(57)【要約】【課題】電流検出精度を向上する。【解決手段】電流センサ１００は、被測定電流を流すための電流経路２２を含む第１導体、平面視において電流経路２２の曲部２２ｃと重なる延伸部１３を有するベース１０を含む、第１導体から絶縁された第２導体、及び電流経路２２に流れる被測定電流が生じる磁場を検出する磁気センサ３２を備える。磁気センサ３２は、ベース１０に連なる延伸部１３上に設置される。これにより、磁気センサ３２が発する熱がベース１０を介して排熱されることで、温度変化に伴うそれらの磁気検出精度の低下が抑えられ、その結果、高い電流検出精度を維持することが可能となる。【選択図】図１Ａ
2017134022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流を流すための第１導体と、
平面視において前記第１導体と重なる部分を有する、前記第１導体と絶縁された第２導体と、
前記被測定電流を検出するための磁気センサと、
前記第１導体および前記第２導体の少なくとも一部と前記磁気センサとを収容するパッケージと、
を備える電流センサ。
【請求項２】
前記第２導体の前記重なる部分は、側面視において前記第１導体から離間する請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
被測定電流を流すための第１導体と、
前記第１導体と絶縁された、前記第１導体とは異なる厚さの第２導体と、
前記被測定電流を検出するための磁気センサと、
前記第１導体および前記第２導体の少なくとも一部と前記磁気センサとを収容するパッケージと、
を備える電流センサ。
【請求項４】
前記第１導体は、前記第２導体よりも厚い請求項３に記載の電流センサ。
【請求項５】
前記第１導体および前記第２導体は、互いに異なる導体パターンを有する２つの金属フレームにより構成される請求項１から４の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項６】
平面視において前記第２導体と重なる部分を有し、前記磁気センサからの信号を処理する信号処理デバイスを更に備え、
前記第１導体は、前記パッケージの第１辺側から前記パッケージの内部を通って前記第１辺側へと戻る電流経路を形成し、
前記磁気センサは、前記電流経路によって周囲の一部が囲まれる位置に設けられ、
前記第２導体は、前記パッケージにおける前記第１辺とは反対側の第２辺側に設けられ、前記信号処理デバイスに電気的に接続される信号端子を有する
請求項５に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記磁気センサは、平面視において前記第２導体と重なる部分を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項８】
前記第２導体は、平面視において前記磁気センサと重なる部分まで延伸する延伸部を有する請求項７に記載の電流センサ。
【請求項９】
前記磁気センサおよび前記磁気センサからの信号を処理する信号処理回路を含むデバイスを備え、
前記第１導体は、前記デバイスの第１面と向かい合う部分を有し、
前記第２導体は、前記デバイスにおける前記第１面とは反対側の第２面と向かい合う部分を有する
請求項１から５のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項１０】
前記第１導体および前記第２導体の少なくとも一方は、段差によって他方の導体から離間される請求項１から９の何れか一項に記載の電流センサ。
【請求項１１】
前記第２導体は、平面視において前記磁気センサと重なる部分を有し、当該部分においてスリットを有する請求項１から１０のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項１２】
前記第２導体は、平面視において前記磁気センサと重なる部分を有し、
前記磁気センサおよび前記第２導体の間に設けられた第１磁性体を更に備える請求項１から１１のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項１３】
前記磁気センサにおける前記第２導体側とは反対側の面に向かい合う位置に設けられた第２磁性体を更に備える請求項１から１２のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項１４】
前記第１導体は、前記パッケージの第１辺側から前記パッケージの内部を通って前記第１辺側へと戻る電流経路を形成し、
前記電流経路によって周囲の一部が囲まれる位置に設けられた第１の前記磁気センサと、
前記電流経路によって囲まれる領域の外側に設けられた第２の前記磁気センサと、
を備える請求項１から１３のいずれか一項に記載の電流センサ。
【請求項１５】
前記第１の磁気センサおよび前記第２の磁気センサと前記第２導体との間に設けられた、第１磁性体を更に備える請求項１４に記載の電流センサ。
【請求項１６】
前記第１の磁気センサにおける前記第２導体側とは反対側の面に向かい合う位置から、前記第２の磁気センサにおける前記第２導体側とは反対側の面に向かい合う位置までの間に設けられた第２磁性体を更に備える請求項１４または１５に記載の電流センサ。
【請求項１７】
複数の第１導体を含む第１リードフレームを形成する段階と、
複数の第２導体を含み、前記複数の第２導体上に複数の磁気センサが配置された第２リードフレームを形成する段階と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとを重ね合わせる段階と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとが重ね合わされた状態で、樹脂封止して複数のパッケージを形成する段階と、
前記複数のパッケージを個片化する段階と、
を備える電流センサの製造方法。
【請求項１８】
前記複数の第２導体のそれぞれは、前記複数の第１導体のうち対応する第１導体に対して平面視で重なる部分を有する請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームは、厚さが異なる請求項１８または１８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサ及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサを用いて電流の量を検出する電流センサが知られている。例えば特許文献１には、被測定電流が入力される１次導体、信号処理ＩＣを支持する２次導体、及び２次導体の２つの張り出し部の間に架けられた絶縁テープ上に支持して、平面視において１次導体のギャップに配置された磁気センサを有する電流センサが開示されている。電流センサは、１次導体に電流が入力されると、その電流により１次導体の周囲に発生する磁場を磁気センサを用いて検出して、電流の量に応じた出力信号を出力する。
