(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング接続用電極の電極面積を確保しつつ、抵抗体からの発熱を均等に分散するチップ抵抗器を提供する。【解決手段】絶縁基板１０の上面のほぼ中央部に正方形の第１表面電極１１（ワイヤボンディング用電極４）を配置し、第１表面電極１１と所定距離だけ離間しながら、その第１表面電極１１を取り囲むように第２表面電極１２を形成し、これら第１表面電極１１と第２表面電極１２との間に抵抗体５を形成する。さらに、絶縁基板１０の各側面に裏面電極２５と接続された側部電極２０を形成する。これにより、絶縁基板１０の表面において電極面積を広く確保でき、抵抗体５全体において均一に電流が流れ、電流経路が分散される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された表面電極と、
前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、
前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、
前記表面電極と前記側部電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
前記絶縁基板の表面のうち前記表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された第１表面電極と、
前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、
前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、
前記側部電極と接続されるとともに、前記第１表面電極と所定距離離間しながら該第１表面電極を取り囲むように前記絶縁基板の表面周辺部に沿って形成された第２表面電極と、
前記第１表面電極と前記第２表面電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
前記絶縁基板の長さ方向と幅方向において前記第１表面電極と前記第２表面電極間の最短距離がほぼ等しいことを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記抵抗体は、前記第１表面電極を取り囲むように形成されることを特徴とする請求項３または４に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記抵抗体は、前記第１表面電極と前記第２表面電極との間の１あるいは複数箇所に分割されて形成されることを特徴とする請求項３または４に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記絶縁基板の表面のうち前記第１表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディング接続用の電極を有するチップ抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子部品を搭載した電子機器の小型化によって機器内での部品の実装密度が上がり、回路基板上において、部品接続のための導体パターンであるパッドやランドの形成が困難になる場合がある。そこで、抵抗素子にワイヤボンディング用の電極を設けて、その抵抗素子と回路基板上の配線とをワイヤボンディングにより電気的に接続することが従来より行われている。
【０００３】
ワイヤボンディング用の電極を有するチップ抵抗器として、例えば、特許文献１は、その図６等に示されるように下面電極６０を備え、ワイヤボンディング用電極として機能する補助電極５０を一対の上面電極３０それぞれの上面に形成したチップ抵抗器を開示している。この特許文献１では、上面電極３０間に抵抗体２０が配置され、抵抗体２０の端部に上面電極３０の端部が重なり、抵抗体２０の上面を保護膜４０が覆う構成となっている。
【０００４】
また、特許文献２は、ワイヤボンディング可能な小型のチップ抵抗器を開示している。特許文献２では、チップ基体上に離間して形成された第１の電極と第２の電極との間に跨るように抵抗体（抵抗皮膜）が形成され、第１の電極上にワイヤボンディング可能な電極面積を確保して、その電極上にワイヤを架けることで電気的な接続を得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１２９５９号公報
