(57)【要約】【課題】接合歪みによる精度悪化を抑制する。【解決手段】キャップ層５０に対してパッド部７０と対向する導体パターン８０を形成するようにし、パッド部７０と導体パターン８０とが電気的に接続されるようにする。これにより、キャップ層５０の表裏両面に発生する正負それぞれの電荷がパッド部７０や導体パターン８０に引き抜かれ、これらの中で正負の電荷が結合してキャンセルされるようにすることができる。したがって、金属接合部６１での接合歪みによって電荷が誘発されたとしても、外部接続用の各パッド部７０への影響、例えばセンサ信号に影響を与えることなどを抑制でき、センサ精度が悪化することを抑制することが可能となる。【選択図】図１
2017022461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶基板によって構成され、電圧印加に基づいて振動させられる振動子（１３）と、該振動子に連結されていると共に前記振動子の周囲を囲む周辺部（１２）とを有してなる振動基板（１０）と、
前記振動基板の一面側に配置され、前記周辺部において前記振動基板と接合された支持基板（４０）と、
前記振動基板の前記一面と反対側となる他面側に配置され、前記周辺部において接合部（６１）を介して前記振動基板と接合されると共に、前記振動基板に対して電気的に接続されるパッド部が形成されたキャップ層（５０）と、を有し、
前記キャップ層における前記振動基板側の一面には、前記パッド部と対向する導体パターン（８０）が形成され、該導体パターンが前記パッド部と電気的に接続されていることを特徴とする発振装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発振装置は、
前記振動基板が前記振動子にて印加された力学量に応じて変位するセンサ部（１１）を構成するセンサ基板とされた力学量センサであり、
前記キャップ層には、前記パッド部として、前記振動子に対して電圧印加を行う電源パッド部（７０ａ）と、前記振動子の変位に基づいて前記力学量に応じた検出信号を出力する出力パッド部（７０ｂ）と、前記センサ基板の接地電位点に接続される接地パッド部（７０ｃ）とが形成されており、
前記導体パターンは、前記電源パッド部と前記出力パッド部および前記接地パッド部それぞれと対向して設けられた電源パターン（８０ａ）と出力パターン（８０ｂ）および接地パターン（８０ｃ）を有し、前記電源パッド部と前記電源パターンとが電気的に接続され、前記出力パッド部と前記出力パターンとが電気的に接続され、前記接地パッド部と前記接地パターンとが電気的に接続されていることを特徴とする力学量センサ。
【請求項３】
前記キャップ層には貫通孔（５２）が形成されており、該貫通孔を通じて前記パッド部と前記導体パターンとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の力学量センサ。
【請求項４】
前記キャップ層のうち前記センサ基板側の一面と該センサ基板と反対側の一面の両方に、前記振動子と対応する部分を覆うように被覆パターン（８１）が形成されており、両方の前記被覆パターンが電気的に接続されていることを特徴とする請求項２または３に記載の力学量センサ。
【請求項５】
前記被覆パターンのうち前記キャップ層における前記センサ基板側の一面に配置されたものが前記導体パターンに接続されていると共に、該被覆パターンのうち前記キャップ層における前記センサ基板と反対側の一面に形成されたものが前記パッド部に接続されることで、両方の前記被覆パターンが電気的に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の力学量センサ。
【請求項６】
前記被覆パターンは、前記接地パッド部と前記接地パターンとに電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の力学量センサ。
【請求項７】