特許文献１  国際公開第２０１５／０１５５３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の構成の電流センサでは、磁気収束板を用いないことでセンサが小型化され、良好な磁気収束が得られる一方で、小型化に伴う局所的な温度上昇により、磁気検出ひいては電流検出精度の劣化も懸念される。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、被測定電流を流すための第１導体と、平面視において第１導体と重なる部分を有する、第１導体と絶縁された第２導体と、被測定電流を検出するための磁気センサと、を備える電流センサを提供する。
【０００５】
本発明の第２の態様においては、被測定電流を流すための第１導体と、第１導体と絶縁された、第１導体とは異なる厚さの第２導体と、被測定電流を検出するための磁気センサと、を備える電流センサを提供する。
【０００６】
本発明の第３の態様においては、それぞれが別の電流センサに組み込まれる複数の第１導体を含む第１リードフレームを形成する段階と、それぞれが別の電流センサに組み込まれる複数の第２導体を含む第２リードフレームを形成する段階と、第１リードフレームおよび第２リードフレームに設けられた位置合わせ用の嵌合部を嵌合して第１リードフレームおよび第２リードフレームを重ね合わせる段階と、第１リードフレームおよび第２リードフレームが重ね合わされた状態で、それぞれが複数の第１導体のそれぞれおよび複数の第２導体のそれぞれを収容する複数のパッケージを形成する段階と、複数のパッケージを個片化する段階と、を備える製造方法を提供する。
【０００７】
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】電流センサの内部構成を平面視において示す。
【図１Ｂ】図１Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面構成を示す。
【図２】延設部が設けられた電流経路を含む電流センサの内部構成を平面視において示す。
【図３Ａ】第１リードフレームの構成を平面視において示す。
【図３Ｂ】図３Ａにおける基準線ＢＢに関する第１リードフレームの断面構成を示す。
【図４Ａ】第２リードフレームの構成を平面視において示す。
【図４Ｂ】図４Ａにおける基準線ＢＢに関する第２リードフレームの断面構成を示す。
【図５Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより重ねられた第１及び第２リードフレームを平面視において示す。
【図５Ｂ】図５Ａにおける基準線ＢＢに関する重ねられた第１及び第２リードフレームの断面を示す。
【図６Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された電流センサの状態、すなわち重ねられた第１及び第２導体を平面視において示す。
【図６Ｂ】図６Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図７Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された電流センサの状態、すなわち磁気センサが配置された状態を平面視において示す。
【図７Ｂ】図７Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図８Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された電流センサの状態、すなわち信号処理ＩＣを磁気センサ及び端子にワイヤボンディングされた状態を平面視において示す。
【図８Ｂ】図８Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図９Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された電流センサの状態、すなわちパッケージされた状態を平面視において示す。
【図９Ｂ】図９Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図１０Ａ】変形例に係る電流センサの内部構成を平面視において示す。
【図１０Ｂ】図１０Ａにおける基準線ＢＢに関する変形例に係る電流センサの断面構成を示す。
【図１１Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された変形例に係る電流センサの状態、すなわち磁気センサが配置された状態を平面視において示す。
【図１１Ｂ】図１１Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図１２Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された変形例に係る電流センサの状態、すなわち重ねられた第１及び第２導体を平面視において示す。
【図１２Ｂ】図１２Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図１３Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された変形例に係る電流センサの状態、すなわち信号処理ＩＣを端子にワイヤボンディングされた状態を平面視において示す。
【図１３Ｂ】図１３Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【図１４Ａ】電流センサの製造工程の一ステップにより形成された変形例に係る電流センサの状態、すなわちパッケージされた状態を平面視において示す。
【図１４Ｂ】図１４Ａにおける基準線ＢＢに関する電流センサの断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１０】