【特許文献２】特開平９−１６２００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したワイヤボンディング実装による抵抗器は、ワイヤを接続するために広い電極面積を必要とするが、近年における抵抗器の小型化の要求に応えるため、限られた絶縁基板上で電極面積を広く確保すると、必然的に抵抗体の面積が狭くなる。そして、抵抗体の面積が狭くなると、抵抗体の発熱による温度上昇が大きくなり、大電力用の抵抗器へのワイヤボンディング接続の適用が困難になるという問題がある。
【０００７】
上述した特許文献１のチップ抵抗器の場合、一対の上面電極それぞれの上面にワイヤボンディング用電極（補助電極）が形成され、上面電極間に抵抗体を配置しているため、抵抗体の面積が圧迫されるという問題がある。その結果、抵抗体の面積を十分に確保したり、あるいは抵抗体を長く引き延ばすことができないという制約により、チップ抵抗器の高抵抗化が困難になるという問題もある。
【０００８】
また、特許文献２のチップ抵抗器では、第１の電極と第２の電極とが、チップ基体の長手方向のほぼ中央から一端側に偏倚した位置で離間して相対する構成となっている。そのため、抵抗体の面積をそれほど小さくしなくても電極面積を広く確保できるが、抵抗体における発熱が基板の片側に集中し、例えば、ヒートサイクルといった熱衝撃を受けたときに応力が集中し、抵抗体または絶縁基板にクラックが発生する原因となり得る。
【０００９】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ワイヤボンディング接続のための十分な電極面積を確保するとともに、抵抗体からの発熱を均等に分散できるチップ抵抗器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された表面電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、前記表面電極と前記側部電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とする。
【００１１】
例えば、前記絶縁基板の表面のうち前記表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された第１表面電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、前記側部電極と接続されるとともに、前記第１表面電極と所定距離離間しながら該第１表面電極を取り囲むように前記絶縁基板の表面周辺部に沿って形成された第２表面電極と、前記第１表面電極と前記第２表面電極とを接続する抵抗体とを備え、前記第１表面電極をワイヤボンディング接続用の電極とすることを特徴とする。
【００１３】
例えば、前記絶縁基板の長さ方向と幅方向において前記第１表面電極と前記第２表面電極間の最短距離がほぼ等しいことを特徴とする。例えば、前記抵抗体は、前記第１表面電極を取り囲むように形成されることを特徴とする。また、例えば、前記抵抗体は、前記第１表面電極と前記第２表面電極との間の１あるいは複数箇所に分割されて形成されることを特徴とする。さらには、例えば、前記絶縁基板の表面のうち前記第１表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ワイヤボンディング接続のための電極面積を抑え、抵抗体の面積を十分に確保しつつ、抵抗体全体に均一に電流が流れて電流経路が分散され、抵抗体からの発熱を均等に分散できるチップ抵抗器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】図１においてＡ−Ａ’矢視線に沿って切断したときの断面図である。
【図３】本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。
【図４】絶縁基板の分割用の溝を示す図である。
【図５】絶縁基板に第１表面電極、第２表面電極および裏面電極を形成した様子を示す図である。
【図６】絶縁基板に抵抗体を形成した様子を示す図である。
【図７】絶縁基板に保護膜およびワイヤボンディング接続用電極を形成した様子を示す図である。
【図８】チップ抵抗器の４側面に側部電極を形成した様子を示す図である。
【図９】抵抗体を異なる４箇所に分割して形成した例を示す図である。
【図１０】抵抗体を異なる２箇所に分割して形成した例（その１）を示す図である。
【図１１】抵抗体を異なる２箇所に分割して形成した例（その２）を示す図である。
【図１２】抵抗体を異なる３箇所に分割して形成した例を示す図である。
【図１３】抵抗体を１箇所に形成した例（その１）を示す図である。
【図１４】抵抗体を１箇所に形成した例（その２）を示す図である。
【図１５】抵抗体を異なる２箇所に分割して形成した例（その３）を示す図である。
