(57)【要約】【課題】配線表面の表面あれを抑制することができる。【解決手段】再配線形成処理においては、貫通孔の開口後、Ti/Cuスパッタによりバリア層およびシード層であるTi/Cu膜が形成される。このとき、実際には、デガス加熱、逆スパッタ、Ti成膜、Seed-Cu成膜の処理が順に実施される。このSeed-Cu膜の成膜において、結晶性の高いSeed-Cu膜を成膜する方法として、基板温度を高くして成膜することは１つの方法であり、基板温度60度以上で成膜することで、Cu(111)/(200)のSeed-Cu膜が形成され、Cu曇りが抑制される。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。【選択図】図４
2017022253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再配線層として、バリア層およびめっき給電層を
備え、
前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される
固体撮像装置。
【請求項２】
前記バリア層の膜は、Ti膜であり、
前記めっき給電層の膜は、Cu膜である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記Cu膜は、Cu(111)に高配向である
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記Cu膜は、Cu(111)/Cu(200)の強度比≧200の結晶性を有する
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記Cu膜は、60度以上の基板温度で成膜される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記基板温度を60度以上に温めることで、前記基板温度を上昇させる
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記ターゲットパワーを高パワーとすることで、前記基板温度を上昇させる
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
基板にバイアスを印加して、前記基板に入射するスパッタイオンを高エネルギとすることで、前記基板温度を上昇させる
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記Ti膜は、Ti(002)に高配向であり、
前記Cu膜は、前記Ti膜上に成膜される
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
固体撮像装置の製造装置が、
再配線層形成におけるバリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性を制御する
製造方法。
【請求項１１】
再配線層として、バリア層およびめっき給電層を
備え、
前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、固体撮像装置、製造方法、および電子機器に関し、特に、配線表面の表面粗れを抑制することができるようにした固体撮像装置、製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１において、銅薄膜の配線を有する半導体装置の銅配線の酸化・腐食抑制のために、半導体素子の上に絶縁層を介して銅配線膜を有する半導体装置において、その配線膜は、その表面層が配向した銅の(111)面を含み、その面のXRDθ-２θ法による回折ピークの(111)面／(200)面の強度比が20以上であることを特徴とする耐酸化性銅薄膜を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２７５６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ウエハレベルのチップサイズパッケージにおける再Cu配線形成において、上記のCuをシード層として用いると、そのCu配線上に著しい表面粗れが発生してしまう。この表面粗れは、再配線形成後のリソ工程においてマスクアライメントの不具合を引き起こしてしまう。
【０００５】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、配線表面の表面粗れを抑制することができるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の一側面の固体撮像装置は、再配線層として、バリア層およびめっき給電層を備え、前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される。
【０００７】
前記バリア層の膜は、Ti膜であり、前記めっき給電層の膜は、Cu膜である。
【０００８】
前記Cu膜は、Cu(111)に高配向である。
【０００９】
前記Cu膜は、Cu(111)/Cu(200)の強度比≧200の結晶性を有することができる。
【００１０】
前記Cu膜は、60度以上の基板温度で成膜される。
【００１１】
前記基板温度を60度以上に温めることで、前記基板温度を上昇させることができる。
【００１２】
前記ターゲットパワーを高パワーとすることで、前記基板温度を上昇させることができる。
【００１３】
基板にバイアスを印加して、前記基板に入射するスパッタイオンを高エネルギとすることで、前記基板温度を上昇させることができる。
【００１４】
前記Ti膜は、Ti(002)に高配向であり、前記Cu膜は、前記Ti膜上に成膜される。
【００１５】
本技術の一側面の製造方法は、固体撮像装置の製造装置が、再配線層形成におけるバリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性を制御する。