前記振動子と前記周辺部との連結部位に、外乱振動を吸収する防振部（１７ａ）が備えられていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の力学量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子を有する発振装置に関し、特に、印加される力学量に応じたセンサ信号を出力する水晶振動子を含むセンサ部が備えられた力学量センサに適用されて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、水晶が良好な圧電材料であることから、発振器やジャイロセンサ、弾性表面波素子（以下、ＳＡＷ素子という）などの発振装置における振動子として水晶振動子が用いられている。そして、真空下で用いられる発振装置の小型化、低コスト化のために、ウェハレベルパッケージ（以下、ＷＬＰ（Wafer Level Package）という）を用いた構造が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この水晶振動子を真空封止したＷＬＰは、支持基板およびキャップ層を構成する２枚の封止用ウェハによってセンサ基板を構成する素子用ウェハを挟み込んだ構成とされている。両封止用ウェハにおける素子用ウェハ側の一面を所定深さ除去して真空室を構成し、この真空室内に水晶振動子を配置している。そして、キャップ層を構成する封止用ウェハ側に貫通孔を形成すると共に貫通孔内に配線を備え、素子用ウェハを両封止用ウェハによって挟み込んだときに、素子用ウェハに形成された電極パッドが封止用ウェハに形成された配線と電気的に接続され、配線を通じて水晶振動子と外部との電気的接続が行えるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−５５６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
水晶基板を用いたＷＬＰでは、水晶の結晶成長の特異性より、四角形のものが多く、同じ形で貼り合わせし易いなどの理由により、水晶振動子を含むセンサ基板と支持基板およびキャップ層を３枚の水晶基板で構成し、各基板を金属接合部で接合することが多い。水晶振動を含むセンサ基板を支持基板およびキャップ層によって挟み込み、金属接合部を介して接合する場合、キャップ層が圧電材料である水晶で構成されていることから、金属接合部においてキャップ層に接合歪みが発生し、電荷が誘発される。このため、外部接続用の配線部などに電荷が発生してしまい、センサ信号に影響を与えるなどの理由によってセンサ精度が悪化するという問題が生じる。
【０００６】
なお、ここでは水晶振動子を備えたセンサ基板が適用される装置、つまり力学量センサを例に挙げて説明しているが、水晶振動子を発振器に適用する場合にも、接合歪みによる問題を発生させる。具体的には、接合歪みによって発生する電荷が発振器における発振周波数に影響を与え、精度良い発振周波数が得られなくなるという問題がある。つまり、発振器や力学量センサのように、水晶振動子を備える発振装置について上記問題が発生し得る。
【０００７】
また、ここでは水晶振動子が形成された水晶基板に対して、同様に水晶基板で構成される支持基板およびキャップ層を接合したＷＬＰを例に挙げている。しかし、接合歪みの問題は、キャップ層が水晶基板によって構成されることで発生するのであり、支持基板については水晶基板で構成されていなかったとしても発生する。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みて、水晶振動子を有する振動基板を支持基板および水晶基板で構成されるキャップ層によって挟み込み、接合部を介して接合するＷＬＰにて構成される発振装置において、接合歪みによる精度悪化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、水晶基板によって構成され、電圧印加に基づいて振動させられる振動子（１３）と、該振動子に連結されていると共に振動子の周囲を囲む周辺部（１２）とを有してなる振動基板（１０）と、振動基板の一面側に配置され、周辺部において振動基板と接合された支持基板（４０）と、振動基板の一面と反対側となる他面側に配置され、周辺部において接合部（６１）を介して振動基板と接合されると共に、振動基板に対して電気的に接続されるパッド部が形成されたキャップ層（５０）と、を有し、キャップ層における振動基板側の一面には、パッド部と対向する導体パターン（８０）が形成され、該導体パターンがパッド部と電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１０】