【図１６】抵抗体を異なる４箇所に分割して形成した例の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る実施の形態例について添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態例＞
図１は、本発明の第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図（上面図）であり、図２は、図１においてＡ−Ａ’矢視線（一点鎖線）に沿って切断したときの断面図である。図１および図２に示すように、本実施の形態例に係るチップ抵抗器１は、全体形状が直方体でその平面形状がほぼ正方形の絶縁基板１０と、絶縁基板１０の上面のほぼ中央部に形成された第１表面電極１１と、絶縁基板１０の上面端部（周辺部）に沿って、第１表面電極１１と所定距離だけ離間しながら第１表面電極１１を取り囲むように形成された第２表面電極１２とを備える。絶縁基板１０は、例えば、電気絶縁性を有するアルミナ焼結体等からなる。
【００１７】
さらに、絶縁基板１０の上面であって、第１表面電極１１と第２表面電極１２の間隙を充填するように、例えば、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）等からなる抵抗体５が形成されている。よって、抵抗体５と第２表面電極１２は、それらを平面視した場合、第１表面電極１１を囲むようにロの字形状をなしている。また、絶縁基板１０の４つの側面には側部電極２０が形成され、絶縁基板１０の下面全体には、チップ抵抗器１を回路基板やリードフレーム等にはんだ接続するため裏面電極２５が形成されている。ここでは、これら第２表面電極１２と側部電極２０と裏面電極２５は、相互に電気的に導通状態となっている。
【００１８】
なお、上記の例では絶縁基板１０の上面中央部に第１表面電極１１を形成し、それを取り囲むように第２表面電極１２を形成して、これらの電極間に抵抗体５を形成したが、第２表面電極１２を設けず、絶縁基板１０の上面の第１表面電極１１と、絶縁基板１０の各側面に対応した４つの側部電極２０とを接続するように抵抗体５を形成してもよい。
【００１９】
また、本実施の形態例に係るチップ抵抗器１では、正方形である第１表面電極１１の各辺と、それに対応する第２表面電極１２の各辺との距離が同一となるように形成される。すなわち、絶縁基板１０の長さ方向と幅方向において第１表面電極１１と第２表面電極１２の対応する各辺方向における最短距離が等しい。上記のように第２表面電極１２を設けない構成とした場合には、第１表面電極１１の各辺から、それに対応する絶縁基板１０の各辺までの最短距離が等しい。
【００２０】
本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、図２に示すように、第１表面電極１１の上部に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）系めっき、錫（Ｓｎ）系めっき、パラジウム（Ｐｄ）系めっき、あるいは金（Ａｕ）系めっきによるワイヤボンディング接続用電極４を形成する。また、抵抗体５の上部は、例えば、耐熱性のエポキシ樹脂等からなる保護膜３で覆われており、その際、保護膜３は、ワイヤボンディング接続用電極４が露出するように形成される。
【００２１】
第１表面電極１１、第２表面電極１２および裏面電極２５は、例えば、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）ペーストを用いて形成され、側部電極２０は、例えば、銀（Ａｇ）ペーストを塗布して形成される。また、裏面電極２５を、銅（Ｃｕ）または導電性接着剤を用いて形成してもよい。さらに、側部電極２０と裏面電極２５の全体、および第２表面電極１２の一部を覆うように、例えば、ニッケル（Ｎｉ）または錫（Ｓｎ）によるめっき層９を形成してもよい。
【００２２】
チップ抵抗器１を実装する際には、裏面電極２５をプリント配線基板にはんだ付けするとともに、図２に示すように、ワイヤボンディング接続用電極４に金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）からなるワイヤ２の一端を接続し、他端をプリント配線基板の配線パターンに接続する。ワイヤの接続は、例えば、超音波溶接等によって行う。なお、図１では、ワイヤ２の図示を省略している。
【００２３】
次に、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造プロセスについて説明する。図３は、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。最初に、図３のステップＳ１において、チップ抵抗器の多数個取り用の大判絶縁基板を準備し、ステップＳ３で分割用の溝を形成する。具体的には、図４に示すように大判の絶縁基板３０（例えば、アルミナ基板、セラミック基板等）の表面と裏面それぞれに、基板分割用の溝として１次分割用の溝３１と２次分割用の溝３３を形成する。
