(57)【要約】      （修正有）【課題】設備投資の負荷を増大させることなく、有機ＥＬ層の損傷および劣化を抑制した有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板２と、基板上に形成された駆動用回路部３と、駆動用回路部の上に配置された接続用電極４Ａと、接続用電極の上に配置された有機ＥＬ層５と、有機ＥＬ層の上に配置された透明電極層６と、を備え、駆動用回路部と接続用電極とが機械的接続部８を介して電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2017041339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された駆動用回路部と、
前記駆動用回路部の上に配置された接続用電極と、
前記接続用電極の上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の上に配置された透明電極層と、
を備え、
前記駆動用回路部と前記接続用電極とが機械的接続部を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記駆動用回路部は、前記基板から離れる方向へ向けて突出した接触用突部を備え、
前記接触用突部と前記接続用電極とが前記機械的接続部を構成し、
前記透明電極層は、前記基板から前記接続用電極へ向けた方向で、前記接触用突部を投影させたときに、該接触用突部に重ならないように部分的に欠いて形成された除去部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記接続用電極は画素領域毎に互いに分離され、かつそれぞれの前記画素領域に前記駆動用回路部が設けられ、
前記駆動用回路部は、前記有機ＥＬ層に駆動電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを備え、
前記駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方が、前記接触用突部に接続されている
ことを特徴とする請求項２に記載された有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記接続用電極はカソードであり、前記透明電極層はアノードであり、
前記駆動用薄膜トランジスタは、チャネル層がアモルファスシリコンでなり、かつｎ型のチャネルを形成し、前記ドレイン電極が前記接続用電極に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
第１基板側を製造する第１基板側製造工程と、発光光が通過する透明電極層を備える第２基板側を製造する第２基板側製造工程と、基板貼り合わせ工程と、を備え、
前記第１基板側製造工程は、
前記第１基板上に、駆動用回路部を形成する駆動用回路部形成工程を備え、
前記第２基板側製造工程は、
前記第２基板上に前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、前記透明電極層の上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、前記有機ＥＬ層の上に接続用電極層を形成する接続用電極層形成工程と、を備え、
前記基板貼り合わせ工程は、
前記第１基板側と前記第２基板側とを貼り合わせて、前記駆動用回路部と前記接続用電極層とを機械的に接触させて電気的に接続させる
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記駆動用回路形成工程は、
前記駆動用回路部に、前記第１基板から離れる方向へ突出する接触用突部を形成する工程を含み、
前記透明電極層形成工程は、
前記貼り合わせ工程の際に前記接触用突部が前記透明電極層に干渉しないように、該透明電極層を部分的に欠くように形成する工程を含み、
前記基板貼り合わせ工程では、
前記接続用電極層と前記接触用突部とを機械的に接触させて電気的に接続させる工程を含む
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記接続用電極層を画素領域毎に分離して形成することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続用電極層形成工程は、前記接続用電極層をレーザ照射することにより、画素領域毎に該接続用電極層を分離して形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記接続用電極層形成工程は、前記第２基板上に、互いに隣接する画素領域の境界に段差を形成し、その後、順次、前記透明電極層、前記有機ＥＬ層、前記接続用電極層を成膜して、前記段差により前記接続用電極層が画素領域毎に分断されるように形成することを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接続用電極層形成工程は、前記接続用電極層の成膜に際して、前記有機ＥＬ層の上に画素領域毎に前記接続用電極層が分離して形成されるように格子状の成膜用マスクを配置する
ことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板側製造工程は、前記第１基板側に、前記基板貼り合わせ工程で前記接続用電極層を画素領域毎に剪断して分離する突堤部を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記駆動用回路部形成工程は、前記有機ＥＬ層へ電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを形成する工程を含み、
前記基板貼り合わせ工程では、
前記駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方と、前記接続用電極層と、が電気的に接続するように貼り合わせる
ことを特徴とする請求項５乃至請求項１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接続用電極層をカソード材料で形成し、前記透明電極層をアノード材料で形成し、
前記駆動用薄膜トランジスタを、ｎ型のチャネルを形成するチャネル層をアモルファスシリコンで形成し、前記ドレイン電極を前記接続用電極層に電気的に接続させる
ことを特徴とする請求項１２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）表示装置に関し、さらに詳しくは、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、基板面に沿って複数の有機ＥＬ素子が画素として配置されて構成されている。有機ＥＬ素子は、有機物からなる発光層（以下、有機ＥＬ層という）が陽極と陰極とで挟まれた積層構造である。有機ＥＬ素子の集合体としての有機ＥＬ表示装置の駆動方式は、パッシブマトリクス駆動とアクティブマトリクス駆動がある。アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が形成された基板に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）や容量などを含むＴＦＴ回路を備えている。