このように、キャップ層に対してパッド部と対向する導体パターンを形成するようにし、パッド部と導体パターンとが電気的に接続されるようにしている。このため、キャップ層の表裏両面に発生する正負それぞれの電荷がパッド部や導体パターンに引き抜かれ、これらの中で正負の電荷が結合してキャンセルされるようにすることができる。したがって、接合部での接合歪みによって電荷が誘発されたとしても、外部接続用の各パッド部への影響、例えばセンサ信号に影響を与えることなどを抑制でき、精度が悪化することを抑制することが可能となる。
【００１１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる力学量センサの正面レイアウトを示す図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】水晶基板１００に圧力が加わったときの電荷の様子を表した図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる力学量センサの正面レイアウトを示す図である。
【図６】図５のVI-VI断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について、図１〜図３を参照しつつ説明する。図１および図２に示されるように、力学量センサは、センサ基板１０、支持基板４０およびキャップ層５０などを備えたＷＬＰ構造とされている。センサ基板１０の一面側を裏面１０ａ、その反対側の一面を表面１０ｂとすると、裏面１０ａ側に金属接合部６０を介して支持基板４０が接合され、表面１０ｂ側に金属接合部６１を介してキャップ層５０が接合されている。このように、センサ基板１０を支持基板４０およびキャップ層５０によって挟み込むことで真空室を構成し、この内側にセンサ部１１が配置される構造とされている。本実施形態では、センサ基板１０、支持基板４０およびキャップ層５０をすべて圧電基板である水晶基板によって構成しているが、少なくともセンサ基板１０およびキャップ層５０が水晶基板で構成されていれば良く、支持基板４０やキャップ層５０についてはガラスなどの他の材料によって構成されていても良い。
【００１５】
センサ基板１０は、図１に示すように、センサ部１１と、センサ部１１の周囲を囲む周辺部１２とを有した構成とされている。センサ部１１は、水晶振動子１３を備えたものである。本実施形態では、水晶振動子１３として三脚音叉型振動子を適用しているが、他の構造のもの、例えばＴ型音叉型、Ｈ型音叉などのような振動子として従来より知られている構造のものを適用できる。
【００１６】
センサ部１１は、センサ基板１０に対して周知のマイクロマシン加工を行って溝部１０ｃを形成し、水晶振動子１３を周辺部１２から区画することによって形成されている。
【００１７】
水晶振動子１３は、第１駆動片１４、第２駆動片１５および検出片１６が基部１７にて支持され、基部１７を連結部位として第１駆動片１４、第２駆動片１５および検出片１６が周辺部１２に連結された構成とされている。詳述すると、水晶振動子１３は、第１、第２駆動片１４、１５および検出片１６が基部１７から同じ方向に突出するように配置された三脚音叉型とされており、検出片１６が第１、第２駆動片１４、１５の間に配置されている。
【００１８】
基部１７には、外乱振動を吸収する防振部１７ａが形成されている。防振部１７ａは、第１駆動片１４、第２駆動片１５および検出片１６の長手方向に対する垂直方向を長手方向とした２本の梁部１７ｂと２本の梁部１７ｂを繋ぐ接続部１７ｃとを有した構成とされている。このような構成により、外乱振動が生じたときに梁部１７ｂが撓むことでその外乱振動が吸収され、第１駆動片１４、第２駆動片１５および検出片１６への影響が抑制されるようになっている。
【００１９】
第１、第２駆動片１４、１５および検出片１６は、図３に示されるように、センサ基板１０の面方向と平行となる表面１４ａ、１５ａ、１６ａ、裏面１４ｂ、１５ｂ、１６ｂ、側面１４ｃ、１４ｄ、１５ｃ、１５ｄ、１６ｃ、１６ｄを有する断面矩形状とされた棒状とされている。
【００２０】