【００１６】
本技術の一側面の電子機器は、再配線層として、バリア層およびめっき給電層を備え、前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系とを有する。
【００１７】
本技術の一側面においては、再配線層としてのバリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される。
【発明の効果】
【００１８】
本技術によれば、配線表面の表面粗れを抑制することができる。
【００１９】
なお、本明細書に記載された効果は、あくまで例示であり、本技術の効果は、本明細書に記載された効果に限定されるものではなく、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の概略構成例を示すブロック図である。
【図２】本技術を適用した固体撮像装置を含むCSPの断面例を示す図である。
【図３】本技術の再配線形成処理について説明するフローチャートである。
【図４】図３の再配線形成処理の工程例を示す図である。
【図５】図３の再配線形成処理の工程例を示す図である。
【図６】効果について説明する図である。
【図７】効果について説明する図である。
【図８】効果について説明する図である。
【図９】本技術を適用した固体撮像装置の構造を示す図である。
【図１０】本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本開示を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態（イメージセンサの使用例）
３．第３の実施の形態（電子機器の例）
【００２２】
＜１．第１の実施の形態＞
＜固体撮像装置の概略構成例＞
図１は、本技術の各実施の形態に適用されるCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）固体撮像装置の一例の概略構成例を示している。
【００２３】
図１に示されるように、固体撮像装置（素子チップ）１は、半導体基板１１（例えばシリコン基板）に複数の光電変換素子を含む画素２が規則的に２次元的に配列された画素領域（いわゆる撮像領域）３と、周辺回路部とを有して構成される。
【００２４】
画素２は、光電変換素子（例えばフォトダイオード）と、複数の画素トランジスタ（いわゆるMOSトランジスタ）を有してなる。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、および増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができ、さらに選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。各画素２（単位画素）の等価回路は一般的なものと同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００２５】
また、画素２は、画素共有構造とすることもできる。画素共有構造は、複数のフォトダイオード、複数の転送トランジスタ、共有される１つのフローティングディフュージョン、および、共有される１つずつの他の画素トランジスタから構成される。フォトダイオードは、光電変換素子である。
【００２６】
周辺回路部は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、および制御回路８から構成される。
【００２７】
制御回路８は、入力クロックや、動作モード等を指令するデータを受け取り、また、固体撮像装置１の内部情報等のデータを出力する。具体的には、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、およびマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、これらの信号を垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６に入力する。
【００２８】
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。具体的には、垂直駆動回路４は、画素領域３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線９を通して各画素２の光電変換素子において受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号をカラム信号処理回路５に供給する。
【００２９】
カラム信号処理回路５は、画素２の例えば列毎に配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。具体的には、カラム信号処理回路５は、画素２固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS（Correlated Double Sampling）や、信号増幅、A/D（Analog/Digital）変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されて設けられる。
【００３０】
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１０に出力させる。
【００３１】
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１０を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バッファリングだけを行う場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等を行う場合もある。
【００３２】