【０００３】
アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置の光取り出し方式としては、ボトムエミッション型とトップエミッション型の２種類が知られている。ボトムエミッション型としては、基板上に形成したＴＦＴ回路の上に有機ＥＬ素子を配置し、基板を通して光を取り出す方式がある。このボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、光が通過する経路にＴＦＴ回路が存在するため、光の取り出し効率が低下するという問題がある。
【０００４】
上記の問題を考慮して、図１５に示すようなボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００の構造が提案されている。この有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１の上に、順次、透明電極層１０２、有機ＥＬ層１０３、金属電極層１０４、ＴＦＴ回路１０５を積み上げる構造である。しかし、この構造の有機ＥＬ表示装置１００では、金属電極層１０４の上に、ＴＦＴを含むＴＦＴ回路を作製するために、ウェットプロセス、ドライプロセスなどの多くの加工処理を施すことが困難である。
【０００５】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としては、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。図１６は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置２００を簡略化した図である。図１６に示すように、この有機ＥＬ表示装置２００は、基板２０１上に、順次、ＴＦＴ回路２０２、金属電極層２０３、有機ＥＬ層２０４、透明電極層２０５が積み上げられて形成されている。一般に、透明電極層２０５としては、スパッタ法を用いて成膜される酸化インジウム錫（ＩＴＯ；indium tin oxide）などの透明電極材料が用いられている。このトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、基板とは反対側の面から光を取り出すようになっている。この有機ＥＬ表示装置では、光が通過する経路にＴＦＴ回路２０２が存在せず、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に比較して光の取り出し効率が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−６５１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置２００では、製造工程において有機ＥＬ層２０４へ損傷を与えることが問題となる。すなわち、有機ＥＬ層２０４上に透明電極層２０５を形成する場合、スパッタ粒子、スパッタガスなどから生じる負イオンなどにより、下地である有機ＥＬ層２０４が損傷される。また、透明電極層２０５を成膜するときに、有機ＥＬ層２０４の損傷を考慮すると成膜に必要な酸素ガスの供給などに制限を受ける。さらに、有機ＥＬ層２０４の損傷を回避するため、対向ターゲット式スパッタ法などの損傷を与えることの少ない成膜方法を選択した場合、技術的な困難性が増し、設備投資の負荷が増大するという課題がある。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、設備投資の負荷を増大させることなく、有機ＥＬ層の損傷および劣化を抑制した有機ＥＬ表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の態様は、基板と、この基板上に形成され駆動用回路部と、この駆動用回路部の上に配置された接続用電極と、この接続用電極の上に配置された有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層の上に配置された透明電極層と、を備え、上記駆動用回路部と上記接続用電極とが機械的接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
上記有機ＥＬ表示装置の態様としては、駆動用回路部が、基板から離れる方向へ向けて突出した接触用突部を備え、接触用突部と接続用電極とが機械的接続部を構成し、透明電極層は、基板から接続用電極へ向けた方向で、接触用突部を投影させたときに、この接触用突部に重ならないように部分的に欠いて形成された除去部を有することが好ましい。
【００１１】
上記態様としては、接続用電極は画素領域毎に互いに分離され、かつそれぞれの前記画素領域に駆動用回路部が設けられ、この駆動用回路部は、上記有機ＥＬ層に駆動電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを備え、この駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方が、上記接触用突部に接続されている構成としてもよい。
【００１２】
上記態様としては、接続用電極はカソードであり、透明電極層はアノードであり、上記駆動用薄膜トランジスタは、チャネル層がアモルファスシリコンでなり、かつｎ型のチャネルを形成し、上記ドレイン電極が上記接続用電極に電気的に接続されている構成としてもよい。
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の態様は、第１基板側を製造する第１基板側製造工程と、発光光が通過する透明電極層を備える第２基板側を製造する第２基板側製造工程と、基板貼り合わせ工程と、を備え、上記第１基板側製造工程は、上記第１基板上に、駆動用回路部を形成する駆動用回路部形成工程を備え、第２基板側製造工程は、第２基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、この透明電極層の上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、この有機ＥＬ層の上に接続用電極層を形成する接続用電極層形成工程と、を備え、上記基板貼り合わせ工程は、上記第１基板側と上記第２基板側とを貼り合わせて、上記駆動用回路部と上記接続用電極層とを機械的に接触させて電気的に接続させることを特徴とする。
【００１４】
上記製造方法の態様としては、駆動用回路形成工程が、駆動用回路部に、第１基板から離れる方向へ突出する接触用突部を形成する工程を含み、透明電極層形成工程が、貼り合わせ工程の際に接触用突部が透明電極層に干渉しないように、この透明電極層を部分的に欠くように形成する工程を含み、基板貼り合わせ工程では、接続用電極層と接触用突部とを機械的に接触させて電気的に接続させる工程を含むことが好ましい。
【００１５】
上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層を画素領域毎に分離して形成することが好ましい。
【００１６】
上記製造方法の態様としては、接続用電極層形成工程は、上記接続用電極層をレーザ照射することにより、画素領域毎に該接続用電極層を分離して形成する工程を含むようにしてもよい。
【００１７】