そして、第１駆動片１４には、表面１４ａに駆動電極１９ａが形成されていると共に裏面１４ｂに駆動電極１９ｂが形成され、側面１４ｃ、１４ｄに共通電極１９ｃ、１９ｄが形成されている。同様に、第２駆動片１５には、表面１５ａに駆動電極２０ａが形成されていると共に裏面１５ｂに駆動電極２０ｂが形成され、側面１５ｃ、１５ｄに共通電極２０ｃ、２０ｄが形成されている。また、検出片１６には、表面１６ａに検出電極２１ａが形成されていると共に裏面１６ｂに検出電極２１ｂが形成され、側面１６ｃ、１６ｄに共通電極２１ｃ、２１ｄが形成されている。
【００２１】
このように、本実施形態では、第１、第２駆動片１４、１５、検出片１６、駆動電極１９ａ、１９ｂ、２０ａ、２０ｂ、検出電極２１ａ、２１ｂ、共通電極１９ｃ、１９ｄ、２０ｃ、２０ｄ、２１ｃ、２１ｄを含んでセンサ部１１が構成されている。
【００２２】
周辺部１２には、図１に示されるように、駆動電極１９ａ、１９ｂ、２０ａ、２０ｂ、検出電極２１ａ、２１ｂ、共通電極１９ｃ、１９ｄ、２０ｃ、２０ｄ、２１ｃ、２１ｄと図示しない配線層等を介して電気的に接続される複数のパッド接続部２３が形成されている。
【００２３】
パッド接続部２３は、駆動電圧印加用の電源パッド接続部２３ａやセンサ出力用の出力パッド接続部２３ｂおよび接地電位印加用の接地パッド接続部２３ｃなどがある。各パッド接続部２３は、上記した各種電極１９ａ〜１９ｄ、２０ａ〜２０ｄ、２１ａ〜２１ｄから引き出された配線パターンに繋がっており、例えば配線パターンの一部として形成されている。
【００２４】
例えば、駆動電極１９ａ、１９ｂ、２０ａ、２０ｂは電源パッド接続部２３ａに接続される。検出電極２１ａ、２１ｂは出力パッド接続部２３ｂに接続される。共通電極１９ｃ、１９ｄ、２０ｃ、２０ｄ、２１ｃ、２１ｄは接地パッド接続部２３ｃに接続される。なお、図１では、センサ基板１０に形成された各部については実線で示してあるが、キャップ層５０に形成した部分などは破線で示してある。また、ここで図示したパッド接続部２３は一例を示したに過ぎず、必ずしも図に示した数でなくても良い。
【００２５】
さらに、センサ基板１０の裏面１０ａおよび表面１０ｂ側には、センサ部１１を１周囲むように金属接合部６０、６１の一部を構成する接合パターン６０ａ、６１ａが形成されている。これら接合パターン６０ａ、６０ｂは、例えば金属共晶による金属結合が行われる金属材料で構成されており、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）などを用いて形成されている。
【００２６】
支持基板４０は、例えば水晶基板によって構成され、センサ基板１０側の一面のうち周辺部１２と対応する部分よりも内側、つまりセンサ部１１と対応する位置においてキャビティ４１が形成されている。このようなキャビティ４１が形成されていることにより、水晶振動子１３が支持基板４０と接触し難くなるようにされている。また、支持基板４０における周辺部１２と対応する部分には、センサ部１１を１周囲むように金属接合部６０の一部を構成する接合パターン６０ｂが形成されている。接合パターン６０ｂは、例えば金属共晶による金属結合が行われる金属材料で構成されており、例えば金や銅などを用いて形成されている。接合パターン６０ｂは、センサ基板１０の裏面１０ａ側に形成された接合パターン６０ａと同パターンとされており、接合パターン６０ａ、６０ｂが金属接合されることで金属接合部６０が構成され、支持基板４０とセンサ基板１０との接合が行われている。
【００２７】
キャップ層５０は、例えば水晶基板によって構成され、センサ基板１０側の一面のうち周辺部１２と対応する部分よりも内側、つまりセンサ部１１と対応する位置においてキャビティ５１が形成されている。このようなキャビティ５１が形成されていることにより、水晶振動子１３がキャップ層５０と接触し難くなるようにされている。また、キャップ層５０における周辺部１２と対応する部分には、センサ部１１を１周囲むように金属接合部６１の一部を構成する接合パターン６１ｂが形成されている。接合パターン６１ｂは、例えば金属共晶による金属結合が行われる金属材料で構成されており、例えば金や銅などを用いて形成されている。接合パターン６１ｂは、センサ基板１０の表面１０ｂ側に形成された接合パターン６１ａと同パターンとされており、接合パターン６１ａ、６１ｂが金属接合されることで金属接合部６１が構成され、キャップ層５０とセンサ基板１０との接合が行われている。
【００２８】