入出力端子１２は、外部と信号のやりとりをするために設けられる。
【００３３】
＜本技術のCSP＞
図２は、本技術を適用する固体撮像装置の構成例を示す断面図である。なお、図２の例においては、固体撮像装置１が搭載されるCSP(チップサイズパッケージ)の例が示されている。
【００３４】
図２の例のCSP３１は、透明接着樹脂４２を用いて、固体撮像装置１が搭載されたセンサ基板４３と保護ガラス４１とを、Cavity less構造でウェハレベルの貼り合わせを行い、CSP化のため、裏面のSi基板４６に形成される貫通孔(TSV)４７、再配線層(Ti/Cu膜４９およびめっきCu５０)、はんだボール５２を用いて形成された構造となっている。
【００３５】
具体的には、保護ガラス４１は、固体撮像装置１が搭載されたセンサ基板４３と、透明接着樹脂４２を用いて貼り合わせられている。保護ガラス４１は、固体撮像装置１の画素面（図中下向き）を守るためのものである。センサ基板４３には、固体撮像装置１および配線４５が形成されている。センサ基板４３の裏面には、層間膜４４を介してSi基板４６が接着されている。
【００３６】
貫通孔４７は、センサ基板４３と貼り合わせられた後、Si基板４６と層間膜４４に形成されている。絶縁膜４８は、貫通孔４７の側面とSi基板４６の表面に形成されている。Ti/Cu膜４９とめっきCu５０は、再配線層として、貫通孔４７の底（配線４５の表面）と絶縁膜４８の一部分の上に形成されている。
【００３７】
Ti/Cu膜４９は、バリア層であるTi膜と、めっき給電層（シード層）であるCu膜（以下、めっきCuとの区別のため、適宜、Seed-Cu膜とも称する）で構成されている。めっきCu５０は、再配線として用いられる。はんだボール５２は、めっきCu５０上に形成されている。さらに、絶縁膜５１は、絶縁膜４８、めっきCu５０の一部、貫通孔４７を覆うように形成されている。
【００３８】
ここで、Cu曇りの発生は、このような構造のCSP３１の再配線形成時におけるバリア層（Ti膜）とめっき給電層（Seed-Cu膜）を成膜する工程の後の加熱処理によるSeed-Cu膜の膜質（結晶配向）変化が原因である。Cu曇り改善には、加熱処理を施しても結晶構造の変化が起こりにくいSeed-Cu膜とすることが必要であり、そのためには、Seed-Cu成膜時点でできるだけ高配向な結晶構造を有し、さらに、次の条件を満足するSeed-Cu膜を形成することがポイントである。
【００３９】
すなわち、Cu(111)に高配向なSeed-Cu膜は、Cu再配線の表面あれ抑制に有効であり、XRD測定におけるCu(111)/Cu(200)強度比＞200の結晶性をもつCu膜が望ましい。
【００４０】
そこで、本技術においては、CSP３１の再配線形成におけるTi/Cu膜４９の形成時に、Cuの結晶性を制御するようにした。すなわち、本技術においては、Ti/Cu膜４９の形成時に、Cuの結晶性を高配向になるように制御するようにした。これにより、Cu表面のCu曇りの発生を抑制することができる。
【００４１】
なお、CSP３１の再配線形成方法は、微細半導体プロセスの前工程で用いられているCuダマシン法とは異なるセミアディティブ法を用いて形成される。
【００４２】
＜再配線形成処理＞
次に、図３のフローチャートを参照して、図２のCSP３１における再配線形成処理について具体的に説明する。なお、説明には適宜、図４および図５の工程図が用いられる。
【００４３】
図示せぬ前段の処理により、センサ基板４３とSi基板４６が貼り合わせられ、Si基板４６には、センサ基板４３の配線に再配線するために貫通孔４７が開口されている。
【００４４】
ステップＳ３１において、製造装置は、貫通孔４７の開口後、Ti/Cuスパッタによりバリア層およびシード層であるTi/Cu膜４９を形成する（図４Ａ）。なお、後述するステップＳ３５においてWetエッチング法により配線パターン加工が行われるので、ステップＳ３１においては、微細半導体プロセスのダマシン法で用いられてきたTa膜はWet加工が困難なため使用できず、Cu拡散バリアメタル膜として加工の容易なTi膜が用いられる。
【００４５】
また、ステップＳ３１においては、後述するステップＳ３３の後におけるCu曇りの発生を抑制するために、上述したように結晶性の高いSeed-Cu膜が形成される必要がある。ステップＳ３１においては、実際には、デガス加熱、逆スパッタ、Ti成膜、Seed-Cu成膜の処理が順に実施される。デガス加熱は、センサ基板４３と保護ガラス４１を貼り合わせている透明接着樹脂４２の耐熱温度（200度程度）以下で行われる。次に、逆スパッタにより、Si02膜換算10nm程度のエッチングが基板表面に行われ、貫通孔４７底に露出した下層Cu膜（センサ基板４３の配線層）の表面酸化層と加工残渣が取り除かれる。次いて、Ti膜が250nm成膜されて、バリア層が形成される。
【００４６】
次に、Seed-Cu膜の成膜が行われる。上述したように、Cu曇り抑制のため、結晶性の高いSeed-Cu膜の形成が要求される。結晶性の高いSeed-Cu膜を成膜する方法として、基板温度を温めて60度以上で成膜することは１つの方法である。基板温度60度以上で成膜することで、Cu(111)に高配向で、Cu(111)/Cu(200)の強度比≧200のSeed-Cu膜が形成され、Cu曇りが抑制される。このようなステップＳ３１の後、以降のステップＳ３２乃至Ｓ３５が行われることで、Cu曇りが抑制されたCu配線を形成することができる。
【００４７】
ステップＳ３２において、製造装置は、シード層上に、レジストパターン６１を実施する（図４Ｂ）。なお、ステップＳ３２においては、レジストを硬化するために、130℃程度の加熱加工が実施される。
【００４８】
ステップＳ３３において、製造装置は、レジストパターン６１が行われている状態で、めっきCu５０を形成する。
【００４９】
ステップＳ３４において、製造装置は、レジストパターン６１を剥離する（図５Ａ）。
【００５０】