上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層形成工程では、上記第２基板上に、互いに隣接する画素領域の境界に段差を形成し、その後、順次、上記透明電極層、上記有機ＥＬ層、上記接続用電極層を成膜して、上記段差により上記接続用電極層が画素領域毎に分断されるように形成してもよい。
【００１８】
上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層形成工程は、上記接続用電極層の成膜に際して、上記有機ＥＬ層の上に画素領域毎にこの接続用電極層が分離して形成されるように格子状の成膜用マスクを配置してもよい。
【００１９】
上記製造方法の態様としては、上記第１基板側製造工程は、上記第１基板側に、上記基板貼り合わせ工程で上記接続用電極層を画素領域毎に剪断して分離する突堤部を形成する工程を含む構成としてもよい。
【００２０】
上記製造方法の態様としては、上記駆動用回路部形成工程は、上記有機ＥＬ層へ電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを形成する工程を含み、上記基板貼り合わせ工程では、上記駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方と、上記接続用電極層と、が電気的に接続するように貼り合わせるようにしてもよい。
【００２１】
上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層をカソード材料で形成し、上記透明電極層をアノード材料で形成し、上記駆動用薄膜トランジスタを、ｎ型のチャネルを形成するチャネル層をアモルファスシリコンで形成し、上記ドレイン電極を上記接続用電極層に電気的に接続させるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法によれば、光の取り出し効率の高いトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造が簡単になる。本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、有機ＥＬ層の劣化を抑制できる。また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、透明電極層の成膜の際に、有機ＥＬ層の耐久性に起因するプロセス制限を受けることを回避することができ、設備投資の負荷の増大を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の概略を示す断面説明図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１基板側製造工程の概略を示す工程断面説明図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１基板側製造工程の概略を示し、第１基板に駆動用回路部を形成する駆動用回路部形成工程を示す工程断面説明図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示す工程断面説明図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、第２基板に透明電極層を形成する透明電極形成工程を示す工程断面説明図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程を示す工程断面説明図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、接続用電極層を形成する接続用電極層形成工程を示す工程断面説明図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における基板貼り合わせ工程の概略を示す工程断面説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域分を示す平面図である。
【図６】図６は、図５のVI−VI線で切断した状態を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動用トランジスタと有機ＥＬ素子の関係を示す等価回路図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の駆動用トランジスタと有機ＥＬ素子との関係を示す等価回路図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極の分離工程を示す工程断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における貼り合わせ工程を示す工程断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における貼り合わせ工程を示す工程断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。
【図１５】図１５は、従来のボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を示す断面図説明図である。
【図１６】図１６は、従来のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を示す断面図説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
【００２５】
［有機ＥＬ表示装置の概略構成］
ここで、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の詳細な説明に先駆けて、有機ＥＬ表示装置および製造方法の概略を説明する。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第１基板２の上に、順次、駆動用回路部３と、接続用電極４Ａと、有機ＥＬ層５と、透明電極層６と、第２基板７が配置されて概略構成されている。この有機ＥＬ表示装置１は、第２基板７側から太い矢印で示すように発光光を出射させる、所謂トップエミッション型の表示装置である。特に、この有機ＥＬ表示装置１は、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが機械的接続部８を介して電気的に接続されている。なお、表示装置の構成としては、第２基板７を省略してもよい。
【００２６】
機械的接続部８は、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが所定の圧力で機械的に接触した状態を維持している。この機械的接続部８としては、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが直接的に接触した状態でもよいし、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとの間に導電性部材を介在した状態であってもよい。この導電性部材としては、異方導電性接着剤、異方導電性シートなどを用いることができる。
【００２７】