図１Ａ及び図１Ｂは、本実施形態に係る電流センサ１００の内部構成を示す。ここで、図１Ａは、電流センサ１００の内部構成を平面視において示し、図１Ｂは、図１Ａにおける基準線ＢＢに関して電流センサ１００の断面構成を示す。ここで、図１Ａにおける上下方向を縦方向、図１Ａ及び図１Ｂにおける左右方向を横方向、及び図１Ｂにおける上下方向を高さ方向とする。電流センサ１００は、磁気センサを用いて電流経路に入力される電流の量を検出する電流センサであり、電流検出精度を向上することを目的とする。
【００１１】
電流センサ１００は、パッケージ９、ベース１０、複数のデバイス端子１７、電流経路２２、第１磁気センサ３２、第２磁気センサ３３、信号処理デバイス４２、及び磁性体１８を備える。なお、電流経路２２をなす第１導体を１又は複数含んで第１リードフレーム２０が構成され、信号処理デバイス４２が搭載されるベース１０及び１又は複数のデバイス端子１７をなす第２導体を複数含んで第２リードフレーム１９が構成される。
【００１２】
パッケージ９は、後述するベース１０が有する２組のデバイス端子１５及び１６、複数のデバイス端子１７、並びに電流経路２２のそれぞれの端子部を除いて、電流センサ１００の構成各部をその内部に封止し、電流経路２２を含む１次導体と複数のデバイス端子１７を含む２次導体とを絶縁して、保護する。パッケージ９は、例えば、エポキシなどの絶縁性に優れた樹脂を用いてモールド成形することで、矩形状の上面（すなわち、図１Ａにおける手前側の一面）及び上面の一辺の長さより小さい厚さを有する直方体状に成形される。なお、パッケージ９の一辺（すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおける右側の辺）を第１辺９ａ、第１辺９ａに対向する別の辺（すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおける左側の辺）を第２辺９ｂとする。
【００１３】
ベース１０は、第１磁気センサ３２、第２磁気センサ３３、及び信号処理デバイス４２を支持する。ベース１０は、これらが発する熱を放熱するために、例えば熱伝導率の高い金属を用いて板状に成形される。ベース１０は、本体１１、延伸部１３ａ及び１３ｂ、並びに２組のデバイス端子１５及び１６を有する。
【００１４】
本体１１は、平面視において、信号処理デバイス４２を支持するのに十分な大きさを有する。本体１１には、短手方向の一側の辺（すなわち、図１Ａにおける左側の辺）に台形状の切欠き１１ａ、及び一側の辺の中央から一側に向かって切欠き１１ａ内に張り出す矩形状の張り出し１１ｂが形成されている。本体１１は、その長手を縦方向に向け、切欠き１１ａ及び張り出し１１ｂを第２辺９ｂに向けて、パッケージ９のほぼ中央に配置される。
【００１５】
延伸部１３ａ及び１３ｂは、縦方向に離間して、本体１１の短手方向の他側の辺（すなわち、図１Ａにおける右側の辺）の中央から他側に向かって延伸して形成されている。延伸部１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、平面視において後述する第１及び第２磁気センサ３２，３３と重なる部分を有し、この上で第１及び第２磁気センサ３２，３３を支持する。延伸部１３ａ及び１３ｂは、それぞれ第１及び第２磁気センサ３２，３３を支持するのに最小限の縦方向の幅を有する。これにより、磁場が延伸部１３ａ及び１３ｂに入ることで発生する渦電流が抑制される、特に電流経路２２をなす第１導体に印可する被測定電流が変化することにより延伸部１３ａ及び１３ｂに生じる渦電流が抑制され、渦電流が生じる磁場による第１及び第２磁気センサ３２，３３の応答の劣化を回避することができる。
【００１６】
２組のデバイス端子１５及び１６は、それぞれ本体１１の短手方向の一側の辺の一端（すなわち、図１Ａにおける上端）及び他端（すなわち、図１Ａにおける下端）から、第２辺９ｂまで延びる。本実施形態では、一例として、２組のデバイス端子１５及び１６はそれぞれ３つの端子を含む。デバイス端子１５及び１６は、段差加工により高さ方向に段差を設けて基端に対して先端を下げることにより、それらの先端にそれぞれ端子部１５ａ及び１６ａを形成する。なお、端子部１５ａ及び１６ａは、電流センサ１００を例えば外部基板上に搭載した場合に、外部基板上に配設された配線等に接合される。
【００１７】
複数のデバイス端子（信号端子とも呼ぶ）１７は、デバイス端子１５及び１６とともに、信号処理デバイス４２から出力される電流の検出結果を外部デバイスに出力する、また補正パラメータを設定するための入出力端子である。本実施形態では、デバイス端子１７は第２辺９ｂ側に設けられる。デバイス端子１７は、金属等の導電体を用いて矩形板状に成形される。
【００１８】
本実施形態では、一例として６つのデバイス端子１７が、それらの長手を横方向に向けて、ベース１０の２組のデバイス端子１５及び１６の間に等間隔に配列される。６つのデバイス端子１７は、段差加工により高さ方向に段差を設けて基端（図面右端）に対して先端（図面左端）を下げることにより、それらの先端に端子部１７ａを形成する。なお、端子部１７ａは、電流センサ１００を例えば外部基板上に搭載した場合に、外部基板上に配設された配線等に接合される。
【００１９】
電流経路２２は、電流センサ１００により検出される電流（すなわち、被測定電流）を通電する１次導体である。本実施形態では、電流経路２２は、第１辺９ａ側に配置される。電流経路２２は、第１辺９ａ側に設けられる第１電流端子２２ａからパッケージ９の内部を通って第１辺９ａ側に設けられる第２電流端子２２ｅへと至るＵ字状に成形される。本実施形態において、電流経路２２は、金属等の導電体を用いて、ベース１０と異なる厚さに、ここでは特に大きな被測定電流を通電するためにベース１０より厚く成形される。
【００２０】
電流経路２２は、２つの電流端子（単に端子部とも呼ぶ）２２ａ及び２２ｅ、２つの段差部２２ｂ及び２２ｄ、及び曲部２２ｃを含む。
【００２１】
２つの端子部２２ａ及び２２ｅは、平面視において一軸方向（すなわち、縦方向）を長手とする矩形状を有する。端子部２２ａ及び２２ｅは、段差加工により高さ方向に段差を設けて、それぞれ後述する段差部２２ｂ及び２２ｄに対して電流経路２２の先端を下げることにより形成される。
【００２２】
２つの段差部２２ｂ及び２２ｄは、平面視においてそれぞれ２つの端子部２２ａ及び２２ｅに等しい縦方向の長さの矩形状を有する。端子部２２ａ及び２２ｅは、一軸方向に直交する方向（すなわち、横方向）の一側（ここでは、右側）に複数（ここでは、一例として５つ）の矩形状の開口が縦方向に並んで形成されている。段差部２２ｂ及び２２ｄは、それぞれ端子部２２ａ及び２２ｅを後述する曲部２２ｃに一体的に接続する。
【００２３】