ステップＳ３５において、製造装置は、Wetエッチング法によりTi/Cu膜４９を除去する。その際、まず、シード層のSeed-Cu膜が除去され、その後、Seed-Cuをマスクに、バリア層のTi膜が除去される（図５Ｂ）。
【００５１】
以上により、CSP３１の再配線形成処理が終了し、再配線が形成される。
【００５２】
なお、上記説明においては、基板温度を上げるための第１の方法について説明したが、基板温度を上げるための第２の方法として、基板ステージ温度を温めて上昇させるほかに、ターゲットパワーを上げる、基板印加バイアスを負荷するなどにより、基板に衝突するスパッタ物(Cu)の運動エネルギを高めて、成膜温度上昇させる方法がある。
【００５３】
さらに、Cu曇り抑制のため、Seed-Cu膜の形成方法として、下地膜としてTi(002)に高配向なTi膜上にSeed-Cu膜を成膜することにより、Cu(111)に高配向なSeed-Cu膜を形成することができる。Ti(002)に高配向なTi膜の形成方法としても、Ti成膜時の基板温度を高くする、成膜時のターゲットパワーを上げ、基板に入射する（成膜する）スパッタ物（Ti）の運動エネルギを大きくすることが有効である。
【００５４】
＜効果の例＞
図６は、めっきCu形成（図３のステップＳ３３）後のCuの表面の例を示す図である。なお、図６Ａにおいては、例えば、微細半導体プロセスの前工程で用いられているCuダマシン法の場合の低配向Cu膜の表面の例が示されており、図６Ｂにおいては、本技術の場合の高配向Cu膜の表面の例が示されている。
【００５５】
再配線形成におけるバリア層（Ti）およびめっき給電層（Cu）を形成する工程において、Cu膜の結晶性を制御することにより、図６Ａおよび図６Ｂに示されるように、Cu再配線の表面粗れを抑制することができる。
【００５６】
また、図７は、XRD測定によるバリア層およびめっき給電層の成膜（図３のステップＳ３１）後のめっき給電層のCu(111)の強度を示す図である。図７の例において、縦軸は、強度であり、横軸は、２θ（θ：X線の入射角）である。なお、図７Ａにおいては、微細半導体プロセスの前工程で用いられているCuダマシン法の場合の低配向Cu膜のCu(111)の強度が示されており、図７Ｂにおいては、本技術の場合の高配向Cu膜のCu(111)の強度が示されている。
【００５７】
再配線形成におけるバリア層（Ti）およびめっき給電層（Cu）を形成する工程において、Cu膜の結晶性を制御することにより、図７Ａおよび図７Ｂの２θ44度あたりに示されるように、Cu(111)の強度を上げることができる。
【００５８】
さらに、図８は、XRD測定によるめっき給電層（Cu）のCu(111)とCu(200)の強度比を示す図である。図８の例において、棒グラフは、左から順に、バリア層およびめっき給電層の成膜（図３のステップＳ３１）後、リソグラフィの熱負荷が与えられた（図３のステップＳ３２）後、めっきCu形成（図３のステップＳ３３）後の強度比を示している。
【００５９】
なお、図８Ａにおいては、微細半導体プロセスの前工程で用いられているCuダマシン法の場合の低配向Cu膜のCu(111)とCu(200)の強度比が示されており、図８Ｂにおいては、本技術の場合の高配向Cu膜のCu(111)とCu(200)の強度比が示されている。
【００６０】
図８Ａのグラフにおいては、バリア層およびめっき給電層の成膜後の強度比が20以上あるが、その後の工程で強度比が１以下に減少し、Cuの結晶性が大きく変化している。その結果、図６Ａに示されたように、めっき後のCu表面が著しく粗れ、Cu曇りに至っている。
【００６１】
一方、図８Ｂのグラフにおいて、バリア層およびめっき給電層の成膜後の強度比が200以上あり、その後の工程以降の処理による変化は少ない。すなわち、Cuの結晶性は変わらず、図６Ｂに示されたように、Cu曇りが抑制されている。
【００６２】
以上のように、再配線形成時におけるバリア層（Ti）およびめっき給電層（Seed-Cu膜）を形成する工程において、Cu膜の結晶性を制御することにより、Cu再配線の表面粗れを抑制することができる。
【００６３】
すなわち、例えば、シード層のCu膜形成時に、基板温度を高く（例えば、６０度以上）して、シード層のCu膜の結晶性を高配向にするようにしたので、Cu再配線の表面粗れを抑制することができる。
【００６４】
なお、以上においては、本技術を、CMOS固体撮像装置に適用した構成について説明してきたが、CCD（Charge Coupled Device）固体撮像装置といった固体撮像装置に適用するようにしてもよい。
【００６５】
＜２．第２の実施の形態（イメージセンサの使用例）＞
図９は、上述の固体撮像装置を使用する使用例を示す図である。
【００６６】
上述した固体撮像装置（イメージセンサ）は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
【００６７】
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【００６８】
＜３．第３の実施の形態（電子機器の例）＞
＜電子機器の構成例＞
【００６９】
さらに、本技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器のことをいう。なお、電子機器に搭載されるモジュール状の形態、すなわちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
【００７０】
ここで、図１０を参照して、本技術の電子機器の構成例について説明する。
【００７１】
図１０に示される電子機器５００は、固体撮像装置（素子チップ）５０１、光学レンズ５０２、シャッタ装置５０３、駆動回路５０４、および信号処理回路５０５を備えている。固体撮像装置５０１としては、上述した本技術の第１の実施の形態の固体撮像装置１が設けられる。これにより、電子機器５００の固体撮像装置５０１のCu表面のCu曇りを抑制することができる。