本発明において機械的接続とは、押圧、係合、嵌め合いなどに伴う圧力を介して互いに電気的な接続が行われる接続または接触を意味する。機械的接続によって形成された機械的接続部８は、化学結合を形成していない。すなわち、機械的接続部８では、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが化学的に結合していない。また、駆動用回路部３と導電性部材と接続用電極４Ａの間に導電性部材を介在させた場合は、駆動用回路部３と導電性部材と接続用電極４Ａとが相互に化学的に結合していない。
【００２８】
化学結合とは、分子（金属）の内部構造を構成する化学結合（分子内結合）と、分子（原子）集団を構成する化学結合と、がある。分子（金属）の内部構造を構成する化学結合（分子内結合）としては、共有結合、配位結合、金属−金属間結合などがある。分子（原子）集団を構成する化学結合としては、イオン結合、金属結合、水素結合などがある。
【００２９】
駆動用回路部３および接続用電極４Ａは、低抵抗な導電性材料で形成される。このため、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが接触する機械的接続部８は、十分に低い接続抵抗の電気的接続部となる。
【００３０】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略］
次に、図２Ａ〜図４Ｂを用いて、有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略を説明する。この製造方法は、第１基板側を製造する第１基板側製造工程と、発光光が通過する透明電極層を備える第２基板側を製造する第２基板側製造工程と、基板貼り合わせ工程と、を備える。
【００３１】
（第１基板側製造工程）
まず、第１基板側製造工程について説明する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１基板側製造工程では、第１基板２を用意し、この第１基板２上に駆動用回路部３を形成する駆動用回路部形成工程を行う。駆動用回路部形成工程では、周知の成膜技術、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術などの加工技術を用いる。このような第１基板側製造工程により、駆動用回路部３を備えた第１基板側を製造する。
【００３２】
（第２基板側製造工程）
図３Ａ〜図３Ｄを用いて第２基板側製造工程について説明する。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第２基板側製造工程では、第２基板７を用意し、透明電極層形成工程を行う。図３Ｂに示すように、第２基板７上に、透明電極層６をスパッタリング法、真空蒸着法などを用いて形成する。
【００３３】
次に、図３Ｃに示すように、有機ＥＬ層形成工程を行って、透明電極層６上に有機ＥＬ層５を形成する。次に、図３Ｄに示すように、接続用電極層形成工程を行って、有機ＥＬ層５の上に接続用電極層４を形成する。このような第２基板側製造工程により、透明電極層６、有機ＥＬ層５、接続用電極層４を備えた第２基板側を製造する。後述するように、接続用電極層４は、画素領域毎に互いに分離させて接続用電極４Ａとする。
【００３４】
（基板貼り合わせ工程）
次に、図４Ａおよび図４Ｂを用いて基板貼り合わせ工程について説明する。まず、図４Ａに示すように、第１基板側の駆動用回路部３と、第２基板側の接続用電極層４とを対向させ、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。このとき、駆動用回路部３と接続用電極層４とを機械的に接触させて電気的に接続可能となるように位置決めすると共に、貼り合わせた状態を保持するように両基板側を固定する。このようにして、図４Ｂに示すような、有機ＥＬ表示装置１が製造できる。なお、図４Ｂにおいては、機械的接続部８の記載を省略する。
【００３５】
［第１の実施の形態］
（有機ＥＬ表示装置の構成）
次に、図５および図６を用いて、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０について詳細に説明する。図５は有機ＥＬ表示装置１０の１画素領域分を示す平面図、図６は図５のVI−VI線に沿って切断した断面図である。図５および図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０では、画素領域毎に有機ＥＬ素子１０Ａが構成されている。
【００３６】
図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、基板としての第１基板１１の上に、順次、複数の駆動用回路部１２と、複数の接続用電極１３と、有機ＥＬ層１４と、透明電極層１５と、光透過性を有する第２基板１６と、を備えている。駆動用回路部１２と接続用電極１３とは、機械的接続部１７で電気的に接続されている。この有機ＥＬ表示装置１０は、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせることによって構成されている。
【００３７】
この有機ＥＬ表示装置１０では、第１基板側と第２基板側とが一体となるように、第１基板側と第２基板側とを図示しないクランプ部材で保持することが好ましい。また、駆動用回路部１２と、接続用電極１３との接合面においては、少なくとも機械的接続部１７が、接合されている状態が保持されていればよい。そこで、駆動用回路部１２と、接続用電極１３との接合面における機械的接続部１７以外の領域では、接着剤を用いて、第１基板側と第２基板側とを接着する構成としてもよい。さらに、第１基板側と第２基板側との間に、異方導電性接着剤もしくは異方導電性シートを介在させて、機械的接続部１７が電気的に接続され、かつ第１基板側と第２基板側とが固定されるようにしてもよい。
【００３８】
第１基板１１の材料は、電気絶縁性を有するものが好ましく、光透過性または遮光性のいずれかを有するものであってもよい。加えて、第１基板１１は、その上にスイッチング素子としてのＴＦＴを含む駆動用回路部１２を、高温プロセスを用いて作製する都合上、耐熱性を備えることが好ましい。
【００３９】
本実施の形態においては、ＴＦＴとして、後述するようにチャネル層がアモルファスシリコンでなるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）ＴＦＴを用いる。ａ−ＳｉＴＦＴの加工に要するプロセス温度は、チャネル層がポリシリコンでなるポリシリコンＴＦＴ（ｐ−ＳｉＴＦＴ）の加工に要するプロセス温度よりも大幅に低い。このため、本実施の形態では、第１基板１１の材料選択の幅が広い。なお、ａ−ＳｉＴＦＴは、ｐ型ＴＦＴが製作不可であるため、本実施の形態で用いるａ−ＳｉＴＦＴは、その導電型がｎ型のＴＦＴである。
【００４０】
（第１基板側の構成）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動用回路部１２の構成について説明する。駆動用回路部１２の製造は、第１基板側製造工程で行われる。なお、この駆動用回路部１２の回路構成は一例であり、各種の回路構成を採用することが可能である。
【００４１】