【００２４】
ステップＳ５で、１次分割用の溝３１と２次分割用の溝３３とで囲まれた絶縁基板３０の個々の領域に、図５（ｂ）に示すように裏面電極２５を形成するとともに、続くステップＳ７で、第１表面電極１１および第２表面電極１２を形成する（図５（ａ），（ｂ）参照）。図５に示すように、第１表面電極１１は、絶縁基板１０の上面中央部に形成され、第２表面電極１２は、絶縁基板１０の上面周辺部に沿って、第１表面電極１１と所定距離離間しながら、その第１表面電極１１を取り囲むように形成される。このとき、図５（ｂ）に示すように、第２表面電極１２の外周端部１２ａと、絶縁基板１０の側端部１０ａとが同一面となるように第２表面電極１２を形成する。なお、図５（ｂ）は、チップ抵抗器の平面図（図５（ａ））の水平方向の中心線に対する断面図である。
【００２５】
ステップＳ９において、抵抗体５を形成する。具体的には、図６に示すように、第１表面電極１１と第２表面電極１２との間隙部分（図５（ａ）のロの字形状部分１５）を充填し、さらに、これら第１表面電極１１の外周部と第２表面電極１２の内周部それぞれの端部領域を覆うように抵抗体５をスクリーン印刷し、焼成する。
【００２６】
ここでは、第１表面電極１１と第２表面電極１２を、同一材料を用いて同一工程で形成し、その後、抵抗体５を形成するが、これに限定されず、例えば、抵抗体５を形成した後に第２表面電極１２を形成するようにしてもよい。また、上記第１表面電極１１、第２表面電極１２および裏面電極２５を同一の工程で形成してもよく、それらを形成する順序も上記に限定されない。
【００２７】
チップ抵抗器１の抵抗値は、例えば、第１表面電極１１と第２表面電極１２の幅、すなわち、これらの電極間の距離を変えることで抵抗体５の幅を調整する、あるいは抵抗体５の厚みを調整する等の方法で所望の抵抗値にする。また、必要に応じて、例えば、レーザビームやサンドブラスト等によって抵抗体５の一部に切れ込み（トリミング溝）を入れることによって抵抗値を調整する。
【００２８】
ステップＳ１１において、図７に示すように、抵抗体５の全体および第２表面電極１２の一部を覆い、かつ、第１表面電極１１の一部を露出するように保護膜３を形成する。続くステップＳ１３では、第１表面電極１１の露出部分にワイヤボンディング接続用電極４を形成する（図７参照）。なお、第１表面電極１１の上部にワイヤボンディング接続用電極４を形成せずに、第１表面電極１１がワイヤボンディング接続用電極４を兼ねるようにしてもよい。
【００２９】
ステップＳ１５において、大判絶縁基板３０の溝３１を分割ラインとする１次ブレイクを行い、大判絶縁基板３０を短冊状に分割する。ステップＳ１７では、短冊状に分割した基板を積み重ね、その両破断面（第１の側面ともいう）に、例えば樹脂銀（Ａｇ）ペーストを塗布して乾燥（硬化）し、チップ抵抗器の４側面のうちの２つの側面に側部電極２０を形成する。
【００３０】
ステップＳ１９では、短冊状に分割した絶縁基板の溝３３を分割ラインとする２次ブレイクにより、チップ抵抗器を個片に分割する。そして、ステップＳ２１で、チップ抵抗器の４側面のうち残りの２つの側面（第２の側面ともいう）に、例えば銀（Ａｇ）ペーストを塗布して、側部電極２０を形成する。その後、銀（Ａｇ）ペーストを乾燥、焼成する。これにより、図８（ａ）に示すように、チップ抵抗器の４側面に側部電極２０が形成される。また、図８（ｂ）から分かるように、この側部電極２０によって、第２表面電極１２と裏面電極２５とが電気的に導通状態となる。
【００３１】
なお、側部電極２０の形成は、上記の方法に限定されず、例えば、短冊状に分割した絶縁基板を個片に分割し、それを保持しながら、その一側面を銀（Ａｇ）ペースト内に浸漬し、残る３つの側面についても同様に銀（Ａｇ）ペースト内に浸漬して側部電極２０を形成してもよい。また、浸漬によらず、例えば、スポンジ等に銀（Ａｇ）ペーストを浸み込ませ、これを絶縁基板の個片の４側面それぞれに押し当てる方法を採ってもよい。
【００３２】
さらに、側部電極２０と裏面電極２５の全体、および第２表面電極１２の一部を覆うように、ニッケル（Ｎｉ）または錫（Ｓｎ）等によりめっき層９を形成してもよい。めっき層９とワイヤボンディング接続用電極４は同一材料を用いて、同一工程で形成してもよい。この場合、図３におけるステップＳ１３は省略される。一方、めっき層９とワイヤボンディング接続用電極４が異なる材料を用いて形成される場合、またはワイヤボンディング接続用電極４を形成しない場合には、めっき層９を形成する工程において、ワイヤボンディング接続用電極４または第１表面電極１１にめっきが付着しないようにする。