【００７２】
光学レンズ５０２は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置５０１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置５０１内に一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置５０３は、固体撮像装置５０１に対する光照射期間および遮光期間を制御する。
【００７３】
駆動回路５０４は、固体撮像装置５０１の信号転送動作およびシャッタ装置５０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路５０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置５０１は信号転送を行う。信号処理回路５０５は、固体撮像装置５０１から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力される。
【００７４】
なお、本明細書において、上述した一連の処理を記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【００７５】
また、本開示における実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００７６】
また、以上において、１つの装置（または処理部）として説明した構成を分割し、複数の装置（または処理部）として構成するようにしてもよい。逆に、以上において複数の装置（または処理部）として説明した構成をまとめて１つの装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。また、各装置（または各処理部）の構成に上述した以外の構成を付加するようにしてももちろんよい。さらに、システム全体としての構成や動作が実質的に同じであれば、ある装置（または処理部）の構成の一部を他の装置（または他の処理部）の構成に含めるようにしてもよい。つまり、本技術は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００７７】
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、開示はかかる例に限定されない。本開示の属する技術の分野における通常の知識を有するのであれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例また修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７８】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）  再配線層として、バリア層およびめっき給電層を
備え、
前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される
固体撮像装置。
（２）  前記バリア層の膜は、Ti膜であり、
前記めっき給電層の膜は、Cu膜である
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）  前記Cu膜は、Cu(111)に高配向である
前記（２）に記載の固体撮像装置。
（４）  前記Cu膜は、Cu(111)/Cu(200)の強度比≧200の結晶性を有する
前記（２）に記載の固体撮像装置。
（５）  前記Cu膜は、60度以上の基板温度で成膜される
前記（２）乃至（４）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）  前記基板温度を60度以上に温めることで、前記基板温度を上昇させる
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（７）  前記ターゲットパワーを高パワーとすることで、前記基板温度を上昇させる
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（８）  基板にバイアスを印加して、前記基板に入射するスパッタイオンを高エネルギとすることで、前記基板温度を上昇させる
前記（５）に記載の固体撮像装置。
（９）  前記Ti膜は、Ti(002)に高配向であり、
前記Cu膜は、前記Ti膜上に成膜される
前記（２）乃至（８）に記載の固体撮像装置。
（１０）  固体撮像装置の製造装置が、
再配線層形成におけるバリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性を制御する
製造方法。
（１１）  再配線層として、バリア層およびめっき給電層を
備え、
前記バリア層の膜およびめっき給電層の膜の成膜時に、前記めっき給電層の膜の結晶性が制御される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
【符号の説明】
【００７９】
１  固体撮像装置，  ２  画素，  ３１  CSP，  ４１  保護ガラス，  ４２  透明接着樹脂，  ４３  センサ基板，  ４４  層間膜，  ４５  配線，  ４６  Si基板，  ４７  貫通孔，  ４８  絶縁膜，  ４９  Ti/Cu膜，  ５０  めっきCu，  ５１  絶縁膜，  ５２  はんだボール，  ６１  レジストパターン，  ５００  電子機器、  ５０１  固体撮像装置，  ５０２  光学レンズ，  ５０３  シャッタ装置，  ５０４  駆動回路，  ５０５  信号処理回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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