曲部２２ｃは、２つの段差部２２ｂ及び２２ｄを繋ぐ。曲部２２ｃは、段差部２２ｂの左下端から左方向に延伸し、Ｕ字状をなして右方向に延伸して段差部２２ｄの左上端に繋がる。ここで、曲部２２ｃの内側に形成される空間の幅は、第１磁気センサ３２の幅より大きい。
【００２４】
さらに、曲部２２ｃは、段差加工により高さ方向に段差を設けて段差部２２ｂ及び２２ｄに対して上げられる。それにより、曲部２２ｃの底面がベース１０の延伸部１３ａの上面より高くなり、電流経路２２の曲部２２ｃがベース１０に対して離間される。すなわち、第１リードフレーム２０は、後述するように第１磁気センサ３２の周囲を囲む曲部２２ｃにおいて、第２リードフレーム１９におけるデバイス端子１５及び１６の端子部１５ａ及び１６ａからベース１０の延伸部１３ａよりもさらに上側に段差加工されている。
【００２５】
なお、本実施形態では、電流経路２２の曲部２２ｃを、段差加工により高さ方向に段差を設けて段差部２２ｂ及び２２ｄに対して上げることで、ベース１０の延伸部１３ａに対して離間したが、これに代えて、延伸部１３ａを段差加工により高さ方向に段差を設けて本体１１に対して下げることで、電流経路２２の曲部２２ｃをベース１０の延伸部１３ａに対して離間してもよい。
【００２６】
電流経路２２は、平面視において曲部２２ｃをベース１０の延伸部１３ａ上に重ね、ただし側面視においては重ならずに絶縁され、端子部２２ａ及び２２ｅを突出してパッケージ９内に封止される。電流経路２２の端子部２２ａ及び２２ｅは、電流センサ１００を例えば外部基板上に実装した場合に、外部基板上に配設された配線等に接合される。
【００２７】
第１磁気センサ３２は、電流経路２２に通電される電流により発生する磁場を検出する。第１磁気センサ３２として、例えば、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ等から構成される化合物半導体ホール素子、シリコンから構成されるホール素子（或いは増幅回路と一体化されたホールＩＣ）、及び磁気抵抗素子を採用することができる。
【００２８】
第１磁気センサ３２は、ベース１０の延伸部１３ａと重なる部分を有し、この部分の上で、平面視において電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの内側に配置される。ここで、第１磁気センサ３２の感磁面（すなわち、磁場を検出する検出面）は、本実施形態では、第１磁気センサ３２の上面に設けられている。第１磁気センサ３２の感磁面は、高さ方向に関して、電流経路２２の上面及び下面の間に、好ましくは電流経路２２の板厚の中心高さに配置される。それにより、電流経路２２に流れる電流により発生する磁場を最大限検出することができ、高いＳＮ比が得られることとなる。
【００２９】
第１磁気センサ３２は、ワイヤボンディングによって信号処理デバイス４２に接続され、検出した磁場の強度に応じた電圧を出力信号として信号処理デバイス４２に出力する。
【００３０】
第２磁気センサ３３は、平面視において電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの外側に配置され、電流経路２２の周囲に生じる外部磁場等の磁気ノイズを第１磁気センサ３２と略等しく検出する。第２磁気センサ３３として、第１磁気センサ３２と同様の素子を採用することができる。第１磁気センサ３２の出力信号と第２磁気センサ３３の出力信号の差分を算出することで外部磁場等の影響をキャンセルすることができる。
【００３１】
なお、第１及び第２磁気センサ３２，３３の磁場検出の感度は、通常、環境温度に依存する。そこで、図２に示すように、電流経路２２に曲部２２ｃから延設される延設部２２ｆを設け、延設部２２ｆと曲部２２ｃとに囲まれる領域内に第２磁気センサ３３を配置することとしてもよい。ここで、延設部２２ｆは曲部２２ｃと同じ素材より一体的に形成される。電流が曲部２２ｃに通電することで発生する熱が延設部２２ｆに伝わり、第２磁気センサ３３は第１磁気センサ３２と近い温度環境下に置かれることとなる。それにより、第２磁気センサ３３の磁場検出の感度が第１磁気センサ３２のそれに等しくなる。従って、第２磁気センサ３３は、第１磁気センサ３２と等しく磁気ノイズを検出することができる。
【００３２】
なお、第２磁気センサ３３は、延伸部１３ｂ上に配置され、その感磁面が、高さ方向に関して、電流経路２２の上面及び下面の間に、好ましくは電流経路２２の板厚の中心高さに配置される。それにより、電流経路２２に流れる電流により発生する磁場を最大限検出することができ、高いＳＮ比が得られることとなる。
【００３３】
第２磁気センサ３３は、ワイヤボンディングによって信号処理デバイス４２に接続され、検出した磁場の強度に応じた電圧を出力信号として信号処理デバイス４２に出力する。
【００３４】
信号処理デバイス４２は、第１及び第２磁気センサ３２，３３の出力信号を処理して、電流経路２２に通電される電流の量を算出する。信号処理デバイス４２は、メモリ、感度補正回路、出力のオフセットを補正するオフセット補正回路、第１磁気センサ３２及び第２磁気センサ３３からの出力信号を増幅する増幅回路、第１磁気センサ３２からの出力信号と電流経路２２の外側に設けられた第２磁気センサ３３からの出力信号との差分を演算する差分演算回路、温度に応じて出力を補正する温度補正回路等の少なくとも１つを内蔵してもよい。
【００３５】
本実施形態では、信号処理デバイス４２は、第１磁気センサ３２及び第２磁気センサ３３と別個のデバイスとしてハイブリッド構成されたものを採用する。信号処理デバイス４２は、第１及び第２磁気センサ３２，３３がそれぞれ支持される延伸部１３ａ及び１３ｂと連なるベース１０の本体１１上に支持される。それにより、第１及び第２磁気センサ３２，３３が発する熱がベース１０を介して排熱されることで温度変化に伴うそれらの磁気検出精度の低下が抑えられるとともに、第１及び第２磁気センサ３２，３３と信号処理デバイス４２とがより等しい温度下に置かれることで、信号処理デバイス４２の温度補正回路により温度に応じて第１及び第２磁気センサ３２，３３の出力信号を正確に補正することが可能となる。
【００３６】
信号処理デバイス４２は、６つのデバイス端子１７にワイヤボンディングによって接続されている。それにより、信号処理デバイス４２は、電流経路２２に通電される電流の量の算出結果、さらにパラメータの設定等を６つのデバイス端子１７を介して入出力する。なお、信号処理デバイス４２がベース１０の本体１１にクランプされていることで、デバイス端子１５及び１６をグランド端子として使用することができる。また、ベース１０をグランド電位又は定電位とすることで、ベース１０が、パッケージ９の底面側から来る静電ノイズを遮蔽する静電シールドの役割を果たす。
