程）（はんだ部分に２５０℃以上かかることが好ましい）半導体チップ１０と基板６０を接続すると共に、半導体用接着剤４０によって半導体チップ１０と基板６０の間の空隙を封止充てんする。
【００９４】
接続荷重（第一工程）は、バンプ数に依存するが、バンプの高さばらつき吸収、バンプ変形量の制御を考慮して設定される。仮圧着（第一工程）後に、半導体チップ１０と基板６０間の接続部金属が接触していることが好ましい。第一工程で接触又は接続できている方が、第二工程後の接続性（金属結合が形成しやすい、半導体用接着剤の噛み込みが少ない等）が良好になる。
【００９５】
仮圧着（第一工程）の際に、ボイドを排除し、半導体チップ１０と基板６０間の接続部金属が接触又は金属結合を形成するために、荷重は大きい方が好ましい。荷重が大きい方がボイドを排除しやすく、接続部の金属も接触しやすい。荷重は、例えば、半導体チップの１ピン（１バンプ）当たり０．００９Ｎから０．３Ｎが好ましい。
【００９６】
仮圧着（第一工程）は生産性向上の観点から、短時間であるほど好ましく、例えば、５秒以下、生産性向上の観点から３秒以下、更に好ましくは２秒以下が好ましい。
【００９７】
加熱処理（第二工程）は特に制限はないが、例えば、リフロ炉、オーブン、ホットプレート等を用いることができる。例えば、リフロ炉（タムラ製作所製）及びクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）等が挙げられる。
【００９８】
第二工程では、チップ−チップ、チップ−基板、チップ−ウエハ、ウエハ−ウエハ等の接続の場合、おもりを乗せたり、クリップでとめる等することで、半導体チップ間又は半導体チップと半導体用接着剤間の熱膨張差によって生じる反り及び接続不良を抑制することができる。
【００９９】
はんだの融点よりも低温で圧着する第一工程（仮圧着）は、圧着ツールが（半導体用接着剤付き）半導体チップをピックアップする際に熱が転写しないように低温であることが好ましい。また、仮圧着時には、巻き込み時のボイドを排除できるように半導体用接着剤の流動性を高めるために高温であることが好ましい。そのため、半導体用接着剤の反応開始温度よりも低温であることが好ましく、また、冷却時間を短縮するため、圧着ツールが半導体チップをピックアップする際の温度、と半導体チップ同士又は半導体チップ−基板間のコンタクトの際（仮圧着時）の温度、の差は小さい方が好ましい。この温度差は、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、更に好ましくは一定（同じ設定温度）であることが好ましい。１００℃を超える差がある場合は、圧着ツールの冷却に時間がかかるため生産性が低下する。反応開始温度とはＤＳＣ（パーキンエルマー社製、ＤＳＣ−Ｐｙｉｒｓ１）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気又は窒素雰囲気の条件で測定したときのＯｎ−ｓｅｔ温度をいう。
【０１００】
はんだの融点よりも高温で接続する第二工程（本圧着）は、パッケージにはんだの融点以上の温度がかかっている必要がある。例えば、接続部の金属がはんだであれば２３０℃以上３３０℃以下が好ましい。低温であると接続部の金属が溶融せず、十分な金属結合が形成されない。高温であると、ボイドが発生しやすく、はんだが飛散しやすくなる。
【０１０１】
本接続工程（第二工程）は、半導体用接着剤の反応開始温度よりも高温で行うことが好ましい。本接続工程中に半導体用接着剤の硬化を促進することで更なるボイド発生及び接続不良を抑制することができる。
【０１０２】
第一工程と第二工程は、短時間であることが好ましい。
【０１０３】
本接続工程は、金属結合形成だけでなく、半導体用接着剤の硬化を促進する。圧着機を用いて本接続工程（第二工程）を行う場合、フィレット（圧着の際にチップ側面にはみ出る半導体用接着剤）には圧着機の熱がかかり難いため、第二工程後に更に半導体用接着剤（フィレット部分等）の硬化を十分にするため、加熱処理工程が必要となる。しかし、圧着機を用いなく、全体的に熱のかかるリフロ炉、オーブン、ホットプレート等を用いて接続工程（第二工程）を行う場合、第二工程後の加熱処理を短縮、又は無くすことができる。
【０１０４】
第一工程（仮圧着）は複数のチップを圧着してもよい。
【０１０５】
また、ＴＳＶ構造のパッケージで多く見られるスタック圧着では、立体的に複数のチップを圧着する。この場合も複数の半導体チップを一つずつ積み重ねて仮圧着（第一工程）し、その後、一括で複数のチップを本接続（第二工程）してもよい。
【実施例】
【０１０６】
以下、実施例を用いて本発明を説明するが、本発明はこれらによって制限されるものではない。
【０１０７】
実施例で使用した化合物を以下に示す。
（ｉ）重量平均分子量１００００未満の樹脂成分
（エポキシ樹脂）
・トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＥＰ１０３２Ｈ６０、以下ＥＰ１０３２とする）重量平均分子量：８００〜２０００。
・ビスフェノールＦ型液状エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＹＬ９８３Ｕ、以下ＹＬ９８３とする）重量平均分子量：約３３６。
・可とう性半固形状エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社、ＹＬ７１７５−１０００、以下ＹＬ７１７５とする）重量平均分子量：１０００〜５０００。
（ｉｉ）硬化剤
・２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成株式会社製、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、以下２ＭＡＯＫとする）
（ｉｉｉ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分
・フェノキシ樹脂（東都化成株式会社、ＺＸ１３５６−２、Ｔｇ：約７１℃、Ｍｗ：約６３０００、以下ＺＸ１３５６とする）
（ｉｖ）フラックス剤（カルボン酸）
２−メチルグルタル酸（アルドリッチ、融点約７７℃、以下グルタル酸とする）
（ｖ）フィラ
（無機フィラ）
・シリカフィラ（株式会社アドマテックス、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）
・フェニル表面処理ナノシリカフィラ（株式会社アドマテックス、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ、以下ＳＰナノシリカとする、平均粒径約５０ｎｍ）
（樹脂フィラ）
・有機フィラ（ロームアンドハースジャパン（株）社製、ＥＸＬ−２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子）
（ｖｉ）シラノール化合物
・フェニル基含有３官能シラノール（東レダウコーニング（株）社製、ＦＣＡ１０７、分子量：約３０００、固形）
（ｖｉｉ）アルミキレート
（アセチルアセトネートアルミキレート）
・アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）（川研ファインケミカル（株）社製、アルミキレートＤ、固形）
・アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）（川研ファインケミカル（株）社製、アルミキレートＡ、固形）
（その他のアルミキレート）
・アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）（川研ファインケミカル（株）社製、ＡＬＣＨ−ＴＲ、固形）
【０１０８】
＜フィルム状接着剤の作製＞
（実施例１）
エポキシ樹脂、２ＭＡＯＫ、２−メチルグルタル酸、無機フィラ、樹脂フィラ、シラノール及びアルミキレートに、ＮＶ（不揮発分）６０質量％になるように有機溶媒（メチルエチルケトン）を添加した。その後、φ１．０ｍｍ、φ２．０ｍｍのビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ−７）で３０分撹拌した。その後、ＺＸ１３５６を加え、再度、ビーズミルで３０分撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去した。作製したワニス（半導体用接着剤）を小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工し、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（７０℃／１０ｍｉｎ）し、フィルム状接着剤を得た。
【０１０９】
（実施例２、比較例１〜３）
使用した材料下記の表１に示すように変更したことを除いては、実施例１のフィルム状接着剤の作製方法と同様にして、フィルム状接着剤を作製した。
【０１１０】
＜評価＞
（１）吸湿後２６０℃接着力測定方法
半導体用接着剤を切り抜き（５ｍｍ×５ｍｍ×０．０４５ｍｍｔ）、シリコンチップ（５ｍｍ×５ｍｍ×０．７２５ｍｍｔ、ＳｉＮ膜コーティング）に８０℃で貼付け、熱圧着試験機（日立化成テクノプラント株式会社製）を用いて同上のシリコンチップ（１０ｍｍ×８ｍｍ×０．７２５ｍｍｔ、ＳｉＮ膜コーティング）に圧着した（圧着条件：２５０℃／５ｓ／０．５ＭＰａ）。次に、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中でアフターキュアした（１７５℃／２ｈ）。その後、８５℃／６０％の恒温恒湿器（ＥＳＰＥＣ製、ＰＲ−２ＫＰ）に４８ｈ放置し、取り出し後、２６０℃のホットプレート上で接着力測定装置（ＤＡＧＥ社製、万能型ボンドテスタＤＡＧＥ４０００型）を使い、ツール高さ０．０５ｍｍ、ツール速度０．０５ｍｍ／ｓの条件でダイシェア強度を測定した。