【００３３】
以上説明したように、本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板の上面のほぼ中央部に正方形のワイヤボンディング用電極を配置し、そのワイヤボンディング用電極の周囲を囲むように抵抗体を形成することで、絶縁基板表面において電極面積を広く確保することができ、信頼性の高いワイヤボンディングが可能となる。また、第１表面電極と所定距離だけ離間しながら、その第１表面電極を取り囲むように第２表面電極を形成し、これら第１表面電極と第２表面電極との間に抵抗体を形成することで、抵抗体が所定形状に規定され、抵抗値のバラツキを低減できる。
【００３４】
さらに、チップ抵抗器の側部電極が絶縁基板の４つの側面に形成されているため、特にめっき層が形成されている場合には、チップ抵抗器を配線基板へ実装したとき、これら４側面にはんだフィレットが形成されるので、安定性と信頼性の高いはんだ付けができ、いわゆるマンハッタン現象（チップ立ち現象）やヒートサイクルによるクラックの発生を抑制することができる。
【００３５】
また、絶縁基板上面のほぼ中央部にワイヤボンディング用電極を配置したので、実装時において方向性を考慮する必要がなくなり、チップ抵抗器としての取り扱いが容易になる。
【００３６】
さらには、平面形状が正方形の絶縁基板の上面中央部に正方形の第１表面電極を形成したので、第１表面電極の各辺から、それに対応する絶縁基板の各辺に対応した側部電極までの距離が同一となる、あるいは、第２表面電極を形成した場合には、第１表面電極の各辺から、それに対向する第２表面電極の各辺までの距離が同一となる。すなわち、絶縁基板の幅方向と長さ方向において第１表面電極と第２表面電極の各辺方向における最短距離が等しいので、第１表面電極と第２表面電極との間に形成した抵抗体全体に均一に電流が流れ、電流経路が分散される。その結果、抵抗体からの発熱も分散されるため温度上昇が小さくなり、大電力用のチップ抵抗器に適した構成とすることができる。また、熱衝撃を受けたときの応力の集中が緩和されるので、抵抗体や絶縁基板へのクラックの発生を抑制できる。
【００３７】
本願発明は上述した実施の形態例に限定されず、種々の変形が可能である。上記の第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器は、全体形状が直方体で平面形状が正方形の絶縁基板の表面中央部に、正方形の表面電極を形成したが、これに限定されない。例えば、図示を省略するが、平面形状が円形（全体形状が円柱状）の絶縁基板の表面中央部に円形の表面電極を形成し、その表面電極と、絶縁基板の周側面に形成した側部電極とを抵抗体で接続する構成としてもよい。あるいは、平面形状が円形の絶縁基板の表面中央部に円形の第１表面電極を形成し、この第１表面電極と、絶縁基板の表面の周辺部に形成したリング状の第２表面電極との間に抵抗体を形成する構成としてもよい。
【００３８】
このような構成とすることで、表面電極の周辺端から絶縁基板の周辺端（側部電極の周辺端）までの距離が全方向において同一となる。また、第２表面電極を形成した場合には、第１表面電極の周辺端と第２表面電極の周辺端との距離が同一となり、第１表面電極と第２表面電極間の全方向における最短距離が等しくなる。その結果、上記第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器の抵抗体と比較した場合、表面電極と側部電極間、あるいは第１表面電極と第２表面電極間に形成した抵抗体全体において、より均一に電流が流れ、電流経路が分散される。
【００３９】
＜第２の実施の形態例＞
上記第１の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板１０の上面において第１表面電極１１の周囲を取り囲むように抵抗体５を形成したが、第２の実施の形態例では、絶縁基板１０の上面において抵抗体を分割して形成する。以下、抵抗体を１〜４箇所に形成した例について説明する。
【００４０】
図９〜図１５は、本発明の第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。これらのチップ抵抗器はいずれも、絶縁基板５０の上面のほぼ中央部に第１表面電極６１が形成され、絶縁基板５０の上面端部（周辺部）に沿って、第１表面電極６１と所定距離離間しながら第１表面電極６１を取り囲むように第２表面電極６２が形成されている。さらに、絶縁基板５０の４つの側面に渡って側部電極８０が形成されている。なお、図９〜図１５では、保護膜とめっき層の図示を省略している。
【００４１】