【００３７】
なお、第１及び第２磁気センサ３２，３３を信号処理デバイス４２に接続するワイヤの長さを均等にすることとしてもよい。これにより、１次導体と各ワイヤとの間に寄生する容量が均一化され、第１及び第２磁気センサ３２，３３の応答特性の劣化を回避することができる。
【００３８】
磁性体１８は、例えば磁性体メッキにより形成された部材であり、磁場を集束して多くの磁束を第１及び第２磁気センサ３２，３３の感磁面に垂直に入れる。磁性体１８は、第１及び第２磁気センサ３２，３３がそれぞれ配置されるベース１０の延伸部１３ａ及び１３ｂ上にそれぞれ個別に敷設され、これを間に設けて延伸部１３ａ及び１３ｂ上にそれぞれ第１及び第２磁気センサ３２，３３が支持される。
【００３９】
なお、磁性体１８は、第１及び第２磁気センサ３２，３３がそれぞれ配置される延伸部１３ａ及び１３ｂの一方のみに敷設されてもよい。また、磁性体１８は、延伸部１３ａ及び１３ｂ上にそれぞれ個別に敷設するに限らず、延伸部１３ａ及び１３ｂの間の間隙を越えてそれらに跨って一体的に配設されてもよい。
【００４０】
なお、第１及び第２磁気センサ３２，３３並びに信号処理デバイス４２のそれぞれの上面を、例えばアルミニウム等の非磁性導電材料を用いて静電シールドすることとしてもよい。これにより、パッケージ９の上面側から来る静電ノイズを遮蔽することができる。また、非磁性導電材料において、第１及び第２磁気センサ３２，３３の上面に対向する部分に、複数のスリットを設けてもよい。複数のスリットは、例えば、それぞれが長手を横方向に向けて縦方向に並ぶ、導電性の膜材の外縁に開口する複数の切欠きである。これにより、磁場が導電性の膜材に入ることで発生する渦電流が抑制され、渦電流が生じる磁場による第１及び第２磁気センサ３２，３３の応答の劣化を回避することができる。
【００４１】
電流経路２２をなす第１導体と信号処理デバイス４２が搭載されるベース１０及び複数のデバイス端子１７をなす第２導体とは、それぞれ、互いに異なる導体パターンを有する第１及び第２リードフレーム２０，１９により構成される。
【００４２】
図３Ａ及び図３Ｂは、第１リードフレーム２０の構成を示す。ここで、図３Ａは、第１リードフレーム２０の構成を平面視において示し、図３Ｂは、図３Ａにおける基準線ＢＢに関して第１リードフレーム２０の断面構成を示す。第１リードフレーム２０は、矩形状を有する金属フレームである。なお、第１リードフレーム２０の厚みは第２リードフレーム１９のそれと異なり、特に本実施形態では、電流経路２２に大きな電流を通電するために厚みは第２リードフレーム１９より大きいとする。第１リードフレーム２０は、一例として縦７及び横１２のマトリクス状に配列された８４の要素Ｄ２０に電流経路２２をなす第１導体のパターンがそれぞれ形成されている。ここで、パターンは、段差加工により高さ方向に段差を設けることで電流経路２２の曲部２２ｃが段差部２２ｂ及び２２ｄに対して上げられた状態において、電流経路２２の端子部２２ａ及び２２ｅに相当する部分をフレームに連結して、第１リードフレーム２０内に含まれる。
【００４３】
第１リードフレーム２０は、四隅のそれぞれに第１嵌合部Ｃ２０を含む。第１嵌合部Ｃ２０は、一例として、第１リードフレーム２０の外縁から内側に向かって並列して形成された２つの矩形状の切欠きである。
【００４４】
図４Ａ及び図４Ｂは、第２リードフレーム１９の構成を示す。ここで、図４Ａは、第２リードフレーム１９の構成を平面視において示し、図４Ｂは、図４Ａにおける基準線ＢＢに関して第２リードフレーム１９の断面構成を示す。第２リードフレーム１９は、矩形状を有する金属フレームであり、一例として縦７及び横１２のマトリクス状に配列された８４の要素Ｄ２０に信号処理デバイス４２が搭載されるベース１０及び複数のデバイス端子１７をなす第２導体のパターンがそれぞれ形成されている。ここで、パターンは、段差加工が施されていない状態において、ベース１０の端子部１５ａ及び１６ａ並びに複数のデバイス端子１７の端子部１７ａに相当する部分をフレームに連結して、第２リードフレーム１９内に含まれる。
【００４５】
第２リードフレーム１９は、四隅のそれぞれに第２嵌合部Ｃ１９を含む。第２嵌合部Ｃ１９は、一例として、他の部分から並列する２つの矩形状の領域を段差加工により上げることで形成された段差である。
【００４６】
第２リードフレーム１９上に第１リードフレーム２０を重ねることで、平面視において要素Ｄ１９に含まれる第２導体のベース１０の延伸部１３ａの上に要素Ｄ２０に含まれる第１導体の電流経路２２の曲部２２ｃを重ねて、複数の要素Ｄ１９をそれぞれ複数の要素Ｄ２０のうちの対応する要素に重ねることができる。ここで、第２リードフレーム１９の４つの第２嵌合部Ｃ１９の段差をそれぞれ第１リードフレーム２０の第１嵌合部Ｃ２０の切欠きに嵌め合わせて第２リードフレーム１９上に第１リードフレーム２０を重ねることで、それぞれの要素Ｄ１９及びＤ２０を精度よく位置合わせすることができる。
【００４７】
なお、切欠き及び段差に代えて、第１嵌合部Ｃ２０及び第２嵌合部Ｃ１９として、第１及び第２リードフレーム２０，１９の対応する複数の位置にそれぞれ貫通穴を設けてもよい。第２リードフレーム１９上に第１リードフレーム２０を重ね、上下に重なる貫通穴のそれぞれに棒状部材を通すことで、複数の要素Ｄ１９をそれぞれ複数の要素Ｄ２０のうちの対応する要素に精度よく位置合わせすることができる。
【００４８】
電流センサ１００の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、一枚の金属板をプレス加工して、電流経路２２をなす第１導体のパターンを複数含む第１リードフレーム２０（図３Ａ及び図３Ｂ参照）を形成する。ここで、第１リードフレーム２０の複数のパターンに段差加工を施して、電流経路２２に段差を設ける。それにより、フレーム及びこれに連結する部分に対してパターンの先端部分、すなわち曲部２２ｃが高さ方向に上げられる。
【００５０】
次に、別の一枚の金属板をプレス加工して、信号処理デバイス４２が搭載されるベース１０及び複数のデバイス端子１７をなす第２導体のパターンを複数含む第２リードフレーム１９（図４Ａ及び図４Ｂ参照）を形成する。なお、第２リードフレーム１９は、第１リードフレーム２０より薄くしてもよい。
【００５１】