また、キャップ層５０には、各パッド接続部２３と対応する位置に貫通孔５２が形成されていると共に、貫通孔５２内からキャップ層５０のうちセンサ基板１０と反対側の一面に至るように延設されたパッド部７０が形成されている。パッド部７０は、各パッド接続部２３と対応して電源印加用の電源パッド部７０ａ、センサ出力用の出力パッド部７０ｂ、接地電位印加用の接地パッド部７０ｃなどがあり、それぞれが分離されてる。そして、各パッド部７０が対応する各パッド接続部２３に電気的に接続されている。
【００２９】
パッド部７０は、例えば、キャップ層５０に対してエッチングなどによって貫通孔５２を形成したのち、貫通孔５２内を含めてアルミニウム（Ａｌ）などの電極材料にて構成される導体層を成膜し、これをエッチングでパターンすることなどによって形成される。なお、パッド部７０の形成については、キャップ層５０をセンサ基板１０に接合する前であっても後であっても、いずれであっても良い。
【００３０】
さらに、キャップ層５０におけるセンサ基板１０側の一面には、図中にニ点鎖線で示したように、各パッド部７０と対向する導体パターン８０が形成されている。具体的には、電源パッド部７０ａと対向配置された電源パターン８０ａ、出力パッド部７０ｂと対向配置された出力パターン８０ｂ、接地パッド部７０ｃと対向配置された接地パターン８０ｃなどが備えられている。これらの導体パターン８０は、好ましくはキャップ層５０の表面の法線方向から見たレイアウトが各パッド部７０と同じレイアウトで形成されている。そして、これら導体パターン８０は、貫通孔５２を通じて対向する各パッド部７０と電気的に接続されている。また、導体パターン８０は、例えばパッド部７０を構成する材料と同材料（例えばアルミニウム）によって構成されており、キャップ層５０の一面に導体層を形成したのちパターニングすることで形成されている。
【００３１】
以上が本実施形態における力学量センサの構成である。このような力学量センサは、例えばセンサ部１１に形成された水晶振動子１３を用いて角速度検出を行うジャイロセンサを構成する。次に、本実施形態にかかる力学量センサの作動について説明する。
【００３２】
第１駆動片１４の駆動電極１９ａ、１９ｂと第２駆動片１５の駆動電極２０ａ、２０ｂに位相が１８０°異なる駆動信号（搬送波）が印加されると、第１、第２駆動片１４、１５は図１の紙面左右方向に振動し、検出片１６はほぼ静止した状態となる。そして、この状態でセンサ基板１０の面内で角速度が印加されると、角速度に応じて検出片１６が紙面左右方向に振動する。これにより、圧電現象に基づいて検出片１６に電荷が発生し、これが検出電極２１ａ、２１ｂを介して出力されることから、この電荷の発生に基づくセンサ出力をセンサ信号として角速度が検出される。
【００３３】
このようにして角速度を検出することができるが、キャップ層５０を圧電基板である水晶基板で構成していることから、金属接合部６１を介してセンサ基板１０と接合している接合部に接合歪みが発生する。この接合歪みが原因となって、キャップ層５０に電荷が誘発される。図４に示すように、一般的に、水晶基板１００に圧力を加えると、水晶基板１００の表裏に電荷が発生する。圧力が加えたのが裏面であれば、図４に示すように裏面側に圧縮応力が加わって−電荷が誘発され、表面側に引張応力が加わって＋電荷が誘発される。逆に、水晶基板１００を引っ張ると表裏の入れ替わる。水晶振動子１３は、第１駆動片１４および第２駆動片１５に対して駆動電極１９ａ、１９ｂ、２０ａ、２０ｂを取り付け、これらに電圧を印加するものである。これにより、第１駆動片１４および第２駆動片１５を振動させるという逆圧電現象を利用して所望の周波数での振動を可能としている。しかしながら、キャップ層５０も水晶基板によって構成すると、接合歪みによって電荷を発生させてしまう。
【００３４】
これに対して、本実施形態では、キャップ層５０に対してパッド部７０と対向する導体パターン８０を形成するようにし、パッド部７０と導体パターン８０とが電気的に接続されるようにしている。このため、キャップ層５０の表裏両面に発生する正負それぞれの電荷がパッド部７０や導体パターン８０に引き抜かれ、これらの中で正負の電荷が結合してキャンセルされるようにすることができる。したがって、金属接合部６１での接合歪みによって電荷が誘発されたとしても、外部接続用の各パッド部７０への影響、例えばセンサ信号に影響を与えることなどを抑制でき、センサ精度が悪化することを抑制することが可能となる。