駆動用回路部１２は、画素領域毎にそれぞれ形成され、複数の画素領域の集合体である表示領域の全体に亘って所望の配線レイアウトをなすように互いに接続されている。図５および図６に示すように、駆動用回路部１２は、第１基板１１上に、互いに平行をなすよう等間隔で配置された複数の走査線１８、これらの走査線１８と直交するように配置された複数の信号線１９、電源線２０、容量２１、選択用トランジスタＱ１、駆動用トランジスタＱ２などを備える。特に、この有機ＥＬ表示装置１０は、駆動用回路部１２の駆動用トランジスタＱ２における後述するドレイン電極３１に、接触用突部２２を備えている。図６に示すように、接触用突部２２の先端部は、接続用電極１３に対して、機械的に接触した状態で電気的に接続された機械的接続部１７を構成している。
【００４２】
図５および図６に示すように、選択用トランジスタＱ１は、第１基板１１上に形成されたゲート電極２３と、ゲート電極２３などを覆うように形成されたゲート絶縁膜２４と、ａ−Ｓｉでなる半導体層２５と、ソース電極２６と、ドレイン電極２７と、を備える。駆動用トランジスタＱ２は、ゲート電極２８と、ゲート絶縁膜２４と、ａ−Ｓｉでなる半導体層２９と、ソース電極３０と、ドレイン電極３１と、を備える。
【００４３】
図６に示すように、選択用トランジスタＱ１および駆動用トランジスタＱ２は、平坦化絶縁膜３２で覆われている。接触用突部２２の先端部は、平坦化絶縁膜３２の表面に露出するように設定されている。なお、接触用突部２２を接続用電極１３に確実に接触させる観点からは、図６に示すように、接触用突部２２の先端部が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように形成されていることが好ましい。
【００４４】
（第２基板側の構成）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の第２基板側の構成について説明する。第２基板側は、第２基板側製造工程を施して製造される。第２基板側製造工程では、第２基板１６の上に、順次、透明電極層１５、有機ＥＬ層１４、複数の接続用電極１３が形成されている。有機ＥＬ表示装置１０の複数の有機ＥＬ素子１０Ａは、接続用電極１３と透明電極層１５とで有機ＥＬ層１４を挟んでなる構造である。すなわち、接続用電極１３は、分離領域毎に分離されているため、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ａが１つの画素領域として区画されている。
【００４５】
第２基板１６としては、例えば、透明なガラス基板を用いる。透明電極層１５は、アノードを構成する。アノード材料としては、ＩＴＯ（indium tin oxide）を用いる。この透明電極層１５は、第２基板１６の表示領域全体に、ＩＴＯを、例えばマグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法により形成する。なお、透明電極層１５の成膜方法としては、この他に、ＣＶＤ法、イオンプレーティング、反応性蒸着、ゾルゲル法などを用いることが可能である。
【００４６】
有機ＥＬ層１４としては、周知の有機ＥＬ材料を用いることができる。この有機ＥＬ層１４は、単層構造以外に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などを備える複数の層構造としてもよい。
【００４７】
接続用電極１３としては、例えばＭｇ：Ｉｎ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ：Ａｇなどの金属電極材料で形成されている。この接続用電極１３は、カソードである。
【００４８】
上述の電極材料および有機ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子１０Ａを構成する各層の界面、界面を構成する材料の仕事関数やイオン化ポテンシャルを考慮して決定することは云うまでもない。
【００４９】
図６に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、透明電極層１５に除去部１５Ａが形成されている。この除去部１５Ａは、透明電極層１５において、接触用突部２２の突出方向に対向する領域を部分的に欠くように形成されている。換言すると、除去部１５Ａは、第１基板１１から接続用電極１３へ向けた方向で、接触用突部２２を投影させたときに、この接触用突部２２に重ならないように透明電極層１５を部分的に欠いて形成されている。図５に示すように、この有機ＥＬ表示装置１０では、除去部１５Ａが接触用突部２２の輪郭よりも大きな矩形の穴形状に形成されている。
【００５０】
除去部１５Ａを形成したことにより、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせたときに、接触用突部２２が透明電極層１５と接触して短絡することを防止できる。したがって、有機ＥＬ表示装置１０における各有機ＥＬ素子１０Ａを、確実に発光駆動させることができる。このため、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、製造歩留まりを向上することができる。なお、本実施の形態では、接続用電極１３の電極面の中間部で、接触用突部２２が接触するように設定したが、接触用突部２２が接続用電極１３に対して接触する位置は特に限定されるものではない。
【００５１】
（第１基板側製造工程）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について詳細に説明する。まず、図６および図７を用いて第１基板側製造工程について説明する。第１基板側製造工程では、まず、例えば、ガラス基板でなる第１基板１１を用意する。次に、第１基板１１上に、例えば、アルミニウム膜を成膜した後、フォトリソグラフィー技術などを用いてパターニングを行い、信号線１９、電源線２０、ゲート電極２３，２８などをパターン形成する。
【００５２】
次に、例えば、窒化シリコンなどの材料でなるゲート絶縁膜２４を第１基板１１の表示領域の全面に亘って形成する。その後、ゲート絶縁膜２４上に、例えば、プラズマＣＶＤ技術を用いてａ−Ｓｉ膜を堆積させる。次に、このａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、選択用トランジスタＱ１ならびに駆動用トランジスタＱ２のチャネル層となる半導体層２５，２９をパターン形成する。
【００５３】
次に、ゲート絶縁膜２４および半導体層２５，２９を覆うように、例えば、アルミニウム膜を成膜し、周知のパターニングを行って、選択用トランジスタＱ１のソース電極２６およびドレイン電極２７、駆動用トランジスタＱ２のソース電極３０およびドレイン電極３１などをパターン形成する。
【００５４】
その後、ゲート絶縁膜２４、選択用トランジスタＱ１、および駆動用トランジスタＱ２を覆うように、平坦化絶縁膜３２を形成する。そして、ドレイン電極３１に接続する接触用突部２２を形成する部分にドレイン電極３１が露呈するようなスルーホール（図示省略する）を形成する。次に、そのスルーホール内に、例えば、アルミニウムをプラグ状に埋め込んだ接触用突部２２を形成する。以上の工程を経て、駆動用回路部１２が形成される。なお、本実施の形態では、接触用突部２２の先端部が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように形成する。このようにして、第１基板側製造工程に含まれる駆動用回路部形成工程が終了する。