次に、第２リードフレーム１９に含まれる第２導体のパターンにおいて、磁性体１８を、第１及び第２磁気センサ３２，３３がそれぞれ配置されるベース１０の延伸部１３ａ及び１３ｂ上に敷設する。なお、この工程は、上述の第２リードフレーム１９を形成するための金属板のプレス加工の前に行ってもよい。
【００５２】
次に、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第１リードフレーム２０を第２リードフレーム１９上に重ねる。ここで、第２リードフレーム１９の４つの第２嵌合部Ｃ１９の段差をそれぞれ第１リードフレーム２０の第１嵌合部Ｃ２０の切欠きに嵌め合わせる。それにより、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、平面視において、第１リードフレーム２０に含まれる複数の第１導体の電流経路２２の曲部２２ｃが、第２リードフレーム１９に含まれる複数の第２導体のそれぞれのベース１０の延伸部１３ａの上に位置合せして、ただし曲部２２ｃは段差加工により高さ方向に上げられているため、側面視において延伸部１３ａと接触することなく離間して、重ねられる。
【００５３】
次に、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１磁気センサ３２、第２磁気センサ３３、及び信号処理デバイス４２をパターン上に設置する。第１磁気センサ３２は、電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの内側で、ベース１０の延伸部１３ａ上に配置される。第２磁気センサ３３は、延伸部１３ｂ上に配置される。信号処理デバイス４２は、ベース１０の本体１１上に配置される。
【００５４】
次に、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ワイヤボンディングにより、第１磁気センサ３２及び第２磁気センサ３３と信号処理デバイス４２とを接続し、信号処理デバイス４２とデバイス端子１７及び本体１１とを接続する。
【００５５】
次に、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、それぞれのパターンを、第１リードフレーム２０のフレーム及びこれと電流経路２２とを連結する部分並びに第２リードフレーム１９のフレーム及びこれとベース１０及び複数のデバイス端子１７とを連結する部分を残して、モールド成形する。それにより、複数のパッケージ９が成形され、その内部に第１磁気センサ３２、第２磁気センサ３３、信号処理デバイス４２、及びこれらが設置された第１及び第２導体のパターンの内側部分が封止される。
【００５６】
最後に、複数のパッケージ９を個片化する。ここで、複数のパッケージ９から露出するパターン、すなわち第１リードフレーム２０のフレーム及びこれと電流経路２２とを連結する部分並びに第２リードフレーム１９のフレーム及びこれとベース１０及び複数のデバイス端子１７とを連結する部分を切断する。切断後、第１及び第２導体のそれぞれをフォーミングすることで、電流経路２２の右側先端が高さ方向に下げられて端子部２２ａ及び２２ｅが形成されるとともに、ベース１０及び複数のデバイス端子１７の左側先端が高さ方向に下げられて端子部１５ａ，１６ａ及び１７ａが形成される。これにより、電流センサ１００が完成する。
【００５７】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、変形例に係る電流センサ１１０の内部構成を示す。ここで、図１０Ａは、電流センサ１１０の内部構成を平面視において示し、図１０Ｂは、図１０Ａにおける基準線ＢＢに関して電流センサ１１０の断面構成を示す。電流センサ１１０は、パッケージ９、ベース１０、複数のデバイス端子１７、電流経路２２、磁気検出デバイス４４、並びに３つの磁性体１８ａ、１８ｂ、及び１８ｃを備える。電流センサ１１０では、先の実施形態に係る電流センサ１００における第１磁気センサ３２及び第２磁気センサ３３とこれらに対して別個のデバイスとしてハイブリッド構成された信号処理デバイス４２とに代えて、それぞれ磁場を検出する第１及び第２磁気検出部３４，３５とこれらの出力信号を処理する信号処理回路（不図示）とを含む磁気検出デバイス４４が使用される。そこで、電流センサ１１０の構成各部のうち、先の実施形態に係る電流センサ１００と同一又は対応する部分については、同一の符号を付するとともに、その詳細説明を省略する。
【００５８】
ベース１０は、磁気検出デバイス４４を支持する部材であり、本体１１並びに２組のデバイス端子１５及び１６を有する。
【００５９】
本体１１は、平面視において、磁気検出デバイス４４を支持するのに十分な大きさを有する。本体１１には、短手方向の一側の辺（すなわち、図１０Ａにおける左側の辺）に台形状の切欠き１１ａ、及び一側の辺の中央から一側に向かって切欠き１１ａ内に張り出す矩形状の張り出し１１ｂ、短手方向の他側の辺（すなわち、図１０Ａにおける右側の辺）から第１辺９ａに向かって張り出す矩形状の張り出し１２ｃが形成されている。本体１１は、その長手を縦方向に向け、切欠き１１ａ及び張り出し１１ｂを第２辺９ｂに向けて、張り出し１２ｃを第１辺９ａに向けて、パッケージ９のほぼ中央に配置される。
【００６０】
なお、本体１１は、後述する磁気検出デバイス４４の裏面に対向し、その第１及び第２磁気検出部３４，３５と重なる部分を有し、この部分を含む領域上で磁気検出デバイス４４を支持する。本体１１は、第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれと重なる部分において、スリット１１ｃを有する。スリット１１ｃは、張り出し１２ｃの右端から左方向に延びて本体１１に設けられた例えば１つの切欠きである。これにより、磁場が本体１１に入ることで発生する渦電流が抑制される、特に電流経路２２をなす第１導体に印可する被測定電流が変化することにより本体１１に生じる渦電流が抑制され、渦電流が生じる磁場による第１及び第２磁気検出部３４，３５の応答の劣化を回避することができる。
【００６１】
電流経路２２は、電流センサ１１０により検出される電流（すなわち、被測定電流）を通電する１次導体であり、金属等の導電体を用いて、ベース１０と異なる厚さに、ここでは特に大きな被測定電流を通電するためにベース１０より厚く成形される。電流経路２２は、２つの電流端子（単に端子部とも呼ぶ）２２ａ及び２２ｅ、２つの段差部２２ｂ及び２２ｄ、及び曲部２２ｃを含む。先の実施形態に係る電流センサ１００における電流経路２２と同様に、曲部２２ｃを、例えば曲げなどの段差加工により高さ方向に段差を設けて段差部２２ｂ，２２ｄに対して上げることで、本体１１上に支持される後述する磁気検出デバイス４４の上面に対向し、ベース１０の本体１１に対して離間する。