図９〜図１５の示すチップ抵抗器のうち、図９〜図１１は、絶縁基板５０の上面において、その基板平面の水平または垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割して形成した例である。また、図１２〜図１５は、抵抗体を絶縁基板５０の上面の一部に偏って形成した例である。いずれのチップ抵抗器も、抵抗体を２〜４箇所に分割する場合には、各抵抗体の形状や抵抗値が同一になるように設定され、同一材料を用いて同一工程にて一括して形成する。
【００４２】
図９に示すチップ抵抗器は、絶縁基板５０の水平および垂直方向の中心線に対して対称となるように、抵抗体を異なる４箇所に分割して形成した例である。ここでは、分割した抵抗体６５ａ〜６５ｄそれぞれが、第１表面電極６１と、それを取り囲む第２表面電極６２とを跨ぐように形成されている。
【００４３】
図１０のチップ抵抗器は、絶縁基板５０の垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割した例であり、異なる２箇所に抵抗体６５ｅ，６５ｆが形成されている。また、図１１のチップ抵抗器は、絶縁基板５０の水平方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割して形成した例である。図１１に示す例では、異なる２箇所に形成した抵抗体６５ｇ，６５ｈそれぞれの面積を、図９，図１０の抵抗体よりも大きくして、抵抗体からの発熱を分散させている。
【００４４】
一方、図１２のチップ抵抗器は、抵抗体を異なる３箇所に分割して抵抗体６５ｉ〜６５ｋとして形成した例である。また、図１３、図１４のチップ抵抗器は、抵抗体を１箇所に形成した例である。すなわち、図１３では、第１表面電極６１と第２表面電極６２とを跨ぐように１個の抵抗体６５ｌが形成されている。図１４では、第１表面電極６１と第２表面電極６２との間にコの字形状の抵抗体６５ｍを形成し、その抵抗体６５ｍを大きくして発熱を分散させている。さらに、図１５は、抵抗体を絶縁基板５０の対角線方向の２箇所に分割して形成した例であり、ここでも、第１表面電極６１と第２表面電極６２間を跨ぐように抵抗体６５ｎ，６５ｏを形成している。
【００４５】
第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、図９〜図１５に示すように、抵抗体を絶縁基板上面の一部に偏って形成し、あるいは２〜４箇所に分割して形成する場合、第２表面電極６２が絶縁基板５０の上面端部を覆い、側部電極８０が絶縁基板５０の側面全体（４側面）を覆うように形成したが、これに限定されない。例えば、図１６は、絶縁基板５０の水平および垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を異なる４箇所に分割し、それらを抵抗体６５ｐ〜６５ｓとして形成した例であり、ここでは、第２表面電極を絶縁基板５０の４辺に対応させて４つに分け、それぞれを絶縁基板５０の上面端部に形成している（第２表面電極６２ａ〜６２ｄ）。また、側部電極についても、絶縁基板５０の４つの側面それぞれに分割して側部電極８０ａ〜８０ｄを形成し、それらが第２表面電極６２ａ〜６２ｄと電気的に接続されている。
【００４６】
このように第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器によれば、絶縁基板上に抵抗体を分割して形成することで、抵抗体からの発熱を分散し、それにより温度上昇が緩和されるという効果が奏される。また、側部電極を絶縁基板の４側面各々に対応して形成することで側部電極を４側面に有することになり、実装時において、それら４面にはんだフィレットが形成される。そのため、チップ抵抗器を安定した状態で回路基板に実装でき、チップ立ち現象、ヒートサイクルによるクラックの発生を抑制することができる。
【００４７】
さらには、レーザー等により抵抗体にトリミング溝を形成する場合、第２の実施の形態例に係るチップ抵抗器のように抵抗体を１〜４箇所に分けて形成した方がトリミング箇所の特定が容易になり、トリミングがしやすいという利点がある。
【符号の説明】
【００４８】
１    チップ抵抗器
２    ワイヤ
３    保護膜
４    ワイヤボンディング接続用電極
５，６５ａ〜６５ｓ    抵抗体
１０，５０    絶縁基板
１１，６１    第１表面電極
１２，６２，６２ａ〜６２ｄ    第２表面電極
２０，８０，８０ａ〜８０ｄ    側部電極
２５    裏面電極
３０    大判絶縁基板
３１    １次分割用の溝
３３    ２次分割用の溝
【図１】
2017059597.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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