【００３５】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してパッド部７０や導体パターン８０の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３６】
図５および図６に示すように、本実施形態では、キャップ層５０のうちセンサ部１１と対応する位置に、導体パターン８０と同様の機能を行う被覆パターン８１を形成している。具体的には、図５中の二点鎖線で示したように、センサ部１１および溝部１０ｃと対応する領域を含めて、それ以上の広い範囲の領域を被覆パターン８１とし、接地パッド部７０ｃに接続している。
【００３７】
被覆パターン８１は、キャップ層５０の表裏両面、つまりセンサ基板１０側の一面とその反対側の一面の両方に備えられており、それぞれが同じパターンとされて対向配置されている。
【００３８】
このように、キャップ層５０の表裏両面において同じパターンで被覆パターン８１を形成している。このため、表裏両面に発生する正負それぞれの電荷を共に引き抜いて接地パッド部７０ｃに至ったときに正負の電荷が結合してキャンセルされるようにすることができる。例えば、キャップ層５０がダイヤフラムとして機能して変位する可能性があるが、そのような場合にキャップ層５０に発生し得る電荷を引き抜くことが可能となる。特に、真空室が構成される場合には外部の大気圧との間の圧力差に基づいてキャップ層５０が変位し易くなるし、キャビティ５１が形成される場合にはキャップ層５０が尚更に変位し易くなる。したがって、被覆パターン８を形成することで、よりセンサ精度の向上を図ることが可能となる。また、キャップ層５０のうちセンサ部１１と対応する部分を覆うように被覆パターン８１を形成し、これを接地電位とされる接地パッド部７０ｃに接続することで、ノイズなどに対するシールド効果を持たせることが可能となる。
【００３９】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、
例えば、上記各実施形態では、水晶振動子を有する発振装置として力学量センサ、具体的にはジャイロセンサを例に挙げて説明した。しかしながら、これは一例を示したに過ぎない。すなわち、ジャイロセンサ以外の水晶振動子を有する力学量センサ、例えば加速度センサに対しても適用できる。また、水晶振動子としては上記各実施形態で説明したような構造のものに限らず、例えばＳＡＷ素子のようにセンサ基板の表面にＳＡＷを発生させることで力学量の検出を行う力学量センサであっても良い。また、力学量センサに限らず、発振装置としては、水晶発振器なども含まれる。すなわち、水晶基板によって構成され振動子を有する振動基板に対して、支持基板と水晶基板にて構成されるキャップ層とを接合する発振装置に対して、本発明を適用できる。
【００４０】
また、上記実施形態では、基部１７に対して防振部１７ａを備えた構造としたが、防振部１７ａがない構造であっても良い。
【００４１】
また、上記実施形態では、被覆パターン８１を接地パッド部７０ｃに接続することで、導体パターン８０のうち接地パッド部７０ｃと対向配置された部分と接続されるようにしている。しかしながら、被覆パターン８１を導体パターン８０から独立した構造とし、被覆パターン８１のみを独立してキャップ層５０の表裏で電気的に接続した構造としても良い。さらに、シールド機能としての機能も有するように被覆パターン８１を接地パターン８０ｃや接地パッド部７０ｃに接続しているが、互いに対向配置されている他のパッド部７０や他の導体パターン８０に接続されるようにしても良い。
【符号の説明】
【００４２】
１０  センサ基板
１１  センサ部
１２  周辺部
１３  水晶振動子
４０  支持基板
５０  キャップ層
７０  パッド部
８０  導体パターン
８１  被覆パターン
【図１】
2017022461.tif 000003
【図２】
2017022461.tif 000004
【図３】
2017022461.tif 000005
【図４】
2017022461.tif 000006
【図５】
2017022461.tif 000007
【図６】
2017022461.tif 000008