【００６２】
電流経路２２は、平面視において曲部２２ｃをベース１０の張り出し１２ｃを含む右中央部上に重ね、ただし側面視においては重ならずに絶縁され、端子部２２ａ及び２２ｅを突出してパッケージ９内に封止される。
【００６３】
磁気検出デバイス４４は、例えば共通のシリコン基板上に第１及び第２磁気検出部３４，３５と信号処理回路（不図示）とが形成されたモノリシック集積回路である。
【００６４】
第１磁気検出部３４は、磁気検出デバイス４４の上面上の一側（すなわち、図１０Ａにおける右側）に設けられ、平面視において電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの内側に配置されて、電流経路２２に通電される電流により発生する磁場を検出する。第２磁気検出部３５は、磁気検出デバイス４４の上面中央に設けられ、平面視において電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの外側に配置されて、電流経路２２の周囲に生じる外部磁場等の磁気ノイズを第１磁気センサ３２と略等しく検出する。第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれの出力信号の差分を算出することで外部磁場等の影響をキャンセルすることができる。
【００６５】
信号処理回路（不図示）は、第１及び第２磁気検出部３４，３５の出力信号を処理して、電流経路２２に通電される電流の量を算出する。信号処理回路は、メモリ、感度補正回路、出力のオフセットを補正するオフセット補正回路、第１及び第２磁気検出部３４，３５からの出力信号を増幅する増幅回路、第１及び第２磁気検出部３４，３５の出力信号の差分を演算する差分演算回路、温度に応じて出力を補正する温度補正回路等の少なくとも１つを内蔵してもよい。
【００６６】
本変形例では、磁場を検出する第１及び第２磁気検出部３４，３５とこれらの出力信号を処理する信号処理回路とが同一のデバイス内にモノリシック構成された磁気検出デバイス４４を採用する。磁気検出デバイス４４は、ベース１０の本体１１上に支持され、それにより電流経路２２の曲部２２ｃが発する熱が磁気検出デバイス４４の全体にほぼ均一に広がることで、温度変化に伴うそれらの磁気検出精度の低下が抑えられる。また、第１及び第２磁気検出部３４，３５と信号処理回路とがより等しい温度下に置かれることで、信号処理回路の温度補正回路により温度に応じて第１及び第２磁気検出部３４，３５の出力信号を正確に補正することが可能となる。
【００６７】
磁気検出デバイス４４は、６つのデバイス端子１７にワイヤボンディングによって接続されている。それにより、磁気検出デバイス４４は、電流経路２２に通電される電流の量の算出結果、さらにパラメータの設定等を６つのデバイス端子１７を介して入出力する。なお、磁気検出デバイス４４がベース１０の本体１１にクランプされていることで、デバイス端子１５及び１６をグランド端子として使用することができる。また、ベース１０をグランド電位又は定電位とすることで、ベース１０が、パッケージ９の底面側から来る静電ノイズを遮蔽する静電シールドの役割を果たす。
【００６８】
磁性体１８ａ，１８ｂ，及び１８ｃは、例えば磁性体メッキにより形成された部材であり、磁場を集束して多くの磁束を磁気検出デバイス４４の第１及び第２磁気検出部３４，３５の感磁面に垂直に入れる。磁性体１８ａは、第１及び第２磁気検出部３４，３５が位置するベース１０上の領域に敷設され、これを間に設けてベース１０の本体１１上に第１及び第２磁気検出部３４，３５が配される。磁性体１８ｂは、磁気検出デバイス４４の上面であって、第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれの上面に個別に敷設される。磁性体１８ｃは、１次導体の電流経路２２の曲部２２ｃ上に一部が支持されて、第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれの上方を覆って配設される。
【００６９】
なお、磁性体１８ａは、第１及び第２磁気検出部３４，３５の一方が位置する本体１１上の部分のみ、或いはそれぞれが位置する本体１１上の２つの部分にそれぞれ個別に敷設されてもよい。また、磁性体１８ｂは、第１及び第２磁気検出部３４，３５の一方の上面のみに敷設されてもよい。また、磁性体１８ｃは、第１及び第２磁気検出部３４，３５の一方の上方のみ、或いはそれらの上方にそれぞれ個別に配設されてもよい。
【００７０】
なお、磁気検出デバイス４４の上面を、例えばアルミニウム等の非磁性導体を用いて静電シールドすることとしてもよい。これにより、パッケージ９の上面側から来る静電ノイズを遮蔽することができる。また、非磁性導体において、第１及び第２磁気検出部３４，３５の上面に対向する部分に、スリットを設けることで、電流経路２２に流れる電流が変化することで生じる渦電流が抑制され、その結果第１及び第２磁気検出部３４，３５の応答の劣化を回避することができる。
【００７１】
電流経路２２をなす第１導体と磁気検出デバイス４４が搭載されるベース１０及び複数のデバイス端子１７をなす第２導体とは、それぞれ、互いに異なる導体パターンを有する第１及び第２リードフレーム２０，１９により構成される。それらの詳細構成は、先述の第１及び第２リードフレーム２０，１９と同様である。
【００７２】
変形例に係る電流センサ１１０の製造方法について説明する。ただし、先の実施形態に係る電流センサ１００の製造方法と同一又は対応する工程についてはその詳細説明を省略する。
【００７３】
まず、一枚の金属板をプレス加工して、電流経路２２をなす第１導体のパターンを複数含む第１リードフレーム２０を形成する。ここで、第１リードフレーム２０の複数のパターンに段差加工を施して、電流経路２２に段差を設ける。それにより、フレーム及びこれに連結する部分に対してパターンの先端部分、すなわち曲部２２ｃが高さ方向に上げられる。
【００７４】
次に、別の一枚の金属板をプレス加工して、磁気検出デバイス４４が搭載されるベース１０及び複数のデバイス端子１７をなす第２導体のパターンを複数含む第２リードフレーム１９を形成する。
【００７５】