【０１１１】
（２）粘度測定方法
レオメーターＭＣＲ３０１（株式会社アントンパール・ジャパン製）を用いて測定した。ステージ上に半導体用接着剤を供給し、ボイドが入らないように測定治具を設置した。測定条件は、ステージと測定治具（φ８ｍｍ）の間隔０．３ｍｍ、振り角ｇａｍｍａ＝５％、周波数ｆ＝１Ｈｚ、ノーマルフォースＦＮ＝０μＮ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、測定範囲３０℃〜１８０℃とした。粘度曲線の１３０℃（下記（３）の第一工程の温度）の粘度を求めた。
【０１１２】
（３）半導体装置の製造方法（接続評価方法）
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．０４５ｍｍｔ）、はんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．１５ｍｍｔ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約４５μｍ、バンプ数１０４８、ピッチ８０μｍ、ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＣＣ８０ＭｏｄｅｌＩ、ＷＡＬＴＳ製）上に貼付し、受け側の半導体チップ（チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍｔ、ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＩＰ８０、ＷＡＬＴＳ製）にＦＣＢ３（パナソニック製）で仮圧着した。ステージ温度は８０℃とした。１３０℃／１００Ｎ／３ｓで位置合わせして仮圧着した後（第一工程）、最高温度２６０℃に到達するリフロ炉（タムラ製作所製）に約６００ｓ（１０ｍｉｎ）通した（第二工程）。第一工程後及び第二工程後のそれぞれで、マルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｒ６８７１Ｅ）を用いて初期導通の可否を測定した。ペリフェラル部（内周部）の接続抵抗値が３２．０〜３８．０ΩのサンプルをＡ（接続良好）、それ以外の抵抗値又はＯｐｅｎをＢ（接続不良）と評価した。
【０１１３】
（４）ボイド評価
上記（３）で作製したサンプルについて、第一工程後及び第二工程後のそれぞれで、超音波映像診断装置（Ｉｎｓｉｇｈｔ−３００、インサイト製）により、外観画像を撮り、スキャナＧＴ−９３００ＵＦ（ＥＰＳＯＮ社製）でチップ上の半導体用接着剤からなる層の画像を取り込み、画像処理ソフトＡｄｏｂｅ  Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐを用いて、色調補正、二階調化によりボイド部分を識別し、ヒストグラムによりボイド部分の占める割合を算出した。チップ上の半導体用接着剤部分の面積を１００％として、ボイド発生率が５％以下をＡ、ボイド発生率が５％より多い場合をＢと評価した。
【０１１４】
（５）耐リフロ性評価
上記（３）で作製したパッケージを封止材（日立化成製、ＣＥＬ９７５０ＺＨＦ１０）を用いて、モールドした（条件：１８０℃／６．７５ＭＰａ／９０ｓ）。次に、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）中で１７５℃で５時間アフターキュアを行った。その後、ＪＥＤＥＣ  ｌｅｖｅｌ  ２条件で高温吸湿後、リフロ評価（リフロ炉：タムラ製作所製）を行った（リフロ炉を３回通した）。リフロ後、剥離なく、接続良好なサンプルをＡ、剥離又は接続不良が生じたサンプルをＢとした。接続評価方法は上記（３）と同様な方法で行った。
【０１１５】
【表１】
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表１中、各材料の配合量は不揮発分の配合量であり、単位は質量部である。
【０１１６】
シラノール化合物とアセチルアセトネートアルミキレートを併用した実施例１，２の半導体用接着剤は、高流動化と高接着化が両立可能であり、第一工程後、第二工程後共にボイドレスであり、接続を確保可能であり、また、耐リフロ性も満足することが確認された。
【符号の説明】
【０１１７】
１０…半導体チップ、１５…配線、２０，６０…基板、３０…接続バンプ、３２…バンプ、３４…貫通電極、４０…半導体用接着剤、５０…インターポーザ、７０…ソルダーレジスト、１００，２００，３００，４００，５００，６００…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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