【００５５】
（第２基板側製造工程）
次に、図６および図７を用いて第２基板側製造工程について説明する。まず、第２基板１６としてガラス基板を用意する。次に、透明電極層形成工程を行う。すなわち、第２基板１６の上に、ＩＴＯでなる透明電極層１５をマグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法もしくは真空蒸着法などを用いて形成する。本実施の形態では、この透明電極層１５に、除去部１５Ａをパターン形成する工程を有する。すなわち、透明電極層１５の上に、除去部１５Ａを形成すべき領域が露呈するようにレジストをパターン形成し、このレジストをマスクとして透明電極層１５を部分的にウェットエッチングする。
【００５６】
その後、第２基板１６および透明電極層１５の上に有機ＥＬ層１４を形成する。この有機ＥＬ層１４の形成方法は、塗布法、蒸着法、印刷法などの各種の手法にて形成可能である。次に、有機ＥＬ層１４の上に接続用電極層として、例えば、アルミニウム膜を成膜する。次に、この接続用電極層を画素領域毎に分離させて接続用電極１３を形成する。図９に示すように、本実施の形態では、接続用電極層を、例えば、ＹＡＧレーザや、グリーンレーザ、ＵＶレーザなどの各種のレーザビームＬＢを用いて切断・分離して接続用電極１３を形成することができる。
【００５７】
（基板貼り合わせ工程）
次に、図７を用いて基板貼り合わせ工程について説明する。まず、図７に示すように、第１基板側の駆動用回路部１２と、第２基板側の接続用電極１３とを対向させ、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。このとき、駆動用回路部１２側の接触用突部２２と接続用電極１３とを接触させる位置とが対向するように位置決めする。特に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接触用突部２２と、透明電極層１５の除去部１５Ａが対向するように位置合わせする。その後、貼り合わせた状態を保持するように両基板側を固定する。このようにして、図６に示すような、有機ＥＬ表示装置１０の製造が終了する。
【００５８】
（作用および効果）
以上、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法について説明した。次に、この第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法における作用、効果について説明する。
【００５９】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ層１４で発生した発光光が駆動用回路部１２を通過せずに、第２基板１６側から出射されると共に、接続用電極１３側へ向かう発光光は接続用電極１３で反射されて第２基板１６側から出射される。このように有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型となるため、光の取り出し効率が高い。
【００６０】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、透明電極層１５に除去部１５Ａを形成して、接触用突部２２と透明電極層１５とが短絡しないようにしている。このため、有機ＥＬ表示装置１０を構成する複数の有機ＥＬ素子１０Ａを確実に発光させることができる。このように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法によれば、発光を行わない不良画素が発生することを防止でき、有機ＥＬ表示装置１０の製造歩留まりを高めることができる。
【００６１】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、駆動用回路部１２と接続用電極１３とが機械的接続部１７で電気的に接続されている。特に、本実施の形態では、駆動用回路部１２における駆動用トランジスタＱ２のドレイン電極３１に接触用突部２２を形成し、この接触用突部２２の先端部が機械的接続部１７を構成している。接続用電極１３と接触用突部２２の構成材料が低抵抗な導電性金属同士であるため、接続抵抗の小さい電気的な接続が可能である。
【００６２】
特に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接触用突部２２が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように設定したため、貼り合わせ工程において接触用突部２２が接続用電極１３に所定の圧力で当接するとともに、接続用電極１３に食い込むことで確実な電気的な接続が可能となる。
【００６３】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接続用電極１３が画素領域毎に分離され、かつそれぞれの画素領域に駆動用回路部１２が設けられている。なお、駆動用回路部１２は、選択用トランジスタＱ１、駆動用トランジスタＱ２や、これらに接続される配線などでなる。そして、接続用電極１３はカソード、透明電極層１５はアノードである。機械的接続部１７は、接触用突部２２と接続用電極１３（カソード）とを電気的に接続している。そして、駆動用トランジスタＱ２は、チャネル層がａ−Ｓｉでなり、ｎ型のチャネルを形成する、ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴである。
【００６４】
したがって、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１０では、接続用電極１３（カソード）と駆動用トランジスタＱ２のドレイン電極３１が接続する構成であり、駆動用トランジスタＱ２としてｎ型ａ−ＳｉＴＦＴを用いたことにより、図８Ａに示すような定電流接続を採用できる。図８Ａ中、符号４１はデータ電源、符号４２はゲート電源、符号４３はソース電源を示す。
【００６５】
ここで、図８Ａおよび図８Ｂを用いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と、従来の有機ＥＬ表示装置と、の駆動用トランジスタＱ２の回路構成とを比較する。従来の積層構造の有機ＥＬ表示装置では、駆動用回路部１２の上に有機ＥＬ素子１０Ａを積み上げてトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、温度などのプロセス条件の規制から、金属電極層（アノード）、有機ＥＬ層、透明電極層（カソード）の順に積み上げることになる。従来のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、駆動用回路部１２の駆動用トランジスタ（ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴ）Ｑ２のソース電極をすぐ上に位置する金属電極層（アノード）に接続することになる。
【００６６】
このような従来構造の有機ＥＬ表示装置では、図８Ｂの等価回路図で示すように、ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴと有機ＥＬ素子１０Ａのアノードとの接続（カレント・フォロワ接続）となる。この場合、駆動用トランジスタＱ２のゲート電圧（ＶＧ）でドレイン電流が制御されるため、有機ＥＬ素子１０Ａに流れる電流値（ＩOLED）は回路抵抗変動の影響を受ける。このため、このような従来の有機ＥＬ表示装置では、電流変動に起因する輝度むらが発生する。