次に、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第２リードフレーム１９に含まれる第２導体のパターンにおいて、磁性体１８ａを、第１及び第２磁気検出部３４，３５が位置するベース１０上の領域に敷設する。なお、この工程は、上述の第２リードフレーム１９を形成するための金属板のプレス加工の前に行ってもよい。
【００７６】
次に、磁気検出デバイス４４をパターン上に設置する。磁気検出デバイス４４の第１及び第２磁気検出部３４，３５は、それぞれ、本体１１に設けられたスリット１１ｃ上に重ねて配置される。さらに、磁性体１８ｂを、磁気検出デバイス４４の第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれの上面に個別に敷設する。この工程は、電流センサ１１０の製造に先立って行ってもよい。
【００７７】
次に、第１リードフレーム２０を第２リードフレーム１９上に重ねる。それにより、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、平面視において、第１リードフレーム２０に含まれる複数の第１導体の電流経路２２の曲部２２ｃが、第２リードフレーム１９に含まれる複数の第２導体のそれぞれのベース１０の張り出し１２ｃを含む右中央部上に位置合せして、ただし曲部２２ｃは段差加工により高さ方向に上げられているため、側面視において本体１１と接触することなく離間して、重ねられる。これとともに、磁気検出デバイス４４の第１及び第２磁気検出部３４，３５が、平面視において、それぞれ電流経路２２に囲まれる曲部２２ｃの内側及び外側に位置することとなる。
【００７８】
さらに、磁性体１８ｃを、第１及び第２磁気検出部３４，３５のそれぞれの上方を覆って、１次導体の電流経路２２の曲部２２ｃ上に一部を支持して配設する。
【００７９】
次に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、ワイヤボンディングにより、磁気検出デバイス４４とデバイス端子１７及び本体１１とを接続する。
【００８０】
次に、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、それぞれのパターンを、第１リードフレーム２０のフレーム及びこれと電流経路２２とを連結する部分並びに第２リードフレーム１９のフレーム及びこれとベース１０及び複数のデバイス端子１７とを連結する部分を残して、モールド成形する。それにより、複数のパッケージ９が成形され、その内部に磁気検出デバイス４４及びこれが設置された第１及び第２導体のパターンの内側部分が封止される。
【００８１】
最後に、複数のパッケージ９を個片化する。ここで、複数のパッケージ９から露出するパターン、すなわち第１リードフレーム２０のフレーム及びこれと電流経路２２とを連結する部分並びに第２リードフレーム１９のフレーム及びこれとベース１０及び複数のデバイス端子１７とを連結する部分を切断する。切断後、第１及び第２導体のそれぞれをフォーミングすることで、電流経路２２の右側先端が高さ方向に下げられて端子部２２ａ及び２２ｅが形成されるとともに、ベース１０及び複数のデバイス端子１７の左側先端が高さ方向に下げられて端子部１５ａ，１６ａ及び１７ａが形成される。これにより、電流センサ１１０が完成する。
【００８２】
なお、本実施形態の電流センサ１００及び変形例に係る電流センサ１１０において、チャネルの電流経路２２に通電する電流は、直流であっても交流であってもよい。また、直流の場合において、通電する電流の向きを任意に定めてよい。
【００８３】
なお、本実施形態の電流センサ１００及び変形例に係る電流センサ１１０では、電流経路２２に、段差加工により高さ方向に段差を設けた。ここで、段差加工として、例えば半抜き、フォーミング、エッチング、コイニング等を利用することができる。
【００８４】
なお、本実施形態の電流センサ１００及び変形例に係る電流センサ１１０では、２つの磁気センサ３２，３３又は２つの磁気検出部３４，３５を用いてそれらの磁気検出の結果の差分より被測定電流を検出する構成を採用したが、これに限らず、１つの磁気センサ又は１つの磁気検出部を用いてその磁気検出の結果から被測定電流を検出する構成を採用してもよい。係る構成においても、磁気センサと信号処理デバイスとが又は磁気検出部と信号処理回路とがより等しい温度下に置かれることで、高精度な電流センサを実現することが可能となる。電流センサ１００において、１つの磁気センサのみを使用する場合、磁気センサは延伸部１３ａ上に配置される。
【００８５】
なお、本実施形態の電流センサ１００及び変形例に係る電流センサ１１０では、パッケージ９は、複数のデバイス端子１５，１６及び１７の端子部１５ａ，１６ａ及び１７ａ並びに電流経路２２の端子部（第１及び第２電流端子）２２ａ及び２２ｅにリードを有するパッケージとして成形されるが、これに代えて、リードを持たないリードレスパッケージとして成形してもよい。
【００８６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００８７】
特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示した装置、システム、プログラム、及び方法における動作、手順、ステップ、及び段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００８８】
９…パッケージ、９ａ…第１辺、９ｂ…第２辺、１０…ベース、１１…本体、１１ａ…切欠き、１１ｂ…張り出し、１１ｃ…スリット、１２ｃ…張り出し、１３ａ、１３ｂ…延伸部、１５，１６，１７…デバイス端子、１５ａ，１６ａ，１７ａ…端子部、１８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ…磁性体、１９…第２リードフレーム、２０…第１リードフレーム、２２…電流経路、２２ａ…第１電流端子（端子部）、２２ｂ…段差部、２２ｃ…曲部、２２ｄ…段差部、２２ｅ…第２電流端子（端子部）、３２…第１磁気センサ、３３…第２磁気センサ、３４…第１磁気検出部、３５…第２磁気検出部、４２…信号処理デバイス、４４…磁気検出デバイス、１００，１１０…電流センサ、Ｃ１９…第２嵌合部、Ｃ２０…第１嵌合部、Ｄ１９，Ｄ２０…要素。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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