【００６７】
一方、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、ドレイン電極３１が接触用突部２２を介してカソードである接続用電極１３に接続されている。図８Ａの等価回路図に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０（有機ＥＬ素子１０Ａ）では、駆動用トランジスタＱ２のゲート電圧でドレイン電流が制御できる。このため、有機ＥＬ素子１０Ａに流れる電流値（ＩOLED）は回路抵抗に依らず、ゲート電圧で精度良く制御できる。したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、電流変動に起因する輝度むらの発生を抑制でき、大幅に表示性能を向上できる。
【００６８】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法では、第２基板１６に対して、高温のプロセスとなるスパッタ法にてＩＴＯなどでなる透明電極層１５を形成した後に、有機ＥＬ層１４を形成する。このため、この製造方法では、有機ＥＬ層１４が、高温のスパッタ粒子、スパッタガスなどから生じる負イオンなどで損傷されることがない。通常、透明電極層１５を形成する際には、有機ＥＬ層１４に損傷を与える酸素ガスを用いる。しかし、本実施の形態に係る製造方法では、透明電極層１５の形成時には有機ＥＬ層１４が未だ形成されておらず、酸素ガスの供給などの使用条件が制限を受けることがない。このように、有機ＥＬ層１４の劣化を抑制することにより、発光性能の優れた有機ＥＬ表示装置１０を実現することができる。
【００６９】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法について、図１０および図１１Ａ〜図１１Ｄを用いて説明する。図１０は、有機ＥＬ表示装置４０を簡略化した構造を示す断面図である。図１１Ａ〜図１１Ｄは、接続用電極１３の分離工程について示す工程断面図である。なお、本実施の形態の説明において、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の構成部材には、同一または類似の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００７０】
この有機ＥＬ表示装置４０の製造方法は、接続用電極層形成工程が、第２基板１６上に、互いに隣接する画素領域の境界に段差３３Ａを形成し、その後、順次、透明電極層１５、有機ＥＬ層１４、接続用電極（接続用電極層）１３を成膜して、段差３３Ａにより接続用電極１３が画素領域毎に分断されるように形成する。
【００７１】
（第１基板側製造工程）
図１０を用いて第１基板側製造工程について説明する。図１０に示すように、第１基板１１の上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術などを用いて、ゲート電極２８、ゲート絶縁膜２４、半導体層２５、ソース電極３０、ドレイン電極３１などを形成する。その後、平坦化絶縁膜３２を形成した後、後述する第２基板側の凹凸に応じるように、平坦化絶縁膜３２の表面に凹凸構造を、異方性エッチング技術を用いて形成する。次で、ドレイン電極３１の上に位置する平坦化絶縁膜３２にスルーホール（図示省略する）を形成する。さらに、そのスルーホール内にプラグ状に金属を埋め込んで接触用突部２２Ａ、２２Ｂを形成する。なお、平坦化絶縁膜３２の凹凸の加工は、対向する第２基板１６側の凹凸と確実に嵌り合うように、嵌め込みマージンが設定されている。
【００７２】
（第２基板側製造工程）
図１１Ａ〜図１１Ｄを用いて、第２基板側製造工程について説明する。図１１Ａに示すように、第２基板１６の上に、透明材料でなる段差部材３３をパターン形成する。この段差部材３３は、互いに隣接する画素領域同士の一方に配置されるように形成する。なお、一般的な画素配列の場合、１つの画素領域には、それを取り囲む４つの画素領域が存在するため、それぞれの画素領域同士の境界に段差が形成されるようにする。具体的には、高さの異なる段差部材３３を形成することにより、隣接する画素領域同士の境界に段差３３Ａを形成できる。
【００７３】
次に、図１１Ｂに示すように、第２基板１６および段差部材３３の上に、透明電極層１５を全面に亘って形成する。このとき、透明電極層１５の厚さ寸法は、段差部材３３を乗り越えた場合に、画素領域同士の境界の段差３３Ａで分断されない程度の厚さに設定する。その後、図１１Ｃに示すように、透明電極層１５の上に有機ＥＬ層１４を形成する。この場合も、段差３３Ａで有機ＥＬ層１４が分断されないような厚さに設定する。次いで、図１１Ｄに示すように、有機ＥＬ層１４の上に接続用電極材料で成膜を行うことにより、段差３３Ａで画素領域毎に分断された接続用電極１３を形成できる。なお、接続用電極１３同士が分離するようにするためには、接続用電極１３の膜厚寸法を小さくすることや、成膜条件を制御してもよい。
【００７４】
このように製造された第２基板側と、上記工程で作製された第１基板側と、を貼り合わせることにより、図１０に示すような有機ＥＬ表示装置４０の製造が終了する。なお、この実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４０における透明電極層１５には、除去部１５Ａを形成していないが、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様に除去部１５Ａを形成してもよい。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４０は、上記の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の効果を有する。
【００７５】
［第３の実施の形態］
図１２Ａおよび図１２Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を示す。以下、本実施の形態の特徴部分を説明し、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の部分には、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の製造方法では、第１基板側製造工程において、第１基板側に、突堤部（バンク）３４を形成する工程を含む。この突堤部３４は、基板貼り合わせ工程で接続用電極（接続用電極層）１３を画素領域毎に剪断して分離する。この突堤部３４の平坦化絶縁膜３２からの突出高さは、接続用電極１３の膜厚寸法よりも長くなるように設定されている。このため、図１２Ａに示すように、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせたときに、図１２Ｂに示すように、突堤部３４が接続用電極１３を画素領域毎に剪断して分離させるようになっている。
【００７７】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の製造方法では、予め接続用電極層１３を分離して形成する必要がなく、工程数の増加を抑えることができる。また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の他の構成は、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様であり、作用および効果も同様である。
【００７８】
［第４の実施の形態］
図１３Ａおよび図１３Ｂは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０およびその製造方法を示す。以下、本実施の形態の特徴部分を説明し、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の部分には、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７９】
図１３Ａに示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０は、ドレイン電極３１自体が平坦化絶縁膜３２の表面から露出するように、予め、隆起する形状に形成している。この有機ＥＬ表示装置６０の製造方法においては、ドレイン電極３１が隆起してなる接触用突部３１Ａの下に、突出部３５を形成している。この突出部３５で嵩上げされることにより、ドレイン電極３１が隆起してなる接触用突部３１Ａを形成できる。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０における他の構成は、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様であり、作用および効果も同様である。
【００８０】
［その他の実施の形態］
以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００８１】
例えば、上記第１の実施の形態では、接続用電極層１３を画素領域毎に分離させるために、レーザビームの照射を行って分離、加工を行ったが、図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、格子状の成膜用マスクを用いて接続用電極１３を成膜してもよい。
【００８２】
すなわち、図１４Ａに示すように、透明電極層１５上に有機ＥＬ層１４を形成した後、有機ＥＬ層１４の上に画素領域毎に接続用電極１３が分離して成膜されるように、格子状の成膜用マスクとしてのメタルマスク３６を配置する。その後、図１４Ｂに示すように、有機ＥＬ層１４およびメタルマスク３６の上から接続用電極材料で成膜を行う。その結果、図１４Ｂに示すように、互いに分離した接続用電極１３を形成できる。その後、図１４Ｃに示すように、メタルマスク３６を除去すればよい。なお、格子状の成膜用マスクとしては、メタルマスク３６に限定されない。
【００８３】
上記の各実施の形態においては、駆動用回路部１２にスイッチング素子として、ａ−ＳｉＴＦＴを用いたが、このａ−ＳｉＴＦＴでは、トップ・ゲート型（あるいは順スタガ型、コプレーナ型）、ボトム・ゲート型（逆スタガ型）のどちらの構造を採用してもよい。また、上記の各実施の形態では、ゲート、ソース、ドレインの3端子で構成されたＴＦＴを用いたが、２端子のスイッチング素子である、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子を用いることも本発明の適用範囲である。また、スイッチング素子として、ポリシリコンＴＦＴを用いても勿論よい。
【００８４】
上記の各実施の形態において、第２基板１６と透明電極層１５との間に、耐熱性を有する透明樹脂フィルムを介在させた構成としてもよい。そして、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせた後に、第２基板１６を剥離してもよい。
【００８５】
上記の各実施の形態において、信号線１９、電源線２０、およびゲート絶縁膜２４と、第１基板１１との間に、耐熱性を有する透明樹脂フィルムを介在させた構成としてもよい。そして、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせた後に、第１基板１１を剥離してもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１  有機ＥＬ表示装置
２  第１基板
３  駆動用回路部
４  接続用電極層
４Ａ  接続用電極
５  有機ＥＬ層
６  透明電極層
７  第２基板
８  機械的接続部
１０  有機ＥＬ表示装置
１０Ａ  有機ＥＬ素子
１１  第１基板
１２  駆動用回路部
１３  接続用電極
１４  有機ＥＬ層
１５  透明電極層
１５Ａ  除去部
１６  第２基板
１７  機械的接続部
２２  接触用突部
２８  ゲート電極
２９  半導体層
３０  ソース電極
３１  ドレイン電極
３１Ａ  接触用突部
３３  段差部材
３３Ａ  段差
３４  突堤部
３５  突出部
３６  メタルマスク（成膜用マスク）
４０、５０、６０  有機ＥＬ表示装置
Ｑ１  選択用トランジスタ
Ｑ２  駆動用トランジスタ
【図１】
2017041339.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2017041339.tif 000007
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2017041339.tif 000009
【図４Ａ】
2017041339.tif 000010
【図４Ｂ】
2017041339.tif 000011
【図５】
2017041339.tif 000012
【図６】
2017041339.tif 000013
【図７】
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【図８Ａ】
2017041339.tif 000015
【図８Ｂ】
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【図９】
2017041339.tif 000017
【図１０】
2017041339.tif 000018
【図１１Ａ】
2017041339.tif 000019
【図１１Ｂ】
2017041339.tif 000020
【図１１Ｃ】
2017041339.tif 000021
【図１１Ｄ】
2017041339.tif 000022
【図１２Ａ】
2017041339.tif 000023
【図１２Ｂ】
2017041339.tif 000024
【図１３Ａ】
2017041339.tif 000025
【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
2017041339.tif 000027
【図１４Ｂ】
2017041339.tif 000028
【図１４Ｃ】
2017041339.tif 000029
【図１５】
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【図１６】
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